(57)【要約】  式（１）で表されるアニリン誘導体を提供する。2014203882.tif 000033（式中、Ｒ1は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、ヘテロアリール基又は式（２）で表される基を表し、2014203882.tif 000034  Ｒ2〜Ｒ55は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基等を表す。）
2014203882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されることを特徴とするアニリン誘導体。
【化１】
2014203882.tif 000028
（式中、Ｒ1は、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基又は式（２）で表される基を表し、
【化２】
2014203882.tif 000029
Ｒ2〜Ｒ55は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立にＺ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。）
【請求項２】
Ｒ2〜Ｒ37が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である請求項１記載のアニリン誘導体。
【請求項３】
Ｒ1が、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は式（２）で表される基である請求項１又は２記載のアニリン誘導体。
【請求項４】
Ｒ1が式（２）で表される基である請求項３記載のアニリン誘導体。
【請求項５】
Ｒ38〜Ｒ55が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である請求項４記載のアニリン誘導体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項記載のアニリン誘導体、ドーパント及び有機溶媒を含む電荷輸送性ワニス。
【請求項８】
請求項７記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか１項記載のアニリン誘導体を含む電荷輸送性薄膜。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える電子デバイス。
【請求項１１】
請求項８又は９記載の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
式（３）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項１記載のアニリン誘導体の製造方法。
【化３】
2014203882.tif 000030
（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表す。）
【請求項１４】
式（６）で表されるアミン化合物と、式（７）で表されるアミン化合物と、式（８）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項１記載のアニリン誘導体の製造方法。
【化４】
2014203882.tif 000031
（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表す。）
【請求項１５】
式（９）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物と、式（１０）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項４記載のアニリン誘導体の製造方法。
【化５】
2014203882.tif 000032
（式中、Ｒ1〜Ｒ55は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アニリン誘導体、電荷輸送性ワニス及び有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機ＥＬ素子の低電圧駆動及び高輝度を達成するために重要な機能を果たす。【０００３】
正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ＥＬディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。【０００４】
このような事情に鑑み、本発明者らは、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性材料や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好な化合物を開発してきている（例えば特許文献１〜４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００８／０３２６１６号
【特許文献２】国際公開第２００８／１２９９４７号
【特許文献３】国際公開第２００６／０２５３４２号
【特許文献４】国際公開第２０１０／０５８７７７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、これまでに開発してきた上記特許文献の技術と同様に、有機溶媒への良好な溶解性を示すとともに、薄膜化して正孔注入層に適用した場合に優れた電気特性を有する有機ＥＬ素子を実現できる新規アニリン誘導体、該アニリン誘導体を含む電荷輸送性ワニス、及び有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、特定のアニリン誘導体が有機溶媒への高い溶解性を示すとともに、それをドーパントとともに有機溶媒へ溶解させて調製したワニスから得られる薄膜が高い電荷輸送性を有し、当該薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に、優れた電気特性を実現できることを見出し、本発明を完成させた。【０００８】
すなわち、本発明は、下記アニリン誘導体、電荷輸送性ワニス及び有機ＥＬ素子を提供する。
１．式（１）で表されることを特徴とするアニリン誘導体。
【化１】
2014203882.tif 000003
（式中、Ｒ1は、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基又は式（２）で表される基を表し、
【化２】
2014203882.tif 000004
Ｒ2〜Ｒ55は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立にＺ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。）
２．Ｒ2〜Ｒ37が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である１のアニリン誘導体。
３．Ｒ1が、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は式（２）で表される基である１又は２のアニリン誘導体。
４．Ｒ1が式（２）で表される基である３のアニリン誘導体。
５．Ｒ38〜Ｒ55が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である４のアニリン誘導体。
６．１〜５のいずれかのアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質。
７．１〜５のいずれかのアニリン誘導体、ドーパント及び有機溶媒を含む電荷輸送性ワニス。
８．７の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
９．１〜５のいずれかのアニリン誘導体を含む電荷輸送性薄膜。
１０．８又は９の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える電子デバイス。
１１．８又は９の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である１１の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１３．式（３）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする１のアニリン誘導体の製造方法。
【化３】
2014203882.tif 000005
（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表す。）
１４．式（６）で表されるアミン化合物と、式（７）で表されるアミン化合物と、式（８）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする１のアニリン誘導体の製造方法。
【化４】
2014203882.tif 000006
（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表す。）
１５．式（９）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物と、式（１０）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする４のアニリン誘導体の製造方法。
【化５】
2014203882.tif 000007
（式中、Ｒ1〜Ｒ55は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表す。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明のアニリン誘導体は有機溶媒に溶けやすく、これをドーパントとともに有機溶媒へ溶解させて容易に電荷輸送性ワニスを調製することができる。
本発明の電荷輸送性ワニスから作製した薄膜は高い電荷輸送性を示すため、有機ＥＬ素子をはじめとした電子デバイス用薄膜として好適に用いることができる。特に、この薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用することで、電気特性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［アニリン誘導体］
本発明に係るアニリン誘導体は、式（１）で表される。
【化６】
2014203882.tif 000008
【００１１】
式中、Ｒ1は、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基又は式（２）で表される基を表す。
【化７】
2014203882.tif 000009
【００１２】
Ｒ2〜Ｒ55は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表す。
【００１３】
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立にＺ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
【００１４】
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
【００１５】
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
【００１６】
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。
【００１７】
ハロゲン原子として具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
【００１８】
炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基等が挙げられる。
【００１９】
炭素数２〜２０のアルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。アルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。
【００２０】
炭素数２〜２０のアルキニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１,１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル基、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。
【００２１】
アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素数は、１２以下が好ましく、６以下がより好ましく、４以下がより一層好ましい。
【００２２】
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。
【００２３】
炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−チエニル基、３−チエニル基、２−フラニル基、３−フラニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。
【００２４】
アリール基及びヘテロアリール基の炭素数は、１４以下が好ましく、１０以下がより好ましく、６以下がより一層好ましい。
【００２５】
Ｒ1としては、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は式（２）で表される基が好ましく、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよいフェニル基又は式（２）で表される基がより好ましく、式（２）で表される基が最適である。
【００２６】
Ｒ1が式（２）で表される基である場合、特にＲ38〜Ｒ55が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基（Ｙ2がＺ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である−ＯＹ2基）又はＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリールオキシ基（Ｙ2がＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＯＹ2基）が好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ2で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子又はＺ2で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
【００２７】
また、Ｒ2〜Ｒ37としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリールオキシ基が好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ2で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子又はＺ2で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
【００２８】
なお、Ｒ2〜Ｒ55及びＹ1〜Ｙ8がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基である場合、置換基Ｚ1は、ハロゲン原子又はＺ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、ハロゲン原子又はＺ3で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
また、置換基Ｚ2は、ハロゲン原子又はＺ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子又はＺ3で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
そして、Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００２９】
以下、式（１）で表されるアニリン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されない。なお、式中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「ｎ−Ｐｒ」はｎ−プロピル基を、「ｉ−Ｐｒ」はｉ−プロピル基を、「ｎ−Ｂｕ」はｎ−ブチル基を、「ｉ−Ｂｕ」はイソブチル基を、「ｓ−Ｂｕ」はｓ−ブチル基を、「ｔ−Ｂｕ」はｔ−ブチル基を、「ｎ−Ｐｅｎ」はｎ−ペンチル基を、「ｎ−Ｈｅｘ」はｎ−ヘキシル基を、「ｎ−Ｈｅｐ」はｎ−ヘプチル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、それぞれ示す。
【００３０】
【化８】
2014203882.tif 000010
【００３１】
【化９】
2014203882.tif 000011
【００３２】
【化１０】
2014203882.tif 000012
【００３３】
［アニリン誘導体の製造方法］
本発明のアニリン誘導体は、式（３）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させて製造することができる（スキーム１）。
【化１１】
2014203882.tif 000013
（式中、Ｘは、それぞれ独立にハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表す。Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。）
【００３４】
また、本発明のアニリン誘導体は、式（６）で表されるアミン化合物と、式（７）で表されるアミン化合物と、式（８）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させて製造することもできる（スキーム２）。
【化１２】
2014203882.tif 000014
（式中、Ｘ及びＲ1〜Ｒ37は上記と同じ。）
【００３５】
そして、Ｒ1が式（２）で表される基である本発明のアニリン誘導体（式（１'））は、式（９）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物と、式（１０）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることで製造することができる（スキーム３）。
【化１３】
2014203882.tif 000015
（式中、Ｘ及びＲ1〜Ｒ55は上記と同じ。）
【００３６】
上記スキーム１〜３中、Ｘで表されるハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。また、擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の(フルオロ)アルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基等が挙げられる。
【００３７】
式（３）で表されるアミン化合物の具体例としては、Ｎ−メチル−ビス(４−アミノフェニル)アミン、Ｎ,Ｎ−ビス(ｐ−アミノフェニル)アニリン等が挙げられ、式（６）で表されるアミン化合物の具体例としては、Ｎ−メチル−ビス(４−ブロモフェニル)アミン、Ｎ,Ｎ−ビス(ｐ−ブロモフェニル)アニリン等が挙げられ、式（９）で表されるアミン化合物の具体例としては、トリス(４−アミノフェニル)アミン等が挙げられるが、いずれもこれらに限定されるものではない。
【００３８】
式（４）、（５）、（１０）で表されるアミン化合物の具体例としては、４'−ブロモ−Ｎ−フェニル−[１,１'−ビフェニル]−４−アミン等が挙げられ、式（７）、（８）で表されるアミン化合物の具体例としては、Ｎ,Ｎ−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン等が挙げられるが、いずれもこれらに限定されるものではない。
【００３９】
式（３）で表されるアミン化合物と式（４）、（５）で表されるアミン化合物との仕込み比、式（６）で表されるアミン化合物と式（７）、（８）で表されるアミン化合物との仕込み比、及び式（９）で表されるアミン化合物と式（４）、（５）、（１０）で表されるアミン化合物との仕込み比は、モル比で１以上とすることができるが、１〜１.２程度が好適である。
【００４０】
上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒；テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（Pd(PPh3)4）、ビス(トリフェニルホスフィン)ジクロロパラジウム（Pd(PPh3)2Cl2）、ビス(ベンジリデンアセトン)パラジウム（Pd(dba)2）、トリス(ベンジリデンアセトン)ジパラジウム（Pd2(dba)3）、ビス(トリ−ｔ−ブチルホスフィン)パラジウム（Pd(P-t-Bu3)2）等のパラジウム触媒等が挙げられる。これらの触媒は１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は、公知の適切な配位子とともに使用してもよい。
【００４１】
触媒の使用量は、式（３）、（６）又は（９）で表されるアミン化合物１ｍｏｌに対して、０.００１〜０.２ｍｏｌ程度とすることができるが、０.００５〜０.０５ｍｏｌ程度が好適である。
また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し０.１〜５当量とすることができるが、１〜４当量が好適である。
【００４２】
上記反応は溶媒中で行ってもよい。溶媒は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定されない。溶媒の具体例としては、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素類（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン等）、ハロゲン化芳香族炭化水素類（クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１,２−ジメトキシエタン、１,２−ジエトキシエタン等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アミド類（Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、ラクタム及びラクトン類（Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等）、尿素類（Ｎ,Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル類（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いてもよい。
【００４３】
反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、０〜２００℃程度が好ましく、２０〜１５０℃がより好ましい。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするアニリン誘導体を得ることができる。
【００４４】
［電荷輸送性ワニス］
本発明の電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と有機溶媒とを含むものであるが、電荷輸送能等を向上させるために、必要に応じてドーパントを含んでいてもよい。
【００４５】
ドーパントとしては、ワニスに使用する少なくとも１種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、無機系ドーパント、有機系ドーパントのいずれも使用できる。
【００４６】
無機系ドーパントとしては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸；塩化アルミニウム(III)（AlCl3）、四塩化チタン(IV)（TiCl4）、三臭化ホウ素（BBr3）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（BF3・OEt2）、塩化鉄(III)（FeCl3）、塩化銅(II)（CuCl2）、五塩化アンチモン(V)（SbCl5）、五フッ化アンチモン(V)（SbF5）、五フッ化ヒ素(V)（AsF5）、五フッ化リン（PF5）、トリス(４−ブロモフェニル)アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等の金属ハロゲン化物；Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IF4等のハロゲン；リンモリブデン酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸等が挙げられる。
【００４７】
有機系ドーパントとしては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−スチレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２,５−ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６,７−ジブチル−２−ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３−ドデシル−２−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４−ヘキシル−１−ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２−オクチル−１−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７−へキシル−１−ナフタレンスルホン酸、６−ヘキシル−２−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２,７−ジノニル−４−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２,７−ジノニル−４,５−ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号記載の１,４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号記載のアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号記載のアリールスルホン酸化合物、ポリスチレンスルホン酸等のアリールスルホン酸化合物；１０−カンファースルホン酸等の非アリールスルホン酸化合物；７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２,３−ジクロロ−５,６−ジシアノ−１,４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）等の有機酸化剤等が挙げられる。
【００４８】
これら無機系及び有機系のドーパントは、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
これらのドーパントの中でもヘテロポリ酸が好適である。ドーパントとしてヘテロポリ酸を用いることで、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極からの高正孔受容能のみならず、アルミニウムに代表される金属陽極からの高正孔受容能を示す電荷輸送性に優れた薄膜を得ることができる。
【００５０】
ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ｂ１）で示されるKeggin型あるいは式（Ｂ２）で示されるDawson型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等のオキソ酸であるイソポリ酸と、異種元素のオキソ酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素のオキソ酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）のオキソ酸が挙げられる。
【００５１】
【化１４】
2014203882.tif 000016
【００５２】
ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
【００５３】
特に、ドーパントが１種類のヘテロポリ酸からなる場合、その１種類のヘテロポリ酸はリンタングステン酸又はリンモリブデン酸であることが好ましく、リンタングステン酸であることがより好ましい。また、ドーパントが２種類以上のヘテロポリ酸からなる場合、その２種類以上のヘテロポリ酸のうち少なくとも１つはリンタングステン酸又はリンモリブデン酸であることが好ましく、リンタングステン酸であることがより好ましい。
【００５４】
なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの又は少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
【００５５】
すなわち、例えば、一般的にリンタングステン酸は化学式Ｈ3(ＰＷ12Ｏ40)・ｎＨ2Ｏで、リンモリブデン酸は化学式Ｈ3(ＰＭｏ12Ｏ40)・ｎＨ2Ｏでそれぞれ表されるが、定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）又はＷ（タングステン）若しくはＭｏ（モリブデン）の数が多いもの又は少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態及び公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
【００５６】
また、アリールスルホン酸化合物も好適に使用できる。とりわけ、式（１１）又は（１２）で表されるアリールスルホン酸化合物が好ましい。
【００５７】
【化１５】
2014203882.tif 000017
【００５８】
式（１１）中、Ａ1は−Ｏ−又は−Ｓ−を表すが、−Ｏ−が好ましい。Ａ2はナフタレン環又はアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。Ａ3は２〜４価のパーフルオロビフェニル基を表し、ｐはＡ1とＡ3との結合数を示し、２≦ｐ≦４を満たす整数であるが、Ａ3が２価のパーフルオロビフェニル基であり、かつ、ｐが２であることが好ましい。ｑはＡ2に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｑ≦４を満たす整数であるが、２が好適である。
【００５９】
式（１２）中、Ａ4〜Ａ8は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基を表すが、Ａ4〜Ａ8のうち少なくとも３つはハロゲン原子である。ｒはナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｒ≦４を満たす整数であるが、２〜４が好ましく、２がより好ましい。
【００６０】
炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、１,１,２,２,２−ペンタフルオロエチル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基、２,２,３,３,３−ペンタフルオロプロピル基、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロピル基、４,４,４−トリフルオロブチル基、３,３,４,４,４−ペンタフルオロブチル基、２,２,３,３,４,４,４−ヘプタフルオロブチル基、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【００６１】
炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、１−パーフルオロプロペニル基、パーフルオロアリル基、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
その他、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
【００６２】
これらの中でも、Ａ4〜Ａ8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜１０のハロゲン化アルケニル基であり、かつＡ4〜Ａ8のうち少なくとも３つはフッ素原子であることが好ましい。また、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のフッ化アルキル基又は炭素数２〜５のフッ化アルケニル基であり、かつＡ4〜Ａ8のうち少なくとも３つはフッ原子であることがより好ましい。更に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基又は炭素数１〜５のパーフルオロアルケニル基であり、かつＡ4、Ａ5及びＡ8がフッ素原子であることより一層好ましい。
【００６３】
なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。
【００６４】
本発明におけるその他のドーパントとして好適なアリールスルホン酸化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されない。
【００６５】
【化１６】
2014203882.tif 000018
【００６６】
本発明の電荷輸送性ワニスにドーパントを含める場合、ドーパントの使用量は、ドーパントの種類、所望の電荷輸送性の程度等を考慮して適宜決定するため、一概に規定できないが、質量比で本発明のアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質（以下、単に電荷輸送性物質という）１に対して、概ね０.０１〜５０程度の範囲内である。
【００６７】
特に、ヘテロポリ酸をドーパントとして用いる場合、ヘテロポリ酸を、質量比で電荷輸送性物質１に対して０.５〜３０.０程度、好ましくは１.０〜２０.０程度、より好ましくは２.０〜１５.０程度、より一層好ましくは３.０〜１２.０程度、更に好ましくは４.０〜１１.０程度とすることで、有機ＥＬ素子に用いた場合に高輝度を与える電荷輸送性薄膜を再現性よく得ることができる。
【００６８】
一方、ドーパントとしてアリールスルホン酸化合物を用いる場合、アリールスルホン酸化合物を、モル比で電荷輸送性物質１に対して、０.０５〜１５.０、好ましくは０.１０〜１０.０、より好ましくは０.２５〜７.０、より一層好ましくは０.５０〜５.０、更に好ましくは０.７５〜３.０とすることで、有機ＥＬ素子に用いた場合に高輝度を与える電荷輸送性薄膜を再現性よく得ることができる。
【００６９】
更に、本発明の電荷輸送性ワニスは、有機シラン化合物を含んでもよい。有機シランを含むことによって、正孔輸送層や発光層といった陽極とは反対側に正孔注入層に接するように積層される層への正孔注入能を高めることができ、その結果、より高い電気特性を実現できる。
【００７０】
この有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物又はテトラアルコキシシラン化合物が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００７１】
とりわけ、有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物又はトリアルコキシシラン化合物が好ましく、トリアルコキシシラン化合物がより好ましい。
【００７２】
ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物及びテトラアルコキシシラン化合物としては、例えば、式（１３）〜（１５）で示されるものが挙げられる。
ＳｉＲ'2(ＯＲ)2             （１３）
ＳｉＲ'(ＯＲ)3              （１４）
Ｓｉ(ＯＲ)4                 （１５）
【００７３】
式中、Ｒは、それぞれ独立にＺ4で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ5で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ'は、それぞれ独立にＺ6で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ7で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ7で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
【００７４】
Ｚ4は、ハロゲン原子、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ5は、ハロゲン原子、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
Ｚ6は、ハロゲン原子、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（−ＮＣＯ）、アミノ基、−ＮＨＹ9基又は−ＮＹ10Ｙ11基を表す。
【００７５】
Ｚ7は、ハロゲン原子、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（−ＮＣＯ）、アミノ基、−ＮＨＹ9基又は−ＮＹ10Ｙ11基を表す。
【００７６】
Ｙ9〜Ｙ11は、それぞれ独立にＺ8で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ8で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ8は、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基又はチオール基を表す。
【００７７】
式（１３）〜（１５）におけるハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、及び炭素数２〜２０のヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
【００７８】
Ｒ及びＲ'において、アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。また、アリール基及びヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
【００７９】
Ｒとしては、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ5で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又はＺ5で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基又はＺ5で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、Ｚ4で置換されていてもよいメチル基又はエチル基が更に好ましい。
【００８０】
また、Ｒ'としては、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又はＺ7で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ7で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基がより好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基又はＺ7で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより一層好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基又はＺ7で置換されていてもよいフェニル基が更に好ましい。
【００８１】
なお、複数のＲは全て同一でも異なっていてもよく、複数のＲ'も全て同一でも異なっていてもよい。
【００８２】
Ｚ4としては、ハロゲン原子又はＺ8で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フッ素原子又はＺ8で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００８３】
また、Ｚ5としては、ハロゲン原子又はＺ8で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアルキル基が好ましく、フッ素原子又はＺ8で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００８４】
一方、Ｚ6としては、ハロゲン原子、Ｚ8で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ8で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ8で置換されていてもよいフェニルアミノ基又はＺ8で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
【００８５】
また、Ｚ7としては、ハロゲン原子、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ8で置換されていてもよいフェニルアミノ基又はＺ8で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
【００８６】
そして、Ｚ8としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
【００８７】
以下、本発明で使用可能な有機シラン化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
ジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシシラン、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−(２−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３,３,３−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
【００８８】
トリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシ(４−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、ドデシルトリエトキシシラン、３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、(トリエトキシシリル)シクロヘキサン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、３−(ヘプタフルオロイソプロポキシ)プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、トリエトキシ−２−チエニルシラン、３−(トリエトキシシリル)フラン等が挙げられる。
【００８９】
テトラアルコキシシラン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。
【００９０】
これらの中でも、３,３,３−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリエトキシ(４−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン又はペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシランが好ましい。
【００９１】
本発明の電荷輸送性ワニスに有機シラン化合物を含める場合、その含有量は、得られる薄膜の高電荷輸送性を維持する点を考慮すると、電荷輸送性物質及びドーパントの総質量に対して、通常０.１〜５０質量％程度であるが、得られる薄膜の電荷輸送性の低下を抑制し、かつ正孔輸送層や発光層といった陽極とは反対側に正孔注入層に接するように積層される層への正孔注入能を高めることを考慮すると、好ましくは０.５〜４０質量％程度、より好ましくは０.８〜３０質量％程度、より一層好ましくは１〜２０質量％程度である。
【００９２】
なお、本発明の電荷輸送性ワニスには、上述したアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質のほかに、公知のその他の電荷輸送性物質を用いることもできる。
【００９３】
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質及びドーパントを良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。
【００９４】
このような高溶解性溶媒としては、例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒を用いることができる。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いることができ、その使用量はワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
【００９５】
なお、電荷輸送性物質及びドーパントは、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましく、完全に溶解していることがより好ましい。
【００９６】
また、本発明においては、ワニスに、２５℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも１種含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、用いる塗布方法に応じたワニス調整が可能となる。
【００９７】
高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１,３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１,３−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いてもよい。
【００９８】
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は５〜８０質量％が好ましい。
【００９９】
更に、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して好ましくは１〜９０質量％、より好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。
【０１００】
このような溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【０１０１】
本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓである。
【０１０２】
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度及び表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０.１〜１０.０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０.５〜５.０質量％、より好ましくは１.０〜３.０質量％である。
【０１０３】
上記電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
【０１０４】
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度及び表面張力を調節することが好ましい。
【０１０５】
また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面及び高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができる。
【０１０６】
焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度等を勘案して、１００〜２６０℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０〜２５０℃程度が好ましく、１４５〜２４０℃程度がより好ましい。
【０１０７】
なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等適当な機器を用いて行えばよい。
【０１０８】
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で正孔注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
【０１０９】
［有機ＥＬ素子］
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されない。
【０１１０】
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
【０１１１】
本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
【０１１２】
上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子輸送層／ホールブロック層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。
【０１１３】
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
【０１１４】
なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドニウム、インジウム、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されない。
【０１１５】
正孔輸送層を形成する材料としては、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−２,２'−ジメチルベンジジン、２,２',７,７'−テトラキス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ−ナフタレン−１−イル−Ｎ−フェニルアミノ)−フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２',７,７'−テトラキス[Ｎ−ナフタレニル(フェニル)−アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(フェナントレン−９−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、２,２'−ビス[Ｎ,Ｎ−ビス(ビフェニル−４−イル)アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、２,２'−ビス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、ジ−[４−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)−フェニル]シクロヘキサン、２,２',７,７'−テトラ(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル))アミノ−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−(３−メチルフェニル)−３,３'−ジメチルベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレニル)−Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ(ナフタレニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニルベンジジン−１,４−ジアミン、Ｎ1,Ｎ4−ジフェニル−Ｎ1,Ｎ4−ジ(ｍ−トリル)ベンゼン−１,４−ジアミン、Ｎ2,Ｎ2,Ｎ6,Ｎ6−テトラフェニルナフタレン−２,６−ジアミン、トリス(４−(キノリン−８−イル)フェニル)アミン、２,２'−ビス(３−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)フェニル)ビフェニル、４,４',４''−トリス[３−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４,４',４''−トリス[１−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５,５''−ビス−{４−[ビス(４−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−２,２':５',２''−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類等が挙げられる。
【０１１６】
発光層を形成する材料としては、トリス(８−キノリノラート)アルミニウム(III)（Ａｌｑ3）、ビス(８−キノリノラート)亜鉛(II)（Ｚｎｑ2）、ビス(２−メチル−８−キノリノラート)(ｐ−フェニルフェノラート)アルミニウム(III)（ＢＡｌｑ）、４,４'−ビス(２,２−ジフェニルビニル)ビフェニル、９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−ｔ−ブチル−９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２,７−ビス[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２−メチル−９,１０−ビス(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２−[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２,２'−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,３,５−トリス(ピレン−１−イル)ベンゼン、９,９−ビス[４−(ピレニル)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２'−ビ(９,１０−ジフェニルアントラセン)、２,７−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、１,３−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、６,１３−ジ(ビフェニル−４−イル)ペンタセン、３,９−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、３,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、トリス[４−(ピレニル)−フェニル]アミン、１０,１０'−ジ(ビフェニル−４−イル)−９,９'−ビアントラセン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−[１,１':４',１'':４'',１'''−クォーターフェニル]−４,４'''−ジアミン、４,４'−ジ[１０−(ナフタレン−１−イル)アントラセン−９−イル]ビフェニル、ジベンゾ{[ｆ,ｆ']−４,４',７,７'−テトラフェニル}ジインデノ[１,２,３−ｃｄ:１',２',３'−ｌｍ]ペリレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１,３−ビス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、１,３,５−トリス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、４,４',４''−トリス(カルバゾール−９−イル)トリフェニルアミン、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)ビフェニル（ＣＢＰ）、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)−２,２'−ジメチルビフェニル、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジメチルフルオレン、２,２',７,７'−テトラキス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジ(ｐ−トリル)フルオレン、９,９−ビス[４−(カルバゾール−９−イル)−フェニル]フルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、１,３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、ビス(４−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル)−４−メチルフェニルメタン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジオクチルフルオレン、４,４''−ジ(トリフェニルシリル)−ｐ−ターフェニル、４,４'−ジ(トリフェニルシリル)ビフェニル、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−��,６−ビス(トリフェニルシリル)−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ビス(９−(４−メトキシフェニル)−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９Ｈ−カルバゾール、２,６−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、トリフェニル(４−(９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)フェニル)シラン、９,９−ジメチル−Ｎ,Ｎ−ジフェニル−７−(４−(１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾール−２−イル)フェニル)−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、３,５−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、９,９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、９,９'−(５−(トリフェニルシリル)−１,３−フェニレン)ビス(９Ｈ−カルバゾール)、３−(２,７−ビス(ジフェニルホスホリル)−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール、４,４,８,８,１２,１２−ヘキサ(ｐ−トリル)−４Ｈ−８Ｈ−１２Ｈ−１２Ｃ−アザジベンゾ[ｃｄ,ｍｎ]ピレン、４,７−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)−１,１０−フェナントロリン、２,２'−ビス(４−(カルバゾール−９−イル)フェニル)ビフェニル、２,８−ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾ[ｂ,ｄ]チオフェン、ビス(２−メチルフェニル)ジフェニルシラン、ビス[３,５−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル]ジフェニルシラン、３,６−ビス(カルバゾール−９−イル)−９−(２−エチル−ヘキシル)−９Ｈ−カルバゾール、３−(ジフェニルホスホリル)−９−(４−(ジフェニルホスホリル)フェニル)−９Ｈ−カルバゾール、３,６−ビス[(３,５−ジフェニル)フェニル]−９−フェニルカルバゾール等が挙げられ、発光性ドーパントと共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
【０１１７】
発光性ドーパントとしては、３−(２−ベンゾチアゾリル)−７−(ジエチルアミノ)クマリン、２,３,６,７−テトラヒドロ−１,１,７,７−テトラメチル−１Ｈ,５Ｈ,１１Ｈ−１０−(２−ベンゾチアゾリル)キノリジノ[９,９ａ,１ｇｈ]クマリン、キナクリドン、Ｎ,Ｎ'−ジメチル−キナクリドン、トリス(２−フェニルピリジン)イリジウム(III)（Ir(ppy)3）、ビス(２−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)（Ir(ppy)2(acac)）、トリス[２−(ｐ−トリル)ピリジン]イリジウム(III)（Ir(mppy)3）、９,１０−ビス[Ｎ,Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ]アントラセン、９,１０−ビス[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]アントラセン、ビス[２−(２−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(II)、Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10−テトラ(ｐ−トリル)−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10−テトラフェニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ10,Ｎ10−ジフェニル−Ｎ10,Ｎ10−ジナフタレニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、４,４'−ビス(９−エチル−３−カルバゾビニレン)−１,１'−ビフェニル、ペリレン、２,５,８,１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、１,４−ビス[２−(３−Ｎ−エチルカルバゾリル)ビニル]ベンゼン、４,４'−ビス[４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル、４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)−４'−[(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、ビス[３,５−ジフルオロ−２−(２−ピリジル)フェニル−(２−カルボキシピリジル)]イリジウム(III)、４,４'−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]ビフェニル、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)テトラキス(１−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−トリス(９,９−ジメチルフルオレニレン)、２,７−ビス{２−[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]−９,９−ジメチル−フルオレン−７−イル}−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ−(４−((Ｅ)−２−(６((Ｅ)−４−(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン−２−イル)ビニル)フェニル)−Ｎ−フェニルベンゼンアミン、ｆａｃ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ2)、ｍｅｒ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ2)、２,７−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]−９,９−スピロビフルオレン、６−メチル−２−(４−(９−(４−(６−メチルベンゾ[ｄ]チアゾール−２−イル)フェニル)アントラセン−１０−イル)フェニル)ベンゾ[ｄ]チアゾール、１,４−ジ[４−(Ｎ,Ｎ−ジフェニル)アミノ]スチリルベンゼン、１,４−ビス(４−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)スチリル)ベンゼン、(Ｅ)−６−(４−(ジフェニルアミノ)スチリル)−Ｎ,Ｎ−ジフェニルナフタレン−２−アミン、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)(５−(ピリジン−２−イル)−１Ｈ−テトラゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾール)((２,４−ジフルオロベンジル)ジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(ベンジルジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(１−(２,４−ジフルオロベンジル)−３−メチルベンズイミダゾリウム)(��−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(４',６'−ジフルオロフェニルピリジネート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３,５−ビス(トリフルオロメチル)−２−(２'−ピリジル)ピロレート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、(Ｚ)−６−メシチル−Ｎ−(６−メシチルキノリン−２(１Ｈ)−イリデン)キノリン−２−アミン−ＢＦ2、(Ｅ)−２−(２−(４−(ジメチルアミノ)スチリル)−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル)−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−ｔ−ブチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジン−４−イル−ビニル)−４Ｈ−ピラン、トリス(ジベンゾイルメタン)フェナントロリンユーロピウム(III)、５,６,１１,１２−テトラフェニルナフタセン、ビス(２−ベンゾ[ｂ]チオフェン−２−イル−ピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス(１−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)、ビス(１−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[１−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[２−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[４,４'−ジ−ｔ−ブチル−(２,２')−ビピリジン]ルテニウム(III)・ビス(ヘキサフルオロホスフェート)、トリス(２−フェニルキノリン)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、２,８−ジ−ｔ−ブチル−５,１１−ビス(４−ｔ−ブチルフェニル)−６,１２−ジフェニルテトラセン、ビス(２−フェニルベンゾチアゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、５,１０,１５,２０−テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム(II)ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジン)−ピラゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジフェニルメチルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾール)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、ビス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン]イリジウム(III)、トリス[２−フェニル−４−メチルキノリン]イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２−(３−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム(III)、ビス(２−(９,９−ジエチル−フルオレン−２−イル)−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルピリジン)(３−(ピリジン−２−イル)−２Ｈ−クロメン−２−オネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、ビス(フェニルイソキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、イリジウム(III)ビス(４−フェニルチエノ[３,２−ｃ]ピリジナト−Ｎ,Ｃ2)アセチルアセトネート、(Ｅ)−２−(２−ｔ−ブチル−６−(２−(２,６,６−トリメチル−２,４,５,６−テトラヒドロ−１Ｈ−ピローロ[３,２,１−ｉｊ]キノリン−８−イル)ビニル)−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(１−イソキノリル)ピラゾレート)(メチルジフェニルホスフィン)ルテニウム、ビス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、白金(II)オクタエチルポルフィン、ビス(２−メチルジベンゾ[ｆ,ｈ]キノキサリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キソキノリン]イリジウム(III)等が挙げられる。
【０１１８】
電子輸送層／ホールブロック層を形成する材料としては、８−ヒドロキシキノリノレート−リチウム、２,２',２''−(１,３,５−ベンジントリル)−トリス(１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール)、２−(４−ビフェニル)５−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾール、２,９−ジメチル−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、ビス(２−メチル−８−キノリノレート)−４−(フェニルフェノラト)アルミニウム、１,３−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾー５−イル]ベンゼン、６,６'−ビス[５−(ビフェニル−４−イル)−１,３,４−オキサジアゾー２−イル]−２,２'−ビピリジン、３−(４−ビフェニル)−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１,２,４−トリアゾール、４−(ナフタレン−１−イル)−３,５−ジフェニル−４Ｈ−１,２,４−トリアゾール、２,９−ビス(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、２,７−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾー５−イル]−９,９−ジメチルフルオレン、１,３−ビス[２−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾー５−イル]ベンゼン、トリス(２,４,６−トリメチル−３−(ピリジン−３−イル)フェニル)ボラン、１−メチル−２−(４−(ナフタレン−２−イル)フェニル)−１Ｈ−イミダゾ[４,５ｆ][１,１０]フェナントロリン、２−(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、フェニル−ジピレニルホスフィンオキサイド、３,３',５,５'−テトラ[(ｍ−ピリジル)−フェン−３−イル]ビフェニル、１,３,５−トリス[(３−ピリジル)−フェン−３−イル]ベンゼン、４,４'−ビス(４,６−ジフェニル−１,３,５−トリアジン−２−イル)ビフェニル、１,３−ビス[３,５−ジ(ピリジン−３−イル)フェニル]ベンゼン、ビス(１０−ヒドロキシベンゾ[ｈ]キノリナト)ベリリウム、ジフェニルビス(４−(ピリジン−３−イル)フェニル)シラン、３,５−ジ(ピレン−１−イル)ピリジン等が挙げられる。
【０１１９】
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Li2O）、酸化マグネシウム（MgO）、アルミナ（Al2O3）、フッ化リチウム（LiF）、フッ化ナトリウム（NaF）、フッ化マグネシウム（MgF2）、フッ化セシウム（CsF）、フッ化ストロンチウム（SrF2）、三酸化モリブデン（MoO3）、アルミニウム、Li(acac)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
【０１２０】
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
【０１２１】
電子ブロック層を形成する材料としては、トリス(フェニルピラゾール)イリジウム等が挙げられる。
【０１２２】
本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
【０１２３】
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。
【０１２４】
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、更に陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
【０１２５】
使用する陰極及び陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
【０１２６】
正孔輸送性高分子層及び発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料若しくは発光性高分子材料、又はこれらにドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層又は正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。
【０１２７】
正孔輸送性高分子材料としては、ポリ[(９,９−ジヘキシルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[(９,９−ジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,１'−ビフェニレン−４,４−ジアミン)]、ポリ[(９,９−ビス{１'−ペンテン−５'−イル}フルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[Ｎ,Ｎ'−ビス(４−ブチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン]−エンドキャップド ウィズ ポリシルセスキオキサン、ポリ[(９,９−ジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(４,４'−(Ｎ−(ｐ−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]等が挙げられる。
【０１２８】
発光性高分子材料としては、ポリ(９,９−ジアルキルフルオレン)（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ(２−メトキシ−５−(２'−エチルヘキソキシ)−１,４−フェニレンビニレン)（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(３−アルキルチオフェン)（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【０１２９】
溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解又は均一分散法としては攪拌、加熱攪拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
【０１３０】
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
【０１３１】
焼成する方法としては、不活性ガス下又は真空中、オーブン又はホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
【０１３２】
なお、上記電荷輸送性ワニスから得られる電荷輸送性薄膜だけでなく、本発明のアニリン誘導体から得られる蒸着膜も電荷輸送性に優れることから、用途によっては、蒸着法により得られる電荷輸送性薄膜を用いてもよい。
【実施例】
【０１３３】
以下、合成例及び実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）MALDI-TOF-MS：ブルカー社製、autoflex III smartbeam
（２）1H-NMR：日本電子（株）製、JNM-ECP300 FT NMR SYSTEM
（３）基板洗浄：長州産業（株）製、基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（４）ワニスの塗布：ミカサ（株）製、スピンコーターMS-A100
（５）膜厚測定：（株）小坂研究所製、微細形状測定機サーフコーダET-4000
（６）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製、多機能蒸着装置システムC-E2L1G1-N
（７）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製、Ｉ−Ｖ−Ｌ測定システム
（８）ＥＬ素子の寿命測定（半減期の測定）：（株）イーエッチシー製、有機ＥＬ輝度寿命評価システムPEL-105S【０１３４】
［合成例１］アリールスルホン酸化合物１の合成
アリールスルホン酸化合物１（式（ｂ１））を、国際公開第２００６／０２５３４２号の記載に基づき、下記反応式にしたがって合成した。
【化１７】
2014203882.tif 000019
【０１３５】
よく乾燥させた１−ナフトール−３,６−ジスルホン酸ナトリウム１１ｇ（３１.５９ｍｍｏｌ）に、窒素雰囲気下で、パーフルオロビフェニル４.７９７ｇ（１４.３６ｍｏｌ）、炭酸カリウム４.１６７ｇ（３０.１５ｍｏｌ）及びＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬを順次加え、反応系を窒素置換した後、内温１００℃で６時間攪拌した。
室温まで放冷後、反応後に析出しているアリールスルホン酸化合物１を再溶解させるために、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミドを更に５００ｍＬ加え、室温で９０分攪拌した。室温攪拌後、この溶液をろ過して炭酸カリウム残渣を除去し、減圧濃縮した。更に、残存している不純物を除去するために、残渣にメタノール１００ｍＬを加え、室温で攪拌した。
室温で３０分間攪拌後、懸濁溶液をろ過し、ろ物を得た。ろ物に超純水３００ｍＬを加えて溶解し、陽イオン交換樹脂ダウエックス６５０Ｃ（ダウ・ケミカル社製、Ｈタイプ約２００ｍＬ、留出溶媒：超純水）を用いたカラムクロマトグラフィーによりイオン交換した。
ｐＨ１以下の分画を減圧下で濃縮乾固し、残渣を減圧下で乾固して黄色粉末１１ｇを得た（収率８５％）。【０１３６】
［実施例１−１］アニリン誘導体１の合成
アニリン誘導体１（式（ａ１））を以下の方法で合成した。
【化１８】
2014203882.tif 000020
【０１３７】
フラスコ内に、Ｎ−メチル−ビス(４−アミノフェニル)アミン５.０２ｇ、ブロモトリフェニルアミン１６.０３ｇ（２.１ｅｑ）、Pd2(dba)3 ０.１１ｇ（０.５ｍｏｌ％）、P(t-Bu)3 ０.２４ｇ（５.０ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム（t-BuONa）４.７５ｇ（２.１ｅｑ）及びトルエン５０ｇを入れ、窒素置換を行った後、還流条件下で３時間攪拌した。
反応液を室温まで放冷した後、そこへイオン交換水及び酢酸エチルを加えて分液処理をし、得られた有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。
その後、溶媒を減圧留去し、得られた残渣をジオキサン及びイソプロパノールの混合溶媒（1/4(v/v)）に溶解させ、この溶液をメタノールへ滴下することで再沈殿を行った。
ろ過によって回収した沈殿物を酢酸エチルで洗浄し、減圧加熱下でよく乾燥して、アニリン誘導体１を得た（収量：１２ｇ、収率：７３％）。1H-NMRの測定結果を以下に示す。
1H-NMR (300MHz, DMSO-d6) δ[ppm]: 7.94 (s, 2H), 7.21-7.25 (t, 8H), 6.86-7.02 (m, 28H), 3.17 (s, 3H).【０１３８】
［実施例１−２］アニリン誘導体２の合成
（１）Ｎ,Ｎ−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（式（１３））を以下の方法で合成した。
【化１９】
2014203882.tif 000021
【０１３９】
フラスコ内に、ブロモトリフェニルアミン４.０４ｇ及びPd(dba)2 ０.３５８ｇ（５ｍｏｌ％）を入れて窒素置換を行った。そこへトルエン４０ｍＬ、P(t-Bu)3のトルエン溶液５.２４ｍＬ（２４.０２ｇ／Ｌ、５ｍｏｌ％）及びリチウムヘキサメチルジシラジド（ＬＨＭＤＳ）１７.１ｍＬ（１.０９Ｍ、１.５ｅｑ）を順次加えた後、室温で４時間攪拌し、更にそこへ適量のトリフルオロ酢酸を加えて終夜攪拌した。
攪拌終了後、２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液３０ｍＬを用いて分液処理を行い、得られた有機層をイオン交換水にて２回洗浄した。洗浄後、その有機層を硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、乾燥した有機層へ活性炭０.４ｇを加えて室温で４０分攪拌した。その後、活性炭を除去してから有機溶媒を減圧留去した。
得られた残渣から、トルエン４.３ｇとヘキサン１２.９ｇとを用いて再結晶を行い、ろ過により回収した析出物をよく乾燥して、Ｎ,Ｎ−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミンを得た（収量：２.４１ｇ、収率：７４％）。【０１４０】
（２）アニリン誘導体２（式（ａ１３））を以下の方法で合成した。
【化２０】
2014203882.tif 000022
【０１４１】
フラスコ内に、Ｎ,Ｎ−ビス（ｐ−ブロモフェニル）アニリン１.３５g、Ｎ,Ｎ−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン１.９１ｇ（２.２ｅｑ）、Pd(PPh3)4 ０.１９３ｇ（５ｍｏｌ％）、t-BuONa０.７１３g（２.２ｅｑ）及びキシレン２０ｍＬを入れて窒素置換した後、還流条件下で３.５時間攪拌した。攪拌終了後、反応液を室温まで放冷し、そこへイオン交換水及びクロロホルムを加えて分液処理をした。
次いで、得られた有機層を硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、その後、減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣を８０℃に加熱した１,４−ジオキサン（１２.５ｇ）に完全に溶解させた。そこへ活性炭０.１４ｇを加えて３０分攪拌し、攪拌終了後、活性炭を熱時ろ過により除去し、得られたろ液から有機溶媒を減圧留去した。得られた残渣をトルエン２５ｇに溶解させ、カラムクロマトグラフィーを行い、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）法等により目的物の有無を確認することで目的物を含むフラクションを分取した。
分取したフラクションから減圧下で溶媒を留去した後、得られた残渣を９０℃に加熱したトルエン（１５.３g）に溶解させて、その溶液を０℃まで冷却し、ろ過により回収した析出物をよく乾燥して、アニリン誘導体２を得た（収量：１.１４ｇ、収率：４５％）。1H-NMR及びMALDI-TOF-MSの測定結果を以下に示す。
1H-NMR (300MHz, DMSO-d6) δ[ppm]: 8.09 (s, 2H), 7.21-7.26 (m, 11H), 6.91-7.04 (m, 30H).
MALDI-TOF-MS m/Z  found: 761.72 ([M]+calcd: 761.35)【０１４２】
［実施例１−３］アニリン誘導体３の合成
アニリン誘導体３（式（ａ２４））を以下の方法で合成した。
【化２１】
2014203882.tif 000023
【０１４３】
フラスコ内に、トリス(４−アミノフェニル)アミン１.４６ｇ、ブロモトリフェニルアミン５.３５ｇ（３.３ｅｑ）、Pd(PPh3)4 ０.２９９ｇ（５ｍｏｌ％）、t-BuONa１.５９ｇ（３.３ｅｑ）及びキシレン５０ｍＬを入れて窒素置換をした後、還流条件下で８時間攪拌した。攪拌終了後、反応液を室温まで放冷し、そこへクロロホルム５０ｍＬを加えてからセライトろ過を行った。
次いで、そのろ液と飽和食塩水とを用いて分液処理を行い、得られた有機層を、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した後、減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣及びクロロホルムを用いてショートカラムを行った。
得られた溶液へ活性炭０.５ｇを加えて３０分攪拌し、その活性炭をろ過により除去した。そのろ液から溶媒を留去することで得た残渣をクロロホルムとｎ−ヘキサンの混合溶媒（1/1(v/v)）に溶解させた。
得られた溶液を用いて、カラムクロマトグラフィーを行い、ＴＬＣ法等により目的物の有無を確認することで目的物を含むフラクションを分取して、その溶媒を減圧留去した。
得られた残渣を溶解させたトルエン溶液へｎ−ヘキサンを加えて再沈殿を行い、ろ過によって回収した沈殿物を減圧下でよく乾燥して、アニリン誘導体３を得た（収量：２.０１ｇ、収率：３９％）。MALDI-TOF-MSの測定結果を以下に示す。
MALDI-TOF-MS m/Z found: 1019.98 ([M]+calcd: 1019.47)【０１４４】
［実施例２−１］
アニリン誘導体１  ０.０６２ｇとリンタングステン酸（ＰＴＡ）０.３０９ｇとを、窒素雰囲気下で１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）４ｇに溶解させた。得られた溶液に、シクロヘキサノール（ＣＨＡ）６ｇ及びプロピレングリコール（ＰＧ）２ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１４５】
［実施例２−２］
アニリン誘導体１及びＰＴＡの使用量を、それぞれ０.０５３ｇ及び０.３１８ｇとした以外は、実施例２−１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１４６】
［実施例２−３］
アニリン誘導体２  ０.０６２ｇとＰＴＡ０.３０９ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１４７】
［実施例２−４］
アニリン誘導体２及びＰＴＡの使用量を、それぞれ０.０５３ｇ及び０.３１８ｇとした以外は、実施例２−３と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１４８】
［実施例２−５］
アニリン誘導体３  ０.０６２ｇとＰＴＡ０.３０９ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１４９】
［実施例２−６］
アニリン誘導体３及びＰＴＡの使用量を、それぞれ０.０５３ｇ及び０.３１８ｇとした以外は、実施例２−５と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５０】
［実施例３−１］
アニリン誘導体１  ０.０８３ｇとアリールスルホン酸化合物１  ０.１６１ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５１】
［実施例３−２］
アニリン誘導体２  ０.０８８ｇとアリールスルホン酸化合物１  ０.１５７ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５２】
［実施例３−３］
アニリン誘導体２及びアリールスルホン酸化合物１の使用量を、それぞれ０.０７３ｇ及び０.１７２ｇとした以外は、実施例３−２と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５３】
［実施例３−４］
アニリン誘導体３  ０.０８２ｇと、アリールスルホン酸化合物１  ０.１６３ｇを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５４】
［実施例３−５］
アニリン誘導体３及びアリールスルホン酸化合物１の使用量を、それぞれ０.０６７ｇ及び０.１７８ｇとした以外は、実施例３−４と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５５】
［実施例４−１］
アニリン誘導体１  ０.１０７ｇとアリールスルホン酸化合物１  ０.１３８ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、そこへ３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン０.０１６ｇ及びフェニルトリメトキシシラン０.００８ｇを加えて更に攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５６】
［実施例４−２］
アニリン誘導体１及びアリールスルホン酸化合物１の使用量を、それぞれ０.０８３ｇ及び０.１６１ｇとした以外は、実施例４−１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５７】
［実施例４−３］
アニリン誘導体２  ０.１１２ｇとアリールスルホン酸化合物１  ０.１３３ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、そこへ３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン０.０１６ｇ及びフェニルトリメトキシシラン０.００８ｇを加えて更に攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５８】
［実施例４−４及び４−５］
アニリン誘導体２及びアリールスルホン酸化合物１の使用量を、それぞれ０.０８８ｇ及び０.１５７ｇ（実施例４−４）、０.０７３ｇ及び０.１７２ｇ（実施例４−５）とした以外は、実施例４−３と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１５９】
［実施例４−６］
アニリン誘導体３  ０.１０５ｇとアリールスルホン酸化合物１  ０.１４０ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６ｇ及びＰＧ２ｇを加えて攪拌し、そこへ３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン０.０１６ｇ及びフェニルトリメトキシシラン０.００８ｇを加えて更に攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。【０１６０】
［実施例４−７及び４−８］
アニリン誘導体３及びアリールスルホン酸化合物１の使用量を、それぞれ０.０８２ｇ及び０.１６３ｇ（実施例４−７）、０.０６７ｇ及び０.１７８ｇ（実施例４−８）とした以外は、実施例４−６と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【０１６１】
［実施例５］
実施例２−１〜４−８で得られたワニスをそれぞれスピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、更に、大気雰囲気下、２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０.７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除却した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１.０×１０-5Ｐａ）を用いてＮ,Ｎ'−ジ(１−ナフチル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、トリス(８−キノリノラート)アルミニウム(III)（Ａｌｑ3）、フッ化リチウム、及びアルミニウムの薄膜を順次積層し、有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ3及びアルミニウムについては０.２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０.０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ、０.５ｎｍ及び１２０ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点−８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス（株）製、XNR5516Z-B1）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製、HD-071010W-40）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。
貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６,０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。【０１６２】
これらの素子について、駆動電圧５Ｖにおける電流密度及び輝度を測定した。
実施例２−１〜２−６のワニスを用いて作製した素子の結果を表１に、実施例３−１〜３−６のワニスを用いて作製した素子の結果を表２に、実施例４−１〜４−８のワニスを用いて作製した素子の結果を表３に示す。【０１６３】
【表１】
2014203882.tif 000024
【０１６４】
【表２】
2014203882.tif 000025
【０１６５】
【表３】
2014203882.tif 000026
【０１６６】
表１に示したように、本発明のアニリン誘導体とリンタングステン酸とを含む電荷輸送性ワニスを用いた場合、優れた電気特性を有するＥＬ素子を実現できる正孔注入層として好適な電荷輸送性薄膜が製造できた。【０１６７】
表２に示したように、本発明のアニリン誘導体と、アリールスルホン酸化合物とを含む電荷輸送性ワニスを用いた場合でも、優れた電気特性を有するＥＬ素子を実現できる正孔注入層として好適な電荷輸送性薄膜が製造できた。【０１６８】
表３に示したように、本発明のアニリン誘導体とアリールスルホン酸化合物と有機シラン化合物とを含む電荷輸送性ワニスを用いた場合でも、優れた電気特性を有するＥＬ素子を実現できる正孔注入層として好適な電荷輸送性薄膜が製造できた。【０１６９】
また、実施例２−５、２−６、３−１〜３−５及び４−１〜４−８のワニスを用いて作製した素子の耐久性試験を行った。輝度の半減期（初期輝度５,０００ｃｄ／ｍ2）を表４に示す。【０１７０】
【表４】
2014203882.tif 000027
【０１７１】
表４に示したように、本発明に係る電荷輸送性ワニスから得られた電荷輸送性薄膜を備える有機ＥＬ素子は、耐久性に優れていた。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月14日(2016.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されることを特徴とするアニリン誘導体。
【化１】
2014203882.tif 000035
（式中、Ｒ1は、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基又は式（２）で表される基を表し、
【化２】
2014203882.tif 000036
Ｒ2〜Ｒ55は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立にＺ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。）
【請求項２】
Ｒ2〜Ｒ37が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である請求項１記載のアニリン誘導体。
【請求項３】
Ｒ1が、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は式（２）で表される基である請求項１又は２記載のアニリン誘導体。
【請求項４】
Ｒ1が式（２）で表される基である請求項３記載のアニリン誘導体。
【請求項５】
Ｒ38〜Ｒ55が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である請求項４記載のアニリン誘導体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項記載のアニリン誘導体、ドーパント及び有機溶媒を含む電荷輸送性ワニス。
【請求項８】
請求項７記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか１項記載のアニリン誘導体を含む電荷輸送性薄膜。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える電子デバイス。
【請求項１１】
請求項８又は９記載の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
式（３）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項１記載のアニリン誘導体の製造方法。
【化３】
2014203882.tif 000037
（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子、又はメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基及びトルエンスルホニルオキシ基から選ばれる擬ハロゲン基を表す。）
【請求項１４】
式（６）で表されるアミン化合物と、式（７）で表されるアミン化合物と、式（８）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項１記載のアニリン誘導体の製造方法。
【化４】
2014203882.tif 000038
（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子、又はメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基及びトルエンスルホニルオキシ基から選ばれる擬ハロゲン基を表す。）
【請求項１５】
式（９）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物と、式（１０）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項４記載のアニリン誘導体の製造方法。
【化５】
2014203882.tif 000039
（式中、Ｒ1〜Ｒ55は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子、又はメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基及びトルエンスルホニルオキシ基から選ばれる擬ハロゲン基を表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、下記アニリン誘導体、電荷輸送性ワニス及び有機ＥＬ素子を提供する。
１．式（１）で表されることを特徴とするアニリン誘導体。
【化１】
2014203882.tif 000040
（式中、Ｒ1は、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基又は式（２）で表される基を表し、
【化２】
2014203882.tif 000041
Ｒ2〜Ｒ55は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立にＺ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。）
２．Ｒ2〜Ｒ37が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である１のアニリン誘導体。
３．Ｒ1が、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は式（２）で表される基である１又は２のアニリン誘導体。
４．Ｒ1が式（２）で表される基である３のアニリン誘導体。
５．Ｒ38〜Ｒ55が水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又は−ＯＹ2基である４のアニリン誘導体。
６．１〜５のいずれかのアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質。
７．１〜５のいずれかのアニリン誘導体、ドーパント及び有機溶媒を含む電荷輸送性ワニス。
８．７の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
９．１〜５のいずれかのアニリン誘導体を含む電荷輸送性薄膜。
１０．８又は９の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える電子デバイス。
１１．８又は９の電荷輸送性薄膜を少なくとも１層備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である１１の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１３．式（３）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする１のアニリン誘導体の製造方法。
【化３】
2014203882.tif 000042
（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子、又はメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基及びトルエンスルホニルオキシ基から選ばれる擬ハロゲン基を表す。）
１４．式（６）で表されるアミン化合物と、式（７）で表されるアミン化合物と、式（８）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする１のアニリン誘導体の製造方法。
【化４】
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（式中、Ｒ1〜Ｒ37は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子、又はメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基及びトルエンスルホニルオキシ基から選ばれる擬ハロゲン基を表す。）
１５．式（９）で表されるアミン化合物と、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアミン化合物と、式（１０）で表されるアミン化合物とを、触媒存在下で反応させることを特徴とする４のアニリン誘導体の製造方法。
【化５】
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（式中、Ｒ1〜Ｒ55は上記と同じ。Ｘはハロゲン原子、又はメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基及びトルエンスルホニルオキシ基から選ばれる擬ハロゲン基を表す。）
【国際調査報告】
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