(57)【要約】  レーザ光を出力するマスタオシレータと、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器と、レーザ光の光路上に配置され、レーザ増幅器によって増幅されたレーザ光のビームウエスト近傍における、光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を略円形となるように調節する調節器とを備えてもよい。
2015111510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記マスタオシレータから出力された前記レーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器と、
前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ増幅器によって増幅されたレーザ光のビームウエスト近傍における、光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を略円形となるように調節する調節器と
を備えたレーザ装置。
【請求項２】
前記調節器は、前記光路軸を中心に回転させる回転機構を含む
請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記レーザ増幅器は、互いに対向配置された一対の放電電極を含むスラブ型増幅器である
請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記調節器は、前記光路軸に直交するある特定の方向において前記レーザ光のビーム径を調節する機構を含み、
前記一対の放電電極の対向方向と前記レーザ光のビーム径の調整方向とが略同じである
請求項３に記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記レーザ光の光路上で前記調節器よりも光進行方向側に配置され、前記ビームウエスト近傍における前記ビーム断面形状を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記調節器を制御する制御部と
をさらに備える請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記調節器は、前記光路軸に直交するある特定の方向において前記レーザ光のビーム径を変化させる可動性光学部材を含む
請求項５に記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記調節器は、前記光路軸に直交するある特定の方向において前記レーザ光のビーム径を変化させる可動性光学部材と、前記可動性光学部材を前記レーザ光の光路軸を中心に回転させる回転機構とを含む
請求項５に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記ビーム径が前記光路軸に直交する面内で最大となる第１の方向と最小となる第２の方向とを算出し、
前記調節器による前記レーザ光のビーム径を変化させる方向を、前記第１の方向と前記第２の方向とのいずれかに略同一にさせるように前記回転機構を制御する
請求項７に記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記検出部は、前記ビーム断面形状を検出する検出器と、前記検出器に向けて前記レーザ光を集光する集光部材とを含み、
前記検出器と前記集光部材との少なくとも一方が光路軸方向に移動可能に配置されている
請求項６に記載のレーザ装置。
【請求項１０】
ターゲットにパルスレーザ光を照射することによってＥＵＶ光が生成されるチャンバと、
前記チャンバの内部に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記マスタオシレータから出力された前記レーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器と、
前記レーザ増幅器によって増幅された前記レーザ光を前記チャンバの内部に集光するレーザ集光光学系と、
前記マスタオシレータと前記レーザ集光光学系との間における前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ集光光学系によって集光された前記レーザ光のビームウエスト近傍における、光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を略円形となるように調節する調節器と
を備えた極端紫外光生成システム。
【請求項１１】
前記ターゲット供給部は、前記レーザ光のビームウエスト近傍に前記ターゲットを供給する
請求項１０に記載の極端紫外光生成システム。
【請求項１２】
前記調節器と前記レーザ集光光学系との間における前記レーザ光の光路上に配置され、前記ビームウエスト近傍における前記ビーム断面形状を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記調節器を制御する制御部と
をさらに備える請求項１０に記載の極端紫外光生成システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、レーザ装置、及びレーザ装置から出力されたパルスレーザ光に基づいて極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１３−５０２０５９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／０１４７３４９号明細書
【概要】
【０００５】
本開示によるレーザ装置は、レーザ光を出力するマスタオシレータと、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器と、レーザ光の光路上に配置され、レーザ増幅器によって増幅されたレーザ光のビームウエスト近傍における、光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を略円形となるように調節する調節器とを備えてもよい。
【０００６】
本開示による極端紫外光生成システムは、ターゲットにパルスレーザ光を照射することによってＥＵＶ光が生成されるチャンバと、チャンバの内部にターゲットを供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器と、レーザ増幅器によって増幅されたレーザ光をチャンバの内部に集光するレーザ集光光学系と、マスタオシレータとレーザ集光光学系との間におけるレーザ光の光路上に配置され、レーザ集光光学系によって集光されたレーザ光のビームウエスト近傍における、光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を略円形となるように調節する調節器とを備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。
【図２】図２は、マスタオシレータとレーザ増幅器とを含むレーザ装置の一構成例を概略的に示す。
【図３】図３は、図２に示したレーザ装置におけるレーザ光のビーム断面形状の一例を模式的に示す。
【図４】図４は、波面調節器を含むレーザ装置の一構成例を概略的に示す。
【図５】図５は、図４に示したレーザ装置におけるレーザ光のビーム断面形状の一例を模式的に示す。
【図６】図６は、ビーム特性計測器を含むレーザ装置の一構成例を概略的に示す。
【図７】図７は、スラブ型増幅器を含むレーザ装置をＹ方向から見た一構成例を概略的に示す。
【図８】図８は、スラブ型増幅器を含むレーザ装置をＸ方向から見た一構成例を概略的に示す。
【図９】図９は、複数のシリンドリカルレンズを組み合わせて構成された波面調節器の一例をＹ方向から見た状態を概略的に示す。
【図１０】図１０は、複数のシリンドリカルレンズを組み合わせて構成された波面調節器の一例をＸ方向から見た状態を概略的に示す。
【図１１】図１１は、複数のシリンドリカルミラーを組み合わせて構成された波面調節器の第１の例を概略的に示す。
【図１２】図１２は、複数のシリンドリカルミラーを組み合わせて構成された波面調節器の第２の例を概略的に示す。
【図１３】図１３は、１つのイメージセンサによってビームプロファイルを計測するビーム特性計測器の一構成例を概略的に示す。
【図１４】図１４は、図１３に示したビーム特性計測器によって計測されるビームプロファイル画像の一例を概略的に示す。
【図１５】図１５は、２つのイメージセンサによってビームプロファイルを計測するビーム特性計測器の一構成例を概略的に示す。
【図１６】図１６は、図１５に示したビーム特性計測器によって計測されるビームプロファイルの一例を概略的に示す。
【図１７】図１７は、波面センサによってビームプロファイルを計測するビーム特性計測器の一構成例を概略的に示す。
【図１８】図１８は、プリパルスレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。
【図１９】図１９は、図１８に示したＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光の制御の流れの一例を概略的に示す。
【図２０】図２０は、波面調節器の回転機構を含むレーザ装置の一構成例を概略的に示す。
【図２１】図２１は、図２０に示したレーザ装置におけるレーザ光の制御の流れの一例を概略的に示す。
【図２２】図２２は、図２０に示したレーザ装置におけるビーム特性計測の流れの一例を概略的に示す。
【図２３】図２３は、図２０に示したレーザ装置において計測されるビームプロファイル画像の一例を概略的に示す。
【図２４】図２４は、シリンドリカルミラーを用いた波面調節器を回転させる回転機構の一例をＸ方向から見た状態を概略的に示す。
【図２５】図２５は、シリンドリカルミラーを用いた波面調節器を回転させる回転機構の一例をＺ方向から見た状態を概略的に示す。
【図２６】図２６は、図２０に示したレーザ装置に対する第２の変形例に係る波面調節器の外観の一例を概略的に示す。
【図２７】図２７は、図２６に示した波面調節器のＸ方向から見た断面構成を概略的に示す。
【図２８】図２８は、図２６に示した波面調節器のＹ方向から見た断面構成を概略的に示す。
【図２９Ａ】図２９Ａは、図２６ないし図２８に示した波面調節器を用いたレーザ光の制御の流れの一例を概略的に示す。
【図２９Ｂ】図２９Ｂは、図２９Ａに続く制御の流れの一例を概略的に示す。
【図３０】図３０は、３軸直交型増幅器の一構成例を概略的に示す。
【図３１】図３１は、図３０に示した３軸直交型増幅器をＺ１−Ｚ１’線方向から見た一構成例を概略的に示す。
【図３２】図３２は、高速軸流型のレーザ増幅器の一構成例を概略的に示す。
【図３３】図３３は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。
【実施形態】
【０００８】
＜内容＞
［１．概要］
［２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明］（図１）
２．１  構成
２．２  動作
［３．マスタオシレータとレーザ増幅器とを含むレーザ装置］（図２、図３）
３．１  構成
３．２  動作
３．３  課題
［４．第１の実施形態］（波面調節器を含むレーザ装置）（図４、図５）
４．１  構成
４．２  動作
４．３  作用
４．４  変形例
［５．第２の実施形態］（ビーム特性計測器を含むレーザ装置）（図６）
５．１  構成
５．２  動作
５．３  作用
５．４  変形例
［６．第３の実施形態］（スラブ型増幅器を含むレーザ装置）（図７、図８）
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用
６．４  変形例
［７．第４の実施形態］（波面調節器のバリエーション）
７．１  第１の構成例（複数のシリンドリカルレンズを組み合わせた例）（図９、図１０）
７．１．１  構成
７．１．２  動作及び作用
７．２．３  変形例
７．２  第２の構成例（複数のシリンドリカルミラーを組み合わせた第１の例）（図１１）
７．２．１  構成
７．２．２  動作及び作用
７．２．３  変形例
７．３  第３の構成例（複数のシリンドリカルミラーを組み合わせた第２の例）（図１２）
７．３．１  構成
７．３．２  動作及び作用
［８．第５の実施形態］（ビーム特性計測器のバリエーション）
８．１  第１の構成例（１つのイメージセンサによってビームプロファイルを計測する例）（図１３、図１４）
８．１．１  構成
８．１．２  動作
８．１．３  作用
８．２  第２の構成例（２つのイメージセンサによってビームプロファイルを計測する例）（図１５、図１６）
８．２．１  構成
８．２．２  動作
８．２．３  作用
８．３  第３の構成例（波面センサを用いてビームプロファイルを計測する例）（図１７）
８．３．１  構成
８．３．２  動作及び作用
［９．第６の実施形態］（プリパルスレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム）（図１８、図１９）
９．１  構成
９．２  動作
９．３  作用
９．４  変形例
［１０．第７の実施形態］（波面調節器の回転機構を含むレーザ装置）（図２０〜図２３）
１０．１  構成
１０．２  動作
１０．３  作用
１０．４  変形例
１０．４．１  第１の変形例（シリンドリカルミラーを回転させる回転機構を含むレーザ装置）（図２４、図２５）
１０．４．２  第２の変形例（トロイダルレンズとシリンドリカルレンズとを含む波面調節器）（図２６〜図２９）
［１１．レーザ増幅器のバリエーション］
１１．１  ３軸直交型増幅器（図３０、図３１）
１１．２  高速軸流型のレーザ増幅器（図３２）
［１２．制御部のハードウエア環境］（図３３）
［１３．その他］
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
［１．概要］
本開示は、ターゲットにレーザ光を照射することによってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置に用いられるレーザ装置に関する。また、そのようなレーザ装置を用いたＥＵＶ光生成システムに関する。
【００１１】
［２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
（２．１  構成）
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、及びターゲット供給装置として例えばターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１２】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよい。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置である中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１３】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５を含んでもよい。またＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、及び速度の内の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
【００１４】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１６】
（２．２  動作）
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光の経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１７】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光と共にＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されると共に集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミングの制御、及びターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。
【００１９】
さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
［３．マスタオシレータとレーザ増幅器とを含むレーザ装置］
（３．１  構成）
図２を参照して、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置に用いられるレーザ装置３の一構成例について説明する。ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、レーザ装置３として、ＣＯ2レーザ装置を含むものが用いられてもよい。レーザ装置３として用いられるＣＯ2レーザ装置は、高いパルスエネルギのパルスレーザ光を高い繰り返し周波数で出力することが求められてもよい。このため、レーザ装置３は、高い繰り返し周波数でパルスレーザ光３１ｍを出力するマスタオシレータ（ＭＯ：master oscillator）１１０を備えてもよい。また、レーザ装置３は、パルスレーザ光３１ｍの光路上に配置され、パルスレーザ光３１ｍを増幅する少なくとも１つのレーザ増幅器を備えてもよい。例えば図２に示したように、レーザ増幅器として、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎを含んでもよい。
【００２１】
マスタオシレータ１１０は、Ｑスイッチと、レーザ媒質としてのＣＯ2レーザガスと、光共振器とを含むレーザ発振器であってもよい。また、マスタオシレータ１１０は、ＣＯ2レーザの増幅波長域で発振する量子カスケードレーザ（ＱＣＬ）であってもよい。
【００２２】
複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、ＣＯ2レーザガスをレーザ媒質とするレーザ増幅器であってもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、ＣＯ2レーザガスを含むレーザチャンバ６０内に配置された一対の電極６２ａ，６２ｂを含んでもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、一対の電極６２ａ，６２ｂ間に電圧を印加する図示しないＲＦ（高周波）電源を含んでもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂは、放電によって放電領域６４においてレーザ媒質を励起する放電電極であってもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎにはそれぞれ、外部からのパルスレーザ光をレーザチャンバ６０の内部に入射させる入力ウインドウ６１ａが配置されていてもよい。また、増幅されたパルスレーザ光をレーザチャンバ６０の外部に出力させる出力ウインドウ６１ｂが配置されていてもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、マスタオシレータ１１０から出力されるパルスレーザ光３１ｍの光路上に、直列に配置されてもよい。
【００２３】
（３．２  動作）
複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、図示しない各々のＲＦ電源によって一対の電極６２ａ，６２ｂ間に電圧を印加し、放電させてもよい。マスタオシレータ１１０のＱスイッチを所定の繰り返し周波数で動作させてもよい。その結果、マスタオシレータ１１０から所定の繰り返し周波数で、パルスレーザ光３１ｍが出力され得る。
【００２４】
複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎではそれぞれ、マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍが入射されていない場合においても、図示しないＲＦ電源によって、放電を発生させて、レーザ媒質を励起し得る。マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、シード光として１番目の増幅器ＰＡ１に入射し、１番目の増幅器ＰＡ１内を通過することによって増幅され、出力され得る。１番目の増幅器ＰＡ１から増幅され、出力されたパルスレーザ光は、シード光として２番目の増幅器ＰＡ２に入射し、２番目の増幅器ＰＡ２内を通過することによってさらに増幅され、出力され得る。同様に、ｋ−１番目の増幅器ＰＡｋ−１から出力されたパルスレーザ光は、シード光としてｋ番目の増幅器ＰＡｋに入射し、ｋ番目の増幅器ＰＡｋ内を通過することによってさらに増幅され、出力され得る。そして、ｎ−１番目の増幅器ＰＡｎ−１から出力されたパルスレーザ光は、シード光としてｎ番目の増幅器ＰＡｎに入射し、ｎ番目の増幅器ＰＡｎ内を通過することによってさらに増幅され、出力され得る。
【００２５】
ｎ番目の増幅器ＰＡｎより出力されたパルスレーザ光３１は、図１に示したＥＵＶ光生成装置１におけるプラズマチャンバとしてのチャンバ２内に入射し、レーザ光集光光学系２２ａによりプラズマ生成領域２５に集光され得る。プラズマ生成領域２５に集光されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７に照射され得る。パルスレーザ光３３が集光されたターゲット２７はプラズマ化し、プラズマからＥＵＶ光が放射され得る。なお、レーザ光集光光学系２２ａは、図１に示されるレーザ光集光ミラー２２に対応する１又は複数の反射型の光学素子で構成してもよいし、レンズを含む屈折系の光学系であってもよい。
【００２６】
（３．３  課題）
図３は、図２に示したレーザ装置３におけるレーザ光のビーム断面形状の一例を模式的に示している。図２に示したレーザ装置３では、レーザ装置３から出力されたレーザ光のビームウエスト近傍にターゲット２７が供給され得る。図３では、ビームウエスト近傍における、レーザ光の光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を、図２のＺ１−Ｚ１’線方向から見た状態を模式的に示している。図２に示したレーザ装置３では、ターゲット２７にレーザ光を照射する際の集光ビームのビーム断面形状が、例えば非点収差が発生することにより、図３に示したように、楕円形状になり得る。このようにビーム断面形状が楕円形状になると、図１に示したＥＵＶ光生成装置１に適用した場合に、ＥＵＶ光への変換効率ＣＥ（Conversion Efficiency）が円形状の場合に比べて低くなり得る。そのため、ターゲット２７にレーザ光を照射する際の集光ビームのビーム断面形状を改善する必要があり得る。
【００２７】
［４．第１の実施形態］（波面調節器７０を含むレーザ装置）
（４．１  構成）
図４は、本開示の第１の実施形態として、波面調節器７０を含むレーザ装置３の一構成例を概略的に示している。図４に示したように、レーザ装置３において、１番目の増幅器ＰＡ１と２番目の増幅器ＰＡ２との間におけるレーザ光の光路上に波面調節器７０が配置されていてもよい。なお、波面調節器７０以外の構成は、図２に示したレーザ装置３と略同様であってもよい。図４において、レーザ光の光路軸はＺ方向であってもよい。レーザ光の光路軸に直交する平面はＸＹ平面であってもよい。
【００２８】
波面調節器７０は、ターゲット２７にレーザ光を照射する際の集光ビームのビームウエスト近傍における、光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を略円形となるように調節するものであってもよい。波面調節器７０は、シリンドリカル凹レンズ７１と、シリンドリカル凸レンズ７２と、１軸ステージ７３とを含んでいてもよい。シリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２は、レーザ光の光路上で光進行方向に向かって順に配置されていてもよい。
【００２９】
シリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２は、ある特定の１つの方向にのみレーザ光の波面の曲率を変化させるものであってもよい。図４において、ある特定の１つの方向は、Ｙ方向であってもよい。シリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２は、ＹＺ断面内における互いの焦点の位置が光路上で略一致するように配置されていてもよい。
【００３０】
波面調節器７０は、光路軸に直交するある特定の１つの方向においてレーザ光のビーム径を変化させる可動性光学部材を含んでいてもよい。この可動性光学部材は、シリンドリカル凸レンズ７２であってもよい。シリンドリカル凸レンズ７２は、１軸ステージ７３によって、光路軸方向に移動可能であってもよい。
【００３１】
（４．２  動作）
図５は、図４に示したレーザ装置３におけるレーザ光のビーム断面形状の一例を模式的に示している。図４に示したレーザ装置３では、レーザ装置３から出力されたレーザ光のビームウエスト近傍にターゲット２７が供給され得る。図５では、ビームウエスト近傍における、レーザ光の光路軸に直交する面内でのビーム断面形状を、図４のＺ１−Ｚ１’線方向から見た状態を模式的に示している。
【００３２】
図４に示したレーザ装置３において、波面調節器７０におけるシリンドリカル凸レンズ７２の位置を１軸ステージ７３によって光路軸方向に移動させることによって、レーザ光のＹ方向の波面の曲率が変化し得る。これにより、Ｙ方向のビーム径が変化し得る。例えばＹ方向のビーム径が拡大し得る。その結果、ターゲット２７にレーザ光を照射する際の集光ビームのビーム断面形状が、例えば図３に示したような楕円形状から、図５に示すような略円形に調節され得る。
【００３３】
（４．３  作用）
この第１の実施形態によれば、レーザ光のＹ方向の波面の曲率を調節可能にしたので、ターゲット２７に照射されるレーザ光のビーム断面形状が略円形となるように改善され得る。その結果、ターゲット２７全体に対して、レーザ光の集光ビームを照射させ得る。これにより、図１に示したＥＵＶ光生成装置１に適用した場合に、ＥＵＶ光への変換効率ＣＥを向上させ得る。
【００３４】
（４．４  変形例）
図４では、波面調節器７０を１番目の増幅器ＰＡ１と２番目の増幅器ＰＡ２との間に配置した構成例が示されているが、波面調節器７０の配置位置はこれに限定されない。波面調節器７０は、レーザ光の光路上において、マスタオシレータ１１０とレーザ光集光光学系２２ａとの間のその他の位置に配置されていてもよい。
【００３５】
［５．第２の実施形態］（ビーム特性計測器８０を含むレーザ装置）
（５．１  構成）
図６は、本開示の第２の実施形態として、ビーム特性計測器８０を含むレーザ装置３の一構成例を概略的に示している。図６に示したように、レーザ装置３が、ビーム特性計測器８０と、ビーム特性制御部８４とを含んでいてもよい。なお、ビーム特性計測器８０及びビーム特性制御部８４以外の構成は、図４に示したレーザ装置３と略同様であってもよい。図６において、レーザ光の光路軸はＺ方向であってもよい。レーザ光の光路軸に直交する平面はＸＹ平面であってもよい。
【００３６】
ビーム特性計測器８０は、レーザ光のビームウエスト近傍におけるビーム断面形状を検出するための検出部であってもよい。ビーム特性計測器８０は、レーザ光の光路上で波面調節器７０よりも光進行方向側に配置されていてもよい。具体的には、ビーム特性計測器８０は、ｎ番目の増幅器ＰＡｎとレーザ集光光学系２２ａとの間におけるレーザ光の光路上に配置されていてもよい。ビーム特性計測器８０は、ビームスプリッタ８１と、集光レンズ８２と、イメージセンサ８３とを含んでいてもよい。
【００３７】
ビームスプリッタ８１は、レーザ光をターゲット２７に照射されるレーザ光と、ビーム断面形状を検出するための計測用のレーザ光とに分岐するものであってもよい。ビームスプリッタ８１は、ｎ番目の増幅器ＰＡｎとレーザ集光光学系２２ａとの間におけるレーザ光の光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ８１は、集光レンズ８２に計測用のレーザ光を入射させるように配置されていてもよい。集光レンズ８２は、イメージセンサ８３に向けてレーザ光を集光する集光部材であってもよい。イメージセンサ８３は、レーザ光のビーム断面形状を検出する検出器であって、例えば２次元のイメージセンサであってもよい。イメージセンサ８３は、集光レンズ８２の焦点の位置に配置されていてもよい。
【００３８】
ビーム特性制御部８４は、ビーム特性計測器８０の検出結果に基づいて波面調節器７０を制御する制御部であってもよい。ビーム特性制御部８４は、イメージセンサ８３に信号ラインで接続され、ビーム特性計測器８０による検出結果のデータを受信してもよい。ビーム特性制御部８４はまた、波面調節器７０に信号ラインで接続され、制御信号を波面調節器７０に送信してもよい。
【００３９】
（５．２  動作）
ビーム特性計測器８０は、ビームスプリッタ８１で分岐された計測用のレーザ光を集光レンズ８２によってイメージセンサ８３上に集光することで、レーザ光の集光ビームのビーム断面形状を検出してもよい。ビーム特性制御部８４は、ビーム特性計測器８０で検出された結果に基づいて、波面調節器７０に制御信号を送信してもよい。制御信号は、波面調節器７０におけるシリンドリカル凸レンズ７２の位置を変化させることを指示する信号であってもよい。制御信号はまた、１軸ステージ７３によるシリンドリカル凸レンズ７２の移動量を制御する信号であってもよい。ビーム特性制御部８４は、集光レンズ８２によって集光されたレーザ光のビーム断面形状に関して、例えば、Ｙ方向のビーム径がＸ方向のビーム径と略同じとなるように、シリンドリカル凸レンズ７２の位置を制御してよい。
【００４０】
（５．３  作用）
この第２の実施形態によれば、ビーム特性計測器８０によってレーザ光のビーム断面形状をモニタした結果に基づいて、レーザ光のビーム断面形状が目標の形状、例えば略円形となるように、波面調節器７０が制御され得る。これにより、レーザ装置３の運転負荷が変化してレーザ光のビーム断面形状が経時的に変化したとしても、常にビーム断面形状が目標の形状に近くなるように安定化させ得る。
【００４１】
（５．４  変形例）
図６では、ビーム特性計測器８０をｎ番目の増幅器ＰＡｎとレーザ集光光学系２２ａとの間に配置した構成例が示されているが、ビーム特性計測器８０の配置位置はこれに限定されない。ビーム特性計測器８０は、レーザ光の光路上において、波面調節器７０とレーザ光集光光学系２２ａとの間のその他の位置に配置されていてもよい。
【００４２】
［６．第３の実施形態］（スラブ型増幅器６６を含むレーザ装置）
（６．１  構成）
図７及び図８は、本開示の第３の実施形態として、スラブ型増幅器６６を含むレーザ装置３の一構成例を概略的に示している。図７はレーザ装置３をＹ方向から見た一構成例を概略的に示し、図８はレーザ装置３をＸ方向から見た一構成例を概略的に示している。図７及び図８に示したように、レーザ装置３において、増幅器ＰＡ１がスラブ型増幅器６６で構成されていてもよい。なお、増幅器ＰＡ１以外の構成は、図６に示したレーザ装置３と略同様であってもよい。図７及び図８において、レーザ光の光路軸はＺ方向であってもよい。レーザ光の光路軸に直交する平面はＸＹ平面であってもよい。
【００４３】
スラブ型増幅器６６は、レーザチャンバ６０と、入力ウインドウ６１ａと、出力ウインドウ６１ｂと、一対の電極６２ａ，６２ｂと、第１のミラー６３ａと、第２のミラー６３ｂと、ＲＦ電源６５とを含んでいてもよい。スラブ型増幅器６６において、レーザチャンバ６０内には、レーザ媒質としてのＣＯ2レーザガスが封入されていてもよい。スラブ型増幅器６６において、一対の電極６２ａ，６２ｂは、図示しない冷却水が流れる平板状の２つの放電電極が互いに対向配置されたものであってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの電極間隔は、例えば１．５ｍｍ〜３ｍｍであってもよい。ＲＦ電源６５は、一対の電極６２ａ，６２ｂにＲＦ電圧を供給するものであってもよい。
【００４４】
スラブ型増幅器６６において、一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向は、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向と同じであってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向は、Ｙ方向であってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂ間のフリースペース方向はＸ方向であってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向と、波面調節器７０によるレーザ光のビーム径の調整方向とが略同じであってもよい。
【００４５】
（６．２  動作）
スラブ型増幅器６６では、ＲＦ電源６５から一対の電極６２ａ，６２ｂにＲＦ電圧を供給している状態で、入力ウインドウ６１ａからシード光となるレーザ光をレーザチャンバ６０の内部に入射させてもよい。入射されたシード光は、第１のミラー６３ａと第２のミラー６３ｂとの間で放電領域６４内をマルチパスするように反射されてもよい。入射されたシード光が、一対の電極６２ａ，６２ｂ間で励起されたレーザ媒質中をマルチパスするように通過することで増幅され得る。増幅されたシード光は、出力ウインドウ６１ｂから増幅レーザ光として出力され得る。
【００４６】
スラブ型増幅器６６から出力されたレーザ光は、放電方向である例えばＹ方向のビーム径に比べて、フリースペース方向である例えばＸ方向のビーム径が大きくなり、ビーム断面形状が楕円形状となり得る。一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向と波面調節器７０によるレーザ光のビーム径の調整方向とを略同じにすることにより、スラブ型増幅器６６から出力されたレーザ光のビーム断面形状は、波面調節器７０によって略円形となるように調節され得る。
【００４７】
また、上記第２の実施形態と同様に、ビーム特性計測器８０及びビーム特性制御部８４によって、レーザ光のビーム断面形状をモニタした結果に基づいて、レーザ光のビーム断面形状が略円形となるように、波面調節器７０が制御され得る。
【００４８】
（６．３  作用）
この第３の実施形態によれば、スラブ型増幅器６６から出力されたレーザ光のビーム断面形状が楕円形状であっても、波面調節器７０によって略円形となるようにビーム断面形状が改善され得る。
【００４９】
（６．４  変形例）
レーザ装置３は、ＣＯ2レーザ装置に限らず固体レーザ装置であってもよい。例えば、マスタオシレータ１１０は、Ｎｄ：ＹＶＯ4又はＹＡＧ結晶を含むモードロックレーザと光シャッタとを含んでいてもよい。その場合、光シャッタは、偏光子とＥＯ（電気光学）結晶ポッケルスセルとを含んでいてもよい。増幅器ＰＡ１は、スラブ型のＮｄ：ＹＶＯ4又はＹＡＧ結晶を含んでいてもよい。増幅器ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、ロッド型のＮｄ：ＹＶＯ4又はＹＡＧ結晶を含んでいてもよい。この場合、波面調節器７０において波面の曲率を調節してビーム径を変化させる方向は、スラブ型の結晶の短軸方向と略同じであってもよい。
【００５０】
また、マスタオシレータ１１０がスラブ型のレーザ装置である場合は、波面調節器７０をマスタオシレータ１１０と増幅器ＰＡ１との間に配置してもよい。
【００５１】
［７．第４の実施形態］（波面調節器７０のバリエーション）
本実施形態では、例えば上記第２の実施形態及び第３の実施形態におけるレーザ装置３に適用可能な波面調節器７０のバリエーションについて説明する。
【００５２】
（７．１  第１の構成例）（複数のシリンドリカルレンズを組み合わせた例）
（７．１．１  構成）
図９は、複数のシリンドリカルレンズを組み合わせて構成された波面調節器７０Ａの一例をＹ方向から見た状態を概略的に示している。図１０は、複数のシリンドリカルレンズを組み合わせて構成された波面調節器７０Ａの一例をＸ方向から見た状態を概略的に示している。
【００５３】
図９及び図１０に示した波面調節器７０Ａは、上記第１の実施形態で説明した波面調節器７０と同様に、シリンドリカル凹レンズ７１と、シリンドリカル凸レンズ７２と、１軸ステージ７３とを含んでいてもよい。波面調節器７０Ａはさらに、自動マイクロメータ７４を含んでいてもよい。自動マイクロメータ７４は、ビーム特性制御部８４によって制御され、１軸ステージ７３を駆動するものであってもよい。
【００５４】
シリンドリカル凸レンズ７２は、１軸ステージ７３によって光路軸方向であるＺ方向に移動可能な可動性光学部材であってもよい。１軸ステージ７３によるシリンドリカル凸レンズ７２の移動量は、ビーム特性制御部８４によって制御されてもよい。
【００５５】
（７．１．２  動作及び作用）
シリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２とを、図１０に示したように、ＹＺ断面内における互いの焦点の位置７５が光路上で略一致するように配置させることで、波面調節器７０Ａでは、入射したレーザ光をコリメートし得る。また、波面調節器７０Ａにおいて、シリンドリカル凸レンズ７２の位置を、Ｚ方向に移動させることによって、レーザ光のＹ方向の波面の曲率が制御され得る。これにより、Ｙ方向のビーム径の調節量が制御され得る。
【００５６】
（７．２．３  変形例）
図９及び図１０に示した構成例では、シリンドリカル凸レンズ７２の位置を変化させることによって、Ｙ方向のビーム径を変化させているが、シリンドリカル凹レンズ７１の位置を変化させてもよい。また、シリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２との双方の位置を変化させてもよい。すなわち、シリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２の距離を制御してもよい。
【００５７】
また、図９及び図１０に示した構成例では、シリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２との組み合わせの例を示したが、シリンドリカル凹レンズ７１の代わりにシリンドリカル凸レンズを配置してもよい。その場合、２つのシリンドリカル凸レンズの焦点の位置を略一致させて配置し、両レンズの距離を制御するようにしてもよい。
【００５８】
（７．２  第２の構成例）（複数のシリンドリカルミラーを組み合わせた第１の例）
（７．２．１  構成）
図１１は、複数のシリンドリカルミラーを組み合わせて構成された波面調節器７０Ｂの第１の例を概略的に示している。
【００５９】
波面調節器７０Ｂは、レーザ光の進行する方向に向かって順に、凸面ミラー９１と、凹面ミラー９２と、第１の高反射ミラー９３と、第２の高反射ミラー９４とを含んでいてもよい。波面調節器７０Ｂはまた、１軸ステージ７６と、パルスモータ７７と、ミラーホルダ９５，９６，９７，９８とを含んでいてもよい。
【００６０】
凸面ミラー９１、凹面ミラー９２、第１の高反射ミラー９３、及び第２の高反射ミラー９４はそれぞれ、光路軸に対して４５°傾斜した角度で配置されていてもよい。凸面ミラー９１はミラーホルダ９５によって保持されていてもよい。凹面ミラー９２はミラーホルダ９６によって保持されていてもよい。第１の高反射ミラー９３はミラーホルダ９７によって保持されていてもよい。第２の高反射ミラー９４はミラーホルダ９８によって保持されていてもよい。
【００６１】
凸面ミラー９１は、シリンドリカル軸外放物凸面ミラーであってもよい。凹面ミラー９２は、シリンドリカル軸外放物凹面ミラーであってもよい。凸面ミラー９１と凹面ミラー９２の焦点の位置７８は略一致するように配置されていてもよい。第１の高反射ミラー９３と第２の高反射ミラー９４は、波面調節器７０Ｂにおけるレーザ光の出射軸方向がレーザ光の入射軸方向と一致するように、凹面ミラー９２で反射されたレーザ光を出射軸方向に反射させてもよい。
【００６２】
凹面ミラー９２と第１の高反射ミラー９３は、ミラーホルダ９６，９７を介して１軸ステージ７６上のプレートに配置されていてもよい。１軸ステージ７６は、Ｙ方向に移動するように配置されていてもよい。パルスモータ７７は、ビーム特性制御部８４によって制御され、１軸ステージ７６を駆動するものであってもよい。
【００６３】
凸面ミラー９１、凹面ミラー９２、第１の高反射ミラー９３、及び第２の高反射ミラー９４の基板にはそれぞれ、図示しない冷却水配管が設けられ、冷却水によって各ミラーで吸収された熱が廃熱されるようになっていてもよい。
【００６４】
（７．２．２  動作及び作用）
波面調節器７０Ｂでは、１軸ステージ７６をＹ方向に移動させることによって、レーザ光のＹ方向の波面の曲率が制御され得る。これにより、Ｙ方向のビーム径の調節量が制御され得る。本構成例では、凹面ミラー９２と第１の高反射ミラー９３とが同時にＹ方向に移動するので、波面調節器７０Ｂにおけるレーザ光の入射軸と出射軸との変化が抑制され得る。図９及び図１０の構成例のような透過型の光学素子を用いた構造では、冷却が困難であり、温度差が発生し、波面が歪み得る。これに対して本構成例は、反射型の光学素子を用いて、光学素子の基板に図示しない冷却水を流すことが可能な構造となっているので、高出力のレーザ光、例えば５ｋＷ〜４０ｋＷ程度のレーザ光が入射したとしても、安定して波面の曲率を制御し得る。
【００６５】
（７．２．３  変形例）
図１１に示した構成例では、凸面ミラー９１と凹面ミラー９２との組み合わせ例を示したが、凸面ミラー９１の代わりにシリンドリカル軸外放物凹面ミラーを配置してもよい。その場合、２つの凹面ミラーの焦点の位置７８を略一致させて配置し、凹面ミラー９２と第１の高反射ミラー９３とを同様に１軸ステージ７６によって制御してもよい。
【００６６】
また、図１１において、第１の高反射ミラー９３と凹面ミラー９２との配置位置が交換された構成となっていてもよい。その場合においても、凸面ミラー９１と凹面ミラー９２との焦点の位置７８が略一致するように配置すれば、１軸ステージ７６をＹ方向に移動させることによって、レーザ光のＹ方向の波面の曲率が制御され得る。
【００６７】
（７．３  第３の構成例）（複数のシリンドリカルミラーを組み合わせた第２の例）
（７．３．１  構成）
図１２は、複数のシリンドリカルミラーを組み合わせて構成された波面調節器７０Ｃの第２の例を概略的に示している。
【００６８】
図１２に示すように、波面調節器７０Ｃは、図１１に示した波面調節器７０Ｂの構成に対して、凹面ミラー９２と第２の高反射ミラー９４との配置位置が交換された構成となっていてもよい。すなわち、レーザ光の進行する方向に向かって順に、凸面ミラー９１と、第１の高反射ミラー９３と、第２の高反射ミラー９４と、凹面ミラー９２とを配置した構成であってもよい。
【００６９】
図１２に示した波面調節器７０Ｃにおいて、凸面ミラー９１と凹面ミラー９２は、互いの焦点の位置７８が略一致するように配置されていてもよい。１軸ステージ７６上のプレートには、凸面ミラー９１と第２の高反射ミラー９４とを、ミラーホルダ９５，９８を介して配置してもよい。１軸ステージ７６は、Ｚ方向に移動するように配置してもよい。
【００７０】
（７．３．２  動作及び作用）
波面調節器７０Ｃでは、１軸ステージ７６をＺ方向に移動させることによって、レーザ光のＹ方向の波面の曲率が制御され得る。これにより、Ｙ方向のビーム径の調節量が制御され得る。本構成例では、凸面ミラー９１と第２の高反射ミラー９４とが同時にＺ方向に移動するので、波面調節器７０Ｃにおけるレーザ光の入射軸と出射軸との変化が抑制され得る。
【００７１】
［８．第５の実施形態］（ビーム特性計測器８０のバリエーション）
本実施形態では、例えば上記第２の実施形態及び第３の実施形態におけるレーザ装置３に適用可能なビーム特性計測器８０のバリエーションについて説明する。
【００７２】
（８．１  第１の構成例）（１つのイメージセンサ８３によってビームプロファイルを計測する例）
（８．１．１  構成）
図１３は、１つのイメージセンサ８３によってビームプロファイルを計測するビーム特性計測器８０の一構成例を概略的に示している。図１３に示したビーム特性計測器８０は、図６に示したビーム特性計測器８０と略同様の構成であってもよく、ビームスプリッタ８１と、集光レンズ８２と、イメージセンサ８３とを含んでいてもよい。イメージセンサ８３は、２次元のイメージセンサであってもよい。２次元のイメージセンサとしては、計測するレーザ光がＣＯ2レーザ光の場合はパイロ素子の２次元アレイであってもよい。計測するレーザ光が固体レーザ光の場合は、２次元のフォトダイオードアレイであってもよい。イメージセンサ８３は、集光レンズ８２の焦点距離ｆの位置に配置されていてもよい。
【００７３】
（８．１．２  動作）
図１４は、図１３に示したビーム特性計測器８０によって計測されるビームプロファイル画像８５の一例を概略的に示している。ビームプロファイル画像８５は、集光レンズ８２によってイメージセンサ８３上に形成された計測用のレーザ光のビーム断面の画像であってもよい。
【００７４】
図１４では、ビームプロファイル画像８５と、そのＸ方向の光強度分布とＹ方向の光強度分布とを概略的に示している。レーザ光の集光ビームのＸ方向の幅（径）Ｗｘは、Ｘ方向の光強度の最大値Ｉｘｍａｘに対して１／ｅ2の光強度となるＸ方向座標位置をＸ１，Ｘ２とすると、Ｗｘ＝（Ｘ２−Ｘ１）として求めてもよい。レーザ光の集光ビームのＹ方向の幅（径）Ｗｙは、Ｙ方向の光強度の最大値Ｉｙｍａｘに対して１／ｅ2の光強度となるＹ方向座標位置をＹ１，Ｙ２とすると、Ｗｙ＝（Ｙ２−Ｙ１）として求めてもよい。
【００７５】
Ｘ方向のビーム広がり角θｗｘとＹ方向のビーム広がり角θｗｙは、以下の（１）式及び（２）式から求め得る。
θｗｘ＝Ｗｘ／ｆ  ……（１）
θｗｙ＝Ｗｙ／ｆ  ……（２）
【００７６】
ビーム特性制御部８４は、ビーム特性計測器８０で検出された結果に基づいて、θｗｘ＝θｗｙとなるように、波面調節器７０を制御してもよい。
【００７７】
なお、レーザ光の集光ビームの幅（径）Ｗｘ，Ｗｙは、光強度の最大値Ｉｘｍａｘ，Ｉｙｍａｘの１／ｅ2に基づく幅（径）だけでなく、例えば最大値Ｉｘｍａｘ，Ｉｙｍａｘに対して一定の割合、例えば５％〜１０％の強度となる座標位置に基づいて求めてもよい。
【００７８】
８．１．３  作用
本構成例によれば、１つのイメージセンサ８３に形成されたビームプロファイル画像８５に基づいて、レーザ光の集光ビームのパラメータ値であるビームダイバージェンスが計測され得る。
【００７９】
（８．２  第２の構成例）（２つのイメージセンサ８３Ａ，８３Ｂによってビームプロファイルを計測する例）
（８．２．１  構成）
図１５は、２つのイメージセンサ８３Ａ，８３Ｂによってビームプロファイルを計測するビーム特性計測器８０の一構成例を概略的に示している。図１５に示したビーム特性計測器８０は、第１のビームプロファイラ８０Ａと第２のビームプロファイラ８０Ｂとを含んでいてもよい。第１のビームプロファイラ８０Ａによるビームの計測位置Ｃと、第２のビームプロファイラ８０Ｂによるビームの計測位置Ｃ‘との距離はＬであってもよい。
【００８０】
第１のビームプロファイラ８０Ａは、第１のビームスプリッタ８１Ａと、第１の転写光学系８２Ａと、２次元の第１のイメージセンサ８３Ａとを含んでいてもよい。第２のビームプロファイラ８０Ｂは、第２のビームスプリッタ８１Ｂと、第２の転写光学系８２Ｂと、２次元の第２のイメージセンサ８３Ｂとを含んでいてもよい。
【００８１】
第１の転写光学系８２Ａと第２の転写光学系８２Ｂは、所定の倍率１／Ｍで計測用のレーザ光のビームの像を転写するものであってもよい。第１のイメージセンサ８３Ａは、計測位置Ｃのビームが第１の転写光学系８２Ａによって所定の倍率１／Ｍで転写された像を計測する位置に配置されていてもよい。第２のイメージセンサ８３Ｂは、計測位置Ｃ‘のビームが第２の転写光学系８２Ｂによって所定の倍率１／Ｍで転写された像を計測する位置に配置されていてもよい。
【００８２】
（８．２．２  動作）
図１６は、図１５に示したビーム特性計測器８０の第１のビームプロファイラ８０Ａによって計測される第１のビームプロファイル画像８５Ａ又は第２のビームプロファイラ８０Ｂによって計測される第２のビームプロファイル画像８５Ｂの一例を模式的に示す。第１のビームプロファイル画像８５Ａは、第１の転写光学系８２Ａによって第１のイメージセンサ８３Ａ上に形成された計測用のレーザ光のビーム断面の画像であってもよい。第２のビームプロファイル画像８５Ｂは、第２の転写光学系８２Ｂによって第２のイメージセンサ８３Ｂ上に形成された計測用のレーザ光のビーム断面の画像であってもよい。
【００８３】
図１６では、ビームプロファイル画像８５Ａ又は８５Ｂと、そのＸ方向の光強度分布とＹ方向の光強度分布とを概略的に示している。ここで、第１のビームプロファイラ８０Ａによって計測されるレーザ光の集光ビームのＸ方向の幅（径）はＢｗｘ１であってもよい。第２のビームプロファイラ８０Ｂによって計測されるレーザ光の集光ビームのＸ方向の幅（径）はＢｗｘ２であってもよい。図１６では、Ｂｗｘ１とＢｗｘ２とを総称してＢｗｘと記す。また、第１のビームプロファイラ８０Ａによって計測されるレーザ光の集光ビームのＹ方向の幅（径）はＢｗｙ１であってもよい。第２のビームプロファイラ８０Ｂによって計測されるレーザ光の集光ビームのＹ方向の幅（径）はＢｗｙ２であってもよい。図１６では、Ｂｗｙ１とＢｗｙ２とを総称してＢｗｙと記す。
【００８４】
第１のビームプロファイラ８０Ａと第２のビームプロファイラ８０Ｂとのそれぞれにおいて、Ｂｗｘ、Ｂｗｙを以下のように求めてもよい。レーザ光の集光ビームのＸ方向の幅（径）Ｂｗｘは、Ｘ方向の光強度の最大値Ｉｘｍａｘに対して１／ｅ2の光強度となるＸ方向座標位置をＸ１，Ｘ２とすると、Ｂｗｘ＝（Ｘ２−Ｘ１）として求めてもよい。レーザ光の集光ビームのＹ方向の幅（径）Ｂｗｙは、Ｙ方向の光強度の最大値Ｉｙｍａｘに対して１／ｅ2の光強度となるＹ方向座標位置をＹ１，Ｙ２とすると、Ｂｗｙ＝（Ｙ２−Ｙ１）として求めてもよい。
【００８５】
距離ＬでＸ方向に広がったビームの広がり角θｗｘは、以下の（３）式で求め得る。
θｗｘ＝（Ｂｗｘ２−Ｂｗｘ１）（Ｍ／Ｌ）  ……（３）
【００８６】
距離ＬでＹ方向に広がったビームの広がり角θｗｙは、以下の（４）式で求め得る。
θｗｙ＝（Ｂｗｙ２−Ｂｗｙ１）（Ｍ／Ｌ）  ……（４）
【００８７】
以上のようにして、Ｘ方向とＹ方向のビーム広がり角θｗｘとθｗｙとを求め得る。ビーム特性制御部８４は、ビーム特性計測器８０で検出された結果に基づいて、θｗｘ＝θｗｙとなるように、波面調節器７０を制御してもよい。
【００８８】
なお、レーザ光の集光ビームの幅（径）Ｂｗｘ，Ｂｗｙは、光強度の最大値Ｉｘｍａｘ，Ｉｙｍａｘの１／ｅ2に基づく幅（径）だけでなく、例えば最大値Ｉｘｍａｘ，Ｉｙｍａｘに対して一定の割合の強度となる座標位置に基づいて求めてもよい。例えば、最大値Ｉｘｍａｘ，Ｉｙｍａｘに対して５％〜１０％の強度となる座標位置に基づいて求めてもよい。
【００８９】
（８．２．３  作用）
本構成例によれば、２つのイメージセンサ８３Ａ，８３Ｂによって形成された２つのビームプロファイル画像８５Ａ，８５Ｂに基づいて、レーザ光の集光ビームのパラメータ値であるビームダイバージェンスが計測され得る。
【００９０】
（８．３  第３の構成例）（波面センサ２１０を用いてビームプロファイルを計測する例）
（８．３．１  構成）
図１７は、波面センサ２１０によってビームプロファイルを計測するビーム特性計測器８０の一構成例を概略的に示している。図１７では、波面センサ２１０は、シャックハルトマン（Shack-Hartmann）型のセンサであってもよい。波面センサ２１０は、マイクロレンズアレイ２１２と、赤外線カメラ２１３とを備えていてもよい。マイクロレンズアレイ２１２は、多数のマイクロレンズ２１２Ａを含んでいてもよい。赤外線カメラ２１３は、赤外線用のイメージセンサ２１３Ａを含んでいてもよい。波面センサ２１０の前側に、高反射ミラー２１１が配置されていてもよい。
【００９１】
８．３．２  動作及び作用
図１７に示した構成例において、レーザ光の大部分は、高反射ミラー２１１で反射され得る。高反射ミラー２１１を僅かに透過するレーザ光は、マイクロレンズアレイ２１２に入射し得る。各マイクロレンズ２１２Ａの集光点の像が、赤外線カメラ２１３によって計測され得る。各マイクロレンズ２１２Ａの集光点の位置を解析することにより、レーザ光の波面を計測し得る。
【００９２】
［９．第６の実施形態］（プリパルスレーザ装置３Ｐを含むＥＵＶ光生成システム）
（９．１  構成）
図１８は、プリパルスレーザ装置３Ｐを含むＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示している。このＥＵＶ光生成システムは、チャンバ２と、プリパルスレーザ装置３Ｐと、メインパルスレーザ装置３Ｍと、ＥＵＶ光生成制御部５とを含んでいてもよい。ＥＵＶ光生成システムはまた、反射ミラー３４１と、反射ミラー３４３と、第１の波面調節器７０Ｐ及び第２の波面調節器７０Ｍと、ビーム特性制御部８４と、ビームコンバイナ９０とを含んでいてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ制御部５１と、ターゲット制御部１７１とを含んでいてもよい。
【００９３】
チャンバ２は、レーザ集光光学系２２ａと、プレート２８２とを含んでいてもよい。さらに、チャンバ２は、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ミラーホルダ２８１と、ウインドウ８８と、ターゲット回収部２８とを含んでいてもよい。ウインドウ８８は、チャンバ２の内壁にシールして固定されてもよい。チャンバ２には、ターゲット供給部２６が取り付けられてもよい。
【００９４】
レーザ集光光学系２２ａは、プレート２８３と、ホルダ２２３と、ホルダ２２４と、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２とを含んでいてもよい。軸外放物面ミラー２２１はホルダ２２３によってプレート２８３に保持されてもよい。平面ミラー２２２はホルダ２２４によってプレート２８３に保持されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光するように、これらのミラーの位置及び姿勢が保持されてもよい。
【００９５】
プレート２８２はチャンバ２の内部で、壁に固定されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、Ｚ軸を中心とする回転楕円面のミラーであってもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、回転楕円面の第１焦点が、プラズマ生成領域２５と略一致するようにミラーホルダ２８１を介して、プレート２８２に固定されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部にはパルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４があってもよい。
【００９６】
ターゲット供給部２６は、タンク１６１と、ノズル１６２と、ピエゾ素子１６３と、ヒータ１６４と、圧力調節器１６５とを含んでいてもよい。ターゲット供給部２６は、ノズル１６２から出力されるターゲット２７がドロップレット状でプラズマ生成領域２５に到達するように配置されてもよい。ターゲット回収部２８は、ドロップレット状のターゲット２７の軌道の延長線上に設置してもよい。ヒータ１６４は、タンク１６１に配置されていてもよい。タンク１６１は、ヒータ１６４によって溶融した状態のターゲット２７を内部に貯蔵してもよい。ノズル１６２は、タンク１６１内のターゲット２７を出力するノズル孔６２ａを含んでいてもよい。ピエゾ素子１６３は、ノズル１６２に設置されていてもよい。圧力調節器１６５は、タンク１６１内の圧力を調節してもよい。
【００９７】
ＥＵＶ光生成システムにおいては、所定の繰り返し周波数で、所定の時間にわたってＥＵＶ光を生成することが求められ得る。所定の繰り返し周波数は、例えば、５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり得る。ＥＵＶ光生成システムが所定の繰り返し周波数でＥＵＶ光を生成するために、ターゲット供給部２６が上記所定の繰り返し周波数でターゲット２７を出力してもよい。ターゲット２７の供給タイミングに応じて、プリパルスレーザ装置３Ｐとメインパルスレーザ装置３Ｍとがパルスレーザ光を出力してもよい。プリパルスレーザ装置３Ｐとメインパルスレーザ装置３Ｍとが出力するパルスレーザ光の繰り返し周波数は、上記所定の繰り返し周波数と同等であり得る。所定の繰り返し周波数で所定の時間にわたってパルス光を出力することを、バーストと称することもある。また、バースト出力されたパルス光をバーストパルスと称することもある。
【００９８】
このようなバーストによるＥＵＶ光の生成を指示する生成信号としてバースト信号が、外部装置としての露光装置６から、ＥＵＶ制御部５１に供給されてもよい。露光装置６は露光装置制御部６ａを含んでいてもよい。バースト信号は、露光装置６の露光装置制御部６ａから供給するようにしてもよい。
【００９９】
プリパルスレーザ装置３Ｐは、プリパルスレーザ光を出力するものであって、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶を含むマスタオシレータと少なくとも１つの増幅器とを含む固体レーザ装置であってもよい。メインパルスレーザ装置３Ｍは、メインパルスレーザ光を出力するものであって、マスタオシレータと少なくとも１つの増幅器とを含むＣＯ2レーザ装置であってもよい。
【０１００】
ビームコンバイナ９０は、反射ミラー３４２と、ダイクロイックミラー３４４と、プレート８７と、ビーム特性計測器８０Ｃとを含んでいてもよい。
【０１０１】
ダイクロイックミラー３４４は、反射ミラー３４２とウインドウ８８との間の光路上に配置されていてもよい。ダイクロイックミラー３４４は、メインパルスレーザ光の光路軸とプリパルスレーザ光の光路軸とが略一致することとなるように配置されていてもよい。ダイクロイックミラー３４４は、ダイヤモンド基板上の一方の面に、例えば波長１．０６μｍのプリパルスレーザ光を高反射し、プリパルスレーザ光の一部を透過するものであってもよい。ダイクロイックミラー３４４はまた、例えば１０．６μｍのメインパルスレーザ光を高透過し、メインパルスレーザ光の一部を反射する膜がコートされたものであってもよい。ダイクロイックミラー３４４の他方の面には、波長１．０６μｍのレーザ光と波長１０．６μｍのレーザ光とを減反射するコートが施されていてもよい。
【０１０２】
ビーム特性計測器８０Ｃは、ダイクロイックミラー３４５と、集光レンズ８２Ｐ及び集光レンズ８２Ｍと、イメージセンサ８３Ｐ及びイメージセンサ８３Ｍとを含んでいてもよい。
【０１０３】
ビーム特性計測器８０Ｃは、ダイクロイックミラー３４４において一部透過したプリパルスレーザ光が計測用のレーザ光として入射されるように配置されていてもよい。ビーム特性計測器８０Ｃはまた、ダイクロイックミラー３４４において一部反射したメインパルスレーザ光が計測用のレーザ光として入射されるように配置されていてもよい。
【０１０４】
計測用のレーザ光として、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とが入射するようにダイクロイックミラー３４５が配置されていてもよい。ダイクロイックミラー３４５の一方の面には、例えば波長１．０６μｍのプリパルスレーザ光を高透過し、例えば波長１０．６μｍのメインパルスレーザ光を高反射する膜がコートされていてもよい。他方の面には、波長１．０６μｍのレーザ光と波長１０．６μｍのレーザ光とを減反射するコートが施されていてもよい。
【０１０５】
集光レンズ８２Ｐは、ダイクロイックミラー３４５を透過したプリパルスレーザ光が入射するように配置されていてもよい。集光レンズ８２Ｐの焦点の位置には、２次元のイメージセンサ８３Ｐが配置されていてもよい。集光レンズ８２Ｍは、ダイクロイックミラー３４５を反射したメインパルスレーザ光が入射するように配置されていてもよい。集光レンズ８２Ｐの焦点の位置には、２次元のイメージセンサ８３Ｐが配置されていてもよい。
【０１０６】
第１の波面調節器７０Ｐは、反射ミラー３４３とダイクロイックミラー３４４との間のプリパルスレーザ光の光路上に配置されていてもよい。第１の波面調節器７０Ｐは、シリンドリカル凹レンズ７１Ｐと、シリンドリカル凸レンズ７２Ｐと、１軸ステージ７３Ｐとを含んでいてもよい。シリンドリカル凹レンズ７１Ｐは、プリパルスレーザ光の光路軸に沿って移動するように１軸ステージ７３Ｐ上にホルダを介して配置されていてもよい。
【０１０７】
第２の波面調節器７０Ｍは、反射ミラー３４１と反射ミラー３４２との間のメインパルスレーザ光の光路上に配置されていてもよい。第２の波面調節器７０Ｍは、シリンドリカル凹レンズ７１Ｍと、シリンドリカル凸レンズ７２Ｍと、１軸ステージ７３Ｍとを含んでいてもよい。シリンドリカル凹レンズ７１Ｍは、メインパルスレーザ光の光路軸に沿って移動するように１軸ステージ７３Ｍ上にホルダを介して配置されていてもよい。
【０１０８】
ビーム特性制御部８４は、ビーム特性計測器８０Ｃの検出結果に基づいて第１の波面調節器７０Ｐ及び第２の波面調節器７０Ｍを制御する制御部であってもよい。ビーム特性制御部８４は、イメージセンサ８３Ｐ及びイメージセンサ８３Ｍに信号ラインで接続され、ビーム特性計測器８０Ｃによる検出結果のデータを受信するようにしてもよい。ビーム特性制御部８４はまた、第１の波面調節器７０Ｐ及び第２の波面調節器７０Ｍに信号ラインで接続され、制御信号を第１の波面調節器７０Ｐ及び第２の波面調節器７０Ｍに送信するようにしてもよい。制御信号は、第１の波面調節器７０Ｐにおけるシリンドリカル凹レンズ７１Ｐの位置、及び第２の波面調節器７０Ｍにおけるシリンドリカル凹レンズ７１Ｍの位置を変化させることを指示する信号であってもよい。制御信号はまた、１軸ステージ７３Ｐによるシリンドリカル凹レンズ７１Ｐの移動量、及び１軸ステージ７３Ｍによるシリンドリカル凹レンズ７１Ｍの移動量を制御する信号であってもよい。
【０１０９】
（９．２  動作）
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ制御部５１を介して、プリパルスレーザ装置３Ｐとメインパルスレーザ装置３Ｍとに所定の周期で発振するように制御信号を出力してもよい。プリパルスレーザ装置３Ｐから出力されたプリパルスレーザ光は、反射ミラー３４３によって高反射され、第１の波面調節器７０Ｐを透過し、ダイクロイックミラー３４４に入射し得る。ダイクロイックミラー３４４を一部透過したプリパルスレーザ光は、ビーム特性計測器８０Ｃのダイクロイックミラー３４５を高透過して、集光レンズ８２Ｐによって集光され、焦点位置におけるビームプロファイルがイメージセンサ８３Ｐによって計測され得る。ここで、イメージセンサ８３Ｐで計測された、プリパルスレーザ光の集光ビームが略円形に近づくように、第１の波面調節器７０Ｐの１軸ステージ７３Ｐを制御してもよい。
【０１１０】
一方、ダイクロイックミラー３４４を一部反射したメインパルスレーザ光は、ビーム特性計測器８０Ｃのダイクロイックミラー３４５を高反射して、集光レンズ８２Ｍによって集光され得る。集光レンズ８２Ｍの焦点位置におけるビームプロファイルがイメージセンサ８３Ｍによって計測され得る。ビーム特性制御部８４は、イメージセンサ８３Ｍで計測された、メインパルスレーザ光の集光ビームが略円形に近づくように、第２の波面調節器７０Ｍの１軸ステージ７３Ｍを制御してもよい。
【０１１１】
ビーム特性制御部８４は、メインパルスレーザ光の集光ビームとプリパルスレーザ光の集光ビームとが所定の範囲内の略円形となったら、ＥＵＶ制御部５１に、ターゲット２７に対してレーザ光を照射することを指示する照射ＯＫ信号を送信してもよい。
【０１１２】
次に、ＥＵＶ制御部５１は、ターゲット制御部１７１に、ドロップレット生成信号を送信してもよい。ターゲット制御部１７１は、ＥＵＶ制御部５１からドロップレット生成信号を受信すると、ヒータ１６４によってタンク１６１内のターゲット２７の材料を所定の温度まで加熱する温度制御をしてもよい。ターゲット制御部１７１は、例えば、ターゲット２７の材料がスズ（Ｓｎ）である場合、融点である２３２℃程度、又はそれ以上の例えば２３０℃〜２８０℃の所定の温度まで加熱する温度制御をしてもよい。ターゲット制御部１７１は、タンク１６１内の圧力が、ノズル１６２のノズル孔１６２ａから所定の速度でターゲット２７となる噴流が出力される圧力となるように圧力調節器６５を制御してもよい。次にターゲット制御部１７１は、ドロップレット状のターゲット２７が生成されるように、ピエゾ素子１６３に所定の波形の電圧を供給してもよい。ノズル孔１６２ａから出力された噴流にはピエゾ素子１６３によって振動が与えられ、噴流表面に定在波が生じ得る。その結果、噴流は、ドロップレット状のターゲット２７に分断し得る。このように、コンティニュアスジェット（ＣＪ）法によるドロップレット状のターゲット２７の生成がなされてもよい。例えば、５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの所定の周波数でドロップレット状のターゲット２７が生成されてもよい。
【０１１３】
ＥＵＶ制御部５１は、所定のドロップレットが生成されたら、プラズマ生成領域２５にドロップレットが到達するタイミングで、プリパルスレーザ光がドロップレットに照射されるように、プリパルスレーザ装置３Ｐに発光トリガを送信してもよい。ドロップレットにプリパルスレーザ光が照射されると、ターゲット２７は破壊されて広がり、複数の微細なドロップレットが拡散し、２次的なターゲット２７が生成し得る。この２次的なターゲット２７に、メインパルスレーザ光が照射されるように、メインパルスレーザ装置３Ｍに発光トリガを送信してもよい。
【０１１４】
その結果、例えば直径約１０〜３０μｍ程度の球状ドロップレットに対して、プリパルスレーザ光が照射されるビーム形状は、例えば直径３０μｍ〜７０μｍの略円形で照射され得る。そして、ドロップレットは破壊されて広がり、複数の微細なドロップレットが拡散し、光路軸に対して垂直な断面の形状が略円形の２次的なターゲット２７が生成し得る。略円形の２次的なターゲット２７は、例えば直径約３００μｍ〜４００μｍとなり得る。そして、この略円形の２次的なターゲット２７に、略一致する略円形のメインパルスレーザ光が照射され得る。２次的なターゲット２７にメインパルスレーザ光が照射されることによって、プラズマ化して、ＥＵＶ光２５１が生成され得る。
【０１１５】
次に、図１９を参照して、図１８に示したＥＵＶ光生成システムにおいて、ターゲット２７に対してレーザ光を照射することを指示する照射ＯＫ信号を送信するまでの制御動作を説明する。
【０１１６】
初期状態として、ビーム特性制御部８４はＥＵＶ制御部５１に、ターゲット２７に対してレーザ光を照射しないことを指示する照射ＮＧ信号を送信してもよい（ステップＳ１１）。次に、ビーム特性制御部８４は、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とが出力されているか否かを判断してもよい（ステップＳ１２）。プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とが出力されていない場合（ステップＳ１２；Ｎ）、ビーム特性制御部８４は、ステップＳ１２の処理を繰り返してもよい。プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とが出力されている場合（ステップＳ１２；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は、ステップＳ１３の処理に移行してもよい。ビーム特性制御部８４は、ステップＳ１３の処理として、ビーム特性計測器８０Ｃによってプリパルスレーザ光の集光ビームのＸ方向の幅（径）ＷｐｘとＹ方向の幅（径）Ｗｐｙとを計測してもよい。Ｗｐｘ，Ｗｐｙの計測は、イメージセンサ８３Ｐによって得られたビームプロファイル画像のデータに基づいて、上記図１４に示した手法と同様の方法で行ってもよい。ビーム特性制御部８４はまた、ビーム特性計測器８０Ｃによってメインパルスレーザ光の集光ビームのＸ方向の幅（径）ＷｍｘとＹ方向の幅（径）Ｗｍｙとを計測してもよい（ステップＳ１４）。Ｗｍｘ，Ｗｍｙの計測は、イメージセンサ８３Ｍによって得られたビームプロファイル画像のデータに基づいて、上記図１４に示した手法と同様の方法で行ってもよい。
【０１１７】
次に、ビーム特性制御部８４は、Ｗｐｘ＝Ｗｐｙに近づくように第１の波面調節器７０Ｐを制御してもよい（ステップＳ１５）。また、Ｗｍｘ＝Ｗｍｙに近づくように第２の波面調節器７０Ｍを制御してもよい（ステップＳ１６）。
【０１１８】
次に、ビーム特性制御部８４は、以下の条件を満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ１７）。条件を満たすまでステップＳ１１〜Ｓ１６の処理を繰り返してもよい（ステップＳ１７；Ｎ）。
｜Ｗｐｘ−Ｗｐｙ｜≦Ｗｐｌ、
かつ、
｜Ｗｍｘ−Ｗｍｙ｜≦Ｗｍｐ
【０１１９】
ここで、ＷｐｌはＷｐｘとＷｐｙとの差の絶対値の許容値であり、例えば２μｍ〜５μｍであってもよい。ＷｍｐはＷｍｘとＷｍｙとの差の絶対値の許容値であり、例えば１０μｍ〜４０μｍであってもよい。
【０１２０】
上記条件を満たさない場合（ステップＳ１７；Ｎ）、ビーム特性制御部８４はステップＳ１１に戻ってもよい。上記条件を満たした場合（ステップＳ１７；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は、ＥＵＶ制御部５１にターゲット２７に対してレーザ光を照射することを指示する照射ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ１８）。制御を続行する場合（ステップＳ１９；Ｎ）、ビーム特性制御部８４は、ステップＳ１２〜Ｓ１８の処理を繰り返してもよい。制御を続行しない場合（ステップＳ１９；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は制御を中止してもよい。
【０１２１】
（９．３  作用）
この第６の実施形態によれば、球形のドロップレットに対して、略円形のプリパルスレーザ光の集光ビームを照射できるので、略円形の２次的なターゲット２７が安定して生成され得る。例えば直径約３００μｍ〜４００μｍ程度の略円形の２次的なターゲット２７に対して同等の直径の略円形のメインパルス光の集光ビームを照射できるので、ＥＵＶ光２５１への変換効率ＣＥを向上させ得る。
【０１２２】
（９．４  変形例）
図１８の構成例では、ビーム特性計測器８０Ｃをビームコンバイナ９０の位置に配置しているが、この例に限定されることなく、例えば、実際のレーザ集光光学系で集光されたビームを転写結像する凹面ミラーをレーザ光の集光後の光路上に配置してもよい。そして、イメージセンサ上に上記凹面ミラーによって結像された集光点の像を計測してもよい。
【０１２３】
［１０．第７の実施形態］（波面調節器７０の回転機構を含むレーザ装置）
（１０．１  構成）
図２０は、本開示の第７の実施形態として、波面調節器７０の回転機構を含むレーザ装置３の一構成例を概略的に示している。図２０に示したレーザ装置３は、ビーム特性計測器８０に１軸ステージ８６が追加された構成であってもよい。１軸ステージ８６は、イメージセンサ８３の位置が集光レンズ８２の焦点位置付近をレーザ光の進行方向に移動できるように配置されていてもよい。図２０に示したレーザ装置３はまた、波面調節器７０に、光路軸を中心に回転する回転ステージ７９が追加された構成であってもよい。１軸ステージ８６及び回転ステージ７９は、ビーム特性制御部８４によって制御されてもよい。
【０１２４】
なお、１軸ステージ８６及び回転ステージ７９と、それらを制御するビーム特性制御部８４以外の構成は、図６に示したレーザ装置３と略同様であってもよい。
【０１２５】
（１０．２  動作）
図２１は、図２０に示したレーザ装置におけるレーザ光の制御の流れの一例を概略的に示している。図２２は、図２０に示したレーザ装置におけるビーム特性計測（ステップＳ２３，Ｓ２６，Ｓ２９）の流れの一例を概略的に示している。図２３は、図２０に示したレーザ装置において計測されるビームプロファイル画像８５の一例を概略的に示している。
【０１２６】
初期状態として、ビーム特性制御部８４は、ターゲット２７に対してレーザ光を照射しないことを指示する照射ＮＧ信号を送信してもよい（ステップＳ２１）。ビーム特性制御部８４は、１軸ステージ７３を制御して、波面調節器７０のシリンドリカル凹レンズ７１とシリンドリカル凸レンズ７２との焦点の位置が一致するように、シリンドリカル凸レンズ７２の位置を初期化してもよい（ステップＳ２２）。
【０１２７】
ビーム特性制御部８４は、レーザ光が検出されたら、以下のステップを行ってもよい。ビーム特性制御部８４は、集光レンズ８２によって集光されたレーザ光のビーム形状、及びビーム特性を計測してもよい（ステップＳ２３）。
【０１２８】
ビーム特性の計測は図２２に示したように、以下の処理を含んでいてもよい。ビーム特性制御部８４は、パルスレーザ光が出力されているか否かを判断してもよい（ステップＳ４１）。パルスレーザ光が出力されていない場合（ステップＳ４１；Ｎ）、ビーム特性制御部８４は、ステップＳ４１を繰り返してもよい。パルスレーザ光が出力されている場合（ステップＳ４１；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は、イメージセンサ８３によって得られた、図２３に示したようなビームプロファイル画像８５の各ピクセルデータを読み出してもよい（ステップＳ４２）。次に、図２３に示したように、最小ビーム幅Ｗｍｉｎとして短軸方向のビーム幅（径）を計算してもよい（ステップＳ４３）。また、最大ビーム幅Ｗｍａｘとして長軸方向のビーム幅（径）を計算してもよい（ステップＳ４４）。さらに、長軸方向とＸ方向とのなす角度αを計算してもよい（ステップＳ４５）。
【０１２９】
次に、ビーム特性制御部８４は、１方向のビームの最小ビーム幅Ｗｍｉｎが小さくなるようにイメージセンサ８３の位置を１軸ステージ８６を介して制御してもよい（ステップＳ２４）。次に、ビーム特性制御部８４は、イメージセンサ８３のデータからビーム幅（径）が最小となる方向の最小ビーム幅Ｗｍｉｎを計測し、最小ビーム幅Ｗｍｉｎが最小となったか否かを判断してもよい（ステップＳ２５）。最小となるまで、ステップＳ２３及びＳ２４の処理を繰り返してもよい（ステップＳ２５；Ｎ）。
【０１３０】
ビーム特性制御部８４は、最小ビーム幅Ｗｍｉｎが最小となったと判断した場合（ステップＳ２５；Ｙ）、次に、ステップＳ２６の処理に移行してもよい。ビーム特性制御部８４は、ステップＳ２６の処理として、イメージセンサ８３のデータからビーム幅が最大となる角度αの方向とビーム幅が最大となる方向の最大ビーム幅Ｗｍａｘとを計測してもよい。次に、ビーム特性制御部８４は、波面の曲率を変化させる方向が角度αとなるように、波面調節器７０の回転ステージ７９を制御してもよい（ステップＳ２７）。次に、ビーム特性制御部８４は、イメージセンサ８３のデータから角度αの方向の最大ビーム幅Ｗｍａｘを計測して、Ｗｍａｘ＝Ｗｍｉｎに近づくように、波面調節器７０の１軸ステージ７３を制御してもよい（ステップＳ２８）。又は、イメージセンサ８３のデータから角度αの方向の最大ビーム幅Ｗｍａｘを計測して、Ｗｍａｘが最小となるように、波面調節器７０の１軸ステージ７３を制御してもよい。
【０１３１】
次に、ビーム特性制御部８４は、ビーム特性を計測し、以下の条件を満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ３０）。条件を満たすまでステップＳ２８及びＳ２９の処理を繰り返してもよい（ステップＳ３０；Ｎ）。ここで、ＷｌはＷｍｉｎとＷｍａｘとの差の絶対値の許容値である。
｜Ｗｍｉｎ−Ｗｍａｘ｜≦Ｗｌ
【０１３２】
上記条件を満たした場合（ステップＳ３０；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は、ターゲット２７に対してレーザ光を照射することを指示する照射ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ３１）。制御を続行する場合（ステップＳ３２；Ｎ）、ビーム特性制御部８４は、ステップＳ２１〜Ｓ３１の処理を繰り返してもよい。制御を中止する場合（ステップＳ３２；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は、処理を終了してもよい。
【０１３３】
（１０．３  作用）
この第７の実施形態によれば、レーザ光の集光ビームのビームプロファイルの長軸方向と短軸方向とがどのような方向になったとしても、波面調節器７０によるビーム径の調節方向を、光路軸を中心に長軸方向と一致するように回転させ得る。これにより、互いに直交する２方向のビームウエストの位置を略一致させ得る。
【０１３４】
（その他）
以上の説明では、イメージセンサ８３の位置を制御する例を示したが、集光レンズ８２の位置を光路軸方向に移動させてもよい。
【０１３５】
（１０．４  変形例）
（１０．４．１  第１の変形例）（シリンドリカルミラーを回転させる回転機構を含むレーザ装置）
図２４は、シリンドリカルミラーを用いた波面調節器７０Ｂを回転させる回転機構の一例をＸ方向から見た状態を概略的に示している。図２５は、シリンドリカルミラーを用いた波面調節器７０Ｂを回転させる回転機構の一例をＺ方向から見た状態を概略的に示している。
【０１３６】
図２０では、シリンドリカルレンズを用いた波面調節器７０に回転機構を設けた構成例について示したが、例えば図２４及び図２５に示したように、シリンドリカルミラーを用いた波面調節器７０Ｂに対して回転機構を追加した構成であってもよい。回転機構以外の構成部分は、図１１に示した波面調節器７０Ｂと略同様であってもよい。回転ステージ１２０はゴニオステージであってもよい。回転ステージ１２０は、固定ステージ１２１と、可動部１２２とを含んでいてもよい。可動部１２２は、パルスモータ１２３によって駆動されてもよい。パルスモータ１２３による駆動量は、ビーム特性制御部８４によって制御されてもよい。レーザの光路軸が回転ステージ１２０の回転中心軸１２５と略一致するように構成されていてもよい。回転中心軸１２５に対して重量のバランスが悪い場合には、他の光学素子とは反対側にカウンタウエイト１２４を配置してもよい。
【０１３７】
（１０．４．２  第２の変形例）（トロイダルレンズと第１及び第２のシリンドリカルレンズとを含む波面調節器）
（構成）
図２０に示したレーザ装置３に対する第２の変形例に係る波面調節器７０Ｄの構成例を図２６ないし図２８に示す。図２６は、波面調節器７０Ｄの外観の一例を概略的に示している。図２７は、波面調節器７０ＤのＸ方向から見た断面構成の一例を概略的に示している。図２８は、波面調節器７０ＤのＹ方向から見た断面構成の一例を概略的に示している。
【０１３８】
なお、波面調節器７０Ｄ以外の構成は、図２０に示したレーザ装置３と略同様であってもよい。
【０１３９】
波面調節器７０Ｄは、台座１４３と、台座１４３の上に配置された本体１４０及び回転ステージ１３５とを備えてもよい。本体１４０には、レーザ光の入射口１４１と出射口１４２とが設けられていてもよい。
【０１４０】
本体１４０の内部には、トロイダルレンズ１３０と、第１のシリンドリカルレンズ１３１と、第２のシリンドリカルレンズ１３２と、第１の１軸ステージ１３３と、第２の１軸ステージ１３４とが配置されていてもよい。
【０１４１】
トロイダルレンズ１３０は、ポスト１３６等を介してベースプレート１３７に設置されていてもよい。トロイダルレンズ１３０は、光路軸方向（−Ｚ軸方向）から入射するレーザ光の非点収差を補正するよう構成されてもよい。このため、トロイダルレンズ１３０は、図２７及び図２８における図中Ｘ方向とＹ方向とで異なる曲率を持つ光学素子であってよい。
【０１４２】
第１のシリンドリカルレンズ１３１は、ポスト１３８等を介して第１の１軸ステージ１３３に設置されてもよい。同様に、第２のシリンドリカルレンズ１３２は、ポスト１３９等を介して第２の１軸ステージ１３４に設置されてもよい。
【０１４３】
第１のシリンドリカルレンズ１３１と第２のシリンドリカルレンズ１３２は、それぞれの円柱面が互いに直交するように配置されてもよい。また、第１のシリンドリカルレンズ１３１と第２のシリンドリカルレンズ１３２とのそれぞれの曲率は、それぞれの焦点がトロイダルレンズ１３０の焦点に一致するように構成されていてもよい。より具体的には、図２７に示したように、ＹＺ断面内において、トロイダルレンズ１３０と第１のシリンドリカルレンズ１３１とのそれぞれの焦点が位置Ｆａに一致するように構成されていてもよい。また、図２８に示したように、ＸＺ断面内において、トロイダルレンズ１３０と第２のシリンドリカルレンズ１３２とのそれぞれの焦点が位置Ｆｂに一致するように構成されていてもよい。このため、第１のシリンドリカルレンズ１３１と第２のシリンドリカルレンズ１３２とのそれぞれの曲率は異なっていてもよい。
【０１４４】
第１の１軸ステージ１３３と第２の１軸ステージ１３４はそれぞれ、ベースプレート１３７に固定されていてもよい。第１の１軸ステージ１３３は、ベースプレート１３７上で第１のシリンドリカルレンズ１３１を光路軸方向に移動可能に構成されてもよい。第２の１軸ステージ１３４は、ベースプレート１３７上で第２のシリンドリカルレンズ１３２を光路軸方向に移動可能に構成されてもよい。
【０１４５】
回転ステージ１３５は、ベースプレート１３７を光路軸である図中のＺ軸を中心に回転するよう構成されてもよい。第１の１軸ステージ１３３、第２の１軸ステージ１３４、及び回転ステージ１３５はそれぞれ、ビーム特性制御部８４に接続され、ビーム特性制御部８４によって動作制御されてもよい。また、第１の１軸ステージ１３３、第２の１軸ステージ１３４、及び回転ステージ１３５はそれぞれ、エンコーダを備えてもよい。
【０１４６】
（動作）
図２９Ａ及び図２９Ｂは、本変形例による波面調節器７０Ｄを用いた場合のレーザ光の制御の流れの一例を概略的に示している。なお、図２９Ａにおけるビーム特性計測の処理（ステップＳ５３，Ｓ５５，Ｓ５８，Ｓ６２）は、上記図２２の処理と略同様であってもよい。また、計測されるビームプロファイル画像８５は上記図２３と略同様であってもよい。
【０１４７】
初期状態として、ビーム特性制御部８４は、ターゲット２７に対してレーザ光を照射しないことを指示する照射ＮＧ信号を送信してもよい（ステップＳ５１）。次に、ビーム特性制御部８４は、初期化処理として、第１及び第２の１軸ステージ１３３，１３４と、回転ステージ１３５とを所定の初期位置に移動させてもよい（ステップＳ５２）。また、このとき、ビーム特性制御部８４は、角度に関する所定の許容値αｌと、ビーム幅に関する所定の許容値Ｗｌとのデータを図示しない記憶部から読み込んでもよい。
【０１４８】
次に、ビーム特性制御部８４は、レーザ光が検出されたら、以下のステップを行ってもよい。ビーム特性制御部８４は、集光レンズ８２によって集光されたレーザ光のビーム形状、及びビーム特性を計測してもよい（ステップＳ５３）。
【０１４９】
ビーム特性の計測は上記した図２２に示す処理を含んでもよい。ビーム特性の計測処理には、上記した図２３に示したように、最小ビーム幅Ｗｍｉｎと、最大ビーム幅Ｗｍａｘと、長軸方向とＸ方向とのなす角度αとを計測する処理が含まれていてもよい。
【０１５０】
次に、ビーム特性制御部８４は、１方向のビームの最小ビーム幅Ｗｍｉｎが小さくなるようにイメージセンサ８３の位置を１軸ステージ８６を介して制御してもよい（ステップＳ５４）。次に、ビーム特性制御部８４は、ビーム特性を計測してもよい（ステップＳ５５）。これにより、ビーム特性制御部８４は、最小ビーム幅Ｗｍｉｎが最小となったか否かを判断してもよい（ステップＳ５６）。ビーム特性制御部８４は、最小ビーム幅Ｗｍｉｎが最小となるまで、ステップＳ５４及びＳ５５の処理を繰り返してもよい（ステップＳ５６；Ｎ）。これにより、イメージセンサ８３の位置が短軸方向のビームウエストの位置に制御され得る。
【０１５１】
ビーム特性制御部８４は、最小ビーム幅Ｗｍｉｎが最小となったと判断した場合（ステップＳ５６；Ｙ）、次に、波面調節器７０Ｄの回転ステージ１３５を、角度αが小さくなるように回転させてもよい（ステップＳ５７）。次に、ビーム特性制御部８４は、ビーム特性を計測（ステップＳ５８）し、角度αに関して、｜α｜≦αｌの条件を満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ５９）。条件を満たすまでステップＳ５７及びＳ５８の処理を繰り返してもよい（ステップＳ５９；Ｎ）。これにより、ビームの短軸、及び長軸が第１及び第２の1軸ステージ１３３，１３４で補正可能な方向に回転され得る。
【０１５２】
ビーム特性制御部８４は、角度αに関する上記条件を満たしたと判断した場合（ステップＳ５９；Ｙ）、次に、波面調節器７０Ｄの第２の１軸ステージ１３４を、最小ビーム幅Ｗｍｉｎが大きくなるように移動させてもよい（ステップＳ６０）。次に、ビーム特性制御部８４は、波面調節器７０Ｄの第１の１軸ステージ１３３を、最大ビーム幅Ｗｍａｘが小さくなるように移動させてもよい（ステップＳ６１）。
【０１５３】
次に、ビーム特性制御部８４は、ビーム特性を計測（ステップＳ６２）し、ビーム幅に関して、｜Ｗｍｉｎ−Ｗｍａｘ｜≦Ｗｌの条件を満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ６３）。条件を満たすまでステップＳ６０〜Ｓ６２の処理を繰り返してもよい（ステップＳ６３；Ｎ）。ここで、ＷｌはＷｍｉｎとＷｍａｘとの差の絶対値の許容値である。これにより、ビームの断面形状が円形に近づき得る。
【０１５４】
ビーム幅に関する上記条件を満たしたと判断した場合（ステップＳ６３；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は、ターゲット２７に対してレーザ光を照射することを指示する照射ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ６４）。制御を続行する場合（ステップＳ６５；Ｎ）、ビーム特性制御部８４は、ステップＳ５１〜Ｓ６４の処理を繰り返してもよい。制御を中止する場合（ステップＳ６５；Ｙ）、ビーム特性制御部８４は、処理を終了してもよい。
【０１５５】
（作用）
以上で説明した第２の変形例によれば、波面調節器７０Ｄが回転ステージ１３５を備えるので、ビームプロファイルがどのような方向に傾斜していても長軸と短軸の調節が可能となり得る。また、第１のシリンドリカルレンズ１３１と第２のシリンドリカルレンズ１３２とをそれぞれ光路軸方向に独立して移動可能に構成したので、互いに直交する２つの方向のダイバージェンスを独立して調整し得る。よって、入射するレーザ光のビームプロファイルによらず真円に近いビームプロファイルを実現し得る。さらに、真円に近いプロファイルでビームサイズを調整し得る。
【０１５６】
（その他の構成）
以上で説明した構成に限らず、例えば、波面調節器７０Ｄにおけるトロイダルレンズ１３０と第１及び第２のシリンドリカルレンズ１３１，１３２とをミラーに置き換えた構成であってもよい。
【０１５７】
［１１．レーザ増幅器のバリエーション］
（１１．１  ３軸直交型増幅器）
上記各実施形態におけるレーザ装置において、レーザ増幅器として、図３０及び図３１に示した３軸直交型増幅器を用いてもよい。図３１は、図３０に示した３軸直交型増幅器をＺ１−Ｚ１’線方向から見た断面構成例を示している。
【０１５８】
３軸直交型増幅器は、レーザチャンバ１８０と、入力ウインドウ１８１ａと、出力ウインドウ１８１ｂと、一対の電極１８２ａ，１８２ｂと、クロスフローファン１８６と、ＲＦ電源６５とを含んでいてもよい。３軸直交型増幅器はさらに、熱交換器１８９を含んでいてもよい。クロスフローファン１８６の両端にはモータ１８７と軸受け１８８とが接続されていてもよい。
【０１５９】
レーザチャンバ１８０は、内部にレーザ媒質としてＣＯ2レーザガスを収容してもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂとＲＦ電源６５は、レーザチャンバ１８０の内部に入射されたシード光を、レーザ媒質を励起することによって増幅する励起装置であってもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂはレーザチャンバ１８０の内部に設けられ、放電によって放電領域１８４においてレーザ媒質を励起するものであってもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂの電極間隔は、例えば１０ｍｍ〜６０ｍｍであってもよい。ＲＦ電源６５は、一対の電極１８２ａ，１８２ｂにＲＦ電圧を供給するものであってもよい。
【０１６０】
３軸直交型増幅器では、クロスフローファン１８６によって、一対の電極１８２ａ，１８２ｂ間にレーザガスＧ１が循環供給され得る。ＲＦ電源６５から一対の電極１８２ａ，１８２ｂにＲＦ電圧を供給している状態で、入力ウインドウ１８１ａからシード光となるレーザ光をレーザチャンバ１８０の内部に入射させてもよい。入射されたシード光が、一対の電極１８２ａ，１８２ｂ間で励起されたレーザ媒質中を通過することで増幅され得る。増幅されたシード光は、出力ウインドウ１８１ｂから増幅レーザ光として出力され得る。
【０１６１】
（１１．２  高速軸流型のレーザ増幅器）
上記各実施形態におけるレーザ装置において、レーザ増幅器として、図３２に示した高速軸流型のレーザ増幅器を用いてもよい。高速軸流型のレーザ増幅器は、ＲＦ電源６５と、放電管１９０と、入力ウインドウ１９１ａと、出力ウインドウ１９１ｂと、一対の電極１９２ａ，１９２ｂと、ブロア１９６と、熱交換器１９９とを含んでいてもよい。
【０１６２】
放電管１９０は、内部にレーザ媒質としてＣＯ2レーザガスを収容してもよい。一対の電極１９２ａ，１９２ｂとＲＦ電源６５は、放電管１９０の内部に入射されたシード光を、レーザ媒質を励起することによって増幅する励起装置であってもよい。一対の電極１９２ａ，１９２ｂは放電管１９０の外周に設けられ、放電によって放電管１９０の内部においてレーザ媒質を励起するものであってもよい。ＲＦ電源６５は、一対の電極１９２ａ，１９２ｂにＲＦ電圧を供給するものであってもよい。
【０１６３】
高速軸流型のレーザ増幅器では、ブロア１９６によって、放電管１９０の内部にレーザガスＧ１が循環供給され得る。ＲＦ電源６５から一対の電極１９２ａ，１９２ｂにＲＦ電圧を供給している状態で、入力ウインドウ１９１ａからシード光となるレーザ光を放電管１９０の内部に入射させてもよい。入射されたシード光が、一対の電極１９２ａ，１９２ｂによって励起されたレーザ媒質中を通過することで増幅され得る。増幅されたシード光は、出力ウインドウ１９１ｂから増幅レーザ光として出力され得る。
【０１６４】
［１２．制御部のハードウエア環境］
当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
【０１６５】
図３３は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図３３の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。
【０１６６】
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
【０１６７】
図３３におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
【０１６８】
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
【０１６９】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、レーザ装置３、メインパルスレーザ装置３Ｍ、プリパルスレーザ装置３Ｐ、イメージセンサ８３，８３Ｍ，８３Ｐ、第１のイメージセンサ８３Ａ、及び第２のイメージセンサ８３Ｂ等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、圧力調節器１６５等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
【０１７０】
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
【０１７１】
例示的なハードウエア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、ＥＵＶ制御部５１、ターゲット制御部１７１、及びビーム特性制御部８４の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、ＥＵＶ制御部５１、ターゲット制御部１７１、及びビーム特性制御部８４は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
【０１７２】
［１３．その他］
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１７３】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９Ａ】
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【図２９Ｂ】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
2015111510.tif 000035
【図３３】
2015111510.tif 000036
【国際調査報告】
2015111510.tif 000037
2015111510.tif 000038
2015111510.tif 000039
2015111510.tif 000040