(57)【要約】  高いＱ値を得ることができる電子部品を提供することである。  電子部品は、積層体と、複数のインダクタ導体層と、ビアホール導体とにより構成されているインダクタであって、螺旋状をなすインダクタと、絶縁体層の外縁が連なって構成されている第１の端面に設けられている第１の外部電極と、第２の端面に設けられている第２の外部電極と、を備えており、複数のインダクタ導体層は、第１の外部電極に接続されている第１のインダクタ導体層、及び、第１のインダクタ導体層に対して積層方向の他方向側に隣り合う第２のインダクタ導体層を含んでおり、第１のインダクタ導体層と第２のインダクタ導体層とを接続するビアホール導体は、第２の外部電極よりも第１の外部電極の近くに設けられ、かつ、第１の端面の法線方向から平面視したときに、第１の外部電極と重なっていないこと、を特徴とする。
2016006542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、
前記絶縁体層と共に積層されている線状の複数のインダクタ導体層と、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通し、かつ、該複数のインダクタ導体層を接続する少なくとも１以上のビアホール導体とを含むインダクタであって、周回しながら該積層方向の一方側から他方側へと進行する螺旋状をなすインダクタと、
前記インダクタと接続され、かつ、前記積層体において前記絶縁体層の外縁が連なって構成されている第１の端面に設けられている第１の外部電極と、
前記インダクタと接続され、かつ、前記積層体において前記第１の端面と対向する第２の端面に設けられている第２の外部電極と、
を備えており、
前記複数のインダクタ導体層は、前記第１の外部電極に直接に接続されている第１のインダクタ導体層、及び、該第１の外部電極に直接に接続されておらず、かつ、該第１のインダクタ導体層に対して前記積層方向の他方向側に隣り合う第２のインダクタ導体層を含んでおり、
前記第１のインダクタ導体層と前記第２のインダクタ導体層とを接続する前記ビアホール導体は、前記積層方向から平面視したときに、前記第２の外部電極よりも前記第１の外部電極の近くに設けられ、かつ、前記第１の端面の法線方向から平面視したときに、前記第１の外部電極と重なっていないこと、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１の外部電極は、前記第１の端面において長方形状をなしていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１のインダクタ導体層は、前記第１の外部電極に直接に接続されている部分から所定区間にわたって、前記第１の端面に露出していること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１のインダクタ導体層は、１周以上周回していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、インダクタを内蔵している電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の電子部品が知られている。図１３は、特許文献１に記載の電子部品５００の斜視図である。【０００３】
電子部品５００は、積層体５０１、インダクタ構造５０２及び外部電極５０８ａ，５０８ｂを備えている。積層体５０１は、長方形状の絶縁性シートが前後方向に積層されてなる。外部電極５０８ａは、積層体５０１の左側の端面及び底面に跨って設けられている。外部電極５０８ｂは、積層体５０１の右側の端面及び底面に跨って設けられている。インダクタ構造５０２は、引き出し導体５０３、ビアホール導体５０４、インダクタ導体５０５、ビアホール導体５０６及び引き出し導体５０７を含んでいる。引き出し導体５０３は、外部電極５０８ａに接続されており、左右方向に延在している。インダクタ導体５０５は、角ばったＵ字型をなしている。引き出し導体５０７は、外部電極５０８ｂに接続されており、左右方向に延在している。ビアホール導体５０４は、引き出し導体５０３の右端とインダクタ導体５０５の右端とを接続している。ビアホール導体５０６は、引き出し導体５０７の左端とインダクタ導体５０５の左端とを接続している。【０００４】
ところで、特許文献１に記載の電子部品５００では、高いＱ値を得ることが困難である。より詳細には、ビアホール導体５０４は、外部電極５０８ｂの近傍に設けられている。ビアホール導体５０４は、円柱状をなしているので、上下方向において大きな厚み（幅）を有している。そのため、ビアホール導体５０４は、外部電極５０８ｂと大きな面積で対向する。その結果、ビアホール導体５０４と外部電極５０８ｂとの間に大きな浮遊容量が発生するおそれがある。このような浮遊容量は、インダクタ構造５０２のＱ値の低下の原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−７９８７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、高いＱ値を得ることができる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、前記絶縁体層と共に積層されている線状の複数のインダクタ導体層と、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通し、かつ、該複数のインダクタ導体層を接続する少なくとも１以上のビアホール導体とを含むインダクタであって、周回しながら該積層方向の一方側から他方側へと進行する螺旋状をなすインダクタと、前記インダクタと接続され、かつ、前記積層体において前記絶縁体層の外縁が連なって構成されている第１の端面に設けられている第１の外部電極と、前記インダクタと接続され、かつ、前記積層体において前記第１の端面と対向する第２の端面に設けられている第２の外部電極と、を備えており、前記複数のインダクタ導体層は、前記第１の外部電極に直接に接続されている第１のインダクタ導体層、及び、該第１の外部電極に直接に接続されておらず、かつ、該第１のインダクタ導体層に対して前記積層方向の他方向側に隣り合う第２のインダクタ導体層を含んでおり、前記第１のインダクタ導体層と前記第２のインダクタ導体層とを接続する前記ビアホール導体は、前記積層方向から平面視したときに、前記第２の外部電極よりも前記第１の外部電極の近くに設けられ、かつ、前記第１の端面の法線方向から平面視したときに、前記第１の外部電極と重なっていないこと、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高いＱ値を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。
【図２】図１の電子部品１０の分解斜視図である。
【図３】電子部品１０の製造時の平面図である。
【図４】電子部品１０の製造時の平面図である。
【図５】電子部品１０の製造時の平面図である。
【図６】電子部品１０の製造時の平面図である。
【図７】電子部品１０の製造時の平面図である。
【図８】電子部品１０の製造時の平面図である。
【図９】シミュレーション結果を示したグラフである。
【図１０】電子部品１０ａの分解斜視図である。
【図１１】電子部品１０ａを左側から平面視した図である。
【図１２】電子部品１０ｂの分解斜視図である。
【図１３】特許文献１に記載の電子部品５００の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１１】
（電子部品の構成）
以下に、一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０の分解斜視図である。以下では、電子部品１０の積層方向を前後方向と定義する。また、前側から平面視したときに、電子部品１０の長辺が延在している方向を左右方向と定義し、電子部品１０の短辺が延在している方向を上下方向と定義する。
【００１２】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ及びインダクタＬを備えている。
【００１３】
積層体１２は、図２に示すように、複数の絶縁体層１６ａ〜１６ｍが後ろ側から前側へとこの順に並ぶように積層されてなり、後述する外部電極１４ａ，１４ｂと組み合わさることにより直方体状をなしている。以下では、積層体１２において、前後方向に対向する２つの面を側面と呼び、左右方向に対向する２つの面を端面と呼ぶ。また、積層体１２の上側の面を上面と呼び、積層体１２の下側の面を下面と呼ぶ。積層体１２の下面は、電子部品１０を回路基板に実装する際に、該回路基板と対向する実装面である。２つの端面、上面及び下面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｍの外縁が連なって構成されている面である。
【００１４】
絶縁体層１６ａ〜１６ｍは、図２に示すように、長方形状をなしており、例えば、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁材料により形成されている。また、電子部品１０の方向を識別可能とするために、絶縁体層１６ａ又は絶縁体層１６ｍは、絶縁体層１６ｂ〜１６ｌとは異なる色に着色されていてもよい。また、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊの右下及び左下の角近傍がＬ字型に切り欠かれている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｍの前側の面を表面と称し、絶縁体層１６ａ〜１６ｍの後ろ側の面を裏面と称す。
【００１５】
外部電極１４ａは、図１に示すように、積層体１２の左側の側面及び下面に埋め込まれており、左側の側面及び下面に跨って積層体１２の外部に露出している。すなわち、外部電極１４ａは、前側から平面視したときに、Ｌ字型をなしている。そして、外部電極１４ａは、図２に示すように、外部導体層２５ａ〜２５ｇを含んでいる。
【００１６】
外部導体層２５ａは、図２に示すように、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられている。また、外部導体層２５ａは、Ｌ字型をなしており、前側から平面視したときに、絶縁体層１６ｄの左側の短辺及び下側の長辺に接している。
【００１７】
外部導体層２５ｂ〜２５ｇは、図２に示すように、積層されることによって、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊを前後方向に貫通しており、電気的に接続されている。また、外部導体層２５ａは、外部導体層２５ｂの後ろ側に積層されている。外部導体層２５ｂ〜２５ｇは、外部導体層２５ａと同じＬ字型をなしており、前側から平面視したときに、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊにおける左下の角近傍においてＬ字型に切り欠かれた部分内に設けられている。
【００１８】
外部導体層２５ａ〜２５ｇにおける積層体１２から外部に露出している部分には、腐食防止のために、Ｓｎめっき及びＮｉめっきが施されている。
【００１９】
以上のように構成された外部電極１４ａは、左側の端面において長方形状をなしており、下面においても長方形状をなしている。
【００２０】
外部電極１４ｂは、図１に示すように、積層体１２の右側の側面及び下面に埋め込まれており、右側の側面及び下面に跨って積層体１２の外部に露出している。すなわち、外部電極１４ｂは、前側から平面視したときに、Ｌ字型をなしている。そして、外部電極１４ｂは、図２に示すように、外部導体層３５ａ〜３５ｇを含んでいる。
【００２１】
外部導体層３５ａは、図２に示すように、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられている。また、外部導体層３５ａは、Ｌ字型をなしており、前側から平面視したときに、絶縁体層１６ｄの右側の短辺及び下側の長辺に接している。
【００２２】
外部導体層３５ｂ〜３５ｇは、図２に示すように、積層されることによって、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊを前後方向に貫通しており、電気的に接続されている。また、外部導体層３５ａは、外部導体層３５ｂの後ろ側に積層されている。外部導体層３５ｂ〜３５ｇは、外部導体層３５ａと同じＬ字型をなしており、前側から平面視したときに、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊにおける右下の角近傍においてＬ字型に切り欠かれた部分内に設けられている。
【００２３】
外部導体層３５ａ〜３５ｇにおける積層体１２から外部に露出している部分には、腐食防止のために、Ｓｎめっき及びＮｉめっきが施されている。
【００２４】
以上のように構成された外部電極１４ｂは、右側の端面において長方形状をなしており、下面においても長方形状をなしている。
【００２５】
また、外部電極１４ａ，１４ｂの前側及び後ろ側にはそれぞれ、絶縁体層１６ａ〜１６ｄ，１６ｋ〜１６ｍが積層されている。これにより、外部電極１４ａ，１４ｂは、２つの側面には露出していない。
【００２６】
インダクタＬは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ６を含んでおり、前側から平面視したときに、時計回りに旋回しながら、後ろ側から前側へと進行する螺旋状をなしている。
【００２７】
インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇは、絶縁体層１６ｄ〜１６ｊの表面上に設けられている。これにより、インダクタ導体層１８ｂは、インダクタ導体層１８ａに対して前側に隣り合っている。インダクタ導体層１８ａ，１８ｇは、１周以上の周回数を有しており、インダクタ導体層１８ｂ〜１８ｆは、１周にわずかに満たない周回数を有している。以下では、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇの時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇの時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。
【００２８】
インダクタ導体層１８ｂ〜１８ｆは、前側から平面視したときに、互いに重なり合って、六角形状の環状の軌道を形成している。よって、インダクタ導体層１８ｂ〜１８ｆは、外部導体層２５ａ〜２５ｇ，３５ａ〜３５ｇ（すなわち、外部電極１４ａ，１４ｂ）と直接に接続されていない。また、インダクタ導体層１８ａ，１８ｇの一部は、六角形状の環状の軌道と重なっている。ただし、インダクタ導体層１８ａの上流端は、外部導体層２５ａ（すなわち、外部電極１４ａ）に直接に接続されている。そのため、インダクタ導体層１８ａの上流端近傍は、六角形状の環状の軌道には重なっていない。また、インダクタ導体層１８ｇの下流端は、外部導体層３５ｇ（すなわち、外部電極１４ｂ）に直接に接続されている。そのため、インダクタ導体層１８ｇの下流端近傍は、六角形状の環状の軌道には重なっていない。ただし、インダクタ導体層１８ａ，１８ｇは、積層体１２外には引き出されていない。以上のようなインダクタ導体層１８ａ〜１８ｇは、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。
【００２９】
ビアホール導体ｖ１〜ｖ６はそれぞれ、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊを前後方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１〜ｖ６は、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。ビアホール導体ｖ１は、インダクタ導体層１８ａの下流端とインダクタ導体層１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、インダクタ導体層１８ｂの下流端とインダクタ導体層１８ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、インダクタ導体層１８ｃの下流端とインダクタ導体層１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ４は、インダクタ導体層１８ｄの下流端とインダクタ導体層１８ｅの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ５は、インダクタ導体層１８ｅの下流端とインダクタ導体層１８ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ６は、インダクタ導体層１８ｆの下流端とインダクタ導体層１８ｇの上流端とを接続している。
【００３０】
以上のように構成されたインダクタＬでは、前後方向に互いに隣り合うインダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとを接続するビアホール導体ｖ１は、前側から平面視したときに、外部電極１４ｂよりも外部電極１４ａの近くに設けられ、かつ、積層体１２の左側の端面の法線方向（すなわち、左側）から平面視したときに、外部電極１４ａと重なっていない。より詳細には、ビアホール導体ｖ１は、前側から平面視したときに、積層体１２の左右方向の中央を上下方向に通過する直線よりも左側に位置している。更に、ビアホール導体ｖ１は、外部電極１４ａの上端よりも、上側に位置している。
【００３１】
また、インダクタＬでは、前後方向に互いに隣り合うインダクタ導体層１８ｆとインダクタ導体層１８ｇとを接続するビアホール導体ｖ６は、前側から平面視したときに、外部電極１４ａよりも外部電極１４ｂの近くに設けられ、かつ、積層体１２の右側の端面の法線方向（すなわち、右側）から平面視したときに、外部電極１４ｂと重なっていない。より詳細には、ビアホール導体ｖ６は、前側から平面視したときに、積層体１２の左右方向の中央を上下方向に通過する直線よりも右側に位置している。更に、ビアホール導体ｖ６は、外部電極１４ｂの上端よりも、上側に位置している。
【００３２】
（電子部品の製造方法）
以下に、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図３ないし図８は、電子部品１０の製造時の平面図である。
【００３３】
まず、図３に示すように、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁ペースト層１１６ａ〜１１６ｄを形成する。該絶縁ペースト層１１６ａ〜１１６ｄは、インダクタＬよりも外側に位置する外層用絶縁体層である絶縁体層１６ａ〜１６ｄとなるべき絶縁ペースト層である。
【００３４】
次に、図４に示すように、フォトリソグラフィ工法により、インダクタ導体層１８ａ、外部導体層２５ａ，３５ａを形成する。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、導電ペースト層を絶縁ペースト層１１６ｄ上に形成する。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、インダクタ導体層１８ａ及び外部導体層２５ａ，３５ａは、絶縁ペースト層１１６ｄ上に形成される。
【００３５】
次に、図５に示すように、フォトリソグラフィ工法により、開口ｈ１，ｈ２及び孔Ｈ１が設けられた絶縁ペースト層１１６ｅを形成する。具体的には、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布して、絶縁ペースト層１１６ｅを絶縁ペースト層１１６ｄ上に形成する。更に、絶縁ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。絶縁ペースト層１１６ｅは、絶縁体層１６ｅとなるべきペースト層である。開口ｈ１，ｈ２はそれぞれ、外部導体層２５ｂ，３５ｂと同じ形状を有するＬ字型をなしている。そして、２つの開口ｈ１及び２つの開口ｈ２が繋がることにより十字型の開口が形成されている。また、孔Ｈ１は、ビアホール導体ｖ１が形成されるべき丸孔である。
【００３６】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ工法により、インダクタ導体層１８ｂ、外部導体層２５ｂ，３５ｂ及びビアホール導体ｖ１を形成する。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、導電ペースト層を絶縁ペースト層１１６ｅ上に形成する。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、インダクタ導体層１８ｂは、絶縁ペースト層１１６ｅ上に形成される。また、外部導体層２５ｂ，３５ｂはそれぞれ、開口ｈ１，ｈ２内に形成される。また、ビアホール導体ｖ１は、孔Ｈ１内に形成される。
【００３７】
この後、図５及び図６に示す工程を繰り返すことにより、絶縁ペースト層１１６ｆ〜１１６ｊ、インダクタ導体層１８ｃ〜１８ｇ、外部導体層２５ｃ〜２５ｇ，３５ｃ〜３５ｇ及びビアホール導体ｖ２〜ｖ６を形成する。図７は、インダクタ導体層１８ｇ及び外部導体層２５ｇ，３５ｇを形成した後の状態を示した図である。
【００３８】
次に、図８に示すように、絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁ペースト層１１６ｋ〜１１６ｍを形成する。該絶縁ペースト層１１６ｋ〜１１６ｍは、インダクタＬよりも外側に位置する外層用絶縁体層である絶縁体層１６ｋ〜１６ｍとなるべき絶縁ペースト層である。以上の工程を経て、マザー積層体１１２を得る。
【００３９】
次に、ダイシング等によりマザー積層体１１２を複数の未焼成の積層体１２にカットする。マザー積層体１１２のカット工程では、カットにより形成されるカット面において外部電極１４ａ，１４ｂを積層体１２から露出させる。
【００４０】
次に、未焼成の積層体１２を所定条件で焼成し、積層体１２を得る。更に、積層体１２に対してバレル加工を施す。
【００４１】
最後に、外部電極１４ａ，１４ｂが積層体１２から露出している部分に、Ｎｉめっき及びＳｎめっきを施す。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。
【００４２】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、高いＱ値を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、ビアホール導体ｖ１はインダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとを接続しているので、ビアホール導体ｖ１の電位はインダクタ導体層１８ａの電位に比較的に近い。そして、インダクタ導体層１８ａは外部電極１４ａと接続されているので、ビアホール導体ｖ１の電位は外部電極１４ａにも比較的に近い。一方、ビアホール導体ｖ１の電位は、外部電極１４ｂの電位とは大きく異なる。このように電位差の大きなビアホール導体ｖ１と外部電極１４ｂとの間に大きな浮遊容量が形成されると、インダクタＬに悪影響を及ぼす。
【００４３】
そこで、電子部品１０では、ビアホール導体ｖ１は、前側から平面視したときに、外部電極１４ｂよりも外部電極１４ａの近くに設けられている。すなわち、ビアホール導体ｖ１は、外部電極１４ｂから離されて配置されている。これにより、電位差の大きなビアホール導体ｖ１と外部電極１４ｂとの間に大きな浮遊容量が形成されることが抑制される。その結果、該浮遊容量によるインダクタＬへの悪影響が低減され、インダクタＬにおいて高いＱ値を得ることが可能となる。
【００４４】
更に、電子部品１０によれば、以下の理由によっても、高いＱ値を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、ビアホール導体ｖ１は、左側から平面視したときに、外部電極１４ａと重なっていない。これにより、ビアホール導体ｖ１と外部電極１４ａとの間に発生する浮遊容量が低減される。その結果、ビアホール導体ｖ１と外部電極１４ａとの間に発生する浮遊容量によるインダクタＬの自己共振周波数の低下を抑制でき、インダクタＬにおいて高いＱ値を得ることが可能となる。
【００４５】
ここで、本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確にするために以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。コンピュータシミュレーションに用いた電子部品１０の大きさは、Ｌ：０．６ｍｍ、Ｗ：０．３ｍｍ、Ｔ：０．４ｍｍである。より具体的には、外部電極１４ａ，１４ｂの下面からの高さを１５０μｍ〜３４０μｍの間で変化させたときのインダクタＬの２ＧＨｚにおけるＱ値を測定した。この際、ビアホール導体ｖ１の中心の上下方向の位置を下面から２８０μｍに固定した。このとき、ビアホール導体ｖ１の下端の上下方向の位置は下面から２６０μｍである。図９は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸はＱ値を示し、横軸は外部電極１４ａ，１４ｂの高さを示している。
【００４６】
図９に示すように、外部電極１４ａ，１４ｂがビアホール導体ｖ１の下端よりも低い場合には、比較的に良好なＱ値が得られている。一方、外部電極１４ａ，１４ｂがビアホール導体ｖ１の下端よりも高くなると、Ｑ値が急激に低下していることが分かる。すなわち、左側から平面視したときに、ビアホール導体ｖ１が外部電極１４ａ，１４ｂと重なると、インダクタＬのＱ値が急激に悪化することが分かる。よって、本コンピュータシミュレーションによれば、電子部品１０により高いＱ値を得ることができることが分かる。
【００４７】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る電子部品１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１０は、電子部品１０ａの分解斜視図である。図１１は、電子部品１０ａを左側から平面視した図である。
【００４８】
電子部品１０ａは、インダクタ導体層１８ａ，１８ｇの一部が積層体１２の左側の端面及び右側の端面に露出している点において電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ａについて説明する。電子部品１０ａのその他の構成は、電子部品１０と同じであるので説明を省略する。
【００４９】
電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａ，１８ｇは、積層体１２内に設けられており、積層体１２から露出していなかった。一方、電子部品１０ａでは、インダクタ導体層１８ａは、外部電極１４ａに直接に接続されている部分から所定区間にわたって、積層体１２の左側の端面に露出している。これにより、図１１に示すように、インダクタ導体層１８ａは、積層体１２の左側の端面において、外部電極１４ａの後ろ上側の角から上側に向かって線状に延びている。
【００５０】
また、電子部品１０ａでは、インダクタ導体層１８ｇは、外部電極１４ｂに直接に接続されている部分から所定区間にわたって、積層体１２の右側の端面に露出している。これにより、インダクタ導体層１８ｇは、積層体１２の右側の端面において、外部電極１４ｂの前上側の角から上側に向かって線状に延びている。よって、左側から平面視したときの外部電極１４ａ及びインダクタ導体層１８ａの形状と、右側から平面視したときの外部電極１４ｂ及びインダクタ導体層１８ｇの形状とは、実質的に一致している。
【００５１】
ここで、積層体１２の左側の端面における外部電極１４ａとインダクタ導体層１８ａとの境界について説明する。外部電極１４ａは、積層体１２の左側の端面において複数の外部導体層２５ａ〜２５ｇが積層されることにより一つの集合体（長方形状）をなしている部分である。一方、インダクタ導体層１８ａは、積層体１２の左側の端面において、前記集合体から線状に延びている部分である。なお、積層体１２の右側の端面における外部電極１４ｂとインダクタ導体層１８ｇとの境界についても同様である。
【００５２】
以上のように構成された電子部品１０ａにおいても、電子部品１０と同様に、より高いＱ値を得ることができる。
【００５３】
また、電子部品１０ａでは、インダクタ導体層１８ａ，１８ｇの一部が積層体１２の左側の端面及び右側の端面に露出している。そのため、電子部品１０ａのインダクタ導体層１８ａ，１８ｇの内径は、電子部品１０のインダクタ導体層１８ａ，１８ｇの内径よりも大きくなる。これにより、電子部品１０ａのインダクタＬのインダクタンス値は、電子部品１０のインダクタＬのインダクタンス値よりも大きくなる。
【００５４】
ここで、本願発明者は、コンピュータシミュレーションを行って、電子部品１０及び電子部品１０ａのインダクタＬのインダクタンス値を演算した。シミュレーション条件は以下の通りである。
【００５５】
環状の軌道の左端から左側の端面までの距離Ｄ（図１０参照）：５９．７μｍ
インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇの線幅：３０μｍ
インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇの厚み：１１．５μｍ
絶縁体層１６ａ〜１６ｇの厚み：１４．５μｍ
インダクタＬのターン数：８．５ターン
【００５６】
電子部品１０のインダクタＬの５００ＭＨｚにおけるインダクタンス値が２２．９ｎＨであったのに対して、電子部品１０ａのインダクタＬの５００ＭＨｚにおけるインダクタンス値が２５．３ｎＨであった。よって、かかるコンピュータシミュレーションによっても、電子部品１０ａにおいて、電子部品１０よりも高いインダクタンス値を得ることができることが分かる。
【００５７】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る電子部品１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１２は、電子部品１０ｂの分解斜視図である。
【００５８】
電子部品１０ｂは、インダクタＬが２重螺旋構造を有している点において、電子部品１０ａと相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ｂについて説明する。電子部品１０ｂのその他の構成は、電子部品１０ａと同じであるので説明を省略する。
【００５９】
電子部品１０ｂのインダクタＬは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇ，１９ａ〜１９ｇを含んでいる。インダクタ導体層１９ａ〜１９ｇはそれぞれ、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｇと同じ形状をなしている。そして、インダクタ導体層１８ａ，１９ａ，１８ｂ，１９ｂ，１８ｃ，１９ｃ，１８ｄ，１９ｄ，１８ｅ，１９ｅ，１８ｆ，１９ｆ，１８ｇ，１９ｇは、この順に後ろ側から前側へと並んでいる。また、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１９ａとは、互いに両端において電気的に並列接続されている。インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１９ｂとは、互いに両端において電気的に並列接続されている。インダクタ導体層１８ｃとインダクタ導体層１９ｃとは、互いに両端において電気的に並列接続されている。インダクタ導体層１８ｄとインダクタ導体層１９ｄとは、互いに両端において電気的に並列接続されている。インダクタ導体層１８ｅとインダクタ導体層１９ｅとは、互いに両端において電気的に並列接続されている。インダクタ導体層１８ｆとインダクタ導体層１９ｆとは、互いに両端において電気的に並列接続されている。インダクタ導体層１８ｇとインダクタ導体層１９ｇとは、互いに両端において電気的に並列接続されている。
【００６０】
以上のように構成された電子部品１０ｂのインダクタＬでは、互いに隣り合うインダクタ導体層１９ａとインダクタ導体層１８ｂとを接続するビアホール導体ｖａは、前側から平面視したときに、外部電極１４ｂよりも外部電極１４ａの近くに設けられ、かつ、左側の端面の法線方向（すなわち、左側）から平面視したときに、外部電極１４ａと重なっていない。より詳細には、ビアホール導体ｖａは、前側から平面視したときに、積層体１２の左右方向の中央を上下方向に通過する直線よりも左側に位置している。更に、ビアホール導体ｖａは、外部電極１４ａの上端よりも、上側に位置している。
【００６１】
また、インダクタＬでは、互いに隣り合うインダクタ導体層１９ｆとインダクタ導体層１８ｇとを接続するビアホール導体ｖｂは、前側から平面視したときに、外部電極１４ａよりも外部電極１４ｂの近くに設けられ、かつ、右側の端面の法線方向（すなわち、右側）から平面視したときに、外部電極１４ｂと重なっていない。より詳細には、ビアホール導体ｖｂは、前側から平面視したときに、積層体１２の左右方向の中央を上下方向に通過する直線よりも右側に位置している。更に、ビアホール導体ｖｂは、外部電極１４ｇの上端よりも、上側に位置している。
【００６２】
また、電子部品１０ｂでは、インダクタ導体層１８ａ，１９ａは、外部電極１４ａに接続されている部分から所定区間にわたって、積層体１２の左側の端面に露出している。これにより、インダクタ導体層１８ａ，１９ａは、積層体１２の左側の端面において、外部電極１４ａの後ろ上側の角近傍から上側に向かって線状に平行に延びている。
【００６３】
また、電子部品１０ｂでは、インダクタ導体層１８ｇ，１９ｇは、外部電極１４ｂに接続されている部分から所定区間にわたって、積層体１２の右側の端面に露出している。これにより、インダクタ導体層１８ｇ，１９ｇは、積層体１２の右側の端面において、外部電極１４ｂの前上側の角近傍から上側に向かって線状に平行に延びている。よって、左側から平面視したときの外部電極１４ａ及びインダクタ導体層１８ａ，１９ａの形状と、右側から平面視したときの外部電極１４ｂ及びインダクタ導体層１８ｇ，１８ｇの形状とは、実質的に一致している。
【００６４】
以上のように構成された電子部品１０ｂにおいても、電子部品１０ａと同様に、より高いＱ値を得ることができ、高いインダクタンス値を得ることができる。
【００６５】
また、電子部品１０ｂでは、インダクタＬが２重螺旋構造を有しているので、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。
【００６６】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記電子部品１０，１０ａ，１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【００６７】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂの構成を任意に組み合わせてもよい。
【００６８】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂのインダクタ導体層１８ａ〜１８ｇ，１９ａ〜１９ｇはそれぞれ、１周以上周回する渦巻状であってもよい。これにより、インダクタＬのインダクタンス値を大きくすることが可能である。
【００６９】
また、電子部品１０，１０ａ，１０ｂは、フォトリソグラフィ工程により作成されているが、印刷工法や逐次圧着工法によって作製されてもよい。
【００７０】
また、電子部品１０，１０ａ，１０ｂでは、絶縁体層１６ａ〜１６ｍ，１７ｄ〜１７ｊは、硼珪酸ガラスにより作製されているが、磁性体セラミックや非磁性体セラミックにより作製されてもよい。
【００７１】
また、外部電極１４ａは、左側から平面視したときに、長方形状をなしているとしたが、長方形状以外の形状であってもよい。同様に、外部電極１４ｂは、右側から平面視したときに、長方形状をなしているとしたが、長方形状以外の形状であってもよい。
【００７２】
また、外部電極１４ａ，１４ｂは、積層体１２に埋め込まれるのではなく、積層体１２の表面に設けられていてよい。この場合、外部電極１４ａ，１４ｂは、積層体１２の表面に銀等を主成分とする導電性ペーストを塗布及び焼き付けして形成した下地電極に対して、Ｎｉめっき及びＳｎめっきを施すことにより形成される。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、高いＱ値を得ることができる点において優れている。
【符号の説明】
【００７４】
１０，１０ａ，１０ｂ：電子部品
１２：積層体
１４ａ，１４ｂ：外部電極
１６ａ〜１６ｍ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｇ，１９ａ〜１９ｇ：インダクタ導体層
２５ａ〜２５ｇ，３５ａ〜３５ｇ：外部導体層
Ｌ：インダクタ
ｖａ，ｖｂ，ｖ１〜ｖ６：ビアホール導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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