(57)【要約】  小型が可能で、且つ、接触熱抵抗と電流集中の抑制が可能電力変換装置を提供する。  正電位Ｐと負電位Ｎの間に直列に自己消弧型半導体素子2、3、4及び5を接続し、自己自己消弧型半導体素子2、3、4及び5の各々に対応してフライホイールダイオード6、7、8及び9を接続し、中間電位Ｎをクランプダイオード10、11を介して自己自己消弧型半導体素子2、3、4及び5に接続し、自己消弧型半導体素子2、3、4及び5を直列的な配置による圧接接続で接続され、フライホイールダイオード6、7、中間電位Ｎをクランプダイオード10、11、フライホイールダイオード8、9を直列的な配置がなされる。
2015019480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方側端子と他方側端子の間に直列接続された第１の半導体素子、第２の半導体素子、第３の半導体素子及び第４の半導体素子と、前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、第３の半導体素子及び第４の半導体素子の各々に対応して設けられた第１のフライホイールダイオード、第２のフライホイールダイオード、第３のフライホイールダイオード及び第４のフライホイールダイオードと、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との接続部と前記一方側端子と他方側端子の間の電位である中間電位端子とを接続する第１のクランプダイオード、及び前記第３の半導体素子と前記第４の半導体素子との接続部と前記中間電位端子とを接続する第２のクランプダイオードを有し、前記第１の半導体素子、前記第２の半導体素子、前記第３の半導体素子及び前記第４の半導体素子は、直列的な配置による圧接接続で接続され、前記第１のフライホイールダイオード、前記第２のフライホイールダイオード、前記第１のクランプダイオード、前記第２のクランプダイオード、前記第３のフライホイールダイオード及び前記第４のフライホイールダイオードは直列的な配置がなされることにより、前記第１のフライホイールダイオードと前記第２のフライホイールダイオードは圧接により接続され、前記第１のクランプダイオード及び前記第２のクランプダイオードは圧接により接続され、前記第３のフライホイールダイオードと前記第４のフライホイールダイオードは圧接により接続されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のフライホイールダイオード、前記第２のフライホイールダイオード、前記第１のクランプダイオード、前記第２のクランプダイオード、前記第３のフライホイールダイオード及び前記第４のフライホイールダイオードは各々半導体パッケージとして構成され、圧接する半導体パッケージの電極直径が同径であることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項１において、第５の半導体素子、第６の半導体素子、第７の半導体素子及び第８の半導体素子を有し、前記第５の半導体素子、第６の半導体素子、第７の半導体素子及び第８の半導体素子の各々は前記第１のフライホイールダイオード、第２のフライホイールダイオード、第３のフライホイールダイオード及び第４のフライホイールダイオードと接続されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１のフライホイールダイオード及び前記第２のフライホイールダイオードと、前記第３のフライホイールダイオード及び前記第４のフライホイールダイオードが、前記第１のクランプダイオード及び前記第２のクランプダイオード、を挟みこむ構造となっていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第２のフライホイールダイオードと前記第１のクランプダイオードは絶縁部材を介して隣接され、前記第２のクランプダイオードと前記第３のフライホイールダイオードは絶縁部材を介して隣接されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１のクランプダイオードは、前記第１のフライホイールダイオード及び前記第２のフライホイールダイオードの間に設けられた導電体を介して、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との接続部に接続され、、前記第２のクランプダイオードは、前記第３のフライホイールダイオード及び前記第４のフライホイールダイオードの間に設けられた導電体を介して、前記第３の半導体素子と前記第４の半導体素子との接続部に接続されることを特徴とする電力変換装置
【請求項７】
請求項１において、上記電力変換装置は正電位、負電位及び中間電位の３つの端子を有する直流電圧回路と、前記各電位を出力することができる３レベルインバータブリッジとを有し、前記３レベルインバータブリッジの１相分は、１並列目としての前記第１乃至第４の半導体素子と、２並列目とで構成され、前記１並列目を通る配線インダクタンスと前記２並列目を通る配線インダクタンスが略等しくなるよう構成したことを特徴とする電力変換装置。
【請求項８】
請求項１において、前記第１乃至第４の半導体素子で構成される直列圧接構造体と平滑コンデンサが並列接続していることを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に係り、特に、IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などの自己消弧型半導体素子の適用に好適な電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電力制御の分野では、直流を交流に／交流を直流に変換する電力変換装置（インバータ装置）が多く用いられるようになってきた。このインバータ装置のなかでは、大容量インバータ装置の代表的な回路として、例えば、３レベルインバータ装置があげられる。３レベルインバータ装置は、３つの電位即ち正電位Ｐ、負電位Ｎ及び中間の電位Ｃを有する直流電圧回路と、これらの正電位Ｐ、負電位Ｎ及び中間電位Ｃを出力することができる３レベルインバータブリッジとを有するインバータ装置である。【０００３】
大容量のインバータ装置を構成するために適用された自己消弧型半導体素子は例えばGTO（ゲートターンオフサイリスタ）等の所謂電流駆動型素子が主流であったが、最近になって電圧駆動型素子であるIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やIEGT（注入促進型ゲートトランジスタ）の大容量化が進み、これらが適用されるようになってきた。【０００４】
大容量のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やIEGT（注入促進型ゲートトランジスタ）では、電圧駆動型素子の特徴として複数個の半導体チップをパッケージ内部で並列接続するようにした所謂マルチチップ構成が多く採用される。このパッケージとしては、平型の金属容器に半導体チップを配列して圧力を両側から加えることによって均一な並列回路を実現するようにした圧接型が実用化されている。【０００５】
インバータ装置に用いられる自己消弧型半導体素子は、誘導性負荷等に対して還流路を確保するために自己消弧型半導体素子に逆並列にフライホイールダイオードが接続される。このフライホイールダイオードは、上述のパッケージ内部に自己消弧型半導体チップと共に収容して複合素子とすることが多い。すなわち、上述のパッケージ内部に、フライホイールダイオードチップと、自己消弧型半導体チップを平型の金属容器に配列している。このような技術は、例えば、特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−７８４６７号公報
【特許文献２】特開２００６−１５８１０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の従来技術では、一つのパッケージ内部に自己消弧型半導体チップと共にフライホイールダイオードチップを収容して複合素子としており、一般的にチップ構造がIGBT等の自己消弧型半導体チップではメサ構造であり、ダイオードではチップ構造がフラット構造であるため、圧接する電極径が同じでもチップ表面と電極との間に圧力差が生じてしまう。【０００８】
一方、フライホイールダイオードを別パッケージに収納した素子も実用化されている。このような技術は、例えば、特許文献２に記載されている。この技術では、パッケージに収納されている自己消弧型半導体素子とフライホイールダイオード素子とを用いてインバータ装置を構成するものの、クランプダイオードと自己消弧型半導体素子が直列的に配置されており、一般的には圧接する半導体パッケージ内のダイオードチップのチップ数と自己消弧型半導体素子のチップ数が異なるものであり、これらの圧接構造体の径を必要最小限の径にすることができずに、大型化が避けられないという問題が生じる。また、異径の半導体パッケージで構成されると、小さい径の半導体パッケージに対して大きい径の半導体パッケージの面圧が低下し、径の大きな半導体パッケージで構成された側で接触熱抵抗の増加と電流集中を招いてしまうという問題が生じる。【０００９】
本発明は上記に鑑みて為されたもので、本発明の目的とするところは、小型が可能で、接触熱抵抗と電流集中の抑制が可能な電力変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明では、一方側端子と他方側端子の間に直列接続された第１の半導体素子、第２の半導体素子、第３の半導体素子及び第４の半導体素子と、前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、第３の半導体素子及び第４の半導体素子の各々に対応して設けられた第１のフライホイールダイオード、第２のフライホイールダイオード、第３のフライホイールダイオード及び第４のフライホイールダイオードと、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との接続部と前記一方側端子と他方側端子の間の電位である中間電位端子とを接続する第１のクランプダイオード、及び前記第３の半導体素子と前記第４の半導体素子との接続部と前記中間電位端子とを接続する第２のクランプダイオードを有し、前記第１の半導体素子、前記第２の半導体素子、前記第３の半導体素子及び前記第４の半導体素子は、直列的な配置による圧接接続で接続され、前記第１のフライホイールダイオード、前記第２のフライホイールダイオード、前記第１のクランプダイオード、前記第２のクランプダイオード、前記第３のフライホイールダイオード及び前記第４のフライホイールダイオードは直列的な配置がなされることにより、前記第１のフライホイールダイオードと前記第２のフライホイールダイオードは圧接により接続され、前記第１のクランプダイオード及び前記第２のクランプダイオードは圧接により接続され、前記第３のフライホイールダイオードと前記第４のフライホイールダイオードは圧接により接続される構成とした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、小型が可能で、且つ、接触熱抵抗と電流集中の抑制が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例１に係るインバータ装置の回路構成とインバータブリッジ１相分の構造図である。
【図２】本発明の実施例１に係るインバータ装置の効果を示すための説明図である。
【図３】インバータ装置の回路構成とインバータブリッジ１相分の構造図である。
【図４−１】本発明に係るインバータブリッジ１相分の電流経路説明図（ａ〜ｃ）である。
【図４−２】本発明に係るインバータブリッジ１相分の電流経路説明図（ｄ〜ｆ）である。
【図５】２並列構成とした場合のインバータブリッジ１相分の構造図である。
【図６−１】２並列構成とした場合のインバータブリッジ１相分の電流経路説明図（ａ〜ｃ）である。
【図６−２】２並列構成とした場合のインバータブリッジ１相分の電流経路説明図（ｄ〜ｆ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面に基づいてこの発明における実施例を説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は本発明の実施例１に係る電力変換装置の構成図である。図１（ａ）は本発明のインバータ装置の回路構成を示すものであり、図１（ｂ）は本発明に係るインバータ装置のインバータブリッジ１相分の構造図を簡易的に示したものである。尚、図１（ａ）及び図１（ｂ）においては、簡単のためインバータ１相分についてのみの回路構成及び構造を示している。例えば、直流を３相交流に変換するものである場合には、正電位Ｐ、負電位Ｎの間に、フライホイールダイオード6、7、8及び9が夫々逆並列に接続される自己消弧型半導体素子2、3、4及び5の直列回路の組が図示される組の他に２組が接続され、さらに、中間の電位Ｃと自己消弧型半導体素子2、3、4及び5を接続するクランプダイオード10、11が同様に２組が接続される。【００１５】
図１（ａ）において、直流電圧回路１は正電位Ｐ、負電位Ｎ及び中間の電位Ｃを持ち、この直流電圧回路1と並列に自己消弧型半導体素子2、3、4及び5の直列回路が接続されている。また、自己消弧型半導体素子2、3、4及び5にはフライホイールダイオード6、7、8及び9が夫々逆並列に接続されている。クランプダイオード10は、直流電圧回路1の電位Ｃの端子から直列接続された自己消弧型半導体素子2及び3の接続点に向けて電流を流す方向に接続され、またクランプダイオード11は、直列接続された自己消弧型半導体素子4及び5の接続点から直流電圧回路1の電位Ｃの端子に向けて電流を流す方向に接続されている。尚、OUTは図示しない負荷に接続される出力端子である。【００１６】
ここで、自己消弧型半導体素子2、3、4及び5は、各々半導体パッケージで構成される。この半導体パッケージは、平型の金属容器の中に半導体チップ（IGBTチップ）を配列して構成され、圧力を両側から加えることによって均一な接続回路を実現するようになっている。フライホイールダイオード6、7、8及び9、クランプダイオード10、11も同様に、平型の金属容器の中にダイオードチップを配列して構成され、圧力を両側から加えることによって、所定の２つの回路がそれぞれ均一な接続回路を実現するようになっている。【００１７】
次に、図１（ｂ）において、第１の圧接構造体12はフライホイールダイオード6、7、8及び9と並びにクランプダイオード10及び11の6個の半導体パッケージを積み重ねて構成され、各半導体パッケージの間に各々介装された冷却フィン13、14、15、16、17、18、19、20及び21と、絶縁物22及び23を共締めする串型の構造となっている。【００１８】
また、第２の圧接構造体24は、自己消弧型半導体素子2、3、4及び5と、各々の間に設けられた冷却フィン25、26、27、28及び29とを共締めした串型の構造となっている。【００１９】
配線30はクランプダイオード10のカソード側に取り付けられた冷却フィン16とフライホイールダイオード7のカソード側に取り付けられた冷却フィン14とを電気的に接続するブスバーである。同様に配線31はクランプダイオード11のアノード側に取り付けられた冷却フィン18とフライホイールダイオード8のアノード側に取り付けられた冷却フィン20とを電気的に接続するブスバーである。また、配線32はフライホイールダイオード7のアノード側に取り付けられた冷却フィン15とフライホイールダイオード8のカソード側に取り付けられた冷却フィン19とを電気的に接続するブスバーである。【００２０】
配線33、34、35、36及び37は自己消弧型半導体素子とフライホイールダイオードとの渡り配線であり、配線33は自己消弧型半導体素子2のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン25とフライホイールダイオード6のカソード側に取り付けられた冷却フィン13、配線34は自己消弧型半導体素子3のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン26とフライホイールダイオード7のカソード側に取り付けられた冷却フィン14、配線35は配線32と自己消弧型半導体素子4のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン27、配線36は自己消弧型半導体素子5のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン28とフライホイールダイオード9のカソード側に取り付けられた冷却フィン20、配線37は自己消弧型半導体素子5のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン29とフライホイールダイオード9のアノード側に取り付けられた冷却フィン21とを夫々電気的に接続するブスバーである。尚、以上の配線30乃至37については、その相当部分が図１（ａ）に図示されている。【００２１】
ここで、第１の圧接構造体12はダイオードのみで構成し、第２の圧接構造体24は自己消弧型半導体素子のみで構成する。例えば、第１の圧接構造体12において、冷却フィン13と冷却フィン21を各々外側から押圧することで第１の圧接構造体12を構成するフライホイールダイオード6、7の電気的接続を確保し、クランプダイオード10、11の電気的接続を確保し、フライホイールダイオード8、9の電気的接続を確保する。同様に、第２の圧接構造体24において、冷却フィン25と冷却フィン29を各々外側から押圧することで第２の圧接構造体24を構成する自己消弧型半導体素子2、3、4及び5の各々の電気的接続を確保する。【００２２】
このような構成にすることで、圧接する半導体パッケージ内のダイオードのチップ数と自己消弧型半導体素子のチップ数が異なる場合でも、第１の圧接構造体と第２の圧接構造体の径を必要最小限の径にすることができ、小型化が図れる。例えば、ダイオードの１チップ当たりの許容電流が100 Aで、自己消弧型半導体素子の１チップ当たりの許容電流が50 Aの場合、ダイオードの半導体パッケージに必要なチップ数は自己消弧型半導体素子の半分で良い。従って、ダイオードの半導体パッケージの圧接面に垂直な面積は自己消弧型半導体素子の半分で良いため、図２に示すようにインバータの小型化が可能となる。この時、異径の半導体パッケージで構成された圧接構造体では、小さい径の半導体パッケージに対して大きい径の半導体パッケージの面圧が低下し、径の大きな半導体パッケージで構成されたダイオードの接触熱抵抗の増加と電流集中を招いてしまう。従って、圧接構造体を構成する半導体パッケージは同径である必要がある。
【実施例２】
【００２３】
図３に実施例２に係る電力変換装置の構成図を示す。図３（ａ）は本発明のインバータ装置の回路構成を示すものであり、図３（ｂ）は本発明に係るインバータ装置のインバータブリッジ１相分の構造図を簡易的に示したものである。尚、図３（ａ）及び図３（ｂ）においては、簡単のためインバータ１相分についてのみの回路構成及び構造を示している。【００２４】
図３（ａ）において、直流電圧回路38は正電位Ｐ、負電位Ｎ及び中間の電位Ｃを持ち、この直流電圧回路38と逆並列にフライホイールダイオード39、40、41及び42が接続されている。また、フライホイールダイオード39、40、41及び42には自己消弧型半導体素子43、44、45及び46の直列回路が夫々接続されている。さらに、自己消弧型半導体素子43、44、45及び46には自己消弧型半導体素子47、48、49及び50が並列に接続されている。クランプダイオード51は、直流電圧回路38の電位Ｃの端子から接続されたフライホイールダイオード39及び40の接続点に向けて電流を流す方向に接続され、またクランプダイオード52は、接続されたフライホイールダイオード41及び42の接続点から直流電圧回路38の電位Ｃの端子に向けて電流を流す方向に接続されている。尚、OUTは図示しない負荷に接続される出力端子である。次に、図３（ｂ）において、第１の圧接構造体53はフライホイールダイオード39、40、41及び42と並びにクランプダイオード51及び52の6個の半導体パッケージを積み重ねて構成され、各半導体パッケージの間に各々介装された冷却フィン54、55、56、57、58、59、60、61及び62と、絶縁物63及び64を共締めする串型の構造となっている。【００２５】
また、第２の圧接構造体65は、自己消弧型半導体素子43、44、45及び46と、各々の間に設けられた冷却フィン66、67、68、69及び70とを共締めした串型の構造となっている。【００２６】
さらに、第３の圧接構造体71は、自己消弧型半導体素子47、48、49及び50と、各々の間に設けられた冷却フィン72、73、74、75及び76とを共締めした串型の構造となっている。【００２７】
配線77はクランプダイオード51のカソード側に取り付けられた冷却フィン57とフライホイールダイオード40のカソード側に取り付けられた冷却フィン55とを電気的に接続するブスバーである。同様に配線78はクランプダイオード52のアノード側に取り付けられた冷却フィン59とフライホイールダイオード41のアノード側に取り付けられた冷却フィン61とを電気的に接続するブスバーである。また、配線79はフライホイールダイオード40のアノード側に取り付けられた冷却フィン56とフライホイールダイオード41のカソード側に取り付けられた冷却フィン60とを電気的に接続するブスバーである。【００２８】
配線80、81、82、83及び84は自己消弧型半導体素子とフライホイールダイオードとの渡り配線であり、配線80は自己消弧型半導体素子43のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン66とフライホイールダイオード39のカソード側に取り付けられた冷却フィン54、配線81は自己消弧型半導体素子44のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン67とフライホイールダイオード40のカソード側に取り付けられた冷却フィン55、配線82は配線79と自己消弧型半導体素子45のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン68、配線83は自己消弧型半導体素子46のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン69とフライホイールダイオード42のカソード側に取り付けられた冷却フィン61、配線84は自己消弧型半導体素子46のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン70とフライホイールダイオード42のアノード側に取り付けられた冷却フィン62とを夫々電気的に接続するブスバーである。【００２９】
配線85、86、87、88及び89は第２の圧接構造体65を構成している自己消弧型半導体素子と第３の圧接構造体71を構成している自己消弧型半導体素子との渡り配線であり、配線85は自己消弧型半導体素子43のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン66と自己消弧型半導体素子47のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン72、配線86は自己消弧型半導体素子44のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン67と自己消弧型半導体素子48のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン73、配線87は自己消弧型半導体素子45のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン68と自己消弧型半導体素子49のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン74、配線88は自己消弧型半導体素子46のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン69と自己消弧型半導体素子50のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン75、配線89は自己消弧型半導体素子46のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン70と自己消弧型半導体素子50のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン76とを夫々電気的に接続するブスバーである。尚、以上の配線77乃至89については、その相当部分が図１（ａ）に図示されている。【００３０】
ここで、第１の圧接構造体53はダイオードのみで構成し、第２の圧接構造体65と第３の圧接構造体71は自己消弧型半導体素子のみで構成する。このような構成にすることで、並列する自己消弧型半導体素子が多くのBUSやコンデンサを介することなく近傍に位置しているため、回路のインダクタンスのばらつきによる電流のアンバランスが原因で、横流や電流集中による発熱、サージ電圧による半導体チップの破損が発生するのを抑制できる。さらに、１ユニット当たりの容量密度(VA/ｍ3)を大きくすることが可能、かつ圧接構造体が１つ増加するだけであるため、装置全体が大型化せず、装置全体の容量密度（VA/ｍ3）を増加することが可能となる。【００３１】
以下に、並列に自己消弧型半導体素子のみで構成された第３の圧接構造体を接続するよりも、提案する図３に示す構造の方が回路のインダクタンスのばらつきを小さくし、電流のアンバランスを抑制できる理由について図４−１、図４−２、図５、図６−１、図６−２を参照して説明する。【００３２】
まず、図４−１、図４−２の本発明の構造においてインバータ動作時に流れる電流経路を示す。電流経路は全部で６パターンとなり、図４−１（a）に示す正電位Pから自己消弧型半導体素子を通り出力端子OUTに流れる経路、図４−１（b）に示す中間の電位Cからクランプダイオード、自己消弧型半導体素子を通り出力端子OUTに流れる経路、図４−１（c）に示す負電位Nからフライホイールダイオードを通り出力端子OUTに流れる経路、図４−２（ｄ）に示す出力端子OUTからフライホイールダイオードを通り負電位Pに流れる経路、図４−２（e）に示す出力端子OUTから自己消弧型半導体素子、クランプダイオードを通り中間の電位Cに流れる経路、図４−２（f）に示す出力端子OUTから自己消弧型半導体素子を通り負電位Nに流れる経路である。【００３３】
図４−１（a）において、正電位Pから自己消弧型半導体素子43、44を通り出力端子OUTに流れる経路と正電位Pから自己消弧型半導体素子47、48を通り出力端子OUTに流れる経路の長さは等しく１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスは発生しにくい。【００３４】
また、図４−１（b）において、中間の電位Cからクランプダイオード51、自己消弧型半導体素子44を通り出力端子OUTに流れる経路と中間の電位Cからクランプダイオード51、自己消弧型半導体素子48を通り出力端子OUTに流れる経路の長さは等しく１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスは発生しにくい。【００３５】
また、図４−２（e）において、出力端子OUTから自己消弧型半導体素子45、クランプダイオード52を通り中間の電位Cに流れる経路と出力端子OUTから自己消弧型半導体素子49、クランプダイオード52を通り中間の電位Cに流れる経路の長さは等しく１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスは発生しにくい。【００３６】
また、図４−２（f）において、出力端子OUTから自己消弧型半導体素子45、46を通り負電位Nに流れる経路と出力端子OUTから自己消弧型半導体素子49、50を通り負電位Nに流れる経路の長さは等しく１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスは発生しにくい。【００３７】
尚、図４−１（c）においては、共通のフライホイールダイオード41、42を通るため経路は一通りしかなく電流のアンバランスは発生し得ない。図４−２（ｄ）においても同じように電流が共通のフライホイールダイオード39、40を通るため経路は一通りしかなく電流のアンバランスは発生しない。【００３８】
次に、図５に第３の圧接構造体接続した構成図を示す。【００３９】
図５ において、正電位Ｐと負電位Ｎに対して並列に自己消弧型半導体素子90、91、92 及び93の直列回路が接続されている。また、自己消弧型半導体素子90、91、92 及び93にはフライホイールダイオード94、95、96及び97が夫々逆並列に接続されている。さらに、フライホイールダイオード94、95、96及び97には自己消弧型半導体素子98、99、100及び101が並列に接続されている。クランプダイオード102は、電位Cの端子から直列接続された自己消弧型半導体素子90及び91の接続点に向けて電流を流す方向に接続され、またクランプダイオード103は、直列接続された自己消弧型半導体素子92及び93の接続点から電位Cの端子に向けて電流を流す方向に接続されている。尚、OUTは図示しない負荷に接続される出力端子である。さらに、第１の圧接構造体104は自己消弧型半導体素子90、91、92及び93並びにクランプダイオード102及び103の６ 個の半導体パッケージを積み重ねて構成され、各半導体パッケージの間に各々介装された冷却フィン105、106、107、108、109、110、111、112及び113と、絶縁物114及び115を共締めする串型の構造となっている。【００４０】
また、第２の圧接構造体116は、フライホイールダイオード94、95、96及び97と、各々の間に設けられた冷却フィン117、118、119、120及び121とを共締めした串型の構造となっている。【００４１】
さらに、第３の圧接構造体122は、自己消弧型半導体素子98、99、100及び101と、各々の間に設けられた冷却フィン123、124、125、126及び127とを共締めした串型の構造となっている。【００４２】
配線128はクランプダイオード102のカソード側に取り付けられた冷却フィン108と自己消弧型半導体素子90のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン106とを電気的に接続するブスバーである。同様に配線129はクランプダイオード103のアノード側に取り付けられた冷却フィン110と自己消弧型半導体素子92のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン112とを電気的に接続するブスバーである。また、配線130は自己消弧型半導体素子91のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン107と自己消弧型半導体素子92のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン111とを電気的に接続するブスバーである。【００４３】
配線131、132、133、134及び135は自己消弧型半導体素子とフライホイールダイオードとの渡り配線であり、配線131は自己消弧型半導体素子90のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン105とフライホイールダイオード94のカソード側に取り付けられた冷却フィン117、配線132は自己消弧型半導体素子91のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン106とフライホイールダイオード95のカソード側に取り付けられた冷却フィン118、配線133は配線130とフライホイールダイオード96のカソード側に取り付けられた冷却フィン119、配線134は自己消弧型半導体素子93のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン112とフライホイールダイオード97のカソード側に取り付けられた冷却フィン120、配線135は自己消弧型半導体素子93のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン113とフライホイールダイオード97のアノード側に取り付けられた冷却フィン121とを夫々電気的に接続するブスバーである。【００４４】
配線136、137、138、139及び140は第２の圧接構造体116を構成している自己消弧型半導体素子と第３の圧接構造体122を構成している自己消弧型半導体素子との渡り配線であり、配線136はフライホイールダイオード94のカソード側に取り付けられた冷却フィン117と自己消弧型半導体素子98のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン123、配線137はフライホイールダイオード95のカソード側に取り付けられた冷却フィン118と自己消弧型半導体素子99のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン124、配線138はフライホイールダイオード96のカソード側に取り付けられた冷却フィン119と自己消弧型半導体素子100のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン125、配線139はフライホイールダイオード97のカソード側に取り付けられた冷却フィン120と自己消弧型半導体素子101のコレクタ側に取り付けられた冷却フィン126、配線140はフライホイールダイオード97のアノード側に取り付けられた冷却フィン121と自己消弧型半導体素子101のエミッタ側に取り付けられた冷却フィン127とを夫々電気的に接続するブスバーである。【００４５】
図６−１、図６−２に第３の圧接構造体接続した構成においてインバータ動作時に流れる電流経路を示す。電流経路は全部で６パターンとなり、図４−１、図４−２の説明と同様に図６−１（a）に示す正電位Pから自己消弧型半導体素子を通り出力端子OUTに流れる経路、図６−１（b）に示す中間の電位Cからクランプダイオード、自己消弧型半導体素子を通り出力端子OUTに流れる経路、図６−１（c）に示す負電位Nからフライホイールダイオードを通り出力端子OUTに流れる経路、図６−２（ｄ）に示す出力端子OUTからフライホイールダイオードを通り負電位Pに流れる経路、図６−２（e）に示す出力端子OUTから自己消弧型半導体素子、クランプダイオードを通り中間の電位Cに流れる経路、図６−２（f）に示す出力端子OUTから自己消弧型半導体素子を通り負電位Nに流れる経路となる。【００４６】
図６−１（a）において、正電位Pから自己消弧型半導体素子90、91を通り出力端子OUTに流れる経路と正電位Pから自己消弧型半導体素子98、99を通り出力端子OUTに流れる経路の長さは異なり１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスが発生する。【００４７】
また、図６−１（b）において、中間の電位Cからクランプダイオード102、自己消弧型半導体素子91を通り出力端子OUTに流れる経路と中間の電位Cからクランプダイオード102、自己消弧型半導体素子99を通り出力端子OUTに流れる経路の長さは異なり１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスが発生する。【００４８】
また、図６−２（e）において、出力端子OUTから自己消弧型半導体素子92、クランプダイオード103を通り中間の電位Cに流れる経路と出力端子OUTから自己消弧型半導体素子100、クランプダイオード103を通り中間の電位Cに流れる経路の長さは異なり１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスが発生する。【００４９】
また、図６−２（f）において、出力端子OUTから自己消弧型半導体素子92、93を通り負電位Nに流れる経路と出力端子OUTから自己消弧型半導体素子100、101を通り負電位Nに流れる経路の長さは異なり１並列目と２並列目を通る電流の配線によるアンバランスが発生する。【００５０】
尚、図６−１（c）においては、共通のフライホイールダイオード96、97を通るため経路は一通りしかなく電流のアンバランスは発生し得ない。図６−２（ｄ）においても同じように電流が共通のフライホイールダイオード94、95を通るため経路は一通りしかなく電流のアンバランスは発生しない。【００５１】
以上のことから、配線によるインダクタンスのばらつきを抑制することができ、１並列目と２並列目を通る電流のアンバランスを抑制することがきでる。【００５２】
以上の実施例では、容量を増やすためにIGBTを並列接続した場合、電源―出力間を通過する配線の距離が１並列目と２並列目で異なるのを避けて、各経路におけるインダクタンスのばらつきの発生を抑制できる。また、複数台の電力変換装置盤を横方向に列盤するものと比較して、横流抑制のための結合リアクトルの追加や配線の増加などを避けて、装置の小型化が可能となる。さらに、圧接する電極と接触面積の異なる異径電極で圧接構造体を構成するものと比較して、面積の小さな電極側で過大な圧力が生じるのを避けて、冷却フィンの材質がやわらかいことに起因する、圧接する電極径が小さい方に向かってフィンの両端が変形してしまい、電極周辺の熱抵抗と接触抵抗が増大してしまうことが避けられる。同径の電極を追加することによる、冷却フィン表面から冷却水路までの距離が増えて伝達熱抵抗が増加し、冷却能力が下がるという現象を避けることができる。【００５３】
並列する半導体素子が多くのBUSやコンデンサを介することなく近傍に位置しているため、回路のインダクタンスのばらつきによる電流のアンバランスが原因で、横流や電流集中による発熱、サージ電圧による半導体チップの破損が発生するのを抑制できる。さらに、装置全体の小型化も可能となる。また、圧接構造体のチップ形状や電極径の違いによる接触面の圧力差を軽減できる。
【符号の説明】
【００５４】
1、38  直流電圧回路
2、3、4、5、43、44、45、46、47、48、49、50、90、91、92、93、98、99、100、101  自己消弧型半導体素子
6、7、8、9、39、40、41、42、94、95、96、97  フライホイールダイオード
10、11、51、52、102、103  クランプダイオード
13、14、15、16、17、18、19、20、21、25、26、27、28、29、54、55、56、57、58、59、60、61、62、66、67、68、69、70、72、73、74、75、76、105、106、107、108、109、110、111、112、113、117、118、119、120、121、123、124、125、126、127  冷却フィン
22、23、63、64、114、115  絶縁物
12、53、104  第１の圧接構造体
24、65、116  第２の圧接構造体
71、122  第３の圧接構造体
30、31、32、33、34、35、36、37、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、128、129、130、131、132、133、134、135、136、137、138、139、140  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【国際調査報告】
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2015019480.tif 000012
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