(57)【要約】  セラミック積層体上に樹脂積層体が積層されて成る積層配線基板において、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離を低減させるとともに、積層配線基板の反りを低減させる。  積層配線基板１は、複数のセラミック層２ａが積層されて成るセラミック積層体２と、複数の樹脂絶縁層３ａ〜３ｄが積層されて成り、セミラック積層体２に積層された樹脂積層体３とを備え、樹脂積層体３内に、該樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミー電極パッド９が設けられている。このようにすると、ダミー電極パッド９が樹脂積層体３の収縮に対し収縮抑制の働きをすることになるため、セラミック積層体２と樹脂積層体３との界面に作用する応力が減少し、これにより、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離並びに積層配線基板１の反りを低減することができる。
2015102107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層が積層されて成るセラミック積層体と、
複数の樹脂絶縁層が積層されて成り、前記セラミック積層体に積層された樹脂積層体とを備え、
前記樹脂積層体内に、前記樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミー導体が設けられていることを特徴とする積層配線基板。
【請求項２】
前記ダミー導体は、平面視で前記樹脂積層体の周縁部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の積層配線基板。
【請求項３】
前記ダミー導体は、ダミービア導体であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層配線基板。
【請求項４】
前記ダミービア導体を複数備え、
前記複数のダミー導体のうち、少なくとも一対の前記ダミー導体が、平面視で前記樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の積層配線基板。
【請求項５】
前記樹脂積層体は、平面視で矩形状を有し、
平面視において、前記樹脂積層体の四隅部それぞれに前記ダミービア導体が配置されていることを特徴とする請求項４に記載の積層配線基板。
【請求項６】
前記樹脂積層体内に形成された面内導体をさらに備え、
前記ダミービア導体が、前記面内導体に接続されていることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項７】
前記ダミービア導体と異なる他のダミービア導体をさらに備え、
前記面内導体に、前記他のダミービア導体が接続されていることを特徴とする請求項６に記載の積層配線基板。
【請求項８】
前記セラミック積層体内に設けられた第１ビア導体と、
前記樹脂積層体内に設けられた第２ビア導体とをさらに備え、
前記第１ビア導体と第２ビア導体の端面同士が接続されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項９】
前記第１ビア導体と前記第２ビア導体との接続部が、平面視で前記樹脂積層体の周縁部に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の積層配線基板。
【請求項１０】
所定の前記ダミービア導体が、前記第２ビア導体の前記第１ビア導体に接続された端面と反対側の端面に接続されることにより、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体および前記所定のダミー導体が平面視で重なる位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項８または９に記載の積層配線基板。
【請求項１１】
前記第１ビア導体の前記第２ビア導体に接続される端面と反対側の端面が、前記セラミック積層体内に設けられた電極パッドに接続されていることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１２】
前記ダミー導体の体積が、前記第２ビア導体の体積よりも大きいことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１３】
前記樹脂積層体の平面視での面積が、前記セラミック積層体の平面視での面積よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１４】
前記ダミービア導体の両端面のうちの少なくとも一方が、前記樹脂積層体内に設けられた電極パッドに接続されていることを特徴とする請求項３ないし１３のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１５】
前記複数のセラミック層それぞれは、ホウケイ酸系ガラスを含有するセラミックを主成分とするセラミックグリーンシートで形成されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１６】
前記セラミック積層体は、前記セラミック層の焼成時の収縮を抑制する収縮抑制層をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１７】
前記樹脂積層体の上面に形成された複数の上面側接続電極と、前記複数の上面側接続電極に対応して設けられ、対応する前記上面側接続電極にそれぞれ接続された複数の下面側接続電極とをさらに備え、
隣接する前記下面側接続電極間のピッチが、隣接する前記上面側接続電極間のピッチよりも広くなるように、前記セラミック積層体および前記樹脂積層体内の配線構造が形成されていることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれかに記載の積層配線基板を備え、半導体を検査することを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック層と樹脂絶縁層とで構成された積層配線基板およびこの積層配線基板を備える検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体素子の電気検査には、セラミック多層基板上にプローブピンを形成したプローブカードが広く採用されている。また、近年では、半導体素子の高集積化により、その端子数の増加や、端子の狭ピッチ化が進んでいるため、セラミック多層基板の一部の層を、微細な配線形成が容易なポリイミドなどの樹脂絶縁層に置き換えた積層配線基板が用いられるようになっている。【０００３】
例えば、特許文献１に記載の積層配線基板１００では、図１２に示すように、複数のセラミック層１０１ａが積層されて成るセラミック積層体１０１と、複数の樹脂絶縁層１０２ａが積層されて成る樹脂積層体１０２とを備え、セラミック積層体１０１上に樹脂積層体１０２が積層された構造となっている。このとき、積層配線基板１００の上面には、それぞれプローブピンに接続される複数の表面電極１０３が狭ピッチで形成される。また、積層配線基板１００の下面には、各表面電極１０３に対応して設けられ、対応する表面電極１０３にそれぞれ接続された複数の裏面電極１０４が形成される。各裏面電極１０４は、外部の実装基板との接続用に設けられている。【０００４】
また、樹脂積層体１０２およびセラミック積層体１０１の内部には、隣接する裏面電極１０４間のピッチが、隣接する表面電極１０３間のピッチよりも広くなるように、再配線構造が形成されている。【０００５】
このような再配線構造を形成するに当たり、表面電極１０３に近い方の樹脂積層体１０２では、その内部に形成する配線の細線化や、隣接する配線間の距離を狭くする必要があるため、微細な配線形成が可能なポリイミド等から成る樹脂絶縁層１０２aで構成されている。また、比較的配線の形成スペースに余裕があるセラミック積層体１０１では、樹脂絶縁層１０２ａよりも剛性が高く、線膨張係数がＩＣウエハ等の検査媒体の線膨張係数に近いセラミック層１０１ａで構成されている。積層配線基板１００をこのように構成することで、端子数の増加や、端子間が狭ピッチ化された近年の半導体素子の電気検査を可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−９６９４号公報（段落００１９〜００２２、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の積層配線基板１００は、セラミック積層体１０１と樹脂積層体１０２の積層構造で形成されているため、例えば、セラミック積層体１０１上に樹脂積層体１０２を形成する際、樹脂積層体１０２の硬化収縮により、積層配線基板１００の内部に残留応力が発生する。【０００８】
積層配線基板１００の内部に残留応力が発生すると、セラミック積層体１０１と樹脂積層体１０２との界面で剥離が生じたり、積層配線基板１００の反りが生じるおそれがある。  【０００９】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、セラミック積層体上に樹脂積層体が積層されて成る積層配線基板において、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離を低減させるとともに、積層配線基板の反りを低減させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するために、本発明の積層配線基板は、複数のセラミック層が積層されて成るセラミック積層体と、複数の樹脂絶縁層が積層されて成り、前記セラミック積層体に積層された樹脂積層体とを備え、前記樹脂積層体内に、前記樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミー導体が設けられていることを特徴としている。【００１１】
この場合、樹脂積層体内に、該樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミー導体が設けられるため、セラミック積層体上に樹脂積層体を形成する際、ダミー導体が樹脂積層体の収縮に対し収縮抑制の働きをすることになる。そうすると、セラミック積層体と樹脂積層体との界面に作用する応力が減少するため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離を低減することができる。【００１２】
また、セラミック積層体と樹脂積層体との界面に作用する応力が減少することで、積層配線基板の反りが低減する。【００１３】
また、前記ダミー導体は、平面視で前記樹脂積層体の周縁部に配置されているのが好ましい。セラミック積層体と樹脂積層体の界面において、樹脂積層体の収縮により生じる応力は、その中央部よりも周縁部の方が高く、この界面での剥離は、該界面の周縁を基点として生じる場合が多い。そこで、ダミー導体を平面視で樹脂積層体の周縁部に配置、すなわち、セミラック積層体と樹脂積層体の界面剥離の基点に近い位置に配置する。このようにすると、基点に作用する応力を効率的に緩和させることができるため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離の低減および積層配線基板の反りの低減が容易なものとなる。【００１４】
また、前記ダミー導体は、ダミービア導体であってもかまわない。ダミー導体は、その体積が大きいほど、セミラック積層体と樹脂積層体の界面剥離、および、積層配線基板の反り低減効果が高い。したがって、ダミー導体をダミービア導体とすることで、例えば、ダミー導体を面内導体により形成する場合と比較して、容易にその体積を大きくすることができるため、前記界面剥離、および、積層配線基板の反りの低減を容易に実現することができる。【００１５】
また、前記ダミービア導体を複数備え、前記複数のダミー導体のうち、少なくとも一対の前記ダミー導体が、平面視で前記樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置されていてもよい。樹脂積層体が硬化収縮する場合、該樹脂積層体は、例えば平面視した場合に、その周縁から中心に向けて縮まろうとする。ここで、樹脂積層体を平面視したときに、各ダミー導体を樹脂積層体の中心に対して偏った位置に配置すると、樹脂積層体の各ダミービア導体が配置された部分の収縮抑制量が、前記中心を基準として樹脂積層体の各ダミービア導体の配置箇所と逆側の部分の収縮抑制量よりも多くなる。そうすると、樹脂積層体内で収縮抑制量のアンバランスが生じて積層配線基板の反りが生じる。そこで、少なくとも一対のダミービア導体を、平面視で樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置することで、樹脂積層体の前記一対のダミービア導体が配置された箇所において、収縮抑制量のバランスがよくなるため、積層配線基板の反りを低減することができる。【００１６】
また、前記樹脂積層体は、平面視で矩形状を有し、平面視において、前記樹脂積層体の四隅部それぞれに前記ダミービア導体が配置されていてもよい。樹脂積層体が、平面視で矩形状を有する場合、樹脂積層体の収縮時に、その収縮応力が最も強く作用するのが四隅部であるため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離は当該四隅部を基点として生じ易い。そこで、樹脂積層体の四隅部それぞれにダミービア導体を配置することで、四隅部に作用する収縮応力を緩和することができるため、樹脂積層体のセラミック積層体からの剥離を低減することができる。また、各ダミービア導体は、平面視で樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置されることになるため、積層配線基板の反りを低減することもできる。【００１７】
また、前記樹脂積層体内に形成された面内導体をさらに備え、前記ダミービア導体が、前記面内導体に接続されていてもよい。このようにすると、面内導体により、ダミービア導体の樹脂積層体への固着力が向上するため、ダミービア導体が面内導体に接続されていない場合と比較して、ダミービア導体による樹脂積層体の収縮応力の緩和効果が向上する。【００１８】
また、前記ダミービア導体と異なる他のダミービア導体をさらに備え、前記面内導体に、前記他のダミービア導体が接続されていてもよい。この場合、面内導体に、樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミー導体が複数接続されることになるため、樹脂積層体の収縮応力の緩和効果がさらに向上する。【００１９】
また、前記セラミック積層体内に設けられた第１ビア導体と、前記樹脂積層体内に設けられた第２ビア導体とをさらに備え、前記第１ビア導体と第２ビア導体の端面同士が接続されていてもよい。この場合、樹脂積層体とセラミック積層体の界面に、樹脂積層体とセラミック積層体との密着強度よりも高い、第１ビア導体と第２ビア導体の接続部が形成されるため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面の密着強度が当該接続部により補強される。また、第１ビア導体と第２ビア導体が強固に接続されることで、樹脂積層体内の第２ビア導体が、樹脂積層体の収縮を妨げる支持体のように機能するため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離を低減することができる。【００２０】
また、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体との接続部が、平面視で前記樹脂積層体の周縁部に配置されていてもよい。この場合、樹脂積層体の収縮応力が強く作用する、樹脂積層体とセラミック積層体の界面の周縁部が、第１ビア導体と第２ビア導体との接続部により補強されるため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離をさらに低減することができる。【００２１】
また、所定の前記ダミービア導体が、前記第２ビア導体の前記第１ビア導体に接続された端面と反対側の端面に接続されることにより、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体および前記所定のダミー導体が平面視で重なる位置にそれぞれ配置されていてもよい。このようにすると、樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミービア導体が、セラミック積層体内に形成された第１ビア導体に支持されることになるため、ダミービア導体を、第２ビア導体とともに、樹脂積層体の収縮を妨げる支持体として機能させることができる。【００２２】
また、前記第１ビア導体の前記第２ビア導体に接続される端面と反対側の端面が、前記セラミック積層体内に設けられた電極パッドに接続されていてもよい。このようにすると、電極パッドによりセラミック積層体の反りを低減させることができるため、積層配線基板の反りを低減することができる。【００２３】
前記ダミー導体の体積が、前記第２ビア導体の体積よりも大きくてもかまわない。このようにすると、ダミービア導体の体積を第２ビア導体と同じに形成する場合と比較して、ダミービア導体による樹脂積層体の収縮応力緩和効果が向上するため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離、積層配線基板の反り、および、樹脂積層体の平坦度が悪くなることに起因する面内導体の抵抗値の増大を、それぞれ低減することができる。【００２４】
前記樹脂積層体の平面視での面積が、前記セラミック積層体の平面視での面積よりも小さくてもかまわない。樹脂積層体の収縮時において、樹脂積層体とセミラック積層体の界面剥離の基点となる該界面の周縁部に作用する収縮応力は、樹脂積層体の平面視での面積が大きいほど高くなる。したがって、樹脂積層体の平面視での面積をセラミック積層体よりも小さくすることで、両積層体の平面視での面積を等しく形成する場合と比較して、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離を低減することができる。【００２５】
また、前記ダミービア導体の両端面のうちの少なくとも一方が、前記樹脂積層体内に設けられた電極パッドに接続されていてもよい。このようにすると、電極パッドにより、ダミービア導体の樹脂積層体への固着力が向上するため、ダミービア導体が電極パッドに接続されていない場合と比較して、ダミービア導体による樹脂積層体の収縮応力の緩和効果が向上する。【００２６】
また、前記複数のセラミック層それぞれは、ホウケイ酸系ガラスを含有するセラミックを主成分とするセラミックグリーンシートで形成されていてもよい。この場合、セラミック積層体を形成するセラミック層として、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）を用いることができる。また、セラミック積層体内に形成する面内導体等の配線電極に低抵抗導体のＡｇ等を使用することができる。【００２７】
また、前記セラミック積層体は、前記セラミック層の焼成時の収縮を抑制する収縮抑制層をさらに備えていてもよい。この場合、セラミック積層体の反りが低減するため、これに伴って積層配線基板の反りも低減することができる。【００２８】
また、前記樹脂積層体の上面に形成された複数の上面側接続電極と、前記複数の上面側接続電極に対応して設けられ、対応する前記上面側接続電極にそれぞれ接続された複数の下面側接続電極とをさらに備え、隣接する前記下面側接続電極間のピッチが、隣接する前記上面側接続電極間のピッチよりも広くなるように、前記セラミック積層体および前記樹脂積層体内の配線構造が形成されていてもよい。この場合、その内部に再配線構造が形成された積層配線基板において、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離、積層配線基板の反り、および、樹脂積層体の反りに起因する樹脂積層体内の配線の抵抗値の増大それぞれを低減することができる。【００２９】
また、この積層配線基板を、半導体を検査する検査装置に用いてもよい。この場合、各上面側接続電極それぞれに、例えばプローブピンを接続させることで、積層配線基板をプローブカードとして使用することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、樹脂積層体内に、該樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミー導体が設けられるため、セラミック積層体上に樹脂積層体を形成する際、ダミー導体が樹脂積層体の収縮に対し収縮抑制の働きをすることになる。そうすると、セラミック積層体と樹脂積層体との界面に作用する応力が減少するため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離を低減することができる。【００３１】
また、セラミック積層体と樹脂積層体との界面に作用する応力が減少することで、積層配線基板の反りが低減する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図６】図５の積層配線基板の平面図である。
【図７】図５のダミービア導体の配置構成の変形例を示す図である。
【図８】本発明の第６実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図９】本発明の第７実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図１０】本発明の第８実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図１１】本発明の第９実施形態にかかる積層配線基板の断面図である。
【図１２】従来の積層配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる積層配線基板１について、図１を参照して説明する。なお、図１は積層配線基板１の断面図である。また、図１では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００３４】
この実施形態にかかる積層配線基板１は、図１に示すように、複数のセラミック層２ａが積層されて成るセラミック積層体２と、複数の樹脂絶縁層３ａ〜３ｄが積層されて成り、セラミック積層体２に積層された樹脂積層体３とを備えている。また、積層配線基板１の上面となる樹脂積層体３の最上層の樹脂絶縁層３ａの上面には、複数の上面側接続電極４が形成される。積層配線基板１の下面となるセラミック積層体２の下面には、各上面側接続電極４に対応して設けられ、対応する上面側接続電極４にそれぞれ接続された複数の下面側接続電極５が形成される。
【００３５】
また、図１中の２つの上面側接続電極４の間には、それぞれ図示省略の複数の上面側接続電極４が形成されるとともに、２つの下面側接続電極５の間にも、図示省略の複数の下面側接続電極５が形成される。このとき、対応する上面側接続電極４および下面側接続電極５同士は、樹脂積層体３およびセラミック積層体の内部に形成された複数のビア導体６ａ〜６ｄ，８および複数の面内導体７ａ〜７ｄとで構成された内部配線により接続されている。
【００３６】
また、隣接する下面側接続電極５間のピッチが、隣接する上面側接続電極４間のピッチよりも広く設定されており、対応する上面側接続電極４および下面側接続電極５同士を接続する各内部配線により、セラミック積層体２および樹脂積層体３内において再配線構造が形成されている。
【００３７】
セラミック積層体２を形成する各セラミック層２ａには、それぞれ、ホウケイ酸系ガラスを含有するセラミック（例えば、アルミナ）を主成分とする低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）から成るセラミックグリーンシートを用いることができる。また、各セラミック層２ａを形成するその他の材料としては、高温焼成セラミック（ＨＴＣＣ）等、種々のセラミック材料を用いることもできる。
【００３８】
なお、セラミック積層体２は、隣接するセラミック層２ａ間に、各セラミック層２ａの焼成時の収縮を抑制する収縮抑制層を配置する構成であってもかまわない。この収縮抑制層には、各セラミック層２ａの焼成温度では収縮しないセラミック材料を用いることができる。このようにすると、焼成後のセラミック積層体２の反りが低減するため、これに伴って、積層配線基板１の反りが低減する。
【００３９】
セラミック積層体２の下面に形成された各下面側接続電極５は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を含有する導電性ペーストを用いた印刷技術等によりそれぞれ形成される。このとき、各下面側接続電極５の表面に、Ｎｉ／Ａｕめっきをさらに施すようにしてもよい。
【００４０】
また、セラミック積層体２上面に形成された面内導体７ｄ、および、その内部に形成された図示省略の面内導体は、各セラミック層２ａの主面に、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を含有する導電性ペーストを用いた印刷技術等によりそれぞれ形成されている。なお、この実施形態では、面内導体７ｄおよび図示省略の面内導体が、Ａｇによりそれぞれ形成される。
【００４１】
図１中のセラミック積層体２の内部に形成されたビア導体８は、各セラミック層２ａそれぞれに形成されたビア素体の連続体から成り、各ビア素体は、例えば、セラミック層２ａにレーザ等を用いて形成した貫通孔に、印刷技術を用いて、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等のいずれかを含有する導電性ペーストを充填することによりそれぞれ形成される。
【００４２】
樹脂積層体３を形成する各樹脂絶縁層３ａ〜３ｄは、それぞれ、ポリイミドやガラスエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で形成される。このとき、各セラミック層２ａのヤング率は約２２０ＧＰａであるのに対して、例えば、ポリイミドで形成された各樹脂絶縁層３ａ〜３ｄは、１〜５ＧＰａであり、各樹脂絶縁層３ａ〜３ｄのヤング率が、各セラミック層２ａよりも小さい。
【００４３】
また、樹脂積層体３の上面に形成される各上面側接続電極４、樹脂積層体３の内部に形成される各面内導体７ａ〜７ｃおよび各ビア導体６ａ〜６ｄそれぞれを形成する材料として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属のいずれかを用いることができる。各面内導体７ａ〜７ｃは、所定の樹脂絶縁層３ａ〜３ｄの主面にそれぞれ形成されている。
【００４４】
以上のように構成された積層配線基板１では、セラミック積層体２が先に準備された後、このセラミック積層体２上に樹脂積層体３が積層されることにより製造される。ここで、セラミック積層体２上の樹脂積層体３を硬化させるときに、積層配線基板１内に樹脂積層体３の硬化収縮による残留応力が発生し、セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面剥離や積層配線基板１の反り等が発生する。
【００４５】
セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面剥離が発生するのは、隣接するセラミック層２ａの界面の密着強度、隣接する樹脂絶縁層３ａ〜３ｄの界面の密着強度および隣接するセラミック層２ａと樹脂絶縁層３ｄの界面の密着強度のうち、異種材料で構成されたセラミック層２ａと樹脂絶縁層３ｄの界面の密着強度が一番低いためである。また、セラミック層２ａと樹脂絶縁層３ｄの界面においては、その中央部よりも周縁部の方が前記残留応力が強く作用する。したがって、セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面剥離は、その界面の周縁部を基点として発生する場合が多い。
【００４６】
そこで、この実施形態では、樹脂積層体３内における、面内導体７ａ〜７ｃやビア導体６ａ〜６ｄの非形成領域に、それぞれ積層配線基板１内の配線とは関係のない複数のダミー電極パッド９（本発明の「ダミー導体」に相当）が、樹脂積層体３の硬化時の収縮応力緩和用の電極として設けられている。このダミー電極パッド９は、樹脂積層体３内で前記残留応力が高い領域である平面視で樹脂積層体３の周縁部にそれぞれ配置される。なお、上記した各ダミー電極パッド９の配置箇所は一例であり、樹脂積層体３内の空きスペースであれば、適宜、変更可能である。また、その配置数も、適宜変更可能である。
【００４７】
本発明に係る検査装置は、上記した積層配線基板１と、積層配線基板１の上面に形成された各上面側接続電極４に接続された複数のプローブピンとを備え、例えば、ダイシング前の半導体素子（例えば、ＬＳＩ）などのウエハテストで使用されるプローブカードである。具体的には、このプローブカードは、ＬＳＩチップのボンディングパッド上にプローブピンの先端を当てることにより、ＬＳＩチップの電気的特性の良否を判別する。
【００４８】
次に、積層配線基板１の製造方法について説明する。なお、以下に説明する製造方法は、後述する他の実施形態にかかる積層配線基板１ａ〜１ｈに適用することができる。
【００４９】
まず、セラミック積層体２を準備する。このとき、セラミック積層体２は、個別に準備された各セラミック層２ａを所定の順序で積層し、この積層されたものを圧着・焼成して形成する。ここで、各セラミック層２ａに形成されるビア導体８の各ビア素体は、例えば、レーザ加工によりセラミック層２ａにビアホールを形成し、該ビアホールに印刷技術を用いて、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属を含有する導電性ペーストを充填することによりそれぞれ形成する。また、ビア素体を除くその他のビア導体も同様にして形成する。また、各セラミック層２ａの主面に形成される面内導体７ｄは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属（この実施形態ではＡｇ）を含有する導電性ペーストを用いた印刷技術により形成することができる。
【００５０】
樹脂積層体３は、ビルドアップ工法または薄膜積層により形成することができる。ビルドアップ工法では、準備したセラミック積層体２の上面に、銅箔付の樹脂絶縁層３ｄを積層し、面内導体７ｃおよびビア導体６ｄを形成する。このとき、樹脂絶縁層３ｄを形成する材料として、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド等を用いることができる。また、面内導体７ｃは銅箔をエッチングによりパターン形成することで得られる。ビア導体６ｄは、例えば、樹脂絶縁層３ｄにレーザ加工でビアホールを形成し、該ビアホールにＣｕ、Ａｇ、Ａｌなどの金属をビアフィルめっきするなどして形成する。
【００５１】
その後は、同様に、１層ごとに、銅箔付の樹脂絶縁層３ａ〜３ｃの積層・ビア導体形成・面内導体形成を繰り返すことにより、積層配線基板１を得る。このとき、樹脂絶縁層３ｂにおいては、面内導体７ａとともにダミー電極パッド９も形成する。また、各上面側接続電極４は、各面内導体７ａ〜７ｃと同様の方法によりそれぞれ形成することができる。
【００５２】
薄膜積層により樹脂積層体３を形成する場合は、準備したセラミック積層体２上に、ポリイミドを塗布するなどして樹脂絶縁層３ｄを形成する。樹脂絶縁層３ｄには、フォトリソグラフィ加工によりビア導体６ｄを形成した後、面内導体７ｃを形成する。面内導体７ｃは、例えば、樹脂絶縁層３ｄ上に、下地電極としてのＴｉ膜をスパッタ等により成膜し、同じくスパッタ等によりＴｉ膜上にＣｕ膜を成膜する。そして、Ｃｕ膜上に、電解または無電解めっきにより、同じくＣｕ膜を成膜することで形成することができる。
【００５３】
その後は、同様に、１層ごとに、樹脂絶縁層３ａ〜３ｃとなるポリイミドの塗布・ビア導体形成・面内導体形成を繰り返すことにより、積層配線基板１を得る。このとき、樹脂絶縁層３ｂにおいては、面内導体７ａとともに、ダミー電極パッド９も形成する。また、各上面側接続電極４は、各面内導体７ａ〜７ｃと同様の方法により形成することができる。
【００５４】
なお、各上面側接続電極４および各下面側接続電極５上に、電解または無電解めっきによりＮｉ／Ａｕ膜を形成してもかまわない。
【００５５】
このように、ビルドアップ工法や薄膜積層により樹脂積層体３を形成した場合、各上面側接続電極４および各面内導体７ａ〜７ｃは、セラミック積層体２に印刷技術を用いて形成される面内導体（例えば、面内導体７ｄ）と比較して、微細なパターン形成が可能となる。
【００５６】
したがって、上記した実施形態によれば、樹脂積層体３内に、該樹脂積層体３の収縮応力緩和用のダミー電極パッド９が設けられるため、セラミック積層体２上に樹脂積層体３を形成する際、ダミー電極パッド９が樹脂積層体３の収縮に対し収縮抑制の働きをすることになる。そうすると、セラミック積層体２と樹脂積層体３との界面に作用する応力が減少するため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離を低減することができる。
【００５７】
また、セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面に作用する応力が減少することで、積層配線基板１の反りが低減する。また、積層配線基板１の反りが低減することで、樹脂積層体１内に形成された面内導体７ａ〜７ｃの平坦性が向上するため、面内導体７ａ〜７ｃが湾曲することに起因した抵抗値の増大を低減することができる。
【００５８】
ところで、上記したように、樹脂積層体３の硬化収縮により生じる残留応力は、セラミック積層体２と樹脂積層体３との界面において、その中央部よりも周縁部の方が高く、この界面での剥離は、該界面の周縁を基点として生じる場合が多い。したがって、ダミー電極パッド９を平面視で樹脂積層体３の周縁部に配置、すなわち、セミラック積層体２と樹脂積層体３の界面剥離の基点に近い位置に配置することで、当該基点に作用する応力を効率的に緩和させることができるため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離の低減および積層配線基板１の反りの低減が容易なものとなる。
【００５９】
また、前記各セラミック層２ａそれぞれは、ホウケイ酸系ガラスを含有するセラミックを主成分とする低温同時焼成セラミック（セラミックグリーンシート）で形成されているため、セラミック積層体２内に形成する面内導体等の配線電極に低抵抗導体のＡｇ等を使用することができる。
【００６０】
また、この実施形態にかかる積層配線基板１は、隣接する下面側接続電極５間のピッチが、隣接する上面側接続電極４のピッチよりも広くなるように、セラミック積層体２および樹脂積層体３の内部に再配線構造が形成されている。ここで、狭いピッチで配置された各上面側接続電極４が、微細な配線形成が容易な樹脂積層体３側に形成されている。
【００６１】
また、積層配線基板１をセラミック積層体２と樹脂積層体３とで構成した場合の弊害である、セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面剥離や積層配線基板１の反りは、樹脂積層体３内に設けられたダミー電極パッド９により低減される。そのため、積層配線基板１は、端子の狭ピッチ化が進んでいる近年の半導体素子の電気的検査を行うためのプローブカードに用いられる基板として好適である。
【００６２】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる積層配線基板１ａについて、図２を参照して説明する。なお、図２は積層配線基板１ａの断面図である。また、図２では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００６３】
この実施形態にかかる積層配線基板１ａが、図１を参照して説明した第１実施形態の積層配線基板１と異なるところは、図２に示すように、樹脂積層体３内に設けられた収縮応力緩和用の複数のダミー導体が、ダミー電極パッド９とダミービア導体１０ａとで構成されていることである。その他の構成は、第１実施形態の積層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６４】
この場合、樹脂絶縁層３ｂにおいて、平面視でダミー電極パッド９に重合する位置に、ダミービア導体１０ａが設けられ、このダミービア導体１０ａの上端面がダミー電極パッド９に接続される。
【００６５】
ダミー導体は、その体積が大きいほど、セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面剥離、および、積層配線基板１ａの反り低減効果が高い。したがって、ダミー導体を、ダミー電極パッド９およびダミービア導体１０ａで構成することにより、ダミー導体をダミー電極パッド９のみで構成する場合と比較して、容易にその体積を大きくすることができるため、前記界面剥離、および、積層配線基板１ａの反り低減効果の向上を容易に実現できる。
【００６６】
また、ダミービア導体１０ａをダミー電極パッド９に接続させることで、該ダミー電極パッド９によりダミービア導体１０ａの樹脂積層体３への固着力が向上するため、ダミービア導体１０ａがダミー電極パッドに接続されていない場合と比較して、ダミービア導体１０ａによる樹脂積層体３の収縮応力緩和効果が向上する。
【００６７】
なお、ダミー導体は、必ずしもダミー電極パッド９とダミービア導体１０ａとで構成する必要はなく、ダミービア導体１０ａのみで構成してもかまわない。
【００６８】
また、ダミービア導体１０ａの下端面が、他の電極パッドに接続されていてもよい。この場合、ダミービア導体１０ａの樹脂積層体３への固着力が高まる。
【００６９】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる積層配線基板１ｂについて、図３を参照して説明する。なお、図３は積層配線基板１ｂの断面図である。また、図３では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００７０】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｂが、図２を参照して説明した第２実施形態の積層配線基板１ａと異なるところは、図３に示すように、樹脂絶縁層３ｃの上面に形成された面内導体７ｂ１が、ダミービア導体１０ａに向けて延出形成されており、ダミービア導体１０ａの下端面が面内導体７ｂ１に接続されていることである。その他の構成は、第２実施形態の積層配線基板１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００７１】
このように、ダミービア導体１０ａを面内導体７ｂ１に接続させることで、面内導体７ｂ１により、ダミービア導体１０ａの樹脂積層体３への固着力が向上するため、ダミービア導体１０ａが面内導体７ｂ１に接続されていない場合と比較して、ダミービア導体１０ａによる樹脂積層体３の収縮応力の緩和効果が向上する。
【００７２】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態にかかる積層配線基板１ｃについて、図４を参照して説明する。なお、図４は積層配線基板１ｃの断面図である。また、図４では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００７３】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｃが、図３を参照して説明した第３実施形態の積層配線基板１ｂと異なるところは、図４に示すように、樹脂積層体３の最下層の樹脂絶縁層３ｄに形成されたビア導体６ｄと、セラミック積層体２に形成されたビア導体８の端面同士が接続されていることと、ダミー電極パッド９とダミービア導体１０ａで構成されるダミー導体の配置箇所が異なることである。その他の構成は、第３実施形態の積層配線基板１ｂと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００７４】
この場合、樹脂積層体３の最下層の樹脂絶縁層３ｄに形成されたビア導体６ｄ、および、その一つ上の樹脂絶縁層３ｃに形成されたビア導体６ｃが、セラミック積層体２に形成されたビア導体８に、平面視で重合する位置にそれぞれ配置され、セラミック積層体２のビア導体８と最下層の樹脂絶縁層３ｄのビア導体６ｄの端面同士が接続される。また、樹脂絶縁層３ｃのビア導体６ｃと樹脂絶縁層３ｄのビア導体６ｄとが、面内導体７ｃを介して接続される。
【００７５】
そして、樹脂積層体３内のビア導体６ｃとビア導体６ｂとを接続する、樹脂絶縁層３ｃの上面に形成された面内導体７ｂ１に、ダミー電極パッド９とダミービア導体１０ａで構成されたダミー導体が接続される。なお、この実施形態におけるセラミック積層体２に形成されたビア導体８が本発明の「第１ビア導体」に相当し、ビア導体８の上端面に接続された樹脂積層体３内のビア導体６ｄが本発明の「第２ビア導体」に相当する。また、以下、セラミック積層体２のビア導体８を第１ビア導体８と称し、樹脂積層体３のビア導体６ｄを第２ビア導体６ｄと称する場合もある。
【００７６】
このように構成すると、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面に、樹脂積層体３とセラミック積層体２との密着強度よりも高い、セラミック積層体２の第１ビア導体８と樹脂積層体３の第２ビア導体６ｄの接続部が形成されるため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面の密着強度が当該接続部により補強される。また、第１ビア導体８と第２ビア導体６ｄが強固に接続されることで、樹脂積層体３内の第２ビア導体６ｄが、樹脂積層体２の収縮を妨げる支持体のように機能するため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離を低減することができる。
【００７７】
また、第１ビア導体８と第２ビア導体６ｄとの接続部が、平面視で樹脂積層体３の周縁部に配置されているため、樹脂積層体３の収縮応力が強く作用する樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面の周縁部が、第１ビア導体８と第２ビア導体６ｄとの接続部により補強される。したがって、当該接続部により、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離を低減することができる。
【００７８】
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態にかかる積層配線基板１ｄについて、図５および図６を参照して説明する。なお、図５は積層配線基板１ｄの断面図、図６は積層配線基板１ｄの平面図である。また、図５および図６では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００７９】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｄが、図４を参照して説明した第４実施形態の積層配線基板１ｃと異なるところは、図５に示すように、セラミック積層体２の第１ビア導体８と、樹脂積層体３の第２ビア導体６ｄと、第２ビア導体６ｄが形成された樹脂絶縁層３ｄの一つ上の樹脂絶縁層３ｃに形成されたビア導体６ｃと、ダミービア導体１０ａとが、平面視で重合する位置にそれぞれ配置されていることである。その他の構成は、第４実施形態の積層配線基板１ｃと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００８０】
この場合、ダミービア導体１０ａは、該ダミービア導体１０ａと第２ビア導体６ｄとの間に配置された面内導体７ｂ１、ビア導体６ｃ、面内導体７ｃを介して、第２ビア導体６ｄの第１ビア導体８に接続された端面（下端面）の反対側の端面（上端面）に接続される。
【００８１】
また、図６に示すように、樹脂積層体３は、平面視で矩形状を有し、この矩形状の樹脂積層体３の四隅部それぞれに、ダミービア導体１０ａが配置される。このような各ダミービア導体１０ａの配置構成は、同一対角線上に配置された一対のダミービア導体１０ａが、平面視で樹脂積層体３の中心に対して点対称の位置に配置されているとも言える。
【００８２】
なお、図６では、図５で図示省略のセラミック積層体２の内部に形成された複数の他のビア導体１１を示しており、これらの他のビア導体１１および各第１ビア導体８が、対応する下面側接続電極５にそれぞれ接続されている。
【００８３】
したがって、この実施形態によれば、ダミービア導体１０ａが、第１ビア導体８および第２ビア導体６ｄそれぞれと平面視で重合する位置に配置され、第１ビア導体８と端面同士で接続された第２ビア導体６ｄに、ビア導体６ｃ等を介して接続される。このように構成することにより、ダミービア導体１０ａに、樹脂積層体３の収縮応力を緩和する機能に加え、第２ビア導体６ｄとともに樹脂積層体３の収縮を妨げる支持体としての機能を付与することができる。
【００８４】
ところで、樹脂積層体３が硬化収縮する場合、該樹脂積層体３は、例えば平面視した場合に、その周縁から中心に向けて縮まろうとする。ここで、例えば、平面視において、樹脂積層体３の四隅部のうちの１つの隅部のみにダミービア導体１０ａを配置した場合、樹脂積層体３内でダミービア導体１０ａが配置された箇所の周辺で収縮応力緩和量が大きいのに対して、残りの隅部周辺での収縮応力緩和量が小さくなる。そうすると、樹脂積層体３内で収縮応力緩和量のアンバランスが生じて積層配線基板１の反りが生じ得る。
【００８５】
そこで、ダミービア導体１０ａを樹脂積層体３の四隅部それぞれに配置することで、平面視矩形状の樹脂積層体３の同一対角線上に位置する一対のダミービア導体１０ａが、平面視で樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置されることになる。そうすると、樹脂積層体３内において、各ダミービア導体１０ａによる、収縮抑制量のバランスがよくなるため、積層配線基板１ｄの反りを低減することができる。
【００８６】
また、樹脂積層体３が、平面視で矩形状を有する場合、樹脂積層体３の収縮時に、その収縮応力が最も強く作用するのが四隅部であるため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離は当該四隅部を基点として生じ易い。そのため、樹脂積層体３の四隅部それぞれにダミービア導体１０ａを配置することで、四隅部に作用する収縮応力が減少するため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離を低減することができる。
【００８７】
（ダミービア導体１０ａの配置構成の変形例）
ダミービア導体１０ａの配置構成の変形例について、図７を参照して説明する。なお、図７は、ダミービア導体１０ａの配置構成の変形例を示す図であり、図６に対応する図である。
【００８８】
上記した実施形態では、各ダミービア導体１０ａを平面視矩形状の樹脂積層体３の四隅部のみに配置する場合について説明したが、例えば、図７に示すように、平面視矩形状の樹脂積層体３の周縁部において、各ダミービア導体１０ａを、各辺に沿うように所定間隔で並べて配置するようにしてもよい。このようにすると、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離の基点となる周縁部の略全領域において、各ダミービア導体１０ａにより、硬化収縮時の収縮応力を緩和させることができるため、前記界面剥離の低減効果がさらに向上する。
【００８９】
また、各ダミービア導体１０ａが、樹脂積層体３の周縁部にバランスよく配置（点対称配置）されるため、積層配線基板１ｄの反りを低減することができる。
【００９０】
＜第６実施形態＞
本発明の第８実施形態にかかる積層配線基板１ｅについて、図８を参照して説明する。なお、図８は積層配線基板１ｅの断面図である。また、図８では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００９１】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｅが、図５を参照して説明した第５実施形態の積層配線基板１ｄと異なるところは、図８に示すように、セラミック積層体２の第１ビア導体８に平面視で重合する位置に配置されたダミービア導体１０ａとは異なる他のダミービア導体１０ｂがさらに設けられていることである。その他の構成は第５実施形態の積層配線基板１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００９２】
この場合、ダミービア導体１０ａの下端面が接続された面内導体７ｂ１に、他のダミービア導体１０ｂがさらに接続されている。この実施形態では、ダミービア導体１０ｂが、面内導体７ｂ１の上下に１つずつ設けられており、両ダミービア導体１０ｂが、平面視で重合する位置に配置されている。また、両ダミービア導体１０ｂは、面内導体７ｂ１に接続された端面と反対側の端面が、ダミー電極パッド９ｂにそれぞれ接続されており、ダミービア導体１０ｂとダミー電極パッド９ｂとによりダミー導体がそれぞれ構成されている。
【００９３】
このように面内導体７ｂ１に樹脂積層体２の収縮応力緩和用のダミー導体が、複数接続されることにより、ダミー導体による樹脂積層体３の収縮応力の緩和量が増大するため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離、および、積層配線基板１ｅの反りをさらに低減することができる。
【００９４】
＜第７実施形態＞
本発明の第７実施形態にかかる積層配線基板１ｆについて、図９を参照して説明する。なお、図９は積層配線基板１ｆの断面図である。また、図９では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００９５】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｆが、図５を参照して説明した第５実施形態の積層配線基板１ｄと異なるところは、図９に示すように、ダミービア導体１０ａの体積が、樹脂積層体３内に形成されたビア導体６ａ〜６ｄよりも大きく形成されていることである。その他の構成は、第５実施形態の積層配線基板１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００９６】
このようにすると、ダミービア導体１０ａの体積を、樹脂積層体３内の各ビア導体６ａ〜６ｄと同じに形成する場合と比較して、ダミービア導体１０ａによる樹脂積層体３の収縮応力緩和効果が向上するため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離、積層配線基板１ｆの反りおよび樹脂積層体３の平坦度が悪くなることに起因する樹脂積層体３内の面内導体７ａ，７ｂ１，７ｃの抵抗値の増大それぞれを低減することができる。
【００９７】
＜第８実施形態＞
本発明の第８実施形態にかかる積層配線基板１ｇについて、図１０を参照して説明する。なお、図１０は積層配線基板１ｇの断面図である。また、図１０では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【００９８】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｇが、図５を参照して説明した第５実施形態の積層配線基板１ｄと異なるところは、図１０に示すように、樹脂積層体３の平面視で面積が、セラミック積層体２よりも小さいことである。その他の構成は第５実施形態の積層配線基板１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００９９】
樹脂積層体３の収縮時において、樹脂積層体３とセミラック積層体２の界面剥離の基点となる該界面の周縁部に作用する収縮応力は、樹脂積層体３の平面視での面積が大きいほど高くなる。したがって、樹脂積層体３の平面視での面積をセラミック積層体２よりも小さくすることで、樹脂積層体３とセラミック積層体２の平面視での面積を等しく形成する場合と比較して、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離を低減することができる。
【０１００】
＜第９実施形態＞
本発明の第９実施形態にかかる積層配線基板１ｈについて、図１１を参照して説明する。なお、図１１は積層配線基板１ｈの断面図である。また、図１１では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【０１０１】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｈが、図５を参照して説明した第５実施形態の積層配線基板１ｄと異なるところは、図１１に示すように、樹脂積層体３の第２ビア導体６ｄと端面同士で接続されたセラミック積層体２のビア導体８ａ（本発明の「第１ビア導体」に相当し、以下、ビア導体８ａを第１ビア導体８ａと称する。）の下端面が、セラミック積層体２の内部に設けられた電極パッド１２に接続されていることである。その他の構成は、第５実施形態の積層配線基板１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【０１０２】
図５に示す第５実施形態の第１ビア導体８は、セラミック積層体２を貫通して形成されていたが、この実施形態では、第１ビア導体８ａの長さが短く形成されており、この第１ビア導体８ａの第２ビア導体６ｄと接続された端面と反対側の端面である下端面に、電極パッド１２が接続される。そして、電極パッド１２と下面側接続電極５と間であって、平面視で第１ビア導体８ａと重合する位置に配置された別のビア導体８ｂにより、電極パッド１２と下面側接続電極５とが接続される。このようにすると、電極パッド１２により、第１ビア導体８ａ、８ｂのセラミック積層体２への固着力が向上するため、図５のように第１ビア導体８がセラミック積層体２を貫通して形成されていた場合と比べて、セラミック積層体２の反りをより低減することができる。
【０１０３】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態では、各積層配線基板１，１ａ〜１ｈを、セラミック積層体２と、該セラミック積層体２の上面に積層された樹脂積層体３とで構成した場合について説明したが、セラミック積層体２の上下面の両方に樹脂積層体３を配置する構成であってもかまわない。このようにすると、セラミック積層体２の上面側の樹脂積層体３の収縮応力が、下面側の樹脂積層体３の収縮応力で相殺されるため、積層配線基板の反りを低減することができる。
【０１０４】
また、上記した各実施形態の構成を組合わせて、積層配線基板を形成してもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
また、本発明は、セラミック積層体に樹脂積層体が積層されてなる種々の積層配線基板に適用することができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈ    積層配線基板
２                                                    セラミック積層体
２ａ                                                  セラミック層
３                                                    樹脂積層体
３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ                                樹脂絶縁層
４                                                    上面側接続電極
５                                                    下面側接続電極
６ｄ                                                  ビア導体（第２ビア導体）
７ａ，７ｂ，７ｂ１，７ｃ                              面内導体
８，８ａ                                              ビア導体（第１ビア導体）
９，９ｂ                                              ダミー電極パッド（ダミー導体）
１０ａ，１０ｂ                                        ダミービア導体（ダミー導体）
１２                                                  電極パッド
【図１】
2015102107.tif 000003
【図２】
2015102107.tif 000004
【図３】
2015102107.tif 000005
【図４】
2015102107.tif 000006
【図５】
2015102107.tif 000007
【図６】
2015102107.tif 000008
【図７】
2015102107.tif 000009
【図８】
2015102107.tif 000010
【図９】
2015102107.tif 000011
【図１０】
2015102107.tif 000012
【図１１】
2015102107.tif 000013
【図１２】
2015102107.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月5日(2016.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記ダミービア導体を複数備え、前記複数のダミービア導体のうち、少なくとも一対の前記ダミービア導体が、平面視で前記樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置されていてもよい。樹脂積層体が硬化収縮する場合、該樹脂積層体は、例えば平面視した場合に、その周縁から中心に向けて縮まろうとする。ここで、樹脂積層体を平面視したときに、各ダミービア導体を樹脂積層体の中心に対して偏った位置に配置すると、樹脂積層体の各ダミービア導体が配置された部分の収縮抑制量が、前記中心を基準として樹脂積層体の各ダミービア導体の配置箇所と逆側の部分の収縮抑制量よりも多くなる。そうすると、樹脂積層体内で収縮抑制量のアンバランスが生じて積層配線基板の反りが生じる。そこで、少なくとも一対のダミービア導体を、平面視で樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置することで、樹脂積層体の前記少なくとも一対のダミービア導体が配置された箇所において、収縮抑制量のバランスがよくなるため、積層配線基板の反りを低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、所定の前記ダミービア導体が、前記第２ビア導体の前記第１ビア導体に接続された端面と反対側の端面に接続されることにより、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体および前記所定のダミービア導体が平面視で重なる位置にそれぞれ配置されていてもよい。このようにすると、樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミービア導体が、セラミック積層体内に形成された第１ビア導体に支持されることになるため、ダミービア導体を、第２ビア導体とともに、樹脂積層体の収縮を妨げる支持体として機能させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記ダミー導体の体積が、前記第２ビア導体の体積よりも大きくてもかまわない。このようにすると、ダミー導体の体積を第２ビア導体と同じに形成する場合と比較して、ダミー導体による樹脂積層体の収縮応力緩和効果が向上するため、樹脂積層体とセラミック積層体の界面剥離、積層配線基板の反り、および、樹脂積層体の平坦度が悪くなることに起因する面内導体の抵抗値の増大を、それぞれ低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
セラミック積層体２を形成する各セラミック層２ａには、それぞれ、ホウケイ酸系ガラスを含有するセラミック（例えば、アルミナ）を主成分とする低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）から成るセラミックグリーンシートを用いることができる。また、各セラミック層２ａを形成するその他の材料としては、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）等、種々のセラミック材料を用いることもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
セラミック積層体２の下面に形成された各下面側接続電極５は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を含有する導電性ペーストを用いた印刷技術等により形成される。このとき、各下面側接続電極５の表面に、Ｎｉ／Ａｕめっきをさらに施すようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、セラミック積層体２上面に形成された面内導体７ｄ、および、その内部に形成された図示省略の面内導体は、各セラミック層２ａの主面に、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を含有する導電性ペーストを用いた印刷技術等により形成されている。なお、この実施形態では、面内導体７ｄおよび図示省略の面内導体が、Ａｇによりそれぞれ形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１中のセラミック積層体２の内部に形成されたビア導体８は、各セラミック層２ａそれぞれに形成されたビア素体の連続体から成り、各ビア素体は、例えば、セラミック層２ａにレーザ等を用いて形成した貫通孔に、印刷技術を用いて、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等のいずれかを含有する導電性ペーストを充填することにより形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、樹脂積層体３の上面に形成される各上面側接続電極４、樹脂積層体３の内部に形成される各面内導体７ａ〜７ｃおよび各ビア導体６ａ〜６ｄを形成する材料として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属のいずれかを用いることができる。各面内導体７ａ〜７ｃは、所定の樹脂絶縁層３ａ〜３ｄの主面に形成されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
そこで、この実施形態では、樹脂積層体３内における、面内導体７ａ〜７ｃやビア導体６ａ〜６ｄの非形成領域に、それぞれ積層配線基板１内の配線とは関係のない複数のダミー電極パッド９（本発明の「ダミー導体」に相当）が、樹脂積層体３の硬化時の収縮応力緩和用の電極として設けられている。このダミー電極パッド９は、樹脂積層体３内で前記残留応力が高い領域である平面視で樹脂積層体３の周縁部に配置される。なお、上記した各ダミー電極パッド９の配置箇所は一例であり、樹脂積層体３内の空きスペースであれば、適宜、変更可能である。また、その配置数も、適宜変更可能である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
まず、セラミック積層体２を準備する。このとき、セラミック積層体２は、個別に準備された各セラミック層２ａを所定の順序で積層し、この積層されたものを圧着・焼成して形成する。ここで、各セラミック層２ａに形成されるビア導体８の各ビア素体は、例えば、レーザ加工によりセラミック層２ａにビアホールを形成し、該ビアホールに印刷技術を用いて、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属を含有する導電性ペーストを充填することにより形成する。また、ビア素体を除くその他のビア導体も同様にして形成する。また、各セラミック層２ａの主面に形成される面内導体は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属（この実施形態ではＡｇ）を含有する導電性ペーストを用いた印刷技術により形成することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面に作用する応力が減少することで、積層配線基板１の反りが低減する。また、積層配線基板１の反りが低減することで、樹脂積層体３内に形成された面内導体７ａ〜７ｃの平坦性が向上するため、面内導体７ａ〜７ｃが湾曲することに起因した抵抗値の増大を低減することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
この場合、樹脂絶縁層３ｂにおいて、平面視でダミー電極パッド９に重なる位置に、ダミービア導体１０ａが設けられ、このダミービア導体１０ａの上端面がダミー電極パッド９に接続される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ダミー導体は、その体積が大きいほど、セラミック積層体２と樹脂積層体３の界面剥離、および、積層配線基板の反り低減効果が高い。したがって、ダミー導体を、ダミー電極パッド９およびダミービア導体１０ａで構成することにより、ダミー導体をダミー電極パッド９のみで構成する場合と比較して、容易にその体積を大きくすることができるため、前記界面剥離、および、積層配線基板の反り低減効果の向上を容易に実現できる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
この場合、樹脂積層体３の最下層の樹脂絶縁層３ｄに形成されたビア導体６ｄ、および、その一つ上の樹脂絶縁層３ｃに形成されたビア導体６ｃが、セラミック積層体２に形成されたビア導体８に、平面視で重なる位置にそれぞれ配置され、セラミック積層体２のビア導体８と最下層の樹脂絶縁層３ｄのビア導体６ｄの端面同士が接続される。また、樹脂絶縁層３ｃのビア導体６ｃと樹脂絶縁層３ｄのビア導体６ｄとが、面内導体７ｃを介して接続される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
このように構成すると、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面に、樹脂積層体３とセラミック積層体２との密着強度よりも高い、セラミック積層体２の第１ビア導体８と樹脂積層体３の第２ビア導体６ｄの接続部が形成されるため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面の密着強度が当該接続部により補強される。また、第１ビア導体８と第２ビア導体６ｄが強固に接続されることで、樹脂積層体３内の第２ビア導体６ｄが、樹脂積層体３の収縮を妨げる支持体のように機能するため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離を低減することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｄが、図４を参照して説明した第４実施形態の積層配線基板１ｃと異なるところは、図５に示すように、セラミック積層体２の第１ビア導体８と、樹脂積層体３の第２ビア導体６ｄと、第２ビア導体６ｄが形成された樹脂絶縁層３ｄの一つ上の樹脂絶縁層３ｃに形成されたビア導体６ｃと、ダミービア導体１０ａとが、平面視で重なる位置にそれぞれ配置されていることである。その他の構成は、第４実施形態の積層配線基板１ｃと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
したがって、この実施形態によれば、ダミービア導体１０ａが、第１ビア導体８および第２ビア導体６ｄそれぞれと平面視で重なる位置に配置され、第１ビア導体８と端面同士で接続された第２ビア導体６ｄに、ビア導体６ｃ等を介して接続される。このように構成することにより、ダミービア導体１０ａに、樹脂積層体３の収縮応力を緩和する機能に加え、第２ビア導体６ｄとともに樹脂積層体３の収縮を妨げる支持体としての機能を付与することができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
また、各ダミービア導体１０ａが、樹脂積層体３の周縁部にバランスよく配置（点対称配置）されるため、積層配線基板の反りを低減することができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
本発明の第６実施形態にかかる積層配線基板１ｅについて、図８を参照して説明する。なお、図８は積層配線基板１ｅの断面図である。また、図８では、本発明に関係する部分のみを図示し、その他の部分は図示省略している。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｅが、図５を参照して説明した第５実施形態の積層配線基板１ｄと異なるところは、図８に示すように、セラミック積層体２の第１ビア導体８に平面視で重なる位置に配置されたダミービア導体１０ａとは異なる他のダミービア導体１０ｂがさらに設けられていることである。その他の構成は第５実施形態の積層配線基板１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
この場合、ダミービア導体１０ａの下端面が接続された面内導体７ｂ１に、他のダミービア導体１０ｂがさらに接続されている。この実施形態では、ダミービア導体１０ｂが、面内導体７ｂ１の上下に１つずつ設けられており、両ダミービア導体１０ｂが、平面視で重なる位置に配置されている。また、両ダミービア導体１０ｂは、面内導体７ｂ１に接続された端面と反対側の端面が、ダミー電極パッド９ｂにそれぞれ接続されており、ダミービア導体１０ｂとダミー電極パッド９ｂとによりダミー導体がそれぞれ構成されている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
このように面内導体７ｂ１に樹脂積層体３の収縮応力緩和用のダミー導体が、複数接続されることにより、ダミー導体による樹脂積層体３の収縮応力の緩和量が増大するため、樹脂積層体３とセラミック積層体２の界面剥離、および、積層配線基板の反りをさらに低減することができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
この実施形態にかかる積層配線基板１ｇが、図５を参照して説明した第５実施形態の積層配線基板１ｄと異なるところは、図１０に示すように、樹脂積層体３の平面視での面積が、セラミック積層体２よりも小さいことである。その他の構成は第５実施形態の積層配線基板１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図５に示す第５実施形態の第１ビア導体８は、セラミック積層体２を貫通して形成されていたが、この実施形態では、第１ビア導体８ａの長さが短く形成されており、この第１ビア導体８ａの第２ビア導体６ｄと接続された端面と反対側の端面である下端面に、電極パッド１２が接続される。そして、電極パッド１２と下面側接続電極５との間であって、平面視で第１ビア導体８ａと重なる位置に配置された別のビア導体８ｂにより、電極パッド１２と下面側接続電極５とが接続される。このようにすると、電極パッド１２により、第１ビア導体８ａ、８ｂのセラミック積層体２への固着力が向上するため、図５のように第１ビア導体８がセラミック積層体２を貫通して形成されていた場合と比べて、セラミック積層体２の反りをより低減することができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層が積層されて成るセラミック積層体と、
複数の樹脂絶縁層が積層されて成り、前記セラミック積層体に積層された樹脂積層体とを備え、
前記樹脂積層体内に、前記樹脂積層体の収縮応力緩和用のダミー導体が設けられていることを特徴とする積層配線基板。
【請求項２】
前記ダミー導体は、平面視で前記樹脂積層体の周縁部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の積層配線基板。
【請求項３】
前記ダミー導体は、ダミービア導体であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層配線基板。
【請求項４】
前記ダミービア導体を複数備え、
前記複数のダミービア導体のうち、少なくとも一対の前記ダミービア導体が、平面視で前記樹脂積層体の中心に対して点対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の積層配線基板。
【請求項５】
前記樹脂積層体は、平面視で矩形状を有し、
平面視において、前記樹脂積層体の四隅部それぞれに前記ダミービア導体が配置されていることを特徴とする請求項４に記載の積層配線基板。
【請求項６】
前記樹脂積層体内に形成された面内導体をさらに備え、
前記ダミービア導体が、前記面内導体に接続されていることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項７】
前記ダミービア導体と異なる他のダミービア導体をさらに備え、
前記面内導体に、前記他のダミービア導体が接続されていることを特徴とする請求項６に記載の積層配線基板。
【請求項８】
前記セラミック積層体内に設けられた第１ビア導体と、
前記樹脂積層体内に設けられた第２ビア導体とをさらに備え、
前記第１ビア導体と第２ビア導体の端面同士が接続されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項９】
前記第１ビア導体と前記第２ビア導体との接続部が、平面視で前記樹脂積層体の周縁部に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の積層配線基板。
【請求項１０】
所定の前記ダミービア導体が、前記第２ビア導体の前記第１ビア導体に接続された端面と反対側の端面に接続されることにより、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体および前記所定のダミービア導体が平面視で重なる位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項８または９に記載の積層配線基板。
【請求項１１】
前記第１ビア導体の前記第２ビア導体に接続される端面と反対側の端面が、前記セラミック積層体内に設けられた電極パッドに接続されていることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１２】
前記ダミー導体の体積が、前記第２ビア導体の体積よりも大きいことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１３】
前記樹脂積層体の平面視での面積が、前記セラミック積層体の平面視での面積よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１４】
前記ダミービア導体の両端面のうちの少なくとも一方が、前記樹脂積層体内に設けられた電極パッドに接続されていることを特徴とする請求項３ないし１３のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１５】
前記複数のセラミック層それぞれは、ホウケイ酸系ガラスを含有するセラミックを主成分とするセラミックグリーンシートで形成されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１６】
前記セラミック積層体は、前記セラミック層の焼成時の収縮を抑制する収縮抑制層をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１７】
前記樹脂積層体の上面に形成された複数の上面側接続電極と、前記複数の上面側接続電極に対応して設けられ、対応する前記上面側接続電極にそれぞれ接続された複数の下面側接続電極とをさらに備え、
隣接する前記下面側接続電極間のピッチが、隣接する前記上面側接続電極間のピッチよりも広くなるように、前記セラミック積層体および前記樹脂積層体内の配線構造が形成されていることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれかに記載の積層配線基板。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれかに記載の積層配線基板を備え、半導体を検査することを特徴とする検査装置。
【国際調査報告】
2015102107.tif 000015
2015102107.tif 000016
2015102107.tif 000017
2015102107.tif 000018