(57)【要約】  表示装置（１）の製造方法において、基板（１０）の上方に第１の電極層（１２）を形成する工程と、第１の電極層（１２）の上方に平坦化膜（１４）を形成する工程と、平坦化膜（１４）にコンタクトホールを形成する工程と、平坦化膜（１４）およびコンタクトホールの上方に第２の電極層（１６）を形成する工程と、第２の電極層（１６）の上方に発光層（２０）を形成する工程と、発光層（２０）の上方に上部電極層（２６）を形成する工程と、コンタクトホールにおいて第１の電極層（１２）と第２の電極層（１６）とが接触していない画素において、基板（１０）側からコンタクトホール以外の位置の第１の電極層（１２）にレーザー光を照射して、レーザー光を照射した位置の第１の電極層（１２）を第２の電極層（１６）に接続する工程とを含む。
2015111119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層の上方に平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に第２の電極層を形成する工程と、
前記第２の電極層の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に上部電極層を形成する工程と、
前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素において、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射して、前記レーザー光を照射した位置の前記第１の電極層を前記第２の電極層に接続する工程とを含む
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射する前に、さらに、前記基板側と反対側から前記発光層または前記上部電極層にレーザー光を照射する工程を含む
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を形成する工程を含む
請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程において、前記第１の電極層の端部にレーザー光を照射する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程の前に、さらに、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素を検出する工程を含む
請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に形成された第１の電極層と、
前記第１の電極層の上方に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールと、
前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に形成された第２の電極層と、
前記第２の電極層の上方に形成された発光層とを備え、
前記第２の電極層は、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と接触しておらず、
前記第１の電極層は、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射されることにより、前記レーザー光を照射された位置において前記第２の電極層と接続されている
表示装置。
【請求項７】
前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を備える
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の電極層は、前記第１の電極層の端部が前記第２の電極層と接続されている
請求項６または７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機材料のＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する）素子を有する有機ＥＬディスプレイ装置に関する技術が進歩しつつある。従来、有機ＥＬディスプレイ装置において、製造工程で、有機ＥＬ素子の陽極または陰極と、当該陰極または陽極と接続されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）配線とのコンタクト部分に異物が付着することで不良が発生し、常に滅点表示となる滅点画素が発生することがある。この場合、不良箇所にレーザー光を照射することで不良をリペア（解消）するという方式が採られている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
特許文献１では、有機ＥＬ素子に付着した導電性の異物を検出し、この異物の周辺領域の有機層にレーザー照射を行う。これにより、異物が付着した有機ＥＬ素子の陽極と陰極との間の有機層を絶縁化し、高抵抗領域を形成して、異物による陽極と陰極の短絡を解消している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２７８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１にかかる技術は、有機ＥＬ素子の陽極と陰極との短絡不良をレーザー光の照射により解消する技術であり、表示画面側すなわち画素の表面側からレーザー光を照射するため、レーザー光が照射された領域がダメージを受け破壊されるおそれがある。また、絶縁不良箇所を覆うように表示画面側に隔壁が設けられている場合、表示画面側からレーザー光を照射しても、レーザー光が絶縁不良箇所に照射されず、不良を解消することは困難である。【０００６】
上記課題に鑑み、本発明は、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板の上方に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層の上方に平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層の上方に発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に上部電極層を形成する工程と、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素において、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射して、前記レーザー光を照射した位置の前記第１の電極層を前記第２の電極層に接続する工程とを含む。【０００８】
また、上記の目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、基板上に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールと、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に形成された第２の電極層と、前記第２の電極層の上方に形成された発光層とを備え、前記第２の電極層は、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と接触しておらず、前記第１の電極層は、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射されることにより、前記レーザー光を照射された位置において前記第２の電極層と接続されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施の形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係る表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】図４は、本実施の形態におけるレーザー光の照射位置を示す平面図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る表示装置のリペア方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、有機ＥＬ素子を備えたテレビシステムの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る表示装置および表示装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明するが、本発明は、請求の範囲の記載に基づいて特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、請求項に記載されていない構成要素は、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
【００１２】
（実施の形態）
本発明の実施の形態に係る表示装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る表示装置を示す断面図である。
【００１３】
図１に示すように、本実施の形態にかかる表示装置１は、基板１０と、基板１０上に形成されたＴＦＴ電極層１２と、ＴＦＴ電極層１２の上方に形成された平坦化膜１４と、平坦化膜１４の上方に形成されたＥＬ電極層１６と、ＥＬ電極層１６の上方に形成された発光層２０とを備え、ＴＦＴ電極層１２は、基板１０側からレーザー光が照射されることにより変形され、ＥＬ電極層１６と接続されている。したがって、ＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とを、本来のコンタクト部２２以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
【００１４】
基板１０は、例えば、駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むシリコン基板で構成されている。
【００１５】
基板１０の上には、ＴＦＴ電極層１２が形成されている。ＴＦＴ電極層１２は、例えば銅（Ｃｕ）で構成され、パターニングにより所望の配線形状をなすように形成されている。なお、ＴＦＴ電極層１２は、銅に限らずその他の導電性のよい材料で形成されてもよい。なお、ＴＦＴ電極層１２は、本開示にかかる第１の電極層に相当する。
【００１６】
基板１０およびＴＦＴ電極層１２の上方には、平坦化膜１４が形成されている。平坦化膜１４は、一例として、絶縁性を有する有機材料で構成されている。また、平坦化膜１４の一部には、ＴＦＴ電極層１２を底面とする凹部が形成され、上述したＴＦＴ電極層１２と後に平坦化膜１４の上に形成されるＥＬ電極層１６とを電気的に接続するためのコンタクト部２２が設けられている。
【００１７】
平坦化膜１４の上には、ＥＬ電極層１６が形成されている。ＥＬ電極層１６は、正孔が供給される、つまり、外部回路から電流が流れ込むアノードである。ＥＬ電極層１６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、あるいは銀合金ＡＰＣなどからなる反射電極が積層された構造となっている。なお、ＥＬ電極層１６は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）と銀合金ＡＰＣなどからなる２層構造であってもよい。なお、ＥＬ電極層１６は、本開示における第２の電極層に相当する。
【００１８】
ここで、ＴＦＴ電極層１２と電極層１６とを電気的に接続するためのコンタクト部２２には、コンタクト不良部分２４が形成されている。このコンタクト不良部分２４は、例えば、製造工程において、材料の特性等によりコンタクト部２２に異物が混入したり、平坦化膜１４に設けられる凹部の掘削が不十分であったりすることで生じる。これにより、ＴＦＴ電極層１２と電極層１６とは電気的に接続しておらず、絶縁不良が生じている。
【００１９】
そこで、図１に示すように、ＴＦＴ電極層１２の端部１２ａにレーザー光を照射することで、端部１２ａは、ＥＬ電極層１６側へ折れ曲がるように変形されている。これにより、ＴＦＴ電極層１２は、端部１２ａにおいてＥＬ電極層１６と電気的に接続されている。なお、レーザー光の照射については、後に詳述する。
【００２０】
また、ＥＬ電極層１６の上方には、隔壁１８および発光層２０が形成されている。
【００２１】
隔壁１８は、発光層２０を複数の発光領域に分離するための壁であり、隔壁１８により隣接する画素が分離されている。隔壁１８は、例えば、表面感光性の樹脂で構成されている。
【００２２】
発光層２０は、ＥＬ電極層１６と、発光層２０の上方に形成される陰極（図示せず）との間に電圧が印加されることにより発光する層である。発光層２０は、例えば、下層としてのα−ＮＰＤ（Ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）と、上層としてのＡｌｑ３（ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）とが積層された構造となっている。
【００２３】
なお、発光層２０は、有機ＥＬで構成される層に加えて、正孔輸送層と、正孔注入層と、電子輸送層と、電子注入層の少なくともいずれかを有する構成であってもよい。
【００２４】
発光層２０の上方には、カソードである上部電極層２６が形成されている。さらに、上部電極層２６の上方には、図示を省略した薄膜封止層、透明ガラス、カラーフィルタ等が形成されている。
【００２５】
薄膜封止層は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）からなり、上記した発光層２０や上部電極層２６を水蒸気や酸素から遮断する機能を有する。発光層２０そのものや上部電極層２６が、水蒸気や酸素にさらされることにより劣化（酸化）してしまうことを防止するためである。
【００２６】
封止用樹脂層は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂であり、上記した基板上に形成された平坦化膜１４から薄膜封止層までの一体形成された層と、透明ガラスとを接合する機能を有する。
【００２７】
上記したＥＬ電極層１６、発光層２０、上部電極層２６の構成は、表示装置１における有機ＥＬ素子の基本構成である。このような構成により、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６との間に適当な電圧が印加されると、ＥＬ電極層１６側から正孔、上部電極層２６側から電子がそれぞれ発光層２０に注入される。これらの注入された正孔および電子が発光層２０で再結合して生じるエネルギーにより、発光層２０の発光材料は励起され発光する。
【００２８】
次に、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図２および図３は、本実施の形態に係る表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図４は、本実施の形態におけるレーザー光の照射位置を示す平面図である。図５は、本実施の形態に係る表示装置のリペア方法を示すフローチャートである。なお、図４は、表示装置１を基板１０側から見たときの平面図であるが、基板１０の図示を省略している。
【００２９】
本実施の形態に係る表示装置１は、以下のようにして製造される。
【００３０】
はじめに、図２に示すように、ＴＦＴを含む基板１０の上に、ＴＦＴ電極層１２が形成される。ＴＦＴ電極層１２は、例えば、スパッタリング法により基板１０上にＣｕが成膜され、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。
【００３１】
次に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜１４が形成され、その後、平坦化膜１４上にＥＬ電極層１６が形成される。
【００３２】
ＥＬ電極層１６は、例えば、スパッタリング法により平坦化膜１４上にＡｌが成膜され、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。
【００３３】
発光層２０は、平坦化膜１４およびＥＬ電極層１６の上方に、例えば、真空蒸着法によりα−ＮＰＤ、Ａｌｑ３が積層されることにより形成される。
【００３４】
続けて、上部電極層２６が形成される。具体的には、上部電極層２６は、発光層２０の上方に、スパッタリング法によりＩＴＯが積層されることにより形成される。このとき、上部電極層２６は、アモルファス状態になっている。
【００３５】
上記のような製造工程により、表示装置１において有機ＥＬ素子は発光素子としての機能を有する構成となる。なお、ＥＬ電極層１６の形成工程と発光層２０（正孔注入層を有する構造の場合は正孔注入層）の形成工程との間に、表面感光性樹脂からなる隔壁１８が所定位置に形成される。これにより、隔壁１８により隣接する画素が分離される。
【００３６】
さらに、上部電極層２６の上に、保護膜として薄膜封止層、封止用樹脂層、透明ガラス等が形成される。例えば、薄膜封止層は、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素が積層されることにより形成される。最後に、透明ガラスが上面側から下方に加圧され、熱またはエネルギー線が付加されて封止用樹脂層が硬化され、透明ガラスと薄膜封止層とが接着される。
【００３７】
このような形成方法により、図２に示す表示装置１が形成される。
【００３８】
なお、ＴＦＴ電極層１２、平坦化膜１４、ＥＬ電極層１６、発光層２０の形成工程は、本実施の形態により限定されるものではない。
【００３９】
さらに、上記した製造工程において、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６が短絡不良を生じている場合には、短絡不良を生じている画素が滅点を有する滅点画素となる。また、ＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とが絶縁不良を生じている場合には、絶縁不良を生じている画素が滅点を有する滅点画素となる。そこで、滅点画素については、レーザーリペアにより絶縁不良が解消される。
【００４０】
以下、上述した方法で製造された表示装置において滅点画素があった場合の、表示装置のリペア方法について説明する。
【００４１】
図５に示すように、はじめに、点灯画像検査による滅点画素の検出が行われる（ステップＳ１０）。滅点画素の検出は、例えば、各画素に中間輝度階調に対応した輝度信号電圧を入力することにより、正常画素の発光輝度に比べて低輝度の画素を、輝度測定装置若しくは目視により検出することにより行われる。なお、滅点画素の検出は、上記した方法に限らず、例えば、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６との間に流れる電流値を測定し、電流値の大きさに基づいて検出してもよい。また、滅点画素の検出は目視で行ってもよいし、カメラにより撮影された画像から検出してもよい。
【００４２】
次に、パネル表面側からの滅点画素のリペアを行う（ステップＳ１２）。すなわち、ステップＳ１０において検出された滅点画素に、図２に示す発光層２０または隔壁１８側から、発光層２０または上部電極層２６にレーザー光を照射する。例えば、短絡不良による滅点画素の場合に、短絡箇所を囲むように有機ＥＬ素子の発光層２０または発光層２０の上方に形成された上部電極層２６にレーザー光を照射する。これにより、有機ＥＬ素子の発光層２０または上部電極層２６が高抵抗化され、短絡不良が解消する。よって、滅点画素は点灯することとなる。
【００４３】
なお、このときレーザーリペアに使用されるレーザーは、例えば、超短パルスレーザーである。超短パルスレーザーとは、パルス幅が数ピコ秒から数フェムト秒のパルス幅であるレーザーのことをいい、具体的には、１００ｆｓ〜２０ｐｓのパルス幅であることが好ましい。一例として、本実施の形態では、パルス幅が８００ｆｓの超短パルスレーザー（一般にフェムト秒レーザーとも称される）を使用している。また、レーザーの波長は、一例として、９００〜２５００ｎｍ、出力エネルギーは１〜５０μＪである。
【００４４】
レーザーは、例えば、短絡した位置、または、短絡した位置の上部電極層２６において、異物を囲む四方（４辺）に照射される。これにより、レーザーを照射された上部電極層２６の一部を構成するＩＴＯと、隣接する機能層の構成材料（電子輸送層、電子注入層等）および薄膜封止層の構成材料（樹脂等）の少なくとも一方が混在した高抵抗化領域が形成される。これにより、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６との短絡不良が解消される。
【００４５】
なお、レーザー光の種類および照射条件は、上述したものに限らず、適宜変更してもよい。また、レーザー光の照射位置は、短絡箇所を囲むように照射することに限らず、配線の一部にレーザー光を照射して配線を切断する方法であってもよい。
【００４６】
その後、ステップＳ１０に示したときと同様に再び全ての画素を点灯させ、点灯画像検査による滅点画素の抽出を行う（ステップＳ１４）。これにより、短絡不良を原因とする滅点画素だけでなく、絶縁不良を原因とする滅点画素を検出することができる。
【００４７】
このとき、滅点画素が検出されない場合には（ステップＳ１６において「なし」）、滅点画素のリペアは成功したものとしてリペア処理を終了する。
【００４８】
また、再度滅点画素が検出された場合には（ステップＳ１６において「あり」）、当該滅点画素は絶縁不良を原因とする滅点画素であると考えられる。したがって、滅点画素に基板１０側からレーザー光を照射してリペア処理を行う（ステップＳ１８）。具体的には、図３および図４に示すように、基板１０側からＴＦＴ電極層１２の端部１２ａにレーザー光を照射することにより、ＴＦＴ電極層１２の端部１２ａをＥＬ電極層１６側に折れ曲がるように変形させる。これにより、当該接触した部分においてＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とが電気的に接続されるので、短絡不良による滅点画素に加えて、さらに絶縁不良による滅点画素を解消することができる。また、ＴＦＴ電極層１２の端部１２ａにレーザー光を照射することにより、当該端部を容易にＥＬ電極層１６側に変形させることができる。
【００４９】
なお、レーザー光の照射位置は、端部１２ａに限らず、ＴＦＴ電極層１２の他の部分であってもよい。例えば、図４に示すように、ＴＦＴ電極層１２の中央部１２ｂにレーザー光を照射してもよい。
【００５０】
また、このときのレーザー光の種類は、例えば、ＹＡＧレーザー、短パルスレーザーまたは赤外レーザーなどであってもよい。また、赤色のレーザーに限らず緑色のレーザーであってもよい。なお、物体を透過しやすい赤外レーザーを用いることが好ましい。
【００５１】
その後、再び全ての画素を点灯させ、点灯画像検査による滅点画素の抽出を行う（ステップＳ２０）。このとき、滅点画素が検出されない場合には（ステップＳ２２において「なし」）、滅点画素のリペアは成功したものとしてリペア処理を終了する。
【００５２】
また、再度滅点画素が検出された場合には（ステップＳ２２において「あり」）、当該滅点画素はリペア不能な画素であるとして、リペアＮＧ処理を行う（ステップＳ２４）。具体的には、不良画素であるとして、使用しないものとする。
【００５３】
以上、本実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法によると、絶縁不良による滅点画素が生じた場合に、ＴＦＴ電極層１２にレーザー光を照射することによりＴＦＴ電極層１２をＥＬ電極層１６側に折れ曲がるように変形させて接続させる。したがって、ＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とを、本来のコンタクト部２２以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
【００５４】
以上のように、本開示の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板の上方に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層の上方に平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層の上方に発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に上部電極層を形成する工程と、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素において、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射して、前記レーザー光を照射した位置の前記第１の電極層を前記第２の電極層に接続する工程とを含む。
【００５５】
この構成によれば、第１の電極層と第２の電極層とを、本来のコンタクト部以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
【００５６】
また、前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射する前に、さらに、前記基板側と反対側から前記発光層または前記上部電極層にレーザー光を照射する工程を含むとしてもよい。
【００５７】
この構成によれば、当該接触した部分において第１の電極層と第２の電極層とが電気的に接続されるので、短絡不良による滅点画素に加えて、さらに絶縁不良による滅点画素を解消することができる。
【００５８】
また、前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を形成する工程を含むとしてもよい。
【００５９】
この構成によれば、隔壁により隣接する画素を分離することができる。
【００６０】
また、前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程において、前記第１の電極層の端部にレーザー光を照射するとしてもよい。
【００６１】
この構成によれば、第１の電極層の端部にレーザー光を照射することにより、当該端部を容易に第２の電極層側に変形させることができる。
【００６２】
また、前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程の前に、さらに、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素を検出する工程を含むとしてもよい。
【００６３】
この構成によれば、短絡不良を原因とする滅点画素だけでなく、絶縁不良を原因とする滅点画素を検出することができる。
【００６４】
また、本開示の一態様に係る表示装置は、基板上に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールと、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に形成された第２の電極層と、前記第２の電極層の上方に形成された発光層とを備え、前記第２の電極層は、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と接触しておらず、前記第１の電極層は、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射されることにより、前記レーザー光を照射された位置において前記第２の電極層と接続されている。
【００６５】
この構成によれば、第１の電極層と第２の電極層とを、本来のコンタクト部以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
【００６６】
また、前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を備えるとしてもよい。
【００６７】
この構成によれば、隔壁により隣接する画素を分離することができる。
【００６８】
また、前記第１の電極層は、前記第１の電極層の端部が前記第２の電極層と接続されているとしてもよい。
【００６９】
この構成によれば、第１の電極層の端部にレーザー光を照射することにより、当該端部を容易に第２の電極層側に変形させることができる。
【００７０】
（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
【００７１】
そこで、以下、他の実施の形態をまとめて説明する。
【００７２】
例えば、上記した実施の形態では、第１の電極層の端部にレーザー光を照射しているが、レーザー光を照射する位置はコンタクト部以外の部分であればよく、例えば第１の電極層の中央部にレーザー光を照射してもよい。
【００７３】
また、発光層は、有機ＥＬで構成される層に加えて、正孔輸送層と、正孔注入層と、電子輸送層と、電子注入層の少なくともいずれかを有する構成であってもよい。
【００７４】
また、レーザー光の種類は、例えば、ＹＡＧレーザー、短パルスレーザーまたは赤外レーザーなどであってもよい。また、赤色のレーザーに限らず緑色のレーザーであってもよい。なお、物体を透過しやすい赤外レーザーを用いることが好ましい。
【００７５】
また、本実施の形態では、有機ＥＬ表示装置等に利用される電子デバイスについて説明したが、液晶電子デバイス等、アクティブマトリクス基板が用いられる他の電子デバイス、表示パネル、モバイル端末用パネルのマザー基板等にも適用することができる。特に、このように構成される電子デバイスについては、フラットパネルディスプレイとして利用することができ、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などのあらゆる表示パネルを有する電子機器に適用することができる。
【００７６】
また、例えば、本発明に係る表示装置は、図６に記載されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。本発明に係る表示装置が内蔵されることにより、映像信号を反映した高精度な画像表示が可能な薄型フラットＴＶが実現される。
【００７７】
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明に係る表示装置は、薄型テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のモバイル表示装置等に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００７９】
１  表示装置
１０  基板
１２  ＴＦＴ電極層（第１の電極層）
１２ａ  端部（第１の電極層）
１２ｂ  中央部（第１の電極層）
１４  平坦化膜
１６  ＥＬ電極層（第２の電極層）
１８  隔壁
２０  発光層
２２  コンタクト部
２４  コンタクト不良部分
２６  上部電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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