(57)【要約】  【課題】  絶縁破壊電圧を高めることのできる積層セラミックコンデンサを提供する。  【解決手段】  誘電体セラミック層５と内部電極層７とを交互に積層して構成された有効誘電体部９と、該有効誘電体部９の上下面に設けられたセラミック製のカバー層１１とを有しており、カバー層１１はセラミック粒子１３を主体として含み、ガラス粒子１５を有しており、ガラス粒子１５の一部はセラミック粒子１３間に形成された空隙１７内に存在している。【選択図】  図１
2016084876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミック層と内部電極層とを交互に積層して構成された有効誘電体部と、該有効誘電体部の上下面に設けられたカバー層とを有する積層セラミックコンデンサであって、
前記カバー層はセラミック粒子を主体として含むとともに、ガラス粒子を含んでおり、該ガラス粒子の一部は前記セラミック粒子間に形成された空隙内に存在していることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記ガラス粒子の平均粒径が２００〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子の存在していない前記空隙と前記ガラス粒子の存在している前記空隙との合計面積に対する前記ガラス粒子の存在している前記空隙の面積の比率が単位面積当たりで８０％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記カバー層の縦断面において、前記セラミック粒子の平均粒径をＤ１とし、前記ガラス粒子の平均粒径をＤ２としたときに、Ｄ２／Ｄ１が０．５〜２であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子は前記セラミック粒子よりもアスペクト比が大きいことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子の存在していない前記空隙の面積の比率が単位面積当たりで４％以下であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子の存在している前記空隙の面積の比率が単位面積当たりで１７〜３９％であることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図２（ａ）は、一般的な積層セラミックコンデンサを模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｄ）は、（ａ）におけるカバー層付近（Ａ部）を拡大した概略断面図である。【０００３】
積層セラミックコンデンサ１００は、静電容量を発現する容量部１０１と、容量部１０１の両端部に設けられた外部電極１０３とから構成されている。【０００４】
容量部１０１は、誘電体セラミック層１０５と内部電極層１０７とが交互に積層され構成された有効誘電体部１０９と、有効誘電体部１０９の上下面に設けられ、誘電体セラミック層１０５と同様の主成分を含むカバー層１１１とを備えた構成となっている。【０００５】
近年、積層セラミックコンデンサは、携帯情報機器の小型化および高性能化に伴い、ますます小型化および高容量化が求められている。【０００６】
この目的のために、積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層１０５の薄層化や誘電体材料の高誘電率化が検討されているが、この他に、容量部１０１を構成するカバー層１１１の厚みを薄くして有効誘電体部１０９の体積比率を大きくすることも試みられている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１２９８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
積層セラミックコンデンサは、電圧が印加されると、容量部１０１が積層方向に伸びる電歪効果が発生するが、通常、有効誘電体部１０９の周囲に設けられているカバー層１１１は有効誘電体部１０９に比較して内部電極層１０７を有していない分、焼結性が低く、カバー層１１１内のセラミック粒子１１３間に多くの空隙１１５を有している。【０００９】
カバー層１１１がこのような磁器組織を有していることから、カバー層１１１の厚みが薄い場合には、有効誘電体部１０９の電歪効果による積層方向の伸びを抑える力が弱くなり、有効誘電体部１０９の歪が大きくなる。【００１０】
有効誘電体部１０９の歪が大きくなると、有効誘電体部１０９内の歪みが集中した部分に電界が集中するようになり、その結果、積層セラミックコンデンサは絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低くなってしまう。【００１１】
従って、本発明の目的は、絶縁破壊電圧を高めることのできる積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層と内部電極層とを交互に積層して構成された有効誘電体部と、該有効誘電体部の上下面に設けられたカバー層とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記カバー層はセラミック粒子を主体として含むとともに、ガラス粒子を含んでおり、該ガラス粒子の一部は前記セラミック粒子間に形成された空隙内に存在しているものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、積層セラミックコンデンサの絶縁破壊電圧を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は、本発明の積層セラミックコンデンサの一実施形態を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。（ｄ）は、（ａ）におけるカバー層付近（Ａ部）を拡大した概略断面図である。
【図２】（ａ）は、従来の積層セラミックコンデンサを模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。（ｄ）は、（ａ）におけるカバー層付近（Ａ部）を拡大した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１（ａ）は、本発明の積層セラミックコンデンサの一実施形態を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。（ｄ）は、（ａ）におけるカバー層付近（Ａ部）を拡大した概略断面図である。
【００１６】
本実施形態の積層セラミックコンデンサは、静電容量の発現に寄与する部位である容量部１と、容量部１の対向する両端部に設けられた外部電極３とを有している。
【００１７】
容量部１は、誘電体セラミック層５と内部電極層７とを交互に積層して構成された有効誘電体部９と、有効誘電体部９の上下面に設けられたセラミック製のカバー層１１とを備えている。
【００１８】
カバー層１１は、セラミック粒子１３を主体として含むとともに、ガラス粒子１５を含んでおり、カバー層１１の断面においてガラス粒子１５の一部はセラミック粒子１３間に形成された空隙１７内に存在している。この場合、ガラス粒子１５は、カバー層１１を断面視したときに、空隙１７内に丁度嵌った状態である。
【００１９】
本実施形態の積層セラミックコンデンサによれば、カバー層１１内に含まれるガラス成分がガラス粒子１５として、カバー層１１の内部に形成された空隙１７内に存在していることから、カバー層１１に多くの空隙１７を有する従来構造のカバー層よりも機械的強度を高めることができる。
【００２０】
これにより、積層セラミックコンデンサに電圧が印加されて、有効誘電体部９に電歪効果が発生した場合にも有効誘電体部９の積層方向への伸びを抑えることができる。
【００２１】
こうして、有効誘電体部９に発生する歪が小さくなり、有効誘電体部９内で電界が集中し難くなり、その結果、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００２２】
また、この積層セラミックコンデンサはカバー層１１が緻密であることから耐湿負荷試験による寿命を高めることもできる。
【００２３】
ここで、空隙１７とは、２個のセラミック粒子１３間に形成される二面間粒界や３個のセラミック粒子１３間に形成される三重点粒界の空隙とは異なり、これよりも多い数のセラミック粒子１３に囲まれて形成されている空隙１７のことを言い、輪郭が四角形状以上の多角形あるいは円形状となっているものを言う。
【００２４】
そして、ガラス粒子１５は、このような形状を有する空隙１７の輪郭の内側に存在し、カバー層１１の内部に形成された空隙１７の内壁と少なくともガラス粒子１５の一部の表面同士が焼結した状態にある。言い換えると、カバー層１１を構成しているガラス粒子１５は粒子状を成し、空隙１７を埋めるように存在している。ここで、ガラス粒子１５とは、ガラス（非晶質）状のものだけでなく、酸化ケイ素を主成分とするものであれば、結晶質のものも含まれることを意味する。
【００２５】
カバー層１１が設けられた有効誘電体部９の上下面とは、有効誘電体部９の積層方向の上面側および下面側のことである。また、セラミック粒子１３を主体として含むとは、有効誘電体部９を占めるセラミック粒子１３の体積比率が８０％以上であるものを言う。セラミック粒子１３の体積比率は、有効誘電体部９の断面写真を用いて得られるセラミック粒子１３の面積の比率を対応させて求める。この場合、セラミック粒子１３の面積の比率を求めたときにも、その比率は８０％以上となるものに対応する。
【００２６】
本実施形態の積層セラミックコンデンサでは、ガラス粒子１５の平均粒径は、絶縁破壊電圧を高められるという点で２００〜５００ｎｍであることが望ましい。
【００２７】
また、この積層セラミックコンデンサでは、カバー層１１の縦断面において、セラミック粒子１３の平均粒径をＤ１とし、ガラス粒子１５の平均粒径をＤ２としたときに、Ｄ２／Ｄ１が０．５〜２であることが望ましい。カバー層１１内において、ガラス粒子１５のサイズがセラミック粒子１３と同等になることから、カバー層１１中に形成されている空隙１７のサイズにほぼ等しいものとなり、これにより空隙率が低くなり、その結果、絶縁破壊電圧とともに耐湿性をさらに高めることができる。
【００２８】
さらに、このカバー層１１の縦断面において、ガラス粒子１５はセラミック粒子１３よりもアスペクト比が大きいことが望ましい。ガラス粒子１５が細長い形状であることによってカバー層１１に亀裂が発生した場合にも亀裂の進展を抑えることができる。これによりカバー層１１の機械的強度が向上し、絶縁破壊電圧をさらに高めることができる。この場合、アスペクト比が大きいとは、ガラス粒子１５のアスペクト比とセラミック粒子１３のアスペクト比との差が０．２以上である場合を言い、その差が０．１以下の場合には同等とする。
【００２９】
カバー層１１中に含まれるガラス粒子１５の平均粒径は、積層セラミックコンデンサの断面観察によって得られた写真を解析して求める。この場合、カバー層１１を観察した写真の領域において、空隙１７の開口部にガラス粒子１５が露出している箇所について、空隙１７の輪郭の面積を求め、求めた面積を円に換算し、求めた直径を粒径とする。これを撮影した写真の所定の範囲内に存在する複数個のガラス粒子１５について測定し、平均値を求める。セラミック粒子１３の平均粒径についても同じ写真から同様の方法を用いて求める。
【００３０】
また、この積層セラミックコンデンサでは、カバー層１１の縦断面において、ガラス粒子１５の存在している空隙１７の面積の比率が、カバー層１１の縦断面において、単位面積当たりで１７〜３９％であることが望ましい。また、カバー層１１の縦断面におけるガラス粒子１５の存在していない空隙１７の面積の比率は単位面積当たりで４％以下であることが望ましい。ここで、空隙１７内にガラス粒子１５が存在しているか否かは、カバー層１１の一つの断面においてガラス粒子１５が存在しているか否かで判断する。
【００３１】
また、カバー層１１の空隙率（空隙１７の面積比率）と有効誘電体部９を構成する誘電体セラミック層５の空隙率（空隙１７の面積比率）との差が２％以下であることが望ましい。さらには、カバー層１１の縦断面において、ガラス粒子１５の存在していない空隙１７とガラス粒子１５の存在している空隙１７との合計面積に対するガラス粒子１５の存在している空隙１７の面積の比率は単位面積当たりで８０％以上であることが望ましい。ガラス粒子１５の存在している空隙１７の面積の比率とガラス粒子の存在していない空隙１７の面積の比率とを上記の範囲にすることにより積層セラミックコンデンサの絶縁破壊電圧と耐湿性（耐湿負荷特性）とをさらに向上させることができる。
【００３２】
本実施形態の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミック層５およびカバー層１１の材料としては、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛および二酸化チタン等から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物または複合酸化物が好ましい。これらの材料の熱膨張係数としては９×１０−６〜１１×１０−６／℃であるのが良い。
【００３３】
また、内部電極層７の材料としては、ニッケル、銅、パラジウムおよび銀から選ばれる１種の金属もしくはこれらの合金を適用することが好ましい。これらの金属の熱膨張係数としては１０×１０−６〜２０×１０−６／℃であることが望ましい。
【００３４】
また、本実施形態の積層セラミックコンデンサでは、内部電極層７の平均厚みは有効誘電体部９の積層方向の中央部よりもカバー層１１側に近いほど薄くなっていることが望ましい。カバー層１１側の内部電極層７の平均厚みが薄くなっていると、内部電極層７による熱膨張に起因した有効誘電体部９の積層方向への伸びをカバー層１１近傍で小さくすることができることから、有効誘電体部９に発生する歪をさらに小さくすることができる。これにより積層セラミックコンデンサの絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）をさらに高めることができる。
【００３５】
上述した構成を有する積層セラミックコンデンサとしては、誘電体セラミック層５の平均厚みが０．５〜３μｍ、内部電極層７の平均厚みが０．２〜２μｍであり、また、有効誘電体部９における内部電極層７の積層数が１００層以上、カバー層１１の厚みが有効誘電体部９の積層方向の厚みを１としたときに０．０２以下である薄層、高積層のものに適している。
【００３６】
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサを製造する方法について説明する。まず、誘電体セラミック層５およびカバー層１１の材料として、例えば、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粉末を準備し、これに有機ビヒクルを加えてセラミックスラリを調製し、次いで、ドクターブレード法またはダイコータ法などのシート成形法を用いてセラミックグリーンシートを作製する。このとき、カバー層１１用のセラミックグリーンシートには誘電体セラミック層５用のセラミックグリーンシートよりも平均粒径の大きいガラス粉末を添加する。
【００３７】
ガラス粒子の平均粒径およびガラス粒子のアスペクト比を変化させる際には、用いるガラス粉末の平均粒径を変化させる。カバー層１１における、空隙の面積の比率やガラス粒子の存在している空隙の面積の比率を変化させる際には、セラミックグリーンシートに含ませるガラス粉末の含有量を変化させるようにする。
【００３８】
次に、内部電極層７用にニッケルや銅を主成分として含む導体ペーストを調製する。次に、導体ペーストを用いてセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンの形成されたパターンシートを形成する。
【００３９】
次に、パターンシートを複数層重ねてコア積層体を形成し、次いで、このコア積層体の上下面に導体パターンを形成していないセラミックグリーンシートを所定の枚数だけ重ね、加圧加熱処理を行って容量部１となる積層体を複数個有する母体積層体を形成する。
【００４０】
次に、この母体積層体を切断することにより積層体にする。次に、作製した積層体を所定の条件にて焼成することにより容量部１を作製する。
【００４１】
次に、焼成により得られた容量部１の内部電極層７が露出した端面を含む端部に外部電極３を形成し、必要に応じてニッケルめっき膜およびスズめっき膜を形成して積層セラミックコンデンサを完成させる。
【実施例】
【００４２】
以下、具体的に積層セラミックコンデンサを作製し、評価を行った。まず、誘電体セラミック層用およびカバー層用の材料として、以下の誘電体粉末を調製した。誘電体粉末の原料粉末として、チタン酸バリウム粉末、ＭｇＯ粉末、Ｙ２Ｏ３粉末およびＭｎＣＯ３粉末を準備した。これらの各種粉末を、チタン酸バリウム粉末量を１００モルとしたときに、ＭｇＯ粉末を２モル、Ｙ２Ｏ３粉末を０．５モル、ＭｎＣＯ３粉末を０．５モル添加し、さらに、チタン酸バリウム粉末１００質量部に対して、ガラス粉末（ＳｉＯ２＝５５，ＢａＯ＝２０，ＣａＯ＝１５，Ｌｉ２Ｏ＝１０（モル％））を１質量部添加して誘電体粉末を調製した。このとき、誘電体セラミック層用のセラミックグリーンシートには平均粒径が１００ｎｍのガラス粉末を適用し、カバー層用のセラミックグリーンシートには表１に示した平均粒径のガラス粉末を適用した。この場合、カバー層用のセラミックグリーンシートに適用したガラス粉末のうち、平均粒径が２００ｎｍ以上のものは焼成後においても同じ平均粒径のガラス粒子として存在していた。平均粒径が１００ｎｍのものは焼成後において変形しつつわずかに溶解し、ガラス粒子の平均粒径は１１０ｎｍ程度であったが、平均粒径が５０ｎｍのものについては、溶解して空隙中に粒子状のかたちで残っていなかった。セラミックグリーンシートに用いるチタン酸バリウム粉末としては、誘電体セラミック層用およびカバー層用ともに、平均粒径が１００ｎｍのものを用いた。【００４３】
次に、湿式混合した誘電体粉末を、ポリビニルブチラール樹脂を溶解させたトルエンおよびアルコールの混合溶媒中に投入し、直径１ｍｍのジルコニアボールを用いて湿式混合してセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により平均厚みが１μｍのセラミックグリーンシートを作製した。【００４４】
次に、このセラミックグリーンシートの上面に矩形状の内部電極パターンを形成してパターンシートを形成した。内部電極パターンを形成するための導体ペーストは、Ｎｉ粉末４５質量％に対して、共材としてチタン酸バリウム粉末を２０重量％と、エチルセルロース５質量％およびオクチルアルコール９５質量％からなる有機ビヒクル３０質量％を３本ロールで混練したものを用いた。【００４５】
なお、試料Ｎｏ．７については、有効誘電体部となる積層体の上面側および下層側５層に、他のパターンシートよりも内部電極パターンの厚みを薄くしたものを適用した。この場合、印刷用スクリーンとして、開口率が他のパターンシートに用いた印刷用スクリーンの開口率を１としたときに０．８の比率となるものを用いた。【００４６】
次に、作製したパターンシートを５００層重ね、次いで、この積層体の上下面にそれぞれ内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを重ね、加圧加熱処理を行って容量部となる積層体を複数個有する母体積層体を形成した。この後、この母体積層体を、所定の寸法に切断して積層体を形成した。【００４７】
次に、作製した積層体を大気中にて脱脂した後、水素−窒素の混合ガス雰囲気にて酸素分圧が１０−８Ｐａの条件にて１２８０℃で２時間の焼成を行い、容量部を作製した。なお、試料Ｎｏ．８については、他の試料の場合よりも温度を１０℃ほど上げて焼成を行った。【００４８】
作製した容量部のサイズは１００５型に相当するものであり、そのサイズはおおよそ、０．９５ｍｍ×０．４８ｍｍ×０．４８ｍｍであった。また、誘電体セラミック層の平均厚みは０．７μｍ、有効誘電体部の内部電極層の１層の平均厚みは０．６μｍであった。カバー層の平均厚みは４０μｍであった。試料Ｎｏ．７の有効誘電体部の最上層から５層および最下層から５層に位置する内部電極層の１層の平均厚みは０．５μｍであった。【００４９】
これら誘電体セラミック層および内部電極層の１層の平均厚みは、積層セラミックコンデンサを構成する有効誘電体部の断面の積層方向の上層、中層および下層における誘電体セラミック層および内部電極層の両端部（端から１μｍほど内側）および中央部（計９箇所）を測定し、平均値から求めた。【００５０】
次に、作製した容量部の端部に銅ペーストを塗布し、約８００℃条件で加熱して外部電極を形成した。【００５１】
次に、この外部電極の表面に、順に、電解めっき法によりＮｉメッキ膜およびＳｎメッキ膜を形成して積層セラミックコンデンサを作製した。【００５２】
次に、作製した積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。カバー層中に含まれるガラス粒子およびセラミック粒子の平均粒径は、作製した積層セラミックコンデンサを断面観察して得られた写真を解析して求めた。この場合、ガラス粒子については、カバー層を観察した写真の中の１箇所を選び、２μｍ×２μｍの領域において、ガラス粒子が開口部に露出している空隙の面積を求め、求めた面積から円に換算したときの直径を求め、粒径とし、これを複数個について測定し、平均値を求めた。セラミック粒子についても同じ領域に含まれる各セラミック粒子の面積を求め、求めた面積を円に換算したときの直径を同様に求め、粒径とし、これを複数個について測定し、平均値を求めた。セラミック粒子の平均粒径は、作製したいずれの試料も０．２２μｍ（２２０ｎｍ）であった。【００５３】
また、平均粒径を求めたガラス粒子およびセラミック粒子について、最大径とこれに垂直な方向の幅（短径）との比からアスペクト比を求め、ガラス粒子とセラミック粒子との間でどちらのアスペクト比が大きいか評価した。この場合、アスペクト比の違いが０．１以下であるものは同じと判定した。【００５４】
また、同じ写真から、ガラス粒子が存在していない空隙の面積の比率（表１における（Ａ））およびガラス粒子が存在している空隙の面積の比率（表１における（Ｂ））をカバー層の単位面積当たりの値として求め、さらにこれらの値からガラス粒子が存在している空隙の面積の割合（表１における（Ｃ））を求めた。なお、表１における（Ｃ）はガラス粒子が存在していない空隙の面積とガラス粒子が存在している空隙の面積との間の関係（Ｃ＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ））として求めたものである。【００５５】
絶縁破壊電圧は、抵抗計を用いて測定した。絶縁破壊電圧の試料数は１０個とし、その平均値を求めた。表１に示す絶縁破壊電圧は誘電体セラミック層の平均厚みに対する値である。【００５６】
耐湿負荷試験は、６５℃、６５％ＲＨ、印加電圧６．３Ｖにおいて１００時間放置した後に絶縁抵抗を測定して求めた。試料数は表１に示すように、１００個とし、絶縁抵抗が１０６Ω以下となったものを不良とした。【００５７】
静電容量は、ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製）を用いて、温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、ＡＣ電圧を１．０Ｖ／μｍとして測定した。このときの測定においてショート率も同時に求めた。【００５８】
【表１】
2016084876.tif 000003
【００５９】
【表２】
2016084876.tif 000004
【００６０】
表１、２の結果から明らかなように、カバー層内に含まれるガラス粒子の一部がセラミック粒子間に形成された空隙内に存在している試料（試料Ｎｏ．２〜７、９および１０）では、絶縁破壊電圧が８０Ｖ／μｍ以上であった。また、耐湿負荷試験での不良数も６個以下であった。【００６１】
この中で、ガラス粒子の平均粒径が２００〜５００ｎｍである試料（試料Ｎｏ．３〜７および１０）では、絶縁破壊電圧が１００Ｖ／μｍ以上であり、耐湿負荷試験での不良数がいずれも０個であった。また、これらの試料（試料Ｎｏ．３〜７および１０）は、ガラス粒子が存在している空隙の面積の割合（表１における（Ｃ））が単位面積当たり８０％以上であった。【００６２】
また、内部電極層の平均厚みを積層方向の中央部よりもカバー層に接した方を薄くした試料（試料Ｎｏ．７）は、同じ平均粒径のガラス粉末（平均粒径：２００ｎｍ）を適用した試料（試料Ｎｏ．３）よりも絶縁破壊電圧が高かった。【００６３】
これに対し、平均粒径が５０ｎｍのガラス粉末を適用した試料（試料Ｎｏ．１）では、空隙の開口部にガラス粒子が露出した状態が見られず、絶縁破壊電圧が６０Ｖ／μｍ、耐湿負荷試験での不良数が１００個中１０個であった。また、同じく、平均粒径が５０ｎｍのガラス粉末を適用して作製した試料（試料Ｎｏ．８）については、焼成温度を１０℃ほど上げて作製しても、絶縁破壊電圧が４５Ｖ／μｍ、耐湿負荷試験での不良数が１００個中２３個と多くなった。また、この試料Ｎｏ．８は、試料Ｎｏ．１に比較して静電容量の低下があり、また、ショート率が高くなった。容量部の断面の組成を分析（ＥＤＳ分析）した結果、試料Ｎｏ．８の積層セラミックコンデンサは、試料Ｎｏ．１の積層セラミックコンデンサに比べて、カバー層側から誘電体セラミック層へガラス成分が多く拡散していることが確認された。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・容量部
３・・・外部電極
５・・・誘電体セラミック層
７・・・内部電極層
９・・・有効誘電体部
１１・・カバー層
１３・・セラミック粒子
１５・・ガラス粒子
１７・・空隙
【図１】
2016084876.tif 000005
【図２】
2016084876.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミック層と内部電極層とを交互に積層して構成された有効誘電体部と、該有効誘電体部の上下面に設けられたカバー層とを有する積層セラミックコンデンサであって、
前記カバー層はセラミック粒子を主体として含み、かつ、ガラス粒子を含んでおり、
該ガラス粒子の一部は前記セラミック粒子間に形成された空隙内に存在しており、
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子の存在していない前記空隙と前記ガラス粒子の存在している前記空隙との合計面積に対する前記ガラス粒子の存在している前記空隙の面積の比率が単位面積当たりで８０％以上であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記ガラス粒子の平均粒径が２００〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記カバー層の縦断面において、前記セラミック粒子の平均粒径をＤ１とし、前記ガラス粒子の平均粒径をＤ２としたときに、Ｄ２／Ｄ１が０．５〜２であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子は前記セラミック粒子よりもアスペクト比が大きいことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
誘電体セラミック層と内部電極層とを交互に積層して構成された有効誘電体部と、該有効誘電体部の上下面に設けられたカバー層とを有する積層セラミックコンデンサであって、
前記カバー層はセラミック粒子を主体として含み、かつ、ガラス粒子を含んでおり、
該ガラス粒子の一部は前記セラミック粒子間に形成された空隙内に存在しており、
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子は前記セラミック粒子よりもアスペクト比が大きいことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子の存在していない前記空隙の面積の比率が単位面積当たりで４％以下であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
誘電体セラミック層と内部電極層とを交互に積層して構成された有効誘電体部と、該有効誘電体部の上下面に設けられたカバー層とを有する積層セラミックコンデンサであって、
前記カバー層はセラミック粒子を主体として含み、かつ、ガラス粒子を含んでおり、
該ガラス粒子の一部は前記セラミック粒子間に形成された空隙内に存在しており、
前記カバー層の縦断面において、前記ガラス粒子の存在している前記空隙の面積の比率が単位面積当たりで１７〜３９％であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【国際調査報告】
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