(57)【要約】  バンクにおける絶縁層と交差する部分でのインクのはじきを少なくできる有機発光パネル等および有機発光装置を提供することを目的とする。有機発光パネルの画素部は、絶縁層とバンクとにより区画されている。絶縁層は第１方向に隣接する第１電極部間に配され、バンクは第２方向に隣接する第１電極部間に配されている。バンクは、絶縁層と交差する部分では、当該絶縁層を乗り越えて第１方向に延伸する。絶縁層上バンクの横断面における表面は、絶縁層の表面を基準とした傾斜角度θ１，θ２が、  θ１  ＞２０°    且つ    θ２  ＞  ２０°の関係を満たす。
2015141176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上に第１方向と第２方向とに間隔をおいて配された複数の第１電極部と、
前記基板上における前記第１方向に隣接する前記第１電極部間を前記第２方向に延伸する絶縁層と、
前記基板上における前記第２方向に隣接する前記第１電極部間を前記絶縁層と交差する部分で前記絶縁層と接しながら前記絶縁層を超えて前記第１方向に延伸し且つ前記絶縁層および前記第１電極部よりも高いバンクと、
前記隣接するバンク間を前記絶縁層を超えて前記第１方向に連続する状態で埋め且つ有機材料から構成された有機発光層を含む発光部と、
前記発光部における少なくとも前記第１電極部上に対応する領域に配された第２電極部と
を有し、
前記発光部の最下層部分、前記絶縁層およびバンクは、有機材料から構成され、
前記第１電極部は、少なくとも上面部分が金属材料又は無機材料から構成され、
前記バンクにおける前記絶縁層上に位置する部分は、前記第１方向と直交する断面において、下記に定義される傾斜角度θ１と傾斜角度θ２が、
θ１  ＞２０°    且つ    θ２  ＞  ２０°
の関係を満たす表面を有する
有機発光パネル。
ここで、第１地点は、前記絶縁層の上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して７５％の高さとなる地点であり、第２地点は、前記上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して２０％の高さとなる地点であり、第３地点は、前記上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して０％の高さとなる地点であり、前記傾斜角度θ２は前記第１地点と前記第２地点とを結ぶ第１仮想線と前記絶縁層の上面との間の角度であり、前記傾斜角度θ１は前記第２地点と前記第３地点とを結ぶ第２仮想線と前記絶縁層の上面との間の角度である。
【請求項２】
前記バンクはフッ素樹脂材料から構成されている
請求項１に記載の有機発光パネル。
【請求項３】
前記傾斜角度θ１と前記傾斜角度θ２とは、
θ２  ＞  θ１
の関係を満たす
請求項１に記載の有機発光パネル。
【請求項４】
前記バンクにおける前記絶縁層上に位置する部分の前記断面において、
前記第１地点から前記第２地点までの表面形状には、上に凸の曲線部分が含まれ、
前記第２地点から前記第３地点までの表面形状には、下に凸の曲線形状が含まれる
請求項１に記載の有機発光パネル。
【請求項５】
有機発光パネルと、
前記有機発光パネルに接続された制御駆動回路と、
を備え、
前記有機発光パネルとして、請求項１から請求項４の何れかの有機発光パネルが採用されている
ことを特徴とする有機発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光パネルおよび有機発光装置に関し、特にバンク形状に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光パネルは、アノード電極とカソード電極との間に有機発光層を備えてなる複数の画素部が基板上に２次元配列されてなる。有機発光パネルとして、例えば発光材料を含んだインクを利用した湿式印刷法で有機発光層を形成する際に、隣接する他の画素領域のインクと混ざるのを防止するために、隣接する画素領域間にライン状のバンク（所謂、「ラインバンク」である。）を備えたものがある。【０００３】
この有機発光パネルは、バンク以外に、バンクの延伸方向に隣接する画素領域間に配され、画素領域間を絶縁する絶縁層を備える。通常、バンクは、平面視において、絶縁層と交差する部分で当該絶縁層の上面に接しながら、当該絶縁層上を延伸するように形成されている。【０００４】
バンクは絶縁層よりも高く形成され、絶縁層はアノード電極の上面よりも高く形成されている（基板上面を基準にしている）。これにより、隣接するバンク間に有機発光層用のインクを塗布した際に、絶縁層を超えてバンクの延伸方向に連続する状態でアノード電極を被覆することができ、各画素部において比較的厚みムラの少ない有機発光層が得られる。【０００５】
特許文献１では、有機発光層の平坦性をさらに向上させるために、バンクの横断面形状を規定する技術が提案されている。具体的には、バンクは、その断面において、凸部である主要部と、下に凸な曲線形状の表面を有する裾部とを有する形状をしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−４４５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記技術は、ラインバンク方式の有機発光パネルでは、効果が得られない場合があることが判明した。つまり、平面視において、バンクにおける絶縁層と交差する部分では、絶縁層上のバンクの表面形状を下に凸の曲線形状にしても、バンクの裾部の表面でインクがはじかれてしまうことが判明した。なお、インクがはじかれると、絶縁層を挟んだ両側の画素部の発光ムラが大きくなる。【０００８】
なお、インクのはじきは、有機発光層用のインク塗布時にだけでなく、絶縁層の表面に他の機能を有する機能層用の材料を含んだインクを塗布する際にも同様に生じる。【０００９】
本発明は、有機発光層形成の際に、バンクにおける絶縁層と交差する部分でのインクのはじきを少なくできる有機発光パネルおよび有機発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係る有機発光パネルは、基板と、前記基板の主面上に第１方向と第２方向とに間隔をおいて配された複数の第１電極部と、前記基板上における前記第１方向に隣接する前記第１電極部間を前記第２方向に延伸する絶縁層と、前記基板上における前記第２方向に隣接する前記第１電極部間を前記絶縁層と交差する部分で前記絶縁層と接しながら前記絶縁層を超えて前記第１方向に延伸し且つ前記絶縁層および前記第１電極部よりも高いバンクと、前記隣接するバンク間を前記絶縁層を超えて前記第１方向に連続する状態で埋め且つ有機材料から構成された有機発光層を含む発光部と、前記発光部における少なくとも前記第１電極部上に対応する領域に配された第２電極部とを有し、前記発光部の最下層部分、前記絶縁層およびバンクは、有機材料から構成され、前記第１電極部は、少なくとも上面部分が金属材料又は無機材料から構成され、前記バンクにおける前記絶縁層上に位置する部分は、前記第１方向と直交する断面において、下記に定義される傾斜角度θ１と傾斜角度θ２が、  θ１  ＞２０°    且つ    θ２  ＞  ２０°
の関係を満たす表面を有する。【００１１】
ここで、第１地点は、前記絶縁層の上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して７５％の高さとなる地点であり、第２地点は、前記上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して２０％の高さとなる地点であり、第３地点は、前記上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して０％の高さとなる地点であり、前記傾斜角度θ１は前記第１地点と前記第２地点とを結ぶ第１仮想線と前記絶縁層の上面との間の角度であり、前記傾斜角度θ２は前記第２地点と前記第３地点とを結ぶ第２仮想線と前記絶縁層の上面との間の角度である。
【発明の効果】
【００１２】
上記態様に係る有機発光パネルは、バンクにおける絶縁層上の表面の傾斜角度を所定範囲に規定しているため、有機発光層形成の際にインクはじきを少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態に係る有機表示装置の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機表示パネルにおけるサブピクセルの配置形態を示す模式平面図である。
【図３】有機表示パネルにおける第２バンクが露出する状態を示す模試平面図である。
【図４】図３におけるＣ部において第１バンクにおける第２バンクと交差していない部分を示す斜視図である。
【図５】図３におけるＣ部において第１バンクにおける第２バンクと交差している部分を示す斜視図である。
【図６】図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図である。
【図７】図２のＢ−Ｂ断面での構成を示す模式断面図である。
【図８】第１バンクにおける第２バンクと交差しない部分での表面形状を説明するための図である。
【図９】第１バンクにおける第２バンクと交差する部分での表面形状を説明するための図である。
【図１０】第１バンクの横断面を示す写真である。
【図１１】図１０の写真を基に、式（１）の傾斜角度θ１、θ２を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［本発明の態様］
本発明の位置体等本発明の一態様に係る有機発光パネルは、基板と、前記基板の主面上に第１方向と第２方向とに間隔をおいて配された複数の第１電極部と、前記基板上における前記第１方向に隣接する前記第１電極部間を前記第２方向に延伸する絶縁層と、前記基板上における前記第２方向に隣接する前記第１電極部間を前記絶縁層と交差する部分で前記絶縁層と接しながら前記絶縁層を超えて前記第１方向に延伸し且つ前記絶縁層および前記第１電極部よりも高いバンクと、前記隣接するバンク間を前記絶縁層を超えて前記第１方向に連続する状態で埋め且つ有機材料から構成された有機発光層を含む発光部と、前記発光部における少なくとも前記第１電極部上に対応する領域に配された第２電極部とを有し、前記発光部の最下層部分、前記絶縁層およびバンクは、有機材料から構成され、前記第１電極部は、少なくとも上面部分が金属材料又は無機材料から構成され、前記バンクにおける前記絶縁層上に位置する部分は、前記第１方向と直交する断面において、下記に定義される傾斜角度θ１と傾斜角度θ２が、  θ１  ＞２０°    且つ    θ２  ＞  ２０°の関係を満たす表面を有する。
【００１５】
ここで、第１地点は、前記絶縁層の上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して７５％の高さとなる地点であり、第２地点は、前記上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して２０％の高さとなる地点であり、第３地点は、前記上面を基準にし、前記バンクの表面であって前記バンクの全高に対して０％の高さとなる地点であり、前記傾斜角度θ１は前記第１地点と前記第２地点とを結ぶ第１仮想線と前記絶縁層の上面との間の角度であり、前記傾斜角度θ２は前記第２地点と前記第３地点とを結ぶ第２仮想線と前記絶縁層の上面との間の角度である。
【００１６】
また、前記バンクはフッ素樹脂材料から構成されている。これによりバンクの撥液性を確保できる。また、前記傾斜角度θ１と前記傾斜角度θ２とは、  θ２  ＞  θ１  の関係を満たす。これにより、有機発光層形成の際にインクはじきを一層少なくできる。
【００１７】
また、前記バンクにおける前記絶縁層上に位置する部分の前記断面において、前記第１地点から前記第２地点までの表面形状には、上に凸の曲線部分が含まれ、前記第２地点から前記第３地点までの表面形状には、下に凸の曲線形状を含まれる。有機発光層形成の際にインクはじきを一層少なくできる。
【００１８】
本発明の位置体等本発明の一態様に係る有機発光装置は、有機発光パネルと、前記有機発光パネルに接続された制御駆動回路と、を備え、前記有機発光パネルとして、上記の有機発光パネルが採用されている。
［実施の形態］
有機発光装置の例として、発光色が複数あり、これらを混合させた混色光を出射して、画像（情報）を表示する有機表示パネルを有する有機表示装置について説明する。以下、図面を参照しながら、実施の形態の有機表示装置１について説明する。
１．概略構成
本実施の形態に係る有機表示装置１の概略構成について、図１および図２を用い説明する。
【００１９】
図１は、実施の形態に係る有機表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。図２は、有機表示パネル１０におけるサブピクセル１０ａ〜１０ｃの配置形態を示す模式平面図である。
【００２０】
図１に示すように、有機表示装置１は、有機表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御部２０とを備えている。有機表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
【００２１】
図２に示すように、複数のサブピクセル（副画素部）１０ａ〜１０ｃがＸ軸方向（本発明の「第２方向」の一例である。）およびＹ軸方向（本発明の「第１方向」である。）に二次元配置されている。本実施の形態においては、例えば、サブピクセル１０ａが赤色光（Ｒ）を出射し、サブピクセル１０ｂが緑色光（Ｇ）を出射し、サブピクセル１０ｃが青色光（Ｂ）を出射する。
【００２２】
そして、Ｘ軸方向に隣接する３つのサブピクセル１０ａ〜１０ｃの組み合わせを以って、表示機能としての１つのピクセル（画素部）が構成されている。但し、構造的には、アノード、有機発光層、カソードを含んだ１ユニット、つまり、サブピクセルが１画素部となる。
【００２３】
なお、有機表示パネル１０は、第１バンク（本発明の「バンク」である。）１１５を有し、図２に示すように、有機発光層がラインバンク１１５に沿って連続状に形成されている（図２において、本来平面視において有機発光層は見えないが、ラインバンク１１５に沿った連続性を表すためにハッチングを施している。）。このため、各サブピクセル１０ａ〜１０ｃの境界を示す第２バンク（本発明の「絶縁層」の一例である。）１１４を破線で示している。
【００２４】
図１に戻って、有機表示装置１における駆動・制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。なお、有機表示装置１における有機表示パネル１０と駆動・制御部２０との配置関係については、図１の形態には限定されない。
【００２５】
また、表示機能としてのピクセルの構成については、図２に示すような３つのサブピクセル１０ａ〜１０ｃの組み合わせからなる形態に限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１つのピクセルが構成されるとしてもよい。
２．有機表示パネル１０の構成
図３は、有機表示パネル１０における第２バンク１１４が露出する状態を示す模試平面図である。
【００２６】
有機表示パネル１０は、図２に示すように、複数のサブピクセル１０ａ〜１０ｃが基板（不図示）上に２次元配置される。各サブピクセル１０ａ〜１０ｃが形成されるサブピクセル領域は、図３に示すように、Ｘ軸方向に延伸する第２バンク１１４と、Ｙ軸方向に延伸する第１バンク１１５とにより、矩形状に区画された領域である。なお、サブピクセル１０ａ〜１０ｃは、光を出射できる構造をしたものをいい、サブピクセル領域は、サブピクセル１０ａ〜１０ｃが形成されている領域および形成される予定の領域をいう。
【００２７】
図４は、図３におけるＣ部において第１バンク１１５における第２バンク１１４と交差していない部分を示す斜視図であり、図５は、図３におけるＣ部において第１バンク１１５における第２バンク１１４と交差している部分を示す斜視図である。図６は、図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図である。図７は、図２のＢ−Ｂ断面での構成を示す模式断面図である。
【００２８】
サブピクセル１０ａ〜１０ｃは、基本構成が同じであり、図６を主に用いてサブピクセル１０ａについて説明する。サブピクセル１０ａは、主として、アノード１１２、有機発光層１１７、カソード１１９を備える。
【００２９】
以下、より具体的に説明する。
【００３０】
有機表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１１０をベースとして、その上に絶縁層１１１が積層されている。なお、ここでの絶縁層１１１は、本発明の「絶縁層」と異なるものであり、区別するために、層間絶縁層１１１とする。
【００３１】
層間絶縁層１１１のＺ軸方向上面は、略平坦となるように形成されている。なお、ＴＦＴ基板１１０については、ＴＦＴ層などの図示を省略し、簡略化した図としている。
【００３２】
層間絶縁層１１１のＺ軸方向上面のサブピクセル領域には、アノード１１２およびホール注入層１１３が順に積層形成されている。なお、アノード１１２は、本発明に係る「第１電極」の一例であり、アノード１１２およびール注入層１１３が積層されたものが、本発明の「第１電極部」の一例である。ここでのホール注入層１１３が、本発明の「第１電極部の上面部分」の一例である。
【００３３】
次に、図４および図５に示すように、層間絶縁層１１１上およびホール注入層１１３のＸ軸方向両縁上を覆うように第１バンク１１５が形成されている。また、層間絶縁層１１１上およびホール注入層１１３のＹ軸方向両縁上を覆うように第２バンク（本発明の「絶縁層」の一例である。）１１４が形成されている。
【００３４】
Ｘ軸方向に隣接する一対の第１バンク１１５間には、図６に示すように、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１１６、有機発光層１１７、電子輸送層１１８が積層形成されている。ホール輸送層１１６、有機発光層１１７、電子輸送層１１８は、第２バンク１１４を超えて、Ｙ軸方向に連続するように形成されている（図２のハッチング部分参照）。ホール輸送層１１６、有機発光層１１７および電子輸送層１１８が積層されものが、本発明の「発光部」の一例である。ここでのホール輸送層１１６が、本発明の「発光部の最下層」の一例である。
【００３５】
電子輸送層１１８上ならびにバンク１１５の側面上部および頂面上を覆うように、カソード１１９および封止層１２０が順に形成されている。なお、カソード１１９は、本発明に係る「第２電極」の一例であり、また、本発明の「第２電極部」の一例でもある。
【００３６】
本実施の形態に係る有機表示パネル１０は、トップエミッション型であり、図６の矢印のようにＺ軸方向上向きの光を出射する。
【００３７】
サブピクセル領域以外の領域（非サブピクセル領域とする。）、例えば、Ｙ軸方向に隣接するサブピクセル領域間の構成、つまり第２バンク１１４が存在する領域の構成について説明する。
【００３８】
非サブピクセル領域では、図７に示すように、ＴＦＴ基板１１０上に層間絶縁層１１１が積層されている。サブピクセル領域と同様に、層間絶縁層１１１の上面は略平坦になるように形成されている。非サブピクセル領域には、図５および図７に示すように、アノード１１２およびホール注入層１１３が存在しておらず、この部分に第２バンク１１４が形成されている。
【００３９】
第２バンク１１４のＺ軸方向上面であって第１バンク１１５が形成されていない領域には、図７に示すように、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１１６、有機発光層１１７、電子輸送層１１８が積層形成され、さらに、電子輸送層１１８上ならびに第２バンク１１４上に存在する第１バンク１１５部分の側面上部および頂面上を覆うように、カソード１１９および封止層１２０が順に形成されている。
３．有機表示パネル１０の各構成材料
（１）ＴＦＴ基板１１０
ＴＦＴ基板１１０は、基板と、当該基板のＺ軸方向上面に形成されたＴＦＴ層とから構成されている。ＴＦＴ層については、図示を省略しているが、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。
【００４０】
ＴＦＴ基板１１０のベースとなる基板は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
【００４１】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
（２）層間絶縁層１１１
層間絶縁層１１１は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、層間絶縁層１１１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
【００４２】
また、層間絶縁層１１１は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。
（３）アノード１１２
アノード１１２は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
【００４３】
なお、アノード１１２については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（４）ホール注入層１１３
ホール注入層１１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
【００４４】
なお、ホール注入層１１３の構成材料として金属酸化物を用いる場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１１７に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００４５】
ここで、ホール注入層１１３を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
（５）第２バンク１１４
第２バンク１１４は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第２バンク１１４の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。
（６）第１バンク１１５
第１バンク１１５は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第１バンク１１５の形成に用いる有機材料は、上記の第２バンク１１４の形成に用いた材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。但し、第１バンク１１５として、ホール輸送層１１６や有機発光層１１７等を湿式印刷法で形成する場合には、インクとの関係で撥水性を有する有機材料で構成されるのが好ましい。具体的には、第２バンク１１４を上記のアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂の何れかで形成する場合、第１バンク１１５の材料として、フッ素系の樹脂を用いることが好ましい。
【００４６】
さらに、第１バンク１１５の構造については、図４や図６に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることで実施できる。
（７）ホール輸送層１１６
ホール輸送層１１６は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（８）有機発光層１１７
有機発光層１１７は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１１７の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料である。
【００４７】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
（９）電子輸送層１１８
電子輸送層１１８は、カソード１１９から注入された電子を有機発光層１１７へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（１０）カソード１１９
カソード１１９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１１）封止層１２０
封止層１２０は、有機発光層１１７などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００４８】
封止層１２０は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
４．第１バンク１１４および第２バンク１１５について
（１）形成
（１−１）第２バンク１１４
第２バンク１１４は、第２バンク１１４を構成する有機材料を、サブピクセル領域間が埋まるように、例えば、スピンコート法等によりホール注入層１１３上に一様に塗布する。なお、ここでの有機材料は、感光性を有するフォトレジスト材料である。
【００４９】
その後、塗布された有機材料に対して、ホール注入層１１３のＹ軸方向端縁に有機材料が残存するように(端縁だけが被覆されるように)パターニングされたマスクを用いて感光を行う。そして、未硬化の余分な有機材料を現像液で除去する。これにより、例えば、図４に示すような横断面が「Ｔ」字に近い形状の第２バンク１１４が形成される。
（１−２）第１バンク１１５
第１バンク１１５は、第１バンク１１５を構成する有機材料（例えば、フッ素樹脂）を、Ｘ軸方向に隣接するサブピクセル領域間が埋まり、さらに、第２バンク１１４が埋まるように、スピンコート法等によりホール注入層１１３および第２バンク１１４上に一様に塗布する。なお、ここでの有機材料（例えば、フッ素樹脂である。）も、感光性を有するフォトレジスト材料である。
【００５０】
その後、塗布された有機材料に対して、ホール注入層１１３のＸ軸方向端縁に有機材料が残存するように (端縁だけが被覆されるように)パターニングされたマスクを用いて感光を行う。その後、未硬化の余分な有機材料を現像液で除去する。これにより、例えば、図４及び図６に示すような横断面が、全体として「Ｔ」字状をし、横に延びる部分が台形状をしたような形状の第１バンク１１５が形成される。
（２）第１バンクの表面形状
（２−１）第２バンクと交差しない部分
第１バンク１１５において第２バンク１１４と交差しない部分は、図４に示すように、Ｘ軸方向に隣接するアノード１１２間およびホール注入層１１３間に位置する基部１１５Ａと、基部１１５Ａから上方へと隆起する隆起部１１５Ｂとを有する。基部１１５Ａの横断面形状は、全体として、矩形状をしている。隆起部１１５Ｂは、ホール注入層１１３のＺ軸方向上面を基準とした場合に当該基準よりも上方に位置する部分である。
【００５１】
図８は、第１バンク１１５における第２バンク１１４と交差しない部分での表面形状を説明するための図である。なお、図８では、第１バンク１１５のＸ軸方向の一端側を示している。
【００５２】
隆起部１１５Ｂの横断面形状は、図４及び図６に示すように、全体として、上底が下底よりも短い台形状をしている。ここで、台形状のうち、図８に示すように、略長方形状をしている部分を本体部分とし、本体部分の両側の直角三角形状をしている部分を側部分とする。側部分の斜辺が、図４や図５に示すように、第１バンク１１５の側面１１５ａとなる。
【００５３】
隆起部１１５Ｂの下端はホール注入層１１３のＸ軸方向の端縁部上に位置し、隆起部１１５Ｂの側面１１５ａが下広がり状に傾斜している。
【００５４】
隆起部１１５Ｂの横断面形状について、正確にいうと、図８に示すように、台形状を構成する上底（第１バンク１１５の頂面に相当する。）１１５ｂにおけるＸ軸方向の一端周辺で上方へ一度盛り上がり（最高点が「Ｅ１」である。）、その後、ホール注入層１１３（の端縁）に向けて下りの勾配で傾斜していく。
【００５５】
ここでは、側面１１５ａの領域は、上端を点Ｅ１とし、下端を、隆起部１１５Ｂの厚みが０になる点（最低点「Ｅ２」であり、図４および図５の「１１５ｃ」である。）とする範囲である。
【００５６】
側面１１５ａは、上端に近い部分(以下、「上端部分」とする。)Ｆおよび下端に近い部分（以下、「下端部分」とする。）Ｇにおいて円弧状に湾曲し、上端部分Ｆと下端部分Ｇとの間の中間部分Ｈが直線に近い形状となっている。
【００５７】
側面１１５ａの上端部分Ｆは、上に凸の曲線（放物線）状をしている。側面１１５ａの下端部分Ｇは、下に凸の曲線（放物線）状をしている。中間部分Ｈに変曲点が存在する。なお、Ｘ軸方向における基準点である点Ｅ２から点Ｅ１までの長さを裾引き量とし、ここでは、「ａ１」となる。
（２−２）第２バンクと交差する部分
第１バンク１１５において第２バンクと交差する部分は、図５に示すように、下面が第２バンク１１４の上面１１４ａと接し、上方へと隆起する隆起部１１５Ｃを有する。隆起部１１５Ｃの横断面形状は、図５に示すように、全体として、上底が下底よりも短い台形状をしている。
【００５８】
図９は、第１バンク１１５における第２バンク１１４と交差する部分での表面形状を説明するための図である。なお、図９では、第１バンク１１５のＸ軸方向の一端側を示している。
【００５９】
ここで、台形状のうち、図９に示すように、長方形状をしている部分を本体部分とし、本体部分の両側の直角三角形状をしている部分を側部分とする。側部分の斜辺が、図４や図５に示すように、第１バンク１１５の側面１１５ｄとなる。
【００６０】
隆起部１１５Ｃの横断面形状について、正確にいうと、図９に示すように、台形状を構成する上底（第１バンク１１５の頂面に相当する。）１１５ｂにおけるＸ軸方向の一端周辺で上方へ一度盛り上がり（最高点が「Ｉ１」である。）、その後、第２バンク１１４に向けて下りの勾配で傾斜していく。
【００６１】
ここでは、側面１１５ｄの領域は、上端を点Ｉ１とし、下端を、隆起部１１５Ｃの厚みが０になる点（最低点「Ｉ２」であり、図４および図５の「１１５ｅ」である。）とする範囲である。側面１１５ｄは、上端に近い部分(以下、「上端部分」とする。)Ｊおよび下端に近い部分（以下、「下端部分」とする。）Ｋにおいて円弧状に湾曲し、上端部分Ｊと下端部分Ｋとの間の中間部分Ｌが直線に近い形状となっている。
【００６２】
側面１１５ｄの上端部分Ｊは、上に凸の曲線（放物線）状をしている。側面１１５ｄの下端部分Ｋは、下に凸の曲線（放物線）状をしている。中間部分Ｌに変曲点が存在する。なお、Ｘ軸方向における基準点である点Ｉ２から点Ｉ１までの長さを裾引き量とし、ここでは、「ａ２」となる。
【００６３】
第１バンク１１５における第２バンク１１４と交差する部分では、第２バンク１１４の上面１１４ａを基準したときに、第１バンク１１５の側面１１５ｄの傾斜角度θ１、θ２が、下記の式（１）の関係を満たす。
【００６４】
θ１  ＞  ２０°  且つ  θ２  ＞２０°      ・・・（１）
図１０は、第１バンク１１５の横断面を示す写真である。図１１は、図１０の写真を基に、式（１）の傾斜角度θ１、θ２を説明する図である。なお、図１１は、図１０の写真における第１バンク１１５の形状をトレースしたものである。
【００６５】
ここで、第２バンク１１４の上面１１４ａを基準にし、第１バンク１１５の側面（表面）１１５ｄであって第１バンク１１５の全高に対してＺ１（ここでは「７５」である。）％の高さとなる地点を第１地点（図１１の「Ｍ」である。）とし、第１バンク１１５の側面（表面）１１５ｃであって第１バンク１１５の全高に対してＺ２（ここでは「２０」である。）％の高さとなる地点を第２地点（図１１の「Ｎ」である。）とし、前記上面を基準にし、第１バンク１１５の側面（表面）１１５ｃであって第１バンク１１５の全高に対して０％の高さとなる地点を第３地点（図１１の「Ｐ」である。）とする。
【００６６】
なお、第１バンク１１５の全高となる地点は、側面１１５ｄの最高点である点Ｉ１であり、第３地点は、側面１１５ｄの最低点である点Ｉ２でもある。
【００６７】
ここで、Ｘ軸方向において、第３地点Ｐと点Ｉ１との距離を１００％とした場合、第３地点Ｐと第１地点Ｍとの距離の比率が６０％（図中の「Ｘ１」である。）であり、第３地点Ｐと第２地点Ｎとの距離の比率が４０％（図中の「Ｘ２」である。）である。なお、Ｘ軸方向の距離を裾引き距離といい、例えば、裾引き距離量とする。
【００６８】
傾斜角度θ２は第１地点Ｍと第２地点Ｎとを結ぶ第１仮想線Ｑと第２バンク１１４の上面１１４ａとの間の角度であり、傾斜角度θ１は第２地点Ｎと第３地点Ｐとを結ぶ第２仮想線Ｒと第２バンク１１４の上面１１４ａとの間の角度である。
【００６９】
また、上記の傾斜角度θ１と、上記の傾斜角度θ２とは、
θ２  ＞  θ１
の関係にある。
【００７０】
さらに、傾斜角度θ２は、
θ２＞４５度
である。
（３）インクはじき
発明者は、検討した結果、第２バンク１１４上に位置する第１バンク１１５の側面１１５ｄにおいて、第１バンク１１５の延伸方向と直交する横断面の表面と第２バンク１１４の上面１１４ａと平行な仮想面（基準面）との間の傾斜角度θ１，θ２が上記式（１）の関係を満たすと、第２バンク１１４上であって第１バンク１１５の側面１１５ｄの下端１１５ｅ周辺に塗布されたインクのはじきを防止することができることを見出した。
【００７１】
第１バンク１１５の側面１１５ｄの表面に対する上記式（１）は、種々の表面形状を有する試験片を作成し、インクのはじき状況を観察した結果、得られたものである。
【００７２】
具体的には、第２バンク１１４と第１バンク１１５の材料の組み合わせを変えることにより、傾斜角度θ１、θ２を可変することができる。このような組み合わせにより、第１バンク１１５を３種類、第２バンク１１４を２種類の組み合わせで合計６つのサンプルを作成し、インクのはじきの評価を行った。
【００７３】
この結果、インクはじきが発生したサンプルと発生しないサンプルの比較より、インクはじきが発生しない関係式（１）を見出した。
【００７４】
なお、式（１）が満たされるということは裾引き距離Ｘ１の最大量（最大値）が規定される。裾引き距離Ｘ１が小さいと、第２バンク１１４と第１バンク１１５におけるＸ１領域とから発せられる撥液成分が、裾近傍（第２バンク１１４に近い側である。）に存在するホール注入層１１３の表面に付着する量も少ない。よって、式（１）を満たすと、インクはじきに対して良好となる。
５．その他
（１）第１電極部
（１−１）第１電極部
実施の形態では、第１電極としてアノードを適用したが、例えば、第１電極としてカソードを適用してもよい。また、実施の形態では、第１電極部は、アノード１１２とホール注入層１１３を備えているが、第１電極を少なくとも有していればよく、アノードのみを備えてもよいし、アノードと他の機能を有する層とを備えてもよい。他の層としては、例えば、第１電極である金属層の酸化を防止する酸化防止層等がある。
【００７５】
なお、第１電極として、カソードを適用した場合、第１電極部は、カソードのみを備えてもよいし、カソードと電子輸送層とを備えてもよいし、カソードと他の機能を有する層とを備えてもよい。
（１−２）配置
実施の形態では、複数の第１電極部の平面視形状が、Ｙ軸方向を一例とした第１方向に長い矩形状をしていたが、例えば、第１方向に短い矩形状であってもよいし、正方形状であってもよい。第１電極部が矩形状又は正方形状をしている場合、第１方向は第２方向と直交することになる。
【００７６】
第１電極部の平面形状は、例えば、ひし形等の平行四辺形であってもよい。この場合、第１方向は第２方向と直交しなくなる。
【００７７】
実施の形態では、複数の第１電極部は、第１方向と第２方向に一列状に間隔をおいて配され、平面視したときに、将棋盤状をしている。しかしながら、複数の第１電極部は、第１方向そって並ぶ列状に配され且つ隣接する２列内に存在する第１電極部が各列互い違いになるように配されてもよい。この場合、第２バンクを一例とした絶縁層は、第２方向に延伸するが、実施の形態のように、第２方向に配された複数の第１電極部に沿って一直線状に延伸することはなく、１つの第１電極部に接しながら第２方向に延伸する。
（２）絶縁層
実施の形態では、絶縁層の高さが、例えば、図５に示すように、第１電極部の上面よりも高くなっている。しかしながら、絶縁層は、隣接する第１電極部間の絶縁性を確保できれば、第１電極部の上面と同じ高さであってもよい（つまり、面一である。）し、第１電極部の上面よりも少し低くてもよい。
（３）バンク（第１バンク）
バンクは、第１方向に並ぶ複数の第１電極部の両側に沿って延伸する。そして、第２方向に隣接する一対のバンク間に有機材料を含むインクが貯留されるように、絶縁層や第１電極部よりも高くなっている。これは、各画素部における有機層の厚みを均一化するためである。
【００７８】
したがって、バンクは、第１方向に並ぶ全ての第１電極部に対応して延伸する必要はなく、第１方向に並ぶ所定数の第１電極部群に対応して延伸してもよい。この場合、第１方向に隣接する第１電極部間に第２方向に延びる高さの高いバンクを新たに形成すればよい。
（４）発光部
実施の形態では、発光部は、ホール輸送層１１６、有機発光層１１７および電子輸送層１１８を備えていたが、有機発光層を層構造で含み且つ他の機能層を含むときは、他の機能層が有機材料により構成されていればよい。つまり、第１バンク間であって第１電極部上であって第１電極部の上面に形成される他の機能層が、有機材料を含むインクを用いた湿式印刷法で形成されるものであればよい。従って、発光部は、有機発光層のみを含む層であってもよいし、実施の形態で説明したホール輸送層以外の機能層を含んでもよい。
（５）有機発光装置
実施の形態では、有機発光装置をカラーの有機表示装置として説明している。しかしながら、本発明の一態様に係る有機発光装置は、例えば単色表示の有機表示装置にも適用することができる。さらに、本発明の一態様に係る発光装置の一形態として、表示装置のサブピクセル構造を利用して、調光・調色機能を有する照明装置に適用もできる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、高い発光品質を有する有機発光パネルおよび有機発光装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００８０】
１    有機ＥＬ表示装置
１０    有機表示パネル
１１２    アノード
１１３    ホール注入層
１１４    第２バンク（絶縁層）
１１５    第１バンク（バンク）
１１６    ホール輸送層
１１７    有機発光層
１１９    カソード
【図１】
2015141176.tif 000003
【図２】
2015141176.tif 000004
【図３】
2015141176.tif 000005
【図４】
2015141176.tif 000006
【図５】
2015141176.tif 000007
【図６】
2015141176.tif 000008
【図７】
2015141176.tif 000009
【図８】
2015141176.tif 000010
【図９】
2015141176.tif 000011
【図１０】
2015141176.tif 000012
【図１１】
2015141176.tif 000013
【国際調査報告】
2015141176.tif 000014
2015141176.tif 000015
2015141176.tif 000016
2015141176.tif 000017