(57)【要約】本発明は、フラックス性及び接続信頼性に優れ、かつ、貯蔵安定性の高い半導体接合用接着剤を提供することを目的とする。また、本発明は、該半導体接合用接着剤を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体接合用接着剤を用いて製造された半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及びフラックス活性剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記硬化促進剤がアミン化合物を含み、前記フラックス活性剤が有機酸フラックス活性剤であり、前記半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が２〜２０重量部かつ前記フラックス活性剤１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が４０〜５００重量部である半導体接合用接着剤である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及びフラックス活性剤を含有する半導体接合用接着剤であって、
前記硬化促進剤がアミン化合物を含み、
前記フラックス活性剤が有機酸フラックス活性剤であり、
前記半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が２〜２０重量部かつ前記フラックス活性剤１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が４０〜５００重量部である
ことを特徴とする半導体接合用接着剤。
【請求項２】
表面にバンプ電極を有するウエハの前記バンプ電極を有する面に、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設ける工程と、
前記ウエハを前記接着剤層ごとダイシングして、前記接着剤層を有する半導体チップに分割する工程と、
前記接着剤層を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
両面にバンプ電極を有し、片面に配線を有するウエハの前記バンプ電極を有する配線面又は前記配線面とは逆の前記バンプ電極を有する面に、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設ける工程と、
前記ウエハを前記接着剤層ごとダイシングして、前記接着剤層を有する半導体チップに分割する工程と、
前記接着剤層を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面にバンプ電極を有する半導体チップを回路基板又は他の半導体チップに実装する半導体装置の製造方法であって、
前記回路基板又は他の半導体チップに、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなるペーストを塗布して接着剤層を形成する工程と、
前記表面にバンプ電極を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して前記回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体接合用接着剤を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラックス性及び接続信頼性に優れ、かつ、貯蔵安定性の高い半導体接合用接着剤に関する。また、本発明は、該半導体接合用接着剤を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体接合用接着剤を用いて製造された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化及び高密度化に伴い、半導体チップを回路基板に実装する方法としてフリップチップ実装が注目され急速に広まってきている。フリップチップ実装は、はんだ等からなる多数のバンプ電極を回路基板上に直接一括で接合するため、従来のワイヤーボンディング方式に比べ、実装面積を小さくできる、電気的特性が良好、モールド封止が不要等の利点を有している。【０００３】
フリップチップ実装においては、接合部分の接続信頼性を確保することが求められている。【０００４】
そこで、近年、半導体ウエハ又は半導体チップ表面或いは回路基板上に、ペースト状接着剤（ＮＣＰ）又はフィルム状接着剤（ＮＣＦ）を供給した後、半導体チップを加熱及び／又は加圧ボンディングする方法等のいわゆる先塗布型のフリップチップ実装が提案されている（例えば、特許文献１）。また、半導体ウエハを薄化するバックグラインド工程で使用されるバックグラインドテープと、ＮＣＦとを一体化したＢＧ−ＮＣＦフィルムも提案されている（例えば、特許文献２）。【０００５】
しかしながら、半導体ウエハ又は半導体チップ表面或いは回路基板上に供給されるペースト状又はフィルム状接着剤には、更なる接続信頼性が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２６０２３０号公報
【特許文献２】特開２００８−１６６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らは、接続信頼性の向上のため、ペースト状又はフィルム状接着剤に含まれるフラックス活性剤に着目した。フラックス活性剤は、半導体チップに設けられたバンプ電極のはんだ表面の酸化被膜を除去し、銅等の金属からなる被接合部に対してはんだを濡れ広がらせ、接合させる働きをする。フラックス活性剤の効果（フラックス性）が不充分であると、接合部分のはんだ形状がいびつとなり、接続信頼性が低下する。一方、フラックス性を高めることにより、接続信頼性の向上が期待できる。
本発明者らは、フラックス活性剤として、フラックス性に優れた有機酸を用いることを検討した。しかしながら、有機酸には、ペースト状又はフィルム状接着剤の貯蔵安定性を低下させるという欠点があり、有機酸を含有するペースト状又はフィルム状接着剤は、時間が経過すると、粘度が上昇したり、はんだを濡れ広がらせる効果が低減したりすることがあった。【０００８】
本発明は、フラックス性及び接続信頼性に優れ、かつ、貯蔵安定性の高い半導体接合用接着剤を提供することを目的とする。また、本発明は、該半導体接合用接着剤を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体接合用接着剤を用いて製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及びフラックス活性剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記硬化促進剤がアミン化合物を含み、前記フラックス活性剤が有機酸フラックス活性剤であり、前記半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が２〜２０重量部かつ前記フラックス活性剤１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が４０〜５００重量部である半導体接合用接着剤である。
以下、本発明を詳述する。【００１０】
本発明者らは、ペースト、フィルム等の形態によらず、エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及びフラックス活性剤を含有する半導体接合用接着剤において、硬化促進剤としてアミン化合物を用い、かつ、フラックス活性剤として有機酸フラックス活性剤を用い、硬化促進剤の配合量を特定範囲に調整することにより、フラックス性及び接続信頼性に優れるものでありながら、高い貯蔵安定性をも有する半導体接合用接着剤とすることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
本明細書中、フラックス性とは、はんだ表面の酸化被膜を除去し、銅等の金属からなる被接合部に対してはんだを濡れ広がらせ、接合させる機能を意味する。【００１１】
本発明の半導体接合用接着剤の形態は特に限定されず、ペーストであってもよいし、フィルムであってもよい。
本発明の半導体接合用接着剤は、エポキシ化合物を含有する。本発明の半導体接合用接着剤がペースト形態である場合、上記エポキシ化合物は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ化合物、レゾルシノール型エポキシ化合物、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、ポリエーテル変性エポキシ化合物、ベンゾフェノン型エポキシ化合物、アニリン型エポキシ化合物、ＮＢＲ変性エポキシ化合物、ＣＴＢＮ変性エポキシ化合物、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、速硬化性が得られやすいことから、アニリン型エポキシ化合物が好ましい。これらのエポキシ化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。【００１２】
上記アニリン型エポキシ化合物のうち、市販品として、例えば、ＥＰ−３９００Ｓ、ＥＰ−３９５０Ｓ（ＡＤＥＫＡ社製）等が挙げられる。【００１３】
本発明の半導体接合用接着剤がペースト形態である場合、本発明の半導体接合用接着剤は、上記エポキシ化合物に加えてエピスルフィド化合物を含有していてもよい。上記エピスルフィド化合物は、エピスルフィド基を有していれば特に限定されず、例えば、エポキシ化合物のエポキシ基の酸素原子を硫黄原子に置換した化合物が挙げられる。
上記エピスルフィド化合物として、具体的には例えば、ビスフェノール型エピスルフィド化合物（ビスフェノール型エポキシ化合物のエポキシ基の酸素原子を硫黄原子に置換した化合物）、水添ビスフェノール型エピスルフィド化合物、ジシクロペンタジエン型エピスルフィド化合物、ビフェニル型エピスルフィド化合物、フェノールノボラック型エピスルフィド化合物、フルオレン型エピスルフィド化合物、ポリエーテル変性エピスルフィド化合物、ブタジエン変性エピスルフィド化合物、トリアジンエピスルフィド化合物、ナフタレン型エピスルフィド化合物等が挙げられる。なかでも、ナフタレン型エピスルフィド化合物が好ましい。これらのエピスルフィド化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
なお、酸素原子から硫黄原子への置換は、エポキシ基の少なくとも一部におけるものであってもよく、すべてのエポキシ基の酸素原子が硫黄原子に置換されていてもよい。【００１４】
上記エピスルフィド化合物のうち、市販品として、例えば、ＹＬ−７００７（水添ビスフェノールＡ型エピスルフィド化合物、三菱化学社製）等が挙げられる。また、上記エピスルフィド化合物は、例えば、チオシアン酸カリウム、チオ尿素等の硫化剤を使用して、エポキシ化合物から容易に合成される。【００１５】
本発明の半導体接合用接着剤がフィルム形態である場合、上記エポキシ化合物は特に限定されず、例えば、軟化点が１５０℃以下のエポキシ樹脂、常温で液体又は結晶性固体のエポキシ樹脂等が挙げられる。より具体的には例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。【００１６】
また、上記エポキシ化合物としては、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂も好ましい。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、剛直で分子の運動が阻害されるため機械的強度及び耐熱性に優れた硬化物とすることができ、また、吸水性が低くなるため耐湿性に優れた硬化物とすることができる。【００１７】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。なかでも、ジシクロペンタジエンジオキシドが好ましい。【００１８】
本発明の半導体接合用接着剤がフィルム形態である場合、本発明の半導体接合用接着剤は、更に、上記エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物（以下、単に、高分子化合物ともいう）を含有してもよい。上記高分子化合物は、造膜成分としての役割を果たす。また、上記高分子化合物を含有することで、半導体接合用接着剤の硬化物は靭性をもち、優れた耐衝撃性を発現することができる。
上記高分子化合物は特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基等を有する高分子化合物等が挙げられる。【００１９】
本発明の半導体接合用接着剤がフィルム形態である場合、本発明の半導体接合用接着剤は、更に、エポキシ基を有する高分子化合物を含有してもよい。上記エポキシ基を有する高分子化合物を含有することで、半導体接合用接着剤の硬化物は、上記エポキシ化合物に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子化合物に由来する優れた靭性とを兼備することにより、高い接合信頼性及び接続信頼性を発現することができる。【００２０】
上記エポキシ基を有する高分子化合物は、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。【００２１】
本発明の半導体接合用接着剤は、硬化剤を含有し、硬化速度や硬化物の物性等を調整する目的で、更に、硬化促進剤を含有する。
上記硬化促進剤は、アミン化合物（以下、アミン系硬化促進剤ともいう）を含有する。本発明の半導体接合用接着剤は、上記アミン化合物を含有するため、後述するような有機酸フラックス活性剤を含有していても高い貯蔵安定性を有するものとなる。なお、上記アミン化合物を含有していても、有機酸フラックス活性剤を含有しない場合には半導体接合用接着剤の貯蔵安定性は低下する。即ち、上記アミン化合物と有機酸フラックス活性剤とをともに含有することで、本発明の半導体接合用接着剤は高い貯蔵安定性を有するものとなる。【００２２】
上記アミン系硬化促進剤は、上記エポキシ化合物の硬化促進剤として作用するアミン化合物であれば特に限定されず、例えば、ジシアンジアミド、変性脂肪族アミン、アミンアダクト、マイクロカプセル型アミン及びイミダゾール等が挙げられる。これらのアミン系硬化促進剤は単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。【００２３】
上記アミン系硬化促進剤は、上記エポキシ化合物の硬化促進剤として作用するアミン化合物であれば特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。イミダゾール系硬化促進剤は、反応系を制御しやすいので、硬化速度や硬化物の物性等を調整しやすい。【００２４】
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系化合物（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）、液状イミダゾール（商品名「ＦＵＪＩＣＵＲＥ  ７０００」、Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ社製）、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１―メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４，５−ジ−（シアノエトキシメチル）イミダゾール、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７等のイミダゾール化合物、及び、これらの誘導体等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。【００２５】
また、上記硬化促進剤の配合量は、半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計１００重量部に対する下限が２重量部、上限が２０重量部であり、好ましい下限は３重量部、好ましい上限は１５重量部であり、より好ましい上限は１０重量部である。このような範囲の配合量とすることで、後述するような有機酸フラックス活性剤を含有していても半導体接合用接着剤の貯蔵安定性がより高くなる。
なお、半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計とは、例えば、上述したエポキシ化合物、エポキシ基を有する高分子化合物等のエポキシ基を有する成分の合計を意味する。
また、上記硬化促進剤の配合量は、フラックス活性剤１００重量部に対する下限が４０重量部、上限が５００重量部であり、好ましい下限が５０重量部、好ましい上限が２００重量部である。このような範囲の配合量とすることで、後述するような有機酸フラックス活性剤を含有していても半導体接合用接着剤の貯蔵安定性がより高くなる。【００２６】
上記硬化剤及び上記硬化促進剤は、上記硬化促進剤がアミン化合物を含有していれば、更に、非アミン化合物を含有していてもよい。
上記硬化剤が非アミン化合物を含有する場合、該非アミン化合物を非アミン系硬化剤といい、上記硬化促進剤が非アミン化合物を含有する場合、該非アミン化合物を非アミン系硬化促進剤という。【００２７】
上記非アミン系硬化剤は特に限定されず、例えば、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。なかでも、酸無水物系硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤は硬化速度が速いため、酸無水物系硬化剤を用いることにより、半導体接合用接着剤の速硬化性を高め、ボイドを効果的に抑制することができる。【００２８】
上記酸無水物系硬化剤は特に限定されず、例えば、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテート、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ナジック酸無水物、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸−無水マレイン酸付加物、ドデセニル無水コハク酸、ポリアゼライン酸無水物、ポリドデカン二酸無水物、クロレンド酸無水物等が挙げられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。【００２９】
上記非アミン系硬化剤の配合量は特に限定されず、半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基の総量に対する好ましい下限が６０当量、好ましい上限が１１０当量である。【００３０】
上記非アミン系硬化促進剤の配合量は特に限定されず、上記アミン系硬化促進剤と同様に、半導体接合用接着剤中に含まれる硬化剤の合計１００重量部に対する好ましい下限が１重量部、好ましい上限が２０重量部である。【００３１】
上記硬化剤と上記硬化促進剤とを組み合わせて使用してもよい。上記硬化剤と上記硬化促進剤との組み合わせとして、上記非アミン系硬化剤と上記アミン系硬化促進剤との組み合わせがより好ましく、上記酸無水物系硬化剤と上記イミダゾール系硬化促進剤との組み合わせが特に好ましい。上記酸無水物系硬化剤と上記イミダゾール系硬化促進剤とを併用することで、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる。【００３２】
本発明の半導体接合用接着剤は、フラックス活性剤を含有する。
上記フラックス活性剤は、有機酸フラックス活性剤である。本発明の半導体接合用接着剤は、上記有機酸フラックス活性剤を含有するため、フラックス性に優れたものとなり、接合部分の接続信頼性が向上する。【００３３】
上記有機酸フラックス活性剤は特に限定されないが、例えば、グルタル酸、コハク酸等のカルボン酸等が挙げられる。これらの有機酸フラックス活性剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。【００３４】
上記有機酸フラックス活性剤の配合量は特に限定されないが、半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計１００重量部に対する好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が１５重量部である。配合量が０．５重量部未満であると、半導体接合用接着剤のフラックス性が低下するため、接合部分のはんだ形状がいびつとなることがあり、接続信頼性を充分に高めることができないことがある。配合量が１５重量部を超えると、半導体接合用接着剤の貯蔵安定性が低下することがあり、時間が経過すると、粘度が上昇したり、はんだを濡れ広がらせる効果が低減したりすることがある。配合量のより好ましい下限は１．０重量部、より好ましい上限は１０重量部である。【００３５】
本発明の半導体接合用接着剤は、必要に応じて、無機フィラーを含有してもよい。上記無機フィラーを用いることにより、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができ、また、硬化物の線膨張係数を低下させて、接合信頼性を高めることができる。【００３６】
上記無機フィラーは特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等からなる無機フィラーが挙げられる。なかでも、流動性に優れることから、球状シリカが好ましい。
上記無機フィラーの配合量は特に限定されないが、半導体接合用接着剤中の好ましい下限が２０重量％、好ましい上限が７０重量％である。【００３７】
また、本発明の半導体接合用接着剤は、必要に応じて、（メタ）アクリロイル基を有するエポキシ樹脂、アクリル樹脂、多官能（メタ）アクリレート化合物、ポリイミド、ポリアミド、フェノキシ樹脂等の一般的な樹脂を含有してもよく、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、増粘剤、消泡剤、ゴム粒子等の添加剤を含有してもよい。【００３８】
本発明の半導体接合用接着剤がフィルム形態である場合、本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層の厚みは特に限定されず、バンプ電極の高さに対して５０〜１５０％であることが好ましいが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。【００３９】
本発明の半導体接合用接着剤がフィルム形態である場合、該フィルムは、本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有していれば、基材を有するサポートタイプのフィルムであってもよいし、基材を有さないノンサポートタイプのフィルムであってもよい。【００４０】
上記基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等からなるフィルム等が挙げられる。なかでも、ＰＥＴからなるフィルムが好ましい。
上記基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍであり、より好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。【００４１】
また、本発明の半導体接合用接着剤がフィルム形態である場合、該フィルムは、上記基材と本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層との間に、粘着性又は非粘着性のバンプ電極保護層を有していてもよい。
上記バンプ電極保護層を設けることにより、本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層の厚みがバンプ電極の高さに対して薄い場合であっても、表面にバンプ電極を有するウエハに半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせるラミネート工程、ウエハを裏面から研削するバックグラインド工程等における、バンプ電極の変形、損傷等を抑制することができる。【００４２】
上記バンプ電極保護層は特に限定されず、上記非粘着性のバンプ電極保護層として、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及びこれらの共重合体等を含有する透明な層、網目状構造を有する層、孔が開けられた層等が挙げられる。上記粘着性のバンプ電極保護層として、例えば、アクリル粘着剤層、ウレタン粘着剤層、シリコーン粘着剤層等が挙げられる。なかでも、ポリエチレン（ＰＥ）層、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）層、アクリル粘着剤層、ウレタン粘着剤層が好ましい。【００４３】
上記バンプ電極保護層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍであり、より好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。【００４４】
本発明の半導体接合用接着剤がペースト形態である場合、該ペーストを製造する方法は特に限定されず、例えば、エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、フラックス活性剤、及び、必要に応じて配合される各材料を、ホモディスパー、遊星攪拌機等を用いて攪拌混合する方法等が挙げられる。
本発明の半導体接合用接着剤がフィルム形態である場合、該フィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、フラックス活性剤、及び、必要に応じて配合される各材料を、ホモディスパーを用いて適当な溶媒とともに攪拌混合して接着剤溶液を調製し、接着剤溶液を基材上に塗工し、乾燥させて接着剤層を形成する方法、接着剤溶液を離型剤付きフィルム上に塗工し、乾燥させて接着剤層を形成した後、接着剤層と基材とを貼り合わせる方法等が挙げられる。【００４５】
本発明の半導体接合用接着剤は、ペースト、フィルム等の形態によらず、例えば、半導体チップを回路基板に実装する際に使用され、なかでも、フリップチップ実装に好適に使用される。
具体的には、例えば、回路基板上に本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせた後、半導体チップを回路基板に熱圧着により実装することができる。
また、例えば、表面にバンプ電極を有するウエハの上記バンプ電極を有する面に、本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設ける工程と、上記ウエハを上記接着剤層ごとダイシングして、上記接着剤層を有する半導体チップに分割する工程と、上記接着剤層を有する半導体チップを、上記接着剤層を介して回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを経て半導体装置を製造することができる。両面にバンプ電極を有し、片面に配線を有するウエハの上記バンプ電極を有する配線面又は上記配線面とは逆の上記バンプ電極を有する面に、本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設けてもよい。これらの半導体装置の製造方法もまた、本発明の１つである。【００４６】
上記ウエハは特に限定されず、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体からなり、金、銅、銀−錫はんだ、アルミニウム、ニッケル等からなるバンプ電極を表面に有するウエハが挙げられる。本発明の半導体接合用接着剤は、フラックス性に優れ、接合部分の接続信頼性が向上するものであることから、上記バンプ電極がはんだを含む場合に特に好適に使用される。
上記ウエハのバンプ電極を有する面に、本発明の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせる方法は特に限定されず、例えば、上記ウエハのバンプ電極を有する面に、真空ラミネーター等を用いてフィルムを貼り合わせる方法等が挙げられる。真空ラミネーターとして、例えば、名機製作所社製の商品名「ＭＶＬＰ―５００／６００ＩＩ」、ニチゴーモートン社製の商品名「Ｖ１３０」、タカトリ社製の商品名「ＡＴＭ−８１２Ｍ」等を用いることができる。【００４７】
また、例えば、回路基板上に本発明の半導体接合用接着剤からなるペーストを供給した後、半導体チップを回路基板に熱圧着により実装することができる。表面にバンプ電極を有する半導体チップを回路基板又は他の半導体チップに実装する半導体装置の製造方法であって、上記回路基板又は他の半導体チップに、本発明の半導体接合用接着剤からなるペーストを塗布して接着剤層を形成する工程と、上記表面にバンプ電極を有する半導体チップを、上記接着剤層を介して上記回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する半導体装置の製造方法もまた、本発明の１つである。【００４８】
上記表面にバンプ電極を有する半導体チップは、例えば、上述した表面にバンプ電極を有するウエハをダイシングにより個片化することで得られる。上記回路基板又は他の半導体チップに、本発明の半導体接合用接着剤からなるペーストを塗布する方法は特に限定されず、例えば、ディスペンサを用いた塗布方法等が挙げられる【００４９】
本発明の半導体接合用接着剤を用いて製造された半導体装置もまた、本発明の１つである。
【発明の効果】
【００５０】
本発明によれば、フラックス性及び接続信頼性に優れ、かつ、貯蔵安定性の高い半導体接合用接着剤を提供することができる。また、本発明によれば、該半導体接合用接着剤を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体接合用接着剤を用いて製造された半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下に実施例を掲げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００５２】
（実施例１〜１８、比較例１〜２０）
（半導体接合用接着ペースト又はフィルムの製造）
実施例１〜９、比較例１〜１０では、表１又は２に示した組成に従って各材料を遊星攪拌機を用いて攪拌混合して半導体接合用接着ペーストを得た。
実施例１０〜１８、比較例１１〜２０では、表３又は４に示した組成に従って各材料をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と混合し、ホモディスパーを用いて攪拌混合して接着剤溶液を調製した。この接着剤溶液を、乾燥後の厚みが３５μｍとなるように基材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム（Ａ３１、帝人デュポン社製、厚み５０μｍ）に塗工し、１００℃で５分間乾燥させて接着剤層を形成して、半導体接合用接着フィルムを得た。使用時まで、得られた接着剤層の表面を離型剤付ＰＥＴフィルムで保護した。
各材料を以下に示した。
【００５３】
（１）エポキシ化合物
・８２８ＥＬ（ビスフェノールＡ液状エポキシ樹脂、三菱化学社製）
・１００４ＡＦ（ビスフェノールＡ固形エポキシ樹脂、三菱化学社製）
【００５４】
（２）エポキシ基を有する高分子化合物（エポキシ基含有フェノキシ樹脂）
・ＹＰ−５０（フェノキシ樹脂、新日鉄化学社製）
【００５５】
（３）硬化剤及び硬化促進剤
（ｉ）非アミン系硬化剤
・ＹＨ３０６（酸無水物系硬化剤、三菱化学社製）
（ｉｉ）アミン系硬化促進剤
・２ＭＺＡ（イミダゾール系硬化促進剤、四国化成工業社製）
・ＭＹ−Ｈ（アミンアダクト硬化促進剤、味の素ファインテクノ社製）
・Ｆ７０００（イミダゾール系硬化促進剤、Ｔ＆ＫＴＯＫＡ社製）
【００５６】
（４）有機酸フラックス活性剤
・アジピン酸（和光純薬工業社製）
・グルタル酸（和光純薬工業社製）
【００５７】
（５）無機フィラー（シリカフィラー）
・ＳＥ−１０５０（平均粒子径０．２５μｍ、アドマテックス社製）
・ＳＥ−２０５０（平均粒子径０．５μｍ、アドマテックス社製）
【００５８】
（半導体接合用接着ペーストを用いた半導体装置の作製）
はんだからなるバンプ電極を有する半導体ウエハ（ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、はんだの溶融温度２３５℃、ウォルツ社製）をダイシングにより個片化した半導体チップ、及び、Ｎｉ／Ａｕ電極を有する基板（ＷＡＬＴＳ−ＫＩＴ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、ウォルツ社製）を用意した。
【００５９】
実施例１〜９、比較例１〜１０で得られた半導体接合用接着ペーストをディスペンサ装置（ＳＨＯＴ  ＭＡＳＴＥＲ３００、武蔵エンジニアリング社製）を用いて、吐出圧０．４ＭＰａ、基板とニードルとのギャップ２００μｍの条件で基板に塗布した。次いで、予めダイシングにより個片化された半導体チップを、半導体接合用接着ペーストがディスペンスされた基板に対してボンディング装置（ＦＣ−３０００、東レエンジニアリング製）を用いて４０Ｎ、温度２４０℃で１０秒間圧着して基板上に実装し、更に、１７０℃オーブンで１時間加熱して接着剤層を完全硬化させ、半導体装置を得た。
【００６０】
（半導体接合用接着フィルムを用いた半導体装置の作製）
はんだからなるバンプ電極を有する半導体ウエハ（ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、はんだの溶融温度２３５℃、ウォルツ社製）、及び、Ｎｉ／Ａｕ電極を有する基板（ＷＡＬＴＳ−ＫＩＴ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、ウォルツ社製）を用意した。
【００６１】
実施例１０〜１８、比較例１１〜２０で得られた半導体接合用接着フィルムの接着剤層を保護する離型剤付ＰＥＴフィルムを剥がし、真空ラミネーター（商品名「ＡＴＭ−８１２Ｍ」、タカトリ社製）を用いて、ウエハのバンプ電極を有する面に、半導体接合用接着フィルムを貼り合わせた。ウエハの半導体接合用接着フィルムが貼り合わされていない側の表面にダイシングテープ（商品名「ＰＥテープ♯６３１８−Ｂ」、積水化学工業社製）を貼り合わせ、ダイシングフレームにマウントした。次いで、接着剤層のみを残して半導体接合用接着フィルムの基材を剥離した。
【００６２】
次いで、ダイシング装置（商品名「ＤＦＤ６５１」、ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、ウエハを接着剤層ごと７．３ｍｍ×７．３ｍｍのチップサイズにダイシングして、接着剤層を有する半導体チップに分割した。得られた接着剤層を有する半導体チップを、ボンディング装置（ＦＣ−３０００、東レエンジニアリング製）を用いて４０Ｎ、温度２４０℃で１０秒間圧着して基板上に実装し、更に、１７０℃オーブンで１時間加熱して接着剤層を完全硬化させ、半導体装置を得た。
【００６３】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルム、及び、半導体装置について、以下の評価を行った。結果を表１〜４に示した。
【００６４】
（１）接続信頼性（フラックス性）
実施例１〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体装置について、研磨機を用いて断面研磨し、マイクロスコープを用いて電極接合の状態を観察した。上下電極間に接着剤の噛み込みが無く、電極接合状態が良好であった場合を○、上下電極間に接着剤の噛み込みがあり、上下電極が全く接合していなかった場合を×とした。
【００６５】
（２）貯蔵安定性
実施例１〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルムの接着剤層の溶融粘度を、回転式レオメーター（ＶＡＲ−１００、レオロジカ社製）を用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで３０〜１６０℃で測定し、最低溶融粘度（Ａ）を求めた。室温（２５℃）にて１日後から５日後にかけて保管した接着ペースト又は室温（２５℃）にて１日後から１０日後にかけて保管した接着フィルムの接着剤層の最低溶融粘度（Ｂ）を同様に測定し、ＢがＡに対し１．２倍を超えるまでに要した時間（１．２倍（溶融）粘度上昇時間）を測定した。
【００６６】
（３）濡れ安定性
実施例１〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルムの濡れ安定性を求めた。接着ペーストを作製した直後から室温（２５℃）にて１日後から５日後にかけて保管した接着ペースト又は接着フィルムを作製した直後から室温（２５℃）にて１日後から１０日後にかけて保管した接着フィルムを用いて上記のように半導体装置を製造し、ボンディング工程において、はんだが充分に濡れるか否かを観察し、はんだが充分に濡れなくなるまでの時間を測定した。
【００６７】
（４）硬化性
実施例１〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルムの硬化性を求めた。接着ペースト又はフィルムを１９０℃２時間加熱し、硬化した場合を○、硬化不良であった場合を×とした。
【００６８】
【表１】
2015083587.tif 000002
【００６９】
【表２】
2015083587.tif 000003
【００７０】
【表３】
2015083587.tif 000004
【００７１】
【表４】
2015083587.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明によれば、フラックス性及び接続信頼性に優れ、かつ、貯蔵安定性の高い半導体接合用接着剤を提供することができる。また、本発明によれば、該半導体接合用接着剤を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体接合用接着剤を用いて製造された半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月1日(2015.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及びフラックス活性剤を含有する半導体接合用接着剤であって、
前記硬化促進剤がアミン化合物を含み、
前記フラックス活性剤が有機酸フラックス活性剤であり、
前記半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が３〜２０重量部かつ前記フラックス活性剤１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が４０〜５００重量部である
ことを特徴とする半導体接合用接着剤。
【請求項２】
表面にバンプ電極を有するウエハの前記バンプ電極を有する面に、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設ける工程と、
前記ウエハを前記接着剤層ごとダイシングして、前記接着剤層を有する半導体チップに分割する工程と、
前記接着剤層を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
両面にバンプ電極を有し、片面に配線を有するウエハの前記バンプ電極を有する配線面又は前記配線面とは逆の前記バンプ電極を有する面に、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設ける工程と、
前記ウエハを前記接着剤層ごとダイシングして、前記接着剤層を有する半導体チップに分割する工程と、
前記接着剤層を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面にバンプ電極を有する半導体チップを回路基板又は他の半導体チップに実装する半導体装置の製造方法であって、
前記回路基板又は他の半導体チップに、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなるペーストを塗布して接着剤層を形成する工程と、
前記表面にバンプ電極を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して前記回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体接合用接着剤を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月23日(2015.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及びフラックス活性剤を含有する半導体接合用接着剤であって、
前記硬化促進剤がアミン化合物を含み、
前記フラックス活性剤がグルタル酸又はコハク酸であり、
前記半導体接合用接着剤中に含まれるエポキシ基を有する成分の合計１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が３〜２０重量部かつ前記フラックス活性剤１００重量部に対して前記硬化促進剤の配合量が４０〜５００重量部である
ことを特徴とする半導体接合用接着剤。
【請求項２】
表面にバンプ電極を有するウエハの前記バンプ電極を有する面に、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設ける工程と、
前記ウエハを前記接着剤層ごとダイシングして、前記接着剤層を有する半導体チップに分割する工程と、
前記接着剤層を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
両面にバンプ電極を有し、片面に配線を有するウエハの前記バンプ電極を有する配線面又は前記配線面とは逆の前記バンプ電極を有する面に、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなる接着剤層を有するフィルムを貼り合わせて接着剤層を設ける工程と、
前記ウエハを前記接着剤層ごとダイシングして、前記接着剤層を有する半導体チップに分割する工程と、
前記接着剤層を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面にバンプ電極を有する半導体チップを回路基板又は他の半導体チップに実装する半導体装置の製造方法であって、
前記回路基板又は他の半導体チップに、請求項１記載の半導体接合用接着剤からなるペーストを塗布して接着剤層を形成する工程と、
前記表面にバンプ電極を有する半導体チップを、前記接着剤層を介して前記回路基板又は他の半導体チップに熱圧着により実装する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体接合用接着剤を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
（実施例６、１５、参考例１〜５、７〜１４、１６〜１８、比較例１〜２０）
（半導体接合用接着ペースト又はフィルムの製造）
実施例６、参考例１〜５、７〜９、比較例１〜１０では、表１又は２に示した組成に従って各材料を遊星攪拌機を用いて攪拌混合して半導体接合用接着ペーストを得た。
実施例１５、参考例１０〜１４、１６〜１８、比較例１１〜２０では、表３又は４に示した組成に従って各材料をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と混合し、ホモディスパーを用いて攪拌混合して接着剤溶液を調製した。この接着剤溶液を、乾燥後の厚みが３５μｍとなるように基材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム（Ａ３１、帝人デュポン社製、厚み５０μｍ）に塗工し、１００℃で５分間乾燥させて接着剤層を形成して、半導体接合用接着フィルムを得た。使用時まで、得られた接着剤層の表面を離型剤付ＰＥＴフィルムで保護した。
各材料を以下に示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
実施例６、参考例１〜５、７〜９、比較例１〜１０で得られた半導体接合用接着ペーストをディスペンサ装置（ＳＨＯＴ  ＭＡＳＴＥＲ３００、武蔵エンジニアリング社製）を用いて、吐出圧０．４ＭＰａ、基板とニードルとのギャップ２００μｍの条件で基板に塗布した。次いで、予めダイシングにより個片化された半導体チップを、半導体接合用接着ペーストがディスペンスされた基板に対してボンディング装置（ＦＣ−３０００、東レエンジニアリング製）を用いて４０Ｎ、温度２４０℃で１０秒間圧着して基板上に実装し、更に、１７０℃オーブンで１時間加熱して接着剤層を完全硬化させ、半導体装置を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施例１５、参考例１０〜１４、１６〜１８、比較例１１〜２０で得られた半導体接合用接着フィルムの接着剤層を保護する離型剤付ＰＥＴフィルムを剥がし、真空ラミネーター（商品名「ＡＴＭ−８１２Ｍ」、タカトリ社製）を用いて、ウエハのバンプ電極を有する面に、半導体接合用接着フィルムを貼り合わせた。ウエハの半導体接合用接着フィルムが貼り合わされていない側の表面にダイシングテープ（商品名「ＰＥテープ♯６３１８−Ｂ」、積水化学工業社製）を貼り合わせ、ダイシングフレームにマウントした。次いで、接着剤層のみを残して半導体接合用接着フィルムの基材を剥離した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
＜評価＞
実施例、参考例及び比較例で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルム、及び、半導体装置について、以下の評価を行った。結果を表１〜４に示した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（１）接続信頼性（フラックス性）
実施例６、１５、参考例１〜５、７〜１４、１６〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体装置について、研磨機を用いて断面研磨し、マイクロスコープを用いて電極接合の状態を観察した。上下電極間に接着剤の噛み込みが無く、電極接合状態が良好であった場合を○、上下電極間に接着剤の噛み込みがあり、上下電極が全く接合していなかった場合を×とした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（２）貯蔵安定性
実施例６、１５、参考例１〜５、７〜１４、１６〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルムの接着剤層の溶融粘度を、回転式レオメーター（ＶＡＲ−１００、レオロジカ社製）を用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで３０〜１６０℃で測定し、最低溶融粘度（Ａ）を求めた。室温（２５℃）にて１日後から５日後にかけて保管した接着ペースト又は室温（２５℃）にて１日後から１０日後にかけて保管した接着フィルムの接着剤層の最低溶融粘度（Ｂ）を同様に測定し、ＢがＡに対し１．２倍を超えるまでに要した時間（１．２倍（溶融）粘度上昇時間）を測定した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（３）濡れ安定性
実施例６、１５、参考例１〜５、７〜１４、１６〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルムの濡れ安定性を求めた。接着ペーストを作製した直後から室温（２５℃）にて１日後から５日後にかけて保管した接着ペースト又は接着フィルムを作製した直後から室温（２５℃）にて１日後から１０日後にかけて保管した接着フィルムを用いて上記のように半導体装置を製造し、ボンディング工程において、はんだが充分に濡れるか否かを観察し、はんだが充分に濡れなくなるまでの時間を測定した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（４）硬化性
実施例６、１５、参考例１〜５、７〜１４、１６〜１８、比較例１〜２０で得られた半導体接合用接着ペースト又はフィルムの硬化性を求めた。接着ペースト又はフィルムを１９０℃２時間加熱し、硬化した場合を○、硬化不良であった場合を×とした。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【表１】
2015083587.tif 000006
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【表３】
2015083587.tif 000007
【国際調査報告】
2015083587.tif 000008
2015083587.tif 000009
2015083587.tif 000010
2015083587.tif 000011