(57)【要約】  有機化合物層と、有機化合物層に隣接して設けられた導電層とを備える透明導電体を構成する。この透明導電体において、導電層は、銀（Ａｇ）を主成分とする金属層と、パラジウム（Ｐｄ）を含むパラジウム含有層とからなり、パラジウム含有層が、導電層において有機化合物層側に設けられている。
2014175181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物層と、
前記有機化合物層に隣接して設けられた導電層と、を備え、
前記導電層は、銀（Ａｇ）を主成分とする金属層と、パラジウム（Ｐｄ）を含むパラジウム含有層とからなり、
前記パラジウム含有層が、前記導電層において前記有機化合物層側に設けられている
透明導電体。
【請求項２】
前記有機化合物層が、ルイス塩基を有する化合物からなる請求項１に記載の透明導電体。
【請求項３】
前記ルイス塩基を有する化合物は、当該化合物に含まれる窒素原子（Ｎ）又は硫黄原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対の数をｎ、分子量をＭとした場合の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０-３≦［ｎ／Ｍ］となる請求項２に記載の透明導電体。
【請求項４】
前記金属層の厚さが、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である請求項１に記載の透明導電体。
【請求項５】
前記有機化合物層の前記導電層が形成されている面と反対側の面に、アドミッタンス調整層を有し、
前記導電層の前記有機化合物層側の界面における波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１、前記導電層の前記有機化合物層と反対側の界面における波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２、で表した場合に、ｘ１及びｘ２の少なくとも一方が１．６以上である
請求項１に記載の透明導電体。
【請求項６】
前記アドミッタンス調整層が、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料を含有する請求項５に記載の透明導電体。
【請求項７】
前記導電層のプラズモン吸収率が、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの全範囲で１５％以下である請求項５に記載の透明導電体。
【請求項８】
ｘ１及びｘ２が共に１．６以上である請求項５に記載の透明導電体。
【請求項９】
前記光学アドミッタンスＹ１のｙ１と、前記光学アドミッタンスＹ２のｙ２とが、ｙ１×ｙ２＜０の関係を満たす請求項５に記載の透明導電体。
【請求項１０】
前記アドミッタンス調整層が、ＴｉＯ２、又は、Ｎｂ２Ｏ５を含む請求項５に記載の透明導電体。
【請求項１１】
前記アドミッタンス調整層の屈折率が１．８以上２．５以下である請求項５に記載の透明導電体。
【請求項１２】
前記アドミッタンス調整層が、第１アドミッタンス調整層と、第２アドミッタンス調整層とからなり、前記第１アドミッタンス調整層側に前記有機化合物層が設けられている請求項５に記載の透明導電体。
【請求項１３】
前記第１アドミッタンス調整層の屈折率が、前記第２アドミッタンス調整層の屈折率よりも０．２以上大きい請求項１２に記載の透明導電体。
【請求項１４】
前記請求項１から１３のいずれかに記載の透明導電体を備える電子デバイス。
【請求項１５】
前記透明導電体上に発光機能層を有する請求項１４に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電体、及び、この透明導電体を備える電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。【０００３】
このような有機電界発光素子は、２枚の電極間に有機材料を用いて構成された発光層を挟持した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明導電体として構成される。【０００４】
透明導電体としては、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料や、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った材料が検討されている（例えば、下記特許文献１、特許文献２参照）。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために形成後に３００℃程度でアニール処理する必要がある。そこで、銀にアルミニウムを混ぜることにより銀単独よりも薄い厚さで導電性を確保する構成も提案されている（例えば、下記特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１５６２３号公報
【特許文献２】特開２００６−１６４９６１号公報
【特許文献３】特開２００９−１５１９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、銀とアルミニウムとを用いて構成された透明導電体であっても、十分な導電性と光透過性との両立を図ることは困難であった。【０００７】
そこで本発明は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電体を提供すること、及び、この透明導電体を用いることによって性能の向上が図られた電子デバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の透明導電体は、有機化合物層と、有機化合物層に隣接して設けられた導電層とを備える。導電層は、銀（Ａｇ）を主成分とする金属層と、パラジウム（Ｐｄ）を含むパラジウム含有層とからなり、パラジウム含有層が、導電層において有機化合物層側に設けられている。
また、本発明の電子デバイスは、上記透明導電体を備える。【０００９】
本発明の透明導電体によれば、パラジウム含有層に隣接して銀を主成分とする金属層が形成された導電層を有するため、パラジウムと銀との相互作用が得られ、薄いながらも均一な厚さの導電層が得られる。さらに、有機化合物層上に導電層が設けられることにより、導電層の均一性をより高めることができる。
従って、透明導電体において、導電性の向上と光透過性の向上との両立が可能となる。また、この透明導電体を用いて、導電性と光透過性とに優れる電子デバイスを構成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、導電性と光透過性とに優れた透明導電体、及び、電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の透明導電体の概略構成を示す図である。
【図２】窒素原子の結合様式を説明するためのＴＢＡＣとＩｒ（ｐｐｙ）３の構造式を示す図である。
【図３】ピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。
【図４】ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。
【図５】イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。
【図６】δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。
【図７】第２実施形態の透明導電体の概略構成を示す図である。
【図８】基材上に導電層を形成した場合のアドミッタンス軌跡を示す図である。
【図９】第２実施形態の透明導電体のアドミッタンス軌跡を示す図である。
【図１０】第３実施形態の透明導電体の概略構成を示す図である。
【図１１】第３実施形態の透明導電体のアドミッタンス軌跡を示す図である。
【図１２】第４実施形態の有機電界発光素子の概略構成を示す図である。
【図１３】実施例２で作製したボトムエミッション型の有機電界発光素子の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．透明導電体（第１実施形態）
２．透明導電体（第２実施形態）
３．透明導電体（第３実施形態）
４．有機電界発光素子（第４実施形態）
５．照明装置（第５実施形態）
【００１３】
〈１．透明導電体（第１実施形態）〉
本発明の第１実施形態について説明する。図１に、第１実施形態の透明導電体の概略構成図（断面図）を示す。
【００１４】
［透明導電体の構成］
図１に示すように、透明導電体１０は、有機化合物層１２と、導電層１５とを備える。導電層１５は、金属層１４と、この金属層１４に隣接するパラジウム含有層１３とから構成されている。また、パラジウム含有層１３は、導電層１５において有機化合物層１２側に設けられている。つまり、金属層１４と有機化合物層１２との間に、パラジウム含有層１３が挟持された構成である。そして、有機化合物層１２と、パラジウム含有層１３及び金属層１４からなる導電層１５とを備える透明導電体１０が、基材１１上に設けられている。
従って、透明導電体１０は、基材１１上に、有機化合物層１２、パラジウム含有層１３、及び、金属層１４がこの順に積層された構成である。そして、導電層１５のパラジウム含有層１３が、有機化合物層１２と金属層１４とに挟持された構成である。
【００１５】
透明導電体１０は波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１５％以下、且つ、吸収率の最大値が２５％以下であることが好ましい。
透明導電体１０は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１５％以下、好ましくは１２％以下であり、さらに１０％以下であることが好ましい。また、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は２５％以下であり、好ましくは２０％以下であり、さらに１５％以下であることが好ましい。透明導電体１０の光の吸収率は、導電層１５のプラズモン吸収率や、各層を構成する材料の光吸収率を抑制することで、低減することができる。
【００１６】
また、透明導電体１０の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均透過率は、５０％以上であることが好ましく、より好ましくは７０％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。一方、透明導電体１０の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。上記波長の光の平均透過率が５０％以上であり、かつ平均反射率２０％以下であると、高い透明性が要求される用途にも、透明導電体１０を適用できる。
【００１７】
上記吸収率、平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の正面に対して５°傾けた角度から測定光を透明導電体に入射させて測定される値である。吸収率、平均透過率及び平均反射率は、分光光度計で測定される。
【００１８】
また、透明導電体１０の表面抵抗は、３０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、さらに好ましくは１５Ω／ｓｑ．以下である。透明導電体１０の表面抵抗値は、導電層１５の厚み等によって調整できる。透明導電体１０の表面抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定できる。また、市販の表面抵抗率計によっても測定できる。
【００１９】
以下に、本例の透明導電体１０について、基材１１、有機化合物層１２、導電層１５の順に詳細な構成を説明する。なお、本例の透明導電体１０において、透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
【００２０】
［基材１１］
透明導電体１０が形成される基材１１は、この上に形成される各種素子の支持材である。基材１１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましい。基材１１としては、例えばガラス、石英、透明樹脂フィルム等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【００２１】
基材１１は、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。基材１１の光の平均透過率が低いと、透明導電体全体の光の平均透過率が低下する。また、基材１１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００２２】
基材１１の平均透過率は、基材１１の正面に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させて測定した値である。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の方法で基材１１の平均反射率を測定し、［平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）］として算出される値である。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定する。
【００２３】
基材１１の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。基材１１の屈折率は、通常、基材１１の材質によって定まる。基材１１の屈折率は、波長５１０ｎｍの光の屈折率であり、エリプソメーターで測定される。
【００２４】
基材１１の厚みは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。基材１１の厚みが１μｍより薄い場合には、基材１１の強度が低くなり、基材１１上に素子を形成する際に破損する可能性がある。また、基材１１の厚みが厚すぎると、透明導電体の可撓性や光透過性が低下する原因となる場合がある。
【００２５】
ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、透明導電体１０の積層構造との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて研磨等の物理的処理や、無機物又は有機物からなる被膜、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。
【００２６】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
【００２７】
樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０−５ｇ／（ｍ２・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００２８】
以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、樹脂フィルムの劣化をもたらす水分や酸素等素子の浸入を抑制する機能を有する材料を用いる。例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００２９】
バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。特に、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を好ましく用いることができる。
【００３０】
［有機化合物層］
有機化合物層１２は、基材１１の一主面側に設けられた層であり、導電層１５に隣接して設けられた層である。有機化合物層１２の厚さは、１μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【００３１】
有機化合物層１２は、ルイス塩基を有する化合物により構成されている。すなわち、有機化合物層１２は、非共有電子対を有する原子を含む化合物を用いて構成されている。ルイス塩基を有する化合物としては、窒素含有化合物又は硫黄含有化合物が挙げられる。
【００３２】
例えば、有機化合物層１２は、窒素含有化合物及び硫黄含有化合物の少なくとも一方、又は、両方を用いて構成された層である。また、それぞれ複数種類の化合物を含有する層とすることもできる。有機化合物層１２を構成する化合物は、窒素と硫黄の両方を含有した化合物であってもよい。
【００３３】
有機化合物層１２を構成する窒素含有化合物は、窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物であればよく、特に窒素原子が非共有電子対を有することが好ましい。また、有機化合物層１２を構成する硫黄含有化合物は、硫黄原子（Ｓ）を含んだ化合物であればよく、特に硫黄原子が非共有電子対を有することが好ましい。
【００３４】
また、有機化合物層１２を構成する窒素含有化合物及び硫黄含有化合物が、導電層１５を構成する主材料である金属材料と安定的に結合する、非共有電子対を有する窒素原子又は硫黄原子を含むとき、この窒素原子又は硫黄原子の非共有電子対を［有効非共有電子対］とする。有機化合物層１２を構成する窒素含有化合物及び硫黄含有化合物は、この［有効非共有電子対］の含有率が所定範囲であることが好ましい。
【００３５】
ここで［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子又は硫黄原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」（ｎ＝０、又は自然数）個であることを条件としている。
【００３６】
以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子又は硫黄原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子又は硫黄原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子の非共有電子対が、芳香族性に必須要素として直接的に関与しない非共有電子対、すなわち共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、芳香族性発現のために必須のものとして関与していない非共有電子対であれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対の全てが芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。硫黄原子についても同様である。なお、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子及び硫黄原子の数と一致する。
【００３７】
次に、上述した［有効非共有電子対］について、具体例を挙げて詳細に説明する。
窒素原子は、第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となる。このため、通常、窒素原子の結合本数は３本である。
【００３８】
例えば、窒素原子を有する基として、アミノ基（−ＮＲ１Ｒ２）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ１Ｒ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、シアノ基（−ＣＮ）、ジアゾ基（−Ｎ２）、アジド基（−Ｎ３）、ウレア結合（−ＮＲ１Ｃ＝ＯＮＲ２−）、イソチオシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（−Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ１Ｒ２）などが挙げられる。尚、Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ水素原子（Ｈ）又は置換基である。
【００３９】
これらの基を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していないため、［有効非共有電子対］に該当する。このうち、ニトロ基（−ＮＯ２）の窒素原子が有する非共有電子対は、酸素原子との共鳴構造に利用されているものの、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］として窒素上に存在すると考えられる。
【００４０】
また、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。図２を用いてこの場合の一例を説明する。図２は、テトラブチルアンモニウムクロライド（ＴＢＡＣ）の構造式と、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］の構造式である。
【００４１】
このうち、ＴＢＡＣは、四つのブチル基のうちの１つが窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。この場合、窒素原子の非共有電子対を構成する電子のうちの１つは、ブチル基とのイオン結合に供与される。このため、ＴＢＡＣの窒素原子は、そもそも非共有電子対が存在していないと同等になる。従って、ＴＢＡＣを構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に、該当しない。
【００４２】
また、Ｉｒ（ｐｐｙ）３は、イリジウム原子と窒素原子とが配位結合している中性の金属錯体である。このＩｒ（ｐｐｙ）３を構成する窒素原子の非共有電子対は、イリジウム原子に配位していて、配位結合に利用されている。従って、Ｉｒ（ｐｐｙ）３を構成する窒素原子の非共有電子対も、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に、該当しない。
【００４３】
また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。
【００４４】
図３は、以上に例示した基のうちの一つであるピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。図３に示すとおり、ピリジン環は、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、−ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。
従って、ピリジン環を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に、該当する。
【００４５】
図４は、ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。図４に示すとおり、ピロール環は、５員環を構成する炭素原子のうちの一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員される。
【００４６】
従って、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、この非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして利用されているため、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に、該当しない。
【００４７】
図５は、イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。図５に示すとおり、イミダゾール環は、二つの窒素原子Ｎ１，Ｎ２が、５員環内の１，３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。このうち一つの窒素原子Ｎ１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子であり、この窒素原子Ｎ１の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に、該当する。これに対して、他方の窒素原子Ｎ２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子であるため、この窒素原子Ｎ２の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に、該当しない。
従って、イミダゾール環においては、これを構成する二つの窒素原子Ｎ１，Ｎ２のうちの一つの窒素原子Ｎ１の非共有電子対のみが、［有効非共有電子対］に該当する。
【００４８】
以上のような「含窒素芳香環」の窒素原子における非共有電子対の選別は、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物の場合も同様に適用される。
【００４９】
図６は、δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。図６に示すとおり、δ−カルボリン環は、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物であり、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格、及び、ピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。このうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ３は１個の不対電子のみをπ電子系に動員し、ピロール環の窒素原子Ｎ４は非共有電子対をπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。
【００５０】
従って、δ-カルボリン環の二つの窒素原子Ｎ３，Ｎ４のうち、ピリジン環を構成する窒素原子Ｎ３の非共有電子対は［有効非共有電子対］に該当するが、ピロール環を構成する窒素原子Ｎ４の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。
【００５１】
このように、縮環化合物を構成する窒素原子の非共有電子対は、縮環化合物を構成するピリジン環やピロール環等の単環中の結合と同様に、縮環化合物中の結合に関与する。
【００５２】
以上説明した［有効非共有電子対］は、導電層１５を構成するパラジウム含有層１３及び金属層１４の主成分である銀と強い相互作用を発現するために重要である。このような［有効非共有電子対］を有する窒素原子は、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。従って、窒素含有化合物としては、［有効非共有電子対］を持つ窒素原子をヘテロ原子とした芳香族複素環を有することが好ましい。
【００５３】
特に本実施形態においては、このような化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義する。そして、有機化合物層１２は、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０−３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物を用いて構成されていることが好ましい。また、窒素含有化合物及び硫黄含有化合物は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、３．９×１０−３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば好ましく、６．５×１０-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であればさらに好ましい。
【００５４】
また、有機化合物層１２は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である窒素含有化合物及び硫黄含有化合物を用いて構成されていればよく、このような化合物のみで構成されていてもよく、また、このような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていてもよい。他の化合物は、窒素原子及び硫黄原子が含有されていてもいなくてもよく、さらに有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲でなくてもよい。
【００５５】
有機化合物層１２が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。つまり、有機化合物層１２自体の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であることが好ましい。
【００５６】
なお、有機化合物層１２が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、厚さ方向に化合物の混合比（含有比）が異なる構成であれば、導電層１５と接する側の有機化合物層１２の表面層における有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であればよい。
【００５７】
また、有機化合物層１２は、導電性を有する材料で構成されている場合であっても、主たる電極となることはない。このため、有機化合物層１２は、電極として必要な膜厚を備えている必要はなく、有機化合物層１２を備えた透明導電体１０が用いられる電子デバイス中における透明導電体１０の配置状態によって、適切に設定された膜厚を有していればよい。
【００５８】
次に、有機化合物層１２を構成する化合物の詳細を、窒素含有化合物（１）、窒素含有化合物（２）、窒素含有化合物（３）、硫黄含有化合物、及び、有機化合物層１２の形成方法の順に説明する。
【００５９】
［窒素含有化合物（１）］
有機化合物層１２を構成する窒素含有化合物は、窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物であればよい。特に、非共有電子対を有する窒素原子を含む有機化合物であり、後述する化合物であることが好ましい。
【００６０】
（化合物Ｉ）
以下に、窒素含有化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０−３≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物の具体例（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８）を示す。各化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８には、［有効非共有電子対］を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表１には、これらの化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８の分子量Ｍ、［有効非共有電子対］の数ｎ、及び有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を示す。下記化合物３３の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。
【００６１】
【化１】
2014175181.tif 000003
【００６２】
【化２】
2014175181.tif 000004
【００６３】
【化３】
2014175181.tif 000005
【００６４】
【化４】
2014175181.tif 000006
【００６５】
【化５】
2014175181.tif 000007
【００６６】
【化６】
2014175181.tif 000008
【００６７】
【表１】
2014175181.tif 000009
【００６８】
尚、上記表１には、これらの例示化合物が、以降に説明する他の化合物ＩＩを表す一般式（１）〜（８ａ）にも属する場合の該当一般式を示した。
【００６９】
［窒素含有化合物（２）］
（化合物ＩＩ）
また、窒素含有化合物としては、以上のような有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物に加え、他の化合物を用いてもよい。窒素含有化合物としては、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲で有る無しにかかわらず、窒素原子を含有する化合物が好ましく用いられる。中でも［有効非共有電子対］を有する窒素原子を含有する化合物が特に好ましく用いられる。また窒素含有化合物としては、この窒素含有化合物を備えた透明導電体１０が適用される電子デバイスごとに必要とされる性質を有する化合物が用いられる。例えば、この透明導電体１０が、有機電界発光素子の電極として用いられる場合、その形成性の観点から、窒素含有化合物としては、以降に説明する一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物が好ましく用いられる。
【００７０】
これらの一般式（１）〜（８ａ）で示される構造を有する化合物の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有化合物として用いることができる（上記表１参照）。一方、下記一般式（１）〜（８ａ）で示される構造を有する化合物が、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまらない化合物であれば、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した範囲の化合物と混合して、有機化合物層１２を構成する化合物として用いることが好ましい。
【００７１】
【化７】
2014175181.tif 000010
【００７２】
上記一般式（１）中におけるＸ１１は、−Ｎ（Ｒ１１）−又は−Ｏ−を表す。また一般式（１）中におけるＥ１０１〜Ｅ１０８は、各々−Ｃ（Ｒ１２）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｅ１０１〜Ｅ１０８のうち少なくとも１つは−Ｎ＝である。上記Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれが水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。
【００７３】
この置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（上記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
【００７４】
これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。これらの置換基は、化合物と銀（Ａｇ）との相互作用を阻害することのないものが好ましく用いられ、さらには上述した有効非共有電子対を有する窒素を有するものが特に好ましく適用される。尚、以上の置換基に関する記述は、以降に説明する一般式（２）〜（８ａ）の説明において示される置換基において同様に適用される。
【００７５】
以上のような一般式（１）で表される構造を有する化合物は、化合物中の窒素と、導電層１５を構成するパラジウムや銀との間で強力な相互作用を発現できるため、好ましい。
【００７６】
【化８】
2014175181.tif 000011
【００７７】
上記一般式（１ａ）で示される化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｎ（Ｒ１１）−とした化合物である。このような化合物であれば、上記相互作用をより強力に発現できるため、好ましい。
【００７８】
【化９】
2014175181.tif 000012
【００７９】
上記一般式（１ａ−１）で示される化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【００８０】
【化１０】
2014175181.tif 000013
【００８１】
上記一般式（１ａ−２）で示される化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０３及びＥ１０６を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物は、窒素原子の数が多いことから、より強力に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【００８２】
【化１１】
2014175181.tif 000014
【００８３】
上記一般式（１ｂ）で示される化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｏ−とし、Ｅ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【００８４】
さらに、以下の一般式（２）〜（８ａ）で表される化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【００８５】
【化１２】
2014175181.tif 000015
【００８６】
上記一般式（２）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（２）の式中、Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８は、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｒ２１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。ただし、Ｅ２２１〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、及びＥ２３０〜Ｅ２３８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｋ２１及びｋ２２は０〜４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は２以上の整数である。
【００８７】
一般式（２）において、Ｙ２１で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。
【００８８】
また一般式（２）において、Ｙ２１で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。
【００８９】
Ｙ２１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基又はジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。
【００９０】
一般式（２）において、Ｅ２０１〜Ｅ２０８のうちの６つ以上、及びＥ２０９〜Ｅ２１６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。
【００９１】
一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【００９２】
さらには、一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９のいずれか１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【００９３】
また、一般式（２）において、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。
【００９４】
さらに、一般式（２）で表される構造を有する化合物において、Ｅ２０３が−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ２１１も同時に−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましい。
【００９５】
さらに、Ｅ２２５及びＥ２３４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。
【００９６】
【化１３】
2014175181.tif 000016
【００９７】
上記一般式（３）は、一般式（１ａ−２）の一形態でもある。上記一般式（３）の式中、Ｅ３０１〜Ｅ３１２は、各々−Ｃ（Ｒ３１）＝を表し、Ｒ３１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。また、Ｙ３１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
【００９８】
また一般式（３）において、Ｙ３１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、一般式（２）のＹ２１と同様のものが挙げられる。
【００９９】
【化１４】
2014175181.tif 000017
【０１００】
上記一般式（４）は、一般式（１ａ−１）の一形態でもある。上記一般式（４）の式中、Ｅ４０１〜Ｅ４１４は、各々−Ｃ（Ｒ４１）＝を表し、Ｒ４１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。またＡｒ４１は、置換又は無置換の、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。さらにｋ４１は３以上の整数を表す。
【０１０１】
また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。
【０１０２】
また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。尚、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は、さらに一般式（１）において、Ｒ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。
【０１０３】
【化１５】
2014175181.tif 000018
【０１０４】
上記一般式（５）の式中、Ｒ５１は置換基を表す。Ｅ５０１，Ｅ５０２、Ｅ５１１〜Ｅ５１５、Ｅ５２１〜Ｅ５２５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｅ５０３〜Ｅ５０５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝を表す。Ｒ５２は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ５０１及びＥ５０２のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｅ５１１〜Ｅ５１５のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｅ５２１〜Ｅ５２５のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝である。
【０１０５】
【化１６】
2014175181.tif 000019
【０１０６】
上記一般式（６）の式中、Ｅ６０１〜Ｅ６１２は、各々−Ｃ（Ｒ６１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ６１は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。またＡｒ６１は、置換又は無置換の、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。
【０１０７】
また一般式（６）において、Ａｒ６１が表す、置換又は無置換の、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。
【０１０８】
【化１７】
2014175181.tif 000020
【０１０９】
上記一般式（７）の式中、Ｒ７１〜Ｒ７３は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、Ａｒ７１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。
【０１１０】
また一般式（７）において、Ａｒ７１が表す芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。
【０１１１】
【化１８】
2014175181.tif 000021
【０１１２】
上記一般式（８）は、一般式（７）の一形態でもある。上記一般式（８）の式中、Ｒ８１〜Ｒ８６は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ８０１〜Ｅ８０３は、各々−Ｃ（Ｒ８７）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ８７は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ａｒ８１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。
【０１１３】
また一般式（８）において、Ａｒ８１が表す、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。
【０１１４】
【化１９】
2014175181.tif 000022
【０１１５】
上記一般式（８ａ）で示される構造を有する窒素含有化合物は、上記一般式（８）で示され構造を有する窒素含有化合物の一形態であり、一般式（８）におけるＡｒ８１がカルバゾール誘導体である。上記一般式（８ａ）の式中、Ｅ８０４〜Ｅ８１１は、各々−Ｃ（Ｒ８８）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ８８は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ８０８〜Ｅ８１１のうち少なくとも一つは−Ｎ＝であり、Ｅ８０４〜Ｅ８０７、Ｅ８０８〜Ｅ８１１は、各々互いに結合して新たな環を形成してもよい。
【０１１６】
［窒素含有化合物（３）］
（化合物ＩＩＩ）
また、窒素含有化合物を構成するさらに他の化合物として、以上のような一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物の他、下記に具体例を示す化合物１〜１６６が例示される。これらの化合物は、導電層１５を構成するパラジウムや銀と相互作用する窒素原子を含有する化合物である。また、これらの化合物は、電子輸送性又は電子注入性を備えた材料である。従って、これらの化合物を用いて有機化合物層１２を構成した透明導電体１０は、有機電界発光素子における透明電極として好適であり、有機電界発光素子における電子輸送層又は電子注入層として有機化合物層１２を用いることができる。尚、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で有機化合物層１２を構成する化合物として用いることができる。さらに、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した一般式（１）〜（８ａ）に当てはまる化合物もある。
【０１１７】
【化２０】
2014175181.tif 000023
【０１１８】
【化２１】
2014175181.tif 000024
【０１１９】
【化２２】
2014175181.tif 000025
【０１２０】
【化２３】
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【０１２１】
【化２４】
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【０１２２】
【化２５】
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【０１２３】
【化２６】
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【０１２４】
【化２７】
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【０１２５】
【化２８】
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【０１２６】
【化２９】
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【０１２７】
【化３０】
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【０１２８】
【化３１】
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【０１２９】
【化３２】
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【０１３０】
【化３３】
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【０１３１】
【化３４】
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【０１３２】
【化３５】
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【０１３３】
【化３６】
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【０１３４】
【化３７】
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【０１３５】
【化３８】
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【０１３６】
【化３９】
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【０１３７】
【化４０】
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【０１３８】
【化４１】
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【０１３９】
【化４２】
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【０１４０】
【化４３】
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【０１４１】
【化４４】
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【０１４２】
【化４５】
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【０１４３】
【化４６】
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【０１４４】
【化４７】
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【０１４５】
【化４８】
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【０１４６】
【化４９】
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【０１４７】
【化５０】
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【０１４８】
【化５１】
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【０１４９】
【化５２】
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【０１５０】
【化５３】
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【０１５１】
【化５４】
2014175181.tif 000057
【０１５２】
［窒素含有化合物の合成例］
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。
【０１５３】
【化５５】
2014175181.tif 000058
【０１５４】
工程１：（中間体１の合成）
窒素雰囲気下、２，８−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中で混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。
【０１５５】
工程２：（中間体２の合成）
室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。
【０１５６】
工程３：（化合物５の合成）
窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η６−Ｃ６Ｈ６）ＲｕＣｌ２］２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。
【０１５７】
反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下（８００Ｐａ、８０℃）において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２：Ｅｔ３Ｎ＝２０：１〜１０：１）にて精製した。
【０１５８】
減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物５を収率６８％で得た。
【０１５９】
［硫黄含有化合物］
有機化合物層１２を構成する硫黄含有化合物としては、分子内にスルフィド結合（チオエーテル結合ともいう）、ジスルフィド結合、メルカプト基、スルホン基、チオカルボニル結合等を有していればよく、特に、スルフィド結合、メルカプト基を有することが好ましい。
【０１６０】
具体的には、下記一般式（９）〜一般式（１２）で表される構造を有する含硫黄化合物を挙げることができる。
【０１６１】
【化５６】
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【０１６２】
【化５７】
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【０１６３】
【化５８】
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【０１６４】
【化５９】
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【０１６５】
上記一般式（９）において、Ｒ７１及びＲ７２は、各々置換基を表す。
【０１６６】
Ｒ７１及びＲ７２で表される置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。
【０１６７】
上記一般式（１０）において、Ｒ７３及びＲ７４は、置換基を表す。
Ｒ７３及びＲ７４で表される置換基としては、Ｒ７１及びＲ７２と同様の置換基が挙げられる。
【０１６８】
上記一般式（１１）において、Ｒ７５は、置換基を表す。
Ｒ７５で表される置換基としては、Ｒ７１及びＲ７２と同様の置換基が挙げられる。
【０１６９】
上記一般式（１２）において、Ｒ７６は、置換基を表す。
Ｒ７６で表される置換基としては、Ｒ７１及びＲ７２と同様の置換基が挙げられる。
【０１７０】
以下に、有機化合物層１２に適用可能な硫黄含有化合物の具体例を示す。
【０１７１】
【化６０】
2014175181.tif 000063
【０１７２】
【化６１】
2014175181.tif 000064
【０１７３】
【化６２】
2014175181.tif 000065
【０１７４】
【化６３】
2014175181.tif 000066
【０１７５】
【化６４】
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【０１７６】
【化６５】
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【０１７７】
【化６６】
2014175181.tif 000069
【０１７８】
（有機化合物層の形成方法）
以上のような有機化合物層１２の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。
【０１７９】
特に、複数の化合物を用いて有機化合物層１２を形成する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて有機化合物層１２を形成する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すればよい。
【０１８０】
［導電層］
導電層１５は、導電層１５を主として構成する銀（Ａｇ）を主成分とする金属層１４と、この金属層１４に隣接して設けられたパラジウム（Ｐｄ）を含むパラジウム含有層１３とから構成される。
【０１８１】
導電層１５による光の吸収は、金属固有の吸収（以下、固有吸収）と、主に導電層１５の表面形状に起因するプラズモン吸収の２つの吸収の総計で決まる。固有吸収は導電層１５が薄いほど小さく、プラズモン吸収は表面が平滑なほど小さいため、導電層１５ができるだけ薄く、表面が平滑であることが、導電層１５による光の吸収を小さくする上で有効である。
【０１８２】
導電層１５のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの全範囲で２０％以下であることが好ましい。さらに、導電層１５のプラズモン吸収率は、１５％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。上記波長におけるプラズモン吸収率が大きいと、導電層１５の光の透過率が低くなる。また、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると導電層１５を透過した光が着色されやすくなる。
【０１８３】
［パラジウム含有層］
パラジウム含有層１３は、金属層１４に隣接して設けられたパラジウム（Ｐｄ）を含む層である。また、本例では、パラジウム含有層１３は、有機化合物層１２上に直接形成されている層である。
【０１８４】
一般的に、基材上にＡｇを主成分とする金属層１４を形成する場合、基材に付着したＡｇ原子が表面拡散しながら、ある大きさの塊（核）を生成する。そして、この塊（核）の周囲に沿うように、初期の薄膜成長が進む。このため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長し、厚みが１５μｍ程度になると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、膜の表面がいまだ平滑ではなく、プラズモン吸収が生じやすい。
【０１８５】
これに対し、予め有機化合物層１２と、有機化合物層１２上にパラジウム（Ｐｄ）の成長核を形成すると、金属層１４を構成するＡｇ等の金属材料が、有機化合物層１２やパラジウム含有層１３上を移動し難くなる。
また、Ｐｄは、成長核同士の間隔を、Ａｇ原子が表面拡散して形成される塊同士の間隔よりも狭くすることができる。従って、このＰｄの成長核を起点としてＡｇ層が成長すると、厚みが薄くても平坦な層となりやすい。つまり、厚みが薄くても導通が得られ、さらにプラズモン吸収の生じ難い金属層１４を形成することができる。
【０１８６】
上述の成長核は、有機化合物層１２上を表面拡散し難い金属で形成する。このような金属としては、上述のパラジウム（Ｐｄ）単体、又は、パラジウム（Ｐｄ）を主成分として含む材料を用いることができる。例えば、パラジウム（Ｐｄ）に、金、白金、コバルト、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、クロム、ニッケル等を含む合金を用いてもよい。
【０１８７】
パラジウム含有層１３は、有機化合物層１２上で表面拡散し難く、かつ金属層１４を構成するＡｇを主成分とする材料と、親和性が高い必要がある。また、緻密で細かい成長核が得られることが好ましい。例えば、イオンアシスト蒸着（ＩＡＤ：Ion Assisted Deposition）等の、アシストを用いて成長する層を細かく砕きながら形成することで、所望の層（成長核）を得ることができる。
【０１８８】
パラジウム含有層１３の平均厚みは３ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１ｎｍ以下、さらに好ましくは単原子層である。パラジウム含有層１３の平均厚みは、形成速度及び形成時間により調整する。
【０１８９】
また、パラジウム含有層１３は、連続した均質な膜でもよく、Ｐｄを含む金属原子が配置されていない欠陥や空孔が形成された非連続部がある膜や、Ｐｄを含む金属原子が互いに離間して分散された状態で付着している、いわゆる島状構造であってよい。好ましくは、Ｐｄを含む金属原子が互いに離間して付着している状態である。
さらに、パラジウム含有層１３のみによる単独層として形成されていてもよく、パラジウム含有層１３上に形成される金属層１４のＡｇを主成分とする材料と混在した層となっていてもよい。
【０１９０】
パラジウム含有層１３は、厚み３ｎｍ以下でＰｄ成長核を、スパッタ法又は蒸着法を用いて形成することができる。或いは、十分な厚さのパラジウム含有層を形成し、この層をドライエッチングして、厚み３ｎｍ以下のＰｄ成長核を残存させる方法により形成することができる。
【０１９１】
スパッタ法としては、例えば、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等を用いることができる。スパッタ時間は、形成するＰｄ成長核の平均厚み、及び、形成速度に合わせて適宜選択する。スパッタ形成速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。
【０１９２】
一方、蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等を用いることができる。蒸着時間は、形成するＰｄ層（成長核）及び、形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。
【０１９３】
また、有機化合物層１２上に十分な厚さのパラジウム含有層を形成した後、この層を所望の厚みまでドライエッチングする方法では、パラジウム含有層の形成方法は特に制限されない。例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の気相成膜法や、メッキ法等の湿式成膜法を用いることができる。形成するＰｄを含む層の平均厚みは３〜１５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１０ｎｍである。Ｐｄを含む層の平均厚みが３ｎｍ未満であると、金属の量が少なく、十分な成長核が得られない恐れがある。
【０１９４】
パラジウム含有層のドライエッチング方法としては、エッチングガスやイオン、ラジカル等の物理的な衝突を伴うエッチング方法をいい、化学的な反応のみによってエッチングを行う反応性ガスエッチング等は含まない。このような物理的な衝突を伴うエッチング方法であれば特に制限されず、例えば、イオンビームエッチング、逆スパッタエッチング、プラズマエッチング等を用いることができる。
特にエッチング後のパラジウム含有層１３（Ｐｄ成長核）に所望の凹凸を形成しやすいとの観点から、イオンビームエッチングが特に好ましい。
【０１９５】
パラジウム含有層１３（Ｐｄ成長核）が厚すぎると、成長核を形成しても、薄くかつ平滑な金属層１４が得られ難い。さらに、このパラジウム含有層１３の成長核を起点に形成される金属層１４が厚くなる。パラジウム含有層１３の成長核の平均厚みは、Ｐｄを含む層の厚みと、Ｐｄを含む層のエッチング厚みとの差から求める。Ｐｄを含む層のエッチング厚みは、エッチングレートとエッチング時間との積である。エッチングレートは、別途ガラス基板上に作製した厚み５０ｎｍのＰｄを含む層を同条件でエッチングし、エッチング後の光の透過率がガラス基板と同等になる（大凡厚み０ｎｍ）までの時間から求める。パラジウム含有層１３（Ｐｄ成長核）の平均厚みは、ドライエッチングする時間で調整する。
【０１９６】
［金属層］
金属層１４は、パラジウム含有層１３に隣接して形成された、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された層である。
金属層１４を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金としては、銀を５０質量％以上含む合金であることが好ましい。金属層１４を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金は、一例として、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、銀アルミニウム（ＡｇＡｌ）等が挙げられる。
【０１９７】
以上のような金属層１４は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
【０１９８】
このような金属層１４の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、金属層１４は、パラジウム含有層１３上に形成されることにより、形成後の高温アニール処理等がなくても十分な導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、形成後に高温アニール処理等が行われていてもよい。
【０１９９】
金属層１４は、厚さが３〜１５ｎｍの範囲にあることが好ましい。厚さが１５ｎｍ以下、特に１２ｎｍ以下であることにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、透明導電体１０の光透過率が維持されるため好ましい。また、金属層１４は、少なくとも厚さが３ｎｍ以上あれば、透明導電体１０の導電性が確保される。
【０２００】
さらに、透明導電体１０の光透過性を阻害しないために、金属層１４とパラジウム含有層１３との合計の厚さが、１５ｎｍ以下となるように金属層１４の厚さを設定することが好ましく、特に合計の厚さを１２ｎｍ以下とすることが好ましい。金属層１４とパラジウム含有層１３との合計の厚さが１５ｎｍ以下では、層の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、透明導電体１０の光透過率が維持されるため好ましい。さらに、金属層１４とパラジウム含有層１３との合計の厚さを１２ｎｍ以下とすることにより、透明導電体１０の光透過性がさらに向上する。
【０２０１】
なお、以上のような、パラジウム含有層１３、及びパラジウム含有層１３に隣接して設けられた金属層１４からなる導電層１５は、金属層１４の上部が保護膜で覆われていてもよく、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明導電体１０の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び導電性層が光透過性を有することが好ましい。
【０２０２】
［透明導電体の効果］
以上のように構成された透明導電体１０は、窒素原子を含有する化合物を用いて構成された有機化合物層１２に隣接させて、パラジウム含有層１３と銀を主成分とした金属層１４とからなる導電層１５を設けた構成である。この構成によれば、パラジウム含有層１３を成長核として銀を主成分とする金属層１４が形成されるため、Ｐｄ原子とＡｇ原子との相互作用により、形成面での銀原子の拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。
さらに、パラジウム含有層１３と金属層１４とを、有機化合物層１２に隣接させて形成することにより、Ｐｄ原子やＡｇ原子と、有機化合物層１２を構成する窒素原子を含んだ化合物との相互作用により、有機化合物層１２表面でのＰｄ原子やＡｇ原子の拡散距離が減少し、凝集が抑えられる。
【０２０３】
また特に、結合安定性の指標として、上述の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０-３≦［ｎ／Ｍ］となる化合物を用いて有機化合物層１２を構成することで、上述のパラジウムや銀の凝集を抑える効果が顕著になる。
【０２０４】
つまり、上記有機化合物層１２及びパラジウム含有層１３を用いることにより、一般的には核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）での成長により島状に孤立し易い銀層が、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成される。このため、薄い厚さでありながら、均一な厚さの導電層１５が形成される。
従って、導電層１５による光の吸収を抑制して光透過性を確保し、さらに、導電性を確保することが可能な透明導電体１０を構成することができる。
【０２０５】
〈２．透明導電体（第２実施形態）〉
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図７に、第２実施形態の透明導電体の概略構成図（断面図）を示す。図７に示すように、第２実施形態の透明導電体２０は、基材１１と有機化合物層１２との間に、アドミッタンス調整層２１を備えることのみが、図１に示す第１実施形態の透明導電体１０と異なる。以下、第１実施形態と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第２実施形態の透明導電体２０の構成を説明する。
【０２０６】
［透明導電体の構成］
図７に示すように、透明導電体２０は、アドミッタンス調整層２１と、有機化合物層１２と、導電層１５とを備える。また、この透明導電体２０が、基材１１上に設けられている。
導電層１５は、銀を主成分とする金属層１４と、金属層１４に隣接する位置に形成されたパラジウム含有層１３とからなる。パラジウム含有層１３が、金属層１４と有機化合物層１２とに挟持された構成である。
また、有機化合物層１２において、導電層１５が形成されている面と、反対側の面にアドミッタンス調整層２１が設けられている。
アドミッタンス調整層２１は、有機化合物層１２と基材１１との間に設けられ、基材１１上に直接形成されている。
つまり、透明導電体２０は、基材１１上に、アドミッタンス調整層２１、有機化合物層１２、パラジウム含有層１３と金属層１４とからなる導電層１５が、この順に積層された構成である。
【０２０７】
第２実施形態の透明導電体２０において、有機化合物層１２、導電層１５、並びに、導電層１５を構成するパラジウム含有層１３及び金属層１４は、上述の第１実施形態と同様の構成である。また、基材１１も上述の第１実施形態と同様の構成を用いることができる。
このため、基材１１、有機化合物層１２、及び、この上に形成される導電層１５、パラジウム含有層１３、金属層１４の構成については、詳細な説明を省略する。
【０２０８】
［アドミッタンス調整層］
アドミッタンス調整層２１は、透明導電体２０の反射率や透過率等の光学特性、特に、導電層１５の反射率を調整するために設けられる層である。アドミッタンス調整層２１による透明導電体２０のアドミッタンス調整に関しては、後述する。
【０２０９】
アドミッタンス調整層２１は、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含む層であることが好ましい。アドミッタンス調整層２１を構成する材料は、金属酸化物又は金属硫化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、酸化チタン（ＴｉＯ２：ｎ＝２．１〜２．４）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：ｎ＝１．９〜２．２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：ｎ＝１．９〜２．０）、硫化亜鉛（ＺｎＳ：ｎ＝２．０〜２．２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５：ｎ＝２．２〜２．４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２：ｎ＝２．０．〜２．１）、酸化セリウム（ＣｅＯ２：ｎ＝１．９〜２．２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５：ｎ＝１．９〜２．２）、酸化錫（ＳｎＯ２：ｎ＝１．８〜２．０）等が含まれ、屈折率や生産性の観点からＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５であることが好ましい。アドミッタンス調整層２１には、誘電性材料又は酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０２１０】
アドミッタンス調整層２１は、有機化合物層１２及び導電層１５の設けられている側と反対側でアドミッタンス調整層２１が接する層よりも高い屈折率を有することが好ましい。本例であれば、アドミッタンス調整層２１は、透明導電体２０が設けられている基材１１よりも高い屈折率を有することが好ましい。
【０２１１】
また、アドミッタンス調整層２１の屈折率は、１．８以上であることが好ましく、より好ましくは２．１以上２．５以下である。後述するように、アドミッタンス調整層２１の屈折率が１．８より高いと、透明導電体２０の光透過性が高まりやすい。また、アドミッタンス調整層２１の屈折率は、基材１１の屈折率よりも、０．１〜１．１以上大きいことが好ましく、０．４〜１．０以上大きいことがより好ましい。アドミッタンス調整層２１の屈折率は、波長５１０ｎｍの光の屈折率であり、エリプソメーターで測定される。アドミッタンス調整層２１の屈折率は、アドミッタンス調整層２１を構成する材料や、アドミッタンス調整層２１中の材料の密度等によって調整される。
【０２１２】
アドミッタンス調整層２１の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。アドミッタンス調整層２１の厚みが１０ｎｍ未満であると、透明導電体２０の光透過性を十分に高めることが難しい。一方、アドミッタンス調整層２１の厚みが１５０ｎｍを超えると、透明導電体２０の透明性（反射防止性）が高まらない。アドミッタンス調整層２１の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【０２１３】
アドミッタンス調整層２１の形成には、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を用いることができる。アドミッタンス調整層２１の屈折率（密度）が高まるとの観点から、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法を用いることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ等のアシストを備えることが好ましい。
【０２１４】
［透明導電体の光学アドミッタンスについて］
次に、透明導電体２０の光学アドミッタンスについて説明する。透明導電体２０のアドミッタンス調整層２１は、導電層１５の固有吸収と反射率を調整する機能を有する。
【０２１５】
ここで、透明導電体２０の表面の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０と、透明導電体２０表面の等価アドミッタンスＹＥとから定まり、これらの関係は以下の式で表される。
【０２１６】
【数１】
2014175181.tif 000070
【０２１７】
上記の式に基づけば、｜ｙ０−ＹＥ｜が０に近い程、反射率Ｒが低くなる。ここで、例えば、光が入射する媒質が空気であるとすると、空気の光学アドミッタンスｙ０は１であることから、等価アドミッタンスＹＥが１に近ければ近いほど、透明導電体２０の反射率Ｒが低くなる。
また、別の例として、透明導電体２０の上に有機ＥＬ層を積層した場合、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０は、有機ＥＬ層を構成する材料の屈折率で決まる値となる。例えば、有機ＥＬ層として、透明導電体２０の上に屈折率１．８の有機材料を積層した構成の場合、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０は１．８となる。このため、等価アドミッタンスＹＥが１．８に近ければ近いほど、透明導電体２０の反射率Ｒが低くなる。
【０２１８】
光学アドミッタンスＹは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常屈折率と同一である。等価アドミッタンスＹＥは、透明導電体２０を構成する各層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば、透明導電体２０が一層からなる場合には、透明導電体２０の等価アドミッタンスＹＥは、当該層の光学アドミッタンスＹと等しくなる。
【０２１９】
一方、透明導電体２０が積層体である場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１  Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され、具体的には以下の式（１）又は式（２）にて求められる。
【０２２０】
・ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合
【０２２１】
【数２】
2014175181.tif 000071
【０２２２】
上記式において、δ＝２πｎｄ/λであり、ｙ＝ｎ（ｘ層目の膜のアドミッタンス）、ｄはｘ層目の膜の厚みである。
【０２２３】
・ｘ層目が理想金属層である場合
【０２２４】
【数３】
2014175181.tif 000072
【０２２５】
上記式において、γ＝２πｋｄ／λ、ｄはｘ層目の膜の厚み、ｋは膜の屈折率（虚部）である。
【０２２６】
そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明支持材から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が、当該透明導電体２０の等価アドミッタンスＹＥとなる。
【０２２７】
ここで、図８に基材１１上に直接導電層１５を形成した場合における、波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。また、図９に、基材１１上にアドミッタンス調整層２１と有機化合物層１２を介して導電層１５を形成した場合における、波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。
【０２２８】
図８においては、導電層１５の基材１１側の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスを、Ｙ１＝ｘ１+ｉｙ１とする。一方、図９においては、導電層１５のアドミッタンス調整層２１側（有機化合物層１２側）の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスを、Ｙ１＝ｘ１+ｉｙ１とする。
さらに、図８及び図９において、導電層１５の上記Ｙ１と反対側の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスを、Ｙ２＝ｘ２+ｉｙ２とする。このＹ２が、透明導電体２０の等価アドミッタンスＹＥに相当する。なお、上記Ｙ１と反対側の界面とは、図８においては導電層１５の基材１１と反対側の界面、図９においては導電層１５のアドミッタンス調整層２１側（有機化合物層１２側）と反対側の界面である。
【０２２９】
また、アドミッタンス軌跡を示すグラフにおいて、横軸（Ｒｅ）は、光学アドミッタンスＹを、［Ｙ＝ｘ+ｉｙ］と表わしたときの実部、つまり当該式におけるｘである。また、縦軸（ＩＭ）は、光学アドミッタンスの虚部、つまり当該式におけるｙである。
【０２３０】
図８に示すアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス軌跡の始点の座標が、基材１１の導電層１５側の等価アドミッタンスＹＡであり、アドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）である。また、導電層１５の基材１１と反対側の界面の等価アドミッタンスＹ２がアドミッタンス座標（ｘ２，ｙ２）である。
【０２３１】
図８では、基材上に直接導電層１５を形成した場合を示しているため、導電層１５の基材１１側の等価アドミッタンスＹ１のアドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）は、導電層１５と基材１１との界面の等価アドミッタンスＹＡのアドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）に一致する。
そして、このアドミッタンス軌跡の始点は、基材１１の表面であるため、基材１１側の等価アドミッタンスＹ１が基材１１の屈折率（例えば、ｎ：１．５）に依存し、ＹＡとＹ１のアドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）＝（ｘ１，ｙ１）＝（１．５，０）となる。
【０２３２】
図９に示すアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス軌跡の始点の座標が、基材１１とアドミッタンス調整層２１との界面の等価アドミッタンスＹＡであり、アドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）＝（１．５，０）となる。また、アドミッタンス調整層２１と有機化合物層１２との界面の等価アドミッタンスＹＢが、アドミッタンス座標（ｘＢ，ｙＢ）で表される。
そして、導電層１５と有機化合物層１２との界面の等価アドミッタンスＹ１が、アドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）で表される。導電層１５のアドミッタンス調整層２１と反対側の界面の等価アドミッタンスＹ２がアドミッタンス座標（ｘ２，ｙ２）である。
【０２３３】
図９に示すアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス調整層２１を備えることにより、アドミッタンス軌跡がアドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）から、アドミッタンス座標（ｘＢ，ｙＢ）に移動する。つまり、アドミッタンス調整層２１により、アドミッタンス軌跡が、横軸（実部）及び縦軸（虚部）の正方向に移動する。
さらに、有機化合物層１２を備えることにより、アドミッタンス軌跡が、アドミッタンス座標（ｘＢ，ｙＢ）から、導電層１５のアドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）に移動する。このアドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）は、アドミッタンス調整層２１側（有機化合物層１２側）の導電層１５の光学アドミッタンスＹ１に相当する。
【０２３４】
図８及び図９において、アドミッタンス軌跡の終点の座標が、透明導電体２０の等価アドミッタンスＹＥである。透明導電体２０の等価アドミッタンスＹＥのアドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）との距離が、透明導電体２０表面の反射率Ｒに比例する。つまり、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）との距離が近ければ近いほど、透明導電体２０の反射率Ｒが小さくなる。
【０２３５】
上述のように、透明導電体２０の等価アドミッタンスＹＥは、導電層１５のアドミッタンス調整層２１と反対側の界面の等価アドミッタンスＹ２に等しい。従って、本例では、導電層１５の等価アドミッタンスＹ２のアドミッタンス座標（ｘ２，ｙ２）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）との距離が近ければ近いほど、透明導電体２０の反射率Ｒが小さくなる。
【０２３６】
例えば、光が入射する媒質が空気の場合には、空気の屈折率（ｎ：１）から、光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）＝（１，０）となる。また、有機ＥＬ素子のような有機層であれば、有機層の屈折率を例えばｎ＝１．８とした場合、光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）＝（１．８，０）となる。
従って、導電層１５の等価アドミッタンスＹ２のアドミッタンス座標（ｘ２，ｙ２）が、光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（１，０）や（１．８，０）に近づくほど、透明導電体２０の反射率Ｒが小さくなる。
【０２３７】
また、反射率Ｒと、等価アドミッタンスＹＥ、及び、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０との関係式に基づけば、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）が、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）より右側にあると、反射率Ｒが小さくなりやすい。従って、等価アドミッタンスＹＥのｘ座標ｘＥ、つまり、導電層１５の等価アドミッタンスＹ２のｘ座標ｘ２は、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のｘ座標ｘ０よりも大きいことが好ましい。
【０２３８】
本実施形態の透明導電体２０では、導電層１５の両主面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１、Ｙ２とする。そして、光学アドミッタンスＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１とし、光学アドミッタンスＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２とした場合に、ｘ１及びｘ２のうち、少なくともいずれか一方が１．６以上である。また、好ましくはｘ１及びｘ２の両方が１．６以上である。つまり、図９のアドミッタンス軌跡におけるＹ１（ｘ１，ｙ１）、及び、Ｙ２（ｘ２，ｙ２）の少なくともいずれか一方の横軸座標（ｘ座標）が１．６以上である。その理由を以下に示す。
【０２３９】
なお、透明導電体２０の導電層１５が複数の層から形成されている場合には、最もアドミッタンス調整層２１側（有機化合物層１２側）の層の導電層１５の界面の光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１とする。そして、最もアドミッタンス調整層２１（有機化合物層１２側）の反対側の層の導電層１５の界面の光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２とする。
従って、金属層１４とパラジウム含有層１３とからなる導電層１５の場合には、アドミッタンス調整層２１側のパラジウム含有層１３の界面の光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１とする。そして、アドミッタンス調整層２１側（有機化合物層１２側）と反対側の金属層１４の界面の光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２とする。
【０２４０】
導電層１５を構成する金属材料は、一般的に光学アドミッタンスの虚部の値が大きく、金属材料を形成するとアドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。
例えば、アドミッタンス調整層２１を設けずに、基材１１上に直接導電層１５を積層すると、上述の図８に示すように、アドミッタンス軌跡が、始点（ｘＡ，ｙＡ）である基材１１のアドミッタンス座標（１．５，０）から、縦軸（虚部）方向にある（ｘ２，ｙ２）に大きく移動する。つまり、アドミッタンス座標の虚部の絶対値｜ｙ２｜が非常に大きくなる。このように、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が大きくなると、導電層１５の光学アドミッタンスＹ２（透明導電体２０の等価アドミッタンスＹＥ）は、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）から遠ざかる方向に移動する。このため、導電層１５の光学アドミッタンスＹ２を、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０、例えば、空気のアドミッタンス座標（１，０）や、有機材料のアドミッタンス座標（１．８，０）に近づけることが難しくなる。
【０２４１】
また、導電層１５の基材１１側の界面のアドミッタンスＹ１である、アドミッタンス軌跡の始点（ｘ１，ｙ１）が、基材１１のアドミッタンス座標（１．５，０）から殆ど移動しない場合には、アドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になり難い。このように、アドミッタンス軌跡が、横軸を中心に線対称にならないと、他の波長（５７０ｎｍ以外）においても、アドミッタンス軌跡がぶれやすく、等価アドミッタンスＹＥの座標が一定になりにくい。このため、反射防止効果が十分でない波長領域が生じやすい。
【０２４２】
これに対し、図９に示す、基材１１／アドミッタンス調整層２１／有機化合物層１２／導電層１５をこの順に備える透明導電体２０の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス調整層２１により、導電層１５のアドミッタンスＹ１のアドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）が、アドミッタンス軌跡の始点（ｘＡ，ｙＡ）である基材１１のアドミッタンス座標（１．５，０）から横軸（実部）及び縦軸（虚部）の正方向に大きく移動する。
特に、Ｙ１の実部の座標ｘ１を１．６以上とすると、アドミッタンス軌跡の円弧が大きくなり、導電層１５のアドミッタンスＹ１のアドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）が、アドミッタンス軌跡の始点（ｘＡ，ｙＡ）から、虚部（縦軸）の正方向に大きく移動する。
【０２４３】
つまり、導電層１５によって、アドミッタンス軌跡が虚部の負方向に大きく移動しても、Ｙ２の虚部の絶対値｜ｙ２｜が大きくなり難い。さらに、導電層１５のアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になりやすい。このため、他の波長（５７０ｎｍ以外）においても、アドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称となりやすく、各波長の等価アドミッタンスＹＥの座標がほぼ同一になる。つまり、いずれの波長においても、等価アドミッタンスＹＥの値が、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）に近づきやすくなる。これはいずれの波長においても、十分な反射防止効果が得られることを示す。
【０２４４】
導電層１５に金属材料を用いる場合は、導電層１５において発生する光吸収には、２つの起源が考えられる。１つは金属材料本来の吸収であり、もう１つは導電層１５の構造に起因するプラズモン吸収である。導電層１５のアドミッタンスを高く保つことで金属材料本来の吸収を最小化することができる。
ここで、各層界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。
【０２４５】
【数４】
2014175181.tif 000073
【０２４６】
上記関係式に基づけば、アドミッタンスＹが大きくなれば電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。従って、アドミッタンス調整層２１により、導電層１５のアドミッタンスＹ１の実部の座標ｘ１を１．６以上となるように調整すると、導電層１５のアドミッタンスＹ１が大きくなり、導電層１５による光の吸収が少なくなる。
【０２４７】
また、アドミッタンス調整層２１により、導電層１５のアドミッタンスＹ２の実部の座標ｘ２を１．６以上に調整した場合にも、導電層１５のアドミッタンスＹ２が大きくなり、導電層１５による光の吸収が少なくなる。また、導電層１５のアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になりやすく、導電層１５の電場が小さくなるため、導電層１５による光の吸収が抑制される。
【０２４８】
上述のように、ｘ１及びｘ２は、少なくともどちらかが１．６以上７．０以下であることが好ましい。より好ましくは、ｘ１及びｘ２が共に１．６以上７．０以下である。さらに好ましくは、ｘ１及び／又はｘ２が、１．８以上５．５以下、さらに１．９以上３．０以下であることが好ましい。
【０２４９】
また、ｘ１及びｘ２のうち、特にｘ１が１．６以上であることが好ましい。ｘ１は、アドミッタンス調整層２１の屈折率や、アドミッタンス調整層２１の厚み等によって調整される。この場合、ｘ２は１．３以上５．５以下であることが好ましく、さらに好ましくは１．５以上３．５以下である。ｘ２は、導電層１５を構成する材料の屈折率や、導電層１５の厚み等によって調整される。
【０２５０】
ここで、ｘ１とｘ２との差の絶対値｜ｘ１−ｘ２｜は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。また特に、導電層１５のアドミッタンス軌跡と横軸との交点の座標Ｙcross（ｘcross，０）とした場合に｜ｘ１−ｘ２｜／ｘcrossが０．５より小さいことが好ましく、より好ましくは０．３以下であり、さらに好ましくは０．２以下である。
【０２５１】
また、アドミッタンス軌跡をグラフの横軸を中心に線対称とするため、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ２が、ｙ１×ｙ２＜０を満たすことが好ましい。
【０２５２】
また、さらに、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）との距離（｜ｘＥ−ｘ０｜＋｜ｙＥ−ｙ０｜）は、０．９以下であることが好ましく、より好ましくは０．６以下、さらに好ましくは０．３以下である。
【０２５３】
［透明導電体の効果］
以上のように構成された透明導電体２０は、パラジウム含有層１３に隣接させて金属層１４が形成された、導電層１５を設けた構成である。さらに、このパラジウム含有層１３と金属層１４とからなる導電層１５が、有機化合物層１２に接して設けられている。これにより、パラジウム含有層１３に隣接させて金属層１４を形成する際には、金属層１４を構成するＡｇ原子とパラジウム含有層１３を構成するＰｄとの相互作用により、Ａｇ原子のパラジウム含有層１３表面での拡散距離が減少し、金属材料の凝集が抑えられる。同時に、有機化合物層１２とＰｄ原子との相互作用、有機化合物層１２とＡｇ原子との相互作用により、パラジウム及び金属材料の凝集が抑えられる。
このため、一般的には核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）での成長により島状に孤立し易い金属層１４が、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成されるようになる。従って、薄いながらも、均一な厚さの導電層１５が得られるようになる。
【０２５４】
さらに、透明導電体２０は、導電層１５の界面の光学アドミッタンスＹ１の実部ｘ１、光学アドミッタンスＹ２の実部ｘ２が、アドミッタンス調整層２１により、１．６以上となるように調整されている。このように、アドミッタンス調整層２１により、導電層１５の界面のアドミッタンスを調整することにより、透明導電体２０の反射を抑制することができ、光透過性を向上させることができる。
【０２５５】
以上の結果、光透過性を確保しつつ、導電性が確保された透明導電体２０を得ることができる。このため、透明導電体２０において、導電性の向上と、光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。
【０２５６】
〈３．透明導電体（第３実施形態）〉
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１０に、第３実施形態の透明導電体の概略構成図（断面図）を示す。図１０に示すように、第３実施形態の透明導電体３０は、アドミッタンス調整層２１として、第１アドミッタンス調整層３１と第２アドミッタンス調整層３２とを備えることのみが、図１に示す第１実施形態の透明導電体１０と異なる。以下、第１実施形態と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第３実施形態の透明導電体３０の構成を説明する。
【０２５７】
［透明導電体の構成］
図１０に示すように、透明導電体３０は、アドミッタンス調整層２１として第１アドミッタンス調整層３１と第２アドミッタンス調整層３２とを備え、さらに、有機化合物層１２と導電層１５とを備える構成である。
有機化合物層１２は、導電層１５を構成するパラジウム含有層１３と隣接する位置で、アドミッタンス調整層２１と導電層１５との間に挟持されている。導電層１５は、金属層１４と、金属層１４に隣接する位置に形成されたパラジウム含有層１３とからなる。つまり、導電層１５において、パラジウム含有層１３が、金属層１４と有機化合物層１２との間に挟まれた構成である。
【０２５８】
上述のように、図１０に示す透明導電体３０は、第２アドミッタンス調整層３２、第１アドミッタンス調整層３１、有機化合物層１２、及び、導電層１５からなる透明導電体３０が、基材１１上に形成されている。
つまり、透明導電体３０は、基材１１上に、第２アドミッタンス調整層３２、第１アドミッタンス調整層３１、有機化合物層１２、パラジウム含有層１３、及び、金属層１４がこの順に積層された構成である。
【０２５９】
第３実施形態の透明導電体３０において、有機化合物層１２、並びに、導電層１５を構成するパラジウム含有層１３及び金属層１４は、上述の第１実施形態と同様の構成である。また、第１アドミッタンス調整層３１は、上述の第２実施形態の透明導電体のアドミッタンス調整層と同様の構成とすることができる。このため、第１アドミッタンス調整層３１、及び、この上に形成される有機化合物層１２、導電層１５のパラジウム含有層１３及び金属層１４の構成については、詳細な説明を省略する。
【０２６０】
［第２アドミッタンス調整層］
第２アドミッタンス調整層３２は、アドミッタンス調整層２１を構成する２層のうち、導電層１５が形成されない側に設けられた層である。つまり、アドミッタンス調整層２１では、導電層１５が形成されている側に第１アドミッタンス調整層３１が設けられ、導電層１５が形成されている側と反対側に第２アドミッタンス調整層３２が設けられている。
【０２６１】
第２アドミッタンス調整層３２は、第１アドミッタンス調整層３１よりも低い屈折率を有す層である。特に、第２アドミッタンス調整層３２は、第１アドミッタンス調整層３１よりも、特に波長５５０ｎｍにおける屈折率が０．２以上低いことが好ましい。この第２アドミッタンス調整層３２としては、例えば、低い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成される。例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２：ｎ＝１．３７）、フッ化リチウム（ＬｉＦ：ｎ＝１．３９）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２：ｎ＝１．４３）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３：ｎ＝１．３８）等が用いられる。例えば、一般的に光学フィルムに用いられる低屈折率材料が好ましく用いられる。また、Poly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl acrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl acrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl methacrylate)：ｎ＝１．３８、Poly(2,2,3,3,3-pentafluoropropyl acrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl methacrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(2,2,3,4,4,4-hexafluorobutyl acrylate)：ｎ＝１．３９、Poly(2,2,3,3,3-pentafluoropropyl methacrylate)：ｎ＝１．４０、Poly(2,2,2-trifluoroethyl acrylate)：ｎ＝１．４１、Poly(2,2,3,3-tetrafluoropropyl acrylate)：ｎ＝１．４２、Poly(2,2,3,3-tetrafluoropropyl methacrylate)：ｎ＝１．４２、Poly(2,2,2-trifluoroethyl methacrylate)：ｎ＝１．４２等のポリマー材料などが用いられる。
【０２６２】
第２アドミッタンス調整層３２の厚みは、４０〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５０〜１８０ｎｍである。第２アドミッタンス調整層３２の厚みが４０ｎｍ未満又は２００ｎｍを超えると、透明導電体３０の光透過性を十分に高めることが難しい。アドミッタンス調整層２１の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【０２６３】
［透明導電体の光学アドミッタンスについて］
次に、透明導電体３０の光学アドミッタンスについて説明する。
図１１に、透明導電体３０の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。
【０２６４】
導電層１５の第１アドミッタンス調整層３１側（有機化合物層１２側）の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１+ｉｙ１とし、導電層１５の第１アドミッタンス調整層３１と反対側の界面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２+ｉｙ２とする。
導電層１５の光学アドミッタンスＹ２のアドミッタンス座標（ｘ２，ｙ２）が、透明導電体３０の等価アドミッタンスＹＥに相当する。
【０２６５】
図１１に示すアドミッタンス軌跡では、アドミッタンス軌跡の始点の座標が、基材１１の導電層１５側の等価アドミッタンスＹＡであり、アドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）である。
そして、透明導電体３０では、第１アドミッタンス調整層３１よりも屈折率の低い第２アドミッタンス調整層３２を備えることにより、アドミッタンス軌跡がアドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）から、アドミッタンス座標（ｘＢ，ｙＢ）に移動する。アドミッタンス座標（ｘＢ，ｙＢ）は、アドミッタンス座標（ｘＡ，ｙＡ）から縦軸（虚部）及び横軸（実部）の負方向移動した後、縦軸（虚部）の正方向且つ横軸（実部）の負方向、縦縦軸（虚部）の正方向且つ横軸（実部）の正方向、及び、縦軸（虚部）の負方向且つ横軸（実部）の正方向に円を描くように移動する。
アドミッタンス座標（ｘＢ，ｙＢ）は、第１アドミッタンス調整層３１と第２アドミッタンス調整層３２との界面の光学アドミッタンスに相当する。
【０２６６】
さらに、図１１に示すように、第１アドミッタンス調整層３１を備えることにより、アドミッタンス軌跡がアドミッタンス座標（ｘＢ，ｙＢ）から、アドミッタンス座標（ｘＣ，ｙＣ）に移動する。つまり、第１アドミッタンス調整層３１により、アドミッタンス軌跡が、横軸（実部）及び縦軸（虚部）の正方向に移動する。
さらに、有機化合物層１２を備えることにより、アドミッタンス軌跡が、アドミッタンス座標（ｘＣ，ｙＣ）から、導電層１５のアドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）に移動する。
【０２６７】
このように、第１アドミッタンス調整層３１、及び、第２アドミッタンス調整層３２を備えることにより、Ｙ１の実部の座標ｘ１が１．６以上となるように、透明導電体３０のアドミッタンス軌跡を調整することができる。また、導電層１５のアドミッタンス軌跡をグラフの横軸を中心に線対称に近付けることができる。
第１アドミッタンス調整層３１による透明導電体３０への作用は、上述第２実施形態で説明した透明導電体へのアドミッタンス調整層の作用と同様である。
【０２６８】
上述のように、屈折率の低い第２アドミッタンス調整層３２を備えることにより、アドミッタンス軌跡を、任意の軌跡に調整することができる。このため、第２アドミッタンス調整層３２を備えない上述の第２実施形態の場合に比べて、導電層１５の光学アドミッタンスＹ１のアドミッタンス座標（ｘ１，ｙ１）、及び、光学アドミッタンスＹ２のアドミッタンス座標（ｘ２，ｙ２）の調整を、容易に行うことができる。
この結果、導電層１５の光学アドミッタンスＹ２を、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０、例えば、空気のアドミッタンス座標（１，０）や、有機材料のアドミッタンス座標（１．８，０）等の任意の座標位置に近づけることが容易になる。
【０２６９】
従って、等価アドミッタンスＹＥの値が、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ０のアドミッタンス座標（ｘ０，ｙ０）に近づきやすくなり、透明導電体３０の反射率を低下させ、光透過性を向上させることができる。また、導電層１５のアドミッタンスを高く保つことで金属材料本来の吸収を最小化することができる。
【０２７０】
上述のように、アドミッタンス調整層２１を複数層で形成する場合には、アドミッタンス調整層２１を構成する材料や厚さを適宜組み合わせることにより、設計自由度が向上する。このため、アドミッタンス調整層を単層で形成する場合に比べて、導電層１５の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の調整が容易になり、また、光学アドミッタンスＹ１及びＹ２を最適化できる範囲が広がる。
従って、アドミッタンス調整層２１を、第１アドミッタンス調整層３１と第２アドミッタンス調整層３２のように複数の層から構成することで、透明導電体３０の光透過性を向上させることができる。
【０２７１】
〈４．有機電界発光素子（第４実施形態）〉
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態は、電子デバイスの一例として、上述の第３実施形態の透明導電体を用いたボトムエミッション型の有機電界発光素子について説明する。図１２に、本実施形態の有機電界発光素子の断面構成図を示す。以下にこの図に基づいて有機電界発光素子の構成を説明する。
【０２７２】
［有機電界発光素子の構成］
図１２に示す有機電界発光素子４０は、透明基板である基材１１上に設けられており、基材１１側から順に、アノードとなる透明導電体３０、発光機能層４６、及びカソードとなる対向電極４７が積層されている。このうち、透明導電体３０として、上述の第３実施形態の透明導電体３０が用いられている。このため有機電界発光素子４０は、発生させた光（以下、発光光ｈと記す）を、少なくとも基材１１側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。
【０２７３】
また、有機電界発光素子４０の全体的な層構造は、上記に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明導電体３０がアノード（すなわち陽極）側に配置され、主に導電層１５の金属層１４がアノードとして機能する一方、対向電極４７がカソード（すなわち陰極）として機能する。
【０２７４】
この場合、例えば発光機能層４６は、アノードである透明導電体３０の上部に［正孔注入層４６ａ／正孔輸送層４６ｂ／発光層４６ｃ／電子輸送層４６ｄ／電子注入層４６ｅ］をこの順に積層した構成を例示できるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層４６ｃを有する。正孔注入層４６ａ及び正孔輸送層４６ｂは、正孔輸送性と正孔注入性とを有する正孔輸送／注入層として設けられてもよい。電子輸送層４６ｄ及び電子注入層４６ｅは、電子輸送性と電子注入性とを有する単一層として設けられてもよい。また、これらの発光機能層４６のうち、例えば電子注入層４６ｅは無機材料で構成されていてもよい。
【０２７５】
また、発光機能層４６は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層４６ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させて発光層ユニットとして形成されていてもよい。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらにカソードである対向電極４７も、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成において、透明導電体３０と対向電極４７とで発光機能層４６が挟持されている部分のみが、有機電界発光素子４０における発光領域となる。
【０２７６】
また、以上のような層構成においては、透明導電体３０の低抵抗化を図ることを目的とし、透明導電体３０の導電層１５に接して補助電極が設けられていてもよい。
【０２７７】
以下、上述した有機電界発光素子４０を構成するための主要各層の詳細を、基材１１、透明導電体３０、対向電極４７、発光機能層４６の発光層４６ｃ、発光機能層４６の他の層、及び補助電極の順に説明する。その後、有機電界発光素子４０の作製方法を説明する。
【０２７８】
［基材］
基材１１は、上述の図１に示す第１実施形態の透明導電体３０が設けられる基材のうち、光透過性を有する透明な材料が用いられる。
【０２７９】
［透明導電体（アノード側）］
透明導電体３０は、上述の第３実施形態の透明導電体３０であり、基材１１側から、第２アドミッタンス調整層３２、第１アドミッタンス調整層３１、有機化合物層１２、及び、導電層１５がこの順に形成された構成である。ここでは特に、透明導電体３０を構成する導電層１５が実質的なアノードとなる。
【０２８０】
［対向電極（カソード）］
対向電極４７は、発光機能層４６に電子を供給するためのカソードとして機能する導電層であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体等が挙げられる。
【０２８１】
対向電極４７は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄層を形成させることにより作製することができる。また、対向電極４７としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０２８２】
［発光層］
本実施形態の有機電界発光素子に用いられる発光層４６ｃは、発光材料として例えば燐光発光化合物が含有されている。
【０２８３】
この発光層４６ｃは、電極又は電子輸送層４６ｄから注入された電子と、正孔輸送層４６ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層４６ｃの層内であっても発光層４６ｃにおける隣接する層との界面であってもよい。
【０２８４】
このような発光層４６ｃとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層４６ｃ間には非発光性の中間層（図示せず）を有していることが好ましい。
【０２８５】
発光層４６ｃの厚さの総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い電圧で駆動することができることから１〜３０ｎｍである。なお、発光層４６ｃの厚さの総和とは、発光層４６ｃ間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。
【０２８６】
複数層を積層した構成の発光層４６ｃの場合、個々の発光層の厚さとしては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、１〜２０ｎｍの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の厚さの関係については、特に制限はない。
【０２８７】
以上のような発光層４６ｃは、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。
【０２８８】
また発光層４６ｃは、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）を同一発光層４６ｃ中に混合して用いてもよい。
【０２８９】
発光層４６ｃの構成として、ホスト化合物（発光ホストともいう）、発光材料（発光ドーパント化合物、ゲスト材料ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
【０２９０】
（ホスト化合物）
発光層４６ｃに含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに、燐光量子収率が０．０１未満である化合物が好ましい。また、ホスト化合物は、発光層４６ｃに含有される化合物の中で、層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
【０２９１】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子４０を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【０２９２】
用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
【０２９３】
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Differential Scanning Colorimetry：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【０２９４】
有機電界発光素子に適用可能なホスト化合物の具体例としては、特開２０１３−４２４５の段落［０１６３］〜［０１７８］に記載の化合物Ｈ１〜Ｈ７９を例示することができる。特開２０１３−４２４５の段落［０１６３］〜［０１７８］に記載の化合物Ｈ１〜Ｈ７９を本願明細書に組み込む。
【０２９５】
また、その他の公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。
【０２９６】
（発光材料）
本実施形態の有機電界発光素子に用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物（燐光性化合物、燐光発光材料ともいう）が挙げられる。
【０２９７】
燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。
【０２９８】
上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本例において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【０２９９】
燐光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。
【０３００】
燐光発光性化合物は、一般的な有機電界発光素子の発光層４６ｃに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物である。さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０３０１】
本実施形態の有機電界発光素子４０においては、少なくとも一つの発光層４６ｃに２種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層４６ｃにおける燐光発光性化合物の濃度比が発光層４６ｃの厚さ方向で変化していてもよい。
【０３０２】
燐光発光性化合物は好ましくは発光層４６ｃの総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。
【０３０３】
有機電界発光素子に適用可能な燐光発光性化合物としては、特開２０１３−４２４５の段落［０１８５］〜［０２３５］に記載の一般式（４）、一般式（５）、一般式（６）で表される化合物、及び、例示化合物を好ましく挙げることができる。また、その他の例示化合物として、Ｉｒ−４６、Ｉｒ−４７、Ｉｒ−４８、を以下に示す。特開２０１３−４２４５の段落［０１８５］〜［０２３５］に記載の一般式（４）、一般式（５）、一般式（６）で表される化合物、及び、例示化合物（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ｏｓ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−４５）を本願明細書に組み込む。
【０３０４】
【化６７】
2014175181.tif 000074
【０３０５】
尚、これらの燐光発光性化合物（燐光発光性の金属錯体ともいう）は、発光層４６ｃに発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層４６ｃ以外の有機機能層に含有されていてもよい。
【０３０６】
また、燐光発光性化合物は、有機電界発光素子４０の発光層４６ｃに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【０３０７】
上記の燐光発光性化合物（燐光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Organic Letters誌 vol.3 No.16 2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻 第8号 1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻 4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻第7号 1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻 第12号 3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻 1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻 695〜709頁(2004年)、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。
【０３０８】
（蛍光発光材料）
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０３０９】
［注入層：正孔注入層、電子注入層］
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層４６ｃの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層４６ａと電子注入層４６ｅとがある。
【０３１０】
注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層４６ａであれば、アノードと発光層４６ｃ又は正孔輸送層４６ｂの間、電子注入層４６ｅであればカソードと発光層４６ｃ又は電子輸送層４６ｄとの間に配置される。
【０３１１】
正孔注入層４６ａは、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。
【０３１２】
電子注入層４６ｅは、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。電子注入層４６ｅはごく薄い層であることが望ましく、素材にもよるがその厚さは１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
【０３１３】
［正孔輸送層］
正孔輸送層４６ｂは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層４６ａ、電子阻止層も正孔輸送層４６ｂに含まれる。正孔輸送層４６ｂは単層又は複数層設けることができる。
【０３１４】
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０３１５】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０３１６】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０３１７】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０３１８】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０３１９】
正孔輸送層４６ｂは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層４６ｂの厚さについては特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層４６ｂは、上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０３２０】
また、正孔輸送層４６ｂの材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
【０３２１】
このように、正孔輸送層４６ｂのｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０３２２】
［電子輸送層］
電子輸送層４６ｄは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層４６ｅ、正孔阻止層（図示せず）も電子輸送層４６ｄに含まれる。電子輸送層４６ｄは単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
【０３２３】
単層構造の電子輸送層４６ｄ、及び積層構造の電子輸送層４６ｄにおいて発光層４６ｃに隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層４６ｃに伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層４６ｄの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０３２４】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層４６ｄの材料として用いることができる。
【０３２５】
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層４６ｄの材料として好ましく用いることができる。また、発光層４６ｃの材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層４６ｄの材料として用いることができるし、正孔注入層４６ａ、正孔輸送層４６ｂと同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層４６ｄの材料として用いることができる。
【０３２６】
電子輸送層４６ｄは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層４６ｄの膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層４６ｄは上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０３２７】
また、電子輸送層４６ｄに不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層４６ｄには、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層４６ｄのｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。
【０３２８】
また、電子輸送層４６ｄの材料（電子輸送性化合物）としては、例えば、上述の化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８の窒素含有化合物、上記一般式（１）〜（８ａ）で表される窒素含有化合物、上述の化合物１〜１６６の窒素含有化合物を用いることが好ましい。
また、一般式（９）〜一般式（１２）で表される硫黄含有化合物、上述の１−１〜１−９、２−１〜２−１１、３−１〜３−２３、及び、４−１の硫黄含有化合物を用いることが好ましい。
【０３２９】
［阻止層：正孔阻止層、電子阻止層］
阻止層は、上述のように有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられる。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【０３３０】
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層４６ｄの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層４６ｄの構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層４６ｃに隣接して設けられていることが好ましい。
【０３３１】
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層４６ｂの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層４６ｂの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。阻止層の厚さとしては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。
【０３３２】
［補助電極］
補助電極は、透明導電体３０の抵抗を下げる目的で設けられ、透明導電体３０の導電層１５に接して設けられる。補助電極を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面からの発光光ｈの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。
【０３３３】
［封止材］
封止材は、有機電界発光素子４０を覆うものであって、接着剤によって板状（フィルム状）の封止部材が基材１１側に固定されていてもよく、封止層であってもよい。この封止材は、有機電界発光素子４０における透明導電体３０及び対向電極４７の端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層４６を覆う状態で設けられている。また封止材に電極を設け、有機電界発光素子４０の透明導電体３０及び対向電極４７の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。
【０３３４】
板状（フィルム状）の封止材としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【０３３５】
なかでも、素子を薄型化できるということから、封止材として薄型のフィルム状にしたポリマー基板を好ましく使用することができる。
【０３３６】
さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることが好ましい。
【０３３７】
また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材として用いてもよい。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状に形成される。
【０３３８】
また、これに限らず、金属材料を用いてもよい。金属材料としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金が挙げられる。このような金属材料は、薄型のフィルム状にして封止材として用いることにより、有機電界発光素子が設けられた発光パネル全体を薄型化できる。
【０３３９】
また、このような板状の封止材を基材１１側に固定するための接着剤は、封止材と基材１１との間に挟持された有機電界発光素子４０を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
【０３４０】
また、このような接着剤としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０３４１】
なお、有機電界発光素子４０を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、室温から８０℃までに接着硬化できる接着剤を使用することが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
【０３４２】
封止材と基材１１との接着部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０３４３】
また、板状の封止材と基材１１と接着剤との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０３４４】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０３４５】
一方、封止材として封止層を用いる場合、有機電界発光素子４０における発光機能層４６を完全に覆い、かつ有機電界発光素子４０における透明導電体３０及び対向電極４７の端子部分を露出させる状態で、基材１１上に封止層が設けられる。
【０３４６】
このような封止層は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機電界発光素子４０における発光機能層４６の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止層の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる層と共に、有機材料からなる層を用いて積層構造としてもよい。
【０３４７】
これらの層の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０３４８】
［保護層、保護板］
尚、ここでの図示は省略したが、有機電界発光素子及び封止材を挟んで基材１１との間に保護層若しくは保護板を設けてもよい。この保護層若しくは保護板は、有機電界発光素子を機械的に保護するためのものであり、特に封止材が封止層である場合には、有機電界発光素子ＥＬに対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護層若しくは保護板を設けることが好ましい。
【０３４９】
以上のような保護層若しくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄型化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０３５０】
［有機電界発光素子の作製方法］
ここでは一例として、図１２に示す有機電界発光素子４０の製造方法を説明する。
【０３５１】
まず、基材１１上に、第２アドミッタンス調整層３２を９０ｎｍ程度の厚さに形成する。次に、第１アドミッタンス調整層３１を４０ｎｍ程度の厚さに形成する。
次に、第１アドミッタンス調整層３１上に、有機化合物層１２を３ｎｍ程度の厚さに形成する。
第１アドミッタンス調整層３１、第２アドミッタンス調整層３２の形成は、蒸着法（ＥＢ法等）、スパッタリング法等があるが、緻密な層が得られやすい点から、イオンアシストＥＢ蒸着法又はスパッタリング法が特に好ましい。
次に、有機化合物層１２上に、パラジウム含有層１３を１ｎｍ程度形成し、その後、金属材料からなる金属層１４を３ｎｍ〜１５ｎｍとなるように形成する。パラジウム含有層１３と金属層１４は、上述の第１実施形態に記載の方法で形成することができる。
以上により、アノード側の透明導電体３０を基材１１上に作製する。
【０３５２】
次にこの上に、正孔注入層４６ａ、正孔輸送層４６ｂ、発光層４６ｃ、電子輸送層４６ｄ、電子注入層４６ｅの順に形成し、発光機能層４６を形成する。これらの各層の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、スパッタ法、印刷法等があるが、均質な層が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる形成方法を適用してもよい。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般に化合物を収蔵したボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０−６Ｐａ〜１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、厚さ０．１μｍ〜５μｍの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。
【０３５３】
次に、カソードとなる対向電極４７を、蒸着法やスパッタ法などの適宜の形成方法によって形成する。この際、発光機能層４６によって透明導電体３０に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層４６の上方から基材１１の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。
【０３５４】
これにより、有機電界発光素子４０が得られる。また、その後には、有機電界発光素子４０における透明導電体３０及び対向電極４７の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層４６を覆う封止材を設ける。この際、接着剤を用いて、封止材を基材１１側に接着し、これらの封止材−基材１１間に有機電界発光素子４０を封止する。
【０３５５】
以上により、基材１１上に所望の有機電界発光素子４０が得られる。このような有機電界発光素子４０の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層４６から対向電極４７まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から基材１１を取り出して異なる形成法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０３５６】
このようにして得られた有機電界発光素子４０に直流電圧を印加する場合には、アノードである導電層１５を＋の極性とし、カソードである対向電極４７を−の極性として、電圧２Ｖ以上４０Ｖ以下程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０３５７】
なお、上述の実施形態では、第３実施形態の透明導電体をボトミエミッション型の有機電界発光素子に適用した構成について説明しているが、第１実施形態や第２実施形態の透明導電体を用いて有機電界発光素子を構成することもできる。
さらに、これらの透明導電体が適用される有機電界発光素子は、ボトムエミッション型に限られず、例えば、対向電極側から光を取り出すトップエミッション型の構成や、両面から光を取り出す両面発光型の構成としてもよい。有機電界発光素子がトップエミッション型であれば、対向電極に透明な材料を用いると共に、透明導電体の基材に換えて反射性を有する不透明な基材を用い、発光光ｈを基板で反射させて対向電極側から取り出す構成としてもよい。また、有機電界発光素子が両面発光型であれば、対向電極に透明導電体と同様に透明な材料を用い、発光光ｈを両面から取り出す構成としてもよい。
また、ボトミエミッション型、トップエミッション型及び両面発光型の有機電界発光素子においても、上述の第４実施形態の有機電界発光素子のように、透明導電体をアノードとする構成以外にも、透明導電体をカソードとする構成にも適用可能である。
【０３５８】
［有機電界発光素子の用途］
上述した各実施形態の有機電界発光素子は、上述したように面発光体であるため各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明などの照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これに限定するものではなく、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【０３５９】
また、各実施形態の有機電界発光素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機電界発光素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。
【０３６０】
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また異なる発光色を有する本発明の有機電界発光素子を２種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。
【０３６１】
〈５．照明装置（第５実施形態）〉
［照明装置−１］
本発明の第５実施形態について説明する。第５実施形態は、電子デバイスの一例として上述の第４実施形態の有機電界発光素子を用いた照明装置について説明する。
【０３６２】
本実施形態の照明装置に用いる有機電界発光素子は、上述した第４実施形態の構成の有機電界発光素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造として構成された有機電界発光素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
【０３６３】
なお、有機電界発光素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機電界発光素子（白色有機電界発光素子ともいう）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させてもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有させてもよい。
【０３６４】
また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料の組み合わせや、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせでもよい。白色有機電界発光素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合してもよい。
【０３６５】
このような白色有機電界発光素子は、各色発光の有機電界発光素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機電界発光素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の形成にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば導電層を形成でき、生産性も向上する。
【０３６６】
また、このような白色有機電界発光素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、上述の有機電界発光素子の実施形態に記載の金属錯体、また公知の発光材料の中から任意の材料を選択して組み合わせて白色化すればよい。
【０３６７】
以上に説明した白色有機電界発光素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。
【０３６８】
［照明装置−２］
また、照明装置は、例えば有機電界発光素子を複数用いることにより、発光面を大面積化することもできる。この場合、基材上に有機電界発光素子を設けた複数の発光パネルを、支持基板上に複数配列する（すなわちタイリングする）ことによって発光面を大面積化する。支持基板は、封止材を兼ねるものであってもよく、この支持基板と、発光パネルの基材との間に有機電界発光素子を挟持する状態で各発光パネルをタイリングする。支持基板と基材との間には接着剤を充填し、これによって有機電界発光素子を封止してもよい。尚、発光パネルの周囲には、透明導電体及び対向電極の端子を露出させておく。
【０３６９】
このような構成の照明装置では、各発光パネルの中央が発光領域となり、発光パネル間には非発光領域が発生する。このため、非発光領域からの光取り出し量を増加させるための光取り出し部材を、光取り出し面の非発光領域に設けてもよい。光取り出し部材としては、集光シートや光拡散シートを用いることができる。
【実施例１】
【０３７０】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０３７１】
［透明導電体の作製］
試料１０１〜１２８の各透明導電体を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。下記表２に、試料１０１〜１２８の各透明導電体の構成を示す。【０３７２】
［試料１０１，１０２の透明導電体の作製］
以下のようにして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の基材上に、下記表２に示すそれぞれの厚さで銀からなる金属層を形成した。【０３７３】
まず、ＰＥＴ製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、銀からなる金属層をそれぞれの厚さで形成した。試料１０１では厚さ８ｎｍで形成し、試料１０２では厚さ１２ｎｍで形成した。【０３７４】
［試料１０３の透明導電体の作製］
以下のようにして、ＰＥＴ製の基材上に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなるアドミッタンス調整層を２０ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる金属層を８ｎｍの厚さで形成した。【０３７５】
まず、透明なＰＥＴ製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。【０３７６】
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に厚さ２０ｎｍのＩＴＯからなるアドミッタンス調整層を設けた。【０３７７】
次に、アドミッタンス調整層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、当該真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ８ｎｍの銀からなる金属層を形成し、アドミッタンス調整層とこの上部の金属層との積層構造からなる試料１０３の透明導電体を得た。【０３７８】
［試料１０４の透明導電体の作製］
アドミッタンス調整層を酸化チタン（ＴｉＯ２）で構成した以外は、上記試料１０３と同様の手順で試料１０４の透明導電体を得た。【０３７９】
［試料１０５の透明導電体の作製］
以下のようにして、ＰＥＴ製の基材上に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなるアドミッタンス調整層を２５ｎｍの厚さで形成した。また、この上部に上記表１に示す化合物Ｎｏ．１０からなる窒素含有化合物を３ｎｍの厚さで形成し、有機化合物層を形成した。さらに、有機化合物層上に、導電層としてパラジウム（Ｐｄ）からなるパラジウム含有層（Ｐｄ層）を０．１ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる金属層を５ｎｍの厚さで形成した。【０３８０】
まず、ＰＥＴ製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、パラジウム（Ｐｄ）のターゲットをスパッタリング装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに、上記表１に示す窒素含有化合物の化合物Ｎｏ．１０を入れ、真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。さらに、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽に取り付けた。【０３８１】
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＩＴＯの入った加熱ボートに電子ビームを照射し加熱して、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基板上に厚さ２５ｎｍのＩＴＯからなるアドミッタンス調整層を設けた。【０３８２】
続いて、アドミッタンス調整層まで形成した基板を真空のまま真空蒸着装置の第１真空槽に移し、第１真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、化合物Ｎｏ．１０の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ３ｎｍの窒素含有化合物の化合物Ｎｏ．１０からなる有機化合物層を形成した。【０３８３】
次に、有機化合物層まで形成した基板を真空のままスパッタリング装置の真空槽に移し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ｐｄのターゲットに電圧を印加し、有機化合物層上にＰｄからなるパラジウム含有層を０．１ｎｍの厚さで設けた。【０３８４】
次に、パラジウム含有層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ５ｎｍの銀からなる金属層を形成した。
これにより、アドミッタンス調整層と、有機化合物層と、パラジウム含有層及び金属層からなる導電層とが、この順に積層された試料１０５の透明導電体を得た。【０３８５】
［試料１０６の透明導電体の作製］
アドミッタンス調整層を、厚さ２０ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ２）で構成した以外は、上記試料１０５と同様の手順で試料１０６の透明導電体を得た。【０３８６】
［試料１０７の透明導電体の作製］
銀からなる金属層の厚さを８ｎｍで構成した以外は、上記試料１０５と同様の手順で試料１０７の透明導電体を得た。【０３８７】
［試料１０８の透明導電体の作製］
銀からなる金属層の厚さを８ｎｍで構成した以外は、上記試料１０６と同様の手順で試料１０８の透明導電体を得た。【０３８８】
［試料１０９の透明導電体の作製］
アドミッタンス調整層を酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で構成した以外は、上記試料１０７と同様の手順で試料１０９の透明導電体を得た。【０３８９】
［試料１１０の透明導電体の作製］
銀からなる金属層の厚さを１０ｎｍで構成した以外は、上記試料１０９と同様の手順で試料１１０の透明導電体を得た。【０３９０】
［試料１１１の透明導電体の作製］
銀からなる金属層の厚さを１２ｎｍで構成した以外は、上記試料１０９と同様の手順で試料１１１の透明導電体を得た。【０３９１】
［試料１１２の透明導電体の作製］
銀からなる金属層の厚さを１５ｎｍで構成した以外は、上記試料１０９と同様の手順で試料１１２の透明導電体を得た。【０３９２】
［試料１１３の透明導電体の作製］
以下のようにして、ＰＥＴ製の基材上に、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）からなる第２アドミッタンス調整層を１８０ｎｍの厚さで形成し、この上部に酸化チタン（ＴｉＯ２）からなる第１アドミッタンス調整層を２０ｎｍの厚さで形成した。また、この上部に上記表１に示す化合物Ｎｏ．１０からなる窒素含有化合物を３ｎｍの厚さで形成し、有機化合物層を形成した。さらに、有機化合物層上に、導電層として、パラジウム（Ｐｄ）からなるパラジウム含有層（Ｐｄ層）を０．１ｎｍの厚さで形成し、この上部に銀からなる金属層を８ｎｍの厚さで形成した。【０３９３】
まず、ＰＥＴ製の基材を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。さらに、酸化チタン（ＴｉＯ２）を加熱ボートに入れ、当該電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、パラジウム（Ｐｄ）のターゲットをスパッタリング装置の真空槽に取り付けた。【０３９４】
次に、タングステン製の抵抗加熱ボートに、上記表１に示す窒素含有化合物の化合物Ｎｏ．１０を入れ、真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。さらに、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽に取り付けた。【０３９５】
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に厚さ１８０ｎｍのフッ化マグネシウムからなる第２アドミッタンス調整層を設けた。
さらに、酸化チタン（ＴｉＯ２）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で第２アドミッタンス調整層上に厚さ２０ｎｍの酸化チタンからなる第１アドミッタンス調整層を設けた。【０３９６】
続いて、アドミッタンス調整層まで形成した基板を真空のまま真空蒸着装置の第１真空槽に移し、第１真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、化合物Ｎｏ．１０の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ３ｎｍの窒素含有化合物の化合物Ｎｏ．１０からなる有機化合物層を形成した。【０３９７】
次に、第１アドミッタンス調整層まで形成した基材を真空のままスパッタリング装置の真空槽に移し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ｐｄのターゲットに電圧を印加し、第１アドミッタンス調整層上にＰｄからなるパラジウム含有層を０．１ｎｍの厚さで設けた。【０３９８】
次に、パラジウム含有層まで形成した基材を真空のまま真空蒸着装置の第２真空槽に移し、当該真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ８ｎｍの銀からなる金属層を形成した。これにより、第２アドミッタンス調整層、第１アドミッタンス調整層、有機化合物層、及び、パラジウム含有層と金属層とからなる導電層が、この順に積層された試料１１３の透明導電体を得た。【０３９９】
［試料１１４の透明導電体の作製］
第１アドミッタンス調整層を酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で構成した以外は、上記試料１１３と同様の手順で試料１１４の透明導電体を得た。【０４００】
［試料１１５〜１２８の透明導電体の作製］
有機化合物層を、下記表２に示す材料で構成した以外は、上記試料１０９と同様の手順で試料１１５〜１２８の透明導電体を得た。試料１１５〜１２８の有機化合物層に適用する表２に示す各材料は、上記表１に記載の化合物に対応する。【０４０１】
［実施例１の各試料の評価］
上記の方法で作製した試料１０１〜１２８の各透明導電体の光学特性として、光学アドミッタンスの決定、吸収率（平均吸収率、最大吸収率、プラズモン吸収率：％）の測定を行った。
また、試料１０１〜１２８の各透明導電体について、可視光平均透過率（％）、及び、表面抵抗（Ω／ｓｑ．）を測定した。
光学アドミッタンスの決定、吸収率（％）、可視光平均透過率（％）、及び、表面抵抗（Ω／ｓｑ．）の測定は、以下のように行った。【０４０２】
［アドミッタンスの決定方法］
透明導電体を構成する各界面のアドミッタンスは、薄膜設計ソフトＥｓｓｅｎｔｉａｌ  Ｍａｃｌｅｏｄ  Ｖｅｒ．９．４．３７５で算出した。なお、算出に必要な各層の厚みｄ、屈折率ｎ、及び吸収係数ｋは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０４０３】
［平均吸収率、最大吸収率の測定方法］
透明導電体の正面に対して、５°傾けた角度から測定光（波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の平均透過率及び平均反射率を測定した。そして、平均吸収率は、１００−（平均透過率＋平均反射率）の計算式より算出した。なお、測定光は、基材側から入射させた。
また、上記と同様の方法で波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの透過率及び反射率を測定した。そして、各波長における吸収率を１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出し、得られた値の最大値を最大吸収率とした。【０４０４】
［プラズモン吸収率の測定方法］
導電層のプラズモン吸収率は、以下のように測定した。
まず、透明ガラス基板上に、パラジウムを真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）を用いて基板上に０．２ｓ（０．１ｎｍ）で形成した。パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。その後、パラジウムが付着した基板上にシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて銀を２０ｎｍ形成した。このときの抵抗加熱は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。
得られた導電層の反射率及び透過率を測定し、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）として算出した。この導電層にはプラズモン吸収が無いと仮定し、実施例で作成した各試料の透明導電体の導電層の吸収率を測定したデータから差し引き、プラズモン吸収率を測定した。
光の透過率及び反射率は、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて測定した。【０４０５】
［可視光平均透過率の測定方法］
光透過率の測定は、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、測定光（波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）において、試料と同じ基材をベースラインとして光の平均透過率を測定した。【０４０６】
［表面抵抗の測定方法］
表面抵抗の測定は、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で行った。【０４０７】
試料１０１〜１２８の構成、並びに、光学アドミッタンス、吸収率（％）、可視光平均透過率（％）、及び、表面抵抗（Ω／ｓｑ．）の測定結果を下記表２に示す。【０４０８】
【表２】
2014175181.tif 000075
【０４０９】
［実施例１の評価結果］
アドミッタンス調整層、有機化合物層、及び、パラジウム含有層と金属層とからなる導電層がこの順に形成されている試料１０５〜１２８の透明導電体では、各吸収率が低く、可視光平均透過率、表面抵抗においても良好な結果が得られた。【０４１０】
試料１０１〜１０４では、有機化合物層、及び、パラジウム含有層が形成されていないため、有機化合物層、及び、パラジウム含有層が形成された試料１０５〜１２８に比べ、導電層を構成するＡｇ層の均一性が悪く、透明導電体の光吸収率が大きい。このため、可視光平均透過率、及び、表面抵抗も悪化している。【０４１１】
また、試料１０１〜１０４の中では、アドミッタンス調整層を備える試料１０３及び試料１０４が、アドミッタンス調整層を備えない試料１０１に比べて、可視光平均透過率が向上している。この結果から、アドミッタンス調整層を備えることにより、透明導電体の光透過率が向上することがわかる。【０４１２】
試料１０５及び試料１０６は、金属層が５ｎｍであり、試料１０７及び試料１０８は、金属層が８ｎｍである。また、試料１０９〜１１２は、金属層がそれぞれ８ｎｍ、１０ｎｍ、１２ｎｍ、１５ｎｍである。これらの試料を比較すると、金属層の厚さが大きくなるほど、表面抵抗が低下する傾向にある。
さらに、金属層の厚さが大きくなるほど、金属層の表面形状に依存するプラズモン吸収も低下している。
一方で、金属層の厚さが増加すると導電層自体の吸収が増加するため、試料１０９〜１１２では、透明導電体の可視光平均透過率では、あまり変化がない。
従って、金属層の厚さを８ｎｍ以上とすることにより、導電層の膜質が向上し、透明導電体の光透過率を向上させることができる。ただし、金属層の厚さが１５ｎｍより増加するとプラズモン吸収率の低下よりも、導電層自体の吸収が増加の方が大きくなるため、金属層の厚さを１５ｎｍ以下とする必要がある。【０４１３】
アドミッタンス調整層を２層設けた試料１１３及び試料１１４は、同じ厚さの導電層を設けた試料１０８や試料１０９に比べて、平均吸収率が低下し、可視光平均透過率が向上している。このように、試料１１３及び試料１１４のように、アドミッタンス調整層を複数形成することにより、導体層の光学アドミッタンスを容易に調整することができる。そして、導体層の光学アドミッタンスを好ましく調整することにより、透明導電体の光透過率を向上させることができる。【０４１４】
また、有機化合物層を構成する材料が異なる試料１１５〜１２８では、可視光平均透過率及び表面抵抗において、それぞれ同等な良好な結果が得られた。従って、上記表１に記載されているような、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０-３≦［ｎ／Ｍ］の化合物を用いて構成された有機化合物層と、パラジウム含有層とを有することにより、均質性の高い導電層が形成される。つまり、有機化合物層と、パラジウム含有層とを有することにより、金属層が単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）の成長によって形成され、金属層の均質性が向上する。このため、可視光平均透過率及び表面抵抗に優れた透明導電体を構成することができる。【０４１５】
試料１０７〜１０９は、アドミッタンス調整層をそれぞれＩＴＯ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５で構成した試料である。これらの試料では、光学アドミッタンスｘ１及びｘ２が大きくなると、透明導電体の光吸収率が低下している。特に、ｘ１及びｘ２が１．８未満の試料１０７及び試料１０８に対し、ｘ１及びｘ２が１．８以上の試料１０９は、透明導電体の吸収率が低下している。そして、最もｘ１及びｘ２が大きい試料１０９は、光吸収率が最も低い。同様に、最もｘ１及びｘ２が大きい試料１０９は、可視光平均透過率が最も大きい。
このため、ｘ１及びｘ２を大きくすることにより、透明導電体の光吸収率が低下することがわかる。
【実施例２】
【０４１６】
［ボトムエミッション型の有機電界発光素子の作製］
実施例１で作製した透明導電体の試料１０１〜１２８を、アノードとして発光機能層の下部に設けたボトムエミッション型の有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の試料２０１〜２２８を作製した。図１３を参照し、作製手順を説明する。尚、下記表３には、試料２０１〜２２８の有機電界発光素子に用いた透明導電体の構成を示している。各有機電界発光素子の試料２０１〜２２８には、試料番号の下２ケタが一致する実施例１の各試料１０１〜１２８の透明導電体を用いた。【０４１７】
［試料２０１〜２２８の有機電界発光素子の作製手順］
（透明導電体の形成）
先ず、試料２０１〜２２８の作製において、透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の基材５１の上部に、各透明導電体５２を形成した。各透明導電体５２の形成は、実施例１の試料１０１〜１２８と同様の手順で行った。【０４１８】
（正孔輸送・注入層の形成）
次に、正孔輸送注入材料として下記構造式に示すα−ＮＰＤが入った加熱ボートに通電して加熱し、α−ＮＰＤよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送・注入層５３を、透明導電体５２上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ２０ｎｍとした。【０４１９】
【化６８】
2014175181.tif 000076
【０４２０】
（発光層の形成）
次に、下記構造式に示すホスト材料Ｈ４の入った加熱ボートと、下記構造式に示す燐光発光性化合物Ｉｒ−４の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ４と燐光発光性化合物Ｉｒ−４とよりなる発光層５４を、正孔輸送・注入層５３上に形成した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ４：燐光発光性化合物Ｉｒ−４＝１００：６となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、発光層５４の厚さを３０ｎｍとした。【０４２１】
【化６９】
2014175181.tif 000077
【０４２２】
（正孔阻止層の形成）
次に、正孔阻止材料として下記構造式に示すＢＡｌｑが入った加熱ボートに通電して加熱し、ＢＡｌｑよりなる正孔阻止層５５を、発光層５４上に形成した。この際、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒、厚さ１０ｎｍとした。【０４２３】
【化７０】
2014175181.tif 000078
【０４２４】
（電子輸送・注入層の形成）
その後、電子輸送材料として、先に構造式を示した化合物１０の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、化合物１０とフッ化カリウムとよりなる電子注入層と電子輸送層とを兼ねた電子輸送・注入層５６を、正孔阻止層５５上に形成した。この際、蒸着速度が化合物１０：フッ化カリウム＝７５：２５になるように、加熱ボートの通電を調節した。また厚さ３０ｎｍとした。【０４２５】
（対向電極：カソードの形成）
以上の後には、発光機能層が形成された基材５１を、真空蒸着装置の真空槽内に移送し、第２真空槽内を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、真空槽内に取り付けられたアルミニウムの入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．３ｎｍ／秒で厚さ１００ｎｍのアルミニウムからなる対向電極５７を形成した。この対向電極５７は、カソードとして用いられる。
以上の方法により、基材５１上に、ボトムエミッション型の有機電界発光素子を形成した。【０４２６】
（素子の封止）
その後、有機電界発光素子を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材で覆い、有機電界発光素子を囲む状態で、透明封止材と基材５１との間に接着剤（シール材）を充填した。接着剤としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。透明封止材と基材５１との間に充填した接着剤に対して、ガラス基板（透明封止材）側からＵＶ光を照射し、接着剤を硬化させて有機電界発光素子を封止した。【０４２７】
尚、有機電界発光素子の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの基材５１における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。また、アノードである透明導電体５２の導電層と、カソードである対向電極５７とは、正孔輸送・注入層５３から電子輸送・注入層５６によって絶縁された状態で、基材５１の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。【０４２８】
以上のようにして、基材５１上に有機電界発光素子を設け、これを透明封止材と接着剤とで封止した試料２０１〜２２８の有機電界発光素子の各発光パネルを得た。これらの各発光パネルにおいては、発光層５４で発生した各色の発光光ｈが、基材５１側から取り出される。【０４２９】
［実施例２の各試料の評価］
試料２０１〜２２８で作製した有機電界発光素子について、駆動電圧（Ｖ）、色変化（Δｘｙ）、及び、演色性（Ｒａ）を測定した。この結果を下記表３に合わせて示す。【０４３０】
［駆動電圧の測定方法］
駆動電圧の測定においては、各試料２０１〜２２８の有機電界発光素子の透明導電体５２側（すなわち基材５１側）での正面輝度が１０００ｃｄ／ｍ２となるときの電圧を駆動電圧として測定した。なお、輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表わす。【０４３１】
［色変化の測定方法］
色変化の測定においては、各試料２０１〜２２８の有機電界発光素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流を加え、角度の異なる位置からＣＩＥ１９３１表色系における色度を測定した。この際、透明導電体５２側の発光面に対する法線方向となる０°の位置と、垂直水平（上下左右）方向にそれぞれ４５°の各位置とで色度を測定した。角度の異なる位置において測定した色度の差を、色変化（Δｘｙ）として下記表３に示した。色変化は、色度の視野角特性を表し、数値が小さいほど好ましい結果となる。【０４３２】
［演色性の測定方法］
演色性（Ｒａ）の測定には、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタセンシング製）を用い、各試料２０１〜２２８の有機電界発光素子に、２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流を加えた場合の値を測定した。演色性（Ｒａ）は、得られた値が１００に近いほど好ましい結果であることを表す。【０４３３】
試料２０１〜２２８の構成、並びに、駆動電圧（Ｖ）、色変化（Δｘｙ）、及び、演色性（Ｒａ）の測定結果を下記表３に示す。【０４３４】
【表３】
2014175181.tif 000079
【０４３５】
［実施例２の評価結果］
アドミッタンス調整層、有機化合物層、及び、パラジウム含有層と金属層とからなる導電層がこの順に形成された透明導電体を備える試料２０５〜２２８の有機電界発光素子では、駆動電圧、色変化、及び、演色性のすべてに良好な結果が得られた。【０４３６】
試料２０１〜２０４の有機電界発光素子では、金属層を１２ｎｍ形成した試料２０２を除き、発光しなかった。また、試料２０２においても、色変化の測定結果が低く、十分な結果が得られなかった。さらに、演色性においても、試料２０５〜２２８の有機電界発光素子に比べて低い値となった。【０４３７】
金属層を５ｎｍ形成した試料２０５、試料２０６に比べると、金属層を８ｎｍ以上形成した試料２０７〜２１２では、駆動電圧が低く、色変化も小さい、良好な結果が得られた。【０４３８】
また、色変化の測定結果を見ると、アドミッタンス調整層としてＴｉＯ２やＮｂ２Ｏ５を用いた試料２０６、試料２０８〜２１２では、アドミッタンス調整層としてＩＴＯを用いた試料２０５及び試料２０７に比べて、良好な結果が得られた。この結果から、アドミッタンス調整層としては、ＴｉＯ２やＮｂ２Ｏ５を用いることが好ましいと考えられる。【０４３９】
さらに、アドミッタンス調整層を２層設けた試料２１３及び試料２１４は、同じ厚さの導電層を設けた試料２０８や試料２０９に比べて、色変化の測定結果で良好な結果が得られた。つまり、試料２１３及び試料２１４のように、アドミッタンス調整層を複数形成することにより、導体層の光学アドミッタンスを調整することが可能となり、有機電界発光素子の光学特性を向上させることが可能となる。
【符号の説明】
【０４４０】
１０，２０，３０，５２・・・透明導電体、１１，５１・・・基材、１２・・・有機化合物層、１３・・・パラジウム含有層、１４・・・金属層、１５・・・導電層、２１・・・アドミッタンス調整層、３１・・・第１アドミッタンス調整層、３２・・・第２アドミッタンス調整層、４０・・・有機電界発光素子、４６・・・発光機能層、４６ａ・・・正孔注入層、４６ｂ・・・正孔輸送層、４６ｃ，５４・・・発光層、４６ｄ・・・電子輸送層、４６ｅ・・・電子注入層、４７，５７・・・対向電極、５３・・・正孔輸送・注入層、５５・・・正孔阻止層、５６・・・電子輸送・注入層
【図１】
2014175181.tif 000080
【図２】
2014175181.tif 000081
【図３】
2014175181.tif 000082
【図４】
2014175181.tif 000083
【図５】
2014175181.tif 000084
【図６】
2014175181.tif 000085
【図７】
2014175181.tif 000086
【図８】
2014175181.tif 000087
【図９】
2014175181.tif 000088
【図１０】
2014175181.tif 000089
【図１１】
2014175181.tif 000090
【図１２】
2014175181.tif 000091
【図１３】
2014175181.tif 000092
【国際調査報告】
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2014175181.tif 000094
2014175181.tif 000095
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