(57)【要約】【課題】線膨張係数の小さいモールド樹脂を用いても、温度変化時に、リードの端子部と配線基板とを接合するはんだにクラックが発生することを抑制する。【解決手段】実施形態に係るリードフレーム１は、インナーリード３およびこのインナーリード３に接続されたアウターリード４を有するリード部２と、リード部２を支持するフレーム部５とを備え、インナーリード３には、配線基板の導電パターンと対向する対向面３ｂおよび対向面３ｂと反対側の背面３ｃを有する端子部３ａが設けられ、端子部３ａの周縁部には、対向面３ｂが背面３ｃ側に向かって凹み、対向面３ｂの中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部６が設けられ、背面３ｃの中央領域には凹部が形成されておらず平坦である。
2016084483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリードおよび前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部と、
前記リード部を支持するフレーム部と、を備え、
前記インナーリードには、配線基板の導電パターンと対向する対向面および前記対向面と反対側の背面を有する端子部が設けられ、
前記端子部の周縁部には、前記対向面が前記背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部が設けられ、前記背面には凹部が形成されておらず平坦である、
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記はんだ厚確保部は、少なくとも前記端子部の先端に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記はんだ厚確保部は、前記端子部の外周に沿ってコの字形状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記インナーリードは、前記端子部と前記アウターリードを電気的に接続するリード接続部を有し、前記はんだ厚確保部は、前記端子部から前記アウターリードに向かって前記リード接続部の途中まで延在していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記はんだ厚確保部は、前記端子部の周縁部をつぶし加工により薄肉化することにより形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項６】
絶縁基板および前記絶縁基板上に設けられた導電パターンを有する配線基板を用意する工程と、
請求項１〜５のいずれかに記載のリードフレームを用意する工程と、
前記配線基板の前記実装面に電子部品を実装する工程と、
前記配線基板の前記導電パターンに前記リードフレームの前記端子部をはんだ接合する工程と、
前記電子部品、前記配線基板の前記実装面、および前記インナーリードを封止樹脂で封止する工程と、
前記リードフレームの前記フレーム部を切り落とす工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板および前記絶縁基板上に設けられた導電パターンを有し、実装面に電子部品が実装された配線基板と、
インナーリードおよび前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部と、
前記電子部品、前記配線基板の前記実装面、および前記インナーリードを封止する封止樹脂部と、を備え、
前記インナーリードには、前記配線基板の導電パターンと対向する対向面および前記対向面と反対側の背面を有し、前記導電パターンにはんだにより接合された端子部が設けられ、
前記端子部の周縁部には、前記対向面が前記背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部が設けられ、前記背面の中央領域には凹部が形成されておらず平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
配線基板の導電パターンと対向する対向面を有する端子部が設けられたインナーリード、および前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部を備えるリードフレームを製造する方法であって、
上下一対の金型で金属薄板材を圧縮するつぶし加工を行うことにより、前記対向面となる前記金属薄板材の一方の主面のうち、前記インナーリードの前記端子部の周縁部となる部分に、前記対向面が背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成された所定形状の薄肉部を形成するつぶし加工工程と、
切断線が前記薄肉部の底面を通るように前記金属薄板材を打ち抜くことにより、前記端子部の周縁部にはんだ厚確保部が設けられたインナーリードを形成する工程と、
を備えることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記つぶし加工工程の前に、前記金属薄板材を打ち抜き加工して、前記インナーリードよりも大きい形状の仮インナーリードを形成する予備抜き工程をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記つぶし加工工程において、前記端子部の外周に沿ってコの字形状の薄肉部を形成することを特徴とする請求項８または９に記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属製のリードと配線基板の導電パターンとをはんだで接合した後、リード（インナーリード）、配線基板の実装面および配線基板に実装された電子部品をモールド樹脂で封止した半導体装置が知られている。このような半導体装置では、放熱性能を高めるために、モールド樹脂で覆われていない、配線基板の実装面と反対側の露出面にヒートシンクが設けられることがある。【０００３】
しかしながら、上記の半導体装置はスイッチング素子等のディスクリート製品に比べてパッケージサイズが大きいため、温度変化時にパッケージが反ると、配線基板とヒートシンクとの接触面積が減少し放熱性能が低下する。パッケージの反りは、モールド樹脂と配線基板との間の線膨張係数の差に応じて発生する。このことから、温度変化時におけるパッケージの反りを小さくするために、線膨張係数の小さいモールド樹脂を用いることにより線膨張係数の差を小さくしている。【０００４】
なお、特許文献１には、ダボ出し加工によってリードに平坦な円形状のトップを有する突起部を形成することで、リードと、半導体装置内部のリード（内部リード）との間のはんだ接合信頼性を向上させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２４９３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、温度変化時におけるパッケージの反りを小さくするために、線膨張係数の小さいモールド樹脂を用いられる。しかしながら、その場合、今度はモールド樹脂とリードとの間の線膨張係数の差が大きくなり、温度変化によりリードが膨張／収縮する際、モールド樹脂によりリードの動きを制限される。このため、リードと配線基板を接合するはんだに大きな応力が加わる。特に、リードの先端の周縁部に応力が集中し易い。その結果、例えば車載用途等の温度変化の過酷な環境下では、はんだクラックが発生してはんだ接合部分の抵抗値が増加するおそれがあった。【０００７】
特許文献１の場合、ダボ出し加工を行うためにリード先端の端子部（はんだ付け面）の面積を従来よりも広くする必要があるため、半導体装置の小型化・高密度化が妨げられるという問題がある。【０００８】
その他の手段として、例えば、配線基板の実装面に溝を形成しておき、当該溝にリードを位置合せしてはんだ接合することで溝の深さ分のはんだ厚を確保し、はんだクラックの発生を抑制することが考えられる。しかしながら、この場合には、リードを配線基板の溝の位置に合わせて高い精度で搭載しなければならない。このため、リードフレームの位置合せ精度や各部品（リードフレーム等）の公差に対する条件が厳しくなり、その結果、半導体装置のコストが上昇するという問題がある。【０００９】
本発明は、上記の技術的認識に基づいてなされたものであり、その目的は、線膨張係数の小さいモールド樹脂を用いても、温度変化時に、リードの端子部と配線基板とを接合するはんだにクラックが発生することを抑制することが可能なリードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係るリードフレームは、
インナーリードおよび前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部と、
前記リード部を支持するフレーム部と、を備え、
前記インナーリードには、配線基板の導電パターンと対向する対向面および前記対向面と反対側の背面を有する端子部が設けられ、
前記端子部の周縁部には、前記対向面が前記背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部が設けられ、前記背面には凹部が形成されておらず平坦であることを特徴とする。【００１１】
また、前記リードフレームにおいて、
前記はんだ厚確保部は、少なくとも前記端子部の先端に設けられているようにしてもよい。【００１２】
また、前記リードフレームにおいて、
前記はんだ厚確保部は、前記端子部の外周に沿ってコの字形状に設けられているようにしてもよい。【００１３】
また、前記リードフレームにおいて、
前記インナーリードは、前記端子部と前記アウターリードを電気的に接続するリード接続部を有し、前記はんだ厚確保部は、前記端子部から前記アウターリードに向かって前記リード接続部の途中まで延在しているようにしてもよい。【００１４】
また、前記リードフレームにおいて、
前記はんだ厚確保部は、前記端子部の周縁部をつぶし加工により薄肉化することにより形成されているようにしてもよい。【００１５】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、
絶縁基板および前記絶縁基板上に設けられた導電パターンを有する配線基板を用意する工程と、
前記リードフレームを用意する工程と、
前記配線基板の前記実装面に電子部品を実装する工程と、
前記配線基板の前記導電パターンに前記リードフレームの前記端子部をはんだ接合する工程と、
前記電子部品、前記配線基板の前記実装面、および前記インナーリードを封止樹脂で封止する工程と、
前記リードフレームの前記フレーム部を切り落とす工程と、
を備えることを特徴とする。【００１６】
本発明の一態様に係る半導体装置は、
絶縁基板および前記絶縁基板上に設けられた導電パターンを有し、実装面に電子部品が実装された配線基板と、
インナーリードおよび前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部と、
前記電子部品、前記配線基板の前記実装面、および前記インナーリードを封止する封止樹脂部と、を備え、
前記インナーリードには、前記配線基板の導電パターンと対向する対向面および前記対向面と反対側の背面を有し、前記導電パターンにはんだにより接合された端子部が設けられ、
前記端子部の周縁部には、前記対向面が前記背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部が設けられ、前記背面の中央領域には凹部が形成されておらず平坦であることを特徴とする。【００１７】
本発明の一態様に係るリードフレームの製造方法は、
配線基板の導電パターンと対向する対向面を有する端子部が設けられたインナーリード、および前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部を備えるリードフレームを製造する方法であって、
上下一対の金型で金属薄板材を圧縮するつぶし加工を行うことにより、前記対向面となる前記金属薄板材の一方の主面のうち、前記インナーリードの前記端子部の周縁部となる部分に、前記対向面が背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成された所定形状の薄肉部を形成するつぶし加工工程と、
切断線Ｂが前記薄肉部の底面を通るように前記金属薄板材を打ち抜くことにより、前記端子部の周縁部にはんだ厚確保部が設けられたインナーリードを形成する工程と、
を備えることを特徴とする。【００１８】
また、前記リードフレームの製造方法において、
前記つぶし加工工程の前に、前記金属薄板材を打ち抜き加工して、前記インナーリードよりも大きい形状の仮インナーリードを形成する予備抜き工程をさらに備えてもよい。【００１９】
また、前記リードフレームの製造方法において、
前記つぶし加工工程において、前記端子部の外周に沿ってコの字形状の薄肉部を形成するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、リードの端子部の周縁部に、配線基板の導電パターンと対向する対向面が端子部の背面側に向かって凹み、端子部の対向面の中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部が設けられ、当該背面の中央領域には凹部が形成されておらず平坦である。
これにより、応力の集中し易い端子部の周縁において、リードの端子部と配線基板を接合するはんだの厚みを確保することができ、半導体装置の封止樹脂として線膨張係数の小さいモールド樹脂を用いた場合においても、温度変化時に、はんだクラックの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係るリードフレーム１の平面図である。
【図２】（ａ）はインナーリード３の先端部分の平面図であり、（ｂ）はインナーリード３の先端部分の側面図であり、（ｃ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図３Ａ】実施形態に係るリードフレーム１の製造方法を説明するための平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに続く、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法を説明するための平面図である。
【図４】（ａ）は図３Ｂ（４）のＩ−Ｉ線に沿う断面図であり、（ｂ）は図３Ｂ（４）のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置３０の斜視図である。
【図６】インナーリード３の先端部分を中心に拡大した半導体装置３０の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。なお、各図において同等の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、同一符号の構成要素の詳しい説明は繰り返さない。
【００２３】
（リードフレーム）
まず、本発明の実施形態に係るリードフレーム１について、図１および図２を参照して説明する。
【００２４】
リードフレーム１は、図１に示すように、複数本のリード部２と、これら複数本のリード部２を支持するフレーム部５とを備えている。各リード部２は、インナーリード３と、インナーリード３に接続されたアウターリード４とを有する。また、図１に示すように、リードフレーム１は、リード部２と向かい合うように、複数本のリード部１３も備えている。例えば、リードフレーム１がスイッチング電源の半導体装置に適用される場合、リード部２は電源端子、接地端子、電流出力端子等となり、リード部１３はスイッチング素子の制御信号を受信する制御端子等となる。
【００２５】
インナーリード３は、リード部２のうち、最終的に樹脂封止部２５（後述）により樹脂封止される部分である。インナーリード３は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、端子部３ａおよびリード接続部３ｄを有する。リード接続部３ｄは、アウターリード４に連結されており、端子部３ａとアウターリード４を電気的に接続する。
【００２６】
端子部３ａは、図１および図２に示すように、インナーリード３の先端部分に設けられている。この端子部３ａは、図２（ｂ）に示すように、対向面３ｂと、対向面３ｂと反対側の背面３ｃとを有する。対向面３ｂは、配線基板の導電パターン（後述の配線基板２０の導電パターン２２）と対向する面であり、はんだ付け面とも呼ばれる。この端子部３ａは、例えば、図２（ｂ）に示すように、インナーリード３を折り曲げ部３ｅで折り曲げることによりインナーリード３の先端部分に形成される。
【００２７】
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、端子部３ａの周縁部には、はんだ厚を確保するためのはんだ厚確保部６が設けられている。このはんだ厚確保部６は、対向面３ｂが背面３ｃ側に向かって凹み、対向面３ｂの中央領域よりも薄く形成されている。また、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、端子部３ａの背面３ｃの中央領域には、凹部が形成されておらず、平坦である。
【００２８】
より詳しくは、はんだ厚確保部６は、図２（ａ）に示すように、端子部３ａの外周に沿ってコの字形状に設けられている。これにより、端子部３ａの外周全体にわたって、はんだ厚を確保することができるようになる。その結果、配線基板がどのような方向（例えば長手方向または短手方向）に反っても、はんだ厚が確保されるため、はんだクラックの発生を抑制することができる。
【００２９】
はんだ厚確保部６は、後ほどリードフレーム１の製造方法に関する説明で詳しく説明するように、端子部３ａの周縁部をつぶし加工（コイニング加工）により薄肉化することにより形成されている。
【００３０】
なお、はんだ厚確保部６は、コの字形状に限られるものではなく、はんだへの応力が最も集中する端子部３ａの先端（図２（ａ）の領域Ｃ１）に少なくとも設けられていればよい。
【００３１】
また、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、はんだ厚確保部６は、端子部３ａからアウターリード４に向かってリード接続部３ｄの途中まで延在していてもよい。これにより、端子部３ａと配線基板との間のはんだ接合の信頼性をより向上させることができる。
【００３２】
上記のように、実施形態に係るリードフレーム１では、インナーリード３の端子部３ａの周縁部にはんだ厚確保部６が設けられている。これにより、端子部３ａと配線基板の導電パターンをはんだで接合した場合に、応力の集中し易い端子部３ａの周縁においてはんだの厚みをはんだ厚確保部６の深さ分だけ多く確保することができる。はんだは応力発生時に緩衝材の役割を果たすことから、はんだ厚確保部６を設けることで端子部３ａ周縁の応力が緩和される。よって、本実施形態によれば、半導体装置の封止樹脂として線膨張係数の小さいモールド樹脂を用いた場合においても、温度変化時において、リード部２の端子部３ａと配線基板（例えば後述の配線基板２０）とを接合するはんだにクラックが発生することを抑制することができる。
【００３３】
さらに、リードフレーム１を配線基板に実装する際、はんだ厚確保部６に余剰はんだを吸収することができるため、隣接する導電パターン間のはんだブリッジを抑制することができる。
【００３４】
また、本実施形態では、はんだ厚確保部６はつぶし加工により形成されるため、端子部の面積を広げることなく、はんだ厚確保部６を設けることができる。このため、リードフレーム１を用いた半導体装置（例えば、後述の半導体装置３０）の大型化を招かず、半導体装置の小型化・高密度化を図ることができる。
【００３５】
また、後ほど半導体装置の製造方法において説明するように、リードフレーム１を配線基板に実装する際に必要となる位置合せ精度は従来と変わらないため、半導体装置のコストの上昇を防止することができる。
【００３６】
（リードフレームの製造方法）
次に、上述のリードフレーム１の製造方法について、図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。
【００３７】
まず、銅合金などの金属からなる薄板状の金属薄板材１０を用意する。そして、図３Ａ（１）に示すように、この金属薄板材１０を打ち抜き加工して、インナーリード３よりも大きい形状の仮インナーリード１１を形成する（予備抜き工程）。なお、本予備抜き工程は行わない場合もある。
【００３８】
次に、図３Ａ（２）に示すように、上下一対の金型（図示せず）で仮インナーリード１１の周縁部（金属薄板材１０）を圧縮するつぶし加工を行う（つぶし加工工程）。なお、図３Ａ（２）中、つぶし加工領域Ａは、つぶし加工を行う範囲を示している。つぶし加工により、図３Ｂ（３）に示すように、仮インナーリード１１の周縁部は潰された体積分だけ外側に膨らみ、薄肉部１２が形成される。
【００３９】
より詳しくは、つぶし加工により、仮インナーリード１１の周縁部（金属薄板材１０）の一方の主面（対向面３ｂとなる面）のうち、インナーリード３の端子部３ａの周縁部となる部分に所定形状の薄肉部１２を形成する。この薄肉部１２は、対向面３ｂが背面３ｃ側に向かって凹み、対向面３ｂの中央領域よりも薄く形成されている。なお、端子部３ａの外周に沿ってコの字形状の薄肉部１２を形成してもよい。ただし、薄肉部１２の形状は、はんだ厚確保部６の形状に応じて決まるものであり、コの字形に限られるものではない。
【００４０】
次に、図３Ｂ（３）に示すように、切断線Ｂが薄肉部１２を通るように金属薄板材１０を打ち抜く（抜き直し工程）。これにより、図３Ｂ（４）、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、端子部３ａの周縁部にはんだ厚確保部６が設けられたインナーリード３を形成する。はんだ厚確保部６は、図３Ｂ（４）および図４（ｂ）に示すように、対向面３ｂが背面３ｃ側に向かって凹み、対向面３ｂの中央領域Ｃ２よりも薄く形成されている。
【００４１】
上記のように、本実施形態によれば、つぶし加工により、面積の小さい端子部３ａに対しても容易に加工を行うことができる。このようにインナーリード３に対してつぶし加工を施すことで端子部３ａの大型化を回避しつつ、端子部３ａの周縁部にはんだ厚確保部６を形成することができる。
【００４２】
（半導体装置）
次に、上述のリードフレーム１を用いた半導体装置３０について、図５および図６を参照して説明する。なお、図５では、半導体装置３０の内部構造を示すために、封止樹脂部２５は透明であると仮定して図示している。また、図６は、インナーリード３の先端部分を中心に拡大した半導体装置３０の断面図であるが、封止樹脂部２５は図示していない。
【００４３】
半導体装置３０は、図５に示すように、配線基板２０と、配線基板２０にはんだ接合されたリード部２，１３と、封止樹脂部２５と、配線基板２０に実装されたスイッチング素子２４、サーミスタ２８およびシャント抵抗２９と、接続ワイヤ２７とを備える。
【００４４】
配線基板２０は、図６に示すように、絶縁基板２１と、絶縁基板２１上に設けられた導電パターン２２，２３とを有する。絶縁基板２１は、例えばセラミックからなるが、これに限られるものではない。また、導電パターン２２，２３は例えば銅からなるが、これに限られるものではない。なお、導電パターン２３は、例えば、放熱性を高めるためにヒートシンク（図示せず）と接続される。
【００４５】
配線基板２０の実装面（導電パターン２２が形成された面）には、各種電子部品が実装されている。例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子２４、サーミスタ２８およびシャント抵抗２９が実装面に実装されている。これらの電子部品と導電パターン２２の間、および電子部品間は接続ワイヤ２７により電気的に接続される。これにより、例えばスイッチング電源回路が構成される。
【００４６】
封止樹脂部２５は、硬化した樹脂からなり、図５に示す配線基板２０の実装面、配線基板２０に実装された電子部品、接続ワイヤ２７およびインナーリード３を封止している。
【００４７】
半導体装置３０においては、図６に示すように、インナーリード３の端子部３ａの対向面３ｂは、配線基板２０の導電パターン２２と対向しており、導電パターン２２にはんだ２６により接合されている。
【００４８】
端子部３ａの周縁部にははんだ厚確保部６が設けられているため、端子部３ａの周縁部におけるはんだ２６の厚みは中央領域よりもはんだ厚確保部６の深さ分だけ厚くなっている。はんだ２６は応力発生時に緩衝材の役割を果たすことから、はんだ厚確保部６を設けることで端子部３ａ周縁の応力が緩和される。よって、本実施形態によれば、封止樹脂部２５の材料として線膨張係数の小さいモールド樹脂を用いた場合においても、温度変化時に、リード部２（端子部３ａ）と配線基板２０とを接合するはんだ２６にクラックが発生することを抑制することができる。
【００４９】
さらに、端子部３ａの面積を広げることなくはんだ厚確保部６を設けることができるため、半導体装置３０の大型化を防止することができる。また、リードフレーム１を配線基板２０に実装する際に必要となる位置合せ精度は従来と変わらないため、半導体装置３０のコストの上昇を防止することができる。
【００５０】
（半導体装置の製造方法）
次に、上述した半導体装置３０の製造方法について説明する。
【００５１】
まず、配線基板２０およびリードフレーム１を用意する。その後、配線基板２０の実装面に各種電子部品（スイッチング素子２４等）を実装する。
【００５２】
次に、配線基板２０とリードフレーム１との間の位置合せを行った後、配線基板２０の導電パターン２２にリードフレーム１の端子部３ａをはんだ接合する。この際、はんだ厚確保部６に余剰はんだを吸収することができるため、隣接する導電パターン２２間のはんだブリッジを抑制することができる。
【００５３】
次に、各種電子部品と導電パターン２２の間、および電子部品間を接続ワイヤ２７により電気的に接続する。
【００５４】
次に、各種電子部品、配線基板２０の実装面およびインナーリード３を封止樹脂で封止し封止樹脂部２５を形成する。最後に、リードフレーム１のフレーム部５を切り落として、半導体装置３０が作製される。
【００５５】
上記の半導体装置３０の製造方法によれば、リードフレーム１を配線基板２０に実装する際、配線基板２０とリードフレーム１との間の位置合せの精度は従来と変わらない。よって、本実施形態によれば、リードフレーム１の位置合せ精度や、リードフレーム１や配線基板２０等の各部品の公差に対する条件が厳しくなることを回避し、半導体装置３０のコストの上昇を防ぐことができる。
【００５６】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではない。異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。特許請求の範囲に規定された内容及びその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１  リードフレーム
２，１３  リード部
３  インナーリード
３ａ  端子部
３ｂ  対向面
３ｃ  背面
３ｄ  リード接続部
３ｅ  折り曲げ部
４  アウターリード
５  フレーム部
６  はんだ厚確保部
１０  金属薄板材
１１  仮インナーリード
１２  薄肉部
２０  配線基板
２１  絶縁基板
２２，２３  導電パターン
２４  スイッチング素子
２５  樹脂封止部
２６  はんだ
２７  接続ワイヤ
２８  サーミスタ
２９  シャント抵抗
３０  半導体装置
Ａ  つぶし加工領域
Ｂ  切断線
Ｃ１  領域
Ｃ２  中央領域
【図１】
2016084483.tif 000003
【図２】
2016084483.tif 000004
【図３Ａ】
2016084483.tif 000005
【図３Ｂ】
2016084483.tif 000006
【図４】
2016084483.tif 000007
【図５】
2016084483.tif 000008
【図６】
2016084483.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリードおよび前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部と、
前記リード部を支持するフレーム部と、を備え、
前記インナーリードには、配線基板の導電パターンと対向する対向面および前記対向面と反対側の背面を有する端子部が設けられ、
前記端子部の周縁部には、前記対向面が前記背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部が設けられ、前記背面には凹部が形成されておらず平坦であり、
前記はんだ厚確保部は、前記端子部の外周に沿ってコの字形状に設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記はんだ厚確保部は、少なくとも前記端子部の先端に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
（削除）
【請求項４】
前記インナーリードは、前記端子部と前記アウターリードを電気的に接続するリード接続部を有し、前記はんだ厚確保部は、前記端子部から前記アウターリードに向かって前記リード接続部の途中まで延在していることを特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記はんだ厚確保部は、前記端子部の周縁部をつぶし加工により薄肉化することにより形成されていることを特徴とする請求項１、２または４に記載のリードフレーム。
【請求項６】
絶縁基板および前記絶縁基板上に設けられた導電パターンを有する配線基板を用意する工程と、
請求項１，２，４または５に記載のリードフレームを用意する工程と、
前記配線基板の前記実装面に電子部品を実装する工程と、
前記配線基板の前記導電パターンに前記リードフレームの前記端子部をはんだ接合する工程と、
前記電子部品、前記配線基板の前記実装面、および前記インナーリードを封止樹脂で封止する工程と、
前記リードフレームの前記フレーム部を切り落とす工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板および前記絶縁基板上に設けられた導電パターンを有し、実装面に電子部品が実装された配線基板と、
インナーリードおよび前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部と、
前記電子部品、前記配線基板の前記実装面、および前記インナーリードを封止する封止樹脂部と、を備え、
前記インナーリードには、前記配線基板の導電パターンと対向する対向面および前記対向面と反対側の背面を有し、前記導電パターンにはんだにより接合された端子部が設けられ、
前記端子部の周縁部には、前記対向面が前記背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成されたはんだ厚確保部が設けられ、前記背面の中央領域には凹部が形成されておらず平坦であり、前記はんだ厚確保部は、前記端子部の外周に沿ってコの字形状に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
配線基板の導電パターンと対向する対向面を有する端子部が設けられたインナーリード、および前記インナーリードに接続されたアウターリードを有するリード部を備えるリードフレームを製造する方法であって、
上下一対の金型で金属薄板材を圧縮するつぶし加工を行うことにより、前記対向面となる前記金属薄板材の一方の主面のうち、前記インナーリードの前記端子部の周縁部となる部分に、前記対向面が背面側に向かって凹み、前記対向面の中央領域よりも薄く形成された所定形状の薄肉部を形成するつぶし加工工程と、
切断線が前記薄肉部の底面を通るように前記金属薄板材を打ち抜くことにより、前記端子部の周縁部にはんだ厚確保部が設けられたインナーリードを形成する工程と、
を備えることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記つぶし加工工程の前に、前記金属薄板材を打ち抜き加工して、前記インナーリードよりも大きい形状の仮インナーリードを形成する予備抜き工程をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記つぶし加工工程において、前記端子部の外周に沿ってコの字形状の薄肉部を形成することを特徴とする請求項８または９に記載のリードフレームの製造方法。
【国際調査報告】
2016084483.tif 000010
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