(57)【要約】  ドレイン・ドリフト部（２）は、素子活性部（２１）となるｐベース領域（３ａ）の直下部分に概ね相当し、第１のｎ型領域（２ａ）と第１のｐ型領域（２ｂ）とを交互に繰り返して接合してなる第１の並列ｐｎ構造である。ドレイン・ドリフト部（２）の周りは、第１の並列ｐｎ構造に連続して配向する第２のｎ型領域（１２ａ）と第２のｐ型領域（１２ｂ）とを交互に繰り返して接合してなる第２の並列ｐｎ構造からなる素子周縁部（２２）となっている。第１，２の並列ｐｎ構造とｎ+ドレイン層（１）との間には、ｎバッファ層（１１）が設けられている。素子周縁部（２２）におけるｎ+ドレイン層（１）の内部には、ｎ+ドレイン層（１）を深さ方向に貫通するｐ+ドレイン領域（１７）が選択的に設けられている。これにより、オン抵抗と耐圧とのトレードオフ関係を大幅に改善することができる超接合半導体素子において、破壊耐量を向上させることができる。
2014112239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１主面側に存在して能動または受動で電流を流す素子活性部と、前記基板の第２主面側の表面層に存在する第１導電型低抵抗層と、前記素子活性部と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態ではドリフト電流が縦方向に流れるとともにオフ状態では空乏化する縦型ドリフト部と、を有し、前記縦型ドリフト部が、前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第１の並列ｐｎ構造をなす半導体素子であって、
前記縦型ドリフト部の周りで前記第１主面と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態では概ね非電路領域であってオフ状態では空乏化する素子周縁部と、
前記第１の並列ｐｎ構造と前記第１導電型低抵抗層との間に、前記素子活性部から前記素子周縁部にわたって設けられた、前記第１導電型低抵抗層よりも高抵抗な第１導電型層と、
前記素子周縁部における前記第２主面側の表面層に選択的に設けられた第２導電型低抵抗層と、
前記第１導電型低抵抗層および前記第２導電型低抵抗層に接する出力電極と、
を備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記第２導電型低抵抗層の不純物濃度は、前記第１導電型層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第２導電型低抵抗層の不純物濃度は、前記第１導電型低抵抗層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第１主面側に設けられた複数の第２導電型ベース領域をさらに有し、
前記第２導電型低抵抗層の内側の端部は、前記素子活性部と前記素子周縁部との境界に位置し、
前記第２導電型低抵抗層の外側の端部は、複数の前記第２導電型ベース領域のうちの最も外側に設けられた第２導電型ベース領域の外側の端部から、前記縦型ドリフト部の厚さ以上外側へ離れて位置していることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第２導電型低抵抗層は、前記素子活性部と前記素子周縁部との境界から前記素子周縁部の外周にわたって設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記第２導電型低抵抗層は、前記第１導電型低抵抗層の前記第２主面側の表面層に設けられており、
前記第２導電型低抵抗層と前記第１導電型層との間に前記第１導電型低抵抗層が介在することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記素子周縁部は、前記基板の厚み方向に配向する第２の縦型第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第２の縦型第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第２の並列ｐｎ構造をなすことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子は、片面に電極を有する横型半導体素子と、両面に電極を有する縦型半導体素子に分類される。縦型半導体素子は、オン状態のときにドリフト電流が流れる方向と、オフ状態のときに逆バイアス電圧による空乏層が伸びる方向とが同じである。例えば、通常のプレーナゲート構造のｎチャネル縦型ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）では、高抵抗のｎ-ドリフト層の部分は、オン状態のときに、縦方向にドリフト電流を流す領域として働く。したがって、このｎ-ドリフト層の電流経路を短くすれば、ドリフト抵抗が低くなるため、ＭＯＳＦＥＴの実質的なオン抵抗を下げることができるという効果が得られる。【０００３】
その一方で、高抵抗のｎ-ドリフト層の部分は、オフ状態のときには空乏化して耐圧を高める。したがって、ｎ-ドリフト層が薄くなると、ｐベース領域とｎ-ドリフト層との間のｐｎ接合から進行するドレイン−ベース間空乏層の広がる幅が狭くなり、シリコンの臨界電界強度に速く達するため、耐圧が低下してしまう。逆に、耐圧の高い半導体素子では、ｎ-ドリフト層が厚いため、オン抵抗が大きくなり、損失が増えてしまう。このように、オン抵抗と耐圧との間には、トレードオフ関係がある。【０００４】
このトレードオフ関係は、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やバイポーラトランジスタやダイオード等の半導体素子においても同様に成立することが知られている。また、このトレードオフ関係は、オン状態のときにドリフト電流が流れる方向と、オフ状態のときの逆バイアスによる空乏層の伸びる方向とが異なる横型半導体素子にも共通である。【０００５】
上述したトレードオフ関係による問題の解決法として、ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型ドリフト領域とｐ型仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子が公知である（例えば、下記特許文献１〜３参照。）。このような構造の半導体素子では、並列ｐｎ構造の不純物濃度が高くても、オフ状態のときに、空乏層が、並列ｐｎ構造の縦方向に伸びる各ｐｎ接合から横方向に広がり、ドリフト層全体を空乏化するため、高耐圧化を図ることができる。【０００６】
一方、ダイオードを備えた半導体装置や、ブリッジ回路のようにＭＯＳＦＥＴ等に内蔵される内蔵ダイオードを利用した回路の場合、ダイオードの逆回復過程に高いｄｉ／ｄｔが発生しても素子が破壊に至らないようにする必要がある。このような問題の解決法として、素子周縁部の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを素子活性部の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムよりも短くし、素子周縁部から素子活性部へ向かって流れる電流を低減させることで破壊耐量を向上させることが提案されている（例えば、下記特許文献４〜７参照。）。下記特許文献６には、ダイオードとＭＯＳＦＥＴとを集積することについて記載されているが、ＭＯＳＦＥＴの耐圧領域に対向するドレイン領域にｐ型領域を形成することについて記載されていない。【０００７】
このように局所ライフタイム技術を適用した従来の超接合ＭＯＳＦＥＴの構成について説明する。図５は、従来の縦型ＭＯＳＦＥＴの構造を示す断面図である。図５は、下記特許文献５の図１２である。図５に示すように、裏側のドレイン電極１１３が導電接触した低抵抗のｎ+ドレイン層１０１の上に、第１の並列ｐｎ構造のドレイン・ドリフト部１０２が設けられている。ドレイン・ドリフト部１０２の表面層に、素子活性部１２１となる高不純物濃度のｐベース領域１０３が選択的に設けられている。【０００８】
ドレイン・ドリフト部１０２は、素子活性部１２１となる複数ウェルのｐベース領域１０３の直下部分に概ね相当し、基板の厚み方向に配向する層状縦型の第１のｎ型領域１０２ａと基板の厚み方向に配向する層状縦型の第１のｐ型領域１０２ｂとを繰り返しピッチＰ１０１で基板の沿面方向へ交互に繰り返して接合してなる第１の並列ｐｎ構造である。第１の並列ｐｎ構造の基板おもて面側には、ｐベース領域１０３、ｐ+コンタクト領域１０５、ｎ+ソース領域１０６、ゲート絶縁膜１０７およびゲート電極層１０８からなるＭＯＳゲート（金属−酸化膜−半導体からなる絶縁ゲート）構造と、ソース電極１１０と、が設けられている。符号１０９は、層間絶縁膜である。【０００９】
ドレイン・ドリフト部１０２の周りは第２の並列ｐｎ構造からなる素子周縁部１２２となっている。素子周縁部１２２は、ドレイン・ドリフト部１０２の第１の並列ｐｎ構造に連続して繰り返しピッチＰ１０１で基板の厚み方向に配向する層状縦型の第２のｎ型領域１１２ａと基板の厚み方向に配向する層状縦型の第２のｐ型領域１１２ｂとを基板の沿面方向に交互に繰り返して接合してなる。第１の並列ｐｎ構造と第２の並列ｐｎ構造とは、繰り返しピッチＰ１０１が略同一であり、また不純物濃度とも略同一である。【００１０】
第２の並列ｐｎ構造の表面には酸化膜１１５が設けられている。酸化膜１１５の上にはソース電極１１０から延長されたフィールドプレート電極ＦＰが形成されており、第２の並列ｐｎ構造を覆っている。素子周縁部１２２の外側には、ｎ+ドレイン層１０１に接続するｎ型チャネルストッパー領域１１４が形成され、ｎ型チャネルストッパー領域１１４にはストッパー電極１１６が導電接触している。第２の並列ｐｎ構造およびｎ型チャネルストッパー領域１１４は第１の並列ｐｎ構造よりもキャリアライフタイムの短い領域となっている（ハッチングで示す部分）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第５２１６２７５号明細書
【特許文献２】米国特許第５４３８２１５号明細書
【特許文献３】特開平９−２６６３１１号公報
【特許文献４】特開２００３−２２４２７３号公報
【特許文献５】特開２００４−２２７１６号公報
【特許文献６】特許第４７４３４４７号公報
【特許文献７】特許第３９２５３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した特許文献４〜７では、素子周縁部１２２の第２の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを素子活性部１２１の第１の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムよりも短くすることによって素子周縁部１２２のキャリア蓄積量を減少させ、第１のｐ型領域１０２ｂと第１のｎ型領域１０２ａとからなる内蔵ダイオードの逆回復過程における逆回復電流の局所的な集中に対する破壊耐量を向上させているが、素子周縁部１２２の第２の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを短くすることでオフ状態のときの漏れ電流が大きくなり、その結果、損失が大きくなるという問題がある。また、オフ状態のときの漏れ電流が大きくなり過ぎた場合、熱暴走により素子が破壊に至るという問題がある。【００１３】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、オン抵抗と耐圧とのトレードオフ関係を大幅に改善することができる超接合半導体素子において、破壊耐量を向上させることができる半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体素子は、次の特徴を有する。基板の第１主面側に存在して能動または受動で電流を流す素子活性部と、前記基板の第２主面側の表面層に存在する第１導電型低抵抗層と、前記素子活性部と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態ではドリフト電流が縦方向に流れるとともにオフ状態では空乏化する縦型ドリフト部と、を有する。前記縦型ドリフト部が、前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第１の並列ｐｎ構造をなす。前記縦型ドリフト部の周りで前記第１主面と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態では概ね非電路領域であってオフ状態では空乏化する素子周縁部を有する。前記第１の並列ｐｎ構造と前記第１導電型低抵抗層との間に、前記素子活性部から前記素子周縁部にわたって、前記第１導電型低抵抗層よりも高抵抗な第１導電型層が設けられている。前記素子周縁部における前記第２主面側の表面層に、第２導電型低抵抗層が選択的に設けられている。前記第１導電型低抵抗層および前記第２導電型低抵抗層に接する出力電極が設けられている。【００１５】
また、この発明にかかる半導体素子は、上述した発明において、前記第２導電型低抵抗層の不純物濃度は、前記第１導電型層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする。【００１６】
また、この発明にかかる半導体素子は、上述した発明において、前記第２導電型低抵抗層の不純物濃度は、前記第１導電型低抵抗層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする。【００１７】
また、この発明にかかる半導体素子は、上述した発明において、前記第１主面側に設けられた複数の第２導電型ベース領域をさらに有する。そして、前記第２導電型低抵抗層の内側の端部は、前記素子活性部と前記素子周縁部との境界に位置する。前記第２導電型低抵抗層の外側の端部は、複数の前記第２導電型ベース領域のうちの最も外側に設けられた第２導電型ベース領域の外側の端部から、前記縦型ドリフト部の厚さ以上外側へ離れて位置していることを特徴とする。【００１８】
また、この発明にかかる半導体素子は、上述した発明において、前記第２導電型低抵抗層は、前記素子活性部と前記素子周縁部との境界から前記素子周縁部の外周にわたって設けられていることを特徴とする。【００１９】
また、この発明にかかる半導体素子は、上述した発明において、前記第２導電型低抵抗層は、前記第１導電型低抵抗層の前記第２主面側の表面層に設けられている。前記第２導電型低抵抗層と前記第１導電型層との間に前記第１導電型低抵抗層が介在することを特徴とする。【００２０】
また、この発明にかかる半導体素子は、上述した発明において、前記素子周縁部は、前記基板の厚み方向に配向する第２の縦型第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第２の縦型第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第２の並列ｐｎ構造をなすことを特徴とする。【００２１】
上述した発明によれば、素子周縁部におけるｎ+ドレイン層（第１導電型低抵抗層）の内部にｐ+ドレイン領域（第２導電型低抵抗層）を選択的に設けることで、素子周縁部におけるｎ+ドレイン層の体積が減少するため、基板裏面側のｎ+ドレイン層から第２の並列ｐｎ構造への電子の注入が抑制され、これに伴って基板おもて面側の最外周ｐベース領域から第２の並列ｐｎ構造へのホールの注入が抑制される。これにより、素子周縁部のキャリア蓄積量を減少させることができ、内蔵ダイオードの逆回復過程における最外周ｐベース領域への電流集中を緩和することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明にかかる半導体素子によれば、破壊耐量を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、実施の形態１にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。
【図２】図２は、実施の形態２にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、実施の形態３にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、実施の形態４にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。
【図５】図５は、従来の縦型ＭＯＳＦＥＴの構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体素子の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２５】
（実施の形態１）
実施の形態１にかかる半導体素子の構造について、プレーナゲート構造のｎチャネル縦型ＭＯＳＦＥＴを例に説明する。図１は、実施の形態１にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。図１に示す実施の形態１にかかる半導体素子は、第１の並列ｐｎ構造のドレイン・ドリフト部（縦型ドリフト部）２を備えた超接合ＭＯＳＦＥＴである。ドレイン・ドリフト部２の一方の表面側（以下、基板おもて面側とする）の表面層には、素子活性部２１となる高不純物濃度のｐベース領域３ａが選択的に設けられている。基板とは、後述するエピタキシャル基板である。
【００２６】
ｐベース領域３ａの内部の基板おもて面側には、高不純物濃度のｐ+コンタクト領域５およびｎ+ソース領域６が選択的に設けられている。ｎ+ソース領域６は、ウェル状のｐベース領域３ａの中にｐ+コンタクト領域５よりも浅く形成されており、２重拡散型ＭＯＳ部を構成している。ｐベース領域３ａの、ドレイン・ドリフト部２とｎ+ソース領域６とに挟まれた部分の表面上には、ゲート絶縁膜７を介してポリシリコン等のゲート電極層８が設けられている。ソース電極１０は、層間絶縁膜９に開けたコンタクト孔を介してｐベース領域３ａおよびｎ+ソース領域６に跨って導電接触している。
【００２７】
ドレイン・ドリフト部２は、素子活性部２１となる複数ウェルのｐベース領域３ａの直下部分に概ね相当し、基板の厚み方向に配向する層状縦型の第１のｎ型領域（第１の縦型第１導電型領域）２ａと基板の厚み方向に配向する層状縦型の第１のｐ型領域（第１の縦型第２導電型領域）２ｂとを繰り返しピッチＰ１で基板の沿面方向へ交互に繰り返して接合してなる第１の並列ｐｎ構造である。
【００２８】
いずれかの第１のｎ型領域２ａは、その上端（基板おもて面側の端部）がｐベース領域３ａの挾間領域である表面ｎ型ドリフト領域４に達し、その下端（基板裏面側の端部）がｎバッファ層１１に接している。表面ｎ型ドリフト領域４に達する第１のｎ型領域２ａはオン状態では電路領域であるが、その余の第１のｎ型領域２ａは概ね非電路領域となっている。また、第１のｐ型領域２ｂは、その上端がｐベース領域３ａのウェル底面に接し、その下端がｎバッファ層１１に接している。
【００２９】
ドレイン・ドリフト部２の周りは第２の並列ｐｎ構造からなる素子周縁部２２となっている。素子周縁部２２は、ドレイン・ドリフト部２の第１の並列ｐｎ構造に連続して繰り返しピッチＰ２で基板の厚み方向に配向する層状縦型の第２のｎ型領域（第２の縦型第１導電型領域）１２ａと基板の厚み方向に配向する層状縦型の第２のｐ型領域（第２の縦型第２導電型領域）１２ｂとを基板の沿面方向に交互に繰り返して接合してなる。
【００３０】
第２の並列ｐｎ構造は、高耐圧化を容易に実現するため（オフ状態のときに空乏層を広がりやすくするため）に設けられている。第２の並列ｐｎ構造の不純物濃度は第１の並列ｐｎ構造の不純物濃度よりも低くなっている。第２の並列ｐｎ構造の繰り返しピッチＰ２は、第１の並列ｐｎ構造の繰り返しピッチＰ１よりも狭くなっている。第２の並列ｐｎ構造の表面（基板おもて面側）には酸化膜１５が設けられている。
【００３１】
酸化膜１５はその膜厚がドレイン・ドリフト部２から素子周縁部２２にかけて段階的に厚くなるように形成されている。この酸化膜１５の上にはソース電極１０から延長されたフィールドプレート電極ＦＰが形成されており、第２の並列ｐｎ構造を覆っている。素子周縁部２２の外側には、ｎ型チャネルストッパー領域１４が形成され、ｎ型チャネルストッパー領域１４の基板おもて面側にはストッパー電極１６が導電接触している。
【００３２】
ドレイン・ドリフト部２の他方の表面（基板裏面側）には、ｎバッファ層１１が設けられている。ｎバッファ層１１は、素子周縁部２２の外周（基板側面）にまで延在され、ｎ型チャネルストッパー領域１４に接続されている。ｎバッファ層１１は、第１のｐ型領域２ｂと第１のｎ型領域２ａとからなる内蔵ダイオードが逆回復する（ゲートとソースとが短絡された状態で内蔵ダイオードが順方向から逆方向に印加される）ときのキャリア蓄積層である。
【００３３】
ｎバッファ層１１の不純物濃度は、オフ状態のときにドレイン−ベース間空乏層が後述するｎ+ドレイン層（第１導電型低抵抗層）１およびｐ+ドレイン領域（第２導電型低抵抗層）１７に達しないように設定する。オフ状態のときにドレイン−ベース間空乏層がｐ+ドレイン領域１７に達しない構成とすることで、最外周ｐベース領域３ｂ、第２の並列ｐｎ構造、ｎバッファ層１１およびｐ+ドレイン領域１７からなる寄生ｐｎｐトランジスタが動作しないため、素子周縁部２２のキャリア蓄積量を減少させることができる。
【００３４】
素子活性部２１におけるｎバッファ層１１の基板裏面側の表面層には、ｎ+ドレイン層１が設けられている。素子周縁部２２におけるｎバッファ層１１の基板裏面側の表面層には、ｐ+ドレイン領域１７が選択的に設けられている。ｎバッファ層１１の基板裏面側の表面層のｐ+ドレイン領域１７以外の部分には、ｎ+ドレイン層１が設けられている。ｐ+ドレイン領域１７は、内蔵ダイオードの順方向導通時に基板裏面側のｎ+ドレイン層１から第２の並列ｐｎ構造への電子の注入を抑制する機能を有する。ｎ+ドレイン層１およびｐ+ドレイン領域１７は、ドレイン電極（出力電極）１３に導電接触する。
【００３５】
ｐ+ドレイン領域１７の外側の端部は、最も外側のｐベース領域（以下、最外周ｐベース領域とする）３ｂの底面の外側の端部を通る基板裏面に垂直な垂直線Ａ−Ｏの位置から、基板おもて面とｎバッファ層１１との間の距離（すなわち第２の並列ｐｎ構造の厚さ）ｔ１以上外側へ離れて位置しているのが好ましい。その理由は、次のとおりである。最外周ｐベース領域３ｂから第２の並列ｐｎ構造へ注入されるホール（正孔）の外側への広がり（拡散）θは、最外周ｐベース領域３ｂと第２の並列ｐｎ構造との境界の法線に対して４５度となる。すなわち、最外周ｐベース領域３ｂから第２の並列ｐｎ構造へ注入されるホールは、垂直線Ａ−Ｏと基板おもて面との交点Ｏを通り、垂直線Ａ−Ｏから外側へ４５度傾いた斜線Ｂ−Ｏまでの範囲に多く注入される。素子周縁部２２にキャリアが蓄積されるのは、基板おもて面側の最外周ｐベース領域３ｂから第２の並列ｐｎ構造へ注入されるホールに対して、基板裏面側のｎ+ドレイン層１から第２の並列ｐｎ構造へ電子が注入されるからである。このため、垂直線Ａ−Ｏから、第２の並列ｐｎ構造とｎバッファ層１１との境界と斜線Ｂ−Ｏとの交点Ｏ’を通る基板裏面に垂直な垂直線Ｃ−Ｏ’までの間、すなわち垂直線Ａ−Ｏから距離ｔ１の部分にｐ+ドレイン領域１７が存在するように、ｐ+ドレイン領域１７の外側の端部を外側へ延在させる。これによって、最外周ｐベース領域３ｂから注入されるホールの注入量が多い範囲でのｎ+ドレイン層１の体積を減少させることができ、効率的にｎ+ドレイン層１から第２の並列ｐｎ構造への電子の注入を抑制することができる。
【００３６】
また、ｐ+ドレイン領域１７の内側の端部は、素子活性部２１と素子周縁部２２との境界に位置するのが好ましい。その理由は、電界の高い最外周ｐベース領域３ｂと第２の並列ｐｎ構造を挟んで対向する基板裏面側付近におけるｎ+ドレイン層１の体積を減少させることができ、ｎ+ドレイン層１から第２の並列ｐｎ構造へ注入される電子をさらに低減することができるからである。したがって、ｐ+ドレイン領域１７は、少なくとも、素子活性部２１と素子周縁部２２との境界から垂直線Ｃ−Ｏ’まで設けられているのが好ましい。素子活性部２１と素子周縁部２２との境界とは、最外周ｐベース領域３ｂの内側の基板おもて面側の端部から、ｐベース領域３ａの基板おもて面側の幅の半分の幅ｔ２だけ外側へ離れた位置Ｄである。
【００３７】
特に限定しないが、例えば実施の形態１にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴが耐圧６００Ｖクラスである場合には、各部の寸法および不純物濃度は次の値をとる。ドレイン・ドリフト部２の厚さ（深さ方向）は３５．０μｍ、第１のｎ型領域２ａおよび第１のｐ型領域２ｂの幅は７．０μｍ（繰り返しピッチＰ１は１４．０μｍ）、第１のｎ型領域２ａおよび第１のｐ型領域２ｂの不純物濃度は３．０×１０15ｃｍ-3である。第２のｎ型領域１２ａおよび第２のｐ型領域１２ｂの幅は３．５μｍ（繰り返しピッチＰ２は７．０μｍ）、第２のｎ型領域１２ａおよび第２のｐ型領域１２ｂの不純物濃度は１．０×１０15ｃｍ-3である。
【００３８】
ｐベース領域３ａ，３ｂの拡散深さは３．０μｍ、その表面不純物濃度は３．０×１０17ｃｍ-3である。ｎ+ソース領域６の拡散深さは０．２μｍ、その表面不純物濃度は３．０×１０20ｃｍ-3である。ｐ+コンタクト領域５の拡散深さは０．６μｍ、その表面不純物濃度は１．０×１０19ｃｍ-3である。表面ｎ型ドリフト領域４の拡散深さは２．５μｍ、その表面不純物濃度は２．０×１０16ｃｍ-3である。ｎ+ドレイン層１の厚さは０．５μｍ、その不純物濃度は１．０×１０19ｃｍ-3である。ｐ+ドレイン領域１７の厚さは０．５μｍ、その不純物濃度は１．０×１０18ｃｍ-3である。ｎバッファ層１１の厚さは７μｍ、その不純物濃度は１．０×１０15ｃｍ-3である。ｎ型チャネルストッパー領域１４の幅は３０．０μｍ、その不純物濃度は６．０×１０15ｃｍ-3である。
【００３９】
上記並列ｐｎ構造の不純物濃度（不純物量）は、正確にはキャリア濃度（キャリア量）を意味する。一般に、十分な活性化を行った領域では不純物濃度とキャリア濃度は同等とみなせる。同様に、十分な活性化を行った領域では不純物量とキャリア量は同等とみなせる。従って、本明細書においては、便宜上、不純物濃度にはキャリア濃度が含まれるものとし、また不純物量にはキャリア量が含まれるものとする。
【００４０】
次に、実施の形態１にかかる超接合半導体素子の電気的特性について説明する。通常、超接合ＭＯＳＦＥＴにおいて、第１のｐ型領域と第１のｎ型領域とからなる内蔵ダイオードが逆回復するとき、第１の並列ｐｎ構造がピンチオフすると同時に、蓄積キャリアがｐベース領域およびｎ+ドレイン層に吐き出される。このため、内蔵ダイオードの逆回復時、素子活性部ではキャリアが枯渇する。一方、素子周縁部では、印加電圧の上昇に伴って空乏層が徐々に広がるため、中性領域にキャリア（蓄積キャリア）が残った状態となる。そして、空乏層が素子周縁部の外側へ広がるにしたがい、中性領域に残った蓄積キャリアは電界の高い最も外側のｐベース領域（以下、最外周ｐベース領域とする）に集中して流れ込むため、逆回復耐量が制限される。
【００４１】
素子周縁部にキャリアが蓄積されるのは、上述したように基板おもて面側の最外周ｐベース領域から第２の並列ｐｎ構造へ注入されるホールに対して、基板裏面側のｎ+ドレイン層から第２の並列ｐｎ構造へ電子が注入されるからである。このため、基板裏面側のｎ+ドレイン層から第２の並列ｐｎ構造への電子の注入を抑制することができれば、素子周縁部のキャリア蓄積量が減少され、最外周ｐベース領域への電流集中を緩和させることができる。例えば図５に示す従来の超接合ＭＯＳＦＥＴでは、素子周縁部１２２に電子線やヘリウム（Ｈｅ）、プロトン（Ｈ+）などを照射してライフタイムキラーとなる結晶欠陥を導入する局所ライフタイム技術を適用し、素子周縁部１２２の第２の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを素子活性部１２１の第１の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムよりも短くして蓄積キャリアの再結合を促進させることで、素子周縁部１２２のキャリア蓄積量を減少させている。
【００４２】
一方、実施の形態１にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴにおいては、素子周縁部２２におけるｎ+ドレイン層１の一部をｐ+ドレイン領域１７にしてｎ+ドレイン層１の体積を減少させることにより、ｐ+ドレイン領域１７から第２の並列ｐｎ構造への電子の注入を抑制し、素子周縁部２２のキャリア蓄積量を減少させている。また、実施の形態１にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴにおいては、素子周縁部２２の第２の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを素子活性部２１の第１の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムよりも短くしていないため、オフ状態のときの漏れ電流が小さく、低損失とすることができる。仮に、第１，２の並列ｐｎ構造全体のキャリアライフタイムを短くしたとしても、局所ライフタイム技術を適用して素子周縁部の第２の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを短くした従来の超接合ＭＯＳＦＥＴほど素子周縁部２２の第２の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを短くしなくてよいため、オフ状態のときの漏れ電流が大幅に大きくなることを抑制することができる。
【００４３】
次に、実施の形態１にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴの製造方法について説明する。まず、ｎバッファ層１１もしくは低抵抗とｎバッファ層１１とからなる例えば６００μｍ程度の厚さのｎ型半導体基板のおもて面上に、一般的な多段エピタキシャル成長法により第１，２の並列ｐｎ構造およびｎ型チャネルストッパー領域１４を形成する。具体的には、まず、ｎバッファ層１１上に、ｎエピタキシャル層を成長させる。次に、ｎエピタキシャル層上にスクリーン酸化膜（不図示）を形成し、ｎエピタキシャル層の全面にスクリーン酸化膜上から例えばリン（Ｐ）などのｎ型不純物をイオン注入する。
【００４４】
次に、ｎエピタキシャル層上に、第１，２の並列ｐｎ構造の繰り返しピッチＰ１，Ｐ２に基づいて第１，２のｐ型領域２ｂ，１２ｂの形成領域に対応する部分が開口したレジストマスク（不図示）を形成する。次に、レジストマスクの開口部に露出されたｎエピタキシャル層にスクリーン酸化膜上から例えばボロンなどのｐ型不純物をイオン注入し、ｎエピタキシャル層の内部にｐ型不純物領域を選択的に形成する。そして、ｎエピタキシャル層を成長させる工程から、ｎエピタキシャル層の内部にｐ型不純物領域を形成する工程までを所定の回数繰り返し行った後（多段エピタキシャル処理）、最表面にさらに封止用のｎエピタキシャル層を積層する（キャップデポ処理）。
【００４５】
次に、封止用のｎエピタキシャル層上に酸化膜１５を形成した後、熱処理によりｎエピタキシャル層の内部に形成された各ｐ型不純物領域を活性化させる。この活性化処理により、多段エピタキシャル処理によって積層した各ｎエピタキシャル層間において深さ方向に対向するｐ型不純物領域どうしがつながり、第１，２のｐ型領域２ｂ，１２ｂが形成される。また、第１，２のｐ型領域２ｂ，１２ｂの間に残るｎエピタキシャル層が第１，２のｎ型領域２ａ，１２ａとなる。これによって、第１，２の並列ｐｎ構造が形成される。
【００４６】
ここまでの工程により、ｎバッファ層１１となるｎ半導体基板上に、第１，２の並列ｐｎ構造およびｎ型チャネルストッパー領域１４が積層されてなるエピタキシャル基板が作製される。次に、一般的な方法により、このエピタキシャル基板のおもて面側に、素子活性部２１のＭＯＳゲート構造、おもて面電極（ソース電極１０など）を形成する。次に、エピタキシャル基板の裏面（ｎバッファ層１１側の面）を研削して、エピタキシャル基板の厚さを例えば５０μｍ程度まで薄くする。
【００４７】
次に、エピタキシャル基板の裏面（ｎバッファ層１１の表面）に、ｎ+ドレイン層１の形成領域に対応する部分が開口するレジストマスクを形成する。次に、このレジストマスクをマスクとしてｎ型不純物をイオン注入し、エピタキシャル基板の裏面の表面層にｎ+ドレイン層１を形成する。そして、ｎ+ドレイン層１を形成するために用いたレジストマスクを除去する。次に、エピタキシャル基板の裏面に、ｎ+ドレイン層１を覆い、かつｐ+ドレイン領域１７の形成領域に対応する部分が開口するレジストマスクを形成する。
【００４８】
次に、このレジストマスクをマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、エピタキシャル基板の裏面の表面層にｐ+ドレイン領域１７を形成する。そして、ｐ+ドレイン領域１７を形成するために用いたレジストマスクを除去する。ｎ+ドレイン層１を形成するためのイオン注入と、ｐ+ドレイン領域１７を形成するためのイオン注入の順番を逆にしてもよい。その後、熱処理によりｎ+ドレイン層１およびｐ+ドレイン領域１７を活性化させることにより、図１に示す超接合ＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００４９】
以上、説明したように、実施の形態１によれば、素子周縁部におけるｎ+ドレイン層の内部にｐ+ドレイン領域を選択的に設けることで、素子周縁部におけるｎ+ドレイン層の体積が減少するため、基板裏面側のｎ+ドレイン層から第２の並列ｐｎ構造への電子の注入が抑制され、これに伴って基板おもて面側の最外周ｐベース領域から第２の並列ｐｎ構造へのホールの注入が抑制される。これにより、素子周縁部のキャリア蓄積量を減少させることができ、内蔵ダイオードの逆回復過程における最外周ｐベース領域への電流集中を緩和することができる。したがって、逆回復耐量（破壊耐量）を向上させることができる。また、従来のように素子周縁部の第２の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムを素子活性部の第１の並列ｐｎ構造のキャリアライフタイムよりも短くしなくてよいため、従来よりもオフ状態のときの漏れ電流が小さくなり、損失を小さくすることができる。
【００５０】
（実施の形態２）
実施の形態２にかかる超接合半導体素子の構造について説明する。図２は、実施の形態２にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。実施の形態２にかかる超接合半導体素子が実施の形態１にかかる超接合半導体素子と異なる点は、第２の並列ｐｎ構造に代えて、第１の並列ｐｎ構造に連続するｎ型バルク領域３１を設け、ｎ型バルク領域３１の基板おもて面側の表面層にｐ型リサーフ領域３２を設けた点である。
【００５１】
ｎ型バルク領域３１は、素子活性部２１から素子周縁部２２にわたって設けられた第１の並列ｐｎ構造と、素子周縁部２２の最も外側に設けられたｎ型チャネルストッパー領域１４との間の領域である。ｐ型リサーフ領域３２は、最外周ｐベース領域３ｂに接するように、ｎ型バルク領域３１の基板おもて面側の表面層に選択的に設けられている。酸化膜１５は、ｎ型バルク領域３１およびｐ型リサーフ領域３２の表面（基板おもて面側の表面）に設けられている。実施の形態２にかかる超接合半導体素子のそれ以外の構成は、実施の形態１にかかる超接合半導体素子と同様である。
【００５２】
次に、実施の形態２にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴの製造方法について説明する。実施の形態１と同様に、一般的な多段エピタキシャル成長法によりエピタキシャル基板を作製する。このとき、エピタキシャル基板の素子周縁部２２には、第２の並列ｐｎ構造に代えてｎ型バルク領域３１が形成される。その後、このエピタキシャル基板のおもて面側および裏面側に実施の形態１と同様の素子構造とｐ型リサーフ領域３２とを形成することにより、図２に示す超接合ＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００５３】
以上、説明したように、実施の形態２によれば、素子周縁部がｎ型バルク領域からなるバルク構成であったとしても、ｎ+ドレイン層の一部にｐ+ドレイン領域が設けられていれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
（実施の形態３）
実施の形態３にかかる超接合半導体素子の構造について説明する。図３は、実施の形態３にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。実施の形態３にかかる超接合半導体素子が実施の形態１にかかる超接合半導体素子と異なる点は、ｐ+ドレイン領域４１の外側の端部が素子周縁部２２の外周（基板側面）まで延在されている点である。実施の形態３にかかる超接合半導体素子のそれ以外の構成は、実施の形態１にかかる超接合半導体素子と同様である。実施の形態３にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴの製造方法のｐ+ドレイン領域４１の形成範囲が異なる以外は、実施の形態１にかかる超接合半導体素子の製造方法と同様である。
【００５５】
以上、説明したように、実施の形態３によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態３によれば、素子周縁部におけるｎ+ドレイン層内の一部にｐ+ドレイン領域を設ける場合よりも、ｎ+ドレイン層から第２の並列ｐｎ構造への電子の注入が大幅に低減され、キャリア蓄積量を減少させることができる。
【００５６】
（実施の形態４）
実施の形態４にかかる超接合半導体素子の構造について説明する。図４は、実施の形態４にかかる半導体素子の構造を示す断面図である。実施の形態４にかかる超接合半導体素子が実施の形態３にかかる超接合半導体素子と異なる点は、ｐ++ドレイン領域５１とｎバッファ層１１との間に、ｎ+ドレイン層１が介在している点である。具体的には、ｐ++ドレイン領域５１は、ｎ+ドレイン層１の基板裏面側の表面層に設けられており、ｎバッファ層１１に接していない。第２の並列ｐｎ構造の基板おもて面側の表面層に、最外周ｐベース領域３ｂに接するｐ型リサーフ領域５２を選択的に設けてもよい。実施の形態４にかかる超接合半導体素子のそれ以外の構成は、実施の形態３にかかる超接合半導体素子と同様である。
【００５７】
特に限定しないが、例えば実施の形態４にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴが耐圧６００Ｖクラスである場合には、各部の寸法および不純物濃度は次の値をとる。ｎ+ドレイン層１の厚さは０．５μｍ、その不純物濃度は１．０×１０18ｃｍ-3である。ｐ++ドレイン領域５１の厚さは０．３μｍ、その不純物濃度は２．０×１０18ｃｍ-3である。実施の形態４にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴのその他の各部の寸法および不純物濃度は、実施の形態１にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴと同様である。
【００５８】
次に、実施の形態４にかかる超接合ＭＯＳＦＥＴの製造方法について説明する。実施の形態１と同様に、一般的な多段エピタキシャル成長法によりエピタキシャル基板を作製する工程、エピタキシャル基板のおもて面におもて面素子構造を形成する工程、エピタキシャル基板の裏面を研削してエピタキシャル基板の厚さを薄くする工程を順に行う。このとき、エピタキシャル基板のおもて面におもて面素子構造を形成する工程では、実施の形態１と同様に素子活性部２１のＭＯＳゲート構造およびおもて面電極を形成するとともに、素子周縁部２２にｐ型リサーフ領域５２を形成する。
【００５９】
次に、エピタキシャル基板の裏面（ｎバッファ層１１の表面）全面にｎ型不純物を第１イオン注入し、エピタキシャル基板の裏面の表面層にｎ+ドレイン層１を形成する。次に、エピタキシャル基板の裏面に、ｐ++ドレイン領域５１の形成領域に対応する部分が開口するレジストマスクを形成する。次に、このレジストマスクをマスクとしてｐ型不純物を第２イオン注入し、ｎ+ドレイン層１の内部に、ｎ+ドレイン層１の深さよりも浅い深さでｐ++ドレイン領域５１を形成する。
【００６０】
ｐ型不純物の第２イオン注入では、レジストマスクの開口部に露出されたｎ+ドレイン層１をｐ型に反転させることでｐ++ドレイン領域５１を形成する。このため、ｐ++ドレイン領域５１の不純物濃度をｎ+ドレイン層１の不純物濃度よりも高く設定する。次に、ｐ++ドレイン領域５１を形成するために用いたレジストマスクを除去する。その後、熱処理によりｎ+ドレイン層１およびｐ++ドレイン領域５１を活性化させることにより、図４に示す超接合ＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００６１】
以上、説明したように、実施の形態４によれば、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態４によれば、ｐ++ドレイン領域とｎバッファ層との間にｎ+ドレイン層が介在しているため、ｐ++ドレイン領域からｎバッファ層へのホールの注入も抑制することができる。これにより、最外周ｐベース領域、第２の並列ｐｎ構造、ｎバッファ層およびｐ++ドレイン領域からなる寄生ｐｎｐトランジスタの動作が抑制され、素子周縁部２２のキャリア蓄積量がさらに減少される。これにより、逆回復耐量をさらに向上させることができる。
【００６２】
以上において本発明では、基板の第１主面側に形成された素子活性部とは、例えば縦型ＭＯＳＦＥＴの場合は第１主面側で反転層を形成するチャネル拡散層とソース領域を含むスイッチング部であり、ドリフト部の第１主面側で導通と非導通の選択機能を持つ能動部分または受動部分を指すため、本発明はＭＯＳＦＥＴに限らず、ＦＷＤまたはショットキーダイオード等にも適用できる。また、各実施の形態では第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型としたが、本発明は第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型としても同様に成り立つ。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
以上のように、本発明にかかる半導体素子は、大電力用半導体装置に有用であり、特に、並列ｐｎ構造をドリフト部に有するＭＯＳＦＥＴ等の高耐圧化と大電流容量化を両立させることのできるパワー半導体装置に有用である。
【符号の説明】
【００６４】
１  ｎ+ドレイン層
２  ドレイン・ドリフト部
２ａ  第１のｎ型領域
２ｂ  第１のｐ型領域
３ａ  ｐベース領域
３ｂ  最外周ｐベース領域
４  表面ｎ型ドリフト領域
５  ｐ+コンタクト領域
６  ｎ+ソース領域
７  ゲート絶縁膜
８  ゲート電極層
９  層間絶縁膜
１０  ソース電極
１１  ｎバッファ層
１２ａ  第２のｎ型領域
１２ｂ  第２のｐ型領域
１３  ドレイン電極
１４  ｎ型チャネルストッパー領域
１５  酸化膜
１６  ストッパー電極
１７，４１  ｐ+ドレイン領域
２１  素子活性部
２２  素子周縁部
３１  ｎ型バルク領域
３２，５２  ｐ型リサーフ領域
５１  ｐ++ドレイン領域
Ｄ  素子活性部と素子周縁部との境界の位置
ＦＰ  フィールドプレート電極
Ｐ１  素子活性部の第１の並列ｐｎ構造の繰り返しピッチ
Ｐ２  素子周縁部の第２の並列ｐｎ構造の繰り返しピッチ
ｔ１  ｐ+ドレイン領域の最小幅
ｔ２  ｐベース領域３ａの基板おもて面側の幅の半分の幅
【図１】
2014112239.tif 000003
【図２】
2014112239.tif 000004
【図３】
2014112239.tif 000005
【図４】
2014112239.tif 000006
【図５】
2014112239.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月10日(2015.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１主面側に存在して能動または受動で電流を流す素子活性部と、前記基板の第２主面側の表面層に存在する第１導電型低抵抗層と、前記素子活性部と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態ではドリフト電流が縦方向に流れるとともにオフ状態では空乏化する縦型ドリフト部と、を有し、前記縦型ドリフト部が、前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第１の並列ｐｎ構造をなす半導体素子であって、
前記縦型ドリフト部の周りで前記第１主面と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態では概ね非電路領域であってオフ状態では空乏化する素子周縁部と、
前記第１の並列ｐｎ構造と前記第１導電型低抵抗層との間に、前記素子活性部から前記素子周縁部にわたって設けられた、前記第１導電型低抵抗層よりも高抵抗な第１導電型層と、
前記素子周縁部における前記第２主面側の表面層に選択的に設けられた第２導電型低抵抗層と、
前記第１導電型低抵抗層および前記第２導電型低抵抗層に接する電極と、
を備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記第２導電型低抵抗層の不純物濃度は、前記第１導電型層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第２導電型低抵抗層の不純物濃度は、前記第１導電型低抵抗層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第１主面側に設けられた複数の第２導電型ベース領域をさらに有し、
前記第２導電型低抵抗層の内側の端部は、前記素子活性部と前記素子周縁部との境界に位置し、
前記第２導電型低抵抗層の外側の端部は、複数の前記第２導電型ベース領域のうちの最も外側に設けられた第２導電型ベース領域の外側の端部から、前記縦型ドリフト部の厚さ以上外側へ離れて位置していることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第２導電型低抵抗層は、前記素子活性部と前記素子周縁部との境界から前記素子周縁部の外周にわたって設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記第２導電型低抵抗層は、前記第１導電型低抵抗層の前記第２主面側の表面層に設けられており、
前記第２導電型低抵抗層と前記第１導電型層との間に前記第１導電型低抵抗層が介在することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記素子周縁部は、前記基板の厚み方向に配向する第２の縦型第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第２の縦型第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第２の並列ｐｎ構造をなすことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体素子は、次の特徴を有する。基板の第１主面側に存在して能動または受動で電流を流す素子活性部と、前記基板の第２主面側の表面層に存在する第１導電型低抵抗層と、前記素子活性部と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態ではドリフト電流が縦方向に流れるとともにオフ状態では空乏化する縦型ドリフト部と、を有する。前記縦型ドリフト部が、前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第１の縦型第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第１の並列ｐｎ構造をなす。前記縦型ドリフト部の周りで前記第１主面と前記第１導電型低抵抗層との間に介在し、オン状態では概ね非電路領域であってオフ状態では空乏化する素子周縁部を有する。前記第１の並列ｐｎ構造と前記第１導電型低抵抗層との間に、前記素子活性部から前記素子周縁部にわたって、前記第１導電型低抵抗層よりも高抵抗な第１導電型層が設けられている。前記素子周縁部における前記第２主面側の表面層に、第２導電型低抵抗層が選択的に設けられている。前記第１導電型低抵抗層および前記第２導電型低抵抗層に接する電極が設けられている。
【国際調査報告】
2014112239.tif 000008
2014112239.tif 000009
2014112239.tif 000010
2014112239.tif 000011