(57)【要約】  ＰＴＣサーミスタは、素体と、素体内に設けられる内部電極と、内部電極に電気的に接続され素体の外面の一部を覆う外部電極と、外部電極上に設けられる金属膜とを有する。素体の外面は、外部電極に覆われている被覆領域と、外部電極に覆われておらず外部に露出している非被覆領域とを有する。非被覆領域は、被覆領域のうちの非被覆領域と接続される部分よりも、低い位置にある。
2015198615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成される素体と、
前記素体内に設けられ、前記素体の外面から端部が露出する内部電極と、
前記内部電極の前記端部に電気的に接続され、前記素体の外面の一部を覆う外部電極と、
前記外部電極上に設けられる金属膜と
を備え、
前記素体の外面は、
前記外部電極に覆われている被覆領域と、
前記外部電極に覆われておらず外部に露出している非被覆領域と
を有し、
前記非被覆領域は、前記被覆領域のうちの前記非被覆領域と接続される部分よりも、低い位置にあることを特徴とするＰＴＣサーミスタ。
【請求項２】
前記素体は、互いに反対側に位置する第１の端面および第２の端面を有し、
前記外部電極は、２つあって、第１の外部電極は、前記素体の前記第１の端面を覆い、第２の外部電極は、前記素体の前記第２の端面を覆う、請求項１に記載のＰＴＣサーミスタ。
【請求項３】
前記素体は、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成され、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つの元素を含んでいる、請求項１または２に記載のＰＴＣサーミスタ。
【請求項４】
正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成される素体内に内部電極を設け、前記内部電極の端部を前記素体の外面から露出し、前記内部電極の前記端部に外部電極を電気的に接続しつつ、前記外部電極で前記素体の外面の一部を覆う第１工程と、
前記素体をめっき液に浸漬して、前記外部電極上に金属膜をめっきにより形成する第２工程と
を備え、
前記第２工程は、
前記外部電極に覆われていない前記素体の外面の非被覆領域をめっき液で溶かして前記非被覆領域に前記金属膜を形成しないようにしつつ、前記外部電極上に前記金属膜を形成して、これにより、前記非被覆領域が、前記外部電極に覆われている前記素体の外面の被覆領域よりも、低い位置となることを特徴とするＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項５】
前記めっき液は、前記素体が溶ける速度が、前記素体上に前記金属膜が析出される速度よりも、速くなるまたは同等となる性質を有する、請求項４に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項６】
前記素体は、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成され、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んでいる、請求項４または５に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＴＣサーミスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＰＴＣサーミスタとしては、特開２０１２−３８８１１号公報（特許文献１）に記載されたものがある。図４に示すように、このＰＴＣサーミスタ１００は、正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成される素体１０１と、前記素体１０１内に積層して設けられる複数の内部電極１０２Ａ，１０２Ｂとを有する。【０００３】
隣り合う２つの内部電極１０２Ａ，１０２Ｂにおいて、第１の内部電極１０２Ａの端部１０２ａは、素体１０１の外面の両端面のうちの第１の端面１０１ａから露出し、第２の内部電極１０２Ｂの端部１０２ｂは、素体１０１の外面の両端面のうちの第２の端面１０１ｂから露出する。【０００４】
前記素体１０１の外面のうちの両端面１０１ａ，１０１ｂを除く側面１０１ｃには、ガラス材からなるコーティング層１０３が形成されている。素体１０１の両端面１０１ａ，１０１ｂには、第１、第２の外部電極１０４Ａ，１０４Ｂが設けられている。第１の外部電極１０４Ａは、素体１０１の第１の端面１０１ａを覆い、第１の内部電極１０２Ａの端部１０２ａに電気的に接続される。第２の外部電極１０４Ｂは、素体１０１の第２の端面１０１ｂを覆い、第２の内部電極１０２Ｂの端部１０２ｂに電気的に接続される。前記第１、第２の外部電極１０４Ａ，１０４Ｂ上には、金属膜１０５が設けられている。【０００５】
前記従来のＰＴＣサーミスタ１００を製造する方法を説明する。素体１０１の側面１０１ｃに、コーティング層１０３を形成し、側面素体１０１の両端面１０１ａ，１０１ｂに、第１、第２の外部電極１０４Ａ，１０４Ｂを形成する。その後、素体１０１をめっき液に浸漬して、第１、第２の外部電極１０４Ａ，１０４Ｂ上に、金属膜１０５をめっきにより形成する。このとき、コーティング層１０３は、ガラス材からなるため、コーティング層１０３上に、金属膜１０５は形成されない。【０００６】
ここで、前記コーティング層１０３を設けないとすると、素体１０１は、正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成されていることから、素体１０１の比抵抗は低くなるため、素体１０１の側面１０１ｃ上にも、金属膜１０５がめっきにより析出（例えば、めっき成長）する。この結果、ＰＴＣサーミスタ１００の外観不良率が増加する。外観不良率とは、第１の外部電極１０４Ａ上の金属膜１０５と、第２の外部電極１０４Ｂ上の金属膜１０５とが、素体１０１の側面１０１ｃ上の金属膜１０５を介して、電気的に接続される確率を示す。【０００７】
このように、従来のＰＴＣサーミスタ１００では、コーティング層１０３を設けることで、素体１０１の側面１０１ｃ上の金属膜１０５の析出を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−３８８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記従来のＰＴＣサーミスタ１００では、素体１０１上への金属膜１０５の析出を抑制するためのコーティング層１０３が必要となり、コストアップとなる問題があった。【００１０】
そこで、本発明の課題は、素体上への金属膜の析出を抑制するためのコーティング層を不要としたＰＴＣサーミスタおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するため、本発明のＰＴＣサーミスタは、
正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成される素体と、
前記素体内に設けられ、前記素体の外面から端部が露出する内部電極と、
前記内部電極の前記端部に電気的に接続され、前記素体の外面の一部を覆う外部電極と、
前記外部電極上に設けられる金属膜と
を備え、
前記素体の外面は、
前記外部電極に覆われている被覆領域と、
前記外部電極に覆われておらず外部に露出している非被覆領域と
を有し、
前記非被覆領域は、前記被覆領域のうちの前記非被覆領域と接続される部分よりも、低い位置にあることを特徴としている。【００１２】
本発明のＰＴＣサーミスタによれば、金属膜は、外部電極上に設けられ、素体の外面は、外部電極に覆われている被覆領域と、外部電極に覆われておらず外部に露出している非被覆領域とを有し、非被覆領域は、被覆領域のうちの非被覆領域と接続される部分よりも、低い位置にある。【００１３】
これにより、ガラス材などのコーティング層は、非被覆領域上になく、金属膜は、非被覆領域上に形成されていない。したがって、非被覆領域上への金属膜の析出を抑制するためのコーティング層がないため、コストダウンを図ることができる。【００１４】
また、一実施形態のＰＴＣサーミスタでは、
前記素体は、互いに反対側に位置する第１の端面および第２の端面を有し、
前記外部電極は、２つあって、第１の外部電極は、前記素体の前記第１の端面を覆い、第２の外部電極は、前記素体の前記第２の端面を覆う。【００１５】
前記実施形態のＰＴＣサーミスタによれば、第１の外部電極は、素体の第１の端面を覆い、第２の外部電極は、素体の第２の端面を覆う。これにより、第１の外部電極と第２の外部電極との間の素体の非被覆領域に、金属膜はないため、第１の外部電極と第２の外部電極とは、短絡しない。【００１６】
また、一実施形態のＰＴＣサーミスタでは、前記素体は、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成され、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つの元素を含んでいる。【００１７】
前記実施形態のＰＴＣサーミスタによれば、素体は、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成され、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つの元素を含んでいる。これにより、金属膜が、めっきにより、外部電極に形成される場合、素体は、めっき液に溶けやすくなる。したがって、金属膜をめっきにより外部電極に形成する場合、素体自体が溶ける速度を、金属膜が素体に析出される速度よりも、速くまたは同等にできて、金属膜を素体に析出させずに外部電極に析出させることができる。【００１８】
また、一実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法では、
正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成される素体内に内部電極を設け、前記内部電極の端部を前記素体の外面から露出し、前記内部電極の前記端部に外部電極を電気的に接続しつつ、前記外部電極で前記素体の外面の一部を覆う第１工程と、
前記素体をめっき液に浸漬して、前記外部電極上に金属膜をめっきにより形成する第２工程と
を備え、
前記第２工程は、
前記外部電極に覆われていない前記素体の外面の非被覆領域をめっき液で溶かして前記非被覆領域に前記金属膜を形成しないようにしつつ、前記外部電極上に前記金属膜を形成して、これにより、前記非被覆領域が、前記外部電極に覆われている前記素体の外面の被覆領域よりも、低い位置となる。【００１９】
前記実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法によれば、第２工程は、外部電極に覆われていない素体の外面の非被覆領域をめっき液で溶かして非被覆領域に金属膜を形成しないようにしつつ、外部電極上に金属膜を形成して、これにより、非被覆領域が、外部電極に覆われている素体の外面の被覆領域よりも、低い位置となる。【００２０】
これにより、ガラス材などのコーティング層を非被覆領域上に設けなくても、金属膜は非被覆領域上に析出されない。したがって、非被覆領域上への金属膜の析出を抑制するためのコーティング層を設ける工程が不要となり、コストダウンを図ることができる。【００２１】
また、一実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法では、前記めっき液は、前記素体が溶ける速度が、前記素体上に前記金属膜が析出される速度よりも、速くなるまたは同等となる性質を有する。【００２２】
前記実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法によれば、めっき液は、素体が溶ける速度が、素体上に金属膜が析出される速度よりも、速くなるまたは同等となる性質を有する。これにより、金属膜を素体に析出させずに外部電極に析出させることができる。【００２３】
また、一実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法では、前記素体は、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成され、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んでいる。【００２４】
前記実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法によれば、素体は、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成され、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んでいる。これにより、素体は、めっき液に溶けやすくなって、素体自体が溶ける速度を、素体に金属膜が析出される速度よりも、速くまたは同等にできて、金属膜を素体に析出させずに外部電極に析出させることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のＰＴＣサーミスタおよびその製造方法によれば、素体上への金属膜の析出を抑制するためのコーティング層を不要とできる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態のＰＴＣサーミスタを示す断面図である。
【図２】図１のＡ部の拡大図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態のＰＴＣサーミスタの製造方法を説明する説明図である。
【図４】従来のＰＴＣサーミスタを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態のＰＴＣサーミスタを示す断面図である。図２は、図１のＡ部の拡大図である。図１と図２に示すように、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタ１は、正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成される素体１０と、前記素体１０内に積層して設けられる複数の内部電極２１，２２とを有する。ＰＴＣサーミスタ１は、キュリー温度で電気抵抗が急上昇するという特性を有する。
【００２９】
前記素体１０は、略直方体状に形成されている。素体１０の外面は、互いに反対側に位置する第１の端面１０ａおよび第２の端面１０ｂと、第１の端面１０ａと第２の端面１０ｂとの間の周方向の側面１０ｃとを有する。素体１０は、例えば、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成される。なお、素体１０は、正の抵抗温度特性を有する他のセラミックスから構成されてもよい。素体１０は、例えば、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つの元素を含んでいることが好ましく、こうすることで、後述するように、素体１０は、めっき液に溶けやすくなる。
【００３０】
前記内部電極２１，２２は、略平板状に形成されている。内部電極２１，２２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏのうちの少なくとも一つの元素を含んでいる。
【００３１】
前記複数の内部電極２１，２２は、互いに間隔をあけて、略平行に配列されている。隣り合う２つの内部電極２１，２２において、第１の内部電極２１の端部２１ａは、素体１０の第１の端面１０ａから露出し、第２の内部電極２２の端部２２ａは、素体１０の第２の端面１０ｂから露出している。
【００３２】
前記素体１０の第１の端面１０ａには、第１の外部電極４１が設けられている。前記素体１０の第２の端面１０ｂには、第２の外部電極４２が設けられている。第１、第２の外部電極４１，４２は、例えば、Ａｇから構成される。例えば、第１、第２の外部電極４１，４２は、素体１０にＡｇペーストを塗布した後に焼き付けて、形成される。
【００３３】
前記第１の外部電極４１は、第１の内部電極２１の端部２１ａに接触して電気的に接続される。第１の外部電極４１は、素体１０の外面の一部を覆う。具体的には、第１の外部電極４１は、素体１０の第１の端面１０ａの全てを覆うと共に、素体１０の側面１０ｃの第１の端面１０ａ側の端部を覆う。
【００３４】
前記第２の外部電極４２は、第２の内部電極２２の端部２２ａに接触して電気的に接続される。第２の外部電極４２は、素体１０の外面の一部を覆う。具体的には、第２の外部電極４２は、素体１０の第２の端面１０ｂの全てを覆うと共に、素体１０の側面１０ｃの第２の端面１０ｂ側の端部を覆う。
【００３５】
前記外部電極４１，４２上には、金属膜５０が設けられている。金属膜５０は、めっきにより、形成される。外部電極４１，４２は、金属膜５０を介して、図示しない基板上の配線に、はんだ等により接合される。金属膜５０は、第１、第２の外部電極４１，４２上に接触される第１の層５１と、第１の層５１上に積層される第２の層５２とを有する。第１の層５１は、例えば、Ｎｉから構成され、第２の層５２は、例えば、Ｓｎから構成される。Ｎｉからなる第１の層５１は、Ｓｎからなる第２の層５２と外部電極４１，４２との接触を防止して、第２の層５２による外部電極４１，４２の腐食を防止する。また、第２の層５２は、はんだの濡れ性を向上させる。
【００３６】
前記金属膜５０は、外部電極４１，４２の上面の全領域に、形成されるが、外部電極４１，４２の上面の一部の領域に、形成されるようにしてもよい。金属膜５０の第２の層５２の一部または全部は、はんだ接合時に、はんだに溶融してもよい。
【００３７】
前記素体１０の外面は、前記外部電極４１，４２に覆われている被覆領域Ｚ１と、前記外部電極４１，４２に覆われておらず外部に露出している非被覆領域Ｚ２とを有する。具体的に述べると、被覆領域Ｚ１は、第１の外部電極４１に覆われた、第１の端面１０ａの全領域および側面１０ｃの第１の端面１０ａ側の端部の第１領域と、第２の外部電極４２に覆われた、第２の端面１０ｂの全領域および側面１０ｃの第２の端面１０ｂ側の端部の第２領域とである。非被覆領域Ｚ２は、側面１０ｃの第１、第２領域を除く全ての第３領域である。
【００３８】
前記非被覆領域Ｚ２は、前記被覆領域Ｚ１のうちの前記非被覆領域Ｚ２と接続される部分よりも、低い位置にある。ここで、高さの基準位置（最も低い位置）は、素体１０の中心とする。具体的に述べると、非被覆領域Ｚ２に相当する側面１０ｃの第３領域は、被覆領域Ｚ１の一部に相当する側面１０ｃの第１、第２領域よりも、低い位置にある。素体１０の側面１０ｃの第３領域に、凹部１１が設けられ、この凹部１１が、非被覆領域Ｚ２に相当する。凹部１１の形状は、素体１０の側面１０ｃの全周に渡って一様な深さで凹んだ形状である。非被覆領域Ｚ２のうちの最も低い位置にある部分と、被覆領域Ｚ１のうちの非被覆領域Ｚ２と接続される部分との高さの差（以下、段差Ｈという）は、凹部１１の深さに一致する。段差Ｈは、例えば、外部電極４１，４２の厚みが３０μｍであり、金属膜５０の厚みが３μｍであるとき、１０μｍとなる。
【００３９】
前記段差Ｈ（凹部１１）は、後述するように、金属膜５０をめっきにより形成する際に用いられるめっき液に素体１０を浸漬し、素体１０をめっき液で溶かすことで、形成される。素体１０の非被覆領域Ｚ２は、めっき液で溶融された溶融跡および表面粗さを有する。
【００４０】
次に、前記ＰＴＣサーミスタ１の製造方法について説明する。
【００４１】
まず、図３Ａに示すように、正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成される複数のセラミックスシート体５を形成する。そして、電極ペーストを所定数のセラミックスシート体５の上面に印刷して、内部電極２１，２２を形成する。内部電極２１，２２を印刷するとき、内部電極２１，２２の一端面２１ａ，２２ａのみがセラミックスシート体５の外縁まで延び、内部電極２１，２２の他の端面がセラミックスシート体５の内側に位置するようにする。
【００４２】
そして、セラミックスシート体５と内部電極２１，２２とが交互に位置するように、内部電極２１，２２が印刷された複数のセラミックスシート体５を重ねる。このとき、内部電極２１，２２の一端面２１ａ，２２ａが、セラミックスシート体５の左右端面に交互に位置するようにする。
【００４３】
その後、積層された複数のセラミックスシート体５をプレスで圧着して、図３Ｂに示すように、積層体６を形成する。積層体６は、複数のセラミックスシート体５が圧着されて形成される素体１０と、素体１０内に設けられる内部電極２１，２２とを有する。第１の内部電極２１の端部２１ａは、素体１０の第１の端面（左端面）１０ａから露出し、第２の内部電極２２の端部２２ａは、素体１０の第２の端面（右端面）１０ｂから露出している。
【００４４】
その後、図３Ｃに示すように、素体１０の第１、第２の端面１０ａ，１０ｂおよび側面１０ｃの左右端部にＡｇペーストを塗布した後、焼き付けて外部電極４１、４２を形成する。第１の外部電極４１は、第１の端面１０ａの全領域を覆うと共に、側面１０ｃの左端部の領域を覆う。第１の外部電極４１は、第１の内部電極２１の端部２１ａに接触して電気的に接続される。第２の外部電極４２は、第２の端面１０ｂの全領域を覆うと共に、側面１０ｃの右端部の領域を覆う。第２の外部電極４２は、第２の内部電極２２の端部２２ａに接触して電気的に接続される。
【００４５】
その後、前記素体１０をめっき液に浸漬して、図１と図２に示すように、前記外部電極４１，４２上に金属膜５０をめっきにより形成する。つまり、素体１０を金属膜５０の第１の層５１の成分を含む第１のめっき液（例えば、溶質がＮｉで溶媒が水）に浸漬して第１の層５１を形成した後、素体１０を金属膜５０の第２の層５２の成分を含む第２のめっき液（例えば、溶質がＳｎで溶媒が水）に浸漬して第２の層５２を形成する。
【００４６】
このとき、前記外部電極４１，４２に覆われていない素体１０の外面の非被覆領域Ｚ２をめっき液で溶かして非被覆領域Ｚ２に金属膜５０を形成しないようにしつつ、外部電極４１，４２上に金属膜５０を形成する。つまり、素体１０の溶融と、金属膜５０のめっき形成とを、同時に行う。これにより、非被覆領域Ｚ１が、外部電極４１，４２に覆われている素体１０の外面の被覆領域Ｚ１と非被覆領域Ｚ２よりも、低い位置となる。
【００４７】
具体的に述べると、前記非被覆領域Ｚ２にも金属膜５０が析出されるが、金属膜５０の析出後に素体１０がめっき液により溶けるため、金属膜５０は素体１０にとどまることができない。これにより、非被覆領域Ｚ２には、凹部１１が形成されて、金属膜５０は形成されない。
【００４８】
前記段差Ｈは、素体１０の外面の面積と、外部電極４１，４２の表面積との関係で求められる。例えば、素体１０の外面の面積をSc、素体１０の比抵抗をρc、外部電極４１，４２の表面積をSe、外部電極４１，４２の比抵抗をρe、外部電極４１，４２上の金属膜５０（めっき）の成膜スピードをP（μm/H）として、段差Ｈは、H=P*ρe*Se/（ρc*Sc）とする。
【００４９】
また、段差Ｈは、例えば、素体１０に添加される元素の種類と量や、めっき液のｐＨや、めっき液に印加される電圧の大きさや、めっき液の温度により、変更可能である。例えば、段差Ｈは、素体１０に添加される元素の量が多いほど、めっき液のｐＨが低いほど、めっき液に印加される電圧の大きさが大きいほど、めっき液の温度が高いほど、大きくできる。
【００５０】
前記めっき液は、好ましくは、素体１０が溶ける速度が、素体１０上に金属膜５０が析出される速度よりも、速くなるまたは同等となる性質を有する。このめっき液の性質は、例えば、めっき液のｐＨ、めっき液の温度またはめっき電流により、決定される。素体１０が溶ける速度は、時間当たりの素体１０の溶融厚みを測定して求める。素体１０上に金属膜５０が析出される速度は、時間当たりの素体１０の析出厚みを測定して求める。これにより、一層確実に、金属膜５０を素体１０に析出させずに外部電極４１，４２に析出させることができる。
【００５１】
前記素体１０は、好ましくは、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成され、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んでいる。これにより、素体１０は、めっき液に溶けやすくなって、素体１０自体が溶ける速度を、素体１０に金属膜５０が析出される速度よりも、速くまたは同等にできて、金属膜５０を素体１０に析出させずに外部電極４１，４２に析出させることができる。Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏの添加量が多いほど、素体１０はめっき液に溶けやすくなる。例えば、Ｍｎの場合、添加量が０．００１ｍｏｌ％〜０．２ｍｏｌ％であるとき、Ｐｂの場合、添加量が０．００１ｍｏｌ％〜２０ｍｏｌ％であるときに、効果がある。モル％が低いと、ＢａＴｉＯ３が主となるため溶けにくくなり、多すぎると特性に影響が出てしまう。
【００５２】
前記実施形態のＰＴＣサーミスタ１によれば、金属膜５０は、外部電極４１，４２上に設けられ、素体１０の外面は、外部電極４１，４２に覆われている被覆領域Ｚ１と、外部電極４１，４２に覆われておらず外部に露出している非被覆領域Ｚ２とを有し、非被覆領域Ｚ２は、被覆領域Ｚ１のうちの非被覆領域Ｚ２と接続される部分よりも、低い位置にある。
【００５３】
これにより、ガラス材などのコーティング層は、非被覆領域Ｚ２上になく、金属膜５０は、非被覆領域Ｚ２上に形成されていない。したがって、非被覆領域Ｚ２上への金属膜５０の析出を抑制するためのコーティング層がないため、コストダウンを図ることができる。また、コーティング層がないため、コーティング層に起因する熱伝導性や熱放散性の低減が抑制される。
【００５４】
また、第１の外部電極４１と第２の外部電極４２との間の素体１０の非被覆領域Ｚ２に、金属膜５０はないため、第１の外部電極４１と第２の外部電極４２とは、電気的に接続されない。つまり、外観不良率（第１の外部電極４１上の金属膜５０と第２の外部電極４２上の金属膜５０とが電気的に接続される確率）を低減できる。
【００５５】
前記実施形態のＰＴＣサーミスタ１の製造方法によれば、外部電極４１，４２に覆われていない素体１０の外面の非被覆領域Ｚ２をめっき液で溶かして非被覆領域Ｚ２に金属膜５０を形成しないようにしつつ、外部電極４１，４２上に金属膜５０を形成して、これにより、非被覆領域Ｚ２が、被覆領域Ｚ１のうちの非被覆領域Ｚ２と接続される部分よりも、低い位置となる。
【００５６】
これにより、ガラス材などのコーティング層を非被覆領域Ｚ２上に設けなくても、金属膜５０は非被覆領域Ｚ２上に析出されない。したがって、非被覆領域Ｚ２上への金属膜５０の析出を抑制するためのコーティング層を設ける工程が不要となり、コストダウンを図ることができる。
【００５７】
従前より、ＰＴＣサーミスタの素体はめっき液に溶け難いものであるという思想が、あった。このため、従前では、素体の表面にめっきにより金属膜が析出されることのみに着目しており、これを防止するために、素体の表面にガラス材のコーティング層を形成していた。これに対して、本願発明者は、従前とは全く逆の思想である、ＰＴＣサーミスタの素体をめっき液に溶かすということに着目し、素体のめっき液による溶融と、金属膜のめっき形成とを、同時に行うという思想を見出した。これにより、素体の表面にガラス材のコーティング層を設けなくとも、素体の表面に金属膜を析出することを防止している。
【００５８】
（実施例）
次に、前記ＰＴＣサーミスタ１の製造方法の一例について説明する。
【００５９】
まず、原料として、ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｌａ2Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｎＣＯ3 を用いて以下の組成となるよう調合する。
（Ｂａ0.857 Ｃａ0.10 Ｓｒ0.04 Ｌａ0.003 )ＴｉＯ3 ＋0.008 Ｍｎ＋0.01ＳｉＯ2
前記原料を純水及びジルコニアボールとともに容器に入れて５時間粉砕し、1100℃で２時間仮焼成する。この仮焼成体を粉砕して仮焼成粉を形成する。
【００６０】
そして、前記仮焼成粉に、有機バインダ、溶剤、及び分散剤を混合して、グリーンシートを成形し、このグリーンシートを所定の大きさの矩形状にカットして、複数のセラミックスシート体を形成する。
【００６１】
その後、図３Ａに示すように、Ｎｉからなる導電粉末とワニスとを混合して電極ペーストを作成し、この電極ペーストを所定数のセラミックスシート体５の上面に印刷して、内部電極２１，２２を形成する。そして、複数のセラミックスシート体５を積層して、積層されたセラミックスシート体５をプレスで圧着して、図３Ｂに示すように、積層体６を形成する。
【００６２】
その後、前述したように、図３Ｃに示すように、素体１０に外部電極４１、４２を形成してから、素体１０をめっき液に浸漬して、図１と図２に示すように、外部電極４１，４２上に金属膜５０をめっきにより形成しつつ、素体１０の非被覆領域Ｚ２に、凹部１１（段差Ｈ）を設ける。
【００６３】
次に、素体が溶融するｐＨを有するめっき液でめっきを行う一例を説明する。表１に、めっき液のｐＨと素体の溶融速度との関係を示す。
【００６４】
【表１】
2015198615.tif 000003
表１において、「異常めっき析出速度」とは、素体にめっき（金属膜）が析出する速度をいう。「素体溶融速度」とは、素体が溶融する速度をいう。「外観不良率」とは、素体にめっきが析出して、第１の外部電極上の金属膜と、第２の外部電極上の金属膜とが、素体上の金属膜を介して、電気的に接続される確率を示す。外観不良率が０％であるとき、素体の非被覆領域上に金属膜が設けられず、第１の外部電極上の金属膜と第２の外部電極上の金属膜とが、電気的に接続されるおそれがないことをいう。
【００６５】
表１からわかるように、めっき液のｐＨを調整することで、素体溶融速度を変更することができる。つまり、めっき液のｐＨが低くなるほど、素体溶融速度を大きくすることができる。
【００６６】
実施例１に示すように、めっき液のｐＨを３とし、実施例２に示すように、めっき液のｐＨを１．５とすることで、（異常めっき析出速度）／（素体溶融速度）が１以下となり、外観不良率が０％となる。これは、素体上にめっきの析出が発生しているが、めっきの析出後に素体が溶けるため、めっきの析出成分が素体にとどまることができないことによると考えられる。
【００６７】
一方、比較例１に示すように、めっき液のｐＨを５とすることで、（異常めっき析出速度）／（素体溶融速度）が１より大きくなって、外観不良率が増加する。これは、めっきの析出後に素体は溶けるが、めっきの析出速度の方が早いため、めっきが、めっき液と素体の間の壁となって素体の溶融を阻害し、この結果、外観不良率が増加すると考えられる。
【００６８】
次に、めっき液に対して溶融しやすくなる元素を、素体に添加して、めっきを行う一例を説明する。表２に、添加元素と素体溶融速度との関係を示す。
【００６９】
【表２】
2015198615.tif 000004
表２において、「異常めっき析出速度」「素体溶融速度」「外観不良率」とは、表１で既に説明しているため、その説明を省略する。
【００７０】
表２からわかるように、添加元素によって素体溶融速度を変更することができる。実施例３に示すように、添加元素をＭｎとし、実施例４に示すように、添加元素をＰｂとし、実施例５に示すように、添加元素をＮｉとし、実施例６に示すように、添加元素をＣｏとすることで、（異常めっき析出速度）／（素体溶融速度）が１以下となり、外観不良率が０％となる。これは、素体上にめっきの析出が発生しているが、めっきの析出後に素体が溶けるため、めっきの析出成分が素体にとどまることができないことによると考えられる。
【００７１】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
【００７２】
前記実施形態では、金属膜は、２つの層で形成したが、１つの層または３つ以上の層で形成するようにしてもよい。
【００７３】
前記実施形態では、素体は、チタン酸バリウム系半導体セラミックスから構成されたが、正の抵抗温度特性を有するセラミックスから構成されるようにしてもよい。
【００７４】
前記実施形態では、素体は、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んでいたが、これらの元素を含まないようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７５】
１  ＰＴＣサーミスタ
１０  素体
１０ａ  第１の端面
１０ｂ  第２の端面
１０ｃ  側面
１１  凹部
２１  第１の内部電極
２１ａ  端部
２２  第２の内部電極
２２ａ  端部
４１  第１の外部電極
４２  第２の外部電極
５０  金属膜
Ｚ１  被覆領域
Ｚ２  非被覆領域
Ｈ  段差
【図１】
2015198615.tif 000005
【図２】
2015198615.tif 000006
【図３Ａ】
2015198615.tif 000007
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2015198615.tif 000009
【図４】
2015198615.tif 000010
【国際調査報告】
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