(57)【要約】電力ロスが少なく、バスバーの位置取りが自由で、製造工程が簡易なバックコンタクト型太陽電池を提供する。半導体基板と、半導体基板の受光面側とは反対側の裏面側に形成された第一の導電型領域と、半導体基板の裏面側に形成された第二の導電型領域と、第一の導電型領域の上に直線状に形成された第一の導電型集電電極と、第二の導電型領域の上に直線状に形成された第二の導電型集電電極とを備え、第一の導電型領域と第二の導電型領域とは交互に配列され、第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極は、不連続箇所を有し、当該不連続箇所は、第一の導電型領域と第二の導電型領域とが交互に配列される配列方向において、導電型ごとに略一直線上に並ぶように設けられる。
2014196307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の受光面側とは反対側の裏面側に形成された第一の導電型領域と、
前記半導体基板の前記裏面側に形成された第二の導電型領域と、
前記第一の導電型領域の上に略直線状に形成された第一の導電型集電電極と、
前記第二の導電型領域の上に略直線状に形成された第二の導電型集電電極とを備え、
前記第一の導電型領域と前記第二の導電型領域とは交互に配列され、
前記第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極は、不連続箇所を有し、
当該不連続箇所は、前記第一の導電型領域と前記第二の導電型領域とが交互に配列される配列方向において、導電型ごとに略一直線上に並ぶように設けられることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極における前記不連続箇所に隣接する部分は、当該第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極の他の部分より太い小バスバーとして形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極における前記小バスバーの線幅は２００〜２０００μｍであり、前記第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極における前記小バスバー以外の部分の線幅は５０〜５００μｍであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記小バスバーは、前記半導体基板において、前記第一の導電型集電電極および前記第二の導電型集電電極の長手方向の端部に隣接しない位置に設けられることを特徴とする請求項２または３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記前記第一の導電型集電電極または第二の導電型集電電極の一方の前記不連続箇所は、前記第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極の他方の前記小バスバーと、配列方向において隣接することを特徴とする、請求項２から４のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記不連続箇所は、前記第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極の長手方向において１〜４箇所であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バックコンタクト型太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から主流の太陽電池は、たとえば単結晶または多結晶のシリコン基板の受光面にシリコン基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってｐ−ｎ接合を形成し、シリコン基板の受光面とその反対側にある裏面にそれぞれ電極を形成して製造されてきた。【０００３】
この主流のシリコン太陽電池は、いずれも受光面に金属からなる表電極（多くはバスバー及びフィンガーと呼ばれる金属電極からなる）を有している。これら表電極は入射する太陽光を遮るため、太陽電池の出力をロスするという問題があった。【０００４】
そこで、シリコン基板の受光面には電極を形成せずに、シリコン基板の裏面のみに電極を形成するいわゆるバックコンタクト型太陽電池が開発されている。受光面に電極がないバックコンタクト型太陽電池は、電極によるシャドウロスがなく、入射してくる太陽光を１００％太陽電池に取り込むことができるため、原理的に高効率が実現可能である。【０００５】
このバックコンタクト型太陽電池の受光面に太陽光が入射すると、シリコン基板の受光面近傍で生じたキャリアがバックコンタクト型太陽電池の裏面に形成されたｐ−ｎ接合まで到達し、フィンガーｐ型電極およびフィンガーｎ型電極に収集されて外部に取り出される。【０００６】
図１に一般的な太陽電池の電極構造を示す。電極にはフィンガー部１０２とバスバー部１０３がある。フィンガー部１０２は、太陽電池から発生した光電流を抵抗損失なく効率よく収集することを目的として形成されている集電電極である。バスバー部１０３は、フィンガー部１０２を通して電流を集め、タブ線の下地になる役割をする。図２は一般的な太陽電池セルの受光面にタブ線をつけた場合の、電流の流れを示している。図２に示すようにシリコン基板２０１内で発生した電子は近接のフィンガー２０２に集電され、さらに近接のバスバー２０３に電流が流れ、タブ線２０４を介して電力として取り出される。前述のようにバスバーはフィンガーに集電された電流を集める役割があるため、なるべく多くのフィンガーと接続されることが望ましい。また、図３（ａ）に示すようにフィンガー３０１からバスバー３０２の電流３０３と平行して、前記フィンガー３０１直下の拡散層３０４にも少なからず電流が流れている。仮に図３（ｂ）に示すようにフィンガー３０１が極小領域で断線していたとしても、電流は拡散層を通るため、電流が発生した箇所からバスバーまでの抵抗ロスは小さい。【０００７】
フィンガー電極は、断面積が小さくなると、直列抵抗が大きくなり出力を多く損失するため、断面積は大きくなるように設計される。すなわち電極高さを高くする、あるいは電極幅を広くするように設計される。しかし、前者には複数回の工程や長時間処理を要する上に限度があり、後者は直列抵抗値を低減できる代わりに受光面積減少や表面パッシベーション悪化を招き、結果として太陽電池の出力を低下させてしまうことが多く、それぞれ現在の技術では太陽電池の高出力化方法として頭打ちとなっている。【０００８】
直列抵抗を低減する方法としては、フィンガーの断面積を大きくする他にもフィンガー長さを短縮することが挙げられる。図４に一般的なバックコンタクトセルの裏面電極構造を示す。バックコンタクト型太陽電池は両面に電極が形成されている一般的な太陽電池と比較してフィンガー長さが長く、十分に改良の余地がある。【０００９】
フィンガー長さを短縮するために、導電型領域とその上に形成される導電型電極を断片化させることで基板領域内部にもバスバーを形成できるバックコンタクト型太陽電池が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】再表２００９−０２５１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１のバックコンタクト型太陽電池においては、断片化されたバスバーのうち少なくとも２本は、当該バスバーの長手方向における基板の両端付近に設置されており、このような基板端のバスバーはフィンガーと片側しか接続されていないため、バスバーを多く設けられる構成であるにも関わらず、バスバー１本に対して集電できるフィンガーの数は少なく、バスバーが十分に生かされていなかった。【００１２】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は特性を向上させることができるとともに、バスバーの位置取りに自由度があり、比較的に容易に製造可能なバックコンタクト型太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の受光面側とは反対側の裏面側に形成された第一の導電型領域と、半導体基板の裏面側に形成された第二の導電型領域と、第一の導電型領域の上に略直線状に形成された第一の導電型集電電極と、第二の導電型領域の上に略直線状に形成された第二の導電型集電電極とを備え、第一の導電型領域と第二の導電型領域とは交互に配列され、第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極は、不連続箇所を有し、当該不連続箇所は、第一の導電型領域と第二の導電型領域とが交互に配列される配列方向において、導電型ごとに略一直線上に並ぶように設けられる。【００１４】
第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極における不連続箇所に隣接する部分は、当該第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極の他の部分より太い小バスバーとして形成されるとよい。また、第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極における小バスバーの線幅は２００〜２０００μｍとするとよく、第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極における小バスバー以外の部分の線幅は５０〜５００μｍとするとよい。【００１５】
小バスバーは、半導体基板において、第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極の長手方向の端部に隣接しない位置に設けられるとよい。また、第一の導電型集電電極または第二の導電型集電電極の一方の不連続箇所は、第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極の他方の小バスバーと、配列方向において隣接するとよい。【００１６】
不連続箇所は、第一の導電型集電電極および第二の導電型集電電極の長手方向において１〜４箇所であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、特性を向上させることができるバックコンタクト型太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】一般的な太陽電池セルの電極構造の概要図である。
【図２】一般的な太陽電池セルの受光面にタブ線をつけた場合の、電流流れの概要図である。
【図３】図３（ａ）は一般的な太陽電池セル内の、電流流れの断面図である。図３（ｂ）は、局所的に電極が断線した太陽電池セル内の電流流れの断面図である。
【図４】一般的なバックコンタクト型太陽電池セルの裏面電極構造の概要図である。
【図５】本発明のバックコンタクト型太陽電池セルの拡散領域および裏面電極構造の一例である。
【図６】本発明のバックコンタクト型太陽電池セルの裏面電極構造およびタブ線位置の一例である。
【図７】本発明のバックコンタクト型太陽電池セルの拡散パターンの一例である。
【図８】本発明のバックコンタクト型太陽電池セルの裏面電極パターンの一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態におけるバックコンタクト型太陽電池セルについて、図を参照しながら説明する。なお、図示の便宜のため、部材のサイズおよび形状は、変形あるいは誇張して模式的に示している。
【００２０】
図５に示すように本発明の太陽電池は、シリコン基板５０１の裏面側において、第一の導電型拡散領域５０２と基板よりも高濃度の第二の導電型拡散領域５０３が交互に所定の間隔を置いて連続的に略直線状に形成され、複数の線状の第一の導電型集電電極５０４あるいは第二の導電型集電電極５０５がそれぞれの第一の導電型拡散領域５０２あるいは第二の導電型拡散領域５０３上に不連続に形成されている太陽電池の構造を特徴とする。シリコン基板５０１は第二の導電型である。なお、本願において、第一の導電型拡散領域５０２および第二の導電型拡散領域５０３が線状に延びる方向を「長手方向」、第一の導電型拡散領域５０２および第二の導電型拡散領域５０３が交互に配列される方向を「配列方向」と呼ぶ。
【００２１】
図５に示されているように、電極不連続箇所５０６および５０７はそれぞれ、配列方向において略一直線上に並んで設けられている。すなわち、第一の導電型集電電極５０４あるいは第二の導電型集電電極５０５の長手方向は図５において左右方向となっているところ、電極不連続箇所５０６および５０７はそれぞれ、図５中の上下方向において略一直線上に並んで設けられる。
【００２２】
第一の導電型集電電極５０４あるいは第二の導電型集電電極５０５には、長手方向における半導体基板の両端間にそれぞれ不連続箇所５０６あるいは５０７が１〜４箇所形成される。
【００２３】
第一の導電型集電電極５０４あるいは第二の導電型集電電極５０５におけるバスバー部に相当する部分５０８の線幅は、その他の部分より太く形成してもよい。また、バスバー部に相当する部分５０８は、同一導電型の不連続箇所５０６あるいは５０７に隣接していることが好ましい。今後、便宜上のためバスバー部に相当する部分５０８を小バスバーと呼ぶ。
【００２４】
不連続箇所５０６が配列方向に並んで設けられるのとほぼ同一直線上に、第二の導電型の小バスバー部分５０８が設けられていることが好ましい。また、前記第二の不連続箇所５０７が配列方向に並んで設けられるのとほぼ同一直線上に第一の導電型の小バスバー部分５０８が設けられていることが好ましい。
【００２５】
小バスバー５０８の線幅５０９は２００〜２０００μｍであり、それ以外の箇所の集電電極の線幅５１０は５０〜５００μｍで形成されるのがよい。ここで、小バスバー５０８の長さ５１１は２００〜５０００μｍであることが好ましい。また、電極不連続箇所５０６および５０７の長さは３００〜６０００μｍであることが好ましく、電極不連続箇所５０６および５０７の長さは小バスバー５０８の長さより１００〜１０００μｍ程度長いことが好ましい。
【００２６】
第一の導電型拡散領域５０２の幅５１２は５００〜５０００μｍ、第二の導電型拡散領域５０３の幅５１３は５０〜１０００μｍであることが好ましい。また、第一の導電型拡散領域５０２の幅５１２の方が第二の導電型拡散領域５０３の幅５１３よりも広いことが好ましい。第一の導電型集電電極５０４と第二の導電型集電電極５０５の間隔５１４は３００〜５０００μｍであることが好ましい。
【００２７】
上記のセル構造とすることにより、図６に示すようにモジュール作製時の第一の導電型タブ線６０１は、第一の導電型の小バスバー６０２上及び第二の導電型集電電極６０８の不連続箇所６０３上に設置され、第二の導電型タブ線６０４は、第二の導電型の小バスバー６０５上及び第一の導電型集電電極６０７の不連続箇所６０６上に設置される。
【００２８】
タブ線６０１および６０４は、導電性であれば、その材質および形状は特に限定されないが、たとえば箔状または板状等の帯状に形成された導電体からなることが好ましい。タブ線が帯状である場合には、タブ線の幅は２００〜５０００μｍ程度であることが好ましく、厚さは５０〜５００μｍ程度であることが好ましい。また、タブ線の幅は不連続箇所の長さより１００〜１０００μｍ程度短いことが好ましい。これにより、異なる導電型の集電電極における不連続箇所の上に配されるタブ線との間に十分なクリアランスを確保することができる。
【００２９】
タブ線には、種々の金属、合金等が含まれ、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属またはこれらの合金が含まれ、なかでもＣｕを用いることが好ましい。また、タブ線にはＳｎ、Ｐｂ、Ｃｕの合金からなる半田めっきがされていることが好ましい。
【００３０】
小バスバー６０２または６０５とその上に設置されるタブ線６０１または６０４を電気的に接着させるべく、半田付けが使用される。ここで「半田付け」は、小バスバー６０２または６０５上にフラックスを塗布し、その上にタブ線を設置し、セル全体を加熱して小バスバー６０２または６０５とタブ線６０１または６０４とを接合することをさす。
【００３１】
小バスバー６０２または６０５は長手方向における基板端付近になく、基板の内側に設置される。ここで、長手方向において同一直線上にある第一の導電型集電電極６０７は不連続であるが、不連続箇所６０６には拡散層があり極小領域であるため、不連続箇所６０６での抵抗ロスは小さい。一方、第二の導電型タブ線６０４は、不連続箇所６０６とは半田付けされないため電気的に分離されている状態である。また、長手方向において同一直線上にある第二の導電型集電電極６０８は互いに不連続であるが、不連続箇所６０３には拡散層があり極小領域であるため、不連続箇所６０３での抵抗ロスは小さい。一方、第一の導電型タブ線６０１は、不連続箇所６０３とは半田付けされないため電気的に分離されている状態である。よって、本願ではすべての小バスバー６０２または６０５に対しフィンガーを両側に具備させることができ、１本の小バスバー６０２または６０５対して実効的に集電できるフィンガーの数が多い。これにより直列抵抗が軽減でき、太陽電池の高効率化が可能である。
【００３２】
小バスバー位置は略直線状に並んでおり、第一の導電型小バスバーと第二の導電型小バスバーは互いに近接しているため、タブ線接着時にフラックスが塗りやすく、一般的なバックコンタクト型太陽電池と比較してモジュールの製造が容易である。
【００３３】
以下、本発明の太陽電池の作製方法の一例を述べる。但し、本発明はこの方法で作製された太陽電池に限られるものではない。
【００３４】
高純度シリコンにホウ素あるいはガリウムのようなＩＩＩ族元素をドープし、比抵抗０．１〜５Ω・ｃｍとしたアズカット単結晶｛１００｝ｐ型シリコン基板表面のスライスダメージを、濃度５〜６０質量％の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ、もしくは、ふっ酸と硝酸の混酸等を用いてエッチングする。単結晶シリコン基板は、ＣＺ法、ＦＺ法いずれの方法によって作製されてもよい。
【００３５】
引き続き、基板表面にテクスチャとよばれる微小な凹凸形成を行う。テクスチャは太陽電池の反射率を低下させるための有効な方法である。テクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ溶液（濃度１〜１０質量％、温度６０〜１００℃）中に１０〜３０分程度浸漬することで容易に作製される。上記溶液中に、所定量の２−プロパノールを溶解させ、反応を促進させることが多い。
【００３６】
テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、ふっ酸等、もしくはこれらの混合液の酸性水溶液中で洗浄する。経済的及び効率的見地から、塩酸中での洗浄が好ましい。清浄度を向上させるため、塩酸溶液中に、０．５〜５％の過酸化水素を混合させ、６０〜９０℃に加温して洗浄してもよい。
【００３７】
前記シリコン基板の裏面側に、エミッタ層及びＢＳＦを形成する。本願のバックコンタクト型太陽電池は、ｐ−ｎ接合を裏面の所望の領域にのみ形成する必要があり、これを達成するためにパターニングにより拡散層を形成したり、拡散前に所望の拡散領域以外に酸化珪素膜や窒化珪素膜等を拡散マスクとして形成したりして、所望の拡散領域以外にｐ−ｎ接合ができないような工夫を施す必要がある。
【００３８】
図７に示すように、所望の拡散領域とは、たとえばｐ型シリコン基板７０１を使用する場合、ｎ型拡散領域７０２と基板よりも高濃度のｐ型拡散領域７０３が交互に帯状に形成されているパターンがよい。ｎ型拡散領域７０２の幅７０４は５００〜５０００μｍ、ｐ型拡散領域７０３の幅７０５は５０〜２０００μｍであることが好ましい。また、ｎ型拡散領域７０２の幅７０４の方がｐ型拡散領域７０３の幅７０５よりも広いことが好ましい。ｎ型拡散領域７０２とｐ型拡散領域７０３のスペース７０６は５０〜５００μｍであることが好ましい。基板端にもっとも近い拡散層端と基板端間のスペース７０７は２００〜２０００μｍであることが好ましい。
【００３９】
酸化膜の形成方法においては、プラズマＣＶＤによるデポ（堆積）、あるいはシリコンを含む高分子を塗布後、加熱し硬化させるなど種々の方法が利用できる。拡散マスクとして使用する酸化膜の膜厚は１００〜２００ｎｍとするのが望ましい。
【００４０】
ここで示す事例は、先にｐ型拡散層を形成する。例えばプラズマＣＶＤを用いるのであれば、所望のｐ型拡散領域上に酸化膜の堆積が防止できるパターン式の板を基板上に載せ、所望のｐ型拡散領域以外（例えば受光面側全体も）に酸化膜を製膜する。また、シリコンを含む高分子を使用するのであれば、シリコンを含む高分子をスクリーン印刷により所望のｐ型拡散領域以外（例えば受光面側全体も）に塗布し、ホットプレート等により加熱硬化させ、所望のｐ型拡散領域以外に酸化膜を形成する。裏面にドーパントを含む塗布剤を塗布後、９００〜１０００℃で熱処理を行うことでｐ型拡散領域を裏面に形成する。この塗布拡散はＢＢｒ３を用いた気相拡散で行ってもよい。熱処理後、シリコン基板に付いたガラス成分はガラスエッチング等により洗浄する。この時同時にｐ型拡散領域以外の酸化膜も除去される。ドーパントはｐ型であればどれでもよいが、特にボロンを用いるのが好ましい。また、シート抵抗は１〜１００Ω／□であり、好ましくは３〜４０Ω／□である。
【００４１】
次にｎ型拡散層を形成する。同様の処理により所望のｎ型拡散領域以外（受光面側全体も）に酸化膜を形成し、裏面にドーパントを含む塗布剤を塗布後、９００〜１０００℃で熱処理を行うことでｎ型拡散領域を裏面に形成する。この塗布拡散はＰＯＣｌ３を用いた気相拡散であってもよい。熱処理後、シリコン基板に付いたガラス成分はガラスエッチング等により洗浄する。なお、この時同時にｎ型拡散領域以外の酸化膜も除去される。ドーパントはｎ型であればどれでもよいが、特にリンを用いるのが好ましい。また、シート抵抗は２０〜２００Ω／□であり、好ましくは４０〜１００Ω／□である。
【００４２】
続いて、再結合サイトの一つとなるダングリングボンドを減らすために、シリコン基板上に酸化膜を形成する。拡散層を形成したシリコン基板を酸素雰囲気下で８００〜１０００℃で０．５〜２時間処理して、パッシベーション膜となるシリコン酸化膜を形成する。シリコン酸化膜の膜厚は３〜３０ｎｍが好ましい。
【００４３】
次に、表裏両面の反射防止膜形成を行う。プラズマＣＶＤ法により、基板の表裏両面に誘電体膜である窒化珪素膜を堆積する。この膜厚は７０〜１００ｎｍが好ましい。反応ガスとして、モノシラン（ＳｉＨ４）及びアンモニア（ＮＨ３）を混合して用いることが多いが、ＮＨ３の代わりに窒素を用いることも可能であり、また、プロセス圧力の調整、反応ガスの希釈、更には、基板に多結晶シリコンを用いた場合には基板のバルクパッシベーション効果を促進するため、反応ガスに水素を混合することもある。ＣＶＤの反応ガスの励起方法としては、前述のプラズマによるもののほか、熱ＣＶＤや光ＣＶＤ等を用いてもよい。他の反射防止膜として酸化珪素、二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜、酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜、フッ化マグネシウム膜、酸化アルミニウム膜等があり、代替が可能である。また、形成方法も上記以外にコーティング法、真空蒸着法等があるが、経済的な観点から、上記、窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成するのが好適である。
【００４４】
次いで、電極を形成する。スクリーン印刷装置等を用い、上記基板の裏面に、例えば銀を主成分とするペーストを、スクリーン印刷装置を用いてｐ型拡散層及びｎ型拡散層上に所定のパターンに印刷し、乾燥させる。
【００４５】
図８は、本発明のバックコンタクト型太陽電池セルの裏面電極パターンの一例である。図８に示すように裏面電極のパターンは、フィンガー８０１に相当する複数の線が略平行に設けられ、長手方向において同一線上にある線には１〜４つフィンガー不連続箇所８０２があり、フィンガー不連続箇所８０２に隣接して小バスバー８０３がある。フィンガー不連続箇所８０２は、線ごとに、略一直線上に並んで形成されている。フィンガー８０１の線幅８０４は５０〜５００μｍであり、小バスバー８０３の線幅８０５は２００〜２０００μｍ、長さ８０６は２００〜５０００μｍであることが好ましい。フィンガー８０１間の間隔８０７は３００〜５０００μｍであることが好ましい。
【００４６】
ペースト中には、ガラスフリットと呼ばれるシリコン基板と電極との接着強度を向上させるための成分が含有される。ｐ型拡散層とｎ型拡散層で必要なガラスフリットの種類および量は異なるため、ｐ型電極とｎ型電極ではペーストを分けて印刷してもよい。この場合、一度目の印刷時にたとえばｐ型電極を印刷するときのパターンと、二度目の印刷時にｎ型電極印刷するときのパターンを別に用意しておく必要がある。また、小バスバー部分にはガラスフリット成分がほぼ不要なため、フィンガー部分とペーストを分けて印刷してもよい。
【００４７】
これらの印刷の後、焼成炉において、５００〜９００℃で１〜３０分間焼成を行い、窒化珪素膜に銀粉末を貫通させ（ファイアースルー）、電極とシリコンを導通させる。
【００４８】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。例えば、上述の例ではｐ型基板を使用したが、ｎ型基板を使用してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０１、２０１、３０５、４０１、５０１  シリコン基板
１０２、２０２、３０１、４０２、８０１  フィンガー
１０３、２０３、３０２、４０３  バスバー
２０４  タブ線
２０５、３０３  電流
３０４  フィンガー直下の拡散層
５０２  第一の導電型拡散領域
５０３  第二の導電型拡散領域
５０４、６０７  第一の導電型集電電極
５０５、６０８  第二の導電型集電電極
５０６、６０６  第一の導電型集電電極の不連続箇所
５０７、６０３  第二の導電型集電電極の不連続箇所
５０８、８０３  小バスバー
５０９、８０５  小バスバー線幅
５１０、８０４  フィンガー線幅
５１１、８０６  小バスバー長さ
５１２  第一の導電型拡散領域の幅
５１３  第二の導電型拡散領域の幅
５１４  第一の導電型電極と第二の導電型電極の間隔
６０１  第一の導電型タブ線
６０２  第一の導電型の小バスバー
６０４  第二の導電型タブ線
６０５  第二の導電型の小バスバー
７０１  ｐ型シリコン基板
７０２  ｎ型拡散領域
７０３  ｐ型拡散領域
７０４  ｎ型拡散領域の幅
７０５  ｐ型拡散領域の幅
７０６  ｎ型拡散領域とｐ型拡散領域のスペース
７０７  基板端にもっとも近い拡散層端と基板端間のスペース
８０２  フィンガー不連続箇所
８０７  フィンガー間の間隔
【図１】
2014196307.tif 000003
【図２】
2014196307.tif 000004
【図３】
2014196307.tif 000005
【図４】
2014196307.tif 000006
【図５】
2014196307.tif 000007
【図６】
2014196307.tif 000008
【図７】
2014196307.tif 000009
【図８】
2014196307.tif 000010
【国際調査報告】
2014196307.tif 000011
2014196307.tif 000012