(57)【要約】  （Ａ）分子中にシロキサン結合を含まない液状エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤、（Ｃ）無機質充填材としてレーザー回折法で測定した平均粒径０．１〜１０μｍの球状無機質充填材であり、その表面が（メタ）アクリル官能性シランカップリング剤により、（Ｃ）成分の球状無機質充填材１００質量部に対して０．５〜２．０質量部の割合で表面処理された表面処理球状無機質充填材、（Ｄ）硬化促進剤を含有してなる半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物に関するものであり、本発明によれば、耐熱性、耐湿性に優れた半導体装置を与えることができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）分子中にシロキサン結合を含まない液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）酸無水物系硬化剤、
（Ｃ）無機質充填材としてレーザー回折法で測定した平均粒径０．１〜１０μｍの球状無機質充填材であり、その表面が下記式（１）で示される（メタ）アクリル官能性シランカップリング剤により、（Ｃ）成分の球状無機質充填材１００質量部に対して０．５〜２．０質量部の割合で表面処理された表面処理球状無機質充填材：（Ａ），（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して６００〜１，０００質量部、
【化１】
2015104917.tif 000022
［式中、ａは０〜３の整数、Ｒ1は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、Ｒ2は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ3は単結合又は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ4は水素原子又はメチル基、Ａは単結合又は下記式
【化２】
2015104917.tif 000023
（式中、Ｒ5は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、ＢはＯ又はＳである。）
【化３】
2015104917.tif 000024
（式中、Ｒ6は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基である。）
で示されるいずれかの基である。］
（Ｄ）硬化促進剤
を含有してなることを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ）成分が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂及び下記式
【化４】
2015104917.tif 000025
で示されるエポキシ樹脂から選ばれる１種以上である、請求項１記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｂ）成分が、下記式で表される酸無水物から選択される１種以上である、請求項１又は２記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2015104917.tif 000026
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表す。）
【請求項４】
下記平均組成式（２）
【化６】
2015104917.tif 000027
（式中、Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ8は炭素数１〜４のアルキル基、Ｑは炭素数３〜６のアルキレン基、オキシアルキレン基、又はヒドロキシオキシアルキレン基であり、ｒは４〜１９９の整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数である。）
で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂を、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部配合してなる請求項１〜３のいずれか１項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｄ）成分がリン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物から選択される１以上であり、その量が（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１５質量部である請求項１〜４のいずれか１項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）成分が、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルホレート、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールから選択される１以上である請求項５記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
ＪＩＳ  Ｋ  ７１１７−１に記載の方法で測定した２５℃における粘度が５〜１０００Ｐａ・ｓである、請求項１〜６のいずれか１項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
【請求項９】
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板全体を半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で一括封止するに際し、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板の片面に請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物を押圧下に被覆するか、又は真空雰囲気下で減圧被覆し、該樹脂組成物を加熱硬化して半導体素子を封止し、その後、硬化樹脂層を研磨加工、ダイシングすることで個片化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
直径１２インチ以上２０インチ以下のシリコンウエハーを用いることを特徴とする請求項９記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置並びに樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は目覚しい技術革新を迎えている。
スマートフォン、タブレットなど携帯情報、通信端末は大容量の情報を高速で処理できるよう、ＴＳＶ（スルー−シリコン−ビア）技術を用いて半導体素子を多層接続し、８インチ乃至１２インチのシリコンインターポーザーにフリップチップ接続した後、熱硬化樹脂により、多層接続された半導体素子が複数個搭載されたインターポーザーごと封止する。半導体素子上の不要な硬化樹脂を研磨した後、個片化し、薄型で小型、多機能かつ高速処理可能な半導体装置を得ることができる。【０００３】
８インチ程度の小径ウエハーなどの基板を使用した場合は現状でも大きな問題もなく封止成形できるが、１２インチ以上の径では封止後エポキシ樹脂などの収縮応力が大きいため半導体素子が金属などの基板から剥離するといった問題が発生し、量産化できない。ウエハーや金属基板の大口径化にともなう上記のような問題を解決するにはフィラーを９０質量％以上充填することや、樹脂の低弾性化で硬化時の収縮応力を小さくすることが必要であった。
しかしながら、シリコンインターポーザー上に熱硬化樹脂を全面封止した場合、シリコンと熱硬化性樹脂の熱膨張係数の違いから大きな反りが発生する。反りが大きいとその後の研磨工程や個片化工程に適用することができず、大きな技術課題となっている。【０００４】
更に近年では、半導体素子の積層化に伴い、封止層が厚くなるため、封止した樹脂層を研磨し薄型にする半導体装置が主流となってきている。封止した樹脂層を研磨する際、フィラーを９０質量％以上充填する封止材を使用すると、ダイシング装置のブレードが損傷し易くて交換頻度が高く、高コストの原因になっている。またポリッシング圧力を高くして研磨しなければならないので半導体素子が損傷したり、ウエハー自体が割れたりしてしまう問題が生じている。一方、従来のシリコーン化合物に代表される低弾性樹脂の材料では樹脂がやわらかいため、研磨の際に樹脂つまりが発生したり樹脂クラックが生じたりする問題が発生している。
なお、本発明に関連する背景技術としては下記のものが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２６６５１２号公報
【特許文献２】国際公開第２００９／１４２０６５号
【特許文献３】特開２０１２−１４９１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、流動性に優れ、硬化した際の反りが低減すると共に、信頼性の高い硬化物を与える半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、その硬化物で封止された半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、特定のフィラー表面処理材を使用して表面処理を行った球状無機質充填材を用いた液状エポキシ樹脂組成物は、半導体装置を封止した場合に、耐水性、研磨性が良好であり、大型ウエハーを用いて封止しても、流動性が優れており、反りが低減し、常に汎用性の高いものであることを見出し、本発明をなすに至った。【０００８】
従って、本発明は下記の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。
〔１〕
（Ａ）分子中にシロキサン結合を含まない液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）酸無水物系硬化剤、
（Ｃ）無機質充填材としてレーザー回折法で測定した平均粒径０．１〜１０μｍの球状無機質充填材であり、その表面が下記式（１）で示される（メタ）アクリル官能性シランカップリング剤により、（Ｃ）成分の球状無機質充填材１００質量部に対して０．５〜２．０質量部の割合で表面処理された表面処理球状無機質充填材：（Ａ），（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して６００〜１，０００質量部、
【化１】
2015104917.tif 000002
［式中、ａは０〜３の整数、Ｒ1は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、Ｒ2は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ3は単結合又は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ4は水素原子又はメチル基、Ａは単結合又は下記式
【化２】
2015104917.tif 000003
（式中、Ｒ5は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、ＢはＯ又はＳである。）
【化３】
2015104917.tif 000004
（式中、Ｒ6は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基である。）
で示されるいずれかの基である。］
（Ｄ）硬化促進剤
を含有してなることを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
〔２〕
（Ａ）成分が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂及び下記式
【化４】
2015104917.tif 000005
で示されるエポキシ樹脂から選ばれる１種以上である、〔１〕記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔３〕
（Ｂ）成分が、下記式で表される酸無水物から選択される１種以上である、〔１〕又は〔２〕記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2015104917.tif 000006
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表す。）
〔４〕
下記平均組成式（２）
【化６】
2015104917.tif 000007
（式中、Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ8は炭素数１〜４のアルキル基、Ｑは炭素数３〜６のアルキレン基、オキシアルキレン基、又はヒドロキシオキシアルキレン基であり、ｒは４〜１９９の整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数である。）
で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂を、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部配合してなる〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔５〕
（Ｄ）成分がリン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物から選択される１以上であり、その量が（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１５質量部である〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔６〕
（Ｄ）成分が、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルホレート、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールから選択される１以上である〔５〕記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔７〕
ＪＩＳ  Ｋ  ７１１７−１に記載の方法で測定した２５℃における粘度が５〜１０００Ｐａ・ｓである、〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔８〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
〔９〕
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板全体を半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で一括封止するに際し、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板の片面に〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物を押圧下に被覆するか、又は真空雰囲気下で減圧被覆し、該樹脂組成物を加熱硬化して半導体素子を封止し、その後、硬化樹脂層を研磨加工、ダイシングすることで個片化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
〔１０〕
直径１２インチ以上２０インチ以下のシリコンウエハーを用いることを特徴とする〔９〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物によれば、一個以上の半導体素子を接着剤（ダイボンド剤）で無機基板、金属基板あるいは有機基板上に搭載した半導体素子アレイや、半導体素子を形成した大径のシリコンウエハーを封止しても加熱硬化後に冷却した際の反りの発生がほとんどなく、かつ耐熱性、耐湿性に優れた半導体装置を与えることができ、なおかつ、ウエハーレベルで一括封止が可能でかつ容易に封止樹脂を研磨、ダイシングできる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ガラス転移温度以下及び以上の線膨張係数の求め方を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明組成物に用いられる（Ａ）液状エポキシ樹脂としては、室温で液状であればいずれのエポキシ樹脂も使用することができ、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、及びこれらの混合物が挙げられる。
上記液状エポキシ樹脂のうち、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂が特に好ましく、それらのＪＩＳ  Ｋ  ７１１７−１に記載の方法で測定した粘度（２５℃）は、好ましくは０．１〜５００Ｐａ・ｓ、より好ましくは１〜２００Ｐａ・ｓである。
【００１２】
また、下記式で表されるエポキシ樹脂も好ましく使用される。
【化７】
2015104917.tif 000008
【００１３】
なお、上記式を有するエポキシ樹脂を使用する場合には、その含有量が、（Ａ）成分全体の２５〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％、更に好ましくは７５〜１００質量％であることが推奨される。２５質量％未満であると組成物の粘度が上昇したり、硬化物の耐熱性が低下したりするおそれがある。
【００１４】
（Ａ）成分の液状エポキシ樹脂は、加水分解性塩素が１０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム及びカリウムがそれぞれ１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。加水分解性塩素が１０００ｐｐｍを超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合には、半導体装置を高温高湿下に長時間放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００１５】
本発明に使用する（Ｂ）硬化剤は、酸無水物系のもので、（Ａ）成分を硬化できるものであれば特に限定されないが、好ましくは、室温で液状であるか、（Ａ）成分に溶解して液状になるものである。例えば、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、１−イソプロピル−４−メチル−ビシクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ピロメリット酸二無水物、マレイン化アロオシメン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラビスベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４―ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物などが挙げられ、これらを単独で又は２種以上の組合せで使用することができる。
【００１６】
信頼性を向上させる点で、下記式で表される酸無水物又はこれらの２以上の混合物が好ましく使用される。下記式において、Ｍｅはメチル基、Ｐｒはプロピル基を表す。
【化８】
2015104917.tif 000009
【００１７】
上記好ましい酸無水物のうち、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸及び１−イソプロピル−４−メチル−ビシクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物の混合物を使用する場合には、上記混合物の量が（Ｂ）成分全体の５〜７５質量％であることが望ましい。５質量％未満では密着性が低下し、ＰＣＴなどの高温多湿下において劣化する場合がある。７５質量％を超えると、密着性は向上するが熱衝撃試験などの試験においてクラックが発生する場合がある。
【００１８】
上記混合物の市販例として、例えばジャパンエポキシレジン社製のＹＨ３０６、ＹＨ３０７（商品名）及び新日本理化株式会社製のＭＨ７００（商品名）が挙げられる。
（Ｂ）成分が上記混合物を５〜７５質量％含む場合、残りの硬化剤としては、特に制限されないが、好ましくは、室温で液状であるか、（Ａ）成分に溶解して液状になるものであり、例えば、上記で挙げた酸無水物が挙げられる。特に、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びヘキサヒドロ無水フタル酸から選択される１種以上が好ましい。なお、ジシアンジアミドやアジピン酸ヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジドなどのカルボン酸ヒドラジドを併用することは差し支えない。
【００１９】
（Ｂ）成分の量は、（Ａ）成分を硬化させるのに有効な量であり、（Ｂ）成分の種類によって相違するが、上述した酸無水物を（Ｂ）成分として用いる場合には、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対する、硬化剤中の酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）から誘導されるカルボン酸基の当量比が０．５〜１．５の範囲になるように選択することが好適である。上記下限未満では未反応のエポキシ基が残存し、ガラス転移温度の低下となり、また密着性が低下するおそれがある。前記上限値を超えては、硬化物が硬く脆くなり、リフロー時又は温度サイクル試験時にクラックが発生するおそれがある。
【００２０】
本発明組成物に配合される（Ｃ）球状無機質充填材としては、エポキシ樹脂組成物に通常配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。
無機質充填材の平均粒径及び形状は、レーザー回折法によって測定した平均粒径（累積重量平均値又はメジアン径）０．１〜１０μｍ、好ましくは平均粒径１〜５μｍの球状であり、このような平均粒径及び形状を有する溶融シリカが特に好ましい。
（Ｃ）成分の量は、（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して６００〜１，０００質量部であり、好ましくは７００〜９００質量部である。上記下限未満では、成形後の反りが大きくなり、十分な強度を得ることができず、上記上限を超えると、流動性が著しく悪くなり、サブマウント上に配列された半導体素子の完全封止ができなくなる。
【００２１】
ここで、無機質充填材は、エポキシ樹脂と無機質充填材との相溶性を良好にし、かつ結合強度を強くするため、下記式（１）で示す１種又は２種以上のシランカップリング剤で予め表面処理したものを用いる。
【化９】
2015104917.tif 000010
（式中、ａは０〜３の整数、Ｒ1は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、Ｒ2は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ3は単結合又は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ4は水素原子又はメチル基を示す。また、Ａは単結合又は下記式
【化１０】
2015104917.tif 000011
（式中、Ｒ5は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、ＢはＯ又はＳである。）
【化１１】
2015104917.tif 000012
（式中、Ｒ6は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基である。）
で示されるいずれかの基である。
【００２２】
この場合、ａは好ましくは０〜３、より好ましくは０〜１である。Ｒ1としては、好ましくはメチル基、エチル基である。
Ｒ2は、好ましくは炭素数１〜１０、特に１〜３のアルキレン基であり、Ｒ3は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１０、特に１〜２のアルキレン基である。
Ａは上記の通りであるが、Ｒ5はメチル基、エチル基が好ましく、またＲ6はメチル基、エチル基が好ましい。
【００２３】
このようなシランカップリング剤の例としては、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５０３：信越化学工業株式会社製）、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５１０３：信越化学工業株式会社製）等が挙げられるほか、下記式
【化１２】
2015104917.tif 000013
（式中、Ｒ4は上記の通り。Ｍｅはメチル基を示す。）
で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２４】
表面処理に用いるシランカップリング剤の表面処理方法については特に限定されるものではないが、シランカップリング剤処理量については、半導体封止用熱硬化性樹脂組成物に添加する（Ｃ）成分の球状無機質充填材１００質量部に対して０．５〜２．０質量部が好ましく、より好ましくは０．５〜１．５質量部である。
【００２５】
また、本発明において、（Ｄ）成分である硬化促進剤は、以下に示すものが好ましい。トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート等のリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等の第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物などを使用することができる。
【００２６】
硬化促進剤の量は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるために有効な量であり、好ましくは、（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１５質量部、より好ましくは０．５〜１０質量部である。
【００２７】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、硬化物の応力を低減する目的で、公知のシリコーン変性エポキシ樹脂、シリコーンゴム、シリコーンオイル、シリコーンゲル、液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン等の可撓性樹脂、本発明の目的を阻害しない量で、配合することができる。
【００２８】
シリコーン変性エポキシ樹脂としては、下記式（２）で示される樹脂が好ましい。
【化１３】
2015104917.tif 000014
【００２９】
上記式中、Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、好ましくは水素原子又はメチル基であり、Ｒ8は炭素数１〜４のアルキル基、好ましくはメチル基である。Ｑは炭素数３〜６のアルキレン基、オキシアルキレン基、又はヒドロキシオキシアルキレン基であり、例えば、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。ｒは４〜１９９の整数、好ましくは１９〜１３０、より好ましくは７０〜１０９の整数であり、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数、好ましくは２〜５の整数である。
【００３０】
該シリコーン変性エポキシ樹脂を配合する場合には、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、１〜５０質量部の配合量とし得るが、特にジオルガノシロキサン単位が１〜２０質量部、特に２〜１５質量部含まれるように配合することが好ましく、これにより、硬化物の応力を低下し、基板への密着性も向上することができる。ここで、ジオルガノポリシロキサン量は、下記式で求めることができる。
ポリシロキサン量＝（ポリシロキサン部分の分子量／シリコーン変性エポキシ樹脂の分子量）×添加量
【００３１】
本発明の封止樹脂組成物には、更に必要に応じて離型剤、難燃剤、イオントラップ剤、酸化防止剤、接着付与剤、低応力剤、着色剤など各種の添加剤を配合することができる。
難燃剤としては特に制限されず公知のものを全て使用することができる。中でもホスファゼン化合物、シリコーン化合物、モリブデン酸亜鉛担持タルク、モリブデン酸亜鉛担持酸化亜鉛、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化モリブデンが好ましく用いられる。
イオントラップ剤としては特に制限されず、公知のものを全て使用することができる。ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス化合物、希土類酸化物等が好ましく用いられる。
【００３２】
本発明の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランのようなエポキシ基を持った有機ケイ素系の接着性向上剤、アセチレンブラック、ファーネスブラックなどの各種カーボンブラック等の着色剤などを添加剤として本発明の効果を損なわない範囲で任意に添加配合することができる。
【００３３】
本発明の組成物は、次に示されるような方法で製造することができる。例えばエポキシ樹脂、硬化剤と硬化促進剤を同時に又は別々に必要により加熱処理を加えながら撹拌、溶解、混合、分散させ、場合によってはこれらの混合物に無機質充填材を加えて混合、撹拌、分散させることにより得ることができる。この場合、混合、撹拌、分散等の装置は特に限定されないが、具体的には撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、２本ロール、３本ロール、ボールミル、連続押し出し機、プラネタリーミキサー、マスコロイダー等を用いることができ、これらの装置を適宜組み合わせて使用しても良い。
【００３４】
このようにして得られる本発明のエポキシ樹脂組成物は、従来から採用されている成形法、例えばトランスファー成形、コンプレッション成形、インジェクション成形、注型法等を利用して行うことができるが、特にコンプレッション成形を行うことが望ましい。
この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は１００〜１８０℃で４５〜６００秒間、ポストキュアーは１４０〜１８０℃で１〜６時間行うことが望ましい。
【００３５】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、８インチ及び１２インチウエハー上に成形した場合の反りを小さくすることができる。また、機械強度、絶縁性に優れ、その硬化物で封止された半導体装置は長期信頼性に優れる。また従来トランスファー成形、コンプレッション成形材料として一般的に使用されているエポキシ樹脂組成物と同様の装置、成形条件を用いてもフローマークや未充填といった成形不良が発生しないため、生産性も優れている。
フローマークとは、成形物の中心から外側に向かって放射状に残る白い流動痕のことである。フローマークが発生すると外観不良や、シリカ不均一分散による硬化物物性のバラつきや、それに伴う信頼性の低下等が懸念される。
【００３６】
未充填とは、ウエハー外周部に発生する樹脂の欠けのことを言う。未充填が発生すると後工程でウエハーを搬送するときに、センサーが未充填部をノッチと誤認識して、位置合わせ特性の低下が懸念される。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。なお、各例中の部はいずれも質量部であり、％は質量％である。また、各例の評価方法を以下に示す。【００３８】
（Ａ）シロキサン結合を含まない液状エポキシ樹脂
（１）エポキシ樹脂Ａ１：ビスＡ型エポキシ樹脂（エピコート８２８：ジャパンエポキシレジン株式会社製）
（２）エポキシ樹脂Ａ２：ナフタレン型エポキシ樹脂（ＨＰ４０３２Ｄ：ＤＩＣ株式会社製）
（３）エポキシ樹脂Ａ３：脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０２１Ｐ：ダイセル化学工業社製）【００３９】
（Ｂ）硬化剤
（１）硬化剤Ｂ１：下記式で示される酸無水物の混合物（ＹＨ３０７：ジャパンエポキシレジン株式会社製）
【化１４】
2015104917.tif 000015
硬化剤Ｂ２：下記式で示される酸無水物の混合物（ＭＨ７００：新日本理化株式会社製）
【化１５】
2015104917.tif 000016
硬化剤Ｂ３：３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（商品名：カヤハードＡＡ、日本化薬（株）製）、アミン当量６３．５【００４０】
（Ｃ）無機質充填材
ベース球状溶融シリカ（アドマテックス製、平均粒径５μｍ）１００部に対して、０．７５部のシランカップリング剤で乾式表面処理を行い、下記処理シリカＡ〜Ｇを作成した。なお、比較例６には、無処理の上記シリカを使用した。
処理シリカＡ：３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５０３：信越化学工業株式会社製）で表面処理されたシリカ
処理シリカＢ：３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５１０３：信越化学工業株式会社製）で表面処理されたシリカ
処理シリカＣ：下記式で示されるシランカップリング剤で表面処理されたシリカ
【化１６】
2015104917.tif 000017
処理シリカＤ：下記式で示されるシランカップリング剤で表面処理されたシリカ
【化１７】
2015104917.tif 000018
処理シリカＥ：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３：信越化学工業株式会社製）で表面処理されたシリカ
処理シリカＦ：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３：信越化学工業株式会社製）で表面処理されたシリカ
更にベース球状溶融シリカ（龍森製、平均粒径１２μｍ）１００部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５０３：信越化学工業株式会社製）０．７５部で乾式表面処理を行い、処理シリカＧを作成した。
（Ｄ）硬化促進剤：ノバキュアＨＸ３０８８（旭化成イーマテリアルズ社製）【００４１】
その他の成分
（１）カーボンブラック：デンカブラック（電気化学工業製）
（２）接着性向上剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３：信越化学工業株式会社製）
（３）シリコーン変性エポキシ樹脂
【化１８】
2015104917.tif 000019
【００４２】
【表１】
2015104917.tif 000020
【００４３】
【表２】
2015104917.tif 000021
【００４４】
粘度
常温（２５℃）での粘度測定は、ブルックフィールド・プログラマブル  レオメーター形式：ＤＶ−ＩＩＩウルトラ粘度計（コーンスピンドルＣＰ−５１／１．０ｒｐｍ）にて行った。【００４５】
ガラス転移温度、線膨張係数
５×５×１５ｍｍの試験片を熱膨張計（Ｒｉｇａｋｕ  ＴＭＡ８１４０Ｃ）にセットし、昇温５℃／分、荷重１９．６ｍＮで２５℃から３００℃まで測定した。寸法変化と温度のグラフを作成し、変曲点の温度以下で寸法変化−温度曲線の接線が得られる任意の温度２点Ａ１，Ａ２、変曲点の温度以上で接線が得られる任意の２点Ｂ１，Ｂ２を選択し、Ａ１，Ａ２を結ぶ直線とＢ１，Ｂ２を結ぶ直線の交点をガラス転移温度とした。Ａ１〜Ａ２の傾きをＴｇ以下の線膨張係数、Ｂ１〜Ｂ２の傾きをＴｇ以上の線膨張係数とした（図１）。【００４６】
反り測定
液状樹脂組成物のコンプレッション成形後の反り測定は、ウエハー８インチ／７２５μｍ厚を使用し、アピックヤマダ社製ウエハーモールド（ＭＺ４０７−１）にて樹脂厚みを２００μｍに設定し、コンプレッション時間６００秒で１２０℃にて成形した後、１５０℃／１時間にて完全硬化（ポストキュアー）させて、反りを確認した。【００４７】
フローマーク・未充填の有無
液状樹脂組成物を１２０℃で６００秒間、樹脂厚み４００μｍにコンプレッション成形後、１５０℃／１時間にて完全硬化（ポストキュアー）させた後、外観目視によるフローマーク、未充填の有無を評価した。【００４８】
研磨性
液状樹脂組成物を１２０℃で６００秒間、樹脂厚み４００μｍにコンプレッション成形後、１５０℃／１時間にて完全硬化（ポストキュアー）させた後、研磨性の確認を行い、下記の基準で評価した。
（ＤＩＳＣＯ  ＡＵＴＯＭＡＴＩＣ  ＧＲＩＮＤＥＲ  ＤＡＧ８１０）
条件Ｇｒｉｎｄｉｎｇ  １．０μｍ／ｓ、Ｓｐｉｎｄｌｅ  ｓｐｅｅｄ  ４，８００ｒｐｍ、Ｓｔａｇｅ  ｓｐｅｅｄ  ３００ｒｐｍにて行った。
良好：６００メッシュ研磨が可能であり、かつ研磨時の負荷電流値が８．０Ａ以下で安定している。
ＮＧ：安定的に６００メッシュ研磨ができない。【００４９】
ダイシング性
液状樹脂組成物又はペレット状樹脂組成物を１２０℃で６００秒間、樹脂厚み４００μｍにコンプレッション成形後、１５０℃／１時間にて完全硬化（ポストキュアー）させた後、ダイシング性の確認を行い、下記の基準で評価した。
（ＤＩＳＣＯ  Ａ５４０）
良好：断面を観察、シリコンがチッピングしたり、樹脂とシリコン界面に剥離が発生しない場合
ＮＧ：断面を観察、シリコンがチッピングしたり、樹脂とシリコン界面に剥離が発生した場合【００５０】
信頼性試験
厚み２００μｍ、８インチウエハーに２０μｍ厚にてダイボンド材ＳＦＸ−５１３Ｍ１（信越化学工業株式会社製）を使用して（厚膜スクリーン印刷機  ＴＨＩＣＫ  ＦＩＬＭ  ＰＲＩＮＴＥＲ  タイプＭＣ２１２）印刷し、Ｂステージ状態にて７ｍｍ角大にダイシング装置にてダイシングすると共に、半導体チップを準備した。
次に、厚み２００μｍ、８インチウエハー上にフィリップチップボンダー（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ  ＮＭ−ＳＢ５０Ａ）を使用して、厚さ２２０μｍ、７ｍｍ角ダイボンド材付き半導体チップを１０Ｎ／１５０℃／１．０秒の条件でダイボンドを行い、半導体チップを搭載した２００μｍウエハーを得た。
半導体チップ付き２００μｍウエハーを圧縮成形機にセットし、液状樹脂組成物を適量載せ、成形圧力最大３０ＭＰａから１５ＭＰａで、１１０℃、１０分で硬化を行い、ウエハーを得た。液状樹脂組成物の量は、成形後の樹脂厚みが４００μｍ±１０μｍとなるように調整した。そのウエハーを１５０℃、２時間オーブンで熱処理して後硬化を行った後、再びダイシング装置にて７．１ｍｍ角にダイシングし、個片化した厚み４００μｍの樹脂を搭載した半導体チップを得た。
個片化した樹脂搭載半導体チップをＢＴ基盤上にフィリップチップボンダー（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ  ＮＭ−ＳＢ５０Ａ）にて、１０Ｎ／１５０℃／１．５秒の条件でダイボンド材ＳＦＸ−５１３Ｓ（信越化学工業株式会社製）でダイボンドを行い、１５０℃、４時間オーブンで熱処理し、後硬化を行い、樹脂搭載半導体チップ付きＢＴ基板を得た。
樹脂搭載半導体チップ付きＢＴ基板上にモールディングコンパウンド材をトランスファー成形（Ｇ−ＬＩＮＥプレス  アピックヤマダ社製）し、成形条件１７５℃、９０秒、９ＭＰａにて１．５ｍｍ厚にて成形し、再びダイシング装置にて１０．０ｍｍ角にダイシングし、個片化したモールディングコンパウンド樹脂搭載半導体チップ付きＢＴ基板（半導体装置）を得た。
個片化した上記半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの条件で１６８時間吸湿処理した。これを、最大温度２６０℃、２５５〜２６０℃の時間が３０秒±３秒となるように予め設定したリフローオーブンに３回通し、半田耐熱試験（剥離検査）を行い、目視にて評価した。【００５１】
ＴＣＴ（温度サイクル試験）
個片化したモールディングコンパウンド樹脂搭載半導体チップ付きＢＴ基板を、ＥＳＰＥＣ社製小型冷熱衝撃装置ＴＳＥ−１１を使用し、−５５℃／１５分⇒＋１２５℃／１５分（自動）のサイクルを行った。まず、０回で超音波探傷装置（ソニックス社製  ＱＵＡＮＴＵＭ３５０）にて７５ＭＨｚのプローブを用いて、半導体チップ内部の剥離状態を無破壊で確認した。次に、２５０サイクル後に同様の検査を行い、５００サイクル後、７００サイクル後と繰り返し同様の検査を行った。結果を表１に示す。
半導体チップの面積に対して剥離面積の合計がおよそ５％未満の場合は微小剥離として「剥離なし（ＯＫ）」、５％以上の剥離面積がある場合は「剥離あり（ＮＧ）」として評価した。
【図１】
2015104917.tif 000028
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）分子中にシロキサン結合を含まない液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）酸無水物系硬化剤、
（Ｃ）無機質充填材としてレーザー回折法で測定した平均粒径０．１〜１０μｍの球状無機質充填材であり、その表面が下記式（１）で示される（メタ）アクリル官能性シランカップリング剤により、（Ｃ）成分の球状無機質充填材１００質量部に対して０．５〜２．０質量部の割合で表面処理された表面処理球状無機質充填材：（Ａ），（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して６００〜１，０００質量部、
【化１】
2015104917.tif 000029
［式中、ａは０〜３の整数、Ｒ1は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、Ｒ2は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ3は単結合又は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ4は水素原子又はメチル基、Ａは単結合又は下記式
【化２】
2015104917.tif 000030
（式中、Ｒ5は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、ＢはＯ又はＳである。）
【化３】
2015104917.tif 000031
（式中、Ｒ6は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基である。）
で示されるいずれかの基である。］
（Ｄ）硬化促進剤
を含有してなることを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ）成分が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂及び下記式
【化４】
2015104917.tif 000032
で示されるエポキシ樹脂から選ばれる１種以上である、請求項１記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｂ）成分が、下記式で表される酸無水物から選択される１種以上である、請求項１又は２記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2015104917.tif 000033
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表す。）
【請求項４】
下記平均組成式（２）
【化６】
2015104917.tif 000034
（式中、Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ8は炭素数１〜４のアルキル基、Ｑは炭素数３〜６のアルキレン基、オキシアルキレン基、又はヒドロキシオキシアルキレン基であり、ｒは４〜１９９の整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数である。）
で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂を、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部配合してなる請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｄ）成分がリン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物から選択される１以上であり、その量が（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１５質量部である請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）成分が、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルホレート、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールから選択される１以上である請求項５記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
ＪＩＳ  Ｋ  ７１１７−１に記載の方法で測定した２５℃における粘度が５〜１０００Ｐａ・ｓである、請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
【請求項９】
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板全体を半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で一括封止するに際し、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板の片面に請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物を押圧下に被覆するか、又は真空雰囲気下で減圧被覆し、該樹脂組成物を加熱硬化して半導体素子を封止し、その後、硬化樹脂層を研磨加工、ダイシングすることで個片化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
直径１２インチ以上２０インチ以下のシリコンウエハーを用いることを特徴とする請求項９記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従って、本発明は下記の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。
〔１〕
（Ａ）分子中にシロキサン結合を含まない液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）酸無水物系硬化剤、
（Ｃ）無機質充填材としてレーザー回折法で測定した平均粒径０．１〜１０μｍの球状無機質充填材であり、その表面が下記式（１）で示される（メタ）アクリル官能性シランカップリング剤により、（Ｃ）成分の球状無機質充填材１００質量部に対して０．５〜２．０質量部の割合で表面処理された表面処理球状無機質充填材：（Ａ），（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して６００〜１，０００質量部、
【化１】
2015104917.tif 000035
［式中、ａは０〜３の整数、Ｒ1は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、Ｒ2は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ3は単結合又は炭素数１〜１０の２価飽和炭化水素基、Ｒ4は水素原子又はメチル基、Ａは単結合又は下記式
【化２】
2015104917.tif 000036
（式中、Ｒ5は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基、ＢはＯ又はＳである。）
【化３】
2015104917.tif 000037
（式中、Ｒ6は炭素数１〜４の１価飽和炭化水素基である。）
で示されるいずれかの基である。］
（Ｄ）硬化促進剤
を含有してなることを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
〔２〕
（Ａ）成分が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂及び下記式
【化４】
2015104917.tif 000038
で示されるエポキシ樹脂から選ばれる１種以上である、〔１〕記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
〔３〕
（Ｂ）成分が、下記式で表される酸無水物から選択される１種以上である、〔１〕又は〔２〕記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2015104917.tif 000039
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表す。）
〔４〕
下記平均組成式（２）
【化６】
2015104917.tif 000040
（式中、Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ8は炭素数１〜４のアルキル基、Ｑは炭素数３〜６のアルキレン基、オキシアルキレン基、又はヒドロキシオキシアルキレン基であり、ｒは４〜１９９の整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数である。）
で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂を、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部配合してなる〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
〔５〕
（Ｄ）成分がリン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物から選択される１以上であり、その量が（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１５質量部である〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
〔６〕
（Ｄ）成分が、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルホレート、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールから選択される１以上である〔５〕記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
〔７〕
ＪＩＳ  Ｋ  ７１１７−１に記載の方法で測定した２５℃における粘度が５〜１０００Ｐａ・ｓである、〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
〔８〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
〔９〕
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板全体を半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で一括封止するに際し、一個以上の半導体素子を形成したシリコンウエハー又は基板の片面に〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物を押圧下に被覆するか、又は真空雰囲気下で減圧被覆し、該樹脂組成物を加熱硬化して半導体素子を封止し、その後、硬化樹脂層を研磨加工、ダイシングすることで個片化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
〔１０〕
直径１２インチ以上２０インチ以下のシリコンウエハーを用いることを特徴とする〔９〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
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