(57)【要約】  信頼性の高い高感度な受光デバイスを低コストで提供する。光電変換部（１０１）と走査回路部（１０２）がマイクロバンプ（１０６）で接続された積層型のデバイス構造であって、光電変換部（１０１）のフォトダイオード（１０４）上に透明導電膜（１０３）が形成された構造である。前記透明導電膜（１０３）上に走査回路（１０８）とフォトダイオード（１０４）へ電圧供給するための電極およびＯＢ領域の機能を有する再配線（１０９）が形成されており、上記再配線はワイヤ（１１０）により外部電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
2015125443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、
前記光電変換部の画素電極上に形成されたマイクロバンプによって接続された走査回路部と、
前記光電変換部のフォトダイオードの上面に形成された透明導電膜と、
前記透明導電膜上と前記フォトダイオード上に形成された配線と、
前記配線と接続する外部端子を備えていることを特徴とする受光デバイス。
【請求項２】
前記光電変換部の周囲に形成された樹脂と、
前記樹脂上および前記透明導電膜上に形成された配線と、
前記配線と接続する外部端子を備えていることを特徴とする、
請求項１に記載の受光デバイス。
【請求項３】
前記フォトダイオードは、フォトダイオード内で電荷増倍作用が生じる強さの電圧を印加する手段を有することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の受光デバイス。
【請求項４】
前記配線は、前記画素電極の間に格子状に形成されていることを特徴とする、
請求項１〜３に記載の受光デバイス。
【請求項５】
前記配線は、再配線であることを特徴とする請求項１〜４に記載の受光デバイス。
【請求項６】
シリコン基板とシリコン酸化膜およびそれらの上に形成したフォトダイオードからなる光電変換部と走査回路部の、それぞれの画素電極上に形成したマイクロバンプを所望の位置に位置合わせし、互いの前記マイクロバンプを接続する工程と、
前記シリコン基板および前記シリコン酸化膜を除去し、前記フォトダイオードを上面から露出させる工程と、
透明導電膜を前記フォトダイオード上に形成する工程と、
エッチングにより所望の範囲の前記透明導電膜を除去し、走査回路へ電圧供給する電極を開口し露出させる工程と、
前記フォトダイオードおよび前記透明導電膜上に配線を形成し、外部端子と接続する工程とを備えることを
特徴とする受光デバイスの製造方法。
【請求項７】
シリコン基板とシリコン酸化膜およびそれらの上に形成したフォトダイオードからなる光電変換部と走査回路部の、それぞれの画素電極上に形成したマイクロバンプを所望の位置に位置合わせし、互いの前記マイクロバンプを接続する工程と、
前記光電変換部の側面および上面に樹脂を形成する工程と
前記樹脂および前記シリコン基板を研磨する工程と、
前記シリコン基板およびシリコン酸化膜を除去する工程と、
透明導電膜を前記フォトダイオード上および前記樹脂上に形成する工程と、
前記樹脂上の前記透明導電膜を除去し、前記走査回路部の電極上の樹脂を除去し、電極を開口する工程と、
前記樹脂および前記透明導電膜上に配線を形成し、外部端子と接続する工程とを備えることを
特徴とする受光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記配線は、再配線であることを特徴とする請求項６又は７に記載の受光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光を電気信号に変換する受光デバイス、特に、光電変換機能を有するフォトダイオードによって入射光から変換された信号電荷を読み出す半導体走査回路を積層した受光デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の受光デバイスとしては、光電変換部のフォトダイオードと、そこで生成した光電荷を転送する走査素子とを半導体基板上に集積化した構造の受光デバイスが開発され製品化されている。【０００３】
この構造の受光デバイスは、フォトダイオードと走査素子が同一平面上に配置されているため、開口率（受光面に入射する光量に対する光電変換部に入射する光量の割合）が小さく、光利用率が低く入射光の損失が大きかった。【０００４】
オンチップマイクロレンズの開発等により実質開口率は向上するにいたっているが、フォトダイオードと走査素子が同一平面上に配置される限り実質開口率の向上には限界がある。【０００５】
そこで、光電荷転送用の回路基板の上部に、当該光電荷を発生するフォトダイオードを積み重ねた構造の受光デバイスが提案されている。【０００６】
この構造では、受光面全体がフォトダイオードになるので開口率を１００％近くにでき、感度の向上が可能となる。【０００７】
これらの受光デバイスにおいては、通常良好な光応答特性を実現するため、フォトダイオードに対して、電荷の注入を阻止するような接触を有する電極を用いる構造が採用されている。【０００８】
そのため、素子内部での電荷増倍を利用しない素子では入射光によって生成されたキャリア数以上の信号電荷を取り出すことができず、光電変換の利得は１以下である。【０００９】
これに対して、光電変換の利得が１を超えるような受光デバイスとして、フォトダイオードに強い電界を印加してアバランシェ増倍現象を発生させて光電変換の利得を１以上にするアバランシェ増倍型の受光デバイスが開発されている。【００１０】
このようなアバランジェ増倍型受光デバイスでは、入射光子数に対する、フォトダイオード内で生成される光電荷の数の比である利得が、数１０から数１００にもなる。【００１１】
上記の積層型の受光デバイスは、シリコン基板上に通常の集積回路で用いられる半導体プロセスによって走査回路を形成し、その上にフォトダイオード及び透明導電膜を順次堆積して形成される。【００１２】
この場合、透明導電膜が形成される前の走査回路は、シリコン基板に複雑なプロセスを経て形成されているため、表面を平滑にすることが極めて難しく、画素電極自身や画素電極の境界部に凹凸が存在する。【００１３】
そのため、例えば光導電型撮像管のように平滑なガラス基板上に光導電膜を形成する場合と異なり、下地の凹凸に起因する局所的な電界集中によって暗電流が増大し、画面に白点状の欠陥が発生し易いという課題がある。【００１４】
特に、フォトダイオードでのアバランシェ増倍現象を用いて高い感度を得ようとする場合は、フォトダイオードに強い電界を印加する必要があるため、電界の非一様性による局所的暗電流注入やアバランシェブレークダウンが発生し易い。【００１５】
上記課題を解決するための従来技術として、特許文献１のように透光性基板上に形成した透明導電膜とフォトダイオードから成る光電変換部を、上記透光性基板とは別の基板上に形成した走査回路の信号読み出し電極に、導電性のマイクロバンプによって接続した構造とする技術がある。【００１６】
図９は、従来技術の受光デバイスの光電変換部の断面図であり、透光性基板１１５上に、透明導電膜１０３とフォトダイオード１０４を形成した後、表面に所定の大きさと間隔を有して配列するように第１の画素電極１０５が形成されている。走査回路１０８の表面には、前記第１の画素電極１０５と同じピッチで第２の画素電極１０７が設けられており、さらに前記第２の画素電極１０７上には、光電変換部１０１と走査回路部１０２を電気的に接続するためのマイクロバンプ１０６が形成されている。【００１７】
従来技術による受光デバイスは、以上のように別々に形成された光電変換部１０１と走査回路部１０２を、図９に示すように前記マイクロバンプ１０６によって電気的に接続した構造を有している。【００１８】
従来技術では例えば十分平坦に研磨された基板を用いることによって、非常に平坦な下地の上にフォトダイオード１０４が形成される。【００１９】
従って、例えばフォトダイオードでアバランシェ現象による電荷増倍が起こるような高電界を印加して動作させても局所的電界集中による暗電流の増大やアバランシェブレークダウンが起こりにくい。【００２０】
また、走査回路部１０２と光電変換部１０１は別に作製されているため、走査回路１０８上の第２の画素電極１０７およびフォトダイオード１０４は互いの電気的接合特性を考慮することなく、材料を選択することができる。【００２１】
即ち、積層型撮像装置であるための制約はなく、最適の材料や構造及び作製法を採用することができる。【００２２】
したがって、このようなマイクロバンプを用いた積層構造の利点としては、たとえば、フォトダイオードを形成する基板として、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いる。そして走査回路とマイクロバンプとを積層後、シリコンおよびシリコン酸化膜を除去し透明導電膜を形成することによりフォトダイオードの特性をさらに向上させることが出来る。ＳＯＩ基板はトランジスタの寄生容量を減らし、動作速度向上と消費電力削減に効果があるシリコン基板と表面シリコン層の間にシリコン酸化膜を挿入した構造の基板である（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特開平７−１９２６６３号公報
【特許文献２】特開平９−８２９３２号公報
【発明の概要】
【００２４】
しかしながら、従来技術の構造では通常の受光デバイス同様に、画素値の「黒」のレベルを規定するオプティカルブラック（ＯＢ）領域を形成する場合、遮光膜をフォトダイオードの上面に形成する必要がある。
【００２５】
したがって、遮光膜はフォトダイオード形成前に形成しておくか、もしくはフォトダイオードと走査回路のマイクロバンプによる積層後にフォトダイオード上面に特別に形成する必要がある。
【００２６】
しかしながら、フォトダイオードの特性を向上させるため基板としてＳＯＩ基板を用いる際には、構造上フォトダイオード形成前に遮光膜を形成することは出来ない。
【００２７】
また、フォトダイオードと走査回路をマイクロバンプで積層したあとに、フォトダイオード上面に遮光膜を形成すると、遮光膜形成のために特別に工程が増加することになり、生産性や生産コストが増加する課題がある。
【００２８】
また、例えばフォトダイオードでアバランシェ現象による電荷増倍が起こるような高電界を印加して動作させる場合、フォトダイオード上の透明導電膜に電圧を供給する必要がある。
【００２９】
電圧を供給する方法としては、例えば、図１０に示すようにワイヤをフォトダイオード上の透明導電膜と接続する方法がある（特許文献２）。
【００３０】
しかしながら、上記方法ではワイヤと透明導電膜との接続時の応力によるフォトダイオードの破壊もしくは特性悪化のリスクが非常に高い。
【００３１】
さらに、ワイヤから薄膜の透明導電膜を介してフォトダイオードへ電圧供給するため、電圧供給が不安定となり、所望の電荷増倍効果および高い感度を得ることが難しい。
【００３２】
上記課題を解決するために、本開示の受光デバイスは、光電変換部１０１と走査回路部１０２がマイクロバンプ１０６で接続された積層型のデバイス構造であり、光電変換部１０１のフォトダイオード１０４上に透明導電膜１０３が形成された構造である。そして、透明導電膜１０３上に走査回路１０８とフォトダイオード１０４へ電圧供給するための電極およびＯＢ領域を兼ねた再配線１０９が形成されており、上記再配線はワイヤ１１０により外部電極と電気的に接続されている。
【００３３】
本発明の受光デバイスによれば、積層プロセス完了後の再配線形成工程でＯＢ領域形成とワイヤボンド電極を同時形成することができるため、特別にＯＢ領域形成を目的としたプロセスを設ける必要が無く、ＯＢ領域の単独の形成プロセスを省略することができる。
【００３４】
また、フォトダイオード１０４上の透明導電膜１０３に直接ワイヤボンドしないため、ワイヤボンド時の応力によるフォトダイオード１０４の特性悪化リスクやフォトダイオード１０４へのダメージを軽減することができる。
【００３５】
また、透明導電膜１０３に抵抗の低い厚膜の再配線１０９で電圧供給するため、電圧の供給を安定化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの断面図である。
【図２】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの平面図である。
【図３Ａ】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図３Ｂ】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図３Ｃ】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図３Ｄ】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図３Ｅ】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図３Ｆ】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図３Ｇ】本願発明の第１の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図４】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの断面図である。
【図５】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの平面図である。
【図６Ａ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｂ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｃ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｄ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｅ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｆ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｇ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｈ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図６Ｉ】本願発明の第２の実施形態に係る受光デバイスの製造方法に係る半導体装置の断面図である。
【図７】本願発明の第３の実施形態に係る受光デバイスの断面図である。
【図８】本願発明の第３の実施形態に係る受光デバイスの平面図である。
【図９】従来技術に係る撮像素子の断面図である。
【図１０】従来技術に係る固体撮像素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本開示にかかる発明（本発明という）を実施するための形態を、図面を参照しながら説明する。
【００３８】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態による受光デバイスの断面図である。当該受光デバイスは、光電変換部１０１に形成された第１の画素電極１０５と走査回路部１０２に形成された第２の画素電極１０７がマイクロバンプ１０６によって接続された積層型のデバイス構造である。そして光電変換部１０１のフォトダイオード１０４上に透明導電膜１０３が形成されている。透明導電膜１０３上に走査回路部１０２とフォトダイオードへ電圧供給するための再配線１０９が形成されており、再配線１０９はワイヤ１１０により外部電極と電気的に接続されている。
【００３９】
マイクロバンプ１０６の周囲は保護膜１１１により覆われており、再配線１０９は、少なくとも１つの第１の画素電極１０５の直上に形成される。
【００４０】
図２は本発明による受光デバイスの上面図であり、透明導電膜１０３は、再配線１０９により上面の一部が覆われており、再配線１０９はワイヤ１１０により接続されている。
【００４１】
このように再配線１０９は上面からの光を遮断するように、一部の画素電極に対して直上に形成されることにより、ＯＢ領域を形成することができる。
【００４２】
また、フォトダイオード１０４上の透明導電膜１０３に直接ワイヤボンドしないため、ワイヤボンド時の応力による特性変動やダメージを回避することができる。
【００４３】
また、再配線１０９の材料は、めっきによってウエハ一括処理が可能で、短時間で５μｍ以上の厚膜形成可能なＣｕとすることができる。
【００４４】
この構造によりフォトダイオードへ電圧供給する際の、配線抵抗による電圧降下を低減することができるため、電圧の供給が安定化する。
【００４５】
また、再配線１０９の材料をワイヤボンディング性の良好なＡｕや上面からＡｕ／ＮｉもしくはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕの構造とすることによりワイヤボンド性を向上させることができる。
【００４６】
保護膜１１１はエポキシ系やアクリル系のアンダーフィル樹脂であってもよいし、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）やＰＩ（ポリイミド）のような有機系のパッシベーションであってもよい。
【００４７】
もしくは、ＳｉＮ（シリコンナイトライド）のような無機系のパッシベーションであってもよい。
【００４８】
また、マイクロバンプ１０６は、製作方法および材質に既知のいくつかの方法があり、めっき法によるもの、フォトリソグラフィー法によるもの等がある。何れの方法においても、電極上に、それに対応した高さ数μｍから数１０μｍのバンプ（突起電極）を形成することが重要である。
【００４９】
導電材としては、バンプへの要求特性から見てなるべく低抵抗であることが必要である。導電材を構成する金属材料としては、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎやそれらを複数の層としたものや合金としたものがある。
【００５０】
また、導電材として、導電性粒子を接着剤に混ぜてペースト状にしたもの、すなわち導電性ペーストがある。導電性ペーストとして、例えばＡｇ又はＡｇ‐Ｐｄペーストがある。このＡｇ又はＡｇ‐Ｐｄペーストを読み出し電極上に印刷し、マイクロバンプ１０６を形成してもよい。また、Ａｕ、Ｉｎ単体あるいはＩｎ合金など展性、密着性のよい金属を読み出し電極上に柱状、あるいは円錐状に形成させてマイクロバンプ１０６を形成してもよい。また、展性、密着性のよい金属と導電性ペーストと併用してマイクロバンプ１０６を形成してもよい。
【００５１】
図３Ａ〜図３Ｇは本発明の第１の実施形態による受光デバイスの製造方法に係る受光デバイスの断面図である。
【００５２】
図３Ａに示すように、まずシリコン基板１１２とシリコン酸化膜１１３およびそれらの上に形成したフォトダイオード１０４からなる光電変換部１０１と走査回路部１０２の、それぞれの画素電極上に形成したマイクロバンプ１０６を、所望の位置に来るように位置合わせを実施する。
【００５３】
次に、図３Ｂに示すように、互いのマイクロバンプ１０６を接触させて接続させる。
【００５４】
次に、図３Ｃに示すように、シリコン基板１１２およびシリコン酸化膜１１３をウエット方式もしくはドライ方式で除去し、フォトダイオード１０４を上面から露出させる。
【００５５】
次に、図３Ｄに示すように、蒸着法により透明導電膜１０３をフォトダイオード１０４上に形成する。
【００５６】
次に、図３Ｅに示すように、エッチングにより不要な透明導電膜１０３を除去し、走査回路１０８へ電圧供給する電極を開口し露出させる。
【００５７】
次に、図３Ｆに示すように、フォトリソグラフィーおよびめっき法により再配線１０９を形成する。
【００５８】
次に、図３Ｇに示すように、再配線上にワイヤ１１０を形成する。
【００５９】
ここでワイヤ形成前には、ワイヤボンド前のデバイス状態と最終組立品の構造を考慮した組立工程、例えば、ウエハーのバックグラインド、ダイシング、ダイボンド、ワイヤボンドなどの工程を任意に選択することが可能である。
【００６０】
（第２の実施形態）
図４は本発明の第２の実施形態による受光デバイスに係る断面図であり、図５はその平面図である。
【００６１】
図４および図５より、フォトダイオード１０４の周囲が樹脂１１４により覆われている。
【００６２】
再配線１０９は樹脂１１４上とフォトダイオード１０４上に形成されており、ワイヤ１１０により外部電極と電気的に接続されている。
【００６３】
このように樹脂１１４で光電変換部１０１の周囲を覆うことで、光電変換部１０１自体の平面サイズを小さくすることができるため、ウエハー辺りのデバイスの取れ数が増加し、デバイスコストを低減することができる。
【００６４】
さらに、光電変換部１０１と走査回路部１０２を同じ平面サイズにする制約を解除することが可能となり、デバイスの設計自由度が大幅に向上する。
【００６５】
図６Ａ〜図６Ｉは本発明の第２の実施形態による受光デバイスの製造方法に係る断面図である。
【００６６】
図６Ａに示すように、まずシリコン基板１１２とシリコン酸化膜１１３およびそれらの上に形成したフォトダイオード１０４からなる光電変換部１０１と走査回路部１０２の、それぞれの画素電極上に形成したマイクロバンプ１０６を所望の位置に来るように、位置合わせを実施する。
【００６７】
次に、図６Ｂに示すように、互いのマイクロバンプ１０６を接触させて接続させる。
【００６８】
次に、図６Ｃに示すように、光電変換部の側面および上面に樹脂１１４を形成する。
【００６９】
次に、図６Ｄに示すように、バックグラインドにより樹脂１１４およびシリコン基板１１２を研磨する。
【００７０】
次に、図６Ｅに示すように、エッチングによりシリコン基板１１２およびシリコン酸化膜１１３を除去する。
【００７１】
次に、図６Ｆに示すように、蒸着法により透明導電膜１０３をフォトダイオード１０４上および樹脂１１４上に形成する。
【００７２】
次に、図６Ｇに示すように、樹脂１１４上の透明導電膜１０３を除去し、走査回路部の電極上の樹脂を除去し、電極を開口する。
【００７３】
次に、図６Ｈに示すようにフォトリソグラフィーおよびめっき法により再配線１０９を形成する。
【００７４】
次に、図６Ｉに示すように、再配線上にワイヤ１１０を形成する。
【００７５】
ここでワイヤ形成工程前後には、ワイヤボンド前のデバイス状態と最終組立品の構造を考慮した組立工程、例えば、ウエハーのバックグラインド、ダイシング、ダイボンド、ワイヤボンドなどの工程を任意に選択することが可能である。
【００７６】
（第３の実施形態）
図７は本発明の第３の実施形態による受光デバイスに係る断面図であり、図８はその平面図である。
【００７７】
図７および図８より再配線１０９はフォトダイオード１０４上の透明導電膜１０３の上面に、ＯＢ領域を除いて画素電極への入射光を阻害しないように、それぞれの画素電極間に格子状に形成することができる。
【００７８】
このように、ＯＢ領域を除いた画素電極間の透明導電膜１０３上に再配線１０９を格子状に引き回すことで、再配線１０９とフォトダイオード１０４の位置関係による電圧印加ばらつきを低減することが可能である。
【００７９】
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施形態等に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した様々な構成がとり得る。
【００８０】
図１に示した上記実施形態では、ワイヤ１１０はフォトダイオード開口部直上の再配線１０９に形成された例を示しているが、開口部の直上を外して形成してもよい。
【００８１】
このように、比較的開口形状の影響を受けて再配線の平坦度が低い開口部の直上を外して形成することにより、ワイヤボンドの接続性が向上する。
【００８２】
また、再配線１０９は走査回路部１０２に接続する電極と透明導電膜１０３と接続する電極が完全に分離した例を示しているが、必ずしも完全に分離する必要は無い。
【００８３】
また、上記実施例では再配線１０９の周囲は保護膜により覆われていない例を示しているが、配線の物理的保護や電気的に配線間が短絡するリスクを低減するために保護膜を形成し保護してもよい。
【００８４】
図３Ａおよび図６Ａに示した上記実施形態では、光電変換部および走査回路部に形成されたマイクロバンプ１０６は、保護膜１１１の上面に突起として露出している例を示したが、これに限定されず保護膜と同じ面もしくは陥没していてもよい。
【００８５】
図４に示した上記実施形態では、樹脂１１４は光電変換部より上面に形成された例をしめしているが、樹脂１１４は光電変換部より上面に形成されてもよいし、同平面に形成されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、例えば、小型、高機能、高感度、低コストが要求される受光デバイスに好適に利用可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１０１  光電変換部
１０２  走査回路部
１０３  透明導電膜
１０４  フォトダイオード
１０５  第１の画素電極
１０６  マイクロバンプ
１０７  第２の画素電極
１０８  走査回路
１０９  再配線
１１０  ワイヤ
１１１  保護膜
１１２  シリコン基板
１１３  シリコン酸化膜
１１４  樹脂
１１５  透光性基板
【図１】
2015125443.tif 000003
【図２】
2015125443.tif 000004
【図３Ａ】
2015125443.tif 000005
【図３Ｂ】
2015125443.tif 000006
【図３Ｃ】
2015125443.tif 000007
【図３Ｄ】
2015125443.tif 000008
【図３Ｅ】
2015125443.tif 000009
【図３Ｆ】
2015125443.tif 000010
【図３Ｇ】
2015125443.tif 000011
【図４】
2015125443.tif 000012
【図５】
2015125443.tif 000013
【図６Ａ】
2015125443.tif 000014
【図６Ｂ】
2015125443.tif 000015
【図６Ｃ】
2015125443.tif 000016
【図６Ｄ】
2015125443.tif 000017
【図６Ｅ】
2015125443.tif 000018
【図６Ｆ】
2015125443.tif 000019
【図６Ｇ】
2015125443.tif 000020
【図６Ｈ】
2015125443.tif 000021
【図６Ｉ】
2015125443.tif 000022
【図７】
2015125443.tif 000023
【図８】
2015125443.tif 000024
【図９】
2015125443.tif 000025
【図１０】
2015125443.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、
前記光電変換部の画素電極上に形成されたマイクロバンプによって接続された走査回路部と、
前記光電変換部のフォトダイオードの上面に形成された透明導電膜と、
前記透明導電膜上と前記フォトダイオード上に形成された配線と、
前記配線と接続する外部端子を備え、
前記配線における前記フォトダイオード上に形成された領域は、遮光膜としてオプティカルブラック領域を形成していることを特徴とする、受光デバイス。
【請求項２】
前記光電変換部の周囲に形成された樹脂と、
前記樹脂上および前記透明導電膜上に形成された配線と、
前記配線と接続する外部端子を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の受光デバイス。
【請求項３】
前記フォトダイオードは、フォトダイオード内で電荷増倍作用が生じる強さの電圧を印加する手段を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の受光デバイス。
【請求項４】
前記配線は、前記画素電極の間に格子状に形成されていることを特徴とする、請求項１〜３に記載の受光デバイス。
【請求項５】
前記配線は、再配線であることを特徴とする請求項１〜４に記載の受光デバイス。
【請求項６】
シリコン基板とシリコン酸化膜およびそれらの上に形成したフォトダイオードからなる光電変換部と走査回路部の、それぞれの画素電極上に形成したマイクロバンプを所望の位置に位置合わせし、互いの前記マイクロバンプを接続する工程と、
前記シリコン基板および前記シリコン酸化膜を除去し、前記フォトダイオードを上面から露出させる工程と、
透明導電膜を前記フォトダイオード上に形成する工程と、
エッチングにより所望の範囲の前記透明導電膜を除去し、走査回路へ電圧供給する電極を開口し露出させる工程と、
前記フォトダイオードおよび前記透明導電膜上に配線を形成し、外部端子と接続する工程とを備えることを特徴とする、受光デバイスの製造方法。
【請求項７】
シリコン基板とシリコン酸化膜およびそれらの上に形成したフォトダイオードからなる光電変換部と走査回路部の、それぞれの画素電極上に形成したマイクロバンプを所望の位置に位置合わせし、互いの前記マイクロバンプを接続する工程と、
前記光電変換部の側面および上面に樹脂を形成する工程と、
前記樹脂および前記シリコン基板を研磨する工程と、
前記シリコン基板およびシリコン酸化膜を除去する工程と、
透明導電膜を前記フォトダイオード上および前記樹脂上に形成する工程と、
前記樹脂上の前記透明導電膜を除去し、前記走査回路部の電極上の樹脂を除去し、電極を開口する工程と、
前記樹脂および前記透明導電膜上に配線を形成し、外部端子と接続する工程とを備えることを特徴とする、受光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記配線は、再配線であることを特徴とする請求項６又は７に記載の受光デバイスの製造方法。
【国際調査報告】
2015125443.tif 000027
2015125443.tif 000028
2015125443.tif 000029
2015125443.tif 000030