(57)【要約】  有機発光デバイスは、基板の主面に沿って二次元配置された複数の発光部を有する。各発光部は、基板の主面に交差する第１方向において第１絶縁層を介して積層形成された、第１電極、有機積層体、第２電極を有してなる。複数の発光部の配列方向の内の一の方向である第２方向において、隣り合う発光同士の間に非発光部があり、当該非発光部の両側の発光部の各第１電極が非発光部まで延伸されている。非発光部における第１電極同士の間には、第２絶縁層が介挿されている。第２絶縁層は、非発光部における第１電極上を被覆している。基板上面を基準とするとき、第２絶縁層は、発光部における第１電極の上面よりも低い位置に形成されている。
2016006230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、
前記複数の発光部の各々は、前記基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、
前記基板に対して第１絶縁層を介して配置された第１電極と、
前記第１電極の上方に配置され、有機発光層を含む有機積層体と、
前記有機発光層の上方に配置された第２電極と、
を有し構成されており、
前記複数の発光部の一の配列方向である第２方向において、当該第２方向に隣り合う前記発光部同士の間の非発光部では、前記隣り合う発光部の前記第１電極の各々が延伸されており、
前記非発光部における前記第１電極の端部同士の間には、第２絶縁層が介挿されているとともに、当該第２絶縁層の一部は、前記非発光部における前記第１電極上を被覆する部分まで延伸されており、
前記基板の上面を基準とするとき、前記第２絶縁層は、前記発光部における前記第１電極の上面の高さよりも低い位置に形成されている
ことを特徴とする有機発光デバイス。
【請求項２】
前記基板の上面を基準とするとき、
前記複数の第１電極の各々は、前記発光部における上面が、前記非発光部における上面よりも高い位置にあり、
前記複数の第１電極の各々において、前記発光部と前記非発光部との境界部分にある段差部分における上方角部は、外側に膨らんだ曲面を以って構成されているとともに、当該上方角部は、前記第２絶縁層には被覆されていない
請求項１記載の有機発光デバイス。
【請求項３】
前記複数の第１電極の各々と、前記有機積層体との間には、電荷注入層が介挿されており、
前記電荷注入層における前記第１電極の各上方角部を覆う部分も、外側に膨らんだ曲面を以って構成されているとともに、前記第２絶縁層には被覆されていない
請求項２記載の有機発光デバイス。
【請求項４】
前記基板の上面を基準とするとき、
前記第１絶縁層は、前記発光部の下方に相当する上面が、前記非発光部における前記第１電極の端部同士の間隙領域の下に相当する上面よりも高い位置にあり、
前記第１電極は、前記第１絶縁層の上面に沿って形成されている
請求項２または請求項３記載の有機発光デバイス。
【請求項５】
前記基板と前記第１絶縁層との間には、複数のトランジスタ素子部を含んでなる薄膜トランジスタ層が介挿されており、
前記薄膜トランジスタ層における前記複数のトランジスタ素子部は、前記発光部の下方に相当する領域に配置されている
請求項４記載の有機発光デバイス。
【請求項６】
前記第１絶縁層における前記非発光部に相当する領域には、前記複数の第１電極の各々と前記トランジスタ素子部との電気的接続に供されるコンタクト孔が開設されている
請求項５記載の有機発光デバイス。
【請求項７】
前記第１絶縁層では、前記コンタクト孔を臨む側面部が前記基板の主面を基準に斜面部となっており、
前記非発光部における前記第１電極の端部同士の間隙領域は、前記斜面上に配置されている
請求項６記載の有機発光デバイス。
【請求項８】
前記第１絶縁層における前記発光部の下方に相当する上面と、前記非発光部における前記第１電極の端部同士の間隙領域の下に相当する上面との高さの差は、前記非発光部における前記第１電極の端部上に被覆されている前記第２絶縁層の層厚以上である
請求項２から請求項６の何れか記載の有機発光デバイス。
【請求項９】
前記複数の発光部の他の配列方向である第３方向において、当該第３方向に隣り合う前記発光部同士の間の非発光部では、前記第２方向にそれぞれが延伸するバンクが形成されており、
前記第３方向に隣り合う前記有機積層体同士は、前記バンクにより区分けされている
請求項１から請求項８の何れか記載の有機発光デバイス。
【請求項１０】
表示パネルと、
前記表示パネルに接続された駆動制御回路部と、
を備え、
前記表示パネルとして、請求項１から請求項９の何れかのデバイス構造が採用されている
ことを特徴とする有機表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光デバイスと有機表示装置に関し、特に、発光部を規定するバンクの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）パネルや有機ＥＬ照明等の有機発光デバイスの開発が盛んに行われている（特許文献１）。従来技術に係る有機ＥＬパネルの構成について、図１２（ａ）を用い説明する。【０００３】
図１２（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＥＬパネルは、基板９００の主面（Ｚ軸方向上側の主面）にＴＦＴ層９０１が形成され、その上に絶縁層９０２が形成されている。そして、絶縁層９０２上には、発光部であるサブピクセル単位でアノード９０３およびホール注入層９０４が順に積層されている。【０００４】
絶縁層９０２上であって、Ｙ軸方向におけるアノード９０３およびホール注入層９０４のエッジを含む間隙部分には、Ｘ軸方向に延伸する第２バンク９１５が形成されている。そして、同じく絶縁層９０２上であって、第２バンク９１５と交差するようにＹ軸方向に延伸する第１バンク９０５が形成されている。【０００５】
隣り合う第１バンク９０５同士の間には、ホール輸送層９０６、有機発光層９０７、電子輸送層９０８などの有機膜が順に積層形成されている。そして、電子輸送層９０８上、および第１バンク９０５の露出面を覆うように、カソード９０９および封止層９１０が順に積層形成されている。【０００６】
なお、図１２（ａ）では、図示を省略しているが、Ｚ軸方向上側には、更に樹脂層を介してカラーフィルタパネル部が積層形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−７５６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、本発明者等は、従来技術に係る有機発光デバイスの構成においては、ホール輸送層９０６や有機発光層９０７などの有機膜で形成不良が生じることがあることを究明した。具体的には、図１２（ｂ）に示すように、第２バンク９１５の上面９１５ａの部分において、ホール輸送層９０６の形成不良が発生することがある（矢印Ｇで指し示す部分）。【０００９】
このような第２バンク９１５上における有機膜の形成不良は、その両側における発光部での有機膜の膜厚不良に繋がり、発光性能の低下をもたらすことがある。【００１０】
本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機膜の形成不良の発生を抑制し、高い発光効率を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、複数の発光部の各々が、基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、第１電極、有機積層体、第２電極が積層された構成を有する。【００１２】
第１電極は、基板に対して第１絶縁層を介した上方に配置されている。【００１３】
有機積層体は、第１電極の上方に配置され、有機発光層を含み構成されている。【００１４】
第２電極は、有機発光層の上方に配置されている。【００１５】
本態様に係る有機発光デバイスでは、複数の発光部の一の配列方向である第２方向において、当該第２方向に隣り合う発光部同士の間の非発光部で、隣り合う発光部の第１電極の各々が延伸されている。そして、非発光部における第１電極の端部同士の間には、第２絶縁層が介挿されているとともに、当該第２絶縁層の一部は、非発光部における前記第１電極上を被覆する部分まで延伸されている。【００１６】
本態様に係る有機発光デバイスでは、基板の上面を基準とするとき、第２絶縁層の上面が、発光部における第１電極の上面の高さよりも低い位置にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
上記態様に係る有機発光デバイスでは、上記のように、第２絶縁層の上端を、発光部における第１電極の上面よりも低い位置と規定することにより、その上に塗布形成される有機積層体の、第２絶縁層上で形成不良を生じ難くすることができる。【００１８】
従って、上記態様に係る有機発光デバイスでは、隣り合う発光部同士の間の間隙領域（非発光部）での有機膜（有機積層体に含まれる有機膜）の形成不良の発生を抑制し、高い発光効率を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】表示パネル１０におけるサブピクセル１０ａ1，１０ａ2，１０ｂ，１０ｃの配置形態を示す模式平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ断面での構成を示す模式断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ断面での構成を示す模式断面図である。
【図６】電極間絶縁層１１５が形成された部分およびその周辺部分を模式的に拡大した模式断面図である。
【図７】表示パネル１０の製造過程を示す模式図である。
【図８】（ａ）は、表示パネル１０の製造過程のうち、絶縁層１０２の形成に係る露光工程を示す模式図であり、（ｂ）は、現像工程を経て形成された絶縁層１０２を示す模式断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る表示パネル３０におけるアノード３０３，３０３ａ，３０３ｂ、バンク３０５、および電極間絶縁層３１５の配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、アノード３０３ａ，３０３ｂと電極間絶縁層３１５とを抽出した模式平面図である。
【図１０】図９（ｂ）のＩ−Ｉ断面での構成を示す模式断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る表示パネルの構成の内、アノード４０３ａ，４０３ｂと電極間絶縁層４１５とを抽出した模式平面図である。
【図１２】（ａ）は、従来技術に係る表示パネルの一部構成を示す斜視図（一部断面図）であり、（ｂ）は、ホール輸送層９０６の形成不良の一態様を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
［本発明者の検討事項］
本発明者は、本発明の各態様を推考するにあたり、次のような事項について検討を行った。
【００２１】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、従来技術に係る表示パネルにおいては、第２バンク９１５の上面９１５ａが、アノード９０３およびホール注入層９０４の上面よりもＺ軸方向上側に位置していた。よって、有機膜であるホール輸送層９０６を形成するためのインクを滴下した時に、第２バンク９１５の表面部分の撥液性により未濡れが生じる場合がある。
【００２２】
なお、第２バンク９１５の上面９１５ａにおけるインクの未濡れを防止だけを考慮すれば、ホール輸送層９０６の層厚を厚くすることが考えられるが、このような層厚を増すことは、電気的な抵抗の増加、および光学的な設計が困難となるなど、発光デバイスとして好ましくない。
【００２３】
［本発明の概略態様］
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、複数の発光部の各々が、基板の主面に沿った方向（主面に沿った二次元方向）に対して交差する第１方向（基板の厚み方向）において、第１電極、有機積層体、第２電極が積層された構成を有する。
【００２４】
第１電極は、基板に対して第１絶縁層を介した上方に配置されている。
【００２５】
有機積層体は、第１電極の上方に配置され、有機発光層を含み構成されている。
【００２６】
第２電極は、有機発光層の上方に配置されている。
【００２７】
本態様に係る有機発光デバイスでは、複数の発光部の一の配列方向である第２方向において、当該第２方向に隣り合う発光部同士の間の非発光部で、隣り合う発光部の第１電極の各々が延伸されている。そして、非発光部における第１電極の端部同士の間には、第２絶縁層が介挿されているとともに、当該第２絶縁層の一部は、非発光部における前記第１電極上を被覆する部分まで延伸されている。
【００２８】
本態様に係る有機発光デバイスでは、基板の上面を基準とするとき、第２絶縁層の上面が、発光部における第１電極の上面の高さよりも低い位置にあることを特徴とする。
【００２９】
本態様に係る有機発光デバイスのように、第２絶縁層の上端を、発光部における第１電極の上面よりも低い位置と規定することにより、その上に塗布形成される有機積層体の、第２絶縁層上で形成不良を生じ難くすることができる。
【００３０】
なお、隣り合う第１電極同士の間の間隙部分が第２絶縁層の介挿により、電気的に絶縁されているので、当該電極間でのリーク電流の発生は確実に抑制される。
【００３１】
従って、本態様に係る有機発光デバイスでは、隣り合う発光部同士の間の間隙領域（非発光部）での有機膜（有機積層体に含まれる有機膜）の形成不良の発生を抑制し、高い発光効率を有する。
【００３２】
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、基板の上面を基準とするとき、複数の第１電極の各々の発光部における上面が、非発光部における上面よりも高い位置にある。このため、第１電極においては、発光部と非発光部との境界部分に段差が生じる。そして、複数の第１電極の各々において、発光部と非発光部との境界の段差部分における上方角部は、外側に膨らんだ（外凸の）曲面を以って構成されているとともに、当該上方角部は、第２絶縁層には被覆されていない。
【００３３】
このように、第２絶縁層で被覆されない第１電極の上方角部を曲面を以って構成することにより、その上に形成される有機膜（有機積層体の構成要素）に段切れを生じ難く、当該上方角部での短絡を抑制することができる。
【００３４】
また、上記のように、第１電極の上記上方角部を曲面構成とすることにより、当該上方角部を第２絶縁層で被覆しなくても、所謂、エッジ発光を有効に防止することができる。よって、デバイスの寿命が短くなるのを抑制することが可能となる。
【００３５】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、複数の第１電極の各々と、有機積層体との間に電荷注入層（ホール注入層または電子注入層であって、第１電極の極性により規定される）が介挿されており、電荷注入層における第１電極の各上方角部を覆う部分も、外側に膨らんだ（外凸の）曲面を以って構成されているとともに、第２絶縁層には被覆されていない。
【００３６】
このように電荷注入層における上記上方角部についても曲面構成とすることにより、その上に形成される有機膜（有機積層体の構成要素）に段切れを生じ難く、当該上方角部での短絡を抑制することができる。
【００３７】
また、上記同様に、電荷注入層における上記上方角部での、所謂、エッジ発光も有効に防止することができ、デバイス寿命の短寿命化を抑制することができる。
【００３８】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、基板の上面を基準とするとき、第１絶縁層における発光部の下方に相当する上面が、非発光部における第１電極の端部同士の間隙領域の下に相当する上面よりも高い位置にあり、第１電極が第１絶縁層の上面に沿って形成されている。
【００３９】
この態様のように、第１絶縁層の上面に凹凸を設けておき、当該上面に沿わせて第１電極を形成することにより、非発光部における第１電極の上面が、発光部における第１電極の上面よりも基板側に凹んだ形状を容易に作り出すことができる。そして、このような第１電極の凹凸を以って、上記にように、第２絶縁層の上面を発光部における第１電極の上面よりも基板側に低い状態を確実に構成することが可能となる。
【００４０】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、基板と第１絶縁層との間に、複数のトランジスタ素子部を含んでなる薄膜トランジスタ層（以下では、「ＴＦＴ層」と記載する。）が介挿されており、ＴＦＴ層における複数のトランジスタ素子部が、発光部の下方に相当する領域に配置されている。
【００４１】
本態様のように、ＴＦＴ層におけるトランジスタ素子部を発光部の下方に相当する領域（第１絶縁層の上面が高い位置にある領域）に配置することで、ＴＦＴ層の上面から第１絶縁層の上面までの高さを確保することができる。よって、ＴＦＴ層と第１電極との間などでのリークの発生を効果的に抑制することができる。
【００４２】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１絶縁層における非発光部に相当する領域に、複数の第１電極の各々とトランジスタ素子部との電気的接続に供されるコンタクト孔が開設されている。このように、コンタクト孔を第２絶縁層で第１電極の上が被覆される領域へと配置することにより、デバイス全体における非発光部が占める面積を小さく抑えることができ、高い発光効率を実現するのに有効である。
【００４３】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成の第１絶縁層において、コンタクト孔を臨む側面部が基板の主面を基準に順テーパーの斜面部になっている。そして、本態様では、非発光部における第１電極の端部同士の間隙領域が斜面上に配置されている。このように、第１電極の端部同士の間隙領域を第１絶縁層におけるコンタクト孔を臨む斜面部上に配置するので、非発光部の占有面積を小さくすることができ、高精細化を進める上で優位である。
【００４４】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１絶縁層における発光部の下方に相当する上面と、非発光部における第１電極の端部同士の間隙領域の下に相当する上面との高さの差が、非発光部における第１電極の端部上に被覆されている第２絶縁層の層厚以上である。
【００４５】
このような態様により、第２絶縁層の上面を、発光部における第１電極の上面よりも基板側の低い位置とすることができる。
【００４６】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、複数の発光部の他の配列方向である第３方向に隣り合う発光部同士の間の非発光部で、第２方向にそれぞれが延伸するバンクが形成されており、第３方向に隣り合う有機積層体同士が、バンクにより区分けされている。
【００４７】
このように、所謂、ラインバンク構造を採用することにより、塗布型での有機膜の形成に際して、上面における平坦領域の面積を広く確保することができ、また、発光部同士の間での層厚の均一化を図ることも容易となる。よって、高い発光性能を確保するのに優れる。
【００４８】
本発明の一態様に係る有機表示装置は、表示パネルと、表示パネルに接続された駆動制御回路部とを備え、表示パネルとして、上記のうちの何れかの態様に係るデバイス構造が採用されていることを特徴とする。これにより、上記同様の理由から優れた発光性能（表示性能）を得ることができる。
【００４９】
［実施の形態１］
以下では、図面を参酌しながら実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について説明する。
【００５０】
１．概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１および図２を用い説明する。
【００５１】
図１に示すように、有機表示装置としての本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機発光デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
【００５２】
図２に示すように、表示パネル１０においては、複数のサブピクセル１０ａ1，１０ａ2，１０ｂ，１０ｃがＸ軸方向およびＹ軸方向で構成される面方向に二次元配置されている。本実施の形態では、一例として、サブピクセル１０ａ1，１０ａ2が赤色光（Ｒ）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｂが緑色光（Ｇ）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｃが青色光（Ｂ）を出射する発光部である。そして、Ｘ軸方向に隣接する３つのサブピクセル１０ａ1，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１つのピクセル（画素部）が構成されている。
【００５３】
図１に戻って、有機ＥＬ表示装置１における駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と１つの制御回路２５とから構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１における表示パネル１０と駆動・制御回路部２０との配置関係については、図１に示す形態に限定されない。
【００５４】
また、ピクセル（画素部）の構成については、図２に示すような３つのサブピクセル１０ａ1，１０ｂ，１０ｃの組み合わせからなる形態に限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１つのピクセルが構成されることとしてもよい。
【００５５】
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０の構成について、図３から図５を用い説明する。なお、図３は、図２におけるＡ−Ａ断面を示し、図４は、図２におけるＢ−Ｂ断面を示し、図５は、図２におけるＣ−Ｃ断面を示す。
【００５６】
図３に示すように、表示パネル１０は、２枚の基板１００，１１４間に複数の機能層が積層された構成を有する。
【００５７】
Ｚ軸方向下側の基板１００上には、ＴＦＴ層１０１が形成されている。なお、図３などでは、ＴＦＴ層１０１の詳細な図示を省略しているが、公知の構成を有するＴＦＴ層である。また、図３では、ＴＦＴ層１０１の上面が平坦であるとして図示をしているが、内部におけるトランジスタ素子部の配置により、図４に示すように、その上面には凹凸が存在する。
【００５８】
ＴＦＴ層１０１上には、絶縁層１０２を介してアノード１０３およびホール注入層１０４がＺ軸方向下側から順に積層形成されている。絶縁層１０２は、第1絶縁層の一例である。
【００５９】
次に、絶縁層１０２上およびホール注入層１０４のＸ軸方向両縁上を覆うように、バンク１０５が形成されている。バンク１０５は、Ｘ軸方向において、サブピクセル１０ａ1を規定する。
【００６０】
バンク１０５によりＸ軸方向の両側が規定された開口内には、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８が積層形成されている。本実施の形態では、これら３層１０６〜１０８により有機積層体が構成されている。
【００６１】
電子輸送層１０８上およびバンク１０５の頂面上を覆うように、Ｚ軸方向下側から順に、カソード１０９および封止層１１０が積層形成されている。
【００６２】
一方、Ｚ軸方向上側に配された基板１１４のＺ軸方向下側の主面には、カラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２が形成されている。ブラックマトリクス層１１２が形成されている領域が、非発光部１０ｄである。
【００６３】
封止層１１０とカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２との間は、樹脂層１１１が介挿されており、封止層１１０と樹脂層１１１との間、およびカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２と樹脂層１１１との間は、隙間なく密に接している。
【００６４】
本実施の形態に係る表示パネル１０は、トップエミッション型の表示パネルであり、矢印のようにＺ軸方向上向きの光を出射する。
【００６５】
なお、表示パネル１０においては、他のサブピクセル１０ａ2，１０ｂ，１０ｃについても同様の構成を有する。
【００６６】
次に、図４に示すように、非発光部１０ｄにおいて、バンク１０５の下の領域では、Ｙ軸方向に隣り合うアノード１０３およびホール注入層１０４同士の間に、電極間絶縁層１１５が介挿されている（矢印Ｅで指し示す部分）。当該電極間絶縁層１１５は、アノード１０３における端縁部の一部の上方を覆う部分にまで延伸され、ホール注入層１０４に対してもその上を被覆している。なお、電極間絶縁層１１５は、第2絶縁層の一例である。
【００６７】
また、図４に示すように、電極間絶縁層１１５で被覆された領域において、一方のアノード１０３は、ＴＦＴ層１０１におけるソース若しくはドレイン、またはこれらに接続されたＴＦＴ上部電極と接続されている（詳細な図示を省略）。
【００６８】
さらに、絶縁層１０２は、コンタクト部分の右側の領域１０２ｂが、両側の領域１０２ａ1，１０２ａ2よりもＺ軸方向に低い位置にある。アノード１０３およびホール注入層１０４については、絶縁層１０２の上面に沿って形成されており、領域１０２ｂの上方における上面の高さが、領域１０２ａ1，１０２ａ2の上方における上面の高さよりも低い位置となっている。
【００６９】
図５に示すように、電極間絶縁層１１５が形成されている領域は、上述のように、Ｙ軸方向におけるサブピクセル１０ａ1とサブピクセル１０ａ2との間の領域であって、ブラックマトリクス層１１２が形成されてなる非発光部１０ｄである。
【００７０】
図４および図５の両図に示すように、アノード１０３の上面は、電極間絶縁層１１５で上方が覆われた領域が、その他の領域に比べて低くなっている。そして、このような絶縁層１０２の形状に関連して、ＴＦＴ層１０１におけるトランジスタ素子部が形成され、その上面が他の部分よりもＺ軸方向上方となっている部分（図４の矢印Ｄ1，Ｄ2で指し示す部分）が、領域１０２ａ1，１０２ａ2に選択的に配置されている。これにより、絶縁層１０２における領域１０２ｂの高さを低くしてもＴＦＴ層１０１の上面と絶縁層１０２の上面に形成されたアノード１０３とのＺ軸方向の高さを確保することができ、電気的なリークの防止を図ることができる。
【００７１】
また、図４および図５に示すように、絶縁層１０２の段差に従ってアノード１０３およびホール注入層１０４に出来る段差の上方角部（図５の矢印Ｆ1，Ｆ2で指し示す部分）が外凸の曲面を以って構成されている。これにより、アノード１０３およびホール注入層１０４の当該上方角部は電極間絶縁層１１５で覆われていないものの、当該上方角部でのエッジ発光の発生を抑制することができ、パネルの寿命が短くなるのを抑制することができる。
【００７２】
また、図４および図５に示すように、表示パネル１０では、電極間絶縁層１１５の上面がサブピクセル１０ａ1，１０ａ2，１０ｂ，１０ｃ（発光部）におけるアノード１０３の上面よりも低い位置に抑えられている。これによる効果については、後述する。
【００７３】
３．表示パネル１０の各構成材料
（１）基板１００
基板１００は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
【００７４】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００７５】
（２）ＴＦＴ層１０１
ＴＦＴ層１０１は、各サブピクセル毎に１または複数のトランジスタ素子部を備え、各トランジスタ素子部は、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。
【００７６】
（３）絶縁層１０２
絶縁層１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
【００７７】
また、絶縁層１０２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。
【００７８】
（４）アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
【００７９】
なお、アノード１０３については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００８０】
（５）ホール注入層１０４
ホール注入層１０４は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
【００８１】
なお、ホール注入層１０４の構成材料として金属酸化物を用いる場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０７に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００８２】
ここで、ホール注入層１０４を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００８３】
（６）バンク１０５
バンク１０５は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１０５の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０５は、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００８４】
さらに、バンク１０５の構造については、図３および図４に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００８５】
（７）電極間絶縁層１１５
電極間絶縁層１１５は、ＳｉＯ2（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの無機絶縁材料や、有機絶縁材料などを用い形成することができる。
【００８６】
なお、有機絶縁材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
【００８７】
（８）ホール輸送層１０６
ホール輸送層１０６は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【００８８】
（９）有機発光層１０７
有機発光層１０７は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０７の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００８９】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００９０】
（１０）電子輸送層１０８
電子輸送層１０８は、カソード１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
【００９１】
（１１）カソード１０９
カソード１０９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００９２】
（１２）封止層１１０
封止層１１０は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００９３】
封止層１１０は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
【００９４】
（１３）樹脂層１１１
樹脂層１１１は、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料から形成されている。ただし、構成材料としては、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。
【００９５】
（１４）ブラックマトリクス層１１２
ブラックマトリクス層１１２は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料から構成されている。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
【００９６】
（１５）カラーフィルタ層１１３
カラーフィルタ層１１３としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
【００９７】
（１６）基板１１４
基板１１４は、上記基板１００と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。基板１１４についても、プラスチック基板を採用する場合には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れの樹脂を用いてもよい。
【００９８】
４．電極間絶縁層１１５の形成形態
電極間絶縁層１１５の形成形態、およびアノード１０３などの形態について、図６を用い説明する。なお、図６は、電極間絶縁層１１５が形成された部分およびその周辺部分を模式的に示す図であり、縮尺などについては他の図と同様に実際とは異なる。
【００９９】
図６に示すように、電極間絶縁層１１５は、絶縁層１０２におけるＺ軸方向下側に凹んだ部分１０２ｅの上方に形成されている。絶縁層１０２ｅには、Ｙ軸方向に隣り合うアノード１０３の端部が向かい合った状態にあり、電極間絶縁層１１５は、その間隙部分に介挿されている。
【０１００】
また、電極間絶縁層１１５は、絶縁層１０２における部分１０２ｅの上方において、アノード１０３およびホール注入層１０４の端縁部分の上方を覆っている。そして、電極間絶縁層１１５の上面の端位置は、点Ｐ1，Ｐ2で規定されている。ここで、基板１００のＺ軸方向上面を基準とするときの、点Ｐ1，Ｐ2の高さＨ115は、絶縁層１０２の凹んだ部分１０２ｅの周囲の部分１０２ｃ、１０２ｆでのアノード１０３上面の高さＨ103に対して、次の関係を充足する。
［数１］Ｈ115＜Ｈ103
また、本実施の形態では、絶縁層１０２の部分１０２ｅの上面の高さｔ2と、部分１０２ｃ、１０２ｆの上面の高さｔ1とが、次の関係を充足する。
［数２］ｔ1−ｔ2≧ｔ103
なお、［数２］においてｔ103は、絶縁層１０２における部分１０２ｃ、１０２ｆの上に積層されたアノード１０３の厚みである。
【０１０１】
上記のような関係を充足するように電極間絶縁層１１５を形成することにより、ホール注入層１０４の上に塗布法を用い形成されるホール輸送層１０６などの有機膜の形成に際し、未濡れの発生を効果的に抑制することができる。また、塗布法を用いた有機膜の形成に際し、インクの滴下量の下限値についてのマージンをとることができ、確実な膜厚制御が可能となる。
【０１０２】
さらに、本実施の形態では、図６に示すように、アノード１０３およびホール注入層１０４における段差部分（絶縁層１０２における部分１０２ｅ上の部分と部分１０２ｃ，１０２ｆ上の部分との間の段差部分）において、上方角部が外側に膨らんだ曲面を以って構成されている。具体的には、アノード１０３においては、該上方角部にＲ1，Ｒ2のコーナーＲが設けられている。
【０１０３】
ここで、コーナーＲ1とコーナーＲ2とは、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。同一の場合には、製造時におけるマスクなどの観点から煩雑な設計を行わなくて済む。逆に、互いに異なる場合には、他の部分の形状との関係で設計の自由度を高くすることができる。
【０１０４】
ただし、アノード１０３およびホール注入層１０４の上方角部を曲面とするのは、電極間絶縁層１１５で覆われていない当該上方角部を外凸の曲面とすることにより、当該部分でのエッジ発光の発生を抑制するためである。即ち、エッジ発光を生じるとデバイス全体での寿命が短くなるが、上方角部を図６に示すような曲面とすることにより、エッジ発光の発生を抑制し、デバイス全体での寿命を長くするためである。
【０１０５】
ここで、本実施の形態においては、アノード１０３上にホール注入層１０４を積層し、その上の一部を電極間絶縁層１１５で被覆することとしたが、この場合においては、ホール注入層１０４の上方角部についても上記同様に曲面形状とすることが望ましい。
【０１０６】
なお、図６では、図５に図示した断面を用いたが、図４に図示した断面部分においても、上述と同様の電極間絶縁層１１５の形成形態となっている。
【０１０７】
また、図６の紙面に垂直な方向（Ｘ軸方向）において、電極間絶縁層１１５の上端位置（点Ｐ1，Ｐ2）、およびアノード１０３およびホール注入層１０４の上方角部の形状などについては、必ずしも同一である必要はなく、上記［数１］、［数２］の関係を充足する範囲でバラツキがあってもよい。
【０１０８】
５．表示パネル１０の製造方法
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法について、その概要について、図７および図８を用い説明する。
【０１０９】
図７に示すように、表示パネル１０の製造においては、先ず、ＴＦＴ基板を準備する（ステップＳ１）。なお、ＴＦＴ基板は、基板１００の上面にＴＦＴ層１０１を形成したものであり、公知の技術で作製される。
【０１１０】
次に、ＴＦＴ基板上に絶縁層１０２を形成する（ステップＳ２）。絶縁層１０２の形成は、先ず、ＴＦＴ層１０１におけるパッシベーション膜上に対して有機材料を塗布して絶縁材料膜１０２０を積層する。次に、図８（ａ）に示すように、絶縁材料膜１０２０の上方にマスク５００を配して露光する。マスク５００は、ハーフトーンマスクであって、透光部５００ａ，５００ｄと、遮光部５００ｂと、ハーフトーン部５００ｃとを有する。
【０１１１】
次に、図８（ｂ）に示すように、露光後における絶縁材料膜１０２０を現像することにより、部分１０２ｃ，１０２ｆとコンタクト孔１０２ｄと部分１０２ｅとを有する絶縁層１０２が完成する。なお、部分１０２ｃ，１０２ｆおよび部分１０２ｅについては、略平坦面である。
【０１１２】
図７に戻って、絶縁層１０２上に対して、アノード１０３およびホール注入層１０４を順に積層形成する（ステップＳ３、Ｓ４）。アノード１０３の形成は、例えば、スパッタリング法若しくは真空蒸着法を用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングすることでなされる。なお、図示を省略しているが、形成されたアノード１０３は、絶縁層１０２に開けられたコンタクト孔１０２ｄ（図８（ｂ）を参照。）によりＴＦＴ層１０１の上部電極（ソースまたはドレインと接続された電極）に接続されることになる。
【０１１３】
ホール注入層１０４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いて酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて各サブピクセル１０ａ1，１０ａ2，１０ｂ，１０ｃ単位にパターニングすることでなされる。
【０１１４】
次に、電極間絶縁層１１５の形成を行う（ステップＳ５）。電極間絶縁層１１５の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて電極間絶縁層１１５の構成用の絶縁材料（例えば、感光性のアクリル系樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、この樹脂膜を露光・現像によりパターニングすることによりなされる。なお、パターニングについては、図６に示す形態とするように行う。
【０１１５】
次に、バンク１０５の形成を行う（ステップＳ６）。バンク１０５の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて電極間絶縁層１１５を含む基板１００の上方全体を覆うように、バンク１０５の構成用の絶縁材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる積層形成する。そして、上記同様に、形成した樹脂膜を露光・現像によりパターニングすることによりなされる。
【０１１６】
次に、形成したバンク１０５および電極間絶縁層１１５に対して、ＵＶ（紫外線）照射処理およびベーク処理を行う（ステップＳ７）。ＵＶ照射処理は、例えば、１５０〜２００ｓｅｃ．行い、ベーク処理は、例えば、１５０〜２３０℃の温度で１０〜２０ｍｉｎ．行う。
【０１１７】
次に、隣り合う２条のバンク１０５で規定された溝部分に対し、ホール輸送層１０６を形成する（ステップＳ８）。ホール輸送層１０６の形成は、例えば、印刷法（塗布法）を用い、ホール輸送層１０６の構成用材料を含むインクを隣り合うバンク１０５間の溝部分に塗布した後、焼成することでなされる。ここで、ホール輸送層１０６については、隣り合う２条のバンク１０５で規定される溝部分の底面に露出する電極間絶縁層１１５の上にも形成されることになる。
【０１１８】
同様に、隣り合う２条の第１バンク１０５で規定された溝部分に対し、有機発光層１０７および電子輸送層１０８を順に積層形成する（ステップＳ９，Ｓ１０）。有機発光層１０７および電子輸送層１０８の形成についても、上記同様に、各構成材料を含むインクを塗布した後、焼成することでなされる。
【０１１９】
次に、電子輸送層１０８およびバンク１０５の頂面部を被覆するように、カソード１０９および封止層１１０を順に積層形成する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。カソード１０９および封止層１１０の形成は、例えば、スパッタリング法を用いなされる。
【０１２０】
この後、基板１１４にカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２が形成されたなるカラーフィルタ基板を貼り合わせることにより、表示パネル１０が完成する（ステップＳ１３）。
【０１２１】
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成について図９（ａ）、（ｂ）および図１０を用い説明する。なお、図９（ａ）、（ｂ）および図１０では、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１との差異点である表示パネル３０の一部構成のみを表している。図示していない構成については、上記実施の形態１と同様である。なお、図９（ａ）、（ｂ）では、ホール注入層よりも上方（紙面手前側）の部材を省略して図示を行っている。
【０１２２】
図９（ａ）に示すように、本実施の形態に係る表示パネル３０では、複数条のバンク３０５が、Ｘ軸方向に互いに間隔をあけて配置されている。各バンク３０５は、Ｙ軸方向に向けて延伸形成され、全体として、所謂、ラインバンク構成を採用している。
【０１２３】
隣り合うバンク３０５間には、Ｙ軸方向に沿って複数のアノード３０３，３０３ａ，３０３ｂが設けられている。そして、図９（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向においてアノード３０３，３０３ａ，３０３ｂ同士が近接する領域（端部同士の間隙領域）には、コンタクトホール領域ＣＨが設けられている。図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る表示パネル３０では、コンタクトホール領域ＣＨが、平面視において、円形、または楕円形、または長円形をしている。各コンタクトホール領域ＣＨでは、アノード３０３，３０３ａ，３０３ｂ同士の間の電気的絶縁を図るために、電極間絶縁層３１５が形成されている。電極間絶縁層３１５の形成材料としては、上記実施の形態１に係る電極間絶縁層１１５の形成材料と同じ材料を採用することができる。
【０１２４】
次に、図１０に示すように、表示パネル３０において、絶縁層３０２は、コンタクトホール領域ＣＨを臨む側面部が順テーパーの斜面部３０２ｆになっている。そして、アノード３０３ａ，３０３ｂおよびホール注入層３０４ａ，３０４ｂは、絶縁層３０２の表面に沿って形成されている。
【０１２５】
ここで、図１０において矢印Ｊで指し示すように、本実施の形態に係る表示パネル３０においては、Ｙ軸方向において隣接するアノード３０３ａ，３０３ｂ同士の間の間隙領域が、コンタクトホール領域ＣＨを臨む絶縁層３０２の斜面部３０２ｆ上に位置している。ホール注入層３０４ａ，３０４ｂ同士の間の間隙領域についても同様である。そして、アノード３０３ａ，３０３ｂ同士の間の間隙領域、およびホール注入層３０４ａ，３０４ｂ同士の間の間隙領域は、電極間絶縁層３１５が介挿されている。
【０１２６】
電極間絶縁層３１５は、上記実施の形態１の電極間絶縁層１１５と同様に、アノード３０３ａ，３０３ｂおよびホール注入層３０４ａ，３０４ｂの端縁部分の上部も被覆している。そして、電極間絶縁層３１５は、発光部であるサブピクセル３０ａ，３０ｂにおけるアノード３０４ａ，３０４ｂの上面よりもＺ軸方向に低い位置になるよう形成されている。これによる効果は、上記実施の形態１と同様である。
【０１２７】
なお、コンタクトホール領域ＣＨのＺ軸上方には、ブラックマトリクス層３１２が形成されて非発光部３０ｄとなっており、それ以外の領域は、カラーフィルタ層３１３が形成されることにより発光部であるサブピクセル３０ａ，３０ｂとなっている。
【０１２８】
本実施の形態に係る表示パネル３０では、領域１０２ｂ上にアノード３０３ａ，３０３ｂ同士の間の間隙領域を、上記実施の形態１における領域１０２ｂに配置するのではなく、コンタクトホール領域ＣＨを臨む斜面部３０２ｆ上に配置している。このため、本実施の形態に係る表示パネル３０では、非発光部３０ｄを狭くすることができる。これより、発光部であるサブピクセル３０ａ，３０ｂに対する非発光部３０ｄの面積比率を低くでき、高精細化を進める上で特に優位である。特に、平面視で円形等のコンタクトホール領域ＣＨを設けることで、発光面積を広くとるのに効果的である。
【０１２９】
［実施の形態３］
本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図１１を用い説明する。なお、図１１は、上記実施の形態２の図９（ｂ）に相当する模式図である。本実施の形態の有機ＥＬ表示装置では、図１１に図示する構成以外の部分については、上記実施の形態２と同様の態様を採用することができる。
【０１３０】
図１１に示すように、本実施の形態に係る表示パネルでは、アノード４０３ａ，４０３ｂの間の間隙領域に形成されるコンタクトホール領域ＣＨが、平面視において、角丸の矩形をしている。なお、角丸である必要が必ずしもない。そして、コンタクトホール領域ＣＨでは、アノード４０３ａ，４０３ｂ同士の間の電気的絶縁を図るために、電極間絶縁層４１５が形成されている。電極間絶縁層４１５の形成材料としては、上記実施の形態１，２に係る電極間絶縁層１１５，３１５の形成材料と同じ材料を採用することができる。
【０１３１】
このように、平面視で角丸矩形のコンタクトホール領域ＣＨを設け、図１０で示したのと同様に、絶縁層におけるコンタクトホール領域ＣＨを臨む斜面部分に、アノード４０３ａ，４０３ｂ同士の間の間隙を配置することで、非発光部の占有面積を発光部に対して相対的に減らすことができる。よって、高精細化に際して優位である。
【０１３２】
［その他の事項］
上記実施の形態１，２，３では、有機発光デバイスの一例として表示パネル１０，３０を適用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、有機ＥＬ照明などに本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
【０１３３】
また、図２に示すように、上記実施の形態では、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセル１０ａ1，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１ピクセルを構成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできるし、全体としてハニカム形状の配置形態とすることなどもできる。１ピクセルを構成するサブピクセル数については、４つのサブピクセルとすることもできるし、それ以上とすることもできる。その場合には、１ピクセルを構成するサブピクセルが互いに異なる発光色であるとすることもできるし、一部が同色の発光を行うものとすることもできる。
【０１３４】
また、上記実施の形態１，２，３において、平面視におけるサブピクセル１０ａ1，１０ａ2，１０ｂ，１０ｃの配置形態については、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ行列をなすマトリクス状としたが、基板１００の主面に沿った面方向において二次元配置された構成であればこれに限定されるものではない。
【０１３５】
また、上記実施の形態１，２，３では、バンク１０５，３０５と電極間絶縁層１１５，３１５，４１５とを別の部位として形成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、アノードおよびホール注入層まで形成された基板の上に対し、バンクの形成材料からなるバンク材料膜を形成した後、バンクに相当する箇所と、電極間絶縁層に相当する箇所とで露光・現像条件を変更することにより、上記実施の形態１，２，３と同様の構成を実現することもできる。この場合においても、上記同様の効果を奏することが可能となる。ただし、バンクの側壁面部と電極間絶縁層の上面部とで、ホール輸送層などの有機膜の形成に係るインクに対する撥液性について別々の管理が必要となる場合が生じる。
【０１３６】
また、上記実施の形態１，２，３では、電極間絶縁層１１５，３１５，４１５を一層構成としたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。２層以上の積層構造を有する電極間絶縁層を採用することもできる。この場合には、例えば、下層側を蒸着法等で形成された無機絶縁層とし、上層側を塗布法で形成された有機絶縁層とすることもできる。勿論、材料が相互に異なる有機または無機の２層以上の絶縁層を積層させた構成とすることもできる。
【０１３７】
同様に、上記実施の形態では、バンク１０５，３０５について１層構造としたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、２層以上の絶縁層を積層した構成とすることもできる。この場合にも、層ごとに有機層と無機層とを選択的に採用することもできる。
【０１３８】
また、上記実施の形態１，２，３では、ホール注入層１０４，３０４ａ．３０４ｂについてもアノード１０３，３０３，３０３ａ，３０３ｂ，４０３ａ，４０３ｂと同様に薄膜法（スパッタリング法や真空蒸着法など）を用い形成することとしたが、塗布法を用いホール注入層を形成することも可能である。この場合には、ホール注入層は、バンク１０５，３０５で規定された溝部分内に形成されることになり、電極間絶縁層１１５，３１５，４１５の上に積層されることとなる。
【０１３９】
また、上記実施の形態１，２，３では、アノード１０３，３０３，３０３ａ，３０３ｂ，４０３ａ，４０３ｂと有機発光層１０７との間に、ホール注入層１０４，３０４ａ，３０４ｂおよびホール輸送層１０６を介挿させる構成を採用したが、必ずしもこれらの層の介挿は必要ではない場合もあり、逆に更なる中間機能層を介挿させることもできる。同様に、有機発光層１０７とカソード１０９との間に、電子輸送層１０８を介挿させる構成を採用したが、場合によっては電子輸送層の介挿を省略することもでき、逆に、有機発光層１０７とカソード１０９との間に別の中間機能層を介挿させることもできる。
【０１４０】
また、上記実施の形態１，２，３では、有機発光層１０７に対してＺ軸方向下側にアノード１０３，３０３，３０３ａ，３０３ｂ，４０３ａ，４０３ｂを配し、上側にカソード１０９を配した構成を一例として採用したが、有機発光層１０７に対するアノードおよびカソードの配置関係については逆転してもよい。即ち、有機発光層１０７に対してＺ軸方向下側にカソードを配し、上側にアノードを配してもよい。この場合にも、光取出し側に光透過性の電極を採用し、反対側に光反射性の電極を配する。
【０１４１】
さらに、上記実施の形態１，２，３では、トップエミッション型の表示パネル１０，３０を一例として採用したが、ボトムエミッション型の表示パネルに対して本発明の構成を採用することとしても、上記同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明は、高い発光性能を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０１４３】
１．有機ＥＬ表示装置
１０，３０．表示パネル
１０ａ1，１０ａ2，１０ｂ，１０ｃ，３０ａ，３０ｂ．サブピクセル
１０ｄ，３０ｄ．非発光部
２０．駆動・制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００．基板
１０１．ＴＦＴ層
１０２，３０２．絶縁層
１０３，３０３，３０３ａ，３０３ｂ，４０３ａ，４０３ｂ．アノード
１０４，３０４ａ，３０４ｂ．ホール注入層
１０５，３０５．バンク
１０６．ホール輸送層
１０７．有機発光層
１０８．電子輸送層
１０９．カソード
１１０．封止層
１１１．樹脂層
１１２，３１２．ブラックマトリクス層
１１３，３１３．カラーフィルタ層
１１４．基板
１１５，３１５，４１５．電極間絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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