(57)【要約】  セラミック基板の製造方法は、ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックペーストを作製する工程と；焼成後にセラミック層となるグリーンシートにセラミックペーストを塗布する工程と；グリーンシートに塗布されたセラミックペーストの上に、焼成後に導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と；セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートを焼成する工程とを備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、
銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと
を備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法であって、
前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックペーストを作製する工程と、
焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートに前記セラミックペーストを塗布する工程と、
前記グリーンシートに塗布した前記セラミックペーストの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と、
前記セラミックペーストおよび前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程と
を備えることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つを含む、請求項１または請求項２に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記セラミックペーストに含まれる無機成分における前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下である、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラスセラミックスの前記原料粉末は、ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末とを含む、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項６】
ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、
銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと
を備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法であって、
前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックスラリを作製する工程と、
前記セラミックスラリから、焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートを作製する工程と、
前記グリーンシートの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と、
前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程と
を備えることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項７】
ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、
銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと
を備えるセラミック基板であって、
前記セラミック層は、
前記導体パターンに隣接する第１のセラミック層と、
前記導体パターンとの間に前記第１のセラミック層を挟む第２のセラミック層と
を含み、
前記第１のセラミック層に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、前記第２のセラミック層より高いことを特徴とするセラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック基板には、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、銀（Ａｇ）を主に含有する導体パターンとを備えるものが知られている。このようなセラミック基板は、セラミック層の焼成前の形態であるグリーンシートに、導体パターンの焼成前の形態である導体ペーストを塗布した後に、焼成することによって形成される。このようなセラミック基板は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板とも呼ばれる。【０００３】
焼成によってセラミック基板を形成する際、導体ペーストの銀成分がセラミック層へと拡散することによって、セラミック層に空隙、変形、変色などが発生する場合があった。セラミック層への銀成分の拡散は、導体パターンに含まれる銀成分の酸化によって促進されると考えられる。【０００４】
特許文献１には、導体ペーストに含まれる銀粉末の表面をアンチモン塩で覆うことによって、セラミック層への銀成分の拡散を抑制する技術が開示されている。特許文献２には、導体ペーストにケイ素粉末を添加することによって、セラミック層への銀成分の拡散を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２５２５２４号公報
【特許文献２】特開２００７−２３４５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２の技術では、セラミック層への銀成分の拡散を十分に抑制できない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。【０００８】
（１）本発明の一形態は、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と；銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンとを備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法を提供する。この製造方法は、前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックペーストを作製する工程と；焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートに前記セラミックペーストを塗布する工程と；前記グリーンシートに塗布した前記セラミックペーストの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と；前記セラミックペーストおよび前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程とを備える。この形態によれば、セラミックペーストに添加された金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターンの銀成分がセラミック層へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板の品質を向上させることができる。【０００９】
（２）上記形態の製造方法において、前記金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。この形態によれば、導体パターンからセラミック層への銀成分の拡散を抑制できる。【００１０】
（３）上記形態の製造方法において、前記金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。この形態によれば、導体パターンからセラミック層への銀成分の拡散を抑制できる。【００１１】
（４）上記形態の製造方法において、前記セラミックペーストに含まれる無機成分における前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下であってもよい。この形態によれば、導体パターンからセラミック層への銀成分の拡散を十分に抑制できる。【００１２】
（５）上記形態の製造方法において、前記ガラスセラミックスの前記原料粉末は、ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末とを含んでもよい。この形態によれば、ホウケイ酸ガラス系のセラミック基板の品質を向上させることができる。【００１３】
（６）本発明の一形態は、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と；銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンとを備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法を提供する。この製造方法は、前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックスラリを作製する工程と；前記セラミックスラリから、焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートを作製する工程と；前記グリーンシートの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と；前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程とを備える。この形態によれば、グリーンシートに含まれる金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターンの銀成分がセラミック層へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板の品質を向上させることができる。【００１４】
（７）本発明の一形態は、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と；銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンとを備えるセラミック基板を提供する。このセラミック基板において、前記セラミック層は、前記導体パターンに隣接する第１のセラミック層と；前記導体パターンとの間に前記第１のセラミック層を挟む第２のセラミック層とを含み、前記第１のセラミック層に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、前記第２のセラミック層より高い。この形態によれば、銀成分の拡散に起因してセラミック層に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板の品質を向上させることができる。【００１５】
本発明は、セラミック基板およびその製造方法に限らず種々の形態で実現でき、例えば、セラミック基板を備える装置、セラミック基板を製造する製造装置などの形態で実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】セラミック基板の断面を模式的に示す説明図である。
【図２】セラミック基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】評価試験の結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
Ａ．実施形態
図１は、セラミック基板１１０の断面を模式的に示す説明図である。セラミック基板１１０は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板である。セラミック基板１１０には、所定の機能を実現する回路の少なくとも一部が形成されている。本実施形態では、セラミック基板１１０には、電子部品等へ信号を伝達するための回路が形成されている。
【００１８】
セラミック基板１１０は、セラミック層１２１と、セラミック層１２２と、導体パターン１３０とを備える。セラミック基板１１０は、複数のセラミック層１２１，１２２が積層された構造を有する。本実施形態では、セラミック基板１１０には、回路を構成する導体として、導体パターン１３０の他、ビアおよびスルーホールなど（図示しない）が設けられている。
【００１９】
セラミック基板１１０のセラミック層１２１は、導体パターン１３０に隣接する第１のセラミック層である。セラミック層１２１は、電気絶縁性を有する。セラミック層１２１は、セラミック層１２１は、ガラスセラミックスから主になる。本明細書において、「（成分）から主に成る」とは、その成分が全体の５０質量％以上を占めることを意味する。本実施形態では、セラミック層１２１は、硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末とを焼成したセラミック層である。硼珪酸系ガラスは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）および酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）から主に成る。セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストには、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末が添加されている。そのため、セラミック層１２１に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、セラミック層１２２より高い。本実施形態では、セラミック層１２１の厚さは、約１０μｍである。
【００２０】
セラミック基板１１０のセラミック層１２２は、導体パターン１３０との間にセラミック層１２１を挟むセラミック層である。セラミック層１２２は、電気絶縁性を有する。セラミック層１２２は、ガラスセラミックスから主になる。本実施形態では、セラミック層１２２は、セラミック層１２１と同様に、硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末とを焼成したセラミック層である。本実施形態では、セラミック層１２２の焼成前の状態であるグリーンシートには、セラミック層１２１とは異なり、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末が添加されていない。セラミック層１２２の厚さは、セラミック層１２１より十分に大きい。
【００２１】
セラミック基板１１０の導体パターン１３０は、銀（Ａｇ）から主に成る。本実施形態では、導体パターン１３０は、銀（Ａｇ）粉末と硼珪酸系ガラス粉末とを含有し、導電性を備えている。本実施形態では、導体パターン１３０の厚さは、約１０μｍである。
【００２２】
本実施形態では、導体パターン１３０は、２つのセラミック層１２１の間に挟まれ、これら２つのセラミック層１２１に隣接する。他の実施形態では、導体パターン１３０は、セラミック層１２１とセラミック層１２２との間に挟まれ、これらセラミック層１２１およびセラミック層１２２に隣接してもよい。他の実施形態では、セラミック基板１１０において、２以上の導体パターン１３０が他のセラミック層１２１，１２２と共にさらに積層されていてもよい。
【００２３】
図２は、セラミック基板１１０の製造方法を示す工程図である。まず、セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストを作製する（工程Ｐ１１０）。セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストは、ガラスセラミックスの原料粉末に、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したペーストである。本実施形態では、セラミックペーストの原料粉末は、無機成分である硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを体積比６０：４０で混合した粉末である。
【００２４】
セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制する観点から、セラミックペーストに添加される金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つであることが好ましい。セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制する観点から、セラミックペーストに添加される金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つであることが好ましい。
【００２５】
セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を十分に抑制する観点から、セラミックペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下であることが好ましい。
【００２６】
本実施形態では、セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストを作製する際、無機成分である硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを混合した混合粉末を用意する。その後、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末と、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを、無機成分の混合粉末に加える。その後、３本ロールミルを用いて材料を混練することによって、セラミックペーストを得る。
【００２７】
セラミックペーストを作製した後（工程Ｐ１１０）、焼成後にセラミック層１２２となるグリーンシートに、焼成後にセラミック層１２１となるセラミックペーストを塗布する（工程Ｐ１２０）。本実施形態では、スクリーン印刷によってセラミックペーストをグリーンシートに塗布する。
【００２８】
セラミックペーストをグリーンシートに塗布する準備として、セラミック層１２２の素材であるグリーンシートを作製する。グリーンシートは、無機成分の粉末に、結合剤（バインダ）、可塑剤、溶剤などを混合して薄板状（シート状）に成形したものである。本実施形態では、無機成分の粉末である硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを、体積比６０：４０、総量で１ｋｇとなるように秤量した後、これらの粉末をアルミナ製の容器（ポット）に入れる。その後、結合剤として１２０ｇのアクリル樹脂と、溶剤として適量のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と、可塑剤として適量のジオクチルフタレート（ＤＯＰ）とを、ポット内の材料に加える。その後、５時間、ポット内の材料を混合することによって、セラミックスラリを得る。その後、ドクターブレード法によって、セラミックスラリからグリーンシートを作製する。本実施形態では、グリーンシートの厚みは、０．１５ｍｍである。
【００２９】
グリーンシートを作製した後、グリーンシートにセラミックペーストを塗布する。本実施形態では、セラミックペーストを塗布したグリーンシートを打ち抜き加工によって成形する。
【００３０】
グリーンシートにセラミックペーストを塗布した後（工程Ｐ１２０）、グリーンシートに塗布したセラミックペーストの上に、焼成後に導体パターン１３０となる導体ペーストを塗布する（工程Ｐ１３０）。本実施形態では、焼成後に導体パターン１３０となる導体ペーストは、銀（Ａｇ）粉末と硼珪酸系ガラス粉末とを混合した無機成分の粉末に、結合剤、可塑剤および溶剤などを混合したペーストである。本実施形態では、無機成分の粉末に、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを加えた後、３本ロールミルを用いて材料を混練することによって、導体ペーストを得る。その後、スクリーン印刷および穴埋め印刷によって導体ペーストをグリーンシートに塗布する。
【００３１】
導体ペーストをグリーンシートに塗布した後（工程Ｐ１３０）、セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートを焼成する（工程Ｐ１４０）。これによって、セラミック基板１１０が完成する。
【００３２】
本実施形態では、グリーンシートの焼成に先立って、複数のグリーンシートを積層した積層体を作製する。本実施形態では、セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートにおける導体ペースト側に、セラミックペーストを塗布した他のグリーンシートにおけるセラミックペースト側を合わせることによって、積層体を作製する。本実施形態では、切削加工によって積層体を焼成に適した形状に成形する。本実施形態では、２５０℃の大気中に１０時間、積層体を曝すことによって、積層体を脱脂する。本実施形態では、積層体を脱脂した後、８５０℃の大気中に６０分、積層体を曝すことによって、積層体を焼成する。これらの工程を経て、セラミック基板１１０を得る。
【００３３】
セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートを焼成する際、セラミックペーストに含まれる添加成分（金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方）の酸化反応によって、導体ペースト近傍の酸素が消費される。これによって、導体ペーストに含まれる銀成分の酸化が抑制される。したがって、セラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散が抑制される。セラミックペーストには添加成分が含まれているため、セラミック層１２１に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、添加成分の含有量に応じて、セラミック層１２２より高くなる。
【００３４】
図３は、評価試験の結果を示す表である。図３の評価試験では、それぞれ異なるセラミックペーストを用いたセラミック基板１１０として、試料Ｓ０１〜Ｓ０９を作製した。図３の表において、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストにおける添加剤の含有量は、セラミックペーストに含まれる無機成分における添加剤の体積百分率を示す。
【００３５】
試料Ｓ０１〜Ｓ０８の製造方法は、図２の製造方法と同様である。試料Ｓ０９の製造方法は、セラミックペーストに金属ホウ化物および金属ケイ化物を添加しない点を除き、図２の製造方法と同様である。
【００３６】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いて各試料の断面を観察することによって、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散距離を測定した。セラミック層１２１と導体パターン１３０との界面における銀（Ａｇ）濃度を基準値とし、その界面からセラミック層１２１，１２２において銀（Ａｇ）濃度が基準値の半分となる位置までの距離を１０箇所で測定し、その平均値を銀の拡散距離として求めた。
【００３７】
次の基準で各試料を判定した。
○（優）：銀の拡散距離が５μｍ未満
×（劣）：銀の拡散距離が５μｍ以上
【００３８】
試料Ｓ０１〜Ｓ０３と試料Ｓ０９との評価結果によれば、金属ホウ化物である六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）を、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストに添加することによって、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制できることが分かる。
【００３９】
試料Ｓ０４〜Ｓ０６と試料Ｓ０９との評価結果によれば、金属ケイ化物である二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）を、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストに添加することによって、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制できることが分かる。
【００４０】
試料Ｓ０１〜Ｓ０８の評価結果によれば、セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量が、３体積％以上７体積％以下である場合、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を十分に抑制できることが分かる。
【００４１】
以上説明した実施形態によれば、セラミックペーストに添加された金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターン１３０の銀成分がセラミック層１２１，１２２へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層１２１，１２２に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板１１０の品質を向上させることができる。
【００４２】
また、セラミックペーストに添加される金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。これによって、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散を抑制できる。
【００４３】
また、セラミックペーストに添加される金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。これによって、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散を抑制できる。
【００４４】
また、セラミックペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下である場合、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散を十分に抑制できる。
【００４５】
Ｂ．他の実施形態
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことができる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除できる。
【００４６】
他の実施形態において、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストを作製する際（工程Ｐ１１０）、原料粉末に結合剤および溶剤を加える前に、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を原料粉末に混合することによって、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の原料粉末を銀（Ａｇ）粉末の表面に付着させてもよい。これによって、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散をいっそう抑制できる。
【００４７】
他の実施形態において、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックスラリを作製した後、このセラミックスラリから、焼成後にセラミック層１２２となるグリーンシートを作製してもよい。その場合、焼成後にセラミック層１２１となるセラミックペーストを、グリーンシートに塗布しなくてもよい。この実施形態によれば、グリーンシートに含まれる金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターン１３０の銀成分がセラミック層１２２へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層１２２に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板１１０の品質を向上させることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１１０…セラミック基板
１２１…セラミック層
１２２…セラミック層
１３０…導体パターン
【図１】
2016114119.tif 000003
【図２】
2016114119.tif 000004
【図３】
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【国際調査報告】
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2016114119.tif 000008
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