(57)【要約】  配線パターンの製造方法は、基板（２）上に、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する第１の形成材料を含むめっき下地膜の前駆体膜（３ｘ）を形成することと、前記前駆体膜の表面にフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層（４Ａ）を形成することと、前記フォトレジスト層を所望のパターン光で露光することと、前記前駆体膜を所望のパターン光で露光し、前記めっき下地膜（３）を形成することと、露光された前記フォトレジスト層を現像するとともに、脱保護した保護基を除去することと、露出した前記めっき下地膜の表面に無電解めっき用触媒（５）を析出させることと、を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する第１の形成材料を含むめっき下地膜の前駆体膜を形成することと、  前記前駆体膜の表面にフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層を形成することと、  前記フォトレジスト層を所望のパターン光で露光することと、  前記前駆体膜を所望のパターン光で露光し、前記めっき下地膜を形成することと、  露光された前記フォトレジスト層を現像するとともに、脱保護した保護基を除去することと、  露出した前記めっき下地膜の表面に無電解めっき用触媒を析出させることと、を有する配線パターンの製造方法。
【請求項２】
前記フォトレジスト層の露光と、前記前駆体膜の露光と、を同時に行う請求項１に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項３】
前記フォトレジスト層を除去した後に、露出した前記めっき下地膜をさらに露光する請求項１または２に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項４】
前記保護基は、ｏ−ニトロベンジル基またはｏ−ニトロベンジル骨格を有する基である請求項１から３のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項５】
前記アミノ基は、−ＮＨ２で表される基である請求項１から４のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項６】
前記第１の形成材料は、前記保護基で保護されたアミノ基を有するシランカップリング剤である請求項１から５のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項７】
前記前駆体膜が、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも一方を有する基を備え、且つ前記窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも一方を有する基が前記保護基で保護されていない第２の形成材料をさらに含む請求項１から６のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項８】
前記第２の形成材料は、前記窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも一方を有する基を有するシランカップリング剤である請求項７に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項９】
前記基板が、非金属材料からなる請求項１から８のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項１０】
前記基板が、樹脂材料からなる請求項９に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項１１】
前記基板が、可撓性を有する請求項１０に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法を用いて、基板上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の少なくとも１つを形成することを有するトランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記基板上に前記ゲート電極を形成することと、  前記ゲート電極を覆って絶縁体層を含む層を形成することと、  前記絶縁体層を含む層の表面に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することと、を有する請求項１２に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記基板上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することと、  前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆って絶縁体層を含む層を形成することと、  前記絶縁体層を含む層の表面に前記ゲート電極を形成することと、を有する請求項１２に記載のトランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、配線パターンの製造方法およびトランジスタの製造方法に関するものである。  本願は、２０１４年２月２８日に出願された日本国特願２０１４−０３７８７４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】  従来、材料表面の接触作用による還元を利用しためっき法である化学めっき（無電解めっき）が知られている。無電解めっきでは電気エネルギーを用いないため、不導体である樹脂材料やガラスなどに対してもめっきを施すことが可能である。【０００３】  しかし、樹脂材料やガラスなどの難めっき材料は、形成されるめっき皮膜との間の密着力が弱く、めっき皮膜の内部応力によって簡単にめっきが剥がれ、膨れなどの剥離を生じてしまう。【０００４】  そこで、基板の表面にクロム酸溶液などを用いてエッチング処理を施し、表面を化学的に粗化することが行われている。これにより、形成されるめっき皮膜が、粗化された樹脂材料の凹凸に食い込むようにして形成されるため、密着力を得ることができる（アンカー効果）。【０００５】  その他にも、難めっき基板の表面上にＳＯＧ（Spin-on Glass）やポーラスＳＯＧの下地膜を設け、その下地膜の上に無電解めっきを行う方法(特許文献１参照)や、基板表面上に微粉末シリカなどのフィラー成分と樹脂組成成分からなる下地膜を設け、その下地膜上に無電解めっきを行う方法（特許文献２参照)が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２２０１号
【特許文献２】特開２００８−２０８３８９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  このような無電解めっきの技術は、配線パターンを形成する技術として用いることができる。すなわち、下地膜の表面に配線パターンに対応した開口部を有するフォトレジスト層（以下、レジスト層）を形成し、開口部を介して選択的に無電解めっきを行うことで、配線パターンを形成することが可能である。【０００８】  しかし、下地膜の物性によっては、レジスト層の現像時に、現像液が下地膜を溶解するという現象を生じることがある。また、下地膜とレジスト層との界面の密着力が低い場合、下地膜とレジスト層とが界面で剥離するおそれがある。【０００９】  このような現象が生じると、下地膜とレジスト層との界面において、レジスト層は、露光した所定のパターンよりも幅方向に多く除去され、形成される配線パターンもレジスト層に露光した設計上のパターンよりも幅広いものとなってしまう。【００１０】  本発明に係る態様は、高い寸法精度で所望のパターンを形成可能な配線パターンの製造方法を提供することを目的とする。また、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能なトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  本発明の一態様に係る配線パターンの製造方法は、基板上に、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する第１の形成材料を含むめっき下地膜の前駆体膜を形成することと、前記前駆体膜の表面にフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層を形成することと、前記フォトレジスト層を所望のパターン光で露光することと、前記前駆体膜を所望のパターン光で露光し、前記めっき下地膜を形成することと、露光された前記フォトレジスト層を現像するとともに、脱保護した保護基を除去することと、露出した前記めっき下地膜の表面に無電解めっき用触媒を析出させることと、を有する。【００１２】  本発明の一態様に係るトランジスタの製造方法は、上述の配線パターンの製造方法を用いて、基板上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の少なくとも１つを形成すること、を有する。
【発明の効果】
【００１３】  本発明に係る態様によれば、高い寸法精度で所望のパターンを形成可能な配線パターンの製造方法を提供することができる。また、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能なトランジスタの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態の配線パターンの製造方法で製造する配線パターンの概略断面図である。
【図２】配線パターンの製造方法を示す工程図である。
【図３】配線パターンの製造方法を示す工程図である。
【図４】配線パターンの製造方法の変形例を示す工程図である。
【図５】本実施形態のトランジスタの製造方法で製造するトランジスタの概略断面図である。
【図６】トランジスタの製造方法を示す工程図である。
【図７】トランジスタの製造方法を示す工程図である。
【図８】トランジスタの製造方法を示す工程図である。
【図９】本実施形態のトランジスタの製造方法により製造されるトランジスタの変形例を示す概略断面図である。
【図１０】実施例の結果を示す写真である。
【図１１】実施例の結果を示す写真である。
【図１２】実施例の結果を示す写真である。
【図１３】実施例の結果を示す写真である。
【図１４】実施例の結果を示す写真である。
【図１５】実施例の結果を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】［配線パターンの製造方法］  以下、図１〜４を参照しながら、本実施形態に係る配線パターンの製造方法について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
【００１６】  図１は、本実施形態の配線パターンの製造方法で製造する配線パターンの概略断面図である。積層体１は、基板２と、下地膜（めっき下地膜）３と、無電界めっき用の触媒５と、配線パターン６と、を有している。
【００１７】  基板２は、表面に形成された配線パターンを支持するものであり、形成される配線の仕様用途や配線を含む構造物の目的に応じて、光透過性を有するもの及び光透過性を有しないもののいずれも用いることができる。例えば、石英ガラスなどのガラス、窒化ケイ素などの無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などのポリエステル樹脂などの有機高分子（樹脂）などを用いることができる。
【００１８】  これら基板２の材料は、無電解めっきの結果として形成される金属製のめっき皮膜と金属結合を形成しない。そのため、本実施形態においては、これら基板２の材料を、直接めっき皮膜を形成しにくく、また形成されるめっき皮膜が剥離しやすい難めっき性の材料として取り扱う。また、例えば上述した材料の複合材料なども同様に基板２の形成材料として用いることができる。  本実施形態の積層体１は、基板２としてＰＥＴ樹脂を形成材料とする樹脂基板を用いるものとして説明する。
【００１９】  下地膜３は、基板２の一主面の全面を覆って形成されている。また、下地膜３の表面の一部には、触媒（無電解めっき用触媒）５が選択的に設けられている。
【００２０】  触媒５は、無電解めっき用のめっき液に含まれる金属イオンを還元する触媒であり、銀や金属パラジウムが挙げられる。中でも金属パラジウムが好適に用いられる。
【００２１】  下地膜３は、上述の触媒５である金属と結合を形成可能な膜であり、該金属と結合可能な基を有するシランカップリング剤を形成材料としている。下地膜３は、このようなシランカップリング剤を含む液状物を、基板２の一主面に塗布して形成される。
【００２２】  下地膜３の形成材料である「シランカップリング剤」は、触媒５である金属と結合可能な基と、基板２に結合可能な基と、がケイ素原子に結合している化合物である。上述の基板２の材料は、無電解めっきの結果として形成される金属製のめっき皮膜と金属結合を形成しないが、このような下地膜３を形成することで、下地膜３を介して基板２の表面に金属製のめっき被膜を好適に形成することができる。
【００２３】  ここで、「金属と結合可能な基」とは、触媒５である金属または該金属のイオンと、例えばイオン結合や配位結合を形成可能な基を指す。本実施形態では、「金属と結合可能な基」として、アンモニア（ＮＨ３）から水素原子を１つ取り去って得られる基（−ＮＨ２で表される基）と、１級アミン（ＮＨ２Ｒ、Ｒは置換基）から水素を１つ取り去って得られる基（−ＮＨＲで表される基）と、を用いることができる。
【００２４】  また、「基板２に結合可能な基」としては、ヒドロキシ基や、炭素数１から６のアルコキシ基が挙げられる。
【００２５】  このような下地膜３の形成材料として用いることが可能な化合物として、具体的には、Ｎ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、１−（３−（トリメトキシシリルプロピル））ウレア、ビス（３−（トリメトキシシリルプロピル））ウレア、２，２−ジメトキシ−１，６−ジアザ−２−シラシクロオクタン、ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）チオウレアトリメトキシシリルプロピル基で修飾されたポリエチレンイミンなどを例示することができる。  以下の説明においては、下地膜３は、１級アミンである（−ＮＨ２で表される基を有する）シランカップリング剤を用いて形成されているものとして説明する。
【００２６】  なお、図では、下地膜３が基板２の上面全面に形成されているものとしているが、触媒５が設けられる位置にのみ選択的に下地膜３を形成することとしても構わない。その場合、基板２の上面に、下地膜３の形成材料であるシランカップリング剤を通常知られた方法を用いて選択的に塗布することで、選択的に下地膜３を形成することができる。また、基板２の上面において、まず、下地膜３を形成する領域よりも広い領域にシランカップリング剤を塗布し、次いで、下地膜３を形成する領域からはみ出た部分に形成された膜に紫外線を照射することでシランカップリング剤を分解して除去し、選択的に下地膜３を形成することとしても構わない。
【００２７】  配線パターン６は、触媒５の表面に形成された金属電極であり、後述するように無電解めっきにより触媒５の表面に析出した金属で形成されている。配線パターン６の材料としては、ニッケル−リン（ＮｉＰ）や、銅（Ｃｕ）が挙げられる。
【００２８】  図２、３は、本実施形態の配線パターンの製造方法を用いた上述の積層体１の製造工程を示す工程図である。
【００２９】  まず、図２（ａ）に示すように、基板２の表面に、下地膜３の形成材料であるシランカップリング剤を必要に応じて水や有機溶媒に溶解した液状物を塗布し、塗膜３Ａを形成する。塗布の方法としては、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、ロールコート、刷毛塗り、フレキソ印刷やスクリーン印刷といった印刷法などの通常知られた方法を例示することができる。
【００３０】  ここで、本実施形態の配線パターンの製造方法においては、下地膜３の形成材料であるシランカップリング剤として、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する形成材料を用いる。「光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する形成材料」は、本発明における「第１の形成材料」に対応する。このような材料は１種のみ用いてもよく、２種以上を併用することとしてもよい。
【００３１】  「下地膜３の形成材料であるシランカップリング剤を必要に応じて水や有機溶媒に溶解した液状物」は、本明細書における「液状体」に対応する。
【００３２】  また、「光反応性の保護基で保護されたアミノ基」とは、−ＮＨＲｘまたは−ＮＲＲｘ（Ｒｘは光反応性の保護基）で表される基である。
【００３３】  「光反応性の保護基」としては、アミノ基のＮ−Ｈ結合に対し、水素原子と置換して窒素原子に結合するとともに、保護基の吸収波長に対応する特定の波長の光を照射することで脱保護が可能であれば、公知の種々の保護基を用いることができる。
【００３４】  「光反応性の保護基」としては、ｏ−ニトロベンジル基またはｏ−ニトロベンジル骨格を有する基を用いることができる。「ｏ−ニトロベンジル骨格を有する基」とは、ｏ−ニトロベンジル基が有する水素原子を適宜置換基で置換した基を指す。
【００３５】  このような「光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する形成材料」としては、例えば下記式（１）で示す化合物を挙げることができる。
【００３６】
【化１】
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（式中、ｌは０〜４の自然数、ｍは１〜２０の自然数、ｎは１〜３の自然数を示す。）
【００３７】  式中Ｒａは、ｏ−ニトロベンジル基の芳香環に結合した水素原子と置換する置換基である。Ｒａで置換することにより、ｏ−ニトロベンジル基の電子密度が変更され、保護基の吸収波長が変更される。Ｒａとしてメトキシ基、エトキシ基などの電子供与基を選択すると、保護基の吸収波長が長波長側にシフトする。また、Ｒａとしてハロゲン原子のような電子吸引基を選択すると、保護基の吸収波長が短波長側にシフトする。
【００３８】  式中Ｒｂは、例えば炭素数１〜２０のアルキル基、またはアリール基である。また、式中Ｘは、例えばハロゲン原子、または炭素数１〜２０のアルコキシ基である。ｎは２または３が好ましく、３がより好ましい。
【００３９】  ここでは、下地膜３の形成材料として、１級アミンである３−アミノプロピルトリエトキシシランを光反応性の保護基で保護した下記式（２）で示す化合物を用いることとして説明する。式（２）で示す化合物は、上記式（１）においてＲａがメトキシ基、Ｘがメトキシ基、ｌ＝２、ｍ＝３、ｎ＝３であり、２つのＲａがベンゼン環の４，５位に結合したものである。
【００４０】
【化２】
2015129799.tif 000004
【００４１】  上記式（２）で示す化合物の脱保護の反応式は以下の式（３）に示す通りである。上記式（２）で示す化合物は、３６５ｎｍの紫外線を吸収することで、下記式（３）の脱保護反応を生じる。
【００４２】
【化３】
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【００４３】  このような保護基は有機基であり、このような保護基でアミノ基を保護することにより、アミノ基ではＮ−Ｈ結合における分極が消失する。したがって、保護基で保護されたアミノ基は、対応する保護されていないアミノ基と比べ、相対的に親水性が低くなり、親油性が高くなる。
【００４４】  なお、保護基の有無による形成材料の可溶性の違いは、予備実験や理論計算にて確認することができる。例えば、親水性または親油性の指標として、水溶性の指標となるオクタノール／水分配係数ＬｏｇＰを推算し、値を比較することで判断することができる。ＬｏｇＰが大きいほど脂溶性が高く、ＬｏｇＰが小さいほど水溶性が高いと判断することができる。ＬｏｇＰは、例えば、化学構造描画ソフト（ＣｈｅｍＤｒａｗ  Ｐｒｏ  Ｖ１２、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製）に付属の機能を用いて計算した値を採用することができる。
【００４５】  有機溶媒としては、下地膜３の形成材料を溶解可能であれば種々のものを用いることができ、中でも極性溶媒を好適に用いることができる。使用可能な溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール（イソプロピルアルコール、ＩＰＡ）などのアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）のようなエーテル類、トルエンのような芳香族炭化水素、アセトニトリルのようなニトリル類、酢酸エステルのようなエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類を挙げることができる。
【００４６】  なお、選択した有機溶媒に対して下地膜３の形成材料の溶解性が低い場合には、適宜加熱や超音波照射など通常知られた処理を施し、溶解を促進してもよい。さらに、調整した液状物において下地膜３の形成材料が溶け残っている場合には、ろ過や遠心分離などの固液分離処理を施して、下地膜３の形成材料の溶液を塗膜３Ａの形成に用いるとよい。
【００４７】  次いで、図２（ｂ）に示すように、熱処理により溶媒を揮発させて除去し、下地膜３の前駆体（前駆体膜３ｘ）を形成する。このように形成された前駆体膜３ｘは、極めて薄い膜厚のシランカップリング剤層となるため、光散乱が生じにくく透明な皮膜となる。例えば本実施形態の製造方法で製造する配線パターンが光透過性を有する基板上に設けられる場合、前駆体膜３ｘを基板２の表面全面に成膜しても基板２と前駆体膜３ｘとを合わせた全体として光透過性を維持することができ、成膜が容易である。
【００４８】  次いで、図３（ａ）に示すように、前駆体膜３ｘ上にフォトレジスト材料（以下、レジスト材料）を塗布し、これをプリベークすることでパターニングされていないレジスト層４Ａを形成する。レジスト材料としては、ここではポジ型フォトレジストを用いる。
【００４９】  なお、レジスト材料としては、少なくとも、前駆体膜３ｘの形成材料について脱保護反応が生じる波長の光が露光されることで、現像液に対する溶解度が変化するものを用いるとよい。このような材料を用いることで、後述する露光で用いる光源を共通化することができ、前駆体膜３ｘに対する露光と、レジスト層に対する露光とを一度に行うことができる。
【００５０】  通常用いる紫外線光源のピーク波長と半値幅とを考慮すると、例えば、レジスト材料の吸収波長のピーク値と、光反応性の保護基の吸収波長のピーク値との差の絶対値が、０ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるようにして、前駆体膜３ｘに対する露光と、レジスト層に対する露光とを一度に行うことができ好ましい。
【００５１】  前駆体膜３ｘは、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有しているため、保護されていないアミノ基を有する下地膜３と比べて親油性が高い。そのため、相対的にレジスト層との密着力が高くなる。
【００５２】  その後、金属電極を形成する領域に対応する位置に開口部Ｍａを備え、金属電極を形成しない領域に遮光部Ｍｂを備えたマスクＭ１を介し、レジスト層４Ａに紫外線Ｌを照射する。このとき、レジスト層４Ａには、マスクＭ１の開口部Ｍａのパターンに応じたパターン光が照射され、レジスト層４Ａを露光する。
【００５３】  このとき、レジスト層４Ａに照射された紫外線Ｌのうち、レジスト層４Ａで吸収されなかった残部は、レジスト層４Ａを透過して前駆体膜３ｘに到達する。すなわち、マスクＭ１を介した紫外線照射により、レジスト層４Ａと前駆体膜３ｘとを同時に露光することができる。
【００５４】  すると、前駆体膜３ｘにおいて露光された部分では、上述の式（３）に示した光反応による脱保護が進行する。すなわち、前駆体膜３ｘにおいて露光された部分では、脱保護により−ＮＨ２で表される基が生じ、３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いて形成した場合と同様の下地膜が生成する。すなわち、露光されて生成する下地膜３と、露光されず残存する前駆体膜３ｘとの境界を、明確に形成することができる。
【００５５】  次いで、図３（ｂ）に示すように、パターン光により露光されたレジスト層を溶解する現像液Ｄと接触させ、下地膜３がパターン光に対応して露出するまでレジスト層を除去して現像する。現像液Ｄとしては、例えばＴＭＡＨ（Tetra-methyl-ammonium-hydroxyde）水溶液のような水溶液を用いることができる。これにより、開口部４ａが設けられたレジスト層４を形成する。  このとき、露光により前駆体膜３ｘから脱離した保護基も同時に除去される。
【００５６】  また、前駆体膜３ｘは、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有しているため、下地膜３と比べて相対的にレジスト層との密着力が高い。また、親水性が低いため、現像液Ｄに対する溶解度が低い。そのため、前駆体膜３ｘは現像時に溶解しにくく、レジスト層と平面的に重なる前駆体膜３ｘが溶解することによるレジスト層の浮き上がりを防止することができる。
【００５７】  次いで、図３（ｃ）に示すように、レジスト層４に形成された開口部４ａに露出している下地膜３の表面に、無電解めっきに用いる触媒５を析出させる。具体的には、２価パラジウム塩のコロイド溶液を接触させることで、下地膜３に触媒５である金属を析出させる。
【００５８】  一般的な樹脂の無電解めっき工程は、洗浄→エッチング→触媒付与→無電解めっきで示される。ここで、「触媒付与」は、無電解めっきの反応開始剤（触媒）となるパラジウム（Ｐｄ）などの金属を、めっきを施す領域の表面に付着させる工程である。通常は、２価パラジウム塩と２価スズ（Ｓｎ）塩とのコロイド溶液を基板に接触させてパラジウムを付着させ、その後アクセレーターと呼ばれる酸またはアルカリ溶液に浸漬することで、パラジウムを０価に還元して活性化する工程を含む。
【００５９】  これに対し、本実施形態のように、下地膜の形成材料であるシランカップリング剤が１級アミンまたは２級アミンであると、上述したアクセレーターを用いた還元処理が不要となることが、発明者らによって確認されている。そのため、シランカップリング剤として１級アミンまたは２級アミンを用いると、無電解めっきの操作が簡略化される。本実施形態においては、露光により下地膜３が形成された部分には、１級アミンである３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いた膜が生じるため、還元処理が不要となり、操作が簡略化される。
【００６０】  次いで、図３（ｄ）に示すように、触媒５に無電解めっき液を接触させることにより、触媒５の表面で無電解めっき液に溶解する金属イオンを還元して析出させ、開口部４ａ内に選択的にニッケル−リンを形成材料とする配線パターン６を形成する。シランカップリング剤が１級アミンまたは２級アミンである場合、アクセレーターを用いた活性化を行うことなく無電解めっき液に浸漬することで、触媒５の表面がめっきされる。このことから、下地膜３の表面に金属パラジウムが析出していることを、間接的に確認することができる。
【００６１】  次いで、図３（ｅ）に示すように、残存するレジスト層の全面に紫外線を露光する。この露光により、レジスト層４と平面的に重なっていた部分の前駆体膜３ｘにおいて、脱保護反応が進行し、下地膜３が形成される。その後、通常知られた現像液Ｄでレジスト層および脱離した保護基を除去する。このようにして、配線パターン６を有する積層体１を形成する。
【００６２】  以上のような配線パターンの製造方法によれば、現像時に前駆体膜３ｘの溶解が抑制されレジスト層の浮き上がりが防止される。また、露光されて生成する下地膜３と、露光されず残存する前駆体膜３ｘとの境界を、明確に形成することができる。そのため、下地膜３の幅を、パターン光に対応して形成される開口部４ａの幅と同じ幅とすることができ、高い寸法精度で所望の配線パターンを形成可能となる。
【００６３】  なお、上述した配線パターンの製造方法では、配線パターン６の形成後に、レジスト層に対して紫外線を露光することとしたが、これに限らない。
【００６４】  図４は、本実施形態の配線パターンの製造方法の変形例を示す工程図である。本変形例では、図３（ｂ）で示すレジスト層の現像までは前述の方法と同様に行った後、図４（ａ）に示すように、レジスト層４の開口部に露出している下地膜３の表面に、無電解めっきに用いる触媒５を析出させる前に、全面に紫外線Ｌを露光する。
【００６５】  これにより、図４（ｂ）に示すように、レジスト層４は現像液に対して可溶な層（図では符号４ｂで示す）となる。また、レジスト層４と平面的に重なっている部分の前駆体膜３ｘにおいては、脱保護反応が進行し、下地膜３が形成される。
【００６６】  さらに、レジスト層４ｂの開口部４ａに露出している下地膜３において、脱保護反応が不十分であり保護基が残存していたとしても、図４（ａ）に示す露光により、当該箇所の下地膜３において脱保護反応を進行させ、アミノ基を生成することができる。
【００６７】  なお、次工程に移る前に、レジスト層４ｂを溶解させない溶媒を用い、必要に応じて開口部４ａ内の下地膜３の表面を洗浄してもよい。
【００６８】  次いで、図４（ｃ）に示すように、図３（ｃ）と同様に、レジスト層４ｂの開口部４ａに露出する下地膜３に無電解めっきに用いる触媒５を析出させる。当該箇所の下地膜３においては、図４（ａ）に示す露光により脱保護反応が進行し、アミノ基が生成しているため、露光しない場合と比べ、触媒５の担持量を増やすことができる。そのため、後述の無電解めっきを効果的に行うことができる。
【００６９】  次いで、図４（ｄ）に示すように、図３（ｄ）と同様に、触媒５に無電解めっき液を接触させることにより、開口部４ａ内に選択的にニッケル−リンを形成材料とする配線パターン６を形成する。
【００７０】  次いで、図４（ｅ）に示すように、現像液Ｄによりレジスト層４ｂを除去する。  このようにしても、配線パターン６を有する積層体１を形成することができる。
【００７１】  また、上述した配線パターンの製造方法においては、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する形成材料（第１の形成材料）のみ用いて前駆体膜３ｘを形成し、その後露光して脱保護することで、下地膜３を形成したが、これに限らない。
【００７２】  例えば、第１の形成材料とともに、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも一方を有する基を備え、且つ前記窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも一方を有する基が前記保護基で保護されていない形成材料（第２の形成材料）を併用することとしてもよい。このような材料としては、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも一方を有する基を備えたシランカップリング剤を挙げることができる。
【００７３】  窒素原子を有する基としては、アミノ基、ウレア基、窒素原子を含む複素環化合物に結合する水素原子を１つ以上取り去って得られる基、などを例示することができる。また、硫黄原子を有する基としては、チオール基（またはメルカプト基）、チオカルボニル基、チオウレア基、硫黄原子を含む複素環化合物に結合する水素原子を１つ以上取り去って得られる基、などを例示することができる。窒素原子や硫黄原子を含む複素環化合物としては、ピロール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、チオフェンのような単環式の複素環芳香族化合物や、インドール、ベンゾチオフェンのような多環式の複素環芳香族化合物や、これらの芳香族化合物が有する芳香環における２以上の炭素原子が水素化され芳香属性を有さない複素環化合物が挙げられる。
【００７４】  このような第２の形成材料を併用することにより、例えば、触媒５を保持させる位置の下地膜３において、脱保護反応が不十分であり保護基が残存していたとしても、第２の形成材料が協働して触媒５を保持する。そのため、触媒５の担持量を増やすことができ、無電解めっきを効果的に行うことができる。
【００７５】  なお、第２の形成材料が３級アミン、または他の「金属と結合可能な基」を有するケイ素化合物である場合には、２価パラジウム塩のコロイド溶液を塗布した後、上述したアクセレーターを用いる通常の処理（活性化する工程）を行うことで、下地膜３に無電解めっき用の触媒５を析出させることができる。
【００７６】  また、上述した配線パターンの製造方法においては、レジスト層の露光と前駆体膜の露光とを同時に行うこととしたが、これに限らない。例えば、レジスト層の現像液に対する溶解度を変化させるための光の波長と、保護基の脱保護反応を生じさせる光の波長とが異なるために、同じ光源を用いた露光では一方の反応が不十分となる場合には、レジスト層の露光と前駆体膜の露光とを別々に行うこととしてもよい。
【００７７】［トランジスタの製造方法］  以下、図５〜９を参照しながら、本実施形態に係るトランジスタの製造方法について説明する。
【００７８】  図５は、本実施形態のトランジスタの製造方法で製造するトランジスタの概略断面図である。トランジスタ１００Ａは、いわゆるボトムコンタクト型のトランジスタである。以下の説明では、半導体層の形成材料として有機半導体を用いた有機トランジスタについて説明するが、本発明は、半導体層の形成材料として無機半導体を用いた無機トランジスタについても適用可能である。
【００７９】  トランジスタ１００Ａは、基板２と、下地膜３，１３と、無電解めっき用の触媒５，１５と、ゲート電極（配線）６と、絶縁体層７と、ソース電極１６と、ドレイン電極１７と、有機半導体層（半導体層）２０と、を有している。
【００８０】  なお、基板２、下地膜３および触媒５については、上述した積層体１において用いたものと同じものを用い、ゲート電極６については、上述した積層体１の配線パターン６をゲート電極として用いるものとする。
【００８１】  絶縁体層７は、ゲート電極６および下地膜３の表面を覆って全面に設けられている。絶縁体層７は、絶縁性を有しゲート電極６と、絶縁体層７の表面に設けられるソース電極１６およびドレイン電極１７と、を電気的に絶縁することが可能であれば、無機材料および有機材料のいずれを用いて形成してもよい。中でも、製造や微細な加工が容易であることから、光硬化型樹脂材料を形成材料とすることが好ましい。例えば、絶縁体層７の形成材料として、紫外線硬化型のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、シリコーン樹脂などを挙げることができる。
【００８２】  下地膜１３は、絶縁体層７の上面全面に形成されている。下地膜１３は、本発明におけるソース下地膜およびドレイン下地膜であり、ソース下地膜およびドレイン下地膜が連続する膜として形成されている。下地膜１３は、基板２の一主面の全面を覆って形成されており、下地膜１３の表面の一部には、触媒（無電解めっき用触媒）１５が選択的に設けられている。触媒１５の形成材料としては、上述の触媒５と同様のものを用いることができる。
【００８３】  下地膜１３の形成材料としては、上述の下地膜３と同様のものを用いることができるが、下地膜３と下地膜１３との形成材料を異ならせてもよい。以下の説明においては、下地膜１３は、下地膜３と同じ１級アミンであるシランカップリング剤を用いて形成されているものとして説明する。
【００８４】  なお、図では、下地膜１３が絶縁体層７の上面全面に形成されているものとしているが、触媒１５が設けられる位置にのみ選択的に下地膜１３を形成することとしても構わない。その場合、絶縁体層７の上面に、下地膜１３の形成材料であるシランカップリング剤を通常知られた方法を用いて選択的に塗布することで、選択的に下地膜１３を形成することができる。また、絶縁体層７の上面において、まず、下地膜１３を形成する領域よりも広い領域にシランカップリング剤を塗布し、次いで、下地膜１３を形成する領域からはみ出た部分に形成された膜に紫外線を照射することでシランカップリング剤を分解して除去し、選択的に下地膜１３を形成することとしても構わない。
【００８５】  ソース電極１６およびドレイン電極１７は、触媒１５の表面に形成された金属電極である。ソース電極１６は、第１電極１６１と、第１電極１６１の表面を覆う第２電極１６２とを有している。同様に、ドレイン電極１７は、第３電極１７１と、第３電極１７１の表面を覆う第４電極１７２とを有している。
【００８６】  第１電極１６１及び第３電極１７１は、上述したゲート電極６と同様に、無電解めっきにより形成される。第１電極１６１及び第３電極１７１の材料としては、ニッケル−リン（ＮｉＰ）や、銅（Ｃｕ）が挙げられる。第１電極１６１及び第３電極１７１は、それぞれ同じ材料で形成されてよいし、互いに異なる材料で形成されてもよい。本実施形態においては、第１電極１６１及び第３電極１７１の形成材料として、ニッケル−リン（仕事関数：５．５ｅＶ）を用いることとして説明する。
【００８７】  第２電極１６２及び第４電極１７２は、それぞれ第１電極１６１及び第３電極１７１の触媒１５に接しない表面全面を覆って形成された金属めっき層である。すなわち、第２電極１６２及び第４電極１７２は、ソース電極１６およびドレイン電極１７において、それぞれ互いに対向する側面１６ａ，１７ａ（対向する面）を覆って設けられている。
【００８８】  第２電極１６２及び第４電極１７２の形成材料としては、後述する半導体層２０の形成材料のＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ準位との関係で、電子移動（または正孔移動）が容易な仕事関数を持つ金属材料を用いる。第２電極１６２及び第４電極１７２は、それぞれ同じ材料で形成されてよいし、互いに異なる材料で形成されてもよい。本実施形態においては、第２電極１６２及び第４電極１７２の形成材料として、金（仕事関数：５．４ｅＶ）を用いることとして説明する。
【００８９】  半導体層２０は、ソース電極１６およびドレイン電極１７の間において下地膜１３の表面に設けられ、ソース電極１６とドレイン電極１７とに接して形成されている。詳しくは、半導体層２０は、ソース電極１６の側面１６ａ、およびドレイン電極１７の側面１７ａに接して設けられており、第２電極１６２及び第４電極１７２と接している。
【００９０】  半導体層２０の形成材料としては、通常知られた有機半導体材料を用いることができる。例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、ペンタセン、ルブレン、テトラセン、Ｐ３ＨＴ（poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)）のようなｐ型半導体や、Ｃ６０のようなフラーレン類、ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ（N,N"-dioctyl-3,4,9,10-perylene tetracarboxylic diimide）のようなペリレン誘導体などのｎ型半導体を用いることができる。中でも、ＴＩＰＳペンタセン（6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene）のような可溶性ペンタセンや、Ｐ３ＨＴなどの有機半導体ポリマーは、トルエンのような有機溶媒に可溶であり、湿式工程で半導体層２０を形成可能であるため好ましい。本実施形態においては、半導体層２０の形成材料として、ｐ型半導体であるＴＩＰＳペンタセン（ＨＯＭＯ準位：５．２ｅＶ）を用いることとして説明する。
【００９１】  また、半導体層２０の形成材料としては、有機半導体材料に限らず、通常知られた無機半導体材料を用いることも可能である。
【００９２】  上述したように、第１電極１６１及び第３電極１７１の形成材料であるニッケル−リンは、仕事関数が５．５ｅＶであり、第２電極１６２及び第４電極１７２の形成材料である金は、仕事関数が５．４ｅＶであり、半導体層２０の形成材料であるＴＩＰＳペンタセンは、ＨＯＭＯ準位が５．２ｅＶである。すなわち、ソース電極１６およびドレイン電極１７の表面は、第１電極１６１及び第３電極１７１よりも、半導体層２０の形成材料との間で電子移動が容易な（半導体層２０のＨＯＭＯとのエネルギー準位差が小さい）仕事関数を持つ金属材料を用いて第２電極１６２及び第４電極１７２が形成されている。そのため、半導体層２０とソース電極１６およびドレイン電極１７との間でショットキー抵抗が低減され、駆動時に良好に電子移動させることができる。
【００９３】  このようなトランジスタ１００Ａでは、無電解めっきによって形成されたゲート電極６、ソース電極１６、ドレイン電極１７が、シランカップリング剤を形成材料とする下地膜３，１３（ゲート下地膜、ソース下地膜、ドレイン下地膜）の上に形成されている。例えば、凹凸形状を有している領域にこれらの電極を形成する場合、下地の凹凸を反映して各電極には凹凸形状が付される。すると、絶縁体層を介して積層された電極間の距離が一定せず、ゲート電極とソース電極またはゲート電極とドレイン電極の距離が近づいた位置において絶縁が破れ、リーク電流が発生するおそれがある。また、下地が凹凸形状を有すると、ゲート電極と平面的に重なる半導体層のチャネル領域にも凹凸形状が付与され、チャネル領域においてキャリアの移動距離が長くなり、性能が低下するおそれがある。
【００９４】  しかし、本実施形態のトランジスタ１００Ａでは、下地膜３，１３がシランカップリング剤を形成材料としており、基板表面を粗化したりフィラー成分を含む下地膜を用いたりしないので平滑な膜となっている。そのため、下地膜３，１３を形成することによっては凹凸形状が形成されず、凹凸形状に起因する不具合が生じないため、高性能なトランジスタとなる。
【００９５】  以下、図６〜９を用いて、上述のトランジスタ１００Ａの製造方法について説明する。
【００９６】  まず、上述した本実施形態の配線パターンの製造方法と同様の方法で、基板２の一主面にゲート電極６を形成する。
【００９７】  次に、図６（ａ）に示すように、ゲート電極６を覆って下地膜３の表面に、絶縁性を有する樹脂材料の前駆体を有機溶媒に溶解させた塗布液を塗布する。塗布の方法としては、上述の方法を用いることができる。
【００９８】  樹脂材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、シリコーン樹脂を用いることができる。また、有機溶媒としては、上述の塗膜３Ａに係る塗布液と同様の極性溶媒を好適に用いることができる。また、塗布液においては、濃度や有機溶媒の種類を変更することにより、塗布液全体の粘度を調整し、塗布液の塗膜７Ａの膜厚を制御することができる。
【００９９】  図に示す工程においては、ゲート電極６と、上層に形成するソース電極およびドレイン電極との間のリークを抑制するため、塗膜７Ａが数百ｎｍ程度の厚さとなるように厚塗りする。
【０１００】  次いで、図６（ｂ）に示すように、絶縁体層７を形成する領域に対応して開口部が設けられたマスクＭ２を介し、塗膜７Ａに紫外線Ｌを照射して樹脂材料を硬化させ、絶縁体層７を形成する。この際、樹脂材料の硬化反応を促進させるため、紫外線照射と同時または紫外線照射後に熱処理を行うと好ましい。
【０１０１】  次いで、図６（ｃ）に示すように、塗膜を溶解する溶媒Ｓで現像することにより、未硬化の塗膜を除去し、パターニングされた絶縁体層７を形成する。
【０１０２】  なお、ここでは、ゲート電極６を覆って下地膜３の表面に、絶縁性を有する樹脂材料の前駆体を有機溶媒に溶解させた塗布液を塗布し、紫外線を照射して該前駆体を硬化させて絶縁体層７を形成する形態について説明したが、絶縁体層７とゲート電極６との密着性を向上させるため、該塗布液を塗布する前に、ゲート電極６を含む表面を覆ってシランカップリング剤を塗布してもよい。
【０１０３】  次に、図７（ａ）に示すように、絶縁体層７の上面全面に、上述第１の形成材料を必要に応じて有機溶媒に溶解した液状物を塗布し、熱処理を行って有機溶媒を揮発させて除去し、前駆体膜１３ｘを形成する。第１の形成材料および有機溶媒としては、上述した前駆体膜３ｘの形成で例示したものと同様のものを用いることができる。
【０１０４】  次いで、図７（ｂ）に示すように、絶縁体層７および前駆体膜１３ｘを覆ってレジスト材料を塗布し、これをプリベークすることでパターニングされていないレジスト層１４Ａを形成する。レジスト材料としては、ここではポジ型フォトレジストを用いる。
【０１０５】  その後、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に対応して開口部が設けられたマスクＭ３を介し、レジスト層１４Ａにパターン光である紫外線Ｌを照射し、レジスト層１４Ａを露光する。同時に、前駆体膜１３ｘを露光し、脱保護反応を進行させて下地膜１３を生じさせる。
【０１０６】  次いで、図７（ｃ）に示すように、紫外線が照射されたレジスト層を溶解する現像液Ｄで現像することにより、下地膜１３がパターン光に対応して露出するまでレジスト層１４Ａを除去し、開口部１４ａが設けられたレジスト層１４を形成する。
【０１０７】  次に、図８（ａ）に示すように、開口部１４ａに露出している下地膜１３に、２価パラジウム塩のコロイド溶液を接触させることで、下地膜１３の表面に無電解めっきに用いる触媒１５を析出させる。その後、触媒１５に無電解めっき液を接触させることにより、触媒１５の表面で無電解めっき液に溶解する金属イオンを還元して析出させ、開口部１４ａ内に選択的にニッケル−リンを形成材料とする第１電極１６１及び第３電極１７１を形成する。
【０１０８】  次いで、図８（ｂ）に示すように、残存するレジスト層の全面に紫外線を露光する。この露光により、レジスト層と平面的に重なる前駆体膜１３ｘでは、脱保護反応が進行し、下地膜１３が形成される。その後、通常知られた現像液Ｄでレジスト層を除去する。このようにして、第１電極１６１及び第３電極１７１を形成する。
【０１０９】  次に、図８（ｃ）に示すように、全体を置換金めっき浴に浸漬させることで、第１電極１６１及び第３電極１７１の表面に金を置換析出させ、更に、還元金めっき浴に浸漬させることにより、第１電極１６１及び第３電極１７１の表面に金を形成材料とする第２電極１６２及び第４電極１７２を形成する。このようにして、ソース電極１６およびドレイン電極１７を形成する。
【０１１０】  次いで、図８（ｄ）に示すように、ＴＩＰＳペンタセンのような、有機溶媒に可溶な有機半導体材料を該有機溶媒に溶解した溶液Ｓ１を、ソース電極１６およびドレイン電極１７の間に塗布し、乾燥させることにより、半導体層２０を形成する。なお、ここでは、湿式法により半導体層２０を形成することとしたが、昇華法、転写法などの方法を用いることもできる。  以上のようにして、トランジスタ１００Ａを製造することができる。
【０１１１】  以上のような構成のトランジスタの製造方法によれば、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の形成に、上述した配線パターンの製造方法を用いているため、高い寸法精度で所望の電極を形成可能である。そのため、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能となる。
【０１１２】  なお、本実施形態においては、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の全てを、上述した配線パターンの製造方法を用いて形成することとして説明したが、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の少なくともいずれか１つを形成する時に、上述した配線パターンの製造方法を用いることとしてもよい。
【０１１３】（変形例１）  なお、本実施形態においては、ボトムコンタクト型のトランジスタ１００Ａを製造することとして説明したが、これに限らない。
【０１１４】  図９は、本実施形態のトランジスタの製造方法により製造されるトランジスタの変形例を示す概略断面図である。変形例の説明において、上述したトランジスタ１００Ａの構成と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１１５】  図９（ａ）に示すトランジスタ１００Ｂは、いわゆるトップコンタクト型のトランジスタである。トランジスタ１００Ｂは、絶縁体層７の上に配置され表面にソース電極１６およびドレイン電極１７が形成される半導体層２０を有する。すなわち、絶縁体層７の上面全面に半導体層２０が形成され、半導体層２０の上面全面に下地膜１３が形成されている。
【０１１６】  下地膜１３の上面には、選択的に触媒１５が設けられ、第１電極１６１および第２電極１６２を有するソース電極１６と、第３電極１７１および第４電極１７２を有するドレイン電極１７と、が形成されている。
【０１１７】  このようなトランジスタ１００Ｂは、基板２上にゲート電極６を形成し、ゲート電極６を覆って半導体層２０および絶縁体層７（絶縁体層を含む層）を形成し、絶縁体層を含む層の表面にソース電極１６およびドレイン電極１７を形成することにより製造することができる。
【０１１８】  図９（ｂ）に示すトランジスタ１００Ｃは、いわゆるトップゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタである。トランジスタ１００Ｃは、基板２と、基板２の表面に下地膜（めっき下地膜）１３が設けられ、下地膜１３の表面にソース電極１６と、ドレイン電極１７と、が設けられている。
【０１１９】  ソース電極１６と、ドレイン電極１７との間には、ソース電極１６およびドレイン電極１７に接する半導体層２０が設けられ、ソース電極１６、ドレイン電極１７および半導体層２０を覆って絶縁体層７が設けられている。
【０１２０】  絶縁体層７の表面には、下地膜３および触媒５が設けられ、触媒５の上にはゲート電極６が設けられている。
【０１２１】  このようなトランジスタ１００Ｃは、基板２上にソース電極１６およびドレイン電極１７を形成し、ソース電極１６およびドレイン電極１７を覆って半導体層２０および絶縁体層７（絶縁体層を含む層）を形成し、絶縁体層を含む層の表面にゲート電極６を形成することにより製造することができる。
【０１２２】  このようなトランジスタ１００Ｂ，１００Ｃにおいても、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の少なくともいずれか１つを形成する時に、上述した配線パターンの製造方法を用いる。すなわち、上述した第１の形成材料を用いて前駆体膜３ｘまたは前駆体膜１３ｘのいずれか一方または両方を形成し、前駆体膜３ｘ，１３ｘに露光して下地膜３，１３を形成することで、高い寸法精度で所望の電極を形成可能である。そのため、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能となる。
【０１２３】  以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【０１２４】  例えば、基板として非金属材料を用いることができる。非金属材料であるＰＥＴ基板を用いて、該基板上に下地膜を形成しためっき用部材を複数用意し、複数のめっき用部材を搬送しながら搬送過程において上述の製造方法を用いてトランジスタを製造することで、ＰＥＴ基板上に高性能のトランジスタを形成することができる。
【０１２５】  さらに、基板として可撓性を有する長尺のＰＥＴフィルムを用い、該フィルム上に下地膜を形成しためっき用部材をロール状に巻き取っておき、該めっき用部材を巻出しながら搬送し、上述の製造方法を用いて連続的にトランジスタを形成した後に、製造されるトランジスタをロール状に巻き取る、所謂ロールトゥロール工程においてＰＥＴフィルム上にトランジスタを形成することができる。
【０１２６】  また、本実施形態においては、シランカップリング剤を形成材料とする下地膜を形成した上で、該下地膜に無電解めっき用の触媒を析出させ、無電解めっきを行ってゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成することとしたが、これらの電極のうちいずれか１つまたは２つの電極を上記方法で形成し、残る電極を他の方法で形成することとしても構わない。例えば、ゲート電極については、通常知られたパターニング方法を用いて形成し、同層に形成されるソース電極およびドレイン電極について、上述の製造方法を用いて形成することとしてもよい。
【０１２７】［実施例］  以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１２８】  本実施例においては、第１の形成材料として、上記式（２）で示す化合物（（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル（３−（トリメトキシシリル）プロピル）カルバメート；ＮＢＣ−ＡＰＴＭＯＳ）を用いた。
【０１２９】  ＮＢＣ−ＡＰＴＭＯＳに対し、１質量％となるようにクロロホルムを加え、超音波処理を行って液状物を調整し、濾過して埃や異物を除去した後に下地膜の形成に用いた。超音波処理は、卓上型超音波洗浄器（ＶＳ−１００III、ヴェルヴォクリーア社製）を用い、周波数４５ｋＨｚ、高周波出力１００Ｗ、処理時間３分間という条件で行った。以下の説明においては、上記方法で調整した液状物を、「液状物１」と称する。
【０１３０】  また、ＮＢＣ−ＡＰＴＭＯＳに対し、０．２質量％となるようにメチルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと称することがある）を加え、超音波処理を行った後に濾過して液状物を調整し、下地膜の形成に用いた。以下の説明においては、上記方法で調整した液状物を、「液状物２」と称する。
【０１３１】  また、ＮＢＣ−ＡＰＴＭＯＳを０．２質量％となるようにメチルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと称することがある）に加え、超音波処理を行った後に濾過した。得られた濾液に、０．２質量％となるように３−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＥ９０３、信越シリコーン社製）を加え、超音波処理を行うことで液状物を調整し、濾過した後に下地膜の形成に用いた。以下の説明においては、上記方法で調整した液状物を、「液状物３」と称する。
【０１３２】  また、ＫＢＥ９０３を、０．２質量％となるようにＭＩＢＫに溶解して液状物を調製し、下地膜の形成に用いた。以下の説明においては、上記方法で調整した液状物を、「液状物４」と称する。
【０１３３】[配線パターンの形成１]（実施例１）  ＰＥＴ基板（型番：Ａ−４１００（コートなし）、東洋紡績株式会社製）の表面を大気圧酸素プラズマにより洗浄した後、液状物１をスピンコートにてＰＥＴ基板上に塗布した。スピンコートは、回転数３０００ｒｐｍ、１０秒間の条件で行った。その後、１０５℃で１５分間加熱してめっき下地膜を形成した。
【０１３４】  次いで、めっき下地膜を形成したＰＥＴ基板に対し、レジスト材料（ＳＵＭＩＲＥＳＩＳＴ  ＰＦＩ−３４Ａ６、住友化学株式会社製）の２−ヘプタン溶液（２倍希釈（質量比））をスピンコートし、１０５℃にて５分間加熱（プリベーク）することにより、レジスト層を形成した。スピンコートは、回転数３０００ｒｐｍ、３０秒間の条件で行った。形成したレジスト層は、膜厚が約３００ｎｍであった。
【０１３５】  次いで、フォトマスクを介して、２９ｍＷ／ｃｍ２の強度の紫外線（ｉ線、波長３６５ｎｍ）を５０秒間露光し、１０５℃で５分間加熱（ポストベーク）した後に、２．３８％ＴＭＡＨ溶液に１．５分間浸漬することにより、レジスト層にマスクパターンを現像し開口部を形成した。
【０１３６】  次いで、レジスト層に開口部が形成された基板について、室温にて３０秒間、超音波水洗を行った後に、無電解めっき用の触媒コロイド溶液（メルプレート アクチベーター７３３１、メルテックス社製）に、室温にて６０秒間浸漬し、レジスト層の開口部に露出しているめっき下地膜に触媒を付着させた。
【０１３７】  次いで、表面を水洗した後に、無電解めっき液（メルプレート ＮＩ−８６７、メルテックス社製）に、７３℃にて６０秒間浸漬し、レジスト層の開口部に付着している触媒上にニッケル−リン（ＮｉＰ）を析出させてニッケル−リンめっきを行った。
【０１３８】  次いで、表面を水洗した後に乾燥させ、残存するレジスト層を含む全面に、２９ｍＷ／ｃｍ２の強度の紫外線（ｉ線、波長３６５ｎｍ）を１分間露光した後、エタノールに１分間浸漬することでレジスト層を除去し、配線パターンを作製した。
【０１３９】（実施例２）  ＰＥＴ基板の表面を大気圧酸素プラズマにより洗浄した後、液状物２をディップコートにてＰＥＴ基板上に塗布した。ディップコートの引き上げ速度は１ｍｍ／秒とした。その後、１０５℃で１５分間加熱してめっき下地膜を形成した。  なお、以下の工程においても、ディップコートの引き上げ速度は、上述の条件を採用した。
【０１４０】  次いで、下地膜を形成したＰＥＴ基板に対し、レジスト材料（ＳＵＭＩＲＥＳＩＳＴ  ＰＦＩ−３４Ａ６、住友化学株式会社製）をディップコートし、１０５℃にて５分間加熱（プリベーク）することにより、レジスト層を形成した。
【０１４１】  次いで、フォトマスクを介して、２９ｍＷ／ｃｍ２の強度の紫外線（ｉ線、波長３６５ｎｍ）を２秒間露光し、１０５℃で５分間加熱（ポストベーク）した後に、２．３８％ＴＭＡＨ溶液に１．５分間浸漬することにより、レジスト層にマスクパターンを現像し開口部を形成した。
【０１４２】  次いで、レジスト層が形成されたＰＥＴ基板に対して全面に２９ｍＷ／ｃｍ２の強度の紫外線（ｉ線、波長３６５ｎｍ）を６０秒間照射した。
【０１４３】  次いで、実施例１と同様にして、レジスト層に開口部が形成された基板について超音波水洗を行った後に、ニッケル−リンめっきを行った。
【０１４４】  次いで、エタノールに１分間浸漬することでレジスト層を除去し、配線パターンを作製した。
【０１４５】（実施例３）  液状物３を用いて下地膜を形成したこと以外は実施例２と同様にして、ＰＥＴ基板上に開口部が形成されたレジスト層を形成した。  次いで、実施例１と同様にして、配線パターンを作製した。
【０１４６】（比較例１）  液状物４を用いて下地膜を形成したこと以外は実施例３と同様にして、配線パターンを作製した。
【０１４７】  図１０〜１３は、作製した配線パターンの光学顕微鏡写真である。写真において、白く見えている部分が配線である。図１０は実施例１、図１１は実施例２、図１２は実施例３、図１３は比較例１で形成した配線パターンを示す。
【０１４８】  図１０に示すように、実施例１においては、Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍの条件（図１０（ｂ））であっても、さらに細いＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍの条件（図１０（ａ））であっても均一な幅で配線パターンが形成されていた。また、図１１，１２に示すように、実施例２，３の配線パターンも同様に、均一な幅で形成されていた。
【０１４９】  対して、図１３に示すように、比較例１の配線パターンは、幅が不均一であったり（図１３（ａ））、表面が荒れていたり（図１３（ｂ））しており、配線の寸法精度が低くなっていた。なお、図１３（ａ）と図１３（ｂ）とは、同じ条件で２回実験を行ったそれぞれの結果である。
【０１５０】[配線パターンの形成２]（実施例４）  実施例３と同様の方法にて、ＰＥＴ基板上にゲート電極を形成した。ゲート電極が形成されたＰＥＴ基板に対し、エポキシ樹脂ベースの紫外線硬化型樹脂（ＳＵ−８、日本化薬社製）をディップコートし、１０５℃にて１０分間加熱（プリベーク）することにより、紫外線硬化型樹脂の塗膜を形成した。
【０１５１】  次いで、塗膜に、フォトマスクを介して２９ｍＷ／ｃｍ２の強度の紫外線（ｉ線、波長３６５ｎｍ）を５秒間露光し、１０５℃で６０分間加熱（ポストベーク）した。
【０１５２】  次いで、現像液（プロピレングリコール−１−メチルエーテル−２−アセテート、ＰＥＧＭＥＡ）に浸漬させて、紫外線の非照射部を除去してパターニングした。その後、１０５℃で３０分熱処理を行い、ゲート絶縁膜を成膜した。
【０１５３】  次いで、実施例３と同様の方法にて、ゲート絶縁膜の表面にソース電極およびドレイン電極に対応したニッケル−リン電極である第１電極および第３電極を作製した。
【０１５４】  次いで、表面を水洗した後、置換金めっき浴に１分間浸漬させ、更に還元めっき浴に３分間浸漬させることで、無電解金めっきを行い、ニッケル−リン電極の表面を金で被覆して第２電極および第４電極を作製し，ソース電極およびドレイン電極を作製した。
【０１５５】  形成した配線パターンは、ソース電極およびドレイン電極を接続するように半導体層を形成することで、トランジスタとして機能するものである。
【０１５６】（比較例２）  ゲート絶縁膜の表面にソース電極およびドレイン電極を作製する際、比較例１と同様にしてニッケル−リン電極である第１電極および第３電極を作製したこと以外は実施例４と同様にして、配線パターンを作製した。
【０１５７】  図１４、１５は、作製した配線パターンの光学顕微鏡写真である。図１４は実施例４、図１５は比較例２で形成した配線パターンを示す。
【０１５８】  図１４に示すように、実施例４の配線パターンは、ソース電極およびドレイン電極が均一な幅で形成されており、ソース電極およびドレイン電極の間の５μｍの間隔で形成されていた。
【０１５９】  対して、図１５に示すように、比較例２の配線パターンは、配線の寸法精度が低くなっていた。  図中、符号αの破線で囲む部分では、幅が不均一となっている部分が確認された。  また、図中、符号βの破線で囲む部分では、ゲート電極とドレイン電極とが短絡している部分が確認された。図１５において、ゲート電極およびドレイン電極が離間している部分では、ゲート電極およびドレイン電極の端部に対応した影を黒い筋として確認できるが、符号βの部分では、筋が途切れている。短絡部分では電極の端部に対応した影が形成されないため、ゲート電極およびドレイン電極が短絡している部分であると判断できる。
【０１６０】  以上の結果より、本発明の有用性が確かめられた。
【符号の説明】
【０１６１】１…配線パターン、２…基板、３…下地膜（ゲート下地膜）、３ｘ…前駆体膜、６…ゲート電極（配線）、７…絶縁体層、１３…下地膜（ソース下地膜、ドレイン下地膜）、１３ｘ…前駆体膜、１４…レジスト層、１４ａ…開口部、１５…無電解めっき用触媒、１６…ソース電極、１７…ドレイン電極、２０…半導体層、１００Ａ，１００Ｂ…トランジスタ、Ｄ…現像液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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