(57)【要約】  固体電解コンデンサにおいて、弁作用金属基体における陰極領域を覆うように、導電性高分子層を均一で薄く形成できるようにする。  導電性高分子層を形成するため、弁作用金属基体の粗面部にある細孔を少なくとも埋めるように第１の導電性高分子層をディッピング法によって形成した後、導電性高分子層となり得る塗布材料（４２）を吐出するための吐出ノズル（４５）に対向するように第１の導電性高分子層が形成された弁作用金属基体（１４）を配置し、吐出ノズル（４５）と弁作用金属基体（１４）との間に電界を発生させ、塗布材料（４２）を帯電させた状態で、塗布材料（４２）を吐出ノズル（４５）から吐出し、帯電させた塗布材料（４２）を、レイリー分裂させながら、電気力線（５３）に沿って弁作用金属基体（１４）に向かって飛来させ、かつ乾燥させることによって、第２の導電性高分子層を形成する。
2015040883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯部とその表面に沿って形成される粗面部とを有する、陽極体となる弁作用金属基体を用意する工程と、
前記弁作用金属基体における少なくとも陰極領域となる表面に誘電体皮膜を形成する工程と、
前記誘電体皮膜を介して前記弁作用金属基体における陰極領域を覆うように導電性高分子層を形成する工程と、
を備える、固体電解コンデンサの製造方法であって、
前記導電性高分子層を形成する工程は、
前記粗面部にある細孔を少なくとも埋めるように前記誘電体皮膜上に第１の導電性高分子層を形成する工程と、
前記第１の導電性高分子層が形成された前記弁作用金属基体の陰極領域を覆うように第２の導電性高分子層を形成する工程と、
を含み、
前記第２の導電性高分子層を形成する工程は、
第２の導電性高分子層となり得る塗布材料を用意する工程と、
前記塗布材料を吐出するための吐出ノズルに対向するように前記第１の導電性高分子層が形成された前記弁作用金属基体を配置する工程と、
前記吐出ノズルと前記弁作用金属基体との間に電界を発生させ、前記塗布材料を帯電させた状態で、前記塗布材料を前記吐出ノズルから吐出し、帯電させた前記塗布材料を、レイリー分裂させながら、電気力線に沿って前記弁作用金属基体に向かって飛来させ、かつ乾燥させることによって、前記弁作用金属基体の陰極領域を覆うように前記第２の導電性高分子層を形成する工程と、
を含む、
固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記塗布材料は、導電性高分子の分散液または溶液である、請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記塗布材料は、化学酸化重合法によって導電性高分子が生成される複数種類の原料である、請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関するもので、特に、固体電解コンデンサに備える導電性高分子層を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品に対し、高性能でかつ小型、低背化が求められており、その手段の一つとして、電極の薄膜化が必要とされている。固体電解コンデンサについて言えば、たとえば、その陰極領域に形成される固体電解質として機能する導電性高分子層についても薄膜化が要求されている。【０００３】
固体電解コンデンサは、芯部とその表面に沿って形成される粗面部とを有する、陽極体となる弁作用金属基体を備える。弁作用金属基体における陰極領域となる表面には誘電体皮膜が形成され、誘電体皮膜上に上述の導電性高分子層が形成される。【０００４】
たとえば特許第３６６７５３１号公報（特許文献１）には、固体電解コンデンサの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法では、陰極である導電性高分子層が、ディッピング法を用いてモノマー溶液と酸化剤溶液とを弁作用金属基体上に付与し、次いで、モノマーを化学酸化重合法で重合することによって形成される。【０００５】
ディッピング法で導電性高分子層を形成する場合、表面に誘電体皮膜を形成した弁作用金属基体の粗面部にある細孔を導電性高分子で充填した上で、粗面部を覆うように導電性高分子層が形成される。しかし、導電性高分子層は、重力や表面張力の影響のため、これを均一で薄い層とすることが困難である。特に、箔形状の弁作用金属基体のエッジ部分には、導電性高分子層が形成されにくい。【０００６】
このように、導電性高分子層として、薄く均一な層が形成できない場合、体積当たりの静電容量を上げることができないので、固体電解コンデンサの大容量化・小型化・低背化ができない。【０００７】
また、エッジ部分に導電性高分子層が形成されていない場合、導電性高分子層上に形成するカーボン層および銀層の少なくとも一方が、導電性高分子層の下に位置する誘電体皮膜と接触して、漏れ電流値が増大する可能性がある。また、最終的に外装樹脂を成形する際のストレスがエッジ部分に掛かるため、誘電体皮膜へのダメージが大きく、このことも漏れ電流値の増大の原因となり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３６６７５３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、この発明の目的は、エッジ部分上をも含めて、弁作用金属基体上に導電性高分子層を均一で薄く形成することが可能とされた、固体電解コンデンサの製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、芯部とその表面に沿って形成される粗面部とを有する、陽極体となる弁作用金属基体を用意する工程と、弁作用金属基体における少なくとも陰極領域となる表面に誘電体皮膜を形成する工程と、誘電体皮膜を介して弁作用金属基体における陰極領域を覆うように導電性高分子層を形成する工程と、を備える、固体電解コンデンサの製造方法に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。【００１１】
導電性高分子層を形成する工程は、粗面部にある細孔を少なくとも埋めるように誘電体皮膜上に第１の導電性高分子層を形成する工程と、第１の導電性高分子層が形成された弁作用金属基体の陰極領域を覆うように第２の導電性高分子層を形成する工程と、の２段階で実施される。【００１２】
そして、第２の導電性高分子層を形成する工程は、第２の導電性高分子層となり得る塗布材料を用意する工程と、塗布材料を吐出するための吐出ノズルに対向するように第１の導電性高分子層が形成された弁作用金属基体を配置する工程と、吐出ノズルと弁作用金属基体との間に電界を発生させ、塗布材料を帯電させた状態で、塗布材料を吐出ノズルから吐出し、帯電させた塗布材料を、レイリー分裂させながら、電気力線に沿って弁作用金属基体に向かって飛来させ、かつ乾燥させることによって、弁作用金属基体の陰極領域を覆うように第２の導電性高分子層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。【００１３】
上述の塗布材料は、好ましい実施形態では、導電性高分子の分散液または溶液である場合と、化学酸化重合法によって導電性高分子が生成される複数種類の原料、すなわち、モノマー、酸化剤、ドーパントおよび溶媒である場合とがあり得る。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、上述した第２の導電性高分子層を形成する工程では、帯電した塗布材料は、電気力線に沿って空中を飛ぶ。この間、塗布材料はクーロン反発力による分裂（レイリー分裂）を繰り返す。分裂を繰り返す毎に表面積が大きくなるため、塗布材料中の溶剤や溶媒のような液体成分の蒸発が促進される。その結果、塗布材料は、弁作用金属基体を覆うように第１の導電性高分子層等の表面に付着する時には流動性がほとんど失われる程度に乾燥している。したがって、塗布材料には表面張力が実質的に働かないため、特定の部分に塗布材料が集まることがない。【００１５】
また、この発明によれば、第２の導電性高分子層を形成する工程では、前述したように、塗布材料が電気力線に沿って飛ぶので、一方向からの塗布で、弁作用金属基体の主面およびこれにエッジ部分を介して隣接する端面のすべてについて同時に、第２の導電性高分子層を均一に形成することができる。また、電気力線は、特に、エッジ部分に集中する傾向があるので、エッジ部分に面部分と同等以上の厚みをもって第２の導電性高分子層が形成され得る。したがって、第１の導電性高分子層の形成時に生じた面部分とエッジ部分との間で生じた導電性高分子層の厚みの差を小さくすることができる。【００１６】
このようにして、この発明によれば、導電性高分子層を、エッジ部分上をも含めて、弁作用金属基体の陰極領域を覆うように均一で薄く形成することができる。【００１７】
導電性高分子層を均一で薄く形成できることから、弁作用金属基体および導電性高分子層をもって構成されるコンデンサユニットを薄くすることができ、同一体積内に配置できるコンデンサユニットの数を増やすことができる。このことは、固体電解コンデンサの高容量化・小型化・低背化に寄与する。【００１８】
また、弁作用金属基体のエッジ部分に導電性高分子層を適正な厚みで形成できることから、導電性高分子層の上に形成されるカーボン層および銀層と導電性高分子層の下に存在する誘電体皮膜との不所望な接触を生じにくくすることができ、漏れ電流値を低減することができる。また、最終的に外装樹脂を成形する際のストレスがエッジ部分に掛かるが、このストレスによる誘電体皮膜へのダメージを軽減することができ、よって、漏れ電流による不良率を低減することができる。【００１９】
また、導電性高分子層を薄く均一に形成することができるので、導電性高分子層形成に使用する材料を削減でき、よって、製品としての固体電解コンデンサの材料コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】この発明の一実施形態による製造方法を適用して製造される固体電解コンデンサ１０を示す断面図である。
【図２】図１の部分Ａを拡大して示す断面図であり、第１の導電性高分子層３１を形成した状態を示す。
【図３】図１の部分Ａを拡大して示す断面図であり、図２に示した第１の導電性高分子層３１の形成後、さらに、第２の導電性高分子層３２、カーボン層２５および銀層２６を形成した状態を示す。
【図４】第２の導電性高分子層３２を形成する工程を実施している状態を図解的に示す正面図である。
【図５】図４に示した弁作用金属基体１４を拡大して示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
まず、図１を参照して、この発明の一実施形態による製造方法を適用して製造される固体電解コンデンサ１０について説明する。
【００２２】
固体電解コンデンサ１０は、複数個の、図示では３個のコンデンサユニット１１が積み重ねられ、かつ互いに接合材１２によって接合されて構成された積層体１３を備えている。３個のコンデンサユニット１１の各々の構成は共通している。
【００２３】
各コンデンサユニット１１は、陽極体となる弁作用金属基体１４を備えている。弁作用金属基体１４は、たとえばアルミニウム箔からなり、エッチング処理を施すことによって表面が粗面化され、それによって、芯部１５とその表面に沿って形成される粗面部１６とを有している。粗面部１６には、図２および図３に模式的に示すように、外方に向く開口を有する多数の細孔１７が形成されている。
【００２４】
弁作用金属基体１４には、遮断部材１９が配置される。遮断部材１９は、電気絶縁性であり、これによって、弁作用金属基体１４は陰極領域２０と陽極領域２１とに区分される。
【００２５】
弁作用金属基体１４における少なくとも陰極領域２０の表面には、誘電体皮膜２２（図１ないし図３において、太線で示す。）が形成される。誘電体皮膜２２は、たとえば、弁作用金属基体１４の表面を酸化することによって形成される。
【００２６】
誘電体皮膜２２上には、陰極側機能層２３が形成される。陰極側機能層２３は、図１では１つの層として図示されているが、図３に示されるように、導電性高分子層２４、その上のカーボン層２５およびその上の銀層２６からなる。これらの層２４〜２６は、各々対応の原料溶液を付与することによって形成されるが、粗面部１６に設けられた遮断部材１９が、粗面部１６を通しての上記原料溶液の浸透を遮断し、原料溶液が粗面部１６を通して陽極領域２１に入ることが防止される。
【００２７】
以上説明したような遮断部材１９と陰極側機能層２３とが設けられた３個の弁作用金属基体１４がそれぞれコンデンサユニット１１を構成し、これら３個のコンデンサユニット１１が積み重ねられ、互いに接合材１２によって接合されることによって、積層体１３が構成される。
【００２８】
積層体１３における陰極領域２０には、より特定的には陰極側機能層２３における銀層２６には、陰極外部端子２７が接続される。他方、積層体１３における陽極領域２１では、３個の弁作用金属基体１４の各端部が導通を取れるように１箇所に集められる。そして、弁作用金属基体１４の陽極領域２１側の端部には、陽極外部端子２８が接続される。また、積層体１３を覆うように、たとえばエポキシ樹脂からなる外装樹脂２９（図１において、その輪郭を想像線で示す。）が成形される。
【００２９】
次に、上述した固体電解コンデンサ１０の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、弁作用金属基体１４となる、たとえば１００μｍの厚みを有するアルミニウム箔が用意される。このアルミニウム箔にエッチング処理を施すことによって表面が粗面化され、それによって、芯部１５とその表面に沿って形成される粗面部１６とを有する弁作用金属基体１４が得られる。
【００３１】
次に、弁作用金属基体１４に陽極酸化処理が施され、それによって、弁作用金属基体１４の表面が酸化され、それによって、たとえば酸化アルミニウムからなる誘電体皮膜２２が形成される。
【００３２】
次に、弁作用金属基体１４の粗面部１６に遮断部材１９が配置される。遮断部材１９がたとえば熱硬化性樹脂からなる場合、樹脂の塗布、乾燥および熱硬化の各工程が実施される。
【００３３】
次に、弁作用金属基体１４における陰極領域２０を、誘電体皮膜２２を介して覆うように導電性高分子層２４を形成する工程が実施される。導電性高分子層２４を構成する導電性高分子を得るために重合されるモノマーとしては、たとえば、ピロール、アニリン、もしくはチオフェン、またはそれらの誘導体が用いられる。
【００３４】
導電性高分子層２４を形成する工程は、この発明の特徴となるもので、図２に示すように、粗面部１６にある細孔１７を少なくとも埋めるように誘電体皮膜２２上に第１の導電性高分子層３１を形成する第１工程と、図３に示すように、第１の導電性高分子層３１が形成された弁作用金属基体１４の陰極領域２０を覆うように第２の導電性高分子層３２を形成する第２工程と、の２段階で実施される。
【００３５】
第１工程では、たとえば、ディッピング法を用いてモノマー溶液と酸化剤溶液とが弁作用金属基体１４上に付与され、次いで、モノマーを化学酸化重合法で重合することによって、第１の導電性高分子層３１が形成される。
【００３６】
なお、第１の導電性高分子層３１は、ディッピング法を適用して形成されるので、前述したように、重力や表面張力の影響のため、これを均一で薄い層とすることが困難である。特に、弁作用金属基体１４のエッジ部分３３には、第１の導電性高分子層３１が所望の厚みをもって形成されにくい。
【００３７】
次に、第２工程では、第２の導電性高分子層３２が形成される。第２の導電性高分子層３２を形成するため、図４に示した形成装置４１が用いられる。図４および後述する図５では、弁作用金属基体１４に設けられた遮断部材１９および第１の導電性高分子層３１の図示が省略されている。
【００３８】
図４を参照して、導体膜形成装置４１は、第２の導電性高分子層３２となり得る塗布材料４２を収容する貯留タンク４３を備える。貯留タンク４３は、供給管４４を介して、吐出ノズル４５に接続される。
【００３９】
他方、吐出ノズル４５に対向して、ステージ４７が設けられている。ステージ４７上には、第２の導電性高分子層３２を形成すべき対象物としての第１の導電性高分子層３１（図４では図示されない。）が形成された弁作用金属基体１４が、その主面３４を吐出ノズル４５方向に向けた状態で配置される。弁作用金属基体１４は、図５にも図示されている。弁作用金属基体１４は、第２の導電性高分子層３２を形成すべき領域以外の領域がマスク５１で覆われた状態とされる。ステージ４７は、導電性材料からなることが好ましい。
【００４０】
吐出ノズル４５を通過する塗布材料４２には、電源４８からのパルス電圧、直流電圧または交流電圧が印加される。このように、電圧を印加した状態において、第２の導電性高分子層３２が形成される。
【００４１】
すなわち、上記の状態で、貯留タンク４３の内圧が矢印５２で示すように高められる。これによって、貯留タンク４３内の塗布材料４２が、供給管４４を通って、電圧が印加された吐出ノズル４５に供給され、塗布材料４２が帯電される。帯電された塗布材料４２から電気力線５３が生じる。塗布材料４２は、吐出ノズル４５から弁作用金属基体１４に向かって吐出される。
【００４２】
塗布材料４２は、電気力線５３に沿って空中を飛ぶ間、クーロン反発力による分裂（レイリー分裂）を繰り返し、霧状となる。したがって、塗布材料４２は、分裂を重ねるごとに表面積をより大きくしていき、そのため、塗布材料４２の乾燥が進み、塗布材料４２に含まれる溶剤や溶媒といった液体成分の蒸発が促進される。
【００４３】
その結果、塗布材料４２は、弁作用金属基体１４の表面に付着する時には流動性がほとんど失われる程度に乾燥している。そのため、塗布材料４２には表面張力が実質的に働かないため、塗布材料４２は、弁作用金属基体１４の特定の部分に集まることがなく、よって、弁作用金属基体１４上に薄く均一に付与され得る。図５には、帯電した塗布材料４２によって生じる電気力線５３が模式的に図示されている。帯電した塗布材料４２は、電気力線５３に沿って、弁作用金属基体１４に付着する。このとき、電気力線５３は、特に、弁作用金属基体１４のエッジ部分３３に集中する傾向があるので、エッジ部分３３をも含めて、塗布材料４２を均一に付着させることができる。
【００４４】
一方、図４および図５に示すように、弁作用金属基体１４の陽極領域２１は、マスク５１で覆われた状態であるので、塗布材料４２は、マスク５１で覆われた部分においては、弁作用金属基体１４には達しない。
【００４５】
このようにして、弁作用金属基体１４の一方の主面３４と、エッジ部分３３を介して主面３４に隣接する３つの端面３６とにおいて連続的に延びるように、薄く均一な厚みを有する第２の導電性高分子層３２が形成される。
【００４６】
上述の工程で、弁作用金属基体１４の主面３４に対向する他方の主面３５へも塗布材料４２が回り込むが、それだけでは不十分であるため、次に、ステージ４７上での弁作用金属基体１４の向きが逆にされ、主面３５が吐出ノズル４５方向に向けられ、その状態で、上述した第２の導電性高分子層３２を形成する工程と同様の工程が繰り返される。
【００４７】
このようにして、第１および第２の導電性高分子層３１および３２からなる導電性高分子層２４が形成される。
【００４８】
なお、第２の導電性高分子層３２となり得る塗布材料４２は、導電性高分子の分散液または溶液であっても、重合前のもの、すなわち、化学酸化重合法によって導電性高分子が生成される複数種類の原料（モノマー、酸化剤、ドーパントおよび溶媒）であってもよい。後者の場合、通常、複数種類の原料が混合された状態で１つの貯留タンク４３に収容される。したがって、貯留タンク４３内で反応が開始する。これに代えて、複数の貯留タンクを用い、それぞれに、化学酸化重合法によって導電性高分子が生成される複数種類の原料を分けて収容し、複数種類の原料を、それぞれ、異なる吐出ノズルから吐出し、弁作用金属基体１４上で混ざるようにしてもよい。塗布材料４２が重合前のものである場合には、形成装置４１において、重合反応のための環境を整える必要があり、また、未反応物を除去するための洗浄工程が別途必要となることがあり得る。
【００４９】
次に、修復化成が行なわれる。
【００５０】
次に、導電性高分子層２４上に、カーボンペーストが塗布され、乾燥されることによって、カーボン層２５が形成され、さらに、銀ペーストが塗布され、乾燥されることによって、銀層２６が形成される。
【００５１】
このようにして、コンデンサユニット１１が得られる。次に、接合材１２を介して、複数のコンデンサユニット１１を積み重ねる工程が実施される。そして、接合材１２を硬化させるための熱処理等が実施され、それによって、積層体１３が得られる。
【００５２】
その後、図１に示すように、積層体１３における陰極側機能層２３と電気的に接続されるように、陰極外部端子２７が接合され、他方、積層体１３における弁作用金属基体１４の陽極領域２１側の端部と電気的に接続されるように、陽極外部端子２８が接合される。
【００５３】
そして、外装樹脂２９が成形され、固体電解コンデンサ１０が完成される。
【００５４】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００５５】
１．試料の作製
アルミニウム箔を用意し、その表面をエッチングで粗化することによって、芯部とその表面に沿って形成される粗面部とを有する弁作用金属基体を得た。次いで、弁作用金属基体を陽極酸化することにより、誘電体皮膜を形成した。
【００５６】
次に、弁作用金属基体上に、以下のようにして、第１の導電性高分子層を形成した。まず、モノマーを３，４−エチレンジオキシチオフェンとし、溶媒をエタノールとした溶液に、弁作用金属基体の陰極領域を浸漬し、乾燥した。その後、スルホン酸系金属塩を酸化剤／ドーパントとし、溶媒をｎ−ブタノールとした溶液に、弁作用金属基体の陰極領域を浸漬し、所定時間乾燥させながら化学酸化重合を行なった後、アルコールで浸漬洗浄し、乾燥した。そして、これらの工程を、後掲の表１の「ディッピング回数」に示す回数繰り返し、第１の導電性高分子層を形成した。
【００５７】
［実施例１〜３］
次に、実施例１〜３については、導電性高分子の分散液を塗布材料として、これを電圧印加し帯電させ、第１の導電性高分子層が形成された弁作用金属基体上に塗布・乾燥することによって、第２の導電性高分子層を形成した。
【００５８】
より具体的には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）の水分散液を電圧印加し帯電させ、これを吐出ノズルから第１の導電性高分子層が形成された弁作用金属基体に向かって吐出した。吐出ノズルと弁作用金属基体との間に電界強度１００〜１０００ｋＶ／ｍの電界を発生させ、帯電した塗布材料を、レイリー分裂させながら、電気力線に沿って弁作用金属基体に飛来させ、乾燥させることによって、第２の導電性高分子層を形成した。
【００５９】
次に、第２の導電性高分子層上にカーボンペーストを塗布し、その上に銀ペーストを塗布し、コンデンサユニットを得た。
【００６０】
その後、所定数のコンデンサユニットを積層し、外部端子を取り付け、積層体を覆うように外装樹脂を成形し、実施例１〜３に係る固体電解コンデンサを得た。
【００６１】
［実施例４〜６］
他方、実施例４〜６については、化学酸化重合法によって導電性高分子が生成される複数種類の原料を塗布材料として、これを電圧印加し帯電させ、第１の導電性高分子層が形成された弁作用金属基体上に塗布するとともに、化学酸化重合し、乾燥することによって、第２の導電性高分子層を形成した。
【００６２】
より具体的には、モノマーとして３，４−エチレンジオキシチオフェンを用い、スルホン酸系金属塩を酸化剤／ドーパントとし、溶媒としてｎ−ブタノールを用い、これらを混合したものを塗布材料とした。この塗布材料を電圧印加し帯電させ、これを吐出ノズルから第１の導電性高分子層が形成された弁作用金属基体に向かって吐出した。吐出ノズルと弁作用金属基体との間に電界強度１００〜１０００ｋＶ／ｍの電界を発生させ、帯電した塗布材料を、レイリー分裂させながら、電気力線に沿って弁作用金属基体に飛来させ、所定時間化学酸化重合をさせ、アルコールで浸漬洗浄し、乾燥させることによって、第２の導電性高分子層を形成した。
【００６３】
次に、修復化成を行ない、第２の導電性高分子層上にカーボンペーストを塗布し、その上に銀ペーストを塗布し、コンデンサユニットを得た。
【００６４】
その後、所定数のコンデンサユニットを積層し、外部端子を取り付け、積層体を覆うように外装樹脂を成形し、実施例４〜６に係る固体電解コンデンサを得た。
【００６５】
［比較例１〜４］
比較例１〜４については、第２の導電性高分子層の形成工程を実施せず、第１の導電性高分子層の形成の後、修復化成を行ない、第１の導電性高分子層上にカーボンペーストを塗布し、その上に銀ペーストを塗布し、コンデンサユニットを得た。
【００６６】
その後、所定数のコンデンサユニットを積層し、外部端子を取り付け、積層体を覆うように外装樹脂を成形し、比較例１〜４に係る固体電解コンデンサを得た。
【００６７】
２．評価
上記実施例１〜６および比較例１〜４の各々に係る固体電解コンデンサを試料として、表１に示した各項目について評価した。
【００６８】
「静電容量」および「ＥＳＲ」は、ＬＣＲメーター（agilent社製：E4980A）を用いて測定した。「静電容量」は１２０Ｈｚ、「ＥＳＲ」は１００ｋＨｚでの値を示す。測定試料数を５個とし、その平均値が表１に示されている。
【００６９】
「主面上部厚み」および「主面下部厚み」は、弁作用金属基体の主面上での導電性高分子層の厚みであり、デジマチックインジケータ（ミツトヨ社製：IDC-112B）を用いて測定した。実施例１〜６では、第１および第２の導電性高分子層の合計厚みであり、比較例１〜４では、第１の導電性高分子層のみの厚みであるが、導電性高分子層をディッピング方向に沿って上部と中間部と下部とに３等分し、ディッピング方向での上部での厚みを「主面上部厚み」とし、ディッピング方向での下部での厚みを「主面下部厚み」とした。上部および下部の各々について測定位置を３点としながら、測定試料数を３個とし、その平均値が表１に示されている。
【００７０】
「エッジ部分厚み」は、弁作用金属基体を樹脂に埋め込み、研磨して断面を露出させ、顕微鏡にて観察してエッジ部分での導電性高分子層の厚みを測定した。測定試料数を２個とし、その平均値が表１に示されている。
【００７１】
「下部厚み／上部厚み」は、上記「主面上部厚み」を上記「主面下部厚み」で割った比率を示している。
【００７２】
「成形後漏れ電流不良率」を求めるにあたっては、試料に係る固体電解コンデンサに、保護抵抗を介して、定格直流電圧を２分間印加し、印加後の電流値を測定した。このときの漏れ電流（ＬＣ）の値が０．０４ＣＶ未満であれば合格と判定し、０．０４ＣＶ以上で不合格と判定した。なお、「０．０４ＣＶ」における「Ｃ」は静電容量値であり、「Ｖ」は定格電圧である。そして、判定試料数を１００個とし、不合格となった試料数の比率を不良率とした。
【００７３】
【表１】
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【００７４】
表１に示すように、比較例１〜４では、「静電容量」および「ＥＳＲ」については、実施例１〜６とほぼ同等の結果が得られた。しかし、比較例１〜４では、「ディッピング回数」が４回、５回、６回、７回と増えると、「主面上部厚み」および「主面下部厚み」が増えるが、「エッジ部分厚み」についてはほとんど増えなかった。また、比較例１〜４では、「成形後漏れ電流不良率」が高くなった。これは、「エッジ部分厚み」が薄いので、外装樹脂の成形工程でかかるストレスが誘電体皮膜のダメージを招いたためであると推測される。
【００７５】
これに対して、実施例１〜６では、「エッジ部分厚み」が比較例１〜４と比較して格段に厚くなった。これは、第２の導電性高分子層の形成のためであることが明らかである。また、「下部厚み／上部厚み」については、実施例１〜６の方が比較例１〜４に比べて全体的に小さい値となり、また、「主面上部厚み」と「主面下部厚み」と「エッジ部分厚み」との間での差が、実施例１〜６の方が比較例１〜４に比べて小さくなった。このことから、実施例１〜６において形成された第２の導電性高分子層は、導電性高分子層を均一で薄く形成することに寄与していると言える。
【００７６】
なお、実施例１〜３と実施例４〜６との間では、実質的な差は認められなかった。
【符号の説明】
【００７７】
１０  固体電解コンデンサ
１４  弁作用金属基体
１５  芯部
１６  粗面部
２０  陰極領域
２１  陽極領域
２２  誘電体皮膜
２３  陰極側機能層
２４  導電性高分子層
２５  カーボン層
２６  銀層
２７  陰極外部端子
２８  陽極外部端子
２９  外装樹脂
３１  第１の導電性高分子層
３２  第２の導電性高分子層
３３  エッジ部分
４１  形成装置
４２  塗布材料
４５  吐出ノズル
５１  マスク
５３  電気力線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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