(57)【要約】  累積値を記憶する揮発性メモリ（ＭＶ）と、揮発性メモリ（ＭＶ）よりも書き込み速度が遅い不揮発性メモリ（ＭＮＶ）と、制御部（２０）とを備える有機ＥＬディスプレイ（１０）において、制御部（２０）により実行される補正方法であって、第一期間毎に繰り返し揮発性メモリ（ＭＶ）の累積値を更新する累積処理を実行し、第一期間よりも長い第二期間毎に、累積値を揮発性メモリ（ＭＶ）から不揮発性メモリ（ＭＮＶ）に転送する転送処理を実行し、一部の表示画素における転送処理のタイミングを第二メモリの書き込み速度に応じて遅延させ、一部の表示画素における累積処理の開始タイミングを転送処理のタイミングに応じて遅延させる、または、転送処理における累積値の転送の順序を第一順序と第一順序とは逆の第二順序との間で切り替える。
2016021172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示画素を有する表示パネルと、
映像信号に含まれる複数の画素信号の各々の累積値を記憶する第一メモリと、
前記第一メモリよりも書き込み速度が遅い第二メモリと、
前記表示パネルの表示制御を行う制御部とを備える表示装置において、前記制御部により実行される表示装置の補正方法であって、
前記累積値を第一期間毎に繰り返し算出し、前記累積値を前記第一期間毎に前記第一メモリに記憶する累積処理を実行し、
前記第一期間よりも長い第二期間毎に、前記累積値を第一メモリから前記第二メモリに転送する転送処理を実行し、
前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記転送処理のタイミングを、他の表示画素における前記転送処理のタイミングから前記第二メモリの書き込み速度に応じて遅延させ、
前記複数の表示画素のそれぞれについて、対応する累積値を前記第一メモリから読み出して対応する画素信号を補正し、
前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記累積処理の開始タイミングを、前記転送処理のタイミングに応じて遅延させる、
表示装置の補正方法。
【請求項２】
複数の表示画素を有する表示パネルと、
映像信号に含まれる複数の画素信号の各々の累積値を記憶する第一メモリと、
前記第一メモリよりも書き込み速度が遅い第二メモリと、
前記表示パネルの表示制御を行う制御部とを備える表示装置において、前記制御部により実行される表示装置の補正方法であって、
前記累積値を第一期間毎に繰り返し算出し、前記累積値を前記第一期間毎に前記第一メモリに記憶する累積処理を実行し、
前記第一期間よりも長い第二期間毎に、前記累積値を第一メモリから前記第二メモリに転送する転送処理を実行し、
前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記転送処理のタイミングを、他の表示画素における前記転送処理のタイミングから前記第二メモリの書き込み速度に応じて遅延させ、
前記複数の表示画素のそれぞれについて、対応する累積値を前記第一メモリから読み出して対応する画素信号を補正し、
前記転送処理における前記累積値の転送の順序を、前記第一メモリの初期値を前記第二メモリの値を用いて設定するタイミングで、予め定められた第一順序と、前記第一順序とは逆の第二順序との間で切り替える、
表示装置の補正方法。
【請求項３】
前記複数の表示画素は、複数の有機ＥＬ素子を含み、
前記複数の累積値は、前記複数の画素信号から求められる前記複数の有機ＥＬ素子に流れる電流に対応する複数の累積値を含む、
請求項１または２に記載の表示装置の補正方法。
【請求項４】
前記複数の表示画素は、複数の薄膜トランジスタを含み、
前記複数の累積値は、前記複数の画素信号から求められる前記複数の薄膜トランジスタに印加される電圧に対応する複数の累積値を含む、
請求項１〜３の何れか１項に記載の表示装置の補正方法。
【請求項５】
前記累積処理は、前記複数の表示画素に対する書き込み処理に同期して行われる、
請求項１または２に記載の表示装置の補正方法。
【請求項６】
複数の表示画素を有する表示パネルと、
映像信号に含まれる複数の画素信号の各々の累積値を記憶する第一メモリと、
前記第一メモリよりも書き込み速度が遅い第二メモリと、
前記表示パネルの表示制御を行う制御部とを備える表示装置において実行される表示装置の補正装置であって、
前記制御部は、
前記累積値を第一期間毎に繰り返し算出し、前記累積値を前記第一期間毎に前記第一メモリに記憶する累積処理を実行し、
前記第一期間よりも長い第二期間毎に、前記累積値を第一メモリから前記第二メモリに転送する転送処理を実行し、
前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記転送処理のタイミングを、他の表示画素における前記転送処理のタイミングから前記第二メモリの書き込み速度に応じて遅延させ、
前記複数の表示画素のそれぞれについて、対応する累積値を前記第一メモリから読み出して対応する画素信号を補正し、
前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記累積処理の開始タイミングを、前記転送処理のタイミングに応じて遅延させる、
表示装置の補正装置。
【請求項７】
複数の表示画素を有する表示パネルと、
映像信号に含まれる複数の画素信号の各々の累積値を記憶する第一メモリと、
前記第一メモリよりも書き込み速度が遅い第二メモリと、
前記表示パネルの表示制御を行う制御部とを備える表示装置において実行される表示装置の補正装置であって、
前記制御部は、
前記累積値を第一期間毎に繰り返し算出し、前記累積値を前記第一期間毎に前記第一メモリに記憶する累積処理を実行し、
前記第一期間よりも長い第二期間毎に、前記累積値を第一メモリから前記第二メモリに転送する転送処理を実行し、
前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記転送処理のタイミングを、他の表示画素における前記転送処理のタイミングから前記第二メモリの書き込み速度に応じて遅延させ、
前記複数の表示画素のそれぞれについて、対応する累積値を前記第一メモリから読み出して対応する画素信号を補正し、
前記制御部が、前記転送処理における前記累積値の転送の順序を、前記第一メモリの初期値を前記第二メモリの値を用いて設定するタイミングで、予め定められた第一順序と、前記第一順序とは逆の第二順序との間で切り替える、
表示装置の補正装置。
【請求項８】
前記第一メモリは、揮発性メモリであり、
前記第二メモリは、不揮発性メモリである、
請求項６または７に記載の表示装置の補正装置。
【請求項９】
前記複数の表示画素は、発光素子を用いて構成される、
請求項６または７に記載の表示装置の補正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置において実行される補正方法および表示装置の補正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラットパネルディスプレイの一つとして、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機ＥＬディスプレイが注目されている。【０００３】
有機ＥＬディスプレイは、複数の表示画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬパネルを備えている。表示画素は、有機ＥＬ素子と、画素信号に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有する。【０００４】
有機ＥＬディスプレイ等のアクティブマトリクス方式の表示装置では、駆動トランジスタとして薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられる。ＴＦＴでは、通電時のゲート−ソース間電圧等のストレスにより、ＴＦＴの閾値電圧が経時的にシフトする。そして、閾値電圧の経時的なシフトは、有機ＥＬへの供給電流量変動の原因となるため、表示装置の輝度制御に影響し、表示品質を悪化させる。【０００５】
また、有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ素子に流れる電流のストレスにより、供給電流量が同じであっても、経時的に輝度が低下する。経時的な輝度の低下は表示品質を悪化させる。【０００６】
有機ＥＬディスプレイでは、表示品質の悪化を防止するため、有機ＥＬ素子およびＴＦＴのそれぞれについてストレスの累積値（以下、適宜「累積値」と略称する）を求め、当該累積値を用いて映像信号の階調値を補正している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１４５２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ストレスに起因する表示品質の悪化を防止するためには、映像信号の階調値に対する補正のために用いられるストレスの累積値を精度良く求める必要がある。当該ストレスの累積値は、画素信号の累積値に対応している。【０００９】
しかしながら、従来の表示装置では、画素信号の累積値の精度が十分ではないという問題がある。【００１０】
本開示は、画素信号の累積値の精度を向上させることができる表示装置の補正方法および表示装置の補正装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本開示における表示装置の補正方法は、複数の表示画素を有する表示パネルと、映像信号に含まれる複数の画素信号の各々の累積値を記憶する第一メモリと、前記第一メモリよりも書き込み速度が遅い第二メモリと、前記表示パネルの表示制御を行う制御部とを備える表示装置において、前記制御部により実行される表示装置の補正方法であって、前記累積値を第一期間毎に繰り返し算出し、前記累積値を前記第一期間毎に前記第一メモリに記憶する累積処理を実行し、前記第一期間よりも長い第二期間毎に、前記累積値を第一メモリから前記第二メモリに転送する転送処理を実行し、前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記転送処理のタイミングを、他の表示画素における前記転送処理のタイミングから前記第二メモリの書き込み速度に応じて遅延させ、前記複数の表示画素のそれぞれについて、対応する累積値を前記第一メモリから読み出して対応する画素信号を補正し、前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記累積処理の開始タイミングを、前記転送処理のタイミングに応じて遅延させる。【００１２】
本開示における表示装置の補正方法は、複数の表示画素を有する表示パネルと、映像信号に含まれる複数の画素信号の各々の累積値を記憶する第一メモリと、前記第一メモリよりも書き込み速度が遅い第二メモリと、前記表示パネルの表示制御を行う制御部とを備える表示装置において、前記制御部により実行される表示装置の補正方法であって、前記累積値を第一期間毎に繰り返し算出し、前記累積値を前記第一期間毎に前記第一メモリに記憶する累積処理を実行し、前記第一期間よりも長い第二期間毎に、前記累積値を第一メモリから前記第二メモリに転送する転送処理を実行し、前記複数の表示画素の一部の表示画素における前記転送処理のタイミングを、他の表示画素における前記転送処理のタイミングから前記第二メモリの書き込み速度に応じて遅延させ、前記複数の表示画素のそれぞれについて、対応する累積値を前記第一メモリから読み出して対応する画素信号を補正し、前記転送処理における前記累積値の転送の順序を、前記第一メモリの初期値を前記第二メモリの値を用いて設定するタイミングで、予め定められた第一順序と、前記第一順序とは逆の第二順序との間で切り替える。
【発明の効果】
【００１３】
本開示における表示装置の補正方法等によれば、画素信号の累積値の精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。
【図２】図２は、図１の時刻ｔ１２における不揮発性メモリの状態を示す図である。
【図３】図３は、揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。
【図４】図４は、図３の時刻ｔ３２における不揮発性メモリの状態を示す図である。
【図５】図５は、実施の形態１における有機ＥＬディスプレイの外観を示す外観図である。
【図６】図６は、実施の形態１における有機ＥＬディスプレイの構成の一例を示すブロック図である。
【図７】図７は、実施の形態１における制御部の構成の一例を示すブロック図である。
【図８】図８は、実施の形態１におけるストレス累積処理の処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図９】図９は、実施の形態１の揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。
【図１０】図１０は、図９の時刻ｔ１２における不揮発性メモリの状態を示す図である。
【図１１】図１１は、実施の形態１の揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。
【図１２】図１２は、図１１の時刻ｔ３２における不揮発性メモリの状態を示す図である。
【図１３】図１３は、実施の形態１における有機ＥＬディスプレイおよび従来の有機ＥＬディスプレイのそれぞれにおいて、ストレスの累積値を用いた補正を行った結果を示す図である。
【図１４】図１４は、実施の形態２における転送順序の入れ替えの手順を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、実施の形態２の揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。
【図１６】図１６は、図１５の時刻ｔ１２における不揮発性メモリの状態を示す図である。
【図１７】図１７は、実施の形態２の揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。
【図１８】図１８は、図１７の時刻ｔ３２における不揮発性メモリの状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［課題の詳細］
有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬパネル、データ線駆動回路、走査線駆動回路、制御部およびメモリ等を備えて構成される。
【００１６】
有機ＥＬパネルは、マトリクス状に配置された複数の表示画素と、表示画素に接続される複数の走査線と複数のデータ線とを備えている。表示画素は、駆動電流に応じて発光する有機ＥＬ素子ＯＥＬと、走査線の電圧に応じて表示画素の選択および非選択を切り替える選択トランジスタと、データ線の電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する駆動トランジスタＴ２と、データ線の電圧に応じた電荷を保持する容量素子Ｃ１とを備えている。駆動トランジスタおよび選択トランジスタは、ＴＦＴで構成されている。
【００１７】
データ線駆動回路は、複数のデータ線に対し、制御部から出力される補正信号に応じた電圧を供給する。
【００１８】
走査線駆動回路は、複数の走査線に対し、制御部から出力される駆動信号に応じた電圧を供給する。
【００１９】
制御部は、リモコン等から出力される情報に応じて、有機ＥＬディスプレイの表示制御を行う。さらに、制御部は、外部から入力される映像信号に含まれる階調値に対し、表示品質を改善するための補正等を実行することにより、補正信号を生成する。表示品質を改善するための補正には、例えば、画素信号の累積値に応じた補正が含まれる。また、映像信号は、ここでは、１つのフレームで構成される画像を有機ＥＬパネル１１に表示させるための信号である。制御部は、補正信号をデータ線駆動回路に対して出力する。さらに、制御部は、映像信号に応じて駆動信号を生成し、当該駆動信号を走査線駆動回路に対して出力する。
【００２０】
メモリには、書き込み速度が比較的早い揮発性メモリと、書き込み速度が比較的遅い不揮発性メモリとが含まれる。
【００２１】
上述したように、ストレスに起因する有機ＥＬ素子における輝度の経時的な低下、および、ストレスに起因する駆動トランジスタにおける閾値電圧の経時的なシフトは、有機ＥＬディスプレイの表示品質を低下させる。このため、有機ＥＬディスプレイでは、ストレスに起因する表示品質の低下を防止するために、ストレスの累積値、つまり、画素信号の累積値を用いた映像信号の階調値に対するストレス補正が行われている。
【００２２】
以下、有機ＥＬディスプレイにおけるストレスの累積値を求める方法について、簡単に説明する。
【００２３】
累積値の算出は、映像信号が入力された際に、逐次的に行われる。制御部は、揮発性メモリから処理対象の表示画素における現在の累積値を読み出す。制御部は、入力された映像信号から処理対象の表示画素の階調値を抽出する。制御部は、当該階調値に応じたストレス値を算出する。このストレス値は、現在のストレスの累積値と階調値とに応じて決定される値であり、逐次処理が必要とされる。制御部は、揮発性メモリから読み出した累積値にストレス値を加算した値を、新たな累積値として揮発性メモリに上書きする。
【００２４】
上述したように、累積値はストレス値の演算の度に書き換えられる。このため、累積値を記憶するメモリには、十分な書き込み速度が要求される。不揮発性メモリは、比較的書き込み速度が遅く、累積値を演算の度にリアルタイム書き換える用途には向いていない。例えば、１フレーム分の累積値を書き込むのに、有機ＥＬディスプレイの表示画素数にもよるが、不揮発性メモリの一例であるＦｌａｓｈメモリでは、数分〜十数分必要となる。      
【００２５】
そこで、一般的に、累積値をリアルタイムで記憶するために、揮発性メモリが用いられる。但し、揮発性メモリは、電源の供給を停止するとデータが消えてしまうため、制御部は、定期的に揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに転送している。なお、不揮発性メモリに転送される累積値は、不揮発性メモリの書き込み速度が遅いことから、間欠的なデータとなる。
【００２６】
しかし、不揮発性メモリの書き込み速度が遅いことにより、複数の表示画素の間で、累積値の誤差に差が生じるという問題がある。当該累積値の誤差の差は、電源のＯＮおよびＯＦＦの切り替えにより蓄積される。以下、図１〜図４を用いて当該誤差の差について説明する。
【００２７】
ここでは、説明のため、映像信号において全ての画素に同じ階調値が設定されている場合について説明する。また、各時刻におけるストレス値は１である場合を想定している。
【００２８】
図１は、揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。図１において、各時刻ｔｎ（ｎは０以上の整数）は、１フレーム分の書き込み処理が行われる時間に同期している。時刻ｔｎでは、ｎ番目のフレームの書き込み処理、ストレス値の累積処理が実行される。
【００２９】
また、図１では、説明のため、有機ＥＬパネルが５つの表示画素Ｐ０〜Ｐ４を備える場合について図示している。
【００３０】
また、図１では、５フレーム単位（図１では「サイクル」と表記）で転送タイミングが設定されている。つまり、表示画素Ｐｉ（ｉ＝０〜４）の転送タイミングは、ｔ（５ｋ＋ｉ）（ｋは０以上の整数）となる。揮発性メモリから不揮発性メモリに転送されるのは、全ての累積値ではなく、転送タイミングにおいて揮発性メモリに記憶されている累積値である。図１において、楕円で囲まれた値が不揮発性メモリに転送される値である。
【００３１】
また、図１では、時刻ｔ０におけるストレスの累積値を０としている。上述したように、映像信号において全ての画素に同じ階調値が設定され、各時刻におけるストレス値は１である。このため、累積値は、時刻毎に１ずつインクリメントされた値になっている。
【００３２】
図１に示すように、揮発性メモリでは、全ての表示画素Ｐ０〜Ｐ４のストレスの累積値がリアルタイムで各時刻において更新される。
【００３３】
これに対し、不揮発性メモリに転送できる累積値は、複数の累積値のうちの一部である。図１において、時刻ｔ０では、表示画素Ｐ０におけるストレスの累積値が揮発性メモリから不揮発性メモリに転送される。時刻ｔ１になると、次の表示画素Ｐ１のストレスの累積値が転送される。時刻ｔ１では、表示画素Ｐ１のストレスの累積値は「１」に更新されているため、転送されるストレスの累積値は「１」となる。同様にして、時刻ｔ２〜４では、表示画素Ｐ２〜４におけるストレスの累積値「２」〜「４」が順次転送される。
【００３４】
時刻ｔ５では、表示画素Ｐ０に戻り、表示画素Ｐ０におけるストレスの累積値「５」が揮発性メモリから不揮発性メモリに転送される。同様にして、時刻ｔ６〜ｔ９において、表示画素Ｐ１〜Ｐ４におけるストレスの累積値「６」〜「９」が順次転送される。
【００３５】
図２は、図１の時刻ｔ１２における不揮発性メモリの状態を示す図である。不揮発性メモリＭＮＶは、２つの領域Ｍ１およびＭ２を含んでいる。領域Ｍ１およびＭ２には、それぞれ、有機ＥＬパネルを構成する全ての表示画素におけるストレスの累積値を記憶することができる。時刻ｔ９が終了した時点で、領域Ｍ１には、時刻ｔ５〜ｔ９（サイクル１）での表示画素Ｐ０〜Ｐ４におけるストレスの累積値「５」〜「９」が書き込まれている。領域Ｍ２には、時刻ｔ１０〜ｔ１２（サイクル２）での表示画素Ｐ０〜Ｐ２のストレスの累積値が書き込まれている。また、表示画素Ｐ３およびＰ４については、前回のストレスの累積値が更新されずに残っている。
【００３６】
図２から分かるように、不揮発性メモリに記憶されるストレスの累積値は、１ずつずれた値となっている。
【００３７】
図３は、揮発性メモリにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。図４は、図３の時刻ｔ３２における不揮発性メモリの状態を示す図である。図３では、図１の時刻ｔ１２において有機ＥＬディスプレイの電源がＯＦＦになった後、再び電源がＯＮになった時刻ｔ２０以降の揮発性メモリの状態を時系列で示している。
【００３８】
図１の時刻ｔ１２において有機ＥＬディスプレイの電源がＯＦＦになると、不揮発性メモリＭＮＶの状態は、図２に示す状態に維持される。
【００３９】
次に有機ＥＬディスプレイの電源がＯＮになったとき、制御部は、ストレスの累積値の初期値として、不揮発性メモリＭＮＶに記憶された値を揮発性メモリにロードする。なお、図２において、領域Ｍ２のデータは不完全であるため、領域Ｍ１の値が揮発性メモリにロードされる。
【００４０】
図３から分かるように、揮発性メモリにおける表示画素Ｐ０〜Ｐ４の累積値の初期値は、「５」〜「９」となっている。
【００４１】
図４は、図３の時刻ｔ３２における不揮発性メモリの状態を示す図である。図１に示す時刻ｔ０〜ｔ１２の場合と同様の手順で揮発性メモリの累積値を更新し、不揮発性メモリへの転送を行うと、図４に示すように、領域Ｍ１に記憶される累積値は、「１０」「１２」「１４」「１６」「１８」となる。
【００４２】
ここで、上述したように、映像信号において全ての画素に同じ階調値が設定されている場合、理論的には、累積値は全ての時刻で同じ値になると考えられる。しかし、揮発性メモリにおける累積値の更新のタイミングと、揮発性メモリから不揮発性メモリへの転送のタイミングとがずれていることにより、不揮発性メモリに記憶される累積値に含まれる誤差に差が生じている。図２および図４を比較すると、電源のＯＮおよびＯＦＦを繰り返す毎に累積値の誤差の差は大きくなっていくことが分かる。
【００４３】
このように、従来の有機ＥＬディスプレイにおけるストレスの累積値の算出では、揮発性メモリにおける累積値の更新のタイミングと揮発性メモリから不揮発性メモリへの転送のタイミングとがずれていることに起因して、累積値の誤差に差が生じるという問題がある。
【００４４】
累積値の誤差を生じさせないための方法として、揮発性メモリで構成された書き込み用のメモリバッファを設けることが考えられる。揮発性メモリに記憶されたデータを、定期的に、メモリバッファに転送し、当該メモリバッファに記憶されているデータを不揮発メモリに移動する。この場合、メモリバッファには、例えば、図１の時刻ｔ０、ｔ５、ｔ１０のように、各サイクルにおける最初の時刻のデータが保存される。つまり、メモリバッファに記憶されるデータは、累積値の誤差が同じになる。このように構成すれば、不揮発性メモリにおいて、累積値の誤差に差が生じない。
【００４５】
しかし、メモリバッファを新たに設けると、部品点数が多くなるという問題、および、製造コストが増大するという問題がある。
【００４６】
以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
【００４７】
なお、発明者は、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００４８】
（実施の形態１）
以下、図５〜図１３を用いて、実施の形態１を説明する。
【００４９】
［１−１．構成］
本実施の形態では、表示装置が有機ＥＬディスプレイである場合について説明する。
【００５０】
図５は、本実施の形態における有機ＥＬディスプレイ１０の外観を示す外観図である。図６は、本実施の形態における有機ＥＬディスプレイ１０の構成の一例を示すブロック図である。
【００５１】
図６に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬパネル１１と、データ線駆動回路１２と、走査線駆動回路１３と、制御部２０と、揮発性メモリＭＶと、不揮発性メモリＭＮＶとを備えている。
【００５２】
［１−１−１．有機ＥＬパネルおよび駆動回路］
有機ＥＬパネル１１は、マトリクス状に配置された複数の表示画素Ｐと、複数の表示画素Ｐに接続される複数の走査線ＧＬと、複数のデータ線ＳＬとを備える表示パネルの一例である。
【００５３】
表示画素Ｐは、本実施の形態では、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、選択トランジスタＴ１と、駆動トランジスタＴ２と、容量素子Ｃ１とを備えている。
【００５４】
選択トランジスタＴ１は、走査線ＧＬの電圧に応じて表示画素Ｐの選択および非選択を切り替える。選択トランジスタＴ１は、薄膜トランジスタであり、ゲート端子が走査線ＧＬに、ソース端子がデータ線ＳＬに、ドレイン端子がノードＮ１にそれぞれ接続されている。
【００５５】
駆動トランジスタＴ２は、データ線ＳＬの電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する。駆動トランジスタＴ２は、薄膜トランジスタであり、ゲート端子がノードＮ１に、ソース端子が有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極にそれぞれ接続され、ドレイン端子に電圧ＶＴＦＴが供給されている。
【００５６】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、駆動電流に応じて発光する発光素子である。駆動電流は、駆動トランジスタＴ２から供給される。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード電極が駆動トランジスタＴ２のソース端子に接続され、カソード電極が接地されている。
【００５７】
容量素子Ｃ１は、データ線ＳＬの電圧に応じた電荷が蓄積される容量素子であり、一端がノードＮ１に、他端が駆動トランジスタＴ２のソース端子に接続されている。
【００５８】
データ線駆動回路１２は、複数のデータ線ＳＬに対し、制御部２０から出力される補正信号に応じた電圧を供給する。
【００５９】
走査線駆動回路１３は、複数の走査線ＧＬに対し、制御部２０から出力される駆動信号に応じた電圧を供給する。
【００６０】
なお、本実施の形態では、選択トランジスタＴ１および駆動トランジスタＴ２がＮ型のＴＦＴである場合を例に説明したが、Ｐ型のＴＦＴであっても構わない。この場合でも、容量素子Ｃ１は、駆動トランジスタＴ２のゲートソース間に接続される。
【００６１】
［１−１−２．制御部およびメモリ］
制御部２０は、有機ＥＬパネル１１における映像の表示を制御する回路であり、例えば、ＴＣＯＮ（タイミングコントローラ）等を用いて構成される。なお、制御部２０は、マイクロコントローラを含むコンピュータシステム、あるいは、システムＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ：大規模集積回路）等を用いて構成されていても構わない。
【００６２】
制御部２０は、外部から入力された映像信号に対する補正処理、および、補正用累積データの書き込み処理の制御等を行う。映像信号は、ここでは、１つのフレームで構成される画像を有機ＥＬパネル１１に表示させるための信号である。映像信号には、映像信号により示される画像を構成する複数の画素の階調値が含まれる。階調値は画素信号の一例である。
【００６３】
映像信号の補正には、上述したストレスに起因する表示品質の低下を防止するためのストレス補正が含まれる。制御部２０は、映像信号の階調値に対しストレス補正を実行して補正信号を生成し、当該補正信号をデータ線駆動回路１２に出力する。
【００６４】
図７は、本実施の形態における制御部２０の構成の一例を示すブロック図である。図７では、制御部２０を構成する構成要素の一部、ストレス補正に関する部分について図示している。制御部２０には、図７に示す構成の他に、駆動信号を生成する回路等が含まれる。
【００６５】
図７に示すように、制御部２０は、入力部２１と、ストレス補正部２２とを備えている。
【００６６】
入力部２１は、外部入力される映像信号を受け付け、画像のサイズの調整等を行う。入力部２１は、有機ＥＬパネル１１を構成する複数の表示画素Ｐそれぞれの階調値を順次取得し、ストレス補正部２２の加算値算出部２３および乗算部２６に対して出力する。
【００６７】
ストレス補正部２２は、ストレスの累積値を用いてストレス補正を行う。ストレス補正部２２は、図７に示すように、加算値算出部２３と、加算部２４と、補正値算出部２５と、乗算部２６とを備えている。
【００６８】
加算値算出部２３は、映像信号の階調値から、表示画素Ｐを構成する有機ＥＬ素子ＯＥＬのストレス値を算出する。有機ＥＬ素子ＯＥＬのストレス値は、揮発性メモリＭＶに記憶されている現在のストレス値と、映像信号の階調値とを変数とする関数を用いて求められる。
【００６９】
加算部２４は、揮発性メモリＭＶに記憶された累積値にストレス値を加算した値を、新たな累積値として揮発性メモリＭＶに上書きする。
【００７０】
補正値算出部２５は、複数の表示画素のそれぞれについて、対応する累積値を揮発性メモリＭＶから読み出して対応する階調値を補正するための補正係数を算出する。なお、本実施の形態では、補正値算出部２５は、加算値算出部２３および加算部２４により起動後の最初の累積値の算出が行われる前には、揮発性メモリＭＶではなく、不揮発性メモリＭＮＶから累積値を読み出しても構わない。
【００７１】
乗算部２６は、入力部から出力された階調値に補正係数を乗算することにより、階調値をストレスの累積値に応じて補正した補正信号を生成する。
【００７２】
制御部２０は、上述した書き込み処理を、フレーム単位で実行する。
【００７３】
メモリは、本実施の形態では、揮発性メモリＭＶと、不揮発性メモリＭＮＶとを含んでいる。
【００７４】
揮発性メモリＭＶは、映像信号に含まれる複数の画素信号の各々の累積値（時間的な累積値）を記憶する第一メモリの一例である。揮発性メモリＭＶは、累積値として、ストレス値を記憶する。揮発性メモリＭＶは、累積値を一時的に保存する。揮発性メモリＭＶは、例えば、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）あるいはＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）である。
【００７５】
不揮発性メモリＭＮＶは、第一メモリよりも書き込み速度が遅い第二メモリの一例である。不揮発性メモリＭＮＶは、非一時的に累積値を保存するメモリである。不揮発性メモリＭＮＶは、ここでは、Ｆｌａｓｈメモリである場合について説明する。不揮発性メモリＭＮＶは、２つの領域Ｍ１およびＭ２を含んでいる（図１０参照）。領域Ｍ１およびＭ２には、それぞれ、有機ＥＬパネル１１を構成する全ての有機ＥＬ素子ＯＥＬにおけるストレスの累積値を記憶することができる。
【００７６】
［１−２．動作］
以上のように構成された有機ＥＬディスプレイ１０の制御部２０の動作について、図８〜図１２を基に説明する。
【００７７】
本実施の形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、画素信号の累積値を求める処理として、ストレス累積処理、および、転送処理を実行する。
【００７８】
本実施の形態では、累積値の誤差を低減するため、複数の表示画素のうちの一部におけるストレス累積処理の開始タイミングを、転送処理のタイミングに応じてずらしている。複数の表示画素に対するストレス累積処理の開始タイミングは、予め設定され、メモリに記憶されている。
【００７９】
［１−２−１．ストレス累積処理］
制御部２０は、有機ＥＬ素子ＯＥＬの各々について、累積値を第一期間毎に繰り返し算出し、第一期間毎に揮発性メモリＭＶに記憶するストレス累積処理を実行する。第一期間は、ここでは、１フレーム分の画像に対する処理が実行される１フレーム期間である。
【００８０】
ストレス累積処理の詳細について、図８を基に説明する。ストレス累積処理は、表示画素Ｐに対する書き込み処理に同期して行われる。
【００８１】
図８は、本実施の形態におけるストレス累積処理の処理手順の一例を示すフローチャートである。図８は、１フレーム分の処理について示している。映像信号に含まれる複数のフレームのそれぞれについて、図８に示すストレス累積処理が実行される。
【００８２】
有機ＥＬディスプレイ１０の電源が投入され、外部から映像信号が入力されると、制御部２０はストレス累積処理を開始する。
【００８３】
入力部２１は、映像信号を受け付けると、映像信号から複数の表示画素のうちの処理対象画素に対応する階調値を取得する。入力部２１は、取得した階調値を加算値算出部２３に出力する。
【００８４】
加算部２４は、揮発性メモリＭＶから処理対象画素における累積値を読み出す（Ｓ１２）。
【００８５】
加算値算出部２３は、処理対象画素に対応する映像信号の階調値に応じて、処理対象画素のストレス値を算出する（Ｓ１３）。詳細には、加算値算出部２３は、ステップＳ１２において読み出した累積値と、階調値とに応じて、ストレス値を算出する。ストレス値は、例えば、一定の電流が有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れ続けたと仮定した場合の時間換算値で表される。
【００８６】
さらに、加算部２４は、読み出した累積値に加算値算出部２３が算出したストレス値を加算する。加算部２４は、加算した値を処理対象画素の新たな累積値として揮発性メモリＭＶに記憶する（Ｓ１４）。
【００８７】
制御部２０は、ストレス累積処理の対象となる表示画素がある場合は（Ｓ１５でＮＯ）、ステップＳ１１に移行し、ストレス累積処理の対象となる表示画素がない場合は（Ｓ１５でＹＥＳ）、当該フレームにおけるストレス累積処理を終了する。
【００８８】
［１−２−２．転送処理］
制御部２０は、第一期間よりも長い第二期間毎に、揮発性メモリＭＶに記憶されている累積値を不揮発性メモリＭＮＶに転送する転送処理を実行する。制御部２０は、不揮発性メモリＭＮＶの書き込み速度に応じて、複数の表示画素の一部の表示画素における累積値の転送タイミングを遅延させる。制御部２０は、一部の表示画素Ｐ１〜Ｐ４については、表示画素Ｐ０とはタイミングをずらして（遅延させて）転送処理を行う。遅延させる間隔は、第一期間の倍数が好ましく、第二期間よりも短い。
【００８９】
図９は、本実施の形態の揮発性メモリＭＶにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。図９において、各時刻ｔｎ（ｎは０以上の整数）は、１フレーム分の書き込み処理が行われる時間に同期している。時刻ｔｎでは、ｎ番目のフレームが処理される。
【００９０】
図９では、説明のため、図１および図３と同様に、有機ＥＬパネルが５つの表示画素Ｐ０〜Ｐ４を備える場合について図示している。
【００９１】
表示画素Ｐ０〜Ｐ４の累積値の転送タイミングについて説明する。図９において、楕円で囲まれた値が不揮発性メモリに転送される値である。言い換えると、表示画素Ｐの累積値の転送タイミングは、累積値が楕円で囲まれるタイミングである。
【００９２】
表示画素Ｐｉ（ｉは０以上の整数）の転送タイミングは、１フレームにつきｊ個（ｊは自然数）の累積値を転送可能な場合、全ての累積値を転送するのに必要なフレーム数をｆとすると、ｔ（ｉ／ｊ＋ｆ×ｋ）、（ｋは自然数）となる。なお、当該式において、ｉ／ｊで示される項では、端数を切り捨てるものとする。
【００９３】
なお、不揮発性メモリＭＮＶの仕様にもよるが、一般的に、不揮発性メモリＭＮＶには、一度にある程度の数の累積値を転送できる。つまり、１フレーム期間において不揮発性メモリＭＮＶの仕様に応じた数の累積値を一度に転送できる。但し、転送できる累積値の数は、有機ＥＬパネル１１を構成する表示画素の総数よりも相当少ない。１フレームにつきｊ個の累積値を不揮発性メモリＭＮＶに転送可能な場合は、ｊ個の表示画素Ｐを１つのグループとして複数の表示画素Ｐをグループ分けし、各時刻ｔｎにおいて、１グループ分の累積値を転送する。この場合、図９における表示画素Ｐ０〜Ｐ４は、画素グループＧ０〜Ｇ４の代表画素に対応する。
【００９４】
図９に示す例では、表示画素Ｐｉの累積値の転送タイミングは、ｔ（ｉ＋５ｋ）となる。
【００９５】
表示画素Ｐ０以外の表示画素は、表示画素Ｐ０の転送タイミングに対し、ｉ／ｊ（端数切り捨て）フレーム分、遅延することになる。
【００９６】
［１−２−３．ストレス累積処理の開始タイミング］
制御部２０は、複数の表示画素のうちの一部の表示画素について、ストレス累積処理の開始タイミングを、転送処理のタイミングに応じて遅延させる。
【００９７】
ストレス累積処理の開始タイミングと、揮発性メモリＭＶおよび不揮発性メモリＭＮＶの状態について、図９〜図１２を用いて説明する。
【００９８】
図９に示す例では、表示画素Ｐｉ（ｉ＝０〜４）に対する累積処理の開始タイミングは、ｉフレーム分ずらされている。
【００９９】
なお、１フレームにつきｊ個（ｊは自然数）の表示画素の累積値が転送される場合、ｉ番目の表示画素のストレス累積処理は、ｉ／ｊ（端数切り捨て）フレーム分ずれることになる。図９において、楕円ＳＰ１のタイミングが、ストレス累積処理の開始タイミングになる。図９において、表示画素Ｐｉのストレス累積処理の開始タイミングは、時刻ｔｉとなっている。
【０１００】
［１−２−４．ストレス累積処理の開始タイミングの遅延による影響］
以下、ストレス累積処理の開始タイミングを遅延させたことによる揮発性メモリＭＶへの影響について、図９〜図１２を用いて具体的に説明する。
【０１０１】
加算値算出部２３は、時刻がｔ０のときは、表示画素Ｐ０についてストレス累積処理を実行する。表示画素Ｐ１〜Ｐ４については、ストレス累積処理の開始タイミングが経過していないため、ストレス累積処理を実行しない。これにより、時刻ｔ１では、表示画素Ｐ０の累積値は１となり、他の表示画素Ｐ１〜Ｐ４の累積値は０のままになる。
【０１０２】
同様に、時刻ｔ１〜ｔ４では、加算値算出部２３は、時刻がｔｎのとき、表示画素Ｐ０〜Ｐｎについてストレス累積処理を実行する。ストレス累積処理の開始タイミングが経過していない表示画素Ｐについては、ストレス累積処理を実行しない。これにより、時刻ｔｎにおいて、表示画素Ｐ０の累積値はｎ、表示画素Ｐ１の累積値は（ｎ−１）、表示画素Ｐ２の累積値は（ｎ−２）、表示画素Ｐ３の累積値は（ｎ−３）、表示画素Ｐ４の累積値は（ｎ−４）となる。つまり、表示画素Ｐｉの累積値の値は、表示画素Ｐ（ｉ−１）の累積値の値が１ずつ右にシフトした状態になっている。
【０１０３】
図９から分かるように、１つの楕円で囲まれる数値は、全て同じになっている。
【０１０４】
図１０は、図９の時刻ｔ１２における不揮発性メモリの状態を示す図である。図１０に示すように、領域Ｍ１には、表示画素Ｐ０〜Ｐ４の累積値として「５」が記憶されている。つまり、累積値の値が全ての表示画素で同じになっている。
【０１０５】
図１１は、本実施の形態の揮発性メモリＭＶにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。図１１では、図９の時刻ｔ１２において有機ＥＬディスプレイの電源がＯＦＦになった後、再び電源がＯＮになった時刻ｔ２０以降の揮発性メモリの状態を時系列で示している。
【０１０６】
図１１においても、図９の場合と同様に、ストレス累積処理の開始タイミングは、ｉ番目の画素については、ｉフレーム分ずらされており、表示画素Ｐｉのストレス累積処理の開始タイミングは、時刻ｔｉとなっている。
【０１０７】
図１１から分かるように、１つの楕円で囲まれる数値は、全て同じになっている。
【０１０８】
図１２は、図１１の時刻ｔ３２における不揮発性メモリの状態を示す図である。図１２に示すように、領域Ｍ１には、表示画素Ｐ０〜Ｐ４の累積値として「１０」が記憶されている。つまり、累積値の値が全ての表示画素で同じになっている。
【０１０９】
ここで、本実施の形態では、全ての表示画素に対し、同じ階調値の映像信号を入力する場合を想定していることから、全ての時刻で累積値は同じになると考えられる。図９〜図１２から分かるように、本実施の形態では、累積値が同じになると考えられる表示画素については、同じ累積値が不揮発性メモリに記憶されることになる。
【０１１０】
ここで、図９および図１１において一点鎖線で囲んだ部分のデータは、事実上破棄されることになるため、不揮発性メモリＭＮＶに記憶される累積値には、誤差が含まれる。但し、本実施の形態の場合、複数の表示画素の間で誤差の値は一定になる。また、実際の使用態様では、電源のＯＮおよびＯＦＦの切り替えは頻繁に行われないと考えられるため、上述した誤差を含んでいても、当該累積値の精度は、映像信号の階調値を補正するには十分であると考えられる。
【０１１１】
［１−３．効果等］
上述したように、本実施の形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、ストレス累積処理の開始タイミングを不揮発性メモリＭＮＶの書き込み速度に応じて遅延させるので、複数の表示画素の間で累積値の誤差をほぼ均一な値にすることができる。
【０１１２】
これに対し、図１〜４に示す従来の有機ＥＬディスプレイでは、複数の表示画素の間で累積値の誤差が異なる値となっている。このため、従来の有機ＥＬディスプレイでは、当該累積値を用いて画素信号の補正を行うと、輝度むらが生じる可能性がある。
【０１１３】
図１３は、本実施の形態における有機ＥＬディスプレイ１０および従来の有機ＥＬディスプレイのそれぞれにおいて、ストレスの累積値を用いた補正を行った結果を示す図である。図１３の（ａ）は、本実施の形態における有機ＥＬディスプレイ１０においてストレスの累積値を用いた補正を行った結果を示している。図１３の（ｂ）は、従来の有機ＥＬディスプレイにおいてストレスの累積値を用いた補正を行った結果を示している。図１３の（ｂ）では、輝度にグラデーションが生じているのに対し、図１３の（ａ）では、一様な補正となり、映像品質が改善されていることが分かる。なお、図１３では、左上の画素から右下の画素まで順に画素信号の補正を行った場合を例に説明している。他の順序で画素信号の補正を行った場合には、輝度むらの生じ方は変化するが、輝度むらは生じることになる。
【０１１４】
また、本実施の形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、メモリバッファ等、他の構成を追加しないので、製造コストの増大を抑えることができる。
【０１１５】
（実施の形態２）
図１４〜図１８を用いて、実施の形態２を説明する。
【０１１６】
実施の形態１では、一部の表示画素におけるストレス累積処理の開始タイミングを不揮発性メモリの書き込み速度に応じて遅延させた。これに対し、本実施の形態では、転送処理における複数の累積値の転送の順序を、揮発性メモリＭＶの初期値を不揮発性メモリＭＮＶの値を用いて設定するタイミングで、予め定められた第一順序と、第一順序とは逆の第二順序との間で切り替える。切り替えのタイミングは、本実施の形態では、電源投入時である。
【０１１７】
なお、本実施の形態では、実施の形態１と同様に、表示装置が有機ＥＬディスプレイである場合について説明する。本実施の形態の有機ＥＬディスプレイの構成は、制御部２０におけるストレス補正部２２の動作が異なるが、図５〜図７に示す有機ＥＬディスプレイ１０の構成と同じである。
【０１１８】
［２−１．動作］
本実施の形態における有機ＥＬディスプレイ１０の制御部２０の動作について、図１４〜図１８を基に説明する。
【０１１９】
本実施の形態では、実施の形態１と同様に、画素信号の累積値を求めるための処理について説明する。本実施の形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、実施の形態１と同様に、画素信号の累積値を求める処理として、ストレス累積処理、および、転送処理を実行する。
【０１２０】
なお、ストレス累積処理の処理手順は、図８に示す実施の形態１のストレス累積処理の処理手順と同じである。但し、本実施の形態では、ストレス累積処理の開始タイミングは、全ての表示画素で同じである。
【０１２１】
また、転送処理については、基本的には実施の形態１と同じであるが、転送順番が異なる。
【０１２２】
［２−１−１．転送順序の入れ替え］
図１４は、本実施の形態における転送順序の入れ替えの手順を示すフローチャートである。なお、本実施の形態では、揮発性メモリＭＶの初期値を不揮発性メモリＭＮＶの値を用いて設定するタイミングとして、電源投入時を想定している。
【０１２３】
制御部２０は、電源が投入されると（Ｓ２１）、転送順序を第一順序と第一順序とは逆の第二順序との間で切り替える（Ｓ２２）。
【０１２４】
ここで、実施の形態１において説明したように、１フレームにつきｊ個の累積値を転送可能な場合は、ｊ個の表示画素Ｐを１つのグループとして複数の表示画素Ｐをグループ分けし、各時刻ｔｎにおいて、１グループ分の累積値を転送する。この場合、転送の順序は、グループ毎に設定される。
【０１２５】
図１５は、本実施の形態の揮発性メモリＭＶにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。図１５において、各時刻ｔｎ（ｎは０以上の整数）は、１フレーム分の書き込み処理が行われる時間に同期している。時刻ｔｎでは、ｎ番目のフレームが処理される。
【０１２６】
図１５では、説明のため、図９と同様に、有機ＥＬパネルが５つの表示画素Ｐ０〜Ｐ４を備える場合について図示している。
【０１２７】
表示画素Ｐ０〜Ｐ４の累積値の転送タイミングおよび転送順序は、図９に示す実施の形態１と同じである。
【０１２８】
図１５では、揮発性メモリにおいて、全ての表示画素Ｐ０〜Ｐ４のストレスの累積値がリアルタイムで各時刻ｔｎにおいて更新される。
【０１２９】
図１５における揮発性メモリＭＶから不揮発性メモリＭＮＶの転送順序は、表示画素Ｐ０〜Ｐ４の順（第一順序に相当）である。
【０１３０】
図１６は、図１５の時刻ｔ１２における不揮発性メモリの状態を示す図である。図１６では、不揮発性メモリＭＮＶの領域Ｍ１には、時刻ｔ５〜ｔ９（サイクル１）での表示画素Ｐ０〜Ｐ４におけるストレスの累積値「５」〜「９」が書き込まれている。領域Ｍ２には、時刻ｔ１０〜ｔ１２（サイクル２）での表示画素Ｐ０〜Ｐ２のストレスの累積値が書き込まれている。また、表示画素Ｐ３およびＰ４については、前回のストレスの累積値が更新されずに残っている。
【０１３１】
図１７は、本実施の形態の揮発性メモリＭＶにおけるストレスの累積値を時系列で示す図である。図１７では、図１５の時刻ｔ１２において有機ＥＬディスプレイの電源がＯＦＦになった後、再び電源がＯＮになった時刻ｔ２０以降の揮発性メモリの状態を時系列で示している。このとき、転送順序は、第一順序から、第二順序に切り替えられる。
【０１３２】
図１７では、揮発性メモリＭＶから不揮発性メモリＭＮＶの転送順序は、図１５における転送順序の逆であり、表示画素Ｐ４〜Ｐ０の順（第二順序に相当）である。
【０１３３】
図１５の時刻ｔ１２において有機ＥＬディスプレイの電源がＯＦＦになると、不揮発性メモリＭＮＶの状態は、図１６に示す状態に維持される。
【０１３４】
次に有機ＥＬディスプレイの電源がＯＮになったとき、制御部２０は、ストレスの累積値の初期値として、不揮発性メモリＭＮＶに記憶された値を揮発性メモリＭＶにロードする。なお、図１６において、領域Ｍ２のデータは不完全であるため、領域Ｍ１の値が揮発性メモリにロードされる。
【０１３５】
図１７から分かるように、揮発性メモリにおける表示画素Ｐ０〜Ｐ４の累積値の初期値は、「５」〜「９」となっている。また、制御部２０は、各時刻ｔｎにおいて、累積値を１ずつインクリメントしている。
【０１３６】
図１７では、揮発性メモリＭＶから不揮発性メモリＭＮＶへの累積値の転送順序は、表示画素Ｐ４〜Ｐ０の順になる。図１７において、楕円で囲んだ累積値が不揮発性メモリＭＮＶに転送される累積値である。図１７から分かるように、１つの楕円で囲まれた累積値は、全ての表示画素で同じ値になっている。
【０１３７】
図１８は、図１７の時刻ｔ３２における不揮発性メモリの状態を示す図である。図１５に示す時刻ｔ０〜ｔ１２の場合と同様の手順で揮発性メモリの累積値を更新し、不揮発性メモリＭＮＶへの転送を行うと、図１８に示すように、領域Ｍ１に記憶される累積値は、全ての表示画素で同じ「１４」となる。
【０１３８】
［２−２．効果等］
上述したように、本実施の形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、揮発性メモリＭＶの初期値を不揮発性メモリＭＮＶの値を用いて設定するタイミングで、予め定められた第一順序と、第一順序とは逆の第二順序との間で切り替える。これにより、本実施の形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、実施の形態１の有機ＥＬディスプレイ１０と同様に、複数の表示画素の間で累積値の誤差をほぼ均一な値にすることができ、表示品質を改善することができる。
【０１３９】
また、本実施の形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、実施の形態１と同様に、メモリバッファ等、他の構成を追加しないので、製造コストの増大を抑えることができる。
【０１４０】
（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態１および２を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態１および２で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
【０１４１】
（１）上記実施の形態１および２では、有機ＥＬディスプレイに本開示の技術が適用される場合について説明したが、これに限るものではない。プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）あるいは液晶ディスプレイ等の他の表示装置に適用しても構わない。
【０１４２】
（２）上記実施の形態１および２では、累積値の算出および揮発性メモリＭＶにおける累積値の上書きを１フレーム毎に行っているが、これに限るものではない。例えば、数フレーム毎に当該数フレーム分の画素信号の値を用いて累積値の算出および揮発性メモリＭＶにおける累積値の上書きを行っても構わない。
【０１４３】
また、上記実施の形態１および２では、表示画素毎に累積値の算出を行う場合について説明したが、複数の表示画素で構成されるブロック毎に累積値の算出を行っても構わない。
【０１４４】
（３）また、上記実施の形態１および２では、画素信号の累積値に相当する値として、有機ＥＬ素子のストレス値を例に説明したが、これに限るものではない。駆動トランジスタのストレス値であっても構わない。また、有機ＥＬ素子のストレス値および駆動トランジスタのストレス値の両方を利用する構成であっても構わない。
【０１４５】
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
【０１４６】
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０１４７】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本開示は、書き込み速度の異なる複数のメモリを備えた表示装置であって、累積値を利用した処理を行う表示装置に適用可能である。具体的には、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、あるいは、液晶ディスプレイに、本開示は適用可能である。
【符号の説明】
【０１４９】
１０  有機ＥＬディスプレイ
１１  有機ＥＬパネル
１２  データ線駆動回路
１３  走査線駆動回路
２０  制御部
２１  入力部
２２  ストレス補正部
２３  加算値算出部
２４  加算部
２５  補正値算出部
Ｃ１  容量素子
ＧＬ  走査線
ＭＶ  揮発性メモリ
ＭＮＶ  不揮発性メモリ
Ｍ１、Ｍ２  領域
Ｎ１  ノード
ＯＥＬ  有機ＥＬ素子
Ｐ、Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐｉ  表示画素
ＳＬ  データ線
Ｔ１  選択トランジスタ
Ｔ２  駆動トランジスタ
【図１】
2016021172.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016021172.tif 000009
【図８】
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【図９】
2016021172.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2016021172.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2016021172.tif 000019
【図１８】
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【国際調査報告】
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