(57)【要約】  本発明の課題は、一定のメニュー表示画面を保持した場合であっても、焼き付きの発生が抑制されたタッチパネルを提供することである。  本発明のタッチパネル（１）は、メニュー画面表示用プログラム、透明樹脂基板（４）、透明金属導電膜（５）及びバックライトを有することを特徴とする。
2015141068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メニュー画面表示用プログラム、透明樹脂基板、透明金属導電膜及びバックライトを有することを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記透明金属導電膜が、銀又は銅の少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記透明金属導電膜が、前記透明樹脂基板よりも屈折率の高い高屈折率層に挟持されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記高屈折率層の少なくとも一方には、ＺｎＳが含有されていることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一定のメニュー画面表示を保持した場合であっても、焼き付きの発生が抑制されたタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、液晶パネル、有機ＥＬパネルのような表示装置とタッチパッドのような位置入力装置とを組み合わせた電子部品であり、操作盤として普及し、最近ではＰＣの入力装置としても価値も上がっている。【０００３】
従来の操作盤では、特定のメニュー画面に命令を入力するのではなく、メニュー画面から命令を選択する方式が取られていることが多いため、そのメニュー画面が同じ状態で保持されることとなり、いわゆる焼き付きが起こってしまうという問題があった。
また、メニュー選択式の画面では、大きな文字が表示され、視認性を向上させるためにコントラストが強くなるように設定されていることが多く、文字の焼き付きが起こる頻度が高い。【０００４】
焼き付きには種々あるが、透明樹脂基板に発生する焼き付きではバックライトの低波長成分の影響が大きいとされている。【０００５】
液晶表示装置の焼き付きを防止するため、特許文献１では新規カラーフィルター材料が提案されている。また、特許文献２では制御系により改善することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２５４０５８号公報
【特許文献２】特開２０１４−００６５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１及び２に開示されている技術では、透明樹脂基板を原因とする焼き付きの改善は十分ではなかった。【０００８】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、その解決課題は、一定のメニュー表示画面を保持した場合であっても、焼き付きの発生が抑制されるタッチパネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記課題は、下記手段によって解決される。【００１０】
（１）メニュー画面表示用プログラム、透明樹脂基板、透明金属導電膜及びバックライトを有することを特徴とするタッチパネル。【００１１】
（２）前記透明金属導電膜が、銀又は銅の少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする前記（１）に記載のタッチパネル。【００１２】
（３）前記透明金属導電膜が、前記透明樹脂基板よりも屈折率の高い高屈折率層に挟持されていることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載のタッチパネル。【００１３】
（４）前記高屈折率層の少なくとも一方には、ＺｎＳが含有されていることを特徴とする前記（３）に記載のタッチパネル。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、一定のメニュー表示画面を保持した場合であっても、焼き付きの発生が抑制されたタッチパネルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】タッチパネルの一例を示す模式図
【図２Ａ】タッチパネルの一例を示す概略断面図
【図２Ｂ】タッチパネルの一例を示す概略断面図
【図３】パターニングの一例を示す模式図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
≪タッチパネル≫
本発明のタッチパネルは、メニュー画面表示用プログラム、透明樹脂基板、透明金属導電膜及びバックライトを有することを特徴とする。
【００１７】
以下に、本発明のタッチパネルの一例として、図１、２Ａ及び２Ｂを用いて、その構成について説明する。
図１に示すとおり、タッチパネル１は、バックライトを備える表示装置２と位置入力装置３とから構成されている。図２Ａに示すとおり、位置入力装置３は、表示装置２側から、透明金属導電膜５と透明樹脂基板４とを有している。
【００１８】
本発明においては、透明金属導電膜５がプラズモン吸収をもつことから、表示装置２に備えられたバックライトの可視光よりも低波長の成分が吸収され、透明樹脂基板４に影響する低波長成分が減少し、焼き付きの発生を抑制できたのではないかと考えられる。
【００１９】
図２Ｂには、図２Ａで示される構成に加えて、透明金属導電膜５を挟持する第１高屈折率層６及び第２高屈折率層７、並びに下地層８を有する例を示している。
第１高屈折率層６及び第２高屈折率層７を設けることで、光透過性（光学アドミッタンス）を調整することができる。
【００２０】
＜メニュー画面表示用プログラム＞
本発明に係るメニュー画面表示用プログラムとは、銀行ＡＴＭ装置等、据え置き型のタッチパネルにおいて、特定のメニュー画面を初期画面として表示し、保持待機する状態とすることを命令するプログラムをいう。したがって、かかる機能を有する形態であれば、特にタッチパネル本体に組み込まれている必要はなく、タッチパネルに付属する機器に組み込まれ、タッチパネルに指令する形態のものでもよい。
本発明において、同じ表示が保持される時間は３０秒以上である。
【００２１】
＜位置入力装置＞
位置入力装置は、透明樹脂基板と透明金属導電膜とを有している。
【００２２】
（透明樹脂基板）
本発明に係る透明樹脂基板の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリナフタレンテレフタレート等のポリエステル樹脂（屈折率１．５８〜１．６４）、ポリカーボネート樹脂（屈折率１．５８〜１．６０）、トリアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等のセルロースエステル樹脂（屈折率１．４５〜１．５０）、シクロオレフィン樹脂（屈折率１．５１〜１．５４）、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂（屈折率１．４９〜１．５７）等、通常タッチパネルに使用される樹脂が挙げられる。
【００２３】
透明樹脂基板は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍにおける光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
【００２４】
透明樹脂基板のヘイズ値は、０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。
【００２５】
膜厚は、使用用途により適宜選択することができるが、１０〜２００μｍの範囲内が好ましい。
【００２６】
なお、本発明における各部材（層）の厚さ、屈折率は、２３℃５５％ＲＨの環境下、波長５９０ｎｍ、ＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定することができ、また、屈折率ｎは、ｘ、ｙ、ｚ軸の平均である。ｘ軸は、面内で最も屈折率の大きい方向である。
【００２７】
（透明金属導電膜）
通常のタッチパネルでは透明導電膜としてＩＴＯが使用されているが、本発明では透明金属導電膜を使用することにより、焼き付けを改善している。
【００２８】
本発明に係る透明金属導電膜は、透明樹脂基板又は後述する高屈折率層、下地層の全面に形成されていてもよく、また、所望の形状にパターニングされていてもよい。
【００２９】
透明金属導電膜を構成する材料は、膜とした場合にプラズモン吸収を生じさせる金属であれば本発明の効果を発揮することができるが、導電性の点から銀又は銅（以下、銀等という。）を主成分とすることが好ましい。
ここで、主成分とは、透明金属導電膜を構成する全原子の量に対して、５０ａｔ％以上含有することをいう。
【００３０】
透明金属導電膜に銀等とともに含まれる金属は、具体的には、ゲルマニウム、ビスマス、白金族、銅、金、モリブデン、亜鉛、ガリウム、スズ、インジウム、ネオジム、チタン、アルミニウム、タングステン、マンガン、鉄、ニッケル、イットリウム及びマグネシウムである。好ましくはゲルマニウム、ビスマス、パラジウム、銅、金及びネオジムである。
本発明に係る透明金属導電膜には、これらの金属が１種以上含まれてもよい。
【００３１】
透明金属導電膜に含まれる銀等以外の金属の量は、透明金属導電膜を構成する全原子の量に対して、０．０１ａｔ％以上５０ａｔ％未満であることが好ましく、より好ましくは０．１〜３０ａｔ％の範囲内であり、更に好ましくは０．２〜１０ａｔ％の範囲内である。
銀合金としては、ＡＰＣ合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）、ＡＰＣ-ＴＲ合金等（(株)フルヤ金属製）、Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金等が挙げられる。
【００３２】
透明金属導電膜のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍの全帯域にわたって、０．１〜１０％の範囲内であることが好ましく、０．５〜７％の範囲内であることがより好ましく、１〜５％の範囲内であることが更に好ましい。
【００３３】
透明金属導電膜の波長４００〜８００ｎｍの全帯域におけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）樹脂基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて厚さ０．１ｎｍで成膜する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を厚さ２０ｎｍで成膜する。
（ii）次いで、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして、各波長における透過率及び反射率から、吸収率（＝１００−（透過率＋反射率））を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の透明金属導電膜について、同様に透過率及び反射率を測定する。そして、得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００３４】
透明金属導電膜の厚さは、１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明金属導電膜の厚さを１０ｎｍ以下とすることで、透明金属導電膜における金属本来の反射が抑制される。
【００３５】
透明金属導電膜の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、イオンアシスト法等、一般的な気相成膜法が挙げられるが、透明性の点から、真空蒸着法、スパッタ法又はイオンアシスト法で成膜することが好ましい。
【００３６】
スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等が挙げられる。透明金属導電膜は、特に、対向スパッタ法で成膜された膜であることが好ましい。
スパッタ法で透明金属導電膜を成膜する場合、銀等及び他の金属を所望の比率で混合した合金をスパッタリングターゲットにしてもよく、銀等及び他の金属をそれぞれスパッタリングターゲットにしてもよい。
【００３７】
透明金属導電膜が後述する下地層上に成膜された膜である場合、透明金属導電膜の成膜時に下地層が成長核となるため、透明金属導電膜が平滑な膜になりやすい。
【００３８】
また、透明金属導電膜が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されず、所望のパターンを有するマスクを配置してパターニングされた膜であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【００３９】
（位置入力装置の特性）
位置入力装置の表面比抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、より好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域（図３参照。）の表面比抵抗値は、透明金属導電膜の厚さ等によって調整される。
表面比抵抗値は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４に準拠して測定することができ、具体的には、ロレスタＧＰ（ＭＣＰ-Ｔ６１０  三菱化学製）を用いて、２３℃５５％ＲＨの環境下で測定される。
【００４０】
位置入力装置の光の平均透過率としては、４００〜８００ｎｍの範囲内において８０％以上であることが好ましい。
【００４１】
＜バックライト＞
本発明に係るバックライトとしては、冷陰極管（ＣＣＦＬ）や熱陰極管（ＨＣＦＬ）、外部電極蛍光管（ＥＥＦＬ）、平面蛍光管（ＦＦＬ）、発光ダイオード素子（ＬＥＤ）、有機発光ダイオード素子（ＯＬＥＤ）などの有機エレクトロルミネッセンス素子等が挙げられる。
バックライトは、表示装置又は位置入力装置の少なくとも一方に組み込まれる。
これらのバックライトは、４５０ｎｍ以下の波長の光を出すことにより、透明樹脂基板を劣化させ、透明樹脂基板が黄変することにより焼き付けが発生する。
【００４２】
＜高屈折率層＞
本発明に係る高屈折率層は、透明樹脂基板よりも屈折率が高く、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の間に透明金属導電膜を挟む形態を有する。
【００４３】
（第１高屈折率層）
第１高屈折率層は、透明金属導電膜が成膜されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層である。したがって、第１高屈折率層は、透明金属導電膜の導通領域（図３参照。）に形成されることが好ましい。
【００４４】
第１高屈折率層は、透明金属導電膜の絶縁領域（図３参照。）にも形成されていてもよいが、導通領域及び絶縁領域からなるパターンを視認されにくくするとの観点から、導通領域のみに形成されていることが好ましい。
【００４５】
第１高屈折率層は、透明樹脂基板の屈折率より高い屈折率を有し、誘電性材料又は酸化物半導体材料の１種以上によって形成されることが好ましい。第１高屈折率層の屈折率は、透明樹脂基板の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
【００４６】
第１高屈折率層を形成する誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率は、１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、１．８〜２．５の範囲内であることが更に好ましい。
これらの材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。
【００４７】
本発明に係る第１高屈折率層を形成する具体的な材料としては、ＺｎＳ、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ＩＧＺＯ（インジウム、ガリウム、亜鉛の酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム及び酸素からなる非晶質酸化物）等が挙げられ、中でもＺｎＳが好ましい。
【００４８】
また、第１高屈折率層は、ＺｎＳと金属酸化物又は金属フッ化物とを含むアモルファス層であることが好ましい。アモルファス層に含まれる金属酸化物又は金属フッ化物としては、ＳｉＯ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＹＦ３、ＬａＦ３、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＺｒＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３等が挙げられ、これらは１種以上含まれてもよい。これらのうち、ＳｉＯ２が好ましい。
【００４９】
第１高屈折率層としては、ＺｎＳが０．１〜９５体積％の範囲内で含まれていることが好ましく、より好ましくは５０〜９０体積％の範囲内であり、適宜選択される。
【００５０】
第１高屈折率層の厚さは、１５〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍの範囲内である。
第１高屈折率層の厚さは、上記エリプソメーターで測定される。
第１高屈折率層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜することができる。
【００５１】
第１高屈折率層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００５２】
（第２高屈折率層）
本発明に係る第２高屈折率層は、第１高屈折率層と同等のものであり、同じでも異なっていてもよい。
【００５３】
本発明においては、第１高屈折率層又は第２高屈折率層の少なくとも一方に、ＺｎＳが含まれていることが好ましい。
また、第１高屈折率層と第２高屈折率層との屈折率、層厚を適宜選択することにより、４５０ｎｍ以下の波長透過率を抑制することができる。
【００５４】
＜その他構成層＞
（下地層）
本発明では、高屈折率層と透明金属導電膜との間に、透明金属導電膜の成膜時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、少なくとも透明金属導電膜の導通領域（図３参照。）に成膜されていることが好ましいが、絶縁領域（図３参照。）に成膜されていてもよい。
【００５５】
下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウム、あるいはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物が含まれることが好ましく、これらの１種以上が含まれてもよい。特に、パラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
【００５６】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、下地層を構成する材料の全質量に対して、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、更に好ましくは６０質量％以上である。
【００５７】
下地層の層厚は、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜としての層厚を有していることである。これらの層厚は平均値であり、場合によっては膜状になっておらず、島状であってもよい。
【００５８】
下地層の有無は、ＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の層厚は、成膜速度と成膜時間とを乗じて算出される。
【００５９】
下地層は、スパッタ法又は蒸着法で成膜された層であることが好ましい。
スパッタ法の例には、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が含まれる。下地層成膜時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均層厚及び成膜速度に合わせて適宜選択される。スパッタ成膜速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
一方、蒸着法の例には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の層厚及び成膜速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
【００６０】
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。
【００６１】
（低屈折率層）
本発明は、高屈折率層上に、透明金属導電膜の導通領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するために、例えば、ＭｇＦ２及びＳｉＯ２を含有する層厚１０〜１５０ｎｍの低屈折率層が形成されていてもよい。
【００６２】
（硫化防止層）
本発明では、高屈折率層にＺｎＳのような硫化物を使用する場合、高屈折率層に接して硫化防止層を設けることが好ましい。
硫化防止層は、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物及びＺｎから選択される少なくとも１種の化合物を含む層であり、これらが１種以上含まれてもよい。
【００６３】
具体的には、金属（Ｓｉを含む。）酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等、金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等、金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が挙げられ、中でもＺｎＯが好ましい。
【００６４】
硫化防止層の層厚は、０．１〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは１〜３ｎｍの範囲内である。
硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜される。
【実施例】
【００６５】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。使用素材（ｎは屈折率を表す。）は、下記のとおりである。【００６６】
（透明樹脂基板）
１．ＴＡＣ１：コニカミノルタ（株）製コニカミノルタタック４０μｍ  ｎ＝１．４８
２．ＴＡＣ２：コニカミノルタ（株）製ゼロタック  ４０μｍ  ｎ＝１．５０
３．ＣＯＰ：日本ゼオン（株）製ゼオノアＺＦ１４  １００μｍ  ｎ＝１．５３
４．ＰＣ：帝人化成（株）製ピュアエースＣ１１０−１００  １００μｍ  ｎ＝１．５８５．ＰＥＴ：東洋紡（株）製コスモシャインＡ４３００  ５０μｍ  ｎ＝１．６０【００６７】
（高屈折率層）
１．ＺｎＳ：ｎ＝２．３７
２．ＺｎＳ−ＳｉＯ２１（９５：５体積％）：ｎ＝２．２５
３．ＺｎＳ−ＳｉＯ２２（８０：２０体積％）：ｎ＝２．１２
４．ＺｎＳ−ＳｉＯ２３（７０：３０体積％）：ｎ＝２．０５
５．ＩＴＯ：ｎ＝１．８０
６．ＩＺＯ：ｎ＝２．１０
７．Ｎｂ２Ｏ５：ｎ＝２．３３
８．ＺｎＯ：ｎ＝１．９５【００６８】
（透明金属導電材料）
１．Ａｇ：Ａｇ１００ａｔ％
２．Ａｇ合１：ＡＰＣ合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）（（株）フルヤ金属製）
３．Ａｇ合２：ＡＰＣ-ＴＲ合金（（株）フルヤ金属製）
４．Ａｇ合３：Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金（（株）フルヤ金属製）【００６９】
（硫化防止層）
１．ＺｎＯ
２．ＧＺＯ
（下地層）
１．Ｍｏ：Ｍｏ１００ａｔ％
２．Ｐｂ：Ｐｂ１００ａｔ％【００７０】
≪試料の作製≫
＜試料１の作製＞
ＴＡＣ１フィルム上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属導電膜（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ）をこの順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。なお、下地層の平均層厚は、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。【００７１】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
ＴＡＣ１フィルム上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ  ｐｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ）、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温（２５℃）下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．０Å／ｓでＺｎＳをＲＦスパッタし、第１高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、９０ｍｍであった。【００７２】
（透明金属導電膜（Ａｇ）の形成）
第１高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温（２５℃）下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタし、透明金属導電膜を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。【００７３】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明金属導電膜上に、第１高屈折率層と同様にして、第２高屈折率層を形成し、積層体１を得た。【００７４】
（積層体１のパターニング）
得られた積層体１上に、レジスト層をパターン状に成膜し、第１高屈折率層、透明金属導電膜及び第２高屈折率層を、図３に示されるパターン（複数の導通領域９と、これを区切るライン状の絶縁領域１０とを含むパターン）状にエッチング液（林純薬製）でパターニングした。絶縁領域１０には、透明樹脂基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域１０の幅を１６μｍとし、試料１を得た。【００７５】
＜試料２〜２７及び比較試料１０１〜１０４の作製＞
試料２〜２７及び比較試料１０１〜１０４は、表１に示すよう構成を試料１と同様にして作製した。
なお、第１高屈折率層と透明金属導電膜又は下地層との間の第１硫化防止層、第１硫化防止層と透明金属導電膜との間の下地層、透明金属導電膜と第２高屈折率層との間の第２硫化防止層は、以下のようにして形成した。【００７６】
（第１及び第２硫化防止層の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温（２５℃）下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓで第１及び第２硫化防止層材料をＲＦスパッタし、第１及び第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、９０ｍｍであった。【００７７】
（下地層の形成）
シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用い、２４０Ａ、成膜レート０．１Å／ｓで下地層材料を抵抗加熱式蒸着し、下地層を形成した。下地層の層厚は、成膜レート及び成膜時間から算出した。【００７８】
作製した各試料を位置入力装置とし、下記の評価を行った。【００７９】
≪試料の評価≫
＜焼き付き性の評価＞
端部に白色ＬＥＤ光源を配置したアクリル製導光板に、厚手の黒色紙でＭＳ−Ｐゴチック体、２４ポイントとなるようにアルファベットＥ、Ｔ、Ａ、Ｏ、Ｉ、Ｎ、Ｑ、Ｓ、Ｗ、Ｘの文字を作製し貼り付け、その上に作製した各試料を配置し、４５℃５％ＲＨの雰囲気下１０００時間点灯を続け、その後目視により透明樹脂基板の焼き付きを観察し、下記の評価基準に従って評価した。
評価結果を表１に示す。【００８０】
◎  全く観察されない。
○  実用上問題程度観察される。
△  いくつかの文字が判別できる。
×  全ての文字が判別できる。【００８１】
＜表面比抵抗の測定＞
作製した各試料について、ダイアインスツルメンツ製抵抗率計ロレスタＧＰを用い、四端子法により表面比抵抗を測定した。
測定結果を表１に示す。【００８２】
【表１】
2015141068.tif 000003
【００８３】
表１から明らかなとおり、本発明のタッチパネルは、焼き付きの発生が抑制され、表面比抵抗が十分に小さいことが分かった。これにより、本発明のタッチパネルの有用性が確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、一定のメニュー表示画面を保持した場合であっても、焼き付きの発生が抑制されるタッチパネルを提供することに、特に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１  タッチパネル
２  表示装置
３  位置入力装置
４  透明樹脂基板
５  透明金属導電膜
６  第１高屈折率層
７  第２高屈折率層
８  下地層
９  導通領域
１０  絶縁領域
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【国際調査報告】
2015141068.tif 000008
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