(57)【要約】  絶縁検出装置（１１）は、接地電位部から絶縁された直流電源（Ｂ）の正端子と負端子との間に接続され、直流電源（Ｂ）の電源電圧に応じた電荷量で充電されるフライングキャパシタ（Ｃ１）と、フライングキャパシタ（Ｃ１）への充電と放電を切り換えるための切換スイッチと、フライングキャパシタ（Ｃ１）が充電された際の充電電圧を検出可能な電圧検出装置（１５）と、電圧検出装置（１５）によって検出されたフライングキャパシタの充電電圧とに基づいて、直流電源の絶縁状態を検出するための演算装置（１５）を備える。切換スイッチは、半導体リレー（５０）を備えた複数のスイッチ（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、複数のスイッチ（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の半導体リレー（５０）の各々に並列接続され、半導体リレーにかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子（ＺＤ１等）とを備える。
2015111692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源の絶縁状態を検出するための絶縁検出装置であって、
接地電位部から絶縁された直流電源の正端子と負端子との間に接続され、前記直流電源の電源電圧に応じた電荷量で充電されるフライングキャパシタと、
前記フライングキャパシタへの充電と放電を切り換えるための切換スイッチと、
前記フライングキャパシタが充電された際の充電電圧を検出可能な電圧検出装置と、
前記電圧検出装置によって検出された前記フライングキャパシタの充電電圧に基づいて、前記直流電源の絶縁状態を検出するための演算装置と
を備え、
前記切換スイッチは、半導体リレーを備えた複数のスイッチと、前記複数のスイッチのうちの１つ以上のスイッチの前記半導体リレーにそれぞれ対応して並列接続され、接続された前記半導体リレーにかかる最大電圧を定電圧に保つための１つ以上の保護素子とを備える
ことを特徴とする絶縁検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の絶縁検出装置であって、
前記切換スイッチは、第１スイッチと第２スイッチと第３スイッチと第４スイッチとを備え、
前記第１スイッチは、前記正端子に直列接続された第１ダイオードおよび第１抵抗を介して前記フライングキャパシタの一方の端子に接続され、
前記第２スイッチは、前記負端子を前記フライングキャパシタの他方の端子に第２抵抗を介して接続され、
前記第３スイッチは、前記第１スイッチと前記第１ダイオードとを接続する配線と前記電圧検出装置との間に直列に接続され、且つ前記フライングキャパシタの一方の端子に直列接続された第２ダイオードおよび第３抵抗を介して前記電圧検出装置に接続され、
第４スイッチは、前記フライングキャパシタの他方の端子を、第４抵抗を介して前記接地電位部に接続される
ことを特徴とする絶縁検出装置。
【請求項３】
請求項２に記載の絶縁検出装置であって、
前記半導体リレーは、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーで構成され、
前記保護素子は、前記第１スイッチと前記第２スイッチと前記第３スイッチと前記第４スイッチとの前記光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーの各々に並列接続されたツェナーダイオードを備え、
前記第１スイッチの前記ツェナーダイオードは、前記直流電源の正端子から流れる電流に対して逆方向となるように設けられ、
前記第２スイッチの前記ツェナーダイオードは、前記直流電源の負端子に向かって流れる電流に対して逆方向となるように設けられ、
前記第３スイッチの前記ツェナーダイオードは、前記第１スイッチの前記ツェナーダイオードと同じ順方向となるように設けられると共に、当該ツェナーダイオードと逆方向となるように逆電流防止用のダイオードが設けられ、
前記第４スイッチの前記ツェナーダイオードは、前記第２スイッチの前記ツェナーダイオードと同じ順方向となるように設けられると共に、当該ツェナーダイオードと逆方向となるように逆電流防止用のダイオードが設けられ、
前記各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーの耐圧条件は、
Ｖｄｓ＞Ｖｚ
但し、Ｖｄｓ：各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーの耐圧、Ｖｚ：前記ツェナーダイオードのツェナ電圧
であり、且つ、
前記ツェナーダイオードのツェナ電圧（Ｖｚ）の条件は、
Ｖｚ1＋Ｖｚ3＞Ｖｄ
但し、Ｖｚ1：第１スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｚ3：第３スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｄ：要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
Ｖｚ2＋Ｖｚ4＞Ｖｄ
但し、Ｖｚ2：第２スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｚ4：第４スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｄ：要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
であることを特徴とする絶縁検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接地電位部から絶縁された直流電源により充電されるフライングキャパシタの充電電圧に基づいて、直流電源の接地電位部に対する地絡や絶縁状態を検出する絶縁検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来例の絶縁検出装置として、例えば、フライングキャパシタ方式の絶縁検出装置が提案されている。【０００３】
この従来例の絶縁検出装置は、直流の高圧電源の絶縁状態を検出する際に、接地から浮かせた状態のコンデンサ（即ち、フライングキャパシタ）に高圧電源の電圧を充電してその両端電圧を計測した計測値と、コンデンサの一方を抵抗を介して接地した状態において、同様に高圧電源の電圧をコンデンサに充電してその両端電圧を計測した計測値とに基づいて地絡抵抗を算出することにより高圧電源の絶縁状態を検出している（特許文献１参照）。【０００４】
そして、例えば、推進用エネルギーとして電力を利用する車両においては、高圧化（例えば２００Ｖ）された直流電源を車体から絶縁して非接地電源とするのが通常であり、このような非接地電源の接地電位部に対する地絡や絶縁状態の検出に上述のような構成の絶縁検出装置が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７０１０３号公報(JP 2004-170103 A)
【発明の概要】
【０００６】
ところで、絶縁検出装置の被検査対象（車両等）の電力が高圧化（例えば、４００Ｖ）するのに伴い、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路に使用される光ＭＯＳ−ＦＥＴ等の半導体リレーも高耐圧化が求められている。
【０００７】
しかしながら、高耐圧（例えば、耐圧９００Ｖ程度）の光ＭＯＳ−ＦＥＴ等は、技術的に製造が難しく部品単価が高くなり、装置全体のコストが嵩むという不都合があった。
【０００８】
また、高耐圧の光ＭＯＳ−ＦＥＴ等を用いた場合には、通電電流が低下してしまうという難点もあった。
【０００９】
即ち、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路において、地絡計測回路の高耐圧化に伴って光ＭＯＳ−ＦＥＴ等の通電電流が低く制限されてしまうと、地絡計測回路の方式上、充放電のための電流が低く制限されてしまう。これに伴い、規定の充放電に要する時間を長く変更せざるを得なくなり、計測サイクルが遅くなるため、車両等についての地絡や絶縁状態の高速な計測の要求に応えられないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高耐圧の半導体リレーを用いることなく高耐圧化を図ることができると共に、通電電流を確保することのできる絶縁検出装置を提供することを目的とする。
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の態様に係る地絡計測回路は、直流電源の絶縁状態を検出するためのものであって、接地電位部から絶縁された直流電源の正端子と負端子との間に接続され、直流電源の電源電圧に応じた電荷量で充電されるフライングキャパシタと、フライングキャパシタへの充電と放電を切り換えるための切換スイッチと、フライングキャパシタが充電された際の充電電圧を検出可能な電圧検出装置と、電圧検出装置によって検出されたフライングキャパシタの充電電圧に基づいて、直流電源の絶縁状態を検出するための演算装置とを備える。切換スイッチは、半導体リレーを備えた複数のスイッチと、複数のスイッチのうちの１つ以上のスイッチの半導体リレーにそれぞれ対応して並列接続され、接続された半導体リレーにかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子とを備える。
【００１２】
切換スイッチは、第１スイッチから第４スイッチを備えてもよい。この場合、第１スイッチは、正端子に直列接続された第１ダイオードおよび第１抵抗を介してフライングキャパシタの一方の端子に接続され、第２スイッチは、負端子をフライングキャパシタの他方の端子に第２抵抗を介して接続され、第３スイッチは、第１スイッチと第１ダイオードとを接続する配線と電圧検出装置との間に直列に接続され且つフライングキャパシタの一方の端子に直列接続された第２ダイオードおよび第３抵抗を介して電圧検出装置に接続され、第４スイッチは、フライングキャパシタの他方の端子を第４抵抗を介して接地電位部に接続される。
【００１３】
半導体リレーは光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーで構成され、保護素子は各スイッチの光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーに並列接続された例えばツェナーダイオードなどで構成されてもよい。この場合、第１スイッチのツェナーダイオード等は、直流電源の正端子から流れる電流に対して逆方向となるように設けられ、第２スイッチのツェナーダイオード等は、直流電源の負端子に向かって流れる電流に対して逆方向となるように設けられ、第３スイッチのツェナーダイオード等は、第１スイッチのツェナーダイオードと同じ順方向となるように設けられると共に、当該ツェナーダイオード等と逆方向となるように逆電流防止用のダイオードが設けられ、第４スイッチのツェナーダイオード等は、第２スイッチのツェナーダイオード等と同じ順方向となるように設けられると共に、当該ツェナーダイオード等と逆方向となるように逆電流防止用のダイオードが設けられるとよい。このとき、各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーの耐圧条件は、
Ｖｄｓ＞Ｖｚ
但し、Ｖｄｓ：各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーの耐圧、Ｖｚ：ツェナーダイオードのツェナ電圧、であり、且つ、ツェナーダイオードのツェナ電圧（Ｖｚ）の条件は、
Ｖｚ1＋Ｖｚ3＞Ｖｄ
但し、Ｖｚ1：第１スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｚ3：第３スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｄ：要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧、
Ｖｚ2＋Ｖｚ4＞Ｖｄ
但し、Ｖｚ2：第２スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｚ4：第４スイッチのツェナーダイオードのツェナ電圧、Ｖｄ：要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧
であればよい。
【００１４】
本発明の態様によれば、高耐圧の半導体リレーを用いることなく高耐圧化を図ることができると共に、通電電流を確保することのできる絶縁検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施形態に係る絶縁検出装置の基本構成を示す回路図である。
【図２】図２（ａ）−２（ｄ）は、実施形態に係る絶縁検出装置に適用される第１スイッチ−第４スイッチの構成例を示す回路図である。
【図３】図３は、実施形態に係る絶縁検出装置の構成例を示す回路図である。
【図４】図４は、比較例に係る絶縁検出装置の構成例を示す回路図である。
【図５】図５は、実施形態の変形例に係る絶縁検出装置の構成例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１〜３を参照して、実施形態に係る絶縁検出装置１１について説明する。
【００１７】
（絶縁検出装置の構成について）
実施形態に係る絶縁検出装置（地絡センサ）１１は、接地電位部から絶縁された高圧直流電源Ｂの正端子と負端子との間に接続され、高圧直流電源Ｂの電源電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタＣ１が充電された際の充電電圧を電圧検出装置１５によって検出することにより、高圧直流電源Ｂの絶縁状態を検出する絶縁検出装置である。
【００１８】
フライングキャパシタＣ１への充電と放電を切り換えるための切換スイッチは、半導体リレー５０と、半導体リレー５０に並列接続され、半導体リレーにかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子（ツェナーダイオードＺＤ１等）とを備える。
【００１９】
図１、３では、切換スイッチは、４個のスイッチ（第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４）で構成される場合を示すが、これに限定されるものではなく、２〜３個のスイッチあるいは５個以上のスイッチで構成するようにしてもよい。
【００２０】
実施形態に係る絶縁検出装置１１は、車両の車体等において、接地電位部から絶縁された高圧直流電源Ｂの絶縁状態を検出するためのものである。
【００２１】
図１において、引用符号ＲＬｐは高圧直流電源Ｂの正電極側の地絡抵抗、引用符号ＲＬｎは高圧直流電源Ｂの負電極側の地絡抵抗をそれぞれ示す。
【００２２】
絶縁検出装置１１は、両極性のフライングキャパシタＣ１と、切換スイッチとしての第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４と、フライングキャパシタＣ１の充電電圧や放電電圧をサンプルホールドするサンプルホールド回路１４と、サンプルホールド回路１４のホールド値を検出してフライングキャパシタＣ１の充電電圧や放電電圧を測定するための電圧検出装置としてのマイクロコンピュータ（以下、「マイコン」と略記する）１５とを備える。フライングキャパシタＣ１としては、セラミックスコンデンサ等を用いることができる。
【００２３】
切換スイッチは、フライングキャパシタＣ１を高圧直流電源Ｂの正極に接続する第１スイッチＳ１と、フライングキャパシタＣ１を高圧直流電源Ｂの負極に接続する第２スイッチＳ２と、フライングキャパシタＣ１をマイコン１５に接続する第３スイッチＳ３と、フライングキャパシタＣ１を接地電位部に接続する第４スイッチＳ４とを備える。フライングキャパシタＣ１と第１スイッチＳ１との間には、第１抵抗Ｒ１が直列に接続され、フライングキャパシタＣ１と第２スイッチＳ２との間には、第２抵抗Ｒ２が直列に接続されている。
【００２４】
マイコン１５によってフライングキャパシタＣ１の充電電圧や放電電圧を測定する際の高圧直流電源Ｂに対する絶縁性を確保するために、第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２には、同じ値の比較的高い抵抗値（例えば、３００ｋΩ）の抵抗が使用される。
【００２５】
第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４の各々には、例えば光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー等の半導体リレー５０が用いられ、マイコン１５によりオンオフ制御（開閉制御）できるようになっている。
【００２６】
ここで、光ＭＯＳ−ＦＥＴとは、光を使って、電気的には絶縁しながら信号を伝える素子であり、駆動側に発光ダイオード、接点にＭＯＳ−ＦＥＴを採用した完全固体型リレー（半導体リレー）の一種である。光ＭＯＳ−ＦＥＴを用いた光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーは、従来の機械式リレーに比べて小型、軽量であるだけでなく、駆動が容易で高速で、ノイズが出難いという特性を有する。一方で、光ＭＯＳ−ＦＥＴは、高耐圧化（例えば、耐圧９００Ｖ）を図る場合には、技術的な困難性等から部品単価が通常の耐圧（例えば、６００Ｖ程度）のものより相当高額になるという難点がある。
【００２７】
第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４の具体的な構成例については、図２を参照して後述する。
【００２８】
マイコン１５は、高圧直流電源Ｂよりも低い低圧系の補機バッテリによって動作する。高圧直流電源Ｂは、マイコン１５の接地電位からも絶縁されている。
【００２９】
マイコン１５の第１Ａ／Ｄ変換ポートＡ／Ｄ１は、サンプルホールド回路１４を介して第３スイッチＳ３と接続されている。サンプルホールド回路１４と第３スイッチＳ３との接続点は、第５抵抗Ｒ４を介して接地されている。第４スイッチＳ４と接地電位部との間には、第４抵抗Ｒ５が接続されている。フライングキャパシタＣ１の一端（図１中上方の極）側の第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３とは、直列接続されている。第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３との接続点とフライングキャパシタＣ１の一端との間には、電流方向切替回路Ｘが接続されている。
【００３０】
電流方向切替回路Ｘは並列回路であり、第１スイッチＳ１からフライングキャパシタＣ１の一端に向けて順方向となる第１ダイオードＤ０と第１抵抗Ｒ１の直列回路と、フライングキャパシタＣ１の一端から第３スイッチＳ３に向けて順方向となる第２ダイオードＤ２と第３抵抗Ｒ３の直列回路と、第３スイッチＳ３からフライングキャパシタＣ１の一端に向けて順方向となる第３ダイオードＤ１とを備える。
【００３１】
実施形態では、高圧直流電源Ｂには、正負の各極と接地電位部との間に、コモンモードノイズ対策用のＹコンデンサＹ＋，Ｙ−が介設されている。
【００３２】
正側のＹコンデンサＹ＋は、高圧電源出力の正極側電源ライン１１１と接地電極１１３との間に接続されている。負側のＹコンデンサＹ−は、高圧電源出力の負極側電源ライン１１２と接地電極１１３との間に接続されている。正極側電源ライン１１１と接地電極１１３との間の絶縁状態は地絡抵抗ＲＬｐとして表され、負極側電源ライン１１２と接地電極１１３との間の絶縁状態は地絡抵抗ＲＬｎとして表されている。
【００３３】
（絶縁検出装置の動作について）
次に、上述した構成の絶縁検出装置１１において、地絡や絶縁状態を検出する際の動作手順について説明する。
【００３４】
まず、マイコン１５の制御により、予め決定しておいた所定時間に亘って、第１スイッチＳ１と第２スイッチＳ２とをオンさせると共に、第３スイッチＳ３と第４スイッチＳ４とサンプルホールド回路１４のスイッチとをオフさせる。ここで、所定時間とは、フライングキャパシタＣ１が完全に充電されるのに要する時間よりも短い時間である。
【００３５】
これにより、高圧直流電源Ｂの正極から、正端子側の主回路配線１ｐ、第１スイッチＳ１、第１ダイオードＤ０、第１抵抗Ｒ１、フライングキャパシタＣ１の一端（図１中上方の端子）、他端（図１中下方の端子）、第２抵抗Ｒ２、第２スイッチＳ２、負端子側の主回路配線１ｎを経て、高圧直流電源Ｂの負極に至る経路の充電回路を形成する。以後、この経路の充電回路を第１充電回路と称する。
【００３６】
そして、この第１充電回路において、フライングキャパシタＣ１を高圧直流電源Ｂの電圧に応じた電荷量で充電する。この第１充電回路での充電により、フライングキャパシタＣ１の一端が正極、他端が負極となる。
【００３７】
続いて、マイコン１５の制御により、第１スイッチＳ１と第２スイッチＳ２とをオフさせると共に、第３スイッチＳ３と第４スイッチＳ４とをオンさせる。これにより、フライングキャパシタＣ１の正極が、第２ダイオードＤ２と第３抵抗Ｒ３と第３スイッチＳ３とを介してサンプルホールド回路１４に接続され、フライングキャパシタＣ１の負極が、第４スイッチＳ４と第４抵抗Ｒ５とを介して接地電位部に接続される。これにより、フライングキャパシタＣ１が放電される。
【００３８】
また、第３スイッチＳ３と第４スイッチＳ４のオンと同時に、マイコン１５の制御により、サンプルホールド回路１４のスイッチを短時間（例えば、２００〜３００μｓ）オンさせる。これにより、フライングキャパシタＣ１の充電電圧を第３抵抗Ｒ３と第５抵抗Ｒ４で分圧したうちの、第３抵抗Ｒ３の両端電圧の差に相当する電位で読込用コンデンサ１７が充電される。
【００３９】
ここで、フライングキャパシタＣ１の放電開始時には、高圧直流電源Ｂの電圧に応じた電荷量でフライングキャパシタＣ１が充電された状態にある。そのため、フライングキャパシタＣ１の放電開始直後にその放電電圧で充電される読込用コンデンサ１７には、高圧直流電源Ｂの電圧に応じた電荷量のうち、第５抵抗Ｒ４と第４抵抗Ｒ５の分圧比に応じた電荷量が蓄積されることになる。
【００４０】
そして、マイコン１５の制御によりサンプルホールド回路１４のスイッチをオフさせると、読込用コンデンサ１７の充電電圧を分圧した電位が、サンプルホールド回路１４を介してマイコン１５の第１Ａ／Ｄ変換ポートＡ／Ｄ１に入力されて測定される。そこで、この測定値と、第３抵抗Ｒ３と第５抵抗Ｒ４の分圧比と、第５抵抗Ｒ４と第４抵抗Ｒ５の分圧比とから、高圧直流電源Ｂの電圧に応じたフライングキャパシタＣ１の充電電圧Ｖｃ１をマイコン１５で測定させる。
【００４１】
なお、サンプルホールド回路１４のスイッチをオフさせた後、フライングキャパシタＣ１の充電電圧を測定している間も、第３スイッチＳ３、第４スイッチＳ４はオンされたままであるので、フライングキャパシタＣ１は引き続き放電状態にある。
【００４２】
さらに、フライングキャパシタＣ１の充電電圧の測定終了後、マイコン１５の制御により、サンプルホールド回路１４のスイッチをオンさせる。これにより、フライングキャパシタＣ１と読込用コンデンサ１７とを放電状態とする。フライングキャパシタＣ１と読込用コンデンサ１７とを完全に放電させた時点で、マイコン１５の制御により、第３スイッチＳ３と第４スイッチＳ４とサンプルホールド回路１４のスイッチとをオフさせる。
【００４３】
そして、フライングキャパシタＣ１と読込用コンデンサ１７とを完全に放電させた後、マイコン１５の制御により、上述した所定時間に亘って、第１スイッチＳ１と第４スイッチＳ４とをオンさせると共に、第２スイッチスイッチＳ２と第３スイッチＳ３とをオフさせる。
【００４４】
これにより、高圧直流電源Ｂの正極から、正端子側の主回路配線１ｐ、第１スイッチＳ１、第１ダイオードＤ０、第１抵抗Ｒ１、フライングキャパシタＣ１の一端と他端、第４スイッチＳ４、第４抵抗Ｒ５、（接地電位部、）負端子側の地絡抵抗ＲＬｎ、負端子側の主回路配線１ｎを経て、高圧直流電源Ｂの負極に至る経路の充電回路を形成する。以後、この経路の充電回路を第２充電回路と称する。
【００４５】
そして、この第２充電回路において、フライングキャパシタＣ１を、負端子側の地絡抵抗ＲＬｎに応じた電荷量で充電する。この第２充電回路での充電により、フライングキャパシタＣ１の一端が正極、他端が負極となる。
【００４６】
続いて、マイコン１５の制御により、第１スイッチＳ１と第２スイッチＳ２とをオフさせると共に、第３スイッチＳ３と第４スイッチＳ４とをオンさせ、かつ、サンプルホールド回路１４のスイッチを短時間（例えば、２００〜３００μｓ）オンさせる。
【００４７】
その後、マイコン１５の制御によりサンプルホールド回路１４のスイッチを再びオンさせるまでの間、高圧直流電源Ｂの電圧に応じたフライングキャパシタＣ１の充電電圧の測定の際と同様にして、負端子側の地絡抵抗ＲＬｎに応じたフライングキャパシタＣ１の充電電圧をマイコン１５で測定させる。
【００４８】
そして、フライングキャパシタＣ１と読込用コンデンサ１７とを完全に放電させた後、マイコン１５の制御により、上述した所定時間に亘って、第２スイッチＳ２と第３スイッチＳ３とをオンさせると共に、第１スイッチＳ１と第４スイッチＳ４とをオフさせる。
【００４９】
これにより、高圧直流電源Ｂの正極から、正端子側の主回路配線１ｐ、正端子側の地絡抵抗ＲＬｐ、（接地電位部、）第５抵抗Ｒ４、第３スイッチＳ３、第３ダイオードＤ１、フライングキャパシタＣ１の一端と他端、第２抵抗Ｒ２、第２スイッチＳ２、負端子側の主回路配線１ｎを経て、高圧直流電源Ｂの負極に至る経路の充電回路を形成する。以後、この経路の充電回路を第３充電回路と称する。
【００５０】
そして、この第３充電回路において、フライングキャパシタＣ１を、正端子側の地絡抵抗ＲＬｐに応じた電荷量で充電する。この第３充電回路での充電により、フライングキャパシタＣ１の一端が正極、他端が負極となる。
【００５１】
続いて、マイコン１５の制御により、第１スイッチＳ１と第２スイッチＳ２とをオフさせると共に、第３スイッチＳ３と第４スイッチＳ４とをオンさせ、かつ、サンプルホールド回路１４のスイッチを短時間（例えば、２００〜３００μｓ）オンさせる。
【００５２】
その後、マイコン１５の制御によりサンプルホールド回路１４のスイッチを再びオンさせるまでの間、高圧直流電源Ｂの電圧に応じたフライングキャパシタＣ１の充電電圧Ｖｃ１の測定の際や、負端子側の地絡抵抗ＲＬｎに応じたフライングキャパシタＣ１の充電電圧の測定の際と同様にして、正端子側の地絡抵抗ＲＬｐに応じたフライングキャパシタＣ１の充電電圧をマイコン１５で測定させる。そして、フライングキャパシタＣ１と読込用コンデンサ１７とを完全に放電させる。
【００５３】
ここで、図１に示した絶縁検出装置１１における地絡抵抗の計測に関して、（Ｖｃ１ｐ＋Ｖｃ１ｎ）／Ｖｃ１に基づいて、合成地絡抵抗「（ＲＬｐ×ＲＬｎ）／（ＲＬｐ＋ＲＬｎ）」を導出することができる。
【００５４】
但し、Ｖｃ１：高圧直流電源Ｂの出力電圧に応じたフライングキャパシタＣ１の充電電圧、Ｖｃ１ｎ：負側の地絡抵抗ＲＬｎの影響を受けたフライングキャパシタＣ１の充電電圧、Ｖｃ１ｐ：正側の地絡抵抗ＲＬｐの影響を受けたフライングキャパシタＣ１の充電電圧、ＲＬｐ，ＲＬｎ：各地絡抵抗の抵抗値である。
【００５５】
これにより、マイコン１５は、各状態でアナログ入力ポート（Ａ／Ｄ１）に入力される信号レベルから各充電電圧「Ｖｃ１」、「Ｖｃ１ｎ」、「Ｖｃ１ｐ」を把握し、上記関係式に基づいて地絡抵抗ＲＬｐ、ＲＬｎを算出することができる。
【００５６】
よって、マイコン１５は、正端子側の地絡抵抗ＲＬｐと負端子側の地絡抵抗ＲＬｎの並列合成抵抗値を算出し、高圧直流電源Ｂの地絡や絶縁状態を検出することができる。
【００５７】
（第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４の構成例について）
次に、図２（ａ）−２（ｄ）、３を参照して、第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４の構成例について説明する。
【００５８】
まず、実施形態に係る絶縁検出装置１１に適用される第１スイッチＳ１は、図２（ａ）の回路図に示す構成を有している。
【００５９】
即ち、第１スイッチＳ１は、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に並列接続され、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０にかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子としてのツェナーダイオードＺＤ１と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０のオンオフ制御（開閉制御）を行うためのスイッチ制御装置としてのＩＣ２０とを備える。
【００６０】
ツェナーダイオードＺＤ１は、高圧直流電源Ｂの正端子から流れる電流に対して逆方向となるように設けられている。
【００６１】
また、第２スイッチＳ２は、図２（ｂ）の回路図に示す構成を有している。
【００６２】
即ち、第２スイッチＳ２は、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に並列接続され、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０にかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子としてのツェナーダイオードＺＤ２と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０のオンオフ制御（開閉制御）を行うためのスイッチ制御装置としてのＩＣ２０とを備える。
【００６３】
そして、ツェナーダイオードＺＤ２は、高圧直流電源Ｂの負端子に向かって流れる電流に対して逆方向となるように設けられている。
【００６４】
また、第３スイッチＳ３は、図２（ｃ）の回路図に示す構成を有している。
【００６５】
即ち、第３スイッチＳ３は、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に並列接続される、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０にかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子としてのツェナーダイオードＺＤ３ａとツェナーダイオードＺＤ３ａと逆方向となるように設けられる逆電流防止用のダイオード（ツェナーダイオード）ＺＤ３ｂとの直列回路と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０のオンオフ制御（開閉制御）を行うスイッチ制御装置としてのＩＣ２０とを備える。
【００６６】
なお、ツェナーダイオードＺＤ３ａは、第１スイッチＳ１のツェナーダイオードＺＤ１と同じ順方向となるように設けられている。
【００６７】
また、図２（ｃ）に示す例では、逆電流防止用のダイオードとしてツェナーダイオードＺＤ３ｂを用いる場合を示したが、これに限らず、通常のダイオードを用いるようにしてもよい。
【００６８】
また、第４スイッチＳ４は、図２（ｄ）の回路図に示す構成を有している。
【００６９】
即ち、第４スイッチＳ４は、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に並列接続される、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０にかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子としてのツェナーダイオードＺＤ４ｂとツェナーダイオードＺＤ４ｂと逆方向となるように設けられる逆電流防止用のダイオード（ツェナーダイオード）ＺＤ４ａとの直列回路と、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０のオンオフ制御（開閉制御）を行うスイッチ制御装置としてのＩＣ２０とを備える。
【００７０】
なお、ツェナーダイオードＺＤ４ｂは、第２スイッチＳ２のツェナーダイオードＺＤ２と同じ順方向となるように設けられている。
【００７１】
また、図２（ｄ）に示す例では、逆電流防止用のダイオードとしてツェナーダイオードＺＤ４ａを用いる場合を示したが、これに限らず、通常のダイオードを用いるようにしてもよい。
【００７２】
ここで、各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０の耐圧条件は、
各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーの耐圧（Ｖｄｓ）＞ツェナーダイオード（ＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３ａ、ＺＤ４ｂ）のツェナ電圧（Ｖｚ）（例えば、５５０Ｖ〜６００Ｖ程度）
であり、且つ、ツェナーダイオード（ＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３ａ、ＺＤ４ｂ）のツェナ電圧の条件は、
（第１スイッチＳ１のツェナーダイオードＺＤ１のツェナ電圧（Ｖｚ1）＋第３スイッチＳ３のツェナーダイオードＺＤ３ａのツェナ電圧（Ｖｚ3））＞要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧（Ｖｄ）（例えば、９００Ｖ〜１０００Ｖ）
（第２スイッチＳ２のツェナーダイオードＺＤ２のツェナ電圧（Ｖｚ2）＋第４スイッチＳ４のツェナーダイオードＺＤ４ｂのツェナ電圧（Ｖｚ4））＞要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧（Ｖｄ）（例えば、９００Ｖ〜１０００Ｖ）
とするとよい。
【００７３】
そして、上述のように、要求される高圧〜低圧間の絶縁耐圧が例えば９００Ｖ〜１０００Ｖである場合に、ツェナーダイオード（ＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３ａ、ＺＤ４ｂ）のツェナ電圧は例えば５５０Ｖ〜６００Ｖ程度で足り、また、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０の耐圧は、６００Ｖ程度で十分に足りる計算となる。したがって、各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０として耐圧６００Ｖ程度の汎用品を用いることができ、単価が嵩む耐圧９００Ｖ程度の高耐圧タイプを用いる必要がなく、装置のコストを低廉化することができる。
【００７４】
なお、前述のように、第１抵抗Ｒ１、第２抵抗Ｒ２には、比較的高い抵抗値である３００ｋΩ程度の抵抗が使用されるので、例えば異常発生時に９００Ｖ程度の電圧が回路に加わった場合に、第１抵抗Ｒ１および第２抵抗Ｒ２による電圧降下で３００Ｖ程度を消費することができる。よって、このような異常電圧（９００Ｖ程度）の発生時においても光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に、耐圧６００Ｖ以上の電圧が加わる事態を回避することができる。
【００７５】
なお、切換スイッチを２〜３個のスイッチあるいは５個以上のスイッチで構成する場合においても各スイッチの構成は、上記と同様にすることができる。
【００７６】
（比較例に係る絶縁検出装置の構成例）
図４は、比較例に係る絶縁検出装置１００の構成例を示す回路図である。
【００７７】
なお、実施形態に係る絶縁検出装置１１と同様の構成については、同一符号を付して重複した説明は省略する。
【００７８】
比較例に係る絶縁検出装置１００が、実施形態に係る絶縁検出装置１１と異なる点は、図２に示す回路構成の第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４の代わりに、単に光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーから成るスイッチＳ１１〜Ｓ１４を設けている点である。
【００７９】
なお、高圧直流電源Ｂには、正負の各極と接地電位部との間に、コモンモードノイズ対策用のＹコンデンサＹ＋，Ｙ−が介設されている。
【００８０】
ここで、比較例に係る絶縁検出装置１００等の被検査対象（車両等）の電力が高圧化するのに伴い、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路に使用される光ＭＯＳ−ＦＥＴリレーＳ１１〜Ｓ１４も高耐圧化（例えば、耐圧９００Ｖ以上など）が求められている。
【００８１】
しかしながら、光ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｓ１１〜Ｓ１４）の高耐圧化は技術的に難しいため、製造できるメーカも限られ、部品単価が高くなりコストが嵩むという不都合があった。
【００８２】
また、高耐圧の光ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｓ１１〜Ｓ１４）を用いた場合には、通電電流が低下してしまうという難点もあった。つまり、フライングキャパシタ方式の地絡計測回路において、回路の高耐圧化に伴って光ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｓ１１〜Ｓ１４）の通電電流が低く制限されてしまうと、このような回路の方式上、充放電のための電流が低く制限されてしまう。これに伴い、規定の充放電に要する時間を長く変更せざるを得なくなり、計測サイクルが遅くなるため、車両等についての地絡や絶縁状態の高速な計測の要求に応えられなくなってしまう。
【００８３】
これに対して、実施形態に係る絶縁検出装置１１では、第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４の各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０として、耐圧が６００Ｖ程度のいわゆる汎用品に相当するものを用いると共に、各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０にかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子（ツェナーダイオード（ＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３ａ、ＺＤ４ｂ））を並列接続する構成としている。
【００８４】
これにより、各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に耐圧（例えば、６００Ｖ程度）以上の電圧がかかることを防止できる。したがって、各光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０として、耐圧６００Ｖ程度の汎用品を用いても第１スイッチＳ１〜第４スイッチＳ４の全体の耐圧を高めることができる。よって、比較例に係る絶縁検出装置１００のように部品コストが嵩むこともなく、比較的低コストで絶縁検出装置１１を提供することができる。
【００８５】
また、ツェナーダイオード（ＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３ａ、ＺＤ４ｂ）を介して通電電流を確保することもできるので、車両等についての地絡や絶縁状態の高速な計測の要求にも応えることができる。
【００８６】
（変形例）
次に、図５を参照して、実施形態の変形例に係る絶縁検出装置１１Ａについて説明する。
【００８７】
変形例に係る絶縁検出装置１１Ａは、図５に示すように、昇圧器１８が設けられた高電圧バッテリシステムに適用される。ここで、高電圧バッテリシステムとは、１次側高圧としての高圧直流電源Ｂの出力電圧(例えば、２００Ｖ)が、昇圧器１８により２次側高圧の出力電圧(例えば、６００Ｖ)に昇圧されるシステムのことである。ここで、１次側高圧の正極と接地電極との間の絶縁状態は地絡抵抗ＲＬｐ１として表され、１次側高圧の負極と接地電極との間の絶縁状態は地絡抵抗ＲＬｎ１として表されている。同様に、２次側高圧の正極と接地電極との間の絶縁状態は地絡抵抗ＲＬｐ２として表され、２次側高圧の負極と接地電極との間の絶縁状態は地絡抵抗ＲＬｎ２として表されている。
【００８８】
変形例に係る絶縁検出装置１１Ａの基本的な構成および動作は、実施形態に係る絶縁検出装置１１と類似のものである。そのため、以下では、変形例に係る絶縁検出装置１１Ａについて、実施形態に係る絶縁検出装置１１との相違点についてのみ記載し、実施形態に係る絶縁検出装置１１と同様の構成については、同一符号を付して重複した説明は省略する。
【００８９】
変形例に係る絶縁検出装置１１Ａでは、第２スイッチＳ２と第４スイッチＳ４のみに保護素子を設け、第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３の保護素子は省略することができる。
【００９０】
具体的には、第２スイッチＳ２は、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に並列接続される、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０にかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子としてのツェナーダイオードＺＤ２ｂとツェナーダイオードＺＤ２ｂと逆方向となるように設けられる逆電流防止用のダイオード（ツェナーダイオード）ＺＤ２ａとの直列回路を備える。また、第３スイッチＳ３は、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０に並列接続される、光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０にかかる最大電圧を定電圧に保つ保護素子としてのツェナーダイオードＺＤ４ｂとツェナーダイオードＺＤ４ｂと逆方向となるように設けられる逆電流防止用のダイオード（ツェナーダイオード）ＺＤ４ａとの直列回路を備える。そして、第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３では、保護素子としてのツェナーダイオードを省略する。
【００９１】
このような構成で、例えば、１次側高圧である高圧直流電源Ｂの出力電圧２００Ｖを昇圧器１８により２次側高圧として６００Ｖに昇圧したとする。ここで、２次側高圧の正極側で地絡(短絡)が起きたとする。すると、２次側高圧の正極と接地電極との間の地絡抵抗ＲＬｐ２が０Ωとなり、図５中のｃ点が６００Ｖとなる。その結果、図５中のｂ点とｃ点との間、すなわち、第２スイッチＳ２と第４スイッチＳ４の経路には、６００Ｖ−０Ｖ＝６００Ｖの電圧がかかることになる。一方、図５中のａ点とｃ点との間、すなわち、第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３の経路には、６００Ｖ−２００Ｖ＝４００Ｖの電圧がかかることになる。
【００９２】
これらのことから、昇圧器１８が設けられた高電圧バッテリシステムに絶縁検出装置１１Ａを適用した場合、最も耐電圧が必要な経路は、ｂ点とｃ点の間、すなわち、第２スイッチＳ２と第４スイッチＳ４の経路となる。
【００９３】
このため、例えば、各スイッチＳ１−Ｓ４の光ＭＯＳ−ＦＥＴリレー５０として耐圧６００Ｖ程度の汎用品を用いた場合であっても、第２スイッチＳ２と第４スイッチＳ４のみに保護素子(ツェナーダイオードＺＤ２ａ，ＺＤ２ｂ，ＺＤ４ａ，ＺＤ４ｂ)を設ければよく、第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３の保護素子は省略することができる。
【００９４】
なお、変形例に係る絶縁検出装置１１Ａでは、第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３の保護素子は省略するとしたが、実施形態に係る絶縁検出装置１１と同様、第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３のそれぞれまたは一方に保護素子を設けてもよい。
【００９５】
以上、実施形態に係る絶縁検出装置を図面に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置き換えることができる。
【００９６】
例えば、実施形態では、保護素子としてツェナーダイオードを用いたが、これに代えて、バリスタ、ＴＶＳ（Transient Voltage Suppressor）ダイオード等を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明によれば、高耐圧の半導体リレーを用いることなく高耐圧化を図ることができると共に、通電電流を確保することのできる絶縁検出装置を提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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