(57)【要約】半導体装置（１０）の半導体層（３０）の表面には、電極層（４０）が形成されている。電極層（４０）は、密着層（４１）、導電層（４２）、ドーパント層（４３）、および拡散補助層（４４）を有する。拡散補助層（４４）の厚みは、導電層（４２）の厚みよりも薄い。密着層（４１）と導電層（４２）との間には、ドーパント層（４３）、および拡散補助層（４４）が挟まれており、電極層（４０）は、これら密着層（４１）、導電層（４２）、ドーパント層（４３）、および拡散補助層（４４）が熱処理（アニール処理）によって合金化された層である。熱処理温度は、例えば約８００℃以下の温度である。半導体層（３０）は、ＧａＮ系のヘテロ接合半導体であり、密着層（４１）はＴｉであり、導電層（４２）はＡｌであり、ドーパント層（４３）はＳｉであり、拡散補助層（４４）はＡｕである。
2015080107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる半導体層と、
該半導体層の表面に形成された電極層と、を備え、
前記電極層は、
前記半導体層の表面に形成された密着層と、
該密着層の前記半導体層と反対側に形成された拡散補助層と、
該拡散補助層の前記密着層と反対側に形成されたドーパント層と、
該ドーパント層の前記拡散補助層と反対側に形成された導電層と、
を積層した後、合金化されている、
半導体装置。
【請求項２】
窒化物半導体からなる半導体層と、
該半導体層の表面に形成された電極層と、を備え、
前記電極層は、
前記半導体層の表面に形成された密着層と、
該密着層の前記半導体層と反対側に形成されたドーパント層と、
該ドーパント層の前記密着層と反対側に形成された拡散補助層と、
該拡散補助層の前記拡散補助層と反対側に形成された導電層と、
を積層した後、合金化されている、
半導体装置。
【請求項３】
前記密着層は、
Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｔａの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記窒化物半導体は、ＧａＮ系半導体であり、
前記ドーパント層は、
Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記窒化物半導体は、ＧａＮ系半導体であり、
前記導電層は、
前記熱処理によりＧａに置換してコンタクト抵抗に寄与する材料で構成される、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導電層は、Ａｌで構成される、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記拡散補助層は、Ａｕで構成される、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電極層の表面に形成された保護層を備え、
該保護層は、前記電極層を構成する各材料よりも高融点の材料で構成される、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記保護層は、Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
窒化物半導体からなる半導体層を準備する第１の工程と、
前記半導体層の表面に、電極層を形成する第２の工程と、
前記電極層を熱処理する第３の工程と、を備え、
前記第２の工程は、
前記半導体層の表面に、密着層を形成するステップと、
前記密着層の表面に、拡散補助層を形成するステップと、
前記拡散防止層の表面に、ドーパント層を形成するステップと、
前記ドーパント層の表面に、導電層を形成するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
窒化物半導体からなる半導体層を準備する第１の工程と、
前記半導体層の表面に、電極層を形成する第２の工程と、
前記電極層を熱処理する第３の工程と、を備え、
前記第２の工程は、
前記半導体層の表面に、密着層を形成するステップと、
前記密着層の表面に、ドーパント層を形成するステップと、
前記ドーパント層の表面に、拡散補助層を形成するステップと、
前記拡散補助層の表面に、導電層を形成するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記熱処理は、８００℃以下で行われる、
請求項１０または請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電極層の表面に、前記電極層を構成する各材料よりも高融点の材料からなる保護層を形成する工程を、
さらに有する、請求項１０乃至請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体層にオーミック接続した電極を備える半導体装置、および、当該半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、高周波用パワーアンプ等に用いる半導体装置として、窒化物半導体を用いた半導体装置が期待されている。【０００３】
このような半導体装置では、電極を半導体層の表面に形成する必要がある。例えば、電界効果トランジスタを形成する場合、ゲート電極は半導体層に対してショットキー接続するように形成される。一方、ソース電極およびドレイン電極は、半導体層に対してオーミック接続するように形成される。【０００４】
電極と半導体層のオーミック接続は、出来る限り低抵抗であることが好ましい。特に、上述の高周波用パワーアンプ等では、より低抵抗が望まれる。【０００５】
例えば、特許文献１には、窒化物半導体からなる半導体層の表面に、金属層、拡散防止層、導電層を順次形成し、これらを熱処理することで、金属層を構成する金属を半導体層内に侵入させた半導体装置が開示されている。当該半導体装置は、金属層を構成する金属を半導体層内に侵入させることで、オーミック接続の抵抗を低くすることができている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−４９３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の従来の電極構造では、次に示す問題が生じる。図１０は、従来のオーミック接続される電極の表面を光学顕微鏡で撮影した画像である。図１０において、３０は半導体層、５０は保護層を示す。【０００８】
従来の電極構造では、拡散防止層としてＡｕを用い、導電層としてＡｌを用いているが、この電極構造では、高温で熱処理を行うと、図１０に示すように、電極表面に凹凸が発生する。この凹凸は、高温の熱処理により形成されたＡｕとＡｌとの合金（ＡｕＡｌ２）、所謂パープルプレーグによるものである。これにより、例えば、電極表面の端部が電極表面の中央部に比べて突出する形状になる等、電極表面の平坦性が低下してしまう。特に、本願の発明者は、熱処理温度が８００℃を大きく超えると、この現象が顕著になることを実験により突き止めた。【０００９】
凹凸が発生した表面状態になると、オーミック接続の抵抗値自体は変化しないものの、電極表面に他の回路を接続する際の接続抵抗が高くなってしまう。したがって、当該半導体素子の実質的な抵抗を低くすることができなくなってしまう。【００１０】
本発明の目的は、オーミック接続の抵抗値を低く抑えるとともに、電極表面の平坦性を向上させた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の半導体装置は、窒化物半導体からなる半導体層と、該半導体層の表面に形成された電極層と、を備える。電極層は、半導体層の表面に形成された密着層と、密着層の半導体層と反対側に形成された拡散補助層と、拡散補助層の密着層と反対側に形成されたドーパント層と、ドーパント層の拡散補助層と反対側に形成された導電層と、を積層した後、合金化されたものである。【００１２】
もしくは、この発明の半導体装置は、窒化物半導体からなる半導体層と、該半導体層の表面に形成された電極層と、を備える。電極層は、半導体層の表面に形成された密着層と、密着層の半導体層と反対側に形成されたドーパント層と、ドーパント層の密着層と反対側に形成された拡散補助層と、拡散補助層の拡散補助層と反対側に形成された導電層と、を積層した後、合金化されたものである。【００１３】
これらの構成では、拡散補助層とドーパント層を有することにより、低い熱処理温度でも、ドーパント層を構成する元素が十分に拡散し、例えば、不純物のドーピング濃度が低い、もしくは、熱処理前に不純物がドーピングされていない窒化物半導体からなる半導体層上に電極層を形成する場合であっても、半導体層とのオーミック接続を低抵抗にすることができる。また、熱処理温度が低いことにより、パープルプレーグ等の高温の熱処理によって発生する電極表面への悪影響を抑制できる。さらに、熱処理温度が低いことにより、半導体層への損傷を軽減することができる。なお、半導体層側から、密着層、拡散補助層、ドーパント層、導電層の順に積層した構成からなる電極層の方が、より低抵抗を実現できる。【００１４】
また、この発明の半導体装置では、密着層は、Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｔａの少なくとも１種類の元素が選択して用いられることが好ましい。これらの元素を選択することにより、半導体層と電極層との密着性を強くすることができる。【００１５】
また、この発明の半導体装置では、窒化物半導体は、ＧａＮ系半導体であり、ドーパント層は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎの少なくとも１種類の元素が選択して用いられることが好ましい。これらの元素は、熱処理後、ＧａＮ系半導体からなる半導体層のｎ型ドーパントとして機能する。【００１６】
また、この発明の半導体装置では、窒化物半導体は、ＧａＮ系半導体であり、導電層は、熱処理によりＧａに置換してコンタクト抵抗に寄与する材料で構成されることが好ましい。【００１７】
また、この発明の半導体装置では、導電層は、例えばＡｌを選択することができ、拡散補助層は、例えばＡｕを選択することができる。【００１８】
また、この発明の半導体装置では、電極層の表面に形成された保護層を備え、該保護層は、電極層を構成する各材料よりも高融点の材料で構成されることが好ましい。【００１９】
この構成では、保護層により、さらに電極層を他の回路に接続する面の平坦性を向上させることができる。【００２０】
また、この発明の半導体装置では、保護層は、Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂの少なくとも１種類の元素が選択して用いられていることが好ましい。【００２１】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、窒化物半導体からなる半導体層を準備する第１の工程と、半導体層の表面に、電極層を形成する第２の工程と、電極層を熱処理する第３の工程と、を備える。第２の工程は、半導体層の表面に、密着層を形成するステップと、密着層の表面に、拡散補助層を形成するステップと、拡散防止層の表面に、ドーパント層を形成するステップと、ドーパント層の表面に、導電層を形成するステップと、を有する。【００２２】
もしくは、この発明の半導体装置の製造方法は、窒化物半導体からなる半導体層を準備する第１の工程と、半導体層の表面に、電極層を形成する第２の工程と、電極層を熱処理する第３の工程と、を備える。第２の工程は、半導体層の表面に、密着層を形成するステップと、密着層の表面に、ドーパント層を形成するステップと、ドーパント層の表面に、拡散補助層を形成するステップと、拡散補助層の表面に、導電層を形成するステップと、を有する。【００２３】
これらの製造方法では、半導体層と電極層との間で低抵抗のオーミック接続を実現しながら、パープルプレーグ等の高温の熱処理による電極表面への悪影響を抑制できる。【００２４】
また、この発明の半導体装置の製造方法では、熱処理は、８００℃以下によって行われることが好ましい。【００２５】
この製造方法では、電極表面への悪影響をより抑制できる。【００２６】
また、この発明の半導体装置の製造方法では、電極層の表面に、電極層を構成する各材料よりも高融点の材料からなる保護層を形成する工程を、さらに有することが好ましい。【００２７】
この製造方法では、さらに電極層を他の回路に接続する面の平坦性を向上させた半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本願発明によれば、オーミック接続の抵抗値を低く抑えるとともに、電極表面の平坦性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一部断面図である。
【図２】熱処理後の電極層を構成する元素（Ｍｏ，Ａｌ，Ｓｉ）の拡散の様子を示すＥＤＸ画像である。（Ａ）は、Ｍｏの拡散の様子を示す。（Ｂ）は、Ａｌの拡散の様子を示す。（Ｃ）は、Ｓｉの拡散の様子を示す。
【図３】熱処理後の電極層を構成する元素（Ａｕ，Ｔｉ）の拡散の様子を示すＥＤＸ画像、および、電極層全体を含むＴＥＭ画像である。（Ａ）は、Ａｕの拡散の様子を示す。（Ｂ）は、Ｔｉの拡散の様子を示す。（Ｃ）は、ＴＥＭ画像を示す。
【図４】従来構成（比較構成）と本願構成での接触抵抗率の比較を行った結果を示す図である。（Ａ）は、各サンプルの接触抵抗率をプロットした図を示す。（Ｂ）は、従来構成および本願構成の電極構成およびアニール処理条件を比較した表を示す。
【図５】本願構成を用いた電極の表面を光学顕微鏡で撮影した画像である。
【図６】拡散補助層の厚みと導電層の厚みとの比と、接触抵抗率との関係を示した図である。
【図７】拡散補助層の厚みのみを変化させた場合の電極の表面を光学顕微鏡で撮影した画像である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の一部断面図である。
【図９】第２の実施形態に係る半導体装置の電極構成での接触抵抗率と、第１の実施形態に係る半導体装置の電極構成での接触抵抗率の比較を示す図である。
【図１０】従来の電極構造によって形成されたオーミック接続される電極の表面を光学顕微鏡で撮影した画像である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方法について、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一部断面図である。図１の半導体装置１０は、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
【００３１】
半導体装置１０は、ベース基板２０、および半導体層３０を備える。半導体層３０の表面には、半導体層３０に対してショットキー接続された構造のゲート電極（図示せず）と、半導体層３０に対してオーミック接続されたドレイン電極およびソース電極が形成されている。このドレイン電極およびソース電極が、図１の電極層４０および保護層５０によって形成されている。
【００３２】
ベース基板２０は、例えば、単結晶のＡｌ２Ｏ３（サファイア），Ｓｉ，ＳｉＣ等からなる。
【００３３】
半導体層３０は、例えば、同じ材質を含むが組成が異なる第１半導体層３１と第２半導体装置３２とからなる。第１半導体層３１および第２半導体層３２は、例えば、ノンドープの半導体である。
【００３４】
第１半導体層３１は、ベース基板２０の表面に形成されている。第２半導体層３２は、第１半導体層３１の表面に形成されている。
【００３５】
第１半導体層３１は、例えばＧａＮからなり、第２半導体層３２は、ＡｌＧａＮからなる。第１半導体層３１および第２半導体層３２からなる半導体層３０は、例えば、シングルヘテロエピ構造からなる。すなわち、第１半導体層３１と第２半導体層３２はヘテロ接合されている。第１半導体層３１と第２半導体層３２の界面には、２次元電子ガスが発生する。
【００３６】
電極層４０は、半導体層３０の表面、すなわち、第２半導体層３２の表面に形成されている。電極層４０は、密着層４１、導電層４２、ドーパント層４３、および拡散補助層４４を有し、密着層４１と導電層４２との間に、ドーパント層４３、および拡散補助層４４が挟まれており、これらが熱処理（アニール処理）によって合金化された層である。
【００３７】
具体的には、電極層４０は、熱処理により合金化される前の状態で、半導体層３０側から、密着層４１、拡散補助層４４、ドーパント層４３、導電層４２の順に積層されている。
【００３８】
密着層４１は、電極層４０を半導体層３０に密着させるための層である。密着層４１の材質としては、Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｔａ等が用いられる。本実施形態のように、ＧａＮ系の半導体層３０が用いられる場合には、密着層４１は、Ｔｉからなることが好ましい。密着層４１にＴｉを用いることで、熱処理により、半導体層３０を構成するＧａＮ系半導体と反応して、ＴｉＮが形成され、電極層４０と半導体層３０とのオーミック接続に寄与させることができる。
【００３９】
導電層４２は、ＧａＮ系の半導体層３０のＧａと置換する可能性のある材料の層である。導電層４２は、具体的には、Ｇａと同族の元素を用いればよく、例えば、Ａｌを用いることが好適である。Ａｌを用いることで、耐環境性が高く、接触抵抗率を低くすることもできる。
【００４０】
ドーパント層４３は、ＧａＮ系の半導体層３０に対して、ｎ型ドーパントとなる材質からなる。ドーパント層４３は、Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｎ等が好適である。特に、ドーパント層４３には、Ｓｉを用いることが好ましい。Ｓｉは、窒化物半導体に対するｎ型ドーパントとしての活性化率が高いので、半導体層３０に対して、ｎ型ドーピングを効果的に行うことができる。
【００４１】
拡散補助層４４は、ドーパント層４３の元素を拡散し易くするために設けられた層である。拡散補助層４４の材料には、例えば、Ａｕを用いることが好ましい。
【００４２】
さらに、拡散補助層４４は、導電層４２よりも層厚が薄いことが好ましい。層厚を薄くすることで、パープルプレーグの発生を抑制することができる。
【００４３】
保護層５０は、電極層４０の表面、すなわち導電層４２の表面に形成されている。保護層５０は、電極層４０を構成する各材質よりも高融点の材質が用いられている。保護層５０には、例えば、Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ等が用いられる。特に、保護層５０には、Ｍｏを用いることが好ましい。Ｍｏは、成膜が容易であり、且つ、上述の電極層４０の各層の材質と合金になりにくい。したがって、熱処理が行われても、保護層５０の表面、すなわち、ドレイン電極およびソース電極としての表面の平坦性を高く確保することができる。なお、保護層５０は、省略することも可能であるが、備えていることが好ましい。
【００４４】
第１の実施形態に係る半導体装置１０は、次に示すように製造される。
【００４５】
まず、ベース基板２０を用意し、ベース基板２０の表面に、第１半導体層３１、第２半導体層３２の順に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線エピタキシャル成長法等のエピタキシャル成長法により、半導体層３０を形成する。
【００４６】
次に、半導体層３０の表面に、密着層４１、拡散補助層４４、ドーパント層４３、導電層４２を順に、真空蒸着法、スパッタリング法、電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）蒸着法等を用いて形成する。
【００４７】
次に、導電層４２の表面に、保護層５０を、真空蒸着法、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法等を用いて形成する。
【００４８】
次に、予め設定した温度および時間で熱処理（アニール処理）する。この際、熱処理温度は、８００℃以下であることが好ましい。なお、熱処理温度は、８００℃を大きく超えなければ、半導体装置１０の要求仕様によっては、８００℃以上を適用することも可能である。
【００４９】
熱処理により、電極層４０は合金化されて、電極層を構成する元素は拡散するとともに、電極層４０と半導体層３０の第１半導体層３１と第２半導体層３２との界面に生じる二次元電子ガスとがオーミック接続される。
【００５０】
図２、図３は、熱処理後の各層を構成する元素の拡散の様子を示すＥＤＸ画像およびＴＥＭ画像である。なお、元素の濃度が高いほど白く表示される。図２（Ａ）は、保護層５０のＭｏのＥＤＸ画像を示し、図２（Ｂ）は導電層４２のＡｌのＥＤＸ画像を示し、図２（Ｃ）はドーパント層４３のＳｉのＥＤＸ画像を示す。図３（Ａ）は、拡散補助層４４のＡｕのＥＤＸ画像を示し、図３（Ｂ）は密着層４１のＴｉのＥＤＸ画像を示し、図３（Ｃ）はＴＥＭ画像を示す。図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び図３（Ａ）、（Ｂ）と、図３（Ｃ）との撮影位置は同一である。また、図２、図３の各図において、ＩＦは、電極層と半導体層との界面を示している。
【００５１】
図２、図３に示すように、本実施形態の構成および製造方法を用いることで、電極層４０を構成する各層（密着層４１、導電層４２、ドーパント層４３、拡散補助層４４）を構成する各元素（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ａｕ）は、電極層４０内および第２半導体層３２の界面付近に、効果的に拡散される。これにより、電極層４０と半導体層３０とのオーミック接続の抵抗を小さくすることができる。
【００５２】
一方、保護層５０を構成する元素（Ｍｏ）は、融点が高いため、殆ど拡散せず、電極層４０の表面に分布する。そして、保護層５０内には、電極層４０を構成する各元素は拡散していない。したがって、保護層５０の表面の平坦性を高く維持することができる。
【００５３】
図４は、従来構成（比較構成）と本願構成での接触抵抗率の比較を行った結果を示す図である。図４（Ａ）は、各サンプルの抵抗率をプロットした図である。図４（Ｂ）は、従来構成および本願構成の電極構成およびアニール処理条件を比較した表を示す。
【００５４】
ここで、従来構成は、半導体層側から順に、密着層としてのＴｉ、導電層としてのＡｌ、バリア層としてＰｔ、保護層としてのＡｕが順に積層された電極構造である。各層の厚みは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ＝５０［Å］／２０００［Å］／４００［Å］／１５００［Å］である。アニール温度は８７０［℃］であり、アニール時間は３０［ｓｅｃ．］である。
【００５５】
一方、本願構成は、半導体層側から順に、密着層としてのＴｉ、拡散補助層としてのＡｕ、ドーパント層としてのＳｉ、導電層としてのＡｌ、保護層としてのＭｏが順に積層された電極構造である。各層の厚みは、Ｔｉ／Ａｕ／Ｓｉ／Ａｌ／Ｍｏ＝２５０［Å］／１００［Å］／１００［Å］／１０００［Å］／２０００［Å］である。アニール温度は７７０［℃］であり、アニール時間は１８０［ｓｅｃ．］である。
【００５６】
図４に示すように、本願構成および製造方法を用いることで、アニール温度を低下させながら、従来構成および製造方法と同様に、１０−６［Ω・ｃｍ２］オーダーの接触抵抗率を実現することができる。
【００５７】
図５は、本願構成を用いた電極の表面を光学顕微鏡で撮影した画像である。図５において、３０は半導体層、５０は保護層を示す。図５に示すように、本願構成および製造方法を用いることで、パープルプレーグの発生を大幅に抑制することができ、電極表面の凹凸が殆ど発生しない。これに対して、従来構成において、本願発明と同様のアニール条件を用いた場合、電極表面に凹凸が発生したことを確認している。したがって、本願発明の構成および製造方法を用いることで、デバイスとしての抵抗が低い、すなわち、外部回路との接続面を含めた抵抗が低い半導体装置１０を形成することができる。
【００５８】
なお、本願構成の拡散補助層４４およびドーパント層４３の一方のみを用いた場合、抵抗値が増加してしまう。したがって、電極層４０は、上述の密着層４１、導電層４２、ドーパント層４３、拡散補助層４４を用いることが好適である。すなわち、従来から用いられている、密着層と導電層との間に、単にドーパント層のみを挟んだり、単に拡散補助層を挟んだりする構成ではなく、密着層と導電層との間にドーパント層と拡散補助層との両方を挟んだ構成とすることで、上述の作用効果をより確実に得ることができる。
【００５９】
図６は、第１の実施形態に係る本願構成の電極構造において、拡散補助層の厚みと導電層の厚みの比を変化させた場合の接触抵抗率の変化を示した図である。図６では、横軸に導電層４２の厚みに対する拡散補助層４４の厚みの比を用い、縦軸に接触抵抗率を用いる。
【００６０】
図６に示すように、ドーパント層４３を構成する元素が十分に拡散するのであれば、拡散補助層４４の厚みは導電層４２の厚みよりも薄いことが好ましい。
【００６１】
図７は、拡散補助層の厚みのみを変化させた場合の電極の表面を光学顕微鏡で撮影した画像である。図７において、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４は、拡散補助層４４の厚みを示し、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４である。図７において、３０は半導体層、５０は保護層を示す。
【００６２】
図７に示すように、拡散補助層４４の厚みが薄いほど、電極表面の凹凸の発生が少なくなる。したがって、拡散補助層４４は薄いことが好ましい。
【００６３】
以上のように、本実施形態の構成及び製造方法を用いることで、オーミック接続の抵抗値を低く抑えるとともに、電極表面の平坦性が高い半導体装置を実現することができる。
【００６４】
また、本実施形態のように、半導体層に、熱処理前にノンドーピングとしている半導体を用いることにより、半導体層全体でのドーピング濃度を下げ、電圧無印加時の半導体装置自体の抵抗を高く確保することができる。したがって、オフ時のリーク電流が少ない高周波パワーアンプ等に用いるのに、より好適である。
【００６５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方法について、図を参照して説明する。図８は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の一部断面図である。
【００６６】
本実施形態の半導体装置１０Ａは、電極層４０Ａの熱処理前の積層構造が異なるものであり、他の構成は、第１の実施形態に係る半導体装置１０と同じである。したがって、第１の実施形態に係る半導体装置１０と異なる箇所について具体的に説明する。
【００６７】
電極層４０Ａは、半導体層３０側から、密着層４１、ドーパント層４３、拡散補助層４４、導電層４２の順に積層された構成を備える。
【００６８】
図９は、第２実施形態の電極構成と、第１実施形態の電極構成でのコンタクト部分の接触抵抗率の比較を示す図である。図９において、横軸はアニール時間であり、縦軸は接触抵抗率である。図９において、実線は第１実施形態の構成であり、破線は第２実施形態の構成である。なお、各層の厚みは、第１実施形態の電極４０も第２実施形態の電極４０Ａも同じであり、アニール温度も、第１の実施形態と第２の実施形態で同じ条件である。
【００６９】
図９に示すように、第１実施形態および第２の実施形態の構成のいずれの構成であっても、１０−６［Ω・ｃｍ２］オーダーの接触抵抗率を実現することができる。ただし、第１の実施形態の構成の方が、第２の実施形態の構成と比べて、接触抵抗率をより低くすることができる。
【００７０】
また、図９に示すように、いずれの構成であっても、接触抵抗率の値はアニール時間に依存していない。
【００７１】
上述の実施形態では、半導体装置として、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の例を示したが、電極層と半導体層との間でオーミック接続された半導体装置であれば、本発明の実施形態の構成および製造方法を適用することができる。
【００７２】
また、上述の実施形態では、シングルへテロ構造をとる半導体層を用いた例を示したが、ダブルへテロ構造等の半導体層を用いたものであってもよい。また、半導体層は、ヘテロ構造をとらない半導体層であってもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１０，１０Ａ：半導体装置
２０：ベース基板
３０：半導体層
３１：第１半導体層
３２：第２半導体層
４０，４０Ａ：電極層
４１：密着層
４２：導電層
４３：ドーパント層
４４：拡散補助層
５０：保護層
【図１】
2015080107.tif 000003
【図４】
2015080107.tif 000004
【図６】
2015080107.tif 000005
【図８】
2015080107.tif 000006
【図９】
2015080107.tif 000007
【図２】
2015080107.tif 000008
【図３】
2015080107.tif 000009
【図５】
2015080107.tif 000010
【図７】
2015080107.tif 000011
【図１０】
2015080107.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月5日(2016.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる半導体層と、
該半導体層の表面に形成された電極層と、を備え、
前記電極層は、
前記半導体層の表面に形成され、Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｔａの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる密着層と、
該密着層の前記半導体層と反対側に形成され、Ａｕが用いられる拡散補助層と、
該拡散補助層の前記密着層と反対側に形成され、Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｎの少なくとも１種類の元素が選択して用いられるドーパント層と、
該ドーパント層の前記拡散補助層と反対側に形成され、Ｇａ、Ａｌの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる導電層と、
を含み、
前記密着層に用いられる元素、前記拡散補助層に用いられる元素、前記ドーパント層に用いられる元素、および、前記導電層に用いられる元素は、互いの層内に拡散され、合金化されている、
半導体装置。
【請求項２】
窒化物半導体からなる半導体層と、
該半導体層の表面に形成された電極層と、を備え、
前記電極層は、
前記半導体層の表面に形成され、Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｔａの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる密着層と、
該密着層の前記半導体層と反対側に形成され、Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｎの少なくとも１種類の元素が選択して用いられるドーパント層と、
該ドーパント層の前記密着層と反対側に形成され、Ａｕが用いられる拡散補助層と、
該拡散補助層の前記拡散補助層と反対側に形成され、Ｇａ、Ａｌの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる導電層と、
を含み、
前記密着層に用いられる元素、前記拡散補助層に用いられる元素、前記ドーパント層に用いられる元素、および、前記導電層に用いられる元素は、互いの層内に拡散され、合金化されている、
半導体装置。
【請求項３】
合金化された前記電極層の表面に形成された保護層を備え、
該保護層は、前記電極層を構成する各材料よりも高融点の材料で構成され、合金化されていない、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護層は、Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂの少なくとも１種類の元素が選択して用いられる、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
窒化物半導体からなる半導体層を準備する第１の工程と、
前記半導体層の表面に、電極層を形成する第２の工程と、
前記電極層を熱処理して合金化を行う第３の工程と、を備え、
前記第２の工程は、
前記半導体層の表面に、Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｔａの少なくとも１種類の元素を選択して用いた密着層を形成するステップと、
前記密着層の表面に、Ａｕを用いた拡散補助層を形成するステップと、
前記拡散防止層の表面に、Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｎの少なくとも１種類の元素を選択して用いたドーパント層を形成するステップと、
前記ドーパント層の表面に、Ｇａ、Ａｌの少なくとも１種類の元素を選択して用いた導電層を形成するステップと、
を有し、
前記合金化は、前記密着層に用いられる元素、前記拡散補助層に用いられる元素、前記ドーパント層に用いられる元素、および、前記導電層に用いられる元素の合金化である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
窒化物半導体からなる半導体層を準備する第１の工程と、
前記半導体層の表面に、電極層を形成する第２の工程と、
前記電極層を熱処理して合金化を行う第３の工程と、を備え、
前記第２の工程は、
前記半導体層の表面に、Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ｔａの少なくとも１種類の元素を選択して用いた密着層を形成するステップと、
前記密着層の表面に、Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｎの少なくとも１種類の元素を選択して用いたドーパント層を形成するステップと、
前記ドーパント層の表面に、Ａｕを用いた拡散補助層を形成するステップと、
前記拡散補助層の表面に、Ｇａ、Ａｌの少なくとも１種類の元素を選択して用いた導電層を形成するステップと、
を有し、
前記合金化は、前記密着層に用いられる元素、前記拡散補助層に用いられる元素、前記ドーパント層に用いられる元素、および、前記導電層に用いられる元素の合金化である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理は、８００℃以下で行われる、
請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
合金化された前記電極層の表面に、前記電極層を構成する各材料よりも高融点の材料からなり、合金化されていない保護層を形成する工程を、
さらに有する、請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
2015080107.tif 000013
2015080107.tif 000014
2015080107.tif 000015
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