(57)【要約】  ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースまたはゲートを介して直列に接続し、前記ベースまたはゲートと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする、増幅素子またはスイッチング能を有する半導体素子。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースを介して直列に接続し、
前記ベースと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、
該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする、増幅素子。
【請求項２】
前記半導体発光素子の陰極と、前記半導体受光素子の陰極とを接続して、
ｐｎｐ型バイポーラトランジスタ機能を発現する、請求項１に記載の増幅素子。
【請求項３】
前記半導体発光素子の陽極と、前記半導体受光素子の陽極とを接続して、
ｎｐｎ型バイポーラトランジスタ機能を発現する、請求項１に記載の増幅素子。
【請求項４】
前記半導体発光素子により発光される光が、紫外線、可視光線、または赤外線である、請求項１〜３のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項５】
前記半導体発光素子により発光される光を、直接的に、またはミラー、レンズもしくは光ファイバを介して間接的に、前記半導体受光素子により受光する、請求項１〜４のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項６】
前記半導体発光素子が、発光ダイオードまたはレーザーダイオードである、請求項１〜５のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項７】
前記半導体発光素子が、１個または複数の電子光源からなる、請求項１〜６のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項８】
前記半導体受光素子が、１個または複数の受光体からなる、請求項１〜７のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項９】
前記半導体発光素子により発光される光の波長領域が２００〜２,０００ｎｍであり、前記半導体受光素子により受光される光の波長領域が２００〜２,０００ｎｍである、請求項１〜８のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項１０】
前記半導体発光素子が６３０〜７００ｎｍの波長の光を発光する赤色発光ダイオードであり、前記半導体受光素子がシリコンフォトダイオードである、請求項１〜９のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項１１】
前記半導体発光素子が８００〜９８０ｎｍの波長の光を発光する赤外発光ダイオードであり、前記半導体受光素子がシリコンフォトダイオードである、請求項１〜９のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項１２】
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とが、いずれもシリコン発光ダイオードである、請求項１〜９のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項１３】
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とが、いずれもシリコンフォトダイオードである、請求項１〜９のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項１４】
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とが、いずれもゲルマニウムダイオードである、請求項１〜９のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項１５】
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子との最短直線距離が、０〜１０ｃｍである、請求項１〜１４のいずれかに記載の増幅素子。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載の増幅素子を含む、増幅回路。
【請求項１７】
請求項１６記載の増幅回路を含む、増幅装置。
【請求項１８】
ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをゲートを介して直列に接続し、
前記半導体発光素子の定格電流以下の電流を、前記ゲートを介して前記半導体発光素子に流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする、スイッチング能を有する半導体素子。
【請求項１９】
ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをゲートを介して直列に接続し、
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とを、最短直線距離が１ｃｍ以内になるよう配置し、前記ゲートを介して前記半導体発光素子に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする、スイッチング能を有する半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅素子、増幅回路および増幅装置ならびに半導体素子に関する。さらに詳しくは、新規な構造からなる、トランジスタまたはサイリスタ機能を有する増幅素子、増幅回路および増幅装置ならびに半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
バイポーラトランジスタ（以下、トランジスタと記す）は半導体プロセス技術の礎である。いうまでもなくトランジスタは増幅能を有し、ｐｎｐ型又はｎｐｎ型という三層構造からなる。また、スイッチング機能を有するトランジスタとしてサイリスタが知られている。サイリスタはｐｎｐｎ型又はｎｐｎｐ型の四層構造からなる。【０００３】
これらのトランジスタやサイリスタについては、その構成材料の改良等により、増幅能やスイッチング機能の改善が図られることが一般的である。【０００４】
しかしながら、これらの増幅能やスイッチング機能を有する半導体素子の上記三層構造や四層構造といった基本的構造それ自体についての検討はほとんど行なわれていないのが現状である。【０００５】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑み、トランジスタの動作原理についての本発明者の鋭意検討によりなされたものであり、新規な構造からなる、トランジスタまたはサイリスタ機能を有する半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１発明の増幅素子は、ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースを介して直列に接続し、前記ベースと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする。【０００８】
第２発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子の陰極と、前記半導体受光素子の陰極とを接続することを特徴とする。【０００９】
第３発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子の陽極と、前記半導体受光素子の陽極とを接続することを特徴とする。【００１０】
第４発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子により発光される光が、紫外線、可視光線、または赤外線であることを特徴とする。【００１１】
第５発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子により発光される光を、直接的に、またはミラー、レンズもしくは光ファイバを介して間接的に、前記半導体受光素子により受光することを特徴とする。【００１２】
第６発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子として、発光ダイオードまたはレーザーダイオードを用いることを特徴とする。【００１３】
第７発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子が、１個または複数の電子光源からなることを特徴とする。【００１４】
第８発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体受光素子が、１個または複数の受光体からなることを特徴とする。【００１５】
第９発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子により発光される光の波長領域が２００〜２,０００ｎｍであり、前記半導体受光素子により受光される光の波長領域が２００〜２,０００ｎｍであることを特徴とする。【００１６】
第１０発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子が６３０〜７００ｎｍの波長の光を発光する赤色発光ダイオードであり、前記半導体受光素子がシリコンフォトダイオードであることを特徴とする。【００１７】
第１1発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子が８００〜９８０ｎｍの波長の光を発光する赤外発光ダイオードであり、前記半導体受光素子がシリコンフォトダイオードであることを特徴とする。【００１８】
第１２発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とが、いずれもシリコン発光ダイオードであることを特徴とする。【００１９】
第１３発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とが、いずれもシリコンフォトダイオードであることを特徴とする。【００２０】
第１４発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とが、いずれもゲルマニウムダイオードであることを特徴とする。【００２１】
第１５発明の増幅素子は、請求項１記載の発明において、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子との最短直線距離が、０〜１０ｃｍであることを特徴とする。【００２２】
第１６発明の増幅回路は、請求項１記載の増幅素子を含むことを特徴とする。さらに、第１７発明の増幅装置は、請求項１６記載の増幅回路を含むことを特徴とする。【００２３】
さらに、本発明者は、上記増幅素子の改良について鋭意検討するにあたり、新規のサイリスタ様素子を得るに至った。【００２４】
すなわち、第１８発明のスイッチング能を有する半導体素子は、ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをゲートを介して直列に接続し、前記半導体発光素子の定格電流以下の電流を、前記ゲートを介して前記半導体発光素子に流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする。【００２５】
第１９発明のスイッチング能を有する半導体素子は、ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをゲートを介して直列に接続し、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とを、最短直線距離が１ｃｍ以内になるよう配置し、前記ゲートを介して前記半導体発光素子に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、従来のトランジスタまたはサイリスタと同等の増幅能またはスイッチング能を有し、かつ、ノイズの低減された増幅素子または半導体素子を提供することができる。またこれらの素子を用いた回路または装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の増幅素子の構成を示す概念図である。
【図２】本発明の増幅素子を含む増幅回路の一例を示す概念図である。
【図３】本発明における半導体発光素子の発光波長領域と半導体受光素子との受光波長領域との関係の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の増幅素子を含む増幅回路を適用したアンプの回路の一例を示す概念図である。
【図５】本発明の増幅素子を含む増幅回路における増幅効果（増幅特性）を示す波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は実施の形態に限定されるものではない。
【００２９】
（増幅素子）
本発明の増幅素子は、ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースを介して直列に接続し、前記ベースと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させるものである。
【００３０】
上記増幅素子について図面を用いて説明する。図１（ａ）または図１（ｂ）に示すように、本発明の増幅素子１０は、半導体発光素子１（以下、本発明の増幅素子の説明において、エミッタまたはＥと表記することがある）と半導体受光素子２（以下、本発明の増幅素子の説明において、コレクタまたはＣと表記することがある）とを直列に接続する導線部４とからなる。半導体発光素子１と半導体受光素子２とを接続する導線部４には、第三の電気端子となるベース３（以下、本発明の増幅素子の説明において、ベース・ポイント、Ｂ端子又はＢと表記することがある）が設けられている。半導体受光素子２は、半導体発光素子１により発光される光５を受光するように配置されている。
【００３１】
図１（ａ）は、半導体発光素子１の陰極と、半導体受光素子２の陰極とを接続した構造を示すものであり、ｐｎｐ型のバイポーラトランジスタ機能を発現する。また、図１（ｂ）は、半導体発光素子１の陽極と、半導体受光素子２の陽極とを接続した構造を示すものであり、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタ機能を示す。
【００３２】
以下、図１（ｂ）に示す増幅素子を含む回路を例に、本発明の増幅素子の動作原理について詳細に説明する。
【００３３】
図２は、本発明の増幅素子を含む増幅回路の一例を示す概念図である。図２において、外部回路に電圧Ｖｉを印加して、Ｂ端子３を通じて半導体発光素子１に電流ＩＢを流すと、半導体発光素子１による発光が起きる。この発光された光５（以下、本明細書において、放射光ともいう）を半導体受光素子２において受光すると、半導体受光素子２では光起電力効果が起き、光電流ＩＰ＝α×ＩＢ（αは係数）が生じることになる。図２において、ＩＢは等価ベース電流、ＩＣは光電流（等価コレクタ電流、ＩｐはＩｃの下位概念）、ＩＬはＬＥＤ電流（等価エミッタ電流）を表わし、太字矢印は各電流の流れを示す。
【００３４】
ここで、半導体受光素子２と前述の半導体発光素子３とは接続部４により直列に接続されていることから、これらの素子を、抵抗Ｒｂと電源Ｖとを含むさらなる外部回路により接続すると、半導体発光素子１には増大した電流、ＩＢ＋ＩＰ＝（１＋α）ＩＢが流れ込む。
【００３５】
この電流の増大作用は連鎖的に起こる。すなわち、上記増大した電流は半導体発光素子１の駆動電流ＩＬに逐次正帰還し、重畳させることができる。このように、本発明の増幅素子では、電流増幅作用が得られ、また同様に電圧増幅作用が得られることとなる。この増幅作用は、あたかも従来のトランジスタによる増幅作用と同等である。
【００３６】
（半導体発光素子）
本発明における半導体発光素子としては、ｐｎ接合からなるものである限り特に限定されるものではないが、該素子により発光される光が、紫外線、可視光線、または赤外線のものを採用することができる。
【００３７】
上記のような光を発光する素子の具体的な例としては、例えば、発光ダイオードや特定の波長の光を発するレーザーダイオードが挙げられる。
【００３８】
半導体発光素子は、１個を用いてもよいが、複数の素子を直列に接続した電子光源とすることで、当該素子から発せられる光を増強した態様としてもよい。
【００３９】
（半導体受光素子）
本発明における半導体受光素子としては、ｐｎ接合からなるものであって、上記半導体発光素子により発せられた光を受光し、これにより光起電力効果が発現する限り特に限定されるものではない。このような半導体受光素子としては、例えば、シリコンフォトダイオードやシリコン型太陽電池を用いることができる。シリコン型太陽電池としては、単結晶、多結晶、単層または多層のいずれの型であってもよい。また、赤色発光ダイオードや赤外発光ダイオードのように本来は発光素子でありながらシリコンフォトダイオード並の受光能力（光起電力効果）を有する発光ダイオードも、本発明の半導体受光素子として適用することができる。これらの発光ダイオードとしては、シリコンダイオードやゲルマニウムダイオードを例示できる。
【００４０】
上記半導体受光素子は、１個のフォトダイオードにより構成されてもよいが、受光効率を向上させる点からは、複数の受光素子を直列に接続した光源パネルのような態様としてもよい。
【００４１】
（受光）
上記半導体発光素子により発光される光は、直接的に、またはミラー、レンズもしくは光ファイバを介して間接的に、半導体受光素子により受光する。ミラーまたはレンズを用いる場合、複数のミラーまたはレンズにより反射を繰り返して受光させるようにしてもよい。
【００４２】
半導体受光素子の受光感度は特に限定されるものではないが、増幅効果を十分に発揮させるためには、０．３Ａ／Ｗ以上であることが好ましく、０．５Ａ／Ｗ以上であることがより好ましい。上記のような受光効率を達成させるためには、例えば、半導体発光素子により発光される光の波長領域（発光スペクトル）と、半導体受光素子として受光できる光の波長領域（受光スペクトル）が一致するか、または重複領域が広くなるように半導体発光素子と半導体受光素子の組み合わせを選ぶとよい。例えば、図３に示すように、半導体発光素子の発光波長３１と半導体受光素子の受光ピーク波長３２が同等であるものを用いることにより増幅効果を最大限にすることができる。図３における破線および一点破線は目盛りの補助線である。
【００４３】
ここで、市販のシリコンフォトダイオードや単結晶または多結晶シリコン太陽電池は、３８０ｎｍ付近の近紫外光から９８０ｎｍの近赤外光までの波長領域の光を吸収して電気に変換する。これらの受光素子の吸収ピークは９６０ｎｍ付近にあり、光吸収はこれよりも短波長側では直線的に、長波長側では急激に減衰することがわかっている。このことから、高感度かつ高効率な増幅素子を得るには、発光波長が９６０ｎｍの発光ダイオードを使うことが吸収波長の点からは理論的に最適である。ただし現行の市販の赤外発光ダイオードの発光波長は、光出力との兼ね合いから９４０ｎｍと８５０ｎｍが一般的である。
【００４４】
したがって、本発明の増幅素子においては、半導体発光素子と半導体受光素子とは、発光波長、吸収ピーク、および光出力によりその組み合わせを適宜変更することが望ましい。例えば、半導体発光素子と半導体受光素子として、発光波長と吸収ピークが重なる条件の組み合わせのほか、青色発光ダイオードとシリコンフォトダイオードや、紫外発光ダイオードとシリコンフォトダイオードのように、発光波長と吸収ピークが重ならないものであっても、半導体発光素子の光出力が強ければ、本発明の増幅効果は得られる。
【００４５】
また、半導体受光素子がシリコンフォトダイオードの場合、半導体発光素子が６３０〜７００ｎｍ付近の赤色発光ダイオード、６６０ｎｍの波長の光を発光する赤色発光ダイオード、ならびに、７００〜９８０ｎｍまたは８００〜９８０ｎｍの赤外発光ダイオードの場合に、優れた増幅効果が得られる。
【００４６】
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子との最短直線距離は、用いる素子の種類にもよるが、０ｍｍ（密着状態）〜１ｃｍであることが好ましい。また、半導体発光素子により発光された光を効果的（たとえば５０％以上）に受光できる範囲であれば、上記距離は特に限定されるものではなく、例えば３０ｃｍ以上離れて配置した場合でも、本発明の効果は奏される。
【００４７】
（増幅回路および増幅装置）
上述した図２に示すように、本発明の増幅素子は、従来のダイオードが適用される増幅回路において、該従来のダイオードの代わりに適用することができる。物理的な実装が不可な条件であっても、その機能としては置換できるということである。例えば、図２において、Ｖｉとして音源を設け、ＶＯとしてスピーカーを設けると、上記増幅された電流がスピーカーに流れることになり、音響用のアンプとして用いることができる。すなわち、図４に示すように、本発明の増幅素子１０を含む増幅回路４０に、インピーダンスが８Ωのスピーカー６を接続すると、光電流としてＩｃ＝ＩＢ×α／（１−α）、ここでαは係数、が流れる。この電流は上述のように連鎖的に増幅されたものとなり、これにより該スピーカー６を含む増幅回路４０は、音響用のアンプとして機能する。本発明の増幅素子を用いるアンプは、従来のトランジスタや真空管等をその回路に必要とせず、ノイズが１,０００分の１以上に低減されたものとなることが確認された。
【００４８】
（スイッチング能を有する半導体素子）
【００４９】
本発明の増幅素子は、ベース電流（以下のサイリスタ機能を有する半導体素子においてはゲート電流に相当する）を増やすことによって、スイッチング能を有するサイリスタ様素子として機能させることができる。
【００５０】
すなわち、上記スイッチング能を有する半導体素子は、ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをゲートを介して直列に接続し、前記半導体発光素子と前記ゲート間に流す電流が、該半導体発光素子の動作電流の１〜１５％であって、前記半導体発光素子により発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させるものである。
【００５１】
このような素子としては、図１（ａ）または図１（ｂ）におけるベース（Ｂ）をゲート（Ｇ）と読み替えて、これらの図面に示される増幅素子をそのままスイッチング能を有する半導体素子として用いることができる。この場合、半導体発光素子および半導体受光素子としては、増幅素子において例示したものを適用することができる。また、半導体発光素子と半導体受光素子との組み合わせとしても、増幅素子と同様の組み合わせを適用することができる。なお、このような組み合わせには、上述の発光素子と受光素子の両方がシリコンダイオード又はゲルマニウムダイオードの場合も含む。
【００５２】
半導体発光素子とゲート間に流す電流は、該半導体発光素子の動作電流の１〜１５％であることが好ましく、２〜２０％であることがより好ましい。電流を上記範囲とすることによって、従来のサイリスタが示す特性を再現することができる。さらに、本発明のサイリスタは、光トリガサイリスタのごとく、ノイズの低減効果が著しく優れたものである。
【００５３】
また、上記スイッチング能を有する半導体素子は別の態様として、ｐｎ接合からなる半導体発光素子と、ｐｎ接合からなる半導体受光素子とを含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをゲートを介して直列に接続し、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子との最短直線距離が、０ｍｍ〜１ｃｍであり、前記半導体発光素子により発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させるものである。
【００５４】
本発明の半導体素子は、半導体発光素子に流れる電流が上記範囲ないしはそれ以上であるか、または、半導体発光素子と半導体受光素子との距離が上記範囲であると、直列につながれた半導体発光素子と半導体受光素子とが直流的に発振（すなわち、半導体発光素子と半導体受光素子間に流れる電流が、光を介して連鎖反応的に増大）し、大きな回路電流が流れる。この回路電流は、回路抵抗によって制限を受け瞬時にして一定値に収束するが、電流は続けるという現象が起きる。この現象は、スイッチング素子として使われるシリコンサイリスタが示す性質と同様である。
【実施例】
【００５５】
（実施例１：増幅素子および増幅回路）
図２に示すエミッタ接地交流増幅回路を作製した。半導体発光素子１として、発光ダイオード（ＯＳＲＡＭ社製、型番ＳＦＨ４２３５、発光波長８５０ｎｍ）を用い、半導体受光素子２として、シリコンフォトダイオード（浜松ホトニクス株式会社製、型番Ｓ１３３６−８ＢＱ、吸収ピーク９６０ｎｍ）を用いた。ＲｂとＲｃとは、それぞれ１ｋΩ、１ｋΩとし、ＣａとＣｂとは、それぞれ４７μＦ、Ｖ２は９Ｖであり、入力信号として５ｋＨｚの正弦波交流信号を入力した。測定は室温で行なった。【００５６】
上記条件により出力電圧を測定した結果を図５に示す。その結果、従来のトランジスタ増幅回路と同等の１００倍（４０ｄＢ）以上の電圧増幅度が得られることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の増幅素子またはスイッチング能を有する半導体素子は、従来のダイオードまたはサイリスタと同様の機能を有し、かつ、そのノイズが低減されたものであるから、これらの従来の素子の適用分野において好適に用いられるものである。
【符号の説明】
【００５８】
１０  増幅素子
１  半導体発光素子
２  半導体受光素子
３  ベース
４  接続部
５  光
６  スピーカー
２０  増幅回路
【図１】
2015092836.tif 000003
【図２】
2015092836.tif 000004
【図３】
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【図４】
2015092836.tif 000006
【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年12月19日(2016.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１発明の増幅素子は、ｐｎ接合からなるシリコン発光ダイオードである半導体発光素子と、ｐｎ接合からなるシリコン発光ダイオードである半導体受光素子と、を含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースを介して直列に接続し、該ベースと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２発明の増幅素子は、ｐｎ接合からなるゲルマニウムダイオードである半導体発光素子と、ｐｎ接合からなるゲルマニウムダイオードであるシリコン発光ダイオード製の半導体受光素子と、を含み、前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースを介して直列に接続し、該ベースと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合からなるシリコン発光ダイオードである半導体発光素子と、ｐｎ接合からなるシリコン発光ダイオードである半導体受光素子と、を含み、
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースを介して直列に接続し、
該ベースと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、
該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させる
ことを特徴とする、増幅素子。
【請求項２】
ｐｎ接合からなるゲルマニウムダイオードである半導体発光素子と、ｐｎ接合からなるゲルマニウムダイオードであるシリコン発光ダイオード製の半導体受光素子と、を含み、
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とをベースを介して直列に接続し、
該ベースと前記半導体発光素子との間に電流を流すことにより、前記半導体発光素子を発光させ、
該発光される光を前記半導体受光素子により受光することにより生じる光電流を、前記半導体発光素子に正帰還させて重畳させる
ことを特徴とする、増幅素子。
【国際調査報告】
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