(57)【要約】  本発明の課題は、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れた透明導電体を提供することである。  本発明の透明導電体は、透明基板と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率を有する第１高屈折率層と、銀を主成分として含有する透明金属層と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率と導電性を有する第２高屈折率層とが、この順に積層された透明導電体であって、前記透明金属層と、前記第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有し、かつ前記透明金属層と前記第２高屈折率層との間に中間層を有するとき中間層の厚さが１５ｎｍ以下であることを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率を有する第１高屈折率層と、銀を主成分として含有する透明金属層と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率と導電性を有する第２高屈折率層とが、この順に積層された透明導電体であって、前記透明金属層と、前記第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有し、かつ前記透明金属層と前記第２高屈折率層との間に中間層を有するとき中間層の厚さが１５ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電体。
【請求項２】
前記硫化亜鉛を含有した中間層と前記透明金属層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物又は亜鉛の少なくともいずれかを含む硫化防止層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電体。
【請求項３】
前記透明金属層と、前記第１高屈折率層との間に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体。
【請求項４】
前記透明金属層と前記第１及び第２高屈折率層との間の両方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体。
【請求項５】
前記透明金属層が、パターン状に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明金属層を有する透明導電体に関し、更に詳しくは、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れた透明導電体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネル材料、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、太陽電池等の各種装置に、低抵抗な透明導電膜が求められている。【０００３】
このような透明導電膜を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。【０００４】
ここで、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。したがって、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。【０００５】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低く、具体的には、１００Ω／□以下の抵抗値が強く求められている。しかし、従来、広く用いられているＩＴＯ膜では、抵抗値としては１５０Ω／□程度にとどまっており、上記の要望に対しては不十分な特性であった。【０００６】
このような背景から、近年、ＩＴＯに代わる次世代の透明導電膜の開発が盛んになされてきた。【０００７】
上記課題に対し、例えば、特開２０１１−１３８６２８号公報、特開２０１１−１７１２９２号公報等には、銀メッシュを適用する導電性要素の製造方法が開示されている。しかしながら、これら銀メッシュを用いた方法では、メッシュの径が２０μｍ程度であるため、人間の目で視認できてしまうため、タッチパネル表示装置等への適用は難しいのが現状である。また、一部メーカーより市販されている銀ナノワイヤーでは、肉眼で視認されない程度の微小サイズを有し、膜内での導電性を発現するものの、面抵抗値としては、６０Ω／□程度であり、現在のタッチパネル表示装置等で要求されている品質に対しては不十分であった。【０００８】
そのほかにも、酸化亜鉛等を用いることにより低抵抗化する試みがなされているが、このような方法では、導電膜の膜厚としては、２００ｎｍ程度まで積層する必要があり、製造過程で形成した導電膜に応力が掛かった際、膜内にクラック等が発生しやすくなるため歩留まりが低下し、生産効率の点で問題を有している。またこのような特性を抱えた導電膜は、近い将来に実用化が予測されているフレキシブルタッチパネルや曲面部材への適用が難しい。【０００９】
上記問題を踏まえ、近年、銀の蒸着膜を透明導電膜として適用する方法が、盛んに検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、銀薄膜を、スパッタ法により形成した屈折率の高い金属膜（例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物等の膜）で挟持する構成の透明導電膜も提案されている（例えば、特許文献２〜４、非特許文献３参照。）。さらに、銀薄膜を硫化亜鉛膜で挟み込む方法も提案されている（例えば、非特許文献１及び２参照）。【００１０】
しかしながら、特許文献２〜４や非特許文献１〜３で開示されているような、例えば、ＩＴＯ／銀薄膜／ＩＴＯ、ＺｎＯ／銀薄膜／ＺｎＯ、ＩＣＯ／銀薄膜／ＩＣＯ、Ｎｂ２Ｏ５／銀薄膜／ＩＺＯ、硫化亜鉛／銀薄膜／硫化亜鉛というような構成を、スパッタ法により作製した透明導電体では、下記のような問題を抱えていた。【００１１】
すなわち、
１）酸化ニオブやＩＺＯ等の金属酸化物層で銀薄膜層を挟み込んだ構成の透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、湿度環境下で透明導電体を使用すると、形成した銀薄膜が腐食しやすい。【００１２】
２）また、挟持する金属酸化物と、銀との相性が悪く、銀膜を薄膜化すると、プラズモン吸収が増加したり、酸化性雰囲気により銀薄膜に不正な吸収が増加する。
といった問題があり、一方、
３）銀薄膜が硫化亜鉛層に挟持された構成の透明導電体では、透明導電体の耐湿性は十分高いものの、銀薄膜層の形成時、又は硫化亜鉛層の形成時に、銀が硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなる。【００１３】
４）また、硫化亜鉛層が絶縁体となるため、硫化亜鉛層を介して銀薄膜に電気接続することができないため、タッチパネル等のパターン化された電極の作製に支障となる。【００１４】
等の様々な問題を抱えていた。【００１５】
したがって、上記のような問題を克服し、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れた透明導電体の開発が、要望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特表２０１１−５０８４００号公報
【特許文献２】特開２００６−１８４８４９号公報
【特許文献３】特開２００２−０１５６２３号公報
【特許文献４】特開２００８−２２６５８１号公報
【非特許文献】
【００１７】
【非特許文献１】Ｘｕａｎｊｉｅ  Ｌｉｕ，ｅｔ  ａｌ．，（２００３）．Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ４４１，２００−２０６
【非特許文献２】Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＺｎＳ−ＳｉＯ２／Ａｇ／ＺｎＳ−ＳｉＯ２  ａｓ  ｈｉｇｈ  ｓｔａｂｌｅ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｎｄ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｆｉｌｍｓ，  Ｇｕｏｙｕｎ  Ｌｏｎｇ、Ｙｏｎｇｙｏｕ  Ｇｅｎｇ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，２６３（２０１２）ｐ．５４６−５５２
【非特許文献３】Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ  Ｌｅｕ，ｅｔ  ａｌ．，ＳＩＤ  ２０１２  ＤＩＧＥＳＴ  ｐ．３５２−３５３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れた透明導電体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を進めた結果、硫化亜鉛を含有する中間層を、少なくとも銀薄膜層に隣接する一方の側に設け、かつ中間層が第２高屈折率層側にあるとき特定の厚さの薄い層とし、さらに第２高屈折率層に高い屈折率と導電性を持たせることにより課題を解決できることを見いだし本発明に至った。【００２０】
すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。【００２１】
１．透明基板と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率を有する第１高屈折率層と、銀を主成分として含有する透明金属層と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率と導電性を有する第２高屈折率層とが、この順に積層された透明導電体であって、前記透明金属層と、前記第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有し、かつ前記透明金属層と前記第２高屈折率層との間に中間層を有するとき中間層の厚さが１５ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電体。【００２２】
２．前記硫化亜鉛を含有した中間層と前記透明金属層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物又は亜鉛の少なくともいずれかを含む硫化防止層をさらに有することを特徴とする第１項に記載の透明導電体。【００２３】
３．前記透明金属層と、前記第１高屈折率層との間に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体。【００２４】
4．前記透明金属層と前記第１及び第２高屈折率層との間の両方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体。【００２５】
５．前記透明金属層が、パターン状に形成されていることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の上記手段により、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れた透明導電体を提供することができる。【００２７】
本発明の上記課題を解決することができた発現機構・作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。【００２８】
本発明の透明導電体においては、第１高屈折率層と、銀を主成分として含有する透明金属層と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率を有する第２高屈折率と導電性を有する第２高屈折率層とが、この順に積層された透明導電体であって、前記透明金属層と、前記第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有し、かつ前記透明金属層と前記第２高屈折率層との間に中間層を有するとき中間層の厚さが１５ｎｍ以下であることを特徴としている。【００２９】
銀を主成分として含有する透明金属層近傍に、硫化亜鉛が豊富に存在することにより、銀原子をグリップし、銀原子のマイグレーション（移動）を防止することができる。その結果、１０ｎｍ以下という極めて薄膜で均一な銀薄膜層を形成することができる。これにより、銀のプラズモン吸収を低減することができる。【００３０】
また、硫化亜鉛は良好なバリア性を有しており、例えば、Ａｇから構成されている透明金属層（銀薄膜層）の耐湿性を向上させることができる。しかし、硫化亜鉛層が絶縁体となるため、硫化亜鉛層を介して銀薄膜層に電気接続することができなかった。また、硫化亜鉛により銀が硫化されやすく、光透過性をより高くするための障害となっていた。このためタッチパネル等のパターン化された電極に適用するには支障があった。硫化亜鉛を含有する中間層を、少なくとも銀薄膜層に隣接する一方の側に設け、かつ中間層が第２高屈折率層側にあるとき特定の厚さの薄い層とし、さらに第２高屈折率層に高い屈折率と導電性を持たせることで、第２高屈折率層及び中間層を介しても外部端子と銀薄膜層との電気接続性を向上させることができ、低抵抗かつ耐湿性も優れた透明導電体が得られるものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｂ】本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｃ】本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図２】本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図
【図３】銀薄膜層の厚さと光吸収の関係を示す一例
【図４】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図５】電極パターンを有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の透明導電体は、透明基板と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率を有する第１高屈折率層と、銀を主成分として含有する透明金属層と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率と導電性を有する第２高屈折率層とが、この順に積層された透明導電体であって、前記透明金属層と、前記第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有し、かつ前記透明金属層と前記第２高屈折率層との間に中間層を有するとき中間層の厚さが１５ｎｍ以下であることを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項５に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００３３】
本発明の実施態様としては、高い光透過性と安定した色調を有する透明金属層を得ることができるため、前記硫化亜鉛を含有した中間層と前記透明金属層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物又は亜鉛の少なくともいずれかを含む硫化防止層をさらに有することが、好ましい。
【００３４】
また、前記透明金属層と、前記第１高屈折率層との間に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することが耐湿性の向上とプラズモン吸収が少ない薄膜の透明金属層を得るために好ましい。さらに、前記透明金属層と前記第１及び第２高屈折率層との間の両方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することが、より耐湿性を向上させるために好ましい。また透明金属層が、パターン状に形成されていることが好ましい。
【００３５】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、以下の説明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００３６】
《透明導電体の基本的な構成》
図１Ａ〜１Ｃは、本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図である。
【００３７】
本発明の透明導電体１は、透明基板上２に、第１高屈折率層３Ａと、透明金属層４と、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層し、かつ透明金属層４と、前記第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂとの間の少なくとも一方に、硫化亜鉛（以下、ＺｎＳとも記載する。）を含有した中間層を有することを特徴とする。図１Ａでは、透明金属層４と前記第１高屈折率層３Ａの間に第１中間層５Ａが設けられている。このように、硫化亜鉛を含有した中間層５Ａを透明金属層４に隣接して設けると、透明金属４中の銀原子とＺｎＳの硫黄原子との親和性が高いため、銀原子のマイグレーションが抑えられ、薄膜で均一な透明金属層４を得ることができる。かつ、この銀薄膜は安定であるため、耐湿性にも優れている。
【００３８】
図１Ｂでは、さらに透明金属層４と第２高屈折率層３Ｂの間にも第２中間層５Ｂが設けられている。このような構成とすることで、さらに耐湿性は向上する。また、本発明において、ＺｎＳを含有する層は薄いため、第２高屈折率層及び第２中間層を通して、透明金属層と電気接続することが可能となる。
【００３９】
また図１Ｃでは、第１中間層、第２中間層に加えてさらに、第１中間層５Ａと透明金属層４との間に硫化防止層６Ａが設けられている。このような構成とすることで、透明金属層中の銀が中間層に含まれる硫黄により硫化されることを抑えることができる。
【００４０】
本発明の透明導電体１では、図１Ａ〜１Ｃで示すように、透明金属層４が透明基板２の全面に積層されていてもよく、図２に示すように、例えば、第１高屈折率層３Ａ、中間層５Ａ、透明金属層４、第２高屈折率層３Ｂから構成される透明電極ユニットＥＵが所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明の透明導電体１において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、図２に示されるように、透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
【００４１】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１の用途に応じて、適宜選択される。静電方式のタッチパネルに適用するパターンの詳細については、後述する。
【００４２】
また、本発明の透明導電体１には、透明基板２、第１高屈折率層３Ａ、第１中間層５Ａ、透明金属層４、第２中間層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂ及び硫化防止層６の他に、必要に応じて公知の機能性層を設けてもよい。
【００４３】
本発明の透明導電体１に含まれる層は、透明基板２を除いて、いずれも無機材料からなる層であることが好ましい。例えば、第２高屈折率層３Ｂ上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板２から第２高屈折率層３Ｂまでの積層体が、本発明の透明導電体１であると定義する。
【００４４】
《透明導電体の各構成要素》
本発明の透明導電体は、透明基板と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率を有する第１高屈折率層と、銀を主成分として含有する透明金属層と、前記透明基板の屈折率より高い屈折率と導電性を有する第２高屈折率層とが、この順に積層された透明導電体であって、前記透明金属層と、前記第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有し、かつ前記透明金属層と前記第２高屈折率層との間に中間層を有するとき中間層の厚さが１５ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００４５】
さらには、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間又は第２高屈折率層３Ｂと透明金属層４との間に、中間層５Ａ、５Ｂを有していることが好ましい態様である。さらに中間層５と透明金属層４との間に硫化防止層６を設けることもできる。
【００４６】
〔透明基板〕
本発明の透明導電体１に適用可能な透明基板２としては、各種表示デバイスの透明基板に適用されている材料を用いることができる。
【００４７】
透明基板２は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板２が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００４８】
高い光透過性を達成することができる観点から、本発明に適用する透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００４９】
透明基板２は、可視光に対する光透過性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板２の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１の光透過性が高まりやすい。また、透明基板２の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００５０】
上記平均透過率は、透明基板２の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板２の平均反射率を測定し、
平均吸収率（％）＝１００−（平均透過率＋平均反射率）（％）
として算出する。平均透過率及び平均反射率は、分光光度計を用いて測定することができる。
【００５１】
透明基板２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板２の屈折率は、通常、透明基板２の材質によって定まる。透明基板２の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００５２】
透明基板２のヘイズ値は、０．０１〜２．５％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２％の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５％以下であると、透明導電体としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００５３】
透明基板２の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板２の強度が高まり、第１高屈折率層３Ａの作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、透明基板２の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電体１を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電体１を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００５４】
本発明においては、使用する透明基板２は、各構成層を製膜する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いたのち、形成工程で使用することが好ましい。
【００５５】
また、本発明に適用する透明基板上には、そのあとに形成する第１高屈折率層の平滑性を得る観点から、公知のクリアハードコート層を設けてもよい。
【００５６】
〔高屈折率層〕
本発明の透明導電体は、第１高屈折率層と第２高屈折率層を有しており、透明基板に近い方を第１高屈折率層、遠い方を第２高屈折率層と呼ぶ。
【００５７】
第１高屈折率層３Ａは、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層４が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層３Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認し難くするとの観点から、図２に例示するように導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００５８】
第１高屈折率層３Ａは、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第１高屈折率層３Ａには、前述の透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層の屈折率は、第１高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。
【００５９】
第１高屈折率層３Ａに含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、上記屈折率を有する金属酸化物でありうる。上記屈折率を有する金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム、亜鉛の酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
【００６０】
第２高屈折率層３Ｂは、第１高屈折率層３Ａ同様に透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第２高屈折率層には、前述の透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する材料が含まれる。当該材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第２高屈折率層に含まれる材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第２高屈折率層の屈折率は、第２高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。
【００６１】
第２高屈折率層３Ｂは、さらに、電気接続性を確保するために導電性をも有する層である。本発明において、良好な電気接続性を確保するためには、比抵抗が１０００Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。このような構成とすることで、後述する硫化亜鉛を含有した厚さ１５ｎｍ以下の中間層と、この第２高屈折率層を通して外側に設けられた端子と、透明金属層との電気接続性が得られ、透明金属層を通して通電できるので、透明導電体の導電性が格段に向上する。
【００６２】
第２高屈折率層に含まれる材料は、上記した第１高屈折率層に含まれる材料の中でも酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。中でも金属酸化物が好ましい。
【００６３】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム、亜鉛の酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
【００６４】
第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂの厚さは、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。これらの高屈折率層の厚さが１０ｎｍ以上であると、高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、高屈折率層の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、高屈折率層が含まれる領域の光透過性が低下し難い。高屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００６５】
高屈折率層は、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。スパッタ法としてはマグネトロンスパッタや対向スパッタが含まれる。
【００６６】
また、高屈折率層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。高屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、フォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
【００６７】
≪中間層≫
本発明においては、透明金属層と、前記第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有する。
【００６８】
これにより、中間層の上部に銀を主成分として含有している透明金属層を成膜する際には、透明金属層を構成する銀原子が、中間層に含有されている銀原子と親和性のある硫化亜鉛の硫黄原子と相互作用し、当該中間層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集が抑えられる。
【００６９】
すなわち、銀原子は、まず銀原子と硫化亜鉛を含有する中間層表面上で２次元的な核を形成し，それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。
【００７０】
なお、一般的には、中間層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合し３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に成膜し易いと考えられるが、本発明では、中間層に含有されている硫化亜鉛により、このような様式の島状成長が防止され、層状成長が促進されると推察される。
【００７１】
したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の導電性層が得られるようになる。そのため、透明金属層４が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この結果、より薄い膜厚として光透過性を保ちつつも、導電性が確保された透明導電体とすることができる。
【００７２】
また、この層を設けることにより、銀と硫黄原子の親和性が強くなり、かつ水の透過性を妨げるため銀の腐食が防止され、透明導電体の耐湿性を向上させることができるものと考えられる。
【００７３】
図３は、銀薄膜層の厚さと光吸収の関係を示す一例である。ガラス、ＩＴＯ及び硫化亜鉛の薄層上に銀を蒸着して銀薄膜層を形成した際の、銀薄膜層の厚さと可視光（４００〜８００ｎｍ）の平均光吸収の関係を示すグラフである。硫化亜鉛上に銀を成膜すると、ガラスやＩＴＯ上に銀を成膜するより銀の吸収を減らすことができる。
【００７４】
この中間層は、透明金属層と、第１又は第２高屈折率層との間の少なくとも一方に設けられることで本発明の効果を発現することができる。好ましくは、透明金属層と第１高屈折率層との間に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することであり、より好ましくは、透明金属層と、第１及び第２高屈折率層との間の両方に、硫化亜鉛を含有した中間層を有することである。
【００７５】
中間層において、硫化亜鉛の平均含有量は、中間層を構成する材料の総モル数に対して、５０％以上であることが好ましく、より好ましくは、７０〜１００％の範囲内である。ＺｎＳの比率が高いと屈折率が高くなり、Ａｇの吸収を低減することができる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第１高屈折率層３Ａの非晶質性が高まり、第１高屈折率層３Ａの割れ（クラック）の発生が抑制される。
【００７６】
硫化亜鉛と共に用いることができる金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。上記金属酸化物の中でも、特に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。
【００７７】
また、硫化亜鉛と共に用いることができる金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等を挙げることができる。
【００７８】
また、硫化亜鉛と共に用いることができる金属窒化物としては、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化クロム、窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化マグネシウム、窒化モリブデン、窒化リチウム、窒化チタン等を挙げることができる。
【００７９】
本発明においては、中間層の厚さは、いずれか一方の側に少なくとも０．１ｎｍ以上あればよい。中間層が透明金属層の第１高屈折率層側にあるとき、１ｎｍ以上であることが好ましい。より好ましくは５〜２０ｎｍの範囲内である。
【００８０】
中間層が透明金属層の第２高屈折率層側にあるとき、中間層の厚さは１５ｎｍ以下である。好ましくは１〜１２ｎｍの範囲内である。より好ましくは５〜１０ｎｍの範囲内である。中間層の厚さが、１５ｎｍより厚いと、中間層の導電性が低くなり、第２中間層と第２高屈折率層及を介しても外部端子と銀薄膜層との十分な電気接続性を得ることができない。
【００８１】
中間層は、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。スパッタ法としてはマグネトロンスパッタや対向スパッタが含まれる。
【００８２】
〔硫化防止層〕
本発明の透明導電体は、亜鉛を含有した中間層と前記透明金属層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、又は亜鉛の少なくともいずれかを含む硫化防止層を有することが好ましい。透明基板に近い方を第１硫化防止層、遠い方を第２硫化防止層と呼ぶ。
【００８３】
透明金属層とＺｎＳを含む中間層とが隣接して成膜されると、透明金属層４の成膜時、又は第２中間層５Ｂの成膜時に、透明金属層中の金属が硫化されて金属硫化物が生成し、透明導電体の光透過性が低下する場合がある。これに対し、第１中間層５Ａと透明金属層４との間、又は透明金属層４と第２中間層５Ｂとの間に、硫化防止層が含まれると、金属硫化物の生成が抑制される。
【００８４】
硫化防止層は、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、又は亜鉛を含む層又は亜鉛でありうる。硫化防止層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。
【００８５】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、等が含まれる。
【００８６】
金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が含まれる。
【００８７】
金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が含まれる。
【００８８】
硫化防止層の厚さは、透明金属層４の成膜時、又は第２中間層５Ｂの成膜時に、透明金属層４が硫化されることを防止可能な厚さであれば、特に制限されない。ただし、第１中間層５Ａや第２中間層５Ｂに含まれるＺｎＳは、透明金属層４に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層の厚さが非常に薄いと、透明金属層４と第１中間層５Ａ、又は透明金属層４と第２中間層５Ｂとが接する部分が生じ、各層同士の密着性が高まりやすい。つまり、硫化防止層は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１ｎｍ〜３ｎｍである。硫化防止層の厚さは、エリプソメーターで測定される。特にＺｎやＧａ金属が入った硫化防止層であれば耐湿性を劣化させず、またＡｇとの相互作用も強いため好ましい。
【００８９】
硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。
【００９０】
硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００９１】
〔透明金属層〕
銀を主成分として含有する透明金属層４は、透明導電体１において電気を導通させるための層である。透明金属層４は、図１Ａ〜１Ｃに記載のように透明基板２の全面に形成されていてもよく、また、図２に示すように所望の形状にパターニングされていてもよい。
【００９２】
銀を主成分として含有するとは、本発明においては、透明金属層中の銀含有比率が６０原子％以上であることをいう。好ましくは銀の含有比率は導電性の観点から９０原子％以上でより好ましくは９５原子％以上で、さらには透明電極が銀のみからなることが好ましい。
【００９３】
透明金属層中に銀と組み合わされて用いられる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【００９４】
透明金属層４のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【００９５】
透明金属層４の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
【００９６】
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法にて金属からなる層を２０ｎｍの厚さで形成する。
【００９７】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率（％）＝１００−（透過率＋反射率）（％）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【００９８】
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００９９】
透明金属層４の厚さは１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電体１では、透明金属層４の厚さが１０ｎｍ以下の場合、透明金属層４に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層４の厚さが１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂによって、透明導電体１の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層４の厚さは、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【０１００】
透明金属層４は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。
【０１０１】
スパッタ法又は真空蒸着法であれば、平面性の高い透明金属層を、極めて早い形成速度で形成することができる。また、ＺｎＳを含有する中間層の上に金属層を成膜する際、層の形成速度が速ければ、金属の硫化物が生成しにくいため、銀を主成分として含有する透明金属層の形成速度は０．３ｎｍ／秒以上であることが好ましい。形成速度が０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また成膜時の温度は、−２５〜６５℃の範囲内であることが好ましい。
【０１０２】
対向スパッタ法ではＡｇの平滑性が高まるため、また透明性と導電性が良好になるため好ましい。
【０１０３】
また、透明金属層４が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層４は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【０１０４】
〔その他の構成層〕
（低屈折率層）
本発明の透明導電体１には、第２高屈折率層３Ｂ上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
【０１０５】
低屈折率層には、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂに含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、光の屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂに含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【０１０６】
〔透明導電体の物性〕
一方、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８１％以上であることが好ましく、より好ましくは８４％以上、さらに好ましくは８７％以上である。波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が８１％以上であると、広い波長範囲の光に対して光透過性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。
【０１０７】
一方、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。
【０１０８】
上記平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下で測定した平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率（％）は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【０１０９】
また、透明導電体１が、図２に示すように導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１１０】
また透明導電体１に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【０１１１】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の厚さ等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１１２】
〔電極パターンを有する透明導電体の形成方法〕
本発明の透明導電体に対し、図２で示すような導通領域及び絶縁領域からなるパターンの形成方法について説明する。
【０１１３】
本発明の透明導電体においては、上記のような方法で透明基板２上に、例えば、第１高屈折率層と、中間層、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造した後、透明金属層を所定の形状にパターニングして、金属パターン電極を形成することが好ましく、具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、例えば、図５に示すような電極パターンを形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
【０１１４】
（製造工程）
以下、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成方法について説明する。
【０１１５】
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明金属層を、所望のパターンに加工する方法である。
【０１１６】
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所期のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の中間層の溶解及び透明金属層の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所期のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所期の目的に応じて容易に選定することができる。
【０１１７】
次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法について説明する。
【０１１８】
図４は、本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図である。
【０１１９】
第１ステップとして、図４の（ａ）で示すように、透明基板２上に、第１高屈折率層３Ａ、第１中間層５Ａ、透明金属層４、第２中間層層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した透明導電体１を作製する。
【０１２０】
次いで、図４の（ｂ）でレジスト膜を形成する前に、透明導電体１に超音波洗浄処理を施すことが好ましい。超音波洗浄としては、例えば、花王社製の洗剤クリンスル―３０３０を用いて超音波洗浄と純水による水洗いを数回行った後、スピンコータで水を飛ばし、オーブンで乾燥させる。
【０１２１】
次いで、図４の（ｂ）で示すレジスト膜の形成工程で、透明導電体１上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜７を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物あるいはポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。レジストとしては、例えば、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢ等を用いることができる。
【０１２２】
塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、透明導電体１上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０℃以上、１５０℃以下の範囲で３０秒〜３０分間行うことができる。
【０１２３】
次いで、図４の（ｃ）に示す露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスク８を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機９を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜７Ａに照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。
【０１２４】
次いで、図４の（ｄ）に示す現像工程で、露光済みの透明導電体を、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト膜７Ａを溶解する。現像液としては、例えば、レジストとしてポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ」シリーズ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等を用いることができる。
【０１２５】
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を１種あるいは２種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０℃以上１５０℃以下の範囲で乾燥ベークを行ってもよい。
【０１２６】
次いで、図４の（ｅ）に示すように、エッチング液１０を用いたエッチング処理を行う。
【０１２７】
本発明に適用可能なエッチング液としては、無機酸あるいは有機酸を含有する液が好ましく、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、塩酸、リン酸等を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。また、エッチング液としては市販品を用いることもでき、例えば、林純薬工業社製のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）、関東化学社製の「混液  ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）等を用いることができる。
【０１２８】
具体的には、例えば、有機酸等を含むエッチング液に、レジスト膜７を有する透明導電体１を浸漬し、レジスト膜７で保護されていない絶縁領域ｂの電極ユニットＥＵを溶解し、レジスト膜７で保護している導電領ａの電極ユニットＥＵを所定の電極パターンとして形成する。エッチング時間は、適用する酸の種類により異なるが、３０〜１２０秒の範囲内で調整することが好ましい。
【０１２９】
最後に、図４の（ｆ）に示すように、レジスト膜剥離液として、例えば、アセトン、水酸化ナトリウム液、市販品としては、ナガセケムテックス社製のＮ−３００等を用いて、エッチングした透明導電体を浸漬して、レジスト膜７を除去して、電極パターンを有する透明導電体を作製することができる。
【０１３０】
《透明導電体の適用分野》
上記構成からなる本発明の透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１３１】
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
【０１３２】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
【０１３３】
以下、本発明の透明導電体をタッチパネルに適用した一例を示す。
図５は、電極パターンを有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
【０１３４】
図５に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板２−１及び２−２の一主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。
【０１３５】
第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２は、それぞれが、図２及び図４を用いて説明した電極パターンが形成された透明導電体１である。したがって、第１の透明電極ユニットＥＵ−１は、透明基板２−１上に、第１高屈折率層３Ａ、第１中間層５Ａ、透明金属層４、第２中間層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した構成である。第２の透明電極ユニットＥＵ−２も同様の構成である。
【実施例】
【０１３６】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。また、以下の説明で、各構成要件の後の括弧内に記載した数値及び符号は、各図に示した符号を表す。【０１３７】
《透明導電体の作製》
〔透明導電体１の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法にしたがって、スパッタ法により第１高屈折率層（ＩＴＯ）／第１中間層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０１３８】
（第１高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
前記透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が３０．０ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１３９】
（第１中間層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の作製）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＺｎＳ−ＳｉＯ２をＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、層厚が１０．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４０】
なお、第１高屈折率層におけるＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて測定した結果、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が８０：２０であることを確認した。【０１４１】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、温度２５℃、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４２】
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層圧が４１．０ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして透明導電体１を作製した。【０１４３】
〔透明導電体２及び３の作製〕
透明導電体１の作製において、表1で示したように第１高屈折率層と第１中間層の層厚を変えて、透明導電体１の作製と同様にして透明導電体２及び３を作製した。層厚はスパッタ時間を調整することで行った。【０１４４】
〔透明導電体４の作製〕
上記透明導電体１の作製において、第１中間層のかわりに、第１中間層と同じ厚さ、同じ材料の第２中間層を透明金属層の上に設け、さらに第1高屈折率層と第２高屈折率層の厚さを表１に記載のように変え、透明導電体１と同様にして透明導電体４を作製した。【０１４５】
（第１高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４０．０ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４６】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、温度３５℃、形成速度２．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．０ｎｍとなるようＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４７】
（第２中間層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＺｎＳ−ＳｉＯ２をＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、層厚が１０．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４８】
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が３１．０ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして透明導電体４を作製した。【０１４９】
〔透明導電体５の作製〕
（第１高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が３０．０ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５０】
（第１中間層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の作製）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、成膜レート０．１５ｎｍ／ｓでＺｎＳ−ＳｉＯ２をＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、層厚が１０．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５１】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第1中間層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、温度１５℃、形成速度１．５ｎｍ／ｓでＡｇを厚さ７．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５２】
（第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５３】
（第２中間層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルム上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＺｎＳ−ＳｉＯ２をＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、層厚が１０．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５４】
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
次いで、第２中間層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が３０．０ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして透明導電体５を作製した。【０１５５】
〔透明導電体６の作製〕
透明基板としてシクロオレフィンポリマー（略称：ＣＯＰ）フィルム（日本ゼオン製「ゼオノアＺ１４」厚さ５０μｍ）を用い、ＣＯＰフィルム上に、下記の方法に従って、スパッタ法により第１高屈折率層（ＧＺＯ）／第１中間層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２中間層（ＺｎＳ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。【０１５６】
（第１高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
透明基板（ＣＯＰ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０７ｎｍ／秒で、層厚が３０．０ｎｍとなるようＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５７】
（第１中間層（ＺｎＳ）層の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．２２ｎｍ／秒で、層厚が１０．０ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５８】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１中間層を形成した、ＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０７ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成した、ＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、温度２０℃、形成速度２．５ｎｍ／ｓで、層厚が７．０ｎｍとなるようＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６０】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０７ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６１】
（第２中間層（ＺｎＳ）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．２２ｎｍ／秒で、層厚が１０．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６２】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第２中間層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０７ｎｍ／秒で、層厚が３０．０ｎｍｎｍとなるようＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして、透明導電体６を作製した。【０１６３】
〔透明導電体７及び８の作製〕
透明導電体６の作製において、表1で示したように第２中間層と、第２高屈折率層の層厚を変えて、透明導電体６の作製と同様にして透明導電体７及び８を作製した。層厚はスパッタ時間を調整することで行った。【０１６４】
〔透明導電体９の作製〕
（第１高屈折率層（ＩＧＺＯ）の形成）
透明基板（前記ＣＯＰフィルム）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０５ｎｍ／秒で、層厚が３６．０ｎｍとなるようＩＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６５】
（第１中間層（ＺｎＳ）層の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．２２ｎｍ／秒で、層厚が３．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６６】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１中間層を形成した、ＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、温度３０℃、形成速度３．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．０ｎｍとなるようＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６７】
（第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎ０をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６８】
（第２中間層（ＺｎＳ）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．２２ｎｍ／秒で、層厚が５．０ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６９】
（第２高屈折率層（ＩＧＺＯ）の形成）
次いで、第２中間層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０５ｎｍ／秒で、層厚が３５．０ｎｍとなるようＩＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして透明導電体９を作製した。【０１７０】
〔透明導電体１０の作製〕
（第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）の形成）
透明基板（前記ＣＯＰフィルム）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０４ｎｍ／秒で、層厚が３５．０ｎｍとなるようＮｂ２Ｏ５をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７１】
（第１中間層（ＺｎＳ−ＳｎＯ２）層の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、成膜レート０．０４ｎｍ／ｓでＺｎＳ−ＳｎＯ２をＺｎＳとＳｎＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、層厚が５．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７２】
（第１硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、第１中間層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎ０をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７３】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１硫化防止層を形成した、ＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、温度−１５℃、形成速度１．１ｎｍ／ｓで、層厚が７．５ｎｍとなるようＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７４】
（第２高屈折率層（Ｉｎ２Ｏ３）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４０．０ｎｍとなるようＩｎ２Ｏ３をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして透明導電体１０を作製した。【０１７５】
〔透明導電体１１の作製〕
（第１高屈折率層（ＴｉＯ２）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＴｉＯ２を装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、形成速度０．３ｎｍ／秒の条件でポリカーボネートポリマー（略称：ＰＣ）フィルム（カネカ製「エルメックＲ４０＃１４０フィルム」厚さ４０μｍ）上にＴｉＯ２を蒸着して、層厚が３５ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０１７６】
（第１中間層（ＺｎＳ）層の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＣフィルムを、上記の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボートに通電加熱し、ＰＣフィルムの第１高屈折率層上に、形成速度２．７ｎｍ／秒の条件で真空蒸着して、層厚が５．０ｎｍの第１中間層を形成した。【０１７７】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１中間層を形成したＰＣフィルムを、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボートに通電加熱し、ＰＣフィルム上に真空蒸着して、層厚が８．０ｎｍの透明金属層を、形成速度０．５ｎｍ／秒、温度０℃の成膜条件で形成した。【０１７８】
（第２高屈折率層（ＴｉＯ２）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＣフィルムを、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＴｉＯ２を装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、形成速度０．３０ｎｍ／秒の条件でＰＣフィルム上に蒸着して、層厚が４０．０ｎｍの第２高屈折率層を形成して、透明導電体１１を作製した。【０１７９】
〔透明導電体１２の作製〕
（第１高屈折率層（ＳｎＯ２）の形成）
厚さ５０μｍの薄ガラス基板（松浪硝子工業（株）製）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が３５．０ｎｍとなるようＳｎＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１８０】
（第１中間層（ＺｎＳ−ＺｒＯ２）層の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成した薄ガラス基板を、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度ト０．１５ｎｍ／ｓでＺｎＳ−ＺｒＯ２をＺｎＳとＺｒＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、層厚が５．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１８１】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１中間層を形成した薄ガラスを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、温度５℃、形成速度１．８ｎｍ／ｓで、層厚が６．５ｎｍとなるようＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。  
（第２高屈折率層（ＡＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成した薄ガラスを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が４０．０ｎｍとなるようＺｎ０をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして、透明導電体１２を作製した。【０１８２】
〔透明導電体１３の作製〕
透明基板として、クリアハードコート付きポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ／ＣＨＣフィルムと称する。）を用い、このＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、第１高屈折率層（ＺｎＳ含有層）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２中間層（ＺｎＳ含有層）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）を、この順に蒸着法により積層して、透明導電体１３を作製した。【０１８３】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、形成速度２．７ｎｍ／秒の条件で、株式会社きもと製ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム（Ｇ１ＳＢＦ：厚さ１２５μｍ、屈折率１．５９）上にＺｎＳを蒸着して、層厚が４０．０ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０１８４】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴ／ＣＨＣフィルムを、上記の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボートに通電加熱し、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上の第１高屈折率層に真空蒸着して、層厚が７．５ｎｍの透明金属層を、形成速度１．８ｎｍ／秒、温度５℃の成膜条件で形成した。【０１８５】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）層の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴ／ＣＨＣフィルムを、上記の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＧＺＯを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボートに通電加熱し、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上の透明金属層上に、形成速度０．０７ｎｍ／秒の条件で真空蒸着して、層厚が１．０ｎｍの第２硫化防止層を形成した。【０１８６】
（第２中間層（ＺｎＳ）層の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴ／ＣＨＣフィルムを、上記の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボートに通電加熱し、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上の第２硫化防止層上に、形成速度０．５ｎｍ／秒の条件で真空蒸着して、層厚が２．０ｎｍの第２中間層を形成した。【０１８７】
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴ／ＣＨＣフィルムを、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＩＴＯを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、形成速度２．７ｎｍ／秒の条件でＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上の第２中間層（ＺｎＳ）層に蒸着して、層厚が４１．０ｎｍの第２高屈折率層を形成して、透明導電体１３を作製した。【０１８８】
〔透明導電体１４の作製〕
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚さ５０μｍ）からなる透明基板上に、第１高屈折率層（ＩＴＯ）／透明金属層（ＡＰＣ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。【０１８９】
（第１高屈折率層、及び第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
第1高屈折率層、及び第２高屈折率層（ＩＴＯ））は、それぞれ透明導電体１の作製における第１高屈折率層と第２高屈折率層と同様の方法で、ただし、厚さを表１で示したように、それぞれ４０．０ｎｍとなるようにスパッタ時間を調整して形成した。【０１９０】
（透明金属層（ＡＰＣ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、形成速度２．５Å／ｓで、ＡｇとＰｄとＣｕとの合金ＡＰＣ（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８．６：１．２：０．２（質量比））を、厚さが９．０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。このようにして透明導電体１４を作製した。【０１９１】
〔透明導電体１５の作製〕
コーニング社製ガラス基板（＃７０５９、厚さ１．１ｍｍ）からなる透明基板上に、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を順に積層した。【０１９２】
（第１高屈折率層及び第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＺｎＳ−ＳｉＯ２をＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、層厚がそれぞれ４５．０ｎｍとなるようＲＦスパッタして第１高屈折率層及び第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を形成した。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１９３】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
Ａｒガス０．６Ｐａの雰囲気中、０．５５Ｗ／ｃｍ2の電力密度で、厚さが１１．０ｎｍとなるよう、純度４ＮのＡｇターゲットを直流スパッタした。このようにして透明導電体１５を作製した。【０１９４】
≪パターン状に形成された透明導電体の作製≫
上記のように作製した透明導電体１〜１５のそれぞれに対して以下のようにしてパターニングを施し、パターン状に形成された透明導電体１〜１５を作製した。【０１９５】
次いで、上記作製した透明導電体に対し、図４に記載のパターニング方法に従って、図２に記載のように、導通領域ａと、絶縁領域ｂを有するパターンを形成した。【０１９６】
レジスト膜７を形成する前に、上記作製した透明導電体について、超音波洗浄処理を行った。洗浄液として、花王社製の洗剤「クリンスル―３０３０（１０％）」を用いて、超音波洗浄処理を、２５℃で４分間行った。次いで、２５℃の純水で水洗を５回行った後、２５℃の純水にて超音波洗浄を４分間で２回行った。最後に、スピンコータで水を飛散させたのち、オーブンで乾燥させた。【０１９７】
次いで、洗浄した透明導電体上に、レジストとして、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢをスピンコーティング法により、２０００ｒｐｍで３０秒間の塗布、乾燥を行い、厚さ１μｍのレジスト膜（７）を形成した。【０１９８】
次いで、マスク８を介して、６０ｍＪの条件で紫外線を照射し、現像液として、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ−１」（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて現像した。【０１９９】
次いで、エッチング液としては、関東化学社製の「混液  ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）を用い、図２に示すように、透明基板のみを有する絶縁領域ｂと、透明電極ユニットＥＵを有する通電領域ａからなる電極パターンを形成した。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。【０２００】
最後に、アセトンを用いて、残留しているレジスト膜７を剥離して、それぞれ透明導電体１〜１５に対応する、パターン状に形成された透明導電体１〜１５を得た。【０２０１】
≪第２高屈折率層のみの形成≫
第２高屈折率層のみの導電性を調べるため、透明導電体１〜１５のそれぞれについて第２高屈折率層を形成した同条件で、ガラス上に別途第２高屈折率層のみを形成した。【０２０２】
なお、以上の透明導電体の作製、又は表１で用いた略称の詳細は、以下のとおりである。【０２０３】
ＣＯＰ：シクロオレフィンポリマー
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート
ＰＣ：ポリカーボネート
ＩＴＯ：酸化インジウムスズ
ＧＺＯ：ガリウム亜鉛酸化物
ＩＧＺＯ：インジウムガリウム亜鉛酸化物
ＡＺＯ：アルミニウムによりドープされた亜鉛酸化物
ＡＰＣ：ＡｇとＰｄとＣｕとの合金（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８．６：１．２：０．２（質量比））
＊１：ＺｎＳ−ＳｉＯ２
＊２：ＺｎＳ−ＳｎＯ２
＊３：ＺｎＳ−ＺｒＯ２
《透明導電体の評価》
上記作製した各透明導電体について、下記の各特性値の測定及び評価を行った。【０２０４】
〔耐湿性〕
耐湿性の評価は、水分により腐食された透明金属層の腐食数を観察することで行った。具体的には、温度６５℃、相対湿度９５％の環境下で透明導電体１〜１５を１００時間さらしたのち、上記作製した各透明導電体３０ｍｍ×３０ｍｍの面積範囲を、１００倍のルーペを用いて観察し、サイズ２０μｍ以上の腐食数を測定し、下記の基準に従って腐食耐性を評価した。【０２０５】
〇：全面積範囲で、腐食の発生が認められない（腐食数：０個）
△：全面積範囲で、腐食の発生数が１個以上、５個未満である
×：全面積範囲で、腐食の発生数が５個以上である
〔平均透過率〕
パターン状に形成された透明導電体を用いて導通領域における平均透過率を以下の方法に従って測定した。【０２０６】
パターン状に形成された透明導電体１〜１５の第２高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製  屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の４５０〜８００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。【０２０７】
なお、無アルカリガラス基板と大気との界面での反射（４％）、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を考慮し、透過率の測定値に８％足した値を透明導電体の各平均透過率とした。以上の測定値をもとに、以下のランク付けを行った。【０２０８】
◎：平均透過率が９５％以上である
○：平均透過率が９２％以上９５％未満である
△：平均透過率が８９％以上９２％未満である
×：平均透過率が８９％未満である
〔電気接続性〕
透明導電体１〜１５のそれぞれについて、導通試験を行った。すなわち第２高屈折率層側の表面において、５ｃｍ離した距離で、ＨＩＯＫＩ  ＬＣＲ  ＨｉＴｅｓｔｅｒ（日置電機社製、型番３５２２−５０）を用い、５Ｖ  １００ＨＺの交流を用いて抵抗値を測定した。その値を以下のようにランク付けして評価した。【０２０９】
○：５ｃｍ離した距離でテスターを当て、２００Ω以下の抵抗値を得た
△：５ｃｍ離した距離でテスターを当て、２００Ω超１０００Ω以下の抵抗値を得た
×：５ｃｍ離した距離でテスターを当て、１０００Ω超の抵抗値を得た
この値が１０００Ω以下であれば、タッチパネル用電極として、用いることができる。【０２１０】
〔第２高屈折率層の導電性の測定〕
第２高屈折率層のみを形成した試料のそれぞれについて、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計「ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０」を接触させて、第２高屈折率層の導電性を評価した。その結果から第２高屈層の比抵抗を算出し、比抵抗を以下のようにランク付けした。【０２１１】
なお、比抵抗の計算は「ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０」で得られたシート抵抗結果から、以下の関係式を用いて換算した。【０２１２】
Ｒｓ＝ρ／ｔ
Ｒｓ：シート抵抗
ρ：比抵抗
ｔ：膜厚
例えば、シート抵抗（Ｒｓ）が１００Ω／□で、厚さ（ｔ）が１００ｎｍのとき、比抵抗ρは、１００×１００ｎｍ＝１０−５Ω・ｍ＝１０−３Ω・ｃｍと計算できる。【０２１３】
ここで層厚は、あらかじめエリプソメータで測定しておいた値を用いた。【０２１４】
透明導電体の構成と、以上の評価により得られた結果を表１に示す。【０２１５】
【表１】
2015125677.tif 000003
【０２１６】
表１に記載の結果より明らかなように、本発明の透明導電体１〜７、及び９〜１３は、比較の透明導電体８、１４及び１５に比べて、耐湿性、平均透過率及び電気接続性に優れていることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０２１７】
本発明の透明導電体は、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れ、タッチパネル材料、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、太陽電池等の各種装置に好ましく適用することができる。
【符号の説明】
【０２１８】
１  透明導電体
２、２−１、２−２  透明基板
３Ａ  第１高屈折率層
３Ｂ  第２高屈折率層
４  透明金属層
５  中間層
５Ａ  第１中間層
５Ｂ  第２中間層
６  硫化防止層
６Ａ  第１硫化防止層
７  レジスト膜
７Ａ  除去するレジスト膜
８  マスク
９  露光機
１０  エッチング液
１３  前面版
２１  タッチパネル
ａ  導通領域
ｂ  絶縁領域
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２  透明電極ユニット
【図１Ａ】
2015125677.tif 000004
【図１Ｂ】
2015125677.tif 000005
【図１Ｃ】
2015125677.tif 000006
【図２】
2015125677.tif 000007
【図３】
2015125677.tif 000008
【図４】
2015125677.tif 000009
【図５】
2015125677.tif 000010
【国際調査報告】
2015125677.tif 000011
2015125677.tif 000012
2015125677.tif 000013
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