(57)【要約】  本発明の課題は、透明電極の電極層と引き出し配線を接続する導線部分の断線が少ない有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することである。  本発明は、基板上に一対の電極と発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板側に配置された透明電極と、基板と透明電極との間の光散乱層と、前記透明電極を外部電源に接続する引き出し配線と、を備え、前記透明電極が、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層と、当該下地層上に銀あるいは銀合金か又は銅あるいは銅合金を用いて形成された電極層とを備え、前記電極層が、前記発光層の領域と重なるように形成された本体部分と、当該本体部分から前記引き出し配線側に露出する導線部分とを備え、前記引き出し配線が前記導線部分の少なくとも一部の上に重なるように形成され、前記下地層が前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする。
2015141397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の電極と、当該一対の電極間に配置された発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記一対の電極のうち、基板側に配置された透明電極と、
前記基板と前記透明電極との間に位置する光散乱層と、
前記透明電極を外部電源に接続する引き出し配線と、を備え、
前記透明電極が、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層と、当該下地層上に銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて形成された電極層と、を備え、
前記電極層が、前記発光層の領域と重なるように形成された本体部分と、当該本体部分から前記引き出し配線側に露出する導線部分とを備え、
前記引き出し配線が、前記導線部分の少なくとも一部の上に重なるように形成され、
前記下地層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記光散乱層と前記下地層の間に位置する平滑層をさらに備え、
前記平滑層の前記引き出し配線側の一端が、前記光散乱層の前記引き出し配線側の一端よりも前記引き出し配線側に位置するように、前記平滑層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記平滑層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記光散乱層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
基板上に、電極層を備える透明電極と、当該透明電極と対をなす電極と、これら一対の電極間に配置された発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
（ａ）前記基板上に光散乱層を形成するステップと、
（ｂ）前記光散乱層上に、前記電極層の下地層であって、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層を形成するステップと、
（ｃ）前記下地層上に、銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて、前記発光層の領域と重なるように前記電極層の本体部分を形成するとともに、当該本体部分から露出する前記電極層の導線部分を形成するステップと、
（ｄ）前記透明電極を外部電源に接続する引き出し配線を、前記導線部分の少なくとも一部に重なるように形成するステップと、を含み、
前記ステップ（ｂ）では、前記電極層の本体部分が形成される領域と導線部分が形成される領域のいずれにも前記下地層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
（ｅ）前記光散乱層と前記下地層の間に平滑層を形成するステップをさらに含み、
前記ステップ（ｅ）では、前記平滑層の前記引き出し配線側の一端が、前記光散乱層の記引き出し配線側の一端よりも前記引き出し配線側に位置するように、前記平滑層を形成することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｅ）では、前記平滑層を、前記電極層の本体部分が形成される領域と導線部分が形成される領域のいずれにも形成することを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記ステップ（ａ）では、前記光散乱層を、前記電極層の本体部分が形成される領域と導線部分が形成される領域のいずれにも形成することを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関する。具体的には、透明電極の電極層と引き出し配線を接続する導線部分の断線が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）素子は、一般的に発光性の有機化合物を含有する発光層と、当該発光層を挟持する一対の電極とを備えて構成されている。一対の電極に電圧を印加して発光層に正孔及び電子を注入すると、正孔及び電子の再結合によって励起子（エキシントン）が生成する。この励起子が失活する際、発光層から光が放出され、有機ＥＬ素子が発光する。【０００３】
有機ＥＬ素子では、発光層から放出された光を外部へ取り出すため、一対の電極のうち、光を取り出す側に配置される電極として、透明電極が用いられている。
透明電極としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）が広く知られているが、このＩＴＯに代わる新たな透明電極として、銀又は銀合金を用いた透明電極が提案されている（例えば、特許文献１参照）。銀はＩＴＯに比べて安価なうえ、ＩＴＯと同等レベルの高い導電性及び光透過性を得ることができる。【０００４】
透明電極は引き出し配線と接続され、当該引き出し配線によって外部電源に接続される。そのため、透明電極の電極層は、発光層の領域と重なるように形成された電極層の本体部分と、引き出し配線と接続するための導線部分とを備え、導線部分が本体部分から露出するようにして形成されている。【０００５】
しかしながら、銀又は銀合金の電極層は、光透過性を高めるために、例えば１０ｎｍ以下の薄膜として形成される。薄膜であるため、電極層より下層の表面の凹凸によって連続成膜性が低下し、電極層の導線部分が断線することがあった。特に、有機ＥＬ素子の光取り出し効率を高めるために電極層より下層に光散乱層が設けられる場合があるが、光散乱層は表面の凹凸が大きいため、電極層の導線部分が断線することが多かった。
また、基板として可撓性が高いフィルムが用いられた場合、電極層の導線部分の連続成膜性が低いと、屈曲時の負荷によって断線しやすいという問題もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開２０１３／０７３３５６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記問題及び状況に鑑みてなされ、その解決課題は、透明電極の電極層と引き出し配線を接続する導線部分の断線が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、銀、銅又はこれらの合金を用いて形成される透明電極の電極層は薄膜であるため、引き出し配線との接続用に形成される電極層の導線部分の連続成膜性が電極層よりも下層の表面の凹凸によって阻害され、断線しやすいことが判明した。特に、電極層より下層に光散乱層があると光散乱層の表面の凹凸が大きいため、断線しやすかった。本発明者らは、電極層の本体部分だけでなく導線部分においても下層の表面の凹凸を減らし、導線部分における連続成膜性を高めれば断線を減らせると考え、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段によって解決される。【０００９】
１．基板上に、一対の電極と、当該一対の電極間に配置された発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記一対の電極のうち、基板側に配置された透明電極と、
前記基板と前記透明電極との間に位置する光散乱層と、
前記透明電極を外部電源に接続する引き出し配線と、を備え、
前記透明電極が、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層と、当該下地層上に銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて形成された電極層と、を備え、
前記電極層が、前記発光層の領域と重なるように形成された本体部分と、当該本体部分から前記引き出し配線側に露出する導線部分とを備え、
前記引き出し配線が、前記導線部分の少なくとも一部の上に重なるように形成され、
前記下地層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１０】
２．前記光散乱層と前記下地層の間に位置する平滑層をさらに備え、
前記平滑層の前記引き出し配線側の一端が、前記光散乱層の前記引き出し配線側の一端よりも前記引き出し配線側に位置するように、前記平滑層が形成されていることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１１】
３．前記平滑層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１２】
４．前記光散乱層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする第３項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１３】
５．基板上に、電極層を備える透明電極と、当該透明電極と対をなす電極と、これら一対の電極間に配置された発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
（ａ）前記基板上に光散乱層を形成するステップと、
（ｂ）前記光散乱層上に、前記電極層の下地層であって、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層を形成するステップと、
（ｃ）前記下地層上に、銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて、前記発光層の領域と重なるように前記電極層の本体部分を形成するとともに、当該本体部分から露出する前記電極層の導線部分を形成するステップと、
（ｄ）前記透明電極を外部電源に接続する引き出し配線を、前記導線部分の少なくとも一部に重なるように形成するステップと、を含み、
前記ステップ（ｂ）では、前記電極層の本体部分が形成される領域と導線部分が形成される領域のいずれにも前記下地層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１４】
６．（ｅ）前記光散乱層と前記下地層の間に平滑層を形成するステップをさらに含み、
前記ステップ（ｅ）では、前記平滑層の前記引き出し配線側の一端が、前記光散乱層の前記引き出し配線側の一端よりも前記引き出し配線側に位置するように、前記平滑層を形成することを特徴とする第５項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１５】
７．前記ステップ（ｅ）では、前記平滑層を、前記電極層の本体部分が形成される領域と導線部分が形成される領域のいずれにも形成することを特徴とする第６項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１６】
８．前記ステップ（ａ）では、前記光散乱層を、前記電極層の本体部分が形成される領域と導線部分が形成される領域のいずれにも形成することを特徴とする第７項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の上記手段により、透明電極の電極層と引き出し配線を接続する導線部分の断線が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供できる。【００１８】
本発明の効果の発現機構又は作用機構は明確になっていないが、以下のように推察される。
本発明によれば、電極層の本体部分だけでなく導線部分の下にも下地層が形成される。電極層よりも下層に表面の凹凸が大きい光散乱層があっても、下地層によって凹凸が減るため、電極層の導線部分においても連続成膜性を高めることができる。よって、連続成膜性の低下に起因する導線部分の断線を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構成を示す断面図
【図２Ａ】図１の基板から発光層までの詳細を示す断面図
【図２Ｂ】図２Ａの上面図
【図３】平滑層の一端が光散乱層の一端よりも引き出し配線側に位置する場合の構成を示す断面図
【図４】平滑層が電極層の本体部分及び導線部分の下に形成された場合の基板から発光層までの構成を示す断面図
【図５】光散乱層が電極層の本体部分及び導線部分の下に形成された場合の基板から発光層までの構成を示す断面図
【図６】実施例において有機ＥＬ素子の各層が形成される領域を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明は、基板上に、一対の電極と、当該一対の電極間に配置された発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記一対の電極のうち、基板側に配置された透明電極と、前記基板と前記透明電極との間に位置する光散乱層と、前記透明電極を外部電源に接続する引き出し配線と、を備え、前記透明電極が、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層と、当該下地層上に銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて形成された電極層と、を備え、前記電極層が、前記発光層の領域と重なるように形成された本体部分と、当該本体部分から前記引き出し配線側に露出する導線部分とを備え、前記引き出し配線が、前記導線部分の少なくとも一部の上に重なるように形成され、前記下地層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることを特徴とする。
この特徴は請求項１から請求項８までの各請求項に係る発明に共通の技術的特徴である。
【００２１】
本発明の実施態様としては、導線部分の断線をさらに減らす観点から、前記光散乱層と前記下地層の間に位置する平滑層をさらに備え、前記平滑層の前記引き出し配線側の一端が、前記光散乱層の前記引き出し配線側の一端よりも前記引き出し配線側に位置するように、前記平滑層が形成されていることが好ましい。
【００２２】
電極層の本体部分と導線部分間の段差を小さくして、段差に起因する断線を減らす観点からは、前記平滑層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されていることが好ましく、さらに前記光散乱層が、前記電極層の本体部分と導線部分のいずれの下にも形成されているこことが好ましい。
【００２３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基板上に、電極層を備える透明電極と、当該透明電極と対をなす電極と、これら一対の電極間に配置された発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、（ａ）前記基板上に光散乱層を形成するステップと、（ｂ）前記光散乱層上に、前記電極層の下地層であって、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層を形成するステップと、（ｃ）前記下地層上に、銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて、前記発光層の領域と重なるように前記電極層の本体部分を形成するとともに、当該本体部分から露出する前記電極層の導線部分を形成するステップと、（ｄ）前記透明電極を外部電源に接続する引き出し配線を、前記導線部分の少なくとも一部に重なるように形成するステップと、を含み、前記ステップ（ｂ）では、前記電極層の本体部分が形成される領域と導線部分が形成される領域のいずれにも前記下地層を形成することを特徴とする。
本発明の製造方法の好ましい態様は、上述した有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい態様と同様であるので、説明を省略する。
【００２４】
以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態について詳細な説明をする。
なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００２５】
〔有機エレクトロルミネッセンス素子〕
図１は、本発明の一実施の形態である有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略す）素子１０の構成を示す断面図である。
有機ＥＬ素子１０は、図１に示すように、基板１上に、一対の電極Ｅ１及びＥ２と、一対の電極Ｅ１及びＥ２間に配置された有機機能層３と、を備えている。
有機機能層３は、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送層３ｄ及び電子注入層３ｅが、この順に積層された発光ユニットである。有機ＥＬ素子１０は、有機機能層３の発光層３ｃから発せられた光ｈを、少なくとも基板１側から取り出すように構成されている。一対の電極Ｅ１及びＥ２と重なる発光層３ｃの領域を発光領域といい、発光はこの発光領域において起こる。
【００２６】
一対の電極Ｅ１及びＥ２のうち、電極Ｅ１は発光層３ｃからの光を取り出す基板１側に配置された透明電極である。以下、電極Ｅ１を透明電極Ｅ１と表す。有機ＥＬ素子１０は、この透明電極Ｅ１を外部電源に接続する引き出し配線５を備えている。
なお、有機ＥＬ素子１０において、透明電極Ｅ１は陽極であり、電極Ｅ２は陰極であるが、それぞれの極性が逆であってもよい。極性が逆の場合、有機機能層３の各層の並び順も逆となる。
【００２７】
有機ＥＬ素子１０は、光取り出し効率を高めるため、基板１と透明電極Ｅ１との間に内部光取り出し層２Ａを備えている。内部光取り出し層２Ａは、少なくとも光散乱層を含む。
さらに光取り出し効率を高めるため、有機ＥＬ素子１０は、基板１の内部光取り出し層２Ａが形成された面とは反対側の面に、外部光取り出し層２Ｂを備えることもできる。
また、有機ＥＬ素子１０は、基板１上の各層の劣化を防ぐため、基板１上の各層を被覆する封止材６を備えている。封止材６は、接着剤７によって電極Ｅ２及び引き出し配線５に接着されている。
【００２８】
図２Ａは、基板１から発光層３ｃまでの各層の詳細を表す断面図であり、図２Ｂは図２Ａの上面図である。図２Ｂ中のＡ−Ａ線は、図２Ａの断面図の断面線を示す。
図２Ａに示すように、基板１上には内部光取り出し層２Ａとして、光散乱層２１及び平滑層２２が発光層３ｃの領域と重なるように形成されている。平滑層２２は、光散乱層２１の表面の凹凸を平滑化するため、光散乱層２１と下地層Ｅｂの間に配置されている。
【００２９】
平滑層２２上には、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有する下地層Ｅｂと、当該下地層Ｅｂ上に銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて形成された電極層Ｅａとを備えた透明電極Ｅ１が形成されている。下地層Ｅｂが含有する化合物が銀又は銅の凝集を抑えるため、電極層Ｅａを薄膜として形成することができ、光透過率の高い透明電極Ｅ１を得ることができる。
【００３０】
電極層Ｅａは、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、発光層３ｃの領域に重なるように形成された本体部分ａ１と、当該本体部分ａ１から引き出し配線５側に露出する導線部分ａ２とからなる。
本体部分ａ１は、発光層３ｃの領域に重なるように形成されるのであれば、発光層３ｃの領域と同じ位置に同じ面積で形成されてもよいし、発光層３ｃの領域を包含するように発光層３ｃよりも大きい面積で形成されてもよい。
導線部分ａ２は、引き出し配線５との接続用に形成された電極層Ｅａの一部であり、引き出し配線５は、この導線部分ａ２の少なくとも一部の上に重なるように形成されている。
【００３１】
下地層Ｅｂは、電極層Ｅａの本体部分ａ１と導線部分ａ２のいずれの下にも形成されている。
これにより、光散乱層２１の形成時に光散乱層２１の材料等が流出して、図２Ａに示すように電極層Ｅａの本体部分ａ１よりも引き出し配線５側に微細な凹凸が生じた場合でも、下地層Ｅｂによって電極層Ｅａの導線部分ａ２の下に位置する光散乱層２１の表面の凹凸を減らすことができる。薄膜として形成される導線部分ａ２の連続成膜性が凹凸によって低下することを防止することができ、導線部分ａ２の断線を減らすことができる。また、下地層Ｅｂは電極層Ｅａ中の銀又は銅との相互作用によって導線部分ａ２の連続成膜性を向上させるため、導線部分ａ２の断線を効果的に減らすことができる。
【００３２】
なお、上記有機ＥＬ素子１０においては、下地層Ｅｂが平滑層２２を兼ねるように形成されていてもよい。
【００３３】
〔変形例１〕
上記有機ＥＬ素子１０において、図３に示すように、平滑層２２の引き出し配線５側の一端２２ｐが、光散乱層２１の引き出し配線５側の一端２１ｐよりも引き出し配線５側に位置するように、平滑層２２が形成されていることが好ましい。
これにより、少なくとも引き出し配線５側においては光散乱層２１を被覆するように平滑層２２を形成することができ、電極層Ｅａの導線部分ａ２の連続成膜性に及ぼす光散乱層２１の凹凸の影響を大きく減らすことができる。
【００３４】
〔変形例２〕
上記有機ＥＬ素子１０において、図４に示すように、平滑層２２が電極層Ｅａの本体部分ａ１と導線部分ａ２のいずれの下にも形成されていることが好ましい。
平滑層２２により光散乱層２１の表面の凹凸が平滑化されるため、電極層Ｅａの連続成膜性をさらに向上させることができ、断線をより効果的に防止することができる。また、本体部分ａ１と同様に導線部分ａ２の下にも平滑層２２があることによって、本体部分ａ１と導線部分ａ２間の段差が小さくなるため、段差部分への電極層Ｅａの成膜性（ステップカバレッジ性）が良好となり、段差に起因する断線も減らすことが可能となる。
【００３５】
〔変形例３〕
上記有機ＥＬ素子１０において、図５に示すように、光散乱層２１が電極層Ｅａの本体部分ａ１と導線部分ａ２のいずれの下にも形成されていることが好ましい。
これにより、電極層Ｅａの本体部分ａ１と導線部分ａ２の段差がさらに小さくなるか、段差がなくなるため、段差に起因する断線をさらに減らすことができる。
【００３６】
以下、上記有機ＥＬ素子１０の各層の詳細を説明する。
〔基板〕
基板１は、基板１側から光を取り出す場合、高い透明性を有する。
具体的には、基板１の光透過率が７０％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であり、特に好ましくは９５％以上である。ここでいう光透過率は全光線透過率であり、ＪＩＳ  Ｋ  ７３７５：２００８「プラスチック−全光線透過率及び全光線反射率の求め方」にしたがって測定することができる。
基板１は、有機ＥＬ素子１０に屈曲性を付与するため、可撓性を有することが好ましい。
【００３７】
好ましい基板１としては、フィルム状又は板状のガラス、樹脂フィルム等が挙げられる。
ガラスとしては、例えばシリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
基板１としてガラスを用いた場合、内部光取り出し層２Ａとの密着性、耐久性、平滑性及びガスバリアー性を高める観点から、必要に応じて、基板１の表面に、研磨等の物理的処理を施すか、無機化合物あるいは有機化合物からなる被膜又はこれらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜を設けることもできる。
【００３８】
樹脂フィルムの材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）、アペル（商品名三井化学社製）等のシクロオレフィン系樹脂等を挙げることができる。
【００３９】
基板１が樹脂フィルムである場合、大気中の水、酸素等のガスの浸入を遮蔽するため、基板１上にガスバリアー層を備えることが好ましい。
ガスバリアー層は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠する方法で測定された水蒸気透過度（温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下のガスバリアー性を示すことが好ましく、水蒸気透過度が０．００００１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下であり、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠して測定された酸素透過度が０．００１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下である高いガスバリアー性を示すことがより好ましい。
【００４０】
ガスバリアー層の材料としては、水、酸素等のガスの浸入を抑制することができる材料であればよく、例えば酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機化合物が挙げられる。
ガスバリアー層は、無機化合物からなる層と、有機化合物からなる層とを積層した多層構造であることが、高いガスバリアー性を得る観点から好ましい。
【００４１】
また、特定の雰囲気下で紫外線照射によって、金属酸化物、金属窒化物又は金属酸化窒化物を形成し得る化合物も好適に用いることができる。なかでも、特開平８−１１２８７９号公報に記載されている比較的低温で改質処理され得る化合物が好ましい。
具体的には、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するポリシロキサン（ポリシルセスキオキサンを含む）、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有するポリシラザン、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合とＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合の両方を含むポリシロキサザン等を挙げることができる。これらは、紫外線、エキシマ光等を照射することにより、低温でセラミック化する。これらのうちの２種以上を混合して使用することができるし、異なる種類で逐次積層したり、同時積層したりすることもできる。
【００４２】
基板１が樹脂フィルムである場合、基板１中の未反応オリゴマー等が基板１表面へ移行して析出するブリードアウト現象を抑えるため、基板１上にブリードアウト防止層を設けることができる。
また、基板１の表面の凹凸を平坦化するため、平坦化層を設けることもできる。
ブリードアウト防止層及び平坦化層としては、公知の樹脂を用いることができ、例えば紫外線、電子線等の活性線により硬化する樹脂を用いることができる。
【００４３】
基板１の厚さは、１０〜５００μｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜２５０μｍの範囲内であり、さらに好ましくは３０〜１５０μｍの範囲内である。基板１の厚さが１０〜５００μｍの範囲内にあれば、安定したガスバリアー性を得られ、ロール・トゥ・ロール方式の搬送に適している。
【００４４】
〔光取り出し層〕
内部光取り出し層２Ａ及び外部光取り出し層２Ｂは、光取り出し効率を向上させて外部量子効率を高めるために設けられる。
上述したように、内部光取り出し層２Ａは、少なくとも光散乱層２１を備え、光散乱層２１上に平滑層２２をさらに備えることもできる。  
【００４５】
内部光取り出し層２Ａは、光透過率が５０％以上であることが好ましく、５５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましい。
【００４６】
（光散乱層）
光散乱層２１は、光波長５５０ｎｍで測定された屈折率が１．７以上２．５未満の範囲内にある高屈折率層であることが好ましい。なお、屈折率は、多波長アッベ屈折計、プリズムカメラ、ミケルソン干渉計、分光エリプソメーター等により測定することができる。
光散乱層２１は、このような高い屈折率を有する単独の材料から構成されていてもよいし、２種以上の材料を混合して高い屈折率となるようにしてもよい。２種以上の材料を混合する場合、光散乱層２１の屈折率として、各々の材料固有の屈折率に混合比率を乗じた合算値により算出される計算屈折率を用いる。光散乱層２１全体として１．７以上２．５未満の範囲を満たしていれば、各々の材料の屈折率がこの範囲外であってもよい。
【００４７】
２種以上の材料を混合する場合の光散乱層２１は、バインダーを層媒体として、層媒体より高い屈折率を示す光散乱粒子を含有し、それぞれの屈折率差を利用して入射光を散乱させることが好ましい。
【００４８】
バインダーとしては、例えばポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ナイロン（Ｎｙ）等の公知の樹脂が特に制限なく使用可能である。
また、バインダーとして、親水性樹脂、硬化型樹脂、前述のポリシロキサン（ポリシルセスキオキサンを含む）、ポリシラザン、ポリシロキサザン等を用いることもできる。
【００４９】
光散乱粒子は、可視光域のＭｉｅ散乱を生じさせる領域以上の粒径を有する透明な粒子であることが好ましく、その平均粒径は０．２μｍ以上である。平均粒径の上限としては、１μｍ未満が好ましい。粒径が１μｍ未満であれば、光散乱粒子を含有する光散乱層２１の表面を平滑化するために、平滑層２２の層厚を厚くする必要がない。
光散乱粒子の平均粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；Transmission Electron Microscope）による断面画像を画像処理することにより、測定することができる。
【００５０】
光散乱粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、有機微粒子であっても、無機微粒子であってもよい。なかでも、高屈折率を有する無機微粒子が好ましい。
【００５１】
高屈折率を有する有機微粒子としては、例えばポリメチルメタクリレートビーズ、アクリル−スチレン共重合体ビーズ、メラミンビーズ、ポリカーボネートビーズ、スチレンビーズ、架橋ポリスチレンビーズ、ポリ塩化ビニルビーズ、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ等が挙げられる。
【００５２】
高屈折率を有する無機微粒子としては、例えばジルコニウム、チタン、インジウム、亜鉛、アンチモン、セリウム、ニオブ及びタングステンのなかから選ばれる少なくとも一つの酸化物からなる無機酸化物粒子が挙げられる。具体的には、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、ＩＴＯ、ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３等が挙げられる。なかでも、ＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２又はＮｂ２Ｏ５が好ましく、ＴｉＯ２が最も好ましい。ＴｉＯ２は、ルチル型の方がアナターゼ型より触媒活性が低く、光散乱層２１又は隣接する層の耐候性及び屈折率が高くなることから好ましい。
【００５３】
上記光散乱粒子の平均粒径は、光散乱層２１と平滑層２２との界面に接触又は近接するように、光散乱層２１の層厚と同程度であることが好ましい。これにより、平滑層２２内で全反射が起きたときに光散乱層２１に染み出してくるエバネッセント光を粒子で散乱させることができ、光取り出し効率が向上する。逆に、光散乱層２１の層厚が光散乱粒子の平均粒径を超える、例えば光散乱層２１の層厚が光散乱粒子の平均粒径の１．３倍である場合、光散乱粒子が界面から遠く離れた位置に存在し、エバネッセント光を散乱させることなく、光取り出し効率の向上に寄与しない。また、光散乱粒子の粒径分布は、塗布の均一性又は界面平滑性の低下、反射散乱光の増加による表示性能の低下等を抑える観点から、小さいことが好ましい。
【００５４】
光散乱粒子の光散乱層２１における含有量は、体積充填率で、１〜７０％の範囲内であることが好ましく、５〜５０％の範囲内であることがより好ましい。これにより、光散乱層２１と平滑層２２との界面に屈折率分布の粗密を作ることができ、光散乱量を増加させて光取り出し効率を向上させることができる。
【００５５】
光散乱層２１が光散乱粒子を含有する場合、光ｈを散乱させて効率良く光ｈを取り出す観点から、光散乱層２１の層厚は１００〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。なお、光散乱層２１の層厚とは平均層厚をいう。
【００５６】
光散乱層２１は、層形状が光を回折又は拡散させる凹凸構造に制御されることによって、屈折率が１．７以上２．５未満の範囲内にある高屈折率層とされていてもよい。
光を回折又は拡散させる凹凸構造を有する光散乱層２１は、発光層３ｃにおいて発せられる光ｈのうち、内部光取り出し層２Ａが無ければ、基板１と透明電極Ｅ１（陽極）との界面で全反射され、取り出すことができなかった光の一部を取り出すことを可能とし、光取り出し効率を向上させることができる。
【００５７】
凹凸構造は、凹部と凸部が一定のピッチ（周期）で配列された構造であり、回折格子として作用する。
可視光の取り出し効率を向上させるためには、回折格子は、可視光の媒質中での波長４００〜７５０ｎｍの範囲内の光を回折させることが必要である。回折格子への光の入射角及び出射角、回折格子間隔（凹部と凸部の配列周期）、光の波長、媒体の屈折率、回折次数等の間には、一定の関係がある。可視光及びその近傍の波長領域の光を回折させるためには、凹部と凸部の配列周期が、光取り出し効率が向上する波長に対応して、１５０〜３０００ｎｍの範囲内の一定値を有する必要がある。
【００５８】
回折格子として作用する凹凸構造は、例えば、特開平１１−２８３７５１号公報、特開２００３−１１５３７７号公報等に記載されている。ストライプ状の回折格子は、ストライプに平行な方向に対しては回折効果がないため、２次元的にどの方向からも均一に回折格子として作用するものが好ましい。例えば、基板１の表面の法線方向から見た形状として、所定の形状を有する凹部と凸部とが規則的に所定の間隔で形成されているものが好ましい。
【００５９】
光散乱層２１が凹凸構造を有する場合も、光散乱粒子を含有する場合と同様に、光散乱層２１の層厚としては、１００〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００６０】
（平滑層）
平滑層２２は、基板１及び光散乱層２１の表面の凹凸を平滑化するため、光散乱層２１上に設けられている。
平滑層２２は、光取り出し効率を向上させるため、光波長５５０ｎｍで測定された屈折率が１．７以上２．５未満の範囲内にある高屈折率層であることが好ましい。屈折率が１．７以上２．５未満の範囲であれば、単独の材料で構成されていてもよいし、２種以上の材料で構成されていてもよい。光散乱層２１と同様に、２種以上の材料で構成する場合の平滑層２２の屈折率は、計算屈折率を用いる。
【００６１】
平滑層２２は、内部光取り出し層２Ａの表面を平滑化させる観点から、表面の算術平均粗さＲａ（平均面粗さＲａともいう。）が１００ｎｍ未満の平滑性を示すことが好ましい。表面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ未満であることがより好ましく、さらに好ましくは１０ｎｍ未満、特に好ましくは５ｎｍ未満である。
算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に準拠して測定することができる。
【００６２】
平滑層２２は、光散乱層２１と同様に、バインダーを層媒体として層媒体中に層媒体より高屈折率を示す粒子を含有していることが好ましい。
バインダーとしては、光散乱層２１と同様のバインダーを用いることができる。
【００６３】
高屈折率を示す粒子としては、微粒子ゾルが好ましく、特に金属酸化物微粒子ゾルが好ましい。
金属酸化物微粒子の屈折率は、バルクの状態で１．７以上であることが好ましく、１．８５以上であることがより好ましく、２．０以上であることがさらに好ましく、２．５以上であることが特に好ましい。屈折率が１．７以上であると、光取り出し効果が向上する。
また、金属酸化物微粒子の屈折率は、３．０以下であることが好ましい。屈折率が３．０以下であると平滑層２２中での多重散乱が減少し、透明性が向上する。
【００６４】
金属酸化物微粒子の粒径は、通常５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。粒径が５ｎｍ以上であると、金属酸化物微粒子の凝集が抑えられ、透明性が向上する。また、粒径が大きいと表面積が小さくなり、触媒活性が低下し、平滑層２２及びその隣接層の劣化を遅延させ得る。
一方、金属酸化物微粒子の粒径は、７０ｎｍ以下であることが好ましく、６０ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。粒径が７０ｎｍ以下であると、平滑層２２の透明性が向上する。
本発明の効果を損なわない限り、粒径の分布は制限されず、広くても狭くても複数の分布を持っていてもよい。
【００６５】
平滑層２２における金属酸化物微粒子の含有量は、平滑層２２全体の質量に対して、７０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、８５質量％以上であることがさらに好ましい。含有量が７０質量％以上であると、平滑層２２の屈折率を１．８０以上とすることが実質的に容易になる。
一方、金属酸化物微粒子の含有量は、９７質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることがより好ましい。含有量が９７質量％以下であると、平滑層２２の塗布が容易となり、乾燥後の平滑層２２の耐脆性及び耐屈曲性が向上する。
【００６６】
金属酸化物微粒子としては、安定性の観点から、ＴｉＯ２（二酸化チタン）であることがより好ましい。なかでも、ルチル型はアナターゼ型より触媒活性が低いため、平滑層２２及びその隣接層の耐候性が高くなり、屈折率も高いことから好ましい。
二酸化チタンゾルの調製方法としては、例えば、特開昭６３−１７２２１号公報、特開平７−８１９号公報、特開平９−１６５２１８号公報、特開平１１−４３３２７号公報等を参照することができる。
二酸化チタン微粒子の特に好ましい一次粒子径は、５〜１５ｎｍの範囲内であり、最もより好ましくは６〜１０ｎｍの範囲内である。
【００６７】
平滑層２２の層厚は、光散乱層２１の凹凸を平滑化できる程度の層厚を選択すればよく、光散乱層２１の光散乱粒子又は凹凸による各電極Ｅ１及びＥ２の短絡、電界集中等を防ぐ観点からは、１００〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００６８】
外部光取り出し層２Ｂは、例えばマイクロレンズアレイシート、光拡散フィルム等を、基板１の透明電極Ｅ１が設けられる面と反対側の面に、接着剤を介して貼り合わせることにより設けることができる。
外部光取り出し層２Ｂとして使用できる具体的な商品としては、ＭＮｔｅｃｈ社製のマイクロレンズアレイシート、きもと社製の拡散フィルム等が挙げられる。
【００６９】
〔透明電極〕
上述したように、透明電極Ｅ１は、下地層Ｅｂと下地層Ｅｂ上に形成された電極層Ｅａと、を備えている。
透明電極Ｅ１は、光の取り出しを考慮して、光波長５５０ｎｍで測定された光透過率が５０％以上であることが好ましい。
【００７０】
（下地層）
下地層Ｅｂは、電極層Ｅａの成膜時に、電極層Ｅａの主成分である銀又は銅が凝集することを抑制するため、窒素原子又は硫黄原子を含む化合物を含有している。
このような下地層Ｅｂ上に電極層Ｅａを設けることにより、電極層Ｅａ中の各銀原子又は各銅原子が下地層Ｅｂ中の窒素原子又は硫黄原子を含む化合物と相互作用し、下地層Ｅｂ表面において拡散する各銀原子又は各銅原子間の距離が短くなって、銀又は銅の凝集が抑えられる。
【００７１】
下地層Ｅｂが含有する窒素原子又は硫黄原子を含む化合物としては、分子内に窒素原子又は硫黄原子を含むのであれば、無機化合物であっても有機化合物であってもよい。具体的な化合物としては、例えば窒素原子をヘテロ原子とする複素環を含む化合物、硫黄原子を含む有機化合物又はポリマー等が挙げられる。なかでも、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を含む化合物又は硫黄原子を含む化合物が好ましい。
【００７２】
窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、例えばアジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−Ｃ−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。
【００７３】
また、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を有する化合物は、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
【化１】
2015141397.tif 000003
〔一般式（１）において、Ｅ１〜Ｅ８は、それぞれ独立にＣ（Ｒｂ）又は窒素原子を表し、Ｅ１〜Ｅ４のうちの一つが窒素原子であり、Ｅ５〜８のうちの一つが窒素原子である。Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。〕
【００７４】
Ｒａ及びＲｂが表す置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）及びホスホノ基等が挙げられる。
【００７５】
これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
なかでも、Ｒａ及びＲｂが表す置換基としては、銀又は銅との相互作用を高める観点から、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環であることが好ましく、フェニル基、窒素原子を含む芳香族複素環がより好ましく、窒素原子を含む６員環又は当該６員環を母核として含む縮合環（例えば、フェナントロリン、カルボリン等）、窒素原子を含む５員環又は当該５員環を母核として含む縮合環が好ましい。
【００７６】
また、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を有する化合物は、下記一般式（２）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
【化２】
2015141397.tif 000004
〔上記一般式（２）において、Ｅ２１〜Ｅ２６は、Ｃ（Ｒｄ）を表す。Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。〕
【００７７】
Ｒｃ及びＲｄが表す置換基としては、上記一般式（１）のＲａ及びＲｂと同様の置換基が挙げられ、好ましい置換基についても上記Ｒａ及びＲｂの好ましい置換基と同様の置換基が挙げられる。
【００７８】
また、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を有する化合物は、下記一般式（３）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
【化３】
2015141397.tif 000005
〔上記一般式（３）において、Ｅ３１〜Ｅ４２は、Ｃ（Ｒｅ）を表す。Ｒｅは、水素原子又は置換基を表す。Ｌ０は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。〕
【００７９】
Ｒｅが表す置換基としては、一般式（１）におけるＲｂと同様の置換基が挙げられ、好ましい置換基についても上記Ｒｂの好ましい置換基と同様の置換基が挙げられる。
【００８０】
また、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を有する化合物は、下記一般式（４）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
【化４】
2015141397.tif 000006
〔上記一般式（４）において、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｌ１は、窒素原子と結合している芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。〕
【００８１】
Ｒ１〜Ｒ３が表す置換基としては、上記一般式（１）におけるＲａが表す置換基と同様の置換基が挙げられ、好ましい置換基についても上記Ｒａの好ましい置換基と同様の置換基が挙げられる。
【００８２】
Ｌ１は、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいう。）又は芳香族複素環基（ヘテロアリール基ともいう。）であり、芳香族六員環骨格を有することが好ましい。
芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
芳香族複素環基としては、例えばピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基等が挙げられる。
【００８３】
Ｌ１は、ベンゼン環骨格又はトリアジン環骨格を有することが好ましい。ここで、芳香族六員環骨格、ベンゼン環骨格及びトリアジン環骨格とは、それぞれの部分構造を含んでいることを表している。
【００８４】
また、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を有する化合物は、下記一般式（５）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
【化５】
2015141397.tif 000007
〔上記一般式（５）において、Ｒ４〜Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｌ２は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。Ｘ１〜Ｘ３は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ１０を表す。Ｒ１０は、水素原子又は置換基を表す。〕
【００８５】
Ｒ４〜Ｒ１０が表す置換基としては、上記一般式（１）におけるＲａ及びＲｂが表す置換基と同様の置換基が挙げられ、好ましい置換基についても上記Ｒａ及びＲｂの好ましい置換基と同様の置換基が挙げられる。
また、Ｌ２が表す置換基としては、上記一般式（４）におけるＬ１と同様の置換基が挙げられる。
【００８６】
また、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を有する化合物は、下記一般式（６）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
【化６】
2015141397.tif 000008
〔上記一般式（６）において、Ｒ１１〜Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｘ４〜Ｘ６は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ１７を表す。Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ１８を表し、これらが互いに結合して新たな環を形成しても良い。Ｚ１〜Ｚ４は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ１９を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｚ１〜Ｚ４は互いに結合して新たな環を形成してもよい。Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す〕
【００８７】
Ｒ１１〜Ｒ１９が表す置換基としては、上記一般式（１）におけるＲａ及びＲｂが表す置換基と同様の置換基が挙げられ、好ましい置換基についても上記Ｒａ及びＲｂの好ましい置換基と同様の置換基が挙げられる。
【００８８】
以下、上記一般式（１）〜（６）のいずれかで表される構造を有する化合物の例示化合物（１−１）〜（１−３３）を示すが、これらに限定されない。
【００８９】
【化７】
2015141397.tif 000009
【００９０】
【化８】
2015141397.tif 000010
【００９１】
【化９】
2015141397.tif 000011
【００９２】
【化１０】
2015141397.tif 000012
【００９３】
硫黄原子を含む化合物としては、分子内にスルフィド結合（チオエーテル結合ともいう。）、ジスルフィド結合、メルカプト基、スルホン基、チオカルボニル結合等を有していればよく、特にスルフィド結合又はメルカプト基であることが好ましい。
【００９４】
具体的には、硫黄原子を含む化合物は、下記一般式（７）〜（１０）のいずれかで表される構造を有する化合物であることが好ましい。
【化１１】
2015141397.tif 000013
〔上記一般式（７）において、Ｒ１０１及びＲ１０２は、それぞれ独立に、置換基を表す。〕
【００９５】
【化１２】
2015141397.tif 000014
〔上記一般式（８）において、Ｒ１０３及びＲ１０４は、それぞれ独立に、置換基を表す。〕
【００９６】
【化１３】
2015141397.tif 000015
〔上記一般式（９）において、Ｒ１０５は、置換基を表す。〕
【００９７】
【化１４】
2015141397.tif 000016
〔上記一般式（１０）において、Ｒ１０６は、置換基を表す。〕
【００９８】
Ｒ１０１〜Ｒ１０６が表す置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。
【００９９】
以下、上記一般式（７）〜（１０）のいずれかで表される構造を有する化合物の例示化合物（２−１）〜（２−４４）を示すが、これらに限定されない。
【０１００】
【化１５】
2015141397.tif 000017
【０１０１】
【化１６】
2015141397.tif 000018
【０１０２】
【化１７】
2015141397.tif 000019
【０１０３】
【化１８】
2015141397.tif 000020
【０１０４】
【化１９】
2015141397.tif 000021
【０１０５】
下地層Ｅｂの層厚は、電極層Ｅａの十分な連続成膜性を得る観点から、３〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【０１０６】
電極層Ｅａの成膜時における銀原子又は銅原子の移動をより効果的に防止するため、下地層Ｅｂと電極層Ｅａ間に、ＭｏＯ３、Ａｌ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｎｉ及びＣｏの金属元素のうち、少なくとも１種を含有する移動防止層を備えることができる。移動防止層が含有する金属元素が電極層Ｅａ中の銀又は銅と相互作用するため、当該電極層Ｅａの成膜時の銀原子又は銅原子の移動が抑えられ、薄く均一な層厚の電極層Ｅａを形成することができる。
上記移動防止層の層厚は１ｎｍ以下であることが好ましい。１ｎｍ以下の層厚であれば、有機機能層３と電極層Ｅａとの相互作用を阻害することがない。また、有機機能層３と電極層Ｅａとの相互作用、移動防止層と電極層Ｅａとの相互作用との相乗効果により、電極層Ｅａの層厚の均一性をより高めることができ、電極層Ｅａ表面の平坦性がさらに向上する。
【０１０７】
（電極層）
電極層Ｅａは、銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金を用いて、下地層Ｅｂ上に形成されている。具体的には、電極層Ｅａは、銀又は銅を主成分として含有する金属層であり、主成分として含有するとは電極層Ｅａ中の各元素のなかで最も含有質量比（質量％）が多いことをいう。銀、銅は安価であるため、透明電極Ｅ１のコストを下げることができる。
電極層Ｅａは、銀あるいは銀合金か、又は銅あるいは銅合金が用いられた複数の金属層が積層された多層構造を有することもできる。
【０１０８】
電極層Ｅａとして用いることができる銀合金としては、例えば銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。
また、電極層Ｅａとして用いることができる銅合金としては、例えば銅マグネシウム、銅パラジウム等が挙げられる。
【０１０９】
電極層Ｅａは、層厚が４〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。層厚がこの範囲内であれば、十分な導電性が得られ、電極層Ｅａの光透過率が向上する。
【０１１０】
〔引き出し配線〕
引き出し配線５は、透明電極Ｅ１を外部電源と電気的に接続するために設けられている。
引き出し配線５の材料は特に限定されず、公知の材料を使用できる。例えば、３層構造からなるＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ・Ｎｄ合金／Ｍｏ）等の他、電極Ｅ２と同様の材料を用いることもできる。
引き出し配線５の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上であると低抵抗化することができ、好ましい。成膜に要するコストと成膜を容易化する観点からは、５０〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【０１１１】
〔透明電極と対をなす電極〕
電極Ｅ２は、透明電極Ｅ１と対をなす電極であり、有機ＥＬ素子１０においては陰極として設けられている。
電極Ｅ２の材料としては、金属、合金、有機あるいは無機の導電性化合物又はこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体等が挙げられる。
【０１１２】
電極Ｅ２としてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。
電極Ｅ２の層厚は、通常５ｎｍ〜５μｍの範囲内であり、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
【０１１３】
〔有機機能層〕
有機機能層３は、少なくとも発光層３ｃを備え、必要に応じて正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、電子輸送層３ｄ又は電子注入層３ｅを備えることができる。
【０１１４】
（発光層）
発光層３ｃは、電極Ｅ２又は電子輸送層３ｄから注入された電子と、透明電極Ｅ１又は正孔輸送層３ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層である。発光は、発光層３ｃの層内で起こってもよいし、発光層３ｃと隣接する層との界面で起こってもよい。
【０１１５】
発光層３ｃは、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
【０１１６】
発光層３ｃの層厚の総和は、１〜１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍの範囲内がさらに好ましい。なお、発光層３ｃの層厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む層厚である。
【０１１７】
発光層３ｃが、複数の発光層を積層した多層構造である場合、個々の発光層の層厚としては、それぞれ１〜５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、より好ましくは１〜２０ｎｍの範囲内に調整することである。積層された複数の発光層が、青、緑及び赤のそれぞれの発光色に対応する場合は、青、緑及び赤の各発光層の層厚の関係については特に制限されない。
【０１１８】
発光層３ｃは、複数の発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。なかでも、発光層３ｃは、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう。）及び発光材料（発光ドーパントともいう。）を含有し、発光材料により発光させることが好ましい。
【０１１９】
（ホスト化合物）
発光層３ｃに含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらにリン光量子収率が０．０１未満であることが好ましい。
ホスト化合物は、発光層３ｃ中に含有される化合物全体に対する体積比が５０％以上であることが好ましい。
【０１２０】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、複数種のホスト化合物を用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることにより、キャリアの移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子１０の外部量子効率を高効率化することができる。外部量子効率とは、有機ＥＬ素子に注入した電子数に対して有機ＥＬ素子の外部へ取り出された光子数の割合をいい、内部量子効率と光取り出し効率の積で表される。内部量子効率は、有機ＥＬ素子に注入した電子数に対して発光層３ｃ内で発生した光子数の割合をいい、光取り出し効率は、発光層３ｃ内で発生した光子数に対して有機ＥＬ素子の外部へ取り出された光子数の割合をいう。
また、後述する発光材料を複数種用いると、発光色が異なる発光を混合することが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【０１２１】
発光層３ｃに用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基又はエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
【０１２２】
（発光材料）
発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物又はリン光発光材料ともいう。）又は蛍光発光性化合物（蛍光性化合物又は蛍光発光材料ともいう。）が挙げられる。
【０１２３】
（リン光発光性化合物）
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１０以上である。
【０１２４】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、リン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として０．０１以上が達成されればよい。
【０１２５】
リン光発光性化合物の発光原理としては、エネルギー移動型とキャリアトラップ型の二つを挙げることができる。
エネルギー移動型の場合、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こり、ホスト化合物の励起状態が生成する。この際に発生したエネルギーをホスト化合物からリン光発光性化合物に移動させることで、リン光発光性化合物からの発光を得る。
キャリアトラップ型の場合、リン光発光性化合物がキャリアをトラップすることで、リン光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり、リン光発光性化合物からの発光を得る。
いずれの場合においても、リン光発光性化合物の励起状態のエネルギー準位が、ホスト化合物の励起状態のエネルギー準位より低いことが条件である。
【０１２６】
リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のもののなかから適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する金属錯体である。金属錯体のなかでも、より好ましくはイリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体及び希土類錯体であり、なかでも最も好ましいのはイリジウム錯体である。
【０１２７】
（蛍光発光性化合物）
蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０１２８】
（注入層：正孔注入層、電子注入層）
正孔注入層３ａ及び電子注入層３ｅは、駆動電圧の低下及び発光輝度の向上のため、一対の電極と発光層の間に設けられる注入層である。
【０１２９】
正孔注入層３ａは、陽極である透明電極Ｅ１に隣接して、透明電極Ｅ１と正孔輸送層３ｂ間に配置されている。
正孔注入層３ａについては、上記文献の他、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されている。
【０１３０】
正孔注入層３ａに用いられる材料としては、例えばポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセン、ナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、ポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又は導電性オリゴマー（例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）、ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。
【０１３１】
トリアリールアミン誘導体としては、α−ＮＰＤ（４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル）に代表されるベンジジン型、ＭＴＤＡＴＡ（４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン）に代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレン又はアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
【０１３２】
また、特表２００３−５１９４３２号公報、特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送層３ｂの材料として用いることができる。
【０１３３】
電子注入層３ｅは、陰極である電極Ｅ２に隣接して、電極Ｅ２と発光層３ｃ間に配置されている。
電子注入層３ｅに用いられる材料としては、ストロンチウム、アルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデン、酸化アルミニウム等に代表される金属酸化物、リチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。透明電極Ｅ１が陰極である場合は、金属錯体等の有機材料が特に好適に用いられる。
電子注入層３ｅはごく薄い膜であることが望ましく、構成材料にもよるが、その層厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
【０１３４】
（正孔輸送層）
正孔輸送層３ｂは、正孔注入層３ａから発光層３ｃに正孔を輸送する層である。また、正孔輸送層３ｂは、陰極側からの電子の流入を阻止する障壁としても作用する。そのため、正孔輸送層３ｂは、正孔注入層、電子阻止層又はその両方として機能させるために形成されることもある。正孔輸送層３ｂは単層であってもよいし、複数層であってもよい。
【０１３５】
正孔輸送層３ｂに用いられる材料としては、正孔を輸送する作用及び電子の流入を阻止する作用を発現できれば、有機化合物又は無機化合物のいずれも材料として用いることができる。
正孔輸送層３ｂの材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー及、オフェンオリゴマー等が挙げられる。
また、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）等も使用できる。
【０１３６】
（電子輸送層）
電子輸送層３ｄは、電子注入層３ｅから発光層３ｃに電子を輸送する層である。電子輸送層３ｄは、陽極側からの正孔の流入を阻止する障壁としても作用する。そのため、電子輸送層３ｄは、電子注入層、正孔阻止層又はその両方として機能させるために形成されることもある。
【０１３７】
電子輸送層３ｄの材料としては、正孔阻止材料を兼ね、陰極より注入された電子を発光層３ｃに伝達（輸送）する機能を有する材料であれば、従来公知の化合物を用いることができる。
従来公知の電子輸送層３ｄの材料としては、例えばニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した高分子材料又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１３８】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（略称：Ｚｎｑ）等及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。
【０１３９】
電子輸送層３ｄは上記材料の１種又は２種以上からなる単一構造であってもよい。
また、電子輸送層３ｄの材料として、上述した中間層を構成する材料と同様のものを用いてもよい。これは、電子注入層を兼ねた電子輸送層３ｄであっても同様であり、上述した中間層を構成する材料と同様のものを用いてもよい。
【０１４０】
電子輸送層３ｄの層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。
【０１４１】
（阻止層）
有機機能層３は、上述した各層の他に、必要に応じて阻止層を備えることもできる。
阻止層としては、正孔阻止層及び電子阻止層が挙げられる。
正孔阻止層は、広い意味で電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層の材料として、電子輸送能が大きく、正孔輸送能が著しく小さい正孔阻止材料を用いることにより、電子を輸送しつつ正孔を阻止することができ、電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層は、発光層３ｃに隣接して設けられていることが好ましい。
【０１４２】
一方、電子阻止層は、広い意味で正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層の材料として、正孔輸送能が大きく、電子輸送能が著しく小さい電子素子材料を用いることにより、正孔を輸送しつつ電子を阻止することができ、電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
正孔阻止層又は電子阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
【０１４３】
〔封止材〕
封止材６は、有機ＥＬ素子１０を封止するために設けられている。封止材６は、図１に示すように、接着剤７により電極Ｅ２及び引き出し配線５に接着されている。
封止材６は、例えば凹状の板又はフィルムであることができる。封止材６の透明性及び電気絶縁性は特に限定されない。
【０１４４】
封止材６としては、ガラス板、ポリマー板、金属板等の板材、これら板材をさらに薄型化したフィルム等を用いることができる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金が挙げられる。
板材を凹状とするため、サンドブラスト加工又は化学エッチング加工等が行われていてもよい。
【０１４５】
封止材６としては、有機ＥＬ素子１０を薄膜化する観点から、ポリマーフィルム又は金属フィルムを好ましく使用することができる。
ポリマーフィルムは、基板１と同様にガスバリアー層を有することが好ましい。ガスバリアー層は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましく、さらには、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｌ／ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ（１ａｔｍは、１．０１３２５×１０５Ｐａである）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましい。
【０１４６】
接着剤７としては、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマー等の反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）の接着剤等を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
接着剤７の塗布には、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１４７】
〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の実施の形態として、上述した有機ＥＬ素子１０の製造方法を説明する。
有機ＥＬ素子１０は、次のようにして製造することができる。
【０１４８】
基板１上に、必要に応じてブリードアウト防止層、平坦化層及びガスバリアー層を形成する。例えば、ポリシラザン等の無機前駆体化合物によりガスバリアー層を形成する場合、無機前駆体化合物の塗布液を基板１上に塗布する。塗膜を乾燥後、紫外線等を照射して改質処理することにより、ガスバリアー層を形成する。
【０１４９】
次いで、基板１上の発光層３ｃの領域に重なるように、すなわち電極層Ｅａの本体部分ａ１が形成される領域に光散乱層２１を形成する。これにより、電極層Ｅａの本体部分ａ１の下に光散乱層２１を形成することができる。電極層Ｅａの導線部分ａ２の下にも光散乱層２１を形成する場合は、導線部分ａ２が形成される領域にも光散乱層２１を形成する。
図３に示すように、平滑層２２の一端２２ｐを、光散乱層２１の一端２１ｐよりも引き出し配線５側に位置させる場合には、光散乱層２１を形成する領域を本体部分ａ１が形成される領域よりも小さくすればよい。
【０１５０】
光散乱粒子を含有する光散乱層２１を形成する場合、層媒体中に光散乱粒子を分散させて得られた分散液を基板１上に塗布する。塗布方法は限定されず、例えばインクジェット法等を用いることができる。
一方、凹凸構造を有する光散乱層２１は、インプリント法により形成することができる。具体的には、熱可塑性樹脂等からなるポリマー膜を基板１上に成膜した後、凹凸が設けられた金型で熱可塑性樹脂を加熱及び加圧し、金型の凹凸形状を転写することにより、形成することができる。その他、基板１上に紫外線硬化樹脂を塗布した後、凹凸が設けられた金型を密着させた状態で紫外線を照射して硬化させることによっても、凹凸構造を有する光散乱層２１を形成することができる。
【０１５１】
凹凸構造を有する光散乱層２１は、ガスバリアー層である酸化ケイ素等の無機酸化物をエッチングすることにより、形成することもできる。この場合、反応性イオンエッチング等を用いることができる。
また、ゾルゲル手法を用いてゲル状の無機酸化物の膜を作製した後、このゲル状の膜に凹凸が設けられた金型を押し当てて加熱することによっても、凹凸構造を形成することができる。
【０１５２】
平滑層２２をさらに形成する場合、発光層３ｃの領域に重なるように、すなわち電極層Ｅａの本体部分ａ１が形成される領域に平滑層２２を形成する。これにより、本体部分ａ１の下に平滑層２２を形成することができる。具体的には、層媒体中に高屈折率を示す粒子を分散させて得られた分散液を光散乱層２１上に塗布する。塗布方法は、光散乱層２１と同様にインクジェット法等を用いることができる。
電極層Ｅａの導線部分ａ２の下にも平滑層２２を形成する場合は、導線部分ａ２が形成される領域にも平滑層２２を形成する。
【０１５３】
次に、光散乱層２１又は平滑層２２上の電極層Ｅａの本体部分ａ１が形成される領域と導線部分ａ２が形成される領域のいずれにも下地層Ｅｂを形成する。さらに、下地層Ｅｂ上に電極層Ｅａの本体部分ａ１と導線部分ａ２を形成することにより、透明電極Ｅ１を形成する。
【０１５４】
下地層Ｅｂの形成方法としては、コート法、インクジェット法、ディップ法等のウェットプロセス、抵抗加熱法、ＥＢ（E1ectron Beam）法等の蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition）法等のドライプロセスを用いることができる。なかでも
、蒸着法が好ましい。  
また、電極層Ｅａの形成方法としては、抵抗加熱法、ＥＢ法等の蒸着法、スパッター法等の公知の方法を用いることができる。
上記下地層Ｅｂ及び電極層Ｅａの形成には、例えばマスクを用いることができる。
【０１５５】
透明電極Ｅ１が形成されると、電極層Ｅａの導線部分ａ２の少なくとも一部に重なるように、引き出し配線５を形成する。少なくとも一部が重なるのであれば、導線部分ａ２の全部に重なっていてもよい。
引き出し配線５の形成には、電極層Ｅａと同様に蒸着法等を用いることができる。
【０１５６】
次いで、上記透明電極Ｅ１上に、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送層３ｄ、電子注入層３ｅの順に、これら各層を形成して有機機能層３とする。各層は、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（Langmuir Blodgett法）、インクジェット法、
真空蒸着法、印刷法等によって形成することができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいことから、真空蒸着法又はスピンコート法が好ましい。層ごとに異なる形成方法を採用することもできる。
【０１５７】
各層を蒸着法で形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１×１０−６〜１×１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１〜５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。
【０１５８】
有機機能層３が形成されると、当該有機機能層３上に電極Ｅ２を形成する。具体的には、有機機能層３によって透明電極Ｅ１に対して絶縁された状態で、有機機能層３の領域に重なり、さらに引き出し配線５の反対側に露出するように電極Ｅ２を形成する。電極Ｅ２の形成方法としては、透明電極Ｅ１の電極層Ｅａと同様の蒸着法、スパッター法等を用いることができる。
【０１５９】
電極Ｅ２まで形成されると、封止材６により基板１上の有機機能層３等を被覆した後、当該封止材６を電極Ｅ２及び引き出し配線５に接着剤７で接着する。
外部光取り出し層２Ｂを設ける場合は、基板１の内部光取り出し層２Ａと反対側の面に外部光取り出し層２Ｂを貼り付ける。
【実施例】
【０１６０】
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示が用いられるが、特に断りが無い限り「質量部」又は「質量％」を表す。【０１６１】
〔有機ＥＬ素子１０１〕
基板として、両面が易接着加工された、幅５００ｍｍ、層厚１２５μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、極低熱収ＰＥＮＱ８３）を用意した。この基板の片面に、ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材ＯＰＳＴＡＲ  Ｚ７５３５（ＪＳＲ株式会社製）を、乾燥後の層厚が４μｍになるように塗布した。その後、高圧水銀ランプを使用して、空気雰囲気下、１．０Ｊ／ｃｍ２で紫外線を照射し、温度８０℃で３分間乾燥して硬化させ、ブリードアウト防止層を形成した。【０１６２】
続けて、上記基板の反対面に、ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材ＯＰＳＴＡＲ  Ｚ７５０１（ＪＳＲ株式会社製）を、乾燥後の層厚が４μｍになるように塗布した。その後、高圧水銀ランプを使用して、空気雰囲気下、１．０Ｊ／ｃｍ２で紫外線を照射し、温度８０℃で３分間乾燥して硬化させ、平坦化層を形成した。【０１６３】
得られた平坦化層の最大断面高さＲｔ（ｐ）は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定される表面粗さで１６ｎｍであった。
なお、表面粗さは、ＳＩＩ社製のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）ＳＰＩ３８００Ｎ  ＤＦＭを用いて測定した。一回の測定範囲は８０μｍ×８０μｍとし、測定箇所を変えて三回の測定を行い、それぞれの測定で得られたＲｔの値を平均したものを測定値とした。
上記ブリードアウト防止層及び平坦化層が形成された基板の層厚は、１３３μｍであった。【０１６４】
次いで、減圧押し出し方式のコーターを用いて、基板の平坦化層上に無機前駆体化合物を含有する塗布液を塗布し、乾燥して１層目のガスバリアー層を形成した。塗布液は、乾燥層厚が１５０ｎｍとなるように塗布した。乾燥は、乾燥温度８０℃、乾燥時間３００秒、乾燥雰囲気の露点５℃の条件で行った。【０１６５】
無機前駆体化合物を含有する塗布液は、無触媒のパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＮ１２０−２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）と、アミン触媒を固形分の５質量％含有するパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＡＸ１２０−２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）とを混合して用い、アミン触媒を固形分の１質量％に調整した後、ジブチルエーテルでさらに希釈することにより、５質量％ジブチルエーテル溶液として作製した。【０１６６】
乾燥後、基板を２５℃まで徐冷し、真空紫外線照射装置内で、塗布面に真空紫外線照射による改質処理を行った。真空紫外線照射装置の光源としては、波長１７２ｎｍの真空紫外線を照射する二重管構造を有するＸｅエキシマランプを用いた。
なお、塗布、乾燥、改質処理の各工程においては、張力制御機構によって、基板には均一な張力を加えた。【０１６７】
改質処理後、ガスバリアー層を形成した基板を、上記と同じ乾燥条件で乾燥した。乾燥後、２回目の改質処理を行って、乾燥後の層厚が１５０ｎｍのガスバリアー層を形成した。
次いで、１層目のガスバリアー層と同様にして、１層目のガスバリアー層上に２層目のガスバリアー層を形成し、多層構造のガスバリアー層を有する基板を得た。【０１６８】
ガスバリアー層を有する基板を６．０ｃｍ×６．０ｃｍのサイズにカットした後、基板上に光散乱層を次のようにして形成した。
屈折率２．４、平均粒径０．２５μｍのＴｉＯ２粒子ＪＲ６００Ａ（テイカ社製）と、有機無機ハイブリッド樹脂溶液ＥＤ２３０ＡＬ（ＡＰＭ社製）とを、それぞれの固形分比率（体積％）が７０：３０となり、塗布液の固形分濃度が１５質量％となるように混合して、全量１０ｍｌの光散乱層の塗布液を調製した。塗布液中、ヘキシレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びイソプロピルアルコールを溶媒として用い、これらの塗布液中の溶媒比（質量比）を３０：５０：２０とした。【０１６９】
具体的には、上記ＴｉＯ２粒子と上記溶媒とを混合し、常温で冷却しながら、超音波分散機ＵＨ−５０（エスエムテー社製）により、マイクロチップステップＭＳ−３  ３ｍｍφ（エスエムテー社製）の標準条件で１０分間の分散を行って、ＴｉＯ２粒子の分散液を調製した。
この分散液を１００ｒｐｍで撹拌しながら、上記有機無機ハイブリッド樹脂溶液を少量ずつ添加した。すべてを添加し終えたら、撹拌速度を５００ｒｐｍまで上げ、１０分間混合し、疎水性ＰＶＤＦ  ０．４５μｍフィルター（ワットマン社製）にて濾過して、光散乱層の塗布液を得た。【０１７０】
得られた塗布液をインクジェット法により、図６に示すように基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域に塗布した。その後、温度８０℃で２分間の簡易乾燥を行い、さらに温度１２０℃で６分間の焼成を行って光散乱層を形成した。光散乱層の層厚は５００ｎｍであった。【０１７１】
形成された光散乱層上に、次のようにして平滑層を形成した。
平均粒径０．０２μｍのナノＴｉＯ２粒子の分散液ＨＤＴ−７６０Ｔ（テイカ社製）と、有機無機ハイブリッド樹脂溶液ＥＤ２３０ＡＬ（ＡＰＭ社製）とを、それぞれの固形分比率（体積％）が４５：５５となり、塗布液の固形分濃度が２０質量％となるように混合し、全量１０ｍｌ量の平滑層の塗布液を調製した。塗布液中、ヘキシレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びイソプロピルアルコールを溶媒として用い、それぞれの溶媒比（質量％）を３０：５０：２０とした。【０１７２】
具体的には、上記ナノＴｉＯ２粒子の分散液と上記溶媒とを混合し、１００ｒｐｍの撹拌速度で撹拌しながら、上記有機無機ハイブリッド樹脂溶液を少量ずつ添加した。すべてを添加し終えると、撹拌速度を５００ｒｐｍまで上げ、１０分間混合して得られた混合液を疎水性ＰＶＤＦ  ０．４５μｍフィルター（ワットマン社製）にて濾過し、平滑層の塗布液を得た。【０１７３】
上記平滑層の塗布液を光散乱層上に重ねるように、インクジェット法により基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域に塗布した。温度８０℃で２分間の簡易乾燥を行った後、さらに温度１２０℃で３０分間の焼成を行って、平滑層を形成した。平滑層の層厚は７００ｎｍであった。また、平滑層単膜での屈折率は１．８５であった。【０１７４】
上記光散乱層と平滑層からなる内部光取り出し層の光透過率は６７％であり、ヘイズ値Ｈｚは５０％であった。
また、ＡＳＴＭ  Ｄ５４２に基づき、ソプラ社のエリプソメーターを用いて、内部光取り出し層全体の波長５５０ｎｍにおける屈折率を測定したところ、１．８５であった。【０１７５】
次に、平滑層まで形成された基板を市販の真空蒸着装置のホルダーに固定した。また、タンタル製の抵抗加熱ボートに上述した下地層の例示化合物（１−６）を入れ、この抵抗加熱ボートを基板が固定されたホルダーとともに、真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。さらに、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽内に取り付けた。【０１７６】
第１真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧後、例示化合物（１−６）の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱し、例示化合物（１−６）を基板上に蒸着させて透明電極の下地層を形成した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内であった。蒸着時にはマスクを使用して、図６に示すように、光散乱層が形成された領域と同じ基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域と、当該領域からＬ−Ｒ方向においてＲ側に露出する４．０ｃｍ×０．６ｃｍの領域とに下地層を形成した。下地層の層厚は５０ｎｍであった。【０１７７】
下地層が形成された基板を真空圧下にて第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した。減圧後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱し、銀を基板上に蒸着させて透明電極の電極層を形成した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内であった。蒸着時にはマスクを使用して、図６に示すように基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域と重なる４．０ｃｍ×３．６ｃｍの領域と、当該領域からＲ側に露出する４．０ｃｍ×０．６ｃｍの領域とからなる電極層を形成した。電極層の層厚は８ｎｍであった。【０１７８】
電極層が形成されると、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼに、有機機能層の各層の構成材料として、下記化合物α−ＮＰＤ、ＢＤ−１、ＧＤ−１、ＲＤ−１、Ｈ−１、Ｈ−２及びＥ−１を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン、タングステン等の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。【０１７９】
【化２０】
2015141397.tif 000022
【０１８０】
反応室内を１×１０−４Ｐａの真空圧となるまで減圧した後、化合物α−ＮＰＤが充填された蒸着用るつぼを通電して加熱し、基板上に化合物α−ＮＰＤを０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着させて正孔注入輸送層を形成した。正孔注入輸送層の層厚は４０ｎｍであった。
同様にして、化合物ＢＤ−１及びＨ−１を、化合物ＢＤ−１の濃度が５％になるように０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で共蒸着させ、層厚１５ｎｍの青色を呈する蛍光発光層を形成した。【０１８１】
次いで、化合物ＧＤ−１、ＲＤ−１及びＨ−２を、化合物ＧＤ−１の濃度が１７％、化合物ＲＤ−１の濃度が０．８％になるように、０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で共蒸着させ、層厚１５ｎｍの黄色を呈するリン光発光層を形成した。
また、化合物Ｅ−１を０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着させ、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
なお、有機機能層の各層の蒸着時にはマスクを使用して、基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域に各層を形成した。【０１８２】
有機機能層上に、層厚１．５ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）層を形成し、さらにアルミニウムを蒸着させて層厚１１０ｎｍのアルミニウム層を積層することにより、透明電極と対をなす電極（陰極）と透明電極の引き出し配線を形成した。陰極及び引き出し配線の形成にはそれぞれのパターンに応じたマスクを用いた。
図６に示すように、引き出し配線は透明電極の電極層の領域に重なる４．０ｃｍ×０．２ｃｍの領域と、当該領域からＲ側に露出する４．０ｃｍ×０．３ｃｍの領域に形成した。また、陰極は基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域に重なる３．２ｃｍ×３．６ｃｍの領域と、この領域から引き出し配線と反対のＬ側に露出する３．２ｃｍ×１．３ｃｍの領域に形成した。【０１８３】
その後、基板上の各層を被覆するように、接着剤を介して封止材を接着し、次いで１２０℃で１０分熱処理し固体封止した。
封止材として、厚さ３０μｍのアルミニウム箔（東洋アルミニウム株式会社製）に、厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが接着された可撓性の高い封止材を用いた。ＰＥＴフィルムの接着には、ドライラミネーション用の２液反応型のウレタン系接着剤が用いられており、接着剤の層厚は１．５μｍであった。【０１８４】
具体的には、真空ラミネート装置を用いて、上記封止材のアルミニウム箔の面に厚さが２０μｍとなるように均一に熱硬化性接着剤を塗布した。塗布にはディスペンサーを使用した。そして、熱硬化性接着剤が塗布された面と基板の各層が形成された面とを貼り合わせ、１００Ｐａ以下の真空圧下で１２時間乾燥した。さらに、露点温度が−８０℃以下、酸素濃度が０．８ｐｐｍの窒素雰囲気下へ基板を移動して１２時間以上乾燥し、熱硬化性接着剤の含水率が１００ｐｐｍ以下となるように調整した。
熱硬化接着剤としては下記（Ａ）〜（Ｃ）を混合したエポキシ系接着剤を用いた。
（Ａ）  ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）
（Ｂ）  ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）
（Ｃ）  エポキシアダクト系硬化促進剤【０１８５】
封止後、基板の各層が形成された面とは反対側の面に、外部光取り出し層としてマイクロレンズアレイシート（ＭＮｔｅｃｈ社製）を貼り付けて、有機ＥＬ素子１０１を得た。
有機ＥＬ素子１０１においては、発光時に発光層から得られる各色の光を基板側から取り出すことができる。図６に示すように、一対の電極と発光層とが重なる基板中央の３．２ｃｍ×３．２ｃｍの領域（図６中、斜線で表す領域）が発光領域であり、発光領域の周囲の幅１．４ｃｍの領域が非発光領域である。【０１８６】
〔有機ＥＬ素子１０２〕
上記有機ＥＬ素子１０１の製造において、平滑層の引き出し配線側（図６中のＲ側）の一端が光散乱層の引き出し配線側の一端よりも小さくなるように、光散乱層の引き出し配線側の一端を短くして光散乱層を形成する領域を４．０ｃｍ×３．８ｃｍとしたこと以外は、有機ＥＬ素子１０１と同様にして、有機ＥＬ素子１０２を製造した。【０１８７】
〔有機ＥＬ素子１０３〕
上記有機ＥＬ素子１０１の製造において、平滑層を基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域と、当該領域から引き出し配線側（図６中のＲ側）に露出する４．０ｃｍ×０．６ｃｍの領域とに形成したこと以外は、有機ＥＬ素子１０１と同様にして有機ＥＬ素子１０３を製造した。【０１８８】
〔有機ＥＬ素子１０４〕
上記有機ＥＬ素子１０３の製造において、光散乱層を基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域と、当該領域から引き出し配線側（図６中のＲ側）に露出する４．０ｃｍ×０．６ｃｍの領域とに形成したこと以外は、有機ＥＬ素子１０３と同様にして有機ＥＬ素子１０４を製造した。【０１８９】
〔有機ＥＬ素子２０１〕
上記有機ＥＬ素子１０１の製造において、下地層を基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域にのみ形成したこと以外は、有機ＥＬ素子１０１と同様にして有機ＥＬ素子２０１を製造した。【０１９０】
〔有機ＥＬ素子２０２〕
上記有機ＥＬ素子１０２の製造において、光散乱層を基板中央の４．０ｃｍ×４．０ｃｍの領域と、当該領域から引き出し配線側（図６中のＲ側）に露出する４．０ｃｍ×０．２ｃｍの領域とに形成したこと以外は、有機ＥＬ素子１０２と同様にして有機ＥＬ素子２０２を製造した。
すなわち、有機ＥＬ素子２０２では、光散乱層の引き出し配線側の一端が平滑層の引き出し配線側の一端より引き出し配線側に位置している。【０１９１】
〔評価〕
有機ＥＬ素子１０１〜１０４、２０１及び２０２をそれぞれ１０個製造し、それぞれに１０Ｖの電圧を印加した。１０個のうち、電圧の印加時に電流が流れず、発光しなかった有機ＥＬ素子の数の割合（％）を、透明電極の電極層の導線部分に断線が生じた割合として求めた。
また、電圧の印加によって発光した有機ＥＬ素子を、光を取り出す側を外側として直径２ｃｍの円柱に巻き付けて屈曲させた後、円柱から外して再度１０Ｖの電圧を印加して、発光しなかった有機ＥＬ素子の数を求めた。１０個のうち、屈曲前に発光しなかった有機ＥＬ素子の数と、屈曲前は発光したが屈曲後に発光しなかった有機ＥＬ素子の数との合計数の割合（％）を、屈曲後の断線の割合（％）として求めた。【０１９２】
下記表１は、評価結果を示している。
【表１】
2015141397.tif 000023
【０１９３】
表１から分かるように、有機ＥＬ素子２０１及び２０２に比較して、本発明に係る有機ＥＬ素子１０１〜１０４は屈曲の前後にかかわらず、断線が少ない。特に、有機ＥＬ素子１０３〜１０４は断線が無く、屈曲時の断線にも耐えられる程度に電極層の導線部分が連続成膜されていることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１９４】
本発明は、有機ＥＬ素子の電極を外部に接続するために設けられる電極層の導線部分の断線防止の用途に利用することができる。
【符号の説明】
【０１９５】
１０    有機ＥＬ素子
１    基板
２Ａ    内部光取り出し層
２１    光散乱層
２２    平滑層
２Ｂ    外部光取り出し層
Ｅ１    透明電極
Ｅａ    電極層
ａ１    本体部分
ａ２    導線部分
Ｅｂ    下地層
Ｅ２    電極
３ｃ    発光層
５    引き出し配線
【図１】
2015141397.tif 000024
【図２Ａ】
2015141397.tif 000025
【図２Ｂ】
2015141397.tif 000026
【図３】
2015141397.tif 000027
【図４】
2015141397.tif 000028
【図５】
2015141397.tif 000029
【図６】
2015141397.tif 000030
【国際調査報告】
2015141397.tif 000031
2015141397.tif 000032
2015141397.tif 000033
2015141397.tif 000034