(57)【要約】  積層体の厚みが薄くても割れにくく、かつ磁気特性が維持された積層型インダクタ素子の製造方法を提供することを目的とする。  磁性体基板の線膨張係数は、非磁性体ペーストの線膨張係数、及び非磁性体基板の線膨張係数よりも大きい。よって、磁性体層は、積層体の焼成時に、非磁性体層よりも膨張し、積層体が常温に冷却された時に、非磁性体層より収縮する。すると、引張応力は、磁性体層に発生する。よって、クラックは、磁性体層だけで進行する。本発明の積層型インダクタ素子の製造方法は、任意の位置の磁性体層における分割線を少なくとも跨ぐように、非磁性体を形成する。本発明の積層型インダクタ素子の製造方法は、積層体が薄い場合、例えば最外層の面のいずれかの面に近い位置に非磁性体を形成する。すると、積層体は、クラックの進行が積層体の表層で止まるため、割れにくくなる。
2014155811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個基板が連なった集合基板状態において、磁性体基板を含む複数の基板にコイルパターン及び内部配線を形成する第１の工程と、
前記基板を積層して積層体を形成するとともに、前記積層体の最外層及び中間層に、非磁性体基板を積層してなる非磁性体層を配置し、前記コイルパターンを積層方向に接続してインダクタを形成する第２の工程と、
前記積層体の最外層の表面の少なくとも一方に複数の実装用電極を形成する第３の工程と、
前記積層体の最外層にある非磁性体層に切込み溝を形成する第４の工程と、
前記積層体を焼成する第５の工程と、
前記切込み溝に沿って前記積層体を個片化する第６の工程と、
を有する積層型インダクタ素子の製造方法であって、
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、
前記磁性体基板の一部において、個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように非磁性体ペーストを塗布する第７の工程と、
を設けたことを特徴とする積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第７の工程は、
前記磁性体基板の一部において、個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように複数のビアホールを形成する第８の工程と、
前記複数のビアホールそれぞれに非磁性体ペーストを充填する第９の工程と、
からなることを特徴とする請求項１に記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第７の工程は、前記分割線のすべてに対して前記非磁性体ペーストを塗布する工程である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の製造方法によって作られた積層型インダクタ素子。
【請求項５】
磁性体基板を含む複数の基板上にコイル導体を形成し、前記複数の基板を積層して前記コイル導体を積層方向に接続してインダクタが形成される積層体であって、
前記積層体の最外層及び中間層に非磁性体基板を積層してなる非磁性体層が配置され、
前記積層体は、平面視において、前記インダクタを複数異なる位置に備え、最外層及び中間層の非磁性体層とは異なる層に、非磁性体が個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように形成された
ことを特徴とする積層体。
【請求項６】
前記非磁性体は、前記複数の基板のうち一部の基板に形成されたビアホールに非磁性ペーストを充填することにより形成された
ことを特徴とする請求項５に記載の積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁性体層内にインダクタを形成する積層型インダクタ素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁性体を含む複数のセラミックシートにコイルパターンを印刷し、当該複数のセラミックシートを積層して、積層体の磁性体層内にインダクタを形成することが知られている（特許文献１を参照。）。特許文献１に示す積層体の最外層及び中間層は、配線引き回しのため又は磁気飽和防止のための非磁性体層であり、非磁性体を含むセラミックシートが積層されることにより形成される。積層体は、最外層に形成された切込み溝に沿って分割（以下、個片化と称す。）されると、複数の積層型インダクタ素子となる。【０００３】
近年、電子機器の小型化のために、積層方向の高さが低い、すなわち厚みが薄い積層型インダクタ素子が求められている。よって、個片化する前の積層体の厚みは、薄いことが望ましい。【０００４】
しかし、積層体は、厚みを薄くすると割れやすくなり、例えば個片化前の積層体の搬送によっても割れてしまうことがある。そこで、材料間の線膨張係数差で生じる応力により割れを進行させにくくする目的で非磁性体層を中間層に数多く形成すると、積層体は、割れに対して強くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２４３７８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、非磁性体層の数を増やすと、積層型インダクタ素子の磁気特性、例えば軽負荷時のインダクタンス値などは、低下してしまう。【０００７】
そこで、この発明は、積層体の厚みが薄くても割れにくく、かつ磁気特性が維持された積層型インダクタ素子の製造方法、当該製造方法で製造された積層型インダクタ素子、及び積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の積層型インダクタ素子の製造方法は、複数の個基板が連なった集合基板状態において、磁性体基板を含む複数の基板にコイルパターン及び内部配線を形成する第１の工程と、前記基板を積層して積層体を形成するとともに、前記積層体の最外層及び中間層に、非磁性体基板を積層してなる非磁性体層を配置し、前記コイルパターンを積層方向に接続してインダクタを形成する第２の工程と、前記積層体の最外層の表面の少なくとも一方に複数の実装用電極を形成する第３の工程と、前記積層体の最外層にある非磁性体層に切込み溝を形成する第４の工程と、前記積層体を焼成する第５の工程と、前記切込み溝に沿って前記積層体を個片化する第６の工程と、を有する。【０００９】
そして、本発明の積層型インダクタ素子の製造方法は、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記磁性体基板の一部において、個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように非磁性体ペーストを塗布する第７の工程と、を設けたことを特徴とする。【００１０】
第７の工程は、一部の磁性体基板の分割線を跨ぐように非磁性体ペーストを塗布し、当該磁性体基板を積層してなる磁性体層を形成する。分割線とは、積層体の平面視において切込み溝と重複する線である。積層体は、第６の工程により分割線で個片化される。【００１１】
磁性体基板の線膨張係数は、非磁性体ペーストの線膨張係数、及び非磁性体基板の線膨張係数よりも大きい。よって、磁性体層は、積層体の焼成時に、非磁性体層よりも膨張し、積層体が常温に冷却された時に、非磁性体層より収縮するため、引張応力が発生する。個片化時にダイヤモンドを刃先に用いたスクライバによって先行クラックを生じさせた際、磁性体層に発生する割れ（クラック）は、この引張応力により進行する。しかし、引張応力は、非磁性体層に発生していないため、当該非磁性体層で割れ（クラック）の進行が止まる。【００１２】
本発明の積層型インダクタ素子の製造方法は、任意の位置の磁性体層における分割線を少なくとも跨ぐように、非磁性体を形成する。本発明の積層型インダクタ素子の製造方法は、積層体が薄い場合、例えば最外層の面のいずれかの面に近い位置に非磁性体を形成する。すると、積層体は、クラックの進行が積層体の表層で止まるため、割れにくくなる。【００１３】
また、積層体は、非磁性体ペーストを塗布する磁性体基板を増やせば増やすほど、割れに対して強くなる。【００１４】
また、積層型インダクタ素子の分割線は、積層体の平面視において、コイルパターンの外側に位置するため、非磁性体は、積層体の平面視においてコイルパターンの外側に形成される。よって、本発明の積層型インダクタ素子の製造方法は、積層型インダクタ素子の磁気特性が低下することを防止できる。【００１５】
以上のように、本発明の製造によれば、積層体は、厚みが薄くても割れにくく、かつ積層型インダクタ素子の磁気特性は、低下しにくい。【００１６】
また、前記第７の工程は、前記磁性体基板の一部において、個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように複数のビアホールを形成する第８の工程と、前記複数のビアホールそれぞれに非磁性体ペーストを充填する第９の工程と、からなってもよい。【００１７】
ビアホールに非磁性体ペーストを充填すると、非磁性体は、磁性体基板に非磁性体ペーストを塗布するのみよりも、より厚くなる。よって、積層体は、さらに割れにくくなる。【００１８】
また、前記第７の工程は、前記分割線のすべてに対して前記非磁性体ペーストを塗布する工程であっても構わない。【００１９】
本発明は、積層型インダクタ素子の製造方法に限らず、当該方法によって製造された積層型インダクタ素子、または積層体であっても構わない。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、クラックの進行を止める非磁性体を形成するので、積層体は、分割線で割れにくくなり、かつ積層型インダクタ素子は磁気特性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】積層体２０の上面図
【図１Ｂ】積層体２０の下面図
【図１Ｃ】積層体２０のＡ−Ａ断面図
【図２】積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法の工程順序を示す図である。
【図３Ａ】磁性セラミックシート１の平面図（上面図）
【図３Ｂ】磁性セラミックシート１の平面図（上面図）
【図３Ｃ】積層体２０の上面図
【図３Ｄ】積層体２０のＢ−Ｂ断面図
【図３Ｅ】積層体２０の上面図
【図３Ｆ】積層体２０の下面図
【図３Ｇ】積層体２０のＣ−Ｃ断面図
【図３Ｈ】積層体２０のＣ−Ｃ断面図
【図４Ａ】変形例に係る非磁性体ペーストの塗布工程を含む積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法のフローチャート
【図４Ｂ】変形例に係る非磁性体ペーストの塗布工程に用いられる磁性セラミックシート１の平面図
【図４Ｃ】変形例に係る非磁性体ペーストの塗布工程に用いられる磁性セラミックシート１の平面図
【図５Ａ】非磁性体ペーストの塗布工程に用いられる磁性セラミックシート１の平面図（上面図）
【図５Ｂ】非磁性体ペーストの塗布工程に用いられる磁性セラミックシート１の平面図（上面図）
【図５Ｃ】非磁性体ペーストの塗布工程に用いられる磁性セラミックシート１の平面図（上面図）
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、及び図３Ｈを参照して、本実施形態に係る積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法を説明する。
【００２３】
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃは、それぞれ積層体２０を示す図である。図２は、積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法の工程順序を示す図である。図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、及び図３Ｈは、それぞれ積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法の各工程を説明するための模式図である。
【００２４】
まず、図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃを用いて積層体２０の構成について説明する。図１Ａは、積層体２０の上面図である。図１Ｂは、積層体２０の下面図である。図１Ｃは、積層体２０のＡ−Ａ断面図である。図１Ｃにおいて、Ｚ方向の面を積層体２０の上面とし、−Ｚ方向の面を積層体２０の下面とし、Ｘ方向の面を右側面とし、−Ｘ方向の面を左側面とする。
【００２５】
積層体２０は、図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃに示すように、高さ方向（−Ｚ方向、Ｚ方向）に短い直方体形状である。実際の積層体２０は、図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃに示す直方体よりも高さが低いが、本実施形態は、説明のために実際の積層体２０よりも高さを高く記載している。
【００２６】
積層体２０は、図１Ｃに示すように上面が非磁性体層１２からなり、下面が非磁性体層１３からなる。積層体２０の中間層は、磁性体層１１Ａ、非磁性体層１４、及び磁性体層１１Ｂからなる。磁性体層１１Ａは、非磁性体層１２及び非磁性体層１４に挟まれている。磁性体層１１Ｂは、非磁性体層１４及び非磁性体層１３に挟まれている。
【００２７】
１６個の実装用電極１５は、積層体２０の上面にそれぞれ形成されている。切込み溝１６は、積層体２０の下面に形成される。切込み溝１６は、図１Ｂに示すように、非磁性体層１３の中心点Ｃを通り、かつＸ軸又はＹ軸に平行に形成される。
【００２８】
インダクタ１０Ａは、磁性体層１１Ａ及び磁性体層１１Ｂの中に形成される。インダクタ１０Ｂ〜１０Ｄも、インダクタ１０Ａと同様に、磁性体層１１Ａ及び磁性体層１１Ｂの中にそれぞれ形成される。非磁性体３Ａは、磁性体層１１Ａの中であって、かつインダクタ１０Ａ及びインダクタ１０Ｂの間に形成される。非磁性体３Ｂは、磁性体層１１Ｂの中であって、かつインダクタ１０Ａ及びインダクタ１０Ｂの間に形成される。非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂは、切り込み溝１６から上面方向にそれぞれ配置されている。
【００２９】
積層体２０は、切り込み溝１６に沿って分割されると、積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄとなる。
【００３０】
次に、図２、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、及び図３Ｈを用いて積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法の各工程を説明する。図３Ａ及び図３Ｂは、磁性セラミックシート１の平面図（上面図）である。図３Ｃ及び図３Ｅは、積層体２０の上面図であり、図３Ｆは、積層体２０の下面図である。図３Ｄは、図３Ｃの積層体２０のＢ−Ｂ断面図である。図３Ｇ及び図３Ｈは、図３Ｆの積層体２０のＣ−Ｃ断面図である。
【００３１】
まず、この実施形態の製造方法では、磁性体を含む略正方形状の磁性セラミックシート１にコイルパターン２Ａ〜２Ｄを形成する（Ｓ１０）。コイルパターン２Ａ〜２Ｄは、導電性ペースト（例えば主成分として銀を含むペースト）を磁性セラミックシート１上に塗布することにより、それぞれ形成される。この例では、コイルパターン２Ａ〜２Ｄは、図３Ａに示すように、例えば磁性セラミックシート１の四隅に形成される。コイルパターン２Ａは、磁性セラミックシート１の−Ｘ方向かつ＋Ｙ方向の位置に、コイルパターン２Ｂは、磁性セラミックシート１の＋Ｘ方向かつ＋Ｙ方向の位置に、コイルパターン２Ｃは、磁性セラミックシート１の−Ｘ方向かつ−Ｙ方向の位置に、コイルパターン２Ｄは、磁性セラミックシート１の＋Ｘ方向かつ−Ｙ方向の位置に、それぞれ形成される。ステップＳ１０に示す工程は、複数（例えば５枚）の磁性セラミックシート１に対して実施される。
【００３２】
そして、次の工程では、コイルパターン２Ａ〜２Ｄが形成された磁性セラミックシート１の分割線上に非磁性体を含有する非磁性体ペーストを塗布する（Ｓ２０）。分割線とは、積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄを個片化するために積層体２０を分割する線である。分割線は、磁性セラミックシート１の中心点Ｃを通り、かつＸ軸又はＹ軸に平行である。非磁性体ペーストは、分割線の上に塗布される。例えば、非磁性体３Ａは、図３Ｂに示すように、分割線上の全てに形成される。ステップＳ２０に示す工程は、例えば２枚の磁性セラミックシート１に対して実施され、図３Ｂに示す磁性セラミックシート１とは別の磁性セラミックシート１に非磁性体３Ｂを形成する。
【００３３】
次に、コイルパターン２Ａ〜２Ｄが形成された複数の磁性セラミックシート１と、複数の非磁性体を含む非磁性セラミックシートとを、積層して圧着する（Ｓ３０）。すると、積層体２０は、形成される。
【００３４】
磁性体層１１Ａ及び磁性体層１１Ｂは、複数の磁性セラミックシート１がそれぞれ積層されてなる。非磁性体層１２、非磁性体層１３及び非磁性体層１４は、非磁性セラミックシートがそれぞれ積層されてなる。
【００３５】
インダクタ１０Ａは、複数の磁性セラミックシート１に形成されたコイルパターン２Ａがそれぞれ不図示のビアホールによって積層方向に電気的に接続されることにより、形成される。インダクタ１０Ｂ〜１０Ｄも、インダクタ１０Ａと同様に、コイルパターン２Ｂ〜２Ｄがそれぞれ積層方向に電気的に接続されることにより、それぞれ形成される。
【００３６】
そして、次の工程では、積層体２０の上面に実装用電極１５を複数形成する（Ｓ４０）。実装用電極１５は、非磁性体層１２の上面に例えば銀ペーストが塗布されることにより形成される。実装用電極１５は、不図示のビアホール及び積層体２０の内部配線によってインダクタ１０Ａ〜１０Ｄに接続される。なお、図３Ｅにおいて、実装用電極１５は、１６個形成されているが、実際の積層体２０には、より多く形成される。
【００３７】
次に、ダイシング加工により、積層体２０の下面（非磁性体層１３の下面）に切り込み溝１６を形成する（Ｓ５０）。切り込み溝１６は、図３Ｆに示すように、積層体２０の下面の中心点Ｃを通り、かつＸ軸又はＹ軸に平行に形成される。すなわち、切込み溝１６は、分割線上の全てに形成される。
【００３８】
切込み溝１６を形成した後、次の工程では、積層体２０を焼成する（Ｓ６０）。
【００３９】
そして、焼成された積層体２０にダイヤモンドスクライバ１００で先行クラックを形成する（Ｓ７０）。ダイヤモンドスクライバ１００は、図３Ｈに示すように、Ｘ軸を回転軸として回転し、積層体２０を上面から見たときに、切り込み溝１６（分割線）に一致するように、位置が調整される。そして、ダイヤモンドスクライバ１００は、積層体２０の上面（非磁性体層１２の上面）を、積層体２０の下方向に押圧する。すると、先行クラック１０１は、ダイヤモンドスクライバ１００と非磁性体層１２との接点から非磁性体３Ａの上面（Ｚ方向の面）まで積層体２０まで形成される。
【００４０】
磁性セラミックシート１は、非磁性体ペーストの線膨張係数、及び非磁性セラミックシートの線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する。よって、磁性体層１１Ａは、積層体２０の焼成時に、非磁性体層１２及び非磁性体層１４よりも膨張し、積層体２０が常温に冷却された時に、非磁性体層１２及び非磁性体層１４より収縮する。すると、磁性体層１１Ａは、非磁性体層１２及び非磁性体層１４に引っ張られるため、引張応力が発生する。一方、非磁性体３Ａに発生する引張応力は、磁性体層１１Ａに発生する引張応力より小さい。よって、先行クラック１０１は、磁性体層１１Ａ内を下面方向に進むが、非磁性体３Ａで進行が止まる。
【００４１】
最後に、切り込み溝１６及び先行クラック１０１に沿って、例えば手動で積層体２０を分割し（個片化）、積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄを取り出す（Ｓ８０）。
【００４２】
以上の工程によって、積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄは、製造される。積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄは、焼成（Ｓ６０）後、個片化（Ｓ８０）前に、複数の実装用電極１５にＩＣ等が搭載されると、それぞれ電子部品モジュールとなる。
【００４３】
本実施形態の積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法は、先行クラック１０１の進行を非磁性体３Ａの上面で止める。すなわち、本実施形態の積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法は、先行クラック１０１の進行を非磁性体層１４で止める場合に比べて、より浅い位置で進行を止める。よって、積層体２０は、先行クラック１０１が進行していない層の厚みが厚いため、割れにくくなる。
【００４４】
さらに、積層体２０は、非磁性体３Ａから下面方向に非磁性体３Ｂを備える。非磁性体３Ｂも、非磁性体３Ａと同様に、磁性体層１１Ｂの線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する。よって、先行クラック１０１は、仮に非磁性体層１４を貫通してしまっても、非磁性体３Ｂの上面で進行が止まる。
【００４５】
なお、非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂは、積層体２０の平面視において、切込み溝１６から上面方向に形成されている。よって、積層体２０は、先行クラック１０１だけでなく、切込み溝１６から発生した上面方向に進行する割れに対しても強い。
【００４６】
また、積層型インダクタ素子２１Ａは、非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂを右側面（ＸＹ平面）に備える。すなわち、非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂは、インダクタ１０Ａの外周にそれぞれ配置されている。積層型インダクタ素子２１Ｂ〜２１Ｄにおいても、非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂは、積層型インダクタ素子２１Ｂ〜２１Ｄの各側面にのみそれぞれ配置される。よって、積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄは、インダクタ１０Ａ〜１０Ｄの巻径内の非磁性体の層数が増えないため、それぞれ磁気特性が低下しにくい。
【００４７】
以上のように、本実施形態の積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法は、積層体２０が薄くても、割れに対して強くすることができる。
【００４８】
なお、以上の実施形態では、非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂは、２枚の磁性セラミックシート１に対してそれぞれ形成されていたが、２枚に限らず、コイルパターン２Ａ〜２Ｄを形成した磁性セラミックシート１の全てに対して形成されてもよい。非磁性体３Ａ又は非磁性体３Ｂを形成する磁性セラミックシート１の枚数が増えれば増えるほど、積層体２０は、割れにくくなる。
【００４９】
また、非磁性体３Ａの位置（形成される層）は、図３Ｈに示す位置に限らない。例えば、先行クラック１０１は、非磁性体３Ａを上層に形成すればするほど、浅くなる。その結果、積層体２０は、手動で分割されるために、大きな力を必要とする。よって、手動で積層体２０を分割するための力は、非磁性体３Ａの位置を変更することにより、調節差可能である。
【００５０】
また、非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂが形成された位置は、少なくとも分割線を跨げばよく、分割線上だけに限らない。
【００５１】
なお、ステップＳ７０に示す工程によって、ダイヤモンドスクライバ１００で先行クラック１０１を形成せず、Ｖ字型の溝をダイシング加工で形成する態様であってもよいが、ステップＳ７０ではなく、ステップＳ５０での切込み溝と同時に形成する必要がある。この場合、Ｖ字型の溝は、積層体２０の平面視において、切込み溝１６に重複するように形成される。
【００５２】
また、最初にステップＳ２０に示す工程を実施し、次に、ステップＳ１０に示す工程を行う工程順序であっても構わない。また、ステップＳ４０に示す工程は、ステップＳ１０乃至ステップＳ３０のいずれかに示す工程の前に実施されてもよい。
【００５３】
本実施形態は、積層体２０から４つの積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄを個片化する例であったが、４つに限らず、より多くの積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄを個片化することも可能である。また、磁性セラミックシート１は、略正方形状に限らず、長方形状であってもよい。
【００５４】
次に、図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃを用いて、変形例に係る非磁性体ペーストの塗布工程について説明する。図４Ａは、変形例に係る非磁性体ペーストの塗布工程を含む積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの製造方法のフローチャートである。図４Ｂ及び図４Ｃは、変形例に係る非磁性体ペーストの塗布工程に用いられる磁性セラミックシート１の平面図である。
【００５５】
図４Ａに示すフローチャートは、図２に示すフローチャートと、ステップＳ２０を実施せず、ステップＳ２１及びステップＳ２２を実施する点で相違する。すなわち、図４Ａに示す変形例に係る非磁性体ペーストの塗布工程は、複数のビアホール４を形成して、非磁性体ペーストを充填する。
【００５６】
まず、図４Ｂに示すように、磁性セラミックシート１にコイルパターン２Ａ〜２Ｄが形成されると（Ｓ１０）、図４Ｃに示すように、分割線に沿って、複数のビアホール４が形成される（Ｓ２１）。そして、非磁性体は、複数のビアホール４に非磁性体ペーストがそれぞれ充填されることにより形成される（Ｓ２２）。
【００５７】
ビアホール４内部に充填されて形成された非磁性体は、磁性セラミックシート１にビアホール４を形成することなく非磁性体ペーストを塗布しただけの場合に比べて、より厚く形成される。よって、積層体２０は、引張応力が小さい非磁性体３Ａ及び非磁性体３Ｂの厚みが増すため、先行クラック１０１の進行を止めやすくなる。なお、ステップＳ２１及びステップＳ２２に示す工程は、それぞれステップＳ１０に示す工程前に実施されてもよい。
【００５８】
次に、図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃを用いて、変形例に係る非磁性体ペーストの塗布パターンを説明する。図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、それぞれ非磁性体ペーストの塗布工程に用いられる磁性セラミックシート１の平面図（上面図）である。
【００５９】
非磁性体ペーストは、図５Ａの点線に示す端面電極位置５を除いて、分割線上に塗布されてもよい。すると、非磁性体３Ｃは、端面電極位置５を除いた位置に複数形成される。積層体２０の焼成後個片化前に、端面電極は、端面電極位置５にパンチ等で孔が開けられた後、メッキされることにより積層型インダクタ素子２１Ａ〜２１Ｄの側面に形成される。
【００６０】
非磁性体ペーストが塗布されてなる非磁性体３Ｃは、磁性セラミックシート１からなる磁性体層１１Ａ及び磁性体層１１Ｂよりも脆い。図５Ａに示す塗布パターンに係る製造方法は、パンチで孔が開けられる位置に、磁性体層１１Ａ及び磁性体層１１Ｂが存在するため、端面電極を崩すことなく形成できる。
【００６１】
また、非磁性体ペーストは、図５Ｂに示すように、磁性セラミックシート１の中心点、及び各辺の中央に塗布されてもよい。非磁性体３Ｄは、図５Ｂに示す塗布パターンでは、分割線上に複数形成されるため、積層体２０が分割線で割れることを防ぐことができる。さらに、図５Ｂに示す塗布パターンに係る製造方法は、非磁性体ペーストの塗布量を少なくすることができる。
【００６２】
また、非磁性体ペーストは、図５Ｃに示すように、中心位置６を避けて分割線に沿って塗布されてもよい。図５Ｃに示す塗布パターンに係る製造方法は、非磁性体３Ｅを分割線が交差する中心位置６を避けて形成する。よって、この塗布パターンに係る製造方法は、中心位置６の周辺に非磁性体３Ｅが集中することにより、中心位置６のみが割れに対して強くなりすぎることを避けることができる。
【００６３】
なお、図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、塗布パターンの変形例であるが、図４Ｃに示すように、ビアホール４を図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃに示す塗布パターンに従って形成し、ビアホール４を非磁性体ペーストで埋める態様であっても構わない。
【符号の説明】
【００６４】
１…磁性セラミックシート
２Ａ〜２Ｄ…コイルパターン
３Ａ、３Ｂ…非磁性体
４…ビアホール
５…端面電極位置
６…中心位置
１０Ａ〜１０Ｄ…インダクタ
１１Ａ、１１Ｂ…磁性体層
１２、１３、１４…非磁性体層
１５…実装用電極
１６…切り込み溝
２０…積層体
２１Ａ〜２１Ｄ…各積層型インダクタ素子
１００…ダイヤモンドスクライバ
１０１…先行クラック
【図１Ａ】
2014155811.tif 000003
【図１Ｂ】
2014155811.tif 000004
【図１Ｃ】
2014155811.tif 000005
【図２】
2014155811.tif 000006
【図３Ａ】
2014155811.tif 000007
【図３Ｂ】
2014155811.tif 000008
【図３Ｃ】
2014155811.tif 000009
【図３Ｄ】
2014155811.tif 000010
【図３Ｅ】
2014155811.tif 000011
【図３Ｆ】
2014155811.tif 000012
【図３Ｇ】
2014155811.tif 000013
【図３Ｈ】
2014155811.tif 000014
【図４Ａ】
2014155811.tif 000015
【図４Ｂ】
2014155811.tif 000016
【図４Ｃ】
2014155811.tif 000017
【図５Ａ】
2014155811.tif 000018
【図５Ｂ】
2014155811.tif 000019
【図５Ｃ】
2014155811.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月29日(2016.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個基板が連なった集合基板状態において、磁性体基板を含む複数の基板にコイルパターン及び内部配線を形成する第１の工程と、
前記基板を積層して積層体を形成するとともに、前記積層体の最外層及び中間層に、非磁性体基板を積層してなる非磁性体層を配置し、前記コイルパターンを積層方向に接続してインダクタを形成する第２の工程と、
前記積層体の最外層の表面の少なくとも一方に複数の実装用電極を形成する第３の工程と、
前記積層体の最外層にある非磁性体層に切込み溝を形成する第４の工程と、
前記積層体を焼成する第５の工程と、
前記切込み溝に沿って前記積層体を個片化する第６の工程と、
を有する積層型インダクタ素子の製造方法であって、
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、
前記磁性体基板の複数の基板の一部基板においてのみ、個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように非磁性体ペーストを塗布する第７の工程と、
を設けたことを特徴とする積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第７の工程は、
前記磁性体基板の一部において、個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように複数のビアホールを形成する第８の工程と、
前記複数のビアホールそれぞれに非磁性体ペーストを充填する第９の工程と、
からなることを特徴とする請求項１に記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第７の工程は、前記分割線のすべてに対して前記非磁性体ペーストを塗布する工程である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項４】
磁性体基板を含む複数の基板上にコイル導体を形成し、前記複数の基板を積層して前記コイル導体を積層方向に接続してインダクタが形成される積層体であって、
前記積層体の最外層及び中間層に非磁性体基板を積層してなる非磁性体層が配置され、
前記積層体の一部基板においてのみ、平面視において、前記インダクタを複数異なる位置に備え、最外層及び中間層の非磁性体層とは異なる層に、非磁性体が個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように形成された
ことを特徴とする積層体。
【請求項５】
磁性体基板を含む複数の基板上にコイル導体を形成し、前記複数の基板を積層して前記コイル導体を積層方向に接続してインダクタが形成される積層体であって、
前記積層体の最外層及び中間層に非磁性体基板を積層してなる非磁性体層が配置され、
前記積層体は、平面視において、前記インダクタを複数異なる位置に備え、最外層及び中間層の非磁性体層とは異なる層に、前記複数の基板のうち一部の基板に形成されたビアホールに非磁性ペーストを充填することにより形成された非磁性体が個片化する際の分割線を少なくとも跨ぐように形成されたことを特徴とする積層体。
【国際調査報告】
2014155811.tif 000021
2014155811.tif 000022