(57)【要約】  回折格子を厚くする必要がなくなるため、高アスペクト比のグレーティング構造を回避することができる干渉測定装置を提供し、光電効果やコンプトン散乱などの特性を利用するため、光エネルギーの強弱に依らず、安定的に微分位相コントラスト画像を取得することができる干渉測定装置を提供するために、本発明の干渉測定装置は、光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を備え、回折格子の移動に伴って複数の画像を取得し、複数の画像間で各画素の信号強度変化を検出し、信号強度変化の位相を各画素の表示強度とすることで微分位相コントラスト画像を取得する。
2015137063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を備えることを特徴とする干渉測定装置。
【請求項２】
前記グレーティング構造は、凹部と凸部を含み、前記光電部及び前記発光部の少なくとも1つを前記凹部に設けることを特徴とする請求項1に記載の干渉測定装置。
【請求項３】
前記光電部及び前記発光部を備え、
前記発光部は、前記光電部の光入射方向に設けられることを特徴とする請求項1に記載の干渉測定装置。
【請求項４】
前記光電部は、光に反応して荷電粒子を発生し、
前記発光部は、荷電粒子及び光の少なくとも1つに反応して発光することを特徴とする請求項1に記載の干渉測定装置。
【請求項５】
前記光電部は、X線に反応して電子を発生し、
前記発光部は、電子及びX線の少なくとも1つに反応して可視光を発光することを特徴とする請求項1に記載の干渉測定装置。
【請求項６】
前記光電部は、前記光電部を通過して前記発光部に入射する光の光エネルギーを減衰させることにより、前記光エネルギーを前記発光部の励起エネルギーに対応させることを特徴とする請求項3に記載の干渉測定装置。
【請求項７】
前記光電部及び前記発光部の少なくとも1つの配列方向の略垂直方向に立設し、前記光電部からの荷電粒子及び前記発光部からの光の少なくとも1つを遮蔽する遮蔽部を備えることを特徴とする請求項1に記載の干渉測定装置。
【請求項８】
前記光電部と、
前記光電部の光入射側に設けられる負電極と、
前記光電部の光出射側に設けられる正電極と
を特徴とする請求項1に記載の干渉測定装置。
【請求項９】
前記グレーティング構造は、凹部と凸部を含み、前記光電部を前記凹部に設け、
前記負電極は、前記凹部の底面に設けられることを特徴とする請求項8に記載の干渉測定装置。
【請求項１０】
前記グレーティング構造は、凹部と凸部を含み、前記光電部を前記凹部に設け、
前記正電極は、前記凹部の上面及び前記凸部の上面の少なくとも1つに設けられることを特徴とする請求項8に記載の干渉測定装置。
【請求項１１】
前記正電極は、光を透過することを特徴とする請求項8に記載の干渉測定装置。
【請求項１２】
前記凸部の側面が傾斜していることを特徴とする請求項2又は9又は10のいずれか一項に記載の干渉測定装置。
【請求項１３】
前記回折格子の後段に設けられ、前記光電部からの荷電粒子及び前記発光部からの発光の少なくとも1つを検出する検出部を備えることを特徴とする請求項1に記載の干渉測定装置。
【請求項１４】
光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を有する干渉測定装置を備えることを特徴とするX線撮像装置。
【請求項１５】
光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を用いて、前記回折格子の移動に伴って複数の画像を取得し、
前記複数の画像間で各画素の信号強度変化を検出し、
前記信号強度変化の位相を各画素の表示強度とすることで微分位相コントラスト画像を取得することを特徴とする干渉測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、干渉測定装置、干渉測定方法及びX線撮像装置に関し、特に、X線を用いた干渉測定装置及び干渉測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
X線タルボ・ロー干渉測定装置(又は、X線タルボ干渉測定装置)に用いられる位相型回折格子が提案されている。従来の位相型回折格子は、エッチング処理で基板にグレーティング構造(例えば、凹凸部)を形成して、X線の透過部及び不透過部を周期的に配列することにより、構成されていた(例えば、特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2013-57520号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のタルボ・ロー干渉測定装置に用いられる位相型回折格子では、高いエネルギーのX線(高エネルギーX線)が用いられるため、高エネルギーX線に対応可能なグレーティング構造を実現する必要がある。特に、従来のグレーティング構造は、干渉縞の周期に等しい周期を有する凹凸部を含み、高エネルギーX線を凹部で吸収して遮蔽するために、不透過物質(例えば、金やタングステンなどの重金属)を凹部に充填する。【０００５】
一方、従来のグレーティング構造の基板は、X線を透過する透過物質(例えば、シリコン)で構成されている。したがって、グレーティング構造は、X線の透過部(凸部)及び不透過部(凹部)を周期的に配列する構造となる。【０００６】
このように、グレーティング構造を有する位相型回折格子では、高エネルギーX線を凹部で遮蔽して不透過とするために、エッチング処理により凹部を深くして、重金属が凹部に充填される。製造プロセスの制約上、重金属の種類が限定されることから、高エネルギーX線を凹部で確実に遮蔽するためには、凹部を深くすることが必要となる。この場合、凹部を深くするために、位相型回折格子が厚くなり、高いアスペクト比が要求されることになる。【０００７】
例えば、干渉縞の周期は、数マイクロメータのオーダーである。一方、要求される凹部の深さは、数十から数百マイクロメータのオーダーである。この結果、数十から数百のアスペクト比が要求される。このような高いアスペクト比のグレーティング構造を高精度且つ大面積に形成することは困難である。【０００８】
また、高エネルギーX線を凹部で確実に遮蔽するためには、位相型回折格子を厚くする(凹部を深くする)ことが有効であるが、高エネルギーX線のエネルギーに応じて適切な位相型回折格子の厚さが異なるため、位相型回折格子が厚すぎると、X線の透過部(凸部)でX線が過度に減衰し、適切な干渉縞が得られないおそれがある。したがって、従来のタルボ・ロー干渉測定装置に用いられる位相型回折格子では、高エネルギーX線のエネルギーに応じて位相型回折格子の厚さを変更しなければならないという困難さを伴う。【０００９】
本発明は、高アスペクト比のグレーティング構造を回避し、異なる光エネルギーに対応可能な回折格子を備える干渉測定装置及び干渉測定方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の干渉測定装置は、光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を備える。この構成によれば、回折格子を厚くする必要がなくなるため、高アスペクト比のグレーティング構造を回避することができる。また、この構成によれば、光電効果やコンプトン散乱などの特性を利用するため、光エネルギーの強弱に依らず、安定的に微分位相コントラスト画像を取得することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、高アスペクト比のグレーティング構造を回避し、異なる光エネルギーに対応可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態に係る干渉測定装置の一例を示した図
【図２】本実施の形態にかかる回折格子の一例を示した図
【図３】グレーティング構造における光電部及び発光部の光に対する反応を模式的に示した図
【図４】X線に対する発光部の蛍光数(発光数)を表したグラフ
【図５】グレーティング構造の上面図
【図６】光電部の光入射側及び光出射側に電極を設けることを示した図
【図７】(a)正電極が凸部の上面に設けられ、凹部の上面に設けられないことを示した図、(b)正電極が凹部の上面に設けられ、凸部の上面に設けられないことを示した図
【図８】(a)凸部又は遮蔽部の側面が傾斜していることを示す図、(b)凸部又は遮蔽部の側面が傾斜していないことを示す図
【図９】(a)光電部のグレーティング構造を含む回折格子の一例を示した図、(b)図9(a)の一部を拡大した図、(c)光エネルギーに対する物質の光電効果とコンプトン散乱の反応断面積を表したグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明に係る干渉測定装置は、光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、前記グレーティング構造は、凹部と凸部を含み、前記光電部及び前記発光部の少なくとも1つを前記凹部に設けることを特徴とする。
【００１５】
また、前記光電部及び前記発光部を備え、前記発光部は、前記光電部の光入射方向に設けられることを特徴とする。
【００１６】
また、前記光電部は、光に反応して荷電粒子を発生し、前記発光部は、荷電粒子及び光の少なくとも1つに反応して発光することを特徴とする。
【００１７】
また、前記光電部は、X線に反応して電子を発生し、前記発光部は、電子及びX線の少なくとも1つに反応して可視光を発光することを特徴とする。
【００１８】
また、前記光電部は、前記光電部を通過して前記発光部に入射する光の光エネルギーを減衰させることにより、前記光エネルギーを前記発光部の励起エネルギーに対応させることを特徴とする。
【００１９】
また、前記光電部及び前記発光部の少なくとも1つの配列方向の略垂直方向に立設し、前記光電部からの荷電粒子及び前記発光部からの光の少なくとも1つを遮蔽する遮蔽部を備えることを特徴とする。
【００２０】
また、前記光電部と、前記光電部の光入射側に設けられる負電極と、前記光電部の光出射側に設けられる正電極とを特徴とする。
【００２１】
また、前記グレーティング構造は、凹部と凸部を含み、前記光電部を前記凹部に設け、前記負電極は、前記凹部の底面に設けられることを特徴とする。
【００２２】
また、前記グレーティング構造は、凹部と凸部を含み、前記光電部を前記凹部に設け、前記正電極は、前記凹部の上面及び前記凸部の上面の少なくとも1つに設けられることを特徴とする。
【００２３】
また、前記正電極は、光を透過することを特徴とする。
【００２４】
また、前記凸部の側面が傾斜していることを特徴とする。
【００２５】
また、前記回折格子の後段に設けられ、前記光電部からの荷電粒子及び前記発光部からの発光の少なくとも1つを検出する検出部を備えることを特徴とする。
【００２６】
また、光電部及び発光部の少なくとも1つのグレーティング構造が設けられた回折格子を有する干渉測定装置を備えることを特徴とするX線撮像装置。
【００２７】
本発明に係る干渉測定方法は、光電部及び発光部の少なくとも1つのグレーティング構造を含む回折格子を用いて、前記回折格子の移動に伴って複数の画像を取得し、前記複数の画像間で各画素の信号強度変化を検出し、前記信号強度変化の位相を各画素の表示強度とすることで微分位相コントラスト画像を取得することを特徴とする。
【００２８】
また、光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を有する干渉測定装置を備えることを特徴とする。
【００２９】
また、本発明に係る干渉測定方法は、光電部又は発光部の少なくとも一方を有するグレーティング構造を含む回折格子を用いて、前記回折格子の移動に伴って複数の画像を取得し、前記複数の画像間で各画素の信号強度変化を検出し、前記信号強度変化の位相を各画素の表示強度とすることで微分位相コントラスト画像を取得することを特徴とする。
【００３０】
次に、本発明の実施の形態の干渉測定装置について、図面を用いて詳細に説明する。図1は、本実施の形態に係る干渉測定装置(X線タルボ・ロー干渉測定装置)の一例を示した図である。
【００３１】
図1に示すように、干渉測定装置100は、X線管101、第1の回折格子103、第2の回折格子104、第3の回折格子105、ステージ106、画像センサ(検出部)107、電源108、及び制御部109を備える。
【００３２】
X線管101は、X線(線源光)を照射する。第1の回折格子103は、X線管101からのX線を複数の微小X線源列(コヒーレントX線)に変換する。微小X線源列に変換されたX線は、試料110を透過して、第2の回折格子104に入射する。第2の回折格子104は、第3の回折格子105上に干渉縞を形成する。ステージ106は、第3の回折格子105を干渉縞の周期よりも短い距離で移動する。
【００３３】
画像センサ(検出部)107は、第3の回折格子105の移動に伴って複数の画像を取得し、取得された複数の画像間で各画素の信号強度変化を検出する。画像センサ107は、各画素の信号強度変化の位相を各画素の表示強度とすることで微分位相コントラスト画像を取得する。
【００３４】
図2(a)は、本実施の形態にかかる回折格子(第3の回折格子105)の一例を示した図である。図2(b)は、図2(a)の一部を拡大した図である。図2に示すように、回折格子(第3の回折格子105)は、グレーティング構造200を有している。ここで、グレーティング構造200は、異なる光特性を有する部材を交互に配列する構造である。
【００３５】
図2では、グレーティング構造200は、凹部301と凸部302を含む構造であり、光電部303及び発光部304の少なくとも1つを凹部301に設けることにより、異なる光特性を有する部材を交互に配列する。エッチング処理で基板(例えば、シリコン)に凹部301及び凸部302を周期的に配列し、光電部303及び発光部304を凹部に備えることにより、グレーティング構造200が形成される。発光部304は、光電部303の光入射方向(後段)に設けられる。このように、回折格子(第3の回折格子105)は、光電部303及び発光部304の少なくとも1つのグレーティング構造200を含む。
【００３６】
光電部303は、光に反応して荷電粒子(例えば、電子)を発生する。例えば、光電部303は、光電効果を有する光電変換膜により形成され、量子効率が高いGaAsなどにより形成される。なお、光は、X線(コヒーレントX線及びマイクロフォーカスX線を含む)の他、放射光などの電磁波を含む。
【００３７】
発光部304は、光及び荷電粒子(例えば、電子)の少なくとも1つに反応して発光する。例えば、発光部304は、可視光を発光する蛍光膜により形成され、化合物半導体ナノ粒子(CdS、CdS、CdSe、及びCdTe)などを混合した樹脂により形成される。
【００３８】
図3は、グレーティング構造200における光電部303及び発光部304の光に対する反応を模式的に示した図である。グレーティング構造200の凹部301に入射したX線401は、光電部303における原子の相互作用(光電効果及びコンプトン散乱など)により、光エネルギーの一部又はすべてを失う。つまり、光電部303は、光電部303を通過するX線401の光エネルギーを減衰させる。減衰されたX線401は、発光部304に入射する。
【００３９】
このように、光電部303は、光電部303を通過して発光部304に入射する光(X線)の光エネルギーを減衰させることにより、光エネルギーを発光部304の励起エネルギーに対応させることができ、発光部304の発光効率を向上させることができる。光電部303は、発光部304の発光効率が高い光エネルギーになるように、光(X線)の光エネルギーを減衰させる。
【００４０】
光電部303の光電効果で生成された電子は、光電部303における相互作用(励起、散乱、イオン化、及び制動放射など)により、エネルギーを失い、二次粒子を発生させる。光電部303は、相互作用を繰り返しながら、各粒子(電子や二次粒子)の数を増加させる。増加されて低いエネルギーとなった各粒子(電子や二次粒子)は、発光部304に入射する。このように、光電部303は、各粒子(電子や二次粒子)の数を増加させることにより、発光部304の発光効率を向上させることができる。
【００４１】
グレーティング構造200の凸部302に入射したX線402は、凸部302を透過する。
【００４２】
このように、光電部303及び発光部304のグレーティング構造200を含む回折格子(第3の回折格子105)は、凹部301から可視光が射出され、凸部302からX線(線源光)が射出される。
【００４３】
画像センサ(検出部)107は、第3の回折格子105の後段に設けられ、発光部304の発光(可視光)を検出する。画像センサ(検出部)107は、第3の回折格子105の移動に伴って複数の画像を取得し、取得された複数の画像間で各画素の信号強度変化(可視光の信号強度変化)を検出する。画像センサ107は、各画素の信号強度変化の位相を各画素の表示強度とすることで微分位相コントラスト画像を取得する。画像センサ107は、各画素の信号強度変化の位相を各画素の表示強度とすることで微分位相コントラスト画像を取得する。
【００４４】
画像センサ(検出部)107は、X線の検出感度を低く設定するかX線の検出感度を有しない。したがって、画像センサ(検出部)107は、凹部301から射出された可視光を検出し、凸部302から射出されたX線(線源光)を実質的に検出しない。
【００４５】
以上のようなグレーティング構造200を備えることにより、X線を線源光として用いて、微分位相コントラスト画像を取得することができる。また、X線を遮蔽する必要がなくなるので、凹部301を深くする必要がなくなり、回折格子を厚くする必要がなくなる。この結果、低アスペクト比でグレーティング構造200を構成することができ、高アスペクト比のグレーティング構造を回避することができる。
【００４６】
図4は、X線に対する発光部304の蛍光数(発光数)を表したグラフである。光電部303(厚さ：5μm，材質：GaAs)及び発光部304(厚さ：35μm，材質：CdS)を用いて、100keV及び20keVの光エネルギーでX線を照射した場合の発光部304の蛍光数(発光数)を表している。横軸は凹部301(40〜60μm)及び凸部302(0〜40μm，60〜100μm)の位置に相当する。図4に示すように、100keVのX線がグレーティング構造200に照射されると、凹部301(40〜60μm)の発光部304が発光し、蛍光数(発光数)が凹部301の中央(50μm)でピーク(蛍光数：約330)となっている。一方、25keVのX線がグレーティング構造200に照射される場合は、蛍光数(発光数)が凹部301の中央(50μm)でピーク(蛍光数：約370)となっている。
【００４７】
このように、100keVから25keVにX線エネルギーが低下しても、蛍光数(発光数)がほぼ同じであるので、光エネルギーの強弱に依らず、同等の蛍光発生率が得られる。したがって、光エネルギーの強弱に依らず、画像センサ(検出部)107は凹部301から射出された可視光を検出することができる。この結果、本実施の形態にかかる干渉測定装置100は、異なる光エネルギーに対応可能であり、安定的に微分位相コントラスト画像を取得することができる。
【００４８】
以上、本発明にかかる実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、請求項に記載された範囲内において変更・変形することが可能である。例えば、本実施の形態に係る干渉測定装置は、X線撮像装置に用いられてもよい。この場合、本発明は、光電部303及び発光部304の少なくとも1つのグレーティング構造200が設けられた回折格子を有する干渉測定装置100を備えるX線撮像装置となる。
【００４９】
図5は、グレーティング構造200及びグレーティング構造201の上面図である。図5(b)のグレーティング構造201は、図5(a)のグレーティング構造200と同様に、凹部301と凸部302が周期的に配列されている。図5(b)のグレーティング構造201は、図5(a)のグレーティング構造200と異なり、凹部301と凸部302の配列方向(Y軸方向)の略垂直方向(X軸方向)に遮蔽部502を備える。
【００５０】
つまり、遮蔽部502は、光電部303及び発光部304の少なくとも1つの(Y軸方向)の略垂直方向(X軸方向)に立設し、光電部303からの荷電粒子及び発光部304からの光の少なくとも1つを遮蔽する。この結果、凸部302と遮蔽部502に囲まれた凹部301に、光電部303及び発光部304の少なくとも1つが設けられる。光電部303からの荷電粒子又は発光部304からの光が遮蔽部502により遮蔽され、荷電粒子又は光の散乱を防止することができ、画像センサ(検出部)107が荷電粒子又は光の発生位置を正確に検出することができる。これにより、適切な微分位相コントラスト画像を取得することができる。なお、凸部302が、荷電粒子又は光を遮蔽する遮蔽機能を有していてもよい。
【００５１】
図6は、光電部の光入射側及び光出射側に電極を設けることを示した図である。図6に示すように、負電極801が光電部303の光入射側に設けられ、正電極802が光電部303の光出射側に設けられる。図6では、グレーティング構造200は、凹部301と凸部302を含み、光電部303を凹部301に設けられる。負電極801は、凹部301の底面に設けられる。
【００５２】
また、正電極802は、凹部301の上面及び凸部302の上面の少なくとも1つに設けられる。正電極802が凹部301の上面に設けられる場合、発光部304で発光した光が正電極802を透過するために、正電極802には透明電極材料(例えば、ITO)が用いられる。図6(b)に示すように、負電極801と正電極802の間に電圧を印加した状態でX線が入射すると、光電部303で発生した電子が印加電圧の電位により加速して、多くの電子が発光部304に到達し、発光部304の発光効率を向上させることができる。
【００５３】
また、光電部303で発生した荷電粒子(電子)が印加電圧の電位により加速して、荷電粒子(電子)の指向性(例えば、光入射方向の指向性)を制御することができるので、画像センサ(検出部)107が荷電粒子(電子)又は発光の発生位置を正確に検出することができる。これにより、適切な微分位相コントラスト画像を取得することができる。
【００５４】
図7(a)は、正電極802が凸部302の上面に設けられ、凹部301の上面に設けられないことを示した図である。図7(b)は、正電極802が凹部301の上面に設けられ、凸部302の上面に設けられないことを示した図である。図7(a)に示すように、正電極802が凹部301の上面に設けられない場合、発光部304で発光した光が凹部301を透過するので、正電極802に透明電極材料を用いる必要がなくなる。
【００５５】
むしろ、凸部302の上面に設けられる正電極802が荷電粒子(電子)又は光を遮蔽する遮蔽機能を有することで、荷電粒子(電子)又は光の散乱を防止することができ、画像センサ(検出部)107が荷電粒子(電子)又は発光の発生位置を正確に検出することができる。また、図7(b)に示すように、正電極802が凹部301の上面に設けられ、凸部302の上面に設けられない場合、荷電粒子(電子)の指向性が向上するので、画像センサ(検出部)107が荷電粒子(電子)又は発光の発生位置を正確に検出することができる。
【００５６】
図8(a)は、凸部302又は遮蔽部502の側面が傾斜していることを示す図である。図8(a)では、凹部301の幅が、凹部301の上面に向かうにつれて長くなる。図8(b)は、凸部302又は遮蔽部502の側面が傾斜していないことを示す図である。
【００５７】
図8(a)に示すように、凸部302又は遮蔽部502の側面が傾斜している場合は、図8(b)に示す凸部302又は遮蔽部502の側面が傾斜していない場合に比べて、発光部304で発光した光が、凸部302又は遮蔽部502の側面に対して小さい角度で入射するので、凸部302又は遮蔽部502の側面で反射しやすくなる。また、凸部302又は遮蔽部502の側面に対して小さい角度で入射及び反射するので、少ない反射回数で光が凹部301の上面に到達する。この結果、光の反射効率を高めて反射回数を減少させることができるので、光の強度が減衰するのを防止でき、画像センサ107が発光の発生を検出する検出効率を向上させることができる。
【００５８】
図9(a)は、光電部303のグレーティング構造202を含む回折格子(第3の回折格子105)の一例を示した図である。図9(b)は、図9(a)の一部を拡大した図である。図9(c)は、光エネルギーに対する物質の光電効果とコンプトン散乱の反応断面積を表したグラフである。
【００５９】
図9(a)及び図9(b)に示すように、光電部303のグレーティング構造202は、光電部303を凹部301に設ける。光電部303は、光に反応して荷電粒子(電子)を発生する。
【００６０】
図9(c)に示すように、光エネルギーがE(数百keV〜数MeV)よりも小さい場合、光電効果の反応断面積がコンプトン散乱の反応断面積よりも大きくなる。この低エネルギー領域では、光電部303は、高効率で荷電粒子(電子)を発生する。この場合、画像センサ(検出部)107は、グレーティング構造202の後段に設けられ、光電部303からの荷電粒子(電子)を検出する。
【００６１】
例えば、画像センサ(検出部)107は、チェレンコフ光検出器である。この構成によれば、画像センサ(検出部)107は、X線を線源光として用いて、X線の分布の代わりに荷電粒子(電子)の分布を検出することにより、微分位相コントラスト画像を取得することができる。また、X線を遮蔽する必要がなくなるので、凹部301を深くする必要がなくなり、回折格子を厚くする必要がなくなる。この結果、低アスペクト比でグレーティング構造202を構成することができ、高アスペクト比のグレーティング構造を回避することができる。
【００６２】
同様に、グレーティング構造202は、光電部303の代わりに、発光部304を凹部301に設けてもよい。発光部304は、荷電粒子及び光の少なくとも1つに反応して発光する。この場合、画像センサ(検出部)107は、グレーティング構造202の後段に設けられ、発光部304からの光(可視光)を検出する。この構成によれば、画像センサ(検出部)107は、X線を線源光として用いて、X線の分布の代わりに光(可視光)の発光量の分布を検出することにより、微分位相コントラスト画像を取得することができる。また、X線を遮蔽する必要がなくなるので、凹部301を深くする必要がなくなり、回折格子を厚くする必要がなくなる。この結果、低アスペクト比でグレーティング構造202を構成することができ、高アスペクト比のグレーティング構造を回避することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、高アスペクト比のグレーティング構造を回避し、異なる光エネルギーに対応可能であり、X線を用いた干渉測定装置及び干渉測定方法として有用である。
【符号の説明】
【００６４】
101  X線管、103  第1の回折格子、104  第2の回折格子、105  第3の回折格子、106  ステージ、107  画像センサ、108  電源、109  制御部、200，201，202  グレーティング構造、301  凹部、302  凸部、303  光電部、304  発光部、502  遮蔽部、801  負電極、802  正電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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