(57)【要約】  高音速化と低損失化とを果たし得る、弾性波装置を提供する。  ＬｉＮｂＯ３基板２上にＩＤＴ電極３が設けられており、ＩＤＴ電極３を覆うように窒化アルミニウム膜４または窒化ケイ素膜が積層されており、漏洩弾性波を利用している弾性波装置１。ＩＤＴ電極３が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の金属からなる。ＬｉＮｂＯ３のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）、ＩＤＴ電極３の波長規格化厚みをＸ、オイラー角のθをＹとしたときに、窒化アルミニウム膜４または窒化ケイ素膜の波長規格化厚み範囲と、ＩＤＴ電極３を構成している金属の種類に応じて、オイラー角のθであるＹが、ＩＤＴ電極３の波長規格化厚みの範囲に応じて特定の範囲とされている、弾性波装置１。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた窒化アルミニウム膜とを備え、前記ＬｉＮｂＯ３基板を伝搬する漏洩弾性波を利用した弾性波装置であって、
前記ＩＤＴ電極が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の材料を主体とする金属からなり、前記ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）とし、前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＸ、前記オイラー角のθをＹとしたときに、前記ＩＤＴ電極を構成している金属の種類、及び前記窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、前記オイラー角のθであるＹが下記の表１〜表５に示すいずれかの範囲とされている弾性波装置。
【表１】
2015137090.tif 000023
【表２】
2015137090.tif 000024
【表３】
2015137090.tif 000025
【表４】
2015137090.tif 000026
【表５】
2015137090.tif 000027
【請求項２】
ＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた窒化ケイ素膜とを備え、前記ＬｉＮｂＯ３基板を伝搬する漏洩弾性波を利用した弾性波装置であって、
前記ＩＤＴ電極が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の材料を主体とする金属からなり、前記ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）とし、前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＸ、前記オイラー角のθをＹとしたときに、前記ＩＤＴ電極を構成している金属の種類、及び前記窒化ケイ素膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、前記オイラー角のθであるＹが下記の表６〜表１０に示すいずれかの範囲とされている弾性波装置。
【表６】
2015137090.tif 000028
【表７】
2015137090.tif 000029
【表８】
2015137090.tif 000030
【表９】
2015137090.tif 000031
【表１０】
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【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬｉＮｂＯ３基板上にＩＤＴ電極及び高音速膜が積層されている弾性波装置に関し、特に、漏洩弾性波を利用した弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器のフィルタなどに用いられている弾性波装置では、高周波化と、低損失であることとが求められている。下記の特許文献１には、６４°±３°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板や４１°±３°ＹカットのＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３を用いた弾性表面波フィルタが開示されている。特許文献１では、上記ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されている。また、ＬｉＮｂＯ３基板の弾性表面波伝搬部分に、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉまたはＡｌ２Ｏ３からなる保護膜が形成されている。特許文献１では、反射器電極が、電極指の延びる方向中央において弾性表面波伝搬方向に延びるバスバー電極を有する。このバスバー電極が弾性表面波の波長の半分以下の幅を有している。それによって弾性表面波の横方向への漏洩波を抑制し、挿入損失が小さくされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１７７８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
もっとも、特許文献１に記載の弾性表面波装置では、なお、高音速化及び低損失化は不十分であった。【０００５】
ところで、ＬｉＮｂＯ３を伝搬する弾性波として、漏洩弾性波やラブ波が知られている。漏洩弾性波は、音速は高いが、減衰定数が大きく、損失を小さくすることが困難である。これに対して、ラブ波は、音速は低く、高音速化が難しいが、漏洩し難い。
従って、従来は、漏洩弾性波を用いて、かつ、高音速膜を積層することにより音速を高めることが試みられている。しかしながら、高音速膜を積層した構造では、音速が高くなるので漏洩弾性波が出力され、減衰定数が大きくなるという問題があった。【０００６】
本発明の目的は、減衰定数が小さい漏洩弾性波を利用し、高音速かつ低損失の弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の第１の発明に係る弾性波装置は、ＬｉＮｂＯ３基板と、前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を覆うように前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた窒化アルミニウム膜とを備え、前記ＬｉＮｂＯ３基板を伝搬する漏洩弾性波を利用している。【０００８】
第１の発明に係る弾性波装置では、前記ＩＤＴ電極が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の材料を主体とする金属からなり、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）とし、前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＸ、前記オイラー角のθをＹとしたときに、前記ＩＤＴ電極を構成している金属の種類、及び前記窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、前記オイラー角のθであるＹが下記の表１〜表５に示すいずれかの範囲とされている。【０００９】
【表１】
2015137090.tif 000003
【００１０】
【表２】
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【００１１】
【表３】
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【００１２】
【表４】
2015137090.tif 000006
【００１３】
【表５】
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【００１４】
本願の第２の発明に係る弾性波装置は、ＬｉＮｂＯ３基板と、前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を覆うように前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた窒化ケイ素膜とを備え、前記ＬｉＮｂＯ３基板を伝搬する漏洩弾性波を利用している。【００１５】
第２の発明においては、前記ＩＤＴ電極が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の材料を主体とする金属からなり、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）とし、前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＸ、前記オイラー角のθをＹとしたときに、前記ＩＤＴ電極を構成している金属の種類、及び前記窒化ケイ素膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、前記オイラー角のθであるＹが下記の表６〜表１０に示すいずれかの範囲とされている。【００１６】
【表６】
2015137090.tif 000008
【００１７】
【表７】
2015137090.tif 000009
【００１８】
【表８】
2015137090.tif 000010
【００１９】
【表９】
2015137090.tif 000011
【００２０】
【表１０】
2015137090.tif 000012
【発明の効果】
【００２１】
本願の第１，第２の発明（以下、本発明と総称する）によれば、ＬｉＮｂＯ３基板上にＩＤＴ電極が設けられており、該ＩＤＴ電極を覆うように、窒化アルミニウム膜または窒化ケイ素膜が設けられている。そのため漏洩弾性波を利用した弾性表面波装置において高速化を図ることが可能とされている。加えて、ＩＤＴ電極を構成している金属の種類及び窒化アルミニウム膜または窒化ケイ素膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、オイラー角のθであるＹが特定の範囲とされているため、減衰定数を小さくすることができる。従って、高音速化と低損失化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。
【図２】図２は、ＬｉＮｂＯ３を伝搬する漏洩弾性波及びレイリー波の音速とオイラー角のθとの関係を示す図である。
【図３】図３は、ＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθと、開放状態の音速Ｖｆの減衰定数及び短絡状態の音速Ｖｍの減衰定数αとの関係を示す図である。
【図４】図４は、オイラー角（０°，９４°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上にＣｕからなるＩＤＴ電極を形成した構造における、共振周波数ｆｒの音速及び反共振周波数ｆａにおける音速と、Ｃｕの波長規格化厚みとの関係を示す図である。
【図５】図５は、オイラー角（０°，１３１°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．２であるＣｕ膜からなるＩＤＴ電極を形成し、ＡｌＮ膜を積層した構造における、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、音速との関係を示す図である。
【図６】図６は、ＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０８であるＣｕからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＡｌＮ膜を積層した構造における、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、オイラー角のθと、減衰定数αとの関係を示す図である。
【図７】図７は、ＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０３８であるＡｕからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＡｌＮ膜を積層した構造における、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、オイラー角のθと、減衰定数αとの関係を示す図である。
【図８】図８は、ＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０３４であるＰｔからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＡｌＮ膜を積層した構造における、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、オイラー角のθと、減衰定数αとの関係を示す図である。
【図９】図９は、ＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０８であるＮｉからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＡｌＮ膜を積層した構造における、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、オイラー角のθと、減衰定数αとの関係を示す図である。
【図１０】図１０は、ＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．２６４であるＡｌからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＡｌＮ膜を積層した構造における、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、オイラー角のθと、減衰定数αとの関係を示す図である。
【図１１】図１１は、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得る、ＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図１２】図１２は、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得る、ＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図１３】図１３は、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図１４】図１４は、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図１５】図１５は、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減量定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図１６】図１６は、ＩＤＴ電極がＡｌからなる場合のＡｌＮ膜の各波長規格化厚み範囲に応じて、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθに相当するＹの範囲の中心値を示す各線を表す図である。
【図１７】図１７は、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつ、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図１８】図１８は、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図１９】図１９は、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２０】図２０は、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２１】図２１は、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２２】図２２は、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２３】図２３は、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２４】図２４は、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２５】図２５は、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２６】図２６は、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２７】図２７は、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２８】図２８は、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図２９】図２９は、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつ、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図３０】図３０は、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図３１】図３１は、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るＬｉＮｂＯ３のオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図３２】図３２は、第２の実施形態において、オイラー角（０°，１６０°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．２２であるＣｕからなる電極を形成し、Ｓｉ３Ｎ４膜を積層した構造における、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みと、音速との関係を示す図である。
【図３３】図３３は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０８であるＣｕからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＳｉ３Ｎ４膜を積層した構造におけるオイラー角のθと減衰定数αとの関係を示す図である。
【図３４】図３４は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０３８であるＡｕからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＳｉ３Ｎ４膜を積層した構造における、オイラー角のθと減衰定数αとの関係を示す図である。
【図３５】図３５は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０３４であるＰｔからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＳｉ３Ｎ４膜を積層した構造における、オイラー角のθと減衰定数αとの関係を示す図である。
【図３６】図３６は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．０８であるＮｉからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＳｉ３Ｎ４膜を積層した構造における、オイラー角のθと減衰定数αとの関係を示す図である。
【図３７】図３７は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．２６４であるＡｌからなるＩＤＴ電極を形成し、種々の厚みのＳｉ３Ｎ４膜を積層した構造における、オイラー角のθと減衰定数αとの関係を示す図である。
【図３８】図３８は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図３９】図３９は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４０】図４０は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４１】図４１は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４２】図４２は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４３】図４３は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｌからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４４】図４４は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｌからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４５】図４５は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｌからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４６】図４６は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｌからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４７】図４７は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｌからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４８】図４８は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図４９】図４９は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５０】図５０は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５１】図５１は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５２】図５２は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＡｕからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５３】図５３は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５４】図５４は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５５】図５５は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５６】図５６は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５７】図５７は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５８】図５８は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図５９】図５９は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図６０】図６０は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図６１】図６１は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【図６２】図６２は、第２の実施形態において、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、かつ、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．２２５以上、０．２７５未満の場合の、減衰定数αを０．０２以下とし得るオイラー角のθであるＹの下限を示す線と、上限を示す線とを表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３基板２を有する。ＬｉＮｂＯ３基板２上にＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３を覆うように、窒化アルミニウム膜４がＬｉＮｂＯ３基板２上に設けられている。
【００２５】
本実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３基板２を伝搬する漏洩弾性波を利用している。前述したように、漏洩弾性波を利用した場合、高音速化を図ることができる。しかも、本実施形態では、高音速膜として窒化アルミニウム膜４が積層されているため、より一層高音速化を図ることができる。
【００２６】
他方、前述のように、漏洩弾性波を利用した場合、漏洩により減衰定数αが大きくなるという問題があった。これに対して、本願発明者は、ＩＤＴ電極を特定の金属で構成し、ＩＤＴ電極を構成している金属の種類、さらに窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθを特定の範囲とすれば、高音速化と、低損失化とを両立し得ることを見出し、本発明を成すに至った。
【００２７】
本実施形態の弾性波装置１では、ＩＤＴ電極３を構成している金属が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の材料を主体とする金属からなる。「主体」とは、重量でもっとも主となる金属をいう。また、該電極を構成する層として、密着層や保護層のようなごく薄い膜が積層されていてもよい。ＬｉＮｂＯ３基板２のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）とする。ここで、ＩＤＴ電極３の波長規格化厚みをＸ、オイラー角のθをＹとしたとき、金属の種類及び窒化アルミニウム膜４の波長規格化厚みの範囲に応じて、オイラー角のθであるＹが、下記の表１１〜表１５に示すいずれかの範囲とされている。それによって、高音速化及び低損失化を図ることができる。これを、以下においてより具体的に説明する。
【００２８】
【表１１】
2015137090.tif 000013
【００２９】
【表１２】
2015137090.tif 000014
【００３０】
【表１３】
2015137090.tif 000015
【００３１】
【表１４】
2015137090.tif 000016
【００３２】
【表１５】
2015137090.tif 000017
【００３３】
図２は、ＬｉＮｂＯ３基板２のオイラー角（０°，θ，０°）において、θと、ＬｉＮｂＯ３を伝搬する漏洩弾性波及びレイリー波の音速との関係を示す図である。図２において、漏洩弾性波をＬＳＡＷで示す。また、Ｖｆは、基板の表面が開放状態の音速を示し、Ｖｍは、メタライズド状態、すなわち基板の表面が短絡状態の音速を示す。
【００３４】
図２から明らかなように、θが０°〜１８０°の広い範囲で、漏洩弾性波の音速がレイリー波よりも高いことがわかる。従って、漏洩弾性波を用いることにより高音速化を図り得ることがわかる。もっとも、オイラー角のθが変化すると漏洩弾性波の音速が変化することがわかる。
【００３５】
本願発明者は、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθを変化させ、上記開放状態及び上記短絡状態における音速の減衰定数α（ｄＢ／λ）の変化を求めた。結果を図３に示す。図３から明らかなように、オイラー角のθが１３１°付近において、開放状態の音速Ｖｆの減衰定数αが極小となることがわかる。また、短絡状態の音速Ｖｍについては、θは１５４°付近において減衰定数αが極小となり、ほぼ０となることがわかる。
【００３６】
従って、減衰定数αを小さくするには、オイラー角のθの値を選択すればよいことがわかる。
【００３７】
図４は、オイラー角（０°，９４°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上にＣｕからなるＩＤＴ電極３を設けた構造において、Ｃｕの厚みと、音速との関係を示す図である。ｆａは反共振周波数、すなわち開放状態における音速に相当し、ｆｒは共振周波数の音速、すなわち短絡状態の音速に相当する。また、破線Ａは、遅い横波の音速を示す。
【００３８】
図４から明らかなように、Ｃｕの厚みが厚くなると、音速が低くなっていくことがわかる。横波音速Ａ、すなわち４０８０ｍ／秒よりも音速が低い部分は、伝搬する波がラブ波になっていると考えられる。
【００３９】
他方、図５は、オイラー角（０°，１３１°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．２であるＣｕからなるＩＤＴ電極３を積層し、さらに高音速膜として窒化アルミニウム膜を積層した構造における、窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みと、音速との関係を示す図である。図５から明らかなように、窒化アルミニウム膜を積層した構造によれば、窒化アルミニウム膜の厚みが厚くなると、音速が高くなっていくことがわかる。特に、速度が４０８０ｍ／秒以上の領域では、すなわち遅い横波音速よりも高い速度では、伝搬する波が漏洩弾性波になっていると考えられる。
【００４０】
図５の結果から明らかなように、高音速膜である窒化アルミニウム膜を積層することにより、遅い横波音速よりも高速である、漏洩弾性波を伝搬させ得ることがわかる。
【００４１】
そこで、本願発明者は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ３基板２において、θと、上記窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みを０．０５、０．１０、０．１５、０．２０または０．２５と変更して、開放状態の音速Ｖｆの減衰定数αとの関係を求めた。
【００４２】
なお、波長規格化厚みとは、ＩＤＴ電極の電極指の周期で定まる波長で厚みを規格化した値である。ＩＤＴ電極３はＣｕからなり、その波長規格化厚みは０．０８と固定した。
【００４３】
結果を図６に示す。
【００４４】
図６から明らかなように、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みに応じてオイラー角のθを選択すれば、減衰定数αを小さくし得ることがわかる。一般に、減衰定数は０．０２以下であることが求められている。従って、減衰定数αを０．０２以下とするには、ＡｌＮ膜の厚みに応じてオイラー角のθを特定の範囲とすればよいことがわかる。
【００４５】
例えば、図６において破線Ｂは、減衰定数αが０．０２の部分を示している。よって、ＡｌＮ膜の厚みが例えば０．２５の場合、オイラー角のθは、９７°〜１６３°の範囲とすれば、減衰定数αを０．０２以下とし得ることがわかる。
【００４６】
図７は、Ｃｕに代えて、波長規格化厚みが０．０３８であるＡｕ膜によりＩＤＴ電極を構成した場合の結果を示す。また、図８は、Ｃｕに代えて、波長規格化厚みが０．０３４であるＰｔ膜によりＩＤＴ電極３を形成した場合の結果を示す。図９は、波長規格化厚みが０．０８であるＮｉ膜によりＩＤＴ電極３を形成した場合の結果を示す。図１０は、Ｃｕに代えて波長規格化厚みが０．２６４であるＡｌ膜によりＩＤＴ電極を形成した場合の結果を示す。
【００４７】
図７〜図１０から明らかなように、Ｃｕではなく、Ａｕ、Ｐｔ、ＮｉまたはＡｌからなるＩＤＴ電極３を用いた場合においても、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みに応じて、オイラー角のθを特定の範囲に設定すれば、減衰定数αを０．０２以下とし得ることがわかる。
【００４８】
本願発明者は、上記の結果を踏まえ、ＩＤＴ電極を構成している金属の種類及び窒化アルミニウム膜の波長規格化厚み範囲ごとに、オイラー角のθを特定の範囲とすれば、減衰定数αを０．０２以下とし得る範囲を見出した。これが、前述した表１１〜表１５に示す範囲である。例えば表１１のＣｕからなるＩＤＴ電極を用いた場合を例にとり説明する。ＩＤＴ電極がＣｕからなり、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、オイラー角のθをＹとし、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＸとした場合、Ｙを、１１９．８−１６４４Ｘ＋６４１０７Ｘ２−８２０４３４Ｘ３＋４．５×１０６Ｘ４−１．２×１０７Ｘ５＋１．１Ｘ６以上、１５３＋１６９Ｘ−３６３Ｘ２以下の範囲とすればよい。
【００４９】
言い換えれば、図１１に示す下方の線が上記下限を示す式で表される線である。また、図１１の上方の線が、上記上限を示す式で表される線である。従って、図１１の下限を示す線以上、上限を示す線以下の範囲となるようにＡｌＮ膜の波長規格化厚みに応じて、オイラー角のθを選択すればよい。
【００５０】
すなわち、この表１１に示す各組み合わせの上限及び下限を求めるにあたっては、ＡｌＮ膜の波長規格化厚み範囲及びＣｕの波長規格化厚みＸに応じて、減衰定数αが０．０２以下であるθの範囲を求めればよい。
【００５１】
図１２〜図１５は、それぞれ、表１１に示した残りの組み合わせの上限及び下限を示す線を示す図である。図１２〜図１５においても、下限を示す下方の線以上、上限を示す上方の線以下となるように、オイラー角のθを特定の範囲とすればよい。それによって、図１１に示した場合と同様に、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００５２】
（ＡｌからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＡｌからなる場合には、Ｙを、前述した表１２に示すＹの下限と上限との範囲内にすればよい。すなわち、ＡｌからなるＩＤＴ電極３上に、ＡｌＮ膜を積層した構造において、ＡｌＮ膜の厚み範囲と、ＡｌからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みＸとに応じて、オイラー角のθであるＹを選択すればよい。図１６におけるＹ＝１５４−１７Ｘは、ＡｌＮ膜の厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の上限と下限の中心となる線である。表１２では、ＡｌＮ膜の厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、Ｙの下限は１５４−１７Ｘ−１８であり、上限は１５４−１７Ｘ＋１８である。図１６のＹ＝１５４−１７Ｘは、この上限と下限との中央を示す線である。
【００５３】
同様に、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満では、図１６に示すＹ＝１３２−１３Ｘが中心値となる。そして、表１２におけるＹの下限値は、この場合、１３２−１３Ｘ−１８となり、上限値は１３２−１３Ｘ＋１８となる。表１２の残りの組み合わせにおいても、図１６に示す各線を中心値として、−１８がＹの下限値、＋１８が上限値となる。
【００５４】
従って、ＩＤＴ電極がＡｌからなる場合においても、表１２に示す特定の範囲となるようにＹを選択すれば、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００５５】
（ＡｕからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＡｕからなる場合には、前述した表１３に示す各範囲内となるようにＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＸとに応じて、Ｙの範囲を選択すればよい。
【００５６】
図１７〜図２１において、グラフ中の下方の線が、表１３におけるＹの下限の式で表される線であり、上方の線はＹの上限の式で示される線である。
【００５７】
ＡｕからなるＩＤＴ電極を用いた場合においても、ＡｌＮ膜の波長規格化厚み範囲に応じて、ＡｕからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、上記下限値以上、上限値以下の範囲となるようにＹ、すなわちオイラー角のθを選択すればよい。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００５８】
（ＰｔからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＰｔからなる場合には、前述した表１４に示す各範囲内となるようにＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＸとに応じて、Ｙの範囲を選択すればよい。
【００５９】
図２２〜図２６において、グラフ中の下方の線が、表１４におけるＹの下限の式で表される線であり、上方の線はＹの上限の式で示される線である。
【００６０】
ＰｔからなるＩＤＴ電極を用いた場合においても、ＡｌＮ膜の波長規格化厚み範囲に応じて、ＰｔからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、上記下限値以上、上限値以下の範囲となるようにＹ、すなわちオイラー角のθを選択すればよい。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００６１】
（ＮｉからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＮｉからなる場合には、前述した表１５に示す各範囲内となるようにＡｌＮ膜の波長規格化厚みと、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＸとに応じて、Ｙの範囲を選択すればよい。
【００６２】
図２７〜図３１において、グラフ中の下方の線が、表１５におけるＹの下限の式で表される線であり、上方の線はＹの上限の式で示される線である。
【００６３】
ＮｉからなるＩＤＴ電極を用いた場合においても、ＡｌＮ膜の波長規格化厚み範囲に応じて、ＮｉからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、上記下限値以上、上限値以下の範囲となるようにＹ、すなわちオイラー角のθを選択すればよい。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００６４】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、高音速膜として窒化アルミニウム膜４が用いられていた。本発明の第２の実施形態では、高音速膜として、窒化アルミニウム膜に代えて窒化ケイ素膜が用いられる。第２の実施形態の弾性波装置の構造は、その他の点において同様であるため、図１に示した構造を第２の実施形態においても援用することとする。なお、ここでは、窒化ケイ素膜として、Ｓｉ３Ｎ４膜を用いたがこれに限られるものではなく、ＳｉｘＮｙ（ｘ、ｙは整数）であればよい。
【００６５】
図３２は、第２の実施形態において、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角を（０°，１６０°，０°）とし、ＩＤＴ電極を波長規格化厚みが０．２２のＣｕで構成し、Ｓｉ３Ｎ４膜を積層した構造における、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みと、音速との関係を示す図である。
【００６６】
図３２から明らかなように、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚を厚くすることにより、音速を高めることができる。特に、開放状態の音速を、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚を厚くすることにより、遅い横波音速である４０８０ｍ／秒よりも高速とし得ることがわかる。従って、第２の実施形態では、ＩＤＴ電極を覆うようにＳｉ３Ｎ４膜が積層されているため、高音速化を図ることができる。
【００６７】
本願発明者は、Ｓｉ３Ｎ４膜を用いた構造においても、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθと、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みとを変化させ、減衰定数αの変化を求めた。結果を図３３〜図３７に示す。
【００６８】
図３３〜図３７では、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みを０．０５、０．１０、０．１５、０．２０または０．２５とし、オイラー角のθを変化させ、各ＩＤＴ電極を構成する金属及び波長規格化厚みを固定した場合の減衰定数αの変化を示す。
【００６９】
図３３から明らかなように、ＩＤＴ電極がＣｕからなり、その波長規格化厚みが０．０８である場合、減衰定数αはオイラー角のθが変化すると大きく変化することがわかる。また、各場合において、オイラー角のθを特定の範囲とすれば、減衰定数αを０．０２以下とし得ることもわかる。
【００７０】
図３４〜図３７においても同様である。図３４は、ＩＤＴ電極が、Ａｕからなり、波長規格化厚みが０．０３８である場合の結果を示す。図３５は、ＩＤＴ電極がＰｔからなり、波長規格化厚みが０．０３４である場合の結果を示す。図３６は、ＩＤＴ電極がＮｉからなり、波長規格化厚みが０．０８である場合の結果を示す。図３７は、ＩＤＴ電極がＡｌからなり、波長規格化厚みが０．２６４である場合の結果を示す。
【００７１】
本願発明者は上記の結果を踏まえ、窒化アルミニウム膜を用いた場合と同様に、窒化ケイ素膜を用いた場合においても、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚み範囲と、ＩＤＴ電極を構成する金属の種類と、その波長規格化厚みＸに応じて、オイラー角のθであるＹを特定の範囲とすれば、減衰定数αを０．０２以下とし得ることを確認した。その結果が、下記の表１６〜表２０に示すいずれかの範囲である。
【００７２】
【表１６】
2015137090.tif 000018
【００７３】
【表１７】
2015137090.tif 000019
【００７４】
【表１８】
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【００７５】
【表１９】
2015137090.tif 000021
【００７６】
【表２０】
2015137090.tif 000022
【００７７】
以下、ＩＤＴ電極を構成している金属ごとに、その詳細を説明する。
【００７８】
（ＣｕからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＣｕからなる場合、表１６に示す各Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚み範囲に応じて、オイラー角のθであるＹを表１６に示す下限値以上、上限値以下とすればよい。例えば表１６において、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、Ｙは、１１１−４９８Ｘ＋４１２０４Ｘ２−５０６２８５Ｘ３＋２．１×１０６Ｘ４−２．９Ｘ５以上、１５０＋３７６Ｘ−１８６７Ｘ２＋３１５１Ｘ３以下とすればよい。図３８の下方に示す線が、この下限値の式で表される線であり、上方の線が上限値の式で表される線である。
【００７９】
従って、ＣｕからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、上記下方の線以上、上方の線以下の範囲とするように、すなわち、オイラー角のθの値を下限値以上、上限値以下とすればよいことがわかる。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００８０】
図３９に示す下方及び上方の線は、表１６中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す線及び上限値を示す式で表される線である。図４０において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。従って、Ｓｉ３Ｎ４膜が０．１２５以上、０．１７５未満の場合には、この下方の線以上、上方の線以下となるようにＣｕからなるＩＤＴ電極の厚みに応じて、オイラー角のθであるＹを選択すればよい。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００８１】
図４１及び図４２も同様に表１６のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満または０．２２５以上、０．２７５未満とした時のそれぞれＹの下限値を示す式で表される線及びＹの上限値の式で示される線を示す。
【００８２】
Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満または０．２２５以上、０．２７５未満の場合にも同様に、下方の線以上、上方の線以下の範囲となるようにオイラー角のθを選択することにより、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００８３】
（ＡｌからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＡｌからなる場合、表１７に示す各Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚み範囲に応じて、オイラー角のθであるＹを表１７に示す下限値以上、上限値以下とすればよい。例えば表１７において、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、Ｙは、１０６＋１２４Ｘ−２０４Ｘ２以上、１６３−１０５Ｘ＋７１４Ｘ２−１１２２Ｘ３以下とすればよい。図４３の下方に示す線が、この下限値の式で表される線であり、上方の線が上限値の式で表される線である。従って、上記下方の線以上、上方の線以下の範囲とするようにＡｌからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、オイラー角のθの値を下限値以上、上限値以下とすればよいことがわかる。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００８４】
図４４に示す下方及び上方の線は、表１７中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す線及び上限値を示す式で表される線である。図４５において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【００８５】
図４６及び図４７も同様に表１７のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満または０．２２５以上、０．２７５未満とした時のそれぞれＹの下限値を示す式で表される線及びＹの上限値の式で示される線を示す。
【００８６】
よって、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みに応じて、図４３〜図４７に示す下方の線以上、上方の線以下の範囲となるようにオイラー角のθを選択することにより、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００８７】
（ＡｕからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＡｕからなる場合、表１８に示す各Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚み範囲に応じて、オイラー角のθであるＹを表１８に示す下限値以上、上限値以下とすればよい。例えば表１８において、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、Ｙは、１３８．８−５２１．５Ｘ＋５９６２６Ｘ２−１．６×１０６Ｘ３＋９．７×１０６Ｘ４以上、１５４．６＋３２３Ｘ−１００５Ｘ２以下とすればよい。図４８の下方に示す線が、この下限値の式で表される線であり、上方の線が上限値の式で表される線である。従って、上記下方の線以上、上方の線以下の範囲とするようにＡｕからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、オイラー角のθの値を下限値以上、上限値以下とすればよいことがわかる。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００８８】
図４９に示す下方及び上方の線は、表１８中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す線及び上限値を示す式で表される線である。図５０において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【００８９】
図５１及び図５２も同様に表１８のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満または０．２２５以上、０．２７５未満とした時のそれぞれＹの下限値を示す式で表される線及びＹの上限値の式で示される線を示す。
【００９０】
よって、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚み範囲に応じて図４８〜図５２に示す、下方の線以上、上方の線以下の範囲となるようにオイラー角のθを選択することにより、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００９１】
（ＰｔからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＰｔからなる場合、表１９に示す各Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚み範囲に応じて、オイラー角のθであるＹを表１９に示す下限値以上、上限値以下とすればよい。例えば表１９において、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、Ｙは、１３７．８＋１０４５．９Ｘ−３５２７０Ｘ２＋１８２３７０Ｘ３以上、１７８．８−４５９．９Ｘ＋２６５４．２Ｘ２以下とすればよい。図５３の下方に示す線が、この下限値の式で表される線であり、上方の線が上限値の式で表される線である。従って、上記下方の線以上、上方の線以下の範囲とするようにＰｔからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、オイラー角のθの値を下限値以上、上限値以下とすればよいことがわかる。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００９２】
図５４に示す下方及び上方の線は、表１９中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す線及び上限値を示す式で表される線である。図５５において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【００９３】
図５６及び図５７も同様に表１９のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満または０．２２５以上、０．２７５未満とした時のそれぞれＹの下限値を示す式で表される線及びＹの上限値の式で示される線を示す。
【００９４】
Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みに応じて、図５３〜図５７に示す下方の線以上、上方の線以下の範囲となるようにオイラー角のθを選択することにより、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００９５】
（ＮｉからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＮｉからなる場合、表２０に示す各Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚み範囲に応じて、オイラー角のθであるＹを表２０に示す下限値以上、上限値以下とすればよい。例えば表２０において、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、Ｙは、７７．３９＋８８９Ｘ−１０４１３Ｘ２＋３９１９２Ｘ３−４８７５８Ｘ４以上、１３３．７＋５７０．１Ｘ−２５６１Ｘ２＋３９８６３５８７Ｘ３以下とすればよい。図５８の下方に示す線が、この下限値の式で表される線であり、上方の線が上限値の式で表される線である。従って、上記下方の線以上、上方の線以下の範囲とするようにＮｉからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、オイラー角のθの値を下限値以上、上限値以下とすればよいことがわかる。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【００９６】
図５９に示す下方及び上方の線は、表２０中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す線及び上限値を示す式で表される線である。図６０において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【００９７】
図６１及び図６２も同様に表２０のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１７５以上、０．２２５未満または０．２２５以上、０．２７５未満とした時のそれぞれＹの下限値を示す式で表される線及びＹの上限値の式で示される線を示す。
【００９８】
よって、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みに応じて、図５８〜図６２に示す下方の線以上、上方の線以下の範囲となるようにオイラー角のθを選択することにより、同様に、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【符号の説明】
【００９９】
１…弾性波装置
２…ＬｉＮｂＯ３基板
３…ＩＤＴ電極
４…窒化アルミニウム膜
【図１】
2015137090.tif 000033
【図２】
2015137090.tif 000034
【図３】
2015137090.tif 000035
【図４】
2015137090.tif 000036
【図５】
2015137090.tif 000037
【図６】
2015137090.tif 000038
【図７】
2015137090.tif 000039
【図８】
2015137090.tif 000040
【図９】
2015137090.tif 000041
【図１０】
2015137090.tif 000042
【図１１】
2015137090.tif 000043
【図１２】
2015137090.tif 000044
【図１３】
2015137090.tif 000045
【図１４】
2015137090.tif 000046
【図１５】
2015137090.tif 000047
【図１６】
2015137090.tif 000048
【図１７】
2015137090.tif 000049
【図１８】
2015137090.tif 000050
【図１９】
2015137090.tif 000051
【図２０】
2015137090.tif 000052
【図２１】
2015137090.tif 000053
【図２２】
2015137090.tif 000054
【図２３】
2015137090.tif 000055
【図２４】
2015137090.tif 000056
【図２５】
2015137090.tif 000057
【図２６】
2015137090.tif 000058
【図２７】
2015137090.tif 000059
【図２８】
2015137090.tif 000060
【図２９】
2015137090.tif 000061
【図３０】
2015137090.tif 000062
【図３１】
2015137090.tif 000063
【図３２】
2015137090.tif 000064
【図３３】
2015137090.tif 000065
【図３４】
2015137090.tif 000066
【図３５】
2015137090.tif 000067
【図３６】
2015137090.tif 000068
【図３７】
2015137090.tif 000069
【図３８】
2015137090.tif 000070
【図３９】
2015137090.tif 000071
【図４０】
2015137090.tif 000072
【図４１】
2015137090.tif 000073
【図４２】
2015137090.tif 000074
【図４３】
2015137090.tif 000075
【図４４】
2015137090.tif 000076
【図４５】
2015137090.tif 000077
【図４６】
2015137090.tif 000078
【図４７】
2015137090.tif 000079
【図４８】
2015137090.tif 000080
【図４９】
2015137090.tif 000081
【図５０】
2015137090.tif 000082
【図５１】
2015137090.tif 000083
【図５２】
2015137090.tif 000084
【図５３】
2015137090.tif 000085
【図５４】
2015137090.tif 000086
【図５５】
2015137090.tif 000087
【図５６】
2015137090.tif 000088
【図５７】
2015137090.tif 000089
【図５８】
2015137090.tif 000090
【図５９】
2015137090.tif 000091
【図６０】
2015137090.tif 000092
【図６１】
2015137090.tif 000093
【図６２】
2015137090.tif 000094
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月27日(2016.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた窒化アルミニウム膜とを備え、前記ＬｉＮｂＯ３基板を伝搬する漏洩弾性波を利用した弾性波装置であって、
前記ＩＤＴ電極が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の材料を主体とする金属からなり、前記ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）とし、前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＸ、前記オイラー角のθをＹとしたときに、前記ＩＤＴ電極を構成している金属の種類、及び前記窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、前記オイラー角のθであるＹが下記の表１〜表５に示すいずれかの範囲とされている弾性波装置。
【表１】
2015137090.tif 000095
【表２】
2015137090.tif 000096
【表３】
2015137090.tif 000097
【表４】
2015137090.tif 000098
【表５】
2015137090.tif 000099
【請求項２】
ＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた窒化ケイ素膜とを備え、前記ＬｉＮｂＯ３基板を伝搬する漏洩弾性波を利用した弾性波装置であって、
前記ＩＤＴ電極が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ及びＮｉからなる群から選択した１種の材料を主体とする金属からなり、前記ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角を（０°±５°，θ，０°±５°）とし、前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＸ、前記オイラー角のθをＹとしたときに、前記ＩＤＴ電極を構成している金属の種類、及び前記窒化ケイ素膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、前記オイラー角のθであるＹが下記の表６〜表１０に示すいずれかの範囲とされている弾性波装置。
【表６】
2015137090.tif 000100
【表７】
2015137090.tif 000101
【表８】
2015137090.tif 000102
【表９】
2015137090.tif 000103
【表１０】
2015137090.tif 000104
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
通信機器のフィルタなどに用いられている弾性波装置では、高周波化と、低損失であることとが求められている。下記の特許文献１には、６４°±３°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板や４１°±３°ＹカットのＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３を用いた弾性表面波フィルタが開示されている。特許文献１では、上記ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されている。また、ＬｉＮｂＯ３基板の弾性表面波伝搬部分に、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉまたはＡｌ２Ｏ３からなる保護膜が形成されている。特許文献１では、反射器電極が、電極指の延びる方向中央において弾性表面波伝搬方向に延びるバスバー電極を有する。このバスバー電極が弾性表面波の波長の半分以下の幅を有している。それによって弾性表面波の横方向への漏洩波を抑制し、挿入損失が小さくされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【表５】
2015137090.tif 000105
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本願の第１，第２の発明（以下、本発明と総称する）によれば、ＬｉＮｂＯ３基板上にＩＤＴ電極が設けられており、該ＩＤＴ電極を覆うように、窒化アルミニウム膜または窒化ケイ素膜が設けられている。そのため漏洩弾性波を利用した弾性波装置において高速化を図ることが可能とされている。加えて、ＩＤＴ電極を構成している金属の種類及び窒化アルミニウム膜または窒化ケイ素膜の波長規格化厚みの範囲に応じて、オイラー角のθであるＹが特定の範囲とされているため、減衰定数を小さくすることができる。従って、高音速化と低損失化を図ることが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【表１５】
2015137090.tif 000106
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図４は、オイラー角（０°，９４°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上にＣｕからなるＩＤＴ電極３を設けた構造において、Ｃｕの波長規格化厚みと、音速との関係を示す図である。ｆａは反共振周波数、すなわち開放状態における音速に相当し、ｆｒは共振周波数の音速、すなわち短絡状態の音速に相当する。また、破線Ａは、遅い横波の音速を示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図４から明らかなように、Ｃｕの波長規格化厚みが厚くなると、音速が低くなっていくことがわかる。横波音速Ａ、すなわち４０８０ｍ／秒よりも音速が低い部分は、伝搬する波がラブ波になっていると考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
他方、図５は、オイラー角（０°，１３１°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板上に、波長規格化厚みが０．２であるＣｕからなるＩＤＴ電極３を積層し、さらに高音速膜として窒化アルミニウム膜を積層した構造における、窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みと、音速との関係を示す図である。図５から明らかなように、窒化アルミニウム膜を積層した構造によれば、窒化アルミニウム膜の波長規格化厚みが厚くなると、音速が高くなっていくことがわかる。特に、速度が４０８０ｍ／秒以上の領域では、すなわち遅い横波音速よりも高い速度では、伝搬する波が漏洩弾性波になっていると考えられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図６から明らかなように、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みに応じてオイラー角のθを選択すれば、減衰定数αを小さくし得ることがわかる。一般に、減衰定数は０．０２以下であることが求められている。従って、減衰定数αを０．０２以下とするには、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みに応じてオイラー角のθを特定の範囲とすればよいことがわかる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
例えば、図６において破線Ｂは、減衰定数αが０．０２の部分を示している。よって、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが例えば０．２５の場合、オイラー角のθは、９７°〜１６３°の範囲とすれば、減衰定数αを０．０２以下とし得ることがわかる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図７は、Ｃｕに代えて、波長規格化厚みが０．０３８であるＡｕ膜によりＩＤＴ電極３を構成した場合の結果を示す。また、図８は、Ｃｕに代えて、波長規格化厚みが０．０３４であるＰｔ膜によりＩＤＴ電極３を形成した場合の結果を示す。図９は、波長規格化厚みが０．０８であるＮｉ膜によりＩＤＴ電極３を形成した場合の結果を示す。図１０は、Ｃｕに代えて波長規格化厚みが０．２６４であるＡｌ膜によりＩＤＴ電極３を形成した場合の結果を示す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
（ＡｌからなるＩＤＴ電極の場合）
ＩＤＴ電極がＡｌからなる場合には、Ｙを、前述した表１２に示すＹの下限と上限との範囲内にすればよい。すなわち、ＡｌからなるＩＤＴ電極３上に、ＡｌＮ膜を積層した構造において、ＡｌＮ膜の波長規格化厚み範囲と、ＡｌからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みＸとに応じて、オイラー角のθであるＹを選択すればよい。図１６におけるＹ＝１５４−１７Ｘは、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合の上限と下限の中心となる線である。表１２では、ＡｌＮ膜の波長規格化厚みが０．０２以上、０．０７５未満の場合、Ｙの下限は１５４−１７Ｘ−１８であり、上限は１５４−１７Ｘ＋１８である。図１６のＹ＝１５４−１７Ｘは、この上限と下限との中央を示す線である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、高音速膜として窒化アルミニウム膜４が用いられていた。本発明の第２の実施形態では、高音速膜として、窒化アルミニウム膜に代えて窒化ケイ素膜が用いられる。第２の実施形態の弾性波装置の構造は、その他の点において同様であるため、図１に示した構造を第２の実施形態においても援用することとする。なお、ここでは、窒化ケイ素膜として、Ｓｉ３Ｎ４膜を用いたがこれに限られるものではなく、ＳｉｘＮｙ（ｘ、ｙは整数）であればよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図３９に示す下方及び上方の線は、表１６中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０
７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す式で表される線及び上限値を示す式
で表される線である。図４０において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格
化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。従って、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合には、この下方の線以上、上方の線以下となるようにＣｕからなるＩＤＴ電極の波長規格化厚みに応じて、オイラー角のθであるＹを選択すればよい。それによって、減衰定数αを０．０２以下とすることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図４４に示す下方及び上方の線は、表１７中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す式で表される線及び上限値を示す式で表される線である。図４５において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
図４９に示す下方及び上方の線は、表１８中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す式で表される線及び上限値を示す式で表される線である。図５０において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図５４に示す下方及び上方の線は、表１９中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す式で表される線及び上限値を示す式で表される線である。図５５において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
図５９に示す下方及び上方の線は、表２０中のＳｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．０７５以上、０．１２５未満の場合のＹの下限値を示す式で表される線及び上限値を示す式で表される線である。図６０において下方に示されている線は、Ｓｉ３Ｎ４膜の波長規格化厚みが０．１２５以上、０．１７５未満の場合において、減衰定数αを０．０２以下とするＹの下限値を示す式で表される線である。上方の線は、Ｙの上限値の式で示される線である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015137090.tif 000107
【図２】
2015137090.tif 000108
【図３】
2015137090.tif 000109
【図４】
2015137090.tif 000110
【図５】
2015137090.tif 000111
【図６】
2015137090.tif 000112
【図７】
2015137090.tif 000113
【図８】
2015137090.tif 000114
【図９】
2015137090.tif 000115
【図１０】
2015137090.tif 000116
【図１１】
2015137090.tif 000117
【図１２】
2015137090.tif 000118
【図１３】
2015137090.tif 000119
【図１４】
2015137090.tif 000120
【図１５】
2015137090.tif 000121
【図１６】
2015137090.tif 000122
【図１７】
2015137090.tif 000123
【図１８】
2015137090.tif 000124
【図１９】
2015137090.tif 000125
【図２０】
2015137090.tif 000126
【図２１】
2015137090.tif 000127
【図２２】
2015137090.tif 000128
【図２３】
2015137090.tif 000129
【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【国際調査報告】
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