(57)【要約】  信頼性を高めることができ、かつ低背化し得る、弾性波装置を提供する。  弾性波装置１は、実装面３ａ上に実装された第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂを封止しており、第１，第２の面８ａ，８ｂを有し、第２の面８ｂに刻印Ｚ１が形成された封止部材８を備える。第１の弾性波素子２ＡはＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板４Ａを有し、第２の弾性波素子２ＢはＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなる第２の圧電基板４Ｂを有する。第２の圧電基板４Ｂの厚みよりも第１の圧電基板４Ａの厚みの方が厚い。封止部材８の第２の面８ｂ側を上方とし、第１の面８ａ側を下方としたときに、第２の圧電基板４Ｂの上方に位置する封止部材８の厚みよりも、第１の圧電基板４Ａの上方に位置する封止部材８の厚みの方が薄い。第２の面８ｂからの平面視において、第１の圧電基板４Ａと刻印Ｚ１とが重なっていない。
2017033575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有する実装基板と、
前記実装基板の前記実装面上に実装されている複数の弾性波素子と、
前記実装基板の前記実装面上に設けられており、前記複数の弾性波素子を封止しており、前記実装基板側に位置する第１の面及び該第１の面に対向している第２の面を有し、該第２の面に刻印が形成されている封止部材と、
を備え、
前記複数の弾性波素子が第１，第２の弾性波素子を有しており、
前記第１の弾性波素子が、前記実装基板と対向する第１の機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板を含み、
前記第２の弾性波素子が、前記実装基板と対向する第２の機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３及びＬｉＴａＯ３の内の一方からなる第２の圧電基板を含み、
前記第２の圧電基板の厚みよりも前記第１の圧電基板の厚みの方が厚く、
前記封止部材の前記第２の面側を上方とし、前記第１の面側を下方としたときに、前記封止部材の前記第２の圧電基板の上方に位置する部分の厚みよりも、前記封止部材の前記第１の圧電基板の上方に位置する部分の厚みの方が薄く、
前記封止部材を前記第２の面から平面視して、前記第１の圧電基板と前記刻印とが重なっていない、弾性波装置。
【請求項２】
実装面を有する実装基板と、
前記実装基板の前記実装面上に実装されている複数の弾性波素子と、
前記実装基板の前記実装面上に設けられており、前記複数の弾性波素子を封止しており、前記実装基板側に位置する第１の面及び該第１の面に対向している第２の面を有し、該第２の面に刻印が形成されている封止部材と、
を備え、
前記複数の弾性波素子が第１，第２の弾性波素子を有しており、
前記第１の弾性波素子が、前記実装基板と対向する機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板を含み、
前記第２の弾性波素子が、前記実装基板と対向する機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３及びＬｉＴａＯ３の内の一方からなる第２の圧電基板を含み、
前記第２の圧電基板の厚みよりも前記第１の圧電基板の厚みの方が厚く、
前記封止部材の前記第２の面側を上方とし、前記第１の面側を下方としたときに、前記封止部材の前記第２の圧電基板の上方に位置する部分の厚みよりも、前記封止部材の前記第１の圧電基板の上方に位置する部分の厚みの方が薄く、
前記封止部材を前記第２の面から平面視して、前記第２の圧電基板と前記刻印とが重なっている部分の面積よりも前記第１の圧電基板と前記刻印とが重なっている部分の面積の方が小さい、弾性波装置。
【請求項３】
前記第２の弾性波素子を複数有する、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記実装基板の前記実装面が第１の辺と、該第１の辺に接続されている第２の辺と、を有し、少なくとも２個の前記第２の弾性波素子が、前記第１，第２の辺の内の一方が延びる方向に隣り合って配置されている、請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第２の圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記実装基板の前記実装面を平面視したときに、前記第１，第２の圧電基板の合計の面積の内、前記第１の圧電基板の面積が占める割合よりも前記第２の圧電基板の面積が占める割合の方が大きい、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記実装基板の前記実装面を平面視したときに、前記第１，第２の圧電基板の合計の面積が前記実装基板の前記実装面の全面積の５８％以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記第１の圧電基板上に第１の電極ランドが設けられており、該第１の電極ランドに接合された導電性接合材を介して、前記第１の弾性波素子が前記実装基板に実装されており、
前記第２の圧電基板上に第２の電極ランドが設けられており、該第２の電極ランドに接合された導電性接合材を介して、前記第２の弾性波素子が前記実装基板に実装されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記第１の圧電基板が第１の電極形成面を有し、前記第２の圧電基板が第２の電極形成面を有し、
前記第１の弾性波素子が、前記第１の電極形成面上に設けられている第１のＩＤＴ電極と、前記第１の電極形成面上に設けられており、前記第１の電極形成面からの平面視において、前記第１のＩＤＴ電極を囲んでいる第１の支持部材と、前記第１の支持部材上に設けられている第１のカバー部材と、前記第１のカバー部材及び前記第１の支持部材を貫通している状態で設けられている第１のアンダーバンプメタル層と、を有し、前記第１のＩＤＴ電極が、前記第１の圧電基板、前記第１の支持部材及び前記第１のカバー部材により封止されており、
前記第１のアンダーバンプメタル層に導電性接合材が接合されており、
前記第２の弾性波素子が、前記第２の電極形成面上に設けられている第２のＩＤＴ電極と、前記第２の電極形成面上に設けられており、前記第２の電極形成面からの平面視において、前記第２のＩＤＴ電極を囲んでいる第２の支持部材と、前記第２の支持部材上に設けられている第２のカバー部材と、前記第２のカバー部材及び前記第２の支持部材を貫通している状態で設けられている第２のアンダーバンプメタル層と、を有し、前記第２のＩＤＴ電極が、前記第２の圧電基板、前記第２の支持部材及び前記第２のカバー部材により封止されており、
前記第２のアンダーバンプメタル層に導電性接合材が接合されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止部材に刻印が形成された弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置は、携帯電話機などに広く用いられている。例えば、下記の特許文献１では、受信用の帯域通過型フィルタチップと送信用の帯域通過型フィルタチップとが配線基板上に実装されている弾性波装置が開示されている。送信用の帯域通過型フィルタチップは好ましくはＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を有する。受信用の帯域通過型フィルタチップは好ましくはＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を有する。受信用の帯域通過型フィルタチップの圧電基板の厚みよりも送信用の帯域通過型フィルタチップの圧電基板の厚みの方が厚くされている。受信用の帯域通過型フィルタチップ及び送信用の帯域通過型フィルタチップは、封止部材により覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１９９８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、送信用の帯域通過型フィルタチップの上方に位置する封止部材の厚みが薄くなっていた。電子部品では、マーキングのために、レーザー光の照射などにより封止部材に溝を設けて刻印を形成することが多い。上記送信用の帯域通過型フィルタチップの上方の封止部材は薄くなっているため、刻印不良が生じることがあった。なお、封止部材の厚みを厚くする場合には、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を薄くすればよい。しかしながら、ＬｉＮｂＯ３は強度が低いため、厚みが薄くなると割れなどが生じ易くなる。そのため、信頼性が損なわれることがある。他方、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板の厚みを厚くすると、弾性波装置の低背化が困難となる。【０００５】
本発明の目的は、信頼性を高めることができ、かつ低背化し得る弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る弾性波装置の広い局面では、実装面を有する実装基板と、前記実装基板の前記実装面上に実装されている複数の弾性波素子と、前記実装基板の前記実装面上に設けられており、前記複数の弾性波素子を封止しており、前記実装基板側に位置する第１の面及び該第１の面に対向している第２の面を有し、該第２の面に刻印が形成されている封止部材と備え、前記複数の弾性波素子が第１，第２の弾性波素子を有しており、前記第１の弾性波素子が、前記実装基板と対向する第１の機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板を含み、前記第２の弾性波素子が、前記実装基板と対向する第２の機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３及びＬｉＴａＯ３の内の一方からなる第２の圧電基板を含み、前記第２の圧電基板の厚みよりも前記第１の圧電基板の厚みの方が厚く、前記封止部材の前記第２の面側を上方とし、前記第１の面側を下方としたときに、前記封止部材の前記第２の圧電基板の上方に位置する部分の厚みよりも、前記封止部材の前記第１の圧電基板の上方に位置する部分の厚みの方が薄く、前記封止部材を前記第２の面から平面視して、前記第１の圧電基板と前記刻印とが重なっていない。【０００７】
本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、実装面を有する実装基板と、前記実装基板の前記実装面上に実装されている複数の弾性波素子と、前記実装基板の前記実装面上に設けられており、前記複数の弾性波素子を封止しており、前記実装基板側に位置する第１の面及び該第１の面に対向している第２の面を有し、該第２の面に刻印が形成されている封止部材とを備え、前記複数の弾性波素子が第１，第２の弾性波素子を有しており、前記第１の弾性波素子が、前記実装基板と対向する機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板を含み、前記第２の弾性波素子が、前記実装基板と対向する機能電極が設けられている一方面と、該一方面と対向する前記第２の面側に位置する他方面とを有しているＬｉＮｂＯ３及びＬｉＴａＯ３の内の一方からなる第２の圧電基板を含み、前記第２の圧電基板の厚みよりも前記第１の圧電基板の厚みの方が厚く、前記封止部材の前記第２の面側を上方とし、前記第１の面側を下方としたときに、前記封止部材の前記第２の圧電基板の上方に位置する部分の厚みよりも、前記封止部材の前記第１の圧電基板の上方に位置する部分の厚みの方が薄く、前記封止部材を前記第２の面から平面視して、前記第２の圧電基板と前記刻印とが重なっている部分の面積よりも前記第１の圧電基板と前記刻印とが重なっている部分の面積の方が小さい。【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第２の弾性波素子を複数有する。【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記実装基板の前記実装面が第１の辺と、該第１の辺に接続されている第２の辺とを有し、少なくとも２個の前記第２の弾性波素子が、前記第１，第２の辺の内の一方が延びる方向に隣り合って配置されている。この場合には、刻印の形状の自由度を高めることができる。【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第２の圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる。この場合には、ＬｉＮｂＯ３の強度よりもＬｉＴａＯ３の強度の方が高いため、第２の圧電基板の厚みを薄くすることができる。そのため、第２の圧電基板の上方に位置する封止部材の厚みをより一層厚くすることができる。従って、封止部材に刻印が形成されていても、第１，第２の弾性波素子をより一層確実に封止することができる。【００１１】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記実装基板の前記実装面を平面視したときに、前記第１，第２の圧電基板の合計の面積の内、前記第１の圧電基板の面積が占める割合よりも前記第２の圧電基板の面積が占める割合の方が大きい。この場合には、刻印を形成する位置の自由度を高めることができ、かつ第１，第２の弾性波素子を充分に封止することができる。【００１２】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記実装基板の前記実装面を平面視したときに、前記第１，第２の圧電基板の合計の面積が前記実装基板の前記実装面の全面積の５８％以上である。この場合には、本発明を好適に用いることができる。【００１３】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の圧電基板上に第１の電極ランドが設けられており、該第１の電極ランドに接合された導電性接合材を介して、前記第１の弾性波素子が前記実装基板に実装されており、前記第２の圧電基板上に第２の電極ランドが設けられており、該第２の電極ランドに接合された導電性接合材を介して、前記第２の弾性波素子が前記実装基板に実装されている。【００１４】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の圧電基板が第１の電極形成面を有し、前記第２の圧電基板が第２の電極形成面を有し、前記第１の弾性波素子が、前記第１の電極形成面上に設けられている第１のＩＤＴ電極と、前記第１の電極形成面上に設けられており、前記第１の電極形成面からの平面視において、前記第１のＩＤＴ電極を囲んでいる第１の支持部材と、前記第１の支持部材上に設けられている第１のカバー部材と、前記第１のカバー部材及び前記第１の支持部材を貫通している状態で設けられている第１のアンダーバンプメタル層とを有し、前記第１のＩＤＴ電極が、前記第１の圧電基板、前記第１の支持部材及び前記第１のカバー部材により封止されており、前記第１のアンダーバンプメタル層に導電性接合材が接合されており、前記第２の弾性波素子が、前記第２の電極形成面上に設けられている第２のＩＤＴ電極と、前記第２の電極形成面上に設けられており、前記第２の電極形成面からの平面視において、前記第２のＩＤＴ電極を囲んでいる第２の支持部材と、前記第２の支持部材上に設けられている第２のカバー部材と、前記第２のカバー部材及び前記第２の支持部材を貫通している状態で設けられている第２のアンダーバンプメタル層とを有し、前記第２のＩＤＴ電極が、前記第２の圧電基板、前記第２の支持部材及び前記第２のカバー部材により封止されており、前記第２のアンダーバンプメタル層に導電性接合材が接合されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、弾性波装置の信頼性を高めることができ、かつ低背化を果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図であり、図１（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の平面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【図４】図４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【図５】図５は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【図６】図６は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１８】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００２０】
図１（ｂ）に示されているように、弾性波装置１は、実装基板３を有する。実装基板３は、実装面３ａを有する。実装基板３は、適宜のセラミック材料や樹脂材料などからなる。
【００２１】
実装面３ａ上には、第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂが実装されている。なお、本実施形態では、弾性波装置１は、デュプレクサである。第１の弾性波素子２Ａは送信フィルタチップであり、第２の弾性波素子２Ｂは受信フィルタチップである。
【００２２】
第１の弾性波素子２Ａは、実装基板３と対向している第１の圧電基板４Ａを有する。第１の圧電基板４Ａは、実装基板３と対向している、一方主面としての第１の電極形成面４Ａａを有する。第１の圧電基板４Ａは、第１の電極形成面４Ａａと対向している他方主面も有する。第１の圧電基板４Ａは、ＬｉＮｂＯ３からなる。
【００２３】
第１の電極形成面４Ａａ上には、第１の機能電極としての、第１のＩＤＴ電極５Ａを含む複数のＩＤＴ電極が設けられている。第１のＩＤＴ電極５Ａを含む複数のＩＤＴ電極は、送信フィルタを構成している。第１の電極形成面４Ａａ上には、第１のＩＤＴ電極５Ａに電気的に接続されている第１の電極ランド６Ａも設けられている。
【００２４】
第１の電極ランド６Ａには、導電性接合材７が接合されている。導電性接合材７は、半田や導電ペーストなどからなる。第１の弾性波素子２Ａは、導電性接合材７を介して、実装基板３の実装面３ａ上に実装されている。より具体的には、実装面３ａには、端子電極３ｃが設けられている。導電性接合材７は、端子電極３ｃと第１の電極ランド６Ａとを接続している。第１のＩＤＴ電極５Ａは、第１の電極ランド６Ａ、導電性接合材７及び端子電極３ｃを介して、外部に電気的に接続されている。
【００２５】
第２の弾性波素子２Ｂは、実装基板３と対向している第２の圧電基板４Ｂを有する。第２の圧電基板４Ｂは、実装基板３と対向している、一方主面としての第２の電極形成面４Ｂａを有する。第２の圧電基板４Ｂは、第２の電極形成面４Ｂａと対向している他方主面も有する。第２の圧電基板４Ｂの厚みは、第１の圧電基板４Ａの厚みよりも薄い。第２の圧電基板４Ｂは、ＬｉＴａＯ３からなる。なお、第２の圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３からなっていてもよい。
【００２６】
第２の電極形成面４Ｂａ上には、第２の機能電極としての、第２のＩＤＴ電極５Ｂを含む複数のＩＤＴ電極が設けられている。第２のＩＤＴ電極５Ｂを含む複数のＩＤＴ電極は、受信フィルタを構成している。第２の電極形成面４Ｂａ上には、第２のＩＤＴ電極５Ｂに電気的に接続されている第２の電極ランド６Ｂも設けられている。
【００２７】
第２の弾性波素子２Ｂも、第１の弾性波素子２Ａと同様に、第２の電極ランド６Ｂに接合された導電性接合材７を介して、実装基板３の実装面３ａ上に実装されている。より具体的には、導電性接合材７は、第２の電極ランド６Ｂと端子電極３ｃとを接続している。第２のＩＤＴ電極５Ｂは、第２の電極ランド６Ｂ、導電性接合材７及び端子電極３ｃを介して、外部に電気的に接続されている。
【００２８】
なお、第１，第２のＩＤＴ電極５Ａ，５Ｂ及び第１，第２の電極ランド６Ａ，６Ｂは、適宜の金属からなる。
【００２９】
第１，第２のＩＤＴ電極５Ａ，５Ｂは、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより設けることができる。第１，第２の電極ランド６Ａ，６Ｂも、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより設けることができる。
【００３０】
実装面３ａ上には、封止部材８が設けられている。封止部材８は、第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂを封止している。封止部材８は、実装基板３側に位置する第１の面８ａを有する。封止部材８は、第１の面８ａと対向している第２の面８ｂも有する。封止部材８は、エポキシ系などの樹脂を主成分とする。
【００３１】
ここで、第１の圧電基板４Ａの上記他方主面は、第１の弾性波素子２Ａにおいて第２の面８ｂ側に位置している。第２の圧電基板４Ｂの上記他方主面も、第２の弾性波素子２Ｂにおいて第２の面８ｂ側に位置している。すなわち、第１の圧電基板４Ａは、第１の弾性波素子２Ａの構成要素において、最も第２の面８ｂ側に位置している。第２の圧電基板４Ｂも、第２の弾性波素子２Ｂの構成要素において、最も第２の面８ｂ側に位置している。
【００３２】
第２の面８ｂからの平面視において、第２の圧電基板４Ｂの面積は、第１の圧電基板４Ａの面積よりも大きい。
【００３３】
ここで、図１（ｂ）に示す封止部材８の第２の面８ｂ側を上方とし、第１の面８ａ側を下方とする。このとき、封止部材８は、第１の圧電基板４Ａの上方に位置する第１の部分８Ａを有する。封止部材８は、第２の圧電基板４Ｂの上方に位置する第２の部分８Ｂも有する。
【００３４】
図１（ａ）に示されているように、第２の面８ｂには、所定の深さの溝で構成される刻印Ｚ１が形成されている。刻印Ｚ１の溝の深さは、２０μｍ以上、４０μｍ以下程度であることが望ましい。なお、刻印Ｚ１のパターンは特に限定されない。刻印Ｚ１は、例えば、レーザー光の照射などにより封止部材８の一部が除去されることにより形成されている。刻印Ｚ１の溝は、一定の照射強度のレーザー光の照射によって設けられており、深さが均質であり、かつ幅が均質な溝であることが望ましい。本実施形態では、溝の幅：２０±３μｍ、溝の深さ：４０±３μｍとし、溝の幅の寸法より深さ寸法が大きくなるように刻印Ｚ１を形成することで、認識性の向上を図っている。
【００３５】
本実施形態の特徴は、以下の構成にある。１）第２の圧電基板４Ｂの厚みよりも第１の圧電基板４Ａの厚みの方が厚いこと。２）封止部材８の第２の部分８Ｂの厚みよりも、封止部材８の第１の部分８Ａの厚みの方が薄いこと。３）第２の面８ｂからの平面視において、第１の圧電基板４Ａと刻印Ｚ１とが重なっていないこと。それによって、封止部材８に刻印Ｚ１が形成された弾性波装置１の信頼性を高めることができ、かつ低背化することができる。これを、以下において説明する。
【００３６】
本実施形態では、ＬｉＴａＯ３からなる第２の圧電基板４Ｂの厚みよりもＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板４Ａの厚みの方が厚い。そのため、第１の圧電基板４Ａの強度が高くされている。よって、弾性波装置１の信頼性を高めることができる。
【００３７】
第１の圧電基板４Ａの上方には刻印Ｚ１は形成されていないため、封止部材８の第１の部分８Ａの厚みをより薄くすることができる。よって、弾性波装置１の低背化が果たされている。
【００３８】
例えば、弾性波装置１においては、封止部材８の第１の部分８Ａの厚みは、刻印Ｚ１が形成できない程度まで薄くてもよい。この場合には、より一層低背化を進めることができる。
【００３９】
刻印Ｚ１は、厚みが厚い第２の部分８Ｂに形成される。よって、弾性波装置１の製造工程において、刻印Ｚ１を確実に形成することができる。加えて、第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂを確実に封止することができる。よって、信頼性を充分に高めることができる。
【００４０】
封止部材８の第１，第２の部分８Ａ，８Ｂは第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂ上に設けられている部分である。よって、第１，第２の部分８Ａ，８Ｂにおいては、第２の面８ｂは平坦である。本実施形態では、刻印Ｚ１は、封止部材８の第２の面８ｂからの平面視において、封止部材８の、第２の圧電基板４Ｂと重なる部分のみに形成されている。よって、刻印Ｚ１を形成する部分における、封止部材８の厚みや傾斜などのばらつきが小さい。従って、弾性波装置１の製造工程において、刻印Ｚ１を容易にかつ確実に形成することができる。
【００４１】
なお、図２に示す変形例の弾性波装置５１のように、封止部材８の第２の面８ｂからの平面視において、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂが位置しない部分の上方の領域のみに刻印Ｚ２が設けられていてもよい。もっとも、刻印は、第１，第２の圧電基板が位置しない部分の上方の領域だけでなく、第２の圧電基板が位置する部分の上方にも形成されていることが好ましい。それによって、弾性波装置に圧力が加わったときなどに、弾性波装置が破損し難い。
【００４２】
より好ましくは、上記平面視において、第１，第２の圧電基板が位置しない部分と刻印とが重なっている部分の面積よりも、第２の圧電基板と刻印とが重なっている部分の面積の方が大きいことが望ましい。それによって、刻印を容易に形成することができる。さらに、弾性波装置がより一層破損し難い。
【００４３】
さらに好ましくは、図１に示す第１の実施形態のように、第２の面８ｂからの平面視において、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂが位置しない部分と刻印とが重なっていないことが望ましい。
【００４４】
上述したように、第２の圧電基板はＬｉＮｂＯ３からなっていてもよい。もっとも、本実施形態のように、第２の圧電基板４Ｂは、ＬｉＮｂＯ３よりも強度が高いＬｉＴａＯ３からなることが好ましい。それによって、第２の圧電基板４Ｂの厚みを薄くしても、第２の圧電基板４Ｂの割れが生じ難い。よって、封止部材８の第２の部分８Ｂの厚みをより一層厚くすることができる。従って、封止部材８に刻印Ｚ１が形成されていても、第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂをより一層確実に封止することができる。
【００４５】
本実施形態では、第２の圧電基板４Ｂの面積は、第１の圧電基板４Ａの面積よりも大きい。よって、封止部材８の厚みが厚い部分の面積が大きい。従って、刻印Ｚ１を形成する位置の自由度を高めることができ、かつ第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂを充分に封止することができる。なお、本明細書において、面積とは、第２の面８ｂからの平面視における平面面積である。
【００４６】
図３は、第２の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【００４７】
弾性波装置１１は、封止部材８の第２の面８ｂからの平面視において、封止部材８の、第２の圧電基板４Ｂと重なっていない部分にも刻印Ｚ３が形成されている点で、第１の実施形態とは異なる。上記以外の点においては、弾性波装置１１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００４８】
より具体的には、本実施形態では、第２の面８ｂからの平面視において、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂと刻印Ｚ３とが重なっている。第２の圧電基板４Ｂと刻印Ｚ３とが重なっている部分の面積よりも、第１の圧電基板４Ａと刻印Ｚ３とが重なっている部分の面積の方が小さい。よって、第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂを充分に封止することができる。
【００４９】
好ましくは、封止部材８の第１の部分８Ａの厚みは、２０μｍ以上であることが望ましい。それによって、刻印を確実に形成することができる。なお、弾性波装置１１の低背化を果たすため、第１の部分８Ａの厚みは、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
図３に示されているように、第２の面８ｂからの平面視において、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂが位置しない部分とも、刻印Ｚ３は重なっていてもよい。
【００５１】
本実施形態のように、実装基板３の実装面３ａを平面視して、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂの合計の面積が、実装基板３の実装面３ａの全面積の５８％以上であることが好ましい。この場合には、本発明を好適に用いることができる。
【００５２】
図４は、第３の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【００５３】
弾性波装置２１は、複数の第２の弾性波素子２Ｂを有する点及び第１の圧電基板２４Ａの面積が、第２の圧電基板４Ｂの面積より大きい点で、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置２１は、第２の実施形態の弾性波装置１１と同様の構成を有する。
【００５４】
実装基板３の実装面は、第１の辺３ａ１と、第１の辺３ａ１に接続されている第２の辺３ａ２とを有する。２個の第２の弾性波素子２Ｂは、第１の辺３ａ１が延びる方向に沿い、隣り合って配置されている。それによって、刻印Ｚ３の形状の自由度を高めることができ、かつ第１，第２の弾性波素子２２Ａ，２Ｂを充分に封止することができる。
【００５５】
第１の圧電基板２４Ａの面積は、第２の圧電基板４Ｂの面積より大きくてもよい。なお、本実施形態では、第１，第２の圧電基板２４Ａ，４Ｂの合計の面積の内、第１の圧電基板２４Ａの面積が占める割合よりも第２の圧電基板４Ｂの面積が占める割合の方が大きい。それによって、刻印Ｚ３を形成する位置の自由度も高めることができる。
【００５６】
図５は、第４の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【００５７】
弾性波装置３１は、複数の第１の弾性波素子２Ａ及び複数の第２の弾性波素子２Ｂを有する点で、第２の実施形態と異なる。上記以外の点においては、弾性波装置３１は、第２の実施形態の弾性波装置１１と同様の構成を有する。
【００５８】
より具体的には、本実施形態では、２個の第１の弾性波素子２Ａ及び２個の第２の弾性波素子２Ｂを有する。なお、第１，第２の弾性波素子の個数は特に限定されない。本実施形態においても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
２個の第２の弾性波素子２Ｂは、第２の辺３ａ２が延びる方向に沿い、隣り合って配置されている。よって、本実施形態でも、第３の実施形態と同様に、刻印Ｚ４の形状の自由度を高めることができ、かつ第１，第２の弾性波素子２Ａ，２Ｂを充分に封止することができる。このように、少なくとも２個の第２の弾性波素子が隣り合って配置されていればよく、隣り合う方向は特に限定されない。
【００６０】
図６は、第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【００６１】
弾性波装置４１は、第１，第２の弾性波素子４２Ａ，４２ＢがＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する点で、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置４１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００６２】
より具体的には、第１の弾性波素子４２Ａは、第１の圧電基板４Ａの第１の電極形成面４Ａａ上に設けられている第１の支持部材４８Ａを有する。第１の電極形成面４Ａａからの平面視において、第１の支持部材４８Ａは、第１のＩＤＴ電極５Ａを囲んでいる。第１の支持部材４８Ａは、適宜の樹脂からなる。第１の支持部材４８Ａは、例えば、フォトリソグラフィ法などにより設けることができる。
【００６３】
第１の支持部材４８Ａ上には、第１のカバー部材４９Ａが設けられている。第１の圧電基板４Ａ、第１の支持部材４８Ａ及び第１のカバー部材４９Ａは、第１のＩＤＴ電極５Ａを封止している。
【００６４】
第１のカバー部材４９Ａ及び第１の支持部材４８Ａを貫通するように、第１のアンダーバンプメタル層４６Ａが設けられている。第１のアンダーバンプメタル層４６Ａは、第１のＩＤＴ電極５Ａに電気的に接続されている。第１のアンダーバンプメタル層４６Ａには、導電性接合材７が接合されている。本実施形態では、導電性接合材７は、半田などからなる。導電性接合材７を介して、第１の弾性波素子４２Ａが実装基板３に実装されている。より具体的には、導電性接合材７は、第１のアンダーバンプメタル層４６Ａと実装基板３上の端子電極３ｃとを接続している。第１のＩＤＴ電極５Ａは、第１のアンダーバンプメタル層４６Ａ、導電性接合材７及び端子電極３ｃを介して、外部に電気的に接続されている。
【００６５】
第２の弾性波素子４２Ｂも、第１の弾性波素子４２Ａと同様の構成を有する。より具体的には、第２の弾性波素子４２Ｂは、第２の圧電基板４Ｂの第２の電極形成面４Ｂａ上に設けられている第２の支持部材４８Ｂを有する。第２の電極形成面４Ｂａからの平面視において、第２の支持部材４８Ｂは、第２のＩＤＴ電極５Ｂを囲んでいる。
【００６６】
第２の支持部材４８Ｂ上には、第２のカバー部材４９Ｂが設けられている。第２の圧電基板４Ｂ、第２の支持部材４８Ｂ及び第２のカバー部材４９Ｂは、第２のＩＤＴ電極５Ｂを封止している。
【００６７】
第２のカバー部材４９Ｂ及び第２の支持部材４８Ｂを貫通するように、第２のアンダーバンプメタル層４６Ｂが設けられている。第２のアンダーバンプメタル層４６Ｂは、第２のＩＤＴ電極５Ｂに電気的に接続されている。第２のアンダーバンプメタル層４６Ｂには、導電性接合材７が接合されている。導電性接合材７を介して、第２の弾性波素子４２Ｂが実装基板３に実装されている。より具体的には、導電性接合材７は、第２のアンダーバンプメタル層４６Ｂと実装基板３上の端子電極３ｃとを接続している。第２のＩＤＴ電極５Ｂは、第２のアンダーバンプメタル層４６Ｂ及び導電性接合材７を介して、外部に電気的に接続されている。
【００６８】
この場合においても、第１の実施形態と同様に、弾性波装置４１の信頼性を高めることができ、かつ低背化することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１…弾性波装置
２Ａ，２Ｂ…第１，第２の弾性波素子
３…実装基板
３ａ…実装面
３ａ１，３ａ２…第１，第２の辺
３ｃ…端子電極
４Ａ，４Ｂ…第１，第２の圧電基板
４Ａａ，４Ｂａ…第１，第２の電極形成面
５Ａ，５Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
６Ａ，６Ｂ…第１，第２の電極ランド
７…導電性接合材
８…封止部材
８Ａ，８Ｂ…第１，第２の部分
８ａ，８ｂ…第１，第２の面
１１…弾性波装置
２１…弾性波装置
２２Ａ…第１の弾性波素子
２４Ａ…第１の圧電基板
３１…弾性波装置
４１…弾性波装置
４２Ａ，４２Ｂ…第１，第２の弾性波素子
４６Ａ，４６Ｂ…第１，第２のアンダーバンプメタル層
４８Ａ，４８Ｂ…第１，第２の支持部材
４９Ａ，４９Ｂ…第１，第２のカバー部材
５１…弾性波装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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