(57)【要約】  本発明の課題は、誘電率異方性（Δε）、粘度（η）、ネマチック相−等方性液体の転移温度（ＴＮＩ）、低温でのネマチック相安定性、回転粘度（γ１）等の液晶表示素子としての諸特性に優れ、光配向膜を備えた水平配向方式の液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能なｐ型液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。  一般式（Ｐ）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上及び一般式（ｉｖ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することで、当該液晶組成物の高速応答性を維持しつつ、低温安定性に優れた液晶表示素子を提供する。
2017033700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向に配置された第一の基板および第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板の間に挟持された液晶組成物を含有する液晶層と、
前記第一の基板上に設けられる第一の電極と、
前記第一の電極と同じ基板上に設けられ、前記第一の電極との間に電界を生じさせる第二の電極と、
前記第一の基板上に設けられる液晶層を配向させる配向膜と、
前記第一基板と前記第二基板との間に前記配向膜とは異なる、重合性物質の重合物と、
を有し、
前記重合性物質が一般式（Ｐ）
【化１】
2017033700.tif 000109
（式中、ＲP１は式（Ｐ−１）から式（Ｐ−２０）
【化２】
2017033700.tif 000110
のいずれかを表し、
ＳｐＰ１は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯ−Ｏ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基を表し、
ＸＰ１は−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表し、
ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基又はフェナントレン−２，７−ジイル基、（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子又はＲＰ２−ＳｐＰ２−ＸＰ２−（式中、ＲＰ２はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ２はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ２はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）で置換されていても良く、ＡＰ２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＺＰ１及びＺＰ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、ＺＰ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＹＰ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１から１２のアルキル基又は−ＸＰ３−ＳｐＰ３−ＲＰ３（式中、ＲＰ３はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ３はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ３はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有し、前記液晶組成物が一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上及び一般式（ｉｖ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する液晶表示素子。
【化３】
2017033700.tif 000111
（式中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉｉ１及びＲｉｖ１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ｘｉｉｉ１〜Ｘｉｉｉ４、Ｘｉｖ１〜Ｘｉｖ９及びＸｖ１〜Ｘｖ９はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙｉｖ１及びＹｖ１はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表す。）
【請求項２】
ＩＰＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
ＦＦＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
液晶組成物中に更に一般式（Ｊ）で表される化合物
【化４】
2017033700.tif 000112
（式中、ＲＪ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＪ１は、０、１、２、３又は４を表し、
ＡＪ１、ＡＪ２及びＡＪ３はそれぞれ独立して、
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
ＺＪ１及びＺＪ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＪ１が２、３又は４であってＡＪ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＪ１が２、３又は４であってＺＪ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
ＸＪ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、一般式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
液晶組成物中に更に一般式（Ｌ）で表される化合物
【化５】
2017033700.tif 000113
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示材料として有用な誘電率異方性（Δε）が正の値を示すネマチック液晶組成物を用いた液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在スマートフォン用の液晶ディスプレイとしては、高品位であり、視覚特性に優れる横配向方式、例えばＩＰＳ（Ｉｎ-Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや当該ＩＰＳの液晶表示素子の一種であるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｍｏｄｅ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＦＳモード液晶表示装置）が広く用いられている（特許文献１、特許文献２参照）。ＦＦＳモードは、ＩＰＳモードの低い開口率及び透過率を改善するため導入された方式である。現在、横配向方式の液晶表示装置に用いられている液晶組成物としては、低電圧化がし易いことから誘電率異方性が正のｐ型液晶組成物を用いた材料が広く用いられている。また、ＦＦＳモードの用途の大部分が携帯端末であるため、さらなる省電力化の要求は強く液晶素子メーカはＩＧＺＯを用いたアレイの採用等盛んな開発が続いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２０２３５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２３３０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１及び２に記載するように、ＩＰＳモードやＦＦＳモードなどの横配向方式の電極は、片側の基板表面に形成された複数の短冊状の電極が平行に配列し、前記基板表面の全面に配向膜が被覆した構造となっているものの、液晶表示素子において液晶組成物が接触する当該片側の基板表面には無数の凹凸が存在する構造となっている。この構造上の特長により、液晶組成物の配向の乱れが生じやすくなり、また液晶組成物を基板上に塗布する際に滴下ムラが生じるなどの問題が生じていた。【０００５】
このように、ＴＦＴ素子等で駆動するアクティブマトリックス駆動液晶表示素子に使用される液晶組成物おいては、高速応答性能等の液晶表示素子として求められている特性や性能を維持しつつ、従来から重視されてきた高い比抵抗値あるいは高い電圧保持率を有することや光や熱等の外部刺激に対して安定であるという特性に加えて、液晶表示素子の製造方法を考慮した開発が求められてきている。【０００６】
そこで本発明の課題は、上記問題点を解決し、誘電率異方性（Δε）、粘度（η）、ネマチック相−等方性液体の転移温度（ＴＮＩ）、低温でのネマチック相安定性、回転粘度（γ１）等の液晶表示素子としての諸特性に優れ、光配向膜を備えた水平配向方式の液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能なｐ型液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。【０００７】
本発明の他の課題は、配向規制力が向上した配向膜を備えた水平配向方式の液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能なｐ型液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し、水平配向方式の液晶表示素子の構成およびそれに最適な種々の液晶組成物や配向膜の構成を検討した結果、本願発明の完成に至った。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る液晶表示素子は、コントラスト、比抵抗及び電圧保持率が熱や光によって受ける変化が極めて小さいため、製品の実用性が高く、高速応答を達成できる。【００１０】
本発明に係る液晶組成物は用いた液晶表示素子の製造工程では、安定的に性能を発揮できるため、工程起因の表示不良が抑制されて歩留まり高く製造できるので、非常に有用である。【００１１】
本発明に係る液晶表示素子は、低温安定性および高速応答性に優れた液晶組成物を使用することができる。【００１２】
本発明は、液晶分子の配向規制力が向上した光配向膜を備えた液晶表示素子を提供することができる。【００１３】
本発明に係る液晶表示素子は、重合性モノマーを含む液晶組成物を使用するため配向規制力に優れた高コントラスを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の液晶表示素子の構成の一例を模式的に示す図である。
【図２】図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。
【図３】図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。
【図４】図２の変形例であり、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。
【図５】図４におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。
【図６】本発明の液晶表示素子における電極構造を模式的に示す平面図である。
【図７】図６の破線部ＶＩＩの領域における液晶層の重合前後の状態を模式的に示す平面図である。
【図８】図６の破線部ＶＩＩの領域において、本発明の液晶表示素子に使用する好適な液晶層の駆動状態を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本願発明は、対向に配置された第一の基板および第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板の間に挟持された液晶組成物を含有する液晶層と、
前記第一の基板上に設けられる第一の電極と、
前記第一の電極と同じ基板上に設けられ、前記第一の電極との間に電界を生じさせる第二の電極と、
前記第一の基板上に設けられる液晶層を配向させる配向膜と、
前記第一基板と前記第二基板との間に前記配向膜とは異なる、重合性物質の重合物と、
を有し、
前記重合性物質が一般式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、
前記液晶組成物が一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上及び一般式（ｉｖ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する液晶表示素子に関するものである。
【００１６】
【化１】
2017033700.tif 000003
【００１７】
（式中、ＲP１は式（Ｐ−１）から式（Ｐ−２０）
【００１８】
【化２】
2017033700.tif 000004
【００１９】
のいずれかを表し、
ＳｐＰ１は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯ−Ｏ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基を表し、
ＸＰ１は−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表し、
ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基又はフェナントレン−２，７−ジイル基、（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子又はＲＰ２−ＳｐＰ２−ＸＰ２−（式中、ＲＰ２はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ２はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ２はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）で置換されていても良く、ＡＰ２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＺＰ１及びＺＰ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、ＺＰ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＹＰ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１から１２のアルキル基又は−ＸＰ３−ＳｐＰ３−ＲＰ３（式中、ＲＰ３はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ３はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ３はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）
【００２０】
【化３】
2017033700.tif 000005
【００２１】
（式中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉｉ１及びＲｉｖ１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ｘｉｉｉ１〜Ｘｉｉｉ４、Ｘｉｖ１〜Ｘｉｖ９及びＸｖ１〜Ｘｖ９はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙｉｖ１及びＹｖ１はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表す。）
本発明に係る液晶表示素子の構造および当該液晶表示素子の構成要素である、基板および電極層について図１〜８を用いて説明する。次いで、液晶表示素子の構成要素である液晶層及び重合物について詳説する。
【００２２】
以下、図面に基づいて、本発明に係る液晶表示素子の一実施形態を説明する。
【００２３】
図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。本発明に係る液晶表示素子１０の構成は、図１に記載するように、対向に配置された第一の（透明絶縁）基板２と、第二の（透明絶縁）基板７との間に挟持された液晶組成物（または液晶層５）を有する水平配向モードの液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。第一の（透明絶縁）基板２は、液晶層５側の面に電極層３が形成されている。また、液晶層５と、第一の（透明絶縁）基板２及び第二の（透明絶縁）基板７のそれぞれの間に、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の光配向膜４を有し、該液晶組成物中の液晶分子は、電圧無印加時に前記基板２，７に対して略平行になるように配向されている。図１および図３に示すように、前記第二の基板７および前記第一の基板２は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第二の基板７と配向膜４との間にカラーフィルタ６が設けられている。なお、本発明に係る液晶表示素子の形態としては、いわゆるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）であってもよく、薄膜トランジスタを含む電極層と液晶層との間にカラーフィルタを設けても、または当該薄膜トランジスタを含む電極層と第二の基板との間にカラーフィルタを設けてもよい。
【００２４】
また、図１〜８では説明上、本発明の液晶表示素子の好適な実施形態として、液晶層５と第一の基板２との間および液晶層５と前記第二の基板７との間にそれぞれの第一の基板および第二の基板上に光配向膜４が形成された例を記載しているが、本発明の液晶表示素子は、第一の基板２または第二の基板７上の少なくとも一方に光配向膜４が形成されていることが好ましい。
【００２５】
例えば、液晶層５と第一の基板２との間に光配向膜４が前記第一の基板２上に液晶層５と当接するように形成されている場合、他方の液晶層５と第二の基板７との間には、配向膜を設けない、光配向膜またはラビング配向膜を形成することが好ましく、光配向膜を形成することがより好ましい。
【００２６】
すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、（第一の）配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、（第二の）配向膜４と、カラーフィルタ６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成であることが好ましい。
【００２７】
第一の基板２と第二の基板７はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。２枚の基板２、７は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィ法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。本発明に係る基板は、透明導電性材料を含むことが好ましい。
【００２８】
図２は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。また、図２および図３は、本発明に係る水平配向方式の液晶表示素子の一例として、ＦＦＳモードの例を記載している。一方、後述する図４および図５は、本発明に係る水平配向方式の液晶表示素子の一例として、ＩＰＳモードの例を記載している。図２に示すように、第一の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン２６と表示信号を供給するための複数のデータバスライン２５とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン２６及び一対のデータバスライン２５のみが示されている。
【００２９】
複数のゲートバスライン２６と複数のデータバスライン２５とにより囲まれた領域により、液晶表示装置の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極２１及び共通電極２２が形成されている。ゲートバスライン２６とデータバスライン２５が互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタは、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、画素電極２１と連結している。また、ゲートバスライン２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。
【００３０】
薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、前記半導体層１３の表面の一部を覆うように設けられた保護層１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護層１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。
【００３１】
前記半導体層１３には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。
【００３２】
さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にそれぞれオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。
【００３３】
ゲートバスライン２６やデータバスライン２５、共通ライン２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金がより好ましく、Ａｌ又はその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。
【００３４】
図２及び図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上のほぼ全面に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第一の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。
【００３５】
また、画素電極２１と共通電極２２とは、これらの電極間にフリンジ電界を形成するために、画素電極２１と共通電極２２との間の電極間距離（最小離間距離とも称する）：Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成される。ここで、電極間距離：Ｒは電極間の基板に水平方向の距離を表す。図３では、平板状の共通電極２２と櫛形の画素電極２１とが重なり合っているため、電極間距離：Ｒ＝０となる例が示されており、前記最小離間距離：Ｒが第一の基板２と第二の基板７との距離（すなわち、セルギャップ）Ｇよりも小さくなるため、フリンジの電界Ｅが形成される。したがって、ＦＦＳ型の液晶表示素子は、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。画素電極２１の櫛状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。
【００３６】
本発明に係る液晶表示素子は、フリンジ電界を利用するＦＦＳ方式の液晶表示素子であることが好ましく、共通電極２２と当該共通電極２２に隣接する画素電極２１との電極間距離Ｒ（共通電極２２と当該共通電極２２に隣接する画素電極２１との離間距離の基板に対して水平方向の成分）が、配向層４同士（基板間距離）の最短離間距離Ｇより短いことが好ましい。本発明の好ましい形態のようなＦＦＳ方式の液晶表示素子の場合、長軸方向が、配向層の配向方向と平行になるように配置している液晶分子に電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子の長軸が形成された電界に沿って配列する。特に、本発明に係る液晶組成物は正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いるため、液晶分子の長軸方向が、発生した電界方向に沿って配列する。
【００３７】
本発明に係る液晶表示素子において、共通電極および画素電極は同一基板上に形成されていることが好ましい。例えば、図１〜３に示すように共通電極および画素電極が第一の基板上に形成されていることが好ましい。
【００３８】
カラーフィルタ６は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。
【００３９】
電極層３、及び、カラーフィルタ６上には、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の光配向膜４が設けられている。
【００４０】
配向膜を光配向膜にすることにより、ラビングムラによる液晶分子に対する配向規制力の低下やラビングの際に生じる粉塵などの課題を軽減でき、かつ優れた透過率特性のＦＦＳ方式の液晶表示素子を提供することができる。
【００４１】
また、偏光板１及び偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、偏光板１及び偏光板８のうちいずれかは、液晶分子の配向方向と平行な透過軸を有するように配置することが好ましい。また、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。
【００４２】
さらに、本発明に係る液晶表示素子の一態様は、共通電極が第一の基板のほぼ全面に形成され、かつ画素電極より第一の基板側に配置されていることが好ましい。すなわち、本発明に係る液晶表示素子の好適な実施形態は、対向に配置された第一の基板および第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に充填された液晶組成物を含有する液晶層と、前記第一の基板上に、透明導電性材料を含む共通電極、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスライン、前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタおよび透明導電性材料を含み、かつ前記薄膜トランジスタにより駆動され前記共通電極との間でフリンジ電界を形成する画素電極と、を画素毎に有する電極層と、前記液晶層と前記第一の基板および前記第二の基板との間にそれぞれ形成されたホモジニアス配向を誘起する光配向膜層と、を有し、前記画素電極と共通電極との間の電極間距離の水平成分Ｒが、前記第一の基板と第二の基板との距離Ｇより小さく、前記共通電極が前記第一の基板のほぼ全面に形成され、かつ画素電極より第一の基板側に配置されている。なお、本発明の一形態である図２〜３では、共通電極が第一の基板のほぼ全面に形成され、かつ画素電極より第一の基板側に配置されている形態を示している。
【００４３】
図２〜図３を用いて説明したＦＦＳ型の液晶表示素子は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。
【００４４】
本発明に係る液晶表示素子の他の実施形態を図４および図５を用いて以下説明する。図４および図５に示す液晶表示素子はＩＰＳ型の液晶表示素子である。例えば、図４は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図の他の実施形態である。図４に示すように、画素電極２１がスリットを有する構成としてもよい。また、スリットのパターンを、ゲートバスライン２６又はデータバスライン２５に対して傾斜角を持つようにして形成してもよい。
【００４５】
当該図４に示す画素電極２１は、略長方形の平板体の電極を略矩形枠状の切欠き部でくり抜かれた形状である。また、当該画素電極２１の背面には絶縁層１８（図示せず）を介して櫛歯状の共通電極２２が一面に形成されている。そして、隣接する共通電極と画素電極との（最短）離間距離Ｒは配向層（または基板）同士の最短離間距離Ｇより長い。また、前記画素電極の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていることが好ましい。なお、前記複数のゲートバスライン２５と複数のデータバスライン２６とに囲まれた領域にはデータ配線２４を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ（図示せず）を設けてもよい。なお、切欠き部の形状は特に制限されるものではなく、図４で示す略矩形だけでなく、楕円、円形、長方形状、菱形、三角形、または平行四辺形など公知の形状の切欠き部を使用できる。図４のような切欠き部の配置であれば、線対称に切欠き部の方向が設けられているためマルチドメイン化された配向制御を行うことができる。
【００４６】
図５は、図３とは別の実施形態の液晶表示素子の断面図であり、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向と同一の位置で図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。配向層４および薄膜トランジスタを含む電極層３が表面に形成された第一の基板２と、配向層４が表面に形成された第二の基板８とが所定の間隔Ｇで配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。第一の基板２の表面の一部にゲート絶縁膜１２、共通電極２２、絶縁膜１８、画素電極２１および配向層４の順で積層されている。
【００４７】
また、図５に示す例では、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との電極間距離Ｒが０でない条件である。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁膜１２上に形成されている例が示されていたが、図５に示されるように、共通電極２２を第一の基板２上に形成して、ゲート絶縁膜１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。また、本発明に係る液晶表示素子好ましい一形態は、電極間距離：Ｒが、基板同士の最短離間距離Ｇより長いことが好ましい（すなわち、Ｇ＜α）。図５では、画素電極２１が共通電極２２より液晶層側に設けているが、画素電極２１と共通電極２２とを同一の厚み方向の高さに設けてもよく、または共通電極２２が画素電極２１より液晶層側に設ける構造であってもよい。画素電極２１と共通電極２２とを同一の厚み方向の高さに設けた実施形態としては図６の（Ａ）のように、画素電極２１と共通電極２２とを同一基板上に遊嵌して設ける構造が挙げられる。本明細書では、画素電極２１と共通電極２２との電極間距離の水平成分Ｒが基板間距離Ｇよりも長いと、ＩＰＳ方式の液晶表示素子とし、前記Ｒが前記Ｇよりも短いとＦＦＳ方式の液晶表示素子と称ししている。
【００４８】
例えば、図１、４および５に示すように共通電極および画素電極が第一の基板上に形成されていることが好ましい。共通電極および画素電極が同一基板上に形成されていると、両者の電極間に基板に対して略平行な電界が生じる。
【００４９】
本発明に係る液晶表示素子は、基板に対して水平電界を利用するＩＰＳ方式の液晶表示組成であることが好ましく、共通電極２２と前記共通電極２２に隣接する画素電極２１との離間距離の基板に対して水平成分Ｒが、基板同士（基板間距離）の最短離間距離Ｄより長いと、共通電極と画素電極との間に水平電界が形成され、電圧の有無により液晶分子を面内方向にスイッチングできる。本発明の好ましい形態のようなＩＰＳ方式の液晶表示素子の場合、長軸方向が、配向層の配向方向と平行になるように配置している液晶分子に電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に基板に対して水平電界の等電位線が形成され、液晶層５内の液晶分子の長軸が形成された電界に沿って配列する。特に、本発明に係る液晶組成物は正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いるため、液晶分子の長軸方向が、発生した電界方向に沿って配列する。
【００５０】
本発明に係るＩＰＳモードの液晶表示素子は、特定の液晶組成物と特定の光配向膜とを用いているため、高速応答と表示不良の抑制を両立させることができる。
【００５１】
また、ＩＰＳモードやＦＦＳモード等の水平配向方式の液晶表示素子は、第一の基板２と第二の基板７との間に液晶層５を注入する際、例えば、真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）法等の方法が行われるが、本願発明においては、ＯＤＦ法において、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。
【００５２】
滴下痕の発生は、注入される液晶材料に大きな影響を受けるものであるが、さらに、表示素子の構成によってもその影響は避けられない。水平配向方式の液晶表示素子においては、表示素子中に形成される薄膜トランジスタ、及び、櫛形やスリットを有する画素電極２１等は、薄い配向膜４、あるいは薄い配向膜４と薄い絶縁保護層１８等しか液晶組成物を隔てる部材が無いことから、イオン性物質を遮断しきれない可能性が高く、電極を構成する金属材料と液晶組成物の相互作用による滴下痕の発生を避けることができなかったが、水平配向方式の液晶表示素子において本願発明の液晶組成物および光配向膜を組み合わせて用いることにより、効果的に滴下痕の発生が抑えられる。
【００５３】
また、ＯＤＦ法による液晶表示素子の製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要があるが、本願発明の液晶組成物は、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能であるため、液晶表示素子の歩留まりを高く保持することもできる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しいが、本願発明の液晶組成物を用いることにより、小型液晶表示素子においても安定した液晶材料の吐出量を実現できる。  本発明に係る液晶表示素子の他の構成要素について以下詳説する。
【００５４】
（液晶層）
本願液晶組成物は、一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上及び一般式（ｉｖ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する。
【００５５】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【００５６】
一般式（ｉｉ）で表される化合物は、式（ｉｉ．１）から式（ｉｉ．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉｉ．２）又は式（ｉｉ．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（ｉｉ．３）で表される化合物であることが好ましい。
【００５７】
【化４】
2017033700.tif 000006
【００５８】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｉ．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【００５９】
一般式（ｉｉｉ）は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。
【００６０】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【００６１】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。
【００６２】
さらに、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、具体的には式（ｉｉｉ．１）から式（ｉｉｉ．４）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉｉｉ．１）又は式（ｉｉｉ．２）で表される化合物が好ましく、式（ｉｉｉ．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（ｉｉｉ．１）又は式（ｉｉｉ．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。
【００６３】
【化５】
2017033700.tif 000007
【００６４】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【００６５】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【００６６】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｉｉ．１）及び式（ｉｉｉ．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【００６７】
本発明の組成物に使用される一般式（ｉｖ）は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。
【００６８】
一般式（ｉｖ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。
【００６９】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｖ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【００７０】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（ｉｖ）で表される化合物は、具体的には式（ｉｖ．１）から式（ｉｖ．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉｖ．１）及び／又は式（ｉｖ．２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【００７１】
【化６】
2017033700.tif 000008
【００７２】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｖ．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【００７３】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｖ．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【００７４】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｖ．１）及び式（ｉｖ．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【００７５】
本発明の組成物は、一般式（Ｊ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。
【００７６】
【化７】
2017033700.tif 000009
【００７７】
（式中、ＲＪ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＪ１は、０、１、２、３又は４を表し、
ＡＪ１、ＡＪ２及びＡＪ３はそれぞれ独立して、
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
ＺＪ１及びＺＪ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＪ１が２、３又は４であってＡＪ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＪ１が２、３又は４であってＺＪ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
ＸＪ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、一般式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｊ）中、ＲＪ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。
【００７８】
信頼性を重視する場合にはＲＪ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。
【００７９】
また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【００８０】
アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
【００８１】
【化８】
2017033700.tif 000010
【００８２】
ＡＪ１、ＡＪ２及びＡＪ３はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、それらはフッ素原子により置換されていてもよく、下記の構造を表すことがより好ましく、
【００８３】
【化９】
2017033700.tif 000011
【００８４】
下記の構造を表すことがより好ましい。
【００８５】
【化１０】
2017033700.tif 000012
【００８６】
ＺＪ１及びＺＪ２はそれぞれ独立して−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−又は単結合が更に好ましく、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。
【００８７】
ＸＪ１はフッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が好ましい。
【００８８】
ｎＪ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。
【００８９】
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。
【００９０】
本発明の組成物において、一般式（Ｊ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【００９１】
本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｊ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。
【００９２】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。
【００９３】
信頼性を重視する場合にはＲＪ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。
【００９４】
一般式（Ｊ）で表される化合物としては一般式（Ｍ）で表される化合物が好ましい。
【００９５】
本発明の組成物は、一般式（Ｍ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。
【００９６】
【化１１】
2017033700.tif 000013
【００９７】
（式中、ＲＭ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＭ１は、０、１、２、３又は４を表し、
ＡＭ１及びＡＭ２はそれぞれ独立して、
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）上の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＭ１及びＺＭ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＭ１が２、３又は４であってＡＭ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＭ１が２、３又は４であってＺＭ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
ＸＭ１及びＸＭ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
ＸＭ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、一般式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｍ）中、ＲＭ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。
【００９８】
信頼性を重視する場合にはＲＭ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。
【００９９】
また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【０１００】
アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
【０１０１】
【化１２】
2017033700.tif 000014
【０１０２】
ＡＭ１及びＡＭ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、
【０１０３】
【化１３】
2017033700.tif 000015
【０１０４】
下記の構造を表すことがより好ましい。
【０１０５】
【化１４】
2017033700.tif 000016
【０１０６】
ＺＭ１及びＺＭ２はそれぞれ独立して−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＦ２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。
【０１０７】
ｎＭ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。
【０１０８】
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。
【０１０９】
本発明の組成物において、一般式（Ｍ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０１１０】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。
【０１１１】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。
【０１１２】
さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０１１３】
【化１５】
2017033700.tif 000017
【０１１４】
（式中、ＲＭ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＭ２１及びＸＭ２２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、ＹＭ２１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ３を表す。）
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１１５】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、焼きつきの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。
【０１１６】
さらに、一般式（Ｍ−２）で表される化合物は、式（Ｍ−２．１）から式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−２．３）又は／及び式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましい。
【０１１７】
【化１６】
2017033700.tif 000018
【０１１８】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１１９】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【０１２０】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【０１２１】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−２．２）、（Ｍ−２．３）及び式（Ｍ−２．５）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【０１２２】
含有量は、本発明の組成物の総量に対して１％以上であることが好ましく、５％以上がより好ましく、８％以上がさらに好ましく、１０％以上がさらに好ましく、１４％以上がさらに好ましく、１６％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を３０％以下にとどめることが好ましく、２５％以下がさらに好ましく、２２％以下がより好ましく、２０％未満が特に好ましい。
【０１２３】
さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−４）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。
【０１２４】
【化１７】
2017033700.tif 000019
【０１２５】
（式中、ＲＭ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＭ４１からＸＭ４８はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、ＹＭ４１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ３を表す。）
組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種、２種又は３種類以上組み合わせることが好ましい。
【０１２６】
一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。
【０１２７】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１２８】
本発明の組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。
【０１２９】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ−４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−４．１）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−４．２）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物を含有することが好ましく、式（Ｍ−４．２）で表される化合物を含有することがより好ましい。
【０１３０】
【化１８】
2017033700.tif 000020
【０１３１】
さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−５）で表される化合物であることが好ましい。
【０１３２】
【化１９】
2017033700.tif 000021
【０１３３】
（式中、ＲＭ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＭ５１及びＸＭ５２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、ＹＭ５１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ３を表す。）
組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して、実施形態ごとに適宜組み合わせて使用する。例えば、本発明の一つの実施形態では１種類、別の実施形態では２種類、さらに別の実施形態では３種類、またさらに別の実施形態では４種類、またさらに別の実施形態では５種類、またさらに別の実施形態では６種類以上組み合わせる。
【０１３４】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１３５】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、焼きつきの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。
【０１３６】
さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．１）から式（Ｍ−５．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．１）から式（Ｍ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。
【０１３７】
【化２０】
2017033700.tif 000022
【０１３８】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１３９】
さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．１１）から式（Ｍ−５．１７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．１１）、式（Ｍ−５．１３）及び式（Ｍ−５．１７）で表される化合物であることが好ましい。
【０１４０】
【化２１】
2017033700.tif 000023
【０１４１】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１４２】
さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．２１）から式（Ｍ−５．２８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．２１）、式（Ｍ−５．２２）、式（Ｍ−５．２３）及び式（Ｍ−５．２５）で表される化合物であることが好ましい。
【０１４３】
【化２２】
2017033700.tif 000024
【０１４４】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１４５】
さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物であることが好ましい。
【０１４６】
【化２３】
2017033700.tif 000025
【０１４７】
（式中、ＲＭ６１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＭ６１からＸＭ６４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、ＹＭ６１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ３を表す。）
組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して実施形態ごとに適宜組み合わせる。
【０１４８】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１４９】
本発明の組成物が、駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。
【０１５０】
さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．１）から式（Ｍ−６．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．２）及び式（Ｍ−６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１５１】
【化２４】
2017033700.tif 000026
【０１５２】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１５３】
さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．１１）から式（Ｍ−６．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．１２）及び式（Ｍ−６．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１５４】
【化２５】
2017033700.tif 000027
【０１５５】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１５６】
さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．２１）から式（Ｍ−６．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．２１）、式（Ｍ−６．２２）及び式（Ｍ−６．２４）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１５７】
【化２６】
2017033700.tif 000028
【０１５８】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１５９】
さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．３１）から式（Ｍ−６．３４）で表される化合物が好ましい。中でも式（Ｍ−６．３１）及び式（Ｍ−６．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１６０】
【化２７】
2017033700.tif 000029
【０１６１】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１６２】
さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．４１）から式（Ｍ−６．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１６３】
【化２８】
2017033700.tif 000030
【０１６４】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１６５】
更に、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０１６６】
【化２９】
2017033700.tif 000031
【０１６７】
（式中、ＸＭ７１からＸＭ７６はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、ＲＭ７１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＹＭ７１はフッ素原子又はＯＣＦ３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜２種類含有することが好ましく、１種〜３種類含有することがより好ましく、１種〜４種類含有することが更に好ましい。
【０１６８】
一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。
【０１６９】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１７０】
本発明の組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。
【０１７１】
さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．１）から式（Ｍ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１７２】
【化３０】
2017033700.tif 000032
【０１７３】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１７４】
さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．１１）から式（Ｍ−７．１４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．１１）及び式（Ｍ−７．１２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１７５】
【化３１】
2017033700.tif 000033
【０１７６】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１７７】
さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．２１）から式（Ｍ−７．２４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．２１）及び式（Ｍ−７．２２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１７８】
【化３２】
2017033700.tif 000034
【０１７９】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１８０】
さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−８）で表される化合物であることが好ましい。
【０１８１】
【化３３】
2017033700.tif 000035
【０１８２】
（式中、ＸＭ８１からＸＭ８４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、ＹＭ８１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ３を表し、ＲＭ８１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＡＭ８１及びＡＭ８２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１,４-フェニレン基又は
【０１８３】
【化３４】
2017033700.tif 000036
【０１８４】
を表すが、１,４-フェニレン基上の水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよい。）
本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ−８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１８５】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。
【０１８６】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．１）から式（Ｍ−８．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．１）及び式（Ｍ−８．２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１８７】
【化３５】
2017033700.tif 000037
【０１８８】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１８９】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．１１）から式（Ｍ−８．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１９０】
【化３６】
2017033700.tif 000038
【０１９１】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１９２】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．２１）から式（Ｍ−８．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．２２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１９３】
【化３７】
2017033700.tif 000039
【０１９４】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１９５】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．３１）から式（Ｍ−８．３４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１９６】
【化３８】
2017033700.tif 000040
【０１９７】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０１９８】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．４１）から式（Ｍ−８．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０１９９】
【化３９】
2017033700.tif 000041
【０２００】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０２０１】
さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．５１）から式（Ｍ−８．５４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．５２）で表される化合物を含有することが好ましい。
【０２０２】
【化４０】
2017033700.tif 000042
【０２０３】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０２０４】
本発明の組成物は、一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。一般式（Ｌ）で表される化合物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）に該当する。
【０２０５】
【化４１】
2017033700.tif 000043
【０２０６】
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、（ｉｖ）及び（Ｊ）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。
【０２０７】
本発明の組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０２０８】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。
【０２０９】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。
【０２１０】
一般式（Ｌ）で表される化合物は分子内にハロゲン原子を有しないか、１個又は２個有することが好ましく、ハロゲン原子を有しないか、１個有することが好ましく、ハロゲン原子としてはフッ素原子であることが好ましい。他の液晶化合物との相溶性を重視する場合には分子内にフッ素原子を１個有することが好ましい。
【０２１１】
信頼性を重視する場合にはＲＬ１及びＲＬ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。
【０２１２】
ＲＬ１及びＲＬ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【０２１３】
アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
【０２１４】
【化４２】
2017033700.tif 000044
【０２１５】
ｎＬ１は応答速度を重視する場合には０が好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３が好ましく、これらのバランスをとるためには１が好ましい。また、組成物として求められる特性を満たすためには異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。
【０２１６】
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、
【０２１７】
【化４３】
2017033700.tif 000045
【０２１８】
トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。
【０２１９】
ＺＬ１及びＺＬ２は応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。
【０２２０】
分子内のハロゲン原子の数は０又は１が好ましい。
【０２２１】
一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０２２２】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２２３】
【化４４】
2017033700.tif 000046
【０２２４】
（式中、ＲＬ１１及びＲＬ１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ１１及びＲＬ１２は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
【０２２５】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２２６】
好ましい含有量の下限値は、本発明の組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、４５％であり、５０％であり、５５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、９５％であり、９０％であり、８５％であり、８０％であり、７５％であり、７０％であり、６５％であり、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。
【０２２７】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。
【０２２８】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０２２９】
【化４５】
2017033700.tif 000047
【０２３０】
（式中ＲＬ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４２％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％である。
【０２３１】
さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．１）及び式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物が好ましく、特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）又は式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−２．３）及び式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために１０％以上にすることは好ましくない。
【０２３２】
【化４６】
2017033700.tif 000048
【０２３３】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３８％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。
【０２３４】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３８％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。
【０２３５】
本発明の組成物の総量に対しての式（ｉｉ）で表される化合物及び式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。
【０２３６】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０２３７】
【化４７】
2017033700.tif 000049
【０２３８】
（式中ＲＬ１３及びＲＬ１４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
ＲＬ１３及びＲＬ１４は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
【０２３９】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。
さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）から式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）又は式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物の合計の含有量は、低温での溶解度を良くするために２０％以上にすることは好ましくない。
【０２４０】
【化４８】
2017033700.tif 000050
【０２４１】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。
【０２４２】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−４）及び／又は（Ｌ−１−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０２４３】
【化４９】
2017033700.tif 000051
【０２４４】
（式中ＲＬ１５及びＲＬ１６はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
ＲＬ１５及びＲＬ１６は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
【０２４５】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。
【０２４６】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。
【０２４７】
さらに、一般式（Ｌ−１−４）及び（Ｌ−１−５）で表される化合物は、式（Ｌ−１−４．１）から式（Ｌ−１−５．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）又は式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物であることが好ましい。
【０２４８】
【化５０】
2017033700.tif 000052
【０２４９】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。
【０２５０】
式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）及び式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、これら化合物の合計の含有量の好ましい含有量の下限値は、本発明の組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、上限値は、本発明の組成物の総量に対して、８０％であり、７０％であり、６０％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％である。組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）及び式（Ｌ−１−３．４））で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましい。
【０２５１】
一般式（Ｌ−２）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２５２】
【化５１】
2017033700.tif 000053
【０２５３】
（式中、ＲＬ２１及びＲＬ２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＲＬ２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。
【０２５４】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２５５】
低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０２５６】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０２５７】
さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）から式（Ｌ−２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）及び式（Ｌ−２．６）で表される化合物であることが好ましい。
【０２５８】
【化５２】
2017033700.tif 000054
【０２５９】
一般式（Ｌ−３）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２６０】
【化５３】
2017033700.tif 000055
【０２６１】
（式中、ＲＬ３１及びＲＬ３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ３１及びＲＬ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。
【０２６２】
一般式（Ｌ−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２６３】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０２６４】
高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０２６５】
さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）から式（Ｌ−３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−３．２）から式（Ｌ−３．７）で表される化合物であることが好ましい。
【０２６６】
【化５４】
2017033700.tif 000056
【０２６７】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２６８】
【化５５】
2017033700.tif 000057
【０２６９】
（式中、ＲＬ４１及びＲＬ４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＲＬ４２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。）
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２７０】
本発明の組成物において、一般式（Ｌ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０２７１】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。
【０２７２】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物であることが好ましい。
【０２７３】
【化５６】
2017033700.tif 000058
【０２７４】
低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有していても良いし、式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物を全て含んでいても良い。本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．１）又は式（Ｌ−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【０２７５】
式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、本発明の組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５％であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０２７６】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．４）から式（Ｌ−４．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることが好ましい。
【０２７７】
【化５７】
2017033700.tif 000059
【０２７８】
低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有していても良い。
【０２７９】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．４）又は式（Ｌ−４．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％である。好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【０２８０】
式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有する場合は、本発明の組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５％であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０２８１】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．７）から式（Ｌ−４．１０）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物が好ましい。
【０２８２】
【化５８】
2017033700.tif 000060
【０２８３】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２８４】
【化５９】
2017033700.tif 000061
【０２８５】
（式中、ＲＬ５１及びＲＬ５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＲＬ５２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。
【０２８６】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２８７】
本発明の組成物において、一般式（Ｌ−５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０２８８】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．１）又は式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。
【０２８９】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０２９０】
【化６０】
2017033700.tif 000062
【０２９１】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．３）又は式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。
【０２９２】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０２９３】
【化６１】
2017033700.tif 000063
【０２９４】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．５）から式（Ｌ−５．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。
【０２９５】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０２９６】
【化６２】
2017033700.tif 000064
【０２９７】
一般式（Ｌ−６）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２９８】
【化６３】
2017033700.tif 000065
【０２９９】
（式中、ＲＬ６１及びＲＬ６２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表し、ＸＬ６１及びＸＬ６２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
ＲＬ６１及びＲＬ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＸＬ６１及びＸＬ６２のうち一方がフッ素原子他方が水素原子であることが好ましい。
【０３００】
一般式（Ｌ−６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０３０１】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。Δｎを大きくすることに重点を置く場合には含有量を多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置いた場合には含有量は少ない方が好ましい。
【０３０２】
一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１）から式（Ｌ−６．９）で表される化合物であることが好ましい。
【０３０３】
【化６４】
2017033700.tif 000066
【０３０４】
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜３種類含有することが好ましく、１種〜４種類含有することがさらに好ましい。また、選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）又は（Ｌ−６．２）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．４）又は（Ｌ−６．５）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．６）又は式（Ｌ−６．７）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．８）又は（Ｌ−６．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）及び式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。
【０３０５】
さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−６．１０）から式（Ｌ−６．１７）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることが好ましい。
【０３０６】
【化６５】
2017033700.tif 000067
【０３０７】
本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０３０８】
一般式（Ｌ−７）で表される化合物は下記の化合物である。
【０３０９】
【化６６】
2017033700.tif 000068
【０３１０】
（式中、ＲＬ７１及びＲＬ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表し、ＡＬ７１及びＡＬ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＡＬ２及びＡＬ３と同じ意味を表すが、ＡＬ７１及びＡＬ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、ＺＬ７１は一般式（Ｌ）におけるＺＬ２と同じ意味を表し、ＸＬ７１及びＸＬ７２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
式中、ＲＬ７１及びＲＬ７２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、ＡＬ７１及びＡＬ７２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基又は１,４-フェニレン基が好ましく、ＡＬ７１及びＡＬ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、ＱＬ７１は単結合又はＣＯＯ−が好ましく、単結合が好ましく、ＸＬ７１及びＸＬ７２は水素原子が好ましい。
【０３１１】
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。
【０３１２】
本発明の組成物において、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０３１３】
本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。
【０３１４】
本発明の組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。
【０３１５】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）から式（Ｌ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。
【０３１６】
【化６７】
2017033700.tif 000069
【０３１７】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）から式（Ｌ−７．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。
【０３１８】
【化６８】
2017033700.tif 000070
【０３１９】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）から式（Ｌ−７．２３）で表される化合物である。式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることが好ましい。
【０３２０】
【化６９】
2017033700.tif 000071
【０３２１】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）から式（Ｌ−７．３４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）又は／及び式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることが好ましい。
【０３２２】
【化７０】
2017033700.tif 000072
【０３２３】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）から式（Ｌ−７．４４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）又は／及び式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることが好ましい。
【０３２４】
【化７１】
2017033700.tif 000073
【０３２５】
本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ）、一般式（ｉｉｉ）、一般式（ｉｖ）、一般式（Ｌ）及び（Ｊ）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。
【０３２６】
本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ）、一般式（ｉｉｉ）、一般式（ｉｖ）、一般式（Ｌ）及び（Ｍ）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。
【０３２７】
本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ）、一般式（ｉｉｉ）、一般式（ｉｖ）、一般式（Ｌ−１）から一般式（Ｌ−７）及び一般式（Ｍ−１）から一般式（Ｍ−８）の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。
【０３２８】
本願発明の組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。
【０３２９】
組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５％以下とすることが好ましく、３％以下とすることがより好ましく、１％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。
【０３３０】
ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。
【０３３１】
分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０％以上とすることが好ましく、９０％以上とすることがより好ましく、９５％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで組成物を構成することが最も好ましい。
【０３３２】
組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。
【０３３３】
粘度の改善及びＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。
【０３３４】
本願において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。
【０３３５】
本発明の第一実施形態の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。
【０３３６】
本発明に係る液晶層および／または液晶組成物には、重合性モノマーを含有しており、当該重合性モノマーは液晶性を示すことが好ましい。本発明に係る重合性モノマー含有液晶組成物中の重合性モノマーの具体的な含有量としては、５％以下が好ましく、２％以下がより好ましく、１．５％以下が更に好ましく、１％以下が特に好ましく、０．５％以下が最も好ましい。５％以下であると、滴下痕の発生を低減することができる。また、液晶組成物における重合性モノマーの含有量の下限値は１０００ｐｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍであることが好ましく、５０００ｐｐｍであることがより好ましい。
【０３３７】
当該液晶性を示す重合性モノマーとしては以下の構造が挙げられる。
【０３３８】
本発明に係る一般式（Ｐ）の重合性モノマーは、一般式（Ｐ−ａ）、一般式（Ｐ−ｂ）、一般式（Ｐ−ｃ）および一般式（Ｐ−ｄ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物であることが好ましい。
【０３３９】
【化７２】
2017033700.tif 000074
【０３４０】
上記一般式（Ｐ−ａ）〜一般式（Ｐ−ｄ）中、Ｒｐ１及びＲｐ２はそれぞれ独立して以下の式（Ｒ−Ｉ）から式（Ｒ−ＩＸ）：
【０３４１】
【化７３】
2017033700.tif 000075
【０３４２】
のいずれかを表し、前記式（Ｒ−Ｉ）〜（Ｒ−ＩＸ）中、Ｒ２〜Ｒ６はお互いに独立して、水素原子、炭素原子数１〜５個のアルキル基または炭素原子数１〜５個のハロゲン化アルキル基であり、Ｗは単結合、−Ｏ−またはメチレン基であり、Ｔは単結合または−ＣＯＯ−であり、ｐ、ｔおよびｑはそれぞれ独立して、０、１または２を表し、
環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、無置換であるか又は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は−Ｒｐ１で置換されていていることが好ましく、
環Ｃは以下の式（ｃ−ｉ）〜（ｃ−ｉｘ）：
【０３４３】
【化７４】
2017033700.tif 000076
【０３４４】
（式中、＊でＳｐｐ１と結合し、＊＊でＬｐ５若しくはＬｐ６と結合する。）のいずれかを表し、
Ｓｐｐ１及びＳｐｐ４はスペーサー基を表し、Ｘｐ１〜Ｘｐ４は、それぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表すことが好ましく、
Ｌｐ４、Ｌｐ５およびＬｐ６はそれぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ２Ｈ４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣ２Ｈ４−、−ＯＣＯＣ２Ｈ４−、−Ｃ２Ｈ４ＯＣＯ−、−Ｃ２Ｈ４ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−（ＣＨ２）ｚ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ２）ｚ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ２）ｚ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ２）ｚ−、−Ｏ−（ＣＨ２）ｚ−Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−であることが好ましく、前記式中のｚは、１〜４の整数であることが好ましい。
【０３４５】
Ｌｐ３は、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ−または−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−であることが好ましい。
【０３４６】
上記一般式（Ｐ−ａ）で表される化合物において、ｍｐ６およびｍｐ７は、それぞれ独立して、０、１、２または３を表すことが好ましい。また、ｍｐ６＋ｍｐ７＝２〜５であることがより好ましい。
【０３４７】
上記一般式（Ｐ−ｂ）で表される化合物において、ｍｐ８およびｍｐ９は、それぞれ独立して、１、２または３を表すことが好ましい。また、ｍｐ６＋ｍｐ７＝２〜３であることがより好ましい。
【０３４８】
上記一般式（Ｐ−ｃ）で表される化合物において、ｍｐ１０およびｍｐ１１は、それぞれ独立して、０又は１を表すことが好ましい。また、ｍｐ１０＋ｍｐ１１＝０〜１であることがより好ましい。また、一般式（Ｐ−ｃ）はフェナントレン環を有しているため、組成物全体の感光作用が大きいと考えられる。
【０３４９】
上記一般式（Ｐ−ｄ）で表される化合物において、ｍｐ１２及びｍｐ１５はそれぞれ独立して１、２又は３を表し、ｍｐ１３は、０、１、２又は３を表すことが好ましく、ｍｐ１４は、０又は１を表すことが好ましい。また、ｍｐ１２＋ｍｐ１５＝２〜５であることがより好ましい。Ｒｐ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒｐ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒｐ２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐｐ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐｐ４が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｌｐ４およびＬｐ５が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、環Ａ〜環Ｃが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。本発明に係る重合性モノマー含有組成物において、一般式（Ｐ−ｄ）で表される重合性モノマーと、一般式（１）および一般式（２）とを組み合わせることで、光重合時間を短縮させることが可能になる。
【０３５０】
以下に本発明に係る一般式（Ｐ−ａ）〜一般式（Ｐ−ｄ）で表される化合物の好ましい構造を例示する。当該好ましい例として、下記式（Ｐ−ａ−１）〜式（Ｐ−ａ−３１）で表される重合性モノマーが挙げられる。
【０３５１】
【化７５】
2017033700.tif 000077
【０３５２】
【化７６】
2017033700.tif 000078
【０３５３】
【化７７】
2017033700.tif 000079
【０３５４】
【化７８】
2017033700.tif 000080
【０３５５】
また、上記一般式（Ｐ−ａ）で表される重合性モノマーの具体的な含有量としては、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、２％以下が更に好ましく、１％以下が特に好ましく、０．８％以下が最も好ましい。液晶組成物における重合性モノマーの含有量の下限値は１０００ｐｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍであることが好ましく、５０００ｐｐｍであることがより好ましい。
【０３５６】
本発明に係る一般式（Ｐ−ｂ）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ−ｂ−１）〜式（Ｐ−ｂ−３４）で表される重合性モノマーが挙げられる。
【０３５７】
【化７９】
2017033700.tif 000081
【０３５８】
【化８０】
2017033700.tif 000082
【０３５９】
【化８１】
2017033700.tif 000083
【０３６０】
また、上記一般式（Ｐ−ｂ）で表される重合性モノマーの具体的な含有量（重合性モノマー含有液晶組成物全体に対する割合）としては、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、２％以下が更に好ましく、１％以下が特に好ましく、０．８％以下が最も好ましい。液晶組成物における重合性モノマーの含有量の下限値は１０００ｐｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍであることが好ましく、５０００ｐｐｍであることがより好ましい。
【０３６１】
本発明に係る一般式（Ｐ−ｃ）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ−ｃ−１）〜式（Ｐ−ｃ−５２）で表される重合性モノマーが挙げられる。
【０３６２】
【化８２】
2017033700.tif 000084
【０３６３】
【化８３】
2017033700.tif 000085
【０３６４】
【化８４】
2017033700.tif 000086
【０３６５】
また、上記一般式（Ｐ−ｃ）で表される重合性モノマーの具体的な含有量としては、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、２％以下が更に好ましく、１％以下が特に好ましく、０．８％以下が最も好ましい。液晶組成物における重合性モノマーの含有量の下限値は１０００ｐｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍであることが好ましく、５０００ｐｐｍであることがより好ましい。
【０３６６】
本発明に係る一般式（Ｐ−ｄ）で表される化合物は、以下の一般式（Ｐ−ｄ’）で表される化合物が好ましい。
【０３６７】
【化８５】
2017033700.tif 000087
【０３６８】
（上記一般式（Ｐ−ｄ’）で表される化合物において、ｍｐ１０は、２または３を表すことがより好ましい。その他の記号は上記一般式（ｐ−ｄ）と同一なので省略する。）
本発明に係る一般式（Ｐ−ｄ）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ−ｄ−１）〜式（Ｐ−ｄ−３１）で表される重合性モノマーが挙げられる。
【０３６９】
【化８６】
2017033700.tif 000088
【０３７０】
【化８７】
2017033700.tif 000089
【０３７１】
【化８８】
2017033700.tif 000090
【０３７２】
【化８９】
2017033700.tif 000091
【０３７３】
【化９０】
2017033700.tif 000092
【０３７４】
【化９１】
2017033700.tif 000093
【０３７５】
【化９２】
2017033700.tif 000094
【０３７６】
また、上記一般式（Ｐ−ｄ）で表される重合性モノマーの具体的な含有量としては、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、２％以下が更に好ましく、１％以下が特に好ましく、０．８％以下が最も好ましい。液晶組成物における重合性モノマーの含有量の下限値は１０００ｐｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍであることが好ましく、５０００ｐｐｍであることがより好ましい。
【０３７７】
本発明に係る液晶表示素子における液晶層および／または液晶組成物は、当該液晶層および／または液晶組成物に重合性モノマーを含有し、当該重合性モノマーをポリマー化していることが好ましい。これにより、光配向膜の液晶分子の配向規制力が向上する。より詳細には図６および図７を用いて説明する。図６の（Ａ）は、ＩＰＳモードの液晶表示素子の平面図であり、画素電極と共通電極とが櫛型に形成され、かつ互いに遊嵌するよう両者が一定距離離間して同一基板上に形成されている。当該図６において、破線部分のＶＩＩの領域を拡大したものが図７の（Ｂ）および（Ｃ）である。また、図７の（Ｂ）および（Ｃ）ならびに図８では便宜上、画素電極が上側、共通電極が下側になる平面図であるがこれに限定されるわけではない。図７の（Ｂ）は、液晶化合物１ａと、重合性モノマー１ｂとを含んでいる本発明の液晶組成物が、光配向膜上に特定の方向（光配向膜の配向方向に沿って）に配列している状態を示している。図７の（Ｃ）は、液晶化合物１ａおよび重合性モノマー１ｂが光配向膜上において特定の方向（光配向膜の配向方向に沿って）に配列している状態において（すなわち、前記（Ｂ）の状態）、重合性モノマーをポリマー化した状態である。このポリマー化した重合体１ｃの存在により、液晶分子に対して特定方向への配向規制力が生じる。すなわち、（Ｂ）状態（電圧無印加）で重合性モノマーをポリマー化させると、配向特定方向に配向した状態で重合性モノマー同士が連結する（（Ｃ）状態）。そのため、重合性モノマー同士が連結したポリマー１ｃと、液晶分子１ｂとの間に相互作用が働くため、プレチルト角の安定化や、配向膜の液晶分子に対する配向規制力が向上すると考えられる。また、図７および図８では、視野角依存などの課題を解決するためにマルチドメインを設けている。
【０３７８】
図８は、前記図７（Ｃ）の状態に対して、電圧のＯＮまたはＯＦＦにおける液晶分子の配向の様子を模式的に示す。電圧を印加すると電界方向に沿って液晶分子１ａは配向し、電圧をＯＦＦにすると液晶分子１ａは液晶層に重合性モノマー同士が連結したポリマー１ｃが存在するため、初期の配向方向を維持したまま特定の配向方向に戻りやすくなる。
【０３７９】
そのため、液晶表示素子において、液晶組成物に重合性モノマーおよび液晶化合物を含み、かつ当該重合性モノマーをポリマー化した液晶層を備えていると、電圧ＯＮ−ＯＦＦ状態を繰り返しても、重合性モノマー同士が連結したポリマー１ｃと液晶分子１ｂとの間に相互作用が働くことから、従来から問題であった経時的に低下する液晶分子に対する配向規制力を改善することができると考えられる。これにより、光配向膜に施した特定の配向方向を液晶分子が維持することができるため、実質的な配向規制力が向上すると考えられる。特に、配向分割を行っている場合は、画素内の分割された領域における配向方向がそれぞれ異なるため、各配向分割された領域における配向方向に対する配向規制力を向上することができる。
【０３８０】
本発明に係る液晶組成物に重合性モノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。
【０３８１】
本発明に係る液晶組成物は、更に、一般式（Ｑ）で表される化合物を酸化防止剤として含有することができる。
【０３８２】
【化９３】
2017033700.tif 000095
【０３８３】
前記一般式（Ｑ）中、ＲＱは炭素原子数１〜２２のアルキル基又はアルコキシ基を表し、該アルキル基中の１つ以上のＣＨ２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されてよく、ＭＱはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、又は、単結合を表す。
【０３８４】
前記一般式（Ｑ）中において、ＲＱは炭素原子数１〜２２のアルキル基又はアルコキシ基であることが好ましく、当該アルキル基（前記アルコキシ基におけるアルキル基を含む）は、直鎖状または分岐鎖状であってもよい。また、前記ＲＱは炭素原子数１〜２２の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基又は直鎖もしくは分岐鎖アルコキシ基を表し、該アルキル基（前記アルコキシ基におけるアルキル基を含む）中の１つ以上のＣＨ２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されてもよい。前記一般式（Ｑ）中においてＲＱは、炭素原子数１〜２０個であって、直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、１つのＣＨ２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基および１つのＣＨ２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基からなる群から選択される少なくとも１つであることが好ましく、炭素原子数１〜１０の直鎖アルキル基、１つのＣＨ２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基および１つのＣＨ２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基からなる群から選択される少なくとも１つが更に好ましい。
【０３８５】
ＭＱはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基又は単結合を表すが、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基が好ましい。
【０３８６】
前記一般式（Ｑ）で表される化合物は、下記の一般式（Ｑ−ａ）〜一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物群から選択される少なくとも１種の化合物であることが好ましく、一般式（Ｑ−ａ）及び／又は（Ｑ−ｃ）で表される化合物であることがより好ましい
【０３８７】
【化９４】
2017033700.tif 000096
【０３８８】
前記一般式（Ｑ−ａ）〜式（Ｑ−ｄ）中、ＲＱ１は炭素原子数１〜１０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、ＲＱ２は炭素原子数１〜２０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、ＲＱ３は炭素原子数１〜８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基又は分岐鎖アルコキシ基が好ましく、ＬＱは炭素原子数１〜８の直鎖アルキレン基又は分岐鎖アルキレン基が好ましい。これらの中でも、一般式（Ｑ）で表される化合物は、下記式（Ｑ−ａ−１）及び／又は（Ｑ−ｃ−１）で表される化合物であることがさらに好ましい。
【０３８９】
【化９５】
2017033700.tif 000097
【０３９０】
【化９６】
2017033700.tif 000098
【０３９１】
本願発明の液晶組成物において、前記一般式（Ｑ）で表される化合物を１種又は２種を含有することが好ましく、１種〜５種を含有することが更に好ましく、その含有量は、本発明の液晶組成物の総質量に対して、０．００１〜１質量％であることが好ましく、０．００１〜０．１質量％であることが好ましく、０．００１〜０．０５質量％であることが好ましい。
【０３９２】
また、本願発明のように水平配向方式では同一基板（例えば、図３および図５では第一の基板）の表面にＴＦＴなど電極層３（光配向膜が被覆している面）が形成されているため、当該表面には多数の凹凸が存在し、滴下痕の発生を促進しやすい環境になっているが、配向膜と配向膜とは異なる重合体との組み合わせによりこの問題点が軽減されていると考えられる。
【０３９３】
また、本発明に係る重合体は配向膜中にある重合性物質を重合させて作成しても、液晶組成物とともに導入し重合させてもよい。
【０３９４】
重合性モノマーを含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性モノマーが紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用されることが好ましい。液晶表示素子として、ＶＡ−ＩＰＳ−ＬＣＤ、ＦＦＳ−ＬＣＤ、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）及びＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。
【０３９５】
前記液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。
【０３９６】
前記カラーフィルタは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作製することができる。顔料分散法によるカラーフィルタの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルタ用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルタ用の画素部を作製することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
【０３９７】
前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層（液晶層）の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚Ｇとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。
【０３９８】
２枚の基板間に液晶組成物（必要により重合性モノマーを含有する）を狭持させる方法は、通常の真空注入法又はＯＤＦ法などを用いることができる。しかし真空注入法においては滴下痕が発生しない代わりに、注入の跡が残るという課題がある。本願発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子に、より好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。
【０３９９】
重合性モノマーを重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性モノマー含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性モノマー含有液晶組成物に電圧を無印加の状態で紫外線露光することが好ましい。横電界型ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角（液晶分子の長軸と基板表面とのなす角）を０°程度に制御することが好ましい。
【０４００】
照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ２〜５０Ｗ／ｃｍ２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ２から５００Ｊ／ｃｍ２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２から２００Ｊ／ｃｍ２がより好ましい。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ又は超高圧水銀ランプを用いる場合は１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましく、蛍光ランプを用いる場合は６０秒から１８０００秒が好ましく、６００秒から１０８００秒が好ましい。
【０４０１】
前記第１基板又は前記第２基板は、実質的に透明であれば材質に特に限定はなく、ガラス、セラミックス、プラスチック等を使用することができる。プラスチック基板としてはセルロ−ス、トリアセチルセルロ−ス、ジアセチルセルロ−ス等のセルロ−ス誘導体、ポリシクロオレフィン誘導体、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコ−ル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、さらにガラス繊維−エポキシ樹脂、ガラス繊維−アクリル樹脂などの無機−有機複合材料などを用いることができる。
【０４０２】
なおプラスチック基板を使用する際には、バリア膜を設けることが好ましい。バリア膜の機能は、プラスチック基板が有する透湿性を低下させ、液晶表示素子の電気特性の信頼性を向上することにある。バリア膜としては、それぞれ、透明性が高く水蒸気透過性が小さいものであれば特に限定されず、一般的には酸化ケイ素などの無機材料を用いて蒸着やスパッタリング、ケミカルベーパーデポジション法（ＣＶＤ法）によって形成した薄膜を使用する。
【０４０３】
本発明においては、前記第１基板又は前記第２基板として同素材を使用しても異素材を使用してもよく、特に限定はない。ガラス基板を用いれば耐熱性や寸法安定性の優れた液晶表示素子を作製することができるので好ましい。またプラスチック基板であれば、ロールツウロール法による製造方法に適し且つ軽量化あるいはフレキシブル化に適しており好ましい。また、平坦性及び耐熱性付与を目的とするならば、プラスチック基板とガラス基板とを組み合わせると良い結果を得ることができる。
【実施例】
【０４０４】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は「質量％」を意味する。【０４０５】
実施例中、測定した特性は以下の通りである。【０４０６】
Ｔｎｉ  ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ  ：２９５Ｋにおける屈折率異方性（別名：複屈折率）
Δε  ：２９５Ｋおける誘電率異方性
η    ：２９５Ｋにおける粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ１  ：２９５Ｋにおける回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
ＶＨＲ：周波数６０Ｈｚ，印加電圧５Ｖの条件下で３１３Ｋにおける電圧保持率（％）
焼き付き：
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１４４０時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。【０４０７】
◎残像無し
○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
揮発性／製造装置汚染性  ：
液晶材料の揮発性評価は、真空攪拌脱泡ミキサーの運転状態をストロボスコープで照らしながら観察し、液晶材料の発泡を目視により観察することによって行った。具体的には、容量２．０Ｌの真空攪拌脱泡ミキサーの専用容器に液晶組成物を０．８ｋｇ入れ、４ｋＰａの脱気下、公転速度１５Ｓ−１、自転速度７．５Ｓ−１で真空攪拌脱泡ミキサーを運転し、発泡が始まるまでの時間によって、以下の４段階評価で行った。【０４０８】
◎発泡まで３分以上。揮発による装置汚染の可能性が低い。【０４０９】
○発泡まで１分以上かつ３分未満。揮発による軽微な装置汚染の懸念あり。【０４１０】
△発泡まで３０秒以上かつ１分未満。揮発による装置汚染が起きる。【０４１１】
×発泡まで３０秒以内。揮発による重大な装置汚染の懸念がある。【０４１２】
プロセス適合性  ：
プロセス適合性は、ＯＤＦプロセスにおいて、定積計量ポンプを用いて１回に４０ｐＬずつ液晶を滴下することを１０００００回行い、次の「０〜２００回、２０１〜４００回、４０１〜６００回、・・・・９９８０１〜１０００００回」の各２００回ずつ滴下された液晶量の変化を以下の４段階で評価した。【０４１３】
◎変化が極めて小さい（安定的に液晶表示素子を製造できる）
○変化が僅かに有るも許容できるレベル
△変化が有り許容できないレベル（斑発生により歩留まりが悪化）
×変化が有りかなり劣悪（液晶漏れや真空気泡が発生）
低温での溶解性：
低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、１ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を０．５ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次を１サイクル「−２０℃（１時間保持）→昇温（０．２℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．２℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（−０．２℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（−０．２℃／毎分）→−２０℃」として温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、以下の４段階評価を行った。【０４１４】
◎６００時間以上析出物が観察されなかった。【０４１５】
○３００時間以上析出物が観察されなかった。【０４１６】
△１５０時間以内に析出物が観察された。【０４１７】
×７５時間以内に析出物が観察された。【０４１８】
静的コントラスト変化率（ＣＲＳ変化率）  ：
白色光源、分光器、偏光子（入射側偏光板）、検光子（出射側偏光板）、検出器を備えた光学測定装置（ＲＥＴＳ−１００、大塚電子株式会社製）の、偏光子−検光子間に、測定対象である前記光学フィルムを配置した。ここで、偏光子と検光子との回転角が０度（偏光子と検光子の偏光方向が平行位置［パラレルニコル］）である状態において、光学フィルムを回転させながら、検出器にて透過光の光量を検出し、検出した光量が最も大きくなる、光学フィルムの回転位置（偏光子の偏光方向と重合性液晶の分子長軸方向が平行）における、透過光の光量（オン時光量）をＹｏｎとした。また、偏光子と光学フィルムの位置を固定したまま、偏光子に対する検光子の回転角を９０度（偏光子と検光子の偏光方向が直交位置［クロスニコル］）としたときにおける、透過光の光量（オフ時光量）をＹｏｆｆとした。コントラストＣＲＳは、次式により求めた。【０４１９】
【数１】
2017033700.tif 000099
静的コントラストＣＲＳの数値が大きいほど、オフ時光量Ｙｏｆｆが小さいこと、すなわち、光ヌケが少ないため、優れた黒表示であることを示す。【０４２０】
コントラストは表示素子作成直後（ＣＲＳ０）と電圧（５Ｖ、６０Ｈｚの矩形波）を印加しながら１０時間６０℃に加熱した後（ＣＲＳ１０）を測定した。【０４２１】
ＣＲＳ変化率は得られたＣＲＳ０とＣＲＳ１０から次式にて決定される。【０４２２】
【数２】
2017033700.tif 000100
実施例において液晶組成物に使用される化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
−Ｆ        −Ｆ      フッ素原子
Ｆ−        −Ｆ      フッ素原子
−ｎ        −ＣｎＨ２ｎ＋１  炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
ｎ−        ＣｎＨ２ｎ＋１−  炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ      −ＯＣｎＨ２ｎ＋１  炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
ｎＯ−      ＣｎＨ２ｎ＋１Ｏ−  炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
−Ｖ      −ＣＨ＝ＣＨ２
Ｖ−      ＣＨ２＝ＣＨ−
−Ｖ１      −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３
１Ｖ−      ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−
−２Ｖ      −ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ３
Ｖ２−      ＣＨ３＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−
−２Ｖ１    −ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３
１Ｖ２−    ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２
（連結基）
−ＣＦ２Ｏ−        −ＣＦ２−Ｏ−
−ＯＣＦ２−        −Ｏ−ＣＦ２−
−１Ｏ−          −ＣＨ２−Ｏ−
−Ｏ１−          −Ｏ−ＣＨ２−
−ＣＯＯ−        −ＣＯＯ−
（環構造）【０４２３】
【化９７】
2017033700.tif 000101
【０４２４】
（実施例１〜７）
次に示す組成を有する液晶組成物（組成物１〜７）を調製した。【０４２５】
【表１】
2017033700.tif 000102
【０４２６】
【表２】
2017033700.tif 000103
【０４２７】
上記組成物１を１００ｇに対し、式（Ｍｎ−１）で表される重合性化合物を０．３ｇ添加し、重合性液晶組成物１を調製した。同様にして重合性液晶組成物２〜７を調製した。【０４２８】
【化９８】
2017033700.tif 000104
【０４２９】
配向膜を形成した基盤を調整し、それらをセル厚３．０μｍとなるように張り合わせ、液晶セルとし、重合性液晶組成物１〜７を用いて液晶表示素子を作製した。【０４３０】
周波数１ｋＨｚで１．８Ｖの矩形波を印加しながら、３２０ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介して、高圧水銀灯（東芝ライテック社製ＦＬ１５ＵＶ３４Ａ（ＮＰ８０５））により液晶セルに紫外線を照射した。セル表面の照射強度が１０ｍＷ／ｃｍ２となるように調整して７００秒間照射して、重合性液晶組成物中の重合性物質を重合させ液晶表示素子を作成した。【０４３１】
薄膜トランジスタと透明電極層を有する基板上の電極構造を変えることにより、ＩＰＳ素子及びＦＦＳ素子をそれぞれ作成した。【０４３２】
下記に各液晶表示素子のコントラスト及びＶＨＲの値を下記に示す。【０４３３】
【表３】
2017033700.tif 000105
【０４３４】
【表４】
2017033700.tif 000106
【０４３５】
【表５】
2017033700.tif 000107
【０４３６】
【表６】
2017033700.tif 000108
【０４３７】
上記のように本願発明の液晶表示素子は優れた特性を有することが確認された。
【符号の説明】
【０４３８】
１ａ      液晶分子
１ｂ      重合性モノマー
１ｃ      重合性モノマーが重合したポリマー
１００    第１基板
１０２    ＴＦＴ層
１０３    画素電極
１０４    パッシベーション膜
１０５    第１配向膜
２００    第２基板
２０１    平坦化膜（オーバーコート層）
２０２    ブラックマトリックス
２０３    カラーフィルタ
２０４    透明電極
２０５    第２配向膜
３０１    シール材
３０２    突起（柱状スペーサー）
３０３    液晶層
３０４    突起（柱状スペーサー）
４０１    マスクパターン
４０２    レジン層
Ｌ      光
１，８    偏光板
２    第一の基板
３    電極層
４    配向膜
５    液晶層
６    カラーフィルタ
６Ｇ    カラーフィルタ緑
６Ｒ    カラーフィルタ赤
６Ｂ    カラーフィルタ青
７    第二の基板
１１    ゲート電極
１２    ゲート絶縁膜
１３    半導体層
１４    絶縁層
１５    オーミック接触層
１６    ドレイン電極
１７    ソース電極
１８    絶縁保護層
２１    画素電極
２２    共通電極
２３    ストレイジキャパシタ
２４    ドレイン電極
２５    データ配線
２７    ソース配線
２９    共通ライン
３０    バッファー層
【図１】
2017033700.tif 000114
【図２】
2017033700.tif 000115
【図３】
2017033700.tif 000116
【図４】
2017033700.tif 000117
【図５】
2017033700.tif 000118
【図６】
2017033700.tif 000119
【図７】
2017033700.tif 000120
【図８】
2017033700.tif 000121
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向に配置された第一の基板および第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板の間に挟持された液晶組成物を含有する液晶層と、
前記第一の基板上に設けられる第一の電極と、
前記第一の電極と同じ基板上に設けられ、前記第一の電極との間に電界を生じさせる第二の電極と、
前記第一の基板上に設けられる液晶層を配向させる配向膜と、
前記第一基板と前記第二基板との間に前記配向膜とは異なる、重合性物質の重合物と、
を有し、
前記重合性物質が一般式（Ｐ）
【化１】
2017033700.tif 000122
（式中、ＲP１は式（Ｐ−１）から式（Ｐ−２０）
【化２】
2017033700.tif 000123
のいずれかを表し、
ＳｐＰ１は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯ−Ｏ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基を表し、
ＸＰ１は−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表し、
ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子又はＲＰ２−ＳｐＰ２−ＸＰ２−（式中、ＲＰ２はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ２はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ２はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）で置換されていても良く、ＡＰ２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＺＰ１及びＺＰ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、ＺＰ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＹＰ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１から１２のアルキル基又は−ＸＰ３−ＳｐＰ３−ＲＰ３（式中、ＲＰ３はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ３はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ３はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有し、前記液晶組成物が一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上及び一般式（ｉｖ）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の含有量の上限値が３０％である液晶表示素子。
【化３】
2017033700.tif 000124
（式中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉｉ１及びＲｉｖ１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ｘｉｉｉ１〜Ｘｉｉｉ４、Ｘｉｖ１〜Ｘｉｖ９及びＸｖ１〜Ｘｖ９はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙｉｖ１及びＹｖ１はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表す。）
【化４】
2017033700.tif 000125
【請求項２】
ＩＰＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
ＦＦＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
液晶組成物中に更に一般式（Ｊ）で表される化合物
【化５】
2017033700.tif 000126
（式中、ＲＪ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＪ１は、０、１、２、３又は４を表し、
ＡＪ１、ＡＪ２及びＡＪ３はそれぞれ独立して、
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
ＺＪ１及びＺＪ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＪ１が２、３又は４であってＡＪ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＪ１が２、３又は４であってＺＪ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
ＸＪ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、一般式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
液晶組成物中に更に一般式（Ｌ）で表される化合物
【化６】
2017033700.tif 000127
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月29日(2017.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向に配置された第一の基板および第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板の間に挟持された液晶組成物を含有する液晶層と、
前記第一の基板上に設けられる第一の電極と、
前記第一の電極と同じ基板上に設けられ、前記第一の電極との間に電界を生じさせる第二の電極と、
前記第一の基板上に設けられる液晶層を配向させる光配向膜と、
前記第一基板と前記第二基板との間に前記配向膜とは異なる、重合性物質の重合物と、
を有し、
前記重合性物質が一般式（Ｐ）
【化１】
2017033700.tif 000128
（式中、ＲP１は式（Ｐ−１）から式（Ｐ−２０）
【化２】
2017033700.tif 000129
のいずれかを表し、
ＳｐＰ１は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯ−Ｏ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基を表し、
ＸＰ１は−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表し、
ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子又はＲＰ２−ＳｐＰ２−ＸＰ２−（式中、ＲＰ２はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ２はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ２はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）で置換されていても良く、ＡＰ２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＺＰ１及びＺＰ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、ＺＰ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＹＰ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１から１２のアルキル基又は−ＸＰ３−ＳｐＰ３−ＲＰ３（式中、ＲＰ３はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ３はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ３はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有し、前記液晶組成物が一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上及び一般式（ｉｖ）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の含有量の上限値が３０％である液晶表示素子。
【化３】
2017033700.tif 000130
（式中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉｉ１及びＲｉｖ１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ｘｉｉｉ１〜Ｘｉｉｉ９及びＸｉｖ１〜Ｘｉｖ９はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙｉｖ１及びＹｉｉｉ１はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表す。）
【化４】
2017033700.tif 000131
【請求項２】
ＩＰＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
ＦＦＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
液晶組成物中に更に一般式（Ｊ）で表される化合物
【化５】
2017033700.tif 000132
（式中、ＲＪ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＪ１は、０、１、２、３又は４を表し、
ＡＪ１、ＡＪ２及びＡＪ３はそれぞれ独立して、
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
ＺＪ１及びＺＪ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＪ１が２、３又は４であってＡＪ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＪ１が２、３又は４であってＺＪ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
ＸＪ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、一般式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
液晶組成物中に更に一般式（Ｌ）で表される化合物
【化６】
2017033700.tif 000133
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月7日(2017.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向に配置された第一の基板および第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板の間に挟持された液晶組成物を含有する液晶層と、
前記第一の基板上に設けられる第一の電極と、
前記第一の電極と同じ基板上に設けられ、前記第一の電極との間に電界を生じさせる第二の電極と、
前記第一の基板上に設けられる液晶層を配向させる光配向膜と、
前記第一基板と前記第二基板との間に前記配向膜とは異なる、重合性物質の重合物と、
を有し、
前記重合性物質が一般式（Ｐ）
【化１】
2017033700.tif 000134
（式中、ＲP１は式（Ｐ−１）又は式（Ｐ−２）
【化２】
2017033700.tif 000135
を表し、
ＳｐＰ１は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯ−Ｏ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基を表し、
ＸＰ１は−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表し、
ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）はそれぞれ独立してフッ素原子で置換されていても良く、ＡＰ２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＺＰ１及びＺＰ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表すが、ＺＰ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
ＹＰ１は−ＸＰ３−ＳｐＰ３−ＲＰ３（式中、ＲＰ３はＲＰ１と同じ意味を表すがＲＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＳｐＰ３はＳｐＰ１と同じ意味を表すがＳｐＰ１と同一であっても異なっていてもよく、ＸＰ３はＸＰ１と同じ意味を表すがＸＰ１と同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有し、前記液晶組成物が一般式（ｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種又は２種以上及び一般式（ｉｖ）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の含有量の上限値が３０％である液晶表示素子。
【化３】
2017033700.tif 000136
（式中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉｉ１及びＲｉｖ１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ｘｉｉｉ１〜Ｘｉｉｉ９及びＸｉｖ１〜Ｘｉｖ９はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙｉｖ１及びＹｉｉｉ１はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表す。）
【化４】
2017033700.tif 000137
【請求項２】
ＩＰＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
ＦＦＳモードである請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
液晶組成物中に更に一般式（Ｊ）で表される化合物
【化５】
2017033700.tif 000138
（式中、ＲＪ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＪ１は、０、１、２、３又は４を表し、
ＡＪ１、ＡＪ２及びＡＪ３はそれぞれ独立して、
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
ＺＪ１及びＺＪ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＪ１が２、３又は４であってＡＪ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＪ１が２、３又は４であってＺＪ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
ＸＪ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、一般式（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
液晶組成物中に更に一般式（Ｌ）で表される化合物
【化６】
2017033700.tif 000139
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）で表される化合物を除く。）を１種類又は２種類以上含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【国際調査報告】
2017033700.tif 000140
2017033700.tif 000141
2017033700.tif 000142
2017033700.tif 000143