(57)【要約】  表示装置（１）は、複数の画素（２０）が配置された表示部（２）と、表示部（２）外周に配置された給電線（３０）から画素（２０）に電源電圧を給電する電源部（３）とを備え、画素（２０）は、駆動回路層（１１）上に形成された陽極（１２１）と、駆動回路層（１１）上に陽極（１２１）と離間して形成された補助配線（１３１）と、陽極（１２１）上方に形成された有機発光層（１２５）及び電子輸送層（１２６）と、電子輸送層（１２６）上方に形成された透明陰極（１２７）とを備え、電子輸送層（１２６）及び透明陰極（１２７）は、陽極（１２１）上方から補助配線（１３１）上方に延設され、給電線（３０）から最も離れた画素（２０）をＭ画素目の画素とし、透明陰極（１２７）の抵抗値をＲ２ｐ及び補助配線（１３１）の抵抗値をＲｂｐとした場合、電子輸送層（１２６）の抵抗値Ｒｉｐは、Ｒｉｐ≦（Ｒ２ｐ−Ｒｂｐ）×Ｍ×（Ｍ＋１）／２なる関係を満たす。
2015198605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子及び当該発光素子を発光駆動するための回路素子を有する画素が行列状に配置された表示部と、当該表示部の外周領域に配置された給電線から前記画素に電源電圧を給電する電源部とを備える表示装置であって、
前記画素は、
前記回路素子が形成された駆動回路基板上に形成された第１電極と、
前記駆動回路基板上に前記第１電極と離間して形成された補助配線と、
前記第１電極の上方に形成された発光物質を含む発光層と、
前記発光層の上方に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に介在した中間層とを備え、
前記中間層及び前記第２電極は、前記第１電極の上方から前記補助配線の上方に延設され、
前記給電線から最も遠く離れた前記画素を当該給電線からＭ画素目に配置された第１画素とし、画素あたりの前記第２電極の抵抗値をＲ２ｐ、及び画素あたりの前記補助配線の抵抗値をＲｂｐとした場合、前記補助配線上の前記中間層の抵抗値Ｒｉｐは、
Ｒｉｐ≦（Ｒ２ｐ−Ｒｂｐ）×Ｍ×（Ｍ＋１）／２
なる関係を満たす
表示装置。
【請求項２】
前記電源電圧が前記給電線から前記補助配線を介して前記第１画素へ伝達された場合の電圧降下量は、前記電源電圧が前記給電線から前記補助配線を介さず前記第２電極を介して伝達された場合の電圧降下量以下である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記給電線の近傍の前記画素を当該給電線からＮ画素目に配置された第２画素とした場合、前記中間層の抵抗値Ｒｉｐは、さらに、
Ｒｉｐ＞（Ｒ２ｐ−Ｒｂｐ）×Ｎ×（Ｎ＋１）／２
なる関係を有する
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電源電圧が前記給電線から前記補助配線を介して前記第２画素へ伝達された場合の電圧降下量は、前記電源電圧が前記給電線から前記補助配線を介さず前記第２電極を介して伝達された場合の電圧降下量よりも大きい
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記発光素子は、有機ＥＬ素子であり、
前記中間層は、前記発光層、前記発光層への正孔の輸送を補助する正孔輸送層、前記発光層へ正孔を注入する正孔注入層、前記発光層への電子の輸送を補助する電子輸送層、及び前記発光層へ電子を注入する電子注入層の少なくとも１つである
請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１電極及び前記発光層は、前記画素ごとに離間して設けられ、
前記補助配線は、画素列ごと及び画素行ごとの少なくともいずれかに配置されている
請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記画素は、少なくとも３つのサブ画素で構成され、
前記第１電極及び前記発光層は、前記サブ画素ごとに離間して設けられ、
前記補助配線は、前記サブ画素の列ごと及び前記サブ画素の行ごとの少なくともいずれかに配置されている
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動回路基板は、
前記第１電極の下に配置された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の下に配置され、前記発光層、前記第１電極、前記第２電極及び前記中間層で形成された前記発光素子を駆動する駆動トランジスタとを備え、
前記層間絶縁層に設けられた導電ビアを介し、前記第１電極と前記駆動トランジスタのソース及びドレインの一方とが接続され、
前記電源部の一方の端子は、前記給電線を介して前記駆動トランジスタのソース及びドレインの他方に接続され、前記電源部の他方の端子は前記給電線を介して前記補助配線に接続されている
請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関し、特に、輝度ムラを低減した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光、高視野角、高速応答性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記す）を用いたアクティブマトリクス方式などの表示装置が注目されている。【０００３】
上記表示装置は、有機ＥＬ素子が配置された表示パネルと、当該有機ＥＬ素子を駆動する駆動回路から構成されている。そして、表示パネルは、ガラスなどの基板上に、Ａｌなどの第１電極とそれに対向するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの第２電極と、それらの間に発光層を設けた有機ＥＬ素子を、マトリクス状に配置して構成されている。また、駆動回路は、基板と上記第１電極との間に設けられ、有機ＥＬ素子を個別に駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などで構成されている。【０００４】
また、表示装置として、有機ＥＬ素子の発光した光を、基板を介して外部に取り出す下面発光方式と、基板と対向する第２電極側から取り出す上面発光方式が検討されている。しかし、アクティブマトリクス方式の下面発光方式の表示装置では、駆動回路の薄膜トランジスタが基板に形成されるため、十分な開口率を確保することが困難となっている。【０００５】
一方、上面発光方式は、薄膜トランジスタなどにより開口率が制限されないため、下面発光方式に比べて発光した光の利用効率を高めることができる。この場合、上面発光方式は、発光層の上面に形成した第２電極を介して光が外部に取り出されるため、第２電極に高い導電性とともに高い光透過性が要求される。しかし、一般に第２電極に用いられる透明導電性材料は、ＩＴＯなどの金属酸化物、マグネシウムやアルミニウムや銀等の金属の薄膜が用いられるが、金属酸化物及び薄膜金属は、配線等に使用される金属層に比べて抵抗率が高い。そのため、表示パネルが大面積化されるほど、発光画素間で第２電極の配線長に差異が生じ、電源供給部の端とパネルの中央の間で大きな電圧降下が発生し、それに応じて輝度に差が出るため、中央が暗くなる。つまり、表示パネル面の有機ＥＬ素子の配置位置によって輝度がばらつき、表示品質の低下を生じるという問題がある。【０００６】
これを避けるためには、画素ごとに下部の低抵抗配線から上部透明電極に給電する構造が有効である。【０００７】
特許文献１に開示された表示装置では、基板上に、抵抗率の低い導電材料からなる第１電極と補助配線とが分離して設けられ、第１電極上に発光層である光変調層が設けられ、その上に透明導電性材料からなる第２電極が設けられている。さらに、隔壁に部分的に設けられた開口部を介して、補助配線と第２電極とが接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載された表示装置では、補助電極と第２電極とを直接接続させるため、発光層及び当該発光層と第２電極との間に形成される機能層を、第１電極上には形成し補助電極上には形成しないという配置をとる必要がある。大画面化及び高精細化が進行するにつれ、発光層及び機能層を均一に製膜する技術は高度化され、特に上記機能層を高精細な画素ごとに区画して形成するには、高精度の製膜マスク及び複雑な工程を要し、製造工程の煩雑化を伴う。【００１０】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、簡素化された製造プロセスで画素間の輝度バラツキを低減する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子及び当該発光素子を発光駆動するための回路素子を有する画素が行列状に配置された表示部と、当該表示部の外周領域に配置された給電線から前記画素に電源電圧を給電する電源部とを備える表示装置であって、前記画素は、前記回路素子が形成された駆動回路基板上に形成された第１電極と、前記駆動回路基板上に前記第１電極と離間して形成された補助配線と、前記第１電極の上方に形成された発光物質を含む発光層と、前記発光層の上方に形成された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した中間層とを備え、前記中間層及び前記第２電極は、前記第１電極の上方から前記補助配線の上方に延設され、前記給電線から最も遠く離れた前記画素を当該給電線からＭ画素目に配置された第１画素とし、画素あたりの前記第２電極の抵抗値をＲ２ｐ、及び画素あたりの前記補助配線の抵抗値をＲｂｐとした場合、前記補助配線上の前記中間層の抵抗値Ｒｉｐは、Ｒｉｐ≦（Ｒ２ｐ−Ｒｂｐ）×Ｍ×（Ｍ＋１）／２なる関係を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る表示装置によれば、第２電極及び補助配線の抵抗値との関係により、中間層の抵抗値が決定される。これにより、給電線から最遠部にある画素における電圧降下量を低減でき、簡素化された製造プロセスにより、大型パネルでも電圧降下による画素間の輝度バラツキを大幅に低減した表示品質の高い表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施の形態１に係る表示装置の全体構成を示す機能ブロック図である。
【図２】図２は、実施の形態１に係る表示装置の要部を説明する部分平面図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した要部断面図である。
【図４】図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した要部断面図である。
【図５】図５は、実施の形態に係る画素の回路構成の一例を示す図である。
【図６】図６は、実施の形態に係る表示装置の接続部の電流−電圧特性を示すグラフである。
【図７】図７は、透明陰極を抵抗線網にモデル化した表示部を表す図である。
【図８】図８は、実施の形態に係る表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、表示装置の一実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１５】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１６】
（実施の形態１）
実施の形態１における表示装置１について、図面を用いて説明する。
【００１７】
図１は、実施の形態１に係る表示装置の全体構成を示す機能ブロック図である。
【００１８】
［表示装置の全体構成］
本実施の形態に係る表示装置１は、表示部２と、電源部３と、データ線駆動回路４０と、走査線駆動回路５０と、制御回路６０とを備える。
【００１９】
表示部２は、有機ＥＬ素子及び当該有機ＥＬ素子を発光駆動するための回路素子を有する画素２０が行列状に配置されている。
【００２０】
電源部３は、表示部２の外周領域に配置された給電線３０から各画素２０に電源電圧を給電する。なお、給電線３０は、正電源電圧を伝達する正電圧給電線と、当該正電源電圧よりも低電位である負電源電圧を伝達する負電圧給電線とを有している。
【００２１】
制御回路６０は、外部から入力された映像信号に基づいて、データ線駆動回路４０を制御するための制御信号Ｓ４を生成し、生成した制御信号Ｓ４をデータ線駆動回路４０へ出力する。また、制御回路６０は、入力される同期信号に基づいて走査線駆動回路５０を制御するための制御信号Ｓ５を生成し、当該生成した制御信号Ｓ５を走査線駆動回路５０へ出力する。
【００２２】
データ線駆動回路４０は、制御回路６０で生成された制御信号Ｓ４に基づいて、表示部２のデータ線を駆動する。より具体的には、データ線駆動回路４０は、映像信号および水平同期信号に基づいて、各画素回路に映像信号を反映したデータ電圧を出力する。
【００２３】
走査線駆動回路５０は、制御回路６０で生成された制御信号Ｓ５に基づいて、表示部２の走査線を駆動する。より具体的には、走査線駆動回路５０は、垂直同期信号および水平同期信号に基づいて、各画素回路に走査信号等を、少なくとも表示ライン単位で出力する。
【００２４】
［画素構造］
図２は、実施の形態１に係る表示装置の要部を説明する部分平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した要部断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した要部断面図である。図２には、１つの画素２０を含む表示部の一部が表されている。画素２０は、図２に示すように、例えば、赤色表示用のサブ画素２０Ｒと、緑色表示用のサブ画素２０Ｇと、青色表示用のサブ画素２０Ｂと、接続部２０Ｃとを有している。また、図２には、サブ画素ごとに離間して配置された陽極１２１と、サブ画素列ごとに配置して設けられ、サブ画素を区画するバンク１２２と、画素２０ごとに配置された補助配線１３１と、駆動回路層と陽極１２１とを電気接続するビア１２０とが表されている。
【００２５】
以下、図３及び図４を用いて、画素２０の積層構造を説明する。図３に示されたように、サブ画素２０Ｇは、基板１０と、基板１０上に設けられた駆動回路層１１と、駆動回路層１１上に設けられた有機ＥＬ層１２とで構成されている。
【００２６】
基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板などが用いられる。また、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホンなどのプラスチック基板を用いて、表示装置１に曲げ性を付与することもできる。特に本実施の形態のように、上面発光方式の場合、不透明プラスチック基板やセラミック基板を用いることができる。
【００２７】
駆動回路層１１は、有機ＥＬ素子を発光駆動するための回路素子が形成された層であり、当該回路素子としては、例えば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）が挙げられる。駆動回路層１１は、例えば、ゲート電極１１１と、ゲート絶縁層１１２と、半導体層１１３と、ソース電極１１４（図中に記載せず）と、ドレイン電極１１５と、層間絶縁層１１６と、ビア１２０とを備える。
【００２８】
有機ＥＬ層１２は、陽極１２１と、バンク１２２と、正孔注入層１２３と、正孔輸送層１２４と、有機発光層１２５と、電子輸送層１２６と、透明陰極１２７とを備える。
【００２９】
陽極１２１は、層間絶縁層１１６の上であって、サブ画素ごとに離間して形成された第１電極である。また、陽極１２１は、駆動トランジスタのソース電極１１４と接続するためのビア１２０と一体形成されている。陽極１２１及びビア１２０としては、特に限定されないが、電気抵抗率が小さい材料を用いることが好ましく、例えば銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、コバルト、のうちのいずれかの金属、これらの金属の合金、またはそれらを積層したものを用いることができる。
【００３０】
バンク１２２は、サブ画素列ごとに配置して設けられ、サブ画素を区画する隔壁である。バンク１２２としては、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を用いることができる。このとき、有機発光層１２５で発生する光が隣接サブ画素へ透過することを防止するために、例えばカーボン粒子などを樹脂中に含有させてもよい。
【００３１】
正孔注入層１２３は、陽極１２１の上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。正孔注入層１２３は、正孔注入性の材料を主成分とする層であり、正孔注入性の材料とは、陽極１２１側から注入された正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して有機発光層１２５へ注入する機能を有する材料である。正孔注入層１２３としては、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などを用いることができる。
【００３２】
正孔輸送層１２４は、正孔注入層１２３上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。正孔輸送層１２４は、正孔注入層１２３から注入された正孔を有機発光層１２５内へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１２４としては、正孔輸送性の有機材料を用いることができる。正孔輸送性の有機材料とは、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機物質である。これは、ｐ−型の有機半導体と呼ばれることもある。正孔輸送層１２４は、高分子材料でも低分子材料であってもよいが、湿式印刷法で製膜できることが好ましく、上層である有機発光層１２５を形成する際に、これに溶出しにくいよう、架橋剤を含むことが好ましい。正孔輸送性の材料の例としては、特に限定されるものではないが、芳香族アミンを用いることができ、好ましくはトリフェニルアミンの誘導体及びトリアリールアミン誘導体が用いられる。架橋剤の例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。
【００３３】
正孔輸送層１２４を形成する製膜法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法に代表されるノズルジェット法や、ディスペンサー法を用いることができる。この場合、インクジェット法は、インク化した有機成膜材料をノズルから噴射して、正孔輸送層１２４を形成する方法である。
【００３４】
有機発光層１２５は、正孔輸送層１２４上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。有機発光層１２５は、陽極１２１及び透明陰極１２７の間に電圧が印加されることにより発光する層であり、有機発光層１２５としては、低分子系または高分子系の有機発光材料を用いることができる。高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。また、低分子系の発光材料としては、Ａｌｑ３やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕などの８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどの金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼンなどのスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−��フェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジンなどのジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体などが用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネンなども用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光発光材料を用いることもできる。
【００３５】
電子輸送層１２６は、有機発光層１２５の上であってバンク１２２を跨り、図３にて後述する補助配線１３１の上方に延設までされた、電子輸送性の材料を主成分とする中間層である。電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、透明陰極１２７から有機発光層１２５までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。電子輸送層１２６としては、例えば、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）などが用いられる。
【００３６】
なお、補助配線１３１の上方に延設された電子輸送層１２６と、陽極１２１上の電子輸送層１２６とは、必ずしも連続である必要はない。連続形成されていない電子輸送層１２６としては、連続高精細マスクを使用せずとも発光部と接続部とで、同じ製膜プロセスで分離形成可能な電子輸送層１２６であって、例えば、塗布製膜された段階でバンク１２２により分離形成されるものが挙げられる。
【００３７】
透明陰極１２７は、電子輸送層１２６の上であってバンク１２２を跨り、図３にて後述する補助配線１３１の上方に延設され、全ての画素２０にわたり全面形成された第２電極であり、各画素２０に連続して設けられた透明電極である。透明陰極１２７は、特に限定されないが、上面発光方式の場合、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物、マグネシウムやアルミニウムや銀等の金属の薄膜を用いることが好ましい。
【００３８】
なお、電子輸送層１２６と透明陰極１２７との間に、電子注入層が形成されていてもよい。ここで、電子注入層は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、透明陰極１２７から注入された電子を安定的に、または電子の生成を補助して有機発光層１２５へ注入する機能を有する材料である。
【００３９】
上記構成により、表示部は、有機発光層１２５に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を透明陰極１２７側から放出する。
【００４０】
また、画素２０は、図４に示すように、サブ画素２０Ｒに隣接した領域であって、当該サブ画素２０Ｒと他の画素２０が備えるサブ画素との間に、補助配線１３１が配置された接続部２０Ｃを備える。補助配線１３１は、駆動回路層１１の上に、陽極１２１と離間して形成されている。補助配線１３１の上には、陽極１２１の上方から延設された電子輸送層１２６及び透明陰極１２７が形成されている。
【００４１】
つまり、本実施の形態に係る表示部２では、陽極１２１及び有機発光層１２５は、サブ画素ごとに離間して設けられ、補助配線１３１は、画素列ごとに配置されている。これにより、給電線３０からの距離に依存する配線抵抗を低減して、画素駆動電圧の変動を抑制し、表示品質の高いカラー表示装置を実現できる。
【００４２】
なお、補助配線１３１は、画素列ごとではなく画素行ごとに配置されていてもよいし、また、画素列ごと及び画素行ごとの双方に配置されていてもよい。さらに、サブ画素列ごと及びサブ画素行ごとの少なくともいずれかに配置されていてもよい。
【００４３】
図４に示された補助配線１３１、電子輸送層１２６及び透明陰極１２７の積層構造により、駆動回路層１１の駆動トランジスタから、陽極１２１、正孔注入層１２３、正孔輸送層１２４、有機発光層１２５、及び電子輸送層１２６を経由して透明陰極１２７へ流れる画素電流Ｉｐｉｘは、さらに、補助配線１３１上の電子輸送層１２６及び補助配線１３１へと流れこむ。
【００４４】
補助配線１３１としては、特に限定されないが、陽極１２１の形成と同時プロセスにて形成されるため、陽極１２１と同じ材料であることが好ましい。
【００４５】
なお、図４に示された補助配線１３１と透明陰極１２７とで挟まれる中間層は、電子輸送層１２６に限られない。補助配線１３１と透明陰極１２７との間の中間層の構成として、正孔注入層１２３、正孔輸送層１２４、有機発光層１２５、電子輸送層１２６、及び電子注入層（図示せず）の少なくともいずれかを含んでいることが想定できる。ただし、この場合、画素電流ＩＰＩＸの流れる方向に対して、当該電流の流れを阻止しない層構成であることが要求される。
【００４６】
［画素回路構成］
図５は、実施の形態に係る画素の回路構成の一例を示す図である。同図に示すサブ画素２０Ｒは、有機ＥＬ素子２０１と、データ線２１２と、走査線２１１と、スイッチトランジスタ２０３と、駆動トランジスタ２０２と、保持容量素子２０４とを有する。なお、サブ画素２０Ｇ、サブ画素２０Ｂも、サブ画素２０Ｒと同様の回路構成である。サブ画素２０Ｇ、サブ画素２０Ｂ及びサブ画素２０Ｒを含む画素２０は、表示部に、行列状に配置されている。
【００４７】
スイッチトランジスタ２０３は、ソース及びドレインの一方がデータ線２１２に接続され、ソース及びドレインの他方が駆動トランジスタ２０２のゲート及び保持容量素子２０４の一端に接続された、例えば、ｎ型ＴＦＴである。
【００４８】
駆動トランジスタ２０２は、ドレインが正電源配線２２１に接続され、ソースが有機ＥＬ素子２０１のアノードに接続され、ゲートが保持容量素子２０４の一端に接続された、例えば、ｎ型ＴＦＴである。これにより、駆動トランジスタ２０２は、保持容量素子２０４に保持された電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子２０１に供給する。
【００４９】
保持容量素子２０４は、他端が駆動トランジスタ２０２のソースに接続され、データ線２１２から供給されたデータ電圧に対応した電圧を保持する。
【００５０】
データ線２１２は、データ線駆動回路（図示せず）とスイッチトランジスタ２０３のソース及びドレインの一方とを接続し、データ線駆動回路により映像信号に対応したデータ電圧が印加される。
【００５１】
走査線２１１は、走査線駆動回路５０とスイッチトランジスタ２０３のゲートとを接続し、走査線駆動回路５０により印加される電圧に応じて、スイッチトランジスタ２０３を導通及び非導通にする。
【００５２】
有機ＥＬ素子２０１は、上記有機ＥＬ層１２に形成された発光素子であり、アノード（陽極１２１）がビア１２０を経由して駆動トランジスタ２０２のソースに接続され、カソード（透明陰極１２７）が中間層（電子輸送層１２６）を経由して補助配線１３１に接続されている。この接続構成により、有機ＥＬ素子２０１は、アノード−カソード間に流れる電流値に応じた輝度で発光する。ここで、有機ＥＬ素子２０１のカソード電極である透明陰極１２７は、全ての画素２０に共通して設けられており、表示部２の外周領域に設けられた給電線３０から負電源電圧ＶＥＬが印加されるように、給電線３０を介して電源部３と電気的に接続されている。
【００５３】
電源部３が供給する電源電圧は、駆動トランジスタ２０２のドレインに供給される正電源電圧ＶＤＤと、有機ＥＬ素子２０１のカソードに供給される負電源電圧ＶＥＬとを含む。駆動トランジスタ２０２のドレインが接続される陽極１２１及び正電源配線２２１には、給電線３０（正電圧給電線）を介して電源部３から正電源電圧ＶＤＤが供給される。一方、有機ＥＬ素子２０１のカソードである透明陰極１２７には、補助配線１３１及び給電線３０（負電圧給電線）を介して電源部３から負電源電圧ＶＥＬが供給される。なお、電源部３が供給する電源電圧を正電源電圧ＶＤＤ及び負電源電圧ＶＥＬと定義したが、正電源電圧ＶＤＤは、負電源電圧ＶＥＬよりも電位が高い電圧を意味し、負電源電圧ＶＥＬは、正電源電圧ＶＤＤよりも電位が低い電圧であることを意味する。つまり、正電源電圧ＶＤＤ及び負電源電圧ＶＥＬは、それぞれ、正の電圧値及び負の電圧値を有することに限定されない。
【００５４】
ここで、本実施の形態に係る画素回路構成では、有機ＥＬ素子２０１のカソードと補助配線１３１との間に電子輸送層１２６なる中間層の抵抗Ｒｉｐが直列挿入されている。
【００５５】
［電圧降下を低減する構成］
以下、本発明の要部である中間層の構成について説明する。
【００５６】
図６は、実施の形態に係る表示装置の接続部の電流−電圧特性を示すグラフである。同図の横軸は、図４及び図５に示された接続部２０Ｃの電圧を表し、縦軸は、サブ画素を流れる画素電流ＩＰＩＸを表している。ここで、接続部２０Ｃの電圧とは、補助配線１３１と透明陰極１２７との間にかかる電圧である。
【００５７】
本実施の形態では、補助配線１３１と透明陰極１２７との間に配置された中間層は電子輸送層１２６であり、例えば、有機半導体で構成されている。従って、接続部２０Ｃの電流−電圧特性は、非線形特性となる。ここで、接続部２０Ｃにおける中間層の抵抗Ｒｉｐが小さいほど、電流−電圧特性は電流軸に漸近していく。つまり、中間層の抵抗Ｒｉｐが小さいほど接続部２０Ｃにおける電圧降下量は小さくなり、補助配線１３１を配置した効果が大きくなる。なお、中間層の抵抗Ｒｉｐには、中間層自体の抵抗値に加えて、中間層と透明陰極１２７との接触抵抗（界面抵抗）値及び中間層と補助配線１３１との接触抵抗（界面抵抗）値を含むものとしている。
【００５８】
この観点から、補助配線１３１の配置による電圧降下量低減を最大に発揮するには、接続部２０Ｃに中間層が介在しないことが好ましい。しかしながら、表示パネルの大画面化及び高精細化が進行するにつれ、有機発光層１２５及びその上下に積層された機能層を、接続部２０Ｃには形成せず、サブ画素などの発光部に形成するには、高精度の製膜マスク及び複雑な工程を要する。
【００５９】
これに対して、本実施の形態では、高精細の製膜マスク及び複雑な工程を要することなく、簡素化された製造プロセスにて、電圧降下量を低減する構成をとっている。以下では、高精細の製膜マスク及び複雑な工程を要することなく、表示部２の発光特性を確保しつつ、輝度ムラを解消するための中間層の電気的及び物理的特徴を規定する。
【００６０】
図７は、透明陰極を抵抗線網にモデル化した表示部を表す図である。同図は、陽極１２１をモデル化せず、透明陰極１２７のみを抵抗線網へとモデル化したものである。同図に示すように、表示部２全体に連続形成された透明陰極１２７は、画素ごとの抵抗成分ＲＰＩＸに細分化されている。
【００６１】
また、本実施の形態に係る表示部２は、例えば、縦横サイズが大きく異なる（縦：横＝９：１６）場合を想定している。この場合、ラスタ表示時において、表示部２の外周の４辺から電源電圧を給電しても、例えば、表示部２中央の画素にとっては、外周の左右辺から給電している効果はほとんどなく、外周の上下辺のみから給電していることと同等となる。この観点から、本抵抗線網モデルでは、表示部２の外周領域に配置された負電圧側の給電線３０を、表示部２の外周領域の上部に配置された負電圧給電線３０Ｕ、及び表示部２の外周領域の下部に配置された負電圧給電線３０Ｄとしている。本モデルにより、有機ＥＬ素子２０１のカソードに印加されるべきカソード電圧ＶＥＬは、負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄを介して表示部２の各画素２０に印加されることとなる。また、表示部２は、２Ｍ行であるとする。
【００６２】
上記のように負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄからカソード電圧ＶＥＬが給電される場合、各画素におけるカソード電圧ＶＥＬの電圧降下量を算出するモデルは、図７の右側に示すモデルに置き換えることが可能となる。このモデルにおいて、Ｖｃａｔ（ｋ）は、ｋ行目の画素２０における有機ＥＬ素子２０１のカソード電圧を表し、Ｉｃａｔ（ｋ）は、ｋ行目の画素２０の補助配線１３１を流れる電流を表している。
【００６３】
ここで、負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄから最も離れた画素、つまり中央の画素行であるＭ行目の画素２０の補助配線１３１を流れる電流Ｉｃａｔ（Ｍ）は、当該画素２０の駆動トランジスタ２０２及び有機ＥＬ素子２０１を流れる画素電流ＩＰＩＸに等しい。また、（Ｍ−１）行目の画素２０の補助配線１３１を流れる電流Ｉｃａｔ（Ｍ−１）は、全行同時に一様発光している場合には、当該画素２０の画素電流ＩＰＩＸと、Ｍ行目の画素２０の画素電流ＩＰＩＸとの加算電流２×ＩＰＩＸに等しい。同様にして、（Ｍ−ｋ）行目の画素２０の補助配線１３１を流れる電流Ｉｃａｔ（ｋ）は、全行同時に一様発光している場合には、当該画素２０の画素電流ＩＰＩＸと、Ｍ〜（Ｍ−（ｋ−１））行目の画素２０の各画素電流ＩＰＩＸとの加算電流（ｋ＋１）×ＩＰＩＸに等しい。上記関係は、以下の式１のように表される。
【００６４】
【数１】
2015198605.tif 000003
【００６５】
このとき、Ｍ行目の画素２０内で発生する電圧降下量は、Ｖｃａｔ（Ｍ）−Ｖｃａｔ（Ｍ−１）であり、Ｍ−ｋ行目の画素２０内で発生する電圧降下量は、Ｖｃａｔ（Ｍ−ｋ）−Ｖｃａｔ（Ｍ−（ｋ＋１））である。ここで、（Ｍ−ｋ）行目の画素２０内で発生する電圧降下量は、抵抗成分ＲＰＩＸに、（Ｍ−ｋ）行目の画素２０の補助配線１３１を流れる電流Ｉｃａｔ（Ｍ−ｋ）を乗じたものに等しい。従って、（Ｍ−ｋ）行目の画素２０内で発生する電圧降下量は、以下の式２のように表される。
【００６６】
【数２】
2015198605.tif 000004
【００６７】
上記式２より、負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄから最も離れた画素、つまり中央の画素行であるＭ行目における画素２０の負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄからの電圧降下量Ｖｃａｔ（Ｍ）は、以下の式３で表される。
【００６８】
【数３】
2015198605.tif 000005
【００６９】
ここで、本実施の形態でおいて、負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄから最も離れたＭ行目の画素２０では、電源部３の負電源電圧が負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄから接続部２０Ｃを介して伝達された場合の電圧降下量ＶＢｃａｔは、接続部２０Ｃを介さず透明陰極１２７を介して伝達された場合の電圧降下量ＶＤｃａｔ以下である。この関係は、以下の式４で表される。
【００７０】
【数４】
2015198605.tif 000006
【００７１】
上記式４において、ＶＢは、負電圧給電線３０Ｕまたは３０ＤとＭ行目の画素２０との間に配置された補助配線１３１の電圧降下量であり、Ｖｉｐは、Ｍ行目の画素２０における補助配線１３１と透明陰極１２７との間の電圧降下量である。
【００７２】
ここで、上記式４に示された電圧降下量ＶＤｃａｔ及びＶＢｃａｔは、図７に示された電源線網モデルにおけるＲＰＩＸを、それぞれ、画素あたりの透明陰極１２７の抵抗Ｒ２Ｐ及び画素あたりの補助配線１３１の抵抗ＲＢＰに置き換えて上記式３が適用される。また、Ｖｉｐは、中間層の抵抗Ｒｉｐに画素電流ＩＰＩＸを乗じたものであることから、上記式４は、以下の式５のように表される。
【００７３】
【数５】
2015198605.tif 000007
【００７４】
上記式５を展開すると式６のようになる。
【００７５】
【数６】
2015198605.tif 000008
【００７６】
上記式６は、画素あたりの電子輸送層１２６（中間層）の抵抗値が、画素あたりの透明陰極１２７の抵抗値Ｒ２Ｐ及び補助配線１３１の抵抗ＲＢＰと、給電線３０から最も離れた画素行Ｍとで表された上記関係式により規定されることを表している。上記式６により中間層を設定することにより、表示部２において最も給電線３０から離れた画素においても、従来の補助配線がない表示部構成と比較して、電圧降下量を低減することが可能となる。よって、給電線３０と各画素との間の配線抵抗の低減により、大型パネルでも電圧降下による画素間の輝度バラツキを大幅に低減した表示品質の高い表示装置１を実現できる。また、補助配線１３１と透明陰極１２７との間に、有機発光層１２５と透明陰極１２７との間に介在する電子輸送層１２６を延設させているので、製造プロセスを簡素化でき生産性を向上できる。
【００７７】
また、本実施の形態において、中間層は、上記のように抵抗値で規定されるだけでなく、以下のように、中間層の接触面積Ｓｉｐ及び膜厚ｌｉによっても規定される。
【００７８】
ここで、接続部２０Ｃに流れる電流が空間電荷制限電流に基づくものであるとし、中間層の誘電率をε、及び移動度をμとすると、中間層を流れる電流つまり画素電流の電流密度ＪＰＩＸは以下の式７で表される。
【００７９】
【数７】
2015198605.tif 000009
【００８０】
また、以下の式８及び式９が成立する。
【００８１】
【数８】
2015198605.tif 000010
【００８２】
【数９】
2015198605.tif 000011
【００８３】
上記式９を上記式６に代入すると、以下の式１０が得られる。
【００８４】
【数１０】
2015198605.tif 000012
【００８５】
上記式１０は、電子輸送層１２６（中間層）の接続部２０Ｃにおける接触面積及び膜厚、電子輸送層１２６（中間層）の誘電率ε及び移動度μが、画素あたりの透明陰極１２７の抵抗値Ｒ２Ｐ及び補助配線１３１の抵抗ＲＢＰと、画素電流ＩＰＩＸと、給電線３０から最も離れた画素行Ｍとで表された上記関係式により規定されることを表している。上記式１０により中間層を設定することにより、表示部２において最も給電線３０から離れた画素においても、従来の補助配線がない表示部構成と比較して、電圧降下量を効果的に抑制することが可能となる。
【００８６】
なお、負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄの近傍の画素２０では、電源部３の負電源電圧が負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄから接続部２０Ｃを介して伝達された場合の電圧降下量ＶＢｃａｔは、接続部２０Ｃを介さず透明陰極１２７を介して伝達された場合の電圧降下量ＶＤｃａｔより大きくてもよい。この関係は、以下の式１１で表される。
【００８７】
【数１１】
2015198605.tif 000013
【００８８】
なお、負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄの近傍の画素２０とは、例えば、表示部２の画素行数を２Ｍとした場合、１行目から（１０％×Ｍ）行目までの画素、または、（１９０％×Ｍ）行目から２Ｍ行目までの画素２０である。または、１行目の画素、または、２Ｍ行目の画素２０である。
【００８９】
ここで、負電圧給電線３０Ｕ及び３０Ｄの近傍の画素２０が負電圧給電線３０Ｕ及び３０ＤからＮ行目の画素であるとする。また、図７に示された電源線網モデルにおけるＲＰＩＸを、それぞれ、画素あたりの透明陰極１２７の抵抗Ｒ２Ｐ及び画素あたりの補助配線１３１の抵抗ＲＢＰに置き換え、ＭをＮに置き換えて上記式３を式１１に適用すると、以下の式１２が得られる。
【００９０】
【数１２】
2015198605.tif 000014
【００９１】
上記式１２は、画素あたりの電子輸送層１２６（中間層）の抵抗値が、画素あたりの透明陰極１２７の抵抗値Ｒ２Ｐ及び補助配線１３１の抵抗ＲＢＰと、給電線３０の近傍の画素行Ｎとで表された上記関係式により規定されることを表している。
【００９２】
上記式１２により中間層を設定することにより、表示部２において給電線３０の近傍の画素２０では、直接給電線３０から補助配線１３１を介さずに透明陰極１２７へ負電源電圧が給電される。
【００９３】
つまり、電子輸送層１２６（中間層）の抵抗値Ｒｉｐを、式６の関係式かつ式１２の関係式により規定することにより、給電線３０から離れた画素２０では、補助配線１３１による電力伝送が効果的に行われ、補助配線１３１を介して負電源電圧が給電される。よって、表示部２において給電線３０から離れた画素において電圧降下量を効果的に抑制することが可能となる。
【００９４】
（効果など）
以上のように、本実施の形態に係る表示装置の一態様は、有機ＥＬ素子２０１及び有機ＥＬ素子２０１を発光駆動するための回路素子を有する画素２０が行列状に配置された表示部２と、表示部２の外周領域に配置された給電線３０から画素２０に電源電圧を給電する電源部３とを備える表示装置１であって、画素２０は、回路素子が形成された駆動回路層１１上に形成された陽極１２１と、駆動回路層１１上に陽極１２１と離間して形成された補助配線１３１と、陽極１２１の上方に形成された発光物質を含む有機発光層１２５と、有機発光層１２５の上方に形成された透明陰極１２７と、有機発光層１２５と透明陰極１２７との間に介在し有機発光層１２５への電子輸送を補助する電子輸送層１２６とを備える。電子輸送層１２６及び透明陰極１２７は、陽極１２１の上方から補助配線１３１の上方に延設され、給電線３０から最も遠く離れた画素２０を給電線３０からＭ画素目に配置された第１画素とし、画素あたりの透明陰極１２７の抵抗値をＲ２ｐ、及び画素あたりの補助配線１３１の抵抗値をＲｂｐとした場合、補助配線１３１上の電子輸送層１２６の抵抗値Ｒｉｐは、Ｒｉｐ≦（Ｒ２ｐ−Ｒｂｐ）×Ｍ×（Ｍ＋１）／２なる関係を満たす。
【００９５】
これによれば、表示部２において最も給電線３０から離れた画素においても、従来の補助配線がない表示部構成と比較して、電圧降下量を低減することが可能となる。よって、給電線３０と各画素２０との間の配線抵抗の低減により、大型パネルでも電圧降下による画素間の輝度バラツキを大幅に低減することが可能となる。また、補助配線１３１と透明陰極１２７との間に、有機発光層１２５と透明陰極１２７との間に介在する電子輸送層１２６を延設させているので、製造プロセスを簡素化でき生産性を向上できる。
【００９６】
また、電源電圧が給電線３０から補助配線１３１を介して上記第１画素へ伝達された場合の電圧降下量は、電源電圧が給電線３０から補助配線１３１を介さず透明陰極１２７を介して伝達された場合の電圧降下量以下であってもよい。
【００９７】
これにより、表示部２において最も給電線３０から離れた画素において、電圧降下量を低減することが可能となる。
【００９８】
また、給電線３０の近傍の画素２０を給電線３０からＮ画素目に配置された第２画素とした場合、電子輸送層１２６の抵抗値Ｒｉｐは、さらに、Ｒｉｐ＞（Ｒ２ｐ−Ｒｂｐ）×Ｎ×（Ｎ＋１）／２なる関係を有してもよい。
【００９９】
また、電源電圧が給電線３０から補助配線１３１を介して上記第２画素へ伝達された場合の電圧降下量は、電源電圧が給電線３０から補助配線１３１を介さず透明陰極１２７を介して伝達された場合の電圧降下量よりも大きくてもよい。
【０１００】
これによれば、給電線３０から離れた画素２０では、補助配線１３１を介して電源電圧が供給される。よって、少なくとも給電線３０から離れた画素２０においては、補助配線１３１が配置されていない場合と比較して、電圧降下量を効果的に抑制できる。
【０１０１】
また、補助配線１３１と透明陰極１２７との間に介在する中間層は、有機発光層１２５、正孔注入層１２３、正孔輸送層１２４、電子輸送層１２６、及び電子注入層の少なくとも１つであってもよい。
【０１０２】
これにより、中間層となる上記機能層を、高精細のマスクなどを使用して分離製膜する工程を省略できるので、製造プロセスを簡素化でき生産性を向上できる。
【０１０３】
また、陽極１２１及び有機発光層１２５は、画素２０ごとに離間して設けられ、補助配線１３１は、画素列ごと及び画素行ごとの少なくともいずれかに配置されていてもよい。
【０１０４】
これにより、給電線３０からの距離に依存する配線抵抗を低減して、画素駆動電圧の変動を抑制し、表示品質の高い表示装置を実現できる。
【０１０５】
また、画素２０は、少なくとも３つのサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂで構成され、陽極１２１及び有機発光層１２５は、サブ画素ごとに離間して設けられ、補助配線１３１は、サブ画素列ごと及びサブ画素行ごとの少なくともいずれかに配置されていてもよい。
【０１０６】
これにより、給電線３０からの距離に依存する配線抵抗を低減して、画素駆動電圧の変動を抑制し、表示品質の高いカラー表示装置を実現できる。
【０１０７】
また、駆動回路層１１は、陽極１２１の下に配置された層間絶縁層１１６と、層間絶縁層１１６の下に配置され、有機ＥＬ素子２０１を駆動する駆動トランジスタ２０２とを備え、層間絶縁層１１６に設けられたビア１２０を介し、陽極１２１と駆動トランジスタ２０２のソースとが接続され、電源部３の正電圧端子は、給電線３０を介して駆動トランジスタ２０２のドレインに接続され、電源部３の負電圧端子は給電線３０を介して補助配線１３１に接続されていてもよい。
【０１０８】
これにより、電源部３の負電圧端子は給電線３０を介して補助配線１３１に接続されているので、表示部２における画素２０のカソード電位が安定し、輝度バラツキを低減することが可能となる。
【０１０９】
（他の実施の形態）
以上、本発明の表示装置について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明に係る表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本実施の形態に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【０１１０】
例えば、上記実施の形態では、有機ＥＬ層１２の構成として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／陰極を例に説明したが、これに限られない。例えば、有機ＥＬ層の構成として、少なくとも有機発光層、陽極及び陰極を含む構成であればよい。また、例えば、有機発光層、陽極及び陰極以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１層を含む構成であってもよい。
【０１１１】
また、上記実施の形態では、表示部２に連続形成された透明陰極１２７による負電源電圧ＶＥＬの電圧降下（上昇）を低減する構成を例示したが、回路構成、発光方式及び有機ＥＬ層の積層構造などにより、例えばアノードコモンのトップエミッションにおいて、陽極１２１による正電源電圧ＶＤＤの電圧降下を低減する構成も本発明に含まれる。
【０１１２】
また、上記実施の形態では、画素２０を、３つのサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂで構成されているものとして説明したが、画素構成はこれに限られない。例えば、画素２０が複数のサブ画素を有さず、１つの画素で構成されていても、上記実施の形態に係る表示装置１と同様の効果が奏される。
【０１１３】
なお、上記実施の形態において、中間層は、発光部を構成する層の一部として説明してきたが、接続部を構成する中間層は、発光部を構成する層と連続している必要はない。高精細マスクを使用せずとも発光部と接続部とで分離形成可能な中間層であって、例えば、塗布製膜された段階でバンク１２２により分離形成されるものであればよい。この場合であっても、製造プロセスを簡素化しつつ輝度バラツキを低減できる。
【０１１４】
また、例えば、本実施の形態に係る表示装置１は、図８に示されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。本実施の形態に係る表示装置１により、製造プロセスを簡素化しつつ輝度バラツキが大幅に低減された、高品質な薄型フラットＴＶが実現される。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明は、有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用であり、画質の均一性が要求されるディスプレイとして用いるのに最適である。
【符号の説明】
【０１１６】
１    表示装置
２    表示部
３    電源部
１０    基板
１１    駆動回路層
１２    有機ＥＬ層
２０    画素
２０Ｂ、２０Ｇ、２０Ｒ    サブ画素
２０Ｃ    接続部
３０    給電線
３０Ｄ、３０Ｕ    負電圧給電線
４０    データ線駆動回路
５０    走査線駆動回路
６０    制御回路
１１１    ゲート電極
１１２    ゲート絶縁層
１１３    半導体層
１１４    ソース電極
１１５    ドレイン電極
１１６    層間絶縁層
１２０    ビア
１２１    陽極
１２２    バンク
１２３    正孔注入層
１２４    正孔輸送層
１２５    有機発光層
１２６    電子輸送層
１２７    透明陰極
１３１    補助配線
２０１    有機ＥＬ素子
２０２    駆動トランジスタ
２０３    スイッチトランジスタ
２０４    保持容量素子
２１１    走査線
２１２    データ線
２２１    正電源配線
【図１】
2015198605.tif 000015
【図２】
2015198605.tif 000016
【図３】
2015198605.tif 000017
【図４】
2015198605.tif 000018
【図５】
2015198605.tif 000019
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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