(57)【要約】  本発明の課題は、優れた導通信頼性を達成することができる異方導電部材およびそれを用いた多層配線基板を提供することである。本発明の異方導電性部材は、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路と、絶縁性基材の表面に設けられた粘着層と、を具備し、各導通路が、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、各導通路の突出部分の端部が、粘着層の表面から露出または突出している、異方導電性部材である。
2016006660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料からなる絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路と、
前記絶縁性基材の表面に設けられた粘着層と、を具備し、
前記各導通路が、前記絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、
前記各導通路の前記突出部分の端部が、前記粘着層の表面から露出または突出している、異方導電性部材。
【請求項２】
前記各導通路の前記突出部分のアスペクト比が、０．０１以上２０未満である、請求項１に記載の異方導電性部材。
ここで、前記アスペクト比は、前記突出部分の直径に対する高さの割合をいう。
【請求項３】
前記各導通路の前記突出部分の高さが、５０ｎｍ〜１５００ｎｍである、請求項１または２に記載の異方導電性部材。
【請求項４】
前記粘着層の厚みが、５０ｎｍ〜１５００ｎｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方導電性部材。
【請求項５】
前記各導通路の前記突出部分の高さと前記粘着層の厚みとの差の絶対値が、０ｎｍ〜５０ｎｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性部材。
【請求項６】
前記粘着層が、熱膨張係数が５０×１０-6Ｋ-1未満の高分子材料を含有する層である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の異方導電性部材。
【請求項７】
前記高分子材料が、ポリイミド樹脂およびエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂材料である、請求項６に記載の異方導電性部材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に異方導電性部材と、前記異方導電性部材の前記導電性材料と電極を介して電気的に接続される配線基板とが積層された多層配線基板。
【請求項９】
半導体パッケージのインターポーザとして用いる請求項８に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電性部材および多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基材に設けられた微細孔に金属が充填されてなる金属充填微細構造体（デバイス）は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電部材としての用途が期待されている。
この異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材や機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著であり、従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続するような方式や、フィリップチップボンディング、サーモコンプレッション（熱圧着）ボンディングなどでは、接続の安定性を十分に保証することができないため、電子接続部材として異方導電性部材が注目されている。【０００３】
このような異方導電性部材に用いることができる微細構造体として、例えば、特許文献１には、「１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2の密度で、孔径１０〜５００ｎｍのマイクロポア貫通孔を有する絶縁性基材よりなる微細構造体であって、該マイクロポア貫通孔内部に、充填率３０％以上で金属が充填され、且つ、該絶縁性基材の少なくとも一方の表面上にポリマーよりなる層が設けられていることを特徴とする微細構造体。」が記載されている（［請求項１］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０６７５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、特許文献１に記載された微細構造体について検討を行った結果、この微細構造体においては、導通路の突出部分（バンプ）がポリマー層で覆われた状態となっているため（特許文献１：［００３８］［図２］等参照）、ポリマー層の材料や厚み、または、接続する電極の形状やピッチ等によっては、導通路の突出部分を覆うポリマー層の存在が導通を妨げとなり、導通信頼性が劣る場合があることを明らかとした。【０００６】
そこで、本発明は、優れた導通信頼性を達成することができる異方導電部材およびそれを用いた多層配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、絶縁性基材の表面に粘着層を設け、かつ、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路の突出部分の端部を粘着層の表面から露出ないし突出させることにより、優れた導通信頼性を達成することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。【０００８】
［１］  無機材料からなる絶縁性基材と、
絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路と、
絶縁性基材の表面に設けられた粘着層と、を具備し、
各導通路が、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、
各導通路の突出部分の端部が、粘着層の表面から露出または突出している、異方導電性部材。
［２］  各導通路の突出部分のアスペクト比が、０．０１以上２０未満である、［１］に記載の異方導電性部材。
ここで、アスペクト比は、突出部分の直径に対する高さの割合をいう。
［３］  各導通路の突出部分の高さが、５０ｎｍ〜１５００ｎｍである、［１］または［２］に記載の異方導電性部材。
［４］  粘着層の厚みが、５０ｎｍ〜１５００ｎｍである、［１］〜［３］のいずれかに記載の異方導電性部材。
［５］  各導通路の突出部分の高さと粘着層の厚みとの差の絶対値が、０ｎｍ〜５０ｎｍである、［１］〜［４］のいずれかに記載の異方導電性部材。
［６］  粘着層が、熱膨張係数が５０×１０-6Ｋ-1未満の高分子材料を含有する層である、［１］〜［５］のいずれかに記載の異方導電性部材。
［７］  高分子材料が、ポリイミド樹脂およびエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂材料である、［６］に記載の異方導電性部材。
［８］  ［１］〜［７］のいずれかに異方導電性部材と、異方導電性部材の導電性材料と電極を介して電気的に接続される配線基板とが積層された多層配線基板。
［９］  半導体パッケージのインターポーザとして用いる［８］に記載の多層配線基板。
【発明の効果】
【０００９】
以下に説明するように、本発明によれば、優れた導通信頼性を達成することができる異方導電部材およびそれを用いた多層配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、導通路を構成する導電性部材の示差走査熱量測定（Differential scanning calorimetry：ＤＳＣ）の解析結果を示す。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ、２５℃、２５０℃、３００℃、４００℃および５００℃の各温度における異方導電性部材の導通路の突出部分の走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）の画像である。
【図３】図３は、電極と異方導電性部材とを２５０℃で接合した際の接合部の断面のＳＥＭ画像である。
【図４】図４は、導通路の突出部分と電極との界面の銅材料を結晶回折（Ｘ線回折）による解析結果を示す。
【図５】図５は、本発明の異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す模式図であり、図５（Ａ）は正面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の切断面線ＩＢ−ＩＢからみた断面図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、本発明の異方導電性部材の実施態様の例を示す模式的な断面図である。
【図７】図７は、本発明の異方導電性部材の供給形態の一例を説明する模式図である。
【図８】図８は、本発明の多層配線基板の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
【図９】図９は、本発明の多層配線基板の製造に用いる接合装置の一例を示す模式的な断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、本発明の多層配線基板の製造に用いる接合装置の一例を示す模式的な断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の多層配線基板の製造に用いる接合装置の一例を示す模式的な断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、本発明の多層配線基板の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１２】
［異方導電性部材］
本発明の異方導電性部材は、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路と、絶縁性基材の表面に設けられた粘着層と、を具備している。
また、各導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、各導通路の突出部分の端部が、粘着層の表面から露出または突出している。
【００１３】
本発明の異方導電性部材においては、上述した通り、絶縁性基材の表面に粘着層を設け、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路の突出部分の端部を粘着層の表面から露出または突出させる構成を有していることにより、優れた導通信頼性を達成することができる。
これは、詳細には明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
すなわち、半導体素子または配線基板における電極と異方導電性部材とを接続（接合）する際に、電極と異方導電性部材における導通路とが接合し、その接合と同時または接続後に、異方導電性部材における粘着層が配線基板の電極以外の部分と接着することにより、電極と導通路との接続を阻害することなく、粘着層により配線基板と異方導電性部材との隙間を埋めることができるためであると考えられる。
【００１４】
また、後述する実施例および比較例に示す通り、半導体素子または配線基板における電極と異方導電性部材とを接続（接合）が、従来よりも低温、低圧および短時間で接合できることも、優れた導通信頼性に寄与していると考えられる。
ここで、低温、低圧および短時間で接合できる理由については、詳細には明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
まず、絶縁性基材の厚み方向に貫通した導通路（導電性部材）には、後述する導通路形成工程に伴って内部歪が存在していると考えられる。そして、この歪に起因するエネルギーがドライビングフォースとなり、僅かなエネルギーを加えることにより固相拡散を誘発すると考えられる。このことは、図１に示す通り、導通路を構成する導電性部材のＤＳＣの解析結果から、２５０℃で明確な発熱ピークを示すことからも確認できる（図１中の実線参照）。すなわち、ＤＳＣの測定原理により、融解現象であれば吸熱が観察され、再結晶などであれば発熱が観察されることから、異方導電性部材の接合は固相拡散に伴う現象、すなわち、拡散誘起再結晶（Diffusion Induced Recrystallisation：ＤＩＲ）による組織の再形成であると考えられる。一方、導通路を構成する導電性部材を５００℃まで加熱・昇温した材料については、発熱ピークの観測は見られないことから（図１中の破線参照）、加熱により内部歪に起因するエネルギーが解放され、再結晶化が起こっていると考えられる。
この再結晶化に関しては、図２に示す通り、２５℃、２５０℃、３００℃、４００℃および５００℃の各温度のＳＥＭ画像から、異方導電性部材の導通路の突出部分においては、接合時の加熱（例えば、２００℃以上の温度）により、再結晶組織が生成することが推察できる。また、図３に示す通り、実際に電極と異方導電性部材とを２５０℃で接合した際の接合部の断面のＳＥＭ画像からは、導通路の突出部分３ａと電極１２ａとの界面を判別することが難しく、再結晶組織が生成してことが推察できる。加えて、図４に示す通り、導通路の突出部分３ａと電極１２ａとの界面の導電性部材（図４においては銅）を結晶回折により解析したところ、結晶面が揃うことに対応すると考えられる回折線のダブルピークが観測され、再結晶組織が生成してことが推察できる。
なお、金属のバルク状態の固相拡散速度を考慮した場合、再結晶化などの形状変化を伴う現象は発生しにくいとも考えられるが、金属の表面の固相拡散速度は、金属の内部に比べて６桁程度大きくなるとの報告もあり、導通路の突出部分においても形状変化が起こり得ることは十分に考えられる。
【００１５】
次に、本発明の異方導電性部材の構成について、図５を用いて説明する。
図５に示す異方導電性部材１は、絶縁性基材２と、導電性部材からなる複数の導通路３と、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂに設けられた粘着層４とを具備するものである。
また、導通路３は、図５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を厚み方向Ｚ（Ｚ１：図５（Ａ）の裏面から正面の方向，Ｚ２：図５（Ａ）の正面から裏面の方向）に貫通して設けられている。
更に、導通路３は、図５（Ｂ）に示すように、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂから突出した突出部分３ａおよび３ｂを有しており、この突出部分３ａおよび３ｂの端部が、粘着層４の表面から露出または突出して設けられている。
ここで、「互いに絶縁された状態」とは、絶縁性基材の内部（厚み方向）に存在している各導通路が絶縁性基材の内部において互いに絶縁された状態であることを意味し、後述する図６（Ｃ）に示す通り、絶縁性基材の表面から突出した突出部分においては、複数の突出部分が接合していてもよい。
また、図５（Ｂ）においては、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂに粘着層４を有する態様を示しているが、本発明においては、絶縁性基材の少なくとも一方の表面に粘着層を有していればよい。
同様に、図５（Ｂ）においては、導通路３の両端が突出部分（符号３ａおよび３ｂ）を有している態様を示しているが、本発明においては、絶縁性基材の少なくとも粘着層を有する側の表面から突出した突出部分を有していればよい。
次に、本発明の異方導電性部材の絶縁性基材、導通路および粘着層について、材料、寸法、形成方法等について説明する。
【００１６】
〔絶縁性基材〕
本発明の異方導電性部材を構成する絶縁性基材は、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０14Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する粘着層を構成する高分子材料と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
【００１７】
上記絶縁性基材としては、例えば、ガラス基材、セラミックス基材（例えば、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等）、カーボン基材（例えば、ダイヤモンドライクカーボン等）、ポリイミド基材、これらの複合材料などが挙げられ、また、貫通孔を有する有機素材上に、セラミックス材料やカーボン材料を５０質量％以上含む無機材料で成膜した材料であってもよい。
【００１８】
本発明においては、上記絶縁性基材としては、所望の平均開口径を有するマイクロポアが貫通孔として形成され、後述する導通路を形成しやすいという理由から、バルブ金属の陽極酸化膜であるのが好ましい。
ここで、上記バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜（基材）であるのが好ましい。
【００１９】
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み（図５（Ｂ）においては符号６で表される部分）は、１μｍ〜１０００μｍであるのが好ましく、５μｍ〜５００μｍであるのがより好ましく、１０μｍ〜３００μｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
【００２０】
また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記導通路間の幅（図５（Ｂ）においては符号７で表される部分）は、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましい。絶縁性基材における導通路間の幅がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
【００２１】
〔導通路〕
本発明の異方導電性部材を構成する複数の導通路は、上記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性材料からなる導通路である。
また、上記導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、かつ、各導通路の突出部分の端部が後述する粘着層の表面から露出または突出して設けられている。
【００２２】
＜導電性材料＞
上記導通路を構成する導電性材料は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
【００２３】
＜突出部分＞
上記導通路の突出部分は、導通路が絶縁性基材の表面から突出した部分であり、また、突出部分の端部は、粘着層の表面から露出または突出している。
次に、上記導通路の突出部分の形状について、図５および図６を用いて説明する。
ここで、図５（Ｂ）に示す態様は、導通路３の突出部分３ａの端部が、粘着層４の表面から突出した態様であり、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示す態様は、いずれも、導通路３の突出部分３ａの端部が、粘着層４の表面から露出した態様である。なお、突出部分の端部が露出した態様については、図６に示すように導通路３の突出部分の端部（端面）と粘着層４の表面とが同一平面を構成する態様に限定されず、導通路３の突出部分の端部（端面）が粘着層４の表面よりも絶縁性基材２に近い側に位置する態様、言い換えると、突出部分の端部（端面）が粘着層４の表面よりも窪んだ位置にある態様であってもよい。
また、導通路の突出部分は、図６（Ａ）に示すように、絶縁性基材２の内部に存在している導通路と同様の（連続した）柱状形状であってもよいが、図６（Ｂ）に示すように、絶縁性基材２の内部に存在している導通路から屈曲した柱状形状であってもよく、更に、図６（Ｃ）に示すように、複数の導通路の突出部分３ａが接触した態様であってもよい。なお、図６（Ｃ）に示す態様においては、導通路としての機能を担保するために、すべての導通路の突出部分が接触した態様が除外されていることは言うまでもない。
【００２４】
本発明においては、異方導電性部材と電極とを圧着などの手法により接続（接合）する際に、突出部分が潰れた場合の面方向の絶縁性を十分に確保できる理由から、上記導通路の突出部分のアスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が０．０１以上２０未満であるのが好ましく、６〜２０であるのが好ましい。
【００２５】
また、本発明においては、接続対象となる半導体素子または配線基板の表面形状に追従する観点から、上記導通路の突出部分の高さが、５０ｎｍ〜１５００ｎｍであるのが好ましく、３００〜１０５０ｎｍであるのがより好ましい。
同様に、上記導通路の突出部分の直径は、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、４０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
【００２６】
＜他の形状＞
上記導通路は柱状であり、その直径（図５（Ｂ）においては符号８で表される部分）は、突出部分の直径と同様、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、４０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
【００２７】
また、上記導通路は上記絶縁性基材によって互いに絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は、２万個／ｍｍ2以上であるのが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であるのがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であるのが更に好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であるのが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であるのが最も好ましい。
【００２８】
更に、隣接する各導通路の中心間距離（図５においては符号９で表される部分）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、４０ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであるのが更に好ましい。
【００２９】
〔粘着層〕
本発明の異方導電性部材を構成する粘着層は、絶縁性基材の表面に設けられた層であり、配線基板の電極以外の部分同士の接着に寄与する層である。
【００３０】
本発明においては、接続後の収縮差などによる反りを軽減できるという理由から、上記粘着層が、熱膨張係数が５０×１０-6Ｋ-1未満の高分子材料を含有する層であるのが好ましく、５×１０-6Ｋ-1〜３０×１０-6Ｋ-1の高分子材料を含有する層であるのがより好ましい。
このように接続後の反りを軽減できる理由は、接続対象となる半導体素子または配線基板との熱膨張率差が小さくなることにより、変位差を吸収するための膜厚が不要となるため粘着層の厚みを薄膜化することができ、その結果、粘着層自体の熱膨張率の影響が軽減できたためであると考えられる。
ここで、熱膨張係数は、ＪＩＳ Ｋ ７１９７：１９９１の「プラスチックの熱機械分析による線膨脹率試験方法」に準じて測定した値をいい、２種以上の高分子材料を併用した場合はこれらの混合物における測定値をいう。
【００３１】
＜高分子材料＞
上記高分子材料としては、公知の樹脂材料などから熱膨張係数が５０×１０-6Ｋ-1未満となるように１種ないし２種以上を適宜選択することができるため特に限定されない。
これらのうち、効率よく配線基板と異方導電性部材との隙間を埋めることができ、配線基板との密着性がより高くなる理由から、ポリイミド樹脂（熱膨張係数：３０×１０-6Ｋ-1〜５０×１０-6Ｋ-1）および／またはエポキシ樹脂（熱膨張係数：４５×１０-6Ｋ-1〜６５×１０-6Ｋ-1）を用いるのが好ましい。
【００３２】
＜形状＞
本発明においては、接続対象となる半導体素子または配線基板の表面形状に追従する観点から、上記粘着層の厚みは、５０ｎｍ〜１５００ｎｍであるのが好ましく、２５０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
【００３３】
また、本発明においては、上述した通り、導通路の突出部分の端部を粘着層の表面から露出または突出させる構成を有しているが、異方導電性部材と電極との接続抵抗をより小さくできる理由から、上述した導通路の突出部分の高さと上記粘着層の厚みとの差の絶対値が、０ｎｍ〜５０ｎｍであるのが好ましい。なお、導通路の突出部分の高さと粘着層の厚みと差の絶対値が０ｎｍである状態は、導通路の突出部分の端部が粘着層の表面と同一平面において露出している状態である。
このように接続抵抗を小さくできる理由としては、厚みの差の絶対値が上記範囲にあることにより、粘着層の変形が起きた状態でも電極と導通路との接続が阻害されにくくなることなどが考えられる。
【００３４】
〔離型フィルム〕
本発明の異方導電性部材は、図７に示すように、所定径および所定幅の巻き芯７１に巻き取られた形状で供給する観点から、異方導電性部材の片側の表面に離型フィルム（図７においては符号７２で表される部分）を設けるのが好ましい。
ここで、離型フィルムとしては、例えば、ポリエステル系、ポリプロピレン系、ポリエチレン系、ポリテトラフルオロエチレン系のキャストフィルム；延伸フィルムにシリコーン樹脂を塗布して離型処理したもの；離型紙；などを挙げることができる。
【００３５】
上述した絶縁性基材、導通路および粘着層を具備する本発明の異方導電性部材は、移送導電性部材としての厚み、すなわち、上記絶縁基材の厚みと、上記導通路の突出部分の高さおよび上記粘着層の厚みのうち大きい値との合計値（上記離型フィルムを有する場合は離型フィルムの厚みを含む）が、５０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ〜５０μｍであるのがより好ましい。
【００３６】
［異方導電性部材の製造方法］
本発明の異方導電性部材の製造方法（以下、形式的に「本発明の製造方法」ともいう。）は特に限定されないが、例えば、上記絶縁性基材に設けられた貫通孔に上記導電性材料を存在させて上記導通路を形成する導通路形成工程と、導通路形成工程の後に上記絶縁性基材の表面のみを一部除去し、上記導通路を突出させるトリミング工程と、トリミング工程の後に上記絶縁性基材の表面のみに粘着層を形成する粘着層形成工程とを有する製造方法等が挙げられる。
【００３７】
〔絶縁性基材の作製〕
上記絶縁性基材は、例えば、貫通孔を有するガラス基板（Through Glass Via：ＴＧＶ）をそのまま用いることができるが、上記導通路の開口径や突出部分のアスペクト比を上述した範囲とする観点から、バルブ金属に対して陽極酸化処理を施す方法が好ましい。
上記陽極酸化処理としては、例えば、上記絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合は、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理、および、上記陽極酸化処理の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化する貫通化処理をこの順に施すことにより作製することができる。
本発明においては、上記絶縁性基材の作製に用いられるアルミニウム基板ならびにアルミニウム基板に施す各処理工程については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００４１］〜［０１２１］段落に記載したものと同様のものを採用することができる。
【００３８】
〔導通路形成工程〕
上記導通路形成工程は、上記絶縁性基材に設けられた上記貫通孔に上記導電性材料を存在させる工程である。
ここで、上記貫通孔に金属を存在させる方法としては、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）と同様の方法が挙げられる。
また、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、金、ニッケル、銅等による電極層を予め設けることが好ましい。この電極層の形成方法としては、例えば、スパッタ等の気相処理；無電解めっき等の液層処理；これらを組合せた処理；等が挙げられる。
上記金属充填工程により、導通路の突出部分が形成される前の異方導電性部材が得られる。
【００３９】
一方、上記導通路形成工程は、特開２００８−２７０１５８号公報に記載された方法に代えて、例えば、アルミニウム基板の片側の表面（以下、「片面」ともいう。）に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜のバリア層を除去するバリア層除去工程と、バリア層除去工程の後に電解めっき処理を施してマイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程とを有する工程を有する方法であってもよい。
【００４０】
＜陽極酸化処理工程＞
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板の片面に陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する工程である。
本発明の製造方法における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、異方導電性を担保する観点から、自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法や定電圧処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００５６］〜［０１０８］段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
【００４１】
＜バリア層除去工程＞
上記バリア層除去工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。バリア層を除去することにより、マイクロポアを介してアルミニウム基板の一部が露出することになる。
バリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する方法（以下、「電解除去処理」ともいう。）；エッチングによりバリア層を除去する方法（以下、「エッチング除去処理」ともいう。）；これらを組み合わせた方法（特に、電解除去処理を施した後に、残存するバリア層をエッチング除去処理で除去する方法）；等が挙げられる。
【００４２】
〈電解除去処理〉
上記電解除去処理は、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位（電解電位）よりも低い電位で施す電解処理であれば特に限定されない。
本発明においては、上記電解溶解処理は、例えば、上記陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、上記陽極酸化処理と連続して施すことができる。
【００４３】
上記電解除去処理は、電解電位以外の条件については、上述した従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液および処理条件を採用することができる。
特に、上述したように上記電解除去処理と上記陽極酸化処理とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理するのが好ましい。
【００４４】
（電解電位）
上記電解除去処理における電解電位は、上記陽極酸化処理における電解電位よりも低い電位に、連続的または段階的（ステップ状）に降下させるのが好ましい。
ここで、電解電位を段階的に降下させる際の下げ幅（ステップ幅）は、バリア層の耐電圧の観点から、１０Ｖ以下であるのが好ましく、５Ｖ以下であるのがより好ましく、２Ｖ以下であるのが更に好ましい。
また、電解電位を連続的または段階的に降下させる際の電圧降下速度は、生産性等の観点から、いずれも１Ｖ／秒以下が好ましく、０．５Ｖ／秒以下がより好ましく、０．２Ｖ／秒以下が更に好ましい。
【００４５】
〈エッチング除去処理〉
上記エッチング除去処理は特に限定されないが、酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いて溶解する化学的エッチング処理であってもよく、ドライエッチング処理であってもよい。
【００４６】
（化学エッチング処理）
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、上記陽極酸化処理工程後の構造物を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸漬させ、マイクロポアの内部に酸水溶液またはアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜のマイクロポアの開口部側の表面にｐＨ緩衝液に接触させる方法等により、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。
【００４７】
ここで、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。また、酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、１５〜８０℃が好ましく、更に２０〜６０℃が好ましく、更に３０〜５０℃が好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、１０〜６０℃が好ましく、更に１５〜４５℃が好ましく、更に２０〜３５℃であるのが好ましい。なお、アルカリ水溶液には、亜鉛や他の金属を含有していてもよい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、ｐＨ緩衝液としては、上述した酸水溶液またはアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。
【００４８】
また、酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
【００４９】
（ドライエッチング処理）
ドライエッチング処理は、例えば、Ｃｌ2／Ａｒ混合ガス等のガス種を用いることが好ましい。
【００５０】
＜金属充填工程＞
上記金属充填工程は、上記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して陽極酸化膜におけるマイクロポアの内部に金属を充填する工程であり、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法と同様の方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）が挙げられる。
なお、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、上述したバリア層除去工程の後にマイクロポアを介して露出するアルミニウム基板を電極として利用することができる。
【００５１】
＜基板除去工程＞
上記基板除去工程は、上記金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る工程である。
アルミニウム基板を除去する方法としては、例えば、処理液を用いて、上記金属充填工程においてマイクロポアの内部に充填した金属および絶縁性基材としての陽極酸化膜を溶解せずに、アルミニウム基板のみを溶解させる方法等が挙げられる。
【００５２】
上記処理液としては、例えば、塩化水銀、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水、塩酸／塩化銅混合物等の水溶液等が挙げられ、中でも、塩酸／塩化銅混合物であるのが好ましい。
また、上記処理液の濃度としては、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
また、処理温度としては、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
【００５３】
〔トリミング工程〕
上記トリミング工程は、上記導通路形成工程後の異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる工程である。
ここで、トリミング処理は、導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば特に限定されず、例えば、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であるのが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜５０℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理（トリミング処理）を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
【００５４】
本発明の製造方法においては、トリミング工程において導通路の突出部分の高さを厳密に制御する場合は、上記導通路形成工程後に絶縁性基材と導通路の端部とを同一平面状になるように加工した後、絶縁性基材を選択的に除去（トリミング）することが好ましい。
ここで、同一平面状に加工する方法としては、例えば、物理的研磨（例えば、遊離砥粒研磨、バックグラインド、サーフェスプレーナー等）、電気化学的研磨、これらを組み合わせた研磨などが挙げられる。
【００５５】
また、本発明の製造方法においては、上述した導通路形成工程またはトリミング工程の後に、金属の充填に伴い発生した導通路内の歪を軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも気体密度または気圧の低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、材料を加圧しながら行うことが好ましい。
【００５６】
〔粘着層形成工程〕
上記粘着層形成工程は、上記トリミング工程後に上記絶縁性基材の表面のみに粘着層を形成する工程である。
ここで、粘着層を形成する方法としては、例えば、上述した熱膨張係数を有する高分子材料と溶媒（例えば、メチルエチルケトンなど）等を含有する樹脂組成物を上記絶縁性基材の表面に塗布し、乾燥させ、必要に応じて焼成する方法等が挙げられる。
上記樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコーター、ロールコーター、エアナイフコーター、スクリーンコーター、バーコーター、カーテンコーター等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、３０〜８０℃の温度で、数秒〜数十分間、加熱する処理や、減圧下において５０〜２００℃の温度で加熱する処理などが挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する高分子材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０〜２４０℃の温度で２分間〜１時間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０〜８０℃の温度で２〜６０分間加熱する処理等が挙げられる。
【００５７】
本発明の製造方法においては、上述した各工程は、各工程を枚葉で行うことも可能であるし、アルミニウムのコイルを原反としてウェブで連続処理することもできる。
また、連続処理する場合には各工程間に適切な洗浄工程、乾燥工程を設置することが好ましい。
【００５８】
［多層配線基板］
以下に、本発明の多層配線基板について詳細に説明する。
本発明の多層配線基板は、上述した本発明の異方導電性部材と、異方導電性部材の貫通孔に存在させた導電性材料（導通路）と電極を介して電気的に接続される配線基板とが積層された多層配線基板である。
次に、本発明の多層配線基板の構造について、図８を用いて説明する。
【００５９】
図８に示す多層配線基板１０は、導通路３が配線基板１１ａおよび配線基板１１ｂにおける電極１２ａおよび１２ｂと接合するとともに、絶縁性基材２の表面に設けられた粘着層４が、配線基板１１ａおよび配線基板１１ｂにおける電極１２ａおよび１２ｂ以外の部分と接触するため、配線基板との密着力が高く、優れた導通信頼性を達成することができる。なお、図８に示す異方導電性部材は、図６（Ａ）と同様、導通路の突出部分の端部（端面）が粘着層の表面と同一面を形成している態様であるが、図５（Ｂ）に示すように、導通路の突出部分の端部（端面）が粘着層の表面から突出している態様であっても、配線基板同士を加熱圧着することにより、熱により膨張する高分子材料により、絶縁性基材２の表面に設けられた粘着層４が、配線基板１１ａおよび配線基板１１ｂにおける電極１２ａおよび１２ｂ以外の部分と接触する。
【００６０】
本発明においては、上述した本発明の異方導電性部材と配線基板とを接合または接続（以下、単に「接合等」とも略す。）する際に、必要に応じて、異方導電性部材における導通路の突出部分の端部（端面）に形成されうる酸化膜や有機汚染等を除去する除去処理や、異方導電性部材における導通路の突出部分の端部（端面）や粘着層の表面を活性化する活性化処理を施すことができる。
【００６１】
〔除去処理〕
酸化膜を除去する方法としては、例えば、ギ酸ガスの還元作用を利用して除去するギ酸処理や、硫酸のような酸性液体中に浸漬して表面の酸化層を溶解する溶解処理などの化学的な処理が挙げられる。
また、高真空中で酸化膜の表面にイオンビームや中性原子ビームを照射するイオンビーム処理や、プラズマ雰囲気中に基板を封入した上でバイアスをかけるプラズマ処理、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）等を施して、酸化膜を物理的に除去する方法も挙げられる。なお、不活性なアルゴン元素などがイオン源、プラズマ源として用いられる。
また、有機汚染を除去する方法としては、酸素ガスの存在下で真空紫外光を照射する処理（Vacuum ultraviolet irradiation treatment in the presence of oxygen gas (VUV/O3)）も有効である。波長が１７５ｎｍ以下の真空紫外光を照射することで酸素およびオゾンを出発物質とする酸素ラジカルが形成され、この酸素ラジカルが有機物質を分解、揮発させることで表面汚染の低減を図ることができる。なお、対象基板材料によっては窒素ガスを用いることもできる。
【００６２】
〔活性化処理〕
活性化処理としては、例えば、上述した除去処理と同様、物理的なエネルギーを用いて、酸化膜や有機汚染等を除去したり、粘着層の表面の結合状態を変化させたりすることにより、活性な表面を露出させる方法が挙げられる。
また、活性化処理としては、接合等の機能を有する薄膜表面（接合層）を形成する目的で、水蒸気を曝露する方法も採用することができる。表面に吸着した水分子に起因する官能基（例えば、水酸基）が縮合に寄与することで、金属、酸化物、有機物の相互の結合を実現できる。なお、このような方法により形成される接合層の厚みは１０数ナノメートルと薄く、電気的な特性に及ぼす影響は極めて少ない。
更に、活性化処理としては、導通路の突出部分の端部（端面）を構成する金属（例えば、銅）の極表層部分に、酸素吸着層を形成することも有用である。湿度制御された環境下に、本発明の異方導電性部材を曝露することで導通路の突出部分の端面に非常に薄い酸素吸着層を形成した後、接合等を行う。なお、酸素吸着層は非常に薄く、また、銅原子は容易に拡散するので接合完了時には電気的にはほぼ金属銅の性質を示す。
その他に、突出部分の端部の表面に、触媒成分または還元材料の層を形成しても構わない。触媒成分としては、公知の金属触媒を用いることができ、例えば、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）等を使用できる。また、還元材料としては、例えば、水酸基を含む化合物を用いることができ、水酸基が３個以上の化合物を用いるのが好ましく、具体的には、トリメチロールプロパンなどの多価アルコール等を好適に用いることができる。
【００６３】
上述した各処理は、接合装置または接続装置（以下、「接合等装置」とも略す。）に内蔵されている場合には、接合等装置のチャンバー内で連続的に行うことができる。
また、接合等装置に内蔵されていない場合でも、チャンバー外で処理を施した後に、処理後の異方導電性部材と配線基板とを速やかに接続を始めることで同様の効果を得ることができる。
このような接合等装置としては、種々の原理に基づく装置が実用化されており、大別してシリコンウェハ同士を永久的に接合するパーマネントボンド装置と、一時的に接合するテンポラリーボンド装置といったものがあるが、加圧能力、加熱温度、接続環境を満たせばいずれの装置も使用可能である。
また、このような接合等装置としては、例えば、図９〜図１１に示す態様が挙げられる。ここで、図９に示す態様（符号３０：接合チャンバー，符号３１：加熱機構付き基板ホルダ，符号３２：対象部材，符号３３：移動機構，符号３４：フロー機構、符号３５：処理ガス導入機構）は、接合チャンバー３０内部で除去処理や活性化処理を施すことができるタイプである。図１０に示す態様は、接合チャンバー３０とは別に処理チャンバー３６が用意されている態様であり、両チャンバーの間はロードロック機構３７で接続されている。図１１に示す態様（符号３８：チャンバー扉）は、処理チャンバー３６で処理後、接合チャンバー３０に移す態様を示している。
これらの態様は、いずれにおいても接合等の対象となる部材（対象部材）と本発明の異方導電性部材とを離間させた状態で配置し、その状態で上述した除去処理や活性化処理を施すことができる。
具体的には、図９に示すように、予め除去処理や活性化処理を施し、離間して配置した対象部材３２の中間部に、本発明の異方導電性部材を導入し、接合してもよい。同様に、図１０（Ａ）に示すように、処理チャンバー３６で除去処理や活性化処理を施し、離間して配置した対象部材３２を接合チャンバー３０に移動し、その後、離間して配置した対象部材の中間部に本発明の異方導電性部材を導入して接合してもよい。なお、図９および図１０（Ａ）に示す態様においては、対象部材３２の一方が本発明の異方導電性部材であってもよい。
また、複数の対象部材と一括して接合等を行う場合には、離間して配置した対象部材の中間部分に本発明の異方導電性部材を配置した状態で、上述した除去処理や活性化処理を施し、そのまま接合等を行うことができる。具体的には、図１０（Ｂ）に示すように、処理チャンバー３６内で、離間して配置した対象部材３２の中間部分に、本発明の異方導電性部材１を配置した状態で除去処理や活性化処理を施した後、接合チャンバー３０に移動して接合等を行うことができる。
また、本発明の異方導電性部材のみを別室に準備し、予め除去処理や活性化処理を施し、離間して配置した対象部材の中間部に導入し、接合してもよい。なお、その際には異方導電性部材には、除去処理や活性化処理を施さなくてもよいし、別室で処理しておいても構わない。また、別室と接合チャンバーは接続されていても構わないし、別室で処理後速やかに接合チャンバーに異方導電性部材を導入しても構わない。具体的には、例えば、図１０（Ｃ）に示すように、処理チャンバー３６において、本発明の異方導電性部材１のみに除去処理や活性化処理を施し、異なる処理チャンバー３６において、離間して配置した対象部材３２に除去処理や活性化処理を施し、これらを接合チャンバー３０に移動し、離間した対象部材の中間部に本発明の異方導電性部材を導入して接合してもよい。なお、対象部材に施す除去処理や活性化処理が不要な場合には、図１０（Ｃ）中、右側の処理チャンバー３６は不要となる。また、対象部材にのみ除去処理や活性化処理を施し、本発明の異方導電性部材に除去処理や活性化処理を施さない場合には、図１０（Ｃ）中、左側の処理チャンバー３６は、単にロードロックのような機能を有する機構となる。
除去処理や活性化処理を施す処理チャンバー内の雰囲気は、静的であってもよく、ガスなどのフローが行われても構わない。特に本発明の異方導電性部材の表面は微細な形状であり、表面積が大きい為、フロー状態にあったほうが処理の均一性が向上する。フローの方向は表面に対して平行であっても、吹き付けるような方向であっても構わない。
また、イオンビーム等を用いる場合、対象部材の中間に本発明の異方導電性部材を配置して処理することは難しいため、別途処理して中間に配置する方法が望ましい。
代表的な接合等装置としては、例えば、三菱重工業、アユミ工業、ムサシノ工業、ＳＵＳＳ、Ｂｏｎｄ−Ｔｅｃｈ、ＴＥＬ、東レエンジニアリング、ＥＶＧ、ＰＭＴ等から上市されている。
【００６４】
対象部材となる配線基板は、シリコンウェハ上に形成された再配線層が用いられるのはもちろん、金属ポスト（銅、金）、金属バンプなどを有する各種の基板に適用可能である。それらの例を図１２に示す。
図１２（Ａ）に示す通り、電極１２（例えば、マイクロバンプ）を有する配線基板１１（例えば、ＩＣデバイス）同士を、異方導電性部材１を用いて接合し、そのギャップに従来どおりギャップフィル剤４０を注入してもよい。
また、図１２（Ｂ）に示す通り、電極１２と絶縁層４２（例えば、パッシベーション層）とが同一平面に形成された基板に適用することも可能である。ここで、絶縁層は、ＳｉＯ／ＳｉＮ等の無機材料であっても構わないし、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機系材料であっても構わない。また、感光性樹脂を用い、パターン形成した開口部に金属電極を形成したり、通常の電極ポストを形成したりしたチップのポスト間に樹脂材料を塗布やラミネートにより充填し、電極上部のみ樹脂を取り去ることで、上記のような電極と絶縁層とが同一平面に形成された構造を作製することができる。なお、絶縁層の有機系材料（特に樹脂材料）としては、上述したポリイミド樹脂等の他、ＮＦＣ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）のようなフイルム型のものをラミネートしてもよい。また、金属上部の樹脂層除去は研磨による方法はもちろん、サーフェスプレーナーと呼ばれる装置で物理的に研削しても構わないし、イオンビームなどで取り除くこともできる。
また、図１２（Ｃ）に示す通り、電極１２とは別に、基板周囲に電極と同じ高さの封止部分４６（例えば、金属パッド）を有する基板を用いることができる。このような基板を用いて、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス４４の封止等にも用いることが可能となる。
また、図１２（Ｄ）に示す通り、矢印方向に信号が流れる電極１２の他に、電極と同じ高さの放熱用擬制電極４８を有するようなものを用いれば、放熱性の高いデバイスを形成することができる。
【００６５】
本発明においては、上述した本発明の異方導電性部材と配線基板との接続は特に限定されず、従来公知の手法を適宜採用することができる。例えば、ウェハボンダーやフリップチップボンダーを利用した加熱圧着により接続することができる。
加熱圧着による接続時の雰囲気は、真空下、窒素雰囲気下、大気下のいずれであってもよいが、チャンバー内の酸素濃度が１０ｐｐｍ以下の条件であるのが好ましい。
また、加熱圧着時の加熱温度は、２００℃以上であるのが好ましく、２５０℃以上であるのがより好ましく、３００℃以上であるのが更に望ましい。
また、加熱圧着時の加熱圧力は、１ＭＰａ以上であるのが好ましく、２０ＭＰａ以下であるのが好ましく、１０ＭＰａ以下であるのがより好ましく、５ＭＰａ以下であるのが更に好ましい。
また、加熱圧着の時間は、短時間あることが好ましいが、雰囲気制御を伴う場合には３０分以下であることが望ましい。フリップチップボンダーなどを用いる場合には、１分以下であるのが好ましく、１０秒以下であるのが特に好ましい。
また、異方導電性部材をフリップチップボンダーで固定した後、加熱雰囲気下で保持することで、接続強度の向上および安定化を図ることもできる。
また、異方導電性部材の絶縁性基材の表面に設けられた粘着層を活用し、ウェハ上に仮止めした後にウェハボンダーで加熱圧着してもよい。
このような手法を用いれば良品のみをウェハ上の良品部分に配置することで得率の低下を図ることができる。
【００６６】
このような本発明の多層配線基板は、半導体パッケージのインターポーザとして好適に用いることができる。
【実施例】
【００６７】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。【００６８】
〔実施例１〕
市販の感光性ガラス基板（商品名：ＨＯＹＡ株式会社製ＰＥＧ３：５インチ角で、板厚は０．６５ｍｍ）に、フォトマスクを密着させて紫外線を照射した。なお、照射条件は、波長が３２０ｎｍ、露光量は、５５０ｍＪ／ｃｍ2であった。また、マスクパターンには、直径が１μｍの円形パターンが、３００μｍピッチで縦横方向に合計９００００個、配列されたものを用いた。
紫外線を照射した後、加熱炉内で、５５０℃で１時間、熱処理を施した。
その後、＃１０００のＡｌ2Ｏ3からなる砥粒を用いて、両面平面研削盤により、感光性ガラス基板の表面および裏面を研削し、更に、酸化セリウム砥粒を用いて両面研磨機を用いて、仕上げ研磨を行った。仕上げ研磨後の感光性ガラス基板の板厚は０．３ｍｍであり、表面および裏面を合わせた取りしろは０．３５ｍｍであった。
次いで、後述する感光性のポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂組成物を膜厚が２μｍとなるように塗布し、上記と同じマスクパターンを用いて円形パターンの位置が上記と重なるように露光現像した。
その後、７ｖｏｌ％のフッ化水素酸水溶液に硫酸を加えた混酸（硫酸濃度：２０ｗｔ％）エッチング液で感光性ガラス露光部分を溶解除去した。
次いで、ガラス基板の一方の表面に銅電極を密着させ、この銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっきを行なった。
硫酸銅／硫酸／塩酸＝２００／５０／１５（ｇ／Ｌ）の混合溶液を２５℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を実施することにより、貫通孔に銅が充填された構造体（異方導電性部材前駆体）を製造した。
ここで、定電圧パルス電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、ガラスに密着させた銅電極の電位を−２Ｖに設定して行った。また、定電圧パルス電解のパルス波形は矩形波であった。具体的には、電解の総処理時間が３００秒になるように、１回の電解時間が６０秒の電解処理を、各電解処理の間に４０秒の休止時間を設けて５回施した。
銅を充填した後の表面を電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）で観察すると、粘着層の表面の表面から一部あふれるような形になっていた。
その後、表面を上記と同様な方法で研磨した後、ポリイミド樹脂については２５０℃で熱処理して熱硬化させ、エポキシ樹脂については８０℃に加熱し、乾燥させることにより粘着層を形成し、異方導電性部材を作製した。なお、研磨あるいは熱硬化または加熱により、粘着層の選択除去や収縮が起こり、下記第１表に示すように、粘着層の厚みは銅の導通路よりも低い状態となった。【００６９】
（ポリイミド樹脂）
ポリイミド樹脂として、感光性ポリイミド樹脂（アルカリ現像ポジ型感光性ポリイミド：ＰＩＭＥＬ ＡＭ−２００シリーズ、旭化成イーマテリアルズ株式会社製）を用いた。
（エポキシ樹脂組成物）
低エポキシ当量エポキシ樹脂としてエポキシ当量２５０ｇ／当量のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１０部と、高エポキシ当量エポキシ樹脂としてエポキシ当量８６９０ｇ／当量のビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂９０部と、光酸発生剤として４，４−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス（ヘキサフルオロアンチモネート）９部とをジオキサンに溶解させて、固形分濃度５０％の感光性エポキシ樹脂接着剤組成物を調製した。【００７０】
作製した異方導電性部材を電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）で観察した。
その結果、下記第１表にも示すように、導通路の突出部分の高さが１０５０ｎｍであり、導通路の突出部分の直径が１０００ｎｍであり、アスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が１．０５であり、粘着層の厚みが１０００ｎｍであることを確認した。【００７１】
〔実施例２〜４〕
（１）アルミニウム基板の作製
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す各処理を施した。【００７２】
（２）電解研磨処理
上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬工業株式会社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ【００７３】
（３）陽極酸化処理工程
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件の条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚８０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。【００７４】
（４）バリア層除去工程
次いで、上記陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／ｓｅｃで降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。【００７５】
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は６０ｎｍであった。なお、平均開口径は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは８０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１６８］および［０１６９］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、特開２００８−２７０１５８号公報の［００２４］〜［００２７］段落に記載された方法で測定し、算出した。【００７６】
（５）金属充填工程（電解めっき処理）
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成および条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2【００７７】
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、９６％であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。【００７８】
（６）基板除去工程
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより、金属充填微細構造体を作製した。【００７９】
（７）トリミング工程
次いで、金属充填微細構造体を水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）に浸漬させ、下記第１表に示す突出部分の高さとなるように浸漬時間を変更してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた構造体を作製した。
次いで、水洗し、乾燥した後に、作製した構造体を電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）で観察し、導通路の突出部分の高さ、導通路の突出部分の直径、アスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）を測定した。これらの結果を下記第１表に示す。【００８０】
（８）粘着層形成工程
トリミング工程後の構造体に、以下に示す方法で粘着層を形成し、粘着層の種類を変えた異方導電性部材を作製した。【００８１】
＜ポリイミド樹脂Ａ＞
ガンマブチロラクトンを溶媒としたポリアミド酸エステル溶液（ジメチルスルホキシド、トリアルコキシアミドカルボキシシラン、オキシム誘導体を含む）の市販品として、ＬＴＣ９３２０（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を用いた。
この溶液を導通路が突出している絶縁性基材の表面に塗布し、乾燥させて成膜した後に、窒素置換した反応炉中（酸素濃度１０ｐｐｍ以下）で２００℃３時間イミド化反応を進行させることにより、ポリイミド樹脂層からなる粘着層を形成した。なお、粘着層の厚みは、下記第１表に示す値となるように溶媒（ＭＥＫ）を追添することで調整した。【００８２】
＜ポリイミド樹脂Ｂ＞
下記の組成の塗布液を調製後、孔径０．２μｍのポリプロピレン製フィルタでろ過した。
次いで、ろ過後の塗布液を導通路が突出している絶縁性基材の表面に塗布し、乾燥させた後、２３０℃１時間で焼成し、ポリイミド樹脂層からなる粘着層を形成した。なお、粘着層の厚みは、下記第１表に示す値となるように下記処方の塗布液に更に溶媒（ＭＥＫ）を追添することで調整した。
─────────────────────────
（塗布液の組成）
─────────────────────────
・下記式で表されるポリイミド      １０．００質量％
・メチルエチルケトン（ＭＥＫ）    ９０．００質量％
─────────────────────────
【化１】
2016006660.tif 000003
【００８３】
＜エポキシ樹脂Ｃ＞
以下に示す成分を以下に示す割合でメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６〜６０．６重量％となる樹脂層塗布液を調製した。
この塗布液を、導通路が突出している絶縁性基材の表面に塗布し、乾燥させた後、さらに１３０℃で２分間ベークして粘着層を形成した。
なお、粘着層の厚みは、下記第１表に示す値となるように下記処方の塗布液に更に溶媒（ＭＥＫ）を追添することで調整した。
また、塗布後の乾燥は、粘着層の表面固化を回避するため、減圧度−４００ｍｍＨ2Ｏの減圧下で温度を５０℃に設定して行った。
＜塗布液組成＞
・エラストマー：アクリル酸ブチルーアクリロニトリルを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名：ＳＧ−２８ＧＭ、長瀬ケムテックス株式会社製） ５質量部
・エポキシ樹脂１：ｊＥＲ（登録商標）８２８（三菱化学株式会社製） ３３質量部
・エポキシ樹脂２：ｊＥＲ（登録商標）１００４（三菱化学株式会社製） １１質量部
・フェノール樹脂：ミレックスＸＬＣ−４Ｌ（三井化学株式会社製） ４４質量部
・有機酸：ｏ−アニス酸（オルトアニス酸、東京化成工業株式会社製） ０．５質量部
・硬化剤：イミダゾール触媒（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成工業株式会社製） ０．５質量部【００８４】
〔実施例５〕
導通路の突出部分の高さと、粘着層の厚みを下記第１表に示す値となるように調整した以外は、実施例２と同様の方法により、異方導電性部材を作製した。【００８５】
〔比較例１〕
導通路の突出部分の高さと、粘着層の厚みを下記第１表に示す値となるように調整し、導通路の突出部の端部を粘着層で被覆した以外は、実施例２と同様の方法により、異方導電性部材を作製した。【００８６】
〔比較例２〕
トリミング工程の後に行う粘着層形成工程に代えて、特許文献１（特開２０１０−０６７５８９号公報）の［０１０９］段落に記載された方法で、ラジカル重合性モノマーポリマー層を厚み１００μｍで形成し、導通路の突出部の端部を粘着層で被覆した以外は、実施例２と同様の方法により、異方導電性部材を作製した。【００８７】
〔比較例３〕
粘着層を用いなかった以外は、実施例３と同様の方法により、異方導電性部材を作製した。【００８８】
〔評価（その１）〕
＜導通信頼性＞
Ｃｕパッドを有するＴＥＧチップ（デイジーチェインパターン）を用意した。なお、絶縁層はＳｉＮであり、絶縁層とＣｕパッド面の段差は２００ｎｍであった。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が１０％または２０％となる２種類のチップを用意した。
次いで、ＣｕをＳｉウェハの全面に１００ｎｍ成膜したＣｕチップを用意した。平坦度の指標であるＴＴＶ（total thickness variation）は５０ｎｍであった。Ｃｕチップは、チップサイズが３ｍｍ四方のものを用いた。
次いで、ＴＥＧチップ、作製した異方導電性部材およびＣｕチップをこの順で積層するように、常温接合装置（ＷＰ−１００、ＰＭＴ社製）を用いて下記第１表に示す接続条件で接合したサンプルを作製した。
その後、サンプルのＴＥＧチップに抵抗測定用の信号線を半田付けし、半田付けしたサンプルを１２５℃×２４ｈで乾燥し、更に８５℃×６０％ＲＨ×１６８時間の吸湿処理を行った。次いで、半田リフロー処理工程（最大温度２６５℃）を３回通した。
以上の履歴を経たサンプルを（−６５℃／＋１５０℃）の条件の温度サイクル試験に供した。
抵抗値は、１００サイクル毎に測定し、１０００サイクルまで測定した。その結果、抵抗値の変化率（１０００サイクルでの抵抗値／１００サイクルでの抵抗値）が、５％未満のものを「ＡＡ」と評価し、５％以上１０％未満のものを「Ａ」と評価し、１０％以上２０％未満のものを「Ｂ」と評価し、２０％以上４０％未満のものを「Ｃ」と評価し、４０％以上変化したものを「Ｄ」と評価した。結果を下記第２表に示す。なお、途中でリークが発生した場合にはその時点での抵抗変化を元に評価した。【００８９】
＜密着性＞
導通信頼性の評価サンプルについて、万能型ボンドテスター（ＤＡＧＥ４０００、デイジ社製）を用い、ＴＥＧチップに荷重を加えて剥離強度を測定した。
その結果、剥離強度が１５Ｎ以上のものを「Ａ」と評価し、１０Ｎ以上１５Ｎ未満のものを「Ｂ」と評価し、１０Ｎ未満のものを「Ｃ」と評価した。結果を下記第２表に示す。【００９０】
〔評価（その２）〕
実施例３および実施例４で作製した異方導電性部材については、導通信頼性および密着性の評価サンプルとして、以下の条件で作製したサンプルについても評価を行った。結果を下記第２表に示す。
＜サンプル作製条件＞
ＴＥＧチップ、作製した異方導電性部材およびＣｕチップをこの順で積層するように、常温接合装置（ＷＰ−１００、ＰＭＴ社製）を用いて、２００℃、８ｋｇ／ｃｍ2、５分保持の条件で接合したサンプルを作製した。【００９１】
〔評価（その３）〕
実施例４および比較例１で作製した異方導電性部材については、導通信頼性および密着性の評価サンプルとして、以下の条件で作製したサンプルについても評価を行った。結果を下記第２表に示す。
＜サンプル作製条件＞
ＴＥＧチップ、作製した異方導電性部材およびＣｕチップをこの順で積層するように、常温接合装置（ＷＰ−１００、ＰＭＴ社製）を用いて、２００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2、５分保持の条件で接合したサンプルを作製した。【００９２】
〔評価（その４）〕
実施例３および実施例４で作製した異方導電性部材については、導通信頼性および密着性の評価サンプルとして、以下の条件で作製したサンプルについても評価を行った。結果を下記第２表に示す。
＜サンプル作製条件＞
ＴＥＧチップと積層する前に、作製した異方導電性部材の２００℃のギ酸雰囲気中に１０ｍｉｎ静置し、導通路の突出部分の端部（端面）に形成されていると考えられる酸化膜を除去した以外は、評価（その１）と同様の条件で、評価用サンプルを作製した。【００９３】
〔評価（その５）〕
実施例１〜４および比較例１で作製した異方導電性部材については、以下に示すＴＥＧチップを用いた以外は、評価（その１）と同様の条件で作製した評価用サンプルを用いて、導通信頼性および密着性を評価した。
＜ＴＥＧチップ＞
Ｃｕパッドを有するＴＥＧチップ（デイジーチェインパターン）を用意した。なお、絶縁層はポリイミド層（ＰＩＭＥＬ（登録商標）−ＢＬ、旭化成イーマテリアルズ株式会社製）であり、絶縁層とＣｕパッド面の段差は２００ｎｍであった。【００９４】
【表１】
2016006660.tif 000004
【００９５】
【表２】
2016006660.tif 000005
【００９６】
【表３】
2016006660.tif 000006
【００９７】
【表４】
2016006660.tif 000007
【００９８】
第１表および第２表に示す結果から、導通路の突出部分の端部を粘着層で被覆した比較例１のサンプルは、密着性は良好であったが、導通信頼性が低いことが分かった。
また、導通路の突出部分の端部をラジカル重合性ポリマーで被覆した比較例２のサンプルは、密着性および導通信頼性がいずれも劣ることが分かった。
また、粘着層を用いなかった比較例３のサンプルは、密着性および導通信頼性がいずれも劣ることが分かった。
これに対し、導通路の突出部分の端部を粘着層の表面から露出ないし突出させた実施例１〜５のサンプルは、接合する基板の絶縁層の種類によらず、いずれも、密着性が良好となり、導通信頼性も優れることが分かった。
特に、実施例１および２の結果から、絶縁性基材としてアルミニウムの陽極酸化膜を使用した方が、配線基板との密着性が良好となることが分かった。
また、実施例２〜４の結果から、導通路の突出部分および粘着層の厚みが厚い方が、導通信頼性がより高くなることが分かった。
更に、各実施例の結果から、粘着層として、ポリイミド樹脂を用いると、導通信頼性がより良好となることが分かった。
更に、実施例３の結果から、接続条件を制御することにより、短時間でも導通信頼性および密着性を満足できることが分かった。
更に、実施例３および実施例４の結果から、加圧時の圧力が高いと、導通信頼性がより良好となる傾向があることが分かり、同様に、導通路の突出部分の端部（端面）の酸化膜を除去すると、導通信頼性がより良好となることが分かった。
更に、実施例１〜４と実施例５との対比から、導通路の突出部分の高さと粘着層の厚みとの差の絶対値が０ｎｍ〜５０ｎｍであると、接触抵抗が小さくなり、導通信頼性がより向上することが分かった。
【符号の説明】
【００９９】
１  異方導電性部材
２  絶縁性基材
３  導通路
３ａ，３ｂ  導通路の突出部分
４  粘着層
６  絶縁性基材の厚み
７  導通路間の幅
８  導通路の直径
９  導通路の中心間距離（ピッチ）
１０  多層配線基板
１１ａ、１１ｂ  配線基板
１２ａ、１２ｂ  電極
３０  接合チャンバー
３１  加熱機構付き基板ホルダ
３２  対象部材
３３  移動機構
３４  フロー機構
３５  処理ガス導入機構
３６  処理チャンバー
３７  ロードロック機構
３８  チャンバー扉
４０  ギャップフィル剤
４２  絶縁層
４４  ＭＥＭＳデバイス
４６  封止部分
４８  放熱用擬制電極
７１  巻き芯
７２  離型フィルム
【図１】
2016006660.tif 000008
【図２】
2016006660.tif 000009
【図３】
2016006660.tif 000010
【図４】
2016006660.tif 000011
【図５】
2016006660.tif 000012
【図６】
2016006660.tif 000013
【図７】
2016006660.tif 000014
【図８】
2016006660.tif 000015
【図９】
2016006660.tif 000016
【図１０】
2016006660.tif 000017
【図１１】
2016006660.tif 000018
【図１２】
2016006660.tif 000019
【国際調査報告】
2016006660.tif 000020
2016006660.tif 000021
2016006660.tif 000022
2016006660.tif 000023