(57)【要約】  本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有しており、前記正孔輸送層が下記一般式（１）；【化１】2016006629.tif 000109                                  （1）  式中、      Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す、で表されるアリールアミン化合物を含有することを特徴とする。
2016006629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層が下記一般式（１）；
【化１】
2016006629.tif 000087
（１）
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す、
で表されるアリールアミン化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記アリールアミン化合物が、下記一般式（１ａ）；
【化２】
2016006629.tif 000088
（１ａ）
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、前記のとおりの基を示し、
Ａｒ５及びＡｒ６は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す、
で表される請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記アリールアミン化合物が、下記一般式（１ｂ）；
【化３】
2016006629.tif 000089
（１ｂ）
式中、
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ５及びＡｒ６は、前記式（１）或いは式（１ａ）で示すとおりであり、
Ａｒ７及びＡｒ８は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す、
で表される請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記電子輸送層が下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
【化４】
2016006629.tif 000090
（２）
式中、
Ａは、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合を示し、
Ｂは、１価の芳香族複素環基を示し、
Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、または炭素数１ないし６のアルキル基であり、
ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または８の整数であり、ｑが１または２の整数である。
【請求項５】
前記アントラセン誘導体が、下記一般式（２ａ）で表される請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
【化５】
2016006629.tif 000091
式中、
Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、
Ａｒ９、Ａｒ１０及びＡｒ１１は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を示し、該窒素原子には、水素原子を含めてＲ１〜Ｒ４の何れも結合していないものとする。
【請求項６】
前記アントラセン誘導体が、下記一般式（２ｂ）で表される請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
【化６】
2016006629.tif 000092
式中、
Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、
Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。
【請求項７】
前記アントラセン誘導体が、下記一般式（２ｃ）で表される請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
【化７】
2016006629.tif 000093
式中、
Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、
Ａｒ１５、Ａｒ１６及びＡｒ１７は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｒ８は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示す。
【請求項８】
前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造を有しており、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ前記アリールアミン化合物を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記第一正孔輸送層が、前記第二正孔輸送層に含まれているアリールアミン化合物とは異なるトリアリールアミン誘導体を含有しており、該トリアリールアミン誘導体は、２つのトリアリールアミン骨格が単結合または２価の炭化水素基で連結された分子構造を有しており且つ分子全体としてトリアリールアミン骨格を２個〜６個有している化合物である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記第一正孔輸送層に含まれているトリアリールアミン誘導体が、下記一般式（３）；
【化８】
2016006629.tif 000094
前記式中、
ｒ９、ｒ１０、ｒ１３及びｒ１４は、それぞれ、０〜５の整数であり、
ｒ１１及びｒ１２は、それぞれ、０〜４の整数であり、
Ｒ９〜Ｒ１４は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示し、これらの基が同一のベンゼン環に複数存在している場合には、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｌ１は、単結合、または下記構造式（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）もしくは（Ｇ）で示される２価基を示す、
【化９】
2016006629.tif 000095
（Ｂ）
式中、ｎ１は１〜４の整数である、
【化１０】
2016006629.tif 000096
（Ｃ）
【化１１】
2016006629.tif 000097
（Ｄ）
【化１２】
2016006629.tif 000098
（Ｅ）
【化１３】
2016006629.tif 000099
（Ｆ）
【化１４】
2016006629.tif 000100
（Ｇ）
で表される請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記第一正孔輸送層に含まれているトリアリールアミン誘導体が、下記一般式（４）；
【化１５】
2016006629.tif 000101
式中、
ｒ１５、ｒ１６、ｒ１９、ｒ２２、ｒ２５及びｒ２６は、それぞれ、０〜５の整数であり、
ｒ１７、ｒ１８、ｒ２０、ｒ２１、ｒ２３及びｒ２４は、それぞれ、０〜４の整数であり、
Ｒ１５〜Ｒ２６は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示し、これらの基が同一のベンゼン環に複数存在している場合には、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｌ２、Ｌ３及びＬ４は、単結合、または下記構造式（Ｂ’）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）もしくは（Ｇ）で示される２価基を示す、
【化１６】
2016006629.tif 000102
（Ｂ’）
式中、ｎ２は１〜３の整数である、
【化１７】
2016006629.tif 000103
（Ｃ）
【化１８】
2016006629.tif 000104
（Ｄ）
【化１９】
2016006629.tif 000105
（Ｅ）
【化２０】
2016006629.tif 000106
（Ｆ）
【化２１】
2016006629.tif 000107
（Ｇ）
で表される請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
下記一般式（１）；
【化２２】
2016006629.tif 000108
(１)
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す、
で表されるアリールアミン化合物。
【請求項１３】
前記一般式（１）における基Ａｒ４が、２個の置換基Ａｒ５及びＡｒ６を有するフェニル基であり、置換基Ａｒ５及びＡｒ６は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であり、置換基Ａｒ５は、窒素原子に対してベンゼン環のｐ位に結合しており、置換基Ａｒ６は、置換基Ａｒ５に隣接する位置に結合している請求項１２に記載のアリールアミン化合物。
【請求項１４】
前記一般式（１）における基Ａｒ３が、２個の置換基Ａｒ７及びＡｒ８を有するフェニル基であり、置換基Ａｒ７及びＡｒ８は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であり、置換基Ａｒ７は、窒素原子に対してベンゼン環のｐ位に結合しており、置換基Ａｒ８は、置換基Ａｒ７に隣接する位置に結合している請求項１３に記載のアリールアミン化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関するものであリ、さらには、該有機ＥＬ素子の正孔輸送層に好適に使用される新規なアリールアミン化合物にも関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であることから、有機ＥＬ素子については多くの研究がなされてきた。【０００３】
１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは、発光のための各種の役割を各材料に分担した積層構造とすることにより、実用的な有機ＥＬ素子の開発に成功した。かかる有機ＥＬ素子は、電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層することにより構成されるものであり、正電荷と負電荷とを蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ２以上の高輝度が得られるというものである（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。【０００４】
現在まで、有機ＥＬ素子の実用化のために多くの改良がなされており、例えば、積層構造の各種の役割をさらに細分化し、基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を設けた積層構造とすることにより、高効率と耐久性が達成されることが一般に知られている。【０００５】
また、発光効率の更なる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光性化合物の利用が検討されている。
さらに、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）による発光を利用する素子も開発されている。例えば、２０１１年に九州大学の安達らは、熱活性化遅延蛍光材料を用いた素子によって５．３％の外部量子効率を実現させている。【０００６】
発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光性化合物や燐光発光性化合物または遅延蛍光を放射する材料をドープして作製することもできる。有機ＥＬ素子における有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。【０００７】
有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、正孔、電子の両電荷を如何に効率良く発光層に受け渡すかが重要であり、キャリアバランスに優れた素子とする必要がある。また、正孔注入性を高め、陰極から注入された電子をブロックする電子阻止性を高めることによって、正孔と電子が再結合する確率を向上させ、更には発光層内で生成した励起子を閉じ込めることによって、高発光効率を得ることができる。そのため、正孔輸送材料の果たす役割は重要であり、正孔注入性が高く、正孔の移動度が大きく、電子阻止性が高く、さらには電子に対する耐久性が高い正孔輸送材料が求められている。【０００８】
また、素子の寿命に関しては材料の耐熱性やアモルファス性も重要である。耐熱性が低い材料では、素子駆動時に生じる熱により、低い温度でも熱分解が起こり、材料が劣化する。アモルファス性が低い材料では、短い時間でも薄膜の結晶化が起こり、素子が劣化してしまう。そのため使用する材料には耐熱性が高く、アモルファス性が良好な性質が求められる。【０００９】
これまで有機ＥＬ素子に用いられてきた正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）や種々の芳香族アミン誘導体が知られていた（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。ＮＰＤは良好な正孔輸送能力を持っているが、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が９６℃と低く、高温条件下では結晶化による素子特性の低下が起こってしまう。
また、特許文献１，２に記載の芳香族アミン誘導体の中には、正孔の移動度が１０−３ｃｍ２／Ｖｓ以上と優れた移動度を有する化合物もあるが、電子阻止性が不十分であるため、電子の一部が発光層を通り抜けてしまい、発光効率の向上が期待できないなど、更なる高効率化のため、より電子阻止性が高く、薄膜がより安定で耐熱性の高い材料が求められていた。
さらに、耐久性の高い芳香族アミン誘導体も報告されているが（例えば、特許文献３参照）、電子写真感光体に用いられる電荷輸送材料として用いたもので、有機ＥＬ素子として用いた例はなかった。【００１０】
耐熱性や正孔注入性などの特性を改良した化合物として、置換カルバゾール構造を有するアリールアミン化合物が提案されているが（例えば、特許文献４および特許文献５参照）、これらの化合物を正孔注入層または正孔輸送層に用いた素子では、耐熱性や発光効率などの改良はされているものの、未だ十分とはいえず、さらなる低駆動電圧化や、さらなる高発光効率化が求められている。【００１１】
有機ＥＬ素子の素子特性の改善や素子作製の歩留まり向上のために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、正孔および電子が高効率で再結合できる、発光効率が高く、駆動電圧が低く、長寿命な素子が求められている。【００１２】
また、有機ＥＬ素子の素子特性を改善させるために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、キャリアバランスのとれた高効率、低駆動電圧、長寿命な素子が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開平８−０４８６５６号公報
【特許文献２】特許第３１９４６５７号公報
【特許文献３】特許第４９４３８４０号公報
【特許文献４】特開２００６−１５１９７９号公報
【特許文献５】国際公開第２００８／６２６３６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、高効率、高耐久性の有機ＥＬ素子用の材料として、正孔および電子の注入・輸送性能、電子阻止能力、薄膜状態での安定性、や耐久性に優れた有機ＥＬ素子用の各種材料を、それぞれの材料が有する特性が効果的に発現できるように組み合わせることで、高効率、低駆動電圧、長寿命の有機ＥＬ素子を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記有機ＥＬ素子の正孔輸送層の形成に好適に使用される新規なアリールアミン化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、特定の構造を有するアリールアミン化合物が、正孔注入および輸送能力、薄膜の安定性や耐久性に優れていること、さらには電子阻止性にも優れているという知見を見出し、本発明を完成させるに至った。【００１６】
本発明によれば、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層が下記一般式（１）；
【化１】
2016006629.tif 000003
（１）
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す、
で表されるアリールアミン化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。【００１７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）においては、前記アリールアミン化合物が、下記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表されることが好適である。
【化２】
2016006629.tif 000004
（１ａ）
【化３】
2016006629.tif 000005
（1ｂ）
前記式（１ａ）及び（１ｂ）においては、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、前記のとおりの基を示し、
Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８も、Ａｒ１〜Ａｒ３と同様、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。【００１８】
また、本発明の誘起ＥＬ素子においては、前記電子輸送層が下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体を含有していることが好ましい。
【化４】
2016006629.tif 000006
（２）
式中、
Ａは、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合を示し、
Ｂは、１価の芳香族複素環基を示し、
Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素数１ないし６のアルキル基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、
ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または８の整数であり、ｑが１または２の整数である。【００１９】
上記のアントラセン誘導体は、特に、下記一般式（２ａ）、（２ｂ）または（２ｃ）で表されることが好適である。【００２０】
一般式（２ａ）で表されるアントラセン誘導体；
【化５】
2016006629.tif 000007
式中、
Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、
Ａｒ９、Ａｒ１０及びＡｒ１１は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を示し、該窒素原子には、水素原子を含めてＲ１〜Ｒ４の何れも結合していないものとする。【００２１】
一般式（２ｂ）で表されるアントラセン誘導体；
【化６】
2016006629.tif 000008
（２ｂ）
式中、
Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、
Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。【００２２】
一般式（２ｃ）で表されるアントラセン誘導体；
【化７】
2016006629.tif 000009
（２ｃ）
式中、
Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、
Ａｒ１５、Ａｒ１６及びＡｒ１７は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｒ８は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示す。【００２３】
さらに本発明の有機ＥＬ素子においては、前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造を有しており、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ前記アリールアミン化合物を含有していることが好適である。
このように正孔輸送層が２層構造を有している有機ＥＬ素子においては、前記第一正孔輸送層が、前記第二正孔輸送層に含まれているアリールアミン化合物とは異なるトリアリールアミン誘導体を含有しており、該トリアリールアミン誘導体は、２つのトリアリールアミン骨格が単結合または２価の炭化水素基で連結された分子構造を有しており且つ分子全体としてトリアリールアミン骨格を２個〜６個有している化合物であることが望ましい。【００２４】
さらに、上記のような第一正孔輸送層に含まれているトリアリールアミン誘導体としては、下記一般式（３）または（４）で表される化合物が好適に使用される。【００２５】
一般式（３）で表されるトリアリールアミン誘導体；
【化８】
2016006629.tif 000010
前記式中、
ｒ９、ｒ１０、ｒ１３及びｒ１４は、それぞれ、０〜５の整数であり、
ｒ１１及びｒ１２は、それぞれ、０〜４の整数であり、
Ｒ９〜Ｒ１４は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示し、これらの基が同一のベンゼン環に複数存在している場合には、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｌ１は、単結合、または下記構造式（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）もしくは（Ｇ）で示される２価基を示す。
【化９】
2016006629.tif 000011
（Ｂ）
式中、ｎ１は１〜４の整数である、
【化１０】
2016006629.tif 000012
（Ｃ）
【化１１】
2016006629.tif 000013
（Ｄ）
【化１２】
2016006629.tif 000014
（Ｅ）
【化１３】
2016006629.tif 000015
（Ｆ）
【化１４】
2016006629.tif 000016
（Ｇ）【００２６】
一般式（４）で表されるトリアリールアミン誘導体；
【化１５】
2016006629.tif 000017
式中、
ｒ１５、ｒ１６、ｒ１９、ｒ２２、ｒ２５及びｒ２６は、それぞれ、０〜５の整数であり、
ｒ１７、ｒ１８、ｒ２０、ｒ２１、ｒ２３及びｒ２４は、それぞれ、０〜４の整数であり、
Ｒ１５〜Ｒ２６は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示し、これらの基が同一のベンゼン環に複数存在している場合には、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｌ２、Ｌ３及びＬ４は、単結合、または下記構造式（Ｂ’）もしくは前記一般式（３）における構造式（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）或いは（Ｇ）で示される２価基を示す。
【化１６】
2016006629.tif 000018
（Ｂ’）
式中、ｎ２は１〜３の整数である。【００２７】
本発明によれば、また、前記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物が提供される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の有機ＥＬ素子において、正孔輸送層に含まれる一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、窒素原子に結合しているベンゼン環には、２つの１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基が置換基として結合しており、これらの置換基は、窒素原子に対してベンゼン環のｐ位とｍ位に結合しているという構造上の特徴を有している。かかるアリールアミン化合物は、新規化合物であり、（１）正孔の注入特性が良い、（２）正孔の移動度が大きい、（３）電子阻止能力に優れている、（４）薄膜状態が安定であり、（５）耐熱性に優れている、という特性を有している。
即ち、本発明の有機ＥＬ素子は、このような特性を有するアリールアミン化合物が正孔輸送層に含まれているため、発光層に正孔を効率良く注入・輸送でき、高効率、低駆動電圧での発光を実現でき、さらには、素子の長寿命化も実現できる。【００２９】
また、本発明においては、上記のアリールアミン化合物を含有する正孔輸送層と共に、前述した一般式（２）で表されるアントラセン誘導体により形成された電子輸送層を設けることにより、発光層へ正孔と電子をより効率良く注入・輸送でき、高いキャリアバランスを確保することができ、より高い特性向上を実現できる。【００３０】
さらに、本発明においては、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とし、発光層に隣接する側に位置する第二正孔輸送層を、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物により形成することにより、該アリールアミン化合物が有する電子阻止性能を最大限に活用することができ、より高効率で長寿命の有機ＥＬ素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子において、実施例で採用されている好適な層構造を示す図。
【図２】実施例１の化合物（１−１）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３】実施例２の化合物（１−２）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図４】実施例３の化合物（１−３）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図５】実施例４の化合物（１−９４）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図６】実施例５の化合物（１−１２９）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図７】実施例６の化合物（１−４）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図８】実施例７の化合物（１−９）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図９】実施例８の化合物（１−５６）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１０】実施例９の化合物（１−６８）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１１】実施例１０の化合物（１−９０）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１２】実施例１１の化合物（１−９２）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１３】実施例１２の化合物（１−１３４）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１４】実施例１３の化合物（１−１３５）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１５】実施例１４の化合物（１−１３６）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１６】実施例１５の化合物（１−１３７）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１７】実施例１６の化合物（１−１３８）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１８】実施例１７の化合物（１−１３９）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図１９】実施例１８の化合物（１−１４０）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２０】実施例１９の化合物（１−１４１）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２１】実施例２０の化合物（１−１４２）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２２】実施例２１の化合物（１−１４３）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２３】実施例２２の化合物（１−１４４）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２４】実施例２３の化合物（１−１４５）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２５】実施例２４の化合物（１−１４６）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２６】実施例２５の化合物（１−１４７）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２７】実施例２６の化合物（１−１４８）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２８】実施例２７の化合物（１−１４９）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図２９】実施例２８の化合物（１−１５０）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３０】実施例２９の化合物（１−１５１）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３１】実施例３０の化合物（１−１５２）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３２】実施例３１の化合物（１−１５３）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３３】実施例３２の化合物（１−１５４）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３４】実施例３３の化合物（１−１５５）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３５】実施例３４の化合物（１−１５６）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３６】実施例３５の化合物（１−１５７）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３７】実施例３６の化合物（１−１５８）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３８】実施例３７の化合物（１−１５９）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図。
【図３９】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１）〜（１−５）の構造式を示す図。
【図４０】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−６）〜（１−９）の構造式を示す図。
【図４１】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１０）〜（１−１３）の構造式を示す図。
【図４２】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１４）〜（１−１７）の構造式を示す図。
【図４３】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１８）〜（１−２１）の構造式を示す図。
【図４４】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−２２）〜（１−２６）の構造式を示す図。
【図４５】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−２７）〜（１−３１）の構造式を示す図。
【図４６】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−３２）〜（１−３６）の構造式を示す図。
【図４７】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１〜３７）〜（１−４１）の構造式を示す図。
【図４８】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−４２）〜（１−４６）の構造式を示す図。
【図４９】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−４７）〜（１−５１）の構造式を示す図。
【図５０】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−５２）〜（１−５５）の構造式を示す図。
【図５１】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−５６）〜（１−５９）の構造式を示す図。
【図５２】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−６０）〜（１−６４）の構造式を示す図。
【図５３】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−６５）〜（１−６９）の構造式を示す図。
【図５４】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−７０）〜（１−７４）の構造式を示す図。
【図５５】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−７５）〜（１−７８）の構造式を示す図。
【図５６】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−７９）〜（１−８２）の構造式を示す図。
【図５７】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−８３）〜（１−８６）の構造式を示す図。
【図５８】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−８７）〜（１−９０）の構造式を示す図。
【図５９】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−９１）〜（１−９４）の構造式を示す図。
【図６０】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−９５）〜（１−９８）の構造式を示す図。
【図６１】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−９９）〜（１−１０３）の構造式を示す図。
【図６２】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１０４）〜（１−１０８）の構造式を示す図。
【図６３】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１０９）〜（１−１１２）の構造式を示す図。
【図６４】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１１３）〜（１−１１６）の構造式を示す図。
【図６５】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１１７）〜（１−１２０）の構造式を示す図。
【図６６】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１２１）〜（１−１２４）の構造式を示す図。
【図６７】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１２５）〜（１−１２６）の構造式を示す図。
【図６８】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１２７）〜（１−１３０）の構造式を示す図。
【図６９】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１３１）〜（１−１３３）の構造式を示す図。
【図７０】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１３４）〜（１−１３８）の構造式を示す図。
【図７１】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１３９）〜（１−１４２）の構造式を示す図。
【図７２】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１４３）〜（１−１４６）の構造式を示す図。
【図７３】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１４７）〜（１−１５０）の構造式を示す図。
【図７４】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１５１）〜（１−１５５）の構造式を示す図。
【図７５】一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１５６）〜（１−１５９）の構造式を示す図。
【図７６】一般式（２ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ａ−１）〜（２ａ−５）の構造式を示す図。
【図７７】一般式（２ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ａ−６）〜（２ａ−１０）の構造式を示す図。
【図７８】一般式（２ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ａ−１１）〜（２ａ−１５）の構造式を示す図。
【図７９】一般式（２ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ａ−１６）〜（２ａ−２０）の構造式を示す図。
【図８０】一般式（２ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｂ−１）〜（２ｂ−５）の構造式を示す図。
【図８１】一般式（２ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｂ−６）〜（２ｂ−１０）の構造式を示す図。
【図８２】一般式（２ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｂ−１１）〜（２ｂ−１５）の構造式を示す図。
【図８３】一般式（２ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｂ−１６）の構造式を示す図。
【図８４】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−１）〜（２ｃ−４）の構造式を示す図。
【図８５】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−５）〜（２ｃ−８）の構造式を示す図。
【図８６】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−９）〜（２ｃ−１２）の構造式を示す図。
【図８７】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−１３）〜（２ｃ−１６）の構造式を示す図。
【図８８】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−１７）〜（２ｃ−２０）の構造式を示す図。
【図８９】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−２１）〜（２ｃ−２４）の構造式を示す図。
【図９０】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−２５）〜（２ｃ−２８）の構造式を示す図。
【図９１】一般式（２ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（２ｃ−２９）〜（２ｃ−３０）の構造式を示す図。
【図９２】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−１）〜（３−５）の構造式を示す図。
【図９３】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−６）〜（３−１０）の構造式を示す図。
【図９４】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−１１）〜（３−１５）の構造式を示す図。
【図９５】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−１６）〜（３−２０）の構造式を示す図。
【図９６】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−２１）〜（３−２５）の構造式を示す図。
【図９７】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−２６）〜（３−３１）の構造式を示す図。
【図９８】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−３２）〜（３−３７）の構造式を示す図。
【図９９】一般式（３）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（３−３８）〜（３−４１）の構造式を示す図。
【図１００】一般式（４）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（４−１）〜（４−５）の構造式を示す図。
【図１０１】一般式（４）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（４−６）〜（４−１０）の構造式を示す図。
【図１０２】一般式（４）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（４−１１）〜（４−１５）の構造式を示す図。
【図１０３】一般式（４）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（４−１６）〜（４−１７）の構造式を示す図。
【発明が実施しようとする形態】
【００３２】
本発明の有機ＥＬ素子は、ガラス基板や透明プラスチック基板（例えばポリエチレンテレフタレート基板）などの透明基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が、この順に形成された基本構造を有している。このような基本構造を有している限り、その層構造は種々の態様を採ることができ、例えば、正孔輸送層を、陽極側に位置する第一正孔輸送層と発光層に隣接する第二正孔輸送層との２層構造とすることもできるし、透明電極と正孔輸送層との間に正孔注入層を設けることもでき、さらには、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けることもできる。例えば、図１には、後述する実施例で採用された層構造が示されており、この例では、透明基板１上に、陽極２、正孔注入層３、第一正孔輸送層４、第二正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９が、この順に形成されている。
以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
【００３３】
＜陽極＞
陽極２は、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料の蒸着により、透明基板１上に形成されるものである。
【００３４】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、上記の陽極２と発光層６との間に設けられるものであり、本発明においては、この正孔輸送層は、下記の一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含んでいる。
【化１７】
2016006629.tif 000019
（１）
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。
【００３５】
かかるアリールアミン化合物は、３つの水素原子が全て芳香族基で置換されているトリアリールアミンであり、特に、アミノ基の窒素原子に対してｐ位及びｍ位のそれぞれに１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基が置換基（例えば式（１）中のＡｒ１及びＡｒ２）として結合しているベンゼン環（以下、ｐｍ−置換ベンゼン環と略すことがある）を少なくとも一つ有しているという新規な構造を有している。
このような構造のアリールアミン化合物は、後述する実施例からも理解されるようにガラス転移点Ｔｇが高く（例えば１００℃以上）、従って、薄膜状態が安定であり、耐熱性も優れている。また、一般的な正孔輸送材料が有する仕事関数（約５．４ｅＶ）と比較して、高い仕事関数を有しており、従って、正孔輸送性に優れており、正孔の移動度が大きく且つ正孔の注入特性もよい。さらには、電子阻止性にも優れている。
【００３６】
上記の一般式（１）において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一でも異なっていてもよく、これらの基Ａｒ１〜Ａｒ４が示す１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基としては、以下のものを挙げることができる。
【００３７】
１価の芳香族炭化水素基；
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基等。
１価の芳香族複素環基；
ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、カルボリニル基等。
【００３８】
また、上記の１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基は、置換基を有していてもよい。
このような置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基に加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子；
炭素数１ないし６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基；
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、例えば、メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基；
アリール基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基；
アリールオキシ基、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基；
芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基；
アリールビニル基、例えば、スチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えば、アセチル基、ベンゾイル基；
これらの置換基は、さらに、上記で例示している置換基を有していてもよい。
【００３９】
上述した一般式（１）において、基Ａｒ１としては、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基が好ましく、これらの中でも芳香族炭化水素基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントレニル基、フルオレニル基が特に好ましい。勿論、これらの基は、置換基を有していてもよい。
【００４０】
また、基Ａｒ２としては、芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基の中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオレニル基がより好ましく、さらには、フェニル基、ビフェニリル基が好ましい。また、これらの基は、置換基を有していてもよいが、最も好ましいものは、無置換のフェニル基、無置換のビフェニリル基である。
【００４１】
さらに、基Ａｒ３及びＡｒ４としては、芳香族炭化水素基が好ましく、これらの中でもフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、フルオレニル基がより好ましく、これらの基は、置換基を有していてもよい。特に好適な基Ａｒ３及びＡｒ４は、無置換のビフェニリル基、無置換のターフェニリル基、置換基を有するフェニル基、置換基を有するフルオレニル基であり、フェニル基の置換基としては、ナフチル基もしくはフルオレニル基が好ましく、フルオレニル基の置換基としては、メチル基、フェニル基が好ましい。
【００４２】
本発明において、上述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、前述したように、ｐｍ−置換ベンゼン環を少なくとも一つ有している点に構造上の特徴を有している。
例えば、下記一般式（１ａ）で表されるアリールアミン化合物は、上記のｐｍ−置換ベンゼン環を少なくとも二つ有しており、下記一般式（１ｂ）で表されるアリールアミン化合物は、ｐｍ−置換ベンゼン環を三つ有している。
【００４３】
【化１８】
2016006629.tif 000020
（１ａ）
【化１９】
2016006629.tif 000021
（１ｂ）
前記式（１ａ）及び（１ｂ）においては、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、前記のとおりの基を示し、
Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８も、Ａｒ１〜Ａｒ３と同様、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。
即ち、上記のＡｒ５〜Ａｒ８についても、上記のＡｒ１〜Ａｒ３について例示したものと同様の基を例示することができる。
【００４４】
上記の一般式（１ａ）の化合物は、一般式（１）中の基Ａｒ４が、前述したｐｍ−置換ベンゼン環を有する基であり、式（１ａ）中のＡｒ５及びＡｒ６が、ｐｍ−置換ベンゼン環が有する２つの置換基に相当する。
かかる一般式（１ａ）においては、基Ａｒ１とＡｒ５（窒素原子に対して、ベンゼン環のｐ位に結合している基同士）が同一の基であり、かつ、基Ａｒ２とＡｒ６（窒素原子に対して、ベンゼン環のｐ位に結合している基同士）が同一の基であることが、合成上の観点から好ましい。
【００４５】
上記の一般式（１ｂ）の化合物は、一般式（１）中の基Ａｒ３及びＡｒ４が、前述したｐｍ−置換ベンゼン環を有する基であり、式（１ｂ）におけるＡｒ５及びＡｒ６、並びにＡｒ７及びＡｒ８が、それぞれ、ｐｍ−置換ベンゼン環が有する２つの置換基に相当する。
このような一般式（１ｂ）においては、上記の一般式（１ａ）と同様、基Ａｒ１、Ａｒ５およびＡｒ７が同一の基であり、かつ、基Ａｒ２、Ａｒ６およびＡｒ８が同一の基であることが、合成上の観点から好ましい。
【００４６】
上述した一般式（１）（或いは一般式（１ａ）もしくは一般式（１ｂ））で表されるアリールアミン化合物の具体例としては、図３９〜図７５で示されている構造式を有する化合物（１−１）〜（１−１５９）を挙げることができる。
尚、これらの図には、各化合物が有しているｐｍ−置換芳香族環の数を併せて示した。
【００４７】
尚、一般式（１）で表される化合物は新規化合物であり、後述する実施例に示されているようにＳｕｚｕｋｉカップリングなどの公知の方法を利用して合成することができ、合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによっても行うことができる。
また、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製したものを用いた。
【００４８】
例えば、ｐｍ−置換ベンゼン環を一つ有するアリールアミン化合物は、以下のようにして製造することができる。
即ち、２つの水素原子が芳香族基で置換されているＮ，Ｎ−ビスアリールアミン（ジ置換芳香族アミン）を出発原料として使用し、ｍ位に臭素原子などのハロゲン原子を有するｍ−置換ハロゲン化芳香族化合物を反応させることにより、該ジ置換芳香族アミンの窒素原子にｍ−置換ベンゼン環基を導入する。次いで、Ｎ−ブロモスクシンイミドなどの臭素化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位にハロゲン基を導入し、相当するボロン酸とテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムなどのカップリング化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位に芳香族基を導入することにより、目的とするｐｍ−置換ベンゼン環を一つ有するアリールアミン化合物を製造することができる。
【００４９】
また、ｐｍ−置換ベンゼン環を二つ有するアリールアミン化合物は、以下のようにして製造することができる。
即ち、ｍ位が芳香族基で置換されているｍ置換芳香族基を有するＮ，Ｎ−ビス（ｍ置換芳香族）アミンを合成し、合成されたジ置換アミンに、Ｎ−ブロモスクシンイミドなどの臭素化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位にハロゲン基を導入し、相当するボロン酸とテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムなどのフェニルカップリング化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位に芳香族基を導入することにより、目的とするｐｍ−置換ベンゼン環を二つ有するアリールアミン化合物を製造することができる。
【００５０】
さらに、ｐｍ−置換ベンゼン環を三つ有するアリールアミン化合物は、以下のようにして製造することができる。
即ち、ｍ位が芳香族基で置換されているｍ置換芳香族基を有するトリス（ｍ置換芳香族）アミンを使用し、このトリアリールアミンが有する３つのｍ置換芳香族基のｐ位に、上記と同様に芳香族基を導入することにより、目的とするｐｍ−置換ベンゼン環を三つ有するアリールアミン化合物を製造することができる。
【００５１】
本発明において、上述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、それぞれ１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもでき、さらには、かかるアリールアミン化合物が有する優れた特性が損なわれない範囲において、公知の正孔輸送剤と併用して正孔輸送層を形成することもできる。
【００５２】
このような公知の正孔輸送剤としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジンなどのベンジジン誘導体；１，１−ビス［４−(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；後述する一般式（３）または一般式（４）で表されるアリールアミン化合物；その他、種々のトリフェニルアミン３量体などをあげることができる。
【００５３】
また、かかる正孔輸送層においては、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（例えば、国際公開２０１４／００９３１０号参照）などをＰドーピングしたものや、ＴＰＤなどのベンジジン誘導体の分子構造を含む高分子化合物などを併用することもできる。
【００５４】
上述した正孔輸送層は、一般式（１）のアリールアミン化合物を含むガスの蒸着もしくは共蒸着により形成することが好適であるが、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によっても形成することができる。
このような正孔輸送層の厚みは、通常２５〜６０ｎｍ程度であるが、低い駆動電圧で発光させることができるため、その厚みを例えば１００ｎｍ以上に厚くした場合にも駆動電圧の上昇を抑えることができる。即ち、正孔輸送層の厚みの自由度が高く、例えば、２０〜３００ｎｍ、特に２０〜２００ｎｍの厚みで実用駆動電圧を維持できる。
【００５５】
また、本発明では、上記のアリールアミン化合物を含む正孔輸送層は、例えば図１に示されているように、陽極側に位置する第一正孔輸送層４と発光層６側に位置する第二正孔輸送層５との二層構造を有していることが好適である。
このような二層構造の正孔輸送層については、後述する。
【００５６】
＜発光層＞
発光層は、従来公知の有機ＥＬ素子に使用されているものと同じであり、用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。
【００５７】
例えば、Ａｌｑ３等のキノリノール誘導体の金属錯体のほか、亜鉛、ベリリウム、アルミニウムなどの各種金属の錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体などの発光材料を用いて発光層を形成することができる。
また、発光材料としてＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である（例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３３０２参照）。
【００５８】
また、ホスト材料及びドーパント材料（ゲスト材料）を用いて発光層を形成することもできる。
この場合、ホスト材料としては、アントラセン誘導体が好適に使用されるが、これ以外にも、上記の発光材料や、インドール環を縮合環の部分構造として有する複素環化合物、カルバゾール環を縮合環の部分構造として有する複素環化合物、カルバゾール誘導体、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体なども用いることができる。
ドーパント材料としては、青色発光性のもの、例えば分子中にピレン骨格を有するピレン誘導体が好適に使用されるが、これ以外にも、フルオレン環を縮合環の部分構造として有するアミン誘導体、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ピレン、ベンゾピラン誘導体、インデノフェナントレン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体なども用いることができる。
【００５９】
更に、ゲスト材料として燐光発光体を使用することも可能である。燐光発光体としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体を使用することができる。例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体などが用いられる。
このときのホスト材料としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）、ＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などの正孔注入・輸送性のホスト材料を用いることができ、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン(ＵＧＨ２)、２，２’,２’’−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢI）などの電子輸送性のホスト材料も使用することができる。このようなホスト材料を使用することにより高性能の有機ＥＬ素子を作製することができる。
【００６０】
尚、燐光発光体のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層全体に対して1〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。
【００６１】
尚、かかる発光層は、単層構造に限定されるものではなく、上述した各種の化合物を用いて形成された層が積層された積層構造を有するものであってもよい。また、各種の化合物を混合して発光層を形成することも可能である。
【００６２】
＜電子輸送層＞
本発明において、上述した発光層の上に設けられる電子輸送層（例えば図１において７で示されている層）は、公知の電子輸送性材料を用いての蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などの公知の方法によって形成することができる。
【００６３】
電子輸送層は、それ自体公知の電子輸送材料から形成されていてよく、Ａｌｑ３等のキノリノール誘導体の金属錯体のほか、亜鉛、ベリリウム、アルミニウムなどの各種の金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いることができる。
【００６４】
また、本発明においては、下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体を電子輸送材料として使用して電子輸送層を形成することが好ましい。かかるアントラセン誘導体は、電子注入および輸送能力、薄膜の安定性や耐久性に優れており、このようなアントラセン誘導体により形成された電子輸送層を、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物を含む正孔輸送層と組み合わせることにより、正孔と電子とを発光層に効率よく注入することができ、これにより、最適なキャリアバランスを確保することができ、有機ＥＬ素子の特性を大きく向上させることが可能となる。
【００６５】
【化２０】
2016006629.tif 000022
（２）
式中、
Ａは、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合を示し、
Ｂは、１価の芳香族複素環基を示し、
Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、
ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または８の数であり、ｑが１または２の数である。
【００６６】
上記の一般式（２）から理解されるように、このアントラセン誘導体は、２価の基或いは単結合により、アントラセン環と基Ｂとが連結された分子構造を有しており、基Ｂが連結されているアントラセン環には、１または２個の１価芳香族炭化水素基または１価芳香族複素環基（基Ｃ）が置換基として結合している。
【００６７】
かかる一般式（２）において、Ａは、単結合或いは２価の基を示すものであるが、かかる２価の基は、２価の芳香族炭化水素基または２価の芳香族複素環基であり、その具体例は、以下のとおりである。
２価の芳香族炭化水素基は、２つの結合手を有する芳香族炭化水素環から形成されているものであり、このような芳香族炭化水素環としては、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチレン、ナフタレン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フェナントレン、インダン、ピレン、トリフェニレンをあげることができる。
また、２価の芳香族複素環基は、２つの結合手を有する芳香族複素環から形成されているものであり、このような芳香族複素環としては、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ピロール、フラン、チオフェン、キノリン、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドリン、カルバゾール、カルボリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、ピラゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナントロリン、アクリジニンなどをあげることができる。
【００６８】
上記の芳香族炭化水素環及び芳香族複素環は、置換基を有していてもよく、このアントラセン誘導体の優れた特性を損なわない限りにおいて、導入可能な置換基を有していてもよい。
このような置換基は、前述した一般式（１）中の基Ａｒ１〜Ａｒ４が示す１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基が有していてよい置換基と同様のものである。
本発明において、特に好適なＡは、置換または未置換のベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環及びフェナントレン環に由来するものである。
【００６９】
また、一般式（２）の基Ｂは、１価の芳香族複素環基であり、かかる複素環基としては、トリアジニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、およびカルボリニル基などをあげることができる。
【００７０】
上記の基Ｂにおける１価の芳香族複素環基も、このアントラセン誘導体の優れた特性を損なわないような置換基を有していてもよく、このような置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基に加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；
炭素数１ないし６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基；
炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基；
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、例えば、メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基；
炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基；
アルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基；
芳香族炭化水素基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基；
アリールビニル基、例えば、スチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えば、アセチル基、ベンゾイル基；
上記で例示した置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
【００７１】
本発明において、上記の基Ｂとして好適な１価の芳香族複素環基としては、含窒素芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、およびカルボリニル基などが好ましく、これらの中でもピリジル基、ピリミジニル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、ピラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、およびカルボリニル基がより好ましい。
【００７２】
また、一般式（２）中のＣは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＡｒ１〜Ａｒ４と同様、置換基を有していてよい。
尚、かかる基Ｃが分子中に２個存在する場合（式（２）中のｑ＝２）、二つの基Ｃは、同一でも異なっていてもよい。
【００７３】
さらに、一般式（２）中のＤは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、これらの内の炭素数１ないし６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などをあげることができる。
これらのアルキル基も、例えば、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
また、複数個存在するＤは、互いに同一でも異なってもよい。
本発明において、最も好適なＤは、水素原子である。
【００７４】
上述した一般式（２）のアントラセン誘導体において、Ｂは含窒素複素環であり且つＤが水素原子であることが好ましいが、このような好適なアントラセン誘導体は、特に、下記一般式（２ａ）、（２ｂ）または（２ｃ）で表される。
【００７５】
一般式（２ａ）で表されるアントラセン誘導体；
【化２１】
2016006629.tif 000023
【００７６】
前記、一般式（２ａ）において、Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。
【００７７】
また、上記Ａが結合している３環構造の含窒素複素環は、一般式（２）における基Ｂに相当する。
上記式（２ａ）中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、上記の含窒素複素環の一部を構成する環内元素であり、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を示す。また、Ｒ１〜Ｒ７及びＡｒ９は、この含窒素複素環に結合している基を示している。
即ち、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４が形成している環には、置換基としてＲ１〜Ｒ４が示されているが、この環内元素が窒素原子であるときには、この窒素原子には、Ｒ１〜Ｒ４の何れも（水素原子を含めて）結合していないものとする。例えば、Ｘ１が窒素原子である場合はＲ１が存在せず、Ｘ２が窒素原子である場合は、Ｒ２が存在せず、Ｘ３が窒素原子である場合はＲ３が存在せず、Ｘ４が窒素原子である場合は、Ｒ４が存在しないことを意味する。
【００７８】
また、上記の含窒素複素環に結合しているＲ１〜Ｒ７は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基である。
上記の炭素数１ないし６のアルキル基としては、前記一般式（２）のＤについて、例示したものと同じものをあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基を例示することができる。
上記の炭素数２ないし６のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基をあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基をあげることができる。
さらに、１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、一般式（１）における基Ａｒ１〜Ａｒ４に関して例示したものと同じ基をあげることができる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。
【００７９】
上述したＲ１〜Ｒ７が示す各基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、炭素数に関する条件を満足する範囲において、一般式（１）における基Ａｒ１〜Ａｒ４が有する置換基として例示したものと同じ基をあげることができる。
また、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
【００８０】
さらに、上記一般式（２ａ）中のＡｒ９は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基であり、Ａｒ１０及びＡｒ１１は、一般式（２）中のＣに相当する（即ち、ｑ＝２）。
このようなＡｒ９〜Ａｒ１１は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＡｒ１〜Ａｒ４と同様、置換基を有していてよい。
【００８１】
上述した一般式（２ａ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図７６〜図７９で示されている構造式を有する化合物（２ａ−１）〜（２ａ−２０）を挙げることができる。
【００８２】
一般式（２ｂ）で表されるアントラセン誘導体；
【化２２】
2016006629.tif 000024
（２ｂ）
【００８３】
一般式（２ｂ）において、Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。
【００８４】
また、上記Ａが結合している含窒素複素環は、一般式（２）における基Ｂに相当する。
【００８５】
さらに、上記一般式（２ｂ）中のＡｒ１２及びＡｒ１３は、一般式（２）中のＣに相当し（即ち、ｑ＝２）、Ａｒ１４は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基である。
このようなＡｒ１２〜Ａｒ１４は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＡｒ１〜Ａｒ４と同様、置換基を有していてよい。
【００８６】
上述した一般式（２ｂ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図８０〜図８３で示されている構造式を有する化合物（２ｂ−１）〜（２ｂ−１６）を挙げることができる。
【００８７】
一般式（２ｃ）で表されるアントラセン誘導体；
【化２３】
2016006629.tif 000025
（２ｃ）
【００８８】
一般式（２ｃ）において、Ａは、前記式（２）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。
【００８９】
また、上記Ａが結合している含窒素複素環は、一般式（２）における基Ｂに相当する。
【００９０】
さらに、上記一般式（２ｃ）中のＡｒ１５は、一般式（２）中のＣに相当し（即ち、ｑ＝１）、Ａｒ１６、Ａｒ１７及びＲ８は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基である。
【００９１】
上記のＡｒ１５〜Ａｒ１８は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＡｒ１〜Ａｒ４と同様、置換基を有していてよい。
【００９２】
また、上記の含窒素複素環に結合しているＲ８は、前述した一般式（２ａ）中のＲ１〜Ｒ７と同じであり、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基である。
Ｒ８が示す上記各基も、Ｒ１〜Ｒ７と同様の置換基を有していてもよく、この置換基が複数存在している場合、複数の置換基は、独立して存在していることが好ましいが、複数の置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
【００９３】
上述した一般式（２ｃ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図８４〜図９１で示されている構造式を有する化合物（２ｃ−１）〜（２ｃ−３０）を挙げることができる。
【００９４】
本発明においては、上述したアントラセン誘導体により電子輸送層が形成されていることが望ましく、上記で例示した種々のアントラセン誘導体は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、ＷＯ２０１１／０５９３０００、ＷＯ２００３／０６０９５６、韓国特許公開２０１３−０６０９５６参照）。
これらのアントラセン誘導体は、それぞれ、単独で電子輸送層を形成していてもよいし、複数種が混合されて電子輸送層を形成していてもよい。
【００９５】
＜陰極＞
本発明の有機ＥＬ素子の陰極としては、アルミニウムのような仕事関数の低い金属や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。
【００９６】
＜その他の層＞
本発明の有機ＥＬ素子は、必要に応じてその他の層を有していてもよい。例えば、図１に示されている例では、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層３が設けられており、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層７が設けられている。さらに、正孔輸送層と発光層との間には電子阻止層を設けることができるし、発光層と電子輸送層との間に正孔阻止層を設けることもできる。
適宜設けられる各層は、それ自体公知の材料から形成されていてよく、何れも用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。
【００９７】
正孔注入層；
陽極と正孔輸送層との間に適宜形成される正孔注入層３は、それ自体公知の材料、例えば、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、種々のトリフェニルアミン４量体などの材料；銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物；ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物や塗布型の高分子材料；などを用いて形成することができる。
また、前述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、大きな正孔移動度を示すため、かかるアリールアミン化合物を用いて正孔注入層を形成することもできる。
【００９８】
電子注入層；
陰極と電子輸送層との間に適宜設けられる電子注入層８は、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いて形成することができる。
【００９９】
電子阻止層；
電子阻止層は、図１では示されていないが、正孔輸送層と発光層との間に設けられるものであり、発光層からの電子の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。電子阻止層を形成するための材料としては、電子阻止性を有する種々の化合物を使用することができ、下記のカルバゾール誘導体が代表的である。
４，４’,４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン
（ＴＣＴＡ）；
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フルオレン；
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）；
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン
(Ａｄ−Ｃｚ)；
【０１００】
また、上記のカルバゾール誘導体以外にも、９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基を有しており且つトリアリールアミン骨格を分子中に有している化合物なども、電子阻止層形成用の材料として使用することができる。
【０１０１】
正孔阻止層；
正孔阻止層も、図１には示されていないが、電子輸送層と発光層との間に適宜設けられるものであり、発光層からの正孔の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。正孔阻止層を形成するための材料としては、バソクプロイン（ＢＣＰ）などのフェナントロリン誘導体、アルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（ＢＡｌｑ）などのキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の希土類錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物により形成される。
【０１０２】
＜２層構造の正孔輸送層＞
本発明の有機ＥＬ素子は、前述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、正孔輸送剤として使用されているが、先に述べたように、このようなアリールアミン化合物を含む正孔輸送層を２層構造とすることができる。
即ち、図１に示されているように、正孔輸送層を、陽極２側に位置している第一正孔輸送層４と発光層６側に位置している第二正孔輸送層５とに分割した２層構造とし、前記一般式（１）で表されるアリールアミンを第二正孔輸送層５に含有させることが好適である。この場合、第一正孔輸送層４には、第二正孔輸送層５に用いたものとは異なるアリールアミンが使用される。
【０１０３】
上記のように正孔輸送層が２層に分割されている場合、発光層６側の第二正孔輸送層５は、正孔輸送性と共に、極めて高い電子阻止性を示す。前述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、正孔輸送性に加え、高い電子阻止性を示すからである。従って、特に、図１のように、第二正孔輸送層５を発光層６に隣接することにより、発光層６でのキャリアバランスをより高く保持することができ、この有機ＥＬ素子の特性向上に極めて有利となる。
【０１０４】
このような２層構造において、第二正孔輸送層５は、一般式（１）で表されるアリールアミン化合物により形成されるが、第一正孔輸送層４は、第二正孔輸送層５の形成に使用されるアリールアミン化合物とは異なるトリアリールアミン誘導体を用いて形成される。トリアリールアミン誘導体は、優れた正孔輸送性を示すからである。
【０１０５】
第一正孔輸送層４の形成に使用されるトリアリールミン誘導体は、第二正孔輸送層５に形成されているものと異なっているのであれば、前述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物であってもよいが、かかる第一正孔輸送層４には、電子阻止性はあまり要求されないことから、正孔輸送剤として使用される公知のトリアリールアミン誘導体を用いて第一正孔輸送層４を形成することが望ましい。
【０１０６】
このような公知のトリアリールアミン誘導体は、２つのトリアリールアミン骨格が単結合または２価の炭化水素基で結合された分子構造を有するものであり、分子中にトリアリールアミン骨格を２個〜６個有している。
本発明においては、正孔輸送性に加え、薄膜安定性や耐熱性に優れていること及び合成が容易であるという観点から、下記一般式（３）または（４）で表されるトリアリールアミン誘導体を用いて第一正孔輸送層４を形成することができる。かかるトリアリールアミン誘導体は、１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもできる。
【０１０７】
一般式（３）で表されるトリアリールアミン誘導体；
【化２４】
2016006629.tif 000026
【０１０８】
かかる一般式（３）で表されるトリアリールアミン誘導体は、トリアリールアミン骨格を２個有している。
【０１０９】
一般式（３）において、ｒ９〜ｒ１４は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ９〜Ｒ１４の数を示す整数であり、ｒ９、ｒ１０、ｒ１３及びｒ１４は、それぞれ、０〜５の整数であり、ｒ１１及びｒ１２は、それぞれ、０〜４の整数である。
【０１１０】
また、芳香族環に結合している置換基Ｒ９〜Ｒ１４は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示す。
これらの置換基が同一のベンゼン環に複数存在している場合、複数存在している置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。例えば、複数の置換基が結合してナフタレン環を形成していてもよい。
【０１１１】
上述した置換基Ｒ９〜Ｒ１４が示すアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基或いはアリールオキシ基の具体例としては、一般式（２ａ）の基Ｒ１〜Ｒ７について例示したものと同様の基をあげることができ、１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基の具体例としては、一般式（１）の基Ａｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。
また、置換基Ｒ９〜Ｒ１４は、基Ｒ１〜Ｒ７或いは基Ａｒ１〜Ａｒ４と同様、さらに置換基を有していてもよく、このような置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
【０１１２】
また、一般式（３）において、Ｌ１は、２つのアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、単結合、または下記構造式（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）もしくは（Ｇ）で示される２価基を示す。
【化２５】
2016006629.tif 000027
（Ｂ）
式中、ｎ１は１〜４の整数である。
【化２６】
2016006629.tif 000028
（Ｃ）
【化２７】
2016006629.tif 000029
（Ｄ）
【化２８】
2016006629.tif 000030
（Ｅ）
【化２９】
2016006629.tif 000031
（Ｆ）
【化３０】
2016006629.tif 000032
（Ｇ）
【０１１３】
上述した一般式（３）で表されるトリアリールアミン誘導体の具体例としては、図９２〜図９９で示されている構造式を有する化合物（３−１）〜（３−４１）を挙げることができる。
【０１１４】
一般式（４）で表されるトリフェニルアミン誘導体；
【化３１】
2016006629.tif 000033
【０１１５】
かかる一般式（４）で表されるトリアリールアミン誘導体は、トリアリールアミン骨格を４個有している。
【０１１６】
一般式（４）において、ｒ１５〜ｒ２６は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ１５〜Ｒ２６の数を示す整数であり、ｒ１５、ｒ１６、ｒ１９、ｒ２２、ｒ２５及びｒ２６は、それぞれ、０〜５の整数であり、ｒ１７、ｒ１８、ｒ２０、ｒ２１、ｒ２３及びｒ２４は、それぞれ、０〜４の整数である。
【０１１７】
また、芳香族環に結合している置換基Ｒ１５〜Ｒ２６は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基を示す。
これらの置換基が同一のベンゼン環に複数存在している場合、複数存在している置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。例えば、複数の置換基が結合してナフタレン環を形成していてもよい。
【０１１８】
上述した置換基Ｒ１５〜Ｒ２６が示すアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基或いはアリールオキシ基の具体例としては、一般式（２ａ）の基Ｒ１〜Ｒ７について例示したものと同様の基をあげることができ、１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基の具体例としては、一般式（１）の基Ａｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。
また、置換基Ｒ１５〜Ｒ２６は、基Ｒ１〜Ｒ７或いは基Ａｒ１〜Ａｒ４と同様、さらに置換基を有していてもよく、このような置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
【０１１９】
また、一般式（４）において、Ｌ２〜Ｌ４は、２つのとアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、単結合、または下記構造式（Ｂ’）で示される２価基、或いは一般式（３）における式（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）もしくは（Ｇ）で示される２価基と同様の基である。
【０１２０】
【化３２】
2016006629.tif 000034
（Ｂ’）
式中、ｎ２は１〜３の整数である。
【０１２１】
上述した一般式（４）で表されるトリアリールアミン誘導体の具体例としては、図１００〜図１０３で示されている構造式を有する化合物（４−１）〜（４−１７）を挙げることができる。
【０１２２】
本発明において、上記で例示した種々のトリアリールアミン誘導体は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、特開平７−１２６６１５号、特開平０８−０４８６５６号、特開２００５−１０８８０４号参照）。
【０１２３】
上記のようなトリアリールアミン誘導体を用いて形成される第一正孔輸送層４の厚みｔ１と一般式（１）のアリールアミン化合物を用いて形成される第二正孔輸送層５の厚みｔ２とのトータル厚み（ｔ１＋ｔ２）は、そのトータル厚みが２０〜３００ｎｍの範囲、さらには５０〜２００ｎｍの範囲、特に５０〜１５０ｎｍの範囲にあることが好適である。
【０１２４】
上述した構造を有する本発明の有機ＥＬ素子では、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた有機ＥＬ素子用の材料を、キャリアバランスを考慮しながら組み合わせているため、従来の有機ＥＬ素子に比べて、正孔輸送層から発光層への正孔輸送効率が向上しており、電子輸送層から発光層への電子輸送効率も向上している。さらに、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とした場合においては、キャリアバランスがより向上しており、発光効率のさらなる向上、駆動電圧のさらなる低下がもたされ、この有機ＥＬ素子の耐久性がより向上している。
このように本発明によれば、高効率、低駆動電圧、長寿命の有機ＥＬ素子を実現することが可能となった。
【実施例】
【０１２５】
本発明を、次の実験例により説明する。【０１２６】
＜実施例１＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル）アミン（化合物１−１）の合成＞
（第１工程）
窒素置換した反応容器に
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミン  ４０．５ｇ
３−ブロモビフェニル  ２８．０ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム  １３．７ｇ
トルエン  ４００ｍＬ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム  ０．５４ｇ、
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液  １．４６ｇ
を加えて加熱し、９５℃で４時間撹拌した。
ろ過により不溶物を除いた後加熱し、１００℃でシリカゲルを用いた吸着精製を行い、熱時ろ過を行った。ろ液を撹拌しながら室温まで冷却し、析出する固体をろ過によって採取することによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（ビフェニル−３−イル）アミンの緑白色固体  ５０．２ｇ（収率８８％）
を得た。【０１２７】
（第２工程）
窒素置換した反応容器に
上記で得られたトリアリールアミン  ５０．０ｇ
ジメチルホルムアミド  ５００ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
次いで、
Ｎ−ブロモスクシンイミド  ２２．１ｇ
をゆっくり加え、４時間撹拌した。この後、メタノールを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。
続いて、酢酸エチルを用いた還流洗浄を行い、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンの桃色粉体４０．２ｇ（収率６９％）
を得た。【０１２８】
（第３工程）
次に、窒素置換した反応容器に、
上記で得られたＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン  １１．８ｇ
トルエン  ９４ｍＬ
フェニルボロン酸  ２．７ｇ
予め炭酸カリウム５．９ｇを水３６ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
その後、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム  ０．７４ｇ
を加えて加熱し、７２℃で１８時間撹拌した。室温まで冷却し、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄、飽和食塩水を用いた洗浄を順次行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。【０１２９】
続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル）アミンの白色粉体８．４ｇ（収率７２％）
を得た。【０１３０】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１）である。
【化３３】
2016006629.tif 000035
（１−１）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１３１】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５６−７．６８（７Ｈ）
７．４５−７．５２（４Ｈ）
７．１４−７．４１（２０Ｈ）【０１３２】
＜実施例２＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ナフチル−１−イル）ビフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−２）の合成＞
実施例１の第３工程で使用されているフェニルボロン酸を、１−ナフチルボロン酸に代えた以外は、実施例１と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ナフチル−１−イル）ビフェニル−３−イル｝アミンの白色粉体  ９．２ｇ
（収率６１％）
を得た。【０１３３】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−２）である。
【化３４】
2016006629.tif 000036
（１−２）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１３４】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８４−７．８７（３Ｈ）
７．６７−８３（６Ｈ）
７．２６−７．６４（１８Ｈ）
７．０２−７．０４（６Ｈ）【０１３５】
＜実施例３＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）ビフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−３）の合成＞
実施例１の第３工程で使用されているフェニルボロン酸を、（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）ボロン酸に代えた以外は、実施例１と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）ビフェニル−３−イル｝アミンの白色粉体９．０ｇ（収率５７％）
を得た。【０１３６】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−３）である。
【化３５】
2016006629.tif 000037
（１−３）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１３７】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図４に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５６−７．６４（１０Ｈ）
７．２６−５０（１８Ｈ）
７．０２−７．１６（５Ｈ）
１．２６（６Ｈ）【０１３８】
＜実施例４＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（６−フェニルビフェニル−３−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）アミン（化合物１−９４）の合成＞
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
ベンズアミド  １３．０ｇ
３−ブロモビフェニル  ５２．５ｇ
炭酸カリウム  ４４．５ｇ
亜硫酸水素ナトリウム  ３．４ｇ
フェナントロリン一水和物  ２．２ｇ
銅粉  ０．６８ｇ
ドデシルベンゼン  １３ｍＬ
トルエン  ３０ｍＬ
を加えて攪拌しながら加熱し、トルエンを除きながら、１９時間還流した。冷却し、トルエンを加えた後、ろ過によって不溶物を除いた。水を用いた洗浄、飽和食塩水を用いた洗浄を順次行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。
続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−３−イル）ベンズアミドの黄色粘性物
４１．７ｇ（収率９１％）
を得た。【０１３９】
（第２工程）
反応容器に、
上記で得られたＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−３−イル）ベンズアミド
４１．７ｇ
イソアミルアルコール  ３６ｍＬ
水  １２ｍＬ
水酸化カリウム  ７．６ｇ
を加えて攪拌しながら加熱し、４８時間還流した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄、飽和食塩水を用いた洗浄を順次行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。
続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−３−イル）アミンの褐色粘性物
２５．３ｇ（収率８０％）
を得た。【０１４０】
（第３工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られたＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−３−イル）アミン
２５．２ｇ
トルエン  ２５０ｍＬ
４−ブロモビフェニル  ２０．５ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム  ９．０ｇ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム  ０．３５ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液０．９５ｇ
を加えて加熱し、９５℃で１４時間撹拌した。ろ過によって不溶物を除いた後、水を用いた洗浄、飽和食塩水を用いた洗浄を順次行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。
続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−３−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）アミンの黄白色粉体３１．６ｇ（収率８５％）
を得た。【０１４１】
（第４工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られたＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−３−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）アミン  ３１．５ｇ
ジメチルホルムアミド  ３２０ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
続いて、
Ｎ−ブロモスクシンイミド  ２６．０ｇ
をゆっくり加え、５時間撹拌した。水を加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。メタノールを用いた洗浄を行った後、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）アミンの白色粉体３６．９ｇ（収率８８％）
を得た。【０１４２】
（第５工程）
実施例１の第３工程で用いているビス（ビフェニル−４−イル）−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンを、上記で得られたＮ，Ｎ−ビス（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）アミンに代えた以外は、実施例１の第３工程と同様にして反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（６−フェニルビフェニル−３−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）アミンの白色粉体１０．２ｇ（収率７３％）
を得た。【０１４３】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−９４）である。
【化３６】
2016006629.tif 000038
（１−９４）
ｐｍ−置換ベンゼン環：２【０１４４】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図５に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５７−７．６６（４Ｈ）
７．１０−７．４９（３１Ｈ）【０１４５】
＜実施例５＞
＜トリス（６−フェニルビフェニル−３−イル）アミン（化合物１−１２９）の合成＞
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
３−アミノビフェニル  １０．４ｇ
トルエン  ２５０ｍＬ
３−ブロモビフェニル  ３０．０ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム  １３．１ｇ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
続いて、
トリスジベンジリデンアセトンパラジウム  ２．２５ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液１．５０ｇ
を加えて加熱し、９５℃で３時間撹拌した。ろ過により不溶物を除き、続いて、水を用いた洗浄、飽和食塩水を用いた洗浄を順次行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。
さらに、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
トリス（ビフェニル−３−イル）アミンの白色粉体
２４．６ｇ（収率８５％）
を得た。【０１４６】
（第２工程）
窒素置換した反応容器に、
上記のトリス（ビフェニル−３−イル）アミン  ２４．５ｇ
ジメチルホルムアミド  ２４５ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
続いて、
Ｎ−ブロモスクシンイミド  ３０．４ｇ
をゆっくり加え、７時間撹拌した。トルエンを加え、続いて、水を用いた洗浄、飽和食塩水を用いた洗浄を順次行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。
カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
トリス（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンの白色粉体
３３．６ｇ（収率９２％）
を得た。【０１４７】
（第３工程）
実施例１の第３工程で用いているビス（ビフェニル−４−イル）−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンを、上記で得られたトリス（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えた以外は、実施例１の第３工程と同様にして反応を行うことによって、
トリス（６−フェニルビフェニル−３−イル）アミンの白色粉体
１１．１ｇ（収率７５％）
を得た。【０１４８】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１２９）である。
【化３７】
2016006629.tif 000039
（１−１２９）
ｐｍ−置換ベンゼン環：３【０１４９】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図６に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．３５−７．４２（６Ｈ）
７．１５−７．３５（３３Ｈ）【０１５０】
＜実施例６＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−４）の合成＞
実施例１の第３工程で使用されているフェニルボロン酸を、４−ビフェニルボロン酸に代えた以外は、実施例１と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体
８．４ｇ（収率７６％）
を得た。【０１５１】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−４）である。
【化３８】
2016006629.tif 000040
（１−４）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１５２】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図７に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６０−７．６８（１０Ｈ）
７．４５−５０（９Ｈ）
７．３０−７．３９（８Ｈ）
７．２２−７．２８（８Ｈ）【０１５３】
＜実施例７＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−９）の合成＞
実施例１の第３工程で使用されているフェニルボロン酸を、ｐ−ターフェニルボロン酸ピナコールエステルに代えた以外は、実施例１と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体７．６ｇ（収率７５％）
を得た。【０１５４】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−９）である。
【化３９】
2016006629.tif 000041
（１−９）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１５５】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図８に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．４０−７．５５（２０Ｈ）
７．３０−３９（７Ｈ）
７．１９−７．２９（１２Ｈ）【０１５６】
＜実施例８＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−(６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル)アミン（化合物１−５６）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体１７．８ｇ（収率８９％）
を得た。【０１５７】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−５６）である。
【化４０】
2016006629.tif 000042
（１−５６）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１５８】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図９に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５７−７．７０（７Ｈ）
７．１８−５２（２６Ｈ）
１．５２（６Ｈ）【０１５９】
＜実施例９＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）−Ｎ−(６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル)アミン（化合物１−６８）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−（４−ブロモフェニル）アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）−Ｎ−(６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル)アミンの白色粉体６．４ｇ（収率５５％）
を得た。【０１６０】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−６８）である。
【化４１】
2016006629.tif 000043
（１−６８）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１６１】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１０に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５８−７．７９（１５Ｈ）
７．４２−７．５３（９Ｈ）
７．２０−７．４０（１５Ｈ）【０１６２】
＜実施例１０＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミン（化合物１−９０）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミンの白色粉体
６．８ｇ（収率８４％）
を得た。【０１６３】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−９０）である。
【化４２】
2016006629.tif 000044
（１−９０）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１６４】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１１に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５８−７．６６（１０Ｈ）
７．３４−７．４８（１７Ｈ）
７．２０−７．２８（８Ｈ）【０１６５】
＜実施例１１＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：２’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミン（化合物１−９２）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
ＮＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモ−
１，１‘：２’，１‘’−ターフェニル−３−イル）アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，
１‘：２’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミンの白色粉体
４．８ｇ（収率４０％）
を得た。【０１６６】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−９２）である。
【化４３】
2016006629.tif 000045
（１−９２）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１６７】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１２に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６２−７．６８（４Ｈ）
７．４６−７．５８（８Ｈ）
７．０９−７．３９（１９Ｈ）
６．８４−６．９１（４Ｈ）【０１６８】
＜実施例１２＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１３４）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体７．５ｇ（収率６０％）
を得た。【０１６９】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１３４）である。
【化４４】
2016006629.tif 000046
（１−１３４）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１７０】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１３に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８−８．１２（１Ｈ）
７．８６−７．９８（２Ｈ）
７．２１−７．６４（３４Ｈ）【０１７１】
＜実施例１３＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１３５）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝アミン
及び
ｐ−ターフェニルボロン酸ピナコールエステル
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体９．０ｇ（収率５６％）
を得た。【０１７２】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１３５）である。
【化４５】
2016006629.tif 000047
（１−１３５）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１７３】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１４に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８−８．１２（１Ｈ）
７．８６−７．９８（２Ｈ）
７．２２−７．７１（３８Ｈ）【０１７４】
＜実施例１４＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１３６）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体１０．６ｇ（収率７９％）
を得た。
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１３６）である。
【化４６】
2016006629.tif 000048
（１−１３６）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１７５】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１５に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８−８．１４（２Ｈ）
７．８８−７．９６（４Ｈ）
７．２４−７．６４（３３Ｈ）【０１７６】
＜実施例１５＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−｛６−フェニル−４’’−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−４−イル｝アミン（化合物１−１３７）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン
及び
４−（ナフタレン−２−イル）フェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
｛６−フェニル−４’’−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−
４−イル｝アミンの白色粉体９．７ｇ（収率７４％）
を得た。【０１７７】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１３７）である。
【化４７】
2016006629.tif 000049
（１−１３７）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１７８】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１６に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８−８．１４（３Ｈ）
７．６６−７．９７（８Ｈ）
７．２８−７．６６（３０Ｈ）【０１７９】
＜実施例１６＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１３８）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン
及び
ｐ−ターフェニルボロン酸ピナコールエステル
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−フェニル−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体
６．２ｇ（収率６３％）
を得た。【０１８０】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１３８）である。
【化４８】
2016006629.tif 000050
（１−１３８）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１８１】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１７に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８−８．１４（３Ｈ）
７．８９−７．９５（４Ｈ）
７．２５−７．７１（３６Ｈ）【０１８２】
＜実施例１７＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１３９）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン
及び
３−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−フェニル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル）
アミンの白色粉体４．９ｇ（収率４８％）
を得た。【０１８３】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１３９）である。
【化４９】
2016006629.tif 000051
（１−１３９）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１８４】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１８に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８−８．１２（２Ｈ）
７．８６−７．９４（４Ｈ）
７．００−７．５７（２９Ｈ）
６．６３−６．７５（４Ｈ）【０１８５】
＜実施例１８＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１４０）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体４．９ｇ（収率４４％）
を得た。【０１８６】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４０）である。
【化５０】
2016006629.tif 000052
（１−１４０）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１８７】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図１９に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７３（１Ｈ）
７．６１−７．７０（３Ｈ）
７．５４−７．５８（１Ｈ）
７．１９−７．５２（３２Ｈ）【０１８８】
＜実施例１９＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミン（化合物１−１４１）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミンの白色粉体５．８ｇ（収率５６％）
を得た。【０１８９】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４１）である。
【化５１】
2016006629.tif 000053
（１−１４１）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１９０】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２０に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８（１Ｈ）
７．８１−７．９６（３Ｈ）
７．７９−７．８１（１Ｈ）
７．２１−７．７３（３２Ｈ）【０１９１】
＜実施例２０＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−｛６−フェニル−４’−（ナフタレン−２−イル）ビフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−１４２）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−｛６−ブロモ−４’−（ナフタレン−２−イル）ビフェニル−３−イル｝アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−｛６−フェニル−４’−（ナフタレン−２−イル）ビフェニル−３−イル｝アミンの白色粉体１０．０ｇ（収率８１％）
を得た。【０１９２】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４２）である。
【化５２】
2016006629.tif 000054
（１−１４２）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１９３】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２１に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０４−８．１０（２Ｈ）
７．７８−７．９６（８Ｈ）
７．２４−７．６５（２９Ｈ）【０１９４】
＜実施例２１＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−１４３）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル｝アミンの白色粉体
１１．０ｇ（収率６１％）
を得た。【０１９５】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４３）である。
【化５３】
2016006629.tif 000055
（１−１４３）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１９６】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２２に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６０−７．７４（４Ｈ）
７．１４−７．５２（３３Ｈ）
７．００−７．０３（２Ｈ）【０１９７】
＜実施例２２＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル｝アミン（化合物１−１４４）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体６．５ｇ（収率７１％）
を得た。【０１９８】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４４）である。
【化５４】
2016006629.tif 000056
（１−１４４）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０１９９】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２３に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６１−７．７７（６Ｈ）
７．２０−７．５１（３４Ｈ）
７．０６−７．１１（３Ｈ）【０２００】
＜実施例２３＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１４５）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
及び
３−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体８．０ｇ（収率８７％）
を得た。【０２０１】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４５）である。
【化５５】
2016006629.tif 000057
（１−１４５）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２０２】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２４に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７０−７．７６（２Ｈ）
７．６３−７．６５（２Ｈ）
７．１８−７．５４（３６Ｈ）
７．０８−７．１２（３Ｈ）【０２０３】
＜実施例２４＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：２’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１４６）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
及び
２−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：２’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体５．２ｇ（収率５７％）
を得た。【０２０４】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４６）である。
【化５６】
2016006629.tif 000058
（１−１４６）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２０５】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２５に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６０−７．７４（４Ｈ）
６．９５−７．４９（３５Ｈ）
６．６８−６．７１（２Ｈ）
６．５４−６．５７（２Ｈ）【０２０６】
＜実施例２５＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−フェニル−４’−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−１４７）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−ブロモ−４’−
（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−３−イル｝アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−フェニル−
４’−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−３−イル｝アミンの
白色粉体５．４ｇ（収率３３％）
を得た。【０２０７】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４７）である。
【化５７】
2016006629.tif 000059
（１−１４７）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２０８】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２６に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８４−７．９５（３Ｈ）
７．２４−７．６７（３４Ｈ）【０２０９】
＜実施例２６＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ビフェニル−４−イル）−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−１４８）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ビフェニル−
４−イル）−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミンの
白色粉体９．４ｇ（収率８４％）
を得た。【０２１０】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４８）である。
【化５８】
2016006629.tif 000060
（１−１４８）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２１１】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２７に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５８−７．６６（１２Ｈ）
７．２３−７．５４（２７Ｈ）【０２１２】
＜実施例２７＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ビフェニル−３−イル）−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−１４９）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミン
及び
３−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ビフェニル−３−イル）−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミンの白色粉体９．６ｇ（収率８６％）
を得た。【０２１３】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１４９）である。
【化５９】
2016006629.tif 000061
（１−１４９）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２１４】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２８に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５８−７．６６（１０Ｈ）
７．２６−７．５２（２９Ｈ）【０２１５】
＜実施例２８＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ビフェニル−２−イル）−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミン（化合物１−１５０）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミン
及び
２−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛６−（ビフェニル−
２−イル）−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル｝アミンの
白色粉体９．６ｇ（収率８６％）
を得た。【０２１６】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５０）である。
【化６０】
2016006629.tif 000062
（１−１５０）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２１７】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２９に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５４−７．６６（１０Ｈ）
７．０８−７．４９（２５Ｈ）
６．６３−６．７４（４Ｈ）【０２１８】
＜実施例２９＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１５１）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−
（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−
（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）
アミンの白色粉体１６．７ｇ（収率９２％）
を得た。【０２１９】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５１）である。
【化６１】
2016006629.tif 000063
（１−１５１）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２２０】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３０に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６２−７．７０（６Ｈ）
７．１９−７．５２（２５Ｈ）
１．５０（１２Ｈ）【０２２１】
＜実施例３０＞
＜Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル）−Ｎ−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１５２）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル）−Ｎ−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体１８．３ｇ（収率７４％）
を得た。【０２２２】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５２）である。
【化６２】
2016006629.tif 000064
（１−１５２）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２２３】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３１に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６１−７．６９（１０Ｈ）
７．１２−７．５２（２３Ｈ）
１．５１（６Ｈ）【０２２４】
＜実施例３１＞
＜Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル）アミン（化合物１−１５３）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニルビフェニル−３−イル）アミンの白色粉体８．８ｇ（収率６３％）
を得た。【０２２５】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５３）である。
【化６３】
2016006629.tif 000065
（１−１５３）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２２６】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３２に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８（１Ｈ）
７．７６−７．９４（４Ｈ）
７．６０−７．７１（４Ｈ）
７．１３−７．５４（２２Ｈ）
１．５２（６Ｈ）【０２２７】
＜実施例３２＞
＜Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミン（化合物１−１５４）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アミンの白色粉体
１０．４ｇ（収率６７％）
を得た。【０２２８】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５４）である。
【化６４】
2016006629.tif 000066
（１−１５４）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２２９】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３３に示した。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．１２（１Ｈ）
７．７８−７．９２（４Ｈ）
７．６０−７．７１（６Ｈ）
７．２１−７．５４（２４Ｈ）
１．５３（６Ｈ）【０２３０】
＜実施例３３＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−(６−フェニル−４’−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−４−イル)アミン（化合物１−１５５）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン
及び
４−（ナフタレン−１−イル）フェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−(６−フェニル−４’−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−４−イル)アミンの白色粉体１７．８ｇ（収率８９％）
を得た。【０２３１】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５５）である。
【化６５】
2016006629.tif 000067
（１−１５５）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２３２】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３４に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８５−７．９６（３Ｈ）
７．１８−７４（３２Ｈ）
１．５３（６Ｈ）【０２３３】
＜実施例３４＞
＜Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−(６−フェニルビフェニル−３−イル)アミン（化合物１−１５６）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−(６−フェニルビフェニル−３−イル)アミンの白色粉体１７．８ｇ（収率８９％）
を得た。【０２３４】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５６）である。
【化６６】
2016006629.tif 000068
（１−１５６）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２３５】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３５に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．１０−８．１３（１Ｈ）
７．８６−７．９４（２Ｈ）
７．７２−７．７５（２Ｈ）
７．１４−７．５８（２６Ｈ）
１．５４（６Ｈ）【０２３６】
＜実施例３５＞
＜Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−(６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル)アミン（化合物１−１５７）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−Ｎ−(６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル)アミンの白色粉体
１９．９ｇ（収率８９％）
を得た。【０２３７】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５７）である。
【化６７】
2016006629.tif 000069
（１−１５７）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２３８】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３６に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０７−８．１３（１Ｈ）
７．８８−７．９６（２Ｈ）
７．１６−７．７２（３２Ｈ）
１．５４（６Ｈ）【０２３９】
＜実施例３６＞
＜Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−｛６−フェニル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル｝アミン（化合物１−１５８）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）−
Ｎ−｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェニル｝アミン
及び
３−ビフェニルボロン酸
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ−４−ビフェニル−Ｎ−｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−｛６−フェニル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル｝アミンの白色粉体８．７ｇ（収率４９％）
を得た。【０２４０】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５８）である。
【化６８】
2016006629.tif 000070
（１−１５８）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２４１】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３７に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７４−７．８２（２Ｈ）
７．５８−７．７６（６Ｈ）
７．１６−７．４８（２９Ｈ）
１．５７（６Ｈ）【０２４２】
＜実施例３７＞
＜Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミン（化合物１−１５９）の合成＞
実施例１の第３工程におけるＮ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（６−ブロモビフェニル−３−イル）アミンに代えて、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）アミン
を用いた以外は、実施例１の第３工程と同様の条件で反応を行うことによって、
Ｎ，Ｎ−ビス｛４−（ナフタレン−２−イル）フェニル｝−Ｎ−
（６−フェニル−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）
アミンの白色粉体５．１ｇ（収率６５％）を得た。【０２４３】
このアミン化合物は、下記式で表される化合物（１−１５９）である。
【化６９】
2016006629.tif 000071
（１−１５９）
ｐｍ−置換ベンゼン環：１【０２４４】
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３８に示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．１０（１Ｈ）
７．８７−７．９６（６Ｈ）
７．７１−７．８４（６Ｈ）
７．２２−７．６０（２６Ｈ）【０２４５】
＜実施例３８＞
実施例で合成された一般式（１）で表される各種のアリールアミン化合物について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００Ｓ）によってガラス転移点を求め、その結果を以下に示した。
このガラス転移点は、薄膜状態の安定性や耐熱性の指標となるパラメータである。【０２４６】
ガラス転移点  
化合物（１−２）：実施例２              １０３℃
化合物（１−３）：実施例３              １１５℃
化合物（１−９４）：実施例４            １０１℃
化合物（１−１２９）：実施例５          １１２℃
化合物（１−４）：実施例６              １０４℃
化合物（１−９）：実施例７              １１７℃
化合物（１−５６）：実施例８            １１６℃
化合物（１−６８）：実施例９            １１６℃
化合物（１−９０）：実施例１０          １０６℃
化合物（１−１３４）：実施例１２        １０９℃
化合物（１−１３５）：実施例１３        １２１℃
化合物（１−１３６）：実施例１４        １１７℃
化合物（１−１３７）：実施例１５        １２０℃
化合物（１−１３８）：実施例１６        １２５℃
化合物（１−１３９）：実施例１７        １０７℃
化合物（１−１４０）：実施例１８        １１０℃
化合物（１−１４１）：実施例１９        １１２℃
化合物（１−１４２）：実施例２０        １１９℃
化合物（１−１４７）：実施例２５        １１１℃
化合物（１−１４８）：実施例２６        １１９℃
化合物（１−１４９）：実施例２７        １０７℃
化合物（１−１５０）：実施例２８        １１０℃
化合物（１−１５１）：実施例２９        １１４℃
化合物（１−１５３）：実施例３１        １０８℃
化合物（１−１５４）：実施例３２        １２２℃
化合物（１−１５５）：実施例３３        １１９℃
化合物（１−１５６）：実施例３４        １０９℃
化合物（１−１５７）：実施例３５        １２２℃
化合物（１−１５８）：実施例３６        １１２℃
化合物（１−１５９）：実施例３７        １１６℃【０２４７】
上記の結果から、一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は１００℃以上のガラス転移点を有しており、薄膜状態が安定であることが判る。【０２４８】
＜実施例３９＞
実施例で合成された一般式（１）で表される各種のアリールアミン化合物について、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業株式会社製、ＰＹＳ−２０２型）で仕事関数を測定し、その結果を以下に示した。
仕事関数は、正孔輸送性の指標となるパラメータである。【０２４９】
仕事関数
化合物（１−１）：実施例１          ５．６８ｅＶ
化合物（１−２）：実施例２          ５．７２ｅＶ
化合物（１−３）：実施例３          ５．６６ｅＶ
化合物（１−９４）：実施例４        ５．７２ｅＶ
化合物（１−１２９）：実施例５      ５．７５ｅＶ
化合物（１−４）：実施例６          ５．６７ｅＶ
化合物（１−９）：実施例７          ５．７０ｅＶ
化合物（１−５６）：実施例８        ５．６２ｅＶ
化合物（１−６８）：実施例９        ５．６６ｅＶ
化合物（１−９０）：実施例１０      ５．７１ｅＶ
化合物（１−９２）：実施例１１      ５．７０ｅＶ
化合物（１−１３４）：実施例１２    ５．７１ｅＶ
化合物（１−１３５）：実施例１３    ５．７１ｅＶ
化合物（１−１３６）：実施例１４    ５．７２ｅＶ
化合物（１−１３７）：実施例１５    ５．７２ｅＶ
化合物（１−１３８）：実施例１６    ５．７３ｅＶ
化合物（１−１３９）：実施例１７    ５．７３ｅＶ
化合物（１−１４０）：実施例１８    ５．６９ｅＶ
化合物（１−１４１）：実施例１９    ５．７０ｅＶ
化合物（１−１４２）：実施例２０    ５．７１ｅＶ
化合物（１−１４３）：実施例２１    ５．６６ｅＶ
化合物（１−１４４）：実施例２２    ５．６７ｅＶ
化合物（１−１４５）：実施例２３    ５．６８ｅＶ
化合物（１−１４６）：実施例２４    ５．６７ｅＶ
化合物（１−１４７）：実施例２５    ５．７２ｅＶ
化合物（１−１４８）：実施例２６    ５．７０ｅＶ
化合物（１−１４９）：実施例２７    ５．７１ｅＶ
化合物（１−１５０）：実施例２８    ５．７２ｅＶ
化合物（１−１５１）：実施例２９    ５．５５ｅＶ
化合物（１−１５２）：実施例３０    ５．６１ｅＶ
化合物（１−１５３）：実施例３１    ５．６２ｅＶ
化合物（１−１５４）：実施例３２    ５．６２ｅＶ
化合物（１−１５５）：実施例３３    ５．６３ｅＶ
化合物（１−１５６）：実施例３４    ５．６２ｅＶ
化合物（１−１５７）：実施例３５    ５．６３ｅＶ
化合物（１−１５８）：実施例３６    ５．６４ｅＶ
化合物（１−１５９）：実施例３７    ５．６９ｅＶ【０２５０】
上記の結果から、一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、ＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．４ｅＶと比較して、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有していることが分かる。【０２５１】
＜実施例４０＞
図１に示されている構造の有機ＥＬ素子、透明基板（ガラス基板）１上に透明陽極（ＩＴＯ電極）２、正孔注入層３、第一正孔輸送層４、第二正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８、陰極（アルミニウム電極）９が形成されている有機ＥＬ素子を、下記の手順にしたがい蒸着により作製した。【０２５２】
先ず、ガラス基板（透明基板１）上に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ電極（透明陽極２）が形成されているＩＴＯ付きガラス基板を用意した。
このガラス基板１をイソプロピルアルコール中にて２０分間、超音波洗浄した後、２００℃に加熱したホットプレート上にて１０分間乾燥を行った。その後、ＵＶオゾン処理を１５分間行った後、このＩＴＯ付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け、０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように正孔注入層３として、下記構造式の化合物（ＨＩＭ−１）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。【０２５３】
【化７０】
2016006629.tif 000072
（ＨＩＭ−１）【０２５４】
この正孔注入層３の上に、第一正孔輸送層４として下記構造式の分子中にトリアリールアミン骨格を２個有するアリールアミン化合物（３−１）を膜厚６０ｎｍとなるように形成した。
【化７１】
2016006629.tif 000073
（３−１）【０２５５】
このようにして形成された第一正孔輸送層４の上に第二正孔輸送層５として実施例１で合成されたアリールアミン化合物（１−１）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。
この第二正孔輸送層５の上に、発光層６として下記構造式のピレン誘導体（ＥＭＤ−１）と下記構造式のアントラセン誘導体（ＥＭＨ−１）を、蒸着速度比がＥＭＤ−１：ＥＭＨ−１＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍとなるように形成した。【０２５６】
【化７２】
2016006629.tif 000074
（ＥＭＤ−１）
【化７３】
2016006629.tif 000075
（ＥＭＨ−１）【０２５７】
この発光層６の上に、下記構造式のアントラセン誘導体（２ａ−１）と下記構造式の化合物（ＥＴＭ−１）を、蒸着速度比が化合物２ａ−１：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍとの電子輸送層７を形成した。
【化７４】
2016006629.tif 000076
（２ａ−１）
【化７５】
2016006629.tif 000077
（ＥＴＭ−１）【０２５８】
この電子輸送層７の上に、電子注入層８としてフッ化リチウムを膜厚１ｎｍとなるように形成した。
最後に、アルミニウムを１００ｎｍ蒸着して陰極９を形成した。【０２５９】
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。
尚、上記の特性測定において、素子寿命は、発光開始時の発光輝度（初期輝度）を２０００ｃｄ／ｍ２として定電流駆動を行った時、発光輝度が１９００ｃｄ／ｍ２（初期輝度を１００％とした時の９５％に相当：９５％減衰）に減衰するまでの時間として測定した。【０２６０】
＜実施例４１＞
化合物（１−１）の代わりに実施例６で合成された化合物（１−４）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６１】
＜実施例４２＞
化合物（１−１）の代わりに実施例７で合成された化合物（１−９）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６２】
＜実施例４３＞
化合物（１−１）の代わりに実施例８で合成された化合物（１−５６）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６３】
＜実施例４４＞
化合物（１−１）の代わりに実施例９で合成された化合物（１−６８）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６４】
＜実施例４５＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１０で合成された化合物（１−９０）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６５】
＜実施例４６＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１１で合成された化合物（１−９２）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６６】
＜実施例４７＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１２で合成された化合物（１−１３４）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６７】
＜実施例４８＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１３で合成された化合物（１−１３５）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６８】
＜実施例４９＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１４で合成された化合物（１−１３６）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２６９】
＜実施例５０＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１５で合成された化合物（１−１３７）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７０】
＜実施例５１＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１６で合成された化合物（１−１３８）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７１】
＜実施例５２＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１７で合成された化合物（１−１３９）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７２】
＜実施例５３＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１８で合成された化合物（１−１４０）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７３】
＜実施例５４＞
化合物（１−１）の代わりに実施例１９で合成された化合物（１−１４１）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７４】
＜実施例５５＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２０で合成された化合物（１−１４２）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７５】
＜実施例５６＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２１で合成された化合物（１−１４３）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７６】
＜実施例５７＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２２で合成された化合物（１−１４４）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表４にまとめて示した。【０２７７】
＜実施例５８＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２３で合成された化合物（１−１４５）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２７８】
＜実施例５９＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２４で合成された化合物（１−１４６）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２７９】
＜実施例６０＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２５で合成された化合物（１−１４７）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８０】
＜実施例６１＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２６で合成された化合物（１−１４８）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８１】
＜実施例６２＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２７で合成された化合物（１−１４９）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８２】
＜実施例６３＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２８で合成された化合物（１−１５０）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８３】
＜実施例６４＞
化合物（１−１）の代わりに実施例２９で合成された化合物（１−１５１）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８４】
＜実施例６５＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３０で合成された化合物（１−１５２）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８５】
＜実施例６６＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３１で合成された化合物（１−１５３）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８６】
＜実施例６７＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３２で合成された化合物（１−１５４）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８７】
＜実施例６８＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３３で合成された化合物（１−１５５）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８８】
＜実施例６９＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３４で合成された化合物（１−１５６）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２８９】
＜実施例７０＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３５で合成された化合物（１−１５７）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２９０】
＜実施例７１＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３６で合成された化合物（１−１５８）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２９１】
＜実施例７２＞
化合物（１−１）の代わりに実施例３７で合成された化合物（１−１５９）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２９２】
＜実施例７３＞
アントラセン誘導体（２ａ−１）に代えて下記構造式のアントラセン誘導体（２ｃ−２３）を用い、このアントラセン誘導体（２ｃ−２３）と化合物（ＥＴＭ−１）を、（２ｃ−２３）：（ＥＴＭ−１）＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【化７６】
2016006629.tif 000078
（２ｃ−２３）【０２９３】
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２９４】
＜実施例７４＞
化合物（１−１）の代わりに実施例６で合成された化合物（１−４）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例７３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２９５】
＜実施例７５＞
化合物（１−１）の代わりに実施例７で合成された化合物（１−９）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例７３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表５にまとめて示した。【０２９６】
＜比較例１＞
化合物（１−１）の代わりに、分子中にトリフェニルアミン構造を２個有するアリールアミン化合物（３−１）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この場合、第一正孔輸送層４と第二正孔輸送層５とは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表３に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表６にまとめて示した。【０２９７】
＜比較例２＞
化合物（１−１）の代わりに、下記構造式の化合物（ＨＴＭ−１）を使用し、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【化７７】
2016006629.tif 000079
（ＨＴＭ−１）
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表３に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表６にまとめて示した。【０２９８】
＜比較例３＞
前記アリールアミン化合物（３−１）に代えて下記構造式のアリールアミン化合物（ＨＴＭ−２）を使用して膜厚６０ｎｍの第一正孔輸送層４を形成し且つ化合物（１−１）に代えて上記のアリールアミン化合物（ＨＴＭ−２）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例４０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この場合、第一正孔輸送層４と第二正孔輸送層５とは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。
【化７８】
2016006629.tif 000080
（ＨＴＭ−２）
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表３に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表６にまとめて示した。【０２９９】
＜比較例４＞
前記化合物（１−１）に代えて前記アリールアミン化合物（ＨＴＭ−２）を使用して膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層４を形成した以外は、実施例７３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この場合、第一正孔輸送層４と第二正孔輸送層５とは一体の正孔輸送層（厚み６５ｎｍ）として機能する。
このようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の層構成を表３に示し、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を、表６にまとめて示した。【０３００】
【表１】
2016006629.tif 000081
【０３０１】
【表２】
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【０３０２】
【表３】
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【０３０３】
【表４】
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【０３０４】
【表５】
2016006629.tif 000085
【０３０５】
【表６】
2016006629.tif 000086
【０３０６】
上記の実験結果から理解されるように、表１〜６に示すように、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例１〜４の有機ＥＬ素子の６．５１〜７．２１ｃｄ／Ａに対し、実施例４０〜７５では７．４７〜８．８３ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。
また、電力効率においても、比較例１〜４では５．３７〜５．７９ｌｍ／Ｗに対し、実施例４０〜７５では６．０１〜７．０４ｌｍ／Ｗといずれも高効率であった。
さらに、素子寿命（９５％減衰）においては、比較例１〜４では５４〜７８時間に対し、実施４０〜７５では１１５〜２２９時間と、大きく長寿命化していることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０３０７】
一般式（１）で表される特定の構造を有するアリールアミン化合物を用いた本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率が向上するとともに、有機ＥＬ素子の耐久性を改善させることができ、例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。
【符号の説明】
【０３０８】
１：透明基板
２：透明電極（陽極）
３：正孔注入層
４：第一正孔輸送層
５：第二正孔輸送層
６：発光層
７：電子輸送層
８：電子注入層
９：陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
2016006629.tif 000200
【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
2016006629.tif 000204
【図９６】
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【図９７】
2016006629.tif 000206
【図９８】
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【図９９】
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【図１００】
2016006629.tif 000209
【図１０１】
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【図１０２】
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【図１０３】
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【国際調査報告】
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2016006629.tif 000214
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