(57)【要約】  電子部品収納用パッケージ１は、電子部品１１が載置される載置領域Ｒを上面に有する基板２と、基板２の上面に載置領域Ｒを囲むように設けられた、内外に開口する貫通部Ｈを有する枠体３と、枠体３に貫通部Ｈを塞ぐように設けられた、枠体３の内外に延在するとともに、電子部品１１に電気的に接続される複数の配線導体４を有する入出力部材５とを備え、入出力部材５は、枠体３で囲まれた領域内において、配線導体４と重なる箇所に、配線導体４に接続されたビア導体５１が内蔵されており、ビア導体５１の下端の周囲にビア導体５１と間を空けてグランド層５２が設けられている。高周波特性を改善できる。
2015129731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が載置される載置領域を上面に有する基板と、
該基板の上面に前記載置領域を囲むように設けられた、内外に開口する貫通部を有する枠体と、
該枠体に前記貫通部を塞ぐように設けられた、前記枠体の内外に延在するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の配線導体を有する入出力部材とを備え、
該入出力部材は、前記枠体で囲まれた領域内の端部において、前記配線導体と重なる箇所に該配線導体に接続されたビア導体が内蔵されており、該ビア導体の下端の周囲に該ビア導体と間を空けてグランド層が設けられていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品収納用パッケージであって、
前記ビア導体の下端に、該ビア導体に接続されて前記グランド層で囲まれた金属層が設けられていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品収納用パッケージであって、
前記枠体の外側に比べて前記枠体で囲まれた領域内における方が、複数の前記配線導体同士の間隔が狭いことを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージであって、
前記枠体で囲まれた領域内における前記配線導体の端部がボンディングワイヤ接続位置とされ、前記ビア導体が前記ボンディングワイヤ接続位置に隣接した部位に接続されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品収納用パッケージであって、
前記ビア導体が前記ボンディングワイヤ接続位置に隣接した前記枠体側の部位に接続されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージと、
前記電子部品収納用パッケージの前記載置領域に載置されて、ボンディングワイヤを介して前記配線導体に電気的に接続された電子部品と、
前記枠体の上面に接合された、前記電子部品を封止する蓋体とを備えた電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波電子部品を収納する電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を収納する電子部品収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）としては、例えば、特許文献１、特許文献２に記載されたパッケージが知られている。特許文献１、特許文献２に記載のパッケージは、金属枠体に切欠き部が形成されている。この切欠き部には絶縁性部材が固定されている。絶縁性部材には、金属枠体の内外に延びる複数の配線導体が設けられている。配線導体の末端には端子取付け電極を有している。【０００３】
これら配線導体および端子取付け電極によって、例えば数ＧＨｚという高周波信号が伝送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３１９９８４号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、上述の電子装置の高集積化が進められている。同時に、電子装置を小型化することも求められている。それに応じて、パッケージの小型化が進められている。パッケージにおいて高集積化する場合には、内外を接続する配線導体の数が増えることとなる。配線導体の数が増え、同時に小型化しようとする場合には、並設されている複数の配線導体同士の間隔が狭くなる。また、配線導体の線幅も狭くなる。そのため、配線導体と電子部品との接続が困難になるという問題点があった。また、配線導体と電子部品との接続における電気的特性を良好に維持することも困難になるという問題点があった。【０００６】
また、線幅の狭い配線導体にボンディングワイヤ等の線状の導電部材を接続すると、接続部において特性インピーダンスが所望の値よりも大きくなりやすくなる。その結果、インピーダンスマッチングを取り難くなるという問題点があった。【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、高集積化および小型化が可能な高周波用途の電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージは、電子部品が載置される載置領域を上面に有する基板と、この基板の上面に前記載置領域を囲むように設けられた、内外に開口する貫通部を有する枠体と、この枠体に前記貫通部を塞ぐように設けられた、前記枠体の内外に延在するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の配線導体を有する入出力部材とを備え、この入出力部材は、前記枠体で囲まれた領域内において、前記配線導体と重なる箇所に、この配線導体に接続されたビア導体が内蔵されており、このビア導体の下端の周囲にこのビア導体と間を空けてグランド層が設けられていることを特徴とする。【０００９】
本発明の一実施形態に係る電子装置は、前記電子部品収納用パッケージと、前記電子部品収納用パッケージの前記載置領域に載置されて、ボンディングワイヤを介して前記配線導体に電気的に接続された電子部品と、前記枠体の上面に接合された、前記電子部品を封止する蓋体とを備えている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高集積化および小型化が可能で高周波特性に優れる電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子装置の蓋体を取り外した状態を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す電子装置の蓋体を除いた状態を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージの分解斜視図である。
【図４】電子部品収納用パッケージの平面図である。
【図５】電子部品収納用パッケージの入出力部材の外観斜視図である。
【図６】入出力部材に設けられる配線パターンの平面図である。
【図７】入出力部材に設けられる配線パターンのうち配線導体を示した平面図である。
【図８】入出力部材に設けられる配線パターンのうちグランド層を示した平面図である。
【図９】入出力部材に設けられる配線パターンの外観斜視図である。
【図１０】図１０の一部Ａを拡大した外観斜視図である。
【図１１】図９に示す配線パターンの分解斜視図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージおよび従来の電子部品収納用パッケージの高周波反射特性を示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係る電子部品収納用パッケージ１および電子装置１０について、図面を参照して説明する。
【００１３】
＜電子装置の構成＞
図１は本発明の一実施形態の電子装置１を示す分解斜視図である。図１〜４に示すように、本発明の一実施形態の電子部品収納用パッケージ１は、電子部品１１が載置される載置領域Ｒを上面に有する基板２と、載置領域Ｒを囲むように基板２の上面に設けられた枠体３と、枠体３に固定された入出力部材５とを備えている。枠体３は、上面に沿って内外に開口する貫通部Ｈを有する。入出力部材５は、貫通部Ｈを塞ぐように設けられている。また入出力部材５は、枠体３の内外に延在するとともに、電子部品１１に電気的に接続される複数の配線導体４を有する。
【００１４】
基板２は、枠体３、入出力部材５および蓋体１２とともに電子部品１１を気密封止するための部材である。基板２は、また、電子部品１１が発する熱を外部に伝えて放熱する部材である。
【００１５】
基板２は、例えば平面視したときの形状が四角形状の板状の部材である。本実施形態においては、基板２の載置領域Ｒに実装基板６が設置されている。この実装基板６の上面には、例えば配線パターンが設けられ、この配線パターンに電気的に接続されて電子部品１１が載置されている。この場合、載置領域Ｒとは、基板２を平面視した場合に実装基板６が基板２と重なり合う領域を意味している。
【００１６】
基板２には、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステンのような金属材料を用いることができる。あるいは、これらの金属からなる合金またはコンポジット材を用いることができる。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、基板２を作製することができる。
【００１７】
実装基板６としては、絶縁材料が用いられる。実装基板６を構成する材料として、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料を用いることができる。
【００１８】
枠体３は、載置領域Ｒを取り囲む壁面となるように基板２の上面に設けられる。本実施形態において、枠体３は、平面視したときの内周および外周の形状がそれぞれ略四角形の枠状である。枠体３は、基板２の上面に沿って内外に開口を有した貫通部Ｈを有している。この貫通部Ｈに入出力部材５が固定される。枠体３は、入出力部材５を保持している。
【００１９】
枠体３の貫通部Ｈは、図１，図２，図３に示すように、枠体３の内外を貫通させて設けられる。貫通部Ｈは、枠体３の下面または上面を切除して設けてもよい。この場合、貫通部Ｈは、枠体３と基板２または枠体３と蓋体１２とを組み合わせた間に形成される。
【００２０】
枠体３としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステンのような金属材料を用いることができる。あるいは、これらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、枠体３を作製することができる。
【００２１】
本実施形態において、枠体３は、貫通部Ｈと対向する枠の一部に開口部を有している。この開口部にろう材等の接合材を介して光学部材７が固定されている。光学部材７は、筒状の部材である。光学部材７は、パッケージ１に光ファイバを固定するために設けられている。光ファイバは光ファイバ固定部材を介して光学部材７に固定される。光学部材７に光ファイバ固定部材を固定することによって、パッケージ１は、光ファイバと電子部品１１との間で信号交換を行なうことができる光素子収納用パッケージ１となる。
【００２２】
光学部材７には、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステンのような金属材料を用いることができる。あるいは、これらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、光学部材７を作製することができる。
【００２３】
枠体３と光学部材７とは、同じ金属材料から形成されていることが好ましい。これにより、枠体３と光学部材７との間の熱膨張差を小さくすることができる。その結果、ヒートサイクル下において枠体３と光学部材７との間に生じる応力を小さくすることができる。
【００２４】
入出力部材５は、電子部品１１または実装基板６に設けられた配線パターンと外部の回路とを電気的に接続するための部材である。入出力部材５は、貫通孔Ｈと接合される部位にメタライズ層が形成され、このメタライズ層がろう材等の接合材を介して貫通部Ｈに固定されている。入出力部材５は、貫通部Ｈを塞ぐように固定される。入出力部材５は、一方の端部が枠体３の内側に位置するとともに、他方の端部が枠体３の外側に位置している。
【００２５】
入出力部材５は、複数の配線導体４を有している。複数の配線導体４は、枠体３の内外に延びるように配置され、電子部品１１または実装基板６に設けられた配線パターンにボンディングワイヤ８等の線状の導電部材で電気的に接続される。なお、配線導体４は、高周波信号が伝播する信号線および基準電位として機能する接地導体からなる。
【００２６】
入出力部材５は、枠体３で囲まれる領域内において、配線導体４の端部のボンディングワイヤ８が接続される位置よりも第２絶縁部材５４側の位置で、ビア導体５１が複数の配線導体４のそれぞれに接続されている。配線導体４の端部は枠体３で囲まれる領域内に位置する。配線導体４の端部は、電子部品１１や実装基板６に設けられた配線パターンにボンディングワイヤ８等の線状の導電部材を介して電気的に接続される。第２絶縁部材５４側とは、枠体３の内側における配線導体４の末端とは反対方向寄りにあることを意味する。すなわち、枠体３の外側端部方向という意味である。これにより、ビア導体５１の上面の平坦度に影響されることなく、ボンディングワイヤ８を安定して配線導体４に接続することができる。
【００２７】
複数のビア導体５１の下端には、ビア導体５１の周囲を取り囲むように、複数のビア導体５１と間を空けてグランド層５２が設けられている。
【００２８】
グランド層５２は、平面視においてビア導体５１に接続されている配線導体４と重なるように配置されている。グランド層５２は、高周波信号が伝送される配線導体４を信号線としたマイクロストリップ線路やグランド付きコプレーナ線路の接地導体として機能する。
【００２９】
入出力部材５は、複数の絶縁部材を積層した構造である。入出力部材５は、複数の絶縁部材の一部として、基板状の第１絶縁部材５３と、第１絶縁部材５３上に設けられた第２絶縁部材５４とを含んでいる。
【００３０】
これら第１絶縁部材５３と第２絶縁部材５４との間に配線導体4となるメタライズパターンが形成されている。また、第１絶縁部材５３の内層にグランド層５２となるメタライズパターンが形成されている。なお、これらのメタライズパターンは、複数の絶縁部材の間に積層されるように設けられてもよい。例えば、第１絶縁部材５３が複数の絶縁部材を積層したものであり、グランド層５２がこれら絶縁部材の間に積層されたメタライズパターンとして形成されてもよい。
【００３１】
第１絶縁部材５３は、板状の部材であって、平面視した場合の形状が、略四角形状の一辺を切り欠かれた形状である。枠体３の内側および外側に、第１絶縁部材５３の端部が配置される。図５に示すように、本実施形態において入出力部材５は、載置領域Ｒ側すなわち枠体３の内側端部に凹部Ｐを有している。
【００３２】
そして、電子部品１１や実装基板６は、凹部Ｐの内側に収められるように設置される。電子部品１１や実装基板６が凹部Ｐの内側に囲まれるように配置されるので、電子部品１１に接続される配線導体４を多く配置することができる。このようにすることによって、ボンディングワイヤ８を介した接続距離を短くすることができる。そして、電子装置１０の高周波特性を安定化することができる。また、電子装置１０を小型化することができる。
【００３３】
第２絶縁部材５４は、第１絶縁部材５３の上面の一部および配線導体４の端部を露出した状態で、第１絶縁部材５３上に設けられる。第１絶縁部材５３の露出箇所は、凹部Ｐが設けられている端部と、その反対側の端部とである。
【００３４】
第１絶縁部材５３および第２絶縁部材５４には、絶縁性の良好な材料が用いられる。第１絶縁部材５３を構成する材料として、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料を用いることができる。なお、第１絶縁部材５３、第２絶縁部材５４および配線導体４は、上記セラミック材料からなる粒子を含有するグリーンシートに高融点金属材料を含有するペーストを所望の配線導体４のパターンに塗布し、これらを積層して同時焼成することで一体的に形成されている。
【００３５】
配線導体４は、第１絶縁部材５３の上面に設けられている。配線導体４は、ボンディングワイヤ８を介して電子部品１１または実装基板６に設けられた導体に電気的に接続される。本実施形態において、配線導体４は、図７に示すように７本のラインからなる。配線導体4は、一方から他方まで順に、グランド線、信号線、信号線、グランド線、信号線、信号線、グランド線と配置されている。隣接する信号線同士は差動信号線路として用いられる。
【００３６】
配線導体４は、例えば、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の高融点金属材料からなる。なお、本実施形態では、７本のラインとしているが、これに限られない。例えば、配線導体４が９本のラインからなり、一方から他方まで順に、グランド線、信号線、グランド線、信号線、グランド線、信号線、グランド線、信号線、グランド線と設けられてもよい。また、マイクロストリップ線路のように、全てが信号線であってもよい。信号線同士を隣接させる差動信号線路でなくてもよい。
【００３７】
このように配線導体４が信号線とグランド線とを含む場合には、ビア導体５１は信号線の端部に設けられる。そして、グランド線の端部には設けられない。
【００３８】
配線導体４は、枠体３の外側に位置する端部の方の線幅が、枠体３の内側に位置する端部の方の線幅よりも広く形成されている。枠体３の外側の線幅を広くしておくと、枠体３の外側に位置する配線導体４上にリード端子を接続しやすくすることができる。一方、枠体３の内側に位置する配線導体４の端部において線幅を狭くすることで、枠体３の内側の配線導体４の配置領域を小さくすることができる。かかる枠体３の内側に位置する配線導体４の端部上には、ボンディングワイヤ８等の線状の導電部材の一端が接続される。
【００３９】
図８および図９は、配線導体４の下方に配置されるグランド層５２の形状を示す。グランド層５２は、配線導体４に接続されたビア導体５１の下端の周囲に間を設けて形成されている。つまり、ビア導体５１とグランド層５２とは繋がっていない。
【００４０】
ビア導体５１とグランド層５２またはグランド線とは容量性結合を生じる。そして、ビア導体５１が配線導体４に接続されていることによって、配線導体４のビア導体５１が接続されている部分において容量成分を増加させる。
【００４１】
ボンディングワイヤ等の線状の導電部材部分は、接地電位層との結合が弱く、インダクタンス成分が大きくなる傾向がある。その場合には、配線導体４との接合部分において特性インピーダンスが大きく変化することになる。そこで、配線導体４との接続部付近にビア導体５１を設けて、容量成分を大きくすることによって、特性インピーダンスの変化を緩和することができる。
【００４２】
なお、図８および図９に示すように、グランド層５２で囲まれる領域であって、複数のビア導体５１の下端が接するそれぞれの部分に、ビア導体５１と接続される複数の金属層５５が設けられていてもよい。複数の金属層５５は、配線導体４のうちの信号線にビア導体５１を介して接続される。複数の金属層５５はビア導体５１の直下に配置されている。したがって、金属層５５は、枠体３で囲まれる箇所に位置する配線導体４の端部またはボンディングワイヤ８等の線状の導電部材が接続される位置よりも第２絶縁部材５４側に位置している。金属層５５は、例えば、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の高融点金属材料からなる。
【００４３】
金属層５５は、周囲のグランド層５２と容量性結合を生じる。金属層５５はビア導体５１を介して配線導体４と接続されていることから、配線導体４のビア導体５１が接続されている部分の容量成分をさらに増加させる。よって、ビア導体５１および金属層５５は、高周波信号を伝送する信号線として機能する配線導体４の容量成分をさらに大きくし、配線導体４が接続される部分における特性インピーダンスの変化をさらに緩和することができる。
【００４４】
すなわち、金属層５５は、高周波信号が伝送される配線導体４と、ボンディングワイヤ８との接続部において特性インピーダンスの不整合をさらに少なくすることができる。信号線の線幅を広くし、容量成分を大きくする代わりに、金属層５５を設けることで、信号線の容量成分を大きくすることができる。
【００４５】
その結果、信号線の線幅を広くするために、入出力部材５を大きくしたりしなくとも、周波数特性の優れた電子部品収納用パッケージ１を作製することができる。すなわち、高集積化および小型化が可能な電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供することができる。
【００４６】
電子部品１１は、実装基板６を介して基板２の載置領域Ｒに載置されている。この場合に、電子部品１１は、ボンディングワイヤ８および実装基板６に設けられた配線パターンを介して入出力部材５の配線導体４に電気的に接続される。電子部品１１としては、例えば光半導体素子、ＩＣ素子またはコンデンサのような高周波電子部品を挙げることができる。本実施形態の電子装置１０においては、電子部品１１として光半導体素子を使用する例を用いている。光半導体素子の例としては、例えば、ＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）素子に代表される発光素子、または、ＰＤ（Photodiode：フォトダイオード）素子に代表される受光素子が挙げられる。
【００４７】
蓋体１２は、基板２、入出力部材５および枠体３とともに、電子部品１１を気密に封止するための部材である。蓋体１２は、枠体３の上面に接合される。そして、基板２、枠体３、入出力部材５および蓋体１２で囲まれた空間において電子部品１１が気密に封止される。このように電子部品１１を封止することによって、長期間にわたって電子部品１１の劣化を抑制することができる。
【００４８】
蓋体１２としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステンのような金属部材、あるいはこれらの金属からなる合金またはコンポジット部材を用いることができる。枠体３と蓋体１２とは、例えばろう材等を介して接合される。
【００４９】
本発明の一実施形態の電子装置１０は、電子部品収納用パッケージ１と電子部品１１と蓋体１２とを備えている。具体的には、電子装置１０は、電子部品収納用パッケージ１と、電子部品収納用パッケージ１の載置領域Ｒに載置されて、ボンディングワイヤ８（および実装基板６に設けられた配線パターン）を介して配線導体４に電気的に接続された電子部品１１と、枠体３の内側を塞ぐように枠体３の上面に接合された蓋体１２とを備えている。
【００５０】
本実施形態に係る電子部品収納用パッケージ１は、入出力部材５が、枠体３で囲まれる領域内において、複数の配線導体４と重なる箇所に、複数の配線導体４のそれぞれに別々に接続された複数のビア導体５１を内蔵し、複数のビア導体５１の下端の周囲に複数のビア導体５１と間を空けてグランド層５２を設けることで、複数の配線導体４の容量成分を大きくすることができる。その結果、ボンディングワイヤ８を接続しても、配線導体４とビア導体５１とを接続しない構造と比較して、電子部品１１と入出力部材５との間の特性インピーダンスの不整合を小さくすることができる。
【００５１】
また、本実施形態に係る電子部品収納用パッケージ１は、グランド層５２で囲まれる領域には、複数のビア導体５１のそれぞれに別々に接続される複数の金属層５５を設けることで、複数の配線導体４の容量成分をさらに大きくすることができる。配線導体４の線幅を広くしたり、配線導体４とグランド層５２との間隔を狭くしたりしなくてもよく、配線導体４の容量成分を制御できる幅を大きくすることができる。
【００５２】
また、複数の配線導体４は、枠体３で囲まれる領域外に比べて枠体３で囲まれる領域内の方について複数の配線導体４同士の間の距離を短くすることで、狭ピッチの信号線を形成することができ、入出力部材５の小型化に寄与することができる。
【実施例】
【００５３】
本発明の具体例として、図１から図１１に示された電子部品収納用パッケージ１の典型的な一実施例を以下に示す。【００５４】
電子部品収納用パッケージ１は、外寸において幅６ｍｍ、長さ１６ｍｍ、高さ５ｍｍの略直方体形状を有する金属容器である。基板２は、幅６ｍｍ、長さ１６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの銅−タングステン複合材から成る金属板である。枠体３は、幅６ｍｍ、長さ１６ｍｍの枠状で、厚さ０．５ｍｍの鉄−ニッケル−コバルト合金から成る金属板である。蓋体１２は、幅６ｍｍ、長さ１６ｍｍ、厚さ０．２５ｍｍの鉄−ニッケル−コバルト合金から成る金属板である。【００５５】
入出力端子５は、第１絶縁部材５３が幅６ｍｍ、長さ３ｍｍ、厚さ１ｍｍ、第２絶縁部材５４が幅６ｍｍ、長さ２．２ｍｍ、厚さ２．３ｍｍである。第１絶縁部材５３および第２絶縁部材５４は酸化アルミニウム質焼結体から成る。第１絶縁部材５３および第２絶縁部材５４は凹部Ｐを有し、平面視においてＵ字形状の絶縁部材である。【００５６】
入出力端子５は、第１絶縁部材５３の枠体３の外側端部および枠体３の内側端部の一部を除き、第２絶縁部材５４が積層された形状を有する。【００５７】
この第１絶縁部材５３の上面に、図７に示す配線導体４が形成される。配線導体４は、タングステンを焼成したメタライズ導体から成る。【００５８】
枠体３の外側において、リード端子が接合される配線導体４の幅は０．５ｍｍである。配線導体４は、第２絶縁部材５４の外側壁面に向けて０．８ｍｍまで線幅が同じ形状を有し、そこから０．５ｍｍまで次第に線幅が細くなる形状を有している。そして、第２絶縁部材５４の内側（枠体３の内側）端部まで延出されている。【００５９】
図７に示す配線導体４は、上述説明の如く、信号線とグランド線とを組み合わせた２本の差動信号線路の例を示すものである。なお、信号線とグランド線との間は、リード端子が接合される枠体３の外側部分で０．２ｍｍとされ、枠体３の内側の線幅が細い部分で０．１ｍｍとされている。また、隣接する信号線の間隔は、リード端子が接合される枠体３の外側部分で０．２ｍｍとされ、枠体３の内側の線幅が細い部分で０．１ｍｍとされている。【００６０】
そして、枠体３の内側の配線導体４の信号線の末端から０．３ｍｍの位置にビア導体５１が接続されている。ビア導体５１は、例えば太さ０．１ｍｍ、長さ０．１５ｍｍである。【００６１】
配線導体４の下方０．１５ｍｍの層には、図８または図９に示すグランド層５２および金属層５５が形成されている。グランド層５２および金属層５５は、配線導体４と同じくタングステンから成るメタライズ導体である。【００６２】
金属層５５は、幅方向０．２ｍｍ、長さ方向０．５ｍｍの略四角形形状を有する。金属層５５の周囲に０．１５ｍｍの間を空けてグランド層５２の非形成領域が設けられている。【００６３】
図１２は、上記電子部品収納用パッケージ１の具体例を基にした電子装置、および電子部品収納用パッケージ１からビア導体５１および金属層５５を除去した電子装置における高周波反射損失をシミュレーションした結果を示す線図である。ビア導体５１および金属層５５を除去した電子装置におけるグランド層５２は、配線導体４の端部下方に非形成領域を有さない、いわゆるベタパターン導体として形成されている。【００６４】
図１２において、線ａは、本実施例の電子部品収納用パッケージ１からビア導体５１および金属層５５を除去した比較例の電子部品収納用パッケージの反射特性を示す線図である。【００６５】
線ｂは、比較例の電子部品収納用パッケージに上記例に示したビア導体５１、金属層５５およびグランド層５２を設けた場合の反射特性を示す線図である。【００６６】
これら線ａ、ｂを比較して分かるように、比較例の電子部品収納用パッケージに対し、実施例の電子部品収納用パッケージ１では、ビア導体５１、金属層５５およびグランド層５２を設けることによって反射損失が改善されることが分かる。【００６７】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。【００６８】
例えば、上記一実施形態において、ビア導体５１の下端は全周がグランド層５２に取り囲まれている例を示したが、ビア導体５１の下端が全周において取り囲まれている必要はない。ビア導体５１の下端の周囲の一部にグランド層５２が設けられているだけでもよい。例えば、枠体３の内側端面側のグランド層５２が形成されておらず、周囲の半分だけを囲んでいる形状のものであってもよい。【００６９】
また、上記と同様に、例えば金属層５５は、全周がグランド層５２に取り囲まれている必要はない。金属層５５の周囲の一部にグランド層５２が設けられているだけでもよく、枠体３の内側端面側のグランド層５２が形成されておらず、周囲の半分だけを囲んでいる形状のものであってもよい。【００７０】
さらに、金属層５５は、電子部品収納用パッケージ１を平面視して、ボンディングワイヤ８が接続される接続部と重なる位置に設けられてもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１  電子部品収納用パッケージ
２  基板
３  枠体
４  配線導体
５  入出力部材
５１  ビア導体
５２  グランド層
５３  第１絶縁部材
５４  第２絶縁部材
５５  金属層
６  実装基板
７  光学部材
８  ボンディングワイヤ
１０  電子装置
１１  電子部品
１２  蓋体
Ｒ  載置領域
Ｈ  貫通部
Ｐ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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