(57)【要約】  第１の発光素子（有機ＥＬ素子（２０１））、及び、第１の階調信号に応じた第１の電流を第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタ（２０２）を有するサブ画素（２０Ｒ）、並びに、第２の発光素子（有機ＥＬ素子（２０１））、及び、第２の階調信号に応じた第２の電流を第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタ（２０２）を有するサブ画素（２０Ｇ）を備える表示部（２）と、サブ画素（２０Ｒ）及びサブ画素（２０Ｇ）に共通する電流経路を介して、各サブ画素に電源電圧を印加する電源部（３）とを備える表示装置（１）の駆動方法であって、当該駆動方法は、電流経路において生じる電圧降下による第１の電流の減少を補うように、第１の階調信号及び第２の階調信号に基づいて、第１の階調信号を補正するステップを含む。
2016035295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の階調信号及び第２の階調信号を出力する制御回路と、
電流駆動型発光素子である第１の発光素子、及び、前記第１の階調信号に応じた第１の電流を前記第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタを有する第１の画素、並びに、電流駆動型発光素子である第２の発光素子、及び、前記第２の階調信号に応じた第２の電流を前記第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタを有する第２の画素を備える表示部と、
前記第１の画素及び前記第２の画素に共通する電流経路を介して、前記第１の画素及び前記第２の画素に電源電圧を印加する電源部と、を備える表示装置の駆動方法であって、
前記駆動方法は、
前記第１の電流及び前記第２の電流が、それぞれ前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に同時に供給される場合に、前記電流経路において生じる電圧降下による、前記第１の電流の減少を補うように、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正するステップを含む
表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記補正するステップは、
前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記電流経路において生じる電圧降下量を求めるステップと、
前記電圧降下量に基づいて、前記第１の階調信号を補正する量を求めるステップとを含む
請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子は、一方の電極を共有し、
前記電流経路は前記電極と電気的に接続された補助配線を含み、
前記電圧降下量は、前記電極から前記補助配線の間において発生する電圧降下の量である
請求項２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記電圧降下量は、前記第１の電流及び前記第２の電流の和と正の相関を有する
請求項２又は３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記第１の電流及び前記第２の電流は、それぞれ、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号と正の相関を有する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記第１の階調信号を補正するステップにおける前記第１の階調信号の補正量に対応する前記電源電圧の補正量は、前記第１の階調信号と正の相関を有する
請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記制御回路は、さらに第３の階調信号を出力し、
前記表示部は、電流駆動型発光素子である第３の発光素子、及び、前記第３の階調信号に応じた第３の電流を前記第３の発光素子に供給するための第３の駆動トランジスタを有する第３の画素をさらに備え、
前記電源部は、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に共通する前記電流経路を介して、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に前記電源電圧を印加し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ、赤色表示用発光素子、緑色表示用発光素子及び青色表示用発光素子であり、
前記補正するステップは、前記第１の電流、前記第２の電流及び前記第３の電流が、それぞれ前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子に同時に供給される場合に、前記電流経路において生じる電圧降下による、前記第１の電流の減少を補うように、前記第１の階調信号、前記第２の階調信号及び前記第３の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正するステップを含む
請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記補正するステップにおいて、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に、それぞれ、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に応じた電流が同時に供給される場合における前記第１の電流が、前記第１の発光素子だけに前記第１の階調信号に応じた電流が供給される場合における前記第１の電流の８０％以上となるように、前記第１の階調信号を補正する
請求項１又は７に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記補正するステップにおいて、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に、それぞれ、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に応じた電流が同時に供給され、かつ、前記第１の階調信号が中輝度以上の階調である場合における前記第１の電流が、前記第１の発光素子だけに前記第１の階調信号に応じた電流が供給される場合における前記第１の電流の８０％以上となるように、前記第１の階調信号を補正する
請求項１又は７に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
第１の階調信号及び第２の階調信号を出力する制御回路と、
電流駆動型発光素子である第１の発光素子、及び、前記第１の階調信号に応じた第１の電流を前記第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタを有する第１の画素、並びに、電流駆動型発光素子である第２の発光素子、及び、前記第２の階調信号に応じた第２の電流を前記第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタを有する第２の画素を備える表示部と、
前記第１の画素及び前記第２の画素に共通する電流経路を介して、前記第１の画素及び前記第２の画素に電源電圧を印加する電源部と、を備える表示装置であって、
前記制御回路は、
前記第１の電流及び前記第２の電流が、それぞれ前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に同時に供給される場合に、前記電流経路において生じる電圧降下による、前記第１の電流の減少を補うように、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正する
表示装置。
【請求項１１】
前記制御回路は、
前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記電流経路において生じる電圧降下量を求め、かつ、前記電圧降下量に基づいて、前記第１の階調信号を補正する量を求める
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子は、一方の電極を共有し、
前記電流経路は前記電極と電気的に接続された補助配線を含み、
前記電圧降下量は、前記電極から前記補助配線の間において発生する電圧降下の量である
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記電圧降下量は、前記第１の電流及び前記第２の電流の和と正の相関を有する
請求項１１又は１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１の電流及び前記第２の電流は、それぞれ、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号と正の相関を有する
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１の階調信号の補正量に対応する前記電源電圧の補正量は、前記第１の階調信号と正の相関を有する
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記制御回路は、さらに第３の階調信号を出力し、
前記表示部は、電流駆動型発光素子である第３の発光素子、及び、前記第３の階調信号に応じた第３の電流を前記第３の発光素子に供給するための第３の駆動トランジスタを有する第３の画素をさらに備え、
前記電源部は、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に共通する前記電流経路を介して、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に前記電源電圧を印加し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ、赤色表示用発光素子、緑色表示用発光素子及び青色表示用発光素子であり、
前記制御回路は、
前記第１の電流、前記第２の電流及び前記第３の電流が、それぞれ前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子に同時に供給される場合に、前記電流経路において生じる電圧降下による、前記第１の電流の減少を補うように、前記第１の階調信号、前記第２の階調信号及び前記第３の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正する
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記制御回路は、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に、それぞれ、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に応じた電流が同時に供給される場合における前記第１の電流が、前記第１の発光素子だけに前記第１の階調信号に応じた電流が供給される場合における前記第１の電流の８０％以上となるように、前記第１の階調信号を補正する
請求項１０又は１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記制御回路は、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に、それぞれ、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に応じた電流が同時に供給され、かつ、前記第１の階調信号が中輝度以上の階調である場合における前記第１の電流が、前記第１の発光素子だけに前記第１の階調信号に応じた電流が供給される場合における前記第１の電流の８０％以上となるように、前記第１の階調信号を補正する
請求項１０又は１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置及びその駆動方法に関し、特に、電流駆動型の発光素子を用いた表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光、高視野角、高速応答性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記す）を用いたアクティブマトリクス方式などの表示装置が注目されている。【０００３】
上記表示装置は、有機ＥＬ素子が配置された表示パネルと、当該有機ＥＬ素子を駆動する駆動回路から構成されている。そして、表示パネルは、ガラスなどの基板上に、Ａｌなどの第１電極とそれに対向するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、及び、マグネシウム、アルミニウム、銀などの金属薄膜などの第２電極と、それらの間に発光層を設けた有機ＥＬ素子を、マトリクス状に配置して構成されている。また、駆動回路は、基板と上記第１電極との間に設けられ、有機ＥＬ素子を個別に駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などで構成されている。【０００４】
また、表示装置として、有機ＥＬ素子の発光した光を、基板を介して外部に取り出す下面発光方式と、基板と対向する第２電極側から取り出す上面発光方式が検討されている。しかし、アクティブマトリクス方式の下面発光方式の表示装置では、駆動回路の薄膜トランジスタが基板に形成されるため、十分な開口率を確保することが困難となっている。【０００５】
一方、上面発光方式は、薄膜トランジスタなどにより開口率が制限されないため、下面発光方式に比べて発光した光の利用効率を高めることができる。この場合、上面発光方式は、発光層の上面に形成した第２電極を介して光が外部に取り出されるため、第２電極に高い導電性とともに高い光透過性が要求される。しかし、一般に第２電極に用いられる透明導電性材料として、ＩＴＯなどの金属酸化物、及び、マグネシウム、アルミニウム、銀などの金属薄膜が用いられるが、金属酸化物及び薄膜金属は、配線などに使用される金属層に比べて抵抗率が高い。そのため、表示パネルが大面積化されるほど、発光画素間で第２電極の配線長に差異が生じ、電源供給部の端とパネルの中央の間で大きな電圧降下が発生し、それに応じて輝度に差が出るため、中央が暗くなる。つまり、表示パネル面の有機ＥＬ素子の配置位置によって輝度がばらつき、表示品質の低下を生じるという問題がある。【０００６】
これを避けるためには、画素ごとに下部の低抵抗配線から上部透明電極に給電する構造が有効である。【０００７】
特許文献１に開示された表示装置では、基板上に、抵抗率の低い導電材料からなる第１電極と補助配線とが分離して設けられ、第１電極上に発光層である光変調層が設けられ、その上に透明導電性材料からなる第２電極が設けられている。また、補助配線上に設けられたバッファー層を介して、補助配線と第２電極とが接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−７３４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載された表示装置では、補助配線と第２電極とが、比較的抵抗が高いバッファー層を介して接続されているため、第２電極と補助配線との間に比較的大きな電圧降下が発生する。そして、当該電圧降下によって、有機ＥＬ素子に電流を供給するための駆動トランジスタにおいて、ソース又はドレインの電位が変動する。これに伴い、駆動トランジスタにおいて、ゲートの電位が変動するブートストラップが発生する。ここで、補助配線及び第２電極からなる電流経路が複数の有機ＥＬ素子によって共有される場合には、当該電圧降下の量は、当該複数の有機ＥＬ素子に同時に流れる電流の和によって定まる。すなわち、ブートストラップ量を、駆動トランジスタのゲート・ソース間に印加された電圧に応じて変動するソース電極の電圧変動として定義すると、データ書込み完了時から発光期間開始に至るまでの、有機ＥＬ素子に接続された駆動トランジスタのブートストラップ量は、補助配線及び第２電極からなる電流経路を共有する他の有機ＥＬ素子に流れる電流の影響を受ける。そのため、特許文献１に記載された表示装置では、各有機ＥＬ素子に所望の電流を流すことができない。例えば、表示装置における一つの画素内の、赤色、緑色及び青色表示用の各サブ画素の有機ＥＬ素子が、補助配線及び第２電極からなる電流経路を共有する場合を検討する。この場合、上述のブートストラップによって、各有機ＥＬ素子に所望の電流が流れず、当該画素が表示する色バランスが所望の色バランスと異なることがある。すなわち、表示装置全体の色表現力が劣化する場合があり得る。【００１０】
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、各画素の発光素子に流れる電流が他の画素の発光素子に流れる電流から受ける影響が低減される表示装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置の駆動方法は、第１の階調信号及び第２の階調信号を出力する制御回路と、電流駆動型発光素子である第１の発光素子、及び、前記第１の階調信号に応じた第１の電流を前記第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタを有する第１の画素、並びに、電流駆動型発光素子である第２の発光素子、及び、前記第２の階調信号に応じた第２の電流を前記第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタを有する第２の画素を備える表示部と、前記第１の画素及び前記第２の画素に共通する電流経路を介して、前記第１の画素及び前記第２の画素に電源電圧を印加する電源部と、を備える表示装置の駆動方法であって、前記駆動方法は、前記第１の電流及び前記第２の電流が、それぞれ前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に同時に供給される場合に、前記電流経路において生じる電圧降下による、前記第１の電流の減少を補うように、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正するステップを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る表示装置によれば、各画素の発光素子に流れる電流が他の画素の発光素子に流れる電流から受ける影響が低減される表示装置及びその駆動方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す機能ブロック図である。
【図２】図２は、実施の形態に係る表示部を説明する部分平面図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
【図４】図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】図５は、実施の形態に係る画素の回路構成の一例を示す図である。
【図６】図６は、実施の形態に係る制御回路において階調信号を補正する演算方法を示すブロック線図である。
【図７】図７は、階調信号に補正を適用する前及び後における画素電流の和ＩｐｉｘとＲ電流比の関係を示すグラフである。
【図８】図８は、階調信号に補正を適用する前及び後における画素電流の和ＩｐｉｘとＧ電流比の関係を示すグラフである。
【図９】図９は、階調信号に補正を適用する前及び後における画素電流の和ＩｐｉｘとＢ電流比の関係を示すグラフである。
【図１０】図１０は、実施の形態に係る表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、表示装置の一実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１５】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１６】
（実施の形態）
実施の形態における表示装置１について、図面を用いて説明する。
【００１７】
図１は、本実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す機能ブロック図である。
【００１８】
［表示装置の全体構成］
本実施の形態に係る表示装置１は、表示部２と、電源部３と、データ線駆動回路４０と、走査線駆動回路５０と、制御回路６０とを備える。
【００１９】
表示部２は、有機ＥＬ素子及び当該有機ＥＬ素子を発光駆動するための回路素子を有する画素２０が行列状に配置された表示パネルである。
【００２０】
電源部３は、表示部２の外周領域に配置された給電線３０から各画素２０に電源電圧を給電する。なお、給電線３０は、正電源電圧を伝達する正電圧給電線と、当該正電源電圧よりも低電位である負電源電圧を伝達する負電圧給電線とを有している。
【００２１】
制御回路６０は、本実施の形態に係る表示装置１の要部であり、外部から入力された映像信号に基づいて各有機ＥＬ素子の発光強度に対応する階調信号を生成し、生成した階調信号をデータ線駆動回路４０へ出力する。また、制御回路６０は、入力される同期信号に基づいて走査線駆動回路５０を制御するための制御信号Ｓ５を生成し、当該生成した制御信号Ｓ５を走査線駆動回路５０へ出力する。なお、制御回路６０については、後で詳述する。
【００２２】
データ線駆動回路４０は、制御回路６０で生成された階調信号に基づいて、表示部２のデータ線を駆動する。より具体的には、データ線駆動回路４０は、映像信号及び水平同期信号に基づいて、各画素回路に映像信号を反映したデータ電圧を出力する。
【００２３】
走査線駆動回路５０は、制御回路６０で生成された制御信号Ｓ５に基づいて、表示部２の走査線を駆動する。より具体的には、走査線駆動回路５０は、垂直同期信号及び水平同期信号に基づいて、各画素回路に走査信号などを、少なくとも表示ライン単位で出力する。
【００２４】
［画素構造］
図２は、本実施の形態に係る表示部２を説明する部分平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。図２には、１つの画素２０を含む表示部２の一部が表されている。画素２０は、図２に示されるように、例えば、赤色表示用のサブ画素２０Ｒと、緑色表示用のサブ画素２０Ｇと、青色表示用のサブ画素２０Ｂと、接続部２０Ｃとを有している。また、図２には、サブ画素ごとに離間して配置された陽極１２１と、サブ画素列ごとに配置して設けられ、サブ画素を区画するバンク１２２と、画素２０ごとに配置された補助配線１３１と、駆動回路層と陽極１２１とを電気接続するビア１２０とが表されている。
【００２５】
以下、図３及び図４を用いて、画素２０の積層構造を説明する。図３に示されるように、サブ画素２０Ｇは、基板１０と、基板１０上に設けられた駆動回路層１１と、駆動回路層１１上に設けられた有機ＥＬ層１２とで構成されている。
【００２６】
基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板などが用いられる。また、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホンなどのプラスチック基板を用いて、表示装置１に曲げ性を付与することもできる。特に本実施の形態のように、上面発光方式の場合、不透明プラスチック基板やセラミック基板を用いることができる。
【００２７】
駆動回路層１１は、有機ＥＬ素子を発光駆動するための回路素子が形成された層であり、当該回路素子としては、例えば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）が挙げられる。駆動回路層１１は、例えば、ゲート電極１１１と、ゲート絶縁層１１２と、半導体層１１３と、ソース電極１１４と、ドレイン電極１１５と、層間絶縁層１１６と、ビア１２０とを備える。
【００２８】
有機ＥＬ層１２は、陽極１２１と、バンク１２２と、正孔注入層１２３と、正孔輸送層１２４と、有機発光層１２５と、電子輸送層１２６と、透明陰極１２７とを備える。
【００２９】
陽極１２１は、層間絶縁層１１６の上であって、サブ画素ごとに離間して形成された第１電極である。また、陽極１２１は、駆動トランジスタのソース電極１１４と接続するためのビア１２０と一体形成されている。陽極１２１及びビア１２０としては、特に限定されないが、電気抵抗率が小さい材料を用いることが好ましい。例えば、陽極１２１及びビア１２０としては、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、コバルト、のうちのいずれかの金属、これらの金属の合金、又はそれらを積層したものを用いることができる。
【００３０】
バンク１２２は、サブ画素列ごとに配置して設けられ、サブ画素を区画する隔壁である。バンク１２２としては、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を用いることができる。このとき、有機発光層１２５で発生する光が隣接サブ画素へ透過することを防止するために、例えばカーボン粒子などを樹脂中に含有させてもよい。
【００３１】
正孔注入層１２３は、陽極１２１の上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。正孔注入層１２３は、正孔注入性の材料を主成分とする層であり、正孔注入性の材料とは、陽極１２１側から注入された正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して有機発光層１２５へ注入する機能を有する材料である。正孔注入層１２３としては、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などを用いることができる。
【００３２】
正孔輸送層１２４は、正孔注入層１２３上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。正孔輸送層１２４は、正孔注入層１２３から注入された正孔を有機発光層１２５内へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１２４としては、正孔輸送性の有機材料を用いることができる。正孔輸送性の有機材料とは、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機物質である。これは、ｐ−型の有機半導体と呼ばれることもある。正孔輸送層１２４は、高分子材料でも低分子材料であってもよいが、湿式印刷法で製膜できることが好ましく、上層である有機発光層１２５を形成する際に、これに溶出しにくいよう、架橋剤を含むことが好ましい。正孔輸送性の材料の例としては、特に限定されるものではないが、芳香族アミンを用いることができ、好ましくはトリフェニルアミンの誘導体及びトリアリールアミン誘導体が用いられる。架橋剤の例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。
【００３３】
正孔輸送層１２４を形成する製膜法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法に代表されるノズルジェット法や、ディスペンサー法を用いることができる。この場合、インクジェット法は、インク化した有機成膜材料をノズルから噴射して、正孔輸送層１２４を形成する方法である。
【００３４】
有機発光層１２５は、正孔輸送層１２４上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。有機発光層１２５は、陽極１２１及び透明陰極１２７の間に電圧が印加されることにより発光する層であり、有機発光層１２５としては、低分子系又は高分子系の有機発光材料を用いることができる。高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。また、低分子系の発光材料としては、Ａｌｑ３やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕などの８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどの金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼンなどのスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビ��ェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジンなどのジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体などが用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネンなども用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光発光材料を用いることもできる。
【００３５】
電子輸送層１２６は、有機発光層１２５の上であってバンク１２２を跨り、図４にて後述する補助配線１３１の上方に延設までされた、電子輸送性の材料を主成分とする中間層である。電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、透明陰極１２７から有機発光層１２５までの電荷輸送に対して適性を有する材料のことである。電子輸送層１２６としては、例えば、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）などが用いられる。
【００３６】
なお、補助配線１３１の上方に延設された電子輸送層１２６と、陽極１２１上の電子輸送層１２６とは、必ずしも連続である必要はない。連続形成されていない電子輸送層１２６としては、連続高精細マスクを使用せずとも発光部と接続部とで、同じ製膜プロセスで分離形成可能な電子輸送層１２６であって、例えば、塗布製膜された段階でバンク１２２により分離形成されるものが挙げられる。
【００３７】
透明陰極１２７は、電子輸送層１２６の上であってバンク１２２を跨り、図４にて後述する補助配線１３１の上方に延設され、全ての画素２０にわたり全面形成された第２電極であり、各画素２０に連続して設けられた透明電極である。透明陰極１２７は、特に限定されないが、上面発光方式の場合、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物、マグネシウムやアルミニウムや銀などの金属の薄膜を用いることが好ましい。
【００３８】
なお、電子輸送層１２６と透明陰極１２７との間に、電子注入層が形成されていてもよい。ここで、電子注入層は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、透明陰極１２７から注入された電子を安定的に、又は電子の生成を補助して有機発光層１２５へ注入する機能を有する材料である。
【００３９】
上記構成により、表示部２は、有機発光層１２５に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を透明陰極１２７側から放出する。
【００４０】
また、画素２０は、図４に示されるように、サブ画素２０Ｒに隣接した領域であって、当該サブ画素２０Ｒと他の画素２０が備えるサブ画素との間に、補助配線１３１が配置された接続部２０Ｃを備える。補助配線１３１は、駆動回路層１１の上に、陽極１２１と離間して形成されている。補助配線１３１の上には、陽極１２１の上方から延設された電子輸送層１２６及び透明陰極１２７が形成されている。
【００４１】
つまり、本実施の形態に係る表示部２では、陽極１２１及び有機発光層１２５は、サブ画素ごとに離間して設けられ、補助配線１３１は、画素列ごとに配置されている。これにより、給電線３０からの距離に依存する配線抵抗を低減して、画素駆動電圧の変動を抑制している。
【００４２】
なお、補助配線１３１は、画素列ごとではなく画素行ごとに配置されていてもよいし、また、画素列ごと及び画素行ごとの双方に配置されていてもよい。
【００４３】
図４に示される補助配線１３１、電子輸送層１２６及び透明陰極１２７の積層構造により、駆動回路層１１の駆動トランジスタから、陽極１２１、正孔注入層１２３、正孔輸送層１２４、有機発光層１２５、及び電子輸送層１２６を経由して透明陰極１２７へ流れる画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）は、さらに、図４において矢印で示されるように、補助配線１３１上の電子輸送層１２６及び補助配線１３１へと流れこむ。図４に示される画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の和Ｉｐｉｘに対応する電圧降下が、透明陰極１２７から補助配線１３１の間の接続部２０Ｃにおいて発生する。
【００４４】
補助配線１３１としては、特に限定されないが、陽極１２１の形成と同時プロセスにて形成することが可能となるため、陽極１２１と同じ材料であることが好ましい。
【００４５】
なお、図４に示される補助配線１３１と透明陰極１２７とで挟まれる中間層は、電子輸送層１２６に限られない。補助配線１３１と透明陰極１２７との間の中間層の構成として、正孔注入層１２３、正孔輸送層１２４、有機発光層１２５、電子輸送層１２６、及び電子注入層（図示せず）の少なくともいずれかを含んでいることが想定できる。ただし、この場合、画素電流の流れる方向に対して、当該電流の流れを阻止しない層構成であることが望ましい。
【００４６】
［画素回路構成］
図５は、本実施の形態に係る画素の回路構成の一例を示す図である。同図に示されるサブ画素２０Ｒは、駆動回路層１１と、有機ＥＬ層１２とを備える。駆動回路層１１は、データ線２１２と、走査線２１１と、正電源配線２２１と、スイッチトランジスタ２０３と、駆動トランジスタ２０２と、保持容量素子２０４とを有する。また、有機ＥＬ層１２は、有機ＥＬ素子２０１を有する。なお、図５に示されるサブ画素２０Ｇ及び２０Ｂも、サブ画素２０Ｒと同様の回路構成を有するが、図５においては、サブ画素２０Ｇ及び２０Ｂの駆動回路層１１の回路構成の記載は省略されている。サブ画素２０Ｒ、サブ画素２０Ｇ及びサブ画素２０Ｂを含む画素２０は、表示部２に、行列状に配置されている。
【００４７】
スイッチトランジスタ２０３は、ソース及びドレインの一方がデータ線２１２に接続され、ソース及びドレインの他方が駆動トランジスタ２０２のゲート及び保持容量素子２０４の一端に接続された、例えば、ｎ型ＴＦＴである。
【００４８】
駆動トランジスタ２０２は、ドレインが正電源配線２２１に接続され、ソースが有機ＥＬ素子２０１のアノードに接続され、ゲートが保持容量素子２０４の一端に接続された、例えば、ｎ型ＴＦＴである。これにより、駆動トランジスタ２０２は、保持容量素子２０４に保持された電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子２０１に供給する。すなわち、駆動トランジスタ２０２は、階調信号（及びデータ電圧）に応じた電流を有機ＥＬ素子２０１に供給する。
【００４９】
保持容量素子２０４は、他端が駆動トランジスタ２０２のソースに接続され、データ線２１２から供給されたデータ電圧に対応した電圧を保持する。
【００５０】
データ線２１２は、データ線駆動回路４０（図示せず）とスイッチトランジスタ２０３のソース及びドレインの一方とを接続し、データ線駆動回路４０により映像信号に対応したデータ電圧が印加される。
【００５１】
走査線２１１は、走査線駆動回路５０とスイッチトランジスタ２０３のゲートとを接続し、走査線駆動回路５０により印加される電圧に応じて、スイッチトランジスタ２０３を導通及び非導通にする。
【００５２】
有機ＥＬ素子２０１は、上記有機ＥＬ層１２に形成された発光素子である。有機ＥＬ素子２０１のアノード（陽極１２１）がビア１２０を経由して駆動トランジスタ２０２のソースに接続され、カソード（透明陰極１２７）が中間層（電子輸送層１２６）を経由して補助配線１３１に接続されている。この接続構成により、有機ＥＬ素子２０１は、アノード−カソード間に流れる電流値に応じた輝度で発光する。ここで、有機ＥＬ素子２０１のカソード電極である透明陰極１２７は、全ての画素２０に共通して設けられており、表示部２の外周領域に設けられた給電線３０から負電源電圧ＶＥＬが印加されるように、給電線３０を介して電源部３と電気的に接続されている。
【００５３】
電源部３が供給する電源電圧は、駆動トランジスタ２０２のドレインに供給される正電源電圧ＶＤＤと、有機ＥＬ素子２０１のカソードに供給される負電源電圧ＶＥＬとを含む。駆動トランジスタ２０２のドレインが接続される陽極１２１及び正電源配線２２１には、給電線３０（正電圧給電線）を介して電源部３から正電源電圧ＶＤＤが供給される。一方、有機ＥＬ素子２０１のカソードである透明陰極１２７には、画素２０が備える各サブ画素に共通する電流経路である補助配線１３１及び給電線３０（負電圧給電線）を介して電源部３から負電源電圧ＶＥＬが供給される。なお、電源部３が供給する電源電圧を正電源電圧ＶＤＤ及び負電源電圧ＶＥＬと定義したが、正電源電圧ＶＤＤは、負電源電圧ＶＥＬよりも電位が高い電圧を意味し、負電源電圧ＶＥＬは、正電源電圧ＶＤＤよりも電位が低い電圧であることを意味する。つまり、正電源電圧ＶＤＤ及び負電源電圧ＶＥＬは、それぞれ、正の電圧値及び負の電圧値を有することに限定されない。
【００５４】
ここで、本実施の形態に係る画素回路構成では、有機ＥＬ素子２０１のカソードと補助配線１３１との間に電子輸送層１２６なる中間層の抵抗Ｒｉｐが直列挿入されている。図５に示されるように、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの各々において、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）は、駆動回路層１１の駆動トランジスタ２０２から、陽極１２１、有機ＥＬ素子２０１を経由して共通の透明陰極１２７へ流れる。さらに、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）は、共通の電流経路である抵抗Ｒｉｐ及び補助配線１３１へと流れこむ。したがって、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において発生する電圧降下量Ｖｄｒｏｐは、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の和Ｉｐｉｘ及び抵抗Ｒｉｐに対応する量となる。当該電圧降下量Ｖｄｒｏｐの変動に伴って、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの各駆動トランジスタ２０２におけるブートストラップ量が変動するため、各有機ＥＬ素子２０１に流れる電流量が変動する。
【００５５】
［制御回路］
以下、本実施の形態の要部である制御回路６０の構成について説明する。本実施の形態に係る制御回路６０においては、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において発生する電圧降下量Ｖｄｒｏｐの変動に伴う各有機ＥＬ素子２０１に流れる電流量の変動を抑制するために階調信号を補正する構成を備える。
【００５６】
図６は、本実施の形態に係る制御回路６０において階調信号を補正する演算方法を示すブロック線図である。図６においては、一つの画素２０内のサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに印加される各データ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）、Ｖｄａｔａ（Ｇ）及びＶｄａｔａ（Ｂ）に対応する階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢを補正する演算方法を示す。
【００５７】
図６に示されるように、制御回路６０は、機能的には、電流演算部３００と、電圧降下量演算部４００と、補正量演算部５００と、加算部６００とを備える。
【００５８】
電流演算部３００は、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに対応する各サブ画素に同時に流れる画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の和Ｉｐｉｘを演算する演算部である。ここでは、各サブ画素について、電圧降下量Ｖｄｒｏｐがゼロである場合に、階調信号に対応するデータ電圧を印加したときに流れる画素電流が演算される。すなわち、透明陰極１２７から給電線３０までの抵抗がゼロであると仮定した場合における画素電流が演算される。電流演算部３００では、階調信号と、電圧降下量Ｖｄｒｏｐがゼロである場合の画素電流との対応関係を示すＬＵＴ（Ｌｏｏｋ−Ｕｐ  Ｔａｂｌｅ）３０１、３０２及び３０３を用いて、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）が求められる。そして、当該画素電流の和Ｉｐｉｘが演算される。
【００５９】
ここで、電圧降下量Ｖｄｒｏｐがゼロである場合におけるサブ画素２０Ｒに流れる画素電流を演算するためのＬＵＴ３０１を作成する方法について説明する。まず、様々な電圧降下量Ｖｄｒｏｐに対する階調信号ＧＬＲ、データ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）及び画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）の関係が測定によって求められる。そして、当該関係から、電圧降下量Ｖｄｒｏｐがゼロである場合の階調信号ＧＬＲ、データ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）及び画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）の関係を推測する。当該推測された関係から、階調信号と電圧降下量Ｖｄｒｏｐがゼロである場合における画素電流との対応関係を示すＬＵＴ３０１が作成される。ＬＵＴ３０２及び３０３についてもＬＵＴ３０１と同様に作成される。
【００６０】
また推測する方法として、画素回路の動作シミュレーションによって、電圧降下量Ｖｄｒｏｐがゼロの場合のデータ電圧Ｖｄａｔａに対する画素電流Ｉｐｉｘの関係を求めてもよい。
【００６１】
以下、電流演算部３００における演算について詳細に説明する。電流演算部３００においては、まず、各階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢにそれぞれ対応するデータ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）、Ｖｄａｔａ（Ｇ）及びＶｄａｔａ（Ｂ）が各ＬＵＴから求められる。これらは以下の式で表される。
【００６２】
【数１】
2016035295.tif 000003
【００６３】
ここで、ＶＲ（ＧＬＲ）、ＶＧ（ＧＬＧ）及びＶＢ（ＧＬＢ）は、階調信号に対応するデータ電圧を求めるための関数を示す。なお、各ＬＵＴに当該関数が格納されていなくてもよい。例えば、各ＬＵＴには、階調信号とデータ電圧との関係を示すテーブルだけが格納されていてもよい。以下で示される各関数についても同様である。
【００６４】
そして、次に電流演算部３００において、サブ画素２０Ｒにデータ電圧を印加した場合に流れる画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）がＬＵＴ３０１から求められる。サブ画素２０Ｇ及び２０Ｂについても同様に、階調信号ＧＬＧ及びＧＬＢにそれぞれ対応する画素電流Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）が、それぞれＬＵＴ３０２及び３０３から求められる。これらは以下の式で表される。
【００６５】
【数２】
2016035295.tif 000004
【００６６】
ここで、ＩＲ（Ｖｄａｔａ（Ｒ））、ＩＧ（Ｖｄａｔａ（Ｇ））及びＩＢ（Ｖｄａｔａ（Ｂ））は、電圧降下量Ｖｄｒｏｐがゼロであって、各サブ画素にそれぞれデータ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）、Ｖｄａｔａ（Ｇ）及びＶｄａｔａ（Ｂ）が印加される場合に流れる画素電流を求めるための関数を示す。一般的には、映像の階調信号ＧＬが大きいほどＩｐｉｘが大きくなる特徴を有する。以上のようにして求められた画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）を次式に示されるように加算することにより、画素電流の和Ｉｐｉｘが求められる。
【００６７】
【数３】
2016035295.tif 000005
【００６８】
電圧降下量演算部４００は、電流演算部３００で算出された画素電流の和Ｉｐｉｘを用いて、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において発生する電圧降下量Ｖｄｒｏｐを演算する演算部である。電圧降下量演算部４００では、画素電流の和Ｉｐｉｘと電圧降下量Ｖｄｒｏｐとの関係を示すＬＵＴ４０１を用いて、電圧降下量Ｖｄｒｏｐが演算される。ＬＵＴ４０１も、上記ＬＵＴ３０１などと同様に、予め表示装置を用いて特性を測定することにより作成してもよいし、ＴＥＧ等を用いて同様の構造を持つサンプルの特性から推定し作成してもよい。なお、ここで、画素電流の和Ｉｐｉｘと電圧降下量Ｖｄｒｏｐとの関係は、次式で表される。
【００６９】
【数４】
2016035295.tif 000006
【００７０】
ここで、Ｖ（Ｉｐｉｘ）は、画素電流の和Ｉｐｉｘに対応する電圧降下量Ｖｄｒｏｐを求めるための関数を示す。一般的には、Ｉｐｉｘが大きいほどＶｄｒｏｐは大きくなるという特徴を有する。
【００７１】
補正量演算部５００は、各データ電圧の補正量を演算する演算部である。当該補正量は、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において発生する電圧降下による各画素電流の減少を補うための補正量である。補正量演算部５００は、まず、各階調信号をデータ電圧に変換する。そして、補正量演算部５００は、データ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）、Ｖｄａｔａ（Ｇ）及びＶｄａｔａ（Ｂ）と、それらに対応するデータ電圧の補正係数との関係を示すＬＵＴ５０１、５０２及び５０３を用いて、データ電圧の補正係数を求める。ここで、ＬＵＴ５０１、５０２及び５０３は、様々なデータ電圧Ｖｄａｔａ条件においてカソード電位が単位電圧変動ΔＶｃａｔ（例えば１Ｖ）した際に、画素電流Ｉｐｉｘを一定に保つために必要なデータ電圧の調整量ΔＶｄａｔａから求められるパラメータΔＶｄａｔａ／ΔＶｃａｔであり、上記各ＬＵＴと同様に測定によって作成してもよいし、画素回路の動作シミュレーションにより求め、作成してもよい。
【００７２】
次に、補正量演算部５００は当該補正係数と電圧降下量演算部４００で求められた電圧降下量Ｖｄｒｏｐとを乗算する。これにより、データ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）、Ｖｄａｔａ（Ｇ）及びＶｄａｔａ（Ｂ）のそれぞれに対する補正量Ｖｃｏｍｐ（Ｒ）、Ｖｃｏｍｐ（Ｇ）及びＶｃｏｍｐ（Ｂ）が求められる。補正量演算部５００における演算は、以下の式で表される。
【００７３】
【数５】
2016035295.tif 000007
【００７４】
ここで、ΔＶｃａｔは、カソード電位の変化量であり、電圧降下量Ｖｄｒｏｐに対応する値である。そして、上記の式５において、電圧降下量Ｖｄｒｏｐと乗算される係数が、データ電圧の補正係数を示す。一般的には、Ｉｐｉｘが大きいほどＶｄｒｏｐは大きくなり、式１が単調増加もしくは単調減少の関数であるため、ＧＬが大きいほどＶｃｏｍｐが大きくなるという特徴を有する。
【００７５】
加算部６００は、補正量演算部５００で求められたデータ電圧の補正量を階調信号の補正量に変換して補正前の階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに加算する演算部である。加算部６００で演算される補正後の階調信号ＧＬ’Ｒ、ＧＬ’Ｇ及びＧＬ’Ｂとすると、これらは、以下の式で表される。
【００７６】
【数６】
2016035295.tif 000008
【００７７】
以上のように、本実施の形態に係る制御回路６０は、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢをＧＬ’Ｒ、ＧＬ’Ｇ及びＧＬ’Ｂにそれぞれ補正する。当該補正後の階調信号がデータ線駆動回路４０に入力されることによって、補正されたデータ電圧が各データ線２１２に印加され、当該補正されたデータ電圧に対応する画素電流が流れる。これにより、電圧降下量Ｖｄｒｏｐの変動による画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の変動が抑制される。
【００７８】
［測定結果例］
次に、上述の階調信号補正を適用した場合における各サブ画素に流れる電流の測定結果について説明する。
【００７９】
図７〜９は、階調信号に補正を適用する前及び後におけるサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの有機ＥＬ素子２０１に流れる画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の和Ｉｐｉｘと電流比（Ｉｐｉｘ（Ｘ）／（Ｉｐｉｘ（Ｒ）＋Ｉｐｉｘ（Ｇ）＋Ｉｐｉｘ（Ｂ））、Ｘ＝Ｒ，Ｇ，Ｂ）との関係を示すグラフである。なお、図７のＲ電流比とは、サブ画素２０Ｒに所定のデータ電圧を印加してサブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子２０１だけに電流を流す場合のＩｐｉｘ（Ｒ）に対する、サブ画素２０Ｒに上記所定のデータ電圧を印加した状態で、サブ画素２０Ｇ及び２０Ｂにもデータ電圧を印加した場合にサブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子２０１に流れる電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）の比を意味し、理想状態は横軸の画素電流和Ｉｐｉｘに依存せず常時１となる。図８のＧ電流比及び図９のＢ電流比についても同様である。また、図７〜９においては、それぞれサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂが有する各有機ＥＬ素子２０１に流れる電流をパラメータとして、複数のパラメータに対する測定結果が示される。例えば、図７の補正適用前のグラフにおいては、サブ画素２０Ｒが有する有機ＥＬ素子２０１だけに電流を流し、かつ、他の色のサブ画素（２０Ｇ、２０Ｂ）には電流を流していない場合（Ｉｐｉｘ（Ｒ）≠０、Ｉｐｉｘ（Ｇ）＝Ｉｐｉｘ（Ｂ）＝０）に流れる電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）が、０．０９６８［μＡ］、０．２２４［μＡ］などの場合の測定結果が示されている。つまり、その場合はＩｐｉｘ（Ｒ）の和Ｉｐｉｘに対する電流比は１である。同様に、図８にはＩｐｉｘ（Ｇ）に対する測定結果が、図９にはＩｐｉｘ（Ｂ）に対する測定結果がそれぞれ示されている。
【００８０】
図７に示されるように、補正適用前においては、特に、Ｉｐｉｘが大きい場合、及び、Ｉｐｉｘ（Ｒ）が小さい場合に電流比が低下している。図８及び図９についても同様の傾向が見られる。一方、図７〜９の補正適用後のグラフを参照すると、電流比の低下が、補正適用前の電流比の低下より抑制されていることが分かる。すなわち、表示装置１の色表現力が改善されている。
【００８１】
具体的には、例えば、図７の補正適用後のグラフに示されるように、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）が０．１２８以外の場合には、Ｒ電流比は、０．８以上（すなわち、８０％以上）である。つまり、階調信号ＧＬＲが少なくとも中輝度以上の階調である場合には、Ｒ電流比は、８０％以上である。図８及び図９についても、同様に、それぞれ画素電流Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）が中程度以上の場合には、Ｇ電流比及びＢ電流比は、０．８以上（すなわち、８０％以上）である。
【００８２】
このように、各電流比が０．８以上に維持されていれば、すなわち、電流比の低下率が２０％未満に維持されていれば、ユーザが各画素電流の減少を感知することを十分に抑制することができる。
【００８３】
なお、図７〜９に示される測定結果は一例であって、補正において用いるＬＵＴなどに応じて、補正適用後の電流比は変わり得る。例えば、補正適用後の電流比がすべて０．８以上になるように（つまり、低輝度領域においても電流比が０．８以上になるように）、ＬＵＴを作成することも可能である。このようなＬＵＴを用いることにより、全輝度領域において、ユーザが各画素電流の減少を感知することを十分に抑制することができる。
【００８４】
（効果など）
以上のように、本実施の形態に係る表示装置１の駆動方法の一態様は、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢを出力する制御回路６０と、有機ＥＬ素子２０１、及び、階調信号ＧＬＲに応じた電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）を有機ＥＬ素子２０１に供給するための駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｒ、有機ＥＬ素子２０１、及び、階調信号ＧＬＧに応じた電流Ｉｐｉｘ（Ｇ）を有機ＥＬ素子２０１に供給するための駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｇ、並びに、有機ＥＬ素子２０１、及び、階調信号ＧＬＢに応じた電流Ｉｐｉｘ（Ｂ）を有機ＥＬ素子２０１に供給するための駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｂを備える表示部２と、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに共通する電流経路を介して、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに電源電圧を印加する電源部３と、を備える表示装置の駆動方法である。そして当該駆動方法は、電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）が、それぞれ各有機ＥＬ素子２０１に同時に供給される場合に、上記共通する電流経路において生じる電圧降下による、電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の減少を補うように、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに基づいて、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢを補正するステップを含む。
【００８５】
これによれば、各サブ画素の有機ＥＬ素子２０１に流れる電流が他のサブ画素の有機ＥＬ素子２０１に流れる電流から受ける影響が低減される。すなわち、各サブ画素の有機ＥＬ素子２０１に階調信号に対応した所望の電流を流すことができる。したがって、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂを備える画素２０における、上記影響による色表現力の劣化が低減される。
【００８６】
また、上記補正するステップは、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに基づいて、上記電流経路である接続部２０Ｃにおいて生じる電圧降下量Ｖｄｒｏｐを求めるステップと、電圧降下量Ｖｄｒｏｐに基づいて、階調信号ＧＬＲを補正する量を求めるステップとを含んでもよい。
【００８７】
これにより、サブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子２０１に流れる電流に影響を与える電圧降下量Ｖｄｒｏｐを求めて、電圧降下量Ｖｄｒｏｐに基づいて階調信号ＧＬＲを補正するため、階調信号を適切に補正することができる。
【００８８】
また、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの各有機ＥＬ素子２０１は、一方の透明陰極１２７を共有し、上記電流経路は透明陰極１２７と電気的に接続された補助配線１３１を含み、電圧降下量Ｖｄｒｏｐは、透明陰極１２７から補助配線１３１の間の接続部２０Ｃにおいて発生する電圧降下の量であってもよい。
【００８９】
これによれば、特に、接続部２０Ｃにおける抵抗が比較的大きい場合に、接続部２０Ｃにおける電圧降下が支配的になるため、当該電圧降下の量に基づいて階調信号ＧＬＲを補正することにより、階調信号を適切に補正することができる。
【００９０】
また、上記補正するステップにおいて、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの各有機ＥＬ素子２０１に、それぞれ、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに応じた電流が同時に供給される場合における各電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）が、それぞれ、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂのいずれか一つの有機ＥＬ素子２０１だけに階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢのいずれか一つに応じた電流が供給される場合における電流（Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）のいずれか一つ）の８０％以上となるように、前記第１の階調信号を補正してもよい。
【００９１】
これにより、ユーザが各画素電流の減少を感知することを十分に抑制することができる。
【００９２】
また、上記補正するステップにおいて、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの各有機ＥＬ素子２０１に、それぞれ、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに応じた電流が同時に供給され、かつ、各階調信号が中輝度以上の階調である場合における各電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）が、それぞれ、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂのいずれか一つの有機ＥＬ素子２０１だけに階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢのいずれか一つに応じた電流が供給される場合における電流（Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）のいずれか一つ）の８０％以上となるように、前記第１の階調信号を補正してもよい。
【００９３】
これにより、少なくとも、有機ＥＬ素子の輝度が、中輝度以上の場合において、ユーザが各画素電流の減少を感知することを十分に抑制することができる。
【００９４】
（他の実施の形態）
以上、本発明の表示装置及びその駆動方法について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明に係る表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本実施の形態に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００９５】
例えば、上記実施の形態においては、画素２０内のサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂが備える各有機ＥＬ素子２０１に流れる電流の他のサブ画素が備える有機ＥＬ素子２０１に流れる電流による影響を抑制する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明は、表示装置の画素が有する有機ＥＬ素子に流れる電流の、当該画素と共通する抵抗成分を有する電流経路を介して電源電圧が印加される任意の画素又はサブ画素の有機ＥＬ素子に流れる電流の影響を抑制する場合に適用できる。
【００９６】
また、上記実施の形態では、発光素子として、有機ＥＬ素子を用いる例を示したが、他の電流駆動型の発光素子を用いてもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態では、電圧降下が、透明陰極１２７から補助配線１３１の間の接続部２０Ｃで発生する例を示したが、電圧降下が他の電流経路部分で発生してもよい。例えば、給電線などの抵抗成分で電圧降下が発生してもよい。
【００９８】
また、上記実施の形態では、有機ＥＬ層１２の構成として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／陰極を例に説明したが、これに限られない。例えば、有機ＥＬ層の構成として、少なくとも有機発光層、陽極及び陰極を含む構成であればよい。また、例えば、有機発光層、陽極及び陰極以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１層を含む構成であってもよい。
【００９９】
また、上記実施の形態では、透明陰極１２７と補助配線１３１との間に電子輸送層１２６が形成される例を示したが、電子輸送層１２６は形成されなくてもよい。例えば、補助配線１３１の表面が酸化して高抵抗化する場合であっても、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において電圧降下が発生する。
【０１００】
また、上記実施の形態では、表示部２に連続形成された透明陰極１２７における負電源電圧ＶＥＬの電圧降下（上昇）の変動による影響を低減する構成を例示した。しかし、本発明の構成はこれに限られず、回路構成、発光方式及び有機ＥＬ層の積層構造などにより、例えばアノードコモンのトップエミッションにおいて、陽極１２１による正電源電圧ＶＤＤの電圧降下の変動による影響を低減する構成も本発明に含まれる。
【０１０１】
また、上記実施の形態では、画素２０を、３つのサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂで構成されているものとして説明したが、画素構成はこれに限られない。例えば、画素２０が複数のサブ画素を有さず、１つの画素で構成されていても、複数の画素が電源部３から共通する電流経路を介して電源電圧を印加される場合には、本発明を適用することができる。
【０１０２】
また、上記実施の形態では、駆動トランジスタ２０２としてｎ型ＴＦＴを用いる構成を示したが、ｐ型ＴＦＴを用いて、他の回路構成をそれに合わせて適宜変更してもよい。
【０１０３】
また、上記実施の形態においては、階調信号を補正する際に、ＬＵＴを用いたが、ＬＵＴ以外の補正関数などを予め用意して、当該補正関数によって階調信号を補正してもよい。
【０１０４】
また、上記実施の形態においては、制御回路６０において階調信号を補正する構成を示したが、データ電圧を補正する構成としてもよい。
【０１０５】
なお、上記実施の形態において、中間層は、発光部を構成する層の一部として説明してきたが、接続部を構成する中間層は、発光部を構成する層と連続している必要はない。高精細マスクを使用せずとも発光部と接続部とで分離形成可能な中間層であって、例えば、塗布製膜された段階でバンク１２２により分離形成されるものであってもよい。
【０１０６】
また、例えば、本実施の形態に係る表示装置１は、図１０に示されるような薄型フラットＴＶに内蔵される。本実施の形態に係る表示装置１により、高度な色表現力を有する薄型フラットＴＶが実現される。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用であり、色表現力が要求されるディスプレイとして用いるのに最適である。
【符号の説明】
【０１０８】
１    表示装置
２    表示部
３    電源部
１０    基板
１１    駆動回路層
１２    有機ＥＬ層
２０    画素
２０Ｂ、２０Ｇ、２０Ｒ    サブ画素
２０Ｃ    接続部
３０    給電線
４０    データ線駆動回路
５０    走査線駆動回路
６０    制御回路
１１１    ゲート電極
１１２    ゲート絶縁層
１１３    半導体層
１１４    ソース電極
１１５    ドレイン電極
１１６    層間絶縁層
１２０    ビア
１２１    陽極
１２２    バンク
１２３    正孔注入層
１２４    正孔輸送層
１２５    有機発光層
１２６    電子輸送層
１２７    透明陰極
１３１    補助配線
２０１    有機ＥＬ素子
２０２    駆動トランジスタ
２０３    スイッチトランジスタ
２０４    保持容量素子
２１１    走査線
２１２    データ線
２２１    正電源配線
３００    電流演算部
３０１、３０２、３０３、４０１、５０１、５０２、５０３  ＬＵＴ
４００    電圧降下量演算部
５００    補正量演算部
６００    加算部
【図１】
2016035295.tif 000009
【図２】
2016035295.tif 000010
【図３】
2016035295.tif 000011
【図４】
2016035295.tif 000012
【図５】
2016035295.tif 000013
【図６】
2016035295.tif 000014
【図７】
2016035295.tif 000015
【図８】
2016035295.tif 000016
【図９】
2016035295.tif 000017
【図１０】
2016035295.tif 000018
【国際調査報告】
2016035295.tif 000019
2016035295.tif 000020
2016035295.tif 000021
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