(57)【要約】  有機発光デバイスは、基板の主面に沿って二次元配置された複数の発光部を有する。各発光部は、基板の主面に交差する第１方向において積層形成された、第１電極、電荷輸送層、有機発光層、第２電極を有してなる。有機発光デバイスにおいて、隣り合う発光部同士は、それぞれが基板の主面に沿う第３方向に延伸する複数の第１バンクと、それぞれが基板の主面に沿い第３方向に交差する第２方向に延伸する複数の第２バンクと、により規定されている。電荷輸送層および有機発光層は、隣り合う第１バンク間において、第２バンクを跨いで連続形成されている。ここで、第１バンクおよび第２バンクは、ともに絶縁性材料からなり、第２バンクの厚みが第１バンクの高さの２０％以下であり、第２バンクの表面部分の接触角が第１バンクの表面部分の接触角よりも低い。
2016006194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、
前記複数の発光部の各々は、前記基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、
前記基板の上方に配置された第１電極と、
前記第１電極の上方に配置された有機層である電荷輸送層と、
前記電荷輸送層の上方に配置された有機発光層と、
前記有機発光層の上方に配置された第２電極と、
を有し構成されており、
前記基板の主面に沿った方向における一の方向を第２方向とし、前記基板に沿った方向における前記第２方向に対して交差する方向を第３方向とするとき、
前記複数の発光部の各々は、
前記第２方向において、前記基板の主面に沿い、且つ、それぞれが前記第３方向に延伸形成された複数の第１バンクにより規定され、
前記第３方向において、前記基板の主面に沿い、且つ、それぞれが前記第２方向に延伸形成された複数の第２バンクにより規定されており、
前記電荷輸送層および前記有機発光層は、隣り合う前記第１バンク間において、前記第２バンクを跨いで連続的に形成されており、
前記第１バンクおよび前記第２バンクは、それぞれ絶縁性材料からなるとともに、前記第２バンクの厚みが前記第１バンクの高さの２０％以下であり、前記第２バンクの表面部分の接触角が前記第１バンクの表面部分の接触角よりも低い
ことを特徴とする有機発光デバイス。
【請求項２】
前記第１電極は、端縁領域の一部において、前記第２方向および前記第３方向により規定される平面に沿う平坦領域を有し、
前記第２バンクは、前記第１電極における前記平坦領域の上方も覆っており、
前記第２バンクの厚みは、前記第１電極における前記平坦領域の上方部分の厚みである
請求項１記載の有機発光デバイス。
【請求項３】
前記第２バンクの表面部分の接触角は、前記電荷輸送層の形成に係るインクに対する接触角である
請求項１または請求項２記載の有機発光デバイス。
【請求項４】
前記第２バンクの厚みは、８００ｎｍ以下である
請求項１から請求項３の何れか記載の有機発光デバイス。
【請求項５】
前記第２バンクの表面部分の接触角は、５°以下である
請求項１から請求項４の何れか記載の有機発光デバイス。
【請求項６】
表示パネルと、
前記表示パネルに接続された制御駆動回路部と、
を備え、
前記表示パネルとして、請求項１から請求項５の何れかのデバイス構造が採用されている
ことを特徴とする有機表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光デバイスと有機表示装置に関し、特に、発光部を規定するバンクの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）パネルや有機ＥＬ照明等の有機発光デバイスの開発が盛んに行われている（特許文献１）。従来技術に係る有機ＥＬパネルの構成について、図８（ａ）を用い説明する。【０００３】
図８（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＥＬパネルは、基板９００の主面（Ｚ軸方向上側の主面）にＴＦＴ層９０１が形成され、その上に絶縁層９０２が形成されている。そして、絶縁層９０２上には、発光部であるサブピクセル単位でアノード９０３およびホール注入層９０４が順に積層されている。【０００４】
絶縁層９０２上であって、Ｙ軸方向におけるアノード９０３およびホール注入層９０４のエッジを含む間隙部分には、Ｘ軸方向に延伸する第２バンク９１５が形成されている。そして、同じく絶縁層９０２上であって、第２バンク９１５と交差するようにＹ軸方向に延伸する第１バンク９０５が形成されている。【０００５】
隣り合う第１バンク９０５同士の間には、ホール輸送層９０６、有機発光層９０７、電子輸送層９０８などの有機膜が順に積層形成されている。そして、電子輸送層９０８上、および第１バンク９０５の露出面を覆うように、カソード９０９および封止層９１０が順に積層形成されている。【０００６】
なお、図８（ａ）では、図示を省略しているが、更にＺ軸方向上側には、樹脂層を介してカラーフィルタパネル部が積層形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−７５６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、本発明者等は、従来技術に係る有機発光デバイスの構成においては、ホール輸送層９０６や有機発光層９０７などの有機膜で形成不良が生じることがあることを究明した。具体的には、図８（ｂ）に示すように、第２バンク９１５の上面９１５ａの部分において、ホール輸送層９０６の形成不良が発生することがある（矢印Ｆで指し示す部分）。【０００９】
また、本発明者等は、有機膜の形成不良が発生し易い箇所として、図８（ｃ）に示すように、第１バンク９１５の上面９１５ａのうちでも、第１バンク９０５の裾部分９０５ｂに近い領域であることを究明した（矢印Ｇで指し示す部分）。【００１０】
このような第２バンク９１５上における有機膜の形成不良は、その両側における発光部での有機膜の膜厚不良に繋がり、発光性能の低下をもたらすことがある。【００１１】
本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機膜の形成不良の発生を抑制し、高い発光性能を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、複数の発光部の各々が、基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、第１電極、電荷輸送層、有機発光層、第２電極が積層された構成を有する。【００１３】
第１電極は、基板の上方に配置されている。電荷輸送層は、第１電極の上方に配置された有機層である。有機発光層は、電荷輸送層の上方に配置されている。第２電極は、有機発光層の上方に配置されている。【００１４】
基板の主面に沿った方向における一の方向を第２方向とし、前記基板に沿った方向における前記第２方向に対して交差する方向を第３方向とするとき、複数の発光部の各々は、第２方向において、複数の第１バンクにより規定されており、第３方向において、複数の第２バンクにより規定されている。【００１５】
複数の第１バンクは、基板の主面に沿い、且つ、それぞれが第３方向に延伸形成されている。【００１６】
複数の第２バンクは、基板の主面に沿い、且つ、それぞれが第２方向に延伸形成されている。【００１７】
本態様に係る有機発光デバイスでは、電荷輸送層および有機発光層が、隣り合う第１バンク間において、第２バンクを跨ぐ状態で連続的に形成されている。そして、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれ絶縁性材料からなるとともに、第２バンクの厚みが第１バンクの高さの２０％以下であり、第２バンクの表面部分の接触角が第１バンクの表面部分の接触角よりも低い。
【発明の効果】
【００１８】
上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１バンクおよび第２バンクを上記のように規定することにより、隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機膜の形成不良の発生を抑制することができ、高い発光性能を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】表示パネル１０におけるサブピクセル１０ａ〜１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2の配置形態を示す模式平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ断面での構成を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）は、表示パネル１０におけるバンク１０５，１１５の配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の矢印Ｃで指し示す部分を示す模式断面図であり、（ｃ）は、（ａ）の矢印Ｄで指し示す部分を示す模式断面図である。
【図６】表示パネル１０の製造過程を示す模式図である。
【図７】（ａ）は、第１バンク１０５と第２バンク１１５との交差部分を示す模式平面図であり、（ｂ）は、その模式断面図である。
【図８】（ａ）は、従来技術に係る表示パネルの一部構成を示す斜視図（一部断面図）であり、（ｂ）は、ホール輸送層９０６の形成不良の一形態を示す断面図であり、（ｃ）は、有機膜の形成不良が生じ易い箇所を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
［本発明者等の検討事項］
本発明者等が本発明の各態様を推考するにあたり検討した事項について、引き続き図８を用い説明する。
【００２１】
図８（ｂ）に示すように、第２バンク９１５は、隣り合うアノード９０３同士での短絡を防止し、アノード９０３のエッジでの電界発光を防止するために設けられている。ただし、上述のように、第２バンク９１５の上面９１５ａで有機膜（図８（ｂ）では、ホール輸送層９０６）の形成不良が生じてしまう場合がある。
【００２２】
本発明者等が上記のような形成不良（インクの未濡れに起因する不良）についての検討の結果、第２バンク９１５の厚みと、その表面部分における接触角とに大きく影響を受けることが分かった。そして、第２バンク９１５の上面９１５ａでの未濡れが発生した場合には、その両側のサブピクセル（発光部）の当該有機膜の膜厚のバラツキとなる。このような有機膜の膜厚バラツキは、発光品質の低下をもたらす原因となる。
【００２３】
有機膜を形成する際のインクの未濡れは、図８（ｃ）に示すように、第１バンク９１５の上面９１５ａのうちでも、第１バンク９０５の裾部分９０５ｂに近い領域である（矢印Ｇで指し示す部分）。
【００２４】
［本発明の概略態様］
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、複数の発光部の各々が、基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、第１電極、電荷輸送層、有機発光層、第２電極が積層された構成を有する。
【００２５】
第１電極は、基板の上方に配置されている。電荷輸送層は、第１電極の上方に配置された有機層である。有機発光層は、電荷輸送層の上方に配置されている。第２電極は、有機発光層の上方に配置されている。
【００２６】
基板の主面に沿った方向における一の方向を第２方向とし、前記基板に沿った方向における前記第２方向に対して交差する方向を第３方向とするとき、複数の発光部の各々は、第２方向において、複数の第１バンクにより規定されており、第３方向において、複数の第２バンクにより規定されている。
【００２７】
複数の第１バンクは、基板の主面に沿い、且つ、それぞれが第３方向に延伸形成されている。
【００２８】
複数の第２バンクは、基板の主面に沿い、且つ、それぞれが第２方向に延伸形成されている。
【００２９】
なお、複数の第１バンクは、第２方向において、互いに間隔をあけ、複数の第２バンクは、第３方向において、互いに間隔をあけて配置されている。
【００３０】
本態様に係る有機発光デバイスでは、電荷輸送層および有機発光層が、隣り合う第１バンク間において、第２バンクを跨ぐ状態で連続的に形成されている。そして、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれ絶縁性材料からなるとともに、第２バンクの厚みが第１バンクの高さの２０％以下であり、第２バンクの表面部分の接触角が第１バンクの表面部分の接触角よりも低い。
【００３１】
上記のような検討事項を受けて、上記態様に係る構成は規定されており、第２バンクの厚みを第１バンクの高さの２０％以下、第２バンクの表面部分の接触角を５°以下に規定することにより、第２バンクの上面での有機膜用インクの未濡れの発生を抑制することができる。具体的には、第２バンクの厚みを第１バンクの高さに対して２０％以下に規定することにより、第１バンクと第２バンクとの交差部分において、第１バンクの高さを確保することができ、インク塗布時における撥液性の確保という観点から優れている。即ち、第２バンクの厚みを余り高くすると、第１バンクと第２バンクとの交差部分において、第１バンクの高さを確保することができず、撥液性の低下をもたらすが、上記のように第２バンクの厚みを第１バンクの高さに対して２０％以下とすることで、当該交差部分を含めて第１バンクの撥液性を確保することができる。
【００３２】
また、第２バンクにおける表面部分の接触角を第１バンクの表面部分の接触角よりも低くすることにより、有機膜の形成において、インクのドロップ数を過度に増加させなくても未濡れの発生を抑制することが可能となる。
【００３３】
従って、上記態様に係る有機発光デバイスでは、隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機膜の形成不良を抑えることができ、高い発光性能を得ることができる。
【００３４】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１電極が、その端縁領域の一部に第２方向および第３方向により規定される平面に沿う平坦領域を有し、第２バンクが第１電極における平坦領域の上方も覆っている。そして、上記交差部分における第２バンクの厚みが、第１電極における平坦領域の上方部分の厚みで規定される。このような規定を以って第２バンクの厚みを規定することにより、有機膜の未濡れの発生を抑制することができる。
【００３５】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第２バンクの表面部分の接触角が電荷輸送層の形成に係るインクに対する接触角である。
【００３６】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第２バンクの厚みが８００ｎｍ以下である。なお、第２バンクの厚みの下限値は、第２バンクの形成に用いる材料によって異なる。即ち、隣り合うアノード同士の間での短絡防止およびアノードのエッジでの電界発光防止との第２バンクの本来的な目的を達成することができる厚みということになる。
【００３７】
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第２バンクの表面部分の接触角が５°以下である。
【００３８】
また、本発明の一態様に係る有機表示装置は、表示パネルと、表示パネルに接続された制御駆動回路部とを備え、表示パネルとして、上記のうちの何れかの態様に係るデバイス構造が採用されている。これにより、上位同様の理由から優れた発光品質（表示品質）を得ることができる。
【００３９】
［実施の形態］
以下では、図面を参酌しながら実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について説明する。
【００４０】
１．概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１および図２を用い説明する。
【００４１】
図１に示すように、有機表示装置としての本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機発光デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
【００４２】
図２に示すように、複数のサブピクセル（副画素部）１０ａ〜１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2がＸ軸方向およびＹ軸方向に二次元配置されている。本実施の形態では、一例として、サブピクセル１０ａが赤色光（Ｒ）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｂが緑色光（Ｇ）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2が青色光（Ｂ）を出射する発光部である。そして、Ｘ軸方向において隣接する３つのサブピクセル１０ａ〜１０ｃの組み合わせを以って１つのピクセル（画素部）が構成されている。
【００４３】
図１に戻って、有機ＥＬ表示装置１における駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と１つの制御回路２５とから構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１における表示パネル１０と駆動・制御回路部２０との配置関係については、図１に示す形態には限定されない。
【００４４】
また、ピクセル（画素部）の構成については、図２に示すような３つのサブピクセル１０ａ〜１０ｃの組み合わせからなる形態に限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１つのピクセルが構成されることとしてもよい。
【００４５】
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０の構成について、図３および図４を用い説明する。なお、図３は、図２におけるＡ−Ａ断面を示し、図４は、図２におけるＢ−Ｂ断面を示す。
【００４６】
図３に示すように、表示パネル１０は、２枚の基板１００，１１４間に複数の機能層が積層された構成を有する。
【００４７】
Ｚ軸方向下側の基板１００上には、ＴＦＴ層１０１が形成されている。なお、図３などでは、ＴＦＴ層１０１の詳細な図示を省略しているが、公知の構成を有するＴＦＴ層である。ＴＦＴ層１０１上には、絶縁層１０２を介してアノード１０３およびホール注入層１０４がＺ軸方向下側から順に積層形成されている。
【００４８】
次に、絶縁層１０２上およびホール注入層１０４のＸ軸方向両縁上を覆うように、第１バンク１０５が形成されている。第１バンク１０５は、Ｘ軸方向において、サブピクセル１０ａを規定する。
【００４９】
第１バンク１０５によりＸ軸方向の両側が規定された開口内には、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８が積層形成されている。
【００５０】
電子輸送層１０８上および第１バンク１０５の頂面上を覆うように、Ｚ軸方向下側から順に、カソード１０９および封止層１１０が積層形成されている。
【００５１】
一方、Ｚ軸方向上側に配置された基板１１４のＺ軸方向下側の主面には、カラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２が形成されている。
【００５２】
封止層１１０とカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２との間は、樹脂層１１１が介挿されており、封止層１１０と樹脂層１１１との間、およびカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２と樹脂層１１１との間は、空隙なく密に接している。
【００５３】
本実施の形態に係る表示パネル１０は、トップエミッション型の表示パネルであり、矢印のようにＺ軸方向上向きの光を出射する。
【００５４】
なお、表示パネル１０においては、他のサブピクセル１０ｂ，１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2についても同様の構成を有する。
【００５５】
次に、図４に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃ1，１０ｃ2間の非発光領域においては、一方のサブピクセル（図４では、サブピクセル１０ｃ2）におけるアノード１０３とＴＦＴ層１０１のソース若しくはドレインとの接続のためのコンタクト孔１０２ａが絶縁層１０２に開けられている。アノード１０３とソース若しくはドレインとの接続は、このコンタクト孔１０２ａの底部でなされている。
【００５６】
このＹ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃ1，１０ｃ2間の非発光領域においては、アノード１０３およびホール注入層１０４のエッジを含む縁部を覆うように、第２バンク１１５が形成されている。第２バンク１１５は、その一部がコンタクト孔１０２ａの内方にも埋め込まれた状態となっている。
【００５７】
なお、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８などの有機膜については、隣り合う第１バンク１０５同士の間において、第２バンク１１５を跨ぐ状態でＹ軸方向に連続的に形成されている。
【００５８】
３．表示パネル１０の各構成材料
（１）基板１００
基板１００は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
【００５９】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００６０】
（２）ＴＦＴ層１０１
ＴＦＴ層１０１は、各サブピクセル毎に１または複数のトランジスタ素子部を備え、各トランジスタ素子部は、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。
【００６１】
（３）絶縁層１０２
絶縁層１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
【００６２】
また、絶縁層１０２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。
【００６３】
（４）アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
【００６４】
なお、アノード１０３については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００６５】
（５）ホール注入層１０４
ホール注入層１０４は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
【００６６】
なお、ホール注入層１０４の構成材料として金属酸化物を用いる場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０７に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００６７】
ここで、ホール注入層１０４を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００６８】
（６）第１バンク１０５
第１バンク１０５は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第１バンク１０５の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。第１バンク１０５は、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００６９】
さらに、第１バンク１０５の構造については、図３および図４に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００７０】
（７）第２バンク１１５
第２バンク１１５は、ＳｉＯ2（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの無機絶縁材料や、有機絶縁材料などを用い形成することができる。
【００７１】
なお、有機絶縁材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
【００７２】
（８）ホール輸送層１０６
ホール輸送層１０６は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【００７３】
（９）有機発光層１０７
有機発光層１０７は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０７の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００７４】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７５】
（１０）電子輸送層１０８
電子輸送層１０８は、カソード１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
【００７６】
（１１）カソード１０９
カソード１０９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００７７】
（１２）封止層１１０
封止層１１０は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００７８】
封止層１１０は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
【００７９】
（１３）樹脂層１１１
樹脂層１１１は、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料から形成されている。ただし、構成材料としては、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。
【００８０】
（１４）ブラックマトリクス層１１２
ブラックマトリクス層１１２は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料から構成されている。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
【００８１】
（１５）カラーフィルタ層１１３
カラーフィルタ層１１３としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
【００８２】
（１６）基板１１４
基板１１４は、上記基板１００と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。基板１１４についても、プラスチック基板を採用する場合には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れの樹脂を用いてもよい。
【００８３】
４．第１バンク１０５および第２バンク１１５の形態
第１バンク１０５および第２バンク１１５の形態について、図５を用い説明する。
【００８４】
図５（ａ）に示すように、表示パネル１０においては、複数条の第１バンク１０５の各々は、互いに間隔をあけた状態でＹ軸方向に延伸形成されている。
【００８５】
一方、複数条の第２バンク１１５についても、その各々が互いに間隔をあけた状態でＸ軸方向に延伸形成されている。
【００８６】
図５（ａ）に示すように、隣り合う２条の第１バンク１０５と隣り合う２条の第２バンク１１５とで囲まれた領域が、それぞれサブピクセル形成領域１１６ａ〜１１６ｃということになる。本実施の形態においては、ホール輸送層１０６の形成前における各サブピクセル形成領域１１６ａ〜１１６ｃでは、ホール注入層１０４が露出している。
【００８７】
図５（ａ）に示すように、第１バンク１０５と第２バンク１１５との交差部分においては、第１バンク１０５は第２バンク１１５の上に積層された状態となっている。そして、図５（ｂ）に示すように、絶縁層１０４のＺ軸方向上面を基準としたときの第１バンク１０５の高さをＨ105とする。
【００８８】
なお、第１バンク１０５における表面部分１０５ａを含む表面部分は撥液処理がなされている。また、ホール輸送層１０６が形成されていない状態では、サブピクセル形成領域１１６ａ〜１１６ｃではホール注入層１０４の表面１０４ａが露出しており、当該表面１０４ａは親液性を有する
次に、図５（ｃ）に示すように、第２バンク１１５は、絶縁層１０２におけるコンタクト孔１０２ａを含む部分に形成されている。ここで、第２バンク１１５の厚みについては、絶縁層１０２の上面が略平坦な部分１０２ｂの上方での厚みＨ115により規定する。これは、コンタクト孔１０２ａ内においては、第２バンク１１５の厚みは場所により変化すると考えられるためである。
【００８９】
本実施の形態においては、第２バンク１１５の厚みＨ115は、８００ｎｍ以下に規定されており、第１バンク１０５の高さＨ105に対して２０％以下に規定されている。このように第２バンク１１５の厚みＨ115を規定することにより、図５（ａ）に示す第１バンク１０５と第２バンク１１５との交差部分において、第１バンク１０５の高さを確保することができる。特に第１バンク１０５と第２バンク１１５との交差部分において、第１バンク１０５の高さＨ105が余り低すぎると撥液性の低下をもたらせることになるが、上記のように第２バンク１１５の厚みＨ115を規定することにより、当該交差部分を含む全体での第１バンク１０５の撥液性を確保することができる。これにより、有機膜の形成時における隣接領域へのインクの溢れを確実に抑制することができ、高い発光性能を確保することが可能となる。
【００９０】
また、第２バンク１１５の表面部分１１５ａについては、第１バンク１０５の表面部分１０５ａよりも低い撥液性を有する。具体的には、第２バンク１１５の表面部分１１５ａの接触角は、５°以下に規定されており、第１バンク１０５の表面部分１０５ａでの接触角（特に、上部における表面部分の接触角）よりも低く規定されている。
【００９１】
このような接触角の規定は、例えば、ホール輸送層１０６の形成時におけるインクのドロップ数を過度に増やさなくても、第２バンク１１５上での未濡れの発生を抑制することができ、高い発光性能を得られるためである。
【００９２】
５．表示パネル１０の製造方法
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法について、その概要について、図６を用い説明する。
【００９３】
図６に示すように、表示パネル１０の製造においては、先ず、ＴＦＴ基板を準備する（ステップＳ１）。なお、ＴＦＴ基板は、基板１００の上面にＴＦＴ層１０１を形成したものであり、公知の技術で作製される。
【００９４】
次に、ＴＦＴ基板上に絶縁層１０２を形成する（ステップＳ２）。絶縁層１０２の形成は、例えば、ＴＦＴ層１０１におけるパッシベーション膜上に対して有機材料を塗布し、その表面を平坦化して固化した後、コンタクト孔１０２ａをあけることによりなされる。
【００９５】
次に、絶縁層１０２上に対して、アノード１０３およびホール注入層１０４を順に積層形成する（ステップＳ３、Ｓ４）。アノード１０３の形成は、例えば、スパッタリング法若しくは真空蒸着法を用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングすることでなされる。なお、図示を省略しているが、形成されたアノード１０３は、絶縁層１０２のコンタクト孔１０２ａによりＴＦＴ層１０１の上部電極（ソースまたはドレインと接続された電極）に接続されることになる。
【００９６】
ホール注入層１０４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いて酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて各サブピクセル１０ａ〜１０ｃ単位にパターニングすることでなされる。
【００９７】
次に、第２バンク１１５の形成を行う（ステップＳ５）。第２バンク１１５の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて第２バンク１１５の構成用材料（例えば、感光性のアクリル系樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、この樹脂膜を露光・現像によりパターニングすることによりなされる。
【００９８】
同様にして、第１バンク１０５の形成を行う（ステップＳ６）。第１バンク１０５の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて第２バンク１１５を含む基板１００の上方全体を覆うように、第１バンク１０５の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる積層形成する。そして、上記同様に、形成した樹脂膜を露光・現像によりパターニングすることによりなされる。
【００９９】
次に、形成した第１バンク１０５および第２バンク１１５に対して、ＵＶ（紫外線）照射処理およびベーク処理を行う（ステップＳ７）。ＵＶ照射処理は、例えば、１５０〜２００ｓｅｃ．行い、ベーク処理は、例えば、１５０〜２３０℃の温度で１０〜２０ｍｉｎ．行う。
【０１００】
ここで、ＵＶ照射処理を行うことにより、第１バンク１０５および第２バンク１１５における表面部分での接触角は、ともに上昇するが、ベーク処理を行うことで低下する。これは、ＵＶ処理を行うことにより、一度、膜中のフッ素成分が分解して膜表面に染み出してくるためで、この後のベーク処理の実行により余分なフッ素成分が分解することで接触角が低くなると考えられる。
【０１０１】
また、第１バンク１１５における接触角についても、上記のような変化をするが、用いる材料により、もともとの接触角が大きいため、第２バンク１１５との相対的な接触角の関係については制御することができる。
【０１０２】
次に、隣り合う２条の第１バンク１０５で規定された溝部分に対し、ホール輸送層１０６を形成する（ステップＳ８）。ホール輸送層１０６の形成は、例えば、印刷法を用い、ホール輸送層１０６の構成用材料を含むインクを第１バンク１０５間の領域に塗布した後、焼成することでなされる。
【０１０３】
同様に、隣り合う２条の第１バンク１０５で規定された溝部分に対し、有機発光層１０７および電子輸送層１０８を順に積層形成する（ステップＳ９，Ｓ１０）。有機発光層１０７および電子輸送層１０８の形成についても、上記同様に、各構成材料を含むインクを塗布した後、焼成することでなされる。
【０１０４】
次に、電子輸送層１０８および第１バンク１０５の頂面部を被覆するように、カソード１０９および封止層１１０を順に積層形成する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。カソード１０９および封止層１１０の形成は、例えば、スパッタリング法を用いなされる。
【０１０５】
この後、基板１１４にカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２が形成されたなるカラーフィルタ基板を貼り合わせることにより、表示パネル１０が完成する（ステップＳ１３）。
【０１０６】
６．第２バンク１１５における接触角についての考察
第２バンク１１５における接触角について、図７を用い説明する。
【０１０７】
図７（ａ）に示すように、本発明者等は、第２バンク１１５においては、第１バンク１０５との交差部分に近い領域（矢印Ｅ1，Ｅ2で指し示す部分）での接触角が大きくなる傾向にあることを究明した。即ち、第２バンク１１５における第１バンク１０５の裾部分１０５ｂに近い部分での接触角が大きくなり、従来においては、当該部分に未濡れが発生し易かった。
【０１０８】
図７（ｂ）に示すように、第１バンク１０５および第２バンク１１５の形成の後にベーク処理を実行するのであるが（図６のステップＳ７）、当該ステップの実行に際して、第１バンク１０５から第２バンク１１５に向けて一部のフッ素成分が移動することが原因であると考えられる。このため、第２バンク１１５の表面部分１１５ａの内でも、第１バンク１０５の裾部分１０５ｂに近い領域での接触角が大きくなると考えられる。
【０１０９】
本実施の形態では、このような製造過程におけるフッ素成分の移動も考慮し、第２バンク１１５の表面部分１１５ａにおける接触角を図７（ａ）の矢印Ｅ1，Ｅ2で指し示す部分を含む全域で、第１バンク１０５の表面部分１０５ａの接触角よりも低くなるように規定するものである。このような規定により、ホール輸送層１０６および有機発光層１０７の形成時におけるインクの未濡れの発生を抑制することができる。
【０１１０】
言い換えると、第２バンク１１５における表面部分１１５ａの接触角を第１バンク１０５の表面部分１０５ａの接触角よりも低く設定することにより、ホール輸送層１０６および有機発光層１０７の形成時におけるインクのドロップ数を過度に増やさなくても、インクの未濡れの発生を抑制することができる。
【０１１１】
［考察］
１．第２バンク１１５の厚みＨ115についての考察
本実施の形態では、第２バンク１１５を形成した後に第１バンク１０５を塗布形成しているが、第２バンク１１５の面積が小さく、第１バンク１０５の規定膜厚が第２バンク１１５上では他の部分の半分以下となる。このため、第１バンク１０５内のフッ素保持量が第２バンク１１５上で小さくなってしまい、第１バンク１０５の表面部分１０５ａの接触角が所定値よりも低くなる。このように第１バンク１０５の表面部分１０５ａの一部における接触角が小さくなると、当該部分でのインク保持ができず溢れの原因となることが考えられる。
【０１１２】
また、第２バンク１１５の厚みＨ115が厚い（高さが高い）場合には、第２バンク１１５上でインクが濡れきれずに未濡れとなるおそれもある。
【０１１３】
以上のような理由から、本実施の形態では、第２バンク１１５の厚みＨ115を上記のように規定している。
【０１１４】
２．第２バンク１１５の表面部分１１５ａにおける接触角についての考察
本実施の形態では、第２バンク１１５の表面部分１１５ａにおける接触角について、第１バンク１０５の表面部分１０５ａの接触角よりも低く設定している。これは、ＵＶ処理の実行によって濡れ性の向上を図るのであるが、ＵＶ処理およびベーク処理の実行後に接触角を十分に低い状態とすることができないと、インク乾燥の際に第２バンク１１５上でインクが弾かれてしまい、画素間におけるインクの平均化を図ることができないためである。画素間におけるインクの平均化を図ることは、表示ムラを抑制するために重要な事項であって、これより、本実施の形態では第２バンク１１５の表面部分１１５ａにおける接触角について、第１バンク１０５の表面部分１０５ａの接触角よりも低く設定している。
【０１１５】
［その他の事項］
上記実施の形態では、有機発光デバイスの一例として表示パネル１０を適用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、有機ＥＬ照明などに本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
【０１１６】
また、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示パネル１０を採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、パッシブマトリクス型の表示パネルに対して本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
【０１１７】
また、上記実施の形態では、一例として、第２バンク１１５の表面部分１１５ａの接触角を５°以下と規定したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。要するに、第２バンク１１５の表面部分１１５ａの接触角を、第１バンク１０５の表面部分１０５ａの接触角よりも低くしておけば、相対的な関係により、上記効果を得ることができる。
【０１１８】
また、図２などに示すように、上記実施の形態では、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセル１０ａ〜１０ｃの組み合わせを以って１ピクセルを構成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできるし、全体としてハニカム形状とすることもできる。１ピクセルを構成するサブピクセル数については、４つのサブピクセルとすることもできるし、それ以上とすることもできる。その場合には、１ピクセルを構成するサブピクセルが互いに異なる発光色であるとすることもできるし、一部が同色の発光を行うものとすることもできる。
【０１１９】
また、上記実施の形態では、第１バンク１０５と第２バンク１１５とを互いに異なる層として形成することとしたが、同じ材料を用いて連続的に形成し、第２バンクの厚みおよびその表面部分の接触角について、上記範囲で相違する構成とすることもできる。
【０１２０】
また、上記実施の形態では、トップエミッション型の表示パネル１０を一例として採用したが、ボトムエミッション型の表示パネルに対して本発明の構成を採用することとしても、上記同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明は、高い発光性能を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０１２２】
１．有機ＥＬ表示装置
１０．表示パネル
１０ａ〜１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2．サブピクセル
２０．駆動・制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００．基板
１０１．ＴＦＴ層
１０２．絶縁層
１０３．アノード
１０４．ホール注入層
１０５．第１バンク
１０６．ホール輸送層
１０７．有機発光層
１０８．電子輸送層
１０９．カソード
１１０．封止層
１１１．樹脂層
１１２．ブラックマトリクス層
１１３．カラーフィルタ層
１１４．基板
１１５．第２バンク
１１６ａ〜１１６ｃ．サブピクセル形成領域
【図１】
2016006194.tif 000003
【図２】
2016006194.tif 000004
【図３】
2016006194.tif 000005
【図４】
2016006194.tif 000006
【図５】
2016006194.tif 000007
【図６】
2016006194.tif 000008
【図７】
2016006194.tif 000009
【図８】
2016006194.tif 000010
【国際調査報告】
2016006194.tif 000011
2016006194.tif 000012
2016006194.tif 000013
2016006194.tif 000014