(57)【要約】  共振回路（１）は、共振周波数及び反共振周波数を有する共振子（１１）と、共振子（１１）に直列接続された（１２）と、共振子（１１）に並列接続されたインダクタ（１３）と、可変キャパシタ（１４）及びインダクタ（１５）が直列接続された直列回路（１６）とを備えている。直列回路（１６）は、共振子（１１）に対し並列接続されている。可変キャパシタ（１４）の容量値の変更に伴い、共振子（１１）の共振周波数に最も近い反共振周波数が、周波数軸上で共振周波数を挟んで移動する。これにより、送信周波数と受信周波数との周波数軸上の関係が様々な複数の通信バンドに対応可能な共振器及び高周波フィルタを提供する。
2015045794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振周波数及び反共振周波数を有する共振子と、
第１インダクタ及び第１可変キャパシタが直列接続された第１直列回路と、
を備え、
前記第１直列回路は、前記共振子に対し並列接続され、
前記第１可変キャパシタの容量値の変更に伴い、前記共振子の共振周波数に最も近い前記反共振周波数が、周波数軸上で前記共振周波数を挟んで移動する、
共振器。
【請求項２】
前記共振子の共振角周波数ωｒ、前記第１インダクタのインダクタンスＬｉ、前記第１可変キャパシタのキャパシタンスＣｐは、Ｌｉ＞１／（ωｒ２×Ｃｐ）又はＬｉ＜１／（ωｒ２×Ｃｐ）の条件を満たす、
請求項１に記載の共振器。
【請求項３】
前記インダクタンスＬｉは０．２ｎＨ以上である、請求項２に記載の共振器。
【請求項４】
第２インダクタ及び第２可変キャパシタが直列接続された第２直列回路を備え、
前記第２直列回路は、前記共振子と前記第１直列回路との並列回路に対し直列接続されている、
請求項１から３の何れかに記載の共振器。
【請求項５】
請求項１から４の何れかに記載の共振器を備え、
通過帯域及び減衰帯域を有する、高周波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振点及び反共振点を有する共振器、及びそれを備えた高周波フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の通信装置は、様々な周波数帯域での通信を行う。このため、通信装置は、複数の帯域に対応した複数のフィルタを備え、求められる周波数帯域毎に使用するフィルタを切替えている。このフィルタは、例えば、特許文献１に記載されているように、より広帯域に亘って通過特性を可変にできるチューナブルフィルタ（可変フィルタ）が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３０８３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年の通信装置には、通信バンドによっては、送信時の周波数帯域が受信時の周波数帯域より低周波側となるもの、又は送信帯域が受信帯域の高周波側になるものがある。特許文献１に記載のチューナブルフィルタでは、通過特性又は減衰特性を調整できても、通過帯域と減衰帯域との関係を周波数軸上で逆転させることができない。したがって、一つのチューナブルフィルタにおいて、周波数軸上で送信帯域と受信帯域との関係が逆となる複数の通信バンドに用いることができず、それぞれの個別のチューナブルフィルタを設けなければならない。【０００５】
そこで、本発明の目的は、送信周波数と受信周波数との周波数軸上の関係が様々な複数の通信バンドに対応可能な共振器及び高周波フィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る共振器は、共振周波数及び反共振周波数を有する共振子と、第１インダクタ及び第１可変キャパシタが直列接続された第１直列回路と、を備え、前記第１直列回路は、前記共振子に対し並列接続され、前記第１可変キャパシタの容量値の変更に伴い、前記共振子の共振周波数に最も近い前記反共振周波数が、周波数軸上で前記共振周波数を挟んで移動することを特徴とする。【０００７】
この構成では、共振子の反共振周波数が可変となり、第１可変キャパシタのキャパシタンスを変更することで、所望の反共振周波数に調整できる。これにより、本発明に係る共振子を、例えば高周波フィルタに用いた場合、所望の伝送特性を得るために、通過帯域をほとんど変化させることなく減衰帯域を調整したり、減衰帯域をほとんど変化させることなく通過帯域を調整したりすることができる。【０００８】
また、この構成では、第１可変キャパシタの容量値を変更することで、共振周波数に最も近い反共振周波数を、共振周波数を境に、高周波側から低周波側（又はその逆）へと反転させることができる。このため、共振子を、例えば高周波フィルタに用いた場合、通過帯域と減衰帯域との周波数軸上での位置関係を入れ替えることも可能となり、さらに、所望の伝送特性に応じて、減衰帯域特性あるいは通過帯域特性を調整でき、所望の伝送特性を得ることができる。【０００９】
本発明は、前記共振子の共振角周波数ωｒ、前記第１インダクタのインダクタンスＬｉ、前記第１可変キャパシタのキャパシタンスＣｐは、Ｌｉ＞１／（ωｒ２×Ｃｐ）又はＬｉ＜１／（ωｒ２×Ｃｐ）の条件を満たすことが好ましい。【００１０】
この構成によれば、共振子の共振周波数に最も近い反共振周波数が、共振周波数より高周波側又は低周波側となるようにできる。【００１１】
前記インダクタンスＬｉは０．２ｎＨ以上であることが好ましい。【００１２】
この構成では、第１インダクタを、製造上のばらつきが小さい素子にできるため、反共振周波数を精度よく調整できる。【００１３】
本発明は、第２インダクタ及び第２可変キャパシタが直列接続された第２直列回路を備え、前記第２直列回路は、前記共振子と前記第１直列回路との並列回路に対し直列接続されていることが好ましい。【００１４】
この構成では、共振子の共振周波数も可変となり、第２可変キャパシタのキャパシタンスを変更することで、所望の共振周波数に調整できる。これにより、本発明に係る共振子を、例えば高周波フィルタに用いた場合、所望の伝送特性に応じて、通過帯域特性及び減衰帯域特性の両方を調整でき、さらに多様に所望の伝送特性を得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、簡素な構成で、反共振周波数に調整できる共振器を実現でき、この共振器を、例えば高周波フィルタに用いた場合、所望の伝送特性を得るために、減衰帯域特性あるいは通過帯域特性を調整でき、多様なフィルタ特性を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態１に係る共振回路の回路図
【図２】共振回路の反共振点が共振点より高周波側となる場合の、共振回路のインピーダンス特性を示す図
【図３】共振回路の反共振点が共振点より低周波側となる場合の、共振回路のインピーダンス特性を示す図
【図４】実施形態１に係る共振回路の別の例の回路図
【図５】共振子にインダクタを接続した場合の、共振点及び反共振点を説明するための図
【図６】実施形態２に係る共振回路の回路図
【図７】共振子に可変キャパシタとインダクタとを直列接続した回路のインピーダンス特性を示す図
【図８】実施形態２に係る共振回路とは異なる構成の共振回路の回路図
【図９】実施形態２に係る共振回路とは異なる構成の共振回路の回路図
【図１０】実施形態２に係る共振回路とは異なる構成の共振回路の回路図
【図１１】実施形態３に係る高周波フィルタの回路図
【図１２】実施形態４に係る高周波フィルタの回路図
【図１３】高周波フィルタの通過帯域特性
【図１４】高周波フィルタの通過帯域特性
【図１５】高周波フィルタの通過帯域特性
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る共振回路１の回路図である。この共振回路１は、本発明に係る共振器に相当する。
【００１８】
共振回路１は共振子１１を備えている。共振子１１は、共振点（共振周波数）及び反共振点（反共振周波数）を有する素子である。具体的には、共振子１１は圧電共振子であり、例えばＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスである。そして、本実施形態に係る共振子１１は、中心周波数が８００ＭＨｚ、特性インピーダンスが５０Ωである。ＳＡＷデバイスは、圧電体の薄膜に、ＡｌまたはＡｌ合金薄膜で櫛型パターンが形成されて構成され、特定の周波数帯域の電気信号を取り出す。なお、共振子１１は、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）デバイスであってもよい。
【００１９】
共振回路１は、可変キャパシタ１４とインダクタ１５とが直列接続された直列回路１６を備えている。この直列回路１６は、入出力端子ＩＯ１，ＩＯ２に接続されている。すなわち、直列回路１６は、共振子１１に対して並列接続されている。
【００２０】
なお、可変キャパシタ１４としては、例えば、バリキャップダイオード、ＭＥＭＳデバイス、ＢＳＴ（バリウム・ストロンチウム・チタン酸塩）デバイスなどが挙げられる。
【００２１】
共振子１１に対し、直列回路１６を並列接続することで、共振子１１の反共振点を調整することができる。具体的には、可変キャパシタ１４のキャパシタンスをＣｐ、インダクタ１５のインダクタンスをＬｐで表した場合、共振回路１は、キャパシタンスＣｐと、インダクタンスＬｐとの組み合わせに応じて、反共振点を共振点より高周波側、又は低周波側に設けることができる。
【００２２】
なお、共振回路１は、複数の反共振点を有しているが、本実施形態で言う反共振点は、共振子１１の共振周波数に最も近い反共振点を言う。
【００２３】
ここで、共振回路１の共振点における角周波数をωｒで表すと、インダクタ１５と可変キャパシタ１４の直列共振回路の共振周波数におけるＬｐは、Ｌｐ＝１／（ωｒ２×Ｃｐ）である。そして、Ｌｐ＜１／（ωｒ２×Ｃｐ）…（式１）の条件を満たす場合、共振回路１の反共振周波数は、共振周波数より高周波側となる。Ｌｐ＞１／（ωｒ２×Ｃｐ）…（式２）の条件を満たす場合、共振回路１の反共振周波数は、共振周波数より低周波側となる。
【００２４】
図２は、共振回路１の反共振点が共振点より高周波側となる場合の、共振回路１のインピーダンス特性を示す図である。図２の縦軸は、共振回路１のインピーダンス値、横軸は、共振回路１の信号周波数［ＭＨｚ］である。共振回路１は、共振周波数が約１９２０ＭＨｚである。Ｃｐ＝０．５ｐＦとした場合、Ｌｐ＝１／（ωｒ２×Ｃｐ）≒１３．６ｎＨである。したがって、Ｌｐ＜１３．６ｎＨを満たすインダクタ１５を選択すれば、共振回路１の反共振点が共振点より高周波側となる。
【００２５】
図２では、Ｃｐ＝０．５ｐＦと固定したときにＬｐの値を変化させた場合の共振回路１のインピーダンス特性の変化の一例を示す。実線がＬｐ＝３．０ｎＨのとき、破線がＬｐ＝１．７ｎＨのとき、点線がＬｐ＝０．７ｎＨのとき、一点鎖線がＬｐ＝０ｎＨのときの特性をそれぞれ示す。このように、各インダクタ１５のインダクタンスＬｐは、Ｌｐ＜１３．６ｎＨを満たしているため、図３では、共振回路１の反共振点が共振点より高周波側となる。そして、インダクタ１５のインダクタンスを固定し、式１の関係を保持するように可変キャパシタ１４のキャパシタンスを変化させることで、反共振点の周波数を可変させることができる。例えば、共振回路１において、Ｌｐ＝３．０ｎＨに固定した状態でキャパシタンスＣｐを式１の関係を保持するように変化させることで、反共振点を共振点より高周波側で適宜調整できる。
【００２６】
図３は、共振回路１の反共振点が共振点より低周波側となる場合の、共振回路１のインピーダンス特性を示す図である。図３の縦軸は、共振回路１のインピーダンス値、横軸は、共振回路１の信号周波数［ＭＨｚ］である。Ｃｐ＝４．０ｐＦとした場合、Ｌｐ＝１／（ωｒ２×Ｃｐ）≒１．７２ｎＨである。したがって、Ｌｐ＞１．７２ｎＨを満たすインダクタ１５を選択すれば、共振回路１の反共振点が共振点より低周波側となる。
【００２７】
図３では、Ｃｐ＝４．０ｐＦと固定したときにＬｐの値を変化させた場合の共振回路１のインピーダンス特性の変化の一例を示す。実線がＬｐ＝３．０ｎＨのとき、破線がＬｐ＝１．７ｎＨのとき、点線がＬｐ＝０．７ｎＨのとき、一点鎖線がＬｐ＝０ｎＨのときの特性をそれぞれ示す。図３では、Ｌｐ＝３．０ｎＨのみが、Ｌｐ＞１．７２ｎＨを満たしている。したがって、実線で示す特性のみが、共振回路１の反共振点が共振点より低周波側にある。そして、インダクタ１５のインダクタンスを固定し、式２の関係を保持するように可変キャパシタ１４のキャパシタンスを変化させることで、反共振点の周波数を可変させることができる。
【００２８】
図２、図３により、Ｌｐ＝３．０ｎＨと固定したとしても、キャパシタンスＣｐを調整すれば、式１、式２の何れかを満たすことができることが理解できる。したがって、キャパシタンスＣｐを変化させることで、送信帯域と受信帯域との周波数軸上の位置を変えることができ、より多様な特性に対応できる。
【００２９】
以上のように、本実施形態に係る共振回路１では、Ｌｐ＜１／（ωｒ２×Ｃｐ）、又は、Ｌｐ＞１／（ωｒ２×Ｃｐ）の条件を満たすように、可変キャパシタ１４とインダクタ１５とを選択することで、反共振点を、共振点の高周波側、又は低周波側に設けることができる。これにより、共振回路１を備えた高周波フィルタを構成する場合、通過帯域と減衰帯域の周波数の関係が逆転できる高周波フィルタを同時に実現できる。
【００３０】
図１に示す共振回路１において、共振子１１の共振点と反共振点との間隔（比帯域幅）が狭い場合には、共振子１１にインダクタを接続することで、共振子１１の比帯域幅を広げることができる。
【００３１】
図４は、実施形態１に係る共振回路の別の例の回路図である。図４に示す共振回路１Ａは、共振子１１にインダクタ１２を直列接続している。また、この共振子１１には、インダクタ１３を並列に接続している。インダクタ１２，１３はそれぞれ、共振子１１の共振点及び反共振点をシフトさせるための素子であり、いわゆる伸張コイルである。
【００３２】
図５は、共振子１１にインダクタ１２，１３を接続した場合の、共振点及び反共振点の動きを説明するための図である。図５の上側の図は、共振子１１にインダクタ１３を並列接続した回路のアドミタンス特性を示す。図５の下側の図は、共振子１１とインダクタ１３との並列回路に、インダクタ１２を直列接続した回路のインピーダンス特性を示している。
【００３３】
図５のアドミタンス特性を示す図において、縦軸がアドミタンス値［Ｓ］であり、横軸が信号周波数［ＧＨｚ］である。また、実線は、共振子１１とインダクタ１３との並列回路の特性、破線は共振子１１のみの特性、一点鎖線はインダクタ１３のみの特性をそれぞれ示している。この図において、共振子１１とインダクタ１３との並列回路の反共振点（破線におけるアドミタンス値が０のときの周波数）は、図中の矢印に示すように、共振子１１の反共振点から高周波側へシフトしている。すなわち、共振子１１にインダクタ１３を並列接続することで、共振子１１の反共振点は高周波側へシフトする。
【００３４】
図５のインピーダンス特性を示す図において、縦軸がインピーダンス値［Ω］であり、横軸が信号周波数［ＧＨｚ］である。また、実線は、共振子１１とインダクタ１３との並列回路にインダクタ１２を直列接続した直列回路の特性、破線は、共振子１１とインダクタ１３の並列回路の特性、一点鎖線はインダクタ１２のみの特性をそれぞれ示している。この図において、共振子１１及びインダクタ１２，１３の回路の共振点（破線におけるインピーダンス値が０のときの周波数）は、図中の矢印に示すように、共振子１１とインダクタ１３との並列回路の共振点から低周波側へシフトしている。すなわち、共振子１１インダクタ１３との並列回路にインダクタ１２を直列接続することで、共振子１１の共振点は低周波側へシフトする。
【００３５】
このように、共振子１１にインダクタ１２，１３を直列・並列に接続することで、共振子１１の共振点及び反共振点をシフトでき、共振点及び反共振点の間隔を広げることができる。これにより、図１の共振回路１のように、可変キャパシタのキャパシタンスを変更させて反共振点を調整する際に、反共振点の可変幅を広げることができる。
【００３６】
なお、上記式のＬｐ＝１／（ωｒ２×Ｃｐ）から、可変キャパシタのキャパシタンスＣｐの値を大きくすると、インダクタ１５のインダクタンスＬｐは比較的小さい値となるため、低温焼結型積層セラミック基板、樹脂基板の引廻し配線、又は、ＳＡＷフィルタ若しくは圧電薄膜共振器フィルタなどの圧電共振子を形成するチップ上での引廻し配線で、インダクタ１５を形成することで、小さなインダクタ１５を高精度に形成できる。このインダクタ１５は、０ｎＨ付近で精度よく形成するのは難しく、一般に０．２ｎＨ以上、更には１．０ｎＨ以上とすると製造上のバラツキが小さくなり、望ましい。
【００３７】
（実施形態２）
以下に、実施形態２に係る共振回路について説明する。実施形態２に係る共振回路は、共振点及び反共振点の両方を調整できる点で、実施形態１と相違する。
【００３８】
図６は、実施形態２に係る共振回路の回路図である。共振回路２は、実施形態１に係る共振回路１Ａに、可変キャパシタ１７とインダクタ１８とが直列接続されてなる直列回路１９がさらに接続された構成である。共振子１１に可変キャパシタ１７とインダクタ１８とを直列接続することで、共振子１１の共振点を調整できる。
【００３９】
図７は、共振子１１に可変キャパシタ１７とインダクタ１８とを直列接続した回路のインピーダンス特性を示す図である。なお、図７のインピーダンス特性は、可変キャパシタ１４、インダクタ１２，１３、１５の素子値を０としている。可変キャパシタ１７のキャパシタンスをＣｓ、インダクタ１８のインダクタンスをＬｓで表すと、図７の実線は、Ｃｓ＝４．０ｐＦ、Ｌｓ＝１．０ｎＨ、破線は、Ｃｓ＝４．０ｐＦ、Ｌｓ＝０ｎＨ、一点鎖線は、Ｃｓ＝０．５ｐＦ、Ｌｓ＝１ｎＨの特性をそれぞれ示す。図７の矢印に示すように、共振子１１に可変キャパシタ１７とインダクタ１８とを直列接続することで、共振周波数は可変となる。
【００４０】
以上のように、本実施形態に係る共振回路２は、実施形態１に係る共振回路１Ａに、可変キャパシタ１７とインダクタ１８とをさらに直列接続することで、反共振点だけでなく、共振点も調整できる。これにより、共振回路２を備えた高周波フィルタを構成する場合、その高周波フィルタの通過特性及び減衰帯域の両方を調整できるため、一つの共振回路２で、複数の所望の伝送特性を得ることができる高周波フィルタを実現できる。これにより、さらに多様な特性に対応できる。
【００４１】
以下に、実施形態２に係る共振回路２の変形例について説明する。図８、図９及び図１０は、実施形態２に係る共振回路２とは異なる構成の共振回路の回路図である。
【００４２】
図８に示す共振回路２Ａは、共振子１１に対し、インダクタ１３と、直列回路１６とがそれぞれ並列接続された並列回路２０を備えている。さらに、並列回路２０には直列回路１９が直列接続されている。この共振回路２Ａを、図６に示す共振回路２と比較すると、インダクタ１２が共振子１１に直列接続されていない。これにより、共振回路２Ａでは、共振子１１の反共振点のインピーダンスの劣化を抑えつつ、反共振周波数をシフトすることができる。なお、直列回路１６により、共振回路２Ａの反共振点が調整され、直列回路１９により、共振回路２Ａの共振点が調整される。
【００４３】
図９に示す共振回路２Ｂは、直列接続された共振子１１及びインダクタ１２に対し、インダクタ１３と、直列回路１６とが並列に接続された並列回路２１を備えている。さらに、並列回路２１には、直列回路１９が直列接続されている。この共振回路２Ｂでは、共振子１１に直列接続されたインダクタ１２により、共振子１１の共振点を低周波側へシフトでき、また、インダクタ１３により、共振子１１の反共振点を高周波側へシフトできる。この場合、図４に示す共振回路１Ａと比べて共振点のシフト量は大きい。また、可変キャパシタ１４及びインダクタ１５により、共振回路２Ｂの反共振点を調整でき、可変キャパシタ１７及びインダクタ１８により、共振回路２Ｂの共振点を調整できる。
【００４４】
図１０に示す共振回路２Ｃは、共振子１１に直列回路１９が直列接続されている。そして、直列接続された共振子１１及び直列回路１９に、インダクタ１３と、直列回路１６とが並列接続されている。この共振回路２Ｃでは、直列回路１９により、共振点が調整され、インダクタ１３により反共振点が高周波側へシフトされ、直列回路１６により反共振点が調整される。
【００４５】
図８〜図１０に示す何れの共振回路であっても、共振回路の共振点及び反共振点を調整でき、これら何れかの共振回路を備えた高周波フィルタを構成する場合、その高周波フィルタの通過特性及び減衰帯域の両方を調整できるため、一つの共振回路で、複数の所望の伝送特性を得ることができる高周波フィルタを実現できる。
【００４６】
（実施形態３）
図１１は、実施形態３に係る高周波フィルタの回路図である。本実施形態に係る高周波フィルタ３は、入出力端子ＩＯ１，ＩＯ２との間の信号ラインに接続された共振回路３０と、一端が信号ラインに接続され、他端がグランドに接続された共振回路４０とを備えている。共振回路３０，４０は、実施形態２に係る共振回路２と同じ構成である。すなわち、共振子３１（４１）には、インダクタ３３（４３）が並列接続されている。また、共振子３１（４１）には、インダクタ３２（４２）、可変キャパシタ３６（４６）及びインダクタ３７（４７）が直列接続されている。直列接続された共振子３１（４１）及びインダクタ３２（４２）には、直列接続された可変キャパシタ３４（４４）及びインダクタ３５（４５）が並列に接続されている。
【００４７】
この高周波フィルタ３において、共振回路３０，４０は、それぞれ異なる共振周波数及び反共振周波数を有している。これにより、高周波フィルタ３は、特定の周波数帯域を通過帯域とするバンドパスフィルタとして作用する。また、共振回路３０，４０の可変キャパシタ３４，３６，４４，４６のキャパシタンスが調整されることで、損失をほぼ変えずに、高周波フィルタ３の通過帯域をシフトさせることができる。すなわち、挿入損失が低い、帯域可変のバンドパスフィルタを実現できる。
【００４８】
なお、高周波フィルタを構成するために組み合わせる共振回路は、実施形態１に係る共振回路１と同様の構成であってもよい。
【００４９】
（実施形態４）
図１２は、実施形態４に係る高周波フィルタの回路図である。高周波フィルタ４は、実施形態２に係る共振回路２を備えている。また、高周波フィルタ４は、入出力端子ＩＯ１，ＩＯ２とグランドとの間にそれぞれ接続された整合用のキャパシタ５１，５２と、共振回路２の入出力にそれぞれ接続されたキャパシタ５３，５４及び当該キャパシタ５３，５４とグランドの間に接続されたインダクタ５５とを備えている。
【００５０】
図１３、図１４及び図１５は、高周波フィルタ４の通過帯域特性を示す図である。図１３、図１４及び図１５は、横軸を周波数軸［ＭＨｚ］とし、縦軸を挿入損失Ｓ２１［ｄＢ］としている。以下では、図１１におけるキャパシタ５１，５２のキャパシタンスを０．８ｐＦ、キャパシタ５３，５４のキャパシタンスを０．９ｐＦ、インダクタ５５のインダクタンスを５．１ｎＨ、インダクタ１２，１３のインダクタンスを０、インダクタ１５，１８のインダクタンスを４．０ｎＨとする。
【００５１】
図１３は、可変キャパシタ１４，１７のキャパシタンスを、０．５ｐＦ，１．４ｐＦとした場合の通過帯域特性を示す。この場合、高周波フィルタ４の通過帯域は約１８００ＭＨｚ以下周波数帯域に位置し、１８００ＭＨｚ以上の周波数帯域が減衰帯域となる。図１４は、可変キャパシタ１４，１７のキャパシタンスを、１．０ｐＦ，２．２ｐＦとした場合の通過帯域特性を示す。この場合、高周波フィルタ４の通過帯域は約１８５０ＭＨｚ以上の周波数帯域に位置し、１８５０ＭＨｚ以下の周波数帯域が減衰帯域となる。図１５は、可変キャパシタ１４，１７のキャパシタンスを、４．０ｐＦ，４．０ｐＦとした場合の通過帯域特性を示す。この場合、高周波フィルタの通過帯域は約１５５０ＭＨｚ以下の周波数帯域に位置し、１５５０ＭＨｚ以上の周波数帯域が減衰帯域となる。
【００５２】
図１３〜図１５から読み取れるように、同じ構成の高周波フィルタであっても、可変キャパシタ１４，１７のキャパシタンスを変更することで、通過帯域及び減衰帯域を変更することができ、単一の回路構成で通過帯域と減衰帯域との周波数を変化させ、通過帯域の広域側に減衰極を設定し、又は、通過帯域の低域側に減衰極をせっていすることができる。これにより、多様なフィルタ特性を単一の回路構成で実現できる。
【符号の説明】
【００５３】
ＩＯ１，ＩＯ２…入出力端子
１，１Ａ，２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…共振回路
３，４…高周波フィルタ
１１…共振子
１２，１３…インダクタ
１４…可変キャパシタ（第１可変キャパシタ）
１５…インダクタ（第１インダクタ）
１６…直列回路（第１直列回路）
１７…可変キャパシタ（第２可変キャパシタ）
１８…インダクタ（第２インダクタ）
１９…直列回路（第２直列回路）
２０…並列回路
２１…並列回路
３０，４０…共振回路
３１，４１…共振子
３２，３３，３７…インダクタ
３４，３６，４４，４６…可変キャパシタ
３５…インダクタ
３６…可変キャパシタ
５１，５２，５３，５４…キャパシタ
【図１】
2015045794.tif 000003
【図２】
2015045794.tif 000004
【図３】
2015045794.tif 000005
【図４】
2015045794.tif 000006
【図５】
2015045794.tif 000007
【図６】
2015045794.tif 000008
【図７】
2015045794.tif 000009
【図８】
2015045794.tif 000010
【図９】
2015045794.tif 000011
【図１０】
2015045794.tif 000012
【図１１】
2015045794.tif 000013
【図１２】
2015045794.tif 000014
【図１３】
2015045794.tif 000015
【図１４】
2015045794.tif 000016
【図１５】
2015045794.tif 000017
【国際調査報告】
2015045794.tif 000018
2015045794.tif 000019
2015045794.tif 000020
2015045794.tif 000021