(57)【要約】  高周波信号が複数の第１フィルタ素子を伝搬する主伝搬経路とは別に、第１インダクタと整合素子との間に生じる誘導性結合又は容量性結合の経路、又は、第１インダクタと第２インダクタとの間に生じる誘導性結合の経路を介する副伝搬経路が形成される。副伝搬経路は、誘導性結合又は容量性結合の結合度によって主伝搬経路とは異なる振幅特性及び位相特性となり、副伝搬経路の振幅特性及び位相特性を調整することで、高周波モジュールとしての伝送特性を調整することができる。これにより、別途インダクタやキャパシタを設けなくても、高周波モジュールの伝送特性を調整し、例えば減衰特性を改善できる。
2015104882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１外部接続端子と、
第２外部接続端子と、
前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第１外部接続端子又は前記第２外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合素子と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記フィルタ部は、
前記第１外部接続端子に接続する第１接続端子と、
前記第２外部接続端子に接続する第２接続端子と、
前記第１接続端子と前記第２接続端子との間に、直列接続された複数の第１フィルタ素子と、
を備え、
前記第１接続端子又は前記第２接続端子を介して前記整合素子に接続される第１フィルタ素子以外の第１フィルタ素子に並列接続される第１インダクタを備え、
前記第１インダクタと前記整合素子とが誘導性結合又は容量性結合されている、高周波モジュール。
【請求項２】
第１外部接続端子と、
第２外部接続端子と、
前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第１外部接続端子又は前記第２外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合素子と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記フィルタ部は、
前記第１外部接続端子に接続する第１接続端子と、
前記第２外部接続端子に接続する第２接続端子と、
グランドに接続される第３接続端子と、
前記第１接続端子と前記第２接続端子との間に、直列接続された複数の第１フィルタ素子と、
前記第１接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ライン、前記第２接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ライン、又は互いに隣り合う前記第１フィルタ素子を接続する接続ライン、に一方端が接続され、他方端が第３接続端子に接続される第２フィルタ素子と、
を備え、
前記第１フィルタ素子に並列接続される第１インダクタと、
前記第３接続端子とグランドとの間に接続される第２インダクタと、
を備え、
前記第１インダクタと前記第２インダクタとが誘導性結合されている、高周波モジュール。
【請求項３】
前記フィルタ部は、
第４接続端子と、
第５接続端子と、
を備え、
前記第１インダクタは、前記第４接続端子及び前記第５接続端子を介して、前記第１フィルタ素子と並列接続される、
請求項１又は請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１インダクタによる誘導性結合又は容量性結合は、前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスを変化させる、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記第１インダクタによる誘導性結合又は容量性結合は、前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数を変化させる、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記整合素子は、前記第１外部接続端子と前記第１接続端子との間に直列接続されるか、又は、前記第２外部接続端子と前記第２接続端子との間に直列接続される、シリーズ接続型の整合素子である、
請求項１又は請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記整合素子は、前記第１外部接続端子と前記第１接続端子とを接続する接続ラインとグラントとの間に接続されるか、又は、前記第２外部接続端子と前記第２接続端子とを接続する接続ラインとグランドの間に接続される、シャント接続型の整合素子である、
請求項１又は請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記第２フィルタ素子の一方端が接続される接続ラインと異なる接続ラインに一方端が接続され、他方端が前記第３接続端子に接続される第３フィルタ素子、
を備える請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記フィルタ部は、第６接続端子と、第２フィルタ部を備え、
前記第２フィルタ部は、前記第６接続端子と前記第１接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ラインとの間、又は、前記第６接続端子と前記第２接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ラインとの間、に接続される、
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、
前記第１主面から突出し、前記カバー層を貫通する形状の接続電極と、
前記第１インダクタが実装又は形成された積層基板と、を備え、
前記フィルタ基板は、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置され、
前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続されている、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１１】
前記整合素子は、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子で構成され、
前記第１インダクタは、前記積層基板の実装面又は内部に、実装又は形成され、
前記実装型回路素子と前記第１インダクタとは近接して配置されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
前記整合素子は、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子で構成され、
前記第１インダクタは前記カバー層の内部に形成され、
前記実装型回路素子と前記第１インダクタとは近接して配置されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
前記整合素子は、
直方体形状の筐体と、
該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、
を備え、
前記整合素子は、前記筐体の長辺が前記第１インダクタに近接するように、配置されている、
請求項１１又は請求項１２に記載の高周波モジュール。
【請求項１４】
前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第１主面側に配置され、該フィルタ基板の前記第１主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備え、
前記整合素子は、前記フィルタ実装用基板の実装面に実装又は形成されている、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１５】
前記整合素子は、アンテナに並列接続される整合用インダクタであり、
前記整合用インダクタ及び前記第１インダクタは、互いに近接するように前記積層基板の内部に形成される、請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１６】
前記整合用インダクタと前記第１インダクタとは、前記積層基板の互いに異なる層にそれぞれ形成される線状電極であり、
前記整合用インダクタを構成する線状電極は、前記積層基板の積層方向から視て、前記第１インダクタを構成する線状電極と重なる部分を有し、
前記整合用インダクタを構成する線状電極と、前記第１インダクタを構成する線状電極とは、前記重なる部分において、高周波信号の伝搬方向が逆となる、請求項１５に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のフィルタ素子を備えた高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機能を備える携帯機器等では、所望周波数の高周波信号のみを通過し、当該所望周波数以外の高周波信号を減衰させるために、フィルタ回路を備えている。【０００３】
例えば、特許文献１には、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波）を複数備えたフィルタ回路が記載されている。具体的に、特許文献１のフィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に、複数のＳＡＷフィルタが直列接続されている。直列接続された各ＳＡＷフィルタを接続する接続ラインとグランドとの間にも、それぞれＳＡＷフィルタが接続されている。【０００４】
特許文献１に記載のフィルタ回路は、通過帯域外の減衰特性を改善するために、インダクタ又はインダクタとキャパシタの直列回路（補正回路と称する）を、ＳＡＷフィルタの直列回路に対して並列接続している。この際、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部を伝搬する通過帯域外の高周波信号（抑圧対象信号）と、補正回路を伝搬する抑圧対象信号が、振幅が一致し位相が逆転するように、補正回路を調整する。これにより、抑圧対象信号は、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部と補正回路との接続点で相殺され、出力端子からは出力されない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１０９８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の構成では、主たるフィルタ機能を有するＳＡＷフィルタ群からなる回路部とは別に、減衰特性を改善するためだけに、インダクタ又はインダクタとキャパシタの直列回路からなる補正回路を設けなければならない。【０００７】
したがって、フィルタ回路の構成要素が多くなり、フィルタ回路が大型化してしまい、小型化が要求される現在の携帯端末等には不向きである。【０００８】
本発明の目的は、通過帯域外の減衰特性が優れた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、第１外部接続端子と、第２外部接続端子と、前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、前記第１外部接続端子又は前記第２外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合素子と、を備えた高周波モジュールに関するものであり、次の特徴を有する。【００１０】
前記フィルタ部は、前記第１外部接続端子に接続する第１接続端子と、前記第２外部接続端子に接続する第２接続端子と、前記第１接続端子と前記第２接続端子との間に、直列接続された複数の第１フィルタ素子と、を備え、前記第１接続端子又は前記第２接続端子を介して前記整合素子に接続される第１フィルタ素子以外の第１フィルタ素子に並列接続される第１インダクタを備え、前記第１インダクタと前記整合素子とが誘導性結合又は容量性結合されている。【００１１】
この構成では、高周波信号が複数の第１フィルタ素子を伝搬する主伝搬経路とは別に、第１インダクタと整合素子との間に生じる誘導性結合又は容量性結合の経路を介する副伝搬経路が形成される。副伝搬経路は、誘導性結合又は容量性結合の結合度によって主伝搬経路とは異なる振幅特性及び位相特性となり、副伝搬経路の振幅特性及び位相特性を調整することで、高周波モジュールとしての伝送特性を調整することができる。これにより、別途インダクタやキャパシタを設けなくても、高周波モジュールの伝送特性を調整し、例えば減衰特性を改善できる。【００１２】
また、本発明の副伝搬経路は、以下のように高周波モジュールを構成しても形成される。前記フィルタ部は、前記第１外部接続端子に接続する第１接続端子と、前記第２外部接続端子に接続する第２接続端子と、グランドに接続される第３接続端子と、前記第１接続端子と前記第２接続端子との間に、直列接続された複数の第１フィルタ素子と、前記第１接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ライン、前記第２接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ライン、又は互いに隣り合う前記第１フィルタ素子を接続する接続ライン、に一方端が接続され、他方端が第３接続端子に接続される第２フィルタ素子と、を備える。【００１３】
そして、高周波モジュールは、前記第１フィルタ素子に並列接続される第１インダクタと、前記第３接続端子とグランドとの間に接続される第２インダクタと、を備え、前記第１インダクタと前記第２インダクタとが誘導性結合されている。【００１４】
このような高周波モジュールの構成であっても、第１インダクタと第２インダクタとの間で生じる誘導性結合により、副伝搬経路が形成される。【００１５】
また、前記フィルタ部は、第４接続端子と、第５接続端子と、を備え、前記第１インダクタは、前記第４接続端子及び前記第５接続端子を介して、前記第１フィルタ素子と並列接続されてもよい。【００１６】
第４接続端子及び第５接続端子を介してフィルタ部の外部に第１インダクタを配置することにより、第１インダクタの配置及び形成が簡単になり、副伝搬経路の特性を調整しやすくなる。【００１７】
また、前記第１インダクタによる誘導性結合又は前記容量性結合は、前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスを変化させてもよい。【００１８】
この構成に示すように、結合態様や結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、通過帯以外の特性すなわち減衰特性を変化させることができる。【００１９】
また、前記第１インダクタによる誘導性結合又は前記容量性結合は、前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数を変化させてもよい。【００２０】
この構成では、減衰特性の調整態様として、減衰極の周波数が調整される。【００２１】
また、整合素子は、以下のように構成してもよい。前記整合素子は、前記第１外部接続端子と前記第１接続端子との間に直列接続されるか、又は、前記第２外部接続端子と前記第２接続端子との間に直列接続される。前記整合素子は、前記第１外部接続端子と前記第１接続端子とを接続する接続ラインとグラントとの間に接続されるか、又は、前記第２外部接続端子と前記第２接続端子とを接続する接続ラインとグランドの間に接続される、シャント接続型の整合素子である。【００２２】
これらの構成では、整合素子の具体的な接続態様を示している。これらの接続態様を適宜決定することで、フィルタ部と外部とのインピーダンス整合を適切に行いながら、上述の減衰特性の調整も適切に行える。【００２３】
また、高周波モジュールは、前記第２フィルタ素子の一方端が接続される接続ラインと異なる接続ラインに一方端が接続され、他方端が前記第３接続端子に接続される第３フィルタ素子を備えてもよい。【００２４】
これにより、第２インダクタは、一方端がグランドに接続され、他方端が第２フィルタ素子及び第３フィルタ素子に接続される。【００２５】
また、高周波モジュールは、次の構成であってもよい。前記フィルタ部は、第６接続端子と、第２フィルタ部を備え、前記第２フィルタ部は、前記第６接続端子と前記第１接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ラインとの間、又は、前記第６接続端子と前記第２接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ラインとの間、に接続される。【００２６】
この構成では、第１接続端子を共通端子とし、第２接続端子及び第６接続端子を個別端子とする合成分波器（デュプレクサ等）を実現できる。【００２７】
また、高周波モジュールは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、該フィルタ基板の前記第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、前記第１主面から突出し、前記カバー層を貫通する形状の接続電極と、前記第１インダクタが実装または形成された積層基板と、を備え、前記フィルタ基板は、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置され、前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続されている。【００２８】
この構成では、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）からなるフィルタ部と積層基板とで高周波モジュールを実現できる。これにより、高周波モジュールを小型化できる。【００２９】
また、高周波モジュールは、次の構成であってもよい。前記整合素子は、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子で構成され、前記第１インダクタは、前記積層基板の実装面または内部に、実装又は形成され、前記実装型回路素子と前記第１インダクタとは近接して配置されている。【００３０】
また、高周波モジュールの整合素子は、次の構成であってもよい。前記整合素子は、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子で構成され、前記第１インダクタは前記カバー層の内部に形成され、前記実装型回路素子と前記第１インダクタとは近接して配置されている。【００３１】
これらの構成では、整合素子が実装型回路素子の場合におけるＷＬＰを用いた高周波モジュールの具体的な構成例を示している。また、インダクタの具体的な構成例を示している。この構成により、整合素子とインダクタとの結合を確実に実現できる。【００３２】
また、高周波モジュールは、次の構成であることが好ましい。前記整合素子は、直方体形状の筐体と、該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、を備え、前記整合素子は、前記筐体の長辺が前記第１インダクタに近接するように、配置されている。【００３３】
この構成では、整合素子とインダクタとの結合を得やすく、所望とする結合量への調整も容易になる。【００３４】
また、高周波モジュールは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、該フィルタ基板の前記第１主面側に配置され、該フィルタ基板の前記第１主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備え、前記整合素子は、前記フィルタ実装用基板の実装面に実装又は形成されている。【００３５】
この構成では、高周波モジュールをＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）で実現する場合を示している。【００３６】
また、高周波モジュールは、次の構成であってもよい。前記整合素子は、アンテナに並列接続される整合用インダクタであり、前記整合用インダクタ及び前記第１インダクタは、互いに近接するように前記積層基板の内部に形成される。【００３７】
この構成では、アンテナに並列接続される整合用インダクタと第１インダクタとは、近接しているため、より高い誘導性結合が生じる。【００３８】
また、整合用インダクタ及び第１インダクタは、次の構成であってもよい。前記整合用インダクタと前記第１インダクタとは、前記積層基板の互いに異なる層にそれぞれ形成される線状電極であり、前記整合用インダクタを構成する線状電極は、前記積層基板の積層方向から視て、前記第１インダクタを構成する線状電極と重なる部分を有し、前記整合用インダクタを構成する線状電極と、前記第１インダクタを構成する線状電極とは、前記重なる部分において、高周波信号の伝搬方向が逆となる。【００３９】
このような構成で整合用インダクタと第１インダクタとを誘導性結合させると、互いのインダクタの実効的なインダクタンス値は高くなる。これにより、互いのインダクタの線状電極の長さを短くすることができ、高周波モジュールの小型化が実現できる。
【発明の効果】
【００４０】
この発明によれば、優れた通過帯域外の減衰特性を備えた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。
【図３】本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。
【図５】本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第５回路例を示す回路ブロック図である。
【図６】図１から図５に示す高周波モジュールの整合素子の具体例を示す回路図である。
【図７】整合素子とインダクタとの誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。
【図８】デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。
【図９】整合回路とインダクタとの誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子と第３外部接続端子との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。
【図１０】高周波モジュールの第１構造の主要構造を示す側面概念図である。
【図１１】高周波モジュールの第１構造における変形例の主要構造を示す側面概念図である。
【図１２】高周波モジュールの第２構造の主要構造を示す平面概念図である。
【図１３】高周波モジュールの第３構造の主要構造を示す側面概念図である。
【図１４】高周波モジュールの第４構造の主要構造を示す側面概念図である。
【図１５】高周波モジュールの第４構造の主要構造を示す側面概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本発明の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。図２は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。図３は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。図４は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。図５は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第５回路例を示す回路ブロック図である。なお、図１〜図５では、図を視認し易くするため、誘導性結合又は容量性結合の代表例を示している。図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）、図６（Ｄ）は第１外部接続端子側の整合回路の具体例を示す回路図である。図６（Ｅ）、図６（Ｆ）、図６（Ｇ）、図６（Ｈ）は第２外部接続端子側の整合回路の具体例を示す回路図である。
【００４３】
まず、図１から図５にそれぞれ示す高周波モジュール１１，１２，１３，１４，１５に対して共通な回路構成について説明する。
【００４４】
高周波モジュール１１，１２，１３，１４，１５は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、フィルタ部２０を備える。フィルタ部２０は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。
【００４５】
フィルタ部２０は、第１接続端子Ｐ２１、第２接続端子Ｐ２２、第３接続端子Ｐ２３１，Ｐ２３２，Ｐ２４を備える。第１接続端子Ｐ２１は、後述するシリーズ接続型の整合素子又はシャント接続型の整合素子を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続される。第２接続端子Ｐ２２は、後述するシリーズ接続型の整合素子又はシャント接続型の整合素子を介して第２外部接続端子Ｐ２に接続される。
【００４６】
第３接続端子Ｐ２３１は、インダクタ５０を介して、グランドに接続されている。第３接続端子Ｐ２３２は、インダクタ５１を介して、グランドに接続されている。第３接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介して、グランドに接続されている。第３接続端子Ｐ２４は、本発明の「第３接続端子」に相当し、インダクタ６０は本発明の「第２インダクタ」に相当する。
【００４７】
フィルタ部２０は、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８（以下、複数のＳＡＷ共振子をまとめて説明する場合には単純に複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８と称する。）を備える。これらＳＡＷ共振子が、本発明の「第１フィルタ素子」に相当する。また、フィルタ部２０は、複数のＳＡＷ共振子２１１，２１２，２１３，２１４を備える。ＳＡＷ共振子２１２及びＳＡＷ共振子２１３は、一方が本発明の「第２フィルタ素子」に相当し、他方が本発明の「第３フィルタ素子」に相当する。
【００４８】
複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３，２１４は、それぞれに共振周波数を有し、それぞれ個別に帯域通過特性を有する帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）として機能する。複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８は、第１接続端子Ｐ２１と第２接続端子Ｐ２２との間に、複数の接続ラインにより直列接続されている。
【００４９】
ＳＡＷ共振子２１１は、ＳＡＷ共振子２０２，２０３を接続する接続ラインと第３接続端子Ｐ２３１との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１４は、ＳＡＷ共振子２０４，２０５を接続する接続ラインと第３接続端子Ｐ２３２との間に接続されている。
【００５０】
ＳＡＷ共振子２１２は、ＳＡＷ共振子２０６とＳＡＷ共振子２０７とを接続する接続ラインと、第３接続端子Ｐ２４との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１３は、ＳＡＷ共振子２０８と第２接続端子Ｐ２２とを接続する接続ラインと、第３接続端子Ｐ２４との間に接続されている。すなわち、第３接続端子Ｐ２４は、ＳＡＷ共振子２１２，２１３に対する共通の端子であり、これらのＳＡＷ共振子２１２，２１３の一方端をまとめてグランドに接続する。
【００５１】
フィルタ部２０は、このような構成により所謂ラダー接続型フィルタを構成し、ＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３，２１４の帯域通過特性及び減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２０としての所望の帯域通過特性及び通過帯域外の減衰特性を実現している。なお、ＳＡＷ共振子の数や配置は、通過させたい信号の周波数帯域及び通過帯域外における所望の減衰特性を得るために適宜変更しても構わない。
【００５２】
第１接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間には、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現するために、整合素子４１又は整合素子４３が接続されている。
【００５３】
第２接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間には、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現するために、整合素子４２又は整合素子４４が接続されている。
【００５４】
ただし、高周波モジュール１１，１２，１３，１４，１５は、第１外部接続端子Ｐ１側及び第２外部接続端子Ｐ２側の両側に整合素子を備える必要はなく、第１外部接続端子Ｐ１側又は第２外部接続端子Ｐ２側のどちらか一方に整合素子を備えるだけでもよい。
【００５５】
整合素子４１は、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、例えばシリーズ接続型のインダクタ４１Ｌ又はキャパシタ４１Ｃである。整合素子４３は、図６（Ｃ）及び図６（Ｄ）に示すように、例えばシャント接続型のインダクタ４３Ｌ又はキャパシタ４３Ｃである。整合素子４２は、図６（Ｅ）及び図６（Ｆ）に示すように、例えばシリーズ接続型のインダクタ４２Ｌ又はキャパシタ４２Ｃである。整合素子４４は、図６（Ｇ）及び図６（Ｈ）に示すように、例えばシャント接続型のインダクタ４４Ｌ又はキャパシタ４４Ｃである。
【００５６】
第１回路例の高周波モジュール１１、第３回路例の高周波モジュール１３、及び第５回路例の高周波モジュール１５は、シリーズ接続型の整合素子４１及びシリーズ接続型の整合素子４２を備える。第２回路例の高周波モジュール１２は、シリーズ接続型の整合素子４１及びシャント接続型の整合素子４４を備える。第４回路例の高周波モジュール１４は、シャント接続型の整合素子４３及びシャント接続型の整合素子４４を備える。
【００５７】
このような高周波モジュール１１，１２，１３，１４，１５の共通回路構成に対して、各高周波モジュールは、具体的に次に示すような回路構成からなる。
【００５８】
（第１回路例）
図１に示す高周波モジュール１１では、フィルタ部２０は、第１接続端子Ｐ２１とＳＡＷ共振子２０１との接続ラインに接続される第４接続端子Ｐ２５１と、ＳＡＷ共振子２０２とＳＡＷ共振子２０３との接続ラインに接続される第５接続端子Ｐ２５２と、を備える。
【００５９】
高周波モジュール１１は、フィルタ部２０の外部に、一端が第４接続端子Ｐ２５１に接続され、他端が第５接続端子Ｐ２５２に接続されるインダクタ７０を備える。すなわち、インダクタ７０は、第４接続端子Ｐ２５１及び第５接続端子Ｐ２５２を介して、ＳＡＷ共振子２０１とＳＡＷ共振子２０２との直接回路に、並列接続される。インダクタ７０は、本発明の「第１インダクタ」に相当する。
【００６０】
第１回路例の高周波モジュール１１では、第１外部接続端子Ｐ１又は第２外部接続端子Ｐ２から高周波信号が伝搬されてインダクタ７０及び整合素子４２に高周波信号が伝搬されると、インダクタ７０と整合素子４２との間に、誘導性結合又は容量性結合が生じる。より具体的には、整合素子４２がインダクタ４２Ｌであれば、インダクタ７０とインダクタ４２Ｌとの間には、誘導性結合が生じる。整合素子４２がキャパシタ４２Ｃであれば、インダクタ７０を構成する導体とキャパシタ４２Ｃとの間には、容量性結合が生じる。以下、インダクタ７０と整合素子４２との間で誘導性結合又は容量性結合の経路を含む回路を結合回路と称し、結合回路は、インダクタ７０と整合素子４２とを含むものとする。
【００６１】
第１外部接続端子Ｐ１又は第２外部接続端子Ｐ２から伝搬される高周波信号は、直接接続されるＳＡＷ共振子２０１−２０８及びインダクタ７０からなる主伝搬経路のみで伝搬されず、一部が結合回路を伝搬経路とする副伝搬経路にも伝搬される。
【００６２】
これにより、高周波モジュール１１としては、主伝搬経路の伝送特性と副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。
【００６３】
ここで、結合回路における整合素子４２とインダクタ７０との結合態様及び結合度を調整することで、副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅及び位相を調整することができる。言い換えれば、副伝搬経路の伝送特性を調整することができる。伝送特性とは、例えば減衰特性（振幅特性）や位相特性である。
【００６４】
さらに、この結合態様及び結合度を調整することで、高周波モジュール１１として通過させたい高周波信号（所望の高周波信号）の周波数帯域の伝送特性に殆ど影響を与えることなく、通過帯域外の減衰特性にのみ副伝搬経路を設置したことによる影響を与えることができる。
【００６５】
そして、このように副伝搬経路の伝送特性を調整することで、高周波モジュール１１としての伝送特性を調整できる。例えば、後述するように、通過帯域外の減衰特性を調整することができる。
【００６６】
この際、従来構成のように、高周波フィルタ回路の伝送特性を調整するためだけにインダクタやキャパシタを別途備える必要がなく、無論、それらインダクタやキャパシタをＳＡＷフィルタ群からなる回路に並列接続する必要もない。従って、高周波モジュール１１は、所望の減衰特性を簡素な構成で実現できる。これにより、高周波モジュール１１は、小型に形成可能となる。
【００６７】
また、整合素子４２がインダクタ４２Ｌの場合、上述の結合回路による相互誘導分によって、インダクタ４２Ｌ及びインダクタ７０の実効的なインダクタンス値を大きくさせることができる。これにより、インダクタ４２Ｌ及びインダクタ７０の線路長をより短くして高周波モジュール１１をより小型化することも可能である。
【００６８】
（第２回路例）
次に、図２に示す第２回路例の高周波モジュール１２について説明する。
【００６９】
高周波モジュール１２は、上述の結合回路の態様が異なる点において図１に示す第１回路例の高周波モジュール１１と相違する。
【００７０】
より具体的には、高周波モジュール１２は、シリーズ接続型の整合素子４２に代えてシャント接続型の整合素子４４を備える点、及びインダクタ７０と整合素子４４との間で誘導性結合又は容量性結合が生じて結合回路が構成される点において、高周波モジュール１１と相違する。
【００７１】
このような高周波モジュール１２の構成においても、高周波信号は、一部が結合回路を伝搬経路とする副伝搬経路で伝搬する。従って、このような構成の高周波モジュール１２であっても、上述の高周波モジュール１１と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
【００７２】
（第３回路例）
次に、図３に示す第３回路例の高周波モジュール１３について説明する。
【００７３】
高周波モジュール１３は、インダクタ７０の接続態様、及び上述の結合回路の態様が異なる点において、図１に示す第１回路例の高周波モジュール１１と相違する。
【００７４】
高周波モジュール１３では、フィルタ部２０は、ＳＡＷ共振子２０６とＳＡＷ共振子２０７との接続ラインに接続される第４接続端子Ｐ２６１と、ＳＡＷ共振子２０８と第２接続端子Ｐ２２との接続ラインに接続される第５接続端子Ｐ２６２と、を備える。
【００７５】
インダクタ７０は、第４接続端子Ｐ２６１及び第５接続端子Ｐ２６２を介して、ＳＡＷ共振子２０７とＳＡＷ共振子２０８との直接回路に、並列接続される。
【００７６】
第３回路例の高周波モジュール１３では、インダクタ７０と整合素子４１との間で誘導性結合又は容量性結合が生じて結合回路が構成される。このような高周波モジュール１３の構成においても、高周波信号は、一部が結合回路を伝搬経路とする副伝搬経路で伝搬する。従って、このような構成の高周波モジュール１３であっても、上述の高周波モジュール１１と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
【００７７】
（第４回路例）
次に、図４に示す第４回路例の高周波モジュール１４について説明する。
【００７８】
高周波モジュール１４は、上述の結合回路の態様が異なる点において図３に示す第３回路例の高周波モジュール１３と相違する。
【００７９】
より具体的には、高周波モジュール１３は、シリーズ接続型の整合素子４１に代えてシャント接続型の整合素子４３を備える点、及びインダクタ７０と整合素子４３との間で誘導性結合又は容量性結合が生じて結合回路が構成される点において、高周波モジュール１３と相違する。
【００８０】
このような高周波モジュール１４の構成においても、高周波信号は、一部が結合回路を伝搬経路とする副伝搬経路で伝搬する。従って、このような構成の高周波モジュール１４であっても、上述の高周波モジュール１３と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
【００８１】
以上の第１〜第４回路例では、インダクタ７０が並列接続するＳＡＷ共振子は、ＳＡＷ共振子２０１とＳＡＷ共振子２０２との直列回路、又は、ＳＡＷ共振子２０７とＳＡＷ共振子２０８との直列回路、であったが、結合回路を構成する整合素子に直接接続されるＳＡＷ共振子以外のＳＡＷ共振子であればよい。
【００８２】
例えば、インダクタ７０は、第１回路例及び第２回路例において、ＳＡＷ共振子２０１とＳＡＷ共振子２０２との直列回路に限らず、ＳＡＷ共振子２０８以外のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７のうちいずれかの１つのＳＡＷ共振子に並列接続されてもよい。また、インダクタ７０は、第１回路例及び第２回路例において、ＳＡＷ共振子２０８以外のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７のうち、隣り合うＳＡＷ共振子の直接回路に並列接続されてもよい。
【００８３】
また、インダクタ７０は、第３回路例及び第４回路例において、ＳＡＷ共振子２０７とＳＡＷ共振子２０８との直列回路に限らず、ＳＡＷ共振子２０１以外のＳＡＷ共振子２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８のうちいずれかの１つのＳＡＷ共振子に並列接続されてもよい。また、インダクタ７０は、第３回路例及び第４回路例において、ＳＡＷ共振子２０１以外のＳＡＷ共振子２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８のうち、隣り合うＳＡＷ共振子の直接回路に並列接続されてもよい。
【００８４】
（第５回路例）
次に、図５に示す第５回路例の高周波モジュール１５について説明する。
【００８５】
高周波モジュール１５は、結合回路の態様において、図１に示す第１回路例の高周波モジュール１１と相違する。
【００８６】
より具体的には、高周波モジュール１５は、インダクタ７０とインダクタ６０との間で誘導性結合が生じて結合回路を構成する。
【００８７】
このような高周波モジュール１５の構成においても、高周波信号は、一部が結合回路を伝搬経路とする副伝搬経路で伝搬する。従って、このような構成の高周波モジュール１５であっても、上述の高周波モジュール１１と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
【００８８】
ただし、結合回路は、第５回路例において、インダクタ７０とインダクタ５０との間で誘導性結合が生じすることにより構成されてもよいし、インダクタ７０とインダクタ５１との間で誘導性結合が生じることにより構成されてもよい。インダクタ７０とインダクタ５０との間で誘導性結合が生じる場合、ＳＡＷ共振子２１１が本発明の「第２フィルタ素子」に相当する。インダクタ７０とインダクタ５１との間で誘導性結合が生じる場合、ＳＡＷ共振子２１４が本発明の「第２フィルタ素子」に相当する。
【００８９】
また、インダクタ７０は、第１〜第５回路例において、フィルタ部２０の外部に備えられていたが、フィルタ部２０の内部に備えられていてもよい。
【００９０】
次に、高周波モジュール１１，１２，１３，１４，１５の効果について説明する。図７は、整合素子とインダクタ７０との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。図７の横軸は周波数を示し、図７の縦軸は第１外部接続端子Ｐ１から第２外部接続端子Ｐ２へ伝搬する信号の減衰量を示す。図７に示す点線の特性は、整合素子とインダクタ７０との誘導性結合が弱い場合を示す。図７に示す実線の特性は、点線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図７に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。なお、本実施形態における高周波モジュールは、８００ＭＨｚ帯を通過帯域とする帯域通過フィルタである。
【００９１】
図７に示すように、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は高くなる。なお、減衰極とは減衰量のピークであり、減衰極の周波数とは減衰量がピークとなるときの周波数である。
【００９２】
また、整合素子がインダクタである場合、誘導性結合を適宜設定することで、通過帯域の高周波数側の減衰特性を変化させることができる。例えば、誘導性結合が弱くなるほど、通過帯域付近での減衰量が小さいが、減衰極の周波数での減衰量を大きく取ることができる。また、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域付近での減衰量を、より大きく取ることができる。
【００９３】
そして、図７に示すように、誘導性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の中心周波数位置、通過帯域の周波数幅及び通過帯域の中心周波数における減衰量は殆ど変化しない。
【００９４】
従って、本実施形態の構成を用いて、誘導性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、通過帯域より高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。言いかえれば、所望の通過帯域特性と減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。
【００９５】
なお、図示していないが、整合素子がキャパシタである場合、インダクタ７０を構成する導体とキャパシタとの容量性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は低くなる。そして、容量性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の中心周波数位置、通過帯域の周波数幅及び通過帯域の中心周波数における減衰量は殆ど変化しない。したがって、本実施形態の構成を用いて、容量性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。
【００９６】
このような構成からなる高周波モジュールは、具体的な適用例として、図８に示すデュプレクサ構成に利用することができる。図８は、デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。
【００９７】
高周波モジュール１０１は、フィルタ部２１、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、及び、第３外部接続端子Ｐ３１，Ｐ３２を備える。具体的な適用例として、第１外部接続端子Ｐ１はアンテナに接続される。第２外部接続端子Ｐ２は送信回路Ｔｘに接続される。第３外部接続端子Ｐ３１，Ｐ３２は受信回路Ｒｘに接続される。
【００９８】
フィルタ部２１は、第１接続端子Ｐ２１’、第２接続端子Ｐ２２、第３接続端子Ｐ２３、第３接続端子Ｐ２４、第４接続端子Ｐ２７１、第５接続端子Ｐ２７２、及び第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２、を備える。
【００９９】
第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２は、第３外部接続端子Ｐ３１，Ｐ３２に接続されている。第１接続端子Ｐ２１’は、接続ライン４０１を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続されている。接続ライン４０１とグランドとの間には、上述の整合素子に対応するインダクタ４３Ｌが接続されている。すなわち、インダクタ４３Ｌは、第１外部接続端子Ｐ１に接続されるアンテナと、フィルタ部２１とのインピーダンス整合の実現のために備えられる。第２接続端子Ｐ２２は、接続ライン４０２を介して第２外部接続端子Ｐ２に接続されている。
【０１００】
第１接続端子Ｐ２１’と第２接続端子Ｐ２２との間には、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６が、複数の接続ラインにより直列接続されている。
【０１０１】
ＳＡＷ共振子２０２とＳＡＷ共振子２０３とを接続する接続ラインは、ＳＡＷ共振子２１１を介して第３接続端子Ｐ２３に接続されている。第３接続端子Ｐ２３は、インダクタ５０を介してグランドに接続されている。
【０１０２】
ＳＡＷ共振子２０４とＳＡＷ共振子２０５とを接続する接続ラインは、ＳＡＷ共振子２１２を介して第３接続端子Ｐ２４に接続されている。ＳＡＷ共振子２０６と第２接続端子Ｐ２２を接続する接続ラインは、ＳＡＷ共振子２１３を介して第３接続端子Ｐ２４に接続されている。第３接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介してグランドに接続されている。
【０１０３】
ＳＡＷ共振子２０４とＳＡＷ共振子２０５とを接続する接続ラインは、第４接続端子Ｐ２７１に接続されている。ＳＡＷ共振子２０６と第２接続端子Ｐ２２との接続ラインは、第５接続端子Ｐ２７２に接続されている。インダクタ７０は、一端が第４接続端子Ｐ２７１に接続されていて、他端が第５接続端子Ｐ２７２に接続されている。これにより、インダクタ７０は、第４接続端子Ｐ２７１及び第５接続端子Ｐ２７２を介して、ＳＡＷ共振子２０５とＳＡＷ共振子２０６とからなる直列回路に並列接続されている。
【０１０４】
この構成により、フィルタ部２１は、第１接続端子Ｐ２１’と第２接続端子Ｐ２２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２０１−２０６，２１１，２１２，２１３の帯域通過特性及び減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１接続端子Ｐ２１’と第２接続端子Ｐ２２との間としての所望の第１帯域通過特性及び第１通過帯域外の第１減衰特性を実現している。
【０１０５】
第１接続端子Ｐ２１’と第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２との間には、ＳＡＷ共振子２２１と縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２が直列接続されている。ＳＡＷ共振子２２１及び縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２は第２フィルタ部２２を構成する。この構成により、フィルタ部２１は、第１接続端子Ｐ２１’と第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２２１，２３１，２３２の帯域通過特性及び減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１接続端子Ｐ２１’、第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２間としての所望の第２帯域通過特性及び第２通過帯域外の第２減衰特性を実現している。第２通過帯域は、第１通過帯域とは異なる周波数帯域であり、第２通過帯域は、第１通過帯域外の減衰帯域範囲内となるように設定されている。
【０１０６】
これにより、フィルタ部２１は、第１接続端子Ｐ２１’を共通端子とし、第２接続端子Ｐ２２及び第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２をそれぞれ個別端子とするデュプレクサとして機能する。
【０１０７】
さらに、高周波モジュール１０１では、インダクタ７０とインダクタ４３Ｌとの間で誘導性結合を生じさせる。そして、この結合度を調整することで、第１減衰特性を調整することができる。
【０１０８】
ここで、本実施形態の構成を用いれば、第２通過帯域に重ねるように、第１減衰特性における減衰量を大きく取る周波数帯域の帯域幅及び減衰量を調整することができる。これは、インダクタ７０とインダクタ４３Ｌとの結合度を調整すれば可能である。
【０１０９】
図９は、整合素子とインダクタ７０との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子Ｐ２と第３外部接続端子Ｐ３１，Ｐ３２との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。図９の横軸は周波数を示し、図９の縦軸はアイソレーション量を示す。図９ではアイソレーション量が低いほど、第２接続端子Ｐ２２、第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２間で強くアイソレーションされていることを示している。図９に示す点線の特性は、誘導性結合が弱い場合を示す。図９に示す実線の特性は、点線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図９に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。
【０１１０】
図９に示すように、誘導性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘ（第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２側）の通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は高くなる。このため、誘導性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘの通過帯域のアイソレーション量及びアイソレーション特性を調整することができる。また、図９に示すように、誘導性結合を調整しても、送信回路Ｔｘ（第２外部接続端子Ｐ２側）の通過帯域のアイソレーション量及びアイソレーション特性は殆ど変化しない。
【０１１１】
このように、高周波モジュール１０１の構成を用いることで、第２接続端子Ｐ２２、第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。すなわち、送信回路Ｔｘと受信回路Ｒｘとの間のアイソレーション特性を最適化することができる。
【０１１２】
なお、図示していないが、整合素子としてインダクタ４３Ｌの代わりにキャパシタ４３Ｃを用いて、キャパシタ４３Ｃとインダクタ７０を構成する導体とを容量性結合させた場合、容量性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘの通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は低くなる。このため、容量性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘ（第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２側）の通過帯域のアイソレーション量及びアイソレーション特性を調整することができる。また、容量性結合を調整しても、送信回路Ｔｘの通過帯域のアイソレーション量及びアイソレーション特性は殆ど変化しない。このように、容量性結合を適宜調整することによっても、第２接続端子Ｐ２２、第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。
【０１１３】
以上のような構成からなる高周波モジュールは、次に示すような構造によって実現することができる。なお、以下では、上述のデュプレクサ構成からなる高周波モジュール１０１を構造的に実現する例を示す。
【０１１４】
（第１構造）
図１０は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュール１０１は、積層基板１００、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１、実装型回路素子４３０を備える。
【０１１５】
積層基板１００は、複数の誘電体層を積層してなる。積層基板１００の天面（実装面）１００Ｓ及び内層には、所定パターンの電極が形成されており、高周波モジュール１０１のフィルタ部２１を除く配線パターンやインダクタ７０が形成されている。
【０１１６】
インダクタ７０は、一部が分断された管状の線状電極（線状導体）から構成されている。この線状電極の一方端は、ビア導体４３１Ｖを介して、フィルタ部２１の第４接続端子Ｐ２７１となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。ランド電極は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成されている。インダクタ７０を構成する線状電極の他方端は、不図示のビア導体を介して、フィルタ部２１の第５接続端子Ｐ２７２となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。
【０１１７】
積層基板１００の底面１００Ｒには、不図示の外部接続用電極が形成されており、これら外部接続用電極により、上述の第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子Ｐ３１，Ｐ３２が実現される。
【０１１８】
フィルタ部２１は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１、接続電極２９３、及び実装用電極２９４によって形成されている。
【０１１９】
フィルタ基板２００は、平板状の圧電基板からなる。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ電極や配線パターンが形成されている。フィルタ電極は、例えば、所謂ＩＤＴ電極からなる。このように、圧電基板の主面にＩＤＴ電極を形成することで、上述の各ＳＡＷ共振子を実現することができる。フィルタ基板２００の第１主面側には、平板状のカバー層２９０が配置されている。カバー層２９０は、平板状の絶縁性材料からなり、平面視してフィルタ基板２００と同じ形状からなる。また、カバー層２９０は、平面視して、フィルタ基板２００と重なるように配置されており、フィルタ基板２００の第１主面から所定距離の間隔を空けて配置されている。
【０１２０】
フィルタ基板２００の第１主面とカバー層２９０との間には、側面カバー層２９１が配置されている。側面カバー層２９１も絶縁性材料からなり、平面視して、フィルタ基板２００及びカバー層２９０の全周に亘って、外周端から内側へ所定幅の範囲にのみ形成されている。すなわち、側面カバー層２９１は、中央に開口を有する枠状の構造である。
【０１２１】
このように、カバー層２９０と側面カバー層２９１が配置されることで、フィルタ基板２００の第１主面のフィルタ電極が形成される領域は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、及び側面カバー層２９１によって密閉空間２９２内に配置される。これにより、ＳＡＷ共振子の共振特性を向上させることができ、フィルタとしての所望の特性を精確に実現することができる。
【０１２２】
接続電極２９３は、フィルタ基板２００の第１主面に一方端が接し、他方端がカバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面に露出する形状からなる。この際、接続電極２９３は、側面カバー層２９１及びカバー層２９０を貫通するように形成されている。接続電極２９３の一方端は、フィルタ基板２００の第１主面に形成された配線パターンに接続されている。
【０１２３】
実装用電極２９４は、接続電極２９３の他方端に接続し、カバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面から突出する形状で形成されている。この接続電極２９３と実装用電極２９４の組を複数設けることにより、上述のフィルタ部２１の第１接続端子Ｐ２１’、第２接続端子Ｐ２２、第３接続端子Ｐ２３，Ｐ２４、第４接続端子Ｐ２７１、第５接続端子Ｐ２７２、及び第６接続端子Ｐ６１，Ｐ６２が実現される。なお、接続電極２９３の他方端に半田やＡｕ等を用いたバンプを形成し、そのバンプを介して実装用電極２９４と接続してもよい。
【０１２４】
以上のような構成とすることで、フィルタ部２１は、所謂ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）の構造となり、フィルタ部２１を小型に形成することができる。
【０１２５】
そして、このＷＬＰ構造のフィルタ部２１は、積層基板１００の天面１００Ｓに実装されている。これにより、フィルタ部２１は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子Ｐ３１，Ｐ３２に接続される。
【０１２６】
インダクタ４３Ｌは、実装型回路素子４３０によって実現される。具体的には、実装型回路素子４３０は、絶縁性材料からなる直方体形状の筐体を備え、当該筐体の内部に、インダクタ４３Ｌとなるスパイラル電極が形成されている。スパイラル電極は、筐体の外周に沿って伸長し一部が分断された管状の線状電極と層間接続電極によって実現される。各層の線状電極は、層間接続電極によって一本の線状電極になるように接続されている。スパイラル電極の両端は、筐体の対向する両端面に形成された外部接続電極に接続されている。
【０１２７】
このような構成からなる実装型回路素子４３０は、スパイラル電極の中心軸が天面１００Ｓに直交するように、積層基板１００の天面１００Ｓに実装されている。ここで、フィルタ部２１の第１接続端子Ｐ２１’と第１外部接続端子Ｐ１との接続ラインが積層基板１００の天面１００Ｓ及び内部に形成され、グランド電極が積層基板１００の内部に形成されている。そして、この接続ライン及びグランド電極は実装型回路素子４３０の実装用ランドに接続されている。これにより、インダクタ４３Ｌがフィルタ部２１の第１接続端子Ｐ２１’と第１外部接続端子Ｐ１との接続ラインとグランドとの間に接続される構造を実現できる。
【０１２８】
なお、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された線状電極によりインダクタ４３Ｌを実現してもよい。
【０１２９】
そして、インダクタ４３Ｌを実現する実装型回路素子４３０と、インダクタ７０を構成する線状電極とを近接して配置する。これにより、実装型回路素子４３０のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌと、積層基板１００内の線状電極からなるインダクタ７０との間で、図１０の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。このような構成とすることで、減衰特性調整用の素子を別途設けることなく、所望の減衰特性を有する高周波モジュール１０１を実現することができる。
【０１３０】
この際、インダクタ７０を構成する線状電極と、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極との距離を変化させることで、インダクタ４３Ｌとインダクタ７０との結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１の減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
【０１３１】
なお、図１１に示すように、インダクタ７０は、積層基板１００内ではなく、カバー層２９０に形成されていてもよい。インダクタ７０は、一部が分断された管状の線状電極から構成されている。そして、インダクタ４３Ｌを実現する実装型回路素子４３０と、インダクタ７０を構成する線状電極とは近接して配置されている。これにより、上述と同様に、インダクタ４３Ｌとインダクタ７０との間で、図１０の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。
【０１３２】
（第２構造）
図１２は、高周波モジュールの主要構造を示す平面概念図である。高周波モジュール１０１Ａは、フィルタ部２１、積層基板１００及び実装型回路素子４３０，７００備える。
【０１３３】
積層基板１００の天面（実装面）には、フィルタ部２１及び実装型回路素子４３０，７００が実装されている。
【０１３４】
フィルタ部２１は、第２構造において、第１構造で示したＷＬＰ構造を有する。実装型回路素子４３０は第１構造で示したものと同様に構成されている。すなわち、実装型回路素子４３０は、絶縁性材料からなる直方体形状の筐体を備え、当該筐体の内部に、インダクタ４３Ｌとなるスパイラル電極が形成されている。実装型回路素子７００は、絶縁性材料からなる直方体形状の筐体を備え、当該筐体の内部に、インダクタ７０となるスパイラル電極が形成されている。その他の構成は実装型回路素子４３０と同様に構成されている。
【０１３５】
フィルタ部２１及び実装型回路素子４３０，７００は、図８の回路構成を実現するように、積層基板１００の天面及び内層に形成された配線パターンにより接続されている。
【０１３６】
実装型回路素子４３０の長手側面と実装型回路素子７００の長手側面とが近接して対向するように、実装型回路素子４３０，７００を配置している。これにより、実装型回路素子４３０のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌと、実装型回路素子７００のスパイラル電極からなるインダクタ７０との間で、図１２の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。この際、実装型回路素子４３０と実装型回路素子７００との間の距離、実装型回路素子４３０，７００の向き等を調整することにより、インダクタ４３Ｌとインダクタ７０との結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１Ａの減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
【０１３７】
なお、図１２では、実装型回路素子４３０の長手側面と実装型回路素子７００の長手側面とが対向するように配置した例を示した。しかしながら、実装型回路素子４３０の短手側面（外部接続電極が形成される端面）と実装型回路素子７００の長手側面とが対向するように配置してもよい。ただし、実装型回路素子４３０の長手側面と実装型回路素子７００の長手側面とが対向するように配置することで、より強い誘導性結合を、より簡単に実現することができる。
【０１３８】
また、図１２では、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００の天面に直交するように、実装型回路素子４３０，７００を実装する例を示したが、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００天面に平行になるように、実装型回路素子４３０，７００を実装してもよい。
【０１３９】
（第３構造）
図１３は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１３に示す高周波モジュール１０１Ｂは、所謂ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造で実現されている。
【０１４０】
高周波モジュール１０１Ｂは、フィルタ基板２００を備える。フィルタ基板２００の第１主面には、上述のようにフィルタ部２１を実現するフィルタ電極や配線パターンが形成されている。
【０１４１】
高周波モジュール１０１Ｂは、さらにフィルタ実装用基板２８０を備える。フィルタ実装用基板２８０は、例えばアルミナ基板からなり、平面視した面積がフィルタ基板２００よりも所定量大きい。フィルタ実装用基板２８０には、所定パターンの電極が形成されている。
【０１４２】
フィルタ基板２００は、第１主面がフィルタ実装用基板２８０側になるように、バンプ導体２８１によってフィルタ実装用基板２８０の天面（実装面）２８０Ｓに実装されている。また、フィルタ実装用基板２８０の天面２８０Ｓには、インダクタ４３Ｌを構成する実装型回路素子４３０が実装されている。フィルタ実装用基板２８０の底面２８０Ｒには、インダクタ７０を構成する線状電極及び外部接続用バンプ導体２８２が形成されている。
【０１４３】
フィルタ実装用基板２８０の天面２８０Ｓには、樹脂層２８３が塗布されている。ただし、ＩＤＴ電極には樹脂層２８３は塗布されておらず、ＩＤＴ電極の部分は中空構造となっている。これにより、フィルタ電極及び配線パターンが外部環境に曝されることを防止でき、ＳＡＷ共振子の共振特性を向上させることができ、フィルタとしての所望の特性を精確に実現することができる。
【０１４４】
ここで、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とインダクタ７０を構成する線状電極とが、平面視して少なくとも一部が重なるように配置する。これより、図１３に示すように、インダクタ４３Ｌとインダクタ７０の間に誘導性結合を生じさせることができる。特に、本実施形態の構成では、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とインダクタ７０を構成する線状電極との間隔（距離）を短くすることができるので、より強い誘導性結合を容易に実現することができる。
【０１４５】
また、高周波モジュール１０１Ｂ全体がＣＳＰ構造であるので、高周波モジュール１０１Ｂを小型且つ薄型で実現することができる。
【０１４６】
上述の例では、アンテナとの整合のために設けられるインダクタ４３Ｌは、積層基板１００の天面１００Ｓに実装される実装型回路素子４３０で実現されているが、以下のように実現されてもよい。
【０１４７】
（第４構造）
図１４は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１５は、高周波モジュールの主要構造を示す平面概念図である。図１４及び図１５に示す高周波モジュール１０１Ｃの主要構造は、インダクタ４３Ｌが積層基板１００の内部に実現される点、及びインダクタ７０の配線パターンが異なる点において、図１０に示す高周波モジュール１０１の主要構造と相違する。ただし、図１５は、積層基板１００をフィルタ部２１側から視た図であり、説明のために内部グランドパターンの記載を省略している。
【０１４８】
インダクタ４３Ｌは、図１４及び図１５に示すように、積層基板１００内部に線状電極が形成されることにより、実現されている。インダクタ４３Ｌを実現する線状電極の一方端は、ビア導体４３３Ｖを介して第１シリーズ接続端子Ｐ２１’となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。インダクタ４３Ｌを実現する線状電極の他方端は、ビア導体４３４Ｖを介して積層基板１００の内部に形成された内部グランドパターンに接続されている。
【０１４９】
インダクタ４３Ｌを実現する線状電極は、図１４に示すように、インダクタ７０を実現する線状電極と異なる層に形成されている。インダクタ４３Ｌを実現する線状電極とインダクタ７０を実現する線状電極とは、図１５の平面図に示すように、一部が沿って重なるようにそれぞれ配置されている。これにより、インダクタ４３Ｌとインダクタ７０は、近接して配置される。
【０１５０】
図１４及び図１５に示す高周波モジュール１０１Ｃは、積層基板１００内部でインダクタ４３Ｌとインダクタ７０とを近接配置することにより、インダクタ４３Ｌとインダクタ７０との間で高い誘導性結合が生じる。さらに、図１４及び図１５に示す高周波モジュール１０１Ｃは、インダクタ４３Ｌを積層基板１００内部に実現することにより、図１０に示す高周波モジュール１０１に比べて、実装面積が削減され、小型化される。さらに、インダクタ４３Ｌとインダクタ７０とが積層基板１００の積層方向に重なっているので、実装面積がより小型化される。
【０１５１】
また、インダクタ４３Ｌを実現する線状電極と、インダクタ７０を実現する線状電極とは、図１４及び図１５に示すように、結合部において高周波信号の伝搬方向が逆となるように配置されている。誘導性結合する結合部で伝搬方向が逆となることにより、インダクタ７０の実効的なインダクタンス値が高くなる。これにより、インダクタ７０を実現する線状電極の短縮が可能となり、高周波モジュール１０１Ｃのさらなる小型化が可能となる。
【０１５２】
なお、上述の各実現構造では、整合素子としてインダクタを用いる例を示したが、整合素子がキャパシタの場合についても、同様の構造で実現することができる。例えば、スパイラル電極を有する実装型回路素子４３０の代わりに、実装型の積層コンデンサ素子を用いればよい。
【０１５３】
また、整合素子とインダクタとの結合は、間に介するＳＡＷ共振子が多いほど、減衰特性に与える影響を大きくすることができる。例えば、第１構造（図１０参照）であれば、インダクタ７０を構成する線状電極と実装型回路素子４３０との位置関係が同じであれば、間に介するＳＡＷ共振子が多い整合素子とインダクタとを結合させるほど、減衰特性に与える影響を大きくすることができる。なお、整合素子４１，４２，４３，４４は、１つの素子に限らず、インダクタを複数、キャパシタを複数、あるいは、インダクタとキャパシタとを組み合わせた複数の素子による複合回路としても構わない。
【０１５４】
また、上述のフィルタ部２０は、所謂ラダー接続型フィルタであったが、フィルタ部２０は、例えば、縦結合共振器フィルタであってもよい。この場合でも、上述の整合素子とインダクタとの間の誘導性結合また容量性結合を調整することにより、所望の減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。
【０１５５】
また、本発明は、所謂ベアチップ型のフィルタ部を用いた高周波モジュールに適用することもできる。
【符号の説明】
【０１５６】
１１，１２，１３，１４，１５…高周波モジュール
２０，２１…フィルタ部
２２…第２フィルタ部
４１，４２，４３，４４…整合素子
４１Ｃ，４２Ｃ，４３Ｃ，４４Ｃ…キャパシタ
４１Ｌ，４２Ｌ，４３Ｌ，４４Ｌ…インダクタ
５０，５１，６０，７０…インダクタ
１００…積層基板
１００Ｒ…底面
１００Ｓ…天面
１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ…高周波モジュール
２００…フィルタ基板
２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８…ＳＡＷ共振子
２１１，２１２，２１３，２１４…ＳＡＷ共振子
２２１，２３１，２３２…ＳＡＷ共振子
２８０…フィルタ実装用基板
２８０Ｒ…底面
２８０Ｓ…天面
２８１…バンプ導体
２８２…外部接続用バンプ導体
２８３…樹脂層
２９０…カバー層
２９１…側面カバー層
２９２…密閉空間
２９３…接続電極
２９４…実装用電極
４０１，４０２…接続ライン
４０２…接続ライン
４３０，７００…実装型回路素子
４３１Ｖ…ビア導体
【図１】
2015104882.tif 000003
【図２】
2015104882.tif 000004
【図３】
2015104882.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015104882.tif 000009
【図８】
2015104882.tif 000010
【図９】
2015104882.tif 000011
【図１０】
2015104882.tif 000012
【図１１】
2015104882.tif 000013
【図１２】
2015104882.tif 000014
【図１３】
2015104882.tif 000015
【図１４】
2015104882.tif 000016
【図１５】
2015104882.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月3日(2016.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１外部接続端子と、
第２外部接続端子と、
前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第１外部接続端子又は前記第２外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合素子と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記フィルタ部は、
前記第１外部接続端子に接続する第１接続端子と、
前記第２外部接続端子に接続する第２接続端子と、
前記第１接続端子と前記第２接続端子との間に、直列接続された複数の第１フィルタ素子と、
第１インダクタと、
を備え、
前記第１インダクタは、
前記整合素子と誘導性結合又は容量性結合されており、
前記複数の第１フィルタ素子のうち、前記誘導性結合又は前記容量性結合する整合素子に接続された第１フィルタ素子とは異なる第１フィルタ素子に並列接続されている、高周波モジュール。
【請求項２】
第１外部接続端子と、
第２外部接続端子と、
前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第１外部接続端子又は前記第２外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合素子と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記フィルタ部は、
前記第１外部接続端子に接続する第１接続端子と、
前記第２外部接続端子に接続する第２接続端子と、
グランドに接続される第３接続端子と、
前記第１接続端子と前記第２接続端子との間に、直列接続された複数の第１フィルタ素子と、
前記第１接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ライン、前記第２接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ライン、又は互いに隣り合う前記第１フィルタ素子を接続する接続ライン、に一方端が接続され、他方端が第３接続端子に接続される第２フィルタ素子と、
を備え、
前記第１フィルタ素子に並列接続される第１インダクタと、
前記第３接続端子とグランドとの間に接続される第２インダクタと、
を備え、
前記第１インダクタと前記第２インダクタとが誘導性結合されている、高周波モジュール。
【請求項３】
前記フィルタ部は、
第４接続端子と、
第５接続端子と、
を備え、
前記第１インダクタは、前記第４接続端子及び前記第５接続端子を介して、前記第１フィルタ素子と並列接続される、
請求項１又は請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１インダクタによる誘導性結合又は容量性結合は、前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスを変化させる、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記第１インダクタによる誘導性結合又は容量性結合は、前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数を変化させる、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記整合素子は、前記第１外部接続端子と前記第１接続端子との間に直列接続されるか、又は、前記第２外部接続端子と前記第２接続端子との間に直列接続される、シリーズ接続型の整合素子である、
請求項１又は請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記整合素子は、前記第１外部接続端子と前記第１接続端子とを接続する接続ラインとグラントとの間に接続されるか、又は、前記第２外部接続端子と前記第２接続端子とを接続する接続ラインとグランドの間に接続される、シャント接続型の整合素子である、
請求項１又は請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記第２フィルタ素子の一方端が接続される接続ラインと異なる接続ラインに一方端が接続され、他方端が前記第３接続端子に接続される第３フィルタ素子、
を備える請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記フィルタ部は、第６接続端子と、第２フィルタ部を備え、
前記第２フィルタ部は、前記第６接続端子と前記第１接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ラインとの間、又は、前記第６接続端子と前記第２接続端子と前記第１フィルタ素子とを接続する接続ラインとの間、に接続される、
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、
前記第１主面から突出し、前記カバー層を貫通する形状の接続電極と、
前記第１インダクタが実装又は形成された積層基板と、を備え、
前記フィルタ基板は、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置され、
前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続されている、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１１】
前記整合素子は、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子で構成され、
前記第１インダクタは、前記積層基板の実装面又は内部に、実装又は形成され、
前記実装型回路素子と前記第１インダクタとは近接して配置されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
前記実装型回路素子と前記第１インダクタとは、直接隣接して配置されている、
請求項１１に記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
前記第１インダクタと前記整合素子とは、その間に他の素子および配線を介さないように配置されている、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１４】
前記整合素子は、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子で構成され、
前記第１インダクタは前記カバー層の内部に形成され、
前記実装型回路素子と前記第１インダクタとは近接して配置されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１５】
前記整合素子は、
直方体形状の筐体と、
該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、
を備え、
前記整合素子は、前記筐体の長辺が前記第１インダクタに近接するように、配置されている、
請求項１１乃至請求項１４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１６】
前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第１主面側に配置され、該フィルタ基板の前記第１主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備え、
前記整合素子は、前記フィルタ実装用基板の実装面に実装又は形成されている、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１７】
前記整合素子は、アンテナに並列接続される整合用インダクタであり、
前記整合用インダクタ及び前記第１インダクタは、互いに近接するように前記積層基板の内部に形成される、請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１８】
前記整合用インダクタと前記第１インダクタとは、前記積層基板の互いに異なる層にそれぞれ形成される線状電極であり、
前記整合用インダクタを構成する線状電極は、前記積層基板の積層方向から視て、前記第１インダクタを構成する線状電極と重なる部分を有する、
請求項１７に記載の高周波モジュール。
【請求項１９】
前記整合用インダクタを構成する線状電極と、前記第１インダクタを構成する線状電極とは、前記重なる部分において、高周波信号の伝搬方向が逆となる、
請求項１８に記載の高周波モジュール。
【請求項２０】
前記整合素子は、アンテナに直列接続される整合用インダクタであり、
前記整合用インダクタおよび前記第１インダクタは、互いに近接するように前記積層基板の内部に形成されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項２１】
前記整合用インダクタと前記第１インダクタとは、前記積層基板の互いに異なる層にそれぞれ形成される線状電極であり、
前記整合用インダクタを構成する線状電極は、前記積層基板の積層方向から視て、前記第１インダクタを構成する線状電極と重なる部分を有する、
請求項２０に記載の高周波モジュール。
【請求項２２】
前記整合用インダクタを構成する線状電極と、前記第１インダクタを構成する線状電極とは、前記重なる部分において、高周波信号の伝搬方向が逆となる、
請求項２１に記載の高周波モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
高周波モジュール１１は、フィルタ部２０の外部に、一端が第４接続端子Ｐ２５１に接続され、他端が第５接続端子Ｐ２５２に接続されるインダクタ７０を備える。すなわち、インダクタ７０は、第４接続端子Ｐ２５１及び第５接続端子Ｐ２５２を介して、ＳＡＷ共振子２０１とＳＡＷ共振子２０２との直列回路に、並列接続される。インダクタ７０は、本願の請求項１に係る発明の「第１インダクタ」に相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
インダクタ４３Ｌは、図１４及び図１５に示すように、積層基板１００内部に線状電極が形成されることにより、実現されている。インダクタ４３Ｌを実現する線状電極の一方端は、ビア導体４３３Ｖを介して第１接続端子Ｐ２１’となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。インダクタ４３Ｌを実現する線状電極の他方端は、ビア導体４３４Ｖを介して積層基板１００の内部に形成された内部グランドパターンに接続されている。
【国際調査報告】
2015104882.tif 000018
2015104882.tif 000019
2015104882.tif 000020
2015104882.tif 000021