(57)【要約】  フッ素樹脂とガラスクロスからなる複合材料と、マット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満である銅箔との積層体である両面回路用基板を提供する。前記フッ素樹脂の表面が、ＥＳＣＡを用いて観察した際、Ｏの存在割合が１．０％以上であると好ましい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素樹脂とガラスクロスからなる複合材料と、マット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満である銅箔との積層体である両面回路用基板。
【請求項２】
２枚の銅箔の間にｎ枚のフッ素樹脂フィルムとｎ−１枚のガラスクロスが交互に積層されている回路用基板（ｎは２以上１０以下の整数）において、銅箔のマット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満である両面回路用基板。
【請求項３】
ＥＳＣＡを用いて観察した際、フッ素樹脂の表面又はフッ素樹脂フィルムの表面におけるＯの存在割合が１．０％以上である請求項１又は２に記載の両面回路用基板。
【請求項４】
フッ素樹脂フィルムが表面改質されている請求項１に記載の両面回路用基板。
【請求項５】
前記銅箔と前記フッ素樹脂フィルムの間の、前記両面回路用基板に対して９０度方向への銅箔引きはがし強さが０．８Ｎ／ｍｍ以上である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の両面回路用基板であって、両面の銅箔を除いた該基板の厚さをＸ（μｍ）、ネットワークアナライザーを用いて２０ＧＨｚで測定した該基板の伝送損失をＹ（ｄＢ／ｃｍ）とした場合のＸとＹの積（Ｘ×Ｙ）が２２以下である両面回路用基板。
【請求項７】
前記フッ素樹脂フィルムは、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波伝送特性に優れ、かつ銅箔と樹脂層との密着性が十分で、耐水性、寸法安定性にも優れる高周波回路用に適した両面回路用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にプリント配線基板には、エポキシ樹脂やポリイミドが広く用いられているが、周波数が数十ギガヘルツの高周波領域においては、誘電特性や吸湿性の観点から銅箔上にフッ素樹脂の絶縁層を形成した積層体が主に用いられている。
フッ素樹脂は、一般的に金属との接着力が高くないため、接着性を向上させるために金属の表面を粗化させる必要がある。しかしながら、１ギガヘルツ以上の高周波になると、信号は金属の表面を伝わりやすくなることが知られており（表皮効果）、伝送線路となる金属箔表面の凹凸が大きい場合、電気信号は導体の内部ではなく凹凸部の表面を迂回して伝わり、結果として伝送損失が大きくなるという問題が生じる。特許文献１の実施例においては表面粗度（Ｒｚ）が０．６〜０．７μｍのものが例示されている。しかしながら高周波回路においては、例えば１５ギガヘルツの場合、電気信号は金属表面から０．５μｍの深さを伝わると言われており、更に周波数が高くなるにつれて、その深度は浅くなるため、このレベルの表面粗度では不十分である。
また、フッ素樹脂は線膨張率が一般的に１００ｐｐｍ／℃以上と高く、寸法安定性に問題がある。特許文献２から４には、フッ素樹脂フィルムとガラスクロスを組み合わせた回路用基板が記載されている。特許文献２では接着性を高めるために、接着剤付き銅箔が使用されているが、接着剤は通常エポキシ樹脂のため誘電特性が悪いと考えられ、高周波用途には適していない。また特許文献３では実施例において、銅箔として、三井金属株式会社製の３ＥＣ（厚さ１８μｍ）が使用されているが、この銅箔の表面粗度Ｒｚは同社の技術資料によれば５μｍ以上であり、高周波領域での使用には全く適さない。特許文献４には、表面粗度（Ｒａ）が０．２μｍの両面が粗化処理されていない銅箔が使用されているが、フッ素樹脂製の絶縁基板との接着のために、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルと液晶ポリマー樹脂とのブレンド体の複合フィルムである接着用樹脂フィルムを使用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４６２０１号公報
【特許文献２】特開平１−３１７７２７号公報
【特許文献３】特開平５−２６９９１８号公報
【特許文献４】特開２００７−９８６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、表面粗度の低い銅箔とフッ素樹脂フィルムとの密着性、及び、寸法安定が高く、かつ、高周波回路における電気信号の伝送損失を低減することができる両面回路用基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、特定の銅箔と、フッ素樹脂フィルムと、ガラスクロスとを所定の位置に配置し、圧着することにより、接着用フィルムを用いなくとも表面粗度の低い銅箔に対しても接着性が高く、その結果高周波数における伝送損失が低く、更に線膨張率が低い両面回路基板を得ることを見出し、本発明を完成した。【０００６】
即ち本発明は、
（１）  フッ素樹脂とガラスクロスからなる複合材料と、マット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満である銅箔との積層体である両面回路用基板、
（２）  ２枚の銅箔の間にｎ枚のフッ素樹脂フィルムとｎ−１枚のガラスクロスが交互に積層されている回路用基板（ｎは２以上１０以下の整数）において、銅箔のマット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満である両面回路用基板、
（３）  ＥＳＣＡを用いて観察した際、フッ素樹脂の表面又はフッ素樹脂フィルムの表面におけるＯの存在割合が１．０％以上である前記（１）又は（２）に記載の両面回路用基板、
（４）  フッ素樹脂フィルムが表面改質されている前記（１）又は（２）に記載の両面回路用基板、
（５）  前記銅箔と前記フッ素樹脂フィルムの間の、前記両面回路用基板に対して９０度方向への銅箔引きはがし強さが０．８Ｎ／ｍｍ以上である、前記（１）乃至（４）のいずれか一項に記載の両面回路用基板、
（６）  前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の両面回路用基板であって、両面の銅箔を除いた該基板の厚さをＸ（μｍ）、ネットワークアナライザーを用いて２０ＧＨｚで測定した該基板の伝送損失をＹ（ｄＢ／ｃｍ）とした場合のＸとＹの積（Ｘ×Ｙ）が２２以下である両面回路用基板、
（７）  前記フッ素樹脂フィルムは、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）を含む、前記（１）乃至（６）のいずれか一項に記載の両面回路用基板、に関する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の回路基板は表面粗度が極めて低い銅箔を用いているため、高周波帯においても伝送損失が極めて少なく、また、接着用フィルムを用いなくとも、フッ素樹脂フィルム層と金属との接着性及び寸法安定性に優れている。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明において用いられる銅箔としては、少なくとも一方の面の二次元表面粗度（Ｒａ）が０．２μｍ未満の範囲内にあることが好ましく、０．１５μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。表面粗度が０．２μｍ以上あると伝送損失が大きくなり、実用性能を満足しないことがある。銅箔の種類には電解箔と圧延箔があるが、どちらでも使用することができる。銅箔の厚さとしては通常５〜５０μｍであり、好ましくは８〜４０μｍである。
【０００９】
銅箔表面は、無処理の銅箔表面でもよく、また、該表面が金属メッキ処理、例えばニッケル、鉄、亜鉛、金、銀、アルミニウム、クロム、チタン、パラジウムまたは錫より選ばれる１種以上の金属でメッキ処理されていてもよく、また、無処理の銅箔表面もしくは前記金属メッキ処理された銅箔表面がシランカップリング剤などの薬剤で処理されていてもよい。好ましい金属メッキ処理としてはニッケル、鉄、亜鉛、金またはアルミニウムより選ばれる１種以上の金属メッキ処理であり、より好ましくはニッケル又はアルミニウムでの金属メッキ処理である。
尚、本願明細書において、「銅箔のマット面」とは両面回路用基板の最表面及び最裏面に配置される２枚の銅箔の、フッ素樹脂と接する面を意味する。
【００１０】
フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン〔ＰＴＦＥ〕、ポリクロロトリフルオロエチレン〔ＰＣＴＦＥ〕、エチレン〔Ｅｔ〕−ＴＦＥ共重合体〔ＥＴＦＥ〕、Ｅｔ−クロロトリフルオロエチレン〔ＣＴＦＥ〕共重合体、ＣＴＦＥ−ＴＦＥ共重合体、ＴＦＥ−ＨＦＰ共重合体（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体）〔ＦＥＰ〕、ＴＦＥ−ＰＡＶＥ共重合体（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）〔ＰＦＡ〕、及び、ポリビニリデンフルオライド〔ＰＶｄＦ〕からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
電気特性（誘電率・誘電正接）や耐熱性などの観点から、フッ素樹脂は、ＰＦＡ及びＦＥＰからなる群より選択される少なくとも１種の含フッ素共重合体であることがより好ましい。
【００１１】
ＰＦＡは、ＴＦＥに基づく重合単位（ＴＦＥ単位）、及び、ＰＡＶＥに基づく重合単位（ＰＡＶＥ単位）を含む共重合体である。上記ＰＦＡにおいて、使用するＰＡＶＥは特に限定されず、例えば、下記一般式（１）：
ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＲｆ１    （１）
（式中、Ｒｆ１は、パーフルオロ有機基を表す。）
で表されるパーフルオロ不飽和化合物が挙げられる。本明細書において、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル結合性の酸素原子を有していてもよい。
【００１２】
上記ＰＡＶＥとしては、例えば、上記一般式（１）において、Ｒｆ１が炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基であるものが好ましい。上記パーフルオロアルキル基の炭素数として、より好ましくは１〜５である。具体的には、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）〔ＰＭＶＥ〕、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）〔ＰＥＶＥ〕、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）〔ＰＰＶＥ〕、及び、パーフルオロ（ブチルビニルエーテル）〔ＰＢＶＥ〕からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましく、ＰＭＶＥ、ＰＥＶＥ及びＰＰＶＥからなる群より選択される少なくとも１種であることが更に好ましく、耐熱性に優れる点でＰＰＶＥであることが特に好ましい。
【００１３】
上記ＰＦＡは、ＰＡＶＥ単位が通常１〜１０モル％のものであり、１〜６モル％であるものが好ましく、３〜６モル％であるものがより好ましい。また、上記ＰＦＡは、全重合単位に対して、ＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位の合計が９０〜１００モル％であることが好ましい。
上記ＰＦＡは、さらに、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に基づく重合単位を含むことができる。上記ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体としては、ヘキサフルオロプロピレン、ＣＸ１Ｘ２＝ＣＸ３（ＣＦ２）ｍＸ４（式中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、同一又は異なっており、独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ４は、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、ｍは１〜１０の整数を表す。）で表されるビニル単量体、ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＣＨ２−Ｒｆ２（式中、Ｒｆ２は炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるアルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体等が挙げられる。ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体としては、ヘキサフルオロプロピレン及びＣＦ２＝ＣＦ−ＯＣＨ２−Ｒｆ２（式中、Ｒｆ２は炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるアルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。
【００１４】
上記アルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体としては、Ｒｆ２が炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であるものが好ましく、ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ３がより好ましい。
ＰＦＡが、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に基づく重合単位を有するものである場合、ＰＦＡは、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０〜１０モル％であり、ＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位が合計で９０〜１００モル％であることが好ましい。より好ましくは、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０．１〜１０モル％であり、ＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位が合計で９０〜９９．９モル％である。
【００１５】
ＦＥＰは、テトラフルオロエチレンに基づく重合単位（ＴＦＥ単位）、及び、ヘキサフルオロプロピレンに基づく重合単位（ＨＦＰ単位）を含む共重合体である。
ＦＥＰとしては、特に限定されないが、ＴＦＥ単位とＨＦＰ単位とのモル比（ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位）が７０〜９９／３０〜１である共重合体が好ましい。より好ましいモル比は、８０〜９７／２０〜３である。ＴＦＥ単位が少なすぎると機械物性が低下する傾向があり、多すぎると融点が高くなりすぎ成形性が低下する傾向がある。
ＦＥＰは、ＴＦＥ及びＨＦＰと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０．１〜１０モル％であり、ＴＦＥ単位及びＨＦＰ単位が合計で９０〜９９．９モル％である共重合体であることも好ましい。ＴＦＥ及びＨＦＰと共重合可能な単量体としては、ＰＡＶＥ、アルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体等が挙げられる。
【００１６】
上述した共重合体の各単量体の含有量は、ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲ、元素分析、蛍光Ｘ線分析を単量体の種類によって適宜組み合わせることで算出できる。上記フッ素樹脂は、メルトフローレート（ＭＦＲ）が１．０ｇ／１０分以上であることが好ましく、２．５ｇ／１０分以上であることがより好ましく、１０ｇ／１０分以上であることが更に好ましい。ＭＦＲの上限は、例えば、１００ｇ／１０分である。
上記ＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３３０７に準拠して、温度３７２℃、荷重５．０ｋｇの条件下で測定し得られる値であり、本願明細書の実施例及び比較例もその方法に従って測定した。
【００１７】
フッ素樹脂の融点は、３２０℃以下であることが好ましく、３１０℃以下であることがより好ましい。融点は、耐熱性および両面基板を作製する上での加工性も鑑みると２９０℃以上が好ましく、２９５℃以上がより好ましい。
上記融点は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）装置を用い、１０℃／分の速度で昇温したときの融解ピークに対応する温度である。
フッ素樹脂は充填剤を含んでいてもよい。添加し得る充填剤は特に限定されないが、例えばシリカ、アルミナ、低損ガラス、ステアタイト、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。
フッ素樹脂フィルムを得る方法としては、上記溶融加工可能なフッ素樹脂又は該フッ素樹脂を含む組成物を成形することが挙げられる。成形方法としては、溶融押出し成形法、溶媒キャスト法、スプレー法等の方法が挙げられる。フッ素樹脂フィルムは充填剤を含んでいてもよく、該含んでいてもよい充填剤は前記したフッ素樹脂に添加し得る充填剤と同様である。
【００１８】
本発明において用いられるフッ素樹脂フィルムの表面は、接着性を高めるために表面改質を行うことが好ましい。フッ素樹脂フィルムの表面改質は、従来より行なわれているコロナ放電処理やグロー放電処理、プラズマ放電処理、スパッタリング処理などによる放電処理が採用できる。例えば、放電雰囲気中に酸素ガス、窒素ガス、水素ガスなどを導入することで表面自由エネルギーをコントロールできる他、有機化合物を含む不活性ガスである有機化合物含有不活性ガスの雰囲気に改質すべき表面を曝し、電極間に高周波電圧をかけることにより放電を起こさせ、これにより表面に活性種を生成し、ついで有機化合物の官能基を導入もしくは重合性有機化合物をグラフト重合することによって表面改質を行うことができる。上記不活性ガスとしては、たとえば窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスなどが挙げられる。
【００１９】
前記有機化合物含有不活性ガス中の有機化合物としては酸素原子を含有する重合性又は非重合性有機化合物が挙げられ、例えば、酢酸ビニル、ギ酸ビニルなどのビニルエステル類；グリシジルメタクリレートなどのアクリル酸エステル類；ビニルエチルエーテル、ビニルメチルエーテル、グリシジルメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸、ギ酸などのカルボン酸類；メチルアルコール、エチルアルコール、フェノール、エチレングリコールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、ギ酸エチルなどのカルボン酸エステル類；アクリル酸、メタクリル酸などのアクリル酸類などである。これらのうち改質された表面が失活しにくい、すなわち、寿命が長い点、安全性の面で取扱いが容易な点から、ビニルエステル類、アクリル酸エステル類、ケトン類が好ましく、特に酢酸ビニル、グリシジルメタクリレートが好ましい。
【００２０】
前記有機化合物含有不活性ガス中の有機化合物の濃度は、その種類、表面改質されるフッ素樹脂の種類などによって異なるが、通常０．１〜３．０容量％、好ましくは０．１〜１．０容量％である。放電条件は目的とする表面改質の度合い、フッ素樹脂の種類、有機化合物の種類や濃度などによって適宜選定すればよい。通常、荷電密度が０．３〜９．０Ｗ・ｓｅｃ／ｃｍ2、好ましくは０．３Ｗ・ｓｅｃ／ｃｍ2以上３．０Ｗ・ｓｅｃ／ｃｍ2未満の範囲で放電処理する。処理温度は０℃以上１００℃以下の範囲の任意の温度で行なうことができる。フィルムの伸びや皺などの懸念から８０℃以下であることが好ましい。
表面改質の度合いはＥＳＣＡによって観察した際にＯ（酸素原子）の存在割合が１．０％以上のものであり、１．２％以上が好ましく、１．８％以上がより好ましく、２．５％以上が更に好ましい。上限に関しては特に規定はしないが、生産性やその他の物性への影響を鑑みると、１５％以下であることが好ましい。Ｎ（窒素原子）の存在割合は特に規定されないが、０．１％以上あることが好ましい。またフッ素樹脂フィルム１枚の厚さは通常１０〜１００μｍであり、より好ましくは２０〜８０μｍである。
【００２１】
ガラスクロスとしては市販のものが使用でき、フッ素樹脂との親和性を高めるためにシランカップリング剤処理を施されたものが好ましい。ガラスクロスの材質としてはＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、低誘電率ガラスなどが挙げられるが、入手が容易である点からＥガラス、Ｓガラス、ＮＥガラスが好ましい。繊維の織り方としては平織でも綾織でも構わない。ガラスクロスの厚さは通常５〜９０μｍであり、好ましくは１０〜７５μｍであるが、使用するフッ素樹脂フィルムよりは薄いものを用いる。
【００２２】
銅箔とフッ素樹脂とガラスクロスを複合化する方法としては、以下の二つの方法が挙げられるが、生産性を考慮すると（ｉ）の方法が好ましい：
（ｉ）あらかじめ成形され表面処理がなされたフッ素樹脂のフィルムとガラスクロス及び銅箔を加熱下で圧着する方法、
（ｉｉ）ダイスなどから押し出されたフッ素樹脂の溶融物とガラスクロスを加熱下で複合化した後、表面処理を行い銅箔と加熱下で圧着する方法。  
【００２３】
前記加熱下での圧着、すなわち、熱圧着は通常２５０〜４００℃の範囲内で、１〜２０分間、０．１〜１０メガパスカルの圧力で行うことが出来る。熱圧着温度に関しては、高温になると樹脂のしみ出しや、厚みの不均一化が起こる懸念があり、３４０℃未満であることが好ましく、３３０℃以下であることがより好ましい。熱圧着はプレス機を用いてバッチ式に行うこともでき、また高温ラミネーターを用いて連続的に行うこともできる。プレス機を用いる場合は空気の挟み込みを防ぎ、フッ素樹脂がガラスクロス内へ入り込みやすくするために、真空プレス機を用いることが好ましい。フッ素樹脂がガラスクロス内へ入り込みにくい場合は、スルーホールを形成する際、メッキ液がガラスクロス内に浸透してしまい、スルーホール間にショートを生ぜしめるといった問題が発生し易い。
【００２４】
表面処理を行ったフッ素樹脂フィルムは、単体では表面粗度の低い銅箔に対して十分に接着することができず、熱圧着時に銅箔から染み出し、厚みの均一化も図れないが、上述の通り、ガラスクロスと複合化することにより、線膨張率が十分下がり、さらに樹脂の染み出しも低減し、表面粗度Ｒａが０．２μｍ未満である銅箔に対しても高い接着性を発現する。
【００２５】
請求項２の両面回路用基板は、２枚の銅箔の間に、ｎ枚のフッ素樹脂フィルムとｎ−１枚のガラスクロスが交互に積層した構成を有する（ｎは２〜１０の整数）。ｎの値は８以下が好ましく、６以下が更に好ましい。フッ素樹脂フィルムの厚さやガラスクロスの種類、及びｎの値を変えることによって本発明の誘電体層のＸＹ方向の線膨張率を変えることが出来るが、線膨張率の値は５〜５０ｐｐｍ／℃の範囲内が好ましく、１０〜４０ｐｐｍ／℃の範囲内が更に好ましい。誘電体層の線膨張率が５０ｐｐｍ／℃を超えると銅箔と誘電体層との密着性が低くなり、また銅箔エッチング後に基板の反りや波打ちなどの不具合を生じやすくなる。なお、ガラスクロスの上下に配置されたフッ素樹脂フィルムは、熱プレス時にガラスクロス中に浸透し、空隙を充填して、たがいに浸透し合う構造になっている。
【００２６】
フッ素樹脂（フィルム）とガラスクロスからなる誘電体層においては、フッ素樹脂からなる表面から１〜５０μｍの深さに、ガラス繊維の一部または全部が存在することが好ましい。前記の深さの範囲にガラス繊維の一部または全部が存在することにより、銅箔のピール強度が良好となり、更に溶融はんだ等の熱による変形等を抑えることができる。
【００２７】
本発明において高周波回路とは、単に高周波信号のみを伝送する回路からなるものだけでなく、高周波信号を低周波信号に変換して、生成された低周波信号を外部へ出力する伝送路や、高周波対応部品の駆動のために供給される電源を供給するための伝送路等、高周波信号ではない信号を伝送する伝送路も同一平面上に併設された回路も含まれる。
【００２８】
本発明の両面回路用基板は、伝送損失の小さいものほど好ましいが、伝送損失は基板の厚さに影響をされることが知られており、伝送損失の絶対値のみで基板の特性の良し悪しを論じることは困難である。本発明の両面回路用基板は、基板の厚さも考慮して、両面回路基板から両面の銅箔を除いた基板の厚さをＸ（μｍ）、ネットワークアナライザーを用いて２０ＧＨｚで測定した該基板の伝送損失をＹ（ｄＢ／ｃｍ）とした場合の、ＸとＹの積（Ｘ×Ｙ）が２２以下の関係を満たすものが好ましく、ＸとＹの積が２０以下の関係を満たすものがより好ましく、ＸとＹの積が１８以下の関係を満たすものが更に好ましい。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【００３０】
（銅箔表面の測定方法）
株式会社小坂研究所製のＳＥ−５００を用い、触針法にて銅箔の二次元表面粗度Ｒａを測定した。【００３１】
（フッ素樹脂表面のＥＳＣＡ分析）
Ｘ線光電子分光装置（株式会社島津製作所製のＥＳＣＡ−７５０）により測定した。【００３２】
（銅箔・ＰＦＡフィルム層間の接着強度（引きはがし強さ）の測定方法）
ＪＩＳ  Ｃ５０１６−１９９４に準拠して、毎分５０ｍｍの速度で銅箔（厚さ１８μｍ）を銅箔除去面に対して９０°の方向に引きはがしながら、引っ張り試験機により、銅箔の引きはがし強さを測定し、得られた値を接着強度とした。【００３３】
（誘電体層の線膨張率の測定方法）
ＪＩＳ  ６９１１に準拠して、ＴＭＡ（熱機械測定装置）により測定した。【００３４】
（誘電率、誘電正接の測定方法）
作成した両面基板の銅箔をエッチングした後、空洞共振器（関東電子応用開発株式会社製）により１ＧＨｚにて測定し、ネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー株式会社製、型式８７１９ＥＴ）にて解析した。【００３５】
（伝送損失の測定方法）
エッチングにより、長さ１０ｃｍのマイクロストリップラインを作成し、ネットワークアナライザーを用いて２０ＧＨｚにおける伝送損失を測定した。【００３６】
実施例１
表面粗度Ｒａが０．０８μｍである厚さ１８μｍの無粗処理電解銅箔（福田金属箔粉工業株式会社製  製品名ＣＦ−Ｔ９ＤＡ−ＳＶ−１８）２枚、厚さ５０μｍの両面に表面処理（フィルムを６０〜６５℃で予熱し、コロナ放電装置の放電電極とロール状接地電極（６０℃）の近傍に、酢酸ビニルが０．１３容量％含まれる窒素ガスを流しながら、フィルムをロール状接地電極に添わせて連続的に通過させ、荷電密度１．７ｗ・ｓ/ｃｍ２でフィルムの両面をコロナ放電処理した）がなされ、ＥＳＣＡ表面分析による表面のＯ（酸素原子）の存在割合が２．６２％であるテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルム（ＴＦＥ／ＰＰＶＥ＝９８．５／１．５（モル％）、ＭＦＲ：１４．８ｇ／１０分、融点：３０５℃）を２枚、厚さ１６μｍのガラスクロス（株式会社有沢製作所製ＩＰＣスタイル名１０２７）１枚を用意し、銅箔のマット面を内側にして、銅箔／ＰＦＡフィルム／ガラスクロス／ＰＦＡフィルム／銅箔の順に積層し、真空プレス機を用いて３２５℃で３０分間熱プレスすることにより、厚さが１３４μｍである本発明の両面基板１を作成した。【００３７】
実施例２
実施例１において両面処理がなされたＰＦＡフィルムの代わりに、片面にのみ実施例１と同じ条件で表面処理がなされ、処理面のＥＳＣＡ表面分析によるＯ（酸素原子）の存在割合が２．６２％であり、非処理面のＥＳＣＡ表面分析によるＯの存在割合が０．６１％であるテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルム（ＴＦＥ／ＰＰＶＥ＝９８．５／１．５（モル％）、ＭＦＲ：１４．８ｇ／１０分、融点：３０５℃）２枚を用い、銅箔のマット面とＰＦＡフィルムの処理面が向かい合うように、銅箔／ＰＦＡフィルム／ガラスクロス／ＰＦＡフィルム／銅箔の順に積層した以外は同様にして、厚さが１３２μｍである本発明の両面基板２を作成した。【００３８】
比較例１
実施例１において銅箔を粗度Ｒａが０．３９μｍである有粗化処理電解銅箔（福田金属箔粉工業株式会社製  製品名ＣＦ−Ｖ９Ｗ−ＳＶ−１８）に代えた以外は同様にして、厚さが１３５μｍである両面基板３を作成した。【００３９】
比較例２
実施例１において、両面処理がなされたＰＦＡフィルムの代わりに、両面のいずれも表面処理を行わず、ＥＳＣＡ表面分析によるＯ（酸素原子）の存在割合が０．６１％であるテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルム（ＴＦＥ／ＰＰＶＥ＝９８．５／１．５（モル％）、ＭＦＲ：１４．８ｇ／１０分、融点：３０５℃）２枚を用いた以外は、同様にして、厚さが１３１μｍである本発明の両面基板４を作成した。【００４０】
比較例３
実施例１において、ガラスクロスを除き、銅箔／ＰＦＡフィルム／ＰＦＡフィルム／銅箔の順に積層した以外は同様にして、両面基板５を作成した。【００４１】
上記両面基板１、２、３、４、５における銅箔とフッ素樹脂層の引きはがし強さを測定した。また銅箔をエッチングし、絶縁体層の誘電率、誘電正接及び線膨張率を測定した。更にマイクロストリップラインを作成し２０ＧＨｚでの伝送損失を測定した。結果を下記表１に示す。【００４２】
【表１】
2016021666.tif 000002
【００４３】
上記表より、次のことがわかる。
１．実施例と比較例１の対比から、表面粗度の小さい銅箔を使用した本発明回路のほうが伝送損失が７割程度に少なくなっている。
２．実施例と比較例２の対比から、表面処理をしたフッ素樹脂フィルムの、ＥＳＣＡを用いて表面観察した際、Ｏ（酸素原子）の存在割合が１．０％以上である物を銅箔に接触させた本発明のほうが、銅箔引きはがし強さが強い。表面処理をしないフッ素樹脂フィルムを使用した比較例２では、フッ素樹脂と銅箔とのピール強度が０．３Ｎ／ｍｍと低く、簡単にはがれてしまい、回路パターンを作成することができなかった。
３．実施例と比較例３の対比から、ガラスクロスを使用した本発明回路のほうが線膨張率が小さく、銅箔引きはがし強さも強い。ガラスクロスを使用しない比較例３では、フッ素樹脂フィルムの、ＥＳＣＡを用いて表面観察した際、Ｏ（酸素原子）の存在割合が１．０％以上である面が銅箔に接着しているにもかかわらず、そのピール強度が１．４と低く、またプレス時に樹脂が銅箔から流れ出し、厚さは平均６６μｍまで低下し、更に厚さが不均一であったため、伝送損失は測定できなかった。【００４４】
本発明によれば、線膨張率が小さく、銅箔引きはがし強さが強く、しかも高周波における伝送損失が少ない両面回路用基板を容易に製造出来るため、工業的に極めて有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月22日(2016.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３２０℃以下の融点を有するフッ素樹脂及びガラスクロスからなる複合材料と、マット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満である銅箔との積層体である両面回路用基板であって、前記銅箔のマット面は、前記複合材料のフッ素樹脂に直接接している、両面回路用基板。
【請求項２】
２枚の銅箔の間にｎ枚のフッ素樹脂フィルム及びｎ−１枚のガラスクロスが交互に積層されている回路用基板（ｎは２以上１０以下の整数）において、銅箔のマット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満であり、前記フッ素樹脂フィルムを構成するフッ素樹脂が、３２０℃以下の融点を有し、前記２枚の銅箔はいずれも、前記フッ素樹脂フィルムに直接接している、両面回路用基板。
【請求項３】
前記フッ素樹脂が、１．０ｇ／１０分以上のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有する、請求項１又は２に記載の両面回路用基板。
【請求項４】
ＥＳＣＡを用いて観察した際、フッ素樹脂の表面又はフッ素樹脂フィルムの表面におけるＯの存在割合が、１．０％以上である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項５】
前記フッ素樹脂の表面又は前記フッ素樹脂フィルムの表面が、改質されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項６】
前記銅箔と、前記フッ素樹脂層との間の、両面回路用基板に対して９０度方向への銅箔引きはがし強さが、０．８Ｎ／ｍｍ以上である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項７】
両面の銅箔を除いた該基板の厚さをＸ（μｍ）、ネットワークアナライザーを用いて２０ＧＨｚで測定した該基板の伝送損失をＹ（ｄＢ／ｃｍ）とした場合のＸとＹの積（Ｘ×Ｙ）が２２以下である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項８】
前記フッ素樹脂フィルムは、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月26日(2016.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）及びガラスクロスからなる複合材料と、マット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満である銅箔との積層体である両面回路用基板であって、前記銅箔のマット面は、前記複合材料のテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）に直接接している、両面回路用基板。
【請求項２】
２枚の銅箔の間にｎ枚のテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルム及びｎ−１枚のガラスクロスが交互に積層されている回路用基板（ｎは２以上１０以下の整数）において、銅箔のマット面（樹脂と接する面）の二次元粗度Ｒａが０．２μｍ未満であり、前記２枚の銅箔はいずれも、前記テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルムに直接接している、両面回路用基板。
【請求項３】
前記テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）が、１．０ｇ／１０分以上のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有する、請求項１又は２に記載の両面回路用基板。
【請求項４】
ＥＳＣＡを用いて観察した際、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）の表面又はテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルムの表面におけるＯの存在割合が、１．０％以上である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項５】
前記テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）の表面又は前記テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルムの表面が、改質されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項６】
前記銅箔と、前記テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）層との間の、両面回路用基板に対して９０度方向への銅箔引きはがし強さが、０．８Ｎ／ｍｍ以上である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項７】
両面の銅箔を除いた該基板の厚さをＸ（μｍ）、ネットワークアナライザーを用いて２０ＧＨｚで測定した該基板の伝送損失をＹ（ｄＢ／ｃｍ）とした場合のＸとＹの積（Ｘ×Ｙ）が２２以下である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【国際調査報告】
2016021666.tif 000003
2016021666.tif 000004