(57)【要約】  第２電極（１５０）は半透過膜になっている。そして、第２電極（１５０）上には、光透過膜（２１０）及び反射膜（２２０）が形成されている。そして、第２電極（１５０）、光透過膜（２１０）、及び反射膜（２２０）の積層構造は、隣り合う有機ＥＬ素子（第１電極(１１０)、有機層(１４０)、及び第２電極（１５０）の積層部分）の間にも形成されている。基板（１００）に入っていた外光の一部は、第２電極（１５０）によって反射され、残りは第２電極（１５０）を透過する。第２電極（１５０）を透過した光は、光透過膜（２１０）を介して反射膜（２２０）によって反射される。そしてこの反射した光の一部は、第２電極（１５０）を介して外部に出射するが、残りは第２電極（１５０）で反射し、再び反射膜（２２０）に向かう。
2014162385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられ、有機ＥＬ素子を有する発光部と、
前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子を有していない非発光部と、
を備え、
前記非発光部を覆う半光透過膜及び反射膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記半光透過膜及び前記反射膜は前記発光部にも形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記半光透過膜と前記反射膜の間に光透過膜を有することを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記半光透過膜の一部は、前記有機ＥＬ素子の上部電極であることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記光透過膜の光透過率は、前記有機ＥＬ素子の下部電極の光透過率より小さいことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
複数の前記発光部が所定の間隔で基板上に配置され、
隣り合う前記発光部の間には前記非発光部が配置され、
前記非発光部は光透過性を有することを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記非発光部に形成された構造物を備え、
前記非発光部のうち、前記構造物が形成されていない非形成領域の光透過率は、前記構造物が形成されている形成領域の光透過率に対して大きいことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記反射膜を覆う封止膜を備えることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記封止膜は、酸化膜であることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機ＥＬ（organic electroluminescence）がある。有機ＥＬにおいては、有機ＥＬ素子内に入射した外光が内部で反射し、有機ＥＬからの発光と混ざることがある。これに対して特許文献１には、有機ＥＬではないが、ＥＬ電気光学部材と電極の間に、光部分吸収膜と透明な膜とを積層させることが記載されている。特許文献１に記載の技術では、電極が光部分吸収膜と透明な膜に向けて光を反射することが、外光反射の抑制において必要となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−２７６１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の技術では、発光装置のうち電極が設けられていない領域、すなわち発光部とならない領域では、外光の反射を抑制できない。【０００５】
本発明が解決しようとする課題としては、発光部を有する発光装置において、発光部とならない領域において外光が反射することを抑制することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に設けられ、有機ＥＬ素子を有する発光部と、
前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子を有していない非発光部と、
を備え、
前記非発光部を覆う半光透過膜及び反射膜が設けられていることを特徴とする発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【０００８】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＣ−Ｃ断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】発光装置が有する発光部及び非発光部の位置を説明するための図である。
【図６】実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ断面図である。
【図８】図６のＣ−Ｃ断面図である。
【図９】実施例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１０】実施例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１１】実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１２】発光装置内における光の反射を説明する図である。
【図１３】屈折率の波長依存を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１０】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図であり、図３は図１のＣ−Ｃ断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ断面図である。
【００１１】
発光装置１０は、例えばディスプレイや照明装置である。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０を有することで演色性を実現するものであっても良い。照明装置としての発光装置１０は、後述する構造物としての隔壁１７０を形成せずに、第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０が一面に形成されていてもよい。なお、以下の説明では、発光装置１０がディスプレイである場合を例示している。
【００１２】
発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０（下部電極）、有機ＥＬ素子、絶縁層１２０、複数の第１開口１２２、複数の第２開口１２４、複数の引出配線１３０、有機層１４０、第２電極１５０（上部電極）、複数の引出配線１６０、及び複数の隔壁１７０を有している。絶縁層１２０、隔壁１７０は、基板の上に形成される構造物の一例である。そして、有機ＥＬ素子は、有機層１４０を第１電極１１０及び第２電極１５０で挟んだ積層物で構成される。この有機ＥＬ素子は、複数の隔壁１７０の間に位置している。すなわち有機ＥＬ素子及び引出配線１６０は、基板１００の一面側に位置している。そして、有機ＥＬ素子によって発光部が構成されている。
【００１３】
基板１００は、例えばガラスや樹脂材料で形成されているが、他の材料によって形成されていても良い。
【００１４】
第１電極１１０は、基板１００の第１面側に形成され、後述する図５に示すように、第１方向（図１におけるＹ方向）にライン状に延在している。第１電極１１０は、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子によって形成された透明電極である。また、第１電極１１０は導体（第１の導体）として形成されている。第１電極１１０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１３０に接続している。図示の例では、第１の導体は、第１電極１１０と引出配線１３０を積層した層となっている。
【００１５】
引出配線１３０は、第１電極１１０と駆動ＩＣなどの電子部品を含む外部とを接続する配線である。引出配線１３０は、例えば、酸化導電材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｌ、Ｃｒ、又はＡｇなどの金属材料又は合金で構成される金属配線であるが、金属以外の導電性材料によって形成された配線であっても良い。また、引出配線１３０は複数の層が積まれた積層構造を備えていても良い。この場合、引出配線の１つの層が第１の導体で構成されており、第１電極と引出配線１３０の１つの層が第１の導体で連続して形成されていても構わない。図１に示す例では、基板１００の上には、引出配線１３２及び引出配線１３０の順で形成されている。引出配線１３２は、第１電極１１０と同種の材料によって形成されている。本図に示す例では、引出配線１３０，１３２は引出配線１３０に最も近い第１開口１２２の近傍まで形成されている。図示の例では、第１電極１１０が絶縁層で覆われているが、第１電極１１０に電気的に接続される引出配線１３０及び引出配線１３２の少なくとも一部が絶縁層で覆われていても構わない。
【００１６】
絶縁層１２０は、図１〜図４に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１２０としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１２０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。
【００１７】
絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２及び複数の第２開口１２４が形成されている。第１開口１２２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１５０となる第２の導体１５２の交点に位置している。なお、第２の導体１５２のうち第１開口１２２内に位置する部分が第２電極１５０となる。複数の第１開口１２２は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の第１開口１２２は、第１電極１１０が延在する方向に並んでいる。また、複数の第１開口１２２は、第２の導体１５２の延在方向にも並んでいる。このため、複数の第１開口１２２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
【００１８】
第２開口１２４は、平面視で複数の第２の導体１５２のそれぞれの一端に位置している。また第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向）で見た場合、第２開口１２４は、第１電極１１０に沿う方向において、所定の間隔で配置されている。第２開口１２４からは、引出配線１６０又は引出配線１６０の一部分が露出している。
【００１９】
なお、第１開口１２２を有する絶縁層１２０と、第２開口１２４を有する絶縁層１２０は同一の材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。また、第１開口１２２を有する絶縁層１２０に対して基板１００の外周部側に、第２開口１２４を有する絶縁層１２０を形成してもよい。また、第１開口１２２を有する絶縁層１２０と第２開口１２４を有する絶縁層１２０は連続する層であってもよく、分離した層（分断している）であってよい。
【００２０】
第１開口１２２と重なる領域には、有機層１４０が形成されている。図２に示す例では、有機層１４０は、正孔輸送層１４２、発光層１４４、及び電子輸送層１４６を積層したものである。なお、一部の有機層は、例えば、正孔輸送層１４２、発光層１４４、電子輸送層１４６、後述する正孔注入層１４１、又は電子注入層を指す。正孔輸送層１４２は第１電極１１０に接しており、電子輸送層１４６は第２電極１５０に接している。このようにして、有機層１４０は第１電極１１０と第２電極１５０の間で挟持されている。
【００２１】
なお、第１電極１１０と正孔輸送層１４２との間には正孔注入層１４１が形成されても良いし、第２電極１５０と電子輸送層１４６との間には電子注入層が形成されてもよい。また、上記した各層の全てが必要ということではない。例えば電子輸送層１４６内でホールと電子の再結合が生じている場合、電子輸送層１４６が発光層１４４の機能を兼ねているため、発光層１４４は不要となる。また、これら第１電極１１０、正孔注入層、正孔輸送層１４２、電子輸送層１４６、電子注入層、及び第２電極第２電極１５０となる第２の導体１５２のうち、少なくとも１つは、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されていても良い。また、有機層１４０と第２電極との間には、ＬｉＦなどの無機材料で構成される電子注入層を設けても構わない。
【００２２】
なお、図２及び図３に示す例では、有機層１４０を構成する各層は、いずれも第１開口１２２の外側まではみ出している場合を示している。そして図３に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う第１開口１２２の間にも連続して形成されていても、連続して形成していなくても構わない。ただし、図４に示すように、有機層１４０は、第２開口１２４には形成されていない。
【００２３】
有機層１４０は、第１電極１１０及び第２電極１５０に挟持されている。第２電極１５０は、図１〜図４に示すように、有機層１４０より上に形成され、第１方向と交わる第２方向（図１におけるＸ方向）に延在している。第２電極１５０は、有機層１４０に電気的に接続している。例えば第２電極１５０は、有機層１４０上に形成されていても良いし、有機層１４０の上に形成された導電層の上に形成されていても良い。第２電極１５０となる第２の導体１５２は、例えばＡｇやＡｌなどの金属材料で形成された金属層、ＩＺＯなどの酸化導電材料で形成された層である。発光装置１０は、互いに平行な複数の第２の導体１５２０を有している。一つの第２の導体１５２は、複数の第１開口１２２上を通過する方向に形成されている。また、第２の導体１５２は引出配線１６０に接続している。図示の例では、第２の導体１５２の端部が第２開口１２４上に位置することにより、第２開口１２４において第２の導体１５２と引出配線１６０は接続している。
【００２４】
図１の例では、引出配線１６０の下には引出配線１６２が形成されている。図１に示す例では、引出配線１６２の幅は、引出配線１６０の幅に対して大きいが、小さくてもよい。引出配線１６０，１６２は、基板１００の第１面側のうち第１電極１１０及び引出配線１３０、１３２が形成されていない領域に形成されている。引出配線１６０は、例えば引出配線１３０と同時に形成されてもよいし、引出配線１３０とは別工程で形成されてもよい。同様に、引出配線１６２は、例えば引出配線１３２と同時に形成してもよいし、引出配線１３２とは別工程で形成されてもよい。
【００２５】
引出配線１６２は、第１電極１１０を構成する材料と同種の又は異なる材料で形成されている。ここで同種の材料の例としては、第１電極１１０が酸化導電材料であるＩＴＯで形成されている場合、第１電極１１０を構成するＩＴＯと同一又は異なる組成のＩＴＯ、又はＩＺＯなどの酸化導電材が挙げられる。また異なる材料の例として、Ａｌ等の金属材料などが挙げられる。
【００２６】
引出配線１６０の一端側（発光部側）の一部分は、絶縁層１２０に覆われており、かつ第２開口１２４にて露出している。そして第２開口１２４において、第２の導体１５２は引出配線１６０に接続している。また、引出配線１６０の他端側（基板の外周部側）の一部分は、絶縁層１２０の外側に引き出されている。すなわち、引出配線１６０の他端側は、絶縁層１２０から露出している。この引出配線１６０の他端側の一部分において、引出配線１６０は引出配線１３０と略直交する方向に延在している。
【００２７】
隣り合う第２の導体１５２の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２の導体１５２と平行すなわち第２の方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１２０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００２８】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２の導体１５２（第２電極１５０）より前に形成しておくことで、蒸着法やスパッタリング法を用いて、基板の一面側に第２の導体１５２を一面に形成することで、複数の第２電極１５０を一括で形成することができる。一面に形成した第２の導体１５２は、隔壁１７０により分断されるため、複数の第２の導体１５２が有機層１４０の上に設けられることになる。第２の導体１５２が分断される位置は、例えば、隔壁１７０の下地である絶縁層１２０上、又は隔壁１７０の側面などが挙げられる。そして隔壁１７０の延在方向を変えることにより、第２の導体１５２をストライプ形状、ドット形状、アイコン状、曲線などの自由な形状にパターニングできる。なお、隔壁１７０の上には、第２の導体１５２が形成されている。
【００２９】
また、有機層１４０を塗布材料で構成する場合、複数の第１開口１２２に塗布材料を塗布することで有機層１４０は形成される。塗布材料を複数の第１開口に塗布した際、隔壁１７０は、隔壁１７０の両側にある第１開口１２２に塗布された塗布材料が互いに繋がって、隔壁１７０の一方の側にある第１開口１２２から他方の側にある第１開口１２２にかけて、有機層が連続して形成されることを防止する機能を有していても構わない。この場合、隔壁１７０は、有機層１４０より前に形成されている。
【００３０】
本実施形態では、第２電極１５０（第２の導体１５２）は、光透過性を有する材料で形成すること、又は膜厚が調整されることなどによって、半透過膜になっている。例えば第２電極１５０がＡｌやＡｇで形成されている場合、第２電極１５０の膜厚を１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることで、半透過膜とすることができる。ただし、第２電極１５０の膜厚はこれに限定されない。
【００３１】
そして、第２の導体１５２上には、光透過膜２１０及び反射膜２２０が形成されている。光透過膜２１０は、例えばＡｌｑ３（tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium）などの有機材料、又はＣｒとＳｉＯ２を混在させた、光透過性を有する無機材料によって形成された膜であり、その膜厚は必要に応じて適宜変更される。光透過膜２１０の光透過率は、第１電極１１０の光透過率よりも低い。
【００３２】
光透過膜２１０が有機材料によって形成される場合、光透過膜２１０は塗布法（例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷法）を用いて形成されても良いし、蒸着法を用いて形成されても良い。塗布法で形成される場合、光透過膜２１０は、隔壁１７０の上面上には形成されない。一方、蒸着法を用いて形成される場合、光透過膜２１０は、隔壁１７０の上面上にも形成される。また光透過膜２１０は、隔壁１７０の側面の上、及び隔壁１７０の上の積層膜の側面の上にも形成される場合がある。
【００３３】
反射膜２２０は、例えばＡｌやＡｇなどの金属膜であり、その膜厚は、例えば８０ｎｍ以上である。反射膜２２０は、例えば蒸着法を用いて形成される。この場合、反射膜２２０は、隔壁１７０の上にも形成される。
【００３４】
図１２のＣ−Ｃ断面図において矢印で示すように、外光は、基板１００の第２面側から発光装置１０の内部に入ってくる。この外光の一部（例えば外光が基板１００に入射する際の全エネルギーのうち４０％以上６０％以下のエネルギー）は、第２の導体１５２によって反射され、残りは第２の導体１５２を透過する。第２の導体１５２を透過した光は、光透過膜２１０を介して反射膜２２０によって反射される。そしてこの反射膜２２０によって反射した外光の一部は、第２の導体１５２を介して基板１００の第１面側（外部）に出射するが、残りは第２電極１５０で反射し、再び反射膜２２０に向かう。
【００３５】
このように、外光の一部は第２の導体１５２と反射膜２２０の間に閉じ込められる。従って、発光装置１０で外光が反射されることを抑制できる。光透過膜２１０を設けることにより、この外光反射の抑制の波長依存性を低くすることができる。そして光透過膜２１０の屈折率の波長依存性が低い場合、この外光反射の抑制の波長依存性はとくに低くなる。ここで、屈折率の波長依存性が低いとは、図１３の実線及び点線に示すように、例えば小さい波長から大きい波長にかけて屈折率がフラット（又はほぼフラット）であることが挙げられ、一転鎖線で示す例とは異なり、屈折率に大きなピーク・ディップが見られないことをいう。また、反射膜２２０で反射してから第２の導体１５２を透過した光のうち、光透過膜２１０の膜厚が、波長をλ、整数をｎとして、２ｎ×λ／４となっている成分は、基板１００側から第２の導体１５２に入射してきた光と干渉し、打ち消しあう。従って、発光装置１０で外光が反射されることをさらに抑制できる。
【００３６】
本実施形態において、図５を用いて後述するように、光透過膜２１０及び反射膜２２０は、第２の導体１５２のうち有機ＥＬ素子ではない部分（第２電極１５０とはならない部分）の上にも形成されている。このため、外光反射の抑制は、発光装置１０のうち有機ＥＬ素子が形成されていない領域においても生じる。
【００３７】
また、反射膜２２０上には、封止膜２３０が形成されている。封止膜２３０は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法により成膜された膜は段差被覆性が高い。ここで、段差被覆性とは、段差がある部分における膜厚の均一性のことをいう。段差被覆性が高いとは、段差がある部分においても膜厚の均一性が高いことであり、段差被覆性が低いとは、段差がある部分において膜厚の均一性が低いことである。例えば図２に示す例において、隔壁１７０の有無によって封止膜２３０の下地には段差が形成されている。そして、封止膜２３０は、この段差の側面に位置する部分（２３０ａ）の膜厚と、上面に位置する部分（２３０ｂ）の膜厚の差が小さい。封止膜２３０は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化膜であり、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。封止膜２３０は、図１に示すように、絶縁層１２０、引出配線１６０、及び引出配線１３０を覆っている。ただし、封止膜２３０は、引出配線１３０，１６０のうち絶縁層１２０に覆われていない側の端部を覆っていなくても良い。なお、封止膜２３０は、ＡＬＤ法以外の成膜法、例えばＣＶＤ法を用いて形成されても良い。
【００３８】
なお、封止膜２３０は内部応力が比較的大きい。このような内部応力を有する封止膜２３０を形成した後、内部応力により封止膜２３０に形状変化（例えば収縮）が生じる場合がある。特に、封止膜２３０を第２の導体１５２上に直接形成した場合、第２の導体１５２が封止膜２３０に密着していれば、封止膜２３０による応力が第２電極１５０に加わり、第２の導体１５２の形状をも変化させる。このため、第２電極１５０と有機層１４０の界面、又は有機層１４０の内部で膜の剥離等が生じる。本実施形態では、第２電極１５０と封止膜２３０の間に光透過膜２１０を設けているため、この剥離等を抑止できる。特に光透過膜２１０と封止膜２３０が密着していれば、封止膜２３０の応力を吸収できる、或いは封止膜２３０の形状変化を抑止する（光透過膜が封止膜２３０の変形に対して抵抗力を加える）ため、上記した膜の剥離等を抑制できる。特に、光透過膜２１０と第２の導体１５２との密着性が小さければ、封止膜２３０の応力が第２の導体１５２に加わることを抑止できる。一方、光透過膜２１０と封止膜２３０の密着性が小さければ、封止膜２３０の応力が光透過膜２１０に加わらないので、第２の導体１５２に封止膜２３０の応力が加わることを抑止できる。この場合、光透過膜２１０と第２の導体１５２との密着性は高くても小さくても構わない。
【００３９】
また、光透過膜２１０を有機膜で形成した場合、光透過膜２１０と封止膜２３０の密着性は悪くなる。このため、封止膜２３０の形状が大きく変形して割れが生じ、封止性が低下してしまう場合がある。これに対して本実施形態では、光透過膜２１０と封止膜２３０の間に反射膜２２０を設けている。反射膜２２０が封止膜２３０と密着していれば、封止膜２３０の形状の変形を抑止でき、封止膜２３０に割れ等が生じて封止性が低下することを抑止できる。
【００４０】
図５は、発光装置１０が有する発光部及び非発光部の位置を説明するための図である。発光部１０２は、有機層１４０のうち発光する領域（有機ＥＬ素子となる領域）である。具体的には、有機層１４０のうち第１電極１１０及び第２電極１５０で挟まれた部分が発光部１０２となる。
【００４１】
発光部１０２には、第２電極１５０、光透過膜２１０、及び反射膜２２０が形成されている。このため、発光部１０２において、外光反射を抑制できる。
【００４２】
そして、隣り合う発光部１０２の間に位置する領域（非発光部１０４）においても、外光は入射してくる。これに対して本実施形態では、第２電極１５０と同様の材料からなる第２の導体１５２、光透過膜２１０、及び反射膜２２０が形成されている。このため、非発光部１０４においても、外光反射を抑制できる。
【００４３】
また、複数の発光部１０２が形成されている領域を囲んでいる領域、すなわち基板１００の縁に位置する領域（非発光部１０６）においても、一部が第２電極１５０となる第２の導体１５２、光透過膜２１０、及び反射膜２２０を形成すると、外光反射を抑制できる。この場合、非発光部１０６における第２の導体１５２は、発光部１０２及び非発光部１０４における第２電極１５０から分離しているのが好ましい。
【００４４】
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず基板１００上に第１電極１１０となる導電層を形成し、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１００上には、第１電極１１０及び引出配線１３２，１６２が形成される。
【００４５】
次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び引出配線１６２上に、引出配線１３０，１６０となる導電層を形成し、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、引出配線１３０，１６０が形成される。
【００４６】
次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び引出配線１３０，１６０上に絶縁層を形成し、この絶縁層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、絶縁層１２０、第１開口１２２、及び第２開口１２４が形成される。例えば絶縁層１２０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１２０には加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１２０のイミド化が進む。
【００４７】
次いで、絶縁層１２０上に隔壁１７０となる絶縁膜を形成し、この絶縁膜をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）など利用し、選択的に除去する。これにより、隔壁１７０が形成される。隔壁１７０が感光性の絶縁膜で形成される場合、露光及び現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。
【００４８】
隔壁１７０がネガ型レジストである場合、このネガ型レジストは、露光光源から照射光が照射された部分が硬化する。そして、このネガ型レジストのうち未硬化部分を現像液で溶解除去することにより、隔壁１７０が形成される。
【００４９】
次いで、第１開口１２２内に正孔注入層１４１、正孔輸送層１４２、発光層１４４、及び電子輸送層１４６、電子注入層を、この順に形成する。これらのうち少なくとも正孔注入層は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成される。この場合、第１開口１２２内に塗布材料が入り込み、この塗布材料が乾燥することにより、上記した各層が形成される。塗布法で用いられる塗布材料としては、高分子材料、高分子材料中に低分子材料を含んだものなどが適している。塗布材料としては、例えば、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子などを利用することができる。なお、有機層１４０のうち残りの層（例えば電子輸送層１４６）は、蒸着法により形成される。ただしこれらの層も、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。
【００５０】
次いで、有機層１４０上に第２電極１５０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。
【００５１】
なお、有機層１４０以外の層、例えば第１電極１１０、絶縁層１２０、引出配線１３０、引出配線１６０、第２電極１５０、及び隔壁１７０の少なくとも一つも、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。
【００５２】
次いで、光透過膜２１０、反射膜２２０、及び封止膜２３０を、上述した方法を用いて形成する。
【００５３】
以上、本実施形態によれば、第２電極１５０は半透過膜になっている。そして第２電極１５０上に、光透過膜２１０及び反射膜２２０が形成されている。従って、発光装置１０に入射してきた外光が反射されることを抑制できる。そして第２電極１５０、光透過膜２１０、及び反射膜２２０の積層構造は、発光部１０２のみではなく非発光部１０４にも形成されている。従って、非発光部１０４においても外光反射を抑制できる。
【００５４】
また本実施形態では、第２電極１５０を半透過膜にしている。このため、第２電極１５０とは別に半透過膜を形成する必要がない。従って、発光装置１０の製造コストを低くすることができる。なお、第２電極１５０が透光性を有している場合、第２電極１５０上に半透過膜を設けても良い。
【００５５】
（実施例１）
図６は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図７は、図６のＡ−Ａ断面図であり、図８は図６のＣ−Ｃ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００５６】
まず、絶縁層１２０は、隔壁１７０の下にのみ設けられており、第１電極１１０の上面を覆っているが、側面を覆ってはいない。すなわち、第１電極１１０の側面は露出している。このため、隣り合う２つの第１電極１１０の間には、絶縁層１２０は設けられていない、絶縁膜層１２０の非形成領域がある。すなわち、隣り合う２つの第１電極１１０の間であって、隣り合う２つの隔壁１７０の下にある絶縁層１２０の間における、非発光部１０４は光透過性を有している。すなわち絶縁層１２０の非形成領域における非発光部１０４の光の透過率は、絶縁層１２０の光の透過率よりも大きい。また、絶縁膜１２０の非形成領域における非発光部１０４の光の透過率は、絶縁層１２０がある非発光部１０４における光の透過率よりも大きい。
【００５７】
また、基板１００は、樹脂製の薄い板（例えば樹脂フィルム）である。このため、発光装置１０は可撓性を有する。
【００５８】
本実施例によっても、発光部１０２及び非発光部１０４の双方で外光反射を抑制できる。特に本実施例では、絶縁層１２０の非形成領域における非発光部１０４では、外光の透過量は多くなる。このような場合であっても、外光の反射を抑制できる。
【００５９】
また、絶縁層１２０をポリイミドで形成した場合、絶縁層１２０に水分やガスが残っていると、この水分やガスによって有機層１４０が劣化する可能性が出てくる。これを抑制するためには、一般的には絶縁層１２０の熱処理温度を高くする必要がある。しかし、絶縁層１２０の処理温度を高くすると、基板１００の材料として樹脂を用いることはできなくなる。
【００６０】
これに対して本実施例では、絶縁層１２０を隔壁１７０の下にのみ形成している。このため、水分が残っている絶縁層が形成される領域を比較的小さくできる。また、絶縁層に残っている水分等を隔壁１７０から放出して、有機層の劣化を抑止することできる場合がある。そのため、絶縁層１２０をイミド化するときの加熱温度を下げても、発光装置１０を使用している間に絶縁層１２０から出てくる水分やガスの量を少なくすることができる。このため、基板１００を樹脂製としても、基板１００が絶縁層１２０の熱処理においてダメージを受けることを抑制できる。絶縁層の加熱温度を下げることで樹脂製の基板１００を用いることが可能になり、また、絶縁層１２０が形成される領域を小さくし、隔壁の下にのみ絶縁層１２０を形成することで、所望する発光装置１０を得ることができる。
【００６１】
なお、隔壁１７０に用いる材料が基板１００と密着性が良好であれば、発光装置１０に絶縁層１２０を設けないことも考えられる。隔壁１７０に用いる材料が基板１００と密着性が悪い場合には、隔壁１７０を直接基板１００の上に形成した場合、所望する複数の隔壁１７０を形成することが困難になる。具体的には、基板上の一部の領域において、設けるべき隔壁１７０がない場合や、隔壁１７０が基板１００に対して立設されていなく、倒れている場合などが挙げられる。本実施例では、隔壁１７０の下に絶縁層１２０を設けて、所望する複数の隔壁１７０を形成している。
【００６２】
（実施例２）
図９及び図１０は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図９は実施形態の図２に対応しており、図１０は実施形態の図３に対応している。実施例２に係る発光装置１０は、光透過膜２１０を有していない点を除いて、実施形態又は実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００６３】
本実施例によっても、第２電極１５０及び反射膜２２０の積層構造は、発光部１０２のみではなく非発光部１０４にも形成されている。従って、発光部１０２及び非発光部１０４のそれぞれにおいて、外光反射を抑制できる。
【００６４】
（実施例３）
図１１は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図に示す発光装置１０は、アクティブ型のディスプレイである。
【００６５】
詳細には、基板１００と第１電極１１０の間には、トランジスタ形成層３００及び絶縁層３１０が設けられている、トランジスタ形成層３００には、半導体層（例えばシリコン層）が形成されており、この半導体層を用いて、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）３０２が形成されている。そしてトランジスタ形成層３００と第１電極１１０の間には、絶縁層３１０が形成されている。絶縁層３１０は、平坦化層としても機能する。
【００６６】
本実施例において、第１電極１１０は画素単位で形成されている。そして各第１電極１１０は、絶縁層３１０に埋め込まれた導体３２０を介して互いに異なるＴＦＴ３０２に接続している。一方、第２電極１５０は共通電極であるため、画素の間の領域及び隔壁１７０の上にも形成されている。
【００６７】
そして、本実施例においても、第２電極１５０の上には、光透過膜２１０、反射膜２２０、及び封止膜２３０が形成されている。なお、光透過膜２１０は形成されていなくても良い。
【００６８】
本実施例によっても、発光部１０２及び非発光部１０４のそれぞれにおいて、外光反射を抑制できる。
【００６９】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月8日(2016.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられ、有機ＥＬ素子を有する発光部と、
前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子を有していない非発光部と、
前記非発光部を覆う半光透過膜、光透過膜及び金属膜と、
前記発光部及び前記非発光部を覆い、少なくとも一部が前記金属膜と接する封止膜と、
を有し、
前記光透過膜は有機物で形成されている発光装置。
【請求項２】
複数の前記発光部が所定の間隔で基板上に配置され、
隣り合う前記発光部の間には前記非発光部が配置され、
前記非発光部は光透過性を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記半光透過膜、前記光透過膜、前記金属膜、及び前記封止膜は前記発光部にも形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記封止膜はＡＬＤ膜である請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記封止膜は少なくとも酸化アルミニウムを含む膜を有しており、当該膜の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記有機ＥＬ素子の上部電極と前記光透過膜との間に前記半光透過膜が位置する請求項１乃至５の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光透過膜の光透過率は、前記有機ＥＬ素子の下部電極の光透過率より小さいことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記非発光部に形成された構造物を備え、
前記非発光部のうち、前記構造物が形成されていない非形成領域の光透過率は、前記構造物が形成されている形成領域の光透過率に対して大きいことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の発光装置。
【国際調査報告】
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