(57)【要約】  本発明に係る仮固定用フィルムは、半導体ウェハを支持体に仮固定用フィルムを介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる仮固定用フィルムであって、（Ａ）高分子量成分及び（Ｂ）シリコーン変性樹脂を含有し、１１０℃で３０分間及び１７０℃で１時間加熱された後の弾性率が２３℃において０．１〜１０００ＭＰａである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを支持体に仮固定用フィルムを介して仮固定する仮固定工程と、前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された前記半導体ウェハを前記支持体及び前記仮固定用フィルムから分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる前記仮固定用フィルムであって、
（Ａ）高分子量成分及び（Ｂ）シリコーン変性樹脂を含有し、１１０℃で３０分間及び１７０℃で１時間加熱された後の弾性率が２３℃において０．１〜１０００ＭＰａである、仮固定用フィルム。
【請求項２】
前記（Ａ）高分子量成分が、ガラス転移温度が−５０℃〜５０℃であり、重量平均分子量が１０万〜１２０万である架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体を含む、請求項１に記載の仮固定用フィルム。
【請求項３】
前記（Ｂ）シリコーン変性樹脂が、シリコーン変性アルキド樹脂を含む、請求項１又は２に記載の仮固定用フィルム。
【請求項４】
前記（Ｂ）シリコーン変性樹脂の含有量が、前記（Ａ）高分子量成分１００質量部に対して、１〜１００質量部である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の仮固定用フィルム。
【請求項５】
（Ｃ）硬化促進剤を更に含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の仮固定用フィルム。
【請求項６】
硬化前の溶融粘度が１２０℃において１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、且つ、厚さが１０〜１５０ｎｍである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の仮固定用フィルム。
【請求項７】
半導体ウェハと仮固定用フィルムとの間の３０°剥離強度が３００Ｎ／ｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の仮固定用フィルム。
【請求項８】
離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた、請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用フィルムと、を備える、仮固定用フィルムシート。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用フィルム又は請求項８に記載の仮固定用フィルムシートを用いて加工された半導体ウェハから得られる半導体素子を備える、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハを加工する際に使用される仮固定用フィルム及び仮固定用フィルムシート、並びにこれらを用いて製造された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン及びタブレットＰＣ等の電子機器の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層し、高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が普及しており、半導体素子の実装には、実装工程において有利なフィルム状接着剤がダイボンディング用の接着剤として広く用いられている。しかし、このように多機能化の傾向があるにも関わらず、現行のワイヤボンドを使用した半導体素子の接続方式では、データの処理速度に限界があることから、電子機器の動作が遅くなる傾向にある。また、消費電力を低く抑え、充電せずにより長時間使用したいとのニーズが高まっていることから、省電力化も求められつつある。このような観点から、近年、更なる高速化と省電力化を目的として、ワイヤボンドではなく貫通電極により半導体素子同士を接続する新しい構造の半導体装置も開発されてきている。【０００３】
このように新しい構造の半導体装置が開発されてきているものの、依然として高容量化が求められており、パッケージ構造に関わらず、半導体素子をより多段に積層できる技術の開発が進められている。しかし、限られたスペースにより多くの半導体素子を積層するためには、半導体素子の安定した薄型化が必要不可欠である。【０００４】
現在、半導体素子を薄型化するための半導体ウェハの研削工程では、いわゆるＢＧテープと呼ばれる支持テープを半導体ウェハに貼り付け、サポートした状態で研削することが主流となっている。しかし。薄型化した半導体ウェハは表面に施された回路の影響により反りやすく、変形しやすいテープ素材であるＢＧテープでは薄型化した半導体ウェハを十分にサポートできなくなりつつある。【０００５】
このような背景から、ＢＧテープよりも硬い素材であるシリコンウェハ或いはガラスを支持体とする半導体ウェハの薄型化プロセスが提案されており、半導体ウェハと支持体であるシリコンウェハまたはガラスとを粘着させる材料が提案されてきている。このような粘着材では、研削後の半導体ウェハを損傷させることなく、支持体から剥離できることが重要な特性として要求されるが、そのような特性を満足するため、剥離方法について鋭意検討がなされている。例えば、溶剤による粘着材の溶解を利用したもの、加熱により粘着性を落とすことで剥離性を向上させたもの（例えば、下記特許文献１）、レーザー照射により粘着材を改質または消失させることを利用したもの（例えば、下記特許文献２）が挙げられる。しかし、溶剤での粘着材の溶解には時間がかかるため、生産性が低下しやすい。また、加熱により粘着性を落とす方法では、加熱による半導体ウェハへの悪影響が懸念されるとともに、耐熱性に劣ることから、貫通電極などを形成するプロセス用途では使用できない。一方、レーザー照射により粘着材を改質または消失させる方法では、高価なレーザー設備の導入が必要不可欠であり、このようなプロセスの適用には、かなりの投資が必要不可欠となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４９３６６６７号明細書
【特許文献２】特許第４５６５８０４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の粘着材は液状のものがほとんどであり、半導体ウェハまたは支持体にスピンコートなどで塗布し、加熱またはＵＶ照射などにより成膜して使用されている。しかし、このような場合、粘着材の塗布バラツキにより、個々の半導体ウェハで、研削後の厚みにバラツキが生じ易く、またスピンコートでは塗布時の回転で飛散した材料を廃棄する必要があるなどの課題がある。一方、フィルム状の粘着材では、膜厚の制御がより容易であり、個々の半導体ウェハ間での厚みバラツキを軽減することができる。また、ラミネートなどの簡便な方法により半導体ウェハまたは支持体上に成膜できることから、作業性も良好になると期待できる。【０００８】
また、研削する半導体ウェハは、平滑性が高いものに限らず、回路面にハンダボールを装備した８０μｍを超える表面凹凸のあるウェハも増加傾向にある。このように大きな凹凸のある表面から粘着剤を剥離することは比較的難しく、また、ハンダボールの接着強度が不十分な場合には、粘着剤の剥離時にハンダボールが欠落するなどの懸念が生じる。【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、支持体上に半導体ウェハを十分固定することができ、なおかつ加工後の半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから容易に分離することができる仮固定用フィルム及び仮固定用フィルムシート、並びにこれらを用いて製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体ウェハを支持体に仮固定用フィルムを介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる仮固定用フィルムであって、（Ａ）高分子量成分及び（Ｂ）シリコーン変性樹脂を含有し、１１０℃で３０分間及び１７０℃で１時間加熱された後の弾性率が２３℃において０．１〜１０００ＭＰａである、仮固定用フィルムを提供する。【００１１】
本発明に係る仮固定用フィルムによれば、支持体上に半導体ウェハを十分固定することができるとともに、加工後の半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから容易に分離することが可能となる。また、本発明に係る仮固定用フィルムは、上記弾性率を有するものであることにより、凹凸のある半導体ウェハからも容易に剥離することができる。【００１２】
本発明に係る仮固定用フィルムにおいて、上記（Ａ）高分子量成分が、ガラス転移温度が−５０℃〜５０℃であり、重量平均分子量が１０万〜１２０万である架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体を含むことが好ましい。【００１３】
また、上記（Ｂ）シリコーン変性樹脂がシリコーン変性アルキド樹脂を含むことが好ましい。【００１４】
更に、上記（Ｂ）シリコーン変性樹脂の含有量が、上記（Ａ）高分子量成分１００質量部に対して、１〜１００質量部であることが好ましい。【００１５】
本発明に係る仮固定用フィルムは、（Ｃ）硬化促進剤を更に含有することができる。【００１６】
本発明に係る仮固定用フィルムは、硬化前の溶融粘度が１２０℃において１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、且つ、厚さが１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。【００１７】
本発明に係る仮固定用フィルムは、半導体ウェハと仮固定用フィルムとの間の３０°剥離強度が３００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。【００１８】
本発明はまた、離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた、請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用フィルムと、を備える仮固定用フィルムシートを提供する。【００１９】
本発明はまた、上記本発明に係る仮固定用フィルム又は仮固定用フィルムシートを用いて加工された半導体ウェハから得られる半導体素子を備える半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、支持体上に半導体ウェハを十分固定することができ、なおかつ加工後の半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから容易に分離することができる仮固定用フィルム及び仮固定用フィルムシート、並びにこれらを用いて製造された半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（Ａ）は、本発明に係る仮固定用フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、本発明に係る仮固定用フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図３（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハを示す上面図である。
【図４】図４は、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図５】図５は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。
【００２３】
［仮固定用フィルム］
本実施形態に係る仮固定用フィルムは、半導体ウェハを支持体に仮固定用フィルムを介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる仮固定用フィルムであって、（Ａ）高分子量成分及び（Ｂ）シリコーン変性樹脂を含有し、１１０℃で３０分間及び１７０℃で１時間加熱された後の弾性率が２３℃において０．１〜１０００ＭＰａであることを特徴とする。
【００２４】
本実施形態で用いる（Ａ）高分子量成分としては、架橋性官能基を有するポリマーを用いることができる。ポリマーとしては、例えば、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのいずれかの意味で用いられる。上記の樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２５】
上述の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、或いは、市販品を用いてもよい。
【００２６】
上記ポリマーは、架橋性官能基をポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられ、これらのなかでも、カルボキシル基が好ましい。カルボキシル基は、アクリル酸を用いることによってポリマー鎖に導入することができる。
【００２７】
本実施形態においては、カルボキシル基を有する（メタ）アクリル共重合体を用いることが好ましく、例えば、カルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体、カルボキシル基を有するアクリルゴムなどを挙げることができる。これらのうち、カルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体が好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とするものであり、例えば、ブチルアクリレート及び／又はエチルアクリレートとアクリロニトリルとの共重合体などからなるゴムが挙げられる。
【００２８】
高分子量成分のガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と表記する）は、−５０℃〜５０℃であることが好ましく、−３０℃〜２０℃であることがより好ましい。Ｔｇがこのような範囲であると、シートに成形した後のタック力が上がりすぎて取り扱い性が悪化することを抑制しつつ、十分な流動性を得ることができ、さらに硬化後の弾性率を低くすることができ、剥離強度が高くなりすぎることを抑制できる。
【００２９】
ガラス転移温度は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、（株）リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ２」）を用いて測定したものをいう。
【００３０】
高分子量成分の重量平均分子量は、特に限定されないが、好ましくは１０万〜１２０万であり、より好ましくは２０万〜１００万である。高分子量成分の重量平均分子量がこのような範囲であると、成膜性と流動性とを確保することが容易となる。
【００３１】
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３２】
本実施形態で用いる（Ｂ）シリコーン変性樹脂としては、シリコーンで変性された樹脂であれば特に制限はない。
【００３３】
シリコーン変性樹脂としては、シリコーン変性アルキド樹脂が好ましい。
【００３４】
仮固定用フィルムがシリコーン変性アルキド樹脂を含有することで、仮固定用フィルムを半導体ウェハから剥離する際、溶剤を用いることなく容易に剥離することが可能となる。
【００３５】
シリコーン変性アルキド樹脂を得る方法としては、例えば（ｉ）アルキド樹脂を得る通常の合成反応、すなわち多価アコールと脂肪酸、多塩基酸等とを反応させる際に、オルガノポリシロキサンをアルコール成分として同時に反応させる方法、（ｉｉ）あらかじめ合成された一般のアルキド樹脂に、オルガノポリシロキサンを反応させる方法が挙げられる。
【００３６】
アルキド樹脂の原料として用いられる多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ネオペンチルグリコール等の二価アルコール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン等の三価アルコール、ジグリセリン、トリグリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、マンニット、ソルビット等の四価以上の多価アルコールが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
アルキド樹脂の原料として用いられる多塩基酸としては、例えば、無水フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、無水トリメット酸等の芳香族多塩基酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族飽和多塩基酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水シトラコン酸等の脂肪族不飽和多塩基酸、シクロペンタジエン−無水マレイン酸付加物、テルペン−無水マレイン酸付加物、ロジン−無水マレイン酸付加物等のディールズ・アルダー反応による多塩基酸が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
アルキド樹脂は、変性剤又は架橋剤を更に含有していてもよい。
【００３９】
変性剤としては、例えばオクチル酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレイン酸、エレオステアリン酸、リシノレイン酸、脱水リシノレイン酸、あるいはヤシ油、アマニ油、キリ油、ヒマシ油、脱水ヒマシ油、大豆油、サフラワー油及びこれらの脂肪酸などを用いることができる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４０】
架橋剤としては、メラミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を例示することができる。これらの中でも、アミノ樹脂を用いた場合、アミノ樹脂により架橋されたアミノアルキド樹脂が得られ好ましい。架橋剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４１】
シリコーン変性アルキド樹脂においては、硬化触媒として酸性触媒を用いることができる。酸性触媒としては、特に制限はなく、アルキド樹脂の架橋反応触媒として公知の酸性触媒の中から適宜選択して用いることができる。このような酸性触媒としては、例えばｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機系の酸性触媒が好適である。酸性触媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
上述のようなシリコーン変性アルキド樹脂としては、例えば、テスファインＴＡ３１−２０９Ｅ（日立化成ポリマー（株）製、商品名）が挙げられる。
【００４３】
本実施形態においては、容易に剥離せしめるという観点から、シリコーン変性アルキド樹脂と同時にポリエーテル変性シリコーン、アルキル変性シリコーン、エポキシ変性シリコーンなどを組み合わせて使用することが好ましい。
【００４４】
上述のようなシリコーンとしては、東レ・ダウコーニング（株）製のＳＨ３７７３Ｍ、Ｌ−７００１、ＳＨ−５５０、ＳＨ−７１０、信越シリコーン（株）製のＸ−２２−１６３、ＫＦ−１０５、Ｘ−２２−１６３Ｂ、Ｘ−２２−１６３Ｃ等が挙げられるが、高分子量体と相溶すれば、特に限定はない。
【００４５】
本実施形態に係る仮固定用フィルムにおける（Ｂ）シリコーン変性樹脂の配合量は、（Ａ）高分子量成分１００質量部に対して、１〜１００質量部が好ましく、１０〜８０質量部がより好ましい。（Ｂ）シリコーン変性樹脂の配合量が上記範囲内であると、半導体ウェハ加工時の接着性と加工後の剥離性とを両立させることが可能となる。また、（Ｂ）シリコーン変性樹脂の配合量は、（Ａ）高分子量成分１００質量部に対して、３０質量部以上であることが好ましい。
【００４６】
本実施形態に係る仮固定用フィルムは、（Ａ）高分子量成分及び（Ｂ）シリコーン変性樹脂以外に、必要に応じて（Ｃ）硬化促進剤、及びその他の成分を含有することができる。
【００４７】
（Ｃ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
本実施形態に係る仮固定用フィルムがカルボキシル基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。
【００４９】
硬化促進剤の添加量が少なすぎる場合には、半導体素子の製造工程内の熱履歴では仮固定用フィルムを完全に硬化させることが困難となり、半導体ウェハと支持体を確実に固定できなくなる可能性がある。一方、硬化促進剤の添加量が多すぎる場合には、製造工程中の加熱により仮固定用フィルムの溶融粘度が上昇しやすくなるだけではなく、フィルムの保存安定性が悪くなる傾向がある。このような観点から、本実施形態に係る仮固定用フィルムにおける（Ｃ）硬化促進剤の配合量は、（Ａ）高分子量成分１００質量部に対して０．０１〜２．０質量部が好ましくい。
【００５０】
その他の成分としては、無機フィラーが挙げられる。無機フィラーとしては、Ｂステージ状態における仮固定用フィルムの取扱い性の向上、低熱膨張性の向上の観点から、シリカフィラーを配合することが好ましい。この場合、未硬化の仮固定用フィルムの取扱い性の観点から、高分子量成分１００質量部に対して、無機フィラーを１０〜１００質量部配合することが好ましい。
【００５１】
また、本実施形態に係る仮固定用フィルムは、耐熱性の観点から、カップリング剤を含有することができる。カップリング剤としては、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００５２】
また、本実施形態に係る仮固定用フィルムは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有することができる。
【００５３】
本実施形態に係る仮固定用フィルムは、１１０℃で３０分間及び１７０℃で１時間加熱された後の弾性率が２３℃において０．１以上１０００ＭＰａ以下が好ましい。２３℃での弾性率が０．１ＭＰａ以上であると、フィルムがやわらかくなって剥離工程時に半導体ウェハに糊残りが発生する可能性を低減することができ、２３℃での弾性率が１０００ＭＰａ以下であると、バンプ等の凹凸を有する半導体ウェハからも剥離しやすくなる。
【００５４】
弾性率は、動的粘弾性測定装置（（株）ＵＢＭ社製）を用い、３℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
【００５５】
本実施形態に係る仮固定用フィルムは、硬化前の溶融粘度が１２０℃において１５０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。１２０℃における溶融粘度が１５０００Ｐａ・ｓ以下であると、例えば、７０〜１５０℃／０．０２〜０．２ＭＰａ／１〜５分／５〜１５ｍｂａｒの条件下で、空隙を生じさせることなく半導体ウェハへの圧着が可能となる。更に、１２０℃における溶融粘度が１５０００Ｐａ・ｓ以下であると、上記条件で半導体ウェハに真空圧着した際に、十分な流動性を得ることができ、空隙の発生を抑制することができる。
【００５６】
上記溶融粘度は、ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）を用い、仮固定用フィルムに５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
【００５７】
本実施形態に係る仮固定用フィルムの膜厚は、仮固定の機能確保と半導体ウェハのバンプ等の凹凸を十分に充填可能とする観点から、１０〜１５０μｍであることが好ましい。膜厚が１０μｍ以上であると、バンプ等を十分埋め込むことに優れ、１５０μｍ以下であると、経済的である。半導体ウェハにバンプが形成されている場合、バンプを十分埋め込む観点から、１５〜１５０μｍであることが好ましく、３０〜１１０μｍであることがさらに好ましい。半導体ウェハにバンプが形成されていない場合、経済的な観点から、１０〜３０μｍであることが好ましく、さらに１０〜２０μｍであることがさらに好ましい。
【００５８】
本実施形態に係る仮固定用フィルムは、仮固定用フィルムと半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ）との間の３０°剥離強度が３００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。この場合、半導体ウェハと仮固定用フィルムとを剥離するときに、半導体ウェハの割れなどを防止することが容易となる。
【００５９】
本実施形態に係る仮固定用フィルムは、上述した各成分を含む仮固定用フィルム形成用組成物のワニスから作製することができる。
【００６０】
具体的には、まず、上記（Ａ）高分子量成分及び上記（Ｂ）シリコーン変性樹脂、並びに、必要に応じて、上記（Ｃ）硬化促進剤、上記無機フィラーやカップリング剤などの他の添加成分を、有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。次に、得られたワニスを基材フィルム上に塗布することによりワニスの層を形成する。次に、加熱乾燥によりワニス層から溶媒を除去した後、基材フィルムを除去することにより、仮固定用フィルムが得られる。
【００６１】
上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行うことができる。
【００６２】
上記基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。
【００６３】
上記有機溶媒は、上記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点で、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。
【００６４】
図１（Ａ）は、本実施形態の仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【００６５】
図１に示す仮固定用フィルムシート１は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた仮固定用フィルム２０と、仮固定用フィルム２０の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。
【００６６】
支持フィルム１０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドであることが好ましい。また、仮固定用フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
【００６７】
支持フィルム１０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３〜２５０μｍであることが好ましい。３μｍ以上であれば、フィルム強度が十分であり、２５０μｍ以下であれば、十分な柔軟性が得られる。このような観点から、支持フィルム１０の厚みは、５〜２００μｍであることが更に好ましく、７〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００６８】
本実施形態の仮固定用フィルム２０の厚みについては、仮固定の機能確保と半導体ウェハのバンプ等の凹凸を十分に充填可能とする観点から、１０〜１５０μｍであることが好ましい。膜厚が１０μｍ以上であると、バンプ等を十分埋め込むことに優れ、１５０μｍ以下であると、経済的である。半導体ウェハにバンプが形成されている場合、バンプを十分埋め込む観点から、１５〜１５０μｍであることが好ましく、３０〜１１０μｍであることがさらに好ましい。半導体ウェハにバンプが形成されていない場合、経済的な観点から、１０〜３０μｍであることが好ましく、さらに１０〜２０μｍであることがさらに好ましい。
【００６９】
厚膜のフィルムを製造する場合は、予め形成した厚み１００μｍ以下のフィルムを貼り合せてもよい。このように貼り合せたフィルムを用いることで、厚膜化フィルムを作製したときの残存溶剤を低下させることができる。
【００７０】
保護フィルム３０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンであることが好ましい。また、仮固定用フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを保護フィルムとして用いることが好ましい。
【００７１】
保護フィルム３０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜設定することができるが、１０〜２５０μｍであることが好ましい。１０μｍ以上であれば、フィルム強度が十分であり、２５０μｍ以下であれば、十分な柔軟性が得られる。このような観点から、保護フィルム３０の厚みは、１５〜２００μｍであることが更に好ましく、２０〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００７２】
図２（Ａ）は、本発明に係る仮固定用フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【００７３】
図２に示す仮固定用フィルムシート２は、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用フィルム２０及び保護フィルム３０が予め裁断されていること以外は、仮固定用フィルムシート１と同様の構成を有する。なお、図２では、裁断された仮固定用フィルム２０及び保護フィルム３０の外縁部が除去されているが、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用フィルム及び保護フィルムに切れ込みが設けられ、外縁部が残されていてもよい。
【００７４】
［半導体ウェハ加工方法］
本実施形態に係る半導体ウェハの加工方法は、大きく分けて以下の４工程からなる。（ａ）半導体ウェハと支持体とを仮固定用フィルムを介して仮固定する仮固定工程と、（ｂ）支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、（ｃ）加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程と、（ｄ）半導体ウェハに残渣がある場合に洗浄する洗浄工程とからなる。
【００７５】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図３（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハを示す上面図である。
【００７６】
＜（ａ）仮固定工程＞
図３の（Ａ）は、支持体５０及び半導体ウェハ６０の間に、本実施形態に係る仮固定用フィルム４０を介在させ、支持体５０に半導体ウェハ６０を仮固定する工程を示す。
【００７７】
半導体ウェハ６０の厚みは、特に制限はないが、６００〜８００μｍとすることができる。
【００７８】
まず、仮固定用フィルムを用意する。次に、ガラス或いはウェハからなる円形の支持体上に仮固定用フィルムを貼り付ける。貼り付け後、支持体の形状に合わせて仮固定用フィルムを円形に切断する。このとき、加工する半導体ウェハの形状にも合わせて切断する形状を設定することが好ましい。また、支持体ではなく、加工する半導体ウェハ側に仮固定用フィルムを貼り付けてもよい。
【００７９】
次に、真空プレス機又は真空ラミネーター上に、仮固定用フィルムを設けた支持体をセットし、半導体ウェハをプレスで押圧して貼り付ける。なお、半導体ウェハ側に仮固定用フィルムを設けた場合には、真空プレス機又は真空ラミネーター上に、仮固定用フィルムを貼り合せたウェハをセットし、支持体をプレスで押圧して貼り付ける。
【００８０】
こうして、図３（Ａ）に示すように、支持体５０及び半導体ウェハ６０の間に仮固定用フィルム４０を介在させ、支持体５０に半導体ウェハ６０を仮固定する。
【００８１】
ウェハ接合装置を用いる場合は、例えばＥＶＧ社製真空プレス機ＥＶＧ５２０ＩＳ（商品名）を用いて、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度６０℃〜２００℃、保持時間１００秒〜３００秒で、半導体ウェハ６０と支持体５０とを仮固定用フィルム４０を介して仮固定する。
【００８２】
真空ラミネーターを用いる場合は、例えば株式会社エヌ・ピー・シー製真空ラミネーターＬＭ−５０×５０−Ｓ（商品名）、ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０（商品名）を用い、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度４０℃〜１８０℃、好ましくは６０℃〜１５０℃、ラミネート圧力０．０１〜０．５ＭＰａ、好ましくは０．１〜０．５ＭＰａ、保持時間１秒〜６００秒、好ましくは３０秒〜３００秒で、半導体ウェハ６０と支持体５０とを仮固定用フィルム４０を介して仮固定する。
【００８３】
半導体ウェハ６０と支持体５０とを仮固定用フィルム４０を介して仮固定した後、加熱することにより、仮固定用フィルム４０の熱硬化を行う。熱硬化の条件としては、例えば、１１０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱することが挙げられる。
【００８４】
本実施形態の支持体には剥離処理を行ってもよく、図３（Ａ）のように支持体５０表面の全部、又は一部を剥離処理することで、剥離層５２を形成する。剥離処理に使用される剥離剤は特に限定されないが、例えば、フッ素元素を有する表面改質剤、ポリオレフィン系ワックス及びシリコーンオイル、反応性基を含有するシリコーンオイル、シリコーン変性アルキド樹脂が剥離性に優れるため好ましい。
【００８５】
以上説明したような構成の仮固定用フィルムを用いると、支持体を用いた高温での半導体ウェハの加工が可能で、加工後に室温で仮固定用フィルムを半導体ウェハ及び支持体から糊残りなく剥離することができる。
【００８６】
＜（ｂ）加工工程＞
加工工程には、ウェハレベルで用いられる研削、電極形成、金属配線形成、保護膜形成などが含まれる。研削方式には特に制限はなく、公知の研削方式が利用できる。研削は半導体ウェハと砥石（ダイヤモンドなど）とに水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。
【００８７】
例えば、図３（Ｂ）に示すように、グラインダー９０によって半導体ウェハ８０の裏面、すなわち半導体ウェハ８０の仮固定用フィルム７０と接する側とは反対側の面を研削し、例えば７２５μｍ程度の厚みを１００μｍ以下にまで薄化する。
【００８８】
研削加工する装置としては、例えばＤＩＳＣＯ株式会社製ＤＧＰ−８７６１（商品名）等が挙げられ、この場合の切削条件は所望の半導体ウェハの厚み及び研削状態に応じて任意に選ぶことができる。
【００８９】
その他の工程は具体的には、電極などの形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクするためのレジストの塗布、露光・現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、公知のプロセスが挙げられる。
【００９０】
図３（Ｃ）は、薄化した半導体ウェハ８０の裏面側にドライイオンエッチング又はボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっきなどの処理を行い、貫通電極８２を形成した例を示している。
【００９１】
こうして半導体ウェハ８０に所定の加工が施される。図３（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハ８０の上面図である。
【００９２】
他の態様として、予め貫通電極を作製した厚膜の半導体ウェハを用意し、このウェハの回路面に仮固定用フィルムを設け、グラインダーによって半導体ウェハの裏面（本実施形態においては半導体ウェハの配線パターンを有する面とは反対側）を研削し、例えば７００μｍ程度の厚みを１００μｍ以下にまで薄化することができる。次に、薄化した半導体ウェハをエッチングし、貫通電極の頭出しを行い、パッシベーション膜を形成する。その後、イオンエッチングなどで銅電極の頭出しを再度行い、回路を形成する。こうして加工された半導体ウェハを得ることができる。
【００９３】
＜（ｃ）分離工程＞
図４は、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態に係る分離工程は、支持体から半導体ウェハを剥離する第一の剥離工程と、半導体ウェハから仮固定用フィルムを剥離する第二の剥離工程と、を含む。第一の剥離工程は、加工工程で加工を施した半導体ウェハを支持体から剥離する工程、即ち、薄型化した半導体ウェハに様々な加工を施した後、ダイシングする前に支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、主に半導体ウェハと支持体とを加熱（好ましくは２００〜２５０℃）しながら、水平方向に沿って反対方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、支持体の半導体ウェハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された半導体ウェハの研削面に保護フィルムを貼り、半導体ウェハと保護フィルムとをピール方式で支持体から剥離する方法等が挙げられるが、特に制限なく採用することができる。
【００９４】
本実施形態には、これらの剥離方法すべてに適用可能であるが、図４（Ａ）に示されるような支持体の半導体ウェハ８０又は支持体５０の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された半導体ウェハの研削面に保護フィルムを貼り、半導体ウェハと保護フィルムとをピール方式で剥離する方法等がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０〜１００℃程度の半導体ウェハにダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分解する際は、例えばＥＶＧ社製Ｄｅ−Ｂｏｎｄｉｎｇ装置ＥＶＧ８０５ＥＺＤを用いる。
【００９５】
また、半導体ウェハ８０と支持体５０との分離は、例えば、仮固定用フィルムと半導体ウェハの界面に鍵型の形をした冶具を引っ掛けるように設置し、上方向に応力を加えることによって行うことができる。
【００９６】
第二の剥離工程では、例えば、図４（Ｂ）に示されるように、半導体ウェハ８０を水平に固定しておき、仮固定用フィルム７０の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定用フィルムが剥離された半導体ウェハ８０を得ることができる（図４（Ｃ）を参照）。本実施形態においては、本実施形態に係る仮固定用フィルムを用いることにより、糊残りなどの残渣が十分低減された加工済み半導体ウェハを容易に得ることができる。
【００９７】
本実施形態においては、第一の剥離工程で、半導体ウェハと、フィルム状の仮固定材との間で分離を行ってもよい。
【００９８】
＜（ｄ）洗浄工程＞
半導体ウェハの回路形成面は仮固定材の一部が残存しやすい。剥離した半導体ウェハの回路形成面に仮固定材が一部残存した場合、これを除去するための洗浄工程を設けることができる。仮固定材の除去は、例えば、半導体ウェハを洗浄することにより行うことができる。
【００９９】
用いる洗浄液には、一部残存した仮固定材を除去できるような洗浄液であれば、特に制限はなく、例えば、仮固定用樹脂組成物の希釈に用いることができる上記有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１００】
また、残存した仮固定材が除去しにくい場合は、有機溶剤に塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニアなどのアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどのアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％が好ましい。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。
【０１０１】
洗浄方法として、特に制限はないが、例えば、上記洗浄液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、薄型の半導体ウェハ８０が得られる。
【０１０２】
なお、上述したように、本実施形態に係る仮固定用フィルムによれば、糊残りなどの残渣を十分低減することができるため、洗浄工程を省略することが可能となる。
【０１０３】
加工された半導体ウェハ８０は、上記と同様にして貫通電極８２が形成され、さらにダイシングライン８４に沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される。
【０１０４】
本実施形態においては、得られた半導体素子を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより半導体装置を製造することができる。
【０１０５】
図５は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。まず、上述した方法により、貫通電極８６が形成され、個片化された半導体素子１００を用意する（図５（Ａ））。そして、半導体素子１００を配線基板１１０上に複数積層することにより半導体装置１２０を得ることができる（図５（Ｂ））。
【実施例】
【０１０６】
以下、実施例及び比較例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【０１０７】
（実施例１〜５及び比較例１、２）
表１又は表２に示す組成（成分及び組成比（単位：質量部））を有する組成物に、シクロヘキサノンを加え、撹拌混合してワニスを得た。【０１０８】
次に、得られたワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布した。塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の２段階で加熱乾燥した。こうして支持フィルムとしてのＰＥＴフィルム上に、Ｂステージ状態にある厚み４０μｍの仮固定用フィルムを備えた仮固定用フィルムシートを得た。なお、得られた仮固定フィルムシートの仮固定材面をポリエチレン（ＰＥ）フィルムと貼り合わせて３層構造とすることで、仮固定材面への異物付着を防止した。【０１０９】
【表１】
2015098949.tif 000003
【０１１０】
【表２】
2015098949.tif 000004
【０１１１】
なお、表１及び表２中の各成分の記号は下記のものを意味する。
（高分子量成分）
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３０Ｂ：（アクリルゴム、帝国化学産業株式会社製サンプル名、重量平均分子量２５万、Ｔｇ：１２℃）。
ＨＴＲ−２８０−ＣＨＮ：（アクリルゴム、帝国化学産業株式会社製サンプル名、重量平均分子量９０万、Ｔｇ：−２８℃）。
ＨＴＲ−２８０−ＣＨＮ  改１７：（アクリルゴム、帝国化学産業株式会社製サンプル名、重量平均分子量９０万、Ｔｇ：−１０℃）。【０１１２】
（シリコーン変性樹脂）
ＴＡ３１−２０９Ｅ：  （日立化成ポリマー（株）製商品名、シリコーン変性アルキッド樹脂）
ＫＦ−１０５：  （信越シリコーン株式会社製商品名、エポキシ変性シリコーン）
ＳＨ−５５０：  （東レ・ダウコーニング株式会社製商品名、メチルフェニルシリコーン）
ＳＨ３７７３Ｍ：  （東レ・ダウコーニング株式会社製商品名、ポリエーテル変性シリコーン）【０１１３】
（硬化促進剤）
キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ：（四国化成工業株式会社製商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）。【０１１４】
（比較例３）
［ポリイミド樹脂ＰＩ−１の合成］
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えたフラスコ内に、ジアミンである、ＢＡＰＰ（商品名、東京化成製、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン）、分子量４１０．５１）を１０．２６ｇ（０．０２５ｍｏｌ）及び１，４−ブタンジオール  ビス（３−アミノプロピル）エーテル（東京化成製、商品名：Ｂ−１２、分子量：２０４．３１）５．１０ｇ（０．０２５ｍｏｌ）と、溶媒である、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１００ｇとを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート酸二無水物（ＤＢＴＡ）２６．１１ｇ（０．０５ｍｏｌ）を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を１８０℃に昇温させて５時間保温し、ポリイミド樹脂ＰＩ−１を得た。ポリイミド樹脂ＰＩ−１の重量平均分子量は５００００、Ｔｇは７０℃であった。【０１１５】
上記のポリイミド樹脂ＰＩ−１を、ＮＭＰ溶媒中に固形分濃度が５０質量％になるように溶解混合してフィルムを形成するためのワニスを作製した。このワニスを用い、上記と同様にして仮固定用フィルムシートを得た。【０１１６】
［仮固定用フィルムの評価］
上記で得られた実施例１〜５、比較例１〜３の仮固定用フィルムシートについて、以下に示す方法にしたがって、溶融粘度、段差埋込性、２００℃での耐熱性評価、硬化後の弾性率、３０°剥離強度、及び剥離性をそれぞれ評価した。結果を表３及び４に示す。【０１１７】
＜溶融粘度＞
仮固定用フィルムの溶融粘度を下記の方法により評価した。
上記で得られた仮固定用フィルム（厚み４０μｍ）を８０℃でロールラミネートし、４枚重ねることで、厚み１６０μｍの仮固定用フィルムを得た。これを、厚み方向に１０ｍｍ角に打ち抜くことで、１０ｍｍ角、厚み１６０μｍの四角形の積層体を得た。動的粘弾性装置ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）に直径８ｍｍの円形アルミプレート治具をセットし、更にここに打ち抜いた仮固定用フィルムの積層体をセットした。その後、３５℃で５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で１５０℃まで昇温させながら測定し、１２０℃での溶融粘度を記録した。【０１１８】
＜段差埋込性＞
フィルム状粘着剤の段差埋込性を下記の方法により評価した。
上記で得られた仮固定用フィルム（厚み４０μｍ）を８０℃でロールラミネートし、２枚重ねることで、厚み８０μｍの仮固定用フィルムを得た。次に、厚み６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製した。このようにして作製した段差付きシリコンミラーウェハの段差が上面となるように真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、上記で得られた仮固定用フィルムを段差付きシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１２０℃／０．１ＭＰａ／２分、１５ｍｂａｒで真空ラミネートした。得られたサンプルを断面観察し、ブレードダイシングで作製した溝の埋込性を評価した。埋込性の評価基準は以下の通りである。
○：ボイドの割合が５％未満。
×：ボイドの割合が５％以上。【０１１９】
＜２００℃での耐熱性＞
仮固定用フィルムの２００℃での耐熱性を下記の方法により評価した。
厚み６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）をブレードダイシングにより２５ｍｍ角に小片化した。小片化したシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用フィルムが貼り付くように８０℃でロールラミネートした。次に、仮固定用フィルム上に厚みが０．１〜０．２ｍｍで大きさが約１８ｍｍ角のスライドガラスを８０℃でロールラミネートし、仮固定用フィルムがシリコンウェハとスライドガラスで挟まれた積層品を作製した。得られたサンプルを１１０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して仮固定用フィルムを硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した。【０１２０】
このようにして得られたサンプルをスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）などのソフトウェハで解析し、仮固定用フィルム全体の面積に占めるボイドの割合から２００℃での耐熱性を評価した。評価基準は以下の通りである。
○：ボイドの割合が５％未満。
×：ボイドの割合が５％以上。【０１２１】
＜硬化後の弾性率（＠２３℃）＞
仮固定用フィルムの硬化後の引っ張り弾性率を下記の方法により評価した。
上記で得られた仮固定用フィルム（厚み各４０μｍ）を８０℃でロールラミネートし、３枚重ねることで、厚み１２０μｍの仮固定用フィルムを得た。１１０℃のオーブンで３０分、さらに１７０℃で１時間加熱した後、厚み方向に４ｍｍ幅、長さ３３ｍｍに切り出した。なお、仮固定用フィルムシートの支持フィルムは剥離除去した。得られたサンプルを動的粘弾性装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００、（株）ＵＭＢ製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２３℃での測定値を記録した。【０１２２】
＜３０°剥離強度＞
シリコンウェハ及び仮固定用フィルムの間の３０°剥離強度を下記の方法により評価した。
厚み６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製した。このようにして作製した段差付きシリコンミラーウェハの段差が上面となるように真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、上記で得られた仮固定用フィルムを段差付きシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１２０℃／０．１ＭＰａ／２分、１５ｍｂａｒで真空ラミネートした。得られたサンプルを１１０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した後、１０ｍｍ幅に切り出した。これを、剥離角度が３０°となるように設定した剥離試験機で３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を記録した。【０１２３】
＜剥離性＞
仮固定用フィルムのデボンド装置での剥離性を下記の方法により評価した。
上記で得られた仮固定用フィルム（厚み４０μｍ）と支持フィルム（厚み６０μｍ）とを８０℃でロールラミネートし、厚み１００μｍのフィルムを得た。【０１２４】
支持体としてシリコンミラーウェハを使用し、上記で得られたフィルムを、仮固定用フィルム側がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように８０℃でロールラミネートにより貼り付けることで、仮固定用フィルム付支持体を得た。次に、厚み７２５μｍのシリコンミラーウェハ（８インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製し、表面に段差を有するシリコンウェハを用意した。このシリコンウェハの段差側と上記で得られた仮固定用フィルム付支持体の仮固定用フィルム側とを真空ボンディング装置（アユミ工業（株）製  ＶＥ０７−１４）で１２０℃／０．１ＭＰａ／５分、５ｍｂａｒで真空圧着し、積層体を得た。このようにして得られた積層体を１１０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱することにより仮固定用フィルムを硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した後、先端が鋭利なピンセットをシリコンウェハの段差側と仮固定用フィルムとの間に差し入れ、外縁に沿ってピンセットを動かした。シリコンウェハ及び支持体が割れることなく剥離できたものを○とし、剥離できなかった、または損傷が見られたものは×とした。【０１２５】
【表３】
2015098949.tif 000005
【０１２６】
【表４】
2015098949.tif 000006
【０１２７】
表３、４に示されるように、実施例１〜５の仮固定用フィルムは、シリコンウェハの段差埋込性及び耐熱性に優れるとともに、硬化後の弾性率が低く、シリコンウェハと仮固定用フィルムとの間の３０°剥離強度が低く、シリコンウェハからの剥離性が良好であることが確認された。
【符号の説明】
【０１２８】
１…仮固定用フィルムシート、２…仮固定用フィルムシート、１０…支持フィルム、２０…仮固定用フィルム、３０…保護フィルム、４０…仮固定用フィルム、５０…支持体、５２…剥離層、６０…半導体ウェハ、７０…仮固定用フィルム、８０…半導体ウェハ、８２…貫通電極、８４…ダイシングライン、８６…貫通電極、１００…半導体素子、１１０…配線基板、１２０…半導体装置。
【図１】
2015098949.tif 000007
【図２】
2015098949.tif 000008
【図３】
2015098949.tif 000009
【図４】
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【図５】
2015098949.tif 000011
【国際調査報告】
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2015098949.tif 000013
2015098949.tif 000014
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