(57)【要約】  本発明は、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きく、安価に製造できるプリント配線板用基材を提供することを課題とする。本発明の一実施形態に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される複数の金属粒子の焼結層とを備えるプリント配線板用基材であって、上記焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下である。本発明の別の実施形態に係るプリント配線板用基材の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムの一方の面に金属粒子を含有するインクを塗工する工程と、この塗工工程で形成されるインクの塗膜を焼結する工程とを備え、上記焼結工程又はその後工程で、上記塗膜の焼結により形成される焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下となるよう調節する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有するベースフィルムと、
このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される複数の金属粒子の焼結層と
を備えるプリント配線板用基材であって、
上記焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下であるプリント配線板用基材。
【請求項２】
上記ベースフィルム及び焼結層の界面近傍に、上記金属粒子の金属に基づく金属酸化物若しくはその金属酸化物に由来する基又は上記金属に基づく金属水酸化物若しくはその金属水酸化物に由来する基が存在する請求項１に記載のプリント配線板用基材。
【請求項３】
上記ベースフィルム及び焼結層の界面近傍における上記金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基の単位面積当たりの存在量が０．１μｇ／ｃｍ２以上１０μｇ／ｃｍ２以下である請求項２に記載のプリント配線板用基材。
【請求項４】
上記金属粒子の金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基と、上記金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基とが存在し、
上記金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基の上記金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基に対する存在量比が０．１以上である請求項３に記載のプリント配線板用基材。
【請求項５】
上記金属粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材。
【請求項６】
上記金属粒子の主成分が銅又は銅合金である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材。
【請求項７】
上記焼結層の外面に無電解メッキ層をさらに備える請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材。
【請求項８】
上記焼結層の外面側に積層される電気メッキ層をさらに備える請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材。
【請求項９】
上記ベースフィルムにおける焼結層の積層面に親水化処理層をさらに備える請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材を備え、上記焼結層がパターニングされているプリント配線板。
【請求項１１】
絶縁性を有するベースフィルムと、
このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される複数の金属粒子の焼結層と
を備えるプリント配線板用基材の製造方法であって、
絶縁性を有するベースフィルムの一方の面に金属粒子を含有するインクを塗工する工程と、
この塗工工程で形成されるインクの塗膜を焼結する工程と
を備え、
上記焼結工程又はその後工程で、上記塗膜の焼結により形成される焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下となるよう調節するプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプリント配線板用基材の製造方法によって得られるプリント配線板を用い、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターンを形成するプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板用基材、プリント配線板及びプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性のベースフィルムの表面に金属層を有し、この金属層をエッチングすることで導電パターンを形成してフレキシブルプリント配線板を得るためのプリント配線板用基材が広く使用されている。【０００３】
近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、プリント配線板の高密度化が要求されている。このような高密度化の要求を満たすプリント配線板用基材として、導電層の厚さを低減したプリント配線板用基材が求められている。【０００４】
また、プリント配線板用基材には、フレキシブルプリント配線板に曲げ応力が作用した際にベースフィルムから金属層が剥離しないよう、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいことも求められる。【０００５】
このような要求に対し、耐熱性絶縁ベースフィルムに接着剤層を介することなく銅薄膜層を積層したプリント配線板用基材が提案されている（特許第３５７０８０２号公報参照）。この公報に記載のプリント配線板用基材は、耐熱性絶縁ベースフィルムの両面にスパッタリング法を用いて銅薄膜層を形成し、その上に電気メッキ法を用いて銅厚膜層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３５７０８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記公報に記載のプリント配線板用基材は、耐熱性ベースフィルムの表面にスパッタリングによって銅薄膜層を形成するため、製造のために真空設備を必要とする。このため、上記公報に記載のプリント配線板用基材用の製造設備は、建設コスト、維持コスト及び運転コストが比較的高い。また、上記公報に記載のプリント配線板用基材は、真空設備を使用して製造するため材料及び製品のハンドリングが煩雑であり、これも製造コストを押し上げる要因となる。さらに、上記公報に記載のプリント配線板用基材を大型化する場合、大型の真空設備が必要となることにより設備コストが飛躍的に増大する。【０００８】
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きく、安価に製造できるプリント配線板用基材、プリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される複数の金属粒子の焼結層とを備えるプリント配線板用基材であって、上記焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が、１％以上５０％以下である。【００１０】
上記課題を解決するためになされた本発明の別の態様に係るプリント配線板用基材の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される複数の金属粒子の焼結層とを備えるプリント配線板用基材の製造方法であって、絶縁性を有するベースフィルムの一方の面に金属粒子を含有するインクを塗工する工程と、この塗工工程で形成されるインクの塗膜を焼結する工程とを備え、上記焼結工程又はその後工程で、上記塗膜の焼結により形成される焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下となるよう調節する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様に係るプリント配線板用基材は、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きく、安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態のプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態のプリント配線板を示す模式的断面図である。
【図３】図３は、プリント配線板用基材の試作品の断面の電子顕微鏡写真である。
【図４】図４は、プリント配線板用基材の図３とは異なる試作品の断面の電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［本発明の実施形態の説明］
本発明の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される複数の金属粒子の焼結層とを備えるプリント配線板用基材であって、上記焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下である。
【００１４】
当該プリント配線板用基材は、上記焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率を上記範囲内としたことによって、焼結時に過剰な熱で焼結層やベースフィルムの強度を損なうことなく、ベースフィルムと焼結層との剥離強度を向上することができる。また、真空設備等の特殊な設備がなくても製造できるので、ベースフィルムと金属層つまり焼結層との剥離強度が大きいにもかかわらず、比較的安価に製造できる。
【００１５】
上記ベースフィルム及び焼結層の界面近傍に、上記金属粒子の金属に基づく金属酸化物若しくはその金属酸化物に由来する基又は上記金属に基づく金属水酸化物若しくはその金属水酸化物に由来する基が存在するとよい。このように、上記ベースフィルム及び焼結層の界面近傍に、上記金属粒子の金属に基づく金属酸化物若しくはその金属酸化物に由来する基又は上記金属に基づく金属水酸化物若しくはその金属水酸化物に由来する基が存在することによって、ベースフィルムと焼結層との密着性が向上する。このため、ベースフィルムと金属層との剥離強度をより向上できる。
【００１６】
上記ベースフィルム及び焼結層の界面近傍における上記金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基の単位面積当たりの存在量としては、０．１μｇ／ｃｍ２以上１０μｇ／ｃｍ２以下が好ましい。このように、上記ベースフィルム及び焼結層の界面近傍における上記金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基の単位面積当たりの存在量を上記範囲内とすることによって、焼結層の強度を損なうことなくベースフィルムと焼結層との剥離強度を向上できる。
【００１７】
上記金属粒子の金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基と、上記金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基とが存在するとよく、上記金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基の上記金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基に対する存在量比としては０．１以上が好ましい。このように、上記金属粒子の金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基と、上記金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基とが存在し、上記金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基の上記金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基に対する存在量比が上記下限以上であることによって、ベースフィルムと焼結層との剥離強度をより確実に向上できる。
【００１８】
上記金属粒子の平均粒子径としては、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。このように、上記金属粒子の平均粒子径を上記範囲内とすることによって、緻密で空隙の少ない焼結層を比較的容易に形成でき、ベースフィルムと金属層との剥離強度をより向上できる。
【００１９】
上記金属粒子の主成分が銅又は銅合金であるとよい。このように、上記金属粒子の主成分が銅又は銅合金であることによって、比較的導電性に優れる金属層を安価に形成することができる。
【００２０】
上記焼結層の外面に無電解メッキ層をさらに備えるとよい。このように、上記焼結層の外面に無電解メッキ層をさらに備えることにより、金属粒子の焼結時に形成される空隙に金属が充填されるので、焼結層の空隙率を容易に低下させられ、ベースフィルムと金属層との剥離強度をより向上できる。
【００２１】
上記焼結層の外面側に積層される電気メッキ層をさらに備えるとよい。このように、上記焼結層の外面側に積層される電気メッキ層をさらに備えることによって、所望の厚さを有する金属層を安価で容易かつ確実に形成できる。
【００２２】
上記ベースフィルムにおける焼結層の積層面に親水化処理層をさらに備えるとよい。このように、上記ベースフィルムにおける焼結層の積層面に親水化処理層をさらに備えることによって、ベースフィルムと焼結層との剥離強度をさらに向上できる。
【００２３】
本発明の一態様に係るプリント配線板は、上記プリント配線板用基材を備え、上記焼結層がパターニングされているプリント配線板である。
【００２４】
当該プリント配線板は、ベースフィルムと焼結層との剥離強度が大きく安価な上記プリント配線板用基材を用いて導電パターン（パターニングした焼結層を含む金属層）が形成されているので、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きい。
【００２５】
本発明の一態様に係るプリント配線板用基材の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層される複数の金属粒子の焼結層とを備えるプリント配線板用基材の製造方法であって、絶縁性を有するベースフィルムの一方の面に金属粒子を含有するインクを塗工する工程と、この塗工工程で形成されるインクの塗膜を焼結する工程とを備え、上記焼結工程又はその後工程で、上記塗膜の焼結により形成される焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下となるよう調節する。
【００２６】
当該プリント配線板用基材の製造方法は、金属粒子を含有するインクの塗工及び焼結により焼結層を形成し、上記焼結工程又はその後工程で、塗膜の焼結により形成される焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が１％以上５０％以下となるよう調節するため、焼結時に過剰な熱で焼結層やベースフィルムの強度を損なうことなく、ベースフィルムと焼結層との剥離強度を向上することができる。また、当該プリント配線板用基材の製造方法は、真空設備等の特殊な設備を必要としないので、ベースフィルムと金属層つまり焼結層との剥離強度が大きいプリント配線板用基材を比較的安価に製造できる。
【００２７】
本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法は、上記プリント配線板用基材の製造方法によって得られるプリント配線板を用い、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターンを形成する。
【００２８】
当該プリント配線板の製造方法は、上記プリント配線板用基材の製造方法によって得られるベースフィルムと焼結層との剥離強度が大きく安価なプリント配線板用基材を用いるため、ベースフィルムと金属層との剥離強度が比較的大きいプリント配線板を製造することができる。また、当該プリント配線板の製造方法は、一般的なサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターンを形成するので、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいプリント配線板を比較的安価に製造することができる。
【００２９】
ここで、「金属粒子の焼結層」とは、複数の金属粒子を焼結して形成される層を意味する。また、「焼結層におけるベースフィルムとの界面から５００ｎｍ以内の領域」とは、焼結層の厚さが５００ｎｍに満たない部分では焼結層の範囲内の領域を意味する。また、「空隙率」とは、断面の電子顕微鏡観察画像上での空隙の面積率として算出される値である。また、「焼結」とは、粒子間が堅固に接合される完全な焼結状態とすることだけでなく、完全な焼結状態に至る前段階にあって相互に密着して固体接合したような状態とすることを含む。また、「平均粒子径」とは、レーザー回折法により測定される粒子径の分布において体積積算値が５０％となる粒子径である。また、「主成分」とは、最も質量含有量の多い成分であり、好ましくは９０質量％以上含有する成分である。また、「界面近傍」とはベースフィルムと焼結層との界面から厚み方向にそれぞれ所定範囲内の領域を意味し、この所定範囲は、例えば焼結層の厚みの半分程度の距離とでき、好ましくは０．１μｍである。また、「親水化処理」とは、ＪＩＳ−Ｒ３２５７（１９９９）の静滴法により測定される接触角を減少させる処理を意味する。
【００３０】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明に係るプリント配線板用基材の各実施形態について図面を参照しつつ詳説する。
【００３１】
［プリント配線板用基材］
図１のプリント配線板用基材１は、絶縁性を有するベースフィルム２と、このベースフィルム２の一方の面に積層される金属層３とを備える。
【００３２】
上記金属層３は、ベースフィルム２の一方の面に積層され、複数の金属粒子を焼結して形成される焼結層４と、この焼結層４の一方の面に形成される無電解メッキ層５と、この無電解メッキ層５の一方の面に積層される電気メッキ層６とを備え、焼結層４の内部に複数の空隙Ｇを有する。
【００３３】
＜ベースフィルム＞
ベースフィルム２の材料としては、例えばポリイミド、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の可撓性を有する樹脂、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ガラスエポキシ、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス基材等のリジッド材、硬質材料と軟質材料とを複合したリジッドフレキシブル材などを用いることが可能である。これらの中でも、金属酸化物等との結合力が大きいことから、ポリイミドが特に好ましい。
【００３４】
上記ベースフィルム２の厚さは、当該プリント配線板用基材を利用するプリント配線板によって設定されるものであり特に限定されないが、例えば上記ベースフィルム２の平均厚さの下限としては、５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、上記ベースフィルム２の平均厚さの上限としては、２ｍｍが好ましく、１．６ｍｍがより好ましい。上記ベースフィルム２の平均厚さが上記下限に満たない場合、ベースフィルム２ひいては当該プリント配線板用基材の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム２の平均厚さが上記上限を超える場合、プリント配線板用基材が不必要に厚くなるおそれがある。
【００３５】
上記ベースフィルム２における焼結層４の積層面の表面には、親水化処理を施して親水化処理層を形成することが好ましい。上記親水化処理として、例えばプラズマを照射して表面を親水化するプラズマ処理や、アルカリ溶液で表面を親水化するアルカリ処理を採用することができる。ベースフィルム２に親水化処理を施すことにより、焼結層４との密着性が向上し、金属層３の剥離強度を向上することができる。また、焼結層４を後述するように金属粒子を含有するインクの塗工及び焼結により形成する場合、インクのベースフィルム２に対する表面張力が小さくなるので、インクをベースフィルム２に均一に塗り易くなる。
【００３６】
＜焼結層＞
上記焼結層４は、複数の金属粒子を焼結することによって、ベースフィルム２の一方の面に積層して形成される。
【００３７】
（金属粒子）
焼結層４を形成する金属粒子の主成分となる金属としては、当該プリント配線板用基材の上記焼結層４のベースフィルム２との界面近傍に、その金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基並びにその金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基が生成されるものが好ましく、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）を用いることができる。この中でも、導電性がよく、ベースフィルム２との密着性に優れる安価な金属として、銅が好適に使用される。
【００３８】
焼結層４を形成する金属粒子の平均粒子径の下限としては、１ｎｍが好ましく、３０ｎｍがより好ましい。一方、上記金属粒子の平均粒子径の上限としては、５００ｎｍが好ましく、１００ｎｍがより好ましい。上記金属粒子の平均粒子径が上記下限に満たない場合、例えば上記インク中での金属粒子の分散性及び安定性が低下することにより、ベースフィルム２の表面に均一に積層することが容易でなくなるおそれがある。逆に、上記金属粒子の平均粒子径が上記上限を超える場合、金属粒子間の隙間が大きくなり、焼結層４の空隙率を小さくすることが容易でなくなるおそれがある。
【００３９】
焼結層４は、例えば上記金属粒子を含有するインクの塗工及び焼結により形成することができる。このように、金属粒子を含有するインクを用いることで、ベースフィルム２の一方の面に容易かつ安価に金属層３を形成することができる。
【００４０】
焼結層４のベースフィルム２との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率の下限としては、１％であり、２％が好ましい。一方、焼結層４のベースフィルム２との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率の上限としては、５０％であり、４５％が好ましく、２０％がより好ましい。焼結層４のベースフィルム２との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が上記下限に満たない場合、空隙率を低下させるために高温かつ長時間の焼結が必要となり、ベースフィルム２の劣化を招くため、ベースフィルム２と金属層３との剥離強度が不十分となるおそれがある。逆に、焼結層４のベースフィルム２との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が上記上限を超える場合、ベースフィルム２と焼結層４との密着面積が低くなるため、ベースフィルム２と金属層３との剥離強度が不十分となるおそれがある。
【００４１】
焼結層４の平均厚さの下限としては、５０ｎｍが好ましく、１００ｎｍがより好ましい。一方、焼結層４の平均厚さの上限としては、２μｍが好ましく、１．５μｍがより好ましい。焼結層４の平均厚さが上記下限に満たない場合、平面視で金属粒子が存在しない部分が多くなり導電性が低下するおそれがある。逆に、焼結層４の平均厚さが上記上限を超える場合、焼結層４の空隙率を十分低下させることが困難となるおそれや、金属層３が不必要に厚くなるおそれがある。
【００４２】
ベースフィルム２及び焼結層４の界面近傍には、金属粒子の金属に基づく金属酸化物若しくはその金属酸化物に由来する基（合わせて金属酸化物等ということがある）又は上記金属に基づく金属水酸化物若しくはその金属水酸化物に由来する基（合わせて金属水酸化物等ということがある）が存在することが好ましい。特に、上記金属酸化物と金属水酸化物とが共に存在することが好ましい。この金属酸化物等及び金属水酸化物等は、金属粒子に基づいて生成された酸化物及び水酸化物である。これらの金属酸化物等及び金属水酸化物等は、樹脂等から形成されるベースフィルム２に対しても、金属から形成される焼結層に対しても比較的高い密着力を有する。従って、金属酸化物等又は金属水酸化物等がベースフィルム２及び焼結層４の界面近傍に存在することによって、ベースフィルム２と焼結層４との剥離強度が向上する。例えば、上記金属粒子として銅を用いた場合、酸化銅（ＣｕＯ）又は酸化銅に由来する基並びに水酸化銅（Ｃｕ（ＯＨ）２）又は水酸化銅に由来する基が生成されて、ベースフィルム２及び焼結層４の界面近傍に存在し得る。
【００４３】
上記ベースフィルム２及び焼結層４の界面近傍における金属酸化物等の単位面積当たりの存在量の下限としては、０．１μｇ／ｃｍ２が好ましく、０．１５μｇ／ｃｍ２がより好ましい。一方、金属酸化物等の単位面積当たりの存在量の上限としては、１０μｇ／ｃｍ２が好ましく、５μｇ／ｃｍ２がより好ましく、１μｇ／ｃｍ２がさらに好ましい。上記金属酸化物等の単位面積当たりの存在量が上記下限に満たない場合、金属酸化物によるベースフィルム２と焼結層４との剥離強度向上効果が低下するおそれがある。逆に、上記金属酸化物等の単位面積当たりの存在量が上記上限を超える場合、金属粒子の焼結の制御が難しくなるおそれがある。
【００４４】
ベースフィルム２及び焼結層４の界面近傍における金属水酸化物等の単位面積当たりの存在量の下限としては、０．５μｇ／ｃｍ２が好ましく、１．０μｇ／ｃｍ２がより好ましい。一方、金属水酸化物等の単位面積当たりの存在量の上限としては、１０μｇ／ｃｍ２が好ましく、５μｇ／ｃｍ２がより好ましい。上記金属水酸化物等の単位面積当たりの存在量が上記下限に満たない場合、金属酸化物等を多量に生成するための金属粒子の焼結の制御が難しくなるおそれがある。逆に、上記金属水酸化物等の単位面積当たりの存在量が上記上限を超える場合、相対的に金属酸化物等が減少するため、金属酸化物による焼結層４とベースフィルム２との剥離強度を向上できないおそれがある。
【００４５】
上記ベースフィルム２及び焼結層４の界面近傍における金属酸化物等の金属水酸化物等に対する存在量比の下限としては、０．１が好ましく、０．２がより好ましい。一方、上記存在量比の上限としては、５が好ましく、３がより好ましく、１がさらに好ましい。上記存在量比が上記下限に満たない場合、上記界面近傍において金属酸化物等に対して金属水酸化物等の量が多くなり過ぎるため、ベースフィルム２と焼結層４との間の剥離強度を向上できないおそれがある。逆に、上記存在量比が上記上限を超える場合、金属粒子の焼結の制御が難しくなるおそれがある。
【００４６】
＜無電解メッキ層＞
上記無電解メッキ層５は、焼結層４の外面に無電解メッキを施すことにより形成されている。また、無電解メッキ層５は、焼結層４に含浸するよう形成されている。つまり、焼結層４を形成する金属粒子間の隙間に無電解メッキ金属が充填されることにより、焼結層４の内部の空隙Ｇを減少させている。このように、無電解メッキ金属が金属粒子間の隙間に充填されることによって、金属粒子間の空隙Ｇを減少させることで、空隙Ｇが破壊起点となって焼結層４がベースフィルム２から剥離することを抑制できる。
【００４７】
上記無電解メッキに用いる金属として、導通性のよい銅、ニッケル、銀などを用いることができるが、焼結層４を形成する金属粒子に銅を使用する場合には、焼結層４との密着性を考慮して、銅又はニッケルを用いることが好ましい。
【００４８】
無電解メッキの条件によっては、無電解メッキ層５は、焼結層４の内部にのみ形成される場合もある。しかしながら、一般的に、焼結層４の外面に形成される無電解メッキ層５の平均厚さ（焼結層４の内部のメッキ金属の厚さを含まない）の下限としては、０．２μｍが好ましく、０．３μｍがより好ましい。一方、焼結層４の外面に形成される無電解メッキ層５の平均厚さの上限としては、１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。焼結層４の外面に形成される無電解メッキ層５の平均厚さが上記下限に満たない場合、無電解メッキ層５が焼結層４の金属粒子の隙間に十分に充填されず、空隙率を十分に低減できないことからベースフィルム２と金属層３との剥離強度が不十分となるおそれがある。逆に、焼結層４の外面に形成される無電解メッキ層５の平均厚さが上記上限を超える場合、無電解メッキに要する時間が長くなり製造コストが不必要に増大するおそれがある。
【００４９】
＜電気メッキ層＞
電気メッキ層６は、焼結層４の外面側、つまり無電解メッキ層５の外面に電気メッキによって積層される。この電気メッキ層６によって、金属層３の厚さを容易かつ正確に調節することができる。また、電気メッキを用いることにより、金属層３の厚さを短時間で大きくすることが可能である。
【００５０】
この電気メッキに用いる金属として、導通性のよい銅、ニッケル、銀などを用いることができる。中でも、安価で導電性に優れる銅が好ましい。
【００５１】
電気メッキ層６の厚さは、当該プリント配線板用基材１を用いて形成するプリント配線板に必要とされる導電パターンの種類や厚さに応じて設定されるものであって、特に限定されない。一般的には、電気メッキ層６の平均厚さの下限としては、１μｍが好ましく、２μｍがより好ましい。一方、電気メッキ層６の平均厚さの上限としては、１００μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。電気メッキ層６の平均厚さが上記下限に満たない場合、金属層３が損傷し易くなるおそれがある。逆に、電気メッキ層６の平均厚さが上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基材１が不必要に厚くなるおそれや、当該プリント配線板用基材１の可撓性が不十分となるおそれがある。
【００５２】
〔プリント配線板用基材の製造方法〕
当該プリント配線板用基材の製造方法は、金属粒子を形成する工程と、この金属粒子形成工程で得られる金属粒子を用いてインクを調製する工程と、このインク調製工程で得られたインクを絶縁性を有するベースフィルム２の一方の面へ塗工する工程と、この塗工工程で形成されるインクの塗膜を焼結する工程と、この焼結工程で形成される焼結層４の外面に無電解メッキを施す工程と、焼結層４の外面側（無電解メッキ層の外面）に電気メッキを施す工程とを備える。
【００５３】
当該プリント配線板用基材の製造方法では、上記焼結工程、無電解メッキ工程及び／又は電気メッキ工程において、焼結層４におけるベースフィルム２との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が上述の範囲内となるよう調節する。
【００５４】
＜金属粒子形成工程＞
上記金属粒子形成工程において金属粒子を形成する方法としては、高温処理法、液相還元法、気相法等が挙げられ、中でも、水溶液中で還元剤により金属イオンを還元することで金属粒子を析出させる液相還元法が好適に用いられる。
【００５５】
上記液相還元法によって上記金属粒子を形成するための具体的な方法としては、例えば水に金属粒子を形成する金属のイオンのもとになる水溶性の金属化合物と分散剤とを溶解した溶液中で還元剤により一定時間金属イオンを還元反応させる還元工程を備える方法とすることができる。
【００５６】
上記金属イオンのもとになる水溶性の金属化合物として、例えば銅の場合は、硝酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＮＯ３）２）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）等を挙げることができる。また銀の場合は硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）、メタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等、金の場合はテトラクロロ金（ＩＩＩ）酸四水和物（ＨＡｕＣｌ４・４Ｈ２Ｏ）、ニッケルの場合は塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）六水和物（Ｎｉ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ）等を挙げることができる。他の金属粒子についても、塩化物、硝酸化合物、硫酸化合物等の水溶性の化合物を用いることができる。
【００５７】
液相還元法によって金属粒子を形成する場合の還元剤としては、液相（水溶液）の反応系において、金属イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤として、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、３価のチタンイオンや２価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどを挙げることができる。
【００５８】
このうち、３価のチタンイオンが４価に酸化する際の酸化還元作用によって金属イオンを還元し、金属粒子を析出させる方法がチタンレドックス法である。チタンレドックス法で得られる金属粒子は、粒子径が小さくかつ揃っており、さらに球形に近い形状を有する。このため、金属粒子の緻密な層を形成し、焼結層４の空隙Ｇを容易に少なくすることができる。
【００５９】
金属粒子の粒子径を調整するには、金属化合物、分散剤、還元剤の種類及び配合割合を調整すると共に、金属化合物を還元反応させる還元工程における攪拌速度、温度、時間、ｐＨ等を調整すればよい。
【００６０】
特に、還元工程における温度の下限としては、０℃が好ましく、１５℃がより好ましい。一方、還元工程における温度の上限としては、１００℃が好ましく、６０℃がより好ましく、５０℃がさらに好ましい。還元工程における温度が上記下限に満たない場合、還元反応効率が不十分となるおそれがある。逆に、還元工程における温度が上記上限を超える場合、金属粒子の成長速度が大きく、粒子径の調整が容易でなくなるおそれがある。
【００６１】
還元工程における反応系のｐＨは、本実施形態のように微小な粒子径の金属粒子を得るには、７以上１３以下とするのが好ましい。このときｐＨ調整剤を用いることで、反応系のｐＨを上記範囲に調整することができる。このｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム等の一般的な酸又はアルカリが使用されるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属やアルカリ土類金属、塩素等のハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物元素を含まない硝酸やアンモニアが好ましい。
【００６２】
＜インク調製工程＞
上記インク調製工程では、焼結層４を形成する金属粒子を含有するインクを調製する。この金属粒子を含有するインクとしては、金属粒子の分散媒と、この分散媒中に金属粒子を均一に分散させる分散剤とを含むものが好適に使用される。このように均一に金属粒子が分散するインクを用いることで、ベースフィルム２の表面に金属粒子を均一に付着させることができ、ベースフィルム２の表面に均一な焼結層４を形成することができる。
【００６３】
上記インクに含まれる分散剤としては、特に限定されないが、分子量が２，０００以上３００，０００以下の高分子分散剤を用いることが好ましい。このように、分子量が上記範囲の高分子分散剤を用いることで、金属粒子を分散媒中に良好に分散させることができ、得られる焼結層４の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限に満たない場合、金属粒子の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがあり、その結果、ベースフィルム２に積層される焼結層を緻密で欠陥の少ないものにできないおそれがある。逆に、上記分散剤の分子量が上記上限を超える場合、分散剤の嵩が大き過ぎ、インクの塗工後に行う焼結工程において、金属粒子同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大き過ぎると、焼結層４の膜質の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導電性を低下させるおそれがある。
【００６４】
上記分散剤は、部品の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、分子量が上記範囲にあるもので、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボン酸基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール（ポリビニルアルコール）、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、あるいは１分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤等を挙げることができる。
【００６５】
上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解した溶液の状態で反応系に添加することもできる。分散剤の含有割合としては、金属粒子１００質量部当たり１質量部以上６０質量部以下が好ましい。分散剤が金属粒子を取り囲むことで凝集を防止して金属粒子を良好に分散させるが、上記分散剤の含有割合が上記下限に満たない場合、この凝集防止効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記分散剤の含有割合が上記上限を超える場合、インクの塗工後の焼結工程において、過剰の分散剤が金属粒子の焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、高分子分散剤の分解残渣が不純物として焼結層中に残存して導電性を低下させるおそれがある。
【００６６】
インクにおける分散媒となる水の含有割合としては、金属粒子１００質量部当たり２０質量部以上１９００質量部以下が好ましい。分散媒の水は、分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた金属粒子を良好に分散させるが、上記水の含有割合が上記下限に満たない場合、水によるこの分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記水の含有割合が上記上限を超える場合、インク中の金属粒子割合が少なくなり、ベースフィルム２の表面に必要な厚さと密度とを有する良好な焼結層を形成できないおそれがある。
【００６７】
上記インクに必要に応じて配合する有機溶媒として、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００６８】
水溶性の有機溶媒の含有割合としては、金属粒子１００質量部当たり３０質量部以上９００質量部以下が好ましい。上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記下限に満たない場合、上記有機溶媒による分散液の粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記上限を超える場合、水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、インク中で金属粒子の凝集が生じるおそれがある。
【００６９】
なお、液相還元法で金属粒子を製造する場合、液相（水溶液）の反応系で析出させた金属粒子は、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いてインクを調整することができる。この場合は、粉末状の金属粒子と、分散媒である水と、分散剤と、必要に応じて水溶性の有機溶媒とを所定の割合で配合し、金属粒子を含有するインクとすることができる。しかしながら、金属粒子を析出させた液相（水溶液）を出発原料としてインクを調整することが好ましい。具体的には、析出した金属粒子を含む液相（水溶液）を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えて金属粒子の濃度を調整した後、さらに必要に応じて水溶性の有機溶媒を所定の割合で配合することによって金属粒子を含有するインクを調整する。この方法では、金属粒子の乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一な焼結層４を形成し易い。
【００７０】
＜塗工工程＞
上記塗工工程では、上記インクをベースフィルム２の一方の面に塗工する。インクを塗工する方法としては、例えばスピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗工方法を用いることができる。また、例えばスクリーン印刷、ディスペンサ等によりベースフィルム２の一方の面の一部のみにインクを塗工するようにしてもよい。
【００７１】
＜焼結工程＞
上記焼結工程では、インクをベースフィルム２の一方の面に塗工したインクの塗膜を、好ましくは乾燥した後、熱処理することによって焼結する。これにより、インクの溶媒分散剤が蒸発又は熱分解して、残る金属粒子が焼結されてベースフィルム２の一方の面に固着された焼結層４が得られる。
【００７２】
また、焼結層４のベースフィルム２との界面近傍では、焼結時に金属粒子が酸化して、この金属粒子の金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基の生成を抑えつつ、上記金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基が生成される。具体的には、例えば金属粒子として銅を用いた場合、焼結層４のベースフィルム２との界面近傍に酸化銅及び水酸化銅が生成するが、酸化銅の方が多く生成する。この焼結層４の界面近傍に生成した酸化銅は、ベースフィルム２を構成するポリイミドと強く結合するため、ベースフィルム２と焼結層４との間の剥離強度が大きくなる。
【００７３】
上記焼結は、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。焼結時の雰囲気の酸素濃度の下限としては、１体積ｐｐｍが好ましく、１０体積ｐｐｍがより好ましい。一方、上記酸素濃度の上限としては、１０，０００体積ｐｐｍが好ましく、１，０００体積ｐｐｍがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限に満たない場合、焼結層４の界面近傍における酸化銅の生成量が少なくなり、ベースフィルム２と焼結層４との密着力を十分に向上できないおそれがある。逆に、上記酸素濃度が上記上限を超える場合、金属粒子が過剰に酸化してしまい焼結層４の導電性が低下するおそれがある。
【００７４】
上記焼結温度の下限としては、１５０℃が好ましく、２００℃がより好ましい。一方、上記焼結温度の上限としては、５００℃が好ましく、４００℃がより好ましい。上記焼結温度が上記下限に満たない場合、焼結層４の界面近傍における酸化銅の生成量が少なくなり、ベースフィルム２と焼結層４との間の密着力を十分に向上できないおそれがある。逆に、上記焼結温度が上記上限を超える場合、ベースフィルム２がポリイミド等の有機樹脂の場合にベースフィルム２が変形するおそれがある。
【００７５】
＜無電解メッキ工程＞
上記無電解メッキ工程では、上記焼結工程でベースフィルム２の一方の面に積層した焼結層４の一方の面に、無電解メッキを施すことにより無電解メッキ層５を形成する。
【００７６】
なお上記無電解メッキは、例えばクリーナ工程、水洗工程、酸処理工程、水洗工程、プレディップ工程、アクチベーター工程、水洗工程、還元工程、水洗工程等の処理と共に行うことが好ましい。
【００７７】
また、無電解メッキにより無電解メッキ層５を形成した後、さらに熱処理を行うことが好ましい。無電解メッキ層５形成後に熱処理を施すと、焼結層４のベースフィルム２との界面近傍の金属酸化物等がさらに増加し、ベースフィルム２と焼結層４との間の密着力がさらに大きくなる。この無電解メッキ後の熱処理の温度及び酸素濃度としては、上記焼結工程における焼結温度及び酸素濃度と同様とすることができる。
【００７８】
＜電気メッキ工程＞
電気メッキ工程では、無電解メッキ層５の外面に、電気メッキにより電気メッキ層６を積層する。この電気メッキ工程において、金属層３全体の厚さを所望の厚さまで増大させる。
【００７９】
この電気メッキは、例えば銅、ニッケル、銀等のメッキする金属に応じた従来公知の電気メッキ浴を用いて、かつ適切な条件を選んで、所望の厚さの金属層３が欠陥なく速やかに形成されるように行うことができる。
【００８０】
〔利点〕
当該プリント配線板用基材１は、焼結層４におけるベースフィルム２との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率を上述の範囲内としたことによって、焼結時に過剰な熱でベースフィルム２及び焼結層４の強度を損なうことがなく、ベースフィルム２と焼結層４ひいては金属層３との剥離強度が大きい。
【００８１】
また、当該プリント配線板用基材１は、真空設備等の特殊な設備がなくても製造できるので、ベースフィル２と金属層３との剥離強度が大きいにもかかわらず、比較的安価に製造することができる。
【００８２】
［プリント配線板］
当該プリント配線板は、図１のプリント配線板用基材１を用い、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法を用いて形成される。より詳しくは、当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基材１の金属層３を利用するサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターンを形成することにより製造される。つまり、当該プリント配線板の導電パターンは、金属層３（焼結層４、無電解メッキ層５及び電気メッキ層６）がパターニングされることによって形成される。
【００８３】
サブトラクティブ法では、図１の当該プリント配線板用基材１の一方の面に、感光性のレジストを被覆形成し、露光、現像等によりレジストに対して導電パターンに対応するパターニングを行う。続いて、パターニングしたレジストをマスクとしてエッチングにより導電パターン以外の部分の金属層３を除去する。そして最後に、残ったレジストを除去することにより、当該プリント配線板用基材１の金属層３の残された部分から形成される導電パターンを有する当該プリント配線板が得られる。
【００８４】
セミアディティブ法では、図１の当該プリント配線板用基材１の一方の面に、感光性のレジストを被覆形成し、露光、現像等によりレジストに対して導電パターンに対応する開口をパターニングする。続いて、パターニングしたレジストをマスクとしてメッキを行うことにより、このマスクの開口部に露出している金属層３をシード層として選択的に導体層を積層する。その後、レジストを剥離してからエッチングにより上記導体層の表面及び導体層が形成されていない金属層３を除去することにより、図２に示すように、当該プリント配線板用基材１の金属層３の残された部分にさらなる導体層７が積層されて形成される導電パターンを有する当該プリント配線板が得られる。
【００８５】
〔利点〕
当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基材１を用いて製造したものなので、ベースフィルム２と焼結層４との密着力が大きく、ベースフィルム２と金属層３との剥離強度が大きいので、導電パターンが剥離し難い。
【００８６】
また、当該プリント配線板は、安価な当該プリント配線板用基材１を用いて、一般的なサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成されるので、安価に製造することができる。
【００８７】
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００８８】
当該プリント配線板用基材は、ベースフィルムの両面に金属層が形成されてもよい。
【００８９】
また、当該プリント配線板用基材の焼結層は、インクを用いず他の手段によってベースフィルムの表面に金属粒子を積層して焼結することで形成してもよい。
【００９０】
当該プリント配線板用基材において、無電解メッキ層及び電気メッキ層の一方又両方を省略してもよい。ただし、金属層として例えば１μｍ以上の平均厚さが要求される場合には、電気メッキ層を形成することで厚さを大きくすることが好ましい。
【実施例】
【００９１】
以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。【００９２】
＜プリント配線板用基材試作＞
本発明の効果を検証するために、製造条件の異なる試作品Ｎｏ．１〜８の８種類のプリント配線板用基材を製造した。【００９３】
（試作品Ｎｏ．１）
先ず、金属粒子として平均粒子径が７５ｎｍの銅粒子を用い、これを溶媒の水に分散させて銅濃度が２６質量％のインクを作成した。次に、絶縁性を有するベースフィルムとして平均厚さ１２μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社の「カプトンＥＮ−Ｓ」）を用い、このポリイミドフィルムの一方の面に上記インクを塗工し、大気中で乾燥して平均厚さが０．１５μｍの乾燥塗膜を形成した。続いて、乾燥塗膜を形成したポリイミドフィルムを酸素濃度が１０体積ｐｐｍの窒素雰囲気中で３０分間、３５０℃で焼結して焼結層を形成した。そして、焼結層の一方の面に、銅の無電解メッキを行い、焼結層の外面からの平均厚さが０．３μｍの無電解メッキ層を形成した。さらに、酸素濃度１５０体積ｐｐｍの窒素雰囲気中で２時間、３５０℃で熱処理を実施した。その後、電気メッキを行うことで、金属層全体の平均厚さが１８μｍとなるよう電気メッキ層を形成することによって、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．１を得た。このプリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．１の断面の顕微鏡写真を図３に示す。【００９４】
（試作品Ｎｏ．２）
金属粒子として平均粒子径が９３ｎｍの銅粒子を用い、熱処理温度を３２０℃とした以外は、上記試作品Ｎｏ．１と同様の方法により、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．２を得た。【００９５】
（試作品Ｎｏ．３）
金属粒子として平均粒子径が１６２ｎｍの銅粒子を用い、熱処理温度を３２０℃とした以外は、上記試作品Ｎｏ．１と同様の方法により、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．３を得た。【００９６】
（試作品Ｎｏ．４）
金属粒子として平均粒子径３４５ｎｍの銅粒子を用いた以外は、上記試作品Ｎｏ．１と同様の方法により、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．４を得た。【００９７】
（試作品Ｎｏ．５）
金属粒子として平均粒子径が３６０ｎｍの銅粒子を用い、焼結温度を３００℃とした以外は、上記試作品Ｎｏ．１と同様の方法により、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．５を得た。このプリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．５の断面の顕微鏡写真を図４に示す。【００９８】
（試作品Ｎｏ．６）
金属粒子として平均粒子径５４１ｎｍの銅粒子を用いた以外は、上記試作品Ｎｏ．１と同様の方法により、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．６を得た。【００９９】
（試作品Ｎｏ．７）
金属粒子として平均粒子径が５８６ｎｍの銅粒子を用い、焼結温度を３００℃とし、熱処理温度を２５０℃とした以外は、上記試作品Ｎｏ．１と同様の方法により、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．７を得た。
（試作品Ｎｏ．８）
焼結温度を４５０℃、焼結時間を８時間とした以外は、上記試作品Ｎｏ．１と同様の方法により、プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．８を得た。【０１００】
＜剥離強度＞
プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８について、ポリイミドフィルム及び導体層間の剥離強度（ｇｆ／ｃｍ）を測定した。剥離強度の測定は、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５）に準拠して実施し、導体層をポリイミドフィルムに対して１８０°方向に引き剥がす方法で測定した。なお、プリント配線板のベースフィルムと金属層との剥離強度の下限としては、３００ｇｆ／ｃｍが好ましく、６００ｇｆ／ｃｍがより好ましいと考えられている。【０１０１】
＜空隙率＞
プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８について、走査型電子顕微鏡により観察した断面の倍率１０万倍の画像を解析することで、幅１μｍの視野内におけるベースフィルムと焼結層との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率を３回測定し、その平均値を算出した。なお、上記走査型電子顕微鏡としては、ＺＥＩＳＳ社の「ＵＬＴＲＡ５５」を使用した。【０１０２】
＜酸化銅等及び水酸化銅等の存在量＞
プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８について、上記剥離強度を測定する際に引き剥がした金属層のポリイミドフィルムに積層されていた側の面を電気化学測定評価方法により酸化銅等及び水酸化銅等の存在量を測定した。具体的には、三電極方式の電気化学測定セルを市販のポテンショスタットに接続し、一定の電位を印加して電流の変化を測定した。この電気化学測定では、電解液としてＬｉ＋イオンを含む強アルカリ性水溶液（６ＭのＫＯＨ及び１ＭのＬｉＯＨ）を用い、この電解液に浸漬される基準電極として銀−塩化銀（Ａｇ／ＡｇＣｌ）電極、対極として白金（Ｐｔ）電極、測定対象として上述の引き剥がした金属層を用い、基準電極に対する金属層の電位を一定速度で負電位側に掃引し、銅の酸化物等又は水酸化物等の還元に伴って流れる電流を測定した。具体的には、基準電極と金属層との間の電位とこの電位の変化に対して測定される電流値とをグラフ化し、このグラフのピーク電位より酸化銅等及び水酸化銅等の存否を確認すると共に、ピーク面積（電気量）より定量を行った。【０１０３】
＜酸化銅等と水酸化銅等との存在量比＞
プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８について、上記酸化銅等及び水酸化銅等の存在量の測定結果から、酸化銅等と水酸化銅等との存在量比を算出した。【０１０４】
プリント配線板用基材の試作品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８について、上記剥離強度の測定結果、上記空隙率の測定結果、上記酸化銅等及び水酸化銅等の存在量の測定結果、並びに算出した上記酸化銅等と水酸化銅等との存在量比を、次の表１に示す。【０１０５】
【表１】
2016117575.tif 000003
【０１０６】
＜評価結果＞
表１の結果より、試作品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５のプリント配線板用基材の剥離強度は、３００ｇｆ／ｃｍ以上と大きく、ベースフィルムと金属層との剥離強度が十分に大きいことがわかる。この結果から、ベースフィルムと焼結層との界面から５００ｎｍ以内の領域の空隙率が一定の範囲内であれば、十分な剥離強度が得られると考えられる。逆に、試作品Ｎｏ．６及びＮｏ．７のプリント配線板用基材は、空隙率が大き過ぎることによって剥離強度が小さくなったと考えられ、Ｎｏ．８のプリント配線板用基材は、空隙率を小さくするため高温で焼成したためにベースフィルムが劣化して、剥離強度が小さくなったと考えられる。【０１０７】
また、試作品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４のプリント配線板用基材は、剥離強度が６００ｇｆ／ｃｍ以上と特に好適である。これは、これらのプリント配線板用基材の酸化銅等と水酸化銅等との存在量比が比較的大きいことに起因すると考えられる。逆に、Ｎｏ．５のプリント配線板用基材は、酸化銅等と水酸化銅等との存在量比が小さいために、剥離強度のさらなる向上効果が得られなかったと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明の実施形態に係るプリント配線板用基材及びプリント配線板は、曲げの負荷が大きい用途に使用されるフレキシブルプリント配線板に好適に使用される。
【符号の説明】
【０１０９】
１  プリント配線板用基材
２  ベースフィルム
３  金属層
４  焼結層
５  無電解メッキ層
６  電気メッキ層
７  導体層
Ｇ  空隙
【図１】
2016117575.tif 000004
【図２】
2016117575.tif 000005
【図３】
2016117575.tif 000006
【図４】
2016117575.tif 000007
【国際調査報告】
2016117575.tif 000008
2016117575.tif 000009
2016117575.tif 000010
2016117575.tif 000011