(57)【要約】  基板の搬出時において短時間で基板をシール部材から離す上で有利な基板保持装置およびリソグラフィ装置を提供すること。  基板３を保持する基板保持装置１０に関する。基板保持装置１０は、基板３との間の空間４２を排気するための吸気孔３２が形成されている中央部４０と、中央部４０を囲み、中央部４０よりも低い位置に形成されている外周部４１と、を含む保持部材１６と、保持部材１６に設けられ、空間４２を規定するシール部材３１と、を有する。外周部４１及びシール部材３１の少なくとも一方には、吸気孔３２につながる排気系から独立している孔３３が形成されている。
2016092700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持装置であって、
前記基板との間の空間を排気するための吸気孔が形成されている中央部と、前記中央部を囲み、前記中央部よりも低い位置に形成されている外周部と、を含む保持部材と、
前記保持部材に設けられ、前記空間を規定するシール部材と、を有し、
前記外周部及び前記シール部材の少なくとも一方には、前記吸気孔につながる排気系から独立している孔が形成されていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記孔は、前記保持部材の厚さ方向に沿って前記外周部に形成された貫通孔であることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記孔の、一端が前記空間に、他端が大気空間に面していることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記孔は第１の孔であり、前記中央部には前記排気系から独立し、かつ大気空間に面している第２の孔が形成されており、前記第１の孔と前記第２の孔の基板保持面に沿う方向の断面積の合計は、前記空間の前記基板保持面に沿う方向の断面積の０．０３％以下であることを特徴とする請求項３記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記第１の孔と前記第２の孔の前記基板保持面に沿う方向の断面積の合計は、前記空間の前記基板保持面に沿う方向の断面積の０．０００５％以上０．００４％以下であることを特徴とする請求項４に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記孔又は前記孔につながる配管には開閉可能な弁が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記孔が気体供給源と接続されており、前記孔と前記気体供給源との間に設けられた開閉可能な弁を用いて前記孔を通る気体の流量を制御する流量制御部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記孔は、前記外周部の基板対向面における前記シール部材の引き込み領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記シール部材は、弾性の高分子材料であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記シール部材の先端部はフッ素化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の保持装置を有し、前記保持装置で保持された基板に対してビームを照射し、前記基板上にパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にビームを照射する工程と、
前記基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造工程に使用される露光装置に対して、凹凸や反りを有する基板が供給されることがある。真空吸着によって基板を保持する際に、基板の周縁の反りに起因してリークが生じて吸着力が弱まる恐れがある。【０００３】
特許文献１及び特許文献２は、保持部材の基板対向面の外周に沿って、弾性のシール部材を設けた基板保持装置に関する。シール部材が基板の周縁形状に沿って変形することによって、基板と基板対向面との間の空間のリークを低減させて吸着力を高めている。【０００４】
特許文献２には、露光処理を終えた基板の搬出動作において、基板をシール部材から離しやすくするために空間の排気に用いた孔から空気を吹き出す旨が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２１７２７６号公報
【特許文献２】特開２０１０−１９７４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載の基板保持装置では、排気用の孔につながれている配管は減圧状態であり、まずはこの配管内を空気置換するための時間が必要となる。また全ての孔が共通の配管につながれているため、基板の端に向けて空気を吹き出す孔ほど配管の長さが長い。そのため、基板端側の、基板とシール部材との接触部分が一番空気を必要とするにも関わらず、空気の供給が遅れる恐れがある。【０００７】
上記課題を鑑み、本発明は、基板の搬出時において短時間で基板をシール部材から離す上で有利な基板保持装置およびリソグラフィ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板保持装置は、基板を保持する基板保持装置であって、前記基板との間の空間を排気するための吸気孔が形成されている中央部と、前記中央部を囲み、前記中央部よりも低い位置に形成されている外周部と、を含む保持部材と、前記保持部材に設けられ、前記空間を規定するシール部材と、を有し、前記外周部及び前記シール部材の少なくとも一方には、前記吸気孔につながる排気系から独立している孔が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の基板保持装置およびリソグラフィ装置は短時間で基板をシール部材から離す上で有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１、第２の実施形態に係る露光装置の図。
【図２】第１の実施形態に係るチャックの図（鉛直上方から見た図）。
【図３】第１の実施形態に係るチャックの図（基板吸着時）。
【図４】第１の実施形態に係るチャックの図（基板搬出時）。
【図５】第２の実施形態に係るチャックの図。
【図６】第３の実施形態に係るチャックの図。
【図７】第４の実施形態に係るチャックの図。
【図８】その他の実施形態に係るチャックの図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１の実施形態］
図１を用いて、第１の実施形態に係る露光装置１の構成について説明する。露光装置１は、ステップ・アンド・リピート方式にてレチクル２及び基板３を走査させながら、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して、レチクル２に形成されているパターン（例えば回路パターン等）を基板３上に転写する投影型露光装置である。なお、図１において、投影光学系４の光軸（本実施形態では鉛直方向）に平行な軸をＺ軸とする。Ｚ軸に垂直な平面内において、露光時にレチクル２が走査する方向をＸ軸、当該Ｘ軸に直交する非走査方向をＹ軸とする。
【００１２】
照明光学系５で成形された照明光（ビーム）６が、レチクル２と投影光学系４を介して基板３に照射される。基板３は、例えば単結晶シリコンの基板であって、表面にはレジストが塗布されている。レチクル２は、ステージ７と共に移動する。干渉計８はミラー９にレーザビームを照射し、その反射光を受光することによりステージ７の位置を検出する。なお、ステージ７はレチクル用のステージ天板（不図示）と当該レチクル用のステージ天板を移動させる移動機構（不図示）とを有する。
【００１３】
基板３は、基板３を真空吸着により保持する保持装置１０とステージ１３と共に６軸方向に移動する。干渉計１１は、ミラー１２を用いて、ステージ７の位置検出と同様の方法でステージ１３の位置を検出する。なお、ステージ１３は基板用のステージ天板（不図示）と当該基板用のステージ天板を移動させる移動機構（不図示）とを有する。
【００１４】
検出系１４は、基板３上に形成されているアライメントマーク（不図示）やステージ１３上に設置されたマーク台１５に形成されている基準マーク（不図示）を検出する。検出系１４がアライメントマーク及び基準マークの位置検出を行い、後述の制御部１８によりパターンの形成位置が決定される。検出系１４として、投影光学系４を介さずにアライメントマークや基準マークを検出するオフアクシスアライメント検出系を採用している。
【００１５】
保持装置（基板保持装置）１０は、基板３を保持するチャック（保持部材）１６と、基板３の搬入及び搬出時に基板３を支持するピン１７と、チャック１６をＺ軸方向に沿って昇降させる昇降機構（不図示）とを有する。チャック１６の昇降動作によって、搬入時はピン１７からチャック１６に、搬出時はチャック１６からピン１７に基板３が受け渡される。保持装置１０の構成については、後で詳述する。
【００１６】
制御部１８は、ステージ７、１３、検出系１４、干渉計８、１１、及び保持装置１０と線を介して接続されており、これらを統括的に制御する。例えば、露光処理時には、検出系１４の検出結果に基づいてパターンの形成位置を決定し、干渉計８、１１から得られる位置情報に基づいてステージ７、１３の移動を制御する。また、基板３の搬入や搬出時には、チャック１６の昇降機構やステージ１３の移動を制御する。制御部１８は、制御部１８以外の構成部材を収容する筐体内に構成しても良いし、当該筐体とは別の筐体内に構成しても良い。
【００１７】
次に保持装置１０の構成について説明する。図２は、保持装置１０を＋Ｚ方向から見た図である。保持装置１０は、＋Ｚ方向から見た形状が円形状のチャック１６を有している。チャック１６には、同心円状に、吸着孔（吸気孔）３２、開放孔（孔）３３、及びピン穴３４が形成されている。
【００１８】
ピン穴３４は、チャック１６の中心付近の３箇所をそれぞれ貫通するように形成されている。昇降機構がチャック１６を−Ｚ方向に移動させると、ピン穴３４の内側からピン１７が突き出て、ピン１７が基板３の搬入や搬出時の支持材となる。なお、基板３の吸着時はピン１７とピン穴３４との隙間はシール材（不図示）等で塞がるためリークすることはないとする。
【００１９】
吸着孔３２はチャック１６の中央側の４箇所、及びそれら４つの吸着孔３２よりも外周側の５箇所に形成されている。吸着孔３２は、排気系である配管３５（図３に図示）及び不図示の真空ポンプにつながっている。
【００２０】
開放孔３３は、吸着孔３２よりもさらに外周側に、１周あたり８箇所で２周分形成されている。弾性材料で形成された、環状のリップシール（シール部材）３１は、チャック１６上にチャック１６の外縁に沿って固定されている。
【００２１】
基板３の搬入後〜露光開始までの動作について図３（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図３（ａ）（ｂ）は、チャック１６の中心を通るＸ−Ｚ平面における断面図である。
【００２２】
図３（ａ）は、チャック１６の上方で、排気開始前に保持装置１０に基板３を載置した時の高さ位置である基板搬入位置に基板３を搬入し終えた状態を示している。基板３とチャック１６との間の空間４２（基板との間の空間）の範囲は、リップシール３１で囲まれることによって規定されている。
【００２３】
チャック１６は、基板３の吸着時に基板３と接触する中央部４０と、中央部４０を取り囲み、中央部４０よりも高さが低い位置に形成されている外周部４１とを含む。すなわち、基板搬入位置から中央部４０の表面までの距離よりも基板搬入位置から外周部４１の表面までの距離のほうが大きくなるようにしている。周辺部４１にはリップシール３１を配置している。なお、中央部４０には、基板３との接触面積を減らすために形成された複数のピン（不図示）や空間４２を補助的に封止するための環状の凸構造（不図示）も含んでいても良い。
【００２４】
吸着孔３２は中央部４０の表面に形成されている。吸着孔３２は、チャック１６の内部で配管３５を含む１つの排気流路にまとめられており、チャック１６の下面側で配管３５と接続されている。弁３６は、吸着孔３２と真空ポンプとをつなぐ配管３５にある。基板３の吸着時は空間４２の内部の空気を排気し、基板３の搬出時は中央部４０の鉛直上方に空気を供給できる。
【００２５】
開放孔３３は、図３（ａ）に示すように、チャック１６を鉛直方向（保持部材の厚さ方向に沿う方向）に貫通するように形成されている。開放孔３３は一端の開口が空間４２に、他端の開口が大気空間に面しており、排気系である配管３５からは独立した空気の通り道となる。なお、開放孔３３によって多少は空気がリークするため、開放孔３３の径は吸着孔３２の径よりも小さくなるように形成されている。
【００２６】
図３（ｂ）は排気を開始後、基板３がチャック１６に吸着されている状態を示している。空間４２内が排気されることで空間４２内の圧力が低下し、基板３の位置変化に応じてリップシール３１が変形していく。
【００２７】
リップシール３１は、粘着シート等の固着剤を用いて外周部４１に固定されている。固定されていない側の先端が基板３の外周に沿った位置で接触する。基板３の吸着に伴い、リップシール３１が変形することによって、チャック１６とリップシール３１と基板３で囲まれる空間４２は封止された状態となる。
【００２８】
そのため、リップシール３１は変形しやすく伸縮可能な柔らかい部材であることが好ましい。シリコンゴムやフッ素ゴム（フッ素化合物を含む材料）等の合成ゴムを含む高分子材料（弾性の高分子材料）を用いることが好ましいが、その他の柔らかい樹脂や金属材料を用いても構わない。
【００２９】
これにより、保持装置１０による吸着力が高まるにつれ、基板３は大気圧を受けてチャック１６の中央部にならうように吸着される。これにより基板３の平面矯正をすることができる。また、基板３の縁が反っている場合でも反りを矯正することができる。
【００３０】
保持装置１０により基板３をチャック１６に吸着した状態で、露光装置１は露光処理を行う。露光終了後は保持装置１０を制御して、基板３を搬出できる状態にする。
【００３１】
基板３の搬出動作について図４（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図４（ａ）は、チャック１６を、図２のＡ−Ａ’の点線に沿って切断した場合の断面図である。昇降機構がチャック１６を下降させると、基板３がチャック１６の表面からピン１７に受け渡され、相対的にピン１７がチャック１６を突き出ることとなる。チャックの下降に伴い、空間４２の体積が増加するため、空間４２は大気圧に対して負圧になる。
【００３２】
前述の弁３６を開放することで、空間４２の内部に大気を流入させると、基板３の吸着力が弱まる。さらに、空間４２の内圧の変化に伴って、開放孔３３から空間４２に流入する大気の量は図４（ｂ）に示すように増加する。
【００３３】
開放孔３３が有ることにより、基板３とリップシール３１の接触部分を含み排気空間の体積も最も多い外周部４１の鉛直上方の空間に、積極的に大気を流入させることができる。開放孔３３を介した空気の通り道はその長さも短く、かつ配管３５のように真空ポンプにより排気していた空間ではないことから、短時間で空気を供給することができる。これにより短時間で基板３をリップシール３１から引き離すことができる。
【００３４】
中央部４０上の吸着孔３２のみを用いて大気を流入させる場合は、空間４２の大部分のを占める外周部上に空気を流入させるには時間がかかる。単に大気を吹き付ける力を増加させて搬出動作を促進させても、基板３がリップシール３１から離れた瞬間に基板３は浮いてずり滑り、基板３の位置ずれが生じたり、基板３が床等に落ちてしまう可能性が生じる。位置ずれが生じた基板３をそのまま搬出してしまうと、搬送ロボット（不図示）による搬送動作中に基板３をぶつけてしまう可能性もある。
【００３５】
一方、開放孔３３が吸着孔としての機能も有するように、開放孔３３を排気系に接続しようとすると、チャック１６の内部に長い管が入り組んで配置されることとなる。これにより、冷却管等の他の部材が配置制約を受けてしまったり、チャック１６の厚みが増すこととなる恐れがある。
【００３６】
また、開放孔３３を排気系に接続させた状態で、基板３の搬出時に吸着孔３２と開放孔３３から空気を供給しようとすると、配管の長さに起因して空間４２内に圧力分布が生じやすくなる。中央部での内圧が高くなると、基板３がシール部材３１から離れた際に、基板３がリップシール３１から離れた瞬間に基板３は浮いてずり滑り、基板３の位置ずれが生じたり、基板３が床等に落ちてしまう可能性が生じる。  以上のことから、外周部には、排気系とは独立させた開放孔３３が形成されていることが好ましい。また、加工が容易なチャック１６の厚み方向に沿って形成されている貫通孔であることが好ましい。
【００３７】
本実施形態の開放孔３３は、空間４２と大気空間の圧力差に応じて必要な量の大気を空間４２に供給できる。特に、一度圧着されたリップシール３１と基板３とを短時間で引き離すためにも、リップシール３１と基板３の接触部分に効率よく大気を供給できるように開放孔３３を少なくとも外周部４１上に設けることが好ましい。さらに、開放孔３３を排気系から独立させ、大気空間から空間４２までの空気の流路を短くすることによって、短時間で空気を供給することができる。
【００３８】
なお、開放孔３３の径が大きいほど空間４２内に多くの空気を供給できるが、基板３を保持している間の空間４２のリークによる吸着力の低下が懸念される。そのため、中央部４０に形成されている開放孔（第２の孔）３３と、外周部４１に形成されている開放孔（第１の孔）３３開放孔３３の断面積の合計は、空間４２の基板保持面に沿う方向の断面積に対して、０．０３％以下であることが好ましい。より好ましくは、０．０００５％以上０．００４％以下とすると良い。これにより、基板３の吸着時のリーク抑制と基板３の搬出時にかかる時間の短縮とを両立することができる。
【００３９】
なお、基板保持面とは中央部の基板側表面を意味し、空間４２の基板保持面に沿う方向の断面積とは、リップシール３１の内径によってできる面の断面積を意味するものとする。
【００４０】
さらに、リップシール３１から基板３が離れやすいように、少なくともリップシール３１の先端部（例えば、リップシール３１の先端から高さ１／３の部分）は粘着性の低い材料であることが好ましい。例えば、リップシール３１として前述のフッ素ゴム（フッ素化合物を含む材料）を使用したり、少なくとも先端部に、粘着性の低い材料である、ＰＴＦＥや二硫化モリブデン等をコーティングしても良い。
【００４１】
粘着性を低くすることによって、リップシール３１から基板３が離れやすくなる。これにより、搬出までにかかる時間を低減できる。さらに、基板３との接触部分におけるリップシール３１表面の摩耗を低減させてリップシール３１の耐久寿命を延ばすことができると共に、摩耗により発生する粒子が装置内に飛散するのを防ぐことができる。
【００４２】
（実施例）
第１の実施形態の実施例について説明する。本実施例では、直径３００ｍｍの基板３を用いた。チャック１６として、開放孔３３が有るチャックと開放孔３３が無いチャックを用意した。開放孔３３が有るチャック１６には、直径０．３ｍｍの開放孔３３を、総断面積が１．５ｍｍ２となるように形成した。
【００４３】
基板３がピン１７と接触後のチャック１６の下降速度を変更しながら搬出動作を繰り返し、基板３の位置ずれが生じる下降速度を比較した。なお、基板３が中央部４０からピン１７に受け渡されるまでのチャック１６の下降速度は、どちらのチャックを用いる場合も共通させた。
【００４４】
この結果、開放孔３３が無いチャックはピン１７への受け渡し時にチャックの下降速度を０．２ｍｍ／ｓ以上とした場合に基板３の位置ずれが確認された。一方、開放孔３３が有るチャック１６はチャック１６の下降速度を１．０ｍｍ／ｓとしても基板３の位置ずれはほとんど確認されなかった。
【００４５】
基板３がピン１７と接触してからリップシール３１から離れるまでのチャック１６の下降距離を１ｍｍとして、生産性への寄与を計算する。開放孔３３が有ることによりチャック１６の下降速度を１．０ｍｍ／ｓとできる場合、基板３の１枚当たりの搬出処理が４秒早くなる。スループットに換算すると、開放孔３３が無いチャックは１５０枚／ｈの処理速度であるのに対し、開放孔３３が有るチャックは１８０枚／ｈの処理速度となる。すなわち３０枚分の生産性が向上することとなる。
【００４６】
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係るチャック１６の断面図である。開放孔４３は、外周部の基板対向面のうち、基板３の吸着時に空間４２側に引き込まれたリップシール３１によって塞がれる位置（シール部材の引き込み領域）４４に形成されている。これにより、基板３の吸着中に開放孔４３からのリークを低減する効果が有る。
【００４７】
搬出動作時は、リップシール３１が元の形状に戻り開放孔４３が開放されることで、大気を空間４２内に供給できる。これにより、基板３の吸着時のリーク抑制効果と基板３の搬出時にかかる時間の短縮効果を両立することができる。
【００４８】
［第３の実施形態］
図６は、第３の実施形態に係るチャック１６の断面図である。中央部４０と外周部４１には、真空ポンプにつながる配管３５には接続されていない、開放孔３３が形成されている。開放孔３３につながる配管には、開閉可能な電磁弁である弁３７を設けており、弁３７と接続されている制御部３８は弁３７の開閉を制御する。それ以外は第１の実施形態のチャック１６と同様の構成である。制御部３８は、基板３の吸着時には弁３７を閉じ、基板３の搬出時には弁３７を開く。
【００４９】
開放孔３３から大気を供給すべく基板３の搬出時に空気に置換すべき配管の長さは、真空ポンプと接続した場合の配管の長さよりも短い、そのため、基板３の搬出時に短時間で基板３をリップシール３１から離すことができる。さらに、基板３の吸着中における、開放孔３３を介しての空間４２への大気の流入を抑制することができる。
【００５０】
［第４の実施形態］
図７は、第４の実施形態に係るチャック１６の断面図である。中央部４０と外周部４１には、真空ポンプとつながる配管３５には接続されていない、開放孔３３が形成されている。開放孔３３と圧縮空気の供給源（気体供給源）３９との間には開閉可能な電磁弁である弁３７を設けており、弁３７と接続されている制御部３８は弁３７の開閉を制御する。それ以外は第１の実施形態のチャック１６と同様の構成である。
【００５１】
圧力センサ（不図示）で空間４２内の圧力を検知し、検知結果に基づいて制御部３８が孔３３を通る空気（気体）の流量を制御する。制御部３８は流量制御部としての機能を有している。
【００５２】
圧縮空気であれば効率よく大気を供給できると共に、制御部３８が流量を調整しながら大気を供給することにより、空間４２内の圧力が大気圧よりも高くなるのを防ぐ。これにより、基板３がリップシール３１から離れた際に、基板３が浮いて位置がずれることを防ぐことができる。位置ずれが生じた基板３をそのまま搬出してしまうことによって、搬送ロボット（不図示）が搬送動作中に基板３をぶつけたり落としてしまうのを防ぐことができる。
【００５３】
開放孔３３から大気を供給すべく基板３の搬出時に空気に置換すべき配管の長さは、真空ポンプと接続した場合の配管の長さよりも短い、そのため、基板３の搬出時に短時間で基板３をリップシール３１から離すことができる。
【００５４】
なお、圧力センサは必須ではない。制御部３８は、チャック１６の所定の下降速度から算出した空間４２の空気の膨張度合いに基づいて、空間４２に供給する空気の圧力を制御しても良い。また、空間４２内の圧力が大気圧よりも高くなった場合に備えて、空気を外に逃がすための弁（不図示）をチャック１６上に設けても構わない。
【００５５】
［その他の実施形態］
開放孔３３は一方が空間４２に、他方が大気空間に面していれば良い。そのため、開放孔３３がチャック１６の外周部及びリップシール３１の少なくとも一方に形成されていれば良い。図８はリップシール３１上に開放孔３３が形成されている保持装置１０の図である。
【００５６】
図２ではチャック１６に直接リップシール３１を固定しているが、リップシール３１の交換が容易になるように、別部品によりリップシール３１を固定しても良い。リップシール３１を、基板３と接触する箇所を含む先端部分とそれ以外の部分とに分けて、摩耗した先端部分だけを交換できる構成としても良い。
【００５７】
開放孔３３は、チャック１６の中心から離れた位置にあるほど大きい断面積を有する孔であることが好ましい。基板３の吸着中は空間４２の大部分は外周部上の空間であるため、外周部側に優先的に気体を供給するほうが、短時間で基板３をリップシール３１から離すのが容易となる。例えば、基板保持面で同じ面積の、中心側の領域と当該中心側の領域の外側の領域とを設定し、それぞれの領域に同じ数の孔を設ける場合は、当該外側の領域にある孔の総断面積を大きくすると良い。
【００５８】
開放孔３３は必ずしも等角度間隔に配置されていなくても良い。吸着孔３２あるいは真空ポンプがチャック１６に対して偏った位置に配置されている場合には、吸着孔３２の密度が少ない領域において開放孔３３の数を増やせば良い。
【００５９】
リップシール３１を有する保持装置１０は、基板３を吸着する前後で基板３が所定方向に１０〜１０００μｍ程度ずれることがある。これはリップシール３１の製造工程により生じる個体差や取り付け誤差に起因する。この場合は、露光開始前に検出系８を用いて位置ずれを予め測定し、制御部１８等が有する演算回路によって補正量を算出し、補正量を加味してステージ７、１３を走査させる。吸着動作によって生じる基板３の位置ずれを低減し、重ね合わせ精度の低下を防止することができる。
【００６０】
本発明のリソグラフィ装置が、基板３に対して照射する光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）に限られない。ＫｒＦ光（波長２４８ｎｍ）やＡｒＦ光（波長１９３ｎｍ）といった遠紫外線領域の光、可視光領域の光であるｇ線（波長４３６ｎｍ）でも良い。
【００６１】
また、本発明のリソグラフィ装置は、荷電粒子線を基板に照射してウエハ上に潜像パターンを形成する装置や、インプリント法により基板にパターンを形成する装置でも良い。
【００６２】
［物品の製造方法］
本発明の一実施形態に係る物品（半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、ＣＤ−ＲＷ、光学素子、フォトマスク等）の製造方法は、リソグラフィ装置を用いて基板（ウエハやガラス板等）上にパターンを露光する工程と、露光された基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程（現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでも良い。
【００６３】
本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。
【符号の説明】
【００６４】
１  露光装置（リソグラフィ装置）
３  基板
１６  チャック（保持部材）
３１  リップシール（シール部材）
３２  吸着孔（吸気孔）
３３  開放孔（孔）
４０  中央部
４１  外周部
４２  空間
４３  開放孔（孔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持装置であって、
前記基板との間の空間を排気するための吸気孔が形成されている中央部と、前記中央部を囲み、前記中央部よりも低い位置に形成されている外周部と、を含む保持部材と、
前記外周部上に設けられ、前記空間を規定するシール部材と、を有し、
前記外周部及び前記シール部材の少なくとも一方には、前記吸気孔につながる排気系から独立している貫通孔が形成されていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記保持部材の厚さ方向に沿って前記外周部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記貫通孔の、一端が前記空間に、他端が外の空間に面していることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記空間と前記外の空間との圧力差に応じて、前記貫通孔の前記他端から前記一端に向けて前記空間の外の気体が流入することを特徴とする請求項３に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記貫通孔は第１の貫通孔であり、前記中央部には前記排気系から独立し、かつ前記外の空間に面している第２の貫通孔が形成されており、前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔の基板保持面に沿う方向の断面積の合計は、前記空間の前記基板保持面に沿う方向の断面積の０．０３％以下であることを特徴とする請求項３又は４に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔の前記基板保持面に沿う方向の断面積の合計は、前記空間の前記基板保持面に沿う方向の断面積の０．０００５％以上０．００４％以下であることを特徴とする請求項５に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記貫通孔又は前記貫通孔につながる配管には開閉可能な弁が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記貫通孔が気体供給源と接続されており、前記貫通孔と前記気体供給源との間に設けられた開閉可能な弁を用いて前記貫通孔を通る気体の流量を制御する流量制御部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記貫通孔は、前記外周部の基板対向面における前記シール部材の引き込み領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記シール部材は、弾性の高分子材料であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
前記シール部材の先端部はフッ素化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の保持装置を有し、前記保持装置で保持された基板に対してビームを照射し、前記基板上にパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にビームを照射する工程と、
前記基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
【国際調査報告】
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