(57)【要約】この製造方法は、アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶をスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る工程と、未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程とを含み、未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程と、ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すか否かを判断する。これにより、ウェーハ上に偏在するＬＰＤが低減されたウェーハが得られる。
2015186288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下である場合に、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
シリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下である場合に、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
ドナーキラー熱処理した場合の抵抗率が、１９Ω・ｃｍ以上、かつ２６Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶をスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すか否か、を判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記判断が、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たさない場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことなく、研磨を行う、と判断するものであることを特徴とする請求項４に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記判断が、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施した後、研磨を行う、と判断するものであることを特徴とする請求項４に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での前記熱処理を施すか否かを、ロット単位で判断することを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項８】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否か、を判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項９】
前記判断が、前記インゴットまたはブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合は、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出す、と判断するものであることを特徴とする請求項８に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１０】
前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを、ロット単位で判断することを特徴とする請求項８または９に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１１】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日を超えて前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合に、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１２】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合には、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施さないことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１３】
半導体デバイス製造ラインにおいてパーティクルをモニターするためのパーティクルモニターウェーハであって、
請求項１から１２のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
【請求項１４】
ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないシリコンウェーハであって、
請求項１から１２のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ＬＰＤが低減され、半導体デバイスの基板等に好適に使用できるシリコンウェーハおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに用いる半導体基板は、シリコン単結晶のインゴットから切り出したシリコンウェーハから製造される。この用途のシリコン単結晶は、通常、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という。）により製造される。ＣＺ法では、チャンバ内の下部に設けられた坩堝内で結晶原料を融解させ、得られた融液の表面に種結晶を接触させ、種結晶（および、坩堝）をその軸周りに回転させながら、種結晶を引き上げることにより、種結晶の下方に単結晶を育成させる。【０００３】
ＣＺ法によって得られた単結晶は、径を種結晶の径から徐々に大きくした部分である円錐状のショルダー部と、ショルダー部の下の円柱状のボディ部と、ボディ部の下の逆円錐状のテイル部とを含む。ボディ部は、円筒研削機による円筒研削で所定寸法の直径を有するように仕上げられ、その後、単結晶から、ショルダー部およびテイル部が除去される。そして、ボディ部がスライスされて、シリコンウェーハが得られ、このシリコンウェーハに対して、ラッピング、面取り、エッチング、研磨等の工程が順次施されて、半導体基板用のシリコンウェーハが得られる。【０００４】
このようなシリコンウェーハに対して、各種の検査が行われる。たとえば、シリコンウェーハの表面に、凹凸として現れた欠陥を調べるために、ウェーハ表面でのレーザ光の反射を利用する方法がある。このような欠陥（ＬＰＤ；Light Point Defect）は、可視〜紫外域の波長を有するレーザ光を照射すると、輝点として観察される。すなわち、ＬＰＤとして検出可能な欠陥は、ウェーハの表面に存在するものである。【０００５】
図１に、シリコンウェーハ上で、輝点として観察されるＬＰＤの分布の一例を示す。このようなＬＰＤの分布は、ウェーハ各部でのレーザの反射光（散乱光を含む。）を、ウェーハ全面に渡って検出することにより、得ることができる。たとえば、ウェーハを、その中心周りに面内で回転させながら、そのウェーハの表面に、スポット状にレーザ光を照射し、照射部を、ウェーハの径方向に移動させることにより、ウェーハ全面に渡ってレーザの反射光を検出することができる。検出された反射光の強度分布から、ＬＰＤの有無、およびサイズを特定できる。このような方法により、ＬＰＤのサイズとして、たとえば、最小２６ｎｍ程度のものまで検出できる。ＬＰＤの観察に先だって、ウェーハに特別な前処理をする必要はないので、この方法により、ウェーハの表面に凹凸として現れた欠陥を、容易に観察することができる。【０００６】
ＬＰＤを、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope；走査電子顕微鏡）で観察すると、ウェーハ表面からの突出部になっているものと、ウェーハ表面に形成された凹部になっているものとがあることがわかる。図２は、突出部の形態のＬＰＤのＳＥＭ像であり、図３は、凹部の形態のＬＰＤのＳＥＭ像である。【０００７】
ＬＰＤの成因は、様々である。ＬＰＤには、たとえば、機械加工に起因して生じるもの（特許文献１参照）、および結晶成長時に導入される欠陥（ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥）に関係しているもの（特許文献２参照）がある。【０００８】
特許文献３には、無欠陥シリコン単結晶からスライスされ、鏡面研磨されたシリコンウェーハを、５００℃以上６００℃以下の温度で、４時間以上６時間以下の時間、熱処理する熱処理工程と、熱処理工程後のシリコンウェーハを、研磨量が１．５μｍ以上となるように再研磨する再研磨工程とを含む、シリコンウェーハの製造方法が開示されている。特許文献３によれば、この方法により、ＬＰＤが極限まで低減され、検査工程および出荷段階で不良品発生率が低いシリコンウェーハを、歩留まり良く製造できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−４２５３６号公報
【特許文献２】特開２００１−２６１４９３号公報
【特許文献３】特開２０１３−４８２５号公報
【特許文献４】特開２０１０−２６７８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者らは、これまでに報告されていない新たなタイプのＬＰＤを見出した。具体的には、本発明者らが見出したＬＰＤは、シリコンウェーハ中のホウ素濃度および酸素ドナー濃度と密接に関連しており、ウェーハ上に偏って分布する。以下、このようなＬＰＤを、「偏在ＬＰＤ」という。偏在ＬＰＤの密度は、これまでに報告されているＬＰＤの密度に比して極めて低いので、現時点では、偏在ＬＰＤがシリコンウェーハから製造されるデバイスの特性に影響を与えることはないと考えられる。しかし、将来、半導体デバイスの配線パターンの微細化が進んだ場合等に、偏在ＬＰＤが問題を生じる可能性はある。【００１１】
そこで、この発明の目的は、偏在ＬＰＤを消滅、または低減できる、シリコンウェーハの製造方法、および偏在ＬＰＤが消滅、または低減されたシリコンウェーハを提供することである。【００１２】
この発明の他の目的は、偏在ＬＰＤの発生を防止、または抑制できる、シリコンウェーハの製造方法、および偏在ＬＰＤの発生が防止、または抑制されたシリコンウェーハを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、最終製品と同等の加工工程を経たウェーハを用いてウェーハの表面にあるＬＰＤを観察し、その分布についてデータを得たところ、少なくともウェーハ２５枚分の前記観察データを加え合わせた際に、ウェーハ上で円形状またはリング（２つの同心円の間の領域）状に偏って分布する特異なＬＰＤ（偏在ＬＰＤ）が存在することがわかった。そこでこのような偏在ＬＰＤが発生する条件について調査した。【００１４】
その結果、偏在ＬＰＤは、ホウ素（Ｂ）濃度と、酸素（Ｏ）ドナー濃度とが、ほぼ同じで、これらの濃度が特定の範囲内にあるウェーハに多く見られることが判明した。換言すれば、偏在ＬＰＤは、ホウ素濃度と酸素ドナー濃度とがほぼ同じ場合に見られる特異な現象であり、ホウ素濃度と酸素ドナー濃度との間に、ある程度の濃度差がある場合には発生しない。【００１５】
また、本発明者らは、シリコン単結晶のインゴットの育成を完了してから５０日を経過後にこのインゴットから切り出したウェーハには、偏在ＬＰＤが多く見られることを見出した。換言すれば、偏在ＬＰＤは、シリコン単結晶のインゴットの育成を完了してからウェーハを切り出すまでの時間が、ある程度短い場合には発生しない。【００１６】
また、ウェーハにおいて偏在ＬＰＤが観察される部分を元素分析したところ、ウェーハ表面からの突出部になっているもの（図２参照）では、ニッケル（Ｎｉ）が検出され、ウェーハ表面に形成された凹部になっているもの（図３参照）では、銅（Ｃｕ）が検出された。ニッケル、および銅の分析は、オージェ電子分光分析(Auger Electron Spectroscopy)法で分析することにより行った。【００１７】
以上の結果から、偏在ＬＰＤは、ホウ素濃度と酸素ドナー濃度とが、ほぼ同じであるｐ／ｎ型反転（混在）領域であって、これらの濃度が特定の範囲内にあるものに、結晶育成完了後の時間の経過とともに、ニッケル、または銅がトラップされることを一因として形成されるものと考えられる。【００１８】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、偏在ＬＰＤが、熱処理により、消滅または低減することを見出した。熱処理により、表面上の凹凸として現れる偏在ＬＰＤが消滅または低減する詳細なメカニズムについてはよくわかっていないが、一旦トラップされたニッケルまたは銅が、熱を与えられることにより解放されることが関与していると思われる。【００１９】
また、本発明者らは、シリコン単結晶のインゴットの結晶育成完了後５０日以内に、このインゴットからウェーハを切り出すと、このインゴットのホウ素濃度および酸素ドナー濃度が上記特定の範囲内にあっても、切り出したウェーハには、偏在ＬＰＤがほとんど（または全く）発生しておらず、その後も偏在ＬＰＤがほとんど発生しないことを見出した。すなわち、所定期間内にインゴットからウェーハを切り出すことにより、偏在ＬＰＤの発生が防止または抑制される。この現象の詳細なメカニズムについてはよくわかっていないが、一旦インゴットからウェーハが切り出されると、Ｎｉまたは銅は、ｐ／ｎ型反転領域にトラップされるよりウェーハの表面に集まりやすいことが関与していると思われる。【００２０】
上記特許文献３では、表面Ｃｕ濃度が１．１９×１０９ｃｍ−２（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）であるウェーハや、表面Ｎｉ濃度が２．６×１０８ｃｍ−２であるウェーハで、ＬＰＤが検出されることが記載されている。これに対して、本発明者らが偏在ＬＰＤを検出したウェーハの表面Ｃｕ濃度、および表面Ｎｉ濃度は、ＷＳＡ(Wafer Surface Analysis)法により測定したところ、いずれも、１×１０７ｃｍ−２以下であった。ＷＳＡ法は、具体的には、不純物を含有する回収液を、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ；Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry）法で分析するものとした。【００２１】
ニッケル、および銅のウェーハへの導入経路を特定することは困難である。このようなニッケル、および銅は、たとえば、シリコン単結晶を製造するために用いる原料、および石英坩堝、ならびにウェーハを加工する初期工程から最終工程までの間に使用する部材、たとえば、各工程で使用するスラリー等の消耗剤等を起源としている可能性がある。【００２２】
本発明者らが観察したウェーハにおけるＬＰＤの密度は低く（たとえば、直径が約３００ｍｍ（約１２インチ）のウェーハ１枚あたり５〜３０個）、１枚のウェーハで、ＬＰＤの分布に特徴があることを見出すのは困難である。しかし、複数枚のウェーハについて、データを加え合わせると、ウェーハ上のＬＰＤの分布に特徴のあることが判明した。具体的には、観察されたＬＰＤは、ウェーハの中心周りに同心円状に分布しており、たとえば、直径が約３００ｍｍのウェーハにおいて、中心から半径１００ｍｍ内の円形領域でＬＰＤ密度が相対的に高いもの、および、ウェーハ中心から半径５０ｍｍ〜１００ｍｍの間のリング状領域でＬＰＤ密度が相対的に高いものがある。【００２３】
本発明者らが観察したＬＰＤ（偏在ＬＰＤ）が形成されたシリコンウェーハから、半導体デバイスを製造すると、現在のところは、問題を生じないが、将来、半導体デバイスの配線パターンの微細化進んだ場合等に、問題を生じる可能性がある。【００２４】
本発明は、以上の知見を得て完成したものであり、下記（Ａ）〜（Ｆ）のシリコンウェーハの製造方法、ならびに下記（Ｇ）および（Ｈ）のシリコンウェーハを要旨とする。【００２５】
（Ａ）未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下である場合に、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。【００２６】
（Ｂ）シリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下である場合に、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。【００２７】
（Ｃ）アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶をスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すか否かを判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。【００２８】
（Ｄ）アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。【００２９】
（Ｅ）アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日を超えて前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合に、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。【００３０】
（Ｆ）アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合には、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施さないことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。【００３１】
（Ｇ）半導体デバイス製造ラインにおいてパーティクルをモニターするためのパーティクルモニターウェーハであって、
上記（Ａ）〜（Ｆ）の製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。【００３２】
（Ｈ）ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないシリコンウェーハであって、
上記（Ａ）〜（Ｆ）の製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。【００３３】
ここで、「未熱処理シリコンウェーハ」とは、３００℃以上の温度での熱処理が施されていないウェーハをいう。
ここで、インゴットについて「結晶育成完了」の時点は、単結晶育成に用いた融液からこの単結晶を切り離した後、この単結晶の表面温度が室温（３０℃）以下になった時点をいう。
【発明の効果】
【００３４】
本発明のシリコンウェーハの製造方法において、未熱処理シリコンウェーハのホウ素濃度、および酸素ドナー濃度に基づいて、３００℃以上の温度での熱処理の要否を適切に判断することにより、偏在ＬＰＤが存在しないか低減されたシリコンウェーハを得ることができる。【００３５】
本発明のシリコンウェーハの他の製造方法において、シリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックのホウ素濃度および酸素ドナー濃度に基づいて、このインゴットの結晶育成完了後５０日以内に、このインゴットまたはブロックからウェーハを切り出すことの要否を適切に判断することにより、偏在ＬＰＤの発生が防止または抑制されたシリコンウェーハを得ることができる。
本発明のシリコンウェーハは、偏在ＬＰＤが存在しないか低減されている。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、シリコンウェーハ上におけるＬＰＤの分布の例を示す図である。
【図２】図２は、突出部の形態のＬＰＤのＳＥＭ像である。
【図３】図３は、凹部の形態のＬＰＤのＳＥＭ像である。
【図４】図４は、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度と、ＬＰＤ発生の有無との関係を示す図である。
【図５】図５は、インゴットの種別と、結晶育成完了後ウェーハを切り出すまでの日数との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
本発明の第１の製造方法は、「未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下である場合に、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施す」ことを特徴とする。
【００３８】
５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のホウ素濃度を有するシリコンウェーハの抵抗率（ドナーキラー熱処理を行って測定したもの）は、１９〜２６Ω・ｃｍであり、すなわち、通常抵抗に対応している。ドナーキラー熱処理とは、酸素ドナー（ｎ型ドーパントとして働く酸素錯体）を消去するための熱処理であり、たとえば、６５０〜７００℃で１０〜６０分間の熱処理とすることができる。
【００３９】
ホウ素濃度が、５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３である範囲では、ホウ素（アクセプタ）濃度と、ドナー濃度とは、ほぼ同じであるといえる。この範囲では、ｐ／ｎ型反転が起こりやすく、ｐ／ｎ型反転領域にニッケルや銅がトラップされることを一因として、偏在ＬＰＤが生じやすい。偏在ＬＰＤは、３００℃以上の温度での熱処理により、消滅、または低減することができる。
【００４０】
ＬＰＤには、ウェーハ上で、偏った分布を示すもの（偏在ＬＰＤ）と、偏った分布を示さないものとがある。これらは、成因が互いに異なっているものと考えられる。本発明により、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度に基づいて、ＬＰＤの有無（密度の高低）を推定できるのは、未熱処理シリコンウェーハ上において偏った分布を示すＬＰＤである。
【００４１】
ＬＰＤが「偏在ＬＰＤ」であるか否かは、以下のようにして判断するものとする。まず、ＬＰＤ評価装置として、KLA Tencor社製Surfscan SP2を用い、High Sensitivity modeで、測定ch/Sizeの設定を、"Dark field"、"Composite"、"Oblique"、"37nm"（最小粒径）として、ウェーハの表面にあるＬＰＤを観察し、その分布についてデータを得る。そして、少なくともウェーハ２５枚分の前記観察データを加え合わせた際に、ウェーハ上で円形状またはリング（２つの同心円の間の領域）状に分布するＬＰＤが偏在ＬＰＤである。
【００４２】
ただし、当該円形状またはリング状にＬＰＤが分布する領域の面積は、ウェーハ全面の１０％〜７０％の範囲内であるものとする。ここで、ＬＰＤが円形状またはリング状に分布しているとは、当該円形状またはリング状の領域のＬＰＤ密度が、ウェーハ上でそれ以外の領域のＬＰＤ密度の５倍以上であることをいう。換言すれば、ウェーハ上に、当該ウェーハと同心の適切な円またはリングを描いたとき（ただし、この円またはリングの面積は、ウェーハ全面の面積の１０％〜７０％であるものとする）、その円またはリングの内部のＬＰＤ密度が、ウェーハ上でそれ以外の領域のＬＰＤ密度の５倍以上であるとき、そのウェーハには、偏在ＬＰＤが形成されているものとする。
【００４３】
ホウ素濃度Ｎは、ドナーキラー処理後に四探針法により測定したシリコンウェーハの抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）を、下記（１）式により換算（ASTM-F723換算）することにより求めることができる。
Ｎ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）＝（１．３３０×１０１６）／ρ＋（１．０８２×１０１７）／ρ×［１＋（５４．５６×ρ）１．１０５］  （１）
【００４４】
酸素ドナー濃度ＴＤは、シリコン単結晶の抵抗率とキャリア濃度との関係を用いて、シリコンウェーハについて、ドナーキラー熱処理の実施前の抵抗率ρＢｅｆ（Ω・ｃｍ）と実施後の抵抗率ρＡｆｔ（Ω・ｃｍ）とから、下記（２）式、または（３）式により求めることができる。ｐ／ｎ反転領域については、下記（３）式を用い、それ以外に対しては、下記（２）式を用いることができる。
ＴＤ（個／ｃｍ３）＝１．３９×１０１６×（１／ρＡｆｔ−１／ρＢｅｆ）  （２）
ＴＤ（個／ｃｍ３）＝１．３９×１０１６／ρＡｆｔ＋５．０×１０１５／ρＢｅｆ  （３）
【００４５】
本発明の第２の製造方法は、「シリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下である場合に、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出す」ことを特徴とする。
【００４６】
ホウ素濃度および酸素ドナー濃度の測定は、本発明の第１の製造方法における測定と同様にして行うことができる。測定は、たとえば、インゴットまたはブロックから切り出した測定用のウェーハについて行うことができ、製品用のすべてのウェーハの切り出しを、測定用のウェーハの切り出しと一括して行う必要はない。インゴットまたはブロックのホウ素濃度および酸素ドナー濃度の測定結果に基づいて、製品用のウェーハの切り出しを、インゴットの結晶育成完了後５０日以内に行うためには、当該測定を、インゴットの結晶育成完了後５０日以内に行う必要がある。
【００４７】
本発明の第３の製造方法は、「アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶をスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る工程と、前記未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程と、前記未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すか否かを判断する」ことを特徴とする。
【００４８】
前記判断は、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下との要件を満たさない場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことなく、研磨を行う、と判断するものであってもよい。
【００４９】
前記判断は、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施した後、研磨を行う、と判断するものであってもよい。
【００５０】
本発明の第４の製造方法は、「アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度を求める工程と、前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを判断する」ことを特徴とする。
【００５１】
前記判断は、前記インゴットまたはブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合は、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出す、と判断するものであってもよい。
【００５２】
本発明の第１および第３の製造方法では、未熱処理シリコンウェーハについてのホウ素濃度および酸素ドナー濃度の測定は、インゴットの結晶育成完了後５０日以内に行う必要はない。当該測定を、インゴットの結晶育成完了後５０日以内に行った場合は、その時点では、未熱処理シリコンウェーハに偏在ＬＰＤが形成されていないことが予想される。しかし、そのような未熱処理シリコンウェーハであって、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるものには、時間が経過すると、偏在ＬＰＤが生ずる可能性がある。このようなウェーハについて、３００℃以上の温度での熱処理を施すことにより、偏在ＬＰＤの発生を防止または抑制することができる。
【００５３】
本発明の第５および第６の製造方法では、インゴットまたはブロックのホウ素濃度および酸素ドナー濃度、ならびにインゴットまたはブロックからウェーハを切り出す時期により、３００℃以上の温度での熱処理が施され、または施されない。
【００５４】
本発明の第５の製造方法は、「アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日を超えて前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合に、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施す」ことを特徴とする。
【００５５】
ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たすインゴットまたはブロックから、インゴットの結晶育成完了後５０日を超えて切り出したウェーハには、偏在ＬＰＤが形成されている可能性がある。そのようなウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を行うことで、すでに形成された偏在ＬＰＤを消滅または低減することができる。
【００５６】
本発明の第６の製造方法は、「アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合には、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施さない」ことを特徴とする。
【００５７】
ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たすインゴットまたはブロックから、インゴットの結晶育成完了後５０日以内に切り出したウェーハには、偏在ＬＰＤが形成されていない可能性が極めて高いとともに、その後に偏在ＬＰＤが形成される可能性が極めて低い。したがって、この場合には、切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施さないこととしても、ほとんどの場合、偏在ＬＰＤが実質的に存在しないシリコンウェーハを得ることができる。また、熱処理を施さないことにより、シリコンウェーハの製造に要する時間およびコストを低減することができる。
【００５８】
本発明のシリコンウェーハは、「半導体デバイス製造ラインにおいてパーティクルをモニターするためのパーティクルモニターウェーハであって、上記製造方法のいずれかにより製造された」ことを特徴とする。
【００５９】
パーティクルモニターウェーハは、いわゆるダミーウェーハであり、製品用のウェーハとは別に半導体デバイス製造ラインに投入される。パーティクルは、ウェーハの表面を検査する表面検査装置により検出される。しかし、表面検査装置は、ウェーハ表面の結晶欠陥も検出する。検出された結晶欠陥とパーティクルとは、必ずしも区別することができない。本発明のシリコンウェーハは、ＬＰＤの数が著しく低減されているので、このシリコンウェーハをパーティクルモニターウェーハとして用いることにより、表面検査装置による検査で、ウェーハ表面に存在するパーティクルの数（密度）を正確に評価することができる。
【００６０】
本発明の他のシリコンウェーハは、「ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないシリコンウェーハであって、上記製造方法のいずれかにより製造された」ことを特徴とする。
【００６１】
ＣＯＰ(Crystal Originated Particle)は、単結晶育成時に結晶格子を構成すべき原子の欠けた空孔の凝集体（微小ボイド）であり、転位クラスターは格子間に過剰に取り込まれた格子間シリコンの凝集体である。半導体デバイス製造時に、ウェーハ表面を熱酸化する際に表面近傍に存在するＣＯＰが酸化膜に取り込まれれば、半導体素子のＧＯＩ(Gate Oxide Integrity)特性を劣化させ、また、転位クラスターもデバイスの特性不良の原因となるなど、いずれもデバイス特性に悪影響を与える。
【００６２】
ＣＯＰおよび転位クラスターを含まない無欠陥の領域からなるシリコンウェーハから半導体素子（デバイス）を製造することにより、このような特性の劣化および不良が生じないようにすることができる。ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないシリコンウェーハは、ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないシリコン単結晶のインゴットから切り出して得ることができる。シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造する場合、引き上げ直後の単結晶内の成長方向の温度勾配Ｇに対するシリコン単結晶の引き上げ速度Ｖの比Ｖ／Ｇを適切に制御することにより、ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないシリコン単結晶を製造することができる（たとえば、上記特許文献４参照）。
【００６３】
本発明の第１の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法について、説明する。まず、ＣＺ法により、シリコン単結晶を育成する。その際、シリコン単結晶には、アクセプタとして、ホウ素をドープする。次に、得られたシリコン単結晶のインゴットをスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る。そして、この未熱処理シリコンウェーハに対して、ラッピング、面取り、研削、およびエッチングを、順次施す。
【００６４】
次に、得られた未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を求める。シリコン単結晶のインゴットからウェーハを切り出す際、まず、シリコン単結晶を、軸方向に数個のブロックに分割するように切断し、各ブロックからウェーハを切り出してもよい。製品用の未熱処理シリコンウェーハは、ホウ素濃度および酸素ドナー濃度測定用の未熱処理シリコンウェーハ（評価用サンプル）とは別に、たとえば、ホウ素濃度および酸素ドナー濃度を求めた後に、シリコン単結晶のインゴットから切り出してもよい。各ウェーハ（未熱処理シリコンウェーハ）のホウ素濃度、および酸素ドナー濃度は、上記（１）〜（３）式に基づいて求めることができる。
【００６５】
求められたホウ素濃度、および酸素ドナー濃度に基づき、未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度が、５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３であると判断されるか否かに基づき、このシリコンウェーハに対して、熱処理を行うか否かを判断する。なお、未熱処理シリコンウェーハにおいてホウ素濃度および酸素ドナー濃度を測定する部分（領域）は、ウェーハ面内の多点としてもよいし、中心一点のみとしてもよい。いずれの場合でも熱処理を行うかどうかの判断は可能である。
【００６６】
また、熱処理を行うかどうかの判断はロット単位で行ってもよい。同じブロックから切り出されたシリコンウェーハは、同じロットとされる。ブロックが長尺の場合は、そのブロックを細分化したものをロットと定義してもよい。ロット単位で判断する場合、ロットの一部の未熱処理シリコンウェーハ、または、ロットの元のブロックの一部から採取した評価用サンプルから、上記（１）〜（３）式に基づいてホウ素濃度および酸素ドナー濃度を求め、当該ロット全体のホウ素濃度および酸素ドナー濃度とすることができる。
【００６７】
熱処理は、３００℃以上、かつ８００℃以下で、１秒〜３６００秒行うことができる。この熱処理時間は、特許文献３の方法で必要とされる熱処理時間に対して極めて短い。本発明における熱処理は、たとえば、短時間熱処理に好適なランプアニールにより行ってもよい。熱処理は、たとえば、６５０〜８００℃で、１秒以上行うものとすることもできる。また、ドナーキラー等の他の目的の熱処理を、本発明における熱処理（偏在ＬＰＤを消滅または低減するための熱処理）として実施することが可能である。
【００６８】
ホウ素濃度が、５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３であるウェーハには、偏在ＬＰＤが存在する可能性が高い。偏在ＬＰＤが存在する場合、この熱処理により、偏在ＬＰＤは、消滅、または低減する。熱処理の後、このシリコンウェーハに対して、研磨を行う。この研磨は、未熱処理シリコンウェーハが偏在ＬＰＤを含むか否かとは無関係に行われるもの（すなわち、偏在ＬＰＤとの関係で行う特別なものではない）であり、半導体用シリコンウェーハを製造する際に通常行われる研磨である。
【００６９】
本発明による熱処理は、前記研磨工程前に行うことが望ましく、一度前記研磨工程を行ったあとに何らかの理由で再度研磨を行う場合でも、その（最初の）研磨工程前に行うことが望ましい。
【００７０】
ホウ素濃度が、５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３であるとの要件を満たす未熱処理シリコンウェーハまたは評価用サンプルが１枚または複数枚ある場合は、その未熱処理シリコンウェーハまたは評価用サンプルが含まれるロット単位で熱処理を行うものとしてもよい。
【００７１】
一方、求められたホウ素濃度、および酸素ドナー濃度に基づき、シリコンウェーハについて、ホウ素濃度が、５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３であるとは判断されない場合は、このシリコンウェーハには、偏在ＬＰＤが形成されていない可能性が高い。この場合は、このシリコンウェーハに対して、熱処理を行うことなく、前記研磨を行う。熱処理を行うことなく前記研磨を行うのは、たとえば、下記の条件ＡおよびＢを同時に満たす場合としてもよい。
Ａ：ホウ素濃度が、５×１０１４〜１０×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、１×１０１４〜１１×１０１４個／ｃｍ３であると判断される。
Ｂ：ホウ素濃度が、５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３である、とは判断されない。
【００７２】
未熱処理シリコンウェーハまたは評価用サンプルのホウ素濃度および酸素ドナー濃度を、その未熱処理シリコンウェーハまたは評価用サンプルが含まれるロットのホウ素濃度、および酸素ドナー濃度とする場合、ホウ素濃度が、５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３であるとの要件を満たさないときは、そのロットの全てのシリコンウェーハについて、熱処理を行わずに、研磨を行うものとしてもよい。
いずれの場合も、研磨後、シリコンウェーハを洗浄して、ポリッシュドウェーハとしての製品が得られる。
【００７３】
次に、本発明の第２の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法について説明する。まず、シリコン単結晶インゴットの育成を第１の実施形態の製造方法におけるものと同様に実施する。次に、このインゴットから、少なくとも、ホウ素濃度および酸素ドナー濃度測定用のウェーハを切り出す。インゴットを、一旦、ブロックに切断し、このブロックから測定用のウェーハ、および製品用のウェーハを切り出してもよい。
【００７４】
そして、このウェーハについて、結晶育成完了後５０日以内に、ホウ素濃度および酸素ドナー濃度の測定を実施する。その結果、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であると判断された場合は、インゴットの結晶育成完了後５０日以内に、インゴットから製品用のウェーハを切り出す。これにより、ウェーハの切り出し後に、偏在ＬＰＤが発生することを防止または抑制できる。切り出したウェーハの厚さは、たとえば、直径が約３００ｍｍのウェーハでは、０．８〜１．５ｍｍとすることができる。
【００７５】
一方、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であると判断されない場合は、特に、インゴットからウェーハを切り出す時期は制限されない。すなわち、この場合は、インゴットのまま保管しておいても、時間の経過とともに偏在ＬＰＤが発生する可能性は極めて低いので、製品用のウェーハは、インゴットから、インゴットの結晶育成完了後５０日以内に切り出してもよく、インゴットの結晶育成完了後５０日を経過した後に切り出してもよい。
ウェーハの切り出し後は、本発明の第１の実施形態と同様にして、研磨以降の工程を実施する。
【実施例】
【００７６】
〈実施例１〉
偏在ＬＰＤが観察される未熱処理シリコンウェーハと、偏在ＬＰＤが観察されない未熱処理シリコンウェーハとについて、ウェーハの中心１点について、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を求めた。いずれの未熱処理シリコンウェーハも、ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないものであった。ホウ素濃度は、上記（１）式を用いる上述の方法により求めた。酸素ドナー濃度は、上記（２）式または（３）式を用いる上述の方法により求めた。また、ウェーハ上に偏在ＬＰＤが存在するか否かは、ＬＰＤの分布について、ウェーハ２５枚分のデータを加え合わせて、上述の方法により判断した。上記偏在ＬＰＤが観察された未熱処理シリコンウェーハにおいて、相対的にＬＰＤ密度が高い領域は他の領域よりもＬＰＤ密度が５〜１４倍高かった。【００７７】
図４は、以上の結果をまとめたものであり、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度と、偏在ＬＰＤ発生の有無との関係を示す図である。図４から、偏在ＬＰＤが観察された未熱処理シリコンウェーハの大部分において、ホウ素濃度が５×１０１４〜７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、酸素ドナー濃度は、いずれも４×１０１４〜８×１０１４個／ｃｍ３の範囲に入ることがわかる。【００７８】
このような未熱処理シリコンウェーハを、６５０℃で３秒〜３０分間の熱処理をすることにより、ウェーハ表面に観察された偏在ＬＰＤの密度を大きく低下させることができた。熱処理により、偏在ＬＰＤ領域にあったＬＰＤの密度は数分の１以下となったが、偏在ＬＰＤ領域外のＬＰＤ密度はほとんど変化しなかった。その結果、偏在ＬＰＤ領域と偏在ＬＰＤ領域外とでＬＰＤ密度に大きな差がなくなり、偏在ＬＰＤ領域以外の領域のＬＰＤ密度に対する偏在ＬＰＤ領域のＬＰＤ密度の比は、熱処理後、５未満になった。【００７９】
このように、本発明により偏在ＬＰＤを消滅、または低減できることを確認した。ただし、上記ホウ素濃度および酸素ドナー濃度の範囲には、偏在ＬＰＤが観察されない未熱処理シリコンウェーハも存在する。しかし、この範囲の未熱処理シリコンウェーハを一律に熱処理することにより、ウェーハ１枚ずつについて、偏在ＬＰＤの有無を確認する手間を省くことができる。【００８０】
また、この試験では、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、もしくは７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３超、または、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３未満、もしくは８×１０１４個／ｃｍ３超である範囲の未熱処理シリコンウェーハでは、偏在ＬＰＤは観察されなかった。【００８１】
〈実施例２〉
４２０本のシリコン単結晶インゴットを、チョクラルスキー法により育成し、結晶育成完了後インゴットからウェーハを切り出すまでの日数（以下、「リードタイム」という。）を変えて、切り出したウェーハについて、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を測定するとともに、偏在ＬＰＤの有無を調査した。【００８２】
図５は、ウェーハの種別ごとのリードタイムを示す図であり、図５の右部には、リードタイムについてのヒストグラムを示している。【００８３】
ウェーハの種別として、「(a)偏在ＬＰＤ非発生ウェーハ」と記したもの（以下、「種別(a)」という。）は、偏在ＬＰＤが発生しなかったウェーハである。種別(a)のウェーハには、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たすものと、この要件を満たさないものとが含まれる。種別(a)のウェーハのうち、リードタイムが５０日を超えているウェーハは、いずれも、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たさないものであった。【００８４】
「(b)偏在ＬＰＤ発生ウェーハ」と記したもの（以下、「種別(b)」という。）は、偏在ＬＰＤが発生したウェーハであり、いずれも、ホウ素濃度が、５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、かつ７×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０１４個／ｃｍ３以上、かつ８×１０１４個／ｃｍ３以下であるとの要件を満たしていた。【００８５】
種別(a)の平均リードタイムは、３９．８０７４日であるのに対して、種別(b)の平均リードタイムは、６０．２７２０日であった。ｔ検定を行ったところ、種別(a)の平均リードタイムと種別(b)の平均リードタイムとの差は、有意水準５％で有意であった。【００８６】
図５から、偏在ＬＰＤが発生したウェーハは、いずれも、結晶育成完了後５０日を経過した後に、インゴットから切り出したものであることがわかる。この結果から、結晶育成完了後５０日以内にインゴットからウェーハを切り出すことにより、偏在ＬＰＤの発生を防止できたことがわかる。
【図１】
2015186288.tif 000003
【図２】
2015186288.tif 000004
【図３】
2015186288.tif 000005
【図４】
2015186288.tif 000006
【図５】
2015186288.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下である場合に、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
シリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下である場合に、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
ドナーキラー熱処理した場合の抵抗率が、１９Ω・ｃｍ以上、かつ２６Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶をスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すか否か、を判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記判断が、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下であるとの要件を満たさない場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことなく、研磨を行う、と判断するものであることを特徴とする請求項４に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記判断が、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下であるとの要件を満たす場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施した後、研磨を行う、と判断するものであることを特徴とする請求項４に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記未熱処理シリコンウェーハに対して、３００℃以上の温度での前記熱処理を施すか否かを、ロット単位で判断することを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項８】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否か、を判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項９】
前記判断が、前記インゴットまたはブロックについて、前記ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下であるとの要件を満たす場合は、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出す、と判断するものであることを特徴とする請求項８に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１０】
前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを、ロット単位で判断することを特徴とする請求項８または９に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１１】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日を超えて前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合に、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１２】
アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合には、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施さないことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１３】
半導体デバイス製造ラインにおいてパーティクルをモニターするためのパーティクルモニターウェーハであって、
請求項１から１２のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
【請求項１４】
ＣＯＰおよび転位クラスターを含まないシリコンウェーハであって、
請求項１から１２のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（Ｅ）アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日を超えて前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合に、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（Ｆ）アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上、かつ７×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、４×１０14個／ｃｍ3以上、かつ８×１０14個／ｃｍ3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後５０日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合には、当該切り出されたウェーハに対して、３００℃以上の温度での熱処理を施さないことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【国際調査報告】
2015186288.tif 000008
2015186288.tif 000009
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