(57)【要約】  光回路において光部品によって生じる反射光の影響を低減する。  光回路１００は、光を分岐する光分岐１１０と、分岐された光の第１の部分を伝送のために光導波路１１８に結合する光結合器１１４と、分岐された光の第２の部分を反射する光反射部１１６とを具備し、光結合器１１４からの反射光と光反射部１１６からの反射光との位相差が光分岐１１０の入力側において（２ｍ−１）π（ｍは整数）である。
2014156885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を分岐する第１の分岐部と、
前記分岐された光のうちの第１の分岐光を伝送のために第１の光導波路に結合する第１の光結合器と、
前記分岐された光のうちの第２の分岐光を反射する光反射部と
を具備し、
前記第１の光結合器からの反射光と前記光反射部からの反射光との位相差が前記第１の分岐部の入力側において（２ｍ−１）πであり、ｍは整数である光回路。
【請求項２】
前記第１の分岐部及び前記第１の光結合器の間の第２の光導波路の長さと前記第１の分岐部及び前記光反射部の間の第３の光導波路の長さとの差が（ｃ／ｎｇ）×（１／ｋ）（単位：ｍ）の１００分の１以下であり、ｎｇは前記第２の光導波路及び前記第３の光導波路の群屈折率、ｃ（ｍ／ｓ）は光の速度、ｋ（ｂｐｓ）は信号の伝送速度である請求項１に記載の光回路。
【請求項３】
前記第１の分岐部は少なくとも２つの入力を有し、前記少なくとも２つの入力のうちの１つに光検出器が接続され、前記第３の光導波路上に第１の光位相調整部が設けられ、前記第１の光位相調整部は前記光検出器において検出される光パワーが最大となるように制御可能である請求項２に記載の光回路。
【請求項４】
前記第２の光導波路上に第２の光位相調整部が設けられる請求項３に記載の光回路。
【請求項５】
光源と、
前記光源から放射される光を変調して変調された光信号を出力する光変調器と
をさらに具備し、
前記光変調器は少なくとも２つの入力を有し、該少なくとも２つの入力のうちの１つに光検出器が接続され、前記光変調器の出力が前記第１の分岐部に接続され、前記第３の光導波路上に第１の光位相調整部が設けられ、前記第１の光位相調整部は前記光検出器において検出される光パワーが最小となるように制御可能である請求項２に記載の光回路。
【請求項６】
前記第２の光導波路上に第２の光位相調整部が設けられる請求項５に記載の光回路。
【請求項７】
前記光反射部は第２の光結合器であり、前記第１の光結合器からの反射光と前記第２の光結合器からの反射光とが前記第１の光導波路へ結合される請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項８】
前記第１の光結合器及び前記第２の光結合器はそれぞれ第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラであり、前記第１の光導波路はマルチモード光導波路である請求項７に記載の光回路。
【請求項９】
前記光回路は同一の基板上に形成され、前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラは並行して配置され、前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラの前記基板に対する回折角は同じ角度であり互いに逆向きである請求項８に記載の光回路。
【請求項１０】
前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラは並行して配置され、前記第１のグレーティングカプラのグレーティングは前記第２の光導波路に対して斜めに形成され、前記第２のグレーティングカプラのグレーティングは前記第３の光導波路に対して直交するように形成され、前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラは反射係数の位相が互いに異なるが反射係数の絶対値がほぼ等しいように構成される請求項８に記載の光回路。
【請求項１１】
光源と、
前記光源から放射される光を分岐する第２の分岐部と、
前記第２の分岐部からの光の第１の部分を変調して、変調された光信号を出力する第１の光変調器と、
前記第２の分岐部からの光の第２の部分を変調して、変調された光信号を出力する第２の光変調器と
をさらに具備し、
前記第１の光変調器からの反射光と前記第２の光変調器からの反射光との位相差が前記第２の分岐部の入力側において（２ｍ−１）πであり、ｍは整数である請求項１乃至４及び７乃至８のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１２】
前記光反射部は前記第１の光結合器と同一の反射係数を有する請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１３】
前記第１の光結合器の反射係数の位相と前記光反射部の反射係数の位相との間の差がφであり、前記第１の分岐部の入力側及び前記第１の光結合器の間の光路長と前記第１の分岐部の入力側及び前記光反射部の間の光路長との差分が（（ｍ−１／２）−φ／π／２）λ／２であり、ｍは整数であり、λは光の波長である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１４】
前記第１の１ｘ２構成の分岐部について入力に対し二つの出力側の間で位相差が生じない分岐構成で、前記第１の分岐部及び前記第１の光結合器の間の光路長と前記第１の分岐部及び前記光反射部の間の光路長とが等しく、前記第１の光結合器から反射される光の前記第１の光結合器の入射端における位相と前記光反射部から反射される光の前記光反射部の入射端における位相との間の位相差が（２ｍ−１）πであり、ｍは整数である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１５】
前記光回路は同一の基板上に形成され、前記第１の光結合器及び前記光反射部はそれぞれ第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラであり、前記第１のグレーティングカプラについてディチューニングδ＝κであり、前記第２のグレーティングカプラについてδ＝−κであるように、前記第１及び第２のグレーティングカプラのグレーティングピッチが決定され、ここで、κは結合定数であり、δ＝β−Ｋであり、βは光の伝搬定数であり、Ｋ＝２π／Λであり、Λはグレーティングピッチである請求項１４に記載の光回路。
【請求項１６】
前記第２の分岐部から前記第１の光変調器までの第４の光導波路と、前記第２の分岐部から前記第２の光変調器までの第５の光導波路とは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ５０μｍ以下の距離に並行に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の光回路。
【請求項１７】
前記第１の分岐部から前記第１の光結合器までの第２の光導波路と、前記第１の分岐部から前記光反射部までの第３の光導波路とは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ５０μｍ以下の距離に並行に配置されることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１８】
位相差は、
（ａ）光導波路の直線部の長さを変えること、
（ｂ）光導波路の曲げ半径を変えること、
（ｃ）光導波路の幅を変えること、
（ｄ）光導波路の高さを変えること、
（ｅ）光導波路の温度を変えること、
（ｆ）光導波路にかかる応力を変えること、
（ｇ）光導波路のコア又はクラッドの少なくとも１つの材料を変えること
の少なくとも１つによって光導波路の光路長を変えることによりもたらされる請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光回路に関し、より詳細には反射光による性能の劣化を防止する光回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムにおいては、光源として使用される半導体レーザの動作を安定させることが求められる。【０００３】
このため、特許文献１においては、波長フィルタを介して光検出器によって半導体レーザの発振波長をモニタする際に、波長フィルタから反射される光が半導体レーザへ戻ることを防止することが提案されている。【０００４】
特許文献２には、外部変調器内部に配置された光共振器から反射される光を半導体レーザとは別の方向へ導くことが提案されている。【０００５】
しかし、これらの技術は、半導体レーザモジュールにおいて生じる反射光が半導体レーザ光源へ戻ることを防止するにすぎない。したがって、このようなモジュールを用いて光通信システムを構築しても、光変調器以降の他の光学部品との接続部分において反射光が生じる。【０００６】
この問題を解決するための１つの手法として、特許文献３に示されるように、半導体レーザの出力端の近くに光アイソレータを配置することによって、反射光が半導体レーザに戻ることを防止することが考えられる。しかし、光アイソレータは高価な光部品であるので、この構成はコストの増大を招く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００８／１０７９６３号
【特許文献２】特開２００９−２０４６９４号公報
【特許文献３】米国特許第８，１６８，９３９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、光部品によって生じる反射光の影響を低減する低コストな光回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの実施例において、光回路は、光を分岐する第１の分岐部と、分岐された光のうちの第１の分岐光を伝送のために第１の光導波路に結合する第１の光結合器と、分岐された光のうちの第２の分岐光を反射する光反射部とを具備し、第１の光結合器からの反射光と光反射部からの反射光との位相差が第１の分岐部の光源側において（２ｍ−１）π（ｍは整数）である。【００１０】
本発明の別の実施例において、第１の分岐部及び第１の光結合器の間の第２の光導波路の長さと第１の分岐部及び光反射部の間の第３の光導波路の長さとの差が（ｃ／ｎg）×（１／ｋ）（単位：ｍ）の１００分の１以下であり、ｎgは第２の光導波路及び第３の光導波路の群屈折率、ｃ（ｍ／ｓ）は光の速度、ｋ（ｂｐｓ）は信号の伝送速度である。【００１１】
本発明の別の実施例において、第１の分岐部は少なくとも２つの入力を有し、当該少なくとも２つの入力のうちの１つに光検出器が接続され、第３の光導波路上に第１の光位相調整部が設けられ、第１の光位相調整部は光検出器において検出される光パワーが最大となるように制御可能である。さらに、第２の光導波路上に第２の光位相調整部が設けられてもよい。【００１２】
本発明の別の実施例において、光回路は、光源と、光源から放射される光を変調して変調された光信号を出力する光変調器とをさらに具備する。光変調器は少なくとも２つの入力を有し、当該少なくとも２つの入力のうちの１つに光検出器が接続され、光変調器の出力が第１の分岐部に接続され、第３の光導波路上に第１の光位相調整部が設けられ、第１の光位相調整部は光検出器において検出される光パワーが最小となるように制御可能である。さらに、第２の光導波路上に第２の光位相調整部が設けられてもよい。【００１３】
本発明の別の実施例において、光反射部は第２の光結合器であり、第１の光結合器からの反射光と第２の光結合器からの反射光とが同一の第１の光導波路へ結合される。【００１４】
本発明の別の実施例において、第１の光結合器及び第２の光結合器はそれぞれ第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラであり、第１の光導波路はマルチモード光ファイバである。【００１５】
本発明の別の実施例において、光回路は同一の基板上に形成され、第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラは並行して配置され、第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラの基板に対する回折角は同じ角度であり互いに逆向きである。【００１６】
本発明の別の実施例において、第１及び第２のグレーティングカプラは並行して配置され、第１のグレーティングカプラのグレーティングは第２の光導波路に対して斜めに形成され、第２のグレーティングカプラのグレーティングは第３の光導波路に対して直交するように形成され、第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラは反射係数の位相が互いに異なるが反射係数の絶対値がほぼ等しいように構成される。【００１７】
本発明の別の実施例において、光回路は、光源と、光源から放射される光を分岐する第２の分岐部と、第２の分岐部からの光の第１の部分を変調して、変調された光信号を出力する第１の光変調器と、第２の分岐部からの光の第２の部分を変調して、変調された光信号を出力する第２の光変調器とをさらに具備する。光回路は、第１の光変調器からの反射光と第２の光変調器からの反射光との位相差が第２の分岐部の光源側において（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように構成される。【００１８】
本発明の別の実施例において、光反射部は第１の光結合器と同一の反射特性を有する。【００１９】
本発明の別の実施例において、第１の光結合器の反射係数の位相と光反射部の反射係数の位相との間の差はφであり、第１の分岐部の光源側及び第１の光結合器の間の光路長と第１の分岐部の光源側及び光反射部の間の光路長との差分が片道で（（ｍ−１／２）−φ／π／２）λ／２であり、ｍは整数であり、λは光の波長である。【００２０】
本発明の別の実施例において、前記第１の１ｘ２構成の分岐部について入力に対し二つの出力側の間で位相差が生じない分岐構成で、第１の分岐部及び第１の光結合器の間の光路長と第１の分岐部及び光反射部の間の光路長とが等しく、第１の光結合器から反射される光の第１の光結合器の入射端における位相と光反射部から反射される光の光反射部の入射端における位相との間の位相差が（２ｍ−１）πであり、ｍは整数である。【００２１】
本発明の別の実施例において、光回路は同一の基板上に形成され、第１の光結合器及び光反射部はそれぞれ第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラである。第１のグレーティングカプラについてディチューニングδ＝κであり、第２のグレーティングカプラについてδ＝−κであるように、第１及び第２のグレーティングカプラのグレーティングピッチが決定される。ここで、κは結合定数であり、δ＝β−Ｋであり、βは光の伝搬定数であり、Ｋ＝２π／Λであり、Λはグレーティングピッチである。【００２２】
本発明の別の実施例において、第２の分岐部から第１の光変調器までの第４の光導波路と、第２の分岐部から第２の光変調器までの第５の光導波路とは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ５０μｍ以下の距離に並行に配置されてもよい。また、第１の分岐部から第１の光結合器までの第２の光導波路と、第１の分岐部から光反射部までの第３の光導波路とは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ５０μｍ以下の距離に並行に配置されてもよい。【００２３】
本発明の別の実施例において、光反射部は光パワーモニタである。また、位相差は、（ａ）光導波路の直線部の長さを変えること、（ｂ）光導波路の曲げ半径を変えること、（ｃ）光導波路の幅を変えること、（ｄ）光導波路の高さを変えること、（ｅ）光導波路の温度を変えること、（ｆ）光導波路にかかる応力を変えること、（ｇ）光導波路のコア又はクラッドの少なくとも１つの材料を変えることの少なくとも１つによって光路長を変えることによりもたらされてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、光部品によって生じる反射光の影響を低減する低コストな光回路を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図２】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図３】本発明の実施例による光結合器と光導波路との間での光結合の例を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図５】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図６】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図７】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図８】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図９】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図１０】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図１１】本発明の実施例に係る光回路を概略的に示す図である。
【図１２】本発明の実施例に係る光回路におけるグレーティングカプラに形成されるグレーティングの一例を概略的に示す図である。
【図１３】本発明の実施例に係る光回路におけるグレーティングカプラに形成されるグレーティングの一例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の実施例を図面を参照しながら以下に詳細に説明する。図１は、本発明の１つの実施例による光回路１００を概略的に示す。光回路１００は、光源１０２、光分岐１０４、１０６Ａ及び１０６Ｂ並びに光変調器１０８Ａ、１０８Ｂ，１０８Ｃ及び１０８Ｄを有する。光源１０２は半導体レーザであってもよい。光源１０２から出射される光は、光分岐１０４によって２つの導波路へ分岐され、さらに光分岐１０６Ａ及び１０６Ｂによって４つの導波路へ分岐され、光変調器１０８Ａ、１０８Ｂ，１０８Ｃ及び１０８Ｄに入射される。本実施例において、光源１０２からの光は４つの光導波路へ分岐されるが、光源からの光は単一の光導波路へ導かれてもよいし、任意の数の光導波路へ分岐されてもよい。光変調器１０８Ａ、１０８Ｂ，１０８Ｃ及び１０８Ｄは、マッハツェンダ干渉計（ＭＺＩ）光変調器であってもよいし、他の種類の外部光変調器であってもよい。なお、図１においてはスポットサイズ変換器１０３を用いて光源１０２から出射される光を導波路に結合しているが、他の方法を用いてもよい。
【００２７】
以下においては、光変調器１０８Ａの出力に接続された光回路の構成について具体的に説明するが、他の光変調器１０８Ｂ，１０８Ｃ及び１０８Ｄにも同様に構成された光回路が接続されてもよい。光回路１００は、光変調器１０８Ａに接続された光分岐１１０を有し、光変調器１０８Ａから出力される光を意図的に分岐するように構成される。光分岐１１０はマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器であってもよい。光変調器１０８Ａは、光分岐１１０を介して、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂに接続される。光導波路１１２Ａは光結合器１１４に接続され、光導波路１１２Ｂは光反射部１１６に接続される。光結合器１１４は、グレーティングカプラであってもよいし、他の種類の光結合器であってもよい。光結合器１１４は、光分岐１１０を介して光導波路１１２Ａを伝播した光を、伝送のために光導波路１１８へ結合するように構成される。光導波路１１８は、光ファイバであってもよいし、他の種類の光導波路であってもよい。図１に示す実施例においては、光結合器１１４としてグレーティングカプラが用いられ、光導波路１１８として光ファイバが用いられる。図１は、光ファイバ１１８の断面を示しており、グレーティングカプラ１１４から回折された光が光ファイバ１１８へと結合されるように光回路１００が構成されることを概略的に示している。
【００２８】
製造ばらつきを抑制する観点から光反射部１１６は、光結合器１１４の反射特性と実質的に同一の反射特性を有する光素子であることが望ましい。加えて、製造ばらつきの抑制と、最大限に戻り光を抑制する観点から、光分岐１１０は二つの導波路に等分に光を分岐するものであることが望ましい。例えば、光反射部１１６は、光結合器１１４と実質的に同一の反射スペクトル及び反射係数を有するように構成されてもよい。この構成において、光反射部１１６から反射される光のスペクトル及びパワーは、光結合器１１４から戻される光のスペクトル及びパワーと同等である。しかしながら、反射係数が設計可能であれば、光反射部１１６は、グレーティングカプラ又はその他の種類の光結合器であってもよいし、光パワーモニタなどの他の光素子であってもよい。光反射部１１６が光結合器である場合、光反射部１１６を透過する光は終端されてもよい。光反射部１１６が光モニタである場合、光反射部１１６を透過する光のスペクトルやパワーを測定することができる。設計された光反射部の反射係数の絶対値が光結合器１１４と異なる場合、戻ってくる光パワーを光分岐１１０の分岐の比率を設計で変更することで調整してもよい。図２は、グレーティングカプラを光反射部１１６として用いた１つの実施例の光回路１００を示す。
【００２９】
光回路１００を構成する光素子は、同一の基板上に形成されてもよい。例えば、１つの実施例において、光回路１００は、シリコンフォトニクス技術を利用して、シリコン（Ｓｉ）基板に堆積されたシリカガラス（ＳｉＯ２）層上にＳｉ導波路や光素子を集積化することによって形成されてもよい。この場合、光結合器１１４は、例えばグレーティングカプラとして構成され、入射される光が光導波路１１８へと結合されるように、当該光を基板に対して例えば上方に回折する。光結合器１１４は、光導波路１１８との光結合効率が十分に高くなるようなスポットサイズで光を出射するように構成される。例えば、光結合器１１４がグレーティングカプラであり、光導波路１１８が１０μｍのコア径を有するシングルモード光ファイバである場合、グレーティングカプラは図３に示すように構成することができる。
【００３０】
図３は、本発明の実施例による光結合器と光導波路との間での光結合の例を示す。この例において、グレーティングカプラ３００は、Ｓｉ細線３０２、Ｓｉ細線３０２に接続されるテーパ導波路３０４、テーパ導波路３０４に接続され、グレーティング３０６が形成された幅広導波路３０８を含む。
【００３１】
実施例において、信号光の波長は１．５５μｍ帯又は１．３１μｍ帯であってもよい。１．３１μｍ帯の光信号の伝搬及び送信が行われる実施例において、Ｓｉ細線３０２のコアは、例えば、６０ｎｍの厚さ及び５００ｎｍの幅を有する。テーパ導波路３０４は、例えば、７００μｍの長さを有し、５００ｎｍの導波路幅を１０μｍまで広げ、幅広導波路３０８へ接続される。グレーティング３０６は、例えば、６３５ｎｍの周期及び５０％のデューティサイクルを有する。グレーティング３０６は、例えば、１２０ｎｍの厚さを有し、６０ｎｍのエッチング深さを有するように構成することができる。この例において、Ｓｉ細線３０２から入射される波長１．３１μｍ帯の光信号は、テーパ導波路３０４によって約１０μｍの幅のスポットサイズを有するように広げられ、グレーティング３０６によって回折され、シングルモード光ファイバ３１０へ結合される。本発明のこのような実施例によれば、上記のように、シングルモード光ファイバ３１０への光信号の結合が可能となる。
【００３２】
光変調器１０８Ａから出力される光の一部は、当該光が光結合器１１４を介して光導波路１１８へ結合されるときに、光結合器１１４によって反射される。この反射された光信号が変調器１０８Ａ、光分岐１０６Ａ及び光分岐１０４を介して光源１０２へと戻ると、光源１０２の動作が不安定になる。この問題を解決するため、本実施例においては、光変調器１０８Ａから出力される光を単一の光結合器１１４へ導くのではなく、当該光を、光分岐１１０を用いて２つの光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂへ意図的に分岐する。光導波路１１２Ａは光結合器１１４に接続され、光導波路１１２Ｂは光反射部１１６に接続される。
【００３３】
光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂ、光結合器１１４並びに光反射部１１６は、光結合器１１４及び光反射部１１６からそれぞれ反射されて光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂを介して光分岐１１０へ戻される光の位相差が、光分岐１１０の光源側において（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように構成される。好ましくは、ｍ＝１又はｍ＝０である。
【００３４】
この目的のため、例えば、光回路１００は、光分岐１１０における変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ｂまでの位相が等しく、光結合器１１４及び光反射部１１６が同じ反射係数を有し、且つ、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂの往復の光路長が（ｍ−１／２）λ（ｍは整数、λは光源１０２から放射される光の波長）だけ異なるように構成されてもよい。この場合、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは、片道の光路長が（（ｍ−１／２）λ）／２だけ異なるように構成されることになる。特に、本実施例の光回路１００は光変調器１０８Ａによって変調された光信号の戻り光を低減するものであるから、光結合器１１４及び光反射部１１６のそれぞれから反射される光信号のずれが光分岐１１０において例えば１／１００ビット以下となることが望ましい。これを実現するため、光導波路１１２Ａと光導波路１１２Ｂとの間の長さの差が（ｃ／ｎｇ）×（１／ｋ）（単位：ｍ）の１００分の１以下であることが望ましい。ここで、ｎｇは光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂの群屈折率、ｃ（ｍ／ｓ）は光の速度、ｋ（ｂｐｓ）は信号の伝送速度である。
【００３５】
また、光回路１００は、光結合器１１４から反射されて光分岐１１０へ戻される光と光反射部１１６から反射されて光分岐１１０へ戻される光との位相差が光分岐１１０において（２ｍ−１）πとなるように、光分岐１１０における変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ｂまでの位相が等しく、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂが異なる光路長を有し、光結合器１１４及び光反射部１１６が異なる反射係数を有するように構成されてもよい。例えば、光回路１００は、光結合器１１４の反射係数の位相と光反射部１１６の反射係数の位相との間の差がφであるように構成され、光分岐１１０及び光結合器１１４の間の光路長と光分岐１１０及び光反射部１１６の間の光路長との差分が片道で（（ｍ−１／２）−φ／π／２）λ／２であり、ｍは整数であり、λは光信号の波長であるように構成されてもよい。
【００３６】
光分岐１１０における変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ｂまでの位相が等しくするには、例えば光回路１００で示される１ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器が用いられる。１ｘ２のＭＭＩの代わりに、後述の光回路４００や５００で用いられている光分岐部に２ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器を用いてもよい。この場合には変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ｂまでの位相はπ/２異なる。したがって、例えば、光結合器１１４の反射係数の位相と光反射部１１６の反射係数の位相との間の差がφであるように構成され、光分岐１１０及び光結合器１１４の間の光路長と光分岐１１０及び光反射部１１６の間の光路長との差分が片道で（ｍ−φ／π／２）λ／２であり、ｍは整数であり、λは光信号の波長であるように構成されてもよい。この場合においても、光結合器からの反射光と光反射部からの反射光との位相差が分岐部の光源側の光源の光が入射されるポートにおいて（２ｍ−１）π（ｍは整数）である。製造ばらつきを考えると２ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器よりも１ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器を用いることが望ましい。
【００３７】
例えば、グレーティングカプラを光結合器１１４及び光反射部１１６として用いる場合、それぞれのグレーティングカプラにおけるグレーティングのピッチを変えることにより、反射係数の位相を調整することができる。光の伝搬定数をβとし、グレーティングのピッチをΛとし、Ｋ＝２π／Λとし、ディチューニングをδ＝β−Ｋにより定義すると、反射係数ｒは、均一なピッチのグレーティングの場合、
【００３８】
【数１】
2014156885.tif 000003
と表すことができる。ここで、ｊは虚数単位、κは結合定数、σ2＝κ2-δ2、Ｌはグレーティングの長さである。
【００３９】
光回路１００は、光結合器１１４のグレーティングから放射される光の導波路基板に対する角度と光反射部１１６のグレーティングから放射される光の導波路基板に対する角度とが異なるが光分岐１１０へ戻る反射係数の絶対値が同じになることを意図して構成されてもよい。この構成により、光回路１００は、光結合器１１４のグレーティングから放射される光と光反射器１１６のグレーティングから放射される光とを、明確に分離することができ、迷光のクロストークを抑制できる。この例において、式１によって表されるような光結合器１１４の反射係数と光反射部１１６の反射係数とは、反射係数の絶対値はほぼ等しいが、反射係数の位相が互いに異なる。分岐１１０における変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ｂまでの位相が等しく、かつ、光結合器１１４及び光反射部１１６の反射係数の絶対値がほぼ等しく、反射係数の位相の差がφであるとすると、光回路１００は、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂのそれぞれの光路長の差分が（（ｍ−１／２）−φ／π／２）λ／２となるように構成することができる。この実施例によれば、グレーティングカプラを光結合器１１４及び光反射部１１６として用いる構成において、光結合器１１４から放射される光の導波路基板に対する角度と光反射部１１６から放射される光の導波路基板に対する角度が異なり、且つ、光結合器１１４及び光反射部１１６からそれぞれ反射されて光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂを介して光分岐１１０へ戻される光の位相差が光分岐１１０において（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるような、光回路１００を実現することができる。
【００４０】
また、グレーティングカプラが光結合器１１４及び光反射部１１６として用いられる実施例において、分岐１１０における変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路１１２Ｂまでの位相が等しく、かつ、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは、等しい光路長を有するように構成され、光結合器１１４から反射される光の光導波路１１２Ａと光結合器１１４との間の接続点における位相と、光反射部１１６から反射される光の光導波路１１２Ｂと光反射部１１６との間の接続点における位相とが（２ｍ−１）π（ｍは整数）だけずれるように構成されてもよい。好ましくはｍ＝０又はｍ＝１である。この目的のため、式１で表される反射係数ｒの位相が光結合器１１４のグレーティングと光反射部１１６のグレーティングとの間で（２ｍ−１）π（ｍは整数）だけ異なるように、各グレーティングのピッチΛを設定してもよい。たとえば、式１においてκが等しくグレーティングピッチだけ異なり反射係数の位相をπずらすとすると、
【００４１】
【数２】
2014156885.tif 000004
とあらわせる。すなわち、
【００４２】
【数３】
2014156885.tif 000005
となる。κとσを実数とすると、σ＝0、δ1＝-δ2＝κとなる。一般に、ｅｘをテイラー展開すると、
【００４３】
【数４】
2014156885.tif 000006
となり、ｘが十分に小さければ、
【００４４】
【数５】
2014156885.tif 000007
となる。したがって、
【００４５】
【数６】
2014156885.tif 000008
である。式６より、式１においてσＬが十分に小さいとき、
【００４６】
【数７】
2014156885.tif 000009
となる。Ｌが１／κに比べて十分に大きい場合、式７から、
【００４７】
【数８】
2014156885.tif 000010
となる。したがって、光結合器１１４に対してδ＝κとなるようにグレーティングピッチを決め、光反射部１１６に対してδ＝−κとなるようにグレーティングピッチを決めるとσ＝０となるから、それぞれ、ｒ∝−１及びｒ∝１である。すなわち、上記の関係を満たすようにそれぞれのグレーティングピッチを決定すれば、反射係数の位相は互いにπだけ異なり、反射率の絶対値はほぼ等しくなる。光結合器１１４及び光反射部１１６をこのように構成すれば、光結合器１１４により反射される光と光反射部１１６により反射される光とは、振幅がほぼ等しく位相差がπとなるから、これらの反射光を光分岐１１０において打ち消すことができる。
【００４８】
光導波路１１８との結合部分において生じる反射光を打ち消すという効果を達成しつつ光回路１００の作製の再現性を高めるために、光結合器１１４及び光反射部１１６は、同じ製造工程によって作製することができるように、同じ構造を有することが望ましい。例えば、光結合器１１４及び光反射部１１６は、上記の例のようにグレーティングカプラとして構成されることが望ましい。この点においても、本発明の上記の実施例は有利な効果を持つ。例えば、従来技術による端面出射タイプのスポットサイズ変換を光反射部１１６に適用すると、劈開やダイシングなどで端面だしをするために導波路長の作製誤差が大きくなる。したがって、このような従来技術によれば、光回路１００の作製に必要な光路長差（例えば、λ／４）に相当する導波路長の制御ができない。これに対して、本発明の実施例のようにグレーティングカプラを光反射部１１６として用いれば、光反射部１１６を電子ビーム（ＥＢ）を用いて作製することができるから、光回路１００の作製の精度が高くなる。また、光結合器１１４及び光反射部１１６を構成するグレーティングカプラが全く同じ構造であれば均一なグレーティングピッチで構成されていなくてもよい。
【００４９】
本発明の実施例において、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは同じ断面構造を有してもよい。
【００５０】
また、導波路の屈折率は温度で変化する。本発明の実施例において、光回路１００において、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは周辺の温度変化に応じて同じ程度に屈折率が変化することが望ましい。片側の導波路のみ温度変化の影響をうけると、片側の導波路のみ光路長が変化し、光路長が長い場合には二つの導波路の位相が大きく変化してしまうためである。光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ十分近い距離にあるように（例えば、並行に）配置されてもよい。このような実施例によれば、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは、ＩＣや半導体レーザなどから発生する熱の影響による屈折率の変化を同じように受ける。その結果、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂの長さの差分だけ、温度変化の影響をうけることになる。たとえば、光結合器１１４と光反射部１１６が同じ反射係数を持ち、反射係数の絶対値も位相も等しい場合を考える。光導波路１１２Ａの光路長をＬ＋（（ｍ−１／２）λ）／２、光導波路１１２Ｂの光路長をＬとする。このとき、温度変化に伴い、屈折率が（１＋α）倍変化したとすると光導波路１１２Ａの光路長は（１＋α）（Ｌ＋（（ｍ−１／２）λ）／２）、光導波路１１２Ｂの光路長は（１＋α）Ｌとなり、二つの導波路の光路長の差は（１＋α）（（ｍ−１／２）λ）／２となる。ｍが１であれば、光路差は（１＋α）λ／４となる。αは小さいので往復の光路差は（１＋α）λ／２〜λ／２となり、往復の位相差はπのまま保持される。一方、片側の光導波路１１２Ａのみ温度変化の影響を受けていたとすると、導波路１１２Ａの光路長は（１＋α）（Ｌ＋（（ｍ−１／２）λ）／２）、光導波路１１２Ｂの光路長はＬとなり二つの導波路の光路長の差はαＬ＋（１＋α）（（ｍ−１／２）λ）／２となる。この値は、ｍ＝１とするとαＬ＋（1＋α）λ／４となり、往復の光路差は２αＬ＋（１＋α）λ／２となる。たとえαが小さくても、Ｌが大きいために、往復の光路差は２αＬ＋λ／２となり、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂの間の往復の位相差をπに保持することは難しくなる。したがって、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂを、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ十分近い距離にあるように（例えば、並行に）配置することにより、これらの導波路の光路差が所望の位相差の近傍に保持されるように制御することが容易になる。ここでは導波路間の往復の位相差をπとしたが、これに限らない。光導波路１１２Ａと光導波路１１２Ｂとの間隔は５０μｍ以下であることが望ましい。
【００５１】
また、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは、それぞれの断面構造が異なり、所望の位相差を生じるように意図的に構成されてもよい。例えば、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは、同じ長さを有し、異なる実効屈折率を有するように構成されてもよい。実施例において、光導波路１１２Ａ及び１１２Ｂは、それぞれを介して光分岐１１０へ戻される光の位相差が光分岐１１０において（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように、コア及びクラッドの屈折率が異なるように構成したり、コア径が異なるように構成したりすることができる。
【００５２】
図４は、本発明の別の実施例による光回路４００を示す。図１に示す光回路１００と同様に、光回路４００は、光源４０２、光分岐４０４、４０６Ａ及び４０６Ｂ、光変調器４０８Ａ、４０８Ｂ，４０８Ｃ及び４０８Ｄ、光分岐４１０、光導波路４１２Ａ及び４１２Ｂ、光結合器４１４並びに光反射部４１６を有する。光結合器４１４は、光分岐４１０を介して光導波路４１２Ａを伝播した光を、伝送のために光導波路４１８に結合するように構成される。光分岐４１０は少なくとも２つの入力と少なくとも２つの出力を有するカプラ（例えば、２×２カプラ）として構成される。光回路４００は、さらに、光導波路４１２Ｂ上に光位相調整部４２０を有する。光分岐４１０の２つの入力のうちの第１の入力が光変調器４０８Ａに接続され、第２の入力はフォトダイオードなどの光検出器４２２に接続される。
【００５３】
光位相調整部４２０は、例えば、ＭＯＳ構造、ＰＮ構造、ヒーター等として構成されてもよい。ＭＯＳ構造の場合、光位相調整部４２０に電圧を印加することによって光導波路４１２Ｂを伝播する光の位相が調整される。ＰＮ構造の場合には光位相調整部４２０に電流が注入され、ヒーターの場合には光位相調整部４２０が加熱される。
【００５４】
図４の実施例によれば、光結合器４１４及び光反射部４１６から光分岐４１０へ戻る光パワーのうち、光分岐４１０の第２の入力へ戻る光パワーが光検出器４２２によってモニタされる。光検出器４２２において検出される光パワーが最大になるとき、光分岐４１０の第１の入力から光変調器４０８Ａに戻る光パワーは最小となる。このとき、光結合器４１４によって反射されて光分岐４１０の第１の入力に戻される光の位相と光反射部４１６によって反射されて光分岐４１０の第１の入力に戻される光の位相との間の位相差は（２ｍ−１）π（ｍは整数）である。したがって、本実施例によれば、光検出器４２２において検出される光パワーが最大となるように光位相調整部４２０を制御することにより、光源４０２の動作を安定させることができる。図４の構成によれば、光導波路４１２Ａ及び４１２Ｂの長さに製造ばらつきが生じていても、光変調器４０８Ａに戻る光パワーを最小化することができ、光源４０２の動作を安定化させることができる。また、本実施例において、光位相調整部４２０及び光検出器４２２は他の光素子と同じプロセスで作製することができ、製造工程を増やす必要はない。
【００５５】
図５は、本発明の別の実施例による光回路５００を示す。光回路５００は、図４に示す光回路４００と同様の構成に加えて、光導波路５１２Ａ上にも光位相調整部５２０Ａを有する。光位相調整部５２０Ａは光位相調整部５２０Ｂと同等の光損失を有するように構成される。光回路５００の動作において、光検出器５２２において検出される光パワーが最大となるように光位相調整部５２０Ｂが制御される一方、光位相調整部５２０Ａは駆動されない。図５の構成によれば、光導波路５１２Ａにおける光損失は光導波路５１２Ｂにおける光損失と同等であるので、光結合器５１４によって反射されて光分岐５１０に戻される光のパワーと光反射部５１０によって反射されて光分岐５１０に戻される光のパワーがほぼ等しくなる。したがって、光検出器５２２において検出される光が最大となるように光位相調整部５２０Ｂを制御することによって、光分岐５１０から光変調器５０８Ａに戻される光パワーをほとんど抑圧することができる。
【００５６】
図４及び図５の実施例において、図２と同様に、製造ばらつき抑制の観点から光結合器４１４及び５１４と同様の光結合器を光反射部４１６及び５１６として用いることが望ましい。加えて、光分岐４１０および５１０はその製造ばらつきを抑制する観点と戻り光を最大限抑制する観点から、変調器からの光を光結合器に繋がる二つの導波路に等分に光を分岐するものであることが望ましい。しかしながら、設計された光反射部４１６および５１６の反射係数の絶対値が光結合器４１４および５１４と異なる場合には、戻ってくる光パワーを光分岐の分岐の比率を設計で変更することで調整してもよい。
【００５７】
図６は、本発明の別の実施例による光回路６００を示す。これは図４の光回路４００の変形例である。光回路６００において、光分岐６１０は１つの入力を有し、光検出器６２２は、光分岐６１０の入力ではなく、光変調器６０８Ａの一方の入力に接続される。光回路６００は、光検出器６２２において検出される光パワーが最小となるように光位相調整部６２０を制御することによって、光源６０２の動作を安定化させることができる。光検出器６２２における光パワーが最小になる光位相調整部６２０の駆動条件（例えば、光位相調整部６２０がＭＯＳ構造である場合には、印加電圧）は直接決定されてもよい。また、光検出器６２２における光パワーが最大になる光位相調整部６２０の１つの駆動条件を決定し、さらに当該光パワーが次に最大になる光位相調整部６２０の別の駆動条件を決定し、これらの駆動条件の中間の値を用いて光位相調整部６２０が駆動されてもよい。
【００５８】
なお、図５の光回路６００も、図６のようにして光検出器５２２が光変調器５０８Ａの一方の入力に接続されるように構成することができる。また、図６の光回路６００において、図５に示すように、別の光位相調整部を導波路６１２Ａ上に設けてもよい。
【００５９】
光回路を上記のように構成することにより、光変調器からの光が伝送のために光結合器によって光導波路へ結合されるときに生じる反射光を打ち消すことができる。したがって、本実施例によれば、光源の動作の不安定性を低減することができる。また、本実施例によれば、光源の出力端に高価な光アイソレータを配置する必要がないから、光回路を低コストで作製することができる。シリコンフォトニクス技術を用いて光回路をＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成すれば、上記の特徴を備える光回路をシリコンプロセスを利用して基板上に高集積化することができるので、光回路を小型化し、製造工程を簡略化し、製造コストを低減することができる。
【００６０】
図７は、本発明の別の実施例による、光変調器以降の光回路において生じる反射光に起因する光源の動作の不安定性を低減することができる光回路７００を示す。光回路７００はシリコンフォトニクス技術を利用してＳＯＩ基板上に光素子を集積化することによって形成されてもよい。以下においては、光変調器７０８Ａの出力に接続された光回路の構成について具体的に説明するが、同様に構成された光回路が他の光変調器７０８Ｂ、７０８Ｃ及び７０８Ｄに接続されてもよい。
【００６１】
光回路７００は、光変調器７０８Ａから出力される光を、光分岐７１０を介して２つの光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂへ分岐するように構成される。光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、光結合器７１４Ａ及び７１４Ｂにそれぞれ接続される。図７は、グレーティングカプラを光結合器７１４Ａ及び７１４Ｂとして用いる例を示す。グレーティングカプラは、Ｓｉ細線、Ｓｉ細線に接続されるテーパ導波路、テーパ導波路に接続されてグレーティングが形成された幅広導波路を含む。信号光の波長が１．３１μｍ帯である実施例において、Ｓｉ細線のコアは、例えば、６０ｎｍの厚さ及び５００ｎｍの幅を有する。テーパ導波路は、例えば、７００μｍの長さを有し、５００ｎｍの導波路幅を１０μｍまで広げ、幅広導波路へ接続される。グレーティングは、例えば、６３５ｎｍの周期及び５０％のデューティサイクルを有する。グレーティングは、例えば、１２０ｎｍの厚さを有し、６０ｎｍのエッチング深さを有するように構成することができる。この例において、Ｓｉ細線から入射される光信号は、テーパ導波路によって約１０μｍの幅のスポットサイズを有するように広げられ、グレーティングによって（例えば、上方に）回折され、光ファイバなどの光導波路へ結合される。
【００６２】
本実施例において、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂは、光分岐７１０によって分岐された光の一部をそれぞれ回折して、伝送のために同一の光導波路７１８へ結合するように構成される。図７において二つのグレーティングカプラ７１４Ａと７１４Ｂが対向するように配置されているが、その配置方法は問わない。グレーティングカプラの配置は図２に記載されるような平行な配置でも構わない。二つのグレーティングカプラ７１４Ａおよび７１４Ｂは、光導波路７１８に対して結合できるように近接していることが望ましい。光回路７００は、グレーティングカプラ７１４Ａのグレーティングから放射される光の導波路基板に対する角度とグレーティングカプラ７１４Ｂのグレーティングから放射される光の導波路基板に対する角度とが異なるが光分岐７１０へ戻る反射係数の絶対値が同じになることを意図して構成されてもよい。例えば、図１２に示すようにグレーティングを導波路に導波路に対して斜めに形成すると光は斜めのグレーティングに対して回折を生じる。グレーティングカプラを並行して配置して、二つのグレーティングカプラ１２１４Ａと１２１４Ｂの回折角を同じ角度でそれぞれ逆向きにとることで集光が可能となり、二つ離れたグレーティングカプラから一つの導波路への結合が容易となる。光導波路７１８は光ファイバであってもよい。光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂ、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂは、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂからそれぞれ反射されて光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂを介して光分岐７１０へ戻される光の位相差が、光分岐７１０の光源側において（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように構成される。好ましくは、ｍ＝１又はｍ＝０である。グレーティングと導波路に対する角度の大きさを二つのグレーティングカプラで同じとし、回折角の大きさを同じとしたことで二つのグレーティングカプラは同じ反射係数を有し、戻り光を最大限抑制することが可能となる。
【００６３】
この目的のため、例えば、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂが同じ反射係数を有する場合、分岐７１０における変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ｂまでの位相が等しく、かつ、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、往復の光路長が（ｍ−１／２）λ（ｍは整数、λは光源４０２から放射される光の波長）だけ異なるように構成されてもよい。この場合、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、片道の光路長が（（ｍ−１／２）λ）／２だけ異なるように構成されることになる。特に、本発明は光変調器７０８Ａによって変調された光信号の戻り光を低減するものであるから、グレーティングカプラ７１４及び７１６のそれぞれから反射される光信号のずれが光分岐７１０において例えば１／１００ビット以下となることが望ましい。これを実現するため、光導波路７１２Ａと光導波路７１２Ｂとの間の長さの差が（ｃ／ｎｇ）×（１／ｋ）（単位：ｍ）の１００分の１以下であることが望ましい。ここで、ｎｇは光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂの群屈折率、ｃ（ｍ／ｓ）は光の速度、ｋ（ｂｐｓ）は信号の伝送速度である。
【００６４】
また、光回路７００は、グレーティングカプラ７１４Ａから反射されて光分岐７１０へ戻される光とグレーティングカプラ７１４Ｂから反射されて光分岐７１０へ戻される光との位相差が光分岐７１０において（２ｍ−１）πとなるように、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂが異なる光路長を有し、グレーティングカプラ７１４Ａ及びグレーティングカプラ７１４Ｂが異なる反射係数を有するように構成されてもよい。例えば、光回路７００は、１ｘ２のＭＭＩを用いて分岐７１０における変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ｂまでの位相が等しく、かつ、グレーティングカプラ７１４Ａの反射係数の位相とグレーティングカプラ７１４Ｂの反射係数の位相との間の差がφであるように構成され、光分岐７１０及びグレーティングカプラ７１４Ａの間の光路長と光分岐７１０及びグレーティングカプラ７１４Ｂの間の光路長との差分が（（ｍ−１／２）−φ／π／２）λ／２であり、ｍは整数であり、λは光信号の波長であるように構成されてもよい。
【００６５】
１ｘ２のＭＭＩの代わりに、後述の光回路８００や９００で用いられている光分岐部に２ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器を用いてもよい。この場合には変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ｂまでの位相はπ/２異なる。したがって、例えば、グレーティングカプラ７１４Ａの反射係数の位相とグレーティングカプラ７１４Ｂの反射係数の位相との間の差がφであるように構成され、光分岐７１０及びグレーティングカプラ７１４Ａの間の光路長と光分岐７１０及びグレーティングカプラ７１４Ｂの間の光路長との差分が片道で（ｍ−φ／π／２）λ／２であり、ｍは整数であり、λは光信号の波長であるように構成されてもよい。この場合においても、グレーティングカプラ７１４Ａからの反射光とグレーティングカプラ７１４Ｂからの反射光との位相差が分岐部の光源側の光源の光が入射されるポートにおいて（２ｍ−１）π（ｍは整数）である。製造ばらつきを考えると２ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器よりも１ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器を用いることが望ましい。反射係数の絶対値が光結合器７１４Ａと７１４Ｂとで異なる場合、戻ってくる光パワーを光分岐の分岐の比率を設計で変更することで調整してもよい。
【００６６】
図１３に示すように一方のグレーティングを導波路に導波路に対して斜めに形成し、もう一方のグレーティングカプラを普通に導波路に対して直交するするように配置してもよい。グレーティングカプラを並行して配置することで、グレーティングカプラ１３１４Ａからの光は回折してグレーティングカプラ１３１４Ｂの光に近づくことで集光が可能となり、二つ離れたグレーティングカプラから一つの導波路への結合が容易となる。この例において、１ｘ２のマルチモード干渉（ＭＭＩ）光結合器を用い、反射係数の位相の差がφであるとすると、光回路７００は、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂのそれぞれの光路長の差分が（（ｍ−１／２）−φ／π／２）λ／２となるように構成することができる。この実施例によれば、グレーティングカプラ７１４Ａから放射される光の導波路基板に対する角度とグレーティングカプラ７１４Ｂから放射される光の導波路基板に対する角度が異なり、且つ、グレーティングカプラ７１４Ａ及びグレーティングカプラ７１４Ｂからそれぞれ反射されて光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂを介して光分岐７１０へ戻される光の位相差が光分岐７１０において（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるような、光回路７００を実現することができる。製造ばらつきの抑制の観点から光分岐７１０の分岐比は１：１であることが望ましい。グレーティングカプラ７１４Ａの反射係数とグレーティングカプラ７１４Ｂの反射係数とは、グレーティングのピッチや、グレーティングの深さ、長さＬ、結合定数κ、duty比を調整することで反射係数の位相が互いに異なるが反射係数の絶対値はほぼ等しいように設計することが可能である。反射係数の絶対値を同じにすることで、戻り光を低減することができる。また、反射係数の絶対値が光結合器７１４Ａと７１４Ｂとで異なる場合でも、戻ってくる光パワーを光分岐の分岐の比率を設計で変更することで調整することができ、同じ光パワーが位相差πで元の導波路に結合することで戻り光を抑制することができる。
【００６７】
また、図７に示される光回路において、分岐７１０における変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ａまでの位相と、変調器側の導波路に対する光導波路７１２Ｂまでの位相が等しく、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、等しい光路長を有するように構成され、グレーティングカプラ７１４Ａから反射される光の光導波路７１２Ａとグレーティングカプラ７１４Ａとの接続点における位相と、グレーティングカプラ７１４Ｂから反射される光の光導波路７１２Ｂとグレーティングカプラ７１４Ｂとの接続点における位相とが、（２ｍ−１）π（ｍは整数）だけずれるように構成されてもよい。この目的のため、式１で表される反射係数ｒの位相がグレーティングカプラ７１４Ａのグレーティングとグレーティングカプラ７１４Ｂのグレーティングとの間で（２ｍ−１）π（ｍは整数）だけ異なるように、各グレーティングのピッチΛを設定してもよい。グレーティングカプラ７１４Ａに対してδ＝κとなるようにグレーティングピッチを決め、グレーティングカプラ７１４Ｂに対してδ＝−κとなるようにグレーティングピッチを決めるとσ＝０となるから、それぞれ、ｒ∝−１及びｒ∝１である。したがって、上記の関係を満たすようにそれぞれのグレーティングピッチを決定すれば、反射係数の位相は互いにπだけ異なり、反射率の絶対値はほぼ等しくなる。グレーティングカプラ７１４Ａ及びグレーティングカプラ７１４Ｂをこのように構成すれば、グレーティングカプラ７１４Ａにより反射される光とグレーティングカプラ７１４Ｂにより反射される光とは、振幅がほぼ等しく位相差がπとなるから、これらの反射光を光分岐７１０において打ち消すことができる。反射係数ｒは、グレーティングのピッチを変化させる代わりに、グレーティングの深さ、長さＬ、結合定数κ、duty比を変化させることによって調整されてもよい。
【００６８】
本実施例によれば、グレーティングカプラ７１４Ａ及びグレーティングカプラ７１４Ｂを同じ製造工程によって作製することができる。したがって、グレーティングカプラにおいて生じる反射光を打ち消すという効果を達成しつつ、光回路７００の作製の再現性を高めることができる。
【００６９】
本発明の実施例において、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは同じ断面構造を有してもよい。
【００７０】
本発明の実施例において、導波路の屈折率は温度で変化しうる。本発明の実施例において、光回路７００において、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは周辺の温度変化に応じて同じ程度に屈折率が変化することが望ましい。片側の導波路のみ温度変化の影響をうけると、片側の導波路のみ光路長が変化し、光路長が長い場合には二つの導波路の位相が大きく変化してしまうためである。光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ十分近い距離にあるように（例えば、並行に）配置されてもよい。このような実施例によれば、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、ＩＣや半導体レーザなどから発生する熱の影響による屈折率の変化を同じように受ける。その結果、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂの長さの差分だけ、温度変化の影響をうけることになる。たとえば、グレーティングカプラ７１４とグレーティングカプラ７１６が同じ反射係数を持ち、反射係数の絶対値も位相も等しい場合を考える。光導波路７１２Ａの光路長をＬ＋（（ｍ−１／２）λ）／２、光導波路７１２Ｂの光路長をＬとする。このとき、温度変化に伴い、屈折率が（１＋α）倍変化したとすると光導波路７１２Ａの光路長は（１＋α）（Ｌ+（（ｍ−１／２）λ）／２）、光導波路７１２Ｂの光路長は（１＋α）Ｌとなり二つの導波路の光路長の差は（１＋α）（（ｍ−１／２）λ）／２となる。ｍが１であれば、光路差は（１＋α）λ／４となる。αは小さいので往復の光路差は（１＋α）λ／２〜λ／２となり、往復の位相差はπで保持される。ここでは導波路間の往復の位相差をπとしたが、これに限らず、導波路間で所望の位相差を生じさせるように制御することが容易になる。光導波路７１２Ａと光導波路７１２Ｂとの間隔は５０μｍ以下であることが望ましい。
【００７１】
また、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、それぞれの断面構造が異なり、所望の位相差を生じるように意図的に構成されてもよい。例えば、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、異なる実効屈折率を有するように構成されてもよい。実施例において、光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂは、それぞれを介して光分岐７１０へ戻される光の位相差が光分岐７１０の光源側において（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように、コア及びクラッドの屈折率が異なるように構成したり、コア径が異なるように構成したりすることができる。
【００７２】
本実施例の光回路７００は、上記のように、光変調器７０８Ａから出力される光を光分岐７１０によって２つの光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂへと分岐し、さらに、この２つの光導波路７１２Ａ及び７１２Ｂによって伝搬される光信号を、２つのグレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂを用いて再び１つの光導波路７１８へと結合するという、特徴的な構成を有する。
【００７３】
本実施例において、光回路７００は、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂが、それぞれによって回折される光信号を、同一のマルチモード光導波路７１８へ結合するように構成されてもよい。マルチモード光導波路７１８は、例えば、マルチモード光ファイバであってもよい。
【００７４】
例えば、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂは、それぞれから回折される光のスポットサイズがマルチモード光導波路７１８の入射端においてマルチモード光導波路７１８のコア内に収まるように構成されてもよい。一例として、マルチモード光導波路７１８は、約５０μｍのコア径を有するマルチモード光ファイバであってもよく、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂは、それぞれから回折される光のスポットサイズが約１０μｍとなるように構成されてもよい。この例によれば、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂを適当に近接して配置するだけで、さらなる特別な光素子を用いることなく、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂのそれぞれから回折される光信号の両方を、同一のマルチモード光導波路７１８に結合することができる。したがって、図１及び図２の実施例と比較して、光導波路７１８へと結合されて伝送される光信号のパワーを高めることができる。
【００７５】
この実施例のように、マルチモード光ファイバなどのマルチモード光導波路７１８を用いるように光回路７００が構成されれば、光変調器７０８Ａから出力される光の反射による光源７０２の動作の不安定性を低減することに加えて、グレーティングカプラ７１４Ａ及び７１４Ｂのそれぞれから回折される光の両方を同一のマルチモード光導波路７１８へと結合して、光分岐７１０を用いた意図的な分岐に起因する光損失を抑制することができる。図１及び図２に示す実施例においては、光変調器１０８Ａより後の光素子からの反射光の悪影響を低減できるが、光導波路１１８へ結合される光信号のパワーが光分岐１１０によって（例えば、１／２に）低減される。しかし、本実施例によれば、この光信号のパワーの減衰の問題をも同時に解決することができる。
【００７６】
また、本実施例によれば、図１及び図２の実施例と同様に、光源７０２の出力端に高価な光アイソレータを配置する必要がないから、光回路７００を低コストで作製することができる。シリコンフォトニクス技術を用いて光回路７００をＳＯＩ基板上に形成すれば、上記の特徴を備える光回路７００をシリコンプロセスを利用して基板上に高集積化することができる。したがって、光回路７００を小型化し、製造工程を簡略化し、製造コストを低減することができる。さらに、光信号伝送用の光導波路７１８としてマルチモード光導波路を使用すれば、光回路７００をＳＯＩ基板が高集積化されて小型化される場合における光回路７００と光導波路７１８との間の位置合わせの誤差に対する許容度が高まる。
【００７７】
図８は、本発明の別の実施例による光回路８００を概略的に示す。光回路８００においては、図７に示す光回路７００と同様の構成に加えて、光分岐８１０が少なくとも２つの入力と少なくとも２つの出力を有するカプラ（例えば、２×２カプラ）として構成される。変調器８０８からの光は光分岐８１０で半分に分けられ、光導波路８１２Ａおよび８１２Ｂと結合する。光回路８００は、さらに、光導波路８１２Ｂ上に光位相調整部８２０を有する。光分岐８１０の２つの入力のうちの第１の入力が光変調器８０８Ａに接続され、他方の第２の入力にはフォトダイオードなどの光検出器８２２が接続される。光位相調整部８２０は、例えば、ＭＯＳ構造、ＰＮ構造、ヒーター等であってもよい。
【００７８】
光回路８００においては、光分岐８１０への戻り光のうち第２の入力へ戻る光のパワーが光検出器８２２によってモニタされる。光検出器８２２において検出される光パワーが最大になるとき、光分岐８１０の第１の入力から光変調器８０８Ａに戻る光パワーは最小となる。このとき、グレーティングカプラ８１４Ａによって反射されて光分岐８１０の第１の入力に戻される光の位相とグレーティングカプラ８１４Ｂによって反射されて光分岐８１０の第１の入力に戻される光の位相との間の位相差は（２ｍ−１）π（ｍは整数）である。したがって、光検出器８２２において検出される光パワーが最大となるように光位相調整部８２０を制御することにより、光源８０２の動作を安定させることができる。図８の構成によれば、図７に示す光回路７００の効果に加えて、光導波路８１２Ａ及び８１２Ｂの長さに製造ばらつきが生じても、光変調器８０８Ａに戻る光パワーを最小化することができ、光源８０２の動作をより安定化させることができる。
【００７９】
図９は、本発明の別の実施例による光回路９００を示す。光回路９００は、図８に示す光回路８００と同様の構成に加えて、光導波路９１２Ａ上に光位相調整部９２０Ａを有する。光位相調整部９２０Ａは光位相調整部９２０Ｂと同等の光損失を有するように構成される。光回路９００の動作においては、光検出器９２２において検出される光パワーが最大となるように光位相調整部９２０Ｂが駆動される一方、光位相調整部９２０Ａは駆動されない。図９の構成によれば、光導波路９１２Ａにおける光損失は光導波路９１２Ｂにおける光損失と同等となる。したがって、グレーティングカプラ９１４Ａによって反射されて光分岐９１０に戻される光のパワーとグレーティングカプラ９１４Ｂによって反射されて光分岐９１０に戻される光のパワーがほぼ等しくなるので、光検出器９２２において検出される光が最大となるように光位相調整部９２０Ｂを制御することによって、光分岐９１０から光変調器９０８Ａに戻される光パワーを最小化することができる。
【００８０】
図１０は、本発明の別の実施例による光回路１０００を示す。光回路１０００において、光分岐１０１０は１つの入力を有し、光検出器１０２２は光変調器１００８Ａの一方の入力に接続される。光回路１０００は、光検出器１０２２において検出される光パワーが最小となるように光位相調整部１０２０を制御することによって、光源１００２の動作を安定化させることができる。光検出器１０２２における光パワーが最小になる光位相調整部１０２０の駆動条件（例えば、光位相調整部１０２０がＭＯＳ構造の場合には、印加電圧）を直接決定してもよい。また、光検出器１０２２における光パワーが最大になる光位相調整部１０２０の１つの駆動条件を決定し、さらに当該光パワーが次に最大になる光位相調整部１０２０の別の駆動条件を決定し、これらの駆動条件の中間の値を用いて光位相調整部１０２０を動作させてもよい。ここでは光位相調整部を光導波路１０１２Ｂの側にしか形成していないが、戻ってくる光パワーを調整する観点から、光回路９００のように光導波路１０１２Ａの側にも光位相調整部を形成してもよい。
【００８１】
製造ばらつき抑制の観点から二つのグレーティングカプラ８１４Ａと８１４Ｂ、９１４Ａと９１４Ｂ、１０１４Ａと１０１４Ｂは同じ構成であることが望ましい。加えて、光分岐８１０および９１０および１０１０は、戻り光を最大限に抑制する観点から、変調器からの光をグレーティングカプラに繋がる二つの導波路に等分に光を分岐するものであることが望ましい。しかしながら、光回路８００のように片側にのみ光位相調整部８２０が形成され、光分岐部に戻ってくる光パワーの絶対値が異なる場合には、戻ってくる光パワーを光分岐の分岐の比率を設計で変更することで調整してもよい。
【００８２】
なお、図９の光回路９００も、図６のようにして光検出器９２２が光変調器９０８Ａの一方の入力に接続されるように構成することができる。また、図１０の光回路１０００において、図９に示すように、別の光位相調整部を導波路１０１２Ａ上に設けてもよい。
【００８３】
図１１は、本発明の別の実施例による光回路１１００を概略的に示す。光変調器１１０８Ａ乃至１１０８Ｄ以降の構成は図１に示した実施例と同様である。本実施例において、光回路１１００は、光変調器１１０８Ａ及び１１０８Ｂからの反射光の位相と光変調器１１０８Ｃ及び１１０８Ｄからの反射光の位相との差が光源１１０２の手前で（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように構成される。好ましくはｍ＝１又はｍ＝０である。この目的のため、例えば、光変調器１１０８Ａ及び１１０８Ｂと光源１１０２との間の光導波路と、光変調器１１０８Ｃ及び１１０８Ｄと光源１１０２との間の光導波路は、往復の光路長が（ｍ−１／２）λ（ｍは整数、λは光源１１０２から放射される光の波長）だけ異なるように構成されてもよい。本実施例によれば、光回路１１００をこのように構成することにより、光変調器以降の光素子による反射光の問題だけでなく、光変調器からの反射光の問題をも解決することができる。
【００８４】
光回路１１００は、光変調器１１０８Ａからの反射光の位相と光変調器１１０８Ｂからの反射光の位相とが光源１１０２の手前で（２ｍ−１）π（ｍは整数）となり、光変調器１１０８Ｃからの反射光の位相と光変調器１１０８Ｄからの反射光の位相とが光源１１０２の手前で（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように構成されてもよい。また、光回路１１００は、光変調器１１０８Ａからの反射光の位相と光変調器１１０８Ｃからの反射光の位相とが光源１１０２の手前で（２ｍ−１）π（ｍは整数）となり、光変調器１１０８Ｂからの反射光の位相と光変調器１１０８Ｄからの反射光の位相とが光源１１０２の手前で（２ｍ−１）π（ｍは整数）となるように構成されてもよい。
【００８５】
本発明の実施例において、光路長は光の伝搬距離（ｄ）に伝搬光の有効屈折率（ｎ）を掛けたもので表すことができる。したがって、光路長は、分岐素子などの光素子の位置関係をずらして導波路の直線部の長さを変えることによって変えることができる。また、光路長は、光素子の位置を変えることなく光素子間の導波路の曲げ半径を変えることによって変えることができる。導波路は、例えば９０°の屈曲部を有してもよいし、他の曲り角度を有してもよい。また、導波路の幅を変えることによって有効屈折率を変えることにより、様々な光路長を得ることができる。さらに、導波路の高さを変えたり、導波路の温度を変化させたり、（例えば、１つ又は複数の導波路に応力の強い膜をかぶせるなどすることによって）複数の導波路のそれぞれにかかる応力を異なるようにしたり、導波路のコアやクラッドの材料を変えたりすることによって、様々な光路長を得ることができる。
【００８６】
本発明は特定の実施例に関して記載されたが、本明細書に記載された実施例は、本発明を限定的に解釈することを意図したものではなく、本発明を例示的に説明することを意図したものである。本発明の範囲から逸脱することなく他の代替的な実施例を実施することが可能であることは当業者にとって明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月3日(2015.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を分岐する第１の分岐部と、
前記分岐された光のうちの第１の分岐光を伝送のために第１の光導波路に結合する第１の光結合器と、
前記分岐された光のうちの第２の分岐光を反射する光反射部と
を具備し、
前記第１の光結合器からの反射光と前記光反射部からの反射光との位相差が前記第１の分岐部の入力側において（２ｍ−１）πであり、ｍは整数である光回路。
【請求項２】
前記第１の分岐部及び前記第１の光結合器の間の第２の光導波路の長さと前記第１の分岐部及び前記光反射部の間の第３の光導波路の長さとの差が（ｃ／ｎｇ）×（１／ｋ）（単位：ｍ）の１００分の１以下であり、ｎｇは前記第２の光導波路及び前記第３の光導波路の群屈折率、ｃ（ｍ／ｓ）は光の速度、ｋ（ｂｐｓ）は信号の伝送速度である請求項１に記載の光回路。
【請求項３】
前記第１の分岐部は少なくとも２つの入力を有し、前記少なくとも２つの入力のうちの１つに光検出器が接続され、前記第３の光導波路上に第１の光位相調整部が設けられ、前記第１の光位相調整部は前記光検出器において検出される光パワーが最大となるように制御可能である請求項１に記載の光回路。
【請求項４】
前記第２の光導波路上に第２の光位相調整部が設けられる請求項３に記載の光回路。
【請求項５】
光源と、
前記光源から放射される光を変調して変調された光信号を出力する光変調器と
をさらに具備し、
前記光変調器は少なくとも２つの入力を有し、該少なくとも２つの入力のうちの１つに光検出器が接続され、前記光変調器の出力が前記第１の分岐部に接続され、前記第３の光導波路上に第１の光位相調整部が設けられ、前記第１の光位相調整部は前記光検出器において検出される光パワーが最小となるように制御可能である請求項２に記載の光回路。
【請求項６】
前記第２の光導波路上に第２の光位相調整部が設けられる請求項５に記載の光回路。
【請求項７】
前記光反射部は第２の光結合器であり、前記第１の光結合器からの回折光と前記第２の光結合器からの回折光とが前記第１の光導波路へ結合される請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項８】
前記第１の光結合器及び前記第２の光結合器はそれぞれ第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラであり、前記第１の光導波路はマルチモード光導波路である請求項７に記載の光回路。
【請求項９】
前記光回路は同一の基板上に形成され、前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラは並行して配置され、前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラの前記基板に対する回折角は同じ角度であり互いに逆向きである請求項８に記載の光回路。
【請求項１０】
前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラは並行して配置され、前記第１のグレーティングカプラのグレーティングは前記第２の光導波路に対して斜めに形成され、前記第２のグレーティングカプラのグレーティングは前記第３の光導波路に対して直交するように形成され、前記第１のグレーティングカプラ及び前記第２のグレーティングカプラは反射係数の位相が互いに異なるが反射係数の絶対値がほぼ等しいように構成される請求項８に記載の光回路。
【請求項１１】
光源と、
前記光源から放射される光を分岐する第２の分岐部と、
前記第２の分岐部からの光の第１の部分を変調して、変調された光信号を出力する第１の光変調器と、
前記第２の分岐部からの光の第２の部分を変調して、変調された光信号を出力する第２の光変調器と
をさらに具備し、
前記第１の光変調器からの反射光と前記第２の光変調器からの反射光との位相差が前記第２の分岐部の入力側において（２ｍ−１）πであり、ｍは整数である請求項１乃至４及び７乃至８のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１２】
前記光反射部は前記第１の光結合器と同一の反射係数を有する請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１３】
前記第１の光結合器の反射係数の位相と前記光反射部の反射係数の位相との間の差がφであり、前記第１の分岐部の入力側及び前記第１の光結合器の間の光路長と前記第１の分岐部の入力側及び前記光反射部の間の光路長との差分が（（ｍ−１／２）−φ／π／２）λ／２であり、ｍは整数であり、λは光の波長である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１４】
前記第１の１ｘ２構成の分岐部について入力に対し二つの出力側の間で位相差が生じない分岐構成で、前記第１の分岐部及び前記第１の光結合器の間の光路長と前記第１の分岐部及び前記光反射部の間の光路長とが等しく、前記第１の光結合器から反射される光の前記第１の光結合器の入射端における位相と前記光反射部から反射される光の前記光反射部の入射端における位相との間の位相差が（２ｍ−１）πであり、ｍは整数である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１５】
前記光回路は同一の基板上に形成され、前記第１の光結合器及び前記光反射部はそれぞれ第１のグレーティングカプラ及び第２のグレーティングカプラであり、前記第１のグレーティングカプラについてディチューニングδ＝κであり、前記第２のグレーティングカプラについてδ＝−κであるように、前記第１及び第２のグレーティングカプラのグレーティングピッチが決定され、ここで、κは結合定数であり、δ＝β−Ｋであり、βは光の伝搬定数であり、Ｋ＝２π／Λであり、Λはグレーティングピッチである請求項１４に記載の光回路。
【請求項１６】
前記第２の分岐部から前記第１の光変調器までの第４の光導波路と、前記第２の分岐部から前記第２の光変調器までの第５の光導波路とは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ５０μｍ以下の距離に並行に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の光回路。
【請求項１７】
前記第１の分岐部から前記第１の光結合器までの第２の光導波路と、前記第１の分岐部から前記光反射部までの第３の光導波路とは、方向性結合器として結合しない程度の距離だけ離れ且つ５０μｍ以下の距離に並行に配置されることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光回路。
【請求項１８】
位相差は、
（ａ）光導波路の直線部の長さを変えること、
（ｂ）光導波路の曲げ半径を変えること、
（ｃ）光導波路の幅を変えること、
（ｄ）光導波路の高さを変えること、
（ｅ）光導波路の温度を変えること、
（ｆ）光導波路にかかる応力を変えること、
（ｇ）光導波路のコア又はクラッドの少なくとも１つの材料を変えること
の少なくとも１つによって光導波路の光路長を変えることによりもたらされる請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光回路。
【国際調査報告】
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2014156885.tif 000025
2014156885.tif 000026
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