(57)【要約】  本発明の課題は、ベゼル領域が狭く、高い生産性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することである。  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基板の一方の面側に、第２電極接続層を形成する工程と、基板の第２電極接続層を形成した面と同じ側に、第１電極を形成する工程と、基板の第２電極接続層を形成した面と同じ側に、第１電極と隣接して有機機能層を形成する工程と、有機機能層上に第２電極を形成する工程と、第２電極により覆われていない部分の有機機能層をドライエッチングにより除去する工程と、第２電極及び有機機能層を覆う無機封止層を形成し、無機封止層上に樹脂接着層を介して封止基板を積層する工程と、を備えることを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、第２電極接続層、第１電極、有機機能層、第２電極、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記基板の一方の面側に、前記第２電極接続層を形成する工程と、
前記基板の前記第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極を形成する工程と、
前記基板の前記第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して前記有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に前記第２電極を形成する工程と、
前記第２電極により覆われていない部分の前記有機機能層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第２電極及び前記有機機能層を覆う前記無機封止層を形成し、前記無機封止層上に前記樹脂接着層を介して前記封止基板を積層する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
基板、第１電極、有機機能層、第２電極、第２電極接続層、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記基板の一方の面側に、前記第１電極を形成する工程と、
前記基板の前記第１電極を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して前記有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に前記第２電極を形成する工程と、
前記第２電極により覆われていない部分の前記有機機能層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第２電極及び前記有機機能層の一部を覆う前記第２電極接続層を形成する工程と、
前記第２電極及び前記有機機能層を覆う前記無機封止層を形成し、前記無機封止層上に前記樹脂接着層を介して前記封止基板を積層する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記基板の一方の面側に、前記第１電極を形成する工程の前に、有機平坦化層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記ドライエッチングにより前記有機機能層の一部を除去する工程が、減圧雰囲気下で水素ガスを主成分としてプラズマ放電を発生させることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記ドライエッチングにより前記有機機能層の一部を除去する工程が、減圧雰囲気下で水素ガスと窒素ガスを混合して、プラズマ放電を発生させることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２電極を形成する工程から前記無機封止層を形成する工程までの間、減圧雰囲気下の環境を維持したまま、連続して行うことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
基板の一方の面側に、少なくとも第１電極、有機機能層、第２電極、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板が順に積層する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記第２電極と電気的に接続する第２電極接続層を有し、
前記第２電極接続層が、前記無機封止層及び前記封止基板の外側まで引き出されている構造であり、
前記有機機能層の層厚が、前記第２電極の端部から外側に向かって徐々に減少し、
前記第２電極の端部から前記基板と平行方向にはみ出した前記有機機能層の領域の幅が、０〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記基板と前記第１電極の間にエッチング防止層を有することを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記第２電極と前記無機封止層の間にエッチング防止層を有することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記基板と前記第１電極の間に有機平坦化層を有し、
前記有機平坦化層の層厚が、前記第１電極の端部から外側に向かって徐々に減少し、
前記第１電極の端部から前記基板と平行方向にはみ出した前記有機平坦化層の領域の幅が、０〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項７から請求項９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記基板に隣接してガスバリアー層を有することを特徴とする請求項７から請求項１０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳細には、高い生産性及び耐久性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び当該製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（有機ＥＬデバイス又は有機ＥＬ装置）は、最適な有機材料を選択することで特定の波長による面発光と、薄型かつ固体形状で発光させることができる。
このため、薄型大面積フルカラーディスプレイや、電子写真用光源デバイス、液晶ディスプレイ用バックライト、静脈センサー等の生体認識用光源、面発光照明用等において商品化が急がれている。また、用途を拡大するため、さらなる低コスト化と信頼性向上に向けて材料開発、構造最適化、生産プロセス効率化等の品質向上開発も活発に進められている。【０００３】
有機ＥＬ素子は、一般にベース基板上に、少なくとも第１電極、有機化合物を含有する有機機能層及び第２電極を備える薄膜固体発光素子である。なお、第１電極及び第２電極の一方が陽極を構成し、他方が陰極を構成する。また、有機機能層は、少なくとも一つの有機発光物質を含有する、多数の有機化合物から構成される。
このような構成の有機ＥＬ素子において、第１電極及び第２電極間に電圧を印加すると、一方の電極（陽極）から発光層に正孔が注入され、かつ、他方の電極（陰極）から発光層に電子が注入される。
そして、発光層に注入された正孔及び電子が発光層において再結合することにより、有機発光物質の励起子が生じ、当該励起子が励起準位（状態）から放射失活して基底準位（状態）に戻る際に生じるエネルギーが光として発光層から放出される。【０００４】
近年、有機ＥＬ素子の技術分野では、有機ＥＬ素子パネルの薄型化、軽量化、大型化、生産性向上、低コスト化等の要求から、ロール供給による可撓性のある透明フィルム基板をベースとして、一貫して生産を行う大規模生産技術の確立が求められている。
透明フィルム基板に有機ＥＬ素子を形成する場合、時間とともに大気中から透明フィルム基板を浸透する酸素や水蒸気によって、電極や発光材料が劣化して非発光化するダークスポット現象が起こる。
このため、ガスバリアー層及び無機封止層、さらに樹脂接着剤で金属箔等の封止基板を貼り合わせることにより、素子表面及び周辺を密封して使用する必要がある。【０００５】
さらに、無機ＬＥＤとのコスト競争の要求から、歩留り向上だけでなく、使用するマスク数の削減や発光しない非発光領域（ベゼル幅）の削減による単位面積当たりのパネル取数の向上、コストを下げるプロセス要求も高まっている。
ロール基板で大面積に生産する場合は、ロール上に形成した素子が繋がった状態から、実際に使用するサイズに切断する工程が必要となってくるため、パネル端のベゼル幅を少しでも減らすことで実用面積アップによる生産コストが低減できる。
そのためには、マスク精度の向上、ベゼル領域の異物による封止欠陥の防止、接着強度の確保等、素子の封止性を確保する必要がある。従来は、マスク精度公差を吸収し、封止欠陥をカバーし、接着強度を確保できるだけのベゼル幅を十分に確保して、無駄なスペースを設けなければならなかった。【０００６】
図１に、従来の有機ＥＬ素子の構成例を示す。図１Ａの平面図に表されるＸ−Ｘ断面の断面図を図１Ｂ、Ｙ1−Ｙ1断面の断面図を図１Ｃ、Ｙ2−Ｙ2断面の断面図を図１Ｄに示す。図１に示すとおり、有機機能層をパターニングする際、マスクずれを考慮して、電極よりもかなり広い領域、例えば、第１電極の端部又は第２電極端部から少なくとも３００μｍ以上離れた範囲にまで形成しなければならない。
これは、有機機能層のパターンがずれて第１電極と第２電極が接触してしまうと電気短絡が発生し、発光しなくなってしまう不良が発生してしまうためである。
さらに、有機機能層は水分に弱く、水分の浸透も早いため、無機封止層や接着層で側面を覆う必要があり、ベゼル幅が広がってしまうという問題があった。【０００７】
そこで、狭ベゼル化の課題に対して、例えば、特許文献１に記載されているように一部の金属電極部分をレーザーで除去する技術や、特許文献２に記載されているように、剥離層を使って無機膜封止を除去する等の検討がされている。
しかし、金属電極や無機膜封止のような昇華しにくい材料を除去するには、昇華に必要な強い熱エネルギー照射によって周辺にダメージが発生しやすく、パーティクル飛散等の問題もあるため歩留りの低下が懸念される。
また、特許文献３〜５に記載されているように、カソードセパレーターやレジスト層を設けると、その分だけ工程が増えてしまい、生産性が低下する等の問題が発生してしまう。また、ドライエッチングで酸素ガスを主成分として使うと、電極材料や有機機能層の酸化を誘発し、製品の品質低下を招きやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１６８６１９号
【特許文献２】特開２００７−４８６７９号公報
【特許文献３】特開２００２−２９９０５０号公報
【特許文献４】特開２００８−２４３４０６号公報
【特許文献５】特開２０１４−１１０１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、ベゼル領域が狭く、高い生産性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することである。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、前記課題を解決すべく、前記問題の原因等について検討する過程において、形成した有機機能層をドライエッチングにより除去することにより、ベゼル領域が狭く、高い生産性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を製造できることを見いだし、本発明に至った。
本発明に係る前記課題は、以下の手段により解決される。【００１１】
１．基板、第２電極接続層、第１電極、有機機能層、第２電極、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記基板の一方の面側に、前記第２電極接続層を形成する工程と、
前記基板の前記第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極を形成する工程と、
前記基板の前記第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して前記有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に前記第２電極を形成する工程と、
前記第２電極により覆われていない部分の前記有機機能層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第２電極及び前記有機機能層を覆う前記無機封止層を形成し、前記無機封止層上に前記樹脂接着層を介して前記封止基板を積層する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１２】
２．基板、第１電極、有機機能層、第２電極、第２電極接続層、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記基板の一方の面側に、前記第１電極を形成する工程と、
前記基板の前記第１電極を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して前記有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に前記第２電極を形成する工程と、
前記第２電極により覆われていない部分の前記有機機能層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第２電極及び前記有機機能層の一部を覆う前記第２電極接続層を形成する工程と、
前記第２電極及び前記有機機能層を覆う前記無機封止層を形成し、前記無機封止層上に前記樹脂接着層を介して前記封止基板を積層する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１３】
３．前記基板の一方の面側に、前記第１電極を形成する工程の前に、有機平坦化層を形成する工程を備えることを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１４】
４．前記ドライエッチングにより前記有機機能層の一部を除去する工程が、減圧雰囲気下で水素ガスを主成分としてプラズマ放電を発生させることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１５】
５．前記ドライエッチングにより前記有機機能層の一部を除去する工程が、減圧雰囲気下で水素ガスと窒素ガスを混合して、プラズマ放電を発生させることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１６】
６．前記第２電極を形成する工程から前記無機封止層を形成する工程までの間、減圧雰囲気下の環境を維持したまま、連続して行うことを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１７】
７．基板の一方の面側に、少なくとも第１電極、有機機能層、第２電極、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板が順に積層する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記第２電極と電気的に接続する第２電極接続層を有し、
前記第２電極接続層が、前記無機封止層及び前記封止基板の外側まで引き出されている構造であり、
前記有機機能層の層厚が、前記第２電極の端部から外側に向かって徐々に減少し、
前記第２電極の端部から前記基板と平行方向にはみ出した前記有機機能層の領域の幅が、０〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１８】
８．前記基板と前記第１電極の間にエッチング防止層を有することを特徴とする第７項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１９】
９．前記第２電極と前記無機封止層の間にエッチング防止層を有することを特徴とする第７項又は第８項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２０】
１０．前記基板と前記第１電極の間に有機平坦化層を有し、
前記有機平坦化層の層厚が、前記第１電極の端部から外側に向かって徐々に減少し、
前記第１電極の端部から前記基板と平行方向にはみ出した前記有機平坦化層の領域の幅が、０〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする第７項から第９項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２１】
１１．前記基板に隣接してガスバリアー層を有することを特徴とする第７項から第１０項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の前記手段により、ベゼル領域が狭く、高い生産性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することができる。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。【００２３】
本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確になっていないが、以下のように推察している。
本発明により、電極材料や有機機能層に酸化等の変質を与えることなく、高精度で有機機能層をパターン形成することができ、第１電極と第２電極の短絡を防ぎつつ余分な有機機能層を除去することができる。そして、周辺ベゼル領域の異物削減及びパターン精度に優れた、高信頼性のパネルが可能になることで、高い耐湿信頼性を持ちながら、狭いベゼル幅と少ないマスク数で、かつロール基板で大面積に生産することができる高い生産性を有することができる。
また、５〜２０層にもなる多層の有機機能層のマスクパターニングが不要となるため、マスク費用の大幅な削減ができる。少量多品種の製造にも適している。また、フッ素系ガス等の有害ガスを用いずにドライエッチングができるため環境にも優しい。さらに、マスク数が減るためマスクずれの公差が減少し、さらに不要な有機機能層を除去することで、ベゼル（額縁）領域の幅を削減することができる。マスクの接触回数も減るため、マスク接触によるベゼル周辺領域の異物付着も大幅に削減できるだけでなく、ドライエッチング工程によりベゼル領域の異物の除去もできるため、製品歩留りと品質が向上する。
このようにして、生産効率が高く、軽量、耐湿性、耐屈曲性、堅牢性、パネル周辺端部ぎりぎりからも光を放出できる光取り出し性を有する、安価な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できるものと考えている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】従来の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１Ｂ】従来の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１Ｃ】従来の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１Ｄ】従来の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図２Ａ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図２Ｂ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図２Ｃ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図２Ｄ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に用いる製造装置の概略図
【図４】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の工程を表す模式図
【図５Ａ】ドライエッチングによる有機機能層を除去する前後の段差形状を表すグラフ
【図５Ｂ】ドライエッチングによる有機機能層を除去する前後の段差形状を表すグラフ
【図５Ｃ】ドライエッチングによる有機機能層を除去する前後の段差形状を表すグラフ
【図６Ａ】無機封止層まで形成した基板に樹脂接着層を介して封止基板を圧着する工程の一例を表す側面図
【図６Ｂ】無機封止層まで形成した基板に樹脂接着層を介して封止基板を圧着する工程の一例を表す斜視図
【図７】本発明の有機ＥＬ素子をモジュールに使用した構成の一例を示す平面図及び概略断面図
【図８】有機ＥＬパネルを所定の大きさに切断する切断位置の一例を表す模式図
【図９Ａ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図９Ｂ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図９Ｃ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図９Ｄ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１０】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の工程を表す模式図
【図１１Ａ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１１Ｂ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１１Ｃ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１１Ｄ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１２Ａ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１２Ｂ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１２Ｃ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１２Ｄ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１３Ａ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１３Ｂ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１３Ｃ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【図１３Ｄ】本発明の有機ＥＬ素子の平面図及び概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基板、第２電極接続層、第１電極、有機機能層、第２電極、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記基板の一方の面側に、前記第２電極接続層を形成する工程（第２電極接続層形成工程）と、前記基板の前記第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極を形成する工程（第１電極形成工程）と、前記基板の前記第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して前記有機機能層を形成する工程（有機機能層形成工程）と、前記有機機能層上に前記第２電極を形成する工程（第２電極形成工程）と、前記第２電極により覆われていない部分の前記有機機能層をドライエッチングにより除去する工程（ドライエッチング工程）と、前記第２電極及び前記有機機能層を覆う前記無機封止層を形成し（無機封止層形成工程）、前記無機封止層上に前記樹脂接着層を介して前記封止基板を積層する工程（ラミネート工程）と、を備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基板、第１電極、有機機能層、第２電極、第２電極接続層、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記基板の一方の面側に、前記第１電極を形成する工程（第１電極形成工程）と、前記基板の前記第１電極を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して前記有機機能層を形成する工程（有機機能層形成工程）と、前記有機機能層上に前記第２電極を形成する工程（第２電極形成工程）と、前記第２電極により覆われていない部分の前記有機機能層をドライエッチングにより除去する工程（ドライエッチング工程）と、前記第２電極及び前記有機機能層の一部を覆う前記第２電極接続層を形成する工程（第２電極接続層形成）と、前記第２電極及び前記有機機能層を覆う前記無機封止層を形成し（無機封止層形成工程）、前記無機封止層上に前記樹脂接着層を介して前記封止基板を積層する工程（ラミネート工程）と、を備えることを特徴とする。
これらの特徴は、請求項１から請求項１１までの請求項に係る発明に共通する又は対応する技術的特徴である。
【００２７】
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記前記基板の一方の面側に、前記第１電極を形成する工程の前に、有機平坦化層を形成する工程（有機平坦化層形成工程）を備えることが好ましい。
【００２８】
本発明の実施態様としては、前記ドライエッチングにより前記有機機能層の一部を除去する工程（ドライエッチング工程）が、減圧雰囲気下で水素ガスを主成分としてプラズマ放電を発生させることが好ましい。これにより、電極材料及び有機機能層の酸化させることなく、環境への負担も少ないためである。
【００２９】
本発明の実施態様としては、前記ドライエッチングにより前記有機機能層の一部を除去する工程（ドライエッチング工程）が、減圧雰囲気下で水素ガスと窒素ガスを混合して、プラズマ放電を発生させることが好ましい。これにより、電極材料及び有機機能層を酸化させることなく、エッチング速度が向上するためである。
【００３０】
本発明の実施態様としては、前記第２電極を形成する工程（第２電極形成工程）から無機封止層を形成する工程（無機封止層形成工程）までの間、減圧雰囲気下の環境を維持したまま、連続して行うことが好ましい。これにより、各層の異物の付着を大幅に削減することができるためである。
【００３１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板の一方の面側に、少なくとも第１電極、有機機能層、第２電極、無機封止層、樹脂接着層及び封止基板が順に積層する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第２電極と電気的に接続する第２電極接続層を有し、前記第２電極接続層が、前記無機封止層及び前記封止基板の外側まで引き出されている構造であり、前記有機機能層の層厚が、前記第２電極の端部から外側に向かって徐々に減少し、前記第２電極の端部から前記基板と平行方向にはみ出した前記有機機能層の領域の幅が、０〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする。
【００３２】
本発明の実施態様としては、前記基板と前記第１電極の間にエッチング防止層を有することが好ましい。これにより、基板が劣化することなく有機ＥＬ素子を作製することができるためである。
【００３３】
本発明の実施態様としては、前記第２電極と前記無機封止層の間にエッチング防止層を有することが好ましい。これにより、第２電極が劣化することなく有機ＥＬ素子を作製することができるためである。
【００３４】
本発明の実施態様としては、前記基板と前記第１電極の間に有機平坦化層を有し、前記有機平坦化層の層厚が、前記第１電極の端部から外側に向かって徐々に減少し、前記第１電極の端部から前記基板と平行方向にはみ出した前記有機平坦化層の領域の幅が、０〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。
これにより、ベゼル領域を最小限とし、無機封止層を形成する領域を確保することができ、有機機能層に水分等の浸入を好適に防ぐことができるためである。
【００３５】
本発明の実施態様としては、前記基板に隣接してガスバリアー層を有することが好ましい。これにより、基板側から水分等のガスの浸入を好適に防ぐことができるためである。
【００３６】
以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細に説明する。なお、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
以下に、本発明の有機ＥＬ素子１の一例を、各図面を参照しながら具体的に説明するが（有機ＥＬ素子１ａ〜１ｅ）、本発明は下記の例に限定されない。
【００３７】
《有機エレクトロルミネッセンス素子の構成の概要》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）の製造方法及び当該製造方法により製造される有機ＥＬ素子の一例を実施形態１及び２として説明し、好ましい形態を実施形態３〜５として説明する。
【００３８】
（実施形態１の概要）
実施形態１の有機ＥＬ素子１ａの製造方法は、基板、第２電極接続層、第１電極、有機機能層、第２電極、無機封止層及び樹脂接着層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板の一方の面側に、第２電極接続層を形成する工程と、前記基板の第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極を形成する工程と、前記基板の第２電極接続層を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に第２電極を形成する工程と、前記第２電極により覆われていない部分の有機機能層をドライエッチングにより除去する工程と、前記第２電極及び前記有機機能層を覆う無機封止層を形成し、前記無機封止層上に樹脂接着層を介して封止基板を積層する工程と、を備える。
有機ＥＬ素子１ａの層構成は、図２に示すように、基板１００のガスバリアー層１１０が設けられている面側に、第１電極（陽極）１４０、第２電極接続層１２２ａが設けられ、順に、有機機能層１５０、第２電極（陰極）１６０、無機封止層１７０が積層される有機ＥＬ素子本体上に、樹脂接着層１８０を介して封止基板２００を貼り合わせる構造となっている。なお、図２Ａの平面図に表されるＸ−Ｘ断面の断面図を図２Ｂ、Ｙ1−Ｙ1断面の断面図を図２Ｃ、Ｙ2−Ｙ2断面の断面図を図２Ｄに示す。
【００３９】
（実施形態２の概要）
実施形態２の有機ＥＬ素子１ｂの製造方法は、基板、第１電極、有機機能層、第２電極、第２電極接続層、無機封止層及び樹脂接着層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板の一方の面側に、前記第１電極を形成する工程と、前記基板の第１電極を形成した面と同じ側に、前記第１電極と隣接して有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に第２電極を形成する工程と、前記第２電極により覆われていない部分の有機機能層をドライエッチングにより除去する工程と、前記第２電極及び有機機能層の一部を覆う第２電極接続層を形成する工程と、前記第２電極及び前記有機機能層を覆う無機封止層を形成し、前記無機封止層上に樹脂接着層を介して封止基板を積層する工程と、を備える。
有機ＥＬ素子１ｂの層構成は、図９に示すように、基板１００のガスバリアー層１１０が設けられている面側に、第１電極（陽極）１４０が設けられ、有機機能層１５０、第２電極（陰極）１６０を形成した後に、第２電極に接触し有機機能層に沿ってガスバリアー層上に第２電極接続層１２２ｂが設けられている。そして、第２電極、第２電極接続層及び有機機能層上に無機封止層１７０が積層され、樹脂接着層１８０を介して封止基板２００を貼り合わせる構造となっている。図９Ａの平面図に表されるＸ−Ｘ断面の断面図を図９Ｂ、Ｙ1−Ｙ1断面の断面図を図９Ｃ、Ｙ2−Ｙ2断面の断面図を図９Ｄに示す。
実施形態２は、第２電極を形成し、ドライエッチング工程を行った後に、第２電極接続層１２２ｂを形成する点が実施形態１と異なる点である（図９及び図１０参照）。
【００４０】
（実施形態３の概要）
実施形態３は、第１電極を形成する前にガスバリアー層上に有機平坦化層を形成し、第１電極接続層を形成する点で実施形態１及び実施形態２と異なっている（図１１参照）。
有機平坦化層１３０を形成することで、第１電極を形成する際に生じやすい凹凸を抑制することができる。また、有機平坦化層から水分等が浸入しないよう、無機封止層で覆うため、第１電極との接続を確保する第１電極接続層を設けることが好ましい。
なお、図１１においては、エッチング防止層を設けていないが、実施形態４及び５と同様にエッチング防止層を備える構成であることも好ましい。
また、図１１Ａの平面図に表されるＸ−Ｘ断面の断面図を図１１Ｂ、Ｙ1−Ｙ1断面の断面図を図１１Ｃ、Ｙ2−Ｙ2断面の断面図を図１１Ｄに示す。
【００４１】
（実施形態４の概要）
実施形態４は、ガスバリアー層上にエッチング防止層１１５を設ける構成である。その他の構成は実施形態１〜３の構成を採用することができる。すなわち、実施形態４のエッチング防止層を設ける構成は、一例であって実施形態１〜３の構成に同様に採用することができる。
エッチング防止層を設けることにより、ガスバリアー層や基板の劣化を抑制することができる。なお、ガスバリアー層を設けない構成である場合には、基板上にエッチング防止層を設けることができる。
【００４２】
（実施形態５の概要）
実施形態５は、第２電極上にエッチング防止層１１５を設ける構成である。その他の構成は実施形態１〜４の構成を採用することができる。すなわち、実施形態５のエッチング防止層を設ける構成も実施形態４と同様に一例であって、実施形態１〜４の構成に採用することができる。
以下において、実施形態１〜５の更に詳細な説明をする。
【００４３】
《実施形態１》
図２に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法により製造された有機ＥＬ素子の一例として、有機ＥＬ素子１ａの平面図及び概略断面図を示す。なお、各図におけるＨは発光領域を表し、Ｎは非発光領域を表す。
有機ＥＬ素子１ａは、基板１００の一方の面側に、第１電極（陽極）１４０、有機機能層１５０、第２電極（陰極）１６０、第２電極接続層１２２ａ、無機封止層１７０が積層される有機ＥＬ素子本体上に、樹脂接着層１８０を介して封止基板２００を貼り合わせる構造となっている。
【００４４】
なお、有機ＥＬ素子１ａは、これらの層構造に限定されるものではなく、一般的な層構造であってもよい。また、有機機能層１５０は、少なくとも発光層を有していればよく、発光層以外に、後述するようなキャリア（正孔及び電子）の注入層、阻止層及び輸送層等の各種機能層が適宜積層されていてもよい。
本実施形態では、封止基板２００と樹脂接着層１８０をあらかじめ積層した状態で、無機封止層１７０上に貼り合わせることにより、有機ＥＬ素子１ａを作製する。すなわち、本実施形態の有機ＥＬ素子１ａは、気体を封入した中空構造ではなく、完全固体構造により作製される。
【００４５】
本実施形態では、基板１００上に、ガスバリアー層を形成することが好ましい。
第１電極１４０、有機機能層１５０及び第２電極１６０は、大気中の水蒸気や酸素に反応して変質しやすく、特にフレキシブル基板を用いる場合には、酸素透過度や水蒸気透過度が高いため、ガスバリアー層を備えることが好ましい。
また、本実施形態では、ガスバリアー層上に第２電極接続層１２２ａ、第１電極１４０、有機機能層１５０及び第２電極１６０を順に形成した後に、ドライエッチングを行い、無機封止層１７０を形成する場合と、ドライエッチング工程の後に電極接続層１２０を形成する場合がある。
無機封止層１７０は、第１電極１４０と有機機能層１５０及び第２電極１６０が、大気中の水蒸気や酸素に反応して変質しやすいため、上に形成されたガスバリアー層１１０と第２電極接続層１２２ａに接続しながら、これらの上面（封止基板２００側）だけでなく、側面も覆うように形成される。
【００４６】
また、樹脂接着層１８０及び封止基板２００は、有機ＥＬ素子本体の外部衝撃からの保護と発光時の放熱性を目的としているため、無機封止層１７０を覆うように形成される。
また、本実施形態では、基板１００、ガスバリアー層１１０、無機封止層１７０、樹脂接着層１８０、封止基板２００を同時切断によって端部を形成する。
そのため、各層のパターン精度や封止基板の貼り合わせ精度に左右されることなく、有機ＥＬ素子１ａの周辺の非発光領域（額縁幅又はベゼル幅ともいう。）を極力狭くすることができる。
すなわち、本実施形態の有機ＥＬ素子では、額縁幅や厚みを増大させることなく、フレキシブル性を確保しつつ、大気暴露による発光状態の信頼性低下（経時劣化）を抑制することができる。
【００４７】
なお、本実施形態の有機ＥＬ素子１ａでは、発光層を含む有機機能層１５０から射出された光を、第１電極１４０側のみから放出することにしているが、第２電極１６０を透明にすれば双方の電極側から放出することも可能である。
それぞれの有機化合物層は、図示は省略するが、発光層以外にも、例えば、キャリア（正孔及び電子）の注入層、阻止層及び輸送層等の各種有機化合物層を備え、有機機能層１５０はこれらの有機化合物層を積層して構成される。これらの有機化合物層の構成については、後で詳述する。
【００４８】
［有機ＥＬ素子の製造方法］
本発明の有機ＥＬ素子１ａの製造方法について、ロール状の可撓性フィルムを基板１００として用いて、連続的に有機ＥＬ素子１ａを製造する工程の一例を図３に示す製造装置４０の概略図に対応させて説明する。ちなみに、基板１００は、あらかじめガスバリアー層１１０が形成されているものとする。
減圧雰囲気下に置かれた巻出部４２から巻き出された基板１００は、各ガイドローラーを通って表面処理兼アキューム室Ｒ１０に入り、上記基板表面のクリーニングと基板１００の脱水処理が実施される。表面処理兼アキューム室Ｒ１０においては、１×１０-5〜１０Ｐａが一般的である。
また、各製造工程で形成された層構成を図４に示す。図４中、左側に図２でのＸ−Ｘにおける断面図を示し、右側に図２でのＹ2−Ｙ2における断面図を示す。
【００４９】
［形成工程］
第２電極接続層形成工程から第２電極形成工程までを形成工程として説明する。
基板１００は、多層成膜室Ｒ２０に連続搬送される。
多層成膜室Ｒ２０では、第２電極接続層１２２ａを形成する（第２電極接続層形成工程）。図４に示すように、第２電極接続層は、ガスバリアー層上であって、Ｙ2−Ｙ2断面を含む領域であって、次工程である第１電極形成工程よって形成される第１電極と接触しない領域に形成させ、Ｘ−Ｘ断面及びＹ1−Ｙ1断面を含む領域には形成させない。
【００５０】
（第１電極形成工程）
次に、ガスバリアー層上に第１電極１４０を形成する。第１電極は、Ｘ−Ｘ断面、Ｙ1−Ｙ1断面及びＹ2−Ｙ2断面を含む領域に形成させるが、図４に示すように、Ｙ2−Ｙ2断面については、前記のとおり、第２電極接続層と接触しない範囲に形成させる。
【００５１】
（有機機能層形成工程）
次に、図４に示すように、第１電極を覆うように有機機能層１５０を形成し、ガスバリアー層（又は基板）及び第２電極接続層上も一部覆うように有機機能層１５０を形成する。
【００５２】
（第２電極形成工程）
さらに、第２電極１６０を有機機能層上に形成し、かつ第２電極接続層に接触するように形成する。
【００５３】
成膜方法は、第１電極１４０、有機機能層１５０、第２電極１６０では真空蒸着法が好ましい。成膜圧力は、１×１０-6〜１×１０-4Ｐａの高真空領域に制御されており、第２電極接続層１２２ａではスパッタ法又はイオンプレーティング法が好適に用いられるため、成膜圧力は０．１〜２Ｐａの範囲で選ばれる。それぞれ設計に合わせたマスクを用いてそれぞれパターンで成膜される。
このように、第２電極接続層１２２ａ、第１電極１４０、有機機能層１５０、第２電極１６０が積層形成された基板は、ＲＦ（高周波）プラズマ成膜室Ｒ３０に入る。ここでは、有機機能層をドライエッチングにより除去するドライエッチング工程と無機封止層１７０の形成が行われる。ドライエッチングと無機封止層の形成は圧力と供給ガスを切り替えることで、移動させることなく対応が可能である。
【００５４】
［ドライエッチング工程］
ドライエッチング工程では、０．１〜５０Ｐａ圧力下で水素ガスと窒素ガスを供給しながらプラズマ放電を発生させ、第２電極１６０の周囲のベゼル領域にはみ出した余分な有機機能層１５０の除去を行う。
ドライエッチング工程は、減圧雰囲気下で反応性ガス、イオンビーム、レーザービーム、イオンガス、ラジカルガスを用いてエッチングを行うものである。エッチングされた材料がパーティクルとして飛散しないように、レーザービームやイオンビーム、スパッタリングのような物理エッチングよりも、イオンガスやラジカルガスを用いた化学エッチングが好ましく、プラズマ放電によって発生させた酸素ラジカル、窒素ラジカル、水素ラジカルを用いて化学的に反応させる反応性イオンエッチングが好適である。
特に、水素ラジカルを用いた反応イオンエッチングは、水素ラジカルが有機物を分解反応してメタンガス化させることで炭素系有機材料のみを選択的にエッチングすることができる。また、無機化合物や金属材料等とは反応しにくいため、第１電極１４０及び第２電極１６０をマスク層として、マスクに覆われていない有機機能層１５０や有機平坦化層１３０等の有機化合物のみをエッチング除去することが可能である。
【００５５】
さらに、水素ラジカル及び窒素ラジカルは、電極材料で好適に用いられる銀等の金属材料の酸化を防ぐこともできるため、有機ＥＬ素子１ａの作製に用いるプロセスガスとして好適である。
具体的には、１３．５６ＭＨｚや２．５４ＧＨｚ等の高周波電源を用い、０．１〜５０Ｐａの減圧雰囲気下で一定量の水素ガス及び窒素ガスを連続供給してプラズマ放電を発生させ、プラズマ雰囲気下に有機ＥＬ素子１ａを晒すことでドライエッチング工程が行われる。エッチング時のプラズマ輻射温度は上昇するため、基板と密着するテーブルは２５〜７０℃の範囲で温度調整した状態で、基板を冷却しながらエッチングを行う。水素ガスと窒素ガスを混合する理由は、エッチング速度が上がるためである。
【００５６】
エッチングされる有機機能層１５０の断面の形状変化を図５に示す。
図５には、有機機能層のエッチング時間とともに層厚が減衰する断面構造を示している。具体的には、図５Ａが、エッチング前、図５Ｂがエッチングを３分実施した状態、図５Ｃがエッチングを１２分実施した状態を表している。
ＲＦ電力３００Ｗ、圧力５０Ｐａ、窒素ガス／水素ガス比＝１／１の比のエッチング条件で、第２電極からはみ出した有機機能層をエッチングした際の断面である。上記条件を約１２分間エッチングすることで、第２電極の端部からのはみ出し距離を約１０μｍとしてパターニングができる。その際の、エッチングされた有機機能層の端部角度θは約２０度であった（図２参照）。
【００５７】
［無機封止層形成工程］
続いて、無機封止層１７０の形成を行う。エッチング後の端部段差や凹凸を被覆するため、５０〜２００Ｐａと比較的高い成膜圧力でシランガスとアンモニアガスを供給して窒化ケイ素膜を形成する。
こうすることで、ステップカバーレッジ性が良く、緻密でガスバリアー性能の高い無機封止層１７０が形成できる。無機封止層１７０も、第１電極１４０及び第２電極接続層１２２ａの一部が露出するようにマスクを用いてそれぞれパターンで成膜される。
【００５８】
［ラミネート工程］
ラミネート工程とは、無機封止層を形成した後に、封止基板を、樹脂接着層を介して圧着する工程である。
具体的には、アキューム室Ｒ４０で圧力と搬送速度を調整された基板１００は、減圧雰囲気下のままラミネート室Ｒ５０の中で、第２巻出部５６から繰り出された樹脂接着層１８０付きの封止基板２００を、圧着ローラーで無機封止層１７０上に貼り合わせが行われる。樹脂接着層１８０はあらかじめ封止基板２００上に設けられており、貼り合わせ後に必要に応じて光又は熱による硬化工程を経て（図示略）、巻取室Ｒ６０において巻き取られる。
【００５９】
ラミネート工程は、図６に示す２段階の圧着工程を行うローラーラミネート装置を用いることも好ましい。
この装置では、第１ローラー８４で樹脂接着層を介した封止基板との圧着を行い（第１圧着工程）、第２ローラー８６でさらに密着性を高めるためにセパレーター３００を外した状態で圧着を行う（第２圧着工程）。
圧着環境としては、大気や水分の混入を抑えるため窒素等の不活性ガス雰囲気下がよいが、より好ましくは減圧雰囲気下の方が、より気泡の無い理想的な圧着が得られる。封止基板２００をあらかじめ所定の形状に断裁してセパレーター３００に仮固定した状態で連続ロール供給することで、連続ロールラミネートをすることができるため、生産性の高い圧着装置となっている。
このようにして圧着工程が終了し、ロール状に巻き取った有機ＥＬ素子は熱硬化等の工程により樹脂接着層１８０の硬化が行われる。
【００６０】
このようにして作製された有機ＥＬ素子１ａは、第１電極１４０の一部と、第２電極接続層１２２ａ以外の部分は無機封止層１７０及び封止基板２００によって被覆された構造となる。図７中の平面図においては、有機ＥＬ素子とＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）基板Ｆとの接続を補強する補強テープＴの図示を省略している。
【００６１】
そして、有機ＥＬ素子１ａは、素子モジュール構成図（図７参照）に示すように、第１電極１４０と第２電極接続層１２２ａは、ＦＰＣ基板Ｆ（ＦＰＣ基板の配線部分をＦ１とする。）を介して電流量調整用ＩＣ等を設けたプリント基板やフレキシブル基板からなる電源ユニット（給電部）と接続される。
さらに、筐体やフレーム部材、固定用基板等によって補強された構造にして照明デバイスや発光デバイスとして使用することもできる。
【００６２】
［パネル切断方法］
図８は、ロール状態のままで積層した複数の有機ＥＬ素子を、パネルごとに切断する方法である。具体的には、図８は、分割する前の状態（図６で示す封止基板の圧着後の状態）であり、▽で示した位置Ｃで切断を行うことにより、有機ＥＬ素子１ａを１２個得ることができる（図８中段の平面図参照）。なお、図８上段の断面図は、Ｙ−Ｙ断面による断面図を表し、下段の断面図は有機ＥＬ素子１ａを表す。
図８のように、後述するＦＰＣの実装を行う辺が向かい合うように面付けをすることで、面積効率のよいパネル取りができるだけでなく、封止基板２００、樹脂接着層１８０）をストライプ状のロール状態で準備することができるため、ロール状態での準備とラミネート時の貼り合わせ位置精度が取りやすくできる。
具体的な切断方法は、金属製やセラミック製の機械刃による押圧切断やレーザー光を用いた切断方法が挙げられる。機械刃の切断としては、直線刃やロール刃をスキャンさせたり、ギロチンカッターによる油圧切断、トムソン刃やピナクル刃等の型抜きによる切断等が挙げられる。
【００６３】
レーザー光を用いた分断方法として、エキシマレーザー、炭酸ガス（ＣＯ2）レーザー、ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、ルビーレーザー、ＹＶＯ4レーザー、半導体レーザー等を光源としたもので、波長は０．１〜５０μｍの範囲の中で１種類又は複数種類を組み合わせて用いることができる。これらのヘッドを一つ又は複数並べてスキャンすることで切断を行う。また、樹脂や金属箔等の材料の異なる積層物であるため、各層の吸収しやすい波長のレーザー光を順次スキャンさせて切断してもよい。
【００６４】
《実施形態２》
実施形態２は、第２電極接続層１２２ｂの形成をドライエッチング工程の後に行うことにより製造する場合である（図９及び図１０参照）。
具体的な有機ＥＬ素子の製造方法について、図９及び図１０を参照して、実施形態１と異なる部分を詳細に説明する。図１０においては、Ｘ−Ｘ断面及びＹ1−Ｙ1断面を含む領域について詳細に説明するが、第２電極接続層を形成する領域はＹ2−Ｙ2断面に含まれるため、第２電極接続層形成工程についてのみ平面図及びＹ2−Ｙ2断面を用いて説明する。
【００６５】
［形成工程］
実施形態２においては、第２電極接続層を形成する前に第１電極、有機機能層及び第２電極を形成し、ドライエッチング工程まで行う。
【００６６】
（第１電極形成工程）
ガスバリアー層上に第１電極１４０を形成する。第１電極は、Ｘ−Ｘ断面、Ｙ1−Ｙ1断面及びＹ2−Ｙ2断面を含む領域に形成するが、図９に示すように、Ｙ2−Ｙ2断面については、有機機能層を形成後に第２電極接続層を形成させるため、第２電極接続層と接触しない範囲にあらかじめ形成する（図１０参照）。
【００６７】
（有機機能層形成工程）
次に、図１０に示すように、第１電極を覆うように有機機能層１５０を形成し、ガスバリアー層（又は基板）上も一部覆うように有機機能層１５０を形成する。
【００６８】
（第２電極形成工程）
さらに、第２電極１６０を有機機能層上に形成する。
【００６９】
［ドライエッチング工程］
ドライエッチング工程では、０．１〜５０Ｐａ圧力下で水素ガスと窒素ガスを供給しながらプラズマ放電を発生させ、第２電極１６０の周囲のベゼル領域にはみ出した余分な有機機能層１５０の除去を行う。
ドライエッチング工程の詳細は実施形態１と同様の方法を使用することができる。
【００７０】
［第２電極接続層形成工程］
ドライエッチング工程の後、第２電極から有機平坦化層の側面に沿って、ガスバリアー層上（又は基板上）まで第２電極接続層１２２ｂを形成する。
図１０に示したとおり、第２電極接続層は、第１電極と接することはない。
【００７１】
［無機封止層形成工程］
続いて、実施形態１と同様に、無機封止層１７０の形成を行う。無機封止層１７０も、第１電極１４０及び第２電極接続層１２２ｂの一部が露出するようにマスクを用いてそれぞれパターンで成膜される。
【００７２】
［ラミネート工程］
実施形態１と同様に無機封止層上に封止基板を、樹脂接着層を介して封止基板を貼り合わせ圧着する。
【００７３】
実施形態２のように有機ＥＬ素子１ｂを形成することにより、有機機能層１５０の形成の際にマスクによるパターン成膜が不要となる。第２電極１６０の周囲に不要な有機機能層１５０を残すことなく、第２電極接続層１２２ｂを使ってアーチ状に繋ぐことができるためである。
ベゼル領域に有機機能層１５０が無いことで、ベゼル領域に外部水分が透過する層を無くすことで、高い信頼性の有機ＥＬ素子１ｂが得られる。また、有機機能層１５０で使うマスクが不要となるため、生産性が向上し、低コスト化が実現できる。
【００７４】
《実施形態３》
実施形態３は、実施形態２で第１電極を形成する前にガスバリアー層上に有機平坦化層を形成し、第１電極接続層を形成する点で異なっている（図１１参照）。
有機平坦化層１３０と第１電極接続層１２１を設けることで、第１電極１４０が銀薄膜等の耐湿性の低い材料を用いても、ガスバリアー層１１０と無機封止層１７０、第１電極接続層１２１、第２電極接続層１２２ｃによって囲まれることで、外部に暴露されることなく、長期間腐食せずに高い信頼性が得られる。
また、有機平坦化層１３０及び有機機能層１５０の形成の際にマスクによるパターン成膜が不要となる。
ベゼル領域に有機平坦化層１３０及び有機機能層１５０が無いことで、ベゼル領域に外部水分が透過する層を無くすことで、高い信頼性の有機ＥＬ素子１ｃが得られる。
また、有機機能層１５０及び有機平坦化層１３０で使うマスクが不要となるため、生産性が向上し、低コスト化が実現できる。
【００７５】
《実施形態４》
実施形態４として、実施形態１〜３で示した有機ＥＬ素子について、ガスバリアー層１１０上にエッチング防止層１１５を設けることも好ましい。
一例として、実施形態３で示した有機ＥＬ素子１ｃについて、エッチング防止層を設ける場合について図１２に示した。
なお、図１２Ａの平面図に表されるＸ−Ｘ断面の断面図を図１２Ｂ、Ｙ1−Ｙ1断面の断面図を図１２Ｃ、Ｙ2−Ｙ2断面の断面図を図１２Ｄに示す。
ガスバリアー層に有機無機ハイブリッド材料を用いる場合や積層構成であって有機物が使われた場合でも、ドライエッチング工程でガスバリアー層及び基板にダメージを与えることなく信頼性の高い有機ＥＬ素子１ｄが得られる。
また、実施形態３同様に、有機平坦化層１３０及び有機機能層１５０の形成の際にマスクによるパターン成膜が不要となるため、生産性が向上し、低コスト化が実現できる。
なお、基板上又はガスバリアー層上にエッチング防止層を設ける構成は、実施形態１〜３及び後述する実施形態５についても同様に採用することができる。
【００７６】
《実施形態５》
実施形態５として、実施形態１〜４で示した有機ＥＬ素子について、第２電極を形成した後に、第２電極上にエッチング防止層を形成することも好ましい。
一例として、実施形態３で示した有機平坦化層の形成に加えて、第２電極１６０の表面にエッチング防止層１１５を設ける場合について図１３に示した。なお、有機平坦化層を形成しない場合であっても同様にエッチング防止層を設けることができる。
なお、図１３Ａの平面図に表されるＸ−Ｘ断面の断面図を図１３Ｂ、Ｙ1−Ｙ1断面の断面図を図１３Ｃ、Ｙ2−Ｙ2断面の断面図を図１３Ｄに示す。
第２電極側から発光させるために第２電極１６０を薄膜化して透明化した場合でも、ドライエッチング工程で第２電極１６０及び有機機能層１５０にダメージを与えることなく、高い信頼性の有機ＥＬ素子１ｅが得られる。
また、実施形態３同様に、有機平坦化層１３０及び有機機能層１５０の形成の際にマスクによるパターン成膜が不要となるため、生産性が向上し、低コスト化が実現できる。
なお、第２電極上にエッチング防止層を設ける構成は、実施形態１、２及び４についても同様に採用することができる。
【００７７】
《有機ＥＬ素子の各構成》
以下、図２に示す有機ＥＬ素子１ａを一例として、各部及び各層の構成をより具体的に説明する。
【００７８】
［基板］
基板１００（基体、基材、支持体ともいう。）は、例えば、薄型ガラス、薄型セラミック、樹脂フィルム、ガラス繊維や炭素繊維を含む樹脂フィルム等の透明性のあるフィルムであることが好ましい。特に、軽量化と耐外部衝撃性、コストの点から、透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。
透明樹脂フィルムの形成材料としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）等のポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、セロファン、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、フッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ポリアリレート類等の材料とそれらの誘導体を透明樹脂フィルムの形成材料として用いることができる。
さらに、例えば、アートン（登録商標：ＪＳＲ社製）又はアペル（登録商標：三井化学社製）と呼ばれるシクロオレフィン系樹脂を透明樹脂フィルムの形成材料として用いることもできる。
厚さとしては、５０〜３００μｍが好適である。５０μｍ以上とすることで十分な保持強度を得ることができ、３００μｍ以下とすることで可撓性を維持することができる。
【００７９】
［ガスバリアー層］
基板１００の片面若しくは両面、少なくとも第１電極が形成される側の全面には、透明性のあるガスバリアー層１１０が形成される。
ガスバリアー層１１０は、第１電極１４０と有機機能層１５０及び第２電極１６０に対して、大気中の水蒸気や酸素の浸透防止と電気絶縁性の確保を目的としている。
ガスバリアー層１１０は、無機材料被膜だけでなく、有機材料との複合材料からなる被膜又はこれらの被膜を積層したハイブリッド被膜であってもよい。ガスバリアー層１１０の性能としては、水蒸気透過度（環境条件：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が約０．０１ｇ／ｍ2・２４ｈ以下、酸素透過度が約０．０１ｍｌ／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ］以下、抵抗率が１×１０12Ω・ｃｍ以上、光線透過率は可視光領域で約８０％以上であるような、ガスバリアー性を有する透明絶縁膜であることが必要である。
より好ましくは、酸素透過度が０．０００１ｍｌ／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ以下の値であり、かつ、水蒸気透過度が約０．０００１ｇ／ｍ2・２４ｈ以下の値となるようなハイバリアー性の多層膜で構成することが特に好ましい。
なお、本明細書でいう「水蒸気透過度」は、ＪＩＳ（日本工業規格）−Ｋ７１２９（２００８年）に準拠した赤外センサー法により測定された値であり、「酸素透過度」は、ＪＩＳ−Ｋ７１２６（２００６年）に準拠したクーロメトリック法により測定された値である。
【００８０】
上述したガスバリアー層１１０の形成材料としては、有機ＥＬ素子の劣化を招く、例えば水や酸素等のガスの有機ＥＬ素子への浸入を抑制できる材料であれば、任意の材料を用いることができる。
例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン等の無機材料からなる被膜で構成することができる。
本実施形態では、ガスバリアー性や透明性、分割時の割断性等を考慮して、ガスバリアー層１１０は窒化ケイ素や酸化ケイ素等のケイ素化合物を主原料とする構成が好ましい。
【００８１】
なお、ガスバリアー性フィルムの脆弱性を改良するためには、上記無機材料被膜だけでなく、有機材料との複合材料からなる被膜又はこれらの被膜を積層したハイブリッド被膜で構成してもよい。
この場合、無機材料からなる被膜及び有機材料からなる被膜の積層順序は任意であるが、有機材料／無機材料でも、両者を交互に複数積層してもよいが、ガスバリアー層１１０の最表面は無機材料となっている方が、絶縁性やガスバリアー性、後述の無機封止層１７０と接触させて密閉させる点からより好ましい。
層厚は上記性能を満たせば任意で設定できるが、可撓性を考慮して、総厚で５０〜１０００ｎｍの範囲内が好ましい。５０ｎｍ以下では十分なガスバリアー性能が得られず、１０００ｎｍ以上では屈曲時のクラック等が発生しやすくなる。
【００８２】
また、上述のようなガスバリアー層１１０の形成手法としては、基板１００上に形成できる手法であれば、任意の手法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法（特開２００４−６８１４３号公報参照）、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、また、湿式塗布等の手法を用いることができる。
【００８３】
［電極接続層］
電極接続層１２０（図示上は第１電極接続層１２１、第２電極接続層１２２）は、第１電極１４０及び第２電極１６０が耐湿性に欠ける金属等であるため、電極腐食を避けるために無機封止層１７０の外側に取り出す耐熱性・耐湿性を有する導電性の配線である。トータル層厚としては、５０〜１０００ｎｍが好ましい。５０ｎｍ以上とすることで配線抵抗の増加を抑制することができ、１０００ｎｍ以下とすることで屈曲時のクラック等の発生を抑制することができる。
電極接続層１２０の材質としては、アルミニウム、チタン、モリブデン、銅、タンタル等の金属又はＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛酸化物）等の透明性のある金属酸化物が挙げられるが、導電性に有利である金属材料がより好適である。
これらを単層又は３層構造からなるＭＡＭ電極（Ｍｏ／Ａｌ・Ｎｄ合金／Ｍｏ）等の金属多層膜で用いてもよい。
また、電極接続層１２０の形成方法としては、例えば真空蒸着やスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、湿式塗布等でパターン形成される。
【００８４】
［有機平坦化層］
有機平坦化層１３０は、ガスバリアー層１１０と第１電極１４０の間に形成される層で、第１電極１４０を形成する前に、ガスバリアー層１１０の表面平坦化と密着性の向上を行うもので、特に第１電極１４０に銀等の薄膜金属を使用する際に好適に用いられるものである。
有機平坦化層１３０は、水蒸気を透過しやすい材料であるため、ガスバリアー層１１０と無機封止層１７０で保護された構造であることが好ましく、蒸着等のＤＲＹプロセス又はスプレー塗布やグラビアコーター、コンマコーター、ダイコーター、インクジェット法等によって、第１電極１４０と同じ形状でパターン形成されている。層厚は５０〜１０００ｍｍの範囲で用いられる。５０ｎｍ以上とすることで平坦性を十分得ることができ、１０００ｎｍ以下とすることで経済的な面からも好ましい。
【００８５】
有機平坦化層１３０の材料としては、透明な樹脂材料が好ましく、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリエステル、ポリイミド等の絶縁性有機ポリマー材料だけでなく、第１電極１４０の補助材としてポリアニリンやポリフェニルアミン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸）、ＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）、３級アミン等の導電性ポリマー材料等を用いてもよい。
また、光散乱性を付与するため、これらの樹脂バインダー成分に、屈折率の高いアクリル樹脂粒子や酸化ニオブ系無機粒子等を添加して、光散乱性を上げる効果を付与することもできる。
有機平坦化層１３０は、水分が浸入しやすいため、無機封止層１７０で側面を被覆する必要がある。マスクパターニングでパターン形成するか、後述のドライエッチング工程で第１電極１４０の外側にはみ出したベゼル領域を部分除去することでパターニングされる。
【００８６】
［第１電極］
第１電極１４０（陽極）は、発光層に正孔を供給（注入）する電極膜であり、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）、例えば、金属、合金、導電性化合物、及び、これらの混合物等の電極材料で形成される。
具体的には、本発明の有機ＥＬ素子において、第１電極１４０側から光を取り出す場合には、第１電極１４０は、例えば、金や銀、アルミニウム等の薄膜金属や、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）等の光透過性を有する金属酸化物材料で形成することができる。
【００８７】
なお、本発明の有機ＥＬ素子において、第１電極１４０側から光を取り出す場合には、第１電極１４０の光線透過率は可視光領域で約５０％以上であることが好ましい。また、第１電極１４０のシート抵抗（表面抵抗）は３００Ω／□以下の値であることが好ましい。また、第１電極１４０は多層であってもよい。例えば、一酸化ケイ素や酸化ニオブ等の高屈折率層や反射層を設けてもよい。
第１電極１４０の膜厚は、層構成や形成材料の電気抵抗、光透過性によって適時設定依存して変化するが、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内の値で設定される。
上記構成の第１電極１４０は、例えば真空蒸着やスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、湿式塗布法等の手法により形成される。第１電極１４０は、所望の形状パターンで開口されたパターンマスクを介して、所望パターンの第１電極１４０を形成する。
【００８８】
［有機化合物層］
有機機能層１５０は、図示は省略しているが多層の有機化合物層から構成されている。上述のように、例えば、発光層、キャリア（正孔及び電子）の注入層、阻止層及び輸送層等の各種有機化合物層を備えることが好ましい。以下、各有機化合物層の構成について説明する。なお、有機化合物層を構成する各層は、真空蒸着法及び塗布法のいずれの方法であっても形成することができる。
【００８９】
（１）正孔注入層
本実施形態の有機ＥＬ素子では、第１電極１４０と発光層との間又は第１電極１４０と後述の正孔輸送層との間に、正孔注入層（陽極バッファー層）を設けてもよい。なお、正孔注入層は、有機ＥＬ素子の駆動電圧の低下や発光輝度の向上を図るために、第１電極１４０と、発光層又は正孔輸送層との間に設けられる。正孔注入層（陽極バッファー層）の形成材料としては、特開２０００−１６０３２８号公報に記載されている化合物を用いることができる。なお、正孔注入層は、真空蒸着法及び塗布法のいずれの方法であっても形成することができる。
【００９０】
（２）正孔輸送層
正孔輸送層は、第１電極１４０から供給された正孔を発光層に輸送（注入）する層である。また、正孔輸送層は、陰極１６０側からの電子の流入を阻止する障壁としても作用する。それゆえ、正孔輸送層という用語は、広い意味で、正孔注入層及び／又は電子阻止層を含む意味で用いられることもある。
正孔輸送材料としては、上述した正孔を輸送（注入）する作用及び電子の流入を阻止する作用を発現可能な材料であれば、有機材料及び無機材料のいずれの材料も用いることができる。
【００９１】
具体的には、正孔輸送材料として、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特に、チオフェンオリゴマー）等の化合物を用いることができる。
また、正孔輸送材料としては、例えば、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物（スチリルアミン化合物）等の化合物を用いることができる。特に、本実施形態では、芳香族第３級アミン化合物を正孔輸送材料として用いることが好ましい。
【００９２】
芳香族第３級アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン等の化合物を用いることができる。また、芳香族第３級アミン化合物として、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン等のスチリルアミン化合物を用いることができる。さらに、芳香族第３級アミン化合物として、米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されているような２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）や、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているようなトリフェニルアミンユニットが三つ、スターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等の化合物を用いてもよい。
【００９３】
また、正孔輸送材料としては、例えば、上述した各種正孔輸送材料を高分子鎖に導入した高分子材料、又は、上述した各種正孔輸送材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。なお、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物もまた、正孔輸送材料及び正孔注入層の形成材料として使用することができる。
さらに、正孔輸送材料として、例えば、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８０（２００２），ｐ．１３９）等の文献に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料と呼ばれる材料を用いてもよい。なお、このような材料を正孔輸送材料として用いた場合には、より高効率の発光素子を得ることができる。
【００９４】
また、本実施形態では、正孔輸送層に不純物をドープして、ｐ性の高い（正孔リッチ）の正孔輸送層を形成してもよい。その一例は、例えば、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されている。このような正孔リッチの正孔輸送層を用いた場合には、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することができる。
正孔輸送層は、真空蒸着法及び塗布法のいずれの方法であっても形成することができる。正孔輸送層の層厚は、例えば用いる正孔輸送材料等の条件に応じて適宜設定されるが、５〜５００ｎｍの範囲内の値に設定されることが好ましい。なお、正孔輸送層は、１層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。正孔輸送層を１層構造とする場合には、上述した正孔輸送材料のうちの１種又は２種以上の材料が正孔輸送層に含まれるようにする。
【００９５】
（３）発光層
発光層は、第１電極１４０から直接又は第１電極１４０から正孔輸送層等を介して注入される正孔と、第２電極１６０から直接又は第２電極１６０から電子輸送層等を介して注入される電子とが再結合して発光する層である。なお、発光する部分は、発光層の内部であってもよいし、発光層と、それに隣接する層との間の界面であってもよい。
また、発光層は、１層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。なお、発光層を複数設ける場合には、互いに発光色の異なる複数の発光層を積層した構成にしてもよい。また、発光層を複数設ける場合には、隣り合う発光層間に、非発光性の中間層を設けてもよい。この場合、中間層は、発光層内の後述するホスト化合物と同様の材料で形成することができる。
【００９６】
本実施形態では、発光層を、ホスト化合物（発光ホスト）と、発光材料（発光ドーパント）とを含む有機発光性材料で形成する。このような構成の発光層では、発光材料の発光波長や含有させる発光材料の種類等を適宜調整することにより任意の発光色を得ることができる。
また、発光層は、真空蒸着法を用いて形成してもよいし、有機溶媒に希釈してダイコート等の塗布法を用いて成膜してもよい。なお、発光層の層厚は、任意に設定することが可能であるが、例えば、構成膜の均質性、発光時における不必要な高電圧の印加の防止及び駆動電流に対する発光色の安定性向上等の観点では、発光層の層厚を５〜２００ｎｍの範囲内の値に設定することがより好ましい。
ここで、発光層に含まれるホスト化合物及び発光材料の構成について具体的に説明する。
【００９７】
（３−１）ホスト化合物
発光層に含まれるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が約０．１未満の値である化合物を用いることが好ましい。特に、リン光量子収率が約０．０１未満の値である化合物をホスト化合物として用いることが好ましい。また、発光層中のホスト化合物の体積比は、発光層に含まれる各種化合物の中で約５０％以上の値とすることが好ましい。
また、ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を用いることができる。その際、１種類のホスト化合物を用いてもよいし、複数種のホスト化合物を併用してもよい。複数種のホスト化合物を用いることにより、電荷（正孔及び／又は電子）の移動度（移動量）を調整することができ、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。
【００９８】
上述のような特性を有するホスト化合物としては、例えば、公知の低分子化合物、繰り返し単位をもつ高分子化合物、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）等の化合物を用いることができる。なお、ホスト化合物としては、正孔輸送機能、電子輸送機能、発光の長波長化を防止する機能、及び、高Ｔｇ（ガラス転移温度）を有する化合物を用いることが好ましい。ただし、ここでいう、「ガラス転移温度（Ｔｇ）」とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量）法を用いて、ＪＩＳ−Ｋ  ７１２１−２０１２に準拠した手法により求められる値である。
【００９９】
具体的には、ホスト化合物として、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等の文献に記載されている化合物を用いることができる。
なお、本実施形態では、ホスト化合物は、カルバゾール誘導体であることが好ましく、特に、カルバゾール誘導体であって、かつ、ジベンゾフラン化合物であることが好ましい。
【０１００】
（３−２）発光材料
発光材料（発光ドーパント）としては、例えば、リン光発光材料（リン光性化合物、リン光発光性化合物）、蛍光発光材料等を用いることができる。ただし、発光効率の向上の観点では、発光材料としてリン光発光材料を用いることが好ましい。
リン光発光材料は、励起三重項からの発光が得られる化合物である。
具体的には、リン光発光材料は、室温（２５℃）においてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において約０．０１以上の値の化合物である。ただし、本実施形態では、リン光量子収率が約０．１以上の値であるリン光発光材料を用いることが好ましい。なお、リン光量子収率は、例えば、「第４版実験化学講座７・分光II」（１９９２年版、丸善）の３９８頁に記載されている手法により測定することができる。
【０１０１】
また、溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本実施形態では、リン光発光材料が、任意の溶媒において、約０．０１以上の値のリン光量子収率が得られる発光材料であればよい。
また、発光層には、１種類の発光材料を含有させてもよいし、発光極大波長の異なる複数種の発光材料を含有させてもよい。複数種の発光材料を用いることにより、発光波長の異なる複数の光を混ぜることができ、これにより、任意の発光色の光を得ることができる。例えば、青色ドーパント、緑色ドーパント及び赤色ドーパント（３種類の発光材料）を発光層に含有させることにより白色光を得ることができる。
【０１０２】
上述したホスト化合物及びリン光発光材料を含む発光層における発光（リン光発光）の過程（原理）としては、次の２種類の過程が挙げられる。
第１の発光過程は、エネルギー移動型の発光過程である。
このタイプの発光過程では、まず、キャリア（正孔及び電子）が輸送される発光層内のホスト化合物上において、キャリアが再結合し、これにより、ホスト化合物の励起状態が生成される。
そして、この際に発生するエネルギーがホスト化合物からリン光発光材料に移動し（励起状態のエネルギー準位がホスト化合物の励起準位から発光材料の励起準位（励起三重項）に移動し）、この結果、リン光発光材料から発光が生じる。
【０１０３】
第２の発光過程は、キャリアトラップ型の発光過程である。このタイプの発光過程では、発光層において、リン光発光材料がキャリア（正孔及び電子）をトラップする。
その結果、リン光発光材料上でキャリアの再結合が起こり、リン光発光材料から発光が生じる。上述したいずれの発光過程においても、リン光発光材料の励起状態のエネルギー準位は発光ホストの励起状態のエネルギー準位より低くする必要がある。
上述のような発光過程を生じさせるリン光発光材料としては、従来の有機ＥＬ素子で用いられる公知の各種リン光発光材料（リン光性化合物）の中から所望のリン光発光材料を適宜選択して用いることができる。
【０１０４】
例えば、リン光発光材料としては、元素の周期表で８族〜１０族の金属元素を含有する錯体系化合物を用いることができる。そのような錯体系化合物の中でも、イリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物（白金錯体系化合物）及び希土類錯体のいずれかをリン光発光材料として用いることが好ましい。
本実施形態では、特に、リン光発光材料として、イリジウム化合物を用いることが好ましい。
【０１０５】
また、蛍光発光材料（蛍光発光体、蛍光性ドーパント）としては、例えば、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等を用いることができる。
なお、本明細書では、有機ＥＬ素子から発光する光を分光放射輝度計（コニカミノルタ社製、ＣＳ−１０００）で測定し、その測定結果を、ＣＩＥ（国際照明委員会）色度座標（例えば、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６参照）に当てはめた時の色を、有機ＥＬ素子から発光する光の色とする。具体的には、ここでいう「白色」とは、２度視野角正面輝度を上記手法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にある色のことをいう。
また、本実施形態では、白色発光を得る手法として、ホスト化合物に、発光波長の異なる複数の発光材料を含有させる手法を用いるが、本発明はこれに限定されない。例えば、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を積層して発光層を構成し、各色の発光層からそれぞれ発光される光を混ぜることにより白色発光を得てもよい。
【０１０６】
（４）電子輸送層
電子輸送層は、第２電極１６０から供給された電子を発光層に輸送（注入）する層である。また、電子輸送層は、陽極１４０からの正孔の流入を阻止する障壁としても作用する。それゆえ、電子輸送層という用語は、広い意味で、電子注入層及び／又は正孔阻止層を含む意味で用いられることもある。
発光層の第２電極１６０側に隣接する電子輸送層（電子輸送層を１層構造とする場合には当該電子輸送層、電子輸送層を複数設ける場合には最も発光層側に位置する電子輸送層）に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、第２電極１６０より注入された電子を発光層に伝達（輸送）する機能を有する材料であれば任意の材料を用いることができる。
例えば、電子輸送材料として、従来の有機ＥＬ素子で用いられる公知の各種化合物の中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
【０１０７】
より具体的には、電子輸送材料として、例えば、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリゾール誘導体、シロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、８−キノリノール誘導体等の金属錯体を用いることができる。
その他の電子輸送材料としては、例えば、メタルフタロシアニン若しくはメタルフリーフタロシアニン又はそれらの末端基をアルキル基やスルホン酸基等で置換した化合物を用いることもできる。
また、本実施形態では、例えば、ジベンゾフラン誘導体を電子輸送材料として用いることもできる。
【０１０８】
また、本実施形態では、電子輸送層に不純物をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。このような構成の電子輸送層の具体例は、例えば、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されている。具体的には、ゲスト材料（ドープ材）として、有機物のアルカリ金属塩を用いることができる。
【０１０９】
有機物のアルカリ金属塩をドープ材として用いる場合、有機物の種類は任意であるが、例えば、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、フタル酸塩、イソフタル酸塩、テレフタル酸塩、サリチル酸塩、ピルビン酸塩、乳酸塩、リンゴ酸塩、アジピン酸塩、メシル酸塩、トシル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩等の化合物を有機物として用いることができる。これらの中でも、特に、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、又は、安息香酸塩を有機物として用いることが好ましい。
さらに好ましい有機物は、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩等の脂肪族カルボン酸であり、この脂肪族カルボン酸を用いる場合には、その炭素数が４以下であることが好ましい。なお、有機物として最も好ましい化合物は、酢酸塩である。
【０１１０】
また、有機物のアルカリ金属塩を構成するアルカリ金属の種類は任意であり、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ又はＣｓを用いることができる。これらのアルカリ金属の中でも、好ましいアルカリ金属は、Ｋ又はＣｓであり、さらに好ましいアルカリ金属は、Ｃｓである。
それゆえ、電子輸送層のドープ材として用い得る有機物のアルカリ金属塩は、上記有機物と上記アルカリ金属とを組み合わせた化合物になる。具体的には、ドープ材として、例えば、ギ酸Ｌｉ、ギ酸Ｋ、ギ酸Ｎａ、ギ酸Ｃｓ、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、プロピオン酸Ｌｉ、プロピオン酸Ｎａ、プロピオン酸Ｋ、プロピオン酸Ｃｓ、シュウ酸Ｌｉ、シュウ酸Ｎａ、シュウ酸Ｋ、シュウ酸Ｃｓ、マロン酸Ｌｉ、マロン酸Ｎａ、マロン酸Ｋ、マロン酸Ｃｓ、コハク酸Ｌｉ、コハク酸Ｎａ、コハク酸Ｋ、コハク酸Ｃｓ、安息香酸Ｌｉ、安息香酸Ｎａ、安息香酸Ｋ又は安息香酸Ｃｓを用いることができる。これらの中でも、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ又は酢酸Ｃｓが好ましいドープ材であり、最も好ましいドープ材は、酢酸Ｃｓである。
なお、これらのドープ材の好ましい含有量は、ドープ材を添加する電子輸送層に対して、約１．５〜３５質量％の範囲内の値であり、より好ましい含有量は、約３〜２５質量％の範囲内の値であり、最も好ましい含有量は、約５〜１５質量％の範囲内の値である。
【０１１１】
電子輸送層は、真空蒸着法及び塗布法のいずれであっても形成することができる。また、電子輸送層の層厚は、例えば用いる電子輸送材料等の条件に応じて適宜設定されるが、５〜２００ｎｍの範囲内の値に設定されることが好ましい。なお、電子輸送層は、１層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。電子輸送層を１層構造とする場合には、上述した電子輸送材料のうちの１種又は２種以上の材料が電子輸送層に含まれるようにする。
【０１１２】
（５）電子注入層
本実施形態の有機ＥＬ素子では、第２電極１６０と発光層との間又は第２電極１６０と電子輸送層との間に、電子注入層（電子バッファー層）を設けてもよい。電子注入層は、正孔注入層と同様に、有機ＥＬ素子の駆動電圧の低下や発光輝度の向上を図るために、第２電極１６０と有機化合物層（発光層又は電子輸送層）との間に設けられる。
ここでは、電子注入層の構成の詳細な説明を省略するが、例えば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に電子注入層の構成が詳細に記載されている。
【０１１３】
［第２電極］
第２電極１６０は、発光層に電子を供給（注入）する導電性の膜であり、通常、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）、例えば、金属（電子注入性金属）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物等の電極材料で形成される。
具体的には、有機ＥＬ素子において、第２電極１６０側から光を取り出さない場合には、第２電極１６０は、例えば、アルミニウム、ナトリウム、リチウム、銀、インジウム、希土類等の金属、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銅合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−アルミニウム合金、マグネシウム−インジウム合金、リチウム−アルミニウム合金等の金属又は金属合金等の電気抵抗の低い材料が好ましいが、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）等の透明性のある金属酸化物材料を用いてもよい。
【０１１４】
第２電極１６０の膜厚は、層構成や形成材料の電気抵抗、光透過性によって適時設定依存して変化するが、ドライエッチングでのエッチングガスに対するマスクとしても機能させる必要があるため、好ましくは１０〜５００ｎｍの範囲内の値で設定される。１０ｎｍ以下では膜のピンホールが発生しやすくなりドライエッチング工程でダメージが出やすく、５００ｎｍ以上では経済性・生産性の点で好ましくない。また、陰極１６０側から光を取り出す場合には、透明性の高い金属酸化物を用いるか、金属や合金の膜厚を５〜２０ｎｍ形成し、残りを後述のエッチング防止層１１５を重ねて厚さを確保して用いることが好ましい。
また、第２電極１６０は、真空蒸着法やスパッタ法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【０１１５】
［エッチング防止層］
エッチング防止層１１５は、ドライエッチングプロセスから、基板１００、ガスバリアー層１１０、第２電極１６０、有機機能層１５０を守るための層であり、ドライエッチングガスに変質しない無機化合物材料が好ましく、高透明で絶縁性の材料が好ましい。具体的には、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ケイ素等の無機酸化物、窒化ケイ素や窒化アルミニウム等の無機窒化物、酸窒化ケイ素等の無機酸窒化物、フッ化リチウムやフッ化カルシウム、フッ化マグネシウム等の無機フッ化物等が挙げられる。
【０１１６】
エッチング防止層１１５の層厚は、条件に応じて適宜設定されるが、少なくとも１０ｎｍ以上が好ましい。１０ｎｍ以上であると、膜のピンホールが発生しにくくなりドライエッチング工程でダメージが出にくくなってダメージが発生しにくくなる。一方、エッチング防止層１１５の層厚上限としては、生産性を考慮して５００ｎｍ以下が好ましい。
エッチング防止層１１５の形成手法としては、任意の手法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の手法を用いることができる。
【０１１７】
［無機封止層］
無機封止層１７０は、第１電極１４０、有機機能層１５０、第２電極１６０の吸湿・変質を防止するために設けられる。なお、無機封止層１７０は、電極接続層及び封止基板２００との短絡を防止するのと、切断時に端部が露出しても側面の耐水性が確保できるように、絶縁性の無機化合物からなることが好ましい。無機封止層１７０は、第２電極１６０を覆うように設けられ、さらに、有機機能層１５０及び第２電極１６０の側面を覆いながら、それらの周囲ではガスバリアー層１１０と接することで、無機封止層１７０とガスバリアー層１１０、電極接続層からなる密封形態を形成している。
【０１１８】
無機封止層１７０の形成材料としては、有機ＥＬ素子の劣化を招く、例えば、水分や酸素等から有機ＥＬ素子を隔離する緻密で絶縁性の無機化合物であれば、任意の材料を用いることができる。無機封止層１７０の特性として、水蒸気透過度が約０．０１ｇ／ｍ2・２４ｈ以下、好ましくは水蒸気透過度が約０．０００１ｇ／ｍ2・２４ｈ以下、抵抗率が１×１０12Ω・ｃｍ以上と、ガスバリアー性と絶縁性を両立するような被膜で構成することが好ましい。
【０１１９】
上述のような特性を有する無機封止層１７０の形成材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム等の無機化合物や、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素化合物を用いることができる。本実施形態では、ガスバリアー性や透明性、切断時の割断性等を考慮して、無機封止層１７０は窒化ケイ素や酸化ケイ素等のケイ素化合物を主原料とする構成が好ましい。
さらに、封止基板２００や樹脂接着層１８０とのラミネート工程に耐えるため、押圧に対する耐久性も必要であり、ビッカース硬度（ＪＩＳＺ２２４４）でＨＶ５０以上、ヤング率７０ＧＰａ以上であることが好ましい。これは、封止基板２００で好適に用いられるアルミニウム箔（ＨＶ約５０、ヤング率７０ＧＰａ）よりも高くすることで、電気短絡を確実に防止することができる。
【０１２０】
なお、無機封止層１７０の層厚は、条件に応じて適宜設定されるが、少なくとも２００ｎｍ以上が好ましい。２００ｎｍ以上であると、上述の封止基板２００の押し込みによる破壊防止だけでなく、パーティクルや各層の段差等による無機封止層１７０のピンホールやカバーレッジ不良が発生しにくくなる。また、該ピンホールを介して樹脂接着層１８０が軟化する際に第２電極１６０及び有機機能層１５０に浸透すると、樹脂接着層１８０の成分が第２電極１６０や有機機能層１５０を酸化・変質する等して、ダークスポット増大の要因にもなる。一方、無機封止層１７０の層厚上限としては絶縁性及び押し込み耐性が確保されていれば特に限定されないが、フレキシブル性や生産性を考慮して１０００ｎｍ以下が好ましい。
【０１２１】
無機封止層１７０の形成手法としては、任意の手法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の手法を用いることができる。
【０１２２】
［樹脂接着層］
樹脂接着層１８０で用いる接着剤としては、アクリル酸系オリゴマー又はメタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化性又は熱硬化性接着剤等が挙げられる。
また、アミン系や酸無水物系、カチオン重合系硬化剤を用いた熱硬化型エポキシ接着剤、イソシアネート硬化剤を有するウレタン樹脂系接着剤、シアノアクリレート等の湿気硬化型接着剤、酸性基や金属イオン塩含有基を有するイオン架橋性接着剤等を用いてもよい。
さらに、高温で軟化するポリアミド、ポリエステル、ポリエチレン等のポリオレフィン、熱可塑性樹脂等のホットメルト系接着剤、室温で初期タック性を有する粘着剤、加圧により軟化するような感圧性接着剤を用いてもよい。この他にも、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を、接着剤として用いてもよい。
【０１２３】
樹脂接着層１８０の層厚としては、５〜５０μｍが好ましい。５μｍ未満では各層の段差被覆不足と接着力不足が起こりやすく、５０μｍを超えると経済性が悪くなる。
添加剤として、界面接着力を向上させるシランカップリング剤や、剛直性や防湿性を向上させる有機樹脂ビーズや無機化合物粒子等のフィラー粒子が添加されていてもよい。
添加するフィラー粒子の粒径は、突起物として飛び出して無機封止層１７０を破壊しないように直径１０μｍ以下のサイズが好ましく、より好ましくは粒径１０〜１０００ｎｍ範囲のナノサイズ粒子を用いることにより、ガス浸透性の遅延効果が期待できる。
【０１２４】
本実施形態では、製造プロセスの簡易性の観点から、樹脂接着層１８０を、熱重合開始剤を含有する熱硬化性接着剤で形成することが好ましい。
また、樹脂接着層１８０の形成方法としては、封止基板２００表面に直接塗布により形成するか、事前にフィルム状にしてから接着剤（図示略）によって封止基板２００表面に貼り合わせを行う。
【０１２５】
その後、後述の方法で無機封止層１７０上に圧着することが好ましい。シート状タイプの熱硬化性接着剤を用いる場合には、室温（２５℃程度）では非流動性を示し、かつ、加熱すると５０〜１２０℃の範囲内の温度で軟化及び流動性を発現するような、熱硬化性接着剤を用いることで、封止基板２００が変形した際でも、隙間空間を埋めることで接着性が向上する。
また、樹脂接着層１８０の含水率は、ラミネート時に発生するアウトガス低減化と有機ＥＬ素子の長寿命化等を考慮して、約１．０％以下の値とすることが好ましい。なお、ここでいう含水率は、ＡＳＴＭ（米国材料試験協会）−Ｄ５７０に準拠した手法で測定された値である。
【０１２６】
［封止基板］
封止基板２００は、無機封止層１７０の保護及び防湿性の付与、有機ＥＬ素子の発光時の放熱・熱拡散性の付与及び樹脂接着層１８０の保護の役割を持つ。
また、樹脂接着層１８０の端部を覆うように変形・保持する必要があるため、適度な剛性・硬さが必要である。また、放熱性（熱伝導率５Ｗ／ｍ・ｋ以上）を得るためには、金属箔等が好適に用いられる。
具体的な材料としては、アルミニウム箔やアルミニウム箔と樹脂の積層体等が挙げられる。また、第２電極１６０から光を出す場合、封止基板２００として基板１００と同様の材料を用いてもよい。
厚さとしては、２０〜１００μｍが好適である。２０μｍ以上とすることで容易に変形できる状態を保持することができ、１００μｍ以下とすることが最適な可撓性が得られるため、容易に変形させることができる。
【０１２７】
［ＦＰＣ圧着・実装］
切断後の各有機ＥＬ素子パネルは、図７のように、電極接続層とＦＰＣを接続するため、異方性導電性膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）Ａを介してＦＰＣを実装することが好ましい。
ＦＰＣとＡＣＦの圧着方法は一般的な加熱加圧による圧着方法を用いることができる。ＡＣＦを溶融接続させる圧着温度は１００〜２００℃の加熱が行われるため、比較的耐熱性の低い樹脂接着層１８０に温度負荷がかからないようにすることが好ましい。このため、樹脂接着層１８０が隔離されるよう封止基板２００を変形することによって保護される。
【０１２８】
しかし、封止基板２００は導電性があるため、封止基板２００とＡＣＦ及びＦＰＣとの電気絶縁を確保するため、有機絶縁層（図示略）がさらに外側に設けられることで電気絶縁性を確保することも好ましい。
ＦＰＣとＡＣＦの接着面積は非常に少ないため、さらにＡＣＦを被覆するように絶縁性モールド剤（図示なし）を設けたり、ＦＰＣと基板１００間に橋を架けるように、さらに補強テープＴで固定されてもよい。
こうして、電極接続層は、ＦＰＣ上の金属配線と接続コネクターＫを通じて制御回路及び電源と導通している。
なお、本発明の実施形態においては、基板にガスバリアー層を形成した場合について示したが、一例であってこれに限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、有機ＥＬ素子の製造分野で使用することができ、さらには、有機ＥＬ素子を備えた表示デバイス、ディスプレイや、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源、さらには表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等の広い発光光源として好適に利用できる。
【符号の説明】
【０１３０】
１（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）  有機ＥＬ素子
１００  基板
１１０  ガスバリアー層
１１５  エッチング防止層
１２０  電極接続層
１２１  第１電極接続層
１２２（１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ）  第２電極接続層
１３０  有機平坦化層
１４０  第１電極
１５０  有機機能層
１６０  第２電極
１７０  無機封止層
１８０  樹脂接着層
２００  封止基板
４０  製造装置
４２  巻出部
Ｒ２０  多層成膜室
Ｒ３０  プラズマ成膜室
Ｒ４０  アキューム室
Ｒ５０  ラミネート室
Ｒ６０  巻取室
８４  第１ローラー
８６  第２ローラー
【図１Ａ】
2016103889.tif 000003
【図１Ｂ】
2016103889.tif 000004
【図１Ｃ】
2016103889.tif 000005
【図１Ｄ】
2016103889.tif 000006
【図２Ａ】
2016103889.tif 000007
【図２Ｂ】
2016103889.tif 000008
【図２Ｃ】
2016103889.tif 000009
【図２Ｄ】
2016103889.tif 000010
【図３】
2016103889.tif 000011
【図４】
2016103889.tif 000012
【図５Ａ】
2016103889.tif 000013
【図５Ｂ】
2016103889.tif 000014
【図５Ｃ】
2016103889.tif 000015
【図６Ａ】
2016103889.tif 000016
【図６Ｂ】
2016103889.tif 000017
【図７】
2016103889.tif 000018
【図８】
2016103889.tif 000019
【図９Ａ】
2016103889.tif 000020
【図９Ｂ】
2016103889.tif 000021
【図９Ｃ】
2016103889.tif 000022
【図９Ｄ】
2016103889.tif 000023
【図１０】
2016103889.tif 000024
【図１１Ａ】
2016103889.tif 000025
【図１１Ｂ】
2016103889.tif 000026
【図１１Ｃ】
2016103889.tif 000027
【図１１Ｄ】
2016103889.tif 000028
【図１２Ａ】
2016103889.tif 000029
【図１２Ｂ】
2016103889.tif 000030
【図１２Ｃ】
2016103889.tif 000031
【図１２Ｄ】
2016103889.tif 000032
【図１３Ａ】
2016103889.tif 000033
【図１３Ｂ】
2016103889.tif 000034
【図１３Ｃ】
2016103889.tif 000035
【図１３Ｄ】
2016103889.tif 000036
【国際調査報告】
2016103889.tif 000037
2016103889.tif 000038
2016103889.tif 000039
2016103889.tif 000040