(57)【要約】  一つのモールド回路モジュールの中に、電磁波による影響を与え合う電子部品が存在する場合に、その相互の影響を低減させる。  モールド回路モジュール（Ｍ）は、電子部品（２００）を複数実装する基板（１００）を有する。電子部品（２００Ａ）は高周波発振器である。基板（１００）には、金属製のパーテーションの側壁部（３２０）が設けられている。基板（１００）の一方の面は、電子部品（２００）と側壁部（３２０）ごと第１樹脂（４００）で被覆される。第１樹脂（４００）は、電磁波遮蔽用の金属によるシールド層（６００）で覆われている。電子部品（２００Ａ）は、側壁部（３２０）とシールド層（６００）で囲まれる。
2016092893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地用電極を有する基板と、  前記基板の一方の面上に実装された少なくとも２つの電子部品と、  前記基板の一方の面を前記電子部品ごと被覆する、樹脂である第１樹脂による第１樹脂層と、  前記第１樹脂層の表面と、前記第１樹脂層の側面と、前記基板の側面とを、前記接地用電極と導通するようにして被覆することによって形成されたシールド層と、  を含み、  前記電子部品のうちの少なくとも一つが、他の電子部品から電磁波について隔離されるべきものである特定電子部品であり、  前記特定電子部品とその他の電子部品との間に位置する、電磁波を遮蔽する壁を備えた、パーテーションが設けられている、  モールド回路モジュールであって、  前記パーテーションは、前記基板から、前記第１樹脂層の表面までの途中までに及ぶ壁を備えているとともに、前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面との間には、隙間が設けられている、  モールド回路モジュール。
【請求項２】
前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面との間の隙間は、１２０μｍ以下である、  請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項３】
前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面とは平行であり、それらの隙間は、１２０μｍ以下である、  請求項２記載のモールド回路モジュール。
【請求項４】
前記パーテーションは、前記壁の上端に接続された前記基板と略平行な天井を備えているとともに、前記天井と前記第１樹脂層の表面との間には、隙間が設けられている、  請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項５】
前記天井は、前記第１樹脂層の表面と平行であり、それらの隙間は、１２０μｍ以下である、  請求項４記載のモールド回路モジュール。
【請求項６】
前記壁の側端と前記第１樹脂層の側面との間には、隙間が設けられている、  請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項７】
前記特定電子部品は、発振器である、  請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項８】
前記壁は、前記壁の両側の前記第１樹脂層との固定を強めるための孔を備えている、  請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項９】
前記パーテーションは、前記接地用電極と導通している、  請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項１０】
前記パーテーションは、前記接地用電極とその壁の下端で直接接触することで、前記接地用電極と導通している、  請求項１記載のモールド回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、モールド回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】  モールド回路モジュールが知られている。  モールド回路モジュールは、配線を有する基板（例えばプリント基板）と、基板の配線と導通するようにして実装された電子部品と、基板を電子部品ごと被覆する樹脂とからなる。モールド回路モジュールは、電子部品を樹脂にて覆うことにより、電子部品を保護することができ、また、電子部品と基板の配線とが導通する箇所を保護することができる。【０００３】  上述のようにモールド回路モジュールは、電子部品を含んでいる。そして、電子部品には、電磁波に弱いものがある。また、電子部品には、電磁波を放出するものもある。  モールド回路モジュールが実際に使用される多くの場面では、モールド回路モジュールは他の電子部品と組合せられる。他の電子部品は、他のモールド回路モジュールに含まれている場合もあるし、そうでない場合もある。また、他の電子部品は、電磁波に弱い場合もあり、また電磁波を放出するものもある。  モールド回路モジュールが実際に使用されるとき、当該モールド回路モジュール外の他の電子部品が放出する電磁波から、そのモールド回路モジュールに含まれる電子部品が受ける影響を低減したい場合がある。また、モールド回路モジュールに含まれる電子部品が放出する電磁波から、当該モールド回路モジュール外の他の電子部品が受ける影響を低減したい場合がある。【０００４】  そのような観点から、樹脂によるモールドが行われていない回路モジュールについてではあるが、回路モジュール全体を電磁波を遮蔽する金属製のシールドで囲むという技術が実用されている。  ある例においては、金属製のシールドは、薄い金属板にて形成のその一面が開口された箱である。箱を用いる場合には、樹脂によるモールドを施さないのが通常であるが、箱の開口を囲む縁を基板に当接させた状態で箱を基板に取付けることにより、箱の内部に位置させた電子部品を箱によって囲んでシールドする。【０００５】  他方、モールド回路モジュールにおいて、モールドに用いられた樹脂の表面に、金属粉を含んだペーストを塗布したり、或いは乾式、湿式の別は問わずめっきを行うことによって、金属製のシールド層を形成するという技術の提案もなされており、特にペーストの塗布や、乾式のめっきの一種であるスパッタリングは、実用もされている。【０００６】  上述の如き箱を使う技術、或いは、樹脂の表面に、金属粉を含んだペーストを塗布したり、或いはめっきを行うことによりシールド層を形成する技術は、モールド回路モジュール内の電子部品と、モールド回路モジュール外の電子部品とが、電磁波により影響を与え合うことを防ぐものである。  しかしながら、一つのモールド回路モジュールの中に、相互に電磁波による影響を与え合う電子部品が存在する場合がある。例えば、モールド回路モジュールの中に複数の電子部品があり、そのうちの一つが高周波発振器である場合、高周波発振器である電子部品からは強い電磁波が発せられる。そのような場合であり、且つ高周波発振器である電子部品の周囲の当該モールド回路モジュール内の他の電子部品が、強い電磁波によって、その本来の機能に対してノイズを生じさせるようなものである場合には、他の電子部品を高周波発振器である電子部品が作る電���波から守る必要がある。しかしながら、上述の如き箱を使う技術、或いは、樹脂の表面に、金属粉を含んだペーストを塗布したり、或いはめっきを行うことによりシールド層を形成する技術はいずれも、回路モジュール、或いはモールド回路モジュールの外側に電磁波を遮蔽するための壁を作るに過ぎないものであるから、一つのモールド回路モジュールの中に、相互に電磁波による影響を与え合う電子部品が存在する場合には、その相互の影響を低減させるようには機能しない。【０００７】  一つのモールド回路モジュールの中に、相互に電磁波による影響を与え合う電子部品が存在する場合に、電磁波によるその相互の影響を低減させるようにするための技術として、モールド回路モジュールの中に電磁波を遮断する機能を持つ金属でできたパーテーションを設ける技術が用いられている。パーテーションは、基板から上方に伸びる壁と、場合によっては壁に接続された天井とを備えている。壁の側端（本願では、壁の「側端」の語は、壁の基板に平行な方向の両端を意味するものとする。）は一般に、モールド回路モジュールにおいて電子部品を覆う樹脂の側面に触れており、また、壁の上端又は天井は一般にモールド回路モジュールにおいて電子部品を覆う樹脂の表面に触れている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  上述の如きパーテーションを有するモールド回路モジュールは、一つのモールド回路モジュールの中に、相互に電磁波による影響を与え合う電子部品が存在する場合に、電磁波によるその相互の影響を低減させられる点で有効である。  しかしながら、かかるモールド回路モジュールにも改良すべき点がある。  パーテーションの壁の上端が電子部品を覆う樹脂の上面に触れているモールド回路モジュールでは、製造後のモールド回路モジュールにおいて、樹脂とパーテーションとの膨張係数の差に起因して、樹脂とパーテーションの壁の上端の間で樹脂が壁から剥離するおそれがある。モールド回路モジュールが使用されると、それに含まれる電子回路が発熱するため、樹脂の壁からの剥離が生じる可能性は、無視できる程には小さくない。  樹脂がパーテーションの壁から剥離した場合には、所謂パッケージクラックとなり、そこを起点としたパッケージの割れによる回路の断線が生じる可能性があり、或いは吸湿による回路不具合等が生じる可能性がある。      【０００９】  本願発明は、パーテーションを有するモールド回路モジュールにおける、樹脂のパーテーションの壁からの剥離を防止する技術を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  上述の課題を解決するため、本願発明者は以下の発明を提案する。  本願発明は、接地用電極を有する基板と、前記基板の一方の面上に実装された少なくとも２つの電子部品と、前記基板の一方の面を前記電子部品ごと被覆する、樹脂である第１樹脂による第１樹脂層と、前記第１樹脂層の表面（上面）と、前記第１樹脂層の側面と、前記基板の側面とを、前記接地用電極と導通するようにして被覆することによって形成されたシールド層と、を含み、前記電子部品のうちの少なくとも一つが、他の電子部品から電磁波について隔離されるべきものである特定電子部品であり、前記特定電子部品とその他の電子部品との間に位置する、電磁波を遮蔽する壁を備えた、パーテーションが設けられている、モールド回路モジュールである。  そして、前記パーテーションは、前記基板から、前記第１樹脂層の表面までの途中までに及ぶ壁を備えているとともに、前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面との間には、隙間が設けられている。  このモールド回路モジュールは、第１樹脂により基板の一方の面が電子部品ごと被覆されている。第１樹脂は、従来技術における樹脂に相当する。  また、このモールド回路モジュールは、シールド層を備えている。シールド層は、従来技術におけるシールド層と同様のものであり、電磁波を遮蔽する金属でできている。シールド層の存在により、モールド回路モジュール外の他の電子部品が放出する電磁波から、モールド回路モジュールに含まれる電子部品が受ける影響を低減することと、モールド回路モジュールに含まれる電子部品が放出する電磁波から、モールド回路モジュール外の他の電子部品が受ける影響を低減することとが可能となる。  そして、このモールド回路モジュールでは、前記電子部品のうちの少なくとも一つが、他の電子部品から電磁波について隔離されるべきものである特定電子部品となっている。特定電子部品は、それ自体が強い電磁波を発する（例えば、特定電子部品が発振器である場合には強い電磁波を発する。）等の理由により、他の電子部品がその特定電子部品からの電磁波の影響を受け易い電子部品か、或いは他の電子部品が出す電磁波の影響を受け易い電子部品である。本願のモールド回路モジュールは、そのような特定電子部品と他の電子部品との間に、電磁波を遮蔽する壁を備えた、パーテーションを第１樹脂層の中に備えている。これにより、特定電子部品とその他の電子部品との間で電磁波を遮蔽することが可能となるので、一つのモールド回路モジュールの中に、相互に電磁波による影響を与え合う電子部品が存在する場合に、電磁波によるその相互の影響を低減させられるようになる。  しかも、パーテーションは、基板から、第１樹脂層の表面までの途中までに及ぶ壁を備えているとともに、壁の上端と第１樹脂層の表面との間には、隙間が設けられている。かかる隙間は、パーテーションと第１樹脂層との膨張係数の差に起因して、製造後のモールド回路モジュールにおける第１樹脂層のパーテーションの壁からの剥離を防止する機能を有している。より詳しくいえば、パーテーションの壁の上端と、第１樹脂層の表面との間に存在する第１樹脂層が、第１樹脂とパーテーションとの間における膨張係数の差に起因する、第１樹���層とパーテーションの壁との間の膨張量の差を吸収するのである。  これによりこのモールド回路モジュールによれば、モールド回路モジュールの使用を行った場合等においても、第１樹脂層がパーテーションの壁から剥離することを防止できる。【００１１】  本願のパーテーションは、上述のように、壁を備えている。壁の上端と第１樹脂層の表面との間に隙間が存在する限りにおいて、パーテーションの形状、大きさには特に制限はない。  例えば、前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面との間の隙間は、１２０μｍ以下とすることができる。壁の上端と第１樹脂層の表面との間の隙間をこれ以上大きくしても、基板を覆う第１樹脂層の厚さが大きくなるだけであまり意味をなさない。他方、壁の上端と第１樹脂層の表面との間の隙間が１２０μｍを超えると、パーテーションの壁による電磁波の遮蔽の効果に悪影響を与える可能性があるからである。他方、かかる隙間が１２０μｍもあれば、第１樹脂層がパーテーションの壁から剥離することを防止する効果を得るには十分である。もっともこの効果は、壁の上端と第１樹脂層の表面との間の隙間が８０μｍあれば得られるので、壁の上端と第１樹脂層の表面との間の隙間は８０μｍ〜１２０μｍとするのが好ましい。  前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面とは平行であってもよい。この場合においても、上述の場合と同様の理由で、壁の上端と第１樹脂層の表面との間の隙間は１２０μｍ以下とするのが好ましく、また、これも上述の場合と同様の理由で、その隙間の大きさは、８０μｍ〜１２０μｍとするのが更に好ましい。  前記パーテーションは、前記壁の上端に接続された前記基板と略平行な天井とを備えているとともに、前記天井と前記第１樹脂層の表面との間には、隙間が設けられていてもよい。パーテーションが天井を備えていれば、基板に垂直な方向についても電磁波の遮蔽の効果を得られるようになる。パーテーションの天井と第１樹脂層の表面との間に隙間を設けるのが好ましい理由は、壁の上端と第１樹脂層の表面との間に隙間を設けるべき理由と同様である。かかる隙間の大きさは、壁の上端と第１樹脂層の表面との間の隙間の場合と同様の理由で、１２０μｍ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。天井と、第１樹脂層の表面とを平行とすることも可能であり、その場合にも、それらの隙間は１２０μｍ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。【００１２】  前記壁の側端と前記第１樹脂層の側面との間には、隙間が設けられていてもよい。壁の側端と第１樹脂層の側面とを接触させることも可能である。しかしながら、そのようにすると、第１樹脂層の側面部分においても、第１樹脂とパーテーションとの膨張係数の相違に起因して、第１樹脂層がパーテーションの壁から剥離するおそれがある。このような事態が生じると、所謂パッケージクラックが生じることに起因する上述の不具合に加えて、パーテーションの壁と基板とがはんだ付けされている場合において、当該はんだ付けされている部分が露出することが起こりうるため、モールド回路モジュールを使用するためにモールド回路モジュールを他の基板に実装する際に、はんだの溶け出しが生じることが考えられる。壁の���端と第１樹脂層の側面との間に隙間が設けられていれば、そのような不具合の発生を抑制することができるようになる。壁の側端と第１樹脂層の側壁との間の隙間は、壁の上端と第１樹脂層の表面との間の場合と同様の理由で、１２０μ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。壁の側端は、前記第１樹脂層の側面と平行とすることができる。この場合の壁の側端と第１樹脂層の側面との隙間は、上述の場合と同じく、１２０μ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。壁が第１樹脂層の側面と平行な場合には、壁と第１樹脂層の側面との隙間は、１２０μ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。【００１３】  上述したように、パーテーションは、電磁波を遮蔽することを目的とするものである。一般的にはそれが可能な金属の、例えば板で、パーテーションは構成される。パーテーションが電磁波の遮蔽を目的とするのであれば、パーテーションはモールド回路モジュールの使用時において接地されるべきである。パーテーションは、例えば、基板が備える前記接地用電極と導通していても良い。接地用電極は通常モールド回路モジュールの使用時に接地されるから、それとパーテーションを導通させておけばパーテーションは、モールド回路モジュールの使用時において接地されることになる。  パーテーションは、接地用電極と直接接触することで接地用電極と導通していても良いし、接地用電極と導通する他の部材を介して接地用電極と間接的に導通していても良い。例えば、前記パーテーションは、前記接地用電極とその壁の下端で直接接触することで、前記接地用電極と導通していても良い。  また、パーテーションの前記壁は、前記壁の両側の前記第１樹脂層との固定を強めるための孔を備えていても良い。第１樹脂層は、硬化前の第１樹脂をモールドし、それを硬化させることにより形成されるが、パーテーションの壁に孔を設けておき、硬化前の第１樹脂がパーテーションの内部（特定電子部品側）に入り込むようにしておくことによって、第１樹脂が硬化して第１樹脂層となったときに、パーテーションと第１樹脂層の相互の固定を強化することができるようになる。【００１４】  本願発明のモールド回路モジュールに含まれる電子部品の１つは、無線での通信を行う通信器であっても良い。通信器は、送信、受信のいずれか、又はその双方を行うもののいずれでも良い。  電子部品の１つが通信器である場合、本願発明のモールド回路モジュールのシールド層には、開口が設けられていても良い。開口は、シールド層のうちの第１樹脂層の表面を覆う所定の部分に、より詳細には、開口を介して通信器が無線の通信を行えるようにするために相応しい位置に、その目的を達成するに相応しい大きさで設けられる。  前記開口は、前記シールド層のうちの前記第１樹脂層の表面を覆う部分のうちの、前記基板を平面視した場合における、前記通信器の一部に対応する位置を含む所定の範囲に設けられていてもよい。これにより、通信器が無線の通信を行えるようにするために必要な開口の大きさを小さくすることが可能となる。これは、シールド層が本来果たすべき電磁波の遮蔽の機能が損なわれる範囲が小さくて���むということを意味する。  この場合、開口は、そのすべての部分が、基板を平面視した場合の通信器に対応している必要がなく、その一部が、基板を平面視した場合の通信器に対応していない部分に存在していても（つまり、通信器から食み出していても）良い。【００１５】  シールド層（或いはこれに含まれる、後述する第１金属被覆層と第２金属被覆層）は、金属粉を含んだペーストの塗布、又はめっきにより形成する。めっきは、湿式乾式を問わない。湿式のめっきの例としては電解めっき、無電解めっきを挙げることができる。乾式のめっきの例としては、物理気相成長（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）を挙げることができ、前者の例としては、スパッタリング、真空蒸着を挙げられ、後者の例としては、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤを挙げられる。これらのうち、湿式めっきがもっともコスト面からは有利であり、また、湿式めっきにより形成された金属皮膜層（シールド層）内の残留応力は、他の方法で作られたシールド層内の残留応力よりも小さい点でも湿式めっきは本願発明への応用に向いている。更に、薄膜形成の技術であるＰＶＤやＣＶＤによって得られるシールド層の厚さはｎｍのオーダーから数μｍまでであるのに対し、湿式めっきによれば、数μｍ〜数十μｍまでの厚めの膜形成が可能である。電磁波に対するシールド効果を考えると、シールド層には、少なくとも数μｍの厚さがある方が好ましいので、その点でも湿式めっきは本願発明との相性が良い。なお、湿式めっきには無電解めっきと電解めっきが含まれるが、モールド回路モジュールに含まれる電子部品の損傷の可能性を考えると、加工の対象となるモールド回路モジュールの表面に電流を流すことになる電解めっきよりも、電流を流さなくとも済む無電解めっきの方が好ましい。  なお、本願発明におけるシールド層は、基板が持つ接地用電極に導通させられる。シールド層は、接地用電極と導通していれば、接地用電極に直接接触していても、導電性のある他の金属を介して接地用電極に間接的に接触していても良い。例えば、接地用電極は、基板の厚さ方向の所定の部分に層状に存在する場合がある。その場合には、後述するハーフカット過程で、多数の区画の境界線上を含む所定幅の第１樹脂と基板とを、基板の内部の接地用電極に至るまで除去することとすれば、各区画の周辺に接地用電極の端面が露出することになる。その状態で、金属粉を含んだペーストの塗布、又はめっきを行えば、シールド層は、露出した接地用電極の端面に、直接接することになる。或いは、適当な金属部材を用いることで、シールド層を間接的に接地用電極と導通させることができる。【００１６】  シールド層は１層でも良く、多層でも良い。多層のシールド層をそれぞれ構成する金属は、同一でも良いが、異なるものとすることができる。  本願発明では、前記シールド層を、電場のシールドに優れる特性を持つ金属である第１金属による第１金属被覆層と、磁場のシールドに優れる特性を持つ金属である第２金属による第２金属被覆層との２層を含むものとして形成することもできる。  シールド層をこのような２層を含むものとすれば、電磁波からより効率的に電子部品を保護できるようになる。  前記第１金属として、例えば、銅又は鉄を用いることができる。  前記第２金属として、例えば、ニッケルを用いることができる。  第１金属被覆層と、第２金属被覆層は、そのいずれを外部に露出させても良い。いずれにしても、上述の機能に関しては特に影響はない。もっとも、第１金属として銅を用いる場合、銅は酸化して黒色に変色することがあるから、見栄えに配慮するのであれば、銅によって構成される第１金属被覆層は外部に露出させない方が良い。【００１７】  本願発明者は、上述の課題を解決するものとして、以下の方法をも提供する。以下の方法は、上述のモールド回路モジュールを得るための製造方法の例となる。  その製法は、互いに隣接する多数の仮想の区画をその一方の面に有するとともに、前記一方の面の前記区画のそれぞれに少なくとも２つの電子部品が実装され、且つ前記電子部品のうちの少なくとも一つが、他の電子部品から電磁波について隔離されるべきものである特定電子部品である基板を準備する過程と、前記特定電子部品とその他の電子部品との間に位置する、電磁波を遮蔽する壁を備えた、パーテーション部材を配する過程と、接地用電極を有する基板の前記一方の全面を、前記電子部品と前記パーテーション部材ごと、樹脂である第１樹脂で被覆し硬化させる第１被覆過程と、多数の前記区画の境界線上を含む所定幅の前記第１樹脂と前記基板とを、前記基板の所定の厚さまで除去するハーフカット過程と、前記第１樹脂の表面と、前記ハーフカット過程により露出した、前記第１樹脂の側面と、前記基板の側面とに、金属粉を含んだペーストの塗布、又はめっきにより、前記接地用電極と導通する金属の層であるシールド層を形成するシールド層形成過程と、前記区画の境界で前記基板を切断することにより、前記各区画を切り離すことにより、前記区画のそれぞれに基づく複数のモールド回路モジュールを得るフルカット過程と、を含む、モールド回路モジュールの製造方法である。  上述のモールド回路モジュールの製造方法では、前記第１被覆過程を実行した後で且つ前記シールド層形成過程を実行する前に、硬化した前記第１樹脂の表面を、その表面に前記パーテーション部材が露出せず、且つその表面が前記基板の前記一方の面と平行となるように削る第１樹脂成形過程を実行するものとなっていても良い。  第１樹脂層を、パーテーション部材が第１樹脂層にぴったり埋まるよりも厚くなるように一旦形成しておき、その後に第１樹脂層を削ることにより、パーテーション部材の壁の上端又は天井の上面と、第１樹脂層との表面との間に隙間を作ることができるようになり、且つその隙間の大きさを適切に制御できるようになる。第１樹脂の基板への塗布を行う際にも、パーテーション部材の壁の上端又は天井の上面の上に存在する第１樹脂層の厚さをある程度制御することができるが、かかる制御はその精度が低く、上述の部分における第１樹脂層の厚さを５００μｍよりも薄くするのは難しい。第１樹脂成形過程では、例えば機械的な切削により、最も背の高い電子部品の上に存在する第１樹脂の厚さを制御することになるが、その場合にはその精度は一般に、±１００μｍ程度とすることができるしたがって、上述の隙間の大きさを適切に制御することができるのである。具体的には、上述の隙間の大きさは既に述べた大きさとすることができる。つまり、上述の隙間は、１２０μｍ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。  パーテーション部材は、壁を備えており、場合によっては壁と天井とを備えている。このモールド回路モジュールの製造方法で製造されたモールド回路モジュールにおけるパーテーションの壁と、天井とが、モールド回路モジュールの表面又は側面との間で満たすと好ましい距離に関しての条件は、既に述べた通りである。このモールド回路モジュールでは、結果的にそのような条件が充足されるようにして実行されるのが好ましい。【００１８】  本願のモールド回路モジュールの製造方法では、これには限られないが、前記第１樹脂として、フィラーを含む樹脂を用いるようにしてもよい。その場合、このモールド回路モジュールの製造方法は、前記基板を被覆した前記第１樹脂の表面を、フィラーを含まない樹脂である第２樹脂で被覆し硬化させる第２被覆過程を含み、前記シールド層形成過程では、前記第２樹脂の表面と、前記ハーフカット過程により露出した、前記第１樹脂の側面と、前記基板の側面とに、金属粉を含んだペーストの塗布、又はめっきにより、前記接地用電極と導通する金属の層であるシールド層を形成するようなものであっても良い。  本願発明における第１樹脂は、従来技術で説明したモールド回路モジュールに含まれる樹脂に相当する。第１樹脂には、フィラーが混入されることがある。フィラーは、粒状である。また、フィラーは、第１樹脂を構成する樹脂とは異なる線膨張係数を持つ材料によりそれを構成することにより、モールド回路モジュールの熱膨張収縮の程度を抑制するものであるから、現時点におけるモールド回路モジュールにおいては使用される場合が多い。  他方、フィラーが混入された第１樹脂の表面に、金属粉を含んだペーストを塗布したり、或いはめっきを行うことによりシールド層を形成した場合には、シールド層の脱落が生じうる。第１樹脂の表面に存在し、第１樹脂から露出しているフィラーは第１樹脂から脱落し易くなっている場合があり、フィラーが第１樹脂から脱落する事態が生じると、それに伴って当該部分のシールド層が脱落する。  かかるシールド層の脱落を防止するのが第２樹脂である。第２樹脂は第１樹脂の表面を覆うものである。そして、シールド層は、第２樹脂の表面と、後のダイシングのためのフルカットに先立って行うハーフカット過程によって露出した前記第１樹脂の側面、及び前記基板の側面とに、形成される。上述のように第２樹脂はフィラーを含まない。したがって、このようにして形成されたシールド層は、フィラーの脱落に起因する脱落とは無縁である。なお、この場合であっても、シールド層のうち第１樹脂の側面を被覆する部分は、第２樹脂を介さずに第１樹脂を被覆することになる。しかしながら、通常の方法でハーフカットを行えば、第１樹脂の側面は適度に荒れるので、そこではシールド層が第１樹脂によく密着し、シールド層の脱落は生じにくいことが本願発明者によって確認されている。  なお、湿式めっきをシールド層の形成に用いた場合には、仮に第２樹脂による層が存在しないとすると、フィラーの脱落によるシールド層の脱落が起こりやすい。本願発明は、モールド回路モジュールを製造する際におけるシールド層の形成の過程に、湿式めっきを選択できるようにするという点でも意味を持つ。  なお、第１樹脂成形過程を実行すると、硬化した第１樹脂の中に存在するフィラーが脱落し易い状態となる場合もある。しかしながら、その後に第２被覆過程を実行することにより、第１樹脂の表面を第２樹脂で被覆することにすれば、それでもなお、フィラーの脱落に起因するシールド層の脱落を抑制することができる。【００１９】  上述のように、本願のモールド回路モジュールの製造方法では、第２樹脂を用いることによりシールド層が第１樹脂から脱落することを抑制できるようになる。もっとも、第２樹脂を用いる場合には、第１樹脂に対して、第２樹脂を介してシールド層を形成するので、第２樹脂が第１樹脂から脱落すると、結果的にシールド層の脱落が生じてしまう。  第２樹脂の第１樹脂からの脱落を防止するには、第２樹脂の第１樹脂に対する密着性の高さが重要である。この密着性は第１樹脂と第２樹脂の間のアンカー効果、分子間力、若干の共有結合で実現されている。  第２樹脂の第１樹脂に対する密着性を上げるには、第２樹脂として、前記第１樹脂に主樹脂として含まれる樹脂と同種のものを用いるのが簡単である。なお、本願において「主樹脂」とは、第１樹脂に含まれる樹脂が一種類であればその樹脂を意味し、第１樹脂に複数種類の樹脂が含まれるのであれば、その中で最も重量比で多いものを意味するものとする。  前記第１樹脂に主樹脂として含まれる樹脂がエポキシ樹脂である場合、前記第２樹脂は、エポキシ樹脂とすることができる。これにより、第１樹脂と第２樹脂の密着性は、実用性に足る程度に大きくなる。  なお、第２樹脂は上述のように、第１樹脂の一方の面の少なくともシールド層で被覆される部分を被覆する。第２樹脂の厚さは、例えば、第１樹脂から露出するフィラーを被覆することでフィラーの第１樹脂からの脱落を防ぐことができ、且つ第２樹脂の強度を維持できる範囲で薄くするのが良い。第２樹脂の層を薄くすることは、次工程での粗化が容易であるという理由により、シールド層をめっきにより形成する場合に有利である。例えば、第２樹脂による層は、第１樹脂の表面の凹凸形状を埋めない程度に薄くするのが良い。【００２０】  第１被覆過程において、基板の前記一方の全面を、前記電子部品ごと、フィラーを含む樹脂である第１樹脂で被覆する際には、どのような方法でそれを実行しても良い。その際には、例えば、真空印刷法を用いることができる。  真空印刷法を用いれば、硬化後の第１樹脂の中に微小な気泡が生じることを防ぐことができ、様々な形状を持つ電子部品を、隙間なく第１樹脂で被覆できるようになる。  という利点はあるものの、第１被覆過程で真空印刷を用いる場合には、基板に取付けられる部品の上に存在する樹脂層の厚みが薄いと、電子部品の高さの違いに起因する凹凸が、第１樹脂の表面にどうしても現れてしまう。これを避けるために、真空印刷を用いる場合には、電子部品の上に位置する第１樹脂の厚さに余裕を持たせることが必要になるが、これは結果として完成したモールド回路モジュールの厚みが大きくなるという欠点につながる。第１樹脂成形過程を行えば、これを解決することができるため、第１樹脂成形過程は、真空印刷と非常に相性が良く、モールド回路モジュールの製造に真空印刷を使用できるようにするための技術であるととらえることもできる。【００２１】  第１樹脂には、電子部品の間に入り込むための充填性（これは硬化前の特性である。）と、電子部品或いは基板との密着性と、反りを生じない特性（これらは硬化後の特性である。）の３つが求められる。  第１樹脂が、上述の特性を満たすには、以下のような特性を有するのが良い。下記特性を有する第１樹脂であれば、硬化前、硬化後の第１樹脂がともに上述の特性を充足する。  第１樹脂が満たすべき特性は、硬化前の特性として、フィラーを含む第１樹脂の全量に対するフィラーの比率が重量比で８０％以上、硬化後の特性として、線膨張係数（α１）が１１ｐｐｍ／ＴＭＡ以下、線膨張係数（α２）が２５ｐｐｍ／ＴＭＡ以下、２５℃弾性率が１５ＧＰａ／ＤＭＡ以上である。  第１樹脂に求められる特性のうち、充填性の高さは、完成したモールド回路モジュールの厚さを小さくすることに寄与する。電子部品の下側と、基板との間には通常隙間が存在する。かかる隙間は、その隙間に第１樹脂が充填できる程度に大きくなるように設計せざるを得ない。ここで、第１樹脂の充填性が高ければ、電子部品の下側と基板との隙間を小さくできる。それにより、モールド回路モジュールの厚さを小さくすることができるのである。上述の特性を持つ樹脂を用いた場合には、電子部品の下側と基板との隙間を３０μｍまで小さく（一般には１５０〜２００μｍである。）することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１（ａ）】本願発明の一実施形態によるモールド回路モジュールの製造方法で使用される基板の構成を示す側断面図。
【図１（ｂ）】図１（ａ）に示した基板に電子部品を実装した状態を示す側断面図。
【図１（ｃ）】図１（ｂ）に示した基板にパーテーション部材を取付けた状態を示す側断面図。
【図１（ｄ）】図１（ｃ）に示した基板を部品ごと第１樹脂で被覆して、第１樹脂を硬化させた状態を示す側断面図。
【図１（ｅ）】図１（ｄ）に示した第１樹脂のうち除去される範囲を示すための側断面図。
【図１（ｆ）】図１（ｅ）に示した第１樹脂のうち除去されるべき部分が除去された状態を示す側断面図。
【図１（ｇ）】図１（ｆ）に示した第１樹脂の上面を第２樹脂で被覆し、第２樹脂を硬化させた状態を示す側断面図。
【図１（ｈ）】図１（ｇ）に示した基板に対してハーフカットの処理を行った状態を示す側断面図。
【図１（ｉ）】図１（ｈ）に示した基板に対してシールド層を設けた状態を示す側断面図。
【図１（ｊ）】図１（ｉ）に示した基板に対してフルカットの処理を行った状態を示す側断面図。
【図２（ａ）】実施形態のモールド回路モジュールの製造方法で用いられるパーテーション部材の構成を示す斜視図。
【図２（ｂ）】実施形態のモールド回路モジュールの製造方法で用いられる他のパーテーション部材の構成を示す平面図、左側面図、及び正面図。
【図２（ｃ）】実施形態のモールド回路モジュールの製造方法で用いられる他のパーテーション部材の構成を示す平面図、左側面図、及び正面図。
【図２（ｄ）】実施形態のモールド回路モジュールの製造方法で用いられる他のパーテーション部材の構成を示す平面図、左側面図、及び正面図。
【図３】実施形態のモールド回路モジュールの製造方法で用いられる真空印刷法の原理を示す側面図。
【図４】実施形態のモールド回路モジュールの製造方法によって得られるシールド層の構成の一例を示す側断面図。
【図５】実施形態によるモールド回路モジュールの製造方法によって得られるモールド回路モジュールの側断面図。
【図６】実施形態によるモールド回路モジュールの製造方法によって得られるモールド回路モジュールの透視平面図。
【図７】変形例のモールド回路モジュールの製造方法において用いられるパーテーション部材を示す斜視図。
【図８】変形例１のモールド回路モジュールの製造方法によって得られたモールド回路モジュールの側断面図。
【図９】変形例１のモールド回路モジュールの製造方法によって得られたモールド回路モジュールの透視平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】  以下、図面を参照しつつ、本発明のモールド回路モジュールの製造方法の好ましい一実施形態を説明する。
【００２４】  この実施形態では、図１（ａ）に示した基板１００を用いて、モールド回路モジュールを製造する。  基板１００は極一般的なもので良く、この実施形態の基板１００も極一般的なものである。基板１００は、図示を省略の配線を備えている。配線は、後述する電子部品に対して導通させられ、電子部品に給電を行うものであり、公知或いは周知のものである。それが可能なように配線は設計されている。配線はどのような方法で基板１００に設けられたものでも良く、基板１００のどこに設けられていても良い。配線は例えば、基板１００の表面に印刷で設けられていても良い。その場合の基板１００は、プリント配線基板と一般的に称されるものとなる。配線はまた、基板１００の内部に存在する場合もある。  平面視した場合における基板１００の形状は例えば矩形である。もっとも基板１００の形状は、後述するようにしてモールド回路モジュールを多数個取りする場合に無駄が少なくなるような形状として、適宜設定されるのが通常である。  基板１００の適当な位置には、接地用電極１１０が設けられている。接地用電極１１０は、そのすべての部分、或いはその一部が基板１００の内部に存在する場合もあり、そのすべての部分、或いはその一部が基板１００のいずれかの表面に存在する場合もある。この実施形態では、接地用電極１１０は、基板１００の内部の適当な深さに、層状に存在するものとする。接地用電極１１０は、完成したモールド回路モジュールが使用されるときに、後述するシールド層を、接地用電極１１０を介して接地するために用いられる。接地用電極１１０は、それが可能となるように設計されている。  この実施形態で説明するモールド回路モジュールの製造方法では、１枚の基板１００から多数のモールド回路モジュールを製造する。つまり、この実施形態では、１枚の基板１００からモールド回路モジュールを、所謂多数個取りする。基板１００は、仮想の隣接する多数の区画１２０に区分されており、各区画１２０から１つのモールド回路モジュールが製造されることになる。各区画１２０から製造されるモールド回路モジュールは必ずしも同じものとする必要はないが、通常は同じものである。各区画１２０から製造されるモールド回路モジュールが同じものである場合、各区画１２０は同じ大きさであり、各区画１２０には同じパターンで、配線と、接地用電極１１０とが設けられている。これには限られないが、この実施形態では、各区画１２０から製造されるモールド回路モジュールは同じものであるものとする。
【００２５】  モールド回路モジュールを製造するには、まず、図１（ｂ）に示したようにして、上述の基板１００の一方の面（この実施形態では、図１（ｂ）の上側の面）に対して、電子部品２００を取付ける。電子部品２００はすべて既存のものでよく、例えば、ＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）増幅器、発振器、検波器、送受信器等の能動素子或いは抵抗、コンデンサ、コイル等の受動素子であり、必要に応じて選択される。  電子部品２００は、それらが持つ図示せぬ端子を、各区画１２０の配線に導通させるようにして、各区画１２０に取付けられる。この実施形態では各区画１２０から同じモールド回路モジュールが得られるのであるから、各区画１２０に実装される電子部品２００は同じものとされる。電子部品２００の各区画１２０への取付け方は、公知或いは周知の技術を用いれば良いので、詳しい説明は省略する。  電子部品２００の下側と基板１００との隙間は、通常より小さく、例えば３０μｍ程度であっても良い。
【００２６】  次いで、パーテーション部材３００を基板１００に取付ける（図１（ｃ））。パーテーション部材３００は、モールド回路モジュールの中にパーテーションを作るための部材である。パーテーションは、モールド回路モジュール内の電子部品２００が作る電磁波が、そのモールド回路モジュール内の他の電子部品２００に与える影響を低減することを目的とする。なお、パーテーション部材３００は、以下のような事情が存在するとき等に必要に応じて使用すれば良いものである。  例えば、この実施形態では、図１（ｃ）に示した電子部品２００Ａが高周波発振器である場合、電子部品２００Ａからは強い電磁波が発せられる。そのような場合であり、且つ電子部品２００Ａの周囲の電子部品２００が、強い電磁波によって、その本来の機能に対してノイズを生じさせるようなものである場合には、他の電子部品２００を電子部品２００Ａが作る電磁波から守る必要がある。或いは、電子部品２００Ａが特に、他の電子部品２００が作る電磁波の影響を受けやすいものであることも考えられ、そのような場合には、電子部品２００Ａを他の電子部品２００が作る電磁波から守る必要がある。いずれの場合においても、電子部品２００Ａと他の電子部品２００との間で電磁波を遮蔽するのが良い。それを可能とするのがパーテーションである。  パーテーション部材３００は、側壁部３２０と天井部３１０とを備えている。パーテーション部材３００は、例えば、電磁波を遮蔽するべく導電性を持つ金属で、より詳細には金属の板でできており、製造されたモールド回路モジュールにおいて、直接的に、或いは、他の部材を介して間接的に、接地用電極１１０に導通するようになっている。典型的には、パーテーションの側壁部３２０は、パーテーションの側壁部３２０によって作られるパーテーション単独で、或いはパーテーションの側壁部３２０によって作られるパーテーションと後述するシールド層によって、基板１００を平面視した場合におけるある電子部品２００（必ずしも、１つのみとは限らない。）を、囲むことができるような形状として設計される。  これには限られないが、この実施形態におけるパーテーションの側壁部３２０は、図２（ａ）に示したような形状をしている。このパーテーションの側壁部３２０は、平面視したときに三角形、より詳細には直角三角形である天井部３１０と、天井部３１０の斜辺以外の２辺の下に接続され、且つそれらの隣接する一辺が互いに接続された矩形の側壁部３２０とからなる。  パーテーションの側壁部３２０の基板１００への取付け方はどのようにして行っても良い。例えば、接着によって、パーテーションの側壁部３２０を基板１００へ取付けることができる。パーテーションの側壁部３２０の例えば下端を、接地用電極１１０に直接導通させるのであれば、接地用電極１１０とパーテーションの側壁部３２０とをそのように設計するとともに、公知の導電性接着剤等で、接地用電極１１０とパーテーションの側壁部３２０とを接着すれば良い。例えば、当初から基板１００の表面から露出していた、或いは基板１００の表面を削り取ることにより基板１００から露出させられた接地用電極１１０に、パーテーションの側壁部３２０の側壁部３２０の下��を接触させ、導通させることができる。  なお、パーテーションの側壁部３２０は、結果として、接地用電極１１０に導通していれば良い。換言すれば、パーテーションの側壁部３２０は、直接、接地用電極１１０に接触していても良いし、他の導電性の金属を介して間接的に接地用電極１１０に接触していても良い。そして当然に、これらのうちの一方が達成されているのであれば、その他方は達成されている必要はない。  パーテーション部材３００の他の例を、図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す。図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）においては、パーテーションの側壁部３２０の平面図と、その左側に左側面図と、その下側に正面図とが描かれている。各図において示されたパーテーション部材３００はそれぞれ、天井部３１０と、側壁部３２０とを備えている。図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）で示されたパーテーションの側壁部３２０の天井部３１０には、開口である複数の天井孔３１１が穿たれている。この天井孔３１１は、第１樹脂４００充填の際に第１樹脂４００をパーテーションの側壁部３２０の内側に流入させるための孔であり、硬化後にはパーテーションの側壁部３２０と第１樹脂４００との剥離を防止する役割を担うものである。また、図２（ｄ）で示されたパーテーションの側壁部３２０には、開口である複数の側壁孔３２１が穿たれている。この側壁孔３２１は、第１樹脂４００の硬化後にはパーテーションの側壁部３２０と第１樹脂４００との剥離を防止する役割を担う。  この実施形態では、基板１００に取付けられたパーテーション部材３００の側壁部３２０は基板１００に対して垂直であり、天井部３１０は基板に対して水平である。
【００２７】  次いで、電子部品２００と必要に応じてパーテーション部材３００とが取付けられた基板１００の上記一方の面の全面を、電子部品２００とパーテーション部材３００ごと、第１樹脂４００で被覆し、第１樹脂４００を硬化させる（図１（ｄ））。  第１樹脂４００で基板１００の一方の面の全面を被覆するには、モールド、ポッティング等の樹脂封止法を用いることができるが、この実施形態では、真空印刷法を用いることとしている。真空印刷法によれば、モールドされた第１樹脂４００の内部に細かな気泡が混入することを防ぐことができ、また細かな気泡を除くための脱泡の過程を省略することができる。  真空印刷法は、公知の真空印刷機を用いて実施することができる。公知の真空印刷機としては、東レエンジニアリング株式会社が製造・販売する真空印刷封止装置であるVE５００（商標）を例示することができる。  真空印刷法の原理について、図３を用いて簡単に述べる。真空印刷法を実施する際には、基板１００を例えば金属製のマスクであるメタルマスク４５０の間に置く。そして、硬化していない状態の第１樹脂４００を供給しながら棒状の、図３においては紙面に垂直な方向がその長さ方向となるスキージ４６０を、図３（ａ）に示した一方側のメタルマスク４５０の上に位置する位置から、他方側のメタルマスク４５０に向けて、同図の（ｂ）で矢視したしたようにして、移動させる。第１樹脂４００は、スキージ４６０の下面でその上面を均され、電子部品２００の間に入り込みつつ、基板１００の表面を隙間なく覆っていく。真空印刷法は、基板１００、メタルマスク４５０、スキージ４６０のすべてを真空を引いた図示せぬ真空チャンバの中に入れた状態で実行される。それ故、第１樹脂４００の中に気泡が入り込む余地がない。なお、スキージ４６０を、図３に示したように移動させる場合、スキージ４６０の基板１００からの距離ないし高さは通常、一定である。  この実施形態では、第１樹脂４００の厚さ、言い換えれば、第１樹脂４００の基板１００からの高さは、パーテーション部材３００の天井部３１０が埋まるようなものとされる。具体的には、天井部３１０の上における第１樹脂４００の厚さは、１００μｍ程度以上となるようにする。  基板１００を被覆した第１樹脂４００は、適当な時間を置くことで硬化させられる。  なお、パーテーションの側壁部３２０の天井部３１０には天井孔３１１が設けられており、また、パーテーションの側壁部３２０の側壁部３２０には側壁孔３２１が設けられている場合がある。硬化前の第１樹脂４００は、それらから、パーテーションの側壁部３２０の内部に入り込む。  図２（ｄ）で示されたパーテーションの側壁部３２０に設けられた側壁孔３２１は、第１樹脂４００が側壁孔３２１の中に回り込んだ状態で硬化することで、パーテーションの側壁部３２０と第１樹脂４００とがより良く固定されるようにする機能を発揮する。天井部３１０の天井孔３１１も、同様の機能を持つことになる。
【００２８】  第１樹脂４００には、電子部品２００の間に入り込むための充填性（これは硬化前の特性である。）と、電子部品２００或いは基板１００との密着性と、反りを生じない特性（これらは硬化後の特性である。）の３つが求められる。  これら特性を第１樹脂４００が有するためには、第１樹脂４００は、以下のような特性を有するのが良い。下記特性を有する第１樹脂４００であれば、硬化前、硬化後の第１樹脂がともに上述の特性を充足する。  満たされるのが好ましい第１樹脂４００の特性は、硬化前の特性についていえば、フィラーを含む第１樹脂の全量に対するフィラーの比率が重量比で８０％以上、硬化後の特性についていえば、線膨張係数（α１）が１１ｐｐｍ／ＴＭＡ以下、線膨張係数（α２）が２５ｐｐｍ／ＴＭＡ以下、２５℃弾性率が１５ＧＰａ／ＤＭＡ以上である。  なお、上記の特性を充足する第１樹脂４００の例としては、パナソニック株式会社が製造・販売を行う、樹脂組成物（品番：ＣＶ５３８５（商標））を挙げることができる。これら樹脂組成物には、シリカ（フィラーとして）、エポキシ樹脂、硬化剤、改質剤等が含まれている。樹脂組成物には１種類の樹脂しか含まれていない。したがって、第１樹脂４００の本願で言う主樹脂は、エポキシ樹脂である。  上述の通り第１樹脂４００には、フィラーが含まれているが、上述の樹脂組成物（品番：ＣＶ５３８５）には、フィラーが含まれている。また、これら樹脂組成物に含まれるフィラーの量は、第１樹脂４００の全体に対して、重量比で８０％以上となる８３％である。フィラーは、線膨張係数が小さい素材でできており、通常はシリカによりできている。また、フィラーは、第１樹脂４００の充填性を満足するために、その粒径は３０μｍ以下とするのがよい。例示した上述の２つの樹脂組成物に含まれるフィラーは、いずれもこれらの条件を満足している。  また、例示した上述の樹脂組成物の硬化後の線膨張係数（α１）は１１ｐｐｍ／ＴＭＡ、硬化後の線膨張係数（α２）は２５ｐｐｍ／ＴＭＡ、硬化後の２５℃弾性率は１５ＧＰａ／ＤＭＡであり、上述した好ましい条件を充足している。
【００２９】  次いで、これは必ずしも必須ではないが、第１樹脂４００の上部を除去する。これは、基板１００上の第１樹脂４００の厚さを小さくすることによって、最終的に得られるモールド回路モジュールの厚さを小さくすることを主たる目的とするものである。この実施形態では、第１樹脂４００のうち、図１（ｅ）の破線Ｌで示した位置よりも上側に位置する第１樹脂４００を除去することとしている。また、破線Ｌで示した位置よりも上側に位置する第１樹脂４００を除去した状態が、図１（ｆ）に示されている。  必ずしもこの限りではないが、この実施形態では、破線Ｌよりも上側に位置する第１樹脂４００を除去した後の第１樹脂４００の上面は、基板１００の一方の面と平行となるようになっている。また、これもこの限りではないが、パーテーション部材３００の天井部３１０の上側の面と、破線Ｌよりも上側に位置する第１樹脂４００を除去した後の第１樹脂４００の上面との間には隙間が存在するようにされており、且つその隙間の図１における上下方向の長さは、好ましくは１２０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ〜１２０μｍとなるようになっている。  必ずしもこの限りではないが、この実施形態では、最も背の高い電子部品２００を電子部品２００Ｂとした場合におけるその最上部から、破線Ｌよりも上側に位置する第１樹脂４００を除去した後の第１樹脂４００の上面までの距離は、３０μｍ〜８０μｍの間となるようになっている。  第１樹脂４００の破線Ｌよりも上側に位置する部分を除去する方法には、適当な公知技術を用いることができる。例えば、フライス盤等の切削装置或いはダイサー等の研磨切削装置によって、第１樹脂４００を除去することができる。
【００３０】  次いで、必ずしも必要ではないが、基板１００と平行とされた第１樹脂４００の上面（基板１００と対向する面）を、第２樹脂５００にて被覆し、第２樹脂５００を硬化させる（図１（ｇ））。第２樹脂５００で第１樹脂４００の上面を被覆するのは、第１樹脂４００に含まれたフィラーが第１樹脂４００から脱落するのを防止するためである。第１樹脂４００の上面の少なくとも後述のシールド層で被覆される部分が、第２樹脂５００で被覆される。  第２樹脂５００にはフィラーは含まれていない。第２樹脂５００の素材は、硬化した後の第２樹脂５００の第１樹脂４００に対する密着性が高いものから選択する。例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂を、第２樹脂５００の素材とすることができる。第２樹脂５００の第１樹脂４００に対する密着性を上げるには、第２樹脂５００として、第１樹脂４００に主樹脂として含まれる樹脂と同種のものを用いるのが簡単である。第１樹脂４００の主樹脂は上述のようにエポキシ樹脂なのであるから、この実施形態では、エポキシ樹脂を第２樹脂５００の素材とすることができる。この実施形態では、これには限られないが、第２樹脂５００はエポキシ樹脂であるものとする。  第２樹脂５００の厚さは、以下の２つの条件が充足される範囲でなるべく薄くするのが良い。まず、第２樹脂５００は、第１樹脂４００内のフィラーを保持する役割を担うため、それが可能な程度には厚くする必要がある。次に、第２樹脂５００の表面には、めっきの第２樹脂５００表面への密着性を良くするために表面粗化を行う場合があるが、第２樹脂５００の層が薄過ぎると表面粗化に支障が生じることがあるので、表面粗化を行う場合にはそれに支障がでない程度に厚くする必要がある。これら２つの条件が充足されるようにしつつも、第２樹脂５００の厚さを小さくするのが良い。  また、これには限られないがこの実施形態では、第２樹脂５００は、第１樹脂４００の上面すべてを被覆することとしている。  第２樹脂５００で第１樹脂４００の上面を被覆するために用いる技術には、公知の技術を用いることができる。例えば、スプレー装置による噴霧塗布によって、第２樹脂５００で第１樹脂４００の上面を被覆することができる。  第１樹脂４００を被覆した第２樹脂５００は、適当な時間を置くことで硬化させられる。  次いで、第２樹脂５００の表面を粗化する。第２樹脂５００の表面の粗化は、その上に後述するシールド層がより良く密着するようにすることを目的とするものであり、その目的が達成されるようにして行う。樹脂の表面の粗化の技術は、強酸或いは強アルカリを用いたエッチング等、公知或いは周知であるので、第２樹脂５００の表面の粗化には、その技術を用いれば良い。
【００３１】  次いで、基板１００に対してハーフカットの処理を行う（図１（ｈ））。ハーフカットは、第２樹脂５００、第１樹脂４００、及び基板１００に対して溝状の切込み１００Ｘを入れる処理である。  切込み１００Ｘを入れる範囲は、隣り合う区画１２０の境界線を跨ぐ所定幅の範囲である。切込み１００Ｘの深さは、これには限られないが、この実施形態では基板１００内の接地用電極１１０に至るようなものにする。それにより、ハーフカットの処理後において、各区画１２０の周縁に、接地用電極１１０の端面が露出することになる。切込み１００Ｘの幅は、これには限られないが、例えば、２００μｍ〜４００μｍである。切込み１００Ｘの幅は、第１樹脂４００の特性、ハーフカットを行うのに用いられるダイサーのブレード幅等によって決定される。  ハーフカットの処理には、公知の技術を用いることができる。例えば、株式会社ディスコが製造・販売していたフルオートダイシングソーであるＤＦＤ６４１（商標）に、適切な幅のブレードを装着したものを使用して、ハーフカットの処理を行うことができる。  ハーフカットの処理を行った場合、それによって露出する第１樹脂４００の側面とパーテーション部材３００の側壁部３２０との間には隙間が開くようになっている。例えば、側壁部３２０が第１樹脂４００の側面と平行な場合においては、両者の間の隙間は、１２０μｍ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。側壁部３２０が第１樹脂４００の側面と平行でない場合においては、第１樹脂４００の側面に近い側の側壁部３２０の側端と、第１樹脂４００の側面との隙間の幅は、両者が平行であるか否かを問わず、１２０μｍ以下とするのが好ましく、８０μｍ〜１２０μｍとするのがより好ましい。  この実施形態では、このような条件が充足されるような位置、幅で、ハーフカットの処理を行うこととしている。
【００３２】  次いで、第１樹脂４００、第２樹脂５００、及び基板１００のうちの以下に説明する位置を、シールド層６００で被覆する（図１（ｉ））。  シールド層６００は、製造されたモールド回路モジュールが使用される場合に、当該モールド回路モジュールの中に含まれる電子部品２００を、当該モールド回路モジュールの外にある電子部品に起因する電磁波から保護するか、或いは当該モールド回路モジュール外にある電子部品を当該モールド回路モジュール内にある電子部品２００に起因する電磁波から保護するためのものである。  シールド層６００は、電磁波の遮蔽を行うに向いた、導電性を有する金属によって形成される。シールド層は、１層でも良いし、多層でも良い。シールド層６００が多層である場合、それぞれの層を構成する金属は、異なるものとすることができる。  この実施形態のシールド層６００は、これには限られないが２層であり、電場のシールドに優れる特性を持つ金属である第１金属による第１金属被覆層６１０と、磁場のシールドに優れる特性を持つ金属である第２金属による第２金属被覆層６２０との２層を含むものとして形成する（図４）。第１金属として、例えば、銅又は鉄を用いることができる。第２金属として、例えば、ニッケルを用いることができる。この実施形態では、これには限られないが、第１金属として銅を、第２金属としてニッケルをそれぞれ用いることとする。第１金属被覆層６１０と、第２金属被覆層６２０は、そのいずれを外部に露出させても良い。これには限られないが、この実施形態では、第２金属被覆層６２０を外部に露出させることとしている。第１金属として銅を用いる場合には、銅は自然に酸化して黒色に変色するので、そのような外観の劣化を防止するためである。  シールド層６００は、第２樹脂５００の表面と、ハーフカットを行うことによって外部に露出することになった、第１樹脂４００の側面及び基板１００の側面とに設ける。シールド層６００は、基板１００の側面で基板１００が備える接地用電極１１０に導通する。  シールド層６００は、金属粉を含んだペーストの塗布、又はめっきにより形成することができる。シールド層６００が多層である場合、各層の形成方法は同じであっても同じでなくとも良い。この実施形態では、第１金属被覆層６１０と、第２金属被覆層６２０とを同じ方法で形成するものとする。  めっきは、湿式乾式を問わない。湿式のめっきの例としては無電解めっきを挙げることができる。乾式のめっきの例としては、物理気相成長（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）を挙げることができ、前者の例としては、スパッタリング、真空蒸着を挙げられ、後者の例としては、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤを挙げられる。  これらのうち、コスト面、及びシールド層６００内の残留応力を小さくできるという面からすれば湿式めっきを選択するべきである。また、湿式めっきでは、シールド層６００の厚さを厚めに、より具体的には数μｍ〜数十μｍとすることができ、電磁波を遮蔽するに十分な厚さを稼ぎやすい。また、湿式めっきには無電解めっきと電解めっきが含まれるが、モールド回路モジュールに含まれる電子部品の損傷の可能性を考えると、加工の対象となるモールド回路モジュールの表面に電流を流す���要のない無電解めっきを採用するのが好ましい。  これには限られないが、この実施形態では、第１金属被覆層６１０と、第２金属被覆層６２０との双方を、無電解めっきにて形成するものとする。
【００３３】  最後に、ハーフカットを行うことによって作られた切込み１００Ｘに沿って、基板１００を各区画１２０毎に分割するフルカットの処理を行う（図１（ｊ））。  フルカットの処理には、公知の技術を用いることができる。例えば、上述のフルオートダイシングソーであるＤＦＤ６４１（商標）に適切な幅のブレードを装着して使用することによってフルカットを行うことができる。  これにより、基板１００の各区画から１つずつ、モールド回路モジュールが得られる。
【００３４】  図５に、以上の方法によって得たモールド回路モジュールＭの断面図を、図６にモールド回路モジュールＭの透視平面図を示す。  図５に示したように、モールド回路モジュールＭが備える基板１００は、電子部品２００ごと第１樹脂４００によって被覆されている。また、第１樹脂４００の上面は、第２樹脂５００によって被覆されている。また、第２樹脂５００の上面と、第１樹脂４００及び第２樹脂５００の側面、及びハーフカットにより露出した基板１００の側面は、シールド層６００により覆われている。シールド層６００は、上述のように第１金属被覆層６１０と、第２金属被覆層６２０からなるが、これらは、図５に示すように、基板１００の内部の接地用電極１１０の側面と導通している。シールド層６００のうち、第２樹脂５００を介して第１樹脂４００を被覆している部分は、第２樹脂５００が存在するので、フィラーが第１樹脂４００から脱落することに起因する脱落とは無縁である。シールド層６００のうち、第１樹脂４００の側面を被覆している部分は第２樹脂５００を介さずに第１樹脂４００を被覆しているが、ハーフカットの処理により第１樹脂４００の側面がやや荒れた状態になっているので、シールド層６００の第１樹脂４００に対する密着性が高く、第１樹脂４００の側面からの脱落が生じにくい。  電子部品２００Ａは、パーテーション部材３００の側壁部３２０によってその側面の２面を、シールド層６００によってその側面の２面を囲まれ、且つその上面を天井部３１０とシールド層６００によって囲まれることになる。これにより、電子部品２００Ａが発生する電磁波の影響を、パーテーション外の電子部品２００が受けること、或いはパーテーション外の電子部品２００が発生する電磁波の影響を電子部品２００Ａが受けることを、抑制できるようになる。なお、パーテーション内の電子部品２００Ａは必ずしも１つである必要はなく、複数であっても良い。
【００３５】  また、パーテーション部材３００の天井部３１０は、第１樹脂４００の上面と平行であり、且つそれらの間には隙間が設けられている。かかる隙間の大きさは、好ましくは１２０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ〜１２０μｍとなるようになっている。この実施形態では、この隙間の大きさは、略１００μｍである。  また、パーテーション部材３００の側壁部３２０の側端のうち図６において左右に伸びるもののうちの左端の側端は、モールド回路モジュールＭにおける第１樹脂４００の図６における左側の側面と平行になっており、且つそれらの間には隙間が設けられている。そして、その隙間の大きさは好ましくは１２０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ〜１２０μｍとなるようになっている。この実施形態では、この隙間の大きさは、略１００μｍである。  また、パーテーション部材３００の側壁部３２０の側端のうち図６において上下に伸びるもののうちの下端の側端は、モールド回路モジュールＭにおける第１樹脂４００の図６における下側の側面と平行になっており、且つそれらの間には隙間が設けられている。そして、その隙間の大きさは好ましくは１２０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ〜１２０μｍとなるようになっている。この実施形態では、この隙間の大きさは、略１００μｍである。
【００３６】＜変形例＞  変形例におけるモールド回路モジュールは、上述の実施形態におけるモールド回路モジュールと、その構成及び製造方法の点で殆ど変わるところはない。  唯一異なるのは、パーテーション部材３００の構成である。  変形例におけるパーテーション部材３００は、図７に示したように構成されている。  変形例におけるパーテーション部材３００は、側壁部３２０のみを備え、上述の実施形態におけるパーテーション部材３００が備えていた天井部３１０を備えない。これには限られないが、この実施形態におけるパーテーション部材３００は、板状であり、これには限られないがいずれも矩形の４枚の側壁部３２０を平面視で矩形に組み合わせたものであり、額縁状に構成されたものとなっている。
【００３７】  変形例におけるモールド回路モジュールを製造するには、まず、上述の実施形態の場合と同様にして、基板１００の一方の面に対して、電子部品２００を取付ける。  次いで、上述の実施形態の場合と同様に、パーテーション部材３００を基板１００に取付ける。変形例の場合、高周波発振器の如き強い電磁波が発せられるか、又はモールド回路モジュールの他の電子部品２００が発する電磁波から守る必要のある電子部品２００Ａを、パーテーション部材３００の４枚の側壁部３２０で囲むようにして、パーテーション部材３００を基板１００に取付ける。パーテーション部材３００の下端を基板１００が持つ接地用電極１１０に導通させるのは、上述の実施形態の場合と同様である。  次いで、上述の実施形態の場合と同様に、電子部品２００と必要に応じてパーテーション部材３００とが取付けられた基板１００の上記一方の面の全面を、電子部品２００とパーテーション部材３００ごと、第１樹脂４００で被覆し、第１樹脂４００を硬化させる。  次いで、これは必ずしも必須ではないが、上述の実施形態の場合と同様に、第１樹脂４００の上部を除去する。必ずしもこの限りではないが、この変形例では、上部の第１樹脂４００を除去した後の第１樹脂４００の上面と、パーテーション部材３００の側壁部３２０の上端との間に隙間を設けるようにする。この隙間は、好ましくは１２０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ〜１２０μｍである。  次いで、上述の実施形態の場合と同様に、必ずしも必要ではないが、基板１００と平行とされた第１樹脂４００の上面を、第２樹脂５００にて被覆し、第２樹脂５００を硬化させる。  次いで、上述の実施形態の場合と同様に、基板１００に対してハーフカットの処理を行う。変形例においては、ハーフカットの処理を行った場合、それによって露出する第１樹脂４００の側面とパーテーション部材３００の側壁部３２０との間には隙間が開くようになっている。この隙間の大きさについては後述する。  次いで、第１樹脂４００、第２樹脂５００、及び基板１００のうちの上述の実施形態で説明した位置を、上述の実施形態の場合と同様に、シールド層６００で被覆する。  最後に、ハーフカットを行うことによって作られた切込み１００Ｘに沿って、基板１００を各区画１２０毎に分割するフルカットの処理を上述の実施形態の場合と同様にして行う。
【００３８】  図８に、以上の方法によって得た変形例によるモールド回路モジュールＭの断面図を、図９にモールド回路モジュールＭの透視平面図を示す。  このモールド回路モジュールＭは、上述の実施形態におけるモールド回路モジュールＭと殆ど同じである。異なるのは以下の点である。  まず、モールド回路モジュールＭに含まれる電子部品２００Ａは、パーテーション部材３００の側壁部３２０によってその四方を囲まれ、且つその上面をシールド層６００によって覆われることになる。これにより、電子部品２００Ａが発生する電磁波の影響を、パーテーション外の電子部品２００が受けること、或いはパーテーション外の電子部品２００が発生する電磁波の影響を電子部品２００Ａが受けることを、抑制できるようになる。  また、パーテーション部材３００の４枚の側壁部３２０の上端はいずれも第１樹脂４００の上面と平行であり、且つそれらの間には隙間が設けられている。かかる隙間の大きさは、好ましくは１２０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ〜１２０μｍとなるようになっている。  また、パーテーション部材３００の側壁部３２０の側端のうち図９において左に位置するものと、下に位置するものとはともに、モールド回路モジュールＭにおける第１樹脂４００の図９における左側と下側の側面と平行になっており、且つそれらの間には隙間が設けられている。その隙間の大きさは好ましくは１２０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ〜１２０μｍとなるようになっている。
【符号の説明】
【００３９】  １００  基板１００Ｘ  切込み  １１０  接地用電極  １２０  区画  ２００  電子部品  ３００  パーテーション部材  ３１０  天井部  ３２０  側壁部  ４００  第１樹脂  ５００  第２樹脂  ６００  シールド層
【図１（ａ）】
2016092893.tif 000003
【図１（ｂ）】
2016092893.tif 000004
【図１（ｃ）】
2016092893.tif 000005
【図１（ｄ）】
2016092893.tif 000006
【図１（ｅ）】
2016092893.tif 000007
【図１（ｆ）】
2016092893.tif 000008
【図１（ｇ）】
2016092893.tif 000009
【図１（ｈ）】
2016092893.tif 000010
【図１（ｉ）】
2016092893.tif 000011
【図１（ｊ）】
2016092893.tif 000012
【図２（ａ）】
2016092893.tif 000013
【図２（ｂ）】
2016092893.tif 000014
【図２（ｃ）】
2016092893.tif 000015
【図２（ｄ）】
2016092893.tif 000016
【図３】
2016092893.tif 000017
【図４】
2016092893.tif 000018
【図５】
2016092893.tif 000019
【図６】
2016092893.tif 000020
【図７】
2016092893.tif 000021
【図８】
2016092893.tif 000022
【図９】
2016092893.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月17日(2016.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地用電極を有する基板と、
前記基板の一方の面上に実装された少なくとも２つの電子部品と、
前記基板の一方の面を前記電子部品ごと被覆する、樹脂である第１樹脂による第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の表面と、前記第１樹脂層の側面と、前記基板の側面とを、前記接地用電極と導通するようにして被覆することによって形成されたシールド層と、
を含み、
前記電子部品のうちの少なくとも一つが、他の電子部品から電磁波について隔離されるべきものである特定電子部品であり、
前記特定電子部品とその他の電子部品との間に位置する、電磁波を遮蔽する壁を備えた、パーテーションが設けられている、
モールド回路モジュールであって、
前記パーテーションは、前記壁の上端に接続された前記基板と略平行な天井を備えているとともに、前記天井と前記第１樹脂層の表面との間には、隙間が設けられており、
前記天井は、前記第１樹脂層の表面と平行であり、前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面との間の隙間、及び前記天井と、前記第１樹脂層の表面との隙間はともに、１２０μｍ以下である、
モールド回路モジュール。
【請求項２】
前記天井は、前記第１樹脂層の表面と平行であり、前記壁の上端と前記第１樹脂層の表面との間の隙間、及び前記天井と、前記第１樹脂層の表面との隙間はともに、８０μｍ以上１２０μｍ以下である、
請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項３】
前記壁の側端と前記第１樹脂層の側面との間には、隙間が設けられている、
請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項４】
前記特定電子部品は、発振器である、
請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項５】
前記壁は、前記壁の両側の前記第１樹脂層との固定を強めるための孔を備えている、
請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項６】
前記パーテーションは、前記接地用電極と導通している、
請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項７】
前記パーテーションは、前記接地用電極とその壁の下端で直接接触することで、前記接地用電極と導通している、
請求項１記載のモールド回路モジュール。
【請求項８】
前記天井は、その上下の前記第１樹脂層と前記天井との固定を強めるための孔を備えている、
請求項１記載のモールド回路モジュール。
【国際調査報告】
2016092893.tif 000024
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