(57)【要約】  前記第１分波回路は、前記第１増幅回路と前記第２分波回路との間に配置される。このような回路の配置では、第１増幅回路と第２分波回路とが空間的に第１分波回路を介すので、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、第２分波回路を介した第２アンテナ端子から第２受信端子への経路との間の空間に結合（電磁界結合及び静電結合）が生じにくくなる。その結果、第１送受信部の送信信号の２倍高調波であって、第２分波回路の通過帯域に含まれる２倍高調波が発生しても、高周波モジュールは、当該空間に結合が生じにくくなるので、当該２倍高調波の第２受信端子への漏洩を抑制でき、第１帯域及び第２帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。
2016104011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１帯域内の信号を送受信するように構成された第１送受信部と、
前記第１帯域より高い第２帯域内の信号を送受信するように構成された第２送受信部と、
が基板に配置された高周波モジュールであって、
前記第１送受信部は、第１アンテナに接続される第１アンテナ端子と、受信回路に接続される第１受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第１増幅回路と、前記第１増幅回路が増幅した前記第１帯域内の送信信号を前記第１アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第１アンテナ端子からの前記第１帯域内の受信信号を前記第１受信端子へ通過させるように構成された第１分波回路とを有し、
前記第２送受信部は、第２アンテナに接続される第２アンテナ端子と、受信回路に接続される第２受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第２増幅回路と、前記第２増幅回路が増幅した前記第２帯域内の送信信号を前記第２アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第２アンテナ端子からの前記第２帯域内の受信信号を前記第２受信端子へ通過させるように構成された第２分波回路とを有し、
前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間である、
高周波モジュール。
【請求項２】
複数の前記第１分波回路のうちのいずれか１つの第１分波回路と前記第１アンテナ端子との接続と、複数の前記第２分波回路のうちのいずれか１つの第２分波回路と前記第２アンテナ端子との接続と、を切り替えるように構成され、前記基板に配置されたスイッチ、をさらに備え、
前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記スイッチの位置との間である、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記基板において、前記第１増幅回路の位置は、前記基板の対角線の一方端側であり、
前記基板において、前記第２分波回路の位置は、前記対角線の他方端側である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記基板は、他の基板に実装されるための基板実装用電極を有する第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを備え、
前記第２受信端子は、前記第１主面に配置され、
前記基板の平面視において、前記第２分波回路の領域と、前記第２受信端子の領域とは重複する、
請求項１〜３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記基板において前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間に配置されるビア導体をさらに備える、
請求項１〜４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記第２分波回路は、前記第２増幅回路に接続される送信側端子と、前記第２受信端子に接続される受信側端子とを有し、
前記基板において、前記送信側端子の位置は、前記受信側端子の位置より前記第１増幅回路側である、
請求項１〜５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記基板において、複数の前記第２分波回路の各送信側端子の各位置は、各受信側端子の各位置より前記第１増幅回路側である、
請求項６に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する通信方法として、例えばキャリアアグリゲーションが知られている。キャリアアグリゲーションに対応する高周波モジュールとしては、アンテナと、受信回路と、送信信号を増幅する増幅回路と、分波回路とを帯域毎に必要とする。【０００３】
キャリアアグリゲーションを実現する高周波モジュールを小型化すると、各帯域のアイソレーション特性が低下する。具体的には、高周波モジュールを小型化すると、低域用の増幅回路で増幅された送信信号の高調波が高域用の受信回路へ漏洩しやすくなる。【０００４】
そこで、特許文献１に記載された高周波モジュールは、低域用の増幅回路に含まれる整合回路を基板内部のグランドパターンに接続せず、基板裏面のグランド端子に接続することにより、基板内部のグランドパターンを介して送信信号の高調波が高域用の受信回路へ漏洩することを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２４２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された高周波モジュールは、グランドパターンを介した漏洩のみに有効であり、その他の経路を介した漏洩を抑制することができない。具体的には、高周波モジュールでは、素子間及び伝送線路間に電磁界結合及び静電結合（以下、単に結合と称す。）が生じることがある。高周波モジュールが小型化されると、素子間及び伝送線路間に結合が生じやすくなり、当該結合による経路が形成されやすくなる。特許文献１に記載された高周波モジュールは、当該結合による経路を介した漏洩を抑制することができない。【０００７】
そこで、本発明の目的は、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する高周波モジュールであって、各帯域のアイソレーション特性を向上させた高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
高周波モジュールは、第１帯域（例えば９００ＭＨｚを含む帯域）で信号を送受信するように構成された第１送受信部と、第１帯域より高い第２帯域（１，８００ＭＨｚを含む帯域）で信号を送受信するように構成された第２送受信部とが基板に配置されたものである。【０００９】
具体的には、第１送受信部は、第１アンテナに接続される第１アンテナ端子と、受信回路に接続される第１受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第１増幅回路と、前記第１増幅回路が増幅した前記第１帯域内の送信信号を前記第１アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第１アンテナ端子からの前記第１帯域内の受信信号を前記第１受信端子へ通過させるように構成された第１分波回路とを有す。第２送受信部は、第２アンテナに接続される第２アンテナ端子と、受信回路に接続される第２受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第２増幅回路と、前記第２増幅回路が増幅した前記第２帯域内の送信信号を前記第２アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第２アンテナ端子からの前記第２帯域内の受信信号を前記第２受信端子へ通過させるように構成された第２分波回路とを有す。【００１０】
また、第１送受信部及び第２送受信部は、アンテナ側と送受信回路側とのインピーダンス整合のために、それぞれ整合回路を含んでもよい。【００１１】
第１分波回路は、中心周波数が９００ＭＨｚの送信信号を第１アンテナ端子へ出力し、中心周波数が９４０ＭＨｚの第１アンテナ端子からの受信信号を第１受信端子へ出力するように、例えば複数のＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｆｉｌｔｅｒ）フィルタで構成される。同様に、第２分波回路も、１，８００ＭＨｚを含む帯域で信号を分波するように、複数のＳＡＷフィルタで構成される。【００１２】
本発明の高周波モジュールでは、前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間である。【００１３】
このような回路の配置では、第１増幅回路と第２分波回路とが空間的に第１分波回路を介すので、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、第２分波回路を介した第２アンテナ端子から第２受信端子への経路との間の空間に結合（電磁界結合及び静電結合）が生じにくくなる。例えば、この配置では、第１増幅回路を実現するためのアンプ素子と、第２分波回路を実現するための素子との間の空間に結合が生じにくくなる。ただし、当該空間とは、基板外部の空間（例えば基板表面）に限らず、基板内部の空間も含む。【００１４】
その結果、例えば、第１送受信部の送信信号（中心周波数が９００ＭＨｚ）の高調波であって、第２分波回路の通過帯域に含まれる高調波が発生しても、本発明の高周波モジュールは、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、第２分波回路を介した第２アンテナ端子から第２受信端子への経路との間の空間に結合が生じにくくなるので、当該２倍高調波の第２受信端子への漏洩を抑制でき、第１帯域及び第２帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。【００１５】
また、複数の前記第１分波回路のうちのいずれか１つの第１分波回路と前記第１アンテナ端子との接続と、複数の前記第２分波回路のうちのいずれか１つの第２分波回路と前記第２アンテナ端子との接続と、を切り替えるように構成されたスイッチであって、前記基板に配置された前記スイッチ、をさらに備え、前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記スイッチの位置との間であってもよい。【００１６】
この構成では、第１増幅回路とスイッチとが空間的に第１分波回路を介すので、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、スイッチを介した第２アンテナ端子から第２分波回路への経路との間の空間に結合がさらに生じにくくなる。【００１７】
また、前記基板において、前記第１増幅回路の位置は、前記基板の対角線の一方端側であり、前記基板において、前記第２分波回路の位置は、前記対角線の他方端側であってもよい。【００１８】
すなわち、この構成は、基板において第１増幅回路と第２分波回路の距離を長くすることで、上述の結合が生じることをさらに抑制できる。【００１９】
また、前記基板は、他の基板に実装されるための基板実装用電極を有する第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを備え、前記第２受信端子は、前記第１主面に配置され、前記基板の平面視において、前記第２分波回路の領域と、前記第２受信端子の領域とは重なってもよい。【００２０】
例えば、基板の平面視において、第２分波回路の第２受信端子に接続されるＲＸ端子と、受信回路に接続される第２受信端子とを対向するようにそれぞれ配置する。この構成は、第２分波回路のＲＸ端子と第２受信端子との配線がより短くなるので、上述の結合が生じることをさらに抑制できる。【００２１】
また、前記基板において前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間に配置されるビア導体をさらに備えてもよい。【００２２】
第１増幅回路と第２分波回路とがビア導体を介するので、上述の結合が生じることをさらに抑制できる。【００２３】
また、前記第２分波回路は、前記第２増幅回路に接続される送信側端子と、前記第２受信端子に接続される受信側端子とを有し、前記基板において、前記送信側端子の位置は、前記受信側端子の位置より前記第１増幅回路側であってもよい。【００２４】
また、全ての第２分波回路において、各送信側端子の各位置は、各受信側端子の各位置より前記第１増幅回路側であってもよい。【００２５】
換言すれば、第２受信端子に接続される受信側端子は、第１増幅回路から遠ざけられるように配置される。このように第２分波回路の各端子を配置することにより、上述の結合が生じることさらに抑制できる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明の高周波モジュールは、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信しても、各帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態１に係る高周波モジュールの回路例を示す図である。
【図２】実施形態１に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図である。
【図３】実施形態１に係る高周波モジュールの下面（基板実装面）図である。
【図４】（Ａ）は、実施形態１に係る高周波モジュールの変形例に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図であり、（Ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
【図５】実施形態２に係る高周波モジュールの低域側の回路例を示す図である。
【図６】実施形態２に係る高周波モジュールの高域側の回路例を示す図である。
【図７】実施形態２に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
実施形態１に係る高周波モジュール１００の概要について、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格で信号（例えば７００ＭＨｚ〜２，７００ＭＨｚの信号）を送受信するものである。高周波モジュール１００は、信号の送受信のために、送信信号の増幅、周波数分割による送信信号と受信信号との分波、及び通信の帯域切替を行う。高周波モジュール１００は、キャリアアグリゲーションを実現する。すなわち、高周波モジュール１００は、複数の帯域の信号を同時に無線で送受信する。
【００２９】
次に、高周波モジュール１００の詳細について、図１を用いて説明する。図１は、高周波モジュール１００の回路例を示す図である。
【００３０】
図１に示すように、高周波モジュール１００は、低域送受信部１０と、高域送受信部２０とを備える。
【００３１】
低域送受信部１０は、入力端子Ｐ１０と、第１アンテナ端子Ｐ１７とを備える。入力端子Ｐ１０には、低域の送信信号が入力される。第１アンテナ端子Ｐ１７は、低域用のアンテナＡＮＴ１に接続される。高域送受信部２０は、入力端子Ｐ２０と、第２アンテナ端子Ｐ２７とを備える。入力端子Ｐ２０には、高域の送信信号が入力される。第２アンテナ端子Ｐ２７は、高域用のアンテナＡＮＴ２に接続される。
【００３２】
本実施形態では、一例として、低域送受信部１０が送受信する第１帯域の信号の帯域を６００ＭＨｚ〜１，０００ＭＨｚとし、高域送受信部２０が送受信する第２帯域の信号の帯域を１，６００ＭＨｚ〜２，７００ＭＨｚとして説明する。
【００３３】
低域送受信部１０は、増幅回路１１と、整合回路１２と、サブスイッチ１３と、複数のデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５と、メインスイッチ１６と、を備える。
【００３４】
増幅回路１１は、入力端子Ｐ１０に入力された低域（６００ＭＨｚ〜１，０００ＭＨｚ）の送信信号を増幅し、増幅後の送信信号を整合回路１２へ出力する。整合回路１２は、例えばインダクタ及びキャパシタを備え、第１アンテナＡＮＴ１側と、増幅回路１１側との間でインピーダンスを整合する。
【００３５】
サブスイッチ１３は、共通端子Ｐ１３と、複数の個別端子Ｐ１３４，Ｐ１３５とを備える。共通端子Ｐ１３は、整合回路１２に接続される。個別端子Ｐ１３４は、デュプレクサ１４に接続される。個別端子Ｐ１３５は、デュプレクサ１５に接続される。
【００３６】
メインスイッチ１６は、サブスイッチ１３との組により、整合回路１２と第１アンテナＡＮＴ１との経路に用いられるデュプレクサをデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５から選択するために、整合回路１２といずれかのデュプレクサとの接続と、該デュプレクサと第１アンテナ端子Ｐ１７との接続と、を切り替える。ただし、切替は、制御ＩＣ２２１（図２を参照）から出力される制御信号に基づく。
【００３７】
デュプレクサ１４は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９（８００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ１４は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ１４は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ１４と、受信側フィルタＳｒ１４と、を備える。受信側フィルタＳｒ１４は、平衡−不平衡変換機能を有する。
【００３８】
デュプレクサ１４の共通端子は、メインスイッチ１６の個別端子Ｐ１６４に接続される。デュプレクサ１４の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ１４と、サブスイッチ１３の個別端子Ｐ１３４とが接続される。デュプレクサ１４の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ１４と、受信端子Ｐ１４とが接続される。受信端子Ｐ１４は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
【００３９】
送信側フィルタＳｔ１４は、例えばＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタであり、８３０ＭＨｚ〜８４５ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ１４は、例えばＳＡＷフィルタであり、８７５ＭＨｚ〜８９０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。なお、ＳＡＷフィルタにかえて、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタを用いることができる。
【００４０】
デュプレクサ１５は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１７（７００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ１５は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ１５は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ１５と、受信側フィルタＳｒ１５と、を備える。受信側フィルタＳｒ１５は、平衡−不平衡変換機能を有する。
【００４１】
デュプレクサ１５の共通端子は、メインスイッチ１６の個別端子Ｐ１６５に接続される。デュプレクサ１５の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ１５と、サブスイッチ１３の個別端子Ｐ１３５とが接続される。デュプレクサ１５の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ１５と、受信端子Ｐ１５とが接続される。受信端子Ｐ１５は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
【００４２】
送信側フィルタＳｔ１５は、例えばＳＡＷフィルタであり、７０４ＭＨｚ〜７１６ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ１５は、例えばＳＡＷフィルタであり、７３４ＭＨｚ〜７４６ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
【００４３】
メインスイッチ１６の共通端子Ｐ１６は、第１アンテナ端子Ｐ１７に接続される。第１アンテナＡＮＴ１は、低域の信号の送受信に適した形状である。
【００４４】
高域送受信部２０は、低域送受信部１０と同様の構成を備え、送受信する信号の帯域が互いに異なる。高域送受信部２０は、増幅回路２１と、整合回路２２と、サブスイッチ２３と、複数のデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５と、メインスイッチ２６と、を備える。
【００４５】
増幅回路２１は、入力端子Ｐ２０に入力された高域（１，６００ＭＨｚ〜２，７００ＭＨｚ）の送信信号を増幅し、増幅後の送信信号を整合回路２２へ出力する。整合回路２２は、例えばインダクタ及びキャパシタを備え、第２アンテナＡＮＴ２側と、増幅回路２１側との間でインピーダンスを整合する。
【００４６】
サブスイッチ２３は、共通端子Ｐ２３と、複数の個別端子Ｐ２３４，Ｐ２３５とを備える。共通端子Ｐ２３は、整合回路２２に接続される。個別端子Ｐ２３４は、デュプレクサ２４に接続される。個別端子Ｐ２３５は、デュプレクサ２５に接続される。
【００４７】
メインスイッチ２６は、サブスイッチ２３との組により、整合回路２２と第２アンテナＡＮＴ２との接続経路に用いられるデュプレクサをデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５から選択するために、整合回路２２といずれかのデュプレクサとの接続と、該デュプレクサと第２アンテナ端子Ｐ２７との接続と、を切り替える。ただし、切替は、制御ＩＣ２２１から出力される制御信号に基づく。
【００４８】
デュプレクサ２４は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１（２，１００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ２４は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ２４は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ２４と、受信側フィルタＳｒ２４と、を備える。受信側フィルタＳｒ２４は、平衡−不平衡変換機能を有する。
【００４９】
デュプレクサ２４の共通端子は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６４に接続される。デュプレクサ２４の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ２４と、サブスイッチ２３の個別端子Ｐ２３４とが接続される。デュプレクサ２４の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ２４と、受信端子Ｐ２４とが接続される。受信端子Ｐ２４は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
【００５０】
送信側フィルタＳｔ２４は、例えばＳＡＷフィルタであり、１，９２０ＭＨｚ〜１，９８０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ２４は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，１１０ＭＨｚ〜２，１７０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
【００５１】
デュプレクサ２５は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ７（２，６００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ２５は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ２５は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ２５と、受信側フィルタＳｒ２５と、を備える。受信側フィルタＳｒ２５は、平衡−不平衡変換機能を有する。
【００５２】
デュプレクサ２５の共通端子は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６５に接続される。デュプレクサ２５の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ２５と、サブスイッチ２３の個別端子Ｐ２３５とが接続される。デュプレクサ２５の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ２５と、受信端子Ｐ２５とが接続される。受信端子Ｐ２５は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
【００５３】
送信側フィルタＳｔ２５は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，５００ＭＨｚ〜２，５７０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ２５は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，６２０ＭＨｚ〜２，６９０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
【００５４】
メインスイッチ２６の共通端子Ｐ２６は、第２アンテナ端子Ｐ２７に接続される。第２アンテナＡＮＴ２は、高域の信号の送受信に適した形状で形成される。
【００５５】
高周波モジュール１００の動作について、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９で送受信する例で説明する。ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９で送受信する場合、制御ＩＣ２２１は、デュプレクサ１４を介して送信信号を第１アンテナＡＮＴ１へ出力するために、サブスイッチ１３及びメインスイッチ１６の接続を切り替える制御を行う。具体的には、制御ＩＣ２２１は、共通端子Ｐ１３と個別端子Ｐ１３４とを接続させ、共通端子Ｐ１６と個別端子Ｐ１６４とを接続させる制御信号を、サブスイッチ１３及びメインスイッチ１６へ出力する。
【００５６】
入力端子Ｐ１０に入力された送信信号は、増幅回路１１で増幅された後、整合回路１２、サブスイッチ１３、及びデュプレクサ１４の送信側フィルタＳｔ１４を順に通過することで、７０４ＭＨｚ〜７１６ＭＨｚの周波数成分が主な周波数成分となるように濾波される。その後、送信信号は、メインスイッチ１６、及び第１アンテナ端子Ｐ１７を順に通過し、第１アンテナＡＮＴ１へ出力される。
【００５７】
ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９の受信について、第１アンテナＡＮＴ１が受信した受信信号は、第１アンテナ端子Ｐ１７、及びメインスイッチ１６を順に通過し、デュプレクサ１４に入力される。受信信号は、受信側フィルタＳｒ１４によって、８７５ＭＨｚ〜８９０ＭＨｚの周波数成分が受信端子Ｐ１４へ出力される。
【００５８】
高周波モジュール１００は、キャリアアグリゲーションを実現するため、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９以外のｂａｎｄでも同時に信号を無線で送受信する。以下、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９と同時に信号を送受信するｂａｎｄをｂａｎｄ１として説明する。ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１で信号を送受信する場合、制御ＩＣ２２１は、デュプレクサ２４を介して送信信号を第２アンテナＡＮＴ２へ出力するために、サブスイッチ２３及びメインスイッチ２６の接続を切り替える制御を行う。具体的には、制御ＩＣ２２１は、共通端子Ｐ２３と個別端子Ｐ２３４とを接続させ、共通端子Ｐ２６と個別端子Ｐ２６４とを接続させる制御信号を、サブスイッチ２３及びメインスイッチ２６へ出力する。
【００５９】
入力端子Ｐ２０に入力された送信信号は、増幅回路２１で増幅された後、整合回路２２、サブスイッチ２３、及びデュプレクサ２４の送信側フィルタＳｔ２４を順に通過することで、１，９２０ＭＨｚ〜１，９８０ＭＨｚの周波数成分が主な周波数成分となるように濾波される。その後、送信信号は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６４、共通端子Ｐ２６、及び第２アンテナ端子Ｐ２７を順に通過し、第２アンテナＡＮＴ２へ出力される。
【００６０】
ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１の受信について、第２アンテナＡＮＴ２が受信した受信信号は、第２アンテナ端子Ｐ２７、メインスイッチ２６を順に通過し、デュプレクサ２４に入力される。受信信号は、受信側フィルタＳｒ２４によって、２，１１０ＭＨｚ〜２，１７０ＭＨｚの周波数成分が受信端子Ｐ２４へ出力される。
【００６１】
以上のように、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９（低域）とｂａｎｄ１（高域）とにおいて同時に信号を無線で送受信する。同様に、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１７とｂａｎｄ７とにおいて同時に信号を無線で送受信する。なお、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格以外の規格（例えばＷ−ＣＤＭＡ規格）で信号を送受信する送受信部を備えてもよい。
【００６２】
次に、本実施形態に係る高周波モジュール１００は、以下に示す特徴的な構造により、増幅回路１１から出力された低域の送信信号の高調波が高域送受信部２０の受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩することを抑制する。図２は、高周波モジュール１００の上面（素子実装面）図である。図２において点線は、基板２００の各領域を示すための仮想の線である。
【００６３】
高周波モジュール１００は、図２に示すように、図１の回路例を実現する各素子が、基板２００に配置されてなる。各素子は、基板２００の領域毎に配置される。
【００６４】
具体的には、基板２００は、図２に示すように、領域２０１と、領域２０３と、領域２０５と、領域２０７と、領域２０９とを有す。
【００６５】
領域２０１には、図１の回路例に示す増幅回路１１、整合回路１２、及びサブスイッチ１３を実現する各素子が配置される。具体的には、領域２０１には、アンプ素子２１１と、複数のチップ素子（例えば抵抗、キャパシタ、及びインダクタ等のいずれか）２１２と、スイッチＩＣ２１３とが配置される。ただし、アンプ素子２１１及びスイッチＩＣ２１３は、それぞれ領域２０３に跨って配置される。
【００６６】
増幅回路１１は、領域２０１において、アンプ素子２１１と複数のチップ素子２１２とで実現される。整合回路１２は、領域２０１において、チップ素子２１２で実現される。サブスイッチ１３は、領域２０１において、スイッチＩＣ２１３で実現される。
【００６７】
領域２０３には、図１の回路例に示す増幅回路２１、整合回路２２、及びサブスイッチ２３を実現する各素子が配置される。増幅回路２１は、領域２０３において、アンプ素子２１１と複数のチップ素子２１２とで実現される。整合回路２２は、領域２０３において、チップ素子２１２で実現される。サブスイッチ２３は、領域２０３において、スイッチＩＣ２１３で実現される。
【００６８】
領域２０５には、図１の回路例に示すデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５が配置される。実際の高周波モジュール１００が低域用の３以上のデュプレクサを備えるので、領域２０５には、デュプレクサ１４及びデュプレクサ１５以外のデュプレクサＤＵＰも配置される。
【００６９】
領域２０７には、図１の回路例に示すデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５が配置される。実際の高周波モジュール１００が高域用の３以上のデュプレクサを備えるので、領域２０７には、デュプレクサ２４及びデュプレクサ２５以外のデュプレクサＤＵＰも配置される。
【００７０】
領域２０９には、図１の回路例に示すメインスイッチ１６及びメインスイッチ２６を実現するスイッチＩＣ２１４が配置される。
【００７１】
図２に示すように、領域２０１は、基板２００の上面図において、−Ｘ側かつ＋Ｙ側の基板２００の隅に配置される。領域２０３は、基板２００において領域２０１の−Ｙ側に配置される。領域２０７は、＋Ｘ側かつ−Ｙ側の基板２００の隅に配置される。すなわち、基板２００の平面視において、領域２０７の位置は、基板２００の対角線の一方端側であり、領域２０１の位置は、当該対角線の他方端側である。領域２０７は、Ｙ方向に長く、＋Ｘ側かつ＋Ｙ側の基板２００の隅近くまで延伸する。領域２０９は、基板２００において、領域２０７の−Ｘ側であって、基板２００の−Ｙ側の縁に沿って配置される。領域２０９のＹ方向の長さは、領域２０７のＹ方向の長さより短い。
【００７２】
ここで、基板２００において、領域２０５の位置は、領域２０１の位置と、領域２０７の位置との間である。具体的には、図２に示すように、領域２０５は、領域２０９の＋Ｙ側の境界から基板２００の＋Ｙ側の縁まで延伸する領域２０５１と、＋Ｘ側かつ＋Ｙ側の基板２００の隅の領域２０５２とを有す。すなわち、基板２００において、領域２０５１の位置は、領域２０７の位置と、領域２０１の位置との間である。これにより、基板２００において、領域２０５１に配置されるデュプレクサ（デュプレクサ１４，１５を含む）の各位置は、領域２０７に配置されるデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５の各位置と、領域２０１に配置されるアンプ素子２１１及びスイッチＩＣ２１３の各位置との間になる。これにより、増幅回路１１からサブスイッチ１３への経路Ｌと、デュプレクサ２４を介したメインスイッチ２６の共通端子Ｐ２６から受信端子Ｐ２４への経路Ｈ１とは、領域２０５１に配置される低域用のデュプレクサを空間的に介すようになる。ただし、空間的に介することとは、基板２００の外部（例えば基板２００の上面よりＹ方向の空間）においてのみ経路Ｌと経路Ｈ１とが低域用のデュプレクサを介することだけでなく、基板２００の内部においても経路Ｌと経路Ｈ１とが低域用のデュプレクサを含む経路を介すことを含む。
【００７３】
ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９とｂａｎｄ１とで高周波信号を送受信する場合、経路Ｌと経路Ｈ１とが低域用のデュプレクサを空間的に介すので、経路Ｌと経路Ｈ１との間の空間に電磁界結合及び静電結合（以下、単に結合と称す。）が生じにくくなる。すなわち、経路Ｌ及び経路Ｈ１に含まれる素子及び伝送線路について、これら素子間及び伝送線路間に結合が生じにくくなる。例えば、経路Ｌに含まれるアンプ素子２１１と経路Ｈ１に含まれるデュプレクサ２４との間の空間に結合が生じにくくなる。
【００７４】
その結果、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９の送信信号（８３０ＭＨｚ〜８４５ＭＨｚの信号）の高調波が増幅回路１１から出力され、当該高調波がデュプレクサ２４の受信側フィルタＳｒ２４の通過帯域（２，１１０ＭＨｚ〜２，１７０ＭＨｚ）の周波数成分を含む場合であっても、本実施形態に係る高周波モジュール１００は、経路Ｌ及び経路Ｈ１の結合を介して、当該高調波が受信端子Ｐ２４へ漏洩することを抑制でき、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１とｂａｎｄ１９とのアイソレーション特性を向上させることができる。
【００７５】
同様に、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１７とｂａｎｄ７とで同時に信号を送受信する場合においても、経路Ｌと、デュプレクサ２５を介した共通端子Ｐ１６から受信端子Ｐ２５への経路Ｈ２とは、低域用のデュプレクサを空間的に介すので、間の空間に結合が生じにくくなる。
【００７６】
また、高周波モジュール１００は、領域２０５２が領域２０７の＋Ｙ側に配置されることで、経路Ｌと経路Ｈ１，Ｈ２との結合であって、領域２０７の＋Ｙ側の空間で生じる結合も抑制することができる。
【００７７】
また、基板２００において、領域２０５の領域２０５１の位置は、領域２０９の位置から領域２０１側である。すなわち、領域２０５１に配置されるデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５の各位置は、領域２０９に配置されるスイッチＩＣ２１４の位置から、領域２０１に配置されるアンプ素子２１１側である。
【００７８】
これにより、増幅回路１１からサブスイッチ１３への経路Ｌと、メインスイッチ２６を介した第２アンテナ端子Ｐ２７からデュプレクサ２４への経路Ｈ３との間の空間に結合が生じにくくなる。同様に、経路Ｌと、メインスイッチ２６を介した第２アンテナ端子Ｐ２７からデュプレクサ２５への経路Ｈ４との間の空間に結合が生じにくくなる。これにより、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格の各ｂａｎｄのアイソレーション特性を向上させることができる。
【００７９】
さらに、本実施形態に係る高周波モジュール１００は、デュプレクサ２５の向きを以下のように調整することで、ＬＴＥ規格の各ｂａｎｄのアイソレーション特性をさらに向上させることができる。
【００８０】
デュプレクサ２５は、図２に示すように、受信端子Ｐ２５に接続されるＲＸ端子２５１と、サブスイッチ２３及び整合回路２２を順に介して増幅回路２１に接続されるＴＸ端子２５２とを備える。ＲＸ端子２５１は、デュプレクサ２５においてＸ側に配置される。ＴＸ端子２５２は、デュプレクサ２５において−Ｘ側に配置される。すなわち、ＲＸ端子２５１は、領域２０１に実現される増幅回路１１から遠ざけられるように配置される。これにより、デュプレクサ２５において、ＲＸ端子２５１が領域２０１に実現される増幅回路１１から遠ざけるように配置されるので、経路Ｌとデュプレクサ２５から受信端子Ｐ２５への経路との間の空間に結合が生じにくくなる。
【００８１】
同様に、デュプレクサ２５のみならず、領域２０７に配置される全てのデュプレクサについてもＲＸ端子を領域２０１と反対側に位置するように各デュプレクサを配置してもよい。
【００８２】
また、図３の基板２００の下面（基板実装面）図に示すように、基板２００は、メイン基板（不図示）に実装されるための複数の電極２６１と、複数のグランド電極２６２とを備える。基板２００の平面視において、電極２６１Ａの領域は、デュプレクサ２５のＲＸ端子２５１の領域と重なる。この電極２６１Ａは、受信端子Ｐ２５を実現するものであり、メイン基板の受信回路に接続される。ＲＸ端子２５１と電極２６１Ａとを重なるように配置すれば、ＲＸ端子２５１と受信端子Ｐ２５との経路はより短くなる。ただし、図３は、基板２００の上面に配置されるデュプレクサ２５を点線に示している。
【００８３】
ＲＸ端子２５１と受信端子Ｐ２５との経路がより短くなるので、経路Ｌと、ＲＸ端子２５１から受信端子Ｐ２５への経路との間の空間に結合が生じにくくなる。なお、基板２００の平面視において、ＲＸ端子２５１の領域と電極２６１Ａの領域とが重なる配置に限らず、デュプレクサ２５の領域と電極２６１Ａの領域とが重なる配置であっても、ＲＸ端子２５１と受信端子Ｐ２５との経路は短くなる。
【００８４】
同様に、領域２０７内の他のデュプレクサについても、基板２００の平面視において、各ＲＸ端子の領域と基板２００の下面のいずれかの電極２６１の領域とが重なるように各デュプレクサを配置してもよい。
【００８５】
なお、本実施形態では、低域と高域との２つの帯域で同時に信号を送受信する高周波モジュール１００について説明したが、本実施形態は、互いに異なる３つ以上の帯域で同時に信号を送受信する高周波モジュールであっても構わない。例えば低域（６００ＭＨｚ〜１，０００ＭＨｚ）の送信信号の高調波が中域（１，４００ＭＨｚ〜１，６００ＭＨｚ）の周波数成分を含む場合であっても、基板２００において低域用のデュプレクサを低域用の増幅回路と中域用のデュプレクサとの間に配置することにより、各帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。
【００８６】
次に、高周波モジュール１００の変形例１に係る高周波モジュール１００Ａについて、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を用いて説明する。図４（Ａ）は、高周波モジュール１００Ａの上面図である。図４（Ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。ただし、図４（Ａ）において、一点破線は、ビア導体が配置される位置を示すための仮想の線である。
【００８７】
高周波モジュール１００Ａは、領域２０５を区画するように、多層基板である基板２００にビア導体が設けられる点について、図２、及び図３に示す高周波モジュール１００と相違する。その他の重複する構成の説明は省略する。
【００８８】
具体的には、図４（Ａ）に示すように、仮想線９００は、領域２０５１及び領域２０９からなる領域と、領域２０１と、を区画するように設定される。仮想線９０１は、領域２０７と、領域２０５及び領域２０９からなる領域と、を区画するように設定される。
【００８９】
図４（Ｂ）のＡ−Ａ断面図に示すように、基板２００の内部には、複数のビア導体と、複数の内部配線とがそれぞれ配置される。
【００９０】
具体的には、ビア導体２７１は、図４（Ｂ）に示すように、基板２００内部においてＺ方向に延伸するように形成される。このビア導体２７１は、仮想線９００に沿って配置される複数のビア導体のうちの１つのビア導体である。ビア導体２７１は、内部配線２７２及び他のビア導体を介して、基板２００の下面のグランド電極２６２Ａに接続される。
【００９１】
同様に、ビア導体２７３は、図４（Ｂ）に示すように、基板２００内部においてＺ方向に延伸するように形成される。このビア導体２７３は、仮想線９０１に沿って配置される複数のビア導体のうちの１つのビア導体である。ビア導体２７３は、内部配線２７４及び他のビア導体を介して、基板２００の下面のグランド電極２６２Ａに接続される。
【００９２】
各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、素子間及び伝送線路間に生じる結合を抑制するためのものである。各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、低域送受信部１０及び高域送受信部２０の各構成と電気的に分離される。従って、各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、高周波モジュール１００Ａによる信号の送受信に影響を与えないものである。同様に、各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３をグランド電極２６２Ａに接続するための各内部配線２７２及び各内部配線２７４も、低域送受信部１０及び高域送受信部２０の各構成と電気的に分離され、高周波モジュール１００Ａによる信号の送受信に影響を与えないものである。
【００９３】
制御ＩＣ２２１及びデュプレクサＤＵＰは、各端子が基板２００の上面の各実装電極に接続されることで、基板２００に実装される。各実装電極は、図４（Ｂ）に示すように、ビア導体２７５及び内部配線２７６を介してグランド電極２６２Ｂ又は電極２６１に接続される。グランド電極２６２Ｂは、基板２００では、グランド電極２６２Ａと接続されない。すなわち、デュプレクサＤＵＰ等の信号の送受信に必要な素子のグランドパターンは、基板２００では、グランド電極２６２Ａ及びグランド電極２６２Ｂを介して、信号の送受信に影響を与えないビア導体２７１及びビア導体２７３のグランドパターンに接続されない。
【００９４】
高周波モジュール１００Ａは、増幅回路１１が実現される領域２０１と、デュプレクサ２４，２５が配置される領域２０７とが複数のビア導体２７１及び複数のビア導体２７３を介すので、増幅回路１１からサブスイッチ１３への経路Ｌと、デュプレクサ２４，２５を介したメインスイッチ２６から受信端子Ｐ２４，Ｐ２５への経路Ｈ１，Ｈ２との間の空間に結合が生じることをさらに抑制する。
【００９５】
また、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波は、デュプレクサＤＵＰ等の信号の送受信に必要な素子のグランドパターンが、基板２００において信号の送受信に影響を与えないビア導体２７１及びビア導体２７３のグランドパターンに接続されないので、ビア導体２７１及びビア導体２７３を含むグランドパターンを介して受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩しにくくなる。
【００９６】
また、各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、それぞれ内部配線２７２，２７４を介さず直接的にグランド電極２６２Ａに接続されてもよい。これにより、上述の結合はさらに抑制される。
【００９７】
ただし、高周波モジュール１００Ａは、仮想線９００及び仮想線９０１のいずれか一方の線にのみ沿って複数のビア導体が配置される態様であっても構わない。
【００９８】
高周波モジュール１００Ａでは、複数のビア導体２７１及び複数のビア導体２７３が上述の結合を抑制したが、ビア導体以外の構成であっても上述の結合を抑制できる。
【００９９】
例えば、図４（Ｃ）の断面図に示すように、高周波モジュール１００Ｂでは、基板２００内部においてＺ方向に延伸する複数のビア導体２８１と、Ｘ方向に隣り合う２つのビア導体２８１を互いに接続するワイヤボンディング２８２とを形成する。これにより、基板２００の下面側が開口したコの字形状の複数の導体２８３が形成される。
【０１００】
このように、コの字形状の複数の導体２８３を基板２００に形成することで、基板２００の面方向に平行な方向であって、複数の導体２８３の配列方向（つまり、図４（ｃ）におけるｘ軸方向）と直交する方向が、各軸方向となる複数のインダクタが形成される。これにより、経路間の当該軸方向への結合はさらに生じにくくなる。
【０１０１】
次に、実施形態２に係る高周波モジュール１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅについて、図５〜７を用いて説明する。図５は、高周波モジュール１００Ｃの回路例を示す図である。図６は、高周波モジュール１００Ｄの回路例を示す図である。図７は、基板２００に高周波モジュール１００Ｃ、及び１００Ｄを実装した場合の上面（素子実装面）図である。ただし、図５は、低域の信号の送受信を行う回路例であり、図６は、高域の信号の送受信を行う回路例である。
【０１０２】
高周波モジュール１００Ｃは、高周波モジュール１００に対して、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ。登録商標。）規格で信号を送受信する低域送受信部３０と、低域送受信部４１０とを備えたものである。高周波モジュール１００Ｄは、高周波モジュール１００に対して、ＧＳＭ（登録商標。）規格で信号を送受信する高域送受信部２０と、高域送受信部４０とを備えたものである。高周波モジュール１００Ｅは、基板２００において、ＧＳＭ規格用の低域送受信部３０の回路構成を、ＬＴＥ規格用の低域送受信部１０の増幅回路１１の位置と、ＬＴＥ規格用の高域送受信部２０の増幅回路２１の位置との間に配置することで、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波の増幅回路２１への漏洩を抑制する。高周波モジュール１００と重複する構成の説明は省略する。
【０１０３】
高周波モジュール１００Ｅは、高周波モジュール１００Ｃ及び高周波モジュール１００Ｅの実相体であり、ＬＴＥ規格用の低域送受信部１０と、ＬＴＥ規格用の高域送受信部２０と、ＧＳＭ規格用の低域送受信部３０と、ＧＳＭ規格用の高域送受信部４０とを備える。
【０１０４】
低域送受信部３０は、ＧＳＭ９００規格（９００ＭＨｚの帯域）で信号を送受信する。具体的には、低域送受信部３０は、図５に示すように、入力端子Ｐ３０と、増幅回路３１と、整合回路３２と、送信フィルタ３３と、ＳＡＷフィルタ３４と、を備える。
【０１０５】
増幅回路３１は、入力端子Ｐ３０に入力された信号を増幅する。増幅回路３１が増幅した信号は、整合回路３２を介して送信フィルタ３３に入力される。送信フィルタ３３は、ＧＳＭ９００規格の送信信号を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信フィルタ３３の出力側は、メインスイッチ１６Ｃの個別端子Ｐ１６１に接続される。
【０１０６】
ＳＡＷフィルタ３４は、平衡−不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタ３４は、一方端がメインスイッチ１６Ｃの個別端子Ｐ１６２に接続され、平衡端子である他方端が受信端子Ｐ３４に接続される。受信端子Ｐ３４は、高周波モジュール１００Ｃが実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
【０１０７】
高域送受信部４０は、ＧＳＭ１８００（１，８００ＭＨｚの帯域）規格及びＧＳＭ１９００規格（１，９００ＭＨｚの帯域）で信号を送受信する。具体的には、高域送受信部４０は、図６に示すように、入力端子Ｐ４０と、増幅回路４１と、整合回路４２と、送信フィルタ４３と、ダイプレクサ４４と、を備える。
【０１０８】
増幅回路４１は、入力端子Ｐ４０に入力された信号を増幅する。増幅回路４１が増幅した信号は、整合回路４２を介して送信フィルタ４３に入力される。送信フィルタ４３は、ＧＳＭ１８００規格及びＧＳＭ１９００規格の送信信号の帯域を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信フィルタ４３の出力側は、メインスイッチ２６Ｃの個別端子Ｐ２６１に接続される。
【０１０９】
ダイプレクサ４４は、ＳＡＷフィルタＳｒ４４１と、ＳＡＷフィルタＳｒ４４２とを備える。ＳＡＷフィルタＳｒ４４１は、ＧＳＭ１８００規格の受信信号の帯域を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳｒ４４１は、一方端がメインスイッチ２６Ｃの個別端子Ｐ２６２に接続され、他方端が受信端子Ｐ４４１に接続される。受信端子Ｐ４４１は、高周波モジュール１００Ｄが実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。ＳＡＷフィルタＳｒ４４２は、ＧＳＭ１９００規格の受信信号の帯域を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳｒ４４２は、一方端がメインスイッチ２６Ｃの個別端子Ｐ２６３に接続され、他方端が受信端子Ｐ４４２に接続される。受信端子Ｐ４４２は、高周波モジュール１００Ｅが実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
【０１１０】
図７に示すように、高周波モジュール１００Ｅの基板２００は、領域２０１と、領域２０３Ａと、領域２０５と、領域２０７と、領域２０９と、領域２０６と、領域２０８と、を有す。
【０１１１】
領域２０３Ａは、図５の回路例に示すＧＳＭ規格の低域用の増幅回路３１を実現する各素子が配置される点において、領域２０３と相違する。具体的には、増幅回路３１は、領域２０１に跨るアンプ素子２１１と複数のチップ素子２１２とで実現される。
【０１１２】
領域２０８は、−Ｘ側かつ−Ｙ側の基板２００の隅に配置される。領域２０６は、基板２００において領域２０８の＋Ｙ側に配置される。
【０１１３】
領域２０６には、図６の回路例に示すＧＳＭ（登録商標）規格の高域用の増幅回路４１を実現する各素子が配置される。具体的には、領域２０６には、アンプ素子２９１と、複数のチップ素子２１２と、が配置される。アンプ素子２９１は、領域２０８に跨って配置される。増幅回路４１は、領域２０６において、アンプ素子２９１と複数のチップ素子２１２とで実現される。
【０１１４】
ＬＴＥ規格の高域用の増幅回路２１を実現する各素子は、領域２０８に配置される。具体的には、領域２０６に跨るアンプ素子２９１と複数のチップ素子２１２とが配置される。
【０１１５】
ＬＴＥ規格の低域用の増幅回路１１と、ＬＴＥ規格の高域用の増幅回路２１とは、ＧＳＭ（登録商標）規格の増幅回路３１，４１を介すので、増幅回路１１からサブスイッチ１３の共通端子Ｐ１３への経路Ｌと、増幅回路２１からサブスイッチ２３の共通端子Ｐ２３への経路Ｈ５との間に結合が生じにくくなる。従って、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波は、経路Ｌと経路Ｈ５との結合、サブスイッチ２３、及びデュプレクサ２４，２５を順に介して受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩しにくくなる。ただし、ＬＴＥ規格の増幅回路１１と増幅回路２１とがＧＳＭ（登録商標）規格の増幅回路３１のみを介すだけであっても経路Ｌと経路Ｈ５との間に結合が生じることを抑制することができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１０…低域送受信部
２０…高域送受信部
１１，２１…増幅回路
１２，２２…整合回路
１３，２３…サブスイッチ
１４，１５，２４，２５…デュプレクサ
１６，１６Ｃ，２６，２６Ｃ…メインスイッチ
３０…低域送受信部
４０…高域送受信部
３１，４１…増幅回路
３２，４２…整合回路
３３，４３…送信フィルタ
３４…ＳＡＷフィルタ
４４…ダイプレクサ
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ…高周波モジュール
２００…基板
２１１，２９１…アンプ素子
２１２…チップ素子
２１３，２１４…スイッチＩＣ
２２１…制御ＩＣ
２５１…ＲＸ端子
２５２…ＴＸ端子
２６１，２６１Ａ…電極
２６２，２６２Ａ，２６２Ｂ…グランド電極
２７１，２７３…ビア導体
２７２，２７４…内部配線
２７５…ビア導体
２７６…内部配線
２８１…ビア導体
２８２…ワイヤボンディング
２８３…導体
【図１】
2016104011.tif 000003
【図２】
2016104011.tif 000004
【図３】
2016104011.tif 000005
【図４】
2016104011.tif 000006
【図５】
2016104011.tif 000007
【図６】
2016104011.tif 000008
【図７】
2016104011.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１帯域内の信号を送受信するように構成された第１送受信部と、
前記第１帯域より高い第２帯域内の信号を送受信するように構成された第２送受信部と、
が基板に配置された高周波モジュールであって、
前記第１送受信部は、第１アンテナに接続される第１アンテナ端子と、受信回路に接続される第１受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第１増幅回路と、前記第１増幅回路が増幅した前記第１帯域内の送信信号を前記第１アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第１アンテナ端子からの前記第１帯域内の受信信号を前記第１受信端子へ通過させるように構成された第１分波回路とを有し、
前記第２送受信部は、第２アンテナに接続される第２アンテナ端子と、受信回路に接続される第２受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第２増幅回路と、前記第２増幅回路が増幅した前記第２帯域内の送信信号を前記第２アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第２アンテナ端子からの前記第２帯域内の受信信号を前記第２受信端子へ通過させるように構成された第２分波回路とを有し、
前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間である、
高周波モジュール。
【請求項２】
複数の前記第１分波回路のうちのいずれか１つの第１分波回路と前記第１アンテナ端子との接続を切り替えるように構成され、前記基板に配置されたスイッチＩＣ、をさらに備え、
前記基板において、
前記第１増幅回路の位置は、前記基板の第１方向の第１端部付近で、且つ、前記基板の第２方向の第２端部付近であり、
前記スイッチＩＣの位置は、前記第１方向の第１端部と異なり、且つ、前記第２方向の第２端部と反対側の前記第２方向の第１端部付近であり、
前記第１分波回路の位置は、前記第１方向において、前記スイッチＩＣの位置と重なっており、前記第２方向において、前記第１増幅回路の位置と重なっている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記基板において、前記第１増幅回路の位置は、前記基板の対角線の一方端側であり、
前記基板において、前記第２分波回路の位置は、前記対角線の他方端側である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記基板は、他の基板に実装されるための基板実装用電極を有する第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを備え、
前記第２受信端子は、前記第１主面に配置され、
前記基板の平面視において、前記第２分波回路の領域と、前記第２受信端子の領域とは重複する、
請求項１〜３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記基板において前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間に配置されるビア導体をさらに備える、
請求項１〜４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記第２分波回路は、前記第２増幅回路に接続される送信側端子と、前記第２受信端子に接続される受信側端子とを有し、
前記基板の第１方向において、前記送信側端子の位置は、前記受信側端子の位置より前記第１増幅回路側である、
請求項１〜５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記基板の第１方向において、複数の前記第２分波回路の各送信側端子の各位置は、各受信側端子の各位置より前記第１増幅回路側である、
請求項６に記載の高周波モジュール。
【国際調査報告】
2016104011.tif 000010
2016104011.tif 000011