(57)【要約】  本発明は、遮光層に依存することなく、自画素の発光部から発せられる光を受光することに起因するトランジスタの特性劣化を抑制することを目的とする。  本発明の表示装置（１０）は、発光部（２１）を含む単位画素（２０）が配置されて成る画素アレイ部（３０）と、表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非発光期間において、単位画素内の補正対象のトランジスタ（２２，２３）を導通状態にするとともに、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行う駆動部と、を備える。
2015170493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部と、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行う駆動部と、  を備える表示装置。
【請求項２】
表示期間に入る前に、単位画素のトランジスタ特性の補正を行う補正期間が設けられており、  駆動部は、補正期間に入る前に所定の電圧に基づく発光部の発光駆動を行う、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
補正対象のトランジスタは、表示信号を単位画素内に書き込む書込みトランジスタである、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
補正対象のトランジスタは、表示信号に応じて発光部を駆動する駆動トランジスタである、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
補正対象のトランジスタは、チャネル層に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタから成る、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
単位画素は、所定の電圧の印加による発光部の駆動の際に、発光部に所定の電圧を選択的に印加するスイッチ素子を有する、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
スイッチ素子は、発光部の所定の電圧が印加されるノードと、所定の電圧の電圧源との間に接続されたスイッチングトランジスタから成り、  駆動部は、補正対象のトランジスタを導通状態とするときにスイッチングトランジスタを導通状態とする、  請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
発光部の所定の電圧が印加されるノードと反対側のノードの電圧をＶcathとし、発光部の閾値電圧をＶth_ELとし、駆動トランジスタのゲート電圧をＶgとし、駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Trとするとき、所定の電圧Ｖxは、      Ｖg−Ｖth_Tr＞Ｖx＞Ｖcath＋Ｖth_ELなる条件を満足する電圧値に設定されている、  請求項４に記載の表示装置。
【請求項９】
駆動部は、単位画素が行列状に２次元配置されて成る画素配列に対して、画素行単位で順次単位画素を駆動する、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
画素アレイ部の各単位画素は、透明基板上に作製されている、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
単位画素の発光部は、電流駆動型の電気光学素子から構成されている、  請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部を備える表示装置の駆動に当たって、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行う、  表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部と、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行う駆動部と、  を備える表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】  発光部を含む単位画素が配置されて成る表示装置において、単位画素は発光部以外に当該発光部を駆動するためのトランジスタを有している。このような表示装置では、単位画素内のトランジスタが自画素の発光部から発せられる光を受光することで、当該トランジスタの特性が劣化する。この発光部から発せられる光を受光することに起因するトランジスタの特性劣化を防ぐために、従来は、単位画素内に遮光層を設け、トランジスタへの光の入射を遮断するようにしていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２０６９１９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  上述したように、単位画素内に遮光層を設ける構成を採る従来技術にあっては、トランジスタに対する発光部からの入射光をある程度遮断できるものの、トランジスタを完全に遮蔽した構造を実現できる訳ではないため、自画素の発光部からの入射光を完全に遮断することは困難である。【０００５】  本開示は、遮光層に依存することなく、自画素の発光部から発せられる光を受光することに起因するトランジスタの特性劣化を抑制することが可能な表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、  発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部と、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行う駆動部と、  を備える表示装置である。【０００７】  上記の目的を達成するための本開示の表示装置の駆動方法は、  発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部を備える表示装置の駆動に当たって、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行う、  表示装置の駆動方法である。【０００８】  上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、  発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部と、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行う駆動部と、  を備える表示装置を有する電子機器である。【０００９】  発光部を含む単位画素において、補正対象のトランジスタが一定の状態、例えば非導通状態にあるときに、補正対象のトランジスタが自画素の発光部から発せられる光を受光すると、当該トランジスタの特性が一定方向にシフトする。そこで、画像表示に影響のない非表示期間において、強制的に、補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに発光部を発光させる。すると、補正対象のトランジスタの特性が上記一定方向と逆方向にシフトする。この逆方向の特性シフトは、一定方向の特性シフトに対してそのシフトの程度を小さくするように作用する。これにより、発光部からの光を遮断する遮光層が無くても、即ち、遮光層に依存しなくても、自画素の発光部から発せられる光を受光することに起因するトランジスタの特性劣化を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１０】  本開示の技術によれば、遮光層に依存することなく、自画素の発光部から発せられる光を受光することに起因するトランジスタの特性劣化を抑制することができるため、トランジスタ特性の安定化を図ることができる。  尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、単位画素（画素回路）の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】図３は、受光劣化の改善の様子を示す図である。
【図４】図４は、受光の有無によるＰＢＴＳ時のＶthシフトの様子を示す図である。
【図５】図５は、遮光構造とＰＢＴＳ／ＮＢＴＳ受光の組み合わせの効果を示す図である。
【図６】図６は、実施例１に係る画素回路を示す回路図である。
【図７】図７は、実施例１に係る画素回路を有する有機ＥＬ表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。
【図８】図８Ａは、劣化抑制期間における動作説明図であり、図８Ｂは、初期化期間における動作説明図である。
【図９】図９Ａは、閾値補正期間における動作説明図であり、図９Ｂは、信号書込み＆移動度補正期間における動作説明図である。
【図１０】図１０は、発光期間における動作説明図である。
【図１１】図１１は、実施例２に係る制御タイミングを示すタイミング波形図である。
【図１２】図１２は、実施例２の場合の劣化抑制期間における動作説明図である。
【図１３】図１３は、本開示の電子機器の一例であるデジタルサイネージ装置の外観を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】  以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明２．本開示の技術が適用される表示装置（有機ＥＬ表示装置の例）  ２−１．システム構成  ２−２．画素回路  ２−３．酸化物ＴＦＴの特性の受光劣化３．本開示の実施形態の説明  ３−１．実施例１［補正対象のトランジスタが書込みトランジスタの例］  ３−２．実施例２［補正対象のトランジスタが駆動トランジスタの例］４．変形例５．電子機器（デジタルサイネージ装置の例）
【００１３】＜本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明＞  本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、表示期間に入る前に、単位画素のトランジスタ特性の補正を行う補正期間が設けられている形態とすることができる。このとき、駆動部について、補正期間に入る前に所定の電圧に基づく発光部の発光駆動を行う構成とすることができる。
【００１４】  上述した好ましい構成、形態を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、補正対象のトランジスタについて、表示信号を単位画素内に書き込む書込みトランジスタ及び／又は表示信号に応じて発光部を駆動する駆動トランジスタである構成とすることができる。また、補正対象のトランジスタについて、チャネル層に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタから成る構成とすることができる。
【００１５】  また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、単位画素について、所定の電圧の印加による発光部の駆動の際に、発光部に所定の電圧を選択的に印加するスイッチ素子を有する構成とすることができる。また、スイッチ素子について、発光部の所定の電圧が印加されるノードと、所定の電圧の電圧源との間に接続されたスイッチングトランジスタから成る構成とすることができる。このとき、駆動部について、補正対象のトランジスタを導通状態とするときにスイッチングトランジスタを導通状態とする構成とすることができる。
【００１６】  また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、発光部の所定の電圧が印加されるノードと反対側のノードの電圧をＶcathとし、発光部の閾値電圧をＶth_ELとし、駆動トランジスタのゲート電圧をＶgとし、駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Trとするとき、所定の電圧Ｖxについて、      Ｖg−Ｖth_Tr＞Ｖx＞Ｖcath＋Ｖth_ELなる条件を満足する電圧値に設定する構成とすることができる。
【００１７】  あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、駆動部について、単位画素が行列状に２次元配置されて成る画素配列に対して、画素行単位で順次単位画素を駆動する構成とすることができる。また、画素アレイ部の各単位画素について、透明基板上に作製されている構成とすることができる。
【００１８】  あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、単位画素の発光部について、電流駆動型の電気光学素子、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）素子から成る構成とすることができる。有機ＥＬ素子は、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた自発光型の素子である。電流駆動型の電気光学素子としては、有機ＥＬ素子の他に、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などを例示することができる。
【００１９】  有機ＥＬ素子は、第１の電極（例えば、陽極）の上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層を順次堆積させて有機層を形成し、この有機層の上に第２の電極（例えば、陰極）を形成した構成となっている。そして、第１の電極と第２の電極との間に直流電圧を印加することで、正孔が第１の電極（陽極）から正孔輸送層を経て、電子が第２の電極（陰極）から電子輸送層を経てそれぞれ発光層内に注入され、発光層において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００２０】  画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために、有機ＥＬ表示装置は低消費電力である。有機ＥＬ素子が自発光型の素子であるために、有機ＥＬ表示装置は、同じ平面型の表示装置である液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子の応答速度が数マイクロ秒程度と非常に高速であるために、有機ＥＬ表示装置は動画表示時の残像が発生しない。
【００２１】＜本開示の技術が適用される表示装置＞［システム構成］  図１は、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２２】  アクティブマトリクス型表示装置は、発光部（発光素子）の駆動を、当該発光部と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって行う表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。
【００２３】  ここでは、一例として、単位画素（画素回路）の発光部（発光素子）として有機ＥＬ素子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である。以下では、「単位画素（画素回路）」を単に「画素」と記述する場合もある。
【００２４】  図１に示すように、本開示の技術が適用される有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の単位画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置されて画素２０を駆動する駆動部とを有する構成となっている。駆動部は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。
【００２５】  表示パネル７０は、透明基板、例えばガラス基板を主基板として構成されている。これにより、ガラス基板を主基板とする表示パネル７０を有する本開示の表示装置は、透明ディスプレイということになる。尚、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
【００２６】  ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２７】  但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２８】  画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と電源供給線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００２９】  走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２1〜３２mは、電源供給走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００３０】  書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００３１】  電源供給走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この電源供給走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、第１電源電圧Ｖccpと当該第１電源電圧Ｖccpよりも低い第２電源電圧Ｖiniとで切り替わることが可能な電源電圧ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を電源供給線３２（３２1〜３２m）に供給する。後述するように、電源電圧ＤＳのＶccp／Ｖiniの切替えによって、画素２０の発光／非発光（消光）の制御が行われる。
【００３２】  信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される、表示信号としての輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。
【００３３】  信号出力部６０から出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３４】［画素回路］  図２は、単位画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子２１から成る。
【００３５】  図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。
【００３６】  有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５、即ち、２つのトランジスタ（Ｔｒ）と２つの容量素子（Ｃ）を有する、２Ｔｒ２Ｃの回路構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のトランジスタを用いている。但し、ここで示した、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００３７】  駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が電源供給線３２（３２1〜３２m）に接続されている。書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３1〜３３n）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１1〜３１m）に接続されている。
【００３８】  駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、一方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、他方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００３９】  保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の一方の電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が有機ＥＬ素子２１のカソード電極にそれぞれ接続されている、即ち、有機ＥＬ素子２１に対して並列に接続されている。
【００４０】  上記の構成において、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３は、酸化亜鉛又は酸素とインジウムとを含む酸化物などの酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、即ち、酸化物ＴＦＴから成る。そして、後述するように、酸化物ＴＦＴから成る駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３は、本開示の技術が適用される、補正対象のトランジスタとなる。
【００４１】  書込みトランジスタ２３は、書込み走査部４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される、高電圧の状態がアクティブ状態となる書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力部６０から異なるタイミングで供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsをサンプリングし、画素２０内に書き込む。書込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsは保持容量２４に保持される。
【００４２】  駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２1〜３２m）の電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００４３】  駆動トランジスタ２２は更に、電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpから第２電源電圧Ｖiniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００４４】  この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１表示フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に、動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００４５】  電源供給走査部５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電圧Ｖccp，Ｖiniのうち、第１電源電圧Ｖccpは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電圧である。また、第２電源電圧Ｖiniは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電圧である。この第２電源電圧Ｖiniは、基準電圧Ｖofsよりも低い電圧、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶthとするときＶofs−Ｖthよりも低い電圧、好ましくは、Ｖofs−Ｖthよりも十分に低い電圧に設定される。
【００４６】  画素アレイ部３０の各画素２０は、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能を有している。駆動トランジスタ２２の特性としては、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trや、駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度ｕ（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度ｕ」と記述する）を例示することができる。
【００４７】  閾値電圧Ｖth_Trのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「閾値補正」と記述する場合もある）は、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgを基準電圧Ｖofsに初期化することによって行われる。具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgの初期化電圧（基準電圧Ｖofs）を基準として当該初期化電圧から駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsを変化させる動作が行われる。この動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trに収束する。この閾値電圧Ｖth_Trに相当する電圧は保持容量２４に保持される。そして、保持容量２４に閾値電圧Ｖth_Trに相当する電圧が保持されていることで、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖth_Trに対する依存性を抑えることができる。
【００４８】  一方、移動度ｕのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「移動度補正」と記述する場合もある）は、書込みトランジスタ２３が導通状態となり、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んでいる状態で、駆動トランジスタ２２を介した電流を保持容量２４に流すことによって行われる。換言すれば、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量（補正量）で保持容量２４に負帰還をかけることによって行われる。上記の閾値補正により、映像信号を書き込んだときには既にドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性が打ち消されており、当該ドレイン−ソース間電流Ｉdsは、駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなっている。従って、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量で駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖdsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度ｕに対する依存性を抑えることができる。
【００４９】  上記の構成の画素２０において、補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１の容量を補助するためのものである。従って、補助容量２５は、必須の構成要素ではない。すなわち、有機ＥＬ素子２１の駆動回路としては、上記の構成の２Ｔｒ２Ｃの回路構成のものに限られるものではなく、有機ＥＬ素子２１の容量を十分に確保できる場合には、当該補助容量２５を除いた２Ｔｒ１Ｃの回路構成を採ることも可能である。更には、必要に応じて、スイッチングトランジスタを追加する回路構成とすることも可能である。
【００５０】［酸化物ＴＦＴの特性の受光劣化］  ところで、駆動トランジスタ２２や書込みトランジスタ２３など、ＴＦＴを含む画素回路、特に、酸化物ＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタ２２や書込みトランジスタ２３が自画素の有機ＥＬ素子２１から発せられる光を受光することで、これらのトランジスタ２２，２３の特性が劣化する（受光劣化）。一例として、駆動トランジスタ２２や書込みトランジスタ２３の閾値電圧Ｖthが、有機ＥＬ素子２１から発せられる光を受光することによってシフトする（Ｖthシフト）。
【００５１】  一方、この受光劣化は、ＮＢＴＳ（Negative Bias Temperature Stress）状態での受光後、有機ＥＬ素子２１の発光強度次第では０．１［％］程度のデューティであっても、ＰＢＴＳ（Positive Bias Temperature Stress）状態での受光という条件を作り出せば、劣化が抑制されることが、本発明者等によって確認されている。ここで、０．１［％］程度のデューティとは、瞬間的な発光を意味する。図３に、受光劣化の改善の様子を示す。
【００５２】  上述したように、ＮＢＴＳ状態での受光後、ＰＢＴＳ状態での受光という条件を作り出すことによって受光劣化を抑制できるのは、トランジスタがＮＢＴＳ状態にあるときと、ＰＢＴＳ状態にあるときとで、電圧シフト方向が逆になるという特性のためである。図４に、受光の有無によるＰＢＴＳ時のＶthシフトの様子を示す。従って、ＮＢＴＳ状態、ＰＢＴＳ状態の両方の状態を作り出すことで、閾値電圧Ｖthのシフト方向を相殺させ、結果として、トランジスタ特性の安定化を図ることができることになる。
【００５３】  受ける光の強さによってＶthシフトの程度が変わるということは、結局のところ、「受光しないこと」が最良の解決法となるため、トランジスタへの光の入射を完全に遮蔽すれば良いとも考えられる。また、遮光構造とＰＢＴＳ／ＮＢＴＳ両方での受光と併用することで、トランジスタ特性の安定化の効果が増すことも考えられる。図５に、遮光構造とＰＢＴＳ／ＮＢＴＳ受光の組み合わせの効果を示す。図５から明らかなように、遮光構造とＰＢＴＳ／ＮＢＴＳ受光の組み合わせで、Ｖthシフトが−０．２［Ｖ］＠１００００［ｓｅｃ］以下になる。
【００５４】  しかし、特に、表示パネル７０の基板として透明基板を用いる透明ティスプレイの場合には、遮光層等の遮蔽物の面積が表示パネル７０の透過率（透明度）を低下させる要因となるため、得ようとする表示パネル７０の特徴を失うことにもなる。
【００５５】  また、有機ＥＬ表示装置の画素回路においては、有機ＥＬ素子２１の発光時に導通状態になっている駆動トランジスタ２２ではＰＢＴＳでの受光状態を作り出すことは比較的容易だが、書込みトランジスタ２３については、このＰＢＴＳでの受光状態を作り出すことができない。何故なら、階調制御のために保持容量２４への電荷書込みに使用する書込みトランジスタ２３は、信号書込み済みの画素が発光するため、有機ＥＬ素子２１の発光時は必ず非導通状態になっているからである。
【００５６】  また、駆動トランジスタ２２の場合でも、仮にＰＢＴＳ状態にあったとしても、画素が黒（非発光）の表示状態が長時間続く場合には、やはりＰＢＴＳ状態での受光という状況を作り出すことができない。
【００５７】＜本開示の実施形態の説明＞  そこで、本開示の実施形態にあっては、画像表示に影響のない非表示期間において、強制的に、補正対象のトランジスタを導通状態にするとともに自画素の有機ＥＬ素子２１を発光させることにより、補正対象のトランジスタの特性の受光劣化を補正するようにする。図２に示す画素回路にあっては、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３が補正対象のトランジスタとなる。以下に、補正対象のトランジスタの特性の受光劣化の補正を行う具体的な実施例について説明する。
【００５８】［実施例１］  図６は、実施例１に係る画素回路を示す回路図である。実施例１では、表示信号（映像信号の信号電圧Ｖsig)を単位画素２０内に書き込む書込みトランジスタ２３を補正対象のトランジスタとしている。
【００５９】  図６に示すように、実施例１に係る画素回路２０は、有機ＥＬ素子２１、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５に加えて、有機ＥＬ素子２１に所定の電圧Ｖxを選択的に印加するスイッチ素子、具体的には、スイッチングトランジスタ２６を有する構成となっている。スイッチングトランジスタ２６は、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３と同様に、Ｎチャネル型の酸化物ＴＦＴから成り、有機ＥＬ素子２１のアノード電極（所定の電圧Ｖxが印加されるノード）と所定の電圧Ｖxの定電圧電源３５との間に接続されている。
【００６０】  実施例１に係る画素回路２０を駆動する駆動部は、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０に加えて、劣化抑制走査部８０を有している。劣化抑制走査部８０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、画素行単位で順次単位画素２０の駆動を行う。より具体的には、劣化抑制走査部８０は、書込みトランジスタ２３の受光劣化の抑制（補正）を行う劣化抑制期間でアクティブ状態（本例では、高電圧）となる制御信号ＳＷを出力する。この制御信号ＳＷは、スイッチングトランジスタ２６のゲート電極に印加される。
【００６１】  次に、上記の構成の実施例１に係る画素回路２０を有する有機ＥＬ表示装置１０の回路動作について、図７のタイミング波形図に基づいて、図８乃至図１０の動作説明図を用いて説明する。尚、以下に説明する回路動作は、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、劣化抑制走査部８０等の駆動部による駆動の下に実行される。
【００６２】  図７のタイミング波形図には、１Ｖ（１垂直期間）における映像信号の信号電圧Ｖsig、書込み走査信号ＷＳ、電源供給線３２の電圧（電源電圧）ＤＳ、及び、制御信号ＳＷの波形を示している。尚、書込みトランジスタ２３及びスイッチングトランジスタ２６がＮチャネル型であるため、書込み走査信号ＷＳ及び制御信号ＳＷの高電圧の状態がアクティブ状態、低電圧の状態が非アクティブ状態となる。そして、書込みトランジスタ２３及びスイッチングトランジスタ２６は、書込み走査信号ＷＳ及び制御信号ＳＷのアクティブ状態で導通状態（ＯＮ）となり、非アクティブ状態で非導通状態（ＯＦＦ）となる。
【００６３】（劣化抑制期間）  電源電圧ＤＳが低電圧（Ｌｏｗ）、即ち、第２電源電圧Ｖiniの状態にある、時刻ｔ1〜時刻ｔ2の期間が、書込みトランジスタ２３について受光劣化の抑制（補正）を行う劣化抑制期間となる。この劣化抑制期間は、画像表示に影響のない非表示期間に設定される。劣化抑制期間における回路動作について、図８Ａの動作説明図を用いて説明する。劣化抑制期間ｔ1−ｔ2では、信号線３３が低電圧（Ｌｏｗ）、即ち、基準電圧Ｖofsの状態にあり、書込み走査信号ＷＳ及び制御信号ＳＷがアクティブ状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３及びスイッチングトランジスタ２６が導通状態（ＯＮ）となる。
【００６４】  書込みトランジスタ２３が導通状態になっても、信号線３３の電圧が基準電圧Ｖofsであり、当該基準電圧Ｖofsが書込みトランジスタ２３によって書き込まれたとしても、駆動トランジスタ２２は非導通状態（ＯＦＦ）のままである。スイッチングトランジスタ２６が導通状態になることで、定電圧電源３５から所定の電圧Ｖxが有機ＥＬ素子２１のアノード電極に印加される。劣化抑制期間ｔ1−ｔ2以外では、制御信号ＳＷが非アクティブ状態にあり、従って、スイッチングトランジスタ２６が非導通状態（ＯＦＦ）となっている。
【００６５】  ここで、有機ＥＬ素子２１のカソード電極の電圧をＶcathとし、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶth_ELとし、駆動トランジスタ２２のゲート電圧をＶgとし、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶth_Trとするとき、所定の電圧Ｖxは、次式の条件を満足する電圧値に設定されている。      Ｖg−Ｖth_Tr＞Ｖx＞Ｖcath＋Ｖth_EL
【００６６】  上記の条件を満足する電圧値を有する所定の電圧Ｖxが有機ＥＬ素子２１のアノード電極に印加されることで、有機ＥＬ素子２１に対して順バイアスがかかり、有機ＥＬ素子２１が発光する。すなわち、劣化抑制期間ｔ1−ｔ2において、有機ＥＬ素子２１を強制的に極めて短時間発光させる。有機ＥＬ素子２１が発光することで、有機ＥＬ素子２１から発せられる光が駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、及び、スイッチングトランジスタ２６を照射する。この照射の様子を、図８Ａに点線で示している。
【００６７】（初期化期間）  劣化抑制期間に続く時刻ｔ2〜時刻ｔ3の期間が、画素回路中の電荷をリセットし、初期化する初期化期間となる。この初期化期間ｔ2−ｔ3では、図８Ｂに示すように、電源電圧ＤＳが低電圧（Ｌｏｗ）、即ち、第２電源電圧Ｖiniの状態にあり、また、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、及び、スイッチングトランジスタ２６のいずれも非導通状態（ＯＦＦ）となっている。
【００６８】（閾値補正期間）  初期化期間に続く時刻ｔ3〜時刻ｔ4の期間が、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trのばらつきを補正する閾値補正期間となる。この閾値補正期間における回路動作について、図９Ａの動作説明図を用いて説明する。閾値補正期間ｔ3−ｔ4では、信号線３３が低電圧（Ｌｏｗ）、即ち、基準電圧Ｖofsの状態にある。この状態において、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３が導通状態となって基準電圧Ｖofsをサンプリングし、画素２０内に書き込む。
【００６９】  続いて、電源電圧ＤＳが低電圧（Ｌｏｗ）、即ち、第２電源電圧Ｖiniから、高電圧（Ｈｉｇｈ）、即ち、第１電源電圧Ｖccpに切り替わる。これにより、駆動トランジスタ２２の電源供給線３２側のソース／ドレイン領域がドレイン領域となり、有機ＥＬ素子２１側のソース／ドレイン領域がソース領域となり、駆動トランジスタ２２に電流が流れる。駆動トランジスタ２２に流れる電流は、保持容量２４、補助容量２５、及び、有機ＥＬ素子２１の等価容量を充電するために使われる。このとき、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsは、時間の経過とともに上昇してゆく。
【００７０】  その後、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移することにより、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trよりも大きいために駆動トランジスタ２２に電流が流れる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg、ソース電圧Ｖsが共に上昇してゆく。
【００７１】  このように、駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖofsを書き込み、当該基準電圧Ｖofsから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trを減じた電位に向けてソース電圧Ｖsを変化させる処理（動作）が閾値補正処理（動作）である。このとき、Ｖs≦Ｖth_EL＋Ｖcathである限り、有機ＥＬ素子２１には逆バイアスがかかるため、有機ＥＬ素子２１が発光することはない。
【００７２】  以上の動作を繰り返すことにより、最終的に、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trに収束する。この閾値電圧Ｖth_Trに相当する電圧は保持容量２４に保持される。このとき、Ｖs＝Ｖofs−Ｖth≦Ｖth_EL＋Ｖcathとなる。
【００７３】  尚、ここでは、閾値補正処理を分割して複数回実行する、所謂、分割閾値補正を行う駆動法を採っている。但し、分割閾値補正の駆動法の採用に限らず、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採ってもよいことは勿論である。ここで、「分割閾値補正」とは、閾値補正処理を後述する信号書込み＆移動度補正処理と共に行う１水平期間に加えて、当該１水平期間に先行する複数の水平期間に亘って分割して閾値補正処理を複数回実行する駆動法である。
【００７４】  この分割閾値補正の駆動法によれば、高精細化に伴う多画素化によって１水平期間として割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平期間に亘って十分な時間を確保することができる。従って、１水平期間として割り当てられる時間が短くなっても、閾値補正期間として十分な時間を確保できるため、閾値補正処理を確実に実行できることになる。
【００７５】（信号書込み＆移動度補正期間）  閾値補正期間に続く時刻ｔ4〜時刻ｔ5の期間が、表示信号としての映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込むとともに、駆動トランジスタ２２の移動度ｕのばらつきを補正する信号書込み＆移動度補正期間となる。この信号書込み＆移動度補正期間における回路動作について、図９Ｂの動作説明図を用いて説明する。信号書込み＆移動度補正期間ｔ4−ｔ5では、信号線３３の電圧が、基準電圧Ｖofsから映像信号の信号電圧Ｖsigに切り替わった状態にある。
【００７６】  信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖsigが供給されている状態において、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態からアクティブ状態に遷移することで、書き込みトランジスタ２３が導通状態となり、信号電圧Ｖsigをサンプリングし、画素２０内に書き込む。この信号電圧Ｖsigの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgが信号電圧Ｖsigになる。そして、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖthに相当する電圧と相殺されることにより、最終的に、閾値補正処理が行われる。
【００７７】  また、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsが時間の経過とともに上昇していく。このとき、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsが、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖth_ELとカソード電圧Ｖcathの和を超えなければ、即ち、有機ＥＬ素子２１のリーク電流が駆動トランジスタ２２に流れる電流よりも十分小さければ、駆動トランジスタ２２に流れる電流は、保持容量２４、補助容量２５、及び、有機ＥＬ素子２１の等価容量に流れ込み、これらの充電が開始される。
【００７８】  保持容量２４、補助容量２５、及び、有機ＥＬ素子２１の等価容量が充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsが時間の経過とともに上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Trの補正処理（補正動作）が完了しているため、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsは当該駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなる。
【００７９】  ここで、映像信号の信号電圧Ｖsigに対する保持容量２４の保持電圧Ｖgsの比率、即ち、書込みゲインＧが１（理想値）であると仮定する。すると、駆動トランジスタ２２のソース電圧ＶsがＶofs−Ｖth_Tr＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶgsはＶsig−Ｖofs＋Ｖth_Tr−ΔＶとなる。
【００８０】  すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖsig−Ｖofs＋Ｖth_Tr）から差し引かれるように、即ち、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用する。換言すれば、ソース電圧Ｖsの上昇分ΔＶは、保持容量２４に対して負帰還がかけられたことになる。従って、ソース電圧Ｖsの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００８１】  このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶでゲート‐ソース間電圧Ｖgsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度ｕに対する依存性を打ち消すことができる。この依存性を打ち消す処理が、駆動トランジスタ２２の移動度ｕの画素毎のばらつきを補正する移動度補正処理（動作）である。
【００８２】（発光期間）  信号書込み＆移動度補正期間に続く時刻ｔ5以降の期間が、有機ＥＬ素子２１を発光駆動する発光期間となる。より具体的には、時刻ｔ5で書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移し、書込みトランジスタ２３が非導通状態になることによって発光期間に入る。この発光期間の回路動作について、図１０の動作説明図を用いて説明する。尚、発光期間では、デューティ制御のために、図７に破線で示すように、電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpから第２電源電圧Ｖiniに適宜切り替わる。
【００８３】  書込みトランジスタ２３が非導通状態になることで、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、信号線３３から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの変動に連動してゲート電圧Ｖgも変動する。従って、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖdsは一定に保たれたままである。
【００８４】  このように、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgがソース電圧Ｖsの変動に連動して変動する動作が、換言すれば、保持容量２４に保持されたゲート−ソース間電圧Ｖgsを一定に保ったまま、ゲート電圧Ｖg及びソース電圧Ｖsが上昇する動作がブートストラップ動作である。
【００８５】  駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉdsに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電圧が上昇する。そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電圧がＶth_EL＋Ｖcathを超えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。有機ＥＬ素子２１が発光することで、有機ＥＬ素子２１から発せられる光が駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、及び、スイッチングトランジスタ２６を照射する。この照射の様子を、図１０に点線で示している。
【００８６】  以上の動作説明から明らかなように、発光期間では書込みトランジスタ２３が非導通状態にあり、書込みトランジスタ２３は導通状態で自画素の有機ＥＬ素子２１から発せられる光を受けることができない。従って、書込みトランジスタ２３は、自画素の有機ＥＬ素子２１から発せられる光の受光によって受光劣化を抑制することができない。一方、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光時には導通状態にあるため、自画素の有機ＥＬ素子２１から発せられる光の受光によって受光劣化を抑制することが可能である。
【００８７】  書込みトランジスタ２３について、発光期間では、自画素の有機ＥＬ素子２１から発せられる光の受光によって受光劣化を抑制することができないことから、実施例１にあっては、劣化抑制期間を設けている。そして、この劣化抑制期間において、強制的に、書込みトランジスタ２３を導通状態にするとともに、所定の電圧Ｖxに基づいて自画素の有機ＥＬ素子２１の発光駆動を行う構成を採っている。その結果、次のような作用、効果を得ることができる。
【００８８】  すなわち、自画素の有機ＥＬ素子２１から発せられる光を受光することによって書込みトランジスタ２３の閾値電圧が一定方向にシフトしたとしても、強制的に、書込みトランジスタ２３を導通状態にするとともに有機ＥＬ素子２１を発光させることで、書込みトランジスタ２３の閾値電圧が上記一定方向と逆方向にシフトする。この逆方向の特性シフトは、一定方向の特性シフトに対してそのシフトの程度を小さくするように作用する。これにより、有機ＥＬ素子２１から発せられる光を受光することに起因する書込みトランジスタ２３の特性の受光劣化を抑制することができる。
【００８９】  そして、書込みトランジスタ２３の特性の受光劣化を抑制できることで、書込みトランジスタ２３の特性の安定化を図ることができるため、有機ＥＬ表示装置１０の駆動の安定化を図ることができる。そして、駆動の安定化によって有機ＥＬ表示装置１０の動作破綻が起こらないため有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。しかも、有機ＥＬ素子２１から書込みトランジスタ２３に入射する光を遮断する遮光層を設けなくても、書込みトランジスタ２３の特性の受光劣化を抑制することができるため、透明ディスプレイにおける表示パネル７０の透過率（透明度）の向上にも貢献できる。
【００９０】  また、実施例１では、書込みトランジスタ２３の特性の受光劣化を抑制する劣化抑制期間を、表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間に入る前、特に、初期化期間よりも前に設定している。これにより、受光劣化を抑制する動作で画素２０に書き込まれた電荷が、本来の画像表示に影響を及ぼしたり、閾値補正や移動度補正に影響を与えたりすることがない。換言すれば、これらの影響を回避する上で、初期化期間以前に劣化抑制期間を設定するのが好ましい。
【００９１】［実施例２］  実施例２においては、書込みトランジスタ２３に加えて、表示信号（映像信号の信号電圧Ｖsig)に応じて有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動トランジスタ２２を補正対象のトランジスタとしている。
【００９２】  図７の信号書込み期間において、延々と「黒」の信号が書き込まれ続ける場合、発光期間においても有機ＥＬ素子２１が発光しないことで黒表示となるため、駆動トランジスタ２２について特性の受光劣化の抑制に効果が無い状況が生じる可能性がある。すなわち、黒表示が長期間に亘って連続する場合、駆動トランジスタ２２が有機ＥＬ素子２１の発光を受けられず、特性の劣化が進むという可能性も考えられる。
【００９３】  そこで、実施例２では、劣化抑制期間において、駆動トランジスタ２２についても導通状態にする駆動を行う構成を採っている。図１１に、実施例２に係る制御タイミングを示す。図１１のタイミング波形図に示すように、実施例２では、信号線３３が低電圧（Ｌｏｗ）、即ち、基準電圧Ｖofsの状態にある劣化抑制期間ｔ1−ｔ2に、信号出力部６０（図１、図２参照）は、信号線３３に対して駆動トランジスタ２２を導通状態にできる電圧Ｖdrを出力する。
【００９４】  劣化抑制期間ｔ1−ｔ2では、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となる。そして、書込み走査信号ＷＳに応答して、書込みトランジスタ２３が導通状態（ＯＮ）となり、信号線３３の電圧Ｖdrをサンプリングし、画素２０内に書き込む。その結果、駆動トランジスタ２２は、劣化抑制期間ｔ1−ｔ2において導通状態（ＯＮ）となる。これにより、図１２に示すように、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、及び、スイッチングトランジスタ２６の３つのトランジスタ全てが導通状態となる。すなわち、３つのトランジスタ全てが導通状態で有機ＥＬ素子２１の発光を受けることができるため、トランジスタ特性の受光劣化を抑制することができる。
【００９５】＜変形例＞  上記の実施形態では、単位画素２０の発光部が有機ＥＬ素子２１から成る有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、有機ＥＬ表示装置への適用に限られるものではない。すなわち、本開示の技術は、単位画素２０の発光部が、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子など電流駆動型の電気光学素子から成る表示装置や、液晶表示装置など、単位画素２０が発光部を駆動するトランジスタを含む構成の表示装置全般に対して適用可能である。
【００９６】  また、本開示の技術は、単位画素（画素回路）２０が酸化物ＴＦＴを用いて成る表示装置に適用した場合に特に、トランジスタ特性の受光劣化の抑制効果が大きいものの、当該表示装置への適用に限られるものではない。すなわち、酸化物ＴＦＴを用いた画素回路でなくても、自画素の発光部が発する光を受光することによってトランジスタ特性の受光劣化が少なからず生ずる。従って、本開示の技術は、単位画素（画素回路）２０が酸化物ＴＦＴを用いない表示装置に対しても適用可能である。
【００９７】＜電子機器＞  以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、デジタルサイネージ装置等の表示部として用いることができる。
【００９８】  このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の技術によれば、単位画素（画素回路）を構成するトランジスタの特性の安定化を図ることができるため、表示装置の駆動の安定化を図ることができる。そして、駆動の安定化によって表示装置の動作破綻が起こらないため、当該表示装置を用いる電子機器の長寿命化に貢献できる。特に、表示装置が透明ディスプレイの場合にあっては、自画素の発光部からトランジスタに入射する光を遮断する遮光層を設けなくても、トランジスタ特性の受光劣化を抑制することができるため、透明ディスプレイの透過率（透明度）の向上にも貢献できる。
【００９９】  本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、案内情報や広告などを表示するデジタルサイネージ装置を例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
【０１００】［具体例］  図１３は、本開示の表示装置の一例であるデジタルサイネージ装置の外観を示する斜視図である。図１３に示すデジタルサイネージ装置１００において、外筐１０１の前面側には平板状の表示パネル、例えば、単位画素の発光部が有機ＥＬ素子から構成され、基板がガラス基板等の透明基板から成る透明ディスプレイ（有機ＥＬ表示装置）１０２が配設されている。この透明ディスプレイ１０２は、両眼視差画像を表示する画像表示部を構成している。
【０１０１】  透明ディスプレイ１０２の表示面に、静電容量センサ１０３が載置されている。この静電容量センサ１０３は、透明ディスプレイ１０２の表示面上の三次元空間に存在する対象物の三次元位置（ｘ，ｙ，ｚ）を示す情報を取得する位置情報取得部を構成している。ここでは、対象物は、ユーザ１０４の手とされる。また、位置情報取得部は、透明ディスプレイ１０２の表示面とユーザ１０４との間の距離ｚの情報を取得する。
【０１０２】  ユーザ１０４が透明ディスプレイ１０２の表示画像に一定以上近づいた場合に、透明ディスプレイ１０２には、ユーザ１０４に立体画像として広告宣伝用の所定内容、例えば、商品、キャラクタなどを視認させる両眼視差画像が表示される。そして、ユーザ１０４が手を出し、手の位置が表示面に近づいたとき、商品、キャラクタなどが手の上に視認される表示態様に変更される。そして、ユーザ１０４が手の位置を動かしたとき、商品、キャラクタなどの視認位置が手の位置に追従して移動する。
【０１０３】  上述したように、透明ディスプレイ１０２を用いるデジタルサイネージ装置１００に本開示の技術を適用することで、画素回路を構成するトランジスタの特性の安定化を図ることができるため、透明ディスプレイ１０２の駆動の安定化を図ることができる。そして、駆動の安定化によって透明ディスプレイ１０２の動作破綻が起こらないため、デジタルサイネージ装置１００の長寿命化に貢献できる。更に、自画素の発光部からトランジスタに入射する光を遮断する遮光層を設けなくても、トランジスタ特性の受光劣化を抑制することができるため、透明ディスプレイ１０２の透過率（透明度）の向上にも貢献できる。
【０１０４】  尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。［１］発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部と、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行うとともに、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態とする駆動部と、  を備える表示装置。［２］表示期間に入る前に、単位画素のトランジスタ特性の補正を行う補正期間が設けられており、  駆動部は、補正期間に入る前に所定の電圧に基づく発光部の発光駆動を行う、  上記［１］に記載の表示装置。［３］補正対象のトランジスタは、表示信号を単位画素内に書き込む書込みトランジスタである、  上記［１］又は上記［２］に記載の表示装置。［４］補正対象のトランジスタは、表示信号に応じて発光部を駆動する駆動トランジスタである、  上記［１］から上記［３］のいずれかに記載の表示装置。［５］補正対象のトランジスタは、チャネル層に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタから成る、  上記［１］から上記［４］のいずれかに記載の表示装置。［６］単位画素は、所定の電圧の印加による発光部の駆動の際に、発光部に所定の電圧を選択的に印加するスイッチ素子を有する、  上記［１］から上記［５］のいずれかに記載の表示装置。［７］スイッチ素子は、発光部の所定の電圧が印加されるノードと、所定の電圧の電圧源との間に接続されたスイッチングトランジスタから成り、  駆動部は、補正対象のトランジスタを導通状態とするときにスイッチングトランジスタを導通状態とする、  上記［６］に記載の表示装置。［８］発光部の所定の電圧が印加されるノードと反対側のノードの電圧をＶcathとし、発光部の閾値電圧をＶth_ELとし、駆動トランジスタのゲート電圧をＶgとし、駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Trとするとき、所定の電圧Ｖxは、      Ｖg−Ｖth_Tr＞Ｖx＞Ｖcath＋Ｖth_ELなる条件を満足する電圧値に設定されている、  上記［４］から上記［７］のいずれかに記載の表示装置。［９］駆動部は、単位画素が行列状に２次元配置されて成る画素配列に対して、画素行単位で順次単位画素を駆動する、  上記［１］から上記［８］のいずれかに記載の表示装置。［１０］画素アレイ部の各単位画素は、透明基板上に作製されている、  上記［１］から上記［９］のいずれかに記載の表示装置。［１１］単位画素の発光部は、電流駆動型の電気光学素子から構成されている、  上記［１］から上記［１０］のいずれか１項に記載の表示装置。［１２］発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部を備える表示装置の駆動に当たって、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行うとともに、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態とする、  表示装置の駆動方法。［１３］発光部を含む単位画素が配置されて成る画素アレイ部と、  表示信号に基づいて表示駆動を行う表示期間以外の非表示期間において、所定の電圧に基づいて発光部の発光駆動を行うとともに、単位画素内の補正対象のトランジスタを導通状態とする駆動部と、  を備える表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１０５】  １０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・単位画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・書込みトランジスタ、２４・・・保持容量、２５・・・補助容量、２６・・・スイッチングトランジスタ、３０・・・画素アレイ部、３１（３１1〜３１m）・・・走査線、３２（３２1〜３２m）・・・電源供給線、３３（３３1〜３３n）・・・信号線、３４・・・共通電源線、３５・・・定電圧電源、４０・・・書込み走査部、５０・・・電源供給走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、８０・・・劣化抑制走査部、１００・・・デジタルサイネージ装置、１０１・・・外筐、１０２・・・透明ディスプレイ、１０３・・・静電容量センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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