(57)【要約】  成膜後に結晶化されたインジウムスズ酸化物膜を有するものであって、インジウムスズ酸化物膜の導電性が高い透明導電性積層体を提供する。  透明導電性積層体は、透明基材と、この透明基材上に設けられた結晶化されたインジウムスズ酸化物膜とを有する。インジウムスズ酸化物膜のシート抵抗値は７５［Ω／□］以下であり、  透明導電性積層体におけるインジウムスズ酸化物膜が存在する部分の光の透過率をＴ１［％］、透明導電性積層体における前記インジウムスズ酸化物膜が存在しない部分の光の透過率をＴ２［％］、これらの差の絶対値を｜Ｔ１−Ｔ２｜、波長が５００〜７００ｎｍの範囲について｜Ｔ１−Ｔ２｜を１ｎｍごとに計算して平均したものを透過率差（ΔＴ）としたとき、透過率差（ΔＴ）が１％以下である。
2016117610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、前記透明基材上に設けられたインジウムスズ酸化物膜とを有する透明導電性積層体であって、
前記インジウムスズ酸化物膜は、成膜後に結晶化されたものであって、シート抵抗値が７５［Ω／□］以下であり、
前記透明導電性積層体における前記インジウムスズ酸化物膜が存在する部分の光の透過率をＴ１［％］、前記透明導電性積層体における前記インジウムスズ酸化物膜が存在しない部分の光の透過率をＴ２［％］、これらの差の絶対値を｜Ｔ１−Ｔ２｜、波長が５００〜７００ｎｍの範囲について｜Ｔ１−Ｔ２｜を１ｎｍごとに計算して平均したものを透過率差（ΔＴ）としたとき、前記透過率差（ΔＴ）が１％以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項２】
前記透明導電性積層体における前記インジウムスズ酸化物膜が存在する部分の光の反射率をＲ１［％］、前記透明導電性積層体における前記インジウムスズ酸化物膜が存在しない部分の光の反射率をＲ２［％］、これらの差の絶対値を｜Ｒ１−Ｒ２｜、波長が５００〜７００ｎｍの範囲について｜Ｒ１−Ｒ２｜を１ｎｍごとに計算して平均したものを反射率差（ΔＲ）としたとき、前記反射率差（ΔＲ）が０．７％以下である請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項３】
前記透明導電性積層体の透過光のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるｂ＊値が１．５以下である請求項１または２項記載の透明導電性積層体。
【請求項４】
前記インジウムスズ酸化物膜が第１の膜厚を有するときの前記インジウムスズ酸化物膜が存在する部分における前記透明導電性積層体の透過率をＴ３［％］、前記インジウムスズ酸化物膜が前記第１の膜厚よりも１ｎｍ大きいときの第２の膜厚を有するときの前記インジウムスズ酸化物膜が存在する部分における前記透明導電性積層体の透過率をＴ４［％］、
これらの差の絶対値を｜Ｔ３−Ｔ４｜、波長が５００〜７００ｎｍの範囲において｜Ｔ３−Ｔ４｜を１ｎｍごとに計算して平均したものを透過率差（ΔＴｄ）としたとき、前記透過率差（ΔＴｄ）が０．３％以下である請求項１乃至３のいずれか１項記載の透明導電性積層体。
【請求項５】
前記インジウムスズ酸化物膜は、インプレーンＸ線回折法により測定されるインジウムスズ酸化物の（２２２）面の結晶ピークの半値幅が０．４７度以下である請求項１乃至４のいずれか１項記載の透明導電性積層体。
【請求項６】
前記インジウムスズ酸化物膜は、酸化スズを質量比で５〜１５％含有する請求項１乃至５のいずれか１項記載の透明導電性積層体。
【請求項７】
前記インジウムスズ酸化物膜は、厚さが１０〜４０ｎｍである請求項１乃至６のいずれか１項記載の透明導電性積層体。
【請求項８】
透明基材と、前記透明基材上に設けられたインジウムスズ酸化物膜とを有する透明導電性積層体であって、
前記インジウムスズ酸化物膜は、成膜後に結晶化されたものであって、シート抵抗値が７５［Ω／□］以下であり、
前記インジウムスズ酸化物膜のインプレーンＸ線回折法により測定される（２２２）面の結晶ピークから算出される格子面間距離をｄ１［ｎｍ］、理想的なインジウムスズ酸化物結晶の格子面間距離をｄ２［ｎｍ］としたとき、これらの比（ｄ１／ｄ２）が１．００１以上であり、
前記インジウムスズ酸化物膜の比抵抗が１．５×１０−４［Ω・ｃｍ］以下である
透明導電性積層体。
【請求項９】
透明基材と、前記透明基材上に設けられたインジウムスズ酸化物膜と、前記インジウムスズ酸化物膜上に設けられた被覆部と、を有する透明導電性積層体であって、
前記インジウムスズ酸化物膜のインプレーンＸ線回折法により測定される（２２２）面の結晶ピークの半値幅が０．４７度以下であり、
前記インジウムスズ酸化物膜の両主面には屈折率調整膜が接触して設けられている
透明導電性積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、透明導電性積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、導電性と光学的な透明性とを有することから、透明電極、防塵膜、電磁波遮蔽膜等に使用されている。近年、透明導電膜は、タッチパネル用電極や表示機の電極として注目されている。透明導電膜として、インジウムスズ酸化物膜が好適に使用されている。【０００３】
静電容量式のタッチパネル用電極にインジウムスズ酸化物膜を使用する場合、エッチングによりパターンが形成される。このため、インジウムスズ酸化物膜には、良好なエッチング性が求められる。また、インジウムスズ酸化物膜には、タッチパネルの外観が良好になるようにパターンの視認性が低いことが求められる。さらに、インジウムスズ酸化物膜には、光透過性、導電性、および機械的接触に対する耐久性等が求められる。【０００４】
インジウムスズ酸化物膜の成膜方法として、例えば、加熱しながらスパッタリングする方法が知られている。上記方法によれば、結晶化されているために導電性等が良好なインジウムスズ酸化物膜を成膜できる。しかし、結晶化されていることから、エッチング性が良好でない。また、樹脂基材のようにガラス転移点が３００度以下の材料はインジウムスズ酸化物を結晶化するに十分な温度で加熱しながら、熱負荷がさらにかかる成膜工程を行うのは難しい。【０００５】
一方、インジウムスズ酸化物膜の成膜方法として、室温でスパッタリングする方法、水分を導入しながらスパッタリングする方法が知られている。上記方法によれば、非晶質であるためにエッチング性の良好なインジウムスズ酸化物膜を成膜できる。しかし、非晶質であることから、導電性等が良好でない。【０００６】
これらの課題を解決する方法として、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した後、熱処理して結晶化させる方法が知られている。上記方法によれば、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してエッチングすることにより、良好なエッチング性が得られる。また、エッチング後に結晶化させることにより、導電性等も良好になる。【０００７】
しかし、非晶質のインジウムスズ酸化物膜の膜厚が薄くなると、熱処理による結晶化が困難になり、これにより導電性が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１６１０９５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、成膜後に結晶化されたインジウムスズ酸化物膜を有するものであって、インジウムスズ酸化物膜の導電性が高い透明導電性積層体の提供を目的とする。また、本発明は、このような透明導電性積層体を有する電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の透明導電性積層体は、透明基材と、この透明基材上に設けられたインジウムスズ酸化物膜とを有する。インジウムスズ酸化物膜は、成膜後に結晶化されたものであって、シート抵抗値が７５［Ω／□］以下である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、成膜後に結晶化されたインジウムスズ酸化物膜を有するものであって、インジウムスズ酸化物膜の導電性が高い透明導電性積層体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態の透明導電性積層体を示す断面図。
【図２】実施形態の透明導電性積層体の第１の変形例を示す断面図。
【図３】実施形態の透明導電性積層体の第２の変形例を示す断面図。
【図４】実施形態の透明導電性積層体の製造に使用される積層体材料を示す断面図。
【図５】実施例におけるインジウム酸化物膜の厚さと可視光反射率との関係を示す図。
【図６】実施例におけるインジウム酸化物膜の厚さと透過光のｂ＊値との関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の透明導電性積層体について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、実施形態の透明導電性積層体を示す断面図である。
透明導電性積層体１０は、例えば、透明基材１１と、この上に順に設けられた下地膜１２およびインジウムスズ酸化物膜１３を有する。
【００１５】
透明基材１１は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、これらの共重合体の無延伸または延伸されたプラスチックフィルムが好ましい。
【００１６】
透明基材１１には、他のプラスチックフィルム、ガラス板を使用することもできる。透明基材１１は、１種の材料からなるものでもよいし、２種以上の材料が順に積層されたものでもよい。透明基材１１としては、特に、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。
【００１７】
透明基材１１には、易接着処理、プラズマ処理、コロナ処理などの表面処理が施されてもよい。透明基材１１の厚さは、可撓性、耐久性等の観点から、１０〜２００μｍが好ましく、２５〜１８０μｍがより好ましい。
【００１８】
下地膜１２は、必要に応じて設けられる。下地膜１２としては、傷を付きにくくするハードコート膜、密着力を向上させるプライマー膜、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性を低下させる屈折率調整膜、透明基材１１からインジウムスズ酸化物膜１３へと移動する水分を遮蔽する水分遮蔽膜、インジウムスズ酸化物膜１３の結晶化を促進させる結晶化促進膜等が挙げられる。
【００１９】
結晶化促進膜としては、酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）、窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）、酸窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、酸化ジルコニウム膜、酸化スズ膜等が好ましい。特に、酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）、酸窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ膜）が好ましい。
【００２０】
インジウムスズ酸化物膜１３は、透明導電膜として機能するものであり、成膜後に結晶化されたものである。図２に示されるように、インジウムスズ酸化物膜１３には、その成膜から結晶化までの間にエッチングによりパターンが設けられていてもよい。すなわち、インジウムスズ酸化物膜１３が存在する部分１３１と、インジウムスズ酸化物膜１３が存在しない部分１３２とが設けられていてもよい。インジウムスズ酸化物膜１３は、その成膜から結晶化までの間にエッチングすることにより良好なエッチング性が得られる。また、インジウムスズ酸化物膜１３は、成膜後に結晶化されることで、導電性、耐久性が良好になる。
【００２１】
インジウムスズ酸化物膜１３は、質量比で５〜１５％の酸化スズを含有することが好ましい。５％以上の酸化スズを含有する場合、インジウムスズ酸化物膜１３の比抵抗が低くなる。インジウムスズ酸化物膜１３は、７％以上の酸化スズを含有することがより好ましく、８％以上の酸化スズを含有することがさらに好ましい。一方、１５％以下の酸化スズを含有する場合、インジウムスズ酸化物膜１３の結晶化が良好となる。インジウムスズ酸化物膜１３は、１３％以下の酸化スズを含有することがより好ましく、１２％以下の酸化スズを含有することがさらに好ましい。
【００２２】
インジウムスズ酸化物膜１３は、比抵抗が１．９×１０−４［Ω・ｃｍ］以下であることが好ましい。比抵抗が１．９×１０−４［Ω・ｃｍ］以下である場合、インジウムスズ酸化物膜１３の膜厚を薄くして透過率を高くできる。比抵抗は、１．７×１０−４［Ω・ｃｍ］以下がより好ましく、１．５×１０−４［Ω・ｃｍ］以下がさらに好ましい。通常、比抵抗は、１．０×１０−４［Ω・ｃｍ］もあれば十分である。
【００２３】
また、以下に定義される格子面間距離ｄ１、ｄ２の比（ｄ１／ｄ２）が１．００１以上であることが好ましい。ここで、格子面間距離ｄ１［ｎｍ］は、インジウムスズ酸化物膜１３のインプレーンＸ線回折法により測定される（２２２）面の結晶ピークから算出される格子面間距離である。インプレーンＸ線回折法は、薄膜Ｘ線回折装置を用いて実施することができる。インプレーンＸ線回折法では、インジウムスズ酸化物膜１３に対して略平行にＸ線が入射する。また、格子面間距離ｄ２［ｎｍ］は、理想的なインジウムスズ酸化物結晶の格子面間距離である。
【００２４】
比（ｄ１／ｄ２）が１．００１以上である場合、インジウムスズ酸化物膜１３を結晶化させるための熱処理時におけるクラックの発生が抑制される。特に、インジウムスズ酸化物１３の比抵抗が１．５×１０−４［Ω・ｃｍ］以下となるような場合でも、クラックの発生が抑制される。
【００２５】
インジウムスズ酸化物膜１３は、シート抵抗が７５［Ω／□］以下である。シート抵抗を７５［Ω／□］以下とすることで、透過率を高くしながら低抵抗の膜とすることができる。シート抵抗は、７０［Ω／□］以下が好ましく、６５［Ω／□］以下がより好ましく、６０［Ω／□］以下がさらに好ましい。通常、シート抵抗は、４０［Ω／□］もあれば十分である。
【００２６】
インジウムスズ酸化物膜１３の膜厚は、透過率を高くするために４０ｎｍ以下が好ましい。膜厚は、透過率の観点から、３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍがさらに好ましい。一方、膜厚が薄くなると成膜後の結晶化が容易でない。このため、膜厚は、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上がさらに好ましい。
【００２７】
透明導電性積層体１０は、以下に定義される透過率差（ΔＴ）が１％以下であることが好ましい。ここで、透過率差（ΔＴ）は、透明導電性積層体１０におけるインジウムスズ酸化物膜１３が存在する部分の光の透過率をＴ１［％］、透明導電性積層体１０におけるインジウムスズ酸化物膜１３が存在しない部分の光の透過率をＴ２［％］、これらの差の絶対値を｜Ｔ１−Ｔ２｜としたとき、波長が５００〜７００ｎｍの範囲について｜Ｔ１−Ｔ２｜を１ｎｍごとに計算して平均したものである。
【００２８】
なお、透過率（Ｔ１、Ｔ２）の測定においては、インジウムスズ酸化物膜１３が設けられていない主面側から透明導電性積層体１０に対して光が入射するものとする。透明導電性積層体１０に結晶化促進膜等の下地膜１２が設けられている場合、インジウムスズ酸化物膜１３が存在しない部分の透過率（Ｔ２）は、通常、下地膜１２が設けられた状態で測定される。
【００２９】
透過率差（ΔＴ）は、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性を評価する指標となる。透過率差（ΔＴ）が１％以下の場合、インジウムスズ酸化物膜１３が除去されずに残っている部分と、インジウムスズ酸化物膜１３が除去されて残っていない部分とにおける透過率の差が小さくなる。これにより、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性が低くなる。
【００３０】
透過率差（ΔＴ）は、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性を低下させる観点から、０．９％以下が好ましく、０．８％以下がより好ましい。透過率差（ΔＴ）は、通常、低いほど好ましいが、０．１％もあれば十分である。
【００３１】
透明導電性積層体１０は、以下に定義される反射率差（ΔＲ）が０．７％以下であることが好ましい。ここで、反射率差（ΔＲ）は、透明導電性積層体１０におけるインジウムスズ酸化物膜１３が存在する部分の光の反射率をＲ１［％］、透明導電性積層体１０におけるインジウムスズ酸化物膜１３が存在しない部分の光の反射率をＲ２［％］、これらの差の絶対値を｜Ｒ１−Ｒ２｜としたとき、波長が５００〜７００ｎｍの範囲について｜Ｒ１−Ｒ２｜を１ｎｍごとに計算して平均したものである。
【００３２】
なお、反射率（Ｒ１、Ｒ２）の測定においては、インジウムスズ酸化物膜１３が設けられた主面側から透明導電性積層体１０に光が入射するものとする。透明導電性積層体１０に結晶化促進膜等の下地膜１２が設けられている場合、インジウムスズ酸化物膜１３が存在しない部分の反射率（Ｒ２）は、通常、結晶化促進膜等の下地膜１２が設けられた状態で測定される。
【００３３】
反射率差（ΔＲ）も、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性を評価する指標となる。反射率差（ΔＲ）が１％以下の場合、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性が低くなる。反射率差（ΔＲ）は、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性を低下させる観点から、０．６％以下がより好ましい。反射率差（ΔＲ）は、通常、低いほど好ましいが、０．１％もあれば十分である。
【００３４】
また、透明導電性積層体１０は、透過光のＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるｂ＊値が１．５以下であることが好ましい。ここで、ｂ＊値は、波長が３４０〜８４０ｎｍの範囲について分光透過率を測定し、光源をＣ光源としてＣＩＥ（１９７６）色差式から算出する。なお、ｂ＊値は、透明導電性積層体１０におけるインジウムスズ酸化物膜１３が存在する部分において測定される。以下、ＣＩＥ １９７６ Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるｂ＊値を単にｂ＊値と記す。
【００３５】
ｂ＊値も、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性を評価する指標となる。ｂ＊値が１．５以下の場合、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性が低くなる。ｂ＊値は、インジウムスズ酸化物膜１３に設けられたパターンの視認性を低下させる観点から、１．４以下がより好ましく、１．３以下がさらに好ましい。ｂ＊値は、通常、低いほど好ましいが、０．１もあれば十分である。
【００３６】
ここで、透過率差（ΔＴ）は、透明導電性積層体１０に対して視認者側とは反対側から光が入射したときのパターンの視認性を評価する指標となる。一方、反射率差（ΔＲ）は、透明導電性積層体１０に対して視認者側から光が入射したときのパターンの視認性を評価する指標となる。
【００３７】
パターンの視認性は、反射率差（ΔＲ）やｂ＊値によってもある程度評価できる。しかし、反射率差（ΔＲ）やｂ＊値が所定の範囲内にあっても、実際に観察するとパターンが視認されることがある。このように、反射率差（ΔＲ）やｂ＊値では、パターンの視認性を必ずしも正確に評価できない。透過率差（ΔＴ）によれば、パターンの視認性を正確に評価できる。また、透過率差（ΔＴ）が１％以下である場合、パターンがほぼ視認されなくなる。
【００３８】
なお、仮に、インジウムスズ酸化物膜１３が光を吸収しない場合、透過率差（ΔＴ）と反射率差（ΔＲ）とが等しくなることから、両者はパターンの視認性を評価する指標として同一になる。しかし、通常、インジウムスズ酸化物膜１３は、波長が５００〜７００ｎｍの範囲に光の吸収があることから、透過率差（ΔＴ）と反射率差（ΔＲ）とは異なり、両者はパターンの視認性を評価する指標として異なる。
【００３９】
透明導電性積層体１０は、以下に定義される透過率差（ΔＴｄ）が０．３％以下であることが好ましい。透過率差（ΔＴｄ）は、インジウムスズ酸化物膜１３が第１の膜厚を有するときのインジウムスズ酸化物膜１３が存在する部分における透明導電性積層体１０の透過率をＴ３［％］、インジウムスズ酸化物膜１３が第１の膜厚よりも４％大きい第２の膜厚を有するときのインジウムスズ酸化物膜１３が存在する部分における透明導電性積層体１０の透過率をＴ４［％］、これらの差の絶対値を｜Ｔ３−Ｔ４｜としたとき、波長が５００〜７００ｎｍの範囲において｜Ｔ３−Ｔ４｜を１ｎｍごとに計算して平均したものである。
【００４０】
透過率差（ΔＴｄ）を求めるときの第１の膜厚としては、例えば、設計膜厚が挙げられる。設計膜厚は、通常、１０〜４０ｎｍの範囲から選ばれ、例えば２５ｎｍである。第２の膜厚は、第１の膜厚よりも１ｎｍ大きい膜厚である。例えば、第１の膜厚が２５ｎｍの場合、第２の膜厚は、第１の膜厚よりも４％（１ｎｍ）大きい２６ｎｍである。
【００４１】
透過率差（ΔＴｄ）は、インジウムスズ酸化物膜１３の膜厚が変動したときの透明導電性積層体１０の透過率の変動、さらには透過率差（ΔＴ）の変動を表す。透過率差（ΔＴｄ）が小さい場合、インジウムスズ酸化物膜１３の膜厚が変動しても透過率差（ΔＴ）の変動が抑制されることから、透過率差（ΔＴ）の変動が抑制された透明導電性積層体１０を製造できる。透過率差（ΔＴｄ）は、０．２５％以下が好ましい。透過率差（ΔＴｄ）は、通常、小さいほど好ましいが、０．１０％もあれば十分である。
【００４２】
インジウムスズ酸化物膜１３は、インプレーンＸ線回折法により測定されるインジウムスズ酸化物の（２２２）面の結晶ピークの半値幅が０．４７度以下であることが好ましい。ここで、インプレーンＸ線回折法は、薄膜評価用のＸ線回折法であり、測定対象の表面にＸ線が略平行に入射される。以下、インプレーンＸ線回折法により測定されるインジウムスズ酸化物の（２２２）面の結晶ピークの半値幅を単に半値幅と記す。
【００４３】
インジウムスズ酸化物膜１３の表面に略平行にＸ線が入射する場合、すなわちＸ線の入射角が極めて小さい場合、Ｘ線の侵入深さが浅くなることから、インジウムスズ酸化物の基板に平行する成分の結晶構造に由来した結晶ピークを確認しやすい。一方、Ｘ線の入射角が大きい場合、Ｘ線がインジウムスズ酸化物膜１３を透過して透明基材１１に侵入することから、インジウムスズ酸化物の基板に平行する成分の結晶構造に由来するピークを十分に確認できない。インプレーンＸ線回折法によれば、例えば、膜厚が１０ｎｍから４０ｎｍと結晶子径に近い場合において、インジウムスズ酸化物の基板に平行する結晶構造について重要な情報を得ることができる。Ｘ線の入射角は、通常、０．５度以下が好ましい。
【００４４】
また、半値幅が０．４７度以下である場合、インジウムスズ酸化物の結晶子サイズ（結晶子径）が大きくて理想的な結晶性を有することからキャリア密度が高く、屈折率と吸収率が低くなる。キャリア密度が高くなると導電性が高くなることから、膜厚を薄くして透過率を高くできる。また吸収率と屈折率が低いことによりΔＴとΔＲを小さくすることができる。これにより、インジウムスズ酸化物膜１３のシート抵抗値を７５[Ω／□]以下、かつ透明導電性積層体１０の透過率差（ΔＴ）を１％以下にできる。また、半値幅が０．４７度以下である場合、反射率差（ΔＲ）を１％以下、ｂ＊値を１．５以下、透過率差（ΔＴｄ）を０．３％以下にできる。半値幅は、０．４７度以下がより好ましく、０．４５度以下がさらに好ましく、０．４４度以下が特に好ましい。半値幅は、通常、０．３５度以上である。
【００４５】
図３は、透明導電性積層体１０の変形例を示した断面図である。
図３に示されるように、インジウムスズ酸化物膜１３の上面にはインジウムスズ酸化物以外の材料からなる被覆部１４が設けられてもよい。被覆部１４としては、透明材料からなるものが好ましく、透明基材１１の構成材料として例示されたものからなるものが好ましい。
【００４６】
被覆部１４とインジウムスズ酸化物膜１３との間には、これらの間の屈折率を調整するための屈折率調整膜１５が設けられることが好ましい。この屈折率調整膜１５は、インジウムスズ酸化物膜１３に接触して設けられることが好ましい。また、インジウムスズ酸化物膜１３と透明基材１１との間には、これらの間の屈折率を調整するための屈折率調整膜１６が設けられることが好ましい。この屈折率調整膜１６は、インジウムスズ酸化物膜１３に接触して設けられることが好ましい。
【００４７】
屈折率調整膜１５、屈折率調整膜１６の少なくとも一方を設けることで、インジウムスズ酸化物膜１３の反射率を下げることができる。これにより、透明で黄色味が抑制された透明導電性積層体１０を提供することができる。
なお、屈折率調整層１５、屈折率調整膜１６は、酸化珪素、酸窒化珪素、窒化珪素、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タンタル、酸化スズ、酸化アルミニウム等からなることが好ましい。なお、加熱時のインジウムスズ酸化物の結晶化を促進するという点から、酸化インニウムスズ酸化物に接する膜は、酸化珪素、酸窒化珪素、または酸化アルミニウムからなることが好ましい。屈折率調整層１５、屈折率調整膜１６は、スパッタリング法、高密度プラズマアシスト電子ビーム蒸着法（ＨＤＰＥ法）、イオンプレーティング法、真空蒸着法等により成膜され、スパッタリング法、ＨＤＰＥ法により好適に成膜される。
【００４８】
透明導電性積層体１０は、電子機器に好適に使用される。電子機器として、表示部と、この表示部の前面に配置されるタッチパネルとを有するものが挙げられる。透明導電性積層体１０は、タッチパネルにおける透明電極を有する基板として使用される。タッチパネルとして、上下の電極が接触することでタッチ位置を特定する抵抗膜方式、静電容量の変化を感知する静電容量結合方式が挙げられる。
【００４９】
次に、透明導電性積層体１０の製造方法について説明する。
【００５０】
まず、図４に示すように、透明基材１１上に、下地膜１２、インジウムスズ酸化物膜２１をこの順に成膜して積層体材料２０を製造する。ここで、インジウムスズ酸化物膜２１は、非晶質のインジウムスズ酸化物からなり、熱処理により結晶化されてインジウムスズ酸化物膜１３となるものである。
【００５１】
インジウムスズ酸化物膜２１は、スパッタリング法、高密度プラズマアシスト電子ビーム蒸着法（ＨＤＰＥ法）、イオンプレーティング法、真空蒸着法等により成膜され、スパッタリング法、ＨＤＰＥ法により好適に成膜される。
【００５２】
以下、スパッタリング法により非晶質のインジウムスズ酸化物膜２１を成膜する方法について説明する。
【００５３】
ターゲットとして、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）と酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）とを混合して焼結したインジウムスズ酸化物焼結体が使用される。インジウムスズ酸化物焼結体は、質量比で５〜１５％の酸化スズを含有することが好ましい。また、導入ガスは、アルゴンガスに０．１〜２０体積％の酸素ガスが混合された混合ガスが好ましく、アルゴンガスに０．２〜１０体積％の酸素ガスが混合された混合ガスがより好ましい。
【００５４】
ターゲットには、直流電源、直流パルス電源、交流電源、交流パルス電源から選ばれる１種以上の電源が接続されることが好ましく、２種以上の電源が接続されることがより好ましい。２種の電源が接続される場合、その組み合わせとしては、直流電源と交流電源、直流電源と交流パルス電源、直流パルス電源と交流電源、直流パルス電源と交流パルス電源の組み合わせが挙げられる。
【００５５】
直流パルス電源は、周波数が１０〜１００００００ヘルツであることが好ましく、５０〜５０００００ヘルツであることがより好ましい。交流電源は、周波数が１００００００ヘルツ以上であることが好ましく、５００００００〜２０００００００ヘルツであることがより好ましい。高周波交流では、一定時間、０Ｖに近い電圧を印加するパルス変調をかけてもよい。
【００５６】
スパッタリング法においては、２個以上のターゲットを使用してもよい。この場合、各ターゲットには、直流電源、直流パルス電源、交流電源、交流パルス電源から選ばれる任意の電源を接続できる。また、少なくとも１個のターゲットに直流電源または直流パルス電源が接続されるとともに、他の少なくとも１個のターゲットに交流電源または交流パルス電源が接続されることが好ましい。
【００５７】
２個のターゲットを用いる場合、それぞれのターゲットに接続される電源の組み合わせとしては、直流電源と交流電源、直流電源と交流パルス電源、直流パルス電源と交流電源、直流パルス電源と交流パルス電源の組み合わせが挙げられる。
【００５８】
また、スパッタリング法においては、ターゲット近傍にプラズマ源を配置して、ターゲット近傍のプラズマ密度を向上させてもよい。プラズマ源としては、例えば、誘導結合型プラズマ、表面波プラズマ、容量結合型プラズマ、低インダクタンスアンテナプラズマが挙げられる。これらの中でも、高密度のプラズマとして、誘導結合型プラズマ、表面波プラズマ、低インダクタンスアンテナプラズマが好ましい。
【００５９】
プラズマ源に接続される電源としては、プラズマ密度が高くなることから高周波の交流電源が好ましい。交流電源の周波数は、１００００００ヘルツ以上が好ましく、１０００００００ヘルツ以上がより好ましい。
【００６０】
ターゲット近傍には、磁気回路が配置されることが好ましい。磁気回路は、強い磁場を発生するものが好ましい。磁場が強くなると、プラズマ密度が増加して成膜中の非晶質のインジウムスズ酸化物膜２１のダメージが低減する。磁場の大きさは、ターゲットの表面上でかつターゲット表面に対して垂直方向の磁場が０ガウスとなる点において、ターゲット表面に対して水平方向の磁場が５００ガウス以上であることが好ましく、７００ガウス以上であることがより好ましい。通常、磁場の大きさは、１５００ガウスもあれば十分である。
【００６１】
スパッタリング法では、インジウムスズ酸化物膜１３のシート抵抗値が７５[Ω／□]以下かつ透明導電性積層体１０の透過率差（ΔＴ）が１％以下となるように、ターゲットに印加される電力および磁場ならびに導入ガスであるアルゴンガスおよび酸素の流量が調整されることが好ましい。また、スパッタリング法では、半値幅が０．４７度となるように、ターゲットに印加される電力および磁場ならびに導入ガスであるアルゴンガスおよび酸素の流量を調整することが好ましい。半値幅が０．４７度となる場合、インジウムスズ酸化物膜１３のシート抵抗値が７５[Ω／□]以下かつ透明導電性積層体１０の透過率差（ΔＴ）が１％以下になりやすい。
【００６２】
次に、ＨＤＰＥ法により非晶質のインジウムスズ酸化物膜２１を成膜する方法について説明する。
【００６３】
ＨＤＰＥ法では、例えば、インジウムスズ酸化物中に酸化スズを質量比で５〜１５質量％含有する焼結体ペレットが使用される。焼結体ペレットは、プラズマ発生装置から発生する熱電子により溶解され、インジウムスズ酸化物を飛翔させる。成膜中、飛翔するインジウムスズ酸化物がイオン化されながら非晶質のインジウムスズ酸化物膜２１が成膜される。
【００６４】
ＨＤＰＥ法においても、インジウムスズ酸化物膜１３のシート抵抗値が７５[Ω／□]以下かつ透明導電性積層体１０の透過率差（ΔＴ）が１％以下となるように成膜条件が調整されることが好ましい。また、ＨＤＰＥ法においても、半値幅が０．４７度以下となるように成膜条件が調整されることが好ましい。
【００６５】
透明導電性積層体１０は、積層体材料２０におけるインジウムスズ酸化物膜２１を構成する非晶質のインジウムスズ酸化物を熱処理により結晶化させてインジウムスズ酸化物膜１３とすることにより製造される。通常、非晶質のインジウムスズ酸化物を結晶化させるための熱処理は大気中で行われる。インジウムスズ酸化物の結晶化が良好となることから、熱処理温度は１００℃以上が好ましく、熱処理時間は３分以上が好ましい。一方、透明基材１１の損傷が抑制され、かつ生産性も良好となることから、熱処理温度は１７０℃以下、熱処理時間は１８０分以下が好ましい。
【実施例】
【００６６】
以下、本発明について実施例を参照して具体的に説明する。
なお、本発明はこれらの実施例によって限定されない【００６７】
＜実施例１〜５、比較例１〜４＞
以下に示すように実施例１〜５および比較例１〜４の試験片を作製して評価を行った。【００６８】
（実施例１）
スパッタリング装置として、ターゲットの背面に磁気回路を有するとともに、ターゲットの近傍に低インダクタンスアンテナプラズマ源を有するものを用いた。ターゲットは、質量比で１０％の酸化スズ（ＳｎＯ２）と９０％の酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）とを混合して焼結させたターゲットを用いた。【００６９】
ターゲットには直流電源を接続し、プラズマ源には１３．５６メガヘルツの交流電源を接続した。プラズマ源に印加される交流電力を１６００Ｗとし、ターゲットに印加される直流電力を４００Ｗとした。磁気回路は、ターゲットの表面上でかつターゲット表面に対して垂直方向の磁場が０ガウスとなる点において、ターゲット表面に対して水平方向の磁場が７５０ガウスになるように調整した。【００７０】
このようなスパッタリング装置において、まず、ロータリーポンプおよびターボ分子ポンプにより圧力が１×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。その後、チャンバー内の圧力が０．３Ｐａになるようにアルゴンガスを導入し、さらに酸素ガスの割合が体積比で１％になるようにアルゴンガスおよび酸素ガスを導入した。【００７１】
そして、このようなスパッタリング装置において、透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。透明基材は、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に易接着処理が施されたものとした。非晶質のインジウムスズ酸化物膜の厚さは、スパッタレートおよび透明基材等の搬送速度により調整した。【００７２】
その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００７３】
（実施例２）
スパッタリング装置として、ターゲットの背面に磁気回路を有するとともに、ターゲットに直流電源および１３．５６メガヘルツの交流電源が接続されたものを使用した。直流電源は、交流遮断用のローパスフィルタを介してターゲットに接続した。交流電源は、インピーダンス整合器を介してターゲットに接続した。交流電力を３２０Ｗとし、直流電力を８０Ｗとした。ターゲットの組成、磁気回路の磁場は、実施例１と同様とした。【００７４】
このようなスパッタリング装置において、実施例１と同様に、排気、導入を行った後、透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００７５】
（実施例３）
スパッタリング装置として、直流電源に接続される第１のターゲットおよび１３．５６メガヘルツの交流電源に接続される第２のターゲットを有するとともに、各ターゲットの背面に磁気回路が配置されたものを用いた。第１のターゲットに印加される直流電力を２００Ｗとし、第２のターゲットに印加される交流電力を２００Ｗとした。各ターゲットの組成、各磁気回路の磁場は、実施例１と同様である。【００７６】
このようなスパッタリング装置において、実施例１と同様に、排気、導入を行った後、透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００７７】
（実施例４）
スパッタリング装置として、ターゲットの背面に磁気回路を有するものを用いた。ターゲットの組成は、実施例１と同様である。ターゲットには、直流電源を接続した。なお、ターゲットに印加される直流電力は４００Ｗとした。磁気回路は、ターゲットの表面上でかつターゲット表面に対して垂直方向の磁場が０ガウスとなる点において、ターゲット表面に対して水平方向の磁場が１２００ガウスになるように調整した。【００７８】
このようなスパッタリング装置において、実施例１と同様に、排気、導入を行った後、透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００７９】
（実施例５）
高密度プラズマアシスト電子ビーム蒸着法（ＨＤＰＥ法）により、インジウムスズ酸化物膜の成膜を行った。ここで、焼結体ペレットには、インジウムスズ酸化物中、スズを酸化物換算で８％含有するものを使用した。また、アシストの電子ビームは、電圧１４０Ｖ、電流３０Ａとなるように設定した。そして、結晶化により得られるインジウムスズ酸化物膜の半値幅が０．４５０度となるように成膜速度および酸素流量を調整して、実施例１と同様の透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行い、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００８０】
（比較例１）
実施例１と同様のスパッタリング装置において、プラズマ源には交流電力を印加せず、ターゲットに印加される直流電力を４００Ｗとした。そして、結晶化により得られるインジウムスズ酸化物膜の半値幅が０．４８０度となるようにアルゴンガスおよび酸素の流量を調整して、実施例１と同様の透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行い、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００８１】
（比較例２）
実施例２と同様のスパッタリング装置において、交流電力を３２０Ｗとし、直流電力を８０Ｗとした。そして、結晶化により得られるインジウムスズ酸化物膜の半値幅が０．５１０度となるようにアルゴンガスおよび酸素の流量を調整して、実施例１と同様の透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行い、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００８２】
（比較例３）
実施例３と同様のスパッタリング装置において、第１のターゲットに印加される直流電力を２００Ｗとし、第２のターゲットに印加される交流電力を２００Ｗとし、結晶化により得られるインジウムスズ酸化物膜の半値幅が０．４９３度となるようにアルゴンガスおよび酸素の流量を調整して、実施例１と同様の透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行い、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００８３】
（比較例４）
実施例４と同様のスパッタリング装置において、結晶化により得られるインジウムスズ酸化物膜の半値幅が０．４８４度となるようにアルゴンガスおよび酸素の流量を調整して、実施例１と同様の透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行い、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【００８４】
次に、実施例１〜５、比較例１〜４の試験片について以下の評価を行った。【００８５】
[半値幅]
（インプレーンＸ線回折法による測定）
Ｘ線回折装置（株式会社リガク製、ＳｍａｒｔＬａｂ）を使用して、インプレーンＸ線回折法により、結晶化されたインジウムスズ酸化物膜の面内方向のＸ線回折パターンを取得した。測定条件は以下の通りである。
Ｘ線入射角：０．４５°、Ｘ線源：Ｃｕ Ｋα線、出力：４５ｋＶ−２００ｍＡ、検出器：シンチレーションカウンタ、入射部：スリットコリメーション、入射側ソーラースリット：縦発散角０．５°、受光側ソーラースリット：縦発散角０．５°、入射側スリット：ＩＳ＝０．１ｍｍ、長手制限スリット：１０ｍｍ、受光側スリット：ＲＳ１＝２０ｍｍ、ＲＳ２＝２０ｍｍ、走査軸：２θχ／Φ、走査モード：連続走査、走査範囲：１０〜８９．９７６°、ステップ幅：０．１０４°、走査速度：１°／分【００８６】
（半値幅の算出）
上記Ｘ線回折パターンについて、統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア（株式会社リガク製、ＰＤＸＬ２）を使用して、バックグラウンドを除去後、分割型擬ｖｏｉｇｔ関数でピークフィッティングして、結晶化されたインジウムスズ酸化物の（２２２）面の半値幅を算出した。【００８７】
［シート抵抗、比抵抗］
試験片を１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切断し、ホール効果測定システム（Nanometrics社、型式：ＨＬ５５００ＰＣ）を使用して、結晶化されたインジウムスズ酸化物膜のシート抵抗を測定した。また、このシート抵抗と結晶化されたインジウムスズ酸化物膜の膜厚とを使用して、下記式（１）により結晶化されたインジウムスズ酸化物膜の比抵抗を求めた。
比抵抗［Ω・ｃｍ］＝シート抵抗値［Ω／□］
×インジウムスズ酸化物膜の厚さ［ｃｍ］  …（１）【００８８】
[透過率差（ΔＴ）]
試験片における結晶化されたインジウムスズ酸化物膜が存在する部分の光の透過率をＴ１［％］、試験片における結晶化されたインジウムスズ酸化物膜が存在しない部分の光の透過率をＴ２［％］、これらの差の絶対値を｜Ｔ１−Ｔ２｜としたとき、波長が５００〜７００ｎｍの範囲について｜Ｔ１−Ｔ２｜を１ｎｍごとに計算して平均して求めた。【００８９】
[透過率差（ΔＲ）]
試験片における結晶化されたインジウムスズ酸化物膜が存在する部分の光の反射率をＲ１［％］、試験片における結晶化されたインジウムスズ酸化物膜が存在しない部分の光の反射率をＲ２［％］、これらの差の絶対値を｜Ｒ１−Ｒ２｜としたとき、波長が５００〜７００ｎｍの範囲について｜Ｒ１−Ｒ２｜を１ｎｍごとに計算して平均して求めた。【００９０】
[ｂ＊値]
波長が３４０〜８４０ｎｍの範囲について分光透過率を測定して、光源をＣ光源としてＣＩＥ（１９７６）色差式から算出した。なお、ｂ＊値は、試験片における結晶化されたインジウムスズ酸化物膜が存在する部分について求めた。【００９１】
[透過率差（ΔＴｄ）]
結晶化されたインジウムスズ酸化物膜の膜厚が２５ｎｍであるときのインジウムスズ酸化物膜が存在する部分における透過率をＴ３［％］、結晶化されたインジウムスズ酸化物膜の膜厚が２５ｎｍよりも４％（１ｎｍ）大きい２６ｎｍのときのインジウムスズ酸化物膜が存在する部分における透過率をＴ４［％］、これらの差の絶対値を｜Ｔ３−Ｔ４｜としたとき、波長が５００〜７００ｎｍの範囲において｜Ｔ３−Ｔ４｜を１ｎｍごとに計算して平均して求めた。【００９２】
［パターン視認性］
白色蛍光灯により水平面照度が３００ルクスから４００ルクスの間になるように調整された作業台に試験片（１０ｃｍ角）を置き、その結晶化されたインジウムスズ酸化物膜に設けられたパターンを任意の角度および距離から観察した。評価は、パターンが視認されないものを「ａ」で示し、パターンが視認されたものを「ｂ」で示した。【００９３】
【表１】
2016117610.tif 000003
【００９４】
表１から明らかなように、実施例１〜５の試験片は、インジウムスズ酸化物膜のシート抵抗値が７５［Ω／□］以下である。また、実施例１〜５の試験片は、透過率差（ΔＴ）が１％以下であり、インジウムスズ酸化物膜に設けられたパターンが視認されない。さらに、実施例１〜５の試験片は、反射率差（ΔＲ）が１％以下、ｂ＊値が１．５以下、透過率差（ΔＴｄ）が０．３％以下、半値幅が０．４６度以下である。【００９５】
以上の通り、本発明の実施例１〜５によれば、成膜後に結晶化されたインジウムスズ酸化物膜を有するものであって、インジウムスズ酸化物膜の導電性が高く、かつインジウムスズ酸化物に設けられたパターンの視認性が低い透明導電性積層体が得られる。【００９６】
一方、比較例１〜３の試験片は、インジウムスズ酸化物膜のシート抵抗値が７５［Ω／□］を超える。比較例４の試験片は、インジウムスズ酸化物膜のシート抵抗値が７５［Ω／□］以下であるが、透過率差（ΔＴ）が１％を超えており、インジウムスズ酸化物膜に設けられたパターンが視認される。特に、比較例１、４の試験片は、反射率差（ΔＲ）が小さいが、透過率差（ΔＴ）が１％を超えるためにインジウムスズ酸化物膜に設けられたパターンが視認される。なお、比較例１〜４の試験片は、いずれも半値幅が０．４６度を超えている。【００９７】
＜実施例６、比較例５＞
以下に示すように実施例６、比較例５の試験片を作製して評価を行った。【００９８】
（実施例６）
透明基材として、一方の主面側に反射防止処理が施された厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを用意した。このポリカーボネートフィルムの反射防止処理が施されていない主面側にスパッタ法により積層膜を形成した。積層膜は、ポリカーボネートフィルム側から順に、第１の膜（Ｎｂ２Ｏ５膜、厚さ７ｎｍ）、第２の膜（ＳｉＯ２膜、厚さ４１ｎｍ）、第３の膜（非晶質のインジウムスズ酸化物膜、厚さ２０ｎｍ、２５ｎｍ、または３０ｎｍ）、第４の膜（ＳｉＯ２膜、厚さ３８ｎｍ）、第５の膜（Ｎｂ２Ｏ５膜、厚さ８ｎｍ）とした。ここで、第１、第２、第４、第５の膜は、屈折率調整膜を構成する。【００９９】
第３の膜は、実施例１と同様にして成膜した。その他の膜、すなわち、第１の膜、第２の膜、第４の膜、第５の膜は、ＡＣスパッタリング法により成膜した。具体的には、第２の膜、第４の膜は、ターゲットとしてＳｉターゲットを使用し、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気（酸素６０ｖｏｌ％）下でスパッタ法により成膜した。スパッタ圧力は、０．２Ｐａである。また、第１の膜、第５の膜は、ターゲットとしてＮｂターゲットを使用し、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気（酸素５０ｖｏｌ％）下でスパッタ法により成膜した。スパッタ圧力は、０．２Ｐａである。【０１００】
成膜後、積層膜に対して１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させた。この結晶化されたインジウムスズ酸化物膜（厚さ２０ｎｍ、２５ｎｍ、または３０ｎｍ）のインプレーンＸ線回折法による測定を実施したところ、それぞれの膜厚において、半値幅は、０．４２、０．４０、０．３９であった。【０１０１】
さらに、第５の膜側に別のポリカーボネートフィルムを透明なアクリル接着剤により貼り合わせて試験片を作製した。なお、このポリカーボネートフィルムは、一方の主面側に反射防止処理が施された厚さ０．１ｍｍのものであり、反射防止処理が施されていない主面側が第５の膜側となるように貼り合わせた。【０１０２】
（比較例５）
透明基材として、一方の主面側に反射防止処理が施された厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを用意した。このポリカーボネートフィルムの反射防止処理が施されていない主面側に、実施例１と同様にして非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。このインジウムスズ酸化物層の厚みは、２０ｎｍ、２５ｎｍ、または３０ｎｍとした。【０１０３】
成膜後、１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させた。この結晶化されたインジウムスズ酸化物膜（厚さ２０ｎｍ、２５ｎｍ、または３０ｎｍ）のインプレーンＸ線回折法による測定を実施したところ、それぞれの膜厚において、半値幅は、０．４１、０．３９、０．３７であった。【０１０４】
さらに、このインジウムスズ酸化物膜側に別のポリカーボネートフィルムを透明なアクリル接着剤により貼り合わせて試験片を作製した。なお、このポリカーボネートフィルムは、一方の主面側に反射防止処理が施された厚さ０．１ｍｍのものであり、反射防止処理が施されていない主面側がインジウムスズ酸化物膜側となるように貼り合わせた。【０１０５】
次に、実施例６、比較例５の試験片について、分光光度計により波長が３４０〜８４０ｎｍの範囲において分光透過率と分光反射率を測定し、可視光反射率と分光透過率から光源をＣ光源としてＣＩＥ（１９７６）色差式から透過光のｂ＊値を算出した。図５に、インジウム酸化物膜の厚さと可視光反射率との関係を示す。また、図６に、インジウム酸化物膜の厚さと透過光のｂ＊値との関係を示す。【０１０６】
図５、６から明らかなように、実施例６の屈折率調整膜を有する試験片は、比較例５の屈折率調整膜を有しない試験片に比べて、可視光の反射率が低下するとともに、ｂ＊値が低く抑えられることがわかる。【０１０７】
＜実施例７、比較例６＞
以下に示すように実施例７、比較例６の試験片を作製して評価を行った。【０１０８】
（実施例７）
実施例１と同様のスパッタリング装置において、チャンバー内の圧力が５×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。その後、チャンバー内の圧力が０．６Ｐａになるようにアルゴンガスを導入し、さらに酸素ガスの割合が体積比で０．８％になるようにアルゴンガスおよび酸素ガスを導入した。【０１０９】
なお、ターゲットには直流電源を接続し、プラズマ源には１３．５６メガヘルツの交流電源を接続した。プラズマ源に印加される交流電力は１６００Ｗとし、ターゲットに印加される直流電力は４００Ｗとした。磁気回路は、ターゲットの表面上でかつターゲット表面に対して垂直方向の磁場が０ガウスとなる点において、ターゲット表面に対して水平方向の磁場が７５０ガウスになるように調整した。【０１１０】
このようなスパッタリング装置において、実施例１と同様に、透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【０１１１】
（比較例６）
チャンバー内の圧力を５×１０−５Ｐａ以下になるまで排気した後、チャンバー内の圧力が０．１Ｐａになるようにアルゴンガスを導入し、さらに酸素ガスの割合が体積比で１％になるようにアルゴンガスおよび酸素ガスを導入したことを除いて、実施例８と同様にして透明基材上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した。その後、非晶質のインジウムスズ酸化物膜に対してパターニングを行った後、１６０℃で３０分間の加熱を行って、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を結晶化させて試験片を作製した。【０１１２】
次に、実施例７、比較例６の試験片について、結晶化後のインジウムスズ酸化物膜におけるクラックの有無をマイクロスコープで観察した。結果を表２に示す。【０１１３】
【表２】
2016117610.tif 000004
【０１１４】
表２から明らかなように、実施例７のｄ１／ｄ２が１．００１以上である試験片は、結晶化後のインジウムスズ酸化物膜におけるクラックの発生が抑制されていることがわかる。すなわち、ｄ１／ｄ２が１．００１以上であると、比抵抗が１．５×１０−４［Ω・ｃｍ］以下となるものについてもクラックの発生が抑制されることがわかる。ここで、クラックは、結晶化のための熱処理時に発生するものである。従って、導電性が高く、かつクラックの発生が抑制されたインジウムスズ酸化物膜が得られる。【０１１５】
なお、格子面間距離ｄ１［ｎｍ］は、薄膜Ｘ線回折装置により結晶化後のインジウムスズ酸化物膜のインプレーンＸ線回折法による測定を実施して、このインジウムスズ酸化物膜に対して略平行に入射するＸ線回折像の（２２２）面のピークから算出される格子面間距離である。また、格子面間距離ｄ２［ｎｍ］は、理想的なインジウムスズ酸化物の格子面間距離である。【０１１６】
格子面間距離は、具体的には以下のようにして算出した。インプレーンＸ線回折法による測定のＸ線回折パターンについて、統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア（株式会社リガク製、ＰＤＸＬ２）を使用して、バックグラウンドを除去後、分割型擬ｖｏｉｇｔ関数でピークフィッティングした。フィッティングしたパターンの（２２２）面のピークトップの回折角より、ブラッグの式を用いて（２２２）面の格子面間距離を算出した。
【符号の説明】
【０１１７】
１０…透明導電性積層体、１１…透明基材、１２…下地膜、１３…結晶化されたインジウムスズ酸化物膜、１４…被覆部、１５、１６…屈折率調整膜、２０…積層体材料、２１…非晶質のインジウムスズ酸化物膜、１３１…インジウムスズ酸化物膜が存在する部分、１３２…インジウムスズ酸化物膜が存在しない部分。
【図１】
2016117610.tif 000005
【図２】
2016117610.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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