(57)【要約】  光学素子の歪みを抑制する  ミラー装置は、レーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子と、前記光学素子と面接触して前記光学素子を保持するホルダと、を備え、前記ホルダの前記光学素子との接触面の平面度は、前記光学素子の平面度と同じ又は前記光学素子の平面度より小さくてもよい。
2015151152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子と、
前記光学素子と面接触して前記光学素子を保持するホルダと、
を備え、
前記ホルダの前記光学素子との接触面の平面度は、前記光学素子の平面度と同じ又は前記光学素子の平面度より小さい
ミラー装置。
【請求項２】
前記ホルダは、
前記光学素子の第１面と面接触する前記接触面を備えて前記光学素子を支持する支持部材と、
前記光学素子の第２面を押して前記光学素子を前記支持部材に押し付ける押付部材と、
を含む
請求項１に記載のミラー装置。
【請求項３】
前記ホルダは、前記支持部材と前記第１面との間に配置され、前記支持部材及び前記第１面と面接触する第１中間部材を更に含み、
前記第１中間部材の前記第１面との接触面の平面度は、前記第１面の平面度と同じ又は前記第１面の平面度より小さい
請求項２に記載のミラー装置。
【請求項４】
前記第１中間部材の前記支持部材との接触面の平面度は、前記第１面の平面度と同じ又は前記第１面の平面度より小さい
請求項３に記載のミラー装置。
【請求項５】
前記ホルダは、前記押付部材と前記第２面との間に配置され、前記第２面と面接触する第２中間部材を更に含み、
前記押付部材は、前記第２中間部材を介して前記第２面を押す
請求項２に記載のミラー装置。
【請求項６】
前記支持部材の内部には、冷媒が流れる流路が設けられている
請求項２に記載のミラー装置。
【請求項７】
前記押付部材は、前記第２面の少なくとも３箇所を押す
請求項２に記載のミラー装置。
【請求項８】
前記レーザ光は、シード光を増幅する増幅器又はレーザ発振器から出射されたレーザ光である
請求項２に記載のミラー装置。
【請求項９】
前記レーザ光は、ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成するために前記ターゲットに照射するレーザ光である
請求項２に記載のミラー装置。
【請求項１０】
レーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子と、
前記光学素子と面接触して前記光学素子を保持するホルダと、
を備え、
前記光学素子の表面で反射する前記レーザ光の波長をλとすると、前記ホルダの前記光学素子との接触面の平面度はλ／５以下の大きさである
ミラー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ミラー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６９９０７
【特許文献２】特開２０１３−１１５１７６
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るミラー装置は、レーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子と、前記光学素子と面接触して前記光学素子を保持するホルダと、を備え、前記ホルダの前記光学素子との接触面の平面度は、前記光学素子の平面度と同じ又は前記光学素子の平面度より小さくてもよい。
【０００６】
本開示の１つの観点に係るミラー装置は、レーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子と、前記光学素子と面接触して前記光学素子を保持するホルダと、を備え、前記光学素子の表面で反射する前記レーザ光の波長をλとすると、前記ホルダの前記光学素子との接触面の平面度はλ／５以下の大きさであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、レーザ発振器と増幅器とを含むレーザ装置の構成を説明するための図を示す。
【図３】図３は、波面制御システムに含まれるビーム特性計測器の構成を説明するための図を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、第１実施例のミラー装置を説明するための図を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａに示されたＩＶＢ−ＩＶＢ線におけるミラー装置の断面図を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図４Ｂに示されたＩＶＣ−ＩＶＣ線におけるミラー装置の断面図を示す。
【図４Ｄ】図４Ｄは、図４Ｂに示された支持部材及び光学素子の平面度を説明するための図を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、第２実施例のミラー装置を説明するための図を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示された支持部材、第１中間部材、及び光学素子の平面度を説明するための図を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、第３実施例のミラー装置を説明するための図を示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに示された支持部材、第２中間部材、及び光学素子の平面度を説明するための図を示す。
【図７】図７は、第３実施例のミラー装置の変形例を説明するための図を示す。
【図８】図８は、第４実施例のミラー装置を説明するための図を示す。
【図９】図９は、ミラー装置を含むＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。
【図１０】図１０は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。
【図１１Ａ】図１１Ａは、波面調節器の構成を説明するための図であって、波面調節器に入射するレーザ光が平面波である場合を示す。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、波面調節器の構成を説明するための図であって、波面調節器に入射するレーザ光が凸面波である場合を示す。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、波面調節器の構成を説明するための図であって、波面調節器に入射するレーザ光が凹面波である場合を示す。
【図１２】図１２は、図１１Ａ〜図１１Ｃに示された波面調節器のアクチュエータを説明するための図を示す。
【図１３】図１３は、波面調節器の他の構成例を説明するための図を示す。
【実施形態】
【０００８】
〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．レーザ発振器と増幅器とを含むレーザ装置
４．１  構成
４．２  動作
４．３  課題
５．本実施形態のミラー装置
５．１  第１実施例のミラー装置
５．２  第２実施例のミラー装置
５．３  第３実施例のミラー装置
５．４  第４実施例のミラー装置
６．ミラー装置を含むＥＵＶ光生成装置
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用
７．その他
７．１  各制御部のハードウェア環境
７．２  波面調節器
７．３  その他の変形例
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
【００１１】
ミラー装置３５は、入射レーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子３５０と、光学素子３５０と面接触して光学素子３５０を保持するホルダ３５１と、を備え、ホルダ３５１の光学素子３５０との接触面３５２ｆの平面度は、光学素子３５０の平面度と同じ又は光学素子３５０の平面度より小さくてもよい。
このような構成により、ミラー装置３５は、反射光の波面と透過光の波面との不一致を抑制し得る。
【００１２】
［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
「光路軸」は、パルスレーザ光の進行方向に沿ってパルスレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、パルスレーザ光が通過する経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
「上流側」は、パルスレーザ光の光路に沿ってレーザ発振器に近い側のことである。
「下流側」は、パルスレーザ光の光路に沿ってレーザ発振器から遠い側のことである。
「平面度」は、平面形体の幾何学的に正しい平面（幾何学的平面）からの狂いの大きさをいう（日本工業規格 JIS B 0621:1984）。平面度は、平面形体を幾何学的平行二平面で挟んだとき、平行二平面の間隔が最小となる場合の二平面の間隔で表される（日本工業規格 JIS B 0621:1984）。平面度が小さいほど、幾何学的平面に近くなり良好な平面度となり得る。平面度は、面精度の一指標であり得る。
【００１３】
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１  構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１４】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１５】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００１６】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１７】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１８】
［３．２  動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１９】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２０】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２１】
［４．レーザ発振器と増幅器とを含むレーザ装置］
［４．１  構成］
図２及び図３を用いて、レーザ発振器３０１と増幅器３１０とを含むレーザ装置３について説明する。
図２は、レーザ発振器３０１と増幅器３１０とを含むレーザ装置３の構成を説明するための図を示す。
【００２２】
ＥＵＶ光生成システム１１に含まれるレーザ装置３は、レーザ発振器３０１と、増幅器３１０と、波面制御システム３２０と、レーザ制御部３３０とを含んでもよい。
レーザ発振器３０１及び増幅器３１０は、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）システムを構成してもよい。
なお、増幅器３１０は、１又は複数の増幅器３１０１〜３１０ｎによって構成されてもよい。１又は複数の増幅器３１０１〜３１０ｎを総称して「増幅器３１０」ともいう。
【００２３】
レーザ発振器３０１は、ＭＯＰＡシステムを構成するマスターオシレータであってもよい。
レーザ発振器３０１は、ガスレーザであってもよい。当該レーザ発振器３０１は、一対の放電電極、光共振器、及びＱスイッチを含み、ＣＯ２をレーザガスとするガスレーザであってもよい。
或いは、レーザ発振器３０１は、半導体レーザであってもよい。当該レーザ発振器３０１は、ＣＯ２ガスレーザのゲイン領域の波長で発振する量子カスケードレーザであってもよい。
レーザ発振器３０１は、パルスレーザ光３０を発振し、後続する増幅器３１０に出射してもよい。パルスレーザ光３０は、増幅器３１０によって増幅される前段階のレーザ光であるシード光であってもよい。パルスレーザ光３０の波長は、例えば９μｍ〜１０．６μｍ程度であってもよい。
【００２４】
増幅器３１０は、ＭＯＰＡシステムを構成するパワーアンプリファイアであってもよい。
増幅器３１０は、ガスレーザであってもよい。当該増幅器３１０は、一対の放電電極を含み、ＣＯ２をレーザガスとするガスレーザであってもよい。増幅器３１０に含まれる一対の放電電極には、図示しない高周波電源から放電電圧が印加されてもよい。当該増幅器３１０は、３軸直交型増幅器や高速軸流型増幅器であってもよい。
或いは、増幅器３１０は、スラブ型増幅器であってもよい。
増幅器３１０は、レーザ発振器３０１から出射されるパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
【００２５】
増幅器３１０は、上述したように、１又は複数の増幅器３１０１〜３１０ｎによって構成されてもよい。
増幅器３１０１〜３１０ｎは、レーザ発振器３０１から出射されるパルスレーザ光３０の光路上に直列的に配置されてもよい。
増幅器３１０１〜３１０ｎのそれぞれには、それぞれの前段に設けられたレーザ発振器３０１又は増幅器３１０１〜３１０ｎ−１から出射された各パルスレーザ光が入射してもよい。
増幅器３１０１〜３１０ｎ−１のそれぞれは、入射した各パルスレーザ光を増幅し、それぞれの後段に設けられた増幅器３１０２〜３１０ｎに出射してもよい。最終段の増幅器３１０ｎは、入射したパルスレーザ光を増幅し、増幅されたパルスレーザ光をパルスレーザ光３１としてレーザ光進行方向制御部３４に出射してもよい。
【００２６】
波面制御システム３２０は、増幅器３１０から出射されるパルスレーザ光３０の波面を制御するシステムであってもよい。
波面制御システム３２０は、ビーム特性計測器３２１と、波面調節器３２２と、制御部３２３と、を含んでもよい。
なお、波面制御システム３２０は、１又は複数の波面制御システム３２０１〜３２０ｍによって構成されてもよい。１又は複数の波面制御システム３２０１〜３２０ｍを総称して「波面制御システム３２０」ともいう。
また、波面制御システム３２０１〜３２０ｍのそれぞれは、各ビーム特性計測器３２１１〜３２１ｍ、各波面調節器３２２１〜３２２ｍ、各制御部３２３１〜３２３ｍをそれぞれ対応付けて含んでもよい。ビーム特性計測器３２１１〜３２１ｍを総称して「ビーム特性計測器３２１」ともいう。波面調節器３２２１〜３２２ｍを総称して「波面調節器３２２」ともいう。制御部３２３１〜３２３ｍを総称して「制御部３２３」ともいう。
【００２７】
ビーム特性計測器３２１は、レーザ発振器３０１から出射されるパルスレーザ光３０の光路上であって、増幅器３１０の下流側に設けられてもよい。
ビーム特性計測器３２１は、増幅器３１０から出射されたパルスレーザ光３０の各種ビーム特性を計測してもよい。ビーム特性計測器３２１が計測するビーム特性には、ビームダイバージェンスが含まれていてもよい。
ビームダイバージェンスは、ビーム幅の広がり角を示し、パルスレーザ光３０の波面に関するパラメータであってもよい。ビームダイバージェンスから波面の曲率半径が算出され得る。
ビーム特性計測器３２１は、計測されたビーム特性に関する計測信号を生成し、制御部３２３に出力してもよい。
ビーム特性計測器３２１の詳細な構成については、図３を用いて後述する。
【００２８】
波面調節器３２２は、レーザ発振器３０１から出射されるパルスレーザ光３０の光路上であって、増幅器３１０の上流側に設けられてもよい。
波面調節器３２２は、増幅器３１０に入射するパルスレーザ光の波面を調節してもよい。
波面調節器３２２は、図示しない凹レンズと、凸レンズと、可動ステージとを含んでもよい。
波面調節器３２２に含まれる凹レンズ及び凸レンズは、互いに対向して可動ステージに載置されてもよい。可動ステージに載置された凹レンズ及び凸レンズは、パルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。可動ステージは、凹レンズと凸レンズとの距離を変動させてもよい。
波面調節器３２２は、制御部３２３からの制御信号に応じて可動ステージを駆動し、凹レンズと凸レンズとの距離を変動させてもよい。
【００２９】
制御部３２３は、レーザ制御部３３０からの指令に基づいて、波面制御システム３２０に含まれるビーム特性計測器３２１及び波面調節器３２２の動作を制御してもよい。
制御部３２３には、増幅器３１０から出射されたパルスレーザ光３０のビーム特性に関する計測信号がビーム特性計測器３２１から入力されてもよい。
制御部３２３は、入力された計測信号に基づいて、増幅器３１０に入射するパルスレーザ光３０の波面を制御するための制御信号を波面調節器３２２に出力してもよい。
当該制御信号は、増幅器３１０に入射するパルスレーザ光３０の波面が所望の曲率半径を有するよう、波面調節器３２２に含まれる凹レンズと凸レンズとの距離を変動させる制御信号であってもよい。
それにより、増幅器３１０に入射するパルスレーザ光３０の波面は、制御部３２３からの制御によって、所望の曲率半径を有する波面に調節され得る。
なお、制御部３２３のハードウェア構成については、図１０を用いて後述する。
【００３０】
波面制御システム３２０は、上述したように、１又は複数の波面制御システム３２０１〜３２０ｍによって構成されてもよい。
波面制御システム３２０１〜３２０ｍのそれぞれは、増幅器３１０１〜３１０ｎのそれぞれに１対１の関係で対応付けられて設けられてよい。或いは、波面制御システム３２０１〜３２０ｍのそれぞれは、増幅器３１０１〜３１０ｎの一部にそれぞれ対応付けられて設けられてよい。
増幅器３１０１〜３１０ｎのうちの特定の増幅器３１０を、「増幅器３１０ｋ」ともいう。
波面制御システム３２０１〜３２０ｍのうち増幅器３１０ｋに設けられた特定の波面制御システム３２０を、「波面制御システム３２０ｋ」ともいう。
波面制御システム３２０ｋに含まれるビーム特性計測器３２１、波面調節器３２２、及び制御部３２３を、それぞれ「ビーム特性計測器３２１ｋ」、「波面調節器３２２ｋ」、「制御部３２３ｋ」ともいう。
すなわち、増幅器３１０ｋの上流側には波面調節器３２２ｋ、増幅器３１０ｋの下流側にはビーム特性計測器３２１ｋがそれぞれ設けられてもよい。波面調節器３２２ｋ及びビーム特性計測器３２１ｋは制御部３２３ｋに接続されてもよい。
【００３１】
レーザ制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続され、ＥＵＶ光生成制御部５との間で各種信号のやり取りを行ってもよい。
例えば、レーザ制御部３３０には、パルスレーザ光３０の発振に関する指令信号がＥＵＶ光生成制御部５から入力されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５からの指令信号には、パルスレーザ光３０の発振タイミング、繰り返し周波数、ビームダイバージェンス、光路、パルスエネルギ等を制御するための情報が含まれてもよい。
レーザ制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５からの指令信号に基づいて、レーザ装置３の各構成要素の動作を統括的に制御してもよい。
レーザ制御部３３０は、レーザ発振器３０１のレーザ発振や増幅器３１０でのレーザ増幅を制御してもよい。
レーザ制御部３３０は、制御部３２３を介して波面制御システム３２０を制御してもよい。
なお、レーザ制御部３３０のハードウェア構成については、図１０を用いて後述する。
【００３２】
図３は、波面制御システム３２０ｋに含まれるビーム特性計測器３２１ｋの構成を説明するための図を示す。
ビーム特性計測器３２１ｋは、ビームスプリッタ３２１ａｋと、集光光学系３２１ｂｋと、２次元イメージセンサ３２１ｃｋと、ホルダ３２１ｄｋとを含んでもよい。
【００３３】
ビームスプリッタ３２１ａｋは、入射したパルスレーザ光３０の一部を反射し、他の一部を透過してもよい。
ビームスプリッタ３２１ａｋは、レーザ発振器３０１から出射されたパルスレーザ光３０の光路上の所定位置に配置されてもよい。
ビームスプリッタ３２１ａｋは、ビームスプリッタ３２１ａｋを透過したパルスレーザ光３０がレーザ発振器３０１から出射されたパルスレーザ光３０の光路上を進行するような姿勢で配置されてもよい。同時に、ビームスプリッタ３２１ａｋは、ビームスプリッタ３２１ａｋで反射したパルスレーザ光３０が集光光学系３２１ｂｋに入射するような姿勢で配置されてもよい。
ビームスプリッタ３２１ａｋは、入射したパルスレーザ光３０を、後続する波面制御システム３２０ｋ＋１に出射されるパルスレーザ光３０と、集光光学系３２１ｂｋに出射されるパルスレーザ光３０とに分割し得る。
【００３４】
集光光学系３２１ｂｋは、ビームスプリッタ３２１ａｋで反射したパルスレーザ光３０を、２次元イメージセンサ３２１ｃｋの受光面に集光してもよい。
【００３５】
２次元イメージセンサ３２１ｃｋは、集光光学系３２１ｂｋによって集光されたパルスレーザ光３０の各種ビーム特性を計測してもよい。当該ビーム特性には、ビームダイバージェンスが含まれていてもよい。
２次元イメージセンサ３２１ｃｋは、計測されたビーム特性に関する計測信号を生成し、制御部３２３に出力してもよい。
【００３６】
ホルダ３２１ｄｋは、ビームスプリッタ３２１ａｋが上記所定位置及び姿勢で配置されるよう、ビームスプリッタ３２１ａｋを保持してもよい。
ホルダ３２１ｄｋの内部には、冷媒が流れる流路が設けられてもよい。冷媒は、冷却水であってもよい。
ホルダ３２１ｄｋは、パルスレーザ光３０の吸収によって発熱したビームスプリッタ３２１ａｋを冷却し得る。
【００３７】
［４．２  動作］
レーザ制御部３３０は、高周波電源によって増幅器３１０１〜３１０ｎの放電電極に放電電圧が印加されるよう、高周波電源を制御してもよい。
増幅器３１０１〜３１０ｎでは、レーザ発振器３０１からパルスレーザ光３０が入射する前に、予め放電が開始され得る。増幅器３１０１〜３１０ｎのレーザガスは、予め励起され得る。
【００３８】
レーザ制御部３３０は、所定の繰り返し周波数でパルスレーザ光３０が出射されるよう、レーザ発振器３０１の発振を制御してもよい。
レーザ発振器３０１から出射されたパルスレーザ光３０は、最前段の増幅器３１０１に入射し、増幅器３１０１によって増幅され得る。増幅器３１０１によって増幅されたパルスレーザ光３０は、後続する増幅器３１０２に入射し、増幅器３１０２によって更に増幅され得る。以後、増幅器３１０３〜３１０ｎにおいても増幅器３１０１及び増幅器３１０２と同様に増幅が繰り返されてもよい。最終段の増幅器３１０ｎによって増幅されたパルスレーザ光３０は、パルスレーザ光３１としてレーザ光進行方向制御部３４に出射されてもよい。
【００３９】
この際、増幅器３１０に波面制御システムが設けられている場合、パルスレーザ光３０は次のように増幅され得る。
増幅器３１０ｋの上流側にある増幅器３１０ｋ−１から出射したパルスレーザ光３０は、波面制御システム３２０ｋの波面調節器３２２ｋに入射し得る。波面調節器３２２ｋは、入射したパルスレーザ光３３の波面を調節し、増幅器３１０ｋに出射してもよい。増幅器３１０ｋは、波面調節器３２２ｋによって波面が調節された後のパルスレーザ光３０を増幅し得る。
【００４０】
増幅器３１０ｋによって増幅されたパルスレーザ光３０の一部は、ビーム特性計測器３２１ｋのビームスプリッタ３２１ａｋを透過して、増幅器３１０ｋ＋１又は波面調節器３２２ｋ＋１に入射し得る。増幅器３１０ｋによって増幅されたパルスレーザ光３０の他の一部は、ビーム特性計測器３２１ｋのビームスプリッタ３２１ａｋで反射され２次元イメージセンサ３２１ｃｋに集光され得る。２次元イメージセンサ３２１ｃｋは、入射したパルスレーザ光３３のビーム特性を計測し、ビーム特性に関する計測信号を制御部３２３ｋに出力してもよい。制御部３２３ｋは、入力された計測信号に基づいて、所望のビーム特性が得られるよう波面調節器３２２ｋをフィードバック制御してもよい。
【００４１】
［４．３  課題］
上述のように、ビーム特性計測器３２１ｋに含まれるビームスプリッタ３２１ａｋには、増幅器３１０ｋによって増幅された高出力のパルスレーザ光３０が入射し得る。
ビームスプリッタ３２１ａｋは、高出力のパルスレーザ光３０が入射すると、当該パルスレーザ光３０の一部を吸収して発熱し得る。発熱したビームスプリッタ３２１ａｋは、熱膨張し得る。
ビームスプリッタ３２１ａｋは、内部に冷媒が流れるホルダ３２１ｄｋによって、締め付けられ且つ冷却され得る。
このとき、ビームスプリッタ３２１ａｋがホルダ３２１ｄｋに締め付けられていることによって、ビームスプリッタ３２１ａｋの熱膨張及び収縮は拘束され得る。すると、ビームスプリッタ３２１ａｋには、ビームスプリッタ３２１ａｋとホルダ３２１ｄｋとの熱膨張率の差に応じた熱応力が発生し得る。それにより、ビームスプリッタ３２１ａｋは、熱膨張前の状態に収縮できずに歪んでしまうことがあり得る。
ビームスプリッタ３２１ａｋが歪むと、ビームスプリッタ３２１ａｋで反射されたパルスレーザ光３０のビーム特性は変化し得る。特に、当該パルスレーザ光３０の波面は、ビームスプリッタ３２１ａｋが歪む前の波面から変化し易い。すると、ビームスプリッタ３２１ａｋで反射されたパルスレーザ光３０の波面と、ビームスプリッタ３２１ａｋを透過したパルスレーザ光３０の波面とが一致しなくなり得る。
このため、ビーム特性計測器３２１ｋで計測されたビーム特性に基づいて波面調節器３２２ｋをフィードバック制御しても、増幅器３１０ｋから出射されたパルスレーザ光３０は所望のビーム特性が得られないという問題が生じていた。
この問題は、ビームスプリッタ３２１ａｋとホルダ３２１ｄｋとを含むビーム特性計測器３２１ｋに限定されず、レーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子と、当該光学素子を保持するホルダとを含むミラー装置においても同様に当てはまり得る。
よって、ホルダに保持された状態で発熱した光学素子の歪みを抑制し得る技術が望まれている。
【００４２】
［５．本実施形態のミラー装置］
図４Ａ〜図８を用いて、本実施形態のミラー装置３５について説明する。
本実施形態のミラー装置３５は、光学素子及びホルダの構成が、図３に示されたビームスプリッタ３２１ａｋ及びホルダ３２１ｄｋと異なる構成であってもよい。
本実施形態のミラー装置３５の構成において、図３に示されたビームスプリッタ３２１ａｋ及びホルダ３２１ｄｋと同様の構成については説明を省略する。
ミラー装置３５の実施態様を、第１〜第４実施例として説明する。
【００４３】
［５．１  第１実施例のミラー装置］
図４Ａ〜図４Ｄを用いて、第１実施例のミラー装置３５について説明する。
図４Ａは、第１実施例のミラー装置３５を説明するための図を示す。図４Ｂは、図４Ａに示されたＩＶＢ−ＩＶＢ線におけるミラー装置３５の断面図を示す。図４Ｃは、図４Ｂに示されたＩＶＣ−ＩＶＣ線におけるミラー装置３５の断面図を示す。
【００４４】
第１実施例のミラー装置３５は、光学素子３５０と、ホルダ３５１とを備えてもよい。
【００４５】
光学素子３５０は、入射したパルスレーザ光３０の一部を反射すると共に、当該パルスレーザ光３０の他の一部を透過する光学素子であってもよい。光学素子３５０は、例えばビームスプリッタやダイクロイックミラーであってもよい。
光学素子３５０は、円板形状に形成されてもよい。光学素子３５０は、平面型構造に形成されてもよい。
光学素子３５０は、ダイヤモンド基板を用いて形成されてもよい。パルスレーザ光３０の出力が低出力である場合には、ＧａＡｓ基板を用いて形成されてもよい。パルスレーザ光３０の出力が数ｋＷ以上である場合には、光学素子３５０は、ダイヤモンド基板を用いて形成されることが好ましい。
【００４６】
光学素子３５０は、第１面３５０ａと第２面３５０ｂとを少なくとも含んでもよい。
第１面３５０ａは、光学素子３５０におけるパルスレーザ光３０の入射面であってもよい。
第１面３５０ａには、パルスレーザ光３０の一部を反射する反射膜がコートされてもよい。
第２面３５０ｂは、第１面３５０ａとは反対側の面であってもよい。第２面３５０ｂは、光学素子３５０の内部を透過したパルスレーザ光３０の一部が光学素子３５０から出射するときの出射面であってもよい。
第２面３５０ｂには、パルスレーザ光３０の反射を防止する減反射膜がコートされてもよい。
光学素子３５０に入射したパルスレーザ光３０の一部は、第１面３５０ａで反射され反射光となり得る。光学素子３５０に入射したパルスレーザ光３０の一部は、第１面３５０ａ及び光学素子３５０の内部を透過して第２面３５０ｂから出射される透過光となり得る。
【００４７】
ホルダ３５１は、内部に光学素子３５０を収容し、光学素子３５０を保持してもよい。
ホルダ３５１は、光学素子３５０と面接触して光学素子３５０を保持してもよい。
ホルダ３５１は、中空の円筒形状に形成されてもよい。
ホルダ３５１は、支持部材３５２と、押付部材３５３と、固定部材３５４と、ネジ３５５と、継手３５６と、を含んでもよい。支持部材３５２及び固定部材３５４は、ホルダ３５１の骨格を構成する部材であってもよい。
【００４８】
支持部材３５２は、光学素子３５０を面接触で支持する部材であってもよい。
支持部材３５２は、金属材料又はセラミックス材料を用いて形成されてもよい。支持部材３５２を形成する金属材料は、ステンレス鋼、銅若しくは銅を含む金属材料であってもよい。支持部材３５２を形成するセラミクス材料は、ＳｉＣであってもよい。
支持部材３５２は、貫通孔３５２ａと、流路３５２ｂと、冷媒入口３５２ｃと、冷媒出口３５２ｄと、正面３５２ｅと、接触面３５２ｆと、タップ穴３５２ｇとを含んでもよい。
【００４９】
支持部材３５２は、円板形状に形成されてもよい。
支持部材３５２の外径は、光学素子３５０の直径より大きくてもよい。
支持部材３５２の中心軸は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の中心軸と一致してもよい。
支持部材３５２の中央には、貫通孔３５２ａが形成されてもよい。
貫通孔３５２ａは、ミラー装置３５に入射するパルスレーザ光３０を、光学素子３５０に導くための貫通孔であってもよい。
貫通孔３５２ａの直径は、パルスレーザ光３０のビーム直径より大きく、光学素子３５０の直径より小さくてもよい。
貫通孔３５２ａの中心軸は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の中心軸と一致してもよい。
【００５０】
貫通孔３５２ａの径方向外側に位置する支持部材３５２の内部には、冷媒が流れる流路３５２ｂが設けられてもよい。冷媒は、冷却水であってもよい。
支持部材３５２における流路３５２ｂの位置は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の外縁部３５０ｃの位置に対応するような位置であってもよい。なお、外縁部３５０ｃは、光学素子３５０を支持部材３５２に設置した際に、貫通孔３５２ａよりも外側に位置する光学素子３５０の部分であってもよい。
【００５１】
流路３５２ｂには、冷媒入口３５２ｃ及び冷媒出口３５２ｄが設けられてもよい。
冷媒入口３５２ｃは、冷媒を流路３５２ｂに流入させるための入口であってもよい。
冷媒出口３５２ｄは、冷媒を流路３５２ｂから流出させるための出口であってもよい。
冷媒入口３５２ｃ及び冷媒出口３５２ｄには、継手３５６が取り付けられていてもよい。冷媒入口３５２ｃ及び冷媒出口３５２ｄは、継手３５６を介して図示しない配管に連結されてもよい。当該配管は、図示しないポンプに連結されてもよい。
流路３５２ｂ、冷媒入口３５２ｃ、冷媒出口３５２ｄ、継手３５６、配管、及びポンプは、互いに連通していてもよい。ポンプの駆動により、流路３５２ｂを流れる冷媒は、流路３５２ｂ内を循環し得る。
【００５２】
パルスレーザ光３０を吸収して光学素子３５０に発生した熱は、当該光学素子３５０と面接触する支持部材３５２に熱伝導により伝熱され得る。支持部材３５２に伝熱された熱は、流路３５２ｂを循環する冷媒に伝熱され、ミラー装置３５の外部に排熱され得る。
それにより、ホルダ３５１は、パルスレーザ光３０を吸収して発熱した光学素子３５０を、当該光学素子３５０と面接触し且つ内部に冷媒が流れる支持部材３５２によって効率的に冷却し得る。
【００５３】
支持部材３５２の正面３５２ｅは、パルスレーザ光３０が入射する側に位置する支持部材３５２の面であってもよい。
支持部材３５２の接触面３５２ｆは、正面３５２ｅとは反対側に位置する支持部材３５２の面であってもよい。
接触面３５２ｆには、光学素子３５０が設置されてもよい。
接触面３５２ｆは、光学素子３５０の第１面３５０ａと面接触してもよい。接触面３５２ｆは、光学素子３５０の外縁部３５０ｃにおける第１面３５０ａと面接触してもよい。
接触面３５２ｆは、高い面精度を確保するよう研磨加工されてもよい。面精度の検査は、フィゾー型干渉計を用いて行われてもよい。接触面３５２ｆの面精度を表すパラメータは、平面度であってもよい。
接触面３５２ｆ及び第１面３５０ａの平面度については、図４Ｄを用いて後述する。
【００５４】
支持部材３５２の接触面３５２ｆには、タップ穴３５２ｇが形成されてもよい。
タップ穴３５２ｇは、雄ねじであるネジ３５５に対応する雌ねじであってもよい。
タップ穴３５２ｇは、接触面３５２ｆの光学素子３５０を支持する部分よりも外側の部分に形成されてもよい。接触面３５２ｆにおけるタップ穴３５２ｇの位置は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の外縁部３５０ｃの位置よりも外側にあるような位置であってもよい。
【００５５】
押付部材３５３は、光学素子３５０を支持部材３５２に押し付ける部材であってもよい。
押付部材３５３は、光学素子３５０の第２面３５０ｂを押してもよい。
押付部材３５３は、バネ等の弾性体を含む部材であってもよい。
押付部材３５３は、プランジャネジであってもよい。
プランジャネジの外装部には、雄ねじとなるねじ切りが施されてもよい。
プランジャネジの先端は、光学素子３５０との接触部分であって、先端が半球形状のピン又はボールで形成されてもよい。
プランジャネジの内部には、当該ピン又はボールを押し出す力を与えるバネ等の弾性体が伸縮自在に設けられてもよい。
【００５６】
押付部材３５３は、第２面３５０ｂを押すことによって光学素子３５０を支持部材３５２に押し付け得る。同時に、押付部材３５３の第２面３５０ｂとの接触部分は、第２面３５０ｂの面上で滑り得る。同時に、押付部材３５３の第２面３５０ｂとの接触部分は、押付部材３５３の弾性体によって光学素子３５０の厚み方向に伸縮し得る。
このため、押付部材３５３は、光学素子３５０の熱膨張及び収縮を拘束せずに、光学素子３５０を支持部材３５２に押し付け得る。
それにより、ホルダ３５１は、パルスレーザ光３０を吸収して発熱した光学素子３５０が熱膨張し冷却されて収縮しても、当該光学素子３５０を歪ませること無く保持し得る。
【００５７】
押付部材３５３は、光学素子３５０の外縁部３５０ｃにおける第２面３５０ｂを押してもよい。押付部材３５３が押す位置は、外縁部３５０ｃにおける第２面３５０ｂの少なくとも３箇所以上の位置であってもよい。
押付部材３５３が押す位置は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の中心に対して点対称となる位置であってもよい。押付部材３５３が押す位置が３箇所であれば、当該位置は、貫通孔３５２ａの周方向に沿って１２０°の間隔を開けた位置となり得る。
【００５８】
押付部材３５３は、光学素子３５０の中心に対して点対称な少なくとも３箇所以上の位置を押し得る。押付部材３５３が光学素子３５０を押すことによって光学素子３５０に加わる力は、均等となり得る。
このため、押付部材３５３が光学素子３５０を押すことによって光学素子３５０の内部に発生する応力は、押付部材３５３によって押された光学素子３５０の特定の位置に集中し難くなり得る。
それにより、ホルダ３５１は、押付部材３５３にて光学素子３５０を押し付けても、当該光学素子３５０を歪ませること無く保持し得る。
なお、押付部材３５３は、プランジャネジの代りに板バネが用いられてもよい。板バネの押付部材３５３は、光学素子３５０を面接触で押し得る。
【００５９】
固定部材３５４は、光学素子３５０を支持部材３５２に押し付けている押付部材３５３を固定してもよい。
固定部材３５４は、金属材料又はセラミックス材料を用いて形成されてもよい。固定部材３５４を形成する材料は、支持部材３５２を形成する材料と同じであってもよい。
固定部材３５４は、側面部３５４ａと、底面部３５４ｂと、貫通孔３５４ｃと、タップ孔３５４ｄと、挿通孔３５４ｅとを含んでもよい。
【００６０】
固定部材３５４の側面部３５４ａは、中空の円筒形状に形成されてもよい。
側面部３５４ａの内径は、光学素子３５０の直径よりも大きくてもよい。
側面部３５４ａの外径は、支持部材３５２の外径と同等であってもよい。
側面部３５４ａの中心軸は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の中心軸と一致してもよい。
側面部３５４ａの一端部は底面部３５４ｂで塞がれており、側面部３５４ａの他端部は、底面部３５４ｂで塞がれていなくてもよい。当該側面部３５４ａの他端部の端面は、固定部材３５４を支持部材３５２に組み合わせた際には、支持部材３５２の接触面３５２ｆと面接触してもよい。
【００６１】
固定部材３５４の底面部３５４ｂは、中空の円筒形状の側面部３５４ａの一端を塞ぐ円板であってもよい。
底面部３５４ｂの中心軸は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の中心軸と一致してもよい。
底面部３５４ｂの中央には、貫通孔３５４ｃが形成されてもよい。
貫通孔３５４ｃは、光学素子３５０を透過したパルスレーザ光３０を、ミラー装置３５の外に導くための貫通孔であってもよい。
貫通孔３５４ｃの直径は、パルスレーザ光３０のビーム直径より大きく、光学素子３５０の直径より小さくてもよい。
貫通孔３５４ｃの中心軸は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置したときの当該光学素子３５０の中心軸と一致してもよい。
【００６２】
貫通孔３５４ｃの径方向外側に位置する底面部３５４ｂには、タップ孔３５４ｄが設けられてもよい。
タップ孔３５４ｄは、雄ねじであるプランジャネジで構成された押付部材３５３に対応する雌ねじであってもよい。
タップ孔３５４ｄは、底面部３５４ｂを貫通する貫通孔であってもよい。
底面部３５４ｂにおけるタップ孔３５４ｄの位置は、光学素子３５０を支持部材３５２に設置し押付部材３５３が当該光学素子３５０を押したときの当該押付部材３５３の位置に対応するような位置であってもよい。
【００６３】
底面部３５４ｂには、挿通孔３５４ｅが設けられてもよい。
挿通孔３５４ｅは、ネジ３５５を挿通させるための孔であってもよい。
挿通孔３５４ｅは、底面部３５４ｂを貫通する貫通孔であってもよい。挿通孔３５４ｅは、底面部３５４ｂ及び側面部３５４ａを貫通する貫通孔であってもよい。
底面部３５４ｂにおける挿通孔３５４ｅの位置は、固定部材３５４を支持部材３５２に組み合わせたときの当該支持部材３５２のタップ穴３５２ｇの位置に対応するような位置であってもよい。
なお、挿通孔３５４ｅは、タップ穴３５２ｇと同様に、ネジ３５５に対応する雌ねじであってもよい。
【００６４】
ネジ３５５は、固定部材３５４を支持部材３５２に組み合わせた後に、当該固定部材３５４を支持部材３５２にねじ留めするための部材であってもよい。
ネジ３５５は、固定部材３５４の挿通孔３５４ｅを挿通すると共に、支持部材３５２のタップ穴３５２ｇに嵌まってもよい。
【００６５】
図４Ｄを用いて、支持部材３５２及び光学素子３５０の平面度について説明する。
図４Ｄは、図４Ｂに示された支持部材３５２及び光学素子３５０の平面度を説明するための図を示す。
【００６６】
光学素子３５０の平面度は、例えば、ＰＶ（Peak to Valley）値で、光学素子３５０で反射するパルスレーザ光３０の波長λの少なくともλ／５以下の大きさであってもよい。好適には、光学素子３５０の平面度は、ＰＶ値で、光学素子３５０で反射するパルスレーザ光３０の波長λのλ／１０以下の大きさであってもよい。
ホルダ３５１の光学素子３５０との接触面における平面度は、光学素子３５０の平面度と同じ、又は光学素子３５０の平面度より小さくてもよい。具体的には、支持部材３５２の接触面３５２ｆにおける平面度は、光学素子３５０の平面度と同じ、又は光学素子３５０の平面度より小さくてもよい。より具体的には、支持部材３５２の接触面３５２ｆにおける平面度は、光学素子３５０の第１面３５０ａの平面度と同じ、又は第１面３５０ａの平面度より小さくてもよい。
【００６７】
光学素子３５０と面接触する支持部材３５２の接触面３５２ｆにおける平面度は、当該光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であり得る。
このため、支持部材３５２に押し付けられた状態で発熱した光学素子３５０は、接触面３５２ｆの表面粗さやうねり等が大きい部分から局所的な力を受けることなく、熱膨張及び収縮し得る。
更に、光学素子３５０と支持部材３５２との間の接触熱抵抗は小さくなり、発熱した光学素子３５０から支持部材３５２への伝熱が容易となり得る。すると、光学素子３５０は温度上昇し難くなり、熱膨張による光学素子３５０の体積変化量は抑制され得る。
それにより、ホルダ３５１は、パルスレーザ光３０を吸収して発熱した光学素子３５０が熱膨張し冷却されて収縮しても、当該光学素子３５０を歪ませること無く保持し得る。
【００６８】
上記構成により、第１実施例に係るホルダ３５１は、光学素子３５０の熱膨張及び収縮を拘束せず、且つ、均等な力で、光学素子３５０を保持し得る。また、第１実施例に係るホルダ３５１は、熱膨張及び収縮している光学素子３５０に対して接触面３５２ｆの表面粗さやうねり等に伴う局所的な力を与えずに、光学素子３５０を保持し得る。更に、第１実施例に係るホルダ３５１は、熱膨張による光学素子３５０の体積変化量を抑制し得る。
それにより、第１実施例のミラー装置３５は、ホルダ３５１に保持された状態で発熱した際に発生する光学素子３５０の歪みを抑制し得る。
よって、第１実施例のミラー装置３５は、当該ミラー装置３５で反射するパルスレーザ光３０の波面と当該ミラー装置３５を透過するパルスレーザ光３０の波面との不一致を抑制し得る。
【００６９】
第１実施例のミラー装置３５における他の構成については、図３に示されたビームスプリッタ３２１ａｋ及びホルダ３２１ｄｋと同様の構成であってもよい。
【００７０】
［５．２  第２実施例のミラー装置］
図５Ａ及び図５Ｂを用いて、第２実施例のミラー装置３５について説明する。
図５Ａは、第２実施例のミラー装置３５を説明するための図を示す。図５Ｂは、図５Ａに示された支持部材３５２、第１中間部材３５７、及び光学素子３５０の平面度を説明するための図を示す。
【００７１】
第２実施例のミラー装置３５は、第１実施例のミラー装置３５に第１中間部材３５７を追加した構成であってもよい。
第２実施例のミラー装置３５の構成において、図４Ａ〜図４Ｄに示された第１実施例のミラー装置３５と同様の構成については説明を省略する。
【００７２】
第１中間部材３５７は、支持部材３５２の面精度と光学素子３５０の面精度とを調整するための部材であってもよい。
第１中間部材３５７は、支持部材３５２と光学素子３５０との間に設けられる板状のリングであってもよい。
当該リングの内径は、支持部材３５２の貫通孔３５２ａの直径と同程度であってもよい。
当該リングの外径は、光学素子３５０の直径と同程度であってもよい。
第１中間部材３５７は、金属材料又はセラミックス材料を用いて形成されてもよい。第１中間部材３５７を形成する材料は、支持部材３５２を形成する材料と同じであってもよい。
【００７３】
第１中間部材３５７は、光学素子３５０の第１面３５０ａと面接触してもよい。
第１中間部材３５７の光学素子３５０との接触面３５７ａにおける平面度は、光学素子３５０の平面度と同じ、又は光学素子３５０の平面度より小さくてもよい。第１中間部材３５７の接触面３５７ａにおける平面度は、光学素子３５０の第１面３５０ａの平面度と同じ、又は第１面３５０ａの平面度より小さくてもよい。
すなわち、光学素子３５０と面接触する第１中間部材３５７の接触面３５７ａにおける平面度は、当該光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であり得る。
それにより、支持部材３５２に押し付けられた状態で発熱した光学素子３５０は、第１中間部材３５７の接触面３５７ａの表面粗さやうねり等が大きい部分から局所的な力を受けることなく、熱膨張及び収縮し得る。
【００７４】
第１中間部材３５７は、支持部材３５２の接触面３５２ｆと面接触してもよい。
第１中間部材３５７の支持部材３５２との接触面３５７ｂにおける平面度は、第１中間部材３５７の接触面３５７ａと同様に、光学素子３５０の平面度と同じ、又は光学素子３５０の平面度より小さくてもよい。第１中間部材３５７の接触面３５７ｂにおける平面度は、光学素子３５０の第１面３５０ａの平面度と同じ、又は第１面３５０ａの平面度より小さくてもよい。
すなわち、支持部材３５２と面接触する第１中間部材３５７の接触面３５７ｂにおける平面度は、当該光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であり得る。
【００７５】
第１中間部材３５７の接触面３５７ｂにおける平面度が良好でないと、押付部材３５３による押し付けや熱膨張によって光学素子３５０から接触面３５７ａが押された際、接触面３５７ａは、接触面３５７ｂの表面粗さやうねり等に追従して歪み得る。更に、第１中間部材３５７と支持部材３５２との間の接触熱抵抗は大きくなり、第１中間部材３５７から支持部材３５２に熱が伝わり難くなり得る。熱膨張による光学素子３５０の体積変化量が増大し得る。
これに対し、第１中間部材３５７の接触面３５７ｂにおける平面度が当該光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であれば、接触面３５７ａは、接触面３５７ｂの表面粗さやうねり等が大きい部分に追従して歪まなくなり得る。更に、第１中間部材３５７と支持部材３５２との間の接触熱抵抗は小さくなり、第１中間部材３５７から支持部材３５２に熱が伝わり易くなり得る。熱膨張による光学素子３５０の体積変化量は抑制され得る。
すなわち、第１中間部材３５７の接触面３５７ｂにおける平面度が当該光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であると、ホルダ３５１に保持された状態で発熱した際に発生する光学素子３５０の歪みは抑制され得る。
【００７６】
なお、第２実施例に係るホルダ３５１では、第１中間部材３５７の接触面３５７ｂにおける平面度が光学素子３５０の平面度と同等以上に良好でない構成も含み得る。
この場合、支持部材３５２の接触面３５２ｆと第１中間部材３５７の接触面３５７ｂとの間は、柔らかい金属や金属ペースト等の図示しない緩衝部材で満たされてもよい。柔らかい金属は、例えばＩｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ等であってもよい。金属ペーストは、Ａｇペースト、Ｃｕペーストであってもよい。
当該緩衝部材は、第１中間部材３５７の接触面３５７ｂにおける表面粗さやうねり等を吸収し得る。
それにより、光学素子３５０と接触する第１中間部材３５７の接触面３５７ａは、接触面３５７ｂの表面粗さやうねり等が大きい部分に追従して歪まなくなり得る。更に、第１中間部材３５７と支持部材３５２との間の接触熱抵抗は小さくなり、第１中間部材３５７から支持部材３５２に熱が伝わり易くなり得る。熱膨張による光学素子３５０の体積変化量は抑制され得る。
しかし、第１中間部材３５７の支持部材３５２との接触面３５７ｂにおける平面度は、光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であることが好適である。
【００７７】
上記構成により、第２実施例に係るホルダ３５１は、パルスレーザ光３０を吸収して発熱した光学素子３５０が熱膨張し冷却されて収縮しても、当該光学素子３５０を歪ませること無く保持し得る。
よって、第２実施例のミラー装置３５は、ホルダ３５１に保持された状態で発熱した際に発生する光学素子３５０の歪みを抑制し得る。
【００７８】
第２実施例のミラー装置３５における他の構成については、図４Ａ〜図４Ｄに示された第１実施例のミラー装置３５の構成と同様であってもよい。
【００７９】
［５．３  第３実施例のミラー装置］
図６Ａ〜図７を用いて、第３実施例のミラー装置３５について説明する。
図６Ａは、第３実施例のミラー装置３５を説明するための図を示す。図６Ｂは、図６Ａに示された支持部材３５２、第２中間部材３５８、及び光学素子３５０の平面度を説明するための図を示す。
【００８０】
第３実施例のミラー装置３５は、第１実施例のミラー装置３５に第２中間部材３５８を追加した構成であってもよい。
第３実施例のミラー装置３５の構成において、図４Ａ〜図４Ｄに示された第１実施例のミラー装置３５と同様の構成については説明を省略する。
【００８１】
第２中間部材３５８は、光学素子３５０が面接触によって押付部材３５３に押されるための部材であってもよい。
第２中間部材３５８は、押付部材３５３と光学素子３５０との間に設けられる板状のリングであってもよい。
当該リングの内径は、固定部材３５４の貫通孔３５４ｃの直径と同程度であってもよい。
当該リングの外径は、光学素子３５０の直径と同程度であってもよい。
第２中間部材３５８は、金属材料又はセラミックス材料を用いて形成されてもよい。第２中間部材３５８を形成する材料は、第１中間部材３５７を形成する材料と同じであってもよい。
【００８２】
第２中間部材３５８は、光学素子３５０の第２面３５０ｂと面接触してもよい。
第２中間部材３５８の光学素子３５０との接触面３５８ａにおける平面度は、光学素子３５０の平面度と同じ、又は光学素子３５０の平面度より小さくてもよい。第２中間部材３５８の接触面３５８ａにおける平面度は、光学素子３５０の第２面３５０ｂの平面度と同じ、又は第２面３５０ｂの平面度より小さくてもよい。
すなわち、光学素子３５０と面接触する第２中間部材３５８の接触面３５８ａにおける平面度は、当該光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であり得る。
【００８３】
押付部材３５３は、光学素子３５０と面接触する第２中間部材３５８を介して、光学素子３５０を押し得る。
このため、押付部材３５３がプランジャネジであっても、押付部材３５３が第２中間部材３５８を介して光学素子３５０を押す際、光学素子３５０の第２面３５０ｂには面接触で力が加わる。押付部材３５３によって押されることで光学素子３５０に加わる力は、押付部材３５３が押す特定の位置に集中せずに、第２中間部材３５８の接触面３５８ａに亘って分散され得る。よって、押付部材３５３が光学素子３５０を押すことによって光学素子３５０の内部に発生する応力は、集中し難くなり得る。
更に、第２中間部材３５８の接触面３５８ａにおける平面度は、当該光学素子３５０の平面度と同等以上に良好であり得る。光学素子３５０は、当該接触面３５８ａの表面粗さやうねり等が大きい部分から局所的な力を受けることなく、押付部材３５３に押され得る。
それにより、第３実施例に係るホルダ３５１は、押付部材３５３にて光学素子３５０を押し付けても、当該光学素子３５０を歪ませること無く保持し得る。
よって、第３実施例のミラー装置３５は、ホルダ３５１に保持された状態で発熱した際に発生する光学素子３５０の歪みを抑制し得る。
【００８４】
図７は、第３実施例のミラー装置３５の変形例を説明するための図を示す。
第３実施例の変形例に係るミラー装置３５は、第２中間部材３５８の構成が図６Ａ及び図６Ｂに示された第３実施例のミラー装置３５に含まれる第２中間部材３５８と異なる形状であってもよい。
【００８５】
第３実施例の変形例に係る第２中間部材３５８には、凸部３５８ｂが設けられてもよい。
凸部３５８ｂは、第２中間部材３５８の光学素子３５０と接触する側の面３５８ｃの上に設けられてもよい。第２中間部材３５８の面３５８ｃにおける凸部３５８ｂの位置は、第２中間部材３５８の面３５８ｄにおいて押付部材３５３が押す位置に対応した位置であってもよい。
凸部３５８ｂの先端部分は、平面状に形成され、光学素子３５０との接触面３５８ａを構成してもよい。接触面３５８ａを構成する凸部３５８ｂの先端部分は、光学素子３５０の外縁部３５０ｃにおける第２面３５０ｂに面接触してもよい。
凸部３５８ｂは、押付部材３５３が押す位置に対応して、リング状の第２中間部材３５８の中心に対して点対称となる少なくとも３箇所以上の位置に設けられてもよい。
押付部材３５３が押す位置が３箇所であれば、凸部３５８ｂは、第２中間部材３５８の面３５８ｃに３箇所設けられてもよい。
また、第３実施例の変形例に係る押付部材３５３は、プランジャネジの代りに板バネによって構成されてもよい。
上記構成により、第３実施例の変形例に係るホルダ３５１は、第３実施例に係るホルダ３５１に比べて小型化され得る。
【００８６】
第３実施例のミラー装置３５における他の構成については、図４Ａ〜図４Ｄに示された第１実施例のミラー装置３５の構成と同様であってもよい。
【００８７】
［５．４  第４実施例のミラー装置］
図８を用いて、第４実施例のミラー装置３５について説明する。
図８は、第４実施例のミラー装置３５を説明するための図を示す。
【００８８】
第４実施例のミラー装置３５に含まれるホルダ３５１の平面度は、パルスレーザ光３０の波長λによって規定されてもよい。
図８は、入射したレーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子の反射面における平面度をパラメータとして、当該光学素子の反射面におけるレーザ光の回折限界をシミュレーションにて計算した結果を示している。
当該シミュレーションにおける計算内容の詳細は、次の通りである。すなわち、入射したレーザ光の一部を反射し他の一部を透過する光学素子に対し、レーザ光を平面波として入射させる。当該光学素子の反射面で反射した反射レーザ光を理想レンズで集光させる。そして、当該理想レンズの焦点位置における当該反射レーザ光の集光半径を、光学素子の反射面における平面度をパラメータとして計算した。光学素子の反射面における平面度は、ＰＶ値であり、反射レーザ光の波長λに対する相対値で示されている。
【００８９】
当該シミュレーションにおける計算結果は、次の通りである。すなわち、図８に示すように、光学素子の反射面における平面度が反射レーザ光の波長λより小さい領域において、当該反射レーザ光の集光半径は減少し得る。
しかし、光学素子の反射面における平面度が０．１８λ以下になると、当該反射レーザ光の集光半径の減少傾向は飽和し得る。すなわち、当該光学素子の反射面における平面度が０．１８λ（≒λ／５）であるときは、当該光学素子の反射面における反射レーザ光の回折限界を示し得る。よって、当該光学素子の反射面における平面度が０．１８λ（≒λ／５）以下の大きさであれば、当該光学素子の反射面で反射したレーザ光の波面と当該光学素子を透過したレーザ光の波面とは、高い精度で一致し得る。
【００９０】
更に、光学素子の反射面における平面度が０．１λ（＝λ／１０）以下になると、当該反射レーザ光の集光半径の減少傾向は一層飽和し得る。このため、当該光学素子の反射面における平面度が０．１λ（＝λ／１０）以下の大きさであれば、当該光学素子の反射面で反射したレーザ光の波面と当該光学素子を透過したレーザ光の波面とは、より高い精度で一致し得る。
【００９１】
上記結果より、光学素子３５０の平面度は、ＰＶ値で、光学素子３５０で反射するパルスレーザ光３０の波長λのλ／５以下の大きさであってもよい。好適には、光学素子３５０の平面度は、ＰＶ値で、光学素子３５０で反射するパルスレーザ光３０の波長λのλ／１０以下の大きさであってもよい。
また、上述したように、ホルダ３５１の光学素子３５０との接触面における平面度は、光学素子３５０の平面度と同じ、又は光学素子３５０の平面度より小さくてもよい。
よって、第４実施例に係るホルダ３５１の光学素子３５０との接触面における平面度は、光学素子３５０で反射するパルスレーザ光３０の波長λのλ／５以下の大きさであってもよい。好適には、ホルダ３５１の光学素子３５０との接触面における平面度は、光学素子３５０で反射するパルスレーザ光３０の波長λのλ／１０以下の大きさであってもよい。
したがって、第４実施例のミラー装置３５に含まれるホルダ３５１の平面度は、パルスレーザ光３０の波長λのλ／５以下の大きさ、好適にはλ／１０以下の大きさであってもよい。
【００９２】
第４実施例のミラー装置３５における他の構成については、図４Ａ〜図４Ｄに示された第１実施例のミラー装置３５の構成と同様であってもよい。
【００９３】
［６．ミラー装置を含むＥＵＶ光生成装置］
［６．１  構成］
図９を用いて、ミラー装置３５を含むＥＵＶ光生成装置１について説明する。
図９は、ミラー装置３５を含むＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
図９では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。
図９に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
図９に示されたレーザ装置３の構成において、図２及び図３に示されたレーザ装置３と同様の構成については説明を省略する。
図９に示されたミラー装置３５の構成において、図４Ａ〜図８に示されたミラー装置３５と同様の構成については説明を省略する。
【００９４】
図９に示されたＥＵＶ光生成装置１と共に用いられるレーザ装置３は、メインパルスレーザ装置３ａと、プリパルスレーザ装置３ｂとを含んでもよい。
メインパルスレーザ装置３ａは、図２に示されたレーザ装置３と同様に、レーザ制御部３３０と、レーザ発振器３０１と、複数の増幅器３１０とを含む構成であってもよい。
メインパルスレーザ装置３ａが出力するレーザ光の波長は、例えば１０．６μｍであってもよい。
メインパルスレーザ装置３ａが出力するレーザ光を、図１の説明と同様に、「メインパルスレーザ光３１ａ〜３３ａ」ともいう。
プリパルスレーザ装置３ｂは、ＹＡＧレーザ等の固体レーザ装置であってもよい。
プリパルスレーザ装置３ｂが出力するレーザ光の波長は、例えば１．０６μｍであってもよい。
プリパルスレーザ装置３ｂが出力するレーザ光を、メインパルスレーザ光３１ａ〜３３ａと同様に、「プリパルスレーザ光３１ｂ〜３３ｂ」ともいう。
【００９５】
プリパルスレーザ光は、メインパルスレーザ光をターゲット２７に照射する前段階として、ターゲット２７に照射するパルスレーザ光であってもよい。ターゲット２７は、プリパルスレーザ光が照射されると、破壊され、複数の微細なターゲット２７の粒子となって拡散し得る。拡散したターゲット２７の粒子は、メインパルスレーザ光によるＥＵＶ光の生成効率を高め得る。
ターゲット２７にプリパルスレーザ光が照射されて拡散したターゲット２７の粒子を、「２次ターゲット」ともいう。
図９に示されたレーザ装置３の他の構成については、図２及び図３に示されたレーザ装置３と同様であってもよい。
【００９６】
図９に示されたＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、波面調節器３７１と、波面調節器３７２と、ビームコンバイナ３６と、ＥＵＶ光生成制御システム１１１とを備えてもよい。
ビームコンバイナ３６は、ミラー装置３５と、プレート３６１と、高反射ミラー３６２と、ホルダ３６３と、ビーム特性計測器３６４と、を含んでもよい。
ＥＵＶ光生成制御システム１１１は、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット制御部８１と、遅延回路８２とを含んでもよい。
【００９７】
ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。
【００９８】
チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５と、プレート２３５と、移動ステージ２２６とを備えてもよい。
【００９９】
プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と同一方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、移動ステージ２２６を介してプレート２２５が設けられてもよい。
【０１００】
プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３とホルダ２３１とを含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。
【０１０１】
プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、移動ステージ２２６によって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。
移動ステージ２２６は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の３軸方向に、プレート２２５を動かしてもよい。
移動ステージ２２６は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。移動ステージ２２６は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてプレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されてもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。
【０１０２】
レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３と、ホルダ２２４とを含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。
【０１０３】
ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。
【０１０４】
軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５が移動ステージ２２６を介してプレート２２５の位置及び姿勢を変更することに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の反射光であるメインパルスレーザ光３３ａ及びプリパルスレーザ光３３ｂが、プラズマ生成領域２５で集光するように実行され得る。
【０１０５】
ターゲット回収部２８は、ターゲット供給部２６からチャンバ２内に出力されたターゲット２７が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。
【０１０６】
また、図９に示されたチャンバ２の側面部には、ターゲット供給部２６と、ドロップレット検出器４１と、ＥＵＶ光センサ４２とを備えてもよい。チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給部２６、ドロップレット検出器４１、及びＥＵＶ光センサ４２は、チャンバ２の壁面部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。
【０１０７】
ターゲット供給部２６は、固体のターゲット２７を加熱して溶融させ、溶融したターゲット２７を収容してもよい。
ターゲット供給部２６は、収容されたターゲット２７からドロップレット２７１を形成し、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給してもよい。
ターゲット供給部２６がドロップレット２７１を出力する方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向と直交してもよい。
ターゲット供給部２６は、ターゲット制御部８１と接続されてもよい。ターゲット供給部２６は、ターゲット制御部８１の制御信号に基づいて、ドロップレット２７１を形成しプラズマ生成領域２５に供給してもよい。
ターゲット供給部２６は、図示しない可動ステージに搭載されてもよい。当該可動ステージは、ターゲット制御部８１と接続されてもよい。可動ステージは、ターゲット制御部８１の制御信号に基づいて、チャンバ２内に出力されるドロップレット２７１が目標位置に到達するようターゲット供給部２６を動かしてもよい。
【０１０８】
ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検出してもよい。
ドロップレット検出器４１は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間の所定の検出位置を通過したドロップレット２７１を検出してもよい。
ドロップレット検出器４１は、ターゲット制御部８１と接続されてもよい。ドロップレット検出器４１は、当該検出位置を通過したドロップレット２７１を検出すると、ドロップレット検出信号をターゲット制御部８１に出力してもよい。ターゲット制御部８１は、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１が、当該検出位置を通過したか否かを判定し得る。
【０１０９】
ＥＵＶ光センサ４２は、ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２を検出してもよい。
ＥＵＶ光センサ４２は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。ＥＵＶ光センサ４２は、ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２を検出すると、光強度やパルスエネルギ等の当該ＥＵＶ光２５２の光特性を計算してもよい。ＥＵＶ光センサ４２は、当該ＥＵＶ光２５２の光特性に関する計測信号を、ＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２が所望の光特性を有するか否かを判定し得る。
【０１１０】
波面調節器３７１は、メインパルスレーザ光３１ａの波面を調節してもよい。
波面調節器３７１は、ＶＲＷＭ（Variable Radius Wavefront Mirror）であってもよい。
波面調節器３７１は、高反射ミラー３７１ａと、アクチュエータ３７１ｂとを含んでもよい。
高反射ミラー３７１ａは、ディフォーマブルミラーであってもよい。
高反射ミラー３７１ａは、メインパルスレーザ光３１ａが出射されるメインパルスレーザ装置３ａ及びビームコンバイナ３６の高反射ミラー３６２とそれぞれ対向して配置されてもよい。高反射ミラー３７１ａは、メインパルスレーザ光３１ａの光路軸に対して４５°の角度で傾斜して配置されてもよい。
アクチュエータ３７１ｂは、高反射ミラー３７１ａの曲率を変化させてもよい。
アクチュエータ３７１ｂは、高反射ミラー３７１ａの背面側に配置されてもよい。
アクチュエータ３７１ｂは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。アクチュエータ３７１ｂは、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて、高反射ミラー３７１ａの曲率を変化させてもよい。高反射ミラー３７１ａで反射されたメインパルスレーザ光３１ａの波面は、高反射ミラー３７１ａの曲率に応じて変化し得る。
【０１１１】
波面調節器３７２は、プリパルスレーザ光３１ｂの波面を調節してもよい。
波面調節器３７２は、波面調節器３７１と同様に、ＶＲＷＭであってもよい。
波面調節器３７２は、波面調節器３７１と同様に、高反射ミラー３７２ａと、アクチュエータ３７２ｂとを含んでもよい。
高反射ミラー３７２ａは、ディフォーマブルミラーであってもよい。
高反射ミラー３７２ａは、プリパルスレーザ光３１ｂが出射されるプリパルスレーザ装置３ｂ及びビームコンバイナ３６のミラー装置３５とそれぞれ対向して配置されてもよい。高反射ミラー３７２ａは、プリパルスレーザ光３１ｂの光路軸に対して４５°の角度で傾斜して配置されてもよい。
アクチュエータ３７２ｂは、高反射ミラー３７２ａの曲率を変化させてもよい。
アクチュエータ３７２ｂは、高反射ミラー３７２ａの背面側に配置されてもよい。
アクチュエータ３７２ｂは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。アクチュエータ３７２ｂは、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて、高反射ミラー３７２ａの曲率を変化させてもよい。高反射ミラー３７２ａで反射されたプリパルスレーザ光３１ｂの波面は、高反射ミラー３７２ａの曲率に応じて変化し得る。
波面調節器３７１及び３７２の詳細については、図１１Ａ〜図１３を用いて後述する。
【０１１２】
ビームコンバイナ３６は、メインパルスレーザ光３１ａとプリパルスレーザ光３１ｂとを略同一の光路軸でチャンバ２へ導入する光学系であってもよい。
ビームコンバイナ３６は、上述のように、ミラー装置３５と、プレート３６１と、高反射ミラー３６２と、ホルダ３６３と、ビーム特性計測器３６４と、を含んでもよい。
【０１１３】
プレート３６１は、チャンバ２のウインドウ２１側の底面部に固定されてもよい。
ホルダ３６３は、高反射ミラー３６２を保持してもよい。高反射ミラー３６２を保持するホルダ３６３は、図示しないチルトステージを介してプレート３６１に固定されてもよい。
チルトステージは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。チルトステージは、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいて、ホルダ３６３を動かしてもよい。ホルダ３６３に保持された高反射ミラー３６２の位置及び姿勢が変更され得る。
【０１１４】
高反射ミラー３６２は、チャンバ２のウインドウ２１及び波面調節器３７１の高反射ミラー３７１ａとそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３６２は、メインパルスレーザ装置３ａから出力され高反射ミラー３７１ａで反射されたメインパルスレーザ光３１ａを反射してウインドウ２１へ導いてもよい。高反射ミラー３６２の反射光であるメインパルスレーザ光３２ａは、ミラー装置３５及びウインドウ２１を透過してチャンバ２内へ導入され得る。
【０１１５】
図９に示されたミラー装置３５は、プレート３６１に固定されてもよい。
図９に示されたミラー装置３５の基本的な構成は、図４Ａ〜図８に示されたミラー装置３５のいずれかと同様であってもよい。
【０１１６】
ミラー装置３５の光学素子３５０は、ダイクロイックミラーであってもよい。
光学素子３５０は、ダイヤモンド基板を用いて形成されてもよい。
光学素子３５０の第１面３５０ａには、プリパルスレーザ光３１ｂの一部を高反射し、メインパルスレーザ光３１ａの一部を透過する反射膜がコートされてもよい。
プリパルスレーザ光３１ｂの波長をλｐとすると、光学素子３５０の第１面３５０ａの平面度は、λｐ／５以下の大きさ、好適には、λｐ／１０以下の大きさであってもよい。
光学素子３５０の第２面３５０ｂには、メインパルスレーザ光３１ａの一部を高反射し、プリパルスレーザ光３１ｂの一部を透過する反射膜がコートされてもよい。
メインパルスレーザ光３１ａの波長をλｍとすると、光学素子３５０の第２面３５０ｂの平面度は、λｍ／５以下の大きさ、好適には、λｍ／１０以下の大きさであってもよい。
【０１１７】
ミラー装置３５は、波面調節器３７２の高反射ミラー３７２ａで反射されたプリパルスレーザ光３１ｂの光路上に光学素子３５０が位置するように配置されてもよい。同時に、ミラー装置３５は、高反射ミラー３６２で反射されたメインパルスレーザ光３２ａの光路上に光学素子３５０が位置するように配置されてもよい。
ミラー装置３５は、光学素子３５０の第１面３５０ａがチャンバ２のウインドウ２１及び波面調節器３７２の高反射ミラー３７２ａとそれぞれ対向するように配置されてもよい。同時に、ミラー装置３５は、光学素子３５０の第２面３５０ｂがビーム特性計測器３６４及び高反射ミラー３６２とそれぞれ対向するように配置されてもよい。
【０１１８】
ミラー装置３５の光学素子３５０は、波面調節器３７２の高反射ミラー３７２ａで反射されたプリパルスレーザ光３１ｂの一部を反射してウインドウ２１へ導いてもよい。同時に、ミラー装置３５の光学素子３５０は、波面調節器３７２の高反射ミラー３７２ａで反射されたプリパルスレーザ光３１ｂの一部を透過してビーム特性計測器３６４へ導いてもよい。
ミラー装置３５の光学素子３５０は、高反射ミラー３６２で反射されたメインパルスレーザ光３２ａの一部を反射してビーム特性計測器３６４へ導いてもよい。同時に、ミラー装置３５の光学素子３５０は、高反射ミラー３６２で反射されたメインパルスレーザ光３２ａの一部を透過してウインドウ２１へ導いてもよい。
このとき、ミラー装置３５の光学素子３５０は、メインパルスレーザ光３２ａ及びプリパルスレーザ光３２ｂを、略同一の光路に沿ってウインドウ２１へ導いてもよい。
【０１１９】
ミラー装置３５のホルダ３５１は、図４Ａ〜図８に示されたミラー装置３５に含まれるホルダ３５１のいずれかと同様であってもよい。すなわち、図９では省略したが、ミラー装置３５のホルダ３５１は、第１中間部材３５７又は第２中間部材３５８を含んでいてもよい。
ホルダ３５１に含まれる支持部材３５２の接触面３５２ｆにおける平面度は、光学素子３５０の第１面３５０ａの平面度と同じ又は第１面３５０ａの平面度より小さくてもよい。すなわち、支持部材３５２の接触面３５２ｆにおける平面度は、λｐ／５以下の大きさ、好適には、λｐ／１０以下の大きさであってもよい。
図９に示されたミラー装置３５の他の構成については、図４Ａ〜図８に示されたミラー装置３５と同様であってもよい。
【０１２０】
ビーム特性計測器３６４は、ミラー装置３５で反射されたメインパルスレーザ光３２ａのビーム特性と、ミラー装置３５を透過したプリパルスレーザ光３２ｂのビーム特性とを計測してもよい。
ビーム特性計測器３６４は、図示しないダイクロイックミラーと、図示しない複数の集光光学系と、図示しない複数の２次元イメージセンサとを含んでもよい。
ダイクロイックミラーは、ミラー装置３５で反射されたメインパルスレーザ光３２ａと、ミラー装置３５を透過したプリパルスレーザ光３２ｂとを分岐させてもよい。
複数の集光光学系は、ダイクロイックミラーで分岐されたメインパルスレーザ光３２ａを集光する集光光学系と、ダイクロイックミラーで分岐されたプリパルスレーザ光３２ｂを集光する集光光学系とを含んでもよい。
複数の２次元イメージセンサは、集光光学系で集光されたメインパルスレーザ光３２ａのビーム特性を計測する２次元イメージセンサと、集光光学系で集光されたプリパルスレーザ光３２ｂのビーム特性を計測する２次元イメージセンサとを含んでもよい。
複数の２次元イメージセンサのそれぞれは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。
複数の２次元イメージセンサのそれぞれは、計測されたメインパルスレーザ光３２ａ及びプリパルスレーザ光３２ｂの各ビーム特性に関する計測信号を生成し、ＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。
図９に示されたビーム特性計測器３６４の他の構成については、図２及び図３に示されたビーム特性計測器３２１ｋと同様であってもよい。
【０１２１】
ＥＵＶ光生成制御システム１１１は、上述のように、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット制御部８１と、遅延回路８２とを含んでもよい。
【０１２２】
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６の制御部である露光装置制御部６１との間で各種信号を送受信してもよい。
例えば、ＥＵＶ光生成制御部５には、ＥＵＶ光２５２の出力指令を示すＥＵＶ光出力指令信号が露光装置制御部６１から送信されてもよい。ＥＵＶ光出力指令信号には、ＥＵＶ光２５２の目標出力タイミング、目標繰り返し周波数、目標パルスエネルギ等の情報が含まれていてもよい。
【０１２３】
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６から送信された各種信号に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１全体の動作を統括的に制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ホルダ３６３に接続されたチルトステージ及び移動ステージ２２６のそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号のやり取りを行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａ〜３３ａ及びプリパルスレーザ光３１ｂ〜３３ｂの進行方向及び集光位置を調整してもよい。
【０１２４】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット制御部８１との間で各種信号のやり取りを行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６及びドロップレット検出器４１の動作を制御してもよい。
特に、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部６１から出力されたＥＵＶ光出力指令信号に基づいて、ターゲット２７の出力指令を示すターゲット出力指令信号をターゲット制御部８１に出力してもよい。ターゲット出力指令信号には、ターゲット２７の目標出力タイミング、目標出力周波数、目標出力位置、目標速度、目標直径等の情報が含まれていてもよい。
【０１２５】
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部６１から出力されたＥＵＶ光出力指令信号に基づいて、遅延回路８２に遅延時間を設定してもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ装置３ａ及びプリパルスレーザ装置３ｂの発振タイミングを制御してもよい。
【０１２６】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ビーム特性計測器３６４から出力されたメインパルスレーザ光３２ａのビーム特性に関する計測信号に基づいて、波面調節器３７１の動作を制御してもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、高反射ミラー３７１ａで反射するメインパルスレーザ光３１ａの波面を所望の波面に調節し得る。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ビーム特性計測器３６４から出力されたプリパルスレーザ光３２ｂのビーム特性に関する計測信号に基づいて、波面調節器３７２の動作を制御してもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、高反射ミラー３７２ａで反射するプリパルスレーザ光３１ｂの波面を所望の波面に調節し得る。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光センサ４２から出力されたＥＵＶ光２５２の光特性に関する計測信号に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１内の各構成要素の動作を制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図１０を用いて後述する。
【０１２７】
ターゲット制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたターゲット出力指令信号に基づいて、ターゲット供給部２６から出力されるドロップレット２７１の出力タイミング、出力周波数、出力位置、速度、直径等を制御してもよい。
ターゲット制御部８１は、遅延回路８２を介してレーザ装置３と接続されてもよい。
ターゲット制御部８１は、ドロップレット検出器４１から出力されたドロップレット検出信号をそのまま遅延回路８２に出力してもよい。
なお、ターゲット制御部８１のハードウェア構成については、図１０を用いて後述する。
【０１２８】
遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が出力されてから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
遅延回路８２から出力されるトリガ信号は、レーザ装置３がレーザ発振を行ってパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
【０１２９】
遅延回路８２から出力されるトリガ信号には、第１トリガ信号と、第２トリガ信号とが含まれてもよい。
第１トリガ信号は、プリパルスレーザ装置３ｂがプリパルスレーザ光３１ｂを出力する契機を与えるトリガ信号であってもよい。
第２トリガ信号は、メインパルスレーザ装置３ａがメインパルスレーザ光３１ａを出力する契機を与えるトリガ信号であってもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５から設定される所定の遅延時間には、第１遅延時間と、第２遅延時間とが含まれてもよい。
第１遅延時間は、プリパルスレーザ装置３ｂに第１トリガ信号を出力するタイミングを規定する遅延時間であってもよい。第１遅延時間は、ドロップレット２７１が上記検出位置を通過してから、当該ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するまでの時間に応じた遅延時間であってもよい。
第２遅延時間は、第１トリガ信号の出力後に、メインパルスレーザ装置３ａに第２トリガ信号を出力するタイミングを規定する遅延時間であってもよい。第２遅延時間は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１にプリパルスレーザ光３３ｂが照射されてから、一定時間経過し当該ドロップレット２７１が拡散して２次ターゲットとなるまでの時間に応じた遅延時間であってもよい。
それにより、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間の上記検出位置を通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、当該ドロップレット２７１に対してプリパルスレーザ光３３ｂが照射され得る。そして、プリパルスレーザ光３３ｂの照射によって生成された２次ターゲットに対してメインパルスレーザ光３３ａが照射され得る。
【０１３０】
図９に示されたＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１に示されたＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
【０１３１】
［６．２  動作］
ＥＵＶ光生成装置１の起動後、ＥＵＶ光生成制御部５は、遅延回路８２に第１遅延時間及び第２遅延時間を設定してもよい。それにより、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１に対するプリパルスレーザ光３３ｂの照射タイミング及び２次ターゲットに対するメインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングが設定され得る。
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６によって送信されたＥＵＶ光出力指令信号を受信してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光出力指令信号に基づいて、ターゲット出力指令信号をターゲット制御部８１に出力してもよい。
【０１３２】
ターゲット制御部８１は、ターゲット出力指令信号に基づいて、ターゲット供給部２６の各構成要素の動作を制御してもよい。ターゲット供給部２６は、ターゲット制御部８１からの制御によって、ターゲット出力指令信号に含まれる各種目標値に適合したドロップレット２７１をチャンバ２内に出力し得る。
ドロップレット２７１がチャンバ２内の上記検出位置を通過すると、ドロップレット検出器４１からドロップレット検出信号が出力され、ターゲット制御部８１を介してそのまま遅延回路８２に入力され得る。
【０１３３】
遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が出力されてから第１遅延時間だけ遅延したタイミングで、プリパルスレーザ装置３ｂに第１トリガ信号を出力してもよい。プリパルスレーザ装置３ｂは、第１トリガ信号が入力されると、プリパルスレーザ光３１ｂを出力し得る。
プリパルスレーザ光３１ｂは、波面調節器３７２、ミラー装置３５、及びレーザ光集光光学系２２ａをこの順で経由して、プリパルスレーザ光３３ｂとしてプラズマ生成領域２５に集光され得る。プリパルスレーザ光３３ｂは、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングに同期して、当該ドロップレット２７１を照射し得る。
プリパルスレーザ光３３ｂが照射されたドロップレット２７１は、破壊されて拡散し、２次ターゲットとなり得る。
【０１３４】
遅延回路８２は、第１トリガ信号が出力されてから第２遅延時間だけ遅延したタイミングで、メインパルスレーザ装置３ａに第２トリガ信号を出力してもよい。メインパルスレーザ装置３ａは、第２トリガ信号が入力されると、メインパルスレーザ光３１ａを出力し得る。
メインパルスレーザ光３１ａは、波面調節器３７１、高反射ミラー３６２、ミラー装置３５、及びレーザ光集光光学系２２ａをこの順で経由して、メインパルスレーザ光３３ａとしてプラズマ生成領域２５に集光され得る。メインパルスレーザ光３３ａは、プラズマ生成領域２５で２次ターゲットが生成されたタイミングに同期して、当該２次ターゲットを照射し得る。
メインパルスレーザ光３３ａが照射された２次ターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光２５１を含む光を放射し得る。
【０１３５】
メインパルスレーザ光３１ａ及びプリパルスレーザ光３１ｂがミラー装置３５に入射すると、メインパルスレーザ光３１ａ及びプリパルスレーザ光３１ｂの吸収によって、ミラー装置３５の光学素子３５０はホルダ３５１に保持された状態で発熱し得る。
光学素子３５０に発生した熱は、当該光学素子３５０と面接触する支持部材３５２に伝熱され得る。支持部材３５２に伝熱された熱は、流路３５２ｂを循環する冷媒に伝熱され、ミラー装置３５の外部に排熱され得る。
ホルダ３５１は、光学素子３５０の熱膨張及び収縮を拘束せず、且つ、均等な力で、光学素子３５０を保持し得る。また、ホルダ３５１は、熱膨張及び収縮している光学素子３５０に対して接触面３５２ｆの表面粗さやうねり等に伴う局所的な力を与えずに、光学素子３５０を保持し得る。更に、ホルダ３５１は、熱膨張による光学素子３５０の体積変化量を抑制し得る。
このため、ホルダ３５１に保持された状態で発熱した際に発生する光学素子３５０の歪みは、抑制され得る。
それにより、光学素子３５０で反射するプリパルスレーザ光３２ｂの波面と、光学素子３５０を透過するプリパルスレーザ光３２ｂの波面とは、一致し得る。光学素子３５０で反射するメインパルスレーザ光３２ａの波面と、光学素子３５０を透過するメインパルスレーザ光３２ａの波面とは、一致し得る。
【０１３６】
光学素子３５０で反射したメインパルスレーザ光３２ａと、光学素子３５０を透過したプリパルスレーザ光３２ｂとは、ビーム特性計測器３６４に入射し得る。
ビーム特性計測器３６４は、入射したメインパルスレーザ光３２ａ及びプリパルスレーザ光３２ｂのビームダイバージュエンスを含むビーム特性をそれぞれ計測してもよい。
ビーム特性計測器３６４は、計測されたメインパルスレーザ光３２ａ及びプリパルスレーザ光３２ｂの各ビーム特性に関する計測信号を生成し、ＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。
【０１３７】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ビーム特性計測器３６４から出力されたメインパルスレーザ光３２ａ及びプリパルスレーザ光３２ｂの各ビーム特性に関する計測信号に基づいて、波面調節器３７１及び波面調節器３７２の各動作を制御してもよい。
それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、メインパルスレーザ光３１ａ及びプリパルスレーザ光３１ｂの各波面を所望の波面に調節し得る。
【０１３８】
［６．３  作用］
ミラー装置３５を含むＥＵＶ光生成装置１は、メインパルスレーザ光３２ａの光路軸とプリパルスレーザ光３２ｂの光路軸とを一致させ得る。
ミラー装置３５を含むＥＵＶ光生成装置１は、ホルダ３５１に保持された状態で発熱した際に発生する光学素子３５０の歪みを抑制し得る。ミラー装置３５を含むＥＵＶ光生成装置１は、光学素子３５０で反射したメインパルスレーザ光３２ａ及びプリパルスレーザ光３２ｂの波面が光学素子３５０の歪みに伴って変化することを抑制し得る。
このため、ミラー装置３５を含むＥＵＶ光生成装置１は、所望のビーム特性を有するメインパルスレーザ光３３ａ及びプリパルスレーザ光３３ｂをプラズマ生成領域２５に集光させ得る。
それにより、ミラー装置３５を含むＥＵＶ光生成装置１は、安定したＥＵＶ光２５２を生成し得る。
【０１３９】
［７．その他］
［７．１  各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
【０１４０】
図１０は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１０の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。
【０１４１】
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
【０１４２】
図１０におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
【０１４３】
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
【０１４４】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、制御部３２３、レーザ制御部３３０、２次元イメージセンサ３２１ｃ、ビーム特性計測器３６４の２次元イメージセンサ、ターゲット制御部８１、及び遅延回路８２等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、アクチュエータ３７１ｂ、アクチュエータ３７２ｂ、移動ステージ２２６、ターゲット供給部２６、水圧調節器、及びパルスモータ等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、電圧センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、ドロップレット検出器４１、及びＥＵＶ光センサ４２等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
【０１４５】
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
【０１４６】
例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、制御部３２３、レーザ制御部３３０、及びターゲット制御部８１の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、制御部３２３、レーザ制御部３３０、及びターゲット制御部８１は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
【０１４７】
［７．２  波面調節器］
図１１Ａ〜図１３を用いて、波面調節器３７１及び３７２の構成について説明する。
波面調節器３７１と波面調節器３７２とは同様の構成であってもよいため、波面調節器３７１を例に挙げて説明する。
図１１Ａは、波面調節器３７１の構成を説明するための図であって、波面調節器３７１に入射するレーザ光が平面波である場合を示す。図１１Ｂは、波面調節器３７１の構成を説明するための図であって、波面調節器３７１に入射するレーザ光が凸面波である場合を示す。図１１Ｃは、波面調節器３７１の構成を説明するための図であって、波面調節器３７１に入射するレーザ光が凹面波である場合を示す。
【０１４８】
波面調節器３７１は、上述のように、ＶＲＷＭであってもよい。ＶＲＷＭは、平面波を曲率のある波面を有する凹凸波に変換したり、逆に、曲率のある波面を有する凹凸波を平面波に変換したりし得る素子であってもよい。加えて、ＶＲＷＭは、凹凸波の波面の曲率を別の曲率に調節し得る素子であってもよい。
波面調節器３７１は、上述のように、高反射ミラー３７１ａと、当該高反射ミラー３７１ａの曲率を変化させるアクチュエータ３７１ｂとを含んでもよい。
【０１４９】
波面調節器３７１に入射するレーザ光が平面波である場合、アクチュエータ３７１ｂは、高反射ミラー３７１ａの反射面が平面を維持するように、高反射ミラー３７１ａの曲率を調節してもよい。
波面調節器３７１に入射するレーザ光が凸面波である場合、アクチュエータ３７１ｂは、高反射ミラー３７１ａの反射面がレーザ光に対して凹面形状となるように、高反射ミラー３７１ａの曲率を調節してもよい。
波面調節器３７１に入射するレーザ光が凹面波である場合、アクチュエータ３７１ｂは、高反射ミラー３７１ａの反射面がレーザ光に対して凸面形状となるように、高反射ミラー３７１ａの曲率を調節してもよい。
それにより、図１１Ａ〜図１１Ｃに示された高反射ミラー３７１ａで反射したレーザ光は、平面波となり得る。
【０１５０】
図１２は、図１１Ａ〜図１１Ｃに示された波面調節器３７１のアクチュエータ３７１ｂを説明するための図を示す。
アクチュエータ３７１ｂは、加圧部材と、水圧調節器とを含んでもよい。
加圧部材は、水圧調節器から供給される水圧に応じて、高反射ミラー３７１ａの背面から反射ミラー３７１ａを加圧してもよい。
水圧調節器は、加圧部材に供給する水圧を調節してもよい。
水圧調節器は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて、加圧部材に供給する水圧を調節し、高反射ミラー３７１ａへの加圧量を調節してもよい。
それにより、図１２に示されたアクチュエータ３７１ｂは、高反射ミラー３７１ａの曲率を変化させ得る。
【０１５１】
図１３を用いて、波面調節器３７１の他の構成例について説明する。
図１３は、波面調節器３７１の他の構成例を説明するための図を示す。
波面調節器３７１は、軸外放物面凸面ミラーと、軸外放物面凹面ミラーと、高反射ミラー１と、高反射ミラー２と、１軸ステージと、パルスモータと、ホルダとを含んでもよい。
軸外放物面凸面ミラー、軸外放物面凹面ミラー、高反射ミラー１、及び高反射ミラー２は、それぞれホルダに保持されてもよい。各ホルダには、冷媒が流れる図示しない流路が設けられてもよい。
【０１５２】
軸外放物面凸面ミラー、軸外放物面凹面ミラー、高反射ミラー１、及び高反射ミラー２は、それぞれに入射するレーザ光の光路軸に対して４５°の角度で傾斜して配置されてもよい。
軸外放物面凸面ミラー及び軸外放物面凹面ミラーは、互いの焦点位置が一致するように配置されてもよい。
軸外放物面凸面ミラーは、波面調節器３７１に入射したレーザ光のビーム径を拡大してもよい。
軸外放物面凹面ミラーは、軸外放物面凸面ミラーによって拡大されたレーザ光をコリメートしてもよい。
高反射ミラー１及び２は、軸外放物面凹面ミラーによってコリメートされたレーザ光の光路軸を、軸外放物面凸面ミラーに入射したレーザ光の光路軸の延長線上に戻してもよい。
それにより、図１３に示された波面調節器３７１は、波面調節器３７１から出射するレーザ光の光路軸を、波面調節器３７１に入射したレーザ光の光路軸に一致させ得る。
【０１５３】
軸外放物面凹面ミラー及び高反射ミラー１は、１軸ステージに搭載されてもよい。
１軸ステージは、パルスモータによって駆動され、軸外放物面凹面ミラー及び高反射ミラー１と、軸外放物面凸面ミラー及び高反射ミラー２との距離を変動させてもよい。
パルスモータは、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて、１軸ステージの移動量を調節してもよい。
軸外放物面凹面ミラー及び高反射ミラー１と、軸外放物面凸面ミラー及び高反射ミラー２との距離が変動すると、波面調節器３７１から出射するレーザ光の波面は、波面調節器３７１に入射したレーザ光の波面に対して変化し得る。
それにより、図１３に示された波面調節器３７１は、入射したレーザ光の波面を調節し得る。
【０１５４】
図１３に示された波面調節器３７１に含まれる光学素子は、全て反射型の光学素子であり、冷媒が流れる流路が設けられたホルダに保持されてもよい。そのため、波面調節器３７１は、例えば５ｋＷ〜４０ｋＷの高出力レーザ光が入射しても、当該レーザ光の波面を安定して調節し得る。
なお、図１３に示された波面調節器３７１の軸外放物面凹面ミラーは、軸外放物面凹面ミラー及び軸外放物面凸面ミラーの焦点位置が一致していれば、高反射ミラー１又は高反射ミラー２と入れ替えられて配置されてもよい。
図１３に示された波面調節器３７１は、軸外放物面凸面ミラー及び軸外放物面凹面ミラーの代りに、２つの軸外放物面凹面ミラーが用いられてもよい。
【０１５５】
［７．３  その他の変形例］
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施例及び各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
【０１５６】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１５７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１５８】
１                  …ＥＵＶ光生成装置
２７                …ターゲット
３０１              …レーザ発振器
３１０              …増幅器
３５                …ミラー装置
３５０              …光学素子
３５０ａ            …第１面
３５０ｂ            …第２面
３５１              …ホルダ
３５２              …支持部材
３５２ｂ            …流路
３５２ｆ            …接触面
３５３              …押付部材
３５７              …第１中間部材
３５７ａ            …接触面
３５８              …第２中間部材
【図１】
2015151152.tif 000003
【図２】
2015151152.tif 000004
【図３】
2015151152.tif 000005
【図４Ａ】
2015151152.tif 000006
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図８】
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【国際調査報告】
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