(57)【要約】  この成膜装置は、電極部２１とターゲット材料２２とからなるスパッタ電極２３を備える。直流電源４１としては、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、スパッタ電極２３に直流電圧を印加し得るものが使用される。チャンバー１０は、開閉弁３９を介して、ターボ分子ポンプ３７と接続されている。このターボ分子ポンプ３７としては、その最大排気速度が、１秒当たり３００リットル以上のものが使用される。
2015037315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜装置であって、
ワークを収納するチャンバーと、
前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧手段と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
ターゲット材料を備え、前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極と、
前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電源と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する気体供給部をさらに備える成膜装置。
【請求項３】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記減圧手段は、最大排気速度が１秒当たり３００リットル以上のターボ分子ポンプを有する成膜装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の成膜装置において、
前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極と、
前記ＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記スパッタ電極と当接することにより前記ターゲット材料を覆う当接位置と、前記スパッタ電極から離隔する退避位置との間を移動可能なシャッターと、
をさらに備える成膜装置。
【請求項５】
樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜方法であって、
射出成型された樹脂製のワークを、射出成形機よりチャンバー内に搬入する搬入工程と、
前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧工程と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極に対し、前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、
前記チャンバー内を大気圧までベントするベント工程と、
成膜完了後のワークを前記チャンバー内から搬出する搬出工程と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項５に記載の成膜方法において、
前記ベント工程においては、前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する成膜方法。
【請求項７】
請求項５に記載の成膜方法において、
前記減圧工程においては、１秒当たり３００リットル以上の排気速度で前記チャンバー内から排気を行う成膜方法。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の成膜方法において、
前記直流電圧印加工程の後で前記ベント工程の前に、
前記ターゲット材料をシャッターにより覆うシャッター配置工程と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、
前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波印加工程と、
をさらに備える成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、成膜装置に関し、特に、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、自動車のヘッドランプのリフレクターや計器類は、射出成型された樹脂製品が使用される。そして、これらの樹脂製品に対しては、鏡面仕上げや金属質感を持たせる目的から、アルミ等の金属をターゲットとしたスパッタリングによる成膜がなされる。【０００３】
また、スパッタリングによる成膜後には、金属膜の酸化防止のため、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン保護膜等の成膜が実行される。すなわち、スパッタリングによる成膜後のワークは、別の成膜装置に搬送され、その成膜装置のチャンバー内でＨＭＤＳＯ（ヘキサ−メチル−ジ−シロキサン）等のモノマーガスを利用したプラズマＣＶＤを行うことにより、スパッタリングによる成膜後の表面に保護膜の成膜を行っている。【０００４】
スパッタリングによる成膜と複合成膜あるいは重合成膜とを同一のチャンバー内で実行する装置も提案されている。特許文献１には、スパッタリング用電極と複合成膜あるいは重合成膜用電極とを所定距離だけ離隔した位置に配置した成膜装置が開示されている。この成膜装置においては、最初に、ワークとスパッタリング電極とを対向配置するとともに、チャンバー内に不活性ガスを導入した後、スパッタリング電極に直流を印加してスパッタリングによる成膜を実行する。次に、ワークを移動させてワークと複合成膜あるいは重合成膜用電極とを対向配置するとともに、チャンバー内にＨＭＤＳＯ等のモノマーガスを導入した後、複合成膜あるいは重合成膜用電極に高周波電圧を印加して、複合成膜あるいは重合成膜を実行している。この特許文献１に記載の成膜装置においては、使用しないターゲット上にシャッターを配置する構成を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−５８０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような樹脂製のワークに対する成膜時には、射出成形機より一定の間隔で送り出されるワークを、射出成形機によるワークの生産サイクルと連動した形で成膜することが好ましい。しかしながら、従来の成膜装置においては、好適な成膜を実行するためには、成膜開始前のチャンバー内の圧力を１０−３Ｐａ（パスカル）程度まで減圧することが必要となり、減圧に長い時間を要していた。【０００７】
このため、従来、射出成型機により射出成型されたワークを、一旦、一定量だけストックした上で、別の工場においてスパッタリングやプラズマＣＶＤによる成膜を実行する必要があった。このような場合においては、高品質の成膜を実行するために、ワークの表面に付着した水分等の吸着ガスを十分に真空排気して取り除く必要がある。このため、従来は、多数のワークをまとめてチャンバー内に設置し、チャンバー内を油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプなどのような超高真空ポンプで十分に真空排気して水分等の吸着ガスを取り除いた上で成膜作業を行っていた。従って、大型の装置が必要となるばかりではなく、処理に長い時間を要していた。【０００８】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、樹脂製のワークに対して短時間で成膜処理を完了することが可能な成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜装置であって、ワークを収納するチャンバーと、前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧手段と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、ターゲット材料を備え、前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極と、前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電源と、を備えたことを特徴とする。【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する気体供給部をさらに備える。【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記減圧手段は、最大排気速度が１秒当たり３００リットル以上のターボ分子ポンプを有する。【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明において、前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極と、前記ＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記スパッタ電極と当接することにより前記ターゲット材料を覆う当接位置と、前記スパッタ電極から離隔する退避位置との間を移動可能なシャッターと、をさらに備える。【００１３】
請求項５に記載の発明は、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜方法であって、射出成型された樹脂製のワークを、射出成形機よりチャンバー内に搬入する搬入工程と、前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧工程と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極に対し、前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、前記チャンバー内を大気圧までベントするベント工程と、成膜完了後のワークを前記チャンバー内から搬出する搬出工程と、を備えたことを特徴とする。【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記ベント工程においては、前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する。【００１５】
請求項７に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記減圧工程においては、１秒当たり３００リットル以上の排気速度で前記チャンバー内から排気を行う。【００１６】
請求項８に記載の発明は、請求項５から請求項７のいずれかに記載の発明において、前記直流電圧印加工程の後で前記ベント工程の前に、前記ターゲット材料をシャッターにより覆うシャッター配置工程と、前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波印加工程と、をさらに備える。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１および請求項５に記載の発明によれば、成膜開始前のチャンバー内の圧力を０．１パスカル以上１．０パスカル未満程度とした場合においても、好適な成膜を実行することが可能となる。このため、成膜に要する時間を短縮することができ、射出成形機より一定の間隔で送り出されるワークを、射出成形機によるワークの生産サイクルと連動した形で成膜することが可能となる。【００１８】
請求項２および請求項６に記載の発明によれば、空気中に含まれる水分がチャンバー内に付着することを減少することができ、次の成膜処理時の真空排気時間の短縮化が可能となる。【００１９】
請求項３および請求項７に記載の発明によれば、装置全体を小型化しながら真空排気をより短時間で実行することができ、これにより成膜に要する時間を短縮することが可能となる。【００２０】
請求項４および請求項８に記載の発明によれば、スパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを、同一チャンバー内で短時間に連続して実行することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明に係る成膜装置の正面概要図である。
【図２】この発明に係る成膜装置の要部を示す側面概要図である。
【図３】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図４】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図５】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図６】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図７】シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【図８】シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【図９】シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る成膜装置の正面概要図であり、図２は、その要部を示す側面概要図である。
【００２３】
なお、この発明に係る成膜装置は、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを実行するものであるが、特に、スパッタリングによる成膜時において、成膜開始前のチャンバー内の圧力を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の中真空として成膜に要する時間を短縮しようとするものである。この発明は、特に、樹脂製ワークに対して成膜を実行する場合においては、ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、スパッタ電極に直流電圧を印加することにより、成膜開始前のチャンバー内の圧力を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の中真空とした場合においても、好適な成膜を実行することが可能となることを、この発明の発明者が見出したことに基づくものである。
【００２４】
この成膜装置は、本体１１と開閉部１２とから構成されるチャンバー１０を備える。開閉部１２は、射出成型された樹脂製のワークＷを搬入する搬入搬出位置と、本体１１との間でパッキング１４を介して密閉されたチャンバー１０を構成する閉鎖位置との間を移動可能となっている。開閉部１２が搬入搬出位置に移動した状態においては、チャンバー１０の側面に、ワークＷをチャンバー１０に対して搬入および搬出する開口部が形成されることになる。また、開閉部１２に形成された通過孔を通過するようにして、ワークＷを載置するためのワーク載置部１３が配設されている。このワーク載置部１３は、ワークＷを載置した状態で開閉部１２に対して相対的に移動可能となっている。
【００２５】
また、この成膜装置は、電極部２１とターゲット材料２２とからなるスパッタ電極２３を備える。このスパッタ電極２３は、図示を省略した絶縁部材を介して、チャンバー１０における本体１１に装着されている。なお、チャンバー１０を構成する本体１１は、接地部１９によりアースされている。このスパッタ電極２３は、直流電源４１に接続されている。
【００２６】
なお、この直流電源４１としては、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、スパッタ電極２３に直流電圧を印加し得るものが使用される。すなわち、この直流電源４１は、スパッタ電極２３への投入電力として、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上を投入する。
【００２７】
さらに、この成膜装置は、ＣＶＤ電極２４を備える。このＣＶＤ電極２４は、スパッタ電極２３と同様、図示を省略した絶縁部材を介して、チャンバー１０における本体１１に装着されている。また、このＣＶＤ電極２４は、マッチングボックス４６および高周波電源４５と接続されている。
【００２８】
なお、上述した高周波電源４５としては、例えば、数十ＭＨｚ（メガヘルツ）程度の高周波を発生させるものを使用することができる。ここで、この明細書で述べる高周波とは、２０ｋＨｚ（キロヘルツ）以上の周波数を意味する。
【００２９】
チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３１および流量調整弁３２を介して、アルゴン等の不活性ガスの供給部３３と接続されている。また、チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３４および流量調整弁３５を介して、ＨＭＤＳＯやＨＭＤＳ（ヘキサ−メチル−ジ−シラザン）等の原料ガスの供給部３６と接続されている。また、チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁８１および流量調整弁８２を介して、ドライエアの供給部８３と接続されている。さらに、チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３９を介して、ターボ分子ポンプ３７と接続されており、このターボ分子ポンプ３７は、開閉弁４８を介して補助ポンプ３８と接続されている。さらに、この補助ポンプ３８は、開閉弁４９を介してチャンバー１０を構成する本体１１とも接続されている。
【００３０】
なお、上述したターボ分子ポンプ３７としては、その最大排気速度が、１秒当たり３００リットル以上のものが使用される。ターボ分子ポンプ３７を利用した場合には、大きな排気速度を得ながら、ポンプ自体を小型化することが可能となる。このため、成膜装置そのものを小型化することが可能となる。
【００３１】
また、上述したドライエアの供給部８３から供給されるドライエアとしては、その露点が摂氏０度以下のものが使用される。なお、ドライエアにかえて、その露点が摂氏０度以下の不活性ガスを使用してもよい。
【００３２】
また、この成膜装置は、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置と、チャンバー１０の底部付近の退避位置との間を昇降可能なシャッター５１を備える。このシャッター５１は、金属等の伝導体で、かつ、非磁性体である材料から構成されている。シャッター５１の材質としては、例えば、アルミニュウムを採用することができる。
【００３３】
図２に示すように、シャッター５１は、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４により下方から支持された状態で、このエアシリンダ５３の駆動により、退避位置から当接位置に向けて上昇する。そして、このシャッター５１は、当接位置において、チャンバー１０における本体１１に対してＬ型金具１８により固定されたエアシリンダ６１におけるシリンダロッド先端のスライドピン６２（図７〜図９参照）により支持される。エアシリンダ５３は、シャッター５１を下方から支持することにより、このシャッター５１を退避位置から当接位置に向けて上昇させるシャッター昇降機構として機能し、エアシリンダ６１は、当接位置においてシャッター５１を支持するシャッター支持機構として機能する。
【００３４】
以下、シャッター５１の昇降動作について説明する。図３から図６は、シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。また、図７から図９は、シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【００３５】
図３は、シャッター５１が、スパッタ電極２３の下方で、チャンバー１０を構成する本体１１の底部付近の退避位置に配置された状態を示している。この状態においては、シャッター５１は、本体１１の底部に付設された支持部５２により支持されている。このときには、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４は、エアシリンダ５３の本体内に収納された縮収状態となっている。
【００３６】
シャッター５１を、図３に示す退避位置から、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置まで移動させるときには、最初に、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４によりシャッター５１を支持した状態でシリンダロッド５４を伸張させることにより、図４に示すように、シャッター５１をスパッタ電極２３の直下の位置まで上昇させる。この状態においては、図７に示すように、スパッタ電極２３におけるターゲット材料２２の下面とシャッター５１の正面とは、微小な距離ｄだけ離隔した状態となっている。
【００３７】
なお、図７に示すように、シャッター５１の端縁には、テーパー面を備えた凹部５９が形成されている。この凹部５９は、平面視において矩形状のシャッター５１の四隅の位置に形成されている。一方、シャッター５１がエアシリンダ５３の作用により上昇したときの凹部５９と対向する位置には、上述したエアシリンダ６１が配設されている。このエアシリンダ６１は、Ｌ型金具１８によりチャンバー１０における本体１１に対して固定されており、このエアシリンダ６１におけるシリンダロッド先端のスライドピン６２は、本体１１を貫通している。そして、このスライドピン６２の先端には、シャッター５１に形成された凹部５９のテーパー面と対応する形状を有するテーパー部が形成されている。
【００３８】
次に、図４および図７に示す状態から、エアシリンダ６１におけるシリンダロッド先端のスライドピン６２をシャッター５１に向けて伸張する。このときには、最初に、図８に示すように、スライドピン６２の先端部がシャッター５１に形成された凹部５９の上端部と対向する位置に配置される。そして、この状態からさらにスライドピン６２がシャッター５１側に移動することにより、スライドピン６２の先端がシャッター５１に形成された凹部５９内に侵入する。このときには、凹部５９のテーパー面と、スライドピン６２の先端のテーパー部との作用により、スライドピン６２の先端の凹部５９内への侵入動作に伴って、シャッター５１が上方に移動する。これにより、図５および図９に示すように、シャッター５１は、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置に配置され、その位置で支持される。
【００３９】
しかる後、図６に示すように、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４を下降させ、このシリンダロッド５４をエアシリンダ５３の本体内に収納された縮収状態とする。これにより、スパッタ電極２３およびシャッター５１の下方に、ワークＷを配置可能な空間が形成される。
【００４０】
次に、以上のような構成を有する成膜装置による成膜動作について説明する。この成膜装置により成膜動作を実行するときには、射出成型されたワークＷを、射出成形機より搬送し、チャンバー１０内に搬送する。このときには、開閉部１２を搬入搬出位置に移動させた上で、図１において仮想線で示すように、ワーク載置部１３に載置されたワークＷを、チャンバー１０内のスパッタ電極２３と対向する位置に配置する。このときには、図１および図２において実線で示すように、シャッター５１は、チャンバー１０の底部付近の退避位置に配置されている。
【００４１】
なお、この実施形態においては、前段の射出成形機より１ショットで４個のワークＷが射出成型されて排出され、これら４個のワークＷを一括して成膜装置に搬入して、成膜処理している。これにより、成膜作業を効率的に実行することができ、また、ワークＷに対して水分等の吸着ガスが付着することを防止することができる。なお、１ショットで上記と同様のサイズのワークが２個ずつ射出成形機から排出される場合には、２台の射出成形機と１台の成膜装置を組み合わせればよい。また、１ショットで上記と同様のサイズのワークが８個ずつ射出成形機から排出される場合には、１台の射出成形機と２台の成膜装置を組み合わせればよい。すなわち、射出成形機から排出されるワークの量や大きさ、サイクルタイムに応じて、射出成形機と成膜装置の組み合わせを考慮すればよい。
【００４２】
次に、開閉部１２を閉鎖位置に配置し、チャンバー１０内を０．１パスカルから１パスカル未満の中真空まで減圧する。この時には、その最大排気速度が１秒当たり３００リットル以上のターボ分子ポンプ３７を使用していることから、チャンバー１０内を２０秒程度の時間で、０．１パスカルから１パスカル未満の中真空まで減圧することができる。なお、必要に応じて、ターボ分子ポンプ３７による減圧前に、ドライポンプ等の補助ポンプ３８を使用して、１００パスカル程度まで高速で減圧を行う。
【００４３】
次に、開閉弁３１を開放することにより、不活性ガスの供給部３３からチャンバー１０内にアルゴン等の不活性ガスを供給し、チャンバー１０内の真空度が０．５〜３パスカルとなるように、チャンバー１０内を不活性ガスで充満させる。そして、スパッタ電極２３に対して直流電源４１から直流電圧を付与する。これにより、スパッタリング現象でターゲット材料２２の薄膜がワークＷの表面に形成される。
【００４４】
このスパッタリング工程においては、スパッタ電極２３におけるターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、直流電源４１からスパッタ電極２３に直流電圧が印加される。これにより、チャンバー１０内が中真空である場合であっても、樹脂製のワークＷの表面にターゲット材料２２による薄膜が好適に成膜される。例えば、樹脂製のワークＷに対してアルミによる成膜を実行する場合等において、高反射率を有し、かつ、高密着性を有する薄膜を好適に成膜することが可能となる。
【００４５】
なお、以上のスパッタリング工程を実行する前に、ワークＷがチャンバー内に配置されない状態において上述したスパッタリング工程と同様のプリスパッタリング工程を実行することにより、ターゲット電極２３に付着した水分および絶縁物等を除去するようにしてもよい。
【００４６】
以上の工程によりスパッタリングによる成膜が完了すれば、引き続き、プラズマ重合による成膜を実行する。このプラズマ重合は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の一種である。プラズマ重合を実行する場合には、図１において実線で示すように、ワーク載置部１３に載置されたワークＷを、チャンバー１０内のＣＶＤ電極２４と対向する位置に配置する。また、図１および図２において仮想線で示すように、シャッター５１を、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置に配置する。この状態においては、シャッター５１は、図９に示すように、エアシリンダ６１におけるスライドピン６２により支持される。また、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４は、図６に示すように、エアシリンダ５３の本体内に収納された縮収状態となっている。
【００４７】
この状態において、開閉弁３４を開放することにより、原料ガスの供給部３６からチャンバー１０内に原料ガスを供給し、チャンバー１０内の真空度を０．１〜１０パスカルとなるように、チャンバー１０内を原料ガスで充満させる。そして、ＣＶＤ電極２４に対してマッチングボックス４６を介して高周波電源４５から高周波電圧を付与することにより、プラズマ重合による成膜を実行する。これにより、プラズマ重合反応で原料ガスの薄膜がワークＷの表面に堆積する。
【００４８】
プラズマ重合による成膜が完了すれば、チャンバー１０内をベントする。このときには、開閉弁８１を開放することにより、ドライエアの供給部８３からチャンバー１０内にドライエアを供給することにより、ドライエアによりチャンバー１０内をベントする。これにより、空気中に含まれる水分がチャンバー内に付着することを防止することができ、次の成膜処理時の真空排気時間の短縮化が可能となる。
【００４９】
そして、開閉部１２を搬入搬出位置に配置した上でワーク載置部１３を移動させ、ワーク載置部１３上に載置された成膜完了後のワークＷをチャンバー２３内から搬出して１サイクルの処理を終了する。
【００５０】
なお、上述した実施形態においては、スパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを、同一チャンバー１０内で連続して実行する成膜装置にこの発明を適用した場合について説明したが、スパッタリングによる成膜のみを実行する成膜装置にこの発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１０    チャンバー
１１    本体
１２    開閉部
１３    ワーク載置部
１９    接地部
２１    電極部
２２    ターゲット材料
２３    スパッタ電極
３１    開閉弁
３２    流量調整弁
３３    不活性ガスの供給部
３４    開閉弁
３５    流量調整弁
３６    原料ガスの供給源
３７    ターボ分子ポンプ
３８    補助ポンプ
３９    開閉弁
４１    直流電源
４５    高周波電源
４６    マッチングボックス
４８    開閉弁
４９    開閉弁
５１    シャッター
８１    開閉弁
８２    流量調整弁
８３    ドライエアの供給部
Ｗ      ワーク
【図１】
2015037315.tif 000003
【図２】
2015037315.tif 000004
【図３】
2015037315.tif 000005
【図４】
2015037315.tif 000006
【図５】
2015037315.tif 000007
【図６】
2015037315.tif 000008
【図７】
2015037315.tif 000009
【図８】
2015037315.tif 000010
【図９】
2015037315.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜装置であって、
ワークを収納するチャンバーと、
前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧手段と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
ターゲット材料を備え、前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極と、
前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電源と、
前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極と、
前記ＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記スパッタ電極と当接することにより前記ターゲット材料を覆う当接位置と、前記スパッタ電極から離隔する退避位置との間を移動可能なシャッターと、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する気体供給部をさらに備える成膜装置。
【請求項３】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記減圧手段は、最大排気速度が１秒当たり３００リットル以上のターボ分子ポンプを有する成膜装置。
【請求項４】
樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜方法であって、
射出成型された樹脂製のワークを、射出成形機よりチャンバー内に搬入する搬入工程と、
前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧工程と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極に対し、前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、
前記ターゲット材料をシャッターにより覆うシャッター配置工程と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、
前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波印加工程と、
前記チャンバー内を大気圧までベントするベント工程と、
成膜完了後のワークを前記チャンバー内から搬出する搬出工程と、
を備えたことを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項４に記載の成膜方法において、
前記ベント工程においては、前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する成膜方法。
【請求項６】
請求項４に記載の成膜方法において、
前記減圧工程においては、１秒当たり３００リットル以上の排気速度で前記チャンバー内から排気を行う成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、成膜装置に関し、特に、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、自動車のヘッドランプのリフレクターや計器類は、射出成型された樹脂製品が使用される。そして、これらの樹脂製品に対しては、鏡面仕上げや金属質感を持たせる目的から、アルミ等の金属をターゲットとしたスパッタリングによる成膜がなされる。
【０００３】
また、スパッタリングによる成膜後には、金属膜の酸化防止のため、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン保護膜等の成膜が実行される。すなわち、スパッタリングによる成膜後のワークは、別の成膜装置に搬送され、その成膜装置のチャンバー内でＨＭＤＳＯ（ヘキサ−メチル−ジ−シロキサン）等のモノマーガスを利用したプラズマＣＶＤを行うことにより、スパッタリングによる成膜後の表面に保護膜の成膜を行っている。
【０００４】
スパッタリングによる成膜と複合成膜あるいは重合成膜とを同一のチャンバー内で実行する装置も提案されている。特許文献１には、スパッタリング用電極と複合成膜あるいは重合成膜用電極とを所定距離だけ離隔した位置に配置した成膜装置が開示されている。この成膜装置においては、最初に、ワークとスパッタリング電極とを対向配置するとともに、チャンバー内に不活性ガスを導入した後、スパッタリング電極に直流を印加してスパッタリングによる成膜を実行する。次に、ワークを移動させてワークと複合成膜あるいは重合成膜用電極とを対向配置するとともに、チャンバー内にＨＭＤＳＯ等のモノマーガスを導入した後、複合成膜あるいは重合成膜用電極に高周波電圧を印加して、複合成膜あるいは重合成膜を実行している。この特許文献１に記載の成膜装置においては、使用しないターゲット上にシャッターを配置する構成を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−５８０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような樹脂製のワークに対する成膜時には、射出成形機より一定の間隔で送り出されるワークを、射出成形機によるワークの生産サイクルと連動した形で成膜することが好ましい。しかしながら、従来の成膜装置においては、好適な成膜を実行するためには、成膜開始前のチャンバー内の圧力を１０−３Ｐａ（パスカル）程度まで減圧することが必要となり、減圧に長い時間を要していた。
【０００７】
このため、従来、射出成型機により射出成型されたワークを、一旦、一定量だけストックした上で、別の工場においてスパッタリングやプラズマＣＶＤによる成膜を実行する必要があった。このような場合においては、高品質の成膜を実行するために、ワークの表面に付着した水分等の吸着ガスを十分に真空排気して取り除く必要がある。このため、従来は、多数のワークをまとめてチャンバー内に設置し、チャンバー内を油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプなどのような超高真空ポンプで十分に真空排気して水分等の吸着ガスを取り除いた上で成膜作業を行っていた。従って、大型の装置が必要となるばかりではなく、処理に長い時間を要していた。
【０００８】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、樹脂製のワークに対して短時間で成膜処理を完了することが可能な成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜装置であって、ワークを収納するチャンバーと、前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧手段と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、ターゲット材料を備え、前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極と、前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電源と、前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極と、前記ＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記スパッタ電極と当接することにより前記ターゲット材料を覆う当接位置と、前記スパッタ電極から離隔する退避位置との間を移動可能なシャッターと、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する気体供給部をさらに備える。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記減圧手段は、最大排気速度が１秒当たり３００リットル以上のターボ分子ポンプを有する。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜を実行する成膜方法であって、射出成型された樹脂製のワークを、射出成形機よりチャンバー内に搬入する搬入工程と、前記チャンバー内を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の圧力に減圧する減圧工程と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極に対し、前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、前記ターゲット材料をシャッターにより覆うシャッター配置工程と、前記チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、前記チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極に高周波電圧を印加する高周波印加工程と、前記チャンバー内を大気圧までベントするベント工程と、成膜完了後のワークを前記チャンバー内から搬出する搬出工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記ベント工程においては、前記チャンバー内に露点が摂氏０度以下の気体を供給する。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記減圧工程においては、１秒当たり３００リットル以上の排気速度で前記チャンバー内から排気を行う。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１および請求項４に記載の発明によれば、成膜開始前のチャンバー内の圧力を０．１パスカル以上１．０パスカル未満程度とした場合においても、好適な成膜を実行することが可能となる。このため、成膜に要する時間を短縮することができ、射出成形機より一定の間隔で送り出されるワークを、射出成形機によるワークの生産サイクルと連動した形で成膜することが可能となる。また、スパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを、同一チャンバー内で短時間に連続して実行することが可能となる。
【００１６】
請求項２および請求項５に記載の発明によれば、空気中に含まれる水分がチャンバー内に付着することを減少することができ、次の成膜処理時の真空排気時間の短縮化が可能となる。
【００１７】
請求項３および請求項６に記載の発明によれば、装置全体を小型化しながら真空排気をより短時間で実行することができ、これにより成膜に要する時間を短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明に係る成膜装置の正面概要図である。
【図２】この発明に係る成膜装置の要部を示す側面概要図である。
【図３】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図４】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図５】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図６】シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。
【図７】シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【図８】シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【図９】シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る成膜装置の正面概要図であり、図２は、その要部を示す側面概要図である。
【００２０】
なお、この発明に係る成膜装置は、樹脂製のワークに対してスパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを実行するものであるが、特に、スパッタリングによる成膜時において、成膜開始前のチャンバー内の圧力を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の中真空として成膜に要する時間を短縮しようとするものである。この発明は、特に、樹脂製ワークに対して成膜を実行する場合においては、ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、スパッタ電極に直流電圧を印加することにより、成膜開始前のチャンバー内の圧力を０．１パスカル以上１．０パスカル未満の中真空とした場合においても、好適な成膜を実行することが可能となることを、この発明の発明者が見出したことに基づくものである。
【００２１】
この成膜装置は、本体１１と開閉部１２とから構成されるチャンバー１０を備える。開閉部１２は、射出成型された樹脂製のワークＷを搬入する搬入搬出位置と、本体１１との間でパッキング１４を介して密閉されたチャンバー１０を構成する閉鎖位置との間を移動可能となっている。開閉部１２が搬入搬出位置に移動した状態においては、チャンバー１０の側面に、ワークＷをチャンバー１０に対して搬入および搬出する開口部が形成されることになる。また、開閉部１２に形成された通過孔を通過するようにして、ワークＷを載置するためのワーク載置部１３が配設されている。このワーク載置部１３は、ワークＷを載置した状態で開閉部１２に対して相対的に移動可能となっている。
【００２２】
また、この成膜装置は、電極部２１とターゲット材料２２とからなるスパッタ電極２３を備える。このスパッタ電極２３は、図示を省略した絶縁部材を介して、チャンバー１０における本体１１に装着されている。なお、チャンバー１０を構成する本体１１は、接地部１９によりアースされている。このスパッタ電極２３は、直流電源４１に接続されている。
【００２３】
なお、この直流電源４１としては、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、スパッタ電極２３に直流電圧を印加し得るものが使用される。すなわち、この直流電源４１は、スパッタ電極２３への投入電力として、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上を投入する。
【００２４】
さらに、この成膜装置は、ＣＶＤ電極２４を備える。このＣＶＤ電極２４は、スパッタ電極２３と同様、図示を省略した絶縁部材を介して、チャンバー１０における本体１１に装着されている。また、このＣＶＤ電極２４は、マッチングボックス４６および高周波電源４５と接続されている。
【００２５】
なお、上述した高周波電源４５としては、例えば、数十ＭＨｚ（メガヘルツ）程度の高周波を発生させるものを使用することができる。ここで、この明細書で述べる高周波とは、２０ｋＨｚ（キロヘルツ）以上の周波数を意味する。
【００２６】
チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３１および流量調整弁３２を介して、アルゴン等の不活性ガスの供給部３３と接続されている。また、チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３４および流量調整弁３５を介して、ＨＭＤＳＯやＨＭＤＳ（ヘキサ−メチル−ジ−シラザン）等の原料ガスの供給部３６と接続されている。また、チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁８１および流量調整弁８２を介して、ドライエアの供給部８３と接続されている。さらに、チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３９を介して、ターボ分子ポンプ３７と接続されており、このターボ分子ポンプ３７は、開閉弁４８を介して補助ポンプ３８と接続されている。さらに、この補助ポンプ３８は、開閉弁４９を介してチャンバー１０を構成する本体１１とも接続されている。
【００２７】
なお、上述したターボ分子ポンプ３７としては、その最大排気速度が、１秒当たり３００リットル以上のものが使用される。ターボ分子ポンプ３７を利用した場合には、大きな排気速度を得ながら、ポンプ自体を小型化することが可能となる。このため、成膜装置そのものを小型化することが可能となる。
【００２８】
また、上述したドライエアの供給部８３から供給されるドライエアとしては、その露点が摂氏０度以下のものが使用される。なお、ドライエアにかえて、その露点が摂氏０度以下の不活性ガスを使用してもよい。
【００２９】
また、この成膜装置は、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置と、チャンバー１０の底部付近の退避位置との間を昇降可能なシャッター５１を備える。このシャッター５１は、金属等の伝導体で、かつ、非磁性体である材料から構成されている。シャッター５１の材質としては、例えば、アルミニュウムを採用することができる。
【００３０】
図２に示すように、シャッター５１は、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４により下方から支持された状態で、このエアシリンダ５３の駆動により、退避位置から当接位置に向けて上昇する。そして、このシャッター５１は、当接位置において、チャンバー１０における本体１１に対してＬ型金具１８により固定されたエアシリンダ６１におけるシリンダロッド先端のスライドピン６２（図７〜図９参照）により支持される。エアシリンダ５３は、シャッター５１を下方から支持することにより、このシャッター５１を退避位置から当接位置に向けて上昇させるシャッター昇降機構として機能し、エアシリンダ６１は、当接位置においてシャッター５１を支持するシャッター支持機構として機能する。
【００３１】
以下、シャッター５１の昇降動作について説明する。図３から図６は、シャッター昇降機構によるシャッター５１の昇降動作を示す側面概要図である。また、図７から図９は、シャッター支持機構によるシャッター５１の支持動作を示す部分拡大図である。
【００３２】
図３は、シャッター５１が、スパッタ電極２３の下方で、チャンバー１０を構成する本体１１の底部付近の退避位置に配置された状態を示している。この状態においては、シャッター５１は、本体１１の底部に付設された支持部５２により支持されている。このときには、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４は、エアシリンダ５３の本体内に収納された縮収状態となっている。
【００３３】
シャッター５１を、図３に示す退避位置から、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置まで移動させるときには、最初に、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４によりシャッター５１を支持した状態でシリンダロッド５４を伸張させることにより、図４に示すように、シャッター５１をスパッタ電極２３の直下の位置まで上昇させる。この状態においては、図７に示すように、スパッタ電極２３におけるターゲット材料２２の下面とシャッター５１の正面とは、微小な距離ｄだけ離隔した状態となっている。
【００３４】
なお、図７に示すように、シャッター５１の端縁には、テーパー面を備えた凹部５９が形成されている。この凹部５９は、平面視において矩形状のシャッター５１の四隅の位置に形成されている。一方、シャッター５１がエアシリンダ５３の作用により上昇したときの凹部５９と対向する位置には、上述したエアシリンダ６１が配設されている。このエアシリンダ６１は、Ｌ型金具１８によりチャンバー１０における本体１１に対して固定されており、このエアシリンダ６１におけるシリンダロッド先端のスライドピン６２は、本体１１を貫通している。そして、このスライドピン６２の先端には、シャッター５１に形成された凹部５９のテーパー面と対応する形状を有するテーパー部が形成されている。
【００３５】
次に、図４および図７に示す状態から、エアシリンダ６１におけるシリンダロッド先端のスライドピン６２をシャッター５１に向けて伸張する。このときには、最初に、図８に示すように、スライドピン６２の先端部がシャッター５１に形成された凹部５９の上端部と対向する位置に配置される。そして、この状態からさらにスライドピン６２がシャッター５１側に移動することにより、スライドピン６２の先端がシャッター５１に形成された凹部５９内に侵入する。このときには、凹部５９のテーパー面と、スライドピン６２の先端のテーパー部との作用により、スライドピン６２の先端の凹部５９内への侵入動作に伴って、シャッター５１が上方に移動する。これにより、図５および図９に示すように、シャッター５１は、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置に配置され、その位置で支持される。
【００３６】
しかる後、図６に示すように、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４を下降させ、このシリンダロッド５４をエアシリンダ５３の本体内に収納された縮収状態とする。これにより、スパッタ電極２３およびシャッター５１の下方に、ワークＷを配置可能な空間が形成される。
【００３７】
次に、以上のような構成を有する成膜装置による成膜動作について説明する。この成膜装置により成膜動作を実行するときには、射出成型されたワークＷを、射出成形機より搬送し、チャンバー１０内に搬送する。このときには、開閉部１２を搬入搬出位置に移動させた上で、図１において仮想線で示すように、ワーク載置部１３に載置されたワークＷを、チャンバー１０内のスパッタ電極２３と対向する位置に配置する。このときには、図１および図２において実線で示すように、シャッター５１は、チャンバー１０の底部付近の退避位置に配置されている。
【００３８】
なお、この実施形態においては、前段の射出成形機より１ショットで４個のワークＷが射出成型されて排出され、これら４個のワークＷを一括して成膜装置に搬入して、成膜処理している。これにより、成膜作業を効率的に実行することができ、また、ワークＷに対して水分等の吸着ガスが付着することを防止することができる。なお、１ショットで上記と同様のサイズのワークが２個ずつ射出成形機から排出される場合には、２台の射出成形機と１台の成膜装置を組み合わせればよい。また、１ショットで上記と同様のサイズのワークが８個ずつ射出成形機から排出される場合には、１台の射出成形機と２台の成膜装置を組み合わせればよい。すなわち、射出成形機から排出されるワークの量や大きさ、サイクルタイムに応じて、射出成形機と成膜装置の組み合わせを考慮すればよい。
【００３９】
次に、開閉部１２を閉鎖位置に配置し、チャンバー１０内を０．１パスカルから１パスカル未満の中真空まで減圧する。この時には、その最大排気速度が１秒当たり３００リットル以上のターボ分子ポンプ３７を使用していることから、チャンバー１０内を２０秒程度の時間で、０．１パスカルから１パスカル未満の中真空まで減圧することができる。なお、必要に応じて、ターボ分子ポンプ３７による減圧前に、ドライポンプ等の補助ポンプ３８を使用して、１００パスカル程度まで高速で減圧を行う。
【００４０】
次に、開閉弁３１を開放することにより、不活性ガスの供給部３３からチャンバー１０内にアルゴン等の不活性ガスを供給し、チャンバー１０内の真空度が０．５〜３パスカルとなるように、チャンバー１０内を不活性ガスで充満させる。そして、スパッタ電極２３に対して直流電源４１から直流電圧を付与する。これにより、スパッタリング現象でターゲット材料２２の薄膜がワークＷの表面に形成される。
【００４１】
このスパッタリング工程においては、スパッタ電極２３におけるターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、直流電源４１からスパッタ電極２３に直流電圧が印加される。これにより、チャンバー１０内が中真空である場合であっても、樹脂製のワークＷの表面にターゲット材料２２による薄膜が好適に成膜される。例えば、樹脂製のワークＷに対してアルミによる成膜を実行する場合等において、高反射率を有し、かつ、高密着性を有する薄膜を好適に成膜することが可能となる。
【００４２】
なお、以上のスパッタリング工程を実行する前に、ワークＷがチャンバー内に配置されない状態において上述したスパッタリング工程と同様のプリスパッタリング工程を実行することにより、ターゲット電極２３に付着した水分および絶縁物等を除去するようにしてもよい。
【００４３】
以上の工程によりスパッタリングによる成膜が完了すれば、引き続き、プラズマ重合による成膜を実行する。このプラズマ重合は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の一種である。プラズマ重合を実行する場合には、図１において実線で示すように、ワーク載置部１３に載置されたワークＷを、チャンバー１０内のＣＶＤ電極２４と対向する位置に配置する。また、図１および図２において仮想線で示すように、シャッター５１を、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置に配置する。この状態においては、シャッター５１は、図９に示すように、エアシリンダ６１におけるスライドピン６２により支持される。また、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４は、図６に示すように、エアシリンダ５３の本体内に収納された縮収状態となっている。
【００４４】
この状態において、開閉弁３４を開放することにより、原料ガスの供給部３６からチャンバー１０内に原料ガスを供給し、チャンバー１０内の真空度を０．１〜１０パスカルとなるように、チャンバー１０内を原料ガスで充満させる。そして、ＣＶＤ電極２４に対してマッチングボックス４６を介して高周波電源４５から高周波電圧を付与することにより、プラズマ重合による成膜を実行する。これにより、プラズマ重合反応で原料ガスの薄膜がワークＷの表面に堆積する。
【００４５】
プラズマ重合による成膜が完了すれば、チャンバー１０内をベントする。このときには、開閉弁８１を開放することにより、ドライエアの供給部８３からチャンバー１０内にドライエアを供給することにより、ドライエアによりチャンバー１０内をベントする。これにより、空気中に含まれる水分がチャンバー内に付着することを防止することができ、次の成膜処理時の真空排気時間の短縮化が可能となる。
【００４６】
そして、開閉部１２を搬入搬出位置に配置した上でワーク載置部１３を移動させ、ワーク載置部１３上に載置された成膜完了後のワークＷをチャンバー２３内から搬出して１サイクルの処理を終了する。
【００４７】
なお、上述した実施形態においては、スパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを、同一チャンバー１０内で連続して実行する成膜装置にこの発明を適用した場合について説明したが、スパッタリングによる成膜のみを実行する成膜装置にこの発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０    チャンバー
１１    本体
１２    開閉部
１３    ワーク載置部
１９    接地部
２１    電極部
２２    ターゲット材料
２３    スパッタ電極
３１    開閉弁
３２    流量調整弁
３３    不活性ガスの供給部
３４    開閉弁
３５    流量調整弁
３６    原料ガスの供給源
３７    ターボ分子ポンプ
３８    補助ポンプ
３９    開閉弁
４１    直流電源
４５    高周波電源
４６    マッチングボックス
４８    開閉弁
４９    開閉弁
５１    シャッター
８１    開閉弁
８２    流量調整弁
８３    ドライエアの供給部
Ｗ      ワーク
【国際調査報告】
2015037315.tif 000012
2015037315.tif 000013
2015037315.tif 000014
2015037315.tif 000015