(57)【要約】比誘電率が高く、誘電特性の周波数依存性および温度依存性が小さい誘電体材料、および電子部品を提供する。Ｔｉを主たる金属元素として含み、ルチル型の結晶構造を有する誘電体材料であって、Ｔｉ以外の金属元素として、Ｎｉ、Ｃｏ、および周期表の２族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ１と、周期表の５族および６族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ２と、を含み、Ｔｉ、Ｍ１およびＭ２の合量に対して、Ｍ１のモル比率ｘが０．００５〜０．０２５、Ｍ２のモル比率ｙが０．０１０〜０．０５である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉを主たる金属元素として含み、ルチル型の結晶構造を有する誘電体材料であって、  前記Ｔｉ以外の金属元素として、Ｎｉ、Ｃｏ、および周期表の２族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ１と、周期表の５族および６族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ２と、を含み、  前記Ｔｉ、前記Ｍ１および前記Ｍ２の合量に対して、前記Ｍ１のモル比率ｘが０．００５〜０．０２５、前記Ｍ２のモル比率ｙが０．０１０〜０．０５０であることを特徴とする誘電体材料。
【請求項２】
カソードルミネッセンスのスペクトルにおいて、４００〜６００ｎｍの範囲に存在するピークの強度Ｉ１が、７００〜１０００ｎｍの範囲に存在するピークの強度Ｉ２よりも大きいこと特徴とする請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項３】
前記Ｍ１がＭｇ、ＮｉおよびＣｏのうち少なくともいずれか一種であり、前記Ｍ２がＮｂおよびＴａのうち少なくともいずれか一種であることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体材料。
【請求項４】
前記Ｍ１がＣａであり、前記Ｍ２がＷであることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体材料。
【請求項５】
前記ｘが０．００８〜０．０１８、前記ｙが０．０１６〜０．０３６であることを特徴とする請求項３または４に記載の誘電体材料。
【請求項６】
１ｋＨｚにおける比誘電率が１０００以上、かつ誘電損失が０．５以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の誘電体材料。
【請求項７】
気孔率が５％以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の誘電体材料。
【請求項８】
誘電体層と、該誘電体層を介して対向する一対の導体層と、を備え、前記誘電体層が、請求項１乃至７のいずれかに記載の誘電体材料からなることを特徴とする電子部品。
【請求項９】
複数の前記誘電体層と複数の前記導体層とを有し、前記誘電体層と前記導体層とが交互に積層されていることを特徴とする請求項８に記載の電子部品。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、誘電体材料および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、積層セラミックコンデンサ等の電子部品の誘電体磁器として、チタン酸バリウムを含有する誘電体材料が用いられている。積層セラミックコンデンサは、誘電体磁器からなる誘電体層と導体層とを交互に積層してなるもので、誘電体層を薄層化することにより小型化、高容量化が図られている。このように小型化、高容量化が進む一方で、誘電体層の薄層化に伴い誘電体層に印加される電界強度が大きくなるため、耐電圧や高温負荷寿命などの信頼性を確保することが難しいという課題があった。また、誘電体層の薄層化に対応して誘電体層の結晶粒径を小さくすることで誘電体層の比誘電率が小さくなり、誘電体層の薄層化による高容量化の効果を得るのが難しい、などの課題がある。【０００３】  近年、誘電体層の厚さを、信頼性を確保できる程度に厚くしたとしても、高い静電容量が得られるような高い比誘電率を有する誘電体磁器材料が検討されており、たとえばＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２（ＣＣＴＯ）などが提案されている（たとえば、非特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】M Li, A Feteira, D.C. Sinclair and A. R. West, Applied Physics Letters 88, 232903 (2006)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  しかしながら、上記のＣＣＴＯは、周波数や温度の変化によって比誘電率が数百から数万の間で変動しやすいという問題があった。【０００６】  本発明の目的は、比誘電率が高く、誘電特性の周波数依存性および温度依存性が小さい誘電体材料、および電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本発明の誘電体材料は、Ｔｉを主たる金属元素として含み、ルチル型の結晶構造を有する誘電体材料であって、前記Ｔｉ以外の金属元素として、Ｎｉ、Ｃｏ、および周期表の２族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ１と、周期表の５族及び６族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ２と、を含み、前記Ｔｉ、前記Ｍ１および前記Ｍ２の合量に対して、前記Ｍ１のモル比率ｘが０．００５〜０．０２５、前記Ｍ２のモル比率ｙが０．０１０〜０．０５０であることを特徴とする。【０００８】  また、本発明の電子部品は、誘電体層と、該誘電体層を介して対向する一対の導体層と、を備え、前記誘電体層が、上述の誘電体材料からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】  本発明によれば、比誘電率が高く、誘電特性の周波数依存性および温度依存性が少ない誘電体材料、および電子部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態である電子部品を模式的に示す断面図である。
【図２】第２の実施形態である電子部品を模式的に示す断面図である。
【図３】（ａ）は、実施例の試料Ｎｏ．１５における比誘電率の周波数依存性を示すグラフであり、（ｂ）は、実施例の試料Ｎｏ．１４における誘電分極のヒステリシス曲線を示すグラフである。
【図４】実施例のカソードルミネッセンス測定のスペクトルを示すグラフであり、（ａ）は試料Ｎｏ．１４の測定結果、（ｂ）は試料Ｎｏ．２１の測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】  以下、誘電体材料および電子部品について、具体的な実施形態を説明する。
【００１２】  第１の実施形態である電子部品は、図１に示すように誘電体層１と、誘電体層１を介して対向する一対の導体層２と、を備えている。本実施形態において、誘電体層１は、Ｔｉを主たる金属元素として含み、ルチル型の結晶構造を有する誘電体材料からなる。
【００１３】  ここで、誘電体材料は、Ｔｉ以外の金属元素として、Ｎｉ、Ｃｏ、および周期表の２族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ１と、周期表の５族および６族から選ばれる少なくともいずれか一種である金属元素Ｍ２と、を含んでいる。Ｍ１およびＭ２の含有量は、Ｔｉ、Ｍ１およびＭ２の合量に対して、Ｍ１のモル比率ｘが０．００５〜０．０２５、Ｍ２のモル比率ｙが０．０１０〜０．０５０である。
【００１４】  Ｍ１およびＭ２をこのような範囲で含有し、ルチル型の結晶構造を有する誘電体材料は、室温（２５℃）の１ｋＨｚにおける比誘電率が１０００以上、かつ誘電損失が０．５以下であるとともに、１Ｈｚ〜１×１０６Ｈｚの範囲における比誘電率の変動（比誘電率の周波数依存性）が小さいものとなる。ここで、１Ｈｚ〜１×１０６Ｈｚの範囲における比誘電率の変動が小さいというのは、１Ｈｚ〜１×１０６Ｈｚの範囲における比誘電率の最大値および最小値が、１ｋＨｚの比誘電率を１としたとき、０．３〜３．０の範囲内、特には０．６〜２．０の範囲内にあることをいう。また、本実施形態の誘電体材料は、常誘電性を有することから、比誘電率の温度依存性が小さい。
【００１５】  本実施形態の誘電体材料は、酸化チタン結晶に、上述のＭ１（Ｎｉ、Ｃｏ、および周期表の２族から選ばれる少なくともいずれか一種）およびＭ２（周期表の５族および６族から選ばれる少なくともいずれか一種）の元素が特定の割合で固溶したものである。これらのＭ１およびＭ２の元素が固溶した誘電体材料は、酸化チタンのルチル型の結晶構造に対して格子定数ａ、ｃがわずかに変化しているだけで、依然としてルチル型の結晶構造を有しており、アナターゼ型など、他の結晶相は実質的に存在しない。
【００１６】  すなわち、誘電体材料の結晶相は、ルチル型の酸化チタンであり、アナターゼ型など他の結晶相は実質的に存在しない。他の結晶相が実質的に存在しないとは、誘電体材料のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンでルチル型の結晶構造が確認され、他の結晶相に起因する回折ピークが確認できないことをいう。このように、誘電体材料の結晶相は、ルチル型の結晶構造からなることが望ましい。
【００１７】  このような誘電体材料が、高い比誘電率を発現する理由は定かではないが、たとえば、ルチル型の結晶構造内にＴｉの変位に基づく分極構造が形成されている、あるいはＴｉの一部がＴｉ３＋となり酸素欠陥が存在する、などの理由が考えられる。なお、このような状態においても、本実施形態の誘電体材料は、後述する具体例から明らかなように、常誘電性が支配的なものとなっている。
【００１８】  また、通常のルチル型の酸化チタンでは、カソードルミネッセンスのスペクトルにおいて波長５００ｎｍ近傍および波長８００ｎｍ近傍にピークが存在し、そのうち波長８００ｎｍ近傍に高い強度のピークが存在する（図４（ｂ）を参照）。これに対し、本実施形態の誘電体材料では波長８００ｎｍ近傍に出現するピークの強度が低く、波長５００ｎｍ近傍に出現するピークの強度よりも低いか、または多くの場合波長８００ｎｍ近傍にはピークが確認できない（図４（ａ）を参照）。本実施形態の誘電体材料では、カソードルミネッセンスのスペクトルにおける４００〜６００ｎｍの範囲に存在するピークの強度をＩ１とし、７００〜１０００ｎｍの範囲に存在するピークの強度をＩ２としたとき、Ｉ１がＩ２よりも大きいものとなる。
【００１９】  なお、これらのピークが重なり合う場合は、ピーク分離を行って強度Ｉ１およびＩ２を評価することが望ましいが、重なりが少ない場合や強度差が明白な場合は、常識的な範囲でバッククラウンドを差し引くなどして直接比較を行ってもよい。
【００２０】  本実施形態の誘電体材料は、組成式Ｍ１ｘＭ２ｙＴｉ１―ｘ−ｙＯ２＋αで表される。ここで、Ｍ１はＮｉ、Ｃｏ、および周期表の２族から選ばれる少なくともいずれか一種、Ｍ２は周期表の５族および６族から選ばれる少なくともいずれか一種を示す。組成式において高い比誘電率を示すｘおよびｙの範囲は、上述のように０．００５≦ｘ≦０．０２５および０．０１０≦ｙ≦０．０５０の範囲であり、ｙは概ねｘの２倍である。ｙがｘの２倍から大きく外れると、ルチル型の結晶構造を維持できなかったり、異相が出現する場合がある。なお、αは、誘電体材料中に含まれる酸素量やチタン（Ｔｉ）の価数変動に起因した、酸素量の化学量論的組成からの変動を示している。
【００２１】  特に、Ｍ１をＭｇ、ＮｉおよびＣｏのうち少なくともいずれか一種、Ｍ２をＮｂおよびＴａのうち少なくともいずれか一種とし、ｘおよびｙを０．００８≦ｘ≦０．０１８および０．０１６≦ｙ≦０．０３６の範囲とすることで、室温（２５℃）の１ｋＨｚにおける比誘電率を２０００以上とすることができる。なお、Ｍ１をＭｇおよびＮｉのうち少なくともいずれか一方とした場合、１ＭＨｚ（１×１０６Ｈｚ）の周波数においても誘電損失を１．０以下とすることができる。
【００２２】  また、Ｍ１をＣａ、Ｍ２をＷとした場合も、ｘおよびｙを０．００８≦ｘ≦０．０１８および０．０１６≦ｙ≦０．０３６の範囲とすることで、室温（２５℃）の１ｋＨｚ（１×１０３Ｈｚ）における比誘電率を２０００以上とすることができる。
【００２３】  本実施形態の誘電体材料は、気孔率が５％以下、さらには２％以下の緻密なものであることが好ましい。気孔率が５％以下の緻密な誘電体材料とすることにより、室温（２５℃）の１ｋＨｚ（１×１０３Ｈｚ）における誘電損失を０．５以下とすることができる。誘電体材料の気孔率は、断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を画像解析することにより確認すればよい。倍率は、例えば１０００〜５０００倍とすればよい。
【００２４】  誘電体材料は、たとえば薄膜やセラミック焼結体等の形態で用いることができる。セラミック焼結体の場合、例えば平均粒径が１〜１０μｍであることが好ましい。なお、薄膜やセラミック焼結体等の形態においても、その結晶相がルチル型の結晶構造からなることが望ましい。
【００２５】  このような誘電体の作製方法について、その一例としてセラミック焼結体の作製方法を説明する。
【００２６】  酸化チタンの粉末に、Ｍ１（Ｎｉ、Ｃｏ、および周期表の２族から選ばれる少なくともいずれか一種）の酸化物や炭酸塩、例えばＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＯ、ＣａＣＯ３などの粉末と、Ｍ２（周期表の５族および６族から選ばれる少なくともいずれか一種）の酸化物、例えばＮｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３などの粉末とを、所定量配合して混合粉末とする。混合粉末にバインダを加え、所定の形状に成形する。成形方法は、プレス成形、シート成形など周知の成形法から必要に応じ適宜選択すればよい。
【００２７】  シート成形する場合は、例えば混合粉末を溶媒、分散剤およびバインダとともに、混合し、成形用の混合溶液を得る。溶媒としては、例えばエタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などのアルコール類や、トルエンなどの有機溶剤を用いればよい。バインダとしては、例えばポリビニルアルコール系、ポリビニルブチラール系、アクリル系などの有機樹脂を用いればよい。得られた混合溶液を、ドクターブレード、コータなど周知のシート成形法によりシート状に成形して成形体を得る。
【００２８】  得られた成形体に適宜バインダ除去処理を行い、大気雰囲気中において、１〜５℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、１２００〜１４００℃で４〜１０時間焼成することで、本実施形態の誘電体材料が得られる。なお、必要に応じ、混合粉末または成形体を、大気雰囲気中において８００〜１０００℃で２〜１０時間、仮焼してもよい。混合粉末を仮焼して仮焼粉末とした場合、この仮焼粉末にバインダ等を加えて所定の形状に成形したのち、上述の条件で焼成すればよい。また、成形体を上述の仮焼条件で仮焼し、引き続き上述の焼成条件で焼成してもよい。
【００２９】  成形体は、ジルコニアなどのセッター上に配置し、セラミック製の匣鉢内に収納して焼成することが好ましい。匣鉢の材質としては、例えばアルミナ、マグネシア、ムライトなどを用いればよい。
【００３０】  また、シート成形体を焼成する場合、バインダ除去処理後のシート成形体上に反応性の低い基板、例えばジルコニア基板等を載せて焼成してもよい。
【００３１】  このようにして得られる誘電体材料は、そのまま、または必要に応じて、適当な形状およびサイズに加工することにより、コンデンサ、共振器、高周波ＩＣ用基板、誘電性の光学素子等の材料として使用することができる。本実施形態は、特に、小型、高容量のコンデンサとしたときに優れた効果を示すものとなる。
【００３２】  第２の実施形態である電子部品は、図２に示すように、上述の誘電体材料からなる複数の誘電体層１と、複数の導体層２とが交互に積層されたものであり、例えば誘電体層１と導体層２との積層方向に沿う側面に露出した導体層２同士を相互に接続する外部電極３を備えている。
【００３３】  本実施形態において、誘電体層１の厚さは、３〜２０μｍとすることが好ましい。誘電体層１の厚さを３〜２０μｍとすることで、例えば積層セラミックコンデンサなどとして実用的な電子部品を形成できる。
【００３４】  なお、第１の実施形態、第２の実施形態のいずれにおいても、導体層２としては導電性を有するものならばいずれでもよく、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉやそれらの合金などを用いることができる。導体層２の材料の具体例としては、例えばＡｇ−Ｐｄ合金箔や銅箔、蒸着膜などを例示できる。導体層２の厚みは、一般に０．５〜５μｍ程度、好ましくは１〜４μｍであるのがよい。
【実施例】
【００３５】  まず、酸化チタン、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化ニオブ、酸化タンタルおよび酸化タングステンの各原料粉末を準備し、表１に示す組成となるように配合した。配合した原料粉末にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を加えてボールミルにより約１２時間の湿式混合を行い、スラリーを調製した。次に、調製したスラリーに、原料粉末に対して５質量％のパラフィンワックスを加えて乾燥させることにより顆粒を作製した。この顆粒を金型プレスにより成形し、直径１５ｍｍ、厚み１．３ｍｍの円板状の成形体を作製した。【００３６】  次に、作製した成形体を、ジルコニア製のセッター上に配置してマグネシア製の匣鉢内に収納して蓋をし、大気雰囲気中にて１３５０℃、保持時間を１０時間として焼成し、誘電体材料である焼結体を得た。なお、焼成時の昇温速度は２℃／ｍｉｎとした。【００３７】  得られた焼結体の組成を高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光により確認した結果、配合組成と測定誤差の範囲で一致していた。また、焼結体のＸ線回折（ＸＲＤ）測定を行い、得られたＸＲＤパターンから結晶相を同定した結果、いずれもルチル型の結晶構造を有し、他の結晶相に起因する回折ピークは確認できなかった。【００３８】  焼結体の気孔率は、断面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を画像解析することにより確認した。ＳＥＭ写真の倍率は２０００倍とした。測定の結果、気孔率はいずれも２％以下であった。【００３９】  焼結体の電気特性は、以下のようにして測定した。イオンスパッタ装置（ＪＥＯＬ−ＪＦＣ−１５００）を用いて焼結体の表裏面に、直径１ｃｍのＡｕ電極を形成した。【００４０】  Ａｕ電極が形成された各試料について、インピーダンスの実数部Ｚ′および虚数部Ｚ″を測定した。なお、周波数０．０１Ｈｚ〜１０ＭＨｚ（１×１０−２Ｈｚ〜１×１０７Ｈｚ）の範囲はＳｏｌａｒｔｒｏｎ社製のインピーダンス測定器を用い、周波数４０Ｈｚ〜１１０ＭＨｚ（４０Ｈｚ〜１．１×１０８Ｈｚ）の範囲はＡｇｉｌｅｎｔ社製のインピーダンス測定器（形式４２９５Ａ）を用いた。測定は、実効電圧５００ｍＶ（Ｂｉａｓ  ０Ｖ）の交流電圧を印加して行った。【００４１】  測定した実数部Ｚ′および虚数部Ｚ″から静電容量Ｃｐ（Ｆ）を算出し、さらに比誘電率εｒを算出した。まず静電容量Ｃｐは、Ｃｐ＝Ｚ″／（２πｆ（Ｚ′２＋Ｚ″２））（ｆは、周波数）により算出した。また、比誘電率εｒは、式Ｃｐ＝ε０εｒ×Ｓ／ｄ（ε０は真空の誘電率、Ｓは電極面積、ｄは焼結体の厚み）が周波数の全域にわたって成立するとみなし、εｒ＝Ｃｐ×ｄ／（ε０×Ｓ）として算出した。【００４２】  焼結体の誘電分極のヒステリシス特性は、強誘電体特性評価装置（株式会社  東陽テクニカ製）を用いて測定した。【００４３】  各試料の評価結果を表１に示す。なお、比誘電率の周波数変動は、周波数１Ｈｚ〜１×１０６Ｈｚにおける比誘電率の最大値（εｒｍａｘ）および最小値（εｒｍｉｎ）の、周波数１ｋＨｚ（１×１０３Ｈｚ）における比誘電率（εｒ（１ｋＨｚ））に対する比（εｒｍａｘ／εｒ（１ｋＨｚ）および（εｒｍｉｎ／εｒ（１ｋＨｚ））により評価した。【００４４】
【表１】
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【００４５】  Ｍ１のモル比率ｘが０．００５未満かつＭ２のモル比率ｙが０．０１０未満の試料Ｎｏ．９および１０は、室温、１ｋＨｚにおける比誘電率（以下、特に明記しない限り、誘電特性は室温、１ｋＨｚにおける値とする）が１０００以下と小さかった。Ｍ１のモル比率ｘが０．０２５よりも大きくＭ２のモル比率が０．０５０よりも大きい試料Ｎｏ．２０および２１も同様に、比誘電率が１０００以下と小さかった。【００４６】  比誘電率の周波数依存性の一例として、試料Ｎｏ．１５（Ｍ１：Ｍｇ、Ｍ２：Ｔａ、ｘ＝０．０１３、ｙ＝０．０２５）の測定結果を図３（ａ）に示す。１Ｈｚ〜１×１０６Ｈｚの範囲で、１ｋＨｚの比誘電率を基準としたとき、比誘電率の最大値εｒｍａｘが１．７、最小値εｒｍｉｎが０．９と比較的小さく抑えられており、他の試料においてもＭ１のモル比率ｘが０．００５〜０．０２５、Ｍ２のモル比率ｙが０．０１０〜０．０５０の範囲内においては、１ｋＨｚの比誘電率を基準としたときεｒｍａｘおよびεｒｍｉｎがいずれも０．３〜３．０の範囲内であった。【００４７】  一方、Ｍ１のモル比率ｘが０．００５未満かつＭ２のモル比率ｙが０．０１０未満の試料Ｎｏ．９、１０では、１Ｈｚ〜１×１０６Ｈｚの範囲におけるεｒｍａｘが３．５以上となり、周波数に対する比誘電率の変動が大きかった。なお、Ｍ１のモル比率ｘが０．０２５よりも大きくＭ２のモル比率が０．０５０よりも大きい試料Ｎｏ．２０および２１では、１ｋＨｚの比誘電率を基準としたときのεｒｍａｘおよびεｒｍｉｎがいずれも０．９〜１．４の範囲内となり、比誘電率の変動が小さかった。【００４８】  図３（ｂ）は、試料Ｎｏ．１４（Ｍ１：Ｍｇ、Ｍ２：Ｔａ、ｘ＝０．０１０、ｙ＝０．０２０）における誘電分極のヒステリシス特性測定結果を示しており、その形状から常誘電性が支配的であることがわかる。他の試料の測定結果も、全て同様に常誘電性が支配的であった。【００４９】  焼結体のカソードルミネッセンスの測定は、カソードルミネッセンス測定システムＭＰ−３２Ｓ（回折格子：１００ｇｒ／ｍｍ、ブレーズ波長：４５０ｎｍ、検出器：ＣＣＤ、堀場製作所製）を組み込んだ走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：日本電子製  ＪＳＭ−７００１Ｆ）を用いて行った。測定条件として、スリット幅を１００μｍ、加速電圧を１５ｋＶ、測定領域を約３０×３０μｍとした。また測定用試料としては、表面を♯２０００の研磨紙で研磨し、ダイヤモンドペーストにて鏡面加工したものを用いた。【００５０】  図４は、カソードルミネッセンス測定のスペクトルを示しており、（ａ）は試料Ｎｏ．１４、（ｂ）は試料Ｎｏ．２１（Ｍ１：Ｍｇ、Ｍ２：Ｔａ、ｘ＝０．０４０、ｙ＝０．０８０）の測定結果である。図４（ａ）には、波長４００〜６００ｎｍの範囲にピークが見られ、波長７００〜１０００ｎｍの範囲にはピークが見られないが、図４（ｂ）では、波長８３０ｎｍ近傍に、波長４００〜６００ｎｍの範囲に見られるピークよりも強度が高いピークが存在していることがわかる。なお、試料Ｎｏ．９、１０および２０においても、ピークの強度比は若干異なるものの図４（ｂ）と同様なプロファイルが得られた。他の試料については、図４（ａ）と同様に波長７００〜１００���ｎｍの範囲にはピークが見られなかった。
【符号の説明】
【００５１】  １：誘電体層  ２：導体層（内部電極）  ３：外部電極 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2016002929.tif 000009
2016002929.tif 000010
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