(57)【要約】  製造工程中のダイシングに際してのマイクロクラックやクラックが基板に生じ難く、支持層で囲まれた領域内にクラックが延び難く、カバー部材の剥離が生じ難い、電子部品を提供する。  矩形板状の第１の基板２上に機能電極３が設けられており、機能電極３を囲むように樹脂からなる支持層６が設けられており、支持層６の開口を封止するようにカバー部材７が取り付けられており、支持層６の少なくとも１つの角部において、支持層６を貫通するビア導体８が設けられており、ビア導体８が設けられている角部において、角部の外側に、支持層６と同じ高さの樹脂補強部１３が設けられている、電子部品１。
2015159465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形板状の第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた機能電極と、
前記機能電極を囲むように前記第１の基板上に設けられており、かつ樹脂からなる枠状の支持層と、
前記支持層の上方開口を封止するように取り付けられたカバー部材とを備え、
前記支持層の少なくとも１つの角部において、該支持層を貫通するビア導体が設けられており、該ビア導体が設けられている該角部において、該角部の外側に、前記支持層と同じ高さの樹脂補強部が設けられている、電子部品。
【請求項２】
前記樹脂補強部が、前記支持層の前記角部と接触している、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記樹脂補強部が、前記支持層の前記角部と離れている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記支持層の全ての前記角部において、全ての前記角部の外側に前記樹脂補強部が設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記支持層が設けられた４枚以上の前記第１の基板を前記第１の基板の主面を揃えて集合した場合、４枚の前記第１の基板の前記角部が集合している部分において、４枚の前記第１の基板の前記角部のそれぞれの外側に設けられた前記樹脂補強部により、前記第１の基板の主面を平面視した場合、Ｘ字状の中心に矩形が重ねられた平面形状が構成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記支持層が設けられた４枚以上の前記第１の基板を前記第１の基板の主面を揃えて集合した場合に、４枚の前記第１の基板の前記角部が集合している部分において、４枚の前記第１の基板における前記角部のそれぞれの外側に設けられた前記樹脂補強部が、前記第１の基板の主面を平面視した場合、Ｘ字状の形状の少なくとも一部を構成する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記樹脂補強部が、矩形の平面形状を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
第２の基板と、該第２の基板上に設けられたモールド樹脂層とをさらに備え、
前記第１の基板、前記支持層及び前記カバー部材が積層されている構造が、前記第２の基板上に実装されており、かつ前記モールド樹脂層により被覆されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記第１の基板が圧電基板であり、
前記機能電極がＩＤＴ電極を含み、弾性表面波装置である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法であって、
前記第１の基板が集合されている集合基板を用意する工程と、
前記集合基板上に、個々の電子部品単位の機能電極及び前記支持層及び前記樹脂補強部を形成する工程と、
前記支持層の開口を覆うようにカバー部材を形成する工程と、
前記集合基板をダイシングし、個々の電子部品単位の第１の基板とする工程とを備える、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、カバー部材との間に中空部が設けられている電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１には、ウェハレベルパッケージ構造の弾性表面波装置が開示されている。特許文献１では、圧電基板上に、ＩＤＴ電極が形成されている。このＩＤＴ電極を囲むように、樹脂からなる枠状の支持層が設けられている。支持層を貫通するように、ビア導体が設けられている。このビア導体は、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。また、ビア導体の上端に、バンプが接合される。【０００３】
上記支持層を設けた後、支持層の開口を封止するようにカバー部材が設けられる。【０００４】
実際の製造に際しては、上記のような積層構造を得た後に、ダイシングにより個々の弾性表面波装置を作製する。特許文献１では上記支持層は、ダイシングラインよりも内側に位置している。もっとも、マザーの基板の段階で、隣り合う支持層間を結ぶ樹脂連結部が設けられている。この樹脂連結部は、矩形枠状の支持層の長辺部分同士及び短辺部分同士を結ぶように設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ０９／０７８１３７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記樹脂連結部は、バンプに接合されるビア導体の側方に設けられている。そのため、マイクロクラックが、バンプの近くで生じることがあった。ダイシング後に、各弾性表面波装置を、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を形成するための第２の基板や、回路基板に、リフローにより実装する。この場合、上記バンプの直下に応力が加わる。そのため、前述した圧電基板のダイシングラインに発生するマイクロクラックを起点として、支持層下または支持層近傍に存在する圧電基板にまでクラックが延びることがあった。【０００７】
また、上記ダイシングに際しカバー部材が支持層から剥離することがあった。そのため、例えば樹脂モールドをさらに行なう場合、樹脂が支持層内に侵入するおそれがあった。【０００８】
本発明の目的は、製造工程中における基板等のクラックが生じ難く、該クラックが支持層下または支持層近傍に延び難く、カバー部材の剥離が生じ難い、電子部品及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、矩形板状の第１の基板と、前記第１の基板上に設けられた機能電極と、前記機能電極を囲むように前記第１の基板上に設けられており、かつ樹脂からなる枠状の支持層と、前記支持層の上方開口を封止するように取り付けられたカバー部材とを備え、前記支持層の少なくとも１つの角部において、前記支持層を貫通するビア導体が設けられており、該ビア導体が設けられている該角部において、該角部の外側に、前記支持層と同じ高さの樹脂補強部が設けられている、電子部品が提供される。【００１０】
本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記樹脂補強部が、前記支持層の前記角部と接触している。【００１１】
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記樹脂補強部が、前記支持層の前記角部と離れている。【００１２】
本発明においては、好ましくは、前記支持層の全ての前記角部において、全ての前記角部の外側に前記樹脂補強部が設けられている。【００１３】
本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、前記支持層が設けられた４枚以上の前記第１の基板を第１の基板の主面を揃えて集合した場合、４枚の前記第１の基板の前記角部が集合している部分において、４枚の前記第１の基板の前記角部のそれぞれの外側に設けられた前記樹脂補強部により、前記第１の基板の主面を平面視した場合、Ｘ字状の中心に矩形が重ねられた平面形状が構成される。【００１４】
本発明の電子部品の他の特定の局面では、前記支持層が設けられた４枚以上の前記第１の基板を前記第１の基板の主面を揃えて集合した場合に、４枚の前記第１の基板の前記角部が集合している部分において、４枚の前記第１の基板における前記角部のそれぞれの外側に設けられた前記樹脂補強部が、前記第１の基板の主面を平面視した場合、Ｘ字状の形状の少なくとも一部を構成している。【００１５】
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記樹脂補強部が、矩形の平面形状を有する。【００１６】
本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、第２の基板と、前記第２の基板上に設けられたモールド樹脂層がさらに備えられており、前記第１の基板、前記支持層及び前記カバー部材が積層されている構造が、前記第２の基板上に実装されており、かつ前記モールド樹脂層により被覆されている。【００１７】
本発明に係る電子部品のより限定的な局面では、前記第１の基板が圧電基板であり、前記機能電極がＩＤＴ電極を含み、弾性表面波装置である電子部品が提供される。【００１８】
本発明に係る電子部品の製造方法は、本発明に従って構成された電子部品の製造方法であって、前記第１の基板が集合されている集合基板を用意する工程と、前記集合基板上に、個々の電子部品単位の機能電極及び前記支持層及び前記樹脂補強部を形成する工程と、前記支持層の開口を覆うようにカバー部材を形成する工程と、前記集合基板をダイシングし、個々の電子部品単位の第１の基板とする工程とを備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る電子部品及びその製造方法によれば、支持層の少なくとも１つの角部の外側に、支持層と同じ高さの補強樹脂部が設けられているため、該支持層及び補強樹脂部が設けられている基板を集合してなる集合基板を用いて電子部品を製造する際にダイシングを行なったとしても、基板にクラックが生じ難い。また、カバー部材の剥離も生じ難い。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品の模式的正面断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品において、カバー部材を取り除いた状態を示す模式的平面図であり、図２（ｂ）は支持層の角部の詳細を示す部分切欠き拡大斜視図であり、図２（ｃ）は支持層の角部の外側において基板に生じるクラックの位置を示す部分切欠き平面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態の電子部品の製造方法において用意される集合基板と、集合基板上に設けられている電極構造を示す模式的平面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態の電子部品の製造方法において用意される集合基板上において、４つの支持層の集合している部分を示す模式的平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態において用意される集合基板上の電極構造と支持層との位置関係を示す模式的平面図である。
【図６】図６は、樹脂補強部の形状の第１の変形例を説明するための模式的平面図である。
【図７】図７は、樹脂補強部の形状の第２の変形例を説明するための模式的平面図である。
【図８】図８は、支持層の角部から樹脂補強部が離れている変形例を示す部分切欠き平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品の模式的正面断面図である。電子部品１は、第１の基板２を有する。本実施形態では、第１の基板２は圧電基板からなる。第１の基板２を構成する材料は特に限定されず、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶を用いることができる。あるいは、圧電セラミックスを用いてもよい。
【００２３】
第１の基板２は、第１の主面２ａと、第１の主面２ａと対向している第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、機能電極３が設けられている。本実施形態では、機能電極３は、ＩＤＴ電極を含む。電子部品１は、ＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置である。もっとも、機能電極３は、ＩＤＴ電極を含む構造に限定されない。すなわち、本発明においては、電子部品は弾性表面波装置に限定されない。従って、機能電極３は、電子部品としての機能を実現する適宜の電極構造を有し得る。また、第１の基板２についても、絶縁性基板であってもよく、半導体基板であってもよい。
【００２４】
機能電極３と電気的に接続されるように第１の配線層４が設けられている。第１の配線層４は、第１の基板２の第１の主面２ａ上に設けられており、図示しない部分において機能電極３に電気的に接続されている。第１の配線層４上に、第２の配線層５が積層されている。
【００２５】
また、本実施形態では、樹脂からなる支持層６が、上記機能電極３が設けられている部分を囲むように設けられている。後述するように、支持層６は、開口を有する矩形枠状の形状を有する。
【００２６】
また、支持層６の開口を封止するように、カバー部材７が取り付けられている。カバー部材７は、合成樹脂からなる。もっとも、カバー部材７は、絶縁性セラミックスにより形成されていてもよい。
【００２７】
上記支持層６及びカバー部材７を貫くように貫通孔が設けられている。この貫通孔内にビア導体８が設けられている。ビア導体８は、一端が第２の配線層５に接続されている。ビア導体８は、アンダーバンプメタル層として機能するものである。すなわち、ビア導体８に、Ａｕやはんだなどからなるバンプ９が接合されている。上記第１の基板２上に、機能電極３及び第１，第２の配線層４，５が設けられており、さらに上記支持層６、カバー部材７及びバンプ９が設けられた構造により、電子部品素子１０が構成されている。本実施形態では、電子部品素子１０は、弾性表面波素子である。バンプ９を利用して、図示しない電極ランドが設けられている第２の基板１１に上記電子部品素子１０が実装されている。そして、上記電子部品素子１０を覆うようにモールド樹脂層１２が設けられている。
【００２８】
本実施形態では、上記樹脂からなる矩形枠状の支持層６により、機能電極３が臨む中空部Ａが構成されている。
【００２９】
ところで、この種の電子部品１では、製造に際しては、第１の基板２を多数集合してなる集合基板を用意する。そして、この集合基板上に、個々の電子部品素子１０単位の機能電極３、第１，第２の配線層４，５及び上記支持層６を形成する。しかる後、カバー部材７を積層した後に、ビア導体８を設ける。
【００３０】
そして、バンプ９を接合し、あるいは接合する前に、集合基板をダイシングラインに沿って切断する。このようにして、個々の電子部品素子１０を得る。
【００３１】
本実施形態の電子部品１の特徴は、上記ダイシングにより電子部品素子１０を得るにあたり、第１の基板２にクラックが生じ難く、かつカバー部材７の支持層６からの剥離等が生じ難いことにある。これは、以下に述べる樹脂補強部が支持層６の少なくとも１つの角部の外側に設けられていることによる。これを、図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）、図３及び図４を参照して説明する。
【００３２】
図２（ａ）は、ダイシング後の第１の基板２と支持層６との関係を示す模式的平面図であり、ここではカバー部材が取り除かれて図示されている。
【００３３】
ダイシングによって形成された矩形板状の第１の基板２の外縁から所定の距離内側に離れて、第１の基板２の第１の主面２ａ上に、矩形枠状の支持層６が設けられている。この支持層６で囲まれた領域に、略図的に示す機能電極３が設けられている。ここでは、ＩＤＴ電極を含む機能電極３が設けられている領域を矩形の枠でその位置のみを示すこととする。
【００３４】
また、図２（ａ）では、理解を容易とするために、第１，第２の配線層は図示を省略している。
【００３５】
第１の基板２は矩形板状の形状を有する。そして、支持層６は矩形枠状の形状を有する。従って、支持層６は、４つの角部を有する。この４つの角部において、支持層６の一部が内側に突出して設けられている。この突出部分に支持層６を貫通するように、前述したビア導体８が設けられている。また、支持層６の一対の長辺の中央においても、支持層６の一部が内側に突出して設けられている。この突出部分にビア導体８が設けられている。従って、１つの電子部品１において、６つのビア導体８が設けられている。
【００３６】
他方、本実施形態の特徴は、上記矩形枠状の支持層６の４つの角部の外側に、樹脂補強部１３が設けられていることにある。この樹脂補強部１３は、図２（ｂ）に示すように、第１の基板２の角部と支持層６の角部とを結ぶ方向に延びるように形成されている。具体的には支持層６の角部から支持層６の長辺６ａと約４５°の角度をなす方向に突出している。そして、樹脂補強部１３は、支持層６と同じ高さを有するように構成されている。また、この樹脂補強部１３は、支持層６と同じ樹脂材料により形成されている。もっとも、樹脂補強部１３は、支持層６と異なる樹脂材料により形成されていてもよい。
【００３７】
上記樹脂補強部１３が設けられているため、電子部品１では、製造に際してのダイシングの際に発生したマイクロクラックから第１の基板２の支持層６の下部または近傍に延びるクラックが発生し難い。また、たとえ樹脂補強部１３近傍の圧電基板にマイクロクラックが生じたとしても、支持層６で囲まれた領域内にクラックが至り難い。さらに、前述したカバー部材７の剥離も生じ難い。これを、図３〜図５を参照して製造方法をより具体的に説明することにより明らかにする。
【００３８】
上記電子部品１の製造に際しては、図３に示す集合基板３１を用意する。集合基板３１では、４個の第１の基板が集合されている部分が示されている。実際には、集合基板３１よりもかなり多数の第１の基板が集合されている集合基板が用いられる。
【００３９】
集合基板３１において、個々の電子部品素子が構成される部分において、機能電極３を形成する。また、機能電極３に接続されるように、第１の配線層４を形成する。また、アンダーバンプメタル層を形成するための給電ライン３２も形成する。
【００４０】
次に、集合基板３１上において、図２（ｃ）に示した矩形枠状の支持層６と、樹脂補強部１３とを形成する。次に、図１に示したカバー部材７を上記支持層６の開口を封止するように設ける。このカバー部材７を設けるにあたっては、マザーのカバー部材を積層する。
【００４１】
しかる後、カバー部材７及び支持層６を貫通する貫通孔を形成する。そして、上記給電ライン３２を利用して電解めっき法によりビア導体８を形成する。
【００４２】
しかる後、集合基板３１をダイシングブレードによって切断し、複数の第１の基板２に分割する。最後に、個々の電子部品単位の構造に、バンプ９を設ける。バンプ９は、ダイシング前に設けてもよい。
【００４３】
ところで、図５は、上記集合基板３１上に、機能電極及び給電ライン３２を設けた後に、上記支持層６及び樹脂補強部１３を設けた構造を示す。
【００４４】
図４は、図５から、上記給電ライン３２や機能電極を除去した形状の模式的平面図である。すなわち、複数の支持層６と、樹脂補強部１３とのみを模式的平面図で示す。
【００４５】
集合基板３１上に、上記のように、基板面を揃えて、４つの電子部品素子構成部分が集合されている。従って、矢印Ｂで示す部分においては、支持層６のそれぞれの角部が集合している。言い換えれば、４つの角部が集合している。この部分において、樹脂補強部１３は、平面視において、Ｘ字状の形状とされている。そして、この樹脂補強部１３は、前述したように、支持層６と同じ高さとされている。このようなＸ字状の平面形状の場合には、ダイシングに際しての樹脂補強部１３における切削量が少なくて済む。従って、ダイシングに際してのダイシングブレードの目詰まり等の負担も軽減することができる。
【００４６】
ダイシングラインは、図４に一点鎖線Ｃ及びＤで示すラインとなる。なお、ダイシングラインは、ダイシングブレードの厚みに応じた幅を有する。従って、上記樹脂補強部１３はダイシングブレードによって切断されて分割されると、そのＸ字状の形状の中央部分が除去されることになる。その結果、最終的に得られる電子部品１では、図２（ｂ）に示したように、角部において、支持層６の長辺６ａと約４５°の角度をなすように突出している突出部の形状となっている樹脂補強部１３が設けられることになる。なお、支持層６の突出部に比べて幅の狭い長辺６ａに樹脂補強部１３が接合されると、樹脂硬化の過程で支持層６の長辺６ａに変形が生じることがある。この変形が要因となり、カバー部材７と支持層６との接合部に隙間が発生することがある。
【００４７】
ところで、上記ダイシングに際しては、マザーのカバー部材が貼り付けられた状態で行なわれる。この場合、樹脂補強部１３が無い場合に比べ、樹脂補強部１３が設けられていると、接合強度が高められている。よって、ダイシングに際し、切断部分におけるカバー部材の剥離が生じ難い。ダイシングに際して、カバー部材７の角部付近は、行方向と列方向として２回の切断応力を受ける。
【００４８】
しかしながら、本実施形態では、カバー部材７と集合基板３１との間の接合強度が樹脂補強部１３により高められている。従って、カバー部材の剥離が生じ難い。
【００４９】
加えて、ダイシングを実施するとき、切断力の変動が存在する部分において切断面が荒れやすい。従って、マザーの集合基板３１の切断面上に、上記樹脂補強部１３が存在する部分、特に樹脂補強部１３との境界において、基板にマイクロクラックが発生しやすい。本実施形態では、この角部において、角部を挟んだ基板の１つの切断面と、他方の切断面にマイクロクラックを発生させる。そのため角部を挟んだマイクロクラックを結ぶ方向にクラックが延びやすい。すなわち、支持層６の角部よりも外側において、図２（ｃ）に模式的に矢印Ｆで示す角部をなす一方の辺と他方の辺とを結ぶようにクラックが延びやすい。従って支持層６内に至るクラックの発生が抑制できる。
【００５０】
他方、上記電子部品素子１０を第２の基板１１に実装するに際しては、超音波接合法あるいはリフロー法などの工法が用いられる。これらの工法の加熱工程において、電子部品素子に温度変化が発生する。そのため、樹脂補強部１３、支持層６、第１の基板２及びビア導体８の線膨張係数の差などの影響により熱応力が発生する。樹脂補強部１３、支持層６、第１の基板２、ビア導体８の境界部では熱応力が大きくなり、支持層に形成されたビア導体の近傍では、マイクロクラック成長が生じやすい。しかしながら、本実施形態では、上記樹脂補強部１３が第１の基板２の角部に設けられて、クラック成長の起点となるマイクロクラックが生じる部分がビア導体８から遠ざけられている。すなわち、例えば支持層６の長辺６ａに設けられているビア導体８の側方には、切断力の変動する部分である樹脂補強部１３は設けていない。第１の基板２の角部においてのみ、矩形枠状の支持層６の角部の外側に、樹脂補強部１３を設けている。従って、樹脂補強部１３と第１の基板２とが共に切断されたとしても、第１の基板２の角部かつ支持層６の角部の外側であるため、マイクロクラックの発生位置が、支持層６の長辺６ａの側方に設けられた樹脂補強部１３に比べて、ビア導体８からの距離が遠ざけられている。よって、超音波接合法、リフロー法などの工法における、マイクロクラックの成長による支持層６の長辺６ａの下部または近傍に位置する第１の基板２のクラックが生じ難い。
【００５１】
電子部品１では、上記のようにして電子部品素子１０を得た後に、電子部品素子１０をバンプ９を利用して第２の基板１１上に実装する。その際に、上記のように、第１の基板２におけるクラックが支持層６内に至り難い。
【００５２】
さらに、電子部品１を得るために、図１に示すモールド樹脂層１２を形成する。この場合、上記のように、カバー部材７が支持層６から剥離し難い。そのため、クラックまたは剥離を介してモールド樹脂が支持層６内に入り込むことを抑制できる。よって特性の安定な電子部品１を得ることができる。
【００５３】
加えて、上記ビア導体８の形成に際しての電解めっきに際し、めっき液が支持層６内に浸入し難い。これは、上記集合基板３１の段階で、隣接する支持層６間において、上記角部の外側に樹脂補強部１３が設けられていることによる。また、めっき液が、支持層６内だけでなく、図４に示す、支持層６同士の間の隙間Ｇにも入り難いことにもよる。よって、隙間Ｇからめっき液が支持層６内への浸入が防止できると、ダイシング工程において、ダイシングブレードの摩耗増加、切削応力の変化による圧電基板の損傷が防止できる。あるいは、隙間Ｇからモールド樹脂が、支持層６と第１の基板２との接合部に発生したクラックを介して、第１の基板２と支持層６とカバー部材７とで封止されて形成された中空部に侵入すれば、モールド樹脂がＩＤＴ電極の位置に到達して、配線の短絡あるいは励振の劣化を発生させることがある。
【００５４】
上記実施形態では、図４に示した平面形状の樹脂補強部１３を設けたが、樹脂補強部１３の平面形状は種々変形することができる。例えば、図６に示す第１の変形例では、樹脂補強部１３Ａは、第１の主面２ａの平面視において、正方形がＸ字状の形状の中央部分に重ねられた形状とされている。このような形状であっても、樹脂補強部１３Ａが設けられていることにより、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。また、Ｘ字状の平面形状に正方形が重ねられているため、樹脂補強部１３Ａでは、樹脂補強部１３Ａの中央において、樹脂の流動性によるへこみが生じ難い。従って、樹脂補強部１３Ａによる接合強度補強効果が十分に発現される。
【００５５】
図７は、上記樹脂補強部の第２の変形例を説明するための模式的平面図である。図７に示す樹脂補強部１３Ｂは、第１の主面２ａの平面視において、正方形の形状を有する。この正方形平面形状の樹脂補強部１３Ｂが、正方形の角部が支持層６の角部に接するように設けられている。このように、正方形や正方形以外の長方形などの矩形の平面形状の樹脂補強部を設けてもよい。
【００５６】
また、上記実施形態及び第１，第２の変形例では、樹脂補強部１３，１３Ａ，１３Ｂは、支持層６の角部に接触していたが、図８に示すように、支持層６の角部から、樹脂補強部１３Ｃが隔てられていてもよい。もっとも、樹脂補強部は支持層６の角部に接触していることが望ましく、それによって、めっき液の浸入を効果的に防止することができる。
【００５７】
なお、上記実施形態では、電子部品１は、樹脂モールド型の弾性表面波装置であったが、本発明は弾性表面波装置以外の様々な中空部を有する電子部品に適用することができる。また、上記第２の基板１１及びモールド樹脂層１２は必ずしも設けられずともよく、前述した電子部品素子１０であってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１…電子部品
２…第１の基板
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３…機能電極
４，５…第１，第２の配線層
６…支持層
６ａ…長辺
７…カバー部材
８…ビア導体
９…バンプ
１０…電子部品素子
１１…第２の基板
１２…モールド樹脂層
１３，１３Ａ〜１３Ｃ…樹脂補強部
３１…集合基板
３２…給電ライン
【図１】
2015159465.tif 000003
【図２】
2015159465.tif 000004
【図３】
2015159465.tif 000005
【図４】
2015159465.tif 000006
【図５】
2015159465.tif 000007
【図６】
2015159465.tif 000008
【図７】
2015159465.tif 000009
【図８】
2015159465.tif 000010
【国際調査報告】
2015159465.tif 000011
2015159465.tif 000012
2015159465.tif 000013
2015159465.tif 000014