(57)【要約】  本発明は、還元剤および活性剤フリーのソルダペースト、当該ソルダペーストを使用して半田接合を完結させる半田付け製品の製造方法である。本発明の還元ガス用ソルダペーストは、還元ガスとともに用いる還元ガス用ソルダペーストであって、半田粉末と；常温で固体のチキソ剤と；溶剤とを含み；酸化膜除去のための還元剤フリー、および還元性向上のための活性剤フリーであるソルダペーストである。
2017057651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
還元ガスとともに用いる還元ガス用ソルダペーストであって、
半田粉末と；
常温で固体のチキソ剤と；
溶剤とを含み；
酸化膜除去のための還元剤フリー、および還元性向上のための活性剤フリーである、
還元ガス用ソルダペースト。
【請求項２】
前記チキソ剤は、下記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％を満たすチキソ剤であり、
下記（３）における所定の温度は、前記チキソ剤の常圧下での融点である、
請求項１に記載の還元ガス用ソルダペースト。
（１）半田粉末、チキソ剤、溶剤の３成分からなるソルダペーストから半田粉末を除いたペーストをサイズ５×５ｍｍ、厚み１００μｍ（メタルマスク厚）で、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）に塗布する。
（２）塗布してから１分経過後のペーストの面積を測定する。
（３）常温のホットプレートに前記銅基板を設置し、前記銅基板が所定の温度になるまで加熱する。
（４）前記所定の温度に到達した時点で、前記ホットプレートから前記銅基板を取り出し、冷却する。
（５）冷却後、前記銅基板上のペーストの面積を測定する。
【請求項３】
前記半田粉末および前記チキソ剤が溶融する温度は、前記還元ガスでの還元時の温度よりも高い、
請求項１または請求項２に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項４】
前記還元ガスは、ギ酸または水素である、
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項５】
前記チキソ剤は、アマイド系チキソ剤である、
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項６】
前記チキソ剤は、前記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％を満たすチキソ剤であり、
前記（３）における所定の温度は、前記還元ガスでの還元時の温度である、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項７】
前記溶剤は、常圧における１８０℃での熱重量測定（ＴＧ）による減量が１０℃／ｍｉｎの昇温速度において２５％以上である、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のソルダペーストを提供する提供工程と；
前記ソルダペーストを半田付け対象物に塗布する塗布工程と；
前記ソルダペーストを塗布した半田付け対象物を、前記半田粉末が溶融する温度よりも低い任意の温度に加熱して前記溶剤を蒸発させる蒸発工程と；
前記蒸発工程に並行して、またはその後に、前記半田粉末が溶融する温度よりも低い任意の温度で、前記蒸発工程により残された前記半田粉末と、前記半田付け対象物を還元ガスで還元する還元工程と；
前記還元工程の後に、前記半田付け対象物を前記半田粉末が溶融する温度以上の任意の温度に加熱して前記半田粉末を溶融する半田溶融工程とを備える；
半田付け製品の製造方法。
【請求項９】
前記半田付け対象物を真空中に置く真空工程とをさらに備え；
前記蒸発工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で加熱して、前記溶剤を蒸発させる、
請求項８に記載の半田付け製品の製造方法。
【請求項１０】
前記蒸発工程の溶剤の蒸発により前記半田粉末間に間隙が生じ、
前記還元工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で、前記間隙に還元ガスを導入し、前記半田付け対象物を還元する、
請求項９に記載の半田付け製品の製造方法。
【請求項１１】
前記半田溶融工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で、前記半田付け対象物を前記半田粉末が溶融する温度以上に加熱して、半田粉末を溶融し、
前記溶融後、圧力を上げて、半田粉末内部の空洞（ボイド）を圧縮して小さくする、または無くすため、前記真空工程の真空を破壊する真空破壊工程と；
前記真空破壊工程の後に、前記半田付け対象物を冷却する冷却工程を備える；
請求項９または請求項１０に記載の半田付け製品の製造方法。
【請求項１２】
前記還元ガスはギ酸ガスである、
請求項８〜請求項１１のいずれか１項に記載の半田付け製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は還元ガス用ソルダペースト、半田付け製品の製造方法に関し、特に還元剤・活性剤フリーのソルダペースト、それを用いた半田付け製品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ソルダペーストは印刷による供給が可能なため生産性に優れるという利点がある。通常、ソルダペーストには半田粉末とフラックスが含まれる。フラックス成分には、還元剤、活性剤、チキソ剤（バインダー）、溶剤、粘着付与剤樹脂などがある。還元剤は、半田付けの際半田付け対象物の表面や半田粉末の表面の酸化膜を除去する役割を果たし、活性剤は、還元性を向上させ半田の濡れ性を向上させる役割を果たす。【０００３】
フラックスは半田付け後にフラックス残渣として残存する。フラックス成分のうち還元剤や活性剤は、半田付けの性能、腐食、マイグレーションに大きな影響を及ぼす。還元効果が高ければ、半田付け性は向上する。しかし、これらの活性成分はイオン化し易く水との親和性も強いため、腐食やイオンマイグレーションを引き起こし易い。
このような理由により、還元剤と活性剤を含むソルダペーストを用いた場合は、特許文献１、２に記載されているように半田付け後にフラックス残渣の洗浄が必要となる（特許文献１、段落０００２〜０００４、特許文献２、段落０００２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２２１６６８号公報
【特許文献２】特許第４８１８１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、フラックス残渣を洗浄液を用いて洗浄する場合、洗浄液は多量で環境負荷やコスト負担が増すという問題がある。さらに、フラックス残渣の洗浄方法を使用できない製品もある。
本発明は上述の課題に鑑み、還元剤および活性剤フリーのソルダペースト、当該ソルダペーストを使用して半田接合を完結させる半田付け製品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
半田粉末、チキソ剤、溶剤のみでソルダペースを作製しても当然に還元効果を有さず、良好な半田濡れ性は得られない。従来のソルダペーストは、還元剤および活性剤を含むことで還元効果を得ていた。本発明者らは、従来のソルダペーストと還元ガスとを組合せると充分な濡れ性が得られないこと、還元剤および活性剤を除いたソルダペーストでは、還元ガスの浸透を担保できれば充分な濡れ性を得られることを見出し、本発明を完成させた。【０００７】
本発明の第１の態様に係る還元ガス用ソルダペーストは、還元ガスとともに用いる還元ガス用ソルダペーストであって、半田粉末と；常温で固体のチキソ剤と；溶剤とを含み；酸化膜除去のための還元剤フリー、および還元性向上のための活性剤フリーである、ソルダペーストである。
「チキソ剤」は半田粉末と他の成分との分離防止またはだれ防止等を可能とし、「溶剤」は粘度調整等を可能とする。溶剤は半田粉末が溶融する温度よりも低い温度で蒸発できるものが好ましい。溶剤はチキソ剤が溶融する温度よりも低い温度で蒸発できるものであってもよい。「還元剤」は酸化膜を除去する成分をいい、「活性剤」は還元性を向上させる成分をいう。「還元剤フリー」とは還元剤を含まないこと、または、含んだとしても、本発明の効果を妨げない程度の量であることをいい、「活性剤フリー」とは活性剤を含まないこと、または、含んだとしても、本発明の効果を妨げない程度の量であることをいう。すなわち、本発明の効果を妨げない範囲においては、還元剤、活性剤、添加物等のその他成分を含んでもよい。本発明のソルダペーストは、本質的に半田粉末、チキソ剤、溶剤の３成分からなる（essentially consisting of）ソルダペーストである。
このように構成すると、ボイドが少なく、フラックス飛散の少ないソルダペーストであって、フラックス残渣が少なく、洗浄不要のソルダペーストを得ることができる。【０００８】
本発明の第２の態様に係る還元ガス用ソルダペーストは、上記本発明の第１の態様に係る還元ガス用ソルダペーストにおいて、前記チキソ剤が、下記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％を満たすチキソ剤であり、下記（３）における所定の温度が、前記チキソ剤の常圧下での融点である。
（１）半田粉末、チキソ剤、溶剤の３成分からなるソルダペーストから半田粉末を除いたペーストをサイズ５×５ｍｍ、厚み１００μｍ（メタルマスク厚）で、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）に塗布する。
（２）塗布してから１分経過後のペーストの面積を測定する。
（３）常温のホットプレートに前記銅基板を設置し、前記銅基板が所定の温度になるまで加熱する。
（４）前記所定の温度に到達した時点で、前記ホットプレートから前記銅基板を取り出し、冷却する。
（５）冷却後、前記銅基板上のペーストの面積を測定する。
なお、濡れ広がり面積の割合が０％のものには、還元時の温度で固体のチキソ剤を含むペーストも含まれる。
このように構成すると、融点においてチキソ剤は溶融してもその場に留まるか濡れ広がりが小さいため、還元ガスによる浸入および還元を妨げない。【０００９】
本発明の第３の態様に係る還元ガス用ソルダペーストは、上記本発明の第１の態様または第２の態様に係る還元ガス用ソルダペーストにおいて、前記半田粉末および前記チキソ剤が溶融する温度が、前記還元ガスでの還元時の温度よりも高い。
このように構成すると、還元時の温度において半田粉末とチキソ剤は溶融せずに固体として存在するため、半田粉末間、チキソ剤間、半田粉末とチキソ剤間の間隙に還元ガスが容易に浸入することができる。【００１０】
本発明の第４の態様に係る還元ガス用ソルダペーストは、上記本発明の第１の態様〜第３の態様のいずれか１の態様に係る還元ガス用ソルダペーストにおいて、前記還元ガスが、ギ酸または水素である。
このように構成すると、還元ガスとしてよく用いられるガスに好適なソルダペーストとなる。【００１１】
本発明の第５の態様に係る還元ガス用ソルダペーストは、上記本発明の第１の態様〜第４の態様のいずれか１の態様に係る還元ガス用ソルダペーストにおいて、前記チキソ剤が、アマイド系チキソ剤である。
このように構成すると、還元時の温度において、固体または溶融した場合でも濡れ広がりの小さいチキソ剤であるため、チキソ剤が還元ガスの浸入および還元を妨げない。【００１２】
本発明の第６の態様に係る還元ガス用ソルダペーストは、上記本発明の第１の態様〜第５の態様のいずれか１の態様に係る還元ガス用ソルダペーストにおいて、前記チキソ剤が、前記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％を満たすチキソ剤であり、前記（３）における所定の温度が、前記還元ガスでの還元時の温度である。
このように構成すると、還元時の温度においてチキソ剤は溶融せずに固体として存在するか、溶融したとしてもその濡れ広がりが小さいため、還元ガスによる浸入および還元を妨げない。【００１３】
本発明の第７の態様に係る還元ガス用ソルダペーストは、上記本発明の第１の態様〜第６の態様のいずれか１の態様に係る還元ガス用ソルダペーストにおいて、前記溶剤が、常圧における１８０℃での熱重量測定（ＴＧ）による減量が１０℃／ｍｉｎの昇温速度において２５％以上である。
このように構成すると、還元時の温度が１５０〜３００℃である還元ガスに適したソルダペーストとなる。【００１４】
本発明の第８の態様に係る半田付け製品の製造方法は、例えば図１の方法Ｂに示すように、上記本発明の第１の態様〜第７の態様のいずれか１の態様に係るソルダペーストＳを提供する提供工程と；前記ソルダペーストを半田付け対象物に塗布する塗布工程Ｂ１と；前記ソルダペーストを塗布した半田付け対象物を、前記半田粉末が溶融する温度よりも低い任意の温度に加熱して前記溶剤を蒸発させる蒸発工程Ｂ２と；前記蒸発工程に並行して、またはその後に、前記半田粉末が溶融する温度よりも低い任意の温度で、前記蒸発工程により残された前記半田粉末と、前記半田付け対象物を還元ガスで還元する還元工程Ｂ３と；前記還元工程の後に、前記半田付け対象物を前記半田粉末が溶融する温度以上の任意の温度に加熱して前記半田粉末を溶融する半田溶融工程Ｂ４とを備える。
このように構成すると、還元時に半田粉末が溶融せず、半田粉末間等に生じた間隙により、半田粉末および半田付け対象物の還元を効果的に行うことができる。さらに、ソルダペーストは還元剤・活性剤フリーであるため、ボイドが少なく、フラックス飛散の少ない半田付けが可能となる。さらに、フラックス残渣の量を減らすことができる、フラックス残渣にはイオン性がなく、半田付け後の洗浄が不要となる、フラックス残渣中の活性成分による信頼性低下を抑制することができる、ピンコンタクト性が向上するという利点もある。【００１５】
本発明の第９の態様に係る半田付け製品の製造方法は、上記本発明の第８の態様に係る半田付け製品の製造方法において、前記半田付け対象物を真空中に置く真空工程とをさらに備え；前記蒸発工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で加熱して、前記溶剤を蒸発させる。
「真空」とは、大気より低い圧力（いわゆる減圧）の空間をいう。
このように構成すると、溶剤の蒸発を促進させることができる。さらに、常圧時の沸点が還元時の温度よりも高い溶剤であっても効率よく蒸発させることができ、使用可能な溶剤の種類を増やすことができる。【００１６】
本発明の第１０の態様に係る半田付け製品の製造方法は、上記本発明の第９の態様に係る半田付け製品の製造方法において、前記蒸発工程の溶剤の蒸発により前記半田粉末間に間隙が生じ、前記還元工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で、前記間隙に還元ガスを導入し、前記半田付け対象物を還元する。
このように構成すると、半田粉末間等の間隙に還元ガスを浸入し易くすることができる。【００１７】
本発明の第１１の態様に係る半田付け製品の製造方法は、上記本発明の第９の態様または第１０の態様に係る半田付け製品の製造方法において、前記半田溶融工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で、前記半田付け対象物を前記半田粉末が溶融する温度以上に加熱して半田粉末を溶融し、前記溶融後、圧力を上げて、半田粉末内部の空洞（ボイド）を圧縮して小さくする、または無くすため、前記真空工程の真空を破壊する真空破壊工程と；前記真空破壊工程の後に、前記半田付け対象物を冷却する冷却工程を備える。
このように構成すると、真空破壊工程において半田が溶融している状態で空洞（ボイド）を潰すことができ、空洞を潰した後で半田を固化させることができるため、半田中のボイドによる疲労寿命の低下をさらに抑制することができる。【００１８】
本発明の第１２の態様に係る半田付け製品の製造方法は、上記本発明の第８の態様〜第１１の態様のいずれか１の態様に係る半田付け製品の製造方法において、前記還元ガスがギ酸ガスである。
このように構成すると、３００℃より低い温度で半田粉末および半田付け対象物を還元することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、生産性に優れるというソルダペーストの特長に加え、従来品よりもフラックス残渣が少なく、洗浄が不要なソルダペーストを得ることができる。さらに、当該ソルダペーストを用いた半田付け製品の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】半田付け製品の製造方法の概要を示す図である。Ａは従来法であり、Ｂは本発明の方法である。
【図２】本発明の半田付け製品の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】半田付け装置１の概略構成図である。
【図４】半田付け装置１を用いた半田接合手順を示すフローチャートである。
【図５】半田付け装置１を用いた半田接合手順を示す他のフローチャートである。
【図６】リフローでの温度プロファイルを示すグラフである。
【図７】半田濡れ性判定を示す図である。
【図８】実施例１〜４の半田濡れ性判定時の外観写真である。
【図９】実施例５〜７の半田濡れ性判定時の外観写真である。
【図１０】実施例８〜９の半田濡れ性判定時の外観写真である。
【図１１】実施例１０〜１２の半田濡れ性判定時の外観写真である。
【図１２】比較例２の半田濡れ性判定時の外観写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
この出願は、日本国で２０１５年９月３０日に出願された特願２０１５−１９５１７７号に基づいており、その内容は本出願の内容として、その一部を形成する。本発明は以下の詳細な説明によりさらに完全に理解できるであろう。本発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明により明らかとなろう。しかしながら、詳細な説明および特定の実例は、本発明の望ましい実施の形態であり、説明の目的のためにのみ記載されているものである。この詳細な説明から、種々の変更、改変が、本発明の精神と範囲内で、当業者にとって明らかであるからである。出願人は、記載された実施の形態のいずれをも公衆に献上する意図はなく、改変、代替案のうち、特許請求の範囲内に文言上含まれないかもしれないものも、均等論下での発明の一部とする。
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において互いに同一または相当する部分には同一あるいは類似の符号を付し、重複した説明は省略する。また、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。
【００２３】
［還元ガス用ソルダペースト］
本発明の第１の実施の形態に係る還元ガス用ソルダペーストを説明する。
本発明の還元ガス用ソルダペーストは、半田粉末と、フラックスとして、チキソ剤、溶剤とを含むが、還元剤、活性剤を含まない。または、含むとしても本発明の効果を妨げない程度の量以下である。
ここで還元剤とは、半田付けの際半田付け対象物の表面や半田粉末の表面の酸化膜を除去する物質であり、例えば、ロジン、ロジン誘導体などである。
活性剤とは、還元性の向上や半田の濡れ性を向上させる物質であり、例えば、アミン−ハロゲン化水素酸塩、有機酸などである。アミン−ハロゲン化水素酸塩としては、例えば、ジエチルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩などが挙げられる。有機酸としては、例えば、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ステアリン酸、安息香酸などが挙げられる。
なお、本発明の還元ガス用ソルダペーストは、還元剤と活性剤を除き、発明の効果が得られる限りにおいて、半田粉末、チキソ剤、溶剤以外の化合物（添加物等）を含有してもよい。
【００２４】
本発明のソルダペーストを用いて半田付けを行う場合、還元には還元ガスを用いる。本発明のソルダペーストに含まれる半田粉末とチキソ剤は、前記還元ガスによる還元温度および還元時の気圧において溶融しないものが好ましい。すなわち、チキソ剤が溶融する温度は、還元温度よりも高い任意の温度である。半田粉末が溶融する温度は、還元温度よりも高い任意の温度であり、本実施の形態では還元温度よりも１０〜５０℃高い温度であることが好ましい。
さらに、溶剤は還元温度以下で蒸発（気化）するものが好ましい。溶剤が蒸発する温度は、還元温度よりも低いまたは同一の任意の温度であり、例えば０〜１００℃を挙げることができる。雰囲気の圧力を調整する機構により、常圧での沸点が還元温度よりも高い溶剤であっても、溶剤の蒸発温度を還元温度よりも低くすることができる。このように、溶剤は所定の気圧において還元温度以下で蒸発するものであればよい。
すなわち、本発明のソルダペーストは、所定の気圧において、以下の関係を有する材料を含む。
・溶剤の蒸発温度≦還元温度＜半田粉末の融点、チキソ剤の融点
上記の「融点」とは、気圧にかかわらず物質が溶融する温度をいう。
このように、還元ガスによる還元時の温度で、半田粉末とチキソ剤は固体であればよく、溶剤は気体であればよく、還元時の温度に合わせて、半田粉末、チキソ剤、溶剤を適宜組合せる。
または、還元時の温度で溶融するチキソ剤であっても、溶融状態において濡れ広がりの小さいチキソ剤であれば、本発明のソルダペーストのチキソ剤として使用することができる。
なお、以下においてチキソ剤をバインダーまたはゲル化剤と称することもあるが、チキソ剤、バインダー、ゲル化剤は同義である。
【００２５】
・半田粉末
半田粉末の合金組成は特に制限されない。バンプ形成やプリント基板の実装に今日使用されている各種半田合金が使用可能である。例えば、鉛フリー半田として用いられているＳｎ−Ａｇ系半田、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系半田、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系半田、Ｓｎ−Ｃｕ系半田、Ｓｎ−Ｚｎ系半田、Ｓｎ−Ｂｉ系半田等の鉛フリー半田合金の粉末や、融点変化型合金Ａ−ＦＡＰを挙げることができる。
【００２６】
・チキソ剤
チキソ剤は、ソルダペーストの粘度調整や物質の固着を促進させる。チキソ剤は、常温・常圧で固体であり、還元時の気圧・温度において溶融しないが半田粉末の溶融時には溶融してもよく、活性物質でない（非イオン性の）ものが好ましい。または、還元時の気圧・温度において溶融するが、溶融状態において濡れ広がりの小さいものが好ましい。還元時の温度は、還元ガスの種類により決まるため、還元ガスに合わせて適宜選択する。
【００２７】
溶融状態において濡れ広がりの小さいチキソ剤は、以下の方法で判別することができる。
下記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％、好ましくは０〜２５％、特に好ましくは０〜１５％を満たすチキソ剤が好ましい。所定の温度とは、チキソ剤の常圧下での融点である。
（１）３成分からなるソルダペーストから半田粉末を除いたペースト（すなわち、チキソ剤＋溶剤）をサイズ５×５ｍｍ、厚み１００μｍ（メタルマスク厚）で、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）に塗布する。
（２）塗布してから１分経過後のペーストの面積を測定する。
（３）常温のホットプレートに銅基板を設置し、銅基板が所定の温度になるまで加熱する。
（４）所定の温度に到達した時点で、ホットプレートから銅基板を取り出し、冷却する。冷却は、自然冷却で、室温になるまで行う。
（５）冷却後、銅基板上のペーストの面積を測定する。
【００２８】
または、所定の温度が、還元ガスでの還元時の温度であって、上記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％、好ましくは０〜２５％、特に好ましくは０〜１５％を満たすチキソ剤であってもよい。なお、濡れ広がり面積の割合が０％のものには、還元時の温度で固体状のチキソ剤を含むペーストも含まれる。
【００２９】
チキソ剤としては、アマイド系チキソ剤や、ソルビトール系チキソ剤を挙げることができる。アマイド系チキソ剤とは、アマイド結合（−ＣＯＮＨ−）を含む化合物であり、例えば、ステアリン酸アマイド等の高級脂肪酸アマイド、エチレンビスステアロアマイド、ラウリン酸アマイド、オレイン酸アマイドなどの不飽和脂肪酸モノアマイド、Ｎ−ラウリルラウリン酸アマイド、Ｎ−ステアリルステアリン酸アマイドなどの置換アマイド、メチロールステアリン酸アマイドなどのメチロールアマイド、脂肪酸アマイドのエチレンオキシド付加体、脂肪酸エステルアマイド、脂肪酸エタノールアマイド、Ｎ−ブチル−Ｎ’−ステアリル尿素などの置換尿素等、メチレンビスステアリン酸アマイド、エチレンビスラウリン酸アマイド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アマイドなどの飽和脂肪酸ビスアマイド；、メチレンビスオレイン酸アマイドなどの不飽和脂肪酸ビスアマイド；、ｍ−キシリレンビスステアリン酸アマイドなどの芳香族ビスアマイド等が挙げられる。また、ジアミンとジカルボン酸を縮合重合させて得られるポリアマイドであってもよい。ジアミンとしては、エチレンジアミン、プトレシンやエキサメチレンジアミンが挙げられる。ジカルボン酸としては、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、ドデカ２酸などが挙げられる。これらのアマイド系チキソ剤を単独で、あるいは複数種類を混合して用いることができる。また、ソルビトール系チキソ剤としては例えば、ソルビトールや、ビス（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビトール、ビス（ｐ−エチルベンジリデン）ソルビトール、ジベンジリデンソルビトール、トリベンジリデンソルビトール、炭素原子数３以上のアルキル置換ジベンジリデンソルビトール等のベンジリデンソルビトール類等が挙げられる。その他、アマイド系チキソ剤やソルビトール系チキソ剤以外のものとしては、硬化ひまし油、蜜ロウ、カルナバワックス等が挙げられる。前記チキソ剤は、単独で、あるいは複数種類を混合して用いることができる。形状は特に制限されず、粒状やフレーク状であってもよい。また、溶剤で膨潤したものを用いてもよい。前記チキソ剤の中でも、硬化ひまし油や高級脂肪酸アマイド等を用いることが印刷時のソルダペーストに良好なチキソ性を保持させることができるので好ましい。特に好ましくは、常圧時の融点１８０℃以上かつ、分子量が５００以上のカルボン酸アマイド系ワックスである。
【００３０】
これらのチキソ剤は、ソルダペーストの粘度を上げる、チキソ比を上げる（印刷性が向上する）、熱ダレ性を向上させることができる。これらのチキソ剤は半田内に残渣として残るが極少量（典型的には１質量％以下）であり、活性物質ではないため半田付け対象物（金属）を腐食させることがない。よって、残渣として残っても洗浄は不要である。
なお、本願のソルダペーストには、粘度調整、印刷性向上、貯蔵安定性という目的で、還元温度よりも低い温度で溶融する低融点のチキソ剤を、還元ガスの還元効果を妨げない範囲において、さらに配合してもよい。
チキソ剤の融点（常圧時）は、例えば８０〜２７０℃を挙げることができる。
【００３１】
・溶剤
溶剤は、半田粉末、チキソ剤を分散させ、ソルダペーストに構造粘性を付与（ゲル化）するものであって、粘度調整ができるものであれば特に制限されない。一般に用いられる液体溶剤に加えて、固体溶剤や高粘性溶剤であってもよい。
例えば、グリコール系、グリコールエーテル系、アルコール系などの溶剤を挙げることができる。具体的には、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルアセテート、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコール−２−エチルヘキシルエーテル、α−テルピネオール、ベンジルアルコール、２−ヘキシルデカノール、２−エチル−１，３−ヒドロキシヘキサン、１，８−ヒドロキシオクタン、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、フタル酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、ドデシルベンゼン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、１，５−ジヒドロキシペンタン、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、イソステアリルアルコール、オレイルアルコール、オクチルドデカノール、キミルアルコール、スレアリルアルコール、セチルアルコール、デシルテトラアルコール、ヘキシルデカノール、ベヘニルアルコール、ラウリルアルコール等が挙げられる。前記溶媒は、単独で、あるいは複数種類を混合して用いることができる。
【００３２】
好ましくは、常圧における１８０℃での熱重量測定（ＴＧ）による減量が１０℃／ｍｉｎの昇温速度において２５％以上である溶剤、より好ましくは４０％以上の溶剤、特に好ましくは６０％以上の溶剤である。２５％以上の溶剤であると、フラックス残渣の量が少なくなり、かつ接合層内のボイドが減るため好ましい。
【００３３】
・還元ガス
還元ガス用ソルダペーストとともに用いる還元ガスとしては、水素、ギ酸などのカルボン酸のガス、カルボン酸以外の有機酸のガス、有機酸以外の有機化合物のガス、有機化合物以外の他の還元性のガスを挙げることができる。
常圧、真空に関わらず、還元時の温度は１５０〜４５０℃が好ましい。例えば還元ガスがギ酸の場合は、還元時の温度は１５０〜３００℃、好ましくは１６０〜２５０℃、特に好ましくは１７０〜２３０℃である。還元ガスが水素の場合は、２５０〜４５０℃、好ましくは２６０〜４００℃、特に好ましくは２７０〜３５０℃である。
【００３４】
半田粉末の平均粒径は、例えば２０〜４５μｍの範囲を挙げることができる。しかし、印刷開口のサイズにより、より大径またははより小径のものに適宜変更してもよい。
なお、本明細書において、「平均粒径」は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。
【００３５】
一例として、還元ガスにギ酸を用いて、還元温度を約２００℃とした場合は、溶剤には約１８０℃以下で蒸発するもの、チキソ剤には約２１０℃以上で溶融するものが好ましい。なお、ギ酸を用いると他の還元ガスよりも低い温度で還元できるため好ましい。
【００３６】
半田粉末、チキソ剤、溶剤の組成比は、半田粉末が８０〜９９質量％、チキソ剤が０．１〜２質量％、溶剤が０．９〜１８質量％であり、好ましくは、半田粉末が８５〜９５質量％、チキソ剤が０．５〜１．５質量％、溶剤が４．５〜１３．５質量％である。例えば、半田粉末が８９質量％、チキソ剤が１質量％、溶剤が１０質量％、または、半田粉末が９０質量％、チキソ剤が１質量％、溶剤が９質量％を挙げることができる。
本願のソルダペーストは、半田粉末、チキソ剤、溶剤を上記割合で混合して、ペースト状にしたものである。なお、チキソ剤や溶剤の量は粘度調整の程度により適宜変更することができる。チキソ剤、溶剤は、加熱しながら撹拌して混合すればよい。半田粉末との混合は、常温で撹拌機を用いて混合すればよい。
【００３７】
［半田付け製品の製造方法］
図１を参照して、従来法と比較しながら本発明の第２の実施の形態に係る半田付け製品の製造方法の概要を説明する。図１の方法Ａは従来法であり、使用するソルダペーストは、半田粉末と、フラックスとして、還元剤、活性剤、チキソ剤、溶剤を含む。方法Ｂは本発明の半田付け製品の製造方法であり、使用するソルダペーストは、半田粉末と、フラックスとして、チキソ剤、溶剤を含むが、還元剤、活性剤を含まない。
【００３８】
以下、図１では被接合部材として半田付け対象物ＴとソルダペーストＳを用いて説明する。
まず方法Ａでは、スクリーン印刷等により半田付け対象物ＴにソルダペーストＳ’を塗布する（Ａ１）。図１に示す、半田付け対象物ＴとソルダペーストＳ’を加熱すると、溶剤の蒸発が始まる（Ａ２）。さらに加熱して、還元剤、活性剤を含む溶融したフラックスにより還元する（Ａ３）。さらに半田溶融温度まで加熱し、半田付けを行う（Ａ４）。フラックスが１０％前後のフラックス残渣として残るため、洗浄して除去する（Ａ５）。
【００３９】
一方で方法Ｂでは、スクリーン印刷等により半田付け対象物ＴにソルダペーストＳを塗布する（Ｂ１）。図１に示す半田付け対象物ＴとソルダペーストＳを加熱すると、溶剤の蒸発が始まる（Ｂ２）。さらに還元温度まで加熱し、還元ガスＦにより還元する（Ｂ３）。さらに半田溶融温度まで加熱し、半田付けを行う（Ｂ４）。チキソ剤が残渣として残るが、典型的には１％以下であり活性物質ではないため洗浄は不要である。方法Ｂでは、半田粉末とチキソ剤は溶融する温度が還元温度よりも高いため、還元時に溶融せず、半田粉末間、チキソ剤間、半田粉末とチキソ剤間に間隙が生じ、還元ガスの浸入、還元を容易にする。または、還元時に溶融するチキソ剤であっても溶融時の濡れ広がりが小さいため、その場に留まり、還元ガスの浸入、還元を妨げない。なお、還元は、溶剤の蒸発と同時であってもよく、蒸発後であってもよい。
【００４０】
図２を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半田付け製品の製造方法をより詳細に説明する。図２は、半田付け製品の製造方法を示すフローチャートである。
以下、図２、３では半田付け対象物ＴとソルダペーストＳに代えて、被接合部材として、図３に示すように基板Ｗ、ソルダペーストＳ、電子部品Ｐとを用いて説明する。
（１）ソルダペーストの提供工程
ソルダペーストの提供工程とは、上記本発明の第１の実施の形態に係る還元ガス用ソルダペーストを使用できる状態にする工程である。ソルダペーストの製造であっても、すでに製造されたソルダペーストの準備であってもよい。
【００４１】
（２）ソルダペーストの塗布工程
ソルダペーストをソルダペースト印刷機（またはスクリーン印刷機）等を用いて半田付け対象物の上に塗布する。通常はメタルマスクと呼ばれる、例えば、薄さが約３０〜３００μｍ程度の金属板に穴を開けたマスク（型）を用い、印刷機のスキージを使って印刷を行う。人間の手でスキージを動かす手動の装置を使用してもよい。または、シリンジを用いた塗布であってもよい。
【００４２】
（３）溶剤の蒸発工程、被接合部材の還元工程、半田溶融工程
溶剤の蒸発工程、被接合部材の還元工程、半田溶融工程について、図３に記載の半田付け装置１を用いてより詳細に説明する。
ソルダペーストＳを塗布した半田付け対象物として、基板Ｗと電子部品Ｐとを用いている。還元ガスとしては、ギ酸ガスを用いている。
なお、以下の説明において、本発明の第２の実施の形態である半田付け製品の製造方法は、半田付け装置１の作用と併せて説明するが、他の装置によって行われるものでもよい。
【００４３】
まず図３を参照して、半田付け装置１を説明する。図３は、半田付け装置１の概略構成図である。半田付け装置１は、被接合部材の半田接合が行われる空間である処理空間１１ｓを形成するチャンバ１１を有する処理部１０と、還元ガスとしてのギ酸ガスＦをチャンバ１１に供給する還元ガス供給部としてのギ酸供給部２０と、半田付け装置１内のギ酸ガスＦを排出する前に濃度を低下させる還元ガス処理部としての触媒ユニット３３と、半田付け装置１の動作を制御する制御装置５０と、これらを収容する筐体１００とを備えている。
【００４４】
半田付け装置１は、基板Ｗと電子部品Ｐとを、ソルダペーストＳで接合する装置となっている。基板Ｗおよび電子部品Ｐは、共に、表面に金属部分を有しており、当該金属部分が半田を介して導通するように接合されることとなる。基板Ｗおよび電子部品Ｐは、ソルダペーストＳを挟んだ状態でチャンバ１１に搬入され、チャンバ１１内で半田が溶融されて接合される。以下、基板Ｗ、ソルダペーストＳ、電子部品Ｐが積重されて半田が溶融していない状態のものを被接合部材Ｂといい、半田が溶融して基板Ｗと電子部品Ｐとが接合された状態のものを半田付け製品Ｃということとする。
【００４５】
チャンバ１１は、シャッタ１１ｄで搬入出口１１ａを塞ぐことにより、処理空間１１ｓを密閉することができるように構成されている。チャンバ１１は、処理空間１１ｓを、概ね１０Ｐａ（絶対圧力）に減圧しても耐えうるような材料や形状が採用されている。
チャンバ１１の内部には、被接合部材Ｂが載置されるキャリアプレート１２と、キャリアプレート１２を加熱するヒータ１３とが設けられている。
【００４６】
ヒータ１３は、キャリアプレート１２を、半田の溶融温度よりも高い接合温度まで加熱することができるように構成されている。
【００４７】
ギ酸供給部２０は、ギ酸ガスＦをチャンバ１１内に導く。なお、本説明では、還元ガスとしてギ酸ガスＦを用いているが、基板Ｗおよび電子部品Ｐの接合面に生成された金属酸化物を還元することができるものであれば、ギ酸ガスＦ以外のカルボン酸のガス、カルボン酸以外の有機酸のガス、有機酸以外の有機化合物のガス、有機化合物以外の他の還元性のガスであってもよい。他の還元性のガスとして、例えば水素ガスが挙げられる。本説明では、還元温度を半田の溶融温度よりも低くする観点、および入手容易性の観点から、還元ガスとしてギ酸ガスＦを用いることとしている。
【００４８】
触媒ユニット３３は、半田付け装置１から排出される排出ガスＥ中のギ酸の濃度を、環境に影響を与えない濃度に低下させる機器である。なお、気体Ｇは、チャンバ１１から排出されるガスの総称である。
【００４９】
真空ポンプ３１は、チャンバ１１内の圧力を概ね１０Ｐａ（絶対圧力）に減圧することができるようにチャンバ１１内の気体Ｇを排出する減圧ポンプとして配設される。
【００５０】
制御装置５０は、シャッタ１１ｄを開閉させることができるように構成されている。また、制御装置５０は、ヒータ１３のＯＮ−ＯＦＦおよび出力の変更を介して、キャリアプレート１２の加熱を行うことができるように構成されている。また、制御装置５０は、ギ酸ガスＦをチャンバ１１に向けて供給することができるように構成されている。また、制御装置５０は、真空ポンプ３１の発停を制御することができるように構成されている。また、制御装置５０は、後述する半田付け装置１の動作のシーケンスが記憶されている。
【００５１】
引き続き図４を参照して、本発明の実施の形態に係る半田付け製品Ｃの製造方法を説明する。図４は、半田付け製品Ｃの半田接合手順を示すフローチャートである。以下の説明で半田付け装置１の構成について言及しているときは、適宜図３を参照することとする。なお、チキソ剤には還元時の温度よりも高い融点をもつもの、すなわち還元時の温度において個体のものを用いている。
【００５２】
半田付け装置１に被接合部材Ｂを搬入するため、シャッタ１１ｄを開けるボタン（不図示）を押すと、制御装置５０は、真空ポンプ３１を作動させ、チャンバ１１内の気体Ｇの排気を開始した後（Ｓ１）、シャッタ１１ｄを開にする。併せて、キャリアプレート１２の大部分がチャンバ１１の外側に出るようにキャリアプレート１２を移動させる。シャッタ１１ｄを開ける前にチャンバ１１内の気体Ｇをチャンバ１１から排出させることで、シャッタ１１ｄを開けてもチャンバ１１内の気体Ｇが搬入出口１１ａを介して半田付け装置１の外に流出することを防ぐことができる。シャッタ１１ｄが開になり、キャリアプレート１２の大部分がチャンバ１１の外側に出て、キャリアプレート１２に被接合部材Ｂが載置されたら、キャリアプレート１２のチャンバ１１内への移動に伴って被接合部材Ｂがチャンバ１１内に搬入される（被接合部材搬入工程：Ｓ２）。
【００５３】
被接合部材Ｂがチャンバ１１内に搬入されたら、制御装置５０は、シャッタ１１ｄを閉じて、チャンバ１１内を密閉する。次に、シャッタ１１ｄが開の時にチャンバ１１内に流入した大気を除去し、不活性ガスの雰囲気とするため、制御装置５０は、チャンバ１１内の気体Ｇの排気を行い、その後不活性ガスＮを導入する。この工程を繰り返すことにより、チャンバ１１内の酸素濃度を低下させる（不活性ガス置換工程：Ｓ３）。酸素濃度は５ｐｐｍ以下が好ましい。不活性ガスＮは、例えば窒素ガスである。
【００５４】
次に制御装置５０は、ヒータ１３をＯＮにして、キャリアプレート１２の温度、ひいては被接合部材Ｂの温度を、ソルダペーストＳに含まれる溶剤が気化（蒸発）する温度に昇温する（Ｓ４）。気化する温度まで昇温するにつれて溶剤が蒸発しソルダペーストＳから除去される。本実施の形態では、溶剤の蒸発を促進するため、チャンバ１１内の圧力を真空に（減圧）することができる。
本実施の形態では、気化する温度が還元温度よりも低い場合で説明しているが、気化する温度は下記の還元温度と同一でもよい。同一の場合は、溶剤の一部の蒸発と被接合部材の還元が同時に起こることになる。すなわち、（Ｓ４）工程と次工程である（Ｓ５）工程および（Ｓ６）工程が並行する場合が存在する。
【００５５】
次に制御装置５０は、ギ酸ガスＦをギ酸供給部２０からチャンバ１１内に供給する（Ｓ５）と共に、ヒータ１３をＯＮに維持して、キャリアプレート１２の温度、ひいては被接合部材Ｂの温度を還元温度に昇温する（Ｓ６）。還元温度は、ギ酸によって被接合部材Ｂの酸化物が還元される温度である。ここで、本実施の形態では、還元温度はソルダペーストＳに含まれる半田粉末およびチキソ剤の溶融温度よりも低くなっているため、半田粉末およびチキソ剤が溶融せず形成された間隙にギ酸ガスが浸入し易く、被接合部材Ｂが半田接合される前に酸化膜を好適に除去することができる。ギ酸ガスＦの供給は、チャンバ１１内を真空にしてから行うことにより、半田粉末、チキソ剤の間隙にギ酸ガスＦが浸入し易くなる。ギ酸ガスＦをチャンバ１１内に供給する工程（Ｓ５）および被接合部材Ｂの温度を還元温度に昇温する工程（Ｓ６）が還元工程に相当する。なお、還元温度への昇温が完了後にギ酸ガスＦを供給してもよい。
【００５６】
還元工程（Ｓ５、Ｓ６）が終了したら、チャンバ１１内のギ酸ガスＦ雰囲気を維持したまま、ヒータ１３の出力を上げて、キャリアプレート１２の温度、ひいては被接合部材Ｂの温度を接合温度に昇温して半田を溶融させ、被接合部材Ｂの半田接合を行う（接合工程：Ｓ７）。接合温度は、ソルダペーストＳに含まれる半田粉末の溶融温度よりも高い任意の温度であり、本実施の形態では溶融温度よりも３０〜５０℃高い温度としている。
【００５７】
被接合部材Ｂの半田が溶融したら、制御装置５０は、ヒータ１３をＯＦＦにする。このように冷却を開始することで、被接合部材Ｂの温度が低下し、融点未満になると、半田が固まって半田付け製品Ｃとなる。このとき、キャリアプレート１２を強制的に冷却することで半田の固化を早めてもよい。次に、真空ポンプ３１の作動およびメイン排気弁４１ｖを開にしてチャンバ１１内からギ酸ガスＦを排出し（Ｓ８）、不活性ガスＮを導入することで、チャンバ１１内を常圧とする。チャンバ１１内から排出されたギ酸ガスＦは、触媒ユニット３３に流入する。ギ酸ガスＦは、触媒ユニット３３でギ酸が分解され、ギ酸の濃度が所定の濃度以下に低減されて、排出ガスＥとして半田付け装置１から排出される（Ｓ９）。半田付け製品Ｃが製造されると、制御装置５０は、バイパス排気管４２を介したチャンバ１１内の気体Ｇの排気を行い（Ｓ１０）、シャッタ１１ｄを開にする。これにより、半田付け製品Ｃをチャンバ１１から取り出すことができる（Ｓ１１）。
【００５８】
半田付け製品Ｃがチャンバ１１から搬出されたら、制御装置５０は、連続運転が行われるか否かを判断する（Ｓ１２）。連続運転が行われる場合は、チャンバ１１内の気体Ｇの排気を行う工程（Ｓ１）に戻る。他方、連続運転が行われない場合は、メンテナンス運転を行う（Ｓ１３）。
【００５９】
図５を参照して、本発明の実施の形態に係る半田付け製品Ｃの他の製造方法を説明する。図５は、半田付け製品Ｃの半田接合手順を示すフローチャートである。以下の説明で半田付け装置１の構成について言及しているときは、適宜図３を参照することとする。
【００６０】
（Ｓ１）〜（Ｓ６）は、図４の製造方法と同様である。
（Ｓ６）が終了したら、制御装置５０は、真空ポンプ３１の作動およびメイン排気弁４１ｖを開にすることで、チャンバ１１内からギ酸ガスＦを排出し、チャンバ１１内を減圧する（Ｓ７）。チャンバ１１内の減圧（真空）を維持したまま、ヒータ１３の出力を上げて、キャリアプレート１２の温度、ひいては被接合部材Ｂの温度を接合温度に昇温し（Ｓ８）、半田を溶融させ、被接合部材Ｂの半田接合を行う。被接合部材Ｂの半田接合を行ったら、制御装置５０は、不活性ガスＮを導入する（Ｓ９）ことで、チャンバ１１内の真空を破壊する。制御装置５０は、ヒータ１３をＯＦＦにする（冷却を開始する（Ｓ１０））ことで、被接合部材Ｂの温度が低下し、融点未満になると、半田が固まって、半田付け製品Ｃとなる。半田付け製品Ｃが製造されると、制御装置５０は、バイパス排気管４２を介したチャンバ１１内の気体Ｇの排気を行い、シャッタ１１ｄを開にする。これにより、半田付け製品Ｃをチャンバ１１から取り出すことができる（Ｓ１１）。
（Ｓ１２）〜（Ｓ１３）は、図４の製造方法と同様である。
このように半田が溶融した状態で不活性ガスＮを導入すると、空洞（ボイド）を圧縮し潰すことができる。空洞を潰した後で半田を固化させると、半田中のボイドによる疲労寿命の低下をさらに抑制することができる。
【００６１】
以上で説明したように、半田付け装置１によれば、筐体１００に、処理部１０、ギ酸供給部２０、触媒ユニット３３、制御装置５０等、真空中で半田接合を行うのに要する機器が収容されているので、ギ酸ガスＦを用いた半田接合を適切に半田付け装置１内で完結させることができる。また、本実施の形態に係る半田付け製品Ｃの製造方法によれば、ソルダペーストＳとギ酸ガスＦを用いて適切な真空半田付けを行うことができる。
【００６２】
以上の説明では、被接合部材として、ソルダペーストＳとともに基板Ｗ、電子部品Ｐを用いて説明したが、被接合部材は、半田接合に適した金属部分を表面に有する部材であれば、基板Ｗや電子部品Ｐ以外の部材であってもよい。
【００６３】
また以上の説明では、被接合部材Ｂを、ギ酸ガスＦの雰囲気下で昇温しソルダペーストＳを溶融することとしたが、真空（例えば１００Ｐａ（絶対圧力）程度）中で昇温してソルダペーストＳを溶融することとしてもよい。被接合部材Ｂを真空中で溶融する場合は、処理排出工程（Ｓ８、Ｓ９）が、還元工程（Ｓ５、Ｓ６）の後に行われることとなる。なお、半田付け製品Ｃをチャンバ１１から取り出す（Ｓ１１）ためのシャッタ１１ｄを開ける際に、チャンバ１１にギ酸ガスＦがほとんど存在しない場合は、チャンバ１１内を負圧にせずに（真空ポンプ３１を作動させず）、シャッタ１１ｄを開けることとしてもよい。
なお、本発明で使用する還元ガス用ソルダペーストは、従来のソルダペーストよりもフラックス残渣が少ないため、被接合部材Ｂを真空中で接合した場合でも半田飛散を抑制することができる。
【００６４】
本願の半田付け製品の製造方法は、さらに半田接合が完了した半田付け対象物をコーティングするコーティング工程を備えてもよい。本発明による半田接合では、残渣がほとんど無いためコーティング剤との密着性に問題が生じない。よって、コーティング工程によりコーティングすることにより、半田付け部が適切に保護される。
【００６５】
以上のとおり、本願発明はソルダペーストの組成をよりシンプルなものとし、従来の還元剤および活性剤が担っていた酸化金属の還元や還元性の向上、さらには溶融性の向上を、装置側の還元ガスの導入および真空によって対応できるようにしたものである。
【実施例】
【００６６】
次に、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。【００６７】
［１．チキソ剤融点］
次の実施例では、チキソ剤融点と、半田融点、還元温度との関係を示す。【００６８】
［材料］
・半田粉末Ａ：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（略称ＳＡＣ３０５）、融点約２２０℃
・チキソ剤Ａ：ポリアマイド系チキソ剤、融点２５５℃
Ｂ：アマイド系チキソ剤、融点１８５℃
Ｃ：硬化ヒマシ油、融点３０℃
Ｄ：アマイド系チキソ剤、融点１３０℃
Ｅ：アマイド系チキソ剤、融点１５０℃
Ｆ：ソルビトール系チキソ剤、融点１８０℃
Ｇ：アマイド系チキソ剤、融点８０℃
・溶剤Ａ：ヘキシルジグリコール（ＨｅＤＧ、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル）
Ｂ：フェニルジグリコール
Ｃ：２−エチルヘキシルジグリコール
Ｄ：２−エチル−１，３−ヘキサンジオール
Ｅ：テトライソステアリン酸ジグリセリル＋ＨｅＤＧ    １：１混合物【００６９】
［還元ガス用ソルダペーストの作製］
［実施例１〜４］
鉛フリー半田合金粉末（Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５：３．０：０．５（質量％））９０質量％と、チキソ剤１質量％と、溶剤９質量％と混合攪拌して、実施例１〜４のソルダペーストを作製した。
［実施例５〜７］
鉛フリー半田合金粉末（Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５：３．０：０．５（質量％））９０質量％と、チキソ剤２質量％（チキソ剤倍量）と、溶剤８質量％と混合攪拌して、実施例５〜７のソルダペーストを作製した。
［実施例８］
鉛フリー半田合金粉末（Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５：３．０：０．５（質量％））９０質量％と、チキソ剤０．１５質量％（チキソ剤８５％減量）と、溶剤９．８５質量％と混合攪拌して、実施例８のソルダペーストを作製した。
［実施例９］
鉛フリー半田合金粉末（Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５：３．０：０．５（質量％））９０質量％と、チキソ剤２質量％（チキソ剤倍量）と、溶剤８質量％と混合攪拌して、実施例９のソルダペーストを作製した。
［実施例１０〜１２］
鉛フリー半田合金粉末（Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５：３．０：０．５（質量％））９０質量％と、チキソ剤１質量％と、溶剤９質量％と混合攪拌して、実施例１０〜１２のソルダペーストを作製した。
［比較例１〜２］
鉛フリー半田合金粉末（Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５：３．０：０．５（質量％））９０質量％と、チキソ剤１質量％と、溶剤９質量％と混合攪拌して、比較例１〜２のソルダペーストを作製した。【００７０】
［試験片の作製］
試験片として、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）を準備し、前記基板の一面に実施例および比較例のソルダペーストを１０×１２ｍｍサイズで１５０μｍ厚み（メタルマスク厚）に塗布した。【００７１】
［リフロー条件］
リフロー条件は、図６の「温度プロファイル」に示すとおりである。
予備加熱１（溶剤蒸発工程）：窒素雰囲気（大気圧）２００℃以下
予備加熱２（還元工程）：ギ酸＋窒素雰囲気（大気圧、ギ酸濃度３％Ｖｏｌ）、２００℃、６０秒
本加熱（半田溶融工程）：真空雰囲気（２００Ｐａ）、ピーク温度２６０℃、２２０℃以上、加熱時間３０秒【００７２】
［半田濡れ性判定］
図７の「半田濡れ性判定」で示すとおり、ソルダペーストが印刷された基板を、前記リフロー条件で加熱後、ディウェッティングの有無を確認した。確認方法は、各基板ごとに半田部分を目視で観察して、下地基板が半田で完全に濡れ、全くはじき等の状態が見られないもの、はじき等の状態がごくわずかなものをディウェッティング無し（半田濡れ性：○）、明確にはじき等が確認できるものをディウェッティング有り（半田濡れ性：×）とした。
［チキソ剤の熱だれ判定］
各実施例のソルダペーストから半田粉末を除いたペーストについて、上記（１）〜（５）の方法を用いてペーストの濡れ広がり面積の割合を測定した。【００７３】
【表１】
2017057651.tif 000003
【００７４】
【表２】
2017057651.tif 000004
【００７５】
【表３】
2017057651.tif 000005
【００７６】
【表４】
2017057651.tif 000006
【００７７】
【表５】
2017057651.tif 000007
【００７８】
上記の「融点」とは、気圧にかかわらず物質が溶融する温度をいう。
上記のとおり、還元温度においてチキソ剤が溶融しない実施例１ではリフロー後も半田濡れ性は良好であった。また、チキソ剤の融点が還元温度よりも低い実施例２〜１２は、還元温度においてチキソ剤は溶融していると思われるが、チキソ剤の濡れ広がりが小さく、還元ガスによる還元効果を十分に得られたため半田濡れ性が良好となったと考えられる。濡れ性の低下は十分に強度のある半田付けを妨げるものである。比較例１〜２は、溶融したチキソ剤の熱だれ（濡れ広がり）により基材表面が覆われ、基材および一部の半田粉末の還元が不十分であったためと考えられる。【００７９】
［２．ソルダペーストの成分］
次の実施例では、本発明のソルダペーストが効果を奏するための成分構成を示す。【００８０】
［材料］
・半田粉末Ａ：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（略称ＳＡＣ３０５）、融点約２２０℃
・チキソ剤Ａ：ポリアマイド系チキソ剤、融点２５５℃
Ｂ：アマイド系チキソ剤、融点１８５℃
・溶剤Ａ：ヘキシルジグリコール
Ｂ：フェニルジグリコール
Ｃ：２−エチルヘキシルジグリコール
・活性剤：コハク酸、サリチル酸
・ロジン：アクリル酸変性ロジン（荒川化学製ＫＥ−６０４）【００８１】
［還元ガス用ソルダペーストの作製］
［実施例２１］
融点２５５℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。
［実施例２２］
融点１８５℃のチキソ剤とフェニルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。
［実施例２３］
融点１８５℃のチキソ剤と２−エチルヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。
［比較例２１］
融点２５５度のチキソ剤とヘキシルジグリコール、活性剤としてコハク酸とサリチル酸を混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。
［比較例２２］
融点２５５℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを含み、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉の市販ソルダペーストを用いた。市販ソルダペーストは、活性剤およびロジンを含む。
［参考例２１］
融点２５５℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。作製したソルダペーストを通常リフローで用いた。
［参考例２２］
融点２５５℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを含み、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉の市販ソルダペーストを用いた。市販ソルダペーストは、活性剤およびロジンを含む。市販ソルダペーストを通常リフローで用いた。【００８２】
［試験片の作製］
試験片として、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）を準備し、前記基板の一面に実施例および比較例のソルダペーストを１０×１２ｍｍサイズで１５０μｍ厚み（メタルマスク厚）に塗布した。【００８３】
［リフロー条件］
リフロー条件は、図６の「温度プロファイル」に示すとおりである。
予備加熱１（溶剤蒸発工程）：窒素雰囲気（大気圧）２００℃以下
予備加熱２（還元工程）：ギ酸＋窒素雰囲気（真空雰囲気（２００Ｐａ）、ギ酸濃度３％Ｖｏｌ）、１８０℃、６０秒
本加熱（半田溶融工程）：真空雰囲気（２００Ｐａ）、ピーク温度２６０℃、２２０℃以上、加熱時間３０秒
［通常リフロー条件］
リフロー条件は、図６の「温度プロファイル」において、窒素雰囲気（大気圧）にて実施するものである。窒素雰囲気は、予備加熱１、２、本加熱を問わず一定としている。
予備加熱１（溶剤蒸発工程）：窒素雰囲気（大気圧）２００℃以下
予備加熱２（還元工程）：窒素雰囲気（大気圧）１８０℃、６０秒
本加熱（半田溶融工程）：窒素雰囲気（大気圧）、ピーク温度２６０℃、２２０℃【００８４】
［半田濡れ性判定］
図７の「半田濡れ性判定」で示すとおり、ソルダペーストが印刷された基板を、前記リフロー条件で加熱後、ディウェッティングの有無を確認した。確認方法は、各基板ごとに半田部分を目視で観察して、下地基板が半田で完全に濡れ、全くはじき等の状態が見られないもの、はじき等の状態がごくわずかなものをディウェッティング無し（半田濡れ性：○）、明確にはじき等が確認できるものをディウェッティング有り（半田濡れ性：×）とした。【００８５】
【表６】
2017057651.tif 000008
【００８６】
実施例２１〜２３は、還元温度２００℃においてすべて溶剤が揮発した状態であるためギ酸が容易に侵入して半田粉末を還元するため、良好な濡れ性を示した。
比較例２１および２２は、リフロー後半田濡れ性は低下した。活性剤がギ酸と反応し、ギ酸の効果を妨げたためと考えられる。
参考例２１は通常リフロー炉で実施例２１の組成の半田付けを試みた物であるが、半田粉末が溶融しない。参考例１２は通常リフロー炉で比較例２２の組成のソルダペースト（市販品）を用いて半田付けを試みた物であるが、良好な濡れ性を示す。このように、実施例２１の組成は通常リフロー環境では全く実用性がなかったものであるが、ギ酸リフロー環境ではきわめて優れた効果を発揮する。【００８７】
［３．工法］
次の実施例では、本発明のソルダペーストが効果を奏するための工法を示す。【００８８】
［材料］
・半田粉末Ａ：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（略称ＳＡＣ３０５）、融点約２２０℃
Ｂ：Ｓｎ−５Ｓｂ、融点約２４０℃
・チキソ剤Ａ：ポリアマイド系チキソ剤、融点２５５℃
Ｂ：アマイド系チキソ剤、融点１８５℃
Ｃ：硬化ヒマシ油、融点３０℃
Ｄ：アマイド系チキソ剤、融点１３０℃
Ｅ：アマイド系チキソ剤、融点１５０℃
Ｆ：ソルビトール系チキソ剤、融点１８０℃
・溶剤Ａ：ヘキシルジグリコール（ＨｅＤＧ）
Ｂ：フェニルジグリコール
Ｃ：２−エチルヘキシルジグリコール
Ｄ：２−エチル−１，３−ヘキサンジオール
Ｅ：テトライソステアリン酸ジグリセリル＋ＨｅＤＧ    １：１混合物【００８９】
［還元ガス用ソルダペーストの作製］
［実施例３１］
融点２５５℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。ヘキシルジグリコールはＴＧ（示差走査熱量計）での２００℃での減量は１００％であった。還元温度は２００℃とした。
［実施例３２］
融点１８５℃のチキソ剤とフェニルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。フェニルジグリコールはＴＧ（示差走査熱量計）での１８０℃での減量は２８％であった。
［実施例３３］
融点１８５℃のチキソ剤と２−エチルヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。２−エチルヘキシルジグリコールはＴＧ（示差走査熱量計）での１８０℃での減量は４７％であった。
［実施例３４］
融点１８５℃のチキソ剤と２−エチル−１，３−ヘキサンジオールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。２−エチル−１，３−ヘキサンジオールはＴＧ（示差走査熱量計）での１８０℃での減量は５２％であった。
［実施例３５］
融点２５５℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２４０℃のＳｎ−５Ｓｂ合金粉を混合したソルダペーストを作製した。ヘキシルジグリコールはＴＧ（示差走査熱量計）での１８０℃での減量は７８％であった。
［実施例３６］
融点１３０℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。
［実施例３７］
融点１５０℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。
［比較例３１］
融点３０℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。
［比較例３２］
融点１８０℃のチキソ剤とヘキシルジグリコールを混合したフラックスと、半田融点２２０℃のＳＡＣ３０５合金粉を混合したソルダペーストを作製した。【００９０】
［試験片の作製］
試験片として、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）を準備し、前記基板の一面に実施例および比較例のソルダペーストを１０×１２ｍｍサイズで１５０μｍ厚み（メタルマスク厚）に塗布した。【００９１】
［リフロー条件］
リフロー条件は、図６の「温度プロファイル」に示すとおりである。
予備加熱１（溶剤蒸発工程）：窒素雰囲気（大気圧）２００℃以下
予備加熱２（還元工程）：ギ酸＋窒素雰囲気（大気圧、ギ酸濃度３％Ｖｏｌ）、２００℃、６０秒
本加熱（半田溶融工程）：真空雰囲気（２００Ｐａ）、ピーク温度２６０℃、２２０℃以上、加熱時間３０秒【００９２】
［半田濡れ性判定］
図７の「半田濡れ性判定」で示すとおり、ソルダペーストが印刷された基板を、前記リフロー条件で加熱後、ディウェッティングの有無を確認した。確認方法は、各基板ごとに半田部分を目視で観察して、下地基板が半田で完全に濡れ、全くはじき等の状態が見られないもの、はじき等の状態がごくわずかなものをディウェッティング無し（半田濡れ性：○）、明確にはじき等が確認できるものをディウェッティング有り（半田濡れ性：×）とした。【００９３】
【表７】
2017057651.tif 000009
【００９４】
【表８】
2017057651.tif 000010
【００９５】
実施例３１はチキソ剤融点２５５℃より低い温度で還元し、還元温度２００℃においてすべて溶剤が揮発した状態である。ギ酸が容易に侵入して半田粉末を還元するため、良好な濡れ性を示した。
実施例３２の還元温度１８０℃はチキソ剤融点１８５℃より低い温度である。還元温度１８０℃でのフェニルジグリコールは常圧で２８％の減量率であるが、２００Ｐａまで減圧するため、ギ酸導入時にはすべて溶剤が揮発した状態となる。ギ酸が容易に侵入して半田粉末を還元するため、良好な濡れ性を示した。
実施例３３は実施例３２と同様で、還元温度１８０℃での２−エチルヘキシルジグリコールは常圧で４７％の減量率であるが、実施例３２と同様にギ酸導入時にはすべて溶剤が揮発した状態となる。ギ酸が容易に侵入して半田粉末を還元するため、良好な濡れ性を示した。
実施例３４も実施例３２、３３と同様で還元温度１８０℃での２−エチル−１，３−ヘキサンジオールは常圧で５２％の減量率であるが、実施例３２、３３と同様にギ酸導入時にはすべて溶剤が揮発した状態となる。ギ酸が容易に侵入して半田粉末を還元するため、良好な濡れ性を示した。
実施例３５は実施例３１とフラックス、還元条件は同様であるが、半田粉はＳｎ−５Ｓｂを用いた。半田粉をＳｎ−５Ｓｂとしてもギ酸によって還元され、良好な濡れ性を示した。
還元温度に於いてチキソ剤が溶融する実施例３６〜３７でもリフロー後良好な半田濡れ性を示した。これは、チキソ剤の溶融による濡れ広がりが小さく、基材および半田粉末の還元を妨げなかったためと考えられる。
還元温度に於いてチキソ剤が溶融する比較例３１〜３２ではリフロー後半田濡れ性は低下した。濡れ性の低下は十分に強度のある半田付けを妨げるものである。これは、チキソ剤の溶融により適切な間隙が形成できず、溶融したチキソ剤が基材表面を覆い、基材および一部の半田粉末の還元が不十分であったためと考えられる。【００９６】
本明細書中で引用する刊行物、特許出願および特許を含むすべての文献を、各文献を個々に具体的に示し、参照して組み込むのと、また、その内容のすべてをここで述べるのと同じ程度で、参照してここに組み込む。【００９７】
本発明の説明に関連して（特に以下の請求項に関連して）用いられる名詞および同様な指示語の使用は、本明細書中で特に指摘したり、明らかに文脈と矛盾したりしない限り、単数および複数の両方に及ぶものと解釈される。語句「備える」、「有する」、「含む」および「包含する」は、特に断りのない限り、オープンエンドターム（すなわち「〜を含むが限定しない」という意味）として解釈される。本明細書中の数値範囲の具陳は、本明細書中で特に指摘しない限り、単にその範囲内に該当する各値を個々に言及するための略記法としての役割を果たすことだけを意図しており、各値は、本明細書中で個々に列挙されたかのように、明細書に組み込まれる。本明細書中で説明されるすべての方法は、本明細書中で特に指摘したり、明らかに文脈と矛盾したりしない限り、あらゆる適切な順番で行うことができる。本明細書中で使用するあらゆる例または例示的な言い回し（例えば「など」）は、特に主張しない限り、単に本発明をよりよく説明することだけを意図し、本発明の範囲に対する制限を設けるものではない。明細書中のいかなる言い回しも、本発明の実施に不可欠である、請求項に記載されていない要素を示すものとは解釈されないものとする。【００９８】
本明細書中では、本発明を実施するため本発明者が知っている最良の形態を含め、本発明の好ましい実施の形態について説明している。当業者にとっては、上記説明を読んだ上で、これらの好ましい実施の形態の変形が明らかとなろう。本発明者は、熟練者が適宜このような変形を適用することを予期しており、本明細書中で具体的に説明される以外の方法で本発明が実施されることを予定している。従って本発明は、準拠法で許されているように、本明細書に添付された請求項に記載の内容の変更および均等物をすべて含む。さらに、本明細書中で特に指摘したり、明らかに文脈と矛盾したりしない限り、すべての変形における上記要素のいずれの組合せも本発明に包含される。
【符号の説明】
【００９９】
１    半田付け装置
１１  チャンバ
１１ｓ  処理空間
２０  ギ酸供給部
３１  真空ポンプ
３３  触媒ユニット
４１ｖ  メイン排気弁
４２  バイパス排気管
５０  制御装置
１００  筐体
Ｃ    半田付け製品
Ｂ    被接合部材
Ｆ    還元ガス、ギ酸ガス
Ｇ    気体
Ｍ    型、メタルマスク
Ｎ    不活性ガス
Ｐ    電子部品
Ｑ    スキージ
Ｓ’Ｓ    ソルダペースト
Ｔ    半田付け対象物
Ｗ    基板
【図１】
2017057651.tif 000011
【図２】
2017057651.tif 000012
【図３】
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【図４】
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【図５】
2017057651.tif 000015
【図６】
2017057651.tif 000016
【図７】
2017057651.tif 000017
【図８】
2017057651.tif 000018
【図９】
2017057651.tif 000019
【図１０】
2017057651.tif 000020
【図１１】
2017057651.tif 000021
【図１２】
2017057651.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
還元ガスとともに用いる還元ガス用ソルダペーストであって、
半田粉末と；
常温で固体のチキソ剤と；
溶剤とを含み；
酸化膜除去のための還元剤フリー、および還元性向上のための活性剤フリーであり、
前記半田粉末および前記チキソ剤が溶融する温度は、前記還元ガスでの還元時の温度よりも高い、
還元ガス用ソルダペースト。
【請求項２】
還元ガスとともに用いる還元ガス用ソルダペーストであって、
半田粉末と；
常温で固体のチキソ剤と；
溶剤とを含み；
酸化膜除去のための還元剤フリー、および還元性向上のための活性剤フリーであり、
前記チキソ剤は、下記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％を満たすチキソ剤であり、
下記（３）における所定の温度は、前記チキソ剤の常圧下での融点である、
還元ガス用ソルダペースト。
（１）半田粉末、チキソ剤、溶剤の３成分からなるソルダペーストから半田粉末を除いたペーストをサイズ５×５ｍｍ、厚み１００μｍ（メタルマスク厚）で、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）に塗布する。
（２）塗布してから１分経過後のペーストの面積を測定する。
（３）常温のホットプレートに前記銅基板を設置し、前記銅基板が所定の温度になるまで加熱する。
（４）前記所定の温度に到達した時点で、前記ホットプレートから前記銅基板を取り出し、冷却する。
（５）冷却後、前記銅基板上のペーストの面積を測定する。
【請求項３】
還元ガスとともに用いる還元ガス用ソルダペーストであって、
半田粉末と；
常温で固体のチキソ剤と；
溶剤とを含み；
酸化膜除去のための還元剤フリー、および還元性向上のための活性剤フリーであり、
前記チキソ剤は、下記（１）〜（５）の方法における濡れ広がり面積の割合が０〜５０％を満たすチキソ剤であり、
下記（３）における所定の温度は、前記還元ガスでの還元時の温度である、
還元ガス用ソルダペースト。
（１）半田粉末、チキソ剤、溶剤の３成分からなるソルダペーストから半田粉末を除いたペーストをサイズ５×５ｍｍ、厚み１００μｍ（メタルマスク厚）で、ニッケルメッキ銅基板（２０×２０ｍｍ、厚み２ｍｍ）に塗布する。
（２）塗布してから１分経過後のペーストの面積を測定する。
（３）常温のホットプレートに前記銅基板を設置し、前記銅基板が所定の温度になるまで加熱する。
（４）前記所定の温度に到達した時点で、前記ホットプレートから前記銅基板を取り出し、冷却する。
（５）冷却後、前記銅基板上のペーストの面積を測定する。
【請求項４】
前記半田粉末および前記チキソ剤が溶融する温度は、前記還元ガスでの還元時の温度よりも高い、
請求項２または請求項３に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項５】
前記還元ガスは、ギ酸または水素である、
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項６】
前記チキソ剤は、アマイド系チキソ剤である、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項７】
前記溶剤は、常圧における１８０℃での熱重量測定（ＴＧ）による減量が１０℃／ｍｉｎの昇温速度において２５％以上である、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の還元ガス用ソルダペースト。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のソルダペーストを提供する提供工程と；
前記ソルダペーストを半田付け対象物に塗布する塗布工程と；
前記ソルダペーストを塗布した半田付け対象物を、前記半田粉末が溶融する温度よりも低い任意の温度に加熱して前記溶剤を蒸発させる蒸発工程と；
前記蒸発工程に並行して、またはその後に、前記半田粉末が溶融する温度よりも低い任意の温度で、前記蒸発工程により残された前記半田粉末と、前記半田付け対象物を還元ガスで還元する還元工程と；
前記還元工程の後に、前記半田付け対象物を前記半田粉末が溶融する温度以上の任意の温度に加熱して前記半田粉末を溶融する半田溶融工程とを備える；
半田付け製品の製造方法。
【請求項９】
前記半田付け対象物を真空中に置く真空工程とをさらに備え；
前記蒸発工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で加熱して、前記溶剤を蒸発させる、
請求項８に記載の半田付け製品の製造方法。
【請求項１０】
前記蒸発工程の溶剤の蒸発により前記半田粉末間に間隙が生じ、
前記還元工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で、前記間隙に還元ガスを導入し、前記半田付け対象物を還元する、
請求項９に記載の半田付け製品の製造方法。
【請求項１１】
前記半田溶融工程は、前記半田付け対象物が真空中にある状態で、前記半田付け対象物を前記半田粉末が溶融する温度以上に加熱して、半田粉末を溶融し、
前記溶融後、圧力を上げて、半田粉末内部の空洞（ボイド）を圧縮して小さくする、または無くすため、前記真空工程の真空を破壊する真空破壊工程と；
前記真空破壊工程の後に、前記半田付け対象物を冷却する冷却工程を備える；
請求項９または請求項１０に記載の半田付け製品の製造方法。
【請求項１２】
前記還元ガスはギ酸ガスである、
請求項８〜請求項１１のいずれか１項に記載の半田付け製品の製造方法。
【国際調査報告】
2017057651.tif 000023
2017057651.tif 000024
2017057651.tif 000025
2017057651.tif 000026