(57)【要約】  本発明に係るスイッチング装置は、スイッチング素子を備える主回路と、スイッチング素子のオン状態及びオフ状態をスイッチングするための制御信号を生成する制御回路と、制御回路から出力される制御信号を主回路へ伝送する第１の信号線及び第２の信号線とを有する。第１及び第２の信号線の特性インピーダンスの値（Ｚｃｄ）は、制御回路の出力インピーダンスの値（Ｚａｂ）と、主回路の入力インピーダンスの値（Ｚｅｆ）との間に設定される。
2015079882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子を備える主回路と、
前記スイッチング素子のオン状態及びオフ状態をスイッチングするための制御信号を生成する制御回路と、
前記制御回路から出力される前記制御信号を前記主回路へ伝送する第１の信号線及び第２の信号線と、を有し、
前記制御信号を伝送する前記第１及び第２の信号線の特性インピーダンスの値は、前記制御信号を出力する前記制御回路の出力インピーダンスの値と、前記制御信号が入力される前記主回路の入力インピーダンスの値との間に設定される
ことを特徴とするスイッチング装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の信号線の各々は、平行な平板からなることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング装置。
【請求項３】
前記第１の信号線が、２つの前記第２の信号線の間に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチング装置。
【請求項４】
前記第１の信号線が、前記第２の信号線を囲むように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチング装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の信号線の間に配置された誘電体を更に有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスイッチング装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の信号線の間に配置された絶縁体を更に有し、
前記第１及び第２の信号線の各々は板状の形状を有し、前記絶縁体及び前記第１及び第２の信号線を重ね合わせた状態で巻かれている
ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチング装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の信号線の少なくとも一方は樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング装置。
【請求項８】
前記主回路は複数のスイッチング素子を備え、
前記複数のスイッチング素子の各々に対して前記制御信号を伝送するように前記第１及び第２の信号線を複数設け、
前記第１及び第２の信号線は交互に配列され、且つ、前記第１及び第２の信号線の間には誘電体が配置されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）又はＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）などの高速なスイッチング動作が可能なスイッチング素子を用いた電力変換装置に関する発明が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１は、スイッチング動作の高速化により生じる技術的な課題を解決するために、スイッチング素子の制御端子（ゲート端子）に印加されるゲート電圧を制御することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２４８２３７号公報
【発明の概要】
【０００４】
特許文献１では、高速スイッチングによるサージ電圧の増大を抑制するために、ゲート端子に接続される信号線上にゲート抵抗を設けて、ゲート電圧の変化率を低く抑えている。このため、スイッチング素子のスイッチング速度が低下してしまう。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みて成されたものであり、その目的は、スイッチング素子のスイッチング速度を高く維持したまま、制御信号の反射によるリンギングノイズを低減するスイッチング装置を提供することである。
【０００６】
本発明の一態様に係わるスイッチング装置は、スイッチング素子を備える主回路と、スイッチング素子のオン状態及びオフ状態をスイッチングするための制御信号を生成する制御回路と、制御回路から出力される制御信号を主回路へ伝送する第１の信号線及び第２の信号線と、を有する。第１及び第２の信号線の特性インピーダンスの値は、制御回路の出力インピーダンスの値と、主回路の入力インピーダンスの値との間に設定される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係わるスイッチング装置の構成を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示した主回路１及び制御回路２の回路例及び第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンスＺｃｄを示す概念図である。
【図３】図３は、第１及び第２の信号線（３、４）の寸法を示す斜視図である。
【図４】図４は、第２実施形態に係わるスイッチング装置の構成を示す模式図である。
【図５】図５（ａ）は、図４のＡ−Ａ切断面に沿った断面図であり、図５（ｂ）は、第２実施形態の変形例に係わるスイッチング装置のＡ−Ａ切断面に沿った断面図である。
【図６】図６は、第３実施形態に係わるスイッチング装置の構成を示す模式図である。
【図７】図７（ａ）は、図６のＤ−Ｄ切断面に沿った断面図であり、図７（ｂ）は、第３実施形態の変形例に係わるスイッチング装置のＤ−Ｄ切断面に沿った断面図である。
【図８】図８（ａ）は、第４実施形態に係わるスイッチング装置の構成を示す模式図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ切断面に沿った断面図である。
【図９】図９（ａ）は、第５実施形態に係わるスイッチング装置の構成を示す模式図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＣ−Ｃ切断面に沿った断面図である。
【図１０】図１０は、第６実施形態に係わるスイッチング装置の構成を示す模式図である。
【図１１】図１１は、図１０のスイッチング装置の電力変換装置への適用例を示す回路図である。
【図１２】図１２は、図１０のスイッチング装置の電力変換装置への適用例を示す概観図である。
【図１３】図１３（ａ）は、ゲート電圧（Ｖｇ）に現れるリンギングノイズを示すグラフを示し、図１３（ｂ）は、第１乃至第６実施形態による効果を説明するためのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付し説明を省略する。
【０００９】
（第１実施形態）
図１を参照して、第１実施形態に係わるスイッチング装置の構成を説明する。スイッチング装置は、スイッチング素子を備える主回路１と、スイッチング素子のオン状態（導通状態）及びオフ状態（非導通状態）をスイッチングするための制御信号を生成する制御回路２と、制御回路２から出力される制御信号を主回路１へ伝送する第１の信号線３及び第２の信号線４と、を有する。
【００１０】
図１の「Ｚａｂ」は、制御信号を出力する制御回路２の出力インピーダンスの値を示す。「Ｚｃｄ」は、制御信号を伝送する第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンスの値を示す。「Ｚｅｆ」は、制御信号が入力される主回路１の入力インピーダンスの値を示す。
【００１１】
図２を参照して、主回路１及び制御回路２の回路例、及び各インピーダンス（Ｚａｂ、Ｚｃｄ、Ｚｅｆ）について説明する。主回路１が備えるスイッチング素子１１は、例えば、高速なスイッチング動作が可能なＩＧＢＴ或いはＭＯＳＦＥＴを含む半導体素子である。図２には、コレクター電極（Ｃ）、エミッター電極（Ｅ）及びゲート電極（Ｇ）を有するＩＧＢＴを例示する。主回路１は、ゲート電極（Ｇ）に接続された第１の入力端子１２、及びエミッター電極（Ｅ）に接続された第２の入力端子１３を、更に備える。主回路１は、スイッチング素子１１によるスイッチング動作を実行するスイッチング手段として機能する。
【００１２】
制御回路２は、主回路１が備えるスイッチング素子１１の２つの状態（オン状態及びオフ状態）を制御するために、２つの電圧レベルからなる制御信号を生成する。例えば、直列に接続された２つのスイッチング素子（１６、１７）の接続点と、一方のスイッチング素子１７の他方の端子との間の電位差（電圧レベル）を制御信号として生成する。スイッチング素子（１６、１７）のオン−オフ状態に応じて、電圧レベルの異なる制御信号が生成される。制御回路２は、生成した制御信号を出力するための第１の出力端子１４及び第２の出力端子１５を備える。第１の出力端子１４は、２つのスイッチング素子（１６、１７）の接続点に接続され、第２の出力端子１５は、一方のスイッチング素子１７の他方の端子に接続されている。第１の出力端子１４及び第２の出力端子１５の間の電位差が制御信号として出力される。これにより、制御回路２は、制御信号によって主回路１のスイッチング動作を制御する制御手段として機能する。
【００１３】
第１の信号線３は、第１の出力端子１４と第１の入力端子１２の間を接続して制御信号を伝送する。第２の信号線４は、第２の出力端子１５と第２の入力端子１３の間を接続して制御信号を伝送する。したがって、第１及び第２の信号線（３、４）は、制御信号を伝送する伝送手段として機能する。
【００１４】
制御信号を出力する制御回路２の出力インピーダンス（Ｚａｂ）は、第１の出力端子１４と第２の出力端子１５の間のインピーダンスを示す。制御信号が入力される主回路１の入力インピーダンス（Ｚｅｆ）は、第１の入力端子１２と第２の入力端子１３の間のインピーダンスを示す。
【００１５】
＜制御信号の反射＞
次に、制御信号の反射について説明する。出力インピーダンス（Ｚａｂ）から特性インピーダンス（Ｚｃｄ）への進行波としての制御信号は、インピーダンスの不連続部分において、そのエネルギーの一部が反射される。その反射係数（ρ１）は（１）式で表される。特性インピーダンス（Ｚｃｄ）から入力インピーダンス（Ｚｅｆ）への進行波に係わる反射係数（ρ２）も、（１）式で表される。
【数１】
2015079882.tif 000003
【００１６】
反射係数（ρ１、ρ２）の絶対値が大きいほど反射するエネルギーが増加する。そこで、実施形態では、インピーダンスの不連続部分における制御信号の反射を抑制するために、制御信号を伝達する第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンス（Ｚｃｄ）の値を調整する。
【００１７】
制御信号を伝達する第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンス（Ｚｃｄ）の値を、制御信号を出力する制御回路２の出力インピーダンス（Ｚａｂ）の値と、制御信号が入力される主回路１の入力インピーダンス（Ｚｅｆ）の値との間となるように調整して設定する。換言すれば、各インピーダンスＺａｂ、Ｚｃｄ、Ｚｅｆは、（２）式或いは（３）式のいずれかを満たす。
【数２】
2015079882.tif 000004
【数３】
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【００１８】
各インピーダンスＺａｂ、Ｚｃｄ、Ｚｅｆの誘導成分をＬａｂ、Ｌｃｄ、Ｌｅｆとし、容量成分をＣａｂ、Ｃｃｄ、Ｃｅｆとし、抵抗成分をＲａｂ、Ｒｃｄ、Ｒｅｆとし、アドミッタンス成分をＧａｂ、Ｇｃｄ、Ｇｅｆとした場合、インピーダンスＺａｂ、Ｚｃｄ、Ｚｅｆの各々は、（４）式、（５）式、（６）式で表される。ただし、ωは交流の角周波数を示す。
【数４】
2015079882.tif 000006
【数５】
2015079882.tif 000007
【数６】
2015079882.tif 000008
【００１９】
ここで、各インピーダンスＺａｂ、Ｚｃｄ、Ｚｅｆの実部（抵抗成分及びアドミッタンス成分）を比較する。特性インピーダンスＺｃｄの実部（Ｒｃｄ、Ｇｃｄ）は、出力インピーダンスＺａｂ及び入力インピーダンスＺｅｆの実部（Ｒａｂ、Ｇａｂ、Ｒｅｆ、Ｇｅｆ）に比べて、無視できるほど十分に小さいことが一般的である。よって、第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンスＺｃｄを、（７）式に示すように近似することができる。つまり、第１及び第２の信号線（３、４）の構成を設計する際には、特性インピーダンスＺｃｄの虚部（誘導成分Ｌｃｄ及び容量成分Ｃｃｄ）のみを考慮すればよい。
【数７】
2015079882.tif 000009
【００２０】
特性インピーダンスＺｃｄの誘導成分Ｌｃｄは、自己インダクタンスＬｏ及び相互インダクタンスＭｏを用いて、（８）式で表される。
【数８】
2015079882.tif 000010
【００２１】
また、第１及び第２の信号線（３、４）の各々は、平行な平板からなる場合、自己インダクタンスＬｏ及び相互インダクタンスＭｏはぞれぞれ（９）式及び（１０）式で近似される。図３に示すように、第１及び第２の信号線（３、４）の各々の長さをｌとし、幅をｗとし、高さをＨとし、第１の信号線３と第２の信号線４の間隔をｄとする。
【数９】
2015079882.tif 000011
【数１０】
2015079882.tif 000012
【００２２】
一方、特性インピーダンスＺｃｄの容量成分Ｃｃｄは、（１１）式で近似される。ここで、第１の信号線３と第２の信号線４との間の比誘電率をεｒとし、真空誘電率をε０とし、第１の信号線３と第２の信号線４が相互に対向する面の面積をＳとする。なお、第１実施形態において、第１及び第２の信号線（３、４）の間は空気で満たされているため、比誘電率εｒは、空気の比誘電率となる。
【数１１】
2015079882.tif 000013
【００２３】
以上説明したように、（１）式に示す反射係数（ρ１、ρ２）の絶対値が小さくなるように、（４）式及び（６）式から求まる出力インピーダンスＺａｂ及び入力インピーダンスＺｅｆに対して、（７）式〜（１１）式から求まる特性インピーダンスＺｃｄを整合させる。具体的には、（２）式或いは（３）式を満たすように、特性インピーダンスＺｃｄを調整する。例えば、第１及び第２の信号線（３、４）の各々は、平行な平板からなる場合、特性インピーダンスＺｃｄの調整には、第１及び第２の信号線（３、４）の各々の長さ（ｌ）、幅（ｗ）及び高さ（Ｈ）、第１の信号線３と第２の信号線４の間隔（ｄ）、及び第１の信号線３と第２の信号線４が相互に対向する面の面積（Ｓ）を用いればよい。
【００２４】
（２）式或いは（３）式を満たすことにより、制御回路２と第１及び第２の信号線（３、４）との間、及び第１及び第２の信号線（３、４）と主回路１との間でのインピーダンスの不連続が抑制され、反射係数（ρ１、ρ２）の絶対値を小さくすることができる。その結果、主回路１の２端子（１２、１３）間に生じる制御信号の反射によるリンギングが抑制され、かつ高速性を得ることができ、スイッチング損失を低減できる。
【００２５】
（２）式或いは（３）式を満たすことにより、出力インピーダンス（Ｚａｂ）と特性インピーダンス（Ｚｃｄ）との差、及び特性インピーダンス（Ｚｃｄ）と入力インピーダンス（Ｚｅｆ）との差がそれぞれ小さくなる。したがって、制御回路２と第１及び第２の信号線（３、４）との接続点における制御信号の反射、及び第１及び第２の信号線（３、４）と主回路１との接続点における制御信号の反射を抑制することができる。よって、スイッチング素子のスイッチング速度を高く維持したまま、制御信号の反射によるリンギングノイズを低減することができる。このため、スイッチング素子のスイッチング損失を低減し、且つ、スイッチング素子の誤動作を抑制することができる。
【００２６】
第１及び第２の信号線（３、４）の各々が平行な平板から成る場合、対向する第１及び第２の信号線（３、４）の面積（Ｓ）及び間隔（ｄ）を調整することで容易に１対の信号線の容量成分（Ｃｃｄ）を制御することができる。したがって、第１及び第２の信号線（３、４）の各々を平行な平板で形成することにより、第１及び第２の信号線（３、４）の各パラメータ（ｌ、ｗ、Ｈ、ｄ、Ｓ）を調整して特性インピーダンスＺｃｄを容易に制御することができる。
【００２７】
（第２実施形態）
図４及び図５（ａ）に示すように、第２実施形態に係わるスイッチング装置は、第１及び第２の信号線（３、４）の間に配置された誘電体５を更に有する。第１実施形態では、第１及び第２の信号線（３、４）の間は空気で満たされていたため、比誘電率（εｒ）は空気の比誘電率であった。第２実施形態では、空気よりも比誘電率が高い誘電体５を、第１及び第２の信号線（３、４）の間に設ける。これにより、（１１）式に示す容量成分Ｃｃｄが増加して、（２）式或いは（３）式を満たすように特性インピーダンスＺｃｄを低減することができる。
【００２８】
なお、図５（ｂ）に示すように、誘電体５を挟持した第１及び第２の信号線（３、４）の周囲を樹脂６で覆ってもよい。これにより、誘電体５を挟持した第１及び第２の信号線（３、４）の機械的な強度を高めることができる。ただし、第１実施形態で示したように、空気で満たされている第１及び第２の信号線（３、４）の周囲を樹脂６で覆ってもよい。
【００２９】
（第３実施形態）
図６及び図７（ａ）に示すように、第３実施形態に係わるスイッチング装置は、１つの第１の信号線３と、２つの第２の信号線（４ａ、４ｂ）を有し、第１の信号線３は、２つの第２の信号線（４ａ、４ｂ）の間に配置されている。第１の信号線３と第２の信号線（４ａ、４ｂ）との間には、誘電体（５ａ、５ｂ）がそれぞれ配置されている。これにより、第１及び第２の信号線（３、４ａ、４ｂ）間の容量成分Ｃｃｄが増加して、第１及び第２の信号線（３、４ａ、４ｂ）の特性インピーダンスＺｃｄを低減することができる。
【００３０】
なお、図７（ａ）に示す第１の信号線３、及び２つの第２の信号線（４ａ、４ｂ）は、等しい幅を有している。その他、例えば、図７（ｂ）に示すように、第１の信号線３の幅（ｗ）を第２の信号線（４ａ、４ｂ）の幅よりも狭くしてもよい。この場合、図７（ｂ）に示す断面において、誘電体５で周囲が覆われた第１の信号線３を、２つの第２の信号線（４ａ、４ｂ）が挟持することになり、信号線全体（３、４ａ、４ｂ）の機械的な強度を高めることができる。ただし、誘電体５がなく、第１の信号線３と第２の信号線（４ａ、４ｂ）との間に空気が満たされていてもよい。
【００３１】
（第４実施形態）
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第４実施形態に係わるスイッチング装置は、第１及び第２の信号線（３、４）の間に配置された絶縁体（７ａ、７ｂ）を更に有する。第１及び第２の信号線（３、４）の各々は板状の形状を有し、絶縁体（７ａ、７ｂ）及び第１及び第２の信号線（３、４）を重ね合わせた状態で巻かれている。これにより、信号線全体８は、円柱状の形状を有することになる。そして、第１及び第２の信号線（３、４）間の容量成分Ｃｃｄが増加し、且つ誘導成分Ｌｃｄが減少する。よって、第１及び第２の信号線の特性インピーダンスＺｃｄを低減することができる。
【００３２】
（第５実施形態）
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、第５実施形態に係わるスイッチング装置では、第１の信号線３が、第２の信号線４を囲むように配置されている。具体的には、第２の信号線４は、円柱状の形状を有し、第１の信号線３は、円筒状の形状を有する。第１の信号線３の内径は、第２の信号線４の外径よりも大きい。第２の信号線４は、第１の信号線３の内部に配置され、第２の信号線４と第１の信号線３との間には、誘電体５が配置されている。
【００３３】
第２の信号線４を囲むように第１の信号線３を配置することにより、第１及び第２の信号線（３、４）間の容量成分Ｃｃｄが増加して、第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンスＺｃｄを低減することができる。ただし、誘電体５が配置されずに、第１及び第２の信号線（３、４）の間に空気が満たされていてもよい。
【００３４】
（第６実施形態）
図１０に示すように、第６実施形態に係わるスイッチング装置は、主回路１が複数のスイッチング素子を備え、複数のスイッチング素子の各々に対して制御信号を伝送するように第１及び第２の信号線（３ａ、３ｂ、３ｃ、・・・、３ｆ、４ａ、４ｂ、４ｃ、・・・、４ｇ）を複数設けている。第１及び第２の信号線（３ａ〜３ｆ、４ａ〜４ｇ）は交互に配列され、第１及び第２の信号線の間には誘電体（５ａ、・・・）がそれぞれ配置されている。これにより、第１及び第２の信号線（３ａ〜３ｆ、４ａ〜４ｇ）間の容量成分Ｃｃｄが増加して、第１及び第２の信号線（３ａ〜３ｆ、４ａ〜４ｇ）の特性インピーダンスＺｃｄを低減することができる。
【００３５】
第６実施形態に係わるスイッチング装置は、例えば、図１１及び図１２に示すように、二次電池などの直流電源２２から出力される直流電力を交流電力へ変換する電力変換装置２１として、適用することができる。電力変換装置２１は、直流電力を三相の交流電力へ変換するインバータ２７及びインバータ２７へ入力される直流電圧の変動を吸収する平滑コンデンサ２８からなるパワーモジュール２５と、パワーモジュール２５を収納する金属筐体２６とを備える。インバータ２７は、高速なスイッチング動作が可能なスイッチング素子（３１〜３６）を複数備える。インバータ２７は、三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の各々について、上下アームを構成する直列接続された２つのスイッチング素子を有する。インバータ２７は、直流電源２２及び平滑コンデンサ２８に対して第１及び第２の給電母線を介して並列に接続されている。
【００３６】
インバータ２７により変換された三相の交流電力は、三相交流電力モータなどの電動機２３に供給される。図１１及び図１２に示す電力変換システムは、電動機２３を走行駆動源として走行する車両、すなわち、電動機２３の出力軸が車両の車軸に連結されている電気自動車或いはハイブリッド自動車（ＨＥＶ）に適用することができる。
【００３７】
図１２に示すように、直流電源２２の出力端子は、１対のシールド線４４を介して、金属筐体２６内の第１及び第２の給電母線５３、５４に接続されている。金属筐体２６内には、制御回路２が収納され、図示しない第１及び第２の信号線を介して、複数のスイッチング素子（３１〜３６）に接続されている。インバータ２７の出力端子は、金属筐体２６内に配置されたバスバ４３を介して、３つのシールド線４２に接続されている。３つのシールド線４２は、電動機２３の入力端子に接続されている。よって、インバータ２７により変換された三相の交流電力は、バスバ４３、シールド線４２を介して、電動機２３へ出力される。なお、シールド線４２、４４は、金属線を樹脂により被覆することで形成される電線である。このように、本実施形態に係わるスイッチング装置は、三相交流電力モータなどの電動機２３に交流電力を供給するインバータ２７に適用することができる。
【００３８】
（スイッチング損失について）
図１３（ａ）に示すように、制御信号を成すゲート電圧（Ｖｇ）が、高電位状態から所定の推移時間ＴＴを経て低電位状態に移行したとき、ゲート電圧が振動する、所謂リンギングノイズが生じる。リンギングノイズにより、スイッチング素子のスイッチング閾値（Ｖｇｔｈ）を跨いでゲート電圧が振動する場合、オン状態／オフ状態の誤動作Ｇａが生じてしまう。図１３に示すリンギングピーク量ＲＧを、スイッチング閾値（Ｖｇｔｈ）を超えない程度に小さく抑えることにより、誤動作Ｇａが防止される。
【００３９】
図１３（ｂ）の縦軸は、スイッチング素子の制御端子（ゲート端子）に接続される信号線上にゲート抵抗が設けられた比較例、及びゲート抵抗が設けられていない本発明の実施形態について、リンギングピーク量（ＲＧｐ、ＲＧｖ）、及びスイッチング損失（ＳＬｐ、ＳＬｖ）を示している。横軸は、比較例についてはゲート抵抗値を示し、本発明の実施形態については、第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンスＺｃｄを示している。
【００４０】
比較例のリンギングピーク量（ＲＧｐ）は、ゲート抵抗値が大きくなるほど、小さくなる。これは、ゲート抵抗値が大きくなるほどスイッチング速度が遅くなり、推移時間ＴＴが長くなるため、リンギングノイズも小さくなるからである。逆に、ゲート抵抗値が小さくなり、誤動作Ｇａを生じる閾値ＴＨよりもリンギングピーク量（ＲＧｐ）が大きくなると、誤動作Ｇａにより比較例のスイッチング損失（ＳＬｐ）は急速に増加してしまう。リンギングピーク量（ＲＧｐ）が閾値ＴＨよりも小さい領域であっても、ゲート抵抗値の増加と共に、比較例のスイッチング損失（ＳＬｐ）は増加してしまう。
【００４１】
一方、実施形態のリンギングピーク量（ＲＧｖ）は、特性インピーダンスＺｃｄが（２）式或いは（３）式を満たしている間において、特性インピーダンスＺｃｄの増加と共に増加し始める。特性インピーダンスＺｃｄが更に増加して、（２）式或いは（３）式を満たさなくなっても、リンギングピーク量（ＲＧｖ）は、更に増加し続けている。実施形態のスイッチング損失（ＳＬｖ）は、特性インピーダンスＺｃｄが（２）式或いは（３）式を満たしている間においては低く維持されているが、（２）式或いは（３）式を満たさなくなると、急速に増加してしまう。
【００４２】
比較例及び実施形態のリンギングピーク量（ＲＧｐ、ＲＧｖ）が閾値ＴＨになるように、比較例のゲート抵抗値及び実施形態の特性インピーダンスＺｃｄを調整した場合のスイッチング損失（Ｇｐ、Ｇｖ）を比較する。比較例のスイッチング損失（Ｇｐ）に比べて、実施形態のスイッチング損失（Ｇｖ）は３０％以上、低減することができる。したがって、従来のようにスイッチング素子の制御端子に接続される信号線上にゲート抵抗を設けなくても、スイッチング素子の誤動作を抑制し、且つ、スイッチング素子のスイッチング損失を低減することができる。
【００４３】
上記のように、本発明の第１乃至第６の実施形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４４】
第１実施形態では、第１及び第２の信号線（３、４）の特性インピーダンスＺｃｄを、（７）式に示すように、その実部を無視して、その虚部（誘導成分Ｌｃｄ及び容量成分Ｃｃｄ）のみを考慮してもよいことを述べた。これにより、特性インピーダンスＺｃｄの設計が容易になるという効果がある。
【００４５】
更に、誘導成分Ｌｃｄを無視して、容量成分Ｃｃｄのみを考慮して、特性インピーダンスＺｃｄを設計してもかまわない。第１及び第２の信号線（３、４）の長さ（ｌ）が、間隔（ｄ）に対して十分長い場合には、（８）〜（１０）式に示した誘導成分（Ｌｃｄ）の変化率に対して、第１母線と第２母線との間の容量成分（Ｃｃｄ）の変化率が支配的になる。このため、誘導成分（Ｌｃｄ）を無視して、容量成分（Ｃｃｄ）のみを考慮することで、特性インピーダンスＺｃｄを更に容易に設計することができる。
【００４６】
本出願は、２０１３年１１月２９日に出願された日本国特許願第２０１３−２４７０３８号に基づく優先権を主張しており、この出願の内容が参照により本発明の明細書に組み込まれる。
【符号の説明】
【００４７】
１  主回路
２  制御回路
３  第１の信号線
４  第２の信号線
５  誘電体
６  樹脂
１１  スイッチング素子
Ｚａｂ  出力インピーダンス
Ｚｃｄ  特性インピーダンス
Ｚｅｆ  入力インピーダンス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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