(57)【要約】  光信号を受信する光受信装置は、与えられたバイアス信号によって受信感度が設定される複数のアバランシェフォトダイオードと、複数のアバランシェフォトダイオードに対応して設けられて、バイアス信号を得るための基準電圧のレベルを変換してバイアス信号を生成し、対応するアバランシェフォトダイオードへ与える複数のレベル変換部と、光受信装置の温度に対応した第１の制御信号を生成し、第１の制御信号によって複数のレベル変換部のレベル変換量を制御する制御部と、を含む。
2016135824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を受信する光受信装置であって、
与えられたバイアス信号によって受信感度が設定される複数のアバランシェフォトダイオードと、
前記複数のアバランシェフォトダイオードに対応して設けられて、前記バイアス信号を得るための基準電圧のレベルを変換して前記バイアス信号を生成し、対応するアバランシェフォトダイオードへ与える複数のレベル変換部と、
前記光受信装置の温度に対応した第１の制御信号を生成し、前記第１の制御信号によって前記複数のレベル変換部のレベル変換量を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする、光受信装置。
【請求項２】
電源電圧を昇圧して前記基準電圧を生成し、前記複数のレベル変換部に与える昇圧部をさらに有し、
前記複数のレベル変換部は、前記基準電圧のレベルを、前記第１の制御信号に基づいて変換して、前記バイアス信号を生成することを特徴とする、
請求項１に記載の光受信装置。
【請求項３】
前記昇圧部は、
前記複数のアバランシェフォトダイオードのバイアス信号のうち最も大きな電圧に、前記レベル変換部に用いるトランジスタの制御端子と出力端子との間の電圧に基づいて定めた電圧値を加えて前記基準電圧を生成し、
前記制御部は、
前記光受信装置の温度に対応した第２の制御信号を生成し、前記第２の制御信号によって前記昇圧部が生成した前記基準電圧を制御することを特徴とする、
請求項２に記載の光受信装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記光受信装置の温度と前記第１の制御信号及び前記第２の制御信号とを対応付けるテーブルを含み、前記光受信装置の温度に対応した前記第１の制御信号を前記テーブルから読出し、読出した前記第１の制御信号を前記複数のレベル変換部へ出力し、前記光受信装置の温度に応じて前記テーブルから読出した前記第２の制御信号を前記昇圧部へ出力することを特徴とする、
請求項３に記載の光受信装置。
【請求項５】
前記複数のレベル変換部は、
前記基準電圧とグランドとの間の電圧を前記第１の制御信号によって分割する分割抵抗回路を有し、
前記分割抵抗回路によって分割された電圧を用いて前記バイアス信号を生成して、対応するアバランシェフォトダイオードに与えることを特徴とする、
請求項１から４のいずれか１つに記載の光受信装置。
【請求項６】
前記分割抵抗回路は、
前記第１の制御信号によって抵抗値が変化する可変抵抗部と、前記可変抵抗部と接続された抵抗とを含み、
前記複数のレベル変換部は、
前記可変抵抗部と前記抵抗との接続点の電圧のレベルを変換して前記バイアス信号を生成して、対応するアバランシェフォトダイオードに与えることを特徴とする、
請求項５に記載の光受信装置。
【請求項７】
前記分割抵抗回路は、
前記第１の制御信号によって抵抗値が変化する可変抵抗部を含み、
前記複数のレベル変換部は、
前記可変抵抗部のワイパー端子の電圧のレベルを変換して前記バイアス信号を生成して、対応するアバランシェフォトダイオードに与えることを特徴とする、
請求項５に記載の光受信装置。
【請求項８】
前記分割抵抗回路は、
前記第１の制御信号によって抵抗値が変化する可変抵抗部と、前記可変抵抗部と接続され、温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタとを含み、
前記複数のレベル変換部は、
前記可変抵抗部と前記サーミスタとの接続点の電圧のレベルを変換して前記バイアス信号を生成して、対応するアバランシェフォトダイオードに与えることを特徴とする、
請求項５に記載の光受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信用の光受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信用の光受信装置は、光受信信号を増幅して受光可能なＡＰＤ（ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ，以下、「アバランシェフォトダイオード」と記す）を備えることがある。ＡＰＤは、アバランシェ増倍と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させたフォトダイオードである。ＡＰＤを備えることにより、光受信装置は、長距離伝送により減衰した光信号を受信できる。【０００３】
特許文献１では、温度センサと、ＡＰＤのバイアス電圧の温度データを格納するメモリと、メモリに格納されているデータに基づいてＡＰＤのバイアス電圧を制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）とから構成されたバイアス回路を用いる。こうすることで、常に最適なバイアス電圧でＡＰＤを駆動できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７８５０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、波長多重を用いたシステムにおいて、ＡＰＤを並列に配置した光受信装置が必要となっている。この場合、バイアス回路が複数必要となる。そのため、光受信装置のサイズが大きくなってしまうという問題があった。また、複数の昇圧回路により消費電力が増加するとともに部品点数の増加により装置のコストも増加してしまうという問題もあった。【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、自装置のサイズ増加を抑制でき、低消費電力で、低コストな構成を実現できる光受信装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る光受信装置は、光信号を受信する光受信装置であって、与えられたバイアス信号によって受信感度が設定される複数のアバランシェフォトダイオードと、前記複数のアバランシェフォトダイオードに対応して設けられて、前記バイアス信号を得るための基準電圧のレベルを変換して前記バイアス信号を生成し、対応するアバランシェフォトダイオードへ与える複数のレベル変換部と、前記光受信装置の温度に対応した第１の制御信号を生成し、前記第１の制御信号によって前記複数のレベル変換部のレベル変換量を制御する制御部と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明にかかる光受信装置は、自装置のサイズ増加を抑制でき、低消費電力で、低コストな構成を実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の制御部の構成例を示す図
【図３】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置のプロセッサの処理の例を示すフローチャート
【図４】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置のレベル変換回路の構成の一例を示す図
【図５】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の可変抵抗部の構成例を示す図
【図６】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度情報と昇圧回路への制御信号とを対応付けるテーブルの生成手順を示すフローチャート
【図７】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置のバイアス電圧の温度依存性を示す図
【図８】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置に用いるトランジスタのベース−エミッタ間電圧の温度特性の例を示す図
【図９】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置に用いるトランジスタのベース−エミッタ間電圧の温度依存性テーブルの例を示す図
【図１０】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度情報とレベル変換回路への制御信号とを対応付けるテーブルの生成手順を示すフローチャート
【図１１】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度とレベル変換回路の制御信号との対応を示すテーブルの例を示す図
【図１２】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度と昇圧回路の制御信号との対応を示すテーブルの例を示す図
【図１３】本発明の実施の形態１にかかる光受信装置のルックアップテーブルの例を示す図
【図１４】本発明の実施の形態２にかかる光受信装置のレベル変換回路の例を示す図
【図１５】本発明の実施の形態３にかかる光受信装置のレベル変換回路の例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施の形態にかかる光受信装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置を示すブロック図である。図１に示す光受信装置１０は、昇圧回路１１と、フィルタ１２と、レベル変換回路１３１，…，１３ｎと、ｎ個のＡＰＤ１６１，…，１６ｎと、制御部１４と、温度検出器１５と、ｎ個のＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｒｅ：トランスインピーダンスアンプ）１７１，…，１７ｎと、ｎ個の増幅器１８１，…，１８ｎと、を備えている。ｎは２以上の整数であり、以下同様である。昇圧回路１１は、自装置の電源電圧を昇圧する昇圧部である。フィルタ１２は、昇圧回路１１で発生させた電圧のノイズを除去する。ｎ個のレベル変換回路１３１，…，１３ｎは、フィルタ１２を通過した直流電圧の電圧レベルを変換してバイアス信号であるバイアス電圧を生成するｎ個のレベル変換部である。ｎ個のＡＰＤ１６１，…，１６ｎは、与えられたバイアス電圧によって受信感度が設定される。制御部１４は、温度情報に基づく第１の制御信号Ｓ１をレベル変換回路１３１，…，１３ｎに与えるとともに、温度情報に基づく第２の制御信号Ｓ２を昇圧回路１１に与える。温度検出器１５は、自装置の温度を検出し、温度情報を制御部１４へ出力する。ｎ個のＴＩＡ１７１，…，１７ｎは、ＡＰＤ１６１，…，１６ｎから出力される電流を電圧に変換する。ｎ個の増幅器１８１，…，１８ｎは、ＴＩＡ１７１，…，１７ｎによって変換された電圧を増幅する。なお、自装置とは、光受信装置１０である。
【００１２】
昇圧回路１１は、昇圧ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１１０とインダクタＬ１とを備えている。昇圧回路１１は、昇圧ＩＣ１１０に入力される第２の制御信号Ｓ２及びインダクタＬ１のインダクタンスに基づき、電源電圧を昇圧した電圧を生成する。昇圧回路１１が生成する電圧は直流電圧であり、ＡＰＤ１６１，…，１６ｎに与えられるバイアス電圧を得るためにレベル変換回路１３１，…，１３ｎに与えられる基準電圧である。なお、制御信号Ｓ２がデジタル信号である場合、昇圧回路１１は、デジタル信号をアナログ信号に変換する変換回路を有していてもよい。
【００１３】
フィルタ１２は、昇圧回路１１の出力に一端が接続されたインダクタＬ２と、インダクタＬ２の他端とグランドとの間に接続されたキャパシタＣ１とを備えている。フィルタ１２は、低域通過フィルタとして作用する。フィルタ１２は、昇圧回路１１が生成した基準電圧の高域成分を除去する。インダクタＬ２の他端の電圧Ｖ１が、基準電圧Ｖ１としてレベル変換回路１３１，…，１３ｎに与えられる。
【００１４】
ｎ個のレベル変換回路１３１，…，１３ｎは、ｎ個のＡＰＤ１６１，…，１６ｎに対応して設けられている。レベル変換回路１３１，…，１３ｎは、対応するＡＰＤ１６１，…，１６ｎに与えられるバイアス電圧を生成する。レベル変換回路１３１，…，１３ｎは、基準電圧Ｖ１の電圧レベルを変換して、バイアス電圧Ｖａｐｄを生成する。レベル変換回路１３１，…，１３ｎは、バイアス電圧Ｖａｐｄを、対応するＡＰＤ１６１，…，１６ｎに与える。
【００１５】
制御部１４は、自装置の温度に対応した制御信号Ｓ１を生成し、制御信号Ｓ１によって複数のレベル変換回路１３１，…，１３ｎのレベル変換量を制御する。また、制御部１４は、自装置の温度に対応した制御信号Ｓ２を生成し、制御信号Ｓ２によって昇圧回路１１が生成する基準電圧を制御する。
【００１６】
温度検出器１５は、自装置の温度を一定時間ごとに検出し、温度情報を制御部１４へ出力する。具体的には、光受信装置１０を構成する各部の温度を自装置の温度とする。例えば、光受信装置１０のＡＰＤ１６１，…，１６ｎの温度の平均値、レベル変換回路１３１，…，１３ｎの温度の平均値又は筐体内の空気の温度を、自装置の温度とする。
【００１７】
ＡＰＤ１６１，…，１６ｎは、フィルタ１２に対して並列に接続されている。ＡＰＤ１６１，…，１６ｎは、波長多重を実現するために、ｎ個のチャネルＣｈ１からＣｈｎに対応して設けられている。ＡＰＤ１６１，…，１６ｎは、光受信信号を増幅して受光する。ＡＰＤ１６１，…，１６ｎには、受光した信号を増幅するために３０［Ｖ］から５０［Ｖ］程度の電圧が与えられる。受光した信号を増幅するためにＡＰＤ１６１，…，１６ｎに与えられる電圧を、バイアス電圧と称する。
【００１８】
光受信装置１０では、ｎ個のトランスインピーダンスアンプ１７１，…，１７ｎ、及びｎ個の増幅器１８１，…，１８ｎが、ｎ個のＡＰＤ１６１，…，１６ｎに対応して設けられている。光受信装置１０では、ｎ個のＡＰＤ１６１，…，１６ｎは、制御部１４、昇圧回路１１及びフィルタ１２に対して、並列に接続されている。光受信装置１０では、ＡＰＤ１６１，…，１６ｎに対して共通に、昇圧回路１１、フィルタ１２、制御部１４及び温度検出器１５を設けている。
【００１９】
ｎ個のＴＩＡ１７１，…，１７ｎは、ＡＰＤ１６１，…，１６ｎの後段に設けられている。ｎ個のＴＩＡ１７１，…，１７ｎは、ＡＰＤ１６１，…，１６ｎから出力される各電流を電圧に変換する。
【００２０】
ｎ個の増幅器１８１，…，１８ｎは、対応するＴＩＡ１７１，…，１７ｎによって変換された各電圧を増幅する。ｎ個の増幅器１８１，…，１８ｎによって増幅された各電気信号は、光受信装置１０の出力となる。
【００２１】
（制御部の構成例）
図２は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の制御部１４の構成例を示す図である。図２に示すように、制御部１４は、処理に必要なプログラム１４６及びデータを記憶するメモリ１４１と、メモリ１４１からプログラム１４６を読出して実行するプロセッサ１４２と、温度情報の入力及び制御信号Ｓ１及びＳ２の出力のインタフェースとして機能する入出力装置１４３と、制御部１４内の各部を相互に接続するバス１４４とを有する。メモリ１４１は、ルックアップテーブル（Ｌｏｏｋ  Ｕｐ  Ｔａｂｌｅ：ＬＵＴ）１４５を記憶する。制御部１４は、メモリ１４１へのデータの書込み及びメモリ１４１からの読出しを制御する、マイクロコントロールユニット（Ｍｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ：ＭＣＵ）として機能する。ルックアップテーブル１４５は、温度情報と、レベル変換回路１３１，…，１３ｎへの第１の制御信号Ｓ１及び昇圧回路１１への第２の制御信号Ｓ２とを対応付けるテーブルである。なお、汎用のマイクロプロセッサ及びメモリによって制御部１４を実現してもよいし、ＭＣＵの機能を有する専用の集積回路によって制御部１４を実現してもよい。
【００２２】
制御部１４は、温度に対応した、各レベル変換回路１３１，…，１３ｎへの制御信号Ｓ１のデジタル値と、昇圧回路１１への制御信号Ｓ２のデジタル値とをルックアップテーブル１４５に記憶している。制御部１４は、プロセッサ１４２により、ルックアップテーブル１４５に対するデータの書込み及び読出しを行う。制御部１４は、入出力装置１４３を介して、温度検出器１５で検出された温度情報を入力する。また、制御部１４は、入出力装置１４３を介して、温度情報に対応した値の制御信号Ｓ１，Ｓ２を出力する。制御部１４は、入出力装置１４３を介して出力する制御信号Ｓ１により、各レベル変換回路１３１，…，１３ｎのレベル変換量を制御するとともに、入出力装置１４３を介して出力する制御信号Ｓ２により、昇圧回路１１が出力する基準電圧を制御し、各ＡＰＤへのバイアス電圧を生成する。本実施の形態１では、制御信号Ｓ１は、Ｉ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ−Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）通信による制御信号である。Ｉ２Ｃ通信は、シリアルデータとシリアルクロックとを送受信して行う、シリアル通信である。
【００２３】
制御部１４は、入出力装置１４３を介して、一定時間ごとに温度検出器１５からの温度情報を取得する。制御部１４は、温度変化があった場合、変化後の温度に対応した制御信号Ｓ１，Ｓ２を、入出力装置１４３を介して出力する。昇圧回路１１が出力する基準電圧と、レベル変換回路１３１，…，１３ｎのレベル変換量とを制御することにより、制御部１４は、各温度を用いて各ＡＰＤに適したバイアス電圧を生成し、各ＡＰＤに与える。
【００２４】
（プロセッサの動作）
次に、プロセッサ１４２の動作について説明する。
【００２５】
図３は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の制御部１４が備えるプロセッサ１４２の処理の例を示すフローチャートである。プロセッサ１４２は、ステップＳ１１では、自装置の電源がオンされたか否か判断する。プロセッサ１４２は、電源がオンされたと判断した場合（ステップＳ１１でＹｅｓ）、ステップＳ１２では、温度検出器１５から、入出力装置１４３及びバス１４４を介して、自装置の温度を示す温度情報を取得する。
【００２６】
ステップＳ１３では、プロセッサ１４２は、バス１４４を介して、メモリ１４１に温度情報を記憶する。ステップＳ１４では、プロセッサ１４２は、バス１４４を介して、メモリ１４１に記憶された温度情報を読出し、今回取得した温度情報と前回取得した温度情報とを比較する。ステップＳ１５では、プロセッサ１４２は、ステップＳ１４における比較結果が一致であるか否か判定する。温度情報同士が一致しない場合（ステップＳ１５でＮｏ）、ステップＳ１６において、バス１４４を介して、ルックアップテーブル１４５から、各レベル変換回路及び昇圧回路１１へ出力する制御信号Ｓ１，Ｓ２のデジタル値を読出す。ルックアップテーブル１４５から読出される制御信号Ｓ１，Ｓ２のデジタル値は、前回取得した温度情報に対応した値である。ステップＳ１７では、プロセッサ１４２は、読出したデジタル値の制御信号Ｓ１，Ｓ２を、バス１４４及び入出力装置１４３を介して、各レベル変換回路１３１，…，１３ｎ及び昇圧回路１１へ出力する。
【００２７】
ステップＳ１８では、プロセッサ１４２の処理が終了であるか否か判断する。プロセッサ１４２の処理が終了である場合（ステップＳ１８でＹｅｓ）、処理は終了となる。なお、プロセッサ１４２の処理が終了である場合とは、例えば、自装置の電源を切断された場合である。
【００２８】
ステップＳ１８において、プロセッサ１４２の処理が終了でない場合（ステップＳ１８でＮｏ）、ステップＳ１２に戻り、プロセッサ１４２はステップＳ１２からステップＳ１８の処理を継続する。ステップＳ１５において、温度情報同士が一致する場合（ステップＳ１５でＹｅｓ）、温度に変化がないため、プロセッサ１４２は制御信号Ｓ１，Ｓ２のデジタル値を読出すことなくステップＳ１２に戻り、ステップＳ１２からステップＳ１８の処理を継続する。
【００２９】
ステップＳ１１において、自装置の電源が投入されていないと判断した場合、ステップＳ１１に戻り（ステップＳ１１でＮｏ）、プロセッサ１４２は処理を継続する。
【００３０】
（レベル変換回路の構成例）
図４は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置のレベル変換回路１３１の構成の一例を示す図である。図４に示すように、レベル変換回路１３１は、一端に基準電圧Ｖ１が印加される可変抵抗部２１と、一端が可変抵抗部２１の他端に接続され、他端がグランドに接続される固定抵抗２２と、コレクタ抵抗として作用する固定抵抗２３と、エミッタフォロア回路を構成する半導体素子であるトランジスタ２４と、を有する。本実施の形態１では、トランジスタ２４は、ｎｐｎ型のトランジスタである。
【００３１】
可変抵抗部２１は、制御部１４から出力される第１の制御信号Ｓ１によって、抵抗値が設定される。本実施の形態１では、可変抵抗部２１に、デジタルポテンショメータを用いるが、可変抵抗部２１の種類は問わない。
【００３２】
レベル変換回路１３１は、可変抵抗部２１と固定抵抗２２とを分割抵抗回路とし、この分割抵抗回路によって基準電圧Ｖ１の電圧レベルを変換する。つまり、本実施の形態１において、分割抵抗回路は、制御信号Ｓ１によって抵抗値が変化する可変抵抗部２１と、可変抵抗部２１と接続された固定抵抗２２とを含む。そして、レベル変換回路１３１は、分割抵抗回路によって分割された電圧のレベル、すなわち可変抵抗部２１と固定抵抗２２との接続点の電圧のレベルを可変抵抗部２１によって変換し、バイアス電圧Ｖａｐｄ１として、対応するＡＰＤ１６１に与える。
【００３３】
電圧レベルが変換された、可変抵抗部２１と固定抵抗２２との接続点の電圧は、ｎｐｎ型のトランジスタ２４のベースに与えられる。このため、トランジスタ２４のベース電圧から、トランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ分だけ電圧降下した電圧が、レベル変換回路１３１から出力される。例えば、トランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅは、０．８Ｖ程度である。トランジスタ２４のエミッタは、対応するＡＰＤ１６１に接続されており、エミッタフォロア回路が形成される。
【００３４】
レベル変換回路１３１は、バイアス電圧Ｖａｐｄ１をＡＰＤ電圧として、対応するＡＰＤ１６１に与える。ＡＰＤ１６１が光信号を受光した時に流れる光電流すなわちＡＰＤ電流は、昇圧回路１１からトランジスタ２４のコレクタ−エミッタ間を通って流れる。
【００３５】
レベル変換回路１３１は、可変抵抗部２１の抵抗値を変化させることにより、ＡＰＤ１６１へ与えるバイアス電圧Ｖａｐｄ１を調整することができる。レベル変換回路１３１によるバイアス電圧Ｖａｐｄ１の調整可能範囲は、基準電圧Ｖ１［Ｖ］−電圧Ｖｂｅ［Ｖ］以下の範囲である。
【００３６】
ｎｐｎ型のトランジスタ２４の代わりに、ｐｎｐ型のトランジスタを用いてもよいし、電界効果トランジスタを用いてもよい。
【００３７】
（可変抵抗部）
図５は、本実施の形態１における可変抵抗部２１の構成例を示す図である。図５に示すように、可変抵抗部２１は、制御部１４から出力される第１の制御信号Ｓ１をパラレル信号に変換するシリアル入力レジスタ２１１と、パラレル信号に応じた抵抗値の制御信号Ｓ３を生成するＲＤＡＣ（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）レジスタ２１２と、制御信号Ｓ３によって抵抗値が設定される可変抵抗２１３と、を有する。
【００３８】
先述したように、本実施の形態１では、制御部１４から出力される第１の制御信号Ｓ１は、Ｉ２Ｃ通信による制御信号である。Ｉ２Ｃ通信による第１の制御信号Ｓ１は、本実施の形態１では、シリアルデータＳＤＡとシリアルクロックＳＣＬとを含む。シリアル入力レジスタ２１１は、シリアルデータＳＤＡを、シリアルクロックＳＣＬに同期してパラレル信号に変換する。
【００３９】
ＲＤＡＣレジスタ２１２は、パラレル信号をアナログ信号に変換し、抵抗値の制御信号Ｓ３として出力する。
【００４０】
可変抵抗２１３は、端子Ａ１，Ｂ１及びＷ１を有する。端子Ａ１と端子Ｂ１との間は、可変抵抗２１３によって設定できる最大抵抗値である。端子Ｗ１は、可変抵抗２１３の抵抗値を選択するためのワイパーコンタクトに接続されるワイパー端子である。
【００４１】
可変抵抗部２１では、端子Ａ１に基準電圧Ｖ１を与え、端子Ｗ１に固定抵抗２２を接続する。制御部１４から出力される制御信号Ｓ１によって、端子Ａ１と端子Ｗ１との間の抵抗値が設定され、その抵抗値と固定抵抗２２の抵抗値との分割抵抗回路によって定まる電圧がトランジスタ２４のベースに与えられる。
【００４２】
図１中のレベル変換回路１３１以外のすべてのレベル変換回路１３２，…，１３ｎも前述した構成であり、同様に動作する。
【００４３】
（ルックアップテーブルの生成方法）
次に、制御部１４による、ＡＰＤのバイアス電圧のルックアップテーブルの作成方法について説明する。先述したように、ルックアップテーブル１４５は、温度情報とレベル変換回路１３１，…，１３ｎへの第１の制御信号Ｓ１のデジタル値及び昇圧回路１１への第２の制御信号Ｓ２のデジタル値とを対応付けるテーブルである。本実施の形態１では、温度情報と昇圧回路１１への第２の制御信号Ｓ２のデジタル値とを対応付けるテーブルと、温度情報とレベル変換回路１３１，…，１３ｎへの第１の制御信号Ｓ１のデジタル値とを対応付けるテーブルとが作成され、２つのテーブルが組合されることによって、ルックアップテーブル１４５が作成される。
【００４４】
図６は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度情報と昇圧回路１１への制御信号Ｓ２のデジタル値とを対応付けるテーブルの生成手順を示すフローチャートである。図７は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置のバイアス電圧の温度依存性を示す図である。
【００４５】
まず、基準電圧Ｖ１を生成する昇圧回路１１への制御信号Ｓ２のデジタル値の作成方法について説明する。図６に示すように、まず、ステップＳ２１では、各チャネルに接続されるＡＰＤの最適なバイアス電圧Ｖａｐｄを複数ポイント、すなわち複数種類の温度で取得する。ステップＳ２２では、複数種類の温度で測定したバイアス電圧Ｖａｐｄをグラフにプロットする。ステップＳ２３では、複数種類の温度のバイアス電圧Ｖａｐｄを多項式で近似し、測定していない温度でのバイアス電圧を、補間することによって算出する。
【００４６】
各チャネルＣｈ１からＣｈｎについてバイアス電圧の温度依存性を求めると図７に示すようなグラフが作成される。図７に示すグラフは、測定した温度が黒丸で示される。黒丸が無い曲線部分は補間した部分である。図７に示すグラフを参照すると、各温度で最も大きなバイアス電圧が必要なチャネルが分かる。最も大きなバイアス電圧を最大バイアス電圧Ｖａｐｄ＿ｍａｘとする。
【００４７】
そして、ステップＳ２４では、最大バイアス電圧Ｖａｐｄ＿ｍａｘよりも１ボルト高い電圧すなわち最大バイアス電圧Ｖａｐｄ＿ｍａｘ＋１［Ｖ］を基準電圧Ｖ１（ｔ）に設定する。（ｔ）は、温度ｔに依存する値であることを示し、以下の説明においても同様である。１［Ｖ］の根拠は、ｎｐｎ型のトランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅが約０．８［Ｖ］であり、温度及び半導体素子によるベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅのバラツキを考慮して１［Ｖ］とした。すなわち、レベル変換回路に用いるトランジスタの制御端子であるベース端子と出力端子であるエミッタ端子との間の電圧に基づいて定めた電圧値を、最も大きな電圧である最大バイアス電圧Ｖａｐｄ＿ｍａｘに加えて基準電圧Ｖ１を生成する。
【００４８】
最大バイアス電圧Ｖａｐｄ＿ｍａｘ＋１を基に、ステップＳ２５では、温度ｔと、昇圧回路１１に基準電圧Ｖ１（ｔ）を出力させるための第２の制御信号Ｓ２のデジタル値との関係のテーブルが作成される。作成されたテーブルを参照することにより、制御部１４は、温度ｔが与えられると、温度ｔに対応する第２の制御信号Ｓ２を出力する。第２の制御信号Ｓ２は、図７中に実線で示される最大バイアス電圧Ｖａｐｄ＿ｍａｘ＋１上の温度ｔに対応する電圧を、基準電圧Ｖ１として昇圧回路１１に出力させるための信号である。ステップＳ２６では、作成したテーブルがメモリ１４１又はプロセッサ１４２内のレジスタに記憶される。
【００４９】
次に、各チャネルのバイアス電圧Ｖａｐｄを生成するためのレベル変換回路への制御信号Ｓ１のデジタル値の作成方法について説明する。まず、使用するトランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）の温度依存性テーブルを用意しておく。図８は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置に用いるトランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）の温度特性の例を示す図である。図８に示すように、トランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）は、温度ｔ［℃］が上昇すると低下する。また、トランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）は、温度ｔ［℃］が下降すると上昇する。図９は本発明の実施の形態１にかかる光受信装置に用いるトランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）の温度依存性テーブルの例を示す図である。図９に示すように、温度依存性テーブルは、自装置の温度ｔ［℃］が低い場合はトランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）が高い電圧値、自装置の温度ｔ［℃］が高い場合はトランジスタ２４のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）が低い電圧値となる。つまり、図９に示す温度依存性テーブルは、温度上昇に伴ってベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）が低下し、温度低下に伴ってベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）が上昇することを示す。
【００５０】
図１０は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度情報とレベル変換回路１３１，…，１３ｎへの制御信号Ｓ１のデジタル値とを対応付けるテーブルの生成手順を示すフローチャートである。図１０に示すように、ステップＳ３１では、処理の対象とするチャネルを決定する。ステップＳ３２では、温度ｔを決定する。ステップＳ３３では、トランジスタ２４のＶｂｅ（ｔ）の温度依存性テーブルを参照する。ステップＳ３４では、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）を求める。バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）は、固定抵抗２２の抵抗値Ｒ１と基準電圧Ｖ１（ｔ）とベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ（ｔ）と、可変抵抗部２１の抵抗値Ｒｖ１（ｔ）とから式（１）のように求められる。
【００５１】
【数１】
2016135824.tif 000003
【００５２】
ステップＳ３５では、ＡＰＤ１６１のバイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）を生成するために必要な可変抵抗部２１の抵抗値Ｒｖ１（ｔ）が求められる。抵抗値Ｒｖ１（ｔ）は式（２）のように求められる。基準電圧Ｖ１（ｔ）及びバイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）、ベース電圧Ｖｂｅ（ｔ）はすでに分かっているので、これらの値を用いて各温度での可変抵抗値Ｒｖ１（ｔ）が求められる。
【００５３】
【数２】
2016135824.tif 000004
【００５４】
ステップＳ３６では、各温度について、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求めたか否か判断する。各温度について、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求めた場合（ステップＳ３６でＹｅｓ）、ステップＳ３７では、各チャネルについて、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求めたか否か判断する。
【００５５】
各チャネルについて、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求めた場合（ステップＳ３７でＹｅｓ）、ステップＳ３８では、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）がメモリ１４１又はプロセッサ１４２内のレジスタに記憶される。
【００５６】
ステップＳ３６において、各温度について、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求めていない場合（ステップＳ３６でＮｏ）、ステップＳ３２に戻り、他の温度について、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求める処理を継続する。
【００５７】
ステップＳ３７において、各チャネルについて、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求めていない場合（ステップＳ３７でＮｏ）、ステップＳ３１に戻り、他のチャネルについて、バイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）及び抵抗値Ｒｖ１（ｔ）を求める処理を継続する。
【００５８】
以上のように、制御部１４は、抵抗値Ｒｖ１（ｔ）となる制御信号Ｓ１のデジタル値を各温度に対して格納したテーブルを作成することができる。制御部１４は、これをｎチャネル分作成し、各温度に対する、基準電圧Ｖ１（ｔ）の第２の制御信号Ｓ２のデジタル値と各チャネルのレベル変換回路内の抵抗値Ｒｖ１（ｔ）の第１の制御信号Ｓ１のデジタル値とをルックアップテーブル１４５としてメモリ１４１に記憶する。
【００５９】
なお、上記の図６の処理及び図１０の処理は、制御部１４が行ってもよいし、制御部１４とは別の装置が行って、メモリ１４１にルックアップテーブル１４５を記憶させるようにしてもよい。本実施の形態１では、制御部１４が図６の処理及び図１０の処理を行って、メモリ１４１にルックアップテーブル１４５を記憶させる。
【００６０】
（テーブルの例）
図１１は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度ｔ［℃］とレベル変換回路１３１，…，１３ｎの第１の制御信号Ｓ１のデジタル値との対応を示すテーブルの例を示す図である。制御部１４は、図１０に示す処理によって、図１１に示すテーブル１４５Ａを作成することができる。
【００６１】
また、図１２は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置の温度ｔ［℃］と昇圧回路１１の第２の制御信号Ｓ２のデジタル値との対応を示すテーブルの例を示す図である。制御部１４は、図６の処理によって、図１２に示すテーブル１４５Ｂを作成することができる。
【００６２】
図１３は、本発明の実施の形態１にかかる光受信装置のルックアップテーブルの例を示す図である。制御部１４は、図１１に示すテーブル１４５Ａと図１２に示すテーブル１４５Ｂとを組合せることによって、図１３に示すルックアップテーブル１４５を作成することができる。
【００６３】
以上のように、ルックアップテーブル１４５を作成して、制御部１４のメモリ１４１に格納しておき、検出した温度に対する第１の制御信号Ｓ１及び第２の制御信号Ｓ２をメモリ１４１から読出して入出力装置１４３によって制御部１４から出力することで、光受信装置１０は、各チャネルのＡＰＤ１６１，…，１６ｎに最適なバイアス電圧を与えることができる。光受信装置１０は、昇圧回路１１は１つで、簡易な回路で構成された複数のレベル変換回路１３１，…，１３ｎにより多チャネルのＡＰＤ１６１，…，１６ｎのバイアス電圧を生成することができるため、サイズの増加を抑制することができる。また、元の基準電圧Ｖ１も各温度で制御し、必要以上に高い電圧を発生させることが無いので、光受信装置１０は消費電力の増加を抑制することもできる。さらに、光受信装置１０は、各チャネルのＡＰＤ１６１，…，１６ｎを、常に最適なバイアス電圧で駆動することができる。
【００６４】
ＡＰＤは受信感度が最も良くなる増倍率がある。このため、通常、受信感度が最も良くなるようにＡＰＤ１６１，…，１６ｎのバイアス電圧を設定する。しかしながら、ＡＰＤの増倍率には温度特性があるため、昇圧回路１１から出力する基準電圧を固定値にすると温度によって増倍率が変化してしまう。そこで、本実施の形態１において、光受信装置１０は、複数のＡＰＤに共通に、制御部１４を備えている。このため、各ＡＰＤに対して別々に制御部を設ける場合に比べて、光受信装置１０は、自装置のサイズ増加を抑制できる。また、光受信装置１０は、各ＡＰＤに対して別々に制御部を設ける場合に比べて、部品点数の増加を抑制できる。このため、光受信装置１０は、消費電力を低くすることができ、装置のコストの増加を抑えることができる。
【００６５】
実施の形態２．
上記の実施の形態１において用いたレベル変換回路１３１を別の構成にすることができる。図１４は、実施の形態２におけるレベル変換回路１３１ａの構成の一例を示す図である。図１４に示すように、レベル変換回路１３１ａは、基準電圧Ｖ１が印加され、第１の制御信号Ｓ１によって抵抗値が変化する可変抵抗部２５と、コレクタ抵抗として作用する固定抵抗２３と、エミッタフォロア回路を構成するｎｐｎ型のトランジスタ２４と、を有する。
【００６６】
本実施の形態２において、分割抵抗回路は、第１の制御信号Ｓ１によって抵抗値が変化する可変抵抗部２５を含む。そして、レベル変換回路１３１ａは、可変抵抗部２５のワイパー端子の電圧のレベルを変換して、バイアス信号であるバイアス電圧Ｖａｐｄ１を生成しＡＰＤ電圧として、対応するＡＰＤ１６１に与える。
【００６７】
可変抵抗部２５は、図５を参照して説明した可変抵抗部２１と同様の構成である。ただし、図５に示す端子Ａ１に基準電圧Ｖ１を与え、端子Ｗ１にトランジスタ２４のベースを接続し、端子Ｂ１にグランドを接続する。これにより、可変抵抗部２５は、３端子可変抵抗として機能するため、図４中の固定抵抗２２を光受信装置１０に設ける必要はない。
【００６８】
可変抵抗部２５は、制御部１４から出力される第１の制御信号Ｓ１によって、端子Ａ１と端子Ｂ１との間の抵抗値Ｒ１、端子Ａ１と端子Ｗ１との間の抵抗値Ｒｈｉｇｈ、及び端子Ｗ１と端子Ｂ１との間の抵抗値Ｒｖ１が設定される。そして、第１の制御信号Ｓ１によって可変抵抗部２５に設定される抵抗値による分割抵抗回路によって定まる電圧がトランジスタ２４のベースに与えられる。
【００６９】
実施の形態２において、制御の方法及びルックアップテーブルの作成手順は、実施の形態１の場合と同じである。ただし、ＡＰＤのバイアス電圧Ｖａｐｄ（ｔ）と基準電圧Ｖ１（ｔ）との関係式が異なる。その関係式は、式（３）で表される。よって、抵抗値Ｒｖ１（ｔ）は式（４）で求めることができる。
【００７０】
【数３】
2016135824.tif 000005
【００７１】
【数４】
2016135824.tif 000006
【００７２】
レベル変換回路１３１ａ以外のすべてのレベル変換回路も上記と同様の構成であり、上記と同様に動作する。
【００７３】
実施の形態２では、０［Ｖ］以上、（Ｖ１−Ｖｂｅ）［Ｖ］以下の電圧可変範囲を得ることができる。このため、実施の形態２では、バイアス信号であるバイアス電圧の可変範囲を、実施の形態１におけるバイアス電圧の可変範囲よりも広くすることができる。これにより、各ＡＰＤに、実施の形態１よりも適したバイアス電圧を与えることができる。また、実施の形態２では、可変抵抗部２５だけで分割抵抗回路を実現できる。このため、実施の形態２は、実施の形態１よりも部品数を削減でき、装置のコストの増加を抑えることができる。
【００７４】
実施の形態３．
上記の実施の形態１において用いたレベル変換回路１３１を別の構成にすることができる。図１５は、実施の形態３におけるレベル変換回路１３１ｂの構成の一例を示す図である。図１５に示すように、レベル変換回路１３１ｂは、基準電圧Ｖ１が印加されるサーミスタ２６と、制御信号Ｓ１によって抵抗値が変化する可変抵抗部２７と、コレクタ抵抗として作用する固定抵抗２３と、エミッタフォロア回路を構成するｎｐｎ型のトランジスタ２４と、を有する。
【００７５】
本実施の形態３において、分割抵抗回路は、第１の制御信号Ｓ１によって抵抗値が変化する可変抵抗部２７と、可変抵抗部２７と接続され、温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタ２６とを含む。そして、レベル変換回路１３１ｂは、可変抵抗部２７とサーミスタ２６との接続点の電圧を変換して、バイアス信号であるバイアス電圧Ｖａｐｄ１を生成しＡＰＤ電圧として、対応するＡＰＤ１６１に与える。
【００７６】
可変抵抗部２７は、図５を参照して説明した可変抵抗部２１と同様の構成である。ただし、端子Ａ１にサーミスタ２６を接続し、端子Ｗ１にグランドが接続される。
【００７７】
サーミスタ２６は、温度が上昇すると抵抗値Ｒｔｈが下がるＮＴＣ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）特性を有する。このため、実施の形態３では、サーミスタ２６の抵抗値Ｒｔｈの温度特性が直線性を有していれば、制御部１４から出力される制御信号Ｓ１を温度変化によって変化させなくても、バイアス電圧Ｖａｐｄの温度補償を行うことができる。すなわち、自装置の温度が上がると、サーミスタ２６の抵抗値Ｒｔｈが変化してバイアス電圧Ｖａｐｄ１は高くなり、自装置の温度が下がるとバイアス電圧Ｖａｐｄ１は低くなる。
【００７８】
このため、実施の形態３では、ルックアップテーブル１４５は、温度と昇圧回路１１への第２の制御信号Ｓ２のデジタル値とを記憶したものであり、各レベル変換回路への第１の制御信号Ｓ１のデジタル値については記憶していない。この場合、可変抵抗部２７が固定抵抗器に変更されてもよい。実施の形態３によれば、実施の形態１及び実施の形態２に比べて、より簡易な構成及び制御によって、バイアス電圧Ｖａｐｄ１の温度補償を行うことができる。実施の形態３は、メモリ１４１の記憶容量も少なくて済むという利点もある。
【００７９】
なお、実施の形態３において、可変抵抗部２７の抵抗値を、温度によらず、一定値に設定する第１の制御信号Ｓ１のデジタル値をルックアップテーブル１４５に記憶してもよい。
【００８０】
ところで、サーミスタ２６の抵抗値Ｒｔｈの温度特性が直線性を有していない場合、ルックアップテーブル１４５を、サーミスタ２６の抵抗値Ｒｔｈの温度特性を考慮した内容として作成しておき、自装置の温度の変化に応じて可変抵抗部２７の抵抗値を設定することにより、各温度にて各ＡＰＤに最適なバイアス電圧を与えることができる。その場合、制御の方法及びルックアップテーブルの作成手順は、実施の形態１の場合と同じである。
【００８１】
レベル変換回路１３１ｂ以外のすべてのレベル変換回路も上記と同様の構成であり、上記と同様に動作する。
【００８２】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１０  光受信装置、１１  昇圧回路、１２  フィルタ、１４  制御部、１５  温度検出器、２１，２５，２７  可変抵抗部、２２，２３  固定抵抗、２４  トランジスタ、２６  サーミスタ、１３１，１３２，１３ｎ，１３１ａ，１３１ｂ  レベル変換回路、１４１  メモリ、１４２  プロセッサ、１４３  入出力装置、１４４  バス、１４５  ルックアップテーブル、１６１，１６ｎ  ＡＰＤ、１７１，１７ｎ  ＴＩＡ、１８１，１８ｎ  増幅器、２１１  シリアル入力レジスタ、２１２  ＲＤＡＣレジスタ、２１３  可変抵抗、Ａ１，Ｂ１，Ｗ１  端子、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３  制御信号、Ｖ１  基準電圧、Ｖａｐｄ  バイアス電圧。
【図１】
2016135824.tif 000007
【図２】
2016135824.tif 000008
【図３】
2016135824.tif 000009
【図４】
2016135824.tif 000010
【図５】
2016135824.tif 000011
【図６】
2016135824.tif 000012
【図７】
2016135824.tif 000013
【図８】
2016135824.tif 000014
【図９】
2016135824.tif 000015
【図１０】
2016135824.tif 000016
【図１１】
2016135824.tif 000017
【図１２】
2016135824.tif 000018
【図１３】
2016135824.tif 000019
【図１４】
2016135824.tif 000020
【図１５】
2016135824.tif 000021
【国際調査報告】
2016135824.tif 000022
2016135824.tif 000023
2016135824.tif 000024
2016135824.tif 000025