(57)【要約】ポリマー層を形成することによる液晶材料のプレチルト角の増大を抑制できる横電界方式の液晶装置及びその製造方法を提供する。本発明によれば、液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する液晶組成物を用いて基板の上方に液晶組成物層を形成する工程と、前記液晶組成物層に光を照射し、前記ラジカル重合性モノマーを重合させてポリマー層を形成する工程と、を備え、前記ラジカル重合性モノマーは、化学式（１）で表される化合物Ａと、化学式（２）で表される化合物Ｂと、を含む、横電界方式の液晶装置の製造方法が提供される。
2015186833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する液晶組成物を用いて基板の上方に液晶組成物層を形成する工程と、
前記液晶組成物層に光を照射し、前記ラジカル重合性モノマーを重合させてポリマー層を形成する工程と、を備え、
前記ラジカル重合性モノマーは、下記化学式（１）で表される化合物Ａと、下記化学式（２）で表される化合物Ｂと、を含む、横電界方式の液晶装置の製造方法。
【化１】
2015186833.tif 000009
（式中、
Ｒ３は、炭素数１〜４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｒ４は、炭素数１〜４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｐ１及びＰ２は、同一又は異なるラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ１は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｓｐ２は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。）
【化２】
2015186833.tif 000010
（式中、
Ｒ７は、−Ｒ８−Ｓｐ５−Ｐ５基、水素原子、ハロゲン原子、−ＣＮ基、−ＮＯ２基、−ＮＣＯ基、−ＮＣＳ基、−ＯＣＮ基、−ＳＣＮ基、−ＳＦ５基、又は、炭素数１〜１８の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基である。
Ｐ５は、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ５は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｒ７が有する水素原子は、フッ素原子又は塩素原子に置換されていてもよい。
Ｒ７が有する−ＣＨ２−基は、酸素原子及び硫黄原子が互いに隣接しない限り−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、又は、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基で置換されていてもよい。
Ｒ８は、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
Ａ１及びＡ２は、同一又は異なって、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−１，３−ジイル基、インダン−１，５−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、フェナントレン−１，６−ジイル基、フェナントレン−１，８−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、フェナントレン−３，６−ジイル基、アントラセン−１，５‐ジイル基、アントラセン−１，８−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、又は、アントラセン−２，７−ジイル基を表す。
Ａ１及びＡ２が有する−ＣＨ２−基は、互いに隣接しない限り−Ｏ−基又は−Ｓ−基で置換されていてもよい。
Ａ１及びＡ２が有する一又は二以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、−ＣＮ基、又は、炭素数１〜６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｚは、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
ｎは０、１又は２である。）
【請求項２】
前記ポリマー層形成後の前記液晶材料のプレチルト角は、０〜３度である、請求項１に記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記液晶組成物中での前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比は、０．０５以上である、請求項１又は請求項２に記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記質量比は、０．２以上である、請求項３に記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記化合物Ａの配合量は、前記液晶材料１００質量部に対し、０．０３質量部以上である、請求項１〜請求項４の何れか１つに記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記配合量は、０．０６質量部以上である、請求項５に記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記化合物Ａは、下記化学式（３）で表される、請求項１〜請求項６の何れか１つに記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【化３】
2015186833.tif 000011
（式中、Ｒ５及びＲ６は、同一又は異なる水素原子又はメチル基を表す。）
【請求項８】
前記化合物Ｂは、下記化学式（４−１）〜（４−５）の何れかで表される、請求項１〜請求項７の何れか１つに記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【化４】
2015186833.tif 000012
（式中、Ｐ５は、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表す。）
【請求項９】
前記Ｐ５は、同一又は異なる（メタ）アクリロイルオキシ基である、請求項８に記載の横電界方式の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
基板と、前記基板の上方に形成されたポリマー層と、前記基板の上方に液晶材料を含有する液晶層と、前記液晶層に対して横電界を加えるように形成された電極とを備え、
前記ポリマー層は、前記液晶材料とラジカル重合性モノマー含む液晶組成物中の前記ラジカル重合性モノマーを重合させて形成され、
前記ラジカル重合性モノマーは、下記化学式（１）で表される化合物Ａと、下記化学式（２）で表される化合物Ｂと、を含む、横電界方式の液晶装置。
【化１】
2015186833.tif 000013
（式中、
Ｒ３は、炭素数１〜４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｒ４は、炭素数１〜４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｐ１及びＰ２は、同一又は異なるラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ１は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｓｐ２は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。）
【化２】
2015186833.tif 000014
（式中、
Ｒ７は、−Ｒ８−Ｓｐ５−Ｐ５基、水素原子、ハロゲン原子、−ＣＮ基、−ＮＯ２基、−ＮＣＯ基、−ＮＣＳ基、−ＯＣＮ基、−ＳＣＮ基、−ＳＦ５基、又は、炭素数１〜１８の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基である。
Ｐ５は、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ５は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｒ７が有する水素原子は、フッ素原子又は塩素原子に置換されていてもよい。
Ｒ７が有する−ＣＨ２−基は、酸素原子及び硫黄原子が互いに隣接しない限り−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、又は、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基で置換されていてもよい。
Ｒ８は、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
Ａ１及びＡ２は、同一又は異なって、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−１，３−ジイル基、インダン−１，５−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、フェナントレン−１，６−ジイル基、フェナントレン−１，８−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、フェナントレン−３，６−ジイル基、アントラセン−１，５‐ジイル基、アントラセン−１，８−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、又は、アントラセン−２，７−ジイル基を表す。
Ａ１及びＡ２が有する−ＣＨ２−基は、互いに隣接しない限り−Ｏ−基又は−Ｓ−基で置換されていてもよい。
Ａ１及びＡ２が有する一又は二以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、−ＣＮ基、又は、炭素数１〜６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｚは、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
ｎは０、１又は２である。）
【請求項１１】
前記ポリマー層形成後の前記液晶材料のプレチルト角は、０〜３度である、請求項１０に記載の横電界方式の液晶装置。
【請求項１２】
前記液晶組成物中での前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比は、０．０５以上である、請求項１０又は請求項１１に記載の横電界方式の液晶装置。
【請求項１３】
前記質量比は、０．２以上である、請求項１２に記載の横電界方式の液晶装置。
【請求項１４】
前記化合物Ａの配合量は、前記液晶材料１００質量部に対し、０．０３質量部以上である、請求項１０〜請求項１３の何れか１つに記載の横電界方式の液晶装置。
【請求項１５】
前記配合量は、０．０６質量部以上である、請求項１４に記載の横電界方式の液晶装置。
【請求項１６】
前記化合物Ａは、下記化学式（３）で表される、請求項１０〜請求項１５の何れか１つに記載の横電界方式の液晶装置。
【化３】
2015186833.tif 000015
（式中、Ｒ５及びＲ６は、同一又は異なる水素原子又はメチル基を表す。）
【請求項１７】
前記化合物Ｂは、下記化学式（４−１）〜（４−５）の何れかで表される、請求項１０〜請求項１６の何れか１つに記載の横電界方式の液晶装置。
【化４】
2015186833.tif 000016
（式中、Ｐ５は、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表す。）
【請求項１８】
前記Ｐ５は、同一又は異なる（メタ）アクリロイルオキシ基である、請求項１７に記載の横電界方式の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界方式の液晶装置及びその製造方法に関する。【０００２】
液晶装置は、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を活かし、モバイル用途やモニター、大型テレビ等の幅広い分野で用いられている。これらの分野において種々の性能が要求され、様々な表示方式（モード）が開発されている。その基本構成・基本原理は、液晶層を狭持する一対の基板を備え、液晶層側の基板上に設けられた電極に対して電圧を適宜印加し、液晶層に含まれる液晶分子の配向方向を制御することによって光の透過／遮断（表示のオン／オフ）を制御し、液晶表示を可能とするものである。【０００３】
近年の液晶装置の表示方式としては、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して垂直配向させた垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）モードや、正又は負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して水平配向させて液晶層に対し横電界を印加する面内スイッチング（ＩＰＳ：In-Plane Switching）モード及び縞状電界スイッチング（ＦＦＳ：Fringe Field Switching）モード等が挙げられる。【０００４】
ところで、液晶分子の配向を安定させるための技術として、ポリマーを用いた配向安定化（以下、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）ともいう。）技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。ＰＳＡ技術では、一対の基板の少なくとも一方に配向膜を形成し、液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する液晶組成物を一対の基板間に注入し、ラジカル重合性モノマーを重合させて配向膜上にポリマー層を形成することによって液晶分子の配向を安定化させることを可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２０１２／１２１１７４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＩＰＳモードやＦＦＳモードで動作する横電界方式の液晶装置は、液晶材料のプレチルト角が配向膜に対して０度に近いことが好ましい。従来のラビング方式では配向の際にプレチルト角がついてしまうために、高性能化を目的として光配向方式が広く採用されている。しかしながら、光配向膜は液晶との相互作用が弱く十分に液晶の配向を支持できないことが問題となっている。配向を保ったまま液晶との相互作用をより強くする技術としてＰＳＡを適用する方法があるが、本発明者の検討によると、従来技術のラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層を形成する場合には、ポリマー層を形成することによってプレチルト角が増大してしまうという現象が発生する場合があることを見出した。また、ポリマー層を形成する場合の重合時間の短縮という点で課題がある。【０００７】
本発明のいくつかの態様はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ポリマー層を形成することによる液晶材料のプレチルト角の増大を抑制できる横電界方式の液晶装置及びその製造方法を提供するものである。さらには、短時間でポリマー層を形成することが可能な横電界方式の液晶装置及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る横電界方式の液晶装置の製造方法は、液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する液晶組成物を用いて基板の上方に液晶組成物層を形成する工程と、前記液晶組成物層に光を照射し、前記ラジカル重合性モノマーを重合させてポリマー層を形成する工程と、を備え、前記ラジカル重合性モノマーは、下記化学式（１）で表される化合物Ａと、下記化学式（２）で表される化合物Ｂと、を含む。【０００９】
【化１】
2015186833.tif 000003
（式中、
Ｒ３は、炭素数１〜４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｒ４は、炭素数１〜４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｐ１及びＰ２は、同一又は異なるラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ１は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｓｐ２は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。）【００１０】
【化２】
2015186833.tif 000004
（式中、
Ｒ７は、−Ｒ８−Ｓｐ５−Ｐ５基、水素原子、ハロゲン原子、−ＣＮ基、−ＮＯ２基、−ＮＣＯ基、−ＮＣＳ基、−ＯＣＮ基、−ＳＣＮ基、−ＳＦ５基、又は、炭素数１〜１８の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基である。
Ｐ５は、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ５は、炭素数１〜６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｒ７が有する水素原子は、フッ素原子又は塩素原子に置換されていてもよい。
Ｒ７が有する−ＣＨ２−基は、酸素原子及び硫黄原子が互いに隣接しない限り−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、又は、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基で置換されていてもよい。
Ｒ８は、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
Ａ１及びＡ２は、同一又は異なって、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−１，３−ジイル基、インダン−１，５−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、フェナントレン−１，６−ジイル基、フェナントレン−１，８−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、フェナントレン−３，６−ジイル基、アントラセン−１，５‐ジイル基、アントラセン−１，８−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、又は、アントラセン−２，７−ジイル基を表す。
Ａ１及びＡ２が有する−ＣＨ２−基は、互いに隣接しない限り−Ｏ−基又は−Ｓ−基で置換されていてもよい。
Ａ１及びＡ２が有する一又は二以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、−ＣＮ基、又は、炭素数１〜６の、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｚは、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
ｎは０、１又は２である。）【００１１】
上記の液晶装置の製造方法において、前記ポリマー層形成後の前記液晶材料のプレチルト角は、０〜３度である、ことが好ましい。
上記の液晶装置の製造方法において、前記液晶組成物中での前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比は、０．０５以上であることが好ましい。【００１２】
上記の液晶装置の製造方法において、前記質量比は、０．２以上であることが好ましい。
上記の液晶装置の製造方法において、前記化合物Ａの配合量は、前記液晶材料１００質量部に対し、０．０３質量部以上であることが好ましい。
上記の液晶装置の製造方法において、前記配合量は、０．０６質量部以上であることが好ましい。【００１３】
上記の液晶装置の製造方法において、前記化合物Ａは、下記化学式（３）で表されることが好ましい。
【化３】
2015186833.tif 000005
（式中、Ｒ５及びＲ６は、同一又は異なる水素原子又はメチル基を表す。）【００１４】
上記の液晶装置の製造方法において、前記化合物Ｂは、下記化学式（４−１）〜（４−５）の何れかで表されることが好ましい。
【化４】
2015186833.tif 000006
（式中、Ｐ５は、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表す。）【００１５】
上記の液晶装置の製造方法において、前記Ｐ５は、同一又は異なる（メタ）アクリロイルオキシ基であることが好ましい。【００１６】
本発明に係る横電界方式の液晶装置は、基板と、前記基板の上方に形成されたポリマー層と、前記基板の上方に液晶材料を含有する液晶層と、前記液晶層に対して横電界を加えるように形成された電極とを備える横電界方式の液晶装置であって、前記ポリマー層は、前記液晶材料とラジカル重合性モノマー含む液晶組成物中の前記ラジカル重合性モノマーを重合させて形成され、
前記ラジカル重合性モノマーは、上記化学式（１）で表される化合物Ａと、上記化学式（２）で表される化合物Ｂと、を含むことを特徴とする。【００１７】
上記の液晶装置において、前記ポリマー層形成後の前記液晶材料のプレチルト角は、０〜３度であることが好ましい。【００１８】
上記液晶装置において、前記液晶組成物中での前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比は、０．０５以上であることが好ましい。
上記の液晶装置において、前記質量比は、０．２以上であることが好ましい。【００１９】
上記の液晶装置において、前記化合物Ａの配合量は、前記液晶材料１００質量部に対し、０．０３質量部以上であることが好ましい。
上記の液晶装置において、前記配合量は、０．０６質量部以上であることが好ましい。【００２０】
上記の液晶装置において、前記化合物Ａは、上記化学式（３）で表されることが好ましい。
上記の液晶装置において、前記化合物Ｂは、上記化学式（４−１）〜（４−５）の何れかで表されることが好ましい。【００２１】
上記の液晶装置において、前記Ｐ５は、同一又は異なる（メタ）アクリロイルオキシ基であることが好ましい。【００２２】
本発明者はポリマー層形成後のプレチルト角を低減すべく鋭意検討を行ったところ、ラジカル重合性モノマーとして下記化合物Ａと下記化合物Ｂを併用してポリマー層を形成した場合には、ポリマー層を形成することによる液晶材料のプレチルト角の増大が抑制されることを見出し、本発明の完成に至った。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態の横電界方式の液晶装置の製造工程を示す断面模式図であり、重合工程前の状態を示す。
【図２】本発明の一実施形態の横電界方式の液晶装置の製造工程を示す断面模式図であり、重合工程後の状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施形態について説明する。以下に示す実施形態中で示した各種特徴事項は、互いに組み合わせ可能である。また、各特徴事項について独立して発明が成立する。
【００２５】
本発明の一実施形態の横電界方式の液晶装置は、具体的には、テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話、モニター、インフォメーションディスプレイ等の表示機器に本発明を用いることで、優れた表示特性を有する装置を作製することができる。
【００２６】
図１〜図２に示すように、本実施形態の横電界方式の液晶装置は、アレイ基板１１と、カラーフィルタ基板２１と、アレイ基板１１及びカラーフィルタ基板２１からなる一対の基板間に狭持された液晶層１０とを備える。アレイ基板１１は、ガラス等を材料とする絶縁性の透明基板と、透明基板上に形成された各種配線、画素電極、共通電極、及びＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等を備える。カラーフィルタ基板２１は、ガラス等を材料とする絶縁性の透明基板と、透明基板上に形成されたカラーフィルタ、ブラックマトリクス等を備える。本実施形態の液晶装置は、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードなどの横電界方式で動作するものであり、アレイ基板１１に画素電極２４と共通電極２５の両方が形成されていて、画素電極２４と共通電極２５の間に電圧を印加することによって液晶層１０に含まれる液晶分子に対して横方向の電界が印加される。ＩＰＳモードの場合、一例では、図１〜図２に示すように、画素電極２４と共通電極２５が同一平面上に交互に並ぶように配置される。一方、ＦＦＳモードの場合、一例では、共通電極２５、絶縁膜、及び画素電極２４がこの順で積層され、画素電極２４に設けられたスリットを通じて共通電極２５と画素電極２４の間に形成される電界が横電界となる。
【００２７】
また、アレイ基板１１上には、配向膜１２が形成されており、カラーフィルタ基板２１上には、配向膜２２が形成されている。配向膜１２、２２は、イミド構造を含む主鎖をもつ高分子材料（ポリイミド）等で構成されている。配向膜１２、２２の表面に対し、配向処理が施されることで、液晶材料のプレチルト角を水平に方向付けることができる。配向処理の手段としては、例えば、ラビング処理及び光配向処理が挙げられる。上記配向膜の主成分としては、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリシロキサン等の高分子化合物が挙げられる。上記配向膜が光配向膜である場合には、上記光配向膜材料は、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、トラン基、スチルベン基、アゾベンゼン基等の光反応性官能基を含む高分子化合物が好適に用いられる。なお、配向膜１２、２２の一方又は両方を省略して、基板自体に配向性を付与してもよい。
【００２８】
図１に示すように、ＰＳＡ重合工程前において液晶層１０中には、ラジカル重合性モノマー２０が存在している。そして、光照射によるＰＳＡ重合工程によってラジカル重合性モノマー２０は重合を開始し、図２に示すように、配向膜１２、２２上にポリマー層１３、２３が形成される。
【００２９】
本実施形態において液晶組成物は、液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する。液晶材料としては、正の誘電率異方性を有するもの、及び、負の誘電率異方性を有するもののいずれを用いることもできる。
【００３０】
ラジカル重合性モノマーとしては、上記化学式（１）で表される化合物Ａと、上記化学式（２）で表される化合物Ｂと、を含むものが用いられる。化合物Ａ及び化合物Ｂは、それぞれ、一種の化合物であってもよく、２種以上の化合物であってもよい。
【００３１】
化合物Ａは、自己開裂によりラジカルを発生する構造を有しているため、重合開始剤として機能する。このため、液晶材料と混合させるときに他の重合開始剤を添加する必要がなく、光照射を行うだけで効率よく重合反応を開始することができる。また、化合物Ａは、二以上の官能基を有していることから、自己開裂後にモノマーとして機能するので、液晶層１０中にモノマーとして残存せずにポリマー層１３、２３に組み込まれる。
【００３２】
したがって、液晶層１０への光照射によって化合物Ａの自己開裂反応によってラジカルが生成され、そのラジカルを活性種として、ラジカル重合性モノマー２０のもつラジカル重合性基が次々に連鎖重合を開始、進行させ、重合によって形成されたポリマーは、相分離により、図２に示すように、配向膜１２、２２上にポリマー層１３、２３として析出される。
【００３３】
ところで、従来技術のラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層を形成する場合には、ラジカル重合性モノマーの重合前はプレチルト角がほぼ０度になっている場合でも、配向膜上にポリマー層を形成するためにラジカル重合性モノマーを重合させるとプレチルト角が増大してしまうという現象が発生する場合があった。本発明者がポリマー層形成時のプレチルト角の増大を抑制する手段について鋭意検討を行ったところ、ラジカル重合性モノマーとして化合物Ａと化合物Ｂを含むものを用いた場合には、ポリマー層１３、２３形成時にプレチルト角がほとんど増大しないことを見出した。プレチルト角が増大しない理由としては、化合物Ａと化合物Ｂを併用した場合には、ポリマー層１３、２３を形成するポリマーの分子量が小さくなるために、ポリマー層１３、２３の表面が滑らかになることが挙げられる。
【００３４】
ポリマー層１３、２３形成後の液晶材料（液晶分子）のプレチルト角は、０〜３度が好ましく、０〜２度が好ましく、０〜１度がさらに好ましく、０〜０．６度がさらに好ましく、０〜０．３度がさらに好ましく、０〜０．１度がさらに好ましく、実質的にプレチルト角がないことが特に好ましい。
【００３５】
液晶組成物中での化合物Ｂに対する化合物Ａの質量比（化合物Ａ／化合物Ｂ）は、０．０５以上が好ましく、０．１以上、０．１５以上、又は０．２以上がさらに好ましい。この質量比が大きいほど、ポリマー層１３、２３を形成するポリマーの分子量が小さくなって、ポリマー層１３、２３の表面がさらに滑らかになるからである。また、質量比は、１以下が好ましく、０．８以下がさらに好ましい。質量比の値が上記範囲内であると、重合性基に対する発生ラジカルの割合が適量であるため、停止反応及び重合度の低下も起こりにくくポリマー層を形成しやすい。この質量比は、具体的には例えば、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００３６】
化合物Ａの配合量は、液晶材料１００質量部に対し、０．０３質量部が好ましく、０．０６質量部以上がさらに好ましい。化合物Ａの濃度が大きいほど、ポリマー層１３、２３を形成するポリマーの分子量が小さくなって、ポリマー層１３、２３の表面がさらに滑らかになるからである。液晶組成物中での化合物Ａの濃度は、２．０質量部以下が好ましく、１．５質量部以下がより好ましく、１．０質量部以下がさらに好ましく、０．６質量部以下がさらに好ましい。液晶組成物中での化合物Ａの濃度が上記範囲内であると、重合性基に対する発生するラジカルの割合が適量であるため、停止反応及び重合度の低下も起こりにくくポリマー層を形成しやすい。この濃度は、具体的には例えば、０．０３、０．０４、０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．１１、０．１２、０．１３、０．１４、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１．０、１．１、１．２、１．３、１．４，１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、２．０質量部であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００３７】
化合物Ａの具体例としては、上記化学式（３）で表される化合物が挙げられる。
化合物Ｂの具体例としては、上記化学式（４−１）〜（４−５）の何れかで表される化合物が挙げられる。
【００３８】
上記の横電界方式の液晶装置は、液晶材料とラジカル重合性モノマー２０とを含有する液晶組成物を用いて基板１１の上方に液晶組成物層を形成する工程と、前記液晶組成物層に光を照射し、ラジカル重合性モノマー２０を重合させてポリマー層１３を形成する工程を備える方法によって製造可能である。ラジカル重合性モノマー２０として、化合物Ａ及び化合物Ｂを含むものを用いることによってポリマー層１３、２３形成後の液晶材料のプレチルト角を低減することが可能になる。一対の基板１１，２１の少なくとも一方に配向膜１２，２２を形成する工程を備えることが好ましい。また、液晶組成物層は、一対の基板１１，２１の間に液晶組成物を注入することによって形成することが好ましい。但し、基板２１を用いることは必須ではなく、配向膜１２，２２も必須ではない。配向膜１２，２２を用いない場合、基板自体に配向性を付与することが好ましい。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の効果を実証した試験例について説明する。以下に示すように、評価サンプル１〜１６の液晶セルを作成し、その感度及びプレチルト角を評価した。評価サンプル２、４、６、及び８〜１６が本発明の実施例であり、残りの評価サンプルが比較例又は参考例である。【００４０】
【表１】
2015186833.tif 000007
【００４１】
１．液晶組成物の作製
液晶材料ＬＣ（Δｎ＝０．０９６１，Ｔｃ＝９０．５℃、誘電異方性ε＝９．７）中に表１に示す濃度でラジカル重合性モノマー（化合物Ａ及び化合物Ｂ）を溶解させることによって評価サンプル１〜１５用の液晶組成物を作製した。例えば評価サンプル１用の液晶組成物では、１０００ｍｇ（ラジカル重合性モノマーを含まない液晶材料ＬＣの質量）の液晶材料ＬＣ中に６．０ｍｇのＤＭＡＢＰｈを溶解させ、評価サンプル２用の液晶組成物では、１０００ｍｇの液晶材料ＬＣ中に６．０ｍｇのＤＭＡＢＰｈと０．５ｍｇのＤＭＡＢｚＫを溶解させた。
表１中、化合物Ａ及び化合物Ｂの各配合量は、化合物Ａ及び化合物Ｂを溶解させる前の液晶材料ＬＣ１００質量部に対する量である。【００４２】
表１中で用いた化合物の詳細は、以下の通りである。
ＤＭＡＢｚＫ：２，２−ジメトキシ−１，２−ジ−（４−メタクリロイルオキシ）フェニルエタン−１−オン(2,2-dimethoxy-1,2-di-(4-methacryloxy) phenyl ethane-1-one)（ＷＯ２０１２／１０５４７９に開示された方法に従って合成）
ＤＭＡＢＰｈ：４，４'−ジメタクリロイルオキシビフェニル(4,4'-dimethacryloxybiphenyl)
ＤＭＡＮｐ：２，６−ジメタクリロイルオキシナフタレン(2,6-dimethacyloxy naphthalene)
ＤＭＡＰｈｅｎ：２，７−ジメタクリロイルオキシフェナントレン(2,7-dimethacyloxy phenanthrene)
ＤＭＡＡｎ：２，６−ジメタクリロイルオキシアントラセン(2,6-dimethacryloxy anthracene)【００４３】
２．化合物Ａ及び化合物Ｂの液晶材料への溶解度評価
５０ｍｇのＤＭＡＢｚＫ、ＤＭＡＢＰｈ、ＤＭＡＮｐ、ＤＭＡＰｈｅｎ、及びＤＭＡＡｎをそれぞれ５００ｍｇの液晶材料ＬＣに溶解させ、６０℃で１０分撹拌した。その後、２５℃に冷却し、残留物を濾過によって除去した。その後、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）を用いて内部標準法によって濾液のモノマー濃度を測定した。その結果を表２に示す。【００４４】
【表２】
2015186833.tif 000008
【００４５】
３．感度及びプレチルト角の評価
一対のガラス基板のそれぞれに水平配向膜材料である光分解性ポリアミック酸溶液を塗布し、８０℃５分の条件でプリベークを行い、その後、２００℃６０分の条件でポストベークを行った。次に、ポストベーク後の配向膜に対して、偏光ＵＶ光を照射することによって配向処理を行った。次に、一対の基板の一方にシーラントを塗布し、この基板上に「１．液晶組成物の作製」で作製した液晶組成物を滴下した。その後、一対の基板の他方を貼り合わせることによって、一対の基板の間に液晶層を形成した。【００４６】
次に、液晶層に電界が印加されていない状態で、３２０から３７０ｎｍの間にピーク波長を有するＵＶ光を液晶層に対して照射してラジカル重合性モノマーを重合させることによって水平配向膜上にポリマー層を形成して、液晶セルの評価サンプル１〜１５を完成させた。【００４７】
各評価サンプルについて、ＵＶ露光の前後に、液晶材料ＬＣのプレチルト角を測定した。プレチルト角は、ＴＢＡ１０５測定システム（Autronic-Melchers GmbH,ドイツ）を用いて結晶回転法によって測定した。【００４８】
また、ＵＶ露光システムを用いて、液晶層中のラジカル重合性モノマーの反応率が９９％を超えるまでの照射線量を測定することによって感度の評価を行った。照射線量は、３６５ｎｍ照度計（ウシオ電機ＵＩＴ−１５０，ＵＶＤ−Ｓ３６５）によってＵＶ光源の照度を測定することによって算出した。【００４９】
各評価サンプルについて測定した照射線量及びプレチルト角を表１に示す。照射線量は、ラジカル重合性モノマーの感度に対応している。【００５０】
評価サンプル２，４，６，８の成分は、ＤＭＡＢｚＫを含んでいることを除くと、それぞれ、評価サンプル１，３，５，７と同一である。評価サンプル２，４，６，８の感度は、それぞれ、評価サンプル１，３，５，７よりもはるかに高かった。この結果は、化合物Ａが化合物Ｂよりも多くのラジカル種を生成することを示している。また、化合物Ａは、光吸収量及び量子収量が化合物Ｂよりも高いために、分解によるラジカル種生成が化合物Ｂよりも起こりやすかったことを示している。【００５１】
評価サンプル７の感度は、評価サンプル１よりも高かった。評価サンプル１の成分は、ＤＭＡＡｎを含有しないことを除くと、評価サンプル７と同一である。この結果は、ＤＭＡＡｎは、ＤＭＡＢＰｈよりも、光吸収性が高いためにラジカル生成能力が高いことを示している。言い換えると、ＤＭＡＡｎは、ＤＭＡＢＰｈのための光開始剤として機能する。【００５２】
評価サンプル２，４，６の露光後のプレチルト角は、それぞれ、評価サンプル１，３，５よりも小さかった。この結果は、ラジカル重合性モノマーとして化合物Ａを用いることによって液晶セル内のラジカル種濃度が増大し、その結果、セル内での重合の開始反応及び停止反応の速度が増大することによって、多くの低重合度のオリゴマーがセル内で生成され、オリゴマーと配向膜表面の間の強い分子間相互作用によってオリゴマーが配向膜表面に付着したためであると考えられる。配向膜に付着した低重合度のオリゴマーはサイズが小さく互いに密接している。このようなオリゴマーによって形成されたポリマー層表面は非常に滑らかである。一般に、水平配向の場合、液晶材料の配向は相互作用面に平行に向けられるので、ポリマー層表面が粗い場合は、液晶材料とポリマー層表面との相互作用によって液晶材料のプレチルト角が増大する傾向がある。しかし、評価サンプル２，４，６ではポリマー層表面が滑らかであるので、液晶材料とポリマー層表面との相互作用によって液晶材料のプレチルト角が増大しない。【００５３】
評価サンプル１の露光後のプレチルト角は、評価サンプル３よりも小さかった。一般に、液晶材料に溶解されているモノマーが重合されてその分子サイズが増大すると、液晶材料への溶解度が急激に低下して液晶材料から析出されやすくなる。また、モノマーの溶解度が小さいほど、そのモノマーから生成されるオリゴマーの溶解度も小さくなる。そして、評価サンプル１に含まれるＤＭＡＢＰｈの溶解度が評価サンプル３に含まれるＤＭＡＮｐよりも小さいので、評価サンプル１では評価サンプル３よりもオリゴマーがより低重合度の状態で析出され、その結果、ポリマー層表面が滑らかになり、液晶材料とポリマー層表面との相互作用による液晶材料のプレチルト角増大が抑制されたと考えられる。【００５４】
評価サンプル３と５の液晶材料への溶解度は、ほぼ同じである。それにも関わらず、評価サンプル５の露光後のプレチルト角は、評価サンプル３よりも小さかった。評価サンプル５は三縮環のフェナントレン骨格を有するＤＭＡＰｈｅｎを含み、評価サンプル３は、二縮環のナフタレン骨格を有するＤＭＡＮｐを含んでいる。フェナントレン，アントラセン及びピレンのような３つ以上の環が縮合した縮環構造を有するモノマーは嵩高いので、低重合度のオリゴマーの状態で液晶材料からの相分離が起こりやすい。このため、評価サンプル５では評価サンプル３よりもオリゴマーがより低重合度の状態で析出され、その結果、ポリマー層表面が滑らかになり、液晶材料とポリマー層表面との相互作用による液晶材料のプレチルト角増大が抑制されたと考えられる。【００５５】
評価サンプル７の露光後のプレチルト角は、評価サンプル３よりも小さかった。評価サンプル７に含まれるＤＭＡＡｎは、評価サンプル３に含まれるＤＭＡＮｐよりも、嵩高く、且つ液晶材料への溶解度が低い。このため、評価サンプル７では評価サンプル３よりもオリゴマーがより低重合度の状態で相分離によって析出され、その結果、ポリマー層表面が滑らかになり、液晶材料とポリマー層表面との相互作用による液晶材料のプレチルト角増大が抑制されたと考えられる。【００５６】
評価サンプル７の露光後のプレチルト角は、評価サンプル３よりも小さかった。評価サンプル７に含まれるＤＭＡＡｎは、評価サンプル３に含まれるＤＭＡＮｐよりも、嵩高く、且つ液晶材料への溶解度が低い。このため、評価サンプル７では評価サンプル３よりもオリゴマーがより低重合度の状態で相分離によって析出され、その結果、ポリマー層表面が滑らかになり、液晶材料とポリマー層表面との相互作用による液晶材料のプレチルト角増大が抑制されたと考えられる。【００５７】
評価サンプル９、１０、１１、１２の反応率９９％までの照射線量は評価サンプル２、４、６、８の照射線量よりも少なくなっており、短時間でのＰＳＡ形成が可能であることを示している。これは化合物Ａの濃度が高くなったことで、効率良く光を吸収しラジカル発生量が増大するため、セル内での重合の開始反応及び停止反応の速度が増大することによるものと考えられる。その上、いずれの評価サンプルでもチルト角＜０．１を達成していることから、化合物Ａの添加量を増やすことで工程時間を短縮してかつ液晶材料のプレチルト角を増大せずに配向を支持することが出来るものと考えられる。【００５８】
評価サンプル１３、１４、１５、１６の反応率９９％までの照射線量は、評価サンプル９、１０、１１、１２の照射線量よりもさらに少なくなっており、いずれの評価サンプルでも１Ｊ／ｃｍ２以下と非常に低照度で反応率９９％に達した。これは非常に短時間でのＰＳＡ形成が可能であることを示している。その上、いずれの評価サンプルでもチルト角＜０．１を達成していることから、化合物Ａを高濃度で添加することでラジカル発生量を増やした場合でも、低重合度のオリゴマーが相分離して配向膜表面に付着して液晶材料とポリマー層表面との相互作用によって液晶材料のプレチルト角を増大せずに配向を支持できるものと考えられる。
【図１】
2015186833.tif 000017
【図２】
2015186833.tif 000018
【国際調査報告】
2015186833.tif 000019
2015186833.tif 000020