(57)【要約】  フロントエンド回路部品（１０）はベース体弾性波フィルタ（１１）および実装型電子部品（３１）を備える。ベース体弾性波フィルタ（１１）は、圧電基板（１２）、および、圧電基板（１２）の上面に形成されるＩＤＴ電極（１３）を有する。実装型電子部品（３１）は、ＩＤＴ電極（１３）が内部に配置される封止空間（１７）が形成されるように、圧電基板（１２）の上部に実装される。
2015098793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板、および、前記圧電基板の上面に形成される機能電極を有する、弾性波フィルタと、
前記機能電極が内部に配置される空間が形成されるように、前記圧電基板の上部に実装される実装型電子部品と、を備える、電子部品モジュール。
【請求項２】
前記弾性波フィルタはカバー層を有し、
前記カバー層は、前記圧電基板の上面に対して間隔を空けて対向し、前記機能電極を覆うように形成されており、
前記実装型電子部品は前記カバー層の上面に実装される、請求項１に記載の電子部品モジュール。
【請求項３】
前記カバー層はフレキシブル性を有し、
前記弾性波フィルタは、前記カバー層の上面に形成される配線層を有し、
前記実装型電子部品は前記配線層に接続される、請求項２に記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
前記カバー層は樹脂フィルム材からなる、請求項２または３に記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記圧電基板の上部に形成され、上方に延伸する信号取出配線を備え、
前記実装型電子部品の実装面積は前記圧電基板の上面の面積に比べて狭く、
前記信号取出配線は、前記実装型電子部品の外側に配線され、前記圧電基板の上面に垂直な方向から見て前記圧電基板の内側に配線される、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
通過帯域が異なる複数の前記弾性波フィルタを備え、
前記実装型電子部品は高周波スイッチを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項７】
通過帯域が異なる複数の前記弾性波フィルタは、複数のチップからなる請求項６に記載の電子部品モジュール。
【請求項８】
前記複数のチップのうちの少なくとも一つは、半導体装置などの弾性波フィルタ以外の機能を有するチップである、請求項７に記載の電子部品モジュール。
【請求項９】
前記弾性波フィルタを第１弾性波フィルタとして、前記実装型電子部品は第２弾性波フィルタを含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１０】
前記弾性波フィルタまたは前記実装型電子部品からなる複数の高周波フィルタを備え、
前記実装型電子部品は高周波スイッチを含み、
前記高周波スイッチと前記高周波フィルタとは前記配線層を介して接続される、請求項３に記載の電子部品モジュール。
【請求項１１】
前記高周波スイッチは、複数の端子と、前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有し、
前記共通端子はアンテナに接続され、前記端子は前記配線層を介して前記高周波フィルタに接続される、請求項１０に記載の電子部品モジュール。
【請求項１２】
前記実装型電子部品は、キャパシタまたはインダクタの少なくとも一方が形成された積層基板を含む、請求項１ないし１１のいずれかに電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の周波数バンドに対応する電子部品モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末などの無線通信装置に内蔵されているフロントエンドの電子部品モジュールとして、例えば、特許文献１に記載のフロントエンドモジュールがある。このフロントエンドモジュールでは、ダイプレクサ、ローパスフィルタ等がチップ部品として構成され、このチップ部品が樹脂多層基板に搭載されている。また、スイッチを構成する能動素子が樹脂多層基板に搭載され、スイッチを構成する受動素子が樹脂多層基板の内層に積層されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２４９８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のフロントエンドモジュールでは、チップ部品等が樹脂多層基板の表面に平置きで実装されている。このため、フロントエンドモジュールのサイズが大きくなるおそれがある。【０００５】
本発明の目的は、小型化が可能な電子部品モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明の電子部品モジュールは弾性波フィルタおよび実装型電子部品を備える。弾性波フィルタは、圧電基板、および、圧電基板の上面に形成される機能電極を有する。実装型電子部品は、機能電極が内部に配置される空間が形成されるように、圧電基板の上部に実装される。【０００７】
この構成では、実装型電子部品が弾性波フィルタの上部に実装されるので、電子部品モジュールの小型化が可能となる。【０００８】
（２）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。弾性波フィルタはカバー層を有する。カバー層は、圧電基板の上面に対して間隔を空けて対向し、機能電極を覆うように形成されている。実装型電子部品はカバー層の上面に実装される。【０００９】
この構成では、再配線層としてインターポーザやプリント基板を別途設ける必要がないので、電子部品モジュールの低背化および低コスト化が可能となる。【００１０】
（３）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。カバー層はフレキシブル性を有する。弾性波フィルタは、カバー層の上面に形成される配線層を有する。実装型電子部品は配線層に接続される。【００１１】
この構成では、電気的な接続のためだけでなく、カバー層の補強のために配線層が用いられている。このため、カバー層が撓みにくくなるので、機能電極の上部の空間を潰すことなく、カバー層の上面に実装型電子部品を実装することができる。【００１２】
また、フォトリソグラフィ法を用いて、配線層を微細かつ高精度でパターニングすることができる。このため、実装型電子部品を高密度で実装することができるので、さらに電子部品モジュールの小型化が可能となる。【００１３】
また、電子部品モジュールが熱応力を受けても、実装型電子部品と配線層との接続部分に熱応力が集中しない。このため、実装型電子部品と配線層との接続部分が破壊されにくくなるので、高い接続信頼性を確保することができる。【００１４】
（４）カバー層は樹脂フィルム材からなることが好ましい。【００１５】
この構成では、カバー層の具体的な部材を示している。【００１６】
（５）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。本発明の電子部品モジュールは信号取出配線を備える。信号取出配線は、圧電基板の上部に形成され、上方に延伸する。実装型電子部品の実装面積は圧電基板の上面の面積に比べて狭い。信号取出配線は、実装型電子部品の外側に配線され、圧電基板の上面に垂直な方向から見て圧電基板の内側に配線される。【００１７】
この構成では、さらに電子部品モジュールの小型化が可能となる。【００１８】
（６）本発明の電子部品モジュールは、通過帯域が異なる複数の弾性波フィルタを備え、実装型電子部品は高周波スイッチを含むことが好ましい。【００１９】
この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。【００２０】
（７）通過帯域が異なる複数の弾性波フィルタは、複数のチップからなることが好ましい。【００２１】
この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。【００２２】
（８）複数のチップのうちの少なくとも一つは、半導体装置などの弾性波フィルタ以外の機能を有するチップであることが好ましい。【００２３】
この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。【００２４】
（９）弾性波フィルタを第１弾性波フィルタとして、実装型電子部品は第２弾性波フィルタを含むことが好ましい。【００２５】
この構成では、電子部品モジュールは、第１弾性波フィルタが対応できない周波数バンドにも対応することが可能となる。【００２６】
（１０）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。本発明の電子部品モジュールは、弾性波フィルタまたは実装型電子部品からなる複数の高周波フィルタを備える。実装型電子部品は高周波スイッチを含む。高周波スイッチと高周波フィルタとは配線層を介して接続される。【００２７】
この構成では、高周波スイッチと高周波フィルタとの間の線路長を短くすることができるので、良好なデバイス特性を得ることができる。また、電子部品モジュールの外部端子の数を削減することができる。【００２８】
（１１）本発明の電子部品モジュールは次の構成であることが好ましい。高周波スイッチは、複数の端子と、前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有する。共通端子はアンテナに接続され、前記端子は配線層を介して高周波フィルタに接続される。【００２９】
この構成では、電子部品モジュールの具体的な構成を示している。【００３０】
（１２）実装型電子部品は、キャパシタまたはインダクタの少なくとも一方が形成された積層基板を含むことが好ましい。【００３１】
この構成では、電子部品モジュールの集積度を高めることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、電子部品モジュールの小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の模式的断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る、実装されたフロントエンド回路部品を示す模式的断面図である。
【図３】第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の第１の実施例の回路図である。
【図４】第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の第２の実施例の回路図である。
【図５】第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。
【図６】第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。
【図７】第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。
【図８】第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の製造方法を示す模式的断面図である。
【図９】第２の実施形態に係るフロントエンド回路部品の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
《第１の実施形態》
本発明の第１の実施形態に係る電子部品モジュールについて説明する。ここでは、電子部品モジュールとして、フロントエンド回路部品１０を用いて説明する。フロントエンド回路部品１０は、アンテナと送受信装置との間に接続され、使用周波数バンドに応じて送受信信号を分波する。フロントエンド回路部品１０は、例えば、マルチバンドおよびマルチモードで動作する無線通信機器に用いられる。
【００３５】
図１はフロントエンド回路部品１０の模式的断面図である。フロントエンド回路部品１０は、ベース体弾性波フィルタ１１、ＲＦ（Radio Frequency）スイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４を備える。ＲＦスイッチ３２は本発明の高周波スイッチに相当する。弾性波フィルタ３３は本発明の第２弾性波フィルタに相当する。
【００３６】
ベース体弾性波フィルタ１１および弾性波フィルタ３３は、弾性表面波フィルタであるが、弾性境界波フィルタ、弾性バルク波フィルタ、板波フィルタ等でもよい。ＲＦスイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４は実装型電子部品３１の一例である。実装型電子部品３１は、例えば、チップインダクタ、チップコンデンサ、ＬＣフィルタ等でもよい。
【００３７】
実装型電子部品３１は、容量成分およびインダクタ成分がパターニングされた、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、プリント基板等の積層基板でもよい。これにより、チップインダクタやチップコンデンサを実装する場合に比べて、フロントエンド回路部品１０の集積度を高めることができる。
【００３８】
ベース体弾性波フィルタ１１は、圧電基板１２、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３、第１配線層１４、支持層１５、カバー層１６、引出配線１８および第２配線層１９を備える。ＩＤＴ電極は本発明の機能電極に相当する。第２配線層１９は本発明の「配線層」に相当する。ＩＤＴ電極１３、第１配線層１４、支持層１５およびカバー層１６は、圧電基板１２の上面にこの順で積層されている。ＩＤＴ電極１３は、複数の通過帯域を有する共振器が形成されるようにパターニングされている。第１配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続されている。引出配線１８に当接する箇所が露出するように、ＩＤＴ電極１３および配線層１４の表面（上面）にＳｉＯ２保護膜（図示せず）が形成されている。
【００３９】
支持層１５は、ＩＤＴ電極１３を囲むように形成されている。カバー層１６は、ＩＤＴ電極１３の上部を覆うように形成されている。これにより、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間（ＩＤＴ空間）１７が形成されている。なお、支持層１５およびカバー層１６は、別々に形成されているが、一体的に形成されてもよい。
【００４０】
支持層１５およびカバー層１６にはビアが形成され、このビアに引出配線１８が形成されている。引出配線１８は第１配線層１４に接続されている。カバー層１６の上面には第２配線層１９が形成されている。第２配線層１９は引出配線１８に接続されている。なお、第２配線層１９は配線および実装パッドを含む。実装パッドに対応する箇所および引出配線２１に当接する箇所が露出するように、第２配線層１９の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）が形成されている。
【００４１】
このように、ベース体弾性波フィルタ１１は、通過帯域が異なる複数の弾性波フィルタを含み、複数の周波数バンドに対応することができる。ベース体弾性波フィルタ１１に含まれる各弾性波フィルタは、本発明の「弾性波フィルタ」に相当する。
【００４２】
第２配線層１９の実装パッドに、ＲＦスイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４が実装されている。弾性波フィルタ３３は、圧電基板３３１、および、圧電基板３３１の主面３３１Ｓに形成されたＩＤＴ電極３３２を有する。弾性波フィルタ３３は、圧電基板３３１の主面３３１Ｓがカバー層１６の上面と対向するように、第２配線層１９の実装パッドに実装されている。弾性波フィルタ３３が実装されることにより、フロントエンド回路部品１０は、ベース体弾性波フィルタ１１が対応できない周波数バンドにも対応することが可能となる。実装型電子部品３１の実装面積は圧電基板１２の上面の面積に比べて狭い。ベース体弾性波フィルタ１１および実装型電子部品３１は引出配線１８および第２配線層１９のみで接続されている。
【００４３】
第２配線層１９の上面に柱状の引出配線２１が形成されている。引出配線２１は本発明の信号取出配線に相当する。引出配線２１は第２配線層１９に接続されている。引出配線２１は、実装型電子部品３１の外側を通るように配線されている。引出配線２１は、積層方向から見て、圧電基板１２の内側に配線されている。これにより、積層方向から見て、引出配線２１が圧電基板１２の外側に配線される場合に比べて、フロントエンド回路部品１０の小型化が可能となる。
【００４４】
実装型電子部品３１、第２配線層１９および引出配線２１を被覆するように、樹脂層２２が形成されている。また、樹脂層２２は、弾性波フィルタ３３のＩＤＴ電極３３２を囲むように形成されている。これにより、弾性波フィルタ３３の下面とカバー層１６の上面との間に封止空間が形成されている。引出配線２１の上端部は樹脂層２２から露出している。
【００４５】
樹脂層２２の上面にオフセット配線２３が形成されている。オフセット配線２３は引出配線２１の上端部に接続されている。オフセット配線２３が露出するように、樹脂層２２の上面に保護層２４が形成されている。オフセット配線２３の上面には実装用端子２５が形成されている。保護層２４により実装用端子２５の半田が広がることを防止できる。
【００４６】
圧電基板１２はＬｉＴａＯ３基板等からなる。ＩＤＴ電極１３および第１配線層１４は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、または、これらを主成分とする合金等の金属材料からなる。また積層構造であってもよい。支持層１５および樹脂層２２はポリイミド、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる。カバー層１６は、フレキシブル性を有する、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム材からなる。引出配線１８，２１、第２配線層１９およびオフセット配線２３はＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜等の金属膜からなる。上述のように、実装用端子２５は半田を材料とする。
【００４７】
カバー層１６は、封止空間１７を形成するためのものであり、薄い樹脂フィルムからなる。このため、カバー層１６の上面に実装型電子部品３１を実装しようとすると、カバー層１６が撓み、封止空間１７が潰れるおそれがある。しかしながら、第１の実施形態では、カバー層１６の上面に第２配線層１９が形成されていることで、カバー層１６が撓みにくくなっている。すなわち、電気的な接続のためだけでなく、カバー層１６の補強のために、第２配線層１９を用いている。このため、封止空間１７を潰すことなく、カバー層１６の上面に実装型電子部品３１を実装することができる。このような構成によれば、ＬＴＣＣ基板、プリント基板等の回路基板に、ＲＦスイッチ、弾性波フィルタ等の実装型電子部品を平置きする構成と比べて、小型化が可能となる。
【００４８】
また、一般的に、回路基板に形成される配線層は、スクリーン印刷を用いてパターニングされる。これに対して、第２配線層１９は、後述のように、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングされる。このため、回路基板に形成される配線層に比べて、微細かつ高精度で第２配線層１９をパターニングすることができる。この結果、回路基板に実装型電子部品を平置きする構成に比べて、配線集積度を高めるとともに、実装型電子部品を高密度で実装することができるので、さらに小型化が可能となる。
【００４９】
また、上述のように、実装型電子部品３１はカバー層１６の上面に実装されている。このため、ベース弾性体フィルタ１１や実装型電子部品３１の再配線層としてインターポーザやプリント基板を別途設ける必要がないので、低背化および低コスト化が可能となる。
【００５０】
また、上述のように、カバー層１６はフレキシブル性を有する樹脂フィルム材からなる。このため、フロントエンド回路部品１０が熱応力を受けても、実装型電子部品３１と第２配線層１９との接続部分に熱応力が集中しない。この結果、実装型電子部品３１と第２配線層１９との接続部分が破壊されにくくなるので、高い接続信頼性を確保することができる。
【００５１】
図２は、実装されたフロントエンド回路部品１０を示す模式的断面図である。モジュール基板３５は、導体パターンが形成された基材層を積層してなる。モジュール基板３５には容量成分およびインダクタ成分が形成されている。モジュール基板３５の上面には実装パッドが形成され、モジュール基板３５の下面には実装用端子が形成されている。モジュール基板３５の実装パッドにフロントエンド回路部品１０が実装されている。フロントエンド回路部品１０を被覆するように樹脂層３６が形成されている。
【００５２】
上述のように、フロントエンド回路部品１０のカバー層１６上の第２配線層１９はモジュール基板３５の配線よりも高精度であるため、配線集積度を高めることができるので、モジュール基板３５も含めたモジュール全体の小型化が可能となる。
【００５３】
また、上述のように、容量成分およびインダクタ成分がパターニングされた積層基板を実装型電子部品３１に含めてもよい。これにより、モジュール基板３５および樹脂層３６を省略することができる。
【００５４】
図３はフロントエンド回路部品１０の回路図である。フロントエンド回路部品１０はＲＦスイッチ４１、デュプレクサ４２および外部端子４３を備える。ＲＦスイッチ４１は、複数の端子と、スイッチ制御部４７の制御により前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有する。ＲＦスイッチ４１の共通端子はアンテナ４６に接続されている。ＲＦスイッチ４１の前記端子はデュプレクサ４２を介して受信制御部４８および送信制御部４９に接続されている。
【００５５】
ＲＦスイッチ４１は、実装型電子部品３１（図１参照）であるＲＦスイッチ３２により実現されている。デュプレクサ４２はベース体弾性波フィルタ１１および弾性波フィルタ３３により実現されている。外部端子４３は実装用端子２５により実現されている。ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２との間の配線は引出配線１８および第２配線層１９のみで実現されている。
【００５６】
第１の実施形態では、上述のように、フロントエンド回路部品１０の内部の配線のみで、ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２とが接続されている。このため、回路基板に実装型電子部品を平置きする構成に比べて、ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２との間の線路長を短くすることができるので、良好なデバイス特性を得ることができる。また、フロントエンド回路部品１０の外部の配線を用いてＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２とを接続する場合に比べて、フロントエンド回路部品１０の外部端子４３の数を削減することができる。なお、ＲＦスイッチ４１とデュプレクサ４２との間の配線の一部がフロントエンド回路部品１０の外部の配線で実現されてもよい。この場合でも、効果が幾分小さくなるが、同様の効果を得ることができる。
【００５７】
図４はフロントエンド回路部品５０の回路図である。フロントエンド回路部品５０は第１の実施形態に係るフロントエンド回路部品の第２の実施例である。フロントエンド回路部品５０は、フロントエンド回路部品１０の構成に加えて、スイッチ５１，５２を備える。ＲＦスイッチ５１，５２は本発明の高周波スイッチに相当する。
【００５８】
スイッチ５１，５２は、複数の端子と、スイッチ制御部４７の制御により前記端子のいずれかに接続される共通端子とを有する。スイッチ５１の前記端子はデュプレクサ４２の受信側端子に接続されている。スイッチ５１の共通端子は受信制御部４８に接続されている。スイッチ５２の前記端子はデュプレクサ４２の送信側端子に接続されている。スイッチ５２の共通端子は送信制御部４９に接続されている。フロントエンド回路部品５０の他の構成はフロントエンド回路部品１０と同様である。
【００５９】
フロントエンド回路部品５０では、デュプレクサ４２の受信側端子をスイッチ５１により束ね、デュプレクサ４２の送信側端子をスイッチ５２により束ねている。これにより、フロントエンド回路部品１０に比べて、外部端子４３の数を削減することができる。また、フロントエンド回路部品５０に搭載される周波数バンドが増えても、外部端子４３の数が増えずに済む。
【００６０】
図５〜図８は、フロントエンド回路部品１０の製造方法を示す模式的断面図である。まず、図５（Ａ）に示すように、複数の通過帯域を有する共振器パターンが形成されるように、フォトリソグラフィ法等により圧電ウエハ１２１の上面にＩＤＴ電極１３を形成する。この際、それぞれの通過帯域に応じてＩＤＴ電極１３の膜厚を変える。
【００６１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、圧電ウエハ１２１の上面に複数の金属膜を積層することにより、第１配線層１４を形成する。第１配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続される。第１配線層１４はフォトリソグラフィ法等により形成される。次に、スパッタリング等によりＩＤＴ電極１３および第１配線層１４の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）を形成する。そして、第１配線層１４と引出配線１８（図６（Ｂ）参照）とを接続することができるように、ドライエッチングによりＳｉＯ２保護膜に開口部を形成する。
【００６２】
次に、図５（Ｃ）に示すように、スピンコート法により圧電ウエハ１２１の上面に感光性樹脂を塗布する。そして、ＩＤＴ電極１３が露出するように、かつ、引出配線１８に対応する箇所に開口部が形成されるように、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂をパターニングする。これにより、支持層１５が形成される。
【００６３】
次に、図５（Ｄ）に示すように、ロールラミネート法等により感光性樹脂シートを支持層１５の上面に貼り合わせる。そして、支持層１５の開口部に対応する箇所に開口部が形成されるように、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂シートをパターニングする。これにより、カバー層１６およびビア２６が形成されるとともに、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間１７が形成される。
【００６４】
次に、図６（Ａ）に示すように、電解メッキにより、ビア２６に引出配線１８を形成するとともに、カバー層１６の上面に第２配線層１９を形成する。引出配線１８は第１配線層１４および第２配線層１９に接続される。具体的には、次のように引出配線１８および第２配線層１９を形成する。まず、スパッタリングにより、Ｃｕ／Ｔｉ膜からなるメッキ給電膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、引出配線１８および第２配線層１９を形成する部分が開口したレジストを形成する。次に、電解メッキによりＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜を形成する。次に、レジストを剥離し、エッチングにより給電膜を除去する。これにより、引出配線１８および第２配線層１９が形成される。
【００６５】
次に、スパッタリング等により第２配線層１９の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）を形成する。そして、第２配線層１９の上面のうち、実装パッドに対応する箇所および引出配線２１（図６（Ｂ）参照）に当接する箇所が露出するように、ドライエッチングによりＳｉＯ２保護膜に開口部を形成する。
【００６６】
以上の工程により、圧電ウエハ１２１にベース体弾性波フィルタ１１（図１参照）の構造が複数形成される。なお、実装型電子部品３１（図６（Ｃ）参照）を実装する際に効率良くなるように、ＩＤＴ電極１３、第１配線層１４等をレイアウトすることが好ましい。
【００６７】
次に、図６（Ｂ）に示すように、第２配線層１９の上面に柱状の引出配線（Ｃｕポスト）２１を形成する。引出配線２１を形成する工程は、厚膜タイプのレジストを用いることを除いて、引出配線１８および第２配線層１９を形成する工程と同様である。
【００６８】
次に、図６（Ｃ）に示すように、実装型電子部品３１の実装用端子（半田端子）を第２配線層１９の実装パッドに熱圧着して仮固定する。そして、還元雰囲気中において温度２５０℃でリフロー加熱することにより、実装型電子部品３１の実装用端子を第２配線層１９の実装パッドに接合する。これにより、第２配線層１９の実装パッドに、ＲＦスイッチ３２、弾性波フィルタ３３およびチップインダクタ３４が実装される。
【００６９】
次に、図７（Ａ）に示すように、実装型電子部品３１、第２配線層１９および引出配線２１を被覆するように、樹脂層２２を形成する。この際、弾性波フィルタ３３の下面とカバー層１６との間に樹脂が流入しないように、樹脂を制御する。
【００７０】
次に、図７（Ｂ）に示すように、上側から樹脂層２２を研磨することにより、引出配線２１の上端部を樹脂層２２の上面に露出させる。そして、引出配線１８および第２配線層１９を形成する工程と同様に、電解メッキにより樹脂層２２の上面にオフセット配線２３を形成する。オフセット配線２３は引出配線２１の上端部に接続される。
【００７１】
次に、図８（Ａ）に示すように、スピンコート法により樹脂層２２の上面に感光性エポキシ系材料を塗布する。そして、オフセット配線２３が露出するように、フォトリソグラフィ法により感光性エポキシ系材料をパターニングする。
【００７２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、メタルマスクを用いて半田ペーストをオフセット配線２３に印刷し、リフロー加熱、フラックス洗浄を行うことにより、実装用端子２５を形成する。実装用端子２５はオフセット配線２３に接続される。そして、一点鎖線に沿って圧電ウエハ１２１をダイシングすることにより、図１に示したフロントエンド回路部品１０が完成する。
【００７３】
《第２の実施形態》
本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路部品６０について説明する。図９はフロントエンド回路部品６０の模式的断面図である。フロントエンド回路部品６０は、第１の実施形態に係るベース体弾性波フィルタ１１に代えて、ベース体弾性波フィルタ６１を備える。ベース体弾性波フィルタ６１は、ＩＤＴ電極１３、第１配線層１４、圧電基板６２、基板６３、支持層６５、カバー層６６、半田６８、第２配線層１９，６９を有する。
【００７４】
基板６３の上面に複数の圧電基板６２が設けられている。ＩＤＴ電極１３および第１配線層１４はそれぞれの圧電基板６２の上面に形成されている。第１配線層１４はＩＤＴ電極１３に接続されている。半田６８に当接する箇所が露出するように、ＩＤＴ電極１３および配線層１４の表面にＳｉＯ２保護膜（図示せず）が形成されている。支持層６５は、それぞれの圧電基板６２を囲むように形成され、圧電基板６２の上面から延出している。カバー層６６は、ＩＤＴ電極１３の上部を覆うように形成されている。これにより、ＩＤＴ電極１３の上部に封止空間１７が形成されている。
【００７５】
カバー層６６の上面には第２配線層１９が形成され、カバー層６６の下面には第２配線層６９が形成されている。カバー層６６にはビア６４が形成されている。ビア６４に形成された配線により、カバー層６６の上面の第２配線層１９はカバー層６６の下面の第２配線層６９に接続されている。第１配線層１４は、半田６８により、カバー層６６の下面の第２配線層６９に接続されている。その他の構成は、第１の実施形態に係る構成と同様である。
【００７６】
すなわち、第２の実施形態では、ベース体弾性波フィルタ６１が複数のチップからなる。また、これらベース体弾性波フィルタ６１の複数のチップの圧電基板６２は、異なる材料や異なるカット角のものであってもよい。さらに、これら複数のチップは、すべてがフィルタチップである必要はなく、一部にＲＦスイッチなどの他の機能を有する半導体装置などのチップが混載されていてもよい。これらの場合においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
なお、上述の実施形態ではカバー層の上面および下面に配線層が形成されているが、本発明はこれに限定されない。本発明では、カバー層の内部に配線層が形成されてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１０，５０，６０…フロントエンド回路部品
１１，６１…ベース体弾性波フィルタ（弾性波フィルタ）
１２，６２，３３１…圧電基板
１３，３３２…ＩＤＴ電極
１４…第１配線層
１５，６５…支持層
１６，６６…カバー層
１７…封止空間
１８…引出配線
２１…引出配線（信号取出配線）
１９，６９…第２配線層（配線層）
２２…樹脂層
２３…オフセット配線
２４…保護層
２５…実装用端子
２６…ビア
３１…実装型電子部品
３２…ＲＦスイッチ（高周波スイッチ）
３３…弾性波フィルタ（第２弾性波フィルタ）
３４…チップインダクタ
３５…モジュール基板
３６…樹脂層
４１，５１，５２…ＲＦスイッチ（高周波スイッチ）
４２…デュプレクサ
４３…外部端子
４６…アンテナ
４７…スイッチ制御部
４８…受信制御部
４９…送信制御部
６３…基板
６４…ビア
６８…半田
１２１…圧電ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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