(57)【要約】  本発明は、熱ＣＶＤ法によるＳｉＣ薄膜のエピタキシャル成長において、ドーピング密度の面内均一性を高めることができると共に、均一な膜厚でＳｉＣ薄膜を成長させる方法を提供する。前記方法は、炭化水素ガスと珪素原料ガスとをＣ／Ｓｉ比で０．５以上１．５以下の範囲となるように炭化珪素単結晶基板上に供給し、熱ＣＶＤ法により１５００℃以上１８００℃未満の温度で反応させて、炭化珪素薄膜を炭化珪素単結晶基板上に形成する炭化珪素のエピタキシャル成長方法において、１０００℃以上１２００℃以下に加熱した炭化水素分解触媒に炭化水素ガスを接触させて、炭化水素ガスの少なくとも一部を炭素と水素とに分解してから、前記炭化珪素単結晶基板上に供給されるようにすることを特徴とする炭化珪素のエピタキシャル成長方法である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素ガス及び珪素原料ガスを熱ＣＶＤ法により反応させて、炭化珪素薄膜を炭化珪素単結晶基板上に形成する炭化珪素のエピタキシャル成長方法であって、
Ｃ／Ｓｉ比で０．５以上１．５以下の範囲となるように炭化水素ガス及び珪素原料ガスの比率を調整し、
１０００℃以上１２００℃以下に加熱した炭化水素分解触媒に前記炭化水素ガスを接触させて、前記炭化水素ガスの少なくとも一部を炭素と水素とに分解し、
前記炭化水素ガスに含有される炭素と前記珪素原料ガスに含有される珪素とを１５００℃以上１８００℃未満の温度にて前記炭化珪素単結晶基板上において反応させて、炭化珪素薄膜を生成することを特徴とする炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【請求項２】
前記炭化水素ガスの全量のうち、前記炭化水素分解触媒に接触分解される割合が５０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【請求項３】
前記炭化水素分解触媒が、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、銅、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属、或いは前記金属元素群のうち少なくとも２種の元素からなる合金で構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【請求項４】
前記炭化水素分解触媒は、炭化水素ガスと接する板状の接触面を備えたものであることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【請求項５】
前記炭化珪素単結晶基板上に形成する炭化珪素薄膜の膜厚は３μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【請求項６】
炭化水素ガスが、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、及びアセチレンからなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【請求項７】
珪素原料ガスが、シラン、ジシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、及び四塩化珪素からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【請求項８】
炭化水素ガスと珪素原料ガスとが混合した混合原料ガスの状態で、炭化水素ガスを炭化水素分解触媒に接触させることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素薄膜を成長させる炭化珪素のエピタキシャル成長方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（以下、ＳｉＣと表記する）は、耐熱性及び機械的強度に優れ、物理的、化学的に安定なことから、耐環境性半導体材料として注目されている。また、近年、高周波高耐圧電子デバイス等の基板としてエピタキシャルＳｉＣウェハの需要が高まっている。【０００３】
ＳｉＣ単結晶基板（以下、ＳｉＣ基板という）を用いて電力デバイスや高周波デバイス等を作製する場合、通常、ＳｉＣ基板上に熱ＣＶＤ法（熱化学蒸着法）によってＳｉＣ単結晶薄膜をエピタキシャル成長させたエピタキシャルＳｉＣウェハが製造される。ＳｉＣ基板上にさらにＳｉＣのエピタキシャル成長膜を形成する理由は、ドーピング密度が制御された層を使ってデバイスを作り込むためである。従って、ドーピング密度制御が不十分であると、デバイス特性が安定しないという問題が引き起こされる。ＳｉＣのドーピングガスとして窒素を使うのが一般的だが、窒素はＳｉＣのＣの位置に入るため、混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比が小さいほど窒素が結晶構造に取り込まれやすくなることが知られている。このような効果は“site competition”と呼ばれる。【０００４】
熱ＣＶＤ法を利用する場合、一般に、成長室内のホルダー上にＳｉＣ基板を載せて、ホルダーを回転させながらＳｉＣ基板の直上に例えばシランガスやクロロシランガス等の珪素原料ガスとプロパンやメタン等の炭素水素ガスとを混合した原料ガス（以下、混合原料ガスという。）を水素等のキャリアガスと共に供給して、ＳｉＣ単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる方法が採用されている（例えば非特許文献１参照）。その際ＳｉＣ基板をホルダーに載せるために、ホルダー表面にＳｉＣ基板の厚さ相当の溝を形成しておき、その中にＳｉＣ基板を配置してＳｉＣ基板を固定搭載し、ＳｉＣ基板に対して略水平となるように横から上記のような原料ガスを流すのが一般的である。【０００５】
このような構成でＳｉＣ単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる場合には、一般的には、成長室内におけるガス流れの上流側と下流側とではガスのＣ／Ｓｉ比が異なる。その理由は、窒素が結晶構造に取り込まれやすくなるように混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比を１より小さくして供給した場合、カーボンとシリコンとが１：１で消費されてＳｉＣとしてＳｉＣ基板に析出するため、下流に行くに従って混合原料ガス中のカーボンの相対量が下がり、Ｃ／Ｓｉ比は下流ほど小さくなる。カーボンとシリコンとが１：１で消費されるため、混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比を１より大きくして供給した場合、混合原料ガス中のＣ／Ｓｉは下流ほど大きくなる。【０００６】
この原理からすれば、混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比を１にしてエピタキシャル成長させれば、成長室内におけるガス流れの上流と下流のＣ／Ｓｉ比は不変である。しかしながら、混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比はエピタキシャル成長条件の重要なパラメータであり、欠陥密度低減、バンチング低減、面内均一性改善等、エピタキシャルＳｉＣウェハに求められる品質を改善するために、圧力や成長温度なども勘案して、一般には１以外の数値が選ばれる。【０００７】
例えば、特許文献１は、ケイ素源ガスと炭素源ガスとを反応させて、ウェハ上にα型炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させる工程を備える炭化珪素単結晶ウェハの製造方法を開示している。特許文献１は、良好なエピタキシャル成長という観点と、マクロな三角ピット欠陥の発生の防止という観点から、炭素源ガス中の炭素（Ｃ）と、ケイ素源ガス中のケイ素（Ｓｉ）の供給比（Ｃ／Ｓｉ）が０．５〜１．４であることが好ましいことを開示している。【０００８】
上記のようなＣ／Ｓｉ比が均一にならない問題を対処するため、熱ＣＶＤ法によるエピタキシャル装置のホルダー自体を回転させることによってガス流れの上流側と下流側との環境の変化を相殺することが原理的には可能である。しかしながら、実際にエピタキシャル成長するとホルダーの面内のドーピング密度の平均化は十分ではないことが広く知られている（例えば非特許文献２参照）。これは、混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比の変化以外にガス流れの上流と下流とで異なった状況が発生していることを示唆している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＷＯ２００５／１１６３０７号パンフレット
【特許文献２】特開昭６３−４０３１４号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３４２１号公報
【特許文献４】特開２００３−１５５５６７号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Materials Science Forum Vols.45-648(2010),pp77-82
【非特許文献２】Journal of Crystal Growth Vol.381(2013),pp139-143
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はかかる問題、すなわち、熱ＣＶＤ法によるエピタキシャル装置のホルダーを回転させているにもかかわらずホルダー面内のドーピング密度の面内均一性が平均化されず、従ってその上に配置されたＳｉＣウェハのドーピング密度の面内均一性が損なわれているという問題を解決するためになされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述した問題を解決するために、本発明者らは鋭意検討を行った結果、ドーピング密度が面内で均一にならない理由は、ガス流れの上流と下流とにおける混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比の差異ではなく、別に原因があることを突き止めた。【００１３】
すなわち、熱ＣＶＤ法を利用した従来のエピタキシャル成長方法では、Ｃ／Ｓｉ比は炭化水素ガスと珪素原料ガスとがそれぞれ完全に分解しているという前提で、１５００〜１８００℃の雰囲気中に炭化水素ガスと珪素原料ガスとを導入して、Ｃ／Ｓｉ比をパラメータとして制御しながらＳｉＣを析出させていた。【００１４】
しかしながら、成長室内におけるガス流れの上流（以下、「ガス流れの上流」という。）ではまだ十分にガスが加熱されていないため、炭化水素ガスの分解が不十分である。その結果、成長室内におけるガス流れの上流において、Ｃ／Ｓｉ比が、その設計値（理論比）よりも見掛け上小さくなったように炭化水素ガスと珪素原料ガスとが反応するため、ＳｉＣウェハがドープされ易い状況となっていた。これが、ホルダーが回転してもドーピング密度が平均化されない原因であると考えられる。【００１５】
そこで、本発明者らは、十分に加熱されていないガス流れの領域において事前に炭化水素ガスを分解しておけば、当該ガス領域において見掛け上供給されたとみなせる炭化水素ガスと珪素原料ガスのＣ／Ｓｉ比（以下、「実効的なＣ／Ｓｉ比」という。）を、供給した炭化水素ガス及び珪素原料ガスの比率（すなわち、「Ｃ／Ｓｉ比の設計値」或いは「Ｃ／Ｓｉ比の理論比」ともいう。）に近づけることができるとの結論に辿り着いた。そして、炭化水素ガスを炭素と水素に分解させる方法として、触媒を用いる事が有効であることを突き止めた。【００１６】
特許文献２は、触媒ＣＶＤ法による薄膜の製造法を開示している。特許文献２に開示された前記製造法は、二フッ化ケイ素SiF2ガス等のフッ化ケイ素系ガスを含む原料ガスの少なくとも一部を触媒反応若しくは熱分解反応させて、堆積種又はその前駆体を生成することを特徴としている。特許文献２は、C2H4ガス等の炭化水素系ガスを前記原料ガスに含める場合、アモルファスシリコンカーバイド又はその微結晶化或いは多結晶化した半導体が形成されることを開示している。【００１７】
また、特許文献３は、水素ケイ素又はその誘導体を含む原料ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した堆積種又はその前駆体を基体上に導き、所定の膜を気相成長させる成膜方法を開示している。【００１８】
また、特許文献４には、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等の遷移金属元素からなる熱フィラメントを有する反応室内に原料ガスとしてのアルキルシリコン化合物の蒸気を導入し、前記熱フィラメントを加熱することにより、前記反応室内に配置された基体上にＳｉとＣとを含む組成の膜を形成することが開示されている。【００１９】
しかし、特許文献２〜４には、ＳｉＣ単結晶薄膜を形成できることが開示されていない。尚、特許文献４に開示されたＳｉとＣとを含む前記の膜は、結晶性のＳｉＣ化合物やアモルファスＳｉＣのいずれにも属さないＳｉとＣとを任意の割合で含む混合膜である。また、特許文献２〜４には、原料ガスを触媒反応或いは熱分解反応させることによって、原料ガスのＣ／Ｓｉ比がどのように変化するかについて開示も示唆もされていない。【００２０】
炭化水素ガスと異なり、シラン、ジシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、四塩化珪素等の珪素原料ガスについては、炭化水素ガスと比べて分解速度が速いため、必ずしも触媒の助けを借りる必要はない。従って、炭化水素ガスのみを単独で触媒に接触していても、珪素原料ガスと炭化水素ガスを予め混合したあと触媒と接触しても、同様にばらつきは改善する。【００２１】
したがって、本発明の目的は、熱ＣＶＤ法によるＳｉＣ薄膜のエピタキシャル成長において、ドーピング密度の面内均一性を高めることができると共に、均一な膜厚でＳｉＣ薄膜を成長させることができる方法を提供することにある。本発明の要旨は次のとおりである。【００２２】
（１）炭化水素ガス及び珪素原料ガスを熱ＣＶＤ法により反応させて、炭化珪素薄膜を炭化珪素単結晶基板上に形成する炭化珪素のエピタキシャル成長方法であって、Ｃ／Ｓｉ比で０．５以上１．５以下の範囲となるように炭化水素ガス及び珪素原料ガスの比率を調整し、１０００℃以上１２００℃以下に加熱した炭化水素分解触媒に炭化水素ガスを接触させて、炭化水素ガスの少なくとも一部を炭素と水素とに分解し、炭化水素ガスに含有される炭素と珪素原料ガスに含有される珪素とを１５００℃以上１８００℃未満の温度にて炭化珪素単結晶基板上において反応させて、炭化珪素薄膜を生成することを特徴とする炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
（２）炭化水素ガスの全量のうち、炭化水素分解触媒に接触分解される割合が５０％以上であることを特徴とする（１）に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
（３）炭化水素分解触媒が、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、銅、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムからなる金属元素群から選ばれる少なくとも１種の金属、或いは前記金属元素群のうち少なくとも２種の元素からなる合金で構成されることを特徴とする（１）又は（２）に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
（４）炭化水素分解触媒は、炭化水素ガスと接する板状の接触面を備えたものであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
（５）炭化珪素単結晶基板上に形成する炭化珪素薄膜の膜厚は３μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
（６）炭化水素ガスが、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、及びアセチレンからなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
（７）珪素原料ガスが、シラン、ジシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、及び四塩化珪素からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
（８）炭化水素ガスと珪素原料ガスとが混合した混合原料ガスの状態で、炭化水素ガスを炭化水素分解触媒に接触させることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、成長室内において十分に加熱されていないガス流れの領域においても実効的なＣ／Ｓｉ比を設計した理論比に近づけることができることから、熱ＣＶＤ法によるエピタキシャル装置のホルダー全体にわたってドーピング密度の面内均一性を大幅に改善することができる。そのため、このホルダー上に配置されるＳｉＣウェハがいかなる配置をとっていてもＳｉＣウェハ面内のドーピング密度の均一性が向上し、また、複数のＳｉＣウェハを配置した場合におけるＳｉＣウェハ間のドーピング密度のばらつきも改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明が好適に用いられるエピタキシャル装置の概略図である。
【図２】図２は、ホルダー面内のドーピング密度の均一性がその上に配置されたＳｉＣウェハの面内均一性に反映されることを視覚的に説明する図である。
【図３】図３は、本発明の具体的なエピタキシャル装置の一例を示す図である。
【図４】図４は、板状の触媒を用いて触媒槽を形成した例を示す模式図である。
【図５】図５は、本発明によるエピタキシャル成長で得られたエピタキシャルＳｉＣウェハの面内２５点測定した膜厚とドーピング密度の面内分布の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明について詳細に説明する。
図１は、本発明が好適に用いられるエピタキシャル装置の概略図であって、従来、熱ＣＶＤ法で一般的に使われている構造と同様のものを模式的に示したものである。このエピタキシャル装置は、反応容器１の成長室内にホルダー２を備えており、反応容器１の外側には、まわりを取り囲むように加熱用誘導コイル３が取り付けられている。また、反応容器１の一方からは、ホルダー２に対して略水平となるように、炭化水素ガス４と珪素原料ガス５とがそれぞれ水素ガス等のキャリアガスと共に横から供給されるようになっており、他方からはエピタキシャル成長に使われた後のガスが排気ガス６として排出されるようになっている。このうち、ホルダー２は、カーボン部材にＳｉＣコートされた耐熱性のある構造材であって、その最上部に溝が形成されており、当該最上部にＳｉＣウェハが配置される。また、このホルダー２は回転機構を備えることによって、ウェハ面内の不均一性を改善したり、複数のＳｉＣウェハを同時処理した場合のＳｉＣウェハ間のばらつきを抑制できるようになっている。
【００２６】
ホルダー全体のドーピング密度の均一性の改善は、ＳｉＣウェハ面内のドーピング密度の不均一性改善やＳｉＣウェハ間のばらつき抑制につながる。何故なら、ＳｉＣウェハをどのように配置しても、ホルダー上のドーピング密度の均一性は、ＳｉＣウェハ面内のドーピング密度の均一性、およびＳｉＣウェハ間のドーピング密度のばらつき抑制に反映されるからである。
【００２７】
図２は、ホルダー面内のドーピング密度の均一性がその上に配置されたＳｉＣウェハの面内均一性に反映されることを視覚的に説明している。すなわち、図２に示したように、たとえホルダー２が回転機構を備えており、ＳｉＣウェハを水平面内で回転させても、成長室内に供給された炭化水素ガスの分解が不十分である場合、ガス流れの上流においてＣ／Ｓｉ比が小さくなり、ホルダー２の中心側に比べて周辺側がドープされ易い状況となってしまう。
【００２８】
そのため、触媒を用いて予め炭化水素ガスの少なくとも一部を接触分解して、炭化水素ガスの分解ガスと未分解の炭化水素ガスとを含む炭素含有ガスを成長室内に供給する。前記炭化水素ガスの分解ガスは、メチル基(CH3)あるいはメチリデン基(CH2)あるいはメチリディン基(CH)等のモノカーボン炭化水素ガス及び／或いはカーボン原子からなる混合ガスと考えられる。このように、炭化水素ガスの少なくとも一部を分解することで、ホルダー全体でのドーピング密度の均一性が確保されて、ＳｉＣウェハ面内、ＳｉＣウェハ間の両方のドーピング密度の均一性が同時に改善され、ＳｉＣ薄膜の膜厚均一性も同様に改善することができる。なお、図２におけるホルダー２内での色の濃淡はドーピング密度や膜厚の大小を模式的に示すものである。また、図２では、ＳｉＣウェハを６枚置き（Ａ〜Ｆ）した例と３枚置き（１〜３）した例を示しているが、１枚置きをはじめこれら以外の枚数であっても勿論よく、また、ホルダー２へのＳｉＣウェハの配置方法はいかなる配置としても本発明の目的が達成される。
【００２９】
前述したように、ホルダー全体のドーピング密度の均一性を損ねている原因は、エピタキシャルＳｉＣの炭素成分を含有する原料ガス流れの上流において炭化水素ガスが十分に分解していないためと考えられる。ここで、前記炭素成分の原料である炭化水素ガスとしてプロパン（C3H8）を用い、珪素原料ガスとしてシラン（SiH4）を用いて、Ｃ／Ｓｉ比を０．９として成膜する場合で説明すると、プロパンガスの炭素数は３であることから、シランガスとプロパンガスの供給量の比を０．３／１として供給することが考えられる。ところが、このとき、プロパンガスが十分に分解していればＣの量は３倍になるためＣ／Ｓｉは０．９（＝0.3×3/1）となるが、上流側で炭化水素ガスの分解が十分ではないと、Ｃ／Ｓｉ比は０．９を下回ることになる。このように、パラメータとしてのＣ／Ｓｉ比を０．９にしても、上流側では未分解分が存在するためこれを下回ることになる。
【００３０】
ところで、エピタキシャルＳｉＣウェハを得る際のドーピングガスとして窒素ガスを使うのが一般的だが、上述したように、窒素（N）はＳｉＣのＣの位置に入るため、炭化水素ガスと珪素原料ガスとを混合した混合原料ガス中のＣ／Ｓｉ比が小さいほど窒素が結晶構造に取り込まれやすくなる。従って、上流で炭化水素ガスの分解が十分ではない場合、上流における実効的なＣ／Ｓｉ比は小さくなり、結果として上流ほど窒素が取り込まれて窒素濃度が高くなる。この傾向は上流側のドーピング密度において顕著であり、上流側でドーピング密度が極端に高くなるため、仮にホルダーが回転してもホルダー周囲でドーピング密度が高くなり、中心に向かうほど低下する同心円状の分布となってしまう。
【００３１】
この問題を解決する一つの方法として、例えば、反応容器での炭化水素ガスの供給位置における温度を十分な高温状態にしておき、最初から炭化水素ガスを熱により十分に分解させておくことが有効と考えられる。そこで、実際にこれを行うために混合原料ガスの供給部材を耐熱性の高いカーボン部材にした上で、混合原料ガスの温度を高めて分解を促進させると、混合原料ガスの供給位置で炭化珪素が堆積する温度となって、供給部材上に炭化珪素の堆積が進行して混合原料ガスの供給口が閉塞するという問題があることが分かった。
【００３２】
そこで、混合原料ガスを高温にすることなく炭化水素ガスを分解する方法として触媒を用いる可能性を検討した。通常の触媒は反応点を多くするために比表面積の大きい粉末状態で用いられるが、エピタキシャル装置内には粉末を持ち込むことができないため、従来は触媒を用いるという発想はなかった。本発明者らは、比表面積が小さくても１０００℃以上の高温領域では炭化水素ガスを接触分解する触媒としての効果が得られることを見出した。また、ＳｉＣが堆積を開始する温度の手前、例えば１２００℃以下というように温度制御しておけば、上述したガス供給口への炭化珪素の堆積といった問題は起こらない。
【００３３】
供給した炭化水素ガスの全てが炭素（C）と水素（H）に分解されるのが最も望ましいが、前記炭化水素ガスの分解が一部であってもドーピング密度の均一性等を向上させる点で効果はあると考えられる。但し、十分に加熱されていないガス流れの領域における実効的なＣ／Ｓｉ比を、Ｃ／Ｓｉ比の設計値と見なせるようにするために、供給された炭化水素ガス量のうち予め分解される割合は５０％以上が好ましく、より好ましくは９０％以上である。尚、このような好ましい範囲は、ガスクロマトグラフィーを用いた分析に基づいて発明者によって見出された。
供給した炭化水素ガスを分解して本発明の効果を得るために必要な各種条件について、以下に具体的に説明する。
【００３４】
（出発原料ガス）
本発明においては、炭化水素ガス及び珪素原料ガスの比率がＣ／Ｓｉ比にて０．５以上１．５以下となるように調整して、これらの原料ガスを前記反応容器１内に供給する。これらの出発原料ガスにおける炭素（C）と珪素（Si）との理論比Ｃ／Ｓｉがこの範囲より小さく供給されると、前述したようにガス流れの下流に行くほどＣ／Ｓｉ比が小さくなり、また、Ｃ／Ｓｉがこの範囲より大きくなるとガス流れの下流に行くほどＣ／Ｓｉ比が大きくなっていくため、ドーピングガスの窒素の取り込み効率がガス流れの上流と下流とで大きく異なることになる。すなわち、この影響が本発明で意図する（着目する）炭化水素ガスの分解による影響を上回ってしまい、ＳｉＣをエピタキシャル成長させたときのドーピング密度が不均一となり、本発明の効果を十分に得ることができなくなる。
【００３５】
本発明において用いる炭化水素ガスとしては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、アセチレン等を挙げることができ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。上述したように、炭化水素ガスの分解速度がＣ／Ｓｉ比に影響してガスの供給位置に近いところで極端にドープ量が増えるため、一見すると分解の進んだと見ることができるメタンについては本発明の効果は小さいと考えられるが、検討した結果、メタンにおいても本発明が有効であることが確認された。これは、表１に示すように、炭素が２個以上ある炭化水素においてＣ−Ｃ結合はそれほど強くなく、むしろＣ−Ｈ結合の切断がエネルギー的には大きな力を必要とし、その部分を触媒でアシスト（補助）するのが有効であると考えられる。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
珪素を含んだ珪素原料ガスは、例えば、シラン、ジシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、四塩化珪素等を挙げることができ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。このうち、一般に使われているシランは、Ｓｉ−Ｈ結合は強くないため触媒の助けなしで最初からある程度分解が進行するものと考えられる。また、ジシランについてはＳｉ−Ｓｉ結合が弱いため分解挙動はシランのそれと同様と考えられる。一方、エッチング作用のある塩素を含んだシラン系ガスではその結合は比較的強いものの、分解により塩素原子が生成するとラジカル反応によって連鎖的に他の塩素を含んだシラン系ガスを分解するため、特に触媒を用いる必要はない。
【００３８】
（炭化水素分解触媒）
炭化水素ガスを接触分解する炭化水素分解触媒触媒（以下、単に「触媒」と略称する場合がある）としては、例えば、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金等のような白金族元素を用いることができる。これらの白金族元素は、通常はその微粒子をゼオライト等の担体に担持することで排ガス浄化触媒に使われているが、これらの金属元素からなる板状体であっても１０００℃といった高温では炭化水素ガスの分解速度が上昇することを示唆する結果が得られた。また、単位体積中に存在する板状の金属の表面積（すなわちガスとの接触面積）を波板状にするなどの工夫で大きくすることで、更に炭化水素ガスの分解速度が大きくなることも確認できた。
【００３９】
また、炭化水素ガスを分解する触媒として銅を用いることもできる。銅には酸素分子（O2）を解離して酸素原子(O)を生成することは広く知られているが、水素分子(H2)も解離して水素原子(H)を生成する能力も有する。このため、原子状水素によって反応ガスの活性化が起き、結果として炭化水素ガスの分解速度の上昇に繋がったものと考える事が出来る。
【００４０】
炭化水素ガスを分解する触媒として、他にはチタン、ジルコニウム、ハフニウム等の第４Ａ族元素を用いることもできる。これら第４Ａ族元素は重質炭化水素油分解用触媒として知られており、炭化水素ガスの分解に効果的に寄与する事が出来る。本発明において、炭化水素分解触媒は、上記のような白金族元素や銅、第４Ａ族元素のなかから選ばれた１種を用いることができ、２種以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。例えば、単一の金属元素からなる金属薄板を複数種類作製し、異なる金属元素の金属薄板を組み合わせてハニカム構造を有する触媒を作製しても良い。或いは、白金族元素、銅及び第４Ａ族元素のなかから選ばれた２種以上の元素を含有する合金を用いても良い。
【００４１】
炭化水素ガスを触媒と接触させる方法としては特に制限はないが、上述したように、エピタキシャル装置内に粉体が混入するおそれを排除する観点から、上記金属元素を含有する金属の表面で、炭化水素ガスと接する触媒の接触面を形成することが好ましい。従って、炭化水素分解触媒を金属で形成することが好ましい。尚、炭化水素分解触媒を金属板で形成する場合、前記金属板の板厚は、高温での変形防止及び比表面積の確保を考慮して、１００μｍ以上２ｍｍ以下であることが好ましい。この範囲の厚さの平板を用いた場合の比表面積は、５cm-1以上１００cm-1以下に相当する。
【００４２】
触媒の前記接触面は、平面状、曲面状或いは通気性を有する構造であっても良い。例えば、板状の触媒の接触面を梨地加工する等、微細な凹凸模様を前記接触面に形成して、前記接触面の表面積を増やすことは、効果的である。また、板状の触媒を波板加工して接触面積を大きくすることも有効である。更には、図４（ａ）に示したように波板加工した板状の触媒を複数並べたり、図４（ｂ）に示したように板状の触媒をハニカム構造にするなどして触媒槽７を形成し、これらを介して成長室に炭化水素ガス４が供給されるようにしてもよい。炭化水素分解触媒は、板厚が１００μｍ以上２ｍｍ以下の金属板を表面加工或いは前記板厚の金属板を用いて立体的な構造を形成するによって、比表面積を５〜１０００ｃｍ−１にすることができる。
【００４３】
（炭化水素ガスと触媒との接触条件）
本発明において、炭化水素ガスは反応容器内の成長室の手前で触媒と接触するようにするのがよく、好ましくは、例えば成長室にガスを供給するガス供給口に触媒が配置されるようにするなどして、成長室にガスが入る直前で触媒と接触させるのがよい。また、炭化水素ガスは、触媒と接触させた後に珪素原料ガスと混合して成長室に導入してもよく、予め珪素原料ガスと混合した混合原料ガスの状態で触媒と接触させて成長室に導入してもよい。
【００４４】
また、触媒を通過する際の炭化水素ガスの圧力或いは前記混合原料ガスにおける分圧は、２ｋPa以上２０ｋPa以下であることが好ましい。尚、触媒を通過する炭化水素ガスの単位時間当たりの流量の範囲は、使用する装置のサイズによって適宜設定される。
【００４５】
前述したように、ガス供給口への炭化珪素の堆積を防止する観点から、混合原料ガスと接触させる炭化水素分解触媒の温度は、１０００℃以上１２００℃以下とすることが好ましい。
【００４６】
（ＳｉＣエピタキシャル薄膜の成長条件）
また、ＳｉＣ薄膜の成長温度、すなわち、前記炭素含有ガスと前記珪素原料ガスとを反応させる温度は、１５００℃以上１８００℃未満である。この範囲を超えて成長させると、欠陥の増加、バンチング現象の出現など、エピタキシャル成長させたＳｉＣ薄膜の品質自体の低下を招くためである。従って、ＳｉＣウェハが１５００℃以上１８００℃未満になるように、ＳｉＣウェハ或いはＳｉＣ基板は加熱される。尚、成長室内で、ＳｉＣウェハと同程度の温度になるように、前記炭素含有ガスと前記珪素原料ガスを１５００℃以上１８００℃未満に加熱しても良い。
【００４７】
更に、ＳｉＣ基板上に成長させるＳｉＣ薄膜の膜厚は３μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。３μｍ未満と薄い場合にはデバイスを作り込む領域が狭くなり過ぎて信頼性を確保することが困難になり、反対に１００μｍを超えて厚い場合には、ＳｉＣウェハのそりが顕著になったり剥離しやすくなるなど、デバイスプロセスへ悪影響を与える可能性がある。
【００４８】
以上、本発明について、ホルダーに載置されたＳｉＣ基板に対して水平方向に（横から）原料ガスを流してＳｉＣ薄膜を成長させる例を示しながら説明したが、ＳｉＣ基板に対して垂直方向に原料ガスを流して成長させるような場合に適用してもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は以下の内容に制限されるものではない。【００５０】
（実施例１）
図３に示したように、触媒作用のある金属板を内蔵した触媒槽７を経由して、炭化水素ガスと珪素原料ガスとの混合原料ガスを成長室に導く構造を有したエピタキシャル装置を使って、ＳｉＣのエピタキシャル成長における触媒の効果を確認する試験を行った。先ず、白金板（縦400mm×横40mm×厚さ0.5mm）を波板状に加工したもの４枚を図４（ａ）に示したように触媒槽７として組み込み、反応容器１のガス供給口側にこの触媒槽７を設けて、プロパンガス（水素で希釈して30vol%濃度とした混合ガス）を２１０cc/分、及びシランガス（水素で希釈して50vol%濃度とした混合ガス）を２８０cc/分の流速で導入し、これらが混合した混合原料ガスを１０００℃に保持した触媒槽７を経由させて供給して、成長室のホルダー２に載置した６枚のＳｉＣ基板上にＳｉＣ薄膜をそれぞれエピタキシャル成長させた。【００５１】
このガス流量はＣ／Ｓｉ比としては２１０×０．３×３／２８０×０．５＝１．３５となる。各原料ガスは水素ガスをキャリアーとして導入し（合計で134L/分）、成長中の圧力は７．３ｋＰａとした。また、成長温度は１６５０℃とした。更には、得られるＳｉＣ薄膜でのドーピング密度が３．０×１０１５（/cm3）となるように設計し、成長室内に別途窒素ガス（水素ガスで希釈して10%濃度とした混合ガス）を１００cc/分で導入した。そして、得られるＳｉＣ薄膜の膜厚が５μｍとなるように、およそ０．５時間のエピタキシャル成長を行った。【００５２】
ここで、ＳｉＣ薄膜を成長させるＳｉＣ基板は口径が１００ｍｍであり、これらを図２に示したようにホルダー２に６枚置き（Ａ〜Ｆ）で並べて、水平方向におよそ３０ｒｐｍでホルダー２を回転させながらエピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長後、得られたエピタキシャルＳｉＣウェハの１枚（Ａの位置）について、成長したＳｉＣ薄膜の膜厚とドーピング密度の測定を面内２５点で行った。ここで、膜厚測定はＦＴ−ＩＲ装置（ナノメトリックス社製）を使用した。また、ドーピング密度測定はＣＶ測定装置（フォーディメンジョン社製CVmap92A）を使った。結果を図５に示す。【００５３】
面内２５点のばらつきは、膜厚については図５（ａ）に示したようにσ／平均値＝０．６８％であり、ドーピング密度は図（ｂ）に示したようにσ／平均値＝２．６％と良好であった。本発明はドーピング密度に対して特に有効であって、ガス供給位置に近いところでの高ドープ領域がなくなったため、制御が難しい低ドープ領域においても良好な面内均一性を確認した。更に、本発明によれば、膜厚に関しても面内均一性の向上が図られることが確認された。【００５４】
（実施例２〜２４）
触媒として用いる金属板の種類とその加工形状、及び触媒槽の温度を変えた以外は実施例１と同様にして、ＳｉＣ薄膜のエピタキシャル成長を行った。そして、取り出した１枚のエピタキシャルＳｉＣウェハの面内膜厚均一性（膜厚のばらつき）、及び面内ドーピング密度均一性（ドーピング密度のばらつき）を実施例１と同様にして評価した。結果を表２にまとめて示す。
ここで、触媒形状については、実施例１と同様に波板に加工して図４（ａ）のような触媒槽を形成したものを「波状」とし、また、触媒の金属板をハニカム構造にして図４（ｂ）のような触媒槽を形成したものを「ハニカム」として表記する。これらの触媒槽では、混合原料ガスが接触する接触面積は「波状」の場合がおよそ６４０ｃｍ２であり、「ハニカム」の場合がおよそ５０００ｃｍ２である。【００５５】
（比較例１）
触媒槽を使わず、その他の条件は実施例１と同一としてエピタキシャル成長させた。取り出したエピタキシャルＳｉＣウェハの面内膜厚均一性及び面内ドーピング密度均一性を表２に示した。触媒槽を経由せずに混合原料ガスを供給すると、原料ガスの供給位置に近いところでドーピング密度が極端に高くなるため、ホルダーが回転しても平均化が十分で はなく、ホルダー外周部でドーピング密度が高くなり、ドーピング密度の面内均一性は実施例１〜２４と比較して大幅に悪化した。また、膜厚の均一性に関しても同様に悪化することが確認された。【００５６】
【表２】
2016129685.tif 000004
【００５７】
（実施例２５）
実施例１と同様に白金板を波状にした触媒槽を備えたエピタキシャル装置を使用して、プロパンガス（水素で希釈して30%濃度とした混合ガス）を１８７cc/分で供給し、シランガス（水素で希釈して50%濃度とした混合ガス）を２８０cc/分の流速で供給して、これら の混合原料ガスが１０００℃に保持した触媒槽を経由して成長室のホルダー２に載置した６枚のＳｉＣ基板上にＳｉＣ薄膜がエピタキシャル成長するようにした。【００５８】
このガス流量はＣ／Ｓｉ比としては１８７×０．３×３／２８０×０．５＝１．２０となる。各原料ガスは水素ガスをキャリアーとして導入し（合計で134L/分）、成長中の圧力は７．３ｋＰａとした。成長温度は１６３５℃とした。そして、得られるＳｉＣ薄膜でのドーピング密度が３．０×１０１５（/cm3）となるように設計し、成長室内に別途窒素ガス（水素ガスで希釈して10%濃度とした混合ガス）を９０cc/分導入した。そして、得られるＳｉＣ薄膜の膜厚が５μｍとなるように、およそ０．５時間のエピタキシャル成長を行った。得られたエピタキシャルＳｉＣウェハの膜厚とドーピング密度の均一性を実施例１と同様に測定した結果、膜厚のばらつき（厚さ均一性）は０．６５％であり、ドーピング密度のばらつき（ドープ均一性）は２．７％であった。【００５９】
（実施例２６〜３７、比較例２〜５）
表３に示したように、珪素原料ガス（Siガス）及び炭化水素ガス（Cガス）の種類、Ｃ ／Ｓｉ比、及び成長温度を変えた以外は実施例２５と同様にして、ＳｉＣ薄膜のエピタキシャル成長を行った。取り出したエピタキシャルＳｉＣウェハの面内膜厚均一性及び面内ドーピング密度均一性を実施例１と同様に測定した。結果を表３にまとめて示す。【００６０】
【表３】
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【００６１】
以上のことから、エピタキシャルＳｉＣウェハの製造において、本発明によればドーピング密度のばらつきが抑制でき、顕著な効果があることが確かめられた。また、膜厚の面内均一性を実現する上でも効果があることが分かる。
【符号の説明】
【００６２】
１    反応容器
２    ホルダー
３    加熱用誘導コイル
４    炭化水素ガス
５    珪素原料ガス
６    排気ガス
７    触媒槽
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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