(57)【要約】  ＥＵＶ光生成装置の動作の安定性を向上させ得る。  ターゲット撮像装置は、レーザ光が照射されることによりプラズマ化して極端紫外光を生成するターゲットを撮像するターゲット撮像装置であって、前記極端紫外光が生成される所定領域に前記ターゲットとしてターゲット供給部から出力されたドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力して、前記反射光を前記撮像素子に露光させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記所定領域において前記ドロップレットに前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されている間は前記シャッタが閉じた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力してよい。
2016147910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光が照射されることによりプラズマ化して極端紫外光を生成するターゲットを撮像するターゲット撮像装置であって、
前記極端紫外光が生成される所定領域に前記ターゲットとしてターゲット供給部から出力されたドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、
前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、
前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、
前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、
前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力して、前記反射光を前記撮像素子に露光させる制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記所定領域において前記ドロップレットに前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されている間は前記シャッタが閉じた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
ターゲット撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記ドロップレットが前記所定領域に到達するまでの間に、前記シャッタ開閉信号によって前記シャッタを開いて閉じるように前記シャッタ装置を制御する、
請求項１に記載のターゲット撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する前に、前記露光信号を前記撮像素子に出力する、
請求項２に記載のターゲット撮像装置。
【請求項４】
前記撮像素子の撮像領域には、前記極端紫外光が生成される前記所定領域が含まれている、
請求項３に記載のターゲット撮像装置。
【請求項５】
前記検出信号が前記制御部に入力されるタイミングを第１タイミングとし、前記第１タイミングに対応して検出された前記ドロップレットに対して前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されるタイミングを第２タイミングとすると、
前記制御部は、
前記第１タイミングよりも後に前記シャッタが開き前記第２タイミングよりも前に前記シャッタが閉じるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力し、
前記シャッタ開閉信号を出力するタイミングと同時、及び、前記シャッタ開閉信号を出力するタイミングよりも後の何れかに、前記露光信号を前記撮像素子に出力する、
請求項１に記載のターゲット撮像装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記プラズマが生成される周期の２０％以上９８％以下の範囲に含まれる時間に亘って前記シャッタが開いた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
請求項１に記載のターゲット撮像装置。
【請求項７】
前記制御部は、２μｓ以上９．８μｓ以下の範囲に含まれる時間に亘って前記シャッタが開いた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
請求項６に記載のターゲット撮像装置。
【請求項８】
内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、
前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、
前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、
前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、
前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、
前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力して、前記反射光を前記撮像素子に露光させ、
前記撮像素子から出力された前記露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットに前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されている間は前記シャッタが閉じた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
極端紫外光生成装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記ドロップレットが前記プラズマ生成領域に到達するまでの間に、前記シャッタ開閉信号によって前記シャッタを開いて閉じるように前記シャッタ装置を制御する、
請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する前に、前記露光信号を前記撮像素子に出力する、
請求項９に記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
前記撮像素子の撮像領域には、前記極端紫外光が生成される前記プラズマ生成領域が含まれている、
請求項１０に記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
前記検出信号が前記制御部に入力されるタイミングを第１タイミングとし、前記第１タイミングに対応して検出された前記ドロップレットに対して前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されるタイミングを第２タイミングとすると、
前記制御部は、
前記第１タイミングよりも後に前記シャッタが開き前記第２タイミングよりも前に前記シャッタが閉じるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力し、
前記シャッタ開閉信号を出力するタイミングと同時、及び、前記シャッタ開閉信号を出力するタイミングよりも後の何れかに、前記露光信号を前記撮像素子に出力する、
請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記プラズマが生成される周期の２０％以上９８％以下の範囲に含まれる時間に亘って前記シャッタが開いた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
前記制御部は、２μｓ以上９．８μｓ以下の範囲に含まれる時間に亘って前記シャッタが開いた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
請求項１３に記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１５】
内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するチャンバと、
前記レーザ光を出力するレーザ装置と、
前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、
前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、
前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、
前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、
前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、
前記検出信号の入力に基づいて前記レーザ装置にレーザ光を出力させるトリガ信号を出力し、
前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記トリガ信号の入力に基づいて前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力して、前記反射光を前記撮像素子に露光させ、
前記撮像素子から出力された前記露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを移動する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットに前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されている間は前記シャッタが閉じた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
極端紫外光生成システム。
【請求項１６】
前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記ドロップレットが前記プラズマ生成領域に到達するまでの間に、前記シャッタ開閉信号によって前記シャッタを開いて閉じるように前記シャッタ装置を制御する、
請求項１５に記載の極端紫外光生成システム。
【請求項１７】
前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する前に、前記露光信号を前記撮像素子に出力する、
請求項１６に記載の極端紫外光生成システム。
【請求項１８】
前記撮像素子の撮像領域には、前記極端紫外光が生成される前記プラズマ生成領域が含まれている、
請求項１７に記載の極端紫外光生成システム。
【請求項１９】
前記検出信号が前記制御部に入力されるタイミングを第１タイミングとし、前記第１タイミングに対応して検出された前記ドロップレットに対して前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されるタイミングを第２タイミングとすると、
前記制御部は、
前記第１タイミングよりも後に前記シャッタが開き前記第２タイミングよりも前に前記シャッタが閉じるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力し、
前記シャッタ開閉信号を出力するタイミングと同時、及び、前記シャッタ開閉信号を出力するタイミングよりも後の何れかに、前記露光信号を前記撮像素子に出力する、
請求項１５に記載の極端紫外光生成システム。
【請求項２０】
前記制御部は、前記プラズマが生成される周期の２０％以上９８％以下の範囲に含まれる時間に亘って前記シャッタが開いた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する、
請求項１５記載の極端紫外光生成システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許出願公表２００７−５２８６０７号
【特許文献２】特許出願公開２０１４−１７５４７４号
【特許文献３】国際特許出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１４／０７４５９４号
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るターゲット撮像装置は、レーザ光が照射されることによりプラズマ化して極端紫外光を生成するターゲットを撮像するターゲット撮像装置であって、前記極端紫外光が生成される所定領域に前記ターゲットとしてターゲット供給部から出力されたドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力して、前記反射光を前記撮像素子に露光させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記所定領域において前記ドロップレットに前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されている間は前記シャッタが閉じた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力してもよい。
【０００６】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力して、前記反射光を前記撮像素子に露光させ、前記撮像素子から出力された前記露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットに前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されている間は前記シャッタが閉じた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力してもよい。
【０００７】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するチャンバと、前記レーザ光を出力するレーザ装置と、前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記検出信号の入力に基づいて前記レーザ装置にレーザ光を出力させるトリガ信号を出力し、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記トリガ信号の入力に基づいて前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力して、前記反射光を前記撮像素子に露光させ、前記撮像素子から出力された前記露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを移動する制御部と、を備え、前記制御部は、前記プラズマ生成領域において前記ドロップレットに前記レーザ光が照射されることにより前記プラズマが生成されている間は前記シャッタが閉じた状態となるように、前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、ターゲット撮像装置を含むＥＵＶ光生成装置の一部の構成を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器の構成を説明するための図を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部の照明光源部の構成を説明するための図を示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、図２に示された制御部におけるドロップレットの画像取得に係るタイムチャートを示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像における他の例１を示す。
【図４Ｄ】図４Ｄは、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像における他の例２を示す。
【図４Ｅ】図４Ｅは、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像における他の例３を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、バースト動作中において、図２に示された制御部におけるドロップレットの画像の取得に係るタイムチャートを示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、バースト動作中において、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。
【図５Ｃ】図５Ｃは、バースト動作中において、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像における他の例を示す。
【図６】図６は、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。
【図７Ａ】図７Ａは、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレットの画像の取得に係るタイムチャートを示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図６に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。
【図７Ｃ】図７Ｃは、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレットの画像の取得に係るタイムチャートにおける他の例を示す。
【図７Ｄ】図７Ｄは、図６に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像における他の例を示す。
【図８】図８は、第１実施形態の変形例１における軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。
【図９】図９は、第１実施形態の変形例２における軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。
【図１０】図１０は、第１実施形態の変形例３における軌道撮像部の構成を説明するための図を示す。
【図１１】図１１は、第２実施形態における軌道撮像部を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。
【図１２Ａ】図１２Ａは、第３実施形態における軌道撮像部を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。
【図１３Ａ】図１３Ａは、シャッタ装置の例としてのイメージインテンシファイアユニットの構成を示す。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、シャッタ装置の例としてのイメージインテンシファイアユニットの構成を示す。
【図１４】図１４は、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレットの画像の取得に係るタイムチャートを示す。
【図１５】図１５は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。
【実施形態】
【０００９】
〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．ターゲット撮像装置を備えるＥＵＶ光生成装置
４．１  構成：全体
４．２  構成：ドロップレット検出器
４．３  構成：軌道撮像部
４．４  動作
４．５  作用
５．課題
６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用
７．第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
７．１  構成
７．２  作用
８．第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
８．１  構成
８．２  作用
９．第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
９．１  構成
９．２  作用
１０．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
１０．１  構成
１０．２  動作
１０．３  作用
１１．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
１１．１  構成
１１．２  作用
１２．シャッタ装置
１２．１  イメージインテンシファイアユニット
１２．２  ＰＬＺＴ偏光シャッタ
１３．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
１３．１  構成
１３．２  動作
１３．３  作用
１４．各制御部のハードウェア環境
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１１】
［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
【００１２】
本開示におけるターゲット撮像装置４０は、極端紫外光が生成される所定領域にターゲット２７としてターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１の通過を検出し、ドロップレット２７１の通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器４１と、ドロップレット検出器４１により検出されたドロップレット２７１に照明光を照射する照明光源４２１ａと、照明光を照射されたことによるドロップレット２７１からの反射光を受光してドロップレット２７１を撮像する撮像素子４２２ａと、撮像素子４２２ａへの反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置４２２ｄと、撮像素子４２２ａへ撮像を行わせる露光信号を出力し、露光信号を出力している間に検出信号が入力されるとシャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、ドロップレット２７からの反射光を撮像素子４２２ａに多重露光させる制御部８Ａと、を備えてもよい。
よって、本開示におけるターゲット撮像装置４０は、プラズマ生成位置の近くにおける複数の異なるドロップレット２７１の像を多重露光しつつ、プラズマ光が含まれないドロップレット２７１の画像を取得し得る。
このため、制御部８Ａは、撮像素子４２２ａにより取得された画像に基づいて、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を向上させ得る。
【００１３】
［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
【００１４】
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１  構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１５】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１６】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するように構成されてもよい。
【００１７】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１８】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１９】
［３．２  動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００２０】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するように構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２１】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するように構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するように構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２２】
［４．ターゲット撮像装置を備えるＥＵＶ光生成装置］
［４．１  構成：全体］
図２を用いて、ターゲット撮像装置４０を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２は、図１に示されたＥＵＶ光生成装置１におけるターゲット供給部２６、及び、ターゲットセンサ４に相当するターゲット撮像装置４０の構成であってもよい。なお図２においてはチャンバ２を図示していない。
【００２３】
図２に示すように、ターゲット供給部２６は、ターゲットステージ７４に載置されてよい。
ターゲットステージ７４は、チャンバ２に対して、ターゲット供給部２６を移動させる２軸ステージであってよい。ターゲットステージ７４は、例えば、Ｘ軸方向及びＺ軸方向にターゲット供給部２６を移動させるステージであってもよい。
ターゲット供給部２６は、ノズル２６２を介してドロップレット状のターゲット２７を、プラズマ生成領域２５に向けて出力するように構成されてよい。ノズル２６２からプラズマ生成領域２５に移動するターゲット２７の移動経路は、ドロップレット軌道Ｆであってよい。
【００２４】
ターゲット撮像装置４０は、ドロップレット検出器４１と、軌道撮像部４２と、制御部８と、を含んでいてよい。ドロップレット検出器４１と、軌道撮像部４２と、はチャンバ２に配置されてもよい。
【００２５】
ドロップレット検出器４１は、ドロップレット軌道Ｆ上に配置されてよい。ドロップレット検出器４１は、ノズル２６２に対してターゲット２７の移動方向下流側に配置されてよい。
【００２６】
軌道撮像部４２は、ドロップレット検出器４１とプラズマ生成領域２５との間に配置されてよい。軌道撮像部４２は、ドロップレット軌道Ｆ上において、プラズマ生成領域２５に対してターゲット２７の移動方向上流側の領域を通過するターゲット２７を撮像するように配置されてもよい。例えば、軌道撮像部４２による撮像領域は、プラズマ生成領域２５から１７ｍｍ、ターゲット供給部２６側に離れた領域であってもよい。
軌道撮像部４２は、例えば図中のＸ軸方向など、ドロップレット軌道Ｆに対して略直交する方向から、ターゲット２７を撮像するように配置されてよい。
【００２７】
制御部８は、ドロップレット検出器４１と、軌道撮像部４２と、ターゲットステージ７４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、レーザ装置３と、に接続されてよい。
【００２８】
［４．２  構成：ドロップレット検出器］
図３Ａを用いて、ドロップレット検出器４１の構成について説明する。
ドロップレット検出器４１は、ラインビーム光源部４１１と、受光部４１２と、を含んでよい。
【００２９】
ラインビーム光源部４１１及び受光部４１２は、ターゲット２７の一形態としてのドロップレット２７１の軌道であるドロップレット軌道Ｆを挟んで、対向するように配置されてよい。ラインビーム光源部４１１及び受光部４１２は、それぞれチャンバ壁２ａに配置されたウインドウ４１１ｃ，４１２ｃを介して、設置されてよい。
【００３０】
ラインビーム光源部４１１は、ラインビームを出力するように構成されてよい。
ラインビーム光源部４１１は、出力するラインビームがターゲット軌道Ｆと交差するように配置されてよい。
ラインビーム光源部４１１は、ＣＷレーザ、高輝度ランプ、ＬＥＤ等の光源４１１ａと、シリンドリカルレンズ等を含むラインビーム光学系４１１ｂと、を含んでよい。
【００３１】
受光部４１２は、ラインビーム光源部４１１から出力されたラインビームが、ターゲット軌道Ｆを通過して入射されるように、配置されてよい。
受光部４１２は、受光光学系４１２ｂと、フォトダイオードアレイ等のラインセンサを含む受光素子４１２ａと、を含んでよい。
受光素子４１２ａは、制御部８に接続されてよい。受光素子４１２ａは、受光光学系４１２ｂを介して、ラインビーム光源部４１１から出力されたラインビームを受光してよい。
【００３２】
［４．３  構成：軌道撮像部］
図３Ｂ及び図３Ｃを用いて、軌道撮像部４２の構成について説明する。
軌道撮像部４２は、図３Ｂに示す照明光源部４２１と、図３Ｃに示す撮像部４２２と、を含んでよい。
【００３３】
照明光源部４２１は、図３Ｂに示すように、チャンバ壁２ａに配置されたウインドウ４２１ｃを介して、ドロップレット２７１に対して照明光を照射するように構成されてよい。
照明光源部４２１は、照明光源４２１ａと、照明光学系４２１ｂと、を含んでよい。照明光源４２１ａは、レーザ、ＬＥＤ等であってよい。
【００３４】
撮像部４２２は、図３Ｃに示すように、照明光源部４２１からの照明光がドロップレット２７１により反射された反射光が、チャンバ壁２ａに配置されたウインドウ４２２ｃを介して入射するように配置されてよい。撮像部４２２は、撮像素子４２２ａと、結像光学系４２２ｂと、を含んでもよい。
【００３５】
撮像素子４２２ａは、２次元画像を撮像可能なＣＣＤ等を含んでよい。撮像素子４２２ａは、制御部８に接続されてよい。
【００３６】
［４．４  動作］
図４Ａ及び図４Ｂを用いて、制御部８が行う制御について、説明する。
図４Ａ及び図４Ｂにおける説明では、図２及び図３Ａ〜図３Ｃで説明した内容については説明を省略する。
【００３７】
図４Ａは、図２に示した制御部８の制御に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５に到達する前のドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
【００３８】
先ず、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて、ドロップレット２７１を出力してよい。
その後、ドロップレット２７１は、ラインビーム光源部４１１から出力されているラインビームを通過し得る。
なお、ターゲット供給部２６は、例えば１０μｓの間隔で、ドロップレット２７１を出力してよい。
【００３９】
受光部４１２は、図３Ａに示したように、ドロップレット２７１がラインビーム光源部４１１から出力されているラインビームを通過すると、図４Ａに示すように、ドロップレット２７１の検出に対応して、検出信号を出力してよい。
【００４０】
制御部８は、受光部４１２から出力された検出信号が入力されると、軌道撮像部４２の撮像部４２２に、露光信号を出力してよい。また制御部８は、検出信号の入力の有無に基づくことなく、軌道撮像部４２の撮像部４２２に、露光信号を出力してもよい。
撮像部４２２は、露光信号が入力されると、撮像を開始してよい。
【００４１】
制御部８は、図４Ａに示すように、検出信号が入力されたタイミングから所定の遅延時間ＴＬだけ遅延したタイミングで、レーザ装置３にレーザ発振を指示するトリガ信号を出力してよい。
ここで、遅延時間ＴＬは、検出信号に対応したドロップレット２７１が、プラズマ生成領域２５に到達した時に、レーザ装置３から出力されたレーザ光が、ドロップレット２７１に照射されるように決定しておいてよい。
【００４２】
レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力してよい。
パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光ミラー２２を経由してドロップレット２７１を照射してよい。これにより、プラズマ光が生成し得る。
【００４３】
制御部８は、図４Ａに示すように、露光信号を出力してから所定時間が経過した後に、露光信号の出力を停止してよい。ここで、露光信号の出力が開始されてから、露光信号の出力が停止されるまでの所定時間を、露光時間とする。
露光時間は、数ｍｓの時間であってよい。露光時間は、例えば８ｍｓであってもよい。
【００４４】
軌道撮像部４２の撮像部４２２は、露光信号が入力されている間に、照明光源部４２１による照明光を照射された複数のドロップレット２７１の像を多重露光してよい。
【００４５】
制御部８は、撮像部４２２から画像を読み出すため、撮像部４２２に画像読出信号を出力してよい。制御部８は、撮像部４２２から出力された画像を取得してよい。
【００４６】
ここで、図４Ｂは、制御部８が撮像部４２２から取得し得る画像の例を示す。
図４Ｂに示された画像は、例えば円形の照明範囲を通過したドロップレット２７１の積算画像となり得る。このため、画像には、楕円または線状のドロップレット２７１の軌跡が含まれ得る。
ドロップレット２７１の軌道位置における照明光源部４２１による照明範囲が撮像部４２２の画角を超える場合、制御部８は、例えば図４Ｃに示すように、線状のドロップレット２７１の軌跡を含む画像を取得し得る。
【００４７】
制御部８は、撮像部４２２から取得した画像に基づき、ドロップレット２７１の軌道位置を算出してよい。取得した画像は、例えば、図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、ドロップレット２７１の軌跡を示す楕円または線を含んだ画像となり得る。制御部８は、楕円または線の中心位置を画像座標上で算出してよい。
【００４８】
制御部８は、算出したドロップレット２７１の軌跡の中心位置を、ドロップレット２７１の実際の軌道位置と認定してよい。制御部８は、ドロップレット２７１が所望のプラズマ生成位置を通過するように、認定された実際の軌道位置に基づいて、ターゲットステージ７４を移動してもよい。
【００４９】
制御部８は、例えば、予めＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置６から指定されるプラズマ生成位置の位置情報に基づき、ドロップレット２７１が通過すべき軌道として、図４Ｂに示すように、画像座標上における指定による軌道位置を算出しておいてよい。
制御部８は、画像座標上において、ドロップレット２７１が通過すべき指定による軌道位置と、実際に得られたドロップレット２７１の実際の軌道位置との差分に基づいて、ターゲットステージ７４を移動してよい。
ここで、露光装置６から指定されるプラズマ生成位置は、プラズマ生成領域２５内における、特定の空間位置であってよい。
【００５０】
なお、図２に示したＥＵＶ光生成装置１においては、Ｚ方向が、撮像部４２２が取得した図４Ｂの画像上における横方向に対応してよい。このため、図４Ｂに示すような画像を取得した場合には、ターゲットステージ７４を、Ｚ方向に移動してよい。
この際、ターゲットステージ７４の移動量は、図４Ｂに示す画像の倍率や、差分画素数に基づいて、決定されてもよい。
【００５１】
［４．５  作用］
以上から、軌道撮像部４２により取得される画像を用いて、ターゲットステージ７４を移動させることで、ドロップレット２７１の軌道を制御し得る。このため、露光装置６から指定される所望のプラズマ生成位置において、プラズマを安定的に生成し得る。
【００５２】
［５．課題］
ＥＵＶ光生成装置１においては、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を高めるため、撮像対象であるドロップレット２７１がプラズマ生成領域に近い位置まで移動したタイミングで、軌道撮像部４２による撮像を行うべきとの要求があり得る。
このようなタイミングにおいて撮像しようとする場合、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離は、例えば、数十から数百μｍとする配置となり得る。
【００５３】
しかし、ドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が近い場合、軌道撮像部４２の撮像領域は、プラズマ生成領域２５を当該撮像領域に含む領域となり得る。
このため、図４Ｄに示すように、軌道撮像部４２が取得する画像にプラズマ光の像が映り込んでしまうことがあり得る。
また、上述のように、ドロップレット２７１の軌道位置における照明光源部４２１による照明範囲が撮像部４２２の画角を超える場合には、軌道撮像部４２は、例えば図４Ｅに示すような画像を取得し得る。すなわち、図４Ｅに示すように、線状のドロップレット２７１の像を含む画像にプラズマ光の像が映り込んでしまうことがあり得る。
このため、ドロップレット２７１の実際の軌道位置の算出は、プラズマ光の像の影響により、困難となることがあり得る。
【００５４】
そこで、ＥＵＶ光生成装置１においては、図５Ａに示すように、バースト動作におけるバースト休止中にのみ、ドロップレット２７１を撮像することが考えられていた。
ここで、バースト動作とは、ＥＵＶ光生成装置１においてＥＵＶ光の連続生成を行うバースト発光期間と、ＥＵＶ光を生成しないバースト休止期間と、を繰り返す動作であってよい。バースト動作は、露光装置６によるウエハ露光時に頻繁に用いられてよい。
【００５５】
ここで、図５Ａ〜図５Ｃを用いて、バースト動作を前提とした、ＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８の制御について、説明する。
図５Ａ〜図５Ｃに示す制御部８の制御において、図２、図３Ａ〜図３Ｃ及び図４Ａ〜図４Ｃに示したＥＵＶ光生成装置１と同一の構成、制御及び動作については、説明を省略する。なお、図５Ａ〜図５Ｃに示す制御の前提となる軌道撮像部４２の配置は、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が近い場合の配置であってよい。
【００５６】
図５Ａは、バースト動作を伴った制御部８の制御に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５の近くに到達したドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
【００５７】
制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して、露光装置６からバースト信号を受信してもよい。
バースト信号は、図５Ａに示すように、バースト発光期間の最中に露光装置６から出力される信号であってよい。またバースト信号は、例えば、バースト発光期間と、バースト休止期間と、を指定する信号であってもよい。
【００５８】
制御部８は、ドロップレット検出器４１の受光部４１２からの検出信号及び露光装置６からのバースト信号が共に入力されているタイミングにおいて、トリガ信号を出力してもよい。このため、レーザ装置３は、バースト発光期間にのみレーザ光を出力し得る。
【００５９】
また制御部８は、バースト休止期間にのみ露光信号を出力してもよい。このため、軌道撮像部４２は、プラズマ光が発光されないバースト休止期間にのみ、ドロップレット２７１を撮像し得る。
なお、露光信号の出力のタイミングは、検出信号の入力されるタイミングに同期してもしなくてもよい。
【００６０】
以上の制御部８の制御により、軌道撮像部４２は、バースト発光期間において撮像を行わないようにし得る。このため、軌道撮像部４２は、プラズマ光を撮像してしまうことを抑制し得る。よって、軌道撮像部４２は、例えば図５Ｂに示すように、プラズマ光を含まないドロップレット２７１の画像を取得し得る。
また、上述のように、ドロップレット２７１の軌道位置における照明光源部４２１による照明範囲が撮像部４２２の画角を超える場合には、軌道撮像部４２は、例えば図５Ｃに示すように、線状のドロップレット２７１の像を含み、プラズマ光の像を含まない画像を取得し得る。
【００６１】
しかし、以上のような方法では、バースト休止期間しかドロップレット２７１の軌道の制御を行うことができない。このため、プラズマ光の発生中においては、ドロップレット２７１の軌道の制御は、無制御の状態となり得る。従って、プラズマ光の発光中にドロップレット２７１の軌道が変動しても、ドロップレット２７１の軌道の制御を行うことが出来ず、ＥＵＶ光生成装置１の動作の安定性が低下するという課題があった。
【００６２】
［６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
［６．１  構成］
図６を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ａの構成について説明する。
ここで、図６は、ＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ａにおける撮像部４２２Ａの構成を説明するための図を示す。
【００６３】
第１実施形態における撮像部４２２Ａは、図３Ｃに示した撮像部４２２と異なり、シャッタ装置４２２ｄが配置されてよい。
シャッタ装置４２２ｄは、撮像素子４２２ａの受光面に隣接していてもよい。
第１実施形態の撮像部４２２Ａにおけるその他の構成は、図３Ｃに示した撮像部４２２の構成と同様であってもよい。
第１実施形態の撮像部４２２Ａの構成において、図３Ｃに示した撮像部４２２と同様の構成については説明を省略する。
【００６４】
軌道撮像部４２Ａにおける撮像部４２２Ａは、図６に示すように、シャッタ装置４２２ｄを含んでよい。
シャッタ装置４２２ｄは、撮像素子４２２ａと結像光学系４２２ｂとの間に配置されてよい。シャッタ装置４２２ｄは、制御部８Ａに接続されてよい。シャッタ装置４２２ｄは、例えば、後述のイメージインテンシファイアユニット（ＩＩＵ）であってもよい。
【００６５】
軌道撮像部４２Ａの撮像領域は、プラズマ生成領域２５を撮像領域に含む領域であってよい。
軌道撮像部４２Ａによるロップレット２７１の撮像のタイミングは、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が、例えば、数十から数百μｍの距離となるタイミングであってよい。
【００６６】
［６．２  動作］
図７Ａ〜図７Ｄを用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ａの制御について、説明する。
図７Ａ〜図７Ｄに示す制御部８Ａの制御において、図２、図３Ａ〜図３Ｃ及び図４Ａ〜図４Ｃに示したＥＵＶ光生成装置１と同一の構成、制御及び動作については、説明を省略する。
【００６７】
図７Ａは、第１実施形態に係る制御部８Ａの制御に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５の近くに到達したドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
【００６８】
制御部８Ａは、ドロップレット検出器４１の受光部４１２から検出信号が入力されると、所定の遅延時間ＴＳだけ遅延したタイミングでシャッタ開閉信号をシャッタ装置４２２ｄに出力してよい。
【００６９】
所定の遅延時間ＴＳは、ドロップレット２７１を検出したことによる検出信号に対応したプラズマ生成のタイミングに対して、数μｓ前にシャッタ開閉信号が出力されるように決定しておくとよい。所定の遅延時間ＴＳは、例えば、プラズマ生成のタイミングに対して０．２〜８μｓ前に、シャッタ開閉信号が出力されるように決定しておいてもよい。
好ましくは、所定の遅延時間ＴＳは、プラズマ生成のタイミングに対して１μｓ以上８μｓ以下の範囲に含まれる時間だけ前に、シャッタ開閉信号が出力されるように決定しておいてもよい。これにより、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタが開くタイミングは、プラズマ生成のタイミングに対して１μｓ以上８μｓ以下の範囲に含まれる時間だけ前であり得る。
また、好ましくは、所定の遅延時間ＴＳは、プラズマ生成のタイミングに対して０．２μｓ以上１μｓ以下の範囲に含まれる時間だけ前に、シャッタ開閉信号の出力が停止されるように決定しておいてもよい。これにより、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタが閉じるタイミングは、プラズマ生成のタイミングに対して０．２μｓ以上１μｓ以下の範囲に含まれる時間だけ前であり得る。
ここで、ドロップレット２７１を検出したことによる検出信号が制御部８Ａに入力されるタイミングを「第１タイミング」と定義する。
第１タイミングに対応して検出されたドロップレット２７１に対してレーザ装置３から出力されたレーザ光が照射されることによりプラズマが生成されるタイミングを「第２タイミング」と定義する。
制御部８Ａは、第１タイミングよりも後にシャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタが開き第２タイミングよりも前にシャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタが閉じるように、シャッタ開閉信号をシャッタ装置４２２ｄに出力してもよい。
【００７０】
シャッタ開閉信号は、ドロップレット２７１からの反射光を撮像素子４２２ａに伝搬させるためにシャッタ装置４２２ｄのシャッタを開くとともに、プラズマ光を遮断させるためにシャッタを閉じるように指示する信号であってよい。
シャッタ開閉信号は、数μｓの間、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタを開いた状態にする信号であってよく、シャッタを開いた状態にする時間は、２μｓ以上９．８μｓ以下の範囲に含まれる時間であってもよい。シャッタ開閉信号は、例えば７μｓ程度の間、シャッタを開いた状態にする信号であってよい。
【００７１】
シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタが開いた状態である時間は、プラズマが生成される周期の２０％以上９８％以下の範囲に含まれる時間であってよい。例えば、プラズマが生成される周期が１０μｓである場合、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタが開いた状態である時間は、２μｓ以上９．８μｓ以下の範囲に含まれる時間であり得る。
プラズマが生成される周期は、ドロップレット検出器４１がドロップレット２７１を検出したことにより出力する検出信号の出力周期と略同一であってもよい。
【００７２】
シャッタ開閉信号は、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタを開くように指示してから数μｓの時間が経過したタイミングで、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタを閉じる状態にする信号であってよい。このため、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタは、図７Ａに示すように、プラズマ光が発光されている時点において閉じられた状態となり得る。プラズマ光が発光された時点は、プラズマが生成されたタイミングであり得る。
ここで、シャッタ装置４２２ｄにおけるシャッタが開く動作の速度、シャッタが閉じる動作の速度は、各々数１００ｎｓ以下となるような動作の速度であってもよい。
【００７３】
制御部８Ａは、図７Ａに示すように、シャッタ開閉信号の出力に先立って、軌道撮像部４２Ａの撮像部４２２Ａに露光信号を出力してよい。制御部８Ａは、検出信号の入力からシャッタ開閉信号の出力までの間に、露光信号の出力を開始してもよい。
【００７４】
撮像部４２２Ａは、制御部８Ａから出力された露光信号が入力されたときに、撮像を開始してよい。撮像部４２２Ａの撮像素子４２２ａは、シャッタ装置４２２ｄのシャッタが開いている間の画像を取得し得る。
【００７５】
制御部８Ａは、図７Ａに示すように、検出信号に所定の遅延時間ＴＬを付加して、レーザ装置３にトリガ信号を出力してよい。
【００７６】
レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力してよい。
パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光ミラー２２を経由してドロップレット２７１を照射してよい。このため、プラズマ光が生成し得る。
【００７７】
制御部８Ａは、図７Ａに示すように、撮像素子４２２ａに露光信号を出力している間に、ドロップレット２７１の検出信号の入力に基づくシャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力を、当該検出信号が入力される度に行ってよい。あるいは、バースト発光期間の最中のみ、シャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力は、トリガ信号の入力に基づいて行うようにしてもよい。
【００７８】
撮像素子４２２ａは、図７Ａに示すように、露光信号が入力されている間に、シャッタ装置４２２ｄのシャッタが開いた状態となる度に、異なるドロップレット２７１を撮像してよい。
撮像素子４２２ａは、露光信号が入力されている間に、照明光源部４２１によって照明された複数のドロップレット２７１の像を多重露光してよい。
撮像素子４２２ａは、シャッタ装置４２２ｄが開いている時間だけの画像を多重露光してよい。
撮像素子４２２ａは、図７Ａに示すように、プラズマ光が発光されている間は、シャッタ装置４２２ｄのシャッタが閉じられた状態となっているため、プラズマ光が入射されるのを抑制され得る。
あるいは、シャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力は、異なる２つのドロップレットによる２つの検出信号の入力に基づいて行われてもよい。例えば、先行するドロップレットによる検出信号に基づいてシャッタを開とし、後続するドロップレットの検出信号に基づいてシャッタを閉としてもよい。
【００７９】
制御部８Ａは、露光信号の出力を停止した後に、撮像素子４２２ａから画像を読み出すため画像読出信号を出力してよい。制御部８Ａは、撮像素子４２２ａから出力された画像を取得してよい。
【００８０】
制御部８Ａは、例えば図７Ｂに示すような画像を取得し得る。制御部８Ａは、図４Ｂに示した画像の場合と同様に、取得された画像を用いて、ドロップレット２７１の軌道の制御に利用し得る。
【００８１】
図７Ｃは、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の制御部８Ａにおけるドロップレット２７１の画像の取得に係るタイムチャートにおける他の例を示す。
制御部８Ａは、図７Ａに示すような制御に代えて、図７Ｃに示すような制御を行ってもよい。図７Ｃに示す制御部８Ａの制御において、図７Ａを用いて説明した内容と同一の内容については、説明を省略する。
【００８２】
制御部８Ａは、例えば１０μｓの周期でドロップレット２７１の検出信号を入力する毎に、第１タイミングから以下の遅延時間ＴＳだけ遅延したタイミングでシャッタ開閉信号を出力してよい。
遅延時間ＴＳは、第２タイミングに対して、７μｓ前にシャッタ開閉信号が出力されるように決定されてよい。
【００８３】
制御部８Ａは、第２タイミングに対して、７μｓ前にシャッタ開閉信号を出力し、第２タイミングよりも０．２μｓ前にシャッタ開閉信号の出力を停止してよい。
すなわち、シャッタ開閉信号は、第２タイミングよりも７μｓ前にシャッタが開き第２タイミングよりも０．２μｓ前にシャッタが閉じるような信号であり得る。
これにより、シャッタは、６．８μｓに亘って開いた状態となり得る。撮像部４２２Ａは、シャッタが６．８μｓに亘って開いた状態である間、プラズマ生成位置の近くを移動するドロップレット２７１の像を撮像し得る。
【００８４】
露光時間中、複数回に亘って開閉するシャッタの開閉タイミングは、ドロップレット検出器４１によってドロップレット２７１が検出されるタイミングに同期し得る。
そのため、軌道撮像部４２Ａによって多重露光された複数の異なるドロップレット２７１の像は、互いに略同一の位置で重なり合い破線状となり得る。制御部８Ａは、例えば図７Ｄに示すような破線状のドロップレット２７１の画像を取得し得る。
【００８５】
［６．３  作用］
第１実施形態の軌道撮像部４２Ａによれば、シャッタ装置４２２ｄの動作により、プラズマ生成領域２５において発生するプラズマ光が、撮像素子４２２ａに入射してしまうことを抑制し得る。
また、軌道撮像部４２Ａは、プラズマ生成位置の近くに位置するドロップレット２７１を撮像し得る。軌道撮像部４２Ａは、プラズマ生成位置の近くにおける複数の異なるドロップレット２７１の像を多重露光し得る。
このため、軌道撮像部４２Ａは、プラズマ生成位置の近くにおける複数の異なるドロップレット２７１の像を多重露光しつつ、プラズマ光が含まれないドロップレット２７１の画像を取得し得る。
よって、制御部８Ａは、軌道撮像部４２Ａにより取得された画像に基づいて、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を向上させ得る。
また、バースト発光期間におけるプラズマ光の生成中であっても、ドロップレット２７１の軌道制御が可能になり得る。よって、ＥＵＶ光生成装置の動作の安定性が向上し得る。
【００８６】
［７．第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
［７．１  構成］
図８を用いて、第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｂの構成について説明する。
ここで、図８は、第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｂの撮像部４２２Ｂの構成を説明するための図を示す。
【００８７】
第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂは、図６に示した第１実施形態の撮像部４２２Ａと異なり、コリメート光学系４２２ｆが配置されてよい。
また、第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂは、図６に示した第１実施形態の撮像部４２２Ａと異なり、結像光学系４２２ｅがシャッタ装置４２２ｄと撮像素子４２２ａとの間に配置されてよい。
第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂにおけるその他の構成は、図６に示した撮像部４２２Ａの構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂの構成において、図６に示した撮像部４２２Ａと同様の構成については説明を省略する。
【００８８】
シャッタ装置４２２ｄは、コリメート光学系４２２ｆと結像光学系４２２ｅとの間に配置されてよい。
【００８９】
コリメート光学系４２２ｆは、ドロップレット２７１からの反射光を平行光化して、シャッタ装置４２２ｄに入射するように構成されてよい。
【００９０】
結像光学系４２２ｅは、コリメート光学系４２２ｆにより平行光化されて、シャッタ装置４２２ｄを透過した光を撮像素子４２２ａの受光面上に結像させるように構成されてよい。
【００９１】
［７．２  作用］
第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂによれば、シャッタ装置４２２ｄには、平行光化された光が入射し得る。このため、シャッタ装置４２２ｄに備えられるシャッタが偏光シャッタ等である場合には、シャッタ装置４２２ｄを透過したことによるドロップレット２７１の像の歪みが抑制され得る。
そのため、撮像部４２２Ｂにより取得された画像に基づくドロップレット２７１の軌道の計測精度が向上し得る。
【００９２】
［８．第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
［８．１  構成］
図９を用いて、第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｃの構成について説明する。
ここで、図９は、第１実施形態の変形例２のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｃの撮像部４２２Ｃの構成を説明するための図を示す。
【００９３】
第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃは、図６に示した撮像部４２２Ａ及び図８に示した撮像部４２２Ｂと異なり、第１リレー光学系４２２ｇ及び第２リレー光学系４２２ｈが配置されてよい。
第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃは、図８に示した撮像部４２２Ｂにおけるコリメート光学系４２２ｆ及び結像光学系４２２ｅの代わりに、第１リレー光学系４２２ｇ及び第２リレー光学系４２２ｈが配置されてよい。
第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃにおけるその他の構成は、図８に示した撮像部４２２Ｂの構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃの構成において、図６に示した撮像部４２２Ａ及び図８に示した撮像部４２２Ｂと同様の構成については、説明を省略する。
【００９４】
シャッタ装置４２２ｄは、第１リレー光学系４２２ｇと第２リレー光学系４２２ｈとの間に配置されてよい。
【００９５】
第１リレー光学系４２２ｇは、ドロップレット２７１からの反射光をシャッタ装置４２２ｄの受光面に結像させるように構成されてよい。
【００９６】
第２リレー光学系４２２ｈは、シャッタ装置４２２ｄを透過した光を撮像素子４２２ａの受光面上に結像させるように構成されてよい。
【００９７】
［８．２  作用］
第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃによれば、シャッタ装置４２２ｄの受光面において、ドロップレット２７１の像を結像させ得る。このため、シャッタ装置４２２ｄに備えられるシャッタがマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）を用いたイメージインテンシファイア（ＩＩＵ）等である場合には、シャッタ装置４２２ｄを透過したことによるドロップレット２７１の像のボケが抑制され得る。
そのため、撮像部４２２Ｃにより取得された画像に基づくドロップレット２７１の軌道の計測精度が向上し得る。
【００９８】
［９．第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
［９．１  構成］
図１０を用いて、第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｄの構成について説明する。
ここで、図１０は、第１実施形態の変形例３のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｄの構成を説明するための図を示す。
【００９９】
第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄは、図６に示した撮像部４２２Ａ、図８に示した撮像部４２２Ｂ及び図９に示した撮像部４２２Ｃと異なり、部分反射ミラー４２２ｉが配置されてよい。
第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄは、図６に示した撮像部４２２Ａに、照明光源４２２ｊ及び照明光学系４２２ｋが配置されてよい。
第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄにおけるその他の構成は、図６に示した撮像部４２２Ａの構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄの構成において、図６に示した撮像部４２２Ａ、図８に示した撮像部４２２Ｂ及び図９に示した撮像部４２２Ｃと同様の構成については、説明を省略する。
【０１００】
撮像部４２２Ｄは、図１０に示すように、部分反射ミラー４２２ｉが備えられてよい。
撮像部４２２Ｄは、撮像素子４２２ａと、結像光学系４２２ｂと、シャッタ装置４２２ｄと、部分反射ミラー４２２ｉと、照明光源４２２ｊと、照明光学系４２２ｋとを、同一の筐体内に備えてよい。
【０１０１】
部分反射ミラー４２２ｉは、照明光源４２２ｊから出力された照明光をドロップレット２７１に向けて反射してよい。
部分反射ミラー４２２ｉは、照明光を照射されたことによるドロップレット２７１からの反射光を結像光学系４２２ｂに透過させてよい。
ウインドウ４２２ｃは、照明光源４２２ｊから出力された照明光を透過させるとともに、ドロップレット２７１からの反射光を透過させてよい。
部分反射ミラー４２２ｉは、偏光ビームスプリッタであってもよい。その場合、照明光源４２２ｊが偏光ビームスプリッタによって反射される偏光の光を出力し、部分反射ミラー４２２ｉからドロップレット２７１までの光路にλ／４板を配置するとよい。あるいは、照明光源４２２ｊが偏光ビームスプリッタを透過する偏光の光を出力する場合は、照明光源４２２ｊから部分反射ミラー４２２ｉまでの照明光路にλ／２板を配置してもよい。
【０１０２】
［９．２  作用］
第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄによれば、軌道撮像部４２Ｄをコンパクトに構成し得る。
また、ドロップレット２７１へ照明光が照射された方向から反射光を検出し得るため、ドロップレット２７１の画像の計測精度が向上し得る。
【０１０３】
［１０．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
［１０．１  構成］
図１１を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｅの構成について説明する。
ここで、図１１は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｅの構成を説明するための図を示す。
【０１０４】
第２実施形態の軌道撮像部４２Ｅは、図２に示した軌道撮像部４２と異なり、第１照明光源部４２１Ｐ及び第１撮像部４２２Ｐに加え、第２照明光源部４２１Ｑ及び第２撮像部４２２Ｑが配置されてよい。
第２実施形態の軌道撮像部４２Ｅにおけるその他の構成は、図２に示した軌道撮像部４２の構成と同様であってもよい。
第２実施形態の軌道撮像部４２Ｅの構成において、図２に示した軌道撮像部４２と同様の構成については、説明を省略する。
【０１０５】
第２実施形態における軌道撮像部４２Ｅは、図１１に示すように、第１照明光源部４２１Ｐ及び第１撮像部４２２Ｐと、第２照明光源部４２１Ｑ及び第２撮像部４２２Ｑと、を含んでよい。
【０１０６】
第１撮像部４２２Ｐは、例えば、Ｘ軸方向からドロップレット２７１を撮像するように配置されてよい。
第２撮像部４２２Ｑは、例えば、Ｚ軸方向からドロップレット２７１を撮像するように配置されてよい。
【０１０７】
第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑの撮像領域は、プラズマ生成領域２５を撮像領域に含む領域であってよい。
第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑによるロップレット２７１の撮像のタイミングは、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が、例えば、数十から数百μｍの距離となるタイミングであってよい。
【０１０８】
第１照明光源部４２１Ｐは、ドロップレット２７１からの反射光が第１撮像部４２２Ｐに入射されるように、配置されてよい。
第２照明光源部４２１Ｑは、ドロップレット２７１からの反射光が第２撮像部４２２Ｑに入射されるように、配置されてよい。
【０１０９】
ターゲットステージ７４は、図２において示したＥＵＶ光生成装置１と同様に、例えば、Ｘ軸方向及びＺ軸方向にターゲット供給部２６を移動させるステージであってよい。
ターゲットステージ７４は、第１撮像部４２２Ｐの撮像するＸ軸方向と直交する方向、つまり、Ｚ軸方向にターゲット供給部２６を移動させてよい。
また、ターゲットステージ７４は、第２撮像部４２２Ｑの撮像するＺ軸方向と直交する方向、つまり、Ｘ軸方向にターゲット供給部２６を移動させてよい。
【０１１０】
ターゲットステージ７４の移動方向と、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑの撮像する方向とについては、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に限らなくてもよい。
ターゲットステージ７４の移動方向の一方が第１撮像部４２２Ｐの撮像方向と直交し、ターゲットステージ７４の移動方向の他方が第２撮像部４２２Ｑの撮像方向と直交する関係であってもよい。
【０１１１】
［１０．２  動作］
図１１に示す第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ｂの制御について、説明する。
図１１に示す制御部８Ｂの制御において、図４Ａ〜図４Ｃ及び図７Ａ〜図７Ｄに示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
【０１１２】
制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑに、露光信号を出力してよい。また制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑから、各々の撮像方向から撮像して得られたドロップレット２７１の各々の画像を取得してよい。
【０１１３】
制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐから入力された画像に基づいて、第１撮像部４２２Ｐの撮像方向と直交する方向におけるターゲットステージ７４の移動量を算出してよい。
制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐの撮像方向と直交する方向に、算出された移動量に基づいて、ターゲットステージ７４を移動させてよい。
【０１１４】
制御部８Ｂは、第２撮像部４２２Ｑから入力された画像に基づいて、第２撮像部４２２Ｑの撮像方向と直交する方向におけるターゲットステージ７４の移動量を算出してよい。
制御部８Ｂは、第２撮像部４２２Ｑの撮像方向と直交する方向に、算出された移動量に基づいて、ターゲットステージ７４を移動させてよい。
【０１１５】
［１０．３  作用］
第２実施形態における軌道撮像部４２Ｅによれば、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑにより、２方向からドロップレット２７１の画像を取得し得る。
このため、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑから出力された各々の画像に基づいて、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を向上し得る。
【０１１６】
［１１．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
［１１．１  構成］
図１２Ａ及び図１２Ｂを用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｆの構成について説明する。
ここで、図１２Ａは、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｆの構成を説明するための図を示す。
【０１１７】
第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆは、図２に示した軌道撮像部４２及び図１１に示した軌道撮像部４２Ｅと異なり、軌道撮像部４２Ｆに含まれる撮像部４２２Ｒの撮像方向が、ドロップレット２７１の軌道方向に略沿う方向となるように、当該撮像部４２２Ｒが配置されてよい。
第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆにおけるその他の構成は、図２に示した軌道撮像部４２の構成と同様であってもよい。
第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆの構成において、図２に示した軌道撮像部４２と同様の構成については、説明を省略する。
【０１１８】
撮像部４２２Ｒは、図１２Ａに示すように、撮像方向がドロップレット２７１の軌道方向（例えばＹ軸方向）に略平行な方向となるように、配置されてよい。
撮像部４２２Ｒは、撮像方向とドロップレット２７１の軌道方向との角度差が小さくなるように、配置されてよい。
あるいは、撮像部４２２Ｒは、撮像方向がターゲットステージ７４の移動方向に対して略垂直となるように、配置されてもよい。
【０１１９】
第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆにおいて、図１２Ｂに示すように、撮像部４２２Ｒにより取得される画像上の縦横の方向は、ターゲットステージ７４の移動方向である２方向に略一致してよい。
【０１２０】
撮像部４２２Ｒの撮像領域は、プラズマ生成領域２５を撮像領域に含む領域であってよい。
撮像部４２２Ｒによるロップレット２７１の撮像のタイミングは、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が、例えば、数十から数百μｍの距離となるタイミングであってよい。
【０１２１】
［１１．２  作用］
第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆによれば、例えば図１２Ｂに示すように、ドロップレット２７１の進行方向に略平行な方向を撮像方向として、ドロップレット２７１の画像を取得し得る。
このため、単一の画像上で、露光装置６から要求されているドロップレット２７１の指定による軌道位置と、ドロップレット２７１の実際の軌道位置との距離の差が、２方向に亘り特定し得る。よって、異なる方向から撮像して複数の画像を取得した場合と、同様の効果を得られる。
【０１２２】
［１２．シャッタ装置］
［１２．１  イメージインテンシファイアユニット］
撮像部４２２Ａ〜４２２Ｄ、第１撮像部４２２Ｐ、第２撮像部４２２Ｑ及び撮像部４２２Ｒに含まれるシャッタ装置４２２ｄは、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すような構成であってもよい。
【０１２３】
図１３Ａ及び図１３Ｂに示すシャッタ装置４２２ｄは、マイクロチャンネルプレート（以下、ＭＣＰという）を利用したイメージインテンシファイア（以下、ＩＩＵという）であってもよい。
ＩＩＵは、入射光により光電面から放出された光電子を増幅して蛍光面に結像及び発光させ、光学像を取得可能な真空管であってもよい。
【０１２４】
ここで、図１３Ａを用いて、ＭＣＰを利用したＩＩＵの動作原理を説明する。
【０１２５】
ＭＣＰを利用したＩＩＵは、図１３Ａに示すように、光電面と、ＭＣＰと、蛍光面と、を含んでもよい。
光電面及び蛍光面は、ＭＣＰを挟んで配置されてよい。
ＩＩＵは、ゲート信号のＯＮ又はＯＦＦに応じてＭＣＰと光電面との間に電位差を与える構成であってもよい。
【０１２６】
図１３Ａの（ａ）に示すように、ゲート信号がＯＮである場合、光電面の電位はＭＣＰの入力側電位より低くなるように構成してもよい。この場合、光電面から放出される光電子は、当該電位差によりＭＣＰに到達し得る。
このため、ゲート信号がＯＮである場合、光電面から放出される光電子はＭＣＰで増倍され、撮像素子４２２ａは増倍された電子に応じた光学像を受光し得る。
【０１２７】
一方、図１３Ａの（ｂ）に示すように、ゲート信号がＯＦＦである場合、光電面の電位はＭＣＰの入力側電位より高くなり得る。この場合、光電面から放出される光電子は、光電面に引き戻され、ＭＣＰに到達し得ない。このため、ゲート信号がＯＦＦである場合、光電面から放出される光電子はＭＣＰで増倍されず、撮像素子４２２ａは光学像を受光し得ない。
このようにして、図１３Ａに示すＩＩＵは、ゲート信号のＯＮ又はＯＦＦに応じて、シャッタ機能を実現し得る。
【０１２８】
次に、図１３Ｂを用いて、実際のＩＩＵの動作を説明する。図１３Ｂに示すＩＩＵは、入射窓と、光電面と、ＭＣＰと、蛍光面と、出力窓とを含んでもよい。
なお、図１３Ｂの「ｐ」は光子を示し、「ｅ」は電子を示している。
【０１２９】
入射窓は、入射光を光電面に導入してもよい。
撮像対象であるドロップレット２７１の像は、入射窓を介して、光電面に結像されてよい。
光電面は、入射光を光電子に変換して、ＭＣＰに放出してもよい。
ＭＣＰは、光電子を通すチャンネルを多数束ねた構造に形成されてもよい。ＭＣＰは、光電子がチャンネルを通過する際にチャンネルの内壁に衝突すると２次電子を放出してもよい。それによりＭＣＰは、光電面から放出された光電子を増倍して２次電子を蛍光面に放出してもよい。
蛍光面は、ＭＣＰで増倍された電子を光に変換し、出力窓に導いてもよい。
出力窓は、撮像素子４２２ａの受光面に隣接していてもよい。出力窓は、蛍光面から導かれた光を、出射光として撮像素子４２２ａへ導出してもよい。撮像素子４２２ａは、当該出射光を光学像として受光し得る。出力窓は、蛍光面の光を導光するファイバーオプティックプレートを含んでもよい。
なお、図示していないが、出力窓と撮像素子４２２ａとの間には、蛍光面の光学像を撮像素子４２２ａの受光面に転写する転写レンズを設けてもよい。
【０１３０】
なお、シャッタ装置４２２ｄは、プラズマ光が放射されてもシャッタ機能を実現可能であれば、ＣＣＤ電子シャッタであってもよい。
【０１３１】
［１２．２  ＰＬＺＴ偏光シャッタ］
また、シャッタ装置４２２ｄは、ＰＬＺＴ偏光シャッタであってもよい。ＰＬＺＴ偏光シャッタは、複数の偏光板を、圧電セラミクスを介してクロスニコル方向にて配置する構成であってもよい。そして、当該偏光板の間に設けられた圧電セラミクスに電圧を印加することで偏光板の偏光方向を変化させ、シャッタ機能を実現してもよい。
シャッタ装置４２２ｄは、上述した各種のシャッタと機械的シャッタとを組み合わせてもよい。
【０１３２】
［１３．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
［１３．１  構成］
第４実施形態のＥＵＶ生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ生成装置１におけるシャッタ装置４２２ｄが、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すようなＭＣＰを利用したＩＩＵで構成されてよい。
【０１３３】
［１３．２  動作］
図１４を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ａの制御について、説明する。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１における制御部８Ａが図７Ｃのタイムチャートに示す制御を行う場合に、図７Ｃに代えて図１４のタイムチャートに示す制御を行ってもよい。
【０１３４】
図１４に示すように、制御部８Ａにドロップレット２７１の検出信号が入力されたことに基づいて、制御部８Ａは、シャッタ装置４２２ｄにシャッタ開閉信号を出力してよい。これにより、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタは、開いた状態となり得る。すると、ＩＩＵの蛍光面は、ＭＣＰから放出された電子が衝突されて発光し得る。
蛍光面における発光強度は、シャッタが６．８μｓに亘って開いた状態である間は上昇し続け得る。そして、蛍光面は、シャッタが閉じた後には発光強度を低下させつつも発光し続け得る。蛍光面は、発光の開始から０．１ｍｓ程度は発光し続け得る。
そのため、蛍光面は、ドロップレット２７１の検出信号に対応したドロップレット２７１の光学像を得るための発光が終わらないうちに、当該検出信号に後続する検出信号に対応したドロップレット２７１の光学像を得るための発光が行われ得る。
【０１３５】
このため、制御部８Ａは、シャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力に先立って露光信号を出力しなくてもよい。
そこで、第４実施形態においては、図１４に示すように、制御部８Ａが露光信号を出力するタイミングは、シャッタ装置４２２ｄへシャッタ開閉信号を出力するタイミングと同時、及び、シャッタ開閉信号を出力するタイミングよりも後の何れかであってよい。
【０１３６】
露光時間中には、複数のドロップレット２７１の像が多重露光され得る。そのため、蛍光面における発光強度の最高値は、制御部８Ａがドロップレット２７１の検出信号を受信する毎に上昇し得る。
【０１３７】
［１３．３  作用］
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、制御部８Ａがシャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力に先立って露光信号を出力しなくてよい。
これにより、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、制御部８Ａが露光信号を出力するタイミングを設計する際の自由度を向上させ得る。その結果、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１の軌道制御を容易に実行し得る。よって、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１では、動作の安定性が向上し得る。
【０１３８】
［１４．各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
【０１３９】
図１５は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１５の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。
【０１４０】
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
【０１４１】
図１５におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
【０１４２】
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
【０１４３】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ〜Ｃ及びレーザ光進行方向制御部３４等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、光源４１１ａ、照明光源４２１ａ、照明光源４２２ｊ、第１照明光源部４２１Ｐ、第２照明光源部４２１Ｑ、照明光源部４２１Ｒ及びターゲットステージ７４等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、受光素子４１２ａ、撮像素子４２２ａ、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
【０１４４】
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
【０１４５】
例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ〜Ｃ及びレーザ光進行方向制御部３４の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ〜Ｃ及びレーザ光進行方向制御部３４は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
【０１４６】
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
【０１４７】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１４８】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１４９】
１                      …ＥＵＶ光生成装置
２                      …チャンバ
５                      …ＥＵＶ光生成制御部
８、８Ａ〜Ｃ            …制御部
２５                    …プラズマ生成領域
２６                    …ターゲット供給部
４０                    …ターゲット撮像装置
４１                    …ドロップレット検出器
４２、４２Ａ〜Ｆ        …軌道撮像部
４２１、４２１Ｒ        …照明光源部
４２１ａ                …照明光源
４２２、４２２Ａ〜Ｄ、４２２Ｒ…撮像部
４２２ａ                …撮像素子
４２２ｄ                …シャッタ装置
７４                    …ターゲットステージ
Ｆ                      …ドロップレット軌道
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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