(57)【要約】  構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有し、且つ構造中に−ＣＯＯ−を有さない化合物Ａと、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物Ｂを含む混合物における、ＵＶ２７４ｎｍで検出した液体クロマトグラフィーでの、化合物Ａのピーク面積を化合物Ｂのピーク面積で除した際の商Ｑが４９≦Ｑ≦４９９９９である混合物である。このような混合物は、液晶組成物や表示素子に用いることができる。本発明の混合物は、より低コストかつより短時間で製造可能であり、しかも、化合物の−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物をより完全に除去した高純度な化合物と比べても、遜色ない性能を有するので、非常に有用である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有し、且つ構造中に−ＣＯＯ−を有さない化合物Ａと、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物Ｂを含む混合物における、ＵＶ２１０ｎｍで検出した液体クロマトグラフィーでの、化合物Ａのピーク面積を化合物Ｂのピーク面積で除した際の商Ｑが４９≦Ｑ≦４９９９９である混合物。
【請求項２】
化合物Ｂは、化合物Ａ中の−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に酸化されることにより生成された化合物である、請求項１に記載の混合物。
【請求項３】
化合物Ａが一般式（Ｉ）
【化１】
2016076192.tif 000028
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表し、
ａは０、１又は２を表し、ｂは０、１、又は２を表すが、０≦ａ＋ｂ≦３であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はそれぞれ独立的に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、塩素原子、又はシアノ基で置換されていても良く、ａが２を表しＡ１が複数存在する場合、複数存在するＡ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＡ４が複数存在する場合、複数存在するＡ４は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−を表すが、Ａが２を表しＺ１が複数存在する場合、複数存在するＺ１は同一であっても異なっていても良く、Ｂが２を表しＺ２が複数存在する場合、複数存在するＺ２は同一であっても異なっていても良く、
Ｘ１はフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表す。）
で表される化合物である、請求項１又は請求項２に記載の混合物。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化２】
2016076192.tif 000029
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１がトリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表す、請求項３に記載の混合物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化３】
2016076192.tif 000030
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニルオキシ基を表す、請求項３に記載の混合物。
【請求項６】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化４】
2016076192.tif 000031
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表す、請求項３に記載の混合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の混合物を含む液晶組成物。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶表示素子を用いた液晶ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物を含む混合物、該混合物を含む液晶組成物、及び該液晶組成物を含む液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子（ＬＣＤ）は、液晶テレビ、携帯電話、コンピューター、時計、電卓、広告表示板、プリンター、各種測定機器、自動車用パネル、電子手帳など、民生用途から産業用途まで広く使用されている。これらは製品寿命が数年から十数年と比較的長いため、この間正常に動作するために、これらに使用する液晶材料には高い安定性が求められる。液晶材料の代表的な安定性の指標として電圧保持率がある。液晶表示素子が正常に動作するためには、それに使用する液晶材料の電圧保持率が十分高くなければならず、また経時劣化も抑えなければならない。【０００３】
一方、液晶材料に対する要求は高速応答化や高コントラスト化など多岐に渡る。これら物性は単独の化合物では達成することができず、複数の液晶化合物を混合し、液晶組成物として誘電率異方性（Δε）、屈折率異方性（Δｎ）等を好適な値に設定することにより、要求に対応している。高い安定性を有する液晶材料を得るためには、それを構成する各液晶化合物も高い安定性を有している必要がある。【０００４】
液晶組成物の構成成分として連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物が知られており、当該化合物は、比較的大きな誘電率異方性Δεを有することから、有用な化合物群の一つとして実際に液晶材料中で使用されている（特許文献１参照）。しかしながら、このような化合物は、その合成・精製の過程で、連結基に−ＣＯＯ−を有する化合物を不純物として含有してしまい、それが液晶材料の安定性に悪影響を与えるという問題がある。そのため、液晶組成物の成分として使用する化合物としては、連結基に−ＣＯＯ−を有する不純物をより完全に（例えば現在用い得る最良の分析手段を用いても連結基に−ＣＯＯ−を有する不純物の存在が実質的に検出し得ない程度まで）、あるいは数ｐｐｍ程度以下まで除去することが望ましい。したがって、通常は連結基に−ＣＯＯ−を有する不純物の含有量が数ｐｐｍ程度以下になるまで、再結晶等の精製操作を繰り返し行うことになるが、精製操作では連結基に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物も併せて除かれることになるため、歩留まりが悪化し、ひいてはコスト高となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第９６／１１８９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、品質を損なうことなく、より低コストで、かつより短時間で製造することが可能な混合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上述した状況に鑑み、鋭意検討した結果、構造中に−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物と、該化合物の−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物の割合が特定の範囲内であれば、安定性が高く、高品質で、且つ、必要以上の精製操作を省くことによる生産歩留まり向上と生産コストの抑制が可能である混合物を得られることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００８】
すなわち、本発明は、構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有し、且つ構造中に−ＣＯＯ−を有さない化合物Ａと、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物Ｂを含む混合物における、化合物Ａの質量を化合物Ｂの質量で除した際の商Ｑが４９≦Ｑ≦４９９９９である混合物を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の混合物は、より低コストかつより短時間で製造可能であり、しかも、化合物の−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物をより完全に除去した高純度な化合物と比べても、遜色ない性能を有するので、非常に有用である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明において「混合物」とは、構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有し、且つ構造中に−ＣＯＯ−を有さない化合物Ａと、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物Ｂを含むものである。化合物Ｂは、化合物Ａの合成・精製の過程で一部の−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に酸化してしまい、連結基に−ＣＯＯ−を有する化合物として生成されてしまうもので、化合物Ａに混在する不純物として存在するものである。本発明は、このように不純物として化合物Ｂを含有する化合物Ａを、化合物Ｂを含まない化合物Ａ自体と明確に区別するために、「混合物」と称する。
【００１１】
液晶材料において、不純物の存在は、液晶材料の安定性に悪影響を与えるという問題があることから、一般に、不純物をより完全に除去するために、混合物は精製工程が多数行われているが、精製工程を経ることで収率が悪くなるという問題や、精製操作の手間や生産コストが増大するという問題がある。本発明では、このように相反する問題を解決すべく、構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有し、且つ構造中に−ＣＯＯ−を有さない化合物Ａと、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物Ｂを含む混合物において、化合物Ａの質量を化合物Ｂの質量で除した際の商Ｑの値の上限値と下限値を規定した。
【００１２】
前記Ｑの値は、混合物の安定性や品質の観点からは、より大きいことが望ましい。したがって、前記Ｑの値が所定の下限値以上であることを規定することにより、混合物を液晶表示素子に使用する際に必要とされる安定性や品質を高く保つことができる。一方、Ｑを大きくするためには再結晶等を重ねる必要があり、生産歩留まり及び生産コストの点からは望ましくない。逆に生産歩留まり及び生産コストの観点からは、Ｑはより小さい方が望ましいが、Ｑを小さくすると混合物の特性に影響が生じてしまう。したがって、本発明では、前記Ｑの値について、下限値の規定と共に、所定の上限値以下であることを規定することにより、必要以上の精製操作を省くことができ、これにより、生産歩留まり向上と生産コストの抑制が可能になる。すなわち、本発明では、Ｑの値を適切な上限値と下限値の範囲内に規定することにより、安定性が高く、高品質な混合物を得られ、且つ、必要以上の精製操作を省くことによる生産歩留まり向上と生産コストの抑制という両立が可能である。
【００１３】
Ｑの値の下限値は、４９であればよいが、混合物の安定性の観点からは、その下限値は  ４９以上が好ましく、９９以上がより好ましく、１４９以上がより好ましく、１９９以上がより好ましく、２４９以上がより好ましく、２９９以上がより好ましく、３４９以上がより好ましく、３９９以上がより好ましく、４４９以上がより好ましく、４９９以上がより好ましく、９９９がより好ましく、１４９９がより好ましく、１９９９がより好ましく、２４９９がより好ましく、２９９９がより好ましく、３１９９がより好ましく、３２９９がより好ましい。また、Ｑの値の上限値は、４９９９９であればよいが、生産歩留まり向上と生産コストの抑制の観点からは、その上限値は３９９９９がより好ましく、２９９９９がより好ましく、１９９９９がより好ましく、１９９９９がより好ましく、１４９９９がより好ましく、９９９９がより好ましく、８９９９がより好ましく、７９９９がより好ましく、６９９９がより好ましく、５９９９がより好ましく、４９９９がより好ましく、３９９９がより好ましく、２９９９がより好ましく、１９９９がより好ましく、１４９９がより好ましい。
さらに、高い安定性及び品質と、生産歩留まり及び生産コストとのバランスという観点から、９９≦Ｑ≦３９９９９が好ましく、４９９≦Ｑ≦２９９９９がより好ましく、２９９９≦Ｑ≦２４９９９が更に好ましく、３２９９≦Ｑ≦１９９９９が特に好ましい。
【００１４】
前記Ｑの値は、公知の分析手段を用いて測定・算出することができ、例えば液体クロマトグラフィーなどにより化合物Ａと化合物Ｂの存在率を測定し、Ｑを算出することが可能である。具体的には、検出光ＵＶ２７４ｎｍの条件で検出した液体クロマトグラフィーでの、化合物Ａのピーク面積を化合物Ｂのピーク面積で除した際の商の値により、Ｑを算出する。
（化合物Ａ）
化合物Ａは、構造中に−ＣＦ２Ｏ−を１つ有してもよく、−ＣＦ２Ｏ−を２つ以上有していてもよい。混合物中には、化合物Ａが１種のみ含まれても良く、２種以上含まれても良い。
【００１５】
本発明の化合物Ａは、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。
【００１６】
【化１】
2016076192.tif 000002
【００１７】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表し、
ａは０、１又は２を表し、ｂは０、１、又は２を表すが、０≦ａ＋ｂ≦３であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はそれぞれ独立的に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、塩素原子、又はシアノ基で置換されていても良く、ａが２を表しＡ１が複数存在する場合、複数存在するＡ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＡ４が複数存在する場合、複数存在するＡ４は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−を表すが、Ａが２を表しＺ１が複数存在する場合、複数存在するＺ１は同一であっても異なっていても良く、Ｂが２を表しＺ２が複数存在する場合、複数存在するＺ２は同一であっても異なっていても良く、
Ｘ１はフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表す。）
一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。
【００１８】
信頼性を重視する場合にはＲ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。
【００１９】
また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【００２０】
アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）
【００２１】
【化２】
2016076192.tif 000003
【００２２】
Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４はそれぞれ独立してΔＮを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、
【００２３】
【化３】
2016076192.tif 000004
【００２４】
下記の構造を表すことがより好ましい。
【００２５】
【化４】
2016076192.tif 000005
【００２６】
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立して−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−又は単結合が更に好ましく、単結合が特に好ましい。
【００２７】
Ａ＋Ｂは０、１又は２が好ましい。
【００２８】
＜一般式（Ｉ）で表される化合物の第１態様＞
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性Δε＞０で、Δεの絶対値が大きいｐ型液晶化合物であることが好ましい。
【００２９】
この第１態様に該当する化合物群としては、例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に下記式（これらの式の左右は、一般式（Ｉ）の左右と同じである。）
【００３０】
【化５】
2016076192.tif 000006
【００３１】
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１がトリフルオロメトキシ基、フッ素原子又は塩素原子を表す化合物が挙げられる。
【００３２】
第１態様において、前記一般式（Ｉ）のＲ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
【００３３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の第１態様の化合物は、例えば一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【００３４】
【化６】
2016076192.tif 000007
【００３５】
（式中、ＲＩａ１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＩａ１からＸＩａ５はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ１ａ１はフッ素原子又はＯＣＦ３を表す。）
【００３６】
【化７】
2016076192.tif 000008
【００３７】
（式中、ＲＩｂ１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＩｂ１及びＸＩｂ２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、ＹＩｂ１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ３を表す。）
【００３８】
【化８】
2016076192.tif 000009
【００３９】
（式中、ＲＩｃ１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＩｃ１からＸＩｃ６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、ＹＩｃ１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ３を表す。）
【００４０】
【化９】
2016076192.tif 000010
【００４１】
（式中、ＲＩｄ１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ＸＩｄ１からＸＩｄ８はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、ＹＩｄ１はフッ素原子又はＯＣＦ３を表す。）
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の第１態様の具体例としては、例えば、下記の一般式（Ｉ−１．１）から式（Ｉ−１．４）又は式（Ｉ−１．１１）から式（Ｉ−１．１６）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００４２】
【化１０】
2016076192.tif 000011
【００４３】
【化１１】
2016076192.tif 000012
【００４４】
一般式（Ｉ−１．１）から式（Ｉ−１．１０）中、Ｒ１は一般式（Ｉ）中のＲ１と同じ意味を表す。
＜一般式（Ｉ）で表される化合物の第２態様＞
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性Δε＜０で、Δεの絶対値が大きいｎ型液晶化合物であってもよい。
【００４５】
この第２態様に該当する化合物群としては、例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に下記式（これらの式の左右は、一般式（Ｉ）の左右と同じである。）
【００４６】
【化１２】
2016076192.tif 000013
【００４７】
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表す化合物が挙げられる。
【００４８】
第２態様において、前記一般式（Ｉ）のＲ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
【００４９】
第２態様において、前記一般式（Ｉ）のＸ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
【００５０】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の第２態様の具体例としては、例えば、下記の一般式（Ｉ−２．１）から式（Ｉ−２．１８）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００５１】
【化１３】
2016076192.tif 000014
【００５２】
【化１４】
2016076192.tif 000015
【００５３】
【化１５】
2016076192.tif 000016
【００５４】
一般式（Ｉ−２．１）から式（Ｉ−２．１８）中、Ｒ１は一般式（Ｉ）中のＲ１と同じ意味を表し、Ｒ２が炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表す。Ｒ２は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましい。
＜一般式（Ｉ）で表される化合物の第３態様＞
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性Δεの絶対値が比較的小さいノン・ポーラーの液晶化合物であってもよい。
【００５５】
この第３態様に該当する化合物群としては、例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に（これらの式の左右は、一般式（Ｉ）の左右と同じである。）
【００５６】
【化１６】
2016076192.tif 000017
【００５７】
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す化合物が挙げられる。
【００５８】
第３態様において、前記一般式（Ｉ）のＲ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
【００５９】
第３態様において、前記一般式（Ｉ）のＸ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表すことが好ましい。
【００６０】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の第３態様の具体例としては、例えば、下記の一般式（Ｉ−３．１）から式（Ｉ−３．８）で表される化合物が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００６１】
【化１７】
2016076192.tif 000018
【００６２】
一般式（Ｉ−３．１）から式（Ｉ−３．８）中、Ｒ１は一般式（Ｉ）中のＲ１と同じ意味を表し、Ｒ２が炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表す。Ｒ２は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましい。
（化合物Ｂ）
化合物Ｂは、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造であり、−ＣＯＯ−を１つ有していてもよく、−ＣＯＯ−を２つ以上有していてもよく、また、−ＣＦ２Ｏ−と−ＣＯＯ−の両方を有していてもよい。混合物中には、化合物Ｂが１種のみ含まれても良く、２種以上含まれても良い。
【００６３】
化合物Ｂは、化合物Ａ中の−ＣＦ２Ｏ−が、合成や精製処理中に酸素や水分等と接触することによって「−ＣＯＯ−」に酸化されることにより生成されて、混合物中に存在するものであってもよいし、また、化合物Ａから生成されるものではなく、「−ＣＯＯ−」を有する化合物としてもとから存在しているものであってもよい。化合物Ｂは、化合物Ａから生成されたものであるか否かにかかわらず、化合物Ａの質量を化合物Ｂの質量で除した際の商Ｑが４９≦Ｑ≦４９９９９の条件を満たせば、本願発明の効果を得られる。
【００６４】
Ｑの値が上記範囲内である混合物を得るためには、混合物の精製度合を調節し、最終的に、Ｑの値が４９≦Ｑ≦４９９９９の範囲内とする。混合物の精製度合は、化合物Ａの合成工程において必要に応じて精製を行うことにより調節することができる。より精製した化合物ほど、Ｑの値が大きくなる。精製は、合成の各工程において適宜行うことができ、精製方法としてはクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華、再沈殿、吸着、分液処理等が挙げられる。精製剤を用いる場合、精製剤としてシリカゲル、アルミナ、活性炭、活性白土、セライト、ゼオライト、メソポーラスシリカ、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、備長炭、木炭、グラフェン、イオン交換樹脂、酸性白土、二酸化ケイ素、珪藻土、パーライト、セルロース、有機ポリマー、多孔質ゲル等が挙げられる。
（液晶組成物）
本発明の混合物は、他の化合物と配合して液晶組成物の調整に用いることができる。すなわち、本発明の液晶組成物は、前記Ｑが所定の範囲内である化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物を、少なくとも１種含む。
【００６５】
該液晶組成物が、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物を２種以上含む場合、そのうち少なくとも１種の混合物において前記Ｑが所定の範囲内であればよく、２種以上の混合物において前記Ｑが所定の範囲内であればより好ましく、すべての混合物において前記Ｑが所定の範囲内であれば更に好ましい。
【００６６】
液晶材料として用いる他の化合物としては、例えば下記一般式（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
【００６７】
【化１８】
2016076192.tif 000019
【００６８】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ３は炭素原子数１〜１０の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表す。Ｒ３は炭素原子数１〜６の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜６の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜６の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜６の直鎖アルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
【００６９】
前記一般式（ＩＩ）中、ｍは１、２又は３を表し、Ａ５及びＡ６はそれぞれ独立に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、塩素原子、又はシアノ基で置換されていても良く、ｍが２又は３を表しＡ５が複数存在する場合、複数存在するＡ５は同一であっても異なっていても良い。
【００７０】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｚ３は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−を表すが、ｍが２又は３を表しＺ３が複数存在する場合、複数存在するＺ３は同一であっても異なっていても良い。
【００７１】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｙ１は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表す。
【００７２】
本発明の液晶組成物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物として誘電率異方性が０程度である、いわゆる非極性液晶化合物を含有することが好ましく、中でも、一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｉ）
【００７３】
【化１９】
2016076192.tif 000020
【００７４】
のいずれかで表される化合物群から選択される１種又は２種以上の化合物を含有することが好ましい。前記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｉ）中、Ｒ２１〜Ｒ３８はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表す。Ｘ２１〜Ｘ２４は水素原子又はフッ素原子を表すが、フッ素原子であることが好ましい。
【００７５】
液晶組成物は、前記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｉ）のいずれかで表される化合物群から選択される化合物を１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｉ）のいずれかで表される化合物群から選択される化合物の含有量は、５から８０質量％であることが好ましく、１０から７０質量％であることが好ましく、２０から６０質量％であることが特に好ましい。
【００７６】
本発明の液晶組成物は、誘電率異方性の値が正のいわゆるｐ型液晶組成物である場合には、一般式（ＩＩ）で表される化合物として、一般式（ＩＶ−ａ）〜一般式（ＩＶ−ｆ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することが好ましい。
【００７７】
【化２０】
2016076192.tif 000021
【００７８】
（式中、Ｒ４１は炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ４１〜Ｘ４８は互いに独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ４１はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す。）
前記ｐ型液晶組成物は、前記一般式（ＩＶ−ａ）〜一般式（ＩＶ−ｆ）で表される化合物を１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、前記一般式（ＩＶ−ａ）から一般式（ＩＶ−ｆ）のいずれかで表される化合物の含有量は５から５０質量％であることが好ましく、１０から４０質量％であることが好ましい。
【００７９】
前記ｐ型液晶組成物の２５℃におけるΔε（誘電率異方性）は、＋３．５以上であることが好ましく、＋３．５から＋１５．０がより好ましい。
【００８０】
前記ｐ型液晶組成物の２５℃におけるΔｎ（屈折率異方性）は、０．０８から０．１４であることが好ましく、０．０９から０．１３がより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合はΔＮが０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合はΔＮが０．０８から０．１０であることが好ましい。
【００８１】
前記ｐ型液晶組成物の２０℃における粘度は、１０から４５ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から２０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。
【００８２】
前記ｐ型液晶組成物のＴＮＩ（ネマチック相−等方性液体相転移温度）は、６０℃から１２０℃であることが好ましく、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。
【００８３】
本発明の液晶組成物は、誘電率異方性の値が負のいわゆるｎ型液晶組成物である場合には、一般式（ＩＩ）で表される化合物として、一般式（Ｖ−ａ）〜一般式（Ｖ−ｇ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することが好ましい。
【００８４】
【化２１】
2016076192.tif 000022
【００８５】
前記一般式（Ｖ−ａ）から（Ｖ−ｇ）中、Ｒ５１及びＲ５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、メチル基、エチル基、Ｎ−プロピル基、Ｎ−ブチル基又はＮ−ペンチル基が好ましい。Ｒ５１はエチル基又はＮ−プロピル基を表し、Ｒ５２はメチル基又はエチル基を表すことがより好ましい。
【００８６】
前記Ｎ型液晶組成物は、前記一般式（Ｖ−ａ）から一般式（Ｖ−ｇ）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましい。液晶組成物全体を１００質量％として、一般式（Ｖ−ａ）から一般式（Ｖ−ｇ）のいずれかで表される化合物の含有量は５から８０質量％であることが好ましく、１０から７０質量％であることが更に好ましく、２０から６０質量％であることが特に好ましい。
【００８７】
前記ｎ型の液晶組成物の２５℃におけるΔε（誘電率異方性）は、−２．０から−６．０であることが好ましく、−２．０から−５．５がより好ましい。
【００８８】
前記ｎ型の液晶組成物の２５℃におけるΔｎ（屈折率異方性）は、０．０８から０．１４であることが好ましく、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合はΔｎが０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合はΔｎが０．０８から０．１０であることが好ましい。
【００８９】
前記ｎ型の液晶組成物の２０℃における粘度は、１０から３０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０から２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から２２ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。
【００９０】
前記ｎ型の液晶組成物のＴＮＩ（ネマチック相−等方性液体相転移温度）は、６０℃から１２０℃であることが好ましく、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。
【００９１】
前記ｐ型液晶組成物及び前記ｎ型液晶組成物は、それぞれ本発明の液晶組成物の一実施態様であるが、本発明の液晶組成物は、これらに限定されるものではない。
【００９２】
本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、重合性モノマーなどを含有してもよい。
【００９３】
本発明に使用する化合物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造を持たないことが好ましい。また、液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物を使用しないことが好ましい。また、ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物を使用しないことが望ましい。また、本発明の液晶組成物に使用する化合物は、分子内にカルボニル基（−ＣＯＯ−）を有さないことが好ましい。
【００９４】
本発明の液晶組成物には、ポリマー安定化（ＰＳ）モード、ポリマー維持配向（ＰＳＡ）モード、横電界型ＰＳＶＡ（高分子安定化垂直配向）モードなどの液晶表示素子を作製するために、重合性化合物を含有することができる。使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。
【００９５】
本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。
【００９６】
本発明の重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ、ＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）及びＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示素子）に有用であるが、アクティブマトリクスアドレス装置を有するＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。
【００９７】
液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。
【００９８】
カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
【００９９】
前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００ΜＭとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０ΜＭが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性ΔＮとセル厚Ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。
【０１００】
２枚の基板間に重合性化合物含有液晶組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：ＯＮＥ  ＤＲＯＰ  ＦＩＬＬ）法などを用いることができる。真空注入法においては滴下痕が発生しないものの、注入の跡が残る課題を有しているものであるが、本発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。
【０１０１】
重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有液晶組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。横電界型ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。
【０１０２】
照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ２〜５０Ｗ／ｃｍ２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ２から５００Ｊ／ｃｍ２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２から２００Ｊ／ｃｍ２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。
【０１０３】
本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に適用できる。
【実施例】
【０１０４】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【０１０５】
また、以下の実施例及び比較例の液晶組成物における各構成成分の組成比を示す「％」は『質量％』を意味する。【０１０６】
実施例および比較例中、化合物Ａ及び化合物Ｂの分析、及びＱを算出するに当っては、ＧＬサイエンス社製カラムＩｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−３を用いた液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ；移動相：アセトニトリル、流量：０．５ｍＬ／ｍｉｎ、サンプル濃度：０．０６重量％、検出器：ＵＶ２１０ｎｍ）を用い、各異性体のピーク面積の比のデータを使用した。
液晶組成物の電圧保持率は、サンプルを１５０℃で１時間加熱した後、周波数６０Ｈｚ，印加電圧１Ｖの条件下で６０℃における電圧保持率（％）を測定して得た。【０１０７】
液晶組成物の低温保存性は、サンプルをガラス瓶に入れて密閉し、−２０℃及び−３０℃でそれぞれ一週間保存し、１日ごとに析出の有無を目視で確認した。
＜実施例１＞
下記式（１−１）【０１０８】
【化２２】
2016076192.tif 000023
【０１０９】
で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）【０１１０】
【化２３】
2016076192.tif 000024
【０１１１】
で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１１２】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン３００ｍｌを用いて３回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物８２ｇの純度を測定したところ、９９．９３％であり、式（１−２）で表される化合物は０．０１％検出された。これより、Ｑの値が、約９９９３である混合物を得たことがわかった。【０１１３】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）【０１１４】
【化２４】
2016076192.tif 000025
【０１１５】
で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．６％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、いずれの温度でも結晶の析出は見られなかった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１１６】
以上の結果から、本精製法により高収率で実用に十分な高い電圧保持率を有する式（１−１）で表される化合物を含有する混合物が得られることがわかった。
＜比較例１＞
式（１−１）で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１１７】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇをヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物９０ｇの純度を測定したところ、９７．２％であり、式（１−２）で表される化合物は２．９％検出された。これより、Ｑの値が、約３４である混合物を得たことがわかった。【０１１８】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９２．４％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、−２０℃で一日後には結晶の析出が見られた。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良が生じて安定性に劣る結果を示した。【０１１９】
この結果より、本比較例の精製方法では、収率は実施例１と比べてやや高い程度であるにもかかわらず、得られる式（１−１）で表される化合物を含む混合物の電圧保持率は実施例１と比べて大幅に低下してしまい、また低温保存性にも問題がある結果となった。
＜比較例２＞
式（１−１）で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１２０】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン３００ｍｌを用いて６回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物６０ｇの純度を測定したところ、９９．９５８５％であり、式（１−２）で表される化合物は０．００１５％検出された。これより、Ｑの値が、約６６６３９である混合物を得たことがわかった。【０１２１】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．８％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、いずれの温度でも結晶の析出は見られなかった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１２２】
この結果より、本比較例の精製方法では、得られる式（１−１）で表される化合物の電圧保持率は実施例１と同等程度であるにもかかわらず、収率が大幅に低下してしまった。
＜実施例２＞
式（１−１）で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１２３】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン３００ｍｌを用いて４回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物７５ｇの純度を測定したところ、９９．９４７８％であり、式（１−２）で表される化合物は０．００２２％検出された。これより、Ｑの値が、約４５４３０である混合物を得たことがわかった。【０１２４】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．７％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、いずれの温度でも結晶の析出は見られなかった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１２５】
以上の結果から、本精製法により実用的な収率で実用に十分な高い電圧保持率を有する式（１−１）で表される化合物を含有する混合物が得られることがわかった。
＜実施例３＞
式（１−１）で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１２６】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン３００ｍｌを用いて１回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物８７ｇの純度を測定したところ、９８．９％であり、式（１−２）で表される化合物は１．０２％検出された。これより、Ｑの値が、約９７である混合物を得たことがわかった。【０１２７】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．２％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、−２０℃では析出が見られず、−３０℃において５日後に結晶の析出が見られた。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１２８】
以上の結果から、本精製法により高収率で実用に十分な高い電圧保持率及び低温保存性を有する式（１−１）で表される化合物を含有する混合物が得られることがわかった。
＜実施例４＞
式（１−１）で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１２９】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン３００ｍｌを用いて２回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物８４ｇの純度を測定したところ、９９．８９％であり、式（１−２）で表される化合物は０．０４％検出された。これより、Ｑの値が、約２４９７である混合物を得たことがわかった。【０１３０】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．４％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、−２０℃では析出が見られず、−３０℃において７日後に結晶の析出が見られた。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１３１】
以上の結果から、本精製法により高収率で実用に十分な高い電圧保持率及び低温保存性を有する式（１−１）で表される化合物を含有する混合物が得られることがわかった。
＜実施例５＞
実施例１において、前記式（１−１）で表される化合物の代わりに下記式（１−７）【０１３２】
【化２５】
2016076192.tif 000026
【０１３３】
で表される化合物を分析したところ純度９５．０％であり、不純物として式（１−８）【０１３４】
【化２６】
2016076192.tif 000027
【０１３５】
で表される化合物が４．９％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。【０１３６】
この式（１−７）及び式（１−８）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン３００ｍｌを用いて３回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物８６ｇの純度を測定したところ、９９．９２％であり、式（１−２）で表される化合物は０．００９％検出された。これより、Ｑの値が、約１１１０２である混合物を得たことがわかった。【０１３７】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．７％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、いずれの温度でも結晶の析出は見られなかった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１３８】
以上の結果から、本精製法により高収率で実用に十分な高い電圧保持率を有する式（１−１）で表される化合物を含有する混合物が得られることがわかった。
＜実施例６＞
式（１−１）で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１３９】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン５００ｍｌを用いて２回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物８３ｇの純度を測定したところ、９９．９０％であり、式（１−２）で表される化合物は０．０３％検出された。これより、Ｑの値が、約３３３０である混合物を得たことがわかった。【０１４０】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．５％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、いずれの温度でも結晶の析出は見られなかった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１４１】
以上の結果から、本精製法により高収率で実用に十分な高い電圧保持率を有する式（１−１）で表される化合物を含有する混合物が得られることがわかった。
＜実施例７＞
式（１−１）で表される化合物を分析したところ純度９４．９０％であり、不純物として式（１−２）で表される化合物が５．０％含まれており、化合物Ａ及び化合物Ｂを含む混合物であることがわかった。また、混合物中には、他の不純物として式（１−１）においてアルキル鎖の炭素数が異なる化合物等が含まれていた。【０１４２】
この式（１−１）及び式（１−２）で表される化合物を含む混合物１００ｇを、アセトン５００ｍｌを用いて３回再結晶した後減圧乾燥し、ヘキサン３００ｍｌに溶解した。カラムクロマトグラフィー（精製剤としてシリカゲル３０ｇを充填）を準備し、先に調製した溶液をカラムクロマト管に注ぎ、溶液表面が精製剤層の上面（充填剤層）と一致するまで流した。更に展開溶媒としてヘキサン２００ｍｌを加え、精製剤（充填剤）に吸着している化合物を溶出させた。得られた溶液を−１０℃で３時間撹拌し、結晶を晶析させた。析出した結晶をろ取し、１３３Ｐａ、４０℃で５時間乾燥した。得られた式（１−１）で表される化合物８３ｇの純度を測定したところ、９９．９２５％であり、式（１−２）で表される化合物は０．００５％検出された。これより、Ｑの値が、約１９９８５である混合物を得たことがわかった。【０１４３】
また、得られた混合物を電圧保持率が９４．０％である式（１−４）で表される組成物に２０％添加した液晶組成物の電圧保持率は９３．６％であった。また、この組成物の低温保存性を試験したところ、いずれの温度でも結晶の析出は見られなかった。さらに、得られた組成物を使用した液晶表示素子を作製したところ、表示不良を起こさず良好な特性を示した。【０１４４】
以上の結果から、本精製法により高収率で実用に十分な高い電圧保持率を有する式（１−１）で表される化合物を含有する混合物が得られることがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月25日(2016.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有し、且つ構造中に−ＣＯＯ−を有さない化合物Ａと、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物Ｂを含む混合物における、ＵＶ２１０ｎｍで検出した液体クロマトグラフィーでの、化合物Ａのピーク面積を化合物Ｂのピーク面積で除した際の商Ｑが４９≦Ｑ≦９７である混合物。
【請求項２】
化合物Ｂは、化合物Ａ中の−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に酸化されることにより生成された化合物である、請求項１に記載の混合物。
【請求項３】
化合物Ａが一般式（Ｉ）
【化１】
2016076192.tif 000032
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表し、
ａは０、１又は２を表し、ｂは０、１、又は２を表すが、０≦ａ＋ｂ≦３であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はそれぞれ独立的に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、塩素原子、又はシアノ基で置換されていても良く、ａが２を表しＡ１が複数存在する場合、複数存在するＡ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＡ４が複数存在する場合、複数存在するＡ４は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−を表すが、Ａが２を表しＺ１が複数存在する場合、複数存在するＺ１は同一であっても異なっていても良く、Ｂが２を表しＺ２が複数存在する場合、複数存在するＺ２は同一であっても異なっていても良く、
Ｘ１はフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表す。）
で表される化合物である、請求項１又は請求項２に記載の混合物。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化２】
2016076192.tif 000033
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１がトリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表す、請求項３に記載の混合物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化３】
2016076192.tif 000034
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニルオキシ基を表す、請求項３に記載の混合物。
【請求項６】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化４】
2016076192.tif 000035
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表す、請求項３に記載の混合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の混合物を含む液晶組成物。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶表示素子を用いた液晶ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造中に少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−を有し、且つ構造中に−ＣＯＯ−を有さない化合物Ａと、化合物Ａ中の少なくとも１つの−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に置き換わった構造の化合物Ｂを含む混合物における、ＵＶ２１０ｎｍで検出した液体クロマトグラフィーでの、化合物Ａのピーク面積を化合物Ｂのピーク面積で除した際の商Ｑが４９≦Ｑ≦９７であり、
化合物Ａが一般式（Ｉ）
【化１】
2016076192.tif 000036
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表し、
ａは０、１又は２を表し、ｂは０、１、又は２を表すが、０≦ａ＋ｂ≦３であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はそれぞれ独立的に
（ａ）  トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、塩素原子、又はシアノ基で置換されていても良く、ａが２を表しＡ１が複数存在する場合、複数存在するＡ１は同一であっても異なっていても良く、ｂが２を表しＡ４が複数存在する場合、複数存在するＡ４は同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−を表すが、Ａが２を表しＺ１が複数存在する場合、複数存在するＺ１は同一であっても異なっていても良く、Ｂが２を表しＺ２が複数存在する場合、複数存在するＺ２は同一であっても異なっていても良く、
Ｘ１はフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基を表す。）
で表される化合物である混合物。
【請求項２】
化合物Ｂは、化合物Ａ中の−ＣＦ２Ｏ−が−ＣＯＯ−に酸化されることにより生成された化合物である、請求項１に記載の混合物。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化２】
2016076192.tif 000037
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１がトリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表す、請求項１に記載の混合物。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化３】
2016076192.tif 000038
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニルオキシ基を表す、請求項１に記載の混合物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ独立的に
【化４】
2016076192.tif 000039
のいずれかを表し、Ｚ１及びＺ２がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１が炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基、炭素原子数１〜５の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２〜５の直鎖アルケニル基を表す、請求項１に記載の混合物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の混合物を含む液晶組成物。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶表示素子を用いた液晶ディスプレイ。
【国際調査報告】
2016076192.tif 000040
2016076192.tif 000041
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