(57)【要約】設置ステップで、コア層１３上に電気的または電子的な内蔵部品２０とダミー内蔵部品３１，３２とを互いに所定の間隔で設置する。埋設ステップで、絶縁基材５０に内蔵部品２０および前記ダミー内蔵部品を埋設する。導電層形成ステップで、内蔵部品２０の電極２０ｂに対向して、絶縁基材５０上に導電層６０を形成する。孔形成ステップで、絶縁基材５０および導電層６０において内蔵部品２０の電極２０ｂに対応する一部を除去して、内蔵部品２０の電極２０ｂに至る貫通孔６０ｃを形成する。導電処理ステップで、孔形成ステップで形成された貫通孔６０ｃを介して導電層６０と内蔵部品２０の電極２０ｂとを電気的に接続する。
2014115288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板上に電気的または電子的な内蔵部品とダミー内蔵部品とを互いに所定の間隔で設置する設置ステップと、
樹脂製の絶縁基材に前記内蔵部品および前記ダミー内蔵部品を埋設する埋設ステップと、
前記内蔵部品の電極に対向して、前記絶縁基材上に導体パターンとなるべき導電層を形成する導電層形成ステップと、
前記絶縁基材および前記導電層において前記内蔵部品の電極に対応する一部を除去して、前記内蔵部品の前記電極に至る孔を形成する孔形成ステップと、
前記孔形成ステップで形成された前記孔を介して前記導電層と前記内蔵部品の電極とを電気的に接続する導電処理ステップとを含み、
前記埋設ステップで、前記ダミー内蔵部品は表面の少なくとも一部分であるマーク領域が露出するように前記絶縁基材によって埋設され、
前記導電層は、予めまたは前記導電層形成ステップで、前記ダミー内蔵部品の前記マーク領域が露出するように形成され、
前記孔形成ステップで、前記マーク領域を基準として前記絶縁基材および前記導電層の前記一部を除去して、前記内蔵部品の前記電極に至る孔を形成する
ことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記設置ステップで前記支持板上に設置された前記内蔵部品および前記ダミー内蔵部品において、前記ダミー内蔵部品における前記支持板から離間する方向への厚さは、前記内蔵部品における厚さよりも厚い
ことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記設置ステップで前記支持板上に設置された前記ダミー内蔵部品において前記支持板から離間している端部は、前記絶縁基材上に形成される前記導電層に沿って延びる面に近接している
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内蔵された部品における電極と導電層に形成されたパターンとを精度よく電気的に接続することができる部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的または電子的な部品を内蔵した部品内蔵基板がある。そのような部品内蔵基板は、部品がプリプレグ等の絶縁基材で積層され、エッチング等によって外側の導電層にパターンが形成される。すると、絶縁基材および導電層によって、部品の電極を外方から視認することができなくなるので、導電層に形成されたパターンと部品の電極とを電気的に接続するための孔の形成位置を精度よく決定することは困難になる。【０００３】
そこで、特許文献１には、Ｘ線で検知可能なマークが天面に付されたダミー部品を部品とともに絶縁基材内に積層させた部品内蔵基板について記載されている。特許文献１に記載されている部品内蔵基板では、当該ダミー部品に付されたマークの位置を基準に、当該部品の電極と導電層に形成されたパターンとを電気的に接続するための孔の形成位置を決定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０４２６６８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載されている部品内蔵基板の製造過程において、部品の電極と導電層に形成されたパターンとを電気的に接続するための孔の形成位置を決定するために、ダミー部品に付された基準となるマークの検出にはＸ線照射装置が用いられるのであるが、部品の電極と導電層に形成されたパターンとを電気的に接続するための孔の形成位置の決定は、より簡便な方法で行われることが望ましい。【０００６】
そこで、本発明は、上記従来技術を考慮したものであって、部品の電極と導電層に形成されたパターンとを電気的に接続するための孔の形成位置の決定を、より簡便な方法で行うことができる部品内蔵基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明の部品内蔵基板の製造方法は、支持板上に電気的または電子的な内蔵部品とダミー内蔵部品とを互いに所定の間隔で設置する設置ステップと、樹脂製の絶縁基材に前記内蔵部品および前記ダミー内蔵部品を埋設する埋設ステップと、前記内蔵部品の電極に対向して、前記絶縁基材上に導体パターンとなるべき導電層を形成する導電層形成ステップと、前記絶縁基材および前記導電層において前記内蔵部品の電極に対応する一部を除去して、前記内蔵部品の前記電極に至る孔を形成する孔形成ステップと、前記孔形成ステップで形成された前記孔を介して前記導電層と前記内蔵部品の電極とを電気的に接続する導電処理ステップとを含み、前記埋設ステップで、前記ダミー内蔵部品は表面の少なくとも一部分であるマーク領域が露出するように前記絶縁基材によって埋設され、前記導電層は、予めまたは前記導電層形成ステップで、前記ダミー内蔵部品の前記マーク領域が露出するように形成され、前記孔形成ステップで、前記マーク領域を基準として前記絶縁基材および前記導電層の前記一部を除去して、前記内蔵部品の前記電極に至る孔を形成することを特徴とする。【０００８】
好ましくは、前記設置ステップで前記支持板上に設置された前記内蔵部品および前記ダミー内蔵部品において、前記ダミー内蔵部品における前記支持板から離間する方向への厚さは、前記内蔵部品における厚さよりも厚い。【０００９】
好ましくは、前記設置ステップで前記支持板上に設置された前記ダミー内蔵部品において前記支持板から離間している端部は、前記絶縁基材上に形成される前記導電層に沿って延びる面に近接している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、導電層および絶縁基材は、ダミー内蔵部品の表面のマーク領域が露出するように形成されているので、導電層と内蔵部品の電極とを電気的に接続するために孔形成ステップで形成する孔の位置を、当該マーク領域を基準に簡便に決定することができる。【００１１】
また、設置ステップで、内蔵部品とダミー内蔵部品とを同じタイミング（同一の搭載機器）で支持板上に設置すれば、内蔵部品とダミー内蔵部品との相対的な位置精度を高くすることができる。従って、孔形成ステップにおける孔の形成は、高い位置精度で行われ、導電処理ステップにおける当該一部を介した導電層と内蔵部品の電極との電気的な接続を高い精度で行うことができる。【００１２】
さらに、ダミー内蔵部品におけるマーク領域の位置を基準に孔の形成が行われるので、支持板が伸縮したり歪んだりした場合であっても、内蔵部品とダミー内蔵部品との位置関係の精度の低下を良好に抑制し、当該孔の形成を高い位置精度で行うことができる。【００１３】
また、設置ステップで前記支持板上に設置された前記内蔵部品および前記ダミー内蔵部品において、ダミー内蔵部品における支持板から離間する方向への厚さは、内蔵部品における厚さよりも厚いように構成されている場合には、ダミー内蔵部品の少なくとも一部分が絶縁基材に埋没せずに露出するので、当該孔の形成位置の決定を、Ｘ線を用いる場合に比べて簡便な方法で、かつ、高い位置精度で行うことができる。【００１４】
設置ステップで支持板上に設置されたダミー内蔵部品において支持板から離間している端部は、絶縁基材上に形成される導電層に沿って延びる面に近接しているように構成されている場合には、当該一部の除去に用いられるカメラのピントを、ダミー内蔵部品のマーク領域に合わせた状態から微調整または無調整で導電層に合わせることができる。従って、当該孔の形成を簡便にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る部品内蔵基板の製造過程を順番に示す概略図である。
【図２】本発明に係る部品内蔵基板の製造過程を順番に示す概略図である。
【図３】本発明に係る部品内蔵基板の製造過程を順番に示す概略図である。
【図４】本発明に係る部品内蔵基板の製造過程を順番に示す概略図である。
【図５】本発明に係る部品内蔵基板の製造過程を順番に示す概略図である。
【図６】本発明に係る部品内蔵基板の製造過程を順番に示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１に示すように、本実施形態では、まず、両面プリント基板１０を用意する。両面基板１０は、例えば、エポキシ等の樹脂をコア層１３とし、コア層１３の一方の面１３ａには薄膜の第１導電層１１が形成されている。また、コア層１３の他方の面１３ｂにも、薄膜の第２導電層１２が形成されている。第１導電層１１および第２導電層１２は、例えば、銅めっきである。
【００１７】
なお、第１導電層１１は、導体パターン部１１ａおよびマーカ部１１ｂを含む。導体パターン部１１ａおよびマーカ部１１ｂは、例えば、エッチング処理によって形成される。従って、コア層１３の一方の面１３ａは、導体パターン部１１ａおよびマーカ部１１ｂが形成された第１導電層１１によって覆われている被覆領域１３ｃと第１導電層１１によって覆われていない露出領域１３ｄとに区画される。
【００１８】
そして、図２に示すように、マーカ部１１ｂを基準に、電気的または電子的な内蔵部品２０およびダミー内蔵部品３１，３２が同一の搭載機器によって同じタイミングで両面プリント基板１０の所定の位置に搭載される。具体的には、内蔵部品２０が、露出領域１３ｄの一部に搭載されるとともに、ダミー内蔵部品３１，３２が、第１導電層１１上に搭載される。なお、ダミー内蔵部品３１，３２は、露出領域１３ｄの他の一部に搭載されてもよい。ここで、内蔵部品２０とダミー内蔵部品３１，３２とは、両面プリント基板１０において、マーカ部１１ｂを基準に同一の搭載機器によって、例えば、３つの部品２０，３１，３２が互いに同時に吸着されて搭載されてもよいし、各部品２０，３１，３２が順次吸着されて搭載されてもよい。すると、内蔵部品２０とダミー内蔵部品３１，３２とは同一の搭載機器によって搭載されるので、相対位置精度は１０μメートル未満になる。
【００１９】
なお、本実施形態では、２個のダミー内蔵部品３１，３２が用いられるが、用いられるダミー部品の数は２個でなくてもよく、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。
【００２０】
また、図２に示すように、内蔵部品２０には、一方の面２０ａに電極２０ｂが設けられている。そして、内蔵部品２０の一方の面２０ａの裏側の他方の面２０ｃが、例えば、接着剤４０によって、コア層１３の一方の面１３ａに接着されて配置される。従って、本実施形態では、内蔵部品２０は、電極２０ｂがコア層１３の一方の面１３ａに対向しないフェイスアップの状態で、当該コア層１３の一方の面１３ａに配置される。
【００２１】
なお、本実施形態では、内蔵部品２０の電極２０ｂは２個であるとして図２等に示されているが、電極２０ｂは、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。
【００２２】
ダミー内蔵部品３１，３２には、一方の面３１ａ，３２ａに凸部３１ｂ，３２ｂが設けられている。そして、ダミー内蔵部品３１，３２の一方の面３１ａ，３２ａの裏側の他方の面３１ｃ，３２ｃが、例えば、接着剤や半田によって、コア層１３の一方の面１３ａに形成された第1導電層１１上に接着されて配置される。
【００２３】
なお、本実施形態では、ダミー内蔵部品３１，３２には、一方の面３１ａ，３２ａに凸部３１ｂ，３２ｂが設けられているが、他の方法で、ダミー内蔵部品３１，３２が後述する貫通孔６０ｃの形成の基準として用いられることが可能なように形成されていればよい。具体的には、例えば、一方の面３１ａ，３２ａに、凹部が設けられていてもよいし、記号や文字等が付されていてもよい。
【００２４】
本実施形態では、コア層１３の一方の面１３ａにマーカ部１１ｂを含む第１導電層１１が形成されて、マーカ部１１ｂを基準に内蔵部品２０およびダミー内蔵部品３１，３２が搭載されるが、コア層１３の一方の面１３ａに、内蔵部品２０およびダミー内蔵部品３１，３２を搭載する場合の基準となる凸部や凹部等を設け、当該凸部や凹部等を基準に内蔵部品２０およびダミー内蔵部品３１，３２を搭載するように構成されていてもよい。従って、コア層１３の一方の面１３ａにマーカ部１１ｂを含む第１導電層１１が形成されていることは、本発明の必須の要素ではない。よって、内蔵部品２０およびダミー内蔵部品３１，３２が搭載される基板は両面プリント基板でなくてもよい。
【００２５】
次に、絶縁基材５０と第３導電層６０とを用意する。絶縁基材５０は、例えば、プリプレグ等の樹脂である。第３導電層６０は、例えば、銅箔等の導電性薄膜体である。図３に示すように、絶縁基材５０は、コア層１３の一方の面１３ａ側に配置され、さらに上側に第３導電層６０が重ねられて圧接される。
【００２６】
これにより、図４に示すように、両面プリント基板１０、絶縁基材５０および第３導電層６０が積層される。このとき、絶縁基材５０は両面プリント基板１０のコア層１３の一方の面１３ａと第３導電層６０との間に充填されている。これにより、内蔵部品２０およびダミー内蔵部品３１，３２は絶縁基材５０に埋設される。
【００２７】
なお、図３および図４に示すように、第３導電層６０において、ダミー内蔵部品３１，３２の一方の面３１ａ，３２ａにそれぞれ対向する領域には、予め貫通孔６０ａ，６０ｂが設けられている。また、ダミー内蔵部品３１，３２における両面プリント基板１０のコア層１３の一方の面１３ａから離間する方向への厚さは、内蔵部品２０における厚さよりも厚いように構成されている。従って、図４に示すように、ダミー内蔵部品３１，３２において、少なくとも凸部３１ｂ，３２ｂは貫通孔６０ａ，６０ｂを介してそれぞれ露出している。なお、図４に示すように、凸部３１ｂ，３２ｂは、絶縁基材５０上に形成される第３導電層６０に沿って延びる面に近接している。
【００２８】
第３導電層６０は、貫通孔６０ａ，６０ｂが設けられる前に絶縁基材５０に積層され、例えば、エッチング処理等によってダミー内蔵部品３１，３２の一方の面３１ａ，３２ａにそれぞれ対向する領域が除去されて、貫通孔６０ａ，６０ｂが設けられるようにしてもよい。
【００２９】
次に、貫通孔６０ａ，６０ｂを介してそれぞれ露出している凸部３１ｂ，３２ｂを基準に、第３導電層６０における内蔵部品２０の電極２０ｂに応じた位置に、例えば、レーザ加工で、第３導電層６０から内蔵部品２０一方の面２０ａに至る貫通孔６０ｃが設けられる。貫通孔６０ｃは、ダミー内蔵部品３１，３２を基準に設けられるので、当該貫通孔６０ｃは、内蔵部品２０の電極２０ｂに応じた位置に高い精度で設けられる。
【００３０】
また、図４に示して、前述したように、凸部３１ｂ，３２ｂは、絶縁基材５０上に形成される第３導電層６０に沿って延びる面に近接しているので、貫通孔６０ｃを設けるための位置合わせに用いられるカメラのピントを、ダミー内蔵部品３１，３２の凸部３１ｂ，３２ｂに合わせた状態から微調整または無調整で第３導電層６０において貫通孔６０ｃを設ける位置に合わせることができる。従って、第３導電層６０に貫通孔６０ｃを設ける作業を簡便にすることができる。
【００３１】
そして、図６に示すように、第３導電層６０に、エッチング等によって回路パターンが形成された導体パターン部６０ｄが設けられる。さらに、貫通孔６０ｃの内壁には、例えば、銅等の導電性物質によるめっき処理が施されて内蔵部品２０の電極３０ｂと導通するので、導体パターン６０ａと内蔵部品２０とが電気的に接続される。
【００３２】
本実施形態によれば、絶縁基材５０および第３導電層６０は、ダミー内蔵部品３１，３２の凸部３１ｂ，３２ｂが露出するように形成されているので、内蔵部品２０と導体パターン部６０ｄとを電気的に接続する貫通孔６０ｃを設ける位置を当該凸部３１ｂ，３２ｂを基準に決定するので、Ｘ線を用いる場合に比べてより簡便な方法で貫通孔６０ｃを設ける位置を決定することができる。
【００３３】
また、内蔵部品２０とダミー内蔵部品３１，３２とは、同じ搭載機器等が用いられて同じタイミングで両面プリント基板１０に搭載されるので、内蔵部品２０とダミー内蔵部品３１，３２との位置関係の精度を高めることができる。従って、ダミー内蔵部品３１，３２の凸部３１ｂ，３２ｂを基準に設けられる貫通孔６０ｃの位置精度を高めることができる。
【００３４】
さらに、ダミー内蔵部品３１，３２の位置を基準に貫通孔６０ｃが設けられるので、当該ダミー内蔵部品３１，３２および内蔵部品２０が搭載された両面プリント基板１０が伸縮したり歪んだりした場合であっても、内蔵部品２０とダミー内蔵部品３１，３２との位置関係の精度の低下を良好に抑制し、貫通孔６０ｃを高い位置精度で設けることができる。
【００３５】
また、ダミー内蔵部品３１，３２における両面プリント基板１０のコア層１３の一方の面１３ａから離間する方向への厚さは、内蔵部品２０における厚さよりも厚いように構成されているので、ダミー内蔵部品３１，３２の少なくとも一部が絶縁基材５０に埋没せずに貫通孔６０ａ，６０ｂを介して露出し、内蔵部品２０とともに両面プリント基板１０に設置されたダミー内蔵部品３１，３２を基準に貫通孔６０ｃを設けることができ、Ｘ線を用いる場合に比べてより簡便な方法で貫通孔６０ｃを高い位置精度で設けることができる。
【００３６】
ダミー内蔵部品３１，３２において両面プリント基板１０のコア層１３の一方の面１３ａから離間している端部である凸部３１ｂ，３２ｂは、絶縁基材５０上に形成される第３導電層６０に沿って延びる面に近接しているので、貫通孔６０ｃを設けるための位置合わせに用いられるカメラのピントを、ダミー内蔵部品３１，３２の凸部３１ｂ，３２ｂに合わせた状態から微調整または無調整で第３導電層６０において貫通孔６０ｃを設ける位置に合わせることができる。従って、第３導電層６０に貫通孔６０ｃを設ける作業を簡便にすることができる。
【００３７】
なお、本実施形態では、図６に示すように両面プリント基板１０と第３導電層６０とを含む構成について説明したが、さらに多層の基板に部品を内蔵する場合に本発明を適用することもできる。その場合には、図１から図６に例示して説明した方法を実行した後に、さらに絶縁基材および導電層を積層していけばよい。
【００３８】
また、本実施の形態では、内蔵部品２０がフェイスアップの状態で、つまり、電極２０ｂが上方を向く状態で、両面プリント基板１０に設置されるとして説明したが、表面がステンレス等によってめっき処理されたプリント基板において、電極２０ｂが下方を向く状態で、ダミー内蔵部品とともに設置されてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１０  両面プリント基板
１３  コア層
２０  内蔵部品
２０ｂ  電極
３１，３２  ダミー内蔵部品
３１ｂ，３２ｂ  凸部
５０  絶縁基材
６０  第３導電層
【図１】
2014115288.tif 000003
【図２】
2014115288.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2014115288.tif 000008
【国際調査報告】
2014115288.tif 000009
2014115288.tif 000010
2014115288.tif 000011
2014115288.tif 000012