(57)【要約】  本開示の表示装置は、複数の画素が配設された表示領域と、表示領域の外縁側に設けられる周辺領域と、表示領域から周辺領域へ延在する絶縁層と、周辺領域に設けられ、絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝と、絶縁層の外周側に設けられると共に、表示領域を封止する封止部とを備えたものであり、分離溝の幅は、表示領域の外端と封止部の外端との距離が大きくなるに応じて狭く、小さくなるに応じて広くなっている。
2016027547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配設された表示領域と、
前記表示領域の外縁側に設けられる周辺領域と、
前記表示領域から前記周辺領域へ延在する絶縁層と、
前記周辺領域に設けられ、前記絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝と、
前記絶縁層の外周側に設けられると共に、前記表示領域を封止する封止部とを備え、
前記分離溝の幅は、前記表示領域の外端と前記封止部の外端との距離が大きくなるに応じて狭く、小さくなるに応じて広い
表示装置。
【請求項２】
任意の位置における前記距離をそれぞれＸ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４、前記任意の位置における前記幅をそれぞれｘａ，ｘｂ，ｘｃ，ｘｄとし、前記距離がＸ１＞Ｘ２＞Ｘ３＞Ｘ４である場合には、前記幅はｘａ＜ｘｂ＜ｘｃ＜ｘｄである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記分離溝は充填材によって埋設されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記充填材の吸水率および前記絶縁層を構成する材料の吸水率は互いに異なる、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記充填材の吸水率は、前記絶縁層を構成する材料の吸水率よりも小さい、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁層は有機材料によって構成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記充填材は無機材料である、請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示領域と、前記分離溝との間に遮蔽構造が設けられている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記遮蔽構造はダミー構造である、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記ダミー構造は画素構造である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
複数の画素が配設された表示領域と、
前記表示領域の外縁側に設けられる周辺領域と、
前記表示領域から前記周辺領域へ延在する絶縁層と、
前記周辺領域に設けられ、前記絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝と、
前記絶縁層の外周側に設けられると共に、前記表示領域を封止する封止部とを備え、
前記分離溝の幅は、前記表示領域の外端と前記封止部の外端との距離が大きくなるに応じて狭く、小さくなるに応じて広い
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビジョン装置等の表示装置は、表示パネルの量産効率の向上やデザイン性の追求に伴い、表示領域周辺の所謂額縁（ベゼル）部分の幅を狭くすること（狭額縁化）が求められている。しかしながら、額縁部分を狭くすると、外部から水分等の異物が浸入して表示領域に達する可能性が高くなる。特に、表示素子として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置では、水分等の異物の浸入は有機ＥＬ素子を劣化させ、これによって対応する画素は非点灯状態となる。この画素の非点灯状態を避ける方法として、さまざまな改善がなされている。【０００３】
例えば、特許文献１では、表示領域を囲む位置において、支持基板の全面を覆う有機絶縁膜を内周側と外周側とに分離する分離溝を設けることにより、外部から表示領域への水分等の浸入を抑制した表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０５４１１１号公報
【発明の概要】
【０００５】
しかしながら、表示領域の周辺に分離溝を設けただけでは、外部からの水分等の浸入を十分に抑制することはできなかった。より表示領域への水分等の浸入を抑制するためには、表示パネルの外端（例えば、シールの外端）から表示領域までの距離を大きくすることが考えられるが、額縁部分の幅が広くなるという問題があった。
【０００６】
従って、狭額縁化を図りつつ、信頼性を向上させることが可能な表示装置およびそのような表示装置を備えた電子機器を提供することが望ましい。
【０００７】
本開示の一実施形態の表示装置は、複数の画素が配設された表示領域と、表示領域の外縁側に設けられる周辺領域と、表示領域から周辺領域へ延在する絶縁層と、周辺領域に設けられ、絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝と、絶縁層の外周側に設けられると共に、表示領域を封止する封止部とを備えたものであり、分離溝の幅は、表示領域の外端と封止部の外端との距離が大きくなるに応じて狭く、小さくなるに応じて広くなっている。
【０００８】
本開示の一実施形態の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【０００９】
本開示の一実施形態の表示装置および電子機器では、表示領域から周辺領域へ延在する絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝の幅を、表示領域を封止する封止部の外端と表示領域の外端との距離が大きくなるに応じて狭く、小さくなるに応じて広くすることにより、封止部の外端と表示領域の外端との距離を大きくすることなく、外部から表示領域への異物の侵入が抑制される。
【００１０】
本開示の一実施形態の表示装置および電子機器によれば、表示領域から周辺領域へ延在する絶縁層に、封止部の外端と表示領域の外端との距離に応じて幅が調整（封止部の外端と表示領域の外端との距離が大きい場合には狭く、小さい場合には広く）された分離溝を設けるようにした。これにより、封止部の外端と表示領域の外端との距離を大きくすることなく外部から表示領域への水分等の異物の侵入が抑制される。即ち、狭額縁化を図りつつ、表示装置およびこれを備えた電子機器の信頼性を向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の平面構成を表す概略図である。
【図２】図１に示した表示装置の断面図である。
【図３】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図４】図３に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図５】図１に示した表示装置を構成する有機ＥＬ素子の断面図である。
【図６】図１に示した表示装置の充填層および分離溝の他の例を表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の封止部の他の例を表す断面図である。
【図８】図１に示した表示装置の封止部の他の例を表す断面図である。
【図９】比較例に係る表示装置の任意の位置における表示領域端への水分の到達時間を表す特性図である。
【図１０】図１に示した表示装置の任意の位置における表示領域端への水分の到達時間を表す特性図である。
【図１１】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の断面図である。
【図１２】比較例に係る表示装置の任意の位置における表示領域端への水分の到達時間を表す特性図である。
【図１３】図１１に示した表示装置の任意の位置における表示領域端への水分の到達時間を表す特性図である。
【図１４Ａ】図１に示した表示装置等の適用例１の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１４Ｂ】適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例３の外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（周辺領域に、封止部外端から表示領域外端までの距離に応じて幅を変化させた分離溝を設けた例）
１−１．全体構成
１−２．作用・効果
２．第２の実施の形態（分離溝と表示領域との間に遮蔽構造を追加した例）
３．適用例（電子機器への適用例）
【００１３】
＜１．第１の実施の形態＞
（１−１．全体構成）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の平面構成を表したものであり、図２は、図１に示したＩ−Ｉ線における表示装置１の断面構成を表したものである。この表示装置１は、有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられるものであり、駆動基板１１上には表示パネル１１０として表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている。表示装置１は、表示素子として、例えば白色有機ＥＬ素子１０Ｗと後述するカラーフィルタ１３Ａとを用いることによってＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光が上面（駆動基板１１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（所謂トップエミッション型）の表示装置である（図５参照）。本実施の形態の表示装置１では、表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂにかけて連続して形成された絶縁層（ここでは、絶縁層２３，３２）を、周辺領域１１０Ｂにおいて内周側と外周側とに分離する分離溝４１を設けたものである。この分離溝４１は、封止部１５の外端から表示領域１１０Ａの外端までの距離（Ｘ）に応じて幅（ｘ）が異なる。
【００１４】
図３は、図１および図２に示した表示装置１の全体構成の一例を表したものであり、表示領域１１０Ａ内には、複数の画素５（赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ）がマトリクス状に配置されている。また、表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバ（後述する周辺回路２１Ｂ）である信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１５】
表示領域１１０Ａ内には、画素駆動回路１４０が設けられている。図４は、この画素駆動回路１４０の一例（赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極３１Ａの下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された白色有機ＥＬ素子１０Ｗを有している。即ち、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ内にはそれぞれ、この白色有機ＥＬ素子１０Ｗが設けられている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（所謂ボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。
【００１６】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１７】
周辺領域１１０Ｂには、上記のように表示パネル１１０を覆う絶縁層２３，３２を、内周側と外周側とに分離する分離溝４１が設けられている。この分離溝４１は、外部から表示パネル１１０内、具体的には表示領域１１０Ａ内への水分等の異物の侵入を低減するためのものである。
【００１８】
本実施の形態では、分離溝４１は、上記のように、封止部１５の外端から表示領域１１０Ａの外端までの距離（Ｘ）に応じて幅（ｘ）が異なるように設定されている。具体的には、図１に示したように、表示パネル１１０の任意の位置（ここでは、各辺）における封止部１５の外端から表示領域１１０Ａの外端までの距離（Ｘ）をそれぞれＸ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４、各辺に対応する分離溝４１の幅（ｘ）をそれぞれｘａ，ｘｂ，ｘｃ，ｘｄとし、距離（Ｘ）の大きさが、例えばＸ１＞Ｘ２＞Ｘ３＞Ｘ４の場合には、分離溝４１の幅（ｘ）の広さは、ｘａ＜ｘｂ＜ｘｃ＜ｘｄになるように形成されている。これにより、封止部１５の外端から表示領域１１０Ａの外端までの距離（Ｘ）が小さい場合にも、距離（Ｘ）が大きい場合と同程度に表示領域１１０Ａ内への異物の侵入が低減される。即ち、距離（Ｘ）の大きさに係わらず、表示領域１１０Ａに達する異物の侵入が速度を調整することが可能となる。
【００１９】
分離溝４１は、絶縁層２３，３２を構成する材料よりも透水率の低い材料によって埋設されていることが好ましい。分離溝４１の内部を透水率の低い材料で埋設することによって、外部から表示領域１１０Ａへの異物の侵入速度をより遅くすることが可能となる。分離溝４１を埋設する材料としては、例えば無機材料であることが好ましく、本実施の形態では、後述する充填層１４を構成する材料によって埋設されている。
【００２０】
以下に、図２および図５を用いて表示装置１を構成する各部の説明を行う。
【００２１】
表示装置１は、駆動基板１１上にＴＦＴ層２０と、表示層３０と、充填層（接着層）１４と、封止部１５とがこの順に形成された積層構造を有している。ＴＦＴ層２０は、例えば画素駆動回路２１Ａ（画素駆動回路１４０に対応）および周辺回路２１Ｂ等を構成する絶縁層２１、配線層２２および絶縁層２３から構成されている。表示層３０は、例えば下部電極３１Ａ等を構成する配線層３１、絶縁層３２、有機層３３、上部電極３４および保護層３５から構成されている。これら積層構造上にはカラーフィルタ１３Ａおよびブラックマトリクス（遮光膜）１３Ｂから構成されるＣＦ層１３を備えた対向基板１２が貼り合わされており、封止部１５と共に、積層構造を封止するように配置されている。なお、充填層１４および封止層１５の形成順序は逆でもよい。
【００２２】
駆動基板１１は、その一主面側に白色有機ＥＬ素子１０Ｗが配列形成される支持体である。この駆動基板１１としては、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシート等が用いられる。
【００２３】
絶縁層２１（画素駆動回路２１Ａおよび周辺回路２１Ｂ）は、上記信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０等からなる駆動回路（映像表示用のドライバ）である。画素駆動回路２１Ａおよび周辺回路２１Ｂは駆動基板１１上において、例えば絶縁層２３の下層に形成されている。絶縁層２１の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ）等の金属元素の単体または合金が挙げられる。
【００２４】
配線層２２は、例えば、ＴＦＴを構成するゲート電極やチャネル層を構成するものである。チャネル層は、例えば島状に設けられ、一対のソース・ドレイン電極（図示せず）の間のゲート電極に対向する位置にチャネル領域を有している。チャネル層は、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素等から構成される酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ）により構成されている。
【００２５】
絶縁層２３，３２は、例えば、トランジスタＴｒ１等を構成する配線間の短絡を防いだり（絶縁層２３）、画素間絶縁層（隔壁）として機能する（絶縁層３２）ものである。絶縁層２３，３２は、駆動基板１１上において、表示領域１１０Ａからその外部領域（例えば、周辺領域１１０Ｂを介して駆動基板１１の端部）まで延在するように形成されている。絶縁層２３，３２は、例えば有機絶縁材料によって構成され、具体的には、例えばポリイミド、アクリル、ノボラック樹脂またはシロキサン等が挙げられる。絶縁層２３，３２は、周辺領域１１０Ｂにおいて、上記分離溝４１によって内周側と外周側とに分離されている。なお、絶縁層２３，３２は分離溝４１によって内周側と外周側とに完全に分離されていることが好ましいが、これに限らない。例えば一部において連続していたり、あるいは、分離溝４１の底部に絶縁層２３あるいは絶縁層３２の一部が残存していても構わない。
【００２６】
配線層３１は、下部電極３１Ａと導電膜３１Ｂとによって構成されている。下部電極３１Ａは、陽極（アノード電極）として機能するものであり、表示領域１１０Ａ内においては各色の画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）ごとに設けられている。導電膜３１Ｂは、開口４２によって下部電極３１Ａと切断され、周辺領域１１０Ｂにほぼ一様に形成されており、例えば図２に示したように、分離溝４１によって分離された絶縁層２３の端面および底部を被覆している。配線層３１は、例えば光反射率が７０％程度以上の金属材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ）や、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）と銀（Ａｇ）との積層等）によって構成されている。
【００２７】
有機層３３は、絶縁層３２上に設けられており、例えば、表示領域１１０Ａから図２に示した開口４２の手前まで形成されている。有機層３３は、詳細には、例えば図５に示したように、下部電極３１Ａの側から順に、正孔注入層３３Ａ、正孔輸送層３３Ｂ、発光層３３Ｃ、電子輸送層３３Ｄおよび電子注入層３３Ｅを積層した積層構造を有している。これらの層のうち、発光層３３Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。正孔注入層３３Ａは、正孔注入効率を高めると共に、短絡を防止するために設けられる。正孔輸送層３３Ｂは、発光層３３Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層３３Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層３３Ｄは、発光層３３Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものであり、電子注入層３３Ｅは電子注入効率を高めるためのものである。なお、有機層３３の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。
【００２８】
上部電極３４は、陰極（カソード電極）として機能するものであり、表示領域１１０Ａ内において各画素５に共通の電極として設けられている。上部電極３４は透明電極からなり、例えばＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zink Oxide：酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の材料からなるのが好ましい。上部電極３４は、例えば表示領域１１０Ａ内において、有機層３３の端面を覆うように、有機層３３よりも拡張して形成されている。これにより、有機層３３への水分等の浸入が抑制される。
【００２９】
保護層３５は、上部電極３４上に形成されると共に、上部電極３４の端面を覆うように形成されている。この保護層３５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化チタン（ＴｉＯx）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）等の無機材料からなる。
【００３０】
充填層１４は、保護層３５の上にほぼ一様に形成されており、例えば接着層として機能するものである。また、上記のように、充填層１４は分離溝４１を埋設するものであるため、例えば有機絶縁材料よりも吸水率の小さな、例えばエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等の有機材料や、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ等の無機材料等を用いることが好ましい。なお、分離溝４１は必ずしも充填層１４で埋設する必要はなく、別途、充填材によって埋設してもよい。その場合には、充填層１４はシート状の樹脂膜を用いて形成してもよい。更に、例えば図６に示したように充填層５４部分を中空構造としてもよい。その場合には、分離溝４１は、上記充填材で埋設してもよいし、保護層３５で埋設してもよい。
【００３１】
封止部１５は、白色有機ＥＬ素子１０Ｗのような表示領域１１０Ａ内に設けられた画素構造を、駆動基板１１と対向基板１２との間に封止するものであり、ここでは、絶縁層３２上に設けられている。封止部１５は、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂等によって形成されている。封止部１５には、例えば水分や二酸化炭素（ＣＯ2）等を吸着するゲ
ッター剤を添加してもよい。なお、封止部１５は、例えば図７，８に示したように、例えば絶縁層２３，３２の端面に合わせ、駆動基板１１と対向基板１２との間に設けてもよいし（図７）、絶縁層２３，３２および対向基板１２の端面に沿って設けてもよい（図８）。
【００３２】
対向基板１２は、充填層１４および封止部１５と共に、白色有機ＥＬ素子１０Ｗを封止するものである。対向基板１２は、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成されている。この対向基板１２における駆動基板１１側の面上にはＣＦ層１３が設けられている。ＣＦ層１３は、例えば各画素５に対応する位置にそれぞれ、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタからなるカラーフィルタ１３Ａが設けられており、カラーフィルタ１３Ａの各画素５の間にはブラックマトリクス１３Ｂが設けられている。これにより、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ内の各白色有機ＥＬ素子１０Ｗから発せられた白色光が、上記した各色のカラーフィルタを透過することによって、赤色光，緑色光，青色光がそれぞれ出射されるようになっている。また、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ内ならびにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００３３】
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３４】
まず、上述した材料からなる駆動基板１１上に、絶縁層２１（画素駆動回路２１Ａ（１４０）および周辺回路２１Ｂ）を形成する。続いて、絶縁層２１上に、配線層２２を形成したのち、上述した材料からなる絶縁層２３を、例えばスピンコート法や液滴吐出法等の塗布法（湿式法）により形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィー法により、周辺領域１１０Ｂの所定の位置の絶縁層２３を除去して溝（のちの、分離溝４１）を形成する。
【００３５】
次いで、絶縁層２３上に、上述した材料からなる配線層３１（下部電極３１Ａおよび導電膜３１Ｂ）となる金属膜を、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングすることにより形成する。具体的には、図１に示したように、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界付近において配線層３１を切断（開口４２を形成）し、両領域間が電気的にも非導通となるようにする。
【００３６】
次に、下部電極３１Ａ、導電膜３１Ｂおよび絶縁層２３の上に、上述した材料からなる絶縁層３２を、例えばスピンコート法や液滴吐出法等の塗布法（湿式法）により形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィー法により、上記絶縁層２３に設けた溝（分離溝４１）に対応する位置の絶縁層３２を除去して分離溝４１を形成する。続いて、絶縁層３２上に、上述した材料からなる有機層３３の各層を、表示領域１１０Ａをカバーするエリアマスクを用いて、例えば蒸着法により形成する。
【００３７】
次に、上述した材料からなる上部電極３４を、例えばスパッタ法を用いて有機層３３および導電膜３１Ｂの上に成膜したのち、上部電極３４の上に、上述した材料からなる保護層３５を、例えばプラズマＣＶＤ法やＰＶＤ法、ＡＬＤ法、蒸着法等を用いて形成する。
【００３８】
続いて、上述した材料からなる対向基板１２上に、カラーフィルタおよびブラックマトリクスをそれぞれ、例えばスピンコート法等により塗布した後、フォトリソグラフィー法を用いテーパターニングすることによりＣＦ層１３を形成する。最後に、駆動基板１１上に、前述した材料からなる充填層１４および封止部１５をそれぞれ形成したのち、これらを間にして、対向基板１２を貼り合わせる。以上により、図２等に示した表示装置１が完成する。
【００３９】
（１−２．作用・効果）
表示装置１では、各画素５に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、白色有機ＥＬ素子１０Ｗに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、ここでは表示装置１が上面発光型（トップエミッション型）であるため、上部電極３４、保護層３５、充填層１４、各色のカラーフィルタ（図示せず）および対向基板１２を透過して取り出される。このようにして、表示装置１において映像表示（カラー映像表示）がなされる。
【００４０】
表示素子として有機ＥＬ素子を備えた表示装置では、水分や異物の侵入は有機ＥＬ素子の劣化の原因となる。劣化した有機ＥＬ素子が設けられた画素は、非点灯状態となるため、製品寿命を縮める原因となっていた。有機層への異物等の侵入を抑制するためには、表示パネルの外端から表示領域までの距離を大きくすることが挙げられるが、この場合には、周辺領域を広くとることとなり、量産効率が低下する。また、表示装置の額縁部分（額縁領域）が広くなるためデザイン性が低下するという問題があった。
【００４１】
そこで、前述したように、表示領域の周辺に、水分等の侵入経路となる絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝を設け、これによって額縁領域を狭めつつ水分等の侵入を抑制する方法が開発されたが、その効果は十分ではなかった。図９は、このような表示装置の任意の４点（例えば、矩形形状の表示装置の各辺）における表示領域の外端（Active Aria；Ａ.Ａ.）に水分が到達する、即ち、周辺からの水分親友による発光領域の縮小（周辺シュリンク）が発生するまでの時間（経過時間）を表したものである。図９からわかるように、各辺毎に表示領域の外端に水分が達する時間にはばらつきがあり、ある辺では、製品寿命の前に周辺シュリンクが発生し、表示装置の寿命を縮める原因となっていた。
【００４２】
これは、周辺領域において画素構造を封止するシール（本実施の形態における封止部１５に相当）の形成位置が各辺において異なることによる。周辺領域には、周辺回路のほかに、ある辺ではＩＣチップや画素駆動回路に外部信号を入力する端子等が配列形成された回路基板を実装する実装領域が設けられている。このように、周辺領域に設けられたシールの外端から表示領域までの距離は各辺によって異なるため、上述したように表示領域の周辺に単純に一定幅の分離溝を設けただけでは、各辺における周辺シュリンクの発生時間にばらつきが生じる。周辺シュリンクの発生時間を延長してばらつきを抑える方法としては、封止部の外端から表示領域までの距離が各辺で均等になるように、周辺領域に配設される部材に応じて周辺領域の幅を広げることが考えられるが、額縁領域が広くなることとなり、デザイン性が低下するという問題が生じる。
【００４３】
これに対して本実施の形態の表示装置１では、封止部１５の外端と表示領域１１０Ａの外端との距離に応じて幅が異なる（具体的には、封止部の外端と表示領域の外端との距離が大きい場合には狭く、小さい場合には広く）分離溝４１を設けるようにした。図１０は、表示装置１の任意の４点（例えば、矩形形状の表示装置１の各辺）における表示領域１１０Ａの外端に水分が到達するまでの時間（経過時間）を表したものである。図１０からわかるように、各辺における周辺シュリンクの発生時間はほぼ同程度であり、また、使用環境に起因する製品寿命よりも周辺シュリンクの発生時間が遅くなった。即ち、封止部外端から表示装置１１０Ａの外端までの距離を大きくすることなく、外部から表示領域への異物の侵入が抑制される。
【００４４】
以上のように、本実施の形態では、絶縁層２３，３２を内周側と外周側とに分離する分離溝４１の幅を、封止部１５の外端と表示領域１１０Ａの外端との距離が大きい場合には狭く、小さい場合には広くなるようにした。これにより、周辺領域１１０Ｂの幅を広く、即ち、封止部１５の外端と表示領域１１０Ａの外端との距離を大きくすることなく外部から表示領域１１０Ａへの異物の侵入が抑制される。よって、狭額縁化を図りつつ、表示装置１およびこれを備えた電子機器の信頼性を向上させることが可能となる。
【００４５】
また、額縁領域を狭く、即ち周辺領域１１０Ｂを狭くすることが可能となるため、表示パネル１００の量産効率が向上する。
【００４６】
更にまた、分離溝４１は絶縁層２３，３２を構成する材料よりも透水率の低い材料によって埋設することが好ましく、上述したように、充填層１４によって埋設することによって、製造工程を増やすことなく、外部からの水分等の侵入をより抑制することが可能となる。
【００４７】
続いて、第２の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施の形態における構成要素と同じものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４８】
＜２．第２の実施の形態＞
図１１は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２は、上記表示装置１と同様に、有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられるものであり、駆動基板１１上には表示パネル１１０として表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている。表示装置１は、例えば白色有機ＥＬ素子１０Ｗと後述するカラーフィルタ１３Ａとを用いることによってＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光が上面（駆動基板１１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（所謂トップエミッション型）の表示装置である。本実施の形態の表示装置２では、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間に外部からの水分等の侵入を抑制する遮蔽構造（例えば、ダミー構造４３）が形成されている。
【００４９】
遮蔽構造は、表示領域１１０Ａの周辺、具体的には、絶縁層２３，３２を分離する分離溝４１と表示領域１１０Ａとの間に設けられ、例えば各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに設けられた画素構造と同様のものである。この遮蔽構造（画素構造）は、実際の表示に用いられるものではなく、所謂ダミー構造４３である。本実施の形態では、ダミー構造４３として、画素構造（ダミー画素）を設けたが、これに限らず、配線を遮蔽構造（ダミー配線）としてもよい。なお、遮蔽構造としてダミー配線を設ける場合には、分離溝４１と表示領域１１０Ａとの間に、なるべく広い範囲で形成されることが好ましい。また、その形状は、例えば卍模様のような、外部から侵入してきた水分等の異物をトラップできるような形状とすることが好ましい。
【００５０】
図１２は、ダミー構造４３を設けていない場合の任意の位置における表示領域の外端に水分が到達するまでの時間（経過時間）を表したものであり、図１３は、表示領域１１０Ａの周辺にダミー構造４３を設けた場合の表示領域の外端に水分が到達するまでの時間を表したものである。このように、表示領域１１０Ａの周辺にダミー構造４３を設けることによって、周辺シュリンクの発生時間を遅らせることができる。
【００５１】
以上のように、本実施の形態では、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間、具体的には、表示領域１１０Ａと分離溝４１との間にダミー構造４３を設けるようにした。これにより、製造工程を増やすことなく、外部からの水分等の侵入をさらに抑制することが可能となる。よって、狭額縁化を図りつつ、表示装置１およびこれを備えた電子機器の信頼性をより向上させることが可能となる。
【００５２】
＜３．適用例＞
以下、上記第１，第２の実施の形態で説明した表示装置（表示装置１，２）の適用例について説明する。上記実施の形態の有機電界発光装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。特に、モバイル向けの中小型ディスプレイに好適である。以下にその一例を示す。
【００５３】
（適用例１）
図１４Ａおよび図１４Ｂは、適用例１に係るタブレットパーソナルコンピュータの外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータは、例えば、タッチパネル部６１０および操作部６３０が配置された筐体６２０を有しており、タッチパネル部６１０に上記実施の形態等の表示装置１，２が搭載されている。
【００５４】
（適用例２）
図１５は、適用例２に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００を有しており、映像表示画面２００が、上記実施の形態の表示装置１，２に相当する。
【００５５】
（適用例３）
図１６は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０，文字等の入力操作のためのキーボード４２０および画像を表示する表示部４３０を有しており、その表示部４３０は、上記実施の形態等に係る表示装置１，２により構成されている。
【００５６】
以上、第１，第２の実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００５７】
例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００５８】
また、上記実施の形態では、表示装置が上面発光型（トップエミッション型）のものである場合について説明したが、これには限られず、例えば下面発光型（ボトムエミッション型）の構成としてもよい。このような下面発光型の表示装置の場合には、例えば下部電極３１ＡをＩＴＯ，ＩＺＯおよびＺｎＯのいずれか、上部電極３４をＡｌやＭｇＡｇあるいはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造等を用いて形成し、有機層３３の積層順序を上記実施の形態とは逆に形成する。なお、この場合にはカラーフィルタ１３ＡはＴＦＴ（Ｔｒ１）等が形成されている層と絶縁層２３との間に設ける。可燃発光型の表示装置では、有機層３３内の発光層からの光は、下部電極および駆動基板１１を透過して外部へ取り出されることになる。また、このような表示装置において、所謂マイクロキャビティ（微小共振器）構造を設けるようにしてもよい。この微小共振器構造は、例えば、一対の反射膜間に所定の屈折率差を有する複数の層を積層した構造であり、入射光を一対の反射膜間で繰り返し反射させることにより光閉じ込めを行うものである。
【００５９】
更に、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子１０Ｗ）の有機層３３の構成を、下部電極３１Ａの側から順に、正孔注入層３３Ａ、正孔輸送層３３Ｂ、発光層３３Ｃ、電子輸送層３３Ｄおよび電子注入層３３Ｅを積層した積層構造としたが、これに限らない。例えば、所謂スタック構造としてもよい。
【００６０】
更に、分離溝４１によって分離された絶縁層３２のうち、周辺領域１１０Ｂ側に設けられた絶縁層２３を除去してもかまわない。
【００６１】
加えて、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態等では、色画素として赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂの３種類を例に説明したが、これに限らず、例えば白色画素５Ｗや黄色画素５Ｙ等の色画素を組み合わせてもよい。
【００６３】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００６４】
なお、本技術は以下のような構成をとることも可能である。
（１）複数の画素が配設された表示領域と、前記表示領域の外縁側に設けられる周辺領域と、前記表示領域から前記周辺領域へ延在する絶縁層と、前記周辺領域に設けられ、前記絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝と、前記絶縁層の外周側に設けられると共に、前記表示領域を封止する封止部とを備え、前記分離溝の幅は、前記表示領域の外端と前記封止部の外端との距離が大きくなるに応じて狭く、小さくなるに応じて広い表示装置。（２）任意の位置における前記距離をそれぞれＸ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４、前記任意の位置における前記幅をそれぞれｘａ，ｘｂ，ｘｃ，ｘｄとし、前記距離がＸ１＞Ｘ２＞Ｘ３＞Ｘ４である場合には、前記幅はｘａ＜ｘｂ＜ｘｃ＜ｘｄである、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記分離溝は充填材によって埋設されている、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記充填材の吸水率および前記絶縁層を構成する材料の吸水率は互いに異なる、前記（３）に記載の表示装置。
（５）前記充填材の吸水率は、前記絶縁層を構成する材料の吸水率よりも小さい、前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記絶縁層は有機材料によって構成されている、前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記充填材は無機材料である、前記（３）乃至（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記表示領域と、前記分離溝との間に遮蔽構造が設けられている、前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の表示装置。
（９）前記遮蔽構造はダミー構造である、前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記ダミー構造は画素構造である、前記（９）に記載の表示装置。
（１１）表示装置を備え、前記表示装置は、複数の画素が配設された表示領域と、前記表示領域の外縁側に設けられる周辺領域と、前記表示領域から前記周辺領域へ延在する絶縁層と、前記周辺領域に設けられ、前記絶縁層を内周側と外周側とに分離する分離溝と、前記絶縁層の外周側に設けられると共に、前記表示領域を封止する封止部とを備え、前記分離溝の幅は、前記表示領域の外端と前記封止部の外端との距離が大きくなるに応じて狭く、小さくなるに応じて広い電子機器。
【００６５】
本出願は、日本国特許庁において２０１４年８月１９日に出願された日本特許出願番号２０１４−１６６６６０号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００６６】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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