(57)【要約】  本発明のミラーイオン顕微鏡は、ガス電界電離イオン源（１）から発生したイオンビームを試料（９）に照射する照射光学系（５，７，８）と、イオンビームの加速電圧と試料に印加する正電位とを制御する電位制御部と、試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射するイオン検出光学系（７，５１，５２）と、検出部（５３）とを有する。電位制御部は、試料にイオンビームを衝突させる第一の正電位と試料にイオンビームを衝突させる前に反射させる第二の正電位とを設定できる。そのため、第一の正電位を設定することにより、試料表面をスパッタし、第二の正電位を設定することにより。顕微鏡像を得ることができる。  これにより、超高解像度で高速の観察や検査が可能なイオン顕微鏡が実現できる。
2016129026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを発生させるガス電界電離イオン源と、  発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、  前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御部と、  前記試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型イオン検出部と、を有し、  前記電位制御部は、前記試料に前記イオンビームを衝突させる第一の正電位と前記試料に前記イオンビームを衝突させる前に軌道反転させる第二の正電位とを記憶する記憶部を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項２】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、  前記電位制御部は、前記第一の正電位を設定し前記試料表面の一部を除去するスパッタ制御部と、前記第二の正電位を設定して顕微鏡像を得る像取得制御部と、を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項３】
請求項２に記載のミラーイオン顕微鏡において、  試料観察領域に対して前記第二の正電位を設定して得られた第一の顕微鏡像と、  前記試料観察領域に対して前記第一の正電位を設定し前記スパッタを行った後、前記第二の正電位を設定して得られた第二の顕微鏡像と、を表示する表示部を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項４】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、  前記第一の正電位を印加する際に前記エミッタティップに供給するガス種は、アルゴン、キセノン、クリプトンの内少なくとも一種を含むことを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項５】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、  前記第一の正電位を印加する際に前記エミッタティップに供給するガス種は、ネオンまたはヘリウムの内少なくとも一種を含むことを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項６】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、  前記照射光学系の排気を行う排気部には、非蒸発ゲッタポンプを備えることを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項７】
イオンビームを発生させる発生ステップと、  発生した前記イオンビームを試料に照射する照射ステップと、  前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御ステップと、  前記電位制御ステップによって前記試料に衝突する前に軌道反転したイオンを顕微鏡像として結像または投射する像形成ステップと、を有することを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載のイオンビーム制御方法において、  前記電位制御ステップは、前記試料に前記イオンビームを衝突させ前記試料表面の一部を除去するスパッタステップと、前記イオンビームを衝突させる前に軌道反転させ顕微鏡像を得る像取得ステップと、を有し、  前記像形成ステップは、前記像取得ステップによって前記試料近傍で軌道反転したイオンを顕微鏡像として結像または投射するステップであることを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載のイオンビーム制御方法において、  前記試料の観察領域内において、前記像取得ステップ、前記スパッタステップ、前記像取得ステップ、の順に、少なくとも前記像取得ステップを２回以上繰り返し、前記顕微鏡像を２枚以上得ることを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項１０】
請求項８に記載のイオンビーム制御方法において、  前記試料表面に対して深さ方向が互いに異なる顕微鏡像を少なくとも２枚表示する表示ステップを有することを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項１１】
イオンビームを発生させるイオン源と、  発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、  前記試料に印加する正電位を制御する試料電位制御部と、  前記試料に衝突する前に軌道反転したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型検出光学系と、を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項１２】
請求項１１に記載のミラーイオン顕微鏡において、  前記照射光学系のカラムは、前記ミラーイオン顕微鏡の設置された面または床に対して垂直方向に設けられ、  前記検出光学系のカラムは、前記ミラーイオン顕微鏡の設置された面または床に対して傾斜方向に設けられていることを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項１３】
請求項１２に記載のミラーイオン顕微鏡において、  前記イオン源は、前記イオンビームを生じさせるエミッタティップの先端にピラミッド構造を形成する電界電離イオン源であることを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ミラーイオン顕微鏡およびイオンビーム制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  電子を走査しながら試料に照射して、試料から放出される二次荷電粒子を検出すれば、試料表面の構造を観察することができる。これは走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope以下、SEMと略記）と呼ばれる。また、電子の加速電圧に比べて負の電位を、試料に与えた上で、電子ビームを試料に照射して、試料に衝突する前に軌道反転するミラー電子を結像する。これはミラー電子顕微鏡（MEM：Mirror Electron Microscope）と呼ばれる。また、電子の加速電圧に比べて、例えば、約20V正となる電位を試料に与えた上で、照射電子ビームが試料表面に低エネルギーで衝突して、試料表面に衝突した後に反射した電子を結像する。これは低エネルギー放出電子顕微鏡（LEEM：Low Energy Emission Microscope）と呼ばれる。これらの顕微鏡によれば、試料上の極微細な異物や欠陥を発見することが可能である。特許文献１には、ミラー電子顕微鏡、特許文献２には、低エネルギー放出電子顕微鏡が開示されている。【０００３】  特に、MEMやLEEMは、結像型光学系を用いることから、SEMに比べて高速に観察することができるため、電子デバイス製造における高速検査装置として期待されている。【０００４】  一方、イオンビームを集束し走査しながら試料に照射して、試料から放出される二次電子、二次イオン、反射イオンなどを検出しても、試料表面の構造を観察することができる。これは走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope以下、SIMと略記）と呼ばれる。特許文献３には、液体金属イオン源を用いた走査イオン顕微鏡が開示されている。特許文献４には、ガス電界電離イオン源を用いた走査イオン顕微鏡が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１０８８６４号
【特許文献２】特開２００５−２２８７４３号
【特許文献３】特開２０１１−１２３９９８号
【特許文献４】特開２００８−１４０５５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  電子ビームでは、電子の波としての性質が無視できないため、回折効果により収差が発生する。一方、イオンビームでは、電子に比べて重いため、回折効果による収差は電子に比べて極めて小さい。また、イオンビーム照射では、同じ条件の電子ビーム照射と比べ、試料への侵入深さが浅くて、幅も狭い。さらに、イオンビーム照射では、試料表面の原子を移動させる能力が大きく、真空中に原子が放出するスパッタリング現象も生じる。【０００７】  イオンビームを走査するSIMでは、従来でも試料上の異物を発見するのに十分か分解能を得ていたが、上で述べたように観察に時間を要するために実用的な検査装置は実現されていなかった。また、試料から放出される二次電子および二次イオンなどを結像して観察する装置についても、解像度が低く実用的な検査装置は実現されていなかった。【０００８】  本発明の目的は、イオンビームを用いる試料観察装置において、特に結像型あるいは投射型イオン検出系を持ち、超高解像度で高速の観察または検査が可能な装置を提供することにある。加えて、電子ビーム装置では困難であった表面クリーニングの後に観察が可能な装置、または深さ方向の構造および欠陥を観察可能な装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  本発明に係わるミラーイオン顕微鏡は、イオンビームを発生させるガス電界電離イオン源と、発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御部と、前記試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型イオン検出部と、を有し、前記電位制御部は、前記試料に前記イオンビームを衝突させる第一の正電位と前記試料に前記イオンビームを衝突させる前に軌道反転させる第二の正電位とを記憶する記憶部を有することを特徴とする。【００１０】  また、本発明に係わるイオンビーム制御方法は、イオンビームを発生させる発生ステップと、発生した前記イオンビームを試料に照射する照射ステップと、前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御ステップと、前記電位制御ステップによって前記試料に衝突させる前に軌道反転イオンを顕微鏡像として結像または投射する像形成ステップと、を有することを特徴とする。【００１１】  また、本発明に係わるミラーイオン顕微鏡は、イオンビームを発生させるイオン源と、発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記試料に印加する正電位を制御する試料電位制御部と、前記試料に衝突させる前に軌道反転したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型検出光学系と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】  本発明によると、イオンビームを用いる試料観察装置において、特に結像型あるいは投射型イオン検出系を持ち、高速の観察または検査が可能な装置を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明によるイオンビーム装置の一例の概略構成図である。
【図２】本発明によるイオンビーム装置の制御系の一例の概略構成図である。
【図３】本発明によるイオンビーム装置による動作の模式図である。
【図４】本発明によるイオンビーム装置による動作の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】  本発明の詳細な説明に先立ち、各構成とその効果について列挙し説明する。
【００１５】  （１）イオンビームを発生させるガス電界電離イオン源と、発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御部と、前記試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型イオン検出部と、を有し、前記電位制御部は、前記試料に前記イオンビームを衝突させる第一の正電位と前記試料に前記イオンビームを衝突させる前に軌道反転させる第二の正電位とを記憶する記憶部を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００１６】  このようにすると、イオンビームを用いる試料観察装置において、走査イオン顕微鏡のような走査型ではなく、特に結像型あるいは投射型イオン検出系を持ち、ミラーイオンを検出することにより試料の高速な観察または検査が可能な装置が提供される。特に、従来のミラー電子顕微鏡に比べて、顕微鏡設置場所の浮遊磁場の影響が無く像のゆれやドリフトが少なく、解像度の高い異物検出ができるという効果を奏する。また、ガス電界電離イオン源を用いることにより、他のイオン源である、デュオプラズマイオン源、ペニング型イオン源、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ: Inductively Coupled Plasma）プラズマイオン源、マイクロ波プラズマ（ＭＩＰ：Microwave Induced Plasma）イオン源を用いた場合と比べて解像度の高いミラー顕微鏡像が得られるという効果を奏する。特にミラー顕微鏡であるため、結像型あるいは投射型イオン検出系で観察または検査する際にイオンビームを大電流することも可能である。イオンビーム電流が大きくすると観察または検査が高速になり、かつ結像型あるいは投射型イオン検出系であるため超高解像度とすることも可能となる。また、本装置によれば試料に衝突せずに軌道反転するミラーイオンによる観察のみならず、試料に衝突した反射イオンによる観察も可能になる。なお、試料に衝突しないミラーイオンのみを検出する場合には、試料にイオン衝突によるダメージを与えないという効果を得る。
【００１７】  （２）前記（１）に記載のミラーイオン顕微鏡において、前記電位制御部は、前記第一の正電位を設定し前記試料表面の一部を除去するスパッタ制御部と、前記第二の正電位を設定して顕微鏡像を得る像取得制御部と、を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００１８】  このようにすると、試料に衝突しないミラーイオンによる観察のみならず、試料に衝突した反射イオンによる観察が可能になる。さらに、試料へイオンビームを衝突させることにより、試料表面をスパッタリングできるという効果を奏する。   （３）前記（２）に記載のミラーイオン顕微鏡において、試料観察領域に対して前記第二の正電位を設定して得られた第一の顕微鏡像と、前記試料観察領域に対して前記第一の正電位を設定し前記スパッタを行った後、前記第二の正電位を設定して得られた第二の顕微鏡像と、を表示する表示部を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００１９】  このようにすると、試料表面の一部の原子を除去すること、すなわち表面クリーニングした後に、ミラーイオン像を得るという効果を奏する。また、試料表面の一部の原子を除去することとミラーイオン顕微鏡観察を繰り返すことにより試料の深さ方向のミラーイオン像を得ることができる。
【００２０】  （４）前記（１）に記載のミラーイオン顕微鏡において、前記第一の正電位を印加する際に前記エミッタティップに供給するガス種は、アルゴン、キセノン、クリプトンの内少なくとも一種を含むことを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００２１】  このようにすると、磁場ノイズに対して影響を受けにくいという効果を奏する。特に水素やネオンに比べれば高速で低損傷の加工が深さ方向に可能になるという効果を奏する。なお、２種類の混合ガスや３種の混合ガスなどの複数のガス種を含む混合ガスであっても良い。
【００２２】  （５）前記（１）に記載のイオンビーム装置において、前記第一の正電位を印加する際に前記エミッタティップに供給するガス種は、ネオンまたはヘリウムの内少なくとも一種を含むことを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。  このようにすると、ネオンまたはヘリウムを用いた場合には、試料表面の原子移動が少ない加工が可能になる、あるいは熱的なダメージが少ないという効果を奏する。なお、２種類の混合ガスや３種の混合ガスなどの複数のガス種を含む混合ガスであっても良い。本発明によると以上のような効果を奏する。
【００２３】  （６）前記（１）に記載のミラーイオン顕微鏡において、前記照射光学系の排気を行う排気部には、非蒸発ゲッタポンプを備えることを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００２４】  このようにすると、非蒸発ゲッタポンプを用いることにより、イオンビーム照射電流が安定してイオン顕微鏡像へのノイズが少ないという効果を奏する。
【００２５】  （７）イオンビームを発生させる発生ステップと、発生した前記イオンビームを試料に照射する照射ステップと、前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御ステップと、前記電位制御ステップによって前記試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射する像形成ステップと、を有することを特徴とするイオンビーム制御方法である。
【００２６】  このようにすると、走査イオン顕微鏡のような走査型ではなく、特に結像型あるいは投射型イオン検出系を持ち、ミラーイオンを検出することにより試料の高速な観察または検査が可能な装置が提供される。また、試料上の異物や欠陥を高速で検出可能な検査装置が提供される。特に、従来のミラー電子顕微鏡に比べて、顕微鏡設置場所の浮遊磁場の影響が無く像のゆれやドリフトが少なく、解像度の高い異物検出ができるという効果を奏する。
【００２７】  （８）前記（７）に記載のイオンビーム制御方法において、前記電位制御ステップは、前記試料に前記イオンビームを衝突させ前記試料表面の一部を除去するスパッタステップと、前記イオンビームを衝突させる前に反射させ顕微鏡像を得る像取得ステップと、を有し、前記像形成ステップは、前記像取得ステップによって前記試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射するステップであることを特徴とするイオンビーム制御方法である。
【００２８】  このようにすると、ミラーイオンによる観察のみならず、試料に衝突した反射イオンによる観察が可能になる。また、試料へイオンビームを衝突させることにより、試料表面をスパッタリングできる。スパッタリングによって表面クリーニングした後に、ミラーイオン顕微鏡観察ができる。
【００２９】  （９）前記（８）に記載されたイオンビーム制御方法において、前記像取得ステップ、前記スパッタステップ、前記像取得ステップ、の順に、少なくとも前記像取得ステップを２回以上繰り返し、前記顕微鏡像を２枚以上得ることを特徴とするイオンビーム制御方法である。
【００３０】  このようにすると、試料表面の一部の原子を除去するスパッタリングとミラーイオン顕微鏡観察を繰り返すことにより試料の深さ方向のミラーイオン像を得ることができる。
【００３１】  （１０）前記（８）に記載されたイオンビーム制御方法において、前記試料表面に対して深さ方向が互いに異なる顕微鏡像を少なくとも２枚表示する表示ステップを有することを特徴とするイオンビーム制御方法である。
【００３２】  このようにすると、試料表面の一部の原子を除去するスパッタリングとミラーイオン顕微鏡観察を繰り返すことにより試料の深さ方向のミラーイオン像を得ることができる。
【００３３】  （１１）イオンビームを発生させるイオン源と、発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記試料に印加する正電位を制御する試料電位制御部と、前記試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型検出光学系と、を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００３４】  このようにすると、イオンビームを用いる試料観察装置において、走査イオン顕微鏡のような走査型ではなく、特に結像型あるいは投射型イオン検出系を持ち、ミラーイオンを検出ことにより試料の高速な観察または検査が可能な装置が提供される。特に、従来のミラー電子顕微鏡に比べて、顕微鏡設置場所の浮遊磁場の影響が無く像のゆれやドリフトが少なく、解像度の高い異物検出ができるという効果を奏する。
【００３５】  （１２）前記（１１）に記載のミラーイオン顕微鏡において、前記照射光学系のカラムは、前記ミラーイオン顕微鏡の設置された面または床に対して垂直方向に設けられ、  前記検出光学系のカラムは、前記ミラーイオン顕微鏡の設置された面または床に対して傾斜方向に設けられていることを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００３６】  このようにすると、照射イオンビーム１００ａが試料方向に直進するので、収差が少なくなり、平行度の良いイオンビームが試料に向かうことになる。この結果、試料に到達する前に軌道反転するミラーイオン像の解像度が高くなることがわかった。すなわち、別の構造選択肢としてイオン源およびイオン照射系カラムを傾斜配置して、照射イオンビームをセパレータで偏向して試料に向かわせて、ミラーイオンを直進させる構造に比べて、上記で述べたイオンビーム照射系カラムが直立する構造の方が、ミラーイオン像の解像度が向上するという効果を奏する。
【００３７】  （１３）前記（１２）に記載のミラーイオン顕微鏡において、前記イオン源は、前記イオンビームを生じさせるエミッタティップの先端にピラミッド構造を形成する電界電離イオン源であることを特徴とするミラーイオン顕微鏡である。
【００３８】  このようにすると、他のイオン源である、デュオプラズマイオン源、ペニング型イオン源、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ: Inductively Coupled Plasma）プラズマイオン源、マイクロ波プラズマ（ＭＩＰ：Microwave Induced Plasma）イオン源を用いた場合と比べて解像度の高いミラー顕微鏡像が得られるという効果を奏する。
【実施例１】
【００３９】  図１を参照して本発明によるイオンビーム装置の例を説明する。以下に、イオンビーム装置として、ミラーイオン顕微鏡の第１の例を説明する。本例のミラーイオン顕微鏡は、ガス電界電離イオン源１、イオンビーム照射系カラム２、試料室３、冷却機構４、及び、結像型検出系カラム６、ガス供給機構２６を有する。ここでガス電界電離イオン源１、イオンビーム照射系カラム２、及び、試料室３、結像型検出系カラム６などは真空容器15の中に含まれるように設置される。なお、本構成によれば、試料上の異物および欠陥などが検出可能である。【００４０】  本実施例において、図１のように照射イオンビームを供給するイオンビーム照射系カラム２は、顕微鏡設置面２０すなわち床に対して直立し、一方でミラーイオンビームを結像する検出系カラム６は傾斜する。また、イオンビーム照射系カラム２には、セパレータ７が内包されており、試料９に向かう照射イオンビーム３１と、試料９から戻ってくるイオンビーム３２とを分離する。【００４１】  まず、ガス電界電離イオン源１は、針状のエミッタティップ２１、エミッタティップに対向して設けられ、イオンが通過する開口部２７を有する引き出し電極２４、細線状のフィラメント２２、円柱状のフィラメントマウント２３、及び、円柱状のエミッタベースマウント６４を有する。【００４２】  また、ガス電界電離イオン源１の真空容器１５を真空排気するイオン源真空排気用ポンプ１２が設けられている。真空容器１５とイオン源真空排気用ポンプ１２の間には真空遮断可能なバルブ２９が配置されている。【００４３】  さらにガス電界電離イオン源１の真空容器１５には非蒸発ゲッタ材料７０を内包する真空ポンプ７１が接続されている。また、イオン源真空排気用ポンプ１２と真空容器１５および、非蒸発ゲッタ材料７０を内包する真空ポンプ７１と真空容器１５との間には真空遮断可能なバルブ７４が配置されている。【００４４】  さらにガス電界電離イオン源１は、エミッタティップ２１の傾斜を変える傾斜機構６１を含み、これはエミッタベースマウント６４と固定されている。これは、エミッタティップ先端の方向をイオンビーム照射軸６２に精度良く合わせるために用いる。本実施例のように、イオンビーム照射系カラムが顕微鏡設置面２０すなわち床に対して直立する場合には、傾斜機構６１による傾斜精度を高められ、かつ傾斜方向のドリフト移動が無く、好適なイオン顕微鏡を実現できるという効果を奏する。【００４５】  また、イオンビーム照射系は、上記ガス電界電離イオン源１から放出されたイオンビームを集束する集束レンズ５、セパレータ７、試料９に向けてイオンビームを略平行に照射する対物レンズ８などから構成される。なお、集束レンズおよび対物レンズは複数の電極からなる静電型レンズである。また、図示はしていないが、集束レンズを通過したイオンビーム３１を制限する可動なアパーチャ、該アパーチャを通過したイオンビームを走査あるいはアラインメントする偏向器、なども内包されており、イオン源からのエミッションパターン観察や、走査イオンビーム像取得の場合に使用することができる。【００４６】  また、真空容器15の内部のイオンビーム照射系カラム２を真空排気するイオン���ーム照射系カラム真空排気用ポンプ１７が設けられている。真空容器とイオンビーム照射系カラム真空排気用ポンプ１７の間には真空遮断可能なバルブ１８が配置されている。これは結像型検出系カラム６の排気を行う事も可能である。【００４７】  また、試料室３の内部には、試料９を載置する試料ステージ１０、試料と試料ステージ10を電気絶縁する絶縁物２９、イオンビームを試料に衝突させた場合に、試料から放出される二次電子や三次電子、後方散乱電子などを検出する荷電粒子検出器１１、および試料のチャージアップを中和するための電子銃（図示せず）が設けられている。本例のイオン顕微鏡は、更に、試料室３を真空排気する試料室真空排気用ポンプ１３を有する。また、試料室３には図示してないが試料近傍にエッチングやデポジションガスを供給するガス銃が設けられている。また、荷電粒子検出器１１はイオン検出器も含まれる。【００４８】  結像型検出系カラム６は真空容器の内部に設けられ、中間イオンレンズ５１、投影イオンレンズ５２などが内包されている。また画像検出部に５３には、蛍光板５４および二次元光学検出器５５などから構成されている。【００４９】  また、床２０の上に配置された装置架台１７の上には、防振機構１９を介して、ベースプレート１８が配置されている。電界電離イオン源１、カラム２、及び、試料室３は、ベースプレート１８によって支持されている構成とすることが可能である。【００５０】  冷却機構４は、電界電離イオン源１の内部、エミッタティップ２１を冷却する。なお、冷却機構４は例えばギフォード・マクマホン型（ＧＭ型）冷凍機あるいは、パルス管冷凍機を用いることができる。この場合には、床２０には、図示してないがヘリウムガスを作業ガスとする圧縮機ユニット（コンプレッサ）が設置される。圧縮機ユニット（コンプレッサ）の振動は、床２０を経由して、装置架台１７に伝達される。この振動を防止するために装置架台１７とベースプレート１８との間には除振機構１９が配置されている。これにより、床の高周波数の振動は電界電離イオン源１、イオンビーム照射系カラム２、真空試料室３などの伝達を低減することができる。ここでは、床２０の振動の原因として、冷凍機及びコンプレッサを説明した。しかしながら、床２０の振動以外の外因による振動にも、本構成は有効である。また、防振機構１９は、防振ゴム、バネ、ダンパ、又は、これらの組合せによって構成されてよい。【００５１】  ここで、本実施例のガス電界電離イオン源のエミッタティップ２１先端には原子によるナノメートルオーダのピラミッド型構造が形成されている。これをナノピラミッドと呼ぶことにする。ナノピラミッド型構造で形成された原子の個数は状況に応じて変えることが出来るが、典型的には、先端に１個の原子を有し、その下に３個又は６個の原子の層を有し、さらにその下に１０個以上の原子の層を有すると非常に好適なビームを得ることが出来る。【００５２】  また、エミッタティップの材質としては、タングステン、モリブデン細線などを用いる。また、エミッタティップの先端にナノピラミッドを形成する方法として、イリジウム、白金、レニウム、オスミウム、パラジュウム、ロジュウム等を被覆させた後に、フ��ラメントに通電してエミッタティップを高温加熱する方法や、他に、真空中での電界蒸発、ガスエッチィング、イオンビーム照射、リモデリング方法等がある。このような方法によればて、タングステン線、モリブデン線先端に原子のナノピラミッドを形成することができる。例えば方向指数が＜111＞のタングステン線を用いた場合には、先端が１個または３個のタングステン原子あるいはイリジウムなどの原子で構成されるのが特徴となる。また、これとは別に、白金、イリジウム、レニウム、オスミウム、パラジュウム、ロジュウムなどの、細線の先端に真空中でのエッチングあるいはリモデリングにより同様なナノピラミッドを形成することもできる。【００５３】  上述のように、本実施例によるガス電界電離イオン源のエミッタティップ２１の特徴は、ナノピラミッドの構造にある。エミッタティップ２１の先端に形成される電界強度を調整することによって、エミッタティップの先端の１個の原子の近傍でイオンを生成させることができる。従って、イオンが放出される領域、即ち、イオン光源は極めて狭い領域であり、ナノメータ以下である。このように、非常に限定された領域からイオンを発生させることによって、ビーム径を１nm以下とすることができる。すなわち、従来の電子源と比較しても、イオン源は単位面積及び単位立体角当たりの電流値を大きくすることができる。これは試料上で微細径かつ大電流のイオンビームを得るための重要な特性である。【００５４】  なお、白金、レニウム、オスミウム、イリジウム、パラジュウム、ロジュウム、などを用いて、先端原子１個のナノピラミッドを形成した場合には、同様に単位面積・単位立体角から放出される電流すなわちイオン源輝度を、電子源や他のイオン源と比較しても大きくすることができる。すなわち、イオン顕微鏡の試料上のビーム径を小さくしたり、電流を増大したりするのに好適となる。ただし、エミッタティップが十分冷却され、かつガス供給が十分な場合には、必ずしも先端を１個に形成する必要はなく、３個、６個、７個、１０個などの原子数であっても本観察または検査に対して十分な性能を発揮できる。特に、４個以上の１０個未満の原子で先端を構成する場合には、イオン源輝度を高くでき、かつ先端原子が蒸発しにくく安定した動作を両立することが可能である。【００５５】  図２は、図１に示した本発明によるミラーイオン顕微鏡の制御装置の例を示す。本例の制御装置は、ガス電界電離イオン源１を制御する電界電離イオン源制御装置９１、冷凍機４を制御する冷凍機制御装置９２、集束レンズ５および対物レンズ８を制御するレンズ制御装置９３、セパレータ制御装置１９１、試料ステージ１０を制御する試料ステージ制御装置９７、試料室真空排気用ポンプ１３を制御する真空排気用ポンプ制御装置９８、試料台１０、結像型検出系カラム６に内包される中間イオンレンズ５１や投影イオンレンズ５２を制御する投影型イオン光学系制御装置１９２などがある。また本例の制御装置は、画像検出部制御装置１９３、荷電粒子検出器１１の電極等に電圧を印加する複数の電源およびその制御装置、および計算処理能力をもつ本体制御装置９９を有する。本体制御装置９９は演算処理部、記憶部、画像表示部等を備える。画像表示部は、荷電粒子検出器１１の検出信号から生成された画像、及び、入力手段によって入力した情報を表示する。【００５６】  試料ステージ１０は、試料９を試料載置面内にて直交２方向へ直線移動させる機構、試料９を試料載置面に垂直な方向への直線移動させる機構、及び、試料９を試料載置面内にて回転させる機構を有する。試料ステージ１０は、更に、試料９を傾斜軸周りに回転させることによりイオンビーム１４の試料９への照射角度を可変できる傾斜機能を備える。これらの制御は計算処理装置９９からの指令によって、試料ステージ制御装置９７が実行する。【００５７】  次に、本例のガス電界電離イオン源の動作を説明する。真空排気後、十分な時間が経過した後、冷凍機４を運転する。それによってエミッタティップ２１が冷却される。まず、エミッタテフィップにイオンの加速電圧として、正の高電圧を印加する。次に、エミッタテフィップに対して負電位となるように引き出し電極２４に高電圧を印加する。すると、エミッタティップの先端に強電界が形成される。そしてイオン化ガスの供給機構２６からイオン化ガスを供給すると、イオン化ガスは強電界によってエミッタティップ面に引っ張られる。その後にイオン化ガスは最も電界の強いエミッタティップ２１の先端近傍に到達する。そこでイオン化ガスが電界電離し、イオンビームが生成される。イオンビームは、引き出し電極２４の孔２７を経由して、イオンビーム照射系に導かれる。本実施例では、アルゴンガスを導入する。【００５８】  次に、ガス電界電離イオン源１から放出されたイオンビーム３１は、集束レンズ５によって集束されながら、セパレータ７を直進して、試料９に略平行束のイオンビーム３２となって向かう。【００５９】  集束レンズ５は、試料に対してより平行度の高い照射イオンビームが得られる様、複数のレンズを組み合わせたシステムであっても良い。また、集束レンズ５は、対物レンズ８の後焦点面にイオンビームが集束するように調整される。セパレータ７は、試料１０へ向かう照射イオンビーム３２と、試料９から上方へ戻ってくるイオンビーム３３とを分離する。本実施例のセパレータ７には例として、電場と磁場が直交する（Ｅ×Ｂ）偏向器を用いている。Ｅ×Ｂ偏向器は、その特性からイオン源から試料９に向かうイオンビーム３２を直進させて、試料から上方へ向かうイオンビーム３３を検出器方向に偏向させるようにできる。次に、イオン源１から試料９に向かうイオンビーム３２は、静電型対物レンズ８により、試料表面に対し垂直に向かう平行束のイオンビームに形成される。前述のように、対物レンズ８の後焦点にイオンビームが集束されるように、イオン照射系集束レンズ５が調整されるので、平行性の高いイオンビームを試料９に対して照射できる。【００６０】  以上の場合には、図１に示したように照射イオンビームを供給するイオンビーム照射系カラム２は、顕微鏡設置面２０すなわち床に対して直立して、ミラーイオンビームを結像するイオン検出系カラム６は傾斜する。このような構造にすると、セパレータ７によって照射イオンビーム３１が偏向されることなく試料９方向に直進するので、試料に照射されるビームの収差が少なくなり、平行度の良いイオンビーム���２が試料９に向かうことになる。この結果、試料に到達する前に軌道反転するミラーイオン像の解像度が高くなることがわかった。一方、別の構造選択肢としてイオン源１およびイオン照射系カラム２を傾斜配置して、照射イオンビームをセパレータで偏向して試料に向かわせて、ミラーイオンを直進させる構造がある。しかし、その構造に比べて、上記で述べたイオンビーム照射系カラム２が直立する構造の方が、ミラーイオン像の解像度が向上することがわかったのである。【００６１】  また、試料９は試料ステージ１０の上に絶縁物２９を介して戴置されている。試料ステージ１０は、試料９の中心を回転中心とした回転運動、および、試料の半径方向への直進運動とその垂直方向の直進運動、上下方向の直進運動を行うことができる。試料ステージ１０が回転しながら試料９の半径方向に移動することにより、試料９の全面を観察できるようになる。試料ステージ１０の運動は、試料ステージ制御装置９７によって制御されている。【００６２】  そして、イオンビームの加速電圧比べてやや高い正電位を、高圧電源により試料９に印加した場合には、照射イオンビーム３２が、この正電位によって試料９の手前で減速され、試料９に衝突する前にその軌道を反転させる。すなわちミラーイオン３３となる。【００６３】  次に、ミラーイオン３３は対物レンズ８により第１の像を形成する。セパレータ７は本実施例ではＥ×Ｂ偏向器であるので、試料方向から進行したイオンビーム３３に対しては偏向作用を持たせて制御され、ミラーイオン３３は偏向を受けて進行し、第１の像は中間イオンレンズ５１、投影イオンレンズ５２によって順次結像される。これらの中間レンズ５１及び投影レンズ５２は、複数の電極から構成される静電レンズである。最終的なイオン像は画像検出部５３に拡大投影される。なお、第１の像は、セパレータ７の中心に形成されることが望ましい。これにより、セパレータ７の電磁界による像への収差の影響を最小限にできるからである。また、図１では投影イオンレンズ５２は１つのイオンレンズとして描かれているが、高い倍率の拡大や像歪の補正などのために複数のイオンレンズで構成しても良い。【００６４】  画像検出部５３はミラーイオン３３の像を電気信号に変換し本体制御装置９９の異物判定部に送る。また、これまで述べてきた様々なイオンレンズやセパレータ７などのイオン光学系の制御は、投影型イオン光学系制御装置１９２が行っている。【００６５】  次に、画像検出部５３について説明する。画像は、ミラーイオン３３をまず蛍光板５４で光に変換して、２次元光学検出器５５で電気信号に変換する。あるいは、イオンをマイクロチャネルプレートなどにより、光学像への変換を経ずに直接画像信号として出力することもできる。【００６６】  このとき得られたミラーイオン顕微鏡像は、従来のミラー電子顕微鏡像に比べて、顕微鏡設置場所の浮遊磁場の影響が無く像のゆれやドリフトが少なく、解像度の高い像となることが分かった。これは本質的に電子とイオンの磁場に対する感度の違いである。高解像のミラーイオン像では特にこの効果によってミラーイオン像を高解像度化できるということを突き止めたのである。【００６７】  次に、本体制御装置９９の異物判定部は、画像検出部５３からの画像データから異物の有無を判定し、異物を検出した場合、画像データ、及びステージ制御装置９７からのステージ位置に関するデータを元に異物の試料上の座標を算出する。また、異物画像の強度プロファイルから異物の大きさを推定し、異物の位置や大きさを記憶する。【００６８】  また、装置各部の動作条件は、本体制御装置９９から入出力される。本体制御装置９９には、予めイオンビーム発生時の加速電圧、イオンビーム偏向幅・偏向速度、ステージ移動速度、画像検出素子からの画像信号取り込みタイミング等々の諸条件がテーブルデータとして入力されている。そして、本体制御装置９９は各要素の制御装置を総括的に制御し、また、ユーザーからの入力のインターフェースも有している。なお本体制御装置９９は、役割を分担し通信回線で結合された複数の計算機で構成しても良い。【００６９】  以上によれば、ガス電界電離イオン源と、ガスイオンビームを試料方向に照射する光学系と、試料にガスイオンが衝突する前に、試料に印加した正電位で軌道反転したミラーイオンを結像する光学系、ミラーイオンを検出する検出器からなるミラーイオン顕微鏡とすることにより、試料表面のミラーイオン顕微鏡像を得て、微小異物を検出することができるミラーイオン顕微鏡を実現できる。【００７０】  このようにすると、イオンビームを用いる試料観察装置において、特に結像型あるいは投射型イオン検出系を持ち、ミラーイオンを検出することにより試料の高速な観察または検査が可能な装置が提供される。また、試料上の異物や欠陥を高速で検出可能な検査装置が提供される。特に、従来のミラー電子顕微鏡に比べて、顕微鏡設置場所の浮遊磁場の影響が無く像のゆれやドリフトが少なく、解像度の高い異物検出ができるという効果を奏する。また、ガス電界電離イオン源を用いることにより、他のイオン源を用いた場合と比べて解像度の高いミラー顕微鏡像が得られるという効果を奏する。【００７１】  次に、試料に印加される電圧が、イオンビームの加速電圧比べて低い正電位であれば、イオンビームは試料に衝突する。衝突したイオンは、一部は反射イオンとなって真空中に放出される。一部は試料中でカスケード衝突する。その結果、試料表面の原子が真空中に飛び出すスパッタリング現象が生じる。この効果をうまく利用すれば、試料表面に付着した汚染物質を除去する、いわゆる表面クリーニングが可能である。これを、図３を用いて説明する。【００７２】  図３に、ミラーイオン顕微鏡像２０２および、試料横方向から見た試料２０３、等電位面２０４あるいはビーム軌道２０５などの模式図を示す。まず、図３の(a）では、照射イオンの加速電圧を正の３ｋＶにしたとき、試料印加電圧を２．８ｋＶとし印加する。もちろん、印加する電圧は一例でありこれに限定されるものではない。この際には、ガス電界電離イオン源から放出されたアルゴンイオン２０５は試料２０３に衝突して、試料表面の汚染物質を除去する。いわゆる表面クリーニングを行う。その後に、図３の(b)に示すように、試料印加電圧に３ｋＶ近傍を印加して、さらに精密な電圧調整をすることによりアルゴンイオン２０５を試料２０３に衝突する前に軌道反転させ、ミラーイオン２０７を検出できるようにする。すなわち、ミラーイオン顕微鏡像２０２を得る。このとき、ミラーイオン顕微鏡像２０２には中央付近に異物像２０８が見える。以上のようにすると試料表面の汚染を除去した上で、異物２０６の検出ができる。【００７３】  すなわち、試料に印加する正電位を、イオンビームが試料に衝突する正電位と、イオンビームが試料に衝突する前に軌道反転する正電位との２種類以上の値を記憶する制御装置を備えることを特徴とするミラーイオン顕微鏡であり、表面に極低加速でイオンビームを照射して、試料表面の原子の一部を除去する、すなわち、表面クリーニングした後にミラーイオン顕微鏡像が得られる。すなわち、汚染で隠れていた異物をも観察または検出できるという効果を奏する。これらの効果は、ミラーイオン顕微鏡の特有の効果であり、クリーニングや深さ方向への表面移動などについては、従来の電子ビームでは極めて困難である。特に、電界電離イオン源を用いたミラーイオン顕微鏡は電流量の調整が容易であり、さらに高い効果を有する。【００７４】  次に、試料に印加される電圧がさらに低い場合には、スパッタリング効果が大きくなる。この効果をうまく利用すれば、表面をスパッタし試料の深さ方向に後退させることができる。これを、図４を用いて説明する。【００７５】  図４に、ミラーイオン顕微鏡像３０１、３０３および、試料横方向から見た試料３０４、等電位面３０５あるいはビーム軌道３０６などの模式図を示す。まず、図４の(a）では、照射イオンの加速電圧を正の３ｋＶしたときのミラーイオン顕微鏡像３０１を得る。もちろん、印加する電圧は一例でありこれに限定されるものではない。このとき、ミラーイオン顕微鏡像３０１には中央付近に異物像３０８が見える。次に、図４の(b）に示すように照射イオン加速電圧が正の３ｋＶで、試料印加電圧を２．５ｋＶとする。この際には、ガス電界電離イオン源から放出されたアルゴンイオン３０６は試料３０４に衝突して、試料表面をスパッタリングによって表面を試料の深さ方向に後退させる。次に図４の(c）では、試料印加電圧に３ｋＶ近傍を印加して、さらに精密な電圧調整をすることによりアルゴンイオン３０６を試料３０４に衝突する前に軌道反転させ、ミラーイオン３０７として検出する。すなわち、ミラーイオン顕微鏡像３０３を得る。ミラーイオン顕微鏡像３０３には中央付近に異物像３０９が見えるが、試料表面が深さ方向に後退したことで、ミラーイオン顕微鏡像３０１の異物よりも異物像３０９が大きくなっていることわかる。このようにすると試料表面から深さ方向の異物構造情報が得られる。さらに、再度、試料印加電圧２．５ｋＶ印加して試料表面をスパッタリングによってさらに表面を後退させる。次に試料へ電圧を印加して、ミラーイオン顕微鏡像を得れば、さらに深い位置において異物構造情報が得られる。図４においては、異物が深さ方向に大きさが異なる様子を例示した。このような深さ方向のミラーイオン顕微鏡像を得ることは、ミラーイオン顕微鏡の特有の効果であり、従来の電子ビームでは極めて困難である。特に、電界電離イオン源を用いたミラーイオン顕微鏡は電流量の調整が容易であり、さらに高い効果を有する。【００７６】  また、本実施���ではアルゴンイオンで説明したが、キセノン、クリプトンなどによっても同様な効果を得ることができる。また、特に磁場ノイズに対して影響を受けにくいという効果を奏する。特に水素やネオンに比べれば高速で深さ方向に低損傷の加工が可能になるという効果を奏する。また、ヘリウムおよびネオンを用いた場合には、試料表面の原子移動が少ない加工が可能になる、あるいは熱的なダメージが少ないという効果を奏する。なお、２種類の混合ガスや３種の混合ガスなどの複数のガス種を含む混合ガスであっても良い。【００７７】  本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。上記実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、本願の発明の思想を逸脱しない範囲において、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換え、または、追加・削除・置換することもできる。
【符号の説明】
【００７８】１…ガス電界電離イオン源、２…イオンビーム照射系カラム、３…試料室、４…冷却機構、５…集束レンズ、６…結像型検出系カラム、７…セパレータ、８…対物レンズ、９…試料、１０…試料ステージ、１１…荷電粒子検出器、１２…イオン源真空排気用ポンプ、１３…試料室真空排気用ポンプ、１５…真空容器、１７…装置架台、１８…ベースプレート、１９…防振機構、２０…床、２１…エミッタティップ、２２…フィラメント、２３…フィラメントマウント、２４…引き出し電極、２６…ガス供給機構、２７…開口部、５１…中間イオンレンズ、５２…投影イオンレンズ、５３…画像検出部、５４…蛍光板５４、５５…二次元光学検出器、６１…傾斜機構、６４…エミッタベースマウント、６９…真空遮断可能なバルブ、７０…非蒸発ゲッタ材料、７１…真空ポンプ、７２…加熱機構、７４…真空遮断可能なバルブ、７７…真空遮断可能なバルブ、９１…ガス電界電離イオン源制御装置、９２…冷凍機制御装置、９３…レンズ制御装置、９７…試料ステージ制御装置、９８…真空排気用ポンプ制御装置、９９…本体制御装置、１９１…セパレータ制御装置、１９２…イオン光学系制御装置、１９３…画像検出部制御装置、２０２…ミラーイオン顕微鏡像、２０３…試料、２０４…等電位面、２０５…ビーム軌道、２０６…異物、２０７…ミラーイオン、２０８…異物像、３０１…ミラーイオン顕微鏡像、３０３…ミラーイオン顕微鏡像、３０４…試料、３０５…等電位面、３０６…ビーム軌道、３０７…ミラーイオン、３０８…異物像、３０９…異物像
【図１】
2016129026.tif 000003
【図２】
2016129026.tif 000004
【図３】
2016129026.tif 000005
【図４】
2016129026.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月3日(2017.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを発生させるガス電界電離イオン源と、
発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、
前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御部と、
前記試料から反射したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型のイオン検出部と、を有し、
前記電位制御部は、前記試料に前記イオンビームを衝突させるために前記試料に印加する第一の正電位と前記試料に前記イオンビームを衝突させる前に軌道反転させるために前記試料に印加する第二の正電位とを記憶する記憶部を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項２】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、
前記電位制御部は、前記第一の正電位を設定し前記試料の表面の一部を除去するスパッタを制御するスパッタ制御部と、前記第二の正電位を設定して顕微鏡像を得る像取得制御部と、を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項３】
請求項２に記載のミラーイオン顕微鏡において、
試料観察領域に対して前記第二の正電位を設定して前記イオン検出部で得られた第一の顕微鏡像と、
前記試料観察領域に対して前記第一の正電位を設定し前記スパッタを行った後、前記第二の正電位を設定して前記イオン検出部で得られた第二の顕微鏡像と、を表示する表示部を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項４】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、
前記ガス電界電離イオン源はエミッタティップを有し、前記第一の正電位を印加する際に前記エミッタティップに供給するガス種は、アルゴン、キセノン、クリプトンの内少なくとも一種を含むことを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項５】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、
前記ガス電界電離イオン源はエミッタティップを有し、前記第一の正電位を印加する際に前記エミッタティップに供給するガス種は、ネオンまたはヘリウムの内少なくとも一種を含むことを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項６】
請求項１に記載のミラーイオン顕微鏡において、
前記照射光学系は排気を行う排気部を有し、前記排気部には、非蒸発ゲッタポンプを備えることを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項７】
イオンビームを発生させる発生ステップと、
発生した前記イオンビームを試料に照射する照射ステップと、
前記イオンビームの加速電圧と前記試料に印加する正電位とを制御する電位制御ステップと、
前記電位制御ステップによって前記試料に衝突する前に軌道反転したイオンを顕微鏡像として結像または投射する像形成ステップと、を有することを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載のイオンビーム制御方法において、
前記電位制御ステップは、前記試料に前記イオンビームを衝突させ前記試料の表面の一部を除去するスパッタステップと、前記イオンビームを衝突させる前に軌道反転させ顕微鏡像を得る像取得ステップと、を有し、
前記像形成ステップは、前記像取得ステップによって前記試料の近傍で軌道反転したイオンを顕微鏡像として結像または投射するステップであることを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載のイオンビーム制御方法において、
前記試料の観察領域内において、前記像取得ステップ、前記スパッタステップ、前記像取得ステップ、の順に、少なくとも前記像取得ステップを２回以上繰り返し、前記顕微鏡像を２枚以上得ることを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項１０】
請求項８に記載のイオンビーム制御方法において、
前記試料の表面に対して深さ方向が互いに異なる顕微鏡像を少なくとも２枚表示する表示ステップを有することを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項１１】
イオンビームを発生させるイオン源と、
発生した前記イオンビームを試料に照射する照射光学系と、
前記試料に印加する正電位を制御する試料電位制御部と、
前記試料に衝突する前に軌道反転したイオンを顕微鏡像として結像または投射する結像型あるいは投射型の検出光学系と、を有することを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項１２】
請求項１１に記載のミラーイオン顕微鏡において、
前記照射光学系のカラムは、前記ミラーイオン顕微鏡の設置された面または床に対して垂直方向に設けられ、
前記検出光学系のカラムは、前記ミラーイオン顕微鏡の設置された面または床に対して傾斜方向に設けられていることを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【請求項１３】
請求項１２に記載のミラーイオン顕微鏡において、
前記イオン源は、前記イオンビームを生じさせるエミッタティップの先端にピラミッド構造を形成する電界電離イオン源であることを特徴とするミラーイオン顕微鏡。
【国際調査報告】
2016129026.tif 000007
2016129026.tif 000008
2016129026.tif 000009
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