(57)【要約】  本発明は、耐湿性及び光透過性が高い透明導電体を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、透明金属膜と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体であって、前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層がＺｎＳを含む硫化亜鉛含有層であり、前記硫化亜鉛含有層と前記透明金属膜との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはＺｎを含む硫化防止層をさらに含む、透明導電体とする。
2015053371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
透明金属膜と、
前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体であって、
前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層がＺｎＳを含む硫化亜鉛含有層であり、
前記硫化亜鉛含有層と前記透明金属膜との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはＺｎを含む硫化防止層をさらに含む、透明導電体。
【請求項２】
前記硫化防止層がＺｎＯを含む、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項３】
前記硫化亜鉛含有層が、ＳｉＯ２をさらに含む、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項４】
前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、請求項１に記載の透明導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明金属膜を含む透明導電体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置の電極材料、無機及び有機ＥＬ素子の電極材料、タッチパネル材料、太陽電池材料等の各種装置に透明導電膜が使用されている。【０００３】
このような透明導電膜を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。【０００４】
ここで、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。したがって、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。【０００５】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられない、との問題があった。【０００６】
そこで、Ａｇの蒸着膜を透明導電膜とすることが検討されている（特許文献１）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ膜を屈折率の高い膜（例えば酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（特許文献２〜４、非特許文献３）。さらに、Ａｇ膜をＺｎＳ膜で挟み込むこと提案されている（非特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２０１１−５０８４００号公報
【特許文献２】特開２００６−１８４８４９号公報
【特許文献３】特開２００２−１５６２３号公報
【特許文献４】特開２００８−２２６５８１号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Xuanjie Liu,et al, (2003). Thin Solid Films 441, 200-206
【非特許文献２】Optically transparent IR reflective heat mirror films of ZnS - Ag - ZnS, Bruce W. Smith, May 1989. Rochester Institute Of Technology Center For Imaging Science
【非特許文献３】Transparent Conductive Film Nb2O5/Ag/IZO with an Anti-Reflection Design，Ywh-Tarng Leu, et al., SID 2012 DIGEST p.352-353
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献２〜４に示されるように、酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ膜が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ膜が腐食しやすい等の問題があった。【００１０】
一方、Ａｇ層がＺｎＳ層に挟み込まれた透明導電体では、透明導電体の耐湿性が十分に高いものの、Ａｇ層の成膜時、もしくはＺｎＳ層の成膜時に、Ａｇが硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなる、との問題があった。【００１１】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものである。本発明は、耐湿性及び光透過性が高い透明導電体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
即ち、本発明は、以下の透明導電体に関する。
［１］透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、透明金属膜と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体であって、前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層がＺｎＳを含む硫化亜鉛含有層であり、前記硫化亜鉛含有層と前記透明金属膜との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはＺｎを含む硫化防止層をさらに含む、透明導電体。【００１３】
［２］前記硫化防止層がＺｎＯを含む、［１］に記載の透明導電体。
［３］前記硫化亜鉛含有層が、ＳｉＯ２をさらに含む、［１］または［２］に記載の透明導電体。
［４］前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、［１］〜［３］のいずれかに記載の透明導電体。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、耐湿性が高く、かつ光透過性の高い透明導電体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図である。
【図４Ａ】実施例１で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図４Ｂ】実施例１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図５】実施例２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図６】実施例３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図７】実施例４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図８】実施例５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図９】実施例６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１０】実施例７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１１】実施例８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１２】実施例９で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１３】実施例１０で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１４】実施例１１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１５】実施例１２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１６】実施例１３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１７】実施例１４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１８】実施例１５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１９】実施例１６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図２０】実施例１７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図２１】実施例１８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図２２】実施例１９で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図２３】比較例１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図２４】比較例３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の透明導電体の層構成の例を図１及び図２に示す。図１及び図２に示されるように、本発明の透明導電体１００には、透明基板１／第一高屈折率層２／透明金属膜３／第二高屈折率層４が含まれる。そして、本発明の透明導電体１００では、当該第一高屈折率層２または第二高屈折率層４のいずれか一方、もしくは両方が、ＺｎＳを含む硫化亜鉛含有層である。そして、当該硫化亜鉛含有層２，４と透明金属膜３との間には、硫化防止層５（５ａ及び５ｂ）が含まれる。
【００１７】
ここで、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４のいずれか一方が硫化亜鉛含有層である場合には、当該硫化亜鉛含有層２または４と透明金属膜３との間に、硫化防止層５が含まれる。一方、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４の両方が硫化亜鉛含有層である場合、いずれか一方の硫化亜鉛含有層２または４と透明金属膜３との間に、硫化防止層５が含まれればよいが、透明導電体１００の光透過性を十分に高めるとの観点から、各硫化亜鉛含有層２及び４と透明金属膜３との間に、それぞれ硫化防止層５が含まれることが好ましい。つまり、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、及び透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に、それぞれ硫化防止層５が含まれることが好ましい。
【００１８】
前述のように、透明金属膜とＺｎＳを含む層とが隣接して成膜されると、金属硫化物が生成されやすく、透明導電体の光透過性が低下しやすいとの問題があった。金属硫化物は、以下のように生成されると推察される。
【００１９】
硫化亜鉛含有層（第一高屈折率層）上にスパッタ法等の気相成膜法で透明金属膜を成膜する場合、硫化亜鉛含有層中の未反応の硫黄成分が、透明金属膜の材料（金属材料）によって成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。また、硫化亜鉛含有層と透明金属膜とを連続的に成膜する場合、硫化亜鉛含有層の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が透明金属膜雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。
【００２０】
一方、透明金属膜上に硫化亜鉛含有層（第二高屈折率層）を成膜する場合、透明金属膜中の金属が、硫化亜鉛含有層の材料によって、成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された金属と硫黄成分とが反応し、金属硫化物が透明金属膜表面に堆積する。さらに、透明金属膜の表面と、成膜雰囲気中の硫黄成分とが接触することでも、透明金属膜表面に金属硫化物が生成する。
【００２１】
これに対し、本発明の透明導電体１００では、例えば図１に示されるように、第一高屈折率層２上に、第一硫化防止層５ａが積層される。当該構成では、第一高屈折率層２が第一硫化防止層５ａで保護されるため、透明金属膜３の成膜時に第一高屈折率層２中の硫黄成分が弾き出され難い。また、第一高屈折率層２と透明金属膜３とを連続的に成膜したとしても、第一高屈折率層２の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が、第一硫化防止層５ａの構成成分と反応したり、第一硫化防止層５ａの構成成分に吸着される。したがって、透明金属膜３の成膜雰囲気には硫黄が含まれ難くなり、金属硫化物の生成が抑制される。
【００２２】
また本発明の透明導電体１００では、例えば図１に示されるように、透明金属膜３上に第二硫化防止層５ｂが積層される。当該構成では、透明金属膜３が第二硫化防止層５ｂで保護されるため、第二高屈折率層４の成膜時に透明金属膜３中の金属が弾き出され難い。また、第二高屈折率層４の成膜雰囲気中の硫黄成分が、透明金属膜３の表面と接触し難い。したがって、透明金属膜３表面に金属硫化物が生成し難い。
【００２３】
本発明の透明導電体１００では、図１に示されるように、透明金属膜３が透明基板１の全面に積層されていてもよく、図２に示されるように、透明金属膜３が所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明の透明導電体１００において、透明金属膜３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、図２に示されるように、透明金属膜３が含まれない領域ｂが絶縁領域である。
【００２４】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図３に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等でありうる。
【００２５】
また、本発明の透明導電体１００には、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属膜３、及び第二高屈折率層４、及び硫化防止層５以外の層が含まれてもよい。例えば透明金属膜３の成膜時に成長核になり得る下地層が、透明金属膜３と第一高屈折率層２との間に、透明金属膜３に隣接して含まれてもよい。ただし、本発明の透明導電体１００に含まれる層は、透明基板１を除いて、いずれも無機材料からなる層である。例えば第二高屈折率層４上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板１から第二高屈折率層４までの積層体が、本発明の透明導電体１００である。
【００２６】
１．透明導電体の層構成について
１−１）透明基板
透明導電体１００に含まれる透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００２７】
透明性の観点から、透明基板１はガラス基板、もしくはセルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、またはスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。
【００２８】
透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく；波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００２９】
上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し；平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。
【００３０】
透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。
【００３１】
透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。
【００３２】
透明基板１の厚みは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板の厚みが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚みが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体１００を用いた機器の厚みを薄くできる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。
【００３３】
１−２）第一高屈折率層
第一高屈折率層２は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属膜３が成膜されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。第一高屈折率層２は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００３４】
第一高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第一高屈折率層２の屈折率は、第一高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第一高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。
【００３５】
第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。金属酸化物の例にはＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。第一高屈折率層２には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００３６】
また、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＺｎＳでもありうる。第一高屈折率層２にＺｎＳが含まれると、透明基板１側から水分が透過し難くなり、透明金属膜３の腐食が抑制される。第一高屈折率層２には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳと共に他の材料が含まれてもよい。ＺｎＳと共に含まれる材料は、上記誘電性材料または酸化物半導体材料でありうる金属酸化物やＳｉＯ２等であり、特に好ましくはＳｉＯ２である。ＺｎＳと共にＳｉＯ２が含まれると、第一高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。
【００３７】
第一高屈折率層２にＺｎＳと共に他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第一高屈折率層２を構成する材料の総モル数に対して、０．１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは６０質量％以上８５質量％以下である。ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第一高屈折率層２の成膜速度が速くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第一高屈折率層２の非晶質性が高まり、第一高屈折率層２の割れが抑制される。
【００３８】
第一高屈折率層２の厚みは、１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第一高屈折率層２の厚みが１５ｎｍ以上であると、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第一高屈折率層２の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第一高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第一高屈折率層２の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００３９】
第一高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。第一高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第一高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。
【００４０】
また、第一高屈折率層２が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第一高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００４１】
１−３）第一硫化防止層
前述の第一高屈折率層にＺｎＳが含まれる；つまり第一高屈折率層２が硫化亜鉛含有層である場合、図１に示されるように、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間に第一硫化防止層５ａが含まれることが好ましい。第一硫化防止層５ａは、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００４２】
当該第一硫化防止層５ａは、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、またはＺｎを含む層でありうる。第一硫化防止層５ａには、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。ただし、第一高屈折率層２と、第一硫化防止層５ａと、透明金属膜３とが連続的に成膜される場合には、金属酸化物が硫黄と反応可能、もしくは硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
【００４３】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、Ｉｎ２Ｏ３、及びＩＧＺＯ等が含まれる。
金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が含まれる。
金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が含まれる。これらの中でも特に、硫黄を吸着可能なＺｎＯが含まれることが好ましい。
【００４４】
ここで、第一硫化防止層５ａの厚みは、後述する透明金属膜３の成膜時の衝撃から、第一高屈折率層２の表面を保護可能な厚みであることが好ましい。一方で、第一高屈折率層２に含まれ得るＺｎＳは、透明金属膜３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、第一硫化防止層５ａの厚みが非常に薄く、第一高屈折率層２の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属膜が成長し、透明金属膜３が緻密になりやすい。つまり、第一硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１ｎｍ〜３ｎｍである。第一硫化防止層５ａの厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００４５】
第一硫化防止層５ａは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。
【００４６】
第一硫化防止層５ａが、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第一硫化防止層５ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００４７】
１−４）透明金属膜
透明金属膜３は、透明導電体１００において電気を導通させるための膜である。透明金属膜３は、前述のように、透明基板１の全面に形成されていてもよく、また所望の形状にパターニングされていてもよい。
【００４８】
透明金属膜３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等でありうる。透明金属膜３には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。導電性が高いとの観点から、透明金属膜は銀、または銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀と組み合わされる金属は、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。例えば銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属膜の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【００４９】
透明金属膜３のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【００５０】
透明金属膜３の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ成膜する。
【００５１】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【００５２】
（iii）続いて、測定対象の透明金属膜を同様のガラス基板上に成膜する。そして、当該透明金属膜について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００５３】
透明金属膜３の厚みは１０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜９ｎｍであり、さらに好ましくは５〜８ｎｍである。本発明の透明導電体１００では、透明金属膜３の厚みが１０ｎｍ以下であるため、透明金属膜３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属膜３の厚みが１０ｎｍ以下であると、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属膜３の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００５４】
透明金属膜３は、いずれの成膜方法で成膜された膜でありうるが、透明金属膜の平均透過率を高めるためには、スパッタ法で成膜された膜；もしくは後述する下地層上に成膜された膜であることが好ましい。
【００５５】
スパッタ法では、成膜時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく；透明金属膜３の光透過性が高まりやすい。また、透明金属膜３がスパッタ法により成膜された膜であると、透明金属膜３が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等でありうる。透明金属膜３は、特に対向スパッタ法で成膜された膜であることが好ましい。透明金属膜３が、対向スパッタ法で成膜された膜であると、透明金属膜３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属膜３の表面電気抵抗がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。
【００５６】
一方、透明金属膜３が後述する下地層上に成膜された膜である場合、透明金属膜３の成膜時に下地層が成長核となるため、透明金属膜３が平滑な膜になりやすい。その結果、透明金属膜３が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この場合、透明金属膜３の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でありうる。
【００５７】
また、透明金属膜３が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属膜３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して成膜された膜であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【００５８】
１−５）第二硫化防止層
後述する第二高屈折率層が硫化亜鉛含有層である場合、図１に示されるように、透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に第二硫化防止層５ｂが含まれることが好ましい。第二硫化防止層５ｂは、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００５９】
当該第二硫化防止層５ｂは、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、またはＺｎを含む層である。第二硫化防止層５ｂには、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物は、前述の第一高屈折率層２に含まれる金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物と同様でありうる。
【００６０】
一方、第二硫化防止層５ｂの厚みは、後述する第二高屈折率層４の成膜時の衝撃から、透明金属膜３の表面を保護可能な厚みであることが好ましい。一方で、透明金属膜３に含まれる金属と、第二高屈折率層４に含まれるＺｎＳは、親和性が高い。そのため、第二硫化防止層５ｂの厚みが非常に薄く、透明金属膜３の一部が僅かに露出していると、透明金属膜３や第二硫化防止層５ｂと第二高屈折率層４との密着性が高まりやすい。したがって、第二硫化防止層５ｂの具体的な厚みは０．１ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１ｎｍ〜３ｎｍである。第二硫化防止層５ｂの厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００６１】
第二硫化防止層５ｂは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。
【００６２】
第二硫化防止層５ｂが、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第二硫化防止層５ｂは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００６３】
１−６）第二高屈折率層
第二高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属膜３が成膜されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。第二高屈折率層４は、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００６４】
第二高屈折率層４には前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第二高屈折率層４の屈折率は、第二高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第二高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。
【００６５】
第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。当該金属酸化物は、第一高屈折率層２に含まれる金属酸化物と同様でありうる。第二高屈折率層４には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００６６】
また、第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＺｎＳでもありうる。第二高屈折率層４にＺｎＳが含まれると、第二高屈折率層４側から水分が透過し難くなり、透明金属膜３の腐食が抑制される。第二高屈折率層４には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳと共に他の材料が含まれてもよい。ＺｎＳと共に含まれる材料は、上記誘電性材料または酸化物半導体材料でありうる金属酸化物、もしくはＳｉＯ２であり、特に好ましくはＳｉＯ２である。ＺｎＳと共にＳｉＯ２が含まれると、第二高屈折率層４が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。
【００６７】
第二高屈折率層４にＺｎＳと共に他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第二高屈折率層４を構成する成分の総モル数に対して、０．１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは６０質量％以上８５質量％以下である。ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第二高屈折率層４の成膜速度が早くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多くなると、第二高屈折率層４の非晶質性が高まり、第二高屈折率層４の割れが抑制される。
【００６８】
第二高屈折率層４の厚みは１５ｎｍ以上であり、通常１５０ｎｍ以下である。第二高屈折率層４の厚みは、より好ましくは１５〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜８０ｎｍである。第二高屈折率層４の厚みが１５ｎｍ以上であると、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第二高屈折率層４の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第二高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第二高屈折率層４の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００６９】
第二高屈折率層４の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。第二高屈折率層４の透湿性が低くなるとの観点から、第二高屈折率層４はスパッタ法で成膜された膜であることが特に好ましい。
【００７０】
また、第二高屈折率層４が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第二高屈折率層４は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００７１】
１−７）下地層
前述のように、透明導電体１００には、透明金属膜３の成膜時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、透明金属膜３より透明基板１側、かつ透明金属膜３に隣接して形成された層；つまり、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、もしくは第一硫化防止層５ａと透明金属膜３との間に成膜された層でありうる。下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１００の絶縁領域ｂに成膜されていてもよい。
【００７２】
透明導電体１００に下地層が含まれると、透明金属膜３の厚みが薄くとも、透明金属膜３の表面の平滑性が高まる。その理由は以下の通りである。
【００７３】
一般的な気相成膜法で透明金属膜３の材料を、例えば第一高屈折率層２上に堆積させると、成膜初期には、第一高屈折率層２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、成膜初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、塊同士の間に未だ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに成膜が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、膜の光透過性が低下する。
【００７４】
これに対し、第一高屈折率層２上をマイグレートし難い金属からなる下地層が成膜されていると、当該下地層を成長核として、透明金属膜３が成長する。つまり、透明金属膜３の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、厚みが薄くとも平滑な透明金属膜３が得られやすくなる。
【００７５】
ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウム；あるいはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
【００７６】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属膜３との親和性が高まり、下地層と透明金属膜３との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウムまたはモリブデンが含まれることが特に好ましい。
【００７７】
一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等でありうる。
【００７８】
下地層の厚みは、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１００の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚みは、成膜速度と成膜時間との積から算出される。
【００７９】
下地層は、スパッタ法または蒸着法で成膜された層でありうる。スパッタ法の例には、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が含まれる。下地層成膜時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。スパッタ成膜速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。
【００８０】
一方、蒸着法の例には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。
【００８１】
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００８２】
１−８）低屈折率層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、第二高屈折率層４上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）が含まれてもよい。低屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。
【００８３】
低屈折率層には、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【００８４】
低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．８未満であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、特に好ましくは１．３５〜１．５である。なお、低屈折率層の屈折率は主に、低屈折率層に含まれる材料の屈折率や、低屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。
【００８５】
低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＡｌＦ３、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＣｄＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、ＹＦ３、ＹｂＦ３、Ｇａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、及びＴｈＯ２等でありうる。誘電性材料または酸化物半導体材料は中でも、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、またはＴｈＯ２であることが好ましく、屈折率が低いとの観点から、ＭｇＦ２及びＳｉＯ２が特に好ましい。低屈折率層には、これらの材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【００８６】
低屈折率層の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。低屈折率層の厚みが１０ｎｍ以上であると、透明導電体表面の光学アドミッタンスが微調整されやすい。一方、低屈折率層の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、透明導電体の厚みが薄くなる。低屈折率層の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００８７】
低屈折率層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。成膜の容易性等の観点から、低屈折率層は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。
【００８８】
また、低屈折率層がパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。低屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法でパターニングされた層であってもよい。
【００８９】
１−９）第三高屈折率層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、低屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第三高屈折率層が含まれてもよい。第三高屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。
【００９０】
第三高屈折率層には、前述の透明基板１の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第三高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第三高屈折率層によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第三高屈折率層の屈折率は、第三高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第三高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。
【００９１】
第三高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、金属酸化物またはＺｎＳであることが好ましい。金属酸化物の例には、前述の第一高屈折率層２または第二高屈折率層４に含まれる金属酸化物が含まれる。第三高屈折率層には、当該金属酸化物またはＺｎＳが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。また、金属酸化物やＺｎＳと共に、ＳｉＯ２等の誘電性材料が含まれてもよい。
【００９２】
第三高屈折率層の厚みは特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第三高屈折率層の厚みが上記範囲であると、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第三高屈折率層の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００９３】
第三高屈折率層の成膜方法は特に制限されず、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４と同様の方法で成膜された層でありうる。
【００９４】
２．透明導電体の光学アドミッタンスについて
透明導電体の導通領域ａの表面（透明導電体において透明基板とは反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥとから定まる。ここで光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材または環境であって；有機樹脂からなる部材、もしくは環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹＥとの関係は以下の式で表される。
【数１】
2015053371.tif 000003
上記の式に基づけば、｜Ｙｅｎｖ−ＹＥ｜が０に近い程、透明導電体（導通領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。
【００９５】
前記媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常、媒質の屈折率ｎｅｎｖと同一である。一方、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥは、導通領域ａを構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば透明導電体（導通領域ａ）が一層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹＥは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。
【００９６】
一方、透明導電体（導通領域ａ）が積層体からなる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１  Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）または式（２）にて求められる。
【００９７】
・ｘ層目が誘電性材料または酸化物半導体材料からなる層である場合
【数２】
2015053371.tif 000004
【００９８】
・ｘ層目が理想金属層である場合
【数３】
2015053371.tif 000005
【００９９】
そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹＥとなる。
【０１００】
図４Ａに、後述する実施例１の透明導電体（透明基板／第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第一硫化防止層（ＩＴＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を備える透明導電体）の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部；つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部；つまり当該式におけるｙである。なお、実施例１の透明導電体では、第一硫化防止層（ＩＴＯ）は厚みが十分に薄いため、その光学アドミッタンスは無視できる。
【０１０１】
図４Ａにおいて、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥである。そして、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標Ｙｅｎｖ（ｎｅｎｖ，０）（図示せず）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。
【０１０２】
ここで、本発明の透明導電体では、透明金属膜の高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ１＋ｉｙ１）とし、透明金属膜の中間層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ２＋ｉｙ２）とした場合に、ｘ１及びｘ２のうちいずれか一方、もしくは両方が１．６以上であることが好ましい。ｘ１またはｘ２のうちいずれか一方が、１．６以上であると透明導電体の光透過性が高まりやすい。その理由を以下に説明する。
【０１０３】
透明導電体を構成する各層どうしの界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。
【数４】
2015053371.tif 000006
上記関係式に基づけば、透明金属膜表面の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（ｘ１及びｘ２）が大きくなれば、透明金属膜の電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。すなわち、透明導電体の光透過性が十分に高まる。
【０１０４】
したがって、上記ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方、もしくは両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、さらに好ましくは２．０以上である。ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方が１．６以上であればよいが、特にｘ１が１．６以上であることが好ましい。またｘ１及びｘ２は、７．０以下であることが好ましく、より好ましくは５．５以下である。ｘ１は、第一高屈折率層の屈折率や、第一高屈折率層の厚み等で調整される。ｘ２は、ｘ１の値や透明金属膜の屈折率、第一透明金属膜の厚み等によって調整される。例えば、第一高屈折率層の屈折率が高い場合や、第一高屈折率層の厚みがある程度厚い場合には、ｘ１及びｘ２の値が大きくなりやすい。またｘ１とｘ２との差の絶対値（｜ｘ１−ｘ２｜）は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。
【０１０５】
また、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡は、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましい。アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称であると、特定波長以外の波長（例えば４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹＥの座標が、一定になりやすく、いずれの波長においても、反射率Ｒが小さくなる。したがって、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ２が、ｙ１×ｙ２≦０を満たすことが好ましい。さらに、｜ｙ１＋ｙ２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。
【０１０６】
さらに、前述のｙ１が十分に大きいことが好ましい。前述のように、透明金属膜の光学アドミッタンスは虚部の値が大きく、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。そのため、ｙ１が十分に大きければ、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が適切な範囲に収まりやすく、アドミッタンス軌跡が線対称になりやすい。ｙ１は０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、さらに好ましくは０．３〜１．０である。一方、前述のｙ２は、−０．３〜−２．０であることが好ましく、より好ましくは−０．６〜−１．５である。
【０１０７】
一方、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、透明導電体の第二高屈折率層側の表面と接する部材もしくは環境（媒質）の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｎｅｎｖ，０）との距離（（ｘＥ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙＥ）２）０．５は、０．５未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、導通領域ａの表面の反射率Ｒａが十分に小さくなり、導通領域ａの光の透過性が高まる。
【０１０８】
さらに、透明金属膜３がパターニングされている場合には、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、絶縁領域ｂの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（（ｘｂ，ｙｂ）で表す）との距離、（（ｘＥ−ｘｂ）２＋（ｙＥ−ｙｂ）２）０．５が０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥの座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンスＹｂの座標とが十分に近くなると、これらのパターンが視認され難くなる。またさらに、｜（ｘｅｎｖ−ｘｂ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙｂ）２−（ｘｅｎｖ−ｘＥ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙＥ）２｜が０．１以下であることが好ましい。当該値を満たすと、導通領域ａ及び絶縁領域ｂがいずれも視認され難くなる。
【０１０９】
３．透明導電体の物性について
本発明の透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
【０１１０】
一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。
【０１１１】
一方、透明導電体の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。
【０１１２】
上記平均透過率、平均反射率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での平均透過率、平均反射率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【０１１３】
また透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１１４】
また透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【０１１５】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属膜の厚み等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１１６】
４．透明導電体の用途
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１１７】
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、前述のように、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
【０１１８】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
【実施例】
【０１１９】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。【０１２０】
［実施例１］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム上に、下記の方法で、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第一硫化防止層（ＩＴＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）を順に下記の方法で積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。各層の厚みは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。ただし、下地層の平均厚みはスパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図４Ａに示し、当該透明導電体の導通領域の分光特性を図４Ｂに示す。【０１２１】
（第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２））
前記透明基板上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．０Å／ｓでＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＺｎＳとＳｉＯ２との比率（モル比）は、８０：２０であり、第一高屈折率層の屈折率は２．１４であった。【０１２２】
（第一硫化防止層（ＩＴＯ））
前記第一高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１２３】
（透明金属膜（Ａｇ））
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１４Å／ｓでＡｇを対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。【０１２４】
（第二高屈折率層（ＩＴＯ））
前記透明金属膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．１２とした。【０１２５】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、第一硫化防止層、透明金属膜、及び第二高屈折率層を図３に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。【０１２６】
［実施例２］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第一硫化防止層（ＩＧＺＯ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ）／第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は実施例１と同様に成膜した。
第一硫化防止層及び第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）は、下記の方法で成膜した。
透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ）は、成膜時のターゲットをＡｇ合金（コベルコ社製）とした以外は、実施例１と同様に成膜した。
そして、得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図５に示す。【０１２７】
（第一硫化防止層及び第二高屈折率層（ＩＧＺＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＧＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０９であり、第一硫化防止層や第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０９とした。【０１２８】
［実施例３］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第一硫化防止層（Ｇａ２Ｏ３）／透明金属膜（Ａｇ−Ｎｄ−Ｂｉ−Ａｕ）／第二高屈折率層（Ｇａ２Ｏ３）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は実施例１と同様に成膜した。
第一硫化防止層及び第二高屈折率層（Ｇａ２Ｏ３）は、下記の方法で成膜した。
透明金属膜（Ａｇ−Ｎｄ−Ｂｉ−Ａｕ）は、成膜時のターゲットをＡｇ合金（コベルコ社製）とした以外は、実施例１と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図６に示す。【０１２９】
（第一硫化防止層及び第二高屈折率層（Ｇａ２Ｏ３））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＧａ２Ｏ３をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。Ｇａ２Ｏ３の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、１．９５であり、第一硫化防止層や第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．９５とした。【０１３０】
［実施例４］
ポリカーボネートからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ）は下記の方法で成膜した。
第一硫化防止層（ＺｎＯ）は下記の方法で成膜した。
透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）は、成膜時のターゲットをＡｇ合金（フルヤ金属社製）とした以外は、実施例１と同様の方法で成膜した。
第二高屈折率層（ＩＴＯ）は実施例１の第二高屈折率層と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図７に示す。【０１３１】
（第一高屈折率層（ＺｎＳ））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／ｓでＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＺｎＳの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３７であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３７とした。【０１３２】
（第一硫化防止層（ＺｎＯ））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。【０１３３】
［実施例５］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（Ｎｂ２Ｏ５）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ）は実施例４と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）は実施例１と同様に成膜した。
第一硫化防止層及び第二高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）は、下記の方法で成膜した。
下地層（Ｐｄ）は、下記の方法で成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図８に示す。【０１３４】
（第一硫化防止層及び第二高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．２Å／ｓでＮｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第一硫化防止層及び第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１３５】
（下地層（Ｐｄ））
真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間成膜し、平均厚み０．１ｎｍの下地層を形成した。【０１３６】
［実施例６］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（ＳｎＯ２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＳｎＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ）は、実施例４の第一高屈折率層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）は、実施例１と同様に成膜した。
第一硫化防止層及び第二高屈折率層（ＳｎＯ２）は、下記の方法で成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図９に示す。【０１３７】
（第一硫化防止層及び第二高屈折率層（ＳｎＯ２））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＳｎＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＳｎＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０であり、第一硫化防止層及び第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０とした。【０１３８】
［実施例７］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＴｉＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ）及び第一硫化防止層（ＺｎＯ）は、実施例４の第一高屈折率層及び第一硫化防止層とそれぞれ同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）は、実施例１と同様に成膜した。
第二高屈折率層（ＴｉＯ２）は、下記の方法で成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１０に示す。【０１３９】
（第二高屈折率層（ＴｉＯ２））
Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ  １３００により、３２０ｍＡ、成膜レート３Å／ｓでＴｉＯ２を、イオンアシストしながら電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。イオンビームは電流５００ｍＡ、電圧５００Ｖ、加速電圧４００Ｖで照射した。イオンビーム装置内には、Ｏ２ガス：５０ｓｃｃｍ、及びＡｒガス：８ｓｃｃｍを導入した。ＴｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３５とした。【０１４０】
［実施例８］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第一硫化防止層（ＩＴＯ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｎｄ−Ｂｉ−Ａｕ合金）／第二硫化防止層（ＩＴＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は実施例１の第一高屈折率層と同様に成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層（ＩＴＯ）は、実施例１の第一硫化防止層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ−Ｎｄ−Ｂｉ−Ａｕ合金）は、実施例３と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１１に示す。【０１４１】
［実施例９］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｎｄ−Ｂｉ−Ａｕ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は実施例１の第一高屈折率層と同様に成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層（ＺｎＯ）は、実施例４の第一硫化防止層と同様に成膜した。
下地層（Ｐｄ）は、実施例５の下地層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ−Ｎｄ−Ｂｉ−Ａｕ合金）は、実施例３と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１２に示す。【０１４２】
［実施例１０］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第一硫化防止層（ＩＧＺＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＩＧＺＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）、並びに透明金属膜（Ａｇ）は実施例１の第一高屈折率層及び透明金属膜とそれぞれ同様に成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層（ＩＧＺＯ）は、実施例２の第一硫化防止層と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１３に示す。【０１４３】
［実施例１１］
ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＩＺＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ）は、実施例４の第一高屈折率層と同様に成膜した。
第一硫化防止層（ＺｎＯ）は、実施例４の第一硫化防止層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）は、実施例１と同様に成膜した。
第二硫化防止層（ＩＺＯ）は、下記の方法で成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１４に示す。【０１４４】
（第二硫化防止層（ＩＺＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４５】
［実施例１２］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）／低屈折率層（ＳｉＯ２）／第三高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層、第二高屈折率層、及び第三高屈折率層（ＺｎＳ）、並びに第一硫化防止層及び第二硫化防止層（ＺｎＯ）は、実施例４の第一高屈折率層及び第一硫化防止層とそれぞれ同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）は、実施例１と同様に成膜した。
低屈折率層（ＳｉＯ２）は下記の方法で成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１５に示す。【０１４６】
（低屈折率層（ＳｉＯ２））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート１．６Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１４７】
［実施例１３］
ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＩＴＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は、実施例１の第一高屈折率層と同様に成膜した。
透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）は、実施例４と同様に成膜した。
第二硫化防止層（ＩＴＯ）は、実施例１の第一硫化防止層と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１６に示す。【０１４８】
［実施例１４］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は実施例１と同様に成膜した。
透明金属膜（ＡＰＣ合金）は、成膜時のターゲットをＡｇ合金（フルヤ金属社製）とした以外は、実施例１と同様の方法で成膜した。
第二硫化防止層（ＺｎＯ）は、実施例４の第一硫化防止層と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１７に示す。【０１４９】
［実施例１５］
ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＧＺＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ）は、実施例４の第一高屈折率層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）は、実施例１と同様に成膜した。
第二硫化防止層（ＧＺＯ）は、下記の方法で成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１８に示す。【０１５０】
（第二硫化防止層（ＧＺＯ））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＧＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０４であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０４とした。【０１５１】
［実施例１６］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を順に積層した。
第一高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）は実施例５の第二高屈折率層と同様に成膜した。
下地層（Ｐｄ）は、実施例５の下地層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は、実施例１の透明金属膜及び第一高屈折率層とそれぞれ同様に成膜した。
第二硫化防止層（ＺｎＯ）は、実施例４の第一硫化防止層と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１９に示す。【０１５２】
［実施例１７］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｒＯ２）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｒＯ２）は、下記の方法で成膜した。
下地層（Ｐｄ）は、実施例５の下地層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）、実施例１の透明金属膜と同様に成膜した。
第二硫化防止層（ＺｎＯ）及び第二高屈折率層（ＺｎＳ）は、実施例４の第一硫化防止層及び第一高屈折率層とそれぞれ同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２０に示す。【０１５３】
（第一高屈折率層（ＺｒＯ２））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．５Å／ｓでＺｒＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＺｒＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０５であった。【０１５４】
［実施例１８］
ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＩＴＯ）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＩＴＯ）及び透明金属膜（Ａｇ）は、実施例１の第二高屈折率層及び透明金属膜とそれぞれ同様に成膜した。
下地層（Ｐｄ）は、実施例５の下地層と同様に成膜した。
第二硫化防止層（ＺｎＯ）及び第二高屈折率層（ＺｎＳ）は、実施例４の第一硫化防止層及び第一高屈折率層とそれぞれ同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２１に示す。【０１５５】
［実施例１９］
ＰＥＴ／ＣＨＣ（クリアハードコート層付きＰＥＴフィルム）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）／第三高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ）は、実施例４の第一高屈折率層と同様に成膜した。
第一硫化防止層（ＧＺＯ）は、ターゲットをＧＺＯとした以外は、実施例１の第一硫化防止層と同様に成膜した。
透明金属膜（Ａｇ）は、実施例１の透明金属膜と同様に成膜した。
第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）は、実施例２の第二高屈折率層と同様に成膜した。
第三高屈折率層（ＩＴＯ）は、実施例１の第二高屈折率層と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２２に示す。当該透明導電体の導通領域の表面電気抵抗を測定したところ、５Ω／□であった。表面電気抵抗は、ＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計「ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０」にて測定した。【０１５６】
［実施例２０］
ＰＥＴ／ＣＨＣ（クリアハードコート層付きＰＥＴフィルム）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／第一硫化防止層（ＩＧＺＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）／第三高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。
第一硫化防止層をＩＧＺＯとした以外は、実施例１９と同様に積層体を得た。そして得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。当該透明導電体の導通領域の表面電気抵抗を測定したところ、５Ω／□であった。表面電気抵抗は、ＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計「ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０」にて測定した。【０１５７】
［比較例１］
石英からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ）、透明金属膜（Ａｇ）、及び第二高屈折率層（ＺｎＳ）は、それぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２３に示す。【０１５８】
（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ））
シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＳからなる膜を成膜した。このときの投入電流値は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。【０１５９】
（透明金属膜（Ａｇ））
第一高屈折率層上に、シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱で銀を１２ｎｍ成膜した。このときの投入電流値は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。【０１６０】
［比較例２］
ＥＡＧＬＥ  Ｇｌａｓｓからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の成膜方法は、実施例４の第一高屈折率層と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は、比較例１と同様に成膜した。【０１６１】
［比較例３］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＺＯ）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２４に示す。【０１６２】
（第一高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート０．７４Å／ｓでＮｂ２Ｏ５をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３１であるが、高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５とした。【０１６３】
（透明金属膜（Ａｇ））
日本真空技術株式会社の小型スパッタ装置（ＢＣ４２７９）でＤＣスパッタした。このとき、ターゲット側電力２００Ｗとした。【０１６４】
（第二高屈折率層（ＩＺＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．０５であるが、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．９８とした。【０１６５】
［比較例４］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＩＣＯ）／下地層（ＮｉＣｒ）／透明金属膜（ＡｇＡｕ）／密着層（ＮｉＣｒ）／第二高屈折率層（ＩＣＯ）／低屈折率層（ＳｉＯ２）／フッ素系材料層（ＫＰ８０１Ｍ）を順に積層した。
低屈折率層（ＳｉＯ２）は、実施例１２の低屈折率層と同様に成膜した。それ以外の各層は、それぞれ下記の方法で成膜した。【０１６６】
（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＩＣＯ））
ターゲットをインジウム中にセリウムが１０原子％含まれる材料（ＩＣＯ）とした以外は、比較例３の第二高屈折率層と同様に成膜した。ＩＣＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．２であり、第一高屈折率層及び第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．２とした。【０１６７】
（下地層及び密着層（ＮｉＣｒ））
ターゲットをＮｉＣｒとした以外は、実施例５の下地層（Ｐｄ）と同様に成膜した。【０１６８】
（透明金属膜（ＡｇＡｕ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇ合金（Ａｇ中にＡｕが１．５原子％、Ｃｕが０．５原子％含まれる合金）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６９】
（フッ素系材料層（ＫＰ８０１Ｍ））
Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ  １３００によって、１９０ｍＡ、成膜レート１０Å／ｓでフッ素系材料（信越化学工業社製：ＫＰ８０１Ｍ）を抵抗加熱蒸着した。【０１７０】
［比較例５］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＩＴＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層（ＩＴＯ）はそれぞれ実施例１７の第一高屈折率層と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は、下記の方法で成膜した。【０１７１】
（透明金属膜（ＡＰＣ合金））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇとＰｄとＣｕとの合金（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９９：１：１（質量比））をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７２】
［比較例６］
コーニング社製ガラス基板（＃７０５９、厚み１．１ｍｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ａ−ＧＩＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ａ−ＧＩＯ）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。【０１７３】
（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ａ−ＧＩＯ））
Ｏ２ガスを混入したＡｒガス０．６Ｐａの雰囲気中、２．２Ｗ／ｃｍ２の電力密度で、ＧａとＩｎの酸化物焼結体を直流スパッタした。導入するＯ２ガスの割合は、８〜１２体積％とした。【０１７４】
（透明金属膜（Ａｇ））
Ａｒガス０．６Ｐａの雰囲気中、０．５５Ｗ／ｃｍ2の電力密度で純度４ＮのＡｇターゲットを直流スパッタした。【０１７５】
［評価］
（腐食評価）
実施例及び比較例で得られた透明導電体の腐食耐性を評価した。腐食耐性は、実施例または比較例で得られた透明導電体を、２個ずつ、６５℃、９５％Ｒｈ中に１００時間保存した後の外観で評価した。評価は、以下の基準とした。
○：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が０個
△：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１個以上１０個未満
×：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１０個以上【０１７６】
（光の透過率、反射率、及び吸収率の測定）
実施例１〜５、８〜１１、１３、１４、及び１６〜２０の透明導電体については、以下のように光の透過率、反射率、及び吸収率を測定した。
各実施例で得られた透明導電体の第二高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製  屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ））とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の透過率及び反射率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。【０１７７】
なお、反射率の測定値から、無アルカリガラス基板と大気との界面での反射（４％）、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記無アルカリガラス基板と大気との界面での反射、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に８％足した値を透明導電体の透過率とした。【０１７８】
一方、実施例６、７、１２、１５、比較例１、及び比較例３の透明導電体は、空気と接触して使用されるものとした。したがって、透明導電体上に、無アルカリガラス基板を貼り合わせずに、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。なお、測定光は、第二高屈折率層側から入射させた。【０１７９】
なお、反射率の測定値から、透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に４％足した値を透明導電体の透過率とした。【０１８０】
（視感反射率の測定方法）
各透明導電体の視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定した。表１及び表２中のΔＲは、導通領域の視感率と絶縁領域の視感率との差の絶対値を表す。【０１８１】
（導通領域のａ＊値及びｂ＊値の測定方法）
各透明導電体のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００で測定した。【０１８２】
（光学アドミッタンス）
実施例及び比較例で得られた透明導電体の光学アドミッタンスを特定した。透明金属の第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１、透明金属膜の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２としたときの（ｘ１，ｙ１）、及び（ｘ２，ｙ２）の値を表３及び４に示す。
また、第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層をパターニングした透明導電体については、前記透明金属膜を含む積層体（導通領域）表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹＥ＝ｘＥ＋ｉｙＥで表し、前記透明金属膜を含まない積層体（絶縁領域）表面；つまり透明基板表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹｓｕｂ＝ｘｓｕｂ＋ｉｙｓｕｂで表したときの（ｘsuｂ，ｙsuｂ）の値をそれぞれ表３及び表４に示す。さらに、透明導電体に光が入射する媒体の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹｅｎｖ＝ｘｅｎｖ＋ｉｙｅｎｖで表したときの（ｘｅｎｖ，ｙｅｎｖ）の値もそれぞれ表３及び表４に示す。そして｜（ｘｅｎｖ−ｘｓｕｂ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙｓｕｂ）２−（ｘｅｎｖ−ｘＥ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙＥ）２｜の値を、それぞれ表３及び表４に示す。【０１８３】
透明導電体に含まれる層の光学アドミッタンスは、薄膜設計ソフトEssential Macleod Ver.9.4.375で算出した。なお、算出に必要な各層の厚みｄ、屈折率ｎ、及び吸収係数ｋは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０１８４】
【表１】
2015053371.tif 000007
【０１８５】
【表２】
2015053371.tif 000008
【０１８６】
【表３】
2015053371.tif 000009
【０１８７】
【表４】
2015053371.tif 000010
【０１８８】
表１及び表２に示されるように硫化亜鉛含有層と透明金属膜との間に、硫化防止層を有する透明導電体（実施例１〜２０）では、いずれも波長４５０〜８００ｎｍの平均透過率が８６．４％以上であった。ここで、第一高屈折率層及び第二高屈折率層のいずれもが硫化亜鉛含有層である場合であって、いずれか一方の硫化亜鉛含有層と透明金属膜との間にのみ、硫化防止層を有する場合（実施例１３〜１５）には、波長４５０〜８００ｎｍの平均透過率が８８．６％以下であったが、両方の硫化亜鉛含有層と透明金属膜との間に、硫化防止層を有する場合（実施例８〜１２）には、波長４５０〜８００ｎｍの平均透過率が８９．３％以上になった。【０１８９】
これに対し、表２に示されるように、硫化亜鉛含有層と透明金属膜との間に硫化防止層を有さない透明導電体（比較例１）では、波長４５０〜８００ｎｍの平均透過率が８５．３％であった。【０１９０】
また、表１及び表２に示されるように、透明金属膜のいずれか一方、もしくは両方に硫化亜鉛含有層を有する場合（実施例１〜２０、及び比較例１、２）には、湿熱環境下でも腐食が生じなかった。これに対し、透明導電体に硫化亜鉛含有層が含まれない場合（比較例３〜６）には、湿熱環境下で腐食が生じやすかった。【０１９１】
なお、蒸着法で厚み７．３ｎｍの透明金属膜を作製した比較例２では、連続膜が得られず、電気が導通しなかった。【０１９２】
本出願は、２０１３年１０月９日出願の特願２０１３−２１１８７５に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
【産業上の利用可能性】
【０１９３】
本発明で得られる透明導電体は、湿熱環境下でも透明金属膜が腐食し難く、さらに光透過性も高い。したがって、各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスに好ましく用いられる。
【符号の説明】
【０１９４】
１  透明基板
２  第一高屈折率層
３  透明金属膜
４  第二高屈折率層
５ａ、５ｂ  硫化防止層
１００  透明導電体
【図１】
2015053371.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2015053371.tif 000020
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2015053371.tif 000027
【図１７】
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【図１８】
2015053371.tif 000029
【図１９】
2015053371.tif 000030
【図２０】
2015053371.tif 000031
【図２１】
2015053371.tif 000032
【図２２】
2015053371.tif 000033
【図２３】
2015053371.tif 000034
【図２４】
2015053371.tif 000035
【国際調査報告】
2015053371.tif 000036
2015053371.tif 000037
2015053371.tif 000038
2015053371.tif 000039