(57)【要約】  ガラスフィルム１と支持ガラス２とを、無機膜３を介して密着させた積層体４を作製する積層体作製工程と、積層体４におけるガラスフィルム１に電子デバイス材５を形成してガラス基板６とする処理工程と、支持ガラス２からガラス基板６の全体を剥離させる剥離工程とを含んだガラス基板の製造方法であって、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、無機膜３にパルスレーザー７を照射して、その照射領域７ｘで支持ガラス２からガラス基板６の一部を剥離させることで、剥離工程の起点となる剥離起点部６ｘを形成する剥離起点部形成工程を実行するようにした。
2015182558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するガラスフィルムと、該ガラスフィルムを支持する支持ガラスとを、光吸収層を介して相互に密着させた積層体を作製する積層体作製工程と、
前記積層体における前記ガラスフィルムに電子デバイス材を形成して、該ガラスフィルムをガラス基板とする処理工程と、
前記支持ガラスから前記ガラス基板の全体を剥離させる剥離工程とを含んだガラス基板の製造方法であって、
前記処理工程の実行後で、且つ前記剥離工程の実行前に、前記光吸収層にパルスレーザーを照射して、その照射領域で前記支持ガラスから前記ガラス基板の一部を剥離させることで、前記剥離工程の起点となる剥離起点部を形成する剥離起点部形成工程を実行することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記光吸収層が無機膜で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記パルスレーザーの照射領域を前記ガラス基板の外周端部に沿った領域とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板が矩形の形状を有し、
前記剥離起点部を前記ガラス基板のコーナー部に形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記パルスレーザーを前記支持ガラス側から照射することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記パルスレーザーのパルス幅を５００ｐｓ以下とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
同一の前記支持ガラスを繰り返し使用して、請求項１〜６のいずれかに記載のガラス基板の製造方法を複数回繰り返すと共に、
二回目以降の前記積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した前記剥離起点部形成工程における前記パルスレーザーの照射領域に対応した前記支持ガラスの表面領域と、前記ガラスフィルムとが重複しないように両ガラスを密着させることを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記剥離起点部形成工程において、前記光吸収層に複数のパルスレーザーを照射すると共に、これらの照射スポットの少なくとも一部が重複した重複照射スポットを形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項９】
前記複数のパルスレーザーを同一の発振源から発振させることを特徴とする請求項８に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
前記複数のパルスレーザーは、前記支持ガラス側から照射される第一のパルスレーザーと、前記ガラス基板側から照射される第二のパルスレーザーとを含み、
前記第一のパルスレーザーと前記第二のパルスレーザーとのうち、一方のパルスレーザーを、前記積層体を透過した他方のパルスレーザーを該積層体に向かって反射させることで発生させることを特徴とする請求項９に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１１】
同一の前記支持ガラスを繰り返し使用して、請求項８〜１０のいずれかに記載のガラス基板の製造方法を複数回繰り返すと共に、
二回目以降の前記積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した前記剥離起点部形成工程における前記重複照射スポットによる照射領域に対応した前記支持ガラスの表面領域と、前記ガラスフィルムとが重複しないように両ガラスを密着させることを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
前記光吸収層を前記支持ガラスに形成すると共に、
前記剥離起点部形成工程において、前記光吸収層に前記パルスレーザーを先発のパルスレーザーとして前記支持ガラス側から照射した後、さらに、前記先発のパルスレーザーの照射領域に対して、前記ガラス基板側から後発のパルスレーザーを照射することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１３】
前記先発のパルスレーザーと前記後発のパルスレーザーとを、同一の発振源から発振させることを特徴とする請求項１２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１４】
前記先発のパルスレーザーと前記後発のパルスレーザーとを、前記ガラス基板における前記電子デバイス材が非形成の領域を透過するように照射することを特徴とする請求項１２又は１３に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１５】
前記先発のパルスレーザーの照射スポットと前記後発のパルスレーザーの照射スポットとを、それぞれ１ｍｍ２〜５００ｍｍ２の範囲内の面積とすることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１６】
前記剥離起点部形成工程において、前記先発のパルスレーザーの照射領域に対応する前記ガラス基板の部位、及び、前記後発のパルスレーザーの照射領域に対応する前記ガラス基板の部位に対し、前記支持ガラスから離間する方向への変位を規制することを特徴とする請求項１５に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１７】
同一の前記支持ガラスを繰り返し使用して、請求項１２〜１６のいずれかに記載のガラス基板の製造方法を複数回繰り返すと共に、
二回目以降の前記積層体作製工程の実行時に、前回実行した前記剥離起点部形成工程における前記後発のパルスレーザーの照射領域に対応した前記支持ガラスの表面領域と、前記ガラスフィルムとが重複するように両ガラスを密着させることを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項１８】
ガラスフィルムに電子デバイス材が形成されてなるガラス基板を備えた電子デバイスであって、
前記ガラスフィルムが、その表裏両側からパルスレーザーを照射された被照射領域を有し、該被照射領域に、膜で構成された複数の凸部が形成されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１９】
前記複数の凸部は、並列に形成されており、
前記凸部の幅、及び隣り合う前記凸部の相互間に形成される隙間の幅がそれぞれ０．１μｍ〜２０μｍで、且つ、前記複数の凸部の形成ピッチが０．２μｍ〜４０μｍで、且つ、前記被照射領域に占める前記凸部の形成された領域の面積が１０％以上であることを特徴とする請求項１８に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスフィルムに液晶素子等の電子デバイス材を形成して、ガラス基板を製造するための方法、及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年急速に普及しているスマートフォンや、タブレット型ＰＣ等のモバイル機器は、軽量であることが要求されるため、これらの製品に組み込まれるガラス基板においては、薄肉化が推進されているのが現状である。そして、このような要求に応えるものとして、板ガラスをフィルム状にまで薄肉化（例えば、厚みが３００μｍ以下）したガラスフィルムが開発されるに至っている。このガラスフィルムは、その厚みが極めて薄いことから、可撓性に富んだ性質を有している。【０００３】
このガラスフィルムに対して、例えば、液晶素子等の電子デバイス材を形成する処理を施し、ガラス基板を製造するような場合には、ガラスフィルムの取り扱いを容易にするため、ガラスフィルムと、これを支持する支持ガラスとを重ね合わせた積層体を利用する場合がある。この積層体を利用すれば、支持ガラスと重ね合わせたことで、ガラスフィルムの可撓性に富んだ性質を一時的に排除することができる。また、重ね合わせた両ガラスの間に密着力が作用することから、パターニングの位置ずれが生じにくいという利点もある。【０００４】
このような優れた機能を有する積層体であるが、処理を終えたガラスフィルムをガラス基板として製品に組み込むにあたり、支持ガラスからガラスフィルムを剥離させる際には、以下のような不具合が生じることがある。すなわち、積層体が高温雰囲気下に置かれるような処理をガラスフィルムに施した場合には、ガラスフィルムと支持ガラスとの間に作用する密着力が増大し、ガラスフィルムを支持ガラスから剥離させることが困難となる場合があった。そこで、このような不具合を解消し得る技術が特許文献１に開示されている。【０００５】
同文献には、支持ガラスからガラスフィルムを剥離させやすくするための積層体が開示されている。この積層体は、矩形のガラスフィルムを支持ガラスが支持する構成となっている。そして、支持ガラスには、その厚み方向に延びる孔が形成されており、この孔上にガラスフィルムのコーナー部の一つ（以下、特定コーナー部と表記する）が位置するように、両ガラスが重ね合わされている。つまり、この積層体では、ガラスフィルムの特定コーナー部が支持ガラスと非接触の状態下にある。【０００６】
これにより、ガラスフィルムを支持ガラスから剥離させる際には、支持ガラスと密着することのない特定コーナー部を起点として、ガラスフィルムの剥離を開始することができると共に、剥離させるために要する力をガラスフィルムに好適に作用させることが可能となる。そのため、ガラスフィルムの処理中に、高温雰囲気下に置かれた積層体についても、ガラスフィルムを支持ガラスから剥離させやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−３０４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記の技術によっても、未だ下記のような解決すべき問題が残存している。すなわち、上記の積層体においては、剥離の起点となるガラスフィルムの特定コーナー部を支持ガラスと非接触の状態とするために、支持ガラスに孔が形成されている。そして、この孔の内周に沿った部位においては、他の部位とは異なり、不可避的にガラスフィルムと支持ガラスとの相互間に隙間ができやすい傾向がある。【０００９】
このため、ガラスフィルムに対して、例えば、フォトレジストの形成等の液体を使用する必要がある処理を施す際には、当該液体が両ガラスの相互間に形成された隙間に入り込んでしまう場合がある。このような事態が発生すると、ガラスフィルムを好適に処理することが困難となり、ひいては、製造されるガラス基板の品質を低下させる結果を招いてしまう。【００１０】
このように、上記の技術は、高温雰囲気下に置かれた積層体についても、ガラスフィルムを剥離させやすいという利点を有するが、一方で、製造されるガラス基板の品質という観点からは、未だ改善の余地があるのが現状である。このような事情に鑑みなされた本発明は、積層体を利用してガラス基板を製造する際に、当該積層体が高温雰囲気下に置かれた場合であっても、処理を終えたガラスフィルムの円滑な剥離を可能とし、且つガラス基板の品質の低下を防止することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために創案された本発明は、可撓性を有するガラスフィルムと、ガラスフィルムを支持する支持ガラスとを、光吸収層を介して相互に密着させた積層体を作製する積層体作製工程と、積層体におけるガラスフィルムに電子デバイス材を形成して、ガラスフィルムをガラス基板とする処理工程と、支持ガラスからガラス基板の全体を剥離させる剥離工程とを含んだガラス基板の製造方法であって、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、光吸収層にパルスレーザーを照射して、その照射領域で支持ガラスからガラス基板の一部を剥離させることで、剥離工程の起点となる剥離起点部を形成する剥離起点部形成工程を実行することに特徴付けられる。【００１２】
このような方法によれば、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、剥離起点部形成工程を実行することから、処理工程の実行時においては、剥離工程の起点となる剥離起点部が当然に未形成の状態にある。従って、剥離起点部の形成に起因して、支持ガラスとガラスフィルムとの相互間に隙間が形成された状態の下で、処理工程が実行されてしまうような状況が生じ得なくなる。その結果、ガラスフィルムに電子デバイス材を好適に形成することができ、隙間の形成に起因したガラス基板の品質の低下を確実に防止することが可能となる。また、この方法では、積層体作製工程において、ガラスフィルムと支持ガラスとを、光吸収層を介して密着させることで積層体を作製している。そのため、剥離起点部形成工程の実行時には、パルスレーザーの照射領域で以下のような作用が生じる。すなわち、光吸収層へのパルスレーザーの照射に伴って、当該光吸収層がプラズマ化する。さらには、ガラス基板と支持ガラスとのうち、パルスレーザーの照射元側に位置するガラスは、照射先側に位置するガラスと比較して、より多くのエネルギーを吸収して、その一部（光吸収層の近傍）がプラズマ化する。そして、共にプラズマ化した照射元側に位置するガラスの一部と光吸収層とが、照射先側に位置するガラスへと付着する。加えて、パルスレーザーの照射により生じたガスが、ガラス基板と支持ガラスとを分離させるように両ガラスを押し分ける。これらの作用により、ガラス基板の一部が支持ガラスから剥離して、剥離起点部が形成される。その後、剥離工程が実行されることで、ガラス基板の全体が支持ガラスから剥離される。このとき、ガラス基板と支持ガラスとの間に光吸収層が介在していることで、積層体が高温雰囲気下に置かれていた場合であっても、両ガラスの間に作用する密着力の増大が抑制されるため、ガラス基板の全体を円滑に支持ガラスから剥離させることが可能となる。【００１３】
上記の方法において、光吸収層が無機膜で構成されていることが好ましい。【００１４】
このようにすれば、光吸収層が熱的に安定した無機膜で構成されることで、積層体が高温雰囲気下に置かれた場合であっても、ガラス基板をより円滑に支持ガラスから剥離させることができる。また、アウトガスの発生が可及的に抑制されるため、当該アウトガスによるガラス基板の汚染についても、好適に防止することが可能である。【００１５】
上記の方法において、パルスレーザーの照射領域をガラス基板の外周端部に沿った領域とすることが好ましい。【００１６】
このようにすれば、処理工程の実行後に、ガラス基板の外周端部と支持ガラスとを繋ぎ合せるような付着物が残存した場合であっても、当該付着物をパルスレーザーの照射によって取り除くことができる。このため、付着物によってガラス基板の剥離が阻害され、当該ガラス基板に割れが生じるような事態の発生を可及的に防止することが可能となる。その結果、ガラス基板と支持ガラスとを安定的に剥離させることができる。【００１７】
上記の方法において、ガラス基板が矩形の形状を有し、剥離起点部をガラス基板のコーナー部に形成することが好ましい。【００１８】
このようにすれば、剥離工程において、ガラス基板の支持ガラスからの剥離を、コーナー部を起点に開始することができる。これにより、ガラス基板を剥離させるために要する力を効率よく作用させることが可能となるため、ガラス基板を支持ガラスからより剥離させやすくなる。【００１９】
上記の方法において、パルスレーザーを支持ガラス側から照射することが好ましい。【００２０】
このようにすれば、剥離起点部形成工程の実行時に、パルスレーザーの照射領域では、ガラス基板と比較して、支持ガラスがより多くのエネルギーを吸収して、その一部（光吸収層の近傍）がプラズマ化する。そして、当該照射領域において、共にプラズマ化した支持ガラスの一部と光吸収層とが、ガラス基板へと付着する。このため、ガラス基板は、支持ガラスとは異なり、剥離起点部形成工程の実行に伴って、その厚みが薄肉化されることが回避される。これにより、ガラス基板の面強度の低下を防止することが可能となる。【００２１】
上記の方法において、パルスレーザーのパルス幅を５００ｐｓ以下とすることが好ましい。【００２２】
このようにすれば、パルス幅が十分に短いことで、ガラス基板、及び支持ガラスにおける過度なエネルギーの吸収を防止でき、両ガラスの損傷を可及的に抑制することができる。また、パルス幅の短いものを使用することにより、様々な無機膜に対して良好に加工を行うことが可能となる。【００２３】
なお、パルス幅が１００ｐｓ以下のものを使用した場合には、特に好ましい作用・効果が得られる。すなわち、ガラス基板、及び支持ガラスにおいて、パルスレーザーの照射領域に対応した表面領域には、当該レーザーの照射による加工痕が形成されるが、この加工痕に含まれる凹凸を可及的に小さくすることができる。その結果、両ガラスについて、良好な面強度を確保することが可能となる。【００２４】
また、上記のガラス基板の製造方法は、同一の支持ガラスを繰り返し使用して、複数回繰り返してもよい。このとき、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した剥離起点部形成工程におけるパルスレーザーの照射領域に対応した支持ガラスの表面領域と、ガラスフィルムとが重複しないように両ガラスを密着させることが好ましい。ここで、「パルスレーザーの照射領域に対応した支持ガラスの表面領域」とは、剥離起点部形成工程の実行時に、平面視でパルスレーザーの照射領域と重なる支持ガラスの表面領域を意味している（以下、同じ）。【００２５】
剥離起点部形成工程を経た支持ガラスには、上述のようにパルスレーザーの照射領域に対応した表面領域に加工痕が形成される。そして、この加工痕は目視でその存在を確認することが可能である。そのため、同一の支持ガラスを繰り返し使用して、上記のガラス基板の製造方法を繰り返す場合において、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した剥離起点部形成工程におけるパルスレーザーの照射領域に対応した支持ガラスの表面領域と、ガラスフィルムとが重複しないように両ガラスを密着させれば、以下のような作用・効果を得ることができる。すなわち、このようにすれば、剥離起点部形成工程を実行する度に支持ガラスに形成される加工痕が、相互に異なる箇所に形成されることになる。そして、この加工痕の数に基づいて、支持ガラスを繰り返し使用した回数を判別することが可能になる。これにより、支持ガラスを使用した回数について、その管理を極めて容易に行うことができる。また、同一の支持ガラスを繰り返し使用することから、ガラス基板の製造に掛かるコストを抑制することも可能となる。さらには、加工痕に含まれる凹凸上にガラスフィルムが重ね合わされることが防止される。このため、凹凸に起因して、ガラスフィルムと支持ガラスとの間に気泡が入り込むことを回避することができる。従って、製造されたガラス基板の品質の低下を防止する上でも好適である。【００２６】
上記の方法では、剥離起点部形成工程において、光吸収層に複数のパルスレーザーを照射すると共に、これらの照射スポットの少なくとも一部が重複した重複照射スポットを形成してもよい。【００２７】
このようにすれば、剥離起点部形成工程の実行時に、重複照射スポットによる照射領域において複数のパルスレーザーが干渉し、その干渉パターンに従って光吸収層を加工することが可能となる。ここで、「重複照射スポットによる照射領域」とは、剥離起点部形成工程の実行中に、光吸収層上において重複照射スポットを形成した全領域を意味する（以下、同じ）。このことに起因して、剥離工程の完了後、重複照射スポットによる照射領域に対応する支持ガラスの表面領域には、光吸収層が微細な凸部として残留した状態となる。ここで、「重複照射スポットによる照射領域に対応する支持ガラスの表面領域」とは、剥離起点部形成工程の実行時に、平面視で重複照射スポットによる照射領域と重なる支持ガラスの表面領域を意味する（以下、同じ）。そして、微細な凸部が残留した箇所を透過した光は、当該箇所以外を透過した光とは異なる視え方をするようになる。このため、微細な凸部が残留した箇所の所在を視認することができるようになる。さらに、重複照射スポットによる照射領域においては、複数のパルスレーザーの総エネルギーにて光吸収層を加工することが可能となるため、好適に光吸収層を加工することもできる。また、この方法によれば、重複照射スポットによる照射領域の面積の大小を調節することにより、剥離起点部形成工程において支持ガラスから部分的に剥離するガラス基板の面積の大小を調節することも可能となる。その結果、剥離工程において支持ガラスからガラス基板を剥離させやすい状態を容易に作り出すことができる。【００２８】
上記の方法において、複数のパルスレーザーを同一の発振源から発振させることが好ましい。【００２９】
このようにすれば、複数のパルスレーザーが相互にコヒーレントとなるため、剥離起点部形成工程の実行時に、重複照射スポットによる照射領域において複数のパルスレーザーの干渉性を高めることが可能となる。これにより、剥離工程の完了後、重複照射スポットによる照射領域に対応する支持ガラスの表面領域では、微細な凸部が周期的に残留した状態となりやすい。このことに由来して、微細な凸部が残留した箇所の所在をより明確に視認することができるようになる。また、この方法によれば、複数のパルスレーザーを光吸収層に照射するにあたって、光吸収層に照射されるパルスレーザーの数と同数の発振源を準備するような必要がなくなる。そのため、効率的に光吸収層の加工を行うことが可能となる。【００３０】
上記の方法において、複数のパルスレーザーは、支持ガラス側から照射される第一のパルスレーザーと、ガラス基板側から照射される第二のパルスレーザーとを含み、第一のパルスレーザーと第二のパルスレーザーとのうち、一方のパルスレーザーを、積層体を透過した他方のパルスレーザーを積層体に向かって反射させることで発生させることが好ましい。【００３１】
このようにすれば、第一のパルスレーザーと第二のパルスレーザーとのうち、一方のパルスレーザーを、積層体を透過した他方のパルスレーザーを単に積層体に向かって反射させるだけで発生させ得る。そのため、さらに効率的に光吸収層の加工を行うことができる。【００３２】
また、上記のガラス基板の製造方法は、同一の支持ガラスを繰り返し使用して、複数回繰り返してもよい。このとき、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した剥離起点部形成工程における重複照射スポットによる照射領域に対応した支持ガラスの表面領域と、ガラスフィルムとが重複しないように両ガラスを密着させることが好ましい。【００３３】
このようにすれば、剥離起点部形成工程を実行する度に、微細な凸部が残留した箇所が増加していくと共に、これらの所在が相互に異なった状態となる。また、微細な凸部が残留した箇所は視認することが可能であるため、この微細な凸部が残留した箇所の数に基づいて、支持ガラスを繰り返し使用した回数を判別することが可能になる。これにより、支持ガラスを使用した回数について、その管理を極めて容易に行うことができる。また、同一の支持ガラスを繰り返し使用することから、ガラス基板の製造に掛かるコストを抑制することも可能となる。さらには、微細な凸部上にガラスフィルムが重ね合わされることが防止されるため、微細な凸部に起因して、ガラスフィルムと支持ガラスとの間に気泡が入り込むことを回避することができる。従って、製造されたガラス基板の品質の低下を防止する上でも好適である。【００３４】
上記の方法では、光吸収層を支持ガラスに形成すると共に、剥離起点部形成工程において、光吸収層に上記のパルスレーザーを先発のパルスレーザーとして支持ガラス側から照射した後、さらに、先発のパルスレーザーの照射領域に対して、ガラス基板側から後発のパルスレーザーを照射してもよい。【００３５】
このようにすれば、先発のパルスレーザーを支持ガラス側から照射するのに伴って、その照射領域では、支持ガラスに形成された光吸収層がガラス基板へと付着する。その後、後発のパルスレーザーをガラス基板側から照射するのに伴い、その照射領域では、先発のパルスレーザーの照射時にガラス基板へと付着した光吸収層を、再び支持ガラスへと付着させることができる。すなわち、支持ガラスに光吸収層を修復することが可能になる。【００３６】
上記の方法において、先発のパルスレーザーと後発のパルスレーザーとを、同一の発振源から発振させることが好ましい。【００３７】
このようにすれば、先発のパルスレーザーと後発のパルスレーザーとを光吸収層に照射するにあたって、先発のパルスレーザー用の発振源と後発のパルスレーザー用の発振源とを別々に準備するような必要がなくなる。そのため、効率的に光吸収層の加工を行うことが可能となる。【００３８】
上記の方法において、先発のパルスレーザーと後発のパルスレーザーとを、ガラス基板における電子デバイス材が非形成の領域を透過するように照射することが好ましい。【００３９】
このようにすれば、電子デバイス材に対してパルスレーザーによる悪影響を与えることなく、先発のパルスレーザーと後発のパルスレーザーとを光吸収層に照射することができる。また、電子デバイス材にパルスレーザーのエネルギーが吸収されるような事態が生じないため、光吸収層に対して先発、及び後発のパルスレーザーのエネルギーを好適に作用させることが可能となる。【００４０】
上記の方法において、先発のパルスレーザーの照射スポットと後発のパルスレーザーの照射スポットとを、それぞれ１ｍｍ２〜５００ｍｍ２の範囲内の面積とすることが好ましい。【００４１】
このようにすれば、剥離起点部形成工程の実行後、後発のパルスレーザーの照射領域に対応する支持ガラスの表面領域において、光吸収層を平坦な状態に修復しやすくなる。また、先発、及び後発のパルスレーザーの照射スポットをそれぞれ上記のような面積とすることで、支持ガラス、及びガラス基板の損傷を可及的に防止することができる。【００４２】
上記の方法では、剥離起点部形成工程において、先発のパルスレーザーの照射領域に対応するガラス基板の部位、及び、後発のパルスレーザーの照射領域に対応するガラス基板の部位に対し、支持ガラスから離間する方向への変位を規制することが好ましい。ここで、「先発（後発）のパルスレーザーの照射領域に対応したガラス基板の部位」とは、剥離起点部形成工程の実行時に、平面視で先発（後発）のパルスレーザーの照射領域と重なるガラス基板の部位を意味している（以下、同じ）。【００４３】
ガラス基板と支持ガラスとの密着力が大きい場合、先発及び後発のパルスレーザーの照射領域に対応するガラス基板の部位（以下、対応部位と表記する）では、両パルスレーザーの熱によって対応部位が膨張することに起因して、以下のような不具合を生じる恐れがある。すなわち、対応部位と、その周辺に存するガラス基板と支持ガラスとが密着した部位との両部位の境界で過大な応力が作用し、ガラス基板が破損してしまう恐れがある。しかしながら、対応部位の支持ガラスから離間する方向への変位を規制すれば、両部位の境界での応力の作用を可及的に低減することができるため、上記のような不具合の発生を的確に排除することが可能となる。【００４４】
また、上記のガラス基板の製造方法は、同一の支持ガラスを繰り返し使用して、複数回繰り返してもよい。このとき、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回実行した剥離起点部形成工程における後発のパルスレーザーの照射領域に対応した支持ガラスの表面領域と、ガラスフィルムとが重複するように両ガラスを密着させることが好ましい。ここで、「後発のパルスレーザーの照射領域に対応した支持ガラスの表面領域」とは、剥離起点部形成工程の実行時に、平面視で後発のパルスレーザーの照射領域と重なる支持ガラスの表面領域を意味している（以下、同じ）。【００４５】
このようにすれば、二回目以降の積層体作製工程において、支持ガラスとガラスフィルムとの間に介在する光吸収層の中に、前回実行した剥離起点部形成工程で支持ガラスに修復させた光吸収層が含まれることになる。これにより、支持ガラスに修復させた光吸収層を無駄なく有効に利用することができる。また、同一の支持ガラスを繰り返し使用することから、ガラス基板の製造に掛かるコストを抑制することも可能となる。【００４６】
また、上記のガラス基板の製造方法を利用すれば、下記のような電子デバイスを製造することができる。すなわち、この電子デバイスは、ガラスフィルムに電子デバイス材が形成されてなるガラス基板を備えたものであって、ガラスフィルムが、その表裏両側からパルスレーザーを照射された被照射領域を有し、この被照射領域に、膜で構成された複数の凸部が形成されていることに特徴付けられる。【００４７】
このような電子デバイスによれば、ガラスフィルムの被照射領域の拡大画像をＣＣＤカメラ等により取得しておくことで、ガラス基板に個体の識別性（トレーサビリティ）を付与することが可能となる。その結果、このガラス基板を備えた電子デバイスに対しても、同様に個体の識別性を付与することができるため、その品質の管理を行う上で極めて有利となる。【００４８】
上記の電子デバイスにおいて、複数の凸部は、並列に形成されており、凸部の幅、及び隣り合う凸部の相互間に形成される隙間の幅がそれぞれ０．１μｍ〜２０μｍで、且つ、複数の凸部の形成ピッチが０．２μｍ〜４０μｍで、且つ、被照射領域に占める凸部の形成された領域の面積が１０％以上であることが好ましい。【００４９】
このような電子デバイスによれば、被照射領域に占める凸部の領域や形状を特定し易くなるため、電子デバイスの個体の識別性をより高めることができる。
【発明の効果】
【００５０】
以上のように、本発明に係るガラス基板の製造方法によれば、積層体を利用してガラス基板を製造する際に、当該積層体が高温雰囲気下に置かれた場合であっても、処理を終えたガラスフィルムの円滑な剥離が可能となると共に、ガラス基板の品質の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法における積層体作製工程を示す縦断側面図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法における処理工程を示す縦断側面図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離工程を示す縦断側面図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す平面図である。
【図６】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。
【図７】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法における積層体作製工程を示す平面図である。
【図８】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。
【図９】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す平面図である。
【図１０】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す平面図である。
【図１１】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離工程を示す縦断側面図である。
【図１２】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。
【図１３】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法によって製造されたガラス基板を示す縦断側面図である。
【図１４】本発明の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。
【図１５】本発明の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す平面図である。
【図１６ａ】本発明の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。
【図１６ｂ】本発明の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。
【図１７】本発明の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法における積層体作製工程を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
以下、本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法、及び電子デバイスについて、添付の図面を参照して説明する。
【００５３】
＜第一実施形態＞
図１〜図４は、本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法に含まれる各工程を示す図である。これらの図に示すように、このガラス基板の製造方法は、ガラスフィルム１と支持ガラス２とを、光吸収層としての無機膜３を介して相互に密着させた積層体４を作製する積層体作製工程（図１）と、ガラスフィルム１に電子デバイス材５を形成して、ガラス基板６とする処理工程（図２）と、無機膜３にパルスレーザー７を照射して、支持ガラス２からガラス基板６の一部を剥離させることで、剥離起点部６ｘを形成する剥離起点部形成工程（図３）と、支持ガラス２からガラス基板６の全体を剥離させる剥離工程（図４）とを含んでいる。そして、同一の支持ガラス２を繰り返し使用して、このガラス基板の製造方法を複数回繰り返す。
【００５４】
積層体作製工程では、まず、可撓性を有するガラスフィルム１と、ガラスフィルム１を支持する支持ガラス２との各々について、相互に密着（無機膜３を介して密着）する側の面（以下、密着側面と表記する）の表面粗さＲａを２．０ｎｍ以下の平滑な面に仕上げる。この表面粗さＲａは、例えば、オーバーフローダウンドロー法で成形されたガラスを未研磨で使用したり、ガラスにケミカルエッチングを施すにあたってエッチング液の濃度、液温度、処理時間の調整を行ったり、ガラスに鏡面研磨や光学研磨を施したりすること等で制御することが可能である。なお、本実施形態においては、両ガラス１，２は共に矩形の形状を有しており、支持ガラス２はガラスフィルム１に対して、ひとまわり大きいサイズを有している。次に、支持ガラス２について、密着側面の全面に無機膜３を均一な厚みで形成する。ここで、無機膜３は、両ガラス１，２に比べて、波長３００ｎｍ〜３０００ｎｍの光に対して透過率の低い膜で構成する。この無機膜３としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｓｃ２Ｏ３、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、ＺｒＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ等の酸化膜や、ＳｉＮ、ＳｉＡｌＮ、ＳｉＯＮ等の窒化膜や、これらの組み合わせで構成される膜を使用することができる。また、無機膜３の厚みとしては、１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内とすることが好ましい。最後に、無機膜３を介して両ガラス１，２を相互に密着させることで、積層体４を作製する。なお、本実施形態においては、無機膜３は、支持ガラス２の密着側面ではなく、ガラスフィルム１の密着側面に形成してもよい。
【００５５】
処理工程では、積層体作製工程で作製された積層体４について、ガラスフィルム１に電子デバイス材５を形成して、ガラスフィルム１をガラス基板６とする。ここで、電子デバイス材５としては、例えば、液晶素子、有機ＥＬ素子、タッチパネル素子、太陽電池素子、圧電素子、受光素子、リチウムイオン２次電池等の電池素子、ＭＥＭＳ素子、半導体素子等を形成する。
【００５６】
剥離起点部形成工程では、支持ガラス２側からパルスレーザー７を無機膜３に集光させて照射する（無機膜３をパルスレーザー７の焦点位置とする）。このパルスレーザー７は、ガルバノミラー（図示省略）とｆ−θレンズ（図示省略）とによって、その光軸が積層体４の厚み方向に延びるように照射される。また、図５に示すように、パルスレーザー７の照射領域７ｘは、ガラス基板６の外周端部６ａに沿った領域のうち、当該ガラス基板６のコーナー部を含む正方形状の領域としている。さらに、本実施形態においては、照射領域７ｘが形作る正方形の各辺が、ガラス基板６のコーナー部を形成する二つの辺部の各々に対して４５°傾斜するように、照射領域７ｘを設定している。そして、パルスレーザー７の照射スポット７ａの各々が一定の照射ピッチＰで並ぶように、当該パルスレーザー７を走査経路Ｓに沿って走査させる。なお、本実施形態においては、図５に示すように、隣り合う照射スポット７ａ同士が重複しないようにパルスレーザー７が照射されているが、隣り合う照射スポット７ａ同士が部分的に重複するように照射されていてもよい。
【００５７】
これにより、パルスレーザー７の照射領域７ｘでは、以下のような作用が生じる。すなわち、図６に示すように、無機膜３へのパルスレーザー７の照射に伴って、当該無機膜３がレーザー光を吸収してプラズマ化する（クロスハッチングを施した部位）。さらには、パルスレーザー７の照射元側に位置する支持ガラス２は、照射先側に位置するガラス基板６と比較して、より多くのエネルギーを吸収して、無機膜３の近傍がプラズマ化する（クロスハッチングを施した部位）。そして、共にプラズマ化した支持ガラス２の一部と無機膜３とが、ガラス基板６へと付着する。加えて、パルスレーザー７の照射により生じたガスが、支持ガラス２とガラス基板６とを分離させるように両ガラス２，６を押し分ける。これらの作用により、ガラス基板６の一部が支持ガラス２から剥離して、剥離起点部６ｘが形成される。なお、支持ガラス２、及びガラス基板６において、パルスレーザー７の照射領域７ｘに対応した表面領域には、当該レーザー７の照射による加工痕が形成される。この加工痕には凹凸が含まれている。
【００５８】
ここで、パルスレーザー７の種類としては、固体レーザー、ＬＤレーザー、ディスクレーザー、ファイバーレーザー等を使用することができる。また、パルスレーザー７の波長としては、３００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内とすることが好ましい。さらに、パルス幅は、５００ｐｓ以下としているが、１０ｆｓ〜５００ｐｓの範囲内とすることが好ましく、より好ましくは１００ｆｓ〜１００ｐｓの範囲内とする。しかしながら、この限りではなく、ナノ秒オーダーのパルス幅としてもよい。加えて、周波数としては、１ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲内とすることが好ましい。また、パルスエネルギーとしては、１μＪ〜５０μＪの範囲内とすることが好ましい。さらに、パルスエネルギーの尖頭値としては、５．０×１０９Ｊ／ｃｍ２・ｓ〜１．０×１０１５Ｊ／ｃｍ２・ｓの範囲内とすることが好ましい。加えて、パルスレーザー７の照射ピッチＰとしては、１μｍ〜１００μｍの範囲内とすることが好ましい。また、照射領域７ｘがなす正方形の一辺の長さ（照射範囲）Ｒは、０．１ｍｍ〜１００ｍｍの範囲内とすることが好ましい。さらに、支持ガラス２、ガラス基板６に形成される加工痕において、凹みの大きさ（厚み方向における寸法）は、１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。なお、パルスレーザー７の照射により、無機膜３の厚みの一部のみ、又は、全厚みのみが加工される場合もある。この場合には、凹みの大きさは零となる。
【００５９】
剥離工程では、支持ガラス２からのガラス基板６の剥離に、複数の吸着パッド８を使用する。この吸着パッド８の各々は、ガラス基板６との当接部に複数の吸引孔を有しており、この吸引孔を介してガラス基板６に負圧を発生させることで、ガラス基板６を吸着する。そして、ガラス基板６を吸着した各吸着パッド８が、剥離起点部６ｘの側から順次に上方へと移動することで、支持ガラス２からガラス基板６の全体を剥離させる。以上の各工程を経てガラス基板６が製造される。ここで、剥離工程後のガラス基板６、及び支持ガラス２の面強度は、１００ＭＰａ〜３０００ＭＰａの範囲内であることが好ましい。
【００６０】
なお、ガラス基板６を剥離させた後の支持ガラス２は、上記のガラス基板の製造方法に繰り返し使用する。このとき、二回目以降の積層体作製工程の実行時には、前回以前に実行した剥離起点部形成工程におけるパルスレーザー７の照射領域７ｘに対応した支持ガラス２の表面領域と、ガラスフィルム１とが重複しないように、両ガラス１，２を密着させる。ここで、具体例を一つ挙げる。図７は、三回目に実行する積層体作製工程を示す平面図である。支持ガラス２は、既に二回の剥離起点部形成工程を経ている。これにより、一回目、二回目に実行された積層体作製工程において、支持ガラス２と密着させた各ガラスフィルム１ａ，１ｂのコーナー部に対応する支持ガラスの各表面領域２ａｘ，２ｂｘには、それぞれ加工痕が形成されている。この表面領域２ａｘ，２ｂｘ（加工痕）と、三回目の積層体作製工程に使用されるガラスフィルム１ｃとが重複しないように、支持ガラス２とガラスフィルム１ｃとを密着させる。
【００６１】
以下、上記の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法について、その作用・効果を説明する。
【００６２】
この第一実施形態に係るガラス基板の製造方法によれば、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、剥離起点部形成工程を実行することから、処理工程の実行時においては、剥離工程の起点となる剥離起点部６ｘが当然に未形成の状態にある。従って、剥離起点部６ｘの形成に起因して、支持ガラス２とガラスフィルム１との相互間に隙間が形成された状態の下で、処理工程が実行されてしまうような状況が生じ得なくなる。従って、水等の液体を使用する必要のある処理を行う場合であっても、当該液体が隙間に入り込むようなおそれがない。その結果、ガラスフィルム１に電子デバイス材５を好適に形成することができ、隙間の形成に起因したガラス基板６の品質の低下を確実に防止することが可能となる。
【００６３】
また、このガラス基板の製造方法では、積層体作製工程において、ガラスフィルム１と支持ガラス２とを、無機膜３を介して密着させることで積層体４を作製している。そのため、積層体４が高温雰囲気下に置かれていた場合であっても、両ガラス２，６の間に作用する密着力の増大が抑制されるため、剥離工程において、ガラス基板６の全体を円滑に支持ガラス２から剥離させることが可能となる。なお、この効果は、無機膜３が熱的に安定していることで、より高められる。
【００６４】
また、パルスレーザー７の照射領域７ｘを、ガラス基板６の外周端部６ａに沿った領域のうち、当該ガラス基板６のコーナー部を含む領域としたことで、以下のような作用・効果が得られる。すなわち、処理工程の実行後に、ガラス基板６のコーナー部と支持ガラス２とを繋ぎ合せるような付着物（例えば、フォトレジスト剤）が残存した場合であっても、当該付着物をパルスレーザー７の照射によって取り除くことができる。このため、付着物によってガラス基板６の剥離が阻害され、当該ガラス基板６に割れが生じるような事態の発生を可及的に防止することが可能となる。さらに、剥離工程において、ガラス基板６の支持ガラス２からの剥離を、コーナー部を起点に開始することができる。これにより、ガラス基板６を剥離させるために要する力を効率よく作用させることが可能となる。その結果、ガラス基板６と支持ガラス２とを安定的に剥離させることができる。
【００６５】
また、パルスレーザー７のパルス幅が５００ｐｓ以下とされ、パルス幅が十分に短くなっている。このため、ガラス基板６、及び支持ガラス２における過度なエネルギーの吸収を防止でき、両ガラス２，６の損傷を可及的に抑制することができる。なお、この効果は、隣り合う照射スポット７ａ同士を重複させる場合に、その重複した領域の大きさを制御することで、より高めることが可能である。また、パルス幅の短いパルスレーザー７を使用していることで、様々な無機膜３に対して良好に加工を行うことも可能である。さらに、無機膜３からはアウトガスの発生が可及的に抑制されるため、当該アウトガスによるガラス基板６の汚染についても、好適に防止することが可能である。加えて、パルスレーザー７を支持ガラス２側から照射していることで、上述のように、剥離起点部形成工程の実行時に、共にプラズマ化した支持ガラス２の一部と無機膜３とが、ガラス基板６へと付着する。このため、ガラス基板６は、支持ガラス２とは異なり、剥離起点部形成工程の実行に伴って、その厚みが薄肉化されることが回避される。これにより、ガラス基板６の面強度の低下を防止することが可能となる。また、特にパルス幅が１００ｐｓ以下のパルスレーザー７を使用した場合には、加工痕に含まれる凹凸を可及的に小さくすることができる。その結果、両ガラス２，６について、良好な面強度を確保する上で有利となる。
【００６６】
加えて、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した剥離起点部形成工程におけるパルスレーザー７の照射領域７ｘに対応した支持ガラス２の表面領域と、ガラスフィルム１とが重複しないように、両ガラス１，２を密着させていることで、以下のような作用・効果が得られる。すなわち、剥離起点部形成工程を実行する度に支持ガラス２に形成される加工痕が、相互に異なる箇所に形成される。また、この加工痕は目視でその存在を確認することが可能である。そのため、この加工痕の数に基づいて、支持ガラス２を繰り返し使用した回数を判別することが可能になる。これにより、支持ガラス２を使用した回数について、その管理を極めて容易に行うことができる。なお、加工痕における凹み量を可視光の波長と同程度とすれば、加工痕の視認性を向上させることが可能である。また、同一の支持ガラス２を繰り返し使用することから、ガラス基板６の製造に掛かるコストを抑制することも可能となる。さらには、加工痕に含まれる凹凸上にガラスフィルム１を重ね合わせないため、凹凸に起因して、ガラスフィルム１と支持ガラス２との間に気泡が入り込むことを回避することができる。従って、製造されたガラス基板６の品質の低下を防止する上でも好適である。
【００６７】
＜第二実施形態＞
以下、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法について説明する。なお、この第二実施形態に係るガラス基板の製造方法の説明において、上記の第一実施形態で既に説明した事項については、第二実施形態の説明で参照する図面に同一の符号を付すことで重複する説明を省略し、第一実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００６８】
図８は、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図であり、図９は、同工程を示す平面図である。これらの図に示すように、この第二実施形態に係るガラス基板の製造方法では、剥離起点部形成工程において、無機膜３に第一のパルスレーザー９と第二のパルスレーザー１０との二つを照射すると共に、これらの照射スポット９ａ，１０ａの一部が重複した重複照射スポットＺを形成する。
【００６９】
図８に示すように、第一のパルスレーザー９は、発振源としてのレーザー発振器１１から発振させると共に、ミラー１２で反射させることにより、無機膜３に対して支持ガラス２側から照射している。一方、第二のパルスレーザー１０は、積層体４を透過した第一のパルスレーザー９を当該積層体４に向かってミラー１２ｘで反射させることで発生させており、無機膜３に対してガラス基板６側から照射している。つまり、第一のパルスレーザー９と第二のパルスレーザー１０とは、同一のレーザー発振器１１（発振源）から発振されたレーザーとなっている。積層体４を透過した第二のパルスレーザー１０は、散乱板１３で散乱させている。なお、本実施形態においては、上記の第一実施形態とは異なり、第一のパルスレーザー９と第二のパルスレーザー１０とを、無機膜３に集光させずにデフォーカスした状態で照射している（無機膜３を両パルスレーザー９，１０の焦点位置としていない）。また、両パルスレーザー９，１０の偏光は、直線偏光としている。さらに、積層体４を透過してミラー１２ｘに入射する第一のパルスレーザー９の光軸に対して、ミラー１２ｘで反射させることで発生させた第二のパルスレーザー１０の光軸が傾斜するように、ミラー１２ｘを設置する角度を調節している。
【００７０】
ここで、両パルスレーザー９，１０の種類としては、固体レーザー、ＬＤレーザー、ディスクレーザー、ファイバーレーザー等を使用することができる。また、両パルスレーザー９，１０の波長としては、３００ｎｍ〜３μｍの範囲内とすることが好ましい。さらに、パルス幅は、１ｐｓ〜１μｓの範囲内とすることが好ましい。加えて、周波数としては、０．５Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲内とすることが好ましい。また、パルスエネルギーとしては、１ｍＪ〜２Ｊの範囲内とすることが好ましい。さらに、パルスエネルギーの尖頭値としては、５．０×１０６Ｊ／ｃｍ２・ｓ〜１．０×１０１５Ｊ／ｃｍ２・ｓの範囲内とすることが好ましい。加えて、両パルスレーザー９，１０の照射スポット９ａ，１０ａの面積は、１ｍｍ２〜５００ｍｍ２の範囲内とすることが好ましい。また、重複照射スポットＺの面積は、照射スポット９ａ，１０ａの面積の１０％〜９９．９％の面積とすることが好ましい。
【００７１】
図９に示すように、両パルスレーザー９，１０の照射領域９ａ，１０ａの一部が重複した重複照射スポットＺは、ガラス基板６の外周端部６ａに沿った領域のうち、当該ガラス基板６のコーナー部を含む領域に形成している。ここで、本実施形態においては、重複照射スポットＺを、無機膜３上において一箇所のみに形成している。
【００７２】
なお、本実施形態のような態様に限らず、変形例として、図１０に示すように、重複照射スポットＺを相互に位置が異なった複数箇所に断続的に形成してもよい。なお、複数箇所に断続的に重複照射スポットＺを形成する場合には、例えば、以下の（Ａ）、（Ｂ）の手順を繰り返し実行する。（Ａ）無機膜３上に両照射スポット９ａ，１０ａを形成して重複照射スポットＺを形成した後、一旦、両パルスレーザー９，１０の照射を中止する。（Ｂ）積層体４を移動させて両照射スポット９ａ，１０ａが形成される位置をずらした後、両パルスレーザー９，１０を再照射して重複照射スポットＺを異なる位置に再形成する。このとき、隣り合う二つの重複照射スポットＺは、これらの一部が重なるように形成してもよいし、重ならないように形成してもよい。さらなる変形例として、重複照射スポットＺは、両パルスレーザー９，１０を無機膜３に照射した状態で積層体４を移動させることにより、無機膜３を連続的に走査する重複照射スポットＺとして形成してもよい。
【００７３】
これにより、重複照射スポットＺによる照射領域では、以下のような作用が生じる。すなわち、支持ガラス２からガラス基板６の一部が剥離した剥離起点部６ｘが形成される。また、剥離起点部形成工程の実行時に、重複照射スポットＺによる照射領域において両パルスレーザー９，１０が干渉し、その干渉パターンに従って無機膜３が加工される。このことに起因して、図１１に示すように、剥離工程の完了後、重複照射スポットＺによる照射領域に対応する支持ガラス２の表面領域２ｙには、無機膜３が微細な凸部３ｘとして残留した状態となる。そして、微細な凸部３ｘが残留した箇所を透過した光は、当該箇所以外を透過した光とは異なる視え方をするようになる。これにより、微細な凸部３ｘが残留した箇所の所在を視認することができるようになる。
【００７４】
また、この第二実施形態に係るガラス基板の製造方法では、上記の第一実施形態と同様に、剥離工程の完了後、支持ガラス２をガラス基板の製造方法に繰り返し使用する。このとき、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した剥離起点部形成工程における重複照射スポットＺによる照射領域に対応した支持ガラス２の表面領域２ｙと、ガラスフィルム１とが重複しないように両ガラス１，２を密着させる。
【００７５】
ここで、具体例を一つ挙げる。図１２は、三回目に実行する積層体作製工程を示す縦断側面図である。支持ガラス２は、既に二回の剥離起点部形成工程を経ている。これにより、一回目、二回目に実行された剥離起点部形成工程において、重複照射スポットＺによる照射領域に対応した支持ガラス２の各表面領域２ａｙ，２ｂｙには、それぞれ微細な凸部３ｘが残留している。この表面領域２ａｙ，２ｂｙと、三回目の積層体作製工程に使用されるガラスフィルム１ｃとが重複しないように、支持ガラス２とガラスフィルム１ｃとを密着させる。
【００７６】
以下、上記の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法について、その作用・効果を説明する。
【００７７】
この第二実施形態に係るガラス基板の製造方法によれば、重複照射スポットＺによる照射領域において、両パルスレーザー９，１０の双方のエネルギーにて無機膜３を加工することが可能となり、好適に無機膜３を加工することができる。また、重複照射スポットＺによる照射領域の面積の大小を調節することにより、剥離起点部形成工程において支持ガラス２から部分的に剥離するガラス基板６の面積の大小を調節することも可能となる。その結果、剥離工程において支持ガラス２からガラス基板６を剥離させやすい状態を容易に作り出すことができる。
【００７８】
また、第一のパルスレーザー９と第二のパルスレーザー１０とが同一のレーザー発振器１１から発振されていることから、両パルスレーザー９，１０が相互にコヒーレントとなる。そのため、剥離起点部形成工程の実行時に、重複照射スポットＺによる照射領域において両パルスレーザー９，１０の干渉性を高めることが可能となる。これにより、微細な凸部３ｘが周期的に残留した状態となりやすい。このことに由来して、微細な凸部３ｘが残留した箇所の所在をより明確に視認することができるようになる。さらに、両パルスレーザー９，１０を無機膜３に照射するにあたって、無機膜３に照射されるパルスレーザーの数（本実施形態においては二つ）と同数の発振源を準備するような必要がなくなる。そのため、効率的に無機膜３の加工を行うことが可能となる。なお、この効果は、第二のパルスレーザー１０を、積層体４を透過した第一のパルスレーザー９を当該積層体４に向かって反射させて発生させていることで、より高められている。
【００７９】
また、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回以前に実行した剥離起点部形成工程における重複照射スポットＺによる照射領域に対応した支持ガラス２の表面領域２ｙと、ガラスフィルム１とが重複しないように両ガラス１，２を密着させていることで、以下のような作用・効果をも得ることができる。すなわち、この方法では、剥離起点部形成工程を実行する度に、微細な凸部３ｘが残留した箇所が増加していくと共に、これらの所在が相互に異なった状態となる。また、微細な凸部３ｘが残留した箇所は視認することが可能であるため、この微細な凸部３ｘが残留した箇所の数に基づいて、支持ガラス２を繰り返し使用した回数を判別することが可能になる。これにより、支持ガラス２を使用した回数について、その管理を極めて容易に行うことができる。さらには、微細な凸部３ｘ上にガラスフィルム１が重ね合わされることが防止されるため、微細な凸部３ｘに起因して、ガラスフィルム１と支持ガラス２との間に気泡が入り込むことを回避することができる。従って、製造されたガラス基板６の品質の低下を防止する上でも好適である。
【００８０】
なお、この第二実施形態に係るガラス基板の製造方法によって製造されたガラス基板６（電子デバイス材５が形成されたガラスフィルム１）は、図１３に示すように、その表裏両側からパルスレーザーを照射された被照射領域Ｔ（重複照射スポットＺが形成された領域）を有している。この被照射領域Ｔには、無機膜３で構成された複数の凸部３ｚが並列に形成されている。図１３では、直線偏光を有するパルスレーザーを使用しているため、凸部３ｚが並列に形成されているが、これには限定されず、円偏光を有するパルスレーザーを使用した場合、図示しないがドット状に形成されることがある。
【００８１】
凸部３ｚの各々は、図１３において紙面に鉛直な方向に沿って長尺となるように形成されると共に、ガラスフィルム１において電子デバイス材５が形成された領域外に形成されている。凸部３ｚの幅Ｗ１、及び、隣り合う凸部３ｚの相互間に形成される隙間の幅Ｗ２は、それぞれ０．１μｍ〜２０μｍの範囲内となっている。また、複数の凸部３ｚは、これらが並ぶ方向に沿って周期的（図１３においては３周期）に形成されており、凸部３ｚの形成ピッチＰＴは、０．２μｍ〜４０μｍの範囲内となっている。さらに、被照射領域Ｔに占める凸部３ｚの形成された領域の面積は、１０％以上となっている。加えて、凸部３ｚの高さＨは、無機膜３の厚みと略等しくなっている。これらの測定は、原子間力顕微鏡、レーザー顕微鏡や、光の干渉による表面形状測定機等を用いることにより行うことができる。尚、本実施形態において、被照射領域Ｔに占める凸部３ｚが形成された領域の面積とは、被照射領域Ｔの範囲の中で凸部と凹部が形成されている領域を抽出し、凸部３ｚのみの面積を積算して算出する。
【００８２】
本実施形態において、被照射領域Ｔにおいては、形成される凸部３ｚの領域や幅Ｗ１、ピッチＰＴ等がある程度ランダムに形成される。従って、パルスレーザーを照射された被照射領域Ｔの一部を拡大観察し、ＣＣＤカメラなどの撮影手段により画像としてデータ化し、それらを比較することによりガラス基板６に個体の識別性（トレーサビリティ）を付与することが可能となる。さらに、凸部３ｚの断面形状や、上記画像に対しフーリエ変換を行うことによるパワースペクトルにより、識別することも可能である。その結果、このガラス基板６を備えた電子デバイス（例えば、液晶パネル、有機ＥＬパネル、タッチパネル，太陽電池パネル，その他の半導体素子が形成されたパネル等）を既に公知となっている種々の方法で製造すれば、当該電子デバイスに対しても、同様に個体の識別性を付与することができる。これにより、電子デバイスについて品質の管理を行う上で極めて有利となる。
【００８３】
ここで、図１３には、凸部３ｚが３周期に亘って形成されている場合を例示しているが、例えば、重複照射スポットＺが形成される領域の面積の大小を変更することで、凸部３ｚが形成される周期の数を変更することができる。そして、凸部３ｚが形成される周期の数としては、２周期〜３００００周期とすることが好ましい。また、重複照射スポットＺが形成される領域の面積の大小を変更することにより、被照射領域Ｔに占める凸部３ｚが形成された領域の面積を変更することもできる。そして、被照射領域Ｔに占める凸部３ｚが形成された領域の面積は、２０％以上とすることが好ましい。これらのようにすれば、ガラス基板６の識別性をより向上させることができる。
【００８４】
＜第三実施形態＞
以下、本発明の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法について説明する。なお、この第三実施形態に係るガラス基板の製造方法の説明において、上記の第一、及び第二実施形態で既に説明した事項については、第三実施形態の説明で参照する図面に同一の符号を付すことで重複する説明を省略し、第一、及び第二実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００８５】
図１４は、本発明の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す縦断側面図である。同図に示すように、この第三実施形態に係るガラス基板の製造方法では、剥離起点部形成工程において、支持ガラス２の密着側面に形成された無機膜３に対し、支持ガラス２側から先発のパルスレーザー１４を照射した後、さらに、先発のパルスレーザー１４の照射領域１４ｘに対して、ガラス基板６側から後発のパルスレーザー１５を照射する。
【００８６】
両パルスレーザー１４，１５は、レーザー発振器１１から発振されたパルスレーザー１６が通過する光路Ｌを途中で分岐させることで照射仕分けている。つまり、両パルスレーザー１４，１５は、同一のレーザー発振器１１（発振源）から発振されたレーザーとなっている。レーザー発振器１１から発振されたパルスレーザー１６は、光路Ｌに設置された１／２波長板１７を通過して、偏光ビームスプリッター１８まで到達する。この偏光ビームスプリッター１８によって、パルスレーザー１６が、先発のパルスレーザー１４用の光路Ｌ１と、後発のパルスレーザー１５用の光路Ｌ２とのいずれに進むかが切り替えられる。なお、本実施形態においては、両パルスレーザー１４，１５の偏光は、直線偏光としている。
【００８７】
まず、パルスレーザー１６に、先発のパルスレーザー１４用の光路Ｌ１を進ませることにより、当該パルスレーザー１６を先発のパルスレーザー１４として無機膜３に照射する。次に、先発のパルスレーザー１５の照射が完了した後、偏光ビームスプリッター１８によってパルスレーザー１６が光路Ｌ２を進むように切り替えを行う。これにより、パルスレーザー１６に後発のパルスレーザー１５用の光路Ｌ２を進ませ、当該パルスレーザー１６を後発のパルスレーザー１５として無機膜３に照射する。なお、両パルスレーザー１４，１５は、共にガラス基板６における電子デバイス材５が非形成の領域を透過するように照射している。また、本実施形態においては、上記の第一実施形態とは異なり、両パルスレーザー１４，１５を、無機膜３に集光させずにデフォーカスした状態で照射している（無機膜３を両パルスレーザー１４，１５の焦点位置としていない）。また、先発のパルスレーザー１４の光軸に対して、後発のパルスレーザー１５の光軸が傾斜するように、光路Ｌ２に設置されたミラー１２ｙの角度を調節している。
【００８８】
ここで、両パルスレーザー１４，１５（パルスレーザー１６）の種類としては、固体レーザー、ＬＤレーザー、ディスクレーザー、ファイバーレーザー等を使用することができる。また、両パルスレーザー１４，１５（パルスレーザー１６）の波長としては、３００ｎｍ〜３μｍの範囲内とすることが好ましい。さらに、パルス幅は、１０ｆｓ〜１μｓの範囲内とすることが好ましい。加えて、周波数としては、０．５Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲内とすることが好ましい。また、パルスエネルギーとしては、１ｍＪ〜２Ｊの範囲内とすることが好ましい。さらに、パルスエネルギーの尖頭値としては、５．０×１０６Ｊ／ｃｍ２・ｓ〜１．０×１０１５Ｊ／ｃｍ２・ｓの範囲内とすることが好ましい。
【００８９】
以下、両パルスレーザー１４，１５の具体的な照射の態様について、図１５に基づいて説明する。図１５に示すように、無機膜３上において、先発のパルスレーザー１４の照射領域１４ｘ、及び後発のパルスレーザー１５の照射領域１５ｘは、ガラス基板６の外周端部６ａに沿った領域のうち、当該ガラス基板６のコーナー部を含む円形の領域としている。なお、本実施形態においては、両照射領域１４ｘ，１５ｘが無機膜３上において略完全に重複するように両照射領域１４ｘ，１５ｘを設定している。しかしながら、この限りではなく、変形例として、両照射領域１４ｘ，１５ｘは、これらの一部のみが重複する態様としてもよい。また、両照射領域１４ｘ，１５ｘの形状は、円形のみに限らず、任意の形状としてよい。
【００９０】
ここで、両照射領域１４ｘ，１５ｘの面積は、１０ｍｍ２〜１００００ｍｍ２の範囲内の面積とすることが好ましい。また、両照射領域１４ｘ，１５ｘの一部のみを重複させる場合に、重複する箇所の面積は、両照射領域１４ｘ，１５ｘの面積の１０％〜９９．９％の面積とすることが好ましい。
【００９１】
先発のパルスレーザー１４の照射領域１４ｘ内においては、当該先発のパルスレーザー１４の照射スポット１４ａを相互に位置が異なった複数箇所に断続的に形成していく。この複数箇所の照射スポット１４ａは、照射領域１４ｘ内に万遍なく形成する。なお、本実施形態においては、隣り合う二つの照射スポット１４ａ同士の一部が重なるように形成している。また、各照射スポット１４ａの面積は、１ｍｍ２〜５００ｍｍ２の範囲内の面積としている。複数箇所への照射スポット１４ａの形成には、例えば、以下の（Ａ）、（Ｂ）の手順を繰り返し実行する。（Ａ）無機膜３上に先発のパルスレーザー１４を照射して照射スポット１４ａを形成した後、一旦、先発のパルスレーザー１４の照射を中止する。（Ｂ）積層体４を移動させて照射スポット１４ａが形成される位置をずらした後、先発のパルスレーザー１４を再照射して照射スポット１４ａを異なる位置に再形成する。
【００９２】
なお、本実施形態のような態様に限らず、変形例として、隣り合う照射スポット１４ａ同士を、これらが重ならないように形成してもよい。また、別の変形例として、先発のパルスレーザー１４の照射は、当該先発のパルスレーザー１４を無機膜３に照射した状態で積層体４を移動させることにより、照射スポット１４ａが照射領域１４ｘ内を万遍なく走査するような態様で実行してもよい。さらなる変形例として、先発のパルスレーザー１４の照射は、照射領域１４ｘに等しい面積を有する照射スポット１４ａを一回のみ形成するような態様で実行してもよい。
【００９３】
各照射スポット１４ａの形成が完了すると、次に、後発のパルスレーザー１５の照射領域１５ｘ内において、当該先発のパルスレーザー１５の照射スポット１５ａを相互に位置が異なった複数箇所に断続的に形成していく。各照射スポット１５ａは、照射スポット１４ａの各々が形成されていた箇所と重なるように形成していく。なお、これら照射スポット１５ａの形成は、照射スポット１４ａを形成する場合と同様にして実行する。また、これら照射スポット１５ａの形成は、照射スポット１４ａを形成する場合と同様の変形例によって実行してもよい。
【００９４】
なお、本実施形態では、照射スポット１４ａの複数箇所への形成をまとめて実行した後で、照射スポット１５ａの複数箇所への形成をまとめて実行しているが、この限りではない。変形例として、照射スポット１４ａの形成と照射スポット１５ａの形成とを一箇所ずつ交互に実行してもよい。この場合においては、剥離起点部形成工程を複数回に亘って実行していることになる（一回の剥離起点部形成工程の実行で、両照射スポット１４ａ，１５ａの各々が一箇所ずつ形成される）。
【００９５】
これにより、先発のパルスレーザー１４の照射領域１４ｘ、後発のパルスレーザー１５の照射領域１５ｘでは、以下のような作用が生じる。すなわち、図１６ａに示すように、先発のパルスレーザー１４を支持ガラス２側から照射するのに伴って、その照射領域１４ｘでは、支持ガラス２に形成された無機膜３がガラス基板６へと付着する。その後、図１６ｂに示すように、後発のパルスレーザー１５をガラス基板６側から照射するのに伴い、その照射領域１５ｘでは、先発のパルスレーザー１４の照射時にガラス基板６へと付着した無機膜３を、再び支持ガラス２へと付着させることができる。つまり、支持ガラス２に無機膜３が修復される。また、支持ガラス２からガラス基板６の一部が剥離した剥離起点部６ｘが形成される。なお、両照射領域１４ｘ，１５ｘの一部のみが重複している場合には、両照射領域１４ｘ，１５ｘが重複した箇所に対応する支持ガラス２の表面領域において、無機膜３が支持ガラス２に修復される。
【００９６】
また、この第三実施形態に係るガラス基板の製造方法では、上記の第一、及び第二実施形態と同様に、剥離工程の完了後、支持ガラス２をガラス基板の製造方法に繰り返し使用する。このとき、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回実行した剥離起点部形成工程における後発のパルスレーザー１５の照射領域１５ｘ（本実施形態においては、先発のパルスレーザー１４の照射領域１４ｘに等しい）に対応した支持ガラス２の表面領域と、ガラスフィルム１とが重複するように両ガラス１，２を密着させる。
【００９７】
ここで、具体例を一つ挙げる。図１７は、二回目に実行する積層体作製工程を示す平面図である。支持ガラス２は、既に一回の剥離起点部形成工程を経ている。これにより、一回目に実行された剥離起点部形成工程において、後発のパルスレーザー１５の照射領域１５ｘに対応した支持ガラス２の表面領域では、当該支持ガラス２に無機膜３が修復されている。この表面領域と、二回目の積層体作製工程に使用されるガラスフィルム１ｂとが重複するように、支持ガラス２とガラスフィルム１ｂとを密着させる。なお、この具体例では、ガラスフィルム１ｂを、照射領域１５ｘに対応した支持ガラス２の表面領域のうち、その中心部２ｃを避けて支持ガラス２と密着させている。
【００９８】
以下、上記の第三実施形態に係るガラス基板の製造方法について、その作用・効果を説明する。
【００９９】
この第三実施形態に係るガラス基板の製造方法によれば、両パルスレーザー１４，１５が同一のレーザー発振器１１から発振されるため、先発のパルスレーザー１４と後発のパルスレーザー１５とを無機膜３に照射するにあたって、先発のパルスレーザー１４用の発振源と後発のパルスレーザー１５用の発振源とを別々に準備するような必要がなくなる。そのため、効率的に無機膜３の加工を行うことが可能となる。
【０１００】
また、両パルスレーザー１４，１５を、共にガラス基板６における電子デバイス材５が非形成の領域を透過するように照射している。このことから、電子デバイス材５に対してパルスレーザーによる悪影響を与えることなく、両パルスレーザー１４，１５を無機膜３に照射することができる。さらに、電子デバイス材５にパルスレーザーのエネルギーが吸収されるような事態が生じないため、無機膜３に対して両パルスレーザー１４，１５のエネルギーを好適に作用させることが可能となる。
【０１０１】
また、両パルスレーザー１４，１５の照射スポット１４ａ，１５ａの面積を、１ｍｍ２〜５００ｍｍ２の範囲内の面積としたことで、剥離起点部形成工程の実行後、後発のパルスレーザー１５の照射領域１５ｘに対応する支持ガラス２の表面領域において、無機膜３を平坦な状態に修復しやすくなる。また、支持ガラス２、及びガラス基板６の損傷を可及的に防止することができる。
【０１０２】
また、上記の具体例のように、照射領域１５ｘに対応する支持ガラス２の表面領域のうち、その中心部２ｃを避けてガラスフィルム１と支持ガラス２とを密着させれば、以下のような作用・効果が得られる。すなわち、照射領域１５ｘの中心部には、両パルスレーザー１４，１５のエネルギーが最も大きく作用するため、後発のパルスレーザー１５の照射後において、支持ガラス２に十分に無機膜３が修復されないおそれがある。しかしながら、照射領域１５ｘに対応する支持ガラス２の表面領域のうち、その中心部２ｃを避けてガラスフィルム１と支持ガラス２とを密着させておけば、ガラスフィルム１と支持ガラス２とが直接に密着した部位が発生したり、両ガラス１，２の間に気泡が入り込んだりするような事態を確実に防止することが可能となる。
【０１０３】
また、二回目以降の積層体作製工程の実行時に、前回実行した剥離起点部形成工程における後発のパルスレーザー１５の照射領域１５ｘに対応した支持ガラス２の表面領域と、ガラスフィルム１とが重複するように両ガラス１，２を密着させていることで、以下のような作用・効果をも得ることが可能である。すなわち、この方法では、二回目以降の積層体作製工程において、支持ガラス２とガラスフィルム１との間に介在する無機膜３の中に、前回実行した剥離起点部形成工程で支持ガラス２に修復させた無機膜３が含まれることになる。これにより、支持ガラス２に修復させた無機膜３を無駄なく有効に利用することができる。
【０１０４】
ここで、この第三実施形態に係るガラス基板の製造方法の具体例を一つ挙げる。
【０１０５】
ガラスフィルム１、及び支持ガラス２として、日本電気硝子社製のＯＡ−１０Ｇ（無アルカリガラス）を準備した。ガラスフィルム１の厚みは０．２ｍｍ、支持ガラス２の厚みは０．５ｍｍである。次に、積層体作製工程を実行し、無機膜３を介して両ガラス１，２を常温下で密着させて積層体４を作製した。次に、処理工程を実行し、ガラスフィルム１に電子デバイス材５を形成することでガラス基板６とした。処理工程の工程温度は３００℃とした。
【０１０６】
次に、剥離起点部形成工程を実行し、波長が１０６４ｎｍ、パルス幅が５ｎｓ、周波数が１０Ｈｚ、パルスエネルギーが８００ｍＪのパルスレーザー１６をレーザー発振器１１から発振させた。そして、偏光ビームスプリッター１８による光路Ｌ１，Ｌ２の切り替えを行うことで、先発のパルスレーザー１４と後発のパルスレーザー１５とを無機膜３に照射した。なお、無機膜３としては、厚みが２０ｎｍのＩＴＯ膜（酸化インジウムスズ膜）を使用した。最後に、剥離工程を実行し、吸着パッド８を用いてガラス基板６を支持ガラス２から剥離させた。
【０１０７】
剥離工程を実行した後、同一の支持ガラス２を再び使用して、二回目の積層体作製工程、処理工程、剥離起点部形成工程、及び剥離工程を一回目と同条件で実行した。そして、一回目の剥離起点部形成工程における支持ガラス２への無機膜３の修復の可否と、一回目及び二回目の剥離工程におけるガラス基板６の支持ガラス２からの剥離の可否について検証した。検証の結果、一回目の剥離起点部形成工程において、支持ガラス２への無機膜３の修復を良好に実行することが可能であった。また、一回目及び二回目の剥離工程において、ガラス基板６の支持ガラス２からの剥離を良好に実行することができた。
【０１０８】
ここで、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の各実施形態で説明した態様に限定されるものではない。上記の第一実施形態では、パルスレーザーを支持ガラス側から照射しているが、ガラス基板側から照射してもよい。この場合、パルスレーザーの照射元側に位置するガラス基板は、照射先側に位置する支持ガラスと比較して、より多くのエネルギーを吸収する。これにより、ガラス基板の一部と無機膜とが共にプラズマ化して、支持ガラスへと付着することになる。従って、このようにした場合には、支持ガラスの厚みが薄肉化されることが回避されるため、当該支持ガラスの面強度の低下を防止することができ、支持ガラスを繰り返し使用する上で有利となる。
【０１０９】
また、上記の各実施形態では、無機膜を均一な厚みで形成しているが、この限りではない。例えば、無機膜全体のうち、剥離起点部形成工程におけるパルスレーザーの照射領域に対応する部位のみを、他の部位よりも薄くしてもよいし、逆に厚くしてもよい。さらに、上記の各実施形態では、支持ガラスにおける密着側面の全面に無機膜を形成しているが、この限りではなく、密着側面の一部の領域にのみ無機膜を形成してもよい。例えば、密着側面のうち、剥離起点部形成工程におけるパルスレーザー（第一及び第二のパルスレーザー、先発及び後発のパルスレーザー）の照射領域に対応する領域にのみ無機膜を形成してもよい。これらのことは、支持ガラスの密着側面に無機膜を形成する場合のみならず、上記の第一、第二実施形態の変形例として、ガラスフィルムの密着側面に無機膜を形成する場合においても同様である。
【０１１０】
また、上記の各実施形態では、光吸収層として無機膜を用いているが、必ずしもこの限りではない。光吸収層としては有機膜を用いてもよいし、無機膜と有機膜とを重ね合わせた二層からなる膜を用いてもよい。さらに、異なる二種の無機膜同士、或いは、有機膜同士を重ね合わせた二層からなる膜を用いてもよい。これらの場合、一層目の膜と二層目の膜とが、同一の面積を有していなくともよい。一例を挙げると、支持ガラスにおける密着側面の全面に無機膜（有機膜）を形成した後、当該無機膜（有機膜）の表面における一部の領域にのみ有機膜、或いは、無機膜を形成してもよい。なお、これらのことは、支持ガラスの密着側面に膜を形成する場合のみならず、上記の第一、第二実施形態の変形例として、ガラスフィルムの密着側面に膜を形成する場合においても同様である。
【０１１１】
また、上記の第一実施形態では、光軸が積層体の厚み方向に沿って延びるようにパルスレーザーを照射しているが、積層体の厚み方向に対して傾斜した方向に光軸が延びるようにパルスレーザーを照射してもよい。さらに、パルスレーザーの照射領域の形状としては、上記の第一実施形態のような正方形に限らず、任意の形状としてよい。例えば、円形や楕円形であってもよいし、長方形や多角形であってもよい。加えて、パルスレーザーを走査させる走査経路は、図５に示した走査経路に限らず、任意の走査経路としてよい。例えば、渦巻き状の走査経路に沿って走査させてもよいし、ジグザグな走査経路に沿って走査させてもよい。さらには、上記の第一実施形態では、パルスレーザーの照射ピッチを一定としているが、一定でなくともよい。また、上記の各実施形態では、剥離起点部をガラス基板のコーナー部に形成しているが、任意の位置に形成してよい。例えば、矩形のガラス基板の外周端部のうち、一の辺部に沿った領域をパルスレーザー（第一及び第二のパルスレーザー、先発及び後発のパルスレーザー）の照射領域とし、当該辺部に沿って剥離起点部を形成してもよい。加熱を伴う処理工程を実行した場合に、積層体が均一に加熱されたとしても、ガラス基板の辺部（特に外周輪郭から３０ｍｍ程度内側の部位）においては、中央部よりも支持ガラスとガラス基板との密着力が大きくなりやすい傾向がある。そのため、辺部に沿って剥離起点部を形成しておけば、支持ガラスからガラス基板を剥離させるのに極めて有効である。さらに、上記の第一実施形態では、ガルバノミラーとｆ−θレンズとによってパルスレーザーを照射しているが、例えば、ポリゴンミラーを使用してもよいし、空間光変調器等によって多点同時照射を行ってもよい。
【０１１２】
また、上記の第二実施形態では、第一のパルスレーザーの照射スポットと第二のパルスレーザーの照射スポットとの一部が重複するように、両パルスレーザーの照射スポットを形成しているが、この限りではない。両照射スポットが略完全に重複するように、両照射スポットを形成する態様としてもよい。この場合、第一のパルスレーザーの照射スポットと、第二のパルスレーザーの照射スポットと、重複照射スポットとの面積が略等しくなる。
【０１１３】
また、上記の第二実施形態では、第一のパルスレーザーを支持ガラス側から照射すると共に、第二のパルスレーザーをガラス基板側から照射する態様となっているが、この限りではない。例えば、両パルスレーザーを、共に支持ガラス側から、或いは、ガラス基板側から照射する態様としてもよい。さらに、第一及び第二のパルスレーザーの二つのみでなく、さらに多数のパルスレーザーを無機膜に照射する態様としてもよい。例えば、新たに第三のパルスレーザーを無機膜に照射する場合には、積層体を透過した第二のパルスレーザーをミラーで積層体に向かって反射させることで、第三のパルスレーザーを発生させてもよい。この場合においても、第三のパルスレーザーの照射スポットの少なくとも一部が、第一及び第二のパルスレーザーの照射スポットと重複するように、第三のパルスレーザーを照射する。同様にして、新たに第四のパルスレーザーを無機膜に照射する場合には、積層体を透過した第三のパルスレーザーをミラーで積層体に向かって反射させることで、第四のパルスレーザーを発生させてもよい。このように反射させたパルスレーザー繰り返し無機膜に照射すれば、当該パルスレーザーのエネルギーを効率よく使うことが可能となる。尚、直線偏光を有する複数のパルスレーザーを用いる場合であっても、３つ以上のパルスレーザーを反射させることで同時に照射した場合は、千鳥のドット状に凸部が形成される傾向にあり、パルスレーザーの照射数に応じた特有の周期パターンが形成される。
【０１１４】
また、上記の第二実施形態では、第一のパルスレーザーと第二のパルスレーザーとを同一のレーザー発振器から発振させ、第三実施形態では、先発のパルスレーザーと後発のパルスレーザーとを同一のレーザー発振器から発振させているが、これらを別々のレーザー発振器から発振させてもよい。しかしながら、この場合においても、相互にコヒーレントなパルスレーザーを無機膜に照射することが好ましい。また、上記の第二、及び第三実施形態では、各パルスレーザーの偏光を直線偏光としているが、例えば、円偏光、楕円偏光、ラジアル偏光、アジマス偏光等としてもよい。
【０１１５】
また、上記の第三実施形態では、剥離起点部形成工程において、先発及び後発のパルスレーザーの照射領域に対応するガラス基板の部位に対し、支持ガラスから離間する方向への変位を規制してもよい。変位の規制するための態様の一例としては、ガラス基板の上にガラス板を載置し、当該ガラス板の自重によってガラス基板を支持ガラスに押し付けるような態様を挙げることができる。このようにすれば、ガラス基板が破損してしまうような恐れを的確に排除することが可能となる。同様の態様により、上記の第二実施形態の剥離起点部形成工程において、第一及び第二のパルスレーザーの重複照射スポットによる照射領域に対応するガラス基板の部位に対し、支持ガラスから離間する方向への変位を規制してもよい（三以上のパルスレーザーによって重複照射スポットを形成する場合も同じ）。このようにすれば、上記の第三実施形態の剥離起点部形成工程において変位の規制を実行した場合と同様に、ガラス基板が破損してしまうような恐れを的確に排除することができる。なお、この変位の規制は、重複照射スポットの面積が２０ｍｍ２以上である場合に実行することが好ましい。ここで、「重複照射スポットによる照射領域に対応するガラス基板の部位」とは、剥離起点部形成工程の実行時に、平面視で重複照射スポットによる照射領域と重なるガラス基板の部位を意味する。
【０１１６】
なお、本発明に係るガラス基板の製造方法は、例えば、以下のような場合にも適用することができる。すなわち、液晶パネルを製造する際に、液晶を封入するためのシール部材を挟んで二枚のガラス基板が貼り合わされるように、二つの積層体を対向させた後、両積層体の各々について、支持ガラス側を吸着し、当該支持ガラスからガラス基板を剥離させるような場合に適用することが可能である。
【０１１７】
ここで、本発明に係る電子デバイスについても、上記の実施形態で説明した構成に限定されるものではない。上記の実施形態では、電子デバイスに備わったガラス基板において、無機膜で構成された凸部が周期的に形成されているが、この限りではなく、凸部が周期的に形成されていない箇所が含まれていてもよい。このようなガラス基板は、上記の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法において、重複照射スポットを形成する領域に微細なパーティクルが付着したガラスフィルムを用いた場合等に製造することが可能である。そして、このガラス基板を備えた電子デバイスにおいては、パーティクルと凸部との位置関係でも識別可能となり、この電子デバイスについて個体の識別性をさらに高めることができる。
【実施例】
【０１１８】
本発明の実施例として、上記の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法を、下記の各実施条件の下で実施し、支持ガラスからのガラス基板の剥離の可否について検証を行った。なお、実施例については五つの条件の下で検証を行い、比較例については一つの条件の下でのみ検証を行った。【０１１９】
以下、実施例１〜５の全てに共通する実施条件について説明する。ガラスフィルム、及び支持ガラスとして、日本電気硝子社製のＯＡ−１０Ｇ（無アルカリガラス）を準備した。ガラスフィルムの厚みは０．２ｍｍ、支持ガラスの厚みは０．５ｍｍである。次に、積層体作製工程として、無機膜を介して両ガラスを常温下で密着させ、積層体を作製した。次に、処理工程を実行した。なお、処理工程では、電子デバイス材の形成を省略しており、その代替として、電子デバイス材を形成する場合の温度変化を積層体に与えるべく当該積層体の加熱を行うと共に、レジストインクの塗布、硬化、除去を行っている。レジストインクは加熱後の積層体に塗布し、オーブンで乾燥させた後、ＵＶ光を照射することで硬化させた。さらに、レジスト剥離剤を用いることで硬化したレジストを除去した。次に、剥離起点部形成工程として、ガルバノミラーとｆ−θレンズとによって、パルスレーザーを無機膜に集光させて照射した。最後に、剥離工程として、複数の吸着パッドによってガラス基板を吸着し、支持ガラスからのガラス基板の剥離を試みた。【０１２０】
以下、実施例１〜５のそれぞれに固有の実施条件について説明する。実施例１〜５において、（１）ガラスフィルムと支持ガラスとの間に介在させた無機膜の種類と、（２）無機膜の厚みと、（３）処理工程における工程温度（積層体の加熱温度）と、（４）パルスレーザーの照射条件との四点については、それぞれに固有の実施条件とした。（１）〜（３）の実施条件については、下記の〔表１〕に示すとおりである。（４）について、実施例１〜４では、パルスレーザーの波長は５３２ｎｍ、パルス幅は２０ｐｓ、周波数は１００ｋＨｚ、パルスエネルギーは７μＪ、照射領域が形作る正方形の一辺の長さは１０ｍｍ、照射ピッチは１０μｍ、焦点距離は１６０ｍｍとした。実施例５では、パルスレーザーの波長は１５５２ｎｍ、パルス幅は８００ｆｓ、周波数は１００ｋＨｚ、パルスエネルギーは４μＪ、照射領域が形作る正方形の一辺の長さは１０ｍｍ、照射ピッチは２０μｍ、焦点距離は１００ｍｍとした。【０１２１】
以下、比較例の実施条件について説明する。比較例の実施条件が、実施例１〜５の実施条件と異なっている点は、（１）ガラスフィルムと支持ガラスとの間に無機膜を介在させていない点と、（２）積層体作製工程と処理工程とを実施した後、剥離起点部形成工程を実施せずに、剥離工程を実施している点との二点である。なお、比較例における処理工程の工程温度（積層体の加熱温度）は３００℃とした。【０１２２】
〔表１〕に、実施例１〜５及び比較例において、支持ガラスからのガラス基板の剥離の可否について検証を行った結果を示す。なお、〔表１〕における膜の種類の項目で、括弧書きで示す値は、無機膜の厚みを表している。また、レーザー照射の項目で、括弧書きで示す値は、パルスレーザーのパルス幅を表している。【０１２３】
【表１】
2015182558.tif 000003
【０１２４】
〔表１〕の結果から、実施例１〜５においては、比較例とは異なり、良好な結果が得られていることが分かる。以上のことから、本発明に係るガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板の支持ガラスからの円滑な剥離が可能となるものと推認される。
【符号の説明】
【０１２５】
１                ガラスフィルム
２                支持ガラス
２ａｘ，２ｂｘ    支持ガラスの表面領域
２ｙ              支持ガラスの表面領域
３                無機膜
３ｚ              凸部
４                積層体
５                電子デバイス材
６                ガラス基板
６ｘ              剥離起点部
６ａ              ガラス基板の外周端部
７                パルスレーザー
７ｘ              照射領域
９                第一のパルスレーザー
９ａ              第一のパルスレーザーの照射スポット
１０              第二のパルスレーザー
１０ａ            第二のパルスレーザーの照射スポット
Ｚ                重複照射スポット
１１              レーザー照射器
１４              先発のパルスレーザー
１４ａ            先発のパルスレーザーの照射スポット
１４ｘ            先発のパルスレーザーの照射領域
１５              後発のパルスレーザー
１５ａ            後発のパルスレーザーの照射スポット
１５ｘ            後発のパルスレーザーの照射領域
Ｔ                被照射領域
Ｗ１              凸部の幅
Ｗ２              隙間の幅
ＰＴ              形成ピッチ
【図１】
2015182558.tif 000004
【図２】
2015182558.tif 000005
【図３】
2015182558.tif 000006
【図４】
2015182558.tif 000007
【図５】
2015182558.tif 000008
【図６】
2015182558.tif 000009
【図７】
2015182558.tif 000010
【図８】
2015182558.tif 000011
【図９】
2015182558.tif 000012
【図１０】
2015182558.tif 000013
【図１１】
2015182558.tif 000014
【図１２】
2015182558.tif 000015
【図１３】
2015182558.tif 000016
【図１４】
2015182558.tif 000017
【図１５】
2015182558.tif 000018
【図１６ａ】
2015182558.tif 000019
【図１６ｂ】
2015182558.tif 000020
【図１７】
2015182558.tif 000021
【国際調査報告】
2015182558.tif 000022
2015182558.tif 000023
2015182558.tif 000024
2015182558.tif 000025