(57)【要約】  実施形態に係る検出装置は、光透過性の基板と、光検出器と、発光部と、を含む。発光部は、基板と光検出器との間に設けられている。発光部は、光透過性の第１電極と、発光層と、複数の第２電極と、を含む。第１電極は、光検出器と基板との間に設けられている。発光層は、光検出器と第１電極との間に設けられている。第２電極は、光検出器と発光層との間に設けられている。
2016166863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板と、
光検出器と、
前記基板と前記光検出器との間に設けられた発光部であって、
前記光検出器と前記基板との間に設けられた光透過性の第１電極と、
前記光検出器と前記第１電極との間に設けられた発光層と、
前記光検出器と前記発光層との間に設けられた複数の第２電極と、
を含む前記発光部と、
を備えた検出装置。
【請求項２】
前記複数の第２電極は、前記基板から前記光検出器に向かう第１方向に対して垂直な第２方向に並べられた請求項１記載の検出装置。
【請求項３】
前記第２電極の、前記第１方向および前記第２方向に対して垂直な第３方向における長さは、前記第２電極の前記第２方向における長さよりも長い請求項２記載の検出装置。
【請求項４】
前記第２電極の反射率は、前記第１電極の反射率よりも高い請求項１記載の検出装置。
【請求項５】
前記発光層は、有機物を含む請求項１記載の検出装置。
【請求項６】
前記光検出器は、
第３電極と、
前記発光部と前記第３電極との間に設けられた光透過性の第４電極と、
前記第３電極と前記第４電極との間に設けられた光電変換層と、
を含む請求項１記載の検出装置。
【請求項７】
前記第４電極の一部は、前記基板から前記光検出器に向かう第１方向に対して垂直な第２方向において、前記第２電極同士の間に設けられた請求項６記載の検出装置。
【請求項８】
前記第４電極と前記発光層との間の注入障壁は、前記第２電極と前記発光層との間の注入障壁よりも大きい請求項６記載の検出装置。
【請求項９】
キャリア注入層をさらに備え、
前記キャリア注入層の少なくとも一部は、前記複数の第２電極の少なくとも１つと、前記発光層と、の間に設けられた請求項６記載の検出装置。
【請求項１０】
封止部をさらに備え、
前記発光層は、前記第１方向において前記封止部の一部と前記基板の一部との間に設けられ、
前記発光層は、前記第１方向に対して垂直な面に沿って、前記封止部に囲まれた請求項１記載の検出装置。
【請求項１１】
基板と、
光透過性の第１電極と、
前記基板と前記第１電極との間に設けられた光検出器と、
前記光検出器と前記第１電極との間に設けられた発光層と、
前記光検出器と前記発光層との間に設けられた複数の第２電極と、
を備えた検出装置。
【請求項１２】
前記複数の第２電極は、前記基板から前記光検出器に向かう第１方向に対して垂直な第２方向に並べられた請求項１１記載の検出装置。
【請求項１３】
前記第２電極の、前記第１方向および前記第２方向に対して垂直な第３方向における長さは、前記第２電極の前記第２方向における長さよりも長い請求項１２記載の検出装置。
【請求項１４】
前記光検出器は、
第３電極と、
前記第１電極と前記第３電極との間に設けられた光透過性の第４電極と、
前記第３電極と前記第４電極との間に設けられた光電変換層と、
を含む、請求項１１記載の検出装置。
【請求項１５】
前記第４電極と前記発光層との間の注入障壁は、前記第２電極と前記発光層との間の注入障壁よりも大きい請求項１４記載の検出装置。
【請求項１６】
キャリア注入層をさらに備え、
前記キャリア注入層の少なくとも一部は、前記複数の第２電極の少なくとも一つと、前記発光層と、の間に設けられた請求項１４記載の検出装置。
【請求項１７】
光透過性の基板と、
光検出器と、
前記基板と前記光検出器との間に設けられた発光部であって、
前記光検出器と前記基板の間に設けられた光透過性の第１電極と、
前記光検出器と前記第１電極との間に設けられた発光層と、
前記光検出器の一部と前記発光層の一部との間に設けられた第２電極と、
を含む前記発光部と、
を備え、
前記第２電極は、互いに離間して設けられた複数の第１部分を含む検出装置。
【請求項１８】
前記複数の第１部分は、前記基板から前記光検出器に向かう第１方向に対して垂直な第２方向に並べられた請求項１７記載の検出装置。
【請求項１９】
前記光検出器は、
第３電極と、
前記発光部と前記第３電極との間に設けられた光透過性の第４電極と、
前記第３電極と前記第４電極との間に設けられた光電変換層と、
を含む、請求項１７記載の検出装置。
【請求項２０】
請求項１記載の前記検出装置と、
前記検出装置において検出された信号を受信し、前記信号を処理する処理部と、
を備えた処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、検出装置および処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光部から放射された光を検出対象に照射し、検出対象で反射された光を検出する検出装置がある。検出装置は、小さいことが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１５３８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態に係る発明は、小型化を可能とする検出装置および処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る検出装置は、光透過性の基板と、光検出器と、発光部と、を含む。発光部は、基板と光検出器との間に設けられている。発光部は、光透過性の第１電極と、発光層と、複数の第２電極と、を含む。第１電極は、光検出器と基板との間に設けられている。発光層は、光検出器と第１電極との間に設けられている。第２電極は、光検出器と発光層との間に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、第１実施形態に係る検出装置の一例を表す模式図。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、検出装置における光路の一例を表す模式断面図。
【図３】第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｅ）は、検出装置のシミュレーション結果。
【図５】光の検出位置と効率の関係を表す模式図。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｅ）は、検出装置の他のシミュレーション結果。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｅ）は、検出装置の他のシミュレーション結果。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｅ）は、検出装置の他のシミュレーション結果。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式図。
【図１０】第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式平面図。
【図１１】第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式平面図。
【図１２】第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式平面図。
【図１３】第２実施形態に係る検出装置の一例を表す模式断面図。
【図１４】第２実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図。
【図１５】第３実施形態に係る検出装置の一例を表す模式断面図。
【図１６】第３実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図。
【図１７】第４実施形態に係る検出装置の一例を表す模式断面図。
【図１８】第４実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図。
【図１９】第４実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図。
【図２０】第４実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図。
【図２１】実施形態に係る検出装置を含む処理装置の一例を表す模式図。
【図２２】実施形態に係る検出装置を含む処理装置の一例を表す模式図。
【図２３】図２３（ａ）および図２３（ｂ）は、実施形態に係る検出装置を用いて脈波を測定している様子を表す模式図。
【図２４】図２４（ａ）〜図２４（ｃ）は、実施形態に係る検出装置を用いて脈波を測定している様子を表す模式図。
【図２５】図２５（ａ）〜図２５（ｃ）は、実施形態に係る検出装置を用いて脈波を測定している様子を表す模式図。
【図２６】図２６（ａ）および図２６（ｂ）は、実施形態に係る検出装置を用いて脈波を測定している様子を表す模式図。
【図２７】図２７（ａ）および図２７（ｂ）は、実施形態に係る検出装置を含む処理装置を表す模式図。
【図２８】図２８（ａ）〜図２８（ｅ）は、実施形態に係る検出装置を含む処理装置の用途を例示する模式図。
【図２９】図２８に表される処理装置を用いたシステムを例示する模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）および図１（ｂ）は、第１実施形態に係る検出装置の一例を表す模式図である。図１（ａ）は、模式平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´断面を表す模式断面図である。図１（ａ）において、光検出器５０は省略されている。
【０００９】
検出装置１０００は、図１（ｂ）に表されるように、基板１、光検出器５０、および発光部１００を含む。発光部１００は、第１電極３１、発光層４１、および複数の第２電極３２を含む。  
基板１から光検出器５０に向かう方向を第１方向とする。第１方向は、例えば、図１（ａ）および図１（ｂ）に表されるＺ方向である。第１方向に対して垂直であり、互いに垂直な２方向を、それぞれ第２方向および第３方向とする。例えば、第２方向はＸ方向であり、第３方向はＹ方向である。
【００１０】
基板１の少なくとも一部と光検出器５０の少なくとも一部との間には、第１電極３１が設けられている。光検出器５０の少なくとも一部と、第１電極３１と、の間には、発光層４１が設けられている。発光層４１と光検出器５０との間には、複数の第２電極３２が設けられている。光検出器５０は、例えば、第１方向において、複数の第２電極３２と離間して設けられている。
【００１１】
図１（ａ）および図１（ｂ）に表される例において、複数の第２電極３２は第２方向に並べられ、それぞれの第２電極３２は第３方向に延びている。発光層４１は、複数の発光領域４１ａと、複数の非発光領域４１ｂと、を含む。それぞれの発光領域４１ａは、第１方向において、第１電極３１と、それぞれの第２電極３２と、の間に位置している。それぞれの非発光領域４１ｂは、第１方向において第１電極３１と第２電極３２との間に位置していない。発光領域４１ａと非発光領域４１ｂは、例えば、第２方向において交互に設けられている。
【００１２】
光検出器５０は、少なくとも発光領域４１ａと第１方向において並んでいる。より望ましくは、光検出器５０は、発光領域４１ａと非発光領域４１ｂの両方と第１方向において並ぶ。光検出器５０が、複数の発光領域４１ａおよび複数の非発光領域４１ｂと第１方向において並んでいることで、光検出器５０に入射する光の量を増加させることができる。
【００１３】
第１電極３１および第２電極３２から発光層４１にキャリアが注入されると、主に発光領域４１ａから光が放射される。有機物を含む発光層が用いられた発光素子から放射される光は、無機化合物を含む発光層が用いられた発光素子から放射される光に比べて、ノイズが小さい。このため、有機物を含む発光層が用いられた発光素子から放射される光は、例えば脈波などの、出力される信号が微弱な検出対象を検出する用途に適している。
【００１４】
基板１および第１電極３１は、発光層４１から放射された光を透過する。基板１および第１電極３１は、光透過性である。第２電極３２は、光反射性を有する。第２電極３２の反射率は、第１電極３１の反射率より高く、かつ基板１の反射率より高い。第２電極３２は、発光層４１から放射された光を基板１に向けて反射する。このため、発光層４１から直接光検出器５０に入射する光の量を低減し、検出感度を向上させることができる。
【００１５】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、検出装置における光路の一例を表す模式断面図である。図２（ａ）は参考例に係る検出装置１９００における光路の一例を表す。図２（ｂ）は本実施形態に係る検出装置１０００における光路の一例を表す。
【００１６】
検出装置１９００では、光検出器５０は、基板１と第２方向において並んでいる。発光部１００から放射された光は、検出対象６０で反射され、第２方向に進み、光検出器５０に入射する。
【００１７】
一方、検出装置１０００では、発光部１００と光検出器５０は第１方向において重なっている。発光部１００は、検出対象６０と光検出器５０との間に位置する。発光層４１から放射された光は検出対象６０で反射される。反射された光は、第２電極３２同士の間隙を通って光検出器５０に入射する。
【００１８】
発光層４１と光検出器５０との間に複数の第２電極３２を設け、検出対象６０からの反射光が第２電極３２同士の間隙を通ることで、発光層４１から放射された光が光検出器５０に入射するまでの光路を短くすることができる。この結果、検出感度の低下を抑制しつつ、検出装置を小型化することが可能となる。
【００１９】
各要素の例を説明する。  
基板１は、例えば、ガラスを含む。基板１の屈折率は、例えば、１．４以上２．２以下である。基板１の第１方向に沿った厚さＴ１は、例えば、０．０５〜２．０ｍｍである。
【００２０】
第２電極３２は、例えば、アルミニウム、銀、および金の少なくともいずれかを含む。第２電極３２は、例えば、マグネシウムと銀の合金を含む。  
第１電極３１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を含む。第１電極３１は、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどの導電性ポリマーを含んでいてもよい。第１電極３１は、アルミ二ウムまたは銀などの金属を含んでいてもよい。第１電極３１が金属を含む場合、第１電極３１の厚さは５〜２０ｎｍであることが好ましい。
【００２１】
発光層４１は、例えば、Ａｌｑ３（トリス(８−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム）、Ｆ８ＢＴ（ポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-ｃｏ-ベンゾチアジアゾール）、およびＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）の少なくともいずれかを含む。
【００２２】
または、発光層４１は、ホスト材料と、ドーパントと、を含有する混合材料を含んでいてもよい。ホスト材料は、例えば、ＣＢＰ（4,4'−N,N'-ビスジカルバゾリルール−ビフェニル）、ＢＣＰ（2,9−ジメチル-4,7ジフェニル−1,10−フェナントロリン）、ＴＰＤ（2,9−ジメチル-4,7ジフェニル−1,10−フェナントロリン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、およびＰＰＴ（ポリ（３−フェニルチオフェン））の少なくともいずれかを含む。ドーパント材料は、例えば、Ｆｌｒｐｉｃ（イリジウム(III)ビス(4,6-ジ-フルオロフェニル)-ピ.リジネート-N,C2'-ピコリネート）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（トリス(２−フェニルピリジン)イリジウム）、およびＦｌｒ６（ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジナト）−テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート−イリジウム（ＩＩＩ））の少なくともいずれかを含む。
【００２３】
発光層４１から放射される光は、例えば、可視光である。発光層４１から放射される光は、例えば、赤色、橙色、黄色、緑色、および青色のいずれかの光、またはこれらを組み合わせた光である。発光層４１から放射される光は、紫外光または赤外光でもよい。
【００２４】
第１方向に対して垂直な面における、第１電極３１の形状および発光層４１の形状は、例えば、多角形（角部が曲線でも良い）または、円形（扁平円を含む）である。これらの形状は、任意である。第１方向に対して垂直な面における、それぞれの第２電極３２の形状は、例えば、多角形（角部が曲線でも良い）または、円形（扁平円を含む）である。それぞれの第２電極３２の形状は、任意である。
【００２５】
図３は、第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図である。図３に表される検出装置１０１０のように、発光部１００は、第３層４３および第４層４４をさらに含んでいてもよい。第３層４３は、例えば、第２方向において複数設けられ、それぞれの第２電極３２と発光層４１との間に、それぞれの第３層４３が設けられる。または、発光層４１の全面上に第３層４３が設けられていてもよい。第４層４４は、第１電極３１と発光層４１との間に設けられる。
【００２６】
第３層４３は、例えば、キャリア注入層として機能する。この場合、第３層４３は、電子注入層として機能しうる。第３層４３は、キャリア輸送層として機能してもよい。この場合、第３層４３は、電子輸送層として機能しうる。第３層４３は、キャリア注入層として機能する層と、キャリア輸送層として機能する層と、を含んでいてもよい。
【００２７】
第３層４３は、例えば、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＰＯＰｙ２、Ｂｐｈｅｎ、および３ＴＰＹＭＢの少なくともいずれかを含む。第３層４３がこれらの材料の少なくとも１つを含む場合、第３層４３は電子輸送層として機能する。
あるいは、第３層４３は、例えば、ＬｉＦ、ＣｓＦ、Ｂａ，およびＣａの少なくともいずれかを含む。第３層４３がこれらの材料の少なくとも１つを含む場合、第３層４３は、電子注入層として機能する。
【００２８】
第４層４４は、例えば、キャリア注入層として機能する。この場合、第４層４４は、正孔注入層として機能しうる。第４層４４は、キャリア輸送層として機能してもよい。この場合、第４層４４は、正孔輸送層として機能しうる。第４層４４は、キャリア注入層として機能する層と、キャリア輸送層として機能する層と、を含んでいてもよい。
【００２９】
第４層４４は、例えば、α−ＮＰＤ、ＴＡＰＣ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＤ、およびＴＣＴＡの少なくともいずれかを含む。第４層４４がこれらの材料の少なくとも１つを含む場合、第４層４４は正孔輸送層として機能する。
あるいは、第４層４４は、例えば、ＰＥＤＰＯＴ：ＰＰＳ、ＣｕＰｃ、およびＭｏＯ３の少なくともいずれかを含む。第４層４４がこれらの材料の少なくとも１つを含む場合、第４層４４は正孔注入層して機能する。
【００３０】
図４（ａ）〜図４（ｅ）は、検出装置のシミュレーション結果を表す。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、それぞれのシミュレーションで用いた発光部の構造および光の分布を表す模式平面図である。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、第１実施形態に係る検出装置に含まれる発光部の構造を表し、図４（ｄ）は、参考例に係る検出装置に含まれる発光部の構造を表す。
【００３１】
図４（ａ）〜図４（ｄ）において、発光領域４１ａから放射された光が検出対象６０から反射され、基板１の第１電極３１側の面に到達したときの座標の分布が表されている。それぞれの図において、領域１ａは、第１電極３１および発光層４１と第１方向において重なる領域を表す。灰色で表されたドットは、基板１の第１電極３１側の面において、非発光領域４１ｂと第１方向において重なる領域に入射した光を表す。
【００３２】
図４（ｅ）は、幅Ｗ１および幅Ｗ２を変化させた場合の効率の変化を表すグラフである。効率は、基板１を通過して検出対象６０で反射された後、非発光領域４１ｂを通過した光量Ｌ０の、発光領域４１ａから放射された光量Ｌ１に対する割合（Ｌ０／Ｌ１）を表す。
【００３３】
幅Ｗ１は、発光領域４１ａの第２方向における長さである。幅Ｗ２は、非発光領域４１ｂの第２方向における長さである。幅Ｗ１は、例えば、第２電極３２の第２方向における長さと等しい。幅Ｗ２は、例えば、隣り合う第２電極３２同士の第２方向における距離と等しい。
【００３４】
シミュレーションでは、基板１と検出対象６０との第１方向における距離は０ｍｍであり、基板１の外部へ出た光はすぐに検出対象６０に入射するものとした。
【００３５】
その他の条件は以下の通りである。基板１の第１方向における厚さは０．７ｍｍである。発光層４１の第２方向における長さおよび第３方向における長さは２ｍｍである。第１電極３１の大きさおよび形状は、発光層４１の大きさおよび形状と同じである。基板１の屈折率は１．５である。光源は等方的である。第１電極３１および発光層４１のそれぞれの第１方向における厚さは、例えば、１０〜１００ｎｍである。従って、第１電極３１および発光層４１が基板１よりも十分薄いため、光源の第１方向における位置は、基板１が第１電極３１と接する部分とした。
【００３６】
図４（ａ）に表される検出装置において、幅Ｗ１および幅Ｗ２は、０．１ｍｍである。図４（ｂ）に表される検出装置において、幅Ｗ１および幅Ｗ２は、０．２ｍｍである。図４（ｃ）に表される検出装置において、幅Ｗ１および幅Ｗ２は、０．５ｍｍである。図４（ｄ）に表される検出装置において、幅Ｗ１および幅Ｗ２は、１．０ｍｍである。
【００３７】
図４（ｅ）に表されるグラフについて、図４（ａ）〜（ｃ）に表される形態は、図４（ｄ）に表される形態に比べ、効率が向上していることがわかる。従って、第２電極３２を複数に分割して設けることで、効率を向上できることがわかる。さらに、幅Ｗ１および幅Ｗ２が小さく、第２電極３２がより多くの数に分割されているほど、効率が向上していることがわかる。
【００３８】
この点について、図５を用いて説明する。図５は、光の検出位置と効率の関係を表す模式図である。図５に表される例では、光は、光源７０から等方的に放射されている。この例において、曲面７１の単位面積あたりを通過する光の量は、いずれの場所においても一定である。これに対して、平面７２では、単位面積あたりに入射する光の量は、光源７０からの距離が離れるほど、小さくなる。
【００３９】
図５において、光源７０と平面７２との間の最小距離をＺとし、光源７０から平面７２への光の放射角度をθとする。このとき、光源７０から放射された光が平面７２に入射する位置Ｘは、以下の式（１）で表される。
2016166863.tif 000003
【００４０】
この式（１）をθで微分することで、以下の式（２）が得られる。
2016166863.tif 000004
式（２）から、放射角θが大きくなるほど、Ｘが大きくなることがわかる。このため、平面７２の単位面積あたりに入射する光の量は、光源７０から離れれば離れるほど小さくなることがわかる。
【００４１】
第２電極３２が複数に分割して設けられている場合、光は、第２電極３２同士の間隙を通って光検出器５０に入射する。換言すると、光検出器５０に入射する光について、θの最小値を小さくすることができる。第２電極３２がより多くの数に分割されているほど、θの最小値も小さくなり、効率を向上させることができる。これらの点は、図４（ｅ）に表されるシミュレーション結果と整合している。
【００４２】
図６（ａ）〜図６（ｅ）、図７（ａ）〜図７（ｅ）、および図８（ａ）〜図８（ｅ）は、検出装置の他のシミュレーション結果を表す。  
図６（ａ）〜図６（ｄ）、図７（ａ）〜図７（ｄ）、および図８（ａ）〜図８（ｄ）は、図４（ａ）〜図４（ｄ）と同様に、それぞれのシミュレーションで用いた発光部の構造および光の分布を表す模式平面図である。図６（ｅ）、図７（ｅ）、および図８（ｅ）は、幅Ｗ１および幅Ｗ２を変化させた場合の効率の変化を表すグラフである。  
図６（ａ）、図６（ｂ）、図７（ａ）〜図７（ｃ）、および図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１実施形態に係る他の検出装置に含まれる発光部の構造を表す。図６（ｃ）、図６（ｄ）、図７（ｄ）、および図８（ｄ）は、参考例に係る他の検出装置に含まれる発光部の構造を表す。
【００４３】
基板１の厚さ、基板１の屈折率、および光源に関する条件は、図４に表されるシミュレーションで用いた条件と同様である。
【００４４】
図６（ｅ）に表されるグラフにおいて、実線は、発光層４１の第２方向における長さが２ｍｍ、第３方向における長さが４ｍｍの場合の結果を表している。破線は、発光層４１の第２方向における長さが４ｍｍ、第３方向における長さが２ｍｍの場合の結果を表している。
【００４５】
図６（ｅ）から、いずれの場合においても、幅Ｗ１および幅Ｗ２が狭くなるにつれて、効率も向上していることがわかる。幅Ｗ１およびＷ２が同じであっても、発光層４１の第２方向における長さが第３方向における長さよりも長い場合のほうが、発光層４１の第３方向における長さが第２方向における長さよりも長い場合よりも、効率が高いことがわかる。これは、発光層４１の第２方向における長さが第３方向における長さよりも長い場合のほうが、第２電極３２がより多くに分割されて設けられるためである。
【００４６】
図６（ｃ）と図６（ｄ）との比較から、分割された第２電極３２の数が同じであっても、効率が異なることがわかる。具体的には、第２電極３２の数が同じである場合、第１電極３１および発光層４１の短辺方向に沿って複数の第２電極３２が並べられている方が、長辺方向に沿って複数の第２電極３２が並べられている検出装置よりも、効率が高い。
【００４７】
図７（ａ）〜図７（ｅ）は、発光層４１の第２方向および第３方向における長さが１０ｍｍである場合のシミュレーション結果を表している。図７（ｅ）に表される結果から、幅Ｗ１および幅Ｗ２が小さく、第２電極３２がより多くの数に分割されているほど、効率が向上していることがわかる。
【００４８】
図８（ａ）〜図８（ｅ）は、発光層４１の第２方向における長さが４ｍｍ、第３方向における長さが２ｍｍである場合のシミュレーション結果を表している。図８において、基板１と検出対象６０との第１方向における距離は２ｍｍに設定されている。図８（ｅ）に表される結果から、幅Ｗ１および幅Ｗ２が小さく、第２電極３２がより多くの数に分割されているほど、効率が向上していることがわかる。
【００４９】
図４、図６、図７、および図８に表されるように、本実施形態に係る検出装置においては、第２電極３２が第２方向に分割して設けられ、第２電極３２の第３方向における長さが、第２電極３２の第２方向における長さよりも長い。それぞれの第２電極３２をさらに第３方向に延ばし、発光層４１と第１方向において重なる領域の外に引き出すことで、各第２電極３２を、他の配線と容易に電気的に接続することが可能となる。すなわち、このような構成を採用することで、検出装置の作製をより容易にすることができる。
【００５０】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式図である。図９（ａ）は模式平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ´断面を表す模式断面図である。図９（ａ）において、光検出器５０は省略されている。図９（ａ）に表されるように、第１方向から見た場合の発光層４１の形状は、例えば、円形である。検出装置１１００は、環状に設けられた複数の第２電極３２を含む。複数の第２電極３２は、互いに離間して設けられている。
【００５１】
図１０〜図１２は、第１実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式平面図である。図１０〜図１２において、光検出器５０は省略されている。図１０〜図１２のＡ−Ａ´断面における構造は、例えば、図１（ｂ）と同様である。
【００５２】
図１０に表される検出装置１２００は、複数の第２電極３２を含む。複数の第２電極３２は、互いに離間して第２方向および第３方向に並んでいる。
【００５３】
図１１に表される検出装置１３００は、例えば、１つの第２電極３２を含む。第２電極３２は、複数の第１部分３２ａを含む。複数の第１部分３２ａは、互いに離間して第２方向に並んでいる。検出対象６０で反射された光は、第１部分３２ａ同士の第２方向における間隙を通って光検出器５０に入射する。発光領域４１ａの幅Ｗ１は、例えば、第１部分３２ａの第２方向における長さと等しい。非発光領域４１ｂの幅Ｗ２は、例えば、隣り合う第１部分３２ａ同士の第２方向における距離と等しい。
【００５４】
図１２に表される検出装置１４００は、例えば、１つの第２電極３２を含む。第２電極３２は、複数の第１部分３２ａを含む。複数の第１部分３２ａは、第２方向および第３方向に、互いに離間して並んでいる。検出対象６０で反射された光は、第１部分３２ａ同士の第２方向における間隙および第３方向における間隙を通って光検出器５０に入射する。
【００５５】
第２電極３２は、第２方向に延びる部分と、第３方向に延びる部分と、を含む。発光領域４１ａの幅Ｗ１は、例えば、第３方向に延びる部分の第２方向における長さと等しい。幅Ｗ１は、第２方向に延びる部分の第３方向における長さと等しくてもよい。非発光領域４１ｂの幅Ｗ２は、例えば、第１部分３２ａ同士の第２方向における距離と等しい。幅Ｗ２は、第１部分３２ａ同士の第３方向における距離と等しくてもよい。
【００５６】
上述したそれぞれの検出装置の例において、幅Ｗ１は幅Ｗ２と同じでも良いし、異なっていてもよい。
【００５７】
（第２実施形態）
図１３は、第２実施形態に係る検出装置の一例を表す模式断面図である。図１３に表されるように、検出装置２０００は、基板１、第１電極３１、発光層４１、複数の第２電極３２、第４電極３４、光電変換層５１、および第３電極３３を含む。
【００５８】
第３電極３３と発光層４１との間には、光電変換層５１が設けられている。光電変換層５１と発光層４１との間には、第４電極３４が設けられている。第４電極３４は、光透過性である。第４電極３４と光電変換層５１との間には、複数の第２電極３２が設けられている。
【００５９】
複数の第２電極３２は、例えば、第２方向に並べられている。第２電極３２の構造としてその他に、図９〜図１２のいずれかに表される構造を採用可能である。第２方向において、第２電極３２同士の間には、例えば、第４電極３４の一部が設けられている。
【００６０】
第４電極３４と発光層４１との間の注入障壁は、第２電極３２と発光層４１との間の注入障壁よりも大きい。このため、発光層４１には、主に、第１電極３１と、複数の第２電極３２と、からキャリアが注入され、第１電極３１と、それぞれの第２電極３２と、の間に位置する発光領域４１ａから主に光が放射される。
【００６１】
検出装置２０００が、複数の第２電極３２と、発光層４１と、の間に設けられた第３層４３を含む場合、第４電極３４と第３層４３層との間の注入障壁は、第２電極３２と第３層４３層との間の注入障壁よりも大きい。このため、発光層４１には、主に、第１電極３１と、複数の第２電極３２と、からキャリアが注入され、第１電極３１と、それぞれ第２電極３２と、の間に位置する発光領域４１ａから主に光が放射される。
【００６２】
複数の第２電極３２と発光層４１との間に、電子注入層として機能する第３層４３が第２電極３２に接して設けられる場合、第２電極３２に含まれる材料は、第４電極３４に含まれる材料と同じであってもよい。第２電極３２および第４電極３４が同じ材料を含んでいる場合であっても、第３層４３が設けられることで、第４電極３４から発光層４１への電子の注入量よりも第２電極３２から発光層４１への電子の注入量が多くなる。このため、第１電極３１とそれぞれの第２電極３２との間に位置する発光領域４１ａから主に光が放射される。
【００６３】
第３電極３３、光電変換層５１、および第４電極３４は、光検出器として機能しうる。発光層４１から放射された光は検出対象６０で反射され、第２電極３２同士の間隙を通って光電変換層５１に入射する。光電変換層５１に光が入射すると第３電極３３と第４電極３４との間に電流が流れるため、この電流を検出することで、検出対象６０に関する情報を得ることができる。
【００６４】
第３電極３３は、例えば、アルミニウム、銀、および金の少なくともいずれかを含む。第３電極３３は、例えば、マグネシウムと銀の合金を含む。
第４電極３４は、例えば、例えば、ＩＴＯを含む。第４電極３４は、アルミ二ウムまたは銀などの金属を含んでいてもよい。第４電極３４が金属を含む場合、第４電極３４の第１方向における厚さは５〜２０ｎｍであることが好ましい。
【００６５】
光電変換層５１は、例えば、ポルフィリンコバルト錯体、クマリン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体、フルオレン化合物、ピラゾール誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレンビスイミド誘導体、オリゴチオフェン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、ローダミン化合物、ケトシアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、スクアリリウム誘導体、およびサブナフタロシアニン誘導体の少なくともいずれかを含む。
【００６６】
ポルフィリンコバルト錯体、クマリン誘導体、フラーレンおよびその誘導体、フルオレン化合物、およびピラゾール誘導体は、例えば、青色の光を選択的に吸収する。  
キナクリドン誘導体、ペリレンビスイミド誘導体、オリゴチオフェン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、ローダミン化合物、およびケトシアニン誘導体は、例えば、緑色の光を選択的に吸収する。  
フタロシアニン誘導体、スクアリリウム誘導体、およびサブナフタロシアニン誘導体は、例えば、赤色を選択的に吸収する。
【００６７】
図１４は、第２実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図である。図１４に表される検出装置２１００のように、第４電極３４と光電変換層５１との間に第５層４５が設けられ、第３電極３３と光電変換層５１との間に第６層４６が設けられていても良い。
【００６８】
第５層４５は、例えば、電子の流れを阻害する電子ブロック層、または正孔を流れやすくする正孔取り出し層（捕集層）として機能する。第５層４５は、さらに光電変換層５１で生成された励起子を閉じ込めるための励起子ブロック層として機能しうる。第５層４５は、例えば、正孔受容性材料を含むことが好ましい。正孔受容性材料としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、および縮合芳香族化合物などを用いることができる。縮合芳香族化合物としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体などを用いることができる。
【００６９】
第６層４６は、例えば正孔の流れを阻害する正孔ブロック層として機能する。第６層４６は、さらに、光電変換層５１で生成された励起子を閉じ込めるための励起子ブロック層としても機能しうる。第６層４６は、例えば、電子受容性材料を含むことが好ましい。電子受容性材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール化合物、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、バソクプロイン、バソクプロイン誘導体、バソフェナントロリン、バソフェナントロリン誘導体、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体、およびナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物などを用いることができる。
【００７０】
検出装置２１００において、第５層４５の機能と第６層４６の機能とが反転してもよい。
【００７１】
（第３実施形態）
図１５は、第３実施形態に係る検出装置の一例を表す模式断面図である。図１５において、光路の一例を破線で表す。検出装置３０００は、例えば、基板１と、光検出器５０と、複数の第２電極３２と、発光層４１と、第１電極３１と、を含む。
【００７２】
検出装置３０００において、基板１の少なくとも一部と第１電極３１との間に光検出器５０が設けられている。光検出器５０と第１電極３１との間に発光層４１が設けられている。発光層４１の一部と光検出器５０の一部との間に第２電極３２が設けられている。第２電極３２は、例えば、第２方向において複数設けられている。第２電極３２の構造としてその他に、例えば、図９〜図１２のいずれかに表される構造を採用可能である。
【００７３】
発光層４１の発光領域４１ａから放射された光は、第１電極３１を通り検出対象６０に入射する。検出対象６０で反射された光が、第２電極３２同士の間を通って光検出器５０に入射することで、検出対象６０に関する情報を得ることができる。
【００７４】
図１６は、第３実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図である。図１６に表されるように、検出装置３１００は、例えば、基板１、第３電極３３、光電変換層５１、第４電極３４、複数の第２電極３２、発光層４１、および第１電極３１を含む。
【００７５】
第３電極３３と第４電極３４との間には、光電変換層５１が設けられている。光電変換層５１と発光層４１との間には、第４電極３４が設けられている。第４電極３４は、光透過性である。第４電極３４と光電変換層５１との間には、複数の第２電極３２が設けられている。第２電極３２の構造としてその他に、図９〜図１２のいずれかに表される構造を採用可能である。
【００７６】
（第４実施形態）
図１７は、第４実施形態に係る検出装置の一例を表す模式断面図である。検出装置４０００は、例えば、検出装置１０００が含む要素に加えて、さらに封止部８１を含む。封止部８１は、第１電極３１、発光層４１、および複数の第２電極３２を含む発光部１００と離間して設けられている。発光部１００は、第１方向において封止部８１と基板１との間に設けられ、第１方向に対して垂直な面に沿って封止部８１に囲まれている。
【００７７】
封止部８１は、例えばガラスを含み、接着剤８９によって基板１と接合されている。封止部８１の内部には、例えば、窒素ガスが充填される。光検出器５０は、例えば、封止部８１の内壁に取り付けられる。
【００７８】
図１８は、第４実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図である。検出装置４１００は、基板１と、発光部１００と、光検出器５０と、支持部８５と、支持台８６と、を含む。支持部８５は柱状の部材であり、支持台８６は支持部８５を介して基板１に固定されている。支持部８５は、発光部１００の周りに複数設けられていてもよい。光検出器５０は支持台８６に取り付けられ、発光部１００および光検出器５０は、基板１と支持台８６との間に位置している。
【００７９】
図１９は、第４実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図である。検出装置４２００は、基板１と、発光部１００と、光検出器５０と、支持部８７と、支持板８８と、を含む。支持部８７は、例えば、第１方向および第３方向を含む面に沿った断面が円形の部材である。当該断面の形状は任意であり、四角形であってもよい。支持部８７は、例えば、基板１の上に、第１方向に対して垂直な面に沿って環状に設けられる。支持板８８は、支持部８７を介して基板１に固定されている。支持板８８は光透過性である。支持板８８の上に光検出器５０が設けられ、支持板８８は、光検出器５０と発光部１００との間に位置する。
【００８０】
図２０は、第４実施形態に係る検出装置の他の一例を表す模式断面図である。検出装置４３００は、基板１と、発光部１００と、第７層４７と、光検出器５０と、を含む。第７層４７は、発光部１００と光検出器５０との間に設けられている。第７層４７は、光透過性であり、絶縁材料を含む。第７層４７は、例えば、ポリイミドおよび酸化シリコン（ＳｉＯ２）の少なくともいずれかを含む。
【００８１】
図２１および図２２は、実施形態に係る検出装置を含む処理装置の一例を表す模式図である。図２１に表すように、処理装置５０００は、例えば、検出装置１０００と、制御部９００と、信号処理部９０３と、記録装置９０４と、表示装置９０９と、を含む。処理装置５０００は、検出装置１０００に代えて、実施形態に係る他の検出装置を含んでいてもよい。
【００８２】
制御部９００から入力信号を受けた検出装置１０００は、発光部１００から光を発する。発せられた光は検出対象６０により反射されて、検出装置１０００の光検出器５０で検出される。検出装置１０００は、光検出器５０の検出感度を向上させるため、制御部９００からバイアス信号を受信しても良い。
【００８３】
光検出器５０で検出された信号は、信号処理部９０３に出力される。信号処理部９０３は、検出装置１０００からの信号を受信し、当該信号に対して、例えば、ＡＣ検波、信号増幅、およびノイズ除去などの処理が適宜行われる。信号処理部９０３は適切な信号処理を行うために、制御部９００から同期信号を受信してもよい。発光部１００から放射される光量を調整するためのフィードバック信号を、信号処理部９０３から制御部９００に送信してもよい。信号処理部９０３で生成された信号は記録装置９０４に保存され、表示装置９０９に情報が表示される。
【００８４】
処理装置５０００は、記録装置９０４および表示装置９０９を含んでいなくてもよい。この場合、信号処理部９０３で生成された信号は、例えば、処理装置５０００の外部の記録装置および表示装置に出力される。
【００８５】
図２２を参照して、処理装置５０００をより具体的に説明する。図２２に表されるように、検出装置１０００の発光部は、制御部９００のパルス生成器９００ａからＤＣバイアス信号あるいはパルス信号を含む入力信号９０５を受信する。発光部１００から発せられた光は、検出対象６０で反射されて、光検出器５０で検出される。光検出器５０は、制御部９００のバイアス回路９００ｂよりバイアス信号を受信しても良い。光検出器５０で検出された信号は、信号処理部９０３に入力される。信号処理部９０３では光検出器からの信号を、必要に応じてＡＣ検波した後、増幅器９０３ａで増幅し、不要なノイズ成分をフィルター部９０３ｂで除去する。信号同期部９０３ｃは、フィルター部９０３ｂから出力された信号を受信するとともに、制御部９００から同期信号９０６を適宜受信し、光と同期させる。
【００８６】
信号同期部９０３ｃから出力された信号は信号整形部９０３ｄに入力される。処理装置５０００は、信号同期部９０３ｃを含んでいなくてもよい。この場合、フィルター部９０３ｂから出力された信号は、信号同期部９０３ｃを介さず、信号整形部９０３ｄに入力される。
【００８７】
信号整形部９０３ｄにおいて、信号計算部９０３ｅで適切な信号処理が行われるように所望の信号に整形される。信号整形は例えば、時間平均などが行われる。信号処理部９０３において、ＡＣ検波および各処理部で行われる処理の順番は、適宜変更可能である。信号処理部９０３の信号計算部９０３ｅから、計算値９０４ａが記録装置および表示装置へ出力される。
【００８８】
図２３〜図２６は、実施形態に係る検出装置を用いて脈波を測定している様子を表す模式図である。図２３〜図２６に表される例では検出装置１０００が用いられているが、検出装置１０００に代えて、実施形態に係る他の検出装置が用いられてもよい。
【００８９】
図２３（ａ）および図２３（ｂ）は、指６１０中の血管６１１の脈波を検出する際の様子を表している。図２３（ｂ）は、図２３（ａ）の一部を拡大した模式図である。生体箇所は、指６１０以外に、耳、胸部、または腕など、任意に選ぶことができる。図２３に表される例において、発光部１００から発せられた光３０４は、血管６１１で反射されて、光検出器５０で検出される。このとき、光検出器５０では、血管６１１の血流を反映した信号が検出される。検出された信号は例えば図２１および図２２に表す信号処理部９０３で信号処理され、脈拍が計測される。
【００９０】
図２４（ｂ）に表されるように、発光部１００の第１電極３１と第２電極３２には、入力信号Ｖｉｎとして、例えば、一定の電圧が印加される。図２４（ａ）に表されるように、光検出器５０は、指６１０で反射された光を検出する。このとき、図２４（ｃ）に表されるように、光検出器５０で検出される信号Ｖｏｕｔには、血中の信号が重畳されている。
【００９１】
または、図２５（ａ）および図２５（ｂ）に表されるように、発光部１００の第１電極３１と第２電極３２には入力信号Ｖｉｎとしてパルス電圧が印加され、発光部１００から光が放射されてもよい。図２５（ｃ）に表されるように、光検出器５０では、血中の信号が重畳された光が検出される。
【００９２】
図２６（ａ）および（ｂ）は、入力信号Ｖｉｎとしてパルス電圧が印加された場合の、検出された光信号の一例を表している。図２６（ｂ）は、図２６（ａ）の破線で囲まれた部分を拡大した様子を表している。発光部１００に印加されるパルス電圧の周波数が、脈波の周波数よりも十分早い場合、図２６（ａ）および（ｂ）に表されるように、各光パルスの光信号だけを見ると脈波信号が得られる。脈波は典型的には１Ｈｚ程度であり、パルス電圧の周波数は、例えば、１００Ｈｚ〜１００ＫＨｚとすることができる。図２５および図２６に表されるパルス電圧を用いた形態は、図２４に表される定電圧を用いた形態に比べ、発光部１００を発光させている時間が短いため、発光部１００の劣化を抑制し、消費電力を低減できる点で有利である。
【００９３】
図２７（ａ）および図２７（ｂ）は、実施形態に係る検出装置を含む処理装置を表す模式図である。処理装置６００１および６００２は、検出装置１０００と、制御部／信号処理部９１０と、を含む。これらの処理装置は、検出装置１０００に代えて、実施形態に係る他の検出装置が用いられてもよい。
【００９４】
処理装置６００１において、検出装置１０００は支持基板１０００Ｓ上に設けられている。処理装置６００１は、検出装置１０００と制御部／信号処理部９１０とが、それぞれ独立に設けられた構成を有する。
【００９５】
処理装置６００２において、検出装置１０００および制御部／信号処理部９１０は、共通の支持基板１０００Ｓの上に設けられている。
【００９６】
図２８（ａ）〜図２８（ｅ）は、実施形態に係る検出装置を含む処理装置の用途を例示する模式図である。それぞれの例において処理装置は、例えば、脈拍および／または血中の酸素濃度を測定する。
【００９７】
図２８（ａ）に表される例において、処理装置７００１は指輪に含まれる。処理装置７００１は、例えば、処理装置７００１に接する指の脈を検出する。図２８（ｂ）に表される例では、処理装置７００２は腕輪に含まれる。処理装置７００２は、例えば、処理装置７００２に接する腕または足の脈を検出する。
【００９８】
図２８（ｃ）に表される例では、処理装置７００３はイヤホンに含まれる。図２８（ｄ）に表される例では、処理装置７００４はメガネに含まれる。処理装置７００３および７００４は、例えば、耳たぶの脈を検出する。図２８（ｅ）に表される例では、処理装置７００５は携帯電話またはスマートフォンのボタンや画面などに含まれる。処理装置７００５は、例えば、処理装置７００５に触れた指の脈を検出する。
【００９９】
図２９は、図２８に表される処理装置を用いたシステムを例示する模式図である。  
例えば、処理装置７００１〜７００５は、測定したデータを有線あるいは無線でデスクトップＰＣ、ノートＰＣ、またはタブレット端末などの機器７０１０に転送する。あるいは、処理装置７００１〜７００５は、データをネットワーク７０２０に転送してもよい。
【０１００】
機器７０１０またはネットワーク７０２０を利用して、処理装置によって測定されたデータを管理することができる。または測定されたデータを解析プログラムなどを用いて解析し、管理あるいは統計処理を行っても良い。測定されたデータが脈拍または血中の酸素濃度である場合、任意の時間ごとにデータの集計を行うことができる。集計されたデータは、例えば、健康管理に利用される。病院であれば、例えば、患者の健康状態を常時モニタリングするために利用される。
【０１０１】
上記の各実施形態によれば、小型化を可能とする検出装置および処理装置が提供できる。
【０１０２】
なお、本願明細書において、「垂直」は、厳密な垂直だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直であれば良い。
【０１０３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、基板１、第１電極３１、第３電極３３、第４電極３４、発光層４１、第３層４３、第４層４４、第５層４５、第６層４６、第７層４７、光検出器５０、光電変換層５１、封止部８１、制御部９００、信号処理部９０３、記録装置９０４、および表示装置９０９などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１０４】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１０５】
その他、本発明の実施の形態として上述した検出装置および処理装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての検出装置および処理装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１０６】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１０７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【国際調査報告】
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