(57)【要約】  発光装置（１０）は、基板（１００）、有機ＥＬ素子（１０２）、緩衝膜（２１０）、及び封止膜（２２０）を備えている。有機ＥＬ素子（１０２）は基板（１００）上に形成されている。封止膜（２２０）は基板（１００）上及び有機ＥＬ素子（１０２）上に位置しており、有機ＥＬ素子（１０２）を封止している。そして緩衝膜（２１０）は、有機ＥＬ素子（１０２）と封止膜（２２０）の間に位置しており、封止膜（２２０）に対して密着している。封止膜（２２０）は、例えば、酸化物で構成される層を少なくとも一層備えている。
2014162395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の上に形成された封止膜と、
前記有機ＥＬ素子と前記封止膜の間に位置する緩衝膜と、
を備え、
前記緩衝膜は前記封止膜に密着していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子は、前記基板とは逆側に上部電極を有しており、
前記緩衝膜と前記封止膜の密着力は、前記緩衝膜と前記上部電極との密着力よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記緩衝膜は、前記上部電極に接する第１層と、前記封止膜に接する第２層とを備え、
前記封止膜と前記第２層との密着力は、前記上部電極と前記第１層の密着力に対して高いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記緩衝膜は、少なくとも、前記上部電極に接する第１層と、前記封止膜に接する第２層とを備え、
前記封止膜と前記第２層の密着力は、前記第１層が前記封止膜に接した場合における前記封止膜と前記第１層の密着力よりも高いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子は、前記基板とは逆側に上部電極を有しており、
前記緩衝膜と前記封止膜の密着力は、前記封止膜が前記上部電極に接した場合における前記封止膜と前記上部電極との密着力よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記緩衝膜は、前記封止膜に粘着していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記封止膜は、酸化物で構成される層を複数層備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機ＥＬ（organic electroluminescence）素子がある。有機ＥＬ素子は、水分に弱いため、封止される必要がある。有機ＥＬ素子の封止構造としては、例えば特許文献１に記載するように、封止膜を用いるものがある。特許文献１において、原子層成長法により形成されたアルミナが封止膜として使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３４７０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ素子の上に封止膜を設けても、この封止膜と有機ＥＬ素子の密着性が悪いと、封止膜と有機ＥＬ素子の界面で剥離が生じる場合、又は封止膜に割れが生じる場合がある。このため、封止膜による封止効果は低くなってしまう。【０００５】
本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子と封止膜の密着性を高くすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に形成された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の上に形成された封止膜と、
前記有機ＥＬ素子と前記封止膜の間に位置する緩衝膜と、
を備え、
前記緩衝膜は前記封止膜に密着していることを特徴とする発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【０００８】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図２のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ断面図である。
【図８】図６のＣ−Ｃ断面図である。
【図９】実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１０】実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１１】実施例４に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１０】
以下の説明において、「密着」という概念は、接着、粘着を含むこととする。そして、２つの膜の密着力が高いとは、２つの膜が界面で剥がれにくいことを示す。
【００１１】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、有機ＥＬ素子１０２、緩衝膜２１０、及び封止膜２２０を備えている。有機ＥＬ素子１０２は基板１００上に形成されている。封止膜２２０は基板１００上及び有機ＥＬ素子１０２上に位置しており、有機ＥＬ素子１０２を封止している。そして緩衝膜２１０は、有機ＥＬ素子１０２と封止膜２２０の間に位置しており、封止膜２２０に対して密着している。封止膜２２０は、例えば、酸化物で構成される層を少なくとも一層備えている。緩衝膜２１０の膜厚は、例えば約１０ｎｍ以上約３００ｎｍ以下であるが、これに限定されない。
【００１２】
本実施形態では、有機ＥＬ素子１０２は、第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０（上部電極）をこの順に積層した構成を有している。そして緩衝膜２１０は第２電極１５０に接している。緩衝膜２１０は第２電極１５０に対しても密着しているのが好ましい。なお、緩衝膜２１０と封止膜２２０の間の密着力は、緩衝膜２１０と第２電極１５０の間の密着力よりも高くてもよい。また、緩衝膜２１０と封止膜２２０の間の密着力は、封止膜２２０を第２電極１５０に接するように形成した場合における封止膜２２０と第２電極１５０の間の密着力よりも高い。なお、この密着力の大小は、例えばピール試験を行うことによって測定できる。なお、ピール試験の詳細は、例えばJISZ0237、JISD0202-1988に規定されている。
【００１３】
例えば第２電極１５０がＡｌなどの金属によって形成されており、封止膜２２０が酸化物、例えば酸化アルミニウムなどの金属酸化物からなる層を有している場合、緩衝膜２１０のうち少なくとも封止膜２２０に接する部分は、有機膜、例えばＡｌｑ３（tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium）により形成されている。
【００１４】
また、緩衝膜２１０と封止膜２２０の間の密着力は、例えば緩衝膜２１０の表面に凹凸を設けることによっても高められる。同様に、第２電極１５０と緩衝膜２１０の間の密着力は、例えば第２電極１５０の表面に凹凸を設けることによっても高められる。このような凹凸は、例えばこれらの層を、マスクを用いた成膜法、例えばスパッタリングすることで形成される。また、このような凹凸は、複数回に分けて成膜を行い、これらのうちの少なくとも一回をマスクを用いて行うことによっても形成される。
【００１５】
以上、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子１０２と封止膜２２０の間には緩衝膜２１０が設けられている。そして、封止膜２２０は緩衝膜２１０に密着している。従って、変形が生じやすい封止膜２２０を設けても、有機ＥＬ素子１０２を発光させることができる。
【００１６】
また、緩衝膜２１０と封止膜２２０の間の密着力は、封止膜２２０を第２電極１５０に接するように形成した場合における封止膜２２０と第２電極１５０の間の密着力よりも高い。従って、緩衝膜２１０を設けることによって、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の密着性は高くなっている。
【００１７】
また、緩衝膜２１０と封止膜２２０の間の密着力は、緩衝膜２１０と第２電極１５０の間の密着力よりも高くなっている。従って、変形が生じやすい封止膜２２０を設けても、有機ＥＬ素子１０２を発光させることができる。
【実施例】
【００１８】
（実施例１）
図２は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図３は図２のＡ−Ａ断面図であり、図４は図２のＣ−Ｃ断面図であり、図５は図２のＢ−Ｂ断面図である。【００１９】
発光装置１０は、例えばディスプレイや照明装置である。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０を有することで演色性を実現するものであっても良い。照明装置としての発光装置１０は、後述する構造物としての隔壁１７０を形成せずに、第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０が一面に形成されていてもよい。なお、以下の説明では、発光装置１０がディスプレイである場合を例示している。【００２０】
発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０（下部電極）、有機ＥＬ素子１０２、絶縁層１２０、複数の第１開口１２２、複数の第２開口１２４、複数の引出配線１３０、有機層１４０、第２電極１５０（上部電極）、複数の引出配線１６０、及び複数の隔壁１７０を有している。絶縁層１２０、隔壁１７０は、基板の上に形成される構造物の一例である。そして、有機ＥＬ素子１０２は、有機層１４０を第１電極１１０及び第２電極１５０で挟んだ積層物で構成される。この有機ＥＬ素子１０２は、複数の隔壁１７０の間に位置している。すなわち有機ＥＬ素子１０２及び引出配線１６０は、基板１００の第１面側に位置している。【００２１】
基板１００は、例えばガラスや樹脂材料で形成されているが、他の材料によって形成されていても良い。【００２２】
第１電極１１０は、基板１００の第１面側に形成され、後述する図５に示すように、第１方向（図２におけるＹ方向）にライン状に延在している。第１電極１１０は、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子によって形成された透明電極である。また、第１電極１１０は第１の導体１１２の一部として形成されている。第１電極１１０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第１の導体１１２の端部は、引出配線１３０に接続している。図示の例では、第１の導体１１２の端部の上に引出配線１３０が積層された構造となっている。【００２３】
引出配線１３０は、第１電極１１０と駆動ＩＣなどの電子部品を含む外部とを接続する配線である。引出配線１３０は、例えば、酸化導電材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｌ、Ｃｒ、又はＡｇなどの金属材料又は合金で構成される金属配線であるが、金属以外の導電性材料によって形成された配線であっても良い。また、引出配線１３０は複数の層が積まれた積層構造を備えていても良い。この場合、引出配線の１つの層が第１の導体で構成されており、第１電極１１０と引出配線１３０の１つの層が第１の導体で連続して形成されていても構わない。図２に示す例では、基板１００の上には、引出配線１３２及び引出配線１３０の順で形成されている。引出配線１３２は、第１電極１１０と同種の材料によって形成されている。本図に示す例では、引出配線１３０，１３２は引出配線１３０に最も近い第１開口１２２の近傍まで形成されている。図示の例では、第１電極１１０が絶縁層１２０で覆われているが、第１電極１１０に電気的に接続される引出配線１３０及び引出配線１３２の少なくとも一部が絶縁層１２０で覆われていても構わない。【００２４】
絶縁層１２０は、図２〜図５に示すように、複数の第１電極１１０の上及び複数の第１電極１１０の間の領域に形成されている。絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１２０としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１２０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。【００２５】
絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２及び複数の第２開口１２４が形成されている。第１開口１２２は、平面視で第１電極１１０となる第１の導体１１２と、第２電極１５０となる第２の導体１５２との交点に位置している。なお、第２の導体１５２のうち第１開口１２２内に位置する部分が第２電極１５０となる。複数の第１開口１２２は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の第１開口１２２は、第１電極１１０が延在する方向に並んでいる。また、複数の第１開口１２２は、第２の導体１５２の延在方向にも並んでいる。このため、複数の第１開口１２２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。【００２６】
第２開口１２４は、平面視で複数の第２の導体１５２のそれぞれの一端に位置している。また第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図２におけるＹ方向）で見た場合、第２開口１２４は、第１電極１１０に沿う方向において、所定の間隔で配置されている。第２開口１２４からは、引出配線１６０又は引出配線１６０の一部分が露出している。【００２７】
なお、第１開口１２２を有する絶縁層１２０と、第２開口１２４を有する絶縁層１２０は同一の材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。また、第１開口１２２を有する絶縁層１２０に対して基板１００の外周部側に、第２開口１２４を有する絶縁層１２０を形成してもよい。また、第１開口１２２を有する絶縁層１２０と第２開口１２４を有する絶縁層１２０は連続する層であってもよく、分離した層（分断している）であってよい。【００２８】
第１開口１２２と重なる領域には、有機層１４０が形成されている。図３に示す例では、有機層１４０は、正孔輸送層１４２、発光層１４４、及び電子輸送層１４６を積層したものである。なお、一部の有機層は、例えば、正孔輸送層１４２、発光層１４４、電子輸送層１４６、後述する正孔注入層１４１、又は電子注入層を指す。正孔輸送層１４２は第１電極１１０に接しており、電子輸送層１４６は第２電極１５０に接している。このようにして、平面視で第１開口１２２と重なる部分において、有機層１４０は第１電極１１０と第２電極１５０の間で挟持されている。そしてこの部分に有機ＥＬ素子１０２が形成されている。【００２９】
なお、第１電極１１０と正孔輸送層１４２との間には正孔注入層１４１が形成されても良いし、第２電極１５０と電子輸送層１４６との間には電子注入層が形成されてもよい。また、上記した各層の全てが必要ということではない。例えば電子輸送層１４６内でホールと電子の再結合が生じている場合、電子輸送層１４６が発光層１４４の機能を兼ねているため、発光層１４４は不要となる。また、これら第１電極１１０、正孔注入層１４１、正孔輸送層１４２、電子輸送層１４６、電子注入層、及び第２電極１５０となる第２の導体１５２のうち、少なくとも１つは、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されていても良い。また、有機層１４０と第２電極１５０との間には、ＬｉＦなどの無機材料で構成される電子注入層を設けても構わない。【００３０】
なお、図３及び図４に示す例では、有機層１４０を構成する各層は、いずれも第１開口１２２の外側まではみ出している場合を示している。そして図４に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う第１開口１２２の間にも連続して形成されていても、連続して形成していなくても構わない。ただし、図５に示すように、有機層１４０は、第２開口１２４には形成されていない。【００３１】
有機層１４０は、第１電極１１０及び第２電極１５０に挟持されている。第２電極１５０は、図２〜図５に示すように、有機層１４０より上に形成され、第１方向と交わる第２方向（図２におけるＸ方向）に延在している。第２電極１５０は、有機層１４０に電気的に接続している。例えば第２電極１５０は、有機層１４０上に形成されていても良いし、有機層１４０の上に形成された導電層の上に形成されていても良い。第２電極１５０となる第２の導体１５２は、例えばＡｇやＡｌなどの金属材料で形成された金属層、ＩＺＯなどの酸化導電材料で形成された層である。発光装置１０は、互いに平行な複数の第２の導体１５２を有している。一つの第２の導体１５２は、複数の第１開口１２２上を通過する方向に形成されている。また、第２の導体１５２は引出配線１６０に接続している。図示の例では、第２の導体１５２の端部が第２開口１２４上に位置することにより、第２開口１２４において第２の導体１５２と引出配線１６０は接続している。【００３２】
図２の例では、引出配線１６０の下には引出配線１６２が形成されている。図２に示す例では、引出配線１６２の幅は、引出配線１６０の幅に対して大きいが、小さくてもよい。引出配線１６０，１６２は、基板１００の第１面側のうち第１電極１１０及び引出配線１３０、１３２が形成されていない領域に形成されている。引出配線１６０は、例えば引出配線１３０と同時に形成されてもよいし、引出配線１３０とは別工程で形成されてもよい。同様に、引出配線１６２は、例えば引出配線１３２と同時に形成してもよいし、引出配線１３２とは別工程で形成されてもよい。【００３３】
引出配線１６２は、第１電極１１０を構成する材料と同種の又は異なる材料で形成されている。ここで同種の材料の例としては、第１電極１１０が酸化導電材料であるＩＴＯで形成されている場合、第１電極１１０を構成するＩＴＯと同一又は異なる組成のＩＴＯ、又はＩＺＯなどの酸化導電材が挙げられる。また異なる材料の例として、Ａｌ等の金属材料などが挙げられる。【００３４】
引出配線１６０の一端側（発光部側）の一部分は、絶縁層１２０に覆われており、かつ第２開口１２４にて露出している。そして第２開口１２４において、第２の導体１５２は引出配線１６０に接続している。また、引出配線１６０の他端側（基板の外周部側）の一部分は、絶縁層１２０の外側に引き出されている。すなわち、引出配線１６０の他端側は、絶縁層１２０から露出している。この引出配線１６０の他端側の一部分において、引出配線１６０は引出配線１３０と略直交する方向に延在している。【００３５】
隣り合う第２の導体１５２の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２の導体１５２と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１２０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。【００３６】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２の導体１５２（第２電極１５０）より前に形成しておくことで、蒸着法やスパッタリング法を用いて、基板１００の第１面側に第２の導体１５２を一面に形成することで、複数の第２電極１５０を一括で形成することができる。一面に形成した第２の導体１５２は、隔壁１７０により分断されるため、複数の第２の導体１５２が有機層１４０の上に設けられることになる。第２の導体１５２が分断される位置は、例えば、隔壁１７０の下地である絶縁層１２０上、又は隔壁１７０の側面などが挙げられる。そして隔壁１７０の延在方向を変えることにより、第２の導体１５２をストライプ形状、ドット形状、アイコン状、曲線などの自由な形状にパターニングできる。なお、隔壁１７０の上には、少なくとも第２の導体１５２が形成されている。【００３７】
また、有機層１４０を塗布材料で構成する場合、複数の第１開口１２２に塗布材料を塗布することで有機層１４０は形成される。塗布材料を複数の第１開口１２２に塗布した際、隔壁１７０は、隔壁１７０の両側にある第１開口１２２に塗布された塗布材料が互いに繋がって、隔壁１７０の一方の側にある第１開口１２２から他方の側にある第１開口１２２にかけて、有機層が連続して形成されることを防止する機能を有していても構わない。この場合、隔壁１７０は、有機層１４０より前に形成されている。【００３８】
本実施例では、第２電極１５０（第２の導体１５２）は、光透過性を有する材料で形成すること、又は膜厚が調整されることなどによって、半透過膜になっている。例えば第２電極１５０がＡｌやＡｇで形成されている場合、第２電極１５０の膜厚を１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることで、半透過膜とすることができる。ただし、第２電極１５０の膜厚はこれに限定されない。【００３９】
第２の導体１５２上には、緩衝膜２１０が形成されている。本図に示す例では、緩衝膜２１０は、少なくとも第１層２１２及び第２層２１４を有している。第１層２１２は、第２電極１５０に接しており、第２層２１４は封止膜２２０に接している。封止膜２２０と第２層２１４との密着力は、第２電極１５０と第１層２１２との密着力に対して高くてもよい。また、封止膜２２０と第２層２１４との密着性は、第１層２１２が封止膜２２０に接した場合における封止膜２２０と第１層２１２の密着性よりも高いことが好ましい。【００４０】
第１層２１２は、例えばＡｌｑ３（tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium）などの有機材料、又はＣｒとＳｉＯ２を混在させた、光透過性を有する無機材料、金属材料によって形成された膜である。この第１層２１２は、例えば約１０ｎｍ以上約２００ｎｍ以下である。特に、封止性が向上する点又は第１層２１２の下方にある層に異物がある場合、この異物を覆って平坦化できる点で、第１層２１２の厚さは約２０ｎｍ以上約１００ｎｍ以下であることが好ましい。また平坦化する点では第１層２１２はより厚いことが好ましいが、厚くし過ぎると有機材料で形成された第１層２１２は砕けやすくなる点で約２００ｎｍ以下であることが好ましく、さらには約１００ｎｍ以下であることが好ましい。【００４１】
第１層２１２が有機材料によって形成される場合、第１層２１２は塗布法（例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷法）を用いて形成されても良いし、蒸着法を用いて形成されても良い。第１層２１２は、隔壁１７０の上面の上にも形成されている。すなわち平面視で、第１層２１２は、基板１００の上のうち少なくとも有機ＥＬ素子１０２がマトリクス状に配置されている領域の全面に形成されていてもよい。また、第１層２１２は、この領域に連続的に形成されていても良い。この場合、第１層２１２は、隔壁１７０の上の積層膜の側面にも形成される。【００４２】
第２層２１４は、例えばＡｌやＡｇなどの無機膜や金属膜であり、その膜厚は、例えば約３０ｎｍ以上約２００ｎｍ以下である。特にバリア性を向上できる点で、第２層２１４の膜厚は約４０ｎｍ以上約１００ｎｍ以下であることが好ましい。バリア性を向上できる点で第２層２１４は厚いことが好ましいが、一方で第２層２１４にヒロックが発生しやすくなるので、第２層２１４は約２００ｎｍ以下であることが好ましく、さらにはは約１００ｎｍ以下であることが好ましい。ヒロックとは、例えばＡｌを第２層２１４で形成した場合、第２層２１４の表面に複数の凸が形成されることである。この凸により、第２層２１４と第１層２１２との間に隙間が形成されることがある。このようなヒロックは、Ａｌで第２層２１４を形成した場合以外に、Ａｇなどの他の金属材で形成した場合にも生じる場合がある。第２層２１４は、例えば蒸着法を用いて形成される。第２層２１４は、第１層２１２のほぼ全面上に形成されている。なお、第１層２１２が隔壁１７０の上の積層膜の側面上にも形成される場合、第２層２１４も、隔壁１７０の上の積層膜の側面の上にも形成されている。【００４３】
そして、第２層２１４上には、封止膜２２０が形成されている。封止膜２２０は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法により成膜された膜は段差被覆性が高い。ここで、段差被覆性とは、段差がある部分における膜厚の均一性のことをいう。段差被覆性が高いとは、段差がある部分においても膜厚の均一性が高いことであり、段差被覆性が低いとは、段差がある部分において膜厚の均一性が低いことである。例えば図３に示す例において、基板１００の上に隔壁１７０が設けられていることで、段差が形成されている。この時、隔壁１７０は、封止膜２２０の下地となっている。そして、封止膜２２０は、この段差の側面に位置する部分（２２０ａ）の膜厚と、上面に位置する部分（２２０ｂ）の膜厚の差が小さいか、実質ゼロである。【００４４】
封止膜２２０は、酸化物からなる層を複数層有していてもよい。封止膜２２０は、例えば酸化チタンからなる層と、酸化アルミニウムからなる層と、を交互に少なくとも１層ずつ積層させた膜であり、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。封止膜２２０は、図２に示すように、絶縁層１２０、引出配線１６０、及び引出配線１３０を覆っている。なお、封止膜２２０は、ＡＬＤ法以外の成膜法、例えばＣＶＤ法を用いて形成されても良い。【００４５】
なお、封止膜２２０は内部応力が比較的大きい。このような内部応力を有する封止膜２２０を形成した後、内部応力により封止膜２２０に形状変化（例えば収縮）が生じる場合がある。特に、封止膜２２０を第２の導体１５２上に直接形成した場合、第２の導体１５２が封止膜２２０に密着していれば、封止膜２２０による応力が第２の導体１５２に加わり、第２の導体１５２の形状をも変化させる。このため、第２電極１５０と有機層１４０の界面、又は有機層１４０の内部で膜の剥離等が生じる。本実施例では、第２電極１５０と封止膜２２０の間に緩衝膜２１０を設けているため、この剥離等を抑止できる。特に緩衝膜２１０と封止膜２２０が密着していれば、封止膜２２０の応力を吸収できる、或いは封止膜２２０の形状変化を抑止する（緩衝膜２１０が封止膜２２０の変形に対して抵抗力を加える）ため、上記した膜の剥離等を抑制できる。特に、緩衝膜２１０と第２の導体１５２との密着性が小さければ、封止膜２２０の応力が第２の導体１５２に加わることを抑止できる。一方、緩衝膜２１０と封止膜２２０の密着性が小さければ、封止膜２２０の応力が緩衝膜２１０に加わらないので、第２の導体１５２に封止膜２２０の応力が加わることも抑止できる。この場合、緩衝膜２１０と第２の導体１５２との密着性は高くても小さくても構わない。【００４６】
また、第１層２１２を有機膜で形成した場合、第１層２１２と封止膜２２０の密着性は悪くなる。このため、封止膜２２０の形状が大きく変形して割れが生じ、封止性が低下してしまう場合がある。これに対して本実施例では、第１層２１２と封止膜２２０の間に第２層２１４を設けている。第２層２１４が封止膜２２０と密着していれば、封止膜２２０の形状の変形を抑止でき、封止膜２２０に割れ等が生じて封止性が低下することを抑止できる。【００４７】
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず基板１００上に第１電極１１０となる導電層を形成し、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１００上には、第１電極１１０及び引出配線１３２，１６２が形成される。【００４８】
次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び引出配線１３２，１６２上に、引出配線１３０，１６０となる導電層を形成し、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、引出配線１３０，１６０が形成される。【００４９】
次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び引出配線１３０，１６０上に絶縁層を形成し、この絶縁層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、絶縁層１２０、第１開口１２２、及び第２開口１２４が形成される。例えば絶縁層１２０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１２０には加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１２０のイミド化が進む。【００５０】
次いで、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成し、この隔壁１７０をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）など利用し、選択的に除去する。これにより、隔壁１７０が形成される。隔壁１７０が感光性の絶縁膜で形成される場合、露光及び現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。【００５１】
隔壁１７０がネガ型レジストである場合、このネガ型レジストは、露光光源から照射光が照射された部分が硬化する。そして、このネガ型レジストのうち未硬化部分を現像液で溶解除去することにより、隔壁１７０が形成される。【００５２】
次いで、第１開口１２２内に正孔注入層１４１、正孔輸送層１４２、発光層１４４、及び電子輸送層１４６、電子注入層を、この順に形成する。これらのうち少なくとも正孔注入層１４１は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成される。この場合、第１開口１２２内に塗布材料が入り込み、この塗布材料が乾燥することにより、上記した各層が形成される。塗布法で用いられる塗布材料としては、高分子材料、高分子材料中に低分子材料を含んだものなどが適している。塗布材料としては、例えば、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子などを利用することができる。なお、有機層１４０のうち残りの層（例えば電子輸送層１４６）は、蒸着法により形成される。ただしこれらの層も、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。【００５３】
次いで、有機層１４０上に第２電極１５０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。【００５４】
なお、有機層１４０以外の層、例えば第１電極１１０、絶縁層１２０、引出配線１３０、引出配線１６０、第２電極１５０、及び隔壁１７０の少なくとも一つも、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。【００５５】
次いで、第１層２１２、第２層２１４、及び封止膜２２０を、上述した方法を用いて形成する。【００５６】
以上、本実施例においても、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の間に緩衝膜２１０を形成しているため、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の密着性は高くなる。また、緩衝膜２１０は、第１層２１２と第２層２１４を有している。第１層２１２を設けることにより、封止膜２２０で発生した応力が有機ＥＬ素子１０２に伝わることを抑制できる。また、第２層２１４の封止膜２２０に対する密着性は、第１層２１２が封止膜２２０に直接接した場合における第１層２１２の封止膜２２０に対する密着性より高い。従って、第２層２１４を設けることにより、封止膜２２０の緩衝膜２１０に対する密着性を高めることができる。【００５７】
（実施例２）
図６は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図７は、図６のＡ−Ａ断面図であり、図８は図６のＣ−Ｃ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。【００５８】
まず、絶縁層１２０は、隔壁１７０の下にのみ設けられており、第１電極１１０の上面を覆っているが、側面を覆ってはいない。すなわち、第１電極１１０の側面は露出している。このため、隣り合う２つの第１電極１１０の間には、絶縁層１２０は設けられていない、絶縁層１２０の非形成領域がある。【００５９】
また、基板１００は、樹脂製の薄い板（例えば樹脂フィルム）である。このため、発光装置１０は可撓性を有する。【００６０】
本実施例によっても、実施例１と同様に、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の間に緩衝膜２１０を形成しているため、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の密着性は高くなる。また、緩衝膜２１０は第１層２１２及び第２層２１４を有しているため、封止膜２２０で発生した応力が有機ＥＬ素子１０２に伝わることを抑制でき、かつ、封止膜２２０の緩衝膜２１０に対する密着性を高めることができる。【００６１】
また、絶縁層１２０をポリイミドで形成した場合、絶縁層１２０に水分やガスが残っていると、この水分やガスによって有機層１４０が劣化する可能性が出てくる。これを抑制するためには、一般的には絶縁層１２０の熱処理温度を高くする必要がある。しかし、絶縁層１２０の処理温度を高くすると、基板１００の材料として樹脂を用いることはできなくなる。【００６２】
これに対して本実施例では、絶縁層１２０を隔壁１７０の下にのみ形成している。このため、水分が残っている絶縁層１２０が形成される領域を比較的小さくできる。また、絶縁層１２０に残っている水分等を隔壁１７０から放出して、有機層１４０の劣化を抑止することできる場合がある。そのため、絶縁層１２０をイミド化するときの加熱温度を下げても、発光装置１０を使用している間に絶縁層１２０から出てくる水分やガスの量を少なくすることができる。このため、基板１００を樹脂製としても、基板１００が絶縁層１２０の熱処理においてダメージを受けることを抑制できる。絶縁層１２０の加熱温度を下げることで樹脂製の基板１００を用いることが可能になり、また、絶縁層１２０が形成される領域を小さくし、隔壁１７０の下にのみ絶縁層１２０を形成することで、所望する発光装置１０を得ることができる。【００６３】
なお、隔壁１７０に用いる材料が基板１００と密着性が良好であれば、発光装置１０に絶縁層１２０を設けないことも考えられる。隔壁１７０に用いる材料が基板１００と密着性が悪い場合には、隔壁１７０を直接基板１００の上に形成した場合、所望する複数の隔壁１７０を形成することが困難になる。具体的には、基板１００上の一部の領域において、設けるべき隔壁１７０がない場合や、隔壁１７０が基板１００に対して立設されていなく、倒れている場合などが挙げられる。本実施例では、隔壁１７０の下に絶縁層１２０を設けて、所望する複数の隔壁１７０を形成している。【００６４】
（実施例３）
図９及び図１０は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図９は実施例１の図３に対応しており、図１０は実施例１の図４に対応している。実施例３に係る発光装置１０は、緩衝膜２１０が単層になっている点を除いて、実施例１又は実施例２に係る発光装置１０と同様の構成である。【００６５】
本実施例によっても、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の間に緩衝膜２１０を形成しているため、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の密着性は高くなる。【００６６】
（実施例４）
図１１は、実施例４に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図に示す発光装置１０は、アクティブ型のディスプレイである。【００６７】
詳細には、基板１００と第１電極１１０の間には、トランジスタ形成層３００及び絶縁層３１０が設けられている、トランジスタ形成層３００には、半導体層（例えばシリコン層）が形成されており、この半導体層を用いて、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）３０２が形成されている。そしてトランジスタ形成層３００と第１電極１１０の間には、絶縁層３１０が形成されている。絶縁層３１０は、平坦化層としても機能する。【００６８】
本実施例において、第１電極１１０は画素単位で形成されている。そして各第１電極１１０は、絶縁層３１０に埋め込まれた導体３２０を介して互いに異なるＴＦＴ３０２に接続している。一方、第２電極１５０は共通電極であるため、画素の間の領域及び隔壁１７０の上にも形成されている。【００６９】
そして、本実施例においても、第２電極１５０の上には、第１層２１２、第２層２１４、及び封止膜２２０が形成されている。なお、第１層２１２は形成されていなくても良い。【００７０】
本実施例においても、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の間に緩衝膜２１０を形成しているため、封止膜２２０と有機ＥＬ素子１０２の密着性は高くなる。また、緩衝膜２１０は第１層２１２及び第２層２１４を有しているため、封止膜２２０で発生した応力が有機ＥＬ素子１０２に伝わることを抑制でき、かつ、封止膜２２０の緩衝膜２１０に対する密着性を高めることができる。【００７１】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年9月7日(2015.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の上に形成された封止膜と、
前記有機ＥＬ素子と前記封止膜の間に位置する緩衝膜と、
を備え、
前記緩衝膜は前記封止膜に密着しており、
前記封止膜は、酸化物で構成される層を複数層備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子は、前記基板とは逆側に上部電極を有しており、
前記緩衝膜と前記封止膜の密着力は、前記緩衝膜と前記上部電極との密着力よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記緩衝膜は、前記上部電極に接する第１層と、前記封止膜に接する第２層とを備え、
前記封止膜と前記第２層との密着力は、前記上部電極と前記第１層の密着力に対して高いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記緩衝膜は、少なくとも、前記上部電極に接する第１層と、前記封止膜に接する第２層とを備え、
前記封止膜と前記第２層の密着力は、前記第１層が前記封止膜に接した場合における前記封止膜と前記第１層の密着力よりも高いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子は、前記基板とは逆側に上部電極を有しており、
前記緩衝膜と前記封止膜の密着力は、前記封止膜が前記上部電極に接した場合における前記封止膜と前記上部電極との密着力よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記緩衝膜は、前記封止膜に粘着していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記封止膜の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月8日(2016.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の上に形成された封止膜と、
前記有機ＥＬ素子と前記封止膜の間に位置する緩衝膜と、
を備え、
前記緩衝膜は前記封止膜に密着しており、
前記封止膜は、第１酸化金属で構成される層と前記第１酸化金属とは異なる第２酸化金属とで構成される層とを交互に複数層備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１酸化金属は酸化アルミニウムで、
前記第２酸化金属は酸化チタンである請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記封止膜はＡＬＤ膜である請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記封止膜の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子を画定する隔壁を備え、
前記封止膜は前記有機ＥＬ素子と重なる領域から前記隔壁の側面及び上面と重なる領域まで連続して形成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記緩衝膜は前記隔壁によって分断されている請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記緩衝膜の縁部は前記封止膜によって覆われている請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記有機ＥＬ素子は、前記基板とは逆側に上部電極を有しており、
前記緩衝膜と前記封止膜の密着力は、前記緩衝膜と前記上部電極との密着力よりも高いことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記緩衝膜は、前記上部電極に接する第１層と、前記封止膜に接する第２層とを備え、
前記封止膜と前記第２層との密着力は、前記上部電極と前記第１層の密着力に対して高いことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記緩衝膜は、少なくとも、前記上部電極に接する第１層と、前記封止膜に接する第２層とを備え、
前記封止膜と前記第２層の密着力は、前記第１層が前記封止膜に接した場合における前記封止膜と前記第１層の密着力よりも高いことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記第２層は無機膜又は金属膜である請求項９又は１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第１層は有機材料、無機材料、又は金属材料により形成されている請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記有機ＥＬ素子は、前記基板とは逆側に上部電極を有しており、
前記緩衝膜と前記封止膜の密着力は、前記封止膜が前記上部電極に接した場合における前記封止膜と前記上部電極との密着力よりも高いことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記緩衝膜は、前記封止膜に粘着していることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記発光装置は封止用の基板を有していない請求項１〜１４のいずれか１項に記載の発光装置。
【国際調査報告】
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2014162395.tif 000016
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