(57)【要約】  第１誘電体層と、第２誘電体層と、第１誘電体層と第２誘電体層との間に形成された金属層とを備え、第１誘電体層と第２誘電体層とに、赤外線吸収性化合物が含まれている透明導電部材を構成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１誘電体層と、
第２誘電体層と、
前記第１誘電体層と前記第２誘電体層との間に形成された金属層と、を備え、
前記第１誘電体層と前記第２誘電体層とに、赤外線吸収性化合物が含まれている
透明導電部材。
【請求項２】
前記赤外線吸収性化合物が、インジウムドープト酸化錫、及び、アンチモンドープト酸化錫の少なくとも１種を含む請求項１に記載の透明導電部材。
【請求項３】
前記赤外線吸収性化合物の濃度が、１質量％以上３０質量％以下である請求項１又は２に記載の透明導電部材。
【請求項４】
前記第１誘電体層、前記金属層、及び、前記第２誘電体層が形成された導通領域と、前記第１誘電体層、前記金属層、及び、前記第２誘電体層が除去された非導通領域とを有する請求項１に記載の透明導電部材。
【請求項５】
前記非導通領域がレーザエッチングにより形成された請求項４に記載の透明導電部材。
【請求項６】
前記第１誘電体層、及び、前記第２誘電体層と、前記金属層との間に硫化防止層を有する請求項１に記載の透明導電部材。
【請求項７】
赤外線吸収性化合物を含む第１誘電体層を形成する工程と、
前記第１誘電体層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、赤外線吸収性化合物を含む第２誘電体層を形成する工程と、を有する
透明導電部材の製造方法。
【請求項８】
前記第１誘電体層、前記金属層、及び、前記第２誘電体層を除去して非導通領域を形成する工程を有する請求項７に記載の透明導電部材の製造方法。
【請求項９】
前記非導通領域を形成する工程を、レーザエッチングにより行なう請求項８に記載の透明導電部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属層と誘電体層とを有する透明導電部材、及び、この透明導電部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネル材料、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、太陽電池等の各種装置に、低抵抗な透明導電膜が求められている。このような透明導電膜を構成する材料として、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属や、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。【０００３】
また、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。このため、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められている。従来、このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。【０００４】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低く、具体的には、５０Ω／ｓｑ．以下の抵抗値が強く求められている。しかし、従来、広く用いられているＩＴＯ膜では、抵抗値としては１５０Ω／ｓｑ．程度にとどまっており、上記の要望に対しては不十分な特性であった。【０００５】
このような背景から、近年、ＩＴＯに代わる次世代の透明導電膜の開発が盛んに行なわれている。例えば、導電層となる銀の両面に高屈折率の層を形成することで、透明性と導電性を両立することを目的とした透明導電部材が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−１７１７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、静電容量式タッチパネルの場合、パターンエッチングを行う必要があるため、上述の銀の両面に高屈折率の層を形成する構成の透明導電部材では、２層の高屈折率層と、銀層との３層以上を同時にエッチングする必要がある。【０００８】
フォトリソグラフィーによるエッチングを行う場合、材料の異なる３層を一度にエッチングすることは、適切なエッチャントを選択することが難しく、エッチングプロセスとの整合も難しい。また、レーザエッチングによるパターンエッチングの場合には、エッチングする全ての層にそのレーザ波長の吸収が必要になるため、適用が困難とされている。
このように、導電層と高屈折率層等の異なる種類の積層体を有する透明導電部材では、エッチング工程における生産性の低下が問題となっている。【０００９】
上述した問題の解決のため、本発明においては、高い生産性を有する透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の透明導電部材は、第１誘電体層と、第２誘電体層と、第１誘電体層と第２誘電体層との間に形成された金属層とを備える。そして、第１誘電体層と第２誘電体層とに、赤外線吸収性化合物が含まれている。【００１１】
また、本発明の透明導電部材の製造方法は、赤外線吸収性化合物を含む第１誘電体層を形成する工程と、第１誘電体層上に金属層を形成する工程と、金属層上に、赤外線吸収性化合物を含む第２誘電体層を形成する工程とを有する。【００１２】
上述の透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法では、第１誘電体層と、第２誘電体層とに、赤外線吸収性化合物が含まれている。このため、レーザ光を照射することにより、金属層とともに、赤外線吸収性化合物が含まれている第１誘電体層及び第２誘電体層を、エッチングすることができる。このため、この構成の透明導電部材を用いることにより、導通領域と非導通領域のパターン形成を容易に行なうことができる。つまり、上述の構成の透明導電部材を形成することにより、高い生産性を有する透明導電部材を提供することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高い生産性を有する透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の透明導電部材の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態の透明導電部材の構成を示す図である。
【図３】第２実施形態の透明導電部材の構成を示す図である。
【図４】第２実施形態（変形例）の透明導電部材の構成を示す図である。
【図５】オンライン工程で、透明導電部材を製造する工程例を示す模式図である。
【図６】透明導電部材を適用したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．透明導電部材の実施形態（第１実施形態）
２．透明導電部材の実施形態（第２実施形態）
３．透明導電部材の製造方法（第３実施形態）
４．電子デバイス
【００１６】
〈１．透明導電部材の実施形態（第１実施形態）〉
以下、本発明の透明導電部材の具体的な実施の形態について説明する。図１及び図２に、第１実施形態の透明導電部材の概略構成（断面図）を示す。
【００１７】
［透明導電部材の基本的な構成］
図１に示す構成の透明導電部材１０は、第１誘電体層１２と、金属層１３と、第２誘電体層１４とをこの順で積層した構成を有している。そして、透明導電部材１０が透明基板１１上に設けられている。
【００１８】
また、図２に示す透明導電部材１０は、透明基板１１上に設けられた第１誘電体層１２、金属層１３、及び、第２誘電体層１４による積層体の一部が、パターンエッチングされた状態を示している。
このパターンエッチングにより、第１誘電体層１２、金属層１３、及び、第２誘電体層１４が除去されて、第２誘電体層１４の表面側から透明基板１１の表面が露出する、開口部１５が設けられている。このように開口部１５を設けることにより、金属層１３が連続形成された導通領域１６と、金属層１３が形成されてない非導通領域１７とを有し、所望の導電層のパターンを有する透明導電部材１０を形成することができる。
なお、図１に示す透明導電部材１０では、透明基板１１上の全面に金属層１３が形成されている構成であるため、この金属層１３が形成されている全領域が導通領域１６である。
以下、透明導電部材１０の各構成の詳細について説明する。
【００１９】
[金属層]
金属層１３は、透明導電部材１０において電気を導通させるための金属を含む層である。金属層１３は、図１に示すように透明基板１１の全面に形成されていてもよく、また、図２に示すように所望の形状にパターニングされていてもよい。
【００２０】
金属層１３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、及び、クロム等を挙げることができる。金属層１３には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【００２１】
導電性が高いという観点から、金属層１３に含まれる金属としては銀、又は、銀が９０原子％以上含まれる合金が好ましい。銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、及び、モリブデン等が挙げられる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、金属層１３の耐硫化性が高まるため好ましい。また、銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まるため好ましい。さらに、銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まるため好ましい。
【００２２】
金属層１３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電部材１０の導通領域１６の透過光が着色しやすくなる。
【００２３】
金属層１３の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下（ｉ）〜（ｉｉｉ）の手順で測定される。
【００２４】
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍの厚さで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法にて金属層を２０ｎｍの厚さで形成する。
【００２５】
（ｉｉ）得られた金属層の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属層の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、［吸収率＝１００−（透過率＋反射率）］を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【００２６】
（ｉｉｉ）続いて、測定対象の金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、金属層のプラズモン吸収率とする。
【００２７】
金属層１３の厚さは１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電部材１０では、金属層１３の厚さを１０ｎｍ以下とすることにより、金属層１３に金属本来の反射が生じ難くなる。さらに、金属層１３の厚さが１０ｎｍ以下であると、第１誘電体層１２及び第２誘電体層１４による、透明導電部材１０の光学アドミッタンスが調整しやすく、導通領域１６表面での光の反射の抑制が容易となる。金属層１３の厚さは、エリプソメーターを用いた測定で求めることができる。
【００２８】
金属層１３は、いずれの方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法で形成された層であることが好ましい。真空蒸着法であれば、高温環境に透明基板１１をさらすことがなく、平面性の高い金属層１３を、極めて早く形成することができる。
【００２９】
一方、金属層１３が後述する下地層上に形成された層である場合、金属層１３の形成時に下地層が成長核となるため、金属層１３が平滑な膜になりやすい。その結果、金属層１３が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。
【００３０】
また、金属層１３が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。金属層１３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００３１】
[第１誘電体層、第２誘電体層]
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４は、透明導電部材１０の導通領域１６、つまり金属層１３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電部材１０の導通領域１６に形成される。第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４は、透明導電部材１０の非導通領域１７にも形成されていてもよいが、導通領域１６及び非導通領域１７からなるパターンを視認され難くする観点から、導通領域１６のみに形成され、図２に示すように非導通領域１７からは除去されていることが好ましい。
【００３２】
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４は、赤外線吸収性化合物を含んでいる。
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４に含まれる赤外線吸収性化合物としては、例えば、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、酸化錫、ＡＴＯ、ＩＴＯ、ホウ素化ランタン、及び、ニッケル錯体系化合物等を用いることができる。具体的な商品名としては、酸化亜鉛系として、セルナックスシリーズ（日産化学工業社製）、パゼットシリーズ（ハクスイテック社製）、酸化錫系として、ＡＴＯ分散液、ＩＴＯ分散液（三菱マテリアル製）、ＫＨシリーズ（住友金属鉱山社製）等が挙げられる。
また、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４に含まれる赤外線吸収性化合物としては、有機系として、イモニウム系、フタロシアニン系、アミニウム系化合物を利用することができる。具体的な商品名として、ＮＩＲ−ＩＭ１、ＮＩＲ−ＡＭ１（ナガセケミテックス社製）、Ｌｕｍｏｇｅｎシリーズ（ＢＡＳＦ社製）等が挙げられる。
【００３３】
また、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４には、後述する透明基板１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。なお、屈折率とは、２５℃の環境下で測定した屈折率の値を用いる。また、屈折率は、市販のエリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【００３４】
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又、は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４によって、透明導電部材１０の導通領域１６の光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の屈折率は、含まれる材料の屈折率や、材料の密度で調整される。
【００３５】
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４には、硫化亜鉛、金属酸化物、無機酸化物、硫化亜鉛と金属酸化物の混合物、硫化亜鉛と無機酸化物の混合物、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ガリウムドープト酸化錫（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムドープト酸化亜鉛、アンチモンドープト酸化錫（ＡＴＯ）、アンチモンドープト酸化亜鉛（ＡＺＯ）、インジウムドープト酸化錫（ＩＴＯ）、及び、インジウムドープト酸化亜鉛（ＩＺＯ）等を用いることができる。
【００３６】
硫化亜鉛と共に用いることができる金属酸化物、無機酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、及び、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が挙げられる。上記無機酸化物の中でも、特に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。
【００３７】
また、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４には、金属フッ化物を用いることができる。金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、及び、ＹＦ３等を挙げることができる。
【００３８】
また、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４には、金属窒化物を用いることができる。金属窒化物としては、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化クロム、窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化マグネシウム、窒化モリブデン、窒化リチウム、及び、窒化チタン等を挙げることができる。
【００３９】
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４は、誘電性材料として、少なくとも硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有することが好ましい。第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４が硫化亜鉛を含むことにより、透明基板１１側等からの水分が第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４を透過し難くなり、金属層１３の腐食が抑制される。
【００４０】
また、透明導電部材１０では、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４として、硫化亜鉛と共に、金属酸化物、無機酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物を共蒸着することにより、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４が非晶質になりやすく、透明導電部材１０のフレキシブル性が高まりやすい。
【００４１】
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４において、硫化亜鉛の平均含有量は、この層を構成する材料の総モル数に対して、０．５〜９９質量％の範囲内であることが好ましく、５０〜９５質量％の範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５質量％の範囲内である。硫化亜鉛の比率が高いと共蒸着速度が速くなり、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の形成速度が速くなる。また、硫化亜鉛の比率が高いと屈折率が高くなり、金属層１３での光の吸収を低減することができる。一方、硫化亜鉛以外の成分が多く含まれると、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の非晶質性が高まり、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の割れ（クラック）の発生が抑制される。
【００４２】
第１誘電体層１２の厚さＴＡは、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。同様に、第２誘電体層１４厚さＴＢは、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の厚さが１０ｎｍ以上であると、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４によって、透明導電部材１０の導通領域１６の光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４が形成されている領域の光透過性が低下し難い。第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００４３】
第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４は、共蒸着法により形成することが好ましい。蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
【００４４】
また、第１誘電体層１２が硫化亜鉛を含まない層である場合には、第２誘電体層１４が、硫化亜鉛と、金属酸化物、無機酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物とを共蒸着法により形成した層とすることが好ましい。また、第１誘電体層１２と第２誘電体層１４が、共に、硫化亜鉛と、金属酸化物、無機酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物とを共蒸着法により形成した層であってもよい。
【００４５】
[透明基板]
透明基板１１としては、各種表示デバイスの透明基板に適用されている材料を用いることができる。
【００４６】
透明基板１１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂、等からなる透明樹脂フィルムを用いることができ、ガラスを用いることもできる。透明基板１１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００４７】
高い透明性を達成することができる観点から、適用する透明基板１１としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００４８】
透明基板１１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電部材１０の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００４９】
上記平均透過率は、透明基板１１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１１の平均反射率を測定し、
平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）
として算出する。平均透過率及び平均反射率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定することができる。
【００５０】
透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．３０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．３５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．３５〜１．７０の範囲内である。透明基板１１の屈折率は、通常、透明基板１１の材質によって定まる。透明基板１１の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００５１】
透明基板１１のヘイズ値は、０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電部材としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００５２】
透明基板１１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板１１の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板１１の強度が高まり、第１誘電体層１２の作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、透明基板１１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電部材１０の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電部材１０を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電部材１０を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００５３】
透明基板１１は、各構成層を形成する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いたのち、形成工程で使用することが好ましい。
【００５４】
また、透明基板１１上には、後に形成する第１誘電体層１２の硬度、平滑性、オリゴマー活性防止の観点から、公知のクリアハードコート（ＣＨＣ）層を設けてもよい。また、透明基板１１の裏面の機能の観点から、透明基板１１の裏面にＣＨＣ層を設けてもよい。
ＣＨＣ層として、熱硬化シリコン系、エポキシ系、アクリル系、ポリシラザンを用いることができるが、硬度、平滑性、ヘイズ、上層との密着性が得られれば、どのようなＣＨＣ層を用いてもよいが、生産性、安全性の観点から紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。
ＣＨＣ層の膜厚として、カール、硬度、割れのバランスを考慮して、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。
【００５５】
[その他の構成層]
（下地層）
透明導電部材１０においては、必要に応じて、金属層１３の形成時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、金属層１３より透明基板１１側で、かつ金属層１３に隣接して形成された層であり、この下地層上に直接金属層１３が形成されることが好ましい。
下地層は、少なくとも透明導電部材の導通領域１６に形成されていることが好ましく、透明導電部材１０の非導通領域１７に形成されていてもよい。
【００５６】
透明導電部材１０が下地層を有すると、金属層１３の厚さが薄い場合にも、金属層１３の表面の平滑性が高まる。その理由は以下の通りである。
【００５７】
一般的な真空蒸着法で金属層１３の材料を、例えば、第１誘電体層１２上に蒸着すると、形成初期には、第１誘電体層１２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まった塊（海島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、塊同士の間に未だ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、膜の光透過性が低下する。
【００５８】
これに対し、第１誘電体層１２上にマイグレートし難い金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、金属層１３が成長する。つまり、金属層１３の材料がマイグレートし難くなり、上述の海島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、厚さが薄くとも平滑な金属層１３が得られやすくなる。
【００５９】
下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ若しくはインジウム、又は、これらの金属と他の金属との合金、これらの金属の酸化物や硫化物（例えば、ＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００６０】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と金属層１３との親和性が高まり、下地層と金属層１３との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
【００６１】
一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等を用いることができる。
【００６２】
下地層の厚さは３ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以下であり、特に好ましくは単原子膜である。下地層は、金属原子が互いに離間して被形成面に付着している状態とすることもできる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電部材１０の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚さは、形成速度と形成時間との積から算出される。
【００６３】
下地層は、蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。蒸着法には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の厚さ、及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．０１〜１．５ｎｍ／秒であり、より好ましくは０．０１〜０．７ｎｍ／秒である。
【００６４】
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。さらに、金属膜１３や、第１誘電体層１２、第２誘電体層１４と同時にレーザエッチングされてパターニングされていてもよい。
【００６５】
（低屈折率層）
透明導電部材１０には、第２誘電体層１４上に、透明導電部材１０の導通領域１６の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電部材１０の導通領域１６にのみ形成されていてもよく、透明導電部材１０の導通領域１６及び非導通領域１７の両方に形成されていてもよい。
【００６６】
低屈折率層には、第１誘電体層１２及び第２誘電体層１４に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導材料より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第１誘電体層１２及び第２誘電体層１４に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【００６７】
[透明導電部材の物性]
透明導電部材１０の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電部材１０を可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
【００６８】
一方、透明導電部材１０の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば、太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電部材１０を適用することができる。
【００６９】
透明導電部材１０の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電部材１０の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電部材１０の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電部材１０の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、上述の平均透過率が高まる。
【００７０】
上記平均透過率、平均吸収率、及び、平均反射率は、透明導電部材１０の使用環境下で測定した平均透過率、平均吸収率、及び、平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電部材１０が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電部材１０上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。一方、透明導電部材１０が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電部材１０の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、［１００−（透過率＋反射率）］の計算式により算出される。
【００７１】
また、透明導電部材１０が、図２に示すように導通領域１６及び非導通領域１７を有する場合、導通領域１６の反射率及び非導通領域１７の反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域１６の視感反射率と、非導通領域１７の視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域１６及び非導通領域１７の視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【００７２】
また、透明導電部材１０に導通領域１６及び非導通領域１７が含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【００７３】
透明導電部材１０の導通領域１６の表面電気抵抗は、５０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／ｓｑ．以下である。導通領域１６の表面電気抵抗値が５０Ω／ｓｑ．以下である透明導電部材１０は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域１６の表面電気抵抗値は、金属層１３の厚さ等によって調整される。導通領域１６の表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【００７４】
〈２．透明導電部材の実施形態（第２実施形態）〉
次に、透明導電部材の第２実施形態について説明する。図３及び図４に第２実施形態の透明導電部材の概略構成（断面図）を示す。なお、図４は、図３に示す実施形態の変形例である。
【００７５】
［透明導電部材の基本的な構成］
図３に示す第２実施形態の透明導電部材２０は、第１誘電体層１２、第１硫化防止層１８、金属層１３、及び、第２誘電体層１４をこの順で積層した構成を有している。そして、透明導電部材２０が透明基板１１上に設けられている。
【００７６】
また、図４に示す第２実施形態の変形例の透明導電部材２０Ａは、第１誘電体層１２、第１硫化防止層１８、金属層１３、第２硫化防止層１９、及び、第２誘電体層１４をこの順で積層した構成を有している。そして、透明導電部材２０Ａが透明基板１１上に設けられている。
【００７７】
上述の透明導電部材２０，２０Ａにおいては、第１硫化防止層１８、第２硫化防止層１９を備えることを除き、上述の第１実施形態の透明導電部材と同様の構成を適用することができる。このため、以下の説明では、第１硫化防止層１８、及び、第２硫化防止層１９に係わる構成のみを説明し、その他の構成の説明を省略する。
【００７８】
なお、第２実施形態の透明導電部材２０，２０Ａにおいても、上述の図２に示すように、金属層１３が連続形成された導通領域１６と、金属層１３が形成されてない非導通領域１７とによる、所望の導電層のパターンを形成することができる。このとき、非導通領域１７では、第１誘電体層１２、金属層１３、及び、第２誘電体層１４とともに、第１硫化防止層１８、及び、第２硫化防止層１９も除去されていることが好ましい。
【００７９】
［第１硫化防止層］
透明導電部材２０，２０Ａにおいて、第１誘電体層１２又は第２誘電体層１４は、硫化亜鉛を含有することが好ましい。このため、例えば、第１誘電体層１２が硫化亜鉛を含有する層である場合、図３に示すように、第１誘電体層１２と金属層１３との間に第１硫化防止層１８を形成することが好ましい。第１硫化防止層１８は、透明導電部材２０，２０Ａの非導通領域にも形成されていてもよいが、導通領域１６及び非導通領域からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域１６のみに形成されていることが好ましい。
【００８０】
第１硫化防止層１８は、金属酸化物、無機酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、又は、Ｚｎを含む層として構成することができる。第１硫化防止層１８には、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよいが、亜鉛金属元素を含む化合物を含有することが好ましい。ただし、第１誘電体層１２と、第１硫化防止層１８と、金属層１３とが連続的に形成される場合には、硫黄と反応可能、又は、硫黄を吸着可能な化合物により第１硫化防止層１８が形成されていることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
【００８１】
第１硫化防止層１８に適用可能な金属酸化物、無機酸化物、金属窒化物、金属フッ化物としては、上記第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４の説明において記載した、金属酸化物、金属窒化物、及び、金属フッ化物と同様の化合物を挙げることができる。特に、Ｚｎ、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープの酸化亜鉛）であることが好ましい。
【００８２】
ここで、第１硫化防止層１８の厚さは、金属層１３の形成時の衝撃から、第１誘電体層１２の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、第１誘電体層１２に含まれ得る硫化亜鉛は、金属層１３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層１８の厚さが非常に薄く、第１誘電体層１２の一部が僅かでも露出していると、当該露出部分を中心に金属層１３が成長し、金属層１３が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層１８は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１０ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは１〜５ｎｍの範囲内である。第１硫化防止層１８の厚さは、エリプソメーターを用いて測定することができる。
【００８３】
第１硫化防止層１８は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相形成法で形成することができるが、特に真空蒸着法を適用することが好ましい。
【００８４】
第１硫化防止層１８が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１硫化防止層１８は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。さらに、金属膜１３や、第１誘電体層１２、第２誘電体層１４と同時にレーザエッチングされてパターニングされていてもよい。
【００８５】
［第２硫化防止層］
第２誘電体層１４が、少なくとも硫化亜鉛を含有する層である場合には、図４に例示するように、金属層１３と第２誘電体層１４との間に第２硫化防止層１９が形成された構成であることが好ましい。
【００８６】
第２硫化防止層１９は、透明導電部材１０の非導通領域にも形成されていてもよいが、導通領域１６及び非導通領域からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域１６のみに形成されていることが好ましい。
【００８７】
第２硫化防止層１９は、上述の第１硫化防止層１８と同様の構成材料及び構成方法を適用することができる。
【００８８】
第２硫化防止層１９の厚さは、第２誘電体層１４の形成時の衝撃から、金属層１３の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、金属層１３に含まれる金属と、第２誘電体層１４に含まれる硫化亜鉛は親和性が高いため、第２硫化防止層１９の厚さが非常に薄く、金属層１３の一部が僅かでも露出していると、金属層１３や第２硫化防止層１９と第２誘電体層１４との密着性が高まりやすい。従って、第２硫化防止層１９の具体的な厚さは０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第２硫化防止層１９の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００８９】
〈３．透明導電部材の製造方法（第３実施形態）〉
次に、上述の実施形態の透明導電部材の製造方法について説明する。
透明導電部材は、公知の真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、及び、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法を用いて作製することができる。また、グラビアコートやダイコート等の一般的な塗布液相法を用いて作製することもできる。
【００９０】
第１誘電体層１２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１誘電体層１２は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。
【００９１】
スパッタ法では、成膜時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく、金属層１３の光透過性が高まりやすい。また、金属層１３がスパッタ法により成膜された膜であると、金属層１３が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等でありうる。金属層１３は、特に対向スパッタ法で成膜された膜であることが好ましい。金属層１３が、対向スパッタ法で成膜された膜であると、金属層１３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、金属層１３の表面電気抵抗がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。
電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。
【００９２】
透明導電部材は、生産効率の観点から、連続した工程で製造する方法が好ましい。
図５に、連続したオンライン工程で透明導電部材を製造するための、透明導電部材の製造フローの一例を示す。以下に、図５に示す製造フローを用いた、透明導電部材の製造方法について説明する。
【００９３】
図５に示す製造フローでは、上述の図４に示す第２実施形態の変形例の透明導電部材２０Ａにおいて、透明基板１１上に、第１誘電体層１２、第１硫化防止層１８、金属層１３、第２硫化防止層１９、第２誘電体層１４をこの順で積層する製造方法について説明する。
【００９４】
図５に示す製造フローでは、工程１において、真空蒸着室２１で透明基板１１上に第１誘電体層１２を形成する。
また、工程２において、真空蒸着室２１で第１誘電体層１２上に第１硫化防止層１８を形成する。
工程３において、真空蒸着室２１で第１硫化防止層１８上に金属層１３を形成する。
工程４において、真空蒸着室２１で金属層１３上に第２硫化防止層１９を形成する。
そして、工程５において、真空蒸着室２１で第２硫化防止層１９上に第２誘電体層１４を形成する。
【００９５】
工程１では、第１の抵抗加熱ボート２２に誘電性材料、例えば、硫化亜鉛を装填し、第２の抵抗加熱ボート２３に赤外線吸収材料、金属酸化物、無機酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物、例えば、ＳｉＯ２を装填する。そして、各ターゲットを通電加熱して、連続搬送されている透明基板１１上に、共蒸着法により第１誘電体層１２を形成する。
このとき、各抵抗加熱ボート（第１の抵抗加熱ボート２２、第２の抵抗加熱ボート２３）の加熱条件及び蒸着速度を制御することにより、硫化亜鉛と金属酸化物、無機酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物の比率や層内における比率を調整することができる。
【００９６】
次に、工程２では、抵抗加熱ボート２４に第１硫化防止層１８の形成材料、例えば、ＺｎＯを装填する。そして、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている透明基板１１の第１誘電体層１２上に、第１硫化防止層１８を形成する。
【００９７】
次に、工程３では、抵抗加熱ボート２５に金属層１３の形成材料、例えば、Ａｇを装填する。そして、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている透明基板１１の第１硫化防止層１８上に、金属層１３を形成する。この時、工程３においては、金属層１３を銀で形成し、銀層の形成速度を０．３ｎｍ／秒以上とすることが好ましい。
更に高い生産性を実現する観点からは、形成速度が０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。蒸着法は、スパッタ法に対し、極めて高い生産効率を有していることが特徴である。
【００９８】
なお、形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）は、以下のように求める。
図５に示す工程３において、蒸発源として、抵抗加熱ボート２５に金属層１３の形成材料を装填する。そして、この蒸発源の真上にモニターガラスを配置し、モニターガラスを動かさないように静置した状態で、モニターガラス上に金属層を形成する。このとき、金属層の形成に要した形成時間（秒）と、モニターガラス上に形成された金属層の層厚とを測定する。測定された属層の層厚（ｎｍ）／形成時間(秒)により、形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）を算出する。
【００９９】
次に、工程４では、抵抗加熱ボート２６に第２硫化防止層１９の形成材料、例えば、ＺｎＯを装填する。そして、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている透明基板１１の金属層１３上に、第２硫化防止層１９を形成する。
【０１００】
最後に、工程５では、第１の抵抗加熱ボート２７に誘電性材料、例えば、硫化亜鉛を装填し、第２の抵抗加熱ボート２８には金属酸化物、無機酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物、例えば、ＳｉＯ２を装填する。そして、各ターゲットを通電加熱して、連続搬送されている透明基板１１の第２硫化防止層１９上に、共蒸着法により第２誘電体層１４を形成する。
このとき、各抵抗加熱ボート（第１の抵抗加熱ボート２７、第２の抵抗加熱ボート２８）の加熱条件及び蒸着速度を制御することにより、硫化亜鉛と金属酸化物、無機酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物の比率や層内における比率を調整することができる。
【０１０１】
以上のような工程を経て、図４に示す透明導電部材２０Ａを製造することができる。
なお、上記の製造フローでは、一例として、抵抗加熱ボートを用いた蒸着法について説明したが、例えば、電子ビーム等を用いた他の蒸着法を適用してもよい。
また、上述の製造方法と同様にして、図１，２に示す第１実施形態の透明導電部材や、図３に示す第２実施形態の透明導電部材を製造することもできる。
【０１０２】
上述の図５に示す工程において、金属層１３を形成する工程３の真空蒸着室２１の圧力Ｐ３は、第１誘電体層１２を形成する工程１の真空蒸着室２１の圧力Ｐ１や、第２誘電体層１４を形成する工程５の真空蒸着室２１の圧力Ｐ５よりも高く設定することが好ましい。金属層１３を形成する工程３の圧力Ｐ３を、第１誘電体層１２及び第２誘電体層１４を形成する圧力Ｐ１，Ｐ５よりも高く設定することにより、工程１や工程５における硫黄成分の、金属層１３を形成する工程３への流入を防止することができる。
【０１０３】
さらには、第１誘電体層１２を形成する工程１の真空蒸着室２１の圧力Ｐ１、第１硫化防止層１８を形成する工程２の真空蒸着室２１の圧力Ｐ２、金属層１３を形成する工程３の真空蒸着室２１の圧力Ｐ３、第２硫化防止層１９を形成する工程４の真空蒸着室２１の圧力Ｐ４、及び、第２誘電体層１４を形成する工程５の真空蒸着室２１の圧力Ｐ５は、
圧力Ｐ１＜圧力Ｐ２＜圧力Ｐ３＞圧力Ｐ４＞圧力Ｐ５
の関係を維持することが好ましい。この関係を維持することにより、金属層１３を形成する工程３への硫黄成分の流入を、さらに効率的に防止することができる。
【０１０４】
また、上述の透明導電部材２０Ａの製造工程においては、形成時の透明基板１１の温度上昇を抑制し、−２０〜６５℃の範囲で温度制御することができる冷却システムを備えていることが好ましい。
【０１０５】
また、各真空蒸着室内の圧力としては、１×１０−４〜１×１０−３Ｐａの範囲内とすることが好ましい。また、各工程には、所望の層厚となるように層厚モニターで、オンラインで監視することが好ましい。
【０１０６】
なお、第１誘電体層１２及び第１誘電体層１４の作製方法としては、上述の気相成膜法の他にも、塗布液相法を適用することもできる。塗布液相法としては、例えば、ワイヤーバーによるコーティング、スピンコーティング、ディップコーティングによる塗布等を適用することができる。また、ダイコーター、グラビアコーター、コンマコーターなどの連続塗布装置でも塗布・製膜することが可能である。
【０１０７】
［電極パターンを有する透明導電部材の形成方法］
次に、上述の各実施形態の透明導電部材に対し、図２で示すような導通領域１６、及び、非導通領域１７からなるパターンの形成方法について説明する。
【０１０８】
上述の各実施形態の透明導電部材１０，２０，２０Ａの導通領域１６、及び、非導通領域１７のパターンは、透明導電部材１０，２０，２０Ａにレーザ光を照射することにより形成する。
上述の各実施形態の透明導電部材１０，２０，２０Ａでは、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４は、赤外線吸収性化合物を含んでいる。このため、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４に含まれる赤外線吸収性化合物に対応する波長のレーザを用いることにより、金属層１３と同じ工程において、第１誘電体層１２、及び、第２誘電体層１４をエッチングすることができる。
【０１０９】
このため、第１実施形態の第１誘電体層１２、金属層１３、及び、第２誘電体層１４の３層構造の透明導電部材１０、さらに、第２実施形態の硫化防止層を含む３層以上の積層構造の透明導電部材２０，２０Ａにおいても、一度の工程で金属層１３を含むすべての層のエッチングが可能となる。従って、透明導電部材のパターンエッチングを１工程で行なうことができ、透明導電部材の生産性を高めることができる。
【０１１０】
透明導電部材１０，２０，２０Ａの導通領域１６、及び、非導通領域１７のパターンを形成するレーザとしては、ＣＯ２レーザ、ＹＶＯレーザ、Ｎｅ−ＹＡＧレーザ、Ｎｄ−ＹＶＯ４レーザ等が挙げられる。特に、高出力で安定したレーザを安価に得られることから、Ｎｅ−ＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）を使用することが好ましい。
【０１１１】
〈４．電子デバイス〉
［透明導電部材の適用分野］
上記構成からなる透明導電部材は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々な電子デバイス、オプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく適用することができる。
【０１１２】
透明導電部材を各種電子デバイスに適用する場合、透明導電部材の表面、例えば、透明導電部材が透明基板上に設けられている場合には、この透明基板の裏面側（透明導電部材が形成されていない側）の面、或いは、透明基板を備えていない場合には、第１誘電体層の露出面が、接着層等を介して他の部材と貼り合わせられてもよい。
この場合には、上述のように、接着層のアドミッタンス座標と、接着層により貼り合わされる透明導電部材側の表面の等価アドミッタンス座標とが、それぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電部材と接着層との界面での反射が抑制される。
一方、透明導電部材の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、空気のアドミッタンス座標と、透明導電部材の表面のアドミッタンス座標とが、それぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電部材と空気との界面での光の反射が抑制される。
【０１１３】
以下、上述の各実施形態の透明導電部材が適用される電子デバイスの一例として、透明導電部材をタッチパネルに適用した例について説明する。図６に、電極パターンを有する透明導電部材を具備したタッチパネルの構成の一例を示す。
【０１１４】
図６に示すタッチパネル３０は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル３０は、第１透明基板３１の一主面上に、パターン形成された第１透明導電部材３３、及び、第２透明基板３２の一主面上に、パターン形成された第２透明導電部材３４がこの順に配置されている。そして、第２透明基板３２及び第２透明導電部材３４の上部が前面板３５で覆われている。
第１透明導電部材３３、及び、第２透明導電部材３４には、上述の第１実施形態及び第２実施形態に示す、導通領域と非導通領域とにより所望の金属層のパターンを有する各透明導電部材を適用することができる。
このように、透明基板を介して所望のパターンに形成された透明導電部材を積層することにより、タッチパネルを構成することができる。
【実施例】
【０１１５】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。また、以下の説明では、各試料の構成要件の後の括弧内に、上述の図２及び図５に示した各構成と対応する符号を記載している。【０１１６】
〈透明導電部材の作製〉
試料１０１〜１２１の各透明導電部材を作製した。以下に、試料１０１〜１２１の各透明導電部材体の構成、及び、作製手順を示す。また、表１に、試料１０１〜１２１の透明導電部材の構成、及び、試料１０１〜１２１の透明導電部材の評価を示す。【０１１７】
［試料１０１の透明導電部材の作製］
透明基板（１１）として両面ハードコートが形成されたポリエチレンテレフタレート（略称：ＣＨＣ−ＰＥＴ、きもと社製）フィルムを準備した。そして、このＣＨＣ−ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、蒸着法により第１誘電体層（１２）（ＺｎＳ−ＩＴＯ）／金属層（１３）（Ａｇ）／第２誘電体層（１４）（ＺｎＳ−ＩＴＯ）をこの順に積層した。そして、形成した各層を下記の方法でパターニングして、上述の図６に示す配線と同様のパターンを有する試料１０１の透明導電部材をバッチ方式で作製した。
なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０１１８】
（第１誘電体層（ＺｎＳ−ＩＴＯ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製の第１の抵抗加熱ボート（２２）にＺｎＳを、モリブデン製の第２の抵抗加熱ボート（２３）にＩＴＯを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（２２）及び第２の抵抗加熱ボート（２３）に通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＩＴＯの体積比率が９９：１となる条件、及び、形成速度０．３ｎｍ／秒、形成時間１２０秒の条件でＣＨＣ−ＰＥＴフィルム上に共蒸着した。これにより、層厚が３６ｎｍの第１誘電体層（１２）を形成した。
なお、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ）を用いて測定した結果、第１誘電体層におけるＺｎＳとＩＴＯの体積比率は９９：１であることを確認した。【０１１９】
（金属層（Ａｇ）の形成）
次に、第１誘電体層（１２）を形成したＣＨＣ−ＰＥＴフィルムを、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボート（２５）にＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。そして、抵抗加熱ボート（２５）に通電加熱し、形成時間が６秒の条件で第１誘電体層上に真空蒸着して、層厚が７．７ｎｍの金属層（１３）を形成した。この時の形成速度は、下記の方法により測定した結果、２．７ｎｍ／秒であった。【０１２０】
形成速度は、図５に示す工程３において、蒸発源として、抵抗加熱ボート（２５）にＡｇを装填し、その蒸発源の真上にモニターガラスを配置し、モニターガラスを固定して移動させない状態で金属層を形成した。薄膜形成に要した形成時間が２．８５秒で、モニターガラス上に形成された金属層の層厚は７．７ｎｍであった。以上の測定結果より、金属層の層厚（ｎｍ）／形成時間(秒)＝７．７（ｎｍ）／２．８５（秒）より、形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）が２．７（ｎｍ／秒）であると算出した。【０１２１】
（第２誘電体層（ＺｎＳ−ＩＴＯ）の形成）
次に、金属層（１３）まで形成したＣＨＣ−ＰＥＴフィルムを、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の第１の抵抗加熱ボート（２７）にＺｎＳを、モリブデン製の第２の抵抗加熱ボート（２８）にＩＴＯを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（２７）及び第２の抵抗加熱ボート（２８）に通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＩＴＯの体積比率が９９：１となる条件、及び、形成速度０．３７ｎｍ／秒、形成時間１２０秒の条件で共蒸着して、層厚が４４ｎｍの第２誘電体層（１４）を形成した。【０１２２】
（透明導電部材のパターニング）
次に、形成した第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）に、レーザエッチングを行ない、透明基板（１１）が露出する非導通領域（１７）と、第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）が残存した通電領域（１６）からなる電極パターンを形成した。
このときのエッチング条件は、レーザ光波長１０６４ｎｍ、レーザ出力５Ｗ、レーザ径６０μｍ、周波数３０ｋＨｚの設定でレーザ光を照射し、透明基板（１１）の搬送速度を５００ｍｍ/秒とした。
また、ライン状の非導通領域（１７）の幅は１６μｍとした。
以上の工程により試料１０１の透明導電部材を作製した。【０１２３】
［試料１０２〜１０４の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）に含まれるＩＴＯ（赤外線吸収性化合物）の比率を表１に記載のように変更した以外は、上述の試料１０１の透明導電部材の作製と同様の方法を用いて試料１０２〜１０４の透明導電部材を作製した。【０１２４】
［試料１０５の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）を作製する工程において、第１の抵抗加熱ボート（２２，２７）にＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が９９：１なるように混合して装填し、第２の抵抗加熱ボート（２３，２８）にＩＴＯを装填し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２とＩＴＯとの体積比率が９９：１となる条件で、形成速度が４．３ｎｍ／秒、形成時間が１０秒で形成した。それ以外は試料１０１の透明導電部材の作製と同様の方法で、第１誘電体層（１２）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＩＴＯ）／金属層（１３）（Ａｇ）／第２誘電体層（１４）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＩＴＯ）の層構成を有する試料１０５の透明導電部材の作製を作製した。【０１２５】
［試料１０６，１０７の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）に含まれるＩＴＯの比率を表１に記載のように変更した以外は、上述の試料１０５の透明導電部材の作製と同様の方法を用いて試料１０６，１０７の透明導電部材を作製した。【０１２６】
［試料１０８の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）を構成するＺｎＳを、ＧＺＯに変更した以外は、上述の試料１０２の透明導電部材の作製と同様の方法により、試料１０８の透明導電部材を作製した。【０１２７】
［試料１０９の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）を構成するＺｎＳを、ＺｎＯに変更した以外は、上述の試料１０２の透明導電部材の作製と同様の方法により、試料１０９の透明導電部材を作製した。【０１２８】
［試料１１０の透明導電部材の作製］
試料１０１の透明導電部材の作製において、第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）の作製を以下の方法に変更した。
ＣＨＣ−ＰＥＴフィルム上に第１誘電体層（１２）として、ＰＣ２００（酸化チタン膜形成剤、マツモトファインケミカル）にＩＴＯ微粒子（三菱マテリアル電子化成社製）を１％になるように混合し、乾燥膜厚３０ｎｍになるように塗布形成し、乾燥オーブンにて１００℃、２分間乾燥させた。
さらに、ＩＴＯ含有酸化チタン層上に、試料１０１の透明導電部材と同様の方法でＺｎＳ−ＩＴＯを３ｎｍ作製した。
これにより、ＩＴＯ含有酸化チタン層とＺｎＳ−ＩＴＯとからなる第１誘電体層（１２）を作製した。【０１２９】
次に、試料１０１の透明導電部材と同様の方法で金属層（１３）を形成した後、ＩＴＯ微粒子を１％混合したＰＣ２００を４０ｎｍになるように形成した以外は、上記第１誘電体層（１２）と同様の方法によりＩＴＯ含有酸化チタン層とＺｎＳ−ＩＴＯとからなる第２誘電体層（１４）を作製した。【０１３０】
［試料１１１，１１２の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）に含まれるＩＴＯの濃度を表１に記載されているように変更した以外は、上述の試料１１０の透明導電部材と同様の方法で試料１１１，１１２の透明導電部材を作製した。【０１３１】
［試料１１３の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）の作製に用いた材料を、ＰＣ２００からＸＪＡ−０２９１Ｃ（酸化チタン粒子分散紫外線硬化樹脂組成物、ペルノックス株式会社）に変更し、乾燥後に照度１５０ｍＷ、光量１００ｍＪの紫外線を５秒間照射で作製した以外は、上述の試料１１１の透明導電部材と同様の方法で試料１１３の透明導電部材を作製した。【０１３２】
［試料１１４の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）の作製に用いた材料を、ＰＣ２００からＸＪＡ−０２８３（酸化ジルコニア粒子分散紫外線硬化樹脂組成物、ペルノックス株式会社）に変更した以外は、上述の試料１１３の透明導電部材と同様の方法で試料１１４の透明導電部材を作製した。【０１３３】
［試料１１５の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）に含まれるＩＴＯを、ＡＴＯに変更した以外は、上述の試料１０２の透明導電部材の作製と同様の方法により、試料１１５の透明導電部材を作製した。【０１３４】
［試料１１６の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）に含まれるＩＴＯを、ＡＴＯに変更した以外は、上述の試料１０６の透明導電部材の作製と同様の方法により、試料１１６の透明導電部材を作製した。【０１３５】
［試料１１７の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）に含まれるＩＴＯを、ＡＴＯに変更した以外は、上述の試料１１１の透明導電部材の作製と同様の方法により、試料１１７の透明導電部材を作製した。【０１３６】
［試料１１８の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）に含まれるＩＴＯを、ＴＸ−ＥＸ−９０２Ｋ（日本触媒社製）に変更し、ＴＸ−ＥＸ−９０２Ｋの含有量を５％とした以外は、上述の試料１１０の透明導電部材の作製と同様の方法により、試料１１８の透明導電部材を作製した。【０１３７】
［試料１１９の透明導電部材の作製］
透明基板（１１）（ＣＨＣ−ＰＥＴフィルム）上に、下記のスパッタ法により第１誘電体層（１２）（ＺｎＳ−ＩＴＯ）／金属層（１３）（Ａｇ）／第２誘電体層（１４）（ＺｎＳ−ＩＴＯ）を順に積層した。【０１３８】
（第１誘電体層（ＺｎＳ）の形成）
大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用いて、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度０．３．ｎｍ／秒の条件により、ＺｎＳターゲットとＩＴＯターゲットを８５：１５の体積比になるように並列させてＲＦスパッタを行い、層厚が２８ｎｍの第１誘電体層（１２）を形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。【０１３９】
（金属層（Ａｇ）の形成）
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用いて、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度１．４ｎｍ／ｓの条件により、Ａｇを対向スパッタして、層厚が７．３ｎｍの金属層（１３）を形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。【０１４０】
（第２誘電体層（ＺｎＳ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用いて、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度０．２ｎｍ／ｓの条件により、ＺｎＳターゲットとＩＴＯターゲットを８５：１５の体積比になるように並列させてＲＦスパッタを行い、層厚が３６ｎｍの第２誘電体層（１４）を形成した。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４１】
（透明導電部材のパターニング）
次に、上述の試料１０１と同様の方法により、第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）に、レーザエッチングを行なった。
以上の工程により試料１１９の透明導電部材を作製した。【０１４２】
［試料１２０の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）をＺｎＳのみで形成し、ＩＴＯを含まないようにした以外は、試料１０１と同様の方法で第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）を作製した。
そして、以下の方法により、形成した第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）にパターニングを行なった。【０１４３】
（透明導電部材のパターニング）
まず、レジスト層を形成する前に、第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）に超音波洗浄処理を行った。洗浄液として、花王社製の洗剤「クリンスル―３０３０（１０％）」を用いて、超音波洗浄処理を、２５℃で４分間行った。次に、２５℃の純水で水洗を５回行った後、２５℃の純水にて超音波洗浄を４分間で２回行った。最後に、スピンコータで水を飛散させたのち、オーブンで乾燥させた。【０１４４】
次に、洗浄した第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）上に、レジストとして、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢをスピンコーティング法により、２０００ｒｐｍで３０秒間の塗布、乾燥を行い、厚さ１μｍのレジスト層を形成した。【０１４５】
次に、マスクを介して、６０ｍＪの条件で紫外線を照射し、現像液として、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ−１」（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて現像した。【０１４６】
次に、エッチング液として関東化学社製の「ＩＴＯシリーズ」を用い、透明基板が露出する非導通領域（１７）と、第１誘電体層（１２）、金属層（１３）、及び、第２誘電体層（１４）が残存した通電領域（１６）からなる電極パターンを形成した。
また、ライン状の非導通領域（１７）の幅は１６μｍとした。
最後に、アセトンを用いて、残留しているレジスト層を剥離して、配線を有する電極パターンを形成した。【０１４７】
［試料１２１の透明導電部材の作製］
第１誘電体層（１２）、及び、第２誘電体層（１４）をＺｎＳのみで形成し、ＩＴＯを含まないようにした以外は、試料１０１と同様の方法で試料１２１の透明導電部材を作製した。【０１４８】
［透明導電部材の評価］
上記のように作製した試料１０１〜１２１の各透明導電部材について、レーザ光波長１０６４ｎｍの吸収率を測定した。
また、試料１０１〜１２１の各透明導電部材のパターニングを行なう前（エッチング前）と、パターニングを行なった後（エッチング後）について、下記の各特性値の測定及び評価を行った。
各試料の評価結果を表１に示す。【０１４９】
（シート抵抗値の測定）
各試料の透明導電部材に、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計「ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−２５６０」を接触させて、導電領域（１６）のシート抵抗値（Ω／ｓｑ．）を測定した。【０１５０】
（平均透過率・レーザ光波長１０６４ｎｍの吸収率の測定）
各試料の透明導電部材について、以下の方法に従って平均透過率を測定した。
各試料の透明導電部材の第２誘電体層（１４）側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製  屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電部材とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、４００〜１２００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）を測定した。
このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜１２００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の透過率を測定した。
さらに、波長１０６４のときの測定値から、各試料のレーザ光波長１０６４ｎｍの吸収率（％）を測定した。【０１５１】
（ヘイズの測定）
各試料の透明導電部材について、ＮＤＨ７０００(日本電色工業社製)を用い、第２誘電体層（１４）を光入射側に向けて、ヘイズを測定した。【０１５２】
【表１】
2015151677.tif 000003
【０１５３】
表１に記載の結果から明らかなように、第１誘電体層、及び、第２誘電体層に赤外線吸収性化合物を有する試料１０１〜１１９の透明導電部材は、１０６４ｎｍレーザにおいて吸収を有している。このため、該レーザにおいて所望のエッチングが可能であり、透過率、抵抗値、ヘイズが良好となることが分かる。【０１５４】
一方、第１誘電体層、及び、第２誘電体層に赤外線吸収性化合物を有していない試料１２０、試料１２１の透明導電部材は、１０６４ｎｍレーザにおいて吸収を有していない。このため、試料１２１の透明導電部材は、レーザエッチングが良好に行なわれず、エッチング後の各評価の測定が行えなかった。
さらに、ウェットエッチングを行なった試料１２０においても、エッチングが良好に行なわれず、エッチング後の各評価の測定が行えなかった。【０１５５】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０１５６】
１０,２０,２０Ａ・・・透明導電部材、１１・・・透明基板、１２・・・第１誘電体層、１３・・・金属層、１４・・・第２誘電体層、１５・・・開口部、１６・・・導通領域、１７・・・非導通領域、１８・・・第１硫化防止層、１９・・・第２硫化防止層、２１・・・真空蒸着室、２２,２７・・・第１の抵抗加熱ボート、２３,２８・・・第２の抵抗加熱ボート、２４,２５,２６・・・抵抗加熱ボート、３０・・・タッチパネル、３１・・・第１透明基板、３２・・・第２透明基板、３３・・・第１透明導電部材、３４・・・第２透明導電部材、３５・・・前面板
【図１】
2015151677.tif 000004
【図２】
2015151677.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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