(57)【要約】本発明にかかる電磁波測定装置は、電磁波出力器と、電磁波検出器とを備える。電磁波出力器は、複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する。電磁波検出器は、試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する。さらに、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された透過電磁波に基づき、糊による接合が良好か否かを判定する。【選択図】          図３
2015163298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、
前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出器と、
を備え、
検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する、
電磁波測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電磁波測定装置であって、
前記透過電磁波がパルスである、
電磁波測定装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電磁波測定装置であって、
検出された前記透過電磁波の時間波形に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する、
電磁波測定装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電磁波測定装置であって、
検出された前記透過電磁波の時間波形のピークに基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する、
電磁波測定装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電磁波測定装置であって、
検出された前記透過電磁波の時間波形のピークが閾値未満の場合に、前記糊による接合が良好であると判定する、
電磁波測定装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電磁波測定装置であって、
前記閾値は、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの時間波形のピーク未満に定められている、
電磁波測定装置。
【請求項７】
請求項３に記載の電磁波測定装置であって、
検出された前記透過電磁波の時間波形がピークをとる時間に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する、
電磁波測定装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電磁波測定装置であって、
検出された前記透過電磁波の時間波形がピークをとる時間が閾値よりも遅い場合に、前記糊による接合が良好であると判定する、
電磁波測定装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電磁波測定装置であって、
前記閾値は、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの時間波形がピークをとる時間よりも後に定められている、
電磁波測定装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の電磁波測定装置であって、
検出された前記透過電磁波の周波数スペクトルに基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する、
電磁波測定装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電磁波測定装置であって、
検出された前記透過電磁波の周波数スペクトルにおける所定の周波数に対応する周波数成分値に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する、
電磁波測定装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電磁波測定装置であって、
前記周波数成分値が吸光度であり、前記周波数成分値が閾値以上の場合に、前記糊による接合が良好であると判定する、
電磁波測定装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電磁波測定装置であって、
前記閾値は、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの周波数スペクトルにおける前記所定の周波数に対応する値よりも大きく定められている、
電磁波測定装置。
【請求項１４】
請求項１１に記載の電磁波測定装置であって、
前記周波数成分値が位相遅延であり、前記周波数成分値が閾値以上の場合に、前記糊による接合が良好であると判定する、
電磁波測定装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電磁波測定装置であって、
前記閾値は、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの周波数スペクトルにおける前記所定の周波数に対応する値よりも大きく定められている、
電磁波測定装置。
【請求項１６】
請求項１１に記載の電磁波測定装置であって、
前記周波数成分値が群遅延であり、前記周波数成分値が閾値未満の場合に、前記糊による接合が良好であると判定する、
電磁波測定装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電磁波測定装置であって、
前記閾値は、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの周波数スペクトルにおける前記所定の周波数に対応する値よりも小さく定められている、
電磁波測定装置。
【請求項１８】
複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力工程と、
前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出工程と、
検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程と、
を備えた電磁波測定方法。
【請求項１９】
複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出器とを備えた電磁波測定装置を用いた測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記測定処理は、
検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程を備えたプログラム。
【請求項２０】
複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出器とを備えた電磁波測定装置を用いた測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータによって読み取り可能な記録媒体であって、
前記測定処理は、
検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程を備えた記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層構造を有する試料について、電磁波（周波数が0.01[THz]以上100[THz]以下）（例えば、テラヘルツ波（例えば、周波数が0.03[THz]以上10[THz]以下））を使用して、２層以上の試料（例えば、紙、フィルムなど）を測定することに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、検体間の接合を行う際、糊の塗布不良や、界面への空気の混入により、目視では検査困難な接合不良が生じる。従来の非接触での接合不良の検査法の一例として、近赤外線を用いた透過測定がある。近赤外線ビームを検体に照射し、糊による透過光強度変化をモニタし、接合不良を検出することが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−０２８６１８号公報
【特許文献２】国際公開第２００９／０５０８３０号
【特許文献３】特開２００８−０７６１５９号公報
【発明の概要】
【０００４】
しかしながら、検体または糊の厚さまたは種類によって透過強度が減少すると、接合不良の検出が困難となる。
【０００５】
そこで、本発明は、検体または糊の厚さまたは種類による透過強度の減少を近赤外線を用いた場合よりも低くすることを課題とする。
【０００６】
本発明にかかる電磁波測定装置は、試料（検体を糊で貼り合せたもの）へ入射された0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数の電磁波（例えば、テラヘルツ波）に対する透過波もしくは反射波の、スペクトル、パルス振幅及びパルス遅延時間のいずれか一つ以上をモニタする装置であって、検体に塗布された糊によるスペクトル変化、パルス振幅減衰及びパルス遅延時間変化のいずれか一つ以上をモニタする装置である。
【０００７】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検体もしくはセンサ（電磁波発生器および電磁波検出器）をスキャンすることにより接合不良のマッピング測定を可能としてもよい。
【０００８】
なお、本発明にかかる第一の電磁波測定装置（図１参照）は、電磁波発生器と電磁波検出器とが対向し、電磁波発生器から発生した電磁波が検体を透過した透過波を測定し、透過波の、糊によるスペクトル変化、もしくは透過パルスの振幅減衰、もしくは遅延時間変化をモニタし、接合不良を検出してもよい。
【０００９】
なお、本発明にかかる第二の電磁波測定装置（図２参照）は、検体からの反射波と、検体を透過してからさらに裏面反射ミラーもしくは金属板から反射された透過反射波とを測定し、裏面反射ミラーもしくは金属板からの透過反射波の糊による振幅減衰、もしくは遅延時間変化、もしくはスペクトル変化をモニタし、接合不良を検出してもよい。
【００１０】
なお、本発明にかかる第二の電磁波測定装置（図２参照）は、検体の表面反射率および界面反射率を考慮して規格化した裏面反射ミラーもしくは金属板からの透過反射波強度をモニタすることにより接合不良を検査してもよい。
【００１１】
なお、本発明にかかる第二の電磁波測定装置（図２参照）は、検体の表面反射率を考慮して規格化した界面反射強度をモニタすることにより接合不良を検出する検査してもよい。
【００１２】
本発明にかかる電磁波測定装置は、複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出器とを備え、検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するように構成される。
【００１３】
上記のように構成された電磁波測定装置によれば、電磁波出力器が、複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する。電磁波検出器が、前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する。さらに、電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する。
【００１４】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記透過電磁波がパルスであるようにしてもよい。
【００１５】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波の時間波形に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００１６】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波の時間波形のピークに基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００１７】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波の時間波形のピークが閾値未満の場合に、前記糊による接合が良好であると判定するようにしてもよい。
【００１８】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記閾値が、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの時間波形のピーク未満に定められているようにしてもよい。
【００１９】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波の時間波形がピークをとる時間に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００２０】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波の時間波形がピークをとる時間が閾値よりも遅い場合に、前記糊による接合が良好であると判定するようにしてもよい。
【００２１】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記閾値が、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの時間波形がピークをとる時間よりも後に定められているようにしてもよい。
【００２２】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波の周波数スペクトルに基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００２３】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、検出された前記透過電磁波の周波数スペクトルにおける所定の周波数に対応する周波数成分値に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００２４】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記周波数成分値が吸光度であり、前記周波数成分値が閾値以上の場合に、前記糊による接合が良好であると判定するようにしてもよい。
【００２５】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記閾値が、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの周波数スペクトルにおける前記所定の周波数に対応する値よりも大きく定められているようにしてもよい。
【００２６】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記周波数成分値が位相遅延であり、前記周波数成分値が閾値以上の場合に、前記糊による接合が良好であると判定するようにしてもよい。
【００２７】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記閾値が、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの周波数スペクトルにおける前記所定の周波数に対応する値よりも大きく定められているようにしてもよい。
【００２８】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記周波数成分値が群遅延であり、前記周波数成分値が閾値未満場合に、前記糊による接合が良好であると判定するようにしてもよい。
【００２９】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記閾値が、前記複数の検体を前記糊で貼り合せないで重ね合せたものを前記電磁波が透過したものの周波数スペクトルにおける前記所定の周波数に対応する値よりも小さく定められているようにしてもよい。
【００３０】
本発明にかかる電磁波測定装置は、複数の検体を糊で貼り合せた試料および該試料の背後に配置された反射体に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料または前記反射体によって反射された電磁波である反射電磁波を検出する電磁波検出器とを備え、検出された前記反射電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するように構成される。
【００３１】
上記のように構成された電磁波測定装置によれば、電磁波出力器が、複数の検体を糊で貼り合せた試料および該試料の背後に配置された反射体に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する。電磁波検出器が、前記試料または前記反射体によって反射された電磁波である反射電磁波を検出する。さらに、電磁波測定装置は、検出された前記反射電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する。
【００３２】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記検体の透過率と、検出された前記反射電磁波の強度と、前記電磁波の強度とに基づき得られた前記糊の透過率に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００３３】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記検体のいずれか一つ以上と前記糊との界面により反射された電磁波の強度と、前記糊の透過率とに基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００３４】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記糊の透過率が閾値未満の場合に、前記糊による接合が良好であると判定するようにしてもよい。
【００３５】
なお、本発明にかかる電磁波測定装置は、前記反射電磁波が検出された時間の差分に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定するようにしてもよい。
【００３６】
本発明は、複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力工程と、前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出工程と、検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程とを備えた電磁波測定方法である。
【００３７】
本発明は、複数の検体を糊で貼り合せた試料および該試料の背後に配置された反射体に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力工程と、前記試料または前記反射体によって反射された電磁波である反射電磁波を検出する電磁波検出工程と、検出された前記反射電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程とを備えた電磁波測定方法である。
【００３８】
本発明は、複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出器とを備えた電磁波測定装置を用いた測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記測定処理は、検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程を備えたプログラムである。
【００３９】
本発明は、複数の検体を糊で貼り合せた試料および該試料の背後に配置された反射体に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料または前記反射体によって反射された電磁波である反射電磁波を検出する電磁波検出器とを備えた電磁波測定装置を用いた測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記測定処理は、検出された前記反射電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程を備えたプログラムである。
【００４０】
本発明は、複数の検体を糊で貼り合せた試料に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料を透過した電磁波である透過電磁波を検出する電磁波検出器とを備えた電磁波測定装置を用いた測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータによって読み取り可能な記録媒体であって、前記測定処理は、検出された前記透過電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程を備えた記録媒体である。
【００４１】
本発明は、複数の検体を糊で貼り合せた試料および該試料の背後に配置された反射体に向けて、0.01[THz]以上100[THz]以下の周波数を有する電磁波を出力する電磁波出力器と、前記試料または前記反射体によって反射された電磁波である反射電磁波を検出する電磁波検出器とを備えた電磁波測定装置を用いた測定処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータによって読み取り可能な記録媒体であって、前記測定処理は、検出された前記反射電磁波に基づき、前記糊による接合が良好か否かを判定する判定工程を備えた記録媒体である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第一の電磁波測定装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第二の電磁波測定装置の構成を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施形態にかかる電磁波測定装置の構成を示す図である。
【図４】本発明の第一の実施形態にかかる電磁波測定装置による測定結果を示すグラフである。
【図５】本発明の第二の実施形態にかかる電磁波測定装置の構成を示す図である。
【図６】本発明の第二の実施形態にかかる電磁波測定装置による測定結果を示すグラフである。
【図７】検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの時間波形（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの時間波形（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。
【図８】検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの吸光度スペクトル（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの吸光度スペクトル（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。
【図９】検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの位相遅延（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの位相遅延（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。
【図１０】検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの群遅延（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの群遅延（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。
【図１１】糊の透過率βによる接合の判定の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
【００４４】
第一の実施形態
図３は、本発明の第一の実施形態にかかる電磁波測定装置の構成を示す図である。図４は、本発明の第一の実施形態にかかる電磁波測定装置による測定結果を示すグラフである。
【００４５】
なお、検体に向けて出力される電磁波の周波数は、テラヘルツ波帯（例えば、0.03[THz]以上10[THz]以下）を含むものである。そこで、本発明の全ての実施形態においては、電磁波の一例として、テラヘルツ波を想定している。
【００４６】
本発明の第一の実施形態にかかる電磁波測定装置は、テラヘルツ波発生器とテラヘルツ波検出器とを有する。
【００４７】
テラヘルツ波の発生器と検出器が対向する配置となっており、発生器と検出器との間に試料（検体１および検体２を糊で貼り合わせたものである）を配置して、試料を透過したテラヘルツ波を検出器により検出して測定を行う。
【００４８】
試料もしくはセンサ（電磁波発生器および電磁波検出器）をスキャンして連続的に測定することにより、接合不良が生じている部位を解析するマッピング解析を行うことが可能である。
【００４９】
発生器から発生したテラヘルツパルスが試料を透過する際、検体及び糊によるパルス振幅の減衰及びパルスの遅延が発生する。
【００５０】
パルス振幅減衰量及びパルス遅延時間（例えば、パルスピーク遅延時間）は糊の塗布量に従って増加するため、これらをモニタして接合不良検出を行う。なお、図４（ｂ）は、試料を透過したテラヘルツパルスの時間波形である。図７は、検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの時間波形（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの時間波形（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。
【００５１】
例えば、図７を参照して、試料を透過したテラヘルツパルスの時間波形のピークが、パルス振幅の閾値未満であれば、糊による接合は良好と判定する。また、試料を透過したテラヘルツパルスの時間波形のピークが、パルス遅延の閾値よりも遅いのであれば、糊による接合は良好と判定する。
【００５２】
試料などを透過したテラヘルツパルスの時間波形のピークは、糊によるパルス振幅の減衰のため、糊有りの方が糊無しと比べて低くなる。よって、パルス振幅の閾値は、糊無しの場合の時間波形のピーク未満に定められている（図７参照）。また、試料などを透過したテラヘルツパルスの時間波形のピークは、糊によるパルスの遅延のため、糊有りの方が糊無しと比べて遅くなる。よって、パルス遅延の閾値は、糊無しの場合の時間波形のピークをとる時間よりも後に定められている（図７参照）。
【００５３】
また、試料を透過したテラヘルツパルスをFFTしたスペクトルのベースラインの変化や吸収ピークをモニタすることにより接合不良の検出が可能である。図４（ａ）は、試料を透過したテラヘルツパルスの吸光度スペクトルである。図８は、検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの吸光度スペクトル（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの吸光度スペクトル（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。
【００５４】
例えば、図８を参照して、試料を透過したテラヘルツパルスの所定の周波数（例えば、1.5THz）における「糊無し」の吸光度に、糊によるテラヘルツパルスの吸収を考慮して、所定量の吸光度を加えた値を閾値とする。この閾値以上の吸光度を、「糊有り」が所定の周波数（例えば、1.5THz）において有していれば、糊による接合は良好と判定する。
【００５５】
パルスピーク遅延時間は、糊の塗布量には依存するが、表面反射による試料内部への進入強度変化には依存しない。このため、検体表面に印刷等で表面反射率の異なるパターンが存在する場合でも、誤差なく接合不良検出が可能である。
【００５６】
なお、パルスピーク遅延時間を、位相遅延及び群遅延で評価することも可能である。図９は、検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの位相遅延（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの位相遅延（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。図１０は、検体１および検体２を単に重ね合せたもの（糊付けしない）を透過したテラヘルツパルスの群遅延（「糊無し」と表記）と、試料を透過したテラヘルツパルスの群遅延（「糊有り」と表記）とを図示したグラフである。
【００５７】
例えば、図９を参照して、試料を透過したテラヘルツパルスの所定の周波数（例えば、0.96THz程度）における「糊無し」の位相遅延（位相シフト）に、糊によるテラヘルツパルスの遅延を考慮して、所定量の位相遅延を加えた値を閾値とする。この閾値以上の位相遅延を、「糊有り」が所定の周波数（例えば、0.96THz程度）において有していれば、糊による接合は良好と判定する。
【００５８】
例えば、図１０を参照して、試料を透過したテラヘルツパルスの所定の周波数（例えば、0.95THz程度）における「糊無し」の群遅延から、糊によるテラヘルツパルスの群遅延を考慮して、所定量の群遅延を減じた値を閾値とする。この閾値未満の群遅延を、「糊有り」が所定の周波数（例えば、0.95THz程度）において有していれば、糊による接合は良好と判定する。
【００５９】
また、テラヘルツ波は近赤外線に比べて透過性が高く、検体や糊の厚さ、種類に対して広範囲な検査が可能である。また、パルス状に発生させたテラヘルツ波は、パルス振幅に加えてパルス遅延時間による評価が可能で、試料の構造情報を考慮した高精度での検査が可能である。
【００６０】
さらに、非接触にて、検体または糊の厚さまたは種類に対して広範囲に、高精度な接合不良の検査が可能である。
【００６１】
しかも、パルス遅延時間は、表面反射率および界面反射率に依存せず、接合不良に依存して変化するため、検体の表面反射率に依存せず接合不良の検査が可能である。
【００６２】
第二の実施形態
本発明の第二の実施形態にかかる電磁波測定装置は、テラヘルツ波発生器とテラヘルツ波検出器とを有する。
【００６３】
図５は、本発明の第二の実施形態にかかる電磁波測定装置の構成を示す図である。図６は、本発明の第二の実施形態にかかる電磁波測定装置による測定結果を示すグラフである。なお、図５において、図示の便宜上、糊は検体１、２に比べて極めて薄いため、糊によるテラヘルツパルスの屈折を無視して図示している。
【００６４】
本発明の第二の実施形態にかかる電磁波測定装置によれば、発生器から入射したテラヘルツパルスの試料からの反射、及び試料背面に配置した裏面反射ミラーもしくは金属板（反射体）からの反射が検出可能な位置に検出器が配置されている。
【００６５】
試料もしくはセンサ（電磁波発生器および電磁波検出器）をスキャンして連続的に測定することにより、接合不良が生じている部位を解析するマッピング解析を行うことが可能である。
【００６６】
試料（検体１および検体２を糊で貼り合わせたものである）にテラヘルツパルスが入射されると、図６を参照して、試料の表面により反射されたパルス(1)、検体1を透過して検体1と糊との界面により反射されたパルス(2)、検体1および糊を透過し検体2と糊との界面により反射されたパルス(3)、検体1及び糊を透過して検体2中に進行し検体2裏面により反射されたパルス(4)、裏面反射ミラーもしくは金属板により反射されたパルス(5)が検出器により検出される。
【００６７】
裏面反射ミラーもしくは金属板（反射体）により反射されたパルス(5)の検出強度I1は図５を参照して以下のパラメータを用いて下式の様になる。
【００６８】
試料表面への入射光強度：I0
試料表面反射率：r1
検体1と糊との界面反射率：r2
糊と検体2との界面反射率：r3
検体2の裏面反射率：r4
反射ミラーもしくは金属板（反射体）の反射率：R≒1
検体1の透過率：α1
検体2の透過率：α2
糊の透過率：β
【００６９】
【数１】
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検体中の糊の塗布量が変化した場合、上式中のβが変化する。しかし、I1の値はr1 、 r2 、 r3 、 r4にも依存する。このため、例えば試料表面に表面反射率r1の異なるパターンが存在する場合、I1の変化要因が、糊か表面反射率かを判別することが困難である。
【００７０】
しかし、表面反射率r1 、 r2 、 r3 、 r4 は反射波形中に観測される表面、界面からの反射パルス(1)、(2)、(3)および(4)の強度を用いて計算することが可能である。従って、I1を観測すると同時にr1 、 r2 、 r3 、 r4は同時に導出することが可能である。
【００７１】
また、I0は、発生器からのテラヘルツパルスをリファレンスミラー（図示省略）により反射させたもの強度を、検出器により検出して求めることが出来る。
【００７２】
このため、I1に対して、下式の処理をすることにより、糊の透過率βを求めることが可能である。ここでα1は検体１が同一素材かつ同一厚さであれば一定値となる。同様にα2も検体２が同一素材かつ同一厚さであれば一定値となる。
【００７３】
【数２】
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式(1)に基づき求めたβの値をモニタすることにより接合不良を検出することが可能である。すなわち、検体１、２の透過率α1、α2と、検出された反射電磁波の強度I1と、反射パルス(1)、(2)、(3)および(4)（反射電磁波）の強度に基づき計算された表面反射率r1 、 r2 、 r3 、 r4と、電磁波の強度I0とに基づき得られた糊の透過率βに基づき、糊による接合が良好か否かを判定することができる。
【００７４】
図１１は、糊の透過率βによる接合の判定の一例を示す図である。図１１を参照して、糊の透過率βが閾値（例えば、１５％）を超えると接合が不良であり、閾値未満の場合は接合が良好と判定する。
【００７５】
なお、α1またはα2が１に近似できるのであれば、式（１）において、α1またはα2を乗じる処理を省略してもよい。r1 、 r2 、 r3 または r4が１よりも十分に小さいのであれば、式（１）において、1- r1、1- r2、1- r3または1- r4を乗じる処理を省略してもよい。
【００７６】
また、測定中のβの変動が分かれば十分なので、α1またはα2が、測定中に変化することが無いのであれば、式（１）において、α1またはα2を乗じる処理を省略してもよい。同様に、r1 、 r2 、 r3 または r4が、測定中に変化することが無いのであれば、式（１）において、1- r1、1- r2、1- r3または1- r4を乗じる処理を省略してもよい。
【００７７】
また、糊と検体１との界面または糊と検体２との界面に空気が混入した場合、前述の(2)及び(3)の一方または双方の強度が増大する。従って、式(1)に基づき求めたβと同時に(2)及び(3)の強度（ひいては、糊と検体１との界面の反射率または糊と検体２との界面反射率）をモニタすることによって、接合不良を検出することも可能である。
【００７８】
さらに、各反射パルスの遅延時間（例えば、パルス(1)に対して、他のパルス(2)、(3)、(4)または(5)が遅延する時間）をモニタすることによっても糊の情報（例えば、糊による接合不良）を抽出することが可能である。
【００７９】
検体１と検体２との間への糊の塗布量に従って、パルス(1)とパルス(5)との間の時間差（遅延時間）が増加するため、この遅延時間をモニタすることにより接合不良の検出が可能である。
【００８０】
第二の実施形態によれば、第一の実施形態と同様な効果を奏する。
【００８１】
さらに、第二の実施形態によれば、テラヘルツパルスが糊を2回透過するため、単純な透過測定に対して、パルス振幅減衰とパルス遅延時間変化が単純な透過測定に比べて2倍となるため、糊や検体の振幅減衰、遅延時間変化が小さい場合でも、高感度な接合不良検出を行うことが可能である。
【００８２】
なお、異なる表面反射率パターンを有する検体内部の異物検査を行うことも考えられる。
【００８３】
また、上記の実施形態は、以下のようにして実現できる。ＣＰＵ、ハードディスク、メディア（フロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）読み取り装置を備えたコンピュータに、上記の各部分を実現するプログラムを記録したメディアを読み取らせて、ハードディスクにインストールする。このような方法でも、上記の機能を実現できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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