(57)【要約】  実施形態に係るターゲット材は、平板状のセラミックスである。ターゲット材は、スパッタリングに供されるスパッタ面の表面粗さＲａが０．５μｍ以上１．５μｍ以下であり、スパッタ面に形成されたマイクロクラックの最大深さが１５μｍ以下である。
2016027540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングに供されるスパッタ面の表面粗さＲａが０．５μｍ以上１．５μｍ以下であり、
前記スパッタ面に形成されたクラックの最大深さが１５μｍ以下の平板状のセラミックスである、ターゲット材。
【請求項２】
前記スパッタ面が、前記セラミックスの切断により形成された切断面である、請求項１に記載のターゲット材。
【請求項３】
前記セラミックスは、抗折強度が１６ｋｇｆ／ｍｍ２以上のＩＴＯである、請求項１または２に記載のターゲット材。
【請求項４】
前記セラミックスは、抗折強度が６ｋｇｆ／ｍｍ２以上のＩＧＺＯである、請求項１または２に記載のターゲット材。
【請求項５】
前記セラミックスは、抗折強度が１５ｋｇｆ／ｍｍ２以上のＡＺＯである、請求項１または２に記載のターゲット材。
【請求項６】
セラミックスの切断方向に対して垂直な方向に前記セラミックスの切断中に圧力が加わらないように支持する支持工程と、
前記セラミックスを幅０．２５ｍｍ以上０．３２ｍｍ以下のワイヤを用いて、０．５ｍｍ／分以上３．０ｍｍ／分以下の切断スピードで平板状に切断し、切断面をスパッタリングに供するスパッタ面とする切断工程と、を含む、ターゲット材の製造方法。
【請求項７】
前記ワイヤの送りスピードは９００ｍ／分以上である、請求項６に記載のターゲット材の製造方法。
【請求項８】
前記切断工程では、前記スパッタ面と前記スパッタ面に対向する裏面とが略平行となるように切断する、請求項６または７に記載のターゲット材の製造方法。
【請求項９】
前記切断工程では、前記ワイヤを取り付けたワイヤソーで前記セラミックスを切断する、請求項６〜８のいずれか１つに記載のターゲット材の製造方法。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１つに記載のターゲット材の製造方法により製造されたターゲット材と、
接合材を介して前記ターゲット材と接合されるバッキングプレートと、
を備える、平板状ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、ターゲット材、ターゲット材の製造方法および平板状ターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
平板状のターゲット材の主面（スパッタ面）にアルゴンイオンを衝突させることによりターゲット材の成分を飛翔させ、このターゲット材の主面と向かい合わせて配置させた基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング装置が知られている。【０００３】
このようなターゲット材としては、金属製およびセラミックス製のものが知られている。このうち、セラミックス製のターゲット材は、たとえば金属酸化物などのセラミックス成分を含む粉末または粒子を成形し、焼成させた焼成体を、切削や研磨などにより所定の大きさに機械加工して得られる。【０００４】
スパッタリング装置において、ターゲット材の加工精度は基板表面に形成される薄膜（スパッタ膜）の品質に影響する。このため、セラミックス製のターゲット材の加工に関し、薄膜の品質を向上させるための対策が検討されてきた（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１３５６６３号公報
【特許文献２】特開２００７−２３１３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した従来技術では依然として、スパッタリング中のノジュールの発生とスパッタ膜へのパーティクルの付着が同時に抑制されたターゲット材が得られておらず、さらなる改善の余地がある。なお、ノジュールとは、ターゲット材の表面に出現するターゲット材由来の異物をいい、パーティクルとは、スパッタ膜の表面に付着する粒子状の異物をいう。【０００７】
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、スパッタリング中のノジュールの発生とスパッタ膜へのパーティクルの付着を同時に抑制し得るターゲット材、ターゲット材の製造方法および平板状ターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係るターゲット材は、スパッタリングに供されるスパッタ面の表面粗さＲａが０．５μｍ以上１．５μｍ以下であり、前記スパッタ面に形成されたクラックの最大深さが１５μｍ以下の平板状のセラミックスである。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、スパッタリング中のノジュールの発生とスパッタ膜へのパーティクルの付着とを同時に抑制し得るターゲット材、ターゲット材の製造方法および平板状ターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａは、実施形態に係る平板状ターゲットの構成の概要を示す模式図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施形態に係るターゲット材の構成の概要を示す模式図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２ＡのＢ−Ｂ’断面を拡大視した図である。
【図３Ａ】図３Ａは、実施形態に係るターゲット材の製造方法の概要を示す説明図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、実施形態に係るターゲット材の製造方法の概要を示す説明図である。
【図４】図４は、実施形態に係るターゲット材の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示するターゲット材、ターゲット材の製造方法および平板状ターゲットの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
まず、実施形態に係るターゲット材を適用し得る平板状ターゲットについて、図１Ａ、図１Ｂを用いて以下に説明する。
【００１３】
図１Ａは、実施形態に係る平板状ターゲットの構成の概要を示す模式図であり、図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’断面図である。なお、説明を分かりやすくするために、図１Ａおよび図１Ｂには、鉛直上向きを正方向とし、鉛直下向きを負方向とするＺ軸を含む３次元の直交座標系を図示している。かかる直交座標系は、後述の説明に用いる他の図面でも示す場合がある。
【００１４】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、平板状ターゲットは、ターゲット材１と、バッキングプレート２とを備える。また、ターゲット材１およびバッキングプレート２は、接合材３を介して接合される。
【００１５】
ターゲット材１は、スパッタリングに供されるスパッタ面４と、スパッタ面４に対向する裏面６とが略平行となるように平板状に加工されたセラミックスで構成される。かかるセラミックスとしては、たとえばＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯ）およびＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３−ＺｎＯ）などを例示することができるが、これらに限定されない。
【００１６】
また、バッキングプレート２としては、従来使用されているものを適宜選択して使用することができる。たとえば、ステンレス、チタン、チタン合金、銅等を適用することができるが、これらに限定されない。
【００１７】
また、接合材３としては、従来使用されているものを適宜選択して使用することができる。たとえば、インジウム金属等が挙げられるが、これに限定されない。
【００１８】
以下では、実施形態に係るターゲット材１について、図２Ａ、図２Ｂを用いてさらに説明する。図２Ａは、実施形態に係るターゲット材１の構成の概要を示す模式図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すＢ−Ｂ’断面を拡大視した図である。
【００１９】
図２Ａに示すように、ターゲット材１のスパッタ面４には、クラック５が形成されることがある。ここで、クラック５とは、たとえば加工の際などにスパッタ面４に生じた微小な亀裂をいい、「マイクロクラック」とも称される。
【００２０】
また、図２Ｂに示すように、クラック５はスパッタ面４に、ある幅および長さを有するとともに、このスパッタ面４に垂直な厚さ方向に深さｄを有している。クラック５の幅および長さは、ＳＥＭ（Scanning  Electron  Microscope）などにより外部から観察することができる。一方、深さｄは、外部からは観察することが困難である。このため、深さｄの測定は、たとえばクラック５を含むように、好ましくはクラック５に沿うように、ターゲット材１をＺ軸方向に切断して断面を露出させ、ＳＥＭで観察することにより行われる。
【００２１】
実施形態に係るターゲット材１では、スパッタ面４に形成されたクラック５の最大の深さ（以下「最大深さ」ともいう）ｄｍａｘが１５μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以下である。クラック５の最大深さｄｍａｘが１５μｍを超えると、スパッタリング中にノジュールが発生しやすくなり、また、ターゲット材１の機械的強度に影響を及ぼす場合もある。ここで、「クラック５の最大の深さｄｍａｘ」は、上述したように測定されたクラック５の深さｄのうち、最大となる値をいう。
【００２２】
また、ターゲット材１のスパッタ面４は、表面粗さＲａが０．５μｍ以上１．５μｍ以下であり、好ましくは０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。スパッタ面４の表面粗さＲａが０．５μｍ未満だと、スパッタリング中にターゲット材１で生じたノジュールがターゲット材１にとどまらずにスパッタ膜にパーティクルとして付着し、スパッタ膜の品質が低下しやすくなる。また、スパッタ面４の表面粗さＲａが１．５μｍを超えると、スパッタ時の初期アーキングが増加してノジュールが増えるため、均一なスパッタ膜の形成が困難となる。ここで、表面粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３の「算術平均粗さＲａ」に相当する値である。
【００２３】
また、セラミックスとしてＩＴＯが用いられた場合、ターゲット材１の抗折強度は好ましくは１６ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、より好ましくは１７ｋｇｆ／ｍｍ２以上である。抗折強度が１６ｋｇｆ／ｍｍ２未満だと、たとえばターゲット材１の内部に存在する微小な亀裂（内在クラック）が多いことが懸念される。ターゲット材１が多数の内在クラックを有すると、スパッタリング中にこの内在クラックに起因するノジュールが発生する。このため、内在クラックが多いほどノジュールの発生度合いが多くなり、スパッタ膜の品質低下につながる懸念がある。ここで、抗折強度は、ＪＩＳ  Ｒ１６０１：２００８に準拠して測定された値である。また、１ｋｇｆは約９．８Ｎである。
【００２４】
また、セラミックスとしてＩＧＺＯが用いられた場合、ターゲット材１の抗折強度は好ましくは６ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、より好ましくは７ｋｇｆ／ｍｍ２以上である。抗折強度が６ｋｇｆ／ｍｍ２未満だと、たとえばターゲット材１が内在クラックを有する懸念がある。
【００２５】
また、セラミックスとしてＡＺＯが用いられた場合、ターゲット材１の抗折強度は好ましくは１５ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、より好ましくは１６ｋｇｆ／ｍｍ２以上である。抗折強度が１５ｋｇｆ／ｍｍ２未満だと、たとえばターゲット材１が内在クラックを有する懸念がある。
【００２６】
なお、上記では、平板状のターゲット材１として、スパッタリングに供されるスパッタ面４がＸ軸方向に短辺を、Ｙ軸方向に長辺を、それぞれ有する長方形であり、さらにＺ軸方向に厚さを有する直方体形状であるものについて説明したが、形状はこれに限定されない。成膜に供される基板の形状に応じて、たとえば、スパッタ面４が正方形、円形もしくは楕円形のもの、または三角形、平行四辺形、台形、五角形もしくは六角形などの多角形のものをターゲット材１として使用してもよい。
【００２７】
次に、実施形態に係るターゲット材１の製造方法の一例について説明する。ターゲット材１は、セラミックス原料粉末および有機添加物を含有するスラリーを造粒し、顆粒体を作製する造粒工程と、この顆粒体を成形し、成形体を作製する成形工程と、この成形体を焼成し、焼成体を作製する焼成工程とを経て作製される。なお、焼成体の作製方法は、上記したものに限定されず、いかなる方法であってもよい。
【００２８】
ところで、所定の厚みに加工するとともに所定の表面粗さを有するスパッタ面４を形成するために、平面研削盤と呼ばれる加工機を用いて焼成体を加工することが知られている。平面研削盤では、加工したい面（スパッタ面４に対応する面）が上面になるように焼成体をテーブルの上に置き、砥石を用いて表面加工が行われる。
【００２９】
このような平面研削盤では、砥石が一定の切り込み深さで焼成体の平面を押さえながら加工を行うため、平面研削盤を用いて得られたターゲット材１では、加工時にダメージを受けることでスパッタ面４に最大深さｄｍａｘが１５μｍを超えるようなクラック５が形成されやすくなる。特に、焼成時に反りが発生した焼成体を加工する場合には、この焼成体を平面研削盤のテーブルの上に載せると、このテーブルから浮き上がった部分が生じるため、その上を砥石で押さえつけることで焼成体は大きな負荷を受けることがある。
【００３０】
この加工中の負荷は、スパッタ面４の面積に比例して増大するが、近年、スパッタ面４の面積が比較的大きいターゲット材１が要求される傾向にあるため、砥石を使用した加工中に発生するクラック５も最大深さｄｍａｘが大きくなりがちである。
【００３１】
スパッタ面４に形成されたクラック５の最大深さｄｍａｘを低減させる方法としては、目の細かい研磨紙などにより表面を少しずつ研磨することが考えられるが、かかる場合、研磨したスパッタ面４の表面粗さＲａが０．５μｍ未満となりやすい。すなわち、従来の加工法では、スパッタ面４に形成されたクラック５の深さｄと、スパッタ面４の表面粗さＲａとを個別に制御することができず、ノジュールの発生抑制とスパッタ膜へのパーティクルの付着抑制とを同時に実現することが困難であった。
【００３２】
実施形態に係るターゲット材１の製造方法は、セラミックスを支持する支持工程と、このセラミックスを切断する切断工程とを含む。以下では、支持工程および切断工程の一例について、図３Ａ、図３Ｂを用いて詳細に説明する。
【００３３】
図３Ａ、図３Ｂは、実施形態に係るターゲット材１の製造方法の概要を示す説明図である。なお、図３Ａは、かかる製造方法を適用し得るターゲット材１の製造装置を上面視したものであり、図３Ｂは図３Ａの正面図である。また、図３Ａ、図３Ｂでは説明を容易にするために一部の形状を単純化して示す。
【００３４】
図３Ａ、図３Ｂに示すように、ターゲット材１の製造装置１６は、ワイヤ１２と、載置台１３とを備える。セラミックス１１は、載置台１３に載置され、図示しない搬送機構または搬送治具により予め設定された速度で搬送され、ワイヤ１２で切断される。以下、セラミックス１１の搬送される速度を切断スピードｖｃと称する。
【００３５】
セラミックス１１は、高さα、長さβ、幅γを有する直方体形状を有している。かかるセラミックス１１としては、上記した焼成工程において得られる焼成体をそのまま使用してもよく、また焼成体の１または２以上の面を加工した後に使用してもよい。たとえば、載置台１３と接触する焼成体の表面を切断または研磨により平坦となるように加工し、焼成体の反りを修正してもよい。
【００３６】
また、ワイヤ１２は、駆動プーリ１５および複数のガイドプーリ１４に巻回され、支持されている。ワイヤ１２は、駆動プーリ１５の回転により予め設定されたワイヤ１２の送りスピードで回転し、切断スピードｖｃで進入するセラミックス１１を切断する。以下、ワイヤ１２の送りスピードをワイヤスピードｖｗと称する。
【００３７】
次に、セラミックス１１の支持方法について説明する。切断スピードｖｃでワイヤ１２がセラミックス１１を通過した箇所は、ワイヤ１２によりセラミックス１１が削り取られるようにして切断される。このため、隣り合うセラミックス１１には、ワイヤ１２の幅Ｌに応じて形成される隙間が空くことになる。
【００３８】
この隙間に面方向から力を加えると、まだワイヤ１２が通過していない部分（ワイヤ１２で切断中の部分）に折れ曲がりの力が集中し、切断面にマイクロクラックが入る。このため、この切断面をスパッタ面４とすると、スパッタリング中のノジュールの発生量が増加してしまう。
【００３９】
そこで、図３Ａ、図３Ｂに示すように、ワイヤ１２により切断面が水平方向に対して垂直となるようにセラミックス１１を切断すると、セラミックス１１は、切断方向に対して垂直な方向にセラミックス１１の自重に伴う圧力が加わらない。このため、切断面にマイクロクラックが入ることが抑制され、この切断面をスパッタ面とすることでスパッタリング中のノジュールの発生量を低下させることができる。
【００４０】
ここで、ワイヤ１２によるセラミックス１１の切断スピードｖｃは、０．５ｍｍ／分以上３．０ｍｍ／分以下が好ましい。切断スピードｖｃが０．５ｍｍ／分未満だと、加工に要する時間が長くなり、生産効率が著しく低下する。また、切断スピードｖｃが３．０ｍｍ／分を超えると、砥粒でセラミックス１１を削り取るときの衝撃が強くなり、切断面にマイクロクラックが入りやすくなる。
【００４１】
また、ワイヤ１２が送り出されるワイヤスピードｖｗは、９００ｍ／分以上であることが好ましい。ワイヤスピードｖｗが９００ｍ／分未満だと、切断面の表面粗さＲａが大きくなる傾向にあり、スパッタ中のノジュールの発生も多くなる傾向にある。ワイヤスピードｖｗの上限は、装置のスペックおよびワイヤ１２の強度などに基づいて決定される。
【００４２】
また、ワイヤ１２としては、幅Ｌが０．２５ｍｍ以上０．３２ｍｍ以下の、ダイヤモンドなどの砥粒を電着させた固定砥粒方式のワイヤソーが好ましい。幅Ｌが０．２５ｍｍ未満だと、ワイヤ１２の強度が不足し、加工中にワイヤ１２が断線しやすくなる。また、幅Ｌが０．３２ｍｍを超えると、歩留まりが低下する。たとえば、予め設定した寸法および数のターゲット材１を作製しようとすると、セラミックス１１の体格を大きくする必要が生じる。
【００４３】
なお、上記した実施形態では、製造装置１６にはワイヤ１２が１本のみ設けられていたが、２本以上設けてもよい。かかる場合、複数のワイヤ１２は互いに平行となるように配置される。
【００４４】
また、上記した実施形態では、製造装置１６には載置台１３が設けられていたが、載置台１３はなくてもよい。かかる場合、セラミックス１１は図３Ａ、図３Ｂと同様の姿勢となるように図示しない支持治具などにより支持される。
【００４５】
また、上記した実施形態では、セラミックス１１の切断はセラミックス１１の水平方向への移動により行われたが、これに限定されない。たとえば、セラミックス１１を鉛直上向きまたは下向きに移動させることにより切断させてもよい。
【００４６】
また、上記した実施形態では、セラミックス１１の切断はセラミックス１１自身の移動により行われたが、固定されたセラミックス１１に対してワイヤ１２が移動することにより切断する構成であってもよく、またセラミックス１１およびワイヤ１２の双方が移動する構成であってもよい。
【００４７】
次に、実施形態に係るターゲット材１を製造する方法について、図４を用いて詳細に説明する。図４は、実施形態に係るターゲット材１を製造する処理手順を示すフローチャートである。
【００４８】
図４に示すように、まず、セラミックス１１を支持する（ステップＳ１１）。セラミックス１１は、セラミックス１１の切断中に、切断方向に対して垂直な方向に圧力が加わらないように支持される。
【００４９】
続いて、セラミックス１１を、ワイヤ１２の幅Ｌおよび切断スピードｖｃを所定の範囲に設定した上で切断する（ステップＳ１２）。セラミックス１１の長さおよび幅を所定の寸法に加工するのは、ワイヤソーによる切断前または切断後のどちらで実施してもよい。以上の各工程により、実施形態に係る一連のターゲット材１の製造が終了する。
【００５０】
このように、実施形態に係るターゲット材１の製造方法によれば、スパッタ面４の表面粗さＲａと、スパッタ面４に形成されたクラック５の最大深さとをそれぞれ所定の範囲となるように制御することができる。このため、スパッタリング中のノジュールの発生とスパッタ膜へのパーティクルの付着とを同時に抑制することができる。
【実施例】
【００５１】
［実施例１］
セラミックス１１として、高さαが５００ｍｍ、長さβが３００ｍｍ、幅γが３２ｍｍの平板状のＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９：１（質量比））を図３Ａ、図３Ｂに示すようにセットした。このとき、ワイヤが切り抜けた部分を、セラミックス１１の切断方向に対して垂直な方向にセラミックス１１の切断中に圧力が加わらないようにセラミックス１１を支持した。このセラミックス１１を、５．３ｍｍの間隔で５本並べて配置したワイヤ１２に通して切断し、厚さが５ｍｍのターゲット材１を６枚作製した。ワイヤ１２としては、ダイヤモンドを電着した幅Ｌ（砥粒＋ワイヤ１２の直径）が０．２５ｍｍのものを使用した。ワイヤスピードｖｗは９００ｍ／分とし、切断スピードｖｃは２．０ｍｍ／分とした。【００５２】
加工したターゲット材１の抗折強度、切断面（スパッタ面４）の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定し、さらに接合材３としてインジウム金属を用いて銅製のバッキングプレート２に接合し、切断面をスパッタ面４とする平板状ターゲットを作製した。この平板状ターゲットを使用してスパッタリングを行い、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価した。また、スパッタ膜に付着したパーティクルの個数についてカウントした。【００５３】
なお、スパッタリングには、ＤＣマグネトロンスパッタリングを用いた。条件は、以下のとおりである。背圧：７．０×１０−５Ｐａ、アルゴン分圧：４．０×１０−１Ｐａ、酸素分圧：４．０×１０−５Ｐａ、出力：３００Ｗ（１．６Ｗ／ｃｍ２）、ターゲットサイズ：外径２０３．２ｍｍ×厚さ６ｍｍ。また、スパッタ後のターゲット材１の表面を写真撮影し、撮影により得られた画像から画像解析ソフト（粒子解析Ｖｅｒ．３  日鉄住金テクノロジー株式会社製）を使用してノジュールの面積を求めた。得られたノジュールの面積から、ターゲット材１の表面の面積に対するノジュールの面積の比率（％）を求め、ノジュールの発生量を評価した。ノジュールの評価基準は以下のとおりである。スパッタリングターゲットに供するターゲット材１の面積に対してノジュールの占める面積の比率が極少：０〜０．３％未満、少：０．３〜１．０％未満、中：１．０〜２．０％未満、多：２．０％以上。【００５４】
［実施例２］
セラミックス１１の切断スピードｖｃを３．０ｍｍ／分としたことを除き、実施例１と同様にターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００５５】
［実施例３］
セラミックス１１の切断スピードｖｃを０．５ｍｍ／分としたことを除き、実施例１と同様にターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００５６】
［実施例４］
γを３２.５ｍｍ、ワイヤ１２の幅Ｌを０．３２ｍｍ、ワイヤ１２間の間隔を５．４ｍｍにしたことを除き、実施例１と同様にターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００５７】
［実施例５］
セラミックス１１としてＩＧＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２（モル比））を使用したことを除き、実施例１と同様にターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００５８】
［実施例６］
セラミックス１１としてＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ２Ｏ３＝９８：２（質量比））を使用したことを除き、実施例１と同様にターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００５９】
［比較例１］
γが６．５ｍｍであることを除き、実施例１で使用したものと同様のセラミックス１１を平面研削盤にセットし、γが５．０ｍｍとなるまで研削加工を行ってターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。研削には、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０の砥石を使用し、また１回の切り込み深さを１０μｍとした。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６０】
［比較例２］
γが６．５ｍｍであることを除き、実施例５と同様のセラミックス１１を平面研削盤にセットし、γが５．０ｍｍとなるまで研削加工を行い、ターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。研削には、ビリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が♯１７０の砥石を使用し、また１回の切り込み深さを１０μｍとした。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６１】
［比較例３］
γが６．５ｍｍであることを除き、実施例６と同様のセラミックス１１を平面研削盤にセットし、γが５．０ｍｍとなるまで研削加工を行い、ターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。研削には、ビリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が♯１７０の砥石を使用し、また１回の切り込み深さを１０μｍとした。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６２】
［比較例４］
セラミックス１１の切断スピードｖｃを５．０ｍｍ／分としたことを除き、実施例１と同様にターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６３】
［比較例５］
セラミックス１１の切断方向に対して垂直な方向にセラミックス１１の切断中に圧力が加わるようにセラミックス１１の厚み方向に押さえて保持したことを除き、実施例１と同様にターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６４】
［比較例６］
比較例１で使用したものと同様のセラミックス１１を平面研削盤にセットし、γが５．１ｍｍとなるまで研削加工を行った。研削には、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０の砥石を使用し、また１回の切り込み深さを１０μｍとした。次に、レジノイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１０００の砥石を使用し、また１回の切り込み深さを２μｍとしてγが５．０ｍｍとなるまで研削してターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６５】
［比較例７］
比較例２で使用したものと同様のセラミックス１１を比較例６と同様に研削してターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６６】
［比較例８］
比較例３で使用したものと同様のセラミックス１１を比較例６と同様に研削してターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６７】
［比較例９］
ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃８０の砥石を使用したことを除き、比較例１と同様に研削してターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６８】
［比較例１０］
比較例２で使用したものと同様のセラミックス１１を比較例９と同様に研削してターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００６９】
［比較例１１］
比較例３で使用したものと同様のセラミックス１１を比較例９と同様に研削してターゲット材１を作製し、抗折強度、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘを測定した。また、このターゲット材１を用いて実施例１と同様に平板状ターゲットを作製し、さらにこの平板状ターゲットを使用して実施例１と同様にスパッタリングを行った。そして、ターゲット材１に付着したノジュールの程度について評価するとともにスパッタ膜に付着したパーティクルの個数をカウントした。【００７０】
実施例１〜比較例１１により得られた結果を表１〜表３に示す。なお、表１ではＩＴＯを、表２ではＩＧＺＯを、表３ではＡＺＯを、セラミックス１１としてそれぞれ使用したものである。【００７１】
また、各表中、ターゲット材１の抗折強度は、ワイヤ１２により切断された６枚のターゲット材１のうち、両端を除く４枚のターゲット材１を測定した平均値である。また、切断面の表面粗さＲａおよびクラック５の最大深さｄｍａｘは、切断により形成された１０の切断面の平均値である。また、平板状ターゲットは、６枚のターゲット材１のうち、両端のものを用いて２つ作製し、ノジュールおよびパーティクルの個数については２つの平板状ターゲットによる結果を平均したものである。なお、ワイヤ１２による切断の代わりに砥石による研削加工を行った比較例についても、４つのターゲット材１および２つの平板状ターゲットを作製し、測定結果には平均値を用いた。【００７２】
【表１】
2016027540.tif 000003
【００７３】
【表２】
2016027540.tif 000004
【００７４】
【表３】
2016027540.tif 000005
【００７５】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１  ターゲット材
２  バッキングプレート
３  接合材
４  スパッタ面
５  クラック
６  裏面
１１  セラミックス
１２  ワイヤ
１３  載置台
１４  ガイドプーリ
１５  駆動プーリ
１６  製造装置
【図１Ａ】
2016027540.tif 000006
【図１Ｂ】
2016027540.tif 000007
【図２Ａ】
2016027540.tif 000008
【図２Ｂ】
2016027540.tif 000009
【図３Ａ】
2016027540.tif 000010
【図３Ｂ】
2016027540.tif 000011
【図４】
2016027540.tif 000012
【国際調査報告】
2016027540.tif 000013
2016027540.tif 000014
2016027540.tif 000015
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