(57)【要約】この極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、ターゲット供給部と上記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第１の方向にガスを噴出する第１のガス供給部と、上記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、を備えてもよい。上記所定領域において生成される極端紫外光を第２の方向に反射して集光する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿ってガスを流す第２のガス供給部と、をさらに備え、第１の方向は、第２の方向と反対方向の方向成分を有してもよい。
2015097794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部と前記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第１の方向にガスを噴出する第１のガス供給部と、
前記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
前記所定領域において生成される極端紫外光を第２の方向に反射して集光する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーと、
前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿ってガスを流す第２のガス供給部と、
をさらに備え、
前記第１の方向は、前記第２の方向と反対方向の方向成分を有する、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記集光光学系と前記所定領域との間のパルスレーザ光の光路を囲むサブチャンバであって、前記所定領域に向かう第３の方向にパルスレーザ光を通過させるように前記所定領域に向けられた開口を有する前記サブチャンバと、
前記サブチャンバにガスを供給する第３のガス供給部と、
をさらに備え、
前記第１の方向は、前記第３の方向と反対方向の方向成分を有する、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記ターゲット供給部は、前記所定領域に向かう第４の方向にターゲットを出力するように構成され、
前記第１の方向は、前記第４の方向と同一方向の方向成分を有する、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
前記所定領域に向けられた開口部を有する筒を含み、前記所定領域及び前記開口部を通過したターゲットを回収するターゲット回収部と、
前記筒の側面に接続された排気管を含み、前記筒の内部を、前記排気管を通して排気する排気装置と、
をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記第１のガス供給部によって噴出されるガスの流量を変更する流量変更機構と、
前記ターゲットが通過する位置を検出するターゲットセンサと、
前記ターゲットセンサによる検出結果に基づいて前記流量変更機構を制御する制御部と、
をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記ターゲットセンサは、
イメージセンサと、
前記所定領域及びその周辺の像を前記イメージセンサに転写する転写光学系と、
前記イメージセンサと前記所定領域との間に位置するシャッタと、
を有する、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【概要】
【０００４】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、ターゲット供給部と上記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第１の方向にガスを噴出する第１のガス供給部と、上記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図３】図３は、ターゲット供給部から出力されるターゲットの軌跡のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図４】図４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図５】図５は、ターゲット供給部から出力されるターゲットの別の条件による軌跡のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図６Ａ】図６Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、第３の実施形態におけるガス制御部の動作を示すフローチャートである。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示される距離Ｌの計測の処理の詳細を示すフローチャートである。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図７Ａに示されるチャンバ内の圧力制御の処理の詳細を示すフローチャートである。
【図８】図８は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図９】図９は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
【実施形態】
【０００６】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．ガス供給部を含むＥＵＶ光生成装置
４．１  構成
４．２  動作
５．排気装置の配置
６．ターゲットの軌跡変更制御
７．複数の第１のガス供給部
８．制御部の構成
【０００７】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００８】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給部がターゲットを出力し、プラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、レーザ装置がターゲットにパルスレーザ光を照射することにより、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
【０００９】
放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラーにより反射されて集光され得る。ＥＵＶ集光ミラーの周辺には、例えばターゲット物質のデブリ除去を目的としたガスが供給されることがある。しかしながら、ＥＵＶ集光ミラーの周辺に供給されたガスが、ターゲット供給部とプラズマ生成領域との間のターゲットの軌道に到達すると、ターゲットがガスに流されて所望の軌道から外れてしまうことがあり得る。そして、ターゲットがプラズマ生成領域に到達できなくなることがあり得る。
【００１０】
本開示の１つの観点によれば、ＥＵＶ光生成装置が、ターゲットの軌道に向けてガスを噴出するガス供給部を備えてもよい。これにより、ターゲットがプラズマ生成領域に到達できるようにしてもよい。
【００１１】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。
ターゲットの「軌道」は、ターゲット供給部から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット供給部の設計に従ったターゲットの経路であってもよい。
ターゲットの「軌跡」は、ターゲット供給部から出力されたターゲットの実際の経路であってもよい。
「プラズマ生成領域」は、ＥＵＶ光を生成するためのプラズマの生成が開始される所定領域を意味し得る。
パルスレーザ光の「光路軸」は、パルスレーザ光の光路の中心軸を意味し得る。
【００１２】
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００１５】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
３．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングの制御、ターゲット２７の出力方向の制御の内少なくとも一つを制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内少なくとも一つを制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
４．ガス供給部を含むＥＵＶ光生成装置
４．１  構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す一部断面図である。以下の説明において、Ｙ方向はターゲット２７の移動方向とほぼ一致し、本開示における第４の方向に相当していてもよい。Ｚ方向は、パルスレーザ光３３の進行方向とほぼ一致し、本開示における第３の方向に相当していてもよい。Ｚ方向は、また、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射された反射光２５２の進行方向とほぼ一致し、本開示における第２の方向に相当していてもよい。Ｘ方向は、Ｙ方向及びＺ方向の両方に垂直な方向であって、図２における紙面に垂直な方向であってもよい。
【００２１】
図２は、ターゲット２７の軌道とパルスレーザ光３３の光路軸との両方を含む面における断面を示している。ターゲット２７の軌道とパルスレーザ光３３の光路軸との両方を含む面は、ＹＺ面に平行な面であってもよい。
【００２２】
図２に示されるように、チャンバ２の内部には、集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及びプレート８３と、サブチャンバ２０とが設けられてもよい。図２に示されるように、チャンバ２には、ターゲット供給部２６と、配管６１と、配管６３と、配管６６と、排気装置３９とが取り付けられてもよい。
【００２３】
チャンバ２の外部には、レーザ装置３と、レーザ光進行方向制御部３４ａと、ＥＵＶ光生成制御部５と、調節弁６２と、調節弁６４と、調節弁６７と、ガス供給源６５と、ガス供給源６８とが設けられてもよい。
【００２４】
ターゲット供給部２６は、リザーバ５１と、圧力調節器５４とを有していてもよい。リザーバ５１は、溶融されたターゲットの材料を、内部に貯蔵してもよい。リザーバ５１に備えられた図示しないヒータによって、ターゲットの材料がその融点以上の温度に維持されてもよい。リザーバ５１の一部が、チャンバ２の壁面に形成された貫通孔２ａを貫通しており、リザーバ５１の先端がチャンバ２の内部に位置していてもよい。リザーバ５１の上記先端はターゲットを出力するノズルとなっていてもよく、このノズルには、開口５２が形成されていてもよい。
【００２５】
圧力調節器５４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に応じて、図示しない不活性ガスボンベからリザーバ５１内部に供給される不活性ガスの圧力を調節してもよい。不活性ガスがリザーバ５１内のターゲット物質を加圧することにより、開口５２から液体のターゲット物質の噴流が出力されてもよい。
【００２６】
リザーバ５１には加振素子５３が取り付けられていてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５から出力される駆動信号に応じて、加振素子５３は周期的に伸縮し、リザーバ５１に振動を与えてもよい。リザーバ５１に与えられた振動は、開口５２から出力されたターゲット物質の噴流に伝達されてもよい。これにより、ターゲット物質の噴流が液滴状に分離し、複数のターゲット２７に変化し得る。
【００２７】
レーザ装置３は、ＣＯ２レーザ装置を含んでいてもよい。レーザ装置３は、パルスレーザ光を出力してもよい。
【００２８】
レーザ光進行方向制御部３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２を含んでもよい。高反射ミラー３４１は、ホルダ３４３によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４２は、ホルダ３４４によって支持されていてもよい。
【００２９】
集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１は、ホルダ２２３によって支持されてもよい。平面ミラー２２２は、ホルダ２２４によって支持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されていてもよい。プレート８２及びプレート８３は、チャンバ２に固定されてもよい。
【００３０】
サブチャンバ２０は、チャンバ２の内部に位置していてもよい。サブチャンバ２０の内部には、プレート８３及び集光光学系２２ａが収容されていてもよい。サブチャンバ２０は、ＥＵＶ集光ミラー２３を貫通する中空の円錐部７０を有していてもよい。円錐部７０の底面側と頂点側とはそれぞれ開口していてもよい。パルスレーザ光３３が円錐部７０の底面側の開口７１から頂点側の開口７２を通り、プラズマ生成領域２５に到達できるようになっていてもよい。すなわち、円錐部７０を含むサブチャンバ２０は、集光光学系２２ａとプラズマ生成領域２５との間のパルスレーザ光３３の光路を囲んでいてもよい。
【００３１】
円錐部７０の周囲には、外円錐部７３が位置していてもよい。外円錐部７３は、円錐部７０との間に隙間を有してもよい。外円錐部７３は、ＥＵＶ集光ミラー２３を貫通しており、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面側において、外方に広がる返し部７４を有してもよい。円錐部７０の外面には、返し部７４との間に隙間を有する返し部７５が固定されていてもよい。外円錐部７３と円錐部７０との間の隙間と、返し部７４と返し部７５との間の隙間とが繋がってガス通路となっていてもよい。
【００３２】
ガス供給源６５は、調節弁６２及び配管６１を介してサブチャンバ２０内に接続されていてもよい。ガス供給源６５、調節弁６２及び配管６１は、本開示における第３のガス供給部を構成してもよい。
【００３３】
ガス供給源６５は、さらに、調節弁６４及び配管６３を介して外円錐部７３と円錐部７０との間の隙間のガス通路に接続されていてもよい。ガス供給源６５、調節弁６４及び配管６３は、本開示における第２のガス供給部を構成してもよい。第２のガス供給部を構成するガス供給源６５は、第３のガス供給部を構成するガス供給源と共通であってもよい。
【００３４】
排気装置３９は、チャンバ２の内部を排気する真空ポンプを含んでもよい。排気装置３９の動作が制御されることにより、チャンバ２の内部が所定範囲の圧力に維持されてもよい。
【００３５】
ガス供給源６８は、調節弁６７及び配管６６を介してチャンバ２内に接続されていてもよい。配管６６の先端には、ノズル６９が設けられていてもよい。ガス供給源６８、調節弁６７、配管６６及びノズル６９は、本開示における第１のガス供給部を構成してもよい。調節弁６７は、本開示における流量変更機構を構成してもよい。第１のガス供給部において、ガス供給源６８の代わりに、第２又は第３のガス供給部を構成するガス供給源と共通のガス供給源６５が用いられてもよい。なお、本開示において、ガス供給源６８は水素ガスを供給するものとして説明するが、不活性ガスが用いられてもよい。
【００３６】
４．２  動作
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６がターゲット２７を出力するように、ターゲット供給部２６に制御信号を出力してもよい。
ターゲット供給部２６は、複数の液滴状のターゲット２７を順次出力してもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置され、プラズマ生成領域２５を通過したターゲット２７を回収してもよい。
【００３７】
ＥＵＶ光生成制御部５は、トリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。レーザ装置３は、トリガ信号に従って、パルスレーザ光を出力してもよい。
【００３８】
レーザ光進行方向制御部３４ａに含まれる高反射ミラー３４１は、レーザ装置３によって出力されたパルスレーザ光３１の光路に配置されてもよい。高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１を高い反射率で反射してもよい。
【００３９】
高反射ミラー３４２は、高反射ミラー３４１によって反射されたパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。高反射ミラー３４２は、パルスレーザ光を高い反射率で反射し、この光をパルスレーザ光３２として集光光学系２２ａに導いてもよい。
【００４０】
集光光学系２２ａに含まれる軸外放物面ミラー２２１は、パルスレーザ光３２の光路に配置されてもよい。軸外放物面ミラー２２１は、パルスレーザ光３２を平面ミラー２２２に向けて反射してもよい。平面ミラー２２２は、軸外放物面ミラー２２１によって反射されたパルスレーザ光を、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５又はその近傍に向けて反射してもよい。パルスレーザ光３３は、軸外放物面ミラー２２１の反射面形状に従い、プラズマ生成領域２５又はその近傍において集光されてもよい。
【００４１】
プラズマ生成領域２５又はその近傍において、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３が照射されてもよい。液滴状のターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されると、液滴状のターゲット２７がプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成され得る。
【００４２】
ガス供給源６５は、配管を介して調節弁６２に接続されてもよい。調節弁６２は、配管６１に供給される水素ガスの流量を変更できるように構成されていてもよい。配管６１が、サブチャンバ２０内に開口し、ウインドウ２１付近に水素ガスを供給してもよい。サブチャンバ２０内に水素ガスが供給されることにより、サブチャンバ２０内の圧力は、チャンバ２内で且つサブチャンバ２０外における圧力より高くなってもよい。サブチャンバ２０内に供給された水素ガスは、円錐部７０の頂点側の開口７２からプラズマ生成領域２５の周辺に向けて流れ出てもよい。
【００４３】
サブチャンバ２０内に水素ガスを供給してチャンバ２内よりも高圧とすることにより、サブチャンバ２０内にターゲット物質のデブリが進入することを抑制し得る。また、サブチャンバ２０内の集光光学系２２ａやウインドウ２１にターゲット物質のデブリが堆積したとしても、水素ガスによってデブリをエッチングして除去することができる。
【００４４】
ガス供給源６５は、配管を介して調節弁６４に接続されてもよい。調節弁６４は、配管６３に供給される水素ガスの流量を変更できるように構成されていてもよい。配管６３が、円錐部７０と外円錐部７３との隙間に形成されたガス通路に接続され、当該ガス通路に水素ガスを供給してもよい。水素ガスは、返し部７４と返し部７５との間の隙間から、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に沿って、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部から外周側へ向けて放射状に流れてもよい。
【００４５】
ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に沿って水素ガスを流すことにより、ターゲット物質のデブリがＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に到達することを抑制し得る。また、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面にターゲット物質のデブリが堆積したとしても、水素ガスによってデブリをエッチングして除去することができる。
【００４６】
上述のように、水素ガスが円錐部７０の頂点側の開口７２からプラズマ生成領域２５の周辺に向けて流れ出ることにより、ターゲット２７が、水素ガスの流れに押される可能性がある。また、上述のように、水素ガスがＥＵＶ集光ミラー２３の中央部から外周側へ向けて放射状に流れることにより、ターゲット２７が、水素ガスの流れに押される可能性がある。どちらの場合にも、ターゲット２７の軌跡が図２の軌跡Ｔ１に示されるようにＺ方向にずれてしまい、プラズマ生成領域２５に到達できないことが考えられる。
【００４７】
そこで、ガス供給源６８、調節弁６７、配管６６及びノズル６９を含む第１のガス供給部が設けられてもよい。ガス供給源６８は、配管を介して調節弁６７に接続されてもよい。調節弁６７は、配管６６に供給される水素ガスの流量を変更できるように構成されていてもよい。ノズル６９が、ターゲット２７の軌道に向けて水素ガスを噴出してもよい。
【００４８】
ノズル６９による水素ガスの噴出方向は、−Ｚ方向の方向成分を含んでもよい。ノズル６９による水素ガスの噴出方向が−Ｚ方向の方向成分を含むことにより、ターゲット２７の軌跡を、図２の軌跡Ｔ２に示されるように−Ｚ方向に押し戻すことができる。ノズル６９による水素ガスの噴出方向は、本開示における第１の方向に相当し得る。ここで、ノズル６９による水素ガスの噴出方向が−Ｚ方向の方向成分を含むとは、ノズル６９による水素ガスの噴出方向と−Ｚ方向とのなす角が９０°未満であることを意味する。
【００４９】
ノズル６９による水素ガスの噴出方向は、さらに、Ｙ方向の方向成分を含んでもよい。ノズル６９による水素ガスの噴出方向がＹ方向の方向成分を含むことにより、プラズマ生成領域２５に向かうターゲット２７が減速することを抑制し得る。但し、本開示は、ノズル６９による水素ガスの噴出方向がＹ方向の方向成分を含む場合には限定されない。ノズル６９による水素ガスの噴出方向がＹ方向と垂直であってもよいし、−Ｙ方向の方向成分を含んでもよい。
【００５０】
図３は、ターゲット供給部２６から出力されるターゲット２７の軌跡のシミュレーション結果を示すグラフである。図３において、曲線Ｃ１は、ノズル６９による水素ガスの供給をしない場合のシミュレーション結果を示す。曲線Ｃ２は、ターゲット供給部２６によるターゲット２７の出力方向と同一方向に水素ガスを噴出した場合のシミュレーション結果を示す。曲線Ｃ３〜曲線Ｃ５は、ターゲット供給部２６によるターゲット２７の出力方向に対して３０［ｄｅｇ］の角度で、３種類の噴出流量で水素ガスを噴出した場合のシミュレーション結果を示す。図３において、横軸は、ターゲット供給部２６の開口５２が形成されたノズルからプラズマ生成領域２５の中心までの距離を１とした場合の、ノズルからの距離の相対値を示す。図３において、縦軸は、プラズマ生成領域２５の中心を０とした場合のターゲット２７のＺ方向の位置を示す。
【００５１】
曲線Ｃ１に示されるように、ノズル６９による水素ガスの供給をしない場合には、ターゲット２７の軌跡はＺ方向に約１８μｍずれる可能性がある。ターゲット２７の大きさにもよるが、ターゲット２７の軌跡のずれは、ターゲットの直径のオーダーに相当する可能性がある。
【００５２】
曲線Ｃ２に示されるように、ターゲット２７の出力方向と同一方向に水素ガスを噴出した場合には、ターゲット２７の軌跡のずれを改善することはできない可能性がある。
【００５３】
曲線Ｃ３〜曲線Ｃ５に示されるように、ターゲット２７の出力方向に対して３０［ｄｅｇ］の角度で水素ガスを噴出した場合には、ターゲットの軌跡を−Ｚ方向に戻すことができる。プラズマ生成領域２５の近傍におけるターゲット２７のずれが小さくなるように、噴出流量を調整することが望ましい。また、水素ガスの噴出方向を、ターゲット２７の出力方向に対して、０［ｄｅｇ］より大きく、１８０［ｄｅｇ］より小さい範囲で調整してもよい。
【００５４】
５．排気装置の配置
図４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す一部断面図である。第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１は、チャンバ２に対する排気装置の接続位置が第１の実施形態と異なってもよい。
【００５５】
第２の実施形態において、ターゲット回収部２８は、プラズマ生成領域２５に向けられた開口部２８ａを有する筒２８ｂと、筒２８ｂに接続されたターゲットキャッチャー２８ｃと、を含んでもよい。筒２８ｂ及びターゲットキャッチャー２８ｃは、チャンバ２の外部に位置し、開口部２８ａにおいてチャンバ２と筒２８ｂとが接続されていてもよい。ターゲット回収部２８は、プラズマ生成領域２５及び開口部２８ａを通過したターゲット２７をターゲットキャッチャー２８ｃにおいて回収するように構成されてもよい。筒２８ｂの側面に、排気管３９ａが接続されてもよい。排気装置３９は、筒２８ｂの内部を、排気管３９ａを通して排気するように構成されてもよい。
その他の点については第１の実施形態と同様でよい。
【００５６】
図５は、ターゲット供給部２６から出力されるターゲット２７の別の条件による軌跡のシミュレーション結果を示すグラフである。図５において、曲線Ｃ６は、ターゲット２７の軌道よりもＺ方向側の位置で排気する場合のシミュレーション結果を示す。曲線Ｃ７は、図４に示されるようにターゲット２７の軌道の近傍位置で排気する場合のシミュレーション結果を示す。曲線Ｃ８は、ターゲット２７の軌道よりも−Ｚ方向側の位置で排気する場合のシミュレーション結果を示す。図５において、横軸は、ターゲット供給部２６の開口５２が形成されたノズルからプラズマ生成領域２５の中心までの距離を１とした場合の、ノズルからの距離の相対値を示す。図５において、縦軸は、プラズマ生成領域２５の中心を０とした場合のターゲット２７のＺ方向の位置を示す。
【００５７】
図５に示されるように、ターゲット２７の軌道の近傍位置又はターゲット２７の軌道よりも−Ｚ方向側の位置で排気する場合に比べて、ターゲット２７の軌道よりもＺ方向側の位置で排気すると、ターゲット２７の軌跡がＺ方向側にずれてしまう可能性がある。なお、ターゲット２７の軌道の近傍位置で排気する場合と、ターゲット２７の軌道よりも−Ｚ方向側の位置で排気する場合とでは、ターゲット２７の軌跡に大きな差はない可能性がある。
【００５８】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態と比べて、チャンバ２内におけるＺ方向のガスの流れが抑制され、ターゲット２７の軌跡に沿ったＹ方向のガスの流れが促進され得る。これにより、ターゲット２７の軌跡がＺ方向にずれることが抑制され、ターゲット２７の軌跡が安定し得る。また、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と比べて、ノズル６９による水素ガスの噴出量を低減し得る。
【００５９】
６．ターゲットの軌跡変更制御
図６Ａ及び図６Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す一部断面図である。図６Ａは、ターゲット２７の軌道とパルスレーザ光３３の光路軸との両方を含む面における断面を示している。ターゲット２７の軌道とパルスレーザ光３３の光路軸との両方を含む面は、ＹＺ面に平行な面であってもよい。図６Ｂは、ターゲット２７の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光３３の光路軸に垂直な面における断面を示している。ターゲット２７の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光３３の光路軸に垂直な面は、ＸＹ面に平行な面であってもよい。図６Ｂにおいては、配管６６の一部の図示が省略されている。
【００６０】
第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１においては、ガス制御部５０が、ターゲットセンサ４の検出結果に基づき、ノズル６９によって噴出される水素ガスの流量を制御するように構成されてもよい。なお、図６Ａ及び図６Ｂにおいて、ガス制御部５０がそれぞれ２箇所に図示されているが、ガス制御部５０は１つにまとまっていてもよい。
【００６１】
第３の実施形態において、ターゲットセンサ４は、プラズマ生成領域２５に向けられていてもよい。チャンバ２には、プラズマ生成領域２５に向けられた発光部４５が取り付けられていてもよい。ターゲットセンサ４及び発光部４５は、プラズマ生成領域２５を挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。ターゲットセンサ４及び発光部４５の一方が、プラズマ生成領域２５からみてＸ方向の位置に配置され、ターゲットセンサ４及び発光部４５の他方が、プラズマ生成領域２５からみて−Ｘ方向の位置に配置されてもよい。
【００６２】
チャンバ２にはウインドウ２１ａ及び２１ｂが取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ａは、発光部４５とプラズマ生成領域２５との間に位置していてもよい。ウインドウ２１ｂは、プラズマ生成領域２５とターゲットセンサ４との間に位置していてもよい。
【００６３】
ターゲットセンサ４は、イメージセンサ４１と、転写光学系４２と、容器４３と、シャッタ４４とを含んでもよい。容器４３はチャンバ２の外部に固定され、この容器４３内に、イメージセンサ４１、転写光学系４２及びシャッタ４４が固定されてもよい。転写光学系４２は、プラズマ生成領域２５及びその周辺の像をイメージセンサ４１の受光部に転写してもよい。シャッタ４４は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達する直前のわずかな時間だけ開いている他は、閉じていてもよい。発光部４５は、光源４６と、集光光学系４７と、容器４８とを含んでもよい。容器４８はチャンバ２の外部に固定され、この容器４８内に、光源４６及び集光光学系４７が固定されてもよい。
【００６４】
光源４６の出力光は、集光光学系４７によって、プラズマ生成領域２５及びその周辺に、照射され得る。ターゲット２７が発光部４５による光の光路に到達した後で、且つプラズマ生成領域２５に到達する直前のタイミングで、ターゲットセンサ４は、イメージセンサ４１によって、プラズマ生成領域２５及びその周辺の像の光強度分布を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、この光強度分布のデータを、ガス制御部５０に出力してもよい。ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングで、パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に到達し、プラズマが生成され得る。パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に到達する直前に、シャッタ４４が閉じられてもよい。
【００６５】
チャンバ２には、さらに、圧力センサ３８が取り付けられてもよい。圧力センサ３８は、チャンバ２内の圧力を検出し、圧力の検出値をガス制御部５０に出力してもよい。本開示において、ガス制御部５０は、ＥＵＶ光生成制御部５とは別のものとして説明されるが、ガス制御部５０は、ＥＵＶ光生成制御部５に含まれるものでもよい。ガス制御部５０は、チャンバ２内の圧力の検出値に基づいて、チャンバ２の内部が所定範囲の圧力に維持されるように排気装置３９を制御してもよい。
その他の点については第２の実施形態と同様でよい。
【００６６】
図７Ａは、第３の実施形態におけるガス制御部５０の動作を示すフローチャートである。ガス制御部５０は、以下の処理によって、ノズル６９から噴射される水素ガスの流量及びチャンバ２内の圧力を制御してもよい。
【００６７】
まず、Ｓ１０において、ガス制御部５０は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット軌跡制御命令を受信したか否かを判定してもよい。ガス制御部５０は、ターゲット軌跡制御命令を受信していない場合、ターゲット軌跡制御命令を受信するまで待機してもよい。ガス制御部５０は、ターゲット軌跡制御命令を受信した場合、処理をＳ２０に進めてもよい。
【００６８】
Ｓ２０において、ガス制御部５０は、ターゲットセンサ４を用いて、ターゲット２７とプラズマ生成領域２５との距離Ｌを計測してもよい。この処理の詳細については、図７Ｂを参照しながら後述する。
【００６９】
次に、Ｓ３０において、ガス制御部５０は、ＥＵＶ光生成制御部５に、レーザ光照射ＮＧを示す信号を出力してもよい。この信号に基づいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３に対するトリガ信号の出力を停止してもよい。
【００７０】
次に、Ｓ４０において、ガス制御部５０は、調節弁６７を制御することにより、距離Ｌが０に近づくように、ノズル６９から出力される水素ガスの流量を調節してもよい。例えば、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５よりもＺ方向側にずれている場合には、ノズル６９から出力される水素ガスの流量を増加させてもよい。ターゲット２７がプラズマ生成領域２５よりも−Ｚ方向側にずれている場合には、ノズル６９から出力される水素ガスの流量を減少させてもよい。
【００７１】
次に、Ｓ５０において、ガス制御部５０は、排気装置３９を制御することにより、チャンバ２内の圧力が所定範囲内となるように、排気装置３９による排気量を調節してもよい。この処理の詳細については、図７Ｃを参照しながら後述する。
【００７２】
次に、Ｓ６０において、ガス制御部５０は、ターゲットセンサ４を用いて、ターゲット２７とプラズマ生成領域２５との距離Ｌを計測してもよい。この処理は、Ｓ２０の処理と同じ処理でよい。この処理の詳細については、図７Ｂを参照しながら後述する。
【００７３】
次に、Ｓ７０において、ガス制御部５０は、計測された距離Ｌを所定の閾値と比較することにより、距離Ｌが許容範囲内か否かを判定してもよい。距離Ｌの許容範囲は、例えば、ターゲット２７の直径の１０％とされてもよい。すなわち、ターゲット２７の直径が約２０μｍである場合には、以下の範囲を距離Ｌの許容範囲としてもよい。
−２μｍ≦Ｌ≦２μｍ
【００７４】
距離Ｌが許容範囲内でない場合には、ガス制御部５０は、処理をＳ３０に戻し、Ｓ３０以降の処理を繰り返すことにより、ノズル６９から出力される水素ガスの流量をさらに調節してもよい。距離Ｌが許容範囲内である場合には、ガス制御部５０は、処理をＳ８０に進めてもよい。
【００７５】
Ｓ８０において、ガス制御部５０は、ＥＵＶ光生成制御部５に、レーザ光照射ＯＫを示す信号を出力してもよい。この信号に基づいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３に対するトリガ信号の出力を開始してもよい。
【００７６】
次に、Ｓ９０において、ガス制御部５０は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット軌跡制御の中止命令を受信したか否かを判定してもよい。ガス制御部５０は、ターゲット軌跡制御の中止命令を受信していない場合、処理をＳ４０に戻し、Ｓ４０以降の処理を繰り返してもよい。ガス制御部５０は、ターゲット軌跡制御の中止命令を受信した場合、本フローチャートによる処理を終了してもよい。
【００７７】
図７Ｂは、図７Ａに示される距離Ｌの計測の処理の詳細を示すフローチャートである。図７Ｂに示される処理は、図７Ａに示されるＳ２０又はＳ６０のサブルーチンとして、ガス制御部５０によって行われてもよい。
【００７８】
まず、Ｓ２１において、ガス制御部５０は、ターゲットセンサ４から出力された光強度分布のデータを取り込んでもよい。
【００７９】
次に、Ｓ２２において、ガス制御部５０は、光強度分布のデータに基づいて、ターゲット２７の中心位置Ｄを算出してもよい。例えば、光強度分布のデータがターゲット２７の形状を示す円を含んでいる場合には、その円の中心位置を算出してもよい。また、光強度分布のデータが所定時間にわたるターゲット２７の移動軌跡を示す帯の形状を含んでいる場合には、その帯の中心線の位置を算出してもよい。ターゲット２７の中心位置Ｄは、Ｚ方向における中心位置であってもよい。
【００８０】
次に、Ｓ２３において、ガス制御部５０は、プラズマ生成領域２５の中心位置Ｃとターゲット２７の中心位置Ｄとの距離Ｌを、以下の式により算出してもよい。
Ｌ＝Ｄ−Ｃ
プラズマ生成領域２５の中心位置Ｃは、Ｚ方向における中心位置であってもよい。
その後、本フローチャートによる処理を終了してもよい。
【００８１】
図７Ｃは、図７Ａに示されるチャンバ内の圧力制御の処理の詳細を示すフローチャートである。図７Ｃに示される処理は、図７Ａに示されるＳ５０のサブルーチンとして、ガス制御部５０によって行われてもよい。
【００８２】
まず、Ｓ５１において、ガス制御部５０は、圧力センサ３８から出力されたチャンバ２の圧力Ｐの検出値を取り込んでもよい。
【００８３】
次に、Ｓ５２において、ガス制御部５０は、目標の圧力Ｐｔとチャンバ２内の圧力Ｐとの差ΔＰを、以下の式により算出してもよい。
ΔＰ＝Ｐ−Ｐｔ
目標の圧力Ｐｔは、５Ｐａ以上、２０Ｐａ以下の範囲で決められた値であってもよい。
【００８４】
次に、Ｓ５３において、ガス制御部５０は、上述の差ΔＰが０に近づくように排気装置３９を制御してもよい。例えば、チャンバ２内の圧力Ｐが目標の圧力Ｐｔより高い場合には、排気装置３９による排気量を増加させてもよい。チャンバ２内の圧力Ｐが目標の圧力Ｐｔより低い場合には、排気装置３９による排気量を減少させてもよい。
その後、本フローチャートによる処理を終了してもよい。
以上の処理により、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５を通過するように、ノズル６９による水素ガスの流量を調整することができる。
【００８５】
第３の実施形態において、ターゲットセンサ４がプラズマ生成領域２５からみてＸ方向又は−Ｘ方向の位置に配置される場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。ターゲットセンサ４は、プラズマ生成領域２５とターゲット２７とのＺ方向のずれを計測できる位置であれば、別の位置に配置されてもよい。
【００８６】
第３の実施形態において、ターゲットセンサ４及び発光部４５が、プラズマ生成領域２５を挟んで互いに反対側に配置される場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。ターゲットセンサ４及び発光部４５が、プラズマ生成領域２５からみてほぼ同じ側に配置され、ターゲットセンサ４が、発光部４５によって光を照射されたターゲットの反射光を検出してもよい。
【００８７】
第３の実施形態において、調節弁６７を制御する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。ガス制御部５０が、調節弁６２及び調節弁６４あるいはその一方を制御することにより、ターゲット２７の軌道に流れる水素ガスの流量を調節してもよい。この場合、調節弁６７を制御しなくてもよい。
【００８８】
７．複数の第１のガス供給部
図８は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す一部断面図である。図８は、ターゲット２７の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光３３の光路軸に垂直な面における断面を示している。ターゲット２７の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光３３の光路軸に垂直な面は、ＸＹ面に平行な面であってもよい。図８に示されるように、第４の実施形態においては、複数の第１のガス供給部が設けられてもよい。複数の第１のガス供給部は、それぞれ、ターゲット２７の軌道に向けて水素ガスを噴出してもよい。
【００８９】
ガス供給源６８、調節弁６７、配管６６及びノズル６９を含む第１のガス供給部が、−Ｚ方向の方向成分及びＹ方向の方向成分を含む方向に、水素ガスを噴出してもよい。
ガス供給源６８ａ、調節弁６７ａ、配管６６ａ及びノズル６９ａを含む別の第１のガス供給部が、−Ｚ方向の方向成分、Ｙ方向の方向成分及びＸ方向の方向成分を含む方向に、水素ガスを噴出してもよい。
ガス供給源６８ｂ、調節弁６７ｂ、配管６６ｂ及びノズル６９ｂを含むさらに別の第１のガス供給部が、−Ｚ方向の方向成分、Ｙ方向の方向成分及び−Ｘ方向の方向成分を含む方向に、水素ガスを噴出してもよい。
【００９０】
複数の第１のガス供給部によって供給される水素ガスの流量をそれぞれ制御することにより、Ｚ方向だけでなく、Ｘ方向におけるターゲットの位置も調整し得る。なお、図８においては、配管６６、６６ａ、６６ｂの各一部の図示が省略されている。また、調節弁６７、６７ａ、６７ｂ及びターゲットセンサ４、９と、ガス制御部５０とを接続する信号ラインが省略されている。
【００９１】
図８に示されるように、第４の実施形態においては、ターゲットセンサ４及びターゲットセンサ９が設けられてもよい。ターゲットセンサ９は、プラズマ生成領域２５よりＹ方向にずれた位置に配置されていてもよい。チャンバ２には、さらに、発光部９５が取り付けられていてもよい。ターゲットセンサ９及び発光部９５は、プラズマ生成領域２５を挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。
【００９２】
チャンバ２にはウインドウ２１ｃ及び２１ｄが取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ｃは、発光部９５とプラズマ生成領域２５との間に位置していてもよい。ウインドウ２１ｄは、プラズマ生成領域２５とターゲットセンサ９との間に位置していてもよい。
【００９３】
ターゲットセンサ９は、イメージセンサ９１と、転写光学系９２と、容器９３と、シャッタ９４とを含んでもよい。発光部９５は、光源９６と、集光光学系９７と、容器９８とを含んでもよい。ターゲットセンサ９は、プラズマ生成領域２５よりＹ方向にずれた位置に配置されている他は、ターゲットセンサ４と同様の構成及び機能を有してよい。発光部９５は、発光部４５と同様の構成及び機能を有してよい。
【００９４】
これにより、ガス制御部５０は、ターゲットセンサ４のデータに基づいてターゲット２７のＺ方向の位置を算出するだけでなく、ターゲットセンサ９のデータに基づいてターゲット２７のＸ方向の位置を算出し得る。ガス制御部５０は、ターゲット２７のＸ方向の位置に基づいて、複数の第１のガス供給部を制御することにより、ターゲット２７のＸ方向の位置を所望の範囲内に調整し得る。
他の点については、第３の実施形態と同様でよい。
【００９５】
第４の実施形態において、複数の第１のガス供給部を制御する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。ターゲットセンサ９によってターゲット２７のＸ方向のずれが検出された場合に、ターゲット２７のＸ方向のずれを修正するための代替構成がとられてもよい。この代替構成としては、例えば、ターゲット供給部２６のＸ方向の位置を調整するＸ軸ステージが用いられてもよい。
【００９６】
８．制御部の構成
図９は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるＥＵＶ光生成制御部５及びガス制御部５０等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。
【００９７】
（構成）
制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。
【００９８】
（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部１０００は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読み出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。
【００９９】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
【０１００】
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
【０１０１】
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。
【０１０２】
ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。
【０１０３】
処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
【０１０４】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、レーザ装置３、露光装置６、他の制御部等であってもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、ターゲットセンサ４、ターゲット供給部２６等であってもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、圧力センサ３８等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。
【０１０５】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１０６】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【図１】
2015097794.tif 000003
【図２】
2015097794.tif 000004
【図３】
2015097794.tif 000005
【図４】
2015097794.tif 000006
【図５】
2015097794.tif 000007
【図６Ａ】
2015097794.tif 000008
【図６Ｂ】
2015097794.tif 000009
【図７Ａ】
2015097794.tif 000010
【図７Ｂ】
2015097794.tif 000011
【図７Ｃ】
2015097794.tif 000012
【図８】
2015097794.tif 000013
【図９】
2015097794.tif 000014
【国際調査報告】
2015097794.tif 000015
2015097794.tif 000016
2015097794.tif 000017
2015097794.tif 000018