(57)【要約】本発明は、ダイシングテープにより補強した状態でウエハをダイシングして半導体チップを製造する方法であって、水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく、かつ、得られた半導体チップ上に残渣の付着が発生することがない半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、少なくとも、刺激により架橋、硬化する硬化型粘着剤成分を含有する粘着剤層と基材フィルムとからなるダイシングテープを、ウエハに粘着剤層側から貼付して補強するダイシングテープ貼付工程と、前記粘着剤層に刺激を与えて硬化型粘着剤成分を架橋、硬化する粘着剤層硬化工程と、前記ダイシングテープにより補強されたウエハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、前記ダイシングテープから半導体チップを剥離する半導体チップ剥離工程とを有する半導体チップの製造方法である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、刺激により架橋、硬化する硬化型粘着剤成分を含有する粘着剤層と基材フィルムとからなるダイシングテープを、ウエハに粘着剤層側から貼付して補強するダイシングテープ貼付工程と、
前記粘着剤層に刺激を与えて硬化型粘着剤成分を架橋、硬化する粘着剤層硬化工程と、
前記ダイシングテープにより補強されたウエハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、
前記ダイシングテープから半導体チップを剥離する半導体チップ剥離工程を有する
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
ウエハは、片面粘着テープを貼付する側の表面に高さ２０μｍ以上の凹凸があることを特徴とする請求項１記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
ダイシングテープの粘着剤層の厚みがウエハの凹凸の高さよりも薄いものであることを特徴とする請求項２記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
ダイシングテープ貼付工程前における粘着剤層について動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率が１．０×１０２〜２．０×１０５Ｐａであり、かつ、粘着剤層硬化工程後における粘着剤層について動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率が２．０×１０５〜１．０×１０９Ｐａであることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
粘着剤層硬化工程後、ダイシング工程前に、ダイシングテープにより補強されたウエハに加熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
硬化型粘着剤成分を架橋、硬化する刺激が紫外線であることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
粘着剤層は、更に刺激により気体を発生する気体発生剤を含むものであって、半導体チップ剥離工程において刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させることを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープにより補強した状態でウエハをダイシングして半導体チップを製造する方法であって、水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく、かつ、得られた半導体チップ上に残渣の付着が発生することがない半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスしてウエハとした後、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いで、ウエハ裏面を研削機により研削した後、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。【０００３】
従来から、ダイシングの際には、ウエハの裏面側にダイシングテープを貼付して、ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、得られた半導体チップをダイシングテープ側からニードルで突き上げる等の方法によりピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。例えば、特許文献１には、複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、ウエハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸でウエハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸でウエハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行うウエハの研削加工方法が開示されているが、このような方法にあってもウエハの位置ずれ等を防止する目的でダイシングテープが用いられている。【０００４】
ダイシングの際にウエハの位置ずれ等を確実に防止するためには、ウエハを固定するダイシングテープに高い粘着力が求められる。また、ダイシングの際には、削りカスの除去のために、ウエハの表面にイソプロピルアルコール水溶液等の水系有機溶剤を噴射する場合がある。従って、ダイシングテープには、水系有機溶剤に対する耐薬品性も求められる。しかしながら、ダイシングテープの粘着力を高くし、耐薬品性を付与すると、ダイシングテープから得られた半導体チップを剥離したときに、半導体チップの表面にダイシングテープに起因する残渣が付着してしまうことがあるという問題があった。このような残渣の付着の問題は、ウエハにダイシングテープを貼付した後に時間が経過するほど顕著になる傾向にあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−７８７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑み、ダイシングテープにより補強した状態でウエハをダイシングして半導体チップを製造する方法であって、水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく、かつ、得られた半導体チップ上に残渣の付着が発生することがない半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、少なくとも、刺激により架橋、硬化する硬化型粘着剤成分を含有する粘着剤層と基材フィルムとからなるダイシングテープを、ウエハに粘着剤層側から貼付して補強するダイシングテープ貼付工程と、前記粘着剤層に刺激を与えて硬化型粘着剤成分を架橋、硬化する粘着剤層硬化工程と、前記ダイシングテープにより補強されたウエハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、前記ダイシングテープから半導体チップを剥離する半導体チップ剥離工程とを有する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。【０００８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、刺激により架橋、硬化する硬化型粘着剤成分を含有する粘着剤層と基材フィルムとからなるダイシングテープを用い、これを未硬化の状態でウエハに貼付する一方、ダイシングテープ貼付後、ダイシング工程の前に刺激を与えて架橋、硬化させることにより、水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく、得られた半導体チップ上にウエハに残渣の付着が発生することがないことを見出し、本発明を完成した。
刺激により架橋、硬化する硬化型粘着剤成分を含有する粘着剤層は、該硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させる前には充分な柔軟性を有することから、これを用いたダイシングテープは、たとえ表面に凹凸（例えば、高さ２０μｍ以上の凹凸。突起電極等。）を有するウエハであっても確実に凹凸に追従して、ウエハに貼付してこれを保護することができる高い粘着性を発揮することができる。また、このように粘着剤層が架橋、硬化していることにより、ダイシング工程において水系有機溶剤を用いた場合にでも、位置ずれ等が発生することがない。更に、粘着剤層が架橋、硬化していることにより、接着亢進等も生じることなく、残渣の付着が発生することなく半導体チップをダイシングテープから剥離することができる。
また、半導体チップの製造方法においては、ダイシング工程前に、ダイシングテープにより補強されたウエハに加熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を施すこともある。このようなウエハ処理工程においては、加熱によりダイシングテープの粘着剤層が収縮してウエハに反りが発生したり、接着亢進が生じて半導体チップの表面への残渣の付着が顕著となったりすることがあった。本発明の半導体チップの製造方法では、このようなウエハ処理工程を行う場合であっても、ウエハ処理工程前に硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させることにより、反りの発生や半導体チップの表面への残渣の付着を防止することができる。【０００９】
本発明の半導体チップの製造方法では、まず、少なくとも、刺激により架橋、硬化する硬化型粘着剤成分を含有する粘着剤層と基材フィルムとからなるダイシングテープを、ウエハに粘着剤層側から貼付して補強するダイシングテープ貼付工程を行う。
上記ウエハは、半導体チップの原料となるものであり、特に限定されず従来公知のものを用いることができる。また、本明細書においてウエハには、ウエハレベルパッケージ、即ち、ウエハ状態でパッケージ最終工程まで処理して完成させるウエハも含まれる。
なかでも、表面に高さ２０μｍ以上の凹凸を有するウエハに対して、本発明は特に有効である。【００１０】
上記ダイシングテープは、少なくとも、粘着剤層と基材フィルムとを有する。
上記粘着剤層は、刺激により架橋、硬化する硬化型粘着剤成分を含有する。このような硬化型粘着剤成分を含有する粘着剤層を用いることにより、高い粘着力でダイシングテープをウエハに貼付することができ、水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがない高い粘着性と、残渣が付着することなく半導体チップをダイシングテープから剥離することができる高い非残渣付着性とを両立することができる。【００１１】
上記硬化型粘着剤成分を架橋、硬化する刺激としては、光、熱、電磁波、電子線、超音波等が挙げられる。なかでも、紫外線照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤成分が好適である。
上記光硬化型粘着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤が挙げられる。【００１２】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。【００１３】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。【００１４】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。【００１５】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。【００１６】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。【００１７】
上記重合性ポリマーは、ラジカル重合性の不飽和結合の含有量の好ましい下限が０．０１ｍｅｑ／ｇ、好ましい上限が２．０ｍｅｑ／ｇである。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量がこの範囲内であると、上記粘着剤層硬化工程において粘着剤層に刺激を与えて硬化型粘着剤成分を架橋、硬化した後の粘着剤層は、ダイシング工程において水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく充分にウエハを保護することができる。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量のより好ましい下限は０．０５ｍｅｑ／ｇ、より好ましい上限は１．５ｍｅｑ／ｇである。【００１８】
上記硬化型粘着剤成分が光硬化型粘着剤成分である場合、配合する光重合開始剤は、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。【００１９】
上記硬化型粘着剤成分は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、刺激を与えたときの硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による硬化成分の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。【００２０】
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール＃７００ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。【００２１】
上記粘着剤層は、更に、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、上記半導体チップ剥離工程において、粘着剤層に刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなくウエハからダイシングテープを剥離することができる。【００２２】
ここで、上記硬化型粘着剤成分と上記気体発生剤とは、硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させる刺激と、気体発生剤から気体を発生させる刺激が質的又は量的に異なる組み合わせを選択する。このような組み合わせを選択することにより、粘着剤層硬化工程における刺激によって気体発生剤から気体が発生し、ウエハとダイシングテープとが剥離してしまうのを防止することができる。【００２３】
具体的には例えば、上記光硬化型粘着剤成分を用いる場合には、熱等の光以外の刺激により気体を発生する気体発生剤を選択することが挙げられる。また、気体発生剤から気体を発生させる刺激も光である場合でも、光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させる光とは波長が異なったり、波長が重複しても、光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させる光量よりもより多くの光量を要したりする気体発生剤を選択する。
例えば、上記光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤成分として、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する粘着剤を用いた場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより架橋、硬化させることができる。このような光硬化型粘着剤成分に対して、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を組み合わせれば、粘着剤層硬化工程においては３６５ｎｍ以上の波長の光を照射し、半導体チップ剥離工程においては３００ｎｍ以下の波長の光を照射することが可能となる。【００２４】
上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができる。
また、特に優れた耐熱性を有することから、下記一般式（１）で表されるカルボン酸化合物又はその塩も好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体（二酸化炭素ガス）を発生する一方、ダイシング工程時に熱が発生しても分解しない高い耐熱性を有する。【００２５】
【化１】
2016129577.tif 000002
【００２６】
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ１〜Ｒ７は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ１〜Ｒ７のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。【００２７】
上記一般式（１）における有機基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基や、カルボキシル基や、水酸基や、ニトロ基や、フェニル基等の芳香族基や、ナフチル基、フルオレニル基、ピレニル基等の多環式炭化水素基や、ビフェニル基等の環集合炭化水素基や、キサンテニル基等のヘテロ環基等が挙げられる。
なかでも、上記式（１）中のＲ３〜Ｒ７のうちの１つが、下記式（２）で表される有機基であるか、又は、上記式（１）中のＲ３〜Ｒ７のうちの隣り合う２つが互いに結合して下記式（３）で表される環状構造を形成していることが好ましい。【００２８】
【化２】
2016129577.tif 000003
【００２９】
式（２）中、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ８〜Ｒ１２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ８〜Ｒ１２のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。
式（３）中、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ水素又は有機基を示す。Ｒ１３〜Ｒ１６は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ１３〜Ｒ１６のうちの２つが互いに結合し、環状構造を形成していてもよい。
また、上記式（１）中のＲ１は、メチル基であることが好ましい。【００３０】
上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の具体例としては、例えば、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸、２−フェニルプロピオン酸、２，２−ジフェニルプロピオン酸、２，２，２−トリフェニルプロピオン酸、２−フェニルブチル酸、α−メトキシフェニル酢酸、マンデリック酸、アトロラクトン酸、ベンジリック酸、トロピック酸、フェニルマロン酸、フェニルコハク酸、３−メチル−２−フェニル酪酸、オルトトルイル酢酸、メタトルイル酢酸、４−イソブチル−α−メチルフェニル酢酸、パラトルイル酢酸、１，２−フェニレンジ酢酸、１，３−フェニレンジ酢酸、１，４−フェニレンジ酢酸、２−メトキシフェニル酢酸、２−ヒドロキシフェニル酢酸、２−ニトロフェニル酢酸、３−ニトロフェニル酢酸、４−ニトロフェニル酢酸、２−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、３−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、４−（４−ニトロフェニル）プロピオン酸、３，４−ジメトキシフェニル酢酸、３，４−（メチレンジオキシ）フェニル酢酸、２，５−ジメトキシフェニル酢酸、３，５−ジメトキシフェニル酢酸、３，４，５−トリメトキシフェニル酢酸、２，４−ジニトロフェニル酢酸、４−ビフェニル酢酸、１−ナフチル酢酸、２−ナフチル酢酸、６−メトキシ−α−メチル−２−ナフチル酢酸、１−ピレン酢酸、９−フルオレンカルボン酸又は９Ｈ−キサンテン−９−カルボン酸等が挙げられる。【００３１】
なかでも上記式（１）で表されるカルボン酸化合物は、下記式（１−１）で表されるケトプロフェン、又は、下記式（１−２）で表される２−キサントン酢酸であることが好ましい。【００３２】
【化３】
2016129577.tif 000004
【００３３】
上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩も、上記式（１）で表されるカルボン酸化合物に由来する骨格を有することから、光が照射されると容易に脱炭酸を起こし、二酸化炭素ガスを発生させることができる。【００３４】
上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩は、上記式（１）で表されるカルボン酸化合物と塩基性化合物とを容器中で混合するだけで、複雑な合成経路を経ることなく簡単に調製することができる。
上記塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、アミン、ヒドラジン化合物、水酸化四級アンモニウム塩、ホスフィン化合物等が挙げられる。
上記アミンは特に限定されず、一級アミン、二級アミン及び三級アミンのいずれをも用いることができる。
なかでも上記塩基性化合物は、モノアルキルアミン又はジアルキルアミンが好適である。モノアルキルアミン又はジアルキルアミンを用いた場合には、得られる上記式（１）で表されるカルボン酸化合物の塩の極性を低極性化でき、粘着剤成分との溶解性を高めることできる。より好ましくは、炭素数６〜１２のモノアルキルアミン又はジアルキルアミンである。【００３５】
上記気体発生剤は、また、下記一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）で表されるテトラゾール化合物若しくはその塩も好適である。これらの気体発生剤も、紫外線等の光を照射することにより気体（チッソガス）を発生する一方、ダイシング工程時に熱が発生しても分解しない高い耐熱性を有する。【００３６】
【化４】
2016129577.tif 000005
【００３７】
式（４）〜（６）中、Ｒ２１、Ｒ２２は、水素、炭素数が１〜７のアルキル基、アルキレン基、フェニル基、メルカプト基、水酸基又はアミノ基を表す。【００３８】
上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩も、上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物に由来する骨格を有することから、光が照射されるとチッソガスを発生させることができる。
上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩は特に限定されず、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。【００３９】
上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩は、上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物と塩基性化合物とを容器中で混合するだけで、複雑な合成経路を経ることなく簡単に調製することができる。
上記塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、アミン、ヒドラジン化合物、水酸化四級アンモニウム塩、ホスフィン化合物等が挙げられる。
上記アミンは特に限定されず、一級アミン、二級アミン及び三級アミンのいずれをも用いることができる。
なかでも上記塩基性化合物は、モノアルキルアミン又はジアルキルアミンが好適である。モノアルキルアミン又はジアルキルアミンを用いた場合には、得られる上記一般式（４）〜（６）で表されるテトラゾール化合物の塩の極性を低極性化でき、光硬化型粘着剤成分との溶解性を高めることができる。より好ましくは、炭素数６〜１２のモノアルキルアミン又はジアルキルアミンである。【００４０】
上記一般式（４）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５，５−アゾビス−１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−（ジメチルアミノエチル）−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール等が挙げられる。【００４１】
上記一般式（５）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、５，５’−ビステトラゾールジアンモニウム塩等が挙げられる。【００４２】
上記一般式（６）で表されるテトラゾール化合物又はその塩は特に限定されないが、具体的には例えば、５，５’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等が挙げられる。【００４３】
上記気体発生剤の含有量は、上記硬化型粘着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量が５重量部未満であると、刺激による二酸化炭素ガス又は窒素ガスの発生が少なくなり充分な剥離を行うことができないことがあり、５０重量部を超えると、硬化型粘着剤成分へ溶けきれなくなり粘着力が低下してしまうことがある。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。【００４４】
上記粘着剤層は、更に、光増感剤を含有してもよい。
上記光増感剤は、上記気体発生剤への光による刺激を増幅する効果を有することから、より少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、より広い波長領域の光により気体を放出させることができる。【００４５】
上記光増感剤は、耐熱性に優れるものであれば特に限定されない。
耐熱性に優れた光増感剤は、例えば、アルコキシ基を少なくとも１つ以上有する多環芳香族化合物が挙げられる。なかでも、一部がグリシジル基又は水酸基で置換されたアルコキシ基を有する置換アルコキシ多環芳香族化合物が好適である。これらの光増感剤は、耐昇華性が高く、高温下で使用することができる。また、アルコキシ基の一部がグリシジル基や水酸基で置換されることにより、上記光硬化型粘着剤成分への溶解性が高まり、ブリードアウトを防止することができる。【００４６】
上記光増感剤の含有量は、上記硬化型粘着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が０．０５重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記光増感剤の含有量が０．０５重量部未満であると、充分な増感効果が得られないことがあり、１０重量部を超えると、光増感剤に由来する残存物が増え、充分な剥離を行えなくなることがある。上記光増感剤の含有量のより好ましい下限は０．１重量部、より好ましい上限は５重量部である。【００４７】
上記粘着剤層は、ヒュームドシリカを含有してもよい。ヒュームドシリカを配合することにより上記粘着剤層の凝集力が上がる。このため、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに極性の異なる添加剤を混合しても分離することなく、粘着剤層を均一にすることができる。【００４８】
上記ヒュームドシリカの平均粒子径の下限は０．０５μｍ、上限は３μｍである。上記ヒュームドシリカの平均粒子径がこの範囲内である場合に、金属蒸着工程でも浮き等が発生しない高い耐熱性と、剥離工程で糊残りしない高い非糊残り性とを発揮することができる。上記ヒュームドシリカの平均粒子径の好ましい下限は０．０６μｍ、好ましい上限は２μｍであり、より好ましい下限は０．０７μｍ、より好ましい上限は１μｍである。
なお、本明細書においてヒュームドシリカの平均粒子径は、レーザー散乱・回折法又は動的光散乱法のいずれかの方法を用いて、配合前のメチルエチルケトン、メチルエチルケトン／トルエン（６０：４０）溶液等の媒体に分散したヒュームドシリカを測定した粒子径を意味する。【００４９】
上記ヒュームドシリカを配合する場合、上記硬化型粘着剤成分１００重量部に対して４０重量部以下の配合量が好ましい。４０重量部以下の配合量で、凝集力を向上させて粘着剤層を均一にする効果や、非糊残り性向上の効果を発揮することができる。上記ヒュームドシリカの配合量の下限は特に限定されないが、上記粘着剤の均一性、及び非糊残り性向上の効果を充分に発揮させるためには、３重量部以上配合することが好ましい。【００５０】
上記粘着剤層は、上記硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物（以下、単に「シリコーン化合物Ａ」ともいう。）を含有してもよい。
シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、ダイシング工程時に熱が発生しても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有することにより、刺激を与えることにより上記硬化型粘着剤成分と化学反応して硬化型粘着剤成分中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。【００５１】
上記シリコーン化合物Ａのシリコーン骨格は特に限定はされず、Ｄ体、ＤＴ体のいずれでもよい。上記シリコーン化合物Ａは、該官能基をシリコーン骨格の側鎖又は末端に有することが好ましい。なかでも、Ｄ体のシリコーン骨格を有し、かつ、末端に上記硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を用いると、高い初期粘着性と剥離時の剥離性とを両立しやすいことからより好適である。【００５２】
上記シリコーン化合物Ａの官能基は、上記硬化型粘着剤成分に応じて適当なものを選択して用いる。例えば、硬化型粘着剤成分が上記分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーを主成分とする硬化型粘着剤である場合には、（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基を選択する。
上記（メタ）アクリル基と架橋可能な官能基は、不飽和二重結合を有する官能基であり、具体的には例えば、ビニル基、（メタ）アクリル基、アリル基、マレイミド基等が挙げられる。【００５３】
上記シリコーン化合物Ａの官能基当量は特に限定されないが、好ましい下限は１、好ましい上限は２０である。上記官能基当量が１未満であると、得られる粘着剤層の硬化時に、シリコーン化合物Ａが充分に光硬化型粘着剤成分に取り込まれず、被着体を汚染してしまったり、剥離性を充分に発揮できなかったりすることがあり、２０を超えると、充分な粘着力が得られないことがある。上記官能基当量のより好ましい上限は１０であり、より好ましい下限は２、更に好ましい上限は６である。【００５４】
上記シリコーン化合物Ａの分子量は特に限定されないが、好ましい下限は３００、好ましい上限は５００００である。上記分子量が３００未満であると、粘着剤層の耐薬品性、耐熱性が不充分となることがあり、５００００を超えると、上記硬化型粘着剤成分との混合が困難となることがある。上記分子量のより好ましい下限は４００、より好ましい上限は１００００であり、更に好ましい下限は５００、更に好ましい上限は５０００である。【００５５】
上記シリコーン化合物Ａを合成する方法は特に限定されず、例えば、ＳｉＨ基を有するシリコーン樹脂と、上記硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有するビニル化合物とをハイドロシリレーション反応により反応させることにより、シリコーン樹脂に上記硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を導入する方法や、シロキサン化合物と、上記硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有するシロキサン化合物とを縮合反応させる方法等が挙げられる。【００５６】
上記シリコーン化合物Ａのうち市販されているものは、例えば、信越化学工業社製のＸ−２２−１６４、Ｘ−２２−１６４ＡＳ、Ｘ−２２−１６４Ａ、Ｘ−２２−１６４Ｂ、Ｘ−２２−１６４Ｃ、Ｘ−２２−１６４Ｅ等の両末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物や、信越化学工業社製のＸ−２２−１７４ＤＸ、Ｘ−２２−２４２６、Ｘ−２２−２４７５等の片末端にメタクリル基を有するシリコーン化合物や、ダイセルサイテック社製のＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０等のアクリル基を有するシリコーン化合物や、東亞合成社製のＡＣ−ＳＱ  ＴＡ−１００、ＡＣ−ＳＱ  ＳＩ−２０等のアクリル基を有するシリコーン化合物や、東亞合成社製のＭＡＣ−ＳＱ  ＴＭ−１００、ＭＡＣ−ＳＱ  ＳＩ−２０、ＭＡＣ−ＳＱ  ＨＤＭ等のメタクリル基を有するシリコーン化合物等が挙げられる。【００５７】
なかでも、上記シリコーン化合物Ａは、耐薬品性、耐熱性が特に高く、極性が高いために粘着剤層からのブリードアウトが容易であることから、下記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）で表される、シロキサン骨格に（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物が好適である。【００５８】
【化５】
2016129577.tif 000006
【００５９】
式中、Ｘ、Ｙは０〜１２００の整数を表し（但し、Ｘ及びＹがいずれも０の場合を除く。）、Ｒは不飽和二重結合を有する官能基を表す。【００６０】
上記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）で表される、シロキサン骨格に（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物のうち市販されているものは、例えば、ダイセルサイテック社製のＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ＥＢＥＣＲＹＬ１３６０（いずれもＲがアクリル基）等が挙げられる。【００６１】
また、上記シリコーン化合物は、下記一般式（ＩＶ）で表される、三次元構造を有するシリコーン化合物も用いることができる。【００６２】
【化６】
2016129577.tif 000007
【００６３】
上記シリコーン化合物Ａの含有量は、上記硬化型粘着剤成分１００重量部に対する好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が５０重量部である。シリコーン化合物Ａの含有量が０．５重量部未満であると、刺激を与えても充分に粘着力が低減せず被着体から剥離できないことがあり、５０重量部を超えると、被着体の汚染の原因となることがある。シリコーン化合物Ａの含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は４０重量部である。【００６４】
上記粘着剤層は、凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記粘着剤層は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。【００６５】
上記粘着剤層は、ダイシングテープ貼付工程前に動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率が１．０×１０２〜２．０×１０５Ｐａであることが好ましい。架橋、硬化させる前の粘着剤層の貯蔵せん断弾性率がこの範囲内にあることにより、たとえ表面に高さ２０μｍ以上の凹凸を有するウエハであってもより確実に凹凸に追従できる高い凹凸追従性を発揮することができ、確実にウエハの保護を行うことができる。上記粘着剤層のダイシングテープ貼付工程前の２５℃での貯蔵せん断弾性率のより好ましい下限は１．０×１０３Ｐａ、より好ましい上限は１．０×１０５Ｐａである。【００６６】
上記粘着剤層は、粘着剤層硬化工程後に動的粘弾性測定のせん断モードで−５０℃から３００℃まで連続昇温の条件で測定した２５℃での貯蔵せん断弾性率が２．０×１０５〜１．０×１０９Ｐａであることが好ましい。架橋、硬化後の粘着剤層の貯蔵せん断弾性率がこの範囲内にあることにより、ダイシング工程において水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく充分にウエハを保護し、かつ、得られる半導体チップ上に残渣の付着が発生することがない。また、粘着剤層硬化工程後、ダイシング工程前に、ダイシングテープにより補強されたウエハに加熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有する場合であっても、加熱によりダイシングテープの粘着剤層が収縮してウエハに反りが発生したり、接着亢進が生じて半導体チップの表面へ残渣が付着したりするのを防止することができる。上記粘着剤層の粘着剤層硬化工程後の２５℃での貯蔵せん断弾性率のより好ましい下限は１．０×１０６Ｐａ、より好ましい上限は５．０×１０８Ｐａである。【００６７】
上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力でウエハに貼着でき、処理中のウエハを保護することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。【００６８】
上記ウエハが表面に高さ２０μｍ以上の凹凸を有するウエハである場合には、上記粘着剤層の厚みを、ウエハの凹凸の高さよりも薄いものとすることも有効である。
ウエハの表面には、ウエハの表面を保護する目的で、ポリイミド等の樹脂からなるパッシベーション膜が形成されていることがある。このようなウエハの凹凸を有する表面側にダイシングテープを貼付すると、粘着剤層に凸部が食い込み、パッシベーション膜に直接接触することがある。このような状態で加熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を行うと、粘着剤層がパッシベーション膜に焦げ付いてしまい、糊残りの原因となりやすい。上記粘着剤層の厚みをウエハの凹凸の高さよりも薄くすることにより、貼付時に粘着剤層がパッシベーション膜に直接接触するのを防ぎ、糊残りの発生をより防止することができる。【００６９】
上記粘着剤層の厚みを、ウエハの凹凸の高さよりも薄いものとする場合、上記粘着剤層の厚みと上記ウエハの凹凸の高さとの差の好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記差が１０μｍ未満であると、貼付したとき粘着剤層とパッシベーション膜とが直接接触してしまう部分が発生し、糊残りを生じることがある。上記差が１００μｍを超えると、粘着力が不充分となってウエハを充分に保護できないことがある。上記差のより好ましい下限は２０μｍ、より好ましい上限は８０μｍである。【００７０】
上記基材フィルムは特に限定されず、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるフィルム、網目状の構造を有するフィルム、孔が開けられたフィルム等が挙げられる。【００７１】
上記基材フィルムの厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記基材フィルムの厚みがこの範囲内にあると、充分にウエハの補強ができるとともに、半導体チップ剥離工程において半導体チップを容易に剥離することができる。【００７２】
本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、上記粘着剤層に刺激を与えて硬化型粘着剤成分を架橋、硬化する粘着剤層硬化工程を行う。これにより、ダイシング工程において水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく充分にウエハを保護することができ、かつ、得られた半導体チップ上に残渣の付着が発生することがない。【００７３】
上記硬化型粘着剤成分として、例えば側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤成分を用いた場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより、上記硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させることができる。
このような光硬化型粘着剤成分に対しては、例えば、波長３６５ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、５００ｍＪ以上、１００００ｍＪ以下の積算照度で照射することがより好ましく、５００ｍＪ以上、７５００ｍＪ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、１０００ｍＪ以上、５０００ｍＪ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。【００７４】
本発明の半導体チップの製造方法では、上記粘着剤層硬化工程後、次工程であるダイシング工程の前に、ダイシングテープにより補強されたウエハに加熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有してもよい。本発明の半導体チップの製造方法では、このようなウエハ処理工程を行う場合であっても、ウエハ処理工程前に上記粘着剤層硬化工程において硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させておくことにより、熱による反りの発生や半導体チップの表面への残渣の付着を防止することができる。
上記加熱を伴う処理を施すウエハ処理工程は、例えば、ウエハを一定の厚みになるまで研削する研削処理や、スパッタリング、蒸着、エッチング、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）、レジスト塗布・パターンニング、リフロー等が挙げられる。【００７５】
本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、ダイシングテープにより補強されたウエハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程を行う。
上記ダイシングの方法は特に限定されず、従来公知の砥石等を用いて切断分離する方法等を用いることができる。
ダイシングの際には、削りカスの除去のために、ウエハの表面にイソプロピルアルコール水溶液等の水系有機溶剤を噴射してもよい。上記粘着剤硬化工程において架橋、硬化された粘着剤層は、水系有機溶剤に対しても充分な耐薬品性を発揮することができる。【００７６】
本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、ダイシングテープから半導体チップを剥離する半導体チップ剥離工程を行う。
半導体チップの剥離方法は特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。即ち、得られた半導体チップをダイシングテープ側からニードルで突き上げるニードルピックアップ法でも、ニードルを用いないニードルレスピックアップ法のいずれを用いてもよい。
上記粘着剤硬化工程において架橋、硬化された粘着剤層は弾性率が上昇していることから、容易に、かつ、残渣が付着することなく半導体チップを剥離することができる。また、たとえウエハにダイシングテープを貼付した後に時間が経過していても、ほとんど接着亢進が進むこともない。【００７７】
上記粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、上記半導体チップ剥離工程において刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させることにより、更に容易に半導体チップを剥離することができる。
例えば、上記気体発生剤として３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、半導体チップをダイシングテープからより容易に剥離することができる。
このような気体発生剤に対しては、例えば、波長２５４ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長２５４ｎｍの光を１０００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、１０００ｍＪ以上、２０Ｊ以下の積算照度で照射することがより好ましく、１５００ｍＪ以上、１５Ｊ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、２０００ｍＪ以上、１０Ｊ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
【発明の効果】
【００７８】
本発明によれば、ダイシングテープにより補強した状態でウエハをダイシングして半導体チップを製造する方法であって、水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく、かつ、得られた半導体チップ上に残渣の付着が発生することがない半導体チップの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００７９】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００８０】
（実施例１）
（１）ダイシングテープの調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部と、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて光硬化型粘着剤を得た。
【００８１】
得られた光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部、（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物（ダイセルサイテック社製、ＥＢＥＣＲＹＬ３５０（アクリル当量２））２重量部、可塑剤（根上工業社製、ＵＮ−５５００）１０重量部、及び、架橋剤（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ−４５）０．５重量部を混合して粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を調製した。
得られた粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、乾燥皮膜の厚さが３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシングテープを得た。
【００８２】
（２）紫外線照射前後の粘着剤層の弾性率の評価
評価用サンプルとして、光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、乾燥皮膜の厚さが５００μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた後、４０℃、３日間静置養生を行った。得られた粘着テープを縦０．６ｃｍ、横１．０ｃｍの長方形状に切断して、これを評価用サンプルとした。
次いで、超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をテープ表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射して、光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させた。硬化させる前後の評価用サンプルについて、動的粘弾性測定のせん断モード角周波数１０Ｈｚで測定を行い、−５０℃から３００℃まで連続昇温した測定値のうち２５℃での貯蔵弾性率の値を得た。
その結果、紫外線照射前における２５℃での貯蔵せん断弾性率は１．１×１０４Ｐａ、紫外線照射後における２５℃での貯蔵せん断弾性率は２．３×１０７Ｐａであった。
【００８３】
（２）半導体チップの製造
ダイシングテープの粘着剤層側の面を、直径２０ｃｍ、厚さ約１００μｍのシリコンウエハの表面に貼り付けて積層体を得た。次いで、超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をダイシングテープ表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１分間照射して、光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させた。
ダイシングテープで補強されたウエハを、砥石等を用いて切断分離する方法によりダイシングして、１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。ダイシングの際には、削りカスの除去のために、ウエハの表面にイソプロピルアルコール水溶液を噴射した。ダイシング工程時には、ウエハは充分にダイシングテープに固定されており、位置ずれの発生は全く認められなかった。
ダイシング工程後、得られた半導体チップをダイシングテープ側からニードルで突き上げる方法により剥離した。
得られた全ての半導体チップの表面を、光学顕微鏡を用いて１００倍の倍率で観察したが、残渣の付着が認められた半導体チップは全くなかった。
【００８４】
（実施例２）
シリコンウエハとして、一方の表面に高さ２０μｍ、幅１００μｍの溝を有する回路が形成された直径２０ｃｍ、厚さ約１００μｍのシリコンウエハを用い、ダイシングテープを該回路面に貼り付けて積層体を得た以外は、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
その結果、ダイシング工程時には、ウエハは充分にダイシングテープに固定されており、位置ずれの発生は全く認められず、得られた全ての半導体チップの表面を、光学顕微鏡を用いて１００倍の倍率で観察したが、残渣の付着が認められた半導体チップは全くなかった。
【００８５】
（実施例３）
シリコンウエハとして、ポリイミドからなるパッシベーション膜が形成された表面に、高さ８０μｍ電極が形成された直径２０ｃｍ、厚さ約１００μｍのシリコンウエハを用い、ダイシングテープを該電極面に貼り付けて積層体を得た以外は、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
その結果、ダイシング工程時には、ウエハは充分にダイシングテープに固定されており、位置ずれの発生は全く認められず、得られた全ての半導体チップの表面を、光学顕微鏡を用いて１００倍の倍率で観察したが、残渣の付着が認められた半導体チップは全くなかった。
【００８６】
（実施例４）
半導体チップの製造において、光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させた後、ダイシングを行う前に、ダイシングテープで補強されたウエハをリフロー炉に入れて、２６０℃、６分間の熱処理を合計３回行った以外は、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
その結果、ダイシング工程時には、ウエハは充分にダイシングテープに固定されており、位置ずれの発生は全く認められず、得られた全ての半導体チップの表面を、光学顕微鏡を用いて１００倍の倍率で観察したが、残渣の付着が認められた半導体チップは全くなかった。
【００８７】
（比較例１）
ダイシング工程前に、紫外線照射を行わずに光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させなかった以外は、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
その結果、ダイシング工程時に、ダイシングテープの粘着力が低下して若干の位置ずれが発生した。また、得られた全ての半導体チップの表面を、光学顕微鏡を用いて１００倍の倍率で観察したところ、残渣が付着した半導体チップが認められた。
【００８８】
（比較例２）
ウエハに貼着する前にダイシングテープに紫外線を照射して光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させた以外は、実施例２と同様にして半導体チップを製造した。
しかしながら、ダイシングテープが充分にウエハに密着せず、ダイシング工程を行うことができなかった。
【００８９】
（比較例３）
シリコンウエハとして、ポリイミドからなるパッシベーション膜が形成された表面に、高さ２０μｍ電極が形成された直径２０ｃｍ、厚さ約１００μｍのシリコンウエハを用い、ダイシングテープを該電極面に貼り付けて積層体を得て、ダイシング工程前に、紫外線照射を行わずに光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させなかった以外は、実施例３と同様にして半導体チップを製造した。
その結果、ダイシング工程時に、ダイシングテープの粘着力が低下して若干の位置ずれが発生した。また、得られた全ての半導体チップの表面を、光学顕微鏡を用いて１００倍の倍率で観察したところ、残渣が付着した半導体チップが多数認められた。
【００９０】
（比較例４）
ダイシング工程前に、紫外線照射を行わずに光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させなかった以外は、実施例４と同様にして半導体チップを製造した。
その結果、ダイシング工程時に、ダイシングテープの粘着力が低下して若干の位置ずれが発生した。また、得られた全ての半導体チップの表面を、光学顕微鏡を用いて１００倍の倍率で観察したところ、残渣が付着した半導体チップが多数認められた。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明によれば、ダイシングテープにより補強した状態でウエハをダイシングして半導体チップを製造する方法であって、水系有機溶剤を用いた場合にでも位置ずれ等が発生することがなく、かつ、得られた半導体チップ上に残渣の付着が発生することがない半導体チップの製造方法を提供することができる。
【国際調査報告】
2016129577.tif 000008
2016129577.tif 000009
2016129577.tif 000010
2016129577.tif 000011