(57)【要約】  エッチングマスクが形成されたウェハＷ上のＳｉＣ膜を処理容器内でプラズマエッチング処理する方法であって、処理容器内に、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスと、希ガスと、を混合した混合ガスを供給して、当該混合ガスのプラズマにより前記ＳｉＣ膜をエッチング処理する。当該エッチング処理は、マグネトロンＲＩＥ装置を用いて行われる。
2015170676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングマスクが形成されたＳｉＣ膜を処理容器内でプラズマエッチング処理する方法であって、
前記処理容器内に、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスと、希ガスと、を混合した混合ガスを供給して、当該混合ガスのプラズマにより前記ＳｉＣ膜をエッチング処理し、
前記エッチング処理は、マグネトロンＲＩＥ装置を用いて行われることを特徴とする、プラズマエッチング処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記混合ガスのＳＦ６ガス：Ｏ２ガス：希ガスの比は、２〜１：１〜１．３：３６６．７〜８８であり、
前記エッチング処理中の前記処理容器内の圧力を、４．７Ｐａ〜１３．３Ｐａに維持し、
前記処理ガスのプラズマは、５００〜１３００Ｗの高周波電力により生成する。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記混合ガスには、ＳｉＦ４ガスがさらに混合されている。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記混合ガスのＳＦ６：ＳｉＦ４の比は０超〜１：４である。
【請求項５】
エッチングマスクが形成されたＳｉＣ膜を処理容器内でプラズマエッチング処理する方法であって、
前記処理容器内にＨＢｒガスを含有する処理ガスを供給して、当該処理ガスのプラズマにより前記ＳｉＣ膜をエッチング処理し、
前記エッチング処理中の前記処理容器内の圧力を２．０Ｐａ〜１３．３Ｐａに維持し、
前記エッチング処理は、マグネトロンＲＩＥ装置を用いて行われ、
前記処理ガスのプラズマは、４００〜２０００Ｗの高周波電力により生成することを特徴とする、プラズマエッチング処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記処理ガスには、ＮＦ３ガス及びＯ２ガスがさらに混合されている。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記処理ガスのＨＢｒガス：ＮＦ３ガス：Ｏ２ガスの比は１３〜２０：３〜５：１である。
【請求項８】
請求項５に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記処理ガスには、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスがさらに混合されている。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記処理ガスのＨＢｒガス：ＳＦ６ガス：Ｏ２ガスの比は１３〜２０：０〜３：１である。
【請求項１０】
請求項６に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記処理ガスには、Ａｒガスがさらに混合されている。
【請求項１１】
請求項５に記載のプラズマエッチング処理方法において、前記ＳｉＣ膜は基板上に形成され、前記エッチング処理は、前記基板を載置台上に載置し、当該載置台の温度を６０℃〜８０℃に維持した状態で行われる。
【請求項１２】
請求項５に記載のプラズマエッチング処理方法において、前記処理ガスのプラズマを生成する高周波電力は、４００〜７００Ｗである。
【請求項１３】
請求項１に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記エッチングマスクは、シリコン酸化膜である。
【請求項１４】
請求項５に記載のプラズマエッチング処理方法において、
前記エッチングマスクは、シリコン酸化膜である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１４年５月７日に日本国に出願された特願２０１４−０９６０５９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。【０００２】
本発明は、被処理体をプラズマエッチング処理する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、半導体を用いたパワーデバイスにおいては、パワーデバイスの微細化及びオン抵抗の低減のための構造として、トレンチ型のゲートを用いたものが主流になりつつある。このトレンチ型のゲートは通常、プラズマを用いたドライエッチングにより形成される。【０００４】
近年、このパワーデバイス材料のとして、従来のシリコンに比べて高耐圧、低オン抵抗を実現する材料として、ＳｉＣ（炭化ケイ素）の利用が期待されている。しかしながら、ドライエッチングによりＳｉＣにトレンチを形成する場合、トレンチの底部が平坦にならず、トレンチの両端に小さなトレンチが発生する、いわゆるマイクロトレンチが問題となる。【０００５】
そこで、特許文献１には、ドライエッチングに誘導結合プラズマを用い、エッチングガスの流量比、処理容器内の圧力、及び誘導結合プラズマの生成電力を適切に設定することで、マイクロトレンチを抑制する方法が提案されている。特許文献１の方法によれば、エッチングガスとして例えばＳＦ６、Ｏ２、Ａｒの混合ガスを用い、処理容器内の圧力を２．５Ｐａ〜２．７Ｐａ、プラズマの生成電力を５００Ｗ〜６００Ｗの範囲で設定することで、マイクロトレンチの発生を抑えつつＳｉＣ基板をエッチングすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１８８２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法によりエッチングを行った場合、エッチングレートやトレンチの形状といった点において再現性が十分でなく、処理の安定性に欠けるという問題があった。【０００８】
また、ＳｉＣは電子移動度に結晶の面方位依存性があるため、エッチングにより形成するトレンチの側壁の角度はより垂直に近いことが好ましい。しかしながら、現状ではトレンチ側壁の角度は８７°程度が限界であり、さらなるトレンチ形状の向上が望まれている。【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ＳｉＣ膜に対して、安定したプラズマエッチング処理を行い、且つ所望の形状で加工を施すことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明は、エッチングマスクが形成されたＳｉＣ膜を処理容器内でプラズマエッチング処理する方法であって、前記処理容器内に、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスと、希ガスと、を混合した混合ガスを供給して、当該混合ガスのプラズマにより前記ＳｉＣ膜をエッチング処理し、前記エッチング処理は、マグネトロンＲＩＥ装置を用いて行われることを特徴としている。【００１１】
一般に、プラズマエッチング処理の安定性は、処理容器内の圧力や基板上のプラズマの密度が高いほど向上する。また、トレンチ形状をより垂直に近づけるためには、基板に近い位置にプラズマを発生させて、プラズマ中のラジカルやイオンを失活させることなく基板に到達させる必要がある。そして、本発明者は、この点について鋭意検討し、マグネトロンＲＩＥ装置を用いることで、誘導結合プラズマを用いた場合と比較して、高密度のプラズマを生成し、且つ基板に近い位置にプラズマを発生させることができるとの知見を得た。本発明者によれば、マグネトロンＲＩＥ装置を用いることで、誘導結合プラズマを用いた場合と比較してプラズマシースの厚みを薄くすることができ、基板に近い位置で高密度なプラズマを生成することができるものと推察される。【００１２】
本発明は、このような知見に基づくものであり、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスと、ＡｒガスやＨｅガスといった希ガスと、を混合した混合ガスを供給して、当該混合ガスのプラズマにより前記ＳｉＣ膜をエッチング処理するにあたり、マグネトロンＲＩＥ装置を用いるので、処理容器内において、基板に近い位置で高密のプラズマを生成することができる。その結果、プラズマエッチング処理の安定性を向上させると共に、プラズマ中のラジカルやイオンを失活させることなく基板に到達させることができるので、マイクロトレンチの発生を抑制し、且つトレンチ側壁の角度をより垂直に近いものとすることができる。したがって本発明によれば、ＳｉＣ膜に対して、安定したプラズマエッチング処理を行い、且つ所望の形状で加工を施すことができる。【００１３】
別の観点による本発明は、エッチングマスクが形成されたＳｉＣ膜を処理容器内でプラズマエッチング処理する方法であって、前記処理容器内にＨＢｒガスを含有する処理ガスを供給して、当該処理ガスのプラズマにより前記ＳｉＣ膜をエッチング処理し、前記エッチング処理中の前記処理容器内の圧力を２．０Ｐａ〜１３．３Ｐａに維持し、前記エッチング処理は、マグネトロンＲＩＥ装置を用いて行われ、前記処理ガスのプラズマは、４００〜２０００Ｗの高周波電力により生成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＳｉＣ膜に対して、安定したプラズマエッチング処理を行い、且つ所望の形状で加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】ウェハ上のＳｉＣ膜にエッチングマスクが形成された状態を模式的に示す断面図である。
【図３】ＳｉＣ膜をエッチング処理した状態を模式的に示す断面図である。
【図４】トレンチ形状を模式的に示す縦断面図である。
【図５】トレンチ形状を模式的に示す縦断面図である。
【図６】トレンチ形状を模式的に示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態の一例について、図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング処理を行うプラズマ処理装置１の概略の構成を示す縦断面図である。本実施の形態におけるプラズマ処理装置１はいわゆるマグネトロンＲＩＥ装置である。
【００１７】
プラズマ処理装置１は、シリコン基板であるウェハＷを載置して保持する、載置台としてのウェハチャック１０が設けられた略円筒状の処理容器１１を有している。処理容器１１は、例えばアルミニウム等の導電性の金属により形成され、接地線１２により電気的に接地された状態となっている。また、処理容器１１の内壁の表面には、耐プラズマ性を向上させるために、例えば陽極酸化処理を施して酸化アルミニウム膜層（図示せず）が形成されている。
【００１８】
ウェハチャック１０は、その下面を下部電極としてのサセプタ１３により支持されている。サセプタ１３は、例えばアルミニウム等の導電性金属により略円盤状に形成されている。ウェハチャック１０の内部には電極（図示せず）が設けられており、当該電極に直流電圧を印加することにより生じる静電気力でウェハＷを吸着保持することができるように構成されている。また、ウェハチャック１０の内部には、ヒータ１０ａが設けられており、ウェハチャック１０を介して当該ウェハチャック１０に保持されるウェハＷを所定の温度に加熱することができる。ヒータ１０ａとしては、例えば電気ヒータが用いられる。また、サセプタ１３の内部には、冷媒が流れる冷媒路１３ａが例えば円環状に設けられており、当該冷媒路１３ａの供給する冷媒の温度を制御することにより、ウェハチャック１０の温度を制御することができる。
【００１９】
サセプタ１３のウェハチャック１０と対向する面以外の部分は、例えばセラミックスにより構成された絶縁部材１４により覆われている。絶縁部材１４のサセプタ１３と反対側の面は、例えばアルミニウム等の導電性金属により構成された導電部材１５により覆われている。
【００２０】
サセプタ１３は、例えば導電部材１５の下面に接続された昇降機構１６により上下動自在に構成されている。導電部材１５下面における昇降機構１６が接続された箇所よりも外方には、例えばステンレスにより構成されたベローズ１７が下方に延伸して設けられている。ベローズ１７の導電部材１５と接続されている側と反対側の端部は、処理容器１１の底面に接続されている。処理容器１１のベローズ１７と接続される部分は、上述の酸化アルミニウム膜層が除去されている。これにより導電部材１５はベローズ１７及び処理容器１１を介して接地されている。ベローズ１７の外方には、当該ベローズ１７を囲むようにベローズカバー１８が設けられている。
【００２１】
サセプタ１３には、当該サセプタ１３に高周波電力を供給してプラズマを生成するための高周波電源２０が、整合器２１を介して電気的に接続されている。高周波電源２０は、例えば２７〜１００ＭＨｚの周波数、本実施の形態では例えば４０ＭＨｚの高周波電力を出力するように構成されている。整合器２１は、高周波電源２０の内部インピーダンスと負荷インピーダンスをマッチングさせるものであり、処理容器１１内にプラズマが生成されているときに、高周波電源２０の内部インピーダンスと負荷インピーダンとが見かけ上一致するように作用する。高周波電源２０及び整合器２１は、後述する制御部１００に接続されており、これらの動作は制御部１００により制御される。
【００２２】
サセプタ１３の上面であってウェハチャック１０の外周部には、プラズマ処理の均一性を向上させるための、例えば絶縁材料により形成されたフォーカスリング３０が設けられている。また、サセプタ１３を覆う絶縁部材１４の側面には、フォーカスリング３０の下面と導電部材１５の上端とに挟まれた、略円環状のバッフル板３１が配置されている。バッフル板３１は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムなどの導電性材料により構成されている。また、バッフル板３１は、例えば導電性のネジ（図示せず）により導電部材１５と電気的に接続されている。これにより、バッフル板３１も導電部材１５と同様に、ベローズ１７と処理容器１１を介して接地される。その結果、バッフル板３１よりも上方の処理容器１１内壁とバッフル板３１とが、下部電極としてのサセプタ１３の対向電極として機能する。したがって、バッフル板３１の上面と処理容器１１とで囲まれる処理空間Ｕの内部にプラズマを閉じ込めることができる。
【００２３】
また、バッフル板３１には、当該バッフル板３１を厚み方向に貫通する複数のスリット３１ａが形成されている。処理容器１１におけるバッフル板３１よりも下方には、処理容器１１内を排気する排気機構（図示せず）に接続された排気管３２が接続されている。したがって、処理空間Ｕ内は、バッフル板３１のスリット３１ａを介して排気管３２から排気されて、所定の真空度に維持される。
【００２４】
下部電極であるサセプタ１３の上方、即ちウェハチャック１０の上面と対向する処理容器１１内の内壁面には、略円盤状に形成された上部電極４０が設けられている。上部電極４０には、当該上部電極４０を厚み方向に貫通する複数のガス供給孔４０ａが形成されている。上部電極４０と処理容器１１とで囲まれるガス拡散室Ｖには、ガス供給管４１が接続されている。ガス供給管４１には、所定の処理ガスを供給する処理ガス供給源（図示せず）と、処理ガスに添加する添加ガスを供給する添加ガス供給源（図示せず）が接続されている。したがって、ガス供給管４１を介してガス拡散室Ｖ内に供給された処理ガスと、添加ガスとの混合ガスは、ガス供給孔４０ａを介して処理空間Ｕ内に供給される。ガス供給源から供給される処理ガスは、例えばＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有するガスであり、添加ガス供給源から供給される添加ガスは、希ガスである例えばＡｒガスやＨｅガス、Ｎｅガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス、Ｒｎガスなどを用いることができる。なお、本実施の形態においては、例えば添加ガスとしてＡｒガスが用いられる。
【００２５】
処理容器１１の外部であって、上部電極４０及びサセプタ１３に対応する位置には、下部電極であるサセプタ１３と上部電極４０との間に形成されるプラズマ領域を囲うようにしてリング磁石５０が、処理容器１１と同心円状に配置されている。リング磁石５０により、バッフル板３１と上部電極４２との間の処理空間Ｕに磁場を印加することができる。
【００２６】
以上のプラズマ処理装置１には、既述のように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、高周波電源２０や整合器２１などを制御して、プラズマ処理装置１を動作させるためのプログラムも格納されている。
【００２７】
なお、上記のプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００２８】
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１は以上のように構成されており、次に、本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１におけるプラズマエッチング処理について説明する。
【００２９】
プラズマエッチング処理にあたっては、先ず、処理容器１１内にウェハＷが搬入され、ウェハチャック１０上に載置されて保持される。このウェハＷには、例えば図２に示すように、エッチングマスクとして予めＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔ−ｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を原料としたシリコン酸化膜２００が形成されている。シリコン酸化膜２００の下面には、被処理体としてのＳｉＣ膜２０１が形成されている。なお、図２では、ウェハＷの上面にＳｉＣ膜２０１が形成されている状態を描図しているが、ＳｉＣ膜２０１の態様としてはウェハＷ上に成膜されたものに限定されず、例えばウェハＷそのものがＳｉＣ基板であってもよい。係る場合、当該ＳｉＣ基板上にシリコン酸化膜２００が形成されていてもよい。
【００３０】
ウェハＷがウェハチャック１０に保持されると、排気管３２を介して処理容器１１内が排気され、それと共にガス供給管４１から、処理ガスが所定の流量で処理容器１１内に供給される。この際の処理ガスには、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスが用いられる。当該混合ガスの流量比は、２〜１：１〜１．３：３６６．７〜８８とすることが好ましく、本実施の形態では、例えばそれぞれ８／１０／８８０ｓｃｃｍの流量で供給される。
【００３１】
それと共に、高周波電源２０により、下部電極であるサセプタ１３に例えば５００〜１３００Ｗ、本実施の形態では概ね５００Ｗの電力で高周波電力を連続的に印加する。これにより、処理容器１１内に供給された混合ガスは、上部電極４０とサセプタ１３との間でプラズマ化される。この際リング磁石５０により概ね１００〜３００ガウス（１０ｍＴ〜３０ｍＴ（テスラ））の磁束密度で処理容器１１内に磁場が印加される。このリング磁石５０の磁場により、上部電極４０とサセプタ１３の間にプラズマが閉じ込められる。また、この際、処理容器１１内の圧力は４．７Ｐａ〜１３．３Ｐａに維持され、ウェハチャック１０上のウェハＷは６０〜８０℃に維持される。
【００３２】
そして、処理容器１１内のプラズマにより生成される混合ガスのイオンやラジカルにより、図３に示すように、シリコン酸化膜２００をマスクとしてＳｉＣ膜２０１がエッチング処理される。この際、リング磁石５０の磁場により、ウェハＷの上面近傍に高密度なプラズマが生成される。その結果、プラズマエッチング処理の安定性を向上させると共に、プラズマ中のラジカルやイオンを失活させることなくウェハＷに到達させることができるので、マイクロトレンチの発生を抑制し、且つＳｉＣ膜２０１を所望の形状にエッチング処理することができる。具体的には、図４に示すように、ウェハＷの上面に対して概ね垂直な側壁２１０と、ウェハＷの上面に対して平行で且つ平坦な底面２１１を有するトレンチ２１２を形成できる。また、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスの流量比を、２〜１：１〜１．３：３６６．７〜８８に設定すると共に、プラズマ発生のための高周波電力を５００〜１３００Ｗの範囲に、処理容器１１内の圧力を、従来の誘導結合プラズマ装置と比較して高い４．７Ｐａ〜１３．３Ｐａの範囲に設定することで、例えば概ね５００〜１０００ｎｍ／分の高いエッチングレートでＳｉＣ膜２０１をエッチング処理することができる。
【００３３】
そして、ＳｉＣ膜２０１を所定の深さ、例えば１７００〜２６００ｎｍにエッチング処理した後、高周波電源２０による高周波電圧の印加及びを停止する。その後、ウェハＷを処理容器１１から搬出し、一連のエッチング処理が終了する。
【００３４】
以上の実施の形態によれば、プラズマ処理装置１としてマグネトロンＲＩＥ装置を用い、処理容器１１内にＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスと、Ａｒガスとを混合した混合ガスを供給して、当該混合ガスのプラズマによりＳｉＣ膜２０１をプラズマエッチング処理するので処理容器１１内において、ウェハＷに近い位置で高密のプラズマを生成することができる。その結果、プラズマエッチング処理の安定性を向上させると共に、プラズマ中のラジカルやイオンを失活させることなくウェハＷに到達させることができるので、マイクロトレンチの発生を抑制し、且つトレンチ２１２の側壁２１０の角度をより垂直に近いものとすることができる。したがって本発明によれば、ＳｉＣ膜２０１に対して、安定したプラズマエッチング処理を行い、且つ所望の形状で加工を施すことができる。
【００３５】
ところで、ＳｉＣは物理的に硬い材料であり、且つ化学的に安定した難エッチング材料である。そして、特許文献１のように、誘導結合プラズマを用いたドライエッチングでは、エッチングレートが低く、生産性の観点から、更なるエッチングレートの向上が望まれている。
【００３６】
エッチングレートを向上させるには、一般にプラズマのパワーを増加させたり、反応性ガスであるＳＦ６の流量比を増加させたりすればよいが、特許文献１によれば、エッチングレートを高くすると、マイクロトレンチが発生してしまう。この点、本実施の形態では、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスの流量比を、２〜１：１〜１．３：３６６．７〜８８に設定すると共に、プラズマ発生のための高周波電力を５００〜１３００Ｗの範囲に、処理容器１１内の圧力を、従来の誘導結合プラズマ装置と比較して高い４．７Ｐａ〜１３．３Ｐａの範囲に設定することで、例えば概ね５００〜１０００ｎｍ／分の高いエッチングレートで且つ所望の形状でＳｉＣ膜２０１をエッチング処理することができる。
【００３７】
また、本発明者によれば、プラズマエッチング処理の際にウェハＷの温度、換言すればＳｉＣ膜２０１の温度を６０℃〜８０℃に維持することで、より垂直な側壁２１０と、平坦な底面を有するトレンチ２１２を形成できることが確認されている。なお、従来のプラズマエッチング処理においては、ウェハＷの温度は概ね−１５℃〜１０℃の間に設定されている。
【００３８】
なお以上の実施の形態では、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスに添加する添加ガスとしてＡｒガスを用いたが、既述のとおり、添加ガスとしてはＡｒガスに代えてＨｅガスなどの他の希ガスを用いてもよい。本発明者によれば、添加ガスとしてＨｅガスを用いた場合であっても、Ａｒガスを用いた場合と同様の効果が得られることが、後述の比較試験により確認されている。また、本発明者によれば、エッチング処理後のＳｉＣ膜２０１の側壁２１０には、混合ガスに由来すると思われる堆積物が付着していることが確認されているが、添加ガスとしてＨｅガスを用いた場合、この堆積物が減少することが確認されている。したがって、添加ガスとしてＨｅを用いることで、より良好な形状の側壁２１０を有するトレンチ２１２の形成が期待できる。
【００３９】
以上の実施の形態では、プラズマエッチング処理を行うための混合ガスとしてＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスを用いたが、この混合ガスに、ＳｉＦ４ガスをさらに混合したガスを用いてもよい。本発明者が、後述の比較試験を行って鋭意調査したところ、ＳｉＦ４ガスを混合することで、エッチングレートが向上すると共に、トレンチ２１２の側壁２１０がより垂直に近いものになることが確認されている。
【００４０】
また、プラズマエッチング処理を行うための混合ガスとしては、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスに、ＨＢｒガスを混合した混合ガスを用いてもよい。また、ＨＢｒガスを混合する場合、処理ガスのＳＦ６ガスに代えてＮＦ３ガスを用いてもよい。本発明者が後述の比較試験を行って鋭意調査したところ、混合ガスとしてＨＢｒ／ＳＦ６／Ｏ２を用いる場合、当該混合ガスの流量比は、１３〜２０：０〜３：１とすることが好ましく、ＨＢｒガスを用いる場合、ＳＦ６ガスは必ずしも用いる必要はないことが確認されている。また、混合ガスとしてＨＢｒ／ＮＦ３／Ｏ２を用いる場合、当該混合ガスの流量比は、１３〜２０：３〜５：１とすることが好ましく、例えばそれぞれ２０５／４５／１５ｓｃｃｍの流量で供給してもよい。
【００４１】
混合ガスとしてＨＢｒ／ＳＦ６／Ｏ２やＨＢｒ／ＮＦ３／Ｏ２を用いる場合、高周波電力の印加にあたっては、高周波電源２０により、下部電極であるサセプタ１３に例えば４００〜２０００Ｗ、より好ましくは４００Ｗ〜７００Ｗの電力で高周波電力を連続的に印加する。これにより、処理容器１１内に供給された処理ガスは、上部電極４０とサセプタ１３との間でプラズマ化される。この際リング磁石５０により概ね１００〜３００ガウス（１０ｍＴ〜３０ｍＴ（テスラ））の磁束密度で処理容器１１内に磁場が印加される。このリング磁石５０の磁場により、上部電極４０とサセプタ１３の間にプラズマが閉じ込められる。また、この際、処理容器１１内の圧力は２．０Ｐａ〜６．７Ｐａ、より好ましくは３．３Ｐａ〜６．７Ｐａに維持され、ウェハチャック１０上のウェハＷは６０〜８０℃に維持される。
【００４２】
そして、処理容器１１内のプラズマにより生成される処理ガスのイオンやラジカルにより、シリコン酸化膜２００をマスクとしてＳｉＣ膜２０１がエッチング処理される。この際、リング磁石５０の磁場により、ウェハＷの上面近傍に高密度なプラズマが生成されるので、例えば５００〜６００ｎｍ／分の高いエッチングレートでＳｉＣ膜２０１がエッチング処理される。また、処理容器１１内の圧力が２．０Ｐａ〜６．７Ｐａと、従来の誘導結合プラズマ装置と比較して高い圧力に設定されているので、誘導結合プラズマ装置よりも高密度なプラズマによる処理を行うことができる。
【００４３】
さらに、マグネトロンＲＩＥ装置であるプラズマ処理装置１において、処理ガスとして、ＨＢｒガスを含有したガスを用いると共にプラズマ発生のための高周波電力を４００〜２０００Ｗの範囲とすることで、ＳｉＣ膜２０１を所望の形状にエッチング処理することができる。具体的には、図４に示すように、ウェハＷの上面に対して概ね垂直な側壁２１０と、ウェハＷの上面に対して平行で且つ平坦な底面２１１を有するトレンチ２１２を形成できる。
【００４４】
また、混合ガスとしてＨＢｒ／ＳＦ６／Ｏ２の混合ガス、またはＨＢｒ／ＮＦ３／Ｏ２の混合ガスを用いる場合、当該混合ガスに、Ａｒを添加してもよい。本発明者が後述の比較試験を行って鋭意調査したところ、Ａｒを添加することで、トレンチ２１２の形状をさらに改善させることができることが確認されている。なお、Ａｒを添加した、例えばＨＢｒ／ＮＦ３／Ｏ２／Ａｒの混合ガスを供給する場合には、その流量比は、１３〜２０／３〜５／１／１〜６７とすることが好ましい。なお、Ａｒに代えて他の希ガスを添加してもよく、本発明者によれば、Ａｒ以外の希ガスを用いた場合においても同様の効果が得られることが確認されている。
【実施例】
【００４５】
実施例として、シリコン酸化膜２００をエッチングマスクとして、ウェハＷ上に成膜されたＳｉＣ膜２０１に対してエッチング処理を行い、エッチング処理時の諸条件がエッチング後のＳｉＣ膜２０１の形状やエッチングレートなどに与える影響について確認試験を行った。この際、マスクとしてのシリコン酸化膜２００の厚みは１２００ｎｍ〜２０００ｎｍとし、ＳｉＣ膜のエッチング深さの目標値は２０００ｎｍとした。処理ガスとしては、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒを用い、処理容器１１内の圧力を４．７〜１６．６Ｐａの範囲で、高周波電源２０の電力を５００〜１５００Ｗの範囲で、ウェハチャック１０の設定温度を６０℃〜８０℃の範囲でそれぞれ変化させた。【００４６】
確認試験における具体的な確認項目は、図４に示す、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θと、トレンチ２１２の底面２１１の形状、トレンチ２１２のエッチングレートである。なお、好ましいトレンチ２１２の形状としては、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θが概ね８５°以上であり、トレンチ２１２の底面２１１にいわゆるマイクロトレンチが発生していない平坦な形状である。なお、ＳｉＣ膜は電子移動度に結晶の面方位依存性があることから、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θは、９０°であることがより好ましい。【００４７】
先ず、高周波電源２０の電力を５００Ｗ、１００Ｗ、１２５０Ｗ、１５００Ｗと変化させた場合について確認試験を行った（確認試験１）。この際の処理容器１１内の圧力は、６．７Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスを、それぞれ８／１０／８８０ｓｃｃｍ流量比で供給した。【００４８】
確認試験１の結果、高周波電源２０の電力を概ね１５００Ｗとした場合、側壁２１０の角度θが、電力が１２５０Ｗ以下の場合と比較して低下すると共に、トレンチ２１２の底面２１１に、図５に示すようなマイクロトレンチ２２０が発生してしまうことが確認された。その一方、高周波電源２０の電力を概ね１２５０Ｗ以下とした場合は、図４に示すような、理想的なトレンチ２１２の形状、即ち、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θが概ね８５°以上であり、トレンチ２１２の底面２１１にいわゆるマイクロトレンチが発生していない平坦な底面２１１を有するトレンチ２１２を形成できることが確認された。【００４９】
次に、処理容器１１内の圧力を４．７Ｐａ、６．７Ｐａ、１０．０Ｐａ、１３．３Ｐａ、１６．６Ｐａと変化させた場合について確認試験を行った（確認試験２）。この際の高周波電源の電力は１２００Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスを、それぞれ８／１０／４４０ｓｃｃｍ流量比で供給した。【００５０】
確認試験２の結果、処理容器１１内の圧力を４．７Ｐａ〜１３．３Ｐａとした場合、理想的なトレンチ２１２の形状、即ち、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θが概ね８５°以上であり、トレンチ２１２の底面２１１にいわゆるマイクロトレンチが発生していない平坦な底面２１１を有するトレンチ２１２を形成できることが確認された。その一方、圧力を１６．６Ｐａとした場合、トレンチ２１２の底面２１１にマイクロトレンチの発生が確認された。この結果から、処理容器１１内の圧力は、４．７Ｐａ〜１３．３Ｐａとすることが好ましいと言える。【００５１】
また、エッチングレートについては、圧力を４．７Ｐａとした場合、概ね５００ｎｍ／分、１０．０Ｐａとした場合、概ね６１０ｎｍ／分、１３．３Ｐａとした場合、概ね７００ｎｍ／分であり、圧力を高くするほどエッチングレートが向上することが確認された。これは、処理容器１１内の圧力を高くするほどプラズマ密度が向上し、ウェハＷに到達するラジカルやイオンが増加することによるものであると推察される。【００５２】
次に、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスのうち、Ｏ２ガスを５ｓｃｃｍで、Ａｒガスを８８０ｓｃｃｍで供給し、ＳＦ６の流量を、３ｓｃｃ、４ｓｃｃｍ、５ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍと変化させた場合について確認試験を行った（確認試験３）。この際の高周波電源の電力は５００Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、処理容器１１内の圧力は６．７Ｐａとした。【００５３】
確認試験３の結果、ＳＦ６の流量を４〜１０ｓｃｃｍとした場合、理想的なトレンチ２１２の形状、即ち、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θが概ね８５°以上であり、トレンチ２１２の底面２１１にいわゆるマイクロトレンチが発生していない平坦な底面２１１を有するトレンチ２１２を形成できることが確認された。その一方、ＳＦ６の流量を３ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとした場合、トレンチ２１２の底面２１１にマイクロトレンチの発生が確認された。この結果から、ＳＦ６／Ｏ２の混合ガスの流量比は、概ね２〜１：１〜１．３とすることが好ましいと言える。【００５４】
また、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスのうち、Ａｒガスを８８０ｓｃｃｍで供給しＳＦ６／Ｏ２の流量を、４／５ｓｃｃｍ、８／１０ｓｃｃｍ、１６／２０ｓｃｃｍと変化させた場合についても確認試験を行った（確認試験４）。この際の高周波電源の電力は５００Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、処理容器１１内の圧力は６．７Ｐａとした。【００５５】
確認試験４の結果、ＳＦ６／Ｏ２の流量を、４／５ｓｃｃｍ、８／１０ｓｃｃｍとした場合、良好なトレンチ形状が得られたが、ＳＦ６／Ｏ２の流量を、１６／２０ｓｃｃｍとした場合、トレンチ２１２の底面２１１にマイクロトレンチの発生が確認された。この結果から、ＳＦ６／Ｏ２の混合の総和は、概ね１８ｓｃｃｍ以下とすることが好ましいと言える。【００５６】
次に、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスのうち、ＳＦ６ガスを６ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを３ｓｃｃｍで供給し、Ａｒガスの流量を、２２０ｓｃｃｍ、４４０ｓｃｃｍ、６６０ｓｃｃｍ、８８０ｓｃｃｍ、１１００ｓｃｃｍと変化させた場合についても確認試験を行った（確認試験５）。この際の高周波電源の電力は１０００Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、処理容器１１内の圧力は１３．３Ｐａとした。【００５７】
確認試験５の結果、Ａｒガスの流量を、４４０ｓｃｃｍ以上とした場合、良好なトレンチ形状が得られたが、Ａｒガスの流量を２２０ｓｃｃｍとした場合、トレンチ２１２の底面２１１にマイクロトレンチの発生が確認された。この結果から、Ａｒガスの流量の下限値が概ね２２０ｓｃｃｍと４４０ｓｃｃｍ間に存在するため、Ａｒガスの流量はこの下限値以上とすることが好ましいと言える。なお、Ａｒガスの流量を４４０ｓｃｃｍとした場合、ＳｉＣ膜２０１とエッチングマスクとしてのシリコン酸化膜２００とのエッチング選択比は概ね５．２であり、それ以外の条件では概ね４．１〜４．３であった。このことから、エッチング選択比はＡｒガスの流量に比例するのではなく、極大点が存在することが確認された。また、この確認試験５、及び上記の確認試験３、４の結果から、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスの流量比は、概ね２〜１：１〜１．３：３６６．７〜８８とすることが好ましいと言える。【００５８】
次に、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスを、６／７／４４０ｓｃｃｍで供給し、さらにＳｉＦ４ガスを１２ｓｃｃｍ、２４ｓｃｃｍ、３６ｓｃｃｍ混合した場合についても確認試験を行った（確認試験６）。この際の高周波電源の電力は１２５０Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、処理容器１１内の圧力は１３．３Ｐａとした。【００５９】
確認試験６の結果、ＳｉＦ４ガスを１２ｓｃｃｍ、２４ｓｃｃｍとした場合、良好なトレンチ形状が得られたが、ＳｉＦ４ガスの流量を３６ｓｃｃｍとした場合、トレンチ２１２の底面２１１にマイクロトレンチの発生が確認された。この結果から、ＳＦ６：ＳｉＦ４の比は、概ね０超〜１：４の範囲で設定することが好ましいと言える。また、ＳｉＦ４ガスを混合することで、エッチングレートが例えば９００ｎｍ／分〜１０５０ｎｍ／分程度となることが確認されており、ＳｉＦ４を添加していない確認試験２と比較して、大幅にエッチングレートが向上していることが確認された。【００６０】
また、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスに代えて、ＳＦ６／Ｏ２／Ｈｅの混合ガスを用いた場合についても確認試験を行った（確認試験７）。この際のＳＦ６／Ｏ２／Ｈｅの混合ガスの流量は６／３／８８０ｓｃｃｍとし、高周波電源の電力は１０００Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、処理容器１１内の圧力は１３．３Ｐａとした。【００６１】
確認試験７の結果、Ａｒガスを用いた場合と同様に、良好なトレンチ形状が得られた。したがってこの結果から、Ａｒガスに代えて他の希ガスであるＨｅガスを用いてもよいことが確認された。なお、既述の通り、ＡｒガスやＨｅガスに代えて他の希ガスを添加してもよく、本発明者によれば、ＡｒガスやＨｅガス以外の希ガスを用いた場合においても同様の効果が得られることが確認されている。また、本発明者によれば、ＡｒガスやＨｅガスといった希ガスは同時に添加してもよい。換言すれば、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスを含有する処理ガスに、ＡｒガスやＨｅガスといった希ガスの少なくともいずれかのガスを混合することで、ＳｉＣ膜に対して、所望の形状で加工を施すことができる。なお、希ガスとして例えばＡｒガスとＨｅガスを同時に添加する場合を例にすると、ＡｒガスとＨｅガスの流量の総和を希ガスの流量としてとらえ、ＳＦ６／Ｏ２／希ガスの混合ガスの流量比を、概ね２〜１：１〜１．３：３６６．７〜８８の範囲で設定すればよい。【００６２】
また、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスに代えて、ＨＢｒ／ＮＦ３／Ｏ２の混合ガスを用いた場合についても確認試験を行った。この際も、シリコン酸化膜２００をエッチングマスクとして、ウェハＷ上に成膜されたＳｉＣ膜２０１に対してエッチング処理を行い、エッチング処理時の諸条件がエッチング後のＳｉＣ膜２０１の形状やエッチングレートなどに与える影響について確認試験を行った。この際、マスクとしてのシリコン酸化膜２００の厚みは１２００ｎｍ〜２０００ｎｍとし、ＳｉＣ膜のエッチング深さの目標値は２０００ｎｍとした。また、ＳｉＣ膜２０１上に形成されたマスクとしてのシリコン酸化膜２００のピッチ（図４のＰ）は、１μｍのものと３μｍを用いた。換言すれば、エッチングにより、ＳｉＣ膜２０１に幅１μｍのトレンチと、幅３μｍのトレンチ２１２を形成した。処理ガスとしては、ＨＢｒ／ＮＦ３／Ｏ２の混合ガスを、それぞれ２０５／４５／１５ｓｃｃｍの流量比で供給し、処理容器１１内の圧力を３．３〜６．７Ｐａの範囲で、高周波電源２０の電力を５００〜１５００Ｗの範囲で、ウェハチャック１０の設定温度を６０℃〜８０℃の範囲でそれぞれ変化させた。また、処理ガスにＡｒを添加した場合と、ＨＢｒガスのみでエッチング処理を行った場合についても併せて確認試験を行った。【００６３】
確認試験における確認項目は、ＳＦ６／Ｏ２／Ａｒの混合ガスを用いた場合と同様に、図４に示す、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θと、トレンチ２１２の底面２１１の形状、トレンチ２１２のエッチングレートである。また、トレンチ２１２とエッチングマスクとしてのシリコン酸化膜２００とのエッチング選択比についても確認を行っている。さらに、１μｍ幅のトレンチ２１２の深さと３μｍ幅のトレンチ２１２の深さの比についても確認し、マイクロローディング効果についても調査した。なお、好ましいトレンチ２１２の形状としては、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θが概ね８５°以上であり、トレンチ２１２の底面２１１にいわゆるマイクロトレンチが発生していない平坦な形状である。なお、ＳｉＣ膜は電子移動度に結晶の面方位依存性があることから、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θは、９０°であることがより好ましい。【００６４】
先ず、高周波電源２０の電力を５００Ｗ、６５０Ｗ、１５００Ｗと変化させた場合について確認試験を行った（確認試験８）。この際の処理容器１１内の圧力は、３．３Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ）、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、処理ガスへのＡｒガスの添加は行っていない。【００６５】
図５は、高周波電源２０の電力を概ね７００Ｗより高くした場合の、ＳｉＣ膜２０１におけるトレンチ２１２の形状を模式的に示した縦断面図である。確認試験８の結果、高周波電源２０の電力を概ね１５００Ｗとした場合、１μｍ幅のトレンチ２１２と３μｍ幅のトレンチ２１２のいずれにおいても、側壁２１０の角度θが８５°を下回り、また、トレンチ２１２の底面２１１にマイクロトレンチ２２０が発生してしまうことが確認された。その一方、高周波電源２０の電力を概ね７００Ｗ以下、本確認試験では、５００Ｗ及び６５０Ｗとした場合は、図４に示すような、理想的なトレンチ２１２の形状、即ち、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θが概ね８５°以上であり、トレンチ２１２の底面２１１にいわゆるマイクロトレンチが発生していない平坦な底面２１１を有するトレンチ２１２を形成できることが確認された。具体的な角度θは、電力５００Ｗにおいて１μｍ幅のトレンチ２１２で約９０°、３μｍ幅のトレンチ２１２で約９１°、電力６５０Ｗにおいて１μｍ幅のトレンチ２１２で約８９°、３μｍ幅のトレンチ２１２で約９０°であった。【００６６】
なお、この際のＳｉＣ膜２０１のエッチングレートは、電力５００Ｗにおいて１μｍ幅のトレンチ２１２で約１７８ｎｍ／分、３μｍ幅のトレンチ２１２で約１８４ｎｍ／分、電力６５０Ｗにおいて１μｍ幅のトレンチ２１２で約２５９ｎｍ／分、３μｍ幅のトレンチ２１２で約２６３ｎｍ／分、電力１５００Ｗにおいて１μｍ幅のトレンチ２１２で約５６３ｎｍ／分、３μｍ幅のトレンチ２１２で約５６５ｎｍ／分であることが確認されている。この結果から、電力Ｗを大きくすると、エッチングレートは向上するものの、トレンチ２１２の形状は悪化することが確認できた。なお、本発明者によれば、必要なエッチングレートを確保するためには、高周波の電力は４００Ｗ以上とすることが好ましい。したがって、プラズマエッチング処理における電力は、４００Ｗ〜７００Ｗとすることが好ましいと言える。【００６７】
また、１μｍ幅のトレンチ２１２の深さと３μｍ幅のトレンチ２１２の深さの比についても、上述のエッチングレートから、電力５００Ｗにおいて約９７％、電力６５０Ｗにおいて約９８％であることが確認できる。したがって、本発明によれば、マイクロローディング効果によるトレンチ深さの差を極めて小さく抑えることができ、粗密を有するパターンにおいても良好にトレンチを形成できる。【００６８】
次に、処理ガスにＡｒガスを添加して電力１５００Ｗで同様のエッチング処理を行った（確認試験９）。その際のＡｒガスの添加量は、３００ｓｃｃｍ、６００ｓｃｃｍとした。Ａｒを添加した確認試験９の結果、トレンチ２１２の角度θは、３００ｓｃｃｍの添加量において概ね８７°、６００ｓｃｃｍの添加量において概ね８７．５°に改善することが確認された。また、トレンチ２１２の底面２１１へのマイクロトレンチの発生も確認されなかった。なお、Ａｒガスを添加した際のエッチングレートは、いずれも概ね５６５ｎｍ／分であり、Ａｒガスの添加量の大小によるエッチングレートの変化は見られなかった。【００６９】
この結果から、処理ガスへのＡｒガスの添加により、１５００Ｗの高い電力によるエッチング処理を行ってもトレンチ形状の悪化を抑制できることが確認できる。換言すれば、高い電力でエッチング処理を行うことで、エッチングレートを向上させつつ、良好な形状のトレンチ２１２を得ることができる。【００７０】
また、処理ガスとしてＨＢｒガスのみを供給して電力１５００Ｗで同様のエッチング処理を行った（確認試験１０）。その際のＨＢｒガスの流量は２５０ｓｃｃｍとした。確認試験１０の結果、エッチングレートは１μｍ幅のトレンチ２１２で約５３０ｎｍ／分であり、３μｍ幅のトレンチ２１２で約６２０ｎｍ／分であった。この結果から、処理ガスとしてＨＢｒガスを用いることで、良好なレートでエッチングできることが確認された。【００７１】
次に、ウェハチャック１０の設定温度を６０℃及び８０℃とした場合について確認試験を行った（確認試験１１）。この際の高周波電源の電力は６５０Ｗ、処理容器１１内の圧力は３．３Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ）Ｐａであり、処理ガスへのＡｒガスの添加は行っていない。【００７２】
確認試験１１においてウェハチャック１０の設定温度を６０℃とした場合、１μｍ幅のトレンチ２１２及び３μｍ幅のトレンチ２１２のいずれにおいても、図６に示すように、トレンチ２１２の底面２１１へのマイクロトレンチ２２０の発生は概ね抑制されており、側壁２１０の角度θも概ね８６°以上の角度θが得られることが確認された。また、ウェハチャック１０の設定温度を８０℃とした場合、６０℃とした場合と比較してマイクロトレンチ２２０はさらに改善されていることが確認された。【００７３】
また、ウェハチャック１０の設定温度を６０℃及び８０℃とした場合のエッチングの選択比は、それぞれ約４．５、３．６であり、ウェハチャック１０の設定温度を高くするほど、選択比は低下することが確認された。この結果から、ウェハチャック１０の設定温度変更に対するエッチングの選択比とトレンチ形状の変化は、トレードオフの関係にあるものと推察される。【００７４】
次に、処理容器１１内の圧力を３．３〜６．７Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ〜４５ｍＴｏｒｒ）の範囲で変化させた場合について確認試験を行った（確認試験１２）。この際の高周波電源の電力は１５００Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は６０℃であり、処理ガスへのＡｒガスの添加は行っていない。【００７５】
確認試験１２においては、処理容器１１内の圧力を３．３Ｐａとした場合と、６．７Ｐａとした場合のいずれにおいても、１μｍ幅のトレンチ２１２及び３μｍ幅のトレンチ２１２におけるエッチングレートはそれぞれ約６４５ｎｍ／分、約６５５ｎｍ／分であり、有意な差はみられなかった。一方、ＳｉＣ膜２０１とエッチングマスクとしてのシリコン酸化膜２００とのエッチング選択比は、処理容器１１内の圧力を３．３Ｐａとした場合が約３．７〜３．８、圧力６．７Ｐａの場合が約６．０〜６．４となることが確認された。この結果から、エッチング処理の際の圧力を高くするほど、エッチングの選択比を高くできることが確認できる。なお、トレンチ２１２の側壁２１０の角度θについては、圧力３．３Ｐａで約８７°、圧力６．７Ｐａで約８６°と、圧力を低くする方が、トレンチ２１２の形状が改善することが確認された。【００７６】
次に処理ガスとして、ＨＢｒ／ＮＦ３／Ｏ２の混合ガスに代えて、ＨＢｒ／ＳＦ６／Ｏ２の混合ガスを用いた場合について確認試験を行った（確認試験１３）。ＨＢｒ／ＳＦ６／Ｏ２の流量は、例えばそれぞれ２５０／１５／３ｓｃｃｍであり、この際の高周波電源の電力は２０００Ｗ、ウェハチャック１０の設定温度は４０℃、処理容器１１内の圧力は２．０Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）であり、処理ガスへのＡｒガスの添加は行っていない。【００７７】
ＨＢｒ／ＳＦ６／Ｏ２の混合ガスを用いてエッチング処理を行った確認試験１３の結果、１μｍ幅のトレンチ２１２及び３μｍ幅のトレンチ２１２におけるエッチングレートはそれぞれ約４６５ｎｍ／分、約５６１ｎｍ／分であり、良好なエッチングレートが得られることが確認された。【００７８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７９】
１    プラズマ処理装置
１０  ウェハチャック
１１  処理容器
１２  接地線
１３  サセプタ
１４  絶縁部材
１５  導電部材
１６  昇降機構
１７  ベローズ
２０  高周波電源
２１  整合器
３０  フォーカスリング
３１  バッフル板
３２  排気管
４０  上部電極
４１  ガス供給管
５０  リング磁石
１００  制御部
Ｗ    ウェハ
Ｕ    処理空間
Ｖ    ガス拡散室
【図１】
2015170676.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2015170676.tif 000008
【国際調査報告】
2015170676.tif 000009
2015170676.tif 000010
2015170676.tif 000011
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