(57)【要約】  外光反射を抑制し、視野角、色味変化、偏光膜との密着性を改善した位相差板、これを用いた反射防止板、画像表示装置、および位相差板の製造方法の提供。  透明支持体と、液晶化合物を含む光学異方性層とを有し、透明支持体が、−１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍ、−１００ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦−２０ｎｍ、および１．３＜ＤＳ＜２．８（ＤＳは、アシル基の総置換度）を満たすセルロースアシレートフィルムであり、光学異方性層が、下記式（１）〜（４）を満たす。式（１）：１２０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１５０ｎｍ式（２）：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１式（３）：Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１式（４）：２０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦１００ｎｍ
2014132978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明支持体と、液晶化合物を含む光学異方性層とを有し、
前記透明支持体が、式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｉ）を満たすセルロースアシレートフィルムであり、
前記光学異方性層が、下記式（１）〜（４）を満たす、位相差板；
式（Ａ）：−１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍ
式（Ｂ）：−１００ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦−２０ｎｍ
式（１）：１２０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１５０ｎｍ
式（２）：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１
式（３）：Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１
式（４）：２０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦１００ｎｍ
上記式中、Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおける面内レターデーションを表し、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおける厚み方向のレターデーションを表す；
式（Ｉ）：１．３＜ＤＳ＜２．８
式（Ｉ）中、ＤＳは、アシル基の総置換度を表す。
【請求項２】
前記透明支持体が、下記式（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルムである、請求項１に記載の位相差板；
式（ＩＩ）：０．８≦ＤＳＡ≦１．３
式（ＩＩ）中、ＤＳＡは、芳香族基を含むアシル基の置換度を表す。
【請求項３】
前記液晶化合物が、下記一般式（１）で表される、請求項１または２に記載の位相差板；
【化１】
2014132978.tif 000025
式中、Ａ1及びＡ2は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し、Ｒは水素原子または置換基を表す；Ｚは、第１４〜１６族の非金属原子からなる群から選択される１つ又は２つの原子を表し、式中の２つの炭素原子と共に５又は６員環を形成する。Ｂ、Ｒ1は各々独立に置換基を表し、Ｒ2は二価の連結基を表す；複数のＢ及びＲ2は同一でも異なっていてもよい；ｍは０〜４の整数である；Ｌ1及びＬ2は各々独立に二価の連結基を表す；Ｒ4及びＲ5は各々独立に置換基を表す；なお、重合性基を有する場合、Ｂ、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、及びＲ5の少なくとも１つが、重合性基を含む；ｎは１〜１０の整数である。
【請求項４】
前記一般式（１）で表される液晶化合物において、ｎが２〜１０の整数である、請求項３に記載の位相差板。
【請求項５】
前記液晶化合物が、下記一般式（２）で表される、請求項１または２に記載の位相差板；
一般式（２）：
Ｌ１−Ｇ１−Ｄ１−Ａｒ−Ｄ２−Ｇ２−Ｌ２
一般式（２）中、Ａｒは下記一般式（２−１）、（２−２）、または（２−３）で表される２価の芳香環基を表し、Ｄ１及びＤ２は、それぞれ独立に、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＲ3Ｒ4−、−Ｏ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＮＲ1−ＣＲ2Ｒ3−、−ＣＲ1Ｒ2−ＮＲ3−、−ＣＯ−ＮＲ1−、または−ＮＲ1−ＣＯ−を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｇ１およびＧ２は、それぞれ独立に、炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基、または炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ）−で置換されていてもよく、Ｒは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｌ１及びＬ２からなる群から選ばれる少なくとも一種が、重合性基を有する１価の基を表す；
【化２】
2014132978.tif 000026
一般式（２−１）中、Ｑ1は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−ＮＲ1−を表す。Ｒ1は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す；Ｙ1は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、又は、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す；Ｚ1およびＺ2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、１価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ2Ｒ3又は−ＳＲ2を表し、Ｚ1及びＺ2は、互いに結合して芳香環又は芳香族複素環を形成してもよい；Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す；
一般式（２−２）及び（２−３）中、Ａｘは芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａｙは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａｘ及びＡｙが有する芳香環は置換基を有していてもよい；また、ＡｘとＡｙは互いに結合して環を形成していてもよい；Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す；Ｑ2は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【請求項６】
前記光学異方性層が、さらに、非液晶性の重合性モノマーを含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項７】
前記光学異方性層の膜厚が、３．０〜５．５μｍである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項８】
前記光学異方性層が１層のみからなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項９】
前記透明支持体が未延伸フィルムである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項１０】
前記透明支持体の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）と、前記光学異方性層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）との合計値の絶対値が、５０ｎｍ以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項１１】
前記光学異方性層の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）が１２５〜１４５ｎｍである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項１２】
前記透明支持体の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）が、−９０〜−２３ｎｍである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項１３】
前記アシル基の総置換度ＤＳが、１．５〜２．７である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の位相差板。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の位相差板と、偏光膜とを有する反射防止板。
【請求項１５】
請求項１４に記載の反射防止板を有する画像表示装置。
【請求項１６】
有機ＥＬ表示装置である請求項１５に記載の画像表示装置。
【請求項１７】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の位相差板の製造方法であって、セルロースアセテートベンゾエートを含有する溶液を支持体に流延しフィルム状に形成した後、延伸処理を行わずに、光学異方性層を形成することを含む、位相差板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相差板、これを用いた反射防止板、画像表示装置、および位相差板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
位相差板は、非常に多くの用途を有しており、既に反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、輝度向上膜、有機ＥＬ表示装置、タッチパネル等に使用されている。例えば、有機ＥＬ表示装置は、屈折率の異なる層を積層する構造や、金属電極を用いる構造を有するため、外光が各層の界面で反射し、コントラスト低下や映り込みの問題などを生じることがある。【０００３】
一方、特許文献１には、偏光膜、長手方向に実質的に直交する遅相軸を有する第１位相差膜、および所定のレターデーションを有する第２位相差膜の順で積層された偏光板一体型光学補償フィルムが開示されている。
また、特許文献２には、透明支持体上に配向膜と逆波長分散の液晶化合物を含む光学異方性層とを有する位相差板が開示されている。かかる位相差板は、λ／４板として用いることを想定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８６５７８号公報
【特許文献２】特開２０１０−８４０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、特許文献２のように、ポリマーフィルムを用いてなるλ／４板用途の位相差板において、光学異方性層に逆波長分散層を用いると、画像表示装置に組み込んだ時に、正面での表示性能は、向上することが分かったが、かかる位相差板では視野角特性が悪くなる場合があることも分かった。
また、かかる位相差板は、偏光膜に直接貼り付ける偏光板保護フィルムとして用いることができれば有益であるが、この場合、偏光膜との密着性の問題もある。【０００６】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、画像表示装置に組み込んだ時に、正面での表示性能に優れ、さらに、視野角特性にも優れた位相差板であって、偏光膜との密着性を改善した位相差板を提供することを目的とする。さらに、かかる位相差板を用いた反射防止板、画像表示装置、および位相差板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討した結果、位相差板を構成する各層の厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を調整すると、画像表示装置に組み込んだ時に、正面での表示性能に優れ、さらに、視野角特性にも優れた位相差板を提供できることを見出した。さらに、Ｒｔｈを調整する手段として、所定のアシル基の総置換度および所定のレターデーションを有する透明支持体上に所定の光学特性を有する逆波長分散性の光学異方性層を配置することで、上記に加え、偏光板との密着性も向上することを見出し、本発明を完成させるに至った。【０００８】
前記課題を解決するための手段は、下記＜１＞の手段であり、好ましくは、下記＜２＞
〜＜１７＞の手段である。
＜１＞透明支持体と、液晶化合物を含む光学異方性層とを有し、
透明支持体が、式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｉ）を満たすセルロースアシレートフィルムであり、
光学異方性層が、下記式（１）〜（４）を満たす、位相差板；
式（Ａ）：−１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍ
式（Ｂ）：−１００ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦−２０ｎｍ
式（１）：１２０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１５０ｎｍ
式（２）：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１
式（３）：Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１
式（４）：２０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦１００ｎｍ
上記式中、Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおける面内レターデーションを表し、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおける厚み方向のレターデーションを表す；
式（Ｉ）：１．３＜ＤＳ＜２．８
式（Ｉ）中、ＤＳは、アシル基の総置換度を表す。
＜２＞透明支持体が、下記式（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルムである、＜１＞に記載の位相差板；
式（ＩＩ）：０．８≦ＤＳＡ≦１．３
式（ＩＩ）中、ＤＳＡは、芳香族基を含むアシル基の置換度を表す。
＜３＞液晶化合物が、下記一般式（１）で表される、＜１＞または＜２＞に記載の位相差板；
【化１】
2014132978.tif 000003
式中、Ａ1及びＡ2は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し、Ｒは水素原子または置換基を表す；Ｚは、第１４〜１６族の非金属原子からなる群から選択される１つ又は２つの原子を表し、式中の２つの炭素原子と共に５又は６員環を形成する。Ｂ、Ｒ1は各々独立に置換基を表し、Ｒ2は二価の連結基を表す；複数のＢ及びＲ2は同一でも異なっていてもよい；ｍは０〜４の整数である；Ｌ1及びＬ2は各々独立に二価の連結基を表す；Ｒ4及びＲ5は各々独立に置換基を表す；なお、重合性基を有する場合、Ｂ、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、及びＲ5の少なくとも１つが、重合性基を含む；ｎは１〜１０の整数である。
＜４＞一般式（１）で表される液晶化合物において、ｎが２〜１０の整数である、＜３＞に記載の位相差板。
＜５＞液晶化合物が、下記一般式（２）で表される、＜１＞または＜２＞に記載の位相差板；
一般式（２）：
Ｌ１−Ｇ１−Ｄ１−Ａｒ−Ｄ２−Ｇ２−Ｌ２
一般式（２）中、Ａｒは下記一般式（２−１）、（２−２）、または（２−３）で表される２価の芳香環基を表し、Ｄ１及びＤ２は、それぞれ独立に、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＲ3Ｒ4−、−Ｏ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＮＲ1−ＣＲ2Ｒ3−、−ＣＲ1Ｒ2−ＮＲ3−、−ＣＯ−ＮＲ1−、または−ＮＲ1−ＣＯ−を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｇ１およびＧ２は、それぞれ独立に、炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基、または炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ）−で置換されていてもよく、Ｒは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｌ１及びＬ２からなる群から選ばれる少なくとも一種が、重合性基を有する１価の基を表す；
【化２】
2014132978.tif 000004
一般式（２−１）中、Ｑ1は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−ＮＲ1−を表す。Ｒ1は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す；Ｙ1は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、又は、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す；Ｚ1およびＺ2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、１価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ2Ｒ3又は−ＳＲ2を表し、Ｚ1及びＺ2は、互いに結合して芳香環又は芳香族複素環を形成してもよい；Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す；
一般式（２−２）及び（２−３）中、Ａｘは芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａｙは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａｘ及びＡｙが有する芳香環は置換基を有していてもよい；また、ＡｘとＡｙは互いに結合して環を形成していてもよい；Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す；Ｑ2は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
＜６＞光学異方性層が、さらに、非液晶性の重合性モノマーを含有する、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の位相差板。
＜７＞光学異方性層の膜厚が、３．０〜５．５μｍである、＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の位相差板。
＜８＞光学異方性層が１層のみからなる、＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の位相差板。
＜９＞透明支持体が未延伸フィルムである、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の位相差板。
＜１０＞透明支持体の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）と、光学異方性層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）との合計値の絶対値が、５０ｎｍ以下である、＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の位相差板。
＜１１＞光学異方性層の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）が１２５〜１４５ｎｍである、＜１＞〜＜１０＞のいずれかに記載の位相差板。
＜１２＞透明支持体の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）が、−９０〜−２３ｎｍである、＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載の位相差板。
＜１３＞アシル基の総置換度ＤＳが、１．５〜２．７である、＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の位相差板。
＜１４＞＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の位相差板と、偏光膜とを有する反射防止板。
＜１５＞＜１４＞に記載の反射防止板を有する画像表示装置。
＜１６＞有機ＥＬ表示装置である＜１５＞に記載の画像表示装置。
＜１７＞＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の位相差板の製造方法であって、セルロースアセテートベンゾエートを含有する溶液を支持体に流延しフィルム状に形成した後、延伸処理を行わずに、光学異方性層を形成することを含む、位相差板の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、画像表示装置に組み込んだ時に、正面の表示性能に優れ、かつ、視野角特性にも優れた位相差板、これを用いた反射防止板、画像表示装置、および位相差板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の位相差板の一例を示した概略断面図である。
【図２】本発明の反射防止板の一例を示した概略断面図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の一例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
【００１２】
本明細書において、Ｒｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーション（ｎｍ）及び厚さ方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。
【００１３】
測定されるフィルムが１軸又は２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
尚、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（１１）及び式（１２）よりＲｔｈを算出することもできる。
【００１４】
【数１】
2014132978.tif 000005
【００１５】
注記：
式中、Ｒｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値を表す。
ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表す。ｄは膜厚を表す。
【００１６】
測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ  ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
【００１７】
ここで平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示すると、セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）などが挙げられる。
これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨによりｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出することができる。
【００１８】
本明細書において「遅相軸」とは、面内において屈折率が最大となる方向を意味し、「偏光板」とは、特別な記述がない限り、長尺の偏光板、および表示装置に組み込まれる大きさに裁断された偏光板の両者を含む意味で用いている。なお、ここでいう「裁断」には「打ち抜き」および「切り出し」等も含むものとする。また、本実施形態の説明では、「偏光膜」と「偏光板」とを区別して用いるが、「偏光板」のうち、特に、本発明の位相差板または一般的なλ／４板と偏光膜との積層体を含む形態を「反射防止板」または「円偏光板」と呼ぶ。
また、有機ＥＬ表示装置とは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を意味する。
【００１９】
＜位相差板＞
本発明の位相差板は、透明支持体と、液晶化合物を含む光学異方性層とを有し、前記透明支持体が、式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｉ）を満たすセルロースアシレートフィルムであり、前記光学異方性層が、下記式（１）〜（４）を満たすことを特徴とする。
式（Ａ）：−１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍ
式（Ｂ）：−１００ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦−２０ｎｍ
式（１）：１２０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１５０ｎｍ
式（２）：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１
式（３）：Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１
式（４）：２０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦１００ｎｍ
上記式中、Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおける面内レターデーションを表し、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおける厚み方向のレターデーションを表す。
式（Ｉ）：１．３＜ＤＳ＜２．８
式（Ｉ）中、ＤＳは、アシル基の総置換度を表す。
【００２０】
液晶化合物を含有する光学異方性層は、通常、それを支持するポリマーフィルムなどの透明支持体上に形成し積層した状態で使用する。ここで、光学異方性層をλ／４板として使用する際、逆波長分散性の液晶化合物を含有する光学異方性層を透明支持体上に形成すると、正面の反射率および色味変化を低減させることができる。しかしながら、このような逆波長分散性の光学異方性層を透明支持体上に形成すると反射率や色味に関する視野角特性が劣る場合がある。この理由について検討したところ、透明支持体のＲｔｈが影響していることが分かった。すなわち、透明支持体と光学異方性層とを積層した全体としてＲｔｈが大きくなってしまうことが原因であることが分かった。
本発明では、所定のＲｔｈを有する透明支持体を利用することでこの問題を解決している。即ち透明支持体のＲｔｈを負とすることで光学異方性層のＲｔｈを相殺することができ、位相差板全体としてのＲｔｈを反射率、色味の視野角特性に影響を与えない程度まで抑制することができる。
そして、さらに、かかる負のＲｔｈを有する支持体において、総アシル置換度が特定のものを用いることにより、偏光膜との密着性を向上させることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００２１】
図１は、本発明の位相差板の一例の概略断面図である。位相差板１０は、透明支持体１１と、λ／４板として機能する光学異方性層１２とを有し、光学異方性層１２は、液晶化合物を含む組成物から形成されている。透明支持体１１と光学異方性層１２との間には必要に応じて配向膜（図示せず）を有していてもよい。これらの部材の詳細については後述する。
【００２２】
透明支持体の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）は、下記式（Ａ）を満たし、下記式（Ａ−１）を満たすことが好ましく、下記式（Ａ−２）を満たすことがより好ましい。透明支持体のＲｅ（５５０）が下記式（Ａ）を満たすことで、本発明の効果がより効果的に発揮される。
式（Ａ）：−１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍ
式（Ａ−１）：−７ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍ
式（Ａ−２）：−２ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１ｎｍ
【００２３】
光学異方性層の、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、および６５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）、およびＲｅ（６５０）は、下記式（１）〜（３）を満たし、それぞれ、下記式（１−１）〜（３−１）を満たすことが好ましく、それぞれ、下記式（１−２）〜（３−２）を満たすことがより好ましい。このような構成とすることにより、本発明の効果がより効果的に発揮される。
式（１）：１２０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１５０ｎｍ
式（２）：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１
式（３）：Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１
式（１−１）：１２５ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１４５ｎｍ
式（２−１）：０．５５≦Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦０．７０
式（３−１）：１＜Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．３０
式（１−２）：１３５ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１４０ｎｍ
式（２−２）：０．６０≦Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦０．６５
式（３−２）：１＜Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．１０
【００２４】
光学異方性層の一例は、式（２）〜（３）に示されているように、逆波長分散性を示す液晶化合物を硬化させて形成した態様であり、且つ式（１）に示されているように、光学異方性層は、λ／４板として機能する態様である。逆波長分散性を示す液晶化合物から光学異方性層を形成させることで正面方向および斜め方向の反射率が低減されるという効果が得られる。
【００２５】
また、透明支持体の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）は、下記式（Ｂ）を満たし、下記式（Ｂ−１）を満たすことが好ましく、下記式（Ｂ−２）を満たすことがより好ましい。
式（Ｂ）：−１００ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦−２０ｎｍ
式（Ｂ−１）：−９０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦−２３ｎｍ
式（Ｂ−２）：−８２ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦−２８ｎｍ
【００２６】
光学異方性層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）は、下記式（４）を満たし、下記式（４−１）を満たすことが好ましく、下記式（４−２）を満たすことがより好ましい。
式（４）：２０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦１００ｎｍ
式（４−１）：５０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦９０ｎｍ
式（４−２）：６０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５５０）≦８０ｎｍ
【００２７】
本発明者の鋭意検討した結果、位相差板を後述する画像表示装置に配置した場合、位相差板を構成する各部材のＲｔｈの合計は、視野角特性に影響を及ぼすことが分かった。このため、本発明の位相差板を構成する部材の各Ｒｔｈの合計値の絶対値が小さいことが好ましく、具体的には、透明支持体のＲｔｈ（５５０）と光学異方性層のＲｔｈ（５５０）との合計値の絶対値が５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下が特に好ましい。
透明支持体のＲｔｈ（５５０）が上記式（Ｂ）を満たし、且つ光学異方性層のＲｔｈ（５５０）が上記式（４）を満たすことで、視野角特性が向上し、色味変化も抑制されるという効果が得られる。
【００２８】
＜＜透明支持体＞＞
本発明の位相差板は、光学異方性層を支持する透明支持体を有し、透明支持体は、セルロースアシレートフィルムである。
【００２９】
セルロースアシレートは、セルロースを原料として生物的あるいは化学的に、少なくとも芳香族基を含むアシル基（置換基Ａ）を導入して得られるセルロース骨格を有する化合物である。
セルロースアシレートの原料綿は、綿花リンタ、木材パルプ（広葉樹パルプ、針葉樹パルプ）などの天然セルロースはもとより、微結晶セルロースなど木材パルプを酸加水分解して得られる重合度の低い（重合度１００〜３００）セルロースでも使用することができ、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えば「プラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂」（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）及び「セルロースの事典（５２３頁）」（セルロース学会編、朝倉書店、２０００年発行）に記載のセルロースを用いることができ、特に限定されるものではない。
【００３０】
透明支持体に用いられるセルロースアシレートは、例えばアルドリッチ社製セルロースアセテート（アセチル置換度２．４５）、もしくはダイセル社製セルロースアセテート（アセチル置換度２．４１（商品名：Ｌ−７０）、２．１９（商品名：ＦＬ−７０））、１．７６（商品名：ＬＬ−１０）を出発原料として、対応する酸クロリドとの反応により得ることができる。
【００３１】
透明支持体に用いるセルロースアシレートフィルムは、偏光子の密着性、脆性、および安定的な製膜性の確保の観点で、式（Ｉ）を満たし、式（Ｉ−１）を満たすことが好ましく、式（Ｉ−２）を満たすことがより好ましい。ＤＳが式（Ｉ）の範囲を外れると密着性が劣る。
式（Ｉ）：  １．３＜ＤＳ＜２．８
式（Ｉ−１）：  １．５≦ＤＳ≦２．７
式（Ｉ−２）：  １．７≦ＤＳ≦２．０
（各式中、ＤＳは、アシル基の総置換度を表す。）
【００３２】
透明支持体に用いるセルロースアシレートフィルムは、透明支持体のＲｔｈが式（Ｂ）を満たすように調整する観点で、式（ＩＩ）を満たすことが好ましく、式（ＩＩ−１）を満たすことが好ましく、式（ＩＩ−２）を満たすことがより好ましい。ＤＳＡを０．８以上１．３以下とすることにより好適なＲｔｈが得られる。
式（ＩＩ）：  ０．８≦ＤＳＡ≦１．３
式（ＩＩ−１）：  ０．９≦ＤＳＡ≦１．２
式（ＩＩ−２）：  ０．９≦ＤＳＡ≦１．０
（各式中、ＤＳＡは、芳香族基を含むアシル基の置換度を表す。）
【００３３】
本発明に用いるセルロースアシレートフィルムは、セルロースアシレートを主成分として含むのが好ましく、具体的には、５０質量％以上含むのが好ましく、８０％以上含むのがより好ましく、９５％以上含むのがより好ましい。勿論１００％であってもよい。
【００３４】
また、前記セルロースアシレートは、芳香族基を含むアシル基（以下、置換基Ａともいう）とともに、脂肪族アシル基（以下、置換基Ｂともいう）をさらに有するのが好ましい。即ち、ＤＳＡ＜ＤＳであるのが好ましい。脂肪族アルキル基、特に炭素原子数が小さい脂肪族アルキル基を有することにより、Ｔｇおよび弾性率などを低下させずに、フィルムとして適切な強度を得ることができる。置換基Ｂの置換度ＤＳＢは、ＤＳＡ及びＤＳが上記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満足する範囲であれば、特に制限はない。０以上１．１未満であるのが好ましく、０．１〜１．０であるのがより好ましい。
【００３５】
本発明において置換基の置換度は、Cellulose Communication 6,73-79(1999)及びChirality 12(9),670-674に書かれている方法を用いて、1Ｈ−ＮＭＲあるいは13Ｃ−ＮＭＲにより、決定することができる。
【００３６】
（芳香族基を含むアシル基（置換基Ａ））
本発明における芳香族基を含むアシル基（置換基Ａ）はエステル結合部と直接結合しても、連結基を介して結合してもよい。直接結合しているのが好ましい。ここでいう連結基とはアルキレン基、アルケニレン基、あるいはアルキニレン基を表し、連結基は置換基を有していてもよい。連結基として好ましくは１〜１０のアルキレン基、アルケニレン基、及びアルキニレン基、より好ましくは原子数が１〜６のアルキレン基及びアルケニレン基、特に、好ましくは原子数が１〜４のアルキレン及びアルケニレン基である。
【００３７】
また芳香族は置換基を有してもよく、芳香族に置換されている置換基及び前述の連結基に置換されている置換基は、例えばアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８のものであり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル、シクロヘキシル基などが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる）、アミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１０、特に好ましくは０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる）、アシル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１６、特に好ましくは０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる）、アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる）、シリル基（好ましくは、炭素原子数３〜４０、より好ましくは３〜３０、特に好ましくは３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００３８】
芳香族とは理化学辞典（岩波書店）第４版１２０８頁に芳香族化合物として定義されており、本発明における芳香族基としては芳香族炭化水素基でも芳香族ヘテロ環基でもよく、より好ましくは芳香族炭化水素基である。
芳香族炭化水素基としては、炭素原子数が６〜２４のものが好ましく、６〜１２のものがより好ましく、６〜１０のものが最も好ましい。芳香族炭化水素基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ベンゾイル基などが挙げられ、より好ましくはベンゾイル基、フェニル基であり、さらに好ましくはベンゾイル基である。芳香族ヘテロ環基としては、酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含むものが好ましい。そのヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環基としては、ピリジル基、トリアジニル基、キノリル基が特に好ましい。
【００３９】
芳香族基を含むアシル基（置換基Ａ）として好ましいものはフェニルアセチル基、ヒドロシンナモイル基、ジフェニルアセチル基、フェノキシアセチル基、ベンジロキシアセチル基、Ｏ−アセチルマンデリル基、３−メトキシフェニルアセチル基、４−メトキシフェニルアセチル基、２，５−ジメトキシフェニルアセチル基、３，４−ジメトキシフェニルアセチル基、９−フルオレニルメチルアセチル基、シンナモイル基、４−メトキシ−シンナモイル基、ベンゾイル基、オルト−トルオイル基、メタ−トルオイル基、パラ−トルオイル基、ｍ−アニソイル基、ｐ−アニソイル基、フェニルベンゾイル基、４−エチルベンゾイル基、４−プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、４−ブチルベンゾイル基、４−ペンチルベンゾイル基、４−ヘキシルベンゾイル基、４−ヘプチルベンゾイル基、４−オクチルベンゾイル基、４−ビニルベンゾイル基、４−エトキシベンゾイル基、４−ブトキシベンゾイル基、４−ヘキシロキシベンゾイル基、４−ヘプチロキシベンゾイル基、４−ペンチロキシベンゾイル基、４−オクチロキシベンゾイル基、４−ノニロキシベンゾイル基、４−デシロキシベンゾイル基、４−ウンデシロキシベンゾイル基、４−ドデシロキシベンゾイル基、４−イソプロピオキシベンゾイル基、２，３−ジメトキシベンゾイル基、２，５−ジメトキシベンゾイル基、３，４−ジメトキシベンゾイル基、２，６−ジメトキシベンゾイル基、２，４−ジメトキシベンゾイル基、３，５−ジメトキシベンゾイル基、３，４，５−トリメトキシベンゾイル基、２，４，５−トリメトキシベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、２−ビフェニルカルボニル基、４−ビフェニルカルボニル基、４'−エチル−４−ビフェニルカルボニル基、４'−オクチロキシ−４−ビフェニルカルボニル基、ピペロニロイル基、ジフェニルアセチル基、トリフェニルアセチル基、フェニルプロピオニル基、ヒドロシンナモイル基、α−メチルヒドロシンナモイル基、２，２−ジフェニルプロピオニル基、３，３−ジフェニルプロピオニル基、３，３，３−トリフェニルプロピオニル基、２−フェニルブチリル基、３−フェニルブチリル基、４−フェニルブチリル基、５−フェニルバレリル基、３−メチル−２−フェニルバレリル基、６−フェニルヘキサノイル基、α−メトキシフェニルアセチル基、フェノキシアセチル基、３−フェノキシプロピオニル基、２−フェノキシプロピオニル基、１１−フェノキシデカノイル基、２−フェノキシブチリル基、２−メトキシアセチル基、３−（２−メトキシフェニル）プロピオニル基、３−（ｐ−トルイル）プロピオニル基、（４−メチルフェノキシ）アセチル基、４−イソブチル−α−メチルフェニルアセチル基、４−（４−メトキシフェニル）ブチリル基、（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）−アセチル基、４−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）−ブチリル基、（３，４−ジメトキシフェニル）アセチル基、３，４−（メチレンジオキシ）フェニルアセチル基、３−（３，４−ジメトキシフェニル）プロピオニル基、４−（３，４−ジメトキシフェニル）ブチリル基、（２，５−ジメトキシフェニル）アセチル基、（３，５−ジメトキシフェニル）アセチル基、３���４，５−トリメトキシフェニルアセチル基、３−（３，４，５−トリメトキシフェニル）−プロピオニル基、アセチル基、１−ナフチルアセチル基、２−ナフチルアセチル基、α−トリチル−２−ナフタレン−プロピオニル基、（１−ナフトキシ）アセチル基、（２−ナフトキシ）アセチル基、６−メトキシ−α−メチル−２−ナフタレンアセチル基、９−フルオレンアセチル基、１−ピレンアセチル基、１−ピレンブチリル基、γ−オキソ−ピレンブチリル基、スチレンアセチル基、α−メチルシンナモイル基、α−フェニルシンナモイル基、２−メチルシンナモイル基、２−メトキシシンナモイル基、３−メトキシシンナモイル基、２，３−ジメトキシシンナモイル基、２，４−ジメトキシシンナモイル基、２，５−ジメトキシシンナモイル基、３，４−ジメトキシシンナモイル基、３，５−ジメトキシシンナモイル基、３，４−（メチレンジオキシ）シンナモイル基、３，４，５−トリメトキシシンナモイル基、２，４，５−トリメトキシシンナモイル基、３−メチリデン−２−カルボニル基、４−（２−シクロヘキシロキシ）ベンゾイル基、２，３−ジメチルベンゾイル基、２，６−ジメチルベンゾイル基、２，４−ジメチルベンゾイル基、２，５−ジメチルベンゾイル基、３−メトキシ−４−メチルベンゾイル基、３，４−ジエトキシベンゾイル基、α−フェニル−ｏ−トルイル基、２−フェノキシベンゾイル基、２−ベンゾイルベンゾイル基、３−ベンゾイルベンゾイル基、４−ベンゾイルベンゾイル基、２−エトキシ−１−ナフトイル基、９−フルオレンカルボニル基、１−フルオレンカルボニル基、４−フルオレンカルボニル基、９−アントラセンカルボニル基、１−ピレンカルボニル基などが挙げられる。
【００４０】
さらに好ましくは、置換基Ａは、フェニルアセチル基、ヒドロシンナモイル基、ジフェニルアセチル基、フェノキシアセチル基、ベンジロキシアセチル基、Ｏ−アセチルマンデリル基、３−メトキシフェニルアセチル基、４−メトキシフェニルアセチル基、２，５−ジメトキシフェニルアセチル基、３，４−ジメトキシフェニルアセチル基、９−フルオレニルメチルアセチル基、シンナモイル基、４−メトキシ−シンナモイル基、ベンゾイル基、オルト−トルオイル基、メタ−トルオイル基、パラ−トルオイル基、ｍ−アニソイル基、ｐ−アニソイル基、フェニルベンゾイル基、４−エチルベンゾイル基、４−プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、４−ブチルベンゾイル基、４−ペンチルベンゾイル基、４−ヘキシルベンゾイル基、４−ヘプチルベンゾイル基、４−オクチルベンゾイル基、４−ビニルベンゾイル基、４−エトキシベンゾイル基、４−ブトキシベンゾイル基、４−ヘキシロキシベンゾイル基、４−ヘプチロキシベンゾイル基、４−ペンチロキシベンゾイル基、４−オクチロキシベンゾイル基、４−ノニロキシベンゾイル基、４−デシロキシベンゾイル基、４−ウンデシロキシベンゾイル基、４−ドデシロキシベンゾイル基、４−イソプロピオキシベンゾイル基、２，３−ジメトキシベンゾイル基、２，５−ジメトキシベンゾイル基、３，４−ジメトキシベンゾイル基、２，６−ジメトキシベンゾイル基、２，４−ジメトキシベンゾイル基、３，５−ジメトキシベンゾイル基、２，４，５−トリメトキシベンゾイル基、３，４，５−トリメトキシベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、２−ビフェニルカルボニル基、４−ビフェニルカルボニル基、又は４'−エチル−４−ビフェニルカルボニル基、４'−オクチロキシ−４−ビフェニルカルボニル基である。
【００４１】
より好ましくは、置換基Ａは、フェニルアセチル基、ジフェニルアセチル基、フェノキシアセチル基、シンナモイル基、４−メトキシ−シンナモイル基、ベンゾイル基、フェニルベンゾイル基、４−エチルベンゾイル基、４−プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、４−ブチルベンゾイル基、４−ペンチルベンゾイル基、４−ヘキシルベンゾイル基、４−ヘプチルベンゾイル基、３，４−ジメトキシベンゾイル基、２，６−ジメトキシベンゾイル基、２，４−ジメトキシベンゾイル基、３，５−ジメトキシベンゾイル基、３，４，５−トリメトキシベンゾイル基、２，４，５−トリメトキシベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、２−ビフェニルカルボニル基、又は４−ビフェニルカルボニル基である。
【００４２】
さらに好ましくは、置換基Ａは、ベンゾイル基、フェニルベンゾイル基、４−ヘプチルベンゾイル基、２，４，５−トリメトキシベンゾイル基、又は３，４，５−トリメトキシベンゾイル基であり、特に好ましくはベンゾイル基である。
前記セルロースアシレートが有する置換基Ａは、一種であっても二種以上であってもよい。
【００４３】
（脂肪族アシル基（置換基Ｂ））
脂肪族アシル基（置換基Ｂ）は、直鎖状、分岐状あるいは環状構造の脂肪族アシル基のいずれであってもよく、また不飽和結合を含む脂肪族アシル基であってもよい。脂肪族アシル基は、炭素数２〜２０が好ましく、炭素数２〜１０がより好ましく、炭素数２〜４がさらに好ましい。置換基Ｂの好ましい例としては、アセチル基、プロピオニル基、及びブチリル基であり、中でもアセチル基が好ましい。
なお、本発明において、ＤＳＡ＝ＤＳの場合の様に脂肪族アシル基を含まないセルロースアシレートを用いることもできる。
【００４４】
セルロースアシレートの粘度平均重合度については特に制限はないが、８０〜７００が好ましく、９０〜５００が更に好ましく、１００〜５００がより更に好ましい。平均重合度を５００以下とすることにより、セルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり過ぎず、流延によるフィルム製造が容易になる傾向にある。また、重合度を１４０以上とすることにより、作製したフィルムの強度がより向上する傾向にあり好ましい。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫著、「繊維学会誌」、第１８巻、第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。具体的には、特開平９−９５５３８号公報に記載の方法に従って測定することができる。
【００４５】
前記セルロースアシレート組成物は、粒子状、粉末状、繊維状、塊状、溶液、溶融物など種々の形状を取ることができる。
フィルム製造の原料としては粒子状又は粉末状であることが好ましいことから、乾燥後のセルロースアシレート組成物は、粒子サイズの均一化や取り扱い性の改善のために、粉砕や篩がけを行ってもよい。
【００４６】
本発明において、セルロースアシレートは１種類のみを用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。また、セルロースアシレート以外の高分子成分や、各種添加剤を適宜混合することもできる。混合される成分はセルロースアシレートとの相溶性に優れるものが好ましく、フィルムにしたときの透過率が好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、特に好ましくは９２％以上となるようにすることが好ましい。
【００４７】
本発明においてセルロースアシレートには、一般的にセルロースアシレートに添加可能な種々の添加剤（例えば、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤等）を加えて組成物とすることができる。また、前記セルロースアシレートへの添加剤の添加時期は、ドープ作製工程の何れにおいて添加してもよく、また、ドープ調製工程の最後に調製工程としてこれらの添加剤を添加してもよい。
【００４８】
前記セルロースアシレートは、Ｒｔｈ低減剤を添加しなくても低Ｒｔｈを達成可能であるが、低Ｒｔｈ化に寄与する添加剤を添加してもよい。添加可能な添加剤の例には、高分子量添加剤が含まれる。高分子量添加剤は、その化合物中に繰り返し単位を有するものである。一般的にはオリゴマーに分類される化合物であってもよい。高分子量添加剤は、溶液流延法において、溶媒の揮発速度を速めたり、残留溶媒量を低減したりするために用いられる。また、溶融製膜法によるフィルムにおいても、高分子量添加剤は着色や膜強度劣化を防止するために有用な素材である。さらに、セルロースアシレートに前記高分子量添加剤を添加することは、機械的性質向上、柔軟性付与、耐吸水性付与、水分透過率低減等のフィルム改質の観点で、有用な効果を示す。
【００４９】
高分子量添加剤としては、ポリエステル系ポリマー、スチレン系ポリマーおよびアクリル系ポリマーおよびこれら等の共重合体から選択され、脂肪族ポリエステル、芳香族ポリエステル、アクリル系ポリマーおよびスチレン系ポリマーが好ましい。
これらは、特開２００９−２６３６１９号公報の［００３１］〜［００４８］の記載を参酌でき、これらに記載された高分子量添加剤を好ましく用いることができる。
【００５０】
本発明の位相差板の製造方法におけるセルロースアシレートフィルムの製造方法は、特に限定されるものではないが、ソルベントキャスト法により製造されることが好ましい。ソルベントキャスト法を利用したセルロースアシレートフィルムの製造例については、米国特許第２，３３６，３１０号、同２，３６７，６０３号、同２，４９２，０７８号、同２，４９２，９７７号、同２，４９２，９７８号、同２，６０７，７０４号、同２，７３９，０６９号及び同２，７３９，０７０号の各明細書、英国特許第６４０７３１号及び同７３６８９２号の各明細書、並びに特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号及び同６２−１１５０３５号等の公報を参考にすることができる。
【００５１】
透明支持体として用いるセルロースアシレートフィルムのＲｔｈは、膜厚とＤＳＡによって調整可能である。また、延伸によりＲｔｈを更に負にすることができるが、Ｒｅの絶対値が大きくなるため、延伸倍率は０〜１５％が好ましく、０〜１０％がより好ましく、延伸を行わない未延伸フィルムであることがさらに好ましい。ここでいう「延伸を行わない」とは、意図的な延伸を行わないことであり、搬送工程等により、意図せずに生じてしまうような延伸は含まない。
延伸処理の方法及び条件については、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号等の各公報を参考にすることができる。前記セルロースアシレートフィルムの延伸方向はフィルム搬送方向（縦方向）と搬送方向に直交する方向（横方向）のいずれであってもよい。
【００５２】
フィルム厚さの調整は、所望の厚さになるように、ドープ中に含まれる固形分濃度、ダイの口金のスリット間隙、ダイからの押し出し圧力、金属支持体速度等を調節すればよい。
【００５３】
セルロースアシレートフィルムの面内遅相軸は、フィルム搬送方向及び搬送方向に直交する方向のいずれの方向であってもよい。
【００５４】
また、フィルムの搬送方向のＲｔｈ（５５０）値のバラツキは±１０ｎｍが好ましく、±５ｎｍであることがより好ましい。また、長さ方向のＲｔｈ値のバラツキも、幅方向のバラツキの範囲内であることが好ましい。
【００５５】
［セルロースアシレートフィルムのヘイズ］
透明支持体に用いるセルロースアシレートフィルムは、例えば、ヘイズ計（１００１ＤＰ型、日本電色工業（株）社製）を用いて測定した値が０．０１以上０．８以下であることが好ましく、０．０２以上０．７以下であることがより好ましく、０．０５以上０．６０以下であることが特に好ましい。前記範囲にヘイズを制御することにより、位相差板として画像表示装置に組み込んだ際に高コントラストの画像が得られる。
【００５６】
［セルロースアシレートフィルムの光弾性係数］
透明支持体に用いるセルロースアシレートフィルムは、吸湿による伸張、収縮による応力により複屈折（Ｒｅ，Ｒｔｈ）が変化する場合がある。このような応力に伴う複屈折の変化は光弾性係数として測定できるが、その範囲は、５×１０-7（ｃｍ2／ｋｇｆ）〜３０×１０-7（ｃｍ2／ｋｇｆ）が好ましく、６×１０-7（ｃｍ2／ｋｇｆ）〜２５×１０-7（ｃｍ2／ｋｇｆ）がより好ましく、７×１０-7（ｃｍ2／ｋｇｆ）〜２０×１０-7（ｃｍ2／ｋｇｆ）であることが特に好ましい。
【００５７】
［セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度］
セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度をＤＭＡ法により測定した。具体的には、試験片を室温から５℃／分の割合で昇温させ、粘弾性測定装置にて試験片の動的粘弾性及びtanδを測定し、tanδのピーク温度からガラス転移温度を求めた。
支持体に用いるセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度は８０℃以上３００℃以下が好ましく、１００℃以上２５０℃以下がさらに好ましい。ガラス転移温度は可塑剤、溶剤等の低分子化合物を含有させることにより低下させることが可能である。
【００５８】
透明支持体に用いるセルロースアシレートフィルムが主成分として含有する前記セルロースアシレートは、親水性のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を主成分とする偏光膜に対する密着性が高く、剥離等の問題が生じない。具体的には、本発明におけるセルロースアシレートフィルムを有する本発明の位相差板とポリビニルアルコールフィルムとを積層した積層体サンプルを準備し、クロスカット試験におけるＰＶＡ残存率が８５％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましく、さらに好ましくは９５％以上、最も好ましくは残存率１００％、即ち全くＰＶＡが剥がれない状態である。
なお、クロスカット試験はＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６、６節に準じて行うことができる。なお、上記サンプルの作製には、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等を用いることができる。
【００５９】
透明支持体の膜厚は、２０〜６０μｍが好ましく、２０〜５０μｍがより好ましく、２５〜４０μｍがさらに好ましい。膜厚が６０μｍを超えると、本発明の位相差板の膜厚が厚くなりすぎ、２０μｍ未満であると、ハンドリング中にシワが発生しやすい。
【００６０】
＜＜光学異方性層＞＞
本発明の位相差板に用いる光学異方性層は、光学特性が前記式（１）〜（４）の関係を満たし、好ましくは逆波長分散性の液晶化合物を有する。光学異方性層に用いる液晶化合物としては、逆波長分散性の液晶化合物であれば特に限定はされないが、好ましい一例は、下記一般式（１）で表される化合物である。
【化３】
2014132978.tif 000006
式中、Ａ1及びＡ2は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｚは、第１４〜１６族の非金属原子からなる群から選択される１つ又は２つの原子を表し、式中の２つの炭素原子と共に５又は６員環を形成する。Ｂ、Ｒ1は各々独立に置換基を表し、Ｒ2は二価の連結基を表す。複数のＢ及びＲ2は同一でも異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数である。Ｌ1及びＬ2は各々独立に二価の連結基を表す。Ｒ4及びＲ5は各々独立に置換基を表す。なお、
重合性基を有する場合、Ｂ、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、及びＲ5の少なくとも１つが、重合性基を含む。ｎは１〜１０の整数である。
【００６１】
Ｌ1及びＬ2が表す二価の連結基としては、特に限定されるものではないが、好ましくは下記の例が挙げられる。なお、結合位置に関して、前記のＺとＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ又はＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとによって形成される５〜６員環との結合位置が下記に例示した連結基の左側にあるものとする。
【００６２】
【化４】
2014132978.tif 000007
【００６３】
Ｒ2が表す二価の連結基としては、特に限定されるものではないが、好ましくは下記の例が挙げられる。複数のＲ2は、互いに同一でも、異なっていてもよい。点線はＬ1またはＬ2と結合することを表す。
【化５】
2014132978.tif 000008
【００６４】
Ｚは、第１４〜１６族の非金属原子からなる群から選択される１つ又は２つの原子を表し、式中記載のＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ又はＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃと共に５又は６員環を形成する。ＺとＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ又はＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとによって形成される５〜６員環としては、特に限定されるものではないが、下記の例が好適に挙げられる。なお、下記の例において、点線はＬ1又はＬ2と結合することを表す。
【００６５】
【化６】
2014132978.tif 000009
【００６６】
ＺとＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ又はＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとによって形成される環は、６員環であることが好ましい。６員環とすることにより、より配向秩序度が高く配向させることが可能となる。また、同様の理由により、芳香環であることも好ましく、より好ましくは芳香環かつ６員環である。
これらの観点および合成上の観点から、ＺとＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ又はＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとによって形成される環は、チオフェン環、ベンゼン環、ピリジン環が好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
【００６７】
Ｒ1は置換基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い。置換基としては、置換基群Ａで例示されている置換基が挙げられる。
【００６８】
置換基群Ａ：
ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０の直鎖、分岐の置換もしくは無置換のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、
【００６９】
アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、
【００７０】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、
【００７１】
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、
【００７２】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチル−メトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、
【００７３】
スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、
【００７４】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ'−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル又はアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、
【００７５】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、
【００７６】
アリール又はヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換または無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）
【００７７】
上記の置換基の中で水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その具体例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００７８】
ｍはＲ1の置換数を表し、ＺとＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ又はＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとによって形成される環の構造によって取り得る数は変化する。ｍは０が最小であり、Ｚが二つの炭素原子を表し、かつ、ＺとＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ又はＣ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃとによって形成される環が芳香族性を有しない場合に最大４である。ｍは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
【００７９】
Ｂはそれぞれ独立に置換基を表す。置換基としては、上記置換基群Ａで例示されている置換基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基である。
【００８０】
Ａ1及びＡ2はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表し、例としては上記置換基群Ａの例が挙げられ、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基である。また、これらにＬ1若しくはＬ2を介して、重合性基と連結しても良い。）または−Ｓ−である。
【００８１】
Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立に置換基を表す。例としては上記置換基群Ａの例があげられる。好ましくは、Ｒ4及びＲ5のうち少なくとも１つがハメットの置換基定数σp値が０より大きい電子吸引性の置換基であることが好ましく、σp値が０〜１．５の電子吸引性の置換基を有していることがさらに好ましい。このような置換基としてはトリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。また、Ｒ4とＲ5とが結合して環を形成してもよい。
なお、ハメットの置換基定数のσp、σmに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、日本化学会編「新実験化学講座１４ 有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（丸善）、仲谷忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、「ケミカル レビュー」，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の文献に詳しく解説されている。
【００８２】
ｎは１〜１０の整数であり、好ましくは２〜１０の整数であり、特に好ましくは２〜５の整数である。
【００８３】
Ｂ、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4及びＲ5の少なくとも１つには重合性基が置換していることが好ましい。好ましくは１〜６つであり、さらに好ましくは１〜４つ、最も好ましくは１〜３つ置換している。また、重合性基が好ましく置換する置換基は、Ｂである。
【００８４】
重合性基とは、付加重合反応または縮合重合反応が可能な基が好ましい。そのような重合性基としては、重合性エチレン性不飽和基または開環重合性基が好ましい。以下に重合性基の例を示す。
【００８５】
【化７】
2014132978.tif 000010
【００８６】
さらに、重合性基は付加重合反応が可能な官能基であることが特に好ましい。そのような重合性基としては、重合性エチレン性不飽和基または開環重合性基が好ましい。
重合性基は、下記の一般式Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３またはＰ４のいずれかで表される基であることが好ましい。
【００８７】
【化８】
2014132978.tif 000011
（式中、Ｒ511、Ｒ512、Ｒ513、Ｒ521、Ｒ522、Ｒ523、Ｒ531、Ｒ532、Ｒ533、Ｒ541、Ｒ542、Ｒ543、Ｒ544及びＲ545はそれぞれ各々独立に水素原子またはアルキル基を表す。ｎ5は０または１を表す。）
【００８８】
Ｒ511、Ｒ512、Ｒ513、Ｒ521、Ｒ522、Ｒ523、Ｒ531、Ｒ532、Ｒ533、Ｒ541、Ｒ542、
Ｒ543、Ｒ544及びＲ545は各々独立に水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルが挙げられ、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、さらにメチルが好ましい。
【００８９】
一般式（１）において、Ａ1、Ａ2、Ｂ、Ｌ1、Ｌ2、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、ｎ、ｍ、およびＰ１〜Ｐ４は、特開２０１０−８４０３２号公報の段落００２１〜００６６に記載と同義であり、好ましい範囲も同様である。これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【００９０】
一般式（１）で表される化合物の具体例としては、特開２０１０−８４０３２号公報の段落００６７〜００７１に記載の具体例、特開２０１１−６３６０号公報の段落００８０〜０１００に記載の具体例の他に以下の化合物が挙げられるが、本発明は、以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【化９】
2014132978.tif 000012
【００９１】
逆波長分散性の液晶化合物としては、下記一般式（２）で表される化合物も好ましい。
一般式（２）：
Ｌ１−Ｇ１−Ｄ１−Ａｒ−Ｄ２−Ｇ２−Ｌ２
式中、Ａｒは下記一般式（２−１）、（２−２）、または（２−３）で表される２価の芳香環基を表し、Ｄ１及びＤ２は、それぞれ独立に、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＲ3Ｒ4−、−Ｏ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＮＲ1−ＣＲ2Ｒ3−、−ＣＲ1Ｒ2−ＮＲ3−、−ＣＯ−ＮＲ1−、または−ＮＲ1−ＣＯ−を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｇ１およびＧ２は、それぞれ独立に、炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基、または炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ）−で置換されていてもよく、Ｒは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｌ１及びＬ２それぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｌ１及びＬ２からなる群から選ばれる少なくとも一種が、重合性基を有する１価の基を表す。
【化１０】
2014132978.tif 000013
式（２−１）中、Ｑ1は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−ＮＲ１−を表す。Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｙ1は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、又は、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。
Ｚ1およびＺ2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、１価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ2Ｒ3又は−ＳＲ2を表し、Ｚ1及びＺ2は、互いに結合して芳香環又は芳香族複素環を形成してもよい。Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
式（２−２）及び（２−３）中、Ａｘは芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａｙは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表し、Ａｘ及びＡｙが有する芳香環は置換基を有していてもよい。また、ＡｘとＡｙは互いに結合して、環を形成していてもよい。
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
Ｑ2は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００９２】
Ｄ１及びＤ２は、それぞれ独立に、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＲ3Ｒ4−、−Ｏ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＣＲ1Ｒ2−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＣＲ1Ｒ2−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ3Ｒ4−、−ＮＲ1−ＣＲ2Ｒ3−、−ＣＲ1Ｒ2−ＮＲ3−、−ＣＯ−ＮＲ1−、または−ＮＲ1−ＣＯ−を表し、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＮＲ1−ＣＲ2Ｒ3−又は−ＮＲ1−ＣＯ−が好ましく、より好ましくは−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−Ｏ−ＣＲ1Ｒ2−、−ＮＲ1−ＣＲ2Ｒ3−又は−ＮＲ1−ＣＯ−、さらに好ましくは−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−−又は−ＮＲ1−ＣＯ−である。
【００９３】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基であることがより好ましい。
【００９４】
Ｇ１およびＧ２は、それぞれ独立に、炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基、または炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表す。前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ）−で置換されていてもよい（Ｒは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す）。２価の脂環式炭化水素基としては、単環式炭化水素基や、橋かけ環式炭化水素基が挙げられ、５員環又は６員環であることが好ましい。また、脂環式炭化水素基は、飽和でも不飽和でもよいが飽和脂環式炭化水素基が好ましい。Ｇ1及びＧ2で表されるヘテロ原子を含んでもよい２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、式（ｇ−１）〜式（ｇ−１０）で示されるものが挙げられる。
【００９５】
【化１１】
2014132978.tif 000014
炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基としては、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基等が挙げられ、１，４−フェニレン基が好ましい。
【００９６】
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｌ１及びＬ２からなる群から選ばれる少なくとも一種が、重合性基を有する１価の基を表す。
Ｌ１は式（Ａ１）で表される基であり、Ｌ2は式（Ａ２）で表される基であることが好ましい。
Ｐ1−Ｆ1−（Ｂ1−Ａ1）k−Ｅ1− （Ａ１）
Ｐ2−Ｆ2−（Ｂ2−Ａ2）l−Ｅ2− （Ａ２）
式（Ａ１）及び式（Ａ２）中、Ｂ1、Ｂ2、Ｅ1及びＥ2は、それぞれ独立に、−ＣＲ11Ｒ12−、−ＣＨ2−ＣＨ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＳ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＳ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ11−、−Ｏ−ＣＨ2−、−Ｓ−ＣＨ2−又は単結合を表す。
Ａ1及びＡ2は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＨ−で置き換っていてもよく、前記脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ（−）−は、−Ｎ（−）−で置き換っていてもよい。
ｋ及びｌは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｋが２以上の整数である場合、複数のＢ1及びＡ1は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｌが２以上の整数である場合、複数のＢ2及びＡ2は互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｆ1及びＦ2は、炭素数１〜１２の２価の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｐ1及びＰ2は、水素原子又は重合性基を表し、少なくとも一方が重合性基である。
Ｒ11及びＲ12は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
【００９７】
Ａ1及びＡ2で表される２価の脂環式炭化水素基としては、前記Ｇ1及びＧ2として例示したものと同様の範囲から選択でき、好ましい態様も前記Ｇ1及びＧ2と同様である。また、Ａ1及びＡ2で表される２価の芳香族炭化水素基としては、単環式又は多環式（複数の芳香環が単結合で転結されている多環式及び縮合多環式を含む）が挙げられる。Ａ1及びＡ2で表される２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、式（ａ−１）〜式（ａ−８）で表されるものが挙げられる。また、Ａ1及びＡ2で表される芳香族炭化水素基としては、対称軸、対称面があるのが好ましい。
【００９８】
【化１２】
2014132978.tif 000015
【００９９】
Ａ1及びＡ2で表される脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基で置換されていてもよい。前記置換基としては、前記置換基Ｚ2として例示したものと同じ範囲から選択できる。
【０１００】
Ａ1及びＡ2としては、それぞれ独立に、単環の１，４−フェニレン基又はシクロヘキサン−１，４−ジイル基であることが好ましく、特に、一般式（２）で表される化合物の製造が容易なことから、１，４−フェニレン基であることが好ましい。さらに、Ａ1及びＡ2としては、一般式（２）で表される化合物の製造が容易となる傾向にあることから、同種類の基であることが好ましい。
【０１０１】
Ｂ1及びＢ2は、一般式（２）で表される化合物の製造が容易となる傾向にあることから同種類の基であることが好ましい。また、ｋ、ｌが２以上の整数である場合、複数のＢ1及びＢ2は一般式（２）で表される化合物の製造がより容易となることから、Ａ1のみと結合しているＢ1、及びＡ2のみと結合しているＢ2が、それぞれ独立に、−ＣＨ2−ＣＨ2−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−Ｏ−ＣＨ2−又は単結合であることが好ましい。特に、高い液晶性を示すことから、−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましい。さらに、Ｆ1と結合しているＢ1、及びＦ2と結合しているＢ2が、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−又は単結合であることがより好ましい。
【０１０２】
ｋ及びｌは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表すことが好ましく、ｋ及びｌは０〜２であることがより好ましい。ｋ及びｌの合計は、５以下が好ましく、４以下がより好ましい。ｋ及びｌが上記の範囲であると、一般式（２）で表される化合物が液晶性を示しやすくなる傾向がある。
【０１０３】
Ｆ1及びＦ2は、炭素数１〜１２のアルカンジイル基であることが好ましく、直鎖のアルカンジイル基であることがより好ましい。特に、無置換のアルカンジイル基が好ましい。前記アルカンジイル基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子に置換されていてもよい。また、前記アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ2−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置換されていてもよい。
【０１０４】
Ｐ1及びＰ2は、水素原子又は重合性基であり、少なくとも一方が重合性基である。得られる光学フィルムの硬度が優れる傾向にあることから、Ｐ1及びＰ2がともに重合性基であるとことが好ましい。
【０１０５】
ここで重合性基とは、一般式（２）で表される化合物を重合させることのできる置換基を意味し、具体的には、ビニル基、ビニルオキシ基、スチリル基、ｐ−（２−フェニルエテニル）フェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等のエチレン性不飽和基を有する重合性基、カルボキシ基、アセチル基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、アミノ基、オキシラニル基、オキセタニル基、ホルミル基、イソシアナト基又はイソチオシアナト基等が例示される。
重合性基としては、光重合させるのに適したラジカル重合性基、カチオン重合性基が好ましく、特に取り扱いが容易な上に製造も容易となる傾向にあることから、アクリロイル基、メタクロイル基、アクリロイルオキシ基及びメタクリロイルオキシ基が好ましい。中でも重合性基が、それぞれ独立に、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基であることが好ましく、特にアクリロイルオキシ基であることが好ましい。
【０１０６】
一般式（２）で表される化合物において、Ｄ1とＤ2、Ｇ1とＧ2及びＬ1とＬ2はそれぞれ同一であること、すなわち、−Ｄ1−Ｇ1−Ｌ1と−Ｄ2−Ｇ2−Ｌ2が同一構造を有することが好ましい。
【０１０７】
一般式（２−１）中、Ｑ1は−Ｓ−、−Ｏ−、又は−ＮＲ１−を表す。Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ1で表される炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
【０１０８】
Ｙ1は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、又は、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。
Ｙ1で表される芳香族炭化水素基としては、フェニル基等の単環系芳香族炭化水素基；ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ビフェニル基等の多環系芳香族炭化水素基（縮合多環系芳香族炭化水素基を含む）が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｙ1で表される芳香族複素環式基としては、フリル基、ピロリル基、チエニル基、ピリジニル基、チアゾリル基等の単環系芳香族複素環基；ベンゾチアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基等の多環系芳香族複素環基（縮合多環系芳香族複素環基を含む）等の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を少なくとも一つ含む芳香族複素環式基が挙げられる。これらの中でもフリル基、チエニル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基が好ましい。
【０１０９】
Ｙ1で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環式基は置換基（以下、置換基Ｚ1）を有していてもよい。置換基Ｚ1としては、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシ基、炭素数１〜６のアルキルスルフィニル基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数１〜６のフルオロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキルスルファニル基、炭素数１〜６のＮ−アルキルアミノ基、炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、炭素数１〜６のＮ−アルキルスルファモイル基、炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基等が挙げられる。
【０１１０】
Ｚ1およびＺ2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、１価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ2Ｒ3又は−ＳＲ2を表し、Ｚ1及びＺ2は、互いに結合して芳香環又は芳香族複素環を形成してもよい。Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ1およびＺ2で表される脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、１−メチルブチル基、３−メチルブチル基、ヘキシル基、１−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、オクチル基、１−メチルヘプチル基、ノニル基、１−メチルオクチル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基が特に好ましい。
【０１１１】
Ｚ1およびＺ2で表される脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基等が挙げられ、炭素数３〜１２の環状アルキル基が好ましい。
【０１１２】
Ｚ1およびＺ2で表される芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基等が挙げられ、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基が好ましい。
【０１１３】
Ｚ1およびＺ2で表される脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基はそれぞれ置換基を有していてもよい。置換基としては、前記Ｙ1として例示したものが挙げられる。
Ｒ2及びＲ3で表される炭素数１〜６のアルキル基は、前記Ｒ1と同様の基から選択でき、中でも炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
【０１１４】
Ｚ1およびＺ2は、互いに結合して芳香環又は芳香族複素環を形成していてもよい。
【０１１５】
一般式（２−２）、一般式（２−３）中、Ａｘは芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環および芳香族複素環を有するものであってもよい。
芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環等が挙げられる。芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の５員環芳香族複素環；ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環等の６員環芳香族複素環；ベンズイミダゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、カルバゾール環、ベンゾチアゾリン環等の縮合環芳香族複素環；等が挙げられる。
【０１１６】
Ａｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基；アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アセチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ基；−ＳＯ2Ｒ基；等が挙げられる。ここでＲは、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数６〜１４のアリール基を表す。
【０１１７】
また、Ａｘが有する芳香環は、同一または相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であっても、縮合多環であってもよい。
【０１１８】
Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；等が挙げられる。
【０１１９】
Ａｙは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
Ａｙとしては、水素原子、または置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【０１２０】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基の炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
【０１２１】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ基；−ＳＯ2Ｒ基；等が挙げられる。ここでＲは、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数６〜１４のアリール基を表す。
【０１２２】
Ａｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａｘで例示したのと同様のものが挙げられる。
【０１２３】
Ｑ2は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記Ａｘで例示したのと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｑ2は水素原子、または炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【０１２４】
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前記置換基群Ａで例示されている置換基が挙げられる。
【０１２５】
一般式（２）で表される化合物の具体例としては、特開２０１２−２１０６８号公報の段落０１１０〜０１８５、ＷＯ２０１３／０１８５２６号公報の実施例、ＷＯ２０１４／０１０３２５号公報の実施例に例示されている化合物の他に以下の化合物が挙げられるが、本発明は、これらの具体例によって何ら限定されることはない。
【化１３】
2014132978.tif 000016
【０１２６】
光学異方性層に用いる液晶性化合物の他の好ましい例としては、逆波長分散性を示していれば一般式（１）で表される液晶化合物に限定されず、例えば、特表２０１０−５２２８９２号公報の段落０１９５、特表２０１０−５２２８９３号公報の段落００５１〜０１１９、特表２０１０−５３７９５４号公報の段落００１３〜０１２４、特表２０１０−５３７９５５号公報の段落００１３〜０１４３、特表２０１０−５４０４７２号公報の段落００５６〜０１２４、および特表２０１２−５００２３４号公報の段落００１９〜０１３５に記載の液晶化合物を使用することができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【０１２７】
光学異方性層における液晶化合物（特に、一般式（１）で表される液晶化合物）の含有量は、本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではないが、液晶化合物を含む組成物の固形分中、８０〜９９．９質量％が好ましく、９０〜９９．９質量％がより好ましい。
【０１２８】
光学異方性層には、液晶化合物の他に空気界面配向制御剤、ハジキ防止剤、重合開始剤、カイラル剤、塗布溶剤などの添加剤を含有していてもよい。これらは特開２０１０−８４０３２号公報の段落００９５〜０１０２の記載を参酌でき、これらに記載された空気界面配向制御剤、ハジキ防止剤、重合開始剤、カイラル剤、塗布溶剤などの添加剤を好ましく用いることができる。
【０１２９】
光学異方性層には、非液晶性の重合性モノマーを含有していることが好ましい。重合性モノマーとしては、液晶化合物と相溶性を有し、液晶化合物の傾斜角変化や配向阻害を著しく引き起こさない限り、特に限定はない。
【０１３０】
非液晶性の重合性モノマーとしては、例えば、２個〜５個の反応性官能基数を有するモノマー等が挙げられる。
【０１３１】
２個の反応性官能基数を有するモノマーとしては、例えば、プロパンジオール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールおよびテトラプロピレングリコールのアクリレート、ジビニルエーテルもしくはジメタクリレートなどが挙げられる。
【０１３２】
３個の反応性官能基数を有するモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパン、１〜２０のエチレンオキシド構成単位を有するエトキシル化トリメチロールプロパン、１〜２０のプロピレンオキシド構成単位を有するプロポキシル化トリメチロールプロパンおよびエチレンオキシド構成単位とプロピレンオキシド構成単位との合計が１〜２０であるエトキシ化・プロポキシ化トリメチロールプロパンのトリアクリレート、トリビニルエーテルもしくはトリメタクリレート；グリセリンエポキシトリアクリレートなど、１〜２０のエチレンオキシド構成単位を有するエトキシル化グリセリン、１〜２０のプロピレンオキシド構成単位を有するプロポキシル化グリセリンのトリアクリレート、トリビニルエーテルもしくはトリアクリレートなどが挙げられる。
【０１３３】
４個の反応性官能基数を有するモノマーとしては、例えば、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、１〜２０のエチレンオキシド構成単位を有するエトキシル化ビス−テトラメチロールプロパン、１〜２０のプロピレンオキシド構成単位を有するプロポキシル化ビス−トリメチロールプロパンおよびエチレンオキシド構成単位とプロピレンオキシド構成単位との合計が１〜２０であるエトキシ化・プロポキシ化ビストリメチロールプロパンのトリアクリレート、トリビニルエーテルもしくはトリメタクリレートなどが挙げられる。
【０１３４】
５個の反応性官能基数を有するモノマーとしては、例えば、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、１〜２０のエチレンオキシド構成単位を有するエトキシル化ジぺンタエリスリトールペンタアクリレート、１〜２０のプロピレンオキシド構成単位を有するプロポキシル化ジペンタエリスリトールペンタアクリレートおよびエチレンオキシド構成単位とプロピレンオキシド構成単位との合計が１〜２０であるエトキシ化・プロポキシ化ジペンタエリスリトールのペンタアクリレート、ペンタビニルエーテルもしくはペンタトリメタクリレートなどが挙げられる。
【０１３５】
これらの中で、アルキレンオキサイド変性のモノマーが好ましく、これ等を添加する事により、配向温度を適度に低くし、かつ、膜の強度を維持し、液晶の配向性を維持する事ができる。例えば変性トリメチロールプロパンアクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパンアクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパンアクリレート、が好ましく用いられ、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパンアクリレートがより好ましい。
【０１３６】
光学異方性層の膜厚は、３．０μｍ以上が好ましく、４．５μｍ以上がより好ましく、４．７μｍ以上がさらに好ましく、４．９μｍ以上が特に好ましい。また、５．５μｍ以下が好ましく、５．３μｍ以下がより好ましく、５．１μｍ以下がさらに好ましい。膜厚が上記範囲内であることにより、λ／４板の機能を有するようになり好ましい。
また、光学異方性層は、１層でも、２層以上の光学異方性層が形成されていてもよい。しかしながら、本発明では１層の光学異方性層でも本発明の効果を達成できる点で意義が高い。
【０１３７】
＜＜配向膜＞＞
本発明の位相差板は、透明支持体と光学異方性層との間に配向膜を配置し、配向膜の表面に液晶組成物を塗布して、液晶化合物の分子を配向させてもよい。配向膜は液晶性化合物の配向方向を規定する機能を有するため、本発明の好ましい態様を実現する上で利用するのが好ましい。
配向膜は、ポリマーのラビング処理により形成することが好ましい。本発明に利用可能な「ラビング配向膜」とは、ラビングによって、液晶分子の配向規制能を有するように処理された膜を意味する。ラビング配向膜には、液晶分子を配向規制する配向軸があり、当該配向軸に従って、液晶分子は配向する。液晶分子は、配向膜への紫外線照射部分でラビング方向に対して液晶の遅相軸が平行になるように配向し、未照射部分で液晶分子の遅相軸がラビング方向に対して直交配向するように、配向膜の材料、酸発生剤、液晶、及び配向制御剤を選択する。
【０１３８】
ラビング配向膜は、一般的にはポリマーを主成分とする。配向膜用ポリマー材料としては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手することができる。本発明において利用されるポリマー材料は、ポリビニルアルコール又はポリイミド、及びその誘導体が好ましい。特に変性又は未変性のポリビニルアルコールが好ましい。ポリビニルアルコールは、種々の鹸化度のものが存在する。本発明では、鹸化度８５〜９９程度のものを用いるのが好ましい。市販品を用いてもよく、例えば、「ＰＶＡ１０３」、「ＰＶＡ２０３」（クラレ社製）等は、上記鹸化度のＰＶＡである。ラビング配向膜については、ＷＯ０１／８８５７４Ａ１号公報の４３頁２４行〜４９頁８行、特許第３９０７７３５号公報の段落番号［００７１］〜［００９５］に記載の変性ポリビニルアルコールを参照することができる。
ラビング配向膜の膜厚は、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０１〜１μｍであることがさらに好ましい。
【０１３９】
ラビング処理は、一般にはポリマーを主成分とする膜の表面を、紙や布で一定方向に数回擦ることにより実施することができる。ラビング処理の一般的な方法については、例えば、「液晶便覧」（丸善社発行、平成１２年１０月３０日）に記載されている。
【０１４０】
また、配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理の他に、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で設けることができる。更に、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射（好ましくは偏光）により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
【０１４１】
＜位相差板の形成方法＞
本発明の位相差板の製造方法は特に制限されないが、以下の工程（１）〜（３）の手順を実施することが好ましい。
工程（１）：透明支持体上に配向膜を設ける。
工程（２）：配向膜上に、液晶化合物を含有する組成物を塗布して、必要により加熱処理を行い、液晶化合物を配向させる工程工程（３）：液晶化合物に対して硬化処理を施し、光学異方性層を形成する工程
【０１４２】
工程（１）は、透明支持体上に配向膜を形成する工程である。配向膜の形成方法は、ポリマー層を形成したのち、その表面にラビング処理を施し、配向膜を得る方法が好ましい。
【０１４３】
工程（２）は、配向膜上に液晶化合物を含有する組成物を塗布して、必要に応じて加熱処理を行い、液晶化合物を配向させる工程である。
組成物の塗布方法としては、公知の方法（例、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
加熱処理の条件は、使用される液晶化合物の種類に応じて、適宜最適な温度が選択されるが、通常、２０〜２００℃（好ましくは、４０〜１６０℃）の温度で１０〜６００秒（好ましくは、３０〜３００秒）加熱処理を実施することが好ましい。
【０１４４】
工程（３）は、配向状態にある液晶化合物に対して、硬化処理を施し、光学異方性層を形成する工程である。
硬化処理は、重合性基間で反応が進行すればその方法は特に制限されず、例えば、加熱処理または光照射処理（好ましくは、紫外線照射処理）が挙げられる。
【０１４５】
なお、配向状態が固定化された状態とは、その配向が保持された状態が最も典型的、且つ好ましい態様ではあるが、それだけには限定されず、具体的には、通常０〜５０℃、より過酷な条件下では−３０〜７０℃の温度範囲において、前記固定化された組成物に流動性が無く、また外場や外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定化された配向形態を安定に保ち続けることができる状態を指すものである。
【０１４６】
＜反射防止板＞
本発明の反射防止板は、本発明の位相差板と、偏光膜とを有する。より具体的には、図２に一例を示すように、反射防止板１００は、位相差板１０と、偏光膜２０とを有する。なお、図２において、透明支持体１１は偏光膜２０側に設けられているがこの態様には限定されず、光学異方性層１１が偏光膜２０側に設けられていてもよい。
上記構成を有する本発明の反射防止板は、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）や陰極管表示装置（ＣＲＴ）のような画像表示装置の反射防止用途に好適に用いられ、表示光のコントラスト比を向上させるためのものである。
例えば、有機ＥＬ表示装置の光取り出し面側に本発明の反射防止板を用いた態様が挙げられる。この場合、外光は偏光膜によって直線偏光となり、次に位相差板を通過することで、円偏光となる。これが金属電極にて反射された際に円偏光状態が反転し、再び位相差板を通過した際に、入射時から９０°傾いた直線偏光となり、偏光膜に到達して吸収される。結果として、外光の影響を抑制することができる。
【０１４７】
光学異方性層の遅相軸と、偏光膜の吸収軸とのなす角度は特に制限されず、光学異方性層の性質に応じて適宜最適な角度が調整される。
例えば、光学異方性層の遅相軸方向と偏光子層の吸収軸方向とのなす角が７５°±１０°の範囲であることが好ましく、７５°±８°の範囲であることがより好ましく、７５°±５°の範囲であることがさらに好ましい。上記の範囲であると、反射光の光漏れを視認されない程度まで低減できるため好ましい。
【０１４８】
＜＜偏光膜＞＞
偏光膜（偏光子層）は、自然光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材であればよく、吸収型偏光子を利用することができる。
偏光膜の種類は特に制限はなく、通常用いられている偏光膜を利用することができ、例えば、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を利用した染料系偏光膜、およびポリエン系偏光膜のいずれも用いることができる。ヨウ素系偏光膜、および染料系偏光膜は、一般に、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸することで作製される。
なお、偏光膜は、その両面に保護フィルムが貼合された偏光板として用いられることが一般的である。
【０１４９】
反射防止板の製造方法は特に制限されないが、例えば、上記位相差板と偏光膜とが、それぞれ長尺の状態で連続的に積層される工程を含むことが好ましい。長尺の偏光板は、用いられる画像表示装置の画面の大きさに合わせて裁断される。
【０１５０】
反射防止板は図２の態様に限定されず、さらに別の層が含まれていてもよい。
例えば、反射防止板は、偏光膜の位相差板が配置されている面の反対側の面に保護膜および／または機能層が配置されていてもよい。
保護膜としては、光学的等方性が高いセルロースエステルフィルムを用いることが好ましい。
機能層としては、反射防止層、防眩層、およびハードコート層からなる群から選択される少なくとも１つが挙げられる。これらは公知の層材料が使用される。なお、これらの層は、複数層が積層してもよい。
例えば、反射防止層は、最も単純な構成では、フィルムの最表面に低屈折率層のみを塗設した構成である。更に反射率を低下させるには、屈折率の高い高屈折率層と、屈折率の低い低屈折率層を組み合わせて反射防止層を構成することが好ましい。構成例としては、下側から順に、高屈折率層／低屈折率層の２層のものや、屈折率の異なる３層を、中屈折率層（下層よりも屈折率が高く、高屈折率層よりも屈折率の低い層）／高屈折率層／低屈折率層の順に積層されているもの等があり、更に多くの反射防止層を積層するものも提案されている。中でも、耐久性、光学特性、コストや生産性等から、ハードコート層上に、中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に有することが好ましく、例えば、特開平８−１２２５０４号公報、特開平８−１１０４０１号公報、特開平１０−３００９０２号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２０００−１１１７０６号公報等に記載の構成が挙げられる。また、膜厚変動に対するロバスト性に優れる３層構成の反射防止フィルムは特開２００８−２６２１８７号公報記載されている。上記３層構成の反射防止フィルムは、画像表示装置の表面に設置した場合、反射率の平均値を０．５％以下とすることができ、映り込みを著しく低減することができ、立体感に優れる画像を得ることができる。また、各層に他の機能を付与させてもよく、例えば、防汚性の低屈折率層、帯電防止性の高屈折率層、帯電防止性のハードコート層、防眩性のハードコート層としたもの（例、特開平１０−２０６６０３号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２００７−２６４１１３号公報等）等が挙げられる。
【０１５１】
＜有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置＞
本発明の位相差板または反射防止板は、画像表示装置に使用することが可能である。画像表示装置としては、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置などが挙げられるが、有機ＥＬ表示装置が好ましい。
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述した位相差板（または反射防止板）を有する。通常、反射防止板は、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネル上に設けられる。より具体的には、図３に一例を示すように、有機ＥＬ表示装置２００は、少なくとも、有機ＥＬパネル３０と、位相差板１０と、偏光膜２０とを有する。
なお、有機ＥＬ表示装置は図３の態様に限定されず、偏光膜の位相差板が配置されている面の反対側の面に保護膜および／または機能膜を有していてもよい。
【０１５２】
有機ＥＬパネルは、陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した部材であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【０１５３】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【実施例】
【０１５４】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、添加量を示す「部」は「重量部」を示す。【０１５５】
＜実施例１＞
１．セルロースアシレートの合成
下記表に示す、種々の置換度ＤＳＡ及びＤＳを有するセルロースアシレートを、特開２００８−１６３１９３号公報［０１２１］中に記載の酢酸セルロースのケン化、及び同公報の［０１２４］中に記載の酢酸セルロースの芳香族アシル化の方法に従って、合成した。なお、合成したセルロースアシレートがそれぞれ有する置換基Ａはいずれも、ベンゾイル基である。【０１５６】
２．セルロースアシレートフィルムの製造
（２−１）セルロースアシレート溶液の調製
上記で合成したセルロースアシレートのそれぞれの溶液を、以下に従って調製した。
下記の原料をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、溶解し、セルロースアシレート溶液を有する溶液を調製した。
セルロースアシレート  (表１に記載の置換度のもの)      １００質量部
ジクロロメタン                                        ４６２質量部【０１５７】
（２−２）セルロースアシレートフィルムの製造
上記で調製したセルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１０質量％のフィルムを、バンドから剥ぎ取り、両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で巻き取り、下記表に示すセルロースアシレートフィルムを作製した。セルロースアシレートフィルム（透明支持体）のレターデーション値は、上述した方法により測定したところ、Ｒｅ（５５０）が、０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が−６６ｎｍであった。【０１５８】
３．位相差板の作製
（３−１）アルカリ鹸化処理
作製したセルロースアシレートフィルムを、温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を４０℃に昇温した後に、フィルムのバンド面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量１４ｍｌ／ｍ2で塗布し、１１０℃に加熱した（株）ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、１０秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、純水を３ｍｌ／ｍ2塗布した。次いで、
ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを３回繰り返した後に、７０℃の乾燥ゾーンに１０秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルム（透明支持体）をそれぞれ作製した。【０１５９】
──────────────────────────────────
アルカリ溶液組成
──────────────────────────────────
水酸化カリウム                                        ４．７質量部
水                                                  １５．８質量部
イソプロパノール                                    ６３．７質量部
界面活性剤ＳＦ−１：Ｃ14Ｈ29Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）20Ｈ          
１．０質量部
プロピレングリコール                                １４．８質量部
──────────────────────────────────【０１６０】
（３−２）ラビング配向膜付透明支持体の作製
上記作製した透明支持体の鹸化処理を施した面に、下記の組成の配向膜形成用塗布液を＃８のワイヤーバーで連続的に塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに１００℃の温風で１２０秒乾燥し、配向膜を形成した。
──────────────────────────────────
配向膜形成用塗布液の組成
──────────────────────────────────
配向膜用ポリマー材料                                    ４．０質量部
（ＰＶＡ１０３、クラレ（株）製ポリビニルアルコール）
メタノール                                                ３６質量部
水                                                        ６０質量部
──────────────────────────────────【０１６１】
（３−３）光学異方性層の作製
上記作製した配向膜表面に、透明支持体の長手方向に対し左手４５°の方向に連続的にラビング処理を施した。ラビング処理面上に下記の光学異方性層用塗布液を、バーコーターを用いて塗布した。次いで、膜面温度１４０℃で加熱熟成した後、１００℃まで冷却し空気下にて２０ｍＷ／ｃｍ2の空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて紫外線を照射量２００ｍＪ／ｃｍ2となるよう照射して、その配向状態を固定化することにより光学異方性層を形成した。形成された光学異方性層は、ラビング方向に対し遅相軸方向が平行に下記液晶化合物１が水平配向していた。光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６５０ｎｍのレタデーション値は、上述した方法により測定し、以下の通りであった。なお、光学異方性層の厚みは５．０μｍであった。なお、光学異方性用塗布液として変性トリメチロールプロパンアクリレートを添加しないものを塗布したものは、配向を安定化させるための加熱熟成に１８０℃を要し、支持体フィルムの変形起因のムラが発生したため、サンプルとしなかった。
Ｒｅ（４５０）：８５ｎｍ
Ｒｅ（５５０）：１３７ｎｍ
Ｒｅ（６５０）：１４８ｎｍ
──────────────────────────────────
光学異方性層用塗布液の組成
──────────────────────────────────
液晶化合物１                                            １００質量部
変性トリメチロールプロパントリアクリレート                １０質量部
光重合開始剤                                            ３．０質量部
（イルガキュア８１９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）
クロロホルム                                            ７００質量部
──────────────────────────────────【０１６２】
【化１４】
2014132978.tif 000017
【０１６３】
４．反射防止板の作製
（４−１）反射防止板の作製
偏光板は片面だけがトリアセチルセルロース（厚さ４０μｍ）で保護された厚さ２０μｍの偏光子を有する偏光板を用いて、前記偏光板の保護されていない面（延伸したポリビニルアルコールよりなる偏光膜）と上記作製した光学異方性層とを光学的に等方性の接着剤によって貼り合わせ、反射防止板（円偏光板）を作製した。このとき、偏光膜の透過軸と光学異方性層の遅相軸とのなす角は４５°であった。【０１６４】
＜実施例２〜５＞
実施例１の光学異方性層の作製において、バーコーターを変えて光学異方性層層の厚さを調節し、５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）が１２０ｎｍ〜１５０ｎｍとなるようにした以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１６５】
＜実施例６＞
実施例１において、液晶化合物１を下記液晶化合物２に変更した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。
【化１５】
2014132978.tif 000018
【０１６６】
＜実施例７、８＞
実施例１において、透明支持体を延伸し、Ｒｅ（５５０）が−１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１０ｎｍになるように調節した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１６７】
＜実施例９〜１２＞
透明支持体に含まれるセルロースアセテートベンゾエートとしてＢｚ置換度ＤＳＡが異なるものを用い、透明支持体のＲｔｈ（５５０）が−１００〜−２０ｎｍになるように調節した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１６８】
＜実施例１３〜１６＞
透明支持体に含まれるセルロースアセテートベンゾエートとして総置換度ＤＳが１．３＜ＤＳ＜２．８の範囲内で異なるものを用いた以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１６９】
＜実施例１７＞
実施例１において、液晶化合物１を下記液晶化合物１１に変更した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。なお、光学異方性層の厚みは３．０μｍであった。
【化１６】
2014132978.tif 000019
【０１７０】
＜実施例１８＞
実施例１において、液晶化合物１を下記液晶化合物１２に変更した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。なお、光学異方性層の厚みは３．０μｍであった。
【化１７】
2014132978.tif 000020
【０１７１】
＜実施例１９＞
実施例１において、液晶化合物１を下記液晶化合物１３に変更した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。なお、光学異方性層の厚みは３．０μｍであった。
【化１８】
2014132978.tif 000021
【０１７２】
＜実施例２０＞
実施例１において、液晶化合物１を下記液晶化合物１４に変更した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。なお、光学異方性層の厚みは３．０μｍであった。
【化１９】
2014132978.tif 000022
【０１７３】
＜比較例１、２＞
光学異方性層の作製において、バーコーターを変えて液晶化合物層の厚さを調節することで、Ｒｅ（５５０）＜１２０ｎｍ、Ｒｅ（５５０）＞１６０ｎｍとなるようにした以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１７４】
＜比較例３＞
液晶化合物１を液晶化合物３に変更した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。なお、光学異方性層の厚みは１．２μｍであった。
【化２０】
2014132978.tif 000023
【０１７５】
＜比較例４、５＞
透明支持体を延伸し、Ｒｅ（５５０）＜−１０ｎｍ、またはＲｅ（５５０）＞１０ｎｍになるように調節した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１７６】
＜比較例６、７＞
透明支持体に含まれるセルロースアセテートベンゾエートとしてＢｚ置換度ＤＳＡの異なるものを用い、透明支持体がＲｔｈ（５５０）＜−１００ｎｍ、またはＲｔｈ（５５０）＞−２０ｎｍになるように調節した以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１７７】
＜比較例８、９＞
透明支持体に含まれるセルロースアセテートベンゾエートとして総置換度ＤＳがＤＳ＜１．３、ＤＳ＞２．８の範囲で異なるものを用いた以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１７８】
＜比較例１０〜１２＞
透明支持体に含まれるセルロースアセテートベンゾエートとしてＢｚ置換度ＤＳＡおよび総置換度ＤＳが異なるものを用いた以外は実施例１と同様の手順に従って、反射防止板を作製した。【０１７９】
５．有機ＥＬ素子への実装及び表示性能の評価
＜表示装置への実装＞
有機ＥＬパネル搭載のＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ  ＳＩＩを分解し、円偏光板を剥離して、実施例１〜２０、および比較例１〜１２の反射防止板を貼合し、表示装置を作製した。【０１８０】
６．各種評価
（６−１）表示性能の評価
作製した有機ＥＬ表示装置について、明光下にて視認性および表示品位を評価した。
表示装置に白表示、黒表示、画像表示をして、正面および極角６０度から蛍光灯を映し込んだときの反射光を観察した。正面および極角６０度の表示品位を下記の基準で評価した。
４：色味付きが全く視認されない。（許容）
３：色味差が視認されるものの、ごくわずか（許容）
２：色味差が視認されるが反射光は小さく、使用上問題はない。（許容）
１：色味差が視認され、反射光も多く、許容できない。【０１８１】
（６−２）偏光子密着性の評価
得られた各フィルムと、ＰＶＡフィルムとを、ポリビニルアルコール接着剤で貼合して、積層体サンプルをそれぞれ作製した。各サンプルについて、ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６、６節に準じて、クロスカット試験を行い、以下の基準で評価した。
４：  剥がれが全くない。（許容）
３：  剥がれが１５％以下、即ち残存率は８５％以上である。（許容）
２：  剥がれが１５％を超え３０％以下であり、即ち残存率は７０％以上８５％未満である。（許容）
１：  剥がれが３０％を超え、即ち残存率は３０％未満である。（許容できない）【０１８２】
【表１】
2014132978.tif 000024
【０１８３】
上記表から、本発明の位相差板は、正面および極角からの反射率が低く、正面および極角からの色味変化が小さく、さらに、偏光板との密着性が改善されていることがわかる。
【符号の説明】
【０１８４】
１０    位相差板
１１    透明支持体
１２    光学異方性層
２０    偏光膜
３０    表示ＥＬパネル
１００  反射防止板
２００  有機ＥＬ表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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