(57)【要約】  式（１）で表されるルテニウム−ケイ素結合を有する単核ルテニウム錯体は、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応の三反応に優れた触媒活性を発揮し得る。2014133014.tif 000023（式中、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基等を表すか、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が一緒になった架橋置換基を表し、Ｘは、ハロゲン原子、オルガノオキシ基等を表し、Ｌは、ＣＯおよびホスフィン以外の二電子配位子を表し、Ｌが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｌが２個の場合、それらは互いに結合していてもよく、ｎおよびｍは、互いに独立して１〜３の整数を表すが、ｎ＋ｍは３または４を満たす。）
2014133014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されることを特徴とする単核ルテニウム錯体。
【化１】
2014133014.tif 000022
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、モノオルガノホスフィノ基、ジオルガノホスフィノ基、モノオルガノシリル基、ジオルガノシリル基、トリオルガノシリル基、またはオルガノチオ基を表すか、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が一緒になった架橋置換基を表し、
Ｘは、ハロゲン原子、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、またはオルガノチオ基を表し、
Ｌは、ＣＯおよびホスフィン以外の二電子配位子を表し、Ｌが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｌが２個の場合、それらは互いに結合していてもよく、
ｎおよびｍは、互いに独立して１〜３の整数を表すが、ｎ＋ｍは３または４を満たす。）
【請求項２】
前記Ｌが、分子状水素、アミン、イミン、含窒素ヘテロ環、アルシン、アルコール、チオール、エーテル、スルフィド、ニトリル、イソニトリル、アルデヒド、ケトン、炭素数２〜３０のアルケン、炭素数２〜３０のアルキン、およびトリオルガノヒドロシランから選ばれる少なくとも１種の二電子配位子である請求項１記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項３】
前記ｎおよびｍがいずれも２であり、
前記Ｌが、スルフィド、チオールおよびトリオルガノヒドロシランから選ばれる少なくとも１種である（ただし、２つのＬは互いに結合していてもよい）請求項１または２記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項４】
前記Ｒ1〜Ｒ6が、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基（Ｘは前記と同じ意味を表す。）であり、かつ、
前記Ｌが、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12（式中、Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは前記と同じ意味を表す。）で表されるトリオルガノヒドロシランであり、
Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって、またはＲ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよく、
Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組またはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組およびＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよい請求項３記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項５】
前記Ｒ1〜Ｒ6が、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基（Ｘは前記と同じ意味を表す。）であり、かつ、
前記Ｌが、ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（式中、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは前記と同じ意味を表す。）で表されるスルフィドまたはチオールであり、
Ｒ13およびＲ14のいずれかと、Ｒ15およびＲ16のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよい請求項３記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項６】
前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成している請求項１〜５のいずれか１項記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項７】
前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つまたはＲ7〜Ｒ9のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つおよびＲ7〜Ｒ9のいずれか１つのうち前記架橋置換基の形成に関与してないＳｉ上の置換基とが一緒になって架橋置換基を形成している請求項４記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項８】
前記Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成している請求項５または６記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項９】
前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基を形成し（Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つと、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは前記を同じ意味を表す。）を形成している請求項７記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項１０】
前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基を形成し（Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）、かつ、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成している請求項８記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項記載の単核ルテニウム錯体からなる、ヒドロシリル化反応、水素化反応およびカルボニル化合物の還元反応の３つの反応に活性を有する触媒。
【請求項１２】
請求項１１記載の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するヒドロシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンとをヒドロシリル化反応させることを特徴とする付加化合物の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物を水素化させることを特徴とするアルカン化合物の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の触媒の存在下、アミド化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアミン化合物の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の触媒の存在下、アルデヒド化合物、ケトン化合物またはエステル化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアルコール化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ルテニウム−ケイ素結合を有する単核ルテニウム錯体に関し、さらに詳述すると、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応の三反応に触媒活性を有する単核ルテニウム錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭素−炭素二重結合や同三重結合を有する化合物に対してＳｉ−Ｈ官能性化合物を付加反応するヒドロシリル化反応は、有機ケイ素化合物を合成する有用な手段であり、工業的にも重要な合成反応である。
このヒドロシリル化反応の触媒としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ化合物が知られており、その中でも最も多く用いられているものはＳｐｅｉｅｒ触媒、Ｋａｒｓｔｅｄｔ触媒に代表されるＰｔ化合物である。【０００３】
Ｐｔ化合物を触媒とする反応の問題点としては、末端オレフィンにＳｉ−Ｈ官能性化合物を付加する際、オレフィンが内部転位する副反応が生じることが挙げられる。この系では内部オレフィンに対しては付加反応性を示さず、未反応オレフィンが付加生成物中に残留してしまうことから、反応を完結させるためには、副反応で残留する分を見込んであらかじめ過剰のオレフィンを用いる必要がある。
また、オレフィンの種類により、α付加体とβ付加体の選択性が劣るという問題もある。【０００４】
最も大きな問題点は、中心金属であるＰｔ，Ｐｄ，Ｒｈはいずれも極めて高価な貴金属元素であるということであり、より安価に使用できる金属化合物触媒が望まれていることから、数多くの研究が進められている。特に、Ｒｕは貴金属に属するものの、比較的安価に入手できる金属であることから、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈの代替としての機能が求められている。【０００５】
このＲｕ化合物について、η6−アレーン基を有し、かつ中心金属であるＲｕにオルガノポリシロキサンが結合、あるいはビニルシロキサンが配位した化合物が報告されている（特許文献１）。この化合物は、メチルハイドロジェンポリシロキサンとメチルビニルポリシロキサンとの付加反応に有効であることが示されているものの、１２０℃の反応では収率が低く、高収率を得るためには１６０℃の高温下で反応させなければならない。
また、この特許文献１には先行文献としてＲｕ触媒に関する多くの特許が引用されているが（特許文献２〜６）、反応性、選択性、経済性の観点からいずれも貴金属元素系触媒に勝っているとは言えない。【０００６】
一方、オレフィンの水素化反応については、例えば、非特許文献１に示されるような３核ルテニウム錯体を用いたものなどがあるが、反応温度や収率等の観点から、さらに改良が望まれている。【０００７】
カルボニル化合物を還元する方法としては、アルミニウムやホウ素の水素化合物や貴金属触媒存在下で水素を用いる方法がある。カルボニル化合物のうち、ケトンやアルデヒドについては温和な条件で反応を進行させ得る、安定で取り扱いやすいヒドリド反応剤や水素化用貴金属触媒が知られているが、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体の還元には、リチウムアルミニウムヒドリド、ボラン等の強力な還元剤を用いる方法が主に用いられている（非特許文献２）。しかし、これらの還元剤は発火性、禁水性物質であるため取り扱いに難がある。また、反応後のアルミニウム、あるいはホウ素化合物を目的物から除去する時にも取り扱いに注意が必要である。加えて、カルボン酸誘導体の還元には高温高圧の水素が必要である。
空気中で安定かつ取り扱いが容易なヒドロシラン化合物、メチルハイドロジェンポリシロキサンを還元剤として使用する方法が数多く報告されているが、反応には強い酸またはルイス酸の添加や、高価な貴金属触媒を必要とする。最近、比較的安価なルテニウムを触媒とするカルボニル化合物の還元反応が報告されており、そのうちの一部は、従来法では過酷な条件を必要とするアミドの還元反応に適用した例も出ている。具体的なルテニウム触媒の例として非特許文献３〜６が挙げられるが、より高いターンオーバー数を示す高活性触媒が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第５０３２５６１号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４／００９２７５９号明細書
【特許文献３】米国特許第５５５９２６４号明細書
【特許文献４】欧州特許出願公開第０４０３７０６号明細書
【特許文献５】米国特許第５２４８８０２号明細書
【特許文献６】西独国特許出願公開第２８１００３２号明細書
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】G. S▲u▼ss-Fink, et al., J. Mol. Cat. 1982, 16, 231
【非特許文献２】W. R. Brown, Organic Reactions, 1941, 6, 470
【非特許文献３】K. Miyamoto, et al., Chem. Lett. 2012, 229
【非特許文献４】K. Matsubara, et al., J. Org. Chem. 2002, 67, 4985
【非特許文献５】Y. Motoyama, et al., J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13150
【非特許文献６】H. Sasakuma, et al., Chem. Commun. 2007, 4916
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応の三反応に優れた触媒活性を発揮し得る、ルテニウム−ケイ素結合を有する単核ルテニウム錯体、およびこの錯体を使用して温和な条件下でヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応を行う方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、ルテニウム−ケイ素結合を有する所定の単核ルテニウム錯体が、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応の三反応に優れた触媒活性を発揮し得、温和な条件下でヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応が進行することを見出し、本発明を完成した。【００１２】
すなわち、本発明は、
１．  式（１）で表されることを特徴とする単核ルテニウム錯体、
【化１】
2014133014.tif 000003
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、モノオルガノホスフィノ基、ジオルガノホスフィノ基、モノオルガノシリル基、ジオルガノシリル基、トリオルガノシリル基、またはオルガノチオ基を表すか、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が一緒になった架橋置換基を表し、Ｘは、ハロゲン原子、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、またはオルガノチオ基を表し、Ｌは、ＣＯおよびホスフィン以外の二電子配位子を表し、Ｌが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｌが２個の場合、それらは互いに結合していてもよく、ｎおよびｍは、互いに独立して１〜３の整数を表すが、ｎ＋ｍは３または４を満たす。）
２．  前記Ｌが、分子状水素、アミン、イミン、含窒素ヘテロ環、アルシン、アルコール、チオール、エーテル、スルフィド、ニトリル、イソニトリル、アルデヒド、ケトン、炭素数２〜３０のアルケン、炭素数２〜３０のアルキン、およびトリオルガノヒドロシランから選ばれる少なくとも１種の二電子配位子である１の単核ルテニウム錯体、
３．  前記ｎおよびｍがいずれも２であり、前記Ｌが、スルフィド、チオールおよびトリオルガノヒドロシランから選ばれる少なくとも１種である（ただし、２つのＬは互いに結合していてもよい）１または２の単核ルテニウム錯体、
４．  前記Ｒ1〜Ｒ6が、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基（Ｘは前記と同じ意味を表す。）であり、かつ、前記Ｌが、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12（式中、Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは前記と同じ意味を表す。）で表されるトリオルガノヒドロシランであり、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって、またはＲ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよく、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組またはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組およびＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよい３の単核ルテニウム錯体、
５．  前記Ｒ1〜Ｒ6が、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基（Ｘは前記と同じ意味を表す。）であり、かつ、前記Ｌが、ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（式中、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは前記と同じ意味を表す。）で表されるスルフィドまたはチオールであり、Ｒ13およびＲ14のいずれかと、Ｒ15およびＲ16のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよい３の単核ルテニウム錯体、
６．  前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成している１〜５のいずれかの単核ルテニウム錯体、
７．  前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つまたはＲ7〜Ｒ9のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つおよびＲ7〜Ｒ9のいずれか１つのうち前記架橋置換基の形成に関与してないＳｉ上の置換基とが一緒になって架橋置換基を形成している４の単核ルテニウム錯体、
８．  前記Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成している５または６の単核ルテニウム錯体、
９．  前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基を形成し（Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つと、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは前記を同じ意味を表す。）を形成している７の単核ルテニウム錯体、
１０．  前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基を形成し（Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）、かつ、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成している８の単核ルテニウム錯体、
１１．  １〜１０のいずれかの単核ルテニウム錯体からなる、ヒドロシリル化反応、水素化反応およびカルボニル化合物の還元反応の３つの反応に活性を有する触媒、
１２．  １１の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するヒドロシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンとをヒドロシリル化反応させることを特徴とする付加化合物の製造方法、
１３．  １１の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物を水素化させることを特徴とするアルカン化合物の製造方法、
１４．  １１の触媒の存在下、アミド化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアミン化合物の製造方法、
１５．  １１の触媒の存在下、アルデヒド化合物、ケトン化合物またはエステル化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアルコール化合物の製造方法
を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の単核ルテニウム錯体化合物を触媒として用い、脂肪族不飽和基含有化合物とＳｉ−Ｈ基を有するシラン、あるいはポリシロキサンとのヒドロシリル化反応を行うと、室温〜１００℃以下の条件下で付加反応が可能になる。特に工業的に有用なポリシロキサン、およびトリアルコキシシラン、ジアルコキシシランとの付加反応が良好に進行する。さらに、公知文献では同反応において、不飽和基への付加反応と、脱水素シリル化反応による不飽和基含有化合物が生成する反応がたびたび同時に進行することが示されているが、本発明の触媒を用いると選択的に不飽和基への付加反応が進行する。さらに、従来の触媒では困難であった内部オレフィンとの反応において、不飽和基の末端への移動を伴った付加反応物を得ることが可能となる。
水素化反応は、室温および水素ガス１気圧の温和な条件下で行うことができ、しかも従来の方法では困難であった多置換アルケンの水素化にも有効である。
カルボニル化合物の還元反応では、アミド化合物、アルデヒド化合物、ケトン化合物、エステル化合物を、取り扱いが容易なＳｉ−Ｈ基を有するシラン、あるいはポリシロキサンと反応させることによって目的とする還元化合物を得ることができる。
さらに、本発明の錯体化合物の優れている点は、同じ錯体化合物が、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応から選択される複数の反応に対して高い触媒活性を示すことにあり、有機合成反応において極めて有用性が高いものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例１で得られたルテニウム錯体Ａの構造を示す図である。
【図２】実施例１で得られたルテニウム錯体Ａの1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図３】実施例１で得られたルテニウム錯体Ａの13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図４】実施例２で得られたルテニウム錯体Ｂの構造を示す図である。
【図５】実施例２で得られたルテニウム錯体Ｂの1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図６】実施例２で得られたルテニウム錯体Ｂの13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る単核ルテニウム錯体は、式（１）で表されるように、Ｒｕ−Ｓｉ結合を有し、かつ、Ｒｕに少なくとも１つの一酸化炭素（ＣＯ）が配位しているものである。
【００１６】
【化２】
2014133014.tif 000004
【００１７】
なお、式（１）の単核ルテニウム錯体には、例えば、ＣＯが２個、Ｌが２個（それらをＬ1、Ｌ2として区別する）の場合、下記式で示されるような配位構造異性体が存在するが、本発明の単核ルテニウム錯体はそれら全ての配位構造異性体を含む。
【００１８】
【化３】
2014133014.tif 000005
【００１９】
本発明の単核ルテニウム錯体において、一酸化炭素（ＣＯ）は触媒活性を発現するために必須の配位化合物であり、上記ｎは１〜３の整数であるが、触媒活性をより高めることを考慮すると、１〜２が好ましく、２が最適である。
【００２０】
上記Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、モノオルガノホスフィノ基、ジオルガノホスフィノ基、モノオルガノシリル基、ジオルガノシリル基、トリオルガノシリル基、またはオルガノチオ基を表すか、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が一緒になった架橋置換基を表し、Ｘは、ハロゲン原子、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、またはオルガノチオ基を表す。
アルキル基としては、直鎖、分岐鎖、環状のいずれでもよく、また、その炭素数も特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、その具体例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ノナデシル、ｎ−エイコサニル基等の直鎖または分岐鎖アルキル基；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル基等のシクロアルキル基などが挙げられる。
【００２１】
アリール基としても、その炭素数は特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール基であり、その具体例としては、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アントリル、フェナントリル、ｏ−ビフェニリル、ｍ−ビフェニリル、ｐ−ビフェニリル基等が挙げられる。
アラルキル基としても、その炭素数は特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、その具体例としては、ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピル、ナフチルメチル、ナフチルエチル、ナフチルプロピル基等が挙げられる。
【００２２】
オルガノオキシ基としては、特に限定されるものではないが、ＲＯ（Ｒは、置換もしくは非置換の、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基または炭素数７〜３０のアラルキル基を表す。）で示されるアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜３０、特に炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、その具体例としては、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｃ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数６〜３０、特に炭素数６〜２０のアリールオキシ基が好ましく、その具体例としては、フェノキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、アントリルオキシ、フェナントリルオキシ基等が挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数７〜３０、特に炭素数７〜２０のアリールオキシ基が好ましく、ベンジルオキシ基、フェニルエチルオキシ、フェニルプロピルオキシ、１または２−ナフチルメチルオキシ、１または２−ナフチルエチルオキシ、１または２−ナフチルプロピルオキシ基等が挙げられる。
オルガノチオ基としては、上記オルガノオキシ基の酸素原子を硫黄原子で置換した基等が挙げられる。
【００２３】
モノオルガノアミノ基としては、特に限定されるものではないが、ＲＮＨ2（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、メチルアミノ、エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ｓ−ブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ｎ−ペンチルアミノ、ｎ−ヘキシルアミノ、ｎ−ヘプチルアミノ、ｎ−オクチルアミノ、ｎ−ノニルアミノ、ｎ−デシルアミノ、ｎ−ウンデシルアミノ、ｎ−ドデシルアミノ、ｎ−トリデシルアミノ、ｎ−テトラデシルアミノ、ｎ−ペンタデシルアミノ、ｎ−ヘキサデシルアミノ、ｎ−ヘプタデシルアミノ、ｎ−オクタデシルアミノ、ｎ−ノナデシルアミノ、ｎ−エイコサニルアミノ基等の直鎖または分岐鎖モノアルキルアミノ基；シクロプロピルアミノ、シクロブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、シクロヘキシルアミノ、シクロヘプチルアミノ、シクロオクチルアミノ、シクロノニルアミノ基等のモノシクロアルキルアミノ基；アニリノ、１または２−ナフチルアミノ基等のモノアリールアミノ基；ベンジルアミノ、フェニルエチルアミノ、フェニルプロピルアミノ、１または２−ナフチルメチルアミノ基等のモノアラルキルアミノ基などが挙げられる。
【００２４】
ジオルガノアミノ基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ2ＮＨ（Ｒは互いに独立して、上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−ｎ−プロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジ−ｎ−ブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−ｓ−ブチルアミノ、ジ−ｔ−ブチルアミノ、ジ−ｎ−ペンチルアミノ、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ、ジ−ｎ−ヘプチルアミノ、ジ−ｎ−オクチルアミノ、ジ−ｎ−ノニルアミノ、ジ−ｎ−デシルアミノ、ジ−ｎ−ウンデシルアミノ、ジ−ｎ−ドデシルアミノ、ジ−ｎ−トリデシルアミノ、ジ−ｎ−テトラデシルアミノ、ジ−ｎ−ペンタデシルアミノ、ジ−ｎ−ヘキサデシルアミノ、ジ−ｎ−ヘプタデシルアミノ、ジ−ｎ−オクタデシルアミノ、ジ−ｎ−ノナデシルアミノ、ジ−ｎ−エイコサニルアミノ、Ｎ−エチルメチルアミノ、Ｎ−イソプロピルメチルアミノ、Ｎ−ブチルメチルアミノ基等の直鎖または分岐鎖ジアルキルアミノ基；ジシクロプロピルアミノ、ジシクロブチルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジシクロオクチルアミノ、ジシクロノニルアミノ、シクロペンチルシクロヘキシルアミノ基等のジシクロアルキルアミノ基；Ｎ−メチルアニリノ、Ｎ−エチルアニリノ、Ｎ−ｎ−プロピルアニリノ基等のアルキルアリールアミノ基；ジフェニルアミノ、４，４′−ビスナフチルアミノ、Ｎ−フェニル−１または２−ナフチルアミノ基等のジアリールアミノ基；ジベンジルアミノ、ビス（フェニルエチル）アミノ、ビス（フェニルプロピル）アミノ、ビス（１または２−ナフチルメチル）アミノ基等のジアラルキルアミノ基などが挙げられる。
【００２５】
モノオルガノホスフィノ基としては、特に限定されるものではないが、ＲＰＨ（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、メチルホスフィノ、エチルホスフィノ、ｎ−プロピルホスフィノ、イソプロピルホスフィノ、ｎ−ブチルホスフィノ、イソブチルホスフィノ、ｓ−ブチルホスフィノ、ｔ−ブチルホスフィノ、ｎ−ペンチルホスフィノ、ｎ−ヘキシルホスフィノ、ｎ−ヘプチルホスフィノ、ｎ−オクチルホスフィノ、ｎ−ノニルホスフィノ、ｎ−デシルホスフィノ、ｎ−ウンデシルホスフィノ、ｎ−ドデシルホスフィノ、ｎ−トリデシルホスフィノ、ｎ−テトラデシルホスフィノ、ｎ−ペンタデシルホスフィノ、ｎ−ヘキサデシルホスフィノ、ｎ−ヘプタデシルホスフィノ、ｎ−オクタデシルホスフィノ、ｎ−ノナデシルホスフィノ、ｎ−エイコサニルホスフィノ基等の直鎖または分岐鎖モノアルキルホスフィノ基；シクロプロピルホスフィノ、シクロブチルホスフィノ、シクロペンチルホスフィノ、シクロヘキシルホスフィノ、シクロヘプチルホスフィノ、シクロオクチルホスフィノ、シクロノニルホスフィノ基等のモノシクロアルキルホスフィノ基；フェニルホスフィノ、１または２−ナフチルホスフィノ基等のモノアリールホスフィノ基；ベンジルホスフィノ基等のモノアラルキルホスフィノ基などが挙げられる。
【００２６】
ジオルガノホスフィノ基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ2Ｐ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、ジメチルホスフィノ、ジエチルホスフィノ、ジ−ｎ−プロピルホスフィノ、ジイソプロピルホスフィノ、ジ−ｎ−ブチルホスフィノ、ジイソブチルホスフィノ、ジ−ｓ−ブチルホスフィノ、ジ−ｔ−ブチルホスフィノ、ジ−ｎ−ペンチルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘキシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘプチルホスフィノ、ジ−ｎ−オクチルホスフィノ、ジ−ｎ−ノニルホスフィノ、ジ−ｎ−デシルホスフィノ、ジ−ｎ−ウンデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ドデシルホスフィノ、ジ−ｎ−トリデシルホスフィノ、ジ−ｎ−テトラデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ペンタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘキサデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘプタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−オクタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ノナデシルホスフィノ、ジ−ｎ−エイコサニルホスフィノ基等の直鎖または分岐鎖ジアルキルホスフィノ基；ジシクロプロピルホスフィノ、ジシクロブチルホスフィノ、ジシクロペンチルホスフィノ、ジシクロヘキシルホスフィノ、ジシクロヘプチルホスフィノ、ジシクロオクチルホスフィノ、ジシクロノニルホスフィノ基等のジシクロアルキルアミノ基；シクロヘキシルフェニルホスフィノ基等のアルキルアリールホスフィノ基；ジフェニルホスフィノ、ビス（１または２−ナフチル）ホスフィノ基等のジアリールホスフィノ基；ジベンジルホスフィノ、ビス（フェニルエチル）ホスフィノ、ビス（１または２−ナフチルメチル）ホスフィノ基等のジアラルキルホスフィノ基などが挙げられる。
【００２７】
モノオルガノシリル基としては、特に限定されるものではないが、ＲＳｉＨ2（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、メチルシリル、エチルシリル、ｎ−プロピルシリル、イソプロピルシリル、ｎ−ブチルシリル、イソブチルシリル、ｓ−ブチルシリル、ｔ−ブチルシリル、ｎ−ペンチルシリル、ｎ−ヘキシルシリル、ｎ−ヘプチルシリル、ｎ−オクチルシリル、ｎ−ノニルシリル、ｎ−デシルシリル、ｎ−ウンデシルシリル、ｎ−ドデシルシリル、ｎ−トリデシルシリル、ｎ−テトラデシルシリル、ｎ−ペンタデシルシリル、ｎ−ヘキサデシルシリル、ｎ−ヘプタデシルシリル、ｎ−オクタデシルシリル、ｎ−ノナデシルシリル、ｎ−エイコサニルシリル基等の直鎖または分岐鎖モノアルキルシリル基；シクロプロピルシリル、シクロブチルシリル、シクロペンチルシリル、シクロヘキシルシリル、シクロヘプチルシリル、シクロオクチルシリル、シクロノニルシリル基等のモノシクロアルキルシリル基；フェニルシリル、１または２−ナフチルシリル基等のモノアリールシリル基；ベンジルシリル、フェニルエチルシリル、フェニルプロピルシリル、１または２−ナフチルメチルシリル基等のモノアラルキルシリル基などが挙げられる。
【００２８】
ジオルガノシリル基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ2ＳｉＨ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、ジメチルシリル、ジエチルシリル、ジ−ｎ−プロピルシリル、ジイソプロピルシリル、ジ−ｎ−ブチルシリル、ジイソブチルシリル、ジ−ｓ−ブチルシリル、ジ−ｔ−ブチルシリル、ジ−ｎ−ペンチルシリル、ジ−ｎ−ヘキシルシリル、ジ−ｎ−ヘプチルシリル、ジ−ｎ−オクチルシリル、ジ−ｎ−ノニルシリル、ジ−ｎ−デシルシリル、ジ−ｎ−ウンデシルシリル、ジ−ｎ−ドデシルシリル、ジ−ｎ−トリデシルシリル、ジ−ｎ−テトラデシルシリル、ジ−ｎ−ペンタデシルシリル、ジ−ｎ−ヘキサデシルシリル、ジ−ｎ−ヘプタデシルシリル、ジ−ｎ−オクタデシルシリル、ジ−ｎ−ノナデシルシリル、ジ−ｎ−エイコサニルシリル、エチルメチルシリル、イソプロピルメチルシリル、ブチルメチルシリル基等の直鎖または分岐鎖ジアルキルシリル基；ジシクロプロピルシリル、ジシクロブチルシリル、ジシクロペンチルシリル、ジシクロヘキシルシリル、ジシクロヘプチルシリル、ジシクロオクチルシリル、ジシクロノニルシリル、シクロペンチルシクロヘキシルシリル基等のジシクロアルキルシリル基；（メチル）フェニルシリル、（エチル）フェニルシリル、（ｎ−プロピル）フェニルシリル基等のアルキルアリールシリル基；ジフェニルシリル、ビス（１または２−ナフチル）シリル、フェニル−１または２−ナフチルシリル基等のジアリールシリル基；ジベンジルシリル、ビス（フェニルエチル）シリル、ビス（フェニルプロピル）シリル、ビス（１または２−ナフチルメチル）シリル基等のジアラルキルシリル基などが挙げられる。
【００２９】
トリオルガノシリル基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ3Ｓｉ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリ−ｎ−プロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリ−ｎ−ブチルシリル、トリイソブチルシリル、トリ−ｓ−ブチルシリル、トリ−ｔ−ブチルシリル、トリ−ｎ−ペンチルシリル、トリ−ｎ−ヘキシルシリル、トリ−ｎ−ヘプチルシリル、トリ−ｎ−オクチルシリル、トリ−ｎ−ノニルシリル、トリ−ｎ−デシルシリル、トリ−ｎ−ウンデシルシリル、トリ−ｎ−ドデシルシリル、トリ−ｎ−トリデシルシリル、トリ−ｎ−テトラデシルシリル、トリ−ｎ−ペンタデシルシリル、トリ−ｎ−ヘキサデシルシリル、ジ−ｎ−ヘプタデシルシリル、ジ−ｎ−オクタデシルシリル、ジ−ｎ−ノナデシルシリル、トリ−ｎ−エイコサニルシリル、エチルジメチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル、ジブチルメチルシリル基等の直鎖または分岐鎖トリアルキルシリル基；トリシクロプロピルシリル、トリシクロブチルシリル、トリシクロペンチルシリル、トリシクロヘキシルシリル、トリシクロヘプチルシリル、トリシクロオクチルシリル、トリシクロノニルシリル基等のトリシクロアルキルシリル基；（メチル）ジフェニルシリル、（エチル）ジフェニルシリル、（ｎ−プロピル）ジフェニルシリル基等のアルキルアリールシリル基；トリフェニルシリル、トリ（１または２−ナフチル）シリル、ジフェニル−１または２−ナフチルシリル基等のトリアリールシリル基；トリベンジルシリル、トリ（フェニルエチル）シリル、トリ（フェニルプロピル）シリル、トリ（１または２−ナフチルメチル）シリル基等のトリアラルキルシリル基などが挙げられる。
【００３０】
なお、上記各置換基は、Ｒ上の少なくとも１つの水素原子が置換基Ｘで置換されていてもよく、Ｘとしては、ハロゲン原子、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、またはオルガノチオ基等が挙げられ、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、オルガノチオ基としては上記と同様のものが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられるが、フッ素原子が好ましく、好適なフッ素置換アルキル基として、トリフロロプロピル基、ノナフロロヘキシル基、ヘプタデシルフロロデシル基等が挙げられる。
【００３１】
上記各置換基の中でも、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数７〜３０のアラルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基がより好ましい。
【００３２】
また、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が結合した架橋置換基としては、二つのＳｉ原子を架橋可能な置換基であれば特に限定されるものではなく、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ−（Ｒは上記と同じ。）、−ＰＲ−（Ｒは上記と同じ。）、−ＮＨ−（ＣＨ2）k−ＮＨ−（ｋは１〜１０の整数を表す。）、−ＮＲ−（ＣＨ2）k−ＮＲ−（ｋは上記と同じ。Ｒは互いに独立して上記と同じ。）、−ＰＨ−（ＣＨ2）k−ＰＨ−（ｋは上記と同じ。）、−ＰＲ−（ＣＨ2）k−ＰＲ−（ｋは上記と同じ。Ｒは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｃ＝Ｃ−、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数７〜３０のアラルキレン基、−（ＣＨ2Ｏ）k−（ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2）k−Ｏ−（ＣＨ2）k−（ｋは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｏ−（ＣＨ2）k−Ｏ−（Ｒおよびｋは上記と同じ。）、−Ｒ′−Ｏ−（ＣＨ2）k−Ｏ−Ｒ′−（Ｒ′は、互いに独立して炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数７〜３０のアラルキレン基を表し、ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2Ｓ）k−（ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2）k−Ｓ−（ＣＨ2）k−（ｋは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｓ−（ＣＨ2）k−Ｓ−（Ｒおよびｋは上記と同じ。）、−Ｒ′−Ｓ−（ＣＨ2）k−Ｏ−Ｒ′−（Ｒ′は、互いに独立して上記と同じ意味を表し、ｋは上記と同じ。）、−ＳｉＲ2−（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）、−（ＣＨ2）k−ＳｉＲ2−（ＣＨ2）k−（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表し、ｋは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）等が挙げられる。
【００３３】
炭素数１〜１０のアルキレン基としては、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン基等が挙げられる。
炭素数６〜３０のアリーレン基としては、ｏ−フェニレン（１，２−フェニレン）、１，２−ナフチレン、１，８−ナフチレン、２，３−ナフチレン基等が挙げられる。
炭素数７〜３０のアラルキレン基としては、−（ＣＨ2）k−Ａｒ−（Ａｒは、炭素数６〜２０のアリーレン基を表し、ｋは上記と同じ意味を表す。）、−Ａｒ−（ＣＨ2）k−（Ａｒおよびｋは上記と同じ意味を表す。）、−（ＣＨ2）k−Ａｒ−（ＣＨ2）k−（Ａｒは上記と同じ意味を表し、ｋは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）等が挙げられる。
なお、上記アルキレン、アリーレン、アラルキレン基は、それらの水素原子の少なくとも１つが、置換基Ｘ（Ｘは上記と同じ。）で置換されていてもよい。
【００３４】
架橋置換基をＺとして表記すると、２つのケイ素原子をつなぐＺの数は１〜３であり、このような架橋置換基Ｚを有する単核ルテニウム錯体は下記式で示される。
【００３５】
【化４】
2014133014.tif 000006
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5，Ｒ6，Ｌ、ｎおよびｍは上記と同じ意味を表し、Ｚは架橋置換基を表す。）
【００３６】
具体的な架橋置換基を有するジシラメタラサイクル構造としては下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
【化５】
2014133014.tif 000007
（式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
【００３８】
式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4およびＲ5は、上記と同じ意味を表し、Ｒ17〜Ｒ20（置換基Ｙ）は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ25〜Ｒ30は、互いに独立して、水素原子または炭素数１〜２０の非置換もしくは置換の一価炭化水素基を表すが、Ｒ17〜Ｒ20およびＲ25〜Ｒ30が、水素原子のものが好適である。
一価炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、これらの具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
なお、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。
【００３９】
一方、Ｌは、配位子に含まれる２つの電子がルテニウムに配位する、ＣＯおよびホスフィン以外の二電子配位子である。
二電子配位子としては、ＣＯおよびホスフィン以外であれば特に限定されるものではなく、金属錯体の二電子配位子として従来用いられているＣＯ以外の任意の配位子を用いることができるが、典型的には、窒素、酸素、イオウ等の非共有電子対（不対電子）を含む、アミン、イミン、含窒素ヘテロ環、アルシン、アルコール、チオール、エーテル、スルフィド等の化合物；π電子を含む、アルケン、アルキン；不対電子とπ電子双方を含む、アルデヒド、ケトン、ニトリル、イソニトリル等の化合物；アゴスティック相互作用で結合する、分子状水素（Ｈ−Ｈ結合に含まれるσ電子が配位する）、ヒドロシラン（Ｓｉ−Ｈ結合に含まれるσ電子が配位する）などが挙げられる。
【００４０】
アミンとしては、Ｒ3Ｎ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示される３級アミンが挙げられる。
イミンとしては、ＲＣ（＝ＮＲ）Ｒ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
含窒素へテロ環としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、オキサゾリン、イソオキサゾリン等が挙げられる。
アルシンとしては、例えば、Ｒ3Ａｓ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
アルコールとしては、例えば、ＲＯＨ（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
チオールとしては、上記アルコールの酸素原子を硫黄原子で置換したものが挙げられる。
【００４１】
エーテルとしては、例えば、ＲＯＲ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
スルフィドとしては、上記エーテルの酸素原子を硫黄原子で置換したものが挙げられる。
ケトンとしては、例えば、ＲＣＯＲ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
イソニトリルとしては、例えば、ＲＮＣ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
アルケンとしては、例えば、エテン、プロペン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテン、シクロペンテン、１−ヘキセン、シクロヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン等の炭素数２〜３０のアルケンが挙げられる。
アルキンとしては、例えば、エチン、プロピン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、２−ペンチン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニン、１−デシン等の炭素数２〜３０のアルケンが挙げられる。
ヒドロシランとしては、例えば、トリオルガノヒドロシランが挙げられ、具体的にはトリ炭素数１〜３０オルガノヒドロシランが挙げられ、より具体的には、Ｒ1Ｒ2Ｒ3ＳｉＨ（Ｒ1〜Ｒ3は上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
【００４２】
これらの中でも、二電子配位子Ｌとしては、分子状水素、アミン、イミン、含窒素ヘテロ環、アルシン、アルコール、チオール、エーテル、スルフィド、ニトリル、イソニトリル、アルデヒド、ケトン、炭素数２〜３０のアルケン、炭素数２〜３０のアルキン、トリオルガノヒドロシランが好ましい。
【００４３】
また、Ｌが２個存在する場合、それらは互いに結合し、２つの配位性の２電子官能基を含む配位子を構成していてもよい。その代表例としては、エチレンジアミン、エチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ブタジエンや、下記式で示されるようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
なお、本発明の単核ルテニウム錯体では、Ｌが３個存在する場合に、それら全てが結合して３つの配位性２電子官能基を含む配位子はとらない。
【００４４】
【化６】
2014133014.tif 000008
（式中、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル基を意味する。）
【００４５】
本発明の単核ルテニウム錯体において、二電子配位子Ｌの配位数ｍは、１〜３の整数を表すが、好ましくは２である。
また、ＣＯの配位数ｎと、Ｌの配位数ｍとの総和は３または４を満たすが、好ましくは４である。
この場合、二電子配位子Ｌは、ルテニウムと比較的弱く結合するものが触媒活性という点から有利であることから、上記好適なＬの中でも、特に、チオール、スルフィド、トリオルガノヒドロシランがより好ましく、特に、ＳｉＨＲ7Ｒ8Ｒ9およびＳｉＨＲ10Ｒ11Ｒ12（Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは上記と同じ意味を表す。）で表される２つのトリオルガノヒドロシランや、ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは上記と同じ意味を表す。）で表される２つのスルフィドまたはチオールがより一層好ましい。
ここで、アルキル基、アリール基、アラルキル基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基がより好ましい。
【００４６】
なお、Ｌが、ＳｉＨＲ7Ｒ8Ｒ9およびＳｉＨＲ10Ｒ11Ｒ12（Ｒ7〜Ｒ12は上記と同じ意味を表す。）で表されるトリオルガノヒドロシランの場合、単核ルテニウム錯体を構成する４つのケイ素原子の２つ以上は、上述した架橋置換基Ｚにより繋がれていてもよい。ケイ素原子の組み合わせは、ケイ素−ルテニウム共有結合をもつケイ素原子どうし、Ｓｉ−Ｈで配位しているケイ素原子どうし、ケイ素−ルテニウム共有結合と、Ｓｉ−Ｈで配位しているケイ素原子の組み合わせのいずれでもよい。この場合、２つのケイ素原子をつなぐＺの数は１〜３であり、一方、錯体全体に含まれるＺの総数は、１〜１２である。
このような架橋置換基Ｚを有する単核ルテニウム錯体を１つの配位構造を用いて表現した場合、下記式で示されるような構造が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、上述のとおりこれ以外の配位構造異性体も存在し、その場合にも同様の架橋置換基Ｚを有する構造が存在する。
【００４７】
【化７】
2014133014.tif 000009
（式中、Ｒ1〜Ｒ12およびＺは上記と同じ意味を表す。）
【００４８】
具体的なジシラメタラサイクル構造を有する単核ルテニウム錯体の構造としては下記式（ＣＯを除いて表現している）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
【化８】
2014133014.tif 000010
（式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
【００５０】
また、Ｌが、ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（Ｒ13〜Ｒ16は、上記と同じ。）で表される２つのスルフィドまたはチオールの場合、単核ルテニウム錯体を構成する２つの硫黄原子は、上述した架橋置換基Ｚにより繋がれていてもよい。
このような架橋置換基Ｚを有する単核ルテニウム錯体を１つの配位構造を用いて表現した場合、下記式で示されるような構造が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、上述のとおりこれ以外の配位構造異性体も存在し、その場合にも同様の架橋置換基Ｚを有する構造が存在する。
なお、この場合に、単核ルテニウム錯体を構成する２つのケイ素原子も、上述した架橋置換基Ｚにより繋がれていてもよい。
【００５１】
【化９】
2014133014.tif 000011
（式中、Ｒ1〜Ｒ6、Ｒ13、Ｒ16およびＺは上記と同じ意味を表す。）
【００５２】
より具体的なジチア（ジチオ）メタラサイクル構造としては、下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５３】
【化１０】
2014133014.tif 000012
（式中、Ｒ13，Ｒ16およびＲ25〜Ｒ30は、上記と同じ意味を表す。）
【００５４】
ジチアメタラサイクル構造を有する単核ルテニウム錯体の構造としては下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５５】
【化１１】
2014133014.tif 000013
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は上記と同じ意味を表し、Ｍｅはメチル基を意味する。）
【００５６】
特に、本発明においては、ＣＯが２つ配位するとともに、二電子配位子であるトリオルガノヒドロシランのＳｉ−Ｈがアゴスティック配位している単核ルテニウム錯体が好ましい。このようなルテニウム錯体を、１つの配位構造を用いて便宜的に表現すると、式（２）で示されるような構造が挙げられるが、上述のとおり、本発明ではこれ以外の配位構造異性体であってもよい。
【００５７】
【化１２】
2014133014.tif 000014
【００５８】
Ｒ1〜Ｒ12は上記と同じ意味を表すが、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基（Ｘは上記と同じ意。）が好ましい。
ここで、アルキル基、アリール基、アラルキル基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基がより好ましい。
上記式（２）においても、単核ルテニウム錯体を構成する４つのケイ素原子の２つ以上は架橋置換基により繋がれていてもよく、具体的には、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって、またはＲ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成していてもよく、またはＲ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組またはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組およびＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成していてもよい。
ここで、アルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数７〜２０のアリーレン基、炭素数７〜２０のアラルキレン基が好ましく、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数７〜２０のアリーレン基がより好ましい。
【００５９】
また、ＣＯが２つ配位するとともに、二電子配位子であるスルフィドやチオールが２つ配位している単核ルテニウム錯体も好適に用いることができる。このようなルテニウム錯体を、１つの配位構造を用いて便宜的に表現すると、式（３）で示されるような構造が挙げられるが、上述のとおり、本発明ではこれ以外の配位構造異性体であってもよい。
【００６０】
【化１３】
2014133014.tif 000015
【００６１】
式（３）において、Ｒ1〜Ｒ6およびＲ13〜Ｒ16は上記と同じ意味を表すが、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基（Ｘは前記と同じ意味を表す。）が好ましい。
ここで、アルキル基、アリール基、アラルキル基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基がより好ましい。
上記式（３）においても、単核ルテニウム錯体を構成する２つの硫黄原子は架橋置換基により繋がれていてもよく、具体的には、Ｒ13およびＲ14のいずれかと、Ｒ15およびＲ16のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成していてもよい。
また、この場合に、単核ルテニウム錯体を構成する２つのケイ素原子も架橋置換基により繋がれていてもよく、具体的には、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成していてもよい。
ここで、アルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数７〜２０のアリーレン基、炭素数７〜２０のアラルキレン基が好ましく、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数７〜２０のアリーレン基がより好ましい。
本発明で好適に用いることのできる単核ルテニウム錯体を１つの配位構造を用いて表すと、式（４）および（５）で示されるものが挙げられ、より具体的には式（６）および（７）で示されるものが挙げられるが、上述のとおり、これらの配位構造異性体も好適に用いることができる。
【００６２】
【化１４】
2014133014.tif 000016
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ13およびＲ16〜Ｒ20は、上記と同じ意味を表し、Ｒ21〜Ｒ24は、Ｒ17と同じ意味を表す。）
【００６３】
式（５）において、ａは１〜６の整数を表すが、２または３が好ましい。
【００６４】
【化１５】
2014133014.tif 000017
（式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
【００６５】
本発明の単核ルテニウム錯体は、公知の有機合成反応を組み合わせて製造できる。
例えば、上記式（４），（６）で示されるようなルテニウム錯体は、シクロヘキサジエニル基やシクロオクタジエニル基等のシクロアルカジエニル基を配位子として有するルテニウム−カルボニル錯体と、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン等のビスシリル化合物とを、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、光照射して得ることができる。
この場合、ビスシリル化合物の使用量は、ルテニウム−カルボニル錯体に対して、１〜１０モル倍程度とすることができるが、２〜５モル倍が好ましい。
また、有機溶媒としては、反応に影響を及ぼさない限りにおいて各種の溶媒類が使用でき、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類などを用いることができる。
反応温度は、有機溶媒の融点から沸点の範囲で適宜設定すればよいが、１０〜５０℃が好ましく、１５〜３０℃がより好ましい。
反応時間は、通常、１〜４８時間程度である。
反応終了後は、溶媒を留去した後、再結晶法等の公知の精製法にて目的物を得ることができるが、調製したルテニウム錯体を単離せずに目的とする反応の触媒として用いてもよい。
【００６６】
また、上記式（５），（７）で示されるようなスルフィド配位子を有するルテニウム錯体は、例えば、上述の方法で得られた式（４），（６）で示されるルテニウム錯体を原料とし、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、上で例示したような有機溶媒中で２，６−ジチアヘプタン等のジチア炭化水素化合物や、１，３−プロパンジチオール等のチオール化合物と反応させて得ることができる。
この場合、ジチア炭化水素化合物の使用量は、ルテニウム錯体に対して、１〜３モル倍程度とすることができるが、１〜１．５モル倍が好ましく、１〜１．２モル倍がより好ましい。
反応温度は、０℃から有機溶媒の沸点の範囲で適宜設定すればよいが、１０〜５０℃が好ましく、１５〜３０℃が好ましい。
反応時間は、通常、１〜４８時間程度である。
反応終了後は、溶媒を留去した後、再結晶法等の公知の精製法にて目的物を得ることができるが、調製したルテニウム錯体を単離せずに目的とする反応の触媒として用いてもよい。
【００６７】
本発明の単核ルテニウム錯体は、既に述べたとおり、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応の三反応に触媒活性を発揮し得る。
本発明の単核ルテニウム錯体を触媒として使用し、脂肪族不飽和結合を含有する、オレフィン化合物、シラン化合物またはオルガノポリシロキサン化合物等の脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有する、シラン化合物またはオルガノポリシロキサン化合物とのヒドロシリル化反応を行う場合、触媒の使用量は特に限定されるものではないが、室温〜１００℃程度の温和な条件下で反応を進行させて収率よく目的物を得ることを考慮すると、触媒の使用量は０．５モル％以上とすることが好ましい。
本発明の単核ルテニウム錯体を触媒として使用し、脂肪族不飽和結合を含有するオレフィン化合物を水素ガスによって還元し、飽和化合物を得る反応を行う場合も、触媒の使用量は特に限定されるものではないが、室温下、かつ、水素圧が１気圧程度の温和な条件下で反応を進行させて収率よく目的物を得ることを考慮すると、触媒の使用量は１モル％以上とすることが好ましい。
なお、いずれの反応においても、触媒使用量の上限は特に制限はないが、経済的な観点から１０モル％程度である。
【００６８】
本発明の単核ルテニウム錯体を触媒として使用し、カルボニル化合物をＳｉ−Ｈ基を含有するシランまたはシロキサンで還元する場合も、触媒の使用量は特に限定されるものではないが、温和な条件下で反応を進行させて収率よく目的物を得ることを考慮すると、触媒の使用量は０．０１モル％以上とすることが好ましい。この場合、触媒使用量の上限は特に制限はないが、経済的な観点から５モル％程度である。
還元反応に供し得るカルボニル化合物としては、アミド、アルデヒド、ケトン、エステル、カルボン酸、カルボン酸塩（例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等）基等を有する化合物が挙げられ、これらを本発明のルテニウム錯体触媒の存在下、Ｓｉ−Ｈ基を含有するシランまたはシロキサンと反応させることによって、それぞれ対応するアミンやアルコール化合物へと導くことができる。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
ルテニウム錯体の合成は、シュレンクテクニックもしくはグローブボックスを用いてすべての操作を窒素またはアルゴン雰囲気下で行い、遷移金属化合物の調製に用いた溶媒は、全て公知の方法で脱酸素、脱水を行った後に用いた。
アルケンのヒドロシリル化反応、アミドの還元反応および溶媒精製は、全て不活性ガス雰囲気下で行い、各種反応に用いた溶媒等は、全て予め公知の方法で精製、乾燥、脱酸素を行ったものを用いた。
1Ｈ，13Ｃ，29Ｓｉ−ＮＭＲの測定は日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＣＡ６００，ＪＮＭ−ＬＡ４００を、ＩＲ測定は日本分光（株）製ＦＴ／ＩＲ−５５０を、元素分析はＰｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ製２４００ＩＩ／ＣＨＮを、Ｘ線結晶構造解析は（株）リガク製ＶａｒｉＭａｘ、ＭｏＫα線０．７１０６９オングストロームを用いてそれぞれ行った。
なお、以下に示す化学構造式においては慣用的な表現法に従って水素原子を省略している。また、Ｍｅはメチル基を表す。【００７０】
（１）ルテニウム錯体の合成
［実施例１］ルテニウム錯体Ａの合成
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬのシュレンク管に（η4−１，３−シクロヘキサジエン）ルテニウム（０）トリカルボニル錯体（５００ｍｇ，１．８７ｍｍｏｌ）と１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（８００ｍｇ，４．１１ｍｍｏｌ）を仕込み、ここへ脱気・脱水処理したヘキサン（５０ｍＬ）を加え、高圧水銀灯（ウシオ電機（株）製，ＵＭ−４５３Ｂ−Ａ（４５０Ｗ））を用いて光照射をしながら室温下で２２時間撹拌した。反応終了後、減圧乾燥し、得られた乾燥物をヘキサン（４０ｍＬ）に溶解させ、遠心分離にて副生した少量の褐色不溶物を取り除いた。その後、ヘキサン溶液を減圧下で約２５ｍＬになるまで濃縮し、−３５℃で再結晶して式（６）で代表的に示されるルテニウム錯体Ａ（２７４ｍｇ／０．５０ｍｍｏｌ／２７％）を得た。得られたルテニウム錯体Ａの構造を図１に、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図２に、13Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図３にそれぞれ示す。【００７１】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = -7.3 (s, Jsi-H = 16.8 Hz, 2H, Si-H), 0.75 (s, 24H, SiMe2), 7.23-7.28 (m, 4H, C6H4), 7.53-7.58 (m, 4H, C6H4).
13C NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 8.4, 128.9, 131.4, 152.5, 198.4.
IR (KBr pellet): ν = 1975 (νSi-H), 1978 (νRu-CO) cm-1
Anal. Calcd. for C22H34O2RuSi4: C, 48.58; H, 6.30 Found: C, 48.34; H, 6.29【００７２】
［実施例２］ルテニウム錯体Ｂの合成
アルゴン雰囲気下、５０ｍＬのシュレンク管内で、ルテニウム錯体Ａ（１００ｍｇ，０．１８ｍｍｏｌ）を脱気・脱水処理したトルエン（２０ｍＬ）に溶解させ、ここへ２，６−ジチアヘプタン（２６ｍｇ，０．１９ｍｍｏｌ）を加え、室温下で１２時間撹拌した。反応終了後、減圧乾燥し、得られた乾燥物をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解させた後、溶液を減圧下で約５ｍＬになるまで濃縮し、−３５℃で再結晶をして式（７）で代表的に示されるルテニウム錯体Ｂ（８２ｍｇ／０．１７ｍｍｏｌ／９４％）を得た。得られたルテニウム錯体Ｂの構造を図４に、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図５に、13Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図６にそれぞれ示す。【００７３】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 0.82 (s, 12H, SiMe2), 1.24 (quint, 2H, -CH2CH2CH2-), 1.81 (t, 4H, -CH2CH2CH2-), 1.87 (s, 6H, Sme), 7.32-7.38 (m, 2H, C6H4), 7.83-7.87 (m, 2H, C6H4).
13C NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 1.53, 6.39, 23.1, 25.6, 37.4, 127.5, 131.6, 157.5.
Anal. Calcd. for C17H28O2RuSi2S2: C, 42.03; H, 5.81 Found: C, 42.21; H, 5.69【００７４】
（２）ルテニウム錯体Ａを用いたヒドロシリル化反応
［実施例３］２−オクテンの１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサンによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加えた。ここに１−オクテン（７８．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン（９７．６μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソール（１０８．６μＬ，１．０ｍｍｏｌ、使用量は以下同じ。）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー１として表１に示す。【００７５】
1H NMR (400MHz, CDCl3) δ= 0.03(s, 6H, Si(CH3)2), 0.06(s, 9H, Si(CH3)3), 0.45-0.55(m, 2H, SiCH2), 0.88(t, JHH = 7.2 Hz, 3H, CH2CH3), 1.20-1.34(m, 12H, (CH2)6).【００７６】
［実施例４］２−オクテンの１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加えた。ここに２−オクテン（７８．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン（１３５．７μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー２として表１に示す。【００７７】
1H NMR (600MHz, CDCl3) δ= -0.01(s, 3H, SiCH3), 0.09(s, 18H, (Si(CH3)3)2), 0.42-0.47(m, 2H, SiCH2), 0.88(t, JHH = 6.8 Hz, 3H, CH2CH3), 1.23-1.33(m, 12H, (CH2)6).【００７８】
［実施例５］２−オクテンのトリエトキシシランによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加えた。ここに２−オクテン（７８．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、さらにトリエトキシシラン（９２．３μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー３として表１に示す。【００７９】
1H NMR (400MHz, CDCl3) δ= 0.63(m, 2H, Si(CH2)), 0.72(t, 3H, CH3), 1.15(t, JHH = 7.2 Hz, 9H, Si(OCH2CH3)), 1.29(m, 12H, CH2), 3.73(q, JHH = 7.2 Hz, 9H, Si(OCH2CH3)).【００８０】
［実施例６］２−オクテンのトリエチルシランによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加えた。ここに２−オクテン（７８．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、さらにトリエチルシラン（７９．８μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー４として表１に示す。【００８１】
1H NMR (400MHz, CDCl3) δ= 0.51(m, 8H, Si(CH2)4), 0.84-1.04(m, 12H, Si(CH2CH3) and CH3), 1.18-1.38(m, 12H,  CH2).【００８２】
【表１】
2014133014.tif 000018
【００８３】
［実施例７］１−オクテンの１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサンによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加えた。ここに１−オクテン（７８．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン（９７．６μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー１として表２に示す。【００８４】
1H NMR (400MHz, CDCl3) δ= 0.03(s, 6H, Si(CH3)2), 0.06(s, 9H, Si(CH3)3), 0.45-0.55(m, 2H, SiCH2), 0.88(t, JHH = 7.2 Hz, 3H, CH2CH3), 1.20-1.34(m, 12H, (CH2)6).【００８５】
［実施例８］１−オクテンの１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加えた。ここに１−オクテン（７８．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン（１３５．７μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー２として表２に示す。【００８６】
1H NMR (600MHz, CDCl3) δ= -0.01(s, 3H, SiCH3), 0.09(s, 18H, (Si(CH3)3)2), 0.42-0.47(m, 2H, SiCH2), 0.88(t, JHH = 6.8 Hz, 3H, CH2CH3), 1.23-1.33(m, 12H, (CH2)6).【００８７】
［実施例９］シクロペンテンの１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサンによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加えた。ここにシクロペンテン（４４．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン（９７．６μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー３として表２に示す。【００８８】
1H NMR (400MHz, C6D6) δ= 0.10(s, 6H, SiCH3), 0.13(s, 9H, (Si(CH3)3), 0.81-0.93(m, 1H, SiCH(CH2)2), 1.28-1.40(m, 2H, CH2), 1.46-1.63(m, 4H, CH2), 1.65-1.79(m, 2H, CH2).【００８９】
【表２】
2014133014.tif 000019
【００９０】
（３）ルテニウム錯体Ａを用いた水素化反応
［実施例１０］スチレンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（１４ｍｇ，０．０２ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（１ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、スチレン（５７μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気し、シュレンクチューブ内を水素雰囲気に置換した後、溶液を室温で３時間撹拌した。内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー１として表３に示す。【００９１】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ= 1.13(t, JHH = 7.2 Hz, 3H, CH2CH3), 2.54(q, JHH = 7.2 Hz, 2H, CH2CH3), 7.02-7.11(m, 3H, C6H5), 7.11-7.20(m, 2H, C6H5).
13C NMR (100MHz, CDCl3) δ= 15.6, 28.8, 125.6, 127.8, 128.3, 144.3.【００９２】
［実施例１１］トランス−スチルベンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（１４ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（１ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、トランス−スチルベン（９０ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気し、シュレンクチューブ内を水素雰囲気に置換した後、溶液を室温で６時間撹拌した。内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー２として表３に示す。【００９３】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ= 2.93 (s, 4H, CH2), 7.12-7.23 (m, 6H, C6H5), 7.24-7.32 (m, 4H, C6H5).
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ= 37.9, 125.9, 128.3, 128.5, 141.8.【００９４】
［実施例１２］シクロヘキセンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（１４ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（１ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、シクロヘキセン（５４μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気し、シュレンクチューブ内を水素雰囲気に置換した後、溶液を室温で６時間撹拌した。内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー３として表３に示す。【００９５】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ= 1.43 (s, 12H, CH2).
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ= 27.0.【００９６】
［実施例１３］シクロペンテンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（１４ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、シクロペンテン（４４．２μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気し、シュレンクチューブ内を水素雰囲気に置換した後、溶液を室温で６時間撹拌した。内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー４として表３に示す。【００９７】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ= 1.52 (s, 10H, CH2).
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ= 25.9.【００９８】
［実施例１４］１−メチル−１−シクロヘキセンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（１４ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（１ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、１−メチル−１−シクロヘキセン（５４μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気し、シュレンクチューブ内を水素雰囲気に置換した後、溶液を室温で６時間撹拌した。内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー５として表３に示す。【００９９】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ= 0.86 (d, JHH = 5.8 Hz, 3H, CH3), 1.04-1.28 (m, 4H, CH2), 1.28-1.39 (m, 1H, CH), 1.54-1.72(m, 6H, CH2).
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ= 22.9, 26.3, 26.4, 32.7, 35.4.【０１００】
［実施例１５］２，３−ジメチル−２−ブテンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（１４ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（１ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、２，３−ジメチル−２−ブテン（５４μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気し、シュレンクチューブ内を水素雰囲気に置換した後、溶液を室温で６時間撹拌した。内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー６として表３に示す。【０１０１】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ= 0.84 (d, JHH = 6.7 Hz, 12H, CH3), 1.40 (septet, JHH = 6.7 Hz, 2H, CH).
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ= 19.4, 33.7.【０１０２】
【表３】
2014133014.tif 000020
【０１０３】
（４）ルテニウム錯体Ａを用いたアミドの還元反応
［実施例１６］Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−メトキシベンズアミドの還元
２０ｍＬのナスフラスコに三方コックを付け、磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、フラスコ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのフラスコに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（０．２７ｍｇ，５．０×１０-4ｍｍｏｌ）を加えた。ここへ、ジメチルフェニルシラン（６８１μＬ）をシリンジで加えた後、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−メトキシベンズアミド（１７９ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。溶液を２５℃で５時間撹拌した後、残ったジメチルフェニルシランを減圧下で留去した。得られた粗生成物をヘキサン／酢酸エチル（１０／１）を展開溶媒としたシリカゲル充填カラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−メトキシベンジルアミン１４９ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ、９０％）を得た。これらの結果をエントリー１として表４に示す。得られたアミンは、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトルによりその構造を確認した。【０１０４】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 2.22 (s, 6H, NMe2), 3.35 (s, 2H, CH2), 3.80 (s, 3H, OMe), 6.85 (d, J = 8.7 Hz, 2H, C6H4), 7.21 (d, J = 8.7 Hz, 2H, C6H4).
13C NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 45.22, 55.07, 63.74, 130.23, 113.58, 131.15, 158.71.
IR (neat): ν = 1038, 1241, 1510, 2766, 2813,2941 cm-1【０１０５】
［実施例１７］Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ブロモベンズアミドの還元
２０ｍＬのナスフラスコに三方コックを付け、磁気撹拌子を加えて５Ｐａで減圧しながら加熱乾燥した後、フラスコ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのフラスコに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（２．４ｍｇ，４．５×１０-3ｍｍｏｌ）を加えた。ここへ、ジメチルフェニルシラン（６８１μＬ）をシリンジで加えた後、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ブロモベンズアミド（２２８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。溶液を２５℃で２３時間撹拌した後、残ったジメチルフェニルシランを減圧下で留去した。得られた粗生成物をヘキサン／酢酸エチル（２０／１）を展開溶媒としたシリカゲル充填カラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ブロモベンジルアミン１８４ｍｇ（０．８６ｍｍｏｌ、８６％）を得た。これらの結果をエントリー２として表４に示す。得られたアミンは、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトルによりその構造を確認した。【０１０６】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 2.22 (s, 6H, NMe2), 3.36 (s, 2H, CH2), 7.18 (d, J = 8.70 Hz, 2H, C6H4),7.44 (d, J = 8.70 Hz, 5H, C6H4).
13C NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 45.97, 64.30, 121.45, 131.33, 131.97,138.67.
IR (neat): ν = 1011, 1487, 2767, 2815,2941 cm-1.【０１０７】
［実施例１８］Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−フェニルプロパンアミドの還元
２０ｍＬのナスフラスコに三方コックを付け、磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、フラスコ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのフラスコに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（０．２７ｍｇ，５．０×１０-4ｍｍｏｌ）を加えた。ここへ、ジメチルフェニルシラン（６８１μＬ）をシリンジで加えた後、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−フェニルプロパンアミド（１７７ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。溶液を２５℃で７時間撹拌した後、残ったジメチルフェニルシランを減圧下で留去した。得られた粗生成物をヘキサン／酢酸エチル（１０／１）を展開溶媒としたシリカゲル充填カラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−フェニルプロピルアミン１５１ｍｇ（０．７９ｍｍｏｌ、７９％）を得た。これらの結果をエントリー３として表４に示す。得られたアミンは、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトルによりその構造を確認した。【０１０８】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 1.80 (quint, J = 7.7 Hz, 2H, CH2), 2.23 (s, 6H, NMe2), 2.30 (t, J = 7.7 Hz, 2H, CH2), 2.65 (t, J = 7.7 Hz, 2H, CH2), 7.24-7.16 (m, 3H, C6H4), 7.35-7.25 (m, 2H, C6H4).
13C NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 29.57, 33.79, 45.60, 59.41, 125.84, 128.42, 128.50,142.40.
IR (neat): ν = 1030, 1496, 2764, 2942, 3025, 3060 cm-1.【０１０９】
［実施例１９］Ｎ−ベンジル−ε−カプロラクタムの還元
２０ｍＬのナスフラスコに三方コックを付け、磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、フラスコ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのフラスコに、触媒としてルテニウム錯体Ａ（０．２７ｍｇ，５．０×１０-4ｍｍｏｌ）を加えた。ここへ、ジメチルフェニルシラン（６８１μＬ）をシリンジで加えた後、Ｎ−ベンジル−ε−カプロラクタム（２０３ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。溶液を２５℃で７時間撹拌した後、残ったジメチルフェニルシランを減圧下で留去した。得られた粗生成物をヘキサン／酢酸エチル（１０／１）を展開溶媒としたシリカゲル充填カラムクロマトグラフィーで精製し、１−ベンジルアゼパン１６５ｍｇ（０．８７ｍｍｏｌ、８７％）を得た。これらの結果をエントリー４として表４に示す。得られたアミンは、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトルによりその構造を確認した。【０１１０】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 1.58 (br, 8H, CH2), 2.57 (d, J = 5.8 Hz, 2H, CH2), 3.60 (s, 2H, PhCH2), 7.22-7.13 (m, 2H, C6H4),7.33-7.22 (m, 3H, C6H4).
13C NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 27.19, 28.40, 55.76, 62.90, 126.79, 128.22, 128.90,140.30.
IR (neat): ν = 1071, 1354, 1452, 2851,2923 cm-1.【０１１１】
【表４】
2014133014.tif 000021
【０１１２】
（５）ルテニウム錯体Ｂを用いたヒドロシリル化反応
［実施例２０］エチレンの１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサンによるヒドロシリル化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａで減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒としてルテニウム錯体Ｂ（１４ｍｇ，０．０３ｍｍｏｌ）を加えた。ここに１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン（１９５．２μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気した後、シュレンクチューブ内をエチレン雰囲気に置換した。その後、溶液を８０℃で１６時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソールを加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した（収率５５％）。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ，29Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。【０１１３】
1H NMR (600MHz, CDCl3) δ = 0.03(s, 6H, Si(CH3)2), 0.06(s, 9H, Si(CH3)3), 0.49(q, JHH = 8.2 Hz, 2H, SiCH2CH3), 0.92(t, JHH = 8.2 Hz, 3H, CH2CH3).
13C NMR (100MHz, CDCl3) δ = -0.28, 1.93, 6.72, 10.03.
29Si NMR (119MHz, CDCl3) δ = 7.05, 8.60.【０１１４】
（６）ルテニウム錯体Ｂを用いた水素化反応
［実施例２１］スチレンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに、磁気撹拌子を加えて５Ｐａで減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブ内に、触媒としてルテニウム錯体Ｂ（１２ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（１ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、スチレン（５７μＬ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を凍結脱気した後、シュレンクチューブ内を水素雰囲気に置換した。その後、溶液を１００℃で１６時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８．６μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した（収率７１％）。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。【０１１５】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 1.13(t, JHH = 7.2 Hz, 3H, CH2CH3), 2.54(q, JHH = 7.2 Hz, 2H, CH2CH3), 7.02-7.11(m, 3H, C6H5), 7.11-7.20(m, 2H, C6H5).
13C NMR (100MHz, CDCl3) δ = 15.6, 28.8, 125.6, 127.8, 128.3, 144.3.【０１１６】
（７）ルテニウム錯体Ｂを用いたアミドの還元反応
［実施例２２］Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−メトキシベンズアミドの還元
２０ｍＬのナスフラスコに三方コックを付け、磁気撹拌子を加えて５Ｐａで減圧しながら加熱乾燥した後、フラスコ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのフラスコに、触媒としてルテニウム錯体Ｂ（１２ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、トルエン（０．２５ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（２３８μＬ）をシリンジで加え、次に、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−メトキシベンズアミド（９０ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。その後、溶液を１００℃で１６時間撹拌した。冷却後、内標としてフェロセン（１８．６ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した（収率９９％）。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトルによりその構造を確認した。【０１１７】
1H NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 2.22 (s, 6H, NMe2), 3.35 (s, 2H, CH2), 3.80 (s, 3H, OMe), 6.85 (d, J = 8.7 Hz, 2H, C6H4), 7.21 (d, J = 8.7 Hz, 2H, C6H4).
13C NMR (CDCl3, 395 MHz) δ = 45.22, 55.07, 63.74, 130.23,113.58, 131.15,158.71.
IR (neat): ν = 1038, 1241, 1510, 2766, 2813,2941 cm-1
【図１】
2014133014.tif 000024
【図２】
2014133014.tif 000025
【図３】
2014133014.tif 000026
【図４】
2014133014.tif 000027
【図５】
2014133014.tif 000028
【図６】
2014133014.tif 000029
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月4日(2015.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
オルガノオキシ基としては、特に限定されるものではないが、ＲＯ（Ｒは、置換もしくは非置換の、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基または炭素数７〜３０のアラルキル基を表す。）で示されるアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜３０、特に炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、その具体例としては、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｃ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数６〜３０、特に炭素数６〜２０のアリールオキシ基が好ましく、その具体例としては、フェノキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、アントリルオキシ、フェナントリルオキシ基等が挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数７〜３０、特に炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基が好ましく、ベンジルオキシ基、フェニルエチルオキシ、フェニルプロピルオキシ、１または２−ナフチルメチルオキシ、１または２−ナフチルエチルオキシ、１または２−ナフチルプロピルオキシ基等が挙げられる。
オルガノチオ基としては、上記オルガノオキシ基の酸素原子を硫黄原子で置換した基等が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ジオルガノホスフィノ基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ2Ｐ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、ジメチルホスフィノ、ジエチルホスフィノ、ジ−ｎ−プロピルホスフィノ、ジイソプロピルホスフィノ、ジ−ｎ−ブチルホスフィノ、ジイソブチルホスフィノ、ジ−ｓ−ブチルホスフィノ、ジ−ｔ−ブチルホスフィノ、ジ−ｎ−ペンチルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘキシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘプチルホスフィノ、ジ−ｎ−オクチルホスフィノ、ジ−ｎ−ノニルホスフィノ、ジ−ｎ−デシルホスフィノ、ジ−ｎ−ウンデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ドデシルホスフィノ、ジ−ｎ−トリデシルホスフィノ、ジ−ｎ−テトラデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ペンタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘキサデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘプタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−オクタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ノナデシルホスフィノ、ジ−ｎ−エイコサニルホスフィノ基等の直鎖または分岐鎖ジアルキルホスフィノ基；ジシクロプロピルホスフィノ、ジシクロブチルホスフィノ、ジシクロペンチルホスフィノ、ジシクロヘキシルホスフィノ、ジシクロヘプチルホスフィノ、ジシクロオクチルホスフィノ、ジシクロノニルホスフィノ基等のジシクロアルキルホスフィノ基；シクロヘキシルフェニルホスフィノ基等のアルキルアリールホスフィノ基；ジフェニルホスフィノ、ビス（１または２−ナフチル）ホスフィノ基等のジアリールホスフィノ基；ジベンジルホスフィノ、ビス（フェニルエチル）ホスフィノ、ビス（１または２−ナフチルメチル）ホスフィノ基等のジアラルキルホスフィノ基などが挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
トリオルガノシリル基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ3Ｓｉ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリ−ｎ−プロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリ−ｎ−ブチルシリル、トリイソブチルシリル、トリ−ｓ−ブチルシリル、トリ−ｔ−ブチルシリル、トリ−ｎ−ペンチルシリル、トリ−ｎ−ヘキシルシリル、トリ−ｎ−ヘプチルシリル、トリ−ｎ−オクチルシリル、トリ−ｎ−ノニルシリル、トリ−ｎ−デシルシリル、トリ−ｎ−ウンデシルシリル、トリ−ｎ−ドデシルシリル、トリ−ｎ−トリデシルシリル、トリ−ｎ−テトラデシルシリル、トリ−ｎ−ペンタデシルシリル、トリ−ｎ−ヘキサデシルシリル、トリ−ｎ−ヘプタデシルシリル、トリ−ｎ−オクタデシルシリル、トリ−ｎ−ノナデシルシリル、トリ−ｎ−エイコサニルシリル、エチルジメチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル、ジブチルメチルシリル基等の直鎖または分岐鎖トリアルキルシリル基；トリシクロプロピルシリル、トリシクロブチルシリル、トリシクロペンチルシリル、トリシクロヘキシルシリル、トリシクロヘプチルシリル、トリシクロオクチルシリル、トリシクロノニルシリル基等のトリシクロアルキルシリル基；（メチル）ジフェニルシリル、（エチル）ジフェニルシリル、（ｎ−プロピル）ジフェニルシリル基等のアルキルアリールシリル基；トリフェニルシリル、トリ（１または２−ナフチル）シリル、ジフェニル−１または２−ナフチルシリル基等のトリアリールシリル基；トリベンジルシリル、トリ（フェニルエチル）シリル、トリ（フェニルプロピル）シリル、トリ（１または２−ナフチルメチル）シリル基等のトリアラルキルシリル基などが挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が結合した架橋置換基としては、二つのＳｉ原子を架橋可能な置換基であれば特に限定されるものではなく、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ−（Ｒは上記と同じ。）、−ＰＲ−（Ｒは上記と同じ。）、−ＮＨ−（ＣＨ2）k−ＮＨ−（ｋは１〜１０の整数を表す。）、−ＮＲ−（ＣＨ2）k−ＮＲ−（ｋは上記と同じ。Ｒは互いに独立して上記と同じ。）、−ＰＨ−（ＣＨ2）k−ＰＨ−（ｋは上記と同じ。）、−ＰＲ−（ＣＨ2）k−ＰＲ−（ｋは上記と同じ。Ｒは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｃ＝Ｃ−、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数７〜３０のアラルキレン基、−（ＣＨ2Ｏ）k−（ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2）k−Ｏ−（ＣＨ2）k−（ｋは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｏ−（ＣＨ2）k−Ｏ−（ｋは上記と同じ。）、−Ｒ′−Ｏ−（ＣＨ2）k−Ｏ−Ｒ′−（Ｒ′は、互いに独立して炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数７〜３０のアラルキレン基を表し、ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2Ｓ）k−（ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2）k−Ｓ−（ＣＨ2）k−（ｋは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｓ−（ＣＨ2）k−Ｓ−（ｋは上記と同じ。）、−Ｒ′−Ｓ−（ＣＨ2）k−Ｏ−Ｒ′−（Ｒ′は、互いに独立して上記と同じ意味を表し、ｋは上記と同じ。）、−ＳｉＲ2−（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）、−（ＣＨ2）k−ＳｉＲ2−（ＣＨ2）k−（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表し、ｋは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月5日(2016.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されることを特徴とする単核ルテニウム錯体。
【化１】
2014133014.tif 000030
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になって、−Ｃ＝Ｃ−、炭素数１〜１０のアルキレン基および炭素数６〜３０のアリーレン基から選ばれる架橋置換基形成し、
ｎおよびｍは、いずれも２であり、
Ｌは、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、これらＲ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になって、−Ｏ−、炭素数１〜１０のアルキレン基、およびＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）から選ばれる架橋置換基を形成していてもよいトリオルガノヒドロシラン、
ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16で表され、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成していてもよいスルフィドまたはチオール、
３級アミン、
およびエーテルから選ばれる二電子配位子を表す。）
【請求項２】
前記Ｌが、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、これらＲ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になって、−Ｏ−、炭素数１〜１０のアルキレン基、およびＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）から選ばれる架橋置換基を形成しているトリオルガノヒドロシラン、
またはＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16で表され、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成しているスルフィドもしくはチオールの二電子配位子を表す請求項１記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項３】
前記Ｌが、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12（式中、Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは前記を同じ意味を表す。）を形成しているトリオルガノヒドロシラン、
またはＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（式中、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成しているスルフィドもしくはチオールの二電子配位子を表す請求項１記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項４】
前記Ｒ1〜Ｒ6が、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表すが、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している請求項１〜３のいずれか１項記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項５】
前記Ｌが、前記Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12（式中、Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、前記Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している請求項２〜４のいずれか１項記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項６】
前記Ｒ7〜Ｒ12が、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基であるが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している請求項５記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項７】
前記Ｌが、前記ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（式中、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、前記Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成している請求項２〜４のいずれか１項記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項８】
前記Ｒ13〜Ｒ16が、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表すが、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数２または３のアルキレン基を形成している請求項７記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項９】
前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか２つがメチル基であり、かつ、前記Ｒ4〜Ｒ6のいずれか２つがメチル基であり、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成し、
前記Ｌが、前記Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか２つがメチル基であり、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか２つがメチル基であり、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している請求項３記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項１０】
前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか２つがメチル基であり、かつ、前記Ｒ4〜Ｒ6のいずれか２つがメチル基であり、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成し、
前記Ｌが、前記ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16で表され、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つがメチル基であり、かつ、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つがメチル基であり、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になってトリメチレン基を形成している請求項３記載の単核ルテニウム錯体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項記載の単核ルテニウム錯体からなる、ヒドロシリル化反応、水素化反応およびカルボニル化合物の還元反応の３つの反応に活性を有する触媒。
【請求項１２】
請求項１１記載の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するヒドロシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンとをヒドロシリル化反応させることを特徴とする付加化合物の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物を水素化させることを特徴とするアルカン化合物の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の触媒の存在下、アミド化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアミン化合物の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の触媒の存在下、アルデヒド化合物、ケトン化合物またはエステル化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアルコール化合物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明は、
１．  式（１）で表されることを特徴とする単核ルテニウム錯体、
【化１】
2014133014.tif 000031
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になって、−Ｃ＝Ｃ−、炭素数１〜１０のアルキレン基および炭素数６〜３０のアリーレン基から選ばれる架橋置換基形成し、
ｎおよびｍは、いずれも２であり、
Ｌは、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、これらＲ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になって、−Ｏ−、炭素数１〜１０のアルキレン基、およびＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）から選ばれる架橋置換基を形成していてもよいトリオルガノヒドロシラン、
ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16で表され、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成していてもよいスルフィドまたはチオール、
３級アミン、
およびエーテルから選ばれる二電子配位子を表す。）
２．  前記Ｌが、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、これらＲ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になって、−Ｏ−、炭素数１〜１０のアルキレン基、およびＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）から選ばれる架橋置換基を形成しているトリオルガノヒドロシラン、
またはＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16で表され、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成しているスルフィドもしくはチオールの二電子配位子を表す１の単核ルテニウム錯体、
３．  前記Ｌが、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12（式中、Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは前記を同じ意味を表す。）を形成しているトリオルガノヒドロシラン、
またはＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（式中、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成しているスルフィドもしくはチオールの二電子配位子を表す１または２の単核ルテニウム錯体、
４．  前記Ｒ1〜Ｒ6が、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表すが、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している３の単核ルテニウム錯体、
５．  前記Ｌが、前記Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12（式中、Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、前記Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している２〜４のいずれかの単核ルテニウム錯体、
６．  前記Ｒ7〜Ｒ12が、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基であるが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している５の単核ルテニウム錯体、
７．  前記Ｌが、前記ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16（式中、Ｒ13〜Ｒ16は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）で表され、前記Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数１〜６のアルキレン基を形成している２〜４のいずれかの単核ルテニウム錯体、
８．  前記Ｒ13〜Ｒ16が、互いに独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表すが、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になって炭素数２または３のアルキレン基を形成している７の単核ルテニウム錯体、
９．  前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか２つがメチル基であり、かつ、前記Ｒ4〜Ｒ6のいずれか２つがメチル基であり、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成し、
前記Ｌが、前記Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか２つがメチル基であり、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか２つがメチル基であり、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成している２の単核ルテニウム錯体、
１０．  前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか２つがメチル基であり、かつ、前記Ｒ4〜Ｒ6のいずれか２つがメチル基であり、前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってｏ−フェニレン基を形成し、
前記Ｌが、前記ＳＲ13Ｒ14およびＳＲ15Ｒ16で表され、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つがメチル基であり、かつ、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つがメチル基であり、Ｒ13およびＲ14のいずれか１つと、Ｒ15およびＲ16のいずれか１つとが一緒になってトリメチレン基を形成している２の単核ルテニウム錯体、
１１．  １〜１０のいずれかの単核ルテニウム錯体からなる、ヒドロシリル化反応、水素化反応およびカルボニル化合物の還元反応の３つの反応に活性を有する触媒、
１２．  １１の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するヒドロシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンとをヒドロシリル化反応させることを特徴とする付加化合物の製造方法、
１３．  １１の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物を水素化させることを特徴とするアルカン化合物の製造方法、
１４．  １１の触媒の存在下、アミド化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアミン化合物の製造方法、
１５．  １１の触媒の存在下、アルデヒド化合物、ケトン化合物またはエステル化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアルコール化合物の製造方法
を提供する。
【国際調査報告】
2014133014.tif 000032
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2014133014.tif 000034
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