(57)【要約】  Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び不可避的不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１〜１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。透明導電膜形成に好適な、低温でも低抵抗な膜を得ることが可能である低酸化錫組成のＩＴＯスパッタリングターゲットであり、ターゲットの粒径が小さく、高密度であり、強度が高く、アーキングやノジュールを低減できるスパッタリングターゲットを提供することができる。
2016072441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１〜１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるＳｎを含有することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
焼結体密度が７．０３ｇ／ｃｍ３以上であり、バルク抵抗率が０．１０〜０．１５ｍΩ・ｃｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
酸化錫リッチ相の最大サイズが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
曲げ強度が１００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％（但し、３．７％を除く）となるように比率を調整して混合し、酸素雰囲気下で、最高焼結温度を１４５０℃以下の温度に保持して焼結することを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるように比率を調整して混合し、焼結することを特徴とする請求項６に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
焼結後の冷却工程において、焼結保持温度から１００℃±２０℃低い温度で保持することを特徴とする請求項６又は７に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる透明導電膜であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、無加熱成膜での膜の抵抗率が３．０ｍΩ・ｃｍ以下であり、波長５５０ｎｍでの透過率が８０％以上の膜特性を有することを特徴とする透明導電膜。
【請求項１０】
原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるＳｎを含有することを特徴とする請求項９に記載の透明導電膜。
【請求項１１】
結晶化温度が１２０℃以下であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の透明導電膜。
【請求項１２】
スパッタリングにより透明導電膜を製造する方法であって、アルゴンと酸素からなり、酸素濃度が４％以下である混合ガス雰囲気中、基板を無加熱又は１５０℃以下に保持し、請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを用いて基板上に成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明は、ＩＴＯ膜形成に好適なＩＴＯスパッタリングターゲットに関する。特にターゲットの粒径が小さく、高密度であり、強度が高く、アーキングやノジュールを低減できるＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにＩＴＯ透明導電膜及びＩＴＯ透明導電膜の製造方法に関する。本発明の主な用途としては、タッチパネル、フラットパネルディスプレイ、有機ＥＬ、太陽電池を挙げることができる。
【背景技術】
【０００２】一般に、ＩＴＯ（インジウム−錫の複合酸化物）膜は、液晶ディスプレーを中心とする表示デバイスにおける透明電極（導電膜）として、広く使用されている。このＩＴＯ膜を形成する方法として、真空蒸着法やスパッタリング法など、一般に物理蒸着法と言われている手段によって行われている。特に操作性や被膜の安定性からマグネトロンスパッタリング法を用いて形成することが多い。【０００３】スパッタリング法による膜の形成は、陰極に設置したターゲットにＡｒイオンなどの陽イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーによってターゲットを構成する材料を放出させて、対面している陽極側の基板にターゲット材料とほぼ同組成の膜を積層することによって行われる。スパッタリング法による被覆法は、処理時間や供給電力等を調整することによって、安定した成膜速度で数ｎｍの薄い膜から数十μｍの厚い膜まで形成することができるという特徴を有している。【０００４】近年、静電容量式、抵抗膜式タッチパネルなどに用いられるＩＴＯ膜の需要があり、従来から広く用いられている１０ｗｔ．％程度の錫（Ｓｎ）を含有するＩＴＯスパッタリングターゲット以外にも、求められる膜抵抗により酸化錫を１．０以上５０．０ｗｔ．％以下の広い範囲で組成を振ったターゲットの開発が行われている。例えば、特許文献１には、２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有する酸化インジウムとの混合粉末をプレス成型し、この成形体を純酸素雰囲気中、温度１５００〜１６５０℃、圧力０．１５〜１ＭＰａで加圧焼結してＩＴＯスパッタリングターゲットを製造することが知られている。【０００５】ＩＴＯスパッタリングターゲットで代表的な特許を挙げると、下記に示す特許文献１がある。この特許は、「酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて製造されたＩＴＯスパッタリングタ−ゲットであって、表面粗さＲａが０．５ μｍ以下で、かつ密度Ｄ(ｇ／ｃｍ３ ）とバルク抵抗値ρ（ｍΩｃｍ）が下記２つの式を同時に満たして成るＩＴＯスパッタリングタ−ゲット。ａ) ６．２０ ≦ Ｄ ≦ ７．２３、 ｂ」 −０．０６７６Ｄ＋０．８８７ ≧ ρ ≧−０．０７６１Ｄ＋０．６６６ 。」というもので、約２０年前の技術である。この特許は、スパッタリング時に異常放電やノジュ−ルを発生することが殆どない上にガスの吸着も極力少なく、そのため良好な成膜作業下で品質の高いＩＴＯ膜を安定して得ることのできるＩＴＯ焼結タ−ゲットを実現することができるという、当時としては画期的な発明と言える。【０００６】また、ＩＴＯターゲット密度を上げる対策として、例えば、下記特許文献２には、粒度分布から求めたメジアン径が０．４０（０．４０を除く）〜１．０μｍの範囲にあり、かつ粒度分布から求めた９０％粒径が３．０μｍ以下の範囲にある酸化錫粉末を用いて形成したＩＴＯターゲットが記載されている。しかし、このような酸化錫粉末を使用して、従来よりも多くの酸化錫を含有するＩＴＯターゲットを製造した場合は、焼結体内部にマクロポア及びマイクロクラックが発生して、焼結体の加工中や加工終了後の保管中に、割れやひびが発生することがあった。そして、それらはターゲットとしての製品の出荷に影響を及ぼすことがあった。【０００７���この他、下記特許文献３には、ＩＴＯに関する技術として、主結晶粒であるＩｎ２Ｏ３母相内にＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２からなる微細粒子が存在するＩＴＯ焼結体であって、前記微粒子が粒子の仮想中心から放射線状に針状突起が形成された立体星状形状を有すことを特徴とし、バルク抵抗の低いＩＴＯスパッタリングターゲットを提供するという技術が開示されている。【０００８】また、下記特許文献４には、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏからなり、焼結密度が７．０８ｇ／ｃｍ３以上、バルク抵抗率が８０μΩｃｍ〜１００μΩｃｍ、Ｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｏ）が１．７５％以下（重量比）、かつＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２相の（２００）面のＸ線回折ピークの積分強度の３０％以下であるＩＴＯ焼結体であり、この焼結体は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏからなる成形体を焼結する際に、焼結温度を１４００℃以上となったとき、焼結雰囲気を酸化性雰囲気から非酸化性雰囲気へと切り替える技術が開示されている。【０００９】一般的に使用されているＩＴＯ（酸化錫：１０ｗｔ．％）で、低抵抗の膜を得るには、１５０℃以上の熱処理を行う必要があるが、１５０℃も熱がかけられない場合もある。例えば、タッチパネル等で使用される透明導電膜は構造上の問題で、成膜中又は成膜後に熱がかけられない場合、低温でも低抵抗な膜を得ることが可能である低酸化錫組成のＩＴＯが使用される。低酸化錫組成のＩＴＯターゲットは焼結温度によって錫リッチ相の存在確率が変わるため、焼結温度を制御しなければ、密度が上がり難く、結晶粒径の制御が困難となる問題が生ずる。またロット間で、密度にばらつきが出ることがある。また、錫リッチ相の分散性が悪くなり、ノジュールやアーキングが発生し易くなる、という問題が起こり易くなる。【００１０】下記特許文献５〜１０には、低酸化錫組成のＩＴＯスパッタリングターゲットの提案がなされている。特許文献５には、酸化錫含有量が質量比で１．５％以上３．５％以下、相対密度が９８％以上、結晶相が単相で、平均結晶粒径が１０μｍ以下、焼結体の曲げ強度が７０ＭＰａ以上であることを特徴としているが、焼結温度が１５００℃と高く、第一造粒粉と第二造粒粉を混合して成型体を作製する一手間をかけており、生産性があまり良くない。【００１１】特許文献６には、酸化インジウムと酸化スズと不可避不純物とからなり、酸化スズの含有量が２．５質量％以上、５．２質量％以下であり、平均密度が７．１ｇ／ｃｍ３以上であり、かつ、平均結晶粒径が３μｍ以上、１０μｍ未満である、ＩＴＯスパッタリングターゲットとしているが、保持温度が１５００〜１６００℃と高く、焼結体の強度については記載されていない。【００１２】特許文献７には、錫含有量が３〜１２重量％であって、Ｉｎ２Ｏ３相中に固溶される錫の固溶量が２重量％以上であり、Ｉｎ２Ｏ３ 相及びＩｎ２Ｏ３相中に錫元素が固溶された相の平均結晶粒径が２〜１０μｍの範囲内にあり、且つ焼結体内部に存在する最大空孔径が３μｍ以下であって、錫原子の最大凝集径が５μｍ以下であることを特徴とする酸化インジウム・酸化錫焼結体としているが、焼結温度は１５００℃以上であり、実施例、比較例における平均粒径は７μｍ以上と大きく、焼結体密度も最大で６．９ｇ／ｃｍ３と低い。また、焼結体強度に��いても触れられていない。【００１３】特許文献８には、インジウム、スズおよび酸素からなる焼結体であり、スズ量を２〜４ｗｔ％となし、相対密度が９０％以上で酸化インジウム相以外の酸化スズ相および中間化合物相が面積率で５％以下の単相構造を有し、比抵抗値が１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするとしているが、焼結温度が１５００〜１７００℃と高く、焼結体の比抵抗も高い。【００１４】特許文献９には、実質的に酸化インジウム及び酸化スズからなり、かつ酸化スズの含有量が３５重量％ 以下である３００ｍｍ×３００ｍｍ以上の大面積、かつ６ｍｍ以上の厚さを有する焼結体であって、７．1３ｇ／ｃｍ３焼結密度が以上で、かつ該焼結体の平面方向における最大密度差が０．０３ｇ／ｃｍ３以下であり、更に厚み方向中央部における２μｍ以下の平均空孔数が５００個／ｍｍ２以下であることを特徴とするＩＴＯ焼結体で、１４５０℃以上の焼結温度に保持し、焼結することを特徴としているが、焼結温度が１４５０℃以上と高く、焼結方法も細かく定められており生産性が良いとは言えない。【００１５】特許文献１０には、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなり、相対密度が９９％以上でかつ１０ｍｍ以上の板厚部を有する焼結体を含み、以下の式（１）を満足することを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。式（１）：焼結体の厚さ方向における中心部の相対密度（％）／焼結体全体の密度（％）≧０．９９５と記載されているが、実施例、比較例の焼結温度は１６００℃と高く、記載れてはいないが結晶粒径は大きいと推測される。また、上記文献はいずれも、低温焼結により、酸化錫リッチ相を変化させることによって、小粒径、高密度化、高強度化するという観点で作製されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特許第２７５０４８３号
【特許文献２】特開２００９−２９７０６号公報
【特許文献３】特開２００９−４０６２１号公報
【特許文献４】特開２０００−２３３９６９号公報
【特許文献５】特許第５２０６９８３号
【特許文献６】特開２０１２−１２６９３７号公報
【特許文献７】特開１９９８−１４７８６２号公報
【特許文献８】特許第３５０３７５９号
【特許文献９】特許第３９８８４１１号
【特許文献１０】特許第４９３４９２６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】本発明は、低温でも低抵抗な膜を得ることが可能である低酸化錫組成のＩＴＯスパッタリングターゲットに関し、ターゲットの粒径が小さく、高密度であり、強度が高く、アーキングやノジュールを低減できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供するものである。これによって、成膜の品質の向上と信頼性を確保することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】  上記の課題を解決するために、本発明は、以下の発明を提供するものである。  １）Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１〜１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲット。【００１９】２）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるＳｎを含有することを特徴とする上記１）に記載のスパッタリングターゲット。３）焼結体密度が７．０３ｇ／ｃｍ３以上であり、バルク抵抗率が０．１０〜０．１５ｍΩ・ｃｍであることを特徴とする上記１）又は２）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。４）酸化錫リッチ相の最大サイズが１μｍ以下であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。５）曲げ強度が１００ＭＰａ以上であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。【００２０】６）Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％（但し、３．７％を除く）となるように比率を調整して混合し、酸素雰囲気下で、最高焼結温度を１４５０℃以下の温度に保持して焼結することを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。７）ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が２．３〜３．２％となるように比率を調整して混合し、焼結することを特徴とする上記６）に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。８）焼結後の冷却工程において、焼結保持温度から１００℃±２０℃低い温度で保持することを特徴とする上記６）又は７）に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。【００２１】９）Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる透明導電膜であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、無加熱成膜での膜の抵抗率が３．０ｍΩ・ｃｍ以下であり、波長５５０ｎｍでの透過率が８０％以上の膜特性を有することを特徴とする透明導電膜。【００２２】１０）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるＳｎを含有することを特徴とする上記８）に記載の透明導電膜。１１）結晶化温度が１２０℃以下であることを特徴とする上記９）又は１０）のいずれか一に記載の透明導電膜。【００２３】１２）スパッタリングにより透明導電膜を製造する方法であって、アルゴンと酸素からなり、酸素濃度が４％以下である混合ガス雰囲気中、基板を無加熱又は１５０℃以下に保持し、上記１）〜５）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲットを用いて基板上に成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【発明の効果】
【００２４】透明導電膜形成に好適な、低温でも低抵抗な膜を得ることが可能である低酸化錫組成のＩＴＯスパッタリングターゲットに関し、ターゲットの粒径が小さく、高密度であり、強度が高く、アーキングやノジュールを低減できるスパッタリングターゲットを提供することができる。これによって、成膜の品質の向上と信頼性を確保することができる。この結果、ターゲットの生産性や信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が３．８％のＳｎを含有したＩＴＯ焼結体のＦＥ−ＥＰＭＡ（日本電子株式会社製、ＪＸＡ−８５００Ｆ型  ＦＥ電子プローブマイクロアナライザ）によるｘ２０００倍のＳｎの面分析結果を示す図である。
【図２】酸化錫リッチ相が粒界三重点に９５％以上存在することを説明する図（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）である。
【図３】３５ｈｒ連続スパッタリング後の、ターゲットの図（写真）であり、ノジュール被覆率を説明する図である。
【図４】焼結体の観察箇所の具体例（丸型の焼結体の場合、角型の焼結体の場合、円筒型の場合）を、示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】本発明において、スパッタリングターゲットは、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる焼結体であり、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１〜１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とする。
【００２７】Ｓｎを原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）で、１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）の下限値である１．８％の数値限定は、１．８％未満では酸化錫リッチ相が存在しないという理由による。また、上限値である３．７％（但し、３．７％を除く）の数値限定は、酸化錫リッチ相の面積率が１％より多くなってしまうという理由による。これは、さらに原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が２．３〜３．２％となるＳｎを含有させることが、より有効である。また、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であることが必要である。平均結晶粒径が１．０μｍ未満であると、結晶粒径が小さすぎるため密度が上がらないという問題が生じ、また５．０μｍを超えると、焼結体曲げ強度が１００ＭＰａより小さくなるという問題を生ずるので好ましくない。
【００２８】焼結体中、長軸径０．１〜１．０μｍの空孔の面積比率を０．５％以下とするのは、空孔の存在は密度の低下につながるだけではなく、空孔の残留ガス等によりアーキング発生の原因となる可能性があるためできるだけ少ない方が良い。焼結体中の長軸径０．１μｍ未満の空孔については、ターゲットの特性に影響を与えないので、無視できる。一方、１．０μｍを超える空孔については、存在しないようにしなければならない。焼結体の組織が酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になる。ＥＰＭＡでの面分析で、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下であることが必要である。平均結晶粒径が小さな焼結体を実現し、本願発明のスパッタリングターゲットの特性を得るために必要な条件である。
【００２９】本願発明は酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを要件とする。（ターゲットには均一に分散されており、その分散状態として酸化錫リッチ相が粒界三重点に存在する）この場合の「粒界三重点」というのは、相互に接触している粒子が３個集合したほぼ中央部分に酸化錫リッチ相が存在することを意味する。後で詳述するが、このような状態（酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在する）にするには、冷却工程において焼結保持温度から１００℃±２０℃の低い温度で保持することが必要である。ＩＴＯスパッタリングターゲットは、さらに焼結体密度を７．０３ｇ／ｃｍ３以上の高密度とし、バルク抵抗率を０．１０〜０．１５ｍΩ・ｃｍとし、導電性を向上させることが可能である。また、前記酸化錫リッチ相の最大サイズは１μｍであることが望ましく、酸化錫リッチ相の粗大化を抑制したターゲットとするのが良い。また、ＩＴＯスパッタリングターゲットの焼結体の曲げ強度を１００ＭＰａ以上とすし、ターゲットの強度を高めることが望ましく、本願発明は、これを実現することができる。
【００３０】本発明の酸化インジウム、酸化錫及び不可避的不純物からなる焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造に際しては、ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）で、１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるように比率を調整して混合し、酸素雰囲気下で、最高焼結温度を１４５０℃以下の温度に保持して焼結する。本発明の酸化インジウム−酸化錫系酸化物（ＩＴＯ）焼結体ターゲットを製造するに際しては、各原料粉の混合、粉砕、成型、焼結のプロセスによって作製することができる。原料粉としては、酸化インジウム粉、および酸化錫粉であって、比表面積が約５ｍ２／ｇ程度のものを使用するのが望ましい。
【００３１】具体的には、酸化インジウム粉は、かさ密度：０．３〜０．８ｇ／ｃｍ３、メジアン径（Ｄ５０）：０．５〜２．５μｍ、比表面積：３．０〜６．０ｍ２／ｇ、酸化錫粉：かさ密度：０．２〜０．６ｇ／ｃｍ３、メジアン径（Ｄ５０）：１．０〜２．５μｍ、比表面積：３．０〜６．０ｍ２／ｇを使用する。
【００３２】各原料粉を所望の組成比となるように秤量後、混合粉砕を行う。粉砕方法には求める粒度、被粉砕物質に応じて様々な方法があるが、ビーズミル等の湿式媒体攪拌ミルが適している。これは、粉体を水に分散させたスラリーを、硬度の高い材料であるジルコニア、アルミナ等の粉砕媒体と共に強制的に攪拌するものであり、高効率で粉砕粉を得ることが出来る。しかし、この際に粉砕媒体も磨耗するために、粉砕粉に粉砕媒体自身が不純物として混入するので、長時間の処理は好ましくない。
【００３３】粉砕量を粉砕前後の比表面積の差で定義すれば、湿式媒体攪拌ミルでは粉砕量は粉体に対する投入エネルギーにほぼ比例する。従って、粉砕を行う際には、湿式媒体攪拌ミルは積算電力を管理することが重要である。粉砕前後の比表面積の差（ΔＢＥＴ）は、０．５〜５．０ｍ２／ｇ、粉砕後のメジアン径（Ｄ５０）は、２．５μｍ以下とする。
【００３４】次に、微粉砕したスラリーの造粒を行う。これは、造粒により粉体の流動性を向上させることで、次工程のプレス成型時に粉体を均一に金型へ充填し、均質な成形体を得るためである。造粒には様々な方式があるが、プレス成型に適した造粒粉を得る方法の一つに、噴霧式乾燥装置（スプレードライヤー）を用いる方法がある。これは粉体をスラリーとして、熱風中に液滴として分散させ、瞬間的に乾燥させる方法であり、１０〜５００μｍの球状の造粒粉が連続的に得ることが出来る。
【００３５】また、スラリー中にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等のバインダーを添加し造粒粉中に含有させることで、成形体強度を向上させることが出来る。ＰＶＡの添加量は、ＰＶＡ４〜１０ｗｔ．％が含有水溶液を原料粉に対して５０〜２５０ｃｃ／ｋｇ添加する。
【００３６】さらに、バインダーに適した可塑剤も添加することで、プレス成型時の造粒粉の圧壊強度を調節することも出来る。また、得られた造粒粉に、少量の水を添加し湿潤させることで成形体強度を向上する方法もある。スプレードライヤーによる乾燥では熱風の入口温度、および出口温度の管理が重要である。
【００３７】入口と出口との温度差が大きければ単位時間当たりの乾燥量が増加し生産性が向上するが、入口温度が高すぎる場合には粉体、および添加したバインダーが熱により変質し、望まれる特性が得られない場合がある。また、出口温度が低すぎる場合は造粒粉が十分に乾燥されない場合がある。
【００３８】次に、プレス成型を行う。造粒粉を金型に充填し、４００〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を、１〜３分間保持して成形する。圧力４００ｋｇｆ／ｃｍ２未満であると、充分な強度と密度の成形体を得ることができず、また圧力１０００ｋｇｆ／ｃｍ２以上では、成形体を金型から取り出す際に、成形体自身が圧力から解放されることによる変形のため破壊する場合があり、生産上好ましくない。
【００３９】電気炉を使用し、酸素雰囲気中で成形体を焼結し、焼結体を得る。焼結温度は１４５０℃以下として焼結する。この場合、焼結温度が１４５０℃を超えると、焼結体の組織が単相となってしまい、結晶粒径も粗大化してしまうため、上限は１４５０℃とすることが望ましい。焼結温度までの昇温途中で、必要に応じて脱バインダー工程等を導入しても良い。
【００４０】焼結温度における保持時間が２時間より短いと、焼結が充分進まず、焼結体の密度が充分高くならなかったり、焼結体が反ってしまったりする。保持時間が１００時間を越えても、不必要なエネルギーと時間を要する無駄が生じて生産上好ましくない。好ましくは、５〜２０時間である。降温時冷却中の雰囲気を大気雰囲気もしくは酸素雰囲気とし、最高保持温度から１００℃±２０℃の低い温度で１時間程度保持することで、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することができる。これは、固溶していたＳｎが冷却中に析出するためであり、１００℃±２０℃の低い温度で保持することにより、酸化錫リッチ相の９５％以上を粒界三重点に存在させることが可能となる。保持時間は１時間以上としてもよいが、大きな変化は見られない。なお、この保持時間は、保持温度等との兼ね合いで適宜調整することができ、所望の組織が得られていれば、特に制限されない。
【００４１】バルク抵抗率の測定方法については、例えばエヌピイエス株式会社製、型式：Σ−５＋を用いて測定することができる。測定に際し、まず試料の表面に金属製の探針を４本一直線上に立て、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し抵抗を求める。求めた抵抗に試料厚さ、補正係数ＲＣＦ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｆａｃｔｏｒ）をかけて、体積抵抗率（バルク抵抗率）を算出することができる。
【００４２】このような条件で焼結された焼結体は、上記の通り、焼結体密度を７．０３ｇ／ｃｍ３以上の高密度とし、バルク抵抗率を０．１０〜０．１５ｍΩ・ｃｍとし、導電性を向上させることが可能である。また、前記酸化錫リッチ相の最大サイズを１μｍとし、酸化錫リッチ相の粗大化を抑制したターゲットとすることができる。また、ＩＴＯスパッタリングターゲットの焼結体の曲げ強度を１００ＭＰａ以上とすし、ターゲットの強度を高めることができる。
【００４３】このようにして得られた焼結体の表面を研削し、さらに側辺をダイヤモンドカッターで１２７ｍｍ×５０８ｍｍサイズに切断する。次に、無酸素銅製のバッキングプレートを２００°Ｃに設定したホットプレート上に設置し、インジウムをロウ材として使用し、その厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布する。このバッキングプレート上に、ＩＴＯ焼結体を接合させ、室温まで放置冷却する。
【００４４】このターゲットをシンクロン製マグネトロンスパッタ装置（ＢＳＣ−７０１１）に取り付け、投入パワーはＤＣ電源で２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）でガス総流量は３００ｓｃｃｍ、酸素濃度は０〜４％として成膜を行う。特に、本発明の透明導電膜の製造に際しては、アルゴンと酸素からなり、酸素濃度が４％以下である混合ガス雰囲気中、基板を無加熱又は１５０℃以下に保持し、前記本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットを用いて基板上に成膜するのが良い。基板はガラス基板だけでなく、ＰＥＴ等のフィルム基板でも良い。
【００４５】このようにして作製した透明導電膜は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる透明導電膜であり、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、無加熱成膜での膜の抵抗率が３．０ｍΩ・ｃｍ以下であり、波長５５０ｎｍでの透過率が８０％以上の膜特性の透明導電膜を得ることができる。また、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が２．３〜３．２％となるＳｎを含有し、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる透明導電膜とすることもできる。このようにして作製した透明導電膜は、結晶化温度が１２０℃以下とすることができる。
【００４６】次に、本願明細書で使用する用語（定義、試験方法等）について説明する。まず、ターゲットの観察箇所は、焼結体を４等分割にし、それら４等分割した焼結体の中心部分を２視野、合計８視野を観察箇所とする。観察箇所の具体例を、図４の●で示す。図４の左上図は、丸型の焼結体の場合、図４の右図は、角型の焼結体の場合、図４の左下図は、円筒型の場合を、それぞれ示す。（焼結体の平均結晶粒径の測定方法）平均結晶粒径の測定法としてコード法を用いた。コード法は、ｘ２，０００倍のＳＥＭ画像上で任意の方向に粒界から粒界まで直線を引き、この線が１つの粒子を横切る長さの平均を平均結晶粒径とするものである。ＳＥＭ画像（写真）上に、任意の直線（粒界から粒界まで）を引き、粒界との交点の数を数え、次の（式１）で計算する。（式１）平均結晶粒径 ＝ 直線の長さ／交点の数具体的には、８視野のＳＥＭ画像に任意の長さの互いに平行な線を１視野につき５本引き、その線の合計長さと粒界との交点の総数の平均から算出し、平均結晶粒径とした。サンプルは鏡面研磨後に、王水でエッチングを行った。ＳＥＭ画像は、ＦＥ−ＥＰＭＡ（日本電子株式会社製、ＪＸＡ−８５００Ｆ型  ＦＥ電子プローブマイクロアナライザ）にて撮影した。
【００４７】（空孔面積比率）空孔は、ｘ２，０００倍のＳＥＭ画像を用いて観察した。空孔は、略円形（真円を含む）、楕円形、歪円形をしており、それぞれ径が最も大きくなる部分、長軸径（直径を含む）を測長した。空孔面積比率は、ｘ２，０００倍の８視野のＳＥＭ画像を用いて、Ａｄｏｂｅ Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ Ｅｌｅｍｅｎｔｓ７．０にて、グレースケール・二値化処理後に、ヒストグラムから空孔の面積比率（８視野の平均面積比率）を算出した。サンプルは鏡面研磨後に、王水でエッチングを行った。ＳＥＭ画像は、ＦＥ−ＥＰＭＡ（日本電子株式会社製、ＪＸＡ−８５００Ｆ型  ＦＥ電子プローブマイクロアナライザ）にて撮影した。
【００４８】（酸化錫リッチ相について）図１は、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．８％となるＳｎを含有したＩＴＯ焼結体のＦＥ−ＥＰＭＡ（日本電子株式会社製、ＪＸＡ−８５００Ｆ型  ＦＥ電子プローブマイクロアナライザ）によるｘ２０００倍のＳｎの面分析結果であるが、酸化錫リッチ相とは、他の相よりもＳｎ強度が強い相（画像では白い部分）を指す。酸化錫リッチ相の面積率は、５０μｍｘ５０μｍのＳｎ面分析画像を８視野撮影し、Ａｄｏｂｅ Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ Ｅｌｅｍｅｎｔｓ７．０にて、グレースケール・二値化処理後に、ヒストグラムから酸化錫リッチ相の面積比率（８視野の平均面積比率）を算出したものである。図１の左側は、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．８％となるＳｎを含有したＩＴＯ焼結体のＳｎ面の分析結果を示す図（画像）であり、右側は、ＳＥＭ像を示す図（画像）である。酸化錫リッチ相の最大サイズは、上記画像８視野中の最大の長軸径の事を指す。
【００４９】（酸化インジウム相について）図１のＳｎ面分析結果の酸化スズリッチ相以外の相を、酸化インジウム相と定義する。
【００５０】（酸化錫リッチ相が粒界三重点に９５％以上存在することに関する説明）粒界三重点：図２のＡは原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）で２．８％含有したＩＴＯ焼結体のＳＥＭ像であるが、この図２のＡの粒界に沿って線を描くと、図２のＢのようになる。粒界三重点とは図２のＢの●部分の様に、３つの粒子の粒界の交点を指す。図２のＢの○部分は粒界三重点ではない部分を指す。図２のＣは、図２のＡと同じ視野のＳｎの面分析結果で、丸点線で囲んでいる部分が酸化錫リッチ相である。図２のＣを図２のＡに重ね合わせて、酸化スズリッチ相が粒界三重点に位置しているかどうかを確認し、酸化スズリッチ相の個数と粒界三重点に位置している酸化スズリッチ相の個数の割合が、８視野全てで９５％以上となっているか確認する。図２のＤは、図２のＡと図２のＣを重ね合わせたＳＥＭ像である。
【００５１】（焼結体曲げ強度試験方法）ファインセラミックスの曲げ強さ（ＪＩＳ  Ｒ  １６０１）の三点曲げ試験に準じて試験を行った。試験片は２０個とし、記載した数値はその平均値である。使用した装置は、今田製作所引張圧縮試験機（ＳＶ−２０１ＮＡ−５０ＳＬ型）である。
【００５２】（アーキング検出感度）ランドマークテクノロジー製マイクロアークモニター（ＭＡＭ  Ｇｅｎｅｓｉｓ）にて、アーキング（マイクロアーク）発生回数（回）を測定した。 アーキングの判定基準は、検出電圧１００Ｖ以上、放出エネルギー（アーク放電が発生している時のスパッタ電圧×スパッタ電流×発生時間）が２０ｍＪ以下のアーキングをカウントした。
【００５３】（ノジュール被覆率）図３は、３５ｈｒ連続スパッタリング後のターゲットの写真で、白点線枠をデジタルカメラで撮影し、Ａｄｏｂｅ Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ Ｅｌｅｍｅｎｔｓ７．０にて、グレースケール・二値化処理後（図３参照）に、ヒストグラムからノジュールの面積比率を算出し、３箇所の平均をノジュール被覆率とした。
【実施例】
【００５４】下記に、実施例及び比較例に基づいて本発明を説明するが、これらの実施例、比較例は、理解を容易にするためのものであり、これらの実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形及び他の実施例は、当然本発明に含まれる。【００５５】（実施例１）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を５時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０７０ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１５ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１０ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．４３μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．４５％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．０８％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２８回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１％と良好であった。この結果を、表１に示す。【００５６】
【表１】
2016072441.tif 000003
【００５７】（実施例２）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３３０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１００ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１６ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．５４μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．３９％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．０７％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２３回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．８％と良好であった。【００５８】この実施例２について、同様のＤＣパワー密度、ガス圧で、スパッタガスにアルゴンと、酸素含有量を０、１、２、４％とし、ガス流量３００ｓｃｃｍでガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ）に無加熱で成膜し、４０ｎｍのＩＴＯ膜を作製した。この膜を、イナートオーブン炉（型番：ＩＮＬ−４５−Ｓ）を用いて、５０〜２００℃まで大気雰囲気で６０分加熱し、加熱前後の膜をＸＲＤ（装置型番：リガク製_全自動水平型多目的Ｘ線回折装置 ＳｍａｒｔＬａｂ）測定にて結晶化の有無を確認した。結晶化温度は、ＸＲＤ測定にてＩｎ２Ｏ３の（２２２）面のピークが認められた温度とした。【００５９】酸素濃度が０％の場合、膜抵抗率は２．７０ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８０．５％、結晶化温度は１００℃であった。酸素濃度が１％の場合、膜抵抗率は１．０１ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８４．０％、結晶化温度は１００℃であった。酸素濃度が２％の場合、膜抵抗率は０．５９ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８８．１％、結晶化温度は１００℃であった。酸素濃度が４％の場合、膜抵抗率は０．８１ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８７．４％、結晶化温度は１００℃であった。この結果を、表２に示す。いずれも、良好な結果が得られた。【００６０】
【表２】
2016072441.tif 000004
【００６１】（実施例３）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１５時間とした。その後、降温冷却時に１３７０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１０５ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２１ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２４ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．６６μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．３５％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．０５％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２０回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．３％と良好であった。【００６２】（実施例４）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４３０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３３０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０８２ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１６ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１８ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．２６μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．６８％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．１０％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２５回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．７％と良好であった。【００６３】（実施例５）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０５８ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１３ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２１ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．２０μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．８３％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．１５％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は３１回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．２％と良好であった。【００６４】（実施例６）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１３５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１２５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０３６ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２９ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．０１μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．９５％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９７％、空孔面積率は０．２３％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は４０回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．５％と良好であった。【００６５】（実施例７）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０７４ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１１ＭＰａ、バルク抵抗率０．１３１ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．９６μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．２１％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．０８％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は３１回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．９％と良好であった。【００６６】この実施例７について、同様のＤＣパワー密度、ガス圧で、スパッタガスにアルゴンと、酸素含有量を０、１、２、４％とし、ガス流量３００ｓｃｃｍでガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ）に無加熱で成膜し、４０ｎｍのＩＴＯ膜を作製した。この膜を、イナートオーブン炉（型番：ＩＮＬ−４５−Ｓ）を用いて、５０〜２００℃まで大気雰囲気で６０分加熱し、加熱前後の膜をＸＲＤ（装置型番：リガク製_全自動水平型多目的Ｘ線回折装置 ＳｍａｒｔＬａｂ）測定にて結晶化の有無を確認した。結晶化温度は、ＸＲＤ測定にてＩｎ２Ｏ３の（２２２）面のピークが認められた温度とした。【００６７】酸素濃度が０％の場合、膜抵抗率は２．９３ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８１．１％、結晶化温度は８０℃であった。酸素濃度が１％の場合、膜抵抗率は１．３３ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８３．２％、結晶化温度は８０℃であった。酸素濃度が２％の場合、膜抵抗率は０．６５ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８８．７％、結晶化温度は８０℃であった。酸素濃度が４％の場合、膜抵抗率は０．９６ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８６．９％、結晶化温度は８０℃であった。この結果を、同様に表２に示す。いずれも、良好な結果が得られた。【００６８】（実施例８）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０４５ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１０７ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２５ｍΩ・ｃ���、平均結晶粒径３．４６μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．２６％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．１１％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は３３回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．２％と良好であった。【００６９】（実施例９）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．１％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０７９ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１３ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２５ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．５５μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．１８％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．１２％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は３０回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．３％と良好であった。【００７０】（実施例１０）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．１％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０５０ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２２ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径２．７５μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．２２％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．１３％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は３１回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．６％と良好であった。【００７１】（実施例１１）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．６％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０８８ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１９ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２３ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径２．９７μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．３３％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．１０％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発��回数は２５回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１％と良好であった。【００７２】（実施例１２）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．６％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０７１ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１５ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１９ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径２．８３μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．３８％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．１０％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２８回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．１％と良好であった。【００７３】（実施例１３）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．０％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として酸素雰囲気中で用いて焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１０３ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２６ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１７ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．６７μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．４１％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．０８％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２１回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．９％と良好であった。【００７４】（実施例１４）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．０％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０９１ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２１ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１５ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．４９μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．４６％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．０９％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２４回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．９％と良好であった。【００７５】（実施例１５）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．２％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で��時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１０９ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２７ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１０ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．８２μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．５５％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．０７％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１８回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．７％と良好であった。【００７６】この実施例１５について、同様のＤＣパワー密度、ガス圧で、スパッタガスにアルゴンと、酸素含有量を０、１、２、４％とし、ガス流量３００ｓｃｃｍでガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ）に無加熱で成膜し、４０ｎｍのＩＴＯ膜を作製した。この膜を、イナートオーブン炉（型番：ＩＮＬ−４５−Ｓ）を用いて、５０〜２００℃まで大気雰囲気で６０分加熱し、加熱前後の膜をＸＲＤ（装置型番：リガク製_全自動水平型多目的Ｘ線回折装置 ＳｍａｒｔＬａｂ）測定にて結晶化の有無を確認した。結晶化温度は、ＸＲＤ測定にてＩｎ２Ｏ３の（２２２）面のピークが認められた温度とした。【００７７】酸素濃度が０％の場合、膜抵抗率は２．６５ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８０．１％、結晶化温度は１１０℃であった。酸素濃度が１％の場合、膜抵抗率は０．９７ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８３．６％、結晶化温度は１１０℃であった。酸素濃度が２％の場合、膜抵抗率は０．６０ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８９．２％、結晶化温度は１１０℃であった。酸素濃度が４％の場合、膜抵抗率は０．８４ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８７．６％、結晶化温度は１１０℃であった。この結果を、同様に表２に示す。いずれも、良好な結果が得られた。【００７８】（実施例１６）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．２％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１００ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２３ＭＰａ、バルク抵抗率０．１０４ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．７７μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．６２％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．０６％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１８回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．６％と良好であった。【００７９】（実施例１７）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．５％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は��焼結体密度７．１１２ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１３０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１１ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径４．０２μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．６２％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９８％、空孔面積率は０．０６％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１５回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．６％と良好であった。【００８０】（実施例１８）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．５％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１０２ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２８ＭＰａ、バルク抵抗率０．１０６ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．８９μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．７０％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９７％、空孔面積率は０．０５％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１４回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は０．５％と良好であった。【００８１】（比較例１）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１５５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１４５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１１２ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２２ＭＰａ、バルク抵抗率０．１３５ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径７．６４μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は０．５２％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１２０回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は２．５％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８２】（比較例２）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１５００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１４００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１０６ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２４ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径５．９８μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．０２％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．６８％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、���パッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１４８回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は３．１％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８３】（比較例３）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度６．９８９ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１０３ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２１ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．２５μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．５８％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９４％、空孔面積率は０．２０％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は３３４回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は４．８％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８４】（比較例４）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１５５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１４５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０９８ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１５ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２５ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径６．２１μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は０．５５％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１００回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は２．６％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８５】（比較例５）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１５００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１４００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０６６ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１１ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２０ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径５．１２μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は０．６３％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１１４回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は２．９％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８６】（比較例���）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．６％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０４８ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１０３ＭＰａ、バルク抵抗率０．１３３ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径４．０５μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は０．６２％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１２８回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は２．９％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８７】（比較例７）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．６％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０２４ｇ／ｃｍ３、曲げ強度９８ＭＰａ、バルク抵抗率０．１３８ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．８３μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．０２％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９９％、空孔面積率は０．６６％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１４５回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は３．３％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８８】（比較例８）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．４％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０３０ｇ／ｃｍ３、曲げ強度９９ＭＰａ、バルク抵抗率０．１３９ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径４．６８μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は０．７８％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１３８回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は３．２％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００８９】この比較例８について、同様のＤＣパワー密度、ガス圧で、スパッタガスにアルゴンと、酸素含有量を０、１、２、４％とし、ガス流量３００ｓｃｃｍでガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ）に無加熱で成膜し、４０ｎｍのＩＴＯ膜を作製した。この膜を、イナートガスオーブン炉（���番：ＩＮＬ−４５−Ｓ）を用いて、５０〜２００℃まで大気雰囲気で６０分加熱し、加熱前後の膜をＸＲＤ（装置型番：リガク製_全自動水平型多目的Ｘ線回折装置ＳｍａｒｔＬａｂ）測定にて結晶化の有無を確認した。結晶化温度は、ＸＲＤ測定にてＩｎ２Ｏ３の（２２２）面のピークが認められた温度とした。【００９０】酸素濃度が０％の場合、膜抵抗率は６．２１ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は７２．９％、結晶化温度は５０℃であった。酸素濃度が１％の場合、膜抵抗率は４．６０ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は７６．３％、結晶化温度は５０℃であった。酸素濃度が２％の場合、膜抵抗率は３．０１ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は７８．７％、結晶化温度は５０℃であった。酸素濃度が４％の場合、膜抵抗率は４．３８ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は７５．４％、結晶化温度は５０℃であった。この結果を、同様に表２に示す。いずれも、本発明の条件を満たしておらす、不良となった。【００９１】（比較例９）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．４％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０１５ｇ／ｃｍ３、曲げ強度９０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１４５ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径４．０７μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は０．８５％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１６２回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は３．５％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００９２】（比較例１０）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．２％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．００９ｇ／ｃｍ３、曲げ強度８８ＭＰａ、バルク抵抗率０．１４８ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径５．０３μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は０．８８％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１７３回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は３．８％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００９３】（比較例１１）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、１．２％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４００℃とし、最高焼結温度での保持時間を��０時間とした。その後、降温冷却時に１３００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度６．９９４ｇ／ｃｍ３、曲げ強度８０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１５６ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径４．５４μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．００％、酸化錫リッチ相三重点存在確率０％、空孔面積率は１．０２％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１９９回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．３％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００９４】（比較例１２）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、３．７％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１３５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１１２ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２０ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径４．３２μｍ、酸化錫リッチ相の面積率２．３％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９２％、空孔面積率は０．２２％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は６０回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は１．３％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００９５】この比較例１２について、同様のＤＣパワー密度、ガス圧で、スパッタガスにアルゴンと、酸素含有量を０、１、２、４％とし、ガス流量３００ｓｃｃｍでガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ）に無加熱で成膜し、４０ｎｍのＩＴＯ膜を作製した。この膜を、イナートガスオーブン炉（型番：ＩＮＬ−４５−Ｓ）を用いて、５０〜２００℃まで大気雰囲気で６０分加熱し、加熱前後の膜をＸＲＤ（装置型番：リガク製＿全自動水平型多目的Ｘ線回折装置ＳｍａｒｔＬａｂ）測定にて結晶化の有無を確認した。結晶化温度は、ＸＲＤ測定にてＩｎ２Ｏ３の（２２２）面のピークが認められた温度とした。【００９６】酸素濃度が０％の場合、膜抵抗率は２．７４ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は７７．１％、結晶化温度は１３０℃であった。酸素濃度が１％の場合、膜抵抗率は０．９９ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８４．６％、結晶化温度は１３０℃であった。酸素濃度が２％の場合、膜抵抗率は０．６１ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８６．８％、結晶化温度は１３０℃であった。酸素濃度が４％の場合、膜抵抗率は０．８７ｍΩ・ｃｍ、５００ｎｍ波長での透過率は８５．１％、結晶化温度は１３０℃であった。この結果を、同様に表２に示す。いずれも、本発明の条件を満たしておらす、不良となった。【００９７】（比較例１３）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼���温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、特定の温度で保持せず降温冷却した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０９３ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１１０ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．５５μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．１０％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９１％、空孔面積率は０．０７％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１５６回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は２．０％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００９８】（比較例１４）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１２５０℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．０９５ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１１５ＭＰａ、バルク抵抗率０．１２３ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．５８μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．０８％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９２％、空孔面積率は０．０６％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は１４０回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は２．２％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【００９９】（比較例１５）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．８％となるように比率を調整したＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を焼結原料として用いて酸素雰囲気中で焼結した。最高焼結温度を１４５０℃とし、最高焼結温度での保持時間を１０時間とした。その後、降温冷却時に１４００℃で１時間保持した。こうして得られた焼結体は、焼結体密度７．１００ｇ／ｃｍ３、曲げ強度１２０ＭＰａ、バルク抵抗率０．１３６ｍΩ・ｃｍ、平均結晶粒径３．６５μｍ、酸化錫リッチ相の面積率０．０５％、酸化錫リッチ相三重点存在確率９０％、空孔面積率は０．０７％であった。この焼結体を用いてターゲットを作製し、ＤＣパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）、ガス流量３００ｓｃｃｍで連続的に３５時間スパッタリングを行ったところ、アーキング発生回数は２３０回／２４ｈｒ、ノジュール被覆率は２．６％と、本願発明の条件を満たしておらず、不良であった。【０１００】上記、実施例、比較例におけるスパッタリングする場合の酸素濃度を変化させた場合の膜抵抗率、５００ｎｍ波長での透過率、結晶化温度については、実施例２、実施例７、実施例１５、比較例８、比較例１２について述べ、他の実施例、比較例については、省略したが、これは、煩雑さを避けるためであり、それぞれ同様の結果が得られていることを付言する。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】本発明は、透明導電膜形成に好適な、低温でも低抵抗な膜を得ることが可能である低酸化錫組成のＩＴＯスパッタリングターゲットに関し、ターゲットの粒径が小さく、高密度であり、強度が高く、アーキングやノジュールを低減できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供することができる。そしてスパッタリングが進行することに伴う膜特性の変化を少なくすると共に、成膜の品質の向上を図ることができる。この結果、ＩＴＯターゲットの生産性や信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、特にＩＴＯ膜形成に有用であり、タッチパネル、フラットパネルディスプレイ、有機ＥＬ、太陽電池等の用途に最適である。
【図１】
2016072441.tif 000005
【図２】
2016072441.tif 000006
【図３】
2016072441.tif 000007
【図４】
2016072441.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月10日(2016.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１〜１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるＳｎを含有することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
焼結体密度が７．０３ｇ／ｃｍ３以上であり、バルク抵抗率が０．１０〜０．１５ｍΩ・ｃｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
酸化錫リッチ相の最大サイズが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
曲げ強度が１００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のＩｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避不純物からなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるように比率を調整して混合し、酸素雰囲気下で、最高焼結温度を１４５０℃以下の温度に保持して焼結することを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるように比率を調整して混合し、焼結することを特徴とする請求項６に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
焼結後の冷却工程において、焼結保持温度から１００℃±２０℃低い温度で保持することを特徴とする請求項６又は７に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
（削除）
【請求項１０】
（削除）
【請求項１１】
（削除）
【請求項１２】
スパッタリングにより透明導電膜を製造する方法であって、アルゴンと酸素からなり、酸素濃度が４％以下である混合ガス雰囲気中、基板を無加熱又は１５０℃以下に保持し、請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを用いて基板上に成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であり、直径０．１〜１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるＳｎを含有することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
焼結体密度が７．０３ｇ／ｃｍ３以上であり、バルク抵抗率が０．１０〜０．１５ｍΩ・ｃｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
酸化錫リッチ相の最大サイズが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
曲げ強度が１００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のＩｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％（但し、３．７％を除く）となるように比率を調整して混合し、酸素雰囲気下で、最高焼結温度を１４５０℃以下の温度に保持して焼結することを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるように比率を調整して混合し、焼結することを特徴とする請求項６に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
焼結後の冷却工程において、焼結保持温度から１００℃±２０℃低い温度で保持することを特徴とする請求項６又は７に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
スパッタリングにより透明導電膜を製造する方法であって、アルゴンと酸素からなり、酸素濃度が４％以下である混合ガス雰囲気中、基板を無加熱又は１５０℃以下に保持し、請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを用いて基板上に成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
特許文献１：特許第２７５０４８３号
特許文献２：特開２００９−２９７０６号公報
特許文献３：特開２００９−４０６２１号公報
特許文献４：特開２０００−２３３９６９号公報
特許文献５：特許第５２０６９８３号
特許文献６：特開２０１２−１２６９３７号公報
特許文献７：特開平１０−１４７８６２号公報
特許文献８：特許第３５０３７５９号
特許文献９：特許第３９８８４１１号
特許文献１０：特許第４９３４９２６号
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
２）原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるＳｎを含有することを特徴とする上記１）に記載のスパッタリングターゲット。
３）焼結体密度が７．０３ｇ／ｃｍ３以上であり、バルク抵抗率が０．１０〜０．１５ｍΩ・ｃｍであることを特徴とする上記１）又は２）に記載のスパッタリングターゲット。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
４）酸化錫リッチ相の最大サイズが１μｍ以下であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
５）曲げ強度が１００ＭＰａ以上であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
６）上記１）〜５）のいずれか一に記載のＩｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％（但し、３．７％を除く）となるように比率を調整して混合し、酸素雰囲気下で、最高焼結温度を１４５０℃以下の温度に保持して焼結することを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
７）ＳｎＯ２粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が、２．３〜３．２％となるように比率を調整して混合し、焼結することを特徴とする上記６）に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
８）焼結後の冷却工程において、焼結保持温度から１００℃±２０℃低い温度で保持することを特徴とする上記６）又は７）に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
９）スパッタリングにより透明導電膜を製造する方法であって、アルゴンと酸素からなり、酸素濃度が４％以下である混合ガス雰囲気中、基板を無加熱又は１５０℃以下に保持し、上記１）〜５）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲットを用いて基板上に成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月19日(2016.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び、不可避的不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０〜５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１〜１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１〜１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【国際調査報告】
2016072441.tif 000009
2016072441.tif 000010
2016072441.tif 000011
2016072441.tif 000012
2016072441.tif 000013
2016072441.tif 000014
2016072441.tif 000015
2016072441.tif 000016
2016072441.tif 000017