(57)【要約】  温度変化のある環境において、熱応力が発生したとしても、弾性表面波装置の内部の気密状態を維持する。弾性表面波装置（１）は、圧電基板（１１）と、誘電体膜（１２）と、ＩＤＴ電極（１３、１４）と、樹脂部材（１５）と、を備えており、圧電基板（１１）と樹脂部材（１５）とが直接接触する樹脂接触領域（ＲＣ）を有している。樹脂接触領域（ＲＣ）は、ＩＤＴ電極（１３、１４）を囲むような形状をしている。圧電基板（１１）に対する樹脂部材（１５）の密着力は大きいので、圧電基板（１１）と樹脂部材（１５）との間の剥離を抑制でき、弾性表面波装置（１）の内部の気密状態を維持できる。
2014192614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の主面に設けられる誘電体膜と、
前記誘電体膜を介して前記圧電基板上に設けられるＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極に対して距離を設けながら、かつ、前記ＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板に設けられる樹脂部材と、
を備える弾性表面波装置であって、
前記圧電基板と前記樹脂部材とが直接接触する樹脂接触領域を有し、
前記樹脂接触領域は、前記ＩＤＴ電極を囲むような形状をしている、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極に対して電気的に接続するように、前記圧電基板の主面に設けられる中継電極と、
前記中継電極に対して電気的に接続するように、少なくとも前記樹脂部材に設けられるビア導体と、
をさらに備え、
前記圧電基板の主面側から弾性表面波装置を投影して見たときに、
前記ビア導体は、前記誘電体膜に重なっておらず、前記中継電極に重なる位置にある、請求項１に記載された弾性表面波装置。
【請求項３】
前記樹脂部材は、
前記ＩＤＴ電極を囲うように設けられる樹脂支持部と、
前記ＩＤＴ電極に対して距離を設けながら、かつ、前記ＩＤＴ電極を覆うように、前記樹脂支持部に設けられる樹脂カバー部と、を備え、
前記圧電基板の主面側から弾性表面波装置を投影して見たときに、
前記樹脂支持部は、前記誘電体膜に重ならない位置にある、請求項１または２に記載された弾性表面波装置。
【請求項４】
前記樹脂接触領域は、閉じた枠状の形状である、請求項１から３のいずれか１項に記載された弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタ、ＳＡＷ共振子などの弾性表面波素子を含み、この弾性表面波素子を取り囲むようなパッケージ構造をした弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１（特開平１１−８８１０１号公報）には、図８に示すような弾性表面波素子１０２が記載されている。弾性表面波素子１０２は、圧電基板１１１と、圧電基板１１１上に設けられた誘電体膜１１２と、誘電体膜１１２上に設けられたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１１３、１１４と、を有している。【０００３】
誘電体膜１１２は、弾性表面波素子１０２の比帯域を調整するための膜である。誘電体膜１１２の材質は金属酸化物であり、たとえばＳｉＯ２などが用いられる。この誘電体膜１１２は、製作上の容易性の観点から、図８に示すように、圧電基板１１１の主面１１１Ｍの全面にスパッタなどにより形成される。なお、弾性表面波素子１０２には、さらに、ＩＤＴ電極１１３、１１４を覆うように特性補償用誘電体部１２１が設けられている。特性補償用誘電体部１２１は、弾性表面波素子１０２の温度が変化しても周波数特性が大きく変化しないように補うものである。【０００４】
図９には、弾性表面波素子１０２を含み、パッケージ構造をした弾性表面波装置１０１が記載されている。弾性表面波装置１０１は、弾性表面波素子１０２の他に、圧電基板１１１上に設けられた樹脂部材１１５を有している。樹脂部材１１５は、枠状の樹脂支持部１１５Ａと、樹脂支持部１１５Ａを介してＩＤＴ電極１１３、１１４を覆うように設けられる樹脂カバー部１１５Ｂと、により構成される。この圧電基板１１１と樹脂部材１１５とにより気密状態となる空間Ｓが形成され、弾性表面波が励振可能となる。なお、弾性表面波装置１０１は、弾性表面波素子１０２に信号を供給するためのビア導体１１８を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−８８１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
圧電基板１１１の材質はニオブ酸リチウムなどの無機圧電材料であり、樹脂部材１１５の材質は樹脂であり、これらは材質が異なるため、線膨張係数が異なる。そのため、弾性表面波装置１０１が温度変化のある環境におかれた場合に、圧電基板１１１および樹脂部材１１５が膨張または収縮することにより、熱応力が発生する。【０００７】
樹脂部材１１５の樹脂支持部１１５Ａおよび樹脂カバー部１１５Ｂはどちらも樹脂材料であり、また、線膨張係数の値が近似しているので、熱応力による影響が小さい。そのため、樹脂支持部１１５Ａと樹脂カバー部１１５Ｂとの間では、剥離が起きにくい。それに対し、圧電基板１１１と、樹脂支持部１１５Ａとは線膨張係数が異なるため、熱応力が発生すると、圧電基板１１１と樹脂支持部１１５Ａの界面に対して平行方向に、せん断力が発生する。【０００８】
ところが、図９に記載された弾性表面波装置１０１では、圧電基板１１１の主面１１１Ｍと樹脂支持部１１５Ａとの間に、誘電体膜１１２が設けられている。圧電基板１１１に対する誘電体膜１１２の密着力は小さいため、前述したせん断力が発生すると、圧電基板１１１と誘電体膜１１２との間で剥離が起きやすくなる。その結果、弾性表面波装置１０１に示されたパッケージ構造では、内部の気密状態を維持しにくいという問題があった。【０００９】
本発明は、温度変化のある環境において、圧電基板と樹脂部材との間に熱応力が発生したとしても、圧電基板と樹脂部材との剥離を抑制でき、内部の気密状態を維持できる弾性表面波装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、圧電基板の主面に設けられる誘電体膜と、誘電体膜を介して圧電基板上に設けられるＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極に対して距離を設けながら、かつ、ＩＤＴ電極を覆うように、圧電基板に設けられる樹脂部材と、を備えるものであって、圧電基板と樹脂部材とが直接接触する樹脂接触領域を有し、樹脂接触領域は、ＩＤＴ電極を囲むような形状をしている。【００１１】
好ましくは、ＩＤＴ電極に対して電気的に接続するように、圧電基板の主面に設けられる中継電極と、中継電極に対して電気的に接続するように、少なくとも樹脂部材に設けられるビア導体と、をさらに備え、圧電基板の主面側から弾性表面波装置を投影して見たときに、ビア導体は、誘電体膜に重なっておらず、中継電極に重なる位置にある。【００１２】
また、樹脂部材は、ＩＤＴ電極を囲うように設けられる樹脂支持部と、ＩＤＴ電極に対して距離を設けながら、かつ、ＩＤＴ電極を覆うように、樹脂支持部に設けられる樹脂カバー部と、を備え、圧電基板の主面側から弾性表面波装置を投影して見たときに、樹脂支持部は、誘電体膜に重ならない位置にあることが好ましい。【００１３】
さらに好ましくは、樹脂接触領域は、閉じた枠状の形状である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と樹脂部材とが直接接触している樹脂接触領域を有し、さらに、樹脂接触領域は、ＩＤＴ電極を囲むような形状をしている。圧電基板に対する密着力は、誘電体膜よりも樹脂部材のほうが大きいので、本発明に係る弾性表面波装置は、背景技術に記載された弾性表面波装置に比べて、圧電基板に対する樹脂部材の密着力が大きくなる。これにより、弾性表面波装置が温度変化のある環境におかれたとしても、圧電基板と樹脂部材との間における剥離を抑制でき、内部の気密状態を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置１の斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、図２（Ｂ）に示した弾性表面波装置１のＺ１−Ｚ１断面図であり、図２（Ｂ）は、図１に示した弾性表面波装置１のＹ１−Ｙ１断面図である。
【図３】弾性表面波装置１を圧電基板１１の主面１１Ｍ側から投影して見たときの図である。実線により囲まれた領域は、圧電基板１１と樹脂部材１５とが接触した樹脂接触領域ＲＣ、ビア導体１８の投影図ＶＰ、誘電体膜１２の投影図ＤＰである。太実線により囲まれた領域は、中継電極１７の投影図ＥＰである。細字破線はＩＤＴ電極１３、１４である。
【図４】弾性表面波装置１の誘電体膜１２およびＩＤＴ電極１３、１４に関する第１変形例を示した図である。
【図５】弾性表面波装置１の中継電極１７およびビア導体１８に関する第２変形例を示した図である。
【図６】弾性表面波装置１のビア導体１８に関する第３変形例を示した図である。
【図７】弾性表面波装置１の樹脂支持部１５Ａに関する第４変形例を示した図である。
【図８】特許文献１に示した弾性表面波素子１０２の斜視図である。
【図９】図８に示した弾性表面波素子１０２を含む弾性表面波装置１０１を正面（Ｙ方向）から見たときの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る弾性表面波装置１は、圧電基板１１と、誘電体膜１２と、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１３、１４と、樹脂部材１５と、を有する。この圧電基板１１、誘電体膜およびＩＤＴ電極１３、１４により弾性表面波素子が構成される。樹脂部材１５は、樹脂支持部１５Ａおよび樹脂カバー部１５Ｂにより構成される。ただし、樹脂部材１５は、樹脂支持部１５Ａおよび樹脂カバー部１５Ｂが同じ材料により一体となって形成されていてもよい。弾性表面波装置１は、さらに、中継電極１７、ビア導体１８を備えていてもよい。
【００１７】
弾性表面波装置１は、圧電基板１１および樹脂部材１５を外郭としたパッケージ構造をしている。このパッケージ構造により、内部の空間Ｓが気密封止されている。前述したとおり、温度変化のある環境においては、弾性表面波装置１には、圧電基板１１と樹脂部材１５との間に熱応力が発生する。本実施形態に係る弾性表面波装置１は、この熱応力が発生しても、圧電基板１１と樹脂部材１５とが剥離しにくい構造をしている。
【００１８】
なお、ここでいう温度変化は、たとえばＪＥＤＥＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）のＪＥＤＪＥＳＤ２２−Ａ１０４Ｃに記載されているヒートサイクル試験における温度変化が挙げられる。
【００１９】
以下、図１、図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照しながら、弾性表面波装置１の構造について説明する。
【００２０】
圧電基板１１は、弾性表面波装置１の基材である。圧電基板１１の材質は無機圧電材料であり、たとえばニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウム、水晶、ランガサイト、酸化亜鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、四ホウ酸リチウムなどが挙げられる。本実施形態では１２７°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３が用いられる。
【００２１】
誘電体膜１２は、圧電基板１１の主面１１Ｍに設けられ、所定パターンを有している。誘電体膜１２は、弾性表面波装置１の比帯域を調整するための膜であり、少なくとも、圧電基板１１の主面１１Ｍと、ＩＤＴ電極１３、１４との間に設けられる（図２（Ｂ）のうちの左半分で示した図を参照）。ただし、誘電体膜１２のパターンは、ＩＤＴ電極１３、１４のパターンと同じ形状である必要は無く、ＩＤＴ電極１３、１４のパターンよりも広い面積で圧電基板１１の主面１１Ｍに設けられていてもよい（図２（Ｂ）のうちの右半分で示した図を参照）。
【００２２】
誘電体膜１２は、たとえばスパッタ法やＣＶＤ法などの一般的な成膜プロセスにより圧電基板１１の主面１１Ｍの全面に形成される。その後、フォトレジストをパターニングし、ドライエッチング法やウェットエッチング法などの適宜のエッチング法により、全面に形成された誘電体膜１２の一部を除去することで所定パターンに形成される。誘電体膜１２を除去する際に、ＩＤＴ電極１３、１４をマスクとして用いれば、ＩＤＴ電極１３、１４のパターンと同じ形状の誘電体膜１２を形成できる。誘電体膜１２の厚みは、たとえば０．０１μｍである。誘電体膜１２の材質は、金属酸化物または金属窒化物であり、たとえばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｅＯ２などが挙げられる。
【００２３】
ＩＤＴ電極１３、１４は、誘電体膜１２を介して圧電基板１１上に設けられる。ＩＤＴ電極１３、１４は、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に沿って配列される複数の電極指１３Ａ、１４Ａと、複数の電極指１３Ａ、１４Ａのそれぞれに接続されるバスバー１３Ｂ、１４Ｂと、バスバー１３Ｂ、１４Ｂのそれぞれに接続される引き出し部１３Ｃ、１４Ｃと、を有する。電極指１３Ａ、１４Ａは、弾性表面波の伝搬方向に対して交互に配列されている。
【００２４】
ＩＤＴ電極１３、１４は、ＮｉＣｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、ＡｌＣｕ層、Ｔｉ層がこの順で積層された積層膜からなる。ＩＤＴ電極１３、１４は、薄膜形成法により得られた積層膜をリフトオフ法でパターニングすることにより形成される。ＩＤＴ電極１３、１４の厚みは、たとえば０．２μｍである。ＩＤＴ電極１３、１４の波長は、たとえば１．９μｍとなるように形成され、メタライゼーションレシオは、たとえば０．５となるように形成される。なお、弾性表面波の伝搬方向の両側に、１対の反射器（図示省略）が形成されていてもよい。
【００２５】
樹脂部材１５のうちの樹脂支持部１５Ａは、圧電基板１１の主面１１Ｍのうちの外周側に設けられる。樹脂支持部１５Ａは、閉じた枠状の形状をしており、ＩＤＴ電極１３、１４を連続的に囲むように形成される。樹脂支持部１５Ａの厚みは、誘電体膜１２の厚みとＩＤＴ電極１３、１４の厚みとの合計値より大きい。樹脂支持部１５Ａの材質としては、たとえばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。
【００２６】
樹脂部材１５のうちの樹脂カバー部１５Ｂは、ＩＤＴ電極１３、１４に対して距離を設けながら、かつ、ＩＤＴ電極１３、１４を覆うように、樹脂支持部１５Ａ上に設けられる。具体的には、樹脂カバー部１５Ｂは、フィルム状の形状をしており、樹脂支持部１５Ａに当接した状態で、圧電基板１１の主面１１Ｍと平行に配置される。これにより、弾性表面波装置１において、圧電基板１１と樹脂部材１５とにより閉じられた空間Ｓが形成され、弾性表面波が励振可能となる。樹脂カバー部１５Ｂの材質としては、たとえばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。
【００２７】
図３は、弾性表面波装置１を圧電基板１１の主面１１Ｍ側から投影して見たときの図である。図２（Ｂ）および図３に示すように、弾性表面波装置１は、圧電基板１１と樹脂部材１５とが直接接触している樹脂接触領域ＲＣを有する。図３において、斜線のハッチングで示された領域が、樹脂接触領域ＲＣである。
【００２８】
本実施形態では、圧電基板１１に対する密着力は、誘電体膜１２に含まれる酸化物材料または窒化物材料よりも、樹脂部材１５に含まれる樹脂材料のほうが大きいという性質を利用している。そのため、樹脂接触領域ＲＣでは、圧電基板１１と樹脂部材１５との間にせん断力がはたらいたとしても、圧電基板１１と樹脂部材１５とが剥離しにくい。また、樹脂接触領域ＲＣは、ＩＤＴ電極１３、１４を囲むように閉じた枠状の形状をしている。そのため、圧電基板１１と樹脂部材１５の間における流体（気体または液体）の出入りが防止され、パッケージ構造における内部の気密状態を維持できる。
【００２９】
なお、樹脂支持部１５Ａおよび樹脂カバー部１５Ｂはどちらも樹脂材料であり、線膨張係数の値が近似しているので、互いの密着力は大きい。そのため、樹脂支持部１５Ａおよび樹脂カバー部１５Ｂの間における剥離は起きにくい。
【００３０】
中継電極１７は、ＩＤＴ電極１３、１４とビア導体１８とを電気的に接続するため、圧電基板１１の主面１１Ｍに設けられる。中継電極１７は、ＡｌＣｕ層やＴｉ層などが積層された積層膜である。中継電極１７も、薄膜形成法により得られた積層膜をリフトオフ法でパターニングすることにより形成される。引きまわし用の配線の電気抵抗は小さいほうがよいので、中継電極１７の厚みはＩＤＴ電極１３、１４の厚みより大きく形成される。具体的には、中継電極１７の厚みは、たとえば２．５μｍである。
【００３１】
ビア導体１８は、樹脂部材１５を厚み方向に貫通するように設けられる。ビア導体１８の一方端は、中継電極１７を介してＩＤＴ電極１３、１４と電気的に接続される。ビア導体１８の他方端は、樹脂カバー部１５Ｂの外側の表面に露出し、外部端子１９に接続される。ビア導体１８の材質としては、たとえば、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｍｎなどの一般的な金属が用いられる。本実施形態では、たとえば電解めっき法によりＮｉとＡｕの積層膜として形成される。なお、ビア導体１８は、ビア穴の全てに導体が充填されたものであってもよいし、ビア穴の一部に空洞を有する中空構造であってもよい。
【００３２】
ここで図２（Ｂ）および図３を参照して、弾性表面波装置１におけるビア導体１８、中継電極１７および誘電体膜１２の位置関係について説明する。図３において、Ｘ方向およびＹ方向のクロスハッチングにて示された領域はビア導体１８の投影図ＶＰであり、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５°の角度をなすクロスハッチングにて示された領域は誘電体膜１２の投影図ＤＰであり、太実線により囲まれた領域は中継電極１７の投影図ＥＰである。図３に示すように、弾性表面波装置１を圧電基板１１の主面１１Ｍ側から投影して見たときのビア導体１８は、誘電体膜１２に重なっておらず、中継電極１７に重なる位置に設けられている。
【００３３】
弾性表面波装置１が温度変化のある環境におかれた場合、金属を含むビア導体１８が軸方向（Ｚ方向）に膨張または収縮し、これによりビア導体１８の軸方向に対して平行に熱応力が発生する。背景技術で示した図９のように、圧電基板１１１と樹脂支持部１１５Ａとの間に誘電体膜１１２があると、圧電基板１１１に対する誘電体膜１１２の密着力が小さく、この軸方向の熱応力により圧電基板１１１と樹脂支持部１１５Ａとが剥離してしまうおそれがある。
【００３４】
それに対し、本実施形態に係る弾性表面波装置１は、図２（Ｂ）および図３に示すように、ビア導体１８の軸方向に誘電体膜１２は存在しておらず、中継電極１７が存在する。そして中継電極１７は、圧電基板１１と直接接触することにより強固に密着している。そのため、ビア導体１８の軸方向に対して平行に熱応力が発生しても、圧電基板１１と中継電極１７とが剥離しにくくなり、圧電基板１１と樹脂支持部１５Ａも剥離しにくくなる。これにより、弾性表面波装置１の内部の気密状態を維持できる。また、ビア導体１８の軸方向における密着力が大きいので、ビア導体１８、中継電極１７およびＩＤＴ電極１３、１４の断線を抑制できる。
【００３５】
なお、弾性表面波装置１には、ＩＤＴ電極１３、１４を覆うように特性補償用誘電体部２１が設けられていてもよい。特性補償用誘電体部２１は、弾性表面波装置１の温度が変化しても周波数特性が大きく変化しないように補うものである。特性補償用誘電体部２１は、たとえばバイアススパッタリング法により形成され、その厚みは、たとえば０．７μｍである。特性補償用誘電体部２１の材質は、誘電体膜１２と同じであることが好ましい。材質が同じであれば、特性補償用誘電体部２１上にレジストを形成し、特性補償用誘電体部２１と誘電体膜１２とを同時にエッチングすることによりパターニングできる。
【００３６】
本実施形態に係る弾性表面波装置１は、圧電基板１１と樹脂部材１５とが直接接触する樹脂接触領域ＲＣを有する。さらに、樹脂接触領域ＲＣは、ＩＤＴ電極１３、１４を囲むように閉じた枠状の形状をしている。圧電基板１１に対する密着力は、誘電体膜１２よりも樹脂部材１５のほうが大きいので、本実施形態に係る弾性表面波装置１は、背景技術に記載された弾性表面波装置１０１に比べて、圧電基板１１に対する樹脂部材１５の密着力が大きくなる。これにより、弾性表面波装置１が温度変化のある環境におかれたとしても、圧電基板１１と樹脂部材１５との間における剥離を抑制できる。
【００３７】
また、弾性表面波装置１は、圧電基板１１の主面１１Ｍ側から投影して見たときに、ビア導体１８は、誘電体膜１２に重なっておらず、中継電極１７に重なる位置にあることが好ましい。すなわち、ビア導体１８の軸方向には、誘電体膜１２ではなく、中継電極１７が存在しているのが好ましい。これにより、ビア導体１８の軸方向に対して平行に熱応力が発生しても、圧電基板１１と中継電極１７とが剥離しにくくなり、圧電基板１１と樹脂部材１５も剥離しにくくなる。
【００３８】
また、弾性表面波装置１は、圧電基板１１の主面１１Ｍ側から投影して見たときに、樹脂支持部１５Ａは、誘電体膜１２に重ならない位置にあることが好ましい。圧電基板１１に対する密着力は、誘電体膜１２よりも樹脂支持部１５Ａのほうが大きいので、圧電基板１１と樹脂支持部１５Ａとが直接接触する面積を大きくしたほうが、全体の密着強度が向上するからである。
【００３９】
本実施形態においては、誘電体膜１２、ＩＤＴ電極１３、１４、中継電極１７、ビア導体１８の位置、形状などを任意に変更することができる。図４（Ａ）および図４（Ｂ）〜図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、代表的な変形例を示した図である。以下、これらの変形例について説明する。なお、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示した弾性表面波装置１と共通する構成については、図中に同じ符号を付し、説明を省略する。
【００４０】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示した弾性表面波装置１Ａは、弾性表面波装置１に関する第１変形例である。第１変形例に係る弾性表面波装置１Ａは、中継電極１７が無く、ＩＤＴ電極３３、３４に対してビア導体３８が接続されている。中継電極１７が無いので、部品点数を少なくできる。
【００４１】
第１変形例に係る弾性表面波装置１Ａも、圧電基板１１と樹脂部材３５とが直接接触する樹脂接触領域ＲＣを有する。そしてさらに、樹脂接触領域ＲＣは、ＩＤＴ電極３３、３４を囲むように閉じた枠状の形状をしている。これにより、弾性表面波装置１Ａが温度変化のある環境におかれたとしても、圧電基板１１と樹脂部材３５との間における剥離を抑制できる。
【００４２】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示した弾性表面波装置１Ｂは、弾性表面波装置１に関する第２変形例である。第２変形例に係る弾性表面波装置１Ｂは、誘電体膜４２およびＩＤＴ電極４３、４４の一部が、圧電基板１１と樹脂支持部４５Ａとの間にもぐり込んで存在している。
【００４３】
第２変形例に係る弾性表面波装置１Ｂも、圧電基板１１と樹脂部材４５とが直接接触する樹脂接触領域ＲＣを有する。そしてさらに、樹脂接触領域ＲＣは、ＩＤＴ電極４３、４４を囲むように閉じた枠状の形状をしている。これにより、弾性表面波装置１Ｂが温度変化のある環境におかれたとしても、圧電基板１１と樹脂部材４５との間における剥離を抑制できる。また、圧電基板１１の主面１１Ｍ側から投影して見たときに、ビア導体４８は、誘電体膜４２に重なっておらず、中継電極４７に重なる位置にある。これにより、ビア導体４８の軸方向に対して平行に熱応力が発生しても、圧電基板１１と中継電極４７とが剥離しにくくなり、圧電基板１１と樹脂部材４５も剥離しにくくなる。
【００４４】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示した弾性表面波装置１Ｃは、弾性表面波装置１に関する第３変形例である。第３変形例に係る弾性表面波装置１Ｃは、ビア導体５８を階段状に形成したものである。具体的には、図６（Ｂ）に示すように中継電極１７にビア導体５８の一方端が接続され、そこから続いて樹脂支持部５５Ａの表面を沿うようにＸ方向に引き延ばされ、そこから続いて樹脂カバー部５５Ｂを貫通するようにビア導体５８が形成される。この構造によれば、設計上の外部端子１９の位置を容易に変更できる。
【００４５】
第３変形例に係る弾性表面波装置１Ｃも、圧電基板１１と樹脂部材５５とが直接接触する樹脂接触領域ＲＣを有する。そしてさらに、樹脂接触領域ＲＣは、ＩＤＴ電極１３、１４を囲むように閉じた枠状の形状をしている。これにより、弾性表面波装置１Ｃが温度変化のある環境におかれたとしても、圧電基板１１と樹脂部材５５との間における剥離を抑制できる。また、圧電基板１１の主面１１Ｍ側から投影して見たときに、ビア導体５８は、誘電体膜１２に重なっておらず、中継電極１７に重なる位置にある。これにより、ビア導体５８のＺ方向に対して平行に熱応力が発生しても、圧電基板１１と中継電極１７とが剥離しにくくなり、圧電基板１１と樹脂部材５５も剥離しにくくなる。
【００４６】
本実施形態では、樹脂支持部がＩＤＴ電極を囲むように閉じた枠状の形状の構成とされているが、当該樹脂支持部は、必ずしも閉じていなくともよい。たとえば、図７に示した第４変形例の弾性表面波装置１Ｄのように、中継電極６７が基板端面まで延伸されており、当該延伸部において、樹脂支持部６５Ａが一部開口していてもよい。この場合でも、気密性は十分に保たれる。
【００４７】
本実施形態は、請求の範囲に記載された発明を限定するものでなく、技術的思想の同一性が認められる範囲で種々の変形が可能である。たとえば、樹脂支持部と樹脂カバー部とが、別々の構成でなく一体となった状態で基板に設けられてもよい。また、弾性表面波装置は、親基板に複数の弾性表面波装置を形成した後、その親基板を個片化することにより作製してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ：弾性表面波装置、１１：圧電基板、１１Ｍ：圧電基板の主面、１２：誘電体膜、１３、１４：ＩＤＴ電極、１３Ａ、１４Ａ：電極指、１３Ｂ、１４Ｂ：バスバー、１３Ｃ、１４Ｃ：引き出し部、１５：樹脂部材、１５Ａ：樹脂支持部、１５Ｂ：樹脂カバー部、１７：中継電極、１８：ビア導体、１９：外部端子、２１：特性補償用誘電体部、ＲＣ：樹脂接触領域、ＥＰ：中継電極の投影図、ＶＰ：ビア導体の投影図、ＤＰ：誘電体膜の投影図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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