(57)【要約】  防汚膜が剥離しにくいカバー部材を提供する。  カバー部材１は、基材１０と、防汚膜２０とを備える。基材１０は、基材本体１１と、酸化ケイ素層１２Ｌ１とを有する。酸化ケイ素層１２Ｌ１は、基材本体１１の上に配されている。酸化ケイ素層１２Ｌ１は、基材１０の最表層を構成している。防汚膜２０は、酸化ケイ素層１２Ｌ１の上に配されている。防汚膜２０は、含フッ素重合体を含む。含フッ素重合体は、主鎖中にケイ素を含む。酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である。
2014199991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材本体と、前記基材本体の上に配されており、最表層を構成している酸化ケイ素層とを有する基材と、
前記酸化ケイ素層の上に配されており、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含む防汚膜と、
を備え、
前記酸化ケイ素層の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下であるカバー部材。
【請求項２】
前記防汚膜の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である、請求項１に記載のカバー部材。
【請求項３】
基材本体と、前記基材本体の上に配されており、最表層を構成している酸化ケイ素層とを有する基材と、
前記酸化ケイ素層の上に配されており、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含む防汚膜と、
を備え、
前記防汚膜の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下であるカバー部材。
【請求項４】
基材本体と、前記基材本体の上に配されており、最表層を構成している酸化ケイ素層とを有する基材を備え、
前記酸化ケイ素層の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下であるカバー部材。
【請求項５】
前記基材は、前記基材本体の上に配されており、前記酸化ケイ素層と、前記酸化ケイ素層よりも高い屈折率を有する高屈折率層とを含む多層膜を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のカバー部材。
【請求項６】
前記多層膜を構成している各層の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である、請求項５に記載のカバー部材。
【請求項７】
前記多層膜は、
前記酸化ケイ素層を含む、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層と、
前記高屈折率層と、
前記高屈折率層と前記低屈折率層との間に配されており、前記高屈折率層の屈折率と前記低屈折率層の屈折率との間に位置する屈折率を有する中屈折率層と、
を含む、請求項６に記載のカバー部材。
【請求項８】
前記中屈折率層は、当該中屈折率層に隣接する前記低屈折率層に含まれるカチオンと、当該中屈折率層に隣接する前記高屈折率層に含まれるカチオンとの両方を含む、請求項７に記載のカバー部材。
【請求項９】
前記基材本体の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のカバー部材。
【請求項１０】
前記基材本体の表面が未研磨面である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のカバー部材。
【請求項１１】
前記基材本体がガラスにより構成されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のカバー部材。
【請求項１２】
前記基材本体が強化ガラスにより構成されている、請求項１１に記載のカバー部材。
【請求項１３】
前記基材本体が、オーバーフローダウンドロー法により成形されたガラス板により構成されている、請求項１１または１２に記載のカバー部材。
【請求項１４】
前記酸化ケイ素層に含まれるカチオンにおけるケイ素のモル比（（ケイ素）／（カチオン））が０．９以上である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のカバー部材。
【請求項１５】
前記酸化ケイ素層がアルミニウムを含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のカバー部材。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のカバー部材と、
前記カバー部材により覆われた表示面を有する表示装置本体と、
を備える表示装置。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のカバー部材の製造方法であって、
前記酸化ケイ素層を、圧力が０．１５Ｐａ以下であるチャンバ中において、スパッタリング法により形成する、カバー部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カバー部材、それを備える表示装置及びカバー部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置には、表示面を保護するカバー部材が設けられている。カバー部材には、機械的強度が高いことに加えて、汚れにくいことが求められている。このため、例えば特許文献１などにおいて、カバー部材の最表面に防汚膜を設けることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０６６４９６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
防汚膜が指や他の部材と接触することにより防汚膜が剥離すると、防汚特性が低下する。このため、防汚膜の剥離を抑制したいという要望がある。【０００５】
本発明の主な目的は、防汚膜が剥離しにくいカバー部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る第１のカバー部材は、基材と、防汚膜とを備える。基材は、基材本体と、酸化ケイ素層とを有する。酸化ケイ素層は、基材本体の上に配されている。酸化ケイ素層は、基材の最表層を構成している。防汚膜は、酸化ケイ素層の上に配されている。防汚膜は、含フッ素重合体を含む。含フッ素重合体は、主鎖中にケイ素を含む。酸化ケイ素層の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である。【０００７】
本発明に係る第１のカバー部材では、防汚膜の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下であることが好ましい。【０００８】
本発明に係る第２のカバー部材は、基材と、防汚膜とを備える。基材は、基材本体と、酸化ケイ素層とを有する。酸化ケイ素層は、基材本体の上に配されている。酸化ケイ素層は、基材の最表層を構成している。防汚膜は、酸化ケイ素層の上に配されている。防汚膜は、含フッ素重合体を含む。含フッ素重合体は、主鎖中にケイ素を含む。防汚膜の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である。【０００９】
本発明に係る第３のカバー部材は、基材を備える。基材は、基材本体と、酸化ケイ素層とを有する。酸化ケイ素層は、基材本体の上に配されている。酸化ケイ素層は、基材の最表層を構成している。酸化ケイ素層の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である。【００１０】
本発明に係る第１、第２または第３のカバー部材では、基材が、基材本体の上に配されており、酸化ケイ素層と、酸化ケイ素層よりも高い屈折率を有する高屈折率層とを含む多層膜を有していてもよい。その場合、多層膜を構成している各層の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下であることが好ましい。【００１１】
多層膜は、酸化ケイ素層を含む、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層と、高屈折率層と、高屈折率層と低屈折率層との間に配されており、高屈折率層の屈折率と低屈折率層の屈折率との間に位置する屈折率を有する中屈折率層とを含んでいることが好ましい。【００１２】
中屈折率層は、当該中屈折率層に隣接する低屈折率層に含まれるカチオンと、当該中屈折率層に隣接する高屈折率層に含まれるカチオンとの両方を含むことが好ましい。【００１３】
基材本体の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下であることが好ましい。【００１４】
基材本体の表面が未研磨面であることが好ましい。【００１５】
基材本体はガラスにより構成されていてもよい。基材本体は強化ガラスにより構成されていてもよい。【００１６】
基材本体が、オーバーフローダウンドロー法により成形されたガラス板により構成されていることが好ましい。【００１７】
酸化ケイ素層に含まれるカチオンにおけるケイ素のモル比（（ケイ素）／（カチオン））が０．９以上であることが好ましい。【００１８】
酸化ケイ素層がアルミニウムを含んでいてもよい。【００１９】
本発明に係る表示装置は、本発明に係る第１，第２または第３のカバー部材と、表示装置本体とを備える。表示装置本体は、表示面を有する。表示面は、カバー部材により覆われている。【００２０】
本発明に係るカバー部材の製造方法は、本発明に係る第１，第２または第３のカバー部材を製造する方法に関する。本発明に係るカバー部材の製造方法では、酸化ケイ素層を、圧力が０．１５Ｐａ以下であるチャンバ中において、スパッタリング法により形成する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、防汚膜が剥離しにくいカバー部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施形態に係るカバー部材の略図的断面図である。
【図２】第１の実施形態における多層膜の略図的断面図である。
【図３】第１の実施形態における基材の略図的断面図である。
【図４】第２の実施形態における多層膜の略図的断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る表示装置の略図的分解斜視図である。
【図６】実施例１，２において行った第１の密着強度評価を説明するための模式的側面図である。
【図７】実施例１，２及び比較例１，２における往復回数と水の接触角との関係を表すグラフである（第１の密着強度評価）。
【図８】実施例１，２及び比較例１，２における往復回数と水の接触角との関係を表すグラフである（第２の密着強度評価）。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００２４】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００２５】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るカバー部材の略図的断面図である。図１に示されるカバー部材１は、例えば、表示装置などの各種装置、表示物、建物などの表面を保護するために用いられる。
【００２６】
カバー部材１は、基材１０と、防汚膜２０とを有する。
【００２７】
基材１０は、基材本体１１と、多層膜１２とを有する。基材本体１１は、多層膜１２と防汚膜２０とを支持できるものであれば特に限定されない。基材本体１１は、板であってもよい。その場合、基材本体１１の厚みは、０．１ｍｍ〜０．７ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２８】
カバー部材１に透光性が要求される場合は、基材本体１１は、透光性を有することが好ましい。もっとも、カバー部材１に透光性が要求されない場合は、基材本体１１が透光性を有する必要は必ずしもない。
【００２９】
基材本体１１は、例えば、ガラス、単結晶、樹脂等により構成することができる。高い機械的強度、高い光透過率を有し、コストが低い基材本体１１を実現する観点からは、基材本体１１は、強化ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラスなどのガラスにより構成されていることが好ましい。なかでも、基材本体１１は、強化ガラスにより構成されていることが好ましい。基材本体１１に好ましく用いられる強化ガラスの具体例としては、例えば、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３  ５〜２５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜１５％、Ｎａ２Ｏ  １〜２０％、Ｋ２Ｏ  ０〜１０％を含有し、表面にイオン交換による圧縮応力層を有する強化ガラスが挙げられる。
【００３０】
図２は、第１の実施形態における多層膜の略図的断面図である。
【００３１】
多層膜１２は、基材本体１１の上に配されている。多層膜１２は、高屈折率層１２Ｈと、低屈折率層１２Ｌとを有する。高屈折率層１２Ｈは、相対的に高い屈折率を有しており、低屈折率層１２Ｌは、相対的に低い屈折率を有する。多層膜１２においては、高屈折率層１２Ｈと低屈折率層１２Ｌとが交互に配されている。このため、多層膜１２は、表面反射を抑制する機能を有する。よって、多層膜１２は、反射抑制膜（ＡＲ（Ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜）を構成している。
【００３２】
高屈折率層１２Ｈは、例えば、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化タンタル、酸化タングステン、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ニオブ、窒化チタン、窒化ランタン、窒化イットリウム、窒化タンタル、窒化タングステンなどにより構成することができる。低屈折率層１２Ｌは、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等により構成することができる。
【００３３】
多層膜１２を構成している高屈折率層１２Ｈと低屈折率層１２Ｌとの層数や各層の厚みは、例えば、反射を抑制しようとする波長域や、要求される反射率等に応じて適宜設定することができる。多層膜１２を構成している高屈折率層１２Ｈと低屈折率層１２Ｌとの層数は、例えば、２〜１８程度であることが好ましく、４〜１０程度であることがより好ましい。多層膜１２を構成している各層の厚みは、例えば、５ｎｍ〜２００ｎｍ程度とすることができる。多層膜１２全体の厚みは、例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍ程度とすることができる。
【００３４】
多層膜１２の最表面は、低屈折率層１２Ｌにより構成されている。多層膜１２の最表面を構成している低屈折率層１２Ｌは、酸化ケイ素層１２Ｌ１により構成されている。なお、酸化ケイ素層１２Ｌ１は、酸化ケイ素を含んでいればよい。酸化ケイ素層１２Ｌ１は、酸化ケイ素に加え、アルミニウム等の他の原子を含んでいてもよい。酸化ケイ素層１２Ｌ１は、アルミニウムなどのケイ素以外の原子がドープされた酸化ケイ素により構成されていてもよい。すなわち、酸化ケイ素層１２Ｌ１が酸化ケイ素のみからなる必要は必ずしもない。酸化ケイ素層１２Ｌ１がケイ素以外のカチオンを含む場合、酸化ケイ素層１２Ｌ１に含まれるカチオンにおけるケイ素のモル比（（ケイ素）／（カチオン））は、０．９以上であることが好ましい。
【００３５】
酸化ケイ素層１２Ｌ１の上には、防汚膜２０が設けられている。防汚膜２０は、カバー部材１の表面が汚染されることを抑制するための膜である。防汚膜２０は、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含んでいる。このため、防汚膜２０は、撥水性を有する。防汚膜２０は、撥水性を有すると共に、撥油性を有していることが好ましい。防汚膜２０に含まれる含フッ素重合体は、例えば、主鎖中に、シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）を有し、かつ、フッ素を含む撥水性の官能基を側鎖に有する重合体であってもよい。含フッ素重合体は、例えばシラノールを脱水縮合することにより合成することができる。
【００３６】
防汚膜２０の厚みは、例えば、１ｎｍ〜３０ｎｍ程度であることが好ましく、４ｎｍ〜２０ｎｍであることがより好ましい。
【００３７】
次に、カバー部材１の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示されるように、基材本体１１の上に、多層膜１２を形成する。多層膜１２は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等により形成することができる。
【００３８】
次に図２に示すように、多層膜１２の最表層を構成している酸化ケイ素層１２Ｌ１の上に、防汚膜２０を形成する。防汚膜２０は、例えば、シラノールや、ヒドロキシル基がアルコキシル基に置換されたシラノールを含む液を酸化ケイ素層１２Ｌ１の上に塗布し、脱水縮合させることにより形成することができる。
【００３９】
なお、基材本体１１を構成するためのガラス板は、例えば、オーバーフローダウンドロー法を用いて製造することができる。製造されたガラス板の表面を研磨せず、未研磨面としておくことが、基材本体の表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下にできるため、好ましい。また、製造されたガラス板をイオン交換することにより強化処理して強化ガラス板としてもよい。
【００４０】
オーバーフローダウンドロー法によりガラス板を成形することにより、未研磨で表面品位が良好な平板形状のガラスを製造することができる。その理由は、オーバーフローダウンドロー法の場合、ガラス板の表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形されるからである。ここで、オーバーフローダウンドロー法は、溶融ガラスを耐熱性の樋状構造物の両側から溢れさせて、溢れた溶融ガラスを樋状構造物の下端で合流させながら、下方に延伸成形して平板形状のガラスを製造する方法である。樋状構造物の構造や材質は、ガラスの寸法や表面精度を所望の状態とし、所望の品位を実現できるものであれば、特に限定されない。また、下方への延伸成形を行うためにガラスに対してどのような方法で力を印加するものであってもよい。例えば、充分に大きい幅を有する耐熱性ロールをガラスに接触させた状態で回転させて延伸する方法を採用してもよいし、複数の対になった耐熱性ロールをガラスの端面近傍のみに接触させて延伸する方法を採用してもよい。
【００４１】
また、基材本体１１を構成するためのガラス板は、例えば、オーバーフローダウンドロー法以外の方法によって製造することもできる。基材本体１１を構成するためのガラス板は、例えば、スロットダウン法、リドロー法等のダウンドロー法により製造することができる。
【００４２】
ところで、カバー部材においては、基材と防汚膜との密着強度が高いことが求められる。一般的には、基材の表面、すなわち、酸化ケイ素層の表面の表面粗さ（Ｒａ）が大きいほど基材と防汚膜との密着強度が高くなると考えられる。基材と防汚膜との間の界面の表面積が大きくなり、かつ、作用するアンカー効果が強くなるためである。
【００４３】
しかしながら、本発明者らが鋭意研究した結果、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さ（Ｒａ）を小さくした方が基材１０と防汚膜２０との密着強度が向上することが見出された。そこで、本実施形態では、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下とされている。このため、酸化ケイ素層１２Ｌ１と防汚膜２０との密着強度が高い。よって、防汚膜２０が剥離しにくい。その結果、カバー部材１の防汚特性が低下しにくい。防汚膜２０の剥離をより効果的に抑制する観点からは、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４４】
通常は、防汚膜２０が薄いため、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さと、防汚膜２０の表面の表面粗さとは相関する。このため、防汚膜２０の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である場合は、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さも、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下となると考えられる。従って、防汚膜２０の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下である場合は、防汚膜２０の剥離が抑制される。防汚膜２０の剥離をより効果的に抑制する観点からは、防汚膜２０の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４５】
なお、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さ（Ｒａ）を小さくした方が基材１０と防汚膜２０との密着強度が向上する理由としては、定かではないが、以下の理由が考えられる。
【００４６】
上述のように、防汚膜２０が形成される際に、脱水縮合反応が生じる。酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面にもケイ素に結合したヒドロキシル基が存在しているため、脱水縮合反応は、シラノール間において生じるのみならず、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面に存在しているヒドロキシル基と、シラノール若しくはシラノールの重合体のヒドロキシル基との間においても脱水縮合反応が生じる。従って、酸化ケイ素層１２Ｌ１と防汚膜２０との密着強度は、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面に存在しているヒドロキシル基と、シラノール若しくはシラノールの重合体のヒドロキシル基との間において生じた脱水縮合反応により形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の単位面積あたりの数量に依存するものと考えられる。ここで、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下と非常に小さい場合は、シラノール若しくはシラノールの重合体のヒドロキシル基と反応可能な、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面におけるヒドロキシル基の単位面積あたりの数量が多い。従って、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５ｎｍ以下と非常に小さくした場合に、酸化ケイ素層１２Ｌ１と防汚膜２０との密着強度が向上するものと考えられる。
【００４７】
酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さは、基材本体１１の表面の表面粗さ、多層膜１２を構成している各層の表面の表面粗さと相関する。このため、基材本体１１の表面の表面粗さと、多層膜１２を構成している各層の表面の表面粗さとは、それぞれ、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１で規定される算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．５ｎｍ以下であることが好ましく、０．３ｎｍ以下であることがより好ましい。基材本体１１の表面の表面粗さを小さくする観点からは、基材本体１１の表面が未研磨面であることが好ましく、基材本体１１がオーバーフローダウンドロー法により成形されたガラス板により構成されていることが好ましい。
【００４８】
上述のように、多層膜１２における隣接する層間の密着強度を高める観点からは、多層膜１２を構成している各層の表面の表面粗さが大きくなるように各層を形成するのが一般的である。例えばスパッタリング法により成膜する場合は、チャンバの圧力を高くした方が層の表面粗さが大きくなる。よって、スパッタリング法により成膜する場合は、チャンバの圧力は、通常、０．３Ｐａ〜０．６Ｐａ程度と高く設定される。
【００４９】
一方、本実施形態では、酸化ケイ素層１２Ｌ１の表面の表面粗さを小さくしたいため、圧力が０．１５Ｐａ以下、より好ましくは、０．１Ｐａ以下であるチャンバ中において、スパッタリング法により多層膜１２を構成している各層を形成する。チャンバの圧力が低すぎると層を安定的に形成することが困難となるため、通常は、スパッタリングの際のチャンバの圧力を０．０３Ｐａ以下にまで低くすることはない。多層膜１２を構成している各層をスパッタリングにより形成する際のチャンバの圧力は、０．０５Ｐａ以上であることが好ましい。
【００５０】
酸化ケイ素層１２Ｌ１は、化学的耐久性を向上させるために、アルミニウムを含むことが好ましい。酸化ケイ素層１２Ｌ１に含まれるカチオンにおけるアルミニウムのモル比（（アルミニウム）／（カチオン））は、０．０２〜０．１程度であることが好ましく、０．０４〜０．０６程度であることがより好ましい。
【００５１】
なお、本実施形態では、カバー部材１に反射抑制機能を付与するため、基材本体１１の上に多層膜１２を設ける例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、基材本体１１の上に、酸化ケイ素層のみが形成されていてもよい。
【００５２】
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５３】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態における多層膜の略図的断面図である。
【００５４】
本実施形態に係るカバー部材は、多層膜１２が、中屈折率層１２Ｍを有する点において、第１の実施形態に係るカバー部材１と異なる。
【００５５】
本実施形態では、多層膜１２において、高屈折率層１２Ｈと低屈折率層１２Ｌとの間に中屈折率層１２Ｍが設けられている。中屈折率層１２Ｍの屈折率は、その中屈折率層１２Ｍと隣接する高屈折率層１２Ｈの屈折率よりも低く、その中屈折率層１２Ｍと隣接する低屈折率層１２Ｌの屈折率よりも高い。中屈折率層１２Ｍは、その中屈折率層１２Ｍと隣接する高屈折率層１２Ｈに含まれるカチオンと、その中屈折率層１２Ｍと隣接する低屈折率層１２Ｌに含まれるカチオンとの両方を含む。このような中屈折率層１２Ｍを設けることにより、高屈折率層１２Ｈと低屈折率層１２Ｌとの密着強度を向上することができる。
【００５６】
具体的には、例えば、低屈折率層１２Ｌが酸化ケイ素により、高屈折率層１２Ｈが酸化ニオブにより構成されている場合は、ケイ素とニオブの複合酸化物からなる中屈折率層１２Ｍを設けることが好ましい。
【００５７】
（第３の実施形態）
図５は、第３の実施形態に係る表示装置の略図的分解斜視図である。図５に示されるように、表示装置２は、装置本体３０と、カバー部材１とを有する。装置本体３０は、一主面に表示面３１を有する。装置本体３０の表示面３１が設けられた一主面の上には、カバー部材１が配されている。このカバー部材１により表示面３１が覆われている。
【００５８】
上述のように、カバー部材１では、防汚膜２０がはがれにくい。このため、カバー部材１の防汚特性は低下しにくい。従って、表示装置２の視認性が低下しにくい。
【００５９】
なお、表示装置２は、例えば、携帯電話、スマートフォン、タブレット型パーソナルコンピューターなどの携帯端末であってもよいし、固定して使用される表示装置であってもよい。
【００６０】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００６１】
（実施例）
オーバーフロー法により製造されたアルカリアルミノケイ酸塩ガラスをイオン交換することにより作製した強化ガラス板（日本電気硝子社製Ｔ２Ｘ−１）の未研磨面からなる表面上に、表１に示す層構成の多層膜を、チャンバ内の圧力を０．０５６Ｐａとして、スパッタリング法により形成した。
【００６２】
【表１】
2014199991.tif 000003
【００６３】
次に、多層膜の上に、フッ素系コーティング剤（ダイキン社製オプツール（登録商標））を塗布し、乾燥させることにより主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含む防汚膜を形成し、カバー部材のサンプルを作製した。多層膜の表面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２ｎｍであった。強化ガラス板の表面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２ｎｍであった。
【００６４】
（実施例２）
オーバーフロー法により製造された無アルカリガラス板（日本電気硝子社製ＯＡ−１０Ｇ）の未研磨面からなる表面上に、表２に示す層構成の多層膜を、チャンバ内の圧力を０．０５６Ｐａとして、スパッタリング法により形成した。
【００６５】
【表２】
2014199991.tif 000004
【００６６】
次に、多層膜の上に、フッ素系コーティング剤（ダイキン社製オプツール（登録商標））を塗布し、乾燥させることにより主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含む防汚膜を形成し、カバー部材のサンプルを作製した。多層膜の表面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２２ｎｍであった。無アルカリガラス板の表面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２ｎｍであった。
【００６７】
（比較例１）
多層膜を形成する際のチャンバ内の圧力を０．３Ｐａとしたこと以外は、実施例１と同様にしてカバー部材のサンプルを作製した。多層膜の表面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．８ｎｍであった。
【００６８】
（比較例２）
多層膜を形成せず、強化ガラス板の上に防汚膜を直接形成したこと以外は、実施例１と同様にしてカバー部材のサンプルを作製した。
【００６９】
（第１の密着強度評価）
図６に示されるように、実施例及び比較例１，２のそれぞれにおいて作製したサンプル１０１の防汚膜の上に、消しゴム（Ｍｉｎｏａｎ社製ＲｕｂｂｅｒＥｒａｓｅｒ）１０２を配置した。なお、消しゴム１０２は、直径が６ｍｍで高さが６ｍｍである円柱状であった。消しゴム１０２の上に、１０００ｇの錘１０３を配置した状態で、消しゴム１０２を、４０ｍｍのストロークで、４０往復／分の速度で前後方向に移動させた。
【００７０】
消しゴム１０２を５００往復させる毎に、各サンプル１０１の防汚膜の上に、０．１ｍｌの水滴をスポイトから滴下し、防汚膜と水滴との接触角を測定した。なお、接触角は、ｙｏｕｎｇ公式に基づくＡＴＡＮ１／２θ法に基づいて測定した。結果を図７に示す。図７において、実施例１の結果を丸で示す。実施例２の結果を三角で示す。比較例１の結果を菱形で示す。比較例２の結果を四角で示す。
【００７１】
図７に示される結果から、多層膜の最表面を構成している酸化ケイ素膜の表面の表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることにより、防汚膜の撥水能が低下しにくくなることが分かる。この結果から、多層膜の最表面を構成している酸化ケイ素膜の表面の表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることにより、防汚層の密着強度を向上できることが分かる。
【００７２】
（第２の密着強度評価）
実施例１，２及び比較例１，２のそれぞれにおいて作製したサンプルの防汚膜の上に、１０ｍｍ□のボンスター  スチールウール（＃００００）を配置した。スチールウール（＃００００）の上に、１０００ｇの錘を配置した状態で、スチールウール（＃００００）を、４０ｍｍのストロークで、６０往復／分の速度で前後方向に移動させた。
【００７３】
スチールウール（＃００００）を５００往復させる毎に、各サンプルの防汚膜の上に、０．３μｌの水滴をスポイトから滴下し、防汚膜と水滴との接触角を測定した。なお、接触角は、ｙｏｕｎｇ公式に基づくＡＴＡＮ１／２θ法に基づいて測定した。結果を図８に示す。図８において、実施例１の結果を丸で示す。実施例２の結果を三角で示す。比較例１の結果を菱形で示す。比較例２の結果を四角で示す。
【００７４】
図８に示される結果から、多層膜の最表面を構成している酸化ケイ素膜の表面の表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることにより、防汚膜の撥水能が低下しにくくなることが分かる。この結果から、多層膜の最表面を構成している酸化ケイ素膜の表面の表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることにより、防汚層の密着強度を向上できることが分かる。
【符号の説明】
【００７５】
１…カバー部材
２…表示装置
１０…基材
１１…基材本体
１２…多層膜
１２Ｈ…高屈折率層
１２Ｍ…中屈折率層
１２Ｌ…低屈折率層
１２Ｌ１…酸化ケイ素層
２０…防汚膜
３０…装置本体
３１…表示面
【図１】
2014199991.tif 000005
【図２】
2014199991.tif 000006
【図３】
2014199991.tif 000007
【図４】
2014199991.tif 000008
【図５】
2014199991.tif 000009
【図６】
2014199991.tif 000010
【図７】
2014199991.tif 000011
【図８】
2014199991.tif 000012
【国際調査報告】
2014199991.tif 000013
2014199991.tif 000014
2014199991.tif 000015
2014199991.tif 000016
2014199991.tif 000017
2014199991.tif 000018
2014199991.tif 000019