(57)【要約】このレーザ照射装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を複数の光路に振り分けるビームスキャン光学系と、複数の光路にそれぞれ配置され、複数の光路に振り分けられたパルスレーザ光の光強度分布をそれぞれ均一化する複数のビームホモジナイザと、レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を、パルス毎に、複数の光路に振り分けるようにビームスキャン光学系を制御する制御部と、を備えてもよい。
2016098174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を複数の光路に振り分けるビームスキャン光学系と、
前記複数の光路にそれぞれ配置され、前記複数の光路に振り分けられた前記パルスレーザ光の光強度分布をそれぞれ均一化する複数のビームホモジナイザと、
前記レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を、パルス毎に、前記複数の光路に振り分けるように前記ビームスキャン光学系を制御する制御部と、
を備える、レーザ照射装置。
【請求項２】
前記複数のビームホモジナイザによってそれぞれ均一化されたパルスレーザ光の複数の光路にそれぞれ位置する複数の開口が形成されたマスクをさらに備える、請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項３】
前記複数の開口の像をそれぞれ所定の位置に転写するように配置された転写光学系をさらに備える、請求項２記載のレーザ照射装置。
【請求項４】
前記複数のビームホモジナイザによってそれぞれ均一化されたパルスレーザ光が照射される被加工物の照射面に沿った第１の方向に前記被加工物を移動させるステージをさらに備え、
前記ビームスキャン光学系は、前記パルスレーザ光の前記照射面における照射位置が、前記第１の方向と交差し且つ前記照射面に沿った第２の方向に変化するようにパルスレーザ光を振り分ける、
請求項２記載のレーザ照射装置。
【請求項５】
前記複数のビームホモジナイザによってそれぞれ均一化されたパルスレーザ光の光路軸に垂直な断面が、前記第２の方向よりも前記第１の方向に長い形状を有する、請求項４記載のレーザ照射装置。
【請求項６】
前記複数のビームホモジナイザによってそれぞれ均一化されたパルスレーザ光の複数の光路にそれぞれ位置する複数の開口部が形成されたマスクをさらに備え、
前記複数の開口部は、前記第１の方向と前記第２の方向との両方にそれぞれ一定間隔ずつ互いにずれた位置に形成された、
請求項４記載のレーザ照射装置。
【請求項７】
前記複数の光路は、第１の光路と第２の光路とを含み、
前記複数のビームホモジナイザは、前記第１の光路に配置された第１のビームホモジナイザと前記第２の光路に配置された第２のビームホモジナイザとを含み、
前記複数の開口部は、前記第１のビームホモジナイザによって均一化されたパルスレーザ光の光路に位置する複数の第１の開口と、前記第２のビームホモジナイザによって均一化されたパルスレーザ光の光路に位置する複数の第２の開口と、を含み、
前記複数の第１の開口と、前記複数の第２の開口とは、前記第１の方向と前記第２の方向との両方にそれぞれ一定間隔ずつ互いにずれた位置に形成された、
請求項４記載のレーザ照射装置。
【請求項８】
パルスレーザ光を生成し、
第１の方向にステージを移動させ、
第２の方向に並べられた複数のビームホモジナイザに順次入射させるようにパルスレーザ光の光路を変化させる、
レーザ照射方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、レーザ照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザアニール装置は、ガラス基板上に成膜されたアモルファス（非結晶）シリコン膜にエキシマレーザ等のレーザシステムから出力された紫外線領域の波長を有するパルスレーザ光を照射し、ポリシリコン膜に改質する装置である。アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に改質することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を作製することができる。このＴＦＴは、比較的大きな液晶ディスプレイに使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１３９９９１号公報
【特許文献２】特開２０１２−２４３８１８号公報
【特許文献３】特開２０１１−２３３５９７号公報
【特許文献４】特開２００５−０９９４２７号公報
【特許文献５】国際公開第２０１１／１３２３８５号
【概要】
【０００４】
本開示の１つの観点に係るレーザ照射装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を複数の光路に振り分けるビームスキャン光学系と、複数の光路にそれぞれ配置され、複数の光路に振り分けられたパルスレーザ光の光強度分布をそれぞれ均一化する複数のビームホモジナイザと、レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を、パルス毎に、複数の光路に振り分けるようにビームスキャン光学系を制御する制御部と、を備えてもよい。
【０００５】
本開示の１つの観点に係るレーザ照射方法は、パルスレーザ光を生成し、第１の方向にステージを移動させ、第２の方向に並べられた複数のビームホモジナイザに順次入射させるようにパルスレーザ光の光路を変化させるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１Ａ】図１Ａは、比較例に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図１Ｂ】図１Ｂは、比較例に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図１Ｃ】図１Ｃは、図１Ａ及び図１Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓの平面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本開示の第１の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図２Ａ及び図２Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓの平面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、図２Ａ及び図２Ｂに示されるレーザ照射装置におけるレーザ発光トリガとパルスレーザ光のタイミングチャートである。
【図３Ａ】図３Ａは、本開示の第２の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本開示の第２の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図３Ａ及び図３Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓと、当該レーザ照射装置に含まれるマスク６の平面図である。
【図４】図４は、第２の実施形態におけるマスク及び照射エリアの第１のバリエーションを示す。
【図５】図５は、第２の実施形態におけるマスク及び照射エリアの第２のバリエーションを示す。
【図６Ａ】図６Ａは、本開示の第３の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本開示の第３の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図７Ａ】図７Ａは、本開示の第４の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本開示の第４の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図７Ａ及び図７Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓと、当該レーザ照射装置に含まれるマスク６の平面図である。
【図８】図８は、第４の実施形態におけるマスク及び照射エリアのバリエーションを示す。
【図９】図９は、本開示の第５の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。
【図１０】図１０は、上述の各実施形態において用いられる紫外線レーザ装置２の構成を概略的に示す。
【図１１】図１１は、上述の各実施形態において用いられるフライアイレンズ５０１の構成を概略的に示す。
【図１２】図１２は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．概要
２．比較例に係るレーザ照射装置
２．１  構成
２．２  動作
２．３  課題
３．ビームスキャン光学系を含むレーザ照射装置（第１の実施形態）
３．１  構成
３．２  動作
３．３  作用
３．４  その他
４．マイクロレンズアレイを含むレーザ照射装置（第２の実施形態）
４．１  構成
４．２  動作
４．３  作用
４．４  その他
５．ビームホモジナイザと転写光学系とを一体化したレーザ照射装置（第３の実施形態）
６．マスクの開口を長方形にしたレーザ照射装置（第４の実施形態）
６．１  構成
６．２  作用
６．３  その他
７．ガルバノミラーを用いたレーザ照射装置（第５の実施形態）
８．その他
８．１  紫外線レーザ装置
８．２  フライアイレンズ
８．３  制御部の構成
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
レーザアニール装置に用いられるレーザ照射装置は、アモルファスシリコン膜のＴＦＴが形成される領域のそれぞれにパルスレーザ光が照射されるように、パルスレーザ光の走査を行ってもよい。ＴＦＴが形成される領域は、アモルファスシリコン膜の複数のライン上に配置されており、これらの領域のそれぞれにパルスレーザ光を照射する必要があるので、スループットが低くなることがあり得る。また、大きな基板に対するパルスレーザ光の走査を効率よく行うことは困難であり得る。
【００１０】
本開示の１つの観点において、レーザ照射装置は、ビームスキャン光学系と、複数のビームホモジナイザとを含んでもよい。ビームスキャン光学系は、パルスレーザ光を複数の光路に振り分けてもよい。この複数の光路に、複数のビームホモジナイザがそれぞれ配置されてもよい。複数のビームホモジナイザの各々は、各々の光路に振り分けられたパルスレーザ光の光強度分布を均一化してもよい。
【００１１】
２．比較例に係るレーザ照射装置
２．１  構成
図１Ａ及び図１Ｂは、比較例に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。レーザ照射装置１は、紫外線レーザ装置２と、制御部２０と、光路管２１と、フレーム２２と、ＸＹＺステージ２３と、テーブル２４と、光学システム３と、を備えてもよい。
【００１２】
紫外線レーザ装置２は、例えば、アモルファスシリコンをアニール可能な紫外線のパルスレーザ光を出力可能に構成されてもよい。紫外線レーザ装置２は、例えば、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦのいずれかをレーザ媒質とする放電励起式のエキシマレーザ装置であってもよい。紫外線レーザ装置２から出力されて光学システム３に入射するパルスレーザ光の進行方向はＹ方向であってもよく、このパルスレーザ光は、Ｚ方向よりもＸ方向に長いビーム断面を有する扁平状のパルスレーザ光であってもよい。以下の説明において、Ｘ方向及びＹ方向は、被加工物Ｓに対するパルスレーザ光の照射面に沿った方向であってもよい。Ｚ方向は、被加工物Ｓに対するパルスレーザ光の照射方向と反対の方向であってもよい。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに垂直の方向であってもよい。
ここで、被加工物Ｓは、たとえば、アモルファスシリコンを成膜したガラス基板であってもよい。
【００１３】
光学システム３は、複数の高反射ミラー３１、３２及び３３と、ビームホモジナイザ５０と、を含んでもよい。複数の高反射ミラー３１、３２及び３３は、紫外線レーザ装置２から出力されたパルスレーザ光をビームホモジナイザ５０に導くように構成されてもよい。ビームホモジナイザ５０は、フライアイレンズ５０１と、コンデンサ光学系５０２とを含み、パルスレーザ光の光強度分布を均一化するケーラー照明を構成するように設計されてもよい。フライアイレンズ５０１は、複数の高反射ミラー３１、３２及び３３によって反射されたパルスレーザ光の光路軸に垂直なビーム断面に沿って配列された複数のレンズを含んでもよい。当該複数のレンズのそれぞれは、パルスレーザ光の各一部をコンデンサ光学系５０２に向けて透過させるときに、当該各一部のビーム幅を拡大させてもよい。
【００１４】
コンデンサ光学系５０２は、当該コンデンサ光学系５０２の前側焦点面の位置にフライアイレンズ５０１の焦点位置が略一致し、当該コンデンサ光学系５０２の後側焦点面の位置に被加工物Ｓの表面の位置が略一致するように配置されてもよい。コンデンサ光学系５０２は、フライアイレンズ５０１から出射されたパルスレーザ光を透過させ、パルスレーザ光のビーム幅を縮小させてもよい。
【００１５】
以上の構成により、ビームホモジナイザ５０は、被加工物Ｓに照射されるパルスレーザ光のビーム断面における光強度分布のばらつきを低減してもよい。ビームホモジナイザ５０から出力されて被加工物Ｓに入射するパルスレーザ光の進行方向は−Ｚ方向であってもよく、このパルスレーザ光は、Ｙ方向よりもＸ方向に長いビーム断面を有する扁平状のパルスレーザ光であってもよい。
【００１６】
制御部２０は、紫外線レーザ装置２及びＸＹＺステージ２３に対して制御信号を送信するように構成されてもよい。テーブル２４は、被加工物Ｓを保持してもよい。ＸＹＺステージ２３は、テーブル２４をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能に構成されてもよい。
【００１７】
フレーム２２は、上述の光学システム３を収容してもよい。また、フレーム２２は、上述のＸＹＺステージ２３及びテーブル２４を保持してもよい。光路管２１は、紫外線レーザ装置２とフレーム２２との間に接続されていてもよい。
【００１８】
２．２  動作
図１Ｃは、図１Ａ及び図１Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓの平面図である。レーザ照射装置１に含まれる制御部２０は、ビームホモジナイザ５から出力されるパルスレーザ光が、図１Ｃに示される被加工物ＳのＡラインの延長線上の初期位置ＰＰに照射されるように、ＸＹＺステージ２３を制御してもよい。
【００１９】
制御部２０は、所定の繰り返し周波数のレーザ発光トリガを紫外線レーザ装置２に送信してもよい。その結果、紫外線レーザ装置からパルスレーザ光が出力され、複数の高反射ミラー３１、３２及び３３を介してビームホモジナイザ５０に入射してもよい。このパルスレーザ光は、初期位置ＰＰに照射されてもよい。
【００２０】
制御部２０は、Ｘ方向にテーブル２４を所定速度で移動させるようにＸＹＺステージ２３を制御してもよい。これにより、パルスレーザ光の照射位置がＡラインに沿って−Ｘ方向に移動してもよい。
【００２１】
Ａラインに沿ったパルスレーザ光の照射が完了したら、制御部２０は、Ｙ方向にテーブル２４を所定距離移動させるようにＸＹＺステージ２３を制御してもよい。これにより、パルスレーザ光の照射位置が図１Ｃに示される被加工物ＳのＢラインの延長線上の位置に移動してもよい。
【００２２】
制御部２０は、−Ｘ方向にテーブル２４を所定速度で移動させるようにＸＹＺステージ２３を制御してもよい。これにより、パルスレーザ光の照射位置ＩＰがＢラインに沿ってＸ方向に移動してもよい。
【００２３】
同様に、パルスレーザ光の照射位置を、図１Ｃに示される被加工物ＳのＣラインに沿って−Ｘ方向に移動させてもよい。さらに、パルスレーザ光の照射位置を、図１Ｃに示される被加工物ＳのＤラインに沿ってＸ方向に移動させてもよい。パルスレーザ光の照射位置が、Ｄラインの延長線上の最終位置ＦＰまで移動したら、制御部２０は、パルスレーザ光の出力を停止させてもよい。このように、テーブル２４をＹ方向に移動させながらＸ方向及び−Ｘ方向に往復動させることにより、ＴＦＴが形成される複数の領域が位置する複数のラインにパルスレーザ光が照射されるようにしてもよい。
【００２４】
２．３  課題
上述のようにテーブル２４をＹ方向に移動させながらＸ方向及び−Ｘ方向に往復動させる方法では、ＸＹＺステージ２３の移動方向を順次切り替えて、各ラインの延長線上でそれぞれ位置決めする必要があり得る。従って、パルスレーザ光の走査に時間がかかり、スループットが低くなることがあり得る。また、大きな基板に対するパルスレーザ光の走査を効率よく行うことは困難であり得る。
以下に説明される実施形態においては、この課題を解決するために、ビームスキャン光学系を配置することとし、ステージの移動は１方向で済むようにしてもよい。
【００２５】
３．ビームスキャン光学系を含むレーザ照射装置（第１の実施形態）
３．１  構成
図２Ａ及び図２Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。第１の実施形態に係るレーザ照射装置１ａにおいて、光学システム３ａは、図１Ａ及び図１Ｂを参照しながら説明した光学システムに加えて、ビームスキャン光学系４を備えていてもよい。また、第１の実施形態に係るレーザ照射装置１ａにおいて、光学システム３ａは、複数のビームホモジナイザ５１〜５４を備えていてもよい。
【００２６】
ビームスキャン光学系４は、ポリゴンミラー４１と、モータ４２と、プリズム４３と、を含んでもよい。ポリゴンミラー４１は、例えば、正六角柱の形状を有し、高反射ミラー３１によって反射されたパルスレーザ光の光路に配置されていてもよい。ポリゴンミラー４１の６つの側面には、それぞれ、パルスレーザ光を高い反射率で反射させる膜がコートされていてもよい。ポリゴンミラー４１の６つの側面の内の１つに、パルスレーザ光が照射されてもよい。
【００２７】
ポリゴンミラー４１は、モータ４２の回転軸に接続されてもよい。ドライバ４４がモーら４２を駆動することにより、モータ４２の回転軸が回転してもよい。制御部２０は、モータ４２の回転軸が所定の回転数で回転するようにドライバ４４を制御してもよい。
【００２８】
ポリゴンミラー４１が、モータ４２によって一定方向に所定の回転数で回転させられることにより、ポリゴンミラー４１の側面に対するパルスレーザ光の入射角度が変化してもよい。
【００２９】
ポリゴンミラー４１の側面に対するパルスレーザ光の入射角度が変化することにより、ポリゴンミラー４１によって反射されたパルスレーザ光の光路が変化してもよい。例えば、図２Ａに示されるようにポリゴンミラー４１が矢印θ方向に回転させられることにより、ポリゴンミラー４１によって反射されたパルスレーザ光の光路が、パルスごとに、光路ＬＡ、光路ＬＢ、光路ＬＣ、光路ＬＤの順に変化してもよい。
【００３０】
ポリゴンミラー４１が、モータ４２によってさらに回転させられることにより、パルスレーザ光が入射するポリゴンミラー４１の側面が切り替わってもよい。これにより、光路ＬＤを通ったパルスの次のパルスが、光路ＬＡに沿って進んでもよい。
【００３１】
プリズム４３は、五角柱の形状を有していてもよい。プリズム４３は、パルスレーザ光を高い透過率で透過させる材料で構成されてもよい。プリズム４３のパルスレーザ光が透過する面には、反射を抑制する膜がコートされていてもよい。プリズム４３は、ポリゴンミラー４１によって反射されて複数の光路ＬＡ〜ＬＤに振り分けられたパルスレーザ光がそれぞれ−Ｚ方向に進むように、パルスレーザ光を屈折させてもよい。
【００３２】
以上のようにして、ビームスキャン光学系４は、高反射ミラー３１によって反射されたパルスレーザ光を、第１の光路Ｌａ〜第４の光路Ｌｄに順次振り分けるように構成されてもよい。
【００３３】
ビームホモジナイザ５１〜５４は、それぞれ、ビームスキャン光学系４によって振り分けられたパルスレーザ光の第１の光路Ｌａ〜第４の光路Ｌｄに配置されてもよい。ビームホモジナイザ５１〜５４の各々の構成は、図１Ａ及び図１Ｂを参照しながら説明したビームホモジナイザ５０の構成と同様でもよい。
【００３４】
３．２  動作
図２Ｃは、図２Ａ及び図２Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓの平面図である。図２Ｄは、図２Ａ及び図２Ｂに示されるレーザ照射装置におけるレーザ発光トリガとパルスレーザ光のタイミングチャートである。
【００３５】
制御部２０は、ビームホモジナイザ５１〜５４から出力されるパルスレーザ光が、図２Ｃに示される被加工物ＳのＡライン〜Ｄラインの延長線上にそれぞれ入射するように、ＸＹＺステージ２３を制御してもよい。制御部２０は、所定の繰り返し周波数ｆのレーザ発光トリガを紫外線レーザ装置２に送信してもよい。所定の繰り返し周波数ｆは、例えば、４ｋＨｚであってもよい。
【００３６】
制御部２０は、モータ４２の回転軸が所定の回転数で回転するように、ドライバ４４を制御してもよい。所定の回転数は、例えば、ポリゴンミラー４１が正六角柱状であって、Ａライン〜Ｄラインの４つのラインが照射される場合に、ｆ／（６×４）に相当する回転数であってもよい。
【００３７】
紫外線レーザ装置２から出力されたパルスレーザ光に含まれる第１のパルスは、ポリゴンミラー４１によって光路ＬＡの方向に反射され、プリズム４３によって−Ｚ方向に進行方向を変えられてもよい。この第１のパルスは、ビームホモジナイザ５１を通過して、Ａラインの照射位置ＩＰＡに入射してもよい。
【００３８】
第１のパルスの次に紫外線レーザ装置２から出力される第２のパルスは、ポリゴンミラー４１によって光路ＬＢの方向に反射され、プリズム４３によって−Ｚ方向に進行方向を変えられてもよい。この第２のパルスは、ビームホモジナイザ５２を通過して、Ｂラインの照射位置ＩＰＢに入射してもよい。
【００３９】
第２のパルスの次に紫外線レーザ装置２から出力される第３のパルスは、ポリゴンミラー４１によって光路ＬＣの方向に反射され、プリズム４３によって−Ｚ方向に進行方向を変えられてもよい。この第３のパルスは、ビームホモジナイザ５３を通過して、Ｃラインの照射位置ＩＰＣに入射してもよい。
【００４０】
第３のパルスの次に紫外線レーザ装置２から出力される第４のパルスは、ポリゴンミラー４１によって光路ＬＤの方向に反射され、プリズム４３によって−Ｚ方向に進行方向を変えられてもよい。この第４のパルスは、ビームホモジナイザ５４を通過して、Ｄラインの照射位置ＩＰＤに入射してもよい。
【００４１】
第４のパルスの次に紫外線レーザ装置２から出力される第５のパルスは、ポリゴンミラー４１によって光路ＬＡの方向に反射され、プリズム４３によって−Ｚ方向に進行方向を変えられてもよい。この第５のパルスは、ビームホモジナイザ５１を通過して、Ａラインに入射してもよい。第５のパルスの照射位置は、第１のパルスの照射位置ＩＰＡよりも−Ｘ方向にずれていてもよい。
【００４２】
このようにして、パルスレーザ光がＡライン〜Ｄラインに順次入射するように、ビームスキャン光学系４が制御されてもよい。これにより、Ａライン〜Ｄラインの各ラインにおいては、ｆ／４の繰り返し周波数でパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００４３】
制御部２０は、ビームスキャン光学系４の制御と並行して、被加工物ＳをＸ方向に一定の速度で移動させるように、ＸＹＺステージ２３を制御してもよい。被加工物Ｓに対するパルスレーザ光の照射位置が、−Ｘ方向の終端位置に達したら、制御部２０は、パルスレーザ光の出力を停止させてもよい。
他の点については、図１Ａ〜図１Ｃを参照しながら説明したレーザ照射装置と同様でよい。
【００４４】
３．３  作用
以上の構成及び動作により、第１の実施形態によれば、パルスレーザ光に含まれる複数のパルスをビームスキャン光学系４によって複数のラインに振り分け得る。そして、被加工物ＳをＸ方向に一回移動させるだけで、複数のラインにパルスレーザ光を照射し得る。これにより、パルスレーザ光の走査を効率よく行い得る。
【００４５】
また、ＴＦＴが形成される複数のラインの各々に合わせて、扁平状のパルスレーザ光に整形して被加工物Ｓに照射するので、被加工物Ｓの表面全体にパルスレーザ光を照射する場合に比べてパルスレーザ光のエネルギー密度を大きくし得る。
【００４６】
また、複数のラインにパルスレーザ光を照射しながら被加工物ＳをＸ方向に移動するので、繰り返し周波数の高いレーザ装置を採用しても、それぞれのラインに照射されるパルスレーザ光の繰り返し周波数を低くし得る。その結果、ステージの移動速度に対応したパルスレーザ光の繰り返し周波数で、それぞれのラインに照射し得る。
【００４７】
３．４  その他
第１の実施形態においては、ビームスキャン光学系４によって４つのビームホモジナイザ５１〜５４にパルスレーザ光を振り分けているが、本開示はこれに限定されない。２つ以上のビームホモジナイザにパルスレーザ光を振り分けるものであればよい。
【００４８】
第１の実施形態においては、プリズム４３によってパルスレーザ光を−Ｚ方向に屈折させているが、本開示はこれに限定されない。図示しない高反射ミラーを用いてパルスレーザ光の進行方向を−Ｚ方向に変更させ、複数のビームホモジナイザに入射させてもよい。
【００４９】
４．マイクロレンズアレイを含むレーザ照射装置（第２の実施形態）
４．１  構成
図３Ａ及び図３Ｂは、本開示の第２の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。第２の実施形態に係るレーザ照射装置１ｂにおいて、光学システム３ｂは、図２Ａ〜図２Ｃを参照しながら説明した光学システムに加えて、マスク６及びマイクロレンズアレイ７を備えていてもよい。
ビームホモジナイザ５１〜５４の各々に含まれるコンデンサ光学系５０２は、当該コンデンサ光学系５０２の後側焦点面の位置にマスク６の位置が略一致するように配置されてもよい。
【００５０】
図３Ｃは、図３Ａ及び図３Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓと、当該レーザ照射装置に含まれるマスク６の平面図である。マスク６には、被加工物ＳのＴＦＴが形成される領域の形状に対応する形状の複数の開口６１〜６４が形成されていてもよい。開口６１はＡラインのＴＦＴ形成領域に対応し、開口６２はＢラインのＴＦＴ形成領域に対応し、開口６３はＣラインのＴＦＴ形成領域に対応し、開口６４はＤラインのＴＦＴ形成領域に対応してもよい。Ａライン〜Ｄラインのそれぞれにおいて、ＴＦＴ形成領域のＸ方向の間隔をｄとしたとき、マスク６に形成された開口６１〜６４のＸ方向の位置は、ｄ／４ずつずれていてもよい。
【００５１】
マイクロレンズアレイ７はレンズ７１〜７４を含んでもよい。レンズ７１〜７４は、Ｚ方向から見たときに、マスク６に形成された開口６１〜６４とそれぞれ重なる位置に配置されてもよい。従って、ＴＦＴ形成領域のＸ方向の間隔をｄとしたとき、レンズ７１〜７４のＸ方向の位置は、ｄ／４ずつずれていてもよい。レンズ７１〜７４は、それぞれ開口６１〜６４の像を被加工物Ｓの表面に転写するように構成されてもよい。転写倍率は、１以下が好ましい。
【００５２】
４．２  動作
制御部２０は、所定の繰り返し周波数ｆのレーザ発光トリガを紫外線レーザ装置２に送信してもよい。マスク６には、Ｙ方向よりもＸ方向に長いビーム断面を有する扁平状のパルスレーザ光が照射されてもよい。制御部２０は、パルスレーザ光がマスク６の開口６１〜６４と重なる照射位置ＩＰＡ〜ＩＰＤに順次入射するように、ビームスキャン光学系４を制御してもよい。
【００５３】
制御部２０は、被加工物ＳがＸ方向に一定の速度ｖで移動するように、ＸＹＺステージ２３を制御してもよい。ここで、Ａライン〜Ｄラインの４つのラインが照射される場合に、速度ｖは、以下の式で表されてもよい。
ｖ＝（ｆ／４）・ｄ
【００５４】
これにより、パルスレーザ光に含まれる１つのパルスが照射されるごとに、被加工物ＳがＸ方向にｄ／４進んでもよい。また、パルスレーザ光に含まれる４つのパルスが照射されるごとに、被加工物がＸ方向にｄ進んでもよい。
従って、マイクロレンズアレイ７によって被加工物Ｓに転写されるマスク６の開口６１〜６４の像の転写位置は、Ｘ方向にｄずつ離れており、且つ格子状にパルスレーザ光が照射され得る。
他の点については、図２Ａ〜図２Ｄを参照しながら説明したものと同様でもよい。
【００５５】
４．３  作用
以上の構成及び動作により、第２の実施形態によれば、マスク６の開口６１〜６４の像を被加工物Ｓの表面に１以下の倍率で転写するので、パルスレーザ光の利用効率を改善し得る。
また、被加工物ＳをＸ方向に一回移動させるだけで、複数のラインにパルスレーザ光を照射し得る。これにより、パルスレーザ光の走査を効率よく行い得る。
【００５６】
また、複数のラインにパルスレーザ光を照射しながら被加工物ＳをＸ方向に移動するので、繰り返し周波数の高いレーザ装置を採用しても、それぞれのラインに照射されるパルスレーザ光の繰り返し周波数を低くし得る。
さらに、本実施形態では、格子状に配置されたＴＦＴを形成する領域にパルスレーザ光が照射され得る。その結果、パルスレーザ光の利用効率が向上し得る。
【００５７】
４．４  その他
第２の実施形態においては、ビームスキャン光学系４によって４つのビームホモジナイザ５１〜５４にパルスレーザ光を振り分けているが、本開示はこれに限定されない。２以上の整数をＪとし、Ｊ個のビームホモジナイザにパルスレーザ光を振り分けるものであればよい。その場合、マスクの開口の位置は、Ｘ方向に互いにｄ／Ｊずつずれるように配置されてもよい。ＸＹＺステージ２３がＸ方向に移動する速度ｖは、以下の式で表されてもよい。
ｖ＝（ｆ／Ｊ）・ｄ
【００５８】
図４は、第２の実施形態におけるマスク及び照射エリアの第１のバリエーションを示す。図４に示されるように、被加工物ＳにおけるＴＦＴの形成領域は８つのラインＡ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２上に配置されてもよい。また、パルスレーザ光に含まれる１つのパルスが、隣り合う２つのラインにまたがって照射されてもよい。図４に示されるマスク６において、第１のパルスの照射位置ＩＰＡに含まれる開口６１ａの位置と開口６１ｂの位置とは、互いにＸ方向にずれていなくてもよい。開口６２ａの位置と開口６２ｂの位置、開口６３ａの位置と開口６３ｂの位置、開口６４ａの位置と開口６４ｂの位置についても、同様でよい。図４に示されるマスク６において、異なるパルスの照射位置に含まれる開口の位置は、Ｘ方向にｄ／４ずつずれていてもよい。
【００５９】
これによれば、複数のビームホモジナイザの間隔よりも複数のラインの間隔が狭い場合においても、所望の位置にパルスレーザ光を照射することができる。
【００６０】
図４においては、１つのパルスが隣り合う２つのラインにまたがって照射されるようにしたが、本開示はこれに限定されない。
【００６１】
図５は、第２の実施形態におけるマスク及び照射エリアの第２のバリエーションを示す。図５に示されるように、１つのパルスが３つ以上のラインにまたがって照射されるようにしてもよい。
１つのパルスが３つ以上のラインにまたがって照射されるようにすることによって、各ラインの間隔が狭い間隔（たとえば、約５００μｍ）であったとしても、被加工物Ｓにおいて格子状のパルスレーザ光の照射が可能となり得る。
【００６２】
５．ビームホモジナイザと転写光学系とを一体化したレーザ照射装置（第３の実施形態）
図６Ａ及び図６Ｂは、本開示の第３の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。第３の実施形態に係るレーザ照射装置１ｃにおいて、マスク及びマイクロレンズアレイは、ビームホモジナイザ５１ｃ〜５４ｃのそれぞれに対応して複数に分離されていてもよい。マスク６ａ〜６ｄには、それぞれ開口６１〜６４が形成されていてもよい。開口６１〜６４からそれぞれ−Ｚ方向にずれた位置に、レンズ７ａ〜７ｄが配置されてもよい。マスク６ａ〜６ｄは、それぞれビームホモジナイザ５１ｃ〜５４ｃの一部であってもよい。レンズ７ａ〜７ｄは、それぞれビームホモジナイザ５１ｃ〜５４ｃの一部であってもよい。
他の点については、図３Ａ〜図３Ｃ、図４及び図５を参照しながら説明したものと同様でもよい。
【００６３】
６．マスクの開口を長方形にしたレーザ照射装置（第４の実施形態）
６．１  構成
図７Ａ及び図７Ｂは、本開示の第４の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。図７Ｃは、図７Ａ及び図７Ｂに示されるレーザ照射装置によって照射される被加工物Ｓと、当該レーザ照射装置に含まれるマスク６の平面図である。第４の実施形態に係るレーザ照射装置１ｄにおいて、マスク６に形成された開口６１〜６４と、マイクロレンズアレイ７に含まれるレンズ７１〜７４は、それぞれ、Ｙ方向よりもＸ方向に長い形状を有していてもよい。
【００６４】
レンズ７１〜７４は、それぞれ、長方形状の開口６１〜６４の像を被加工物Ｓに転写してもよい。
他の点については、図２Ａ〜図２Ｄを参照しながら説明したものと同様でもよい。
６．２  作用
レンズ７１〜７４は、それぞれ、長方形状の開口６１〜６４の像を被加工物Ｓに転写することによって、第１の実施形態にくらべて、照射領域のエッジ付近のレーザ光の光強度分布の均一性が改善され得る。
【００６５】
６．３  その他
図８は、第４の実施形態におけるマスク及び照射エリアのバリエーションを示す。図８に示されるように、被加工物ＳにおけるＴＦＴの形成領域は多数のライン上に配置されてもよい。また、パルスレーザ光に含まれる１つのパルスが、隣り合う２つ以上のラインにまたがって照射されるようにしてもよい。図８に示されるマスク６の開口の位置は、Ｘ方向に互いにずれていなくてもよい。
【００６６】
７．ガルバノミラーを用いたレーザ照射装置（第５の実施形態）
図９は、本開示の第５の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を概略的に示す。第５の実施形態に係るレーザ照射装置１ｅにおいて、ビームスキャン光学系４ｅは、ポリゴンミラーの代わりに、ガルバノミラー４５を有していてもよい。ガルバノミラー４５は、ガルバノモータ４６に接続されていてもよい。
【００６７】
ガルバノミラー４５は、平面ミラーであってもよい。ガルバノモータ４６は、ガルバノミラー４５の傾斜角度を高速で切り換えることができるように構成されてもよい。ドライバ４４がガルバノモータ４６を駆動してもよい。制御部２０が、ドライバ４４を制御してもよい。ガルバノミラー４５の傾斜角度を切り換えることにより、ガルバノミラー４５によって反射されたパルスレーザ光が光路ＬＡから光路ＬＤに振り分けられてもよい。
他の点については、図２Ａ〜図２Ｄを参照しながら説明したものと同様でよい。
【００６８】
第５の実施形態においては、第１の実施形態のレーザ照射装置におけるポリゴンミラーの代わりにガルバノミラーを用いた場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。第２〜第４の実施形態のいずれかにおいて、ポリゴンミラーの代わりにガルバノミラーを用いてもよい。
【００６９】
８．その他
８．１  紫外線レーザ装置
図１０は、上述の各実施形態において用いられる紫外線レーザ装置２の構成を概略的に示す。紫外線レーザ装置２は、マスターオシレータＭＯと、増幅器ＰＡと、パルスストレッチャー１６と、パルスエネルギー計測部１７と、シャッター１８と、レーザ制御部１９とを含んでもよい。
【００７０】
マスターオシレータＭＯは、レーザチャンバ１０と、一対の電極１１ａ及び１１ｂと、充電器１２と、パルスパワーモジュール（ＰＰＭ）１３と、を含んでもよい。マスターオシレータＭＯは、さらに、高反射ミラー１４と、出力結合ミラー１５と、を含んでもよい。図１０においては、レーザ光の進行方向に略垂直な方向からみたレーザチャンバ１０の内部構成が示されている。
【００７１】
レーザチャンバ１０は、レーザガスが封入されるチャンバでもよい。一対の電極１１ａ及び１１ｂは、レーザ媒質を放電により励起するための電極として、レーザチャンバ１０内に配置されてもよい。レーザチャンバ１０には開口が形成され、この開口を電気絶縁部２９が塞いでいてもよい。電極１１ａは電気絶縁部２９に支持され、電極１１ｂはリターンプレート１０ｄに支持されていてもよい。このリターンプレート１０ｄは図示しない配線でレーザチャンバ１０の内面と接続されてもよい。電気絶縁部２９には、導電部２９ａが埋め込まれていてもよい。導電部２９ａは、パルスパワーモジュール１３から供給される高電圧を電極１１ａに印加するものであってもよい。
【００７２】
充電器１２は、パルスパワーモジュール１３の中の図示しない充電コンデンサに所定の電圧で充電する直流電源装置であってもよい。パルスパワーモジュール１３は、レーザ制御部１９によって制御されるスイッチ１３ａを含んでもよい。スイッチ１３ａがＯＦＦからＯＮになると、パルスパワーモジュール１３は、充電器１２に保持されていた電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を一対の電極１１ａ及び１１ｂ間に印加してもよい。
【００７３】
一対の電極１１ａ及び１１ｂ間に高電圧が印加されると、一対の電極１１ａ及び１１ｂ間が絶縁破壊され、放電が起こり得る。この放電のエネルギーにより、レーザチャンバ１０内のレーザ媒質が励起されて高エネルギー準位に移行し得る。励起されたレーザ媒質が、その後低エネルギー準位に移行するとき、そのエネルギー準位差に応じた光を放出し得る。
【００７４】
レーザチャンバ１０の両端にはウインドウ１０ａ及び１０ｂが設けられてもよい。レーザチャンバ１０内で発生した光は、ウインドウ１０ａ及び１０ｂを介してレーザチャンバ１０の外部に出射し得る。
【００７５】
高反射ミラー１４は、レーザチャンバ１０のウインドウ１０ａから出射された光を高い反射率で反射してレーザチャンバ１０に戻してもよい。
出力結合ミラー１５は、レーザチャンバ１０のウインドウ１０ｂから出力される光のうちの一部を透過させて出力し、他の一部を反射させてレーザチャンバ１０内に戻してもよい。
【００７６】
従って、高反射ミラー１４と出力結合ミラー１５とで、光共振器が構成され得る。レーザチャンバ１０から出射した光は、高反射ミラー１４と出力結合ミラー１５との間で往復し、電極１１ａと電極１１ｂとの間のレーザゲイン空間を通過する度に増幅され得る。増幅された光の一部が、出力結合ミラー１５を介して、パルスレーザ光として出力され得る。
【００７７】
増幅器ＰＡは、マスターオシレータＭＯの出力結合ミラー１５から出力されたパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。増幅器ＰＡは、マスターオシレータＭＯと同様に、レーザチャンバ１０と、一対の電極１１ａ及び１１ｂと、充電器１２と、パルスパワーモジュール（ＰＰＭ）１３と、を含んでもよい。これらの構成は、マスターオシレータに含まれているものと同様でよい。増幅器ＰＡは、高反射ミラー１４又は出力結合ミラー１５を含まなくてもよい。増幅器ＰＡのウインドウ１０ａに入射したパルスレーザ光は、電極１１ａと電極１１ｂとの間のレーザゲイン空間を１回通過して、ウインドウ１０ｂから出力されてもよい。
【００７８】
パルスストレッチャー１６は、増幅器ＰＡのウインドウ１０ｂから出力されたパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。パルスストレッチャー１６は、ビームスプリッタ１６ａと、第１〜第４の凹面ミラー１６ｂ〜１６ｅとを含んでもよい。
【００７９】
増幅器ＰＡから出力されたパルスレーザ光は、ビームスプリッタ１６ａの第１の面に図中左側から入射してもよい。ここで、ビームスプリッタ１６ａは、パルスレーザ光に対して高透過するＣａＦ２基板であって、第１の面にはパルスレーザ光が高い透過率で透過する膜、第１の面と反対側の第２の面にはパルスレーザ光を部分反射する膜がコートされていてもよい。ビームスプリッタ１６ａに図中左側から入射したパルスレーザ光の一部はビームスプリッタ１６ａを透過し、他の一部はビームスプリッタ１６ａの第２の面によって反射されて、第１の面から出射してもよい。
【００８０】
第１〜第４の凹面ミラー１６ｂ〜１６ｅは、ビームスプリッタ１６ａによって反射されたパルスレーザ光を順次反射して、ビームスプリッタ１６ａの第２の面に図中上側から入射させてもよい。ここで、ビームスプリッタ１６ａに図中左側から入射して部分反射されたパルスレーザ光が、第１〜第４の凹面ミラー１６ｂ〜１６ｅによって、ビームスプリッタ１６ａの第２の面に１：１で転写されるように、第１〜第４の凹面ミラー１６ｂ〜１６ｅが配置されてもよい。ビームスプリッタ１６ａは、図中上側から入射したパルスレーザ光の少なくとも一部を反射してもよい。これにより、ビームスプリッタ１６ａに図中左側から入射して透過したパルスレーザ光と、図中上側から入射して反射されたパルスレーザ光が略同じビームサイズとビームダイバージェンスで重ね合わされ得る。
【００８１】
ビームスプリッタ１６ａに図中左側から入射して透過したパルスレーザ光と、図中上側から入射して反射されたパルスレーザ光との間には、第１〜第４の凹面ミラー１６ｂ〜１６ｅによって形成される迂回光路の光路長に応じた時間差があってもよい。これにより、パルスストレッチャー１６は、パルスレーザ光のパルス幅を伸張し得る。
【００８２】
パルスエネルギー計測部１７は、パルスストレッチャー１６を通過したパルスレーザ光の光路に配置されていてもよい。パルスエネルギー計測部１７は、ビームスプリッタ１７ａと、集光光学系１７ｂと、光センサ１７ｃとを含んでもよい。
【００８３】
ビームスプリッタ１７ａは、パルスストレッチャー１６を通過したパルスレーザ光を高い透過率でシャッター１８に向けて透過させるとともに、パルスレーザ光の一部を集光光学系１７ｂに向けて反射してもよい。集光光学系１７ｂは、ビームスプリッタ１７ａによって反射された光を光センサ１７ｃの受光面に集光してもよい。光センサ１７ｃは、受光面に集光されたパルスレーザ光のパルスエネルギーを検出し、検出されたパルスエネルギーのデータをレーザ制御部１９に出力してもよい。
【００８４】
レーザ制御部１９は、上述の制御部２０との間で各種信号を送受信してもよい。例えば、レーザ制御部１９は、制御部２０から、レーザ発光トリガ等を受信してもよい。また、レーザ制御部１９は、充電器１２に対して充電電圧の設定信号を送信したり、パルスパワーモジュール１３に対してスイッチＯＮ又はＯＦＦの指令信号を送信したりしてもよい。
【００８５】
レーザ制御部１９は、パルスエネルギー計測部１７からパルスエネルギーのデータを受信してもよく、このパルスエネルギーのデータを参照して充電器１２の充電電圧を制御してもよい。充電器１２の充電電圧を制御することにより、レーザ光のパルスエネルギーが制御されてもよい。
さらに、レーザ制御部１９は、発振トリガに対して所定の一定の時間で放電させるように、設定された充電電圧値に応じて、発振トリガのタイミングを補正してもよい。
【００８６】
シャッター１８は、パルスエネルギー計測部１７のビームスプリッタ１７ａを透過したパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。レーザ制御部１９は、レーザ発振の開始後、パルスエネルギー計測部１７から受信するパルスエネルギーと目標パルスエネルギーとの差が許容範囲内となるまでの間は、シャッター１８を閉じるように制御してもよい。レーザ制御部１９は、パルスエネルギー計測部１７から受信するパルスエネルギーと目標パルスエネルギーとの差が許容範囲内となったら、シャッター１８を開くように制御してもよい。この信号はパルスレーザ光のタイミングを示す信号として制御部２０に送信されてもよい。
【００８７】
なお、図１０にはレーザ装置が増幅器ＰＡとパルスストレッチャー１６とを含む場合を示したが、これに限らず、増幅器ＰＡ又はパルスストレッチャー１６はなくてもよい。
また、レーザ装置は、エキシマレーザ装置に限られず、固体レーザ装置であってもよい。たとえば、ＹＡＧレーザの第３高調波光（３５５ｎｍ）や第４高調波光（２６６ｎｍ）を発生する固体レーザ装置であってもよい。
【００８８】
８．２  フライアイレンズ
図１１は、上述の各実施形態において用いられるフライアイレンズ５０１の構成を複数の方向から概略的に示す。フライアイレンズ５０１は、パルスレーザ光を高い透過率で透過させる材料で構成されてもよい。以下の説明において、フライアイレンズ５０１のＺ方向側の面を表面とし、フライアイレンズ５０１の−Ｚ方向側の面を裏面としてもよい。
【００８９】
フライアイレンズ５０１の表面には、多数の凹面のシリンドリカル面が所定ピッチＰ１でＹ方向に配列されていてもよい。フライアイレンズ５０１の裏面には、複数の凹面のシリンドリカル面が所定ピッチＰ２でＸ方向に配列されていてもよい。ここで、Ｐ１よりＰ２が大きいことが望ましい。また、フライアイレンズ５０１の表面に形成されたシリンドリカル面のＺ方向側の焦点面の位置と、フライアイレンズ５０１の裏面に形成されたシリンドリカル面のＺ方向側の焦点面の位置とが一致していてもよい。
【００９０】
このフライアイレンズ５０１と上述のコンデンサ光学系５０２とで、ケーラー照明が構成されてもよい。コンデンサ光学系５０２の後側焦点面の位置におけるパルスレーザ光のビーム形状は、上述のＰ１及びＰ２の寸法を有するフライアイレンズ５０１の個々のレンズ形状と相似形となり得る。Ｐ１及びＰ２の寸法比を変更することにより、パルスレーザ光のビーム形状を長方形又は正方形に調整し得る。
【００９１】
フライアイレンズは、多数の凹レンズを含む場合に限らず、多数の凸レンズを含むものであってもよい。また、フレネルレンズによって同様の機能を果たしてもよい。
【００９２】
８．３  制御部の構成
図１２は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態における制御部２０等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。
【００９３】
（構成）
制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。
【００９４】
（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読出してもよい。また、処理部１０００は、読出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。
【００９５】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
【００９６】
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
【００９７】
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。
【００９８】
ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。
【００９９】
処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
【０１００】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、紫外線レーザ装置２、他の制御部等のレーザ発光トリガやタイミングを示す信号の受送信に使用してもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、紫外線レーザ装置２、ＸＹＺステージ２３、ドライバ４４、他の制御部等のデータの受送信に使用してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、パルスエネルギー計測部１７等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。
【０１０１】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１０２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【図１Ａ】
2016098174.tif 000003
【図１Ｂ】
2016098174.tif 000004
【図１Ｃ】
2016098174.tif 000005
【図２Ａ】
2016098174.tif 000006
【図２Ｂ】
2016098174.tif 000007
【図２Ｃ】
2016098174.tif 000008
【図２Ｄ】
2016098174.tif 000009
【図３Ａ】
2016098174.tif 000010
【図３Ｂ】
2016098174.tif 000011
【図３Ｃ】
2016098174.tif 000012
【図４】
2016098174.tif 000013
【図５】
2016098174.tif 000014
【図６Ａ】
2016098174.tif 000015
【図６Ｂ】
2016098174.tif 000016
【図７Ａ】
2016098174.tif 000017
【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
2016098174.tif 000021
【図１０】
2016098174.tif 000022
【図１１】
2016098174.tif 000023
【図１２】
2016098174.tif 000024
【国際調査報告】
2016098174.tif 000025
2016098174.tif 000026
2016098174.tif 000027
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