(57)【要約】近赤外線遮蔽性に優れた硬化膜を形成可能な近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタ、近赤外線カットフィルタの製造方法、固体撮像素子およびカメラモジュールを提供する。この近赤外線吸収性組成物は、フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であって、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体を含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であって、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、前記極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物。
【請求項２】
４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であって、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、前記極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物。
【請求項３】
前記銅錯体は、銅と配位子によって５員環および／または６員環が形成されている、請求項１または２に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項４】
前記銅錯体が、少なくとも２つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項５】
前記銅錯体が、３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体、４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体、または、５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項６】
前記銅錯体が、３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体であって、更に、単座配位子を少なくとも１つ有する、請求項５に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項７】
前記単座配位子の少なくとも１つは、アニオンで配位する単座配位子である、請求項６に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項８】
前記銅錯体が、３つの配位部位を有する化合物と、２つの配位部位を有する化合物とを配位子として有する銅錯体である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項９】
前記３つの配位部位を有する化合物が、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位部位を１つ有する化合物であり、
前記２つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位部位を２つ有する化合物である、請求項８に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１０】
前記銅錯体が、４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体、または、５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１１】
前記銅錯体が、４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体であって、更に、単座配位子を少なくとも１つ有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１２】
前記４つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位部位を４つ有する化合物である、請求項５、１０または１１に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１３】
前記４つの配位部位を有する化合物が、下記式（ＩＶ−１２）で表される化合物である、請求項５、１０または１１に記載の近赤外線吸収性組成物；
【化１】
2016068037.tif 000076
一般式（ＩＶ−１２）中、Ｘ３３〜Ｘ３５、および、Ｘ５７はそれぞれ独立して配位部位を表し、Ｌ１７〜Ｌ１９はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表す。
【請求項１４】
前記近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、前記銅錯体を１５質量％以上含有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１５】
更に、硬化性化合物および溶剤を含有する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１６】
前記近赤外線吸収性組成物を用いて、乾燥後の膜厚が１００μｍの膜を製膜した際に、膜の厚み方向の、波長５５０ｎｍでの光透過率が４５％以上、波長８００ｎｍでの光透過率が２５％以下である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物を用いた近赤外線カットフィルタ。
【請求項１８】
膜厚が３００μｍ以下である、請求項１７に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項１９】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の近赤外線吸収性組成物を用いて得られた近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
【請求項２０】
固体撮像素子と、前記固体撮像素子の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有し、前記近赤外線カットフィルタが請求項１７に記載の近赤外線カットフィルタである、カメラモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などには固体撮像素子である電荷結合素子（ＣＣＤ）イメージセンサや、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサが用いられている。固体撮像素子はその受光部において近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードを使用しているために、視感度補正を行うことが必要であり、近赤外線カットフィルタを用いることが多い。
近赤外線カットフィルタの材料として、例えば、リン酸エステル銅錯体を用いた近赤外線吸収性組成物が知られている（特許文献１〜３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−６９３０５号公報
【特許文献２】特開平１１−５２１２７号公報
【特許文献３】特開２０１１−６３８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１〜３に開示された近赤外線吸収性組成物は、近赤外線の遮蔽性が十分ではなく、十分な遮蔽性を得るためには、フィルタの膜厚を厚くする必要があった。フィルタの膜厚を厚くするには、硬化性化合物やその他添加剤を多く配合する必要があるため、これらの成分の影響が大きくなることがあった。
本発明は、かかる課題を解決するものであって、近赤外線領域の遮蔽性に優れた硬化膜を形成可能な近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子およびカメラモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らが鋭意検討を行った結果、特定の銅錯体を用いることで、薄膜であっても、近赤外線遮蔽性に優れた硬化膜を形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下を提供する。
＜１＞  フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であって、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物。
＜２＞  ４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であって、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物。
＜３＞  銅錯体は、銅と配位子によって５員環および／または６員環が形成されている、＜１＞または＜２＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜４＞  銅錯体が、少なくとも２つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜５＞  銅錯体が、３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体、４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体、または、５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜６＞  銅錯体が、３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体であって、更に、単座配位子を少なくとも１つ有する、＜５＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜７＞  単座配位子の少なくとも１つは、アニオンで配位する単座配位子である、＜６＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜８＞  銅錯体が、３つの配位部位を有する化合物と、２つの配位部位を有する化合物とを配位子として有する銅錯体である、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜９＞  ３つの配位部位を有する化合物が、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位部位を１つ有する化合物であり、
２つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位部位を２つ有する化合物である、＜８＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１０＞銅錯体が、４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体、または、５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１１＞  銅錯体が、４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体であって、更に、単座配位子を少なくとも１つ有する、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１２＞  ４つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位部位を４つ有する化合物である、＜５＞、＜１０＞または＜１１＞に記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１３＞  ４つの配位部位を有する化合物が、下記式（ＩＶ−１２）で表される化合物である、＜５＞、＜１０＞または＜１１＞に記載の近赤外線吸収性組成物；
【化１】
2016068037.tif 000002
一般式（ＩＶ−１２）中、Ｘ３３〜Ｘ３５、および、Ｘ５７はそれぞれ独立して配位部位を表し、Ｌ１７〜Ｌ１９はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表す。
＜１４＞  近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、銅錯体を１５質量％以上含有する、＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１５＞  更に、硬化性化合物および溶剤を含有する、＜１＞〜＜１４＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１６＞  近赤外線吸収性組成物を用いて、乾燥後の膜厚が１００μｍの膜を製膜した際に、膜の厚み方向の、波長５５０ｎｍでの光透過率が４５％以上、波長８００ｎｍでの光透過率が２５％以下である、＜１＞〜＜１５＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物。
＜１７＞  ＜１＞〜＜１６＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物を用いた近赤外線カットフィルタ。
＜１８＞  膜厚が３００μｍ以下である、＜１７＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜１９＞  ＜１＞〜＜１６＞のいずれかに記載の近赤外線吸収性組成物を用いて得られた近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
＜２０＞  固体撮像素子と、固体撮像素子の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有し、近赤外線カットフィルタが＜１７＞に記載の近赤外線カットフィルタである、カメラモジュール。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、近赤外線遮蔽性に優れた硬化膜を形成可能な近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子およびカメラモジュールを提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る、近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である
【図２】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【図３】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【図４】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アリル」は、アリルおよびメタリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は置換基を有さない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含するものである。
本明細書において、化学式中のＭｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはプロピル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基をそれぞれ示す。
本明細書において、近赤外線とは、波長領域が７００〜２５００ｎｍの光（電磁波）をいう。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書において、固形分とは、２５℃における固形分をいう。
本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ  ＡＷＭ―Ｈ（東ソー（株）製、６．０ｍｍＩＤ×１５．０ｃｍを、溶離液として１０ｍｍｏｌ／Ｌ  リチウムブロミドＮＭＰ(Ｎ−メチルピロリジノン)溶液を用いることによって求めることができる。
【０００９】
＜近赤外線吸収性組成物＞
本発明の近赤外線吸収性組成物の第一の態様は、フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であって、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物である。
本発明の近赤外線吸収性組成物の第二の態様は、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であって、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体を含む、近赤外線吸収性組成物である。
ここで、フタロシアニン銅錯体とは、フタロシアニン骨格を有する化合物を配位子とする銅錯体である。フタロシアニン骨格を有する化合物は、分子全体にπ電子共役系が広がり、平面構造を取る。フタロシアニン銅錯体は、π−π＊遷移で光を吸収する。π−π＊遷移で赤外領域の光を吸収するには、配位子をなす化合物が長い共役構造をとる必要がある。しかしながら、配位子の共役構造を長くすると、可視光透過性が低下する傾向にある。このため、フタロシアニン銅錯体は、可視光透過性が不十分である。
また、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物を配位子とする銅錯体は、可視領域（例えば、４００〜６００ｎｍの波長領域）に吸収を有するため、可視光透過性が不十分である。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物としては、長い共役構造を有し、π−π＊遷移の光の吸収の大きい化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン骨格を有する化合物が挙げられる。
本発明の近赤外線吸収性組成物によれば、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体として、フタロシアニン銅錯体以外、または、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体を含むので、近赤外線遮蔽性に優れた硬化膜を形成することができる。更には、可視光透過性にも優れる。
なお、本発明においては、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上である銅錯体として、フタロシアニン銅錯体以外、または、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体少なくとも含むものであって、後述するように膜分光の調整などの目的で、フタロシアニン銅錯体などの他の近赤外線吸収性化合物をさらに含有することもできる。
【００１０】
本発明に用いられる銅錯体は、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する。銅錯体の極大吸収波長は、７２０〜１２００ｎｍの波長領域に有することがより好ましく、８００〜１１００ｎｍの波長領域に有することがさらに好ましい。極大吸収波長は、例えば、Ｃａｒｙ  ５０００  ＵＶ−Ｖｉｓ−ＮＩＲ（分光光度計  アジレント・テクノロジー株式会社製）を用いて測定することができる。
銅錯体の上述した波長領域における極大吸収波長でのモル吸光係数は、１２０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が好ましく、１５０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がより好ましく、２００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がさらに好ましく、３００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がよりさらに好ましく、４００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が特に好ましい。上限は、特に限定はないが、例えば、３００００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以下とすることができる。銅錯体の上記モル吸光係数が、１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上であれば、薄膜であっても、近赤外線遮蔽性に優れた硬化膜を形成することができる。また、硬化膜を厚膜にするためには、硬化性化合物やその他添加剤の配合量を増やす必要があるが、薄膜化が可能であるので、硬化性化合物やその他添加剤の配合量を減らすことができ、これらの成分による近赤外線遮蔽性の影響を、より小さく抑えることができるという効果もある。
銅錯体の８００ｎｍでのグラム吸光係数は、０．１１（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上が好ましく、０．１５（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がより好ましく、０．２４（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がさらに好ましい。
なお、本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、銅錯体を溶媒に溶解させて１ｇ／Ｌの濃度の溶液を調製し、銅錯体を溶解させた溶液の吸収スペクトルを測定して求めることができる。測定装置としては、島津製作所製ＵＶ−１８００（波長領域２００〜１１００ｎｍ）、Ａｇｉｌｅｎｔ製Ｃａｒｙ  ５０００（波長領域２００〜１３００ｎｍ）などを用いることができる。測定溶媒としては、水、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、１，２，４−トリクロロベンゼン、アセトンが挙げられる。本発明では、上述した測定溶媒のうち、測定対象の銅錯体を溶解できるものを選択して用いる。なかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテルで溶解する銅錯体の場合は、測定溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルを用いることが好ましい。なお、溶解するとは、２５℃の溶媒に対する、銅錯体の溶解度が０．０１ｇ／１００ｇＳｏｌｖｅｎｔを超える状態を意味する。
本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、上述した測定溶媒のいずれか１つを用いて測定した値であることが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルでの値であることがより好ましい。
【００１１】
フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体、および、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体において、モル吸光係数を１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上にする方法としては、例えば、５配位の銅錯体を用いる方法、π供与性の高い配位子を用いる方法、対称性の低い銅錯体を用いる方法、などが挙げられる。
５配位の銅錯体を用いることで、モル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上を達成できるメカニズムとしては、以下によるものが推測される。すなわち、５座配位（例えば、三方両錐構造、四角錐構造、およびそれらの中間構造など）をとることにより、錯体の対称性が低下する。これにより、配位子と銅の相互作用において、ｄ軌道にｐ軌道が混ざりやすくなる。このとき、ｄ−ｄ遷移（赤外領域の吸収）は、純粋なｄ−ｄ遷移ではなくなり、許容遷移であるｐ−ｄ遷移の寄与が混ざる。これにより吸光係数が向上し、１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上を達成することができると考えられる。
５配位の銅錯体は、例えば、銅イオンに対して、２つの２座配位子（同一でも異なっていても良い）と１つの単座配位子を反応させること、１つの３座配位子と２つの２座配位子（同一でも異なっていても良い）を反応させること、１つの３座配位子を１つの２座配位子を反応させること、１つの４座配位子と１つの単座配位子を反応させること、１つの５座配位子を反応させることにより調製することができる。このとき、非共有電子対で配位する単座配位子は、反応溶媒として用いられることもある。たとえば、銅イオンに対して、水を含む溶媒中で２つの２座配位子を反応させると、この２つの２座配位子と、単座配位子として水が配位した５配位錯体が得られる。
また、π供与性の高い配位子を用いることで、モル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上を達成できるメカニズムとしては、以下によるものが推測される。すなわち、π供与性が高い配位子（配位子のπ軌道あるいはｐ軌道がエネルギー的に浅いところにある配位子）を用いることにより、金属のｐ軌道と配位子のｐ軌道（またはπ軌道）が混ざりやすくなる。このとき、ｄ−ｄ遷移は、純粋なｄ−ｄ遷移ではなくなり、許容遷移であるＬＭＣＴ（Ｌｉｇａｎｄ  ｔｏ  Ｍｅｔａｌ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の寄与が混ざる。これにより吸光係数が向上し、１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上を達成することができると考えられる。
π供与性の高い配位子としては、例えば、ハロゲン配位子、酸素アニオン配位子、硫黄アニオン配位子などが挙げられる。π供与性の高い配位子を用いた銅錯体としては、例えば、単座配位子としてＣｌ配位子を有する銅錯体などが挙げられる。
また、対称性の低い銅錯体は、対称性の低い配位子を用いること、あるいは、銅イオンに対して配位子を非対称に導入することで得ることができる。具体的には、たとえば、次のようなことである。
例えば、３座配位子Ｌ１−Ｌ２−Ｌ３と、２つの単座配位子Ｌ４、Ｌ５を用いる場合、下式（１）に示すように、対称性の低い配位子、例えば、Ｌ１とＬ３が異なっている配位子を用いることで対称性の低い銅錯体が得られる。また、銅イオンに対して配位子を非対称に導入する、例えば、Ｌ４とＬ５が同じよりも異なっているほうが対称性の低い銅錯体が得られる。
【化２】
2016068037.tif 000003
【００１２】
また、四角錐錯体において、Ｌ４とＬ５が同じとき、下式（２）のようにＬ４とＬ５が四角錐の底面上の対角線上にあるよりも、下式（３）のように底面上で隣接しているか、下式（４）のように一方の単座配位子が四角錐の頭頂位にあるほうが、対称性の低い錯体が得られる。
【化３】
2016068037.tif 000004
【００１３】
また、２つの２座配位子Ｌ６−Ｌ７、Ｌ８−Ｌ９と、単座配位子Ｌ１０を用いる場合、下式（５）に示すように、対称性の低い配位子を用いる、例えば、Ｌ６とＬ７が異なっている配位子、および／または、Ｌ８とＬ９が異なっている配位子を用いることで対称性の低い銅錯体が得られる。
また、銅イオンに対して配位子を非対称に導入する、例えば、Ｌ６−Ｌ７と、Ｌ８−Ｌ９が同じよりも異なっているほうが対称性の低い銅錯体が得られる。また、Ｌ６−Ｌ７と、Ｌ８−Ｌ９が同じ場合、Ｌ６＝Ｌ８でＬ７＝Ｌ９であるよりも、Ｌ６＝Ｌ９でＬ７＝Ｌ８であるほうが対称性の低い銅錯体が得られる。
【化４】
2016068037.tif 000005
【００１４】
本発明の銅錯体は、５配位の銅錯体が好ましい。５配位の銅錯体の幾何構造としては、三方両錐構造や四角錐構造などが挙げられるが、すべての銅錯体がそのどちらかに明確に分類できるわけではなく、その中間構造も存在する。５配位の銅錯体が三方両錐構造と四角錐構造のいずれに近いかを示す指標としてτ値（Ｔｒｉｇｏｎａｌｉｔｙ  Ｉｎｄｅｘ）が知られており、τ値は以下の式で定義される。
τ＝［（最大のＬ−Ｍ−Ｌ角）−（２番目に大きいＬ−Ｍ−Ｌ角）］／６０
（ここでＬは配位部位、Ｍは金属中心を示す）
【００１５】
τ値は、１に近いほど三方両錐構造に近い構造であることを示し、０に近いほど四角錐構造に近い構造であることを示す。τ値は通常０〜１の間の値をとることが多いが、下のように１よりも大きい値をとることもある。
【化５】
2016068037.tif 000006
【００１６】
本発明において、銅錯体は、７００〜１２００ｎｍの波長領域の範囲内で、長波長側に極大吸収波長を有し易いという点において、三方両錐構造に近い構造であることが好ましい。
また、銅錯体のτ値は、０．５以上が好ましく、０．７５以上がより好ましく、０．９以上が更に好ましい。τ値の上限は特に限定されないが、例えば、１．１７６以下とすることもできる。
【００１７】
本発明において、銅錯体は、少なくとも２つの配位部位を有する化合物（以下、化合物（Ａ）ともいう）を配位子として有することが好ましい。化合物（Ａ）は、配位部位をすくなくとも３つ有することがより好ましく、３〜５個有することが更に好ましい。化合物（Ａ）は、銅成分に対し、キレート配位子として働く。すなわち、化合物（Ａ）が有する少なくとも２つの配位原子が、銅とキレート配位することにより、銅錯体の構造が歪んで、可視光領域の高い透過性が得られ、近赤外線の吸光能力を向上でき、色価も向上すると考えられる。これにより、近赤外線カットフィルタを長期間使用しても、その特性が損なわれず、またカメラモジュールを安定的に製造することも可能となる。
本発明に用いられる銅錯体は、化合物（Ａ）を２つ以上有していてもよい。化合物（Ａ）を２つ以上有する場合は、それぞれの化合物（Ａ）は同一であってもよく、異なっていてもよい。
化合物（Ａ）が有する配位部位としては、アニオンで配位する配位部位、非共有電子対で配位する配位部位が挙げられる。
本発明に用いられる銅錯体は、４配位、５配位および６配位が例示され、４配位および５配位がより好ましく、５配位がさらに好ましい。
また、銅錯体は、銅と配位子によって、５員環および／または６員環が形成されていることが好ましい。このような銅錯体は、形状が安定であり、錯体安定性に優れる。
【００１８】
本発明に用いられる銅錯体における銅は、例えば銅成分（銅または銅を含む化合物）に対して、化合物（Ａ）を混合・反応等させて得ることができる。
銅成分は、２価の銅を含む化合物が好ましい。銅成分は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
銅成分としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、例えば、カルボン酸銅（例えば、酢酸銅、エチルアセト酢酸銅、ギ酸銅、安息香酸銅、ステアリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅など）、スルホン酸銅（例えば、メタンスルホン酸銅など）、リン酸銅、リン酸エステル銅、ホスホン酸銅、ホスホン酸エステル銅、ホスフィン酸銅、アミド銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、メチド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、硫酸銅、硝酸銅、過塩素酸銅、フッ化銅、塩化銅、臭化銅が好ましく、カルボン酸銅、スルホン酸銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、フッ化銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅がより好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、フェノキシ銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅が更に好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、塩化銅、硫酸銅が特に好ましい。
化合物（Ａ）と反応させる銅成分の量は、モル比率（化合物（Ａ）：銅成分）で１：０．５〜１：８とすることが好ましく、１：０．５〜１：４とすることがより好ましい。
また、銅成分と化合物（Ａ）とを反応させる際の反応条件は、例えば、２０〜１００℃で、０．５時間以上とすることが好ましい。
【００１９】
本発明に用いられる銅錯体は、化合物（Ａ）以外の配位子を有していても良い。化合物（Ａ）以外の配位子としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する単座配位子が挙げられる。アニオンで配位する配位子としては、ハライドアニオン、ヒドロキシドアニオン、アルコキシドアニオン、フェノキシドアニオン、アミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、イミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたイミドを含む）、アニリドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアニリドを含む）、チオラートアニオン、炭酸水素アニオン、カルボン酸アニオン、チオカルボン酸アニオン、ジチオカルボン酸アニオン、硫酸水素アニオン、スルホン酸アニオン、リン酸二水素アニオン、リン酸ジエステルアニオン、ホスホン酸モノエステルアニオン、ホスホン酸水素アニオン、ホスフィン酸アニオン、含窒素へテロ環アニオン、硝酸アニオン、次亜塩素酸アニオン、シアニドアニオン、シアナートアニオン、イソシアナートアニオン、チオシアナートアニオン、イソチオシアナートアニオン、アジドアニオンなどが挙げられる。非共有電子対で配位する単座配位子としては、水、アルコール、フェノール、エーテル、アミン、アニリン、アミド、イミド、イミン、ニトリル、イソニトリル、チオール、チオエーテル、カルボニル化合物、チオカルボニル化合物、スルホキシド、へテロ環、あるいは、炭酸、カルボン酸、硫酸、スルホン酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、硝酸、または、そのエステルが挙げられる。
単座配位子の種類および数は、銅錯体に配位する化合物（Ａ）に応じて適宜選択することができる。
化合物（Ａ）以外の配位子として用いる単座配位子の具体例としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。以下において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００２０】
【表１】
2016068037.tif 000007
【００２１】
本発明に用いられる銅錯体は、アニオンで配位する配位部位の数に応じて、電荷を持たない中性錯体のほか、カチオン錯体、アニオン錯体になることもある。この場合、銅錯体の電荷を中和するよう、必要に応じて対イオンが存在する。
対イオンが負の対イオンの場合、例えば、無機陰イオンでも有機陰イオンでもよい。具体例としては、水酸化物イオン、ハロゲン陰イオン（例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等）、置換または無置換のアルキルカルボン酸イオン（酢酸イオン、トリフルオロ酢酸等）、置換または無置換のアリールカルボン酸イオン（安息香酸イオン等）、置換もしくは無置換のアルキルスルホン酸イオン（メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオン（例えばｐ−トルエンスルホン酸イオン、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸イオン等）、アリールジスルホン酸イオン（例えば１，３−ベンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオン等）、アルキル硫酸イオン（例えばメチル硫酸イオン等）、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が挙げられ、ハロゲン陰イオン、置換もしくは無置換のアルキルカルボン酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が好ましい。
対イオンが正の対イオンの場合、例えば、無機もしくは有機のアンモニウムイオン（例えば、テトラブチルアンモニウムイオンなどのテトラアルキルアンモニウムイオン、トリエチルベンジルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等）、ホスホニウムイオン（例えば、テトラブチルホスホニウムイオンなどのテトラアルキルホスホニウムイオン、アルキルトリフェニルホスホニウムイオン、トリエチルフェニルホスホニウムイオン等）、アルカリ金属イオンまたはプロトンが挙げられる。
また、対イオンは金属錯体イオンであってもよく、特に対イオンが銅錯体、すなわち、カチオン性銅錯体とアニオン性銅錯体の塩であっても良い。
ここで、本発明の組成物中から、銅と化合物（Ａ）の構造を検出できれば、本発明の組成物中において化合物（Ａ）を配位子とした銅錯体が形成されているといえる。本発明の組成物中から銅と化合物（Ａ）を検出する方法としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分析が挙げられる。
【００２２】
本発明で用いる銅錯体は、例えば、以下の（１）〜（５）の態様が好ましい一例として挙げられ、（２）〜（５）がより好ましく、（３）〜（５）が更に好ましく、（４）または（５）が一層好ましい。
（１）２つの配位部位を有する化合物の１つまたは２つを配位子として有する銅錯体
（２）３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体
（３）３つの配位部位を有する化合物と２つの配位部位を有する化合物とを配位子として有する銅錯体
（４）４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体
（５）５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体
【００２３】
上記（１）の態様において、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位部位を２つ有する化合物、または、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位部位とを有する化合物が好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物の２つを配位子として有する場合、配位子の化合物は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、（１）の態様において、銅錯体は、上述した単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１〜３個とすることもできる。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましく、２つの配位部位を有する化合物が非共有電子対で配位する配位部位を２つ有する化合物の場合は配位力が強いという理由からアニオンで配位する単座配位子がより好ましく、２つの配位部位を有する化合物がアニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位部位とを有する化合物の場合には錯体全体が電荷を持たないという理由から非共有電子対で配位する単座配位子がより好ましい。
【００２４】
上記（２）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位部位を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位部位を３つ有する化合物が更に好ましい。
また、（２）の態様において、銅錯体は、更に、上述した単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもできる。また、１個以上とすることもでき、１〜３個以上がより好ましく、１〜２個がさらに好ましく、２個が一層好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましく、上述した理由によりアニオンで配位する単座配位子がより好ましい。
【００２５】
上記（３）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、アニオンで配位する配位部位と、非共有電子対で配位する配位部位とを有する化合物が好ましく、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位部位を１つ有する化合物が更に好ましい。さらに、この２つのアニオンで配位する配位部位が異なっていることが特に好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位部位を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位部位を２つ有する化合物が更に好ましい。なかでも、３つの配位部位を有する化合物が、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位部位を１つ有する化合物であり、２つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位部位を２つ有する化合物である組み合わせが、特に好ましい。
また、（３）の態様において、銅錯体は、更に、上述した単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。０個がより好ましい。
【００２６】
上記（４）の態様において、４つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位部位を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位部位を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位部位を４つ有する化合物が更に好ましい。
また、（４）の態様において、銅錯体は、更に、上述した単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもでき、２個以上とすることもできる。１個が好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましい。
【００２７】
上記（５）の態様において、５つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位部位を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位部位を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位部位を５つ有する化合物が更に好ましい。
また、（５）の態様において、銅錯体は、更に、上述した単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。単座配位子の数は０個が好ましい。
【００２８】
＜＜少なくとも２つの配位部位を有する化合物（Ａ）＞＞
次に、銅錯体の配位子をなす化合物（Ａ）について説明する。
化合物（Ａ）は、１分子内に、配位部位を少なくとも２つ有し、３つ以上有していてもよい。配位部位としては、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子が挙げられる。化合物（Ａ）は、配位部位として、アニオンで配位する配位部位のみを２つ以上有していてもよいし、非共有電子対で配位する配位部位のみを２つ以上有していてもよいし、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位部位をそれぞれ１つ以上有していてもよい。
配位部位が３つである形態としては、３つのアニオンで配位する配位部位を有する場合、２つのアニオンで配位する配位部位と１つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、１つのアニオンで配位する配位部位と２つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、３つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合が挙げられる。
配位部位が４つである形態としては、４つのアニオンで配位する配位部位を有する場合、３つのアニオンで配位する配位部位と１つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、２つのアニオンで配位する配位部位と２つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、１つのアニオンで配位する配位部位と３つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、４つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合が挙げられる。
配位部位が５つである形態としては、５つのアニオンで配位する配位部位を有する場合、４つのアニオンで配位する配位部位と１つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、３つのアニオンで配位する配位部位と２つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、２つのアニオンで配位する配位部位と３つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、１つのアニオンで配位する配位部位と４つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合、５つの非共有電子対で配位する配位部位を有する場合が挙げられる。
【００２９】
化合物（Ａ）において、アニオンは、銅原子に配位可能なものであればよく、酸素アニオン、窒素アニオンまたは硫黄アニオンが好ましい。
アニオンで配位する配位部位は、以下の１価の官能基群（ＡＮ−１）、または、２価の官能基群（ＡＮ−２）から選択される少なくとも１種であることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、化合物（Ａ）を構成する原子団との結合位置である。
【００３０】
群（ＡＮ−１）
【化６】
2016068037.tif 000008
【００３１】
群（ＡＮ−２）
【化７】
2016068037.tif 000009
【００３２】
上記アニオンで配位する配位部位中、Ｘは、ＮまたはＣＲを表し、Ｒは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表すことが好ましい。
アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましい。アルキル基の例としては、メチル基が挙げられる。アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としてはハロゲン原子、カルボキシル基、ヘテロ環基が挙げられる。置換基としてのヘテロ環基は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましく１または２が好ましい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子は、窒素原子が好ましい。アルキル基が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよい。
アルケニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルケニル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。アルケニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
アルキニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキニル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。アルキニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
アリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。アリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
【００３３】
化合物（Ａ）において、非共有電子対で配位する配位原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子またはリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子または硫黄原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましく、窒素原子が特に好ましい。
化合物（Ａ）において、非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子である場合、窒素原子に隣接する原子が炭素原子、または、窒素原子であることが好ましく、炭素原子がより好ましい。
【００３４】
非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれる、または、以下の１価の官能基群（ＵＥ−１）、２価の官能基群（ＵＥ−２）、３価の官能基群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造に含まれることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、化合物（Ａ）を構成する原子団との結合位置である。
群（ＵＥ−１）
【化８】
2016068037.tif 000010
【００３５】
群（ＵＥ−２）
【化９】
2016068037.tif 000011
【００３６】
群（ＵＥ−３）
【化１０】
2016068037.tif 000012
【００３７】
群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。
【００３８】
非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれていてもよい。非共有電子対で配位する配位原子が環に含まれる場合、非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、５〜１２員環が好ましく、５〜７員環がより好ましい。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子、ケイ素原子、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、カルボキシル基等が挙げられる。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよく、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造を含む基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアシル基、ヒドロキシ基が挙げられる。
【００３９】
非共有電子対で配位する配位原子が群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）で表される部分構造に含まれる場合、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルコキシ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、３〜９がより好ましい。
アリールオキシ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールオキシ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールオキシ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルキルチオ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜９がより好ましい。
アリールチオ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールチオ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールチオ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アシル基の炭素数は、２〜１２が好ましく、２〜９がより好ましい。
【００４０】
化合物（Ａ）において、１分子内に、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位部位とを有する場合、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位部位とを連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができ、可視光透過性を高めつつ、モル吸光係数を大きくし易い。
アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位部位とを連結する原子の種類は、１種または２種以上であってもよい。炭素原子、または、窒素原子が好ましい。
以下の例示化合物において、カルボン酸のプロトンが解離してカルボキシレートアニオンとなった状態で配位子として銅イオンに配位する場合、アニオンが酸素アニオンであり、非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子であり、アニオンと、非共有電子対で配位する配位原子を連結する原子は炭素原子である。また、アニオンと、非共有電子対で配位する配位原子を連結する原子数は２である。この例示化合物のプロトンが解離せず、非イオン性の状態で銅イオンに配位する場合、カルボン酸上の酸素原子と窒素原子の２つの非共有電子対で配位すると解釈されるが、この例示化合物においてこのような配位形式をとることは稀である。
【化１１】
2016068037.tif 000013
【００４１】
化合物（Ａ）において、１分子内に、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する場合、非共有電子対で配位する配位原子は３つ以上有していてもよく、２〜５つ有していることが好ましく、４つ有していることがより好ましい。
非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、２〜３が更に好ましく、３が特に好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができる。
非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、１種または２種以上であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、炭素原子が好ましい。
【００４２】
化合物（Ａ）は、下記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）で表されることも好ましい。例えば、化合物（Ａ）が４つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−３）、（ＩＶ−６）、（ＩＶ−７）、（ＩＶ−１２）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な５配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−１２）で表される化合物がより好ましい。（ＩＶ−１２）で表される化合物において、Ｘ３３〜Ｘ３５は、群（ＵＥ−１）から選択される少なくとも１種が好ましい。Ｘ５７は、群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
また、例えば、化合物（Ａ）が５つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−４）、（ＩＶ−８）〜（ＩＶ−１１）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な５配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−９）〜（ＩＶ−１０）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物がより好ましく、（ＩＶ−１３）で表される化合物が特に好ましい。（ＩＶ−１３）で表される化合物において、Ｘ３６およびＸ３７は、群（ＵＥ−１）から選択される少なくとも１種が好ましい。Ｘ５６は、群（ＵＥ−２）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。Ｘ５８は、群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
【化１２】
2016068037.tif 000014
一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）中、Ｘ１〜Ｘ５９はそれぞれ独立して、配位部位を表し、Ｌ１〜Ｌ２５はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｌ２６〜Ｌ３２はそれぞれ独立して３価の連結基を表し、Ｌ３３〜Ｌ３４はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。
Ｘ１〜Ｘ４２はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−１）、または、群（ＵＥ−１）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ４３〜Ｘ５６はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−２）、または、群（ＵＥ−２）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ５７〜Ｘ５９はそれぞれ独立して、上述した群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｌ１〜Ｌ２５はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数６〜１２のアリーレン基、−ＳＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ２−または、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、−ＳＯ２−またはこれらの組み合わせからなる基がより好ましい。
Ｌ２６〜Ｌ３２はそれぞれ独立して３価の連結基を表す。３価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を１つ除いた基が挙げられる。
Ｌ３３〜Ｌ３４はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。４価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。
【００４３】
上記式（ＩＶ−１２）で表される化合物は、下記の式（ＩＶ−１２’）で表される化合物であることがより好ましい。
【化１３】
2016068037.tif 000015
Ｒ１は、群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）におけるＲ１と同義であり、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。Ｒ１同士は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００４４】
上記式（ＩＶ−１３）で表される化合物は、下の一般式（ＩＶ−１３’）で表される化合物であることがより好ましい。
【化１４】
2016068037.tif 000016
Ｒ１は、群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）におけるＲ１と同義であり、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。Ｒ１同士は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｌ２３、Ｘ３８は、（ＩＶ−１３）におけるＬ２３、Ｘ３８と同義である。
【００４５】
ここで、群（ＡＮ−１）〜（ＡＮ−２）中のＲ、および、群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中のＲ１は、Ｒ同士、Ｒ１同士、あるいは、ＲとＲ１間で連結して環を形成しても良い。たとえば、一般式（ＩＶ−２）の具体例として、下の化合物（ＩＶ−２Ａ）が挙げられる。なお、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ４３は以下に示した基であり、Ｌ２、Ｌ３はメチレン基、Ｒ１はメチル基であるが、このＲ１同士が連結して環を形成し、（ＩＶ−２Ｂ）や（ＩＶ−２Ｃ）のようになっても良い。
【化１５】
2016068037.tif 000017
【００４６】
なお、化合物（Ａ）は、可視光透過性を向上させるために、芳香族などのπ共役系が連続して複数結合していないことが好ましい。
【００４７】
化合物（Ａ）は、５員環または６員環を含む化合物であることも好ましく、共有電子対で配位する配位原子が５員環または６員環を構成することも好ましい。
化合物（Ａ）が有する非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子であることも好ましい。また、化合物（Ａ）が有する非共有電子対で配位する配位原子としての窒素原子に隣接する原子が炭素原子であり、上記炭素原子が置換基を有することも好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができる。置換基は、上述した非共有電子対で配位する配位原子を含む環が有していてもよい置換基と同義であり、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、ハロゲン原子が好ましい。特に、アルキル基、アリール基、カルボキシル基、ハロゲン原子が好ましい。
【００４８】
化合物（Ａ）の分子量は、５０〜１０００が好ましく、５０〜５００がより好ましい。分子量が上記範囲であれば、錯体の分子量が小さい値になり、グラム吸光係数が大きくなるという効果が得られる。なお、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、構造式から求めた理論値である。
化合物（Ａ）の具体例としては、以下の化合物および以下の化合物の塩（例えばナトリウム等の金属塩（アルカリ金属塩））が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
２つの配位部位を有する化合物としては以下のＡ２−１〜Ａ２−２４０に示す化合物が挙げられる。３つの配位部位を有する化合物としては以下のＡ３−１〜Ａ３−１４２に示す化合物が挙げられる。４つの配位部位を有する化合物としては以下のＡ４−１〜Ａ４−２２０に示す化合物が挙げられる。５つの配位部位を有する化合物としては以下のＡ５−１〜Ａ５−３７に示す化合物が挙げられる。なお、以下に示す化合物は、いずれも４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物である。
【化１６】
2016068037.tif 000018
【化１７】
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【化１８】
2016068037.tif 000020
【化１９】
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【化２０】
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【化２１】
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【化２２】
2016068037.tif 000024
【化２３】
2016068037.tif 000025
【化２４】
2016068037.tif 000026
【化２５】
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【化２６】
2016068037.tif 000028
【化２７】
2016068037.tif 000029
【化２８】
2016068037.tif 000030
【化２９】
2016068037.tif 000031
【化３０】
2016068037.tif 000032
【化３１】
2016068037.tif 000033
【００４９】
本発明で用いることできる銅錯体の具体例としては、下記表に示した例が挙げられるが、本発明は、これらに限定されるものではない。以下の表中、Ｐｈはフェニル基を表す。
なお、近赤外線吸収性組成物の銅錯体以外の成分（溶剤、各種添加剤など）が、さらに配位してもよく、また、銅錯体の配位子の一部が銅錯体以外の成分と置き換わった状態で存在しても良い。これは置換活性なｄ９電子配置を有する銅（ＩＩ）錯体に一般的な性質である。
【表２】
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【表３】
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【表４】
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【表５】
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【表６】
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【表７】
2016068037.tif 000039
【表８】
2016068037.tif 000040
【表９】
2016068037.tif 000041
【表１０】
2016068037.tif 000042
【表１１】
2016068037.tif 000043
【表１２】
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【表１３】
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【表１４】
2016068037.tif 000046
【００５０】
本発明の近赤外線吸収性組成物における銅錯体の含有量（化合物（Ａ）と、銅成分を反応させてなる銅錯体も同様）は、本発明の近赤外線吸収性組成物（溶剤も含む）に対して、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましい。上限は、例えば、６０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物における銅錯体の含有量は、組成物の全固形分に対して、１５質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上がさらに好ましい。上限は、６０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましく、４５質量％以下がさらに好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物に含まれる近赤外線吸収性物質のうち、化合物（Ａ）と銅成分を反応させてなる化合物の割合は、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上がさらに好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物における銅の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましい。上限は、３０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物の全固形分は、組成物に対して１質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましい。上限は、６０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物は、上述した本発明で用いられる銅錯体を１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。上述した本発明で用いられる銅錯体を２種以上用いる場合、その合計量が上記範囲内であることが好ましい。
【００５１】
＜＜他の近赤外線吸収性化合物＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、膜分光の調整などの目的で、上述した銅錯体以外の近赤外線吸収性化合物（以下、他の近赤外線吸収性化合物ともいう）を配合してもよい。
本発明の近赤外線吸収性組成物が、他の近赤外線吸収性化合物を含有する場合、他の近赤外線吸収性化合物の含有量は、本発明の近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、０．０１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましい。上限値は、６０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。なお、本発明は、他の近赤外線吸収性化合物を含有しない組成とすることもできる。
他の近赤外線吸収性化合物は、極大吸収波長領域が７００〜２５００ｎｍ、好ましくは７００〜１２００ｎｍの範囲内に有するものであれば、特に制限されるものではない。例えば、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有し、この極大吸収波長におけるモル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）未満の銅錯体などが挙げられる。
また、ピロロピロール系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物（フタロシアニン銅錯体を含む）、ナフタロシアニン系化合物、イモニウム系化合物、チオール錯体系化合物、遷移金属酸化物系化合物、スクアリリウム系化合物、クオタリレン系化合物、ジチオール金属錯体系化合物、クロコニウム系化合物等などを用いることもできる。
ピロロピロール系化合物は、顔料であってもよく、染料であってもよいが、耐熱性に優れた膜を形成しやすいという理由から顔料が好ましい。ピロロピロール系化合物としては、例えば、特開２００９−２６３６１４号公報の段落番号００１６〜００５８に記載のピロロピロール化合物などが挙げられる。
シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、インモニウム系化合物、スクアリリウム系化合物及びクロコニウム系化合物は、特開２０１０−１１１７５０号公報の段落００１０〜００８１に記載の化合物を使用してもよく、この内容は本明細書に組み込まれる。また、シアニン系化合物は、例えば、「機能性色素、大河原信／松岡賢／北尾悌次郎／平嶋恒亮・著、講談社サイエンティフィック」を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。また、フタロシアニン系化合物は、特開２０１３−１９５４８０号公報の段落００１３〜００２９の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれる。
モル吸光係数が１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）未満の銅錯体としては、配位部位を含む化合物と、銅成分との反応で得られる低分子タイプの銅錯体、配位部位を含むポリマー（ポリマー（Ｂ）ともいう）と銅成分との反応で得られるポリマータイプの銅錯体を用いることができる。
【００５２】
＜＜無機微粒子＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、目的の近赤外線遮蔽性を得るために、無機微粒子を含んでいてもよい。無機微粒子は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
無機微粒子は、主に、赤外線を遮光（吸収）する役割を果たす粒子である。無機微粒子は、赤外線遮蔽性がより優れる点で、金属酸化物微粒子または金属微粒子が好ましい。
金属酸化物粒子としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子、Ａｌドープ酸化亜鉛（ＡｌドープＺｎＯ）粒子、フッ素ドープ二酸化スズ（ＦドープＳｎＯ２）粒子、ニオブドープ二酸化チタン（ＮｂドープＴｉＯ２）粒子などが挙げられる。
金属微粒子としては、例えば、銀（Ａｇ）粒子、金（Ａｕ）粒子、銅（Ｃｕ）粒子、ニッケル（Ｎｉ）粒子など挙げられる。なお、赤外線遮蔽性とフォトリソ性とを両立するためには、露光波長（３６５−４０５ｎｍ）の透過率が高い方が望ましく、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子または酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子が好ましい。
無機微粒子の形状は特に制限されず、球状、非球状を問わず、シート状、ワイヤー状、チューブ状であってもよい。
【００５３】
また、無機微粒子としては酸化タングステン系化合物が使用できる、具体的には、下記一般式（組成式）（Ｉ）で表される酸化タングステン系化合物であることがより好ましい。
ＭｘＷｙＯｚ・・・（Ｉ）
Ｍは金属、Ｗはタングステン、Ｏは酸素を表す。
０．００１≦ｘ／ｙ≦１．１
２．２≦ｚ／ｙ≦３．０
Ｍが表す金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉが挙げられ、アルカリ金属が好ましく、ＲｂまたはＣｓがより好ましく、Ｃｓが特に好ましい。Ｍの金属は１種でも２種以上でも良い。
ｘ／ｙが０．００１以上であることにより、赤外線を十分に遮蔽することができ、１．１以下であることにより、酸化タングステン系化合物中に不純物相が生成されることをより確実に回避することできる。
ｚ／ｙが２．２以上であることにより、材料としての化学的安定性をより向上させることができ、３．０以下であることにより赤外線を十分に遮蔽することができる。
上記一般式（Ｉ）で表される酸化タングステン系化合物の具体例としては、Ｃｓ０．３３ＷＯ３、Ｒｂ０．３３ＷＯ３、Ｋ０．３３ＷＯ３、Ｂａ０．３３ＷＯ３などを挙げることができ、Ｃｓ０．３３ＷＯ３又はＲｂ０．３３ＷＯ３であることが好ましく、Ｃｓ０．３３ＷＯ３であることが更に好ましい。
酸化タングステン系化合物は、例えば、住友金属鉱山株式会社製のＹＭＦ−０２、ＹＭＦ−０２Ａ、ＹＭＳ−０１Ａ−２、ＹＭＦ−１０Ａ−１などのタングステン微粒子の分散物として入手可能である。
【００５４】
無機微粒子の平均粒子径は、８００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下が更に好ましい。無機微粒子の平均粒子径がこのような範囲であることによって、可視光領域における透光性をより確実にすることができる。光酸乱を回避する観点からは、平均粒子径は小さいほど好ましいが、製造時における取り扱い容易性などの理由から、無機微粒子の平均粒子径は、通常、１ｎｍ以上である。
無機微粒子の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がさらに好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
【００５５】
＜＜溶剤＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、溶剤を含有していてもよい。溶剤は、特に制限はなく、各成分を均一に溶解或いは分散しうるものであれば、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、水、有機溶剤を用いることができる。また、水と有機溶剤とを併用することもできる。
有機溶剤としては、例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホラン等が好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類の具体例としては、特開２０１２−１９４５３４号公報段落０１３６等に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
エステル類、ケトン類、エーテル類の具体例としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４９７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の［０６０９］）に記載のものが挙げられる。さらに、酢酸−ｎ−アミル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、硫酸メチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
溶剤としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、酢酸ブチル、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選択される少なくとも１種以上を用いることが好ましい。
溶剤の含有量は、本発明の近赤外線吸収性組成物の全固形分が５〜６０質量％となる量が好ましく、１０〜４０質量％となる量がより好ましい。
また、水と有機溶剤とを併用する場合、水と有機溶剤とを質量比で、０．１：９９．９〜３０：７０が好ましく、０．２：９９．８〜２０：８０がより好ましく、０．５：９９．５〜１０：９０が更に好ましい。
溶剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【００５６】
＜＜硬化性化合物＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、硬化性化合物を含有してもよい。硬化性化合物は、重合性基などを有する化合物であってもよいし、バインダー等の非重合性化合物であってもよい。硬化性化合物は、モノマー、オリゴマー、プレポリマー、ポリマーなどの化学的形態のいずれであってもよい。硬化性化合物としては、例えば、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００７０〜０１９１（対応する国際公開ＷＯ２０１４／０１７６６９号パンフレットの段落００７１〜０１９２）、特開２０１４−３２３８０号公報の段落００４５〜０２１６等の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれる。
硬化性化合物としては、例えば、エチレン性不飽和結合を含む基を有する化合物、環状エーテル基（例えば、エポキシ基、オキセタニル基など）を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、スチリル基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アリル基が好ましい。エチレン性不飽和結合を含む基を有する化合物は、上記の基を１個有する単官能化合物であってもよいし、上記の基を２個以上有する多官能化合物であってもよいが、多官能化合物であることが好ましい。近赤外線吸収性組成物が、多官能化合物を含有することにより、耐熱性をより向上させることができる。
硬化性化合物としては、単官能の（メタ）アクリレート、多官能の（メタ）アクリレート（好ましくは３〜６官能の（メタ）アクリレート）、多塩基酸変性アクリルオリゴマー、エポキシ樹脂、多官能のエポキシ樹脂などが挙げられる。
また、本発明では、硬化性化合物として、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を用いることができる。Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子である。Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）から選択される１種である。ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物によって得られる硬化物は、強固な化学結合により架橋しているので、耐熱性に優れる。また、近赤外線吸収性化合物（特に銅錯体）との相互作用が生じにくいので、近赤外線吸収性化合物の特性低下を抑制できる。このため、高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を形成できる。
【００５７】
本発明の近赤外線吸収性組成物が硬化性化合物を含有する場合、硬化性化合物の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、１〜９０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は、８０質量％以下が好ましく、７５質量％以下がより好ましい。また、硬化性化合物として、重合性基を有する繰り返し単位を含む重合体を用いる場合、硬化性化合物の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して１０〜７５質量％が好ましい。下限は２０質量％以上が好まし。上限は６５質量％以下が好ましく、６０質量％以下がさらに好ましい。
硬化性化合物は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物は、硬化性化合物を実質的に含有しないこともできる。「硬化性化合物を実質的に含有しない」とは、例えば、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、０．５質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、含有しないことが一層好ましい。
【００５８】
＜＜＜エチレン性不飽和結合を含む基を有する化合物＞＞＞
本発明では、硬化性化合物として、エチレン性不飽和結合を含む基を有する化合物を用いることができる。エチレン性不飽和結合を含む基を有する化合物の例としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００３３〜００３４の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
エチレン性不飽和結合を含む基を有する化合物としては、エチレンオキシ変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては、ＮＫエステルＡＴＭ−３５Ｅ；新中村化学社製）、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３３０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３２０；日本化薬株式会社製）ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては  ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３１０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ；日本化薬株式会社製、Ａ−ＤＰＨ−１２Ｅ；新中村化学工業社製）、およびこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介している構造が好ましい。またこれらのオリゴマータイプも使用できる。
また、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００３４〜００３８の重合性化合物の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
また、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４７７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０５８５]）に記載の重合性モノマー等が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、ジグリセリンＥＯ（エチレンオキシド）変性（メタ）アクリレート（市販品としては  Ｍ−４６０；東亜合成製）が好ましい。ペンタエリスリトールテトラアクリレート（新中村化学製、Ａ−ＴＭＭＴ）、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（日本化薬社製、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＨＤＤＡ）も好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。例えば、ＲＰ−１０４０（日本化薬株式会社製）などが挙げられる。
【００５９】
エチレン性不飽和結合を含む基を有する化合物は、カルボキシル基、スルホ基、リン酸基等の酸基を有していてもよい。
酸基を含む上記化合物としては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルなどが挙げられる。脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシル基に、非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた化合物が好ましく、特に好ましくは、このエステルにおいて、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトールおよび／またはジペンタエリスリトールであるものである。市販品としては、例えば、東亞合成株式会社製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、アロニックスシリーズのＭ−３０５、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０などが挙げられる。
酸基を含む上記化合物の酸価は、０．１〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。下限は５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましい。上限は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましい。
【００６０】
＜＜＜エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物＞＞＞
本発明では、硬化性化合物として、エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物を用いることができる。エポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物としては、側鎖にエポキシ基を有するポリマー、分子内に２個以上のエポキシ基を有するモノマーまたはオリゴマーなどが挙げられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。また単官能または多官能グリシジルエーテル化合物も挙げられ、多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が好ましい。
重量平均分子量は、５００〜５００００００が好ましく、１０００〜５０００００がより好ましい。
これらの化合物は、市販品を用いてもよいし、ポリマーの側鎖へエポキシ基を導入することによっても得られるものを用いてもよい。
【００６１】
市販品としては、例えば、特開２０１２−１５５２８８号公報段落０１９１等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、デナコール  ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ（以上、ナガセケムテックス(株)製）等の多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が挙げられる。これらは、低塩素品であるが、低塩素品ではない、ＥＸ−２１２、ＥＸ−２１４、ＥＸ−２１６、ＥＸ−３２１、ＥＸ−８５０なども同様に使用できる。
その他にも、ＡＤＥＫＡ  ＲＥＳＩＮ  ＥＰ−４０００Ｓ、同ＥＰ−４００３Ｓ、同ＥＰ−４０１０Ｓ、同ＥＰ−４０１１Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＮＣ−２０００、ＮＣ−３０００、ＮＣ−７３００、ＸＤ−１０００、ＥＰＰＮ−５０１、ＥＰＰＮ−５０２（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＪＥＲ１０３１Ｓ、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド２０８３、セロキサイド２０８５、ＥＨＰＥ３１５０、ＥＰＯＬＥＡＤ  ＰＢ  ３６００、同ＰＢ  ４７００（以上、（株）ダイセル製）、サイクロマ―Ｐ  ＡＣＡ  ２００Ｍ、同ＡＣＡ  ２３０ＡＡ、同ＡＣＡ  Ｚ２５０、同ＡＣＡ  Ｚ２５１、同ＡＣＡ  Ｚ３００、同ＡＣＡ  Ｚ３２０（以上、（株）ダイセル製）等も挙げられる。
さらに、フェノールノボラック型エポキシ樹脂の市販品として、ＪＥＲ−１５７Ｓ６５、ＪＥＲ−１５２、ＪＥＲ−１５４、ＪＥＲ−１５７Ｓ７０（以上、三菱化学（株）製）等が挙げられる。
また、側鎖にオキセタニル基を有するポリマー、分子内に２個以上のオキセタニル基を有する重合性モノマーまたはオリゴマーの具体例としては、アロンオキセタンＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ（以上、東亞合成（株）製）を用いることができる。
エポキシ基を有する化合物としては、グリシジル（メタ）アクリレートやアリルグリシジルエーテル等のエポキシ基としてグリシジル基を有するものも使用可能であるが、好ましいものは脂環式エポキシ基を有する不飽和化合物である。このようなものとしては例えば特開２００９−２６５５１８号公報段落００４５等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
エポキシ基またはオキセタニル基を含む化合物は、エポキシ基またはオキセタニル基を繰り返し単位として有する重合体を含んでいてもよい。具体的には、下記の繰り返し単位を有する重合体（共重合体）が挙げられる。
【００６２】
【化３２】
2016068037.tif 000047
【００６３】
＜＜＜Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物＞＞＞
本発明では、硬化性化合物として、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を用いることができる。
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子であり、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒが好ましく、Ｓｉがより好ましい。
Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）から選択される１種であり、アルコキシ基、アシルオキシ基およびオキシム基が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。なお、Ｘが、Ｏ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）である場合、カルボニル基（−ＣＯ−）の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
Ｍ−Ｘで表される部分構造は、特に、ＭがＳｉで、Ｘがアルコキシ基である組み合わせが好ましい。この組み合わせによれば、適度な反応性を有しているので、近赤外線吸収性組成物の保存安定性を良好にできる。更にはより耐熱性に優れた硬化膜を形成しやすい。
【００６４】
アルコキシ基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜２が特に好ましい。アルコキシ基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、直鎖がより好ましい。アルコキシ基は、無置換であってもよく、置換基を有してもよいが、無置換が好ましい。置換基としては、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、重合性基（例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタン基など）、アミノ基、イソアネート基、イソシアヌレート基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、スルホ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、例えば、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基等が挙げられる。例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基などが挙げられる。置換基としては上述したものが挙げられる。
オキシム基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜５がさらに好ましい。例えば、エチルメチルケトオキシム基などが挙げられる。
アミノ基としては、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、炭素数０〜３０のヘテロ環アミノ基等が挙げられる。例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ、Ｎ−１，３，５−トリアジン−２−イルアミノ等が挙げられる。置換基としては上述したものが挙げられる。
ＲａおよびＲｂが表す１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、−Ｒ１０１−ＣＯＲ１０２で表される基等が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。アルキル基は、無置換であってもよく、上述した置換基を有していてもよい。
アリール基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１２がより好ましい。アリール基は、無置換であってもよく、上述した置換基を有していてもよい。
−Ｒ１０１−ＣＯＲ１０２で表される基において、Ｒ１０１は、アリーレン基を表し、Ｒ１０２はアルキル基またはアリール基を表す。
Ｒ１０１が表すアリーレン基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましい。アリーレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。アリーレン基は、無置換であってもよく、上述した置換基を有していてもよい。
Ｒ１０２が表すアルキル基およびアリール基は、Ｒａ、Ｒｂで説明したものが挙げられ、好まし範囲も同様である。
【００６５】
Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物は、低分子化合物、ポリマーのいずれの形態であってもよいが、より耐熱性に優れた膜を形成しやすいという理由からポリマーが好ましい。
Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、低分子化合物の分子量は、１００〜１０００であることが好ましい。上限は、８００以下が好ましく、７００以下がより好ましい。なお、分子量は、構造式から求めた理論値である。
Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、ポリマータイプの化合物の重量平均分子量は、５００〜３０００００であることが好ましい。下限は、１０００以上が好ましく、２０００以上がより好ましい。上限は、２５００００以下が好ましく、２０００００以下がより好ましい。
【００６６】
Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、低分子化合物としては、例えば、下記（ＭＸ１）で表される化合物が挙げられる。
Ｍ−（Ｘ１）ｍ      ・・・（ＭＸ１）
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子を表し、Ｘ１は置換基または配位子を表し、ｍ個のＸ１のうち、少なくとも１つが、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）から選択される１種であり、Ｘ１同士は、それぞれ結合して環を形成していてもよく、ｍは、ＭのＸ１との結合手の数を表す。ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
【００６７】
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子であり、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒが好ましく、Ｓｉがより好ましい。
Ｘ１は置換基または配位子を表し、ｍ個のＸ１のうち、少なくとも１つが、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）から選択される１種であり、ｍ個のＸ１のうち、少なくとも１つが、アルコキシ基、アシルオキシ基およびオキシム基から選択される１種であることが好ましく、ｍ個のＸ１のうち、少なくとも１つがアルコキシ基であることが更に好ましく、Ｘ１の全てが、アルコキシ基であることがより好ましい。
置換基および配位子のうち、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）は、上述したものと同義であり、好ましい範囲も同様である。
ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基以外の置換基としては、炭化水素基が好ましい。炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基などが挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１２がより好ましく、１〜８がさらに好ましい。分岐状のアルキル基の炭素数は、３〜２０が好ましく、３〜１２がより好ましく、３〜８がさらに好ましい。環状のアルキル基は、単環、多環のいずれであってもよい。環状のアルキル基の炭素数は、３〜２０が好ましく、４〜１０がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。
アルケニル基の炭素数は、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましく、２〜４がさらに好ましい。
アリール基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。
炭化水素基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、重合性基（例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタン基など）、アミノ基、イソアネート基、イソシアヌレート基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、スルホ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基等が挙げられる。
【００６８】
ＭがＳｉで表される化合物としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
市販品としては、信越シリコーン社製の  ＫＢＭ−１３、ＫＢＭ−２２、ＫＢＭ−１０３、ＫＢＥ−１３、ＫＢＥ−２２、ＫＢＥ−１０３、ＫＢＭ−３０３３、ＫＢＥ−３０３３、ＫＢＭ−３０６３、ＫＢＥ−３０６３、ＫＢＥ−３０８３、ＫＢＭ−３１０３、ＫＢＭ−３０６６、ＫＢＭ−７１０３、ＳＺ−３１、ＫＰＮ−３５０４、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−３０３、ＫＢＭ−４０２、ＫＢＭ−４０３、ＫＢＥ−４０２、ＫＢＥ−４０３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２、ＫＢＭ−５０３、ＫＢＥ−５０２、ＫＢＥ−５０３、ＫＢＭ−５１０３、ＫＢＭ−６０２、ＫＢＭ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−９０３、ＫＢＥ−９１０３、ＫＢＭ−５７３、ＫＢＭ−５７５、ＫＢＭ−９６５９、ＫＢＥ−５８５、ＫＢＭ−８０２、ＫＢＭ−８０３、ＫＢＥ−８４６、ＫＢＥ−９００７などが挙げられる。
【００６９】
ＭがＴｉで表される化合物としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラオクチルチタネート、チタンジイソプロポキシビス（アセチルアセトネート）、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）、リン酸チタン化合物、チタニウムジ−２−エチルヘキソキシビス（２−エチル−３−ヒドロキシヘキソキシド）、チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンジイソプロポキシビス（トリエタノールアミネート）、ターシャリーアミルチタネート、テトラターシャリーブチルチタネート、テトラステアリルチタネート、チタン−１，３−プロパンジオキシビス（エチルアセトアセテート）、ドデシルベンゼンスルホン酸チタン化合物、チタンイソステアレート、チタンジエタノールアミネート、チタンアミノエチルアミノエタノレートなどが挙げられる。市販品としては、マツモトファインケミカル社製のオルガチックスシリーズ（例えば、ＴＡ−１０、ＴＡ−２１、ＴＡ−２３、ＴＡ−３０、ＴＣ−１００、ＴＣ−４０１、ＴＣ−７１０、ＴＣ−１０４０、ＴＣ−２０１、ＴＣ−７５０、ＴＣ−３００、ＴＣ−３１０、ＴＣ−３１５、ＴＣ−４００、ＴＡ−６０、ＴＡ−８０、ＴＡ−９０、ＴＣ−１２０、ＴＣ−２２０、ＴＣ−７３０、ＴＣ−８１０、ＴＣ−８００、ＴＣ−５００、ＴＣ−５１０など）、味の素ファインテクノ社製のプレンアクトシリーズ（例えば、ＴＴＳ、４６Ｂ、５５、４１Ｂ、３８Ｓ、１３８Ｓ、２３８Ｓ、３３８Ｘ、４４、９ＳＡ、ＥＴなど）が挙げられる。
【００７０】
ＭがＺｒで表される化合物としては、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシド、ジルコニウムテトラノルマルブトキシド、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノアセチルアセトネート、ジルコニウムジブトキシビス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。市販品としては、マツモトファインケミカル社製のオルガチックスシリーズ（例えば、ＺＡ−４５、ＺＡ−６５、ＺＣ−１５０、ＺＣ−５４０、ＺＣ−７００、ＺＣ−５８０、ＺＣ−２００、ＺＣ−３２０、ＺＣ−１２６、ＺＣ−３００など）が挙げられる。
【００７１】
ＭがＡｌで表される化合物としては、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどが挙げられる。市販品としては、味の素ファインテクノ社製のプレンアクト  ＡＬ−Ｍなどが挙げられる。
【００７２】
Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、ポリマータイプの化合物としては、例えば、アクリル樹脂、アクリルアミド樹脂、スチレン樹脂、ポリシロキサンなどが挙げられる。なかでも、皮膜性の向上・塗布液粘度調整の容易性という理由からアクリル樹脂、アクリルアミド樹脂またはスチレン樹脂が好ましい。
ポリマータイプの化合物の具体例としては、例えば、下記（ＭＸ２−１）で表される繰り返し単位、下記（ＭＸ２−２）で表される繰り返し単位および下記（ＭＸ２−３）で表される繰り返し単位から選ばれる１種を有するポリマーなどが挙げられる。
【００７３】
【化３３】
2016068037.tif 000048
【００７４】
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子を表し、Ｘ２は置換基または配位子を表し、ｎ個のＸ２のうち、少なくとも１つが、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）から選択される１種であり、Ｘ２同士は、それぞれ結合して環を形成していてもよく、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表し、ｎは、ＭのＸ２との結合手の数を表す。
【００７５】
Ｍ、Ｘ２は、（ＭＸ１）のＭおよびＸ１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ１は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれも好ましいく、直鎖がより好ましい。アルキル基は、水素原子の一部または全部がハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）で置換されていてもよい。
Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ１０−（Ｒ１０は水素原子あるいはアルキル基を表し、水素原子が好ましい）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられ、アルキレン基、アリーレン基およびアルキレン基の少なくとも１つと−Ｏ−との組み合わせからなる基が好ましい。
アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５より好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。
アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましく、フェニレン基が特に好ましい。
【００７６】
上記ポリマータイプの化合物は、式（ＭＸ２−１）、（ＭＸ２−２）、（ＭＸ２−３）で表される繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。
他の繰り返し単位を構成する成分としては、特開２０１０−１０６２６８号公報の段落番号００６８〜００７５（対応する米国特許出願公開第２０１１／０１２４８２４号明細書の[０１１２]〜[０１１８]）に開示の共重合成分の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。好ましい他の繰り返し単位としては、下記式（ＭＸ３−１）〜（ＭＸ３−６）で表される繰り返し単位が挙げられる。
【００７７】
【化３４】
2016068037.tif 000049
式（ＭＸ３−１）〜（ＭＸ３−６）中、Ｒ５は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ４〜Ｌ７はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ１０〜Ｒ１３はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。
【００７８】
Ｒ５は、式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）のＲ１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｌ４〜Ｌ７は、式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）のＬ１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００７９】
Ｒ１０で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、環状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒ１０で表されるアリール基は、単環であってもよく、多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。
Ｒ１０は、環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。
【００８０】
Ｒ１１、Ｒ１２で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでも良く、直鎖状または分岐状が好ましい。アルキル基は置換していても良く、置換基としては上述したものが挙げられる。アルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が更に好ましい。
Ｒ１１，Ｒ１２で表されるアリール基は、単環であってもよく、多環であっても良いが、単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６が更に好ましい。
Ｒ１１、Ｒ１２は、直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。
【００８１】
Ｒ１３で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでも良く、直鎖状または分岐状が好ましい。アルキル基は置換していても良く、置換基としては上述したものが挙げられる。アルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が更に好ましい。
Ｒ１３で表されるアリール基は、単環であってもよく、多環であっても良いが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６が更に好ましい。
Ｒ１３は、直鎖状または分岐状のアルキル基、または、アリール基が好ましい。
【００８２】
上記ポリマータイプの化合物が、他の繰り返し単位（好ましくは式（ＭＸ３−１）〜（ＭＸ３−６）で表される繰り返し単位）を含む場合、式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）で表される繰り返し単位の合計と、他の繰り返し単位の合計とのモル比は、９５：５〜２０：８０であることが好ましく、９０：１０〜４０：６０であることがより好ましい。式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）で表される繰り返し単位の含有率を、上記範囲内で高めることで、得られる硬化膜の耐湿性および耐溶剤性がより向上する傾向にある。また、式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）で表される繰り返し単位の含有率を上記範囲内で低くすることで、得られる硬化膜の耐熱性がより向上する傾向にある。
【００８３】
ＭがＳｉで表されるポリマータイプの化合物としては、例えば、下記に示す化合物が挙げられる。なお、繰り返し単位に記載の数値は、モル比である。また、Ｍｗは、重量平均分子量である。また、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。
【００８４】
【化３５】
2016068037.tif 000050
【００８５】
【化３６】
2016068037.tif 000051
【００８６】
【化３７】
2016068037.tif 000052
【００８７】
【化３８】
2016068037.tif 000053
【００８８】
本発明では、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有するポリマータイプの化合物として、ポリシロキサンを用いることもできる。ポリシロキサンとしては、信越シリコーン社製のＫＣ−８９Ｓ、ＫＲ−５００、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２５０（いずれもメトキシ基を有するメチル系シリコーンアルコキシオリゴマー）、ＫＲ−９２１８、ＫＲ−２１３、ＫＲ−５１０、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４７（いずれもメトキシ基を有するメチルフェニル系シリコーンアルコキシオリゴマー）、Ｘ−４１−１０５３、Ｘ−４１−１０５９、Ａ、Ｘ−４１−１０５６、Ｘ−４１−１８０５、Ｘ−４１−１８１８、Ｘ−４１−１８１０、ＫＲ−５１３、Ｘ−４０−２６７２Ｂ、Ｘ−４０−９２７２Ｂ、Ｘ−４０−２６５１、Ｘ−４０−２３０８、Ｘ−４０−９２３８（シリコーンアルコキシオリゴマー）などが挙げられる。
【００８９】
硬化性化合物としてＭ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含有する場合、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対し、１５質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上が更に好ましい。上限は、特に限定はないが、９９質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましく、７０質量％以下が一層好ましい。Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物の含有量が上記範囲であれば、耐熱性に優れた硬化膜を形成しやすい。
また、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物と、銅錯体との質量比は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物：銅錯体＝１５：８５〜９０：１０が好ましく、２０：８０〜８０：２０がより好ましく、２５：７５〜７０：３０が更に好ましい。両者の比が上記範囲であれば、高い近赤外線遮蔽性を維持しつつ、耐熱性に優れた硬化膜を形成しやすい。
また、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物は、上述した低分子化合物およびポリマータイプの化合物から選ばれる１種で実質的に構成されている態様とすることもできる。なお、「低分子化合物およびポリマータイプの化合物から選ばれる１種で実質的に構成されている」とは、例えば、低分子化合物およびポリマータイプの化合物のうち、目的とするタイプの化合物以外の含有量が、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物の全量中に１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、含有しないことが一層好ましい。例えば、目的とするタイプの化合物がポリマータイプの化合物の場合は、低分子化合物が目的とするタイプの化合物以外に該当する。
また、低分子化合物から選ばれる１種以上と、ポリマータイプの化合物から選ばれる１種以上とを組み合わせて用いることもできる。低分子化合物の合計と、ポリマータイプの化合物の合計との質量比は、１：９〜５：５が好ましく、１：９〜４：６が更に好ましく、１：９〜３：７が特に好ましい。
【００９０】
＜＜＜その他の硬化性化合物＞＞＞
本発明では、硬化性化合物として、カプロラクトン変性構造を有する重合性化合物を用いることができる。
カプロラクトン変性構造を有する重合性化合物としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００４２〜００４５の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
カプロラクトン変性構造を有する重合性化合物は、例えば、日本化薬（株）からＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＣＡシリーズとして市販されている、ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、ＤＰＣＡ−６０、ＤＰＣＡ−１２０等、サートマー社製のエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ−４９４、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ−３３０などが挙げられる。
【００９１】
＜＜バインダーポリマー＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、膜特性向上などの目的で、バインダーポリマーを含むことができる。バインダーポリマーとしては、アルカリ可溶性樹脂が好ましく用いられる。アルカリ可溶性樹脂を含有することにより、耐熱性などの向上や、塗布適正の微調整に効果がある。アルカリ可溶性樹脂としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５８〜０５７１（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の［０６８５］〜［０７００］）の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明の近赤外線吸収性組成物がバインダーポリマーを含有する場合、バインダーポリマーの含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、１〜８０質量％が好ましい。下限は５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましい。上限は５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましい。
【００９２】
＜＜界面活性剤＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。本発明の近赤外線吸収性組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、０．０００１〜２質量％が好ましい。下限は、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましい。上限は、１．０質量％以下が好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。本発明の近赤外線吸収性組成物は、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含有することが好ましい。被塗布面と塗布液との界面張力が低下して、被塗布面への濡れ性が改善される。このため、近赤外線吸収性組成物の液特性（特に、流動性）が向上し、塗布厚の均一性や省液性がより改善する。その結果、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成を行える。
フッ素系界面活性剤のフッ素含有率は、３〜４０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、７質量％以上が更に好ましい。上限は、３０質量以下％が好ましく、２５質量％以下が更に好ましい。フッ素含有率が上述した範囲内である場合は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、近赤外線吸収性組成物中における溶解性も良好である。
フッ素系界面活性剤として具体的には、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００６０〜００６４（対応する国際公開ＷＯ２０１４／１７６６９号パンフレットの段落００６０〜００６４）等に記載の界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【００９３】
フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、ＲＳ−７２−Ｋ（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。フッ素系界面活性剤は、特開２０１５−１１７３２７号公報の段落００１５〜０１５８に記載の化合物を用いることもできる。フッ素系界面活性剤としてブロックポリマーを用いることもでき、具体例としては、例えば特開２０１１−８９０９０号公報に記載された化合物が挙げられる。
フッ素系界面活性剤は、フッ素原子を有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、アルキレンオキシ基（好ましくはエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基）を２以上（好ましくは５以上）有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、を含む含フッ素高分子化合物も好ましく用いることができ、下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。
【化３９】
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上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３，０００〜５０，０００であり、例えば、１４，０００である。
また、エチレン性不飽和基を側鎖に有する含フッ素重合体をフッ素系界面活性剤として用いることもできる。具体例としては、特開２０１０−１６４９６５号公報００５０〜００９０段落および０２８９〜０２９５段落に記載された化合物、例えばＤＩＣ社製のメガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−７１８Ｋ等が挙げられる。
【００９４】
＜＜重合開始剤＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。重合開始剤としては、光、熱のいずれか或いはその双方により重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はないが、光重合開始剤が好ましい。
重合開始剤としては、芳香族基を有する化合物が好ましい。例えば、アシルホスフィン化合物、アセトフェノン化合物、α−アミノケトン化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾインエーテル化合物、ケタール誘導体化合物、チオキサントン化合物、オキシム化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、トリハロメチル化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、ジアゾニウム化合物、ヨードニウム化合物、スルホニウム化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物等のオニウム塩化合物、有機硼素塩化合物、ジスルホン化合物、チオール化合物などが挙げられる。
重合開始剤は、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落０２１７〜０２２８の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
重合開始剤は、オキシム化合物、アセトフェノン化合物またはアシルホスフィン化合物が好ましい。アセトフェノン化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３７９（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）等を用いることができる。アシルホスフィン化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−８１９、ＤＡＲＯＣＵＲ−ＴＰＯ（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）等を用いることができる。
本発明の近赤外線吸収性組成物が重合開始剤を含有する場合、重合開始剤の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましい。
重合開始剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【００９５】
（熱安定性付与剤）
本発明の近赤外線吸収性組成物は、熱安定性付与剤を含有することもできる。熱安定性付与剤としてはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司社製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（ＡＤＥＫＡ社製）等を用いることができる。
本発明は、オキシム化合物として、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。フッ素原子を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０−２６２０２８号公報記載の化合物、特表２０１４−５００８５２号公報記載の化合物２４、３６〜４０、特開２０１３−１６４４７１号公報記載の化合物（Ｃ−３）などが挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれることとする。
本発明は、オキシム化合物として、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることができる。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３−１１４２４９号公報の段落００３１〜００４７、特開２０１４−１３７４６６号公報の段落０００８〜００１２、００７０〜００７９に記載されている化合物や、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（ＡＤＥＫＡ社製）が挙げられる。
熱安定性付与剤の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましい。
【００９６】
（触媒）
本発明の近赤外線吸収性組成物は、触媒を含有するができる。例えば、硬化性化合物として、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を用いた場合、触媒を含有することで、硬化性化合物の架橋反応を促進して、耐溶剤性や耐熱性に優れた硬化膜が得られ易い。触媒としては、有機金属系触媒、酸系触媒、アミン系触媒が挙げられ、有機金属系触媒が好ましい。有機金属系触媒としては、トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）などが挙げられる。触媒の含有量は、近赤外線吸収性組成物の全固形分に対して、０．０１〜５質量％が好ましい。下限は、０．０５質量％以上が好ましい。上限は、３質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。
【００９７】
＜＜その他の成分＞＞
本発明の近赤外線吸収性組成物で併用可能なその他の成分としては、例えば、分散剤、増感剤、架橋剤、硬化促進剤、フィラー、熱硬化促進剤、熱重合禁止剤、可塑剤などが挙げられ、更に基材表面への密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を併用してもよい。
これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする近赤外線吸収性組成物の安定性、膜物性などの性質を調整することができる。
これらの成分は、例えば、特開２０１２−００３２２５号公報の段落番号０１８３以降（対応する米国特許出願公開第２０１３／００３４８１２号明細書の[０２３７]以降）の記載、特開２００８−２５００７４号公報の段落番号０１０１〜０１０４、０１０７〜０１０９等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
【００９８】
＜近赤外線吸収性組成物の調製、用途＞
本発明の近赤外線吸収性組成物は、上記各成分を混合して調製できる。
組成物の調製に際しては、組成物を構成する各成分を一括配合してもよいし、各成分を有機溶剤に溶解・分散した後に逐次配合してもよい。また、配合する際の投入順序や作業条件は特に制約を受けない。
本発明においては、異物の除去や欠陥の低減などの目的で、フィルタでろ過することが好ましい。フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ナイロン−６、ナイロン−６，６等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、０．１〜７．０μｍが好ましく、０．２〜２．５μｍがより好ましく、０．２〜１．５μｍが更に好ましく、０．３〜０．７μｍが一層好ましい。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、組成物に含まれる不純物や凝集物など、微細な異物を確実に除去することが可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせても良い。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて２回以上フィルタリングを行う場合は１回目のフィルタリングの孔径より２回目以降の孔径が同じ、もしくは大きい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
第２のフィルタは、上述した第１のフィルタと同様の材料等で形成されたものを使用することができる。第２のフィルタの孔径は、０．２〜１０．０μｍが好ましく、０．２〜７．０μｍがより好ましく、０．３〜６．０μｍが更に好ましい。この範囲とすることにより、組成物に含有されている成分粒子を残存させたまま、異物を除去することができる。
【００９９】
本発明の近赤外線吸収性組成物は、本発明の近赤外線吸収性組成物を用いて、乾燥後の膜厚が１００μｍの膜を製膜した際に、膜の厚み方向の、波長５５０ｎｍでの光透過率が４５％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上がさらに好ましく、９０％以上が一層好ましく、９２％以上が特に好ましく、９５％以上が最も好ましい。また、膜の厚み方向の、波長８００ｎｍでの光透過率が２５％以下であることが好ましく、２０％以下がより好ましく、１５％以下がさらに好ましく、１０％以下が一層好ましく、５％以下が特に好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物の粘度は、塗布により近赤外線カットフィルタを形成する場合は、１〜３０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。下限は、１０ｍＰａ・ｓ以上が好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上が更に好ましい。上限は、２０００ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１５００ｍＰａ・ｓ以下が更に好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物の全固形分は、塗布方法により変更されるが、例えば、１〜５０質量％であることが好ましい。下限は１０質量％以上がより好ましい。上限は３０質量％以下がより好ましい。
【０１００】
本発明の近赤外線吸収性組成物の用途は、特に限定されないが、近赤外線カットフィルタ等の形成に好ましく用いることができる。例えば、固体撮像素子の受光側における近赤外線カットフィルタ（例えば、ウエハーレベルレンズに対する近赤外線カットフィルタ用など）、固体撮像素子の裏面側（受光側とは反対側）における近赤外線カットフィルタなどに好ましく用いることができる。特に、固体撮像素子の受光側における近赤外線カットフィルタとして好ましく用いることができる。
【０１０１】
＜近赤外線カットフィルタ＞
次に、本発明の近赤外線カットフィルタについて説明する。
本発明の近赤外線カットフィルタは、上述した本発明の近赤外線吸収性組成物を用いてなるものである。
本発明の近赤外線カットフィルタは、光透過率が以下の（１）〜（９）のうちの少なくとも１つの条件を満たすことが好ましく、以下の（１）〜（８）のすべての条件を満たすことがより好ましく、（１）〜（９）のすべての条件を満たすことがさらに好ましい。
（１）波長４００ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましく、９２％以上が一層好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（２）波長４５０ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましく、９２％以上が一層好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（３）波長５００ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましく、９２％以上が一層好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（４）波長５５０ｎｍでの光透過率は８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましく、９２％以上が一層好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（５）波長７００ｎｍでの光透過率は２５％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、１５％以下がさらに好ましく、１０％以下が一層好ましく、５％以下が特に好ましい。
（６）波長７５０ｎｍでの光透過率は２５％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、１５％以下がさらに好ましく、１０％以下が一層好ましく、５％以下が特に好ましい。
（７）波長８００ｎｍでの光透過率は２５％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、１５％以下がさらに好ましく、１０％以下が一層好ましく、５％以下が特に好ましい。
（８）波長８５０ｎｍでの光透過率は２５％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、１５％以下がさらに好ましく、１０％以下が一層好ましく、５％以下が特に好ましい。
（９）波長９００ｎｍでの光透過率は２５％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、１５％以下がさらに好ましく、１０％以下が一層好ましく、５％以下が特に好ましい。
【０１０２】
近赤外線カットフィルタは、膜の厚み方向の、４００〜５５０ｎｍの波長領域の全ての範囲での光透過率が８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。可視領域での光透過率は高いほど好ましく、４００〜５５０ｎｍの波長領域での光透過率は高いことが好ましい。また、７００〜８００ｎｍの波長領域の少なくとも１点での光透過率が２５％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。なかでも、７００〜８００ｎｍの波長領域の全ての範囲での光透過率が２５％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。
近赤外線カットフィルタの膜厚は、３００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以下がさらに好ましく、１００μｍ以下が特に好ましい。膜厚の下限は、例えば、０．１μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。
本発明の近赤外線吸収性組成物によれば、高い近赤外線遮蔽性を有することから、近赤外線カットフィルタの膜厚を薄くすることができる。
【０１０３】
本発明の近赤外線カットフィルタは、近赤外線を吸収・カットする機能を有するレンズ（デジタルカメラや携帯電話や車載カメラ等のカメラ用レンズ、ｆ−θレンズ、ピックアップレンズ等の光学レンズ）および半導体受光素子用の光学フィルタ、省エネルギー用に熱線を遮断する近赤外線吸収フィルムや近赤外線吸収板、太陽光の選択的な利用を目的とする農業用コーティング剤、近赤外線の吸収熱を利用する記録媒体、電子機器用や写真用近赤外線フィルタ、保護めがね、サングラス、熱線遮断フィルム、光学文字読み取り記録、機密文書複写防止用、電子写真感光体、レーザー溶着、などに用いられる。またＣＣＤカメラ用ノイズカットフィルター、ＣＭＯＳイメージセンサ用フィルタとしても有用である。
【０１０４】
＜近赤外線カットフィルタの製造方法＞
本発明の近赤外線カットフィルタは、本発明の近赤外線吸収性組成物を適用する工程を経て製造できる。具体的には、本発明の近赤外線吸収性組成物を支持体に適用することにより膜を形成する工程、膜を乾燥する工程を経て製造できる。膜厚、積層構造などについては、目的に応じて適宜選択することができる。また、更にパターンを形成する工程を行ってもよい。
膜を形成する工程は、例えば、本発明の近赤外線吸収性組成物を、支持体に滴下法（ドロップキャスト）、スピンコーター、スリットスピンコーター、スリットコーター、スクリーン印刷、アプリケータ塗布等を用いることにより実施できる。滴下法（ドロップキャスト）の場合、所定の膜厚で、均一な膜が得られるように、支持体上にフォトレジストを隔壁とする近赤外線吸収性組成物の滴下領域を形成することが好ましい。近赤外線吸収性組成物の滴下量および固形分濃度、滴下領域の面積を調整することで、所望の膜厚が得られる。乾燥後の膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
支持体は、ガラスなどからなる透明基板であってもよい。また、固体撮像素子であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた別の基板であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた平坦化層等の層であっても良い。
膜を乾燥する工程において、乾燥条件としては、各成分、溶剤の種類、使用割合等によっても異なる。例えば、６０〜１５０℃の温度で、３０秒間〜１５分間が好ましい。
パターンを形成工程としては、例えば、本発明の近赤外線吸収性組成物を支持体上に適用して膜状の組成物層を形成する工程と、組成物層をパターン状に露光する工程と、未露光部を現像除去してパターンを形成する工程とを含む方法などが挙げられる。パターンを形成する工程としては、フォトリソグラフィ法でパターン形成してもよいし、ドライエッチング法でパターンを形成してもよい。
近赤外線カットフィルタの製造方法において、その他の工程を含んでいても良い。その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、基材の表面処理工程、前加熱工程（プリベーク工程）、硬化処理工程、後加熱工程（ポストベーク工程）などが挙げられる。
【０１０５】
＜＜前加熱工程・後加熱工程＞＞
前加熱工程および後加熱工程における加熱温度は、８０〜２００℃が好ましい。上限は１５０℃以下が好ましい。下限は９０℃以上が好ましい。
前加熱工程および後加熱工程における加熱時間は、３０〜２４０秒が好ましい。上限は１８０秒以下が好ましい。下限は６０秒以上が好ましい。
【０１０６】
＜＜硬化処理工程＞＞
硬化処理工程は、必要に応じ、形成された上記膜に対して硬化処理を行う工程であり、この処理を行うことにより、近赤外線カットフィルタの機械的強度が向上する。
硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。ここで、本発明において「露光」とは、各種波長の光のみならず、電子線、Ｘ線などの放射線照射をも包含する意味で用いられる。
露光は放射線の照射により行うことが好ましく、露光に際して用いることができる放射線としては、特に、電子線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線や可視光が好ましく用いられる。
露光方式としては、ステッパー露光や、高圧水銀灯による露光などが挙げられる。
露光量は５〜３０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。上限は、２０００ｍＪ／ｃｍ２以下が好ましく、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下がより好ましい。下限は、１０ｍＪ／ｃｍ２以上が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ２以上がより好ましい。
全面露光処理の方法としては、例えば、形成された膜の全面を露光する方法が挙げられる。近赤外線吸収性組成物が重合性化合物を含有する場合、全面露光により、重合性化合物の硬化が促進され、膜の硬化が更に進行し、機械的強度、耐久性が改良される。
全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などの紫外線露光機が好適に挙げられる。
また、全面加熱処理の方法としては、形成された上記膜の全面を加熱する方法が挙げられる。全面加熱により、パターンの膜強度が高められる。
全面加熱における加熱温度は、１００〜２６０℃が好ましい。下限は１２０℃以上が好ましく、１６０℃以上がより好ましい。上限は２４０℃以下が好ましく、２２０℃以下がより好ましい。加熱温度が上記範囲であれば、強度に優れた膜が得られやすい。
全面加熱における加熱時間は、１〜１８０分が好ましい。下限は３分以上が好ましい。上限は１２０分以下が好ましい。
全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、ＩＲヒーターなどが挙げられる。
【０１０７】
＜カメラモジュール、カメラモジュールの製造方法＞
本発明のカメラモジュールは、固体撮像素子と、固体撮像素子の受光側に配置された近赤外線カットフィルタとを有する。
また、本発明のカメラモジュールの製造方法は、固体撮像素子の受光側において、上述した本発明の近赤外線吸収性組成物を塗布する工程を有する。
【０１０８】
図１は、本発明の実施形態に係る近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
カメラモジュール１０は、例えば、固体撮像素子１１と、固体撮像素子の主面側（受光側）に設けられた平坦化層１２と、近赤外線カットフィルタ１３と、近赤外線カットフィルタの上方に配置され内部空間に撮像レンズ１４を有するレンズホルダー１５と、を備える。
カメラモジュール１０では、外部からの入射光ｈνが、撮像レンズ１４、近赤外線カットフィルタ１３、平坦化層１２を順次透過した後、固体撮像素子１１の撮像素子部に到達するようになっている。
固体撮像素子１１は、例えば、基体であるシリコン基板１６の主面に、フォトダイオード、層間絶縁膜（図示せず）、ベース層（図示せず）、カラーフィルタ１７、オーバーコート（図示せず）、マイクロレンズ１８をこの順に備えている。カラーフィルタ１７（赤色のカラーフィルタ、緑色のカラーフィルタ、青色のカラーフィルタ）やマイクロレンズ１８は、固体撮像素子１１に対応するように、それぞれ配置されている。
また、平坦化層１２の表面に近赤外線カットフィルタ１３が設けられる代わりに、マイクロレンズ１８の表面、ベース層とカラーフィルタ１７との間、または、カラーフィルタ１７とオーバーコートとの間に、近赤外線カットフィルタ１３が設けられる形態であってもよい。例えば、近赤外線カットフィルタ１３は、マイクロレンズ表面から２ｍｍ以内（より好ましくは１ｍｍ以内）の位置に設けられていてもよい。この位置に設けると、近赤外線カットフィルタを形成する工程が簡略化でき、マイクロレンズへの不要な近赤外線を十分にカットすることができるので、近赤外線遮蔽性をより高めることができる。
本発明の近赤外線カットフィルタは、半田リフロー工程に供することができる。半田リフロー工程によりカメラモジュールを製造することによって、半田付けを行うことが必要な電子部品実装基板等の自動実装化が可能となり、半田リフロー工程を用いない場合と比較して、生産性を格段に向上することができる。更に、自動で行うことができるため、低コスト化を図ることもできる。半田リフロー工程に供される場合、２５０〜２７０℃程度の温度にさらされることとなるため、近赤外線カットフィルタは、半田リフロー工程に耐え得る耐熱性（以下、「耐半田リフロー性」ともいう。）を有することが好ましい。 
本明細書中で、「耐半田リフロー性を有する」とは、２００℃で１０分間の加熱を行う前後で近赤外線カットフィルタとしての特性を保持することをいう。より好ましくは、２３０℃で１０分間の加熱を行う前後で特性を保持することである。更に好ましくは、２５０℃で３分間の加熱を行う前後で特性を保持することである。耐半田リフロー性を有しない場合には、上記条件で保持した場合に、近赤外線カットフィルタの近赤外線遮蔽性が低下したり、膜としての機能が不十分となる場合がある。
また本発明は、リフロー処理する工程を含む、カメラモジュールの製造方法にも関する。本発明の近赤外線カットフィルタは、リフロー工程があっても、近赤外線遮蔽性が維持されるので、小型軽量・高性能化されたカメラモジュールの特性を損なうことがない。
【０１０９】
図２〜４は、カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。
図２に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、平坦化層１２と、紫外・赤外光反射膜１９と、透明基材２０と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。
紫外・赤外光反射膜１９は、近赤外線カットフィルタの機能を付与または高める効果を有し、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００３３〜００３９を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
透明基材２０は、可視領域の波長の光を透過するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００２６〜００３２を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
近赤外線吸収層２１は、上述した本発明の近赤外線吸収性組成物を塗布することにより形成することができる。
反射防止層２２は、近赤外線カットフィルタに入射する光の反射を防止することにより透過率を向上させ、効率よく入射光を利用する機能を有するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００４０を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
【０１１０】
図３に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、反射防止層２２と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、紫外・赤外光反射膜１９とをこの順に有していてもよい。
図４に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、紫外・赤外光反射膜１９と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。
また、固体撮像素子としては、国際公開ＷＯ１４／０６１１８８号パンフレットの００４９欄以降に記載された第１〜第１４の実施形態にかかる撮像素子の構成とすることもできる。
【実施例】
【０１１１】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「％」および「部」は質量基準である。【０１１２】
本実施例において、以下の略号を採用した。
＜硬化性化合物＞
ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ：（日本化薬社製、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物）
ＪＥＲ１５７Ｓ６５：（三菱化学社製、特殊ノボラック型エポキシ樹脂）
ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３２０：（日本化薬社製、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート）
Ｍ−５１０：（東亞合成社製、多塩基酸変性アクリルオリゴマー）
Ｍ−５２０：（東亞合成社製、多塩基酸変性アクリルオリゴマー）
ＤＰＣＡ−６０：（日本化薬社製、ペンチレンオキシ鎖を６個有する６官能アクリレート）
＜溶剤＞
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート【０１１３】
［銅錯体の合成］
（銅錯体Ｃｕ３−６の合成例）
【化４０】
2016068037.tif 000055
２００ｍＬフラスコに、２，６−ビス（ブロモメチル)ピリジン（東京化成製）４．０ｇ、ジメチルアミンの３３％エタノール溶液（アルドリッチ製）３０ｍＬを導入し、室温で３時間撹拌した後、室温で２日間静置した。析出する白色固体（ジメチルアミン臭化水素塩）を濾過により除去し、濾液を減圧し濃縮して得られた粗生成物を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と酢酸エチルを用いて分液し、得られた有機相を無水硫酸ナトリウムにより予備乾燥した後に減圧濃縮することにより、化合物Ａ３−２３を１．０ｇ得た。
【化４１】
2016068037.tif 000056
１０ｍＬフラスコに、化合物Ａ３−２３を３８ｍｇ、メタノールを１ｍＬ加え、室温で撹拌しながら、塩化銅（ＩＩ）二水和物（和光純薬製）３４ｍｇを導入し、１０分間撹拌した。得られた青色溶液を減圧乾固することにより、銅錯体Ｃｕ３−６を緑色固体として得た。【０１１４】
（銅錯体Ｃｕ３−７の合成例）
【化４２】
2016068037.tif 000057
上記スキームに従い、銅錯体Ｃｕ３−６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ３−７を合成した。【０１１５】
（銅錯体Ｃｕ３−１０の合成例）
文献（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．２００９，６９４，２６３６）記載の方法で化合物Ａ３−４３を合成した。化合物Ａ３−４３を用いて、銅錯体Ｃｕ３−６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ３−１０を合成した。
（銅錯体Ｃｕ３−１５の合成例）
文献（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  １９９８，５４，２３６５）記載の方法で化合物Ａ３−５２を合成した。化合物Ａ３−５２を用いて、銅錯体Ｃｕ３−６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ３−１５を合成した。
（銅錯体Ｃｕ３−１６の合成例）
化合物Ａ３−５４は東京化成より市販されており、化合物Ａ３−５４を用いて銅錯体Ｃｕ３−６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ３−１６を合成した。【０１１６】
（銅錯体Ｃｕ３−３５の合成例）
【化４３】
2016068037.tif 000058
３００ｍＬフラスコに、ビス（２−ピリジルメチル)アミン１９．９ｇ、トリエチルアミン１３．３ｇ、テトラヒドロフラン１５０ｍＬを導入し、室温で撹拌した。水冷しながら２−エチルヘキサノイルクロリド１６．５ｇを滴下し、室温で３時間撹拌した。水と酢酸エチルを用いて分液し、得られた有機相を無水硫酸マグネシウムにより予備乾燥した後に減圧濃縮した。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル）により精製することで化合物Ａ３−１３５を１０ｇ得た。得られた化合物Ａ３−１３５を用い、銅錯体Ｃｕ３−６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ３−３５を合成した。【０１１７】
（銅錯体Ｃｕ３−５６の合成例）
【化４４】
2016068037.tif 000059
安息香酸銅（関東化学製）１モルに対して２モルのリン酸ジフェニル（東京化成製）を加え、アセトン中室温で３時間撹拌した後、ヘキサンを加えることで、ビス（リン酸ジフェニル）銅（ＩＩ）が得られる。これをメタノールに溶解させ、１モルの化合物Ａ３−２（東京化成製）を加え、１０分間撹拌した。得られた青色溶液を減圧乾固することにより、銅錯体Ｃｕ３−５６を得た。【０１１８】
（銅錯体Ｃｕ３−６３の合成例）
塩化銅（ＩＩ）二水和物の代わりに酢酸銅（ＩＩ）一水和物（和光純薬製）を用いて、銅錯体Ｃｕ３−３５と同様の方法で銅錯体Ｃｕ３−６３を合成した。【０１１９】
（銅錯体Ｃｕ４−３６の合成例）
【化４５】
2016068037.tif 000060
１００ｍＬフラスコに、酢酸銅（ＩＩ）一水和物（和光純薬製）１．９９ｇ、化合物Ａ３−５９（和光純薬製）１．６７ｇ、メタノール２０ｍＬを導入し、１０分間加熱還流した。ここに化合物Ａ２−１５（東京化成製）１．８４ｇを加え、更に１０分間加熱還流した。溶媒を５ｍＬ程度まで減圧濃縮し、水を２０ｍＬ加えることで析出した固体を濾過により回収し、銅錯体Ｃｕ４−３６を青色固体として得た。【０１２０】
（銅錯体Ｃｕ４−３９の合成例）
【化４６】
2016068037.tif 000061
２００ｍＬフラスコに、４−メチルチアゾール（東京化成製）５．０ｇ、酢酸銅（無水）（和光純薬製）１．８３ｇ、トルエン１００ｍＬを加え、１２時間加熱還流した。室温に冷却後、水を加えて析出物を濾別した後、濾液に酢酸エチルを加えて分液・抽出した。得られた有機相を無水硫酸マグネシウムで予備乾燥し、減圧濃縮して得られた褐色の粗生成物（微量の原料を含有）を、メタノールで再結晶することにより、化合物Ａ２−２２を淡黄色固体として得た。この化合物を用いて、銅錯体Ｃｕ４−３６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ４−３９を合成した。【０１２１】
（銅錯体Ｃｕ４−４５の合成例）
【化４７】
2016068037.tif 000062
５００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、３，５−ジメチルピラゾール（東京化成製）１０ｇ、ジメチルスルホキシド６０ｍＬを加え、撹拌する。ここに水酸化カリウム（和光純薬製）２３．３ｇを少しずつ加え、６０度で１時間撹拌した。ここに、ジメチルスルホキシド４０ｍＬに溶解させたジブロモメタン（和光純薬製）９ｇを滴下し、６０度で４時間撹拌した。室温に冷却後、水２００ｍＬを滴下し、クロロホルムで抽出後、水、飽和食塩水で洗浄して得られた有機相を減圧濃縮することにより、化合物Ａ２−３２を白色固体として得た。この化合物を用いて、銅錯体Ｃｕ４−３６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ４−４５を合成した。【０１２２】
（銅錯体Ｃｕ４−４９の合成例）
【化４８】
2016068037.tif 000063
１００ｍＬフラスコに、化合物Ａ２−３２を０．２０ｇ、酢酸銅（ＩＩ）一水和物（和光純薬製）０．１９ｇ、メタノール１０ｍＬを加え、撹拌しながら室温から４０度に昇温して３０分間撹拌した。徐々に溶解して青色溶液となったら、化合物Ａ３−９６（東京化成製）０．１５ｇと５０質量％水酸化ナトリウム水溶液０．１６ｇを溶解させたメタノール溶液１０ｍＬを滴下した。ゆっくりと析出した青白色固体を濾過により回収し、銅錯体Ｃｕ４−４９を０．１６ｇ得た。【０１２３】
（銅錯体Ｃｕ４−５０の合成例）
和光純薬から市販されている化合物Ａ３−９７を用いて、銅錯体Ｃｕ４−４９と同様の方法で銅錯体Ｃｕ４−５０を合成した。
（銅錯体Ｃｕ４−５２の合成例）
東京化成からケリダム酸一水和物として市販されている化合物Ａ３−１０３を用いて、銅錯体Ｃｕ４−４９と同様の方法で銅錯体Ｃｕ４−５２を合成した。
（銅錯体Ｃｕ４−５５の合成例）
３，５−ジメチルピラゾールの代わりに３，５−ジイソプロピルピラゾール（東京化成製）を用いて化合物Ａ２−３２と同様の方法で合成した化合物Ａ２−３６を用いて、銅錯体Ｃｕ４−３６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ４−５５を合成した。
（銅錯体Ｃｕ４−６２の合成例）
３，５−ジメチルピラゾールの代わりに３，５−ジイソプロピルピラゾール（東京化成製）、ジブロモメタンの代わりに２−クロロメチルピリジン塩酸塩（東京化成製）を用いて化合物Ａ２−３２と同様の方法で合成した化合物Ａ２−２６を用いて、銅錯体Ｃｕ４−３６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ４−６２を合成した。
（銅錯体Ｃｕ４−６３の合成例）
東京化成から市販されている化合物Ａ２−２８を用いて、銅錯体Ｃｕ４−３６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ４−６３を合成した。【０１２４】
（銅錯体Ｃｕ５−１の合成例）
メタノール中で化合物Ａ４−１（東京化成製）と塩化銅（ＩＩ）二水和物（和光純薬製）を１：１のモル比で混合し、１０分間撹拌した反応液を減圧乾固させることで銅錯体Ｃｕ５−１を得た。
（銅錯体Ｃｕ５−１８の合成例）
化合物Ａ４−６１（東京化成製）を用い、銅錯体Ｃｕ５−１と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−１８を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−２０の合成例）
化合物Ａ４−６３（東京化成製）を用い、銅錯体Ｃｕ５−１と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−２０を合成した。【０１２５】
（銅錯体Ｃｕ５−２２の合成例）
【化４９】
2016068037.tif 000064
１００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、化合物４−６２を０．９３ｇ、テトラヒドロフラン３０ｍＬ、ベンズアルデヒド２．３４ｇ、酢酸０．９０ｇを加え、０度で撹拌した。ここにナトリウムトリアセトキシボロヒドリド（東京化成製）３．７８ｇを加えて、室温で２時間撹拌した。水を５０ｍＬ滴下した後、濃塩酸を少しずつ加えてｐＨ〜１にし、酢酸エチル５０ｍＬで３回分液・抽出し、水相を回収した。この水相に５０質量％水酸化ナトリウム水溶液を少しずつ加えてｐＨ〜１０にし、酢酸エチル５０ｍＬで３回分液・抽出し、有機相を回収した。無水硫酸マグネシウムで予備乾燥後、減圧濃縮することで、化合物４−６５を淡黄色オイルとして１．９０ｇ得た。この化合物Ａ４−６５を用いて、Ｃｕ５−１と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−２２を合成した。【０１２６】
（銅錯体Ｃｕ５−３７の合成例）
【化５０】
2016068037.tif 000065
１００ｍＬフラスコに、ビス（２−ピリジルメチル）アミン（東京化成製）１．９９ｇ、エタノール２０ｍＬ、トリエチルアミン１．０１ｇを加え、室温で撹拌しながらブロモ酢酸（関東化学製）１．４９ｇを滴下した後、５時間加熱還流した。室温に冷却後、反応液を減圧濃縮して得られた粗生成物に酢酸エチルを加えて析出した固体をメタノールで分散洗浄し、濾過により化合物Ａ４−１２１を０．５ｇ得た。この化合物を用い、銅錯体Ｃｕ５−１と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−３７を合成した。【０１２７】
（銅錯体Ｃｕ５−４６の合成例）
メタノール中で化合物Ａ４−１（東京化成製）と硫酸銅（ＩＩ）五水和物（和光純薬製）を１：１のモル比で混合し、３０分間撹拌した。この反応液に酢酸エチルを加え、析出した固体を濾過により回収し、銅錯体Ｃｕ５−４６を得た。
（銅錯体Ｃｕ５−５０の合成例）
化合物Ａ４−６１（東京化成製）を用いて、銅錯体Ｃｕ５−４６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−５０を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−５１の合成例）
化合物Ａ４−６２（アルドリッチ製）を用いて、銅錯体Ｃｕ５−４６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−５１を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−５２の合成例）
化合物Ａ４−６３（東京化成製）を用いて、銅錯体Ｃｕ５−４６と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−５２を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−７２の合成例）
銅錯体Ｃｕ５−１を水に溶解させ、撹拌しながら過剰量の飽和テトラフルオロホウ酸ナトリウム（和光純薬製）水溶液を加えた。析出固体を濾過により回収し、銅錯体Ｃｕ５−７２を得た。
（銅錯体Ｃｕ５−８２の合成例）
銅錯体Ｃｕ５−１の合成で使用した化合物Ａ４−１の代わりに化合物Ａ４−６２（アルドリッチ製）を用い、テトラフルオロホウ酸ナトリウムの代わりテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム（東京化成製）を用いて、Ｃｕ５−７２と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−８２を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−８３の合成例）
化合物Ａ４−６３（東京化成製）を用いて、銅錯体Ｃｕ５−８２と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−８３を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−９２の合成例）
テトラフルオロホウ酸ナトリウムの代わりビス(トリフルオロメタンスルホン)イミドリチウムを用いてＣｕ５−７２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−９２を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−９５の合成例）
化合物Ａ４−６３（東京化成製）を用いて、銅錯体Ｃｕ５−９２と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−９２を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−９６の合成例）
塩化銅（ＩＩ）二水和物の代わりに臭化銅（ＩＩ）（関東化学製）を用いて、銅錯体Ｃｕ５−１８と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−９６を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−９７の合成例）
化合物Ａ４−１８８（アルドリッチ製）を用いて、銅錯体Ｃｕ５−８２と同様の方法で銅錯体Ｃｕ５−９７を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−９８の合成例）
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウムの代わりトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドカリウムを用いてＣｕ５−８３と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−９８を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−９９の合成例）
塩化銅（ＩＩ）二水和物の代わりに酢酸銅（ＩＩ）一水和物を用いてＣｕ５−８３と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−９９を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１００の合成例）
塩化銅（ＩＩ）二水和物の代わりに臭化銅（ＩＩ）を用いてＣｕ５−８３と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１００を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１０１の合成例）
Ｃｕ５−４６に対してトリフルオロメタンスルホンアミド（和光純薬製）１モルを反応させ、Ｃｕ５−８０またはＣｕ５−８２と同様の方法で錯体を析出させることで、銅錯体Ｃｕ５−１０１を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１０２の合成例）
塩化銅（ＩＩ）二水和物の代わりに酢酸銅（ＩＩ）一水和物を用いてＣｕ５−８２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１０２を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１０３の合成例）
塩化銅（ＩＩ）二水和物の代わりに安息香酸銅（ＩＩ）を用いてＣｕ５−８２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１０３を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１０４の合成例）
Ｃｕ５−４６の水溶液に対してビス(トリフルオロメタンスルホン)イミドリチウムを加えて錯体を析出させることで、銅錯体Ｃｕ５−１０４を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１０５の合成例）
化合物Ａ４−６５を用いて、Ｃｕ５−７２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１０５を合成した。【０１２８】
（銅錯体Ｃｕ５−１０６の合成例）
【化５１】
2016068037.tif 000066
３００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、６−メチル−２−ピリジンメタノール（東京化成製）１２ｇ、テトラヒドロフラン１００ｍＬを加え、室温で撹拌した。氷冷しながら三臭化リン（東京化成製）２５ｇを滴下した後、室温で終夜撹拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液と酢酸エチルを加えて分液・抽出して得られた有機相を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル）で生成することで、６−メチル−２−（ブロモメチル）ピリジンを淡赤色オイルとして得た。
１００ｍＬフラスコに、合成した６−メチル−２−（ブロモメチル）ピリジン１．８６ｇ、水１０ｍＬを加えて、０度で撹拌した。ここに２−ピリジルメチルアミン１．０８ｇを加え、０度で撹拌した。ここに１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液２ｍＬを加え、室温で終夜撹拌した。水、クロロホルムを加えて分液・抽出して得られた有機相を水で３回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することにより化合物Ａ４−９０を淡黄色固体として得た。
この化合物Ａ４−９０を用いて、銅錯体Ｃｕ５−１と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１０６を合成した。【０１２９】
（銅錯体Ｃｕ５−１１７の合成例）
文献（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００９，３９２１）記載の方法で合成した化合物Ａ４−２９を用いて、銅錯体Ｃｕ５−７２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１１７を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１１８の合成例）
化合物Ａ４−６５を用いて、Ｃｕ５−８２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１１８を合成した。
（銅錯体Ｃｕ５−１１９の合成例）
化合物Ａ４−６５を用いて、Ｃｕ５−４６と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１１９を合成した。【０１３０】
（銅錯体Ｃｕ５−１２０、Ｃｕ５−１２２の合成例）
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウムの代わり、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドリチウム、または、４，４，５，５，６，６−ヘキサフルオロジヒドロー４Ｈ−１，３，２−ジチアジン  １，１，３，３−テトラオキシドリチウムを用いてＣｕ５−８３と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１２０、Ｃｕ５−１２２を合成した。【０１３１】
（銅錯体Ｃｕ５−１２３の合成例）
【化５２】
2016068037.tif 000067
三ツ口フラスコに、ビス（２−クロロエチル）アミン塩酸塩１０１ｇ、水２００ｍＬを加え、室温で撹拌した。ここに、５０質量％ジメチルアミン水溶液６００ｍＬを滴下し、室温にて７日間撹拌した。水酸化ナトリウム１５０ｇ、ｔ−ブチルメチルエーテル１００ｍＬを加え、分液により得られた有機相を、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することにより、化合物Ａ４−２１６−Ａを２４．４ｇ得た。
三ツ口フラスコに、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ−メチルグリシン１５．０ｇ、アセトニトリル１００ｍＬ、トリエチルアミン１２ｇを加え、室温で撹拌した。ここに、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート（ＨＢＴＵ）３８．１ｇを加え、続いて化合物Ａ４−２１６−Ａを１２．０ｇを加え、４０℃で４時間撹拌した。飽和食塩水１００ｍＬを加え、中性水溶液とした。酢酸エチル１５０ｍＬで水相を３回洗浄した後、飽和炭酸カリウム水溶液１００ｍＬを加えて、塩基性水溶液とした。この水溶液から酢酸エチル１５０ｍＬで３回分液・抽出することで得られた有機相を、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することで、化合物Ａ４−２１６−Ｂを５．７ｇ得た。
フラスコに、化合物Ａ４−２１６−Ｂを４．１ｇ、水１０ｍＬを加え、室温で撹拌しながら、濃塩酸３．７ｍＬを加えた後、４０℃で２時間撹拌した。この反応液に水酸化ナトリウムを加えて塩基性水溶液とした後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルで分液・抽出することで得られた有機相を、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することで、化合物Ａ４−２１６−Ｃを３．０ｇ得た。
三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、水素化アルミニウムリチウム３．７８ｇ、脱水テトラヒドロフラン６０ｍＬを加え、０℃に冷却した。ここに化合物Ａ４−２１６−Ｃを３．０ｇの脱水テトラヒドロフラン溶液４０ｍＬを滴下した後、２時間加熱還流後、室温に冷却した。続いて、氷冷しながら、水４ｍＬ、１５質量％水酸化ナトリウム水溶液４ｍＬ、水１２ｍＬをこの順序でゆっくりと滴下した。生成した白色沈殿を濾別した後、濾液を減圧濃縮して得られたオイルをｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルに再溶解させ、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、再度減圧濃縮することにより、化合物Ａ４−２１６を１．１ｇを得た。
この化合物Ａ４−２１６を用いて、銅錯体Ｃｕ５−８２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１２３を合成した。【０１３２】
（銅錯体Ｃｕ５−１２５の合成例）
【化５３】
2016068037.tif 000068
３００ｍＬフラスコに，ジメチルグリシン５．１３ｇ、アセトニトリル１００ｍＬ、トリエチルアミン６．２０ｇを加え、室温で撹拌した。ここに、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート（ＨＢＴＵ）２０ｇ、を加え、続いてＮ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン１２．０ｇを加え、３０度で７時間撹拌した。反応液を減圧濃縮し、飽和塩化ナトリウム水溶液１００ｍＬ、酢酸エチル１００ｍＬを加え、分液した。この水相を酢酸エチル１００ｍＬで２回洗浄した後、飽和炭酸カリウム水溶液１００ｍＬを加え、酢酸エチル１００ｍＬで３回分液・抽出することで得られた有機相を、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することで、化合物Ａ４−２１７−Ａを５．４ｇ得た。
２００ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、水素化アルミニウムリチウム４．０ｇ、脱水テトラヒドロフラン１００ｍＬを加え、０度に冷却した。ここに化合物Ａ４−２１７−Ａを４．０ｇ滴下した後、６時間加熱還流し、室温に冷却した。氷冷しながら、水４ｍＬ、１５％水酸化ナトリウム水溶液４ｍＬ、水１２ｍＬをこの順序でゆっくりと滴下した。生成した白色沈殿を濾別した後、濾液を減圧濃縮して得られたオイルにｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルを加え、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することにより、化合物Ａ４−２１７−Ｂを２．４ｇ得た。
２００ｍＬ三ツ口フラスコに、化合物Ａ４−２１７−Ｂを１．２５g、Ｎ−Ｂｏｃグリシン１．５０ｇ、アセトニトリル３０ｍＬ、トリエチルアミン１．６ｇを加え、室温で撹拌した。ここに、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート（ＨＢＴＵ）５．４４ｇを加え、室温で終夜撹拌した。反応液を減圧濃縮し、飽和食塩水５０ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬを加えて分液した。水相を酢酸エチル５０ｍＬで３回洗浄した後、飽和炭酸カリウム水溶液５０ｍＬ加え、酢酸エチル５０ｍＬで３回分液・抽出することで得られた有機相を、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することで、化合物Ａ４−２１７−Ｃを０．４４ｇ得た。
１００ｍＬフラスコに、化合物Ａ４−２１７−Ｃを０．４ｇ、水５ｍＬ加え、室温で撹拌しながら、濃塩酸０．４ｍＬを加え、４０度で１時間撹拌した。この反応液にゆっくりと５０質量％水酸化ナトリウム水溶液を加えて塩基性水溶液とした後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルで分液・抽出することで得られた有機相を、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することで、化合物Ａ４−２１７−Ｄを０．２５ｇ得た。
１０ｍＬ三ツ口フラスコに、窒素雰囲気下、水素化アルミニウムリチウム０．２５ｇ、脱水テトラヒドロフラン１５ｍＬを加え、０度に冷却した。ここに化合物Ａ４−２１７−Ｄを０．２５ｇの脱水テトラヒドロフラン溶液５ｍＬを滴下した後、５時間加熱還流した。室温に冷却し、続いて、氷冷しながら、水０．２５ｍＬ、１５％水酸化ナトリウム水溶液０．２５ｍＬ、水０．７５ｍＬをこの順序でゆっくりと滴下した。生成した白色沈殿を濾別した後、濾液を減圧濃縮して得られたオイルにｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルを加え、無水硫酸ナトリウムで予備乾燥した後、減圧濃縮することにより、化合物Ａ４−２１７を０．１５ｇ得た。
得られた化合物Ａ４−２１７を用いて、銅錯体Ｃｕ５−８２と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１２５を合成した。【０１３３】
（銅錯体Ｃｕ５−１２７〜１５２の合成例）
対応するカルボン酸銅（ＩＩ）を用いてＣｕ５−８３と同様の方法で、銅錯体Ｃｕ５−１２７〜１５２を合成した。このカルボン酸銅（ＩＩ）が市販されていない場合は、水溶媒中、塩基性炭酸銅と対応するカルボン酸とを１：２．１の比率で混ぜ、６０℃で３０分撹拌することで、カルボン酸銅が得られる。【０１３４】
（銅錯体Ｃｕ６−５２の合成例）
【化５４】
2016068037.tif 000069
１００ｍＬフラスコに、化合物Ａ４−２１６を１．０８ｇ、メタノール１０ｍＬを加え、撹拌しながら、アクリル酸ｔ−ブチル０．８０ｇを加えた後、２時間加熱還流した。反応液を減圧濃縮することで、化合物Ａ５−３７−Ａを１．４ｇ得た。
１００ｍＬフラスコに、化合物Ａ５−３７−Ａを１．３ｇ、水５ｍＬを加え、室温で撹拌しながら、濃塩酸２．０ｍＬを加えた後、５０℃で６時間撹拌した。この反応液にトルエンを加えて共沸脱水した後、反応液を濃縮することで化合物Ａ５−３７の塩酸塩を黄色固体として得た。これにメタノールを加えて撹拌し、この懸濁液に対して、トリエチルアミンを加えると、完溶する。更にトリエチルアミン、酢酸エチルを加えると、トリエチルアミン塩酸塩が析出するので、これを濾別する。トリエチルアミン塩酸塩が析出しなくなるまでこれを繰り返し、最後に溶液を濃縮することで、化合物Ａ５−３７を１．０ｇ得た。
１００ｍＬフラスコに、化合物Ａ５−３７を０．６０ｇ、メタノール２０ｍＬを加え、室温で撹拌しながら塩化銅（ＩＩ）二水和物１７０ｇ、水酸化銅９８ｍｇを加え、４０度で１時間半撹拌した。僅かな不溶物をフィルター濾過した後、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウムを１．５２ｇ加えた後、水をゆっくり滴下して得られた結晶を濾過により回収することで、銅錯体Ｃｕ６−５２を得た。【０１３５】
＜銅錯体の極大吸収波長、モル吸光係数およびグラム吸光係数の測定＞
各種銅錯体を、下記表に記載の溶媒に溶解させて、１ｇ／Ｌの濃度の溶液を調製した。次に、銅錯体を溶解させた溶液の吸収スペクトルを、島津製作所製ＵＶ−１８００を用いて測定し、極大吸収波長、極大吸収波長におけるモル吸光係数およびグラム吸光係数、８００ｎｍにおけるモル吸光係数およびグラム吸光係数を測定した。なお、表中、ＤＭＦは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを表し、ＭＦＧは、プロピレングリコールモノメチルエーテルを表す。
−極大吸収波長の評価基準−
Ａ：７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の波長領域に極大吸収波長を有する。
Ｂ：７００ｎｍ未満、または、１２００ｎｍを超える波長領域に極大吸収波長を有する。
【表１５】
2016068037.tif 000070
【表１６】
2016068037.tif 000071
【０１３６】
各銅錯体のτ値（計算値）を以下に示す。各銅錯体のτ値（計算値）は、すべて量子化学計算プログラムＧａｕｓｓｉａｎ０９（米ガウシアン社）を用い、手法としては密度汎関数法を用いた。汎関数にはＢ３ＬＹＰを、基底関数にはＴＺＶＰを用いた。τ値の計算に使用する分子構造は、構造最適化計算を行って生成エネルギーが最小となる構造を用いた。
【表１７】
2016068037.tif 000072
【０１３７】
τ値が１に近い銅錯体であると、極大吸収波長が波長９００ｎｍ付近に有する銅錯体となり易く、近赤外光の広い領域を遮光することができる。【０１３８】
上記表中の銅錯体において、Ｃｕ７−１およびＣｕ７−２は、下記構造の化合物である。
【化５５】
2016068037.tif 000073
【０１３９】
＜近赤外線吸収性組成物の調製＞
下記表に示す銅錯体（２０質量部）と、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ（２０質量部）と、ＪＥＲ１５７Ｓ６５（２０質量部）と、ＰＧＭＥＡ（１２０質量部）とを混合して近赤外線吸収性組成物を調製した。【０１４０】
＜近赤外線カットフィルタの作製＞
上記近赤外線吸収性組成物を用いて、近赤外線カットフィルタを作製した。
ガラス基板上に、フォトレジストを塗布し、リソグラフィーによりパターニングしてフォトレジストの隔壁を形成して近赤外線吸収性組成物の滴下領域を形成した。ガラス基板上の滴下領域に、各近赤外線吸収性組成物を３ｍｌ滴下し、２４時間室温放置により乾燥させた。乾燥後の塗布膜の膜厚を評価したところ、膜厚は１００μｍであった。【０１４１】
＜＜近赤外線遮蔽性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタにおける波長８００ｎｍの透過率を分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。近赤外線遮蔽性を以下の基準で評価した。結果を以下の表に示す。
Ａ：８００ｎｍの透過率≦５％
Ｂ：５％＜８００ｎｍの透過率≦２５％
Ｃ：２５％＜８００ｎｍの透過率【０１４２】
＜＜可視光透過性評価＞＞
上記のようにして得た近赤外線カットフィルタにおける波長５５０ｎｍの透過率を分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。可視光透過性を以下の基準で評価した。結果を以下の表に示す。
Ａ：８５％≦波長５５０ｎｍの透過率
Ｂ：４５≦波長５５０ｎｍの透過率＜８５％
Ｃ：波長５５０ｎｍの透過率＜４５％【０１４３】
【表１８】
2016068037.tif 000074
【表１９】
2016068037.tif 000075
【０１４４】
上記表から明らかなとおり、実施例の近赤外線吸収性組成物は、１００μｍという薄膜であっても近赤外線領域での遮蔽性を高くでき、フタロシアニン銅錯体や酢酸銅を使用した比較例１、３と同等の優れた近赤外遮蔽性を有していた。さらに、実施例の近赤外線カットフィルタは、いずれも波長５５０ｎｍの光透過率が４５％以上であり、可視光領域での透過性および近赤外線領域での遮蔽性を高くすることができることがわかった。また、実施例の近赤外線カットフィルタは、波長４５０〜５５０ｎｍの範囲での光透過率が４５％以上であり、波長８００〜９００ｎｍの範囲での光透過率が２５％以下であることが確認できた。実施例の近赤外線カットフィルタは、高透過率の可視光領域を広く確保でき、分光特性に優れることもわかった。
一方、比較例の近赤外線吸収性組成物は、波長４５０〜５５０ｎｍの範囲での光透過率を高めることと、波長８００〜９００ｎｍの範囲での光透過率を低めることを両立できなかった。【０１４５】
実施例１〜７５の近赤外線吸収性組成物において、重合性化合物（ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ）２０質量部を、等量のＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３２０、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０またはＤＰＣＡ−６０に変更した場合でも、それらと同様に優れた効果が得られる。
実施例１〜７５の近赤外線吸収性組成物において、組成物の全固形分に対する銅錯体の含有量を１５質量％、２０質量％、３０質量％または４０質量％とした場合でも、それらと同様に優れた近赤外線遮蔽性が得られる。
実施例１〜７５の近赤外線吸収性組成物において、溶剤（ＰＧＭＥＡ）の含有量を１０質量％、２０質量％、３０質量％または４０質量％とした場合でも、それらの近赤外線吸収性組成物と同様に優れた塗布性が得られる。
実施例１〜７５の近赤外線吸収性組成物において、溶剤を、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エタノールまたはシクロペンタノンに変更した場合でも、それらの近赤外線吸収性組成物と同様に優れた塗布性が得られる。
実施例１〜７５の近赤外線吸収性組成物において、各組成物の調製後、日本ポール製ＤＦＡ４２０１ＮＸＥＹ（０．４５μｍナイロンフィルター）を用いてろ過を行った場合も、同様の効果が得られる。【０１４６】
実施例１〜７５で使用した銅錯体４０質量部、上述のＭ−Ｘで表される部分構造を有する化合物の具体例で示したポリマー（Ｐ−１）を５４．９質量部と、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）を５質量部と、トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム（東京化成工業（株）製）を０．１質量部と、シクロヘキサノンを６６．７質量部を混合して近赤外線吸収性組成物を調製した。この近赤外線吸収性組成物を用いた場合でも、実施例１〜７５と同様に優れた効果が得られる。
ポリマー（Ｐ−１）のかわりに、上述のＭ−Ｘで表される部分構造を有する化合物の具体例で示したポリマー（Ｐ−２）〜（Ｐ−４４）に変更した場合でも、それらと同様に優れた効果が得られる。
＜Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物の合成＞
＜ポリマー（Ｐ−１）の合成＞
３つ口フラスコに１−メトキシ−２−プロパノール（２０ｇ）を入れ、窒素雰囲気下において８５℃に昇温した。メタクリル酸２−エチルヘキシル（１６．３５ｇ）、メタクリル酸３−（トリメトキシシリル）プロピル（１３．６５ｇ）、およびＶ−６０１（和光純薬工業株式会社製アゾ系重合開始剤，１．２７ｇ）を１−メトキシ−２−プロパノール（５０ｇ）に溶解させた溶液を２時間かけて滴下した。滴下終了後４時間攪拌し反応を終了させることで、上記した構造式のポリマー（Ｐ−１）を得た。ポリマー（Ｐ−１）の重量平均分子量は２０，０００であった。
＜ポリマー（Ｐ−２）〜（Ｐ−４４）の合成＞
ポリマー（Ｐ−１）と同様の方法で、上記した構造式のポリマー（Ｐ−２）〜（Ｐ−４４）を製造した。
【符号の説明】
【０１４７】
１０  カメラモジュール、１１  固体撮像素子、１２  平坦化層、１３  近赤外線カットフィルタ、１４  撮像レンズ、１５  レンズホルダー、１６  シリコン基板、１７  カラーフィルタ、１８  マイクロレンズ、１９  紫外・赤外光反射膜、２０  透明基材、２１  近赤外線吸収層、２２  反射防止層
【図１】
2016068037.tif 000077
【図２】
2016068037.tif 000078
【図３】
2016068037.tif 000079
【図４】
2016068037.tif 000080
【国際調査報告】
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2016068037.tif 000082
2016068037.tif 000083
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