(57)【要約】部品内蔵基板（１）は、絶縁層（３）と、前記絶縁層（３）を挟むように形成された第１金属層（４）及び第２金属層（５）と、前記絶縁層（３）内に埋設されるとともに、接続端子（２ａ）が形成されていない接続端子非形成面（２ｃ）が前記第１金属層（４）と近接する側に位置する部品（２）と、前記部品（２）の前記接続端子非形成面（２ｃ）上に位置する接着層（６）と、前記第２金属層（５）と前記部品（２）の前記接続端子（２ａ）とを電気的に接続する導通ビア（７）と、を有し、前記接着層（６）の前記部品（２）と接触する面側の面積は、前記部品（２）の接続端子非形成面（２ｃ）の面積よりも小なること。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層を挟むように形成された第１金属層及び第２金属層と、
前記絶縁層内に埋設されるとともに、接続端子が形成されていない接続端子非形成面が前記第１金属層と近接する側に位置する電気的又は電子的な部品と、
前記絶縁層内に埋設されるとともに、前記部品の前記接続端子非形成面上に位置する接着層と、
前記絶縁層内を延在し、前記第２金属層と前記部品の前記接続端子とを電気的に接続する導通ビアと、を有し、
前記接着層の前記部品と接触する面側の面積は、前記部品の接続端子非形成面の面積よりも小なることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項２】
前記接着層の前記部品と接触する面側の面積は、前記部品の接続端子非形成面の面積の１３％〜４０％であることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
前記接着層の前記部品と接触する面側の面積は、前記第１金属層の形成面側における前記部品内蔵基板の面積の７％〜２５％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の部品内蔵基板。
【請求項４】
前記接着層の平面形状は、円形であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
【請求項５】
表面上に第１金属層が形成された支持板を準備する準備工程と、
前記第１金属層の表面上に接着層を介し、接続端子が形成されていない接続端子非形成面が前記第１金属層と近接する側に位置するように電気的又は電子的な部品を搭載する搭載工程と、
前記第１金属層、及び前記部品を覆うように絶縁材料を積層し、前記部品を埋設する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に第２金属層を形成する金属層形成工程と、
前記第２金属層と前記部品の前記接続端子とを電気的に接続するように前記絶縁層内を延在する導通ビアを形成する導通ビア形成工程と、を有し、
前記搭載工程において、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積を前記部品の接続端子非形成面の面積よりも小さくすることを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記搭載工程において、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積を前記部品の接続端子非形成面の面積の１３％〜４０％とすることを特徴とする請求項５に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記搭載工程において、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積を前記第１金属層の形成面側における部品内蔵基板の面積の７％〜２５％とすることを特徴とする請求項５又は６に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記搭載工程において、前記接着層の平面形状を円形となるように前記接着層を形成することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的又は電子的な部品を内蔵する部品内蔵基板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種の電気・電子機器の小型化、薄型化、軽量化、及び多機能化を図るための研究開発が行われてきている。特に、携帯電話、ノートパソコン、デジタルカメラ等の民生品では、多機能化を図りつつも小型化、薄型化、及び軽量化が強く求められている。また、各種の電気・電子機器においては、伝送信号の高周波化及び高速化も図られており、これに伴う信号ノイズの増大を防止することも要求されている。【０００３】
このような要求を実現するために、電気・電子機器に組み込まれる回路基板として、従来は基板表面に実装されていた各種の電気的又は電子的な部品を基板の絶縁層である絶縁基材内に内蔵した構造を備える部品内蔵基板や、当該部品内蔵基板を積層してなる部品内蔵多層回路基板の研究開発及び製造が従来から行われてきている。例えば、特許文献１に、部品内蔵基板及びその製造方法が開示されている。【０００４】
特許文献１に開示された部品内蔵基板の製造方法においては、支持体上に銅箔からなる導電薄膜層を形成して、当該導電薄膜層上に接着剤を塗布する。続いて、当該接着剤を介して内蔵する電気的又は電子的な部品（内蔵部品）の実装を行い、その後に当該内蔵部品を覆うように絶縁層（絶縁基材）を形成する。このような製造工程を経て形成された部品内蔵基板は、基板自体の厚さが従来よりも薄くなり、更には基板表面上に実装するよりも多くの電気的又は電子的な部品を内蔵することが可能となり、様々な用途の電気・電子機器に用いることができる。【０００５】
また、内蔵する部品として、金属酸化膜半導体の電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Metal-Oxide-Semiconductor  Field-Effect Transistor）、又は集積回路（ＩＣ：Integrated  Circuit）等のＩＣ部品を用いる場合には、当該内蔵部品が埋設された絶縁層の外部から当該内蔵部品に至る導通ビアを形成する必要がある。当該導通ビアは、絶縁層の両面に形成された金属層、及び内蔵部品を当該金属層に固着するための絶縁材料からなる接着剤を貫通するとともに、絶縁層の外部から当該内蔵部品の接続端子を電気的に接続するように絶縁層内に延在することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４８７４３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年においては、様々な種類の電気・電子機器が存在するため、当該電気・電子機器の種類に応じるように、様々な種類の部品内蔵基板の開発が行われている。例えば、複数のＩＣ部品を絶縁層内に埋設した部品内蔵基板や、１つのＩＣ部品を絶縁層内に埋設した部品内蔵基板が開発されている。ここで、１つのみのＩＣ部品が埋設される場合、部品内蔵基板の小型化を図ろうとすると、絶縁層を小さくして部品内蔵基板の大部分をＩＣ部品にする必要がある。そして、当該ＩＣ部品を金属層に確実に固着しようとすると、ＩＣ部品の実装面の面積と同等或いは接着層の形成面積が大きくなる。【０００８】
しかしながら、接着層の形成面積が大きくなると、金属層の形成後における真空加熱工程において接着層に加わる圧力が大きくなるが、絶縁層を構成する絶縁材料には硬化収縮によって当該圧力とは異なる方向に応力が加わることになり、支持体から金属層が剥がれてしまう。このような金属層の剥離により、金属層にシワが誘発され、部品内蔵基板自体の信頼性が欠如することになる。【０００９】
ここで、接着層の形成面積を小さくすることで、上述したシワの発生を抑制することができるとも考えられるが、導通ビアが形成される領域に特性の異なる接着層及び絶縁層が位置することになり、導通ビア形成時におけるエッチングレートの相違によって各層の構成する材料が残存してしまい、導通ビアの接続不良に繋がる問題がある。【００１０】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、絶縁層上に位置する金属層が剥離することなく、且つ導通ビアの接続不良が発生することがない部品内蔵基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の部品内蔵基板は、絶縁材料からなる絶縁層と、前記絶縁層を挟むように形成された第１金属層及び第２金属層と、前記絶縁層内に埋設されるとともに、接続端子が形成されていない接続端子非形成面が前記第１金属層と近接する側に位置する電気的又は電子的な部品と、前記絶縁層内に埋設されるとともに、前記部品の前記接続端子非形成面上に位置する接着層と、前記絶縁層内を延在し、前記第２金属層と前記部品の前記接続端子とを電気的に接続する導通ビアと、を有し、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積は、前記部品の接続端子非形成面の面積よりも小なることを特徴とする。【００１２】
上述した部品内蔵基板において、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積は、前記部品の接続端子非形成面の面積の１３％〜４０％の範囲内であることが好ましい。【００１３】
上述した部品内蔵基板のいずれかにおいて、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積は、前記第１金属層の形成面側における前記部品内蔵基板の面積の７％〜２５％の範囲内であることが好ましい。【００１４】
上述した部品内蔵基板のいずれかにおいて、前記接着層の平面形状は、円形であることが好ましい。【００１５】
また、上記目的を達成するため、本発明の部品内蔵基板の製造方法は、表面上に第１金属層が形成された支持板を準備する準備工程と、前記第１金属層の表面上に接着層を介し、接続端子が形成されていない接続端子非形成面が前記第１金属層と近接する側に位置するように電気的又は電子的な部品を搭載する搭載工程と、前記第１金属層、及び前記部品を覆うように絶縁材料を積層し、前記部品を埋設する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に第２金属層を形成する金属層形成工程と、前記第２金属層と前記部品の前記接続端子とを電気的に接続するように前記絶縁層内を延在する導通ビアを形成する導通ビア形成工程と、を有し、前記搭載工程において、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積を前記部品の接続端子非形成面の面積よりも小さくすることを特徴とする。【００１６】
上述した部品内蔵基板の製造方法における前記搭載工程において、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積を前記部品の接続端子非形成面の面積の１３％〜４０％とすることが好ましい。【００１７】
上述した部品内蔵基板の製造方法のいずれかにおける前記搭載工程において、前記接着層の前記部品と接触する面側の面積を前記第１金属層の形成面側における部品内蔵基板の面積の７％〜２５％とすることが好ましい。【００１８】
上述した部品内蔵基板の製造方法のいずれかにおける前記搭載工程において、前記接着層の平面形状を円形となるように前記接着層を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る部品内蔵基板及びその製造方法においては、部品の接続端子非形成面を第１金属層と近接するように配置し、接着層の形成面積を部品の接続端子非形成面の面積よりも小さくするため、第１金属層の絶縁層からの剥離及び導通ビアの接続不良を防止することができる。【００２０】
本発明に係る部品内蔵基板及びその製造方法においては、接着層の平面形状を円形とするとため、接着層の形成時において接着層内に気泡及び空隙等が生じることがなく、部品を強固に固着することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施例に係る部品内蔵基板の概略断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る部品内蔵基板の製造方法の各製造工程における概略断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る部品内蔵基板の製造方法の各製造工程における概略断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る部品内蔵基板の製造方法の各製造工程における概略断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る部品内蔵基板の製造方法の各製造工程における概略断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る部品内蔵基板の製造方法の各製造工程における概略断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る部品内蔵基板の製造方法の各製造工程における概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について、実施例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、実施例の説明に用いる図面は、いずれも本発明による部品内蔵基板及びその構成部材を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っており、部品内蔵基板及びその構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、実施例で用いる様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。
【００２３】
＜実施例＞
先ず、図１を参照しつつ、本発明の本実施例に係る部品内蔵基板の構造について詳細に説明する。ここで、図１は、実施例に係る部品内蔵基板の断面図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施例に係る部品内蔵基板１は、一般的な電気的又は電子的な部品であるＩＣ部品２、ＩＣ部品２を埋設するように形成された絶縁層３、絶縁層３を挟むように形成された第１金属層４及び第２金属層５、第１金属層４上にＩＣ部品２を固着するための接着層６、並びに絶縁層３内を延在して第２金属層５とＩＣ部品２とを電気的に接続する導通ビア７を有している。また、本実施例に係る部品内蔵基板１の寸法は、約４ｍｍ角であって厚さが約０．４ｍｍである。
【００２５】
ＩＣ部品２は、ＩＣ部品２の内部と外部とを電気的に接続し、外部から供給される電力、電流、電圧、又は電気信号をＩＣ部品２の内部に導くための接続端子２ａを第１の面２ｂ（接続端子形成面）側に有している。また、ＩＣ部品２において、第１の面２ｂに対して反対側に位置する第２の面２ｃには、接続端子２ａが形成されていない。すなわち、第２の面２ｃは、接続端子非形成面となる。更に、図１に示すように、ＩＣ部品２は、第１金属層４に近接する側に、接続端子が形成されていない第２の面２ｃが位置するように、絶縁層３内に埋設されている。すなわち、本実施例において、ＩＣ部品２はいわゆるフェイスアップ状態にて埋設されている。そして、本実施例におけるＩＣ部品２の寸法は、約３．４ｍｍ角であって厚さが約０．２ｍｍである。
【００２６】
なお、本実施例においては、部品内蔵基板１に内蔵する部品をＩＣ部品２としているが、部品内蔵基板１に内蔵される部品はこれに限定されることがない。例えば、抵抗、コンデンサ等の他の電気的又は電子的な部品を絶縁層３内に埋設してもよい。
【００２７】
本実施例において、絶縁層３には、プリプレグ等の絶縁樹脂材料が用いられている。ここで、絶縁層３の材料は、熱膨張係数がＩＣ部品２に近いことが好ましい。これは、当該絶縁材料を硬化させる際に、ＩＣ部品２への応力を緩和するためである。なお、絶縁層３の材料は、絶縁樹脂材料に限定されることなく、ＩＣ部品２を埋設することができ且つ電気的特性及び信頼性等に問題がなければ、他の一般的な絶縁材料を用いてもよい。
【００２８】
第１金属層４は、絶縁層３の表面上であり且つＩＣ部品２の第２の面２ｃと近接する面上に形成されている。本実施例において、第１金属層４は、銅から構成されている。また、第１金属層４には、パターニングが施されており、所望の配線パターンが形成されている。なお、第１金属層４の材料は、銅に限定されることなく、電気的特性及び信頼性等に問題がなければ、他の一般的な金属材料を用いてもよい。
【００２９】
第２金属層５は、絶縁層３の表面上であり且つＩＣ部品２の第２の面２ｃと近接する面とは反対側に位置する面上に形成されている。本実施例において、第２金属層５は、第１金属層４と同様に、銅から構成されている。また、第２金属層５にも、パターニングが施されており、所望の配線パターンが形成されている。なお、第１金属層４の材料は、銅に限定されることなく、電気的特性及び信頼性等に問題がなければ、他の一般的な金属材料を用いてもよい。
【００３０】
本実施例において、接着層６には、一般的な絶縁材料からなる接着剤が用いられている。図１に示すように、接着層６は、ＩＣ部品２の第２の面２ｃ上に形成され、且つ第１金属層４と接触している。
【００３１】
また、接着層６は、ＩＣ部品２の第２の面２ｃ内に収まるように形成されている。すなわち、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積（接着剤の塗布面積）は、ＩＣ部品２の第２の面２ｃの面積より小さくなっている。より具体的には、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積は、ＩＣ部品２の第２の面２ｃの面積の１３％〜４０％の範囲内であることが好ましい。本実施例においては、接着剤の塗布寸法は約φ１．５ｍｍであり、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積（約１．７７ｍｍ２）は、ＩＣ部品２の第２の面２ｃ（約１１．５６ｍｍ２）の面積の約１５％である。なお、本実施例においては、接着剤の塗布寸法を約φ１．５ｍｍとして、平面形状が円状の接着層６を形成したが、接着層の平面形状は円に限定されることなく、多角形又は楕円であってもよい。
【００３２】
更に、部品内蔵基板１自体と比較すると、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積は、第１金属層４の形成面側における部品内蔵基板１の面積の７％〜２５％の範囲内であることが好ましい。本実施例において、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積は、第１金属層４の形成面側における部品内蔵基板１の面積（約１６ｍｍ２）の約１０％である。
【００３３】
上述したように接着層６を形成することにより、ＩＣ部品２の第２の面２ｃの大部分は、絶縁層３によって覆われることになる。そして、接着層６の周囲にも絶縁層３が位置することになる。すなわち、接着層６も絶縁層３に埋設されている状態となる。
【００３４】
導通ビア７は、ＩＣ部品２の接続端子２のそれぞれと第２金属層５とを電気的に接続するために、絶縁層３内に延在するように設けられている。導通ビア７の材料は、銅等の導電体が用いられている。なお、導通ビア７の材料は、銅に限定されることなく、電気的特性及び信頼性等に問題がなければ、他の一般的な金属材料を用いてもよい。
【００３５】
次に、本発明の実施例に係る部品内蔵基板の製造方法について、図２乃至図７を参照して詳細に説明する。図２乃至図７は、本実施例に係る部品内蔵基板の製造方法の各製造工程における概略断面図である。
【００３６】
先ず、図２に示すように、支持板１１を準備する準備工程が行われる。具体的には、剛性を有する支持板１１上に第１金属層４を形成し、表面が第１金属層４に覆われた支持板１１を準備する。支持板１１として、プロセス条件にて必要とされる程度の剛性を有するものが用いられる。例えば、支持板１１は、剛性のあるＳＵＳ（ステンレス）板又はアルミ板等で形成されてもよい。上述したように、本実施例において、第１金属層４は銅から構成されているが、第１金属層４の具体的な形成方法としては、例えば、支持板１１がＳＵＳ板から構成されていれば銅めっきを析出させて第１金属層４を形成する方法、或いは支持板１１がアルミ板であれば銅箔を貼り付けて第１金属層４を形成する方法を採用することができる。
【００３７】
次に、図３に示すように、例えばディスペンサーや印刷等によって絶縁材料からなる接着層６を第１金属層４上に形成する。図３においては第１金属層４の２箇所に接着層６を形成しているが、本実施例の部品内蔵基板の製造方法においては、１つのＩＣ部品２が埋設された部品内蔵基板１を複数同時に形成するため、実際にはマトリックス状に複数の接着層６が形成されることになる。従って、部品内蔵基板１の製造数量に応じて、ＩＣ部品２の数量が決まり、当該ＩＣ部品の数量に対応させて接着層６を形成することになる。
【００３８】
ここで、本実施例においては、接着層６を構成する接着剤の塗布寸法を約φ１．５ｍｍとし、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積を、ＩＣ部品２の第２の面２ｃの面積の約１５％とし、第１金属層４の形成面側における部品内蔵基板１の面積の約１０％とする。
【００３９】
次に、図４に示すように、接着層６を介してＩＣ部品２を第１金属層４上に搭載する搭載工程が行われる。具体的には、吸引ノズルを備える表面実装機（チップマウンタ）を用い、内蔵部品であるＩＣ部品２を接着層６上に搭載する。ここで、ＩＣ部品２は、接続端子２ａの形成されていない第２の面２ｃが接着層６と接着し、接続端子２ａの形成されている第１の面２ｂが接着層６と離間するように搭載される。すなわち、ＩＣ部品２は、いわゆるフェイスアップで搭載されることになる。
【００４０】
次に、図５に示すように、絶縁層３を形成する絶縁層形成工程が行われる。当該絶縁層形成工程においては、ＩＣ部品２、第１金属層４、及び接着層６を覆うように、（すなわち、ＩＣ部品２、第１金属層４及び接着層６に対して）絶縁層３となるべき絶縁樹脂材料を積層し、ＩＣ部品２及び接着層６を絶縁層３内に埋設する。具体的には、ＩＣ部品２及び接着層６に対してプリプレグ等の絶縁樹脂材料をレイアップし、これを真空下で加熱しながらプレスして行う。このプレスは、例えば真空加圧式のプレス機を用いて行われる。また、絶縁層３の形成の際に、第１金属層４が位置する面とは反対側の表面上に、別の第２金属層５が形成される。このような金属層形成工程により、第１金属層４と第２金属層５とによって絶縁層３が挟まれることになる。
【００４１】
ここで、本実施例においては、接着層６を構成する接着剤の塗布寸法を約φ１．５ｍｍとし、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積を、ＩＣ部品２の第２の面２ｃの面積の約１５％とし、第１金属層４の形成面側における部品内蔵基板１の面積の約１０％としているため、絶縁層３がＩＣ部品２の第２の面２ｃの大部分を被覆することになる。これにより、レイアップしたプリプレグ等の絶縁樹脂材料の真空加熱の際に、第１金属層４に向かって接着層６に加わる圧力が比較的に小さくなる。また、当該真空加熱処理により、接着層６の周囲に位置する絶縁樹脂材料には硬化収縮にともなう応力が、第２金属層５の形成面側に向かって加わるため、当該圧力と当該応力とが互いに打ち消し合うことになる。これにより、第１金属層４が支持板１１から剥離することが抑制される。
【００４２】
なお、ＩＣ部品２の第２の面２ｃの面積、又は第１金属層４の形成面側における部品内蔵基板１の面積に対する接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積の比率は、上述した数値に限定されることはない。特に、接着層６のＩＣ部品２と接触する面側の面積を、ＩＣ部品２の第２の面２ｃの面積の１３％〜４０％の範囲内とし、第１金属層４の形成面側における部品内蔵基板１の面積の７％〜２５％の範囲内とすることで、上述した効果を十分に奏することができる。
【００４３】
そして、本実施例においては、接着層６を構成する接着剤の塗布寸法を約φ１．５ｍｍとし、接着層６の平面形状を円形とした。このようにすることで、接着剤が的確に溶融し、接着層６内に気泡（ボイド）や空隙等が形成されることがない。従って、ＩＣ部品２を第１金属層４上に強固に固着することができる。
【００４４】
次に、図６に示すように、支持板１１が除去されるとともに、ビア１２が形成される。ビア１２の形成方法としては、支持板１１を先ず除去し、その後に、例えばＣＯ２レーザをビア形成箇所に照射することにより、ＣＯ２レーザの照射部分の部材が除去されて各ビアが形成される。なお、ＣＯ２レーザに限られることなく、例えば、ＵＶ−ＹＡＧやエキシマ等の高周波レーザを用いてもよい。ここで、ビア１２は、第２金属層５を貫通するとともに、絶縁層３内を延在して接続端子２ａに到達している。
【００４５】
ビア１２が形成された後、デスミア処理を施し、ビア形成の際に残留している樹脂を除去する。また、接続端子２ａには更にソフトエッチング処理を施し、ビア形成によって露出した接続端子２ａの露出面の酸化物や有機物を除去する。これにより、新鮮な金属の表面が露出することになり、その後のめっき処理において析出する金属との密着性が高まり、結果として電気的な接続信頼性が向上する。
【００４６】
ここで、ビア１２が形成される接続端子２ａの周囲には、絶縁樹脂材料からなる絶縁層３のみが存在するだけで、互いに異なる特性を備える絶縁樹脂材料が存在していない。従って、互いに異なる特性を備える絶縁樹脂材料に対してビアを形成する場合に生じるような、エッチングレートの相違に起因する絶縁樹脂材料の残存は、本実施例におけるビア１２の形成をする際に行われるエッチング処理によっては生じることがない。これにより、最終的に完成される部品内蔵基板１は、導通ビア７の接続不良が発生することがなく、優れた電気的特性及び信頼性を備えることになる。
【００４７】
次に、図７に示すように、ビア１２内に導電体を充填して導通ビア７を形成するとともに、第１金属層４及び第２金属層５のパターニングを行う。具体的には、ビア１２にデスミアやハーフエッチング処理を施して化学銅めっきや電気銅めっき等のめっき処理を施した後に、ビア１２内にめっきを析出させて導電体を充填して導通ビア７を形成する。更に、絶縁層３の両面に配された第１金属層４及び第２金属層５に対してエッチング処理を施す。
【００４８】
そして、図７における破線VII−VIIに沿って絶縁層３を切断することにより、個片化された複数の部品内蔵基板２０が形成されることになる。絶縁層３の切断は、一般的なダイシング装置を用いた個片化プロセスによって施されることになる。
【００４９】
以上のように、本実施例に係る部品内蔵基板１及びその製造方法に関しては、ＩＣ部品２の接続端子非形成面である第２の面２ｃを第１金属層４と近接するように配置し、接着層６となる接着剤の塗布面積をＩＣ部品２の第２の面２ｃの面積よりも小さくすることが特徴となる。このような構成により、本実施例に係る部品内蔵基板１は、絶縁層３の表面上に位置する第１金属層４が剥離することなく、且つ導通ビア７の接続不良が発生することがない。
【符号の説明】
【００５０】
１    部品内蔵基板
２    ＩＣ部品
２ａ    接続端子
２ｂ    第１の面
２ｃ    第２の面
３    絶縁層
４    第１金属層
５    第２金属層
６    接着層
７    導通ビア
１１    支持板
１２    ビア
【図１】
2014188493.tif 000003
【図２】
2014188493.tif 000004
【図３】
2014188493.tif 000005
【図４】
2014188493.tif 000006
【図５】
2014188493.tif 000007
【図６】
2014188493.tif 000008
【図７】
2014188493.tif 000009
【国際調査報告】
2014188493.tif 000010
2014188493.tif 000011
2014188493.tif 000012
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