(57)【要約】  本発明は、光導波路と交差する高周波配線においてインピーダンス変動や電気の過剰損失発生を抑制する構造を備えた高周波線路を提供する。高周波線路は、マイクロストリップ線路となっており、ＳＩ−ＩｎＰ基板（３０１）上にグラウンド電極（３０２）、誘電体層（３０４）、シグナル電極（３０５）と順次積層された基本構成となっている。また、横断面図で示したように高周波線路（３０５）を横切る形でＩｎＰ系半導体の光導波路コア（３０３）が交差している。高周波線路の伝搬方向に沿って、光導波路交差を含む一定領域においてシグナル電極（３０５）の幅を部分的に広くしている。マイクロストリップ線路においてシグナル電極（３０５）の幅を一部ｗ1からｗ2に広くし、幅がｗ1で均一なものより特性インピーダンスを低下させる。この幅ｗ2の第２のシグナル電極部（３２５）の長さｌ2は、入力される高周波電気信号の波長に比べ十分短い長さに設定されている。
2016208202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体、シグナル電極およびグラウンド電極から成る、高周波電気信号を伝送する高周波線路であって、
前記高周波線路を前記高周波電気信号の波長よりも短い長さのセグメントに分割したとき、前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極、前記グラウンド電極および前記誘電体は、前記高周波線路と光導波路との交差を含まないセグメントの特性インピーダンスと同じ前記特性インピーダンスとなる構造であることを特徴とする高周波線路。
【請求項２】
前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極は、異なる２以上の幅を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波線路。
【請求項３】
前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極は、異なる２以上の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の高周波線路。
【請求項４】
前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極と前記グラウンド電極の間隔は、異なる２以上の距離を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波線路。
【請求項５】
前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記誘電体は、異なる２以上の誘電率を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波線路。
【請求項６】
前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記誘電体は、異なる２以上の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の高周波線路。
【請求項７】
前記高周波線路は、マイクロストリップ線路であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の高周波線路。
【請求項８】
前記高周波線路は、コプレーナ線路であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の高周波線路。
【請求項９】
前記高周波線路は、グラウンド付コプレーナ線路であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の高周波線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調器等の変調電極に電気信号を印加する高周波線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の爆発的なデータ通信量の増大に伴い光通信システムの大容量化が求められており、使われる光部品の集積化、複雑化、信号の高速化が進められている。そういった光部品の中には、例えば、光変調器が挙げられる。最近では、伝送容量を増大するため、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying）や１６ＱＡＭ（16 Quadrature Amplitude Modulation）などの多値変調に対応するマッハ・ツェンダ（MZ: Mach-Zehnder）変調器をベースとした光Ｉ／Ｑ変調器（例えば、非特許文献１参照）が２つの光偏波用に２個集積された偏波多重光Ｉ／Ｑ変調器（都合４つのマッハ・ツェンダ変調器が集積された構成）が用いられるようになってきている。【０００３】
この偏波多重光Ｉ／Ｑ変調器は、１００Ｇｂｉｔ／ｓ級の光変調信号を生成することができるが、そのときチップ内のそれぞれのマッハ・ツェンダ変調器に数十ＧＨｚのシンボルレートの高速な電気信号を入力する必要が出てくる。通常、偏波多重光Ｉ／Ｑ変調器モジュールパッケージのＲＦインターフェースを介して入力される高周波信号は、モジュールパッケージ内の高周波配線基板を通り、最終的に偏波多重光Ｉ／Ｑ光変調器チップに供給される。このとき、電気ロスやクロストークを抑制するため、高周波配線基板と偏波多重光Ｉ／Ｑ光変調器チップの間の接続のワイヤリングは極力短くすることが肝要である。【０００４】
そのためには、偏波多重光Ｉ／Ｑ光変調器チップ内で高周波配線を引き回しチップのＲＦインターフェースをチップの端にもってくる必要がある。図１に、ＳＩ−ＩｎＰ基板上に形成された５０Ω系のマイクロストリップ線路がＩｎＰ系の光導波路と交差する偏波多重光Ｉ／Ｑ変調器の構成を示す。その結果、変調電極１０２に接続された高周波配線１０３と光信号が伝搬する光導波路１０１とは必然的に交差することになる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Nobuhiro Kikuchi, et al., ”80-Gb/s Low-Driving-Voltage InP DQPSK Modulator With an n-p-i-n Structure”, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, Vol. 21, No. 12, JUNE 15, 2009,
【発明の概要】
【０００６】
ここで、高周波配線と光導波路とが交差する状況をシミュレーションした結果に基づき、高周波配線と光導波路との交差の電気ロスと特性インピーダンスへの影響について説明する。図２Ａ、図２Ｂに、シミュレーションで用いた、光導波路交差が無いマイクロストリップ線路と光導波路交差が有るマイクロストリップ線路のモデルをそれぞれ示す。シミュレーションでは、線路の長さを１．４ｍｍとし、４つのマッハ・ツェンダ変調器で構成される偏波多重光Ｉ／Ｑ変調器を想定して、最大の７回光導波路と交差することから交差数は７回として試算した。シミュレーション方法としては、１．４ｍｍの線路を７等分して出来た２００μｍのセグメント１つについて、光導波路交差無しの場合、光導波路交差有りの場合を計算し、得られた結果（マトリックス）を掛け合わせることで１．４ｍｍの線路全体について計算した。
【０００７】
図３Ａ、図３Ｂに、マイクロストリップ線路と光導波路との交差の有無それぞれにおいて、電気ロス（Ｓ２１特性、５０Ω系）と特性インピーダンスのシミュレーション結果をそれぞれ示す。光導波路と高周波配線との交差が有るものは、それが無いものと比較して、インサーションロス（Ｓ２１）が増大し、特性インピーダンスが上昇していることを示している。
【０００８】
このように、偏波多重光Ｉ／Ｑ変調器等の従来の高周波配線では、光導波路との交差により、高周波線路の特性が大きく劣化することが課題であった。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光導波路と交差する高周波配線においてインピーダンス変動や電気の過剰損失発生を抑制する構造を備えた高周波線路を提供することにある。
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明は、誘電体、シグナル電極およびグラウンド電極から成る、高周波電気信号を伝送する高周波線路であって、前記高周波線路を前記高周波電気信号の波長よりも短い長さのセグメントに分割したとき、前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極、前記グラウンド電極および前記誘電体は、前記高周波線路と光導波路との交差を含まないセグメントの特性インピーダンスと同じ前記特性インピーダンスとなる構造であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の別の態様は、前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極は、異なる２以上の幅を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の別の態様は、前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極は、異なる２以上の厚さを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の別の態様は、前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記シグナル電極と前記グラウンド電極の間隔は、異なる２以上の距離を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の別の態様は、前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記誘電体は、異なる２以上の誘電率を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の別の態様は、前記高周波線路と光導波路との交差を含むセグメントの前記誘電体は、異なる２以上の厚さを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の別の態様は、前記高周波線路は、マイクロストリップ線路であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の別の態様は、前記高周波線路は、コプレーナ線路であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の別の態様は、前記高周波線路は、グラウンド付コプレーナ線路であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、光導波路と交差する高周波配線において、インピーダンス変動や電気の過剰損失発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】マイクロストリップ線路を有する偏波多重光Ｉ／Ｑ変調器の構成を示す図である。
【図２Ａ】シミュレーションで用いた、光導波路交差が無いマイクロストリップ線路のモデルを示す図である。
【図２Ｂ】シミュレーションで用いた、光導波路交差が有るマイクロストリップ線路のモデルを示す図である。
【図３Ａ】マイクロストリップ線路と光導波路との交差の有無それぞれにおいて、電気ロス（Ｓ２１特性、５０Ω系）のシミュレーション結果を示す図である。
【図３Ｂ】マイクロストリップ線路と光導波路との交差の有無それぞれにおいて、特性インピーダンスのシミュレーション結果を示す図である。
【図４Ａ】本発明の第１の実施形態に係る高周波線路の上面図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施形態に係る高周波線路の図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第１の実施形態に係る高周波線路の図４ＡのＩＶＣ−ＩＶＣ横断面図である。
【図４Ｄ】本発明の第１の実施形態に係る高周波線路の図４ＡのＩＶＤ−ＩＶＤ横断面図である。
【図５Ａ】シミュレーションで用いた、光導波路交差が無いマイクロストリップ線路のモデルを示す図である。
【図５Ｂ】シミュレーションで用いた、光導波路交差が有るマイクロストリップ線路のモデルを示す図である。
【図５Ｃ】シミュレーションで用いた、光導波路交差が有る場合で第２のシグナル電極部３２５を用いた補償構造が有るマイクロストリップ線路のモデルを示す図である。
【図６Ａ】マイクロストリップ線路と光導波路との交差が無い場合、マイクロストリップ線路と光導波路との交差が有る場合、光導波路交差が有る場合で第２のシグナル電極部３２５を用いた補償構造が有る場合の電気ロス（Ｓ２１特性、５０Ω系）のシミュレーション結果を示す図である。
【図６Ｂ】マイクロストリップ線路と光導波路との交差が無い場合、マイクロストリップ線路と光導波路との交差が有る場合、光導波路交差が有る場合で第２のシグナル電極部３２５を用いた補償構造が有る場合の特性インピーダンスのシミュレーション結果を示す図である。
【図７Ａ】本発明の第２の実施形態に係る高周波線路の上面図である。
【図７Ｂ】本発明の第２の実施形態に係る高周波線路の図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第２の実施形態に係る高周波線路の図７ＡのＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ横断面図である。
【図７Ｄ】本発明の第２の実施形態に係る高周波線路の図７ＡのＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ横断面図である。
【図８Ａ】５０Ω設計のグラウンド付コプレーナ線路の電気ロス（Ｓ２１特性）に関して、光導波路交差の有無での特性の違いをシミュレーションした例を示す図である。
【図８Ｂ】５０Ω設計のグラウンド付コプレーナ線路の特性インピーダンスに関して、光導波路交差の有無での特性の違いをシミュレーションした例を示す図である。
【図９Ａ】本発明の第３の実施形態に係る別のグラウンド付コプレーナ線路の上面図である。
【図９Ｂ】本発明の第３の実施形態に係る別のグラウンド付コプレーナ線路の図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ断面図である。
【図９Ｃ】本発明の第３の実施形態に係る別のグラウンド付コプレーナ線路の図９ＡのＩＸＣ−ＩＸＣ横断面図である。
【図９Ｄ】本発明の第３の実施形態に係る別のグラウンド付コプレーナ線路の図９ＡのＩＸＤ−ＩＸＤ横断面図である。
【図１０Ａ】本発明の第４の実施形態に係る別のマイクロストリップ線路とグラウンド付コプレーナ線路の折衷構造の上面図である。
【図１０Ｂ】本発明の第４の実施形態に係る別のマイクロストリップ線路とグラウンド付コプレーナ線路の折衷構造の図１０ＡのＸＢ−ＸＢ断面図である。
【図１０Ｃ】本発明の第４の実施形態に係る別のマイクロストリップ線路とグラウンド付コプレーナ線路の折衷構造の図１０ＡのＸＣ−ＸＣ断面図である。
【図１０Ｄ】本発明の第４の実施形態に係る別のマイクロストリップ線路とグラウンド付コプレーナ線路の折衷構造の図１０ＡのＸＤ−ＸＤ横断面図である。
【図１０Ｅ】本発明の第４の実施形態に係る別のマイクロストリップ線路とグラウンド付コプレーナ線路の折衷構造の図１０ＡのＸＥ−ＸＥ横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００２２】
（第１の実施形態）
図４Ａに、本発明の第１の実施形態に係る高周波線路のセグメント単位の上面図、図４ＢにそのＩＶＢ−ＩＶＢ断面図、図４ＣにそのＩＶＣ−ＩＶＣ横断面図、図４ＤにそのＩＶＤ−ＩＶＤ横断面図をそれぞれ示す。本実施形態に係る高周波線路は、マイクロストリップ線路となっており、ＳＩ−ＩｎＰ基板３０１上にグラウンド電極３０２、誘電体層３０４、シグナル電極３０５と順次積層された基本構成となっている。また、横断面図で示したように高周波線路３０５を横切る形でＩｎＰ系半導体の光導波路コア３０３が交差している。
【００２３】
この光導波路交差があることで、図４Ｂの断面図、図４Ｄの横断面図に示すように高周波線路のグラウンド電極３０２が伝搬方向に沿って一部途切れ、また、誘電体層３０４の一部がＩｎＰ系材料に置き換わることになり、グラウンド電極３０２とシグナル電極３０５との間の誘電率が一部変化することになる。このことは、高周波線路の特性インピーダンスが光導波路交差領域において変化することを意味し、従来のようにシグナル電極が伝搬方向に均一な構造の場合、電気の過剰損失を誘発する。
【００２４】
前述の通り、光導波路交差無しに比べ、補償構造無く光導波路交差有りの場合（伝搬方向に均一な構造）では、Ｓ２１特性が劣化（電気ロス増大）し、特性インピーダンスが大きく上昇する。特性インピーダンスが設計からずれると、電気信号の反射を起こし特性が劣化する。
【００２５】
そこで、本実施形態においては、図４Ａ〜図４Ｄに示すように、高周波線路を等分割したセグメント単位で、高周波線路の伝搬方向に沿って、光導波路交差を含む一定領域においてシグナル電極３０５の幅を部分的に広くしている。マイクロストリップ線路においてシグナル電極３０５の幅を一部ｗ1からｗ2に広くすると、幅がｗ1で均一なものよりも特性インピーダンスを低下させる効果がある。
【００２６】
各セグメントの長さ（ｌ1-1＋ｌ2＋ｌ1-2）は、入力される高周波電気信号の波長に比べ十分短い長さ（一般的には１／１０程度以下）に設定されている。これにより、前後の高周波線路を含む全体の特性インピーダンスは、幅ｗ2の第２のシグナル電極部３２５と前後の幅ｗ1の第１のシグナル電極部３１５との長さの比に応じて足し合わせて平均化した特性インピーダンスと見なすことができる。よって、第２のシグナル電極部３２５の電極幅ｗ2は、所望の特性インピーダンスと許容される第２のシグナル電極部３２５の長さｌ2に応じて設定すれば良い。
【００２７】
図５Ａ〜図５Ｃに、シミュレーションで用いた、光導波路交差が無いマイクロストリップ線路、光導波路交差が有るマイクロストリップ線路、光導波路交差が有る場合で第２のシグナル電極部３２５を用いた補償構造が有るマイクロストリップ線路のモデルをそれぞれ示す。また、図６Ａ、図６Ｂに、電気ロス（Ｓ２１特性、５０Ω系）と特性インピーダンスに関して、マイクロストリップ線路と光導波路との交差が無い場合、マイクロストリップ線路と光導波路との交差が有る場合、光導波路交差が有る場合で第２のシグナル電極部３２５を用いた補償構造が有る場合のシミュレーション結果を示す。図６Ａ、図６Ｂからは、第２のシグナル電極部３２５を用いた補償構造が有ることで、光導波路交差による電気ロス（Ｓ２１）上昇や特性インピーダンス上昇の抑制効果が確認できる。
【００２８】
尚、本実施形態では、マイクロストリップ線路のシグナル電極３０５の光導波路交差領域を含む第２のシグナル電極部３２５の幅ｗ2を太くした例を示したが、ある一定領域、例えば２００μｍのセグメントで平均的に所望の特性インピーダンスにできればよいので、逆に光導波路交差領域前後の第１のシグナル電極部３１５の方のシグナル電極の幅ｗ1を第２のシグナル電極部３２５の幅ｗ2よりも太くしても良い。
【００２９】
（第２の実施形態）
図７Ａに、本発明の第２の実施形態に係る高周波線路のセグメント単位の上面図、図７ＢにそのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ断面図、図７ＣにそのＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ横断面図、図７ＤにそのＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ横断面図をそれぞれ示す。本実施形態に係る高周波線路は、グラウンド付コプレーナ線路となっており、ＳＩ−ＩｎＰ基板７０１上に下層グラウンド電極７０２、誘電体層７０４、シグナル電極７０５と上層グラウンド電極７０６が順次積層された基本構成となっている。また、横断面図で示したように高周波線路を横切る形でＩｎＰ系半導体の光導波路コア７０３が交差している。
【００３０】
この光導波路交差があることで、第１の実施形態で説明したように、下層グラウンド電極７０２とシグナル電極７０５との間の誘電率が一部変化することになる。このことは、高周波線路の特性インピーダンスが光導波路交差領域において変化することを意味し、従来のようにシグナル電極が伝搬方向に均一な構造の場合、電気の過剰損失を誘発する。
【００３１】
図８Ａ、図８Ｂに、５０Ω設計のグラウンド付コプレーナ線路の電気ロス（Ｓ２１特性）と特性インピーダンスに関して、光導波路交差の有無での特性の違いをシミュレーションした例を示す。計算では、第１の実施形態と同様に、線路の長さを１．４ｍｍとし、交差有りの場合の交差数は７回として試算した。
【００３２】
図８Ａ、図８Ｂに示す通り、光導波路交差無しに比べ、光導波路交差有りで補償構造無しの場合（伝搬方向に均一な構造）では、Ｓ２１特性が劣化（電気ロス増大）し、特性インピーダンスが上昇していることが確認できる。
【００３３】
そこで、本実施形態においては、図７Ａ〜図７Ｄに示すように、高周波線路を等分割したセグメント単位で、高周波線路の伝搬方向に沿って、光導波路交差を含む一定領域においてシグナル電極７０５の幅を部分的に広くしている。グラウンド付コプレーナ線路においてシグナル電極７０５の幅を一部ｗ1からｗ2に広くすると、幅がｗ1で均一なものよりも特性インピーダンスを低下させる効果がある。
【００３４】
このセグメントの長さ（ｌ1-1＋ｌ2＋ｌ1-2）は、入力される高周波電気信号の波長に比べ十分短い長さ（一般的には１／１０程度以下）に設定されている。これにより、前後の高周波線路を含む全体の特性インピーダンスは、幅ｗ2の第２のシグナル電極部７２５と前後の幅ｗ1の第１のシグナル電極部７１５との長さの比に応じて足し合わせて平均化した特性インピーダンスと見なすことができる。よって、第２のシグナル電極部７２５の電極幅ｗ2は、所望の特性インピーダンスと許容される第２のシグナル電極部７２５の長さｌ2に応じて設定すれば良い。
【００３５】
幅ｗ2の第２のシグナル電極部７２５を用いた補償構造有り（幅広シグナル電極）の場合、図８Ｂに示す通り、特に特性インピーダンス上昇の抑制効果が確認できる。
【００３６】
尚、本実施形態では、光導波路交差領域を含むグラウンド付コプレーナ線路のシグナル電極７０５の光導波路交差領域を含む第２のシグナル電極部７２５の幅ｗ2を太くした例を示したが、ある一定領域、例えば２００μｍのセグメントで平均的に所望の特性インピーダンスにできればよいので、逆に光導波路交差領域前後の第１のシグナル電極部７１５の方のシグナル電極の幅ｗ1を第２のシグナル電極部７２５の幅ｗ2よりも太くしても良い。
【００３７】
（第３の実施形態）
さらに、図９Ａに、本発明の第３の実施形態に係るグラウンド付コプレーナ線路の上面図、図９ＢにそのＩＸＢ−ＩＸＢ断面図、図９ＣにそのＩＸＣ−ＩＸＣ横断面図、図９ＤにそのＩＸＤ−ＩＸＤ横断面図をそれぞれ示す。図９Ａに示すように、シグナル電極幅９０５は一様で、上層グラウンド電極９０６の幅を光導波路交差領域において広くし、シグナル電極９０５と上層グラウンド電極９０６の間隔を変化、具体的には狭くしても良い。この補償構造有り（狭ＳＧギャップ電極）の場合も、図８Ｂに示すように、特性インピーダンス上昇抑制効果、及び、電気過剰損増大抑制効果が確認できる。
【００３８】
（第４の実施形態）
図１０Ａに、マイクロストリップ線路とグラウンド付コプレーナ線路の折衷構造の上面図、図１０ＢにそのＸＢ−ＸＢ断面図、図１０ＣにそのＸＣ−ＸＣ断面図、図１０ＤにそのＸＤ−ＸＤ横断面図、図１０ＥにそのＸＥ−ＸＥ横断面図をそれぞれ示す。この構造は、光導波路交差領域では図１０Ｅに示すようにグラウンド付コプレーナ線路の上層グラウンド電極７０６、９０６と同じ位置にグラウンド電極１００２があり、光導波路交差領域前後では図１０Ｄに示すようにマイクロストリップ線路のようにＳＩ−ＩｎＰ基板１００１上にのみグラウンド電極１００２がある。このような図１０Ａ〜図１０Ｅに示した高周波線路に対しても、第１、第２の実施形態と同様にシグナル電極１００５に対して補償構造を設けることにより特性インピーダンス上昇、及び、電気過剰損増大を抑制することができる。
【００３９】
尚、第１〜第４の実施形態では、シグナル電極、グラウンド電極に補償構造を設ける構成を例示したが、それらに代えて、特性インピーダンスを変化させることができるパラメータである電極の厚さ、シグナル電極とグラウンド電極の間隔、誘電体層の誘電率や厚さを変化させた補償構造を用いても良い。
【００４０】
また、第１〜第４の実施形態ではマイクロストリップ線路とグラウンド付コプレーナ線路それぞれの構造のみからなる高周波線路の例を示したが、もちろん途中で高周波線路の基本構成が変化しても構わない。また、シグナル電極、グラウンド電極は、誘電体上に接するよう形成されているが、それらは一部中空配線にしても良い。
【００４１】
以上説明したように、高周波線路を光導波路との交差に応じて部分的に構造を変化させることにより、インピーダンス変動や電気の過剰損失発生を抑制することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０１  光導波路
１０２  変調電極
１０３  高周波配線
３０１、７０１、９０１、１００１  ＳＩ−ＩｎＰ基板
３０２、７０２、７０６、９０２、１００２  グラウンド電極
３０３、７０３、９０３、１００３  光導波路コア
３０４、７０４、９０４、１００４  誘電体層
３０５、７０５、９０５、１００５  シグナル電極
【図１】
2016208202.tif 000003
【図２Ａ】
2016208202.tif 000004
【図２Ｂ】
2016208202.tif 000005
【図３Ａ】
2016208202.tif 000006
【図３Ｂ】
2016208202.tif 000007
【図４Ａ】
2016208202.tif 000008
【図４Ｂ】
2016208202.tif 000009
【図４Ｃ】
2016208202.tif 000010
【図４Ｄ】
2016208202.tif 000011
【図５Ａ】
2016208202.tif 000012
【図５Ｂ】
2016208202.tif 000013
【図５Ｃ】
2016208202.tif 000014
【図６Ａ】
2016208202.tif 000015
【図６Ｂ】
2016208202.tif 000016
【図７Ａ】
2016208202.tif 000017
【図７Ｂ】
2016208202.tif 000018
【図７Ｃ】
2016208202.tif 000019
【図７Ｄ】
2016208202.tif 000020
【図８Ａ】
2016208202.tif 000021
【図８Ｂ】
2016208202.tif 000022
【図９Ａ】
2016208202.tif 000023
【図９Ｂ】
2016208202.tif 000024
【図９Ｃ】
2016208202.tif 000025
【図９Ｄ】
2016208202.tif 000026
【図１０Ａ】
2016208202.tif 000027
【図１０Ｂ】
2016208202.tif 000028
【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【国際調査報告】
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