(57)【要約】  曲面を有する被加工物に対しても精度良く効率的に研磨することができる精密研磨装置を提供することを目的とする。  ガスクラスターイオンビームＢ２を照射する照射源ＳＢと、被加工物ＷＡを固定するステージ４１ａと、ステージ４１ａに直接的に固定され、被加工物ＷＡの一部を覆うアパーチャー４２と、を備え、アパーチャー４２は、当該アパーチャー４２の開口部内側面４２ｅの照射源ＳＢ側の縁４２ｇが被加工物ＷＡの表面９０ｓから所定距離だけ離れるように配置されており、ガスクラスターイオンビームＢ２は、ガスクラスターイオンビームＢ２の進行方向がアパーチャー４２の縁４２ｇを含む基準面ＳＴに垂直な軸に対するガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度を０°より大きくするように照射される。
2015060047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを照射する照射源と、
被加工物を固定するステージと、
前記ステージに直接的に又は間接的に固定され、前記被加工物の一部を覆うアパーチャーと、
を備え、
前記アパーチャーは、当該アパーチャーの開口部内側面の前記照射源側の縁が前記被加工物の表面から離間して配置されており、
前記荷電粒子ビームは、前記荷電粒子ビームの進行方向が前記アパーチャーの前記縁によって規定される基準面に垂直な軸に対する前記荷電粒子ビームの傾斜角度を０°より大きくするように照射されることを特徴とする精密研磨装置。
【請求項２】
荷電粒子ビームは、ガスクラスターイオンビームであることを特徴とする請求項１に記載の精密研磨装置。
【請求項３】
前記被加工物は、曲面を有することを特徴とする請求項１及び２のいずれか一項に記載の精密研磨装置。
【請求項４】
前記被加工物の表面のうち前記開口部内側面側の少なくとも一部と前記アパーチャーとの間には隙間が設けられていることを特徴とする請求項１から３までのいずれか一項に記載の精密研磨装置。
【請求項５】
前記被加工物の前記開口部内側面側の表面と前記アパーチャーとは全体的に接していることを特徴とする請求項１から３までのいずれか一項に記載の精密研磨装置。
【請求項６】
前記荷電粒子ビームの進行方向と前記基準面に垂直な軸とのなす角度である傾斜角度をθとし、前記被加工物の被加工対象の最大面角度と傾斜角度θとの差の絶対値が面粗さが悪化し始める入射角と等しくなる所定位置と前記被加工対象の中心との間の距離をｒ０とし、前記被加工対象の前記所定位置と前記被加工物の表面との間の距離をｓ（ｒ０）とし、前記アパーチャーの前記開口部内側面の半径をＲとし、前記アパーチャーの高さをＨとしたときに以下の条件式
（Ｒ＋ｒ０）／ｔａｎθ−ｓ（ｒ０）＜Ｈ
を満足し、
前記被加工物を前記荷電粒子ビームに対して前記被加工対象の中心軸を回転軸として相対的に回転させた状態で前記荷電粒子ビームを照射することを特徴とする請求項１から５までのいずれか一項に記載の精密研磨装置。
【請求項７】
前記荷電粒子ビームを前記基準面に対して異なる２つ以上の傾斜角度で照射することを特徴とする請求項６に記載の精密研磨装置。
【請求項８】
前記荷電粒子ビームは、予め測定された前記被加工物の形状に基づいた形状誤差に応じて照射ドーズ量を調整することを特徴とする請求項７に記載の精密研磨装置。
【請求項９】
前記ステージを有する支持装置と、前記支持装置を駆動する支持装置駆動部とをさらに備え、
前記支持装置駆動部は、前記支持装置を駆動して、前記ステージの位置及び姿勢を調節し、前記荷電粒子ビームの進行方向が前記アパーチャーの前記縁によって規定される前記基準面に対して傾くように荷電粒子ビームを照射することを特徴とする請求項１から８までのいずれか一項に記載の精密研磨装置。
【請求項１０】
被加工物をステージに固定する工程と、
前記被加工物の一部を覆うようにアパーチャーを前記ステージに直接的に又は間接的に固定する工程と、
照射源を用いて荷電粒子ビームを照射する工程と、
を備え、
前記アパーチャーは、当該アパーチャーの開口部内側面の前記照射源側の縁が前記被加工物の表面から離間して配置されており、
前記荷電粒子ビームは、前記荷電粒子ビームの進行方向が前記アパーチャーの前記縁によって規定される基準面に垂直な軸に対する前記荷電粒子ビームの傾斜角度を０°より大きくするように照射することを特徴とする精密研磨方法。
【請求項１１】
荷電粒子ビームは、ガスクラスターイオンビームであることを特徴とする請求項１０に記載の精密研磨方法。
【請求項１２】
前記被加工物は、曲面を有することを特徴とする請求項１０及び１１のいずれか一項に記載の精密研磨方法。
【請求項１３】
前記荷電粒子ビームの進行方向と前記基準面に垂直な軸とのなす角度である傾斜角度をθとし、前記被加工物の被加工対象の最大面角度と傾斜角度θとの差の絶対値が面粗さが悪化し始める入射角と等しくなる所定位置と前記被加工対象の中心との間の距離をｒ０とし、前記被加工対象の前記所定位置と前記被加工物の表面との間の距離をｓ（ｒ０）とし、前記アパーチャーの前記開口部内側面の半径をＲとし、前記アパーチャーの高さをＨとしたときに以下の条件式
（Ｒ＋ｒ０）／ｔａｎθ−ｓ（ｒ０）＜Ｈ
を満足し、
前記被加工物を前記荷電粒子ビームに対して前記被加工対象の中心軸を回転軸として相対的に回転させた状態で前記荷電粒子ビームを照射することを特徴とする請求項１０から１２までのいずれか一項に記載の精密研磨方法。
【請求項１４】
前記荷電粒子ビームを前記基準面に対して異なる２つ以上の傾斜角度で照射することを特徴とする請求項１３に記載の精密研磨方法。
【請求項１５】
前記荷電粒子ビームの進行方向と前記基準面に垂直な軸とのなす角度をθとし、前記被加工対象の中心と前記開口部内側面の縁とを結ぶ線分と、前記被加工対象の中心軸とのなす角をγとしたときに、前記荷電粒子ビームを前記開口部内側面に対してθ＜γを満足する傾斜角度と、θ＞γを満足する傾斜角度とで照射することを特徴する請求項１４に記載の精密研磨方法。
【請求項１６】
予め前記被加工物の形状を測定し、形状誤差を算出する工程をさらに備え、
前記荷電粒子ビームは、予め測定された前記被加工物の形状に基づいた形状誤差に応じて照射ドーズ量を調整することを特徴とする請求項１４及び１５のいずれか一項に記載の精密研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金型や光学素子を精密に研磨するための精密研磨装置及び当該精密研磨装置を用いた精密研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レンズ等の光学素子として回転軸対称の球面レンズや非球面レンズ等が存在し、これらを大量生産するためには成形型を使用したプレス成形や射出成形等が有力な加工手段となっている。成形型の転写面が粗面の場合には、成形後のレンズの面粗さも大きくなり、光学機器にフレアーが発生する。また、成形型によって成形されたレンズの形状精度が悪いと、レンズが組み込まれたカメラ等の光学機器に収差が発生するため、光学機器としては機能が低下する。【０００３】
光学素子及びその成形型について面粗さを改善し形状誤差を修正するために、荷電粒子ビームの一種であるガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）を用いる研磨方法がある（特許文献１及び２参照）。これらの技術を実現するためには、被加工物内の所望の範囲しかビームが当たらないようにする必要がある。【０００４】
特許文献１の研磨方法では、金型加工時において、ＧＣＩＢを照射することによって切削痕の微小な凹凸が平滑化されて、面粗さが改善する。ここで、特許文献１において、ＧＣＩＢの照射角度が０°（垂直照射）の場合に面粗さが改善し、一方、ビームを傾けて照射角度を大きくすることによってある角度（照射限界入射角）を超えた場合に面粗さが照射前に比べて悪化することが開示されている。この特許文献１の研磨方法では、光学素子やその金型のような曲率を持った被加工物に対する研磨については同時に全域を垂直照射できないため、面粗さに影響が生じ得る。この特許文献１では、凸形状の金型を研磨する方法を示しているが、金型の中心付近の頂上面等に対してビームを垂直に照射すると、周辺では照射角度が照射限界入射角を超える。このため、照射位置に応じて照射角度が常に照射限界入射角を超えないように、被加工物に対するビームの角度を変えながら照射している。この際、照射源側に配置され照射範囲を限定する内部アパーチャー（aperture）によってビーム径を小さくする必要があり、例えば被加工対象の中央付近を垂直に近い角度で照射するときは被加工対象の周辺側にビームが当たらないようにし、被加工対象の周辺側を垂直に近い角度で照射するときは被加工対象の中心付近にビームが当たらないようにしている。なお、特許文献１では、内部アパーチャーは、所望の照射範囲と同形状の開口部を有する平板である。【０００５】
特許文献２の研磨方法には、ＧＣＩＢの照射ドーズ量（注入された物質の総量）と加工深さとが線形であることが開示されている。下式のように、照射ドーズ量は照射時間に比例するため、照射時間によってナノオーダーという非常に小さい量の加工深さを制御できる。
照射時間
＝（照射ドーズ量×照射面積×電気素量）／（検出イオン電流量）
上記特許文献２では、被加工物の形状を測定し、その形状誤差から各位置における必要除去量を算出し、除去量を照射時間に変換する。その後、照射源側に配置され所望の加工位置のみに対応する部分が開口された内部アパーチャー越しにＧＣＩＢを計算した照射時間だけ照射する。このような工程を必要に応じて内部アパーチャーを交換しながら繰り返すことによって、形状誤差が修正され、被加工物の形状創成を行うことができる。また、特許文献２の研磨方法においても特許文献１と同様に、内部アパーチャーは、所望の照射範囲と同形状の開口部を有する平板である。【０００６】
被加工物において所望の位置のみにビームを照射するには、内部アパーチャーの開口部のビーム進行方向の先に被加工物の所望照射位置が来るように、両者の位置を精度良く配置する必要がある。しかしながら、ＧＣＩＢはビームを直接観察できないため、通常はファラデーカップという検出器を用いてビームの中心がステージのどの座標に来ているかを算出し、ファラデーカップと被加工物との相対位置から被加工物上の所望照射位置の座標を算出する必要がある。しかし、ファラデーカップはビーム中心のずれに対する感度が低く、ビーム中心座標の算出精度が悪い。この算出誤差にファラデーカップ中心と被加工物との相対位置の測定誤差が加算されるため、目的の照射位置と実際の照射位置とにずれが発生しやすい。特に、マイクロレンズやマイクロレンズアレイのような小さな面を有する被加工物の場合、このずれの影響が顕著になり、所望の照射効果を得ることができないという問題がある。【０００７】
また、特許文献１及び２の研磨方法では、照射スポットの形状は内部アパーチャーの開口部の形状で決まる。特許文献１のように被加工物を研磨する場合は、大きな照射スポットや小さな照射スポットを使い分けた方が被加工物を効率良く研磨できる。しかし、このような手法を採用する場合、大きな開口部を有する内部アパーチャーと、小さな開口部を有する内部アパーチャーとを交換しながら照射しなければならない。また、特許文献２のように形状修正加工を行う場合、被加工物ごとに加工深さの足りない場所が異なるため、被加工物の交換に合わせて内部アパーチャーを交換しなければならない。この際、内部アパーチャーは装置内にあるため、交換の作業性が悪いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１０８３６８号公報
【特許文献２】特開２００６−２４１５５０号公報
【発明の概要】
【０００９】
本発明は、曲面を有する被加工物に対しても精度良く効率的に研磨を行うことができる精密研磨装置を提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、上述の精密研磨装置を用いた精密研磨方法を提供することを目的とする。
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る精密研磨装置は、荷電粒子ビームを照射する照射源と、被加工物を固定するステージと、ステージに直接的に又は間接的に固定され、被加工物の一部を覆うアパーチャーと、を備え、アパーチャーは、当該アパーチャーの開口部内側面の照射源側の縁が被加工物の表面から離間して配置されており、荷電粒子ビームは、荷電粒子ビームの進行方向がアパーチャーの縁によって規定される基準面に垂直な軸に対する荷電粒子ビームの傾斜角度を０°より大きくするように照射される。ここで、基準面は、例えばアパーチャーの縁を全体的に含む平面となる。
【００１２】
上記精密研磨装置によれば、アパーチャーと被加工物とを一体的に扱えるため、両者の位置関係を精度良く合わせることができる。また、両者は比較的近い位置にあるため、目的とする所望の位置からのずれが照射位置に与える影響が少ない。また、アパーチャーの位置におけるビームの照射位置又は照射中心がアパーチャーの中心から多少ずれていても加工位置に影響を与えない。また、ビームの傾斜角度を調整することで、アパーチャーを交換することなく大きさを調整できる照射スポットを形成することができる。また、アパーチャーが直接的に又は間接的にステージに固定されるため、実質的にアパーチャーが被加工物に固定されることになり、被加工物の交換と同時にアパーチャーを交換することができる。以上のことから曲面を有する被加工物に対しても精度良く効率的に研磨することができる。
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明に係る精密研磨方法は、被加工物をステージに固定する工程と、被加工物の一部を覆うようにアパーチャーをステージに直接的に又は間接的に固定する工程と、照射源を用いて荷電粒子ビームを照射する工程と、を備え、アパーチャーは、当該アパーチャーの開口部内側面の照射源側の縁が被加工物の表面から離間して配置されており、荷電粒子ビームは、荷電粒子ビームの進行方向がアパーチャーの縁によって規定される基準面に垂直な軸に対する荷電粒子ビームの傾斜角度を０°より大きくするように照射する。
【００１４】
上記精密研磨方法によれば、アパーチャーと被加工物との位置関係を精度良く合わせることができる。また、ビームの傾斜角度を調整することで、アパーチャーを交換することなく大きさを調整できる照射スポットを形成することができる。また、アパーチャーが直接的に又は間接的にステージに固定されるため、実質的にアパーチャーが被加工物に固定されることになり、被加工物の交換と同時にアパーチャーを交換することができる。以上のことから曲面を有する被加工物に対しても精度良く効率的に研磨することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態に係る精密研磨装置を説明する断面概念図である。
【図２】図２Ａは、荷電粒子ビームの傾斜角度が比較的大きい場合の照射状態を説明する図であり、図２Ｂは、荷電粒子ビームの傾斜角度が比較的小さい場合の照射状態を説明する図である。
【図３】図３Ａ及び３Ｂは、荷電粒子ビームの傾斜角度と被加工物の被加工対象の面角度との関係を説明する図である。
【図４】図４Ａ及び４Ｂは、アパーチャーと被加工物の寸法関係を説明する図である。
【図５】図５Ａは、アパーチャー及び被加工物をステージに固定した状態を説明する図であり、図５Ｂは、図５Ａのステージを傾斜させた状態を説明する図である。
【図６】第２実施形態に係る精密研磨装置のうちアパーチャー等を説明する部分拡大断面図である。
【図７】第３実施形態に係る精密研磨装置のうちアパーチャー等を説明する部分拡大断面図である。
【図８】図８Ａは、第４実施形態に係る精密研磨装置のうちアパーチャー等を説明する部分拡大断面図であり、図８Ｂ及び８Ｃは、図８Ａの装置の変形例である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
〔第１実施形態〕
以下、図面を参照して、第１実施形態の精密研磨装置、これを用いた精密研磨方法について説明する。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態の精密研磨装置１００は、装置本体１０と、支持装置駆動部７０と、制御装置８０とを備える。
【００１８】
精密研磨装置１００の装置本体１０は、真空技術を利用してエッチングによる研磨を行う装置であり、ソースチャンバー１１とイオンチャンバー１２とプロセスチャンバー１３とを備える。各チャンバー１１，１２，１３には、真空ポンプを含む排気装置４ａ，４ｂ，４ｃが付随している。各チャンバー１１，１２，１３内は、それぞれに適する真空度に維持されている。
【００１９】
ソースチャンバー１１は、ガスを真空中に噴射する部分であり、上記排気装置４ａの他に、ガス源２１が付随し、ノズル２２とスキマー２３とを備える。ガス源２１から供給されるガスは、例えばアルゴンガス、酸素ガス、窒素ガス、ＳＦ６ガス、ヘリウムガスの他、化合物の炭酸ガス等であり、２種以上のガスを混合することも可能である。ノズル２２には、ガス源２１から、０．１〜１．０ＭＰａ程度の高圧ガスが供給されており、高圧ガスを真空中に超音速で噴射する。これにより、高圧ガスが断熱膨張し、ガスクラスターが生成される。ソースチャンバー１１とイオンチャンバー１２とを仕切るスキマー２３は、開口を有し、ノズル２２から噴射された高圧ガスのうち中心側のガスクラスターを選択的に通過させてビーム化する。つまり、ソースチャンバー１１からは、ガスクラスタービームＢ１が射出される。
【００２０】
イオンチャンバー１２は、ガスクラスタービームＢ１を研磨用のガスクラスターイオンビームＢ２にする部分である。イオンチャンバー１２は、イオン化部３１と加速部３２とレンズ部３３と内部アパーチャー３４とを備える。イオン化部３１は、フィラメントを有し、このフィラメントからの熱電子をガスクラスタービームＢ１に衝突させることでガスクラスタービームＢ１を荷電粒子ビームとする。加速部３２は、ガスクラスタービームＢ１から得た荷電粒子ビームを所望のエネルギーに加速する。レンズ部３３は、加速部３２を経た荷電粒子ビームを照射軸ＡＸに沿って略平行に進むビームとする。この結果、イオンチャンバー１２の内部アパーチャー３４からは、コリメートされ比較的大きな直径を有するガスクラスターイオンビームＢ２が射出される。内部アパーチャー３４は、シャッター機能も有しており、ガスクラスターイオンビームＢ２を所望のタイミングでオン・オフすることができる。ガスクラスターイオンビームＢ２を構成する粒子は、後述する被加工物ＷＡに照射されることによる被加工物ＷＡとの衝突によって壊れ、その際に、クラスター構成原子又は分子と被加工物構成原子又は分子との多体衝突が生じ、被加工物ＷＡの表面に対して水平方向への運動が顕著となる。これにより、被加工物ＷＡの表面における突起が主に削られ、原子サイズでの平坦な超精密研磨が可能となる。
【００２１】
以上説明したガス源２１、ノズル２２、スキマー２３、イオン化部３１、加速部３２、レンズ部３３及び内部アパーチャー３４は、荷電粒子ビームであるガスクラスターイオンビームＢ２の照射源ＳＢとなっている。ガスクラスターイオンビームＢ２を用いるこで、超精密研磨やナノオーダーの形状創成が可能となる。
【００２２】
プロセスチャンバー１３は、被加工物ＷＡに対してクラスターイオンを衝突させてサブミクロン又はナノメートルのオーダーで精密研磨処理する部分であり、支持装置４１とアパーチャー４２とを備える。支持装置４１は、ステージ４１ａを有し、被加工物ＷＡをステージ４１ａ上に支持してガスクラスターイオンビームＢ２に対する被加工物ＷＡの姿勢を所望の状態に調整する。アパーチャー４２は、被加工物ＷＡとともに支持装置４１のステージ４１ａに固定されており、被加工物ＷＡを照射するガスクラスターイオンビームＢ２を部分的に遮蔽する。つまり、アパーチャー４２は、マスクとして機能する。被加工物ＷＡにはアパーチャー４２の開口部４２ａを通過したガスクラスターイオンビームＢ２のみが入射する。ステージ４１ａは、支持装置４１によって傾斜した回転軸ＲＸのまわりに所望の回転速度で回転可能になっている。なお、支持装置４１は、ステージ４１ａの回転軸ＲＸの方向を自在に調整できるようになっており、例えば回転軸ＲＸを照射軸ＡＸを含む面内で所望の角度に傾斜させることができ、ステージ４１ａをプロセスチャンバー１３内で３次元的に移動させることもできる。つまり、支持装置４１は、ステージ４１ａを介して被加工物ＷＡの３次元的な位置や姿勢を自在に制御でき、被加工物ＷＡに対して相対的に固定されたアパーチャー４２も、被加工物ＷＡに伴って変位する。
【００２３】
支持装置駆動部７０は、プロセスチャンバー１３内の支持装置４１を駆動して、ステージ４１ａの位置や姿勢を調節することができ、ステージ４１ａとともに被加工物ＷＡやアパーチャー４２を回転軸ＲＸのまわりに回転させる。
【００２４】
制御装置８０は、装置本体１０の動作を統括的に制御している。つまり、制御装置８０は、支持装置駆動部７０を適宜動作させてガスクラスターイオンビームＢ２による被加工物ＷＡ及びアパーチャー４２の照射状態を制御する。その他、制御装置８０は、ガス源２１、イオン化部３１、加速部３２、レンズ部３３、排気装置４ａ，４ｂ，４ｃ等の動作状態を直接的又は間接的に監視し制御している。
【００２５】
以下、図２Ａ等を参照してステージ４１ａ上のアパーチャー４２の形状や配置関係について詳細に説明する。
【００２６】
図２Ａに示すように、アパーチャー４２は、被加工物ＷＡの表面９０ｓを覆う筒状部分４２ｃを有する。この筒状部分４２ｃには、円柱状で肉厚の開口部４２ａが形成されている。アパーチャー４２の筒状部分４２ｃの上端は、平坦な輪帯状の端面４２ｄとなっており、開口部４２ａの周囲は、円筒状の開口部内側面４２ｅとなっている。端面４２ｄと開口部内側面４２ｅとの境界には、円形でエッジ状の縁４２ｇが形成されている。詳細は後述するが、アパーチャー４２において、開口部内側面４２ｅの照射源ＳＢ側の縁４２ｇは、被加工物ＷＡの表面（具体的には、表面部分９１ｂ）から所定距離だけ離れるように離間して配置されている。縁４２ｇや端面４２ｄによって規定される平面（具体的には上側の縁４２ｇを含み端面４２ｄに沿って延びる平面）は、ステージ４１ａの回転軸ＲＸに垂直に延びる基準面ＳＴである。つまり、縁４２ｇや端面４２ｄも、ステージ４１ａの回転軸ＲＸと垂直になるように配置されている。ここで、縁４２ｇ又は開口部内側面４２ｅの中心軸ＣＸは、予めの調整によってステージ４１ａの回転軸ＲＸと一致させることができる。被加工物ＷＡのうち開口部内側面４２ｅ側の表面（具体的には、表面部分９１ｂ）とアパーチャー４２とは全体的に接している。これにより、開口部内側面４２ｅの下方の縁４２ｈによって意図しないガスクラスターイオンビームＢ２又は荷電粒子ビームの侵入が妨げられるため、結果的にビームの照射範囲の外径が一定になる。
【００２７】
ステージ４１ａ上に固定された被加工物ＷＡは、例えばレンズ成形用の金型部材であり、中央側に転写部９０ａと、周辺側に非転写部９０ｂとを有する。転写部９０ａの表面部分９１ａは光学転写面ＯＳを有している。本実施形態において、表面部分９１ａは被加工対象となっており、曲面を有する。具体的には、表面部分９１ａは、平面視で円形輪郭を有する軸対称非球面であり、周辺に行くほど面角度が大きくなる（例えば最大５０°）凹面形状となっている。非転写部９０ｂの表面部分９１ｂは型合わせに際してのパーティング面に相当する平坦面を有している。ここで、表面部分９１ａ又は光学転写面ＯＳの光軸ＯＸ（対称軸）は、予めの調整によってステージ４１ａの回転軸ＲＸと一致させてある。つまり、被加工物ＷＡの光軸ＯＸは、ステージ４１ａの回転軸ＲＸ、及びアパーチャー４２の中心軸ＣＸと一致している。よって、ステージ４１ａを回転駆動した場合、被加工物ＷＡは、光軸ＯＸのまわりに回転し、アパーチャー４２の縁４２ｇ又は開口部内側面４２ｅも、光軸ＯＸのまわりに回転する。この際、ガスクラスターイオンビームＢ２は、ビームの進行方向がアパーチャー４２の縁４２ｇを含む基準面ＳＴに対して傾くように表面部分９１ａに照射する。これにより、被加工物ＷＡの表面９０ｓ上には、筒状部分４２ｃの上側の陰ができる。この結果、被加工物ＷＡの表面９０ｓのうち、表面部分９１ａ又は光学転写面ＯＳの外縁部分と、その外側の表面部分９１ｂに含まれる周辺領域とに対応する外側領域Ａ１がガスクラスターイオンビームＢ２の断続的な照射を受け、内側領域Ａ０は、ガスクラスターイオンビームＢ２の照射を受けない。これにより、外側領域Ａ１のみに選択的にガスクラスターイオンビームＢ２を照射することができ、外側領域Ａ１のみをサブミクロン又はナノメートルのオーダーで選択的に精密研磨処理することができる。
【００２８】
図２Ｂは、ステージ４１ａの傾斜角を調整してガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θを減少させた例を示している。このように、ガスクラスターイオンビームＢ２の照射軸ＡＸの傾斜角度θが減少すると、被加工物ＷＡのうち、精密研磨の対象の領域が増加してより広い偏芯領域Ａ２に対して精密研磨処理することができる。この場合、被加工物ＷＡの内側領域Ａ２１では、継続的にガスクラスターイオンビームＢ２の照射が行われ、被加工物ＷＡの外側領域Ａ２２では、断続的にガスクラスターイオンビームＢ２の照射が行われる。つまり、ガスクラスターイオンビームＢ２による精密研磨は、被加工物ＷＡの内側領域Ａ２１で重点的に行われるが、光学転写面ＯＳ全体に対して行われることになる。
【００２９】
以上のように、ステージ４１ａによってガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θを調節するだけで、被加工物ＷＡの光学転写面ＯＳのうち外側領域Ａ１（図２Ａ参照）を選択的に研磨するこができ、かつ外側領域Ａ１の横幅を調整することもできる。
【００３０】
また、ステージ４１ａによってガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θを調節することにより、被加工物ＷＡの光学転写面ＯＳのうち内側領域Ａ２１を深く研磨しつつ外側領域Ａ２２も研磨するこができ（図２Ｂ参照）、かつ内側領域Ａ２１の径や外側領域Ａ２２の横幅を調整することもできる。
【００３１】
なお、図２Ｂに示す外側領域Ａ２２は、図２Ａに示す外側領域Ａ１と一致させても良いが一致させなくてもよい。また、ガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θは、ガスクラスターイオンビームＢ２の照射中に変化させることができる。あるいは、複数段階に分けてガスクラスターイオンビームＢ２を照射する場合、各段階でガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θを切り替えることもできる。
【００３２】
以下、アパーチャー４２及び被加工物ＷＡの寸法関係について説明する。
図３Ａ及び３Ｂに示すように、被加工物ＷＡの光学転写面ＯＳに相当する表面部分９１ａ（被加工対象）のうち着目する位置Ｋと表面部分９１ａの中心である光軸ＯＸとの間の距離をｒとし、ガスクラスターイオンビームＢ２の進行方向と基準面ＳＴに垂直な軸（例えば光軸ＯＸ）とのなす角度である傾斜角度をθとし、表面部分９１ａの光軸ＯＸからの距離がｒのときの面角度をβとすると、ガスクラスターイオンビームＢ２又はビームＢＣのうち位置ＫでのビームＢＣの入射角ｉは、これら角度の差の絶対値｜β（ｒ）−θ｜になる。なお、ガスクラスターイオンビームＢ２が光軸ＯＸに沿って正面照射される場合、つまりガスクラスターイオンビームＢ２が基準面ＳＴに対して垂直に入射する場合、入射角ｉ＝面角度βとなる。
ビームＢＣの光軸ＯＸに沿った正面照射を基準として、例えば図３Ａに示すように表面部分９１ａの周辺の面角度β、すなわち最大面角度βｍａｘの位置での入射角ｉが面粗さが悪化し始める入射角（照射限界入射角α）より大きくなる場合、例えば図３Ｂに示すように正面照射に比較して傾けたビームＢＣの傾斜角度θがβｍａｘ−αよりも大きい角度となるようにビームＢＣを照射すると、表面部分９１ａの周辺での研磨粗さの悪化を防ぐことができる。この際、表面部分９１ａのうち光軸ＯＸ寄りの領域では、面角度βが小さいため（βｍｉｎ）、中央寄りでの入射角ｉ'が照射限界入射角αを超えてしまい、却って面粗さが悪化することがある。例えば、α＝３０°、βｍａｘ＝６０°、βｍｉｎ＝０°、θ＝５０°とすると、周辺の転写面部分への入射角ｉは｜６０−５０｜＝１０°となる。つまり、ビームＢＣの傾斜角度θが照射限界入射角αよりも小さいため、面粗さが悪化しない。しかし、光軸ＯＸ付近のビームＢＣの傾斜角度θは｜０−５０｜＝５０°となり、中央寄りでの入射角ｉ'が照射限界入射角αを超えるため、面粗さが悪化してしまう。この面粗さを悪化させるビームＢＣをアパーチャー４２で遮蔽するように設計すると、面粗さが悪化することを防ぐことができる。
【００３３】
図４Ａ及び４Ｂを参照して、アパーチャー４２の形状とビームＢＣの角度とについて考察する。アパーチャー４２の開口部内側面４２ｅの半径をＲとし、表面部分９１ａの位置Ｋと被加工物ＷＡの上端面（具体的には、表面部分９１ｂ）との間の距離をｓ（ｒ）とする。ここで、表面部分９１ａの光軸ＯＸからの距離がｒの位置Ｋに当たる光線がアパーチャー４２の開口部４２ａの縁４２ｇを通って基準面ＳＴに垂直な方向に延びる線又は面を横切る被加工物ＷＡの表面部分９１ｂからの高さＺは、次式
Ｚ＝（Ｒ＋ｒ）／ｔａｎθ−ｓ（ｒ）
で表すことができる。なお、ｓ（ｒ）は、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの位置Ｋと表面部分９１ａの中心との間の距離ｒの関数である。また、基準面ＳＴに垂直な軸に対するガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θは、０°より大きくなっている。
【００３４】
照射限界入射角αが既知の表面部分９１ａの周辺の最大面角度βｍａｘに対して｜βｍａｘ−θ｜＜αとなるようにθを定めたとき、ｒを周辺から中心に向かって変化させながら面角度β等を計算していくと、ある所定の位置（すなわち臨界位置Ｋ０）で上記差の絶対値｜β（ｒ）−θ｜＝αとなる。つまり、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの最大面角度と、ガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θとの差の絶対値が面粗さが悪化し始める入射角（照射限界入射角α）と等しくなる。このときの中心（光軸ＯＸ）からの距離をｒ０としたときに、アパーチャー４２の半径Ｒと高さＨとが下式
（Ｒ＋ｒ０）／ｔａｎθ−ｓ（ｒ０）＜Ｈ
を満たすように設計すると、入射角が照射限界入射角αを超える光線（図３Ｂに示す入射角ｉ'の光線）がアパーチャー４２に遮蔽され被加工物ＷＡの半径ｒ０内の中央領域に当たることがなく、面粗さが悪化しない。
【００３５】
本実施形態において、ガスクラスターイオンビームＢ２は、基準面ＳＴに対して異なる２つ以上の傾斜角度θで照射される。具体的には、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの光軸ＯＸと開口部内側面４２ｅ上端の縁４２ｇとを結ぶ線分Ｌ１と、表面部分９１ａの光軸ＯＸとのなす角をγとしたときに、荷電粒子ビームを開口部内側面４２ｅに対してθ＜γを満足する比較的小さな傾斜角度と、θ＞γを満足する比較的大きな傾斜角度とで照射する。ビームをθ＜γの傾斜角度で照射すると、被加工対象の中心付近は常にビームが当たるのに対し、周辺は回転中に照射とアパーチャーによる遮蔽とを繰り返すため、中心付近に比べて相対的にドーズ量が少なくなる。一方、ビームをθ＞γの傾斜角度で照射すると、先の照射で周辺の面粗さが悪化していても、この照射によって周辺が精密に研磨される。この際、中心付近にはビームが当たらないため、中心付近は先の照射で精密に研磨されたままである。以上により、被加工対象である表面部分９１ａの全域が精密に研磨される。また、この照射では、周辺にしかビームが当たらないため、中心付近に比べて周辺のドーズ量が多くなる。
【００３６】
ガスクラスターイオンビームＢ２は、予め測定された被加工物ＷＡの形状に基づいた形状誤差に応じて照射ドーズ量を調整することができる。照射のドーズ量の合計が全域で均一になるように、各照射のドーズ量を調整すると、照射前後で被加工物ＷＡの形状が変化することを防ぐことができる。具体的には、例えば図２Ｂに示す外側領域Ａ２２と図２Ａに示す外側領域Ａ１とが略一致又は若干重複する場合、ドーズ量を内側と外側とで概ね一致するようにバランスさせれば、被加工対象である表面部分９１ａの全域が形状を大きく崩すことなく全体に亘って精密に研磨される。被加工物ＷＡの表面部分９１ａの光軸ＯＸ付近の加工深さが足りない場合、一定のドーズ量でなく、θ＜γのドーズ量を増やすことで、周辺に比べて中心付近のドーズ量が多くなり、中心付近を選択的に深くすることができる。また、表面部分９１ａの周辺の加工深さが足りない場合、一定のドーズ量でなく、θ＞γのドーズ量を増やすことで、中心付近に比べて周辺のドーズ量が多くなり、周辺を選択的に深くすることができる。
【００３７】
以下、被加工物ＷＡに対する精密加工方法について説明する。
まず、ガスクラスターイオンビームＢ２がステージ４１ａ上に固定された被加工物ＷＡを覆うアパーチャー４２の略全体を照射するようにする。ガスクラスターイオンビームＢ２はビームを直接観察できないため、例えばファラデーカップ（不図示）を用いてビームの中心（照射中心）がステージ４１ａのどの座標に来ているかを算出し、ファラデーカップとアパーチャー４２との相対位置関係から、アパーチャー４２の開口部４２ａを通るようにガスクラスターイオンビームＢ２の照射軸ＡＸをアライメントする。
【００３８】
次に、被加工物ＷＡの表面部分９１ａ（特に光学転写面ＯＳ）の形状測定によって、加工深さが足りない部分を算出する。予め準備しておいたドーズ量と加工量との関係から、必要な加工量をドーズ量に変換する。加工深さが足りない部分のドーズ量が必要加工量分だけ他の部分に比べて相対的に多くなるように傾斜角度θと当該傾斜角度θの照射時間の組み合わせを算出する。この際、傾斜角度θが小さい方から第１の照射の条件、第２の照射の条件とする。つまり、被加工物ＷＡの光学転写面ＯＳのうち、光軸ＯＸのまわりの中央側を先に研磨し、光学転写面ＯＳの周辺側を後から研磨することを想定している。これにより、ガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度や入射角が大きくなって研磨の荒れが発生することを防止できる。
【００３９】
次に、図５Ａに示すように、被加工物ＷＡ及びアパーチャー４２をステージ４１ａに固定する。被加工物ＷＡ及びアパーチャー４２は、ステージ４１ａに付随する治具４６を利用して相互に固定される。アパーチャー４２は、遮蔽に寄与する本体部分４８ａと、本体部分４８ａを支持する基部４８ｂとを有し、基部４８ｂを締結具４６ｓを利用して治具４６に固定することで、被加工物ＷＡがアパーチャー４２の本体部分４８ａと治具４６との間に挟み込まれるように支持される。この際、アパーチャー４２の基部４８ｂに設けた１つ以上の付勢部材４８ｅによって被加工物ＷＡを側方から押すことで、被加工物ＷＡの側面９１ｓと、アパーチャー４２の基部４８ｂの内面４８ｓとが密着して、被加工物ＷＡのアパーチャー４２に対する横方向（回転軸ＲＸに垂直な方向）のアライメントが達成される。被加工物ＷＡ等を固定した治具４６は、ステージ４１ａの回転駆動部４７に固定される。治具４６をステージ４１ａの回転駆動部４７に固定すると、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの光軸ＯＸがアパーチャー４２の開口部内側面４２ｅの中心軸ＣＸと一致する。これにより、被加工物ＷＡとアパーチャー４２とを一体的に扱うことができる。
【００４０】
次に、図５Ｂに示すように、支持装置駆動部７０（図１参照）によって支持装置４１を駆動して、被加工物ＷＡ及びアパーチャー４２を支持する回転駆動部４７の傾斜角度θを調整するとともに、被加工物ＷＡが所定の位置になるように移動する、この際、支持装置４１は、回転駆動部４７をアパーチャー４２の開口部４２ａの中央を通る傾斜軸ＴＸのまわりに回動させる。これにより、被加工物ＷＡやアパーチャー４２の傾斜角度θにかかわらずアパーチャー４２の開口部４２ａの位置を略一定に保つことができる。以上により、ガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θが所望の角度になるように、ステージ４１ａを傾けることができる。
【００４１】
次に、図２Ｂに示すように、被加工物ＷＡに対して第１の照射を行う。具体的には、上述の第１の照射の条件（比較的傾斜角度小、具体的にはθ＜γ）でステージ４１ａを介して被加工物ＷＡを回転軸ＲＸを中心に回転させながらガスクラスターイオンビームＢ２を照射する。第１の照射では、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの中心付近の傾斜角度θが照射限界入射角α（例えば、３０°）を超えない入射角を実現するように設定されているため、中心付近が超精密研磨される。一方、表面部分９１ａの周辺では傾斜角が照射限界入射角αを超えるため、面粗さが悪化し得る。また、周辺に比べて中心付近のドーズ量が多くなるため、多くなった分だけ中心付近の加工量が多くなる。
【００４２】
次に、図２Ａに示すように、被加工物ＷＡに対して第２の照射を行う。具体的には、上述の第２の照射の条件（比較的傾斜角度大、具体的にはθ＞γ）でステージ４１ａを介して被加工物ＷＡを回転軸ＲＸを中心に回転させながらガスクラスターイオンビームＢ２を照射する。ここで、第１の照射及び第２の照射において、アパーチャー４２の傾斜角度θを調節するのみで照射スポットの範囲を変更できるため、アパーチャー４２を交換する必要はない。第２の照射では、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの周辺の傾斜角度θが照射限界入射角αを超えない入射角を実現するように設定されているため、周辺が超精密加工される。一方、この傾斜角度θを前提とした場合、表面部分９１ａの中心付近では入射角が照射限界入射角αを超え得る。しかし、傾斜角度θが照射限界入射角αを超える光線経路が全てアパーチャー４２で遮蔽されるように設計されているため、第２の照射において、中心付近にはビームが当たらない。よって、中心付近では、第１の照射で超精密研磨された状態を維持する。換言すれば、表面部分９１ａの周辺にのみビームが当たるため、そのドーズ量分だけ周辺が選択的に加工される。以上において、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの全域において超精密研磨が完成する。第１及び第２の照射における総加工量が上記で測定した形状誤差を修正するように各ドーズ量が計算されているため、照射前に存在した形状誤差を修正することができる。
【００４３】
以上説明した精密研磨装置によれば、アパーチャー４２と被加工物ＷＡとを一体的に扱えるため、両者の位置関係を精度良く合わせることができる。また、両者は比較的近い位置にあるため、所望の位置からのずれが照射位置に与える影響が少ない。また、アパーチャー４２の位置におけるビームの照射位置又は照射中心が開口部４２ａの中央から多少ずれていても加工位置に影響を与えない。また、ビームの傾斜角度θを調整することで、アパーチャー４２を交換することなく大きさを増減調整できる照射スポットを形成することができる。例えば、ビームの傾斜角度θを小さくすると広い範囲を一度に照射でき、傾斜角度θを大きくすると狭い範囲のみの照射できる。このように、大きなスポットと小さなスポットとを使い分けることができるため、ビームを効率良く照射することができる。また、アパーチャー４２がステージ４１ａに固定されるため、実質的にアパーチャー４２が被加工物ＷＡに固定されることになり、被加工物ＷＡの交換と同時にアパーチャー４２を交換することができる。以上のことから曲面を有する被加工物ＷＡに対しても精度良く効率的に研磨することができる。特に上記の例では、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの曲面に応じてガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θを適宜調整することができる。
【００４４】
なお、従来技術では、照射スポットの径を調整するアパーチャーが装置内にあるため、アパーチャーと被加工物ＷＡとを一体的に扱うことや測定することができない。また、アパーチャーと被加工物ＷＡとの距離が離れているため、両者が所望の位置から少しでもずれると、照射位置に大きく影響を与える。また、照射スポットがアパーチャーの開口部の形状で決まるため、アパーチャーを交換せずにスポットの大きさを変更することができない。また、被加工物ＷＡの形状に応じてアパーチャーを交換する場合、アパーチャーが装置内にあるため、交換の作業性が悪くなる。
【００４５】
〔第２実施形態〕
以下、第２実施形態に係る精密研磨装置等について説明する。なお、第２実施形態の精密研磨装置等は第１実施形態の精密研磨装置等を変形したものであり、特に説明しない事項は第１実施形態と同様である。
【００４６】
図６に示すように、被加工物ＷＡの表面９０ｓのうち開口部内側面４２ｅ側の少なくとも一部とアパーチャー４２との間には隙間４２ｋが設けられている。開口部４２ａの下側すなわち隙間４２ｋはガスクラスターイオンビームＢ２を遮蔽しないため、ガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θが大きくなるほど被加工物ＷＡの表面部分９１ｂのうち表面部分９１ａよりも離れた外側の領域まで研磨が行われる。つまり、ガスクラスターイオンビームＢ２の照射範囲の外径はガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θに依存する。被加工物ＷＡの外側の表面部分９１ｂにおけるガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θは照射限界入射角αより大きくなる。しかし、表面部分９１ｂは成形品の光学面の転写には直接影響せず、表面部分９１ａほどの面精度は要求されないため、問題は生じない。
【００４７】
本実施形態の研磨装置等によれば、被加工物ＷＡとアパーチャー４２との間に隙間４２ｋを設けることにより、被加工物ＷＡやアパーチャー４２等を精密研磨装置１００にセットする際に被加工物ＷＡの表面にごみ等の異物が付着しても、異物が当該隙間４２ｋに逃げ込むように入り込んで被加工物ＷＡの被加工対象である表面部分９１ａに異物が溜まることを防ぐことができる。
【００４８】
〔第３実施形態〕
以下、第３実施形態に係る精密研磨装置等について説明する。なお、第３実施形態の精密研磨装置等は第１実施形態の精密研磨装置等を変形したものであり、特に説明しない事項は第１実施形態と同様である。
【００４９】
図７に示すように、アパーチャー４２は、被加工物ＷＡに直接固定されている。被加工物ＷＡ及びアパーチャー４２は、被加工物ＷＡの側面９１ｐとアパーチャー４２の側面４２ｐとをブロック８１の平面８１ｐに突き当てることで位置合わせされる。ブロック８１は、ステージ４１ａに固定される。つまり、アパーチャー４２は、ステージ４１ａに間接的に固定される。
【００５０】
本実施形態の研磨装置等によれば、被加工物ＷＡとアパーチャー４２とを位置合わせした状態でアパーチャー４２を被加工物ＷＡに固定することができる。これにより、精度良く両者の位置関係を合わせることができる。
【００５１】
なお、本実施形態において、アパーチャー４２は、第２実施形態のように被加工物ＷＡとアパーチャー４２との間に隙間４２ｋを有していてもよい。
【００５２】
〔第４実施形態〕
以下、第４実施形態に係る精密研磨装置等について説明する。なお、第４実施形態の精密研磨装置等は第１実施形態の精密研磨装置等を変形したものであり、特に説明しない事項は第１実施形態と同様である。
【００５３】
図８Ａに示すように、アパーチャー４２のうち照射源ＳＢ側の開口部内側面４２ｅの縁４２ｇが径方向内側に突出している。縁４２ｇ以外の開口部内側面４２ｅは、径方向外側に窪んでいる。アパーチャー４２は、例えば、筒状部分４２ｃの上端面に縁４２ｇに対応する孔を有する薄い板状部材４２ｍを設けることで形成される。異なる大きさの孔を有する板状部材４２ｍを複数用意しておけば、板状部材４２ｍを取り替えるだけで、傾斜角度θの条件と併せてガスクラスターイオンビームＢ２の照射範囲を調節することができる。本実施形態においても第２実施形態と同様にガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θが大きくなるほど、被加工物ＷＡの表面部分９１ｂのうち表面部分９１ａよりも離れた外側の領域まで研磨が行われる。なお、アパーチャー４２における縁４２ｇは、板状部材４２ｍを用いずに、開口部内側面４２ｅを逆テーパー状に傾斜させることで突出させてもよい。
【００５４】
なお、本実施形態において、図８Ｂに示すように、アパーチャー４２の板状部材４２ｍに円環状の孔を形成してもよい。アパーチャー４２において、外側の縁４２ｇと内側の縁４２ｎとは図示を省略するが複数の細い部材を介して繋がっている。この場合、被加工物ＷＡの表面部分９１ｂのうち表面部分９１ａから離れた部分でも超精密研磨することができる。
【００５５】
また、本実施形態において、図８Ｃに示すように、アパーチャー４２の縁４２ｇの中心が、アパーチャー４２の中心からずれていてもよい。この場合、比較的小さい径の照射スポットを形成し、かつ表面部分９１ａの全域を超精密研磨することができる。
【００５６】
以上、本実施形態に係る精密研磨装置等について説明したが、本発明に係る精密研磨装置等は上記のものには限られない。例えば、上記実施形態において、被加工物ＷＡの転写部９０ａの形状、大きさは、用途や機能に応じて適宜変更することができる。例えば、転写部９０ａは、凹形状に限らず、凸形状を有していてもよい。また、アパーチャー４２の開口部４２ａの形状は、転写部９０ａの形状に応じて適宜変更することができる。なお、アパーチャー４２の開口部４２ａは、全てが基準面ＳＴ上に配置されている必要はなく、縁４２ｇの一部が基準面ＳＴ上に配置され、残りが回転軸ＲＸの方向に関して異なる位置に配置されていてもよい。
【００５７】
上記実施形態において、被加工物ＷＡは、成形用の金型に限らず、レンズ等の光学素子でもよい。
【００５８】
上記実施形態において、荷電粒子ビームはガスクラスターイオンビームに限らず、イオンビーム（ＩＢ）や集束イオンビーム（ＦＩＢ）でもよい。
【００５９】
上記実施形態において、ステージ４１ａを回転させたが、回転させなくてもよい。例えば、被加工物ＷＡの転写部９０ａが線分に沿って延びる細長い転写面を有する場合、ステージ４１ａを回転させず、傾斜角度θを変更するだけでよい。また、被加工物ＷＡを回転させずに、例えばビーム側に駆動機構を設ける等して荷電粒子ビームを回転させてもよい。
【００６０】
上記実施形態において、ガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θは、２段階分けて変化させる場合に限らず、３段階以上に分けて変化させてもよい。また、例えば被加工物ＷＡの形状誤差の修正を行う場合、ガスクラスターイオンビームＢ２の傾斜角度θは、１段階であってもよい。
【００６１】
上記実施形態において、被加工物ＷＡが複数の表面部分９１ａ（被加工対象）を有する場合、各表面部分９１ａに対応する複数の開口部４２ａをアパーチャー４２に設けてもよい。
なお、以上の説明では被加工物ＷＡが例えばレンズ用の転写型であるとしたが、ここでいうレンズには、複数のレンズを一体的に成形することで得られるレンズアレイも含まれる。このようなレンズアレイの成形用の型部分を精密研磨する場合、レンズアレイを構成する各レンズ要素の転写部に対応させて複数の開口部４２ａを設けたアパーチャー４２を被加工物ＷＡに対して固定することができる。
【００６２】
上記実施形態において、装置本体１０は、レンズ部３３、内部アパーチャー３４等を有していなくてもよい。
【００６３】
上記第１実施形態において、アパーチャー４２の縁４２ｇと、被加工物ＷＡの表面部分９１ａの外縁とは、円形で同芯に配置されているが、縁４２ｇや表面部分９１ａの外縁は、円形に限らず様々な形状とできる。この場合も、縁４２ｇの形状によって、表面部分９１ａに適正な研磨を行いうる領域を規定することができる。
【図１】
2015060047.tif 000003
【図２】
2015060047.tif 000004
【図３】
2015060047.tif 000005
【図４】
2015060047.tif 000006
【図５】
2015060047.tif 000007
【図６】
2015060047.tif 000008
【図７】
2015060047.tif 000009
【図８】
2015060047.tif 000010
【国際調査報告】
2015060047.tif 000011
2015060047.tif 000012
2015060047.tif 000013
2015060047.tif 000014