(57)【要約】  黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供する。  電子写真感光体の電荷発生層が、ガリウムフタロシアニン結晶、含窒素複素環化合物、および、式（１）で示されるアミド化合物を含有し、該含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子が置換基を有する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、
ガリウムフタロシアニン結晶、
含窒素複素環化合物、および
下記式（１）で示されるアミド化合物を含有し、
【化１】
2015189980.tif 000024
（上記式（１）中、Ｒ１１は、メチル基またはプロピル基を示す。）
該含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子が置換基を有し、
該置換基を有する窒素原子の置換基が、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ１、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基であることを特徴とする電子写真感光体。
（ただし、置換アシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ１は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
【請求項２】
前記含窒素複素環化合物が、ピロール、ピロリジン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、４−ピペリドン、インドール、イミダゾール、フェノチアジン、フェノキサジン、またはカルバゾールである請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記含窒素複素環化合物の環を構成する窒素原子以外の原子が有する置換基が、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアルキルオキシカルボニル基である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
（ただし、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはホルミル基である。）
【請求項４】
前記含窒素複素環化合物が、下記式（２）で示される化合物である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化２】
2015189980.tif 000025
（上記式（２）中、Ｒ２１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ２、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ２は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
【請求項５】
前記含窒素複素環化合物が、下記式（３）で示される化合物である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化３】
2015189980.tif 000026
（上記式（３）中、Ｒ３１およびＲ３２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ３、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ３は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
【請求項６】
前記含窒素複素環化合物が、下記式（４）で示される化合物である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化４】
2015189980.tif 000027
（上記式（４）中、Ｒ４１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ４、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ４は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
【請求項７】
前記含窒素複素環化合物が、下記式（５）で示される化合物である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化５】
2015189980.tif 000028
（上記式（５）中、Ｒ５１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ５、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ５は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
【請求項８】
前記含窒素複素環化合物が、下記式（６）で示される化合物である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化６】
2015189980.tif 000029
（上記式（６）中、Ｒ６１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ６、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ６は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
【請求項９】
前記含窒素複素環化合物が、下記式（７）で示される化合物である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化７】
2015189980.tif 000030
（上記式（７）中、Ｒ７１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ７、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ７は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
【請求項１０】
前記式（２）〜（７）中、Ｒ２１、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ４１、Ｒ５１、Ｒ６１、Ｒ７１が、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、または、フェニル基である請求項４から９のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
前記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して０．０１質量％以上２０質量％以下である請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、前記含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶である請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１３】
前記ガリウムフタロシアニン結晶内における前記含窒素複素環化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して０．０１質量％以上２質量％以下である請求項１２に記載の電子写真感光体。
【請求項１４】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、前記式（１）で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶である請求項１から１３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１５】
前記ガリウムフタロシアニン結晶内における前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して０．０１質量％以上３質量％以下である請求項１４に記載の電子写真感光体。
【請求項１６】
前記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物と前記ガリウムフタロシアニン結晶内における前記式（１）で示されるアミド化合物の質量含有比率が、１．４／１以上２０／１以下である請求項１４または１５に記載の電子写真感光体。
【請求項１７】
前記式（１）中のＲ１１がメチル基である請求項１から１６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１８】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項１から１７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項２０】
請求項１から１８のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子写真分野における像露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長は、６５０〜８２０ｎｍと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。また、最近は、高解像度化に向けて、発振波長が短波長である半導体レーザーの光に高い感度を有する電子写真感光体の開発も進められている。【０００３】
フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域から短波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として知られている。特にオキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形が報告されている。【０００４】
しかしながら、ガリウムフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体は、優れた感度特性を有しているものの、ガリウムフタロシアニン顔料粒子の分散性に劣るという課題を有している。このため、この顔料を用いて塗工性に優れる電荷発生層用塗布液を得るために改善の必要があった。【０００５】
電荷発生層用塗布液の塗工性が十分でないと、塗工時に顔料粒子の凝集の発生に起因する電荷発生層中のポチ（青ポチ）の発生や、塗工ムラの発生が起こりやすい。電荷発生層中の青ポチは特に出力画像において黒ポチやカブリの原因となる場合がある。一方、電荷発生層の塗工ムラは、特にハーフトーン画像形成部において画像濃度の不均一になって画像品質が低下する原因となる。【０００６】
特許文献１には、ガリウムフタロシアニンと特定の構造を有するポリビニルアルコール樹脂とを用いることにより塗工性、塗料の安定性を向上できることが記載されている。【０００７】
また、特許文献２には、感光層にモルホリン、ピペラジン、ピペリジンなどの含窒素複素環化合物を含有することにより、耐オゾン性、耐ＮＯｘ性を高めることが記載されている。しかしながら、分散性または塗工性に関しては記載されていない。【０００８】
さらに、特許文献３には、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミドを用いてミリング処理して得られるヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が記載されている。しかしながら、分散性または塗工性に関しては記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５―８４３５０号公報
【特許文献２】特開平５−３３３５７２号公報
【特許文献３】特開２００２−２３５０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
以上、電子写真感光体に関して、様々な改善が試みられている。【００１１】
しかしながら、近年のさらなる高画質化に対しては、黒ポチやカブリがなく、また、濃度ムラのない高品質な出力画像が望まれている。【００１２】
本発明の目的は、黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供することにある。【００１３】
また、本発明の他の目的は、上記電子写真感光体を有する電子写真装置、プロセスカートリッジを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、
ガリウムフタロシアニン結晶、
含窒素複素環化合物、および
下記式（１）で示されるアミド化合物を含有し、【００１５】
【化１】
2015189980.tif 000002
（上記式（１）中、Ｒ１１は、メチル基またはプロピル基を示す。）
該含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子が置換基を有し、
該置換基を有する窒素原子の置換基が、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ１、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基であることを特徴とする電子写真感光体。
（ただし、置換アシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ１は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基（ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。）【００１６】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジである。【００１７】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供することができる。さらに、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図３】実施例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図４】実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図５】実施例１−８で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図６】実施例１−１０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図７】実施例１−２０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図８】実施例１−２１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体上に形成されている電荷発生層、および電荷発生層上に形成されている電荷輸送層を有する。そして、電荷発生層が、ガリウムフタロシアニン結晶、含窒素複素環化合物、および下記式（１）で示されるアミド化合物を含有することを特徴とする。
【００２１】
【化２】
2015189980.tif 000003
（上記式（１）中、Ｒ１１は、メチル基またはプロピル基を示す。）
さらに、含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子は置換基を有し、置換基を有する窒素原子の置換基は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ１、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。
【００２２】
ただし、置換アシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ１は、以下（ii）に示す基である。
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
【００２３】
上記特徴を有することにより、黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制される理由を、以下のように推測している。
【００２４】
上記式（１）に示す化合物は強い極性を有し、さらにカルボニル基の電子求引性によって、ガリウムフタロシアニン結晶の分子内から電子を引き抜きやすいと推測される。これにより、ガリウムフタロシアニン結晶からの電子の流れを良好にすると考えられる。これに加えて、含窒素複素環化合物の窒素原子が置換基を持つことで、水素結合性が抑えられた三級アミンとしての性質を有し、ガリウムフタロシアニン結晶と式（１）に示す化合物との関係において電子の流れをさらに良好にすると考えられる。さらに、ガリウムフタロシアニン結晶の分散性を向上させ、局所的な電荷注入や塗工ムラを抑制し、黒ポチやカブリ、濃度ムラを抑制していると考えている。
【００２５】
また、上記含窒素複素環化合物は、ピロール、ピロリジン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、４―ピペリドン、インドール、イミダゾール、フェノチアジン、フェノキサジン、またはカルバゾールであることが好ましい。その中でも、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、４―ピペリドン、インドール、イミダゾールがより好ましい。
【００２６】
また、上記含窒素複素環化合物の環を構成する窒素原子以外の原子（例えば、炭素原子）が有する置換基としては、以下のものが好ましい。すなわち、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアルキルオキシカルボニル基である。
【００２７】
このとき、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはホルミル基であることがより好ましい。
【００２８】
さらに、黒ポチやカブリ、電荷発生層の塗工ムラを抑制する効果の点で特に好ましい含窒素複素環化合物は、下記式（２）〜（７）で示される化合物である。
【００２９】
【化３】
2015189980.tif 000004
上記式（２）中、Ｒ２１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ２、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
【００３０】
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ２は、以下（ii）に示す基である。
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
【００３１】
【化４】
2015189980.tif 000005
上記式（３）中、Ｒ３１およびＲ３２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ３、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３２】
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ３は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３３】
【化５】
2015189980.tif 000006
上記式（４）中、Ｒ４１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ４、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３４】
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ４は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３５】
【化６】
2015189980.tif 000007
上記式（５）中、Ｒ５１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ５、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３６】
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ５は、以下（ii）に示す基である。
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３７】
【化７】
2015189980.tif 000008
上記式（６）中、Ｒ６１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ６、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３８】
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ６は、以下（ii）に示す基である。）
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００３９】
【化８】
2015189980.tif 000009
上記式（７）中、Ｒ７１は、置換もしくは無置換のアシル基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ７、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００４０】
置換のアシル基の置換基は、以下（i）に示す基である。Ｒ７は、以下（ii）に示す基である。
（i）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該（i）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
（ii）置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該（ii）において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００４１】
また、前記式（２）〜（７）中、Ｒ２１、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ４１、Ｒ５１、Ｒ６１、Ｒ７１は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、または、フェニル基であることが好ましい。
【００４２】
また、電荷発生層における含窒素複素環化合物の含有量は、ガリウムフタロシアニン結晶に対して０．０１質量％以上２０質量％以下であることが好ましい。より好ましくは、０．１質量％以上５質量％以下である。含窒素複素環化合物は、非晶質であっても結晶質であってもよい。また、含窒素複素環化合物を２種類以上組み合わせて用いることもできる。
【００４３】
さらに、ガリウムフタロシアニン結晶は、含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶であることが好ましい。この場合、ガリウムフタロシアニン結晶内における含窒素複素環化合物の含有量は、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して０．０１質量％以上２質量％以下であることが好ましい。
【００４４】
以下に、本発明の電子写真感光体に含有される含窒素複素環化合物の好ましい具体例（例示化合物）を示すが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００４５】
【化９】
2015189980.tif 000010
【００４６】
【化１０】
2015189980.tif 000011
【００４７】
【化１１】
2015189980.tif 000012
【００４８】
【化１２】
2015189980.tif 000013
【００４９】
【化１３】
2015189980.tif 000014
【００５０】
【化１４】
2015189980.tif 000015
【００５１】
【化１５】
2015189980.tif 000016
【００５２】
【化１６】
2015189980.tif 000017
【００５３】
【化１７】
2015189980.tif 000018
【００５４】
また、電荷発生層における式（１）で示されるアミド化合物の含有量は、ガリウムフタロシアニン結晶に対して０．０１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。
【００５５】
さらに、ガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内に式（１）で示されるアミド化合物を含有するガリウムフタロシアニン結晶であることが好ましい。この場合、ガリウムフタロシアニン結晶内における式（１）で示されるアミド化合物の含有量が、ガリウムフタロシアニン結晶に対して０．０１質量％以上３質量％以下であることが好ましい。より好ましくは、０．０１質量％以上１．７質量％以下である。
【００５６】
さらに、電荷発生層における含窒素複素環化合物の質量をＡ、ガリウムフタロシアニン結晶内における式（１）で示されるアミド化合物の質量をＢとしたとき、ＡとＢの比率がＡ／Ｂ＝１／１以上２０／１以下の範囲内であることが好ましい。さらに、Ａ／Ｂ＝１．４／１以上２０／１以下の範囲内であることが好ましく、特には、Ａ：Ｂ＝１．４／１以上４／１以下の範囲内であることが好ましい。
【００５７】
また、式（１）中のＲ１１がメチル基であることが好ましい。
【００５８】
本発明の電子写真感光体に含有されるガリウムフタロシアニン結晶としては、例えば、ガリウムフタロシアニン分子のガリウム原子に軸配位子としてハロゲン原子、ヒドロキシ基、または、アルコキシ基を有するものが挙げられる。また、フタロシアニン環にハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
【００５９】
ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ブロモガリウムフタロシアニン結晶、ヨードガリウムフタロシアニン結晶が、本発明が有効に作用し、好ましい。中でもヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶がより好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するものである。ブロモガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として臭素原子を有するものである。ヨードガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヨウ素原子を有するものである。
【００６０】
さらに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の中でも、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が高画質の点で特に好ましい。
【００６１】
含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内に含窒素複素環化合物を取り込んでいることを意味する。
【００６２】
また、式（１）で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内に式（１）で示されるアミド化合物を取り込んでいることを意味する。
【００６３】
含窒素複素環化合物、上記式（１）で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
【００６４】
本発明の含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、アシッドペースティング法により得られたガリウムフタロシアニン、含窒素複素環化合物を溶剤と混合して、湿式ミリング処理により結晶変換する工程により得られる。
【００６５】
ここで行うミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの１０〜５０倍が好ましい。また、用いられる溶剤としては、以下のものが挙げられる。すなわち、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ―ジメチルアセトアミド、式（１）で示される化合物、Ｎ―メチルアセトアミド、Ｎ―メチルプロピオアミドなどのアミド系溶剤、クロロホルムなどのハロゲン系溶剤、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶剤などが挙げられる。
【００６６】
式（１）で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、アシッドペースティング法により得られたガリウムフタロシアニン、および式（１）で示されるアミド化合物を湿式ミリング処理により結晶変換する工程により得られる。式（１）で示されるアミド化合物は、Ｎ―メチルホルムアミド、または、Ｎ―プロピルホルムアミドである。
【００６７】
溶剤の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの５〜３０倍が好ましい。含窒素複素環化合物の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの０．１〜１０倍が好ましい。
【００６８】
本発明のガリウムフタロシアニン結晶が、含窒素複素環化合物、式（１）で示されるアミド化合物を結晶内に含有しているかどうかについて、得られたガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定、熱重量（ＴＧ）測定のデータを解析することにより決定した。
【００６９】
例えば、含窒素複素環化合物を溶解できる溶剤によるミリング処理、またはミリング後の洗浄工程を行った場合、得られたガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定する。含窒素複素環化合物が検出された場合は、含窒素複素環化合物が結晶内に含有されていると判断することができる。
【００７０】
一方、含窒素複素環化合物がミリング処理に使用した溶剤に不溶、かつミリング後の洗浄溶剤にも不溶な場合、得られたガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定し、上記含窒素複素環化合物が検出された場合は下記の方法で判断した。
【００７１】
含窒素複素環化合物を加えて得られたガリウムフタロシアニン結晶、含窒素複素環化合物を加えずに得られたガリウムフタロシアニン結晶、および含窒素複素環化合物単体を個別にＴＧ測定した。含有させたい含窒素複素環化合物を加えて得られたガリウムフタロシアニン結晶のＴＧ測定結果が、含窒素複素環化合物を加えずに得られたガリウムフタロシアニン結晶と含窒素複素環化合物との個別の測定結果を単に所定の比率で混合したものと解釈する場合。この場合は、ガリウムフタロシアニン結晶と含窒素複素環化合物との混合物、または、ガリウムフタロシアニン結晶の表面に含窒素複素環化合物が単に付着しているものであると解釈できる。
【００７２】
一方、含窒素複素環化合物を加えて得られたガリウムフタロシアニン結晶のＴＧ測定結果が、含有させたい含窒素複素環化合物単体のＴＧ測定の結果より高温で重量減少を示すとする。この場合は、含窒素複素環化合物がガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていると判断することができる。
【００７３】
式（１）で示されるアミド化合物がガリウムフタロシアニン結晶内に含有しているかどうかについても、上述と同様の方法で解析することができる。
【００７４】
本発明の電子写真感光体に含有されるガリウムフタロシアニン結晶のＴＧ測定、Ｘ線回折およびＮＭＲの測定は、次の条件で行ったものである。
［ＴＧ測定］
使用測定機：セイコー電子工業（株）製、ＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（商品名：ＴＧ／ＤＴＡ２２０Ｕ）
雰囲気：窒素気流下（３００ｍｌ／ｍｉｎ）
測定範囲：３５℃から６００℃
昇温スピード：１０℃／ｍｉｎ
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ―ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロ：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
平板モノクロメーター：使用
カウンター：シンチレーションカウンター
［ＮＭＲ測定］
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥIII  ５００    
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
電荷発生層は、含窒素複素環化合物、式（１）で示されるアミド化合物、ガリウムフタロシアニン結晶を含有する。または、電荷発生層に、式（１）で示されるアミド化合物および含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有する。
【００７５】
本発明に用いられる支持体は、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。その材料としては、アルミニウムやステンレスなどの金属や合金、あるいは導電層を設けた金属、合金、プラスチックおよび紙などが挙げられる。支持体の形状としては円筒状やフィルム状などが挙げられる。
【００７６】
本発明において、支持体と感光層の間には、バリア機能と接着機能を持つ下引き層（中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。
【００７７】
下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミドなどの樹脂が用いられる。下引き層は、樹脂を溶剤に溶解させて下引き層用塗布液を調製し、下引き層用塗布液の塗膜を支持体上に形成し、塗膜を乾燥させることによって得られる。下引き層の膜厚は０．３〜５μｍであることが好ましい。
【００７８】
さらに、支持体と下引き層との間に、支持体のムラや欠陥の被覆、干渉縞防止を目的とした導電層を設けてもよい。
【００７９】
導電層は、カーボンブラック、金属および金属酸化物などの導電性粒子を、結着樹脂中に分散して形成することができる。
【００８０】
導電層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることが好ましい。
【００８１】
電荷発生層は、含窒素複素環化合物、式（１）で示されるアミド化合物、ガリウムフタロシアニン結晶を結着樹脂とともに溶剤に分散させた電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させることによって形成することができる。ガリウムフタロシアニンは、式（１）で示されるアミド化合物および含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶であってもよい。
【００８２】
上記分散の際には、サンドミルやボールミルなどのメディア型分散機や、液衝突型分散機などの分散機を用いることができる。
【００８３】
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．０５〜０．２μｍであることがより好ましい。
【００８４】
また、電荷発生層におけるガリウムフタロシアニン結晶の含有量は、電荷発生層の全質量に対して３０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
【００８５】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アクリロニトリル共重合体およびポリビニルベンザール樹脂などの樹脂が挙げられる。これらの中でも、含窒素複素環化合物を分散させる樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルベンザール樹脂が好ましい。
【００８６】
電荷輸送層は、電荷輸送物質と結着樹脂を含有する電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させて形成することができる。
【００８７】
電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜２５μｍであることが好ましい。
【００８８】
電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、特には３０〜６０質量％であることが好ましい。
【００８９】
電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物およびトリアリルメタン化合物などが挙げられる。これらの中でも電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物が好ましい。
【００９０】
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、塩化ビニリデン樹脂、およびアクリロニトリル共重合体などの樹脂が挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。
【００９１】
各層の塗布方法としては、浸漬塗布法（ディッピング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法およびビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
【００９２】
電荷輸送層上には、電荷発生層および電荷輸送層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
【００９３】
保護層は、樹脂を有機溶剤に溶解させて得られた保護層用塗布液の塗膜を電荷輸送層上に形成し、塗膜を乾燥させることによって形成できる。保護層に用いられる樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂（ポリカーボネートＺ樹脂、変性ポリカーボネート樹脂など）、ナイロン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン―ブタジエン共重合体、スチレン―アクリル酸共重合体およびスチレン―アクリロニトリル共重合体が挙げられる。また、保護層は、保護層用塗布液の塗膜を電荷輸送層上に形成し、塗膜を加熱、電子線、紫外線などによって硬化させることによっても形成できる。保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍであることが好ましい。
【００９４】
また、保護層中に導電性粒子や紫外線吸収剤やフッ素原子含有樹脂微粒子などの潤滑性粒子などを含ませてもよい。導電性粒子としては、例えば酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が好ましい。
【００９５】
図１は、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【００９６】
１は円筒状（ドラム状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
【００９７】
電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。像露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
【００９８】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材７が紙である場合、転写材７は給紙部（不図示）から取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期して給送される。
【００９９】
電子写真感光体１からトナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離された後、定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
【０１００】
転写材７にトナー像を転写した後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、トナー（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。近年開発されているクリーナレスシステムにより、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
【０１０１】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成する。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９から選択される少なくとも１つを電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化する。電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
【０１０２】
露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
【０１０３】
本発明の電子写真感光体１は、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、ＦＡＸ、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。
【実施例】
【０１０４】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。以下に記載の「部」は、「質量部」を意味する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ、フィッシャーインスツルメント社製）を用いる方法、または、単位面積当たりの質量から比重換算する方法で求めた。【０１０５】
〔合成例１〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部およびα―クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を４．６５部（収率７１％）得た。【０１０６】
次に、得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を得た。【０１０７】
〔合成例２〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部およびα―クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を４．６５部（収率７１％）得た。【０１０８】
〔実施例１―１〕
合成例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ―０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン（株）製）を用いて以下のように乾燥させた。【０１０９】
合成例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。【０１１０】
まず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。【０１１１】
第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程をさらに１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。【０１１２】
さらに第３工程として、第２工程でのマイクロ波の出力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに変更した以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程をさらに１回繰り返した（計２回）。【０１１３】
さらに第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程をさらに７回繰り返した（計８回）。【０１１４】
以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。【０１１５】
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．５部、
化合物（Ａ７）（製品コード：Ｐ０１９６、東京化成工業（株）製）２．７部、および、
Ｎ―メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業（株）製）９．５部を、
直径０．８ｍｍのガラスビーズ１５部とともに、室温（２３℃）下で４００時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子（株）製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ―メチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示す。【０１１６】
また、ＮＭＲ測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、化合物（Ａ７）が０．４７質量％、Ｎ―メチルホルムアミドが０．６５質量％含有されていることが確認された。化合物（Ａ７）はＮ―メチルホルムアミドに溶解することから、化合物（Ａ７）とＮ―メチルホルムアミドは結晶内に含有されていることが分かる。【０１１７】
〔実施例１―２〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を使用せず、また、ボールミルで４００時間のミリング処理を、ボールミルで２０００時間のミリング処理に変更した。それ以外は実施例１―１と同様にして、実施例１―２のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３に示す。【０１１８】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ−メチルホルムアミドが０．５５質量％含有されていることが確認された。【０１１９】
〔実施例１―３〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を０．７部に変更し、また、ボールミルで４００時間のミリング処理を、ボールミルで３５０時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―３のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図２と同様であった。【０１２０】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ７）が０．１４質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが０．７１質量％含有されていることが確認された。【０１２１】
〔実施例１―４〕
実施例１―２において、ボールミルで２０００時間のミリング処理を、ボールミルで１００時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―２と同様にして、実施例１―４のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図３と同様であった。【０１２２】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ−メチルホルムアミドが２．１質量％含有されていることが確認された。【０１２３】
〔実施例１―５〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を０．５部に変更し、また、ボールミルで４００時間のミリング処理を、ボールミルで５１時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―５のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図２と同様であった。【０１２４】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ７）が０．３９質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが１．８６質量％含有されていることが確認された。【０１２５】
〔実施例１―６〕
実施例１―１と同様にして、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。【０１２６】
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．５部、
化合物（Ａ７）（製品コード：Ｐ０１９６、東京化成工業（株）製）０．５部、および、
Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業（株）製）９．５部を、
直径０．８ｍｍのガラスビーズ１５部とともに、室温（２３℃）下で５１時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子（株）製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。【０１２７】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ７）が０．２５質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．７４質量％含有されていることが確認された。【０１２８】
〔実施例１―７〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を化合物（Ａ１６）２．７部に変更し、また、ボールミルで４００時間のミリング処理を、ペイントシェーカー（東洋精機（株）製）で４０時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―７のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図２と同様であった。【０１２９】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ１６）が０．６４質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが０．６３質量％含有されていることが確認された。【０１３０】
〔実施例１―８〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を化合物（Ａ９）３．０部に変更し、また、ボールミルで４００時間のミリング処理をボールミルで１００時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―８のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。【０１３１】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ９）が１．５９質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが１．３５質量％含有されていることが確認された。【０１３２】
〔実施例１―９〕
実施例１―８において用いた化合物（Ａ９）３．０部を０．５部に変更し、また、ボールミルで１００時間のミリング処理をボールミルで５１時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―８と同様にして、実施例１―９のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図５と同様であった。【０１３３】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ９）が０．３５質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが１．８９質量％含有されていることが確認された。【０１３４】
〔実施例１―１０〕
実施例１―６において用いた化合物（Ａ７）０．５部を化合物（Ａ９）０．５部に変更した以外は、実施例１―６と同様にして、実施例１―１０のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図６に示す。【０１３５】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ９）が１．３５質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．４３質量％含有されていることが確認された。【０１３６】
〔実施例１―１１〕
実施例１―１と同様にして、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。【０１３７】
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．５部、および、
Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業（株）製）９．５部を、
直径０．８ｍｍのガラスビーズ１５部とともに、室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子（株）製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図３と同様であった。【０１３８】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが２．１質量％含有されていることが確認された。【０１３９】
〔実施例１―１２〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を化合物（Ａ３８）４．０部に変更したこと以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―１２のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図２と同様であった。【０１４０】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ３８）が１．２８質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが０．７２質量％含有されていることが確認された。【０１４１】
〔実施例１―１３〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を化合物（Ａ６６）０．１部に変更したこと以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―１３のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図２と同様であった。【０１４２】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ６６）が０．０６質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが０．６６質量％含有されていることが確認された。【０１４３】
〔実施例１―１４〕
実施例１―６において用いた化合物（Ａ７）０．５部を化合物（Ａ７５）１．０部に変更したこと以外は、実施例１―６と同様にして、実施例１―１４のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図４と同様であった。【０１４４】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ７５）が０．８３質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．５１質量％含有されていることが確認された。【０１４５】
〔実施例１―１５〕
実施例１―６において用いた化合物（Ａ７）０．５部を化合物（Ａ４）３．０部に変更したこと以外は、実施例１―６と同様にして、実施例１―１５のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図４と同様であった。【０１４６】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ４）が２．２２質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．５７質量％含有されていることが確認された。【０１４７】
〔実施例１―１６〕
実施例１―６において用いた化合物（Ａ７）０．５部を化合物（Ａ２４）０．４部に変更したこと以外は、実施例１―６と同様にして、実施例１―１６のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図５と同様であった。【０１４８】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ２４）が０．３２質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．４９質量％含有されていることが確認された。【０１４９】
〔実施例１―１７〕
実施例１―２において、ボールミルで２０００時間のミリング処理を、ボールミルで１０００時間のミリング処理に変更したこと以外は、実施例１―２と同様にして、実施例１―１７のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図３と同様であった。【０１５０】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ−メチルホルムアミドが０．７質量％含有されていることが確認された。【０１５１】
〔実施例１―１８〕
実施例１―２において、ボールミルで２０００時間のミリング処理を、ボールミルで３０時間のミリング処理に変更したこと以外は、実施例１―２と同様にして、実施例１―１８のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図３と同様であった。【０１５２】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ−メチルホルムアミドが３．３質量％含有されていることが確認された。【０１５３】
〔実施例１―１９〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を化合物（Ａ１０）２．５部に変更したこと以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―１９のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図２と同様であった。【０１５４】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ１０）が０．２４質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが０．６８質量％含有されていることが確認された。【０１５５】
〔実施例１―２０〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を化合物（Ａ１）０．５部に変更し、また、ボールミルで４００時間のミリング処理をボールミルで５１時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―２０のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図７に示す。【０１５６】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ１）が０．１３質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが１．７２質量％含有されていることが確認された。【０１５７】
〔実施例１―２１〕
実施例１―６において用いた化合物（Ａ７）０．５部を化合物（Ａ１）０．５部に変更した以外は、実施例１―６と同様にして、実施例１―２１のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図８に示す。【０１５８】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ１）が０．３６質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．８６質量％含有されていることが確認された。【０１５９】
〔実施例１―２２〕
実施例１―２１において用いた化合物（Ａ１）０．５部を５．０部に変更した以外は、実施例１―２１と同様にして、実施例１―２２のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図８と同様であった。【０１６０】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ１）が１．２９質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．５６質量％含有されていることが確認された。【０１６１】
〔実施例１―２３〕
実施例１―６において用いた化合物（Ａ７）０．５部を化合物（Ａ２）２．０部に変更した以外は、実施例１―６と同様にして、実施例１―２３のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図８と同様であった。【０１６２】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ１）が０．６３質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．７７質量％含有されていることが確認された。【０１６３】
〔実施例１―２４〕
実施例１―１と同様にして、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。【０１６４】
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．５部、および、Ｎ―プロピルホルムアミド９．５部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ１５部とともに、室温（２３℃）下で３００時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子（株）製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ―プロピルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図３と同様であった。【０１６５】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ−プロピルホルムアミドが１．４質量％含有されていることが確認された。【０１６６】
〔実施例１―２５〕
実施例１―２４においてボールミルで３００時間のミリング処理をボールミルで１１００時間のミリング処理に変更した以外は、実施例１―２４と同様にして、実施例１―２５のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図３と同様であった。【０１６７】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ−プロピルホルムアミドが０．６９質量％含有されていることが確認された。【０１６８】
〔実施例１―２６〕
実施例１―１において用いた化合物（Ａ７）２．７部を化合物（Ａ１１１）７．０部に変更し、また、ボールミルで４００時間のミリング処理をボールミルで２００時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例１―１と同様にして、実施例１―２６のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図７と同様であった。【０１６９】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物（Ａ１１１）が３．１６質量％、Ｎ−メチルホルムアミドが０．８５質量％含有されていることが確認された。【０１７０】
〔実施例１―２７〕
実施例１―２において、ボールミルで２０００時間のミリング処理を、ボールミルで３５時間のミリング処理に変更した以外は、実施例１―２と同様にして、実施例１―２７のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図３と同様であった。【０１７１】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にＮ−メチルホルムアミドが３．１質量％含有されていることが確認された。【０１７２】
〔比較例１―１〕
実施例１―６において用いた化合物（Ａ７）０．５部を下記式（８）で示される含窒素複素環化合物（製品コード：Ｍ０４６５、東京化成工業（株）製）１．０部【０１７３】
【化１８】
2015189980.tif 000019
に変更したこと以外は、実施例１―６と同様にして、比較例１―１のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図は図８と同様であった。【０１７４】
また、実施例１―１と同様にして、ＮＭＲ測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に上記式（８）で示される化合物が０．６１質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．５６質量％含有されていることが確認された。【０１７５】
〔実施例２―１〕
直径２４ｍｍ、長さ２５７ｍｍのアルミニウムシリンダーを支持体（円筒状支持体）とした。【０１７６】
次に、酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、
酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ  ＪＲ、テイカ（株）製）１５部、
レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト  Ｊ―３２５、
大日本インキ化学工業（株）製、固形分７０質量％）４３部、
シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン（株）製）０．０１５部、
シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン（株）製）３．６部、
２―メトキシ―１―プロパノール５０部、および、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１４０℃で１時間加熱し、塗膜を硬化させることによって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。【０１７７】
次に、Ｎ―メトキシメチル化ナイロン６（商品名：トレジンＥＦ―３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）製）２５部をメタノール／ｎ―ブタノール＝２／１混合溶液４８０部に溶解（６５℃での加熱溶解）させてなる溶液を冷却した。その後、溶液をメンブランフィルター（商品名：ＦＰ―０２２、孔径：０．２２μｍ、住友電気工業（株）製）で濾過して、下引き層用塗布液を調製した。このようにして調製した下引き層用塗布液を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃のオーブンで１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．４５μｍの下引き層を形成した。【０１７８】
次に、実施例１―１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）２０部、
例示化合物（７）０．１０部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１、積水化学工業（株）製）１０部、および、シクロヘキサノン５１９部を、
直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０１７９】
上記電荷発生層における化合物（Ａ７）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は１．４９／１である。【０１８０】
次に、下記式（９）で示されるトリアリールアミン化合物（正孔輸送物質）７０部、【０１８１】
【化１９】
2015189980.tif 000020
下記式（１０）で示されるトリアリールアミン化合物（正孔輸送物質）１０部、【０１８２】
【化２０】
2015189980.tif 000021
および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ―２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１００部を、モノクロロベンゼン６３０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１２０℃で１時間乾燥させることによって、膜厚が１９μｍの電荷輸送層（正孔輸送層）を形成した。【０１８３】
導電層、下引き層、電荷発生層および電荷輸送層の塗膜の加熱処理は、各温度に設定されたオーブンを用いて行った。以下同様である。【０１８４】
以上のようにして、円筒状（ドラム状）の実施例２―１の電子写真感光体を製造した。【０１８５】
〔実施例２―２〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、化合物（Ａ７）０．１０部を０．００１部に変更したこと以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―２の電子写真感光体を製造した。【０１８６】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ７）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．０１／１である。【０１８７】
〔実施例２―３〕
実施例２―２において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ７）０．００１部を０．００４部に変更したこと以外は、実施例２―２と同様にして、実施例２―３の電子写真感光体を製造した。【０１８８】
このときの電荷発生層における例示化合物（Ａ７）とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．０４／１である。【０１８９】
〔実施例２―４〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、化合物（Ａ７）０．１０部を使用しなかったこと以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―４の電子写真感光体を製造した。【０１９０】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ７）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．２０／１である。【０１９１】
〔実施例２―５〕
実施例２―２において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ７）０．００１部を０．０４２部に変更したこと以外は、実施例２―２と同様にして、実施例２―５の電子写真感光体を製造した。【０１９２】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ７）とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．３８／１である。【０１９３】
〔実施例２―６〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、化合物（Ａ７）０．１０部を１．０部に変更したこと以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―６の電子写真感光体を製造した。【０１９４】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ７）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は２．３８／１である。【０１９５】
〔実施例２―７〕
実施例２―２において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ７）０．００１部を２部に変更したこと以外は、実施例２―２と同様にして、実施例２―７の電子写真感光体を製造した。【０１９６】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ７）とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は１８．２／１である。【０１９７】
〔実施例２―８〕
実施例２―２において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ７）０．００１部を６部に変更したこと以外は、実施例２―２と同様にして、実施例２―８の電子写真感光体を製造した。【０１９８】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ７）とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は５４．６／１である。【０１９９】
〔実施例２―９〕
実施例２―４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―４と同様にして、実施例２―９の電子写真感光体を製造した。【０２００】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ７）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．２１／１である。【０２０１】
〔実施例２―１０〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―１０の電子写真感光体を製造した。【０２０２】
実施例１―６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、
Ｎ―メチルホルムアミド０．１部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２０３】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２０４】
〔実施例２―１１〕
実施例２―４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―４と同様にして、実施例２―１１の電子写真感光体を製造した。【０２０５】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ１６）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は１．０２／１である。【０２０６】
〔実施例２―１２〕
実施例２―１０において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―８で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、Ｎ―メチルホルムアミド０．１部を０．１３部に変更した。それ以外は、実施例２―１０と同様にして、実施例２―１２の電子写真感光体を製造した。【０２０７】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ９）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は１．１８／１である。【０２０８】
〔実施例２―１３〕
実施例２―４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―９で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―４と同様にして、実施例２―１３の電子写真感光体を製造した。【０２０９】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ９）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．１９／１である。【０２１０】
〔実施例２―１４〕
実施例２―１０において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―１０と同様にして、実施例２―１４の電子写真感光体を製造した。【０２１１】
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２１２】
〔実施例２―１５〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―１５の電子写真感光体を製造した。【０２１３】
実施例１―１１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、
化合物（Ａ２６）０．２部、
Ｎ―メチルホルムアミド０．０００６部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２１４】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２１５】
〔実施例２―１６〕
実施例２―１５において、電荷発生層用塗布液を調製する際のＮ―メチルホルムアミド０．０００６部を０．００６部に変更したこと以外は、実施例２―１５と同様にして、実施例２―１６の電子写真感光体を製造した。【０２１６】
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２１７】
〔実施例２―１７〕
実施例２―１５において、電荷発生層用塗布液を調製する際のＮ―メチルホルムアミド０．０００６部を０．０６部に変更したこと以外は、実施例２―１５と同様にして、実施例２―１７の電子写真感光体を製造した。【０２１８】
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２１９】
〔実施例２―１８〕
実施例２―１５において、電荷発生層用塗布液を調製する際のＮ―メチルホルムアミド０．０００６部を０．６部に変更したこと以外は、実施例２―１５と同様にして、実施例２―１８の電子写真感光体を製造した。【０２２０】
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２２１】
〔実施例２―１９〕
実施例２―１５において、電荷発生層用塗布液を調製する際のＮ―メチルホルムアミド０．０００６部を２．０部に変更したこと以外は、実施例２―１５と同様にして、実施例２―１９の電子写真感光体を製造した。【０２２２】
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２２３】
〔実施例２―２０〕
実施例２―１０において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、Ｎ―メチルホルムアミド０．１部を０．０５６部に変更した。それ以外は、実施例２―１０と同様にして、実施例２―２０の電子写真感光体を製造した。【０２２４】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ３８）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は１．７８／１である。【０２２５】
〔実施例２―２１〕
実施例２―４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―４と同様にして、実施例２―２１の電子写真感光体を製造した。【０２２６】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ６６）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．０９／１である。【０２２７】
〔実施例２―２２〕
実施例２―１０において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、Ｎ―メチルホルムアミド０．１部を０．２部に変更した。それ以外は、実施例２―１０と同様にして、実施例２―２２の電子写真感光体を製造した。【０２２８】
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２２９】
〔実施例２―２３〕
実施例２―２２において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―２２と同様にして、実施例２―２３の電子写真感光体を製造した。【０２３０】
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２３１】
〔実施例２―２４〕
実施例２―２２において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶）２０部を実施例１―１６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―２２と同様にして、実施例２―２４の電子写真感光体を製造した。【０２３２】
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２３３】
〔実施例２―２５〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、化合物（Ａ７）０．１０部を化合物（Ａ５１）０．２部に変更した。それ以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―２５の電子写真感光体を製造した。【０２３４】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ５１）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は１．４３／１である。【０２３５】
〔実施例２―２６〕
実施例２―２５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１８で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―２５と同様にして、実施例２―２６の電子写真感光体を製造した。【０２３６】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ６９）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．３０／１である。【０２３７】
〔実施例２―２７〕
実施例２―１５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ２６）０．２部を化合物（Ａ７６）０．２部に変更し、また、Ｎ―メチルホルムアミド０．０００６部を０．２部に変更した。それ以外は、実施例２―１５と同様にして、実施例２―２７の電子写真感光体を製造した。【０２３８】
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２３９】
〔実施例２―２８〕
実施例２―４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―１９で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―４と同様にして、実施例２―２８の電子写真感光体を製造した。【０２４０】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ１０）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．３５／１である。【０２４１】
〔実施例２―２９〕
実施例２―４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―２０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―４と同様にして、実施例２―２９の電子写真感光体を製造した。【０２４２】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ１）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．０８／１である。【０２４３】
〔実施例２―３０〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―３０の電子写真感光体を製造した。【０２４４】
実施例１―２１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、
Ｎ―プロピルホルムアミド０．２部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２４５】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの含有量は０である。【０２４６】
〔実施例２―３１〕
実施例２―３０において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―３０と同様にして、実施例２―３１の電子写真感光体を製造した。【０２４７】
実施例１―２２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、
化合物（Ａ１）０．１４部、
Ｎ―プロピルホルムアミド０．２部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２４８】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの含有量は０である。【０２４９】
〔実施例２―３２〕
実施例２―３０において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―２１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―２３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―３０と同様にして、実施例２―３２の電子写真感光体を製造した。【０２５０】
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの含有量は０である。【０２５１】
〔実施例２―３３〕
実施例２―３１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―２２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―２４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、化合物（Ａ１）０．１４部を化合物（Ａ５４）０．６部に変更した。それ以外は、実施例２―３１と同様にして、実施例２―３３の電子写真感光体を製造した。【０２５２】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ５４）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの質量含有比率は２．１４／１である。【０２５３】
〔実施例２―３４〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、実施例２―３４の電子写真感光体を製造した。【０２５４】
合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶２０部、
化合物（Ａ５７）１部、
Ｎ―プロピルホルムアミド０．２部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２５５】
上記クロロガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの含有量は０である。【０２５６】
〔実施例２―３５〕
実施例２―３４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ５７）１部を化合物（Ａ７）０．１５部に変更し、また、Ｎ―プロピルホルムアミド０．２部をＮ―メチルホルムアミド０．０７４部に変更した。それ以外は、実施例２―３４と同様にして、実施例２―３５の電子写真感光体を製造した。【０２５７】
このときのクロロガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は０である。【０２５８】
〔実施例２―３６〕
実施例２―２において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ７）０．００１部を化合物（Ａ８５）０．２部に変更したこと以外は、実施例２―２と同様にして、実施例２―３６の電子写真感光体を製造した。【０２５９】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ８５）とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は１．８２／１である。【０２６０】
〔実施例２―３７〕
実施例２―３３において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―３３と同様にして、実施例２―３７の電子写真感光体を製造した。【０２６１】
実施例１―２４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、
化合物（Ａ１６３）０．２部、
Ｎ―プロピルホルムアミド１．７２部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２６２】
上記電荷発生層における化合物（Ａ１６３）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの質量含有比率は０．７１／１である。【０２６３】
〔実施例２―３８〕
実施例２―３７において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ１６３）０．２部を化合物（Ａ１００）０．２部に変更したこと以外は、実施例２―３７と同様にして、実施例２―３８の電子写真感光体を製造した。【０２６４】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ１００）とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの質量含有比率は０．７１／１である。【０２６５】
〔実施例２―３９〕
実施例２―３３において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―２４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―２５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。また、化合物（Ａ５４）０．６部を化合物（Ａ５）０．２部に変更した。それ以外は、実施例２―３３と同様にして、実施例２―３９の電子写真感光体を製造した。【０２６６】
このときの電荷発生層における例示化合物（５）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの質量含有比率は１．４５／１である。【０２６７】
〔実施例２―４０〕
実施例２―３０において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―３０と同様にして、実施例２―４０の電子写真感光体を製造した。【０２６８】
実施例１―１１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、
化合物（Ａ５３）０．２部、
Ｎ―プロピルホルムアミド２．０部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２６９】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの含有量は０である。【０２７０】
〔実施例２―４１〕
実施例２―４において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―２６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―４と同様にして、実施例２―４１の電子写真感光体を製造した。【０２７１】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ１１１）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は３．７２／１である。【０２７２】
〔実施例２―４２〕
実施例２―４０において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ５３）０．２部を化合物（Ａ１３１）０．２部に変更し、また、Ｎ―プロピルホルムアミド２．０部を０．２部に変更した。それ以外は、実施例２―４０と同様にして、実施例２―４２の電子写真感光体を製造した。【０２７３】
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの含有量は０である。【０２７４】
〔実施例２―４３〕
実施例２―２５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１―１７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を実施例１―２７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した。それ以外は、実施例２―２５と同様にして、実施例２―４３の電子写真感光体を製造した。【０２７５】
このときの電荷発生層における化合物（Ａ１４１）と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの質量含有比率は０．３２／１である。【０２７６】
〔実施例２―４４〕
実施例２―４０において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物（Ａ５３）０．２部を化合物（Ａ１３８）０．２部に変更し、また、Ｎ―プロピルホルムアミド２．０部を０．２部に変更した。それ以外は、実施例２―４０と同様にして、実施例２―４４の電子写真感光体を製造した。【０２７７】
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―プロピルホルムアミドの含有量は０である。【０２７８】
〔比較例２―１〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、比較例２―１の電子写真感光体を製造した。【０２７９】
実施例１―１１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２８０】
上記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量と上記電荷発生層における前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量は共に０である。【０２８１】
〔比較例２―２〕
実施例２―１５において、電荷発生層用塗布液の調整に用いたＮ―メチルホルムアミド０．０００６部を使用しなかったこと以外は、実施例２―１５と同様にして、比較例２―２の電子写真感光体を製造した。このときの電荷発生層における前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量は０である。【０２８２】
〔比較例２―３〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、比較例２―３の電子写真感光体を製造した。【０２８３】
比較例１―１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２８４】
上記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量と上記電荷発生層における前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量は共に０である。【０２８５】
〔比較例２―４〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、比較例２―４の電子写真感光体を製造した。【０２８６】
比較例１―１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部、
Ｎ―メチルホルムアミド０．５部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）１０部、および、
シクロヘキサノン５１９部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７６４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。【０２８７】
上記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるＮ―メチルホルムアミドの含有量は共に０である。【０２８８】
〔比較例２―５〕
実施例２―１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例２―１と同様にして、比較例２―５の電子写真感光体を製造した。【０２８９】
下記式（１１）で示されるビスアゾ顔料２０部、化合物（Ａ７）０．２部、
Ｎ―メチルホルムアミド０．１部、
ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ―１）８部、および、
シクロヘキサノン３８０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、２０時間分散処理した。その後、酢酸エチル６４０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を８０℃で１０分間乾燥させることによって、膜厚が０．２８μｍの電荷発生層を形成した。【０２９０】
【化２１】
2015189980.tif 000022
【０２９１】
〔実施例２―１〜２―４４および比較例２―１〜２―５の評価〕
実施例２―１〜２―４４および比較例２―１〜２―５で作製した電子写真感光体について、画像評価を行った。【０２９２】
評価用の電子写真装置として、黒ポチとカブリおよび濃度ムラの評価が可能なように改造したヒューレットパッカード社製レーザービームプリンターＬａｓｅｒＪｅｔ４７００を使用した。暗部電位は−７００Ｖとなるように改造し、設定した。【０２９３】
作製した電子写真感光体を温度３２．５℃湿度８０％ＲＨの高温高湿環境下で２４時間放置した後、上記レーザープリンター用のシアン色用のプロセスカートリッジに装着した。このシアン色用のプロセスカートリッジを上記レーザープリンター内のシアン色用のプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをレーザービームプリンター本体に装着しなくても作動するようにした。そして、同環境下で評価画像を出力した。【０２９４】
黒ポチ、カブリ評価は、光沢紙を用いてベタ白画像を出力し、出力画像の欠陥の有無を目視で観察してＡ〜Ｆのランク付けを行った。ランクＡは、出力画像中に黒ポチが全く見られない画像である。ランクＢ、ランクＣ、ランクＤ、ランクＥはそれぞれ、電子写真感光体１周分に換算した領域に、直径（φ）０．３ｍｍ以下の黒ポチが１〜２個、３〜４個、５〜１０個、１１〜２０個存在する画像である。ランクＦは、上述の直径（φ）０．３ｍｍ以下の黒ポチが２１個以上見られる画像である。【０２９５】
この中で、ＥおよびＦは、本発明の効果が十分に得られていないレベルと判断した。【０２９６】
また、濃度ムラ評価は、１ドット１スペースのドット密度に設定したハーフトーン画像を出力し、官能検査を行った。【０２９７】
評価結果を表１に示す。【０２９８】
【表１】
2015189980.tif 000023
【０２９９】
本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。
【符号の説明】
【０３００】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  像露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  像定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  案内手段
【図１】
2015189980.tif 000031
【図２】
2015189980.tif 000032
【図３】
2015189980.tif 000033
【図４】
2015189980.tif 000034
【図５】
2015189980.tif 000035
【図６】
2015189980.tif 000036
【図７】
2015189980.tif 000037
【図８】
2015189980.tif 000038
【国際調査報告】
2015189980.tif 000039
2015189980.tif 000040
2015189980.tif 000041
2015189980.tif 000042