(57)【要約】  テクスチャが形成された光電変換部と、複数の導電性粒子を含む電極と、を備え、テクスチャの平均サイズは、テクスチャのうち互いに隣接する複数のテクスチャの稜線と、隣接するテクスチャの頂点を結ぶ仮想線とに囲まれた空間の内接円の直径が導電性粒子の平均粒径よりも小さくなるように形成されている太陽電池とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、少なくとも前記第１面にテクスチャが形成された光電変換部と、
前記第１面上に形成され、複数の導電性粒子を含む電極と、を備え、
前記テクスチャの平均サイズは、前記テクスチャのうち互いに隣接する複数のテクスチャの稜線と、前記隣接するテクスチャの頂点を結ぶ仮想線とに囲まれた空間の内接円の直径が前記導電性粒子の平均粒径よりも小さくなるように形成されている、太陽電池。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池であって、
前記空間は、前記テクスチャを横から見た場合、手前側に隣接する第１及び第２のテクスチャが配置され、奥側に隣接して前記第１のテクスチャと前記第２のテクスチャとの中間に頂点が位置するように第３のテクスチャが配置され、前記第１〜３のテクスチャが平均サイズである場合、前記第１〜３のテクスチャの稜線と前記第１〜３のテクスチャの頂点を結ぶ仮想線とに囲まれたものである、太陽電池。
【請求項３】
請求項１に記載の太陽電池であって、
前記空間は、前記テクスチャを横から見た場合、隣接する第１及び第２のテクスチャが配置され、前記第１及び第２のテクスチャが平均サイズである場合、前記第１及び第２のテクスチャの稜線と前記第１及び第２のテクスチャの頂点を結ぶ仮想線とに囲まれたものである、太陽電池。
【請求項４】
請求項１に記載の太陽電池であって、
前記光電変換部は、
前記テクスチャが設けられた結晶系半導体基板と、
当該結晶系半導体基板上に形成された非晶質半導体層と、
を備える、太陽電池。
【請求項５】
請求項４に記載の太陽電池であって、
前記光電変換部は、更に
受光面側に前記非晶質半導体層上に形成された透明導電層と、
を備える、太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池における発電効率を高めるために、太陽電池の受光面に数μｍから数十μｍの凹凸を有するテクスチャを設ける技術が知られている。テクスチャを設けることによって、外部から受光面に入射する光の反射を低減できると共に、太陽電池内部への光閉じ込めの効果を高めることができる（特許文献１，２参照）。【０００３】
また、太陽電池では、テクスチャ上にスクリーン印刷等によって導電性ペーストを塗布して集電極を形成する技術が用いられている（特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９３１９４号公報
【特許文献２】特開２０１１−５１５８７２号公報
【特許文献３】特許第３２７１９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
太陽電池の製造工程においてテクスチャを形成した基板上又は基板上に形成された薄膜上に導電性ペーストを印刷する際に、スクリーン版とテクスチャの谷間との間隙に沿って導電性ペーストが染み出すことがある。集電極として必要な範囲を超えた導電性ペーストの染み出しは、太陽電池への遮光損失をもたらすおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し、少なくとも第１面にテクスチャが形成された光電変換部と、第１面上に形成され、複数の導電性粒子を含む電極と、を備え、テクスチャの平均サイズは、テクスチャのうち互いに隣接する複数のテクスチャの稜線と、隣接するテクスチャの頂点を結ぶ仮想線とに囲まれた空間の内接円の直径が導電性粒子の平均粒径よりも小さくなるように形成されている太陽電池である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る太陽電池によれば、導電性ペーストのスクリーン印刷により高い精度で電極を所望の形状に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態における太陽電池の構造を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態における太陽電池の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるテクスチャの構造を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態における集電極の形成方法を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるテクスチャの態様を示す顕微鏡観察の図面代用写真である。
【図６】本発明の実施の形態におけるテクスチャと導電性フィラーの形との関係を説明する平面図である。
【図７】本発明の実施の形態におけるテクスチャと導電性フィラーの形との関係を説明する側面図である。
【図８】本発明の実施の形態におけるテクスチャと導電性フィラーの径との関係を説明する図である。
【図９】本発明の実施の形態におけるテクスチャのサイズと内接円の直径との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。また、実施形態において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは、現物と異なる場合がある。具体的な寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１０】
本実施の形態における太陽電池１００は、図１及び図２に示すように、光電変換部１０２及び集電極１０４を含んで構成される。
【００１１】
なお、図２は、図１のラインＡ−Ａに沿った断面図である。また、「受光面」とは光電変換部１０２の外部から光が主に入射する主面を示し、「裏面」とは受光面と反対側の主面を示す。例えば、光電変換部１０２に入射する太陽光のうち５０％超過〜１００％が受光面側から入射する。
【００１２】
光電変換部１０２は、ｐｎ接合、ｐｉｎ接合等の半導体接合を有しており、単結晶シリコン、多結晶シリコン等の結晶系半導体材から構成されている。
【００１３】
例えば、光電変換部１０２は、ｎ型結晶系シリコンの基板１０の受光面側にｉ型非晶質シリコン層１２及びｐ型非晶質シリコン層１４及び透明導電層１６を積層し、裏面側にｉ型非晶質シリコン層１８、ｎ型非晶質シリコン層２０及び導電層２２を積層して構成することができる。このような構成を含む太陽電池は、ヘテロ接合型太陽電池と呼ばれるものであり、結晶系シリコンとｐ型非晶質シリコン層で形成されるｐｎ接合の間に真性（ｉ型）の非晶質シリコン層を介挿することによって変換効率を飛躍的に向上させたものである。なお、裏面側の導電層２２は透明であってもよく、また、透明でなくても良い。また、光電変換部１０２は、シリコンには限られず、半導体材料であればよい。
【００１４】
各層を積層する前に、基板１０の両面にテクスチャ１０ａ，１０ｂを形成しておくことが好適である。テクスチャ１０ａ，１０ｂは、表面反射を抑制して光電変換部１０２の光吸収量を増大させる表面凹凸構造である。
【００１５】
テクスチャ１０ａ，１０ｂは、例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液を用いて基板１０の（１００）面を異方性エッチングすることにより形成できる。（１００）面を有する基板１０をアルカリ溶液に浸漬すると、（１１１）面に沿って異方性エッチングされ、基板１０の表面に略四角錐状の凸状部が多数形成される。例えば、エッチング液に含まれるアルカリ水溶液の濃度は、１．０重量％〜７．５重量％であることが好ましい。
【００１６】
また、これらのアルカリ水溶液にアルコール系物質を混合させた溶液を用いることも好適である。アルコール系物質としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、シクロヘキサンジオール、オクタノール等が例示できる。このような混合溶液を用いることにより、異方性エッチング中に生じる小片や反応生成物の基板１０への再付着を抑制することができる。アルコール系物資は、１重量％〜１０重量％程度含有させることが好ましい。
【００１７】
単結晶又は多結晶の基板上にテクスチャを形成する別の方法として、基板１０上に銀等の金属粒子を分散させ、フッ化水素酸と過酸化水素水との混合溶液でエッチングしてもよい。
【００１８】
テクスチャ１０ａ，１０ｂのサイズはエッチングに用いる溶液の組成比・濃度、エッチングに掛ける時間、エッチング時の温度の条件により調整することができる。ここで、テクスチャ１０ａ，１０ｂのサイズとは、図３に示すように、テクスチャ１０ａ，１０ｂの互いに隣接する谷部の間隔ｄで表すものとする。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による基板１０の表面の平面観察写真において、各テクスチャを正方形として近似したときの面積を測定し、数１００個のテクスチャについての面積の平均値の平方根をテクスチャ１０ａ，１０ｂの平均サイズとする。
【００１９】
ｉ型非晶質シリコン層１２、ｐ型非晶質シリコン層１４、ｉ型非晶質シリコン層１８及びｎ型非晶質シリコン層２０は、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、Ｃａｔ−ＣＶＤ（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング法等により形成することができる。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法、周波数の高いＶＨＦプラズマＣＶＤ法、さらにはマイクロ波プラズマＣＶＤ法などいずれの手法を用いてもよい。
【００２０】
ＣＶＤによるｉ型非晶質シリコン層１２，１８の成膜には、例えば、シラン（ＳｉＨ４）を水素（Ｈ２）で希釈した原料ガスを使用する。ｐ型非晶質シリコン層１４の場合は、シランにジボラン（Ｂ２Ｈ６）を添加し、水素（Ｈ２）で希釈した原料ガスを使用することができる。ｎ型非晶質シリコン層２０の場合は、シランにホスフィン（ＰＨ３）を添加し、水素（Ｈ２）で希釈した原料ガスを使用することができる。
【００２１】
例えば、基板１０の受光面側に約５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層１２を形成し、さらに約５ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質シリコン層１４を形成する。また、基板１０の裏面側に約５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層１８を形成し、さらに約２０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質シリコン層２０を形成する。なお、各層は十分に薄いので、各層の形状は基板１０のテクスチャ１０ａ、１０ｂの形状を反映している。具体的には、ｉ型非晶質シリコン層１２、ｐ型非晶質シリコン層１４は、基板１０のテクスチャ１０ａの形状を反映している。ｉ型非晶質シリコン層１８、ｎ型非晶質シリコン層２０は、基板１０のテクスチャ１０ｂの形状を反映している。
【００２２】
透明導電層１６は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタンなどの金属酸化物を少なくとも一つを含んで構成される。これらの金属酸化物に、錫、亜鉛、タングステン、アンチモン、チタン、セリウム、ガリウムなどのドーパントがドープされていてもよい。導電層２２は、透明導電層１６と同じ構成でもよく、異なる構成であってもよい。導電層２２として、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ，Ｎｉなどの反射率の高い材料から構成された金属膜またはこれらの合金から構成された金属膜を用いてもよい。また、導電層２２は、透明導電膜と金属膜の積層構造であってもよい。これにより、受光面から入射した光が金属膜で反射し、発電効率を高めることができる。透明導電層１６，導電層２２は、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の成膜方法により形成することができる。なお、透明導電層１６および導電層２２も十分に薄いので、透明導電層１６は基板１０のテクスチャ１０ａの形状を、導電層２２はテクスチャ１０ｂの形状をそれぞれ反映している。以下、光電変換部１０２表面に形成されたテクスチャも、テクスチャ１０ａ、１０ｂという。
【００２３】
光電変換部１０２の受光面及び裏面には、発電された電力を外部に取り出すための集電極１０４が設けられる。集電極１０４は、フィンガー２４を含む。フィンガー２４は、光電変換部１０２で生成されたキャリアの収集用の電極である。フィンガー２４は、光電変換部１０２からできるだけ均等にキャリアを収集するために、例えば１００μｍ程度の幅を有する線形状とされ、２ｍｍおきに配置される。さらに、集電極１０４には、フィンガー２４を接続するバスバー２６を設けてもよい。バスバー２６は、複数のフィンガー２４で収集されたキャリアの集電用電極である。バスバー２６は、例えば１ｍｍの幅を有する線形状とされる。バスバー２６は、太陽電池１００同士を接続して太陽電池モジュールを形成するための接続部材が配置される方向に沿ってフィンガー２４と交差するように配置される。フィンガー２４及びバスバー２６の本数や面積は、太陽電池１００の面積や抵抗を考慮して適宜に設定される。なお、集電極１０４は、バスバー２６を設けない構成としてもよい。
【００２４】
なお、太陽電池１００の受光面側に設けられる集電極１０４の設置面積は、裏面側に設けられる集電極１０４の設置面積よりも小さくすることが好ましい。すなわち、太陽電池１００の受光面側では、入射光を遮る面積をできるだけ小さくすることによって遮光ロスを低減することができる。一方、裏面側では入射光を考慮する必要がなく、フィンガー２４、バスバー２６の代りに太陽電池１００の裏面全面を覆うように集電極を設けてもよい。
【００２５】
集電極１０４は、導電性ペーストを用いて形成することができる。導電性ペーストは、導電性フィラー、バインダ、溶剤等の添加剤を含有するものとすることができる。
【００２６】
導電性フィラーは、集電極の電気伝導性を得ることを目的に混入される。導電性フィラーには、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属粒子や、カーボンや、これらの混合物等の導電性の粒状物が用いられる。これらのうち、銀粒子を用いることがより好適である。導電性フィラーとなる銀粒子は、サイズの異なるものを混合したり、表面に凹凸形状を設けたものを混合したりしてもよい。
【００２７】
バインダは、熱硬化型樹脂であることが好ましい。未硬化状態のバインダは、室温において、溶剤に可溶な固状、或いは液状又はペースト状（半固状）である。バインダには、例えば、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹脂など、又はこれらの混合物が用いられる。これらのうち、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹脂が好適であり、エポキシ系樹脂が特に好適である。また、導電性ペーストには、必要に応じてバインダに対応する硬化剤が含まれる。添加剤としては、溶剤の他に、レオロジー調整剤、可塑剤、分散剤、消泡剤等が例示できる。
【００２８】
溶剤としては、エチレングコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート（以下、「ＢＣＡ」という）等のエーテル系溶剤、ヘキサノール、オクタノール、デカノール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、シクロヘキサノール、テルピネオール等のアルコール系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、イソホロン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤など、又はこれらの混合溶剤が例示できる。
【００２９】
導電性ペーストに含まれる導電性フィラーの平均粒径及び粒径の標準偏差σはレーザ回折・散乱法により測定することができる。導電性フィラーにレーザを照射すると導電性フィラーからは回折・散乱光が発生し、光が発せられる方向に対する回折・散乱光の強さの空間パターンに応じて導電性フィラーの大きさを求めることができる。レーザ回折・散乱法では、導電性ペーストに含まれる大きさの異なる多数の導電性フィラーの粒子群から発生する回折・散乱光を重ね合わせた光強度分布パターンを検出して解析することで、どれくらいの大きさの導電性フィラーがどれくらいの割合で含まれているか(粒度分布) を求めることができる。
【００３０】
光電変換部１０２の受光面及び裏面に導電性ペーストを所定のパターンに塗布し、加熱硬化処理することによって集電極１０４を形成する。最終的な加熱硬化処理を行う前により低温の加熱処理を行ってもよい。
【００３１】
導電性ペーストは、スクリーン印刷法により受光面及び裏面に所定のパターンで塗布することができる。スクリーン印刷法は、オフコンタクト印刷であってもよいし、オンコンタクト印刷であってもよい。
【００３２】
スクリーン印刷法では、図４に示すように、耐溶剤性のある弾性体で構成されるスキージ３０及び集電極１０４の形状に対応した開口部３２ａを有するスクリーン版３２を用いて光電変換部１０２上に導電性ペーストを転写する。スクリーン版３２は、導電性ペーストを透過する織物等であるメッシュ３２ｂと、メッシュ３２ｂが張られる枠（図示しない）とを有する。メッシュ３２ｂには、導電性ペーストを塗布したくない領域に対応してマスク材３２ｃが設けられる。これにより、スクリーン版３２には、集電極１０４の形状に対応した開口部３２ａのパターンが形成される。
【００３３】
メッシュ３２ｂの材質、線径、メッシュ数、オープニング、オープニング率等は、形成される電極の幅、厚さ等に応じて選定される。メッシュ３２ｂの材料は、例えば、ポリエステル等の樹脂繊維やステンレス等の金属線とされる。メッシュ３２ｂの線径は、形成される電極の厚さ等に応じて選定され、電極が厚くなるにつれて線径を大きくすることが好適である。メッシュ３２ｂのメッシュ数は、メッシュ３２ｂの強度や形成される電極の精細度に応じて選定される。メッシュ３２ｂのオープニングは、導電性ペーストに含まれる導電性フィラーの粒径に応じて選定され、一般的に粒径の２倍以上とすることが好適である。メッシュ３２ｂのオープニング率は、形成される電極の厚さやだれ幅などに応じて選定される。また、導電性ペーストの材質や塗布条件等によってもメッシュ３２ｂの材質、線径、メッシュ数、オープニング、オープニング率等が選定される。
【００３４】
マスク材３２ｃには、一般的に感光性の乳剤が使用される。乳剤は、材質、解像度、露光感度等に応じて選定される。乳剤は、例えば、ジアゾ系やスチルバゾリウム系の材料が用いられる。また、乳剤以外に金属箔を用いることもできる。
【００３５】
スキージ３０は、スクリーン版３２上に導電性ペーストを塗り広げるために適した材料で構成される。スキージ３０は、耐溶剤性のある弾性体で構成することが好適である。例えば、ウレタンゴム等が好適である。
【００３６】
ここで、光電変換部１０２表面のテクスチャ１０ａ、１０ｂのサイズと、集電極１０４内の導電性フィラーのサイズとの関係について説明する。
【００３７】
テクスチャは、一般的に、図５に示すように、各頂点が不規則に配置されている。そのため、複数の頂点間の谷が繋がることより形成された線状の路は、直線ではなく、曲がりくねった形状となる。集電極をスクリーン印刷で形成する際、この路を通って導電性ペーストが電極形成領域の外側まで流れていく場合がある（以下、路を「流路」という）。
【００３８】
この場合における、テクスチャのサイズと、導電性ペーストの導電性フィラーのサイズとの関係について説明する。図６は、頂点が不規則に配置されたテクスチャを上面から見た模式図である。図７は、図６を矢印（横）の方向から見た模式図である。ここで、「（横）の方向」とは、受光面側から裏面側に向かう方向と直交する方向のことである。図６、７では、説明を容易にするため、テクスチャＡ〜Ｃを同一サイズとし、手前側のテクスチャＡ，Ｂの中間に、奥側のテクスチャＣの頂点が位置する構成としている。
【００３９】
図６に示すように、各頂点が不規則に配置されていると、頂点間の谷の延びる方向において、他のテクスチャが流路を塞ぐように配置される。従来の構成では、導電性フィラーの平均粒径は、図７に示す模式図において、手前側のテクスチャＡ、Ｂの稜線Ｘ、Ｙと、奥側のテクスチャＣの稜線Ｚ１、Ｚ２と、テクスチャＡ〜Ｃの各頂点Ｔ１〜Ｔ３を結ぶ仮想線とに囲まれた空間Ｄ、Ｅに形成される内接円Ｄ１、Ｅ１の直径よりも小さい。このような構成では、集電極１０４形成時に、導電性ペーストが空間Ｄ，Ｅを通って、容易に電極形成領域外に流出してしまう。すなわち、流路がテクスチャによって塞がれていたとしても、その塞いでいるテクスチャの隙間から導電性ペーストが流出してしまう。なお、テクスチャＡ〜Ｃの頂点とは、裏面から受光面に向かう方向において、受光面上において最も突出している点のことである。
【００４０】
そのため、本実施の形態では、テクスチャ１０ａ、１０ｂの平均サイズは、空間Ｄ、Ｅに形成される内接円Ｄ１、Ｅ１の直径が導電性フィラーの平均粒径よりも小さくなるように形成されている。これにより、流路がテクスチャによって塞がれた場合、その塞いでいるテクスチャの隙間から導電性ペーストが流出することを抑制できる。また、流路自体が狭くなるため、圧力損失により、流路内における導電性ペーストの移動距離が抑制される。そのため、導電性ペーストが電極形成領域外に染み出すことを抑制でき、太陽電池１００への遮光損失を低減することができる。
【００４１】
表１は、上述した本実施の形態の構成とした実施例と従来の構成とした比較例とにおける集電極１０４の線幅、電極幅及びにじみ（片側）の相違を示す。集電極１０４の電極幅とは、集電極１０４の長手方向に直交する方向に沿って集電極１０４として十分に機能する程度の膜厚を有する領域の幅を意味する。集電極１０４のにじみとは、テクスチャの凹凸に起因して集電極１０４の長手方向に直交する方向に沿って集電極１０４の電極幅からはみ出した領域の幅を意味する。集電極１０４のにじみは、集電極１０４の幅方向の両側に発生するが、表１では片側のにじみの幅の平均値を示している。集電極１０４の線幅とは、集電極１０４の電極幅とにじみとを加えた幅を意味し、ここでは線幅＝電極幅＋にじみ×２で表される。
【表１】
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【００４２】
実施例では、比較例に比べて、集電極１０４の電極幅の平均値はほぼ等しくなったのに対して、その標準偏差σは小さくなり、集電極１０４を高い精度かつ確度で形成することができた。また、実施例では、比較例に比べて、集電極１０４のにじみの平均値及び標準偏差σは小さくなり、集電極１０４の形成時における導電性ペーストが染み出しを抑制できたことを示している。これにより、太陽電池１００への遮光損失を低減することができた。
【００４３】
図８に示すように、光電変換部１０２表面のテクスチャ１０ａ，１０ｂの平均サイズは、テクスチャ１０ａ，１０ｂの稜線Ｌとテクスチャ１０ａ，１０ｂの互いに隣り合う頂点Ｐを結ぶ線とで形成される三角形の内接円Ｃの平均直径Ｒが、集電極１０４の導電性フィラーの平均粒径以下であることがより好適である。
【００４４】
図９は、テクスチャの平均サイズと図８に示す内接円Ｃの直径Ｒとの関係を示す図である。すなわち、集電極１０４の導電性フィラーの平均粒径は、図９の直線の上側の領域内にあることが好ましい。
【００４５】
集電極１０４の導電性フィラーの平均粒径をこのような条件を満たすものとすることによって、導電性ペーストの染み出しをより抑制でき、太陽電池１００への遮光損失をより低減することができる。
【００４６】
なお、本発明の適用範囲は、本実施の形態における太陽電池に限定されるものではなく、受光面又は裏面にテクスチャを有する太陽電池であればよい。例えば、結晶型や薄膜型の太陽電池に適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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