(57)【要約】  個々の弾性表面波装置に分割する前に良品と不良品とを選別し得る弾性表面波装置集合体を提供する。  弾性表面波装置集合体１は、集合基板２と、集合基板２上に設けられており、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａとを有する複数の第１の回路部３Ａと、集合基板２上に設けられており、第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂとを有する第２の回路部４Ａと、複数の第１の回路部３Ａ及び第２の回路部４Ａの周囲を囲むように集合基板２上に設けられている給電配線１３とを備える。各第１の回路部３Ａは、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置３を構成している。第２の回路部４Ａは帯域通過型フィルタを構成している。複数の第１のグラウンド端子７ａ及び第１のホット端子６ａ並びに第２のグラウンド端子７ｂが給電配線１３に接続されており、第２のホット端子６ｂが給電配線１３に接続されておらず、各弾性表面波装置３の通過帯域と、第２の回路部４Ａにより構成されている帯域通過型フィルタの通過帯域とが同一である。
2016125753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体からなる集合基板と、
前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、
前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、
前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線と、
を備え、
各前記第１の回路部は、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、前記第２の回路部は帯域通過型フィルタを構成しており、
複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、
各前記弾性表面波装置の通過帯域と、前記第２の回路部により構成されている帯域通過型フィルタの通過帯域とが同一である、弾性表面波装置集合体。
【請求項２】
圧電体からなる集合基板と、
前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、
前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、
前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線と、
を備え、
各前記第１の回路部は、弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、
複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、
前記複数の第１の回路部の電気的な回路構成と前記第２の回路部の電気的な回路構成とが同一である、弾性表面波装置集合体。
【請求項３】
前記集合基板上に設けられており、各前記第１の回路部が臨む第１の開口部をそれぞれ有する複数の第１の支持部材と、
前記集合基板上に設けられており、前記第２の回路部が臨む第２の開口部を有する第２の支持部材と、
複数の前記第１の開口部及び前記第２の開口部を封止するように、前記複数の第１の支持部材上及び前記第２の支持部材上に設けられている蓋部材と、
をさらに備え、
前記複数の第１の支持部材は、平面視において、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子と重なるように設けられており、前記第２の支持部材は、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子と重なるように設けられており、
前記第１の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子を露出させるように複数の第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔が設けられており、前記第２の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子が露出するように第３の貫通孔及び第４の貫通孔が設けられている、請求項１または２に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項４】
前記複数の第１の貫通孔にそれぞれ設けられている第１のアンダーバンプメタル層と、
前記複数の第２の貫通孔にそれぞれ設けられている第２のアンダーバンプメタル層と、
前記第４の貫通孔に設けられている第４のアンダーバンプメタル層と、
をさらに備える、請求項３に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項５】
前記第３の貫通孔にアンダーバンプメタル層が設けられていない、請求項４に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項６】
前記第３の貫通孔に設けられている第３のアンダーバンプメタル層をさらに備え、
各前記第１のアンダーバンプメタル層の厚みが前記第３のアンダーバンプメタル層の厚みよりも大きい、請求項４に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項７】
各前記第１のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第１のバンプと、
各前記第２のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第２のバンプと、
平面視において前記第３の貫通孔と重なる位置に設けられている第３のバンプと、
前記第４のアンダーバンプメタル層上に設けられている第４のバンプと、
をさらに備え、
平面視において、各前記第１のバンプに内接する内接円の直径が、前記第３のバンプに内接する内接円の直径よりも大きい、請求項６に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項８】
各前記第１の支持部材の各前記第１の開口部の平面形状と、前記第２の支持部材の前記第２の開口部の平面形状とが同一である、請求項３〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項９】
前記第２のグラウンド端子が前記第２のホット端子よりも多く配置されている、請求項３〜８のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項１０】
各前記第１の支持部材における前記第１及び第２の貫通孔の配置と、前記第２の支持部材における前記第３及び第４の貫通孔の配置とが同一である、請求項３〜９のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
【請求項１１】
前記第２の回路部の前記機能電極が前記複数の第１の回路部の前記ＩＤＴ電極と同様の構成を有するＩＤＴ電極であり、前記複数の第１の回路部と前記第２の回路部との電気的な回路構成及び物理的な構成が同一である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性表面波装置集合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性表面波装置に係る弾性表面波装置集合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＷＬＰ構造を有する弾性表面波装置が携帯電話機などに広く用いられている。【０００３】
例えば、下記の特許文献１では、ＷＬＰ構造を有する弾性表面波装置が開示されている。特許文献１の弾性表面波装置においては、圧電基板上のそれぞれの配線にアンダーバンプメタルが接続されている。全てのアンダーバンプメタルは、電解めっき法により形成されている。すなわち、全ての上記配線は、アンダーバンプメタルを形成するに際しては、電解めっき法のための給電配線に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０５００１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の弾性表面波装置では、全ての上記配線が給電配線に接続されている。そのため、グラウンド端子とホット端子とが電気的に短絡されている。よって、ダイシングにより個々の弾性表面波装置に分割するまでは、弾性表面波装置の電気的な特性の検査をできず、良品と不良品との選別をすることはできなかった。【０００６】
本発明の目的は、個々の弾性表面波装置に分割する前に良品と不良品とを選別し得る弾性表面波装置集合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性表面波装置集合体は、ある広い局面では、圧電体からなる集合基板と、前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線とを備え、各前記第１の回路部は、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、前記第２の回路部は帯域通過型フィルタを構成しており、複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、各前記弾性表面波装置の通過帯域と、前記第２の回路部により構成されている帯域通過型フィルタの通過帯域とが同一である。【０００８】
本発明に係る弾性表面波装置集合体の他の広い局面では、圧電体からなる集合基板と、前記集合基板上に設けられており、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に接続されている第１のホット端子及び第１のグラウンド端子とをそれぞれ有する複数の第１の回路部と、前記集合基板上に設けられており、機能電極と、前記機能電極に接続されている第２のホット端子及び第２のグラウンド端子とを有する第２の回路部と、前記複数の第１の回路部及び前記第２の回路部の周囲を囲むように前記集合基板上に設けられている給電配線とを備え、各前記第１の回路部は、弾性表面波装置をそれぞれ構成しており、複数の前記第１のグラウンド端子及び複数の前記第１のホット端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記給電配線に接続されており、前記第２のホット端子が前記給電配線に接続されておらず、前記複数の第１の回路部の電気的な回路構成と前記第２の回路部の電気的な回路構成とが同一である。【０００９】
本発明に係る弾性表面波装置集合体のある特定の局面では、前記集合基板上に設けられており、各前記第１の回路部が臨む第１の開口部をそれぞれ有する複数の第１の支持部材と、前記集合基板上に設けられており、前記第２の回路部が臨む第２の開口部を有する第２の支持部材と、複数の前記第１の開口部及び前記第２の開口部を封止するように、前記複数の第１の支持部材上及び前記第２の支持部材上に設けられている蓋部材とをさらに備え、前記複数の第１の支持部材は、平面視において、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子と重なるように設けられており、前記第２の支持部材は、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子と重なるように設けられており、前記第１の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記複数の第１のホット端子及び前記複数の第１のグラウンド端子を露出させるように複数の第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔が設けられており、前記第２の支持部材及び前記蓋部材を貫通し、前記第２のホット端子及び前記第２のグラウンド端子が露出するように第３の貫通孔及び第４の貫通孔が設けられている。【００１０】
本発明に係る弾性表面波装置集合体の他の特定の局面では、前記複数の第１の貫通孔にそれぞれ設けられている第１のアンダーバンプメタル層と、前記複数の第２の貫通孔にそれぞれ設けられている第２のアンダーバンプメタル層と、前記第４の貫通孔に設けられている第４のアンダーバンプメタル層と、をさらに備える。この場合、第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層上にバンプを設けることができる。それによって、バンプを介して実装基板などに実装することができる。【００１１】
本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに他の特定の局面では、前記第３の貫通孔にアンダーバンプメタル層が設けられていない。この場合、前記第３の貫通孔にはバンプを設けることはできない。これに対して、前記第１，第２，第４の貫通孔に設けられた前記第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層上にはバンプを設けることができる。前記第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層上に前記バンプを設けた場合、平面視において複数の第１の回路部と第２の回路部とを容易に識別することができる。【００１２】
本発明に係る弾性表面波装置集合体の別の特定の局面では、前記第３の貫通孔に設けられている第３のアンダーバンプメタル層をさらに備え、各前記第１のアンダーバンプメタル層の厚みが前記第３のアンダーバンプメタル層の厚みよりも大きい。この場合、第１〜第４のアンダーバンプメタル層上にバンプを設けると、第１のアンダーバンプメタル層上に設けられたバンプと第３のアンダーバンプメタル層上に設けられたバンプとの平面形状を異ならせることができる。それによって、平面視において複数の第１の回路部と第２の回路部とを容易に識別することができる。【００１３】
本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、各前記第１のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第１のバンプと、各前記第２のアンダーバンプメタル層上に設けられている複数の第２のバンプと、平面視において前記第３の貫通孔と重なる位置に設けられている第３のバンプと、前記第４のアンダーバンプメタル層上に設けられている第４のバンプとをさらに備え、平面視において、各前記第１のバンプに内接する内接円の直径が、前記第３のバンプに内接する内接円の直径よりも大きい。この場合、平面視において複数の第１の回路部と第２の回路部とを容易に識別することができる。【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、各前記第１の支持部材の各前記第１の開口部の平面形状と、前記第２の支持部材の前記第２の開口部の平面形状とが同一である。この場合、弾性表面波装置集合体の製造工程を単純化することができる。【００１５】
本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、前記第２のグラウンド端子が前記第２のホット端子よりも多く配置されている。この場合、個々の弾性表面波装置に分割するために前記集合基板を研削する際の姿勢を安定化させることができる。それによって、前記集合基板が分割された個々の圧電基板の平坦度を効果的に高めることができ、かつ各圧電基板の厚みのばらつきを効果的に低減することができる。【００１６】
本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、各前記第１の支持部材における前記第１及び第２の貫通孔の配置と、前記第２の支持部材における前記第３及び第４の貫通孔の配置とが同一である。この場合、弾性表面波装置集合体の製造工程を単純化することができる。【００１７】
本発明に係る弾性表面波装置集合体のさらに別の特定の局面では、前記第２の回路部の前記機能電極が前記複数の第１の回路部の前記ＩＤＴ電極と同様の構成を有するＩＤＴ電極であり、前記複数の第１の回路部と前記第２の回路部との電気的な回路構成及び物理的な構成が同一である。この場合、弾性表面波装置集合体の製造工程を単純化することができる。さらに、第２の回路部を検査することにより、所望の特性により良品と不良品とを選別することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、個々の弾性表面波装置に分割する前に良品と不良品とを選別し得る弾性表面波装置集合体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分正面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の正面断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態における評価用素子の正面断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態における評価用素子の平面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施形態の変形例における評価用素子の正面断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施形態における評価用素子の平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体に用いられている集合基板を裏面研削する工程において、テープにより弾性表面波装置集合体を固定している状態を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｅ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２１】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分正面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。
【００２３】
弾性表面波装置集合体１は、集合基板２を有する。集合基板２は、カット角４２°のＬｉＴａＯ３基板である。なお、集合基板２は上記の圧電体には限定されず、他のＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶や適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。
【００２４】
弾性表面波装置集合体１は、集合基板２上に構成されている複数の第１の回路部３Ａを有する。各第１の回路部３Ａは、帯域通過型フィルタである弾性表面波装置３をそれぞれ構成している。弾性表面波装置集合体１は、集合基板２上に構成されている第２の回路部４Ａも有する。第２の回路部４Ａは、帯域通過型フィルタである評価用素子４を構成している。本実施形態では、評価用素子４も弾性表面波装置である。
【００２５】
本実施形態では、各第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は同一である。すなわち、各弾性表面波装置３をそれぞれ構成する各素子や配線の配置及び材料と、評価用素子４を構成する各素子や配線の配置及び材料とは同一である。よって、各弾性表面波装置３の通過帯域と評価用素子４の通過帯域とは同一である。
【００２６】
集合基板２上には、各弾性表面波装置３及び評価用素子４を囲むように、給電配線１３が設けられている。給電配線１３は、個々の弾性表面波装置に分割するダイシングラインに沿うように設けられている。なお、給電配線１３は、後述するアンダーバンプメタル層を電解めっき法により形成するための配線である。
【００２７】
各弾性表面波装置３は、第１の回路部３Ａをそれぞれ囲むように、集合基板２上に設けられている、第１の支持部材８ａを有する。各第１の回路部３Ａは、各第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１に臨んでいる。評価用素子４は、第２の回路部４Ａを囲むように、集合基板２上に設けられている第２の支持部材８ｂを有する。第２の回路部４Ａは、第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１に臨んでいる。複数の第１の支持部材８ａ及び第２の支持部材８ｂは、樹脂などからなる。
【００２８】
各弾性表面波装置３は、集合基板２上に設けられている複数の第１のホット端子６ａ及び複数の第１のグラウンド端子７ａを有する。第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａは、給電配線１３に接続されている。評価用素子４は、集合基板２上に設けられている複数の第２のホット端子６ｂ及び複数の第２のグラウンド端子７ｂを有する。第２のグラウンド端子７ｂは給電配線１３に接続されている。他方、第２のホット端子６ｂは給電配線１３に接続されていない。
【００２９】
各第１のホット端子６ａの各弾性表面波装置３における位置と第２のホット端子６ｂの評価用素子４における位置とは同一である。各第１のグラウンド端子７ａの各弾性表面波装置３における位置と第２のグラウンド端子７ｂの評価用素子４における位置とは同一である。
【００３０】
図３は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の正面断面図である。
【００３１】
弾性表面波装置３は、集合基板２上に設けられたＩＤＴ電極５を有する。図２に示した第１の回路部３Ａは、複数のＩＤＴ電極により構成されている。図示されていないが、ＩＤＴ電極５は、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａに接続されている。第１の支持部材８ａは、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａを覆うように、集合基板２上に設けられている。第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１を封止するように、蓋部材９が設けられている。蓋部材９は、樹脂などからなる。
【００３２】
蓋部材９及び第１の支持部材８ａを貫通するように、第１，第２の貫通孔１０ａ，１０ｂが設けられている。第１の貫通孔１０ａの一端は、第１のホット端子６ａに至っている。第２の貫通孔１０ｂの一端は、第１のグラウンド端子７ａに至っている。第１の貫通孔１０ａには、第１のアンダーバンプメタル層１１ａが設けられている。第２の貫通孔１０ｂには、第２のアンダーバンプメタル層１１ｂが設けられている。第１のアンダーバンプメタル層１１ａ上には、第１のバンプ１２ａが設けられている。第２のアンダーバンプメタル層１１ｂ上には、第２のバンプ１２ｂが設けられている。第１のアンダーバンプメタル層１１ａは、第１のホット端子６ａと第１のバンプ１２ａとを接続している。第２のアンダーバンプメタル層１１ｂは、第１のグラウンド端子７ａと第２のバンプ１２ｂとを接続している。第１，第２のバンプ１２ａ，１２ｂは、はんだなどの適宜のろう材金属からなる。
【００３３】
なお、図示されていないが、第１の貫通孔及び第１のアンダーバンプメタル層は、複数の第１のホット端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。第２の貫通孔及び第２のアンダーバンプメタル層は、複数の第１のグラウンド端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。
【００３４】
図４は、本発明の第１の実施形態における評価用素子の正面断面図である。
【００３５】
評価用素子４は、集合基板２上に設けられた機能電極１４を有する。図２に示した第２の回路部４Ａは、機能電極１４を有する。本実施形態では、評価用素子４は弾性表面波装置３と同一の電気的な回路構成を有する。機能電極１４は、図３に示した弾性表面波装置３のＩＤＴ電極５と同様のＩＤＴ電極である。
【００３６】
図示されていないが、機能電極１４は、第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂに接続されている。第２の支持部材８ｂは、第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂを覆うように、集合基板２上に設けられている。第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１を封止するように、蓋部材９が設けられている。
【００３７】
蓋部材９及び第２の支持部材８ｂを貫通するように、第３，第４の貫通孔１０ｃ，１０ｄが設けられている。第３の貫通孔１０ｃの一端は、第２のホット端子６ｂに至っている。第４の貫通孔１０ｄの一端は、第２のグラウンド端子７ｂに至っている。図３に示した第１の支持部材８ａにおける第１の貫通孔１０ａ及び第２の貫通孔１０ｂの配置と、第２の支持部材８ｂにおける第３の貫通孔１０ｃ及び第４の貫通孔１０ｄの配置とは同一である。
【００３８】
第３の貫通孔１０ｃには、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃが設けられている。第４の貫通孔１０ｄには、第４のアンダーバンプメタル層１１ｄが設けられている。第４のアンダーバンプメタル層１１ｄの厚みは、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃの厚みよりも大きい。図３に示した第１，第２のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂの厚みも、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃの厚みよりも大きい。なお、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは、設けられていなくともよい。
【００３９】
第３のアンダーバンプメタル層１１ｃ上には、第３のバンプ１２ｃが設けられている。第４のアンダーバンプメタル層１１ｄ上には、第４のバンプ１２ｄが設けられている。第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは、第２のホット端子６ｂと第３のバンプ１２ｃとを接続している。第４のアンダーバンプメタル層１１ｄは、第２のグラウンド端子７ｂと第４のバンプ１２ｄとを接続している。第３，第４のバンプ１２ｃ及び１２ｄは、はんだなどの適宜のろう材金属からなる。
【００４０】
なお、第３のバンプ１２ｃは、平面視において、第３の貫通孔１０ｃと重なる位置に設けられていればよい。第３のバンプ１２ｃと第３のアンダーバンプメタル層１１ｃとは接続されていなくともよい。
【００４１】
図示されていないが、第３の貫通孔及び第３のアンダーバンプメタル層は、複数の第２のホット端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。第４の貫通孔及び第４のアンダーバンプメタル層は、複数の第２のグラウンド端子にそれぞれ接続されるように複数設けられている。
【００４２】
本実施形態の特徴は、弾性表面波装置集合体１が評価用素子４を有し、かつ評価用素子４の第２のホット端子６ｂが給電配線１３に接続されていないことにある。本実施形態によれば、個々の弾性表面波装置に分割される前に良品と不良品とを選別することができる。これを、以下において説明する。
【００４３】
本実施形態では、複数の弾性表面波装置３の第１の回路部３Ａと、評価用素子４の第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成が同一である。よって、同じ集合基板２上の複数の弾性表面波装置３は、同じ集合基板２上の評価用素子４とほぼ同一の電気的な特性を有する。従って、評価用素子４のフィルタ特性などの電気的な特性を検査して、良品としての性能を満たさないと判定されれば、同じ集合基板２上の複数の弾性表面波装置３も良品としての性能を満たさないと判断することができる。
【００４４】
評価用素子４と複数の弾性表面波装置３との電気的な回路構成及び物理的な構成は、本実施形態のように同一であることが好ましい。それによって、良品選別をより確実に行うことができる。
【００４５】
評価用素子４は、例えば、第２の回路部４Ａが設けられた後であり、かつ第２の支持部材８ｂが設けられる前に、電気的な特性を検査すればよい。それによって、個々の弾性表面波装置３に分割される前に、良品と不良品とを選別することができる。よって、良品と判定された複数の弾性表面波装置３のみを後の工程に投入することができるため、コストを低減することができる。
【００４６】
図４に示すように、評価用素子４の第２のホット端子６ｂは、給電配線１３に接続されていない。そのため、図３及び図４に示した第１〜第４のアンダーバンプメタル層１１ａ〜１１ｄを電解めっき法により形成するに際し、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは充分に形成されない。よって、第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄの厚みよりも第３のアンダーバンプメタル層１１ｃの厚みは小さい。第１，第２，第４のバンプ１２ａ，１２ｂ，１２ｄは、厚みが大きい第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄ上に設けられている。そのため、第１，第２，第４のバンプ１２ａ，１２ｂ，１２ｄは、第１，第２，第４の貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｄには大きく入り込んでいない。これに対して、厚みが小さい第３アンダーバンプメタル層１１ｃ上に設けられた第３のバンプ１２ｃは、第３の貫通孔１０ｃに大きく入り込んでいる。
【００４７】
図５は、本発明の第１の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。図６は、第１の実施形態における評価用素子の平面図である。
【００４８】
各第１〜第４のバンプ１２ａ〜１２ｄに内接する内接円を内接円Ａ〜Ｄとする。第３のバンプ１２ｃのみ第３の貫通孔１０ｃに大きく入り込んでいるため、内接円Ａ，Ｂ，Ｄの直径Ｒ１よりも、内接円Ｃの直径Ｒ２は小さい。このように、内接円Ｃの直径Ｒ２と内接円Ａ，Ｂ，Ｄの直径Ｒ１の違いから、平面視において、複数の弾性表面波装置３であるか、あるいは評価用素子４であるかを容易に識別することができる。よって、個々の弾性表面波装置３に分割した後に、評価用素子４のみを容易に除去することができる。より具体的には、例えば、個々の弾性表面波装置３を搬送する工程において、搬送装置の画像認識機能により、弾性表面波装置３であるか、あるいは評価用素子４であるかを識別した後に、各弾性表面波装置３のみを搬送することができる。
【００４９】
なお、各第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成が同一であり、物理的な構成が異なっていてもよい。この場合でも、各弾性表面波装置３の電気的な特性と評価用素子４の電気的な特性とに相関があれば、複数の弾性表面波装置３の良品と不良品とを選別することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は同一であった。なお、各弾性表面波装置３の通過帯域と、評価用素子４の通過帯域とが同一であれば、各第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は異なっていてもよい。
【００５１】
あるいは、各弾性表面波装置３の電気的な特性と評価用素子４の電気的な特性とに相関があれば、第１の回路部３Ａと第２の回路部４Ａとの電気的な回路構成及び物理的な構成は異なっていてもよい。
【００５２】
本実施形態では、上述したように、各弾性表面波装置３及び評価用素子４は、帯域通過型フィルタである。よって、弾性表面波装置３の良品選別を行うに際しては、フィルタ特性などの検査を行う。なお、各弾性表面波装置３及び評価用素子４は、帯域通過型フィルタには限られず、例えば、共振子などであってもよい。この場合には、例えば、インピーダンス特性などを検査すればよい。
【００５３】
本実施形態では、評価用素子４の機能電極１４はＩＤＴ電極だが、評価用素子４の電気的な特性と各弾性表面波装置３の電気的な特性とに相関があれば、機能電極１４はＩＤＴ電極ではなくてもよい。すなわち、評価用素子４は、必ずしも弾性表面波装置ではなくてもよい。
【００５４】
図７に示す変形例のように、評価用素子５４には、第３のアンダーバンプメタル層が設けられていなくてもよい。評価用素子５４には、第３のアンダーバンプメタル層が設けられていないため、第３のバンプも設けられていない。この場合にも、評価用素子５４の電気的な特性の検査を行うことにより、複数の弾性表面波装置の良品と不良品とを選別することができ、かつ平面視において複数の弾性表面波装置であるか、評価用素子５４であるかを容易に識別することができる。なお、第３のアンダーバンプメタル層を第３の貫通孔に設け、第３のバンプを設けない構成においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体の部分平面断面図である。図９は、第２の実施形態における弾性表面波装置の平面図である。図１０は、第２の実施形態における評価用素子の平面図である。
【００５６】
本実施形態は、グラウンド端子がホット端子よりも多く配置されている点で、第１の実施形態と異なる。より具体的には、弾性表面波装置集合体２１における評価用素子２４の第２のグラウンド端子７ｂは、第２のホット端子６ｂよりも多く配置されている。そのため、第２のグラウンド端子７ｂに電気的に接続されている第４のバンプ１２ｄは、第２のホット端子６ｂに電気的に接続されている第３のバンプ１２ｃよりも多く配置されている。複数の弾性表面波装置２３の第１のグランド端子７ａは、第１のホット端子６ａよりも多く配置されている。そのため、第１のグラウンド端子７ａに電気的に接続されている第２のバンプ１２ｂは、第１のホット端子６ａに電気的に接続されている第１のバンプ１２ａよりも多く配置されている。
【００５７】
図４で示したように、第３のバンプ１２ｃは、第３の貫通孔１０ｃに大きく入り込んでいる。そのため、蓋部材９の第２の支持部材８ｂ側とは反対側の主面を基準とした第３の貫通孔１０ｃの外側へ向かう方向における第３のバンプ１２ｃの厚みは、第４のバンプ１２ｄの上記厚みよりも小さい。なお、図３で示した、蓋部材９の第１の支持部材８ａ側とは反対側の主面を基準とした第１の貫通孔１０ａの外側へ向かう方向における第１，第２のバンプ１２ａ，１２ｂの厚みと第４のバンプ１２ｄの上記厚みとは同程度である。
【００５８】
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置集合体に用いられている集合基板を裏面研削する工程において、テープにより弾性表面波装置集合体を固定している状態を示す図である。
【００５９】
第２，第４のバンプ１２ｂ，１２ｄ及び図示しない第１のバンプがテープ３５に貼り付けられている。それによって、弾性表面波装置集合体２１が固定されている。本実施形態では、第１のバンプ及び第２のバンプ１２ｂの上記厚みと同程度の上記厚みである第４のバンプ１２ｄが第３のバンプよりも多く配置されている。そのため、同じ高さにおいてテープ３５に貼り付けられている部分を多くすることができる。よって、集合基板２を研削する際の姿勢を効果的に安定化させることができる。
【００６０】
集合基板２は、例えば、第１〜第４のバンプ１２ａ〜１２ｄが設けられた後に、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面からハーフカットされる。しかる後、集合基板２は、上記主面と対向する主面を研削されることにより、個々の圧電基板に分割される。それによって、弾性表面波装置集合体２１は、個々の弾性表面波装置２３に分割される。上記のように、本実施形態では、集合基板２を研削する際の姿勢を安定化させることができる。従って、分割された圧電基板の平坦度を効果的に高めることができ、かつ各圧電基板の厚みのばらつきを効果的に低減することができる。
【００６１】
なお、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面からフルカットすることにより、個々の弾性表面波装置２３に分割してもよい。この場合、集合基板２の上記主面と対向する主面から集合基板２を研削する工程を有しないため、分割された各圧電基板の研削による厚みばらつきなどは生じない。
【００６２】
次に、第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を以下において説明する。
【００６３】
図１２（ａ）〜図１２（ｅ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、本発明の第３の実施形態としての弾性表面波装置集合体の製造方法を説明するための図である。なお、図１２（ａ）〜図１２（ｅ）及び図１３（ａ）〜図１３（ｄ）では、弾性表面波装置集合体における複数の弾性表面波装置のうちの１つの弾性表面波装置及び評価用素子の製造方法を示す。
【００６４】
図１２（ａ）に示すように、集合基板２を用意する。次に、集合基板２上にＩＤＴ電極５、機能電極１４、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び給電配線１３を設ける。第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａは、ＩＤＴ電極５に接続されるように設ける。第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂは、機能電極１４に接続されるように設ける。
【００６５】
第１のホット端子６ａの弾性表面波装置４３における位置と第２のホット端子６ｂの評価用素子４４における位置とが同一になるように、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂを設ける。第１のグラウンド端子７ａの弾性表面波装置４３における位置と第２のグラウンド端子７ｂの評価用素子４４における位置とが同一になるように、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂを設ける。それによって、製造工程を単純化することができる。
【００６６】
給電配線１３は、後の工程において集合基板を分割するダイシングラインＩに沿うように設ける。給電配線１３は、第１のホット端子６ａ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂに接続され、かつ第２のホット端子６ｂには接続されないように設ける。
【００６７】
ＩＤＴ電極５、機能電極１４、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び給電配線１３は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成することができる。
【００６８】
次に、図１２（ｂ）のように、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ上及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ上に二層目の電極としての配線４６，４７を設ける。配線４６，４７を形成するに際しては、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成することができる。なお、配線４６，４７は必ずしも形成しなくてもよい。もっとも、配線４６，４７を形成することにより、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂにおける電気抵抗を小さくすることができる。そのため、配線４６，４７を形成することが好ましい。
【００６９】
次に、図１２（ｃ）のように、ＩＤＴ電極５及び機能電極１４を覆うように、集合基板２上に保護膜４５を設ける。保護膜４５は、ＳｉＯ２などの誘電体からなる。保護膜４５は、例えば、ＣＶＤ法などにより形成することができる。なお、保護膜４５は必ずしも設けなくてもよい。もっとも、保護膜４５を設けることにより、ＩＤＴ電極５及び機能電極１４を破損し難くすることができる。そのため、保護膜４５を設けることが好ましい。
【００７０】
次に、図１２（ｄ）に示すように、評価用素子４４の電気的な特性の検査を行う。少なくとも第１，第２のホット端子６ａ，６ｂ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂの一部が露出する露出部を有するように保護膜４５の一部を除去する。検査装置のプローブＸ及びプローブＹを第２のホット端子６ｂ上の配線４６及び第２のグラウンド端子７ｂ上の配線４７に露出部で接触させ、検査を行う。それによって、個々の弾性表面波装置４３に分割する前に、複数の弾性表面波装置４３の良品と不良品とを選別することができる。上記検査により所望の特性を満たすと判定された評価用素子４４が構成されている集合基板２上の複数の弾性表面波装置４３のみを後の工程に投入することができるため、コストを低減することができる。
【００７１】
次に、図１２（ｅ）に示すように、第１のホット端子６ａ及び第１のグラウンド端子７ａを覆い、かつＩＤＴ電極５を囲むように、集合基板２上に第１の支持部材８ａを設ける。第２のホット端子６ｂ及び第２のグラウンド端子７ｂを覆い、かつ機能電極１４を囲むように、集合基板２上に第２の支持部材８ｂを設ける。ＩＤＴ電極５が臨む第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１の平面形状と、機能電極１４が臨む第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１の平面形状とが同一になるように、第１，第２の支持部材８ａ，８ｂを設ける。それによって、製造工程を単純化することができる。なお、第１の開口部８ａ１の平面形状と第２の開口部８ｂ１の平面形状とは同一ではなくてもよい。
【００７２】
第１，第２の支持部材８ａ，８ｂは、例えば、フォトリソグラフィー法により設けることができる。
【００７３】
次に、図１３（ａ）に示すように、第１の支持部材８ａの第１の開口部８ａ１及び第２の支持部材８ｂの第２の開口部８ｂ１を封止するように、蓋部材９を設ける。
【００７４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、蓋部材９及び第１の支持部材８ａを貫通し、かつ第１のホット端子６ａ上の配線４６に至るように第１の貫通孔１０ａを設ける。蓋部材９及び第１の支持部材８ａを貫通し、かつ第１のグラウンド端子７ａ上の配線４７に至るように第２の貫通孔１０ｂを設ける。蓋部材９及び第２の支持部材８ｂを貫通し、かつ第２のホット端子６ｂ上の配線４６に至るように第３の貫通孔１０ｃを設ける。蓋部材９及び第２の支持部材８ｂを貫通し、かつ第２のグラウンド端子７ｂ上の配線４７に至るように第４の貫通孔１０ｄを設ける。
【００７５】
上述したように、第１のホット端子６ａの弾性表面波装置４３における位置と第２のホット端子６ｂの評価用素子４４における位置とが同一になるように、第１，第２のホット端子６ａ，６ｂは設けられている。そのため、第１の支持部材８ａにおける第１の貫通孔１０ａの配置と第２の支持部材８ｂにおける第３の貫通孔１０ｃの配置とが同一になるように、第１，第３の貫通孔１０ａ，１０ｃを設ける。第１のグラウンド端子７ａの第１の回路部における位置と第２のグラウンド端子７ｂの第２の回路部における位置とが同一になるように、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂは設けられている。そのため、第１の支持部材８ａにおける第２の貫通孔１０ｂの配置と第２の支持部材８ｂにおける第４の貫通孔１０ｄの配置とが同一になるように、第２，第４の貫通孔１０ｂ，１０ｄを設ける。それによって、製造工程を単純化することができる。
【００７６】
次に、図１３（ｃ）に示すように、第１〜第４の貫通孔１０ａ〜１０ｄに第１〜第４のアンダーバンプメタル層１１ａ〜１１ｄを設ける。第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄは、第１のホット端子６ａ及び第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂに接続されている給電配線１３を用いた電解めっき法により形成することができる。他方、第２のホット端子６ｂは、給電配線１３に接続されていない。そのため、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは、給電配線１３を直接用いた電解めっき法によっては形成されない。第１，第２，第４のアンダーバンプメタル層１１ａ，１１ｂ，１１ｄを形成するに際して、漏洩電流が発生する。該漏洩電流により、第３の貫通孔１０ｃにより露出した第２のホット端子６ｂ上の配線４６に電解めっきされ、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃが形成される。なお、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃは設けなくてもよい。よって、上記漏洩電流が発生し難い構造または製造方法を用いてもよい。
【００７７】
次に、図１３（ｄ）に示すように、第１〜第４のアンダーバンプメタル層１１ａ〜１１ｄ上に第１〜第４のバンプ１２ａ〜１２ｄを設ける。なお、第３のバンプ１２ｃは設けなくてもよい。それによって、バンプに用いるろう材金属の使用量を削減することができる。もっとも、本実施形態のように、第１〜第４のバンプを同条件で設けることにより、製造工程を単純化することができる。
【００７８】
次に、図１４（ａ）に示すように、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面から、ダイシングラインＩにおいてハーフカットを行う。次に、図１４（ｂ）に示すように、弾性表面波装置集合体をテープ３５に固定する。より具体的には、第１，第２，第４のバンプ１２ａ，１２ｂ，１２ｄをテープ３５に貼り付ける。
【００７９】
しかる後、集合基板２の上記主面と対向する主面を研削する。それによって、図１４（ｃ）に示すように、図１４（ｂ）に示した集合基板２は個々の圧電基板４２に分割され、個々の弾性表面波装置４３と評価用素子４４とに分割される。
【００８０】
第２のグラウンド端子７ｂ、第４のアンダーバンプメタル層１１ｄ及び第４のバンプ１２ｄを第２のホット端子６ｂ、第３のアンダーバンプメタル層１１ｃ及び第３のバンプ１２ｃよりも多く配置することにより、テープ３５を支持する部分を多くすることができる。それによって、集合基板２を研削する姿勢を効果的に安定化させることができる。従って、個々の圧電基板４２の平坦度を効果的に高めることができ、かつ厚みばらつきを効果的に低減することができる。
【００８１】
なお、個々の弾性表面波装置４３に分割するに際し、第１，第２のグランド端子７ａ，７ｂ及び第１，第２のホット端子６ａ，６ｂが設けられている側の主面からフルカットを行ってもよい。
【符号の説明】
【００８２】
１…弾性表面波装置集合体
２…集合基板
３…弾性表面波装置
３Ａ…第１の回路部
４…評価用素子
４Ａ…第２の回路部
５…ＩＤＴ電極
６ａ，６ｂ…第１，第２のホット端子
７ａ，７ｂ…第１，第２のグラウンド端子
８ａ，８ｂ…第１，第２の支持部材
８ａ１，８ｂ１…第１，第２の開口部
９…蓋部材
１０ａ〜１０ｄ…第１〜第４の貫通孔
１１ａ〜１１ｄ…第１〜第４のアンダーバンプメタル層
１２ａ〜１２ｄ…第１〜第４のバンプ
１３…給電配線
１４…機能電極
２１…弾性表面波装置集合体
２３…弾性表面波装置
２４…評価用素子
３５…テープ
４２…圧電基板
４３…弾性表面波装置
４４…評価用素子
４５…保護膜
４６，４７…配線
５４…評価用素子
Ｘ，Ｙ…プローブ
【図１】
2016125753.tif 000003
【図２】
2016125753.tif 000004
【図３】
2016125753.tif 000005
【図４】
2016125753.tif 000006
【図５】
2016125753.tif 000007
【図６】
2016125753.tif 000008
【図７】
2016125753.tif 000009
【図８】
2016125753.tif 000010
【図９】
2016125753.tif 000011
【図１０】
2016125753.tif 000012
【図１１】
2016125753.tif 000013
【図１２】
2016125753.tif 000014
【図１３】
2016125753.tif 000015
【図１４】
2016125753.tif 000016
【国際調査報告】
2016125753.tif 000017
2016125753.tif 000018
2016125753.tif 000019
2016125753.tif 000020