(57)【要約】  圧電基板２２と支持基板２７とを用意し（ａ）、接着層２６を介してこれらを接合して複合基板２０とし（ｂ）、圧電基板２２のうち支持基板２７との接合面とは反対側の面を研磨して圧電基板２２を薄くする（ｃ）。続いて、圧電基板２２のうち支持基板２７との接合面とは反対側の面から複合基板２０をハーフダイシングすることで、圧電基板２２を圧電デバイス用の大きさに分割する溝２８を形成する（ｄ）。また、溝２８を形成することで接着層２６を溝２８内に露出させる。そして、複合基板２０を溶媒に浸漬することで、接着層２６を溶媒により除去して圧電基板２２を支持基板から剥離し（ｅ），（ｆ）、剥離された圧電基板１２を用いて圧電デバイス１０を得る（ｇ）。
2014188842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）圧電基板と支持基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記圧電基板と前記支持基板とを接着層を介して接合して複合基板とする工程と、（ｃ）前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面を研磨して該圧電基板を薄くする工程と、
（ｄ）前記複合基板をダイシングするか、又は前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面から前記複合基板をハーフダイシングすることで、該圧電基板を圧電デバイス用の大きさに分割する工程と、
（ｅ）前記ダイシング又は前記ハーフダイシングを行ったあとの前記複合基板を溶媒に浸漬することで、前記接着層を該溶媒により除去して前記圧電基板を前記支持基板から剥離する工程と、
（ｆ）前記支持基板から剥離された圧電基板を用いて圧電デバイスを得る工程と、
を含む圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｄ）では、前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面から前記複合基板をハーフダイシングすることで、該圧電基板を圧電デバイス用の大きさに分割する溝を形成し前記接着層を該溝内に露出させ、
前記工程（ｅ）では、前記ハーフダイシングを行ったあとの前記複合基板を溶媒に浸漬することで、前記接着層を該溶媒により除去して前記圧電基板を前記支持基板から剥離する、
請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）では、前記圧電基板の厚さが０．２μｍ〜５μｍとなるまで研磨を行う、
請求項１又は２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｄ）では、前記支持基板のうち前記圧電基板の接合面とは反対側の面から該支持基板に孔を形成して該孔内に前記接着層を露出させる、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記工程（ａ）では、前記支持基板として、前記工程（ｅ）において該支持基板のうち前記圧電基板との接合面と該接合面とは反対側の面との間で前記溶媒が流通可能な多孔質体からなる支持基板を用意する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ａ）では、前記工程（ｂ）における前記支持基板との接合面となる面が鏡面研磨されている前記圧電基板を用意するか、又は用意した圧電基板のうち工程（ｂ）における支持基板との接合面となる面を鏡面研磨する、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法により製造された圧電デバイス。
【請求項８】
厚さが０．２μｍ以上５μｍ以下、縦横長さが０．１ｍｍ×０．１ｍｍ以上、ＴＴＶ（Total Thickness Variation）が０．１μｍ以下である、圧電自立基板。
【請求項９】
表裏両面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である、
請求項８に記載の圧電自立基板。
【請求項１０】
単結晶基板である、
請求項８又は９に記載の圧電自立基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスの製造方法，圧電デバイス，及び圧電自立基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＱＣＭ（Quartz Crystal Microbalance）センサーなどの水晶振動子や、弾性波デバイスなどの圧電デバイスが知られている。このような圧電デバイスでは、圧電基板を薄くするほどデバイスの感度が高まるため、圧電基板の強度を保ちつつ圧電基板を薄くした圧電デバイスが提案されている。例えば、特許文献１には、圧電基板としての水晶が、周辺部のみを残して薄板化されている水晶振動子が記載されている。【０００３】
図６は、特許文献１に記載された水晶振動子の概略断面図である。この水晶振動子９０は、水晶板９２と、水晶板９２の表裏にそれぞれ形成された電極９４，９５と、水晶板９２の上面及び電極９４の表面を覆う樹脂製の破損防止膜９６と、を備えている。この水晶振動子９０では、水晶板９２の下面側に周辺部９２ａを残して孔９２ｂをエッチングにより形成している。そして、電極９５は、この孔９２ｂの底面９２ｃに形成されている。こうすることで、水晶振動子９０では、周辺部９２ａにより水晶板９０の強度を保ちつつ、水晶板９０の中央部の厚さ（＝電極９４，９５間の距離）を薄くして、検出感度を高めることができるとしている。また、破損防止膜９６を備えることにより、水晶振動子９０の運搬中や使用中などの破損を防止できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２２５８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図６に示したような水晶振動子では、水晶板９２が周辺部９２ａすなわち厚い部分を有するため、周辺部９２ａへの振動漏れが生じて圧電デバイスとしてのＱ値が悪化するという問題があった。また、周辺部９２ａを備えない構成の圧電基板を備えた圧電デバイスを作成しようとしても、圧電基板単板を研磨して薄くするような従来の製造方法では、研磨時やその後の製造工程等において圧電基板に割れが生じる場合があり、薄板化には限界があった。【０００６】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、圧電デバイスにおいて特性の悪化を抑制しつつ圧電基板を薄板化することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。【０００８】
本発明の圧電デバイスの製造方法は、
（ａ）圧電基板と支持基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記圧電基板と前記支持基板とを接着層を介して接合して複合基板とする工程と、（ｃ）前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面を研磨して該圧電基板を薄くする工程と、
（ｄ）前記複合基板をダイシングするか、又は前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面から前記複合基板をハーフダイシングすることで、該圧電基板を圧電デバイス用の大きさに分割する工程と、
（ｅ）前記ダイシング又は前記ハーフダイシングを行ったあとの前記複合基板を溶媒に浸漬することで、前記接着層を該溶媒により除去して前記圧電基板を前記支持基板から剥離する工程と、
（ｆ）前記支持基板から剥離された圧電基板を用いて圧電デバイスを得る工程と、
を含むものである。【０００９】
本発明の圧電デバイスは、上述した本発明の圧電デバイスの製造方法により製造された圧電デバイスである。【００１０】
本発明の圧電自立基板は、厚さが０．２μｍ以上５μｍ以下、縦横長さが０．１ｍｍ×０．１ｍｍ以上、ＴＴＶ（Total Thickness Variation）が０．１μｍ以下である、ものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の圧電デバイスの製造方法では、まず用意した圧電基板と支持基板とを接着層を介して接合して複合基板とし、圧電基板のうち支持基板との接合面とは反対側の面を研磨して圧電基板を薄くする。このように、支持基板と接合した状態で圧電基板を研磨することから、研磨時の圧電基板の割れなどを抑制して圧電基板をより薄板化することができる。続いて、複合基板をダイシングするか、又は圧電基板のうち支持基板との接合面とは反対側の面から複合基板をハーフダイシングすることで、圧電基板を圧電デバイス用の大きさに分割する。そして、複合基板を溶媒に浸漬することで、接着層を溶媒により除去して圧電基板を支持基板から剥離し、剥離された圧電基板を用いて圧電デバイスを得る。このように、ダイシング又はハーフダイシングにより、接着層の露出面積を増やすから、その後に複合基板を溶剤に浸漬したときに、溶剤が接着層を効率よく除去することができる。また、圧電基板はダイシング又はハーフダイシングによりあらかじめ圧電デバイス用の大きさに分割されているため、接着層を除去して支持基板から剥離することで、剥離後の圧電基板をそのまま圧電デバイスに用いることができる。これにより、剥離後に圧電基板単体をダイシングする場合と比べて、剥離後の圧電基板が薄い場合でも、圧電基板に割れなどが生じにくくなる。このような製造方法により、図６の周辺部９２ａのような厚い部分を有することなく、より薄板化した圧電デバイス用の圧電自立基板を得ることができる。その結果、本発明の圧電デバイスの製造方法で製造された圧電デバイスは、例えば周辺部９２ａが存在することによる特性の悪化を抑制しつつ、高感度化することができる。なお、圧電自立基板とは、支持基板などにより支持されていない圧電基板を意味する。【００１２】
また、本発明の圧電自立基板は、厚さが０．２μｍ以上５μｍ以下、縦横長さが０．１ｍｍ×０．１ｍｍ以上、ＴＴＶが０．１μｍ以下である。このような圧電自立基板は、周辺部９２ａのような厚い部分を有することなく、より薄板化されているため、これを用いることで特性の悪化を抑制しつつ、薄板化（高感度化）した圧電デバイスを得ることができる。本発明の圧電自立基板は、上述した本発明の圧電デバイスの製造方法の工程（ａ）〜（ｅ）により初めて得ることができた。また、圧電自立基板の厚さが５μｍ以下であるとは、圧電自立基板の厚さが５μｍを超える部分が存在しない（例えば、図６の周辺部９２ａのように、一部でも厚さ５μｍを超える部分が圧電自立基板に存在しない）ことを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態の圧電デバイス１０を模式的に示す断面図である。
【図２】圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す斜視図である。
【図３】圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４】変形例の圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】変形例の圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図６】従来の構成の水晶振動子９０の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態の圧電デバイス１０を模式的に示す断面図である。この圧電デバイス１０は、圧電基板１２と、圧電基板１２の第１面（図１の上面）に形成された第１電極１４と、圧電基板１２の第２面（図１の下面）に形成された第２電極１５と、を備えている。この圧電デバイス１０は、本実施形態では、ＱＣＭセンサーであるものとしたが、他にも弾性波デバイスなど、どのような圧電デバイスとして構成してもよい。
【００１５】
圧電基板１２は、圧電体からなる基板である。この圧電基板１２の材質としては、例えばタンタル酸リチウム（ＬＴ）、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、水晶、ホウ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、ランガサイト（ＬＧＳ）、ランガテイト（ＬＧＴ）などが挙げられる。圧電基板１２は、単結晶基板であることが好ましい。圧電基板１２が単結晶基板であることで、圧電デバイスとしてのＱ値を高くすることができる。本実施形態では、圧電デバイス１０がＱＣＭセンサーであるため、圧電基板１２の材質は水晶とした。なお、例えば圧電デバイス１０を弾性波デバイスとして構成する場合には、ＬＴ又はＬＮが好ましい。ＬＴやＬＮは、弾性表面波の伝搬速度が速く、電気機械結合係数が大きいため、高周波数且つ広帯域周波数用の弾性波デバイスとして適しているからである。この圧電基板１２は、特にこれに限定するものではないが、縦横長さが例えば０．１ｍｍ×０．１ｍｍ以上である。なお、圧電基板１２の縦横長さは例えば１ｍｍ×１ｍｍ以上，２ｍｍ×２ｍｍ以上としてもよいし、１０ｍｍ×１０ｍｍ以下，８ｍｍ×８ｍｍ以下，５ｍｍ×５ｍｍ以下，としてもよい。ダイシングやハーフダイシングにより圧電基板１２を得る際には、エッジ部分にチッピングが発生する場合がある。圧電基板１２のチップサイズが小さくなりすぎるとチッピングの影響が大きくなるため、圧電基板１２の縦横長さは１ｍｍ×１ｍｍ以上が望ましい。また圧電デバイス１０の小型化の観点からは、圧電基板１２の縦横長さは５ｍｍ×５ｍｍ以下が望ましい。圧電基板１２の厚さは、０．２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。なお、圧電基板１２の厚さが５μｍ以下であるとは、圧電基板の厚さが５μｍを超える部分が存在しないことを意味する。圧電基板１２の厚さが小さいほど圧電デバイス１０を高感度化（例えばＳ／Ｎ比を向上）することができる。圧電基板１２の厚さは４μｍ以下とすることがより好ましく、３μｍ以下とすることがさらに好ましい。また、圧電基板１２の厚さを０．２μｍ以上とすることで、圧電基板１２を自立しやすくすることができる。圧電基板１２のＴＴＶ（Total Thickness Variation）は、０．１μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以下であることがより好ましい。圧電基板１２の第１面及び第２面（図１の上下面）は平坦なほどＱ値の悪化やスプリアスの発生を抑制することができるため好ましい。例えば、圧電基板１２の第１面及び第２面（表裏両面）の算術平均粗さＲａは１ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以下とすることがより好ましく、０．１ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。なお、圧電基板１２は、圧電基板１２の第１面及び電極１４の表面を覆う樹脂製の破損防止膜を備えていてもよい。ただし、破損防止膜すなわち補強材を備えると圧電デバイスとしてのＱ値が悪化しやすいため、破損防止膜を備えない態様とすることが好ましい。同様に、圧電基板１２は支持基板などにより支持されていないことが好ましい。圧電基板１２を、破損防止膜や支持基板などを備えない圧電自立基板とすることにより、圧電デバイスとしてのＱ値の悪化を抑制できる。
【００１６】
電極１４，１５は、ＱＣＭセンサーの電極であり、例えば図１の上下方向から圧電基板１２を見たときに円形となる形状に形成されている。電極１４，１５は、圧電基板１２を挟んで図１の上下方向に対向しており、電極１４，１５間に交流電界が印加されることで、所定の周波数の振動が励起される。また、電極１４，１５の一方の表面に物質が付着して質量が変化することで振動の周波数が変化する。そのため、圧電デバイス１０は、この周波数の変化に基づいて所定の物質の有無や量を検出可能なＱＣＭセンサーとして機能する。ＱＣＭセンサーは、例えばバイオセンサーとして用いたり、成膜装置における膜厚を測定するセンサーとして用いることができる。なお、バイオセンサーとして用いる場合には、電極１４，１５の少なくとも一方の表面に、検出対象の物質を捕獲しやすくするための感応膜を形成する。また、電極１４，１５には、圧電基板１２の第１面，第２面にそれぞれ形成された図示しないリード線が接続されていてもよい。また、１つの圧電基板１２に電極１４，１５がそれぞれ複数形成されていてもよい。
【００１７】
なお、電極１４，１５の有無や形状は圧電デバイス１０の用途に応じて適宜選択することができる。例えば、圧電デバイス１０を弾性波デバイスとして構成する場合には、電極１４，１５を備えないものとし、電極１４の代わりに圧電基板１２の第１面にＩＤＴ電極（櫛形電極、すだれ状電極ともいう）と反射電極とを形成してもよい。
【００１８】
次に、こうした圧電デバイス１０を製造する方法について、図２，３を用いて以下に説明する。図２は、圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す斜視図である。図３は、圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００１９】
まず、圧電基板２２と支持基板２７とを用意する工程（ａ）を行い（図２（ａ），図３（ａ））、接着層２６を介して圧電基板２２と支持基板２７とを接合して複合基板２０とする工程（ｂ）を行う（図２（ｂ），図３（ｂ））。圧電基板２２は、圧電デバイス１０の製造工程を経て上述した圧電基板１２となるものである。圧電基板２２の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが５０〜５００μｍである。支持基板２７は、後述する圧電基板２２の研磨時などに圧電基板１２を支持する基板である。支持基板２７の材質としては、例えば、水晶，ＬＴ，ＬＮ，シリコン，ホウ珪酸ガラスや石英ガラスなどのガラス，窒化アルミニウムやアルミナなどのセラミックスなどが挙げられる。支持基板２７の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１００〜６００μｍである。接着層２６としては、例えば後述する圧電基板２２の研磨などの加工負荷に耐えうる接着強度があり、後述する溶媒を用いて除去可能な材質の接着剤を用いることができる。接着層２６は、例えば有機接着剤からなるものである。接着層２６の材質としては、エポキシ，アクリル，ポリイミドなどが挙げられる。
【００２０】
なお、工程（ａ）で用意する圧電基板２２は、工程（ｂ）における支持基板２７との接合面となる面（図３の下面）が鏡面研磨されていることが好ましい。こうすることで、上述したように圧電デバイス１０におけるＱ値の悪化やスプリアスの発生を抑制することができる。具体的には、圧電基板２２のうち支持基板２７との接合面となる面の算術平均粗さＲａが鏡面研磨により１ｎｍ以下となっていることが好ましく、０．５ｎｍ以下となっていることがより好ましく、０．１ｎｍ以下となっていることがさらに好ましい。なお、工程（ａ）において、用意した圧電基板２２のうち工程（ｂ）における支持基板２７との接合面となる面（図３の下面）を鏡面研磨してもよい。
【００２１】
続いて、圧電基板２２のうち支持基板２７との接合面とは反対側の面を研磨して圧電基板２２を薄くする工程（ｃ）を行う（図２（ｃ），図３（ｃ））。圧電基板２２を薄くするほど、上述したように製造後の圧電デバイス１０を高感度化（例えばＳ／Ｎ比を向上）することができる。具体的には、圧電基板２２の厚さが０．２μｍ〜５μｍとなるまで研磨を行うことが好ましい。また、厚さを４μｍ以下とすることがより好ましく、３μｍ以下とすることがさらに好ましい。研磨後の圧電基板２２は、ＬＴＶ（Local Thickness Variation）が、平均値で０．１μｍ以下となっていることが好ましく、０．０５μｍ以下となっていることがより好ましい。ここで、研磨後の圧電基板２２のＬＴＶは、圧電基板２２のうち製造する圧電デバイス１０の圧電基板１２の大きさ（チップサイズ）の各領域で測定するものとする。そして、測定した複数のＬＴＶの平均値を、圧電基板２２のＬＴＶの平均値とする。また、算術平均粗さＲａ値が上述した圧電基板２２の接合面となる面と同様の数値範囲を満たすように、工程（ｃ）では圧電基板のうち支持基板２７との接合面とは反対側の面（図３の上面）を鏡面研磨することが好ましい。
【００２２】
次に、圧電基板２２のうち支持基板２７との接合面とは反対側の面から複合基板２０をハーフダイシングすることで、圧電基板２２を圧電デバイス用の大きさに分割する溝２８を形成し接着層２６を溝２８内に露出させる工程（ｄ）を行う（図２（ｄ），図３（ｄ））。溝２８は、例えば図２（ｄ）に示すように略直交する２方向にそれぞれ複数形成する。平行な溝２８同士の間隔は、製造する圧電デバイス１０のチップサイズに応じて適宜定める（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下など。溝２８の幅（図３の左右方向長さ）は、後述する工程で用いる溶媒が溝２８内に侵入しやすいように適宜定める（例えば、数十μｍ〜百数十μｍなど）。溝２８は、複合基板２０をハーフダイシングすることで形成するものであり、複合基板２０のうち少なくとも圧電基板２２を厚さ方向に貫通する。これにより、接着層２６が溝２８内に露出することになる。なお、図３（ｄ）では、溝２８が圧電基板２２と接着層２６とを貫通して支持基板２７の一部を削っているが、圧電基板２２を貫通し且つ支持基板２７は削らない（支持基板２７までは溝２８が到達しない）ようにしてもよい。また、溝２８は支持基板２７を貫通しないように形成するため、圧電基板２２は溝２８によって略矩形状に分割されて複数のチップ（圧電基板１２）の状態となるが、各圧電基板１２が接着層２６によって支持基板２７と接合されることで複合基板２０の状態がほぼ保たれている。
【００２３】
工程（ｄ）のハーフダイシングを行うと、複合基板２０を溶媒に浸漬することで、接着層２６を溶媒により除去して圧電基板２２（複数の圧電基板１２）を支持基板２７から剥離する工程（ｅ）を行う（図２（ｅ），図３（ｅ），（ｆ））。複合基板２０を溶媒に浸漬すると、溝２８が形成されていることで、溶媒が溝２８内に侵入する。これにより、例えば接着層２６が複合基板２０の側面（図３の左右端面）でしか露出していない場合と比べて、接着層２６と溶媒との接触面積が大きくなるため、より短時間で接着層２６を除去することができる。接着層２６が除去されることで、圧電基板２２と支持基板２７とが分離して（図３（ｅ））、圧電基板２２（複数の圧電基板１２）を支持基板２７から剥離することができる（図３（ｆ））。これにより、圧電自立基板としての圧電基板１２を得ることができる。工程（ｅ）で用いる溶媒は、接着層２６を除去（溶解）することのできるものであればよい。また、溶媒は、圧電基板２２にダメージを与えないものを用いることが好ましい。溶媒としては、例えば水酸化カリウムなどのアルカリ溶液や、アセトンなどの有機溶剤を用いることができる。なお、より短時間で接着層２６を除去することができるため、アルカリ溶液を用いることが好ましい。また、より短時間で接着層２６を除去することができるため、工程（ｅ）において複合基板２０及び溶媒を加熱してもよい（例えば６０〜８０℃）。工程（ｅ）で得た圧電基板１２は、ＴＴＶや算術平均粗さＲａの値が、図１の圧電基板１２について上述した数値範囲を満たしていることが好ましい。
【００２４】
そして、支持基板２７から剥離された圧電基板１２を用いて多数の圧電デバイス１０を得る工程（ｆ）を行う（図２（ｆ），図３（ｇ））。本実施形態では、圧電デバイス１０がＱＣＭセンサーであるため、複数の圧電基板１２のそれぞれの第１面，第２面（図３（ｇ）の上下面）に上述した電極１４，１５をそれぞれ形成する。また、電極１４に接続されるリード線１４ａ（図２（ｆ）参照）や、電極１５に接続される図示しないリード線を形成する。電極１４，１５やリード線１４ａ等は、例えばフォトリソグラフィ技術を利用して形成してもよいし、物理蒸着法又は化学蒸着法により形成してもよい。以上の製造工程により、上述した圧電デバイス１０が多数得られる。
【００２５】
以上説明した本実施形態によれば、用意した圧電基板２２と支持基板２７とを接着層２６を介して接合して複合基板２０とし、圧電基板２２のうち支持基板２７との接合面とは反対側の面を研磨して圧電基板２２を薄くする。このように、支持基板２７と接合した状態で圧電基板２２を研磨することから、研磨時の圧電基板２２の割れなどを抑制して圧電基板２２をより薄板化することができる。続いて、圧電基板２２のうち支持基板２７との接合面とは反対側の面から複合基板２０をハーフダイシングすることで、圧電基板２２を圧電デバイス用の大きさに分割する溝２８を形成する。また、溝２８を形成することで接着層２６を溝２８内に露出させる。そして、複合基板２０を溶媒に浸漬することで、接着層２６を溶媒により除去して圧電基板２２を支持基板から剥離し、剥離された圧電基板２２（圧電基板１２）を用いて圧電デバイスを得る。このように、ハーフダイシングにより複数の溝２８を形成しておき、溝２８内に接着層２６を露出させて露出面積を増やすから、その後に複合基板２０を溶剤に浸漬したときに、溝２８に侵入した溶剤が接着層２６を効率よく除去することができる。また、圧電基板２２は溝２８によりあらかじめ圧電デバイス用の大きさに分割されているため、接着層２６を除去して支持基板２７から剥離することで、剥離後の圧電基板１２をそのまま圧電デバイスに用いることができる。これにより、剥離後に圧電基板１２単体をダイシングする場合と比べて、剥離後の圧電基板１２が薄い場合でも、圧電基板１２に割れなどが生じにくくなる。そして、このような製造方法により、例えば図６の周辺部９２ａのような厚い部分を有することなく、より薄板化した圧電デバイス用の圧電自立基板である圧電基板１２を得ることができる。その結果、この圧電基板１２を用いて得られた圧電デバイス１０は、例えば周辺部９２ａが存在することによる特性の悪化を抑制しつつ、高感度化することができる。
【００２６】
また、工程（ａ）で用意する圧電基板２２を、工程（ｂ）における支持基板２７との接合面となる面（図３の下面）が鏡面研磨されているものとするか、又は用意した圧電基板２２のうち工程（ｂ）における支持基板２７との接合面となる面を鏡面研磨することで、圧電デバイス１０におけるＱ値の悪化やスプリアスの発生を抑制することができる。なお、図６の水晶振動子９０のように、エッチングにより孔９２ｂを形成して水晶板９２の中央部の厚さを薄くする場合、エッチングにより底面９２ｃの表面が比較的粗くなりやすい。また、周辺部９２ａが存在する構造上、エッチング後に底面９２ｃを鏡面研磨することは難しい。本実施形態の圧電デバイスの製造方法では、圧電基板２２の第２面（図３の下面）は接着層２６による接合や接着層２６の除去を行うだけであるため、予め鏡面研磨しておくことができる。
【００２７】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【００２８】
例えば、上述した実施形態では、工程（ｄ）においてハーフダイシングにより溝２８を形成するものとしたが、複合基板２０をダイシングしてもよい。図４は、この場合の変形例の圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｃ），（ｆ），（ｇ）（すなわち工程（ｄ），（ｅ）以外）は図３と同じであるため、詳細な説明を省略する。図４（ｄ）に示すように、変形例の圧電デバイス１０の製造方法では、工程（ｄ）において、複合基板２０をハーフダイシングすることにより溝２８を形成する代わりに、複合基板２０をダイシングして分割する。すなわち、上述した実施形態では、支持基板２７は貫通しないように溝２８を形成したが、図４に示す変形例の製造工程では、溝２８が支持基板２７も貫通するようにして、圧電基板２２だけでなく複合基板２０全体を複数に分割する。これにより、圧電基板２２，接着層２６，支持基板２７はそれぞれダイシングにより分割されて圧電基板１２，接着層１６，支持基板１７となり、複合基板２０は圧電基板１２，接着層１６，支持基板１７からなる複数の複合基板２０ａに分割される。ダイシングによる分割後の複合基板２０ａ（圧電基板１２）の大きさは、上述した実施形態と同様に、製造する圧電デバイス１０のチップサイズに応じて適宜定める。そして、工程（ｄ）を行うと、上述した実施形態と同様に工程（ｅ）において分割後の複数の複合基板２０ａを溶媒に浸漬し、接着層１６を除去して圧電基板１２を支持基板１７から剥離する（図５（ｅ），（ｆ））。このように、変形例の圧電デバイス１０の製造工程では、工程（ｄ）で複合基板２０をダイシングすることによって、ダイシング前の接着層２６と比べてダイシング後の接着層１６の露出面積を増やすことができる。そのため、工程（ｅ）における接着層１６と溶媒との接触面積がより大きくなり、工程（ｅ）において接着層１６をより短時間で除去することができる。また、圧電基板２２をダイシングによりあらかじめ圧電デバイス用の大きさの圧電基板１２に分割しておくため、接着層１６を除去して支持基板１７から剥離することで、剥離後の圧電基板１２をそのまま圧電デバイスに用いることができる。なお、工程（ｄ）において、複合基板２０のダイシングは、圧電基板側から行ってもよいし、支持基板側から行ってもよい。ただし、圧電基板側から行うことが好ましい。
【００２９】
上述した実施形態では、工程（ｄ）において溝２８を形成するものとしたが、これに加えて、支持基板２７のうち圧電基板２２の接合面とは反対側の面から支持基板２７に孔２９を形成して孔２９内に接着層２６を露出させてもよい。図５は、この場合の変形例の圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図５（ａ）〜（ｃ），（ｆ），（ｇ）（すなわち工程（ｄ），（ｅ）以外）は図３と同じであるため、詳細な説明を省略する。図５（ｄ）に示すように、変形例の圧電デバイス１０の製造方法では、工程（ｄ）において、支持基板２７の下面から支持基板２７に孔２９を形成して、孔２９内に接着層２６を露出させる。孔２９は、溝２８と同様にハーフダイシングにより形成してもよいし、エッチングなど他の方法で形成してもよい。また、孔２９の形成と溝２８の形成とは、いずれを先に行ってもよい。なお、図５（ｄ）では、孔２９が支持基板２７を貫通して接着層２６の一部を削っている。孔２９は、圧電基板２２を削らない（圧電基板２２までは孔２９が到達しない）ように形成する。そして、工程（ｄ）を行うと、上述した実施形態と同様に工程（ｅ）において複合基板２０を溶媒に浸漬して圧電基板２２（複数の圧電基板１２）を支持基板２７から剥離する（図５（ｅ），（ｆ））。このように、圧電基板２２側からの溝２８だけでなく支持基板２７側からの孔２９も形成することで、工程（ｅ）における接着層２６と溶媒との接触面積がより大きくなる。そのため、工程（ｅ）において接着層２６をより短時間で除去することができる。なお、孔２９は、支持基板２７に設けるものであるため、溝２８と異なり、圧電デバイス１０のチップサイズ等と関係なく、任意の大きさや数で形成することができる。例えば、図５における溝２８の真下に位置するように孔２９を形成してもよいし、このとき孔２９と溝２８とを連通させてもよい。さらに、孔２９と溝２８とで複合基板２０を分割するように、孔２９を形成してもよい。すなわち、図４（ｄ）を用いて説明した変形例の工程（ｄ）のように、複合基板２０が複数の複合基板２０ａに分割されるように、溝２８に連通する孔２９を形成してもよい。あるいは、溝２８で分割された圧電基板２２（１つの圧電基板１２）の図５における真下の領域の支持基板２７を全て除去して孔２９としてもよい。このような孔２９を形成すると、孔２９の直上の圧電基板１２（及び接着層２６の一部）が複合基板２０から分離するが、分離した圧電基板１２についても工程（ｅ）において溶媒に浸漬すれば、接着層２６を除去して圧電デバイス１０に用いることができる。なお、図４を用いて説明した変形例の圧電デバイス１０の製造工程においても、工程（ｄ）において圧電基板をダイシングする前後で、孔２９を形成して孔２９内に接着層１６を露出させてもよい。ダイシング後の複合基板２０ａに孔２９が形成されているようにすることで、接着層１６の露出面積を増やすことができる。
【００３０】
上述した実施形態において、工程（ａ）では、支持基板２７として、工程（ｅ）において支持基板２７のうち圧電基板２２との接合面とその反対側の面との間で溶媒が流通可能な多孔質体からなる支持基板２７を用意してもよい。こうすれば、工程（ｅ）において溶媒が支持基板２７内の気孔を通過して接着層２６に到達することができるため、工程（ｅ）における接着層２６と溶媒との接触面積がより大きくなる。そのため、工程（ｅ）において接着層２６をより短時間で除去することができる。このような多孔質体は、例えば基材と、焼成により燃焼する材料からなる造孔材と、を混合，成形して焼成することで製造することができる。基材としては、例えば窒化アルミニウムやアルミナなどの各種のセラミックス原料粉末を用いることができる。造孔材としては、例えば澱粉、コークス、発泡樹脂などを用いることができる。
【００３１】
上述した実施形態では、工程（ｆ）において圧電基板１２に電極１４，１５を形成するものとしたが、電極を形成する時期はこれに限られない。例えば、圧電基板１２の第１面側の電極については、工程（ｃ）の後の任意のタイミングで形成してもよい。具体的には、工程（ｄ）において溝２８の形成前や形成後に圧電基板１２の第１面側の電極を形成してもよい。また、圧電基板１２の第２面側の電極については、工程（ａ）で予め電極が形成された圧電基板２２を用意してもよいし、工程（ａ）で用意した圧電基板２２に電極を形成し、その後工程（ｂ）の接合を行ってもよい。
【００３２】
上述した実施形態では、圧電デバイス１０は電極を有するものとしたが、電極を備えない態様の圧電デバイスとしてもよい。例えば、無線無電極のＱＣＭセンサーとしてもよい。このような態様の圧電デバイスは、例えば特開２００８−２６０９９号公報に記載されている。
【実施例】
【００３３】
［実施例１］
工程（ａ）では、圧電基板２２として、ＡＴカットの水晶板（直径４インチ、厚さ３５０μｍ）を用意した。支持基板２７として、Ｓｉ基板（直径４インチ、厚さ２３０μｍ）を用意した。なお、水晶板は、支持基板２７と接合する側の面の算術平均粗さＲａが０．１ｎｍのものを用意した。工程（ｂ）では、まず、Ｓｉ基板の表面にアクリル樹脂をスピンコーター（回転数：１５００ｒｐｍ）で膜厚５０００Åとなるように塗布した。そして、アクリル樹脂を介してＳｉ基板に水晶板を接合し、１５０℃のオーブンで樹脂を硬化させて接着層２６として、複合基板２０とした。【００３４】
樹脂の硬化後、工程（ｃ）では、水晶板のうちＳｉ基板との接合面とは反対側の面をグラインダーで研削し、水晶板の厚さを１５μｍとした。更に、ダイヤスラリー（粒径１μｍ）を用いて、水晶板厚さが５μｍとなるまでラップ研磨をした。ラップ研磨後、コロイダルシリカを用いて水晶板厚さが３μｍとなるまで研磨した。このときの水晶板の表面粗さをＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）で測定したところ（測定範囲１０μｍ×１０μｍ）、算術平均粗さＲａ＝０．１ｎｍであった。また、斜入射干渉法を用いた平面度測定機により、縦２ｍｍ×横２ｍｍの領域のＬＴＶ（Local Thickness Variation）を測定したところ、ＬＴＶは平均値で０．０５μｍであった。このときのＰＬＴＶ（Percent Local Thickness Variation）は、合格基準値を０．１μｍとして、これを満たすものが９１．６％であった。水晶板の膜厚を、非接触の光学式膜厚測定器で測定したところ、膜厚分布は、直径４インチ内で、±３０ｎｍであった。【００３５】
水晶板の研磨後、工程（ｄ）では、ダイサーで、幅１００μｍ、深さ５μｍの溝２８を形成した。なお、溝２８のピッチは２ｍｍとした。溝２８の形成後、工程（ｅ）では、複合基板２０を濃度が２５質量％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液に３０分浸漬させ、接着層２６を除去して、支持基板２７から縦２ｍｍ×横２ｍｍ、厚み３μｍの水晶単板（圧電基板１２）を剥離して取り出した。剥離後、複数の水晶単板の両面の表面粗さを測定した所、いずれも算術平均粗さＲａは約０．１ｎｍであった。なお、この算術平均粗さＲａの値は、複合基板２０を溶剤（水酸化カリウム溶液）に浸漬する前の値（上述）とほぼ同じであった。また、複数の水晶単板（圧電基板１２）のＴＴＶ（Total Thickness Variation）を測定したところ、複数の水晶単板のうちＴＴＶが０．１μｍ（合格基準値）以下であるものが９０．０％であった。すなわち、複合基板２０を溶剤に浸漬する前のＬＴＶの値（上述）とほぼ同じ結果であった。これらの算術平均粗さＲａやＴＴＶの値から、複合基板２０をこの溶剤に浸漬して接着層２６を除去しても、水晶単板の両面にダメージはなかったと考えられる。その後、工程（ｆ）では、水晶単板の両面にＡｕ／Ｃｒ電極を成膜し、一方の電極表面に感応膜を形成して、バイオセンサーとしてのＱＣＭセンサー（圧電デバイス１０）を作製した。【００３６】
［実施例２］
工程（ａ）では、圧電基板２２として、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ（ＬｉＴａＯ3）基板（直径４インチ、厚さ２５０μｍ）を用意した。支持基板２７として、Ｓｉ基板（直径４インチ、厚さ２３０μｍ）を用意した。なお、ＬＴ基板は、支持基板２７と接合する側の面の算術平均粗さＲａが０．１ｎｍのものを用意した。工程（ｂ）では、まず、Ｓｉ基板の表面にエポキシ樹脂をスピンコーター（回転数：１０００ｒｐｍ）で膜厚１μｍとなるように塗布した。そして、エポキシ樹脂を介してＳｉ基板にＬＴ基板を接合し、１５０℃のオーブンで樹脂を硬化させて接着層２６として、複合基板２０とした。【００３７】
樹脂の硬化後、工程（ｃ）では、ＬＴ基板のうちＳｉ基板との接合面とは反対側の面をグラインダーで研削し、ＬＴ基板の厚さを５μｍとした。更に、ダイヤスラリー（粒径１μｍ）を用いて、ＬＴ基板厚さが２μｍとなるまでラップ研磨をした。ラップ研磨後、コロイダルシリカを用いてＬＴ基板厚さが０．２μｍとなるまで研磨した。このときのＬＴ基板の表面粗さをＡＦＭで測定したところ（測定範囲１０μｍ×１０μｍ）、算術平均粗さＲａ＝０．１ｎｍであった。また、斜入射干渉法を用いた平面度測定機により、縦２ｍｍ×横２ｍｍの領域のＬＴＶ（Local Thickness Variation）を測定したところ、ＬＴＶは平均値で０．１μｍであった。このときのＰＬＴＶ（Percent Local Thickness Variation）は、合格基準値を０．１μｍとして、これを満たすものが８０％であった。ＬＴ基板の膜厚を、非接触の光学式膜厚測定器で測定したところ、膜厚分布は、直径４インチ内で、±4０ｎｍであった。【００３８】
ＬＴ基板の研磨後、実施例１の工程（ｄ），工程（ｅ）と同様の工程を行って、支持基板２７から縦２ｍｍ×横２ｍｍ、厚み０．２μｍのＬＴ基板（圧電基板１２）を剥離して取り出した。工程（ｅ）の後の複数のＬＴ基板（圧電基板１２）の算術平均粗さＲａはいずれも約０．１ｎｍであった。また、複数のＬＴ基板のＴＴＶを測定したところ、複数のＬＴ基板のうちＴＴＶが０．１μｍ（合格基準値）以下であるものが８０％であった。すなわち、工程（ｅ）後のＬＴ基板の算術平均粗さＲａやＴＴＶの値は、複合基板２０を溶剤に浸漬する前の算術平均粗さＲａやＬＴＶの値（上述）とほぼ同じであった。その後、工程（ｆ）では、ＬＴ基板の第１面にＩＤＴ電極及び反射電極を成膜し、１ポートＳＡＷ共振子（圧電デバイス１０）を作製した。【００３９】
［比較例１］
実施例１の工程（ａ）で用意したものと同じ水晶板を用意し、この水晶板単体をワックスで定盤に固定した。そして、この状態で実施例１の工程（ｃ）と同様の方法で水晶板の研磨を行って、水晶板の厚さを１０μｍとした。その後、ワックスを熱で溶かすために８０℃まで加熱して水晶板を定盤から剥離したところ、剥離時に加えられた力により水晶板に割れが生じた。【００４０】
このように、実施例１，２の製造工程では割れが生じることなくそれぞれ厚さ３μｍ，０．２μｍの圧電自立基板を得ることができ、これを用いた圧電デバイスを作製できたのに対し、比較例１では厚さ１０μｍであっても圧電基板に割れが生じた。実施例１，２の製造方法では、支持基板と接合した状態で圧電基板の研磨及び分割を行い、その後溶媒により接着層２６を除去して支持基板から圧電基板を剥離していることにより、圧電基板の割れなどを抑制して圧電基板をより薄板化できていると考えられる。【００４１】
本出願は、２０１３年５月２１日に出願された日本国特許出願第２０１３−１０７２２５号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、ＱＣＭセンサーなどの水晶振動子や、弾性波デバイスなどの圧電デバイスの技術分野に利用可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  圧電デバイス、１２  圧電基板、１４，１５  電極、１６  接着層、１７  支持基板、１４ａ  リード線、２０，２０ａ  複合基板、２２  圧電基板、２６  接着層、２７  支持基板、２８  溝、２９  孔、９０  水晶振動子、９２  水晶板、９２ａ  周辺部、９２ｂ  孔、９２ｃ  底面、９４，９５  電極、９６  破損防止膜。
【図１】
2014188842.tif 000003
【図２】
2014188842.tif 000004
【図３】
2014188842.tif 000005
【図４】
2014188842.tif 000006
【図５】
2014188842.tif 000007
【図６】
2014188842.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）圧電基板と支持基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記圧電基板と前記支持基板とを接着層を介して接合して複合基板とする工程と、（ｃ）前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面を研磨して該圧電基板を薄くする工程と、
（ｄ）前記複合基板をダイシングするか、又は前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面から前記複合基板をハーフダイシングすることで、該圧電基板を圧電デバイス用の大きさに分割する工程と、
（ｅ）前記ダイシング又は前記ハーフダイシングを行ったあとの前記複合基板を溶媒に浸漬することで、前記接着層を該溶媒により除去して前記圧電基板を前記支持基板から剥離する工程と、
（ｆ）前記支持基板から剥離された圧電基板を用いて圧電デバイスを得る工程と、
を含む圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｄ）では、前記圧電基板のうち前記支持基板との接合面とは反対側の面から前記複合基板をハーフダイシングすることで、該圧電基板を圧電デバイス用の大きさに分割する溝を形成し前記接着層を該溝内に露出させ、
前記工程（ｅ）では、前記ハーフダイシングを行ったあとの前記複合基板を溶媒に浸漬することで、前記接着層を該溶媒により除去して前記圧電基板を前記支持基板から剥離する、
請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）では、前記圧電基板の厚さが０．２μｍ〜５μｍとなるまで研磨を行う、
請求項１又は２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｄ）では、前記支持基板のうち前記圧電基板の接合面とは反対側の面から該支持基板に孔を形成して該孔内に前記接着層を露出させる、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記工程（ａ）では、前記支持基板として、前記工程（ｅ）において該支持基板のうち前記圧電基板との接合面と該接合面とは反対側の面との間で前記溶媒が流通可能な多孔質体からなる支持基板を用意する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ａ）では、前記工程（ｂ）における前記支持基板との接合面となる面が鏡面研磨されている前記圧電基板を用意するか、又は用意した圧電基板のうち工程（ｂ）における支持基板との接合面となる面を鏡面研磨する、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項７】
厚さが０．２μｍ以上５μｍ以下、縦横長さが０．１ｍｍ×０．１ｍｍ以上、ＴＴＶ（Total Thickness Variation）が０．１μｍ以下である、圧電自立基板。
【請求項８】
表裏両面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である、
請求項７に記載の圧電自立基板。
【請求項９】
単結晶基板である、
請求項７又は８に記載の圧電自立基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図６は、特許文献１に記載された水晶振動子の概略断面図である。この水晶振動子９０は、水晶板９２と、水晶板９２の表裏にそれぞれ形成された電極９４，９５と、水晶板９２の上面及び電極９４の表面を覆う樹脂製の破損防止膜９６と、を備えている。この水晶振動子９０では、水晶板９２の下面側に周辺部９２ａを残して孔９２ｂをエッチングにより形成している。そして、電極９５は、この孔９２ｂの底面９２ｃに形成されている。こうすることで、水晶振動子９０では、周辺部９２ａにより水晶板９２の強度を保ちつつ、水晶板９２の中央部の厚さ（＝電極９４，９５間の距離）を薄くして、検出感度を高めることができるとしている。また、破損防止膜９６を備えることにより、水晶振動子９０の運搬中や使用中などの破損を防止できるとしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
まず、圧電基板２２と支持基板２７とを用意する工程（ａ）を行い（図２（ａ），図３（ａ））、接着層２６を介して圧電基板２２と支持基板２７とを接合して複合基板２０とする工程（ｂ）を行う（図２（ｂ），図３（ｂ））。圧電基板２２は、圧電デバイス１０の製造工程を経て上述した圧電基板１２となるものである。圧電基板２２の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが５０〜５００μｍである。支持基板２７は、後述する圧電基板２２の研磨時などに圧電基板２２を支持する基板である。支持基板２７の材質としては、例えば、水晶，ＬＴ，ＬＮ，シリコン，ホウ珪酸ガラスや石英ガラスなどのガラス，窒化アルミニウムやアルミナなどのセラミックスなどが挙げられる。支持基板２７の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１００〜６００μｍである。接着層２６としては、例えば後述する圧電基板２２の研磨などの加工負荷に耐えうる接着強度があり、後述する溶媒を用いて除去可能な材質の接着剤を用いることができる。接着層２６は、例えば有機接着剤からなるものである。接着層２６の材質としては、エポキシ，アクリル，ポリイミドなどが挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
例えば、上述した実施形態では、工程（ｄ）においてハーフダイシングにより溝２８を形成するものとしたが、複合基板２０をダイシングしてもよい。図４は、この場合の変形例の圧電デバイス１０の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｃ），（ｆ），（ｇ）（すなわち工程（ｄ），（ｅ）以外）は図３と同じであるため、詳細な説明を省略する。図４（ｄ）に示すように、変形例の圧電デバイス１０の製造方法では、工程（ｄ）において、複合基板２０をハーフダイシングすることにより溝２８を形成する代わりに、複合基板２０をダイシングして分割する。すなわち、上述した実施形態では、支持基板２７は貫通しないように溝２８を形成したが、図４に示す変形例の製造工程では、溝２８が支持基板２７も貫通するようにして、圧電基板２２だけでなく複合基板２０全体を複数に分割する。これにより、圧電基板２２，接着層２６，支持基板２７はそれぞれダイシングにより分割されて圧電基板１２，接着層１６，支持基板１７となり、複合基板２０は圧電基板１２，接着層１６，支持基板１７からなる複数の複合基板２０ａに分割される。ダイシングによる分割後の複合基板２０ａ（圧電基板１２）の大きさは、上述した実施形態と同様に、製造する圧電デバイス１０のチップサイズに応じて適宜定める。そして、工程（ｄ）を行うと、上述した実施形態と同様に工程（ｅ）において分割後の複数の複合基板２０ａを溶媒に浸漬し、接着層１６を除去して圧電基板１２を支持基板１７から剥離する（図４（ｅ），（ｆ））。このように、変形例の圧電デバイス１０の製造工程では、工程（ｄ）で複合基板２０をダイシングすることによって、ダイシング前の接着層２６と比べてダイシング後の接着層１６の露出面積を増やすことができる。そのため、工程（ｅ）における接着層１６と溶媒との接触面積がより大きくなり、工程（ｅ）において接着層１６をより短時間で除去することができる。また、圧電基板２２をダイシングによりあらかじめ圧電デバイス用の大きさの圧電基板１２に分割しておくため、接着層１６を除去して支持基板１７から剥離することで、剥離後の圧電基板１２をそのまま圧電デバイスに用いることができる。なお、工程（ｄ）において、複合基板２０のダイシングは、圧電基板側から行ってもよいし、支持基板側から行ってもよい。ただし、圧電基板側から行うことが好ましい。
【国際調査報告】
2014188842.tif 000009
2014188842.tif 000010