(57)【要約】終端抵抗及びドライバ回路を配置したドライバにおいて、不要に配線を引き回すことなく、終端抵抗とドライバ回路間の距離を広げ、終端抵抗の発熱がドライバ回路に及ぼす影響を軽減することを課題とする。当該課題と解決する手段として、ドライバ回路（３）と、ドライバ回路（３）と電気的に接続された第１の端子（４０ａ）と、終端抵抗（５）と、終端抵抗（５）と電気的に接続された第２の端子（４０ｂ）と、が同一の基板上に配置されており、ドライバ回路（３）及び終端抵抗（５）は、基板上ではグランドのみを介して互いに電気的に接続され、ドライバ（２）が光変調器（１）と接続されると、光変調器（１）を介して互いに電気的に接続されるドライバ（２）を提供する。
2014129005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光変調器と接続され、前記光変調器を通過する光を変調するための電圧を前記光変調器に印加するドライバであって、
ドライバ回路と、前記ドライバ回路と電気的に接続された第１の端子と、終端抵抗と、前記終端抵抗と電気的に接続された第２の端子と、が同一の基板上に配置されており、
前記ドライバ回路及び前記終端抵抗は、前記基板上ではグランドのみを介して互いに電気的に接続され、前記ドライバが前記光変調器と接続されると、前記光変調器を介して互いに電気的に接続されるドライバ。
【請求項２】
請求項１に記載のドライバにおいて、
前記ドライバが前記光変調器と接続されると前記光変調器を介して互いに電気的に接続される前記ドライバ回路、前記第１の端子、前記終端抵抗、及び、前記第２の端子を含む組を複数組有するドライバ。
【請求項３】
請求項２に記載のドライバにおいて、
１つの前記組に含まれる前記終端抵抗は、複数の抵抗素子で構成されているドライバ。
【請求項４】
請求項３に記載のドライバにおいて、
１つの前記組に含まれる複数の前記抵抗素子は互いに直列に接続され、かつ、抵抗値が互いに異なるものが含まれており、
抵抗値が高い前記抵抗素子の方が、抵抗値が低い前記抵抗素子よりも前記ドライバ回路から離れた位置に配置されているドライバ。
【請求項５】
請求項３に記載のドライバにおいて、
１つの前記組に含まれる複数の前記抵抗素子は互いに並列に接続され、かつ、抵抗値が互いに異なるものが含まれており、
抵抗値が低い前記抵抗素子の方が、抵抗値が高い前記抵抗素子よりも前記ドライバ回路から離れた位置に配置されているドライバ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のドライバにおいて、
前記ドライバ回路と、前記終端抵抗との間に、遮熱構造が設けられているドライバ。
【請求項７】
請求項６に記載のドライバにおいて、
前記遮熱構造は、前記基板よりも熱伝導率が低い誘電体で満たされた溝であるドライバ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のドライバと、
前記ドライバと接続される光変調器と、
を有する光変調モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の光変調モジュールにおいて、
前記ドライバが有する第１の端子及び第２の端子の少なくとも一方は、インダクタを介して前記光変調器上の端子に接続される光変調モジュール。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の光変調モジュールにおいて、
前記ドライバが有する前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記光変調器上の同じ端子に接続される光変調モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライバ及び光変調モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
中・長距離系における光通信システムにおいては、高速化や大容量化がますます進んでいる。次世代の光通信方式として、光多値変調や光直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ：Orthogonal Frequency-Division Multiplexing）等の方式が提案されている。光多値変調方式は、光の振幅や位相を多値化することによって、周波数利用帯域を増やさずに情報量を増大させる方式である。一方、光ＯＦＤＭ方式は、電気信号によってＯＦＤＭ信号を生成して光変調し、光サブキャリア間を直交状態にして多重化する方式である。【０００３】
上述の方式を用い、多値化や多重化を行うと共にデータである電気デジタル信号を光アナログ信号波形に変換して送信する光送信装置には、一般的に、マッハツェンダー型干渉計（ＭＺＩ：Mach-Zehnder Interferometer）を構成する光変調器（以下、マッハツェンダー型変調器と記載する。）が用いられている。【０００４】
例えば、特許文献１には、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）材料で構成した光変調器（以下、ＬＮ変調器と記載する。）でマッハツェンダー型変調器を構成し、このＬＮ変調器の光導波路の一部に電圧を加えることによって光導波路の屈折率を変化させ、光の干渉を利用して光変調する光導波路デバイスが開示されている。【０００５】
一方、特許文献２には、リン化インジウム（ＩｎＰ）とヒ素リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＡｓＰ）系、または、ヒ素化ガリウム（ＧａＡｓ）とヒ素化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）系の半導体材料によって構成したマッハツェンダー型変調器が開示されている。半導体材料の電圧に対する屈折率変化が、ニオブ酸リチウムのそれに比べて数十倍以上大きい係数を持つことから、半導体材料を用いることにより、ＬＮ変調器と比較して、動作電圧を数分の一にすることができ、サイズを数十分の一以下にすることができる。【０００６】
また、半導体変調器としては、屈折率変化よりも吸収変化を大きくするようにもでき、電界吸収型光変調器と呼ばれるものがある。その場合には、マッハツェンダー型半導体光変調器よりさらにサイズを十分の一以下にすることができる。電界吸収型光変調器は、他の素子と集積されることが多い。たとえば特許文献３には、半導体レーザと集積した、電界吸収型光変調器集積レーザというデバイスも開示されている。【０００７】
前記のような光変調器は、電圧を印加することによって、その中を通過する光の振幅、強度、位相を変化させて、光変調を実現している。電圧を印加するために、通常は電気信号を増幅するアンプ回路を用い、一般にドライバと呼ばれている。ドライバ回路としては、必要な出力電圧振幅によって、ヒ素化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＣＭＯＳ回路（シリコン）が用いられる。【０００８】
その他、関連する技術が特許文献４に開示されている。特許文献４には、光源からのキャリア光を受けて変調された信号光を出力する光変調器の駆動回路を、光変調器の電極間に接続されて駆動電圧を生じさせる終端抵抗と、駆動信号を発生する駆動信号回路と、伝送線路と、伝送線路に生じる反射波を抑圧するための反射リジェクトとから構成される。すなわち、終端抵抗は駆動回路に配置されている。そして、この終端抵抗は、駆動回路上で、駆動信号回路と電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２３３０４７号公報
【特許文献２】特開平０８−１４６３６５号公報
【特許文献３】特開２００５−３３８６７８号公報
【特許文献４】特開平０９−１８１６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記のような光変調器を用いて高速な光通信を行うには、以下の課題がある。【００１１】
光変調器として光の変調速度を上げるためには、それを駆動するドライバと、駆動される光変調器とが、ともに、高周波域まで広帯域でなければならない。しかし、周波数に対する応答特性が広帯域までフラットな状態を維持できず、波打つ周波数応答特性となってしまうと、周波数帯域が狭くなってしまう。周波数応答をなるべくフラットにするための手段として、終端抵抗を用いて電気信号の反射を抑える手段がある。【００１２】
終端抵抗は、例えば図９に示すように、ドライバ２００ａと異なる基板２００ｂ上に配置することができる。図９に示される構成の場合、ドライバ２００ａは、ドライバ回路３００と、端子４００ａとを有する。光変調器１００は、端子６００、７００と、光導波路を有する光変調部８００とを有する。基板２００ｂは終端抵抗５００と端子４００ｂとを有する。端子４００ａと端子７００はワイヤ１４０ａで接続され、端子４００ｂと端子６００はワイヤ１４０ｂで接続されている。【００１３】
しかし、図９に示す構成の場合、ドライバ２００ａと終端抵抗５００を配置された基板２００ｂとを別々に設けているので、互いに接続した際に嵩張り、小型化の妨げになる等の問題が発生し得る。【００１４】
そこで、例えば図１０に示すように、ドライバ内に終端抵抗を配置する手段が考えられる。図１０に示される構成の場合、ドライバ２００は、ドライバ回路３００と、端子４００と、終端抵抗５００とを有する。光変調器１００は、端子６００、７００と、光変調部８００と、光変調部８００とグランドとの間に形成された容量（コンデンサー１２０）とを有する。端子４００と端子７００はワイヤ１４０で接続される。【００１５】
このように終端抵抗５００をドライバ２００内に配置した場合、ドライバ回路３００と終端抵抗５００の配置位置が近接してしまう。かかる場合、終端抵抗５００で生じる発熱によりドライバの駆動能力が悪影響を受け、出力電圧が低下してしまう等の問題が発生し得る。しかし、ドライバ回路３００と終端抵抗５００の配置位置を離すために無駄に配線を引き回すと、必要とする面積が大きくなり、小型化等の妨げとなる。上記特許文献１乃至４には、当該課題を解決する手段が開示されていない。【００１６】
本発明の目的は、終端抵抗及びドライバ回路を配置したドライバにおいて、不要に配線を引き回すことなく、終端抵抗とドライバ回路間の距離を広げ、終端抵抗の発熱がドライバ回路に及ぼす影響を軽減する技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明によれば、
光変調器と接続され、前記光変調器を通過する光を変調するための電圧を前記光変調器に印加するドライバであって、
ドライバ回路と、前記ドライバ回路と電気的に接続された第１の端子と、終端抵抗と、前記終端抵抗と電気的に接続された第２の端子と、が同一の基板上に配置されており、
前記ドライバ回路及び前記終端抵抗は、前記基板上ではグランドのみを介して互いに電気的に接続され、前記ドライバが前記光変調器と接続されると、前記光変調器を介して互いに電気的に接続されるドライバが提供される。【００１８】
また、本発明によれば、上記ドライバと、上記ドライバと接続される光変調器と、を有する光変調モジュールが提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、終端抵抗及びドライバ回路を配置したドライバにおいて、不要に配線を引き回すことなく、終端抵抗とドライバ回路間の距離を広げ、終端抵抗の発熱がドライバ回路に及ぼす影響を軽減する技術が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００２１】
【図１】本実施形態の光変調モジュールの構成の一例を示す図である。
【図２】図１の光変調モジュールの等価回路図である。
【図３】本実施形態の作用効果を説明するための図である。
【図４】本実施形態の作用効果を説明するための図である。
【図５】本実施形態の作用効果を説明するための図である。
【図６】本実施形態の光変調モジュールの構成の一例を示す図である。
【図７】本実施形態の光変調モジュールの構成の一例を示す図である。
【図８】図７の光変調モジュールの等価回路図である。
【図９】参考例の光変調モジュールの構成を示す図である。
【図１０】参考例の光変調モジュールの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、複数の図面に共通して現れる構成要素については共通の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００２３】
＜第１の実施形態＞
本実施形態のドライバは、光変調器と電気的に接続され、光変調器を通過する光を変調するための電圧（変調信号）を光変調器に印加する。光変調器の構成は従来技術に準じたあらゆる構成とすることができる。
【００２４】
本実施形態のドライバは、ドライバ回路と、当該ドライバ回路と電気的に接続された第１の端子と、終端抵抗と、当該終端抵抗と電気的に接続された第２の端子とを有する。ドライバ回路、第１の端子、終端抵抗、及び、第２の端子は、同一の基板上に配置されている。ドライバ回路、第１の端子、終端抵抗、及び、第２の端子の構成は、従来技術に準じたあらゆる構成とすることができる。
【００２５】
本実施形態のドライバ回路及び終端抵抗は、基板上ではグランドのみを介して互いに電気的に接続されている。そして、ドライバが光変調器と電気的に接続されると、光変調器を介して互いに電気的に接続される。
【００２６】
なお、本実施形態のドライバは、光変調器と電気的に接続されると当該光変調器を介して互いに電気的に接続されるドライバ回路、第１の端子、終端抵抗、及び、第２の端子を含む組を複数組有することができる。
【００２７】
このような本実施形態のドライバによれば、ドライバ回路及び第１の端子のペアと、終端抵抗及び第２の端子のペアを、基板上で十分な距離だけ離して設置することができる。すなわち、ドライバ回路と終端抵抗との基板上での距離を大きくすることができる。結果、終端抵抗による発熱の影響がドライバ回路に及ぶ不都合を軽減することができる。
【００２８】
なお、これらのペア同士は基板上ではグランドのみで電気的に接続されており、配線では電気的に接続されていないので、これらのペア間の距離を大きくしても、基板上で不要に配線が引き回されることはない。
【００２９】
以下、図面を用いて詳細に説明する。
【００３０】
本実施形態の光変調モジュール１０の構成図の一例を図１に示してある。光変調モジュール１０は、互いに並列に並べられた光変調器１とドライバ２とを有する。
【００３１】
光変調器１は、光導波路を有する光変調部４、当該光変調部４に電気的に接続された端子６、７を有する組が複数配置されている。図では３組が示されている。なお、いずれの組においても、光変調部４とグランドとの間に容量（コンデンサー１２）が形成されている。複数の組は電気的には互いに絶縁された状態となっている。光はこれらの組を順番に通過し（例：図中、左から右に向かって通過）、複数の組各々により個別に光の変調がなされる。
【００３２】
光変調器１は、ニオブ酸リチウムを用いることもできるし、燐化インジウム（ＩｎＰ）のような半導体を用いることもできる。また、光変調器１の構成は、電界吸収型光変調器、光位相変調器、マッハツェンダー型変調器といった、あらゆる光変調器を適用することができる。
【００３３】
ドライバ２の中には、ドライバ回路３、ドライバ回路３に電気的に接続された第１の端子４０ａ、終端抵抗５、終端抵抗５に電気的に接続された第２の端子４０ｂを有する組が複数配置されている。図では３組が示されている。当該組は、光変調器１が有する、光変調部４及び端子６、７を有する組と数、位置等が対応するように設けられている。ドライバ回路３及び第１の端子４０ａのペアと、終端抵抗５及び第２の端子４０ｂのペアとは、ドライバ２の基板上ではグランドのみを介して互いに電気的に接続されている。
【００３４】
ドライバ２の第１の端子４０ａはワイヤ１４ａを介して光変調器１の端子７と電気的に接続している。ドライバ２の第２の端子４０ｂはワイヤ１４ｂを介して光変調器１の端子７と電気的に接続している。なお、同じ組に含まれる第１の端子４０ａ及び第２の端子４０ｂは、同じ端子７と電気的に接続している。すなわち、同じ組に含まれるドライバ回路３と終端抵抗５は、ワイヤ１４ａ、ワイヤ１４ｂ及び光変調器１（端子７）を介して、互いに電気的に接続している。
【００３５】
ドライバ回路３の構成は特段制限されず、あらゆる従来技術を適用できるが、例えば、入力された電気信号に応じた電圧を光変調器１に印加するために、電気信号を増幅するアンプ回路を用いることができる。ドライバ回路としては、必要な出力電圧振幅によって、ヒ素化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＣＭＯＳ回路（シリコン）が用いられる。
【００３６】
ところで、ワイヤ１４ａ及び１４ｂの少なくとも一方がある程度の長さとなると、ドライバ回路３と終端抵抗５との間にインダクタが存在することとなる。このようなワイヤ１４ａ及び１４ｂにより実現されるインダクタの存在を考慮しなかった場合、終端抵抗５を設けても電気信号の反射が生じ、周波数応答特性が高い周波数で持ち上がったり（図３参照）、波打ったり（図４参照）する恐れがある。
【００３７】
本実施形態では、ワイヤ１４ａ及び１４ｂの長さを調整し、このようなワイヤ１４ａ及び１４ｂで実現される所定の値のインダクタの存在を考慮した上で設計するので、上述のような不都合を回避することができる。
【００３８】
ワイヤ１４ａ及び１４ｂのインダクタの存在を考慮した等価回路は、図２のようになる。図２に示す例では、ワイヤ１４ａ及び１４ｂの両方がインダクタとなっている。電気の線路の特性インピーダンスとしては、ワイヤ１４ａ、１４ｂのインダクタンスＬと、コンデンサー１２のキャパシタンスＣとを考えた場合、近似的にＬ／Ｃの平方根で表される。たとえば、Ｌ（ワイヤ１４ａとワイヤ１４ｂの合計）を２５０ナノヘンリー、コンデンサー１２のキャパシタンスＣを１００フェムトファラドに設計すると、ちょうど５０オームの特性インピーダンスとなる。実際にはちょうど５０オームにすることは難しいが、ある程度は５０オームに近い値に設定することができる。
【００３９】
特性インピーダンスをある程度５０オームに近くすることができ、高周波に対する５０オーム系伝送線路が５０オームの終端抵抗５０で終端されれば、終端からの電気的な反射はほぼ起こらない。これにより、周波数応答特性がフラットになりやすい（図５参照）。
【００４０】
なお、変形例として、ドライバ２の基板上におけるドライバ回路３と、終端抵抗５との間に、遮熱構造を設けることもできる。遮熱構造としては、例えば、ドライバ２の基板（例：シリコン基板等）よりも熱伝導率が低い誘電体（例：空気、二酸化ケイ素等）で満たされた溝が考えられる。ドライバ２の基板の材料は設計的事項であり、あらゆる従来技術を適用することができる。ドライバ回路３と終端抵抗５は、グランドでのみ接続されているため、これらの間に溝を掘っても、回路的には問題が生じない。溝の幅は数ミクロン程度とすることができる。溝の断面形状は特段制限されない。
【００４１】
他の変形例として、図６に示すように、光変調器１は、光変調部４、当該光変調部４に電気的に接続された端子６、７ａ、７ｂを有する組が複数配置されていてもよい。端子７ａ及び７ｂは、光変調部４を介することなく直接電気的に接続されている。ドライバ２の第１の端子４０ａはワイヤ１４ａを介して光変調器１の端子７ａと電気的に接続している。ドライバ２の第２の端子４０ｂはワイヤ１４ｂを介して光変調器１の端子７ｂと電気的に接続している。当該構成の等価回路図も図２で示され、図１で示す構成と同様の作用効果を実現することができる。
【００４２】
他の変形例として、ドライバ回路３と並列になるように、第１の端子４０ａとドライバ回路３との間に終端抵抗を配置し、この終端抵抗と、第２の端子４０ｂに電気的に接続された終端抵抗５との両方で、所定値の抵抗を実現するようにしてもよい。このような構成の場合、第１の端子４０ａとドライバ回路３との間に配置する終端抵抗の抵抗値を適切に調整し、当該終端抵抗の発熱がドライバ回路３に影響を及ぼさないようにするのが好ましい。
【００４３】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【００４４】
本実施形態においては、ドライバ２の基板上において、終端抵抗５とドライバ回路３はグランドのみを介して電気的に接続しており、配線を介した接続はなされていない。このため、終端抵抗５の配置位置は、ドライバ回路３の配置位置に影響されることなく、これらを十分に離して配置することができる。結果、終端抵抗５の発熱がドライバ回路３に及ぼす影響を軽減することができる。
【００４５】
なお、本実施形態においては、回路の特性インピーダンスが５０オーム系であれば、終端抵抗５の抵抗値も５０オームであることが望ましい。ただし、５０オームの近傍であれば特に問題は無い。また、回路の特性インピーダンスによっては、それに応じて適切な抵抗値を選択すればよい。
【００４６】
＜第２の実施形態＞
本実施形態のドライバにおいて、１つの組に含まれる終端抵抗５は、複数の抵抗素子で構成されている。このようにすれば、終端抵抗５の発熱を複数の抵抗素子に分散することができる。結果、局所的に大きな熱だまりができる不都合を軽減できるほか、放熱を促進することができる。
【００４７】
なお、１つの組に含まれる複数の抵抗素子は互いに直列に接続され、かつ、抵抗値が互いに異なるものが含まれていてもよい。かかる場合、抵抗値が高い抵抗素子の方が、抵抗値が低い抵抗素子よりもドライバ回路３から離れた位置に配置されるのが好ましい。このようにすれば、複数の抵抗素子の中に発熱量の分布が形成されることとなる。そして、発熱量の大きな抵抗素子を、発熱量の小さい抵抗素子よりもドライバ回路３から離して配置することができる。結果、終端抵抗５の発熱がドライバ回路３に及ぼす影響をさらに軽減することができる。
【００４８】
その他の例として、１つの組に含まれる複数の抵抗素子は互いに並列に接続され、かつ、抵抗値が互いに異なるものが含まれていてもよい。かかる場合、抵抗値が低い抵抗素子の方が、抵抗値が高い抵抗素子よりもドライバ回路３から離れた位置に配置されているのが好ましい。かかる場合も同様に、終端抵抗５の発熱がドライバ回路３に及ぼす影響をさらに軽減することができる。
【００４９】
本実施形態のドライバのその他の構成は第１の実施形態と同様である。以下、図面を用いてより詳細に説明する。
【００５０】
図７に、終端抵抗５の熱を逃がす工夫をした第２の実施形態の構成を示す。図１（第１の実施形態）と比較すると、本実施形態の終端抵抗５が複数の抵抗素子５ａ乃至５ｃで構成されている点で異なることが分かる。その他の構成は同様である。これを電気的な等価回路図で説明したものが図８である。
【００５１】
複数の抵抗素子５ａ乃至５ｃは、複数の抵抗素子が分布的に集まって、全体でひとつの終端抵抗５として振る舞うようになっている。複数の抵抗素子は互いに直列及び／又は並列に接続される。抵抗素子の数は設計的事項である。なお、複数の抵抗素子の抵抗値は全て同じであってもよいし、異なるものが混在していてよい。複数の抵抗素子で構成された終端抵抗５の抵抗値が所定の値（例：５０オーム）となっていればよい。
【００５２】
図７に示す例の場合、３つの抵抗素子５ａ乃至５ｃが互いに並列に接続されている。３つの並列な抵抗素子５ａ乃至５ｃで５０オームの終端抵抗５を形成するには、例えば、抵抗素子５ａは３００オーム、抵抗素子５ｂは１５０オーム、抵抗素子５ｃは１００オームにすることができる。
【００５３】
この時、並列に接続された抵抗素子５ａ乃至５ｃにかかる電圧は同一であるので、流れる電流は、抵抗値が低いほど高くなる。その時に発生する抵抗素子５ａ乃至５ｃ各々の発熱量は、Ｖ×Ｉで決まるので、電流値の高い抵抗素子５ａ乃至５ｃ、すなわち、抵抗値の低い抵抗素子５ａ乃至５ｃほど発熱量が高くなる。上述した例では、抵抗素子５ｃ（１００オーム）の発熱量が最も高く、抵抗素子５ｂ（１５０オーム）の発熱量が次に高く、抵抗素子５ａ（３００オーム）の発熱量が最も低い。
【００５４】
このように、複数の抵抗素子５ａ乃至５ｃの抵抗値を分布させ、発熱量が高い抵抗素子５ａ乃至５ｃ（抵抗値が低い抵抗素子５ａ乃至５ｃ）ほどドライバ回路３から離して配置することで、終端抵抗５の発熱がドライバ回路３に及ぼす影響をさらに軽減することができる。
【００５５】
ただし、複数の抵抗素子５ａ乃至５ｃをあまり離して分布させると、抵抗素子５ａ乃至５ｃ間のインダクタンスの影響が無視できなくなり、電気信号の反射が大きくなって周波数応答に影響する恐れがある。したがって、それらを無限に離すことはできず、抵抗素子５ａ乃至５ｃの数を２から１０程度とし、周波数応答に影響がない程度に離しておくのが望ましい。
【００５６】
なお、図７及び８では、互いに抵抗値の異なる複数の抵抗素子を並列に接続する例を説明したが、互いに抵抗値の異なる複数の抵抗素子を直列に接続した場合は、これらに流れる電流は同一となるので、抵抗値の大きな抵抗素子ほど発熱量が大きくなる。かかる場合は、抵抗値が高い抵抗素子ほどドライバ回路３から離して配置することで、終端抵抗５の発熱がドライバ回路３に及ぼす影響をさらに軽減することができる。
【００５７】
＜付記＞
以下、参考形態の例を付記する。
１．  光変調器と接続され、前記光変調器を通過する光を変調するための電圧を前記光変調器に印加するドライバであって、
ドライバ回路と、前記ドライバ回路と電気的に接続された第１の端子と、終端抵抗と、前記終端抵抗と電気的に接続された第２の端子と、が同一の基板上に配置されており、
前記ドライバ回路及び前記終端抵抗は、前記基板上ではグランドのみを介して互いに電気的に接続され、前記ドライバが前記光変調器と接続されると、前記光変調器を介して互いに電気的に接続されるドライバ。
２．  １に記載のドライバにおいて、
前記ドライバが前記光変調器と接続されると前記光変調器を介して互いに電気的に接続される前記ドライバ回路、前記第１の端子、前記終端抵抗、及び、前記第２の端子を含む組を複数組有するドライバ。
３．  ２に記載のドライバにおいて、
１つの前記組に含まれる前記終端抵抗は、複数の抵抗素子で構成されているドライバ。
４．  ３に記載のドライバにおいて、
１つの前記組に含まれる複数の前記抵抗素子は互いに直列に接続され、かつ、抵抗値が互いに異なるものが含まれており、
抵抗値が高い前記抵抗素子の方が、抵抗値が低い前記抵抗素子よりも前記ドライバ回路から離れた位置に配置されているドライバ。
５．  ３に記載のドライバにおいて、
１つの前記組に含まれる複数の前記抵抗素子は互いに並列に接続され、かつ、抵抗値が互いに異なるものが含まれており、
抵抗値が低い前記抵抗素子の方が、抵抗値が高い前記抵抗素子よりも前記ドライバ回路から離れた位置に配置されているドライバ。
６．  １から５のいずれかに記載のドライバにおいて、
前記ドライバ回路と、前記終端抵抗との間に、遮熱構造が設けられているドライバ。
７．  ６に記載のドライバにおいて、
前記遮熱構造は、前記基板よりも熱伝導率が低い誘電体で満たされた溝であるドライバ。
８．  １から７のいずれかに記載のドライバと、
前記ドライバと接続される光変調器と、
を有する光変調モジュール。
９．  ８に記載の光変調モジュールにおいて、
前記ドライバが有する第１の端子及び第２の端子の少なくとも一方は、インダクタを介して前記光変調器上の端子に接続される光変調モジュール。
１０．  ８又は９に記載の光変調モジュールにおいて、
前記ドライバが有する前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記光変調器上の同じ端子に接続される光変調モジュール。
【００５８】
この出願は、２０１３年２月２０日に出願された日本出願特願２０１３−０３１３９７号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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