(57)【要約】  表示装置は、基板上に、第１の配線層と、複数の画素を含む素子部とを備え、素子部は、各画素内に、１または複数の発光素子を含むと共に発光面を有する発光素子部と、発光素子部を駆動すると共に、第１の配線層を介して発光素子部と電気的に接続された駆動素子とを有するものである。発光素子部の発光面の端部は、駆動素子の上端部と同じ高さか、または上端部よりも高い位置に配置されている。
2016121258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の配線層と、複数の画素を含む素子部とを備え、
前記素子部は、各画素内に、
１または複数の発光素子を含むと共に発光面を有する発光素子部と、
前記発光素子部を駆動すると共に、前記第１の配線層を介して前記発光素子部と電気的に接続された駆動素子とを有し、
前記発光素子部の前記発光面の端部は、前記駆動素子の上端部と同じ高さか、または前記上端部よりも高い位置に配置されている
表示装置。
【請求項２】
前記発光素子部では、前記発光素子の前記基板側に第１の絶縁膜が設けられ、
前記第１の絶縁膜の厚みと前記発光素子の厚みとの合計は、前記駆動素子の厚みと同等か、または前記駆動素子の厚みよりも大きい
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光素子部および前記駆動素子と前記基板との間に、選択的な領域に第１の凹部を有する第２の絶縁膜が設けられ、
前記駆動素子は、前記第２の絶縁膜の前記第１の凹部に一部が埋め込まれて形成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記発光素子部と前記駆動素子とを覆う封止層を更に備え、
前記発光素子部は、前記発光素子を覆うと共に、前記発光面を含み、かつ前記封止層よりも屈折率の高い高屈折率層を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記高屈折率層の前記発光面の端部から出射する光の出射角の最大値は９０°である
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記高屈折率層の屈折率および厚みは、以下の条件式（Ａ）を満たす
請求項５に記載の表示装置。
ｎ０／ｎ１＜Ｌ１／（Ｈ１2+Ｌ１2）1/2    …………（Ａ）
但し、
ｎ０：封止層の屈折率
ｎ１：高屈折率層の屈折率
Ｌ１：発光素子の側面に対向する高屈折率層の厚み
Ｈ１：発光素子の発光面に対向する高屈折率層の厚み
とする。
【請求項７】
前記発光素子は、前記駆動素子の一部に埋め込み形成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動素子は、選択的な領域に第２の凹部を有し、
前記発光素子は、前記第２の凹部内に形成されている
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２の凹部の底面に、前記発光面の高さを調整するための第３の絶縁膜を有する
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記駆動素子がテーパ形状を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記駆動素子の断面形状が台形状である
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記駆動素子の表面を覆って遮光膜が形成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記駆動素子の表面を覆って反射防止膜が形成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記発光素子と前記駆動素子とを電気的に接続するための接続配線を有し、
前記接続配線は、前記発光素子と前記駆動素子との間に介在して遮光層を兼ねる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記接続配線は、ＴＳＶ（Through-Silicon Via）により形成されている
請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記駆動素子に重畳すると共に、めっきによる金属配線形成用のシード層を有し、
前記シード層は、前記発光素子と前記駆動素子との間に介在して遮光層を兼ねる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記発光素子と駆動素子との間に埋め込み形成された遮光樹脂層を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記遮光樹脂層は、前記画素間および前記発光素子と前記駆動素子との間に埋め込まれ、平坦化層を兼ねる
請求項１７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子と駆動素子とが画素内に混載して形成された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、１画素内に、発光素子とこれを駆動する駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）とが混載された表示装置が開発されている（例えば、特許文献１）。この表示装置では、発光素子や駆動用ＩＣなどの各種半導体素子は、仮基板上に形成、封止された後、転写技術やＴＳＶ技術などを用いて素子間接続がなされる。このようにして形成された素子基板が、インターポーザなどのプリント基板上に実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１８２５８０号公報
【発明の概要】
【０００４】
上記のような表示装置では、特に小型化が進むと、発光素子と駆動用ＩＣとの間隔が狭まり、発光素子から出射した光の一部が、駆動用ＩＣによってけられ（遮られ）易い。この結果、視野角が狭まり、表示性能が劣化するという問題がある。
【０００５】
したがって、発光素子と駆動素子とを含む素子構造において、表示性能の劣化を抑制しつつ小型化を実現することが可能な表示装置を提供することが望ましい。
【０００６】
本開示の一実施の形態の表示装置は、基板上に、第１の配線層と、複数の画素を含む素子部とを備え、素子部は、各画素内に、１または複数の発光素子を含むと共に発光面を有する発光素子部と、発光素子部を駆動すると共に、第１の配線層を介して発光素子部と電気的に接続された駆動素子とを有するものである。発光素子部の発光面の端部は、駆動素子の上端部と同じ高さか、または上端部よりも高い位置に配置されている。
【０００７】
本開示の一実施の形態の表示装置では、基板上に第１の配線層と、複数の画素を含む素子部とが設けられ、素子部は、各画素内に、１または複数の発光素子を含む発光素子部と、これを駆動する駆動素子とを有する。発光素子部の発光面の端部が、駆動素子の上端部と同じ高さか、または上端部よりも高い位置に配置されることにより、発光素子部から出射した光が、駆動素子の上端部においてけられにくくなる。
【０００８】
本開示の一実施の形態の表示装置によれば、基板上に第１の配線層と、複数の画素を含む素子部とが設けられ、素子部は、各画素内に、１または複数の発光素子を含む発光素子部と、これを駆動すると共に、第１の配線層を介して発光素子部と電気的に接続された駆動素子とを有する。発光素子部の発光面の端部が、駆動素子の上端部と同じ高さか、または上端部よりも高い位置に配置されることにより、発光素子部から出射した光がけられ、視野角が狭くなることを抑制できる。よって、発光素子と駆動素子とを含む素子構造において、表示性能の劣化を抑制しつつ小型化を実現することが可能となる。
【０００９】
尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す模式図である。
【図２】図１に示した素子部の構成例を表す模式図である。
【図３】図１および図２に示した素子部の実装例を表す断面図である。
【図４Ａ】図２に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程を示す模式図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く工程を示す模式図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く工程を示す模式図である。
【図４Ｆ】図４Ｅに続く工程を示す模式図である。
【図５】比較例１に係る素子部の作用を説明するための模式図である。
【図６】図２に示した素子部の作用を説明するための模式図である。
【図７】本開示の第２の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図８Ａ】図７に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を示す模式図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図８Ｄ】図８Ｃに続く工程を示す模式図である。
【図８Ｅ】図８Ｄに続く工程を示す模式図である。
【図８Ｆ】図８Ｅに続く工程を示す模式図である。
【図９】本開示の第３の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図１０】図９に示した高屈折率層の設計パラメータを示す模式図である。
【図１１Ａ】図９に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに続く工程を示す模式図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図１１Ｄ】図１１Ｃに続く工程を示す模式図である。
【図１１Ｅ】図１１Ｄに続く工程を示す模式図である。
【図１１Ｆ】図１１Ｅに続く工程を示す模式図である。
【図１２Ａ】本開示の第４の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａの一部を拡大した模式図である。
【図１３Ａ】図１２に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｄ】図１３Ｃに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｅ】図１３Ｄに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｆ】図１３Ｅに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｇ】図１３Ｆに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｈ】図１３Ｇに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｉ】図１３Ｈに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｊ】図１３Ｉに続く工程を示す模式図である。
【図１３Ｋ】図１３Ｊに続く工程を示す模式図である。
【図１４】本開示の第５の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図１５Ａ】図１４に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａに続く工程を示す模式図である。
【図１５Ｃ】図１５Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図１５Ｄ】図１５Ｃに続く工程を示す模式図である。
【図１５Ｅ】図１５Ｄに続く工程を示す模式図である。
【図１６】比較例１に係る素子部の作用を説明するための模式図である。
【図１７】図１４に示した素子部の作用を説明するための模式図である。
【図１８】本開示の第６の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図１９Ａ】比較例２に係る素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに続く工程を示す模式図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図２０Ａ】図１８に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに続く工程を示す模式図である。
【図２０Ｃ】図２０Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図２０Ｄ】図２０Ｃに続く工程を示す模式図である。
【図２０Ｅ】図２０Ｄに続く工程を示す模式図である。
【図２０Ｆ】図２０Ｅに続く工程を示す模式図である。
【図２０Ｇ】図２０Ｆに続く工程を示す模式図である。
【図２１】本開示の第７の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図２２Ａ】図２１に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図２２Ｂ】図２２Ａに続く工程を示す模式図である。
【図２３】変形例１に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図２４】本開示の第８の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図２５】図２４に示した素子部の要部構成を表す平面模式図である。
【図２６】本開示の第９の実施の形態に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図２７Ａ】図２６に示した素子部の形成方法を工程順に示す模式図である。
【図２７Ｂ】図２７Ａに続く工程を示す模式図である。
【図２７Ｃ】図２７Ｂに続く工程を示す模式図である。
【図２７Ｄ】図２７Ｃに続く工程を示す模式図である。
【図２８】変形例２−１に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図２９】変形例２−２に係る素子部の構成を表す模式図である。
【図３０】変形例２−３に係る素子部の構成を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（発光素子の下に絶縁膜が形成され、駆動素子よりも高い位置に発光面をもつ表示装置の例）
２．第２の実施の形態（駆動素子が凹部に形成され、駆動素子よりも高い位置に発光面をもつ表示装置の例）
３．第３の実施の形態（発光素子を覆う高屈折率層が設けられ、駆動素子よりも高い位置に発光面をもつ表示装置の例）
４．第４の実施の形態（発光素子が駆動素子に埋め込み形成された場合の例）
５．第５の実施の形態（駆動素子がテーパ形状を有する場合の例）
６．第６の実施の形態（駆動素子の断面形状が台形状を有する場合の例）
７．第７の実施の形態（発光素子と駆動素子との接続配線が遮光層を兼ねる場合の例）
８．変形例１（発光素子と駆動素子との接続配線の他の例）
９．第８の実施の形態（駆動素子に重畳するシード層が遮光層を兼ねる場合の例）
１０．第９の実施の形態（発光素子と駆動素子との間に遮光樹脂層が埋め込み形成された場合の例）
１１．変形例２−１〜２−３（遮光層の他の例）
【００１２】
＜第１の実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を表すものである。  図２は、素子部１０Ａの構成の一例を模式的に表したものである。尚、図２では、第１基板１０ではなく、剥離前（再配線層１５形成前）の仮基板（第２基板１１０）に接着層（剥離層１２０）を介して、素子部１０Ａが形成された状態を図示している。図３は、素子部１０Ａを第１基板１０に実装した状態の構成例を表す断面図である。
【００１３】
表示装置１は、１または複数の発光素子１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（特に区別の必要のない場合には発光素子１１ａとする）を含む発光素子部１１と、この発光素子部１１を駆動する駆動素子１２とが、１つの画素内に混載された発光デバイスである。これらの発光素子１１ａと駆動素子１２とを含む素子部１０Ａは、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０上に実装されている。表示装置１では、素子部１０Ａは、例えば図示しない仮基板上に形成された後、転写技術およびＴＳＶ技術などを用いて、再配線層１５が形成され、素子間の配線接続が行われる。
【００１４】
第１基板１０は、例えばインターポーザ等のプリント基板から構成されている。素子部１０Ａは、仮基板から剥離され、ＴＳＶ等により再配線層１５が形成された後、この第１基板１０に実装される。この第１基板１０が、本開示の「基板」の一具体例に相当する。
【００１５】
発光素子部１１は、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の色光を発する発光素子１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを含んで構成されている。これらの発光素子１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂはそれぞれ、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）チップから構成され、素子部１０Ａ内に並んで配置されている。発光素子１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、例えば数μｍ以上数１００μｍ以下程度の幅で形成され、狭小な間隔をおいて配置されている。
【００１６】
駆動素子１２は、駆動用ＩＣであり、図３に示したように、例えばＩＣチップを含むシリコン（Ｓｉ）層（Ｓｉ層１２ａ）と、例えばＢＥＯＬ（Back-End of Line）技術により形成された多層配線層（配線層１２ｂ）を含んで構成されている。この駆動素子１２は、素子部１０Ａ内において、発光素子部１１と並んで配置されている。駆動素子１２と発光素子１１ａとの間隔も狭小である。
【００１７】
素子部１０Ａでは、これらの発光素子部１１および駆動素子１２が、封止層１３により封止されている。封止層１３は、例えばシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜などの無機絶縁膜などから構成され、単層膜であってもよいし、積層膜であってもよい。層間絶縁膜を含んでいてもよい。また、発光素子１１ａと駆動素子１２とは、接着層１４Ａ，１４Ｂにより下地層（絶縁膜１５ｓ，透明絶縁膜１３０または配線層１６など）に接着されている。
【００１８】
接合部１４は、再配線層１５と第１基板１０とをはんだ付けするためのものである。接合部１４は、例えば錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）および銀（Ａｇ）などを含む合金により構成されている。
【００１９】
再配線層１５は、例えば発光素子部１１の各発光素子１１ａと、駆動素子１２とを電気的に接続する配線や、発光素子１１ａと接合部１４とを電気的に接続する配線、および駆動素子１２と接合部１４とを電気的に接続する配線などを含む多層配線層である。この再配線層１５は、素子部１０Ａの形成後に、剥離工程などを経て、素子部１０Ａに隣接して形成されるものである。この再配線層１５が、本開示の「第１の配線層」の一具体例に相当する。
【００２０】
本実施の形態では、図２に示したように、上記のような素子部１０Ａにおいて、発光素子部１１の発光面の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている。ここでは、発光素子部１１を構成する発光素子１１ａの上面（例えば、発光ダイオードチップの上面）が発光面Ｓ１となっており、この発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている（端部ｅ１の高さｐ１＞上端部ｅ２の高さｐ２）。
【００２１】
具体的には、発光素子部１１において、発光素子１１ａの下に、絶縁膜１５ｓ（第１の絶縁膜）が形成されている（発光素子１１ａの第２基板１１０（第１基板１０）側に絶縁膜１５ｓが形成されている）。この絶縁膜１５ｓの厚みと発光素子１１ａの厚みとの合計は、駆動素子１２の厚みと同等か、または駆動素子１２の厚みよりも大きくなっている。絶縁膜１５ｓは、例えばシリコーン、アクリル、ポリイミドまたはエポキシ等の透明樹脂から構成されている。あるいは、絶縁膜１５ｓは、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜などの無機透明材料から構成されていてもよい。絶縁膜１５ｓの厚みの設定により、発光面Ｓ１の高さｐ２を調整することができる。
【００２２】
［製造方法］
表示装置１の素子部１０Ａは、例えば次のようにして形成することができる。図４Ａ〜図４Ｆは、素子部１０Ａの形成方法を工程順に表す模式図である。
【００２３】
まず、図４Ａに示したように、第２基板１１０上に、剥離層１２０および透明絶縁膜１３０（第２の絶縁膜）をこの順に形成する。この後、図４Ｂに示したように、透明絶縁膜１３０上の選択的な領域に、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより絶縁膜１５ｓを形成する。この際、絶縁膜１５ｓの側面が、テーパ形状１５ａを有するように加工する。続いて、図４Ｃに示したように、配線層１６を形成する。絶縁膜１５ｓのテーパ形状１５ａにより、配線層１６が断線することを抑制することができる。尚、この配線層１６は、図２では簡便化のため省略している。
【００２４】
この後、図４Ｄに示したように、絶縁膜１５ｓ上の領域に接着層１４Ａを形成すると共に、透明絶縁膜１３０上の選択的な領域に接着層１４Ｂを形成する。続いて、図４Ｅに示したように、これらの接着層１４Ａ，１４Ｂ上に、発光素子１１ａと駆動素子１２とをそれぞれ貼り合わせる（転写する）。最後に、図４Ｆに示したように、発光素子部１１（発光素子１１ａ）と、駆動素子１２とを覆うように、封止層１３を形成する。このようにして、素子部１０Ａを形成する。その後は、特に図示はしないが、第２基板１１０と対向する基板を、素子部１０Ａを間にして貼り合わせた後、第２基板１１０を剥離層１２０により透明絶縁膜１３０から分離する。この素子部１０Ａの透明絶縁膜１３０の側に再配線層１５と接合部１４とを形成し、第１基板１０上にはんだ付けすることにより、図１に示した表示装置１を作製することができる。
【００２５】
［作用，効果］
本実施の形態の表示装置１では、外部から入力された映像信号に基づいて、図示しない駆動回路から映像電圧が各画素に供給される。これにより、各画素が表示駆動され、映像表示がなされる。
【００２６】
ここで、表示装置１の素子部１０Ａでは、１画素内に、発光素子１１ａを含む発光素子部１１と、これを駆動する駆動素子１２とが混載して配置されている。このため、発光素子１１ａと駆動素子１２との間隔が比較的狭く、特に小型化が進むと発光素子１１ａと駆動素子１２とが、数μｍ〜数１００μｍ程度の近接した範囲に配置される。
【００２７】
図５に、比較例１に係る素子部１０１Ａの構造を示す。尚、ここでは、第２基板１０１上に、剥離層１０２を介して形成された状態を示す。素子部１０１Ａでは、透明絶縁膜１０３上に、接着層１０４Ａを介して発光素子１０５が配置されると共に、接着層１０４Ｂを介して駆動素子１０６が配置されている。ここで一般に、発光素子１０５は、駆動素子１０６に比べてサイズが小さい。このため、比較例１の素子部１０１Ａでは、発光面ｓ１００が駆動素子１０６の上端部ｅ１０２よりも低い位置に配置される。この場合、発光面Ｓ１００から出射された光の一部（Ｘ１の範囲の光）が、駆動素子１０６の上端部ｅ１０２においてけられ（遮られ）てしまう。この結果、素子部１０１Ａをプリント基板などに実装した場合、発光素子１０５からの出射光の一部が駆動素子１０６によって遮られ、視野角が狭くなる。
【００２８】
これに対し、本実施の形態では、図６に示したように、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている。具体的には、発光素子１１ａの基板側に絶縁膜１５ｓが設けられている。これにより、発光素子部１１（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくく、視野角が狭まることを抑制できる。よって、発光素子と駆動素子とを含む素子構造において、表示性能の劣化を抑制しつつ小型化を実現することが可能となる。
【００２９】
以下、本開示の他の実施の形態に係る素子部について説明する。尚、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００３０】
＜第２の実施の形態＞
［構成］
図７は、本開示の第２の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｂ）の構成を模式的に表したものである。尚、図７では、第２基板１１０上に剥離層１２０を介して、素子部１０Ｂが形成された状態を示している。本実施の形態の素子部１０Ｂでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部１１（発光素子１１ａ）と駆動素子１２とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｂは、図７には図示しないが、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０上に実装される。更に、素子部１０Ｂにおいても、発光素子部１１は発光素子１１ａを含み、この発光素子１１ａと駆動素子１２とが、封止層１３によって覆われている。
【００３１】
また、本実施の形態においても、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている。図７の例では、発光面Ｓ１の端部ｅ１の高さｐ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２の高さｐ２よりも高くなっている。
【００３２】
但し、本実施の形態では、駆動素子１２が発光素子１１ａよりも低い位置に配置されている点で、上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、本実施の形態では、透明絶縁膜１３０の選択的な領域に開口（または凹部）が形成されており、この開口部分に駆動素子１２が接着層１４Ｂを介して貼り合わせられている。発光素子１１ａは、透明絶縁膜１３０上の選択的な領域に、接着層１４Ａを介して貼り合わせられている。
【００３３】
［素子部１０Ｂの形成方法］
素子部１０Ｂは、例えば次のようにして形成することができる。図８Ａ〜図８Ｆは、素子部１０Ａの形成方法を工程順に表す模式図である。
【００３４】
まず、図８Ａに示したように、第２基板１１０上に、剥離層１２０および透明絶縁膜１３０をこの順に形成する。この後、図８Ｂに示したように、透明絶縁膜１３０上の選択的な領域に、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより開口Ｈ１を形成する。この際、開口Ｈ１の側面が、テーパ形状Ｈ１ａを有するように加工する。続いて、図８Ｃに示したように、配線層１７を形成する。開口Ｈ１のテーパ形状Ｈ１ａにより、配線層１７が断線することを抑制することができる。尚、この配線層１７は、図７では簡便化のため省略している。
【００３５】
この後、図８Ｄに示したように、透明絶縁膜１３０上の選択的な領域に接着層１４Ａを、開口Ｈ１内に接着層１４Ｂを、それぞれ形成する。続いて、図８Ｅに示したように、この接着層１４Ａ，１４Ｂ上に、発光素子１１ａと駆動素子１２とをそれぞれ貼り合わせる。最後に、図８Ｆに示したように、発光素子部１１（発光素子１１ａ）と、駆動素子１２とを覆うように、封止層１３を形成する。このようにして、素子部１０Ｂを形成する。その後は、特に図示はしないが、第２基板１１０と対向する基板を、素子部１０Ｂを間にして貼り合わせた後、第２基板１１０を剥離層１２０により透明絶縁膜１３０から分離する。この素子部１０Ｂの透明絶縁膜１３０の側に再配線層１５と接合部１４とを形成し、第１基板１０上にはんだ付けすることにより、図１に示したような表示装置を作製することができる。
【００３６】
［効果］
本実施の形態においても、１画素内に発光素子部１１と駆動素子１２とが混載されてなる素子部１０Ｂにおいて、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている。具体的には、透明絶縁膜１３０の選択的な領域に開口（または凹部）が形成されており、この開口部分に駆動素子１２が設けられている。これにより、発光素子部１１（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくくなり、視野角が狭まることを抑制できる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００３７】
＜第３の実施の形態＞
［構成］
図９は、本開示の第３の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｃ）の構成を模式的に表したものである。尚、図９では、第２基板１１０上に剥離層１２０を介して、素子部１０Ｃが形成された状態を示している。本実施の形態の素子部１０Ｃでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部（発光素子部２０）と駆動素子１２とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｃは、図９には図示しないが、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０上に実装される。更に、素子部１０Ｃにおいても、発光素子部２０は発光素子１１ａを含み、この発光素子部２０と駆動素子１２とが、封止層１３によって覆われている。
【００３８】
また、本実施の形態においても、発光素子部１１の発光面（発光面Ｓ２）の端部（端部ｅ３）が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている。
【００３９】
但し、本実施の形態では、発光素子部２０が発光素子１１ａと、この発光素子１１ａを覆う高屈折率層１８とを含んで構成されている点で、上記第１の実施の形態と異なっている。また、高屈折率層１８の上面が発光面Ｓ２を成し、この発光面Ｓ２の端部ｅ３が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同等以上の高さに配置されている。
【００４０】
高屈折率層１８は、発光素子１１ａの上面と側面とを覆って形成されている。この高屈折率層１８は、封止層１３よりも屈折率が高い材料から構成されている。高屈折率層１８の構成材料としては、例えば硫黄（Ｓ）およびリン（Ｐ）のうちの少なくとも１つを含むアクリル、エポキシもしくはポリイミド等の樹脂、またはＴｉＯ2等のナノ粒子を含む樹脂等が挙げられる。
【００４１】
図１０は、高屈折率層１８の設計パラメータを説明するための模式図である。高屈折率層１８の発光面Ｓ２の端部ｅ３から出射する光の出射角βの最大値は、９０°であることが望ましい。即ち、封止層１３と高屈折率層１８との界面に入射角αで入射して、出射角β（β＝９０°）で出射した光が駆動素子１２の上面に平行な方向に沿って進むことが望ましい。
【００４２】
この高屈折率層１８の材料および厚みは、例えば以下の条件式（Ａ）を満足するように設定されることが望ましい。但し、ｎ０を封止層１３の屈折率、ｎ１を高屈折率層１８の屈折率、Ｌ１を発光素子１１ａの側面に対向する高屈折率層１８の厚み、Ｈ１を発光素子１１ａの発光面（上面）に対向する高屈折率層１８の厚みとする。また、制約として、Ｌ１＜Ｌ２およびＨLED＞ＨICの大小関係が成り立つ。
ｎ０／ｎ１＜Ｌ１／（Ｈ１2+Ｌ１2）1/2    …………（Ａ）
【００４３】
［素子部１０Ｃの形成方法］
素子部１０Ｃは、例えば次のようにして形成することができる。図１１Ａ〜図１１Ｆは、素子部１０Ｃの形成方法を工程順に表す模式図である。
【００４４】
まず、図１１Ａに示したように、第２基板１１０上に、剥離層１２０および透明絶縁膜１３０をこの順に形成する。この後、図１１Ｂに示したように、透明絶縁膜１３０上に、配線層１９をパターン形成する。続いて、図１１Ｃに示したように、透明絶縁膜１３０上の選択的な領域に接着層１４Ａ，１４Ｂを、それぞれ形成する。尚、この配線層１９は、図１０では簡便化のため省略している。
【００４５】
この後、図１１Ｄに示したように、接着層１４Ａ，１４Ｂ上に、発光素子１１ａと駆動素子１２とをそれぞれ貼り合わせる。続いて、図１１Ｅに示したように、発光素子１１ａを覆って高屈折率層１８を形成する。このようにして、発光素子部２０と駆動素子１２とを形成する。最後に、図１１Ｆに示したように、発光素子部２０（発光素子１１ａ，高屈折率層１８）と、駆動素子１２とを覆うように、封止層１３を形成する。このようにして、素子部１０Ｃを形成する。その後は、特に図示はしないが、第２基板１１０と対向する基板を、素子部１０Ｃを間にして貼り合わせた後、第２基板１１０を剥離層１２０により透明絶縁膜１３０から分離する。この素子部１０Ｃの透明絶縁膜１３０の側に再配線層１５と接合部１４とを形成し、第１基板１０上にはんだ付けすることにより、図１に示したような表示装置を作製することができる。
【００４６】
［効果］
本実施の形態においても、１画素内に発光素子部２０と駆動素子１２とが混載されてなる素子部１０Ｃにおいて、発光素子部２０の発光面Ｓ２の端部ｅ３が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている。具体的には、発光素子部２０において、発光素子１１ａを覆って高屈折率層１８が形成されており、この高屈折率層１８の上面（発光面Ｓ２）の端部ｅ３が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同等以上の高さに配置されている。これにより、発光素子部２０からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくくなり、視野角が狭くなることを抑制できる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００４７】
＜第４の実施の形態＞
［構成］
図１２Ａは、本開示の第４の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｄ）の構成を模式的に表したものである。図１２Ｂは、素子部１０Ｄの一部を拡大して表したものである。本実施の形態の素子部１０Ｄでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部１１（発光素子１１ａ）と駆動素子（駆動素子２１）とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｄは、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０上に実装される。
【００４８】
また、本実施の形態においても、図１２Ｂに示したように、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子２１の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されている。
【００４９】
但し、本実施の形態の素子部１０Ｄでは、発光素子１１ａが、駆動素子２１の一部に埋め込み形成されている点で、上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、駆動素子２１が、選択的な領域に凹部Ｈ２（第２の凹部）を有しており、発光素子１１ａは、この凹部Ｈ２内に形成されている。
【００５０】
また、発光素子１１ａの下地層として、凹部Ｈ２の底面にＳｉＮ膜２２（第３の絶縁膜）が形成されている。ＳｉＮ膜２２の厚みにより、発光面Ｓ１の高さを調整することができる。
【００５１】
［素子部１０Ｄの形成方法］
素子部１０Ｄは、例えば次のようにして形成することができる。図１３Ａ〜図１３Ｋは、素子部１０Ｄの形成方法を工程順に表す模式図である。
【００５２】
まず、図１３Ａに示したように、シリコンチップなどからなる駆動素子２１を形成する。この後、図１３Ｂに示したように、駆動素子２１に凹部Ｈ２を形成する。続いて、図１３Ｃに示したように、凹部Ｈ２の底面に、ＳｉＮ膜２２を所定の厚みとなるように形成する。この後、図１３Ｄに示したように、発光素子１１ａを転写し、配線層２３を形成する。尚、この配線層２３は、図１２Ａでは簡便化のため省略している。続いて、図１３Ｅに示したように、駆動素子２１と発光素子１１ａとを覆って層間絶縁膜１４０を形成した後、図１３Ｆに示したように、層間絶縁膜１４０を平坦化する。このようにして、発光素子部１１が駆動素子２１に埋め込まれてなる素子部１０Ｄを形成する。
【００５３】
次いで、図１３Ｇに示したように、駆動素子２１の層間絶縁膜１４０の側に、対向基板１４１を、接着層を介して貼り合わせる。この後、図１３Ｈに示したように、駆動素子２１のＳｉ基板を薄膜化する。続いて、図１３Ｉに示したように、ＴＳＶにより貫通孔Ｈ３を形成する。その後、図１３Ｊに示したように、貫通孔Ｈ３を埋め込むように配線層２１ａ１を形成する。最後に、図１３Ｋに示したように、配線層２１ａ１上に、はんだ（接合部１４）を形成する。これにより、図１２Ａに示した素子構造が形成される。
【００５４】
［効果］
本実施の形態においても、１画素内に発光素子部１１と駆動素子１２とが混載されてなる素子部１０Ｄにおいて、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子２１の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置される。具体的には、発光素子１１ａが駆動素子２１に形成された凹部Ｈ２内に埋め込まれており、発光面Ｓ１の高さは、ＳｉＮ膜２２の厚みにより調整可能である。これにより、発光素子部１１（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子２１によって遮られにくくなり、視野角が狭くなることを抑制できる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００５５】
＜第５の実施の形態＞
［構成］
図１４は、本開示の第５の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｅ）の構成を模式的に表したものである。尚、図１４では、第２基板１１０上に剥離層１２０を介して、素子部１０Ｅが形成された状態を示している。本実施の形態の素子部１０Ｅでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部（発光素子１１ａ）と駆動素子（駆動素子３１）とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｅは、図１４には図示しないが、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０上に実装される。更に、素子部１０Ｅにおいても、発光素子１１ａと駆動素子３１とが、封止層１３によって覆われている。
【００５６】
但し、本実施の形態の素子部１０Ｅでは、上記第１の実施の形態と異なり、駆動素子３１がテーパ形状３１ｃを有している。また、駆動素子３１が、遮光膜３２と反射防止膜３３とにより覆われている。駆動素子３１では、ＢＥＯＬによる配線層３１ａとシリコンチップを含むＳｉ層３１ｂとが積層されているが、これらのうちのＳｉ層３１ｂが、テーパ形状３１ｃを有している。
【００５７】
［素子部１０Ｅの形成方法］
上記のような素子部１０Ｅは、例えば次のようにして形成することができる。図１５Ａ〜図１５Ｅは、素子部１０Ｅの形成方法を工程順に表す模式図である。
【００５８】
まず、図１５Ａに示したように、配線層３１ａおよびＳｉ層３１ｂからなる駆動素子３１上にフォトレジスト膜１５０を所定のパターンで形成する。尚、配線層３１ａには、予め、ガードリング層１５３（遮光膜と反射防止膜との積層膜）を形成しておく。この後、図１５Ｂに示したように、エッチングによりＳｉ層３１ｂを加工する。これにより、テーパ形状３１ｃを形成する。続いて、図１５Ｃに示したように、形成したテーパ形状３１ｃを覆うように、遮光膜３２と反射防止膜３３とを形成する。
【００５９】
この後、図１５Ｄに示したように、反射防止膜３３上にフォトレジスト膜１５１を所定のパターンで形成する。続いて、図１５Ｅに示したように、フォトレジスト膜１５１を用いたエッチングにより、遮光膜３２と反射防止膜３３との各一部と、配線層３１ａの一部とを除去する。このようにして、図１４に示したような駆動素子３１と、遮光膜３２および反射防止膜３３とを形成する。この後、図示はしないが、発光素子１１ａと、駆動素子３１とを覆うように、封止層１３を形成する。このようにして、素子部１０Ｅを形成する。その後は、第２基板１１０と対向する基板を、素子部１０Ｅを間にして貼り合わせた後、第２基板１１０を剥離層１２０により透明絶縁膜１３０から分離する。この素子部１０Ｅの透明絶縁膜１３０の側に再配線層１５と接合部１４とを形成し、第１基板１０上にはんだ付けすることにより、図１に示したような表示装置を作製することができる。
【００６０】
［効果］
図１６に、比較例１に係る素子部１０１Ａの構造を示す。尚、ここでは、第２基板１０１上に、剥離層１０２を介して形成された状態を示す。素子部１０１Ａでは、透明絶縁膜１０３上に、接着層１０４Ａを介して発光素子１０５が配置されると共に、接着層１０４Ｂを介して駆動素子１０６が配置されている。上述したように、比較例１の素子部１０１Ａでは、発光面ｓ１００が駆動素子１０６の上端部ｅ１０２よりも低い位置に配置される。このため、比較例１では、上述のけられにより視野角が狭まるだけでなく、発光素子１０５から漏れ出た光Ｌ１０１が、駆動素子１０６に入射し（Ｘ２）、ＩＣを構成するトランジスタなどの特性に影響を与えてしまう。この結果、素子部１０１Ａをプリント基板などに実装した場合、発光素子１０５からの漏れ光の一部が駆動素子１０６に入射し、トランジスタ特性を劣化させる要因となる。また、駆動素子１０６の側面において光反射が生じると、その反射光により表示品位が低下することがある。
【００６１】
これに対し、本実施の形態では、図１７に示したように、駆動素子３１がテーパ形状３１ｃを有することで、発光素子１１ａからの出射光が駆動素子３１によって遮られにくくなり、視野角が狭まることを抑制できる。また、駆動素子３１を覆って、遮光膜３２と反射防止膜３３とを有することで、駆動素子３１への光入射および駆動素子３１の側面での光反射を抑制することができる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができると共に、駆動素子３１における特性劣化および反射光による表示品位の低下を抑制することができる。
【００６２】
尚、上記第５の実施の形態では、テーパ形状３１ｃによって光のけられを抑制できるが、更に、上記第１ないし第３の実施の形態のいずれかを採用し、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されていてもよい。これにより、発光素子部１１（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくくなり、視野角が狭くなることを抑制できる。よって、発光素子と駆動素子とを含む素子構造において、表示性能の劣化を抑制しつつ小型化を実現することが可能となる。
【００６３】
＜第６の実施の形態＞
［構成］
図１８は、本開示の第６の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｆ）の構成を模式的に表したものである。尚、図１８では、第２基板１１０上に剥離層１２０を介して、素子部１０Ｆが形成された状態を示している。本実施の形態の素子部１０Ｆでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部（発光素子１１ａ）と駆動素子（駆動素子３４）とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｆは、図１８には図示しないが、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０上に実装される。更に、素子部１０Ｆにおいても、発光素子１１ａと駆動素子３４とが、封止層１３によって覆われている。
【００６４】
また、本実施の形態の素子部１０Ｆでは、上記第５の実施の形態と同様、駆動素子３４がテーパ形状３４ｃを有している。また、駆動素子３４が、遮光膜３５により覆われている。駆動素子３４では、ＢＥＯＬによる配線層３４ａとシリコンチップを含むＳｉ層３４ｂとが積層されているが、これらの配線層３４ａとＳｉ層３１ｂとが、テーパ形状３４ｃを有し、駆動素子３４の断面形状が台形状を有している。このように、Ｓｉ層３４ｂと配線層３４ａとの両方がテーパ形状を有していてもよい。また、駆動素子３４を覆って、反射防止膜３３を設けずに、遮光膜３５のみが設けられていてもよい。但し、上記第５の実施の形態のように、反射防止膜３３を形成した場合の方が表示品位の低下を抑制できるため望ましい。
【００６５】
［効果］
本実施の形態においても、上記第５の実施の形態と同様、駆動素子３４がテーパ形状３４ｃを有することで、発光素子１１ａからの出射光が駆動素子３４によって遮られにくくなり、視野角が狭まることを抑制できる。また、駆動素子３４を覆って、遮光膜３５を有することで、駆動素子３４への光入射を抑制することができる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができると共に、駆動素子３１における特性劣化をも抑制することができる。尚、第５実施の形態のように、更に反射防止膜を形成しても構わない。
【００６６】
尚、上記第６の実施の形態では、テーパ形状３４ｃによって光のけられを抑制できるが、更に、上記第１ないし第３の実施の形態のいずれかを採用し、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されていてもよい。これにより、発光素子部１１（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくくなり、視野角が狭くなることを抑制できる。よって、発光素子と駆動素子とを含む素子構造において、表示性能の劣化を抑制しつつ小型化を実現することが可能となる。
【００６７】
［テーパ形状の他の形成方法］
上記第５，６の実施の形態の素子部１０Ｅ，１０Ｆのテーパ形状は、例えば次のようにして形成することもできる。図１９Ａ〜図１９Ｃは、比較例２に係る素子部の形成方法を工程順に表す模式図である。図２０Ａ〜図２０Ｇは、テーパ形状の形成手法を工程順に表す模式図である。尚、ここでは、図１４に示した素子部１０Ｅを例に挙げて説明する。
【００６８】
まず、比較例２では、図１９Ａおよび図１９Ｂに示したように、ＢＥＯＬからなる配線層１０１１とＳｉ層１０１２とのうち、Ｓｉ層１０１２の一部を、フォトレジスト膜１０１５を用いたエッチング（例えばドライエッチング）により選択的に除去する。これにより、テーパ形状３１ｃを形成する。その後、図１９Ｃに示したように、フォトレジスト膜１０１５を除去する。尚、Ｓｉ層１０１２上には、透明絶縁膜１０１３を介して遮光膜（Ｔｉ）１０１４が形成されている。この比較例２のＳｉ加工では、ドライ処理を用いるため、加工後のＳｉ側面のカバレッジが悪く、遮光性において改善の余地がある。
【００６９】
そこで、図２０Ａ〜図２０Ｇに示したように、Ｓｉ層３４ｂにテーパ形状を形成するとよい。即ち、まず、図２０Ａおよび図２０Ｂに示したように、例えばＳｉＮよりなるマスク１５２を用いて、例えばアルカリ系エッチャントによるウェット処理を行う。この後、図２０Ｃに示したように、例えば酸系エッチャントを用いたウェット処理を行い、マスク１５２を除去する。続いて、図２０Ｄおよび図２０Ｅに示したように、例えば酸系エッチャントを用いたウェット処理を行い、Ｓｉ層３４ｂの上部（庇部分）を選択的に除去する。その後、図２０Ｆおよび図２０Ｇに示したように、Ｓｉ層３４ｂを覆って透明絶縁膜３６と遮光膜３５とをこの順に形成する。このように、Ｓｉ層３４ｂがテーパ形状を有することで、上記比較例２に比べ、遮光膜３５のカバレッジ性が良好となる。十分な遮光性を得ることができる。
【００７０】
＜第７の実施の形態＞
［構成］
図２１は、本開示の第７の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｇ）の構成を模式的に表したものである。尚、図２１では、第２基板１１０上に剥離層１２０を介して、素子部１０Ｇが形成された状態を示している。本実施の形態の素子部１０Ｇでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部（発光素子１１ａ）と駆動素子１２とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｇは、図２１には図示しないが、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０上に実装される。更に、素子部１０Ｇにおいても、発光素子１１ａと駆動素子１２とが、封止層１３によって覆われている。
【００７１】
但し、本実施の形態の素子部１０Ｇでは、上記第１の実施の形態と異なり、発光素子１１ａと駆動素子１２とを電気的に接続する配線（接続配線３７）が、封止層１３に埋設されている。この場合、再配線層１５には、発光素子１１ａと駆動素子１２とを電気的に接続する配線は形成されない。
【００７２】
［素子部１０Ｇの形成方法］
上記のような素子部１０Ｇは、例えば次のようにして形成することができる。図２２Ａおよび図２２Ｂは、素子部１０Ｇの形成方法を工程順に表す模式図である。
【００７３】
まず、図２２Ａに示したように、発光素子１１ａと駆動素子１２とを覆って封止層１３を形成した後、封止層１３に接続孔Ｈ４を形成する。この後、図２２Ｂに示したように、接続孔Ｈ４を埋めこむように接続配線３７を形成する。最後に、形成した接続配線３７の表面側の一部を除去することにより、図２１に示した素子部１０Ｇを形成することができる。
【００７４】
この後、図示はしないが、第２基板１１０と対向する基板を、素子部１０Ｇを間にして貼り合わせた後、第２基板１１０を剥離層１２０により透明絶縁膜１３０から分離する。この素子部１０Ｇの透明絶縁膜１３０の側に再配線層１５と接合部１４とを形成し、第１基板１０上にはんだ付けすることにより、図１に示したような表示装置を作製することができる。
【００７５】
［効果］
本実施の形態では、発光素子１１ａと駆動素子１２とを電気的に接続する接続配線３７が封止層１３に埋設されることにより、この接続配線３７が遮光膜として機能し（遮光膜を兼ね）、駆動素子１２への光入射を抑制することができる。よって、上記第５の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００７６】
尚、上記第７の実施の形態において、更に、上記第１ないし第３の実施の形態のいずれかを採用し、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されていてもよい。これにより、発光素子部１１（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくくなり、視野角が狭くなることを抑制できる。このような構成により、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００７７】
＜変形例１＞
図２３は、上記第７の実施の形態の変形例に係る素子部（素子部１０Ｇ１）の構成を模式的に表したものである。本変形例の素子部１０Ｇ１では、ＴＳＶ技術により接続配線３７と貫通電極３７ａとを用いて、発光素子１１ａと駆動素子１２との電気的接続が確保されている。このようにＴＳＶ技術を用いて配線接続を行うこともできる。
【００７８】
＜第８の実施の形態＞
［構成］
図２４は、本開示の第８の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｈ）の構成を模式的に表したものである。図２５は、素子部１０Ｇの要部の平面構成を表したものである。本実施の形態の素子部１０Ｈでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部（発光素子１１ａ）と駆動素子１２とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｈは、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０（図２４には図示せず）上に実装される。
【００７９】
但し、本実施の形態の素子部１０Ｈでは、上記第１の実施の形態と異なり、駆動素子１２上に重畳してシード層３８が形成されており、このシード層３８が、発光素子１１ａと駆動素子１２との間に介在して遮光層を兼ねた構成となっている。シード層３８は、例えば銅（Ｃｕ）配線などの金属配線を、めっきにより形成する際に用いられる下地層である。通常めっき形成後に除去するシード層の一部（シード層３８に相当する部分）をフォトレジストなどで覆っておくことで残し、遮光層として利用したものである。また、このシード層３８の外周部には、他の配線を利用して支柱３８ａが形成されている。これらのシード層３８と支柱３８ａとが、全体として、駆動素子１２の側面および上面を囲むように形成されている。
【００８０】
［効果］
本実施の形態では、駆動素子１２を囲むように、シード層３８および支柱３８ａが形成されることにより、これらのシード層３８および支柱３８ａが遮光層として機能し（遮光層を兼ね）、駆動素子１２への光入射を抑制することができる。よって、上記第５の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００８１】
尚、上記第８の実施の形態において、更に、上記第１ないし第３の実施の形態のいずれかを採用し、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されていてもよい。これにより、発光素子部（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくくなり、視野角が狭くなることを抑制できる。このような構成により、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００８２】
＜第９の実施の形態＞
［構成］
図２６は、本開示の第９の実施の形態に係る素子部（素子部１０Ｉ）の構成を模式的に表したものである。本実施の形態の素子部１０Ｉでは、上記第１の実施の形態の素子部１０Ａと同様、発光素子部（発光素子１１ａ）と駆動素子１２とが、１画素内に混載されている。また、素子部１０Ｉは、再配線層１５および接合部１４を介して第１基板１０（図２６には図示せず）上に実装される。また、図２６には、発光素子１１ａの電極に接続された引き出し配線１４２についても図示している。
【００８３】
但し、本実施の形態の素子部１０Ｉでは、上記第１の実施の形態と異なり、発光素子１１ａと駆動素子１２との間に埋め込み形成された遮光樹脂層３９を有している。遮光樹脂層３９は、例えばブラックマトリクスなどに用いられる感光性樹脂から構成されている。この遮光樹脂層３９は、更に、発光素子１１ａ間にも埋め込み形成されていることが望ましい。遮光層と平坦化層との機能を兼ね備えた構造を実現できるためである。
【００８４】
［素子部１０Ｉの形成方法］
上記のような素子部１０Ｉは、例えば次のようにして形成することができる。図２７Ａ〜図２７Ｄは、素子部１０Ｉの形成方法を工程順に表す模式図である。尚、図２７Ａ〜図２７Ｄでは、発光素子１１ａとして、３つの発光素子１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを図示している。
【００８５】
まず、図２７Ａに示したように、発光素子１１ａ（発光素子１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）と駆動素子１２とを、透明絶縁膜１３０上に貼り合わせる（転写形成する）。この後、図２７Ｂに示したように、第２基板１１０の全面にわたって遮光樹脂層３９を成膜する。遮光樹脂層３９としては、例えばネガ型のフォトレジストを用いることができる。続いて、図２７Ｃに示したように、第２基板１１０の裏面側から露光および現像等を行うことで、例えば発光素子１１ａと駆動素子１２との間および画素間に、遮光樹脂層３９が残存する。尚、遮光樹脂層３９として、ポジ型のフォトレジストを用い、表面側から露光してもよい。このようにして、図２６に示したような素子部１０Ｉを形成することができる。
【００８６】
［効果］
本実施の形態では、発光素子１１ａと駆動素子１２との間を埋め込むように遮光樹脂層３９が形成されることにより、発光素子１１ａから駆動素子１２への光入射を抑制することができる。よって、上記第５の実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、この遮光樹脂層３９が素子間に形成されることで、平坦化層を兼ねることから、その後の製造プロセスにおいて、空隙（ボイド）の発生を抑制することができる。
【００８７】
尚、上記第９の実施の形態において、更に、上記第１ないし第３の実施の形態のいずれかを採用し、発光素子部１１の発光面Ｓ１の端部ｅ１が、駆動素子１２の上端部ｅ２と同じか、または上端部ｅ２よりも高い位置に配置されていてもよい。これにより、発光素子部（発光素子１１ａ）からの出射光が駆動素子１２によって遮られにくくなり、視野角が狭くなることを抑制できる。このような構成により、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００８８】
＜変形例２−１〜２−３＞
また、上記第９の実施の形態において、更に、次のような構造を採用しても構わない。即ち、図２８に示した変形例２−１のように、第２基板１１０と、剥離層１２０との間の層において、引き出し配線１４２に重畳する領域に、例えばアルミニウム（Ａｌ）などよりなる遮光層４０がパターン形成されていてもよい。また、図２９に示した変形例２−２のように、発光素子１１ａ上において、Ｃｕ配線層４２をめっき形成するためのシード層４１の下にカーボンＣＶＤ膜を形成しておき、遮光層を兼ねるように構成してもよい。更に、図３０に示した変形例２−３のように、引き出し配線１５０ａを、発光素子１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの上面から取り出すのではなく、側面から取り出すようにした構成であっても構わない。
【００８９】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、発光素子部がＲ，Ｇ，Ｂの３つの発光ダイオードチップを含む場合を例示して説明したが、発光素子部が更に他の色の発光ダイオードチップを含んでいてもよいし、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光ダイオードチップのいずれかに代えて他の色の発光ダイオードチップを含んでいてもよい。
【００９０】
尚、本開示内容は以下のような構成であってもよい。
（１）
基板上に、第１の配線層と、複数の画素を含む素子部とを備え、
前記素子部は、各画素内に、
１または複数の発光素子を含むと共に発光面を有する発光素子部と、
前記発光素子部を駆動すると共に、前記第１の配線層を介して前記発光素子部と電気的に接続された駆動素子とを有し、
前記発光素子部の前記発光面の端部は、前記駆動素子の上端部と同じ高さか、または前記上端部よりも高い位置に配置されている
表示装置。
（２）
前記発光素子部では、前記発光素子の前記基板側に第１の絶縁膜が設けられ、
前記第１の絶縁膜の厚みと前記発光素子の厚みとの合計は、前記駆動素子の厚みと同等か、または前記駆動素子の厚み以上である
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記発光素子部および前記駆動素子と前記基板との間に、選択的な領域に第１の凹部を有する第２の絶縁膜が設けられ、
前記駆動素子は、前記第２の絶縁膜の前記第１の凹部に一部が埋め込まれて形成されている
上記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記発光素子部と前記駆動素子とを覆う封止層を更に備え、
前記発光素子部は、前記発光素子を覆うと共に、前記発光面を含み、かつ前記封止層よりも屈折率の高い高屈折率層を有する
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
前記高屈折率層の前記発光面の端部から出射する光の出射角の最大値は９０°である
上記（４）に記載の表示装置。
（６）
前記高屈折率層の屈折率および厚みは、以下の条件式（Ａ）を満たす
上記（５）に記載の表示装置。
ｎ０／ｎ１＜Ｌ１／（Ｈ１2+Ｌ１2）1/2    …………（Ａ）
但し、
ｎ０：封止層の屈折率
ｎ１：高屈折率層の屈折率
Ｌ１：発光素子の側面に対向する高屈折率層の厚み
Ｈ１：発光素子の発光面に対向する高屈折率層の厚み
とする。
（７）
前記発光素子は、前記駆動素子の一部に埋め込み形成されている
上記（１）に記載の表示装置。
（８）
前記駆動素子は、選択的な領域に第２の凹部を有し、
前記発光素子は、前記第２の凹部内に形成されている
上記（７）に記載の表示装置。
（９）
前記第２の凹部の底面に、前記発光面の高さを調整するための第３の絶縁膜を有する
上記（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記駆動素子がテーパ形状を有する
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
前記駆動素子の断面形状が台形状である
上記（１０）に記載の表示装置。
（１２）
前記駆動素子の表面を覆って遮光膜が形成されている
上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
前記駆動素子の表面を覆って反射防止膜が形成されている
上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）
前記発光素子と前記駆動素子とを電気的に接続するための接続配線を有し、
前記接続配線は、前記発光素子と前記駆動素子との間に介在して遮光層を兼ねる
上記（１）〜（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）
前記接続配線は、ＴＳＶ（Through-Silicon Via）により形成されている
上記（１４）に記載の表示装置。
（１６）
前記駆動素子に重畳すると共に、めっきによる金属配線形成用のシード層を有し、
前記シード層は、前記発光素子と前記駆動素子との間に介在して遮光層を兼ねる
上記（１）〜（１５）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）
前記発光素子と駆動素子との間に埋め込み形成された遮光樹脂層を有する
上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）
前記遮光樹脂層は、前記画素間および前記発光素子と前記駆動素子との間に埋め込まれ、平坦化層を兼ねる
上記（１７）に記載の表示装置。
【００９１】
本出願は、日本国特許庁において２０１５年１月２９日に出願された日本特許出願番号第２０１５−０１５８４３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
【００９２】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１３Ｆ】
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【図１３Ｇ】
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【図１３Ｈ】
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【図１３Ｉ】
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【図１３Ｊ】
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【図１３Ｋ】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１６】
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【図１７】
2016121258.tif 000049
【図１８】
2016121258.tif 000050
【図１９Ａ】
2016121258.tif 000051
【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２０Ｅ】
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【図２０Ｆ】
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【図２０Ｇ】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２７Ｃ】
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【図２７Ｄ】
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【図２８】
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【図２９】
2016121258.tif 000073
【図３０】
2016121258.tif 000074
【国際調査報告】
2016121258.tif 000075
2016121258.tif 000076
2016121258.tif 000077
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