(57)【要約】  逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物と、フッ素原子を含む界面活性剤と、溶媒とを含み、前記界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合が、３０重量％以下である、液晶性組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物と、
フッ素原子を含む界面活性剤と、
溶媒とを含み、
前記界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合が、３０重量％以下である、液晶性組成物。
【請求項２】
前記重合性液晶化合物が、前記重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む、請求項１記載の液晶性組成物。
【請求項３】
前記重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）で表される、請求項１又は２記載の液晶性組成物。
【化１】
2016148047.tif 000042
（前記式（Ｉ）において、
Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−ＮＲ１−、又は、−ＮＲ１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｇ１、Ｇ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−、−ＮＲ２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ａｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａｘ及びＡｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記ＡｘとＡｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
Ａ１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
Ａ２、Ａ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
Ａ４、Ａ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ｑ１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
【請求項４】
支持面に、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶性組成物を塗布して、前記液晶性組成物の層を形成する工程と、
前記液晶性組成物の層に含まれる前記重合性液晶化合物を配向させる工程と、
前記重合性液晶化合物を重合させて、位相差層を得る工程とを含む、位相差層の製造方法。
【請求項５】
直線偏光子と、
請求項４記載の製造方法で製造された位相差層とを備える、円偏光板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶性組成物、並びに、その液晶性組成物を用いた位相差層の製造方法及び円偏光板に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置には、当該表示装置の画面の反射を抑制するため、円偏光板が設けられることがある。このような円偏光板は、通常、直線偏光子と位相差層とを備える。
前記のような位相差層を得るための方法の一つとして、重合性液晶化合物を用いる方法が知られている。この方法では、通常、重合性液晶化合物を含む組成物を、適切な基材の表面に塗布して層とし、層内の重合性液晶化合物を配向させ、さらに配向させた状態を維持して重合させることにより、位相差層を形成する（特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４２５６４号公報
【特許文献２】特開２０１３−０７６８５１号公報
【特許文献３】特開２００７−１７７２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、特許文献１〜３のような従来の技術では、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を用いて面状態及び配向性の両方に優れた位相差層を得ることが難しかった。
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を用いて面状態及び配向性の両方に優れる位相差層を製造できる液晶性組成物；逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を用いた、面状態及び配向性の両方に優れる位相差層の製造方法；並びに、面状態及び配向性の両方に優れる位相差層を備えた円偏光板；を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、前記課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者らは、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物と、所定の割合でフッ素原子を含む界面活性剤と、溶媒とを含む液晶性組成物により、面状態及び配向性の両方に優れる位相差層を製造できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は下記の通りである。【０００６】
〔１〕  逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物と、
フッ素原子を含む界面活性剤と、
溶媒とを含み、
前記界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合が、３０重量％以下である、液晶性組成物。
〔２〕  前記重合性液晶化合物が、前記重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む、〔１〕記載の液晶性組成物。
〔３〕  前記重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）で表される、〔１〕又は〔２〕記載の液晶性組成物。
【化１】
2016148047.tif 000002
（前記式（Ｉ）において、
Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−ＮＲ１−、又は、−ＮＲ１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｇ１、Ｇ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−、−ＮＲ２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ａｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａｘ及びＡｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記ＡｘとＡｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
Ａ１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
Ａ２、Ａ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
Ａ４、Ａ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ｑ１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
〔４〕  支持面に、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の液晶性組成物を塗布して、前記液晶性組成物の層を形成する工程と、
前記液晶性組成物の層に含まれる前記重合性液晶化合物を配向させる工程と、
前記重合性液晶化合物を重合させて、位相差層を得る工程とを含む、位相差層の製造方法。
〔５〕  直線偏光子と、〔４〕記載の製造方法で製造された位相差層とを備える、円偏光板。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の液晶性組成物によれば、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を用いて、面状態及び配向性の両方に優れる位相差層を製造できる。
本発明の位相差層の製造方法によれば、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を用いて、面状態及び配向性の両方に優れる位相差層を製造できる。
本発明の円偏光板は、面状態及び配向性の両方に優れる位相差層を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の実施例２で観察された位相差層の像を表す図である。
【図２】図２は、本発明の実施例５で観察された位相差層の像を表す図である。
【図３】図３は、比較例３で観察された位相差層の像を表す図である。
【図４】図４は、比較例５で観察された位相差層の像を表す図である。
【図５】図５は、本発明の実施例２で測定されたレターデーションをマッピング表示にて示す表示図である。
【図６】図６は、本発明の実施例５で測定されたレターデーションをマッピング表示にて示す表示図である。
【図７】図７は、比較例３で測定されたレターデーションをマッピング表示にて示す表示図である。
【図８】図８は、比較例５で測定されたレターデーションをマッピング表示にて示す表示図である。
【図９】図９は、本発明の実施例２で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点でのレターデーションをグラフ表示にて示す表示図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施例５で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点でのレターデーションをグラフ表示にて示す表示図である。
【図１１】図１１は、比較例３で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点でのレターデーションをグラフ表示にて示す表示図である。
【図１２】図１２は、比較例５で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点でのレターデーションをグラフ表示にて示す表示図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施例２で測定された厚みをマッピング表示にて示す表示図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施例５で測定された厚みをマッピング表示にて示す表示図である。
【図１５】図１５は、比較例３で測定された厚みをマッピング表示にて示す表示図である。
【図１６】図１６は、比較例５で測定された厚みをマッピング表示にて示す表示図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施例２で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点での厚みをグラフ表示にて示す表示図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施例５で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点での厚みをグラフ表示にて示す表示図である。
【図１９】図１９は、比較例３で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点での厚みをグラフ表示にて示す表示図である。
【図２０】図２０は、比較例５で測定された、位相差層の幅方向に平行な線分上の点での厚みをグラフ表示にて示す表示図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、例示物及び実施形態を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
【００１０】
以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±５°、好ましくは±３°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。
【００１１】
以下の説明において、ある層のレターデーションとは、別に断らない限り、面内レターデーションＲｅを表す。この面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍである。
【００１２】
以下の説明において、「偏光板」及び「波長板」は、別に断らない限り、樹脂フィルム等の可撓性を有するフィルム及びシートを含む用語として用いる。
【００１３】
［１．液晶性組成物］
本発明の液晶性組成物は、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物、フッ素原子を含む界面活性剤、及び、溶媒を含む。以下の説明において、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物のことを、適宜「逆波長重合性液晶化合物」ということがある。本発明の液晶性組成物は、常温下においては紛体状、液体状の形態は問わないが、配向処理をされる温度域（通常は５０℃〜１５０℃）においては通常、流体状の組成物である。
【００１４】
［１．１．重合性液晶化合物］
逆波長重合性液晶化合物は、液晶性を有するので、当該逆波長重合性液晶化合物を配向させたときに、液晶相を呈しうる。また、逆波長重合性液晶化合物は、重合性を有するので、前記のように液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向を維持したままま重合体となりうる。本発明の液晶性組成物が前記のような逆波長重合性液晶化合物を含むので、本発明の液晶性組成物を用いて位相差層を製造することができる。
【００１５】
さらに、逆波長重合性液晶化合物は、逆波長分散性の複屈折を発現しうる化合物である。ここで、逆波長分散性の複屈折を発現しうる化合物とは、前記のように重合体とした場合に、得られた重合体が逆波長分散性の複屈折を発現する化合物をいう。
逆波長分散性の複屈折とは、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長６５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（６５０）が、下記式（１）を満たす複屈折をいう。このような逆波長分散性の複屈折を発現しうる前記の逆波長重合性液晶化合物は、通常、測定波長が長いほど、大きい複屈折を発現しうる。したがって、通常、逆波長重合性液晶化合物を前述のように重合させた重合体の複屈折は、下記式（２）を満たす。下記式（２）において、Δｎ（５５０）は、測定波長５５０ｎｍにおける複屈折を表す。
Δｎ（４５０）＜Δｎ（６５０）    （１）
Δｎ（４５０）＜Δｎ（５５０）＜Δｎ（６５０）    （２）
【００１６】
逆波長重合性液晶化合物としては、例えば、当該逆波長重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む化合物を用いうる。主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンを含む前記の逆波長重合性液晶化合物は、当該逆波長重合性液晶化合物が配向した状態において、側鎖メソゲンが主鎖メソゲンと異なる方向に配向しうる。したがって、このような配向を維持したまま逆波長重合性液晶化合物を重合させて得た重合体において、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは異なる方向に配向しうる。この配向により、前記の重合体は逆波長分散性の複屈折を発現できる。
【００１７】
逆波長重合性液晶化合物の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは７００以上、特に好ましくは１０００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。逆波長重合性液晶化合物が前記のような分子量を有することは、逆波長重合性液晶化合物が単量体であることを表す。重合体ではなく単量体としての逆波長重合性液晶化合物を用いることにより、液晶性組成物の塗布性を特に良好にできる。
【００１８】
逆波長重合性液晶化合物の好適な具体例としては、下記式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。以下の説明において、式（Ｉ）で表される化合物を、適宜「化合物（Ｉ）」ということがある。
【００１９】
【化２】
2016148047.tif 000003
【００２０】
化合物（Ｉ）は、通常、下記式で表すように、基−Ｙ５−Ａ４−（Ｙ３−Ａ２）ｎ−Ｙ１−Ａ１−Ｙ２−（Ａ３−Ｙ４）ｍ−Ａ５−Ｙ６−からなる主鎖メソゲン１ａ、及び、基＞Ａ１−Ｃ（Ｑ１）＝Ｎ−Ｎ（Ａｘ）Ａｙからなる側鎖メソゲン１ｂの２つのメソゲン骨格を含む。また、これらの主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂは、互いに交差している。上記の主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂをあわせて１つのメソゲンとすることもできるが、本発明では、２つのメソゲンに分けて表記する。
【００２１】
【化３】
2016148047.tif 000004
【００２２】
主鎖メソゲン１ａの長軸方向における屈折率をｎ１、側鎖メソゲン１ｂの長軸方向における屈折率をｎ２とする。この際、屈折率ｎ１の絶対値及び波長分散性は、通常、主鎖メソゲン１ａの分子構造に依存する。また、屈折率ｎ２の絶対値及び波長分散性は、通常、側鎖メソゲン１ｂの分子構造に依存する。ここで、液晶相において逆波長重合性液晶化合物は、通常、主鎖メソゲン１ａの長軸方向を回転軸として回転運動を行うので、ここでいう屈折率ｎ１及びｎ２とは、回転体としての屈折率を表している。
【００２３】
主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂの分子構造に由来して、屈折率ｎ１の絶対値は屈折率ｎ２の絶対値より大きい。さらに、屈折率ｎ１及びｎ２は、通常、順波長分散性を示す。ここで、順波長分散性の屈折率とは、測定波長が大きいほど当該屈折率の絶対値が小さくなる屈折率を表す。主鎖メソゲン１ａの屈折率ｎ１は、順波長分散性が小さいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅には小さくならない。これに対し、側鎖メソゲン１ｂの屈折率ｎ２は、順波長分散性が大きいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅に小さくなる。そのため、測定波長が短いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎは小さく、測定波長が長いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎが大きくなる。このようにして、主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂに由来して逆波長分散性の複屈折率が発現しうる。
【００２４】
前記式（Ｉ）において、Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−ＮＲ１−、又は、−ＮＲ１−Ｏ−を表す。
【００２５】
ここで、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ１の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基が挙げられる。
Ｒ１としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
【００２６】
化合物（Ｉ）においては、Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であることが好ましい。
【００２７】
前記式（Ｉ）において、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。
炭素数１〜２０の二価の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３〜２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４〜２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；が挙げられる。
【００２８】
Ｇ１及びＧ２の二価の脂肪族基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。
【００２９】
また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−、−ＮＲ２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記脂肪族基に介在する基としては、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。
【００３０】
これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、例えば、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＮＲ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−が挙げられる。
【００３１】
これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔−（ＣＨ２）１０−〕等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ２）４−〕、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ２）６−〕、オクタメチレン基〔−（ＣＨ２）８−〕、及び、デカメチレン基〔−（ＣＨ２）１０−〕が特に好ましい。
【００３２】
前記式（Ｉ）において、Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
該アルケニル基の炭素数としては、２〜６が好ましい。Ｚ１及びＺ２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。
【００３３】
Ｚ１及びＺ２の炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−、（ＣＨ３）２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２−、（ＣＨ３）２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−が挙げられる。
【００３４】
なかでも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｚ１及びＺ２としては、それぞれ独立して、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、又は、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−が好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、又は、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−がより好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ−が特に好ましい。
【００３５】
前記式（Ｉ）において、Ａｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造、及びチオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を意味する。
【００３６】
Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の両方を有するものであってもよい。
【００３７】
前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；が挙げられる。
【００３８】
Ａｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ５；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ５；−ＳＯ２Ｒ６；等が挙げられる。ここで、Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ６は後述するＲ４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
【００３９】
また、Ａｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であってもよく、縮合多環であってもよく、不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい。
さらに、Ａｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡｙにて同じである。）。
【００４０】
Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、例えば、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；が挙げられる。
【００４１】
Ａｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、Ａｘは以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記式中、「−」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
（１）芳香族炭化水素環基
【００４２】
【化４】
2016148047.tif 000005
【００４３】
【化５】
2016148047.tif 000006
【００４４】
（２）芳香族複素環基
【００４５】
【化６】
2016148047.tif 000007
【００４６】
【化７】
2016148047.tif 000008
【００４７】
上記式中、Ｅは、ＮＲ６ａ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ６ａは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００４８】
【化８】
2016148047.tif 000009
【００４９】
上記式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、ＮＲ７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ７は、前記Ｒ６ａと同様の、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００５０】
【化９】
2016148047.tif 000010
【００５１】
（上記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。）
（３）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基
【００５２】
【化１０】
2016148047.tif 000011
【００５３】
（４）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基
【００５４】
【化１１】
2016148047.tif 000012
【００５５】
（５）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基
【００５６】
【化１２】
2016148047.tif 000013
【００５７】
上記したＡｘの中でも、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、又は炭素数４〜３０の芳香族複素環基であることが好ましく、下記に示すいずれかの基であることがより好ましい。
【００５８】
【化１３】
2016148047.tif 000014
【００５９】
【化１４】
2016148047.tif 000015
【００６０】
さらに、Ａｘは、下記に示すいずれかの基であることが更に好ましい。
【００６１】
【化１５】
2016148047.tif 000016
【００６２】
Ａｘが有する環は、置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ８；−ＳＯ２Ｒ６；が挙げられる。ここでＲ８は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６〜１４のアリール基；を表す。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、及び炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。
【００６３】
Ａｘが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は、単環であってもよく、縮合多環であってもよい。
Ａｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡｙにて同じである。）。
【００６４】
前記式（Ｉ）において、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。
【００６５】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、４〜１０であることが更に好ましい。
【００６６】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。
【００６７】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられる。
【００６８】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基が挙げられる。
【００６９】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ２ＣＦ３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ７ａ；−ＳＯ２Ｒ８ａ；−ＳＲ１０；−ＳＲ１０で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；が挙げられる。ここで、Ｒ７ａ及びＲ１０は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ８ａは、前記Ｒ４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
【００７０】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ７ａ；−ＳＯ２Ｒ８ａ；水酸基；が挙げられる。ここでＲ７ａ及びＲ８ａは、前記と同じ意味を表す。
【００７１】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基と同様な置換基が挙げられる。
【００７２】
Ａｙの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３で表される基において、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。これらの具体例は、前記Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａｘで説明した芳香族炭化水素環基のうち炭素数が５〜１２のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
【００７３】
Ａｙの、−ＳＯ２−Ｒ４で表される基において、Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ４の、炭素数１〜２０のアルキル基、及び炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａｙの、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
【００７４】
Ａｙの、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９で表される基において、Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。これらの具体例は、前記Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａｘで説明した芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基のうち炭素数が５〜２０のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
【００７５】
Ａｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａｘで説明したのと同様のものが挙げられる。
【００７６】
これらの中でも、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基で表される基が好ましい。さらに、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４で表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ３、Ｒ４は前記と同じ意味を表す。
【００７７】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ１０が好ましい。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【００７８】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。
【００７９】
また、ＡｘとＡｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、例えば、置換基を有していてもよい、炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環が挙げられる。
【００８０】
前記炭素数４〜３０の不飽和複素環、及び、炭素数６〜３０の不飽和炭素環は、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。
ＡｘとＡｙが一緒になって形成される環としては、例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の
【００８１】
【化１６】
2016148047.tif 000017
【００８２】
として表される部分を示すものである。
【００８３】
【化１７】
2016148047.tif 000018
【００８４】
【化１８】
2016148047.tif 000019
【００８５】
【化１９】
2016148047.tif 000020
【００８６】
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。）
また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、Ａｘが有する芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。
【００８７】
ＡｘとＡｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、４以上２４以下であるのが好ましく、６以上２０以下であるのがより好ましく、６以上１８以下であるのが更により好ましい。
【００８８】
ＡｘとＡｙの好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（α）及び組み合わせ（β）が挙げられる。
（α）Ａｘが炭素数４〜３０の、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基であり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基及び−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせ。
（β）ＡｘとＡｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成している組み合わせ。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【００８９】
ＡｘとＡｙのより好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（γ）が挙げられる。
（γ）Ａｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせ。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【００９０】
【化２０】
2016148047.tif 000021
【００９１】
【化２１】
2016148047.tif 000022
【００９２】
（式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
ＡｘとＡｙの特に好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（δ）が挙げられる。
（δ）Ａｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、及び、−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせ。下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【００９３】
【化２２】
2016148047.tif 000023
【００９４】
前記式（Ｉ）において、Ａ１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であってもよく、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ１、Ｙ２を便宜上記載している（Ｙ１、Ｙ２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。
【００９５】
【化２３】
2016148047.tif 000024
【００９６】
これらの中でも、Ａ１としては、下記に示す式（Ａ１１）〜（Ａ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ１３）、（Ａ１５）、（Ａ１９）、（Ａ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ２３）で表される基が特に好ましい。
【００９７】
【化２４】
2016148047.tif 000025
【００９８】
Ａ１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記Ａｘの芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。Ａ１としては、置換基を有さないものが好ましい。
【００９９】
前記式（Ｉ）において、Ａ２及びＡ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基が挙げられる。
【０１００】
炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基としては、例えば、シクロプロパンジイル基；シクロブタン−１，２−ジイル基、シクロブタン−１，３−ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン−１，２−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン−１，２−ジイル基、シクロヘプタン−１，３−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，３−ジイル基、シクロオクタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン−１，２−ジイル基、シクロデカン−１，３−ジイル基、シクロデカン−１，４−ジイル基、シクロデカン−１，５−ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン−１，２−ジイル基、シクロドデカン−１，３−ジイル基、シクロドデカン−１，４−ジイル基、シクロドデカン−１，５−ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン−１，２−ジイル基、シクロテトラデカン−１，３−ジイル基、シクロテトラデカン−１，４−ジイル基、シクロテトラデカン−１，５−ジイル基、シクロテトラデカン−１，７−ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン−１，２−ジイル基、シクロエイコサン−１，１０−ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；が挙げられる。
【０１０１】
炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基としては、例えば、デカリン−２，５−ジイル基、デカリン−２，７-ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン−１，２−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，５-ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，６−ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；が挙げられる。
【０１０２】
これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記Ａｘの芳香環の置換基として説明したものと同様のものが挙げられる。
【０１０３】
これらの中でも、Ａ２及びＡ３としては、炭素数３〜１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ３１）〜（Ａ３４）で表される基がさらに好ましく、下記式（Ａ３２）で表される基が特に好ましい。
【０１０４】
【化２５】
2016148047.tif 000026
【０１０５】
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ１及びＹ３（又はＹ２及びＹ４）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型及びトランス型の立体異性体が存在しうる。例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ３２ｂ）が存在し得る。
【０１０６】
【化２６】
2016148047.tif 000027
【０１０７】
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。中でも、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。
【０１０８】
前記式（Ｉ）において、Ａ４及びＡ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。Ａ４及びＡ５の芳香族基は、単環のものであっても、多環のものであってもよい。Ａ４及びＡ５の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。
【０１０９】
【化２７】
2016148047.tif 000028
【０１１０】
上記Ａ４及びＡ５の二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ８ｂ基；が挙げられる。ここでＲ８ｂは、炭素数１〜６のアルキル基である。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としては、フッ素原子がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基がより好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
【０１１１】
これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ａ４及びＡ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ４１）、（Ａ４２）又は（Ａ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ４１）で表される基が特に好ましい。
【０１１２】
【化２８】
2016148047.tif 000029
【０１１３】
前記式（Ｉ）において、Ｑ１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記Ａｙで説明した置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基のうち、炭素数が１〜６のものが挙げられる。これらの中でも、Ｑ１は、水素原子及び炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。
【０１１４】
前記式（Ｉ）において、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。中でも、ｍは好ましくは１であり、また、ｎは好ましくは１である。
【０１１５】
化合物（Ｉ）は、例えば、下記に示す反応により製造しうる。
【０１１６】
【化２９】
2016148047.tif 000030
【０１１７】
（式中、Ｙ１〜Ｙ８、Ｇ１、Ｇ２、Ｚ１、Ｚ２、Ａｘ、Ａｙ、Ａ１〜Ａ５、Ｑ１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。）
【０１１８】
前記の反応式に示したように、式（３）で表されるヒドラジン化合物と式（４）で表されるカルボニル化合物とを反応させることにより、化合物（Ｉ）を製造することができる。以下、式（３）で表されるヒドラジン化合物を、適宜「ヒドラジン化合物（３）」ということがある。また、式（４）で表されるカルボニル化合物を、適宜「カルボニル化合物（４）」ということがある。
【０１１９】
前記の反応において、「ヒドラジン化合物（３）：カルボニル化合物（４）」のモル比は、好ましくは１：２〜２：１、より好ましくは１：１．５〜１．５：１である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で、目的とする化合物（Ｉ）を製造できる。
【０１２０】
この場合、反応系は、（±）−１０−カンファースルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸等の無機酸；等の酸触媒を含んでいてもよい。酸触媒を用いることで、反応時間が短縮され、収率が向上する場合がある。酸触媒の量は、カルボニル化合物（４）１モルに対して、通常０．００１モル〜１モルである。また、酸触媒は、反応系にそのまま配合してもよく、適切な溶液に溶解させた溶液として配合してもよい。
【０１２１】
この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。
【０１２２】
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン化合物（３）１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。
【０１２３】
反応は、通常、−１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。
【０１２４】
ヒドラジン化合物（３）は、次のようにして製造しうる。
【０１２５】
【化３０】
2016148047.tif 000031
【０１２６】
（式中、Ａｘ及びＡｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘａは、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）
【０１２７】
前記の反応式に示したように、式（２ａ）で表される化合物とヒドラジン（１）とを、適切な溶媒中で反応させることで、対応するヒドラジン化合物（３ａ）を得ることができる。この反応における「化合物（２ａ）：ヒドラジン（１）」のモル比は、好ましくは１：１〜１：２０、より好ましくは１：２〜１：１０である。さらに、ヒドラジン化合物（３ａ）と式（２ｂ）で表される化合物とを反応させることで、ヒドラジン化合物（３）を得ることができる。
【０１２８】
ヒドラジン（１）としては、通常１水和物のものを用いうる。ヒドラジン（１）は、市販品をそのまま使用することができる。
【０１２９】
この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。
【０１３０】
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。
【０１３１】
反応は、通常、−１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。
【０１３２】
また、ヒドラジン化合物（３）は、次のように、公知の方法を用いて、ジアゾニウム塩（５）を還元することによっても製造しうる。
【０１３３】
【化３１】
2016148047.tif 000032
【０１３４】
式（５）中、Ａｘ及びＡｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘｂ−は、ジアゾニウムに対する対イオンである陰イオンを示す。Ｘｂ−としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン、ホウフッ化水素酸イオン、塩化物イオン、硫酸イオン等の無機陰イオン；ポリフルオロアルキルカルボン酸イオン、ポリフルオロアルキルスルホン酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、芳香族カルボン酸イオン、芳香族スルホン酸イオン等の有機陰イオン；が挙げられる。
【０１３５】
上記反応に用いる還元剤としては、例えば金属塩還元剤が挙げられる。金属塩還元剤とは、一般に、低原子価金属を含む化合物、もしくは金属イオンとヒドリド源からなる化合物である（「有機合成実験法ハンドブック」１９９０年社団法人有機合成化学協会編  丸善株式会社発行８１０ページを参照）。
【０１３６】
金属塩還元剤としては、例えば、ＮａＡｌＨ４、ＮａＡｌＨｐ（Ｏｒ）ｑ（ｐ及びｑは、それぞれ独立して１〜３の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である。ｒは、炭素数１〜６のアルキル基を表す。）、ＬｉＡｌＨ４、ｉＢｕ２ＡｌＨ、ＬｉＢＨ４、ＮａＢＨ４、ＳｎＣｌ２、ＣｒＣｌ２、ＴｉＣｌ３が挙げられる。ここで「ｉＢｕ」は、イソブチル基を表す。
【０１３７】
還元反応においては公知の反応条件を採用しうる。例えば、特開２００５−３３６１０３号公報、新実験化学講座  １９７８年  丸善株式会社発行  １４巻、実験化学講座  １９９２年  丸善株式会社発行  ２０巻、等の文献に記載の条件で反応を行いうる。
また、ジアゾニウム塩（５）は、アニリン等の化合物から常法により製造しうる。
【０１３８】
カルボニル化合物（４）は、例えば、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。
【０１３９】
エーテル結合の形成は、以下のようにして行いうる。
（ｉ）式：Ｄ１−ｈａｌ（ｈａｌはハロゲン原子を表す。以下にて同じ。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔ（Ｍｅｔはアルカリ金属（主にナトリウム）を表す。以下にて同じ。）で表される化合物とを、混合して縮合させる（ウイリアムソン合成）。なお、式中、Ｄ１及びＤ２は任意の有機基を表す（以下にて同じ。）。
（ii）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iii）式：Ｄ１−Ｊ（Ｊはエポキシ基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iv）式：Ｄ１−ＯＦＮ（ＯＦＮは不飽和結合を有する基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して付加反応させる。
（ｖ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、銅あるいは塩化第一銅の存在下、混合して縮合させる（ウルマン縮合）。
【０１４０】
エステル結合及びアミド結合の形成は、以下のようにして行いうる。
（vi）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを、脱水縮合剤（Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド等）の存在下に脱水縮合させる。
（vii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物にハロゲン化剤を作用させることにより、式：Ｄ１−ＣＯ−ｈａｌで表される化合物を得て、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを、塩基の存在下に反応させる。
（viii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物に酸無水物を作用させることにより、混合酸無水物を得た後、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを反応させる。
（ix）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを、酸触媒あるいは塩基触媒の存在下に脱水縮合させる。
【０１４１】
カルボニル化合物（４）は、より具体的には、下記反応式に示す方法により製造しうる。
【０１４２】
【化３２】
2016148047.tif 000033
【０１４３】
（式中、Ｙ１〜Ｙ８、Ｇ１、Ｇ２、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１〜Ａ５、Ｑ１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、水酸基、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。−Ｙ１ａは、−Ｌ１と反応して−Ｙ１−となりうる基を表し、−Ｙ２ａは、−Ｌ２と反応して−Ｙ２−となりうる基を表す。）
【０１４４】
前記の反応式に示したように、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、又は、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）の形成反応を用いることにより、式（６ｄ）で表される化合物に、式（７ａ）で表される化合物、次いで、式（７ｂ）で表される化合物を反応させて、カルボニル化合物（４）を製造することができる。
【０１４５】
具体例として、Ｙ１が、式：Ｙ１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基であり、且つ、式：Ｚ２−Ｙ８−Ｇ２−Ｙ６−Ａ５−（Ｙ４−Ａ３）ｍ−Ｙ２−で表される基が、式：Ｚ１−Ｙ７−Ｇ１−Ｙ５−Ａ４−（Ｙ３−Ａ２）ｎ−Ｙ１−で表される基と同一である、化合物（４’）の製造方法を以下に示す。
【０１４６】
【化３３】
2016148047.tif 000034
【０１４７】
（式中、Ｙ３、Ｙ５、Ｙ７、Ｇ１、Ｚ１、Ａ１、Ａ２、Ａ４、Ｑ１、ｎ及びＬ１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ１１は、Ｙ１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−がＹ１となる基を表す。Ｙ１は前記と同じ意味を表す。）
【０１４８】
前記の反応式に示したように、式（６）で表されるジヒドロキシ化合物（化合物（６））と式（７）で表される化合物（化合物（７））とを反応させることにより、化合物（４’）を製造し得る。この反応における「化合物（６）：化合物（７）」のモル比は、好ましくは１：２〜１：４、より好ましくは１：２〜１：３である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（４’）を得ることができる。
【０１４９】
化合物（７）が、Ｌ１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。脱水縮合剤の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。
【０１５０】
また、化合物（７）が、Ｌ１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、メタンスルホニルクロリド、ｐ−トルエンスルホニルクロリド等のスルホニルハライド、及びトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基の存在下に反応させることによっても、目的物を得ることができる。スルホニルハライドの使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。また、塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。この場合、前記式（７）中、Ｌ１がスルホニルオキシ基の化合物（混合酸無水物）を単離して、次の反応を行ってもよい。
【０１５１】
さらに、化合物（７）が、Ｌ１がハロゲン原子である化合物（酸ハライド）である場合には、塩基の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。
【０１５２】
上記反応に用いる溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン等のエーテル溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドロキシ化合物（６）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。
【０１５３】
化合物（６）の多くは公知物質であり、公知の方法により製造しうる。例えば、下記反応式に示す方法により製造しうる（国際公開第２００９／０４２５４４号、及び、Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１１，７６，８０８２−８０８７等参照。）。化合物（６）として市販されているものを、所望により精製して用いてもよい。
【０１５４】
【化３４】
2016148047.tif 000035
【０１５５】
（式中、Ａ１及びＱ１は、前記と同じ意味を表し、Ａ１ａは、ホルミル化又はアシル化されることによりＡ１になりうる２価の芳香族基を表し、Ｒ’は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基、メトキシメチル基等の炭素数２〜６のアルコキシアルキル基等の、水酸基の保護基を表す。）
【０１５６】
前記の反応式に示したように、式（６ａ）で表されるジヒドロキシ化合物（１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシナフタレン等）の水酸基をアルキル化して、式（６ｂ）で表される化合物を得る。その後、ＯＲ’基のオルト位を、公知の方法により、ホルミル化又はアシル化することにより、式（６ｃ）で表される化合物を得る。そして、このものを脱保護（脱アルキル化）することにより、目的とする化合物（６）を製造しうる。
また、化合物（６）として、市販されているものをそのまま、又は所望により精製して用いてもよい。
【０１５７】
化合物（７）の多くは公知化合物であり、例えば、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。
【０１５８】
例えば、化合物（７）が、下記式（７’）で表される化合物（化合物（７’））である場合には、式（９’）で表されるジカルボン酸（化合物（９’））を用いて、下記のようにして製造することができる。
【０１５９】
【化３５】
2016148047.tif 000036
【０１６０】
（式中、Ｙ５、Ｙ７、Ｇ１、Ｚ１、Ａ２、Ａ４及びＹ１１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ１２は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ１２がＹ３となる基を表す。Ｒは、メチル基、エチル基等のアルキル基；フェニル基、ｐ−メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；を表す。）
【０１６１】
先ず、化合物（９’）に、式（１０）で表されるスルホニルクロライドを、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基存在下で反応させる。次いで、反応混合物に、化合物（８）と、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基を加えて反応を行う。
スルホニルクロライドの使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
また、化合物（８）の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．６当量である。
塩基の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
反応温度は、２０℃〜３０℃であり、反応時間は反応規模等にもよるが、数分から数時間である。
【０１６２】
上記反応に用いる溶媒としては、前記化合物（４’）を製造する際に用いうる溶媒として例示したものが挙げられる。なかでも、エーテル溶媒が好ましい。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、化合物（９’）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。
【０１６３】
いずれの反応においても、反応終了後は、有機合成化学における通常の後処理操作を行いうる。また、所望により、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、蒸留法等の公知の分離精製法を施すことにより、目的物を単離しうる。
目的とする化合物の構造は、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、マススペクトル等の測定、元素分析等により、同定できる。
【０１６４】
［１．２．界面活性剤］
本発明の液晶性組成物は、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を含む。この界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合は、通常３０重量％以下、好ましくは２５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下である。このように所定の割合でフッ素原子を含む界面活性剤を逆波長重合性液晶化合物と組み合わせて用いることにより、本発明の液晶性組成物を用いて製造される位相差層の面状態及び配向性の両方を良好にできる。さらに、通常は、位相差層の位相差ムラ及び厚みムラを抑制することが可能である。
【０１６５】
従来の技術常識からすれば、界面活性剤によって液晶性組成物の表面張力を低くするほど、当該液晶性組成物から得られる位相差層の面状態を改善する効果は大きくなると予想されていた。しかし、本発明者らの検討によれば、本発明においては、界面活性剤が液晶性組成物の表面張力を低くする能力と、位相差層の面状態の改善の程度との間には、必ずしも相関が認められない。これらの事項から考えると、本発明の液晶性組成物によって得られる前記の効果は、従来の技術常識から予測できない意外な効果である。
【０１６６】
分子中にフッ素原子を含む前記の界面活性剤は、通常、フルオロアルキル基を含む。このフルオロアルキル基としては、面状態の改善、配向性の改善、位相差ムラの抑制、及び厚みムラの抑制といった効果を顕著に発揮する観点から、パーフルオロアルキル基が好ましく、特に−Ｃ６Ｆ１３基が好ましい。
【０１６７】
前記の界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合の下限は、特には制限されないが、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは１５重量％以上である。界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を前記範囲の下限値以上にすることにより、本発明の液晶性組成物を用いて製造される位相差層の面状態及び配向性の両方を効果的に良好にできる。
【０１６８】
界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合は、下記の方法によって測定しうる。
試料としての界面活性剤を秤量し、分析装置の燃焼管内で燃焼させる。燃焼により発生したガスを、適切な溶液に吸収させて、吸収液を得る。その後、吸収液の一部をイオンクロマトグラフィーにより分析することによって、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を測定しうる。
【０１６９】
界面活性剤としては、当該界面活性剤の分子中に２単位以上含まれる繰り返し単位を有するオリゴマー構造を有するものを用いてもよく、繰り返し単位を含まないモノマー構造を有するものを用いてもよい。
【０１７０】
また、界面活性剤としては、重合性を有さないものを用いてもよく、重合性を有するものを用いてもよい。重合性を有する界面活性剤は、逆波長重合性液晶化合物を重合させる際に重合しうるので、通常は、本発明の液晶性組成物から製造される位相差層においては重合体の分子の一部に含まれる。
【０１７１】
前記のようにフッ素原子を含む界面活性剤としては、例えば、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンシリーズ（Ｓ２４２、Ｓ２４３、Ｓ３８６、Ｓ６１１、Ｓ６５１など）、ＤＩＣ社製のメガファックシリーズ（Ｆ２５１、Ｆ５５４、Ｆ５５６、Ｆ５６２、ＲＳ−７５、ＲＳ−７６−Ｅなど）、ネオス社製のフタージェントシリーズ（ＦＴＸ６０１ＡＤ、ＦＴＸ６０２Ａ、ＦＴＸ６０１ＡＤＨ２、ＦＴＸ６５０Ａなど）等が挙げられる。また、これらの界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１７２】
前記のようにフッ素原子を含む界面活性剤の量は、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、特に好ましくは０．３重量部以上であり、好ましくは５．０重量部以下、より好ましくは１．０重量部以下、特に好ましくは０．５重量部以下である。界面活性剤の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより塗布時の支持面上への液晶性組成物の塗り付き性が良好になり、前記範囲の上限値以下にすることにより配向性を保ちながら面状の改良ができる。
【０１７３】
［１．３．溶媒］
溶媒としては、逆波長重合性液晶化合物を溶解できるものを用いうる。このような溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素；が挙げられる。
【０１７４】
溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせた混合溶媒として用いてもよい。例えば、シクロペンタノン等のケトン溶媒と１，３−ジオキソラン等のエーテル溶媒とを組み合わせて用いることが好ましい。このように組み合わせる場合、ケトン溶媒とエーテル溶媒との重量比（ケトン溶媒／エーテル溶媒）は、好ましくは１０／９０以上、より好ましくは３０／７０以上、特に好ましくは４０／６０以上であり、好ましくは９０／１０以下、より好ましくは７０／３０以下、特に好ましくは５０／５０以下である。ケトン溶媒及びエーテル溶媒を前記の重量比で用いることにより、塗布時の欠陥発生の抑制ができる。
【０１７５】
溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、好ましくは６０℃〜２５０℃、より好ましくは６０℃〜１５０℃である。
【０１７６】
溶媒の量は、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは３００重量部以上、より好ましくは３５０重量部以上、特に好ましくは４００重量部以上であり、好ましくは７００重量部以下、より好ましくは６００重量部以下、特に好ましくは５００重量部以下である。溶媒の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより異物発生の抑制ができ、前記範囲の上限値以下にすることにより乾燥負荷の低減ができる。
【０１７７】
［１．４．任意の成分］
本発明の液晶性組成物は、前述した逆波長重合性液晶化合物、界面活性剤及び溶媒に組み合わせて、更に任意の成分を含みうる。
【０１７８】
例えば、本発明の液晶性組成物は、重合開始剤を含みうる。重合開始剤は、逆波長重合性液晶化合物の種類に応じて選択しうる。例えば、逆波長重合性液晶化合物がラジカル重合性であれば、ラジカル重合開始剤を使用しうる。また、逆波長重合性液晶化合物がアニオン重合性であれば、アニオン重合開始剤を使用しうる。さらに、逆波長重合性液晶化合物がカチオン重合性であれば、カチオン重合開始剤を使用しうる。
【０１７９】
ラジカル重合開始剤としては、加熱によって逆波長重合性液晶化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である熱ラジカル発生剤；可視光線、紫外線（ｉ線など）、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の露光光の露光により、逆波長重合性液晶化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である光ラジカル発生剤；のいずれも使用可能である。中でも、ラジカル重合開始剤としては、光ラジカル発生剤が好適である。
【０１８０】
光ラジカル発生剤としては、例えば、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、Ｏ−アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キサントン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物を挙げられる。これらの化合物は、露光によって、活性ラジカル、活性酸、又は、活性ラジカル及び活性酸の両方を発生しうる。
【０１８１】
アセトフェノン系化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシル・フェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，２−オクタンジオン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−４’−モルフォリノブチロフェノンを挙げることができる。
【０１８２】
ビイミダゾール系化合物の具体例としては、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールを挙げることができる。
【０１８３】
重合開始剤としてビイミダゾール系化合物を用いる場合、ビイミダゾール系化合物に組み合わせて水素供与体を用いることにより、感度を更に改良することができる。ここで「水素供与体」とは、露光によりビイミダゾール系化合物から発生したラジカルに対して、水素原子を供与することができる化合物を意味する。水素供与体としては、下記で例示するメルカプタン系化合物及びアミン系化合物が好ましい。
【０１８４】
メルカプタン系化合物としては、例えば、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、２−メルカプト−２，５−ジメチルアミノピリジンを挙げることができる。アミン系化合物としては、例えば、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ジエチルアミノアセトフェノン、４−ジメチルアミノプロピオフェノン、エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノベンゾニトリルを挙げることができる。
【０１８５】
トリアジン系化合物の具体例としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（フラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の、ハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げることができる。
【０１８６】
Ｏ−アシルオキシム系化合物の具体例としては、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−ヘプタン−１，２−ジオン  ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン  ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（ベンゾイル）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン  ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン  １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−［９−エチル−６−（３−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン  １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−（９−エチル−６−ベンゾイル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−エタノン  １−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）ベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）を挙げることができる。
【０１８７】
光ラジカル発生剤としては、市販品をそのまま用いてもよい。具体例としては、ＢＡＳＦ社製の、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９、及び商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ  ＯＸＥ０２、ＡＤＥＫＡ社製の、商品名：アデカオプトマーＮ１９１９等が挙げられる。
【０１８８】
アニオン重合開始剤としては、例えば、アルキルリチウム化合物；ビフェニル、ナフタレン、ピレン等の、モノリチウム塩又はモノナトリウム塩；ジリチウム塩やトリリチウム塩等の多官能性開始剤；が挙げられる。
【０１８９】
カチオン重合開始剤としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズのようなルイス酸；芳香族オニウム塩又は芳香族オニウム塩と、還元剤との併用系；が挙げられる。
【０１９０】
重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１９１】
重合開始剤の量は、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。重合開始剤の量が前記範囲に収まることにより、逆波長重合性液晶化合物の重合を効率的に進行させることができる。
【０１９２】
さらに、本発明の液晶性組成物が含みうる任意の成分としては、例えば、逆波長重合性液晶化合物以外の重合性化合物；金属；金属錯体；酸化チタン等の金属酸化物；染料、顔料等の着色剤；蛍光材料、燐光材料等の発光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；等の添加剤が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１９３】
前記の添加剤の量は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で任意に設定しうる。添加剤の量は、具体的には、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、各々０．１重量部〜２０重量部としうる。
【０１９４】
［２．位相差層の製造方法］
本発明の液晶性組成物を用いることにより、位相差層を製造できる。このような位相差層の製造方法は、
（ｉ）支持面に、本発明の液晶性組成物を塗布して、液晶性組成物の層を形成する工程と、
（ii）液晶性組成物の層に含まれる逆波長重合性液晶化合物を配向させる工程と、
（iii）逆波長重合性液晶化合物を重合させて、位相差層を得る工程と
を含む。
【０１９５】
［２．１．液晶性組成物の層の形成］
支持面としては、液晶性組成物の層を支持できる任意の面を用いうる。この支持面としては、位相差層の面状態を良好にする観点から、通常、凹部及び凸部の無い平坦面を用いる。位相差層の生産性を高める観点から、前記の支持面としては、長尺の基材の表面を用いることが好ましい。ここで「長尺」とは、幅に対して、少なくとも５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムの形状をいう。
【０１９６】
基材の材質に特に制限は無いが、通常は、樹脂からなる基材を用いる。基材を形成する樹脂としては、各種の重合体を含む樹脂が挙げられる。当該重合体としては、例えば、ノルボルネン系重合体等の脂環式構造含有重合体、セルロースエステル、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ＵＶ透過アクリル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、エポキシ重合体、ポリスチレン、及び、これらの組み合わせが挙げられる。これらの中でも、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性の観点から、脂環式構造含有重合体及びセルロースエステルが好ましく、脂環式構造含有重合体がより好ましい。
【０１９７】
基材には、液晶性組成物の層における逆波長重合性液晶化合物の配向を促進するため、基材の表面に配向規制力を付与するための処理が施されていてもよい。
【０１９８】
配向規制力を付与するための処理としては、例えば、ラビング処理が挙げられる。基材の表面にラビング処理を施すことにより、液晶性組成物の層に含まれる逆波長重合性液晶化合物を均一配向させる配向規制力を、かかる面に付与できる。ラビング処理の方法としては、例えば、ナイロン等の合成繊維、木綿等の天然繊維からなる布又はフェルトを巻き付けたロールで、一定方向に基材の表面を擦る方法が挙げられる。ラビング処理した時に発生する微粉末を除去して処理された面を清浄な状態とするために、ラビング処理後に、処理された面をイソプロピルアルコール等の洗浄液によって洗浄することが好ましい。
【０１９９】
また、配向規制力を付与するための処理としては、例えば、基材の表面に配向層を形成する処理が挙げられる。配向層は、液晶性組成物中の逆波長重合性液晶化合物を、面内で一方向に配向させうる層である。配向層を設けた場合、この配向層の表面に液晶性組成物の層を形成しうる。
【０２００】
配向層は、通常、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド等のポリマーを含有する。配向層は、このようなポリマーを含む溶液を基材上に膜状に塗布し、乾燥させ、そして一方向にラビング処理を施すことで、製造できる。また、ラビング処理以外に、配向層の表面に偏光紫外線を照射する方法によっても、配向層に配向規制力を付与しうる。配向層の厚さは、好ましくは０．００１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．００１μｍ〜１μｍである。
【０２０１】
さらに、配向規制力を付与するための処理としては、例えば、延伸処理が挙げられる。基材に適切な条件で延伸処理を施すことにより、基材に含まれる重合体の分子を配向させることができる。これにより、基材に含まれる重合体の分子の配向方向に逆波長重合性液晶化合物を配向させる配向規制力を、基材の表面に付与できる。
【０２０２】
基材の延伸は、基材に異方性を付与して、当該基材に遅相軸を発現させられるように行うことが好ましい。これにより、通常は、基材の遅相軸と平行又は垂直な方向に逆波長重合性液晶化合物を配向させる配向規制力が、基材の表面に付与される。したがって、基材の延伸方向は、逆波長重合性液晶化合物を配向させようとする所望の配向方向に応じて設定しうる。特に、遅相軸は、基材の巻取方向に対して４５°の角度をなすように発現させることが好ましい。
【０２０３】
延伸倍率は、延伸後の基材の複屈折Δｎが所望の範囲となるように設定しうる。延伸後の基材の複屈折Δｎは、好ましくは０．００００５０以上、より好ましくは０．００００７０以上であり、好ましくは０．００７５００以下、より好ましくは０．００７０００以下である。延伸後の基材の複屈折Δｎが前記範囲の下限値以上であることにより、当該基材の表面に良好な配向規制力を付与できる。また、複屈折Δｎが前記範囲の上限値以下であることにより、基材のレターデーションを小さくできるので、基材を位相差層から剥離しなくても、位相差層と基材とを組み合わせて各種の用途に用いうる。
前記の延伸は、テンター延伸機などの延伸機を用いて行いうる。
【０２０４】
また、配向規制力を付与するための処理としては、例えば、イオンビーム配向処理が挙げられる。イオンビーム配向処理では、Ａｒ＋等のイオンビームを基材に対して入射させることにより、基材の表面に配向規制力を付与することができる。
【０２０５】
基材の厚みは、特に制限されないが、生産性の向上、薄型化及び軽量化を容易にする観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは３０μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。
【０２０６】
必要に応じて前記のような基材を用意した後で、基材の表面等の支持面に、本発明の液晶性組成物を塗布して、液晶性組成物の層を形成する工程を行う。液晶性組成物を塗布する方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、キャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。塗布される液晶性組成物の層の厚みは、位相差層に求められる所望の厚さに応じて適切に設定しうる。
【０２０７】
［２．２．逆波長重合性液晶化合物の配向］
液晶性組成物の層を形成した後で、当該層に含まれる逆波長重合性液晶化合物を配向させる工程を行う。通常は、液晶性組成物の層に、加温等の配向処理を施すことにより、逆波長重合性液晶化合物を配向させられる。配向処理の条件は、使用する液晶性組成物の性質に応じて適切に設定しうる。配向処理の条件の具体例を挙げると、５０℃〜１６０℃の温度条件において、３０秒間〜５分間処理する条件としうる。
【０２０８】
ただし、逆波長重合性液晶化合物の配向は、本発明の液晶性組成物の塗布により直ちに達成される場合がありえる。そのため、逆波長重合性液晶化合物を配向させるための配向処理は、必ずしも液晶性組成物の層に施さなくてもよい。
【０２０９】
［２．３．逆波長重合性液晶化合物の重合］
逆波長重合性液晶化合物を配向させた後で、逆波長重合性液晶化合物を重合させて、位相差層を得る工程を行う。逆波長重合性液晶化合物の重合方法としては、液晶性組成物に含まれる成分の性質に適合した方法を選択しうる。重合方法としては、例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び、熱重合法が挙げられる。中でも、加熱が不要であり、室温で重合反応を進行させられるので、活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。
【０２１０】
なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、基材のガラス転移温度以下とすることが好ましく、通常１５０℃以下、好ましくは１００℃以下、より好ましくは８０℃以下である。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上としうる。紫外線の照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ２以上、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ２以上であり、好ましくは１０００ｍＷ／ｃｍ２以下、より好ましくは６００ｍＷ／ｃｍ２以下である。
【０２１１】
［２．４．任意の工程］
位相差層の製造方法は、前記の工程に加えて、更に任意の工程を含みうる。
例えば、位相差層の製造方法は、液晶性組成物の層に含まれる逆波長重合性液晶化合物を配向させる工程の後、逆波長重合性液晶化合物を重合させる工程の前に、液晶性組成物の層を乾燥させる工程を含んでいてもよい。かかる乾燥は、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等の乾燥方法で達成しうる。かかる乾燥により、液晶性組成物の層から、溶媒を除去することができる。
また、例えば、位相差層の製造方法は、製造された位相差層を支持面から剥離する工程を含んでいてもよい。
【０２１２】
［２．５．製造される位相差層］
前記のようにして製造された位相差層は、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体を含む。この重合体は、逆波長重合性液晶化合物が液晶相における分子の配向を維持したまま重合して得られたものであるので、ホモジニアス配向規則性を有する。ここで、「ホモジニアス配向規則性を有する」とは、重合体の分子のメソゲンの長軸方向が、位相差層の面に水平なある一の方向に整列することをいう。また、前記の重合体の分子のメソゲンの長軸方向は、当該重合体に対応する逆波長重合性液晶化合物のメソゲンの長軸方向となる。さらに、逆波長重合性液晶化合物として化合物（Ｉ）を用いた場合のように、位相差層中に配向方向の異なる複数種類のメソゲンが存在する場合は、それらのうち最も長い種類のメソゲンが整列する方向が、前記の整列方向となる。
【０２１３】
このような位相差層は、通常、前記のような重合体の配向規則性に対応して、前記の重合体の整列方向と平行な遅相軸を有する。逆波長重合性液晶化合物を重合させて得た重合体がホモジニアス配向規則性を有しているか否か、及びその整列方向は、ＡｘｏＳｃａｎ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）に代表されるような位相差計を用いた遅相軸方向の測定と、遅相軸方向における入射角毎のリタデーション分布の測定とにより確認しうる。
【０２１４】
逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体を含むので、位相差層は、逆波長分散性の複屈折を有する。したがって、位相差層は、逆波長分散性のレターデーションを有することができる。ここで、逆波長分散性のレターデーションとは、波長４５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（４５０）、波長５５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（５５０）及び波長６５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（６５０）が、通常下記式（３）を満たすレターデーションを言い、好ましくは下記式（４）を満たすレターデーションを言う。逆波長分散性のレターデーションを有することにより、前記の位相差層は、１／４波長板又は１／２波長板等の光学用途において、広い帯域において均一に機能を発現できる。
Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（６５０）    （３）
Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０）    （４）
【０２１５】
位相差層の具体的なレターデーションの範囲は、位相差層の用途に応じて任意に設定しうる。例えば、位相差層を１／４波長板として機能させたい場合には、位相差層のレターデーションＲｅ（５５０）は、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１８０ｎｍ以下、より好ましくは１６０ｎｍ以下、特に好ましくは１５０ｎｍ以下である。
【０２１６】
前記の位相差層は、本発明の液晶性組成物を用いて製造されたものであるので、面状態に優れる。ここで、面状態が良好な位相差層とは、当該位相差層の表面形状にムラ及び欠陥が少なく滑らかである位相差層をいう。
また、前記の位相差層は、本発明の液晶性組成物を用いて製造されたものであるので、配向性に優れる。ここで配向性に優れる位相差層とは、当該位相差層に含まれる逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体の配向欠陥が少ない位相差層をいう。
このように、前記の位相差層は面状態及び配向性の両方に優れるので、この位相差層を備える円偏光板による反射防止性能を、円偏光板の面内において均一にできる。
【０２１７】
さらに、前記の位相差層は、通常、位相差ムラ及び厚みムラを抑制できる。そのため、通常は、この位相差層を備える円偏光板による反射防止性能を、円偏光板の面内において更に高度に均一化できる。
【０２１８】
位相差層の厚みは、リターデーション等の特性を所望の範囲にできるように、適切に設定しうる。具体的には、位相差層の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下である。
【０２１９】
位相差層は、光学用途に用いることができ、特に、１／４波長板及び１／２波長板等の波長板として好適である。
【０２２０】
前記の波長板は、位相差層のみを備えていてもよい。このように位相差層のみを備える波長板は、例えば、基材上で形成された位相差層を基材から剥離し、矩形などの用途に応じた所望の形状に裁断して製造し得る。
【０２２１】
また、前記の波長板は、位相差層に加えて、位相差層の製造に用いた基材を更に備えていてもよい。このように位相差層及び基材を備えた波長板は、例えば、基材上で形成された位相差層を基材から剥離せず、基材及び位相差層を備える複層フィルムをそのまま、波長板として用いてもよい。
【０２２２】
さらに、前記の波長板は、位相差層及び基材以外に任意の層を備えていてもよい。任意の層の例としては、他の部材と接着するための接着層、フィルムの滑り性を良くするマット層、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、反射防止層、防汚層等が挙げられる。
【０２２３】
［３．円偏光板］
本発明の円偏光板は、直線偏光子と、本発明の液晶性組成物から製造された前記の位相差層とを備える。
【０２２４】
直線偏光子としては、液晶表示装置等の装置に用いられている公知の直線偏光子を用いうる。直線偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるもの；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるもの；が挙げられる。直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、コレステリック液晶偏光子などの偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうちポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。
【０２２５】
直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。直線偏光子の偏光度は、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。また、直線偏光子の平均厚みは、好ましくは５μｍ〜８０μｍである。
【０２２６】
位相差層は、１／４波長板として機能しうるように、適切なレターデーションを有することが好ましい。また、位相差層の遅相軸と直線偏光子の透過軸とがなす角は、厚み方向から見て４５°またはそれに近い角度であることが好ましく、具体的には４０°〜５０°であることが好ましい。
【０２２７】
このような円偏光板の用途の一つとして、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置の反射防止フィルムとしての用途が挙げられる。表示装置の表面に、円偏光板を、直線偏光子側の面が視認側に向くように設けることにより、装置外部から入射した光が装置内で反射して装置外部へ出射することを抑制することができ、その結果、表示装置の表示面のぎらつきを抑制できる。具体的には、装置外部から入射した光は、その一部の直線偏光のみが直線偏光子を通過し、次にそれが位相差層を通過することにより円偏光となる。円偏光は、装置内の光を反射する構成要素（反射電極等）により反射され、再び位相差層を通過することにより、入射した直線偏光の偏光軸と直交する方向に偏光軸を有する直線偏光となり、直線偏光子を通過しなくなる。これにより、反射防止の機能が達成される。
【０２２８】
また、円偏光板は、直線偏光子及び位相差層に加えて、更に任意の層を備えていてもよい。
【実施例】
【０２２９】
以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。【０２３０】
［評価及び測定方法］
〔１．界面活性剤のフッ素原子含有量の測定方法〕
試料としての界面活性剤を秤量し、分析装置の燃焼管内で燃焼させた。燃焼により発生したガスを、溶液に吸収させた。その後、吸収液の一部をイオンクロマトグラフィーにより分析して、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を測定した。各工程における条件は、下記の通りである。【０２３１】
（１．１．燃焼・吸収条件）
システム：ＡＱＦ−２１００、ＧＡ−２１０（三菱化学社製）
電気炉温度：Ｉｎｌｅｔ  ９００℃、Ｏｕｔｌｅｔ  １０００℃
ガス：Ａｒ／Ｏ２  ２００ｍＬ／ｍｉｎ
Ｏ２  ４００ｍＬ／ｍｉｎ
吸収液：溶媒  Ｈ２Ｏ２  ９０μｇ／ｍＬ、
内標準物質  Ｐ  ４μｇ／ｍＬ  又は  Ｂｒ  ８μｇ／ｍＬ
吸収液量：２０ｍＬ【０２３２】
（１．２．イオンクロマトグラフィー・アニオン分析条件）
システム：ＩＣＳ１６００（ＤＩＯＮＥＸ社製）
移動相：２．７ｍｍｏｌ／Ｌ  Ｎａ２ＣＯ３  ／  ０．３ｍｍｏｌ／Ｌ  ＮａＨＣＯ３
流速：１．５０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：電気伝導度検出器
注入量：２０μＬ【０２３３】
〔２．位相差層の面状態の評価方法〕
ライトテーブル上に一対の直線偏光子（偏光子及び検光子）を、パラニコルとなるように重ねた。ここでパラニコルとは、直線偏光子の偏光透過軸が平行となる態様を表す。
実施例又は比較例で製造した複層フィルムを、１６ｃｍ角サイズに裁断し、測定用のフィルム片を得た。このフィルム片を、前記のようにライトテーブル上に設置した直線偏光子の間に置いた。この際、フィルム片の遅相軸は、厚み方向から見て偏光子の吸収軸に対して略４５°の角度をなすように設定した。その後、目視にて観察した。観察された像での均一性（位相差の均一性）に応じて、下記の基準によって位相差層の面状態を評価した。
Ｉ：全面ほぼ均一でムラ及び欠陥が認められない。
II：全面ほぼ均一であるが僅かに微小なムラが認められる。
III：はっきりとムラが認められる。
IV：全面に強いムラが見られる。【０２３４】
ところで、別途、前記のライトテーブル上に設置された一対の直線偏光子の間に、製造例１で製造した延伸基材を置き、目視で観察した。その結果、位相差層を備えない延伸基材のみを前記フィルム片の代わりに用いて観察した場合には、全面がほぼ均一でムラ及び欠陥が認められなかった。この結果から、前記の評価で観察されるムラ及び欠陥は、位相差層の面状態に起因して生じていることを確認した。【０２３５】
〔３．位相差層の配向性の評価方法〕
実施例又は比較例で製造した複層フィルムの位相差層を、ガラス板に転写して、ガラス板及び位相差層を備える測定用試料を得た。この測定用試料の位相差層を、偏光顕微鏡のクロスニコル下において観察した。ここで、クロスニコルとは、偏光顕微鏡が備える直線偏光子（偏光子及び検光子）の偏光透過軸が厚み方向から見て垂直となる態様を表す。観察の際、位相差層の位置は、消光位、及び、位相差層の遅相軸を消光位から数°ずらした位置に設定した。ここで、消光位とは、観察される光が最も弱くなる位置を表す。また、観察時の偏光顕微鏡の倍率は、対物５倍及び５０倍に設定した。観察された配向欠陥の程度、及び、消光位での光の漏れ状態に応じて、下記の基準によって位相差層の配向性を評価した。
優：配向欠陥が見られず、消光位での漏れ光がほとんど観察されない。
良：配向欠陥のような構造がわずかに認められ、消光位での漏れ光が僅かにある。
不良：配向欠陥が明らかに見られ、消光位で光が漏れる。【０２３６】
〔４．位相差層の位相差ムラの評価方法〕
実施例又は比較例で製造した複層フィルムを１６ｃｍ角サイズに裁断し、測定用のフィルム片を得た。このフィルム片の中央部１３ｃｍ×１０ｃｍの範囲について、０．５ｍｍピッチで、位相差測定装置（フォトロン社製「ＫＡＭＡＫＩＲＩ」）を用いて位相差マッピング測定を実施した。測定データから位相差層の位相差ムラを評価した。【０２３７】
ところで、別途、前記の位相差測定装置を用いて、製造例１で製造した延伸基材の位相差マッピング測定を実施した。その結果、位相差層を備えない延伸基材のみを前記フィルム片の代わりに用いて測定した場合には、位相差ムラが認められなかった。この結果から、前記の評価で観察される位相差ムラは、位相差層に生じていることを確認した。【０２３８】
〔５．位相差層の厚みムラの評価〕
実施例又は比較例で製造した複層フィルムを１６ｃｍ角サイズに裁断し、測定用のフィルム片を得た。このフィルム片の中央部１３ｃｍ×１０ｃｍの範囲について、０．２ｍｍピッチで、干渉膜厚測定機（キーエンス社製「ＳＩ−Ｔ８０」）を用いてスキャンして、延伸基材込みでの膜厚マッピング測定を実施した。測定データから位相差層の厚みムラを評価した。【０２３９】
ところで、別途、前記の干渉式膜厚測定機を用いて、製造例１で製造した延伸基材の膜厚マッピング測定を実施した。その結果、位相差層を備えない延伸基材のみを前記フィルム片の代わりに用いて測定した場合には、厚みムラが認められなかった。この結果から、前記の評価で観察される厚みムラは、位相差層に生じていることを確認した。【０２４０】
〔６．位相差層の面内レターデーションの測定方法〕
実施例又は比較例で製造した複層フィルムの位相差層を、ガラス板に転写して、ガラス板及び位相差層を備える測定用試料を得た。この測定用試料を用いて、位相差層の面内レターデーションＲｅを、ポラリメータ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）によって、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍで測定した。【０２４１】
［製造例１．延伸基材の製造］
（延伸前基材の製造）
熱可塑性ノルボルネン樹脂のペレット（日本ゼオン社製「ＺＥＯＮＯＲ１４２０Ｒ」）を９０℃で５時間乾燥させた。乾燥させたペレットを押し出し機に供給し、押し出し機内で溶融させ、ポリマーパイプ及びポリマーフィルターを通し、Ｔダイからキャスティングドラム上にフィルム状に押し出し、冷却して、厚み６０μｍ、幅１４９０ｍｍの長尺の延伸前基材を製造した。この製造した延伸前基材を巻き取って、ロールを得た。【０２４２】
（延伸処理）
前記の延伸前基材を、ロールから引き出し、テンター延伸機に供給した。そして、テンター延伸機を用いて、延伸後に得られる延伸基材の遅相軸が延伸基材の巻取方向に対して４５°の角度をなすように延伸を行い、さらにフィルム幅方向の両端をトリミングし、巻き取って、幅１３５０ｍｍの長尺の延伸基材のロールを得た。得られた延伸基材の測定波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅは１４８ｎｍ、厚みは４７μｍであった。【０２４３】
［１．実施例１：逆波長重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を用いた位相差層の製造〕
（１−１．液晶性組成物の製造）
逆波長重合性液晶化合物Ａ１００．０部、界面活性剤（ＤＩＣ社製「メガファックＦ−２５１」）０．３０部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９」）３．０部、並びに、溶媒としてシクロペンタノン（日本ゼオン株式会社製）１８８．０部及び１，３−ジオキソラン（東邦化学製）２８２．０部を混合して、液状の液晶性組成物を製造した。【０２４４】
（１−２．位相差層の形成）
製造例１で製造した延伸基材を、ロールから引き出して搬送した。この延伸基材の一方の表面に、工程（１−１）で製造した液晶性組成物を、ダイコーターを用いて塗布し、液晶性組成物の層を形成した。液晶性組成物の層を１１０℃で４分間配向処理し、Ｎ２雰囲気下で４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射して硬化させて、位相差層を形成した。これにより、延伸基材と、延伸基材上に形成された乾燥厚み２．２μｍの位相差層とを備える複層フィルムを得た。得られた位相差層には、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、位相差層の遅相軸の角度は、塗布に用いた延伸基材と同じく、巻取方向に対して４５°の角度をなしていることが確認された。【０２４５】
前述した方法で位相差層の面内レターデーションＲｅを測定したところ、測定波長４５０ｎｍではＲｅ（４５０）＝１１１ｎｍ、測定波長５５０ｎｍではＲｅ（５５０）＝１４０ｎｍ、測定波長６５０ｎｍではＲｅ（６５０）＝１４５ｎｍであった。この結果から、実施例１において使用した重合性液晶化合物Ａの複屈折Δｎは、測定波長が大きくなるにつれて大きくなる特性（逆波長分散性）を有していることが確認された。【０２４６】
［実施例２〜１３及び比較例１〜１４］
液晶性組成物の調製に用いる（ｉ）逆波長重合性液晶化合物の種類、（ii）界面活性剤の種類、及び（iii）界面活性剤の量を表１に示すように変更した。以上の事項以外は実施例１と同様にして、延伸基材及び位相差層を備える複層フィルムを製造した。【０２４７】
製造された複層フィルムに含まれる位相差層には、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、位相差層の遅相軸の角度は、巻取方向に対して４５°の角度をなしていることが確認された。さらに、位相差層の面内レターデーションＲｅを測定して、使用した逆波長重合性液晶化合物の複屈折Δｎが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなる特性（逆波長分散性）を有していることを確認した。【０２４８】
［比較例１５．順波長重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を用いた位相差層の製造］
（１５−１．液晶性組成物の製造）
順波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物ＬＣ２４２（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ２４２」）１００．０部、界面活性剤（ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−２０８Ｇ」）０．３０部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９」）３．０部、及び、溶媒としてメチルエチルケトン（丸善石油化学製）４７０部を混合して、液状の液晶性組成物を製造した。【０２４９】
（１５−２．位相差層の形成）
製造例１で製造した延伸基材を、ロールから引き出して搬送した。この延伸基材の一方の表面に、工程（１５−１）で製造した液晶性組成物を、ダイコーターを用いて塗布し、液晶性組成物の層を形成した。液晶性組成物の層を１００℃で２分間配向処理し、Ｎ２雰囲気化で４００ｍＪ／ｃｍ２以上の紫外線を照射して硬化させて、位相差層を形成した。これにより、延伸基材と、延伸基材上に形成された乾燥厚み１．２μｍの位相差層とを備える複層フィルムを得た。得られた位相差層には、重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、位相差層の遅相軸の角度は、塗布に用いた延伸基材と同じく、巻取方向に対して４５°の角度をなしていることが確認された。【０２５０】
前述した方法で位相差層の面内レターデーションを測定したところ、測定波長４５０ｎｍではＲｅ（４５０）＝１５１ｎｍ、測定波長５５０ｎｍではＲｅ（５５０）＝１４０ｎｍ、測定波長６５０ｎｍではＲｅ（６５０）＝１３６ｎｍであった。この結果から、比較例１５において使用した重合性液晶化合物ＬＣ２４２の複屈折は、測定波長が大きくなるにつれて小さくなる特性（順波長分散性）を有していることが確認された。【０２５１】
［比較例１６〜３１］
液晶性組成物の調製に用いる（ｉ）重合性液晶化合物の種類、（ii）界面活性剤の種類、及び（iii）界面活性剤の量を表２に示すように変更した。以上の事項以外は比較例１５と同様にして、延伸基材及び位相差層を備える複層フィルムを製造した。【０２５２】
製造された複層フィルムに含まれる位相差層には、重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、位相差層の遅相軸の角度は、巻取方向に対して４５°の角度をなしていることが確認された。さらに、位相差層の面内レターデーションＲｅを測定して、使用した重合性液晶化合物の複屈折Δｎが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなる特性（順波長分散性）を有していることを確認した。【０２５３】
［評価］
全ての実施例及び比較例で製造した複層フィルムについて、位相差層の面状態の評価及び配向性の評価を行った。結果を、表１及び表２に示す。
また、実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５については、面状態の評価を行う際に観察された像を、ぞれぞれ図１〜図４に示す。【０２５４】
さらに、実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５については、位相差ムラの評価を行った。実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５で測定されたレターデーションのマッピング表示を、それぞれ図５〜図８に示す。また、実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５で測定されたレターデーションの値から、位相差層の幅方向に平行な線分上の点でのレターデーションの値を抽出し、抽出したレターデーションのグラフ表示を、それぞれ図９〜図１２に示す。【０２５５】
さらに、実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５については、厚みムラの評価を行った。実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５で測定された厚みのマッピング表示を、それぞれ図１３〜図１６に示す。また、実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５で測定された厚みの値から、位相差層の幅方向に平行な線分上の点での厚みの値を抽出し、抽出した厚みのグラフ表示を、それぞれ図１７〜図２０に示す。【０２５６】
［結果］
下記の表１及び表２は、前述した実施例及び比較例の結果を示すものである。下記の表において、略称の意味は、下記の通りである。【０２５７】
重合性液晶化合物「Ａ」：下記式（Ａ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
重合性液晶化合物「Ｂ」：下記式（Ｂ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
重合性液晶化合物「Ｃ」：下記式（Ｃ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
重合性液晶化合物「Ｄ」：下記式（Ｄ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
重合性液晶化合物「Ｅ」：下記式（Ｅ）で表される逆波長重合性液晶化合物。【０２５８】
【化３６】
2016148047.tif 000037
【０２５９】
重合性液晶化合物「ＬＣ２４２」：下記式（Ｆ１）で表される、順波長分散性を発現しうる重合性液晶化合物（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ２４２」）。
重合性液晶化合物「Ｋ３５」：下記式（Ｆ２）で表される順波長分散性を発現しうる重合性液晶化合物。【０２６０】
【化３７】
2016148047.tif 000038
【０２６１】
界面活性剤「Ｓ２４２」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ２４２」。
界面活性剤「Ｓ２４３」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ２４３」。
界面活性剤「Ｓ４２０」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ４２０」。
界面活性剤「Ｓ６１１」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ６１１」。
界面活性剤「２０８Ｇ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−２０８Ｇ」。
界面活性剤「ＦＴＸ２０９」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−２０９Ｆ」。
界面活性剤「ＦＴＸ２１８」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−２１８」。
界面活性剤「６０１ＡＤ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−６０１ＡＤ」。
界面活性剤「６１０ＦＭ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−６１０ＦＭ」。
界面活性剤「Ｆ２５１」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ−２５１」。
界面活性剤「Ｆ４４４」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ−４４４」。
界面活性剤「Ｆ５５４」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ−５５４」。
界面活性剤「Ｆ５５６」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ−５５６」。
界面活性剤「Ｆ５６２」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ−５６２」。
界面活性剤「ＲＳ−７５」：ＤＩＣ社製「メガファックＲＳ−７５」。
界面活性剤「ＰＦ６３２０」：ＯＭＮＯＶＡ社製「ポリフォックスＰＦ−６３２０」。
界面活性剤「ＰＦ６５６」：ＯＭＮＯＶＡ社製「ポリフォックスＰＦ−６５６」。
界面活性剤「ＰＦ６５２０」：ＯＭＮＯＶＡ社製「ポリフォックスＰＦ−６５２０」。
界面活性剤「ＮＳ９０１３」：ダイキン社製「ＮＳ−９０１３」。
Ｆ量：界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合。
活性剤量：界面活性剤の量。【０２６２】
【表１】
2016148047.tif 000039
【０２６３】
【表２】
2016148047.tif 000040
【０２６４】
［検討］
表１及び表２から分かるように、逆波長重合性液晶化合物と分子中のフッ素原子の割合が３０重量％以下の界面活性剤とを組み合わせて用いた実施例においては、面状態及び配向性の両方に優れる位相差層が得られている。中でも、実施例１〜１１及び１３において特に優れた結果が得られていることから、逆波長重合性液晶化合物としては、式（Ｉ）においてｍ及びｎが１である化合物（Ｉ）を用いることが好ましいことが確認された。【０２６５】
また、図９〜図１２に示すレターデーションのグラフから、実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５に係る位相差層の位相差ムラの評価指標として、レターデーションの標準偏差Ｒｅσを計算した。さらに、図１７〜図２０に示す厚みのグラフから、実施例２、実施例５、比較例３及び比較例５に係る位相差層の厚みの評価指標として、厚みの標準偏差Δｄσを計算した。結果を、下記の表３に示す。【０２６６】
【表３】
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【０２６７】
表３から分かるように、レターデーションの標準偏差Ｒｅσ及び厚みの標準偏差Δｄσは、いずれも、比較例よりも実施例の方が小さくなっている。したがって、本発明により、位相差層の位相差ムラ及び厚みムラを小さくできることが確認された。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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