(57)【要約】  本発明はガラス基板の端面の形状精度を向上させ、高品質に仕上げることができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。  本発明では、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いてガラス基板の厚さ方向に進むような直線状の磁力線を形成させ、磁気粘性流体と研磨砥粒を含む磁性スラリを上記磁力線に保持させることにより、上記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させる。そして、上記磁力線の方向と直交する面方向に対してガラス基板の水平面を傾斜させた状態でガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させることにより、ガラス基板の端面の側壁面と面取面の両方の面を同時に研磨する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する円盤状のガラス基板の端面を加工する端面加工処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記端面加工処理は、
対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、
前記磁力線の方向と直交する面方向に対して前記ガラス基板の主表面を傾斜させた状態で前記ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を同時に研磨する端面研磨処理を含むことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス基板の傾斜角度は、１０度〜４５度の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
加工の途中で前記ガラス基板の傾斜角度を変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板の加工部を中心にして前記ガラス基板の傾斜角度を連続的又は段階的に変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
円盤状のガラス基板の端面を加工する端面加工処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記端面加工処理は、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、前記ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理を含み、
前記ガラス基板の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段を用い、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
円盤状のガラス基板の端面を加工する端面加工処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記端面加工処理は、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、前記ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理を含み、
前記ガラス基板の一方の面取面と側壁面とを主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の他方の面取面と側壁面とを主に研磨する第２の磁気発生手段とを用い、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２の磁気発生手段は、前記ガラス基板の一方の主表面と側壁面との間の面取面を主に研磨する磁気発生手段と、他方の主表面と側壁面との間の面取面を主に研磨する磁気発生手段とを備え、各々の磁力線の向きが異なるように配置されることを特徴とする請求項５に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記端面研磨処理の前に、前記ガラス基板の端面に面取面と側壁面の両方の面を形成する研削処理を行い、該研削処理は、前記ガラス基板の主表面と直交する軸に対して研削砥石の回転軸を傾斜させた状態で当該研削砥石を前記ガラス基板の端面に当接させて当該ガラス基板の端面を研削する研削処理を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項１０】
対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、円盤状のガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理に使用する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置であって、
前記ガラス基板の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段とを備え、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置。
【請求項１１】
対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、円盤状のガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理に使用する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置であって、
前記ガラス基板の一方の面取面と側壁面とを主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の他方の面取面と側壁面とを主に研磨する第２の磁気発生手段とを備え、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」と略記する。）等の磁気記録装置に搭載される磁気ディスクに用いられる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ等の磁気記録装置に搭載される情報記録媒体の一つとして磁気ディスクがある。磁気ディスクは、基板上に磁性層等の薄膜を形成して構成されたものであり、その基板として従来はアルミ基板が用いられてきた。しかし、最近では、高記録密度化の追求に呼応して、アルミ基板と比べて磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔をより狭くすることが可能なガラス基板の占める比率が次第に高くなってきている。また、ガラス基板表面は磁気ヘッドの浮上高さを極力下げることができるように、高精度に研磨して高記録密度化を実現している。近年、ＨＤＤの更なる大記録容量化、低価格化の要求は増すばかりであり、これを実現するためには、磁気ディスク用ガラス基板においても更なる高品質化、低コスト化が必要になってきている。【０００３】
磁気ディスク用ガラス基板は、通常、円盤状に形成したガラス基板に、形状加工（端面研削及び面取り）、端面研磨、主表面研削、主表面研磨、化学強化等の工程を順次施して製造される。
上記のように安価で高記録密度を達成できる磁気ディスクが求められているが、磁気ディスクの高記録密度化のためには、ガラス基板の加工精度にも高度なものが要求されており、それはガラス基板の主表面のみならず、端面形状においても同様である。【０００４】
下記特許文献１に開示されているように、従来一般的には、磁気ディスク用ガラス基板の端面は、総型砥石を用いた端面研削加工を行った後、ブラシ端面研磨を行うことにより加工されていた。
また、下記特許文献２には、フェライト系磁性粒子と研磨砥粒を含むスラリに磁場を加えることにより、磁気ディスク用ガラス基板の端面を研磨する方法が開示されている。
また、下記特許文献３には、被加工物の加工面と離間して配置された磁気電極を被加工物と相対的に回転させ、磁気電極に吸引されている磁性流体（磁性粉体）が保持している砥粒により被加工物を加工する磁気研磨方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８６４９号公報
【特許文献２】特開２００５−５０５０１号公報
【特許文献３】特開２００４−２９１２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のとおり、安価で高記録密度を達成できる磁気ディスクが求められており、そのためには、基板の端面に関しては、媒体主表面に対するコロージョン発生などのコンタミ要因の低減要請に基づく高品位化、ディスクフラッタ（バタツキ）低減のための形状精度の向上の両方の達成が要求されている。【０００７】
しかしながら、上述した従来の総型砥石を用いた端面研削加工を行った後、ブラシ端面研磨を行うことによりガラス基板の端面を加工する方法では、量産加工においては、特に基板端面における面取面と側壁面間のエッジ角度のばらつきが基板間で大きく、基板端面の形状精度を向上させることが困難であった。【０００８】
また、上述の特許文献２に開示されたフェライト系磁性粒子と研磨砥粒を含むスラリに磁場を加えることにより、磁気ディスク用ガラス基板の端面を研磨する方法では、ガラス基板端面の面取面と側壁面とでは、加工レートが異なり、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を鏡面に仕上ることが困難である。この場合、面取面と側壁面の両方を鏡面に仕上るまで加工すると、加工時間が長くなる上に、形状精度が劣化するという問題が生じる。また、上述の特許文献３には、磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨についての開示は無い。【０００９】
近年、より一層の高情報記録密度化などの観点から、ガラス基板の端面の形状精度や面取り加工の仕上がり面品位など、磁気ディスク用ガラス基板に対する品質要求は従来に増して高まる一方であり、従来の研削方法や研磨方法を用いて量産ベースの多数枚の磁気ディスク用ガラス基板を製造した場合、高まるガラス基板の品質要求に安定的に応えることが次第に困難になってきている現状がある。【００１０】
そこで、本発明は、高記録密度化への信頼性の確保が急務となっている磁気ディスクの高記録密度化の要請に応える観点から、特に磁気ディスク用ガラス基板の端面の形状精度を向上させ、高品質に仕上げることができる安定した加工を可能とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、およびそれによって得られるガラス基板を利用した磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
主表面を有する円盤状のガラス基板の端面を加工する端面加工処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記端面加工処理は、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、前記磁力線の方向と直交する面方向に対して前記ガラス基板の主表面を傾斜させた状態で前記ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を同時に研磨する端面研磨処理を含むことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【００１２】
（構成２）
前記ガラス基板の傾斜角度は、１０度〜４５度の範囲内であることを特徴とする構成１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成３）
加工の途中で前記ガラス基板の傾斜角度を変化させることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成４）
前記ガラス基板の加工部を中心にして前記ガラス基板の傾斜角度を連続的又は段階的に変化させることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【００１３】
（構成５）
円盤状のガラス基板の端面を加工する端面加工処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記端面加工処理は、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、前記ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理を含み、前記ガラス基板の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段を用い、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【００１４】
（構成６）
円盤状のガラス基板の端面を加工する端面加工処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記端面加工処理は、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、前記ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理を含み、前記ガラス基板の一方の面取面と側壁面とを主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の他方の面取面と側壁面とを主に研磨する第２の磁気発生手段とを用い、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【００１５】
（構成７）
前記第２の磁気発生手段は、前記ガラス基板の一方の主表面と側壁面との間の面取面を主に研磨する磁気発生手段と、他方の主表面と側壁面との間の面取面を主に研磨する磁気発生手段とを備え、各々の磁力線の向きが異なるように配置されることを特徴とする構成５に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成８）
前記端面研磨処理の前に、前記ガラス基板の端面に面取面と側壁面の両方の面を形成する研削処理を行い、該研削処理は、前記ガラス基板の主表面と直交する軸に対して研削砥石の回転軸を傾斜させた状態で当該研削砥石を前記ガラス基板の端面に当接させて当該ガラス基板の端面を研削する研削処理を含むことを特徴とする構成１乃至７のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。【００１６】
（構成９）
構成１乃至８のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。【００１７】
（構成１０）
対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、円盤状のガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理に使用する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置であって、前記ガラス基板の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段とを備え、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置。
（構成１１）
対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、円盤状のガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理に使用する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置であって、前記ガラス基板の一方の面取面と側壁面とを主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の他方の面取面と側壁面とを主に研磨する第２の磁気発生手段とを備え、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】磁気ディスク用ガラス基板の端面形状を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の端面研磨処理を説明するための図である。
【図３】本発明の端面研磨処理を説明するための斜視図である。
【図４】本発明の端面研磨処理を行っている状態の一実施の形態を説明するための模式図である。
【図５】（ａ）と（ｂ）はそれぞれ本発明の端面研磨処理を行っている状態の他の実施の形態を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態について詳述する。
図１は、本発明が適用される磁気ディスク用ガラス基板１の外周側端部の断面図である。該ガラス基板１は、図１には示されていないが、中心部に円孔を有する全体が円盤状に形成され、その表裏の主表面１１，１１と、これら主表面１１，１１間に形成される外周側の端面と内周側の端面を有する。
【００２０】
上記ガラス基板１の外周側の端面は、その主表面１１と直交する側壁面１２ａと、この側壁面１２ａと表裏の主表面１１，１１との間にそれぞれ形成されている２つの面取面（面取りした面）１２ｂ、１２ｂとからなる形状に形成されている。また、上記ガラス基板１の内周側の端面については図示していないが、上記外周側端面と同様に、その主表面１１と直交する側壁面と、この側壁面と表裏の主表面１１，１１との間にそれぞれ形成されている２つの面取面（面取りした面）とからなる形状に形成されている。
【００２１】
そして磁気ディスク、例えば、２．５インチディスクの場合は、ガラス基板１の外径が６５ｍｍ、内径が２０ｍｍに仕上げられる。ここで、内径とは、ガラス基板１の中心部の円孔の直径のことである。
【００２２】
磁気ディスク用ガラス基板１の主表面１１、外周側端面および内周側端面はいずれも、最終的にはそれぞれ所定の表面粗さとなるように研磨（鏡面研磨）仕上げされる。ガラス基板１の外周側端面及び内周側端面はいずれも、上述のような端面形状に仕上げられ、なお且つ、表面粗さが例えばＲｚで０．１μｍ以下、Ｒａで０．０１μｍ以下の鏡面状態に仕上げられることが通常求められる。
【００２３】
磁気ディスク用ガラス基板１は、通常、例えばダイレクトプレス等により所定の円盤状に成形したガラス基板（ガラスディスク１０）に、端面の研削・研磨（鏡面研磨）、主表面の研削・鏡面研磨、化学強化等の工程を順次施して製造される。
なお、本発明においては、ダイレクトプレス等により所定の円板状に成形したガラスディスクから、このガラスディスクに加工、処理等を施して作製される最終製品のガラス基板にいたるまで、説明の便宜上、すべてガラス基板もしくは磁気ディスク用ガラス基板と呼ぶこととする。
【００２４】
最初に、上記端面研削加工工程について説明する。
通常、上記端面研削加工は、所謂総形砥石を用いて行うことができる。
この総形砥石は、所定の大きさの円盤状に形成されており、その外周側には、ガラス基板の端面形状を形成するための溝形状を有しており、具体的には、ガラス基板の外周側端面に側壁面と面取り面の両方の面を形状転写できるような溝形状となっている。この総形砥石は、ガラス基板の研削加工面の仕上がり目標の寸法形状を考慮して、所定の寸法形状に形成されている。
【００２５】
上記端面研削加工で用いる総形砥石としては、粗研削加工用には、例えば高剛性砥石であるダイヤモンド砥粒を電着ボンドで固めた所謂電着ボンド砥石が好適である。また、仕上げの精密研削加工用には、砥粒同士を結合するバインダーが例えばフェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂等の樹脂材料であるレジンボンド砥石や、バインダーが例えば銅系合金、鋳鉄系合金、チタン系合金等の金属質結合剤であるメタルボンド砥石、バインダーがガラス質結合剤であるビトリファイド砥石などが好適であり、またこれらの結合剤を混合させた複合砥石を用いることもできる。この中でも、砥石の硬度の調整が比較的容易なレジンボンド砥石が特に好適である。また、砥粒としては、アルミナ砥粒、立方晶窒化ホウ素砥粒などを用いることもできる。
【００２６】
また、砥粒の粒径としては、粗さを維持しながら砥石寿命に亘って研削性能を維持できるためには、例えば平均粒子径３０μｍ以下の砥粒が好適であるが、特に精密研削加工用には、平均粒子径２〜１５μｍの範囲内の砥粒が好適である。砥粒としては、例えばダイヤモンド砥粒が好適である。砥粒の粒径は、例えば電気抵抗試験法で測定することが可能である。
【００２７】
上記総形砥石を用いた端面研削加工では、ガラス基板と砥石とが同一平面状となるような配置関係で、加工が行われる。この場合、砥石及びガラス基板をそれぞれ所定方向に回転させながら加工を行うことが好ましく、砥石及びガラス基板の各々の周速度、周速度比については内外周側端面の研削加工に好適なように適宜設定されればよい。砥石とガラス基板の回転方向は、加工部において同方向（カウンタ方向）、異方向（アンチカウンタ方向）のいずれでもよい。
【００２８】
また、ガラス材料は研削加工時に発生する熱による影響を受けやすい加工特性を有するため、安定した研削加工を可能とならしめるためには、ガラス基板の端面部分に供給する研削液（クーラント）による冷却効果を高めて、研削加工時の熱による影響をできるだけ軽減することが望ましい。本発明に使用する研削液（クーラント）としては、特に制約はないが、冷却効果が高く、生産現場において安全性の高い水溶性の研削液が特に好適である。
【００２９】
上記総形砥石を用いた研削加工により、基板端面の面取面及び側壁面の形状を作りこむことができるが、たとえば総形砥石を用いて粗研削加工を行った後の精密研削加工方法として、ガラス基板の主表面と直交する軸に対して砥石の回転軸を傾斜させた状態で当該砥石をガラス基板の端面に当接させて当該ガラス基板の端面を研削加工する方法を適用することが好適である。
【００３０】
たとえば総形砥石を用いた粗研削加工によって内外周側端面にそれぞれ側壁面と面取り面の両方の面が形成されたガラス基板に対して、砥石を傾斜させた状態で精密研削加工を行う。この場合に使用する砥石は、所定の大きさの円盤状に形成されており、その外周側には、ガラス基板の端面と接触する面に溝形状を有しており、例えば断面視では内方に凹んだ凹形状となっている。前記の総形砥石とは異なり、溝形状の一部を使って形状転写を行う。
このようなガラス基板に対して砥石を傾けた状態で精密研削する加工法において用いられる砥石としては、上述のレジンボンド砥石を適用することが好適である。
【００３１】
この場合においても、砥石及びガラス基板をそれぞれ所定方向に回転させながら加工を行うことが好ましく、各々の周速度、周速度比については内外周側端面の加工に好適なように適宜設定されればよい。砥石とガラス基板の回転方向は、加工部において同方向（カウンタ方向）、異方向（アンチカウンタ方向）のいずれでもよい。
【００３２】
この加工方法の場合、ガラス基板の主表面と直交する軸に対して砥石の回転軸を傾斜させた状態で当該砥石をガラス基板の端面に当接させることにより、ガラス基板の端面に当接する砥石の軌跡が一定とならないようにガラス基板の端面と砥石とを接触させて、加工が行われる。
この加工方法では、ガラス基板の端面に当接する砥石の軌跡が一定とはならないで、砥石の凸部（砥粒）が基板端面に対してランダムな位置に当接、作用するため、基板へのダメージが少なく、研削加工面の表面粗さやその面内ばらつきも小さくなり、上述の総形砥石による研削加工面をより高平滑（準鏡面状態）に仕上げることができる。
【００３３】
本発明においては、上述の端面研削加工に続いて、磁気粘性流体と研磨砥粒を含む磁性スラリを用いた端面研磨処理を行う。この磁性スラリを用いた端面研磨処理は高品質な研磨が可能であるが、その前処理（前加工）後の研削面の粗さが低いほど、磁性スラリを用いた端面研磨処理の取代を小さくすることができる。研削加工後の粗さが高く、取代が多くなると、研削加工で作りこんだ形状からの乖離が生じ、例えばエッジの丸みが仕様より大きくなるおそれがある。従って、上述のとおり、磁性スラリを用いた端面研磨処理の前に、ガラス基板に対して砥石を傾けた状態で精密研削することにより、基板端面を準鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。
【００３４】
次に、上記端面研削加工処理の後に続けて実施する本発明の端面研磨処理について詳しく説明する。
本発明の端面研磨処理の一実施の形態は、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて前記ガラス基板の厚さ方向に進むような直線状又は円弧状の磁力線を形成させ、磁気粘性流体と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、前記磁力線の方向と直交する面方向に対して前記ガラス基板の主表面（水平面）を傾斜させた状態で前記ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を同時に研磨する処理である。
【００３５】
図２の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の端面研磨処理を説明するための図である。また、図３は本発明の端面研磨処理を説明するための斜視図であり、図４は本発明の一実施の形態の端面研磨処理を行っている状態を説明するための模式図である。
本発明における端面研磨処理に用いられる装置２０は、磁気を発生させる手段と磁性スラリを用いてガラス基板の端面の研磨を行う。図２（ａ）〜（ｃ）、図３及び図４は、いずれもガラス基板の外周側端面の研磨を行う場合を示している。
【００３６】
上記装置２０の概要を説明すると、図２（ａ）に示すように、装置２０は、永久磁石である一対の磁石２１，２２と、スペーサ２３と、非磁性体、例えばステンレスからなる中空の円柱形状の外装部材２４とを含む。外装部材２４内に、磁石２１，２２及びスペーサ２３が内蔵されている。
なお、研磨レート等の調整を行うべく磁性スラリとガラス基板との接触量を増やしたい場合は、ガラス基板の端部を磁石２１、２２間に挿入して加工する必要があるので、外装部材２４は設けない方が好ましい。
【００３７】
上記端面研削加工を施したガラス基板１０は、図示されない保持具によって把持されている。保持具に把持されたガラス基板１０を装置２０に接近させ、さらに後述する磁性スラリの塊２６（図２（ｃ），図３参照）とガラス基板１０の外周側端面とを接触させる。装置２０及びガラス基板１０を保持する図示されない保持具は、図示されない駆動モータに接続されている。装置２０と保持具が回転してガラス基板１０の外周側端面と磁性スラリの塊２６とを相対的に移動させることにより、ガラス基板１０の外周側端面を研磨することができる。例えば、装置２０とガラス基板１０を保持する保持具と（換言すると、ガラス基板１０と磁石２１、２２と）の回転方向を互いに逆向きに回転させ（図３参照）、加工部において装置２０とガラス基板１０との周速度の相対速度を例えば50〜500ｍ/分として回転させることが好ましい。このとき、上記相対速度を１００〜４００ｍ/分とすると、加工レートが高まるためより好ましい。なお、ガラス基板１０の外周側端面と磁性スラリの塊２６とを相対的に移動させることができれば、磁性スラリの塊２６を固定させてもよい。
【００３８】
より具体的に説明すると、一対の磁石２１と磁石２２は、互いに近接して、磁気発生手段として機能し、図２（ｂ）に示すような磁力線２５を形成する。この磁力線２５は、磁石２１，２２の中心からガラス基板の厚さ方向に進むような直線状の磁力線である。図２（ｂ）に示す例では、ガラス基板１０の厚さ方向に、Ｎ極の面とＳ極の面が互いに対向するように離間した状態で配置された磁石の対が磁気発生手段として用いられる。磁石２１，２２との間には、磁石２１のＮ極の端面と磁石２２のＳ極の端面との間の離間距離を予め定めた距離とするために、非磁性体からなるスペーサ２３が設けられている。なお、前述したとおり、外装部材２４を使用せずに、磁性スラリの塊を磁石２１と２２の間に形成してそこにガラス基板の端部を接触させるようにしてもよい。磁性スラリの塊２６は、ガラス基板１０の外周側端面と接触し、この端面との間で相対運動する部分であるため、磁性スラリの塊２６の剛性を確保する点から、磁力はある程度強いことが望まれる。このため、磁石２１のＮ極の端面と磁石２２のＳ極の端面との間の離間距離は短いことが好ましいが、あまり短すぎるとガラス基板を磁石間に挿入する場合に実施しにくくなる。そのため、磁石２１のＮ極の端面と磁石２２のＳ極の端面との間の離間距離はある所定の範囲に定められることが好適である。
【００３９】
なお、図２に示す例では、磁気発生手段として永久磁石を用いたが、例えば電磁石を用いることもできる。また、磁石２１のＮ極の端面と磁石２２のＳ極の端面との間の離間距離を一定の距離に確保するために、スペーサ２３を用いたが、スペーサ２３を用いずに磁石２１，２２が固定されていて、磁石２１のＮ極の端面と磁石２２のＳ極の端面との間の離間距離を一定に確保することもできる。
【００４０】
端面研磨に用いる磁性スラリの磁気粘性流体としては、磁性粒子（磁性体の微粒子）を分散媒に分散させたものを用いる。磁性体粒子としては、強磁性体であればよく、特に磁力が強いという観点では、鉄元素（Ｆｅ）を含む粒子が好ましい。また、鉄系と鉄系以外の強磁性体とを混合したものを用いてもよい。磁性体粒子の粒径は、０．１〜１０μｍの範囲内が好ましい。上記範囲とすることで、研磨砥流を好適に保持することができる。分散媒としては、非極性オイルまたは極性オイル等が好適に用いることができる。分散媒としては、非極性オイルまたは極性オイルを用いる場合には、例えば、室温（２０℃）において１００〜１０００（ｍＰａ・秒）の粘度を有することが好ましい。また、磁気粘性流体に界面活性剤を添加してもよい。
【００４１】
磁性スラリに含まれる研磨砥粒としては、酸化セリウム、コロイダルシリカ、酸化ジルコニウム、アルミナ、ダイヤモンド等の公知のガラス基板の研磨砥粒を用いることができる。研磨砥粒の粒径については、例えば０．５〜３μｍである。この範囲の粒径の研磨砥粒を用いることにより、ガラス基板の端面を良好に研磨することができる。研磨砥粒は、磁性スラリ中に、例えば３〜１５体積％程度含有させることが好ましい。
【００４２】
磁性スラリの粘度は、磁気粘性流体の濃度調整により、室温（２０℃）で１０００〜２０００ｍＰａ・秒であることが、磁性スラリの塊２６を形成させ、端面研磨を効率よく行う点で好ましい。粘度が低い（磁気粘性流体の濃度が低い）と塊２６を形成し難くなり、ガラス基板１０の端面に押圧された状態で相対運動させて研磨することは難しい。一方、磁性スラリの粘度が過度に高い場合、均一な押圧状態が形成し難い。また、磁気発生手段における磁束密度は、磁性スラリの塊２６を形成させ、端面研磨を効率よく行う点で、０．３〜０．８テスラであることが好ましい。また、磁気粘性流体と研磨砥粒を含む磁性スラリの降伏応力は、０．４テスラの磁場を印加した状態で３０ｋＰａ以上であることが好ましく、３０〜６０ｋＰａであることがより好ましい。
【００４３】
ここで、磁気粘性流体の降伏応力（降伏せん断応力）は、 例えば次の方法により求めることができる。回転粘度計に、所定の磁場を印加可能な磁場印加手段（永久磁石、電磁石等）を組込んだ装置を用いて、磁気粘性流体のせん断速度とせん断応力の関係を求め、得られたせん断速度とせん断応力の関係を公知のCassonの式を用いて近似することよって、磁気粘性流体の降伏応力を求めることができる。
【００４４】
上記降伏応力は、磁場によって保持された磁性スラリとガラス基板端部とが相対運動する際に、ガラス基板が磁性スラリから受ける圧力、即ちせん断応力に影響を与える。したがって、磁性スラリの降伏応力が高い程（磁性スラリ流動時のせん断応力が高い程）、研磨砥粒とガラス基板との接触による研磨が効率的に行われ、加工レートを向上させることができる。
【００４５】
本発明における端面研磨処理の一実施の形態においては、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段により形成される磁力線の方向と直交する面方向に対してガラス基板の主表面を傾斜させた状態でガラス基板の端面を磁性スラリの塊と接触させて研磨を行うことを特徴としている。たとえば図４に示すように、対向配置された一対の磁石２１，２２間に直線状に進むように形成される磁力線の方向と直交する面方向Ｌ１に対してガラス基板１０の主表面Ｌ０を角度αだけ傾斜させた状態でガラス基板の端面を磁性スラリの塊と接触させる（図４では磁性スラリの図示は省略している。）。そして、上記操作を２つの面取面に対して実施することで、端面を高品質及び高精度に研磨することができる。
【００４６】
たとえば、上記ガラス基板を傾斜させないで、磁力線の方向と直交する面方向に挿入してガラス基板の端面を磁性スラリの塊と接触させて研磨を行った場合、ガラス基板端面の側壁面の方が面取面よりも磁性スラリとの接触圧力が高くなるため、側壁面の加工レートが面取面の加工レートよりも大きくなり、側壁面の方が早く加工される。このように、ガラス基板端面の面取面と側壁面とで加工レートが異なると、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることが困難である。この場合、面取面と側壁面の両方を同じ品質に仕上るまで加工すると、加工時間が長くなる上に、優先的に加工された側壁面と面取面との間のエッジの形状精度が劣化するという問題が生じる。
【００４７】
そこで、本発明においては、磁力線の方向と直交する面方向に対してガラス基板の主表面を傾斜させることで、基板端面の面取面と磁性スラリとの接触を促進させる。これにより、ガラス基板端面の面取面と側壁面とで加工レートの差が生じるのを抑制でき、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることが可能となる。その結果、ガラス基板端面の面取面と側壁面の両方の面の形状精度を向上させ、側壁面と面取面との間のエッジの形状精度を向上させて、端面を高品質及び高精度に仕上げることができる安定した研磨加工が可能である。
【００４８】
本発明において、上記ガラス基板の傾斜角度αは、磁石間距離や磁束密度等によっても若干異なるが、例えば１０度〜４５度の範囲内とすることが好ましい。ガラス基板の傾斜角度が１０度未満であると、上述のガラス基板端面の面取面と側壁面とで加工レートの差が生じるのを抑制する効果が得られ難い場合がある。一方、ガラス基板の傾斜角度が４５度よりも大きくなると、主表面と面取面との間のエッジの曲率半径が悪化するという問題が生じる場合がある。
【００４９】
本発明の端面研磨処理によれば、上述のとおり、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることが可能であり、ガラス基板端面の面取面と側壁面の両方の面の形状精度を向上させることができる。たとえば、本発明の端面研磨処理後の、ガラス基板の面取面と側壁面とのエッジの曲率半径のばらつきと、ガラス基板の主表面と面取面とのエッジの曲率半径のばらつきをいずれも０．０５ｍｍ以内、より好ましくは０．０３ｍｍ以内に収めることが可能である。
【００５０】
また、本発明においては、上記のようにガラス基板の傾斜角度を所定の角度に固定した状態で研磨処理を行う実施形態に限られない。たとえば、ガラス基板の加工点（磁性スラリと接触している側の基板端部）を固定した状態でガラス基板の傾斜角度を所定の範囲内（例えば１０度〜３０度）で連続的又は段階的に変化させながら研磨処理を行うこともできる。また、例えば、プラス３０度からマイナス３０度の範囲を連続的又は段階的に変化させながら研磨処理を行うこともできる。このように、連続的又は段階的に傾斜角度を変化させる場合には、研磨砥粒の軌跡が重畳しないため、研磨後の表面粗さを低下させることができる。また、途中で角度を変更する時間を省略することができるので、生産性を向上させることができる。
【００５１】
上述の本発明における端面研磨処理による加工取代は、直径換算で１〜１０μｍとすることが好ましい。また、５μｍ以下とすると、さらに形状精度が高まるためなおよい。
【００５２】
なお、以上はガラス基板１０の外周側端面の研磨について説明したが、ガラス基板１０の内周側端面についても、同様の方法により研磨することができる。すなわち、上記の磁気発生手段を小さく作製し、ガラス基板１０の中心の円孔に通して、磁性スラリの塊をガラス基板１０の内周側端面と接触させることにより、内周側端面についても研磨することができる。
【００５３】
また、本発明における磁性スラリを用いる端面研磨処理を含む端面加工処理は、端面加工処理に投入するガラス基板の板厚が例えば０．５ｍｍ以下の薄板でも厚板（例えば０．６３５ｍｍ以上）と同等の端面品質を確保できる。
【００５４】
次に、上記端面研削加工処理の後に続けて実施する本発明の端面研磨処理の他の実施の形態について詳しく説明する。
本発明の端面研磨処理の他の実施の形態は、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて直線状の磁力線を形成させ、磁気粘性流体と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、ガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の面取面との両方の面を研磨する処理であるが、本実施の形態において特徴的な構成は、ガラス基板端面の面取面と側壁面の加工レートが同等になるように磁力線の向きが異なる複数の磁気発生手段を用いてガラス基板の端面を研磨することである。
【００５５】
図５は本発明の端面研磨処理を行っている状態の他の実施の形態を説明するための模式図であり、ガラス基板の外周側端面の研磨を行う場合を示している。
なお、本実施の形態の端面研磨処理に用いられる装置については、前述の実施の形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００５６】
本実施の形態における端面研磨処理においては、前記ガラス基板の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段を用い、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されることを特徴としている。
【００５７】
たとえば図５の（ａ）に示すように、ガラス基板１０は加工中は所定の位置に固定された状態で、第１の磁気発生手段を構成する対向配置された一対の磁石２１，２２間に直線状に進むように形成される磁力線が、ガラス基板１０の主に側壁面と接触し、当該側壁面を効率的に研磨できるように上記第１の磁気発生手段が配置されている。また、図５の（ｂ）に示すように、ガラス基板１０は（ａ）と同じ位置に固定された状態で、第２の磁気発生手段を構成する対向配置された一対の磁石２１，２２間に直線状に進むように形成される磁力線が、ガラス基板１０の主に面取面と接触し、当該面取面を効率的に研磨できるように上記第２の磁気発生手段が配置されている。なお、図５では磁性スラリの図示は省略している。
【００５８】
つまり、本実施の形態の端面研磨処理においては、ガラス基板１０の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、ガラス基板１０の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段を用い、これら第１の磁気発生手段と第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されている。
【００５９】
たとえば、磁力線の向きが異なる複数の磁気発生手段を設けずに、１台の磁気発生手段を用いて、その磁力線の方向と直交する方向にガラス基板を挿入して当該ガラス基板の端面を磁性スラリの塊と接触させて研磨を行った場合（（ａ）と同様な状態）、ガラス基板端面の側壁面の方が面取面よりも磁性スラリとの接触量が多くなるため、側壁面の加工レートが面取面の加工レートよりも大きくなり、側壁面の方が優先的に加工される。このように、ガラス基板端面の面取面と側壁面とで加工レートが異なると、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることが困難である。この場合、面取面と側壁面の両方を同じ品質に仕上るまで加工すると、加工時間が長くなる上に、優先的に加工された側壁面の形状精度が劣化するという問題が生じる。
【００６０】
本実施の形態においては、上記のとおり、ガラス基板１０の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、ガラス基板１０の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段を用いる。第１の磁気発生手段は、形成される磁力線が、ガラス基板１０の主に側壁面と接触し、当該側壁面を効率的に研磨できるように配置されており、第２の磁気発生手段は、形成される磁力線が、ガラス基板１０の主に面取面と接触し、当該面取面を効率的に研磨できるように配置されている。これにより、ガラス基板端面の面取面と側壁面とで加工レートが同等になるので、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることが可能となる。その結果、ガラス基板端面の面取面と側壁面の両方の面の形状精度を向上させ、端面を高品質に仕上げることができる安定した研磨加工が可能である。
【００６１】
ガラス基板１０の周囲に、ガラス基板１０の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、ガラス基板１０の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段をそれぞれ配置することにより、ガラス基板１０の側壁面と面取面の両方の面を同時に研磨処理することができる。なお、加工時間はこれよりも長くなるが、例えば最初に上記第１の磁気発生手段を用いてガラス基板の側壁面を研磨し、続いて、上記第２の磁気発生手段を用いてガラス基板の面取面を研磨するようにしてもよい。
【００６２】
また、ガラス基板１０の端面には、実際には、一方の主表面と側壁面との間の面取面と、他方の主表面と側壁面との間の面取面とが存在し、この２つの面取面の面取り方向は互いに異なるので、上記第２の磁気発生手段は、ガラス基板の一方の主表面と側壁面との間の面取面を主に研磨する磁気発生手段と、他方の主表面と側壁面との間の面取面を主に研磨する磁気発生手段とを備え、各々の磁力線の向きが異なるように配置されることが望ましい。すなわち、本実施の形態においては、ガラス基板端面の１つの側壁面と２つの面取面をそれぞれ研磨できるように、磁力線の向きが互いに異なる３つの磁気発生手段を用いてガラス基板の端面を研磨することが好適である。なお、これらの複数の磁気発生手段は、ガラス基板の周方向に間隔をおいて配置される。
【００６３】
本実施の形態の端面研磨処理によれば、上述のとおり、ガラス基板端面の面取面と側壁面の加工レートが同等になるように磁力線の向きが異なる複数の磁気発生手段を用いてガラス基板の端面を研磨することにより、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることが可能であり、ガラス基板端面の面取面と側壁面の両方の面の形状精度を向上させることができる。たとえば、本実施の形態の端面研磨処理後の、ガラス基板の面取面と側壁面とのエッジの曲率半径のばらつきと、ガラス基板の主表面と面取面とのエッジの曲率半径のばらつきをいずれも０．０３ｍｍ以内に収めることが可能である。
【００６４】
上述の本実施の形態における端面研磨処理による加工取代は、１〜１０μｍ程度である。また、５μｍ以下とすると、さらに形状精度が高まるためなおよい。
また、上述の本実施の形態に関連する他の実施の形態として、前記ガラス基板の一方の面取面と側壁面とを主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の他方の面取面と側壁面とを主に研磨する第２の磁気発生手段とを用い、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されることも好適な実施の形態である。このような実施の形態の端面研磨処理によれば、所定の加工時間内で面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることが可能であり、ガラス基板端面の面取面と側壁面の両方の面の形状精度を向上させることができる。また、１度で加工を終わらせるためには、磁気発生手段が２つで済むという利点もある。
【００６５】
なお、以上はガラス基板１０の外周側端面の研磨について説明したが、ガラス基板１０の内周側端面についても、同様の方法により研磨することができる。すなわち、上記の磁気発生手段をガラス基板１０の中心の円孔に通して、磁性スラリの塊をガラス基板１０の内周側端面と接触させることにより、内周側端面についても研磨することができる。
【００６６】
また、上記のとおり、磁力線の向きが異なる複数の磁気発生手段を用いる代わりに、１台の磁気発生手段を例えば図５の（ａ）の状態に配置してガラス基板の側壁面を研磨し、続いて、同じ磁気発生手段を図５の（ｂ）の状態に配置してガラス基板の面取面を研磨することも可能である。
【００６７】
また、上述の実施の形態に関連して、本発明は、以下の構成の磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置についても提供するものである。
すなわち、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、円盤状のガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理に使用する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置であって、前記ガラス基板の側壁面を主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の面取面を主に研磨する第２の磁気発生手段とを備え、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置である。
また、対向配置された一対の磁石からなる磁気発生手段を用いて磁力線を形成させ、磁性粒子と研磨砥粒を含む磁性スラリを前記磁力線に保持させることにより、前記磁力線に沿って前記磁性スラリの塊を形成させ、円盤状のガラス基板の端面を前記磁性スラリの塊と接触させて、前記ガラス基板の端面の側壁面と、該ガラス基板の主表面と前記側壁面との間の少なくとも一方の面取面との両方の面を研磨する端面研磨処理に使用する磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置であって、前記ガラス基板の一方の面取面と側壁面とを主に研磨する第１の磁気発生手段と、前記ガラス基板の他方の面取面と側壁面とを主に研磨する第２の磁気発生手段とを備え、前記第１の磁気発生手段と前記第２の磁気発生手段は各々の磁力線の向きが異なるように配置されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の端面研磨装置についても提供する。
【００６８】
本発明においては、ガラス基板を構成するガラス（の硝種）は、アモルファスのアルミノシリケートガラスとすることが好ましい。このようなガラス基板は表面を鏡面研磨することにより平滑な鏡面に仕上げることができ、また加工後の強度が良好である。このようなアルミノシリケートガラスとしては、例えば、ＳｉＯ2 を主成分としてＡｌ2Ｏ3 を２０重量％以下含むガラスが好ましい。さらに、ＳｉＯ2を主成分としてＡｌ2Ｏ3を１５重量％以下含むガラスとするとより好ましい。具体的には、ＳｉＯ2を６２重量％以上７５重量％以下、Ａｌ2Ｏ3 を５重量％以上１５重量％以下、Ｌｉ2 Ｏを４重量％以上１０重量％以下、Ｎａ2Ｏを４重量％以上１２重量％以下、ＺｒＯ2 を５．５重量％以上１５重量％以下、主成分として含有するとともに、Ｎａ2Ｏ／ＺｒＯ2の重量比が０．５以上２．０以下、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４以上２．５以下であるリン酸化物を含まないアモルファスのアルミノシリケートガラスを用いることができる。
【００６９】
また、耐熱性ガラスとしては、例えば、モル％表示にて、ＳｉＯ２を５０〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を０〜５％、ＢａＯを０〜２％、Ｌｉ２Ｏを０〜３％、ＺｎＯを０〜５％、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏを合計で３〜１５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを合計で１４〜３５％、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５およびＨｆＯ２を合計で２〜９％、含み、モル比［（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）］が０．８５〜１の範囲であり、且つモル比［Ａｌ２Ｏ３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）］が０〜０．３０の範囲であるガラスを好ましく用いることができる。
また、ＳｉＯ２を５６〜７５モル％、Ａｌ２Ｏ３を１〜９モル％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏからなる群から選ばれるアルカリ金属酸化物を合計で６〜１５モル％、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯからなる群から選ばれるアルカリ土類金属酸化物を合計で１０〜３０モル％、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５およびＴａ２Ｏ５からなる群から選ばれる酸化物を合計で０％超かつ１０モル％以下、含むガラスであってもよい。
本発明において、ガラス組成におけるＡｌ２Ｏ３の含有量が１５重量％以下であると好ましい。さらには、Ａｌ２Ｏ３の含有量が５モル％以下であるとなお好ましい。
【００７０】
上述の本発明の端面研磨処理の終了後は、このガラス基板に寸法精度及び形状精度を向上させるための主表面の研削加工（ラッピング）を行う。この主表面の研削加工は、通常両面ラッピング装置を用い、ダイヤモンド等の硬質砥粒を用いてガラス基板主表面の研削を行う。こうしてガラス基板主表面を研削加工することにより、所定の板厚、平坦度に加工するとともに、所定の表面粗さを得る。なお、このラッピング工程は、前述のダイレクトプレス法により作製した円盤状のガラスディスクに対し、端面研削加工を行う前に実施してもよい。
【００７１】
そして、上記主表面研削加工の終了後は、高平滑な主表面を得るための鏡面研磨加工を行う。
ガラス基板の鏡面研磨方法としては、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の金属酸化物の研磨材を含有するスラリー（研磨液）を供給しながら、ポリウレタン等のポリシャの研磨パッドを用いて行うのが好適である。高い平滑性を有するガラス基板は、たとえば酸化セリウム系研磨材を用いて研磨した後（第１研磨加工）、さらにコロイダルシリカ砥粒を用いた仕上げ研磨（鏡面研磨）（第２研磨加工）によって得ることが可能である。
【００７２】
ここで、本発明においては、Ｒａ、Ｒｚというときは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１：２００１に準拠する粗さのことである。また、本発明において側壁面及び面取面の表面粗さ（例えば、最大粗さＲｚ、算術平均粗さＲａ）は、レーザー顕微鏡を用いて観察倍率を３０００倍にして５０μｍ×５０μｍの測定領域で測定した値である。
【００７３】
本発明においては、基板強度を向上させるために化学強化処理を施してもよい。化学強化処理の方法としては、例えば、ガラス転移点の温度を超えない温度領域で、イオン交換を行う低温型イオン交換法などが好ましい。化学強化処理とは、溶融させた化学強化塩とガラス基板とを接触させることにより、化学強化塩中の相対的に大きな原子半径のアルカリ金属元素と、ガラス基板中の相対的に小さな原子半径のアルカリ金属元素とをイオン交換し、ガラス基板の表層に該イオン半径の大きなアルカリ金属元素を浸透させ、ガラス基板の表面に圧縮応力を生じさせる処理のことである。化学強化処理されたガラス基板は耐衝撃性に優れているので、例えばモバイル用途のＨＤＤに搭載するのに特に好ましい。化学強化塩としては、硝酸カリウムや硝酸ナトリウムなどのアルカリ金属硝酸塩を好ましく用いることができる。
以上のようにして、本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板が製造される。
【００７４】
また、本発明は、以上の磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクの製造方法についても提供する。本発明において磁気ディスクは、本発明による磁気ディスク用ガラス基板の上に少なくとも磁性層を形成して製造される。磁性層の材料としては、異方性磁界の大きな六方晶系であるＣｏＣｒＰｔ系やＣｏＰｔ系強磁性合金を用いることができる。磁性層の形成方法としてはスパッタリング法、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板の上に磁性層を成膜する方法を用いることが好適である。またガラス基板と磁性層との間に、下地層を介挿することにより磁性層の磁性グレインの配向方向や磁性グレインの大きさを制御することができる。例えば，Ｃｒ系合金など立方晶系下地層を用いることにより、例えば磁性層の磁化容易方向を磁気ディスク面に沿って配向させることができる。この場合、面内磁気記録方式の磁気ディスクが製造される。また、例えば、ＲｕやＴｉを含む六方晶系下地層を用いることにより、例えば磁性層の磁化容易方向を磁気ディスク面の法線に沿って配向させることができる。この場合、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが製造される。下地層は磁性層同様にスパッタリング法により形成することができる。
【００７５】
また、磁性層の上に、保護層、潤滑層をこの順に形成するとよい。保護層としてはアモルファスの水素化炭素系保護層が好適である。例えばプラズマＣＶＤ法により保護層を形成することができる。また、潤滑層としては、パーフルオロポリエーテル化合物の主鎖の末端に官能基を有する潤滑剤を用いることができる。取り分け、極性官能基として水酸基を末端に備えるパーフルオロポリエーテル化合物を主成分とすることが好ましい。潤滑層はディップ法により塗布形成することができる。
本発明によって得られるガラス基板を利用することにより、基板の端面が高精度形状及び高品質に仕上げられているため、コロージョン対策など、基板端面の表面状態が起因する障害の発生を防止し、より一層の高記録密度化を実現でき、且つ信頼性の高い磁気ディスクを得ることができる。
【実施例】
【００７６】
以下に実施例を挙げて、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１〜６、比較例１）
以下の（１）基板準備工程、（２）主表面研削工程、（３）端面研削工程、（４）端面研磨工程、（５）主表面研磨工程（第１研磨工程）、（６）化学強化工程、（７）主表面研磨工程（第２研磨工程）を経て本実施例の磁気ディスク用ガラス基板を製造した。【００７７】
（１）基板準備工程
まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスにより直径６６ｍｍφ、厚さ０．６３５ｍｍの円盤状のアルミノシリケートガラスからなるガラス基板（ガラスディスク）を得た。なお、この場合、ダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスから研削砥石で切り出して円盤状のガラス基板を得てもよい。このアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：６２〜７５重量％、ＺｒＯ２：５．５〜１５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜１５重量％、Ｌｉ２Ｏ：４〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１２重量％を含有する化学強化用ガラスを使用した。【００７８】
（２）主表面研削工程
この主表面研削加工は両面ラッピング装置を用い、ダイヤモンドパッドが貼り付けられた上下定盤の間にキャリアにより保持したガラス基板をセットして行ない、所定の板厚に調節した。
（３）端面研削工程
次に、円筒状砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を空けると共に、外周端面および内周端面に所定の端面研削（形状加工）を行った。
本実施例では、まず総型砥石を用いて基板の外周端面を面取り加工した後、さらに前述のガラス基板面に対して砥石を傾けた状態で研削加工を行い、基板端面に面取面および側壁面を形成した。面取面の形状は、主表面に対する角度を４５度とし、主表面方向及び板厚方向にそれぞれ１５０μｍとなるようにエッジを落とすように形成した。
なお、砥石の種類、粒度などは適当なものを選択して用いた。
このときのガラス基板の外周側端面の表面粗さは、側壁面、面取面ともにＲｚで１．２μｍ以下であった。
また、基板の内周側端面に関しては、所定の総型砥石を用いて面取り加工を施した。【００７９】
（４）端面研磨工程
次いで、上記のように研削加工により基板端面に面取面及び側壁面を形成したガラス基板の外周側端面の研磨処理を行った。本実施例では、前述の図４に示す方法に従って磁性スラリを用いる研磨処理を行った。
図４に示すように、一対の磁石からなる磁気発生手段を内蔵した研磨装置を用いて２つの磁石間に磁性スラリの塊を形成させた。そして、これら２つの磁石とガラス基板とを互いに回転させることにより、ガラス基板の端面を研磨した。なお、両者の回転方向は図３に示すように互いに逆方向（加工部においては同方向）とし、加工部における相対速度は２００ｍ／分とした。
なお、その他、端面研削工程及び端面研磨工程における、回転方向、砥石又は磁性スラリの塊の回転数、基板の回転、基板と砥石（又は磁性スラリの塊）の回転数の相対比、および磁石の磁束密度等については、上述の実施の形態中に記載の範囲内で適宜設定した。
また、ガラス基板の傾斜角度αは、５度〜６０度の範囲で設定した（下記表１参照）。研磨取代は直径において１０μｍ（すなわち表面からの深さ５μｍ）となるように設定し、５μｍ研磨したところで一旦ガラス基板を離して研磨加工を止め、傾斜角度をマイナスαに変更してから残りの５μｍを研磨した。実質的な研磨処理時間は全部で３０秒であった。
また、比較例１として、ガラス基板を傾斜させない（傾斜角度ゼロ度）こと以外は同様にして加工した。
こうして、ガラス基板の外周端面の研磨を行った。加工後の基板の外周端面の表面粗さは、側壁面、面取面ともにRｚで０．１μｍ以下であった。
また、ガラス基板の内周側については、従来の研磨ブラシを用いて研磨を行った。
以上のようにして、上記端面研磨を終えたガラス基板を洗浄した。【００８０】
（５）主表面研磨工程（第１研磨工程）
次に、上述した主表面研削加工（ラッピング）で残留した傷や歪みを除去するための第１研磨工程を両面研磨装置を用いて行なった。両面研磨装置においては、研磨パッドが貼り付けられた上下研磨定盤の間にキャリアにより保持したガラス基板を密着させ、このキャリアを太陽歯車（サンギア）と内歯歯車（インターナルギア）とに噛合させ、上記ガラス基板を上下定盤によって挟圧する。その後、研磨パッドとガラス基板の研磨面との間に研磨液を供給して回転させることによって、ガラス基板が定盤上で自転しながら公転して両面を同時に研磨加工するものである。第１研磨工程を終えたガラス基板を洗浄し、乾燥した。【００８１】
（６）化学強化工程
次に、上記洗浄を終えたガラス基板に化学強化を施した。化学強化は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合物を溶融させた化学強化液を用意し、この化学強化溶液にガラス基板を浸漬して化学強化処理を行なった。【００８２】
（７）主表面研磨工程（第２研磨工程）
次いで上記の第１研磨工程で使用したものと同じ両面研磨装置を用い、第２研磨工程を実施した。この第２研磨工程は、上述した第１研磨工程で得られた平坦な表面を維持しつつ、例えばガラス基板主表面の表面粗さをＲａ（原子間力顕微鏡での測定値）で０．２ｎｍ以下の平滑な鏡面に仕上げるための鏡面研磨加工である。上記第２研磨工程を終えたガラス基板を洗浄し、乾燥した。【００８３】
上記工程を経て得られたガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｚ＝１．５３ｎｍ、Ｒａ＝０．１３ｎｍと超平滑な主表面を持つガラス基板を得た。
また、得られたガラス基板の外径は６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、板厚は０．６３５ｍｍであった。
こうして、本実施例の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
そして、得られた磁気ディスク用ガラス基板の側壁面と面取面との粗さ（Ｒｚ）をレーザー顕微鏡を用いてそれぞれ計測し、面取面と側壁面との粗さ（Ｒｚ）の差を、基板を傾斜させない場合と比べると、基板を傾斜させたもののほうが、上記差が小さいことがわかった。
また、同様にして作製した１００枚のガラス基板について、上記端面研磨終了後の基板の外周端面における面取面と側壁面との間のエッジ角度のばらつきの評価として、エッジ部分（図１のＡ部）の曲率半径の基板間のばらつき（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）を触針式の輪郭形状測定機によって評価した。まず、1枚の基板について表裏１点ずつエッジ部分の曲率半径を測定してそれらの平均値を算出し、１００枚について同様に測定し、得られた100個のデータから最大値と最小値の差（Max-Min）を算出してばらつきとした。ばらつきが０．０３ｍｍ以下の場合を○、０．０３ｍｍより大きく０．０５ｍｍ以下の場合を△、０．０５ｍｍよりも大きい場合を×として、表１に示した。なお、ばらつきが０．０５ｍｍ以下であれば実用上合格である。【００８４】
また、作製した１００枚のガラス基板について、上記端面研磨終了後の基板の外周端面における主表面と面取面との間のエッジ角度ばらつきの評価として、エッジ部分（図１のＢ部）の曲率半径のばらつき（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）を上記と同様に触針式の輪郭形状測定機によって評価した。ばらつきが０．０２ｍｍ以下の場合を◎、０．０２ｍｍより大きく０．０３ｍｍ以下の場合を○、０．０３ｍｍより大きく０．０５ｍｍ以下の場合を△として、結果を表２に示した。【００８５】
【表１】
2014178417.tif 000003
【００８６】
【表２】
2014178417.tif 000004
【００８７】
上記表１、表２の結果から、以下のことがわかる。
１．上記磁性スラリによる端面研磨処理において、ガラス基板を傾斜させることで、エッジの曲率半径のばらつきを０．０５ｍｍ以下にすることができる。また、ガラス基板を１０度〜４５度の範囲内で傾斜させた状態で研磨処理を行った実施例２〜４においては、端面研磨処理後の、ガラス基板の面取面と側壁面とのエッジの曲率半径のばらつきと、ガラス基板の主表面と面取面とのエッジの曲率半径のばらつきをいずれも０．０３ｍｍ以内に収めることができ、より良好な形状精度が得られた。また、傾斜角度が上記の範囲よりも小さな実施例１と、上記の範囲よりも大きな実施例５と実施例６においては、ガラス基板の面取面と側壁面とのエッジの曲率半径のばらつきが若干大きくなった。
２．これに対し、ガラス基板を傾斜させないで研磨処理を行った比較例１では、ガラス基板の主表面と面取面とのエッジの曲率半径のばらつきについては問題はなかったが面取面側への加工が進行しにくいため、ガラス基板の面取面と側壁面とのエッジの曲率半径のばらつきが大きくなり良好な形状精度は得られなかった。これは、前にも説明したように、面取面と側壁面とで加工レートが異なり、所定の加工時間内では面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上ることができなかったことによるものと考えられる。【００８８】
また、面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上るまでの時間については、実施例３における時間に対して比較例１では約２倍の時間を要した。本発明においては、面取面と側壁面とで加工レートの差が小さく、ほぼ同じ加工時間で面取面と側壁面の両方を同じ品質に仕上ることが可能である。他方、基板を傾斜させない比較例では、面取面と側壁面とで加工レートが異なるので、面取面と側壁面の両方を短い時間で同じ品質に仕上ることができず、加工レートの遅い面取面を鏡面に仕上るまで待つ必要があるため加工時間は長くなる。
また、上記実施例３において、プラス２０度からマイナス２０度の範囲を1往復２秒で連続的に変化させた（往復運動させた）ところ、面取面と側壁面との間のエッジの曲率半径のばらつきが「◎」の評価となった。
また、内径側について表１と同じ条件で実施したところ、同様の結果が得られた。
また、端面研磨処理の前に行う研削加工において、ガラス基板面に対して砥石を傾斜させずに研削加工を実施した（研磨取代は同じ）結果、端面の表面粗さＲａの最大値が０．１２μｍとなり若干増加したものの、エッジ曲率半径のばらつきは同等であった。【００８９】
（実施例Ａ、Ｂ、比較例Ａ）
上記実施例１の端面研磨工程において、本実施例Ａでは、前述の図５に示す方法に従って磁性スラリを用いる研磨処理を行った。
図５に示すように、一対の磁石からなる磁気発生手段を内蔵した研磨装置を用いて、これら２つの磁石間に磁性スラリの塊を形成させた。そして、これら２つの磁石とガラス基板とを互いに回転させることにより、ガラス基板の端面を研磨した。両者の回転方向は図３に示すように互いに逆方向とした。
研磨処理を施すガラス基板の周囲に、上記構成の磁気発生手段の１台（磁気発生手段＃１）を図５の（ａ）に示す位置に配置し、上記構成の磁気発生手段の別の１台（磁気発生手段＃２）を図５の（ｂ）に示す位置に配置し、上記構成の磁気発生手段のさらに別の１台（磁気発生手段＃３）を図５の（ｂ）に示す磁気発生手段（＃２）に対して上下反転させ図５の（ｂ）において下側の面取面に沿う磁力線を発するように配置した。
なお、端面研削工程及び端面研磨工程における、回転方向、砥石又は磁性スラリの塊の回転数、基板の回転、基板と砥石（又は磁性スラリの塊）の回転数の相対比、および磁石の磁束密度等については、上述の実施の形態中に記載の範囲である。
こうして、ガラス基板の外周端面の側壁面と面取面の研磨を同時に行った。加工後の基板の外周端面の表面粗さは、側壁面、面取面ともにＲｚで０．１μｍ以下であった。
また、ガラス基板の内周側については、従来の研磨ブラシを用いて研磨を行った。
以上のようにして、上記端面研磨を終えたガラス基板を洗浄した。【００９０】
なお、上記端面研磨工程以外については上記実施例１と同様にして行った。
上記工程を経て得られたガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｚ＝１．５３ｎｍ、Ｒａ＝０．１３ｎｍと超平滑な主表面を持つガラス基板を得た。
また、得られたガラス基板の外径は６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、板厚は０．６３５ｍｍであった。
こうして、本実施例（実施例Ａ）の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
また、研磨処理を施すガラス基板の周囲に、上記構成の磁気発生手段の１台をガラス基板の一方の面取面と側壁面とを主に研磨する位置に配置し、上記構成の磁気発生手段の別の１台をガラス基板の他方の面取面と側壁面とを主に研磨する位置に配置して、当該ガラス基板の端面研磨を行ったこと以外は、上記実施例Ａと同様にして磁気ディスク用ガラス基板を得た（実施例Ｂ）。
また、上記実施例に対する比較例（比較例Ａ）として、１台の磁気発生手段を用いて、その磁力線の方向と直交する方向にガラス基板を挿入して当該ガラス基板の端面研磨を行った（図５（ａ）の状態と同様）こと以外は、上記実施例と同様にして磁気ディスク用ガラス基板を得た。なお、本比較例においては、ガラス基板端面の側壁面と面取面の表面粗さが同等になるまで時間を延長して研磨加工を行った。
なお、上記比較例において、研磨時間を実施例と同じ時間とした場合について試作を行ない、得られた磁気ディスク用ガラス基板の側壁面と面取面との粗さ（Ｒｚ）をそれぞれレーザー顕微鏡で計測し、面取面と側壁面との粗さ（Ｒｚ）の差を実施例と比較したところ、実施例の方が上記差が小さいことが確認された。【００９１】
上記実施例・比較例と同様にしてそれぞれ作製した１００枚のガラス基板について、上記端面研磨終了後の基板の外周端面における面取面と側壁面との間のエッジ角度のばらつき、および上記端面研磨終了後の基板の外周端面における主表面と面取面との間のエッジ角度ばらつきについて、前述と同じ評価方法により評価し、その結果を表３に示した。【００９２】
【表３】
2014178417.tif 000005
【００９３】
上記表３の結果から、以下のことがわかる。
１．ガラス基板端面の面取面と側壁面の加工レートが同等になるように磁力線の向きが異なる３つの磁気発生手段を用いてガラス基板の端面を研磨処理した実施例Ａにおいては、端面研磨処理後の、ガラス基板の面取面と側壁面とのエッジの曲率半径のばらつきと、ガラス基板の主表面と面取面とのエッジの曲率半径のばらつきをいずれも０．０３ｍｍ以内に収めることができ良好な形状精度が得られた。また、２つの磁気発生手段を用いた実施例Ｂについても実施例Ａと同様な結果が得られた。
２．これに対し、１つの磁気発生手段を図５（ａ）の状態に配置してガラス基板の端面研磨を行った比較例Ａでは、ガラス基板の面取面と側壁面とのエッジの曲率半径のばらつきと、ガラス基板の主表面と面取面とのエッジの曲率半径のばらつきのいずれもが大きくなり良好な形状精度は得られなかった。これは、前にも説明したように、面取面と側壁面とで加工レートが異なり、面取面と側壁面の両方を同じ品質に仕上るまで加工を行ったために形状精度が劣化してしまったものと考えられる。【００９４】
また、面取面と側壁面の両方を同じ品質の鏡面に仕上るまでの時間については、実施例Ａにおける加工時間に対して、比較例Ａでは約２倍の時間を要した。本発明においては、面取面と側壁面の加工レートは同等であり、ほぼ同じ加工時間で面取面と側壁面の両方を同じ品質に仕上ることが可能であるが、上記比較例では、面取面と側壁面とで加工レートが異なり、同じ加工時間内では面取面と側壁面の両方を同じ品質に仕上ることができず、加工レートの遅い面取面を鏡面に仕上るまでの加工時間は長くなる。【００９５】
（磁気ディスクの製造）
上記実施例３で得られた磁気ディスク用ガラス基板に以下の成膜工程を施して、垂直磁気記録用磁気ディスクを得た。
すなわち、上記ガラス基板上に、Ｔｉ系合金薄膜からなる付着層、ＣｏＴａＺｒ合金薄膜からなる軟磁性層、Ｒｕ薄膜からなる下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、カーボン保護層、潤滑層を順次成膜した。保護層は、磁気記録層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのもので、水素化カーボンからなり、耐磨耗性が得られる。また、潤滑層は、アルコール変性パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤をディップ法により形成した。
得られた磁気ディスクについて、ＤＦＨヘッドを備えたＨＤＤに組み込み、８０℃かつ８０％ＲＨの高温高湿環境下においてＤＦＨ機能を作動させつつ１ヶ月間のロードアンロード耐久性試験を行ったところ、特にフラッタリングやコロージョンに起因する障害も無く、良好な結果が得られた。
【符号の説明】
【００９６】
１  磁気ディスク用ガラス基板
１０  円盤状ガラス基板（ガラスディスク）
１１  ガラス基板の主表面
１２  ガラス基板の外周側端面
１２ａ  側壁面
１２ｂ  面取面
２０  端面研磨装置
２１，２２  磁石
２３  スペーサ
２４  外装部材
２５  磁力線
２６  磁性スラリの塊
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2014178417.tif 000012
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