(57)【要約】   化合物（１）を、不活性溶媒中、特定の不斉配位子及びルテニウム触媒存在下、又は当該不斉配位子及びルテニウム触媒から予め生成した不斉遷移金属錯体触媒存在下、水素ガスと反応させることによる、化合物（４）の製造方法。2016043253.tif 000029
2016043253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
2016043253.tif 000020
［式中、Ｒは、カルボキシ基の保護基又は水素原子を示し、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を示す。］で表される化合物を、不活性溶媒中、式（２）
【化２】
2016043253.tif 000021
［式中、Ａｒはフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基又は４−メチルフェニル基を示す。］
又は、式（３）
【化３】
2016043253.tif 000022
［式中、Ａｒ’はフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基又は３，５−ジｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基を示す。］
で表される不斉配位子及びルテニウム触媒存在下、又は当該不斉配位子及びルテニウム触媒から予め生成した不斉遷移金属錯体触媒存在下、水素ガスと反応させることによる、式（４）
【化４】
2016043253.tif 000023
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲは前記と同意義を示す。］で表される化合物の製造方法。
【請求項２】
Ｒが、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、水素原子、ベンジル基又はフェニル基である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
Ｒが、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
Ｒが、メチル基である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
Ｒ１及びＲ２の一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、他方が水素原子である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
反応が、不斉配位子及びルテニウム触媒から予め生成した不斉遷移金属錯体触媒存在下の反応である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
不斉遷移金属錯体触媒が、ＲｕＣｌ２［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジフェニルホスフィノ］−１，１’−ビナフチル］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル］、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジトルイルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）］Ｃｌ、又は［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（−）−５，５’−ビス［ジ（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）］Ｃｌである、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
反応が、不斉配位子及びルテニウム触媒存在下の反応である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
不斉配位子及びルテニウム触媒が、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２、又は、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２である、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
不斉配位子及びルテニウム触媒が、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２である、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１３】
不活性溶媒が、フッ素系アルコール類である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
不活性溶媒が、２，２，２−トリフルオロエタノール又は１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載された製造方法に従い式（４）で表される化合物を製造し、さらに、式（４）で表される化合物に、
（ａ）カルボキシ基の保護基を脱保護する工程、及び
（ｂ）アミノ基の保護基を脱保護する工程
から選択される１つ又は２つの工程［（ａ）と（ｂ）は順序を変えて行ってもよく、同時に行ってもよい。］を施すことによる、式（６）
【化５】
2016043253.tif 000024
で表される化合物又はその薬理上許容される塩の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載された製造方法に従い式（４）で表される化合物を製造し、さらに、式（４）で表される化合物に、
（ａ）カルボキシ基の保護基を脱保護する工程、次いで、
（ｂ）（Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノールを添加し、化合物の塩を晶析する工程、次いで、
（ｃ）酸を添加し、塩を脱塩する工程、次いで、
（ｄ）アミノ基の保護基を脱保護する工程
を施すことによる、式（６）
【化６】
2016043253.tif 000025
で表される化合物又はその薬理上許容される塩の製造方法。
【請求項１７】
式（５）
【化７】
2016043253.tif 000026
［式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を示す。］で表される化合物を含む溶液に（Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノールを添加することにより、式（７）
【化８】
2016043253.tif 000027
［式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同意義を示す。］で表される化合物の塩を晶析する工程、次いで、酸を添加し、塩を脱塩する工程を含む、式（５）で表される化合物の製造方法。
【請求項１８】
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基である、請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である、請求項１７に記載の製造方法。
【請求項２０】
Ｒ１及びＲ２の一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、他方が水素原子である、請求項１７に記載の製造方法。
【請求項２１】
式（７）
【化９】
2016043253.tif 000028
［式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を示す。］で表される化合物の塩。
【請求項２２】
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基である、請求項２１に記載の化合物の塩。
【請求項２３】
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である、請求項２１に記載の化合物の塩。
【請求項２４】
Ｒ１及びＲ２の一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、他方が水素原子である、請求項２１に記載の化合物の塩。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、優れたＴＡＦＩａ阻害活性を有するシクロアルキル基で置換された光学活性吉草酸誘導体の新規な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１の実施例１５には、優れたＴＡＦＩａ酵素阻害活性を有する（２Ｓ）−５−アミノ−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸及びその製造方法が記載されている。【０００３】
すなわち、１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−カルボン酸エチルを出発原料に、エステルのアルコールへの還元、アルコールのアルデヒドへの酸化、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ縮合及びオレフィンの還元によりラセミ体の５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸メチルを合成し、光学活性カラムクロマトグラフィーによりエナンチオマーを分離し、エステルを加水分解しアミノ基の保護基を除去することで光学活性体である（２Ｓ）−５−アミノ−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸を製造することができる。【０００４】
しかしながら、ラセミ体を光学活性カラムクロマトグラフィーで分離する方法は、目的とは反対の立体構造を有するエナンチオマーが無駄になってしまい、また分離操作も煩雑で、工業的に好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１１５０６４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者等は、上記の問題点を解決するため種々検討を行った結果、特定の不斉遷移金属錯体触媒を用いたオレフィンの不斉還元を採用することにより、効率よく、操作が簡便な製造方法を見出し、本発明を完成した。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、
［１］
式（１）【０００８】
【化１】
2016043253.tif 000003
【０００９】
［式中、Ｒは、カルボキシ基の保護基又は水素原子を示し、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を示す。］で表される化合物を、不活性溶媒中、式（２）【００１０】
【化２】
2016043253.tif 000004
【００１１】
［式中、Ａｒはフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基又は４−メチルフェニル基を示す。］
又は、式（３）【００１２】
【化３】
2016043253.tif 000005
【００１３】
［式中、Ａｒ’はフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基又は３，５−ジｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基を示す。］
で表される不斉配位子及びルテニウム触媒存在下、又は当該不斉配位子及びルテニウム触媒から予め生成した不斉遷移金属錯体触媒存在下、水素ガスと反応させることによる、式（４）【００１４】
【化４】
2016043253.tif 000006
【００１５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲは前記と同意義を示す。］で表される化合物の製造方法。
［２］
Ｒが、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、水素原子、ベンジル基又はフェニル基である、［１］に記載の製造方法。
［３］
Ｒが、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基である、［１］に記載の製造方法。
［４］
Ｒが、メチル基である、［１］に記載の製造方法。
［５］
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基である、［１］〜［４］のいずれか１項に記載の製造方法。
［６］
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である、［１］〜［４］のいずれか１項に記載の製造方法。
［７］
Ｒ１及びＲ２の一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、他方が水素原子である、［１］〜［４］のいずれか１項に記載の製造方法。
［８］
反応が、不斉配位子及びルテニウム触媒から予め生成した不斉遷移金属錯体触媒存在下の反応である、［１］〜［７］のいずれか１項に記載の製造方法。
［９］
不斉遷移金属錯体が、ＲｕＣｌ２［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジフェニルホスフィノ］−１，１’−ビナフチル］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル］、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジトルイルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）］Ｃｌ、又は［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−（−）−５，５’−ビス［ジ（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）］Ｃｌである、［８］に記載の製造方法。
［１０］
反応が、不斉配位子及びルテニウム触媒存在下の反応である、［１］〜［７］のいずれか１項に記載の製造方法。
［１１］
不斉配位子及びルテニウム触媒が、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２、又は、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２である、［１０］に記載の製造方法。
［１２］
不斉配位子及びルテニウム触媒が、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル及び［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２存在下の反応である、［１０］に記載の製造方法。
［１３］
不活性溶媒が、フッ素系アルコール類である、［１］〜［１２］のいずれか１項に記載の製造方法。
［１４］
不活性溶媒が、２，２，２−トリフルオロエタノール又は１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールである、［１］〜［１２］のいずれか１項に記載の製造方法。
［１５］
［１］〜［１４］のいずれか１項に記載された製造方法に従い式（４）で表される化合物を製造し、さらに、式（４）で表される化合物に、
（ａ）カルボキシ基の保護基を脱保護する工程、及び
（ｂ）アミノ基の保護基を脱保護する工程
から選択される１つ又は２つの工程［（ａ）と（ｂ）は順序を変えて行ってもよく、同時に行ってもよい。］を施すことによる、式（６）【００１６】
【化５】
2016043253.tif 000007
【００１７】
で表される化合物又はその薬理上許容される塩の製造方法。
［１６］
［１］〜［１４］のいずれか１項に記載された製造方法に従い式（４）で表される化合物を製造し、さらに、式（４）で表される化合物に、
（ａ）カルボキシ基の保護基を脱保護する工程、次いで、
（ｂ）（Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノールを添加し、化合物の塩を晶析する工程、次いで、
（ｃ）酸を添加し、塩を脱塩する工程、次いで、
（ｄ）アミノ基の保護基を脱保護する工程
を施すことによる、式（６）【００１８】
【化６】
2016043253.tif 000008
【００１９】
で表される化合物又はその薬理上許容される塩の製造方法。
［１７］
式（５）【００２０】
【化７】
2016043253.tif 000009
【００２１】
［式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を示す。］で表される化合物を含む溶液に（Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノールを添加することにより、式（７）【００２２】
【化８】
2016043253.tif 000010
【００２３】
［式中、Ｒ１及びＲ２は、前記と同意義を示す。］で表される化合物の塩を晶析する工程、次いで、酸を添加し、塩を脱塩する工程を含む、式（５）で表される化合物の製造方法。
［１８］
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基である、［１７］に記載の製造方法。
［１９］
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である、［１７］に記載の製造方法。
［２０］
Ｒ１及びＲ２の一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、他方が水素原子である、［１７］に記載の製造方法。
［２１］
式（７）【００２４】
【化９】
2016043253.tif 000011
【００２５】
［式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を示す。］で表される化合物の塩。
［２２］
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基である、［２１］に記載の化合物の塩。
［２３］
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である、［２１］に記載の化合物の塩。
［２４］
Ｒ１及びＲ２の一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、他方が水素原子である、［２１］に記載の化合物の塩、
である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、優れたＴＡＦＩａ阻害活性を有するシクロアルキル基で置換された光学活性吉草酸誘導体を、効率よく、簡便な操作で製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本明細書中における置換基について説明する。
【００２８】
「カルボキシ基の保護基」とは、有機化合物の合成においてカルボキシ基の保護基として通常用いられる保護基を意味し、例えば、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、又はベンジル基等のアリールアルキル基が挙げられる。これらのカルボキシ基の保護基は、カルボキシ基を保護する化合物の性質などに応じて取捨選択すればよく、それらの保護基の除去に際してもその保護基に応じた試薬や条件を選択すればよい。
【００２９】
「アミノ基の保護基」とは、有機化合物の合成においてアミノ基の保護基として通常用いられる保護基を意味し、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アリルオキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基等のアリールメトキシカルボニル基；９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基；ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基等のアリールメチル基；ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基等のアルカノイル基；ベンゾイル基等のアロイル基；又はベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基等のアリールスルホニル基等を挙げることができる。これらのアミノ基の保護基は、アミノ基を保護する化合物の性質などに応じて取捨選択すればよく、それらの保護基の除去に際してもその保護基に応じた試薬や条件を選択すればよい。
【００３０】
カルボキシ基及びアミノ基の保護・脱保護に関しては、参考文献として例えば、Ｐｅｔｅｒ  Ｇ．  Ｍ．  Ｗｕｔｓ，  Ｔｈｅｏｄｏｒａ  Ｗ．  Ｇｒｅｅｎｅ，  Ｇｒｅｅｎｅ’ｓ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ４ｔｈ  Ｅｄｉｔｉｏｎ  （２００７），  Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅなどを挙げることができる。
【００３１】
「Ｃ１〜Ｃ８アルキル基」とは炭素数１から８の直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水素基を意味し、好適には、炭素数１から４の直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水素基（Ｃ１〜Ｃ４アルキル基）であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又はイソブチル基が挙げられる。
【００３２】
本発明の製造方法は、下記Ａ法にしたがって行うことができる。
【００３３】
Ａ法
【００３４】
【化１０】
2016043253.tif 000012
【００３５】
［式中、Ｒは、カルボキシ基の保護基又は水素原子を示し、好適にはＣ１〜Ｃ８アルキル基、水素原子、ベンジル基又はフェニル基を示し、より好適にはＣ１〜Ｃ４アルキル基を示し、更により好適にはメチル基を示す。式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を示し、好適にはＲ１及びＲ２の少なくとも一方が、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリルエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、２，３−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ホルミル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基を示し、より好適にはＲ１及びＲ２の少なくとも一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を示し、更により好適にはＲ１及びＲ２の一方がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、他方が水素原子を示す。］
Ａ１工程
本工程は化合物（１）（実施例に記載の方法、国際公開第２０１１／１１５０６４号パンフレットに記載の方法、又はこれらに準じる方法により、製造することができる）を、不活性溶媒中、不斉配位子及びルテニウム触媒存在下、又は当該不斉配位子及びルテニウム触媒から予め生成した触媒存在下、水素ガスを反応させることにより、光学純度の高い化合物（４）を製造する工程である。なお、Ｒ、Ｒ１及びＲ２が水素原子の場合は、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を直接製造することができる。
【００３６】
本工程に用いられる不活性溶媒は、通常、水又は水と有機溶媒の混合物であり、有機溶媒としては反応を阻害するものでなければ特に限定はされないが、アセトニトリル等のニトリル溶媒；ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；ヘキサン、ペンタン等の飽和炭化水素溶媒；ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒；アセトン、２−ブタノンのようなケトン溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン等のアミド溶媒；メタノール、エタノール、フッ素系アルコール類（２，２，２−トリフルオロエタノール又は１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール等）等のアルコール溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒；又は酢酸エチル等のエステル溶媒を挙げることができ、好適にはフッ素系アルコール類であり、より好適には２，２，２−トリフルオロエタノール又は１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールであり、最も好適には２，２，２−トリフルオロエタノールである。
【００３７】
本工程においては、不斉配位子及びルテニウム触媒を用いることができ、それらは本工程中に反応系内で錯体を形成してもよい。また、それらの不斉配位子及びルテニウム触媒から本工程の前に錯体を形成し不斉遷移金属錯体触媒として用いてもよい。
本工程で用いられる不斉配位子は、好適には、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、（Ｒ）−ＢＩＮＡＰという）、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰという）、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジトルイルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、（Ｒ）−ＴＯＬＢＩＮＡＰという）、（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール（以下、（Ｒ）−ＳＥＧＰＨＯＳという）、（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール（以下、（Ｒ）−ＤＭＳＥＧＰＨＯＳという）、又は（Ｒ）−（−）−５，５’−ビス［ジ（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール（以下、（Ｒ）−ＤＴＢＭＳＥＧＰＨＯＳという）であり、より好適には、（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ、（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ、（Ｒ）−ＴＯＬＢＩＮＡＰ、又は（Ｒ）−ＤＭＳＥＧＰＨＯＳであり、最も好適には（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ、又は（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰである。本工程で用いられるルテニウム触媒は、好適には、ＲｕＣｌ２、［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２、［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２又はＲｕ（ＯＡｃ）２であり、より好適には、［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２又は［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２である。
本項で用いられる不斉配位子及びルテニウム触媒から生成した不斉遷移金属錯体触媒は、好適には、ＲｕＣｌ２［（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ］、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＴＯＬＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＳＥＧＰＨＯＳ）］Ｃｌ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＤＭＳＥＧＰＨＯＳ）］Ｃｌ、又は［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＤＴＢＭＳＥＧＰＨＯＳ）］Ｃｌであり、より好適には、ＲｕＣｌ２［（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ］、Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ］、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、又は［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ）］Ｃｌである。
本項で用いられる不斉配位子及びルテニウム触媒の組合せは、好適には、（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ及び［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２の組合せ、（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ及び［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２の組合せ、又は、（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ及び［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２の組合せであり、より好適には、（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ及び［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２の組合せある。
【００３８】
本工程に用いられる不斉配位子の量は、化合物（１）に対して、通常、０．１〜２０ｍｏｌ％であり、好適には、０．５〜１０ｍｏｌ％であり、より好適には、０．５〜５ｍｏｌ％である。
【００３９】
本工程に用いられるルテニウム触媒の量は、化合物（１）に対して、通常、０．０５〜１０ｍｏｌ％であり、好適には、０．２５〜５ｍｏｌ％であり、より好適には、０．２５〜３ｍｏｌ％である。
【００４０】
本工程に用いられる不斉遷移金属錯体触媒の量は、化合物（１）に対して、通常、０．１〜２０ｍｏｌ％であり、好適には、０．５〜１０ｍｏｌ％であり、より好適には、０．５〜５ｍｏｌ％である。
【００４１】
本工程に用いられる水素ガス圧力は、通常、１〜１０００ｋＰａであり、好適には、１００〜８００ｋＰａであり、より好適には、３００〜５００ｋＰａである。
【００４２】
本工程の反応温度は、通常、０℃〜２００℃であり、好適には、２０℃〜１５０℃であり、より好適には、４０℃〜１００℃である。
【００４３】
本工程の反応時間は、通常、１時間〜１２０時間であり、好適には、３時間〜７２時間であり、より好適には、１２時間〜４８時間である。
【００４４】
Ａ２工程
本工程は不活性溶媒中、化合物（４）のカルボキシ基を脱保護することにより、化合物（５）を製造する工程である。なお、本工程とＡ５工程を同時に行うことにより、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を直接製造することができる。また、Ｒ１及びＲ２が水素原子の場合は、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を直接製造することができる。脱保護の条件は通常、カルボキシ基の保護基の脱保護に用いられる条件であれば特に制限はないが、例えばカルボキシ基の保護基がメチル基の場合には不活性溶媒中、塩基を添加し加水分解することにより実施される。
【００４５】
本工程に用いられる不活性溶媒は、通常、水又は水と有機溶媒の混合物であり、有機溶媒としては、反応を阻害するものでなければ特に限定はされないが、アセトニトリル等のニトリル溶媒；ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；ヘキサン、ペンタン等の飽和炭化水素溶媒；ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒；アセトン、２−ブタノンのようなケトン溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン等のアミド溶媒；メタノール、エタノール等のアルコール溶媒；又はジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒を挙げることができ、好適には、アルコール溶媒又はエーテル溶媒と水の混合物であり、より好適には、テトラヒドロフランと水の混合物である。
【００４６】
本工程に用いられる塩基は、通常、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属の水酸化物；水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ土類金属の水酸化物；又は炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩であり、好適には、アルカリ金属の水酸化物であり、より好適には、水酸化ナトリウムである。
【００４７】
本工程に用いられる塩基の量は、化合物（４）に対して、通常、１〜１０当量であり、好適には、１〜５当量であり、より好適には、２〜４当量である。
【００４８】
本工程の反応温度は、通常、０℃〜８０℃であり、好適には、１０℃〜５０℃であり、より好適には、１５℃〜３０℃である。
【００４９】
本工程の反応時間は、通常、１時間〜７２時間であり、好適には、１０時間〜４８時間であり、より好適には、１５時間〜３０時間である。
【００５０】
Ａ３工程
本工程は化合物（５）を、不活性溶媒中、（Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノールを添加することにより、化合物の塩を晶析し、化合物の塩（７）を製造する工程である。本工程とＡ４工程を施すことにより、化合物（５）及び化合物（６）の光学純度をさらに向上させることができる。
【００５１】
本工程に用いられる不活性溶媒は、通常、塩化を阻害するものでなければ特に限定はされず、単一溶媒および二種類以上の溶媒を混合して用いることができ、アセトニトリル等のニトリル溶媒；ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；ヘキサン、ペンタン等の飽和炭化水素溶媒；ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒；アセトン、２−ブタノンのようなケトン溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン等のアミド溶媒；メタノール、エタノール等のアルコール溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒；酢酸エチル等のエステル溶媒；又は水を挙げることができ、好適には、エーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒、ニトリル溶媒であり、より好適には、テトラヒドロフラン、トルエン、又はアセトニトリルである。
【００５２】
本工程に用いられる（Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノールの量は、化合物（５）に対して、通常、１．０〜５．０当量であり、好適には、１．０〜３．０当量であり、より好適には、１．０〜１．２当量である。
【００５３】
本工程の温度は、通常、−５０℃〜８０℃であり、好適には、−２０℃〜５０℃であり、より好適には、０℃〜３０℃である。
【００５４】
本工程の反応時間は、通常、１時間〜２４時間であり、好適には、２時間〜１２時間であり、より好適には、３時間〜６時間である。
【００５５】
Ａ４工程
本工程は化合物の塩（７）を、不活性溶媒中、酸を添加することにより脱塩し、化合物（５）を製造する工程である。なお、本工程とＡ５工程を同時に行うことにより、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を直接製造することができる。
【００５６】
本工程に用いられる不活性溶媒は、通常、水又は水と有機溶媒の混合物であり、有機溶媒としては反応を阻害するものでなければ特に限定はされないが、アセトニトリル等のニトリル溶媒；ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；ヘキサン、ペンタン等の飽和炭化水素溶媒；ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒；アセトン、２−ブタノンのようなケトン溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン等のアミド溶媒；メタノール、エタノール等のアルコール溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒；又は酢酸エチル等のエステル溶媒を挙げることができ、好適には、エーテル溶媒、エステル溶媒と水の混合溶媒であり、より好適には、テトラヒドロフランと水の混合溶媒である。
【００５７】
本工程に用いられる酸は、通常、反応を阻害するものでなければ特に限定はされないが、塩酸等のハロゲン化水素類；ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸類；酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類；硫酸、リン酸、又は酸性陽イオン交換樹脂等を挙げることができ、好適には、塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸、又は酢酸であり、より好適には、塩酸である。
【００５８】
本工程に用いられる酸の量は、化合物の塩（７）に対して、通常、１〜５当量であり、好適には、１〜２当量であり、より好適には、１〜１．１当量である。
【００５９】
本工程の反応温度は、通常、０℃〜１００℃であり、好適には、１０℃〜５０℃であり、より好適には、２０℃〜３０℃である。
【００６０】
なお、Ａ３工程及びＡ４工程を省略して、Ａ２工程で製造した化合物（５）をＡ５工程に用いることができる。
【００６１】
Ａ５工程
本工程は、不活性溶媒中、化合物（５）のアミノ基の保護基を脱保護することにより、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を製造する工程である。脱保護の条件は通常、アミノ基の保護基の脱保護に用いられる条件であれば特に制限はないが、例えばアミノ基の保護基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基の場合には不活性溶媒中、酸を添加することにより実施される。
【００６２】
本工程に用いられる不活性溶媒は、通常、反応を阻害するものでなければ特に限定はされないが、アセトニトリル等のニトリル溶媒；ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；ヘキサン、ペンタン等の飽和炭化水素溶媒；ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒；アセトン、２−ブタノンのようなケトン溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン等のアミド溶媒；メタノール、エタノール等のアルコール溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒；酢酸エチル等のエステル溶媒、又はこれらと水の混合溶媒を挙げることができ、好適には、ケトン溶媒又はエーテル溶媒と水の混合溶媒であり、より好適には、テトラヒドロフランと水の混合溶媒である。
【００６３】
アミノ基の保護基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基の場合、本工程に用いられる酸は、通常、反応を阻害するものでなければ特に限定はされないが、塩酸等のハロゲン化水素類；ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸類；酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類；硫酸、又はリン酸等を挙げることができ、好適には、塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸であり、より好適には、ｐ−トルエンスルホン酸である。
【００６４】
アミノ基の保護基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基の場合、本工程に用いられる酸の量は、化合物（５）に対して、通常、１〜１０当量であり、好適には、１〜５当量であり、より好適には、２〜３当量である。
【００６５】
アミノ基の保護基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基の場合、本工程の反応温度は、通常、０℃〜１００℃であり、好適には、２０℃〜８０℃であり、より好適には、５０℃〜７０℃である。
【００６６】
アミノ基の保護基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基の場合、本工程の反応時間は、通常、１時間〜２４時間であり、好適には、２時間〜１２時間であり、より好適には、４時間〜８時間である。
【００６７】
Ａ６工程
本工程は化合物（４）のアミノ基の保護基を脱保護することにより、化合物（８）を製造する工程である。本工程は、Ａ５工程と同様な反応条件により実施される。なお、本工程とＡ７工程を同時に行うことにより、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を直接製造することができる。また、Ｒが水素原子の場合は、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を直接製造することができる。
Ａ７工程
本工程は化合物（８）のカルボキシ基の保護基を脱保護することにより、化合物（６）又はその薬理上許容される塩を製造する工程である。本工程は、Ａ２工程と同様な反応条件により実施される。
【００６８】
上記各工程の生成物は、遊離化合物又はその塩として、反応終了後、必要に応じて、常法、例えば、（１）反応液をそのまま濃縮する方法、（２）触媒等の不溶物をろ過により除去し、ろ液を濃縮する方法、（３）反応液に水及び水と混和しない溶媒（例えば、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、酢酸エチル、トルエン等）を加え、生成物を抽出する方法、（４）結晶化した又は沈殿した生成物をろ取する方法等により、反応混合物から単離することができる。単離された生成物は、必要に応じて、常法、例えば、再結晶、再沈殿、各種クロマトグラフィー等により、精製することができる。又は、各工程の生成物は、単離又は精製することなく次の工程に用いることもできる。
【００６９】
本発明により得られる化合物（６）又はその薬理上許容される塩は、遊離体若しくは溶媒和物として存在することもあり、これらの溶媒和物も本発明の範囲に包含される。
薬理上許容される塩としては、酸との酸付加塩としては、例えばフッ化水素酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、ヨウ化水素酸塩等のハロゲン化水素酸塩；硝酸塩、過塩素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸塩；メタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、エタンスルホン酸塩等の低級アルカンスルホン酸塩；ベンゼンスルホン酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩等のアリールスルホン酸塩；酢酸、りんご酸、フマル酸塩、コハク酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、蓚酸塩、マレイン酸塩等の有機酸塩；及びオルニチン酸塩、グルタミン酸塩、アスパラギン酸塩等のアミノ酸塩を挙げることができる。
【００７０】
また、塩基との塩基付加塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩等のアルカリ金属塩；カルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩；アンモニウム塩等の無機塩；ジベンジルアミン塩、モルホリン塩、フェニルグリシンアルキルエステル塩、エチレンジアミン塩、Ｎ−メチルグルカミン塩、ジエチルアミン塩、トリエチルアミン塩、シクロヘキシルアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ，Ｎ’−ジベンジルエチレンジアミン塩、ジエタノールアミン塩、Ｎ−ベンジル−Ｎ−（２−フェニルエトキシ）アミン塩、ピペラジン塩、テトラメチルアンモニウム塩、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン塩等の有機アミン塩；アルギニン塩等のアミノ酸塩；等を挙げることができる。
溶媒和物としては、薬理上許容され得るものであれば特に限定されないが、具体的には、水和物、エタノール和物等が好ましく、水和物がより好ましい。また、化合物（６）中には窒素原子が存在するが、当該窒素原子はＮ−オキシド体となっていてもよく、これら溶媒和物及びＮ−オキシド体も本発明の範囲に含まれる。
【実施例】
【００７１】
以下、参考例及び実施例により本発明を具体的に説明するが、この方法に何ら限定されるものではない。【００７２】
実施例中の「１Ｈ−ＮＭＲ」は、「核磁気共鳴スペクトル」を意味する。クロマトグラフィーによる分離精製の箇所に記載の溶出溶媒の割合は、特に記載のない場合は体積比を示す。「１Ｈ−ＮＭＲ」の括弧内は測定溶媒を示し、全て内部標準物質としてＴＭＳ（テトラメチルシラン）を用いた。１Ｈ−ＮＭＲにおける多重度は、ｓ＝ｓｉｎｇｌｅｔ、ｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ、ｔ＝ｔｒｉｐｌｅｔ、ｑ＝ｑｕａｒｔｅｔ、ｍ＝ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ、及びｂｒ＝ｂｒｏａｄを意味する。【００７３】
また、本明細書中において、以下の略語を使用した。【００７４】
ＤＭＳＯ−ｄ６：重ジメチルスルホキシド
ＣＤＣｌ３：重クロロホルム、
ＣＤ３ＯＤ：重メタノール、
Ｍｅ：メチル基、
Ｂｏｃ：ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基。【００７５】
また、得られた化合物の光学純度は次のＨＰＬＣ分析条件で測定した。
（２Ｓ）−５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸  （Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノール塩（Ａ１工程、Ａ２工程、Ａ３工程）、（２Ｓ）−５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸（Ａ４工程）の光学純度測定条件：
カラム：ＣＨＩＲＡＬ  ＡＧＰ  ４．６ｍｍＩ．Ｄ．×２５０ｍｍ（５μｍ）、
移動相：メタノール／１０ｍＭリン酸緩衝溶液（ｐＨ７．０）＝９５／５、
温度：４０℃、
流速：０．５ｍＬ／ｍｉｎ、
検出法：ＵＶ  ａｔ  ２２０ｎｍ、
保持時間：Ｒ体：５．９分，Ｓ体：７．３分。【００７６】
（２Ｓ）−５−アミノ−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸  ｐ−トルエンスルホン酸塩（Ａ５工程）の光学純度測定条件：
カラム：ＣＨＩＲＬＣＥＬ  ＯＺ−Ｈ  ４．６ｍｍＩ．Ｄ．×２５０ｍｍ（５μｍ）、
移動相：ヘキサン／エタノール／メタノール／イソプロパノール／トリフルオロ酢酸／トリエチルアミン＝８６０／１００／２０／２／２
温度：３０℃
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出法：ＵＶ  ａｔ  ２２０ｎｍ
保持時間：Ｒ体：１６．１分, Ｓ体：１３．０分
（実施例１）
（１−１）  ５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−メトキシカルボニル）吉草酸  モルホリン塩【００７７】
【化１１】
2016043253.tif 000013
【００７８】
二炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（１００．０ｇ）及び３−クロロプロピルアミン塩酸塩（７１．５ｇ）のメタノール（４００ｍＬ）溶液に、０℃でトリエチルアミン（５１．０ｇ）を滴下し、同温度にて１６時間攪拌した。反応液にトルエン（４００ｍＬ）及び水（４００ｍＬ）を添加し、分液した後、有機層を水で洗浄した。有機層にトルエン４００ｍＬを加え、３００ｍＬまで減圧濃縮後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（２１０ｍＬ）を加え、３００ｍＬまで減圧濃縮した。この溶液に炭酸カリウム（１２６．６６ｇ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（４４．３２ｇ）、マロン酸ジメチル（９０．８２ｇ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１００ｍＬ）を添加し、５５℃にて２０時間攪拌した。反応液にトルエン（４００ｍＬ）及び水（７００ｍＬ）を加え、分液後、有機層を水、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液及び水にて順次洗浄後、１５０ｍＬまで減圧濃縮した。この溶液にメタノール（１８７０ｍＬ）および１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（４３０．８ｍＬ）を加え、０℃で２７．５時間攪拌した。反応液に濃塩酸（２．５ｍＬ）を加え、ｐＨを７−９に調整し、３７５ｍＬまで減圧濃縮した。反応液に酢酸エチル（５００ｍＬ）を添加後、濃塩酸（３５．１ｍＬ）を加え、ｐＨを２．２−２．５に調整し、分液した。水層を酢酸エチル（５００ｍＬ）で抽出し、有機層を混合後、減圧下、脱水濃縮して酢酸エチル（２５０ｍＬ）溶液に調製した。得られた溶液に酢酸エチル（５００ｍＬ）及びモルホリン（３７．５ｇ）を加え、終夜攪拌した。析出した結晶をろ過し、酢酸エチルで洗浄後、減圧乾燥して、表題化合物（１３６．１ｇ、収率８１．９％）を得た。【００７９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ：６．７９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．６１（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝４．９Ｈｚ），３．５８（３Ｈ，ｓ），３．１４（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），２．９０−２．８０（６Ｈ，ｍ），１．７４−１．５９（２Ｈ，ｍ），１．３７（９Ｈ，ｓ），１．３４−１．２５（２Ｈ，ｍ）。【００８０】
（１−２）  ［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メタノール【００８１】
【化１２】
2016043253.tif 000014
【００８２】
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール（７７．４ｇ）とイソシアノ酢酸エチル（７０．０ｇ）のメタノール（５６ｍＬ）溶液を５〜１０℃にて４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、水（５．３ｍＬ）及びｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシルアミン（１０５．１ｇ）を加え、６０〜６５℃にて２４時間攪拌した。反応液を室温に冷却し、トルエン（４２０ｍＬ）、１０％食塩水（２８０ｍＬ）及び濃塩酸（６８ｍＬ）を添加し、分液後、有機層を１０％食塩水（１４０ｍＬ）で洗浄した。有機層に１０％食塩水（２８０ｍＬ）及び濃塩酸（７８．４ｇ）を加え分液後、有機層にさらに１０％食塩水（２１０ｍＬ）及び濃塩酸（３１．３ｇ）を加え分液した。水層に塩化ナトリウム（７０．０ｇ）を溶解後、トルエン（４２０ｍＬ）及び５０％水酸化ナトリウム水溶液（８５ｍＬ）を加え、分液後、有機層にトルエン（３５０ｍＬ）を加え、減圧下、脱水濃縮してトルエン（４２０ｍＬ）溶液に調製した。この溶液を、０℃に冷却し、水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム（７０％トルエン溶液）（２０７．４ｇ）を滴下し、室温にて１時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、１２．５％水酸化ナトリウム水溶液（７００ｍＬ）を滴下後、室温で１時間攪拌した。溶液を分液後、有機層を１２．５％水酸化ナトリウム水溶液（７００ｍＬ）及び２０％食塩水（１４０ｍＬ）で順次洗浄し、有機層にトルエン（１４０ｍＬ）、１−ブタノール（１４ｍＬ）、水（２８０ｍＬ）及び濃塩酸（４８ｍＬ）を添加し分液した。さらに、有機層に水（１４０ｍＬ）及び濃塩酸（２ｍＬ）を添加し分液した。水層を合致し、活性炭（１０．５ｇ）を添加し１時間攪拌後、活性炭をろ過し、活性炭は水（２１０ｍＬ）にて洗浄した。ろ液及び洗浄液を合致し、塩化ナトリウム（１４０ｇ）、トルエン（９８０ｍＬ）及び５０％水酸化ナトリウム水溶液（４２ｍＬ）を添加し、分液後、有機層を減圧下、脱水濃縮してトルエン（２１０ｍＬ）溶液に調製した。この溶液を５０−５５℃にて３０分間攪拌後、室温に冷却し、ヘプタン（５６０ｍＬ）を滴下し、同温度で３時間攪拌した。析出した結晶をろ過し、トルエン／ヘプタン（１／４）混合溶液で洗浄後、減圧乾燥して表題化合物（７７．２ｇ、収率６４．２％）を得た。【００８３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．４９（１Ｈ，ｓ），６．９１（１Ｈ，ｓ），４．５８（２Ｈ，ｓ），３．８３（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．０，３．９Ｈｚ），２．１０−２．０７（２Ｈ，ｍ），１．８７−１．８４（２Ｈ，ｍ），１．７０−１．６１（２Ｈ，ｍ），１．４８−１．４２（１Ｈ，ｍ），１．１５−１．０６（２Ｈ，ｍ），０．９５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）。【００８４】
（１−３）  （２Ｅ）−５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル］−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝メチリデン｝吉草酸メチル【００８５】
【化１３】
2016043253.tif 000015
【００８６】
（１−２）で得られた化合物（５０．０ｇ）をトルエン（３５０ｍＬ）及び酢酸（１５０ｍＬ）混合溶液に溶解後、３０℃にて２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル（９６６ｍｇ）及びオルト過ヨウ素酸（１６．９ｇ）を添加し、３０−３５℃にて１時間攪拌した。反応液に１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液（１５０ｍＬ）を添加し、室温で３０分間攪拌後、トルエン（４００ｍＬ）を添加し、３００ｍＬまで減圧濃縮した。この溶液にさらにトルエン（４００ｍＬ）を添加して、再度３００ｍＬまで減圧濃縮後、トルエン（５００ｍＬ）、水（２００ｍＬ）及び５０％水酸化ナトリウム水溶液（１１８ｍＬ）を添加した。分液し、有機層を２０％食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄後、トルエン（２００ｍＬ）を加え、減圧下、脱水濃縮してトルエン（４００ｍＬ）溶液に調製した。この溶液に（１−１）で得られた化合物（１１６．５ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１７５ｍＬ）及び酢酸（４．２ｍＬ）を加え、減圧下、８時間脱水還流した。反応液を室温に冷却し、トルエン（４００ｍＬ）を加え、５％重曹水（４００ｍＬ）で３回及び１０％食塩水（２５０ｍＬ）で１回洗浄後、有機層を減圧下、脱水濃縮してトルエン（９００ｍＬ）溶液に調製した。この溶液に３５〜４０℃で活性炭（１５ｇ）を添加し、同温度にて３０分間攪拌後、ろ過し、活性炭はトルエンで洗浄した。ろ液及び洗浄液を合致し、２５０ｍＬまで減圧濃縮した後、室温でヘプタン（５００ｍＬ）を滴下した。同温度にて１．５時間攪拌した後、０℃に冷却し、１時間攪拌した。析出した結晶をろ過し、トルエン／ヘプタン（１／２）混合溶液で洗浄後、減圧乾燥して表題化合物（８５．０ｇ、収率８１．５％）を得た。【００８７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．５９（１Ｈ，ｓ），７．４７（１Ｈ，ｓ），７．１５（１Ｈ，ｓ），７．０８（１Ｈ，ｂｒｓ），３．９２−３．８７（１Ｈ，ｍ），３．７８（３Ｈ，ｓ），３．１６−３．１２（２Ｈ，ｍ），２．９６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），２．１４−２．１１（２Ｈ，ｍ），１．９０−１．８７（２Ｈ，ｍ），１．７７−１．６５（５Ｈ，ｍ），１．４７（９Ｈ，ｓ），１．１７−１．１０（２Ｈ，ｍ），０．９６（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）。【００８８】
（１−４）  （２Ｓ）−５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸  （Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノール塩（Ａ１工程、Ａ２工程、Ａ３工程）【００８９】
【化１４】
2016043253.tif 000016
【００９０】
（１−３）で得られた化合物（４０．０ｇ）、（Ｒ）−２，２’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（５０７．４ｍｇ）及びジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）（ダイマー）（２１１．４ｍｇ）を、脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（４００ｍＬ）に溶解し、水素加圧条件下（４００−４５０ｋＰａ）、６０℃で２４時間攪拌した。反応液を室温に冷却し、窒素置換後、６０ｍＬまで減圧濃縮した。テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を加え、１２０ｍＬまで減圧濃縮後、テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を添加した。【００９１】
得られた溶液に水（１６０ｍＬ）を添加し、０℃に冷却し、５０％水酸化ナトリウム水溶液（２４．０ｍＬ）を添加した。反応液を室温で２６時間攪拌後、５０％水酸化ナトリウム水溶液（８．００ｍＬ）を添加し、さらに４時間攪拌した。反応液に氷冷下、濃塩酸（２８ｍＬ）を滴下後、室温で活性炭（２．０ｇ）を添加し、１０分間攪拌した。活性炭をろ別し、テトラヒドロフラン／水（２／１）混合溶媒（１８０ｍＬ）で洗浄後、塩化ナトリウム（４０ｇ）を添加して分液し、水層をテトラヒドロフラン（４００ｍＬ）にて再抽出した。有機層を合致し、２００ｍＬまで減圧濃縮した。本溶液にトルエン（４００ｍＬ）を添加後、減圧下、脱水濃縮してトルエン（２００ｍＬ）溶液に調製した。【００９２】
得られた溶液にテトラヒドロフラン（４００ｍＬ）を添加後、室温で（Ｓ）−２−アミノ−１−プロパノール（８．２ｇ）を添加し、３時間攪拌した。溶液を０℃に冷却し、１．５時間攪拌後、析出した結晶をろ過した。結晶をテトラヒドロフランで洗浄後、減圧乾燥し、表題化合物（４５．４ｇ、収率９８．２％、光学純度：９７．５％ｅｅ）を得た。【００９３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ）δ：７．５７（１Ｈ，ｓ），６．９４（１Ｈ，ｓ），３．９８−３．８５（１Ｈ，ｍ），３．６９−３．６４（１Ｈ，ｍ），３．４７−３．４２（１Ｈ，ｍ），３．２９−３．２３（１Ｈ，ｍ），３．０１（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），２．８４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．６，８．４Ｈｚ），２．５５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．６，６．２Ｈｚ），２．５２−２．４５（１Ｈ，ｍ），２．０３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．７Ｈｚ），１．８３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１３．３Ｈｚ），１．７１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝１２．５Ｈｚ），１．６０−１．４４（５Ｈ，ｍ），１．４１（９Ｈ，ｓ），１．２３−１．２０（３Ｈ，ｍ），１．１８−１．０９（２Ｈ，ｍ），０．９４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）。【００９４】
（１−５）  （２Ｓ）−５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸（Ａ４工程）【００９５】
【化１５】
2016043253.tif 000017
【００９６】
（１−４）で得られた化合物（４０．０ｇ）をテトラヒドロフラン（４００ｍＬ）及び水（１６０ｍＬ）の混合溶媒に溶解後、濃塩酸（７．３ｍＬ）及び塩化ナトリウム（４０ｇ）を加えて分液し、有機層を２０％（ｗ／ｗ）食塩水（１６０ｍＬ）にて３回洗浄した。有機層を減圧下、脱水濃縮してトルエン（３２０ｍＬ）溶液に調製し、テトラヒドロフラン（８０ｍＬ）を添加後、８３℃に加温し析出した結晶を溶解した。室温に冷却して終夜攪拌後、０℃でさらに３時間攪拌し、析出した結晶をろ過した。結晶をトルエン／テトラヒドロフラン（４／１）混合溶液にて洗浄後、減圧乾燥し、表題化合物（３０．９ｇ、収率９２．１％、光学純度：９７．４％ｅｅ）を得た。【００９７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．５９（１Ｈ，ｓ），６．７３（１Ｈ，ｓ），４．６７（１Ｈ，ｂｒｓ），３．８５−３．８０（１Ｈ，ｍ），３．１２−３．０８（２Ｈ，ｍ），２．８８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．２，８．８Ｈｚ），２．７９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．２，３．６Ｈｚ），２．７０−２．６４（１Ｈ，ｍ），２．１３−２．０６（２Ｈ，ｍ），１．９０−１．８２（２Ｈ，ｍ），１．７９−１．５２（５Ｈ，ｍ），１．４９−１．４４（２Ｈ，ｍ），１．４３（９Ｈ，ｓ），１．１５−１．０５（２Ｈ，ｍ），０．９５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）。【００９８】
（１−６）  （２Ｓ）−５−アミノ−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸  ｐ−トルエンスルホン酸塩（Ａ５工程）【００９９】
【化１６】
2016043253.tif 000018
【０１００】
テトラヒドロフラン（１００ｍＬ）に、（１−５）で得られた化合物（２５．０ｇ）及びｐ−トルエンスルホン酸・１水和物（１３．３ｇ）を溶解させた後、この溶液に活性炭（１．２５ｇ）を添加し、２０〜３０℃で１時間攪拌した。活性炭をろ過し、テトラヒドロフラン（５０ｍＬ）で洗浄した。ろ液と洗浄液を合致し、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物（１３．３ｇ）及び水（７．５ｍＬ）を加え、６時間加熱還流した。反応液を室温に冷却し、トリエチルアミン（７．７ｇ）を添加し、室温下、終夜攪拌した。反応液にテトラヒドロフラン（３５０ｍＬ）を滴下し、室温で３時間攪拌後、析出した結晶をろ過した。テトラヒドロフラン／水（５０／１）混合溶液で洗浄後、減圧乾燥し、表題化合物（２７．７ｇ、収率９３．５％、光学純度：９８．４％ｅｅ）を得た。【０１０１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ）δ：８．１８（１Ｈ，ｓ），７．７０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．２２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．１６（１Ｈ，ｓ），４．０６（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．０，３．９Ｈｚ），２．９４−２．８６（３Ｈ，ｍ），２．６９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．６，５．８Ｈｚ），２．６２−２．５９（１Ｈ，ｍ），２．３６（３Ｈ，ｓ），２．０８−２．０５（２Ｈ，ｍ），１．８６−１．８３（２Ｈ，ｍ），１．７６−１．４６（７Ｈ，ｍ），１．１８−１．１１（２Ｈ，ｍ），０．９４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）。【０１０２】
（実施例２）
（２−１）  （２Ｓ）−５−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチル｝吉草酸メチル【０１０３】
【化１７】
2016043253.tif 000019
【０１０４】
いくつかの触媒を用いて不斉還元を行った。得られた標記化合物の反応変換率及び光学純度は次のＨＰＬＣ分析条件で測定した。【０１０５】
反応変換率測定：
カラム：Ｗａｔｅｒｓ  ＸＢｒｉｄｇｅ  Ｃ１８  ４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５０ｍｍ（３．５μｍ）、
移動相：（Ａ）１０ｍＭ酢酸アンモニウム水溶液、（Ｂ）アセトニトリル、
Ｇｒａｄｉｅｎｔ条件：Ｂ：ｃｏｎｃ．；２０％（０−５分），２０−９０％（５−２０分），９０％（２０−２４分）、
温度：４０℃、
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、
検出法：ＵＶ  ａｔ  ２１５ｎｍ
保持時間：原料：２１．１分，生成物：１９．１分、
反応変換率＝生成物のピーク面積／（原料のピーク面積＋生成物のピーク面積）。【０１０６】
光学純度測定条件：
カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＩＡ  ４．６ｍｍＩ．Ｄ．×２５０ｍｍ（５μｍ）、
移動相：エタノール／ヘキサン＝２０／８０
温度：３５℃、
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、
検出法：ＵＶ  ａｔ  ２１０ｎｍ、
保持時間：Ｒ体：６．８分，Ｓ体：７．８分。【０１０７】
（ｉ）  （Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ及び［ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）］２を用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（５．００ｇ，１２．３ｍｍｏｌ）、（Ｒ）−２，２’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（４５．３ｍｇ，６１．６μｍｏｌ，０．５ｍｏｌ％）及び、ジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）（ダイマー）（１８．９ｍｇ，３０．８μｍｏｌ，０．２５ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、窒素置換を実施後、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（５０ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４００−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２４時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績体をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９５．６％ｅｅ）。【０１０８】
（ｉｉ）  （Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ及び［ＲｕＣｌ２（ベンゼン）］２を用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（２５０ｍｇ，０．６１６ｍｍｏｌ）、（Ｒ）−２，２’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（４．５３ｍｇ，６．１６μｍｏｌ，１ｍｏｌ％）、及び、ジクロロ（ベンゼン）ルテニウム（ＩＩ）（ダイマー）（１．５４ｍｇ，３．０８μｍｏｌ，０．５ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、窒素置換を実施後、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（２．５ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４００−４５０ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２４時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９４．４％ｅｅ）。【０１０９】
（ｉｉｉ）  Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ］を用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（２５０ｍｇ，０．６１６ｍｍｏｌ）及びジアセタト［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］ルテニウム（ＩＩ）（５．１９ｍｇ，６．１６μｍｏｌ，１ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器内を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（２．５ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４００−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２４時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９０．７％ｅｅ）。【０１１０】
（ｉｖ）  Ｒｕ（ＯＡｃ）２［（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ］を用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（２５０ｍｇ，０．６１６ｍｍｏｌ）及びジアセタト［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］ルテニウム（ＩＩ）（５．８８ｍｇ，６．１６μｍｏｌ，１ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器内を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（２．５ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４００−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２４時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９３．７％ｅｅ）。【０１１１】
（ｖ）  ＲｕＣｌ２［（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ］を用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（２５０ｍｇ，０．６１６ｍｍｏｌ）及びジクロロ［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］ルテニウム（ＩＩ）（４．９０ｍｇ，６．１６μｍｏｌ，１ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（２．５ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４００−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、４４時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：９９．４％，光学純度：８７．９％ｅｅ）。
（ｖｉ）［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌを用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（６０ｍｇ，０．１４８ｍｍｏｌ）及びクロロ［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］（ｐ−シメン）塩化ルテニウム（ＩＩ）（６．８７ｍｇ，７．４０μｍｏｌ，５ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（０．６ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４５０−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２２時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９５．３％ｅｅ）。
（ｖｉｉ）［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＤＭＢＩＮＡＰ）］Ｃｌを用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（６０ｍｇ，０．１４８ｍｍｏｌ）及びクロロ［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］（ｐ−シメン）塩化ルテニウム（ＩＩ）（７．７０ｍｇ，７．４０μｍｏｌ，５ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（０．６ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４５０−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２２時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９４．５％ｅｅ）。
（ｖｉｉｉ）［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＴＯＬＢＩＮＡＰ）］Ｃｌを用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（６０ｍｇ，０．１４８ｍｍｏｌ）及びクロロ［（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］（ｐ−シメン）塩化ルテニウム（ＩＩ）（７．２９ｍｇ，７．４０μｍｏｌ，５ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（０．６ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４５０−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２２時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９３．７％ｅｅ）。
（ｉｘ）［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＳＥＧＰＨＯＳ）］Ｃｌを用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（６０ｍｇ，０．１４８ｍｍｏｌ）及びクロロ［（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］（ｐ−シメン）塩化ルテニウム（ＩＩ）（６．７８ｍｇ，７．４０μｍｏｌ，５ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（０．６ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４５０−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２２時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：８３．６％ｅｅ）。
（ｘ）［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＤＭＳＥＧＰＨＯＳ）］Ｃｌを用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（６０ｍｇ，０．１４８ｍｍｏｌ）及びクロロ［（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］（ｐ−シメン）塩化ルテニウム（ＩＩ）（７．６１ｍｇ，７．４０μｍｏｌ，５ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（０．６ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４５０−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２２時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：９３．８％ｅｅ）。
（ｘｉ）［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（（Ｒ）−ＤＴＢＭＳＥＧＰＨＯＳ）］Ｃｌを用いた不斉還元
［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］−２−｛［１−（ｔｒａｎｓ−４−メチルシクロヘキシル）−１Ｈ−イミダゾール−４−イル］メチリデン｝吉草酸メチル（６０ｍｇ，０．１４８ｍｍｏｌ）及びクロロ［（Ｒ）−（＋）−５，５’−ビス（ジ−３，５−ジｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）−４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］（ｐ−シメン）塩化ルテニウム（ＩＩ）（２１．９８ｍｇ，１４．８μｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）をオートクレーブ容器に添加し、容器を窒素置換し、減圧脱気した２，２，２−トリフルオロエタノール（０．６ｍＬ）を窒素雰囲気下にて添加した。容器内を水素置換し、水素にて４５０−５００ｋＰａに加圧後、６０℃に加温し、２２時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、成績物をＨＰＬＣ分析し、反応変換率および光学純度を求めた（反応変換率：１００％，光学純度：８９．６％ｅｅ）。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明により、優れたＴＡＦＩａ阻害活性を有するシクロアルキル基で置換された光学活性吉草酸誘導体を、効率よく、簡便な操作で製造することができる。
【国際調査報告】
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