(57)【要約】  本発明は、カメラモジュールの小型化、低背化が実現でき、半導体基板との積層時の歪が少なく、光学特性の均一性に優れ、かつ生産性の高い光学フィルタを実現する。本発明による光選択透過型ガラス１０は、ガラス基板１２と、ガラス基板１２の少なくとも一方の主面に光選択透過層１１を備え、ガラス基板１２は、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であり、アルカリ金属酸化物の含有量が０％〜０．１％である。
2016125792.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一方の主面に、近赤外線および可視光線のうち、近赤外線、可視光線、青の波長域の可視光線、赤の波長域の可視光線、および緑の波長域の可視光線の群から選ばれる少なくとも一を選択的に透過する光選択透過層を備え、
前記ガラス基板は、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であり、
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％である、光選択透過型ガラス。
【請求項２】
前記ガラス基板の２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が、３．５５ｐｐｍ／℃〜３．８５ｐｐｍ／℃である、請求項１に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項３】
前記ガラス基板の組成が、酸化物基準のモル百分率表示で、下記である請求項１または２に記載の光選択透過型ガラス。
ＳｉＯ２  ：５０％〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３    ：０％〜１５％、
ＭｇＯ    ：０％〜１５％、
ＣａＯ    ：０％〜１３％、
ＳｒＯ    ：０％〜１１％、
ＢａＯ    ：０％〜９．５％
【請求項４】
前記ガラス基板の組成が、酸化物基準のモル百分率表示で、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が７％以上、かつ（Ａｌ２Ｏ３の含有量）≧（ＭｇＯの含有量）であり、失透粘性が１０３．８ｄ・Ｐａ・ｓ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項５】
前記ガラス基板の１００℃〜２００℃での平均熱膨張係数α１００／２００が、３．１３ｐｐｍ／℃〜３．６３ｐｐｍ／℃である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項６】
前記ガラス基板中のＦｅ２Ｏ３の含有量が、酸化物基準の質量百万分率表示で、２００ｐｐｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項７】
前記ガラス基板のヤング率が８０ＧＰａ以上である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項８】
前記ガラス基板の厚さが１．０ｍｍ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項９】
前記ガラス基板の面積が０．０３ｍ２以上である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１０】
前記ガラス基板に含まれる０．５μｍ以上１ｍｍ以下の欠点の密度が１個／ｃｍ２以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１１】
前記ガラス基板の仮想粘度が１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１２】
前記ガラス基板が、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が２．７０〜３．２０、
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．１３〜３．６３、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．４５〜３．９５、および
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が１．２０〜１．３０
を満たす、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
（ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、およびＳｒＯの含有量は、得られたガラスに含有される酸化物基準のモル百分率表示で表した含有量、ηは仮想粘度（単位：ｄ・Ｐａ・ｓ）である。）
【請求項１３】
前記ガラス基板の２５℃、５質量％のフッ酸水溶液に対する重量減少量が０．０５（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上、０．２０（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１４】
前記ガラス基板の光弾性定数が３１ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１５】
前記光選択透過層として吸収層を備え、
前記吸収層は、透明樹脂と吸収色素を含有する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１６】
前記吸収色素は、近赤外線吸収色素を含む、請求項１５に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１７】
前記吸収色素は、近紫外線吸収色素を含む、請求項１５または請求項１６に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１８】
前記ガラス基板の少なくとも一方の主面に誘電体多層膜を有する反射層を備える、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の光選択透過型ガラス。
【請求項１９】
シリコン基板上に備えられた固体撮像素子と、請求項１〜１８いずれか１項に記載の光選択透過型ガラスと、を有する、積層基板。
【請求項２０】
光選択透過型ガラスとシリコン基板とが積層され、
前記光選択透過型ガラスは、ガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも一方の主面に、近赤外線および可視光線のうち、近赤外線、可視光線、青の波長域の可視光線、赤の波長域の可視光線、および緑の波長域の可視光線の群から選ばれる少なくとも一を選択的に透過する光選択透過層を備え、
前記ガラス基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００と、前記シリコン基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００との差Δα５０／１００（＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００と、前記シリコン基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数αＳｉ２００／３００との差Δα２００／３００（＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であり、
Δα２００／３００−Δα５０／１００が−０．１６ｐｐｍ／℃〜０．１６ｐｐｍ／℃であり、
前記ガラス基板のアルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％である積層基板。
【請求項２１】
前記ガラス基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数α１００／２００と、前記シリコン基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数αＳｉ１００／２００との差Δα１００／２００（＝α１００／２００−αＳｉ１００／２００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃である請求項２０に記載の積層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光選択透過型ガラスおよび積層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子を用いた撮像装置（代表的にはカメラモジュール）には、特定の範囲の波長を透過・遮断する光学フィルタ（例えば光選択透過型ガラス）が用いられている。例えば、カラー画像生成のためのカラーフィルタや、可視光を透過し近赤外光を遮断する感度補正用光学フィルタなどの撮像装置用の光学フィルタが挙げられる。【０００３】
感度補正用光学フィルタとしては、例えば、フツリン酸塩系ガラスやリン酸塩系ガラス等にＣｕＯ等を添加した近赤外線を選択的に遮断する光学フィルタが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／０３４３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
撮像装置の小型化、低背化が要求されるにともない、撮像装置における光学部品の薄型化や部品点数削減が求められている。撮像装置を小型化する手段として、固体撮像素子と、光学フィルタと、を一体化する検討がなされている。【０００６】
固体撮像素子は、１〜４μｍ□サイズの画素で、数十万〜数百万個２次元配列されたＣＭＯＳやＣＣＤ構造の光検出器アレイを有する。さらに、固体撮像素子は、カラー画像生成のため光検出器の入射側に画素毎、ＲＧＢモザイクカラーフィルタを有し、その上に、画素毎に入射光を光検出器の受光面に集光する樹脂マイクロレンズを有する。【０００７】
例えば、固体撮像素子と光選択透過型ガラスを一体化する場合、光選択透過型ガラスの小片を個々に一体化する工程を経ると生産性が低い。これに対し、シリコン基板の状態で、ＲＧＢモザイクカラーフィルタと樹脂マイクロレンズを固体撮像素子毎に形成する基板プロセスの一環として、基板（ウェハ）状態の光選択透過型ガラスを一体化すると生産性が向上できる。【０００８】
シリコン基板に光選択透過型ガラスを構成するガラス基板を貼合する場合、接着層として熱可塑性樹脂が用いられることが多い。この場合、高温でシリコン基板とガラス基板が接着されるが、高温で固着したガラス基板とシリコン基板を冷却する際、ガラス基板とシリコン基板との間での熱膨張係数の差があると、ガラス基板、シリコン基板それぞれに応力が発生する。その結果、シリコン基板および光選択透過型ガラスに機械的な歪が生じて得られる積層基板が反り、積層基板製造プロセスにて不具合が生じたり、光選択透過型ガラスに光学的な歪が生じる恐れがある。【０００９】
また、カバーガラスにＲＧＢモザイクカラーフィルタを形成する場合、カラーフィルタと光検出器アレイとのパターンずれが起きることが懸念される。特に、近年、生産性の向上のためシリコン基板のサイズが直径２００ｍｍを超えるようになってきており、より熱膨張係数のミスマッチによる機械的な歪、あるいはそれによる光学的な歪が大きくなる懸念があった。【００１０】
本発明は、シリコン基板と積層して得られる積層基板の変形や光学的な歪が抑制できる光選択透過型ガラスを提供することを目的とする。または、本発明は、変形や歪の発生が抑制された積層基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一方の主面に、近赤外線および可視光線のうち、近赤外線、可視光線、青の波長域の可視光線、赤の波長域の可視光線、および緑の波長域の可視光線の群から選ばれる少なくとも一を選択的に透過する光選択透過層を備え、
前記ガラス基板は、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、
２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であり、
アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％である、光選択透過型ガラスであることを特徴とする。【００１２】
また、本発明は、シリコン基板上に備えられた固体撮像素子と、上記の光選択透過型ガラスと、を有する、積層基板を提供する。
本明細書において、数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。以下本明細書において、特に明記しない限りは、「〜」は、同様の意味をもって使用される。
また、本明細書において、特に明記しない限りは、ガラス基板およびその製造方法における各成分の含有量の説明で用いる％表示は、酸化物基準のモル百分率表示（モル％）を表す。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、シリコン基板と積層して積層基板とした場合に変形や歪の発生が抑制できる光選択透過型ガラスが提供できる。または、本発明は、変形や歪の発生が抑制された積層基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａは、光選択透過型ガラスの例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、光選択透過型ガラスの他の例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、光選択透過型ガラスの他の例を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、積層基板の例を概略的に示す斜視図である。
【図３Ａ】図３Ａは、積層基板の例を概略的に示す断面の拡大図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、積層基板の他の例を概略的に示す断面の拡大図である。
【図４】図４は、誘電体多層膜からなる反射層の分光透過率を示すグラフ（入射角：０°）である。
【図５】図５は、カメラモジュールの例の要部を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、アルカリ金属酸化物の含有量の影響を表すＳＩＭＳ測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の一実施形態である光選択透過型ガラスについて、図１Ａ〜図１Ｃを用いて説明する。本発明の一実施形態である光選択透過型ガラスの用途は特に限定されないが、例えば、近赤外線を遮断し可視光線を選択的に透過する近赤外線カットフィルタ、可視光線を遮断し近赤外線を透過する近赤外線透過フィルタ、青の波長域の可視光線、赤の波長域の可視光線、および緑の波長域の可視光線の群から選ばれる少なくとも一を選択的に透過するカラーフィルタ等が挙げられる。
【００１６】
図１Ａは、平行平面形状のガラス基板１２の片面に、光選択透過層１１を有する光選択透過型ガラス１０を示す。
【００１７】
（ガラス基板）
ガラス基板１２は、少なくとも波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの可視光に対して透明なガラス材料からなる。さらに、ガラス基板１２の表面は、固体撮像素子の解像度劣化を招く散乱光の発生や透過波面収差が抑制できるような表面平坦性を有していればよく、片面だけでなく両面が鏡面加工されてもよい。
【００１８】
ガラス基板１２は、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が、２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃である。α５０／１００は２．８０ｐｐｍ／℃以上が好ましく、２．９０ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、２．９１ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、２．９２ｐｐｍ／℃以上が特に好ましい。また、α５０／１００は、３．１０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３．００ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、２．９６ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、２．９４ｐｐｍ／℃以下が特に好ましい。
【００１９】
α５０／１００が上記範囲であれば、ガラス基板とシリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、プロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留歪を小さくすることができる。
【００２０】
ここで、５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００とは、ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が５０℃〜１００℃である平均熱膨張係数である。
【００２１】
また、ガラス基板１２は、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃である。α２００／３００は、３．５５ｐｐｍ／℃以上が好ましく、３．６５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、３．６６ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、３．６８ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。α２００／３００は、３．８５ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３．７５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、３．７３ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、３．７１ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【００２２】
α２００／３００が上記範囲であれば、ガラス基板をシリコン基板と貼り合わせる際のプロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板との熱膨張係数の差に起因する残留歪の発生などの不良を有意に抑制することができる。また、α２００／３００が３．５５ｐｐｍ／℃〜３．８５ｐｐｍ／℃であれば、シリコン基板との熱膨張係数の差が十分に小さくなるため、熱膨張係数の差に起因する不良をより抑制することができる。
【００２３】
ここで、２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００とは、ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が２００℃〜３００℃である平均熱膨張係数である。
【００２４】
ガラス基板１２は、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が１．２０〜１．３０である。上述の範囲であれば、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留歪が小さい。α２００／３００／α５０／１００は、１．２４〜１．２７が好ましい。
【００２５】
ガラス基板１２は、アルカリ金属酸化物の含有量が０％〜０．１％である。ここで、アルカリ金属酸化物は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏなどである。アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下であれば、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しにくい。アルカリ金属酸化物の含有量は、０．０５％以下が好ましく、０．０２％以下がより好ましく、実質的に含まないことがさらに好ましい。ここで、アルカリ金属酸化物を実質的に含まないとは、アルカリ金属酸化物を全く含まないこと、またはアルカリ金属酸化物を製造上不可避的に混入した不純物として含んでいてもよいことを意味する。
【００２６】
ガラス基板１２は、下記の組成が好ましい。
ＳｉＯ２    ：５０％〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３  ：６％〜１６％、
Ｂ２Ｏ３    ：０％〜１５％、
ＭｇＯ    ：０％〜１５％、
ＣａＯ    ：０％〜１３％、
ＳｒＯ    ：０％〜１１％、
ＢａＯ    ：０％〜９．５％
【００２７】
ＳｉＯ２はガラスの骨格を形成する成分である。ＳｉＯ２の含有量が５０％以上であれば、耐熱性、化学的耐久性、耐候性が良好となる。ＳｉＯ２の含有量が７５％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。ＳｉＯ２の含有量は、６０％以上が好ましく、６４％以上がより好ましい。またＳｉＯ２の含有量は、７０％以下が好ましく、６８％以下がより好ましい。
【００２８】
Ａｌ２Ｏ３の含有量が６％以上であれば、耐候性、耐熱性、化学的耐久性が良好となり、ヤング率が高くなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量が１６％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、８％以上が好ましく、１１％以上がより好ましい。またＡｌ２Ｏ３の含有量は１４％以下が好ましい。
【００２９】
Ｂ２Ｏ３は必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ｂ２Ｏ３の含有量が１５％以下であれば、ガラス転移温度を高くすることができ、ヤング率が高くなる。Ｂ２Ｏ３の含有量は、３％以上がより好ましい。また、Ｂ２Ｏ３の含有量は、１２％以下が好ましく、６％以下がより好ましい。
【００３０】
ＭｇＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上し、ヤング率が高くなる。ＭｇＯの含有量が、１５％以下であれば、失透しにくくなる。ＭｇＯの含有量は、４％以上が好ましく、６％以上がより好ましい。また、ＭｇＯの含有量は、１０％以下が好ましく、９．５％以下がより好ましく、９％以下がさらに好ましい。
【００３１】
ＣａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＣａＯの含有量が１３％以下であれば、失透しにくくなる。ＣａＯの含有量は、４％以上が好ましい。また、ＣａＯの含有量は、１０％以下が好ましく、８％以下がより好ましい。
【００３２】
ＳｒＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＳｒＯの含有量が１１％以下であれば、失透しにくくなる。ＳｒＯの含有量は、０．５％以上が好ましい。また、ＳｒＯの含有量は、８％以下が好ましく、３％以下がより好ましい。
【００３３】
ＢａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＢａＯの含有量が９．５％以下であれば、失透しにくくなる。ＢａＯの含有量は、３％以下が好ましく、２％以下がより好ましい。
【００３４】
ガラス基板１２は、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が、７％以上が好ましい。ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が７％以上であれば、失透しにくくなる。ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量は７．５％以上がより好ましく、８．０％以上がさらに好ましい。
【００３５】
ガラス基板１２は、（Ａｌ２Ｏ３の含有量）≧（ＭｇＯの含有量）が好ましい。（Ａｌ２Ｏ３の含有量）≧（ＭｇＯの含有量）であれば、ガラス基板の平均熱膨張係数をシリコン基板の平均熱膨張係数に合わせやすく、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留歪が小さい。
【００３６】
ガラス基板１２は、失透粘性（ηＴＬ）が、１０３．８ｄ・Ｐａ・ｓ以上が好ましい。失透粘性が１０３．８ｄ・Ｐａ・ｓ以上であれば、安定して成形をすることができる。失透粘性は１０４．０ｄ・Ｐａ・ｓ以上がより好ましく、１０４．２ｄ・Ｐａ・ｓ以上がさらに好ましい。
【００３７】
ガラス基板１２は、ＣＭＯＳセンサーの光学フィルタの基板として用いる場合に、撮影する像の色再現性をより高めるためには、透過率が高い方が良いため、酸化物基準の質量百万分率表示で、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が、２００ｐｐｍ以下が好ましい。Ｆｅ２Ｏ３の含有量は、１５０ｐｐｍ以下がより好ましく、１００ｐｐｍ以下がさらに好ましく、５０ｐｐｍ以下が特に好ましい。
【００３８】
ガラス基板１２は、熱伝導率を高くし、溶融性を良好とするためには、酸化物基準の質量百万分率表示で、Ｆｅ２Ｏ３を、２００ｐｐｍを超えて１０００ｐｐｍ以下含有することが好ましい。Ｆｅ２Ｏ３の含有量が２００ｐｐｍを超えていれば、ガラス基板の熱伝導率を高くし、溶融性を良好とすることができる。Ｆｅ２Ｏ３の含有量が１０００ｐｐｍ以下であれば、可視光の吸収が強くなり過ぎない。
【００３９】
Ｆｅ２Ｏ３の含有量は３００ｐｐｍ以上がより好ましく、４００ｐｐｍ以上がさらに好ましく、５００ｐｐｍ以上が特に好ましい。Ｆｅ２Ｏ３の含有量は８００ｐｐｍ以下がより好ましく、７００ｐｐｍ以下がさらに好ましく、６００ｐｐｍ以下が特に好ましい。
【００４０】
ガラス基板１２は、清澄剤として、例えば、ＳｎＯ２、ＳＯ３、Ｃｌ、およびＦなどを含有させてもよい。
【００４１】
ガラス基板１２は、耐候性、溶解性、失透性、紫外線遮蔽、赤外線遮蔽、紫外線透過、赤外線透過等の改善のために、例えば、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｉ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ５、Ｇｅ２Ｏ５等を含有させてもよい。
【００４２】
ガラス基板１２は、ガラスの化学的耐久性向上のため、ガラス中にＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２を合量で２％以下含有させてもよく、好ましくは１％以下、より好ましくは０．５％以下で含有させる。これらのうちＹ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＴｉＯ２は、ガラスのヤング率向上にも寄与する。
【００４３】
ガラス基板１２は、環境負荷を考慮すると、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を実質的に含有しないことが好ましい。また、安定してフロート成形することを考慮すると、ＺｎＯを実質的に含有しないことが好ましい。
【００４４】
ガラス基板１２は、１００℃〜２００℃での平均熱膨張係数α１００／２００は３．１３ｐｐｍ／℃〜３．６３ｐｐｍ／℃が好ましく、３．２３ｐｐｍ／℃〜３．５３ｐｐｍ／℃がより好ましい。α１００／２００が上記範囲であれば、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、プロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留応力を小さくすることができる。
【００４５】
α１００／２００は３．３３ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、３．３４ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、３．３５ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。また、α１００／２００は３．４３ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、３．４１ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、３．３８ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【００４６】
ここで、１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数α１００／２００とは、ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が１００℃〜２００℃である平均熱膨張係数である。
【００４７】
ガラス基板１２は、ヤング率が、８０ＧＰａ以上が好ましい。ヤング率が８０ＧＰａ以上であれば、ガラス基板を製造する際の徐冷工程において発生するガラス基板の反りや割れを抑制することができる。また、シリコン基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。ヤング率は８１ＧＰａ以上がより好ましく、８２ＧＰａ以上がさらに好ましく、８４ＧＰａ以上が特に好ましい。
【００４８】
また、ヤング率は、１００ＧＰａ以下が好ましい。ヤング率が１００ＧＰａ以下であれば、ガラスが脆くなる事を抑制し、ガラス基板の切削、ダイシング時の欠けを抑えることができる。ヤング率は９０ＧＰａ以下がより好ましく、８７ＧＰａ以下がさらに好ましい。
【００４９】
ガラス基板１２は、厚さが、１．０ｍｍ以下が好ましい。厚さが１．０ｍｍ以下であれば、イメージセンサを小型にすることができる。厚さは、０．８ｍｍ以下がより好ましく、０．７ｍｍ以下がさらに好ましく、０．５ｍｍ以下が特に好ましい。
【００５０】
また、厚さは、０．１ｍｍ以上が好ましい。厚さが０．１ｍｍ以上であれば、シリコン基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。また、光選択透過型ガラスの自重たわみを抑えることができる。厚さは、０．２ｍｍ以上がより好ましく、０．３ｍｍ以上がさらに好ましい。
【００５１】
ガラス基板１２は、面積が０．０１ｍ２以上が好ましい。面積が０．０１ｍ２以上であれば、大きいシリコン基板を用いることができ、多数のイメージセンサを作成することができる。面積は０．０２ｍ２以上であってもよく、０．０３ｍ２以上であってもよく、０．０４ｍ２以上であってもよく、０．０５ｍ２以上であってもよい。
【００５２】
また、本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であるため、面積が０．０１ｍ２以上であってもシリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留応力が小さい。面積は、０．１ｍ２以下が好ましい。面積が０．１ｍ２以下であれば光選択透過型ガラスの取り扱いが容易になり、シリコン基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。面積は、０．０８ｍ２以下がより好ましく、０．０６ｍ２以下がさらに好ましい。
【００５３】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下が好ましい。密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であれば、光選択透過型ガラスが軽量である。また、光選択透過型ガラスの自重によるたわみを低減する事ができる。密度は２．５５ｇ／ｃｍ３以下がより好ましく、２．５０ｇ／ｃｍ３以下がさらに好ましい。
【００５４】
密度は、２．２０ｇ／ｃｍ３以上が好ましい。密度が２．２０ｇ／ｃｍ３以上であれば、ガラスのビッカース硬度が高くなり、ガラス表面に傷をつき難くすることができる。密度は２．３０ｇ／ｃｍ３以上がより好ましく、２．４０ｇ／ｃｍ３以上がさらに好ましく、２．４５ｇ／ｃｍ３以上が特に好ましい。
【００５５】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、ガラス基板に含まれる欠点の密度が１個／ｃｍ２以下が好ましい。ガラス基板に含まれる欠点とは、ガラス基板の表面や内部に存在する泡、キズ、白金等の金属異物、および未溶融原料などであり、大きさが０．５μｍ以上１ｍｍ以下のものを指す。欠点が１ｍｍより大きければ、目視で容易に判別でき、欠点を有する基板の除外は容易である。欠点が０．５μｍより小さければ、欠点が十分に小さいため、ＣＭＯＳセンサーやＬＣＯＳのカバーガラスとして適用した場合でも素子の特性に影響を及ぼす恐れが無い。
【００５６】
従来の半導体組立工程では、光選択透過型ガラスを切断した後に組立工程を行っていたため、ガラス基板に欠点があった場合、組立工程の初期で欠点がある基板を除外できた。一方でウェハレベルパッケージでは、組立工程の最後に積層基板の個片化を行うため、ガラス基板に欠点があった場合、欠点があるガラス基板を除外できるのは組立工程の最後となる。このようにウェハレベルパッケージでは、ガラス基板の欠点の密度が増加した場合のコスト増加が大きくなるため、高品質の欠点管理が求められる。欠点の密度は０．１個／ｃｍ２以下がより好ましく、０．０１個／ｃｍ２以下がさらに好ましい。
【００５７】
ガラス基板中に、脈理に代表される屈折率の不均一があると、撮影した像、あるいは投影される像が歪み、写真または映像の品質が低下してしまう。そのため、ガラス基板中には、屈折率の不均一がないことが好ましい。また、ガラス基板中に脈理がある場合、屈折率差は１０−４以内が好ましく、１０−５以内がより好ましい。
【００５８】
ガラス基板の形状は、円形であっても楕円形であっても矩形であっても何でもよい。貼り合わせるシリコン基板の形に合わせるために、ガラス基板の端にノッチがあってもよいし、ガラス基板が円形の場合、ガラス基板の外周の一部が直線であってもよい。
【００５９】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、ガラス転移点（Ｔｇ）が、７００℃以上が好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が７００℃以上であれば、熱処理工程でガラス基板の寸法変化を少なく抑えることができる。ガラス転移点（Ｔｇ）は７２０℃以上がより好ましく、７４０℃以上がさらに好ましい。
【００６０】
ガラス基板は、仮想粘度が、１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓが好ましい。ガラス基板の仮想粘度を１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓとするためには、ガラス板の成形後の冷却速度を、１℃／分〜１２００℃／分相当とする必要がある。仮想粘度が１０１１．０ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１４．１ｄ・Ｐａ・ｓであれば、ガラス基板の平均熱膨張係数がシリコン基板の平均熱膨張係数に近くなり、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留応力が小さい。ガラス基板の仮想粘度は１０１２．１ｄ・Ｐａ・ｓ〜１０１３．１ｄ・Ｐａ・ｓ（冷却速度１０℃〜１００℃／分相当）が好ましい。
【００６１】
ガラスの仮想粘度（η）は下記（式４）（Ｇ．Ｗ．Ｓｃｈｅｒｅｒ，Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｇｌａｓｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ，Ｗｉｌｅｙ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ（１９８６），ｐ．１５９）にて算出することができる。
【００６２】
【数１】
2016125792.tif 000003
【００６３】
ここで、ηの単位はｄ・Ｐａ・ｓ、ｑは想定冷却速度で単位は℃／ｓである。
想定冷却速度ｑは、次の方法によりガラス基板から求められる。厚さ１ｍｍ以下の一枚のガラス基板から複数のガラス板小片を切り出す。たとえばガラス板小片として１センチメートル角の小片を切り出す。切り出した複数のガラス板小片を、それぞれ、様々な冷却速度Ｖにて熱処理、冷却し、それぞれのガラス板個片の物性値を測定する。冷却開始温度は冷却速度の影響を受けない十分高い温度が好ましい。典型的にはＴｇ＋５０℃〜＋１５０℃程度が好ましい。
【００６４】
測定を実施する物性値は、特に制限はないが、密度や、密度と密接な関係にある物性値（例えば屈折率）などが好ましい。ｘ軸に冷却速度（ｌｏｇ１０Ｖ）をとって、ｙ軸にそれぞれの熱処理を施したガラス板個片の物性値をとり検量線Ａを作成する。熱処理を実施していないガラス板個片の物性値から、作成した検量線Ａにより、そのガラス基板の想定冷却速度ｑが求めらＰれる。
【００６５】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、粘度が１０２ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度（Ｔ２）が、１８００℃以下が好ましい。Ｔ２は、１７５０℃以下がより好ましく、１７００℃以下がさらに好ましく、１６５０℃以下が特に好ましい。
【００６６】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、粘度が１０４ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度（Ｔ４）が、１３５０℃以下が好ましい。Ｔ４は、１３００℃以下がより好ましく、１２７５℃以下がさらに好ましく、１２５０℃以下が特に好ましい。なお、他の物性確保の容易性を考慮すると、粘度が１０４ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度（Ｔ４）は１１００℃以上である。
【００６７】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、失透温度が、１３２５℃以下が好ましい。１３００℃以下がより好ましく、１２７５℃以下がさらに好ましく、１２５０℃以下が特に好ましい。ガラス失透温度とは、白金製の皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。
【００６８】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が２．７０〜３．２０、
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．１３〜３．６３、
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が３．４５〜３．９５、および
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）が１．２０〜１．３０を満たすことが好ましい。
【００６９】
ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、ＳｒＯの含有量、およびＢａＯの含有量は、得られたガラスに含有される各成分の含有量、ηは仮想粘度（単位：ｄ・Ｐａ・ｓ）である。
【００７０】
これらを満たせば、プロセスマージンは確保しつつ、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留歪を小さくしやすい。
【００７１】
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、２．８０以上がより好ましく、２．９０以上がさらに好ましく、２．９１以上が特に好ましく、２．９２以上が最も好ましい。
【００７２】
また、０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．１０以下がより好ましく、３．００以下がさらに好ましく、２．９６以下が特に好ましく、２．９４以下が最も好ましい。
【００７３】
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．２３以上がより好ましく、３．３３以上がさらに好ましく、３．３４以上が特に好ましく、３．３５以上が最も好ましい。
【００７４】
また、０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．５３以下がより好ましく、３．４３以下がさらに好ましく、３．４１以下が特に好ましく、３．３８以下が最も好ましい。
【００７５】
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．５５以上がより好ましく、３．６５以上がさらに好ましく、３．６６以上が特に好ましく、３．６８以上が最も好ましい。
【００７６】
また、０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、３．８５以下がより好ましく、３．７３以下がさらに好ましく、３．６５以下が特に好ましく、３．７１以下が最も好ましい。
【００７７】
さらに、０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、１．２４以上がより好ましい。
【００７８】
また、０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）は、１．２７以下がより好ましい。
【００７９】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、フッ酸水溶液（ＨＦ）に対する重量減少量（以下、ＨＦ重量減少量とも記す）が０．０５（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上、０．２０（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下が好ましい。ここで、ＨＦ重量減少量とは、ガラス基板を２５℃、５質量％フッ酸水溶液に浸漬した際の、単位面積および単位時間当たりの減少量（（ｍｇ／ｃｍ２）／分）である。
【００８０】
本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、シリコン基板と貼り合わせた後、光学フィルタとしてデバイスに組み込まれる。このような場合、デバイスを小型化するために、ガラス基板をスリミングすることが好ましい。そのため、ガラス基板は、スリミングレートが高い方が好ましい。ガラス基板のスリミングレートの指標として、ＨＦ重量減少量を用いることができる。
【００８１】
ＨＦ重量減少量が０．０５（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上であれば、スリミング工程の生産性が良好になり好ましい。ＨＦ重量減少量が０．２０（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下であれば、スリミング工程でガラス基板に生じる、エッチング深さが不均一となってガラス基板表面の平滑性が損なわれるなどの不良を防止できるため好ましい。
【００８２】
ＨＦ重量減少量は、０．０７（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上より好ましく、０．０９（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上がさらに好ましく、０．１１（ｍｇ／ｃｍ２）／分以上が特に好ましい。また、ＨＦ重量減少量は、０．１８（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下がより好ましく、０．１６（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下がさらに好ましく、０．１４（ｍｇ／ｃｍ２）／分以下が特に好ましい。
【００８３】
また、本発明の一実施形態である光選択透過型ガラスは、プロジェクション用途のディスプレイデバイス、例えばＬＣＯＳの光学フィルタとして適用できる。このような場合に、ガラス基板の光弾性定数が高いと、デバイスのパッケージング工程やデバイス使用時に発生する応力によってガラス基板が複屈折性を有してしまう。その結果、デバイスに入射した光に色変化が生じ、色ムラなどの画質不良が生じる恐れがある。
【００８４】
このような画質不良を防ぐため、本発明の一実施形態であるガラス基板１２は、光弾性定数が３１ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下が好ましく、３０．５ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下がより好ましく、３０ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下がさらに好ましく、２９．５ｎｍ／（ＭＰａ・ｃｍ）以下が特に好ましい。
【００８５】
また、ガラス基板のα線放出量は、０．５Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が好ましく、０．３Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下がより好ましく、０．１Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が特に好ましく、０．０５Ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が最も好ましい。なお、単位のＣはカウント数の意味である。
【００８６】
例えば、本発明の一実施形態である光選択透過型ガラスを固体撮像素子のカバーガラスに適用する。この場合、ガラス基板から発生するα線が固体撮像素子に入射すると、α線のエネルギーによって正孔−電子対が誘起され、これが原因となって瞬間的に画像に輝点や白点が生じるソフトエラーが起こるおそれがある。そこで、α線放出量の少ないガラス基板を用いることで、このような不具合を防止しやすくなる。なお、ガラス基板の原料として、放射性同位元素の含有量が少なく、α線放出量の少ない高純度原料を使用すれば、α線放出量を低減することができる。また、ガラスの溶融・清澄工程において、放射性同位元素がガラス製造設備の炉材などから溶融ガラス中に混入しないようにすれば、α線放出量を効果的に低減することができる。また、「α線放出量」は、ガスフロー比例計数管測定装置等で測定することができる。
【００８７】
次に、本発明の一実施形態であるガラス基板の製造方法について説明する。
本発明の一実施形態であるガラス基板を製造する場合、ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程、溶融ガラスから泡を除く清澄工程、溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程、およびガラスリボンを室温状態まで徐冷する徐冷工程を経る。
【００８８】
溶解工程は、得られるガラス板の組成となるように原料を調製し、原料を溶解炉に連続的に投入し、好ましくは１４５０℃〜１６５０℃程度に加熱して溶融ガラスを得る。
【００８９】
原料には酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、塩化物などのハロゲン化物なども使用できる。溶解や清澄工程で溶融ガラスが白金と接触する工程がある場合、微小な白金粒子が溶融ガラス中に溶出し、得られるガラス板中に異物として混入してしまう場合があるが、硝酸塩原料の使用はこの白金異物の溶出を防止する効果がある。
【００９０】
硝酸塩としては、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウムなどを使用できる。硝酸ストロンチウムを使用することがより好ましい。原料粒度も溶け残りが生じない程度の数百ミクロンの大きな粒径の原料から、原料搬送時の飛散が生じない、二次粒子として凝集しない程度の数ミクロン程度の小さな粒径の原料まで適宜使用できる。造粒体の使用も可能である。原料の飛散を防ぐために原料含水量も適宜調整可能である。β−ＯＨ、Ｆｅの酸化還元度またはレドックス［Ｆｅ２＋／（Ｆｅ２＋＋Ｆｅ３＋）］などの溶解条件も適宜調整、使用できる。
【００９１】
次に、清澄工程は、上記溶解工程で得られた溶融ガラスから泡を除く工程である。清澄工程としては、減圧による脱泡法を適用してもよい。また、ガラス基板は、清澄剤としてＳＯ３やＳｎＯ２を用いることができる。ＳＯ３源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素の硫酸塩が好ましく、アルカリ土類金属の硫酸塩がより好ましく、中でも、ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＳｒＳＯ４、およびＢａＳＯ４が、泡を大きくする作用が著しく、特に好ましい。
【００９２】
減圧による脱泡法における清澄剤としてはＣｌやＦなどのハロゲンを使用するのが好ましい。Ｃｌ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素の塩化物が好ましく、アルカリ土類金属の塩化物がより好ましく、中でも、ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ、およびＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏが、泡を大きくする作用が著しく、かつ潮解性が小さいため、特に好ましい。Ｆ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれた少なくとも１種の元素のフッ化物が好ましく、アルカリ土類金属のフッ化物がより好ましく、中でも、ＣａＦ２がガラス原料の溶解性を大きくする作用が著しく、より好ましい。
【００９３】
次に、成形工程は、上記清澄工程で泡を除いた溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る工程である。成形工程としては、溶融ガラスを溶融金属上に流して板状にしてガラスリボンを得るフロート法が適用される。
【００９４】
次に、徐冷工程は、上記成形工程で得られたガラスリボンを室温状態まで徐冷する工程である。徐冷工程としては、ガラスリボンを、粘度が１０１３ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度から１０１４．５ｄ・Ｐａ・ｓとなる温度になるまでの平均冷却速度がＲとなるように室温状態まで徐冷する。徐冷したガラスリボンを切断後、ガラス基板を得る。
【００９５】
ガラス基板の製造方法では、得られるガラス基板の組成と、徐冷工程におけるガラスリボンの平均冷却速度Ｒ（単位：℃／分）とが、次の条件（１）〜条件（４）を満たす。
【００９６】
条件（１）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×ｌｏｇ１０Ｒが２．７０〜３．２０
【００９７】
条件（２）：
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×ｌｏｇ１０Ｒが３．１３〜３．６３
【００９８】
条件（３）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×ｌｏｇ１０Ｒが３．４５〜３．９５
【００９９】
条件（４）
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×ｌｏｇ１０Ｒが１．２０〜１．３０
【０１００】
好ましくは、次の条件（１）〜条件（４）を満たす。
条件（１）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×ｌｏｇ１０Ｒが２．８０〜３．１０
【０１０１】
条件（２）：
０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×ｌｏｇ１０Ｒが３．２３〜３．５３
【０１０２】
条件（３）：
０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×ｌｏｇ１０Ｒが３．５５〜３．８５
【０１０３】
条件（４）
０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×ｌｏｇ１０Ｒが１．２４〜１．２７
【０１０４】
ここで、ＳｉＯ２の含有量、Ａｌ２Ｏ３の含有量、Ｂ２Ｏ３の含有量、ＭｇＯの含有量、ＣａＯの含有量、ＳｒＯの含有量、およびＢａＯの含有量は、得られたガラスに含有される各成分の含有量である。条件（１）〜条件（４）を満たすことで、熱処理工程でシリコン基板およびガラス基板自体に発生する残留歪を小さくすることができるガラス基板を製造することができる。
【０１０５】
以上説明した本発明の一実施形態であるガラス基板にあっては、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下であるため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しにくい。また、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００を５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であるため、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さく、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留歪が小さい。
【０１０６】
本発明は上記実施形態に限定されない。本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良等は本発明に含まれる。
【０１０７】
例えば、本発明に係るガラス基板を製造する場合、成形工程で、フュージョン法やプレス成形法などを適用して溶融ガラスを板状にしてもよい。
【０１０８】
また、本発明の一実施形態であるガラス基板を製造する場合、白金坩堝を用いてもよい。白金坩堝を用いた場合、溶解工程は、得られるガラス基板の組成となるように原料を調製し、原料を入れた白金坩堝を電気炉に投入し、好ましくは１４５０℃〜１６５０℃程度に加熱して白金スターラーを挿入し１〜３時間撹拌し溶融ガラスを得る。
【０１０９】
成形工程は、溶融ガラスを例えばカーボン板状に流し出し板状にする。徐冷工程は、板状のガラスを室温状態まで徐冷し、切断後、ガラス基板を得る。
【０１１０】
また、切断して得られたガラス基板を、例えばＴｇ＋５０℃程度となるように加熱した後、室温状態まで徐冷してもよい。このようにすることで、仮想粘度ηを調節することができる。
【０１１１】
（光選択透過層）
光選択透過層１１は、近赤外線および可視光線のうち、近赤外線、可視光線、青の波長域の可視光線、赤の波長域の可視光線、および緑の波長域の可視光線の群から選ばれた少なくとも一を選択的に透過する層である。光選択透過層１１は、上記群から選ばれた三以下を選択的に透過する層であることが好ましい。
【０１１２】
光選択透過層１１は、具体的には、（１）近赤外線、（２）可視光線、（３）青の波長域の可視光線、（４）赤の波長域の可視光線、（５）緑の波長域の可視光線、（６）近赤外線および青の波長域の可視光線、（７）近赤外線、青の波長域の可視光線および赤の波長域の可視光線、（８）近赤外線、青の波長域の可視光線および緑の波長域の可視光線、（９）近赤外線および赤の波長域の可視光線、（１０）近赤外線、赤の波長域の可視光線および緑の波長域の可視光線、（１１）近赤外線および緑の波長域の可視光線、（１２）青の波長域の可視光線および赤の波長域の可視光線、（１３）青の波長域の可視光線および緑の波長域の可視光線、または、（１４）赤の波長域の可視光線および緑の波長域の可視光線、を選択的に透過すればよい。
【０１１３】
ここで、各光の波長は、近赤外線：７８０ｎｍ〜１２００ｎｍ、可視光線：３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ、赤の波長域の可視光線：６００ｎｍ〜７８０ｎｍ、緑の波長域の可視光線：５００ｎｍ〜６００ｎｍ、青の波長域の可視光線：３８０ｎｍ〜５００ｎｍとする。
【０１１４】
また、「選択的に透過する」とは、各波長範囲において、外部透過率として最大で８０％以上透過することを意味する。外部透過率は、入射光のうち、反射や吸収によって透過されない成分以外の透過光の透過率であり、市販のダブルビーム型近赤外可視分光光度計などを用いて測定することができる。また、微細な領域の外部透過率は、顕微鏡を付属させた顕微分光光度計を用いて測定することもできる。
【０１１５】
光選択透過層１１は、近赤外線カットフィルタ用途または近赤外線透過フィルタ用途の場合は、光選択透過層１１は吸収層および／または反射層で構成されるのが好ましい。カラーフィルタ用途の場合は、吸収層で構成されるのが好ましい。
【０１１６】
吸収層は、例えば、透過させたくない波長の光を吸収する吸収色素と、透明樹脂と、を含有する層で形成すればよい。吸収色素は、複数種類含有されてもよい。
【０１１７】
反射層は、例えば、屈折率の異なる２種以上の誘電体薄膜を積層した誘電体多層膜で形成すればよい。反射層の反射作用、具体的には誘電体多層膜の干渉作用により、透過させたくない波長の光を反射させる。反射層は、吸収層では実現しにくい、よりシャープな光選択透過性を与えることができる。例えば、近赤外線カットフィルタ用途の場合、光選択透過層１１を反射層で構成することで、吸収層で構成した場合に比べて可視光透過率を高くすることができる。
【０１１８】
光選択透過層１１は矩形あるいは多角形などに分割されていてもよい。分割された光選択透過層１１それぞれの光吸収特性は、例えば赤・緑・青の光に対応するように異なっていてもよい。また、光選択透過層１１がブラックマトリクス等の遮光部によって分割されていてもよい。
【０１１９】
図１Ｂは、ガラス基板１２の両面に、光選択透過層１１ａ、１１ｂを形成した光選択透過型ガラス２０を示す。図１Ｂにおいて、光選択透過層１１ａ、１１ｂそれぞれの光選択透過特性は同じでもよいし、異なっていてもよい。
【０１２０】
また、近赤外線カットフィルタや近赤外線透過フィルタ用途の場合、光選択透過型ガラスは、吸収層に加えて誘電体多層膜からなる反射層を備える構成であってもよい。例えば近赤外線カットフィルタ用途の場合、吸収層に加えて反射層を備えることで、吸収層１１１だけでは十分に遮断できない近紫外光および近赤外光を反射作用により遮断できる。同様に、近赤外線透過フィルタ用途の場合は、近紫外線および可視光線を遮断できる。
【０１２１】
図１Ｃには、吸収層１１１からなる光選択透過層に加えて、反射層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを形成した光選択透過型ガラス３０を示す。光選択透過型ガラス３０は、上記反射層１１２ａ、１１２ｂがガラス基板１２の片面または／および両面に備えられたり、吸収層１１１からなる光選択透過層の表面に反射層１１２ｃが備えられたりしてもよい。
【０１２２】
なお、光選択透過型ガラス３０は、反射防止膜を備えてもよく、また、光選択透過層の密着性や信頼性を向上するためのシランカップリング剤による表面処理を施したり、誘電体膜を備えたりしてもよい。光選択透過型ガラス３０の表面に位置する１１２ａ、１１２ｃの一方は、接着剤によりシリコン基板と接合されるため、接着剤の屈折率を考慮して設計するとよい。
【０１２３】
なお、光選択透過型ガラス３０は、固体撮像素子が形成されたシリコン基板と接合され、画素に近接した位置に配置される。そのため、反射層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ中に異物や微小欠陥があると、それらが直接、画素欠陥となり得るため、その大きさや発生数の許容レベルは、非接合タイプの光学フィルタにおける反射層より厳しい場合が多い。したがって、光選択透過型ガラス３０は、品質レベルに応じて、反射層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを備えることが好ましい。
【０１２４】
また、本発明の一実施形態である光選択透過型ガラスは、固体撮像素子を保護するカバーガラスの機能も含むと、撮像装置の小型化、薄型化が期待できる。なお、ガラス基板は、不純物としてα線放出性元素（放射性同位元素）が含まれると、α線を放出して固体撮像素子にソフトエラーを引き起こすおそれがあるので、α線放出性元素含有量が少ない高純度のガラス原料を使用するとよい。ガラス原料は、α線放出性元素のうち、Ｕ、Ｔｈの含有量が、２０ｐｐｂ以下が好ましく、５ｐｐｂ以下がより好ましい。また、光選択透過型ガラスは、固体撮像素子に近接する片面にα線を遮蔽する膜を設けてもよい。
【０１２５】
（光選択透過層の具体例）
光選択透過層１１を構成する吸収層および反射層の具体例を示す。
一例として、光選択透過層１１が近赤外線を吸収し、可視光線を透過する吸収層で構成される例を説明する。
光選択透過層１１を構成する吸収層は、吸収色素として近赤外線吸収色素（Ａ）（以下、「色素（Ａ）」ともいう。）と透明樹脂（Ｂ）とを含有する層であり、典型的には、透明樹脂（Ｂ）に色素（Ａ）が均一に溶解または分散してなる層である。光選択透過層１１は、さらに近紫外線吸収色素（Ｕ）（以下、「色素（Ｕ）」ともいう。）を含有するとよい。
【０１２６】
なお、図１Ａ〜図１Ｃの光選択透過型ガラスにおいて、光選択透過層１１（吸収層１１１）が、さらに色素（Ｕ）を含有する場合も、１層で構成されるように図示するが、この構成に限らない。例えば、光選択透過層１１が色素（Ａ）と透明樹脂（Ｂ）とを含有し、色素（Ｕ）を含まない場合、図１Ａ〜図１Ｃに図示しない近紫外線吸収層を別途設ける構成でもよい。即ち、近紫外線吸収層は、色素（Ｕ）と透明樹脂を含有し、独立した層として設けられてもよい。
【０１２７】
この場合、近紫外線吸収層は、ガラス基板１２の両主面のうち、光選択透過層１１側に設けてもよく、光選択透過層１１側と対向する側に設けてもよく、その位置関係に制限はない。ただし、近紫外線吸収層を別途設ける構成であっても、本発明の一実施形態である光選択透過型ガラスは、光選択透過層１１がさらに色素（Ｕ）を含有する構成の光学特性と同じ光学特性が得られる。また、光選択透過層１１が、色素（Ａ）と透明樹脂（Ｂ）、さらに色素（Ｕ）を含有する場合でも、色素（Ｕ）と透明樹脂（Ｂ）を含有する近紫外線吸収層を別途設けてもよい。以下、本発明の一実施形態である光選択透過型ガラスは、色素（Ｕ）を含有する場合、光選択透過層１１に色素（Ｕ）が含有される構成として説明をする。
【０１２８】
＜近赤外線吸収色素（Ａ）＞
色素（Ａ）は、可視光域（波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の光を透過し、近赤外線域（波長７８０ｎｍ〜１２００ｎｍ）の光を吸収する能力を有すれば特に制限されない。なお、本発明における色素は顔料、すなわち分子が凝集した状態でもよい。
【０１２９】
色素（Ａ）としては、例えば、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ジチオール金属錯体系化合物、ジイモニウム系化合物、ポリメチン系化合物、フタリド化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、インドフェノール系化合物、スクアリリウム系化合物等が挙げられる。
【０１３０】
＜近紫外線吸収色素（Ｕ）＞
近紫外線吸収色素（Ｕ）は、波長４３０ｎｍ以下の光を吸収する能力を有すれば特に制限されない。
【０１３１】
色素（Ｕ）の具体例としては、オキサゾール系、メロシアニン系、シアニン系、ナフタルイミド系、オキサジアゾール系、オキサジン系、オキサゾリジン系、ナフタル酸系、スチリル系、アントラセン系、環状カルボニル系、トリアゾール系等が挙げられる。
【０１３２】
なお、色素（Ａ）は、光選択透過層１１中において、透明樹脂（Ｂ）１００質量部に対して、０．１〜３０質量部含有されるのが好ましく、０．５〜２５質量部含有されるのがより好ましく、１〜２０質量部含有されるのが特に好ましい。
【０１３３】
光選択透過層１１中における色素（Ｕ）の含有量は、透明樹脂（Ｂ）１００質量部に対して、０．０１〜３０質量部含有されるのが好ましく、０．０５〜２５質量部含有されるのがより好ましく、０．１〜２０質量部含有されるのが特に好ましい。
【０１３４】
また、光選択透過層１１は、色素（Ａ）および透明樹脂（Ｂ）、任意成分の色素（Ｕ）以外に、光吸収剤、色調補正色素、近紫外線吸収剤、レベリング剤、帯電防止剤、熱安定剤、光安定剤、酸化防止剤、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤等を含有してもよい。また、後述する光選択透過層１１を形成する際に用いる塗工液に添加する成分、例えば、シランカップリング剤、熱もしくは光重合開始剤、重合触媒に由来する成分等が挙げられる。吸収層における、これらその他の任意成分の含有量は、透明樹脂（Ｂ）１００質量部に対して、それぞれ１５質量部以下含有されるのが好ましい。
【０１３５】
光選択透過層１１の膜厚は、０．１μｍ〜１０μｍが好ましい。膜厚が０．１μｍ未満では、光吸収能を十分に発現できないおそれがある。また、膜厚が１０μｍ超では膜の平坦性が低下し、吸収率のバラツキが生じるおそれがある。膜厚は、１μｍ〜１０μｍがより好ましい。この範囲にあれば、十分な光吸収能と膜厚の平坦性を両立できる。なお、近紫外線吸収層を別途設ける場合でも近紫外線吸収層の膜厚は、上記の範囲を満たせばよい。
【０１３６】
光選択透過層１１は、例えば、色素（Ａ）および、透明樹脂（Ｂ）または透明樹脂（Ｂ）の原料成分、さらに任意に色素（Ｕ）を溶媒に分散し、溶解させて調製した塗工液を、ガラス基板１２上に塗工し、乾燥させ、さらに必要に応じて硬化させて製造できる。光選択透過層１１をこのような方法で成膜することで、所望の膜厚で均一に製造できる。光選択透過層１１が上記任意成分を含む場合、塗工液が該任意成分を含有する。
【０１３７】
ガラス基板１２上に上記塗工液を塗工した後、乾燥させることで該ガラス基板１２上に光選択透過層１１が形成される。塗工液が透明樹脂（Ｂ）の原料成分を含有する場合には、さらに硬化処理を行う。反応が熱硬化の場合は乾燥と硬化を同時に行うことができるが、光硬化の場合は、乾燥と別に硬化処理を設ける。
【０１３８】
＜透明樹脂（Ｂ）＞
透明樹脂（Ｂ）は、具体的に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリパラフェニレン樹脂、ポリアリーレンエーテルフォスフィンオキシド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、環状オレフィン樹脂、およびポリエステル樹脂が挙げられる。透明樹脂（Ｂ）としては、これらの樹脂から１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【０１３９】
他の例として、光選択透過層１１が近赤外線を反射し、可視光線を透過する反射層で構成される例を説明する。
光選択透過層１１を構成する反射層は、上述のように誘電体多層膜で形成される。例えば、屈折率が２．０以上の高屈折率層および屈折率が１．７以下の低屈折率層を有する誘電体多層膜で形成される。高屈折率層は、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、またはこれらの複合酸化物から選択することができる。低屈折率層は、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３、またはこれらの複合酸化物から選択することができる。
【０１４０】
光選択透過層１１（反射層）は、図１Ｂに示すように、ガラス基板の両面に設けられていてもよい。誘電体多層膜による光選択透過層１１は、ガラス基板上に数十層におよぶ光学薄膜を積層するため、特にガラス基板の厚みが薄い場合には膜応力によるガラス基板の反りが発生することがあるが、ガラス基板両面の膜応力がほぼ等しくなるようにガラス基板の両面に誘電体多層膜を成膜することにより反りを緩和することができる。
【０１４１】
光選択透過層１１（反射層）を構成する誘電体多層膜の膜厚の基本的な設計として、高屈折率層と低屈折率層とが交互にそれぞれ同じ光学的膜厚で繰り返し積層された繰り返し交互層を有するのが一般的である。繰り返し交互層は、（１Ｈ、１Ｌ）Ｓのように表される。ここで、カットしたい波長の中心近くの波長を設計波長λとして、高屈折率層（Ｈ）の膜厚を光学的膜厚ｎｄ＝１／４λの値を１Ｈとして表記し、低屈折率層（Ｌ）を同様に１Ｌとする。Ｓはスタック数と呼ばれる繰り返しの回数で、括弧内の構成を周期的に繰り返すことを表している。
【０１４２】
この繰り返し交互層によって、カットされる特定の波長が決定される。Ｓの値が大きくなると吸収−透過へ変化する立ち下がり特性（急峻さ）が急になるため、例えば、感度補正用光学フィルタ（近赤外線カットフィルタ）においては、立ち下がり特性を緩やかにするため、Ｓの値としては２から７程度の範囲から選定され、また、通常の基本設計の繰り返し交互層の厚さを少しずつ変えて積層することが好ましい。
【０１４３】
透過帯域の透過率を高くし、リップルと呼ばれる光透過率の凹凸をフラットな特性にするためには、繰り返し交互層のガラス基板近くと、媒質近くの数層ずつの膜厚を変化させて最適設計を行う。そのため、基板｜０．５Ｌ、１Ｈ・・・ＨＬ（ＨＬ）ｓＨＬ・・・Ｈ、０．５Ｌのように表記される。また、高屈折率層にＴｉＯ２などを使う場合、最外層を高屈折率層で終わらせるよりも、より耐環境特性にすぐれたＳｉＯ２を最外層に追加して設計を行うことが多い。ガラス基板に接する層もＴｉＯ２がガラス基板と反応して特性が劣化することがあるので、化学的に安定なＳｉＯ２を第１層に追加することもある。このような多層膜による光選択透過層１１の設計は市販のソフトウエアを用いて理論的に行うことができる（参考文献：ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ誌１９９９  Ｎｏ．５  ｐ．１７５−１９０）。
【０１４４】
近赤外線カットフィルタの具体的な構造を示すと、低屈折率層としてＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）、高屈折率層としてＴａ２Ｏ５（ｎ＝２．１）を選定し、設計波長λを７５５ｎｍとした場合、次のような４０層の積層構造を例示することができる。
１．１７Ｈ、１．１３Ｌ、（０．９５Ｈ、０．９９Ｌ）４、（１．０５Ｈ、１．１Ｌ）４、（１．１８Ｈ、１．２２Ｌ）２、（１．２５Ｈ、１．２８Ｌ）３、（１．３３Ｈ、１．３４Ｌ）５、１．１６Ｈ、０．５９Ｌ。
【０１４５】
高屈折率層と低屈折率層とを交互にガラス基板上に成膜するには、物理的成膜法が一般的であり、通常の真空蒸着法でも可能であるが、膜の屈折率の安定した制御が可能で、保管・仕様環境変化による分光特性の経時変化が少ない膜を作成できるイオンアシスト蒸着やイオンプレーティング法、スパッタリング法が好ましい。
【０１４６】
（積層基板）
さらに、本発明は、シリコン基板と光選択透過型ガラスとが接合された積層基板を提供する。例えば、カメラモジュールを製造するための複数の固体撮像素子が形成されたシリコン基板と光選択透過型ガラスとが接合された積層基板を提供する。図２は、本発明の一実施形態である光選択透過型ガラス基板１０（２０、３０）と複数の固体撮像素子１９が形成されたシリコン基板１５が接合された積層基板４０（５０）の例を概略的に示す斜視図である。
【０１４７】
図３Ａ、図３Ｂは、本発明の一実施形態である光選択透過型ガラス１０（２０、３０）が固体撮像素子１９と一体化した積層基板４０（５０）の固体撮像素子１９周辺を拡大した断面模式図である。固体撮像素子１９は、シリコン基板１５の片面に、Ｓｉ半導体（ＣＭＯＳ、ＣＣＤ）光検出器アレイ１６が形成されるとともに画素毎に、ＲＧＢモザイクカラーフィルタ１７および樹脂マイクロレンズ１８が形成されてなる。固体撮像素子１９は、シリコン基板１５と、光選択透過型ガラス１０（２０、３０）とが、接着剤２１を介して一体化され、積層基板４０（５０）をなす。
【０１４８】
図３Ａの積層基板４０は、光選択透過型ガラス１０（２０、３０）の光選択透過層１１側に接着剤２１を介して、固体撮像素子１９と一体化した構成である。一方、図３Ｂの積層基板５０は、光選択透過層１１が空気側に面し、光選択透過層１１と対向する側に接着剤２１を介して一体化した構成である。接着剤２１は、可視光に対して透明な材料であればよい。積層基板は、光選択透過層１１の配置が、固体撮像素子１９側（図３Ａ）でも、空気側（図３Ｂ）でもよい。吸収層は、ガラス基板に比べて柔らかいため、表面にキズが付き易いことから、光選択透過層１１が単層からなる場合、それを固体撮像素子１９の接合面側に配置すると、その後の製造工程でキズが生じにくい。
【０１４９】
積層基板５０は、ガラス基板１２をシリコン基板１５に接合した後、ガラス基板１２の表面に光選択透過層１１を形成する工程においても得られる構成である。即ち、積層基板５０は、光選択透過層１１の形成と、ガラス基板と固体撮像素子の接合、の順番は不問であっても同構成が得られる。
【０１５０】
固体撮像素子１９において、樹脂マイクロレンズ１８は、入射光を光検出器アレイ１６の受光面に集光する凸レンズ機能となる。そのため、樹脂マイクロレンズ１８に用いる透明樹脂の屈折率ｎＭＬと接着剤２１の屈折率ｎＧは、ｎＭＬ＞ｎＧを満たし、屈折率差（ｎＭＬ−ｎＧ）は大きいほど好ましい。具体的には、ｎＭＬ≧１．８が好ましく、ｎＭＬ≧１．９がより好ましい。また、ｎＧ≦１．５が好ましく、ｎＧ≦１．４５がより好ましい。
【０１５１】
接着剤２１は、紫外線硬化型あるいは熱硬化型いずれでもよいが、短時間に接着強度が得られる点で、紫外線硬化型が好ましい。紫外線硬化型の接着剤は、樹脂マイクロレンズ１８面と光選択透過型ガラス１０（２０、３０）のガラス面または吸収層面と十分な接着強度が得られる。接着剤２１は、硬化時の重合収縮率が３％以下で、高温高質下や急激な温度変化などの周囲環境条件による位置ズレや接着力低下が小さく、かつ、ハロゲン含有量が少なく、硬化後の未反応成分によるアウトガスが少ないものが好ましい。
【０１５２】
接着剤２１による接合は、硬化前の接着剤を光選択透過型ガラス１０（２０、３０）に塗布し、光選択透過型ガラスと固体撮像素子１９の間に、厚さ１０μｍ以下で均一膜厚となるように一体化して、積層基板４０（５０）を得る。紫外線硬化型の接着剤を用いる場合は、光選択透過型ガラス１０（２０、３０）側から紫外線を接着剤２１に照射して重合硬化させるとよい。また、熱硬化型の接着剤を用いる場合は、積層基板５０全体を加熱して重合硬化させるとよい。
なお、光選択透過層１１が、接着剤２１の硬化プロセスにおいて、紫外線を透過しない場合や、熱処理で変質する場合は、ガラス基板１２と固体撮像素子１９との接着後に、ガラス基板１２の表面に光選択透過層１１を形成するとよい。
【０１５３】
また、図３Ａおよび図３Ｂの積層基板において、固体撮像素子１９の電圧印加および電気信号取出用の電気配線は省略した。実際には、画素の小型化による感度低下を抑制できる裏面照射型ＣＭＯＳ固体撮像素子の場合、電気配線がシリコン基板１５の光検出器アレイ１６と対向する側に配置され、シリコン基板１５の貫通電極等の技術により、電極が固体撮像素子裏面に引き出される例が挙げられる。
【０１５４】
積層基板４０（５０）は、ダイシング装置などを用いて固体撮像素子１９のサイズに切断され、固体撮像装置に搭載される。図５は、固体撮像装置６０の要部を概略的に示す断面図であり、光選択透過型ガラス１０（２０）が接合された固体撮像素子１９と、その前面に、反射層１１２と、撮像レンズ３１と、これらを固定する筐体３３とを有する。撮像レンズ３１は、筐体３３の内側に設けられたレンズユニット３２により固定される。反射層１１２は、透明基板の片面または両面に誘電体多層膜を有し、レンズユニット３２の光入射側から固体撮像素子１９の間の光路中に配置される。図５の固体撮像装置６０は、反射層１１２が、レンズユニット３２と光選択透過型ガラス１０（２０）との間に配置された例を示すが、この例に限らず、反射層１１２の誘電体多層膜を撮像レンズ３１の表面に形成した構成でもよい。
【０１５５】
このように、本発明の一実施形態である積層基板４０（５０）は、固体撮像素子１９に光学フィルタ機能をウェハレベルで組み込めるため、生産性が向上するとともに特性の安定化が得られる。さらに、従来の光学フィルタ機能を固体撮像素子１９や撮像レンズ３１に集積化し、光学フィルタ部品点数の削減によりカメラモジュールの組立調整が簡素化されるとともに、固体撮像装置の小型化が可能となる。
【０１５６】
また、本発明の一実施形態の積層基板は、光選択透過型ガラスとシリコン基板とが積層されてなり、ガラス基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数α５０／１００と、シリコン基板の５０℃〜１００℃の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００との差Δα５０／１００（＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃である。
【０１５７】
また、ガラス基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数α２００／３００と、シリコン基板の２００℃〜３００℃の平均熱膨張係数αＳｉ２００／３００との差Δα２００／３００（＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃である。シリコン基板とガラス基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。
【０１５８】
Δα５０／１００は、−０．１５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、−０．１０ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、−０．０５ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、−０．０３ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。Δα５０／１００は、０．１５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、０．１０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、０．０５ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、０．０３ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【０１５９】
Δα２００／３００は、−０．１５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、−０．１０ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、−０．０５ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、−０．０３ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。Δα２００／３００は、０．１５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、０．１０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、０．０５ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、０．０３ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【０１６０】
また、Δα２００／３００とΔα５０／１００の差（Δα２００／３００−Δα５０／１００）は、−０．１６ｐｐｍ／℃〜０．１６ｐｐｍ／℃である。Δα２００／３００−Δα５０／１００が−０．１６ｐｐｍ／℃〜０．１６ｐｐｍ／℃であると、シリコン基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。Δα２００／３００−Δα５０／１００は−０．１２ｐｐｍ／℃以上が好ましく、−０．０８ｐｐｍ／℃以上がより好ましい。また、Δα５０／１００−Δα２００／３００は０．１２ｐｐｍ／℃以下が好ましく、０．０８ｐｐｍ／℃以下がより好ましい。
【０１６１】
また、ガラス基板のアルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０％〜０．１％である。
【０１６２】
本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数α１００／２００と、シリコン基板の１００℃〜２００℃の平均熱膨張係数αＳｉ１００／２００との差Δα１００／２００（＝α１００／２００−αＳｉ１００／２００）が、−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃が好ましい。Δα１００／２００が−０．２５ｐｐｍ／℃〜０．２５ｐｐｍ／℃であれば、シリコン基板とガラス基板との熱膨張係数の差が小さいため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコン基板に発生する残留歪が小さい。
【０１６３】
Δα１００／２００は、−０．１５ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、−０．１０ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、−０．０５ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、−０．０３ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。Δα１００／２００は、０．１５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、０．１０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、０．０５ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、０．０３ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。
【実施例】
【０１６４】
以下に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
［試験例１］
表１〜７に、本発明の一実施形態であるガラス基板に好適なガラス組成を示す。なお、本発明の機能を発現する限り、本実施例の組成に限定されない。【０１６５】
表１〜７に示すガラス組成となるように珪砂等の各種のガラス原料を調合し、該目標組成の原料１００％に対し、酸化物基準の質量百分率表示で、硫酸塩をＳＯ３換算で０．１〜１％、Ｆを０．１６％、Ｃｌを１％添加し、白金坩堝を用いて１５５０〜１６５０℃の温度で３時間加熱し溶融した。溶融にあたっては、白金スターラーを挿入し１時間攪拌しガラスの均質化を行った。次いで溶融ガラスを流し出し、板状に成形後、板状のガラスをＴｇ＋５０℃程度の温度の電気炉に入れ、冷却速度Ｒ（℃／分）で電気炉を降温させ、ガラスが室温になるまで冷却した。【０１６６】
得られたガラスの密度（単位：ｇ／ｃｍ３）、平均熱膨張係数（単位：ｐｐｍ／℃）、ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）、ヤング率（単位：ＧＰａ）、Ｔ２（単位：℃）、Ｔ４（単位：℃）、失透温度（単位：℃）、失透粘性ｌｏｇ１０ηＴＬ（単位：ｄＰａ・ｓｅｃ）、および仮想粘度ｌｏｇ１０η（単位：ｄＰａ・ｓｅｃ）を測定し、表１〜７に示した。また、表１〜７に示した（１）〜（４）は、
（１）：０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）−０．０１７３×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３７７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０７７１×（ＭｇＯの含有量）＋０．１５４３×（ＣａＯの含有量）＋０．１８０８×（ＳｒＯの含有量）＋０．２０８２×（ＢａＯの含有量）＋０．０３４４×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）
（２）：０．０１８１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０００４×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３８７×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０９１３×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６２１×（ＣａＯの含有量）＋０．１９００×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１８０×（ＢａＯの含有量）＋０．０３９１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）
（３）：０．０１７７×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０１９５×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．０３２３×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．１０１５×（ＭｇＯの含有量）＋０．１６８６×（ＣａＯの含有量）＋０．１９９０×（ＳｒＯの含有量）＋０．２１７９×（ＢａＯの含有量）＋０．０３１２×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）
（４）：０．０１１１×（ＳｉＯ２の含有量）＋０．０２５０×（Ａｌ２Ｏ３の含有量）＋０．００７８×（Ｂ２Ｏ３の含有量）＋０．０１４４×（ＭｇＯの含有量）＋０．００５３×（ＣａＯの含有量）＋０．００５２×（ＳｒＯの含有量）＋０．００１３×（ＢａＯの含有量）−０．００４１×（１２．３＋ｌｏｇ１０６０−ｌｏｇ１０η）である。【０１６７】
なお、表中のかっこ書きした値は、計算により求めたものである。ガラス中のＦｅ２Ｏ３残存量は酸化物基準の質量百万分率表示で５０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ、ＳＯ３残存量は１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍであった。以下に各物性の測定方法を示す。【０１６８】
（平均熱膨張係数）
ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて測定した。α５０／１００は測定温度範囲が５０℃〜１００℃、α１００／２００は１００℃〜２００℃、およびα２００／３００は２００℃〜３００℃である。単位をｐｐｍ／℃として表した。【０１６９】
（シリコン基板との平均熱膨張係数の差）
シリコン基板（信越化学工業製）の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００、αＳｉ１００／２００、およびαＳｉ２００／３００を測定し、それぞれのガラス基板の平均熱膨張係数との差Δα５０／１００、Δα１００／２００、Δα２００／３００を求めた。ここで、
Δα５０／１００＝α５０／１００−αＳｉ５０／１００
Δα１００／２００＝α１００／２００−αＳｉ１００／２００
Δα２００／３００＝α２００／３００−αＳｉ２００／３００
である。シリコン基板の平均熱膨張係数αＳｉ５０／１００は２．９４ｐｐｍ／℃、αＳｉ１００／２００は３．３７ｐｐｍ／℃、αＳｉ２００／３００は３．６９ｐｐｍ／℃であった。【０１７０】
（ガラス転移点Ｔｇ）
ＪＩＳ  Ｒ３１０３−３（２００１年）に規定されている方法に従い、ＴＭＡを用いて測定した。【０１７１】
（密度）
泡を含まない約２０ｇのガラス塊をアルキメデス法によって測定した。【０１７２】
（ヤング率）
厚さ０．５ｍｍ〜１０ｍｍのガラスについて、超音波パルス法により測定した。【０１７３】
（Ｔ２）
回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０２ｄ・Ｐａ・ｓとなるときの温度Ｔ２（℃）を測定した。【０１７４】
（Ｔ４）
回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０４ｄ・Ｐａ・ｓとなるときの温度Ｔ４（℃）を測定した。【０１７５】
（ガラス失透温度）
ガラス失透温度は、白金製皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。【０１７６】
（失透粘性）
溶融ガラスの高温（１０００〜１６００℃）における回転粘度計を用いたガラス粘度の測定結果から、フルチャーの式の係数を求め、該係数を用いたフルチャーの式により、ガラス失透温度におけるガラス粘度を求めた。【０１７７】
（ＨＦ重量減少量）
ＨＦ重量減少量は、次の様にして測定した。上述のようにして得られたガラス板を切断し、両面を鏡面研磨して、４０ｍｍ四方、厚さ１ｍｍのガラスサンプルを得た。このガラスサンプルを洗浄後、乾燥させ、重量を測定した。次いで、ガラスサンプルを２５℃に保持した５質量％フッ酸に２０分間浸漬し、洗浄、乾燥させ、浸漬後の重量を測定し、浸漬前からの重量減少量を算出した。浸漬中に薬液を撹拌するとエッチング速度が変動するため、撹拌は実施しなかった。サンプル寸法から表面積を算出し、重量減少量を表面積で割ったのち、さらに浸漬時間で割ることで、単位面積および単位時間当たりの重量減少量（ＨＦ重量減少量）を求めた。【０１７８】
（光弾性定数）
円板圧縮法（「円板圧縮法による化学強化用ガラスの光弾性定数の測定」、横田良助、窯業協会誌、８７［１０］、１９７９年、ｐ．５１９−５２２）により測定した。【０１７９】
【表１】
2016125792.tif 000004
【０１８０】
【表２】
2016125792.tif 000005
【０１８１】
【表３】
2016125792.tif 000006
【０１８２】
【表４】
2016125792.tif 000007
【０１８３】
【表５】
2016125792.tif 000008
【０１８４】
【表６】
2016125792.tif 000009
【０１８５】
【表７】
2016125792.tif 000010
【０１８６】
例１〜６０、６６〜８７は実施例であり、例６１〜６５は比較例である。
実施例である例１〜６０、６６〜８７のガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下であるため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しない。また、５０℃〜１００℃での平均熱膨張係数α５０／１００が２．７０ｐｐｍ／℃〜３．２０ｐｐｍ／℃であり、２００℃〜３００℃での平均熱膨張係数α２００／３００が３．４５ｐｐｍ／℃〜３．９５ｐｐｍ／℃であり、α２００／３００をα５０／１００で除した値α２００／３００／α５０／１００が、１．２０〜１．３０であるため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、シリコン基板およびガラス基板に発生する残留歪が小さくなりやすい。【０１８７】
比較例である例６１〜６５のガラス基板は、α５０／１００、α２００／３００、または、α２００／３００／α５０／１００のいずれか一以上の範囲が本発明の一実施形態のガラス基板の範囲を逸脱する。または、例６１〜６５のガラス基板は、Δα５０／１００、Δα２００／３００、または、Δα２００／３００−Δα５０／１００の範囲が本願発明の一実施形態のガラス基板に関する範囲を逸脱する。または、例６１〜６５のガラス基板は、得られるガラス基板の組成、または、（１）〜（４）の範囲が本願発明の一実施形態のガラス基板に関する範囲を逸脱する。そのため、シリコン基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、シリコン基板に発生する残留応力が大きくなりやすい。【０１８８】
次に、図６に、例８８のガラス基板および例８９のガラス基板それぞれについて、シリコン基板を接触させて熱処理をさせた際の、シリコン基板へのアルカリ金属酸化物の拡散量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）測定を行った結果を示す。例８８のガラス基板はアルカリ金属酸化物（Ｎａ２Ｏ）の含有量が０．１％以下であり、例８９のガラス基板はアルカリ金属酸化物の含有量が０．１％よりも多い。なお、図６中に、参照用に未処理のシリコン基板のＳＩＭＳ測定結果も示す。【０１８９】
ＳＩＭＳ測定には、アルバック・ファイ社のＡＤＥＰＴ１０１０を用いた。ＳＩＭＳ分析の一次イオンにはＣｓイオンを用いた。二次イオン種としては、２８Ｓｉ＋と２３Ｎａ＋の測定を行った。ガラス基板と接触させたシリコン基板の熱処理は、室温から２００℃まで１０分で昇温し、２００℃で１時間保持した後、室温まで１０分で冷却を行った。例８８、８９の組成を表８に示す。【０１９０】
【表８】
2016125792.tif 000011
【０１９１】
例８８は例６にアルカリ金属酸化物であるＮａ２Ｏを０．０３％外割で添加したものであり、実施例である。例８９は例６１にアルカリ金属酸化物であるＮａ２Ｏを０．３２％外割で添加したものであり、比較例である。図６の横軸は、シリコン基板の内、ガラス基板と接触していた側の表面からの深さを示しており、縦軸は、一秒間における２３Ｎａ＋の検出数を２８Ｓｉ＋で除した値を示している。図６から、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％よりも多い例８９のガラス基板と接触していたシリコン基板からは、表層から１００ｎｍ付近までＮａイオンが拡散していることが分かる。なお、参照用のシリコン基板の測定結果は、例８８のプロットとほぼ重なっている。アルカリイオンは電荷を有する為、シリコン基板中でキャリアとして働き、半導体特性を変化させてしまう。それに対して、アルカリ金属酸化物の含有量が０．１％以下である例８８のガラス基板と接触していたシリコン基板は、未処理のシリコン基板と同様にＮａイオンは検出されず、ガラス基板からシリコン基板へのＮａイオンの拡散が生じていないことを示している。【０１９２】
［試験例２］
図１Ａに示す、光選択透過型ガラス１０の製造例を説明する。光選択透過型ガラス１０は、直径１５ｃｍの円形で０．２ｍｍ厚のガラス基板１２の片面に光選択透過層１１を備える。【０１９３】
ガラス基板１２は、表１に記載の例６のガラスを用いる。ここで、アルカリ酸化物（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏなど）の含有量は、０．１％以下とする。ガラス基板１２は、両面研磨加工が施されてなる。【０１９４】
次に、ポリイミド樹脂（ネオプリム（登録商標）Ｃ３４５０）の１５質量％シクロヘキサノン溶液に色素（Ｕ）および色素（Ａ）を混合し、十分に撹拌して溶解させ、塗工液を調製する。この塗工液を、上記ガラス基板１２の片方の主面にスピンコート法により塗布し、溶媒を加熱乾燥させた後、φ１５ｃｍ面内の平均厚さｔ０＝２．７μｍの光選択透過層１１を形成し、光選択透過型ガラス１０を製造する。【０１９５】
ここで、色素（Ａ）は、吸収極大波長λ（Ｔｍｉｎ）が７０５ｎｍのスクアリリウム系化合物を用い、添加量３（透明樹脂（Ｂ）１００質量部に対する質量部）で混合する。また、色素（Ｕ）に、吸収極大波長λ（Ｔｍｉｎ）が３９６ｎｍのオキサゾール系のＵｖｉｔｅｘ（商標）ＯＢを用い、添加量５（透明樹脂（Ｂ）１００質量部に対する質量部）で混合する。【０１９６】
図４は、光選択透過型ガラス１０と併用する誘電体多層膜からなる反射層の分光透過率曲線（入射角：０°）である。反射層は、カメラモジュール内に配置された光学素子に、屈折率１．４５のＳｉＯ２膜と、屈折率２．４１のＴｉＯ２膜を交互に４０層積層してなるものを用いる。【０１９７】
分光透過率を測定した結果、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの近紫外光における平均透過率が０．３％、波長４３０ｎｍ〜６００ｎｍの可視光における平均透過率が９２％、波長７００ｎｍ〜１１５０ｎｍの近赤外光における平均透過率が０．９％で、波長６００ｎｍ〜７００ｎｍで視感度に近似する分光透過率変化となっていることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１９８】
本発明の一実施形態である光選択透過型ガラス基板およびシリコン基板が積層された積層基板は、固体撮像素子を用いたデジタルスチルカメラ、携帯電話カメラ等の撮像装置に有用である。【０１９９】
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１５年２月６日付で出願された日本特許出願（特願２０１５−０２２７１９）、および２０１５年１２月１０日付で出願された日本特許出願（特願２０１５−２４１３０３）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【符号の説明】
【０２００】
１０，２０，３０    光選択透過型ガラス
１１，１１ａ，１１ｂ    光選択透過層
１１１  吸収層
１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ    反射層
１２    ガラス基板
１５    シリコン基板
１６    光検出器アレイ
１７    ＲＧＢモザイクカラーフィルタ
１８    樹脂マイクロレンズ
１９    固体撮像素子
２１    接着剤
３１    撮像レンズ
３２    レンズユニット
３３    筐体
４０，５０    積層基板
６０    固体撮像装置（カメラモジュール）
【図１Ａ】
2016125792.tif 000012
【図１Ｂ】
2016125792.tif 000013
【図１Ｃ】
2016125792.tif 000014
【図２】
2016125792.tif 000015
【図３Ａ】
2016125792.tif 000016
【図３Ｂ】
2016125792.tif 000017
【図４】
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【図５】
2016125792.tif 000019
【図６】
2016125792.tif 000020
【国際調査報告】
2016125792.tif 000021
2016125792.tif 000022
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