(57)【要約】  本発明は、Ｃｏ又はＦｅを含む合金と少なくともＴｉ、Ｂを含む酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織において、酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が、０．００１５個／μｍ２以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタリング時のパーティクル発生の原因となる非磁性材料に起因する異常放電を抑制することができる。【選択図】図１
2016013334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ又はＦｅを含む合金と少なくともＴｉ、Ｂを含む酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットにおいて、酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．００１５個／μｍ２以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．０００７個／μｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
スパッタリングターゲットの組成において、酸化物を構成するＢを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有することを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
スパッタリングターゲットの組成において、酸化物を構成するＴｉを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録媒体におけるグラニュラー膜の成膜に使用される磁性材スパッタリングターゲットに関し、スパッタリングの際にパーティクル発生の原因となる非磁性材の異常放電を抑制することができる、Ｃｏ又はＦｅを主成分とする非磁性材粒子分散型磁性材スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、強磁性金属であるＣｏ又はＦｅをベースとした材料が用いられている。中でも、Ｃｏ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、また、Ｆｅ−Ｐｔ系などの強磁性金属を主成分とする合金と非磁性の無機材料からなる複合材料が多く用いられている。そして、このようなハードディスクなどの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とするスパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。【０００３】
磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの作製方法としては、溶解法や粉末冶金法が考えられる。どちらの手法で作製するかは、要求される特性によるため一概には言えないが、垂直磁気記録方式のハードディスクの記録層に使用される、強磁性金属を主成分とする合金と非磁性の無機物粒子からなるスパッタリングターゲットは、一般に粉末冶金法によって作製されている。これは無機物粒子を合金素地中に均一に分散させる必要があるため、溶解法では作製することが困難だからである。【０００４】
粉末冶金法として、例えば、特許文献１には、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＴｉＯ２粉末とＳｉＯ２粉末を混合して得られた混合粉末とＣｏ球形粉末を遊星運動型ミキサーで混合し、この混合粉をホットプレスにより成形し特許文献２には、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている。
また、特許文献２には、Ｃｏ−Ｃｒ二元系合金粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２粉末を混合して、得られた混合粉末をホットプレスすることにより、磁気記録媒体薄膜形成用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている。【０００５】
また、特許文献３には、Ｃｏ、Ｐｔのマトリックス相と、平均粒径が０．０５μｍ以上７．０μｍ未満の金属酸化物相からなるスパッタリングターゲットが提案され、結晶粒の成長を抑制し、低透磁率、高密度のターゲットを得て、成膜効率を上げる提案がなされている。
さらに、特許文献４には、酸化物相が形成する粒子の平均粒径を３μｍ以下とすること、特許文献５には、シリカ粒子又はチタニア粒子はスパッタリングターゲットの主表面に垂直な断面において、スパッタリングターゲットの主表面に対して垂直な方向の粒径をＤｎ、前記主表面に平行な方向の粒径をＤｐとした時に、２≦Ｄｐ／Ｄｎを満たすことが記載されている。【０００６】
その他、特許文献６には、ターゲット中に存在する酸化物粒子の平均粒径が１．５μｍ以下であり、酸化物粒子の外周上にある任意の２点の距離の最大値を最大径とし、平行な２本の直線で同粒子を挟んだときの２直線間の距離の最小値を最小径とした場合、最大径と最小径の差が０．４μｍ以下の酸化物粒子が、ターゲットの観察面において６０％以上占めることが記載されている。
しかし、これらの条件では、いずれも十分ではなく、さらなる改善が求められているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０８９７６０号パンフレット
【特許文献２】特開２００９−１８６０号公報
【特許文献３】特開２００９−１０２７０７号公報
【特許文献４】特開２００９−２１５６１７号公報
【特許文献５】特開２０１１−２２２０８６号公報
【特許文献６】国際公開第２０１３／１２５４６９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般的に、Ｃｏ又はＦｅを主成分とする、非磁性材粒子分散型スパッタリングターゲットにおいて、酸化物などの非磁性材が絶縁体であるため異常放電の原因となっている。そして、この異常放電が原因でスパッタリング中のパーティクル発生が問題となる。特に、スパッタリングターゲットの組織内に粗大な非磁性材相が形成されると、そこを起点として異常放電が発生して、パーティクルが著しく増加するということがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、非磁性材粒子として酸化物相を含有するスパッタリングターゲットにおいて、該酸化物相を融点の高い材料の形態でターゲットの組織中に存在させることにより、酸化物相の粗大化を防止することができ、スパッタリング時の非磁性材による異常放電が生じず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られることを見出した。【００１０】
このような知見に基づき、本発明者らは、以下の発明を提供するものである。
１）Ｃｏ又はＦｅを含む合金と少なくともＴｉ、Ｂを含む酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットにおいて、酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．００１５個／μｍ２以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
２）酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．０００７個／μｍ２以下であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット。
３）スパッタリングターゲットの組成において、酸化物を構成するＢを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有することを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット。
４）スパッタリングターゲットの組成において、酸化物を構成するＴｉを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有することを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の効果】
【００１１】
このように調整した本発明の非磁性材粒子分散型の磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタリング時の非磁性材による異常放電が生ぜず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られる。これにより、歩留まり向上によるコスト改善効果を得ることができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１のスパッタリングターゲット断面組織を示す図（写真）である。
【図２】比較例１のスパッタリングターゲット断面組織を示す図（写真）である。
【図３】実施例２のスパッタリングターゲット断面組織を示す図（写真）である。
【図４】比較例２のスパッタリングターゲット断面組織を示す図（写真）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｃｏ又はＦｅを主成分とする合金中に、非磁性材料として酸化物粒子が分散する組織を有するものである。Ｃｏ又はＦｅを主成分とする合金としては、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金などの強磁性合金が挙げられる。また、磁気特性を向上させるために、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択した１種以上の元素を含有させることが有効である。
【００１４】
非磁性材料として分散する酸化物粒子には、少なくともＴｉ、Ｂを含む酸化物を含有するものである。従来、Ｂ（ホウ素）を構成成分とする酸化物の原料粉末としてＢ２Ｏ３（酸化ホウ素）が用いられていたが、酸化ホウ素は融点が５７７℃と焼結温度に比べて低いため、焼結時に溶けて凝集し、酸化物の粒子が粗大化する傾向があった。そして、このような粗大粒は、スパッタリング時にパーティクルの発生原因となっていた。そこで、本発明は、Ｂを構成成分とする酸化物の原料粉末の一部又は全部に、融点の高いＴｉＢＯ３を用いることで、焼結時の溶出を防止することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明は、このようにして酸化物粒子の粗大化を抑制することを可能とすることができ、具体的には、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数が、０．００１５個／μｍ２以下とすることができる。このように酸化物粒子を微細なものとすることで、スパッタリング時のパーティクルの発生を著しく抑制することができるという優れた効果を発揮する。さらに好ましくは、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数を、０．００７個／μｍ２以下とする。
【００１６】
また本発明は、Ｂ（ホウ素）と、Ｂ２Ｏ３よりも熱力学的に不安定な酸化物を含有する場合に特に有効である。Ｂと、Ｂ２Ｏ３よりも熱力学的に不安定な酸化物が共存する場合、焼結中に酸化ホウ素が生成されやすくなって、酸化物粒子が粗大化することになる。しかし、原料としてホウ素の複合酸化物を使用することで、焼結中に酸化ホウ素の生成を抑制することができる。Ｂ２Ｏ３よりも熱力学的に不安定な酸化物とは、金属酸化物の標準生成エネルギー（△Ｇ）の絶対値がＢ２Ｏ３のそれより小さい金属酸化物を意味し、例えば、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏが挙げられる。
【００１７】
また、上述した酸化物の他、非磁性材料として公知の酸化物を含有してもよく、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３などが挙げられる。スパッタリングターゲットの組織中、Ｔｉ、Ｂの酸化物を含め、上記の酸化物は単独の酸化物及び／又は複合酸化物として存在する。また、これらの酸化物からなる酸化物粒子も、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数が、０．００１５個／μｍ２以下を満たすものである。さらに、酸化物粒子以外にも、非磁性材料として、炭化物、窒化物、などの公知の材料を添加することができる。酸化物を含む非磁性材料は、体積比率で１０％以上５０％以下とするのが好ましい。１０％未満であると磁性粒子間の磁気的な相互作用を遮断する効果が薄れ、５０％を超えると、非磁性粒子の分散性が悪くなり、パーティクルが増加する傾向にあるため好ましくない。
【００１８】
酸化物粒子の大きさ及び個数の計測は、ばらつきをできるだけ抑えるために、スパッタリングターゲットの表面を酸化物粒子が判別できるまで研磨し、視野７０μｍ×１００μｍでスパッタリングターゲットの任意１０箇所を観察し、そして、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である、いわゆる、粗大な形状の酸化物粒子の個数を計数し、観察面積の合計で除することで、酸化物粒子の単位面積当たりの個数を算出するものとする。
【００１９】
酸化物を構成するＢは、スパッタリングターゲットの組成に対して、０．５ａｔ％以上１５ａｔ％以下含有することが好ましい。Ｂが０．５ａｔ％未満であると所望の磁気特性が得にくくなり、１５ａｔ％超であると、Ｂ２Ｏ３が形成され易くなって粗大化が進行するため好ましくない。さらに、酸化物を構成するＴｉは、スパッタリングターゲットの組成に対して、０．５ａｔ％以上１５ａｔ％以下含有することが好ましい。０．５ａｔ％未満である複合酸化物の形成が十分でなく、１５ａｔ％超であると、磁気特性を制御し難くなるため好ましくない。
【００２０】
本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製することができる。まず、金属粉として、Ｃｏ粉、Ｆｅ粉、Ｐｔ粉などを用意する。このとき単元素の金属粉だけでなく、合金粉を用いることもできる、これらの金属粉は粒径が０．１〜１０μｍの範囲のものを用いることが望ましい。粒径が０．１〜１０μｍであるとより均一な混合が可能であり、焼結ターゲットの偏析と粗大結晶化を防止できる。金属粉末の１０μｍより大きい場合には、酸化物相が微細に分散しないことがあり、また、０．１μｍより小さい場合には、金属粉の酸化の影響が問題になることがある。
【００２１】
本発明において重要なことは、Ｂを構成成分とする酸化物として、Ｂ２Ｏ３の代わりにＴｉＢＯ３などの融点の比較的高いＢの複合酸化物を原料粉として使用することである。ＴｉＢＯ３粉末は、例えばＴｉ２Ｏ３粉末とＢ２Ｏ３粉末とを混合、合成、粉砕したものを使用することができる。酸化物粉の平均粒径は、０．２〜５μｍの範囲のものを用いることが望ましい。粒径が０．２〜５μｍであると金属粉との均一な混合が容易になるという利点がある。一方、酸化物粉の平均粒径が５μｍより大きい場合には、焼結後に粗大な酸化物相が生じることがあり、０．２μｍより小さい場合には、酸化物粉同士の凝集が生じることがある。
【００２２】
次に、上記の原料粉所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。混合時間を短縮して生産性を高めるためには、高エネルギーボールミルを用いることが好ましい。次に、このように得られる混合粉をホットプレス法で真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気において成型・焼結を行う。前記ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法など様々な加圧焼結方法を使用することができる。特に熱間静水圧焼結法は焼結体の密度向上に有効である。焼結温度は組成にもよるが、多くの場合７００℃〜１１００°Ｃの範囲にある。
【００２３】
次に、得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工し、その表面を切削、研磨などすることにより、本発明のスパッタリングターゲットを作製することができる。このようにして製造したスパッタリングターゲットは、スパッタリング時に発生するパーティクル量を著しく低減することができるので、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００２５】
（実施例１）
金属粉末として、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末を、非磁性材粉末として、ＴｉＢＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、用意した。ＴｉＢＯ３粉末については、予め、Ｔｉ２Ｏ３粉末とＢ２Ｏ３粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で２０００ｇ秤量した。
組成（ａｔ％）：Ｃｏ−１６．２６Ｐｔ−３．２５Ｂ−４．８８Ｔｉ−１．６３Ｓｉ−１８．７Ｏ【００２６】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のタングステン合金ボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１２０時間回転させて混合した。このようにして得られた混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９８０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１６４ｍｍ、厚さが４ｍｍの円盤状スパッタリングターゲットを得た。【００２７】
このスパッタリングターゲット表面を研磨して組織をレーザー顕微鏡で観察した。図１において、白っぽく見える領域がＣｏ、Ｐｔの金属相であり、黒っぽく見える領域が酸化物相であった。スパッタリングターゲット表面の任意１０箇所について視野７１μｍ×９４μｍで観察したところ、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ/Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数は１．４０個であった。すなわち、単位面積当たりの平均個数は、０．０００２個／μｍ２であった。
なお、酸化物粒子の面積、周囲の長さを算出するにあたっては、レーザー顕微鏡像をディスプレイに映し出し、画像解析（二値化処理）して、酸化物粒子（黒い部分）の輪郭を明確にした上で算出を行った。また、これら一連の粒子解析は、ＶＫ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（ＫＥＹＥＮＣＥ社製）を用いて行った。【００２８】
次に、このターゲットをＤＣマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー１．０ｋＷ、Ａｒガス圧３．２Ｐａとし、２００秒間、４インチ径のシリコン基板上にスパッタした。そして、基板上に付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は平均５個と極めて少ないレベルにあった。【００２９】
（実施例２）
金属粉末として、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末を、非磁性材粉末として、ＴｉＢＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、用意した。ＴｉＢＯ３粉末については、予め、Ｔｉ２Ｏ３粉末とＢ２Ｏ３粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で２０００ｇ秤量した。
組成（ａｔ％）：Ｃｏ−１５．６３Ｐｔ−４．６９Ｂ−３．９１Ｔｉ−３．１３Ｓｉ−２１．８８Ｏ【００３０】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のタングステン合金ボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１２０時間回転させて混合した。このようにして得られた混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９８０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１６４ｍｍ、厚さが４ｍｍの円盤状スパッタリングターゲットを得た。【００３１】
このスパッタリングターゲット表面を研磨して組織をレーザー顕微鏡で観察した。図１において、白っぽく見える領域がＣｏ、Ｐｔの金属相であり、黒っぽく見える領域が酸化物相であった。そして、実施例１と同様の方法を用いて、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ/Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数を計数したところ、単位面積当たりの平均個数は、０．０００３個／μｍ２と良好な結果を示した。【００３２】
次に、このターゲットをＤＣマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー１．０ｋＷ、Ａｒガス圧３．２Ｐａとし、２００秒間、４インチ径のシリコン基板上にスパッタした。そして、基板上に付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は平均５個と極めて少ないレベルにあった。【００３３】
（比較例１）
金属粉末として、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末を、非磁性材粉末として、Ｂ２Ｏ３粉末、ＴｉＯ2粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で２０００ｇ秤量した。
組成（ａｔ％）：Ｃｏ−１６．２６Ｐｔ−３．２５Ｂ−４．８８Ｔｉ−１．６３Ｓｉ−１８．７Ｏ【００３４】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のタングステン合金ボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１２０時間回転させて混合した。このようにして得られた混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９８０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１６４ｍｍ、厚さが４ｍｍの円盤状スパッタリングターゲットを得た。【００３５】
このスパッタリングターゲット表面を研磨して組織をレーザー顕微鏡で観察した。図２において、白っぽく見える領域がＣｏ、Ｐｔの金属相であり、黒っぽく見える領域が酸化物相であった。そして、実施例１と同様の方法を用いて、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ/Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数を計数したところ、単位面積当たりの平均個数は、０．００２２個／μｍ２と増加していた。次に、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上に付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は平均１００個以上と非常に多いレベルにあった。【００３６】
（比較例２）
金属粉末として、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末を、非磁性材粉末として、Ｂ２Ｏ３粉末、ＴｉＯ2粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で２０００ｇ秤量した。
組成（ａｔ％）：Ｃｏ−１５．６３Ｐｔ−４．６９Ｂ−３．９１Ｔｉ−３．１３Ｓｉ−２１．８８Ｏ【００３７】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のタングステン合金ボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１２０時間回転させて混合した。このようにして得られた混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９８０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１６４ｍｍ、厚さが４ｍｍの円盤状スパッタリングターゲットを得た。【００３８】
このスパッタリングターゲット表面を研磨して組織をレーザー顕微鏡で観察した。図２において、白っぽく見える領域がＣｏ、Ｐｔの金属相であり、黒っぽく見える領域が酸化物相であった。そして、実施例１と同様の方法を用いて、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ/Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数を計数したところ、単位面積当たりの平均個数は、０．００３２個／μｍ２と増加していた。次に、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上に付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は平均１００個以上と非常に多いレベルにあった。【００３９】
（実施例３）
金属粉末として、Ｃｏ粉末、Ｃｏ−Ｂ粉末を、非磁性材粉末として、ＴｉＢＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末を、用意した。ＴｉＢＯ３粉末については、予め、Ｔｉ２Ｏ３粉末とＢ２Ｏ３粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で２０００ｇ秤量した。
組成（ａｔ％）：Ｃｏ−３．３９Ｂ−３．３９Ｔｉ−３．３９Ｓｉ−１５．２５Ｏ【００４０】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のタングステン合金ボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１２０時間回転させて混合した。このようにして得られた混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９８０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１６４ｍｍ、厚さが４ｍｍの円盤状スパッタリングターゲットを得た。【００４１】
このスパッタリングターゲット表面を研磨して組織をレーザー顕微鏡で観察した。実施例１と同様の方法を用いて、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ/Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数を計数したところ、単位面積当たりの平均個数は、０．０００２個／μｍ２と良好な結果を示した。次に、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上に付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は平均６個と極めて少ないレベルにあった。【００４２】
（実施例４）
金属粉末として、Ｆｅ粉末、Ｆｅ−Ｂ粉末、Ｐｔ粉末を、非磁性材粉末として、ＴｉＢＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末、ＭｎＯ２粉末を、用意した。ＴｉＢＯ３粉末については、予め、Ｔｉ２Ｏ３粉末とＢ２Ｏ３粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で２０００ｇ秤量した。
組成（ａｔ％）：Ｆｅ−３３．３３Ｐｔ−３．３３Ｂ−３．３３Ｔｉ−４．１７Ｍｎ−１６．６７Ｏ【００４３】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体の鋼球ボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１２０時間回転させて混合した。このようにして得られた混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９８０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件でホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１６４ｍｍ、厚さが４ｍｍの円盤状スパッタリングターゲットを得た。【００４４】
このスパッタリングターゲット表面を研磨して組織をレーザー顕微鏡で観察した。実施例１と同様の方法を用いて、粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ/Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の個数を計数したところ、単位面積当たりの平均個数は、０．０００６個／μｍ２と良好な結果を示した。次に、実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、基板上に付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は平均６個と極めて少ないレベルにあった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、酸化物相の凝集（粗大化）を抑制することにより、スパッタリング時の非磁性材による異常放電を抑制することができる。本発明によれば、異常放電が原因となるスパッタリング中のパーティクル発生を減少させ、歩留まり向上によるコスト改善効果を得ることができるという優れた効果を有するので、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
【図１】
2016013334.tif 000003
【図２】
2016013334.tif 000004
【図３】
2016013334.tif 000005
【図４】
2016013334.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月24日(2015.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ又はＦｅを含む合金と少なくともＴｉ、Ｂを含む酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットにおいて、酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．００１５個／μｍ２以下であり、スパッタリングターゲットの組成において、酸化物を構成するＢを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有し、酸化物を構成するＴｉを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．０００７個／μｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ又はＦｅを含む合金と少なくともＴｉ−Ｂ酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットにおいて、酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．００１５個／μｍ２以下であり、スパッタリングターゲットの組成において、酸化物を構成するＢを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有し、酸化物を構成するＴｉを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．０００７個／μｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月8日(2016.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ又はＦｅを含む合金と少なくともＴｉ−Ｂ酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットにおいて、酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．００１５個／μｍ２以下であり、スパッタリングターゲットの組成において、酸化物を構成するＢを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有し、酸化物を構成するＴｉを０．５ａｔ％〜１５ａｔ％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
酸化物の粒子面積Ｓが１０μｍ２以上、かつ、粒子面積Ｓと粒子の周囲の長さＬとの比（Ｓ／Ｌ）が０．３５以上である酸化物粒子の平均個数が０．０００７個／μｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【国際調査報告】
2016013334.tif 000007
2016013334.tif 000008
2016013334.tif 000009
2016013334.tif 000010