(57)【要約】  モジュール基板（２）は、絶縁層（３Ａ）〜（３Ｃ）、グランド電極（４Ａ）〜（４Ｄ）、信号電極（５Ａ）〜（５Ｄ）、層間ビア（６Ａ）〜（６Ｃ），（７Ａ）〜（７Ｃ）等を備える。モジュール基板（２）の表面には、電子部品（８）が実装されると共に、電子部品（８）を覆って封止樹脂層（９）が形成される。モジュール基板（２）には、外周縁側に位置して、厚さ方向の途中位置まで窪んだハーフカット部（１０）が形成される。モジュール基板（２）には、封止樹脂層（９）を覆ってシールド層（１１）が形成される。シールド層（１１）は、ハーフカット部（１０）に進入した枠部（１１Ｂ）を備える。枠部（１１Ｂ）は、ハーフカット部（１０）の端面（１０Ａ）及び底面（１０Ｂ）に露出したグランド用層間ビア（６Ａ），（６Ｂ）に電気的に接続される。
2015194435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に電子部品が実装されたモジュール基板と、
前記モジュール基板の外周縁よりも中央側に後退した位置に設けられたグランド電位の層間ビアと、
前記電子部品が埋設されるように前記モジュール基板の表面に設けられた絶縁性の封止樹脂層と、
前記モジュール基板の外周縁に位置して前記モジュール基板の表面から厚さ方向の途中位置まで窪んで形成され前記層間ビアの一部が露出したハーフカット部と、
前記封止樹脂層を覆って前記モジュール基板の表面に設けられ、その一部が前記ハーフカット部内に進入して前記層間ビアに電気的に接続された導電性のシールド層と、
を備えた回路モジュール。
【請求項２】
前記モジュール基板の表面には、グランド電位の表面側グランド電極を設け、
前記表面側グランド電極には導電性接合材料を設け、
前記導電性接合材料は、その一部が前記ハーフカット部を臨む位置に露出して前記シールド層に電気的に接続されてなる請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
電子部品を実装した複数個の子基板に分割される基板であって、前記各子基板の領域の境界線である分割線から前記子基板側に後退した位置に、グランド電位の層間ビアが配置された集合基板を用意する第１工程と、
前記集合基板の表面に、前記電子部品が埋設されるように絶縁性の封止樹脂層を形成する第２工程と、
前記封止樹脂層が形成された前記集合基板を表面側から切削し、前記封止樹脂層を貫通して前記集合基板の厚さ方向の途中位置までハーフカットし、前記層間ビアの一部を露出させる第３工程と、
ハーフカットされた前記集合基板の表面側に導電性のシールド層を形成し、前記シールド層と前記層間ビアとを電気的に接続させる第４工程と、
前記シールド層が形成された前記集合基板を前記分割線に沿って切断し、前記シールド層により前記電子部品をシールドする構造の複数個の回路モジュールを得る第５工程と、
を備えた回路モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記集合基板の表面には、グランド電位の表面側グランド電極を設け、
前記電子部品を前記集合基板に実装するときには、前記集合基板の表面には前記電子部品と対応した位置に加えて、前記表面側グランド電極に導電性接合材料を設け、
前記第３工程では、前記集合基板をハーフカットするときに、前記表面側グランド電極に設けた導電性接合材料の一部を露出させ、
前記第４工程では、前記シールド層と前記層間ビアおよび前記導電性接合材料とを電気的に接続させてなる請求項３に記載の回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装した回路モジュール及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、回路モジュールとして、基板表面に電子部品を実装すると共に、該電子部品を埋設するように絶縁性樹脂で封止し、絶縁性樹脂を導電性のシールド層で覆う構成としたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような回路モジュールでは、シールド層によって、外部からの電磁波の侵入や、外部への電磁波の漏洩を低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１７２１７６号公報
【発明の概要】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載された回路モジュールでは、基板をハーフカットしたときに生じるハーフカット溝をシールド層で覆い、基板の内部に形成された内部電極（内層パターン）をハーフカット溝の内部でシールド層に接触させてグランドに接続している。しかしながら、加工精度等の関係から、ハーフカット溝の深さ寸法を高精度に設定することが難しい傾向がある。このため、基板の板厚が薄い場合に、ハーフカット溝が浅過ぎると、ハーフカット溝内に内部電極が露出せず、ハーフカット溝が深過ぎると、基板を切断してしまう虞れがある。これに加え、内部電極の厚みが薄いと、シールド層と基板端面の内部電極との接触面積が小さくなり、シールド層とグランドとの間の接続信頼性が低下するという問題やシールド効果が低減する問題もある。
【０００５】
本発明は前述の問題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、シールド層とグランドとの間の接続信頼性を高めることができ、確実なシールド効果を発揮する回路モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
（１）．上記課題を解決するために、本発明による回路モジュールは、表面側に電子部品が実装されたモジュール基板と、前記モジュール基板の外周縁よりも中央側に後退した位置に設けられたグランド電位の層間ビアと、前記電子部品が埋設されるように前記モジュール基板の表面に設けられた絶縁性の封止樹脂層と、前記モジュール基板の外周縁に位置して前記モジュール基板の表面から厚さ方向の途中位置まで窪んで形成され前記層間ビアの一部が露出したハーフカット部と、前記封止樹脂層を覆って前記モジュール基板の表面に設けられ、その一部が前記ハーフカット部内に進入して前記層間ビアに電気的に接続された導電性のシールド層と、を備えている。
【０００７】
本発明によれば、モジュール基板の外周縁に配置したハーフカット部には、層間ビアの一部が露出する。このため、モジュール基板の表面に設けられたシールド層は、その一部がハーフカット部内に進入して層間ビアに接触する。この結果、シールド層と層間ビアとを電気的に接続することができるから、層間ビアを通じてシールド層をグランドに接続することができ、シールド層とグランドとの間の接続信頼性を高め、確実なシールド効果を発揮することができる。
【０００８】
（２）．本発明は、前記モジュール基板の表面には、グランド電位の表面側グランド電極を設け、前記表面側グランド電極には導電性接合材料を設け、前記導電性接合材料は、その一部が前記ハーフカット部を臨む位置に露出して前記シールド層に電気的に接続されることにある。
【０００９】
本発明によれば、表面側グランド電極に設けた導電性接合材料は、その一部がハーフカット部を臨む位置に露出するから、この露出した部分を通じて導電性接合材料をシールド層に電気的に接続することができる。この結果、層間ビアに加えて導電性接合材料を通じてシールド層をグランドに接続することができ、導電性接合材料を省いた場合に比べて、シールド層とグランドとの間の接続信頼性をさらに高めることができる。
【００１０】
（３）．本発明による回路モジュールの製造方法は、電子部品を実装した複数個の子基板に分割される基板であって、前記各子基板の領域の境界線である分割線から前記子基板側に後退した位置に、グランド電位の層間ビアが配置された集合基板を用意する第１工程と、前記集合基板の表面に、前記電子部品が埋設されるように絶縁性の封止樹脂層を形成する第２工程と、前記封止樹脂層が形成された前記集合基板を表面側から切削し、前記封止樹脂層を貫通して前記集合基板の厚さ方向の途中位置までハーフカットし、前記層間ビアの一部を露出させる第３工程と、ハーフカットされた前記集合基板の表面側に導電性のシールド層を形成し、前記シールド層と前記層間ビアとを電気的に接続させる第４工程と、前記シールド層が形成された前記集合基板を前記分割線に沿って切断し、前記シールド層により前記電子部品をシールドする構造の複数個の回路モジュールを得る第５工程と、を備えたことにある。
【００１１】
本発明によれば、集合基板には、分割線から子基板側に後退した位置に、グランド電位の層間ビアを配置している。これにより、分割線に沿って集合基板をハーフカットした場合に、集合基板に形成されたハーフカット溝の端面や底面に、層間ビアの一部を露出させることができる。このため、ハーフカットされた集合基板の表面側に導電性のシールド層を形成することによって、シールド層と層間ビアとを接触させることができる。この結果、シールド層と層間ビアとを電気的に接続することができるから、層間ビアを通じてシールド層をグランドに接続することができ、シールド層とグランドとの間の接続信頼性を高め、確実なシールド効果を発揮することができる。
【００１２】
また、層間ビアは集合基板の厚さ方向に延びるので、集合基板の表面側から切削加工を施して集合基板の厚さ方向の途中位置までハーフカットすると、ハーフカット溝の深さ寸法に拘らず、層間ビアの一部がハーフカット溝の内部に露出する。このため、ハーフカット溝の深さ寸法を高精度に設定する必要がなく、安価に回路モジュールを製造することができる。
【００１３】
（４）．本発明は、前記集合基板の表面には、グランド電位の表面側グランド電極を設け、前記電子部品を前記集合基板に実装するときには、前記集合基板の表面には前記電子部品と対応した位置に加えて、前記表面側グランド電極に導電性接合材料を設け、前記第３工程では、前記集合基板をハーフカットするときに、前記表面側グランド電極に設けた導電性接合材料の一部を露出させ、前記第４工程では、前記シールド層と前記層間ビアおよび前記導電性接合材料とを電気的に接続させることにある。
【００１４】
本発明によれば、表面側グランド電極に導電性接合材料を設けたから、集合基板をハーフカットしたときには、層間ビアの一部をハーフカット溝の内部に露出させることができるのに加えて、表面側グランド電極に設けた導電性接合材料の一部を、ハーフカット溝の内部に露出させることができる。このため、ハーフカットされた集合基板の表面側に導電性のシールド層を形成することによって、シールド層と層間ビアとを電気的に接続させることができると共に、シールド層と導電性接合材料とを電気的に接続することができる。この結果、層間ビアに加えて導電性接合材料を通じてシールド層をグランドに接続することができ、導電性接合材料を省いた場合に比べて、シールド層とグランドとの間の接続信頼性をさらに高めることができる。
【００１５】
また、導電性接合材料は、電子部品を集合基板に実装するときに、集合基板の表面には電子部品と対応した位置に設けるのに加えて、表面側グランド電極に設けている。このため、導電性接合材料によって電子部品を集合基板に接合することができると共に、導電性接合材料を表面側グランド電極に固定することができる。これにより、電子部品を基板に実装するのと同時に、導電性接合材料を表面側グランド電極に設けることができるから、導電性接合材料を設けるための新たな工程を加える必要がない。このため、導電性接合材料を表面側グランド電極に設けない場合と比べて、同程度の生産性を維持することができる。これに加え、電子部品を実装するための導電性接合材料を用いて、シールド層とグランドとの間の接続信頼性を高めることができるから、電子部品等とは別個の接続部品を用いた場合に比べて、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施の形態による回路モジュールを示す断面図である。
【図２】回路モジュールを図１中の矢示II−II方向からみた平面図である。
【図３】シールド層を省いた状態の回路モジュールを示す図２と同様な位置からみた平面図である。
【図４】第１の実施の形態による回路モジュールの製造方法に用いる集合基板を示す平面図である。
【図５】集合基板準備工程を示す図４中の矢示Ｖ−Ｖ方向からみた断面図である。
【図６】封止樹脂層形成工程を示す図５と同様な位置の断面図である。
【図７】ハーフカット工程を示す図５と同様な位置の断面図である。
【図８】シールド層形成工程を示す図５と同様な位置の断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による回路モジュールを示す断面図である。
【図１０】導電性接合材料を集合基板に設ける工程を示す断面図である。
【図１１】部品実装工程を示す図１０と同様な位置の断面図である。
【図１２】封止樹脂層形成工程を示す図１０と同様な位置の断面図である。
【図１３】ハーフカット工程を示す図１０と同様な位置の断面図である。
【図１４】シールド層形成工程を示す図１０と同様な位置の断面図である。
【図１５】本発明の変形例による回路モジュールを示す図２と同様な位置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態による回路モジュールについて、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１８】
まず、図１ないし図９に本発明の第１の実施の形態を示す。第１の実施の形態による回路モジュール１は、モジュール基板２、電子部品８、封止樹脂層９、ハーフカット部１０、シールド層１１等を備えている。
【００１９】
モジュール基板２は、絶縁層３Ａ〜３Ｃ、グランド電極４Ａ〜４Ｄ、信号電極５Ａ〜５Ｄ、層間ビア６Ａ〜６Ｃ，７Ａ〜７Ｃ等を備えている。モジュール基板２の表面は、電子部品８が実装される部品実装面になっている。また、モジュール基板２の総厚は、例えば、０．１ｍｍ以上で１.０ｍｍ以下である。
【００２０】
モジュール基板２は、複数（例えば３層）の絶縁層３Ａ〜３Ｃを備えている。絶縁層３Ａ〜３Ｃは、例えばエポキシ系を主体とする熱硬化性樹脂や熱可塑樹脂等によって形成され、積層されている。絶縁層３Ａ〜３Ｃの厚さ寸法は、例えば５μｍ以上で２００μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。なお、絶縁層３Ａ〜３Ｃは、樹脂等の有機材料に限らず、例えばセラミックス等の無機材料によって形成してもよい。また、モジュール基板２は、３層の絶縁層３Ａ〜３Ｃを備える場合を例示したが、１層または２層の絶縁層を備えてもよく、４層以上の絶縁層を備えてもよい。
【００２１】
モジュール基板２は、グランド電極４Ａ〜４Ｄ、信号電極５Ａ〜５Ｄからなる複数（例えば４層）の導体層を備えている。導体層と絶縁層３Ａ〜３Ｃは、交互に積み重ねて形成されている。グランド電極４Ａ〜４Ｄ、信号電極５Ａ〜５Ｄは、例えば銅等の導電性金属材料からなる薄膜によって形成されている。グランド電極４Ａ〜４Ｄ、信号電極５Ａ〜５Ｄの厚さ寸法は、例えば、５μｍ以上で３５μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【００２２】
なお、同一の導体層にグランド電極４Ａ〜４Ｄ、信号電極５Ａ〜５Ｄが混在する構成としたが、グランド電極と信号電極とを厚さ方向の異なる位置に配置して、それぞれ別個の導体層を構成してもよい。また、導体層は、必ずしも４層設ける必要はなく、２層または３層設けてもよく、５層以上設けてもよい。
【００２３】
図１に示すように、グランド電極４Ａは、モジュール基板２（絶縁層３Ａ）の表面に形成され、表面側グランド電極を構成している。図３に示すように、グランド電極４Ａは、例えば、モジュール基板２の外周縁を取り囲んで枠状に形成されている。グランド電極４Ａは、その外周縁側の端部がハーフカット部１０まで延びている。グランド電極４Ｂは、絶縁層３Ａ，３Ｂ間に形成され、グランド電極４Ｃは、絶縁層３Ｂ，３Ｃ間に形成されている。これにより、グランド電極４Ｂ，４Ｃは、モジュール基板２の内部に配置されている。グランド電極４Ｄは、モジュール基板２（絶縁層３Ｃ）の裏面に形成されると共に、外部のグランドに接続可能となっている。グランド電極４Ａ〜４Ｄは、厚さ方向で異なる位置の導体層間を接続するグランド用層間ビア６Ａ〜６Ｃ（層間ビア６Ａ〜６Ｃ）によって相互に接続されている。これにより、グランド電極４Ａ〜４Ｄは、グランド電位に保持される。
【００２４】
信号電極５Ａ〜５Ｄは、グランド電極４Ａ〜４Ｄとほぼ同様に形成される。信号電極５Ａは、モジュール基板２（絶縁層３Ａ）の表面に形成され、後述の電子部品８が接合されている。信号電極５Ｂは、絶縁層３Ａ，３Ｂ間に形成され、信号電極５Ｃは、絶縁層３Ｂ，３Ｃ間に形成されている。信号電極５Ｄは、モジュール基板２（絶縁層３Ｃ）の裏面に形成されると共に、外部の信号線等に接続可能となっている。信号電極５Ａ〜５Ｄは、厚さ方向で異なる位置の導体層間を接続する信号用層間ビア７Ａ〜７Ｃによって相互に接続されている。これにより、信号電極５Ａ〜５Ｄは、後述の電子部品８に各種の信号や駆動電圧等を供給する。
【００２５】
グランド用層間ビア６Ａ〜６Ｃは、絶縁層３Ａ〜３Ｃに設けられ、グランド電極４Ａ〜４Ｄを電気的に接続している。具体的には、層間ビア６Ａは、絶縁層３Ａを貫通して形成され、グランド電極４Ａ，４Ｂを接続している。層間ビア６Ｂは、絶縁層３Ｂを貫通して形成され、グランド電極４Ｂ，４Ｃを接続している。層間ビア６Ｃは、絶縁層３Ｃを貫通して形成され、グランド電極４Ｃ，４Ｄを接続している。
【００２６】
グランド用層間ビア６Ａ〜６Ｃは、例えばレーザ加工等によって各絶縁層３Ａ〜３Ｃを貫通する貫通孔を形成した後、貫通孔に銅めっきや導電ペースト等を設けることによって形成されている。図２に示すように、層間ビア６Ａ〜６Ｃは、モジュール基板２の外周縁よりも中央側に後退した位置で外周縁に沿って列状に複数個設けられている。ここで、同一層で互いに隣接する２個の層間ビア６Ａの間隔寸法は、例えば１００μｍ以上で１０００μｍ以下に設定されている。同一層で互いに隣接する２個の層間ビア６Ｂの間隔寸法や同一層で互いに隣接する２個の層間ビア６Ｃの間隔寸法も、同程度の値に設定されている。
【００２７】
層間ビア６Ａ〜６Ｃの外径寸法は、例えば数十μｍ〜数百μｍ程度になっている。また、層間ビア６Ａ〜６Ｃが銅めっきで形成されている場合には、めっき厚は、例えば５μｍ以上であることが好ましい。層間ビア６Ａ〜６Ｃは、めっきの穴埋めがあってもよく、穴埋めがなくてもよい。
【００２８】
層間ビア６Ａ〜６Ｃは、例えばモジュール基板２の厚さ方向に対して直線状に並んで配置されている。なお、層間ビア６Ａ〜６Ｃは、必ずしも厚さ方向で直線状に並んで配置する必要はなく、各絶縁層３Ａ〜３Ｃ毎に異なる位置に設けてもよい。また、層間ビア６Ａ〜６Ｃのうち少なくとも１個は、その一部が後述のハーフカット部１０内に露出している。
【００２９】
信号用層間ビア７Ａ〜７Ｃは、グランド用層間ビア６Ａ〜６Ｃとほぼ同様に形成される。信号用層間ビア７Ａ〜７Ｃは、絶縁層３Ａ〜３Ｃに設けられ、信号電極５Ａ〜５Ｄを電気的に接続している。具体的には、信号用層間ビア７Ａは、絶縁層３Ａを貫通して形成され、信号電極５Ａ，５Ｂを接続している。信号用層間ビア７Ｂは、絶縁層３Ｂを貫通して形成され、信号電極５Ｂ，５Ｃを接続している。信号用層間ビア７Ｃは、絶縁層３Ｃを貫通して形成され、信号電極５Ｃ，５Ｄを接続している。
【００３０】
電子部品８は、モジュール基板２の表面に設けられ、例えば、半導体素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗等により構成されている。この電子部品８は、例えばはんだ等の導電性接合材料を用いてモジュール基板２の表面に設けられた信号電極５Ａに接合されている。この結果、電子部品８は、信号電極５Ａ〜５Ｄを介して電子回路を構成している。
【００３１】
封止樹脂層９は、モジュール基板２の表面に設けられ、その内部に電子部品８が埋設されている。この封止樹脂層９は、絶縁性樹脂材料により形成され、モジュール基板２の表面を封止している。
【００３２】
図２に示すように、ハーフカット部１０は、モジュール基板２の外周縁に沿って設けられている。このハーフカット部１０は、モジュール基板２の表面から厚さ方向の途中位置まで窪んで形成されている。即ち、ハーフカット部１０は、モジュール基板２の外周縁のうち表面側部分が除去され、裏面側部分が残存することによって形成されている。このため、モジュール基板２の裏面側部分は、ハーフカット部１０に対応した分だけ外周縁側に向けてフランジ状に突出している。
【００３３】
また、ハーフカット部１０の端面１０Ａまたは底面１０Ｂには、グランド用層間ビア６Ａ〜６Ｃの一部が露出している（図１参照）。即ち、ハーフカット部１０の端面１０Ａまたは底面１０Ｂには、グランド電極４Ａ，４Ｂ及びグランド用層間ビア６Ａ，６Ｂが部分的に露出する。なお、ハーフカット部１０には、グランド用層間ビア６Ａ，６Ｂに限らず、グランド用層間ビア６Ｃが露出していてもよい。
【００３４】
シールド層１１は、封止樹脂層９を覆ってモジュール基板２の表面に設けられている。このシールド層１１は、例えば、銀、銅等の導電性の粒子を樹脂材料等のバインダに配合した導電性樹脂材料によって形成されている。シールド層１１の厚さ寸法は、例えば、１０μｍ以上で３００μｍ以下である。シールド層１１は、封止樹脂層９の天面部分を覆う天面部１１Ａと、封止樹脂層９の外周面を取り囲んでハーフカット部１０内に進入した枠部１１Ｂとを備える。
【００３５】
シールド層１１の枠部１１Ｂは、モジュール基板２の外形に応じて例えば四角形状に形成されている。シールド層１１の枠部１１Ｂは、基端部が天面部１１Ａの外周縁に接続され、先端部が天面部１１Ａからモジュール基板２の厚さ方向の裏面側に向けて延びて、ハーフカット部１０の底面１０Ｂに接触している。これにより、枠部１１Ｂは、ハーフカット部１０に露出したグランド電極４Ａ，４Ｂ及びグランド用層間ビア６Ａ，６Ｂと電気的に接続されている。このとき、シールド層１１は、グランド電位のグランド用層間ビア６Ａ，６Ｂ等に接続されるので、グランド電位に保持される。この結果、シールド層１１は、電子部品８を電界ノイズ及び電磁波ノイズからシールドする。
【００３６】
なお、シールド層１１は、導電性樹脂材料に限らず、例えばめっき等によって形成された金属膜によって形成してもよい。
【００３７】
次に、図４ないし図８を用いて、回路モジュール１の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、図４および図５に、第１工程としての集合基板準備工程を示す。集合基板準備工程では、複数の子基板１３がマトリックス状に形成された集合基板１２を用意する。後述するように、集合基板１２は分割線Ｄの位置で切断されることによって、電子部品８を実装した複数個の子基板１３が分離され、回路モジュール１が形成される。このため、分割線Ｄは、各子基板１３の領域の境界線となっている。また、子基板１３は、回路モジュール１のモジュール基板２に対応する。
【００３９】
このとき、集合基板１２は、絶縁層１４Ａ〜１４Ｃと、グランド電極１５Ａ〜１５Ｄ、信号電極１６Ａ〜１６Ｄからなる導体層とを積み重ねて形成され、絶縁層１４Ａ〜１４Ｃには、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃ、信号用層間ビア１８Ａ〜１８Ｃが設けられている。グランド電極１５Ａ〜１５Ｄは、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃによって電気的に接続されている。信号電極１６Ａ〜１６Ｄは、信号用層間ビア１８Ａ〜１８Ｃによって電気的に接続されている。この場合、絶縁層１４Ａ〜１４Ｃ、グランド電極１５Ａ〜１５Ｄ、信号電極１６Ａ〜１６Ｄ、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃ、信号用層間ビア１８Ａ〜１８Ｃは、回路モジュール１の、絶縁層３Ａ〜３Ｃ、グランド電極４Ａ〜４Ｄ、信号電極５Ａ〜５Ｄ、グランド用層間ビア６Ａ〜６Ｃ、信号用層間ビア７Ａ〜７Ｃにそれぞれ対応する。
【００４０】
ここで、表面側グランド電極としてのグランド電極１５Ａは、集合基板１２の表面に位置して、例えば分割線Ｄに沿って設けられている。このグランド電極１５Ａは、集合基板１２のうち分割線Ｄを跨いで隣接した２つの子基板１３に進出している。即ち、グランド電極１５Ａは、分割線Ｄから子基板１３側に後退した位置まで延びている。このとき、グランド電極１５Ａは、後述のハーフカット溝２０の溝幅よりも大きな幅寸法を有している。このため、ハーフカット溝２０を形成した後でも、グランド電極１５Ａは、その一部が集合基板１２の表面に残存する。また、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃは、集合基板１２のうち分割線Ｄから子基板１３側に後退した位置に配置されている。
【００４１】
さらに、集合基板１２の表面には、例えばリフローはんだ付け処理を用いて、電子部品８が実装されている。このとき、電子部品８の実装は、例えば、信号電極１６Ａにクリームはんだを塗布した後、クリームはんだに接触した状態で電子部品８を載置する。この状態で、リフロー炉で集合基板１２を加熱して、電子部品８を信号電極１６Ａに接合する。
【００４２】
図６に、第２工程としての封止樹脂層形成工程を示す。集合基板準備工程に続く封止樹脂層形成工程では、集合基板１２の表面に、電子部品８を覆って絶縁性の樹脂材料からなる封止樹脂層１９を形成する。具体的には、封止樹脂層１９は、絶縁性の樹脂材料を集合基板１２の表面に塗布して、硬化させた後、その天面部分を研磨することによって、形成される。このとき、電子部品８は、集合基板１２と封止樹脂層１９との間に埋設される。ここで、封止樹脂層１９は、回路モジュール１の封止樹脂層９に対応する。
【００４３】
図７に、第３工程としてのハーフカット工程を示す。封止樹脂層形成工程に続くハーフカット工程では、子基板１３の分割線Ｄに沿って、集合基板１２の表面側からハーフカットを行う。具体的には、封止樹脂層１９を貫通して集合基板１２の厚さ方向の途中位置までダイサー等を用いて切削し、集合基板１２に例えば断面四角形状のハーフカット溝２０を形成する。このとき、ハーフカット溝２０は、例えば、グランド用層間ビア１７Ａ，１７Ｂを部分的に除去するように、形成される。このため、ハーフカット溝２０の端面２０Ａは、グランド用層間ビア１７Ａ等と交差する位置に配置され、集合基板１２の厚さ方向に延びる。また、ハーフカット溝２０の底面２０Ｂは集合基板１２の裏面に到達していないから、互いに隣接した２個の子基板１３は、集合基板１２の裏面側で部分的につながった状態となる。この結果、ハーフカット溝２０の端面２０Ａ及び底面２０Ｂには、グランド用層間ビア１７Ａ，１７Ｂの一部が露出する。
【００４４】
なお、ハーフカット溝２０の深さ寸法が小さいときには、グランド用層間ビア１７Ａだけがハーフカット溝２０内に露出してもよい。また、ハーフカット溝２０の深さ寸法が大きいときには、グランド用層間ビア１７Ａ，１７Ｂに加えて、グランド用層間ビア１７Ｃがハーフカット溝２０内に露出してもよい。
【００４５】
図８に、第４工程としてのシールド層形成工程を示す。封止樹脂層形成工程に続くシールド層形成工程では、集合基板１２の表面側に導電性のシールド層２１を設ける。具体的には、シールド層形成工程では、導電性樹脂材料を、封止樹脂層１９を覆うように塗布すると共に、ハーフカット溝２０内に充填して、硬化させる。これにより、封止樹脂層１９の天面部分を覆う天面部２１Ａと、ハーフカット溝２０内に進入した枠部２１Ｂとを備えたシールド層２１が形成される。このとき、ハーフカット溝２０内に進入した枠部２１Ｂは、ハーフカット溝２０の端面２０Ａ及び底面２０Ｂに露出しているグランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃの一部と接触し、電気的に接続される。ここで、シールド層２１は、回路モジュール１のシールド層１１に対応する。
【００４６】
なお、シールド層２１は、導電性樹脂材料によるものに限らず、金属膜によって形成してもよい。この場合、例えば、封止樹脂層１９が設けられた集合基板１２の表面側にめっき処理等を施すことによって、金属膜によるシールド層２１を形成することができる。
【００４７】
シールド層形成工程に続く第５工程としての分割工程では、ダイサー等を用いて集合基板１２を分割線Ｄに沿って切断し、子基板１３を個別に分離する。このとき、ハーフカット溝２０の溝幅よりも小さい幅寸法をもったダイサーを用いて、分割線Ｄの位置で集合基板１２を切断する。このため、ハーフカット溝２０は、分割線Ｄに沿って溝幅方向の中央位置で２つに分割され、断面Ｌ字状のハーフカット部１０となる。これにより、集合基板１２から子基板１３に分割され、シールド層２１により電子部品８がシールドされた複数個の回路モジュール１が製造される。
【００４８】
かくして、第１の実施の形態によれば、モジュール基板２の外周縁に配置したハーフカット部１０には、グランド用層間ビア６Ａ〜６Ｃの一部として例えばグランド用層間ビア６Ａ，６Ｂが露出する。このため、モジュール基板２の表面に設けられたシールド層１１は、その一部がハーフカット部１０内に進入してグランド用層間ビア６Ａ，６Ｂに接触する。この結果、シールド層１１とグランド用層間ビア６Ａ，６Ｂとを電気的に接続することができるから、グランド用層間ビア６Ａ，６Ｂを通じてシールド層１１をグランドに接続することができる。従って、回路モジュール１は、層間ビアがない回路モジュールと比べて、シールド層１１とグランド電位となるグランド用層間ビア６Ａ，６Ｂとの接触面積を大きくすることができ、シールド層１１とグランドとの間の接続信頼性を高め、確実なシールド効果を発揮することができる。
【００４９】
また、回路モジュール１を製造するときには、集合基板１２には、分割線Ｄから子基板１３側に後退した位置に、グランド電位のグランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃを配置している。これにより、分割線Ｄに沿って集合基板１２をハーフカットした場合に、集合基板１２に形成されたハーフカット溝２０の端面２０Ａや底面２０Ｂに、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃの一部（例えば、層間ビア１７Ａ，１７Ｂ）を露出させることができる。このため、ハーフカットされた集合基板１２の表面側に導電性のシールド層２１を形成することによって、ハーフカット溝２０内に露出したグランド用層間ビア１７Ａ，１７Ｂとシールド層２１とを接触させることができる。この結果、シールド層２１とグランド用層間ビア１７Ａ，１７Ｂとを電気的に接続することができるから、グランド用層間ビア１７Ａ，１７Ｂを通じてシールド層２１をグランドに接続することができ、シールド層２１とグランドとの間の接続信頼性を高め、確実なシールド効果を発揮することができる。
【００５０】
また、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃは集合基板１２の厚さ方向に延びるので、集合基板１２の表面側から切削加工を施して集合基板１２の厚さ方向の途中位置までハーフカットすると、ハーフカット溝２０の深さ寸法に拘らず、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃの一部がハーフカット溝２０の内部に露出する。このため、例えばダイサーの歯に摩耗が生じて、ハーフカット溝２０の深さ寸法の位置決め精度が低くなったとしても、ハーフカット溝２０の内部にグランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃの一部を露出させて、シールド層２１に接続することができる。従って、ハーフカット溝２０の深さ寸法を高精度に設定する必要がなく、生産性の向上や製造コストの低減を図ることができる。
【００５１】
次に、図９ないし図１４に、本発明の第２の実施の形態を示す。第２の実施の形態の特徴は、グランド電極にはんだを設けると共に、はんだにシールド層を接続したことにある。なお、第２の実施の形態では、前述した第１の実施の形態と同一の構成については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００５２】
第２の実施の形態による回路モジュール３１は、第１の実施の形態による回路モジュール１とほぼ同様に、モジュール基板２、電子部品８、封止樹脂層９、ハーフカット部１０、シールド層１１等を備えている。但し、回路モジュール３１は、モジュール基板２のグランド電極４Ａにはんだ３２を設け、このはんだ３２をシールド層１１に接続している。この点で、第２の実施の形態による回路モジュール３１は、第１の実施の形態による回路モジュール１とは異なっている。
【００５３】
グランド電極４Ａとグランド用層間ビア６Ａとの厚さ方向の上側には、導電性接合材料としてのはんだ３２が設けられている。はんだ３２は、グランド電極４Ａよりもモジュール基板２の表面側に向けて盛り上がって形成され、はんだバンプやはんだレベラを構成している。このとき、はんだ３２の高さ寸法は、例えば１０μｍ以上で２００μｍ以下程度の値になっている。
【００５４】
はんだ３２は、その一部がハーフカット部１０を臨む位置に露出して、シールド層１１に電気的に接続されている。このとき、はんだ３２は、例えば電子部品８とモジュール基板２との接合に用いるものと同様なものが用いられる。また、はんだ３２は、グランド電位であるグランド電極４Ａを通じて、グランド電位に保持される。これにより、はんだ３２は、シールド層１１とグランド電位との接続信頼性を高めている。
【００５５】
次に、図１０ないし図１４を用いて、回路モジュール３１の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、図１０に、導電性接合材料としてのクリームはんだ３３を集合基板１２に設ける導電性接合材料取付工程を示す。導電性接合材料取付工程では、第１の実施の形態とほぼ同様に、複数の子基板１３がマトリックス状に形成された集合基板１２を用意する。そして、集合基板１２の表面に設けた信号電極１６Ａおよびグランド電極１５Ａに、クリームはんだ３３を塗布する。具体的には、信号電極１６Ａには、電子部品８との接合位置に、クリームはんだ３３を塗布する。また、グランド電極１５Ａには、例えばグランド用層間ビア１７Ａと対応した位置に、クリームはんだ３３を塗布する。なお、クリームはんだ３３は、グランド用層間ビア１７Ａと対応した位置に限らず、例えば後述のハーフカット工程で部分的に残存する位置であれば、任意の位置に配置可能である。
【００５７】
図１１に、部品実装工程を示す。部品実装工程は、導電性接合材料取付工程と共に、第１工程を構成する。導電性接合材料取付工程に続く部品実装工程では、集合基板１２上のクリームはんだ３３に電子部品８を載置した状態で、リフロー炉等で集合基板１２を加熱する。これにより、クリームはんだ３３は溶融した後に凝固し、集合基板１２の信号電極１６Ａに電子部品８が接合される。このとき、グランド電極１５Ａに設けたクリームはんだ３３も、加熱によって溶融した後に、凝固する。これにより、グランド電極１５Ａには、グランド用層間ビア１７Ａと対応した位置に、集合基板１２の表面側に向けて突出したはんだ３４が形成される。ここで、はんだ３４は、回路モジュール３１のはんだ３２に対応する。
【００５８】
なお、集合基板１２の表面に設けられたグランド用層間ビア１７Ａは、略円形に開口した中央部分が窪む傾向がある。このため、グランド用層間ビア１７Ａに設けたはんだ３４は、不必要に他の部位に広がることがなく、グランド用層間ビア１７Ａの周囲に位置決めされる。
【００５９】
図１２に、第２工程としての封止樹脂層形成工程を示す。部品実装工程に続く封止樹脂層形成工程では、第１の実施の形態と同様に、集合基板１２の表面に電子部品８とはんだ３４とが埋設されるように封止樹脂層１９を形成する。
【００６０】
図１３に、第３工程としてのハーフカット工程を示す。封止樹脂層形成工程に続くハーフカット工程では、第１の実施の形態と同様に、子基板１３の分割線Ｄに沿って、集合基板１２の表面側からハーフカットを行う。具体的には、封止樹脂層１９を貫通して集合基板１２の厚さ方向の途中位置までダイサー等を用いて切削し、集合基板１２にハーフカット溝２０を形成する。このとき、集合基板１２をハーフカットするときに、グランド電極１５Ａに設けたはんだ３４も部分的に除去する。これにより、はんだ３４の一部は、ハーフカット溝２０の端面２０Ａや底面２０Ｂに露出する。
【００６１】
図１４に、第４工程としてのシールド層形成工程を示す。封止樹脂層形成工程に続くシールド層形成工程では、第１の実施の形態と同様に、集合基板１２の表面側に導電性のシールド層２１を設ける。これにより、ハーフカット溝２０内に充填されたシールド層２１は、ハーフカット溝２０の端面２０Ａ及び底面２０Ｂに露出しているグランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃの一部とはんだ３４と接触し、電気的に接続される。
【００６２】
そして、シールド層形成工程に続く第５工程としての分割工程では、ダイサー等を用いて集合基板１２を分割線Ｄに沿って切断し、子基板１３を個別に分離する。この結果、シールド層２１により電子部品８がシールドされた複数個の回路モジュール３１が製造される。
【００６３】
かくして、第２の実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。グランド電極４Ａに設けたはんだ３２は、その一部がハーフカット部１０を臨む位置に露出するから、この露出した部分を通じてはんだ３２をシールド層１１に電気的に接続することができる。この結果、グランド用層間ビア６Ａ，６Ｂに加えてはんだ３２を通じてシールド層１１をグランドに接続することができ、はんだ３２を省いた場合に比べて、シールド層１１とグランドとの間の接続信頼性をさらに高めることができる。
【００６４】
また、回路モジュール３１を製造するときには、分割線Ｄから子基板１３側に後退した位置のグランド電極１５Ａにはんだ３４を設けたから、集合基板１２をハーフカットしたときには、グランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃの一部をハーフカット溝２０の内部に露出させることができるのに加えて、グランド電極１５Ａに設けたはんだ３４の一部を、ハーフカット溝２０の内部に露出させることができる。このため、ハーフカットされた集合基板１２の表面側に導電性のシールド層２１を形成することによって、シールド層２１とグランド用層間ビア１７Ａ〜１７Ｃとを電気的に接続させることができると共に、シールド層２１とはんだ３４とを電気的に接続することができる。この結果、グランド用層間ビア１７Ａ等に加えてはんだ３４を通じてシールド層２１をグランドに接続することができ、シールド層２１とグランドとの間の接続信頼性を高めることができる。
【００６５】
また、はんだ３４は、電子部品８を集合基板１２に実装するときに、集合基板１２の表面には電子部品８と対応した位置に設けるのに加えて、グランド電極１５Ａ上に設けている。このため、はんだ３４によって電子部品８を集合基板１２に接合することができると共に、はんだ３４をグランド電極１５Ａ上に固定することができる。これにより、電子部品８を集合基板１２に実装するのと同時に、はんだ３４をグランド電極１５Ａ上に設けることができるから、はんだ３４を設けるための新たな工程を加える必要がない。このため、はんだ３４をグランド電極１５Ａ上に設けない場合と比べて、同程度の生産性を維持することができる。これに加え、電子部品８を実装するためのはんだ３４を用いて、シールド層２１とグランドとの間の接続信頼性を高めることができるから、電子部品８等とは別個の接続部品を用いた場合に比べて、製造コストを低減することができる。
【００６６】
なお、第２の実施の形態では、導電性接合材料としてのはんだ３２をグランド電極１５Ａに設けるものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば熱硬化性の導電性接着剤のように、電子部品８とモジュール基板２との接合に用いるものであれば、任意の導電性接合材料を適用することができる。
【００６７】
また、前記各実施の形態では、グランド用層間ビア６Ａは、モジュール基板２の外周縁よりも中央側に後退した位置に沿って列状に複数配置されるものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図１５に示す変形例による回路モジュール４１のような構成としてもよい。即ち、回路モジュール４１では、例えばモジュール基板２の表面側に位置する複数個のグランド用層間ビア４２は、モジュール基板２の外周縁に沿ってジグザグ状に設けられ、モジュール基板２の外周縁からの距離寸法が異なる位置に配置されている。この場合、グランド用層間ビア４２よりもモジュール基板２の厚さ方向下側に位置する層間ビアは、グランド用層間ビア４２と厚さ方向で直線状にしてもよく、厚さ方向で異なる位置に設けてもよい。さらに、電子部品８の実装位置に合わせて、グランド用層間ビアをずらして配置してもよい。
【００６８】
また、前記各実施の形態では、複数個のグランド用層間ビア６Ａをシールド層１１に接続する構成としたが、単一のグランド用層間ビア６Ａをシールド層１１に接続してもよい。同様に、回路モジュール１，３１には、グランド用層間ビア６Ｂ，６Ｃやはんだ３２を複数個設けてもよく、１個だけ設けてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１，３１，４１  回路モジュール
２  モジュール基板
４Ａ，１５Ａ  グランド電極（表面側グランド電極）
６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，４２  グランド用層間ビア（層間ビア）
８  電子部品
９，１９  封止樹脂層
１０  ハーフカット部
１１，２１  シールド層
１２  集合基板
１３  子基板
３２，３４  はんだ（導電性接合材料）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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