(57)【要約】  機械的強度が高く、相対密度が高く、バルク抵抗値が小さく、且つ、組成が均一である酸化物焼結体として、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体であって、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊が３５以下である酸化物焼結体を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体であって、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊が３５以下である酸化物焼結体。
【請求項２】
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊が−０．６以下である請求項１に記載の酸化物焼結体。
【請求項３】
ビッカース硬度が４００以上である請求項１または２に記載の酸化物焼結体。
【請求項４】
抗折強度が９０ＭＰａ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項５】
相対密度が９９．５％以上である請求項１〜４のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項６】
バルク抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ未満である請求項１〜５のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項７】
単相割合が９７．５％以上である請求項１〜６のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項８】
結晶粒径が９μｍ以下である請求項１〜７のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項９】
Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４５０以上であり、相対密度が９７％を超え、バルク抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ未満である酸化物焼結体。
【請求項１０】
Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体であって、抗折強度が１３０ＭＰａ以上であり、相対密度が９７％を超え、バルク抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ未満である酸化物焼結体。
【請求項１１】
ビッカース硬度が４５０以上である請求項１０に記載の酸化物焼結体。
【請求項１２】
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊が３５以下である請求項９〜１１のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１３】
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊が−０．６以下である請求項９〜１２のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１４】
相対密度が９９．５％以上である請求項９〜１３のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１５】
単相割合が９７．５％以上である請求項９〜１４のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１６】
結晶粒径が４．５μｍ以下である請求項９〜１５のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の酸化物焼結体を含むスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物焼結体に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体から形成される酸化物半導体膜は、アモルファスシリコン膜よりもキャリアの移動度が大きいという利点がある。この酸化物半導体膜は、量産性の点で、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体を含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により形成されることが一般的である。【０００３】
Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体として、例えば、特許文献１には、ビッカース硬度が７２４であり、相対密度が９６％であり、バルク抵抗値が９．５×１０-4Ω・ｃｍである酸化物焼結体や、ビッカース硬度が５３４であり、相対密度が９６％であり、バルク抵抗値が１．４×１０-3Ω・ｃｍである酸化物焼結体や、ビッカース硬度が４８０であり、相対密度が９７％であり、バルク抵抗値が４．２×１０-3Ω・ｃｍである酸化物焼結体等が記載されている。また、特許文献２には、抗折強度が１１７ＭＰａであり、相対密度が９５．９％であるＩｎＧａＺｎＯ4単相の酸化物焼結体や、抗折強度が１５１ＭＰａであり、相対密度が９６．８％であるＩｎＧａＺｎＯ4単相の酸化物焼結体や、抗折強度が１５７ＭＰａであり、相対密度が９６．１％であるＩｎＧａＺｎＯ4単相の酸化物焼結体や、抗折強度が２０６ＭＰａであり、相対密度が９７．２％であるＩｎＧａＺｎＯ4単相の酸化物焼結体等が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−０５２２２７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１２９５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、機械的強度が高く、相対密度が高く、バルク抵抗値が小さく、且つ、組成が均一である酸化物焼結体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明は、以下の発明を提供する。【０００７】
［１］  Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体であって、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊が３５以下である酸化物焼結体。【０００８】
［２］  Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊が−０．６以下である［１］に記載の酸化物焼結体。【０００９】
［３］  ビッカース硬度が４００以上である［１］または［２］に記載の酸化物焼結体。【００１０】
［４］  抗折強度が９０ＭＰａ以上である［１］〜［３］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００１１】
［５］  相対密度が９９．５％以上である［１］〜［４］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００１２】
［６］  バルク抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ未満である［１］〜［５］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００１３】
［７］  単相割合が９７．５％以上である［１］〜［６］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００１４】
［８］  結晶粒径が９μｍ以下である［１］〜［７］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００１５】
［９］  Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４５０以上であり、相対密度が９７％を超え、バルク抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ未満である酸化物焼結体。【００１６】
［１０］  Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物焼結体であって、抗折強度が１３０ＭＰａ以上であり、相対密度が９７％を超え、バルク抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ未満である酸化物焼結体。【００１７】
［１１］  ビッカース硬度が４５０以上である［１０］に記載の酸化物焼結体。【００１８】
［１２］  Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊が３５以下である［９］〜［１１］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００１９】
［１３］  Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊が−０．６以下である［９］〜［１２］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００２０】
［１４］  相対密度が９９．５％以上である［９］〜［１３］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００２１】
［１５］  単相割合が９７．５％以上である［９］〜［１４］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００２２】
［１６］  結晶粒径が４．５μｍ以下である［９］〜［１５］のいずれかに記載の酸化物焼結体。【００２３】
［１７］  ［１］〜［１６］のいずれかに記載の酸化物焼結体を含むスパッタリングターゲット。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の酸化物焼結体は、機械的強度が高く、相対密度が高く、バルク抵抗値が小さく、且つ、組成が均一である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の酸化物焼結体は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）および亜鉛（Ｚｎ）を含み、さらに、酸素（Ｏ）を構成元素として含み、好ましくは、原子の９９％以上がインジウムと、ガリウムと、亜鉛と、酸素とからなり、下記式で表わすことができる。
【００２６】
式：ＩｎxＧａyＺｎzＯa
【００２７】
［式中、ｘ／（ｘ＋ｙ）は０．２〜０．８であり、ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）は０．１〜０．５であり、ａ＝（３／２）ｘ＋（３／２）ｙ＋ｚである。］
【００２８】
例えば、ｘ：ｙ：ｚ＝１：１：１の場合はＩｎＧａＺｎＯ4と表すことができ、ｘ：ｙ：ｚ＝２：２：１の場合はＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7と表すことができる。この２組成が特性的に好ましい。
【００２９】
本発明の酸化物焼結体は、好ましくは、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｇｅ、Ｖ、Ｍｎ等の不純物金属元素（Ｍ）を実質的に含まず、不純物金属元素（Ｍ）の含有率［Ｍ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｍ）：重量比］は、通常１０ｐｐｍ未満である。酸化物焼結体中の不純物金属元素（Ｍ）の含有量は、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）分析装置により測定することができる。
【００３０】
本発明の酸化物焼結体の、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊は通常３５以下であり、好ましくは３４．５以下であり、より好ましくは３４以下であり、さらに好ましくは３３．５以下である。
【００３１】
本発明の酸化物焼結体の、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊は、通常−０．６以下であり、好ましくは−１．０以下である。
【００３２】
本発明の酸化物焼結体の、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊やａ＊は、湿式研磨機により、研磨紙で酸化物焼結体の表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下となるまで湿式研磨を行った後、研磨された面の色度ａ＊、色度ｂ＊、明度Ｌ＊を、分光測色計により測定し、その結果をＣＩＥ１９７６空間で評価することにより算出できる。
【００３３】
本発明の酸化物焼結体の、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊やａ＊を測定する前に、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊、ａ＊およびｂ＊が既知である試料を標準試料として、そのＬ＊、ａ＊およびｂ＊を測定し、前記既知の値と一致しているか否かを確認することが好ましい。
【００３４】
本発明の酸化物焼結体のビッカース硬度は、通常４００以上であり、好ましくは４０５以上であり、より好ましくは４５０以上であり、さらに好ましくは４７０以上である。本発明の酸化物焼結体はビッカース硬度が高いため、特にＤＣスパッタリング法におけるターゲットとして好適であり、パーティクルの発生が少なく、スパッタ電力が高い場合であっても、ターゲットが割れることなく、成膜速度を大きくすることができ、酸化物半導体膜を良好な生産効率で製造することができる。
【００３５】
本発明の酸化物焼結体の抗折強度は、通常９０ＭＰａ以上であり、好ましくは９５ＭＰａ以上であり、より好ましくは１３０ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは１５０ＭＰａ以上である。本発明の酸化物焼結体は抗折強度が高いため、特にＤＣスパッタリング法におけるターゲットとして好適であり、パーティクルの発生が少なく、スパッタ電力が高い場合であっても、ターゲットが割れることなく、成膜速度を大きくすることができ、酸化物半導体膜を良好な生産効率で製造することができる。
【００３６】
本発明の酸化物焼結体の相対密度は、通常９７％を超え、好ましくは９９％以上であり、より好ましくは９９．５％以上であり、さらに好ましくは９９．７％以上である。
【００３７】
本明細書における“相対密度”とは、酸化物焼結体の理論密度に対する、実際に得られた酸化物焼結体の密度の割合であり、下記式から求められる。
【００３８】
相対密度（％）＝１００×［（酸化物焼結体の密度）／（酸化物焼結体の理論密度）］
【００３９】
酸化物焼結体の密度は、測長法により測定することができる。
【００４０】
酸化物焼結体の理論密度は、原則として、酸化物焼結体の原料である各金属酸化物の単体密度に各金属酸化物粉末の混合重量比をかけ、それらの和をとった値であり、酸化物焼結体が酸化インジウム、酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる場合は、下記式から求められる。
【００４１】
酸化物焼結体の理論密度＝（酸化インジウムの単体密度×混合重量比）＋（酸化ガリウムの単体密度×混合重量比）＋（酸化亜鉛の単体密度×混合重量比）
【００４２】
なお、酸化物焼結体の原料である金属酸化物の混合粉末中の金属原子の割合と同じ金属原子の割合の単相結晶の情報がＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ  ｏｆ  Ｐｏｗｄｅｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）カードに記載されている場合は、ＪＣＰＤＳカードに記載のその結晶の理論密度を上記式中の理論密度として用いることができる。
【００４３】
例えば、酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末とを、インジウムとガリウムと亜鉛との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が１：１：１となるように混合した場合、ＪＣＰＤＳカードにはＩｎＧａＺｎＯ4（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）の単相結晶の情報が記載されているため、ＪＣＰＤＳカード（Ｎｏ．３８１１０４）に記載のＩｎＧａＺｎＯ4の単相結晶の理論密度（６．３７９ｇ／ｃｍ3）を上記式中の理論密度とすることができる。
【００４４】
例えば、酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末とを、インジウムとガリウムと亜鉛との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように混合した場合は、ＪＣＰＤＳカード（Ｎｏ.３８１０９７）に記載のＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１）の単相結晶の理論密度（６．４９５ｇ／ｃｍ3）を上記式中の理論密度とすることができる。
【００４５】
混合粉末中の金属原子の割合と、ＪＣＰＤＳカードに記載されている単相結晶の金属原子の割合とが一致しないが、そのズレが５％以内である場合は、ＪＣＰＤＳカードに記載されている単相結晶の理論密度を上記式中の理論密度とすることができる。
【００４６】
本発明の酸化物焼結体のバルク抵抗値は、通常１．０×１０-3Ω・ｃｍ未満であり、好ましくは９×１０-4Ω・ｃｍ以下であり、より好ましくは８．５×１０-4Ω・ｃｍ以下である。本発明の酸化物焼結体は導電性にも優れているため、特にＤＣスパッタリング法におけるターゲットとして好適であり、本発明の酸化物焼結体から、異常放電がなく、安定に、高速に、均一な半導体膜を効率よく形成することができる。
【００４７】
バルク抵抗値は、通常抵抗率計により測定することができる。
【００４８】
本発明の酸化物焼結体の単相割合は、通常９７．５％以上であり、好ましくは９９％以上であり、より好ましくは９９．５％以上であり、さらに好ましくは９９．７％以上である。
【００４９】
本明細書において、単相割合は、酸化物焼結体中に含まれるホモロガス結晶構造であるＩｎＧａＺｎＯ4やＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7の含有割合を意味する。単相割合は、酸化物焼結体をＸ線回折測定することにより算出することができる。具体的には、酸化物焼結体をX線回折測定し、得られるＸ線回折パターンが、ホモロガス結晶構造であるＩｎＧａＺｎＯ4やＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7のＸ線回折パターン（例えば、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ  ｏｆ  Ｐｏｗｄｅｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）カードから得られるホモロガス相の結晶構造Ｘ線回折パターン）と一致しているか否かを確認する。得られるＸ線回折パターンがＪＣＰＤＳカードから得られるホモロガス相の結晶構造X線回折パターンと一致しており、ホモロガス相の結晶構造の回折パターンに帰属されないピークが存在しない場合は、単相割合が１００％となる。一方、得られるＸ線回折パターンに、ホモロガス相の結晶構造の回折パターンに帰属されないピークが存在している場合は、当該帰属されないピークを同定し、酸化物焼結体中のホモロガス相の結晶構造とそれ以外の結晶構造が占める割合の総和を１００％として、リートベルト解析によりホモロガス結晶構造が占める割合を導き出す。
【００５０】
本発明の酸化物焼結体の結晶粒径は、通常９μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以下であり、より好ましくは４．５μｍ以下であり、さらに好ましくは４．０μｍ未満であり、さらに好ましくは３．５μｍ以下であり、さらに好ましくは２μｍ以下である。なお、本明細書において、酸化物焼結体の結晶粒径は、以下のように測定する。酸化物焼結体のＳＥＭ−ＥＢＳＤ測定を実施し、得られたＩｍａｇｅ  Ｑｕｌｉｔｙ  Ｍａｐの像解析により個別の粒の面積（断面積）を測定した。該粒の断面を最も大きさの近い円形と仮定して、当該円形の径を算出した。算出した径に、その粒が全体の面積に対する占有割合を乗じ、その粒の占有面積あたりの径を算出した。すべての粒について、占有面積あたりの径を算出し、算出したすべての占有面積あたりの径の合計を面積平均径、すなわち、結晶粒径とした。
【００５１】
［酸化物焼結体の製造方法（１）］
本発明の酸化物焼結体の製造方法の１つの形態は、下記工程（Ａ）および工程（Ｂ）を含む。
【００５２】
工程（Ａ）：酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末とを混合して、混合粉末を得る工程。
【００５３】
工程（Ｂ）：工程（Ａ）で得られた混合粉末をカプセル容器に充填し、混合粉末が充填されたカプセル容器をカプセル熱間等方加圧処理する工程。
【００５４】
工程（Ａ）における酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末との混合は、金属元素の原子比換算で、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ：ｙ：ｚとしたとき、ｘ／(ｘ＋ｙ）が０．２〜０．８であり、且つ、ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）が０．１〜０．５である関係を満たすよう行われ、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１または２：２：１となるよう混合を行うことが好ましい。
【００５５】
工程（Ａ）で得られる混合粉末中の酸化インジウム粉末の平均粒子径は、０．６μｍ未満である。粉末の平均粒子径は、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布における積算体積分率５０％粒径である。
【００５６】
工程（Ｂ）において、工程（Ａ）で得られた混合粉末のカプセル容器への充填率が、５０％以上であり、５５％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。ここで、充填率は、下記式で算出される。
【００５７】
充填率（％）＝（混合粉末のタップ密度／酸化物焼結体の理論密度）×１００
【００５８】
工程（Ａ）において、酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末および酸化亜鉛粉末からなる群から選ばれる少なくとも１つの粉末を仮焼した後、これら粉末を混合して混合粉末を得るか、または、酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末とを混合し、得られた混合粉末を仮焼して、混合粉末を得ることにより、容易に、工程（Ｂ）において、混合粉末の充填率を５０％以上とすることができる。工程（Ａ）において、酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末とを混合し、得られた混合粉末を仮焼して、混合粉末を得ることが好ましい。
【００５９】
工程（Ａ）において、酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末および酸化亜鉛粉末からなる群から選ばれる少なくとも１つの粉末を仮焼した後、これら粉末を混合して混合粉末を得る場合、好ましくは、酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末および酸化亜鉛粉末のそれぞれを別個に仮焼し、仮焼されたそれぞれの粉末を混合して混合粉末とする。酸化インジウム粉末のタップ密度は仮焼により高くなりにくいため、混合粉末は、仮焼した酸化インジウム粉末、仮焼した酸化ガリウム粉末および仮焼した酸化亜鉛粉末からなるか、または、仮焼していない酸化インジウム粉末、仮焼した酸化ガリウム粉末および仮焼した酸化亜鉛粉末からなることが好ましい。特に、Ｉｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7で表わさせる酸化物焼結体を製造するために、酸化インジウム粉末：酸化ガリウム粉末：酸化亜鉛粉末をモル比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）で、２：２：１の混合割合とする場合には、仮焼した酸化インジウム粉末、仮焼した酸化ガリウム粉末および仮焼した酸化亜鉛粉末からなる混合粉末を調製することが好ましい。
【００６０】
カプセル容器への混合粉末の充填率を５０％以上とすることにより、カプセル熱間等方加圧処理（カプセルＨＩＰ処理）におけるカプセル容器の収縮率を５０％以下とすることができるため、カプセル容器を破壊することなく混合粉末を加圧焼結でき、焼結体製造時の、酸化亜鉛粉末由来の亜鉛や酸化インジウム粉末由来のインジウムの揮発を抑制することができる。なお、カプセル容器の収縮率は、下記式で表される。
【００６１】
カプセル容器の収縮率（％）＝［１−（カプセルＨＩＰ処理後のカプセル容器の内容積／カプセルＨＩＰ処理前のカプセル容器の内容積）］×１００
【００６２】
不純物による酸化物焼結体の電気特性への悪影響を避けるために、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）粉末および酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末の純度は、４Ｎ以上が好ましい。
【００６３】
本明細書において、タップ密度は、ＪＩＳ  Ｋ５１０１に基づき、一定容積の容器に粉末を自然落下により充填した後、さらに該容器に一定の振動（タッピング）による衝撃を加え、粉末の体積変化がなくなったときの単位体積当たりの粉末の質量を意味する。なお、一定容積の容器に粉末を自然落下により容器一杯に充填し、その内容積を体積としたときの単位体積当たりの粉末の質量をかさ密度といい、一般的に、タップ密度は、かさ密度の１．１〜１．３倍程度の値となる。
【００６４】
酸化インジウム粉末として、通常、市販の酸化インジウム粉末が用いられる。市販の酸化インジウム粉末のタップ密度は、その平均粒子径や粒度分布により異なるが、通常１．９５ｇ／ｃｍ3以下である。酸化インジウムの単体密度（タップ密度の上限）は、７．１８ｇ／ｃｍ3である。
【００６５】
酸化インジウム粉末を仮焼する場合、通常、縦型電気炉、管状炉、マッフル炉、チューブ炉、炉床昇降式電気炉、ボックス型電気炉等の仮焼装置が用いられる。
【００６６】
仮焼温度は、通常１２００〜１６００℃であり、好ましくは１４００〜１６００℃である。仮焼時間は、通常８時間以上２４時間以内であり、好ましくは１０時間以上１５時間以下である。仮焼後の酸化インジウム粉末のタップ密度は、好ましくは２．７０ｇ／ｃｍ3以上、より好ましくは３．０ｇ／ｃｍ3以上である。
【００６７】
また、仮焼は、大気雰囲気、大気よりも酸素濃度が高い酸化雰囲気等の酸化性雰囲気中で行ってもよいし、窒素、アルゴン、ヘリウム、真空、二酸化炭素等の不活性ガス雰囲気、水素、一酸化炭素、硫化水素、二酸化硫黄等の還元性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気中で行ってもよい。酸化性雰囲気中で仮焼することが好ましい。
【００６８】
仮焼後の酸化インジウム粉末は、ジョージクラッシャー、ロールクラッシャー、スタンプミル、ハンマーミル、乳鉢等の公知の手段により解砕してもよい。
【００６９】
酸化ガリウム粉末として、通常、市販の酸化ガリウム粉末が用いられる。市販の酸化ガリウム粉末のタップ密度は、その平均粒子径や粒度分布により異なるが、通常１．４５ｇ／ｃｍ3以下である。酸化ガリウムの単体密度（タップ密度の上限）は、５．８８ｇ／ｃｍ3である。
酸化ガリウム粉末の平均粒子径は、通常０．２μｍ以上５μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以上２μｍ以下である。
【００７０】
酸化ガリウム粉末の仮焼は、通常、酸化インジウム粉末の仮焼と同様に実施される。仮焼後の酸化ガリウム粉末のタップ密度は、好ましくは４．０ｇ／ｃｍ3以上である。酸化性雰囲気中で仮焼を行うことが好ましい。
【００７１】
酸化亜鉛粉末として、通常、市販の酸化亜鉛粉末が用いられる。市販の酸化ガリウム粉末のタップ密度は、その平均粒子径や粒度分布により異なるが、通常１．１２ｇ／ｃｍ3以下である。酸化亜鉛の単体密度（タップ密度の上限）は、５．６ｇ／ｃｍ3である。
【００７２】
酸化亜鉛粉末の平均粒子径は、通常０．６μｍ以上５μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下である。
【００７３】
酸化亜鉛粉末の仮焼も、通常、酸化インジウム粉末の仮焼と同様に実施される。仮焼後の酸化亜鉛粉末のタップ密度は、好ましくは４．１ｇ／ｃｍ3以上である。酸化性雰囲気中で仮焼を行うことが好ましい。
【００７４】
酸化インジウム粉末：酸化ガリウム粉末：酸化亜鉛粉末をおよそ５０．８：３４．３：１４．９（重量比、モル比ではＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１）で混合する場合には、混合粉末のタップ密度は、３．２５ｇ／ｃｍ3以上であることが好ましく、カプセル容器に多くの混合粉末を充填でき、且つ、カプセルＨＩＰ処理後のカプセル容器が対称に収縮して加工し易くなることから、より好ましくは３．８〜６．４ｇ／ｃｍ3である。
【００７５】
酸化インジウム粉末：酸化ガリウム粉末：酸化亜鉛粉末をおよそ４４．２：２９．９：２５．９（重量比、モル比ではＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）で混合する場合には、混合粉末のタップ密度は、３．１８ｇ／ｃｍ3以上であることが好ましく、より好ましくは３．８〜６．３ｇ／ｃｍ3である。
【００７６】
各粉末の混合方法は、均一に粉末を混合できる方法であれば限定されず、スーパーミキサー、インテンシブミキサー、ヘンシェルミキサー、自動乳鉢等により乾式混合してもよいし、ボールミル、振動ミル、遊星ボールミル等により湿式混合してもよい。
均一な混合が不十分であると、製造したターゲット中に各成分が偏析して、ターゲットの抵抗分布が不均一になる。すなわち、ターゲットの部位により、高抵抗領域と低抵抗領域が存在することになるため、スパッタ成膜時に高抵抗領域での帯電等によるアーキングなどの異常放電の原因となる。
【００７７】
酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末とを混合し、得られた混合粉末を仮焼して、混合粉末を得る場合、混合粉末の仮焼も、通常、前記した、酸化インジウム粉末の仮焼と同様に実施される。好ましくは、酸化性雰囲気中で、仮焼温度が１２００〜１６５０℃、好ましくは１４００〜１６００℃で実施される。仮焼後の混合粉末のタップ密度は、３．１８ｇ／ｃｍ3以上であることが好ましく、より好ましくは３．８〜６．３ｇ／ｃｍ3である。
【００７８】
工程（Ｂ）では、上述した混合粉末をカプセル容器に充填した後、カプセルＨＩＰ処理が行われ、本発明の酸化物焼結体が得られる。混合粉末は、真空封止されたカプセル容器内に閉じこめられている。閉鎖空間内に混合粉末が充填されてカプセルＨＩＰ処理されるため、ホットプレスのような加圧焼結とは異なり、亜鉛やインジウムの揮散が抑制され、その結果、得られる酸化物焼結体とその原料である混合粉末との間での組成のずれが生じにくく、高い相対密度で、高い単相割合の酸化物焼結体が得られる。
【００７９】
カプセル容器の材質としては、通常、鉄、ステンレス、チタン、アルミニウム、ステンレス、タンタル、ニオブ、銅およびニッケルが挙げられ、カプセルＨＩＰ処理の処理温度によって適宜選択することができる。処理温度が低温領域（１０００℃以下）である場合、銅、ニッケルまたはアルミニウム製のカプセル容器が通常使用され、処理温度が１０００℃〜１３５０℃の領域である場合は、鉄、チタンまたはステンレス製のカプセル容器が通常用いられる。処理温度が１３５０℃よりも高温である領域では、タンタルまたはニオブ製のカプセル容器が通常用いられる。処理温度にもよるが、アルミニウム、鉄またはステンレス製のカプセル容器が、コストの面で好ましい。
【００８０】
カプセル容器の形状や寸法は限定されず、カプセルＨＩＰ処理の際に等方的に加圧されやすい形状であればよい。具体的には、円柱状容器および直方体状容器が挙げられる。
カプセル容器の壁厚は、１．５ｍｍ〜４ｍｍが好ましい。この範囲内であれば、カプセル容器が容易に軟化し、変形することができ、焼結反応が進むに従い、酸化物焼結体に追随して収縮することができる。
【００８１】
混合粉末をカプセル容器内に充填した後、通常、カプセル容器を１００℃以上６００℃以下に加熱しながら、カプセル容器内の圧力を１．３３×１０-2Ｐａ以下となるまで低下させる。カプセル容器内の圧力が、１．３３×１０-2Ｐａ以下になれば、カプセル容器を封止し、カプセルＨＩＰ処理が行われる。
【００８２】
カプセルＨＩＰ処理は、混合粉末が充填され、封止されたカプセル容器を、ＨＩＰ装置内に配置し、高温高圧下のガスを圧力媒体として、カプセル容器自体に圧力を加えて、カプセル容器内の混合粉末の加圧焼結を行うものである。
【００８３】
圧力媒体であるガスとしては、窒素、アルゴン等の不活性ガスが好ましい。カプセル容器へ加えられる圧力は、５０ＭＰａ以上が好ましい。処理時間は１時間以上が好ましい。
処理温度は、通常１０００〜１４００℃であり、好ましくは１１００℃〜１３００℃である。焼結温度が１０００℃〜１４００℃で、圧力５０ＭＰａ以上で、１時間以上処理することが好ましい。
【００８４】
［酸化物焼結体の製造方法（２）］
本発明の酸化物焼結体の製造方法のもう１つの形態は、下記工程（ａ）、工程（ｂ）および工程（ｃ）を含む。
【００８５】
工程（ａ）：酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末とを混合して、混合粉末を得る工程。
【００８６】
工程（ｂ）：工程（ａ）で得られた混合粉末を成型または造粒し、成型体または造粒粉末を得る工程。
【００８７】
工程（ｃ）：工程（ｂ）で得られた成型体または造粒粉末をカプセル容器に充填し、成型体または造粒粉末が充填されたカプセル容器をカプセル熱間等方加圧処理する工程。
【００８８】
工程（ａ）における酸化インジウム粉末と酸化ガリウム粉末と酸化亜鉛粉末との混合は、金属元素の原子比換算で、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ：ｙ：ｚとしたとき、ｘ／(ｘ＋ｙ）が０．２〜０．８であり、且つ、ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）が０．１〜０．５である関係を満たすよう行われ、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１または２：２：１となるよう混合を行うことが好ましい。
【００８９】
工程（ａ）で得られる混合粉末中の酸化インジウム粉末の平均粒子径は、０．６μｍ未満である。粉末の平均粒子径は、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布における積算体積分率５０％粒径である。
【００９０】
不純物による酸化物焼結体の電気特性への悪影響を避けるために、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）粉末および酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末の純度は、４Ｎ以上が好ましい。
【００９１】
本明細書において、タップ密度は、ＪＩＳ Ｋ５１０１に基づき、一定容積の容器に粉末を自然落下により充填した後、さらに該容器に一定の振動（タッピング）による衝撃を加え、粉末の体積変化がなくなったときの単位体積当たりの粉末の質量を意味する。なお、一定容積の容器に粉末を自然落下により容器一杯に充填し、その内容積を体積としたときの単位体積当たりの粉末の質量をかさ密度といい、一般的に、タップ密度は、かさ密度の１．１〜１．３倍程度の値となる。
【００９２】
酸化インジウム粉末として、通常、市販の酸化インジウム粉末が用いられる。市販の酸化インジウム粉末のタップ密度は、その平均粒子径や粒度分布により異なるが、通常１．９５ｇ／ｃｍ3以下である。酸化インジウムの単体密度（タップ密度の上限）は、７．１８ｇ／ｃｍ3である。
【００９３】
酸化ガリウム粉末として、通常、市販の酸化ガリウム粉末が用いられる。市販の酸化ガリウム粉末のタップ密度は、その平均粒子径や粒度分布により異なるが、通常１．４５ｇ／ｃｍ3以下である。酸化ガリウムの単体密度（タップ密度の上限）は、５．８８ｇ／ｃｍ3である。
酸化ガリウム粉末の平均粒子径は、通常０．２μｍ以上５μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以上２μｍ以下である。
【００９４】
酸化亜鉛粉末として、通常、市販の酸化亜鉛粉末が用いられる。市販の酸化ガリウム粉末のタップ密度は、その平均粒子径や粒度分布により異なるが、通常１．１２ｇ／ｃｍ3以下である。酸化亜鉛の単体密度（タップ密度の上限）は、５．６ｇ／ｃｍ3である。
【００９５】
酸化亜鉛粉末の平均粒子径は、通常０．６μｍ以上５μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下である。
【００９６】
各粉末の混合方法は、均一に粉末を混合できる方法であれば限定されず、スーパーミキサー、インテンシブミキサー、ヘンシェルミキサー、自動乳鉢等により乾式混合してもよいし、ボールミル、振動ミル、遊星ボールミル等により湿式混合してもよい。
均一な混合が不十分であると、製造したターゲット中に各成分が偏析して、ターゲットの抵抗分布が不均一になる。すなわち、ターゲットの部位により、高抵抗領域と低抵抗領域が存在することになるため、スパッタ成膜時に高抵抗領域での帯電等によるアーキングなどの異常放電の原因となる。
【００９７】
工程（ｂ）において、工程（ａ）で得られた混合粉末を成型して成型体を得る場合、加圧成型して、成型体を得ることが好ましい。混合粉末を加圧成型する方法としては、冷間静水圧プレス法が挙げられる。加圧成型時の圧力は、通常５０〜３００ＭＰａであり、好ましくは１００〜３００ＭＰａである。
【００９８】
混合粉末を加圧成形するには、例えば、一軸プレス、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）などを使用することができる。成形する際には、一軸プレスと冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）を併用しても構わない。
【００９９】
混合粉末を成形する際のプレス圧力は、一軸プレスの場合は、少なくとも３０ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満であることが好ましく、より好ましくは４０ＭＰａ以上である。３０ＭＰａ未満であると、安定なプレス成型体ができないおそれがある。１００ＭＰａ以上であると、成型体がもろく割れやすくなるおそれがある。
【０１００】
成型体の密度を３．１９ｇ／ｃｍ3以上にするには、好ましくは４０〜９０ＭＰａ、より好ましくは５０〜８０ＭＰａのプレス圧力で加圧成型を行う。
【０１０１】
冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）の場合のプレス圧力は、少なくとも５０ＭＰａ以上４００ＭＰａ未満であることが好ましく、より好ましくは１００ＭＰａ以上である。５０ＭＰａ未満であると、安定なプレス成型体ができないおそれがある。４００ＭＰａ以上であると、装置が大きくなりすぎ不経済でもあり成型体がもろくわれやすくなるおそれがある。保持時間は1〜３０分である。保持時間が１分未満であると密度があがらないおそれがあり、６０分を超えると時間が掛かりすぎ不経済となるおそれがある。
【０１０２】
より容易に成型体を得るため、混合粉末に有機バインダーを配合し、成型を行ってもよい。一辺が３００ｍｍ以上、または直径が３００ｍｍ以上の大型焼結体を作製する場合には、有機バインダーを配合することが好ましい。
【０１０３】
有機バインダーの添加量は、混合粉末１００重量部に対して、好ましくは、０．５重量部〜１０重量部であり、より好ましくは１重量部〜５重量部である。
【０１０４】
有機バインダーを用いる場合は、原料粉末と有機バインダーを混合して混合粉末とし、加圧成形して加圧成型体とする。そして、この加圧成型体にカプセルＨＩＰ処理を行う前に、通常有機バインダーを除去する。
【０１０５】
有機バインダーとしては、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリα-メチルスチレン、エチルセルロース、ポリ乳酸メチル、（ポリ）ビニルブチラール、（ポリ）ビニルアセテート、（ポリ）ビニルアルコール、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリブタジエン、（ポリ）ビニルピロリドン、ポリアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリアクリルアミド、ポリメタクリレートおよび種々のアクリルポリマーとそれらのコポリマーやターポリマー、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロースとその誘導体である樹脂などが挙げられる。
【０１０６】
有機バインダーを配合する方法としては、原料粉末と、有機バインダーと、溶媒とを混合し、得られたスラリーを乾燥させる方法が挙げられる。
【０１０７】
加圧成型後、工程（ｃ）で用いるカプセル容器の形状やサイズに応じて、得られた成型体を切削、研削等により加工してもよい。
【０１０８】
工程（ｂ）において、工程（ａ）で得られた混合粉末を造粒し、造粒粉末を得る場合、混合粉末と溶媒と有機バインダーとを混合し、得られるスラリーを造粒して、造粒粉末を得ることが好ましい。造粒方法としては、転動造粒、流動層（噴流層）造粒、撹拌混合造粒、圧縮造粒、押出し造粒、解砕造粒、溶融造粒、噴霧造粒などが挙げられる。造粒装置としては、パン型造粒機、たらい型造粒機、圧縮造粒機、スプレードライヤーなどが挙げられる。造粒形式としては、乾式でも湿式のどちらも選択可能であるが、水やバインダー（結合剤）の付着力を利用する湿式造粒が好ましい。その中でもスプレードライヤーが好ましい。
【０１０９】
スラリーを調製する際に用いられる溶媒としては、水、アルコール溶媒およびケトン溶媒が、混合粉末の粒度分布の均一性、溶媒の揮散が容易である点で好ましい。アルコール溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールが挙げられ、ケトン溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンが挙げられる。塩化メチル、クロロフォルム、１，２ジクロロエタン、トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、炭酸プロピレン、酢酸プロピルなどのエステル溶媒、プロピオントリル、Ｎ−メチルピロリドンなどの含窒素溶媒、ジメチルスルホキシドなどの含硫黄溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレンオキシド、２−エトキシエチルアセタートなどのエーテル溶媒、ベンゼン、スチレンなどの炭化水素溶媒も使用できる。溶媒の使用量は、混合粉末１００質量部に対して、通常６０〜２００質量部である。
【０１１０】
湿式混合は、例えば、硬質ＺｒＯ2ボールなどを用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いる場合の混合時間は、１２〜７８時間程度が好ましい。
【０１１１】
スラリーを、通常のスプレードライヤーに供給し、噴霧し、乾燥が行われ、造粒粉末が得られる。この際、入口温度は通常１８０〜２５０℃、出口温度は通常９０〜１３０℃に設定する。
【０１１２】
酸化インジウム粉末：酸化ガリウム粉末：酸化亜鉛粉末をおよそ５０．８：３４．３：１４．９（重量比、モル比ではＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１）で混合した場合には、成型体の密度または造粒粉末のタップ密度は、３．２５ｇ／ｃｍ3以上であることが好ましく、カプセル容器に多くの成型体または造粒粉末を充填でき、且つ、カプセルＨＩＰ処理後のカプセル容器が対称に収縮して加工し易くなることから、より好ましくは３．８〜６．４ｇ／ｃｍ3である。
【０１１３】
酸化インジウム粉末：酸化ガリウム粉末：酸化亜鉛粉末をおよそ４４．２：２９．９：２５．９（重量比、モル比ではＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）で混合する場合には、成型体の密度または造粒粉末のタップ密度は、３．１８ｇ／ｃｍ3以上であることが好ましく、より好ましくは３．８〜６．３ｇ／ｃｍ3である。
【０１１４】
工程（ｃ）において、工程（ｂ）で得られた成型体または造粒粉末のカプセル容器への充填率は、５０％以上であり、５５％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。ここで、充填率は、下記式で算出される。
【０１１５】
充填率（％）＝（成型体の充填密度または造粒粉末のタップ密度／酸化物焼結体の理論密度）×１００
【０１１６】
なお、成型体の充填密度は、下記式で算出される。
【０１１７】
充填密度＝成型体の重量／カプセル容器の内容積
【０１１８】
カプセル容器への成型体または造粒粉末の充填率を５０％以上とすることにより、カプセル熱間等方加圧処理（カプセルＨＩＰ処理）におけるカプセル容器の収縮率を５０％以下とすることができるため、カプセル容器を破壊することなく成型体または造粒粉末を加圧焼結でき、焼結体製造時の、酸化亜鉛粉末由来の亜鉛や酸化インジウム粉末由来のインジウムの揮発を抑制することができる。なお、カプセル容器の収縮率は、下記式で表される。
【０１１９】
カプセル容器の収縮率（％）＝［１−（カプセルＨＩＰ処理後のカプセル容器の内容積／カプセルＨＩＰ処理前のカプセル容器の内容積）］×１００
【０１２０】
工程（ｃ）では、上述した成型体または造粒粉末をカプセル容器に充填した後、カプセルＨＩＰ処理が行われ、本発明の酸化物焼結体が得られる。成型体または造粒粉末は、真空封止されたカプセル容器内に閉じこめられている。閉鎖空間内に成型体または造粒粉末が充填されてカプセルＨＩＰ処理されるため、ホットプレスのような加圧焼結とは異なり、亜鉛やインジウムの揮散が抑制され、その結果、得られる酸化物焼結体とその原料である成型体または造粒粉末との間での組成のずれが生じにくく、高い相対密度で、高い単相割合の酸化物焼結体が得られる。
【０１２１】
カプセル容器の材質としては、通常、鉄、ステンレス、チタン、アルミニウム、タンタル、ニオブ、銅およびニッケルが挙げられ、カプセルＨＩＰ処理の処理温度によって適宜選択することができる。処理温度が低温領域（１０００℃以下）である場合、銅、ニッケルまたはアルミニウム製のカプセル容器が通常使用され、処理温度が１０００℃〜１３５０℃の領域である場合は、鉄またはステンレス製のカプセル容器が通常用いられる。処理温度が１３５０℃よりも高温である領域では、タンタルまたはニオブ製のカプセル容器が通常用いられる。処理温度にもよるが、アルミニウム、鉄またはステンレス製のカプセル容器が、コストの面で好ましい。
【０１２２】
カプセル容器の形状や寸法は限定されず、カプセルＨＩＰ処理の際に等方的に加圧されやすい形状であればよい。具体的には、円柱状容器および直方体状容器が挙げられる。
カプセル容器の壁厚は、１．５ｍｍ〜４ｍｍが好ましい。この範囲内であれば、カプセル容器が容易に軟化し、変形することができ、焼結反応が進むに従い、酸化物焼結体に追随して収縮することができる。
【０１２３】
成型体または造粒粉末をカプセル容器内に充填した後、通常、カプセル容器を加熱し、成型体中に含有しているバインダーや造粒粉末中に含有している溶媒や有機バインダーを除去する。その後、カプセル容器を封止し、カプセルＨＩＰ処理が行われる。また、成型体または造粒粉末が充填されたカプセル容器を、１００℃以上６００℃以下に加熱しながら、カプセル容器内の圧力を１．３３×１０-2Ｐａ以下となるまで低下させてもよい。これにより、成型体中に含有しているバインダーや造粒粉末中に含有している溶媒や有機バインダーが除去される。カプセル容器内の圧力が、１．３３×１０-2Ｐａ以下になれば、カプセル容器を封止し、カプセルＨＩＰ処理が行われる。
【０１２４】
カプセルＨＩＰ処理は、成型体または造粒粉末が充填され、封止されたカプセル容器を、ＨＩＰ装置内に配置し、高温高圧下のガスを圧力媒体として、カプセル容器自体に圧力を加えて、カプセル容器内の混合粉末の加圧焼結を行うものである。
【０１２５】
圧力媒体であるガスとしては、窒素、アルゴン等の不活性ガスが好ましい。カプセル容器へ加えられる圧力は、５０ＭＰａ以上が好ましい。処理時間は１時間以上が好ましい。処理温度は、通常１０００〜１４００℃であり、好ましくは１１００℃〜１３００℃である。焼結温度が１０００℃〜１４００℃で、圧力５０ＭＰａ以上で、１時間以上処理することが好ましい。
【０１２６】
［スパッタリングターゲット］
本発明の酸化物焼結体を、所定の形状および所定の寸法に加工することにより、スパッタリングターゲットを製造することができる。本発明の酸化物焼結体について、外周の円筒研削、面側の平面研削をすることにより、例えば外径１５２ｍｍ×５ｍｍのスパッタリングターゲットを製造することができる。スパッタリングターゲットの表面粗さ（Ｒａ）は、５μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。通常、スパッタリングターゲットは、さらに、銅やチタン等からなるバッキングプレートやバッキングチューブに、インジウム系合金などをボンディングメタルとして、貼り合わせた形態で用いられる。
【０１２７】
本発明の酸化物焼結体を加工してスパッタリングターゲットを製造する方法は制限されず、公知の方法が採用される。
【０１２８】
スパッタリングターゲットは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション（ＰＬＤ）法またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられる。本発明のターゲットは、高い相対密度を有し、単相割合も高いため、成膜時の異常放電が発生しにくく、安定的に成膜することができる。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことを「タブレット」と称する場合もあるが、本明細書においてはこれらを含め「スパッタリングターゲット」と称することとする。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、高い相対密度を有し、単相割合も高いため、スパッタ時間の経過に伴って、ノジュールの発生の頻度や異常放電の発生頻度も減らすことができ、スパッタの生産効率も向上し、得られる膜特性にも優れる。本発明の酸化物焼結体またはスパッタリングターゲットにより、安定した半導体特性を示す薄膜トランジスタのチャネル層として良好な特性を備える透明半導体膜を形成することができる。
【０１２９】
透明半導体膜の膜厚は、移動度が高く、Ｓ値が低い半導体とする点で、通常０．５〜５００ｎｍであり、好ましくは１〜１５０ｎｍであり、より好ましくは３〜８０ｎｍであり、さらに好ましくは１０〜６０ｎｍである。０．５ｎｍ以上であれば、工業的に均一に成膜することが可能である。一方、５００ｎｍ以下であれば、成膜時間が長くなりすぎることもない。また、３〜８０ｎｍの範囲内にあると、移動度やオンオフ比等ＴＦＴ特性が特に良好である。
【０１３０】
スパッタリング方式としては、ＤＣスパッタ法、ＡＣスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、エレクトロンビーム蒸着法およびイオンプレーティング法が挙げられ、好ましくはＤＣスパッタ法である。
ＤＣスパッタ法の場合、スパッタリング時のチャンバー内の圧力は、通常０．１〜２．０ＭＰａであり、好ましくは０．３〜０．８ＭＰａである。ＤＣスパッタ法の場合、スパッタ時におけるターゲット面の単位面積当たりの投入電力は、通常０．５〜６．０Ｗ／ｃｍ2であり、好ましくは１．０〜５．０Ｗ／ｃｍ2である。スパッタ時のキャリアーガスとしては、酸素、ヘリウム、アルゴン、キセノンおよびクリプトンが挙げられ、好ましくはアルゴンと酸素の混合ガスである。アルゴンと酸素の混合ガス中のアルゴン：酸素の比（Ａｒ：Ｏ2）は、通常１００：０〜８０:２０であり、好ましくは９９．５：０．５〜８０：２０であり、より好ましくは９９．５：０．５〜９０：１０である。基板としては、ガラス、樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＳ等）などが挙げられる。スパッタ時の成膜温度（薄膜を形成する基板の温度）は、通常２５℃〜４５０℃、好ましくは３０℃〜２５０℃、より好ましくは３５℃〜１５０℃である。
【実施例】
【０１３１】
＜粉末の粒度分布の測定＞
レーザー回折式粒度分布測定装置（島津製作所製ＳＡＬＤ−２２００）により、各粉末の粒度分布を測定し、体積累積基準Ｄ５０を平均粒子径とした。さらに、ＦＥ−ＳＥＭにより粉末の形状およびサイズを測定した。【０１３２】
＜酸化物焼結体の結晶粒径の測定＞
加速電圧１５ｋＶ、ワーキングディスタンス１５ｍｍ、倍率１５００倍の条件で、酸化物焼結体のＳＥＭ−ＥＢＳＤ測定を実施し、得られたＩｍａｇｅ  Ｑｕｌｉｔｙ  Ｍａｐの像解析により個別の粒の面積（断面積）を測定した。該粒の断面を最も大きさの近い円形と仮定して、当該円形の径を算出した。算出した径に、その粒が全体の面積に対する占有割合を乗じ、その粒の占有面積あたりの径を算出した。すべての粒について、占有面積あたりの径を算出し、算出したすべての占有面積あたりの径の合計を面積平均径、すなわち、結晶粒径とした。【０１３３】
＜酸化物焼結体のビッカース硬度の測定＞
酸化物焼結体のビッカース硬度を、島津製作所製微小硬度計（ＨＭＶ）により測定した。【０１３４】
＜酸化物焼結体の抗折強度の測定＞
酸化物焼結体の抗折強度を、万能材料試験機（Ｉｎｓｔｒｏｎ  ５５８４（ロードセル  ５ｋＮ））により、ＪＩＳ  Ｒ１６０１に準拠して測定した。
試験方法：３点曲げ試験
支点間距離：３０ｍｍ
支持アンビル：Ｒ＝２ｍｍ
加圧アンビル：Ｒ＝３ｍｍ
試料サイズ：３×４×４０ｍｍ
ヘッド速度：０．５ｍｍ／ｍｉｎ
試験温度：２２℃【０１３５】
＜酸化物焼結体の色差測定＞
湿式研磨機（株式会社マルトー製マルトーラップ）により、研磨紙（＃６０）、次いで研磨紙（＃１８０）を用いて、酸化物焼結体の表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下となるまで湿式研磨を行った。研磨した面の色度ａ＊、色度ｂ＊、明度Ｌ＊を、分光測色計（日本電色工業株式会社製Ｚ−３００Ａ）により測定し、その結果をＣＩＥ１９７６空間で評価した。【０１３６】
［実施例１］
酸化インジウム粉末（稀産金属（株）製、タップ密度：１．６２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：０．５６μｍ）と、酸化ガリウム粉末（ヤマナカヒューテック（株）製、タップ密度が１．３９ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：１．５μｍ）と、酸化亜鉛粉末（ハクスイテック（株）製、タップ密度：１．０２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：１．５μｍ）とを、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が１：１：１となるように秤量し、スーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分、乾式混合を行い、混合粉末を得た。【０１３７】
得られた混合粉末を電気炉（（株）キタハマ製作所製）に入れ、大気雰囲気中で、昇温速度１０℃／分で、室温から１４００℃まで昇温した後、１４００℃で１２時間仮焼を行った。得られた粉末を、乳鉢で軽く粉砕し、仮焼後の混合粉末を得た。【０１３８】
仮焼後の混合粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８３ｍｍ、内径８０ｍｍ、容器内部の高さ７８ｍｍ）に、混合粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填した。混合粉末のタップ密度は４．３２ｇ／ｃｍ3であり、理論密度が６．３７９ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６７．７％であった。なお、理論密度として、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１であるＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）という単一結晶の情報がＪＣＰＤＳカードに記載されているため、ＪＣＰＤＳカードに記載されたその単一結晶の理論密度（６．３７９ｇ／ｃｍ3）を採用した。【０１３９】
混合粉末を充填したカプセル容器の上蓋に排気管を溶接し、その後上蓋とカプセル容器を溶接した。カプセル容器の溶接部からのガス漏れがないかどうかを確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。この時の漏れ量は１×１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃ以下であった。５５０℃で７時間、カプセル容器内のガスを排気管から除去した後、排気管を閉じ、カプセル容器の封止を行った。封止したカプセル容器をＨＩＰ処理装置（（株）神戸製鋼所製）内に設置し、カプセルＨＩＰ処理を行った。処理温度は１２００℃、処理圧力は１１８ＭＰａで、アルゴンガス（純度９９．９％）を圧力媒体とし、４時間処理を行った。
カプセルＨＩＰ処理後、カプセル容器を取り外し、円柱型の酸化物焼結体を得た。【０１４０】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．３１×１０-4Ω・ｃｍであった。なお、焼結体の密度は、測長法により測定し、焼結体の理論密度として、ＪＣＰＤＳカードに記載のＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）の理論密度を採用した。【０１４１】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０１４２】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０１４３】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は６．８μｍであり、ビッカース硬度は４１１．０であり、抗折強度は１００ＭＰａであった。【０１４４】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は２８．７７であり、ａ＊は−０．６９であり、ｂ＊は−４．０７であり、ΔＬは６８．５１であった。【０１４５】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０１４６】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．３１×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値である為、異常放電の発生を抑制でき、均一な酸化物半導体膜を効率よく形成することができた。【０１４７】
［実施例２］
実施例１において、平均粒径が０．６μｍの酸化ガリウム粉末を用い、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を６６．５％とした以外は、実施例１と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０１４８】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．２１×１０-4Ω・ｃｍであった。【０１４９】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０１５０】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０１５１】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は８．９μｍであり、ビッカース硬度は４１０．１であり、抗折強度は９９ＭＰａであった。【０１５２】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３２．４９であり、ａ＊は−２．２７であり、ｂ＊は−３．４７であり、ΔＬは６４．７９であった。【０１５３】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０１５４】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．２１×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値である為、異常放電の発生を抑制でき、均一な酸化物半導体膜を効率よく形成することができた。【０１５５】
［実施例３］
実施例１において、平均粒径が０．３μｍの酸化ガリウム粉末を用い、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を６５．７％とした以外は、実施例１と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０１５６】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．１１×１０-4Ω・ｃｍであった。【０１５７】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０１５８】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０１５９】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．３μｍであり、ビッカース硬度は４２２．３であり、抗折強度は１０５ＭＰａであった。【０１６０】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３１．４２であり、ａ＊は−２．１４であり、ｂ＊は−３．２３であり、ΔＬは６５．８４であった。【０１６１】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０１６２】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．１１×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値である為、異常放電の発生を抑制でき、均一な酸化物半導体膜を効率よく形成することができた。【０１６３】
［実施例４］
実施例１において、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を６３．３％とした以外は、実施例１と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０１６４】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は５．６５×１０-4Ω・ｃｍであった。【０１６５】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０１６６】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（２２１７）単相割合は１００％であった。【０１６７】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．０μｍであり、ビッカース硬度は４０８．３であり、抗折強度は９８ＭＰａであった。【０１６８】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は２９．７８であり、ａ＊は−１．２２であり、ｂ＊は−３．８８であり、ΔＬは６７．５０であった。【０１６９】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は２：２：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０１７０】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が５．６５×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値である為、異常放電の発生を抑制でき、均一な酸化物半導体膜を効率よく形成することができた。【０１７１】
［実施例５］
実施例１において、平均粒径が０．６μｍの酸化ガリウム粉末を用い、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を６２．８％とした以外は、実施例１と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０１７２】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は５．５３×１０-4Ω・ｃｍであった。【０１７３】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０１７４】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（２２１７）単相割合は１００％であった。【０１７５】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．２μｍであり、ビッカース硬度は４０８．５であり、抗折強度は９８ＭＰａであった。【０１７６】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３３．２１であり、ａ＊は−２．３８であり、ｂ＊は−３．３３であり、ΔＬは６４．０７であった。【０１７７】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は２：２：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０１７８】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が５．５３×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値である為、異常放電の発生を抑制でき、均一な酸化物半導体膜を効率よく形成することができた。【０１７９】
［実施例６］
実施例１において、平均粒径が０．３μｍの酸化ガリウム粉末を用い、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を６１．５％とした以外は、実施例１と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０１８０】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は５．４３×１０-4Ω・ｃｍであった。【０１８１】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０１８２】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（２２１７）単相割合は１００％であった。【０１８３】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．１μｍであり、ビッカース硬度は４１１．３であり、抗折強度は１００ＭＰａであった。【０１８４】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３２．３２であり、ａ＊は−２．３０であり、ｂ＊は−３．１６であり、ΔＬは６４．９０であった。【０１８５】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は２：２：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０１８６】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が５．４３×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値である為、異常放電の発生を抑制でき、均一な酸化物半導体膜を効率よく形成することができた。【０１８７】
［実施例７］
酸化インジウム粉末（稀産金属（株）製、タップ密度：１．６２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：０．５６μｍ）と、酸化ガリウム粉末（稀産金属（株）製、タップ密度が１．５０ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：１．０μｍ）と、酸化亜鉛粉末（ハクスイテック（株）製、タップ密度：１．０２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：１．５μｍ）とを、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が１：１：１となるように秤量し、スーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分、乾式混合を行い、混合粉末を得た。【０１８８】
得られた混合粉末を電気炉（（株）キタハマ製作所製）に入れ、大気雰囲気中で、昇温速度１０℃／分で、室温から１４００℃まで昇温した後、１４００℃で１２時間仮焼を行った。得られた粉末を、乳鉢で軽く粉砕し、仮焼後の混合粉末を得た。【０１８９】
仮焼後の混合粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８３ｍｍ、内径８０ｍｍ、容器内部の高さ７８ｍｍ）に、混合粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填した。混合粉末のタップ密度は４．１０ｇ／ｃｍ3であり、理論密度が６．３７９ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６４．３％であった。なお、理論密度として、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１であるＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）という単一結晶の情報がＪＣＰＤＳカードに記載されているため、ＪＣＰＤＳカードに記載されたその単一結晶の理論密度（６．３７９ｇ／ｃｍ3）を採用した。【０１９０】
混合粉末を充填したカプセル容器の上蓋に排気管を溶接し、その後上蓋とカプセル容器を溶接した。カプセル容器の溶接部からのガス漏れがないかどうかを確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。この時の漏れ量は１×１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃ以下であった。５５０℃で７時間、カプセル容器内のガスを排気管から除去した後、排気管を閉じ、カプセル容器の封止を行った。封止したカプセル容器をＨＩＰ処理装置（（株）神戸製鋼所製）内に設置し、カプセルＨＩＰ処理を行った。処理温度は１２２０℃、処理圧力は１１８ＭＰａで、アルゴンガス（純度９９．９％）を圧力媒体とし、４時間処理を行った。
カプセルＨＩＰ処理後、カプセル容器を取り外し、円柱型の酸化物焼結体を得た。【０１９１】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．４０×１０-4Ω・ｃｍであった。なお、焼結体の密度は、測長法により測定し、焼結体の理論密度として、ＪＣＰＤＳカードに記載のＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）の理論密度を採用した。【０１９２】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０１９３】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０１９４】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は２．１μｍであり、ビッカース硬度は５２１．４であり、抗折強度は１５２ＭＰａであった。【０１９５】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３２．０２であり、ａ＊は−０．７２であり、ｂ＊は−１．１５であり、ΔＬは６５．１４であった。【０１９６】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０１９７】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．４０×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値である為、異常放電の発生を抑制でき、均一な酸化物半導体膜を効率よく形成することができた。
［比較例１］
実施例１において、平均粒径が３μｍの酸化ガリウム粉末を用い、仮焼を行わず、混合粉末（タップ密度：２．２１ｇ／ｃｍ3）のカプセル容器への充填率を３４．８％とした以外は、実施例１と同様に実施したが、カプセルが破裂し、酸化物焼結体が得られなかった。【０１９８】
［比較例２］
実施例１において、平均粒径が１μｍの酸化インジウム粉末を用い、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を５７．４％とした以外は、実施例１と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０１９９】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は６．３×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２００】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（１１１４）単相割合は９０．２０％であった。【０２０１】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は６．９μｍであり、ビッカース硬度は３９８．６であり、抗折強度は９８ＭＰａであった。【０２０２】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３５．８９であり、ａ＊は−０．２１であり、ｂ＊は−４．９９であり、ΔＬは６１．４８であった。【０２０３】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が９０．２％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が６．３×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。【０２０４】
［比較例３］
比較例２において、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を５４．２％とした以外は、比較例２と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２０５】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は４．５０×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２０６】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（２２１７）単相割合は８４．５０％であった。【０２０７】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．０μｍであり、ビッカース硬度は３９６．４であり、抗折強度は９７ＭＰａであった。【０２０８】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３６．４５であり、ａ＊は−０．３４であり、ｂ＊は−４．８７であり、ΔＬは６０．９０であった。【０２０９】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が８４．５％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が４．５×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。【０２１０】
［比較例４］
比較例２において、平均粒径が０．６μｍの酸化ガリウム粉末を用い、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を６３．１％とした以外は、比較例２と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２１１】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は６．３０×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２１２】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（１１１４）単相割合は９０．４０％であった。【０２１３】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．２μｍであり、ビッカース硬度は３９２．４、抗折強度は９３ＭＰａであった。【０２１４】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３６．５６であり、ａ＊は−０．３４であり、ｂ＊は−５．１２であり、ΔＬは６０．８０であった。【０２１５】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が９０．４％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が６．３×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。【０２１６】
［比較例５］
比較例２において、平均粒径が０．６μｍの酸化ガリウム粉末を用い、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を５９．９％とした以外は、比較例２と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２１７】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は４．３０×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２１８】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（２２１７）単相割合は８３．８０％であった。【０２１９】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．４μｍであり、ビッカース硬度は３９０．２であり、抗折強度は９２ＭＰａであった。【０２２０】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３７．５であり、ａ＊は−０．５６であり、ｂ＊は−４．７４であり、ΔＬは５９．９０であった。【０２２１】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が８３．８％であり、バルク抵抗値（比抵抗）４．３×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。【０２２２】
［実施例８］
酸化インジウム粉末（稀産金属（株）製、タップ密度：１．６２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：０．５６μｍ）と、酸化ガリウム粉末（ヤマナカヒューテック（株）製、タップ密度が１．３９ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：約１．５μｍ）と、酸化亜鉛粉末（ハクスイテック（株）製、タップ密度：１．０２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：約１．５μｍ）とを、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が１：１：１となるように秤量し、スーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで１時間、乾式混合を行い、混合粉末を得た。【０２２３】
得られた混合粉末を冷間静水圧プレス法により、圧力３００ＭＰａで加圧成形し、得られた成型物を切削加工し、直径１１５ｍｍ×高さ４０ｍｍの円柱状成型体を得た。円柱状成型体の密度は３．５２ｇ／ｃｍ3であった。【０２２４】
なお、成型体の密度は、成型体の直径と高さを測定し、体積を算出し、別途測定した成型体の重量を、前記算出した体積で除することにより算出した。【０２２５】
円柱状成型体を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径１２１ｍｍ、内径１１５ｍｍ、容器内部の高さ４０ｍｍ）に、成型体が崩れないように移し、カプセル容器内一杯に充填した。混合粉末の充填密度は３．５２ｇ／ｃｍ3であり、焼結体の理論密度が６．３７９ｇ／ｃｍ3であることから混合粉末の充填率は５５．２％となった。なお、理論密度として、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１であるＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）という単一結晶の情報がＪＣＰＤＳカードに記載されているため、ＪＣＰＤＳカードに記載されたその単一結晶の理論密度（６．３７９ｇ／ｃｍ3）を採用した。【０２２６】
円柱状成型体を充填したカプセル容器の上蓋に排気管を溶接し、その後上蓋とカプセル容器を溶接した。カプセル容器の溶接部からのガス漏れがないかどうかを確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。この時の漏れ量は１×１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃ以下であった。５５０℃で７時間、カプセル容器内のガスを排気管から除去した後、排気管を閉じ、カプセル容器の封止を行った。封止したカプセル容器をＨＩＰ処理装置（（株）神戸製鋼所製）内に設置し、カプセルＨＩＰ処理を行った。処理温度は１２００℃、処理圧力は１１８ＭＰａで、アルゴンガス（純度９９．９％）を圧力媒体とし、４時間処理を行った。カプセルＨＩＰ処理後、カプセル容器を取り外し、円柱型の酸化物焼結体を得た。得られた円柱型の酸化物焼結体の直径は９４．３ｍｍ、高さは３２．８ｍｍであった。【０２２７】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．１８×１０-4Ω・ｃｍであった。なお、焼結体の密度は、測長法により測定し、焼結体の理論密度として、ＪＣＰＤＳカードに記載のＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）の理論密度を採用した。【０２２８】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２２９】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０２３０】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は０．７７μｍであり、ビッカース硬度は６４８．１であり、抗折強度は２１０ＭＰａであった。【０２３１】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は２２．０８であり、ａ＊は−１．０３であり、ｂ＊は−２．４８であり、ΔＬは７５．１であった。【０２３２】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０２３３】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．１８×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０２３４】
［実施例９］
実施例８において、平均粒径が３μｍの酸化ガリウム粉末を用い、円柱状成型体のカプセル容器への充填率を５７．４％とした以外は、実施例８と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２３５】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は９．８０×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２３６】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２３７】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０２３８】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は４．２μｍであり、ビッカース硬度は４７３．１であり、抗折強度は１３３ＭＰａであった。【０２３９】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３３．６７であり、ａ＊は−１．９４であり、ｂ＊は−３．５３であり、ΔＬは６３．６であった。【０２４０】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０２４１】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が９．８×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０２４２】
［実施例１０］
実施例８において、平均粒径が０．３μｍの酸化ガリウム粉末を用い、円柱状成型体のカプセル容器への充填率を５４．４％とした以外は、実施例８と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２４３】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は７．５４×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２４４】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２４５】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０２４６】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は０．９２μｍであり、ビッカース硬度は６５２．３であり、抗折強度は２１２ＭＰａであった。【０２４７】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は２１．９８であり、ａ＊は−０．９９であり、ｂ＊は−２．３９であり、ΔＬは７５．２であった。【０２４８】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０２４９】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％あり、バルク抵抗値（比抵抗）が７．５４×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０２５０】
［実施例１１］
実施例８において、平均粒径が１μｍの酸化ガリウム粉末を用い、円柱状成型体のカプセル容器への充填率を５５．１％とした以外は、実施例８と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２５１】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は９．２０×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２５２】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２５３】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０２５４】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は３．５μｍであり、ビッカース硬度は５３８．５であり、抗折強度は１６２ＭＰａであった。【０２５５】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は２７．４６であり、ａ＊は−１．４５であり、ｂ＊は−３．０３であり、ΔＬは６９．８であった。【０２５６】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０２５７】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が９．２×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０２５８】
［実施例１２］
酸化インジウム粉末（稀産金属（株）製、タップ密度：１．６２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：０．５６μｍ）と、酸化ガリウム粉末（ヤマナカヒューテック（株）製、タップ密度が１．３９ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：約１．５μｍ）と、酸化亜鉛粉末（ハクスイテック（株）製、タップ密度：１．０２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：約１．５μｍ）とを、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が１：１：１となるように秤量し、秤量した各粉末を混合し、混合粉末を得た。【０２５９】
得られた混合粉末と、ポリプロピレンカーボネート（分子量：２０万）と、２ｍｍφジルコニア製ボールと、エタノールと、アセトンとを混合し、スラリーを調製し、該スラリーを湿式ボールミル混合法により湿式混合した。なお、混合粉末９８質量部に対して、ポリプロピレンカーボネート２質量部を使用した。【０２６０】
スラリーからジルコニア製ボールを除去した後、二流体ノズル方式（オリフィス径０．７ｍｍ）のアトマイザーを備えた防爆式スプレードライヤー（ヤマト科学(株)製ＤＬ４１０）により、スラリーを噴霧し、常圧で乾燥させ、造粒を行い、粒径９５μｍ、タップ密度３．４３ｇ／ｃｍ3の造粒粉末を得た。スプレードライヤーに供給する熱風の温度は、２５０℃であり、乾燥機出口の温度は、９３℃であった。【０２６１】
造粒粉末の粒径は以下のように測定した。【０２６２】
造粒粉末の一部を採取し、採取した粉末とヘキサメタリン酸（分散剤）とを水中に投入し、３分間超音波照射後、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置（ベックマン・コールター（株）製ＬＳ−２３０）により粒度分布を測定し、積算体積分率５０％粒径を造粒粉末の粒径とした。【０２６３】
造粒粉末のタップ密度はＪＩＳ  Ｋ５１０１に基づいて、所定のサイズのメスシリンダーに、造粒粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら、造粒粉末を充填し、算出した。【０２６４】
造粒粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８３ｍｍ、内径８０ｍｍ、容器内部の高さ７８ｍｍ）に、造粒粉末の体積変化がなくなるまで、振動を与えながらカプセル容器内一杯に充填した。造粒粉末のタップ密度は３．４３ｇ／ｃｍ3であり、焼結体の理論密度が６．３７９ｇ／ｃｍ3であることから混合粉末の充填率は５３．８％となった。なお、理論密度として、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１であるＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）という単一結晶の情報がＪＣＰＤＳカードに記載されているため、ＪＣＰＤＳカードに記載されたその単一結晶の理論密度（６．３７９ｇ／ｃｍ3）を採用した。【０２６５】
造粒粉末を充填したカプセル容器を、大気雰囲気中、４００℃で５時間保持し、ポリプロピレンカーボネートを除去した。ポリプロピレンカーボネート除去後の粉末のタップ密度は３．３１ｇ／ｃｍ3であり、充填率は、５１．９％であった。【０２６６】
カプセル容器の上蓋に排気管を溶接し、その後上蓋とカプセル容器を溶接した。カプセル容器の溶接部からのガス漏れがないかどうかを確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。この時の漏れ量は１×１０-9Ｐａ・ｍ3／ｓｅｃ以下であった。５５０℃で７時間、カプセル容器内のガスを排気管から除去した後、排気管を閉じ、カプセル容器の封止を行った。封止したカプセル容器をＨＩＰ処理装置（（株）神戸製鋼所製）内に設置し、カプセルＨＩＰ処理を行った。処理温度は１２００℃、処理圧力は１１８ＭＰａで、アルゴンガス（純度９９．９％）を圧力媒体とし、４時間処理を行った。カプセルＨＩＰ処理後、カプセル容器を取り外し、円柱型の酸化物焼結体を得た。得られた円柱型の酸化物焼結体の直径は６４．１ｍｍ、高さは６２．４ｍｍであった。【０２６７】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．１８×１０-4Ω・ｃｍであった。なお、焼結体の密度は、測長法により測定し、焼結体の理論密度として、ＪＣＰＤＳカードに記載のＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）の理論密度を採用した。【０２６８】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２６９】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０２７０】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は０．７７μｍであり、ビッカース硬度は６４８．１であり、抗折強度は２１０ＭＰａであった。【０２７１】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は２２．０８であり、ａ＊は−１．０３であり、ｂ＊は−２．４８であり、ΔＬは７５．１であった。【０２７２】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０２７３】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．１８×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０２７４】
［実施例１３］
実施例１２において、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、造粒粉末のカプセル容器への充填率を５６．２％とした以外は、実施例１２と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２７５】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は５．４３×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２７６】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２７７】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（２２１７）単相割合は１００％であった。【０２７８】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は０．９３μｍであり、ビッカース硬度は６１０．３であり、抗折強度は１９５ＭＰａであった。【０２７９】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は１９．６２であり、ａ＊は−０．４６であり、ｂ＊は−０．３４６であり、ΔＬは７７．５２であった。【０２８０】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は２：２：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０２８１】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が５．４３×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０２８２】
［実施例１４］
実施例８において、平均粒径が６０ｎｍの酸化亜鉛粉末を用い、仮焼後の混合粉末のカプセル容器への充填率を５４．６％とした以外は、実施例８と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０２８３】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．１８×１０-4Ω・ｃｍであった。【０２８４】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２８５】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０２８６】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は０．７２μｍであり、ビッカース硬度は６７４．１であり、抗折強度は２２５ＭＰａであった。【０２８７】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は２１，８２であり、ａ＊は−１．０１であり、ｂ＊は−２．４３であり、ΔＬは７５．４であった。【０２８８】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０２８９】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．１８×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０２９０】
［実施例１５］
酸化インジウム粉末（稀産金属（株）製、タップ密度：１．６２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：０．５６μｍ）と、酸化ガリウム粉末（稀産金属（株）製、タップ密度が１．５０ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：１．０μｍ）と、酸化亜鉛粉末（ハクスイテック（株）製、タップ密度：１．０２ｇ／ｃｍ3、平均粒子径：１．５μｍ）とを、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が１：１：１となるように秤量し、スーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで１時間、乾式混合を行い、混合粉末を得た。【０２９１】
得られた混合粉末を冷間静水圧プレス法により、圧力３００ＭＰａで加圧成形し、得られた成型物を切削加工し、直径１１５ｍｍ×高さ４０ｍｍの円柱状成型体を得た。円柱状成型体の密度は３．６６ｇ／ｃｍ3であった。【０２９２】
なお、成型体の密度は、成型体の直径と高さを測定し、体積を算出し、別途測定した成型体の重量を、前記算出した体積で除することにより算出した。【０２９３】
円柱状成型体を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径１２１ｍｍ、内径１１５ｍｍ、容器内部の高さ４０ｍｍ）に、成型体が崩れないように移し、カプセル容器内一杯に充填した。混合粉末の充填密度は３．６６ｇ／ｃｍ3であり、焼結体の理論密度が６．３７９ｇ／ｃｍ3であることから混合粉末の充填率は５７．３％となった。なお、理論密度として、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１であるＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）という単一結晶の情報がＪＣＰＤＳカードに記載されているため、ＪＣＰＤＳカードに記載されたその単一結晶の理論密度（６．３７９ｇ／ｃｍ3）を採用した。【０２９４】
円柱状成型体を充填したカプセル容器の上蓋に排気管を溶接し、その後上蓋とカプセル容器を溶接した。カプセル容器の溶接部からのガス漏れがないかどうかを確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。この時の漏れ量は１×１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃ以下であった。５５０℃で７時間、カプセル容器内のガスを排気管から除去した後、排気管を閉じ、カプセル容器の封止を行った。封止したカプセル容器をＨＩＰ処理装置（（株）神戸製鋼所製）内に設置し、カプセルＨＩＰ処理を行った。処理温度は１２２０℃、処理圧力は１１８ＭＰａで、アルゴンガス（純度９９．９％）を圧力媒体とし、４時間処理を行った。カプセルＨＩＰ処理後、カプセル容器を取り外し、円柱型の酸化物焼結体を得た。得られた円柱型の酸化物焼結体の直径は９４．３ｍｍ、高さは３２．８ｍｍであった。【０２９５】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は８．３０×１０-4Ω・ｃｍであった。なお、焼結体の密度は、測長法により測定し、焼結体の理論密度として、ＪＣＰＤＳカードに記載のＩｎＧａＺｎＯ4（ＪＣＰＤＳカード番号：３８１１０４）の理論密度を採用した。【０２９６】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０２９７】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークのみが観察され、他の結晶相に帰属される回折ピークは全く観察されなかったことから、（１１１４）単相割合は１００％であった。【０２９８】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は１．２０μｍであり、ビッカース硬度は５９５．０であり、抗折強度は１８８ＭＰａであった。【０２９９】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３４．２であり、ａ＊は−１．５５であり、ｂ＊は−２．９３であり、ΔＬは６３．０であった。【０３００】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０３０１】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が８．１８×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である低抵抗値であり、また結晶粒径が小さく微細構造であり、ビッカース硬度も高いことからパーティクルの発生が少なくノジュールの生成も抑制でき（異常放電の発生を抑制）、機械的強度が高いことからスパッタ電力を高くしてもターゲットが割れることなく成膜速度を大きくすることができ、生産効率が良好であった。【０３０２】
［比較例６］
実施例８において、平均粒径が４．０μｍの酸化インジウム粉末（高純度化学研究所（株）製）を用いた以外は、実施例８と同様に実施し、酸化物焼結体（直径９４．６ｍｍ、高さ３２．９ｍｍ）を得た。円柱状成型体の密度は３．５５ｇ／ｃｍ3であった。また、カプセル容器に円柱状成型体を充填し、算出した充填密度は３．５５ｇ／ｃｍ3であった。したがって、円柱状成型体のカプセル容器への充填率は５５．７％であった。【０３０３】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は１．１×１０-3Ω・ｃｍであった。【０３０４】
得られた酸化物焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔もほとんどなく、緻密な焼結体であった。【０３０５】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（１１１４）単相割合は７０％であった。【０３０６】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は７．９μｍであり、ビッカース硬度は４２１．３であり、抗折強度は１０７ＭＰａであった。【０３０７】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３５．３２であり、ａ＊は−２．０８であり、ｂ＊は−０．３６７であり、ΔＬは５９．５であった。【０３０８】
得られた酸化物焼結体の表面を研削し、外周を研削し、さらに、表面を研磨し、直径５０．８ｍｍ×厚さ３ｍｍの焼結体を調製した。調製した焼結体をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析装置（ＳＥＩＫＯ（株）製ＳＰＳ５０００）にて分析したところ、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）は１：１：１であった。この焼結体のＩｎとＧａとＺｎの原子数比は、原料組成（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）と同一であり、焼結体製造時のインジウムや亜鉛の揮散がなかったことを示す。【０３０９】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が７０％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が１．１×１０-3Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。【０３１０】
［比較例７］
比較例６において、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、円柱状成型体のカプセル容器への充填率を５５．９％とした以外は、比較例６と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０３１１】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は１．７×１０-2Ω・ｃｍであった。【０３１２】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（２２１７）単相割合は４％であった。【０３１３】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は８．３μｍであり、ビッカース硬度は３９８．５であり、抗折強度は９６ＭＰａであった。【０３１４】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は４５．８であり、ａ＊は−２．８３であり、ｂ＊は−３．９７であり、ΔＬは５１．６であった。【０３１５】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が４％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が１．７×１０-2Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。【０３１６】
［比較例８］
比較例６において、平均粒径が１．０μｍの酸化インジウム粉末を用い、円柱状成型体のカプセル容器への充填率を５６．６％とした以外は、比較例６と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０３１７】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は６．２×１０-4Ω・ｃｍであった。【０３１８】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎＧａＺｎＯ4に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（１１１４）単相割合は８８．６０％であった。【０３１９】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は４．８μｍであり、ビッカース硬度は４２１．３であり、抗折強度は１０７ＭＰａであった。【０３２０】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３８．３であり、ａ＊は−１．８８であり、ｂ＊は−２．５４であり、ΔＬは５８．９であった。【０３２１】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（１１１４）単相割合が８８．６０％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が６．２×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。【０３２２】
［比較例９］
比較例８において、インジウム元素とガリウム元素と亜鉛元素との原子数比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が２：２：１となるように秤量し、円柱状成型体のカプセル容器への充填率を５４．８％とした以外は、比較例８と同様に実施し、酸化物焼結体を得た。【０３２３】
得られた酸化物焼結体の相対密度は１００％であり、バルク抵抗値（比抵抗）は４．２×１０-4Ω・ｃｍであった。【０３２４】
得られた酸化物焼結体の結晶構造をＸ線回折装置（パナリティカル（株）製ＥＭＰＹＲＥＡＮ）により調べたところ、ホモロガス構造であるＩｎ2Ｇａ2ＺｎＯ7に帰属される回折ピークに加え、他の結晶相に帰属される回折ピークも観察された。（２２１７）単相割合は８５．６０％であった。【０３２５】
得られた酸化物焼結体の平均結晶粒径は４．７μｍであり、ビッカース硬度は４３６．２であり、抗折強度は１１４ＭＰａであった。【０３２６】
得られた酸化物焼結体のＬ＊は３９．４であり、ａ＊は−１．９３であり、ｂ＊は−３．２１であり、ΔＬは５７．９であった。【０３２７】
この酸化物焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウム半田を用いてボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。これを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化物半導体膜を成膜して、透明半導体基板を得た。この酸化物焼結体は、相対密度が１００％であり、（２２１７）単相割合が８５．６％であり、バルク抵抗値（比抵抗）が４．２×１０-4Ω・ｃｍであることから、高密度ではあるが、スパッタした膜の組成の均一性が低下していた。
【産業上の利用可能性】
【０３２８】
本発明の酸化物焼結体は、機械的強度が高く、相対密度が高く、バルク抵抗値が小さく、且つ、組成が均一であるので、スパッタリングターゲットとして有用である。
【国際調査報告】
2016017605.tif 000002
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