(57)【要約】  本発明は、上面の側端部に立設したピン出力端子２を有するパワー半導体モジュール１０に電力ケーブルを接続するパワー半導体モジュールの端子接続構造であって、上面に露出して電力ケーブルの接続端子３１を固定するためのインサートナット１３が埋め込まれた樹脂ブラケット４と、ピン出力端子２を挿通する端子孔１６が形成され、インサートナット１３に螺合するボルト１８を貫通する導電性ブッシュ１５を有したブッシュ付き接続基板５と、を備え、ピン出力端子２を端子孔１６に挿通してはんだ付けを行い、導電性ブッシュ１５と固定用のボルト１８の頭部と間に接続端子３１を挟み込みんで、固定用のボルト１８でボルト締結して電力ケーブルをパワー半導体モジュール１０に接続する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の側端部に立設した複数のピン出力端子を有するとともに筐体に装着されたパワー半導体モジュールと、
前記パワー半導体モジュールの側方に配置され前記筐体に装着された樹脂ブラケットと、
前記ピン出力端子を挿通する端子孔が形成された基板本体にフランジ部を備えた導電性ブッシュが配置され、前記端子孔と前記導電性ブッシュとが導電接続されたブッシュ付き接続基板と、
電力ケーブルの接続端子及び前記ブッシュ付き接続基板の前記導電性ブッシュを貫通して前記樹脂ブラケットに螺合するボルトと、
を備え、前記ピン出力端子は前記端子孔に挿通して前記端子孔に導電接続され、前記電力ケーブルの接続端子は前記ボルトと前記樹脂ブラケットとの螺合によって前記導電性ブッシュに導電接続され、前記ピン出力端子が前記電力ケーブルの接続端子に導電接続することを特徴とするパワー半導体モジュールの端子接続構造。
【請求項２】
前記樹脂ブラケットは、前記ボルトに対するインサートナットが設けられることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュールの端子接続構造。
【請求項３】
前記パワー半導体モジュールの筐体の線膨張率と前記樹脂ブラケットとの線膨張率との差は所定範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載のパワー半導体モジュールの端子接続構造。
【請求項４】
前記ピン出力端子は、前記端子孔に挿通された状態ではんだ付けされて前記端子孔に導通接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のパワー半導体モジュールの端子接続構造。
【請求項５】
前記ピン出力端子の前記端子孔への接続は、前記導電性ブッシュを前記樹脂ブラケットの上面に接触させた状態で行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のパワー半導体モジュールの端子接続構造。
【請求項６】
前記導電性ブッシュを前記樹脂ブラケットの上面に接触させた状態は、前記電力ケーブルの接続端子を挟まずに、前記ボルトを前記樹脂ブラケットに固定する仮固定によって形成することを特徴とする請求項５に記載のパワー半導体モジュールの端子接続構造。
【請求項７】
前記電力ケーブルの接続端子を挟んで固定する本固定を行う場合、仮固定した前記ボルトの取り外し毎に、取り外された箇所を前記ボルトで本固定することを特徴とする請求項６に記載のパワー半導体モジュールの端子接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体モジュールの電力用の複数のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続部材を介した接続の信頼性の低下を抑止することができるパワー半導体モジュールの端子接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
駆動源としてエンジンおよび回転電機が搭載されたハイブリッド作業車両は、回転電機への電源を供給する一方、回転電機によって発電された電力を蓄電するバッテリー等の蓄電器を備えている。このような構成を有するハイブリッド作業車両では、回転電機を駆動するインバータを有している。インバータはパワー半導体モジュールを用いて電力変換を行っている。【０００３】
特許文献１には、電力変換用のスイッチング素子を含む複数のパワーモジュールと、前記パワーモジュールを冷却する冷媒が流れる複数の冷媒流路とが積層された積層ユニットと、前記積層ユニットを収容するケースと、前記ケースの外側の表面に固定された樹脂製の固定部材と、前記固定部材に固定されて前記固定部材を介して前記ケースに取り付けられ、前記複数のパワーモジュールに接続される制御基板と、前記制御基板を前記固定部材に固定する第１固定部と、前記固定部材を前記ケースに固定する第２固定部と、を有し、前記固定部材の線膨張率は、前記ケースの線膨張率よりも前記制御基板の線膨張率に近い値であり、前記第１固定部と前記第２固定部とは、前記固定部材において別々の位置に配置されている電力変換装置が記載されている。これによれば、固定部材の線膨張率が、ケースの線膨張率よりも制御基板の線膨張率に近い値であり、第１固定部と第２固定部とが固定部材において別々の位置に配置されているため、ケースの熱歪みが制御基板に伝達することを抑制し、制御基板における熱歪みの発生を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１１９５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、インバータ筐体内にＩＧＢＴなどのパワー半導体モジュールを取り付け、インバータ筐体内でパワー半導体モジュールに電力ケーブルの接続端子を接続する必要がある。この場合、端子台がパワー半導体モジュールに一体形成されているパワー半導体モジュールの場合には、端子台に電力ケーブルの接続端子を接続すればよいが、パワー半導体モジュールの端子がピン出力端子である場合、別途端子台を設ける必要がある。【０００６】
この場合、別途設けられる端子台には、ピン出力端子を接続するピン接続部と電力ケーブルの接続端子を接続するケーブル接続部とを有し、ピン接続部とケーブル接続部との間に導電パターンが形成された接続基板、あるいはバスバーなどの接続部材を設ける必要がある。【０００７】
接続基板やバスバーなどを用いてパワー半導体モジュールの電力用のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続する構造を有したハイブリッド作業車両では、高負荷での繰り返し作業によるパワー半導体モジュールの温度変動や、振動衝撃の繰り返しによって、パワー半導体モジュールのピン出力端子部と電力ケーブルの接続端子部が相対的にずれようとする負荷がかかるため、ピン接続部及びケーブル接続部に応力がかかり、パワー半導体モジュールと電力ケーブルとの接続の信頼性が低下する。【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、パワー半導体モジュールの電力用の複数のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続部材を介した接続の信頼性の低下を抑止することができるパワー半導体モジュールの端子接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上面の側端部に立設した複数のピン出力端子を有するとともに筐体に装着されたパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールの側方に配置され前記筐体に装着された樹脂ブラケットと、前記ピン出力端子を挿通する端子孔が形成された基板本体にフランジ部を備えた導電性ブッシュが配置され、前記端子孔と前記導電性ブッシュとが導電接続されたブッシュ付き接続基板と、電力ケーブルの接続端子及び前記ブッシュ付き接続基板の前記導電性ブッシュを貫通して前記樹脂ブラケットに螺合するボルトと、を備え、前記ピン出力端子は前記端子孔に挿通して前記端子孔に導電接続され、前記電力ケーブルの接続端子は前記ボルトと前記樹脂ブラケットとの螺合によって前記導電性ブッシュに導電接続され、前記ピン出力端子が前記電力ケーブルの接続端子に導電接続することを特徴とする。【００１０】
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記樹脂ブラケットは、前記ボルトに対するインサートナットが設けられることを特徴とする。【００１１】
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記パワー半導体モジュールの筐体の線膨張率と前記樹脂ブラケットとの線膨張率との差は所定範囲内であることを特徴とする。【００１２】
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記ピン出力端子は、前記端子孔に挿通された状態ではんだ付けされて前記端子孔に導通接続されることを特徴とする。【００１３】
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記ピン出力端子の前記端子孔への接続は、前記導電性ブッシュを前記樹脂ブラケットの上面に接触させた状態で行うことを特徴とする。【００１４】
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記導電性ブッシュを前記樹脂ブラケットの上面に接触させた状態は、前記電力ケーブルの接続端子を挟まずに、前記ボルトを前記樹脂ブラケットに固定する仮固定によって形成することを特徴とする。【００１５】
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記電力ケーブルの接続端子を挟んで固定する本固定を行う場合、仮固定した前記ボルトの取り外し毎に、取り外された箇所を前記ボルトで本固定することを特徴とする。【００１６】
本発明によれば、パワー半導体モジュールの電力用の複数のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続部材を介した接続の信頼性の低下を抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態であるパワー半導体モジュールの端子接続構造を含むインバータ内の配置構成を示す図である。
【図２】図２は、図１のＡ部の拡大図である。
【図３】図３は、図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図４は、樹脂ブラケットとパワー半導体モジュールの筐体との線膨張率の差に伴うブッシュ付き接続基板の変形による、はんだ部にかかる応力付加を示す説明図である。
【図５】図５は、仮固定して予め端子台を組み立てた状態を示す図である。
【図６】図６は、パワー半導体モジュールをインバータ筐体に取り付けた状態を示す図である。
【図７】図７は、仮固定された端子台をインバータ筐体に取り付けた状態を示す図である。
【図８】図８は、ピン出力端子のはんだ付けと制御基板の取付を行った状態を示す図である。
【図９】図９は、キャパシタの接続端子を端子台に接続した本固定の状態を示す図である。
【図１０】図１０は、電力ケーブルの接続端子を端子台に接続した本固定の状態を示す図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態であるパワー半導体モジュールの端子接続手順を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、固定用のボルトで仮固定しない場合の端子台を示す図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１３】図１３は、固定用のボルトで仮固定しない場合の端子台とこの端子台で電力ケーブルの接続端子を接続する場合の端子台の状態を示す図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１４】図１４は、固定用のボルトで仮固定した場合の端子台を示す図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１５】図１５は、固定用のボルトで仮固定した場合の端子台とこの端子台で電力ケーブルの接続端子を固定用のボルトで本固定する場合の端子台の状態を示す図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
【００１９】
図１は、本発明の実施の形態であるパワー半導体モジュール１０の端子接続構造を含むインバータ１内の配置構成を示す図である。図１に示すように、インバータ１は、インバータ筐体１ａ（本願発明の筐体）内に、ピン出力端子２を有した２つのパワー半導体モジュール１０と、端子台２０ａが一体形成された３つのパワー半導体モジュール２０とが並列配置される。なお、インバータ筐体１ａ内に、電力ケーブルや平滑用のコンデンサが配置される配線空間１ｂが形成されている。また、インバータ１は、図示しない冷却機構も有する。パワー半導体モジュール１０，２０は、それぞれ四隅でのボルト締めによってインバータ筐体１ａに固定される。インバータ筐体１ａ内のパワー半導体モジュール１０，２０が配置される筐体の部位は上述した冷却機構によって冷却される冷却部である。
【００２０】
ピン出力端子２は、パワー半導体モジュール１０の上面の側端部に配置され、コンデンサに接続される直流のプラス端子２ｐ、マイナス端子２ｎ、三相出力のＵ相端子２ｕ、Ｖ相端子２ｖ、Ｗ相端子２ｗを有する。各ピン出力端子２は、３つの端子を有し、電流分散を行っている。
【００２１】
パワー半導体モジュール１０は、ピン出力端子２を接続端子としているため、電力ケーブルを接続するために、３つの端子台３を設けている。端子台３ａ，３ｂは、それぞれＵ相端子２ｕ、Ｖ相端子２ｖ、Ｗ相端子２ｗを接続し、端子台３ｃは、２つのプラス端子２ｐ、２つのマイナス端子２ｎを接続する。各端子台３（３ａ，３ｂ，３ｃ）は、樹脂ブラケット４（４ａ，４ｂ，４ｃ）上にブッシュ付き接続基板５（５ａ，５ｂ，５ｃ）がそれぞれ配置される構成となっている。なお、図１では、接続される電力ケーブルを省略している。端子台３は、パワー半導体モジュール１０の側方に配置される。すなわち、図上、２つの並列配置されたパワー半導体モジュールの右側、左側、及び上側に配置される。
【００２２】
図２は、図１のＡ部の拡大図である。また、図３は、図２のＢ−Ｂ線断面図である。図２に示すように、端子台３は、パワー半導体モジュール１０の側方に配置される。上述したようにパワー半導体モジュール１０は、四隅でボルト４２によってインバータ筐体１ａに固定される。また、端子台３は、両端のボルト４０によってインバータ筐体１ａに固定される。なお、パワー半導体モジュール１０の上面には制御基板１１が取り付けられる。また、ブッシュ付き接続基板５は、両端のボルト４１によって樹脂ブラケット４に固定される。
【００２３】
図２及び図３に示すように、樹脂ブラケット４は、上面に露出して電力ケーブル３０の接続端子３１を固定するためのインサートナット１３が樹脂ブラケット本体１２に埋め込まれている。樹脂ブラケット本体１２の上面高さは、パワー半導体モジュール１０の上面高さにほぼ等しい。ブッシュ付き接続基板５は、パワー半導体モジュール１０のピン出力端子２を挿通する端子孔１６が形成された基板本体１４に、インサートナット１３に螺合する固定用のボルト１８を貫通する導電性ブッシュ１５が取り付けられている。導電性ブッシュ１５は、フランジ付きのブッシュで、基板本体１４の上面側から基板本体１４を貫通して基板本体１４の下面から少し突出する状態で取り付けられる。基板本体１４は、端子孔１６と導電性ブッシュ１５との間を電気的に接続する導電性パターンＰＴが形成されている。ブッシュ付き接続基板５は、樹脂ブラケット４、及びピン出力端子２が配置されるパワー半導体モジュール１０の側端部の上側に配置される。
【００２４】
そして、ピン出力端子２は、端子孔１６に挿通された状態ではんだ付けされて、はんだ部１７が形成される。一方、導電性ブッシュ１５の上面には電力ケーブル３０の接続端子３１が配置され、接続端子３１は、導電性ブッシュ１５とボルト１８とに挟まれた状態で、ボルト１８のインサートナット１３への螺合によって導電性ブッシュ１５に接続される。その結果、電力ケーブル３０の接続端子３１とピン出力端子２とが電気的に接続される。ボルト１８は、電力ケーブル３０の接続端子３１を導電性ブッシュ１５に接続するための固定用の部材である。
【００２５】
（パワー半導体モジュールと樹脂ブラケットの線膨張率）
図４に示すように、常温時、例えば２５℃のときにピン出力端子２とブッシュ付き接続基板５とをはんだ付けした場合（図４（ａ）参照）、ピン出力端子２とブッシュ付き接続基板５とは直角に交わっているが、高温時、例えば１２５℃になると（図４（ｂ）参照）、樹脂ブラケット４の線膨張率がパワー半導体モジュール１０の筐体（樹脂ケース）の線膨張率に比して大きいため、ブッシュ付き接続基板５の導電性ブッシュ１５側が相対的に浮き上がり、ブッシュ付き接続基板５が変形する。この変形によってピン出力端子２のはんだ部１７に応力がかかり、はんだ部１７における接続の信頼性が低下する。特に、ハイブリッド作業車両の場合には、同じ様な作業が繰り返し行われるため、温度変動が繰り返される。この温度変動に伴う応力変動は、はんだ部１７における接続の信頼性を低下させてしまう。
【００２６】
このため、本実施の形態では、パワー半導体モジュール１０の筐体と樹脂ブラケット４との線膨張率の差が所定範囲内となる材料を用いている。特に樹脂ブラケット本体１２の材料がパワー半導体モジュール１０の筐体の材料に対して線膨張率の差が所定範囲内となるように選定している。具体的には、樹脂ブラケット本体１２の材料の線膨張率がパワー半導体モジュール１０の筐体の材料の線膨張率の２倍以下となるように選定している。なお、樹脂ブラケット本体１２の線膨張率とパワー半導体モジュール１０の筐体の線膨張率が近ければ近いほど好ましい。これにより、パワー半導体モジュール１０の発熱時に、はんだ部１７にかかる応力が軽減され、はんだ部１７の接続の信頼性の低下を防止することができる。上述したように、ハイブリッド作業車両に生ずる温度変動が繰り返される場合であっても、はんだ部１７における接続の信頼性の低下を防止することができる。
【００２７】
（パワー半導体モジュールの端子接続）
つぎに、図５〜図１０及び図１１に示したフローチャートを参照して、端子台３を介したピン出力端子２と電力ケーブル３０の接続端子３１との接続処理について説明する。まず、図５に示すように、ボルト４１で樹脂ブラケット４にブッシュ付き接続基板５を取り付け、さらに固定用のボルト１８で導電性ブッシュ１５の下面とインサートナット１３の上面とが接触状態となるように仮固定して予め端子台３を組み立てておく（ステップＳ１０１）。
【００２８】
その後、図６に示すように、インバータ筐体１ａ内にパワー半導体モジュール１０をボルト４２で取り付ける（ステップＳ１０２）。なお、ステップＳ１０１の端子台３の組立とステップＳ１０２のパワー半導体モジュール１０の取付とは逆の順序で行ってもよいし、並行して行ってもよい。その後、図７に示すように、予め組み立てておいた３つの端子台３をボルト４０でインバータ筐体１ａに取り付ける（ステップＳ１０３）。なお、このとき、ブッシュ付き接続基板５の端子孔１６にピン出力端子２が挿通する。端子孔１６は、端子台３の設置時にピン出力端子２が挿通する位置に設けられている。
【００２９】
その後、図８に示すように、領域Ｅにおける、端子孔１６を挿通しているピン出力端子２をはんだ付けしてはんだ部１７を形成し、ピン出力端子２をブッシュ付き接続基板５に接続する（ステップＳ１０４）。さらに、パワー半導体モジュール１０を制御する制御基板１１をパワー半導体モジュールの上面に取り付ける（ステップＳ１０５）。
【００３０】
その後、図９に示すように、直流入力側の端子台３ｃで仮固定していた固定用のボルト１８を取り外し（ステップＳ１０６）、導電性ブッシュ１５上に、コンデンサ５０に接続される接続端子５１を配置し、取り外した固定用のボルト１８を再度インサートナット１３に螺合して接続端子５１を本固定する（ステップＳ１０７）。
【００３１】
さらに、図１０に示すように、三相出力側の端子台３ａ，３ｂで仮固定していた固定用のボルト１８を取り外し（ステップＳ１０８）、導電性ブッシュ１５上に、電力ケーブル３０の接続端子３１を配置し、取り外した固定用のボルト１８を再度インサートナット１３に螺合して接続端子３１を本固定する（ステップＳ１０９）。
【００３２】
ここで、図１２は、固定用のボルト１８で仮固定しない場合の端子台３を示す図２のＣ−Ｃ線断面図である。また、図１３は、固定用のボルト１８で仮固定しない場合の端子台３とこの端子台３で電力ケーブル３０の接続端子３１を接続する場合の端子台３の状態を示す図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３３】
図１２及び図１３（ａ）に示すように、固定用のボルト１８で仮固定しない場合、ブッシュ付き接続基板５と樹脂ブラケット４との製造誤差や部品公差によって導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間に隙間ｄが生ずる場合がある。隙間ｄが生じた状態で、はんだ付けを行い、図１３（ｂ）に示すように、この隙間ｄが生じた状態で、固定用のボルト１８で電力ケーブル３０の接続端子３１を接続すると、隙間ｄの潰れに伴って基板本体１４が下降して変形し、はんだ付けされたはんだ部１７に応力がかかり、はんだ部１７の接続の信頼性が低下する。
【００３４】
これに対し、本実施の形態では、予め端子台３を組み立てるとき、固定用のボルト１８で仮固定するようにしている。図１４は、固定用のボルト１８で仮固定した場合の端子台３を示す図２のＣ−Ｃ線断面図である。また、図１５は、固定用のボルト１８で仮固定した場合の端子台３とこの端子台３で電力ケーブル３０の接続端子３１を固定用のボルト１８で本固定する場合の端子台３の状態を示す図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３５】
図１４及び図１５（ａ）に示すように、本実施の形態では、固定用のボルト１８でブッシュ付き接続基板５の導電性ブッシュ１５を仮固定しているので、導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間に隙間が生じず、接触状態となる。すなわち、部品公差や製造誤差により、導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間に、図１２に示した隙間ｄが生じる場合でも、仮固定により、図１４に示すように、基板本体１４が変形するので、図１５（ａ）に示すように、導電性ブッシュ１５とインサートナット１３とが接触状態となる。この仮固定の状態で、ピン出力端子２がはんだ付けされて、はんだ部１７が形成される。その後、図１５（ｂ）に示すように、固定用のボルト１８を取り外し、接続端子３１を挟んで、取り外した固定用のボルト１８を本固定しても、導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間の接触状態は変化せず、基板本体１４の位置も変化しない。この結果、はんだ部１７に応力はかからず、信頼性高く、はんだ部１７の接続状態を維持することができる。
【００３６】
なお、上述した実施の形態では、仮固定された固定用のボルト１８を全て取り外した後に固定用のボルト１８で本固定することを前提として説明したが、１つの仮固定された固定用のボルト１８を取り外す毎に、取り外した１つの固定用のボルト１８を用いて順次本固定することが好ましい。導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間が接触状態で、はんだ部１７に応力がかからない状態を維持しつつ本固定できるからである。
【００３７】
また、上述した実施の形態では、仮固定に固定用のボルト１８を用いていたが、これに限らず、仮固定専用のボルトを用いて仮固定するようにしてもよい。
【００３８】
さらに、上述した実施の形態では、固定用のボルト１８を用いて仮固定していたが、これに限らず、ブッシュ付き接続基板５を手で押さえて、導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間の接触状態を形成し、この状態でピン出力端子２のはんだ付けを行ってもよいし、押え治具を用いて導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間の接触状態を形成し、この状態でピン出力端子２のはんだ付けを行ってもよい。要は、導電性ブッシュ１５とインサートナット１３との間の接触状態が形成された状態で、ピン出力端子２のはんだ付けを行えばよい。
【００３９】
なお、パワー半導体モジュール１０のピンには、電力用のピンと制御用のピンとがあり、本実施の形態の端子台３に接続されるピン出力端子２は、電力用のピンである。制御用のピンは、図８に示した制御基板１１に接続される。
【符号の説明】
【００４０】
１  インバータ
１ａ  インバータ筐体（筐体）
１ｂ  配線空間
２  ピン出力端子
２ｐ  プラス端子
２ｎ  マイナス端子
２ｕ  Ｕ相端子
２ｖ  Ｖ相端子
２ｗ  Ｗ相端子
３，３ａ，３ｂ，３ｃ  端子台
４  樹脂ブラケット
５  ブッシュ付き接続基板
１０，２０  パワー半導体モジュール
１１  制御基板
１２  樹脂ブラケット本体
１３  インサートナット
１４  基板本体
１５  導電性ブッシュ
１６  端子孔
１７  はんだ部
１８  固定用のボルト
２０ａ  端子台
３０  電力ケーブル
３１、５１  接続端子
４０，４１，４２  ボルト
５０  コンデンサ
ｄ  隙間
Ｅ  領域
ＰＴ  導電性パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016204306.tif 000009
【図８】
2016204306.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2016204306.tif 000012
【図１１】
2016204306.tif 000013
【図１２】
2016204306.tif 000014
【図１３】
2016204306.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2016204306.tif 000017
【国際調査報告】
2016204306.tif 000018
2016204306.tif 000019
2016204306.tif 000020
2016204306.tif 000021