(57)【要約】  Ｒ：２７．５〜３４．０質量％、ＲＨ：２〜１０質量％、Ｂ：０．８９〜０．９５質量％、Ｔｉ：０．１〜０．２質量％、Ｇａ：０．３〜０．７質量％、Ｃｕ：０．０７〜０．５０質量％、Ａｌ：０．０５〜０．５０質量％、Ｍ（ＭはＮｂ及び／又はＺｒ）：０〜０．３質量％、残部Ｔ、および不可避的不純物を含有し、下記式（１）、（２）及び（３）を満足することを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石。      ［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］）＞０    （１）  （［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］））／５５．８５＜１３［Ｇａ］／６９．７２      （２）  ［Ｇａ］≧［Ｃｕ］  （３）【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及び重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏのうち少なくとも一種）を必ず含む）：２７．５〜３４．０質量％、
ＲＨ：２〜１０質量％、
Ｂ：０．８９〜０．９５質量％、
Ｔｉ：０．１〜０．２質量％、
Ｇａ：０．３〜０．７質量％、
Ｃｕ：０．０７〜０．５０質量％、
Ａｌ：０．０５〜０．５０質量％、
Ｍ（ＭはＮｂ及び／又はＺｒ）：０〜０．３質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有し、下記式（１）、（２）及び（３）を満足することを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石。
［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］）＞０    （１）
（［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］））／５５．８５＜１３［Ｇａ］／６９．７２      （２）
［Ｇａ］≧［Ｃｕ］  （３）
（［Ｔ］は質量％で示すＴの含有量であり、［Ｂ］は質量％で示すＢの含有量であり、［Ｔｉ］は質量％で示すＴｉの含有量であり、［Ｇａ］は質量％で示すＧａの含有量であり、［Ｃｕ］は質量％で示すＣｕの含有量である）
【請求項２】
Ｔｉ：０．１質量％以上０．１５質量％未満である請求項１に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法であって、
１種以上の主合金粉末と１種以上の添加合金粉末とを準備する工程と、
前記１種以上の添加合金粉末を、混合後の混合合金粉末１００質量％のうち０．５質量％以上２０質量％以下で混合し、前記１種以上の主合金粉末と前記１種以上の添加合金粉末との混合合金粉末を得る工程と、
前記混合合金粉末を成形し成形体を得る成形工程と、
前記成形体を焼結し焼結体を得る焼結工程と、
前記焼結体に熱処理を施す熱処理工程と、
を含み、
前記１種以上の主合金粉末は、
Ｒ：２７．５〜３４．０質量％、
ＲＨ：２〜１０質量％、
Ｂ：０．８９〜０．９７質量％、
Ｔｉ：０〜０．２質量％（１種以上の添加合金粉末におけるＴｉが０質量％の時は０質量％を除く）、
Ｇａ：０〜０．４質量％、
Ｃｕ：０．０７〜０．５０質量％、
Ａｌ：０．０５〜０．５０質量％、
残部Ｔおよび不可避的不純物を含有する組成を有し、
前記１種以上の添加合金粉末は、
Ｒ１（Ｒ１は重希土類元素ＲＨ以外の希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄを必ず含む）：３２〜６６質量％、
Ｂ：０．３〜０．９質量％、
Ｔｉ：０〜４質量％（１種以上の主合金粉末におけるＴｉが０質量％の時は０質量％を除く）、
Ｇａ：０．７〜１２質量％、
Ｃｕ：０〜４質量％、
Ａｌ：０〜１０質量％、
残部Ｔおよび不可避的不純物を含有し下記式（４）を満足する組成を有する、
ことを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。
［Ｔ］≦７２．４［Ｂ］  （４）
【請求項４】
前記１種以上の主合金粉末はストリップキャスティング法を用いて得られたものであることを特徴とする請求項３に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示はＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（Ｒは軽希土類元素ＲＬと重希土類元素ＲＨからなり、ＲＬはＮｄ、Ｐｒのうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む、ＲＨはＤｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏのうち少なくとも一種であり、Ｔは遷移金属元素でありＦｅを必ず含む）は永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、電気自動車用（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶなど）モータ、産業機器用モータなどの各種モータおよび家電製品などに使用されている。【０００３】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は主としてＲ２Ｔ１４Ｂ化合物からなる主相とこの主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料でありＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の特性の根幹をなしている。【０００４】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は高温で保磁力ＨｃＪ（以下、単に「ＨｃＪ」という場合がある）が低下するため不可逆熱減磁が起こる。そのため、特に電気自動車用モータに使用される場合、高いＨｃＪを有することが要求されている。【０００５】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において、主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物中のＲに含まれるＲＬの一部をＲＨで置換するとＨｃＪが向上することが知られており、ＲＨの置換量の増加に伴いＨｃＪは向上する。【０００６】
しかし、Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物中のＲＬをＲＨで置換するとＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＨｃＪが向上する一方、残留磁束密度Ｂｒ（以下、単に「Ｂｒ」という場合がある）が低下する。また、特にＤｙなどは資源存在量が少ないうえ産出地が限定されているなどの理由から供給が安定しておらず、価格が大きく変動するなどの問題を有している。そのため、近年、ＲＨをできるだけ使用することなく（使用量をできるだけ少なくして）、ＨｃＪを向上させることが求められている。【０００７】
特許文献１には、従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金に比べＢ量が相対的に少ない特定の範囲に限定するとともにＡｌ、Ｇａ、Ｃｕのうちから選ばれる１種以上の金属元素Ｍを含有させることによりＲ２Ｔ１７相を生成させ、該Ｒ２Ｔ１７相を原料として生成させた遷移金属リッチ相（Ｒ６Ｔ１３Ｍ）の体積率を充分に確保することにより、Ｄｙの含有量を抑制しつつ保磁力の高いＲ−Ｔ−Ｂ系希土類焼結磁石が得られることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１３／００８７５６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記の通りＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が最も利用される用途はモータである。Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性が向上すればモータの出力向上あるいはモータの小型化を図ることができるためＢｒ、ＨｃＪの向上は大変有効であるが、それらの特性とともに角型比Ｈｋ／ＨｃＪ（以下、単に「Ｈｋ／ＨｃＪ」という場合がある）も高くなければならない。Ｈｋ／ＨｃＪが低いと限界減磁界強度が小さくなるので減磁し易くなるという問題を引き起こす。そのため、高いＢｒと高いＨｃＪを有すると共に、高いＨｋ／ＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が求められている。なお、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の分野においては、一般に、角型比を求めるために測定するパラメータであるＨｋは、Ｉ（磁化の強さ）−Ｈ（磁界の強さ）曲線の第２象限において、Ｉが０．９Ｂｒの値になる位置のＨ軸の読み値が用いられている。このＨｋを減磁曲線のＨｃＪで除した値（Ｈｋ／ＨｃＪ）が角型比として定義される。【００１０】
しかし、特許文献１に記載されているような、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石よりもＢ量を少なく（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なく）し、Ｇａ等を添加した組成の焼結磁石は高いＢｒと高いＨｃＪを有することができるものの、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（Ｂ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも多い）と比べてＨｋ／ＨｃＪが低下するという問題点があった。例えば、特許文献１の表４〜表６に示されるように、角型比（特許文献１ではＳｑ（角形性））は９０％前後であり、特に重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ）を含有した場合は８０％台が多く、高いレベルにあるとは言い難い。なお、特許文献１には角型比の定義は記載されていないが、特許文献１の先行技術文献として引用されている、同一出願人による特開２００７−１１９８８２号公報に「磁化が飽和磁化の９０％となる外部磁場の値をｉＨｃで割った値を％表記したもの」と記載されていることから、特許文献１の角型比の定義も同様であると思われる。つまり、特許文献１の角型比の定義は前記の一般的に用いられている定義と同様であると思われる。【００１１】
本発明は、ＲＨをできるだけ使用することなく（使用量をできるだけ少なくして）、高いＢｒと高いＨｃＪを有すると共に、高いＨｋ／ＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１態様に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、
Ｒ（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及び重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏのうち少なくとも一種）を必ず含む）：２７．５〜３４．０質量％、
ＲＨ：２〜１０質量％、
Ｂ：０．８９〜０．９５質量％、
Ｔｉ：０．１〜０．２質量％、
Ｇａ：０．３〜０．７質量％、
Ｃｕ：０．０７〜０．５０質量％、
Ａｌ：０．０５〜０．５０質量％、
Ｍ（ＭはＮｂ及び／又はＺｒ）：０〜０．３質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有し、下記式（１）、（２）及び（３）を満足することを特徴とする。
［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］）＞０    （１）
（［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］））／５５．８５＜１３［Ｇａ］／６９．７２      （２）
［Ｇａ］≧［Ｃｕ］  （３）
（［Ｔ］は質量％で示すＴの含有量であり、［Ｂ］は質量％で示すＢの含有量であり、［Ｔｉ］は質量％で示すＴｉの含有量であり、［Ｇａ］は質量％で示すＧａの含有量であり、［Ｃｕ］は質量％で示すＣｕの含有量である）【００１３】
本発明の第２態様に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、
本発明の第１態様に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石であって、
Ｔｉ：０．１質量％以上０．１５質量％未満であることを特徴とする。【００１４】
本発明の第３態様に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、
第１態様または第２態様のいずれかに係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法であって、
１種以上の主合金粉末と１種以上の添加合金粉末とを準備する工程と、
前記１種以上の添加合金粉末を、混合後の混合合金粉末１００質量％のうち０．５質量％以上２０質量％以下で混合し、前記１種以上の主合金粉末と前記１種以上の添加合金粉末との混合合金粉末を得る工程と、
前記混合合金粉末を成形し成形体を得る成形工程と、
前記成形体を焼結し焼結体を得る焼結工程と、
前記焼結体に熱処理を施す熱処理工程と、
を含み、
前記１種以上の主合金粉末は、
Ｒ：２７．５〜３４．０質量％、
ＲＨ：２〜１０質量％、
Ｂ：０．８９〜０．９７質量％、
Ｔｉ：０〜０．２質量％（１種以上の添加合金粉末におけるＴｉが０質量％の時は０質量％を除く）、
Ｇａ：０〜０．４質量％、
Ｃｕ：０．０７〜０．５０質量％、
Ａｌ：０．０５〜０．５０質量％、
残部Ｔおよび不可避的不純物を含有する組成を有し、
前記１種以上の添加合金粉末は、
Ｒ１（Ｒ１は重希土類元素ＲＨ以外の希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄを必ず含む）：３２〜６６質量％、
Ｂ：０．３〜０．９質量％、
Ｔｉ：０〜４質量％（１種以上の主合金粉末におけるＴｉが０質量％の時は０質量％を除く）、
Ｇａ:０．７〜１２質量％、
Ｃｕ：０〜４質量％、
Ａｌ：０〜１０質量％、
残部Ｔおよび不可避的不純物を含有し下記式（４）を満足する組成を有する、
ことを特徴とする。
［Ｔ］≦７２．４［Ｂ］  （４）【００１５】
本発明の第４態様に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、
第３態様に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法であって、
前記１種以上の主合金粉末はストリップキャスティング法を用いて得られたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、ＲＨをできるだけ使用することなく、高いＢｒと高いＨｃＪを有すると共に、高いＨｋ／ＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明者らは検討の結果、特定範囲のＴｉを用いて製造工程中にＴｉの硼化物を生成させることにより、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体のＢ量からＴｉの硼化物生成により消費されたＢ量を差し引いたＢ量、言い替えると、Ｔｉと硼化物を生成しなかった残りのＢ量（以下、「有効Ｂ量」又は「Ｂｅｆｆ量」と記載することがある）を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体のＢ量より少なく（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なく）して、Ｇａ等を添加した組成の焼結磁石は、高いＢｒと高いＨｃＪを有すると共に、高いＨｋ／ＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られることを見出した。
【００１８】
本発明の実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が高いＢｒと高いＨｃＪを有すると共に、高いＨｋ／ＨｃＪを有する理由については未だ不明な点もある。現在までに得られている知見を基に本発明者らが考えるメカニズムについて以下に説明する。以下のメカニズムについての説明は本発明の技術的範囲を制限することを目的とするものではないことに留意されたい。
【００１９】
特許文献１に記載のように、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石よりもＢ量を少なく（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なく）し、Ｇａ等を添加することにより、遷移金属リッチ相（Ｒ−Ｔ−Ｇａ相）が生成され、それにより高いＨｃＪを得ることができる。しかし、本発明者らが検討の結果、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相も若干の磁性を有する場合があり、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石における粒界、特に主としてＨｋ／ＨｃＪに影響すると考えられる二つの主相間に存在する粒界（以下、「二粒子粒界」と記載する場合がある）にＲ−Ｔ−Ｇａ相が多く存在すると、Ｈｋ／ＨｃＪを低下させていることが分かった。そのため、高いＨｋ／ＨｃＪを得るためには、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相を生成させる必要があるものの、その生成量を抑える必要がある。
【００２０】
本発明者らは検討の結果、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＢ量（Ｂ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも多い）の場合はＲ−Ｔ−Ｇａ相は生成され難いこと、さらに、Ｔｉの硼化物は原料段階では生成され難く、その後の焼結時および／または熱処理時に生成され易いことが分かった。これらのことから、Ｂ量を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＢ量にして特定範囲のＴｉを添加することで、主に焼結時および／または熱処理時にＲ−Ｔ−Ｇａ相を生成させる（焼結時および／または熱処理時にＴｉの硼化物を生成して前記Ｂｅｆｆ量を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体のＢ量より少なくする）ことができ、原料段階におけるＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成を抑制することができると考えられる。これにより最初からＢ量を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＢ量よりも低くする場合と比べてＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成を抑えることが可能となり、その結果、高いＢｒと高いＨｃＪを有すると共に、高いＨｋ／ＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができると考えられる。
【００２１】
［Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石］
本発明に係る１つの実施態様では、
Ｒ（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及び重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏのうち少なくとも一種）を必ず含む）：２７．５〜３４．０質量％、
ＲＨ：２〜１０質量％、
Ｂ：０．８９〜０．９５質量％、
Ｔｉ：０．１〜０．２質量％、
Ｇａ：０．３〜０．７質量％、
Ｃｕ：０．０７〜０．５０質量％、
Ａｌ：０．０５〜０．５０質量％、
Ｍ（ＭはＮｂ及び／又はＺｒ）：０〜０．３質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有し、下記式（１）、（２）及び（３）を満足することを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石である。
［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］）＞０    （１）
（［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］））／５５．８５＜１３［Ｇａ］／６９．７２      （２）
［Ｇａ］≧［Ｃｕ］  （３）
（［Ｔ］は質量％で示すＴの含有量であり、［Ｂ］は質量％で示すＢの含有量であり、［Ｔｉ］は質量％で示すＴｉの含有量であり、［Ｇａ］は質量％で示すＧａの含有量であり、［Ｃｕ］は質量％で示すＣｕの含有量である）
【００２２】
Ｒは、希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及び重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏのうち少なくとも一種）を必ず含む。Ｒの含有量は、２７．５〜３４．０質量％である。Ｒが２７．５質量％未満では焼結過程で液相が十分に生成されず焼結体を充分に緻密化することが困難となる恐れがあり、Ｒが３４．０質量％を超えると主相比率が低下して高いＢｒを得ることができない恐れがある。ＲＨの含有量は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体の２〜１０質量％である。ＲＨが２質量％未満では高いＨｃＪを得ることが出来ない恐れがあり、１０質量％を超えるとＢｒが低下する恐れがある。なお、「ＲＨの含有量」とは、上述したＲに含まれるＲＨの含有量を意味する。すなわち、「ＲＨの含有量」は、「Ｒの含有量」に含まれる。
【００２３】
Ｂの含有量は、０．８９〜０．９５質量％である。Ｂの含有量が０．８９質量％未満であるとＢｒが低下する恐れがあり、０．９５質量％を超えるとＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が少なすぎて高いＨｃＪが得られない恐れがある。また、Ｂの一部はＣで置換できる。
【００２４】
Ｔｉの含有量は、０．１〜０．２質量％である。Ｔｉを含有することによりＴｉの硼化物を生成し、且つ、後述する式（１）を満たすことで、前記Ｂｅｆｆ量を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体のＢ量より少なくする。これにより、高いＨｋ／ＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができる。Ｔｉの含有量が０．１質量％未満であると高いＨｋ／ＨｃＪを得ることができない恐れがあり、Ｔｉの含有量が０．２質量％を超えると不要なＴｉが存在してＢｒが低下する恐れがある。Ｔｉの含有量は、０．１質量％以上０．１５質量％未満が好ましい。より高いＢｒを得ることができる。
【００２５】
Ｇａの含有量は、０．３〜０．７質量％である。Ｂ、Ｔｉを上記範囲内とし、且つ、後述する式（１）、（２）及び（３）を満たした上でＧａの含有量を０．３〜０．７質量％含有させることにより主相の粒界部分に位置する粒界相にＲ−Ｔ−Ｇａ相を生成させ、高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができる。Ｇａの含有量が０．３質量％未満であるとＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が少なすぎて高いＨｃＪが得られない。０．７質量％を超えるとＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が多すぎたり、不要なＧａが存在してＢｒが低下する恐れがある。ここでＲ−Ｔ−Ｇａ相とは代表的にはＮｄ６Ｆｅ１３Ｇａ化合物である。また、Ｒ６Ｔ１３Ｇａ化合物はＬａ６Ｃｏ１１Ｇａ３型結晶構造を有する。Ｒ６Ｔ１３Ｇａ化合物はその状態によってはＲ６Ｔ１３−δＧａ１＋δ化合物になっている場合がある。なお、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石中にＣｕ、Ａｌ、Ｓｉが含有される場合、Ｒ６Ｔ１３−δ（Ｇａ１−ｘ−ｙ−ｚＣｕｘＡｌｙＳｉｚ）１＋δになっている場合がある。
【００２６】
Ｃｕの含有量は、０．０７〜０．５０質量％である。Ｃｕの含有量が０．０７質量％未満であると、高いＨｃＪが得られない恐れがあり、０．５０質量％を超えるとＢｒが低下する恐れがある。
【００２７】
更に、通常含有される程度のＡｌ（０．０５質量％以上０．５０質量％以下）を含有する。Ａｌを含有することによりＨｃＪを向上させることができる。Ａｌは通常、製造工程中で不可避的不純物として０．０５質量％以上含有されるが、不可避的不純物で含有される量と意図的に添加した量の合計で０．５０質量％以下含有してもよい。
【００２８】
また、一般的に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において、Ｎｂおよび／またはＺｒを含有することにより焼結時における結晶粒の異常粒成長が抑制されることが知られている。本実施形態においても、Ｎｂおよび／またはＺｒを合計で０．３質量％以下含有してもよい（すなわち、ＮｂおよびＺｒの少なくとも一方を含有してよく、Ｎｂ量およびＺｒ量の合計で０．３質量％以下である）。Ｎｂおよび／またはＺｒの含有量が合計で０．３質量％を超えると不要なＮｂおよび／またはＺｒが存在することにより主相の体積比率が低下してＢｒが低下する恐れがある。
【００２９】
残部はＴ（Ｔは遷移金属元素でありＦｅを必ず含む）であり、後述する式（１）及び（２）を満足する。質量比でＴの９０％以上がＦｅであることが好ましい。Ｆｅ以外の遷移金属元素としては例えばＣｏが挙げられる。但し、Ｃｏの置換量（含有量）は、質量比でＴ全体の２．５％以下が好ましく、Ｃｏの置換量が、質量比でＴ全体の１０％を超えるとＢｒが低下するため好ましくない。さらに、本実施形態のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、ジジム合金（Ｎｄ−Ｐｒ）、電解鉄、フェロボロンなどに通常含有される不可避的不純物としてＣｒ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｃａ、Ｍｇなどを含有することができる。さらに、製造工程中の不可避的不純物として、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）、Ｃ（炭素）などを例示できる。また少量のＶ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどを含有してもよい。
【００３０】
さらに、本実施形態は式（１）、式（２）及び式（３）を満足する。
式（１）を満足することにより、前記Ｂｅｆｆ量を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＢ量より少なく（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なく）する。本実施形態は、Ｔｉを添加することで硼化物（代表的にはＴｉＢ２）を生成させる。よって、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体のＢ（［Ｂ］／１０．８１１（Ｂの原子量））からＴｉＢ２により消費されたＢ量（［Ｔｉ］／４７．８６７（Ｔｉの原子量）×２）を際し引いたＢ量（Ｂｅｆｆ量）は、式（１）中の［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］となる。本実施形態は、前記Ｂｅｆｆ量をＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なくする。すなわち、［Ｆｅ］／５５．８５（Ｆｅの原子量）が［Ｂｅｆｆ］／１０．８１１）×１４、すなわち、（（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］）／１０．８１１）×１４よりも多くなるよう式（１）で規定する。（［  ］は、その内部に記載された元素の質量％で示した含有量を意味する。例えば、［Ｆｅ］は質量％で示したＦｅの含有量を意味する）。さらに、余ったＦｅによりＨｃＪを大きく低下させるＲ２Ｆｅ１７相を生成させずにＲ−Ｔ−Ｇａ相（代表的にはＮｄ６Ｆｅ１３Ｇａ化合物）を生成させるように、余ったＦｅ（［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］））が１３［Ｇａ］／６９．７２（Ｇａの原子量）を下回る組成となるように、式（２）で規定する。式（１）、式（２）を満たさないとＨｃＪが低下したり、高いＨｋ／ＨｃＪが得られない恐れがある。
［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］）＞０    （１）
（［Ｔ］−７２．３（［Ｂ］−０．４５［Ｔｉ］））／５５．８５＜１３［Ｇａ］／６９．７２      （２）
さらに、本実施形態は、式（３）を満足する。
［Ｇａ］≧［Ｃｕ］  （３）
本実施形態発明は、Ｇａの含有量をＣｕの含有量よりも多く（または同じに）する。Ｇａの含有量がＣｕの含有量よりも少ないと、主相の粒界部分に位置する粒界相中のＧａ存在比が小さすぎて、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が少なくなり、ＨｃＪが大幅に低下する。さらに高いＨｋ／ＨｃＪを得ることができない。好ましくは、［Ｇａ］≧１．５［Ｃｕ］である。このような範囲であれば、より高いＨｃＪを得ることができる。
【００３１】
［Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法］
本実施形態のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、既知の製造方法を用いて作製することができるが、好ましい態様として後述する本実施形態の主合金粉末と添加合金粉末を用いて作製する。より高いＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪを得ることができるからである。
本実施形態のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法の一例を説明する。Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、合金粉末を得る工程、成形工程、焼結工程、熱処理工程を有する。以下、各工程について説明する。
【００３２】
（１）合金粉末を得る工程
合金粉末は、１種類の合金粉末（単合金粉末）を用いてもよいし、２種類以上の合金粉末を混合することにより合金粉末（混合合金粉末）を得る、いわゆる２合金法を用いてもよい。合金粉末は既知の方法を用いて本実施形態の組成を有する合金粉末を得ることができる。既知の方法の中でも特にストリップキャスティング法を用いた方が好ましく、２合金法を用いた場合は、少なくとも主合金粉末はストリップキャスティング法を用いて得られたものであることが好ましい。より原料段階におけるＴｉの硼化物の生成を抑制できるからである。
単合金粉末の場合、所定の組成となるようにそれぞれの元素の金属または合金を準備し、これらをストリップキャスティング法等を用いてフレーク状の合金を製造する。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕し、粗粉砕粉のサイズを例えば１．０ｍｍ以下とする。次に、粗粉砕粉をジェットミル等により微粉砕することで、例えば粒径Ｄ５０（気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積基準メジアン径）が３〜７μｍの微粉砕粉（単合金粉末）を得る。なお、ジェットミル粉砕前の粗粉砕粉、ジェットミル粉砕中およびジェットミル粉砕後の合金粉末に助剤として既知の潤滑剤を使用してもよい。
【００３３】
混合合金粉末を用いる場合、好ましい態様として、以下に示すように、まず１種以上の主合金粉末と１種以上の添加合金粉末とを準備し、１種以上の主合金粉末と１種以上の添加合金粉末とを特定の混合量で混合し混合合金粉末を得る。
１種以上の添加合金粉末と１種以上の主合金粉末を以下に詳述する所定の組成となるようにそれぞれの元素の金属または合金を準備し、上述した単合金粉末の場合と同様に、まずストリップキャスティング法によりフレーク状の合金を製造し、次にフレーク状の合金を水素粉砕し粗粉砕粉末を得る。得られた主合金粉末（主合金粉末の粗粉砕粉末）と添加合金粉末（添加合金粉末の粗粉砕粉末）をＶ型混合機等に投入して混合し、混合合金粉末を得る。このように粗粉砕粉末の段階で混合した場合は、得られた混合合金粉末をジェットミル等により微粉砕し微粉砕粉末となし混合合金粉末を得る。もちろん、主合金粉末と添加合金粉末をそれぞれジェットミル等により微粉砕し微粉砕粉末となした後混合し混合合金粉末を得てもよい。ただし、添加合金粉末のＲ量が多い場合は、微粉砕時に発火しやすいため、主合金粉末と添加合金粉末を混合後に微粉砕を行うことが好ましい。
なお、主合金粉末および添加合金粉末は、下記に詳述する範囲内の組成を有する複数の種類の主合金粉末および添加合金粉末を用いてよい、その場合は、それぞれの種類の主合金粉末および添加合金粉末が、下記に詳述する範囲内の組成を有する。
【００３４】
［主合金粉末］
好ましい態様として主合金粉末は、
Ｒ：２７．５〜３４．０質量％、
ＲＨ：２〜１０質量％、
Ｂ：０．８９〜０．９７質量％、
Ｔｉ：０〜０．２質量％（１種以上の添加合金粉末におけるＴｉが０質量％の時は０質量％を除く）、
Ｇａ：０〜０．４質量％、
Ｃｕ：０．０７〜０．５０質量％、
Ａｌ：０．０５〜０．５０質量％、
残部Ｔおよび不可避的不純物を含有する組成を有する。
【００３５】
Ｒの含有量は、２７．５〜３４．０質量％である。Ｒが２７．５質量％未満では焼結過程で液相が十分に生成されず焼結体を充分に緻密化することが困難となる恐れがあり、Ｒが３４．０質量％を超えると最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において主相比率が低下して高いＢｒを得ることができない恐れがある。ＲＨの含有量は、主合金粉末全体の２〜１０質量％である。ＲＨが２質量％未満では最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において高いＨｃＪを得ることが出来ない恐れがあり、１０質量％を超えるとＢｒが低下する恐れがある。
【００３６】
Ｂの含有量は、０．８９〜０．９７質量％である。Ｂの含有量が０．８９質量％未満であると、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＢｒが低下する恐れがあり、０．９７質量％を超えるとＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が少なすぎて高いＨｃＪが得られない恐れがある。また、Ｂの一部はＣに置換できる。
【００３７】
Ｔｉの含有量は、０〜０．２質量％である。Ｔｉの含有量が０．２質量％を超えると不要なＴｉが存在して最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＢｒが低下する恐れがある。なお、主合金粉末にＴｉを含有しない場合は、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＴｉの含有量が０．１〜０．２質量％の範囲になるように添加合金粉末にＴｉを含有させる。
【００３８】
Ｇａの含有量は、０〜０．４質量％である。Ｇａの含有量が０．４質量％を超えると不要なＧａが存在して最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＢｒが低下する恐れがある。なお、主合金粉末にＧａを含有しない場合は、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＧａの含有量が０．３〜０．７質量％の範囲になるように添加合金粉末にＧａを０．７〜１２質量％の範囲で含有させる。
【００３９】
Ｃｕの含有量は、０．０７〜０．５０質量％である。Ｃｕの含有量が０．０７質量％未満であると、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において高いＨｃＪが得られない恐れがあり、０．５０質量％を超えるとＢｒが低下する恐れがある。
【００４０】
更に、通常含有される程度のＡｌ（０．０５質量％以上０．５質量％以下）を含有する。Ａｌを含有することによりＨｃＪを向上させることができる。Ａｌは通常、製造工程中で不可避的不純物として０．０５質量％以上含有されるが、不可避的不純物で含有される量と意図的に添加した量の合計で０．５質量％以下含有してもよい。
【００４１】
主合金粉末は、後述する添加合金粉末よりもＧａの含有量が低い。主合金粉末におけるＧａの含有量を低くすることにより、主合金粉末におけるＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成を抑制することができる。
【００４２】
［添加合金粉末］
好ましい態様として添加合金粉末は、
Ｒ１（Ｒ１は重希土類元素ＲＨ以外の希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄを必ず含む）：３２〜６６質量％、
Ｂ：０．３〜０．９質量％、
Ｔｉ：０〜４質量％（１種以上の主合金粉末におけるＴｉが０質量％の時は０質量％を除く）、
Ｇａ：０．７〜１２質量％、
Ｃｕ：０〜４質量％、
Ａｌ：０〜１０質量％、
残部Ｔおよび不可避的不純物を含有し下記式（４）を満足する組成を有する。
［Ｔ］≦７２．４［Ｂ］  （４）
上記組成とすることにより、添加合金粉末はＲ２Ｔ１４Ｂ化学量論組成よりも相対的にＲおよびＢが多い組成となる。そのため、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相の生成を抑制することができる。
【００４３】
Ｒ１は重希土類元素ＲＨ以外の希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄを必ず含む。添加合金粉末に重希土類元素ＲＨは含有しない。添加合金粉末に重希土類元素ＲＨを含有すると、主相に重希土類元素ＲＨを含有することができずＨｃＪが向上しない恐れがあり、さらに、粒界に不要な重希土類元素ＲＨを含有することによりＢｒが低下する恐れがある。Ｒ１の含有量は、３２〜６６質量％である。Ｒ１の含有量が３２質量％未満であると最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において高いＨｃＪが得られない恐れがあり、６６質量％を超えるとＲ量が多すぎるため、酸化の問題が発生して磁気特性の低下や発火の危険等を招き生産上問題となる恐れがある。
【００４４】
Ｂの含有量は、０．３〜０．９質量％である。Ｂの含有量が０．３質量％未満であるとＲ２Ｔ１４Ｂ化学量論組成に対して相対的にＢ量が少なすぎるため、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相が生成され易くなる恐れがあり、０．９質量％を超えるとＲ２Ｔ１４Ｂ化学量論組成に対して相対的にＢ量が多くなり、Ｒ１Ｔ４Ｂ４相が生成され易くなる恐れがある。
【００４５】
Ｔｉの含有量は、０〜４質量％である。Ｔｉの含有量が４質量％を超えると粗粉砕時および微粉砕時に粉砕し難くなり、生産上問題となる恐れがある。なお、添加合金粉末にＴｉを含有しない場合は、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＴｉの含有量が０．１〜０．２質量％の範囲になるように主合金粉末にＴｉを含有させる。
【００４６】
Ｇａの含有量は、０．７〜１２質量％である。Ｇａの含有量が０．７質量％未満であると、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が少なすぎて高いＨｃＪが得られない恐れがあり、１２質量％を超えると、Ｇａが偏析して高いＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られない恐れがある。
【００４７】
Ｃｕの含有量は、０〜４質量％であり、Ａｌの含有量は０〜１０質量％である。Ｃｕの含有量が４質量を超えたり、Ａｌの含有量が１０質量％を超えるとＢｒが低下する恐れがある。
【００４８】
さらに、添加合金粉末は式（４）の関係を満たす。式（４）の関係を満たすことにより、Ｒ２Ｔ１４Ｂ化学量論組成に対してＴ（Ｆｅ）よりもＢが多い組成となる。すなわち、Ｂ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも多くなるため、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相の生成を抑制させることができる。
［Ｔ］≦７２．４［Ｂ］  （４）
【００４９】
本実施形態の主合金粉末と添加合金粉末は、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相の生成を単合金粉末から作製した場合と比べてさらに抑制することが可能となり、より高いＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪを得ることができる。
【００５０】
上述した主合金粉末と添加合金粉末の混合割合は、添加合金粉末を混合合金粉末１００質量％のうち０．５質量％以上２０質量％以下の範囲で添加する。添加合金粉末の混合量を前記範囲内にして作製したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、より高いＨｃＪを得ることができる。すなわち、主合金粉末とは、上述した主合金粉末の組成範囲を有する合金粉末であって、混合後の混合合金粉末の８０質量％以上９９．５質量％以下の範囲を構成する合金粉末をいう。主合金粉末が２種以上の場合は、その各々の合金粉末が上述した主合金粉末の組成範囲を有し、２種以上の主合金粉末の合計量が、混合後の混合合金粉末の８０質量％以上９９．５質量％以下の範囲を構成する。
【００５１】
（２）成形工程
得られた合金粉末（単合金粉末または混合合金粉末）を用いて磁界中成形を行い、成形体を得る。磁界中成形は、金型のキャビティー内に乾燥した合金粉末を挿入し、磁界を印加しながら成形する乾式成形法、金型のキャビティー内にスラリー（分散媒中に合金粉末が分散している）を注入し、スラリーの分散媒を排出しながら成形する湿式成形法を含む既知の任意の磁界中成形方法を用いてよい。
【００５２】
（３）焼結工程
成形体を焼結することにより焼結体を得る。成形体の焼結は既知の方法を用いることができる。なお、焼結時の雰囲気による酸化を防止するために、焼結は真空雰囲気中または雰囲気ガス中で行うことが好ましい。雰囲気ガスは、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを用いることが好ましい。
【００５３】
（４）熱処理工程
得られた焼結体に対し、磁気特性を向上させることを目的とした熱処理を行うことが好ましい。熱処理温度、熱処理時間などは既知の条件を採用することができる。得られた焼結磁石に磁石寸法の調整のため、研削などの機械加工を施してもよい。その場合、熱処理は機械加工前でも機械加工後でもよい。さらに、得られた焼結磁石に、表面処理を施してもよい。表面処理は、既知の表面処理で良く、例えばＡｌ蒸着、電気Ｎｉめっき、または樹脂塗装などの表面処理を行うことができる。
【００５４】
本発明の態様を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００５５】
実施例１
表１に示すＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成となるように各元素を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製した。得られた各合金を水素粉砕法により粗粉砕し粗粉砕粉末を得た。前記粗粉砕粉末をそれぞれジェットミルにより微粉砕し、粒径Ｄ５０（気流分散法によるレーザー回折法で得られる体積中心値）が４μｍの微粉砕粉末を作製した。前記微粉砕粉末に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉末１００質量部に対して０．０５質量部添加、混合した後、磁界中で成形し、成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。得られた成形体を、真空中で組成に応じて１０５０℃〜１０９０℃で４時間保持して焼結し、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３以上であった。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分の分析結果を表１に示す。なお、表１における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ）を使用して測定した。また、Ｏ（酸素量）は、ガス融解−赤外線吸収法、Ｎ（窒素量）は、ガス融解−熱伝導法、Ｃ（炭素量）は、燃焼−赤外線吸収法、によるガス分析装置を使用して測定した。また、表１において、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙの量を合計した値がＴＲＥ（すなわち、Ｒ量）であり、本発明の式（１）、（２）を満足している場合は「〇」と、満足していない場合は「×」と記載している。表３も同様である。なお、表１における各成分の量は、それぞれ表記されている数値の最小の位よりも小さい位の値を省略している。そのため、式（１）及び式（２）の計算結果は、表１の表記されている数値から求められる値と若干異なっている場合がある。例えば、試料Ｎｏ．１のＧａ量は、小数第３位以下の数値の記載が省略されている。以下の成分の分析結果の表３、５、６および８においても同様である。また、本発明の式（３）は、表３の試料Ｎｏ．１３及び表８の試料Ｎｏ．４０の比較例以外は全ての試料Ｎｏで満足している。
【００５６】
【表１】
2016208508.tif 000002
【００５７】
焼結後のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に、８００℃で２時間保持した後室温まで冷却し、次いで５００℃で２時間保持した後室温まで冷却する熱処理を施した。熱処理後の焼結磁石に機械加工を施し、縦７ｍｍ、横７ｍｍ、厚み７ｍｍの試料を作製し、Ｂ−Ｈトレーサによって各試料の磁気特性を測定した。測定結果を表２に示す。
なお、Ｈｋ／ＨｃＪにおいて、ＨｋはＪ（磁化の大きさ）−Ｈ（磁界の強さ）曲線の第２象限において、Ｊが０．９×Ｊｒ（Ｊｒは残留磁化、Ｊｒ＝Ｂｒ）の値になる位置のＨの値（以下同様）である。また、Ｈｋ／ＨｃＪは、一般的にＲＨを多く含有するほど低下することが知られている。そのため、本発明においてはＲＨの含有量がほぼ同じサンプルについてのＨｋ／ＨｃＪを比較する。
【００５８】
【表２】
2016208508.tif 000003
【００５９】
表２に示すように、ほぼ同じＲＨ（Ｄｙ）の含有量である試料Ｎｏ．１と２（６．４３質量％）及び試料Ｎｏ．３と４（５質量％前後）をそれぞれ比べると、いずれも本発明（試料Ｎｏ．２及び４）の方が高いＨｋ／ＨｃＪが得られている。
【００６０】
実施例２
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成が表３に示す試料Ｎｏ．５〜２６の組成となるように配合する以外は実施例１と同様の方法でＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を作製した。
【００６１】
【表３】
2016208508.tif 000004
【００６２】
得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を実施例１と同様に加工した後、実施例１と同様な方法により測定し、磁気特性を求めた。その結果を表４に示す。
【００６３】
【表４】
2016208508.tif 000005
【００６４】
表４に示すように、ＲＨの含有量がほぼ同じ（Ｄｙ：５．１〜５．２５％程度）である試料Ｎｏ．１０〜２２を比較すると、本発明である試料Ｎｏ．１７〜２１は、Ｂｒ１．１９０Ｔ以上且つ、ＨｃＪ２１００ｋＡ／ｍ以上且つ、Ｈｋ／ＨｃＪ０．９１３以上の高い磁気特性が得られている。これに対し、Ｂ（試料Ｎｏ．１０、１６）、Ｇａ（試料Ｎｏ．１２、１３、１５、２２）、Ｃｕ（試料Ｎｏ．１４）、式（１）（試料Ｎｏ．１０、１１）、式（２）（試料Ｎｏ．１３、１５、１６）が本発明の範囲外である試料Ｎｏ．１０〜１６及び２２は、Ｂｒ１．１９０Ｔ以上且つ、ＨｃＪ２１００ｋＡ／ｍ以上且つ、Ｈｋ／ＨｃＪ０．９１３以上の高い磁気特性が得られていない。なお、Ｇａの含有量が０．１１質量％異なる以外はほぼ同じ組成である試料Ｎｏ．２１と２２から明らかな様に、Ｇａの含有量が０．３質量％未満であると高いＨｃＪを得ることができない。さらに、ＲＨの含有量がほぼ同じ（Ｄｙ：６．５％程度）である試料Ｎｏ．２３〜２６も同様に、本発明である試料Ｎｏ．２６は、Ｂｒ１．１７８Ｔ以上且つ、ＨｃＪ２４０４ｋＡ／ｍ以上且つ、Ｈｋ／ＨｃＪ０．９１７以上と、比較例サンプルである試料Ｎｏ．２３〜２５と比べて高い磁気特性が得られている。
【００６５】
実施例３
表５に示す主合金粉末および添加合金粉末の組成となるように各元素を秤量し、ストリップキャスト法により合金を作製した。得られた各合金を水素粉砕法により粗粉砕し粗粉砕粉末を得た。得られた粗粉砕粉末に水素加圧雰囲気で水素脆化させた後、５５０℃まで真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。得られた添加合金の粗粉砕粉末と主合金の粗粉砕粉末を表６に示す条件でＶ型混合機に投入して混合し、混合合金粉末を得た。例えば、表６の試料Ｎｏ．３０は、表５のＡ１合金粉末（主合金粉末）とＢ１合金粉末（添加合金粉末）を混合した混合合金粉末を用いてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を作製したものであり、混合合金粉末における添加合金粉末の混合量は、混合合金粉末１００質量％のうち５質量％である。試料Ｎｏ．３１〜３３も同様に表６に示す混合合金粉末の組合せおよび添加合金粉末の混合量にて作製した。得られた混合合金粉末に潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００質量％に対して０．０４質量％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉となした混合合金粉末を得た。得られた混合合金粉末を実施例１と同じ条件で成形、焼結を行った。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分の分析結果を表６に示す。なお、表６における各成分は実施例１と同様の方法で測定した。また、本発明の式（４）を満足している場合は「〇」と表５に記載している。
【００６６】
【表５】
2016208508.tif 000006
【００６７】
【表６】
2016208508.tif 000007
【００６８】
得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を実施例１と同様に加工した後、実施例１と同様な方法により測定し、磁気特性を求めた。その結果を表７に示す。
【００６９】
【表７】
2016208508.tif 000008
【００７０】
表７に示すように、本発明の主合金粉末と添加合金粉末を用いてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を作製した試料Ｎｏ．３０〜３３は、ほぼ同じ組成で単合金から作製した実施例２の試料Ｎｏ．１８（Ｎｏ．３０、３２、３３とほぼ同じ組成）、Ｎｏ．２０（Ｎｏ．３１とほぼ同じ組成）と比較していずれも高いＨｃＪおよびＨｋ／ＨｃＪが得られている。また、試料Ｎｏ．３０（Ｔｉ：０．１６質量％）よりも試料Ｎｏ．３１〜３３（Ｔｉ：０．１１質量％〜０．１４質量％）の方が高いＢｒが得られている。そのため、Ｔｉの含有量は、０．１５質量％未満が好ましい。
【００７１】
実施例４
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成が表８に示す試料Ｎｏ．３４〜４０の組成となるように配合する以外は実施例１と同様の方法でＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を作製した。
【００７２】
【表８】
2016208508.tif 000009
【００７３】
得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を実施例１と同様に加工した後、実施例１と同様な方法により測定し、磁気特性を求めた。その結果を表９に示す。
【００７４】
【表９】
2016208508.tif 000010
【００７５】
表９に示す様に、Ｎｂ及びＺｒを含有（試料Ｎｏ．３４及び３５）した場合においても、Ｂｒ１．１９０Ｔ以上且つ、ＨｃＪ２１００ｋＡ／ｍ以上且つ、Ｈｋ／ＨｃＪ０．９１３以上の高い磁気特性が得られている。また、Ｔｉの含有量が異なる以外はほぼ同じ組成である試料Ｎｏ．３６〜３９から明らかな様に、Ｔｉの含有量が０．１〜０．１５（試料Ｎｏ．３６〜３８）の範囲で高いＢｒが得られている。そのため、Ｔｉの含有量は、０．１質量％以上０．１５質量％未満が好ましい。また、本発明の式（３）（［Ｇａ］≧［Ｃｕ］）が本発明の範囲外である試料Ｎｏ．４０から明らかな様に、Ｇａの含有量がＣｕの含有量よりも少ないと、大幅にＨｃＪが低下しており、高いＨｋ／ＨｃＪも得られていない。
【００７６】
本出願は、出願日が２０１５年６月２５日である日本国特許出願、特願第２０１５−１２７２９５号を基礎出願とする優先権主張と伴う。特願第２０１５−１２７２９５号は参照することにより本明細書に取り込まれる。
【国際調査報告】
2016208508.tif 000011
2016208508.tif 000012
2016208508.tif 000013
2016208508.tif 000014