(57)【要約】  銅等からなる基材表面に、アルミニウム等と所定の特性を有するセラミックスからなる皮膜をコールドスプレー法により形成された積層体において、皮膜が所定の熱膨張率および熱伝導率を備えるとともに、基材と皮膜との密着性を向上しうる放熱部材用積層体、ヒートシンク付き基板、および放熱部材用積層体の製造方法を提供する。本発明の積層体５２は、銅等からなる基材５０と、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを含む皮膜５１と、を備え、皮膜５１中の前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の割合が３０〜９５体積％、前記セラミックスの割合が５〜７０体積％であって、前記皮膜の熱膨張率は２１ｐｐｍ／Ｋ以下、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。
2016056567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、アルミニウム、鉄、チタンまたはこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる基材と、
アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを含む皮膜と、
を備え、前記皮膜中の前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の割合が３０〜９５体積％、前記セラミックスの割合が５〜７０体積％であって、前記皮膜の熱膨張率は２１ｐｐｍ／Ｋ以下、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする放熱部材用積層体。
【請求項２】
前記皮膜の気孔率は、３．０体積％以下であることを特徴とする請求項１に記載の放熱部材用積層体。
【請求項３】
セラミックス基材の片面に銅もしくは銅合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる回路層が設けられるとともに、他面に銅もしくは銅合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる金属層が設けられた基板と、
アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを含むヒートシンクと、
を備え、前記ヒートシンク中の前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の割合が３０〜９５体積％、前記セラミックスの割合が５〜７０体積％であって、前記ヒートシンクの熱膨張率は２１ｐｐｍ／Ｋ以下、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上あることを特徴とするヒートシンク付き基板。
【請求項４】
前記皮膜の気孔率は、３．０体積％以下であることを特徴とする請求項３に記載のヒートシンク付き基板。
【請求項５】
銅、アルミニウム、鉄、チタンまたはこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる基材に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを混合した混合粉末を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点より低い温度に加熱された不活性ガスとともに加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜を形成する工程を含み、
前記皮膜中の前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の割合が３０〜９５体積％、前記セラミックスの割合が５〜５０体積％であることを特徴とする放熱部材用積層体の製造方法。
【請求項６】
銅、アルミニウム、鉄、チタンまたはこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる基材に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを混合した混合粉末を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点より低い温度に加熱された不活性ガスとともに加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜を形成する工程を含み、
前記皮膜の熱膨張率は２１ｐｐｍ／Ｋ以下、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする放熱部材用積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュール等に使用される放熱部材用積層体、ヒートシンク付き基板、および放熱部材用積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁層となるセラミックス基板の片面にアルミニウムまたは銅等の回路層が積層され、この回路層上に半導体素子等が半田付けされるとともに、セラミックス基板の他面に形成されたアルミニウムまたは銅等からなる金属層を介して、低熱膨張で高熱伝導率のＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンクが接合されたパワーモジュールが知られている（例えば、特許文献１または２参照）。【０００３】
ＡｌＳｉＣ系複合材料からなるヒートシンクとセラミックス基板の金属層とを接合する場合、半田や、ろう材等を使用して接合している。しかしながら、ＡｌＳｉＣ系複合材料は、ＳｉＣの細孔に溶解したＡｌを含浸させて作製するため、工程が複雑でコストが増大するという問題を有している。また、半田により接合する場合、低温接合が可能であるものの、金属層やヒートシンクにメッキ処理が必要となり工程が多くなるという問題がある。一方、ろう材により接合する場合、高温で接合するため、セラミックス基板に熱応力がかかるとともに、ＡｌＳｉＣ系複合材料からアルミニウム等が溶け出してしまうおそれがあるため、ＡｌＳｉＣ系複合材料に使用するアルミニウム材料が制限されるという問題を有していた。【０００４】
近年、材料粉末を高温、高速にして基材に吹き付けることにより、該材料粉末を基材に堆積・コーティングするコールドスプレー法が注目されており、該コールドスプレー法によりパワーモジュールのヒートシンクとセラミックス基板との間の緩衝部材を製造する方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３０６７３０号公報
【特許文献２】特許第３１７１２３４号公報
【特許文献３】特許第４６４５４６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献３では、銅を金属材料粉末としてセラミックス粉末とともに使用して、酸素を含むガスを使用したコールドスプレー法により皮膜中のセラミックスの含有量が１０〜５０体積％となる皮膜を形成した場合、セラミックス粉末を使用しない場合より、皮膜の熱膨張係数を低減しつつ、熱伝導率が向上できることが確認されている。しかしながら、金属粉末としてアルミニウムを使用して皮膜を形成する場合、酸素ガスを使用すると粉塵爆発のおそれがある。また、特許文献３にはコールドスプレー方法によるヒートシンクの製造については記載も示唆もない。【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、銅またはアルミニウム等からなる基材表面に、アルミニウム等と所定の特性を有するセラミックスからなる皮膜をコールドスプレー法により形成された積層体において、低熱膨張率および高熱伝導率の皮膜を備えるとともに、基材と皮膜との密着性を向上しうる放熱部材用積層体、ヒートシンク付き基板、および放熱部材用積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる放熱部材用積層体は、銅、アルミニウム、鉄、チタンまたはこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる基材と、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを含む皮膜と、を備え、前記皮膜中の前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の割合が３０〜９５体積％、前記セラミックスの割合が５〜７０体積％であって、前記皮膜の熱膨張率は２１ｐｐｍ／Ｋ以下、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。【０００９】
また、本発明にかかる放熱部材用積層体は、上記発明において、前記皮膜の気孔率は、３．０体積％以下であることを特徴とする。【００１０】
また、本発明にかかるヒートシンク付き基板は、セラミックス基材の片面に銅もしくは銅合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる回路層が設けられるとともに、他面に銅もしくは銅合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる金属層が設けられた基板と、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを含むヒートシンクと、を備え、前記ヒートシンク中の前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の割合が３０〜９５体積％、前記セラミックスの割合が５〜７０体積％であって、前記ヒートシンクの熱膨張率は２１ｐｐｍ／Ｋ以下、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。【００１１】
また、本発明にかかるヒートシンク付き基板は、上記発明において、前記皮膜の気孔率は、３．０体積％以下であることを特徴とする。【００１２】
また、本発明にかかる放熱部材用積層体の製造方法は、銅、アルミニウム、鉄、チタンまたはこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる基材に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを混合した混合粉末を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点より低い温度に加熱された不活性ガスとともに加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜を形成する工程を含み、前記皮膜中の前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の割合が３０〜９５体積％、前記セラミックスの割合が５〜７０体積％であることを特徴とする。【００１３】
また、本発明にかかる放熱部材用積層体の製造方法は、銅、アルミニウム、鉄、チタンまたはこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる基材に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを混合した混合粉末を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点より低い温度に加熱された不活性ガスとともに加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜を形成する工程を含み、前記皮膜の熱膨張率は２１ｐｐｍ／Ｋ以下、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、アルミニウム等と所定の特性を有するセラミックスとからなる混合粉末を、不活性ガスを使用したコールドスプレー法によりセラミックス基板の金属層に吹き付けることにより、低熱膨張、かつ高熱伝導率であるとともに、金属層との密着性に優れるヒートシンク等の放熱部材を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態にかかるパワーモジュールの構造を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態にかかるヒートシンクの形成に使用されるコールドスプレー装置の概要を示す模式図である。
【図３】図３は、密着強度試験（ロミュラス試験）を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、及び位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。即ち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、及び位置関係のみに限定されるものではない。
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態にかかるパワーモジュールの構造を示す断面図である。図１に示すパワーモジュール１００は、基板１０と、ヒートシンク２０とを備える。
【００１８】
基板１０は、平板状をなすセラミックス基材１の片面に形成された回路層２と、セラミックス基材１の他面に形成された金属層３とを有する。
【００１９】
セラミックス基材１は、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の窒化物系セラミックスや、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、ステアタイト、フォルステライト、ムライト、チタニア、シリカ、サイアロン等の酸化物系セラミックスといった絶縁性材料からなる略板状の部材である。
【００２０】
回路層２は、銅もしくは銅合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる金属層である。この回路層２には、半導体チップ３０が半田３１等により実装されている。回路層２は、エッチング等により所定の回路パターン状に形成されている。
【００２１】
半導体チップ３０は、ダイオード、トランジスタ、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）等の半導体素子によって実現される。なお、半導体チップ３０は、使用の目的に合わせて回路層２上に複数個設けられても良い。
【００２２】
金属層３は、銅もしくは銅合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる。回路層２と同一の材料、例えば、回路層２が銅または銅合金の場合は、金属層３も銅または銅合金、回路層２がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合は、金属層３もアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましい。金属層３と回路層２を同一の金属材料から形成することにより、回路層２と金属層３とをセラミックス基材１に同時に接合することができる。
【００２３】
ヒートシンク２０は、後述するコールドスプレー法により形成され、半導体チップ３０が発生した熱を、回路層２、セラミックス基材１および金属層３を介して外部に放熱する。ヒートシンク２０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末から形成される。ヒートシンク２０に使用されるセラミックスの熱膨張率は２ｐｐｍ／Ｋ以上、７ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、ヒートシンク２０用のセラミックスの熱伝導率は、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３００Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが好ましい。ここで、ヒートシンク２０用のセラミックス粉末の熱膨張率および熱伝導率は、該セラミックス紛体を所定条件で焼結した焼結体の数値である。
【００２４】
ヒートシンク２０の材料として使用されるセラミックスとしては、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等が例示され、低熱膨張率および高熱伝導率を達成する観点から炭化ケイ素が好ましく使用される。上記した炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等において、不純物等により熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋより大きい市販品も存在するが、低熱膨張率かつ高熱伝導率のヒートシンク２０とするためには、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下である市販品を使用することが好ましい。
【００２５】
ヒートシンク２０において、アルミニウムまたはアルミニウム合金とセラミックスとの割合は、アルミニウムまたはアルミニウム合金が３０〜９５体積％に対し、セラミックスが５〜７０体積％である。ヒートシンク２０中のセラミックスの割合が５体積％未満の場合、熱膨張率が高く、セラミックス基材１との熱膨張率の差に起因する熱応力が発生し、セラミックス基材１の割れ等を生じるおそれがある。一方、ヒートシンク２０中のセラミックスの割合が７０体積％より大きい場合、緻密な皮膜が形成されないおそれがある。ヒートシンク２０中のアルミニウムまたはアルミニウム合金の割合は５０〜９５体積％、セラミックスの割合は、１５〜５０体積％であることが好ましい。
【００２６】
また、ヒートシンク２０は、熱膨張率が２１ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が１４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。熱膨張率が２１ｐｐｍ／Ｋ以下であることにより、セラミックス基材１との熱膨張率の差に起因する熱応力の発生を抑制でき、熱伝導率が１４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることにより、パワーモジュール１００から速やかに放熱をおこなうことができる。ヒートシンク２０の熱膨張率は４ｐｐｍ／Ｋ以上２１ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、熱伝導率は１４０Ｗ/ｍ・Ｋ以上２００Ｗ/ｍ・Ｋ以下であることが好ましい。
【００２７】
ヒートシンク２０の気孔率は、３．０体積％以下であることが好ましい。金属層３とヒートシンク２０との界面の密着強度向上のために、ヒートシンク２０の気孔率が３．０体積％以下であることが好ましく、ヒートシンク２０の気孔率は、１．０体積％であることがより好ましい。
【００２８】
つづいて、本実施の形態にかかるヒートシンク２０の製造方法について説明する。ヒートシンク２０は、基板１０の金属層３側の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末とヒートシンク用セラミックス粉末との混合粉末を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点より低い温度に加熱されたガスとともに加速し、金属層３の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させてヒートシンク２０を形成することにより製造することができる。
【００２９】
基板１０の金属層３の表面へのヒートシンク２０の形成は、上述した混合粉末を用いてコールドスプレー法により行なう。ヒートシンク２０の形成について、図２を参照して説明する。図２は、本実施の形態にかかるヒートシンク２０の形成に使用されるコールドスプレー装置４０の概要を示す模式図である。
【００３０】
コールドスプレー装置４０は、作動ガスを加熱するガス加熱器４１と、粉末材料を収容し、スプレーガン４２に供給する粉末供給装置４３と、スプレーガン４２で加熱された作動ガスと混合された粉末材料を噴射するガスノズル４４とを備えている。ここでいう粉末材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末とヒートシンク用セラミックス粉末とを混合した混合粉末である。なお、混合粉末は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末とセラミックス粉末とを、ふるい等により混合して調製することができる。
【００３１】
作動ガスとしては、ヘリウム、窒素などの不活性ガスが使用される。不活性ガスを使用することにより、アルミニウム粉末による粉塵爆発のリスクを低減することができる。コスト等の観点から、窒素を使用することが好ましい。供給された作動ガスは、バルブ４５および４６により、ガス加熱器４１と粉末供給装置４３にそれぞれ供給される。ガス加熱器４１に供給された作動ガスは、例えば１００℃以上であって、粉末材料であるアルミニウムまたはアルミニウム合金の融点以下の温度に加熱された後、スプレーガン４２に供給される。作動ガスの加熱温度は、好ましくは１００℃以上であって粉末材料であるアルミニウムまたはアルミニウム合金の融点以下の温度である。
【００３２】
粉末供給装置４３に供給された作動ガスは、粉末供給装置４３内の、粉末材料をスプレーガン４２に所定の吐出量となるように供給する。加熱された圧縮ガスは先細末広形状をなすガスノズル４４により超音速流（約３４０ｍ／ｓ以上）にされる。
【００３３】
このようなコールドスプレー装置４０において、基材５０として、基板１０の金属層３側をスプレーガン４２に向けて配置した後、混合粉末を粉末供給装置４３に供給し、ガス加熱器４１及び粉末供給装置４３への作動ガスの供給を開始する。それにより、スプレーガン４２に供給された粉末材料が、この作動ガスの超音速流の中に投入されて加速され、スプレーガン４２から噴射される。この粉末材料が、固相状態のまま基材５０（金属層３）に高速で衝突して堆積することにより、皮膜５１が形成される。そして、この皮膜５１を所望の厚さとなるまで堆積させることで、ヒートシンク２０が形成される。
【００３４】
アルミニウムまたはアルミニウム合金のみからなる粉末をコールドスプレー法により基材５０に吹き付けて皮膜５１を形成する場合、基材５０と皮膜５１との密着性が低くなる場合がある。特に、銅もしくは銅合金、またはＡ５０５２、Ａ６０６１等のアルミニウム合金からなる基材５０に、アルミニウムまたはアルミニウム合金から主としてなる皮膜５１を形成する場合は、基材５０と皮膜５１との界面の密着強度も十分なレベルではなかった。
【００３５】
本実施の形態では、皮膜５１を形成するアルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末にヒートシンク用セラミックス粉末を混合することにより、ヒートシンク用セラミックス粉末が基材５０の表面に吹き付けられる際、基材５０の表面がブラストされて基材５０の新生面が露出されるため、基材５０の材料とアルミニウムまたはアルミニウム合金との金属結合の形成が容易となり、基材５０、特に、銅もしくは銅合金、またはＡ５０５２、Ａ６０６１等のアルミニウム合金からなる基材５０と皮膜５１との界面の密着強度を向上することができる。
【００３６】
また、本実施の形態では、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末にヒートシンク用セラミックス粉末を混合することにより、ヒートシンク用セラミックス粉末が基材５０上に堆積したアルミニウムまたはアルミニウム合金をピーニングするため、気孔の少ない緻密な皮膜５１を得ることができる。
【００３７】
本実施の形態において、作動ガスのガス圧力は、１ＭＰａ〜５ＭＰａ程度とする。作動ガスの圧力を１ＭＰａ〜５ＭＰａ程度とすることにより、作動ガスとして安価な窒素を使用した場合においても基材５０と皮膜５１との間の密着強度の向上を図ることができる。作動ガスのガス圧力は、２ＭＰａ〜５ＭＰａ程度とすることが好ましい。アルミニウムまたはアルミニウム合金粉末と、ヒートシンク用セラミックス粉末の混合粉末を基材５０に固相状態で衝突させて皮膜５１を形成できる装置であれば、図２のコールドスプレー装置４０に限定されるものではない。
【００３８】
本実施の形態で使用するアルミニウムまたはアルミニウム合金粉末は、平均粒径が２０μｍ〜１５０μｍであるものを好適に使用することができる。平均粒径が２０μｍ〜１５０μｍの場合、流動性がよく、入手も容易となる。アルミニウムまたはアルミニウム合金粉末は、例えばガスアトマイズ法により製造される。
【００３９】
また、基材５０の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金粉末とともに吹き付けられるセラミックス粉末の平均粒径（Ｄ５０）は、３０〜１５０μｍであることが好ましい。セラミックス粉末の平均粒径（Ｄ５０）が３０μｍより小さい場合、アルミニウムまたはアルミニウム合金粉末のピーニング効果が小さくなる。一方、ヒートシンク用セラミックスの平均粒径（Ｄ５０）が１５０μｍより大きい場合、基材５０や堆積した皮膜５１にエロージョンを生じるおそれがある。セラミックス粉末の平均粒径（Ｄ５０）は、１００〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００４０】
本発明の実施の形態によれば、アルミニウムまたはアルミニウム合金粉末と、ヒートシンク用セラミックス粉末との混合粉末を、コールドスプレー法により基材５０（金属層３）の表面に吹き付けることにより、基材５０との密着性に優れ、所望の熱膨張率および熱伝導率を備えた皮膜５１（ヒートシンク２０）を作製することができる。なお、上記の実施の形態では、ヒートシンク２０は平板状であるが、皮膜５１を形成する際、マスク等を使用することにより、上述したコールドスプレー法により冷却フィンを有するヒートシンクも作製することができる。
【００４１】
以上、パワーモジュールを例として本発明の実施の形態について説明したが、基板を有しない放熱部材用積層体とすることもできる。たとえば、銅、アルミニウム、鉄、チタンまたはこれらの金属の少なくとも１種を含む合金からなる基材上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の粉末と、熱膨張率が７ｐｐｍ／Ｋ以下であって熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックスの粉末とを混合した混合粉末を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点より低い温度に加熱された不活性ガスとともに加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付け、堆積させて皮膜を形成することにより、基材との密着性に優れ、所望の熱膨張率および熱伝導率を備えた放熱部材用積層体を得ることもできる。
【実施例】
【００４２】
（実施例１〜４）
Ｃ１０２０−Ｈからなる基材５０に、コールドスプレー装置４０により、作動ガス：窒素、作動ガス温度：１５０℃、作動ガス圧力：５ＭＰａ、ワーキングディスタンス（ＷＤ）：２５ｍｍ、トラバース速度：４００ｍｍ／ｓで、アルミニウム粉末（Ｄ５０＝３０μｍ、純度９９．５％）と炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末（熱膨張率：６．６ｐｐｍ／Ｋ、熱伝導率：１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、Ｄ５０＝５７μｍ）との配合割合を変更して、皮膜５１（厚さ０．５ｍｍ）を形成し、積層体５２を作製した。作製した積層体５２について、皮膜５１内の炭化ケイ素含有量および気孔率、皮膜５１の熱膨張率および熱伝導率を測定した。皮膜５１の気孔率は、皮膜５１の断面のＳＥＭ画像について、気孔を黒、アルミニウムおよび炭化ケイ素等の皮膜部分を白とする二元化する画像処理を行い、皮膜５１に対する気孔の割合により算出した。熱伝導率は非定常法（熱拡散率：レーザーフラッシュ法、比熱：ＤＳＣ、密度：アルキメデス法）、熱膨張率は、ＴＭＡ（熱機械分析）により測定した。【００４３】
また、図３に示す密着強度試験装置６０により基材５０と皮膜５１との界面の密着強度を測定した。この方法では、基材５０上に形成した皮膜５１に接着剤６３を介してスタッドピン６２（Φ４．１ｍｍ）を接着し、接着剤６３を介して皮膜５１に接着したスタッドピン６２の上方から、孔部６１ａを有する支持台６１（Φ７．５〜９．５ｍｍ）を挿通した後、スタッドピン６２を上方に引っ張ることにより、基材５０と皮膜５１との間の密着強度を評価する。評価は、基材５０と皮膜５１とが剥離した時点での引張応力と剥離状態により行なった。実施例２〜４では、接着剤層で破断したため正確な密着強度を測定することはできなかった。結果を表１に示す。【００４４】
（比較例１）
比較例１として、実施例１と同様の基材５０に、アルミニウム粉末（Ｄ５０＝３０μｍ、純度９９．５％）１００体積％の粉末を、実施例１と同様の条件で吹き付けて皮膜５１を形成し、積層体５２を作製した。作製した比較例１にかかる積層体５２について、皮膜５１内の炭化ケイ素含有量および気孔率、皮膜５１の熱膨張率および熱伝導率、ならびに基材５０と皮膜５１との界面の密着強度を測定した。結果を表１に示す。【００４５】
（比較例２）
実施例１〜４と同様の条件にて、アルミニウム粉末（Ｄ５０＝３０μｍ、純度９９．５％）に混合するヒートシンク用セラミックス粉末を、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４、熱膨張率：３．９ｐｐｍ／Ｋ、熱伝導率：１．８Ｗ／ｍ・Ｋ、Ｄ５０＝１０６μｍ）に変更して積層体５２を作製した。作製した比較例２にかかる積層体５２について、皮膜５１内のジルコン有量および気孔率、皮膜５１の熱膨張率および熱伝導率、ならびに基材５０と皮膜５１との界面の密着強度を測定した。なお、上記のジルコンの熱伝導率および熱膨張率は、使用したジルコンの焼結体について測定したものではなく参考値を示している。結果を表１に示す。【００４６】
【表１】
2016056567.tif 000003
【符号の説明】
【００４７】
１  セラミックス基材
２  回路層
３  金属層
１０  基板
２０  ヒートシンク
３０  半導体チップ
３１  半田
４０  コールドスプレー装置
４１  ガス加熱器
４２  スプレーガン
４３  粉末供給装置
４４  ガスノズル
４５、４６  バルブ
５０  基材
５１  皮膜
５２  積層体
６０  密着強度試験装置
６１  支持台
６１ａ  孔部
６２  スタッドピン
６３  接着剤
１００  パワーモジュール
【図１】
2016056567.tif 000004
【図２】
2016056567.tif 000005
【図３】
2016056567.tif 000006
【国際調査報告】
2016056567.tif 000007
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