(57)【要約】  本発明の一形態に係る太陽電池素子は、第１面および該第１面の反対側に位置する第２面を有する半導体基板と、該半導体基板の前記第２面に配置されているパッシベーション膜と、該パッシベーション膜を多数箇所で貫通した状態で前記半導体基板に接している第１電極と、平面視して該第１電極に重ならない位置で、前記パッシベーション膜の上に、または前記パッシベーション膜を貫通した状態で、前記半導体基板の上に直線状に配置されている第２電極と、該第２電極の一部、前記パッシベーション膜および前記第１電極のそれぞれを覆っているとともに、前記第１電極および前記第２電極のそれぞれに接している第３電極と、を備え、前記第１電極の電気抵抗率が前記第３電極の電気抵抗率よりも小さい。
2016125803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および該第１面の反対側に位置する第２面を有する半導体基板と、
該半導体基板の前記第２面に配置されているパッシベーション膜と、
該パッシベーション膜を複数箇所で貫通した状態で前記半導体基板に接している第１電極と、
平面視して該第１電極に重ならない位置で、前記パッシベーション膜の上に、または前記パッシベーション膜を貫通した状態で、前記半導体基板の上に直線状に配置されている第２電極と、
該第２電極の一部、前記パッシベーション膜および前記第１電極のそれぞれを覆っているとともに、前記第１電極および前記第２電極のそれぞれに接している第３電極と、を備え、
前記第１電極の電気抵抗率が前記第３電極の電気抵抗率よりも小さい太陽電池素子。
【請求項２】
前記半導体基板の前記第１面の上に配置された反射防止膜をさらに備える、請求項１に記載の太陽電池素子。
【請求項３】
前記半導体基板の前記第２面がｐ型シリコンを含み、前記パッシベーション膜が酸化アルミニウムを主成分とする材料からなる、請求項１または２に記載の太陽電池素子。
【請求項４】
前記パッシベーション膜と前記半導体基板との間に、前記パッシベーション膜よりも薄い第１酸化シリコン膜が介在している、請求項３に記載の太陽電池素子。
【請求項５】
前記パッシベーション膜と前記第３電極との間に配置された第２酸化シリコン膜をさらに備え、該第２酸化シリコン膜は前記パッシベーション膜よりも薄い、請求項３または４に記載の太陽電池素子。
【請求項６】
前記第１電極および前記第３電極がアルミニウムを主成分とする材料からなる、請求項２乃至５のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項７】
前記第２電極が銀を主成分とする材料からなる、請求項２乃至６のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項８】
前記第２電極がアルミニウムを含有している、請求項７に記載の太陽電池素子。
【請求項９】
前記第１電極が銀を含有している、請求項２乃至８のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法であって、導電性ペーストＩを焼成して前記第１電極を形成した後に、前記導電性ペーストＩと同一材料の導電性ペーストＩＩを前記導電性ペーストＩよりも低い温度で焼成して前記第３電極を形成する太陽電池素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本国際出願は、日本国特許出願２０１５−０１８５２９号（２０１５年２月２日出願）の優先権を主張するものである。本国際出願に上記日本国特許出願の開示内容を取り込む。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、太陽電池素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
例えば国際公開第２００９／１５７０７９号に開示されているように、結晶系のシリコン基板を用いた高効率の太陽電池素子として、ＰＥＲＣ（Passivated Emitter and Rear Cell）構造が研究されている。現在、上述のような太陽電池素子ではさらに光電変換効率の向上が求められている。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の一形態に係る太陽電池素子は、第１面および該第１面の反対側に位置する第２面を有する半導体基板と、該半導体基板の前記第２面に配置されているパッシベーション膜と、該パッシベーション膜を複数箇所で貫通した状態で前記半導体基板に接している第１電極と、を備える。上記太陽電池素子は、平面視して前記第１電極に重ならない位置で、前記パッシベーション膜の上に、または前記パッシベーション膜を貫通した状態で、前記半導体基板の上に直線状に配置されている第２電極と、該第２電極の一部、前記パッシベーション膜および前記第１電極のそれぞれを覆っているとともに、前記第１電極および前記第２電極のそれぞれに接している第３電極と、を備えている。上記太陽電池素子において、前記第１電極の電気抵抗率が前記第３電極の電気抵抗率よりも小さい。
【０００５】
本発明の一形態に係る太陽電池素子の製造方法は、上記構成の太陽電池素子の製造方法であって、導電性ペーストＩを焼成して前記第１電極を形成した後に、前記導電性ペーストＩと同一材料の導電性ペーストＩＩを前記導電性ペーストＩよりも低い温度で焼成して前記第３電極を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る太陽電池素子の第１面側の外観を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る太陽電池素子の第２面側の外観を示す平面図である。
【図３】図３は、図１、図２のＸ−Ｘ’線における断面の状態を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａ（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発明の実施形態に係る太陽電池素子の製造方法を示す拡大断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂ（ｆ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明の実施形態に係る太陽電池素子の製造方法を示す拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に係る太陽電池素子の別の断面の状態を示す断面図である。
【図６】図６は、また別の実施形態に係る太陽電池素子の断面の状態を示す断面図である。
【図７】図７は、また別の実施形態に係る太陽電池素子の断面の状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明に係る太陽電池素子およびその製造方法の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図面は模式的に示したものであり、断面図等において一部を省略している。
【０００８】
＜太陽電池素子＞
図１〜３に、本実施形態に係る太陽電池素子１０を示す。太陽電池素子１０は、主として光が入射する表（おもて）側に位置する第１面１０ａと、この第１面１０ａの反対側（裏側）に位置する第２面１０ｂとを有する。
【０００９】
また、太陽電池素子１０に用いられる半導体基板である基板１も同様に第１面１ａと、この第１面の反対側に位置する第２面１ｂとを有する。基板１は、一導電型（例えばｐ型）半導体領域である第１半導体層２と、第１半導体層２における第１面１ａ側に設けられた逆導電型（例えばｎ型）半導体領域である第２半導体層３とを有する。
【００１０】
以下、基板１（または第１半導体層２）としてｐ型シリコンを用いる太陽電池素子を例として説明する。
【００１１】
ｐ型の多結晶または単結晶のシリコン基板は、例えば厚みが１００〜２５０μｍ程度である。基板１の形状は、平面視で例えば１辺が１５０〜２００ｍｍ程度の略四角形状であれば、基板１を有する太陽電池素子１０を多数並べた太陽電池モジュールを作製しやすい。ただし、基板１の平面形状およびサイズは限定されない。第１半導体層２をｐ型にする場合には、ドーパント元素として、ボロン、ガリウム等の不純物をシリコン基板に含有させる。
【００１２】
第２半導体層３は第１半導体層２における第１面１０ａ側に設けられる。また、第２半導体層３は、第１半導体層２に対して逆の導電型（本実施形態の場合はｎ型）の半導体層であり、第１半導体層２と第２半導体層３との間でｐｎ接合部が形成される。第２半導体層３は、例えば、基板１の第１面１ａ側に、ドーパント元素としてリン等の不純物を含有させることによって形成できる。
【００１３】
図３に示すように、基板１の第１面１ａ側には、照射された光の反射率を低減するための微細な凹凸構造（テクスチャ）が設けることによって、光の反射を低減できる。テクスチャの凸部の高さは０．１〜１０μｍ程度であり、隣り合う凸部の頂部間の長さは０．１〜２０μｍ程度である。
【００１４】
また、太陽電池素子１０は、第１面１０ａ側には反射防止膜５および表面電極７を備えている。また、第２面１０ｂ側には裏面電極８およびパッシベーション膜４を備えている。
【００１５】
反射防止膜５は、太陽電池素子１０の第１面１０ａに照射された光の反射率を低減することによって、太陽電池素子１０の光電変換効率を向上し得る。反射防止膜５は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウムもしくは窒化シリコン層等の絶縁膜、またはこれらの積層膜からなる。反射防止膜５の屈折率および厚みは、太陽光のうち、基板１に吸収されて発電に寄与し得る波長範囲の光に対して低反射条件を実現できる屈折率および厚みを適宜採用すればよい。例えば、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法によって、窒化シリコンから成る反射防止膜５を成膜する場合には、屈折率は１．８〜２．５程度であり、厚みは６０〜１２０ｎｍ程度にすることができる。
【００１６】
表面電極７は、図１に示すように、基板１の第１面１ａ側に設けられた電極である。表面電極７は、数本（例えば、図１では３本）のバスバー電極７ａと、複数の線状のフィンガー電極７ｂとを有する。
【００１７】
バスバー電極７ａは、基板１の第１面１ａにおいて、光電変換によって得られた電気を太陽電池素子１０の外部に取り出すための電極である。バスバー電極７ａは、例えば１〜３ｍｍ程度の幅を有している。バスバー電極７ａの少なくとも一部は、フィンガー電極７ｂに対して略垂直に交わるように電気的に接続されている。
【００１８】
フィンガー電極７ｂは、基板１に入射した光によって発生したキャリアを集めて、バスバー電極７ａに伝えるための電極である。フィンガー電極７ｂは複数の線状であって、例えば３０〜２００μｍ程度の幅を有し、互いに１〜３ｍｍ程度の間隔を空けて設けられている。なお、基板１の周縁部に、フィンガー電極７ｂと同様な形状のサブフィンガー電極７ｃを設けて、フィンガー電極７ｂ同士を電気的に接続してもよい。
【００１９】
表面電極７は、例えば、銀を主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、焼成することによって形成できる。ここで、主成分とは、全体の成分に対して含有される比率が５０％以上であることを示し、以下の記述においても同様とする。導電性ペーストを焼成して形成された表面電極７の厚みは、１０〜４０μｍ程度である。
【００２０】
パッシベーション膜４は、基板１の第２面１ｂ側の略全面に形成される。これにより、基板１とパッシベーション膜４の界面において、キャリア再結合の原因となる欠陥凖位を低減して、少数キャリアの再結合を低減し得る。パッシベーション膜４は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウムもしくは窒化シリコン層等の絶縁膜、またはこれらの積層膜からなる。パッシベーション膜４の厚みは１０〜２００ｎｍ程度である。本実施形態のように、第１半導体層２がｐ型層であれば、パッシベーション膜４として、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で形成した酸化アルミニウム層等、負の固定電荷を有する膜を用いるとよい。負の固定電荷を有するパッシベーション膜４では、その電界効果によって少数キャリアである電子が、基板１とパッシベーション膜４との界面から遠ざかるので、少数キャリアの再結合が低減される。これと同様な効果を得るために、第２半導体層３がｎ型層であれば、反射防止膜５としては、ＰＥＣＶＤ法などで形成した窒化シリコン等、正の固定電荷を有する膜を用いるとよい。
【００２１】
裏面電極８は、基板１の第２面１ｂ側に設けられる電極であり、図２および図３に示すように、第１電極８ａ、第２電極８ｂおよび第３電極８ｃを有する。
【００２２】
第１電極８ａは、パッシベーション膜４を多数箇所で貫通している。第１電極８ａの一端部は基板１の第２面１ｂに当接して、基板１の第２面１ｂにおいてキャリアを集めることができる。第１電極８ａの他端部は、第３電極８ｃと接している。第１電極８ａの形状は、ドット（点）状であってもよいし、帯状（線状）であってもよい。第１電極８ａの径（または幅）は６０〜５００μｍ程度である。また、第１電極８ａは、複数の電極領域からなる場合には、隣接する電極領域同士のピッチは０．３〜２ｍｍ程度であればよい。
【００２３】
第２電極８ｂは、基板１の第２面１ｂにおいて、光電変換によって得られた電気を太陽電池素子１０の外部に取り出すための電極である。第２電極８ｂは平面視して第１電極８ａに重ならない位置で、パッシベーション膜４の上に直線状に配置されている。または、第２電極８ｂは平面視して第１電極８ａに重ならない位置で、パッシベーション膜４を貫通した状態で、基板１の上に直線状に配置されている。第２電極８ｂの厚みは１０〜３０μｍ程度であり、その幅は１〜７ｍｍ程度である。第２電極８ｂは、複数個、形成されて一直線状に配置されている。また、第２電極８ｂは、太陽電池モジュール製造工程において、リボン状の接続導体であるタブ銅箔を簡単に接続可能なように、ハンダ付け可能な銀を主成分として含んでいる。第２電極８ｂは、例えば銀を主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、これを焼成することによって形成できる。なお、第２電極８ｂの形状は、第３電極８ｃと導電するような形状であればよい。例えば、図２に示す矩形状の電極本体部に対して突出部を設けた形状にし、この突出部を第３電極８ｃで覆ってもよい。
【００２４】
第３電極８ｃは、第１電極８ａおよび第２電極８ｂのそれぞれに接して、これら両者同士を電気的に接続している。第３電極８ｃは、第２電極８ｂの一部、パッシベーション膜４および第１電極８ａのそれぞれを覆っている。第３電極８ｃは、第１電極８ａによって集めた電気を第２電極８ｂに伝えることができる。このため、第３電極８ｃは、すべての第１電極８ａを覆うように、例えば基板１の第２面１ｂの第２電極８ｂが形成された領域の一部を除く略全面に形成される。第３電極８ｃの厚みは１５〜５０μｍ程度である。
【００２５】
本実施形態の太陽電池素子１０では、第１電極８ａの電気抵抗率は、第３電極８ｃの電気抵抗率よりも小さい。例えば、アルミニウムを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷で塗布することにより、第１電極８ａおよび第３電極８ｃを形成した場合では、第１電極８ａの電気抵抗率は１０〜２４×１０−８Ωｍ程度であり、第３電極８ｃの電気抵抗率は、３８〜７５×１０−８Ωｍ程度である。基板１に接している第１電極８ａの電気抵抗率を小さくすることによって、第１電極８ａの個数（または第１電極８ａと第２面１ｂの接触面積）を減らすことができ、パッシベーション膜４の面積を広くすることができる。これにより、太陽電池素子１０の光電変換効率を向上させ得る。
【００２６】
一方、裏面電極８の広い領域を占める第３電極８ｃの電気抵抗率を、第１電極８ａの電気抵抗率よりも大きくすれば、以下のような効果が期待できる。太陽電池素子１０を多数備えた太陽電池モジュールは、例えば、受光面の一部が日陰となった場合に、日陰になった太陽電池素子がダイオードとして働く。このため、日陰になった箇所の太陽電池素子１０に大きな逆バイアス電流が流れることがある。このとき、大きな逆バイアス電流が長時間流れると、太陽電池素子１０の半導体接合部（ｐｎ接合部）が劣化しやすい。そこで、本実施形態では、第３電極８ｃの電気抵抗率を第１電極８ａの電気抵抗率よりも１．５〜７倍程度大きくして、裏面電極８全体の電気抵抗率を大きくしている。このため、太陽電池モジュールを構成する太陽電池素子１０のｐｎ接合部に長時間、逆バイアス電流が流れても、全体として電気抵抗率が大きい裏面電極８によって、逆バイアス電流を小さくして流れにくくすることができる。このため、ｐｎ接合部は劣化しにくくなり、信頼性の高い太陽電池素子１０および太陽電池モジュールを提供できる。なお、電気抵抗率は、シート抵抗測定器、段差計およびマイクロプローブ等を用いることによって、電極のシート抵抗および電極の厚みを容易に測定することができて、電極のシート抵抗および厚み等から算出ができる。
【００２７】
また、第１電極８ａを、アルミニウムを含有する導電性ペーストで形成することによって、基板１にＢＳＦ層１３を形成できる。例えば、アルミニウムを含有する導電性ペーストを塗布後、アルミニウムの融点以上の最高温度を有する所定の温度プロファイルで導電性ペーストを焼成する。これにより、第１電極８ａが形成されるとともに、導電性ペースト中のアルミニウムと基板１との間で相互拡散が起こり、基板１中にアルミニウムが第１半導体層２よりも高濃度に拡散したＢＳＦ層１３が形成される。アルミニウムはｐ型ドーパントとなり得るので、ＢＳＦ層１３が含有するドーパントの濃度は、第１半導体層２が含有するドーパントの濃度よりも高くなる。このように、ＢＳＦ層１３中には、第１半導体層２において一導電型にするためにドープされるドーパント元素の濃度よりも高い濃度でドーパント元素が存在する。ＢＳＦ層１３では、基板１の第２面１ｂ側において内部電界を形成して、基板１における第２面１ｂの表面近傍で、少数キャリアの再結合による光電変換効率の低下を低減させる役割を有している。ＢＳＦ層１３は、例えば、基板１の第２面１ｂ側に、ボロンまたはアルミニウムなどのドーパント元素を拡散させることによって形成できる。第１半導体層２およびＢＳＦ層１３が含有するドーパント元素の濃度は、それぞれ５×１０１５〜１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、１×１０１８〜５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度とすることができる。
【００２８】
以上述べたように、本実施形態の太陽電池素子１０は、第１面１ａおよび第１面１ａの反対側に位置する第２面１ｂを有する基板１と、基板１の裏面に配置されているパッシベーション膜４と、基板１の裏面に配置された裏面電極８とを備えている。裏面電極８は、第１電極８ａ、第２電極８ｂおよび第３電極８ｃを有している。第１電極８ａは、パッシベーション膜４を多数箇所で貫通して基板１に接している。第２電極８ｂは、平面視して第１電極８ａに重ならない位置で、パッシベーション膜４の上に、またはパッシベーション膜４を貫通して、基板１の上に直線状に配置されている。そして、特に、第３電極８ｃは、第２電極８ｂの周縁部などの一部、パッシベーション膜４および第１電極８ａのそれぞれを覆っているとともに、第１電極８ａおよび第２電極８ｂのそれぞれに接している。これにより、第３電極８ｃの一部が剥離しても、キャリアは。面状に設けられた第３電極８ｃの他の部分を通り、第２電極８ｂに達することができる。このため、光電変換効率が低下しにくい太陽電池素子１０を提供することができる。
【００２９】
＜太陽電池素子の製造方法＞
次に、太陽電池素子１０の製造方法の各工程について、詳細に説明する。
【００３０】
まず、図４Ａ（ａ）に示すように基板１を用意する。基板１は、例えば単結晶シリコンまたは多結晶シリコンでよい。基板１は、例えば、既存のＣＺ法または鋳造法などによって作製する。以下では、基板１として、ｐ型多結晶シリコン基板を用いる例について説明する。例えば鋳造法によって多結晶シリコンのインゴットを作製する。インゴットの電気抵抗率は例えば１〜５Ω・ｃｍ程度でよい。ドーパント元素としては、例えばボロンを添加すればよい。次いで、そのインゴットを、ワイヤソー装置を用いてスライスして多数の基板１を得る。この基板１は、例えば１辺約１６０ｍｍ角の正方形状であり、厚さ２００μｍ程度である。その後、基板１の切断面の機械的ダメージ層および汚染層を除去するために、基板１の表面をＮａＯＨ、ＫＯＨ、フッ酸またはフッ硝酸などの水溶液でごく微量エッチングしてもよい。
【００３１】
また図４Ａ（ｂ）に示すように、基板１の第１面１ａに、光の反射を低減するためにテクスチャを形成してもよい。テクスチャの形成方法としては、ＮａＯＨ等のアルカリ溶液もしくはフッ硝酸等の酸溶液を使用したウエットエッチング方法、またはＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等を使用したドライエッチング方法を用いることができる。
【００３２】
次に、図４Ａ（ｃ）に示すように、テクスチャを有する基板１の第１面１ａに、ｎ型の第２半導体層３を形成する。第２半導体層３は、ペースト状にしたＰ２Ｏ５を基板１の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状にしたＰＯＣｌ３（オキシ塩化リン）を拡散源とした気相熱拡散法などによって形成される。この第２半導体層３は０．１〜２μｍ程度の厚み、４０〜２００Ω／□程度のシート抵抗値を有するように形成される。例えば、気相熱拡散法では、ＰＯＣｌ３等からなる拡散ガスを有する雰囲気中で６００〜８００℃程度の温度において、基板１を５〜３０分程度熱処理して、リンシリケイトガラス（以下、ＰＳＧという）を基板１の表面に形成する。その後、アルゴンまたは窒素等の不活性ガス雰囲気中で８００〜９００℃程度の高い温度において、基板１を１０〜４０分間程度熱処理する。これにより、ＰＳＧから基板１にリンが拡散して、基板１の第１面１ａ側に第２半導体層３が形成される。
【００３３】
上記第２半導体層３の形成工程において、第２面１ｂ側にも第２半導体層３が形成された場合には、第２面１ｂ側に形成された第２半導体層３のみをエッチングして除去する。これにより、第２面１ｂ側にｐ型の第１半導体層２を露出させる。例えば、フッ硝酸溶液に基板１における第２面１ｂ側のみを浸して第２面１ｂ側に形成された第２半導体層３を除去する。その後、第２半導体層３を形成する際に基板１の第１面１ａ側に付着したＰＳＧをエッチングして除去する。この時、基板１の側面に形成された第２半導体層３も合わせて除去してもよい。
【００３４】
次に、パッシベーション膜形成工程として、図４Ａ（ｄ）に示すように第１半導体層２の第２面１ｂ上に、例えば酸化アルミニウムからなるパッシベーション膜４が形成される。パッシベーション膜４の形成方法としては、例えばＡＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法などを用いることができる。ただし、基板１の表面のカバーレッジに優れたＡＬＤ法を用いることによってパッシベーション効果を大きくすることができる。
【００３５】
ＡＬＤ法によるパッシベーション膜４の形成工程では、まず、成膜装置のチャンバ内に上記第２半導体層３が形成された基板１が載置される。そして、基板１が１００℃〜２５０℃の温度域で加熱された状態で、アルミニウム原料ガスの供給、アルミニウム原料の排気除去、酸化性ガスの供給および酸化剤の排気除去、の一連の工程を複数回繰り返す。これにより、酸化アルミニウムからなるパッシベーション膜４を形成できる。アルミニウム原料としては、例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）等を用いることができる。また、酸化剤として、例えば、水、オゾンガス等を用いることができる。ＡＬＤ法を用いることによって、第１半導体層２の第１面１ａと基板１の側面を含む全周囲にもパッシベーション膜４が形成される。この場合には、第２面１ｂ上のパッシベーション膜４に耐酸レジストを塗布した後、フッ化水素酸（ＨＦ）などで不要なパッシベーション膜４をエッチングによって除去してもよい。
【００３６】
次に、図４Ａ（ｅ）に示すように、反射防止膜形成工程として、基板１の第１面１ａ側に、例えば窒化シリコン膜からなる反射防止膜５を形成する。反射防止膜５は、例えばＰＥＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて形成される。ＰＥＣＶＤ法を用いる場合には、事前に基板１を成膜中の温度よりも高い温度で加熱する。その後、加熱した基板１に、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスを窒素（Ｎ２）で希釈して供給する。そして、チャンバ内の反応圧力を５０〜２００Ｐａにしてグロー放電分解でプラズマ化させることで反射防止膜５が形成される。このときの成膜温度は、３５０〜６５０℃程度とする。また、グロー放電に必要な高周波電源の周波数としては１０〜５００ｋＨｚの周波数を使用する。また、チャンバに供給するガス流量はチャンバの大きさ等によって適宜決定される。チャンバに供給するガスの流量としては、例えば１５０〜６０００ｓｃｃｍの範囲とする。また、シランの流量Ａとアンモニアの流量Ｂとの流量比Ｂ／Ａは０．５〜１５であればよい。
【００３７】
次に、図４Ｂ（ｆ）〜（ｈ）に示すように、電極形成工程として、表面電極７（バスバー電極７ａとフィンガー電極７ｂ、サブフィンガー電極７ｃ）と、裏面電極８（第１電極８ａ、第２電極８ｂ、第３電極８ｃ）とを以下のようにして形成する。
【００３８】
まず、図４Ｂ（ｆ）に示すように、表面電極７を、第１ペースト１６を用いて形成する。第１ペースト１６は、例えば主成分として銀を含む金属粉末（例えば主たる金属成分が、粒径０．０５〜２０μｍ程度、好ましくは０．１〜５μｍ程度の銀粉末のみから成り、銀含有量が導電性ペーストの総質量の６５〜８５質量％程度）を有する。第１ペースト１６は、さらに有機ビヒクル（例えば、導電性ペーストの総質量の５〜１５質量％程度）およびガラスフリット（例えば、導電性ペーストの総質量の０．０５〜１０質量％程度、成分は鉛４０〜６０原子％程度、シリコン２０〜４０原子％程度、リン１〜５原子％程度、ホウ素７〜１５原子％程度）を含有する。まず、この第１ペースト１６を、スクリーン印刷を用いて、基板１の第１面１ａに塗布する。この塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。
【００３９】
また、裏面電極８である第２電極８ｂは、主成分として銀のみからなる金属粉末と、有機ビヒクルおよびガラスフリット等を含有する導電性ペースト（第２ペースト１７）を用いて形成する。第２ペースト１７の成分は、第１ペースト１６と同様でよい。第２ペースト１７の塗布法としては、例えば、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。
【００４０】
さらに、第３ペースト（導電性ペーストＩ）１８を用いて第１電極８ａを形成する。第３ペースト１８は、主成分としてアルミニウムを含む金属粉末（例えば、主たる金属成分が、粒径０．０５〜２０μｍ程度、好ましくは０．１〜５μｍ程度のアルミニウム粉末のみから成り、アルミニウム含有量が導電性ペーストの総質量の６５〜８０質量％程度）を有する。第３ペースト１８は、さらに有機ビヒクル（例えば、導電性ペーストの総質量の５〜１５質量％程度）およびガラスフリット（例えば、導電性ペーストの総質量の０．０５〜１０原子％程度、成分は鉛４０〜６０原子％程度、シリコン２０〜４０原子％程度、リン１〜５原子％程度、ホウ素７〜１５原子％程度）を含有する。この第３ペースト１８は、すでに塗布された第２ペースト１７とは離れた位置で、第２面１ｂ上の所定の位置に、点状または線状に塗布する。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させてもよい。
【００４１】
その後、第１ペースト１６、第２ペースト１７および第３ペースト１８が塗布された基板１を、焼成炉内にて最高温度が約７５０〜９５０℃、最高温度で数十秒〜数十分間程度維持して第１焼成を行う。これにより、各導電性ペーストが焼結し、図４Ｂ（ｇ）に示すように、表面電極７と裏面電極８の第１電極８ａ、第２電極８ｂとが形成される。第１焼成の際に、第１ペースト１６は反射防止膜５をファイアースルーして基板１の第１面１ａのｎ型の第２半導体層３と接続され、表面電極７が形成される。また第３ペースト１８もパッシベーション膜４をファイアースルーして、第２面１ｂのｐ型の第１半導体層２と接続され、第１電極８ａが形成される。また、第１電極８ａの形成に伴い、ＢＳＦ層１３も形成される。さらに第２ペースト１７が焼成され、第２電極８ｂが形成される。この時、第２ペースト１７は、図３に示すように、パッシベーション膜４をファイアースルーせずに、パッシベーション膜４上に形成されてもよい。または、図５に示すように、パッシベーション膜４をファイアースルーして、第１半導体層２上に形成されてもよい。例えば、第２ペースト１７中のガラスフリットの成分を適宜選択することによって、ファイアースルーの有無を調整することができる。例えば、パッシベーション膜４をファイアースルーさせる場合には、ガラスフリットにＳｉＯ２−ＢｉＯ３−ＰｂＯ系ガラスフリットを使用することで可能となる。一方、パッシベーション膜４をファイアースルーさせない場合には、ガラスフリットにＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系ガラスフリットを使用することで可能となる。
【００４２】
次に、図４Ｂ（ｈ）に示すように、第３電極８ｃを、第４ペースト（導電性ペーストＩＩ）１９を用いて形成する。第４ペースト１９は、主成分としてアルミニウムを含む金属粉末（例えば、導電性ペーストの総質量の６５〜８０質量％程度）を有する。第４ペースト１９は、さらに有機ビヒクル（例えば、導電性ペーストの総質量の５〜１５質量％程度）およびガラスフリット（例えば、導電性ペーストの総質量の５〜２５質量％程度）を含有する。なお、ガラスフリットの組成は、導電性ペーストの総質量の０．０５〜１０質量％程度、成分は鉛４０〜６０原子％程度、シリコン２０〜４０原子％程度、リン１〜５原子％程度、ホウ素７〜１５原子％程度）を含有する。この第４ペースト１９は、既に形成された第１電極８ａ上および第２電極８ｂの端部に接触するように、第２面１ｂ上に塗布する。このとき、第２面１ｂ上の第２電極８ｂが形成されない部位のほぼ全面に塗布することによって、厳密な位置合わせをすることなく第２電極８ｂの端部に接触するようにできる。上記の塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させてもよい。
【００４３】
その後、第４ペースト１９が塗布された基板１は、焼成炉にて最高温度が６００〜７００℃の第1焼成条件よりも低い温度条件で数十秒〜数十分間程度で第２焼成を行う。これによって、第３電極８ｃが基板１の第２面１ｂ側に形成される。ここで、第３電極８ｃは第１電極８ａと同一材質の場合には、第３電極８ｃを形成するための第４ペースト１９の焼成温度が、第１電極８ａを形成するための第３ペースト１８の焼成温度よりも低い。このため、第３電極８ｃは第１電極８ａよりも緻密になりにくく、第３電極８ｃは第１電極８ａよりも電気抵抗率が大きくなる。
【００４４】
また、第１電極８ａは高い焼成温度で形成されるので、電極中の金属粒子同士の接触が良好となって、電極中の空孔率が低下するので緻密となり得る。このため、第１電極８ａが電気抵抗率が下がって、基板１との接触抵抗が下がり得る。一方、広い面積で形成される第３電極８ｃは、低い焼成温度で形成されるので、空孔率が上がって、空孔部分での熱収縮を緩和し得る。このため、太陽電池素子１０の製造時に、基板１等と第３電極８ｃとの熱膨張係数との差異による反りが発生しにくい。
【００４５】
上記のように成分がほぼ同じアルミニウムを含有した導電性ペーストを用いた場合には、第１焼成のピーク温度を第２焼成のピーク温度よりも高くする。これにより、第１電極８ａの電気抵抗率は、第３電極８ｃの電気抵抗率よりも小さくすることが可能となる。
【００４６】
なお、本発明は上記形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。例えば、電極形成工程の焼成は、成分が類似した表面電極７（バスバー電極７ａとフィンガー電極７ｂ、サブフィンガー電極６ｃ）と裏面電極８の第２電極８ｂ形成のための焼成を行った後、第３電極８ｃおよび第１電極８ａ形成のための焼成を別途行ってもよい。
【００４７】
＜変形例１＞
変形例１に係る実施形態は、図６に示すように、第２面１０ｂ側において、パッシベーシン膜４と基板１との間に、パッシベーション膜４よりも薄い第１酸化シリコン膜１１が介在している。他の構成については上述した実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００４８】
第１酸化シリコン膜１１を設けることによって、基板１表面の結晶欠陥に由来する未結合手を効果的に終端させることができ、太陽電池素子の光電変換効率をより向上させることができる。
【００４９】
この第１酸化シリコン膜１１は、カバーレッジに優れたＡＬＤ法を用いることが望ましい。ＡＬＤ法による原料ガスとしては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，テトラエチルシランジアミン〈Ｈ２Ｓｉ[Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２]２〉ガスと、オゾン（Ｏ３）または水蒸気などとを用いて成膜できる。
【００５０】
ここで、第１酸化シリコン膜１１の膜厚を、パッシベーション膜４よりも薄くする。これにより、パッシベーション膜４を形成する酸化アルミニウムの負の固定電荷が、第１酸化シリコン膜１１の正の固定電荷に比べて優勢になる。そして、パッシベーション膜４のパッシベーション効果を低下させにくくすることができる。
【００５１】
第１酸化シリコン膜１１の膜厚は、パッシベーション膜４の膜厚の半分未満であることが望ましい。例えば、パッシベーション膜４の膜厚が５０ｎｍ程度の場合には、第１酸化シリコン膜１１の膜厚は２０ｎｍ程度とする。このように、第１酸化シリコン膜１１の膜厚をパッシベーション膜４の膜厚の半分未満とするとよい。これにより、第１酸化シリコン膜１１に加え、後述する第２酸化シリコン膜１２を形成した場合においても、パッシベーション膜４を形成する酸化アルミニウムの負の固定電荷が、第１酸化シリコン膜１１の正の固定電荷に比べて優勢になる。このため、パッシベーション膜４のパッシベーション効果を低下させにくくすることができる。
【００５２】
＜変形例２＞
変形例２に係る実施形態は、図７に示すように、パッシベーション膜４と第３電極８ｃとの間に、パッシベーション膜４よりも薄い第２酸化シリコン膜１２が介在している。他の構成については上述した実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
第２酸化シリコン膜１２を設けることによって、第３電極８ｃ形成時においてアルミニウムなどがパッシベーション膜４へ拡散しにくくすることができる。これにより、パッシベーション膜４のパッシベーション効果をより向上させ得る。
【００５４】
この第２酸化シリコン膜１２は、第１酸化シリコン膜１１と同様にカバーレッジに優れたＡＬＤ法を用いることが望ましい。
【００５５】
さらに、第２酸化シリコン膜１２の膜厚は、上述のようにパッシベーション膜４の膜厚の半分未満であることが望ましい。例えば、パッシベーション膜４の膜厚が５０ｎｍ程度の場合には、第２酸化シリコン膜１２の膜厚は２０ｎｍ程度であることが望ましい。
【００５６】
＜変形例３＞
変形例３に係る実施形態は、第１電極８ａを形成するための導電性ペースト（第３ペースト１８）の金属成分が、主としてアルミニウムを含みさらに銀を含む。他の構成については上述した実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５７】
第３ペースト１８が、主たる金属成分がアルミニウムのみから成るものを用いた場合、第１電極８ａの焼成において、第１電極８ａ表面に酸化膜が形成されることが考えられる。このとき、第１電極８ａと第３電極８ｃとの接続部分でのコンタクト抵抗が増大し、太陽電池素子１０の光電変換効率が低下し得る。これに対し、第３ペースト１８中に銀を添加することによって、焼成における表面酸化膜が形成されにくくなり、第１電極８ａと第３電極８ｃとの接続部分でのコンタクト抵抗を低減することができる。
【００５８】
さらに、第３ペースト１８の金属成分は、銀の質量％がアルミニウムの質量％よりも大きいことが望ましい。アルミニウムが存在することで良好なＢＳＦ層１３を形成できるとともに、銀の存在によって第１電極８ａの表面での酸化膜が形成されにくくなる。
【００５９】
さらに、発明者らが繰り返し行ったテストの結果では、金属成分における銀は、７０〜９９．５質量％程度として、アルミニウムは０．５〜３０質量％程度であることがより望ましい。これにより、良好なＢＳＦ層１３を形成できるとともに、第１電極８ａ表面の酸化膜形成をさらに低減し得る。
【００６０】
なお、変形例３に係る第３ペースト１８は、金属成分の組成を除いて、他の成分は、上述した実施形態と同様である。
【００６１】
＜変形例４＞
変形例４に係る実施形態は、第２電極８ｂを形成するための導電性ペースト（第２ペースト１７）の金属成分が、主成分として銀を含み、さらにアルミニウムを含む。他の構成については上述した実施形態と同様である。
【００６２】
第２ペースト１７に、銀の他にアルミニウムを添加する。これにより、第２ペースト１７の焼成に伴い、第２電極８ｂ直下の基板１の第１半導体層２にもＢＳＦ層が形成することができる。そして、ＢＳＦ層部分の少数キャリアの再結合を低減し、さらなる光電変換効率の向上を図ることができる。
【００６３】
なお、変形例４に係る第２ペースト１７は、金属成分の組成を除いて、他の成分は、上述した実施形態と同様である。
【００６４】
また、発明者らが繰り返し行ったテストの結果では、金属成分における銀は、８５〜９９．５質量％程度であり、アルミニウムは０．５〜１５質量％程度であることがより望ましい。これにより、第２電極８ｂ直下の基板１の第１半導体層２に良好なＢＳＦ層１３を形成できるとともに、第２電極８ｂへのハンダ付けも可能になる。
【００６５】
さらに、上記の＜変形例３＞および＜変形例４＞に示した、第１電極８ａを形成するための導電性ペースト（第３ペースト１８）と第２電極８ｂとを形成するための導電性ペーストを同一材料にしてもよい。これにより、スクリーン印刷法で、第３ペースト１８と第２ペースト１７とを同時に印刷することが可能になり、太陽電池素子１０の製造工程における工数の削減を図ることができる。
【実施例】
【００６６】
基板１として、平面視して正方形の一辺が約１５６ｍｍ、厚さが約２００μｍの、ボロンがドープされた多結晶シリコン基板を用意した。基板１は、鋳造法で作製したインゴットを、ワイヤーソー装置によるスライス等の加工を施して得た。また、基板１の１０μｍ程度の厚さの表層部に対して、水酸化ナトリウム水溶液を用いたエッチングを行って、基板１の表層部のダメージ層を除去した。そして、基板１の表面を洗浄した。このようにして用意した基板１に対して、以下の処理を行った。【００６７】
図４Ａ（ｂ）に示すように、基板１の第１主面７ａ側にＲＩＥ法を用いて微細なテクスチャを形成した。【００６８】
次に、基板１に、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）を拡散源とした気相熱拡散法によってリンを拡散させて、シート抵抗が６０〜１００Ω／□程度となるｎ型半導体層を形成し、ｐｎ接合部を形成した。なお、基板１の側面および第２主面７ｂ側に形成されたｎ型半導体層は、フッ硝酸溶液で除去した。その後、残留したＰＳＧをフッ酸溶液で除去した。これにより、図４Ａ（ｃ）に示すように、基板１のｐ型の第１半導体層２上に、ｎ型の第２半導体層３を形成した。【００６９】
次に、図４Ａ（ｄ）に示すように、基板１の全面に、ＡＬＤ法によって酸化アルミニウムから成るパッシベーション膜４を厚さ約１５ｎｍに形成した。パッシベーション膜４の成膜は、ＡＬＤ装置のチャンバ内に基板１を立てた状態で保持して、減圧下で基板１の温度を約２００℃に維持した。また、原料ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用い、キャリアガスおよびパージガスとして、Ｎ２、ＨｅおよびＨ２を用いた。酸化性ガスとしてはオゾンを用いた。【００７０】
パッシベーション膜４は、供給工程（Ｐ１）、拡散工程（ガス封止工程）（Ｐ２）、排気工程（Ｐ３）、酸化性ガス供給工程（Ｐ４）、拡散工程（ガス封止工程）（Ｐ５）および排気工程（Ｐ６）のＰ１〜Ｐ６の工程を複数回繰り返した。上記Ｐ１〜Ｐ６の１サイクルあたりの各工程の所要時間は、Ｐ１：約１秒、Ｐ２：約３秒、Ｐ３：約５秒、Ｐ４：約１秒、Ｐ５：約２秒、Ｐ６：約３秒とした。そして、予め算出した成膜速度から成膜時間（サイクル数）を決定した。【００７１】
その後、図４Ａ（ｅ）に示すように、基板１の第１面１ａ上に、ＰＥＣＶＤ法によって、屈折率１．９〜２．１、膜厚約７０〜９０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜５を形成した。これは、ＰＥＣＶＤ装置のチャンバ内を５００℃程度として、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスを窒素（Ｎ２）で希釈して、グロー放電分解でプラズマ化させて窒化シリコンを堆積させて形成した。【００７２】
そして、基板１の第１面１ａ側に、銀を主成分とし、ガラスフリットおよび有機ビヒクルなどからなる導電性ペースト（銀ペースト）を図１に示すような第１面側電極（第１バスバー電極８および第１集電電極９）のパターンに塗布し、乾燥させた。第２主面７ｂ側にも、銀ペーストを図２（ｂ）に示すような第２バスバー電極１０のパターンに塗布し、乾燥させた。さらに、第２主面７ｂ側にアルミニウムを主成分とし、ガラスフリットおよび有機ビヒクルなどからなる電極用導電性ペースト（アルミニウムペースト）を図２（ｂ）に示すような第２集電電極１１のパターンに塗布し、乾燥させた。【００７３】
次に、銀ペーストおよびアルミニウムペーストを塗布し、乾燥させた基板１を、ピーク温度（約７５０℃）で１０分間程度焼成して、第１面側電極および第２面側電極を形成した。第１バスバー電極８の幅は、約１．７ｍｍ程度、厚みは１１μｍ程度であった。第１集電電極９の幅は約０．０５ｍｍ程度、厚みは１１μｍ程度であった。第２バスバー電極１０の幅は約３．５ｍｍ程度、厚みは１０μｍ程度であった。第２集電電極１１の厚みは３３μｍ程度であった。このようにして太陽電池素子を作製した。【００７４】
次に、図６（ｄ）に示すように、基板１の第１面１ａに、表面電極７（バスバー電極７ａとフィンガー電極７ｂ、サブフィンガー電極７ｃ）の形成のための第１ペースト１６を、図１に示すようなパターンにスクリーン印刷法を用いて塗布した。第１ペースト１６は、銀を８０質量％程度、ＳｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＰｂＯ系のガラスフリットを１４質量％程度、有機ビヒクルを６質量％程度含有させたものを用いた。有機ビヒクルは、バインダーとしてエチルセルロースを用い、有機溶媒としてはジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを用いた。第１ペースト１６の印刷直後のペースト膜厚は約１８μｍであった。そしてこの塗布後、第１ペースト１６を１４０℃程度の温度で３分程度乾燥し、溶剤を蒸発させた。【００７５】
また裏面電極８の第２電極８ｂ形成のための第２ペースト１７を、図２に示すようなパターンにスクリーン印刷法を用いて塗布した。第２ペースト１７は、第１ペースト１６と同様の成分のものを使用した。第２ペースト１７の印刷直後のペースト膜厚は約１７μｍであった。そしてこの塗布後、第２ペースト１７を１４０℃程度の温度で３分程度乾燥し、溶剤を蒸発させた。【００７６】
その後、裏面電極８の第１電極８ａ形成のための第３ペースト１８を、スクリーン印刷法を用いて塗布した。第３導電ペースト１８としては、平均粒径０．１〜５μｍ程度のアルミニウム粉末を用いて、アルミニウム含有量が第３ペーストの総質量の７５質量％程度を有するものを用いた。さらに、第３ペースト中には、ガラスフリット（導電性ペーストの総質量の５原子％程度、成分は鉛５０原子％程度、シリコン３０原子％程度、リン２原子％程度、ホウ素１０原子％程度）および有機ビヒクル（導電性ペーストの総質量の１０質量％程度）を含有したものを用いた。【００７７】
第２ペースト１７の印刷直後のペースト膜厚は約２８〜３４μｍであった。【００７８】
その後、第１ペースト１６、第２ペースト１７および第３ペースト１８が塗布された基板１に第１焼成を行った。第１焼成は、大気雰囲気の焼成炉にて、最高温度を温度Ｉ（６００℃）、温度II（６５０℃）、温度III（７００℃）、温度IV(７５０℃)、温度Ｖ（８００℃）、温度VI（８５０℃）、温度VII（９００℃）、温度VIII（９５０℃）、温度IX（１０００℃）の各温度で、約２０秒程度の時間を維持して行った。なお、最高温度が５５０℃等の６００℃（温度Ｉ）未満の場合には、温度が低すぎたため、第１焼成を行うことができなかった。【００７９】
次いで、図４Ｂ（ｈ）に示すように、裏面集電８の第３電極形成のための第４ペースト１９を、スクリーン印刷法を用いて塗布した。第４ペースト１９は、第３ペースト１８と同様の成分とした。第４ペースト１９の印刷直後のペースト膜厚は３１〜４２μｍ程度であった。【００８０】
その後、第４ペースト１９が塗布された基板１に第２焼成を行った。第２焼成も、大気雰囲気の焼成炉にて、最高温度を温度Ａ（６００℃）、温度Ｂ（６５０℃）、温度Ｃ（７００℃）、温度Ｄ（７５０℃）、温度Ｅ（８００℃）、温度Ｆ（８５０℃）、温度Ｇ（９００℃）、温度Ｈ（９５０℃）の各温度で、約２０秒間程度の時間を維持して行った。なお、最高温度が５５０℃等の６００℃（温度Ａ）未満の場合には、温度が低すぎたため、第２焼成を行うことができなかった。【００８１】
上記温度Ｉ〜VIIIおよび温度Ａ〜Ｈの温度は中央値であり、プラスマイナス１０℃の範囲を有する。例えば、温度７００℃の場合は、６９０〜７１０℃の範囲内の温度を示す。【００８２】
上記の各焼成条件では、それぞれ３枚の太陽電池素子を作製した。【００８３】
以上のように作製した太陽電池素子をＪＩＳ Ｃ ８９１３に準拠して、ＡＭ（Air Mass）１．５および１００ｍＷ／ｃｍ２の照射の条件下にて光電変換効率を測定し平均を算出した。【００８４】
この結果を表１に示す。表１には第１焼成条件と第２焼成条件との組合せた場合の光電変換効率の規格値を示す。この規格値は、全ての太陽電池素子の測定結果の平均値を１００とした指数で示している。ただし、導電性ペーストの焼成が良好に行われず、電極の剥離または酸化などによって光電変換効率が測定できなかった場合を横棒で示している。また、温度Ｅ〜Ｈで行った焼成結果は、温度Ｄの場合と同様な結果であったため省略している。【００８５】
【表１】
2016125803.tif 000003
【００８６】
表１から、第１焼成の最高温度が７５０℃以上９５０℃以下（温度IV〜VIII）で、かつ第２焼成の最高温度が６００℃以上７００℃以下（温度Ａ〜Ｃ）であれば好適に焼成できることがわかった。また、光電変換効率を高くするには、第１焼成の最高温度が７５０℃以上９００℃以下（温度IV〜VII）であり、かつ第２焼成の最高温度が６５０℃以上７００℃以下（温度Ｂ〜Ｃ）であるとよいことを確認した。【００８７】
次に、表１において、好適に焼成ができて、第１焼成の最高温度と第２焼成の最高温度がそれぞれ最も低い温度IV（７５０℃）―温度Ａ（６００℃）の条件の場合と、最も高い温度VIII（９５０℃）―温度Ｃ（７００℃）の場合とのそれぞれについて、第１電極８ａおよび第３電極８ｃの電気抵抗率を求めた。電気抵抗率は、四探針式のシート抵抗器、触針式段差計およびマイクロプローブ等を用いて、第１電極８ａおよび第３電極８ｃのそれぞれのシート抵抗値および厚さを測定した。そして、測定したシート抵抗値および厚さから、各々の太陽電池素子の電気抵抗率を算出した。この結果を表２に示す。【００８８】
【表２】
2016125803.tif 000004
【００８９】
表２から第１電極８ａおよび第３電極８ｃが好適に焼成できる場合には、第１電極８ａの電気抵抗率は１０〜２４×１０−８Ωｍの範囲であり、第３電極８ｃの電気抵抗率は３８〜７５×１０−８Ωｍの範囲にあることがわかった。また、第１電極８ａ電極の電気抵抗率が第３電極８ｃの電気抵抗率よりも小さいことを確認した。
【符号の説明】
【００９０】
１    ：基板（半導体基板）
１ａ：第１面
１ｂ：第２面
２    ：第１半導体層（ｐ型半導体層）
３    ：第２半導体層（ｎ型半導体層）
４    ：パッシベーション膜
５    ：反射防止膜
７    ：表面電極
７ａ：バスバー電極
７ｂ：フィンガー電極
７ｃ：サブフィンガー電極
８    ：裏面電極
８ａ：第１電極
８ｂ：第２電極
８ｃ：第３電極
１０  ：太陽電池素子
１０ａ：第１面
１０ｂ：第２面
１１  ：第１酸化シリコン膜
１２  ：第２酸化シリコン膜
１３  ：ＢＳＦ層
１６  ：第１ペースト
１７  ：第２ペースト
１８  ：第３ペースト（導電性ペーストＩ）
１９  ：第４ペースト（導電性ペーストＩＩ）
【図１】
2016125803.tif 000005
【図２】
2016125803.tif 000006
【図３】
2016125803.tif 000007
【図４Ａ】
2016125803.tif 000008
【図４Ｂ】
2016125803.tif 000009
【図５】
2016125803.tif 000010
【図６】
2016125803.tif 000011
【図７】
2016125803.tif 000012
【国際調査報告】
2016125803.tif 000013
2016125803.tif 000014
2016125803.tif 000015
2016125803.tif 000016