(57)【要約】  本開示は、トランジスタ特性の変動および劣化を低減することができるようにする半導体装置、および電子機器に関する。第１の基板の貼り合わせ面に、第１の配線が接続されている第１の接続パッドと、第１の接続パッドに対して大きい第１の浮遊金属が形成され、第２の基板の貼り合わせ面に、第２の配線が接続されている第２の接続パッドと、第２の接続パッドに対して大きい第２の浮遊金属が形成される。第１の接合パッドと第２の浮遊金属、第２の浮遊金属と第１の浮遊金属、第１の浮遊金属と第２の接合パッドとが接続されており、第１の基板および第２の基板に形成されていたそれぞれの第１の浮遊金属および第２の浮遊金属が貼り合わされる。本開示は、例えば、カメラなどの撮像装置に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。
2016140072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の貼り合わせ面に形成された浮遊金属を
備え、
前記浮遊金属を貼り合わせて、電流経路として利用する
半導体装置。
【請求項２】
前記浮遊金属は、前記基板の貼り合わせ面と貼り合わせられる他の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された金属と比して面積が大きく形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１の基板の貼り合わせ面の第１の浮遊金属と、
第２の基板の貼り合わせ面の第２の浮遊金属と、
前記第１の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された第１の金属と、
前記第２の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された第２の金属と
を備え、
前記第１の浮遊金属と前記第２の金属とを貼り合わせ、
前記第２の浮遊金属と前記第１の金属とを貼り合わせ、
前記第１の浮遊金属と前記第２の浮遊金属とを貼り合わせる
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の浮遊金属は、前記第１の浮遊金属の中央部である第１の中央部を空けて、前記第１の中央部に形成された前記第１の金属を囲んで形成されており、
前記第２の浮遊金属は、前記第２の浮遊金属の中央部である第２の中央部を空けて、前記第２の中央部に形成された前記第２の金属を囲んで形成されている
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の浮遊金属および前記第１の金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において円形状に形成されており、前記第２の浮遊金属および前記第２の金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において円形状に形成されている
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の浮遊金属および前記第１の金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において矩形に形成されており、前記第２の浮遊金属および前記第２の金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において矩形に形成されている
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の浮遊金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において、前記第１の中央部を空けた矩形の横方向および縦方向のうちのどちらか一方向に、他方向向きの複数のスリットが入った形状で構成されており、
前記第２の浮遊金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において、前記第２の中央部を空けた矩形の前記他方向に、前記一方方向向きの複数のスリットが入った形状で構成されている
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の浮遊金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において、前記第１の中央部を空けて、複数のブロックが少なくとも１つの隣のブロックと隅同士で重なってなる形状で構成されており、
前記第２の浮遊金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において、前記第２の中央部を空けて、複数のブロックが少なくとも１つの隣のブロックと隅同士で重なってなる形状で構成されている
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１の基板の貼り合わせ面の浮遊金属と、
第２の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された、少なくとも２つ以上の金属と
を備え、
前記浮遊金属と前記少なくとも２つ以上の金属とを貼り合わせる
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置は、固体撮像装置である
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１１】
基板の貼り合わせ面に形成された浮遊金属を備え、前記浮遊金属を貼り合わせて、電流経路として利用する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置、および電子機器に関し、特に、トランジスタ特性の変動および劣化を低減することができるようにした半導体装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
2枚のウェハ(基板)を貼り合わせて、それぞれの配線同士を接続する技術が提案されている（特許文献１参照）。【０００３】
このような技術においては、貼り合わせの重ねマージンを確保するため、貼り合わせ面に露出した金属部は大きい方がよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２９９３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、貼り合わせ面に露出した大きな金属部をドライエッチングで形成する際、下地配線を通して、トランジスタに接続していると、トランジスタ特性の変動および劣化を引き起こすリスクが高くなってしまっていた。【０００６】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、トランジスタ特性の変動および劣化を低減することができるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の一側面の半導体装置は、基板の貼り合わせ面に形成された浮遊金属を備え、前記浮遊金属を貼り合わせて、電流経路として利用する。【０００８】
前記浮遊金属は、前記基板の貼り合わせ面と貼り合わせられる他の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された金属と比して面積が大きく形成されている。【０００９】
第１の基板の貼り合わせ面の第１の浮遊金属と、第２の基板の貼り合わせ面の第２の浮遊金属と、前記第１の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された第１の金属と、前記第２の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された第２の金属とを備え、前記第１の浮遊金属と前記第２の金属とを貼り合わせ、前記第２の浮遊金属と前記第１の金属とを貼り合わせ、前記第１の浮遊金属と前記第２の浮遊金属とを貼り合わせる。【００１０】
前記第１の浮遊金属は、前記第１の浮遊金属の中央部である第１の中央部を空けて、前記第１の中央部に形成された前記第１の金属を囲んで形成されており、前記第２の浮遊金属は、前記第２の浮遊金属の中央部である第２の中央部を空けて、前記第２の中央部に形成された前記第２の金属を囲んで形成されている。【００１１】
前記第１の浮遊金属および前記第１の金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において矩形に形成されており、前記第２の浮遊金属および前記第２の金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において矩形に形成されている。【００１２】
前記第１の浮遊金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において、前記第１の中央部を空けた矩形の横方向および縦方向のうちのどちらか一方向に、他方向向きの複数のスリットが入った形状で構成されており、前記第２の浮遊金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において、前記第２の中央部を空けた矩形の前記他方向に、前記一方方向向きの複数のスリットが入った形状で構成されている。【００１３】
前記第１の浮遊金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において、前記第１の中央部を空けて、複数のブロックが少なくとも１つの隣のブロックと隅同士で重なってなる形状で構成されており、前記第２の浮遊金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において、前記第２の中央部を空けて、複数のブロックが少なくとも１つの隣のブロックと隅同士で重なってなる形状で構成されている。【００１４】
第１の基板の貼り合わせ面の浮遊金属と、第２の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された、少なくとも２つ以上の金属とを備え、前記浮遊金属と前記少なくとも２つ以上の金属とを貼り合わせる。【００１５】
前記半導体装置は、固体撮像装置である。【００１６】
本技術の一側面の電子機器は、基板の貼り合わせ面に形成された浮遊金属を備え、前記浮遊金属を貼り合わせて、電流経路として利用する固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系とを有する。【００１７】
本技術の一側面においては、基板の貼り合わせ面に形成された浮遊金属が貼り合わされて、電流経路として利用される。
【発明の効果】
【００１８】
本技術によれば、トランジスタ特性の変動および劣化を低減することができる。【００１９】
なお、本明細書に記載された効果は、あくまで例示であり、本技術の効果は、本明細書に記載された効果に限定されるものではなく、付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本技術を適用した固体撮像装置の概略構成例を示すブロック図である。
【図２】２枚の基板を貼り合わせたときの接続部の構造を示す断面図である。
【図３】図２の基板の構造の断面図である。
【図４】本技術を適用した固体撮像装置の構造を示す図である。
【図５】貼り合わせ後の２つの基板を示す図である。
【図６】浮遊金属の他の形状を示す図である。
【図７】貼り合わせ後の電流経路を説明する図である。
【図８】浮遊金属の他の形状を示す図である。
【図９】浮遊金属の他の形状を示す図である。
【図１０】本技術を適用した固体撮像装置の構造を示す図である。
【図１１】本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本開示を実施するための形態（以下実施の形態とする）について説明する。
【００２２】
＜固体撮像装置の概略構成例＞
図１は、本技術の各実施の形態に適用されるCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）固体撮像装置の一例の概略構成例を示している。
【００２３】
図１に示されるように、固体撮像装置（素子チップ）１は、半導体基板１１（例えばシリコン基板）に複数の光電変換素子を含む画素２が規則的に２次元的に配列された画素領域（いわゆる撮像領域）３と、周辺回路部とを有して構成される。
【００２４】
画素２は、光電変換素子（例えばフォトダイオード）と、複数の画素トランジスタ（いわゆるMOSトランジスタ）を有してなる。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、および増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができ、さらに選択トランジスタを追加して４つのトランジスタで構成することもできる。各画素２（単位画素）の等価回路は一般的なものと同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００２５】
また、画素２は、画素共有構造とすることもできる。画素共有構造は、複数のフォトダイオード、複数の転送トランジスタ、共有される１つのフローティングディフュージョン、および、共有される１つずつの他の画素トランジスタから構成される。フォトダイオードは、光電変換素子である。
【００２６】
周辺回路部は、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、および制御回路８から構成される。
【００２７】
制御回路８は、入力クロックや、動作モード等を指令するデータを受け取り、また、固体撮像装置１の内部情報等のデータを出力する。具体的には、制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号、およびマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、および水平駆動回路６の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路８は、これらの信号を垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、および水平駆動回路６に入力する。
【００２８】
垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線を選択し、選択された画素駆動配線に画素２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素２を駆動する。具体的には、垂直駆動回路４は、画素領域３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線９を通して各画素２の光電変換素子において受光量に応じて生成した信号電荷に基づいた画素信号をカラム信号処理回路５に供給する。
【００２９】
カラム信号処理回路５は、画素２の例えば列毎に配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列毎にノイズ除去等の信号処理を行う。具体的には、カラム信号処理回路５は、画素２固有の固定パターンノイズを除去するためのCDS（Correlated Double Sampling）や、信号増幅、A/D（Analog/Digital）変換等の信号処理を行う。カラム信号処理回路５の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１０との間に接続されて設けられる。
【００３０】
水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１０に出力させる。
【００３１】
出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１０を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路７は、例えば、バッファリングだけを行う場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理等を行う場合もある。
【００３２】
入出力端子１２は、外部と信号のやりとりをするために設けられる。
【００３３】
＜接続部の構造例＞
図２は、２枚の基板（ウエーハ）を貼り合わせたときの接続部の構造を示す断面図である。基板２１においては、絶縁膜３２に、接続パッド３１が形成されている。基板２２においては、絶縁膜４２に、接続パッド４１が形成されている。図２のＡに示されるように、接続パッド３１と接続パッド４１とが接続されることで電流経路となり、意図した１つの回路構成が形成される。
【００３４】
ただし、貼り合わせのアライメントずれが生じると、図２のＢに示されるように、接続パッド３１と接続パッド４１とがオープンとなり、意図した回路動作ができずに歩留まり低下を引き起こす。
【００３５】
そのため、２枚の基板２１と基板２２とを貼り合わせて、電流経路を形成する際には、図２のＣおよび図２のＤに示されるように、貼り合わせズレに対してマージンを持たせるために、少なくとも片側の接続パッド３１を大面積で形成しておく必要がある。
【００３６】
しかしながら、図３に示されるように、大面積の接続パッド３１を形成すると、PID(Plasma Induced Damage)による影響が大きくなる。
【００３７】
図３の例においては、基板５０の構造の断面が示されている。基板５０においては、Si基板５１に絶縁膜５２が形成され、ゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３から配線５４乃至配線５７が順に形成され、基板５０における貼り合わせ面には、配線５７に接続された大面積の接続パッド５８が設けられている。
【００３８】
この大面積の接続パッド５８を形成する工程でのエッチング、スパッタまたはCVD(Chemical Vapor Deposition)などのプロセスに用いられるプラズマ放電により、チャージアップした電荷が電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の劣化などを誘発してしまう恐れがある。
【００３９】
これを回避するために、デザインルールとして、アンテナ比（配線の上面における面積／ゲートの酸化膜の面積）を小さく設計する方法が提案されているが、接続パッドの面積を小さくしてしまうと、貼り合わせずれに対するマージンがなくなってしまう。
【００４０】
そこで、本技術においては、接続パッドの形成時に、貼り合わせる基板の両方の貼り合わせ面に、下地配線に接続された接続パッドに比べて大きい面積の浮遊金属を形成し、貼り合わせることで、浮遊金属を電流経路として利用する。
【００４１】
＜本技術の第１の構成例＞
図４は、本技術を適用した固体撮像装置の構造を示す図である。固体撮像装置１００は、基板１０１および基板１０２を含むように構成されている。
【００４２】
図４の例においては、貼り合わせ面１０１ａおよび１０２ａを互いに向けるように位置されている、貼り合わせ前の基板１０１および基板１０２が示されている。なお、図の上から順に、基板１０１側の上面図、基板１０１側の断面図、基板１０２側の断面図、基板１０２の上面図が示されている。
【００４３】
図４に示されるように、基板１０１の貼り合わせ面１０１ａに、配線１１３が接続されている接続パッド１１２と、接続パッド１１２に対して大きい浮遊金属１１１が形成されている。また、基板１０２の貼り合わせ面１０２ａに、配線１２３が接続されている接続パッド１２２と、接続パッド１２２に対して大きい浮遊金属１２１が形成される。浮遊金属１１１と接続パッド１１２とは、浮遊金属１２１と接続パッド１２２とは、それぞれ、接触しないように離して配置されている。なお、接続パッド１１２、浮遊金属１１１、接続パッド１２２、浮遊金属１２１は、例えば、特開２００４−６３８５９号公報などに記載の形成手法を用いて形成される。
【００４４】
次に、図５に示されるように、基板１０１および基板１０２が、貼り合わせ面１０１ａと貼り合わせ面１０２ａとで貼り合わされる。基板１０１および基板１０２は、例えば、プラズマ接合、常温接合など、任意の手法が用いられて接合されている。
【００４５】
図５の例においては、貼り合わせ面１０１ａおよび１０２ａでの貼り合わせ後の基板１０１および基板１０２が示されている。また、上から順に、基板１０１側の上面図、基板１０１側の断面図、基板１０２側の断面図、基板１０２の上面図が示され、さらに、一番下に、基板１０１および１０２の貼り合わせ上面図が示されている。
【００４６】
基板１０１および１０２を貼り合わせた面を、以下、接合界面１３１と称する。図５に示されるように、接合パッド１１２と浮遊金属１２１、浮遊金属１２１と浮遊金属１１１、浮遊金属１１１と接合パッド１２２とが接続されており、基板１０１および基板１０２に形成されていたそれぞれの浮遊金属１１１および１２１が貼り合わされることで、浮遊金属１１１および１２１は、電流経路１３２として使用される。
【００４７】
これにより、電界効果トランジスタにつながる下地配線に接続された接続パッドの面積を小さくすることができ、接続パッドを形成する工程でのエッチング、スパッタ、またはCVDなどのプロセスに用いられるプラズマ放電により、チャージアップした電荷が電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の劣化を低減することができる。
【００４８】
＜変形例＞
上述した図４および図５においては、浮遊金属の形状が長方形である例を示したが、本技術は、長方形に限定されない。例えば、図６に示されるように、浮遊金属１１１および時浮遊金属１２１をドーナツ形状で形成し、そのドーナツの穴の部分に、それぞれ円形の接続パッド１１２および接続パッド１２２が形成されるようにしてもよい。
【００４９】
なお、図６の例においては、浮遊金属１１１および浮遊金属１２１のドーナツ形状のうちの内側および外側、並びに、接続パッド１１２および接続パッド１２２の形状を円形としたが、円形に限定されない。
【００５０】
図７は、図６の例の浮遊金属１１１および浮遊金属１２１を備える基板１０１および基板１０２が貼り合わせられた場合の電流経路を示す図であり、図７の例においては、上から上面図と断面図が示されている。
【００５１】
図７のＡは、貼り合わせたときに基板１０１および１０２の位置がほぼ合っている場合の電流経路について説明する図である。図７のＢは、貼り合わせたときに基板１０１および１０２の位置がずれている場合の電流経路について説明する図である。
【００５２】
図７のＡに示されるように、基板１０１および１０２の位置がほぼ合っている場合、基板１０１の接続パッド１１２と、基板１０２の接続パッド１２２とが電流経路１３２として利用される。
【００５３】
これに対して、図７のＢに示されるように、貼り合わせたときに基板１０１および１０２の位置がずれている場合、基板１０１の接続パッド１１２、基板１０２の浮遊金属１２１、基板１０１の浮遊金属１１１、基板１０２の接続パッド１２２が、その順（または逆順）に、電流経路１３２として利用される。
【００５４】
図８は、浮遊金属の他の形状を示す図である。図８の例において、基板１０１の浮遊金属１１１は、中央部を空けて、縦方向に長い複数（図８の例の場合、５つ）の長方形１１１−１乃至１１１−５を横方向に並べて構成されており、その中央部に、接続パッド１１２が形成されている。換言するに、浮遊金属１１１は、中央部を空けた矩形の横方向に、縦向きの複数のスリットが入った形状で構成されている。
【００５５】
また、基板１０２の浮遊金属１２１は、中央部を空けて、横方向に長い複数（図８の例の場合、５つ）の長方形１２１−１乃至１２１−５を縦方向に並べて構成されており、その中央部に、接続パッド１２２が形成されている。換言するに、浮遊金属１２１は、中央部を空けた矩形の縦方向に、横向きの複数のスリットが入った形状で構成されている。
【００５６】
図８のＡ乃至図８のＤは、基板１０１と基板１０２とを貼り合わせたときに、それぞれ、基板１０１が基板１０２に対して、左上、上、右上、左に生じる貼り合わせズレ（以下、重ねズレと称する）の例を示す図である。図８のＥは、基板１０１が基板１０２に対して重ねズレのない例を示す図である。図８のＦ乃至図８のＩは、基板１０１と基板１０２とを貼り合わせたときに、それぞれ、基板１０１が基板１０２に対して、右、左下、下、右下に生じる重ねズレの例を示す図である。
【００５７】
図８のＥの場合のみは、重ねズレがないので、基板１０１の接続パッド１１２と基板１０２の接続パッド１２２とが、電流経路１３２として利用される。
【００５８】
これに対して、図８のＦの場合、基板１０１の接続パッド１１２から、基板１０２の長方形１２１−３、基板１０１の長方形１１１−２および１１１−４、基板１０２の長方形１２１−４、基板１０２の長方形１１１−１、接続パッド１２２までが、電流経路１３２として利用される。
【００５９】
図８のＨの場合、基板１０１の接続パッド１１２から、基板１０２の長方形１２１−５、基板１０１の長方形１１１−２および１１１−４、基板１０２の長方形１２１−４、基板１０１の長方形１１１−３、接続パッド１２２までが、電流経路１３２として利用される。
【００６０】
図８のＪの場合、基板１０１の接続パッド１１２から、基板１０２の長方形１２１−５、基板１０１の長方形１１１−１および１１１−２、基板１０２の長方形１２１−４、基板１０１の長方形１１１−１、接続パッド１２２までが、電流経路１３２として利用される。
【００６１】
なお、説明の便宜上、これら以外の図においては電流経路が図示されないが、他も同様に、浮遊金属が電流経路として利用される。
【００６２】
図９は、浮遊金属のさらに他の形状を示す図である。図９の例において、基板１０１の浮遊金属１１１および基板１０２の浮遊金属１２１は、中央部を空けた矩形内に、複数のブロック（図９の場合、２０）が少なくとも１つの隣のブロックと隅同士で重なってなる。
【００６３】
図９のＡ乃至図９のＤは、基板１０１と基板１０２とを貼り合わせたときに、それぞれ、基板１０１が基板１０２に対して、左上、上、右上、左に生じる重ねズレの例を示す図である。図９のＥは、基板１０１が基板１０２に対して重ねズレのない例を示す図である。図９のＦ乃至図９のＩは、基板１０１と基板１０２とを貼り合わせたときに、それぞれ、基板１０１が基板１０２に対して、右、左下、下、右下に生じる重ねズレの例を示す図である。
【００６４】
図９のＥの場合のみは、重ねズレがないので、基板１０１の接続パッド１１２と接続パッド１２２とが、電流経路１３２として利用される。
【００６５】
これに対して、図９のＦ、図９のＨ、図９のＩの場合、ぞれぞれの電流経路１３２に示されるように、基板１０１の接続パッド１１２から、基板１０２の浮遊金属１２１、接続パッド１２２までが、電流経路１３２として利用される。
【００６６】
なお、説明の便宜上、これら以外の図においては電流経路が図示されないが、他も同様に、浮遊金属が電流経路として利用される。
【００６７】
また、上記説明においては、基板１０１および基板１０２に、接続パッドと浮遊金属とを対をなすように形成する例を説明したが、それに限定されず、次のように形成することも可能である。
【００６８】
＜本技術の第２の構成例＞
図１０は、本技術を適用した固体撮像装置の構造を示す図である。固体撮像装置２００は、基板２０１および基板２０２を含むように構成されている。
【００６９】
図１０の例においては、接合界面２３１で、それぞれの貼り合わせ面を対向させて、貼り合わせられた貼り合わせ後の基板２０１および基板２０２が示されている。なお、図の上から順に、基板２０１側の上面図、基板２０１側の断面図、基板２０２側の断面図、基板２０２の上面図が示されている。
【００７０】
図１０に示されるように、基板２０１の貼り合わせ面（すなわち、接合界面２３１）には、浮遊金属２１１が形成されている。
【００７１】
基板２０２の接合界面２３１（すなわち、接合界面２３１）には、下地配線２２３および２２５にそれぞれ接続された接続パッド２２１および２２２が形成されている。下地配線２２３には、シリコン基板２２６上に形成されたゲート電極が接続されている。
【００７２】
したがって、基板２０１および２０２を接合界面２３１で貼り合わせることで、基板２０２のゲート電極２２４から、下地配線２２３、接続パッド２２１、基板２０１の浮遊金属２１１、基板２０１の接続パッド２２２、および下地配線２２５までが電流経路２３２として利用される。
【００７３】
以上のように、図１０の固体撮像装置２００においても、電界効果トランジスタにつながる下地配線に接続された接続パッドの面積を小さくすることができる。したがって、接続パッドを形成する工程でのエッチング、スパッタ、またはCVDなどのプロセスに用いられるプラズマ放電により、チャージアップした電荷が電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の劣化を低減することができる。
【００７４】
また、下地配線につながっていない浮遊金属を大きくすれば、貼り合わせマージンを確保することができる。
【００７５】
なお、上記説明においては、２層の基板の積層の例を説明したが、２層に限定されない。
【００７６】
なお、以上においては、本技術を、CMOS固体撮像装置に適用した構成について説明してきたが、CCD（Charge Coupled Device）固体撮像装置といった固体撮像装置に適用するようにしてもよい。また、固体撮像装置に限らず、本技術は、半導体装置に適用することができる。
【００７７】
また、本技術は、固体撮像装置や半導体装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機等の撮像機能を有する電子機器のことをいう。なお、電子機器に搭載されるモジュール状の形態、すなわちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
【００７８】
＜電子機器の構成例＞
ここで、図１１を参照して、本技術を適用した電子機器の構成例について説明する。
【００７９】
図１１に示される電子機器５００は、固体撮像装置（素子チップ）５０１、光学レンズ５０２、シャッタ装置５０３、駆動回路５０４、および信号処理回路５０５を備えている。固体撮像装置５０１としては、上述した本技術の固体撮像装置が設けられる。これにより、トランジスタ特性の変動および劣化が低減された、性能のよい電子機器５００を提供することができる。
【００８０】
光学レンズ５０２は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置５０１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置５０１内に一定期間信号電荷が蓄積される。シャッタ装置５０３は、固体撮像装置５０１に対する光照射期間および遮光期間を制御する。
【００８１】
駆動回路５０４は、固体撮像装置５０１の信号転送動作およびシャッタ装置５０３のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路５０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置５０１は信号転送を行う。信号処理回路５０５は、固体撮像装置５０１から出力された信号に対して各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力される。
【００８２】
なお、本明細書において、上述した一連の処理を記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【００８３】
また、本開示における実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００８４】
また、以上において、１つの装置（または処理部）として説明した構成を分割し、複数の装置（または処理部）として構成するようにしてもよい。逆に、以上において複数の装置（または処理部）として説明した構成をまとめて１つの装置（または処理部）として構成されるようにしてもよい。また、各装置（または各処理部）の構成に上述した以外の構成を付加するようにしてももちろんよい。さらに、システム全体としての構成や動作が実質的に同じであれば、ある装置（または処理部）の構成の一部を他の装置（または他の処理部）の構成に含めるようにしてもよい。つまり、本技術は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００８５】
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、開示はかかる例に限定されない。本開示の属する技術の分野における通常の知識を有するのであれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例また修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８６】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）  基板の貼り合わせ面に形成された浮遊金属を
備え、
前記浮遊金属を貼り合わせて、電流経路として利用する
半導体装置。
（２）  前記浮遊金属は、前記基板の貼り合わせ面と貼り合わせられる他の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された金属と比して面積が大きく形成されている
前記（１）に記載の半導体装置。
（３）  第１の基板の貼り合わせ面の第１の浮遊金属と、
第２の基板の貼り合わせ面の第２の浮遊金属と、
前記第１の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された第１の金属と、
前記第２の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された第２の金属と
を備え、
前記第１の浮遊金属と前記第２の金属とを貼り合わせ、
前記第２の浮遊金属と前記第１の金属とを貼り合わせ、
前記第１の浮遊金属と前記第２の浮遊金属とを貼り合わせる
前記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）  前記第１の浮遊金属は、前記第１の浮遊金属の中央部である第１の中央部を空けて、前記第１の中央部に形成された前記第１の金属を囲んで形成されており、
前記第２の浮遊金属は、前記第２の浮遊金属の中央部である第２の中央部を空けて、前記第２の中央部に形成された前記第２の金属を囲んで形成されている
前記（３）に記載の半導体装置。
（５）  前記第１の浮遊金属および前記第１の金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において円形状に形成されており、前記第２の浮遊金属および前記第２の金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において円形状に形成されている
前記（３）または（４）に記載の半導体装置。
（６）  前記第１の浮遊金属および前記第１の金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において矩形に形成されており、前記第２の浮遊金属および前記第２の金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において矩形に形成されている
前記（３）または（４）に記載の半導体装置。
（７）  前記第１の浮遊金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において、前記第１の中央部を空けた矩形の横方向および縦方向のうちのどちらか一方向に、他方向向きの複数のスリットが入った形状で構成されており、
前記第２の浮遊金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において、前記第２の中央部を空けた矩形の前記他方向に、前記一方方向向きの複数のスリットが入った形状で構成されている
前記（３）乃至（６）のいずれかに記載の半導体装置。
（８）  前記第１の浮遊金属は、前記第１の基板の貼り合わせ面において、前記第１の中央部を空けて、複数のブロックが少なくとも１つの隣のブロックと隅同士で重なってなる形状で構成されており、
前記第２の浮遊金属は、前記第２の基板の貼り合わせ面において、前記第２の中央部を空けて、複数のブロックが少なくとも１つの隣のブロックと隅同士で重なってなる形状で構成されている
前記（３）乃至（６）のいずれかに記載の半導体装置。
（９）  第１の基板の貼り合わせ面の浮遊金属と、
第２の基板の貼り合わせ面の下地配線に接続された、少なくとも２つ以上の金属と
を備え、
前記浮遊金属と前記少なくとも２つ以上の金属とを貼り合わせる
前記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（１０）  前記半導体装置は、固体撮像装置である
前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の半導体装置。
（１１）  基板の貼り合わせ面に形成された浮遊金属を備え、前記浮遊金属を貼り合わせて、電流経路として利用する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
【符号の説明】
【００８７】
１００  固体撮像装置，  １０１，１０２  基板，  １１１  浮遊金属，  １１２  接続パッド，  １１３  配線，  １２１  浮遊金属，  １２２  接続パッド，  １２３  配線，  １３１  接合界面，  １３２  電流経路，  ２００  固体撮像装置，  ２０１，２０２  基板，  ２１１  浮遊金属，  ２２１，２２２  接続パッド，  ２２３  下地配線，  ２２４  ゲート電極，  ２２５  下地配線，  ２２６  シリコン基板，  ２３１  接合界面，２３２  電流経路，  ５００  電子機器，  ５０１  固体撮像装置，  ５０２  光学レンズ，  ５０３  シャッタ装置，  ５０４  駆動回路，  ５０５  信号処理回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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