(57)【要約】セラミック材で構成された絶縁基材(11)と、ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材(12P)を用い、回路面(11f)に形成された摺動用電極(12a)と、同じペースト材(12P)を用いて摺動用電極(12a)とともに回路面(11f)に形成された接続用電極(12b)と、を備え、回路面(11f)のうち、摺動用電極(12a)が形成された領域(Rfa)よりも接続用電極(12b)が形成された領域(Rfb)の方が面粗度が大きく、接続用電極(12b)は、摺動用電極(12a)よりも表面のガラス成分量が少ない。
2016125268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック材で構成された絶縁基材と、
ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材を用い、前記絶縁基材の回路面に形成された第一導電体と、
前記ペースト材を用いて前記第一導電体とともに前記回路面に形成された第二導電体と、を備え、
前記回路面のうち、前記第一導電体が形成された部分よりも前記第二導電体が形成された部分の方が面粗度が大きく、前記第二導電体は前記第一導電体よりも表面のガラス成分量が少ないことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第二導電体が形成された部分の面粗度は、前記第一導電体が形成された部分よりも算術平均粗さが０．３μｍ以上大きいことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記ペースト材の骨材中の前記ガラス成分の含有量が２８質量％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記セラミック材はアルミナであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
セラミック材の絶縁基材の回路面に、第一導電体と、前記第一導電体よりも表面のガラス成分量が少ない第二導電体とが設けられた回路基板を製造する方法であって、
前記回路面の前記第二導電体が形成される部分の面粗度が、前記第一導電体が形成される部分の面粗度よりも大きくなるように、前記回路面を処理する工程と、
前記第一導電体と前記第二導電体のパターンに合わせ、ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材を塗布し、焼成する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記回路面を処理する工程では、前記第二導電体を形成する領域をブラスト処理によって面粗度を増大させることを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
回路面上に複数の摺動用電極が形成された回路基板と、
液面に応じて移動するフロートと、前記複数の摺動用電極上を前記フロートに連動して摺動する摺動接点と、を有する駆動機構と、を備え、
前記回路基板は請求項１から４のいずれか１項に記載の回路基板であり、前記複数の摺動用電極は前記第一導電体であることを特徴とする液面レベル検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、燃料タンク内に設置される液面レベル検出装置に用いられ、とくに、フロートに連動する接点の摺動対象となる電極がガラス成分を含むペーストを用いて形成された回路基板と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液面レベル検出装置に用いられる回路基板上には、液面高さに応じて移動する接点の摺動対象となる摺動用電極と、配線部材と接続するための接続用電極が形成されている。これらの電極は、絶縁基板上に金属材料を含むペースト材を印刷し、乾燥した後、焼成することによって形成されるが、摩耗耐性が求められる摺動用電極には、ガラス材料を含むペースト材が用いられる。【０００３】
しかし、ペースト材に含まれるガラス成分量を増大させると摩耗耐性は向上するが、金属成分が少なくなるので、半田が付きにくくなる。そこで、例えば、摺動用電極と接続用電極に対し、それぞれガラス含有量の異なるペースト材を使い分けて電極を形成した基板（例えば、特許文献１参照。）や、ペースト材で形成した導電体の一部を部分的に除去して半田接続用の電極する基板（例えば、特許文献２参照。）などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２４２００１号公報（段落００１０、図１）
【特許文献２】特開２００３−１１０２２９号公報（段落００３３〜００３７、図２〜図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電極によって異なるペースト材を使用すると、製造工程が複雑になり、製造コストも高くなる。また、形成した導電体の一部を除去する工程を入れると、金属粉が発生し、電極近傍に残留して誤動作を引き起こす可能性もあった。【０００６】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、ペースト材を使い分けたり、形成した導電体の一部を除去したりすることなく、摩耗耐性に優れた電極と接続性に優れた電極を有する回路基板を実現するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の回路基板は、セラミック材で構成された絶縁基材と、ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材を用い、前記絶縁基材の回路面に形成された第一導電体と、前記ペースト材を用いて前記第一導電体とともに前記回路面に形成された第二導電体と、を備え、前記回路面のうち、前記第一導電体が形成された部分よりも前記第二導電体が形成された部分の方が面粗度が大きく、前記第二導電体は前記第一導電体よりも表面のガラス成分量が少ないことを特徴とする。【０００８】
本発明の回路基板の製造方法は、セラミック材の絶縁基材の回路面に、第一導電体と、前記第一導電体よりも表面のガラス成分量が少ない第二導電体とが設けられた回路基板を製造する方法であって、前記回路面の前記第二導電体が形成される部分の面粗度が、前記第一導電体が形成される部分の面粗度よりも大きくなるように、前記回路面を処理する工程と、前記第一導電体と前記第二導電体のパターンに合わせ、ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材を塗布し、焼成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の回路基板、あるいは回路基板の製造方法によれば、ペースト材を使い分けたり、形成した導電体の一部を除去したりすることなく、摩耗耐性に優れた電極と接続性に優れた電極を有する回路基板を得ることができる。また、上述した回路基板を用いることで、信頼性に優れた液面レベル検出装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる回路基板の構成、およびこの回路基板を用いた液面レベル検出装置の一部分の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる回路基板の製造方法を説明するための工程ごとの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる回路基板の製造工程において、絶縁基材に導電体を形成したときの状態を示す平面図である。
【図４】従来の製造方法で導電体を形成した際の、ガラス成分量の分布を示す図である。
【図５】ペースト材中のガラス成分量と形成した導電体表面のガラス成分量との関係を示す図である。
【図６】導電体の形成対象の面粗度と、焼成後の導電体表面のガラス成分量との相関を示す図である。
【図７】ペースト材中のガラス成分量と絶縁基材の面粗度を調整したときの、導電体表面のガラス成分量の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１〜図３は、本発明の実施の形態１にかかる回路基板の構成、その製造方法、あるいは液面レベル検出装置の構成を説明するためのもので、図１は液面レベル検出装置の一部である、回路基板と回路基板の電極上を摺動する摺動子との組合せ部分の構成を示す平面図、図２は回路基板の製造方法を説明するためのもので、製造工程のうち、絶縁基材に導電体を形成する部分における工程ごとの回路基板の断面図、図３は回路基板の製造工程において、絶縁基材に導電体を形成したときの状態（図２（ｄ）に対応）を示す平面図である。
【００１２】
そして、図４〜図７は、本発明の特徴である、ペースト組成の変更や後加工なしに導電体表面のガラス含有量を調整する構成や方法について説明するためのもので、図４は量産過程で導電体を形成した際のガラス成分量のばらつき（分布）として、ガラス成分量ごと（０．５ｍａｓｓ％刻み）の個数を示す図、図５はペースト材中のガラス成分量（骨材基準）と、焼成後の導電体表面のガラス成分量との関係を示す図、図６は導電体の形成対象である絶縁基材の面粗度と、ペーストを焼成して形成した導電体表面のガラス成分量との相関を示す図、図７は導電体表面のガラス成分量の操作として、ペースト材中のガラス成分量と絶縁基材の面粗度を調整したときの、導電体表面のガラス成分量の分布変化を示す図である。
【００１３】
本発明の実施の形態１にかかる液面レベル検出装置１００は、図１に示すように、摩耗耐性を要求される摺動用電極１２ａと、半田接続性（濡れ性）を要求される接続用電極１２ｂ（合わせて導電体１２）が、表面にパターン化されて形成された回路基板１０と、図示しない回路基板１０の摺動用電極１２ａ上を摺動する摺動接点２１ｃを有する駆動機構２０とを備えている。
【００１４】
回路基板１０は、図示しない筐体に固定されているとともに、その筐体には、回路基板１０上の摺動用電極１２ａが配置された面に対して、回転軸が垂直になるように、駆動機構２０の回転軸部２２が設置されている。駆動機構２０摺動接点２１ｃを有する摺動子２１の回転軸部２２を介する反対側は、アーム部２３に連なっており、アーム部２３の先端部には図示しないフロートが取り付けられている。これにより、液面の変動に応じて上下するフロートに連動して、摺動接点２１ｃは、摺動用電極１２ａ上を摺動し、いずれかの摺動用電極１２ａと接触（導通）することになる。そして、摺動接点２１ｃと接続用電極１２ｂのひとつとは可撓性の配線３０で電気接続されている。なお、駆動機構２０については、液面レベル検出装置１００として一般的に用いられているものと同様のものでよいので、詳細な説明は省略し、回路基板１０の詳細について以下説明する。
【００１５】
回路基板１０は、セラミックス等の絶縁体で構成された絶縁基材１１と、絶縁基材１１上にパターン形成された複数の導電体１２と、複数の導電体１２のうちのいくつかを電気接続するように絶縁基材１１上にパターン形成された抵抗体１３、１４とを備えている。なお、抵抗体１３、１４についても、液面レベル検出装置用の回路基板として、一般的に用いられているものと同様のものでよいので、構成や動作についての説明は省略する。
【００１６】
本実施の形態１においては、絶縁基材１１には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いている。そして、摺動接点２１ｃの摺動対象となる摺動用電極１２ａを形成する領域Ｒｆａの面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が０．６２μｍ、外部回路からの配線部材と接続するための接続用電極１２ｂを形成する領域Ｒｆｂの面粗度Ｒａが０．９５μｍになるように調整している。つまり、摺動用電極１２ａを形成する領域Ｒｆａよりも、接続用電極１２ｂが形成される領域Ｒｆｂの方が面粗度が大きくなるように粗面化処理を行っている。
【００１７】
導電体１２は、焼結性金属を含むペースト材１２Ｐを絶縁基材１１上にパターン塗布し、焼成することにより形成している。ペースト材１２Ｐには、導電性を発現するための金属材と、摩耗耐性を向上させるガラス成分のほか、焼成時に消失するバインダーが含まれており、摺動用電極１２ａと、接続用電極１２ｂは、同じ組成のペースト材１２Ｐを用いて形成している。具体的には、金属材としては銀（Ａｇ）の粉末とパラジウム（Ｐｄ）の粉末を質量比４：１に混合したものを用い、ペースト材１２Ｐのうち、金属材とガラス成分の合計量（以下、骨材量と称する。）に対する金属材の割合を７１．２ｍａｓｓ％、残部（２８．８ｍａｓｓ％）がガラス成分になるように調整した。
【００１８】
しかし、焼成後の摺動用電極１２ａの表面（摺動子２１との接触面）におけるガラス成分量は平均１２．５ｍａｓｓ％、接続用電極１２ｂの表面（接続面）におけるガラス成分量は平均９ｍａｓｓ％であった。つまり、同じペースト材１２Ｐを用い、ペースト塗布後に後加工を行わなくとも、摺動用電極１２ａのガラス成分量が、接続用電極のガラス成分量よりも多い導電体１２を形成することができている。
【００１９】
つぎに、上述した回路基板１０の製造方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、無垢のセラミック板である絶縁基材１１の導電体１２を形成する面である回路面１１ｆのうち、領域Ｒｆａに対応する部分をマスク２００によりマスキングする。そして、図２（ｂ）に示すように、ブラスター３００によりショットブラストを行うと、回路面１１ｆのうち、マスキングされなかった領域Ｒｆｂの表面１１ｆｒのみが粗面化される。
【００２０】
そして、ほこりやマスク２００等を除去した後、図２（ｃ）に示すように、回路面１１ｆ上に、導電体１２のパターンに応じてペースト材１２Ｐを印刷する。つぎに、例えば、空気雰囲気で８６５℃まで昇温して焼成を行うと、ガラス成分が軟化・溶融するとともに、バインダー成分が飛ぶことにより、活性な銀粉末表面が露出して焼結が進行し、図２（ｄ）および図３に示すように、導電体１２が形成される。
【００２１】
このとき、ペースト材１２Ｐと接触している回路面１１ｆのうち、接続用電極１２ｂを形成する領域Ｒｆｂの表面１１ｆｒ状態は粗いため、ペースト材１２Ｐに含まれるガラス成分が絶縁基材１１にトラップされ、接続用電極１２ｂ表面のガラス成分量が減少して、金属成分が増加し、半田濡れ性が向上する。一方、摺動用電極１２ａを形成する領域Ｒｆａ面粗度は、領域Ｒｆｂほど粗くないので、ガラス成分のトラップ量が領域Ｒｆｂよりも少なくなり、摺動用電極１２ａ表面のガラス成分の減少が抑制され、摩耗耐性に優れた高いガラス含有量を維持できる。
【００２２】
これにより、接続用電極１２ｂ表面のガラス含有量は９ｍａｓｓ％、摺動用電極１２ａ表面のガラス含有量は１３％となった。つまり、絶縁基材１１の表面粗度の違いにより、骨材中のガラス成分含有量が同じ２９％のペースト材を用いてパターン塗布しても、摺動用電極１２ａのガラス成分量が、接続用電極１２ｂのガラス成分量よりも多い導電体１２を形成することができた。
【００２３】
ここで、上述した構成や製造方法あるいは適した組成等を得るに至った実験結果について説明する。
【００２４】
従来の回路基板１０Ｃ（本実施の形態と区別するため、符号の末尾にＣを付する。以下同様。）においては、摺動用電極１２ａＣ、接続用電極１２ｂＣともに、同じ組成で構成していた。具体的には、摺動用電極１２ａＣとして必要とされる下限値ＴｈＬａ（７％）以上、かつ、接続用電極１２ｂＣとして許容される上限値ＴｈＵｂ（１３％）以下になるように導電体１２Ｃ表面のガラス成分量を調整することで、摩耗耐性と半田接続性を両立させていた。なお、そのとき使用したペースト材１２ＰＣの骨材組成は、７４．９ｍａｓｓ％が金属材（銀とパラジウム）、他の２５．１ｍａｓｓ％がガラス成分で構成していた。
【００２５】
しかしながら、上記組成のペースト材１２ＰＣを用い、実際の量産工程で試作してみたところ、形成した導電体１２Ｃ表面のガラス成分量には、図４に示すようにばらつき（分布Ｄ１：実線）があった。詳細に検討すると、平均値は９ｍａｓｓ％になっているものの、下限値ＴｈＬａ未満となる個体も現れている。つまり、一部の回路基板１０Ｃでは、摺動用電極１２ａＣとして摩耗耐性の劣るものが形成され、歩留まりが低下していた。
【００２６】
ここで、ペースト材１２ＰＣ中のガラス成分量（骨材中）と、形成した導電体１２Ｃ表面のガラス成分量（平均値）との間には、図５に示すように線形の相関があることが実験データから得られている。例えば、ペースト内のガラス成分量を１ｍａｓｓ％増大させると、焼成後の導電体１２Ｃ表面のガラス成分量を０．８２ｍａｓｓ％増加させることができる。つまり、ペースト材１２ＰＣ中のガラス成分量を操作することで、導電体１２Ｃのガラス成分量を容易に調整できることがわかる。そこで、ばらつきが増大したとしても、摺動用電極１２ａとしての下限値ＴｈＬａを満たすため、例えば、現状の分布Ｄ１からガラス成分量を３ｍａｓｓ％増加させたいとする。この場合、ペースト材１２ＰＣ中のガラス成分量を３．７ｍａｓｓ％（＝３／０．８２）増大させると、図４に示すように、下限値ＴｈＬａに対してマージンをもって下限値ＴｈＬａ以上の値を有する分布Ｄ２（破線）を得ることができる。
【００２７】
しかしながら、分布Ｄ２では、最大値が１６ｍａｓｓ％になり、逆に半田接続性の要件である上限値ＴｈＵｂを超える個体が増加することになる。つまり、単にペースト材１２ＰＣ中のガラス成分量を操作するだけでは、半田接続性および摩耗耐性を両立する導電体１２Ｃを効率的に製作することは困難であった。なお、ばらつきを抑えることによって両得性を満たすようにすることも考えられるが、その場合は、焼成条件や表面状態等、製造工程における条件管理の徹底や、材料の厳選化が要求され、量産工程で実行するには不向きである。
【００２８】
一方、本発明者は、導電体１２Ｃ表面のガラス成分量が、形成対象である絶縁基材１１Ｃの表面状態によって変化する現象を見出した。そこで、絶縁基材１１Ｃにブラスト処理を施して所望の面粗度に変化させ、その上に導電体１２Ｃを形成して表面のガラス成分量を測定した。その結果を図６に示す。図６の横軸は面粗度（Ｒａ）であり、縦軸は焼成後の導電体１２Ｃ表面のガラス成分量である。また、図中の丸印はショットブラスト工程無しのデータを、四角印はショットブラスト工程有りの時のデータの例を示す。なお、本実験では、図２で説明したような局所的ではなく、基板全面にブラストをかけている。
【００２９】
その結果、面粗度Ｒａと導電体１２Ｃ表面のガラス成分量には相関（Ｃｏ１）があり、面粗度Ｒａが大きい程、ガラス成分量が少なくなる傾向があることがわかった。そして、焼成後の導電体１２Ｃ表面のガラス成分量が、形成対象である絶縁基材１１Ｃの面粗度Ｒａに対して、ほぼ線形変化することがわかった。なお、絶縁基材１１Ｃの面粗度Ｒａが大きい程、導電体１２Ｃ表面のガラス成分量が少なくなるのは、絶縁基材１１Ｃの表面が粗いと、ペースト材１２ＰＣの焼成時に、ガラス成分が基材表面にトラップされる量が増加するためであると考えられる。
【００３０】
つまり、例えば、ショットブラストのように、絶縁基材１１Ｃの表面の粗さを操作することで、導電体１２Ｃ表面のガラス成分量を調整できることがわかった。具体的には、粗面化すればするほど、導電体１２Ｃ表面のガラス成分量が少なくなり、半田濡れ性を向上させることができる。また、このショットブラストは、導電体１２Ｃを形成する前に行うため、ブラストに用いた粒子や、ブラストで生じた粉塵等は容易に除去することができる。
【００３１】
そこで、本実施の形態１においては、図７に示すように、従来の回路基板１０Ｃで用いていたペースト材１２ＰＣ（分布Ｄ１に対応）よりもガラス成分量を３．７ｍａｓｓ％増加させる。これにより、通常の表面状態（例えば、Ｒａ＝０．６〜０．６５μｍ）の絶縁基材１１Ｃ（絶縁基材１１の領域Ｒｆａに対応）に対して形成した導電体１２Ｃ（摺動用電極１２ａに対応）表面のガラス成分量を図４の破線のように分布Ｄ２に引き上げる。一方、このままでは、半田接続性が担保できないため、接続用電極１２ｂを形成する領域Ｒｆｂの面粗度Ｒａを０．９５μｍに増大させる。
【００３２】
これにより、領域Ｒｆｂに形成された接続用電極１２ｂ表面のガラス成分量は、５〜１３ｍａｓｓ％の範囲に入る分布Ｄ３となる。なお、図７における直線Ｃｏ１は図６で得られた相間を示し、直線Ｃｏ２は直線Ｃｏ１をＤ１からＤ２への引き上げに合わせてシフトさせたものである。なお、本来、分布Ｄ１と分布Ｄ２は、横軸上の同じ位置に記載するべきであるが、見やすくするためにずらして記載している。
【００３３】
接続用電極１２ｂには耐摩耗性は要求されないため、下限値ＴｈＬａ以下のガラス量であってもよく、分布Ｄ３の全範囲が許容される。また、摺動用電極１２ａには半田接続性を要求されないので分布Ｄ２の全範囲が許容される。つまり、同じペースト材１２Ｐを用い、導電体形成後の後加工なしで、摺動用電極１２ａ、接続用電極１２ｂの双方がともに必要な性能を満たす導電体１２を形成することができた。
【００３４】
なお、上記実施の形態においては、摺動用電極１２ａ表面のガラス成分として分布Ｄ２に、接続用電極１２ｂ表面のガラス成分として分布Ｄ３に設定する例を示したが、これに限ることはない。例えば、分布Ｄ２をもっとガラス成分が多くなるように、分布Ｄ３をもとガラス成分量が少なくなるように設定してもよい。また、耐摩耗性および半田接続性を満たす条件として閾値（下限値ＴｈＬａ、上限値ＴｈＵｂ）を設定しているが、これは摺動対象や接合対象、あるいは接合材等の組合せに応じて適宜変更してもよいことは言うまでもない。
【００３５】
なお、本実施の形態では、ペースト材１２Ｐに用いるガラス成分として、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２といった一般にガラス成分と称される成分のほか、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）等の酸化物を含有しているものを用いたが、これに限ることはない。また、金属材料としても、銀、パラジウム以外の組合せを用いてもよい。また、絶縁基材１１としてもアルミナに限らず他のセラミック材料でもよい。
【００３６】
また、本実施の形態では、ブラストにより、粗くすることで面粗度を調整する方法を示したがこれに限ることはない。エッチングや研磨等を用いてもよく、その際、例えば、摺動用電極１２ａを形成する部分を面粗度を下げるように表面処理するようにしてもよい。その際、領域ＲｆａやＲｆｂといった大きなくくりではなく、パターンに応じて細かく処理をする領域を分けてもよい。つまり、摺動用電極１２ａを形成する部分（導電体と基材との接合界面）よりも接続用電極１２ｂを形成する部分（同界面）の面粗度が大きくなるようにすればどのような処理でもよい。
【００３７】
以上のように、本発明の実施の形態１にかかる回路基板１０によれば、セラミック材で構成された絶縁基材１１と、ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材１２Ｐを用い、絶縁基材１１の回路面１１ｆに形成された第一導電体（摺動用電極１２ａ）と、ペースト材１２Ｐを用いて第一導電体（摺動用電極１２ａ）とともに回路面１１ｆに形成された第二導電体（接続用電極１２ｂ）と、を備え、回路面１１ｆのうち、第一導電体（摺動用電極１２ａ）が形成された部分（例えば、領域Ｒｆａ）よりも第二導電体（接続用電極１２ｂ）が形成された部分（例えば、領域Ｒｆｂ）の方が面粗度が大きく、第二導電体（接続用電極１２ｂ）は第一導電体（摺動用電極１２ａ）よりも表面のガラス成分量が少ないように構成したので、ペースト材１２Ｐを使い分けたり、形成した導電体１２の一部を除去したりすることなく、摩耗耐性に優れた電極（摺動用電極１２ａ）と接続性に優れた電極（接続用電極１２ｂ）を有する回路基板１０を実現することができた。
【００３８】
とくに、第二導電体（接続用電極１２ｂ）が形成された部分（例えば、領域Ｒｆｂ）の面粗度Ｒａが、第一導電体（摺動用電極１２ａ）が形成された部分（例えば、領域Ｒｆａ）の面粗度Ｒａよりも０．３μｍ以上大きくなるように構成したので、摺動用電極１２ａの耐摩耗性と、接続用電極１２ｂの半田接続性を確実に両立させることができる。
【００３９】
また、ペースト材１２Ｐの骨材中のガラス成分の含有量が２８ｍａｓｓ％以上であるので、とくに摺動用電極１２ａの耐摩耗性を高め、寿命信頼性が向上する。
【００４０】
また、本実施の形態にかかる回路基板１０の製造方法によれば、セラミック材の絶縁基材１１の回路面１１ｆに、第一導電体（摺動用電極１２ａ）と、第一導電体（摺動用電極１２ａ）よりも表面のガラス成分量が少ない第二導電体（接続用電極１２ｂ）とが設けられた回路基板１０を製造する方法であって、回路面１１ｆの第二導電体（接続用電極１２ｂ）が形成される部分（例えば、領域Ｒｆｂ）の面粗度が、第一導電体（摺動用電極１２ａ）が形成される部分（例えば、領域Ｒｆａ）の面粗度よりも大きくなるように、回路面１１ｆを処理する工程と、第一導電体（摺動用電極１２ａ）と第二導電体（接続用電極１２ｂ）のパターンに合わせ、ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材１２Ｐを塗布し、焼成する工程と、を含むように構成したので、ペースト材１２Ｐを使い分けたり、形成した導電体１２の一部を除去したりすることなく、摩耗耐性に優れた電極（摺動用電極１２ａ）とに優れた電極（接続用電極１２ｂ）を有する回路基板１０を実現することができた。とくに、導電体形成後に金属粉が発生する工程を必要としないので、誤作動等の不具合の発生を抑制できる。
【００４１】
また、回路面１１ｆを処理する工程では、第二導電体（接続用電極１２ｂ）を形成する領域（例えば、領域Ｒｆｂ）をブラスト処理によって面粗度を増大させるようにしたので、容易に面粗度を調整することができる。
【００４２】
また、以上のように、本発明の実施の形態１にかかる液面レベル検出装置１００によれば、回路面１１ｆ上に複数の摺動用電極１２ａが形成された上述した回路基板１０と、液面に応じて移動する図示しないフロートと、複数の摺動用電極１２ａ上をフロートに連動して摺動する摺動接点２１ｃと、を有する駆動機構２０と、を備えたので、容易に製造できるとともに信頼性に優れた液面レベル検出装置を得ることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１０：回路基板、  １１：絶縁基材、  １１ｆ：回路面、  １１ｆｒ：粗面化した絶縁基材表面、  １２：導電体：  １２ａ：摺動用電極（第一導電体）、  １２ｂ：接続用電極（第二導電体）、  １２Ｐ：ペースト材、  １３：抵抗体、  １４：（第二の）抵抗体、  ２０：駆動機構、  ２１：摺動子、  ２１ｃ：摺動接点、  ２２：回転軸部、  ２３：アーム、  ３０：配線、  ２００：マスク、  ３００：ブラスター。
【図１】
2016125268.tif 000003
【図２】
2016125268.tif 000004
【図３】
2016125268.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2016125268.tif 000008
【図７】
2016125268.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック材で構成された絶縁基材と、
ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材を用い、前記絶縁基材の回路面に形成された第一導電体と、
前記ペースト材と同じ組成のペースト材を用いて前記第一導電体とともに前記回路面に形成された第二導電体と、を備え、
前記第一導電体よりも前記第二導電体の表面のガラス成分量が少なくなるように、前記回路面のうち、前記第一導電体が形成された部分よりも前記第二導電体が形成された部分の面粗度を大きくした、ことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第二導電体が形成された部分の面粗度は、前記第一導電体が形成された部分よりも算術平均粗さが０．３μｍ以上大きいことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記ペースト材の骨材中の前記ガラス成分の含有量が２８質量％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記セラミック材はアルミナであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
セラミック材の絶縁基材の回路面に、表面のガラス成分量が異なる導電体が設けられた回路基板を、ガラス成分と焼結性金属を含む同じ組成のペースト材を用いて製造する方法であって、
前記回路面の第二導電体が形成される部分の面粗度が、第一導電体が形成される部分の面粗度よりも大きくなるように、前記回路面を処理する工程と、
前記第一導電体と前記第二導電体のパターンに合わせ、前記同じ組成のペースト材を塗布し、焼成する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記回路面を処理する工程では、前記第二導電体を形成する領域をブラスト処理によって面粗度を増大させることを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
回路面上に複数の摺動用電極が形成された回路基板と、
液面に応じて移動するフロートと、前記複数の摺動用電極上を前記フロートに連動して摺動する摺動接点と、を有する駆動機構と、を備え、
前記回路基板は請求項１から４のいずれか１項に記載の回路基板であり、前記複数の摺動用電極は前記第一導電体であることを特徴とする液面レベル検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の回路基板は、セラミック材で構成された絶縁基材と、ガラス成分と焼結性金属を含むペースト材を用い、前記絶縁基材の回路面に形成された第一導電体と、前記ペースト材と同じ組成のペースト材を用いて前記第一導電体とともに前記回路面に形成された第二導電体と、を備え、前記第一導電体よりも前記第二導電体の表面のガラス成分量が少なくなるように、前記回路面のうち、前記第一導電体が形成された部分よりも前記第二導電体が形成された部分の面粗度を大きくした、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の回路基板の製造方法は、セラミック材の絶縁基材の回路面に、表面のガラス成分量が異なる導電体が設けられた回路基板を、ガラス成分と焼結性金属を含む同じ組成のペースト材を用いて製造する方法であって、前記回路面の第二導電体が形成される部分の面粗度が、第一導電体が形成される部分の面粗度よりも大きくなるように、前記回路面を処理する工程と、前記第一導電体と前記第二導電体のパターンに合わせ、前記同じ組成のペースト材を塗布し、焼成する工程と、を含むことを特徴とする。
【国際調査報告】
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