(57)【要約】  本発明の課題は、高湿度環境で保管された後に使用しても耐透湿性に優れた封止フィルム、その製造方法及び当該封止フィルムで封止された機能素子を提供することである。  本発明の封止フィルムは、基材と、前記基材の片方の表面上に形成されたガスバリアー層と樹脂層とをこの順に備える封止フィルムであって、前記ガスバリアー層は少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなる層であり、かつ前記樹脂層は少なくともイオン液体を含有する層であることを特徴とする。
2014178254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材の片方の表面上に形成されたガスバリアー層と樹脂層とをこの順に備える封止フィルムであって、前記ガスバリアー層は少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなる層であり、かつ前記樹脂層は少なくともイオン液体を含有することを特徴とする封止フィルム。
【請求項２】
前記ガスバリアー層が、さらにアルミニウム化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載の封止フィルム。
【請求項３】
前記樹脂層に含有されるイオン液体が、少なくともアンモニウム系カチオン又はホスホニウム系カチオンと、Ｎ−アシルアミノ酸イオン又はカルボン酸系アニオンとから構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の封止フィルム。
【請求項４】
前記基材と前記ガスバリアー層の間に、当該基材の表面上に有機ケイ素化合物を含む原料ガスと酸素ガスとを用いて、磁場を印加した一対のローラー間に放電空間を有する放電プラズマ化学気相成長法により、さらにガスバリアー層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の封止フィルム。
【請求項５】
基材の片方の表面上に、ガスバリアー層と樹脂層とをこの順に形成する封止フィルムの製造方法であって、少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布、乾燥した層に改質処理を施してガスバリアー層を形成する工程と、
当該ガスバリアー層上に少なくともイオン液体を含有する樹脂層液を塗布、乾燥して樹脂層を形成する工程と、
を有することを特徴とする封止フィルムの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の封止フィルムで、封止されていることを特徴とする機能素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止フィルム、その製造方法及び封止フィルムで封止された機能素子に関する。より詳しくは、高湿度環境で保管された後に使用しても耐透湿性に優れた封止フィルム、その製造方法及び封止フィルムで封止された、有機エレクトロルミネッセンス素子や太陽電池素子等の機能素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に有機ＥＬ素子ともいう。）、太陽電池素子等のフレキシブル電子デバイスにおいては、ガラス基材レベルの非常に高いガスバリアー性が要求されるため、現状では十分なガスバリアー性能を有するガスバリアー性フィルムはいまだ得られていない。【０００３】
有機ＥＬ素子や有機薄膜太陽電池等の有機材料からなる機能素子は酸素や水分に対する耐性が極めて低い。例えば有機ＥＬ素子を用いてディスプレイや照明装置を構成する場合に、有機材料自体が酸素や水分によって変質して、輝度が低下したり、ダークスポットといわれる非発光欠陥が発生したり、ひいては発光しなくなるといった欠点がある。【０００４】
このため、片面に有機ＥＬ素子を形成した基板に対して、有機ＥＬ素子の全面を覆うように樹脂組成物層と封止基材を貼り合わせた封止構造（以下、この封止構造を「固体封止」という。）による酸素及び水蒸気の遮断性に優れた封止技術が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。【０００５】
上記技術では基材と接着用樹脂からなる封止フィルムが用いられるが、該封止フィルムは製造直後に用いられることは少なく、数日〜数カ月保管されたのちに使用されるのが通常であるが、特に高湿度環境で保管されたのちに使用されると耐透湿性が劣化し、当該保管後の封止フィルムを有機ＥＬ素子の封止基材として用いると、上記ダークスポットが発生しやすいことがわかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０１６４０８号
【特許文献２】国際公開第２０１１／１０２４６５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、高湿度環境で保管された後に使用しても耐透湿性に優れた封止フィルム、その製造方法及び当該封止フィルムで封止された機能素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなるガスバリアー層を有する封止フィルムに、さらに少なくともイオン液体を含有する樹脂層を形成することによって、高湿度環境で保管された後に使用しても耐透湿性に優れた封止フィルムが得られることを見出し本発明に至った。【０００９】
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。【００１０】
１．基材と、当該基材の片方の表面上に形成されたガスバリアー層と樹脂層とをこの順に備える封止フィルムであって、前記ガスバリアー層は少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなる層であり、かつ前記樹脂層は少なくともイオン液体を含有することを特徴とする封止フィルム。【００１１】
２．前記ガスバリアー層が、さらにアルミニウム化合物を含有することを特徴とする第１項に記載の封止フィルム。【００１２】
３．前記樹脂層に含有されるイオン液体が、少なくともアンモニウム系カチオン又はホスホニウム系カチオンと、Ｎ−アシルアミノ酸イオン又はカルボン酸系アニオンとから構成されることを特徴とする第１項又は第２項に記載の封止フィルム。【００１３】
４．前記基材と前記ガスバリアー層の間に、当該基材の表面上に有機ケイ素化合物を含む原料ガスと酸素ガスとを用いて、磁場を印加した一対のローラー間に放電空間を有する放電プラズマ化学気相成長法により、さらにガスバリアー層が形成されていることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の封止フィルム。【００１４】
５．基材の片方の表面上に、ガスバリアー層と樹脂層とをこの順に形成する封止フィルムの製造方法であって、少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布、乾燥した層に改質処理を施してガスバリアー層を形成する工程と、
当該ガスバリアー層上に少なくともイオン液体を含有する樹脂層液を塗布、乾燥して樹脂層を形成する工程と、
を有することを特徴とする封止フィルムの製造方法。【００１５】
６．第１項から第４項までのいずれか一項に記載の封止フィルムで、封止されていることを特徴とする機能素子。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の上記手段により、高湿度環境で保管された後に使用しても耐透湿性に優れた封止フィルム、その製造方法及び当該封止フィルムで封止された機能素子を提供することができる。【００１７】
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。【００１８】
封止フィルムの保管時においては、有機ＥＬ素子と接する接着用樹脂側が直接大気に触れて水分を吸ってしまい、この水分が固体封止時の加熱で蒸発して素子を劣化させダークスポットを発生させたり、蒸発せずに残った水分もその後の経時保管での耐透湿性の劣化を引き起こすと考えられる。【００１９】
封止フィルムに吸水層を設けると、当該吸水層に含有される吸水剤が前記水分を吸収して有機ＥＬ素子への水分の影響は改良されるが、公知文献の技術の範囲ではその効果は不充分であった。【００２０】
本発明の構成による封止フィルムで、高湿環境下でも耐透湿性が維持されるメカニズムは明らかではないが、当該封止フィルム上に形成した樹脂層に含有されるイオン液体が、吸湿剤のように前記水分を吸水すると同時に、ガスバリアー層中に残存する未改質部分のポリシラザンにその水分を供給する能力も有し、当該ポリシラザンの未改質部分がその水分と反応して改質し、よりガラスに近い耐透湿性の高いガスバリアー膜を形成することによるものと推定される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の封止フィルムの断面図
【図２】本発明に係るガスバリアー層の形成に用いられる真空プラズマＣＶＤ装置の一例を示す模式図
【図３】有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図
【図４】真空紫外線照射装置の一例を示す模式図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の封止フィルムは、基材上に形成されたガスバリアー層と樹脂層とをこの順に備える封止フィルムであって、前記ガスバリアー層は少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなる層であり、かつ前記樹脂層は少なくともイオン液体を含有することを特徴とし、かかる構成によって、高湿度環境で保管された後に使用しても耐透湿性に優れた封止フィルムを提供するものである。この特徴は、請求項１から請求項６までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００２３】
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記ガスバリアー層が、さらにアルミニウム化合物を含有することが好ましく、前記樹脂層に含有されるイオン液体が、少なくともアンモニウム系カチオン又はホスホニウム系カチオンと、Ｎ−アシルアミノ酸イオン又はカルボン酸系アニオンとから構成されることがより好ましい。当該構成により、耐透湿性がさらに向上した封止フィルムが得られる。
【００２４】
また、前記基材と前記ガスバリアー層の間に、当該基材の表面上に有機ケイ素化合物を含む原料ガスと酸素ガスとを用いて、磁場を印加した一対のローラー間に放電空間を有する放電プラズマ化学気相成長法により、さらにガスバリアー層が形成されていることが、封止フィルムの屈曲性、ガスバリアー性をより向上する観点から、好ましい。
【００２５】
本発明の封止フィルムの製造方法は、少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布、乾燥した層に改質処理を施してガスバリアー層を形成する工程と、当該ガスバリアー層上に少なくともイオン液体を含有する樹脂層液を塗布、乾燥して樹脂層を形成する工程と、によることが好ましい。
【００２６】
さらに、本発明の封止フィルムで、封止された機能素子により、例えば経時においてもダークスポットの発生や、輝度の低下が抑制された安定な有機ＥＬ素子を得ることができ、好ましい。
【００２７】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００２８】
＜本発明の封止フィルムの概要＞
本発明の封止フィルムは、基材と、前記基材の片方の表面上に形成されたガスバリアー層と樹脂層とをこの順に備える封止フィルムであって、前記ガスバリアー層は少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなる層であり、かつ前記樹脂層は少なくともイオン液体を含有する層であることを特徴とする。
【００２９】
図１に本発明の封止フィルムの一例を示す断面図を示す。
【００３０】
本発明の封止フィルム１は、少なくとも基材１ａにガスバリアー層１ｂと樹脂層１ｃをこの順に形成したものである。以下、基材１ａにガスバリアー層１ｂが形成された形態をガスバリアー性フィルムともいう。
【００３１】
基材１ａのガスバリアー層とは反対側の面、基材１ａとガスバリアー層１ｂの間、ガスバリアー層１ｂと樹脂層１ｃの間、及び樹脂層１ｃのガスバリアー層とは反対側の面に、本発明の効果を損なわない範囲で、他の層を形成することもできる。例えば、基材１ａとガスバリアー層１ｂの間に平滑化層を設け基材表面の凹凸を平滑化したり、樹脂層１ｃのガスバリアー層とは反対側の面に剥離可能なセパレーターフィルムのような層を設けてもよい。また、他の層として。例えば中間層、保護層、ブリードアウト防止層、及び帯電防止層等の機能層などが挙げられる。
【００３２】
また、本発明に係るガスバリアー層１ｂと樹脂層１ｃは、複数の層からなってもよく、特にガスバリアー層は複数のバリアー層を積層した形態からなることが好ましい。
【００３３】
最初に、本発明の特徴である少なくともイオン液体を含有する樹脂層について、説明する。
【００３４】
≪樹脂層≫
本発明に係る樹脂層は、少なくともイオン液体を含有する層であるが、当該イオン液体とともに少なくとも熱硬化性樹脂を含有し、機能素子を封止する際には接着層としての機能を併せ持つ層であることが好ましい。
【００３５】
樹脂層は当該熱硬化性樹脂以外に、耐透湿性の観点から、吸湿性金属酸化物や無機充填剤、及び硬化促進剤等を含有してもよい。
【００３６】
〔イオン液体〕
本発明におけるイオン液体は、１４０℃以下（好ましくは１２０℃以下）の温度領域で融解しうる塩である。機能としては、吸湿剤のように水分を吸水すると同時に、ガスバリアー層中に残存する未反応部分のポリシラザンにその水分を供給する能力も有し、当該ポリシラザンの未反応部分の改質に寄与するものであることが好ましい。
【００３７】
イオン液体は、例えば後述する熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の硬化作用を有する塩が特に好適に使用され、樹脂層の硬化物の耐透湿性向上に有利に作用する。なお、イオン液体は上記エポキシ樹脂に当該イオン液体を均一に溶解している状態で使用されるのが望ましい。
【００３８】
かかるイオン液体を構成するカチオンとしては、イミダゾリウムイオン、ピリミジニウムイオン、ピリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピペリジニウムイオン、ピラゾニウムイオン、グアニジニウムイオン等のアンモニウム系カチオン；テトラアルキルホスホニウムカチオン（例えば、テトラブチルホスホニウムイオン、トリブチルヘキシルホスホニウムイオン等）等のホスホニウム系カチオン；トリエチルスルホニウムイオン等のスルホニウム系カチオン等が挙げられる。
【００３９】
アンモニウム系カチオンの具体例としては、例えば、１，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１，３−ジエチルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−プロピル−３−メチルイミダゾリウムイオン、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−デシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ドデシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−テトラデシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１，３−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，５−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，３−ジメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，３−ジメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１−エチルピリジニウムカチオン、１−ブチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３，４−ジメチルピリジニウムカチオン、１，１−ジメチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−メチルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−プロピルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ブチルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ペンチルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘキシルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘプチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−プロピルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ブチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ペンチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘキシルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘプチルピロリジニウムカチオン、１，１−ジプロピルピロリジニウムカチオン、１−プロピル−１−ブチルピロリジニウムカチオン、１，１−ジブチルピロリジニウムカチオン、１−プロピルピペリジニウムカチオン、１−ペンチルピペリジニウムカチオン、１，１−ジメチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−エチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−プロピルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ブチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ペンチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘキシルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘプチルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−プロピルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ブチルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ペンチルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘキシルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘプチルピペリジニウムカチオン、１，１−ジプロピルピペリジニウムカチオン、１−プロピル−１−ブチルピペリジニウムカチオン、１，１−ジブチルピペリジニウムカチオン、１−メチルピラゾリウムカチオン、３−メチルピラゾリウムカチオン、１−エチル−２−メチルピラゾリニウムカチオン、１−エチル−２，３，５−トリメチルピラゾリウムカチオン、１−プロピル−２，３，５−トリメチルピラゾリウムカチオン、１−ブチル−２，３，５−トリメチルピラゾリウムカチオン、１−エチル−２，３，５−トリメチルピラゾリニウムカチオン、１−プロピル−２，３，５−トリメチルピラゾリニウムカチオン、１−ブチル−２，３，５−トリメチルピラゾリニウムカチオンなどが挙げられる。
【００４０】
上述の中でも、カチオンは、アンモニウム系カチオン、ホスホニウム系カチオンが好ましく、イミダゾリウムイオン、ホスホニウムイオンがより好ましい。
【００４１】
また、かかるイオン液体を構成するアニオンとしては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等のハロゲン化物系アニオン；メタンスルホン酸イオン等のアルキル硫酸系アニオン；トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ヘキサフルオロホスホン酸イオン、トリフルオロトリス（ペンタフルオロエチル）ホスホン酸イオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、トリフルオロ酢酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン等の含フッ素化合物系アニオン；フェノールイオン、２−メトキシフェノールイオン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールイオン等のフェノール系アニオン；アスパラギン酸イオン、グルタミン酸イオン等の酸性アミノ酸イオン；グリシンイオン、アラニンイオン、フェニルアラニンイオン等の中性アミノ酸イオン；Ｎ−ベンゾイルアラニンイオン、Ｎ−アセチルフェニルアラニンイオン、Ｎ−アセチルグリシンイオン等の下記一般式（１）で示されるＮ−アシルアミノ酸イオン；ギ酸イオン、酢酸イオン、デカン酸イオン、２−ピロリドン−５−カルボン酸イオン、α−リポ酸イオン、乳酸イオン、酒石酸イオン、馬尿酸イオン、Ｎ−メチル馬尿酸イオン、安息香酸イオン等のカルボン酸系アニオンが挙げられる。
【００４２】
【化１】
2014178254.tif 000003
（ただし、Ｒ−ＣＯ−は炭素数１〜５の直鎖又は分岐鎖の脂肪酸より誘導されるアシル基、あるいは、置換又は無置換ベンゾイル基であり、−ＮＨ−ＣＨＸ−ＣＯ２−はアスパラギン酸、グルタミン酸等の酸性アミノ酸イオン、あるいはグリシン、アラニン、フェニルアラニン等の中性アミノ酸イオンである。）
また、アニオンは、一般式（１）で示されるＮ−アシルアミノ酸イオン又はカルボン酸系アニオンが好ましい。
【００４３】
カルボン酸系アニオンの具体例としては、酢酸イオン、デカン酸イオン、２−ピロリドン−５−カルボン酸イオン、ギ酸イオン、α−リポ酸イオン、乳酸イオン、酒石酸イオン、馬尿酸イオン、Ｎ−メチル馬尿酸イオン等が挙げられ、中でも、酢酸イオン、２−ピロリドン−５−カルボン酸イオン、ギ酸イオン、乳酸イオン、酒石酸イオン、馬尿酸イオン、Ｎ−メチル馬尿酸イオンが好ましく、酢酸イオン、Ｎ−メチル馬尿酸イオン、ギ酸イオンがより好ましい。また、一般式（１）で示されるＮ−アシルアミノ酸イオンの具体例としては、Ｎ−ベンゾイルアラニンイオン、Ｎ−アセチルフェニルアラニンイオン、アスパラギン酸イオン、グリシンイオン、Ｎ−アセチルグリシンイオン等が挙げられ、中でも、Ｎ−ベンゾイルアラニンイオン、Ｎ−アセチルフェニルアラニンイオン、Ｎ−アセチルグリシンイオンが好ましく、Ｎ−アセチルグリシンイオンがより好ましい。
【００４４】
具体的なイオン液体としては、例えば、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムラクテート、テトラブチルホスホニウム−２−ピロリドン−５−カルボキシレート、テトラブチルホスホニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムデカノエート、テトラブチルホスホニウムトリフルオロアセテート、テトラブチルホスホニウムα−リポエート、ギ酸テトラブチルホスホニウム塩、テトラブチルホスホニウムラクテート、酒石酸ビス（テトラブチルホスホニウム）塩、馬尿酸テトラブチルホスホニウム塩、Ｎ−メチル馬尿酸テトラブチルホスホニウム塩、ベンゾイル−ＤＬ−アラニンテトラブチルホスホニウム塩、Ｎ−アセチルフェニルアラニンテトラブチルホスホニウム塩、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールテトラブチルホスホニウム塩、Ｌ−アスパラギン酸モノテトラブチルホスホニウム塩、グリシンテトラブチルホスホニウム塩、Ｎ−アセチルグリシンテトラブチルホスホニウム塩、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムラクテート、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムアセテート、ギ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、馬尿酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−メチル馬尿酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、酒石酸ビス（１−エチル−３−メチルイミダゾリウム）塩、Ｎ−アセチルグリシン１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩が好ましく、Ｎ−アセチルグリシンテトラブチルホスホニウム塩、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムアセテート、ギ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、馬尿酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−メチル馬尿酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩がより好ましい。
【００４５】
上記イオン液体の合成法としては、アルキルイミダゾリウム、アルキルピリジニウム、アルキルアンモニウム及びアルキルスルホニウムイオン等のカチオン部位と、ハロゲンを含むアニオン部位から構成される前駆体に、ＮａＢＦ４、ＮａＰＦ６、ＣＦ３ＳＯ３ＮａやＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２等を反応させるアニオン交換法、アミン系物質と酸エステルとを反応させてアルキル基を導入しつつ、有機酸残基が対アニオンになるような酸エステル法、及びアミン類を有機酸で中和して塩を得る中和法等があるがこれらに限定されない。アニオンとカチオンと溶媒による中和法では、アニオンとカチオンとを等量使用し、得られた反応液中の溶媒を留去して、そのまま用いることも可能であるし、更に有機溶媒（メタノール、トルエン、酢酸エチル、アセトン等）を差し液濃縮しても構わない。
【００４６】
本発明に係るイオン液体の含有量は、樹脂層全体に対し０．１〜５０質量％の範囲内が好ましく、０．５〜２５質量％の範囲内がより好ましい。この範囲内であれば、本発明の効果が十分得られ、樹脂層の保存安定性が損なわれない。
【００４７】
〔熱硬化性樹脂〕
樹脂層に含まれる樹脂は、熱硬化性樹脂であることが好ましく、当該熱可塑性樹脂は、特に制限はなく、具体的には、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の種々の熱硬化性樹脂が挙げられる。なかでも、低温硬化性や接着性等の観点から、エポキシ樹脂が好ましい。
【００４８】
エポキシ樹脂としては、平均して１分子当り２個以上のエポキシ基を有するものであればよく、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂（具体的には、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、ジグリシジルトルイジン、ジグリシジルアニリン等）、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物、及びアルコール類のジグリシジルエーテル化物、並びにこれらのエポキシ樹脂のアルキル置換体、ハロゲン化物及び水素添加物等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００４９】
これらの中でも、樹脂組成物の高い耐熱性及び低い透湿性を保つ等の観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン構造を有するエポキシ樹脂等が好ましい。
【００５０】
また、エポキシ樹脂は、液状であっても、固形状であっても、液状と固形状の両方を用いてもよい。ここで、「液状」及び「固形状」とは、２５℃でのエポキシ樹脂の状態である。塗工性、加工性、接着性等の観点から、使用するエポキシ樹脂全体の１０質量％以上が液状であるのが好ましい。
【００５１】
また、エポキシ樹脂は反応性の観点から、エポキシ当量が１００〜１０００の範囲のものが好ましく、より好ましくは１２０〜１０００の範囲のものである。ここでエポキシ当量とは１グラム当量のエポキシ基を含む樹脂のグラム数（ｇ／ｅｑ）であり、ＪＩＳ  Ｋ−７２３６に規定された方法に従って測定されるものである。
【００５２】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有するものであれば特に限定されないが、樹脂組成物の硬化処理時における素子（特に有機ＥＬ素子）の熱劣化を抑制する観点から、樹脂組成物の硬化処理は好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１２０℃以下で行うのが好ましく、硬化剤はかかる温度領域にてエポキシ樹脂の硬化作用を有するものが好ましい。
【００５３】
具体的には、一級アミン、二級アミン、三級アミン系硬化剤、ポリアミノアミド系硬化剤、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド等が挙げられるが、中でも、速硬化性の観点から、アミンアダクト系化合物（アミキュアＰＮ−２３、アミキュアＭＹ−２４、アミキュアＰＮ−Ｄ、アミキュアＭＹ−Ｄ、アミキュアＰＮ−Ｈ、アミキュアＭＹ−Ｈ、アミキュアＰＮ−３１、アミキュアＰＮ−４０、アミキュアＰＮ−４０Ｊ等（いずれも味の素ファインテクノ社製））、有機酸ジヒドラジド（アミキュアＶＤＨ−Ｊ、アミキュアＵＤＨ、アミキュアＬＤＨ等（いずれも味の素ファインテクノ社製））等が好ましい。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００５４】
〔吸湿性金属酸化物〕
本発明に係る樹脂層は、透湿性を調整する観点から吸湿性の金属酸化物を含有することも好ましい。
【００５５】
本発明でいう「吸湿性金属酸化物」とは、水分を吸収する能力をもち、吸湿した水分と化学反応して水酸化物になる金属酸化物のことであり、本発明の目的を達成できれば特に制限はないが、具体的には、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化アルミニウム及び酸化バリウムから選ばれる１種か、あるいは、これらから選ばれる２種以上の金属酸化物の混合物若しくは固溶物である。２種以上の金属酸化物の混合物若しくは固溶物の例としては、具体的には、焼成ドロマイト（酸化カルシウム及び酸化マグネシウムを含む混合物）、焼成ハイドロタルサイト（酸化カルシウムと酸化アルミニウムの固溶物）等が挙げられる。このような吸湿性金属酸化物は、種々の技術分野において吸湿材として公知であり、市販品を使用することができる。具体的には、焼成ドロマイト（吉澤石灰社製「ＫＴ」等）、酸化カルシウム（三共製粉社製「モイストップ＃１０」等）、酸化マグネシウム（協和化学工業社製「キョーワマグＭＦ−１５０」、「キョーワマグＭＦ−３０」、タテホ化学工業社製「ピュアマグＦＮＭＧ」等）、軽焼酸化マグネシウム（タテホ化学工業社製の「＃５００」、「＃１０００」、「＃５０００」等）等が挙げられる。
【００５６】
吸湿性金属酸化物の平均粒径は特に限定はされないが、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、１μｍ以下が更に好ましい。
【００５７】
また、吸湿性金属酸化物は、ステアリン酸等の高級脂肪酸、公知のアルキルシラン類やシランカップリング剤等の表面処理剤で表面処理したものを用いることができる。このような表面処理を行うことで、樹脂中の水分と吸湿性金属酸化物が反応してしまうことを防止できる。
【００５８】
樹脂層中の吸湿性金属酸化物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分１００質量％に対して１〜４０質量％の範囲が好ましい。
【００５９】
〔無機充填剤〕
樹脂層を構成する樹脂組成物には、更にタルク、クレー、マイカ、ベーマイト等の粒子形態が平板状の充填材を含有させることができ、樹脂層の耐透湿性をより一層高めることができる。
【００６０】
さらにゴム粒子を含有させることができ、ゴム粒子を含有させることにより、樹脂層の機械強度の向上や応力緩和等を図ることができる。当該ゴム粒子は、コアシェル型ゴム粒子を用いることが好ましく、具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ（以上、ガンツ化成社製）、メタブレンＫＷ−４４２６（三菱レイヨン社製）、Ｆ３５１（日本ゼオン社製）等が挙げられる。アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（ＪＳＲ社製）などが挙げられる。スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（ＪＳＲ社製）などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ、Ｗ４５０Ａ（以上、三菱レイヨン社製）を挙げることができる。
【００６１】
〔硬化促進剤〕
本発明に係る樹脂層を構成する樹脂組成物においては、硬化温度、硬化時間等の調整のため、さらに硬化促進剤を含んでいても良い。硬化促進剤としてはテトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド等の４級アンモニウム塩、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウムブロマイド等の４級スルホニウム塩、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７）、ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５）、ＤＢＵ−フェノール塩、ＤＢＵ−オクチル酸塩、ＤＢＵ−ｐ−トルエンスルホン酸塩、ＤＢＵ−ギ酸塩、ＤＢＵ-フェノールノボラック樹脂塩等のジアザビシクロ化合物、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン、芳香族ジメチルウレア、脂肪族ジメチルウレア、芳香族ジメチルウレア等のジメチルウレア化合物等が挙げられる。
【００６２】
硬化促進剤を使用する場合の含有量は、熱硬化性樹脂の総量に対し、０．０１〜７質量％の範囲である。
【００６３】
〔樹脂層の形成方法〕
本発明に係る樹脂層は、当該樹脂層を構成する組成物を溶解したワニスを調製して、後述するガスバリアー層上に塗布、乾燥して形成することが好ましい。
【００６４】
ワニスの調製に使用する有機溶媒としては、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン（以下、「ＭＥＫ」とも略称する）、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００６５】
塗布方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。具体例としては、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。
【００６６】
乾燥条件は特に制限はないが、５０〜１００℃で３〜１５分が好適である。
【００６７】
本発明に係る樹脂層の厚さは特に限定されないが、外気との接触面積を小さくすることで、水分を遮断するという観点から、３〜２００μｍの範囲が好ましく、５〜１５０μｍの範囲がより好ましく、１０〜１００μｍの範囲が更に好ましい。
【００６８】
≪ガスバリアー層≫
本発明に係るガスバリアー層は、少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなる層であり、ガスバリアー層が複数ある場合は、その最表面にあって、前記本発明に係る樹脂層に隣接する層である。隣接する層とは、直接ガスバリアー層が樹脂層に接している形態のみではなく、本発明に係るイオン液体の効果が発現する範囲内で他の薄膜層は間に介在してもよいことを意味する。
【００６９】
〔ポリシラザン〕
ポリシラザンとは、ケイ素−窒素結合を有するポリマーであり、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等の結合を有するＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及び両方の中間固溶体ＳｉＯｘＮｙ等のセラミック前駆体無機ポリマーである。
【００７０】
具体的には、ポリシラザンは、好ましくは下記一般式（Ｉ）の構造を有する。
【００７１】
【化２】
2014178254.tif 000004
【００７２】
上記一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、置換又は非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基又は（トリアルコキシシリル）アルキル基である。この際、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、同じであってもあるいは異なるものであってもよい。ここで、アルキル基としては、炭素原子数１〜８の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基が挙げられる。より具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などがある。また、アリール基としては、炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。より具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などの非縮合炭化水素基；ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基などの縮合多環炭化水素基が挙げられる。（トリアルコキシシリル）アルキル基としては、炭素原子数１〜８のアルコキシ基で置換されたシリル基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基が挙げられる。より具体的には、３−（トリエトキシシリル）プロピル基、３−（トリメトキシシリル）プロピル基などが挙げられる。上記Ｒ１〜Ｒ３に場合によって存在する置換基は、特に制限はないが、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、メルカプト基（−ＳＨ）、シアノ基（−ＣＮ）、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基（−ＮＯ２）などがある。なお、場合によって存在する置換基は、置換するＲ１〜Ｒ３と同じとなることはない。例えば、Ｒ１〜Ｒ３がアルキル基の場合には、さらにアルキル基で置換されることはない。これらのうち、好ましくは、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビニル基、３−（トリエトキシシリル）プロピル基又は３−（トリメトキシシリルプロピル）基である。
【００７３】
また、上記一般式（Ｉ）において、ｎは、整数であり、一般式（Ｉ）で表される構造を有するポリシラザンが１５０〜１５００００ｇ／モルの数平均分子量を有するように定められることが好ましい。
【００７４】
上記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物において、好ましい態様の一つは、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の全てが水素原子であるパーヒドロポリシラザンである。
【００７５】
ポリシラザンは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままガスバリアー層形成用塗布液として使用することができる。ポリシラザン溶液の市販品としては、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のアクアミカ（登録商標）ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＮ３１０、ＮＮ３２０、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１２０−２０、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０、ＳＰ１４０等が挙げられる。
【００７６】
本発明で使用できるポリシラザンの別の例としては、以下に制限されないが、例えば、上記ポリシラザンにケイ素アルコキシドを反応させて得られるケイ素アルコキシド付加ポリシラザン（特開平５−２３８８２７号公報）、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン（特開平６−１２２８５２号公報）、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン（特開平６−２４０２０８号公報）、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン（特開平６−２９９１１８号公報）、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン（特開平６−３０６３２９号公報）、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン（特開平７−１９６９８６号公報）等の、低温でセラミック化するポリシラザンが挙げられる。
【００７７】
ポリシラザンを用いる場合、改質処理前のガスバリアー層中におけるポリシラザンの含有率としては、ガスバリアー層の全質量を１００質量％としたとき、１００質量％でありうる。また、ガスバリアー層がポリシラザン以外のものを含む場合には、層中におけるポリシラザンの含有率は、１０〜９９質量％の範囲であることが好ましく、４０〜９５質量％の範囲であることがより好ましく、特に好ましくは７０〜９５質量％の範囲である。
【００７８】
〔ガスバリアー層形成用塗布液〕
ガスバリアー層形成用塗布液を調製するための溶媒としては、ケイ素化合物を溶解できるものであれば特に制限されないが、ケイ素化合物と容易に反応してしまう水及び反応性基（例えば、ヒドロキシ基、あるいはアミン基等）を含まず、ケイ素化合物に対して不活性の有機溶媒が好ましく、非プロトン性の有機溶媒がより好ましい。具体的には、溶媒としては、非プロトン性溶媒；例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒；塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類：例えば、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル、モノ−及びポリアルキレングリコールジアルキルエーテル（ジグライム類）などを挙げることができる。
【００７９】
上記溶媒は、ケイ素化合物の溶解度や溶媒の蒸発速度等の目的にあわせて選択され、単独で使用されても又は２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
【００８０】
ガスバリアー層形成用塗布液におけるケイ素化合物の濃度は、特に制限されず、層の膜厚や塗布液のポットライフによっても異なるが、好ましくは１〜８０質量％、より好ましくは５〜５０質量％、特に好ましくは１０〜４０質量％である。
【００８１】
また、ガスバリアー層形成用塗布液には、ガスバリアー層の耐熱性を向上する観点から、アルミニウム化合物を含有することが好ましく、アルミニウム化合物としては、アルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリエトキシド、アルミニウムトリｎ−プロポキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリｎ−ブトキシド、アルミニウムトリｓｅｃ−ブトキシド、アルミニウムトリｔｅｒｔ−ブトキシド、アルミニウムアセチルアセトナート、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムエチルアセトアセテート・ジイソプロピレート、アルミニウムエチルアセトアセテートジｎ−ブチレート、アルミニウムジエチルアセトアセテートモノｎ−ブチレート、アルミニウムジイソプロピレートモノｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムトリスアセチルアセトネート、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート、ビス（エチルアセトアセテート）（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム、アルミニウムアルキルアセトアセテートジイソプロピレート、アルミニウムオキサイドイソプロポキサイドトリマー、アルミニウムオキサイドオクチレートトリマー等が挙げられる。
【００８２】
市販品の具体的な例としては、例えば、ＡＭＤ（アルミニウムジイソプロピレートモノｓｅｃ−ブチレート）、ＡＳＢＤ（アルミニウムセカンダリーブチレート）、ＡＬＣＨ（アルミニウムエチルアセトアセテート・ジイソプロピレート）、ＡＬＣＨ−ＴＲ（アルミニウムトリスエチルアセトアセテート）、アルミキレートＭ（アルミニウムアルキルアセトアセテート・ジイソプロピレート）、アルミキレートＤ（アルミニウムビスエチルアセトアセテート・モノアセチルアセトネート）、アルミキレートＡ（Ｗ）（アルミニウムトリスアセチルアセトネート）（以上、川研ファインケミカル株式会社製）、プレンアクト（登録商標）ＡＬ−Ｍ（アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、味の素ファインケミカル株式会社製）、オルガチックスシリーズ（マツモトファインケミカル株式会社製）等が挙げられる。ガスバリアー層形成用塗布液中の含有量としては０．１〜１０質量％であることが好ましく、１〜５質量％であることがより好ましい。
【００８３】
〔ガスバリアー層の塗布方法〕
上記のようなガスバリアー層の塗布法による形成方法は、特に制限されず、公知の方法が適用できる。具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。
【００８４】
有機溶媒中にケイ素化合物及び必要に応じて触媒を含むガスバリアー層形成用塗布液を上記公知の塗布方法により塗布し、この溶媒を蒸発させて除去し、次いで、改質処理を行う方法が好ましい。
【００８５】
塗布厚さは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、ガスバリアー層１層当たりの塗布厚さは、乾燥後の厚さが１０ｎｍ〜１０μｍ程度であることが好ましく、１５ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、２０〜５００ｎｍであることがさらに好ましい。膜厚が１０ｎｍ以上であれば十分なバリアー性を得ることができ、１０μｍ以下であれば、層形成時に安定した塗布性を得ることができ、かつ高い光線透過性を実現できる。
【００８６】
塗布液を塗布した後は、塗膜を乾燥させることが好ましい。塗膜を乾燥することによって、塗膜中に含有される有機溶媒を除去することができる。この際、塗膜に含有される有機溶媒は、全てを乾燥させてもよいが、一部残存させていてもよい。一部の有機溶媒を残存させる場合であっても、好適なガスバリアー層が得られる。なお、残存する溶媒は後に除去されうる。
【００８７】
＜ガスバリアー層の改質処理＞
本発明におけるポリシラザンの改質処理とは、少なくともポリシラザンの一部を、酸化ケイ素又は酸化窒化ケイ素へ転化させる反応をいう。
【００８８】
（真空紫外光照射処理）
本発明における真空紫外線照射処理において、ポリシラザン層塗膜が受ける塗膜面での該真空紫外線の照度は３０〜２００ｍＷ／ｃｍ２の範囲であることが好ましく、５０〜１６０ｍＷ／ｃｍ２の範囲であることがより好ましい。３０ｍＷ／ｃｍ２以上では、改質効率が低下する懸念がなく、２００ｍＷ／ｃｍ２以下では、塗膜にアブレーションを生じず、基材にダメージを与えないため好ましい。
【００８９】
ポリシラザン層塗膜面における真空紫外線の照射エネルギー量は、２００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であることが好ましく、５００〜５０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であることがより好ましい。この範囲であればクラック発生や、基材の熱変形がない。
【００９０】
真空紫外光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。Ｘｅ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｎｅなどの希ガスの原子は、化学的に結合して分子を作らないため、不活性ガスと呼ばれる。
【００９１】
Ｘｅエキシマランプは、波長の短い１７２ｎｍの紫外線を単一波長で放射することから、発光効率に優れている。この光は、酸素の吸収係数が大きいため、微量な酸素でラジカルな酸素原子種やオゾンを高濃度で発生することができる。
【００９２】
また、波長の短い１７２ｎｍの光のエネルギーは、有機物の結合を解離させる能力が高いことが知られている。この活性酸素やオゾンと紫外線放射が持つ高いエネルギーによって、短時間でポリシラザン層の改質を実現できる。
【００９３】
紫外線照射時の反応には、酸素が必要であるが、真空紫外線は、酸素による吸収があるため紫外線照射工程での効率が低下しやすいことから、真空紫外線の照射は、可能な限り酸素濃度の低い状態で行うことが好ましい。すなわち、真空紫外線照射時の酸素濃度は、１０〜１００００ｐｐｍの範囲とすることが好ましく、より好ましくは５０〜５０００ｐｐｍの範囲、更に好ましく１０００〜４５００ｐｐｍの範囲である。
【００９４】
真空紫外線照射時に用いられる、照射雰囲気を満たすガスとしては乾燥不活性ガスとすることが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスにすることが好ましい。酸素濃度の調整は照射庫内へ導入する酸素ガス、不活性ガスの流量を計測し、流量比を変えることで調整可能である。
【００９５】
〔他のガスバリアー層〕
本発明に係るガスバリアー層は、ポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥した層に改質処理を施してなる層が最表面にあれば、２層以上の積層構造であってもよい。同じ組成のガスバリアー層を複数層形成しても、異なる組成の層を複数形成してもよい。
【００９６】
また、２層以上の積層構造である場合、本発明に係るポリシラザンを改質処理して含有する層以外に、真空プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やスパッタ法等の物理気相成長法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ法）によって形成したガスバリアー層との組み合わせであってもよい。
【００９７】
本発明の封止フィルムの可撓性（屈曲性）、機械的強度、ロール・ツー・ロールでの搬送時の耐久性と、バリアー性能とを両立する観点から、好ましい例として、真空プラズマＣＶＤ法の一態様である、基材を一対の成膜ローラー上に配置し、前記一対の成膜ローラー間に放電してプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ法により、基材上にさらにガスバリアー層を形成する方法を以下に説明する。説明にあたって、本発明の封止フィルムをガスバリアー性フィルムともいう。
【００９８】
本発明に用いられるＣＶＤ法により形成される他のガスバリアー層の好適な一実施形態として、ガスバリアー層は構成元素に炭素、ケイ素、及び酸素を含むことが好ましい。より好適な形態は、以下の（ｉ）〜（iii）の要件を満たす層である。
【００９９】
（ｉ）ガスバリアー層の膜厚方向における前記ガスバリアー層表面からの距離（Ｌ）と、ケイ素原子、酸素原子、及び炭素原子の合計量に対するケイ素原子の量の比率（ケイ素の原子比）との関係を示すケイ素分布曲線、前記Ｌとケイ素原子、酸素原子、及び炭素原子の合計量に対する酸素原子の量の比率（酸素の原子比）との関係を示す酸素分布曲線、並びに前記Ｌとケイ素原子、酸素原子、及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、前記ガスバリアー層の膜厚の９０％以上（上限：１００％）の領域で、（酸素の原子比）、（ケイ素の原子比）、（炭素の原子比）の順で多い（原子比がＯ＞Ｓｉ＞Ｃ）；
（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも二つの極値を有する；
（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値
（以下、単に「Ｃｍａｘ−Ｃｍｉｎ差」とも称する）が３ａｔ％以上である。
【０１００】
前記ケイ素分布曲線、前記酸素分布曲線、前記炭素分布曲線、及び前記酸素炭素分布曲線は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の測定とアルゴン等の希ガスイオンスパッタとを併用することにより、試料内部を露出させつつ順次表面組成分析を行う、いわゆるＸＰＳデプスプロファイル測定により作成することができる。このようなＸＰＳデプスプロファイル測定により得られる分布曲線は、例えば、縦軸を各元素の原子比（単位：ａｔ％）とし、横軸をエッチング時間（スパッタ時間）として作成することができる。なお、このように横軸をエッチング時間とする元素の分布曲線においては、エッチング時間は膜厚方向における前記ガスバリアー層の膜厚方向における前記ガスバリアー層の表面からの距離（Ｌ）におおむね相関することから、「ガスバリアー層の膜厚方向におけるガスバリアー層の表面からの距離」として、ＸＰＳデプスプロファイル測定の際に採用したエッチング速度とエッチング時間との関係から算出されるガスバリアー層の表面からの距離を採用することができる。なお、ケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線は、下記測定条件にて作成することができる。
【０１０１】
（測定条件）
エッチングイオン種：アルゴン（Ａｒ＋）
エッチング速度（ＳｉＯ２熱酸化膜換算値）：０．０５ｎｍ／ｓｅｃ
エッチング間隔（ＳｉＯ２換算値）：１０ｎｍ
Ｘ線光電子分光装置：Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、機種名“ＶＧ  Ｔｈｅｔａ  Ｐｒｏｂｅ”
照射Ｘ線：単結晶分光ＡｌＫα
Ｘ線のスポット及びそのサイズ：８００×４００μｍの楕円形。
【０１０２】
前記ガスバリアー層は、（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも二つの極値を有することが好ましい。該ガスバリアー層は、前記炭素分布曲線が少なくとも三つの極値を有することがより好ましく、少なくとも四つの極値を有することがさらに好ましいが、五つ以上有していてもよい。前記炭素分布曲線の極値が一つ以下である場合、得られるガスバリアー性フィルムを屈曲させた場合におけるガスバリアー性が不十分となる場合がある。なお、炭素分布曲線の極値の上限は、特に制限されないが、例えば、好ましくは３０以下、より好ましくは２５以下であるが、極値の数は、ガスバリアー層の膜厚にも起因するため、一概に規定することはできない。
【０１０３】
ここで、少なくとも三つの極値を有する場合においては、前記炭素分布曲線の有する一つの極値及び該極値に隣接する極値における前記ガスバリアー層の膜厚方向における前記ガスバリアー層の表面からの距離（Ｌ）の差の絶対値（以下、単に「極値間の距離」とも称する）が、いずれも２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、７５ｎｍ以下であることが特に好ましい。このような極値間の距離であれば、ガスバリアー層中に炭素原子比が多い部位（極大値）が適度な周期で存在するため、ガスバリアー層に適度な屈曲性を付与し、ガスバリアー性フィルムの屈曲時のクラックの発生をより有効に抑制・防止できる。なお、本明細書において「極値」とは、前記第１のガスバリアー層の膜厚方向における前記ガスバリアー層の表面からの距離（Ｌ）に対する元素の原子比の極大値又は極小値のことをいう。また、本明細書において「極大値」とは、ガスバリアー層の表面からの距離を変化させた場合に元素（酸素、ケイ素又は炭素）の原子比の値が増加から減少に変わる点であって、かつその点の元素の原子比の値よりも、該点からガスバリアー層の膜厚方向におけるガスバリアー層の表面からの距離をさらに４〜２０ｎｍの範囲で変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上減少する点のことをいう。すなわち、４〜２０ｎｍの範囲で変化させた際に、いずれかの範囲で元素の原子比の値が３ａｔ％以上減少していればよい。同様にして、本明細書において「極小値」とは、ガスバリアー層の表面からの距離を変化させた場合に元素（酸素、ケイ素又は炭素）の原子比の値が減少から増加に変わる点であり、かつその点の元素の原子比の値よりも、該点からガスバリアー層の膜厚方向におけるガスバリアー層の表面からの距離をさらに４〜２０ｎｍの範囲で変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上増加する点のことをいう。すなわち、４〜２０ｎｍの範囲で変化させた際に、いずれかの範囲で元素の原子比の値が３ａｔ％以上増加していればよい。ここで、少なくとも三つの極値を有する場合の、極値間の距離の下限は、極値間の距離が小さいほどガスバリアー性フィルムの屈曲時のクラック発生抑制／防止の向上効果が高いため、特に制限されないが、ガスバリアー層の屈曲性、クラックの抑制／防止効果、熱膨張性などを考慮すると、１０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましい。
【０１０４】
さらに、該ガスバリアー層は、（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値（以下、単に「Ｃｍａｘ−Ｃｍｉｎ差」とも称する）が３ａｔ％以上であることが好ましい。前記絶対値が３ａｔ％未満では、得られるガスバリアー性フィルムを屈曲させた場合に、ガスバリアー性が不十分となる場合がある。Ｃｍａｘ−Ｃｍｉｎ差は５ａｔ％以上であることが好ましく、７ａｔ％以上であることがより好ましく、１０ａｔ％以上であることが特に好ましい。上記Ｃｍａｘ−Ｃｍｉｎ差とすることによって、ガスバリアー性をより向上することができる。なお、本明細書において、「最大値」とは、各元素の分布曲線において最大となる各元素の原子比であり、極大値の中で最も高い値である。同様にして、本明細書において、「最小値」とは、各元素の分布曲線において最小となる各元素の原子比であり、極小値の中で最も低い値である。ここで、Ｃｍａｘ−Ｃｍｉｎ差の上限は、特に制限されないが、ガスバリアー性フィルムの屈曲時のクラック発生抑制／防止の向上効果などを考慮すると、５０ａｔ％以下であることが好ましく、４０ａｔ％以下であることがより好ましい。
【０１０５】
上記のプラズマＣＶＤ法により形成されるガスバリアー層の膜厚（乾燥膜厚）は、上記（ｉ）〜（iii）を満たす限り、特に制限されない。例えば、該ガスバリアー層の１層当たりの膜厚は、２０〜３０００ｎｍであることが好ましく、５０〜２５００ｎｍであることがより好ましく、１００〜１０００ｎｍであることが特に好ましい。このような膜厚であれば、ガスバリアー性フィルムは、優れたガスバリアー性及び屈曲時のクラック発生抑制／防止効果を発揮できる。なお、上記のプラズマＣＶＤ法により形成されるバリアー層が２層以上から構成される場合には、各ガスバリアー層が上記したような膜厚を有することが好ましい。
【０１０６】
本発明において、膜面全体において均一でかつ優れたガスバリアー性を有するバリアー層を形成するという観点から、前記ガスバリアー層が膜面方向（ガスバリアー層の表面に平行な方向）において実質的に一様であることが好ましい。ここで、ガスバリアー層が膜面方向において実質的に一様とは、ＸＰＳデプスプロファイル測定によりバリアー層の膜面の任意の２か所の測定箇所について前記酸素分布曲線、前記炭素分布曲線及び前記酸素炭素分布曲線を作成した場合に、その任意の２か所の測定箇所において得られる炭素分布曲線が持つ極値の数が同じであり、それぞれの炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が、互いに同じであるか若しくは５ａｔ％以内の差であることをいう。
【０１０７】
その他、ガスバリアー層の組成とガスバリアー性との関係および炭素分布曲線等の詳細については、特開２０１０−２６０３４７号公報や特開２０１１−７３４３０号公報に記載されており、周知であるので詳細な説明を省略する。
【０１０８】
（プラズマＣＶＤ法による他のガスバリアー層の形成方法）
他のガスバリアー層を基材の表面上に形成させる方法としては、ガスバリアー性の観点から、プラズマＣＶＤ法を採用することが好ましい。
【０１０９】
以下、図２を参照しながら、基材を一対の成膜ローラー上に配置し、前記一対の成膜ローラー間に放電してプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ法によるガスバリアー層の形成方法について、より詳細に説明する。なお、図２は、本製造方法よりガスバリアー層を製造するために好適に利用することが可能な製造装置の一例を示す模式図である。また、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１１０】
図２に示す製造装置３１は、送り出しローラー３２と、搬送ローラー３３、３４、３５、３６と、成膜ローラー３９、４０と、ガス供給管４１と、プラズマ発生用電源４２と、成膜ローラー３９及び４０の内部に設置された磁場発生装置４３、４４と、巻取りローラー４５とを備えている。また、このような製造装置においては、少なくとも成膜ローラー３９、４０と、ガス供給管４１と、プラズマ発生用電源４２と、磁場発生装置４３、４４とが図示を省略した真空チャンバ内に配置されている。さらに、このような製造装置３１において前記真空チャンバは図示を省略した真空ポンプに接続されており、かかる真空ポンプにより真空チャンバ内の圧力を適宜調整することが可能となっている。
【０１１１】
このような図２に示す製造装置３１を用いて、例えば、原料ガスの種類、プラズマ発生装置の電極ドラムの電力、真空チャンバ内の圧力、成膜ローラーの直径、並びにフィルム（基材）の搬送速度を適宜調整することにより、本発明に係るガスバリアー層を製造することができる。
【０１１２】
前記ガス供給管４１から対向空間に供給される成膜ガス（原料ガス等）としては、原料ガス、反応ガス、キャリアガス、放電ガスが単独又は２種以上を混合して用いることができる。ガスバリアー層１ｂの形成に用いる前記成膜ガス中の原料ガスとしては、形成するガスバリアー層１ｂの材質に応じて適宜選択して使用することができる。このような原料ガスとしては、例えば、ケイ素を含有する有機ケイ素化合物や炭素を含有する有機化合物ガスを用いることができる。このような有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが挙げられる。これらの有機ケイ素化合物の中でも、化合物の取り扱い性及び得られる第１のガスバリアー層のガスバリアー性等の特性の観点から、ヘキサメチルジシロキサン、１１，３，３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。これらの有機ケイ素化合物は、単独でも又は２種以上を組み合わせても使用することができる。
【０１１３】
また、前記成膜ガスとしては、前記原料ガスの他に反応ガスを用いてもよい。このような反応ガスとしては、前記原料ガスと反応して酸化物、窒化物等の無機化合物となるガスを適宜選択して使用することができる。酸化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンを用いることができる。
【０１１４】
上記したように、本実施形態のより好ましい態様としては、本発明に係るバリアー層を、図２に示す対向ロール電極を有するプラズマＣＶＤ装置（ロール・ツー・ロール方式）を用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜することを特徴とするものである。これは、対向ロール電極を有するプラズマＣＶＤ装置（ロール・ツー・ロール方式）を用いて量産する場合に、可撓性（屈曲性）に優れ、機械的強度、特にロール・ツー・ロールでの搬送時の耐久性と、バリアー性能とが両立するガスバリアー層を効率よく製造することができるためである。このような製造装置は、太陽電池や電子部品などに使用される温度変化に対する耐久性が求められるガスバリアー性フィルムを、安価でかつ容易に量産することができる点でも優れている。
【０１１５】
≪基材≫
本発明の封止フィルムは、基材として、プラスチックフィルム又はプラスチックシートが好ましく用いられ、無色透明な樹脂からなるフィルム又はシートがより好ましく用いられる。用いられるプラスチックフィルムは、ガスバリアー層及び樹脂層を保持できるフィルムであれば材質、厚さ等に特に制限はなく、使用目的等に応じて適宜選択することができる。前記プラスチックフィルムとしては、具体的には、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
【０１１６】
本発明の封止フィルムは、有機ＥＬ素子等の電子デバイスとして利用されることから、基材は透明であることが好ましい。すなわち、光線透過率が通常８０％以上、好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。光線透過率は、ＪＩＳＫ１０５：１９８１に記載された方法、すなわち積分球式光線透過率測定装置を用いて全光線透過率及び散乱光量を測定し、全光線透過率から拡散透過率を引いて算出することができる。
【０１１７】
本発明の封止フィルムに用いられる基材の厚さは、用途によって適宜選択されるため特に制限がないが、典型的には１〜８００μｍであり、好ましくは１０〜２００μｍである。これらのプラスチックフィルムは、透明導電層、プライマー層、クリアハードコート層等の機能層を有していても良い。機能層については、上述したもののほか、特開２００６−２８９６２７号公報の段落番号「００３６」〜「００３８」に記載されているものを好ましく採用できる。
【０１１８】
基材は、表面の平滑性が高いものが好ましい。表面の平滑性としては、平均表面粗さ（Ｒａ）が２ｎｍ以下であるものが好ましい。下限は特にないが、実用上、０．０１ｎｍ以上である。必要に応じて、基材の両面、少なくともガスバリアー層を設ける側を研摩し、平滑性を向上させておいてもよい。
【０１１９】
《機能素子の封止》
本発明の封止フィルムを用いて封止する機能素子について説明する。
【０１２０】
機能素子とは、具体的には有機ＥＬ素子や太陽電池素子等のフレキシブル電子デバイスをいう。特に有機ＥＬ素子の封止フィルムとして好適に用いられるため、有機ＥＬ素子の封止を例にとって説明する。
【０１２１】
〔有機ＥＬ素子の構成〕
本発明に係る有機ＥＬ素子は、種々の構成を採り得るが、一例を図３に示す。
【０１２２】
図３では有機ＥＬ素子に用いる基板として、樹脂基板を用いる場合について説明する。
【０１２３】
本発明に係る有機ＥＬ素子１００は、樹脂基板１１３上に設けられており、樹脂基板１１３側から順に、第一電極（透明電極）１０１、有機材料等を用いて構成された有機機能層（発光機能層）１０３、及び第二電極（対向電極）１０５ａをこの順に積層して構成されている。第一電極１０１（電極層１０１ｂ）の端部には、取り出し電極１１６が設けられている。第一電極１０１と外部電源（図示略）とは、取り出し電極１１６を介して、電気的に接続される。有機ＥＬ素子１００は、発生させた光（発光光ｈ）を、少なくとも樹脂基板１１３側から取り出すように構成されている。
【０１２４】
また、有機ＥＬ素子１００の層構造が限定されることはなく、一般的な層構造であって良い。ここでは、第一電極１０１がアノード（すなわち陽極）として機能し、第二電極１０５ａがカソード（すなわち陰極）として機能することとする。この場合、例えば、有機機能層１０３は、アノードである第一電極１０１側から順に正孔注入層１０３ａ／正孔輸送層１０３ｂ／発光層１０３ｃ／電子輸送層１０３ｄ／電子注入層１０３ｅを積層した構成が例示されるが、このうち、少なくとも有機材料を用いて構成された発光層１０３ｃを有することが必須である。正孔注入層１０３ａ及び正孔輸送層１０３ｂは、正孔輸送注入層として設けられても良い。電子輸送層１０３ｄ及び電子注入層１０３ｅは、電子輸送注入層として設けられても良い。また、これらの有機機能層１０３のうち、例えば、電子注入層１０３ｅは無機材料で構成されている場合もある。
【０１２５】
また、有機機能層１０３は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていても良い。さらに、発光層１０３ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させた構造としても良い。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。さらに、カソードである第二電極１０５ａも、必要に応じた積層構造であっても良い。このような構成において、第一電極１０１と第二電極１０５ａとで有機機能層１０３が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子１００における発光領域となる。
【０１２６】
また、以上のような層構成においては、第一電極１０１の低抵抗化を図ることを目的とし、第一電極１０１の電極層１０１ｂに接して補助電極１１５が設けられていても良い。
【０１２７】
以上のような構成の有機ＥＬ素子１００は、有機材料等を用いて構成された有機機能層１０３の劣化を防止することを目的として、樹脂基板１１３上において前述する封止フィルム１０７で封止されている。この封止フィルム１０７は接着剤として機能する本発明に係る樹脂層を介して樹脂基板１１３側に固定されている。ただし、第一電極１０１（取り出し電極１１６）及び第二電極１０５ａの端子部分は、樹脂基板１１３上において有機機能層１０３によって互いに絶縁性を保った状態で封止フィルム１０７から露出させた状態で設けられていることとする。
【０１２８】
〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
本発明に用いられる有機ＥＬ素子の製造方法は、樹脂基板上に第一電極、有機機能層及び第二電極を積層して形成する積層工程を有する。製造方法については、従来公知の製造方法を用いることができる。
【実施例】
【０１２９】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。【０１３０】
また、下記操作において、特記しない限り、操作及び物性等の測定は室温（２０〜２５℃）／相対湿度４０〜５０％の条件で行う。【０１３１】
「封止フィルム１の製造」
〔ガスバリアー層Ａ１０の形成〕
（ポリシラザン含有塗布液の調製）
無触媒のパーヒドロポリシラザンを２０質量％含むジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカ（登録商標）ＮＮ１２０−２０）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン（ＴＭＤＡＨ））５質量％を含むパーヒドロポリシラザン２０質量％のジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカ（登録商標）ＮＡＸ１２０−２０）とを、４：１の割合で混合し、さらにジブチルエーテルと２，２，４−トリメチルペンタンとの質量比が６５：３５となるように混合した溶媒で、塗布液の固形分が５質量％になるように、塗布液を希釈調製した。【０１３２】
上記で得られた塗布液を、スピンコーターにて株式会社きもと製のクリアハードコートを施したＰＥＴ基材（１２５μｍ厚）上に厚さが３００ｎｍになるよう成膜し、２分間放置した後、８０℃のホットプレートで１分間加熱処理を行い、ポリシラザン塗膜を形成した。【０１３３】
ポリシラザン塗膜を形成した後、下記の方法に従って、６０００ｍＪ／ｃｍ２の真空紫外線照射処理を施してガスバリアー層Ａ１０を形成した。【０１３４】
〈真空紫外線照射条件・照射エネルギーの測定〉
真空紫外線照射は、図４に模式図で示した装置を用いて行った。【０１３５】
図４において、２０１は装置チャンバであり、図示しないガス供給口から内部に窒素と酸素とを適量供給し、図示しないガス排出口から排気することで、チャンバ内部から実質的に水蒸気を除去し、酸素濃度を所定の濃度に維持することができる。２０２は１７２ｎｍの真空紫外線を照射する二重管構造を有するＸｅエキシマランプ、２０３は外部電極を兼ねるエキシマランプのホルダーである。２０４は試料ステージである。試料ステージ２０４は、図示しない移動手段により装置チャンバ２０１内を水平に所定の速度で往復移動することができる。また、試料ステージ２０４は図示しない加熱手段により、所定の温度に維持することができる。２０５はポリシラザン塗膜が形成された試料である。試料ステージが水平移動する際、試料の塗布層表面と、エキシマランプ管面との最短距離が３ｍｍとなるように試料ステージの高さが調整されている。２０６は遮光板であり、Ｘｅエキシマランプ２０２のエージング中に試料の塗布層に真空紫外光が照射されないようにしている。【０１３６】
真空紫外線照射工程で塗膜表面に照射されるエネルギーは、浜松ホトニクス株式会社製の紫外線積算光量計：Ｃ８０２６／Ｈ８０２５  ＵＶ  ＰＯＷＥＲ  ＭＥＴＥＲを用い、１７２ｎｍのセンサーヘッドを用いて測定した。測定に際しては、Ｘｅエキシマランプ管面とセンサーヘッドの測定面との最短距離が、３ｍｍとなるようにセンサーヘッドを試料ステージ２０４中央に設置し、かつ、装置チャンバ２０１内の雰囲気が、真空紫外線照射工程と同一の酸素濃度となるように窒素と酸素とを供給し、試料ステージ２０４を０．５ｍ／ｍｉｎの速度（図４のＶ）で移動させて測定を行った。測定に先立ち、Ｘｅエキシマランプ１２の照度を安定させるため、Ｘｅエキシマランプ点灯後に１０分間のエージング時間を設け、その後試料ステージを移動させて測定を開始した。【０１３７】
この測定で得られた照射エネルギーを元に、試料ステージの移動速度を調整することで６０００ｍＪ／ｃｍ２の照射エネルギーとなるように調整した。なお、真空紫外線照射に際しては、照射エネルギー測定時と同様に、１０分間のエージング後に行った。【０１３８】
［樹脂層の形成］
（イオン液体含有塗布液の調製）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製「８２８ＥＬ」）３０質量部、オルソトルイジンジグリシジルアミン（日本化薬社製「ＧＯＴ」）２０質量部、アクリル系コアシェル樹脂（日本ゼオン社製「Ｆ３５１」）８質量部、固体分散型硬化剤（味の素ファインテクノ社製「ＶＤＨ−Ｊ」）１８質量部、固体分散型硬化剤（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ４０−Ｊ」）２質量部、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００」）の７０質量％固形分のメチルエチルケトン（ＭＥＫという。）溶液８５質量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製「ＹＸ６９５４」）の３５質量％ＭＥＫ溶液６０質量部をアジホモミキサーロボミックス型混合撹拌機（プライミクス社製）にて混合した混合物に、イオン液体１（Ｎ−アセチルグリシン１，１−ジメチルピロリジニウム塩）３質量部、溶媒（ＭＥＫ）１５質量部、溶媒（アセトン）２０質量部とを混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、ワニス状のイオン液体含有塗布液を得た。該イオン液体含有塗布液を前記で得たバリアー層Ａ１０上に、乾燥後の熱硬化性樹脂層の厚さが４０μｍになるよう、アプリケーターにて均一に塗布し、６０〜８０℃で６分間乾燥させることにより本発明の封止フィルム１を得た。【０１３９】
「封止フィルム２の製造」
イオン液体をイオン液体２（Ｎ−アセチルグリシンテトラブチルホスホニウム塩）に変更する以外は「封止フィルム１の製造」と全く同様にして本発明の封止フィルム２を得た。【０１４０】
「封止フィルム３の製造」
イオン液体をイオン液体３（ギ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩）に変更する以外は「封止フィルム１の製造」と全く同様にして本発明の封止フィルム３を得た。【０１４１】
「封止フィルム４の製造」
〔ガスバリアー層Ａ１１の形成〕
ガスバリアー層の厚さを１５０ｎｍに変更する以外は、〔ガスバリアー層Ａ１０の形成〕と全く同様にして、ガスバリアー層Ａ１１を形成した。【０１４２】
〔ガスバリアー層Ａ２１の形成〕
パーヒドロポリシラザンを２０質量％含むジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカ（登録商標）ＮＮ１２０−２０）をジブチルエーテルで５質量％濃度まで希釈した後、アミン触媒としてＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン（ＴＭＤＡＨ）をパーヒドロポリシラザンに対して１質量％となる量で加え、さらにＡＬＣＨ（川研ファインケミカル株式会社製、アルミニウムエチルアセトアセテート・ジイソプロピレート）をパーヒドロポリシラザンに対して１質量％となる量で加え、塗布液を調製した。該塗布液を用いて前記で得たガスバリアー層Ａ１１の上に厚さ１５０ｎｍのポリシラザン塗膜を成膜し、その後、露点−３０℃にて６０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で、上記第ガスバリアー層Ａ１０の形成（塗布法）と同様の方法で真空紫外線照射処理を施して、ガスバリアー層Ａ２１を形成した。【０１４３】
前記ガスバリアー層Ａ２１上に前記「封止フィルム１の製造」で得たイオン液体含有塗布液を乾燥後の熱硬化性樹脂層の厚さが４０μｍになるよう、アプリケーターにて均一に塗布し、６０〜８０℃で６分間乾燥させることにより本発明の封止フィルム４を得た。【０１４４】
「封止フィルム５の製造」
イオン液体をイオン液体２に変更する以外は「封止フィルム４の製造」と全く同様にして本発明の封止フィルム５を得た。【０１４５】
「封止フィルム６の製造」
〔ガスバリアー層Ｃ１１の形成（スパッタ法）〕
ハードコート層（中間層）付透明樹脂基材（きもと株式会社製、クリアハードコート層（ＣＨＣ）付ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）を、株式会社アルバック製スパッタ装置の真空槽内にセットし、１０−４Ｐａ台まで真空引きし、放電ガスとしてアルゴンを分圧で０．５Ｐａ導入した。雰囲気圧力が安定したところで放電を開始し酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）ターゲット上にプラズマを発生させ、スパッタリングプロセスを開始した。プロセスが安定したところでシャッターを開きフィルムへの酸化ケイ素膜（ＳｉＯｘ）形成を開始した。１５０ｎｍの膜が堆積したところでシャッターを閉じて成膜を終了し、ガスバリアー層Ｃ１１を形成した。【０１４６】
〔ガスバリアー層Ａ１１の形成〕
ガスバリアー層の厚さを１５０ｎｍに変更する以外は、〔ガスバリアー層Ａ１０の形成〕と全く同様にして、ガスバリアー層Ｃ１１の上にガスバリアー層Ａ１１を形成した。【０１４７】
前記ガスバリアー層Ａ１１上に前記「封止フィルム１の製造」で得たイオン液体含有塗布液を乾燥後の熱硬化性樹脂層の厚さが４０μｍになるよう、アプリケーターにて均一に塗布し、６０〜８０℃で６分間乾燥させることにより本発明の封止フィルム６を得た。【０１４８】
「封止フィルム７の製造」
〔ガスバリアー層のＣ２１の形成（プラズマＣＶＤ１法）〕
株式会社きもと製のクリアハードコートを施したＰＥＴ基材（１２５μｍ厚）を、図２に示されるような製造装置３１にセットして、搬送させた。次いで、成膜ローラー３９と成膜ローラー４０との間に磁場を印加するとともに、成膜ローラー３９と成膜ローラー４０にそれぞれ電力を供給して、成膜ローラー３９と成膜ローラー４０との間に放電してプラズマを発生させた。次いで、形成された放電領域に、成膜ガス（原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）と反応ガスとして酸素ガス（放電ガスとしても機能する）との混合ガスを供給し、基材上に、プラズマＣＶＤ法にて厚さ１５０ｎｍのガスバリアー層Ｃ２１を形成した。この成膜方法を、ＣＶＤ１法という。【０１４９】
成膜条件は、以下のとおりとした。【０１５０】
（成膜条件）
原料ガスの供給量：５０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ  ｐｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ、０℃、１気圧基準）
酸素ガスの供給量：５００ｓｃｃｍ（０℃、１気圧基準）
真空チャンバ内の真空度：３Ｐａ
プラズマ発生用電源からの印加電力：０．８ｋＷ
プラズマ発生用電源の周波数：７０ｋＨｚ
フィルムの搬送速度：１．０ｍ／ｍｉｎ
ガスバリアー層Ｃ２１は、前記ＸＰＳデプスプロファイル測定により、炭素分布曲線、ケイ素分布曲線及び酸素分布曲線を作成したところ、下記（ｉ）〜（iii）を満たすことを確認した。【０１５１】
（ｉ）ガスバリアー層の膜厚方向における前記ガスバリアー層表面からの距離（Ｌ）の９０％以上の領域で、（酸素の原子比）＞（ケイ素の原子比）＞（炭素の原子比）の順である。【０１５２】
（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも二つの極値を有する。【０１５３】
（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が３ａｔ％以上である。【０１５４】
〔ガスバリアー層Ａ１１の形成〕
前記で得られたガスバリアー層Ｃ２１の上にガスバリアー層Ａ１１を形成した。【０１５５】
前記ガスバリアー層Ａ１１上に前記「封止フィルム１の製造」で得たイオン液体含有塗布液を乾燥後の熱硬化性樹脂層の厚さが４０μｍになるよう、アプリケーターにて均一に塗布し、６０〜８０℃で６分間乾燥させることにより本発明の封止フィルム７を得た。【０１５６】
「封止フィルム８の製造」
ガスバリアー層Ａ１１をガスバリアー層Ａ２１に変更する以外は「封止フィルム７の製造」と全く同様にして本発明の封止フィルム８を得た。【０１５７】
「封止フィルム９の製造」
〔ガスバリアー層のＣ１２の形成（スパッタ法）〕
ガスバリアー層の厚さを１００ｎｍに変更する以外は、〔ガスバリアー層Ｃ１１の形成〕と全く同様にして、ガスバリアー層Ｃ１２を形成した。【０１５８】
〔ガスバリアー層Ａ１２の形成〕
ガスバリアー層の厚さを１００ｎｍに変更する以外は、〔ガスバリアー層Ａ１１の形成〕と全く同様にして、ガスバリアー層Ｃ１２の上にガスバリアー層Ａ１２を形成した。【０１５９】
〔ガスバリアー層Ａ２２の形成〕
ガスバリアー層の厚さを１００ｎｍに変更する以外は、〔ガスバリアー層Ａ２１の形成〕と全く同様にして、ガスバリアー層Ａ１２の上にガスバリアー層Ａ２２を形成した。【０１６０】
前記ガスバリアー層Ａ２２上に前記「封止フィルム１の製造」で得たイオン液体含有塗布液を乾燥後の熱硬化性樹脂層の厚さが４０μｍになるよう、アプリケーターにて均一に塗布し、６０〜８０℃で６分間乾燥させることにより本発明の封止フィルム９を得た。【０１６１】
「封止フィルム１０の製造」
〔ガスバリアー層のＣ２２の形成（プラズマＣＶＤ法）〕
ガスバリアー層の厚さを１００ｎｍに変更する以外は、〔ガスバリアー層Ｃ２１の形成〕と全く同様にして、ガスバリアー層Ｃ２２を形成した。【０１６２】
ガスバリアー層Ｃ２１を前記ガスバリアー層Ｃ２２に変更する以外は「封止フィルム９の製造」と全く同様にして本発明の封止フィルム１０を得た。【０１６３】
「封止フィルム１１の製造」
〔ガスバリアー層のＣ２３の形成（プラズマＣＶＤ２法）〕
株式会社きもと製のクリアハードコートを施したＰＥＴ基材（１２５μｍ厚）を搬送させながら、下記に記載の条件に従って、プラズマ放電方式により、厚さ１００ｎｍのガスバリアー層Ｃ２３を形成した。この成膜方法を、ＣＶＤ２法という。【０１６４】
（ガスバリアー層Ｃ２３の形成）
〈ガスバリアー層Ｃ２３形成用の混合ガス組成物〉
放電ガス：窒素ガス                          ９４．９体積％
薄膜形成ガス：テトラエトキシシラン            ０．５体積％
添加ガス：酸素ガス                            ５．０体積％
（ガスバリアー層の成膜条件）
第１電極側  電源種類  応用電機製  ８０ｋＨｚ
周波数    ８０ｋＨｚ
出力密度  ８Ｗ／ｃｍ２
電極温度  １２０℃
第２電極側  電源種類  パール工業製  １３．５６ＭＨｚ  ＣＦ−５０００−１３Ｍ
周波数    １３．５６ＭＨｚ
出力密度  １０Ｗ／ｃｍ２
電極温度  ９０℃
ガスバリアー層Ｃ２３は、ＸＰＳデプスプロファイル測定により、炭素分布曲線、ケイ素分布曲線及び酸素分布曲線を作成したところ、それぞれ膜厚方向で分布が一定であり、前記（ｉ）〜（iii）を満たさないことを確認した。【０１６５】
次いで、ガスバリアー層Ｃ２２を上記ガスバリアー層Ｃ２３に変更する以外は「封止フィルム１０の製造」と全く同様にして本発明の封止フィルム１１を得た。【０１６６】
「封止フィルム１２の製造」
〔ガスバリアー層Ｃ１０の形成〕
ガスバリアー層の厚さを３００ｎｍに変更する以外は、〔ガスバリアー層Ｃ１１の形成〕と全く同様にして、ガスバリアー層Ｃ１０を形成した。【０１６７】
ガスバリアー層Ａ１０を前記ガスバリアー層Ｃ１０に変更する以外は「封止フィルム１の製造」と全く同様にして比較の封止フィルム１２を得た。【０１６８】
「封止フィルム１３の製造」
イオン液体を用いない以外は「封止フィルム１の製造」と全く同様にして比較の封止フィルム１３を得た。【０１６９】
《有機薄膜電子デバイスの作製》
本発明の封止フィルムを用いて、有機薄膜電子デバイスである有機ＥＬ素子を作製した。【０１７０】
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（ガラス基板の洗浄）
ガラス基板の洗浄は、それぞれ、クラス１００００のクリーンルーム内と、クラス１００のクリーンブース内にて行った。洗浄溶媒は半導体洗浄用洗剤及び超純水（１８ＭΩ以上、全有機炭素（ＴＯＣ）：１０ｐｐｂ未満）を用い、超音波洗浄機とＵＶ洗浄機を用いた。【０１７１】
（第一電極の形成）
ガラス基板上に、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウム・スズ（Ｉｎｄｉｕｍｕ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ））をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第一電極を形成した。なお、パターンは発光面積が５０ｍｍ平方になるようなパターンとした。【０１７２】
（正孔輸送層の形成）
正孔輸送層形成用塗布液を塗布する前に、第一電極が形成されたガラス基板の洗浄表面改質処理を、波長１８４．９ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ２、距離１０ｍｍで実施した。帯電除去処理は、微弱Ｘ線による除電器を使用し行った。【０１７３】
第一電極が形成されたガラス基板の第一電極の上に、以下に示す正孔輸送層形成用塗布液を、２５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下で、スピンコーターで塗布した後、下記の条件で乾燥及び加熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。正孔輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚さが５０ｎｍになるように塗布した。【０１７４】
〈正孔輸送層形成用塗布液の準備〉
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製  Ｂｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）を純水で６５％、メタノール５％で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。【０１７５】
〈乾燥及び加熱処理条件〉
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度１００℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理装置を用い温度１５０℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。【０１７６】
（発光層の形成）
上記で形成した正孔輸送層上に、以下に示す白色発光層形成用塗布液を、下記の条件によりスピンコーターで塗布した後、下記の条件で乾燥及び加熱処理を行い、発光層を形成した。白色発光層形成用塗布液は乾燥後の厚さが４０ｎｍになるように塗布した。【０１７７】
〈白色発光層形成用塗布液〉
ホスト材として下記化学式Ｈ−Ａで表される化合物１．０ｇと、ドーパント材として下記化学式Ｄ−Ａで表される化合物を１００ｍｇ、ドーパント材として下記化学式Ｄ−Ｂで表される化合物を０．２ｍｇ、ドーパント材として下記化学式Ｄ−Ｃで表される化合物を０．２ｍｇ、１００ｇのトルエンに溶解し白色発光層形成用塗布液として準備した。【０１７８】
【化３】
2014178254.tif 000005
【０１７９】
〈塗布条件〉
塗布工程を窒素ガス濃度９９％以上の雰囲気で、塗布温度を２５℃とした。【０１８０】
〈乾燥及び加熱処理条件〉
白色発光層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度６０℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度１３０℃で加熱処理を行い、発光層を形成した。【０１８１】
（電子輸送層の形成）
上記で形成した発光層の上に、以下に示す電子輸送層形成用塗布液を下記の条件によりスピンコーターで塗布した後、下記の条件で乾燥及び加熱処理し、電子輸送層を形成した。電子輸送層形成用塗布液は、乾燥後の厚さが３０ｎｍになるように塗布した。【０１８２】
〈塗布条件〉
塗布工程は窒素ガス濃度９９％以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を２５℃とした。【０１８３】
〈電子輸送層形成用塗布液〉
電子輸送層は下記化学式Ｅ−Ａで表される化合物を２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール中に溶解し０．５質量％溶液とし電子輸送層形成用塗布液とした。【０１８４】
【化４】
2014178254.tif 000006
【０１８５】
〈乾燥及び加熱処理条件〉
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度６０℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理部で、温度２００℃で加熱処理を行い、電子輸送層を形成した。【０１８６】
（電子注入層の形成）
上記で形成した電子輸送層上に、電子注入層を形成した。まず、基板を減圧チャンバに投入し、５×１０−４Ｐａまで減圧した。あらかじめ、真空チャンバにタンタル製蒸着ボートに用意しておいたフッ化セシウムを加熱し、厚さ３ｎｍの電子注入層を形成した。【０１８７】
（第二電極の形成）
上記で形成した電子注入層の上であって、第一電極の取り出し電極になる部分を除く部分に、５×１０−４Ｐａの真空下で、第二電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、発光面積が５０ｍｍ平方になるようにマスクパターン成膜し、厚さ１００ｎｍの第二電極を積層した。【０１８８】
（裁断）
以上のように、第二電極までが形成された各積層体を、再び窒素雰囲気に移動し、規定の大きさに、紫外線レーザーを用いて裁断し、有機ＥＬ素子を作製した。【０１８９】
（電極リード接続）
作製した有機ＥＬ素子に、ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製の異方性導電フィルムＤＰ３２３２Ｓ９を用いて、フレキシブルプリント基板（ベースフィルム：ポリイミド１２．５μｍ、圧延銅箔１８μｍ、カバーレイ：ポリイミド１２．５μｍ、表面処理ＮｉＡｕメッキ）を接続した。【０１９０】
圧着条件：温度１７０℃（別途熱伝対を用いて測定したＡＣＦ温度１４０℃）、圧力２ＭＰａ、１０秒で圧着を行った。【０１９１】
（封止）
本発明の封止フィルムを保管代用条件として環境温湿度４０℃・８０％ＲＨで３日間保存したのちに、封止フィルムの樹脂層を、酸素濃度１０ｐｐｍ以下、水分濃度１０ｐｐｍ以下のグローブボックス内で、８０℃、０．０４ＭＰａ荷重下、減圧（１×１０−３ＭＰａ以下）吸引２０秒、プレス２０秒の条件で、有機ＥＬ素子形成ガラス基板に向けて真空プレスした。【０１９２】
その後、グローブボックス内で、１１０℃のホットプレート上で３０分間加熱して本発明の封止フィルムを熱硬化させた。【０１９３】
《有機ＥＬ素子の評価》
上記作製した有機ＥＬ素子について、下記の方法に従って、加速劣化処理を施した後のダークスポットの評価を行うことにより、耐久性の評価を行った。【０１９４】
〔耐久性の評価〕
（加速劣化処理）
上記作製した各有機ＥＬ素子を、８５℃、８５％ＲＨの環境下で１０００時間の加速劣化処理を施した後、下記のダークスポットに関する評価を行った。【０１９５】
（ダークスポット（ＤＳ、黒点）の評価）
加速劣化処理を施した有機ＥＬ素子に対し、１ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、２４時間連続発光させた後、１００倍のマイクロスコープ（株式会社モリテックス製ＭＳ−８０４、レンズＭＰ−ＺＥ２５−２００）でパネルの一部分を拡大し、撮影を行った。撮影画像を２ｍｍ四方スケール相当に切り抜き、ダークスポットの発生面積比率を求め、下記の基準に従って耐久性を評価した。評価ランクが、△であれば実用的な特性、○であればより実用的な特性、◎であれば全く問題のない好ましい特性であると判定した。【０１９６】
◎：ダークスポット発生率が、０．３％未満である
○：ダークスポット発生率が、０．３％以上１．０％未満である
△：ダークスポット発生率が、１．０％以上２．０％未満である
×：ダークスポット発生率が、２．０％以上５．０％未満である
××：ダークスポット発生率が、５．０％以上である。【０１９７】
封止フィルム１〜１３の構成及びダークスポットの評価結果を下記表１に示す。【０１９８】
【表１】
2014178254.tif 000007
【０１９９】
表１より、本発明の封止フィルムは、比較例に対して加速劣化処理を行った後でも、耐透湿性が劣化せず、有機ＥＬ素子のダークスポット（ＤＳ）の発生を効果的に抑制できることが分かる。【０２００】
さらに詳細にみると、封止フィルム１〜３の結果から、イオン液体としてＮ−アセチルグリシンテトラブチルホスホニウム塩、及びギ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩がＤＳに対して優れていることが分かる。【０２０１】
また、バリアー層にアルミニウム化合物を含有した封止フィルム４，５、９〜１１は、イオン液体１を用いても、ＤＳが優れていることが分かる。【０２０２】
また、ガスバリアー層を、スパッタ、ＣＶＤ１、及びＣＶＤ２によって形成した封止フィルム９〜１１を比較すると、磁場を印加した一対のローラー間に放電空間を有する放電プラズマ化学気相成長法によりガスバリアー層を形成した封止フィルム１０が特に優れた結果を呈することが分かる。【０２０３】
また、ＣＶＤ１法及びＣＶＤ２法によってガスバリアー層を形成した封止フィルム１０及び１１の屈曲性を、下記折り曲げ試験前後の耐透湿性によって評価したところ、封止フィルム１０は、折り曲げ試験理前後の耐透湿性の変化が小さく、ガスバリアー層の層厚方向で炭素原子が前記（ｉ）〜（iii）を満たす分布状態を有していることから、屈曲性にも優れていることが分かった。【０２０４】
〈折り曲げ試験〉
封止フィルムを、半径１０ｍｍの曲率になるように、１８０度の角度で１００回屈曲を繰り返し処理し、処理前後の封止フィルムの水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）を測定し、比較した。
【産業上の利用の可能性】
【０２０５】
本発明の封止フィルムは、高湿度環境で保管された後に使用しても耐透湿性に優れた封止フィルムであり、有機エレクトロルミネッセンスパネル（有機ＥＬパネル）、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、有機光電変換素子、及び液晶表示素子等の封止材として好適に用いられる。
【符号の説明】
【０２０６】
１    封止フィルム
１ａ  基材
１ｂ  ガスバリアー層
１ｃ  樹脂層
３１    製造装置
３２    送り出しローラー
３３、３４、３５、３６    搬送ローラー
３９、４０    成膜ローラー
４１    ガス供給管
４２  プラズマ発生用電源
４３、４４    磁場発生装置
４５    巻取りローラー
１００    有機ＥＬ素子
１０１      第一電極
１０１ａ    下地層
１０１ｂ    電極層
１０３      有機機能層
１０３ａ    正孔注入層
１０３ｂ    正孔輸送層
１０３ｃ    発光層
１０３ｄ    電子輸送層
１０３ｅ    電子注入層
１０５ａ    第二電極
１０７    封止フィルム（基材＋ガスバリアー層）
１０９    樹脂層
１１３    樹脂基板(透明基板)
１１３ａ  光取り出し面
１１５    補助電極
１１６    取り出し電極
ｈ      発光光
２０１    装置チャンバ
２０２    Ｘｅエキシマランプ
２０３    ホルダー
２０４    試料ステージ
２０５    試料
２０６    遮光板
【図１】
2014178254.tif 000008
【図２】
2014178254.tif 000009
【図３】
2014178254.tif 000010
【図４】
2014178254.tif 000011
【国際調査報告】
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2014178254.tif 000013
2014178254.tif 000014
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