(57)【要約】  小型化を図ることができ、かつ弾性波素子とバンプ電極との接合強度に優れる、弾性波デバイスを提供する。  圧電基板２、ＩＤＴ電極４及び接合層を有するパッド電極５を含む弾性波素子７と、電極ランド３ａが設けられているパッケージ基板３と、前記パッド電極５と前記電極ランド３ａとを接合しているバンプ電極６とを備え、前記接合層は、第１，第２の主面を有しており、前記接合層の前記第１の主面側と前記バンプ電極６とが接合されて接合部が形成され、該接合部に合金層が形成されており、前記接合層の厚みが２０００ｎｍ以下であり、前記合金層の厚みが２１００ｎｍ以下であり、前記合金層の前記圧電基板２側の面から前記接合層の第２の主面までの距離が１９５０ｎｍ以下である、弾性波デバイス１。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続され、前記圧電基板上に配線層、バリア層及び接合層がこの順で設けられた積層構造を有するパッド電極とを含む弾性波素子と、
表面上に電極ランドが設けられているパッケージ基板と、
前記弾性波素子と前記パッケージ基板との間に隙間を設けるようにして、前記パッド電極と前記電極ランドとを電気的にかつ機械的に接合しているバンプ電極とを備え、
前記パッド電極の接合層は、前記パッケージ基板側の第１の主面と、該第１の主面と対向する第２の主面とを有しており、前記接合層の前記第１の主面側と前記バンプ電極とが接合されて接合部が形成され、該接合部に合金層が形成されており、
前記接合層の厚みが２０００ｎｍ以下であり、前記合金層の厚みが２１００ｎｍ以下であり、前記合金層の前記圧電基板側の面から前記接合層の前記第２の主面までの距離が１９５０ｎｍ以下である、弾性波デバイス。
【請求項２】
前記合金層中に存在するボイドの最大直径が２５０ｎｍ以下である、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記合金層の前記圧電基板側の面が、前記接合層の前記第２の主面に至っている、請求項１又は２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記合金層の前記圧電基板側の面が、前記接合層の第１の主面と第２の主面との間に位置している、請求項１又は２に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記接合層の厚みが４５０ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記弾性波素子の外周を覆うように前記パッケージ基板上に設けられたモールド樹脂層をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記接合層が、ＡｌまたはＡｌとＣｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種との合金を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記バンプ電極が、Ａｕを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波デバイスの製造方法であって、
前記パッド電極の接合層の厚みが２０００ｎｍ以下である弾性波素子を用意する工程と、
前記弾性波素子の前記パッド電極に、前記バンプ電極をバンプボンディングにより接合する工程と、
前記バンプ電極が接合された前記弾性波素子をフリップチップボンディングにより前記パッケージ基板に実装する工程とを備え、
前記弾性波素子を前記パッケージ基板に実装する工程において、フリップチップボンディングに際し、前記パッド電極の接合層と前記バンプ電極との接合部に、前記パッド電極の接合層の前記第２の主面までの距離が１９５０ｎｍ以下であり、かつ厚みが２１００ｎｍ以下である合金層を形成するように加熱する、弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記パッド電極の接合層の厚みが２０００ｎｍ以下である弾性波素子を用意する工程において、前記パッド電極の接合層の厚みが４５０ｎｍ以下である弾性波素子を用意する、請求項９に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子がバンプ電極を介してパッケージ基板に実装されている、弾性波デバイス及び該弾性波デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などに用いられている弾性波デバイスを小型化する手法の１つとして、バンプ電極を用いて弾性波素子をパッケージ基板に実装する方法が知られている。【０００３】
下記の特許文献１では、弾性波素子のパッド電極にバンプ電極が接合されている。上記パッド電極の最表面に厚みが８４０ｎｍである接合用Ａｌ層が形成されており、該接合用Ａｌ層が、Ａｕからなるバンプ電極と接合されている。上記接合用Ａｌ層及び上記バンプ電極は、融着により接合されており、その接合部分には、Ａｕ−Ａｌ合金層が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９７５９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のような弾性波装置では、弾性波素子をパッケージ基板に実装する際やリフローの際に熱衝撃が加わると、Ａｕ−Ａｌ合金層において、カーケンダルボイドが発生することがあった。そのため、パッド電極とバンプ電極との接合強度が低下することがあった。よって、弾性波素子とバンプ電極との接合強度が低下することがあった。【０００６】
本発明の目的は、小型化を図ることができ、かつ弾性波素子とバンプ電極との接合強度に優れる、弾性波デバイス及び該弾性波デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波デバイスは、圧電基板と、上記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、上記ＩＤＴ電極に電気的に接続され、上記圧電基板上に配線層、バリア層及び接合層がこの順で設けられた積層構造を有するパッド電極とを含む弾性波素子と、表面上に電極ランドが設けられているパッケージ基板と、上記弾性波素子と上記パッケージ基板との間に隙間を設けるようにして、上記パッド電極と上記電極ランドとを電気的にかつ機械的に接合しているバンプ電極とを備え、上記パッド電極の接合層は、上記パッケージ基板側の第１の主面と、該第１の主面と対向する第２の主面とを有しており、上記接合層の上記第１の主面側と上記バンプ電極とが接合されて接合部が形成され、該接合部に合金層が形成されており、上記接合層の厚みが２０００ｎｍ以下であり、上記合金層の厚みが２１００ｎｍ以下であり、上記合金層の上記圧電基板側の面から上記接合層の上記第２の主面までの距離が１９５０ｎｍ以下である。【０００８】
本発明に係る弾性波デバイスのある特定の局面では、上記合金層中に存在するボイドの最大直径が２５０ｎｍ以下である。【０００９】
本発明に係る弾性波デバイスの他の特定の局面では、上記合金層の上記圧電基板側の面が、上記接合層の上記第２の主面に至っている。【００１０】
本発明に係る弾性波デバイスの別の特定の局面では、上記合金層の上記圧電基板側の面が、上記接合層の第１の主面と第２の主面との間に位置している。【００１１】
本発明に係る弾性波デバイスの他の特定の局面では、上記接合層の厚みが４５０ｎｍ以下である。【００１２】
本発明に係る弾性波デバイスのさらに他の特定の局面では、上記弾性波素子の外周を覆うように上記パッケージ基板上に設けられたモールド樹脂層をさらに備える。【００１３】
本発明に係る弾性波デバイスのさらに他の特定の局面では、上記接合層は、ＡｌまたはＡｌとＣｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種との合金を含む。【００１４】
本発明に係る弾性波デバイスのさらに他の特定の局面では、上記バンプ電極は、Ａｕを含む。【００１５】
本発明に係る弾性波デバイスの製造方法は、上記弾性波デバイスの製造方法であって、上記パッド電極の接合層の厚みが２０００ｎｍ以下である弾性波素子を用意する工程と、上記弾性波素子の上記パッド電極に、上記バンプ電極をバンプボンディングにより接合する工程と、上記バンプ電極が接合された上記弾性波素子をフリップチップボンディングによりパッケージ基板に実装する工程とを備え、上記弾性波素子をパッケージ基板に実装する工程において、フリップチップボンディングに際し、上記パッド電極の接合層と上記バンプ電極との接合部に、上記パッド電極の接合層の上記第２の主面までの距離が１９５０ｎｍ以下であり、かつ厚みが２１００ｎｍ以下である合金層を形成するように加熱する。【００１６】
本発明に係る弾性波デバイスの製造方法のある特定の局面では、上記パッド電極の接合層の厚みが２０００ｎｍ以下である弾性波素子を用意する工程において、上記パッド電極の接合層の厚みが４５０ｎｍ以下である弾性波素子を用意する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、小型化を図ることができ、かつ弾性波素子とバンプ電極との接合強度に優れる、弾性波デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的正面断面図であり、図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波デバイスで用いられている弾性波素子の電極構造を示す模式的平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波デバイスで用いられている弾性波素子の配線構造を示す模式的平面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波デバイスにおける弾性波素子とパッケージ基板との接合部の模式的断面の拡大図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおける弾性波素子とパッケージ基板との接合部の模式的断面の拡大図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層のバンプ電極との接合部を除く残りの部分の厚みを２５０ｎｍとしたサンプルの、弾性波素子とバンプ電極との接合部の断面の倍率５５００倍のＳＥＭ写真である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層のバンプ電極との接合部を除く残りの部分の厚みを３５０ｎｍとしたサンプルの、弾性波素子とバンプ電極との接合部の断面の倍率５５００倍のＳＥＭ写真である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層のバンプ電極との接合部を除く残りの部分の厚みを４５０ｎｍとしたサンプルの、弾性波素子とバンプ電極との接合部の断面の倍率５５００倍のＳＥＭ写真である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層のバンプ電極との接合部を除く残りの部分の厚みを６５０ｎｍとしたサンプルの、弾性波素子とバンプ電極との接合部の断面の倍率５５００倍のＳＥＭ写真である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層の厚みと、合金層の厚みとの関係を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層の厚みをそれぞれ４５０ｎｍ、６５０ｎｍとしたときの、熱衝撃試験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的正面断面図であり、図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波デバイスで用いられている弾性波素子の電極構造を示す模式的平面図である。
【００２１】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波デバイスで用いられている弾性波素子の配線構造を示す模式的平面図である。
【００２２】
弾性波デバイス１は、弾性波素子７を備えている。弾性波素子７は、圧電基板２、ＩＤＴ電極４及びパッド電極５を有する。圧電基板２は、主面２ａを有する。圧電基板２としては、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３等の圧電単結晶からなる基板を用いることができる。
【００２３】
圧電基板２の主面２ａ上には、ＩＤＴ電極４が設けられている。ＩＤＴ電極４は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗまたはこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。ＩＤＴ電極４は、単層であってもよいし、２種以上の金属層が積層された積層体であってもよい。本実施形態においては、圧電基板２の主面２ａ上にＴｉ層及びＡｕＣｕ合金層がこの順に積層されて、ＩＤＴ電極４が設けられている。
【００２４】
図１（ａ）では略図的に示しているが、圧電基板２上には、図１（ｂ）に示す電極構造が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極４と、ＩＤＴ電極４の弾性表面波伝搬方向両側に配置された反射器９，１０とが形成されている。それによって、１ポート型弾性表面波共振子が構成されている。もっとも、本発明におけるＩＤＴ電極を含む電極構造は特に限定されない。複数の共振子を組み合わせて、フィルタが構成されていてもよい。このようなフィルタとしては、ラダー型フィルタ、縦結合共振子型フィルタ、ラチス型フィルタ等が挙げられる。
【００２５】
圧電基板２の主面２ａ上には、パッド電極５が積層されている。パッド電極５は，ＩＤＴ電極４と電気的に接続されている。パッド電極５は、適宜の金属により構成されている。具体的には、パッド電極５は、後述する金属層が積層されて構成されている。
【００２６】
なお、図１（ａ）においては、本発明の構成を分かりやすく示すために、圧電基板２の主面２ａ上にはＩＤＴ電極４及びパッド電極５のみが図示されているが、実際には、図２に模式的平面図で示すように、圧電基板２上にはさらにＩＤＴ電極４とパッド電極５を接続するための配線電極１１が設けられている。
【００２７】
図１（ａ）に戻り、弾性波素子７は、パッケージ基板３に実装されている。パッケージ基板３は、矩形板状の形状である。パッケージ基板３は、アルミナなどの絶縁性セラミックス、あるいは絶縁性樹脂などにより構成することができる。
【００２８】
弾性波素子７は、バンプ電極６を介して、パッケージ基板３に電気的にかつ機械的に接合されている。より詳細には、図１（ａ）に示すように、弾性波素子７の構成部材であるパッド電極５がバンプ電極６に接合されている。他方、パッケージ基板３は上面に電極ランド３ａを有している。電極ランド３ａはバンプ電極６に接合されている。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、本実施形態においては、弾性波素子７のパッド電極５、バンプ電極６及びパッケージ基板３により、圧電基板２上のＩＤＴ電極４が臨む中空空間２ｃが形成されている。それによって、いわゆるチップサイズパッケージ構造が実現されている。
【００３０】
本実施形態において、バンプ電極６及びパッケージ基板３の電極ランド３ａは、Ａｕにより形成されている。もっとも、バンプ電極６及びパッケージ基板３の電極ランド３ａは、他の適宜の金属材料によって形成されていてもよい。
【００３１】
パッケージ基板３上には、弾性波素子７を覆うように、モールド樹脂層８が設けられている。モールド樹脂層８の材料としては、例えばエポキシ樹脂等の適宜の樹脂が用いられる。
【００３２】
図３は、第１の実施形態に係る弾性波デバイス１の弾性波素子７とパッケージ基板３との接合部の模式的断面の拡大図である。パッド電極５は、密着層５Ｄ、配線層５Ｃ、バリア層５Ｂ及び接合層５Ａにより形成されている。圧電基板２側から密着層５Ｄ、配線層５Ｃ、バリア層５Ｂ及び接合層５Ａの順に圧電基板２上に積層されている。なお圧電基板２と配線層５Ｃとの接合強度を高めるため、圧電基板２と配線層５Ｃとは、Ｔｉからなる密着層５Ｄを介して接合している。なお、密着層５Ｄは省略することができる。
【００３３】
配線層５Ｃは、ＡｌとＣｕとの合金（ＡｌＣｕ合金）により形成されている。バリア層５Ｂは、Ｔｉにより形成されている。
【００３４】
接合層５Ａは、第１，第２の主面５ａ，５ｂを有する。接合層５ＡはＡｌ又はＡｌと他の金属との合金により形成されている。他の金属としては、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種が用いられる。本実施形態では、接合層５ＡはＡｌである。
【００３５】
図３に示すように、パッド電極５の接合層５Ａが、バンプ電極６に接合されている。接合層５Ａは、互いに対向する第１の主面５ａと第２の主面５ｂとを有する。接合層５Ａの第１の主面５ａは、パッケージ基板３側に位置しており、バンプ電極６と接合されている。また、接合層５Ａの第２の主面５ｂは圧電基板２側に位置する。Ａｌの接合層５ＡとＡｕのバンプ電極６との金属拡散による接合部には、合金層１２が形成されている。合金層１２は、ＡｕＡｌ合金からなる。なお、本実施形態においては、合金層１２が、接合層５Ａの第２の主面５ｂには至っていない。すなわち、合金層１２の圧電基板２側の面１２ａが、接合層５Ａの第１の主面５ａと第２の主面５ｂとの間に位置している。
【００３６】
本実施形態において、接合層５Ａの厚みＴは２０００ｎｍ以下である。より具体的には、第１の主面５ａの法線に平行な方向から接合層５Ａを見たときの、接合層５Ａのバンプ電極６との接合部を除く残りの部分５ｃの厚みが、接合層５Ａの厚みＴである。すなわち、厚み方向において、接合層５Ａの第１の主面５ａと第２の主面５ｂを結ぶ距離が２０００ｎｍ以下である。更に、詳細は後述するが、接合層５Ａの厚みＴを４５０ｎｍ以下とした場合、接合層５Ａの全ての厚みがバンプ電極６との合金層１２に変化したとき、接合層５Ａとバンプ電極６とが変化して生じた合金層１２の厚みＡを２１００ｎｍ以下に抑制することができる。なお、第１の主面の法線と平行に延びる方向を厚み方向と呼ぶ。
【００３７】
また、本実施形態において、厚み方向において、合金層１２の圧電基板２側の面１２ａから接合層５Ａの第２の主面５ｂまでの距離は１９５０ｎｍ以下であり、接合層５Ａとバンプ電極６との合金層１２の厚みＡは、２１００ｎｍ以下である。合金層１２の圧電基板２側の境界である面１２ａから接合層５Ａの第２の主面５ｂまでの、接合層５Ａにおける未合金層の厚みＢを１９５０ｎｍ以下で、かつ、合金層１２の厚みＡを２１００ｎｍ以下とすることで、周囲温度の上昇に起因して発生する合金層１２と未合金層との相互拡散の量を抑制できる。この相互拡散時に発生する拡散速度の不均衡により発生するボイド、すなわちカーケンダルボイドの発生が抑制できる。
【００３８】
このように、本実施形態においては、接合層５Ａのバンプ電極６との接合部を除く残りの部分５ｃの厚み、すなわち接合層５Ａの厚みＴ、合金層１２の圧電基板２側の面１２ａから接合層５Ａの第２の主面５ｂまでの距離及び合金層１２の厚みＡが上記範囲に限定されているため、接合層５Ａとバンプ電極６の接合部にカーケンダルボイドが発生し難い。特に合金層１２、合金層１２とバンプ電極６又は接合層５Ａとの界面にカーケンダルボイドが発生し難い。また、発生したとしても、カーケンダルボイドの最大直径は２５０ｎｍ以下である。なお、カーケンダルボイドの断面形状が円状ではなく、楕円状である場合は、カーケンダルボイドの長径が２５０ｎｍ以下である。また、カーケンダルボイドが、長手方向を有するような不規則な形状である場合は、カーケンダルボイドの最大外寸が２５０ｎｍ以下である。
【００３９】
従って、熱衝撃が加わっても、接合層５Ａとバンプ電極６の接合強度が低下し難い。よって、チップサイズパッケージ構造により小型化を進めることができる。
【００４０】
（弾性波デバイスの製造方法）
弾性波デバイス１の製造方法では、まず、圧電基板２上にＩＤＴ電極４及びパッド電極５が設けられている弾性波素子７を用意する。パッド電極５としては、接合層５Ａの厚みＴが２０００ｎｍ以下のものが用いられる。上述したカーケンダルボイドの発生をより一層抑制する観点から、パッド電極５としては、接合層５Ａの厚みＴが４５０ｎｍ以下のものを用いることが好ましい。
【００４１】
次に、弾性波素子７のパッド電極５の接合層５Ａにバンプ電極６をバンプボンディングで接合する。しかる後、バンプ電極６が接合された弾性波素子７を、フリップチップボンディングでパッケージ基板３に実装することにより、弾性波デバイス１が製造される。
【００４２】
なお、本発明に係る弾性波デバイスの製造方法においては、フリップチップボンディングに際し、パッド電極の接合層とバンプ電極との接合部に、パッド電極の接合層の第２の主面までの距離が１９５０ｎｍ以下であり、かつ厚みが２１００ｎｍ以下である合金層を形成するように加熱する。
【００４３】
これにより、パッド電極の接合層とバンプ電極との接合部におけるカーケンダルボイドの発生を抑制することができる。すなわち、弾性波素子とバンプ電極との接合強度に優れた弾性波デバイスを得ることができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおける弾性波素子７とパッケージ基板３との接合部の模式的断面の拡大図である。第２の実施形態では、合金層１２が、接合層５Ａの第２の主面５ｂに至っている。その他の点は、第１の実施形態と同じ構成である。
【００４５】
上記のように第２の実施形態に係る弾性波デバイスでは、合金層１２が接合層５Ａの第２の主面５ｂに至っているため、接合層５Ａとバンプ電極６との接合部におけるカーケンダルボイドの発生をより一層抑制することができる。よって、熱衝撃による弾性波素子７とバンプ電極６との接合強度の低下をより一層抑制することができる。
【００４６】
なお、より一層効果的にカーケンダルボイドの発生を抑制する観点から合金層１２は、接合層５Ａの第２の主面５ｂを越えて、拡散防止層であるバリア層５Ｂにまで至っていてもよい。
【００４７】
図５〜図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層の厚みＴをそれぞれ２５０ｎｍ、３５０ｎｍ、４５０ｎｍ及び６５０ｎｍとしたサンプルの、弾性波素子７とバンプ電極６との接合部の断面の倍率５５００倍におけるＳＥＭ写真である。図５〜図８においては、上から圧電基板２、パッド電極５、合金層１２及びバンプ電極６がこの順に積層されている部分の断面図が示されている。
【００４８】
なお、以下接合層５Ａの厚みＴは、接合層５Ａにおける第１の主面と第２の主面と間の距離であって、図３、図４に示すように、厚み方向から見て、接合層５Ａにおける接合部と重なる部分を除く残りの部分５ｃの厚みを意味するものとする。
【００４９】
パッド電極５は、圧電基板２側から密着層５Ｄ、配線層５Ｃ、バリア層５Ｂ、接合層５Ａまたはバンプ電極６との合金層１２がこの順に積層されることにより形成されている。なお圧電基板２と配線層５Ｃとの接合強度を高めるため、圧電基板２と配線層５Ｃとは、Ｔｉからなる密着層５Ｄを介して接合した。なお、密着層５Ｄは省略することができる。
【００５０】
図５及び図６から明らかなように、接合層５Ａの厚みＴが２５０ｎｍ又は３５０ｎｍの場合、カーケンダルボイドは発生していない。
【００５１】
また、図７に示す接合層５Ａの厚みＴが４５０ｎｍであるサンプルにおいては、合金層１２とバンプ電極６の接合部にカーケンダルボイド１３が発生していたが、カーケンダルボイド１３の最大直径は２５０ｎｍ以下であった。
【００５２】
他方、図８に示す接合層５Ａの厚みＴが６５０ｎｍであるサンプルにおいては、最大直径が２５０ｎｍより大きいカーケンダルボイド１３が観察された。
【００５３】
上記ＳＥＭ写真の観察結果より、接合層５Ａの厚みＴが３５０ｎｍ以下である場合、カーケンダルボイド１３の発生そのものが抑制され、接合層５Ａの厚みＴが４５０ｎｍ以下である場合、最大直径が２５０ｎｍより大きいカーケンダルボイド１３の発生が抑制されていることがわかる。
【００５４】
図９は、接合層５Ａの厚みＴと合金層１２の厚みＡとの関係を示す図である。図９から、接合層５Ａの厚みＴと合金層１２の厚みＡは比例関係にあることがわかる。また、接合層５Ａの厚みＴが４５０ｎｍのとき、合金層１２の厚みＡは、２１００ｎｍであった。従って、合金層１２の厚みＡが２１００ｎｍ以下である場合、最大直径が２５０ｎｍより大きいカーケンダルボイド１３の発生が抑制されることとなる。
【００５５】
従って、合金層１２が接合層５Ａの第２の主面５ｂに至っている第２の実施形態においては、接合層５Ａの厚みＴが４５０ｎｍ以下、すなわち合金層１２の厚みＡが２１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５６】
また、カーケンダルボイド１３の発生そのものを抑制し得ることから、接合層５Ａの厚みＴが３５０ｎｍ以下、すなわち合金層１２の厚みＡが１８００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００５７】
さらに、カーケンダルボイド１３の発生そのものを確実に抑制できることから、接合層５Ａの厚みＴが２５０ｎｍ以下、すなわち合金層１２の厚みＡが１５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００５８】
図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいて、接合層５Ａの厚みＴをそれぞれ４５０ｎｍ、６５０ｎｍとしたときの、熱衝撃試験結果を示す図である。図中、縦軸は、熱衝撃試験による弾性波デバイスの故障確率Ｆ（ｔ）であり、横軸は、熱衝撃試験のサイクル数である。
【００５９】
具体的には、試料３０個を用いて、−４０℃から１２５℃まで昇温し、続いて１２５℃から−４０℃に降温するまでを１サイクルとするサイクル試験により熱衝撃をＮ回加えた後、パッド電極５−電極ランド３ａ間の室温（２５℃）での抵抗をＪＩＳ規格（ＪＩＳ  Ｃ  ６００６８−２−１４）に基づいて測定した。また、各温度における保持時間を３０分間とした。
【００６０】
故障確率Ｆ（ｔ）は、パッド電極５−電極ランド３ａ間が開放したものを故障サンプルとし、下記式により算出した。
【００６１】
故障確率Ｆ（ｔ）＝故障サンプル数／試験数×１００
【００６２】
図１０より、接合層５Ａの厚みＴが４５０ｎｍのサンプルでは、６５０ｎｍのサンプルと比較して、故障確率が低いことがわかる。なお、図示を省略しているが、接合層５Ａの厚みＴが２５０ｎｍのサンプルでは、１０００サイクル（ｃｙｃ）においても、故障サンプルが発生しなかった。
【００６３】
上記熱衝撃試験の結果より、接合層５Ａの厚みＴが小さいほど、熱衝撃による故障確率が低められていることが確認できた。すなわち、接合層５Ａの厚みＴが小さいほど、弾性波素子７とバンプ電極６との接合強度の低下が抑制されていることが確認できた。
【００６４】
以上のように、合金層１２が、接合層５Ａの第２の主面５ｂに至っている第２の実施形態に係る弾性波デバイスにおいては、接合層５Ａの厚みＴを４５０ｎｍ以下、すなわち合金層１２の厚みＡを２１００ｎｍ以下とすることにより、最大直径が２５０ｎｍより大きいカーケンダルボイドの発生が抑制される。その結果、熱衝撃による弾性波素子７とバンプ電極６との接合強度の低下を抑制することができる。
【００６５】
また、接合層５Ａの厚みＴを３５０ｎｍ以下、すなわち合金層１２の厚みＡを１８００ｎｍ以下とすることで、カーケンダルボイドの発生そのものが抑制されるため、熱衝撃による弾性波素子７とバンプ電極６の接合強度の低下をより一層抑制することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１…弾性波デバイス
２…圧電基板
２ａ…圧電基板２の主面
２ｃ…中空空間
３…パッケージ基板
３ａ…電極ランド
４…ＩＤＴ電極
５…パッド電極
５ａ…第１の主面
５ｂ…第２の主面
５ｃ…残りの部分
５Ａ…接合層
５Ｂ…バリア層
５Ｃ…配線層
５Ｄ…密着層
６…バンプ電極
７…弾性波素子
８…モールド樹脂層
９，１０…反射器
１１…配線電極
１２…合金層
１２ａ…合金層１２のパッド電極５側の面
１３…カーケンダルボイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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