(57)【要約】  入力部と、出力部と、入力部と出力部との間にラダー型に接続された、ＩＤＴ電極を備える複数の直列共振子および複数の並列共振子とを備え、複数の並列共振子は、共振周波数が複数の直列共振子の共振周波数よりも低い、少なくとも１つの第１並列共振子と、共振周波数が複数の前記直列共振子の反共振周波数よりも高い、少なくとも１つの第２並列共振子とを備える。
2016121818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力部と、
出力部と、
前記入力部と前記出力部との間にラダー型に接続された、ＩＤＴ電極を備える複数の直列共振子および複数の並列共振子とを備え、
複数の該並列共振子は、
共振周波数が複数の前記直列共振子の共振周波数よりも低い、少なくとも１つの第１並列共振子と、
共振周波数が複数の前記直列共振子の反共振周波数よりも高い、少なくとも１つの第２並列共振子と
を備える、フィルタ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第２並列共振子は、それぞれ弾性波の伝搬方向において前記ＩＤＴ電極の両側に配置された、複数本のストリップを備えた開放型の反射器を備える、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第１並列共振子および前記少なくとも１つの第２並列共振子は、それぞれ弾性波の伝搬方向において前記ＩＤＴ電極の両側に配置された、複数本のストリップを備えた反射器を有し、
前記少なくとも１つの第２並列共振子は、前記反射器の前記ストリップの本数が前記少なくとも１つの第１並列共振子における前記反射器の前記ストリップの本数よりも少ない、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの第２並列共振子が備えている前記反射器が開放型である、請求項３に記載のフィルタ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの第２並列共振子は、前記ＩＤＴ電極のみを備える、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第１並列共振子および前記少なくとも１つの第２並列共振子は、弾性波の伝搬方向において前記ＩＤＴ電極の両側に配置された反射器を有し、
前記少なくとも１つの第１並列共振子の前記反射器は基準電位に接続されており、
前記少なくとも１つの第２並列共振子の前記反射器は浮き電位になっている、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項７】
複数の前記直列共振子は、弾性波の伝搬方向において前記ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、複数の前記直列共振子の少なくとも１つの前記反射器は浮き電位になっている、請求項６に記載のフィルタ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第２並列共振子は、該第２並列共振子の共振周波数が通過帯域よりも高い、請求項１乃至７のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの第２並列共振子は、前記ＩＤＴ電極が、複数本の第１電極指と、これに交差する複数本の第２電極指とを備え、複数本の前記第１電極指と複数本の前記第２電極指とは互いに異なる電位に接続されており、複数本の前記第１電極指のそれぞれの先端を結ぶ仮想線が弾性波の伝搬方向に対して傾斜している、請求項１乃至８のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの第２並列共振子は、前記ＩＤＴ電極が、複数本の第１電極指と、これに交差する複数本の第２電極指とを備え、複数本の前記第１電極指と複数本の前記第２電極指とは互いに異なる電位に接続されており、複数本の前記第１電極指は、隣り合って配置される２本以上の隣接電極指を含む、請求項１乃至８のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項１１】
前記第２並列共振子は、前記第１並列共振子に比べて静電容量が小さい、請求項１乃至１０のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項１２】
前記第１並列共振子は、複数の前記並列共振子のうちで最も前記出力部の側に設けられている、請求項１乃至１０のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項１３】
第１端子と第２端子と第３端子とを備え、
前記第１端子と前記第２端子との間に電気的に接続された請求項１乃至１２のいずれかに記載のフィルタからなる第１フィルタと、
前記第１端子と前記第３端子との間に電気的に接続された、前記第１フィルタの通過帯域よりも高周波側に通過帯域を有する第２フィルタとを備える、分波器。
【請求項１４】
前記第２フィルタの通過帯域内に、前記第２並列共振子の共振周波数が位置している、請求項１３に記載の分波器。
【請求項１５】
アンテナと、
該アンテナに電気的に接続された請求項１３または１４に記載の分波器と、
該分波器に電気的に接続されたＲＦ−ＩＣとを備える通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタとそれを用いた分波器，通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体端末等の通信装置において、アンテナから送信・受信される信号をフィルタリングするフィルタに弾性波素子が用いられている。弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板の主面に形成された励振電極によって構成されている。フィルタは、励振電極と圧電基板との関係で電気信号と弾性表面波とを相互に変換することができる特性を利用するものである。【０００３】
特開平５−１８３３８０号公報には、複数の弾性波素子をラダー型に接続してなるフィルタ開示されている。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の一実施形態に係るフィルタは、入力部と、出力部と、複数の直列共振子と、複数の並列共振子と、を備える。複数の前記直列共振子と複数の前記並列共振子とは、ＩＤＴ電極を備えるものであり、前記入力部と前記出力部との間にラダー型に接続される。そして、複数の前記並列共振子は、少なくとも１つの第１並列共振子と少なくとも１つの第２並列共振子とを備える。前記第１並列共振子は、共振周波数が、前記直列共振子の共振周波数よりも低い。前記第２並列共振子は、共振周波数が、前記直列共振子の反共振周波数よりも高い。
【０００５】
本開示の一実施形態に係る分波器は、第１端子と、第２端子と、第３端子と、第１フィルタと、第２フィルタとを含む。前記第１フィルタは、前記第１端子と前記第２端子との間に電気的に接続された上記のフィルタを含む。前記第２フィルタは、前記第１端子と前記第３端子との間に電気的に接続され、前記第１フィルタの通過帯域よりも高周波側に通過帯域を有する。
【０００６】
本開示の一実施形態に係る通信装置は、アンテナと、該アンテナに電気的に接続された上記分波器と、該分波器に電気的に接続されたＲＦ−ＩＣとを備えるものである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る通信装置の概略図である。
【図２】一実施形態に係るフィルタを用いた分波器の回路図である。
【図３】一実施形態に係るフィルタの平面図である。
【図４】フィルタを構成する弾性波素子の平面図である。
【図５】図４の弾性波素子において、Ｖ−Ｖ線で切断した断面の要部拡大図である。
【図６】他の実施形態の第２並列共振子の概略図である。
【図７】他の実施形態の第２並列共振子の概略図である。
【図８】他の実施形態の第２並列共振子の概略図である。
【図９】実施例に係るフィルタのモデルの概略図である。
【図１０】実施例１および比較例１にかかるフィルタのフィルタ特性をシミュレーションした結果を示す線図である。
【図１１Ａ】実施例１および実施例２に係る第２並列共振子Ｐｙの特性を示す線図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａの反共振周波数近傍の特性を拡大した図である。
【図１２】実施例１および実施例２にかかるフィルタのフィルタ特性をシミュレーションした結果を示す線図である。
【図１３】実施例２および実施例３にかかるフィルタのフィルタ特性をシミュレーションした結果を示す線図である。
【図１４】他の実施形態の第２並列共振子の概略図である。
【図１５】他の実施形態に係るフィルタの平面図である。
【図１６】他の実施形態に係るフィルタの平面図である。
【図１７】実施例に係るフィルタ素子のモデルの概略図である。
【図１８】実施例１および比較例１にかかるフィルタ素子のフィルタ特性をシミュレーションした結果を示す線図である。
【図１９】実施例１および比較例２にかかるフィルタ素子のフィルタ特性をシミュレーションした結果を示す線図である。
【図２０Ａ】比較例３，４にかかるフィルタ素子の通過帯域付近のフィルタ特性をシミュレーションした結果を示す線図である。
【図２０Ｂ】比較例３，４にかかるフィルタ素子の通過帯域外のフィルタ特性をシミュレーションした結果を示す線図である。
【図２１】フィルタの変形例の断面図である。
【図２２】フィルタの変形例の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の一実施形態に係るフィルタ，分波器および通信装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【０００９】
フィルタは、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。なお、直交座標系ｘｙｚは、フィルタの形状に基づいて定義されているものであり、圧電基板の結晶軸を指すものではない。
【００１０】
＜＜第１実施形態＞＞
＜通信装置＞
図１は、本開示の実施形態に係る通信装置１０１の要部を示すブロック図である。通信装置１０１は、電波を利用した無線通信を行うものである。分波器７は、通信装置１０１において送信周波数の信号と受信周波数の信号とを分波する機能を有している。
【００１１】
通信装置１０１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１０３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１０５によって送信用の通過帯域以外の不要成分が除去され、増幅器１０７によって増幅されて分波器７に入力される。分波器７は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯域以外の不要成分を除去してアンテナ１０９に出力する。アンテナ１０９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号に変換して送信する。
【００１２】
通信装置１０１において、アンテナ１０９によって受信された無線信号は、アンテナ１０９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器７に入力される。分波器７は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯域以外の不要成分を除去して増幅器１１１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１１１によって増幅され、バンドパスフィルタ１１３によって受信用の通過帯域以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１０３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
【００１３】
送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯域は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。
【００１４】
＜分波器＞
図２は、本開示の一実施形態に係るフィルタ１を用いた分波器７の構成を示す回路図である。より具体的には、分波器７とアンテナ１０９とを示す回路図であり、アンテナを除く部分が分波器７である。分波器７は、図１において通信装置１０１に使用されている分波器である。分波器７は、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とを備えている。この例では、第１フィルタ１１として送信フィルタを、第２フィルタ１２として、送信フィルタよりも通過帯域が高周波側に位置する受信フィルタを備える場合を示している。第１フィルタ１１および／または第２フィルタ１２を構成するフィルタは、圧電基板２上に配置された共振子で構成されている。
【００１５】
フィルタ１は、例えば、図２に示した分波器７における第１フィルタ１１である。第１フィルタ１１は複数のＳＡＷ共振子でラダー型フィルタ回路を構成している。第１フィルタ１１は、図２に示すように、圧電基板２（不図示）と、圧電基板２上に形成された直列共振子Ｓ１〜Ｓ３および並列共振子Ｐ１〜Ｐ３を有する。
【００１６】
分波器７は、第１端子８と第２端子９と第３端子１０とを備えている。この例では第１端子８はアンテナ端子として機能し、第２端子９は送信端子として機能し、第３端子１０は受信端子として機能する。そして、分波器７は、第１端子８と第２端子９との間に配置された第１フィルタ１１と、第１端子８と第３端子１０との間に配置された第２フィルタ１２とから主に構成されている。
【００１７】
第２端子９には増幅器１０７からの送信信号ＴＳが入力される。第２端子９に入力された送信信号ＴＳは、第１フィルタ１１において送信用の通過帯域以外の不要成分が除去されて第１端子８に出力される。また、第１端子８にはアンテナ１０９から受信信号ＲＳが入力され、第２フィルタ１２において受信用の通過帯域以外の不要成分が除去されて第３端子１０に出力される。
【００１８】
第１フィルタ１１は、この例では、ラダー型ＳＡＷフィルタによって構成されている。ここで、ＳＡＷとは弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を指す。具体的に第１フィルタ１１は、その入力側と出力側との間において直列に接続された３個の直列共振子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と、直列共振子同士を接続するための配線である直列腕と基準電位部Ｇｎｄとの間に設けられた３個の並列共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３とを有する。すなわち、第１フィルタ１１は３段構成のラダー型フィルタである。ただし、第１フィルタ１１においてラダー型フィルタの段数は任意である。
【００１９】
並列共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と基準電位Ｇｎｄとの間には、インダクタＬが設けられている。このインダクタＬのインダクタンスを所定の大きさに設定することによって、送信信号の伝送特性を調整することができる。
【００２０】
第２フィルタ１２は、例えば、多重モード型ＳＡＷフィルタ１７と、その入力側に直列に接続された補助共振子１８とを有している。なお、本実施形態において、多重モードは、２重モードを含むものとする。多重モード型ＳＡＷフィルタ１７は、平衡−不平衡変換機能を有しており、第２フィルタ１２は平衡信号が出力される２つの受信端子１０に接続されている。第２フィルタ１２は多重モード型ＳＡＷフィルタ１７によって構成されるものに限られず、ラダー型フィルタによって構成してもよいし、平衡−不平衡変換機能を有していないフィルタであってもよい。
【００２１】
第１フィルタ１１、第２フィルタ１２および第１端子８の接続点と基準電位Ｇｎｄとの間には、インダクタなどからなるインピーダンスマッチング用の回路を挿入してもよい。
【００２２】
＜フィルタ＞
ラダー型フィルタを構成する第１フィルタ１１に使用するフィルタ１について説明する。フィルタ１を用いることにより、送信信号の通過周波数の帯域外において減衰を大きくすることができる。
【００２３】
図３は、本発明の一実施形態に係るフィルタ１の構成を示す平面図である。図３は模式図であるため、電極指３２やストリップ４２の本数やピッチ、デューティー等は実際とは異なる。
【００２４】
図３に示す通り、フィルタ１は、圧電基板２と、複数の直列共振子Ｓ１〜Ｓ３と、複数の並列共振子Ｐ１〜Ｐ３とを備える。直列共振子Ｓ１〜Ｓ３，並列共振子Ｐ１〜Ｐ３は、入力部Ｉと出力部Ｏとの間に配線２０によりラダー型に接続されている。具体的には、配線２０は、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３を直列に接続する直列腕２０ｓと、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３を直列腕２０ｓと基準電位Ｇｎｄとの間に接続する並列腕２０ｐとを有する。そして、入力部Ｉは第２端子９に電気的に接続される。出力部Ｏは第１端子８に電気的に接続される。
【００２５】
直列共振子Ｓ１〜Ｓ３，並列共振子Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれは弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子で構成される。なお、圧電基板２の外縁の表示は省略している。
【００２６】
図４は、例えば、直列共振子Ｓ１を構成する模式的な弾性波素子の平面図であり、図５は図４のＶ−Ｖ線における要部拡大断面図である。ＳＡＷ素子は、図４および図５に示すように、圧電基板２の上面２Ａに設けられたＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極３を備える。これらの図に示すように、ＳＡＷ素子は反射器４を備えてもよい。
【００２７】
圧電基板２は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）結晶からなる圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。具体的には、例えば、圧電基板２は、３６°〜４８°Ｙ−ＸカットのＬｉＴａＯ３基板によって構成されている。圧電基板２の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板２の厚み（ｚ方向）は、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
【００２８】
ＩＤＴ電極３は、図４に示すように、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを有している。なお、以下の説明では、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを単に櫛歯電極３０といい、これらを区別しないことがある。そして、第１櫛歯電極３０ａと第２櫛歯電極３０ｂとは互いに異なる電位に接続されている。
【００２９】
櫛歯電極３０は、図４に示すように、互いに対向する２本のバスバー３１と、各バスバー３１から他のバスバー３１側へ延びる複数の電極指３２とを有している。そして、１対の櫛歯電極３０は、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂと、弾性波の伝搬方向に互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。すなわち、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂとが交互の配列されている。
【００３０】
また、櫛歯電極３０は、それぞれの電極指３２と対向するダミー電極指３３を有している。第１ダミー電極指３３ａは、第１バスバー３１ａから第２電極指３２ｂに向かって延びている。第２ダミー電極指３３ｂは、第２バスバー３１ｂから第１電極指３２ａに向かって延びている。なお、ダミー電極指３３を配置しなくてもよい。
【００３１】
バスバー３１は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。従って、バスバー３１の互いに対向する側の縁部は直線状である。複数の電極指３２は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。
【００３２】
ＩＤＴ電極３を構成する一対の櫛歯電極３０の複数の電極指３２は、ピッチＰｔ１となるように設定されている。ピッチＰｔ１は、例えば、共振させたい周波数での弾性波の波長λの半波長と同等となるように設けられている。波長λ（２×Ｐｔ１）は、例えば、１．５μｍ以上６μｍ以下である。ＩＤＴ電極３は、ほとんどの複数の電極指３２がピッチＰｔ１となるように配置することにより、複数の電極指３２が一定の周期となるような配置となるため、弾性波を効率よく発生させることができる。
【００３３】
ここでピッチＰｔ１は、伝搬方向において、第１電極指３２ａの中心から、当該第１電極指３２ａに隣接する第２電極指３２ｂの中心までの間隔を指すものである。各電極指３２は、弾性波の伝搬方向における幅ｗ１が、ＳＡＷ素子に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。電極指３２の幅ｗ１は、例えば、ピッチＰｔ１に対して０．３倍以上０．７倍以下である。
【００３４】
このように電極指３２を配置することで、複数の電極指３２に直交する方向に伝搬する弾性波が発生する。従って、圧電基板２の結晶方位を考慮したうえで、２本のバスバー３１は、弾性波を伝搬させたい方向に交差する方向において互いに対向するように配置される。複数の電極指３２は、弾性波を伝搬させたい方向に対して直交する方向に延びるように形成される。なお、弾性波の伝搬方向は複数の電極指３２の向き等によって規定されるが、本実施形態では、便宜的に、弾性波の伝搬方向を基準として、複数の電極指３２の向き等を説明することがある。
【００３５】
各電極指３２（第１電極指３２ａ，第２電極指３２ｂ）の本数は片側あたり５０〜３５０本である。
【００３６】
複数の電極指３２の長さ（バスバーから先端までの長さ）は、例えば、概ね同じに設定される。対向する電極指３２同士の噛み合う長さ（交差幅）は１０〜３００μｍである。なお、各電極指３２の長さや交差幅を変えてもよく、例えば伝搬方向に進むにつれて長くしたり、短くなるようにしたりしてもよい。具体的には、各電極指３２の長さを伝搬方向に対して変化させることにより、アポダイズ型のＩＤＴ電極３を構成してもよく、この場合、横モードのスプリアスを低減させたり、耐電力性を向上させたりすることができる。
【００３７】
ＩＤＴ電極３は、圧電基板２の上面２Ａに直接配置されていてもよいし、別の部材からなる下地層を介して圧電基板２の上面２Ａに配置されていてもよい。別の部材は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、あるいはこれらの合金等からなる。下地層を介してＩＤＴ電極３を圧電基板２の上面２Ａに配置する場合は、別の部材の厚みはＩＤＴ電極３の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み（例えば、Ｔｉの場合はＩＤＴ電極３の厚みの５％の厚み）に設定される。
【００３８】
また、ＩＤＴ電極３を構成する電極指３２上には、ＳＡＷ素子１の温度特性を向上させるために、質量付加膜を積層してもよい。質量付加膜としては、例えばＳｉＯ２等を用いることができる。
【００３９】
ＩＤＴ電極３は、電圧が印加されると、圧電基板２の上面２Ａ付近においてｘ方向に伝搬する弾性波を励起する。励起された弾性波は、電極指３２の非配置領域（隣接する電極指３２間の長尺状の領域）との境界において反射する。そして、電極指３２のピッチＰｔ１を半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指３２によって取り出される。このようにして、ＳＡＷ素子１は、１ポート共振子として機能する。
【００４０】
反射器４は、弾性波の伝搬方向においてＩＤＴ電極３を挟むように配置されている。反射器４は、概ねストリップ状に形成されている。すなわち、反射器４は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する反射器バスバー４１と、これらバスバー４１間において弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる複数のストリップ４２（反射電極指４２ともいう）とを有している。反射器バスバー４１は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に平行に配置されている。
【００４１】
複数の反射電極指４２は、ＩＤＴ電極３で励起される弾性波を反射させるピッチＰｔ２に配置されている。ピッチＰｔ２は、ＩＤＴ電極３のピッチＰｔ１を弾性波の波長λの半波長に設定した場合、ピッチＰｔ１と同じ程度に設定すればよい。波長λ（２×Ｐｔ２）は、例えば、１．５μｍ以上６μｍ以下である。ここでピッチＰｔ２は、伝搬方向において、反射電極指４２の中心から、隣接する反射電極指４２の中心までの間隔を指すものである。反射電極指４２の本数は、例えば２０〜３０本程度とすればよい。
【００４２】
また、複数の反射電極指４２は、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。反射電極指４２の幅は、例えば、電極指３２の幅ｗ１と概ね同等に設定することができる。反射器４は、例えば、ＩＤＴ電極３と同一の材料によって形成されるとともに、ＩＤＴ電極３と同等の厚みに形成されている。
【００４３】
反射器４は、ＩＤＴ電極３に対して間隔を空けて配置されている。ここで間隔は、ＩＤＴ電極３２の反射器４側の端部に位置する電極指３２の中心から反射器４のＩＤＴ電極３２側の端部に位置する反射電極指４２の中心までの間隔を指すものである。間隔は、通常、ＩＤＴ電極３の電極指３２のピッチＰｔ１（またはＰｔ２）と同じとなるように設定されている。
【００４４】
保護層５は、図５に示すように、ＩＤＴ電極３および反射器４上を覆うように、圧電基板２上に設けられている。具体的には、保護層５は、ＩＤＴ電極３および反射器４の表面を覆うとともに、圧電基板２の上面２ＡのうちＩＤＴ電極３および反射器４から露出する部分を覆っている。保護層５の厚みは、例えば、１ｎｍ以上８００ｎｍ以下である。
【００４５】
保護層５は、絶縁性を有する材料からなり、腐食等から保護することに寄与する。好適には、保護層５は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなるＳｉＯ２などの材料によって形成されており、これによって弾性波素子１の温度の変化による電気特性の変化を小さく抑えることもできる。また、保護層５をＳｉＮｘで構成した場合には、耐湿性に優れることから、信頼性の高い弾性波素子１を提供することができる。
【００４６】
図４，図５に示す例は、直列共振子Ｓ１を例に説明したが、他の直列共振子Ｓ２，Ｓ３も、電極指３２の本数、ピッチ等の設計を適宜調整の上、同様の構成とすることができる。
【００４７】
並列共振子Ｐ１〜Ｐ３は、基本的には図４,図５に示すＳＡＷ素子と同じ構成であるが、以下の点で直列共振子Ｓ１〜Ｓ３と異なる。
【００４８】
まず、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３のうち少なくとも１つを、第１並列共振子Ｐｘに、少なくとも１つを第２並列共振子Ｐｙとする。第１並列共振Ｐｘは、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３の共振周波数より低い共振周波数を有するものである。すなわち、第１並列共振子Ｐｘは、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３の共振周波数と第１並列共振子Ｐｘの反共振周波数とを略一致させることで、フィルタ１の通過帯域を構成するものである。この例では、並列共振子Ｐ１，Ｐ３を第１並列共振子Ｐｘとする。
【００４９】
第２並列共振子Ｐｙは、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３の反共振周波数よりも高い共振周波数を有する。この例では、並列共振子Ｐ２を第２並列共振子Ｐｙとする。
【００５０】
なお、第１並列共振子Ｐｘ、第２並列共振子Ｐｙの共振周波数の比較となる直列共振子は、本フィルタが適用される通過帯域内に共振周波数が位置するものすべてとする。言い換えると、直列腕２０ｓに配置されていても、通過帯域の外側に共振周波数を有するような共振子は、本例の直列共振子とは区別し、比較対象から外す。
【００５１】
各並列共振子Ｐ１〜Ｐ３（Ｐｘ，Ｐｙ）の共振周波数および反共振周波数は、例えば、電極指３２のピッチにより調整することができる。
【００５２】
フィルタ１は、上述のような並列共振子Ｐ１〜Ｐ３（Ｐｘ，Ｐｙ）を備える。これにより、フィルタ１の通過帯域外における減衰を大きくすることができる。すなわち、通過帯域から高周波側に離れるに従い、減衰量のベースラインが上昇していく領域において減衰を大きくすることがきる。
【００５３】
通過帯域の高周波側に他のフィルタ（例えば第２フィルタ１２）の通過帯域がある場合には、アイソレーションを高めるために減衰域が設定され、減衰域における減衰量を十分なレベルに到達させる必要がある。これに対して、本実施形態のフィルタ１によれば、フィルタ１の通過帯域の外側のうち高周波側において、第２並列共振子Ｐｙの共振周波数が位置する。共振周波数ではインピーダンスが最小となるので、第２並列共振子Ｐｙ側に信号が流れやすくなり、透過側には信号が流れにくくなる。これにより、減衰域における減衰量を高めることができる。ここで、減衰量は減衰極近傍におけるインピーダンスレベルで決まるので、必ずしも第２フィルタ１２の通過帯域内に第２並列共振子Ｐｙの共振周波数が位置する必要はないが、第２フィルタ１２の通過帯域内に位置させてもよい。
【００５４】
同様に、減衰量は減衰極近傍におけるインピーダンスレベルで決まるので、必ずしも第１フィルタ１１の通過帯域外に第２並列共振子Ｐｙの共振周波数が位置する必要はないが、第１フィルタ１１の通過帯域外に位置させてもよい。
【００５５】
上述の通り第２並列共振子Ｐｙの共振周波数近傍での減衰特性を向上させる一方で、第２並列共振子Ｐｙの反共振周波数近傍では減衰特性が悪化することが懸念される。また、第２並列共振子Ｐｙの共振周波数以下に位置するフィルタ１の挿入損失悪化も懸念される。図３に示す例では、この第２並列共振子Ｐｙの静電容量を他の並列共振子（Ｐ１，Ｐ３）に比べて十分小さくしている。具体的には、電極指３２の本数を少なく、交差幅を小さくしている。さらに詳しくは、第１並列共振子Ｐｘの静電容量の１／３以下としている。共振子の容量が大きくなると周波数全体を通じてインピーダンスが小さくなる。そのため、通過帯域内の信号も第２並列共振子Ｐｙを介してグランド側に流れてしまうためロスが大きくなってしまう。これに対して、第２並列共振子Ｐｙの容量を小さくすることで、第２並列共振子Ｐｙのインピーダンスが大きくなるため、反共振周波数近傍の損失が大きくなり、減衰特性の悪化を抑制することができる。また、共振周波数以下のインピーダンスも大きくなることにより、フィルタ１の挿入損失への影響も抑制することができる。また、第２並列共振子Ｐｙの容量が他の通常の共振子に比べて１０％以下とする場合には、さらにロスの発生を抑制することができる。
なお、第２並列共振子Ｐｙによりフィルタ１の通過帯域のインピーダンス整合がずれる場合があるため、その他共振子の周波数ピッチや静電容量も合わせて調整している。
【００５６】
また、図３に示す例では、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３の反射器４を浮き電極としている。言い換えると、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３の反射器４を浮き電位としている。これにより、入射波と反射波の位相差を０°に近くすることができ、共振特性を向上させることができるので、共振特性を向上させることができる。これにより、フィルタの挿入損失を低減することができる。
【００５７】
一方で、並列共振子Ｐ１，Ｐ３の反射器４は、基準電位に接続される側の第２櫛歯電極３０ｂの第２バスバー３１ｂと反射器４とが連続して一体的に形成されることで、電気的に接続されている。これにより、並列共振子Ｐ１，Ｐ３の反射器４が基準電位に接続される。このような構成とすることにより、並列共振子Ｐ１，Ｐ３（第１並列共振子Ｐｘ）において、ＳＡＷの入射波と反射波との位相差を１８０°に近くすることができ、キャンセルさせることができる。これにより、反共振特性を改善することができるので、フィルタ１の通過帯域中央におけるロスを低減することができる。また、並列共振子Ｐの反射器４が第２櫛歯電極３０ｂと同電位であることから、反射器４を基準電位Ｇｎｄ（この例では接地電位）に接続するための配線として利用することもできる。これにより、配線の取り回しに自由度が高まり、小型化に寄与することができる。さらに、基準電位に接続される配線の幅を拡げることができ、電気抵抗を小さくすることでロスを小さくすることができる。
【００５８】
なお並列共振子Ｐのうち第２並列共振子Ｐｙ（Ｐ２）の反射器４は浮電極としてもよい。具体的には、第２並列共振子Ｐｙ（Ｐ２）は、第２櫛歯電極３０ｂの第２バスバー３１ｂと反射器４とが分離しており電気的に接続されていない。
【００５９】
この場合には、第２並列共振子Ｐｙにおいて、入射波と反射波との位相差を０°に近くすることができ、共振特性を向上させることができる。これにより、第１並列共振子Ｐｘのインピーダンスが小さくなり、第２並列共振子Ｐｙを介して信号がグランド側に流れるため、共振周波数付近での減衰量をさらに多くすることができる。なお、この例では、第１並列共振子Ｐｘの反射器４を基準電位に接続させたが、全ての並列共振子Ｐの反射器４を浮電極としてもよい。
【００６０】
なお、図３に示す例では、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３のうち、最も出力部Ｏに近い側の共振子を第１並列共振子Ｐｘとした。出力部Ｏがアンテナ端子として機能する第１端子８に接続される場合には、アンテナ１０９とのインピーダンス整合をとるために、他の並列共振子と大きく設計の異なる第２並列共振子Ｐｙを遠ざけてもよい。また、図１６に示すように、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３のうち、最も出力部Ｏに近い側の共振子を第２並列共振子Ｐｙとしてもよい。また、第１並列共振子Ｐｘは１つであってもよいし、２以上あってもよい。同様に第２並列共振子Ｐｙも１つであってもよいし、２以上あってもよい。第２並列共振子Ｐｙを複数設けると、減衰する帯域を広くすることや、減衰する帯域を複数設けることができるという効果がある。その際の各第２並列共振子Ｐｙは設計を変更し、所望の周波数帯、減衰量に合わせるようにしてもよい。
【００６１】
また、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３，並列共振子Ｐ１〜Ｐ３の反射器４は上述の接続関係に限定されない。たとえば、直列共振子Ｓ１〜Ｓ３の反射器４を基準電位に接続してもよい。
【００６２】
＜＜第２実施形態＞＞
第１実施形態では、第２並列共振子Ｐｙは、第１並列共振子Ｐｘとはその共振周波数と静電容量とのみを異なる設計思想で設計した例を用いて説明したが、反射器４を異ならせてもよい。具体的には、第１並列共振子Ｐｘの反射器４は反射器バスバー４１で各ストリップ４２を接続しているが、第２並列共振子Ｐｙの反射器４は反射器バスバー４１のない開放型としてもよい。以下、第１実施形態と異なる部分のみを説明し、重複する説明を省略する。
【００６３】
図６に、本実施形態に係るフィルタ１に用いられる第２並列共振子Ｐｙの模式的な上面図を示す。図６において、反射器４は複数本の反射電極指４２からなる。反射電極指４２は互いに接続されておらず、開放型となっている。
【００６４】
このように反射器４を開放型とすることで、共振子の反射効率が低下してＱ値が低下するため、反共振周波数におけるインピーダンスＺが低下する。これにより反共振周波数近傍においても第２並列共振子Ｐｙ側に信号を流れやすくすることができるため、反共振周波数の周波数における減衰量を高めることができる。すなわち、反射器４を開放型とすることで、反共振周波数におけるインピーダンスの小さい共振子とすることが重要である。
【００６５】
＜＜第３実施形態＞＞
第１実施形態では、第２並列共振子Ｐｙは、第１並列共振子Ｐｘとはその共振周波数と静電容量とのみを異なる設計思想で設計した例を用いて説明したが、図１４に示すように、反射器４を含まない、ＩＤＴ電極３のみを備える共振子としてもよい。以下、第１実施形態と異なる部分のみを説明し、重複する説明を省略する。
【００６６】
図１４は、本実施形態の第２並列共振子Ｐｙを示す上面図である。第２並列共振子Ｐｙにおいて反射器４をなくすことで、共振子の反射効率が低下してＱ値が低下するため反共振周波数におけるインピーダンスＺが低下する。これにより反共振周波数近傍においても第２並列共振子Ｐｙ側に信号を流れやすくすることができるため、反共振周波数の周波数における減衰量を高めることができる。すなわち、反射器４をなくすことで、反共振周波数におけるインピーダンスの小さい共振子とすることが重要である。
【００６７】
＜＜第４実施形態＞＞
第１実施形態では、第２並列共振子Ｐｙは、第１並列共振子ＰＸとはその共振周波数と静電容量とのみを異なる設計思想で設計した例を用いて説明したが、図１５に示すように、反射器４の反射電極指４２を少なくした共振子としてもよい。以下、第１実施形態と異なる部分のみを説明し、重複する説明を省略する。
【００６８】
図１５は、本実施形態に係るフィルタ１の上面図である。第２並列共振子Ｐｙの反射器４のストリップ４２の本数は、第１並列共振子Ｐｘの反射器４のストリップ４２の本数よりも少なくなっている。
【００６９】
通常、反射器４の反射電極指４２は、入力される信号の周波数によって損失を低減させるために必要な本数が決まってくる。例えば１．８ＧＨｚ以上のＨｉ−Ｂａｎｄでは通常３０本程度の反射電極指４２が必要であり、例えば８００ＭＨｚのＬｏ−Ｂａｎｄでは通常２０本程度の反射電極指４２が必要となる。いずれの場合であっても、反射電極指４２の本数が必要となる本数の半分程度となると、共振子としての損失が顕著となる。これに対して、第２並列共振子Ｐｙの反射器４は、通常設計の反射電極指４２の本数に比べ半分以下の本数とする。
【００７０】
言い換えると、第２並列共振子Ｐｙの反射電極指４２の本数は、第１並列共振子Ｐｘの反射電極指４２の本数よりも少なくなっている。
【００７１】
第２並列共振子Ｐｙにおいて反射器４の反射電極指４２数を減らすことで、共振子の反射効率が低下してＱ値が低下するため反共振周波数におけるインピーダンスＺが低下する。これにより反共振周波数近傍においても第２並列共振子Ｐｙ側に信号を流れやすくすることができるため、反共振周波数の周波数における減衰量を高めることができる。すなわち、反射器４の反射電極指４２数を減らすことで、反共振周波数におけるインピーダンスの小さい共振子とすることが重要である。
【００７２】
＜＜第５実施形態＞＞
第１実施形態では、第２並列共振子Ｐｙは、第１並列共振子Ｐｘとはその共振周波数と静電容量とのみを異なる設計思想で設計した例を用いて説明したが、ＩＤＴ電極３の形状を異ならせてもよい。具体的には、第２並列共振子Ｐｙを斜め共振子としてもよい。以下、第１実施形態と異なる部分のみを説明し、重複する説明を省略する。
【００７３】
図７に、本実施形態に係るフィルタ１に用いられる第２並列共振子Ｐｙの模式的な上面図を示す。図７において、第１バスバー３１ａ、第２バスバー３１ｂが延びる方向は、弾性波の伝搬方向に対して傾斜している。言い換えると、第１電極指３２ａの先端を結ぶ仮想線（Ｌ１）は、弾性波の伝搬方向に対して傾斜している。同様に、第２電極指３２ｂの先端を結ぶ仮想線（Ｌ２）も弾性波の伝搬方向に対して傾斜している。傾斜角度は２°を越えて、１０°以下の範囲で適宜設計すればよい。反射器４も同様の傾斜角を有していてもよい。仮想線Ｌ１と仮想線Ｌ２とは略平行となっている。
【００７４】
このように共振子が斜めとなっていることで、共振子の電気機械結合係数が低下するため反共振周波数におけるインピーダンスＺが低下する。これにより反共振周波数近傍においても第２並列共振子Ｐｙ側に信号を流れやすくすることができるため、反共振周波数の周波数における減衰量を高めることができる。すなわち共振子が斜めとなっていることで、反共振周波数におけるインピーダンスの小さい共振子とすることが重要である。
【００７５】
＜＜第６実施形態＞＞
第１実施形態では、第２並列共振子Ｐｙは、第１並列共振子Ｐｘとはその共振周波数と静電容量とのみを異なる設計思想で設計した例を用いて説明したが、ＩＤＴ電極３の一部を間引いてもよい。以下、第１実施形態と異なる部分のみを説明し、重複する説明を省略する。
【００７６】
図８に、本実施形態に係るフィルタ１に用いられるＩＤＴ電極３の一部を間引いた第２並列共振子Ｐｙの模式的な上面図を示す。図８において、ＩＤＴ電極３は、第１電極指３２ａ、第２電極指３２ｂは、通常交互に配置されているが、一部において同じ側の電極指３２が隣り合って並んでいる（例えば第１電極指３２ａが並んでいたり、第２電極指３２ｂが並んでいたりする）部分を有している。このような同じ電位に接続される電極指３２のうち隣り合って配置されたものを隣接電極指３２ｃとする。図８に破線で示す領域３２ｘのように、一方の電極指３２（例えば第２電極指３２ｂ）があるべき部分になく、その両隣にある他方の電極指（例えば第１電極指３２ａ）が一体となり、太い電極指となっていてもよい。この太い電極指は３本分、５本分・・・等の奇数本分が配置される領域を被覆する太さとなる。
【００７７】
このようにＩＤＴ電極３の一部を間引いたことで、反共振周波数におけるインピーダンスＺが低下する。これにより反共振周波数近傍においても第２並列共振子Ｐｙ側に信号を流れやすくすることができるため、反共振周波数の周波数における減衰量を高めることができる。すなわちＩＤＴ電極３の一部を間引いたことで、反共振周波数におけるインピーダンスの小さい共振子とすることが重要である。
【００７８】
なお、上述の実施形態２〜６は、いずれも第２並列共振子Ｐｙの反共振周波数におけるインピーダンスを小さくするための構成を示すものであり、適宜組み合わせてもよい。たとえば、反射器４を開放型とし、かつＩＤＴ電極３を斜めにしたものとしてもよい。
【００７９】
上述の実施形態では、共振周波数のインピーダンスは大きく変化しないため、いずれの場合も共振周波数近傍の減衰特性改善の効果を得ることが可能であるが、若干のインピーダンス変化は見られるため、要求特性によって適宜組み合わせることができる。例えば、フィルタ１の高周波側近傍に第１の減衰域が位置し、かつその減衰域高周波側近傍にも別の第２の減衰域がある場合には、第２並列共振子Ｐｙの反共振周波数のインピーダンスを低下させることとともに、反共振周波数を第２の減衰域からできるだけ遠ざけることが望ましい。このような場合には、第２並列共振子Ｐｙの共振周波数と反共振周波数の間隔をできるだけ小さくする必要がある。ここで、共振子を斜め型にすることで反共振周波数のインピーダンス低下と共に共振周波数と反共振周波数の間隔も低減できるため、例えば共振子を斜め型にし、かつ反射器４をなくした構造とすることで、良好な特性を得ることができる。
【００８０】
同様に、第２並列共振子Ｐｙの共振周波数と反共振周波数の間隔を狭くするために、図２２に示すように、第２並列共振子Ｐｙに並列に付加容量Ｃを接続てもよい。
【００８１】
また、第２並列共振子Ｐｙの反共振周波数を第１の減衰域の外側もしくは、第２の減衰域の外側に位置させるために、第２並列共振子Ｐｙの共振周波数と反共振周波数の間隔を広くするために直列にインダクタンスを接続したりしてもよい。
【００８２】
また、上述の例では、単体の圧電基板２を用いたが、図２１に示すように、圧電基板２と支持基板２５とが貼りあわされた素子基板２６を用いていてもよい。具体的には、素子基板２６は、圧電基板２と、圧電基板２の下面（第２面）に貼り合わされた支持基板２５とでなる。
【００８３】
圧電基板２の厚さは、例えば、一定であり、その大きさは、フィルタ１が適用される技術分野やフィルタ１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板２の厚さは、１〜３０μｍである。圧電基板２の平面形状および各種寸法も適宜に設定されてよい。
【００８４】
支持基板２５は、例えば、圧電基板２の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。従って、温度変化が生じると圧電基板２に熱応力が生じ、この際、弾性定数の温度依存性と応力依存性とが打ち消し合い、ひいては、フィルタ１の電気特性の温度変化が補償される。このような材料としては、例えば、サファイア等の単結晶、シリコン等の半導体および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板２５は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。
【００８５】
支持基板２５の厚さは、例えば、一定であり、その厚さは、圧電基板２の厚さと同様に適宜に設定されてよい。ただし、支持基板２５の厚さは、温度補償が好適に行われるように、圧電基板２の厚さを考慮して設定される。一例として、圧電基板２の厚さ５〜３０μｍに対して、支持基板２５の厚さは７５〜３００μｍである。支持基板２５の平面形状および各種寸法は、例えば、圧電基板２と同等である。
【００８６】
圧電基板２および支持基板２５は、例えば、接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。また、両基板は、接着面をプラズマやイオンガン，中性子ガンなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。
【実施例】
【００８７】
本実施形態のフィルタ１の効果を確認するために、フィルタ１のモデルを設定しシミュレーションを実施して評価を行なった。モデルのＳＡＷ素子の基本構成は以下の通りである。【００８８】
［圧電基板２］
材料：４６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板
厚み：１５〜３０μｍ
なお、圧電基板２の裏面にはＳｉ基板を貼り合わせている
［ＩＤＴ電極３］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある。）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１７６ｎｍ
ＩＤＴ電極３の電極指３２：
（デューティー：ｗ１／Ｐｔ１）０．５
（交差幅Ｗ）１０〜３０λ  （λ＝２×Ｐｔ１）
（電極本数）１５０〜５００本
（電極ピッチ）１．０〜１．２μｍ
［反射器４］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１７６ｎｍ
反射電極指４２の本数：３０本
反射電極指４２のピッチＰｔ２：１．０〜１．２μｍ
［保護層５］
材料：ＳｉＯ２
厚さ：１５ｎｍ
このような基本構成のＳＡＷ素子を用いて、実施例１として、図９に示すに４つの直列共振子Ｓ１〜Ｓ４と４つの並列共振子Ｐ１〜Ｐ４をラダー型に接続したフィルタ素子を形成した。そして、並列共振子Ｐ２を第２並列共振子Ｐｙとした。【００８９】
[Ｐｙの基本構成]
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある。）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１７６ｎｍ
ＩＤＴ電極３の電極指３２：
（デューティー：ｗ１／Ｐｔ１）０．５
（交差幅Ｗ）７λ  （λ＝２×Ｐｔ１）
（電極本数）５０本
（電極ピッチ）１．０２μｍ
［反射器４］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１７６ｎｍ
反射電極指４２の本数：２０本
反射電極指４２のピッチＰｔ２：１．０２μｍ
［保護層５］
材料：ＳｉＯ２
厚さ：１５ｎｍ
＜実施例１＞
上述の基本構成に加え、実施例１として、第２並列共振子Ｐｙの構成は、第１実施形態の例をモデルとしたものを設定した。具体的には、直列共振子Ｓ１〜Ｓ４の共振周波数、反共振周波数はそれぞれ、およそ１７６０ＭＨｚとおよそ１８２０ＭＨｚとし、第１並列共振子Ｐｘの共振周波数、反共振周波数はそれぞれ、およそ１７００ＭＨｚとおよそ１８１０ＭＨｚとし、第２並列共振子Ｐｙの共振周波数、反共振周波数はそれぞれ１８８０ＭＨｚ、１９２０ＭＨｚとした。また、第１並列共振子Ｐｘの静電容量をおよそ３ｐＦとしたのに対して、第２並列共振子Ｐｙの静電容量はおよそ０．７ｐＦとした。ただし、第１並列共振子Ｐｘおよび第２並列共振子Ｐｙの反射器４は、直列共振子Ｓ１〜Ｓ４と同様に浮き電極としている。【００９０】
これに対して、比較例として、第２並列共振子Ｐｘを設けないものを準備した。【００９１】
このような実施例１のフィルタと比較例のフィルタのフィルタ特性を図１０に示した。図１０において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示し、破線で比較例に係るフィルタの特性を、実線で実施例１に係るフィルタの特性を示している。【００９２】
この図からも明らかなように、通過帯域よりも高い共振周波数を有する共振子を並列腕に設けることで、通過帯域の外側の高周波側領域（特に１８５０ＭＨｚ〜１８９０ＭＨｚ）において減衰量を多くすることができることが確認できた。【００９３】
＜実施例２＞
次に実施例２として、第２並列共振子Ｐｙの構成を第２実施形態の例とした場合についてシミュレーションした。実施例１と実施例２の第２並列共振子のインピーダンス特性を図１１Ａに示し、反共振周波数近傍のインピーダンス特性を図１１Ｂに示す。図１１Ａ，図１１Ｂにおいて、横軸は周波数、縦軸はインピーダンスを示し、実線で実施例１に係る特性を、太線で実施例２に係る特性を示している。【００９４】
この図からも明らかなように、実施例２の第２並列共振子Ｐｙは反共振特性がなまり、インピーダンスが小さくなっていることが分かった。【００９５】
次に、図１２に、実施例１，実施例２のフィルタ特性を示した。図１２において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示し、実線で実施例１に係るフィルタの特性を、太線で実施例２に係るフィルタの特性を示している。【００９６】
この図からも明らかなように、実施例２に係るフィルタは、１８８０ＭＨｚ近傍の減衰量は実施例１と同等の値を得た一方で、１９２０ＭＨｚ近傍の減衰量を約７ｄＢ改善できていることを確認できた。なお、実施例１と実施例２とでは、挿入損失、第２フィルタ１２（Ｒｘフィルタ）とのアイソレーション特性は同等の特性を得ており問題ないことを確認している。【００９７】
以上より、反射器４を開放型とすることで、さらに広い範囲で高い減衰量を得ることができることが確認できた。【００９８】
＜実施例３＞
次に実施例３として、第２並列共振子Ｐｙの構成を第３実施形態の例とした場合についてシミュレーションした。実施例２と実施例３のフィルタ特性を示した。図１３において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示し、太線で実施例２に係るフィルタの特性を、実線で実施例３に係るフィルタの特性を示している。【００９９】
この図からも明らかなように、実施例３に係るフィルタは、１８８０ＭＨｚ近傍の減衰量、１９２０ＭＨｚ近傍の減衰量ともに、実施例２と同等の値を得たことを確認できた。なお、実施例２と実施例３とでは、挿入損失、第２フィルタ１２（Ｒｘフィルタ）とのアイソレーション特性は同等の特性を得ており問題ないことを確認している。【０１００】
以上より、反射器４をなくしても、広い範囲で高い減衰量を得ることができることが確認できた。【０１０１】
＜実施例４＞
次に実施例４として、第１並列共振子Ｐｘの反射器４を基準電位に接続し、第２並列共振子Ｐｙの反射器４を直列共振子Ｓ１〜Ｓ４と同様に浮き電極とした場合についてシミュレーションした。【０１０２】
モデルとなるＳＡＷ素子の基本構成は下記の通りである。【０１０３】
［圧電基板２］
材料：４６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板
［ＩＤＴ電極３］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある。）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：４１４ｎｍ
ＩＤＴ電極３の電極指３２：
（デューティー：ｗ１／Ｐｔ１）０．５
（交差幅Ｗ）１０〜３０λ  （λ＝２×Ｐｔ１）
（電極本数）１２０〜２００本
（電極ピッチ）２．２５〜２．４５μｍ
［反射器４］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：４１４ｎｍ
反射電極指４２の本数：２０本
反射電極指４２のピッチＰｔ２：２．２５〜２．４５μｍ
［保護層５］
材料：ＳｉＯ２
厚さ：１５ｎｍ
このような基本構成のＳＡＷ素子を用いて、実施例４として、図１７に示すに４つの直列共振子Ｓ１〜Ｓ４と４つの並列共振子Ｐ１〜Ｐ４をラダー型に接続したフィルタを形成した。そして、並列共振子Ｐ４を第２並列共振子Ｐｙとした。【０１０４】
[Ｐｙの基本構成]
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある。）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：４１４ｎｍ
ＩＤＴ電極３の電極指３２：
（デューティー：ｗ１／Ｐｔ１）０．５
（交差幅Ｗ）７λ  （λ＝２×Ｐｔ１）
（電極本数）５０本
（電極ピッチ）２．１４μｍ
［反射器４］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
（ただし、圧電基板２と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層がある）
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：４１４ｎｍ
反射電極指４２の本数：２０本
反射電極指４２のピッチＰｔ２：２．１４μｍ
［保護層５］
材料：ＳｉＯ２
厚さ：１５ｎｍ
なお、直列共振子Ｓ１〜Ｓ４の反射器４は浮き電極とし、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３の反射器４は基準電位に接続した。そして、並列共振子Ｐ４の反射器４は浮き電極とした。並列共振子Ｐ４の容量は他の並列共振子の容量の７％程度にあたる４ｐＦとした。【０１０５】
これに対して、比較例２として、第２並列共振子Ｐｙを設けないもの、比較例３として、並列共振子Ｐ４の反射器４を基準電位に接続したものについても準備した。【０１０６】
このような実施例１のフィルタ素子と比較例２のフィルタ素子のフィルタ特性を図１８に、実施例４のフィルタ素子と比較例３のフィルタ素子のフィルタ特性を図１９にそれぞれ示した。図１８，図１９において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示す。両図とも、破線で比較例（比較例２，比較例３）に係るフィルタの特性を、実線で実施例４に係るフィルタ１の特性を示している。【０１０７】
この図からも明らかなように、通過帯域よりも高い共振周波数を有する共振子を並列腕に設け、さらに、その反射器を浮き電極とすることで、通過帯域の外側の高周波側領域において減衰量を多くすることができることが確認できた。特に、第２並列共振子Ｐｙの反射器を浮き電位に接続することで、通過帯域外側の高周波側に位置する減衰域における最大値を低減することができる。また、ロスが増加していないことも確認できた。【０１０８】
なお、上述の例では、直列共振子Ｓ１〜Ｓ４の反射器４を浮き電極とし、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３の反射器４を接地電位とした。これによる効果を検証する。具体的には全ての共振子Ｓ１〜Ｓ４，Ｐ１〜Ｐ４の反射器４を浮き電極とした比較例４と並列共振子Ｐ１〜Ｐ４の反射器４を接地電位に接続した比較例５について同様にフィルタ特性を測定した。【０１０９】
比較例４，５の基本構成は以下の通りとした。【０１１０】
［圧電基板２］
材料：３８．７°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板
［ＩＤＴ電極３］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１９８ｎｍ
ＩＤＴ電極３の電極指３２：
（デューティー：ｗ１／Ｐｔ１）０．５５
（交差幅Ｗ）１０〜３０λ  （λ＝２×Ｐｔ１）
（電極本数）５０〜４００本
（電極ピッチ）１．１〜１．４μｍ
［反射器４］
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
厚さ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１９８ｎｍ
反射電極指４２の本数：２０〜３０本
反射電極指４２のピッチＰｔ２：１．１〜１．４μｍ
［保護層５］
材料：ＳｉＯ２
厚さ：１５ｎｍ【０１１１】
図２０に比較例４，５のフィルタ特性を示す。図２０において横軸は周波数を、縦軸は減衰量を示し、比較例４の特性を破線で、比較例５の特性を実線で示した。図２０Ａからも明らかなように、通過帯域の損失が比較例５で約０．３ｄＢ改善されていることが分かる。同様に図２０Ｂから明らかなように、通過帯域外の損失が比較例５で約０．３ｄＢ改善されていることが分かる。【０１１２】
このように、直列共振子Ｓの反射器４を浮かせて、並列共振子Ｐの反射器４を接地することにより、通過帯域内外において損失が改善されることが確認された。以上より、第１並列共振子Ｐｘ以外の並列共振子Ｐ１〜Ｐ３は接地することで、損失改善することが確認された。【０１１３】
上述の実施例１〜４より、第２並列共振子Ｐｙを設けることで、通過帯域内外におい帯域外における減衰が改善されることが確認された。
【符号の説明】
【０１１４】
１  フィルタ、２  圧電基板、２Ａ  上面、３  ＩＤＴ電極、４  反射器、４２  ストリップ（反射電極指）、７  分波器、８  第１端子、９  第２端子、１０  第３端子、１１  第１フィルタ、１２  第２フィルタ、１０１  通信装置、１０３  ＲＦ−ＩＣ、１０９  アンテナ、Ｉ  入力部、Ｏ  出力部、Ｓ１〜Ｓ３  直列共振子、Ｐ１〜Ｐ３  並列共振子、Ｐｘ  第１並列共振子、Ｐｙ  第２並列共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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