(57)【要約】  焼付外部電極の外縁近傍のセラミック素体の表面に、導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層を形成し、めっき液からセラミック素体を保護する。  セラミック電子部品１００は、セラミック素体１と、焼付外部電極３と、めっき外部電極５、６とを備え、焼付外部電極３とセラミック素体１との界面には、導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層４が形成され、ガラス層４が、セラミック素体１と焼付外部電極３との界面から、焼付外部電極３が形成されていないセラミック素体１の表面に延出するようにした。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体と、
前記セラミック素体に、導電性材料とガラス材料とを含む導電性ペーストが焼付けられて形成された焼付外部電極と、
前記焼付外部電極の表面にめっきにより形成されためっき外部電極と、を備えたセラミック電子部品であって、
前記焼付外部電極と前記セラミック素体との界面には、前記導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層が形成され、
前記ガラス層が、前記セラミック素体と前記焼付外部電極との界面から、前記焼付外部電極が形成されていない前記セラミック素体の表面に延出しているセラミック電子部品。
【請求項２】
前記セラミック素体の表面に延出したガラス層は、前記焼付外部電極の外縁から１０μｍ以上延出しており、前記焼付外部電極の外縁が、全周にわたって前記セラミック素体の表面と接触していない、請求項１に記載されたセラミック電子部品。
【請求項３】
前記導電性ペーストの前記セラミック素体への焼付温度が、前記導電性ペーストに含まれるガラス材料の軟化点よりも３０℃以上高い、請求項１または２に記載されたセラミック電子部品。
【請求項４】
前記ガラス層の、前記めっき外部電極を形成する際に使用しためっき液に５時間浸漬した後のめっき液溶解性が３．３％以下である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載されたセラミック電子部品。
【請求項５】
前記セラミック素体が第１塩基度を有し、
前記導電性ペーストに含まれるガラス材料が第２塩基度を有し、
前記第１塩基度と前記第２塩基度との差の絶対値が０．２１以下である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載されたセラミック電子部品。
【請求項６】
前記導電性材料が、Ｃｕ、Ｃｕを含む合金、Ａｇ、Ａｇを含む合金、Ｐｄ、およびＰｄを含む合金の少なくとも１つを含む、請求項１ないし５のいずれか１項に記載されたセラミック電子部品。
【請求項７】
セラミック素体を焼成する工程と、
前記セラミック素体に、導電性材料とガラス材料とを含む導電性ペーストを塗布する工程と、
前記塗布された導電性ペーストを焼付けて、前記セラミック素体に焼付外部電極を形成するとともに、前記焼付外部電極と前記セラミック素体との界面、および当該界面から前記焼付外部電極が形成されていない前記セラミック素体の表面に延出して、前記導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層を形成する工程と、
前記焼付外部電極の表面にめっき外部電極を形成する工程と、を備えたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記セラミック素体の表面に延出したガラス層は、前記焼付外部電極の外縁から１０μｍ以上延出しており、前記焼付外部電極の外縁が、全周にわたって前記セラミック素体の表面と接触していない、請求項７に記載されたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記導電性ペーストの焼付温度が、当該導電性ペーストに含まれるガラス材料の軟化点よりも３０℃以上高い、請求項７または８に記載されたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミック素体が第１塩基度を有し、
前記導電性ペーストに含まれるガラス材料が第２塩基度を有し、
前記第１塩基度と前記第２塩基度との差の絶対値が０．２１以下である、請求項７ないし９のいずれか１項に記載されたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記ガラス層の、前記めっき外部電極を形成する工程において使用しためっき液に５時間浸漬した後のめっき液溶解性が３．３％以下である、請求項７ないし１０のいずれか１項に記載されたセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック素体に導電性ペーストが焼付けられて焼付外部電極が形成され、さらに焼付外部電極の表面にめっき外部電極が形成されたセラミック電子部品に関し、さらに詳しくは、焼付外部電極の外縁近傍のセラミック素体の表面に、導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層が形成されたセラミック電子部品に関する。【０００２】
また、本発明は、セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
セラミック電子部品において、セラミック素体に導電性ペーストが焼付けられて焼付外部電極が形成され、さらに焼付外部電極の表面にめっきによりめっき外部電極が形成される場合がある。めっき外部電極は、例えば、実装時のはんだ付け性の向上や、焼付外部電極の保護などを目的に形成される。例えば、焼付外部電極側から、第１層がＮｉ層、第２層がＳｎ層からなるめっき外部電極では、第１層のＮｉめっき層が焼付外部電極をいわゆるはんだ喰われから保護し、第２層のＳｎめっき層がはんだ付け性の向上に寄与する。【０００４】
ところで、セラミック電子部品のめっき工程は、通常電解めっきによって行われ、使用されるめっき液は強酸性であることが多い。【０００５】
そのようなめっき工程において、強酸性のめっき液がセラミック素体と焼付外部電極との間に浸入した場合、焼付外部電極の外縁の直下のセラミック素体を浸食する。さらに、浸食が発生したセラミック電子部品を電子機器に実装して使用している間に、何らかの理由でその浸食部分に水分が付着すると、外部電極の金属がイオン化し、電界方向に沿ってマイグレーションが発生する。【０００６】
このマイグレーションが放電の経路となり、セラミック電子部品が短絡し、延いては破壊に至る虞があった。【０００７】
また、セラミック電子部品においては、例えばサーミスタのように、セラミック素体が導電性を有している場合がある。そして、そのような導電性を有するセラミック素体に対して、めっき外部電極を形成する場合に、めっき膜が、焼付外部電極の表面だけではなく、本来付着すべきではないセラミック素体の表面に付着してしまう場合があった。そして、外部電極間が、セラミック素体の表面に付着しためっき膜によって繋がってしまうと、外部電極間が短絡してしまい不良となってしまう虞があった。【０００８】
そこで、従来のセラミック電子部品では、めっき工程において、セラミック素子の焼付外部電極の外縁の直下の部分にめっき液による浸食が発生しないように、またセラミック素子が導電性を有していてもセラミック素子の表面にめっき膜が付着しないように、種々の工夫が施されている。【０００９】
例えば、特許文献１（特開平５−２５１２１０号公報）に記載されたセラミック電子部品（導電性チップ型セラミック素子）３００は、次の方法により製造される。【００１０】
まず、図７（Ａ）に示すように、未焼成のセラミック素体１０１を用意する。【００１１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、未焼成のセラミック素体１０１を焼成して焼成済みのセラミック素体１０２を得る。【００１２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、焼成済みのセラミック素体１０２の表面全面に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理蒸着法（ＰＶＤ法）または化学蒸着法（ＣＶＤ法）により、厚さ０．１〜２μｍの、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3などの酸化物の薄膜、ＳｉＯ2などの酸化物を主成分とするガラスの薄膜からなる絶縁性の無機物層１０３を形成する。この無機物層１０３は、後述する焼付電極を形成するときの焼成温度より高い融点または軟化点を有することが必要である。【００１３】
次に、図７（Ｄ）に示すように、表面全面に無機物層１０３が形成されたセラミック素体１０２の両端部表面に、ディッピング法などにより、Ａｇ、Ａｕなどの金属粉末と、無機結合材とを含む導電性ペースト１０４を塗布する。無機結合材の例としては、ＳｉＯ2などの酸化物を主成分とする、ほうけい酸系ガラス、ほう酸亜鉛系ガラス、ほう酸カドミウム系ガラス、けい酸鉛亜鉛系ガラスなどのガラス微粒子があげられる。塗布された導電性ペースト１０４中には無機結合材が均一に分散している。【００１４】
次に、図７（Ｅ）に示すように、セラミック素体１０２の両端部表面に塗布された導電性ペースト１０４を焼き付け、焼付外部電極（焼付電極層）１０５を形成する。この時、導電性ペースト１０４の中の無機結合材は、導電性ペースト１０４に接触する無機物層１０３と反応して、無機物層１０３を溶融させる。そして、溶融した無機物層１０３は、導電性ペースト１０４の中に取り込まれる。この結果、セラミック素体１０２と焼付外部電極１０５との間には、無機物層１０３は存在しなくなる。【００１５】
次に、図７（Ｆ）に示すように、焼付外部電極１０５の表面に、Ｎｉめっき外部電極（Ｎｉめっき層）１０６を形成する。【００１６】
最後に、図７（Ｇ）に示すように、Ｎｉめっき外部電極１０６の表面に、Ｓｎめっき外部電極（Ｓｎめっき層）１０７を形成し、従来のセラミック電子部品３００を完成させる。【００１７】
Ｎｉめっき外部電極１０６の形成時、およびＳｎめっき外部電極１０７の形成時においては、セラミック素体１０２の焼付外部電極１０５が形成されていない表面が無機物層１０３によって保護されているため、めっき液によってセラミック素体１０２の焼付外部電極１０５の外縁の直下の部分に浸食が発生してしまうことがなく、またセラミック素体１０２の表面にめっき膜が付着してしまうことがない。【００１８】
また、特許文献２（特開平６−２９０９８９号公報）に記載されたセラミック電子部品（チップ状回路部品）４００は、次の方法により製造される。【００１９】
まず、図８（Ａ）に示すように、チップ状のセラミック素体２０１を用意する。【００２０】
次に、図８（Ｂ）に示すように、このセラミック素体２０１の端面に、例えばディップ法などの手段でマスカントインクなどのレジスト２０２を塗布し、硬化させる。【００２１】
次に、この状態で、セラミック素体２０１を真空蒸着装置に入れ、図８（Ｃ）に示すように、その全面に保護膜材料を蒸着し、保護膜２０３を形成する。この保護膜２０３は、例えば非晶質の酸化アルミニウム、酸化珪素或は酸化ジルコニウムなどの無機物からなる非晶質薄膜である。なお、保護膜２０３は、物理蒸着法の他に噴霧熱分解法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、スパッタリング法によっても形成できる。【００２２】
次に、図８（Ｄ）に示すように、セラミック素体２０１の両端のレジスト２０２を除去する。これにより、セラミック素体２０１の端面の保護膜２０３もレジスト２０２と共に除去され、セラミック素体２０１の両側面と上下面にのみに保護膜２０３が残される。【００２３】
次に、図８（Ｅ）に示すように、保護膜３が形成されたセラミック素体２０１の保護膜２０３が設けられていない両端部に、ディップ法などの手段でＡｇペーストなどの導電ペーストを塗布し、これを焼き付けて焼付外部電極（導体膜）２０４を形成する。【００２４】
次に、図８（Ｆ）に示すように、焼付外部電極２０４の表面に、Ｎｉめっき外部電極（導体膜）２０５を形成する。【００２５】
最後に、図８（Ｇ）に示すように、Ｎｉめっき外部電極２０５の表面に、Ｓｎめっき外部電極（導体膜）２０６を形成し、従来のセラミック電子部品４００を完成させる。なお、Ｓｎめっき外部電極２０６に代えて、はんだめっき外部電極としても良い。【００２６】
Ｎｉめっき外部電極２０５の形成時、およびＳｎめっき外部電極２０６の形成時においては、セラミック素体２０１の焼付外部電極２０５が形成されていない表面が無機物層２０３によって保護されているため、めっき液によってセラミック素体２０１の焼付外部電極２０４の外縁の直下の部分に浸食が発生してしまうことがなく、またセラミック素体２０１の表面にめっき膜が付着してしまうことがない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２７】
【特許文献１】特開平５−２５１２１０号公報
【特許文献２】特開平６−２９０９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
上述した従来の技術には、次のような課題があった。【００２９】
まず、特許文献１（特開平５−２５１２１０号公報）に記載された方法は、図７（Ｃ）に示すように、焼成済みのセラミック素体１０２の表面全面に、絶縁性の無機物層１０３を形成する工程が余分に必要になる。この無機物層１０３の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理蒸着法（ＰＶＤ法）または化学蒸着法（ＣＶＤ法）によりおこなわなければならず、製造が煩雑で、製造時間が長くなり、コストが高くなってしまうという問題があった。【００３０】
また、量産工程においては大量の製品を同時に製造するが、特許文献１に記載された方法では、セラミック素体１０２の表面全面に酸化物やガラスの無機物層１０３が形成されているため、ガラスペースト１０４をセラミック素体１０２に焼き付けて焼付外部電極１０５を形成する時などに、複数のセラミック素体１０２同士が張り付いてしまったり、セラミック素体１０２と焼成冶具とが張り付いてしまったりする虞があった。すなわち、歩留まりが低下してしまう虞があった。【００３１】
さらに、特許文献１に記載された方法は、図７（Ｅ）に示すように、ガラスペースト１０４をセラミック素体１０２に焼き付けて焼付外部電極１０５を形成する時に、溶融した無機物層１０３がガラスペースト１０４の無機結合材に吸収されるが、このとき無機結合材の組成が変質して、セラミック素体１０２と過剰反応してしまったり、形成された焼付外部電極１０５の表面にガラス層が形成されてしまったりする虞があった。すなわち、無機結合材の組成の変質に起因して、新たな製品不良が発生する虞があった。【００３２】
一方、特許文献２（特開平６−２９０９８９号公報）に記載された方法は、図８（Ｂ）に示すように、ディップ法などの手段でマスカントインクなどのレジスト２０２を塗布する工程、塗布したレジスト２０２を硬化させる工程、図８（Ｃ）に示すように、物理蒸着法、噴霧熱分解法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、スパッタリング法などにより、セラミック素体２０１の表面全面に保護膜２０３を形成する工程、図８（Ｄ）に示すように、セラミック素体２０１の両端のレジスト２０２を除去する工程などが必要であり、製造が煩雑で、製造時間が長くなり、コストが高くなってしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に、導電性材料とガラス材料とを含む導電性ペーストが焼付けられて形成された焼付外部電極と、焼付外部電極の表面に形成されためっき外部電極と、を備え、焼付外部電極とセラミック素体との界面には、導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層が形成され、ガラス層が、セラミック素体と焼付外部電極との界面から、焼付外部電極が形成されていないセラミック素体の表面に延出するようにした。【００３４】
また、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、セラミック素体を焼成する工程と、セラミック素体に、導電性材料とガラス材料とを含む導電性ペーストを塗布する工程と、塗布された導電性ペーストを焼付けて、セラミック素体に焼付外部電極を形成するとともに、焼付外部電極とセラミック素体との界面、およびその界面から焼付外部電極が形成されていないセラミック素体の表面に延出して、導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層を形成する工程と、焼付外部電極の表面にめっき外部電極を形成する工程と、を備えるようにした。【００３５】
なお、本発明のセラミック部品、および本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、セラミック素体の表面に延出したガラス層は、焼付外部電極の外縁から１０μｍ以上延出しており、焼付外部電極の外縁が、全周にわたってセラミック素体の表面と接触していないことが好ましい。この場合には、めっき液によるセラミック素子の焼付外部電極の外縁の直下の部分の浸食と、外部電極と外部電極との間のセラミック素子の表面に付着しためっき膜による短絡とを、より確実に防止することができる。【００３６】
また、導電性ペーストのセラミック素体への焼付温度は、導電性ペーストに含まれるガラス材料の軟化点よりも３０℃以上高いことが好ましい。この場合には、ガラス層を、セラミック素体と焼付外部電極との界面から、焼付外部電極が形成されていないセラミック素体の表面に容易に延出させることができる。【００３７】
また、ガラス層の、めっき外部電極を形成する際に使用しためっき液に５時間浸漬した後のめっき液溶解性が３．３％以下であることが好ましい。この場合には、ガラス層により、セラミック素体をめっき液からより確実に保護することができる。【００３８】
また、セラミック素体が第１塩基度を有し、導電性ペーストに含まれるガラス材料が第２塩基度を有し、第１塩基度と第２塩基度との差の絶対値が０．２１以下（第１塩基度と第２塩基度との差が０である場合を含む）であることが好ましい。この場合には、ガラス材料とセラミック素体が過剰に反応して、セラミック素体が破損してしまうことなどを防止することができる。【００３９】
なお、導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ｃｕを含む合金、Ａｇ、Ａｇを含む合金、Ｐｄ、およびＰｄを含む合金の少なくとも１つを含むものとすることができる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明のセラミック電子部品は、めっき外部電極を形成する際に、焼付外部電極の外縁近傍のセラミック素体の表面がガラス層によって保護されているため、めっき液によってセラミック素子の焼付外部電極の外縁の直下の部分に浸食が発生してしまうことがない。また、外部電極と外部電極との間が、セラミック素子の表面に付着しためっき膜によって短絡してしまうことがない。さらに、製造するにあたって、特別な工程を追加する必要がない。【００４１】
また、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、特別な工程を追加することなく、導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層を、焼付外部電極とセラミック素体の界面から焼付外部電極が形成されていないセラミック素体の表面に延出させた状態で、容易に形成することができる。そして、その延出して形成されたガラス層により、めっき外部電極を形成する工程において、焼付外部電極の外縁近傍のセラミック素体の表面を保護することができるため、めっき液によってセラミック素子の焼付外部電極の外縁の直下の部分に浸食が発生してしまうことがない。また、外部電極と外部電極との間が、セラミック素子の表面に付着しためっき膜によって短絡してしまうことがない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１実施形態に係るセラミック電子部品１００を示す断面図である。
【図２】セラミック電子部品１００の上面方向の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、セラミック電子部品１００の製造方法の一例において適用される工程を示す断面図である。
【図４】図４（Ｄ）、（Ｅ）は、図３の続きであり、それぞれ、セラミック電子部品１００の製造方法の一例において適用される工程を示す断面図である。
【図５】図３（Ｃ）に示したセラミック電子部品１００の焼付外部電極用の導電性ペースト焼付工程における、２種類の焼付プロファイルを示すグラフである。
【図６】第２実施形態に係るセラミック電子部品２００を示す断面図である。
【図７】図７（Ａ）〜（Ｇ）は、それぞれ、従来の電子部品３００の製造方法において適用される工程を示す斜視図である。
【図８】図８（Ａ）〜（Ｇ）は、それぞれ、従来の電子部品４００の製造方法において適用される工程を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品１００の断面図を示す。また、図２に、セラミック電子部品１００の上面方向のＳＥＭ写真を示す。なお、図１においては、説明の便宜上、外部電極部分等の縮尺を調整している（誇張して示している）ため、図１と図２とに示されたセラミック電子部品１００の外観形状は一致していない。
【００４４】
本実施形態においては、セラミック電子部品１００はＮＴＣサーミスタ、すなわち負の抵抗温度係数を有するサーミスタである。ただし、セラミック電子部品１００がＮＴＣサーミスタに限定されることはない。
【００４５】
セラミック電子部品１００は、例えば、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍ、長さ１．０ｍｍの大きさからなる。
【００４６】
セラミック電子部品１００はセラミック素体１を備える。本実施形態のセラミック電子部品１００においては、セラミック素体１の内部に内部電極２が積層されている。なお、セラミック電子部品１００においては、セラミック素体１の内部に内部電極２が積層されているが、本発明のセラミック電子部品１００において、内部電極２は必須のものではなく、内部電極２を備えないセラミック素体を用いても良い。また、セラミック素体１の内部に内部電極２が積層される場合においても、層数は任意である。
【００４７】
セラミック素体１の両端には、外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼き付けて、１対の焼付外部電極３が形成されている。焼付外部電極３は、それぞれ、所定の内部電極２と接続されている。内部電極２と焼付外部電極３との接続部分は、内部電極２に含まれる導電性材料と焼付外部電極３に含まれる導電性材料とが相互に拡散している。
【００４８】
セラミック素体１と焼付外部電極３との界面には、焼付外部電極３を形成するのに使用した導電性ペーストに含まれるガラス材料（ガラスフリット）に起因するガラス層４が形成されている。
【００４９】
ガラス層４は、セラミック素体１と焼付外部電極３との界面から、焼付外部電極３が形成されていないセラミック素体１の表面に延出したガラス層延出部４ａを有している。なお、ガラス層延出部４ａは、焼付外部電極４の外縁から１０μｍ以上延出し、焼付外部電極３の外縁が、全周にわたってセラミック素体１の表面と接触していないことが好ましい。この場合には、後述するＮｉめっき外部電極５、Ｓｎめっき外部電極６を形成する際に、ガラス層延出部４ａにより、焼付外部電極３の外縁近傍のセラミック素体１の保護が確実になるからである。
【００５０】
ガラス層４は、焼付外部電極３を形成するのに使用した導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するものであるが、セラミック素体１（セラミック素体１を形成するために用いたセラミック材料）などに含まれるガラス材料（成分）を含む場合もあり、その場合も本発明の範囲内に含まれる。
【００５１】
焼付外部電極３の表面には、Ｎｉめっき外部電極５が形成されている。
【００５２】
Ｎｉめっき外部電極５の表面には、Ｓｎめっき外部電極６が形成されている。
【００５３】
以上の構造からなる、本実施形態に係るセラミック電子部品１００は、例えば、図３（Ａ）〜図４（Ｅ）に示す方法により製造される。
【００５４】
まず、図３（Ａ）に示すように、内部に内部電極２が積層されたセラミック素体１を作製する。
【００５５】
具体的には、まず、所定の出発原料を所定の割合で混合して原料を得る。作製されるセラミック素体１を構成するセラミックの組成は任意であるが、所望のセラミックの組成となるように出発原料を選定し、それらを所定の割合で混合して、原料を得る。
【００５６】
セラミック素体１を構成するセラミックの組成としては、例えば、表１に示す試料Ｃ−１〜Ｃ−４の組成（組成系）とすることができる。
【００５７】
【表１】
2014199752.tif 000003
【００５８】
例えば、試料Ｃ−１は、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｆｅ系のＮＴＣサーミスタ用セラミックである。
【００５９】
試料Ｃ−１のＭｎ−Ｎｉ−Ｆｅ系ＮＴＣサーミスタ用セラミックを得るためには、出発原料に、例えば、Ｍｎ3Ｏ4、ＮｉＯ、Ｆｅ2Ｏ3を用い、これらを所定の割合で混合して原料を得ることができる。
【００６０】
同様に、試料Ｃ−２はＭｎ−Ｎｉ−Ａｌ系ＮＴＣサーミスタ用セラミック、試料Ｃ−３はＭｎ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｔｉ系ＮＴＣサーミスタ用セラミック、試料Ｃ−４はＭｎ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｔｉ系ＮＴＣサーミスタ用セラミックであり、それぞれ、出発原料を選択し、それらを所定の割合で混合して原料を得ることができる。
【００６１】
セラミック素体１を構成するセラミックは、それぞれ、塩基度を有する。本実施形態においては、焼成後のセラミック素体１を構成するセラミックの塩基度を第１塩基度と称し記号Ｂ1で表わす。
【００６２】
試料Ｃ−１〜Ｃ−４に係るセラミックは、焼成後に、それぞれ、表１に記載した第１塩基度Ｂ1を有する。例えば、試料Ｃ−１に係るセラミックは、Ｍｎ3Ｏ4、ＮｉＯ、Ｆｅ2Ｏ3を所定の割合で混合したことにより、第１塩基度Ｂ1が０．４６になった。同様に、試料Ｃ−２に係るセラミックの第１塩基度Ｂ1は０．４４になった。試料Ｃ−３に係るセラミックの第１塩基度Ｂ1は０．４８になった。試料Ｃ−４に係るセラミックの第１塩基度Ｂ1は０．３８になった。
【００６３】
次に、上記の原料を仮焼し、粉砕し、仮焼粉末を得る。
【００６４】
次に、仮焼粉末と有機ビヒクルとを所定の割合で混合して、セラミックスラリーを得る。このとき、必要に応じて、可塑剤、分散剤なども混合する。
【００６５】
次に、セラミックスラリーをドクターブレード法等によりシート形成し、セラミックグリーンシートを得る。
【００６６】
次に、セラミックグリーンシートを矩形板状に打ち抜く。
【００６７】
次に、打ち抜いた所定のセラミックグリーンシートに、必要に応じて、内部電極用の導電性ペーストを所定の形状に印刷して、電極パターンを形成する。
【００６８】
内部電極用の導電性ペーストは、例えば、Ｃｕ、Ｃｕを含む合金、Ａｇ、Ａｇを含む合金、Ｐｄ、Ｐｄを含む合金などからなる少なくとも１種類の導電性材料と、有機ビヒクルとを含む。
【００６９】
次に、電極パターンの形成されたセラミックグリーンシートと、電極パターンの形成されていないセラミックグリーンシートとを、所定の順番に所定の枚数積層し、加圧して、未焼成のマザー積層体を得る。
【００７０】
次に、未焼成のマザー積層体をチップ状に切断し、未焼成のセラミック素体を得る。
【００７１】
次に、未焼成のセラミック素体を、所定のプロファイルで焼成してセラミック素体１を得る。そして、必要に応じて、セラミック素体１をバレル研磨する。
【００７２】
一方、セラミック素体１とは別に、焼付外部電極用の導電性ペーストを作製する。
【００７３】
焼付外部電極用の導電性ペーストは、導電性材料と、ガラスフリットと、有機ビヒクルを含む。焼付外部電極用の導電性ペーストは、必要に応じてさらに別の微量の助剤を含む場合があり、また意図しない不純物を含む場合がある。
【００７４】
導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ｃｕを含む合金、Ａｇ、Ａｇを含む合金、Ｐｄ、およびＰｄを含む合金の少なくとも１つを含むものとすることができる。
【００７５】
ガラスフリットとして、本実施形態においては、表２および表３に示す、試料Ｇ−１〜Ｇ−５に係る５種類のガラスフリットを用意した。
【００７６】
表２は、各ガラスフリットの組成を示している。表３は、各ガラスフリット中の、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の詳細を示している。なお、表２においては、ＢａＯを別途記載しているため、アルカリ土類金属には、ＢａＯの量を含めていない。
【００７７】
【表２】
2014199752.tif 000004
【００７８】
【表３】
2014199752.tif 000005
【００７９】
例えば、試料Ｇ−１に係るガラスフリットは、表２に示すように、６．９重量％のＡｌ2Ｏ3と、１５．１重量％のＢ2Ｏ3と、４９．４重量％のＢａＯと、６．１重量％のＳｉＯ2と、１７．７重量％のＺｎＯと、４．８重量％のアルカリ土類金属とを含んでいる。試料Ｇ−１に係るガラスフリットは、アルカリ金属を含んでいない。アルカリ土類金属は、表３に示すように、４．５重量％のＣａと、０．３重量％のＳｒＯからなる。
【００８０】
同様に、試料Ｇ−２〜Ｇ−５に係るガラスフリットは、それぞれ、表２および表３に示す組成からなる。
【００８１】
試料Ｇ−１〜Ｇ−５に係るガラスフリットは、例えば、破砕粉形状で、平均粒形が１．４〜２．１μｍ程度の大きさからなる。
【００８２】
各ガラスフリットＧ−１〜Ｇ−５は、それぞれ、軟化点（℃）と、めっき液溶解性（％）と、塩基度とを有する。なお、本実施形態においては、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラスフリットの塩基度を第２塩基度と称し、記号Ｂ2で表わす。また、以下において、ガラスフリットの軟化点（℃）を記号ＳＴで表す場合がある。
【００８３】
例えば、試料Ｇ−１に係るガラスフリットの軟化点ＳＴは５２９℃であり、メッキ液溶解性は１．１％であり、第２塩基度Ｂ2の値は０．６５である。
【００８４】
めっき液溶解性は、各ガラスフリットを有機ビヒクルと混錬し、アルミナ板上に印刷して焼き付けたものを、後述する、めっき外部電極を形成する際のめっき液（めっき外部電極が複数の層からなる場合は、第１層目のめっき外部電極を形成する際のめっき液；本実施形態においてはＮｉめっき液）に５時間浸漬した後に、焼き付けガラス重量が初期値に対してどれだけ減少したかで測定した。
【００８５】
本実施形態の外部電極用の導電性ペーストにおいては、有機ビヒクルとして、例えば、表４に示す組成のものを使用することができる。
【００８６】
【表４】
2014199752.tif 000006
【００８７】
この有機ビヒクルには、重量平均分子量が１２×１０4のアクリル樹脂１５重量％と、重量平均分子量が８×１０3のアルキド樹脂５重量％と、溶媒であるテルピネオール８０重量％とが含まれている。
【００８８】
上述した導電性材料と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを、必要に応じて助剤とともに、所定の組成になるように調合する。続いて、調合された材料を、三本ロールミルなどにより混錬、分散させて、焼付外部電極用の導電性ペーストを作製する。
【００８９】
次に、図３（Ｂ）に示すように、セラミック素体１の両端に、焼付外部電極用の導電性ペースト３’を塗布する。塗布は、例えば、ディップ工法により行なうことができる。
【００９０】
次に、塗布した焼付外部電極用の導電性ペースト３’を、例えばＮ2−Ｈ2−Ｏ2混合ガスを用いて雰囲気制御したトンネル炉にて、例えば、図５に示す、最高温度が８３０℃のプロファイル（実線）、または最高温度が８５０℃のプロファイル（破線）で、セラミック素体１に焼付ける。なお、以下において、焼付外部電極用の導電性ペーストの焼付プロファイルの最高温度を記号ＢＴで表す場合がある。
【００９１】
この結果、図３（Ｃ）に示すように、セラミック素体１の両端に、１対の焼付外部電極３が形成される。焼付外部電極３は、それぞれ、所定の内部電極２と接続されている。内部電極２と焼付外部電極３との接続部分は、内部電極２に含まれる導電性材料と焼付外部電極３に含まれる導電性材料とが相互に拡散している。
【００９２】
また、セラミック素体１と焼付外部電極３との界面には、焼付外部電極３を形成するのに使用した導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するガラス層４が形成される。
【００９３】
そして、ガラス層４は、セラミック素体１と焼付外部電極３との界面から、焼付外部電極３が形成されていないセラミック素体１の表面に延出したガラス層延出部４ａを有している。ガラス層延出部４ａの延出する長さは、焼付外部電極３の外縁直下のセラミック素体１をめっき液から保護するためには、長いほど好ましい。なお、ガラス層延出部４ａの延出する長さは、主に、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラスフリットの組成と、焼付外部電極用の導電性ペーストの焼き付けの時の最高温度と、ガラスフリットの軟化点以上の温度に保持された時間とに影響される。焼付プロファイルの最高温度ＢＴが、導電性ペーストに含まれるガラスフリットの軟化点ＳＴよりも３０℃以上高いと、多くの種類のガラスフリットにおいて、ガラス層延出部４ａの延出の長さを１０μｍ以上にすることができる。
【００９４】
ガラス層４は、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料に起因するものであるが、セラミック素体１を形成するために用いたセラミック材料などに含まれるガラス材料（成分）を含む場合もあり、その場合も本願発明の範囲内に含まれる。
【００９５】
次に、図４（Ｄ）に示すように、焼付外部電極３の表面に、チップ状のセラミック電子部品の製造工程において一般的に行われている方法により、Ｎｉめっき外部電極５を形成する。続いて、図４（Ｅ）に示すように、Ｎｉめっき外部電極５の表面に、同じくチップ状のセラミック電子部品の製造工程において一般的に行われている方法により、Ｓｎめっき外部電極６を形成し、本実施形態に係るセラミック電子部品１００を完成させる。Ｎｉめっき外部電極５およびＳｎめっき外部電極６の形成の時には、ガラス層延出部４ａが存在することによって、セラミック素子１の焼付外部電極３の外縁の直下の部分に、めっき液によって浸食が発生してしまうことがない。また、ガラス層延出部４ａが存在することによって、外部電極と外部電極との間が、セラミック素子１の表面に付着しためっき膜によって短絡してしまうことがない。
（第２実施形態）
図６に、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品２００の断面図を示す。
【００９６】
セラミック電子部品２００は、図１に示す第１実施形態に係るセラミック電子部品１００と比較して、セラミック素体１１の内部に内部電極が形成されていないところが異なる。セラミック電子部品２００の他の構成は、セラミック電子部品１００と同じである。なお、セラミック電子部品２００においては、セラミック素体１１と焼付外部電極３とが、両者の界面に形成されたガラス層４の、例えば玉状に発生するガラス層非形成部分（図示せず）を通して接触（導通）している。
【００９７】
なお、セラミック電子部品２００のように、セラミック素体１１の内部に内部電極を形成しないためには、セラミックグリーンシートを積層し、加圧して、未焼成のマザー積層体を作製する際に、内部電極用の電極パターンの形成されていないセラミックグリーンシートのみを積層すればよい。
【００９８】
以上、第１実施形態に係るセラミック電子部品１００の構造、その製造方法の一例、第２実施形態に係るセラミック電子部品２００の構造について説明した。しかしながら、本願発明がこれらの内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の設計変更を加えることができる。
【００９９】
たとえば、第１実施形態に係るセラミック電子部品１００、第２実施形態に係るセラミック電子部品２００として、ＮＴＣサーミスタを示したが、セラミック電子部品の種類はこれには限定されず、例えばＰＴＣサーミスタや、他のセラミック電子部品であっても良い。
【実施例】
【０１００】
表５に示す、試料１〜１１に係る１１種類のセラミック電子部品（ＮＴＣサーミスタ）を製造した。試料１〜１１に係るセラミック電子部品の構造は、図１に示した第１実施形態に係るセラミック電子部品１００と同じ構造とした。また、試料１〜１１に係るセラミック電子部品の製造方法は、図３（Ａ）〜図４（Ｅ）に示した第１実施形態に係るセラミック電子部品１００の製造方法と同じ製造方法によった。なお、試料１〜１１に係るセラミック電子部品は、それぞれ、５０個製造した。【０１０１】
【表５】
2014199752.tif 000007
【０１０２】
セラミック素体には、表１に示した試料Ｃ−１〜Ｃ−４に係る４種類のセラミック素体を用意した。各試料Ｃ−１〜Ｃ−４に係るセラミック素体は、それぞれ第１塩基度Ｂ1を有する。具体的には、試料Ｃ−１に係るセラミックの第１塩基度Ｂ1は０．４６である。試料Ｃ−２に係るセラミックの第１塩基度Ｂ1は０．４４である。試料Ｃ−３に係るラミックの第１塩基度Ｂ1は０．４８である。試料Ｃ−４に係るセラミックの第１塩基度Ｂ1は０．３８である。【０１０３】
焼付外部電極用の導電性ペーストは、ガラスフリットと、導電性材料と、有機ビヒクルとを含む。本実施例においては、ガラスフリットを２５．２体積％、導電性材料を４．５体積％、有機ビヒクルを７０．３体積％の割合で調合した。【０１０４】
ガラスフリットには、表２および表３に示した試料Ｇ−１〜Ｇ−５に係る５種類のガラスフリットを用意した。各試料Ｇ−１〜Ｇ−５に係るガラスフリットは、それぞれ第２塩基度Ｂ2、軟化点ＳＴ、めっき液溶解性を有する。たとえば、試料Ｇ−１に係るガラスフリットの第２塩基度Ｂ2は０．６５、軟化点ＳＴは５２９℃、めっき液溶解性は１．１％である。試料Ｇ−２〜Ｇ−５に係るガラスフリットの第２塩基度Ｂ2、軟化点ＳＴ、めっき液溶解性は、表２に記載したとおりである。【０１０５】
導電性材料には、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇとＰｄの合金（Ａｇが９５重量％、Ｐｄが５重量％）の３種類を用意した。【０１０６】
有機ビヒクルには、表４に示した資料番号Ｖ−１の有機ビヒクルを用意した。【０１０７】
焼付外部電極用の導電性ペーストのセラミック素体への焼付けは、図５に示した、最高温度ＢＴが８３０℃のプロファイル（実線）か、最高温度ＢＴが８５０℃のプロファイル（破線）のいずれかとした。【０１０８】
作製された各試料１〜１１に係るセラミック電子部品について、ガラス層延出部が形成されたかどうかの「ガラス層延出部の形成有無」、めっき外部電極形成後に焼付外部電極の外縁の直下のセラミック素体表面に浸食がなかったかどうかの「ガラス層の耐めっき液性」、セラミック素体への焼付外部電極用の導電性ペーストの焼付けにおいてセラミック素体に損傷がなかったかの「ガラス材料とセラミック素体との過剰反応」について評価した。【０１０９】
本件発明者は、「ガラス層延出部の形成有無」は、焼付外部電極用の導電性ペーストの焼付けの時の最高温度ＢＴと、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料（ガラスフリット）の軟化点ＳＴとの関係に影響されることを見出した。【０１１０】
また、本件発明者は、「ガラス層の耐めっき液性」は、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料（ガラスフリット）のめっき液溶解性に影響されることを見出した。【０１１１】
また、本願発明者は、「ガラス材料とセラミック素体との過剰反応」は、セラミック素体の塩基度（第１塩基度Ｂ1）と、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料（ガラスフリット）の塩基度（第２塩基度Ｂ2）との関係に影響されることを見出した。【０１１２】
以下、順に説明する。【０１１３】
まず、「ガラス層延出部の形成有無」については、焼付外部電極の外縁から１０μｍ以上の長さのガラス層延出部が形成された場合を「○」、ガラス層延出部が形成されなかった、または形成されても１０μｍ未満であった場合を「×」とした。ガラス層延出部の長さを１０μｍ以上と未満とで区別したのは、１０μｍ以上であれば、ガラス層延出部が焼付外部電極の外縁の直下のセラミック素体の表面をめっき液から保護するが、１０μｍ未満であれば保護が不十分であるという別途得られた知見によった。【０１１４】
表５から分かるように、焼付外部電極用の導電性ペーストの焼付けの時の最高温度ＢＴと、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料の軟化点ＳＴとの差（ＢＴ−ＳＴ）が、３０℃以上である試料１〜４、６〜１１に係るセラミック電子部品は、「ガラス層延出部の形成有無」が「○」であった。一方、３０℃未満（１０℃）である試料５に係るセラミック電子部品は、「ガラス層延出部の形成有無」が「×」であった。以上より、１０μｍ以上のガラス層延出部を形成するためには、焼付外部電極用の導電性ペーストの焼付けの時の最高温度ＢＴと、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料の軟化点ＳＴとの差（ＢＴ−ＳＴ）を、３０℃以上にすることが好ましいことが分かった。【０１１５】
「ガラス層の耐めっき液性」については、めっき外部電極形成後に、焼付外部電極の外縁の直下のセラミック素体表面に浸食がなかったかどうかを調べ、各試料の全数（５０個）に浸食がなかった場合を「○」、一部に浸食があった場合を「△」、全数に浸食があった場合を「×」とした。【０１１６】
表５から分かるように、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料のめっき液溶解性が３．３％以下である試料１〜４、６〜８、１０、１１に係るセラミック電子部品は、「ガラス層の耐めっき液性」が「○」であった。めっき液溶解性が１０．７％である試料５に係るセラミック電子部品は、そもそもガラス層延出部が形成されず、「ガラス層の耐めっき液性」の評価が不能であった。めっき液溶解性が１０．７％である試料９に係るセラミック電子部品は、全数である５０個中の１７個に浸食があったため、「ガラス層の耐めっき液性」は「△」であった。なお、「ガラス層の耐めっき液性」が「×」となった試料はなかった。以上より、焼付外部電極の外縁の直下のセラミック素体をめっき液から保護するためには、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料（ガラスフリット）のめっき液溶解性を、３．３％以下にすることが好ましいことが分かった。【０１１７】
「ガラス材料とセラミック素体との過剰反応」については、ガラス層が形成された部分のセラミック素体の表面に、ガラス材料とセラミック素体との過剰反応による割れや欠けが発生しているか否かを調べ、各試料の全数（５０個）に割れや欠けがなかった場合を「○」、一部に割れや欠けがあった場合を「△」、全数に割れや欠けがあった場合を「×」とした。【０１１８】
表５から分かるように、セラミック素体の塩基度（第１塩基度Ｂ1）と、焼付外部電極用の導電性ペーストに含まれるガラス材料（ガラスフリット）の塩基度（第２塩基度Ｂ2）との差（Ｂ1−Ｂ2）の絶対値（以下、｜ΔＢ｜という）が０．２１以下である試料１〜７、９〜１１に係るセラミック電子部品は、セラミック素体に割れや欠けが発生せず、「ガラス材料とセラミック素体との過剰反応」は「○」であった。絶対値｜ΔＢ｜が０．２７である試料８に係るセラミック電子部品は、全数である５０個中の８個のセラミック素体に割れか欠けが発生したため、「ガラス材料とセラミック素体との過剰反応」は「△」であった。なお、「ガラス材料とセラミック素体との過剰反応」が「×」となった試料はなかった。【０１１９】
ここで、Ｂ値（塩基度）について概説する。酸化物融体の塩基度は、対象とする系の組成から計算で求まる平均的な酸素イオン活量（概念的塩基度）で示すことができる。【０１２０】
塩基度パラメータであるＢ値は、次式（１）で表される。【０１２１】
Ｂ＝Σｎi・Ｂi  …（１）
式（１）において、ｎiはｉ成分陽イオン分率であり、Ｂiはｉ成分酸素供与能力である。このＢiは、以下の式（２）〜（４）から求められる。【０１２２】
酸化物ＭiＯのＭi−Ｏ間の結合力は、陽イオンと酸素イオンとの間の引力Ａiで表すことができる。このＡiは、次式（２）で表される。【０１２３】
Ａi＝Ｚi・Ｚo2-／（ｒi+ｒo2-）2＝２Ｚi／（ｒi＋１．４）2  …（２）
ここで、ＺiはＭi成分陽イオン価数である。また、ｒiはＭi成分陽イオン半径であり、単位はオングストロームである。Ｚｏ2-は陰イオン価数、ｒｏ2-は陰イオン半径である。【０１２４】
単成分酸化物ＭiＯの酸素供与能力Ｂi0は、Ａiの逆数で与えられる為、次式（３）で表される。【０１２５】
Ｂi0≡１／Ａi  …（３）
ここで、酸素供与能力Ｂi0を観念的にかつ定量的に取り扱う為に、得られたＢi0値を指標化する。具体的には、上式（３）で得られたＢi0を、次式（４）に代入して計算しなおす。これによって、全ての酸化物の塩基度を定量的に取り扱えるようになる。なお、指標化時には、ＣａＯのＢiを１．０００（Ｂi0＝１．４３）、ＳｉＯ2のＢiを０．０００（Ｂi0＝０．４１）と定義する。【０１２６】
Ｂi＝（Ｂi0−ＢSiO20）／（ＢCaO0−ＢSiO20）  …（４）
ところで、ガラスとセラミックとを合わせて焼成した場合、一般的には、セラミック塩基度（第１塩基度Ｂ1）とガラス材料の塩基度（第２塩基度Ｂ2）のＢ値差（Ｂ1−Ｂ2）の絶対値（｜ΔＢ｜）が大きいほど反応しやすく、反応層が形成されやすくなる。したがって、｜ΔＢ｜の値により反応性を制御することが理論上は可能である。ただし、実際には、焼成条件等の影響で、ガラスとセラミックの反応が強くなると、セラミックの変質につながり、理論通りにはならないことがある。【０１２７】
以上の通り、｜ΔＢ｜が０．２１以下であるセラミック電子部品は、ガラス材料とセラミック素体との過剰反応によるセラミック素体の割れや欠けは発生せず、｜ΔＢ｜が０．２１を超えたセラミック電子部品（例えば｜ΔＢ｜が０．２７である試料８に係るセラミック電子部品）ではガラス材料とセラミック素体との過剰反応によるセラミック素体の割れや欠けが発生した。したがって、ガラス材料とセラミック素体との過剰反応を防ぐためには、｜ΔＢ｜を０．２１以下にすることが好ましいことが分かった。
【符号の説明】
【０１２８】
１  セラミック素体
２  内部電極
３  焼付外部電極
３’  焼付外部電極用の導電性セラミックペースト
４  ガラス層
４ａ  ガラス層延出部
５  Ｎｉめっき外部電極
６  Ｓｎめっき外部電極
【図１】
2014199752.tif 000008
【図３】
2014199752.tif 000009
【図４】
2014199752.tif 000010
【図５】
2014199752.tif 000011
【図６】
2014199752.tif 000012
【図８】
2014199752.tif 000013
【図２】
2014199752.tif 000014
【図７】
2014199752.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月24日(2015.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、図８（Ｅ）に示すように、保護膜２０３が形成されたセラミック素体２０１の保護膜２０３が設けられていない両端部に、ディップ法などの手段でＡｇペーストなどの導電ペーストを塗布し、これを焼き付けて焼付外部電極（導体膜）２０４を形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
Ｎｉめっき外部電極２０５の形成時、およびＳｎめっき外部電極２０６の形成時においては、セラミック素体２０１の焼付外部電極２０４が形成されていない表面が無機物層２０３によって保護されているため、めっき液によってセラミック素体２０１の焼付外部電極２０４の外縁の直下の部分に浸食が発生してしまうことがなく、またセラミック素体２０１の表面にめっき膜が付着してしまうことがない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明のセラミック電子部品は、めっき外部電極を形成する際に、焼付外部電極の外縁近傍のセラミック素体の表面がガラス層によって保護されているため、めっき液によってセラミック素体の焼付外部電極の外縁の直下の部分に浸食が発生してしまうことがない。また、外部電極と外部電極との間が、セラミック素体の表面に付着しためっき膜によって短絡してしまうことがない。さらに、製造するにあたって、特別な工程を追加する必要がない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
試料Ｇ−１〜Ｇ−５に係るガラスフリットは、例えば、破砕粉形状で、平均粒径が１．４〜２．１μｍ程度の大きさからなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
次に、図４（Ｄ）に示すように、焼付外部電極３の表面に、チップ状のセラミック電子部品の製造工程において一般的に行われている方法により、Ｎｉめっき外部電極５を形成する。続いて、図４（Ｅ）に示すように、Ｎｉめっき外部電極５の表面に、同じくチップ状のセラミック電子部品の製造工程において一般的に行われている方法により、Ｓｎめっき外部電極６を形成し、本実施形態に係るセラミック電子部品１００を完成させる。Ｎｉめっき外部電極５およびＳｎめっき外部電極６の形成の時には、ガラス層延出部４ａが存在することによって、セラミック素体１の焼付外部電極３の外縁の直下の部分に、めっき液によって浸食が発生してしまうことがない。また、ガラス層延出部４ａが存在することによって、外部電極と外部電極との間が、セラミック素体１の表面に付着しためっき膜によって短絡してしまうことがない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
有機ビヒクルには、表４に示した試料番号Ｖ−１の有機ビヒクルを用意した。
【国際調査報告】
2014199752.tif 000016
2014199752.tif 000017