(57)【要約】  反射陽極（１２）、発光層（１７）を含む有機層および透明陰極（２１）が積層されて構成される複数の画素（１ａ、１ｂ、１ｃ）と隔壁（１３）とを具備し、複数の画素のうち少なくとも１つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素（１ａ）である有機エレクトロルミネッセンス表示装置（１）を準備する工程と、輝点欠陥画素（１ａ）において、発光領域を透明陰極（２１）に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、レーザー光を照射する工程とを含み、レーザー光を照射する工程は、透明陰極（２１）にレーザー光の焦点を当て、透明陰極（２１）及び電子輸送層（２０）を変質させる工程を含み、透明陰極（２１）及び電子輸送層（２０）を変質させる工程において、レーザー光の照射により、電子輸送層（２０）において変質された領域が拡大される。
2014188695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも１つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、
前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、
前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、
前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、
前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大される
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記レーザー光は、前記隔壁の端部に沿って前記発光領域側に照射され、ライン描画される
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部に沿ったライン形状に開口されたマスクにより、結像光学系を通して行う
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部から前記発光領域側に、任意の閉じたライン形状に複数個描画される
請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザー光は、超短パルスレーザーである
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー光は、フェムト秒レーザーである
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記上部電極および前記下部電極のうち少なくとも一方は、金属酸化物で構成されている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、
前記複数の画素間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁と、
前記複数の画素のうち常時点灯または点滅する少なくとも１つの輝点欠陥画素と、を備え、
前記輝点欠陥画素は、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側において、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記上部電極にレーザー光が照射されて前記上部電極および電子輸送層が変質され、
前記電子輸送層における変質された領域は、少なくとも前記隔壁の下端に達している
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１および２は、有機発光表示装置のリペア方法を開示する。この有機発光表示装置のリペア方法は、複数の画素を備え、各画素は、基板上に第１電極、発光層を含む有機層および第２電極を順に有すると共に第１電極及び第２電極が有機層を間にして重なり合う発光領域で発光する有機発光素子により構成された有機発光表示装置のリペア方法であって、常に輝点となる画素の発光領域の外周にレーザー光を照射するものである。【０００３】
これにより、電極などの消失面積を小さくすることができ、表示品質の劣化を抑えることができる有機発光表示装置のリペア方法を提供することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−６４６０７号公報
【特許文献２】特開２０１２−０２２８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、輝点欠陥画素を安定的に滅点化することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも１つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置によれば、輝点欠陥画素を安定的に滅点化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】図２は、レーザー光を照射した画素の一例を示す上面図である。
【図３】図３は、電子輸送層中のバリウムのドープ濃度とリペア後の画素の不点灯幅との関係を示す図である。
【図４】図４は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面概略図である。
【図５】図５は、レーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置の上面図であり、（ａ）はレーザー光照射前、（ｂ）はレーザー光照射後を示す図である。
【図６】図６は、有機ＥＬ表示装置における輝点欠陥画素の滅点化工程を示すフローチャートである。
【図７】図７は、レーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置の上面図である。
【図８】図８は、有機ＥＬ表示装置における輝点欠陥画素の滅点化工程を示す断面概略図である。
【図９】図９は、有機ＥＬ表示装置における輝点欠陥画素の滅点化工程を示す断面概略図である。
【図１０】図１０は、他の実施の形態にかかるレーザーの照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置の上面図であり、（ａ）はレーザー光照射前、（ｂ）はレーザー光照射後を示す図である。
【図１１】図１１は、レーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置の上面図であり、（ａ）はレーザー光照射前、（ｂ）はレーザー光照射後を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既に良く知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
【００１０】
なお、発明者は、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するものであって、これらによって請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００１１】
（実施の形態）
実施の形態について説明する前に、本開示をするに至った知見について説明する。
【００１２】
図１は、従来技術に係る有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置の断面図である。
【００１３】
図１に示すように、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置では、ガラス基板１０の上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１を含む半導体層を備えている。半導体層の上には、反射陽極１２と、隔壁１３とが形成されている。反射陽極１２の上には、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１５と、注入層（ＩＬ：Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１６と、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１７とが形成されている。
【００１４】
さらに、発光層１７と隔壁１３との上には、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）２０と、透明陰極２１とが形成されている。透明陰極２１の上には、発光層１７と隔壁１３とで形成される段差を解消するように、封止樹脂２６が設けられている。さらに、封止樹脂２６の上には、隔壁１３で区切られた画素ごとに異なる色のカラーフィルタ２７ａ、２７ｂおよび２７ｃ（図５参照）が形成されている。例えば、カラーフィルタ２７ａは赤色フィルタ、カラーフィルタ２７ｂは緑色フィルタ、カラーフィルタ２７ｃは青色フィルタである。また、カラーフィルタ２７ａ、２７ｂおよび２７ｃのそれぞれの間には、ブラックマトリクス２７ｄが形成されている。
【００１５】
さらに、カラーフィルタ２７ａ、２７ｂおよび２７ｃ上には、ガラス基板２８が配置されている。
【００１６】
ここで、従来の有機ＥＬ表示装置においては、ＴＦＴ配線のショート等の原因によって駆動ＴＦＴが制御不能であり、ＥＬ側に電流が流れ続けて常時点灯又は点滅するいわゆる輝点欠陥画素が発生していた場合、反射陽極１２とＴＦＴ１１とを接続する配線部分にパネル背面側すなわちガラス基板１０側からレーザー光を照射して、半導体層に形成されている配線を切断することにより、滅点化していた。しかし、この方法では、レーザー光の照射による衝撃で配線と反射陽極１２が接触したり、複数の配線層の各層間でショート不良を引き起こしたりする可能性があった。これは、輝点欠陥画素をレーザー光の照射によりリペアする際のリペア率の低下を招くおそれがあった。
【００１７】
また、図２は、従来技術に係るレーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置の上面図である。
【００１８】
図２に示すように、従来技術にかかる有機ＥＬ表示装置のリペア方法においては、画素２９の発光領域の外周にレーザー光を照射する方法もとられていた。この方法では、レーザー光が照射された外周２９ａの周縁に、不点灯領域２９ｂが発生したが、不点灯領域２９ｂの外周に沿って、発光する領域が残存するといった問題が生じていた。
【００１９】
また、本願発明者らは、バリウムのドープ濃度とリペア後の不点灯領域２９ｂの幅とには、図３に示すような関係があることを見出した。図３は、電子輸送層中のバリウムのドープ濃度とリペア後の画素の不点灯領域の幅（不点灯幅）との関係を示す図である。
【００２０】
図３に示すように、電子輸送層中のバリウムのドープ濃度が増加すると、不点灯領域２９ｂの幅は減少する。したがって、電子輸送層２０にバリウムがドープされることにより、不点灯領域２９ｂの幅を調整することができる。具体的には、図３に示す関係に基づいて、バリウムのドープ量を５重量％以上１５重量％以下の範囲で調整することにより、不点灯領域２９ｂの幅を０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で制御することができる。
【００２１】
なお、バリウムに限らず、ドープされる材料がアルカリ金属であっても、同様の制御が可能であると考えられる。
【００２２】
本実施の形態では、以下に説明する方法により、輝点欠陥を解消している。
【００２３】
以下、図４〜９を用いて本実施の形態を説明する。
【００２４】
［１−１．構成］
図４は、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面概略図である。
【００２５】
図４に示すように、有機ＥＬ表示装置１の構成は、上記した従来技術に係る有機ＥＬ表示装置とほぼ同様であり、ガラス基板１０の上にＴＦＴ１１を含む半導体層を備えている。半導体層の上には、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜を介して、反射陽極１２と、隔壁１３とが形成されている。
【００２６】
反射陽極１２は、正孔が供給される、つまり、外部回路から電流が流れ込むアノードである。反射陽極１２は、本開示における下部電極に相当する。反射陽極１２は、例えば、Ａｌ、あるいは銀合金ＡＰＣなどからなる電極が平坦化膜上に積層された構造となっている。反射陽極１２の厚みは、一例として１０〜４０ｎｍである。なお、反射陽極１２は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）と銀合金ＡＰＣなどからなる２層構造であってもよい。
【００２７】
隔壁１３は、発光層１７を複数の発光領域に分離するための壁であり、例えば、感光性の樹脂からなる。隔壁１３は、図４に示すように、断面が順テーパー形状を有している。
【００２８】
反射陽極１２の上には、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１５と、注入層（ＩＬ：Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１６と、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１７とが形成されている。
【００２９】
正孔注入層１５は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。正孔注入性の材料とは、反射陽極１２側から注入された正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して発光層１７へ注入する機能を有する材料であり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）、アニリンなどの化合物が使用される。
【００３０】
発光層１７は、反射陽極１２および透明陰極２１間に電圧が印加されることにより発光する層であり、例えば、下層としてα−ＮＰＤ（Ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、上層としてＡｌｑ３（ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）が積層された構造となっている。なお、発光層１７において、隔壁１３の下端によって囲まれる領域を発光領域と呼ぶ。
【００３１】
さらに、発光層１７と隔壁１３との上には、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）２０と、透明陰極２１とが形成されている。
【００３２】
電子輸送層２０は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、透明陰極２１から注入された電子を安定的に、または電子の生成を補助して発光層１７へ注入する機能を有する材料であり、例えば、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、アルミニウムのキノリノール錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体が使用される。また、電子輸送層２０には、アルカリ金属、特に、バリウムがドープされることが好ましい。
【００３３】
透明陰極２１は、電子が供給される、つまり、外部回路へ電流が流れ出すカソードである。透明陰極２１は、本開示における上部電極に相当する。透明陰極２１は、金属酸化物で構成され、例えば、透明金属酸化物であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）により積層された構造となっている。また、透明陰極２１は、Ｍｇ、Ａｇ等の材料により透明電極として形成することもできる。透明陰極２１の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００３４】
透明陰極２１の上には、発光層１７と隔壁１３とで形成される段差を解消するように、封止樹脂２６が設けられている。さらに、封止樹脂２６の上には、隔壁１３で区切られた画素１ａ、１ｂおよび１ｃ（図５参照）ごとに異なる色のカラーフィルタ２７ａ、２７ｂおよび２７ｃ（図５参照）が形成されている。例えば、カラーフィルタ２７ａは赤色フィルタ、カラーフィルタ２７ｂは緑色フィルタ、カラーフィルタ２７ｃは青色フィルタである。また、カラーフィルタ２７ａ、２７ｂおよび２７ｃのそれぞれの間には、ブラックマトリクス２７ｄが形成されている。
【００３５】
さらに、カラーフィルタ２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、および、ブラックマトリクス２７ｄの上には、ガラス基板２８が配置されている。
【００３６】
ガラス基板１０および２８は、発光パネルの発光表面を保護する基板であり、例えば、厚みが０．５ｍｍである透明の無アルカリガラスである。
【００３７】
カラーフィルタ２７ａ、２７ｂ、２７ｃを有する画素１ａ、１ｂ、１ｃにより１ピクセルが構成される。１ピクセルの大きさは、例えば、２２５μｍ×２２５μｍ程度である。また、画素１ａ、１ｂ、１ｃそれぞれの大きさは、例えば、５０μｍ×２２５μｍである。各画素１ａ、１ｂ、１ｃの間隔は、例えば、２０μｍである。
【００３８】
なお、本開示において、正孔注入層１５、発光層１７、電子輸送層２０を合わせて有機層と称する。また、正孔輸送層、電子輸送層を有する場合には、これらの層も有機層に含まれる。有機層の厚さは、一例として、１００〜２００ｎｍである。また、隔壁１３で分離された発光領域に配置された反射陽極１２、有機層、透明陰極２１、封止樹脂２６、ガラス基板２８を、画素１ａ、１ｂ、１ｃと称する。
【００３９】
ここで、図４に示す有機ＥＬ表示装置１では、輝点欠陥画素１ａを有し、この輝点欠陥を解消（リペア）した構成となっている。具体的には、ガラス基板側から上部電極である透明陰極２１にレーザー光を照射して透明陰極２１の一部が高抵抗化されている。
【００４０】
図５は、レーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置１の上面図であり、（ａ）はレーザー光照射前、（ｂ）はレーザー光照射後を示す図である。図３では、カラーフィルタ２７ａを有する画素１ａにおいて輝点欠陥が発生している場合を想定している。なお、輝点欠陥画素１ａは輝点欠陥であるため、発光領域内には導電性の異物は混入していない。
【００４１】
図５の（ａ）に示すように、レーザー光は、輝点欠陥画素１ａの周囲を囲むように輝点欠陥画素１ａの透明陰極２１に対して照射される。レーザー光の照射位置については、後の［１−２．製造方法］において詳細に説明する。
【００４２】
レーザー光の照射により、透明陰極２１および発光層１７の一部は高抵抗化（変質）されるため、レーザー光を照射した発光領域の内部は電気的に孤立し、電流が流れないこととなる。したがって、図５の（ｂ）に示すように、変質された領域の内部は、滅点となる。また、レーザー光は透明陰極２１に対して照射されるため、レーザー光の照射による衝撃で配線と反射陽極が接触したり、複数の配線層が短絡したりするおそれがない。したがって、本開示によると、輝点欠陥画素を安定的に滅点化することができる。
【００４３】
［１−２．製造方法］
次に、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
【００４４】
はじめに、有機ＥＬ表示装置１の形成工程について説明する。まず、ＴＦＴを含むガラス基板１０上に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜が形成され、その後、平坦化膜上に反射陽極１２が形成される。
【００４５】
反射陽極１２は、例えば、スパッタリング法により平坦化膜上にＡｌが成膜され、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。
【００４６】
正孔注入層１５は、反射陽極１２上に、例えば、ＰＥＤＯＴをキシレンよりなる溶剤に溶かし、このＰＥＤＯＴ溶液をスピンコートすることにより形成される。
【００４７】
次に、正孔注入層１５の上に、例えば、真空蒸着法によりα−ＮＰＤ、Ａｌｑ３が積層され、発光層１７が形成される。
【００４８】
次に、発光層１７の上に、例えば、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）を例えばキシレンまたはクロロホルムよりなる溶剤に溶かしてスピンコートすることにより、電子輸送層２０が形成される。
【００４９】
なお、上述した図３より、電子輸送層２０には、アルカリ金属、特にバリウムがドープされるのが好ましい。バリウムのドープ量を５重量％以上１５重量％以下の範囲で調整することにより、不点灯領域２９ｂの幅を０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で制御することができる。したがって、レーザー光の照射により電子輸送層２０において変質された領域が拡大される幅を調整することができる。
【００５０】
また、電子輸送層２０には、アルミニウムのキノリノール錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体が使用されてもよい。
【００５１】
続けて、電子輸送層２０が形成された基板を大気曝露させることなく、透明陰極２１が形成される。具体的には、電子輸送層２０の上に、スパッタリング法によりＩＴＯが例えば３５ｎｍ積層されることにより、透明陰極２１が形成される。このとき、透明陰極２１は、アモルファス状態になっている。
【００５２】
上記のような製造工程により、発光素子としての機能をもつ有機ＥＬ表示装置１が形成される。なお、反射陽極１２の形成工程と正孔注入層１５の形成工程との間に、表面感光性樹脂からなる隔壁１３が所定位置に形成される。
【００５３】
次に、透明陰極２１の上に、例えば、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素が例えば５００ｎｍ積層され、封止樹脂２６が形成される。封止樹脂２６は、透明陰極２１の表面に接して形成されるので、特に、保護層としての必要条件を厳しくすることが好ましく、上記した窒化珪素に代表されるような非酸素系無機材料が好ましい。また、例えば、酸化珪素（ＳｉＸＯＹ）や酸窒化珪素（ＳｉＸＯＹＮＺ）のような酸素系無機材料や、これらの無機材料が複数層形成された構成であってもよい。また、形成方法は、プラズマＣＶＤ法に限らず、アルゴンプラズマを用いたスパッタリング法など、その他の方法であってもよい。
【００５４】
その後、塗布された封止樹脂２６の上にガラス基板２８が配置される。ここで、ガラス基板２８の主面にあらかじめカラーフィルタ２７ａ、２７ｂ、２７ｃが形成される。その後、カラーフィルタ２７ａ、２７ｂ、２７ｃが形成された面を下方にして、塗布された封止樹脂２６上にガラス基板２８が配置される。なお、封止樹脂２６およびガラス基板２８は保護層として機能する。
【００５５】
最後に、ガラス基板２８が上面側から下方に加圧され、熱またはエネルギー線が付加されて封止樹脂２６が硬化され、ガラス基板２８と封止樹脂２６とが接着される。
【００５６】
このような形成方法により、図４に示す有機ＥＬ表示装置１が形成される。
【００５７】
なお、反射陽極１２、正孔注入層１５、発光層１７、電子輸送層２０、透明陰極２１の形成工程は、本開示により限定されるものではない。
【００５８】
ここで、カラーフィルタ２７ａを有する画素１ａは、輝点欠陥を有する画素（輝点欠陥画素）であり、カラーフィルタ２７ｂおよび２７ｃを有する画素１ｂおよび１ｃは、正常な画素であるとする。有機ＥＬ表示装置１では、画素１ａ（輝点欠陥画素１ａ）の輝点欠陥が解消されている。以下、有機ＥＬ表示装置１における輝点欠陥画素の滅点化方法について説明する。
【００５９】
図６は、有機ＥＬ表示装置１における輝点欠陥画素の滅点化工程を示すフローチャートである。図６に示すように、有機ＥＬ表示装置１における輝点欠陥画素の滅点化の工程では、はじめに、輝点欠陥画素を有する有機ＥＬ表示装置１を準備する（ステップＳ１０）。このとき、有機ＥＬ表示装置１においてあらかじめ輝点欠陥画素１ａの位置を検出しておいてもよい。
【００６０】
次に、輝点欠陥画素１ａに対して、レーザー光の照射が開始される（ステップＳ１２）。図７は、レーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置の上面図である。
【００６１】
レーザー光は、輝点欠陥画素１ａにおいて、隔壁１３の下端によって囲まれる発光領域を上部電極である透明陰極２１に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、透明陰極２１に投影した領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、透明陰極２１に照射される。ここでは、レーザー光は、有機ＥＬ表示装置１が載置された可動ステージまたはレーザー光の光軸を走査しながら隔壁１３の端部に沿って、隔壁１３の端部から所定の間隔を空けて発光領域側にライン描画される。なお、レーザー光は、隔壁１３の端部に代えてブラックマトリクス２７ｄの端部に沿って照射されてもよい。
【００６２】
具体的には、レーザー光は、図７に破線３０で示すように、輝点欠陥画素１ａの周囲を囲むように輝点欠陥画素１ａの透明陰極２１に対して照射される。これにより、透明陰極２１の一部は、高抵抗化すなわち変質される（ステップＳ１４）。高抵抗化された領域、すなわち、変質層３１は、レーザー光による加工時のガスにより、図７に示すように、レーザー光が照射された破線３０の位置より拡大する（ステップＳ１６）。一例として、変質層３１は、隔壁１３の下端まで拡大する。このとき、封止樹脂２６、カラーフィルタ２７ａ、２７ｂ、２７ｃおよびブラックマトリクス２７ｄは、レーザー光の照射により変質されない。なお、変質層３１は、隔壁１３の上にまで拡大してもよい。
【００６３】
なお、レーザー光の照射は、ライン描画によるものに限らず、ライン形状に開口されたマスクにより、結像光学系を通して行ってもよい。
【００６４】
ここで、レーザー光には、波長８００ｎｍ以上の超短パルスレーザーが用いられる。レーザー光による描画ラインの幅は、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下である。レーザー光の描画ラインのＺ方向の精度は、例えば、±１μｍ以上２μｍ以下である。レーザー光は、透明陰極２１に焦点を合わせて照射される。また、レーザー光の描画ラインから１μｍ以上２０μｍ以下の領域に高抵抗化領域が拡大される。すなわち、レーザー光の描画ラインから１μｍ以上２０μｍ以下の領域は、変質される。これにより、輝点欠陥画素１ａにおいて、発光領域全体の輝度が低下する。したがって、輝点欠陥画素１ａは、滅点化される。なお、レーザー光は、透明陰極２１と電子輸送層２０とに焦点を合わせて照射されてもよい。
【００６５】
なお、レーザー光の種類は、上記した超短パルスレーザーに限らず、例えば、フェムト秒レーザーであってもよい。
【００６６】
変質層３１について、より詳細に説明する。図８は、有機ＥＬ表示装置１における輝点欠陥画素１ａの滅点化工程を示す断面概略図である。図９は、有機ＥＬ表示装置１における輝点欠陥画素１ａの滅点化工程を示す断面概略図である。
【００６７】
図８に示すように、有機ＥＬ表示装置１において、隔壁１３は、反射陽極１２に対して傾斜を有する構成をしている。すなわち、隔壁１３は、断面が順テーパー形状である。また、電子輸送層２０および透明陰極２１は、隔壁１３を覆うように成膜されるため、隔壁１３の上に形成される電子輸送層２０および透明陰極２１と発光層１７上に形成される電子輸送層２０および透明陰極２１とでは高さが異なる。
【００６８】
ここで、透明陰極２１に対して、図７に示した破線３０の位置にレーザー光を照射すると、レーザー光のスポット径とほぼ同等の幅を有する領域の透明陰極２１が高抵抗化すなわち変質される。また、電子輸送層２０は、透明陰極２１へのレーザー光の照射により発生するガスの影響を受けて変質され、不点灯となる。この変質された領域は、図９に示すように、レーザー光による加工時のガスにより、レーザー光のスポット径よりも拡大される。変質された領域の拡大は、例えば、輝点欠陥画素１ａの周囲、すなわち、隔壁１３の下端まで拡大する。なお、輝点欠陥画素１ａの周囲とは、隔壁１３の下端によって囲まれる発光領域を、上部電極に投影した領域の内側に閉じた線の周囲のことをいう。
【００６９】
したがって、レーザー光を隔壁１３と発光層１７との境界に照射せず、隔壁１３と発光層１７との境界で囲まれる領域の内側に、隔壁１３の下端に沿って隔壁１３の下端から所定の間隔を空けて照射することで、隔壁１３と発光層１７との境界で囲まれる領域の外側に発光領域を残すことなく、輝点欠陥画素１ａを滅点化することができる。
【００７０】
［１−３．効果等］
以上のように、本実施の形態において、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも１つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大される。
【００７１】
これにより、隔壁と発光層との境界で囲まれる領域の外側に発光領域を残すことなく、輝点欠陥画素を滅点化することができる。そのため、輝点欠陥画素を安定的に滅点化することができる。
【００７２】
また、本実施の形態において、前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含む。
【００７３】
これにより、レーザー光は上部電極に対して照射され、上部電極と電子輸送層とが変質される。そのため、レーザー光の照射による衝撃で配線と下部電極が接触したり、複数の配線層が短絡したりするおそれがない。
【００７４】
また、本実施の形態において、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大される。
【００７５】
これにより、レーザー光による加工時のガスにより、電子輸送層における変質化された領域は、レーザー光が照射された位置より拡大する。そのため、隔壁の下端によって囲まれる発光領域を上部電極に投影した領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在しても、発光領域全体を滅点化することができる。
【００７６】
また、本実施の形態において、前記レーザー光は、前記隔壁の端部に沿って前記発光領域側に照射され、ライン描画される。
【００７７】
これにより、輝点欠陥画素の形状および大きさに合わせて、所望の位置に容易にレーザー光で描画を行うことができる。そのため、輝点欠陥画素を簡便に滅点化することができる。
【００７８】
また、本実施の形態において、前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部に沿ったライン形状に開口されたマスクにより、結像光学系を通して行う。
【００７９】
これにより、複数の輝点欠陥画素に対して、同時にレーザー光を照射して変質層を形成することができる。そのため、複数の輝点欠陥画素を簡便に滅点化することができる。
【００８０】
また、本実施の形態において、前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部から前記発光領域側に、任意の閉じたライン形状に複数個描画される。
【００８１】
これにより、輝点欠陥画素の形状および大きさに合わせて滅点化する領域の形状、大きさおよび個数を変更できる。そのため、輝点欠陥画素を確実に滅点化することができる。
【００８２】
また、本実施の形態において、前記レーザー光は、超短パルスレーザーである。
【００８３】
これにより、カラーフィルタを透過することができる。そのため、輝点欠陥画素を確実に滅点化することができる。
【００８４】
また、本実施の形態において、前記レーザー光は、フェムト秒レーザーである。
【００８５】
これにより、他のレーザーでは加工が容易ではない透明導電性材料について、その組織構造を変化させて高抵抗化することができる。そのため、より確実に輝点欠陥画素を滅点化することができる。
【００８６】
また、本実施の形態において、前記上部電極および前記下部電極のうち少なくとも一方は、金属酸化物で構成されている。
【００８７】
これにより、透明な電極を介してフェムト秒レーザーを照射することができる。そのため、より確実に電子輸送層を変質することができる。
【００８８】
また、本実施の形態において、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁と、前記複数の画素のうち常時点灯または点滅する少なくとも１つの輝点欠陥画素と、を備え、前記輝点欠陥画素は、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側において、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記上部電極にレーザー光が照射されて前記上部電極および電子輸送層が変質され、前記電子輸送層における変質された領域は、少なくとも前記隔壁の下端に達している。
【００８９】
これにより、隔壁と発光層との境界で囲まれる領域の外側に発光領域を残すことなく、輝点欠陥画素を滅点化することができる。そのため、輝点欠陥画素を安定的に滅点化することができる。
【００９０】
（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、上記した実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
【００９１】
そこで、以下、他の実施の形態をまとめて説明する。
【００９２】
図１０は、他の実施の形態にかかるレーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置２の上面図であり、（ａ）はレーザー光照射前、（ｂ）はレーザー光照射後を示す図である。図１１は、レーザー光の照射位置を示すための有機ＥＬ表示装置３の上面図であり、（ａ）はレーザー光照射前、（ｂ）はレーザー光照射後を示す図である。
【００９３】
レーザー光は、輝点欠陥画素２ａの形状に合わせて矩形の形状に照射する必要は無く、その他の形状に照射してもよい。例えば、図１０の（ａ）に示す破線４０のように、レーザー光は、輝点欠陥画素２ａ内において楕円形の形状に透明陰極２１に対して照射されてもよい。
【００９４】
これにより、透明陰極２１の一部が高抵抗化され、電流が流れないこととなる。この場合、透明陰極２１において高抵抗化される領域、すなわち、変質層４１は、レーザー光が照射された破線４０の位置より拡大する。したがって、図１０の（ｂ）に示すように、変質層４１の内部は滅点となる。よって、本開示によると、輝点欠陥画素２ａを安定的に滅点化することができる。
【００９５】
また、レーザー光は、輝点欠陥画素２ａ内において、滅点化された領域が複数形成されるように照射してもよい。すなわち、レーザー光の照射は、隔壁１３の端部から発光領域側に、任意の閉じたライン形状に複数個描画されてもよい。例えば、図１１の（ａ）に示す破線５０ａ、５０ｂ、５０ｃおよび５０ｄのように、レーザー光を複数回、複数の領域に照射してもよい。また、レーザー光を照射する領域の形状は、破線５０ａ、５０ｂおよび５０ｄのように矩形であってもよいし、破線５０ｃのように円形または楕円形であってもよい。さらに、破線５０ｅに示すように、レーザー光を照射した領域の中にさらにレーザー光を照射してもよい。
【００９６】
これにより、透明陰極２１の一部が高抵抗化され、電流が流れないこととなる。この場合、透明陰極２１において高抵抗化される領域、すなわち、変質層５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄおよび５１ｅは、レーザー光が照射された破線５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄおよび５０ｅの位置より拡大する。したがって、図１１の（ｂ）に示すように、変質層５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄおよび５１ｅの内部は滅点となる。よって、本開示によると、輝点欠陥画素を安定的に滅点化することができる。
【００９７】
また、上記した実施の形態では、下部電極を陽極、上部電極を陰極とする構成について示したが、下部電極を陰極、上部電極を陽極とする構成であってもよい。また、有機ＥＬ表示装置の構成である平坦化膜、反射陽極、正孔注入層、発光層、隔壁、電子注入層、透明陰極、封止樹脂、ガラス基板は、上記した実施の形態に示した構成に限らず、材料や構成、形成方法を変更してもよい。例えば、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層と発光層との間に電子輸送層があってもよい。
【００９８】
また、レーザーの照射は、上部電極に限らず下部電極に対して行われてもよい。
【００９９】
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
【０１００】
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をすべきではない。
【０１０１】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本開示は輝点欠陥画素を安定的に滅点化することができる有機ＥＬ表示装置の製造方法および有機ＥＬ表示装置に適用可能である。具体的には、本開示は、大画面および高解像度が要望される薄型テレビおよびパーソナルコンピュータのディスプレイなどに適用可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１、２、３    有機ＥＬ表示装置
１ａ、１ｂ、１ｃ    画素、輝点欠陥画素
２ａ、２ｂ、２ｃ、３ａ、３ｂ、３ｃ    画素
１０、２８    ガラス基板
１１    ＴＦＴ
１２    反射陽極（下部電極）
１３    隔壁
１５    正孔注入層（有機層）
１６    注入層（有機層）
１７    発光層
２０    電子輸送層（有機層）
２１    透明陰極（上部電極）
２６    封止樹脂
２７ａ、２７ｂ、２７ｃ    カラーフィルタ
２７ｄ    ブラックマトリクス
３１、４１、５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ    変質層
【図１】
2014188695.tif 000003
【図２】
2014188695.tif 000004
【図３】
2014188695.tif 000005
【図４】
2014188695.tif 000006
【図５】
2014188695.tif 000007
【図６】
2014188695.tif 000008
【図７】
2014188695.tif 000009
【図８】
2014188695.tif 000010
【図９】
2014188695.tif 000011
【図１０】
2014188695.tif 000012
【図１１】
2014188695.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも１つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、
前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、
前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、
前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、
前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大されて少なくとも前記隔壁の下端に達するようにする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記レーザー光は、前記隔壁の端部に沿って前記発光領域側に照射され、ライン描画される
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部に沿ったライン形状に開口されたマスクにより、結像光学系を通して行う
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部から前記発光領域側に、任意の閉じたライン形状に複数個描画される
請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザー光は、超短パルスレーザーである
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー光は、フェムト秒レーザーである
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記上部電極および前記下部電極のうち少なくとも一方は、金属酸化物で構成されている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、
前記複数の画素間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁と、
前記複数の画素のうち少なくとも１つの滅点化された輝点欠陥画素と、を備え、
滅点化された前記輝点欠陥画素は、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側において、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記上部電極にレーザー光が照射されて前記上部電極および電子輸送層が変質され、
前記電子輸送層における変質された領域は、少なくとも前記隔壁の下端に達している
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本開示における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも１つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大されて少なくとも前記隔壁の下端に達するようにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
［１−３．効果等］
以上のように、本実施の形態において、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも１つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大されて少なくとも前記隔壁の下端に達するようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
また、本実施の形態において、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁と、前記複数の画素のうち少なくとも１つの滅点化された輝点欠陥画素と、を備え、滅点化された前記輝点欠陥画素は、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側において、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記上部電極にレーザー光が照射されて前記上部電極および電子輸送層が変質され、前記電子輸送層における変質された領域は、少なくとも前記隔壁の下端に達している。
【国際調査報告】
2014188695.tif 000014
2014188695.tif 000015
2014188695.tif 000016
2014188695.tif 000017