(57)【要約】  本発明は、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能なサセプタを提供する。  本発明の一実施形態のサセプタ２０は、サセプタ本体３０及び弧状部材４０Ａ，４０Ｂを含む。座ぐり部２１の底面は、弧状サセプタ部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体と、サセプタ本体のおもて面の一部３３とで構成される。ウェーハＷを搬送する際に、リフトピン４４により上昇される弧状部材４０Ａ，４０Ｂのおもて面の全体が、ウェーハＷの裏面の外周部のみを面接触で支持する。
2016174860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、
前記サセプタのおもて面に、前記ウェーハが載置される座ぐり部が形成され、
前記サセプタは、サセプタ本体と、該サセプタ本体のおもて面の外周部に設けられた２以上の凹部にそれぞれ載置された弧状部材とを有し、
前記座ぐり部の底面が、前記弧状部材のおもて面の全体と、前記サセプタ本体のおもて面の一部とで構成され、
前記サセプタ本体には、前記２以上の各弧状部材の裏面を支持して前記２以上の各弧状部材を昇降させるリフトピンを挿通するための２以上の貫通孔が設けられ、
前記ウェーハを前記座ぐり部に載置する際、及び、前記ウェーハを前記座ぐり部から搬出する際に、前記リフトピンにより上昇される前記弧状部材のおもて面の全体が、前記ウェーハの裏面の外周部のみを面接触で支持する支持面として機能することを特徴とするサセプタ。
【請求項２】
前記弧状部材の数が２であり、おもて面視で略線対称に位置する請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
前記リフトピンが前記弧状部材に固定されている請求項１又は２に記載のサセプタ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のサセプタと、
前記リフトピンの下端部を支持して前記リフトピンを昇降させる昇降機構と、を有するエピタキシャル成長装置。
【請求項５】
ウェーハ表面上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであって、前記エピタキシャルウェーハの裏面及び面取り部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハ。
【請求項６】
前記エピタキシャルウェーハの裏面の中央部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.3μｍ以下の疵が観察されない、請求項５に記載のエピタキシャルウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタと、該サセプタを有するエピタキシャル成長装置と、該エピタキシャル成長装置により製造可能なエピタキシャルウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルウェーハは、半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させたものである。例えば、結晶の完全性がより要求される場合や抵抗率の異なる多層構造を必要とする場合などには、シリコンウェーハ上に単結晶シリコン薄膜を気相成長（エピタキシャル成長）させてエピタキシャルシリコンウェーハを製造する。【０００３】
エピタキシャルウェーハの製造には、例えば枚葉式エピタキシャル成長装置を用いる。ここで、一般的な枚葉式エピタキシャル成長装置について、図８を参照して説明する。図８に示すように、エピタキシャル成長装置２００は、上部ドーム１１、下部ドーム１２及びドーム取付体１３を含むチャンバ１０を有し、該チャンバ１０がエピタキシャル膜形成室を区画する。チャンバ１０には、その側面の対向する位置に反応ガスの供給及び排出を行うガス供給口１５及びガス排出口１６が設けられる。一方、チャンバ１０内には、ウェーハＷが載置されるサセプタ２０が配置される。サセプタ２０は、下方からサセプタサポートシャフト５０により支持される。サセプタサポートシャフト５０は、主柱５２と、この主柱５２から放射状に等間隔に延びる３本のアーム５４（１本は図示せず）とを含み、アームの先端の３つの支持ピン５８（１つは図示せず）でサセプタ２０の裏面外周部を勘合支持する。また、サセプタ２０には３つの貫通孔（１つは図示せず）が形成され、３本のアーム５４にも貫通孔が１つずつ形成されている。これらアームの貫通孔及びサセプタの貫通孔には、リフトピン４４が挿通される。リフトピン４４の下端部は昇降シャフト６０に支持される。チャンバ１０内に搬入されたウェーハＷの支持、このウェーハＷのサセプタ２０上への載置、及び、気相成長後のエピタキシャルウェーハのチャンバ１０外への搬出の際には、昇降シャフト６０が昇降することで、リフトピン４４がアームの貫通孔及びサセプタの貫通孔と摺動しながら昇降し、その上端部でウェーハＷの昇降を行う。【０００４】
このようなエピタキシャル成長装置では、リフトピンで直接ウェーハＷを支持し、持ち上げることになる。そのため、ウェーハＷの裏面のリフトピンが当接する部分には、リフトピンが上昇しながら当り、引き続きリフトピンの上端部の接触が維持される。そのため、ウェーハＷの裏面の当該部分に、深さ0.5μｍを超えるサイズの疵（ピンマーク）が発生するという問題があった。【０００５】
また、特許文献１には、リフトピンで直接ウェーハを支持し、持ち上げるのではなく、サセプタの一部で直接ウェーハを持ち上げる技術が記載されている。すなわち、特許文献１の図２及び図３には、サセプタ本体２２の周縁部に設けた凹部に収容されたリフトリング３２が、リフトピン４８によってサセプタ本体２２から相対的に持ち上げられて、当該リフトリング３２から内側に突出した３つのリフト部材３６がウェーハのエッジ部分を支持することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３１３３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の技術によれば、ウェーハを持ち上げる際に、ウェーハをリフトピンで局所的に支持することなく、サセプタの一部でウェーハのエッジ部を支持するため、ウェーハの裏面にリフトピンに起因する疵を発生させることを抑制できる。しかしながら、リフトリング３２から内側に突出した３つのリフト部材３６（すなわち突起）によって、点接触によってウェーハの面取り部（エッジ部）を支持するため、ウェーハの面取り部にはやはり深さ0.5μｍを超えるサイズの疵が発生することが懸念される。また、特許文献１の技術には以下のような課題があることを本発明者らは新たに認識した。【０００８】
すなわち、特許文献１では、リフトリングが収容される凹部が、サセプタ本体の周縁部の、しかもウェーハのエッジよりも外側に位置している。そのため、気相成長時には、リフトリングのおもて面や、凹部の周囲のサセプタ本体おもて面にもソースガスが接触してエピタキシャル膜が成長し、そのエピタキシャル膜は、リフトリングとサセプタ本体との水平方向離間部でも連結する場合がある。その後、リフトリングをサセプタ本体から相対的に持ち上げると、離間部で連結したエピタキシャル膜が破断し、粉塵が発生する。この粉塵は、製造したエピタキシャルウェーハの表面に付着し、多数の欠陥を生じさせるため、その抑制が望まれる。【０００９】
そこで本発明は、上記課題に鑑み、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能なサセプタ及びエピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。また、本発明は、リフトピン又はサセプタとの接触に起因して発生し得る、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の要旨構成は以下のとおりである。
（１）エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、
前記サセプタのおもて面に、前記ウェーハが載置される座ぐり部が形成され、
前記サセプタは、サセプタ本体と、該サセプタ本体のおもて面の外周部に設けられた２以上の凹部にそれぞれ載置された弧状部材とを有し、
前記座ぐり部の底面が、前記弧状部材のおもて面の全体と、前記サセプタ本体のおもて面の一部とで構成され、
前記サセプタ本体には、前記２以上の各弧状部材の裏面を支持して前記２以上の各弧状部材を昇降させるリフトピンを挿通するための２以上の貫通孔が設けられ、
前記ウェーハを前記座ぐり部に載置する際、及び、前記ウェーハを前記座ぐり部から搬出する際に、前記リフトピンにより上昇される前記弧状部材のおもて面の全体が、前記ウェーハの裏面の外周部のみを面接触で支持する支持面として機能することを特徴とするサセプタ。【００１１】
（２）前記弧状部材の数が２であり、おもて面視で略線対称に位置する上記（１）に記載のサセプタ。【００１２】
（３）前記リフトピンが前記弧状部材に固定されている上記（１）又は（２）に記載のサセプタ。【００１３】
（４）上記（１）〜（３）のいずれか一項に記載のサセプタと、
前記リフトピンの下端部を支持して前記リフトピンを昇降させる昇降機構と、を有するエピタキシャル成長装置。【００１４】
（５）ウェーハ表面上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであって、前記エピタキシャルウェーハの裏面及び面取り部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハ。【００１５】
（６）前記エピタキシャルウェーハの裏面の中央部をレーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.3μｍ以下の疵が観察されない、上記（５）に記載のエピタキシャルウェーハ。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のサセプタ及びエピタキシャル成長装置は、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能である。また、このサセプタ及びエピタキシャル成長装置を用いることにより、リフトピン又はサセプタとの接触に起因して発生し得る、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態によるサセプタ２０の模式断面図であり、（Ａ）はウェーハを載置していない状態（図２（Ｃ）のI−I断面図）、（Ｂ）は、（Ａ）の座ぐり部２１にウェーハＷを載置した状態、（Ｃ）は、弧状部材４０Ａ，４０ＢでウェーハＷを持ち上げた状態を示す。
【図２】（Ａ）は、図１のサセプタ２０におけるサセプタ本体３０の上面図であり、（Ｂ）は、図１のサセプタ２０における弧状部材４０Ａ，４０Ｂの上面図であり、（Ｃ）は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂをサセプタ本体３０の凹部に載置した状態のサセプタ２０の上面図である。
【図３】図１（Ｃ）の拡大断面図である。
【図４】比較例によるサセプタの、図３と同様の断面図である。
【図５】（Ａ）は、サセプタサポートシャフト５０の分解斜視図であり、（Ｂ）は、昇降シャフト６０の分解斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態によるエピタキシャル成長装置１００の模式図であり、ウェーハＷがサセプタに載置された状態（気相成長時）を示す。
【図７】本発明の一実施形態によるエピタキシャル成長装置１００の模式図であり、弧状部材４０Ａ，４０ＢがウェーハＷを持ち上げた状態を示す。
【図８】従来のエピタキシャル成長装置２００の模式図であり、リフトピン４０がサセプタ２０に対して下降した状態（気相成長時）を示す。
【図９】（Ａ）は従来例、（Ｂ）は発明例において、エピタキシャルシリコンウェーハの裏面をレーザー顕微鏡で観察した画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図６及び図７を参照して、本発明の一実施形態によるエピタキシャル成長装置１００を説明する。また、図１〜３を参照して、このエピタキシャル成長装置１００に含まれる、本発明の一実施形態によるサセプタ２０を説明する。
【００１９】
（エピタキシャル成長装置）
図６及び図７に示すエピタキシャル成長装置１００は、チャンバ１０と、加熱ランプ１４と、図１及び図２にも示すサセプタ２０と、図５（Ａ）にも示すサセプタサポートシャフト５０と、図５（Ｂ）にも示す昇降シャフト６０とを有する。
【００２０】
（チャンバ）
チャンバ１０は、上部ドーム１１、下部ドーム１２及びドーム取付体１３を含み、このチャンバ１０がエピタキシャル膜形成室を区画する。チャンバ１０には、その側面の対向する位置に反応ガスの供給及び排出を行うガス供給口１５及びガス排出口１６が設けられる。
【００２１】
（加熱ランプ）
加熱ランプ１４は、チャンバ１０の上側領域および下側領域に配置され、一般に、昇降温速度が速く、温度制御性に優れた、ハロゲンランプや赤外ランプが用いられる。
【００２２】
（サセプタの主要な構成）
図１及び図２を参照して、サセプタ２０の主要な構成を説明する。サセプタ２０は、チャンバ１０の内部でウェーハＷを載置するための円盤状の部材である。サセプタ２０は、カーボングラファイト（黒鉛）を母材とし、その表面を炭化ケイ素でコーティングしたものを使用することができる。図１（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、サセプタ２０のおもて面には、ウェーハＷが載置される座ぐり部２１が形成されている。座ぐり部２１の開口端における直径は、ウェーハＷの直径を考慮して適宜設定すればよく、通常、ウェーハＷの直径よりも１．０〜２．０ｍｍ程度大きくする。
【００２３】
図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、サセプタ２０は、サセプタ本体３０と、このサセプタ本体のおもて面の外周部に設けられた２つの凹部３１Ａ，３１Ｂにそれぞれ載置された２つの弧状部材４０Ａ，４０Ｂとを有する。
【００２４】
図１（Ａ）〜（Ｃ）及び図２（Ａ）を参照して、サセプタ本体３０のおもて面は、おもて面外周部３２と、ウェーハ支持面３２Ａと、縦壁面３２Ｂと、おもて面中心部３３と、凹部３１Ａ，３１Ｂの表面（底面３４Ａ，３４Ｂを含む）とを含む。おもて面外周部３２は、図１（Ａ）に示す座ぐり部２１の周囲に位置する。ウェーハ支持面３２Ａは、おもて面外周部３２の内側に位置し、ウェーハＷの裏面周縁部を線接触で支持する、座ぐり部の一部を構成する傾斜面である。縦壁面３２Ｂは、ウェーハ支持面３２Ａの内周端から連続する、座ぐり部の一部を構成する壁面である。おもて面中心部３３は、縦壁面３２Ｂから連続し、座ぐり部２１の底面の一部を構成する。凹部３１Ａ，３１Ｂは、弧状部材４０Ａ，４０Ｂを収容、載置するために、図２（Ａ）のおもて面視で弧状部材４０Ａ，４０Ｂと同じ形状を有する。凹部３１Ａ，３１Ｂの寸法は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂとサセプタ本体３０との隙間（クリアランス）が必要最小限（例えば０．１〜１．０ｍｍ程度）となるように設定する。サセプタ本体３０には、底面３４Ａ，３４Ｂ及び裏面を鉛直方向に貫通する４つの貫通孔３５が設けられている。４つの貫通孔３５には、後述するリフトピン４４が挿通される。
【００２５】
図１（Ａ）〜（Ｃ）及び図２（Ｂ）を参照して、弧状部材４０Ａ，４０Ｂは、それぞれおもて面４１Ａ，４１Ｂ及び裏面４２Ａ，４２Ｂを有し、必要最小限の隙間（クリアランス）をもって凹部３１Ａ，３１Ｂにそれぞれ載置される、上面視で弧状の部材である。図１（Ａ）に示すように、おもて面４１Ａ，４１Ｂは座ぐり部２１の底面の一部を構成し、裏面４２Ａ，４２Ｂは凹部の底面３４Ａ，３４Ｂにそれぞれ接触、支持される。ウェーハＷを安定して支持する観点から、弧状部材の外周面４３Ａ，４３Ｂと、内周面４５Ａ，４５Ｂとは、上面視で同じ曲率を有することが好ましく、その曲率は、ウェーハの曲率の８０〜１２０％程度とすることが好ましく、１００％であることがより好ましい。また、ウェーハＷを安定して支持する観点から、２つの弧状部材４０Ａ，４０Ｂは、図２（Ｃ）に示すように略線対称に位置することが好ましい。
【００２６】
裏面４２Ａ，４２Ｂからは、それぞれ２本のリフトピン４４が延びている。これら計４本のリフトピン４４は、サセプタ本体に設けられた４つの貫通孔３５にそれぞれ挿通される。リフトピン４４は、後述の昇降シャフト６０によって鉛直方向上下に昇降されることにより、弧状部材の裏面４２Ａ，４２Ｂを支持しながら、弧状部材４０Ａ，４０Ｂをサセプタ本体３０に対して着脱させることができる。この動作については後述する。弧状部材の安定した昇降の観点から、リフトピン４４は、１つの弧状部材につき２本設けることが好ましく、これら２本のリフトピンを弧状部材の両端部近傍に設けることが好ましい。本実施形態においてリフトピン４４は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂに固定されているが、リフトピン４４は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂに固定されていなくても構わない。
【００２７】
図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、座ぐり部２１の底面が、弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体と、サセプタ本体のおもて面の一部（具体的には、おもて面中心部３３）とで構成される。すなわち、弧状部材４０Ａ，４０Ｂがそれぞれ凹部３１Ａ，３１Ｂに載置され、ウェーハＷが座ぐり部２１に載置されている状態において、座ぐり部２１の表面のうち弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体と、サセプタ本体のおもて面中心部３３とが、ウェーハＷの裏面と離間しつつ対向する。
【００２８】
一方で、図１（Ｃ）に示すように、ウェーハＷを座ぐり部２１に載置する際、及び、ウェーハＷを座ぐり部２１から搬出する（つまり、ウェーハＷを搬送する）際には、サセプタ本体３０及び弧状部材４０Ａ，４０Ｂが鉛直方向に離間して、リフトピン４４により上昇される弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体が、ウェーハＷの裏面の外周部のみを面接触で支持する支持面として機能する。そのため、ウェーハＷの裏面及び面取り部に、リフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵が発生することを抑制できる。具体的には、本実施形態によれば、製造したエピタキシャルウェーハの裏面及び面取り部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.5μｍを超える疵が観察されない。ここで本明細書において「ウェーハの裏面の外周部」とは、ウェーハの裏面において、ウェーハ中心からウェーハ半径の７０％以上離れた領域を意味するものとする。
【００２９】
また、本明細書において、「ウェーハの裏面の中央部」とは、前記ウェーハの裏面の外周部の内側領域、すなわち、ウェーハ中心からウェーハ半径の７０％未満の領域を意味する。そして、本実施形態では、弧状部材４０Ａ，４０ＢがウェーハＷの裏面の外周部のみを支持するため、裏面の中央部は何らの部材との接触がない（点接触のみならず、面接触もない）。そのため、製造したエピタキシャルウェーハの裏面の中央部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.3μｍ以下の疵（接触疵）も観察されない。エピタキシャル成長処理中、ウェーハＷは高温熱処理を受けることにより上凸あるいは下凸に反るなどの現象が起きる。このため、ウェーハＷの裏面中央部に接触疵が存在すると、その疵を起点にスリップ転位が発生し易くなるおそれがあるが、本実施形態ではそのおそれがない。
【００３０】
弧状部材４０Ａ，４０Ｂに支持されたウェーハＷは、図２（Ｃ）に示す方向から挿入されるコの字型の搬送ブレード７０のウェーハ支持部７２によってウェーハＷの裏面中心部を支持され、チャンバの外に搬送される。弧状部材４０Ａ，４０Ｂは、搬送ブレードのウェーハ支持部７２と干渉しないように配置される。
【００３１】
弧状部材４０Ａ，４０Ｂの表面部又は弧状部材４０Ａ，４０Ｂの全体は、柔らかい材料（グラッシーカーボン）からなるものとすることが好ましい。ウェーハＷの裏面を面接触支持する際の傷発生を抑制できるからである。
【００３２】
また、サセプタ本体の凹部３１Ａ，３１Ｂの底部と弧状部材４０Ａ，４０Ｂとを孔あき構造とすることも好ましい。ウェーハＷの裏面への水素ガス回り込みを促進させて、ウェーハ裏面でのハロー（くもり）発生を抑制できるからである。
【００３３】
（サセプタサポートシャフト）
図５（Ａ）を参照して、サセプタサポートシャフト５０は、チャンバ１０内でサセプタ２０を下方から支持するものであり、主柱５２と、４本のアーム５４と、４本の支持ピン５８とを有する。主柱５２は、サセプタの中心とほぼ同軸上に配置される。４本のアーム５４は、主柱５２からサセプタ２０の周縁部下方に放射状に延び、それぞれ鉛直方向に貫通する貫通孔５６を有する。なお、本明細書において「サセプタの周縁部」とは、サセプタ中心からサセプタ半径の８０％以上外側の領域を意味する。支持ピン５８は、４本のアーム５４の先端にそれぞれ設けられ、サセプタ２０を直接支持する。すなわち、支持ピン５８は、サセプタの裏面周縁部を支持する。４つの貫通孔５６には、４本のリフトピン４４がそれぞれ挿通される。サセプタサポートシャフト５０は、石英で構成することが望ましく、特に合成石英で構成することが望ましい。ただし、支持ピン５８の先端部分は、サセプタ２０と同じ炭化ケイ素で構成することが好ましい。
【００３４】
（昇降シャフト）
図５（Ｂ）に示すように、昇降機構としての昇降シャフト６０は、サセプタサポートシャフトの主柱５２を収容する中空を区画し、この主柱３２と回転軸を共有する主柱６２と、この主柱６２の先端で分岐する４本の支柱６４とを有し、これら支柱６４の先端部６６でリフトピン４４の下端部をそれぞれ支持する。昇降シャフト６０は石英で構成されることが好ましい。昇降シャフト６０が、サセプタサポートシャフトの主柱５２に沿って鉛直方向上下に動くことにより、リフトピン４４を昇降させることができる。
【００３５】
（エピタキシャルウェーハの製造手順）
次に、チャンバ１０内へのウェーハＷの搬入、ウェーハＷへのエピタキシャル膜の気相成長、及び製造されたエピタキシャルウェーハのチャンバ１０外への搬出の一連の動作を、図６及び図７を適宜参照して説明する。
【００３６】
図２（Ｃ）に示した搬送ブレード７０に支持されてチャンバ１０内に搬入されたウェーハＷは、リフトピン４４によって持ち上げられた弧状部材４０Ａ，４０Ｂのおもて面４１Ａ，４１Ｂに一旦載置される。リフトピン４４の上昇移動は、これらの下端部を支持する昇降シャフト６０の上昇移動を介して行う。
【００３７】
次いで、サセプタサポートシャフト５０を上昇させることで、サセプタ本体３０を弧状部材４０Ａ，４０Ｂの位置まで移動し、ウェーハＷがサセプタ２０の座ぐり部２１に載置された状態とする。その後、加熱ランプ１４によりウェーハＷを１０００℃以上の温度に加熱する一方、ガス供給口１５からチャンバ１０内に反応ガスを供給して、所定の厚さのエピタキシャル膜を気相成長させて、エピタキシャルウェーハを製造する。気相成長中は、主柱５２を回転軸としてサセプタサポートシャフト５０を回転させることで、サセプタ２０及びその上のウェーハＷを回転させる。
【００３８】
その後、サセプタサポートシャフト５０を下降させることで、サセプタ本体３０を下降させる。この下降は、リフトピン４４が昇降シャフト６０に支持され、弧状部材４０Ａ，４０Ｂがサセプタ本体３０から離間するまで行い、製造後のエピタキシャルウェーハを、リフトピン４４に支持された弧状部材４０Ａ，４０Ｂのおもて面４１Ａ，４１Ｂに支持しておく。そして、チャンバ１０内に搬送ブレード７０を導入し、リフトピン４４を下降して搬送ブレードのウェーハ支持部７２上にエピタキシャルウェーハを載置する。こうして、エピタキシャルウェーハを弧状部材４０Ａ，４０Ｂから搬送ブレード７０に受け渡す。その後、搬送ブレード７０とともにエピタキシャルウェーハをチャンバ１０外へ搬出する。
【００３９】
（サセプタの特徴部分の構成）
ここで本発明の特徴的構成である、弧状部材４０Ａ，４０Ｂの位置について詳細に説明する。
【００４０】
図３を参照して、本実施形態のサセプタ２０では、弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体が、ウェーハＷの裏面と対向する。つまり、図２（Ｃ）も合わせて参照して、凹部３１Ａ，３１Ｂの全体、及び、弧状部材４０Ａ，４０Ｂの全体が、ウェーハＷの外周部の直下で、かつ、ウェーハのエッジ部よりも内側に位置する。
【００４１】
このような構成を採用することの技術的意義を、従来例ではない比較例を示す図４と対比して説明する。図４では、弧状部材４０Ａのおもて面は、座ぐり部２１の周囲に位置する水平面４６Ａと、この水平面４６Ａの内側に位置し、ウェーハＷの裏面周縁部を線接触で支持するウェーハ支持面４６Ｂと、このウェーハ支持面３２Ａの内周端から連続する縦壁面４６Ｃと、この縦壁面４６Ｃから連続し、座ぐり部２１の底面の一部を構成する水平面４６Ｄとからなる。つまり、弧状部材４０Ａは、サセプタ本体３０の周縁部の、しかもウェーハＷのエッジ部よりも外側にまで延在して位置する。そのため、気相成長時には、水平面４６Ａと、サセプタ本体のおもて面外周部３２にもソースガスが接触してエピタキシャル膜が成長し、そのエピタキシャル膜は、水平面４６Ａとおもて面外周部３２との水平方向離間部でも連結する場合がある。その後、弧状部材４０Ａをサセプタ本体３０から相対的に持ち上げると、離間部で連結したエピタキシャル膜が破断し、粉塵が発生する。この粉塵は、製造したエピタキシャルウェーハの表面に付着し、多数の欠陥を生じさせる。
【００４２】
これに対し図３に示す本実施形態では、弧状部材４０Ａ，４０Ｂの全体が、ウェーハＷの外周部の直下で、かつ、ウェーハのエッジ部よりも内側に位置する。このため、弧状部材４０Ａ，４０Ｂとサセプタ本体３０との水平方向離間部には、エピタキシャル膜が成長せず、その結果、このエピタキシャル膜起因の粉塵は発生しない。
【実施例】
【００４３】
（発明例）
図１〜３に示すサセプタと、図６，７に示すエピタキシャル成長装置を用いて、上記した手順に従ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造した。図３において、ウェーハのエッジと座ぐり部端部とのクリアランスは１．２５ｍｍ、凹部の外側端部とウェーハのエッジとの水平方向距離は２．２５ｍｍとした。エピタキシャルウェーハの基板としては、ボロンドープされた直径３００ｍｍのシリコンウェーハを用いた。【００４４】
（比較例）
図４に示すサセプタを用いた以外は発明例と同様にして、エピタキシャルシリコンウェーハを製造した。【００４５】
（従来例）
図８に示す従来のエピタキシャル成長装置を用いて、エピタキシャルシリコンウェーハを製造した。【００４６】
［気相成長条件］
エピタキシャルウェーハの製造は、シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、既述の方法でサセプタ上に載置した。続いて、水素ガス雰囲気下で１１５０℃で水素ベークを行った後、１１５０℃にて、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を４μｍ成長させてエピタキシャルシリコンウェーハを得た。ここで、原料ソースガスとしてはトリクロロシランガスを用い、また、ドーパントガスとしてジボランガス、キャリアガスとして水素ガスを用いた。その後、既述の方法で、エピタキシャルシリコンウェーハをチャンバ外へ搬出した。【００４７】
［裏面品質の評価］
発明例及び従来例で製造したエピタキシャルウェーハそれぞれについて、共焦点レーザー顕微鏡（倍率：1000倍）を用いて、支持部材（従来例ではリフトピン、発明例では弧状部材）の位置に対応する裏面領域を観察した。その結果を図９（Ａ），（Ｂ）に示す。図９（Ａ）から明らかなように、従来例では、リフトピンとの接触に起因すると推測される多数の傷が観察された。この視野中の全ての傷について、深さ（Peak-Vallay値）を測定したところ、大多数の傷では深さが0.5μｍを超えていた。これに対し、図９（Ｂ）から明らかなように、発明例ではほとんど疵は観察されず、この視野中に観察された多少の凹凸の深さを測定したところ、いずれも0.5μｍ以下であった。つまり、発明例では、0.5μｍを超えるような深い疵は全く観察されなかった。【００４８】
また、発明例のエピタキシャルウェーハは、その面取り部においても深さ0.5μｍを超える疵は観察されなかった。また、発明例のエピタキシャルウェーハは、その裏面の中央部を前記レーザー顕微鏡で観察したところ、深さ（Peak-Vallay値）0.3μｍ以下の疵も観察されなかった。これにより、エピタキシャルウェーハ中央部におけるスリップ転位の発生を確実に防止することができる。【００４９】
また、発明例及び比較例で製造したエピタキシャルウェーハについて、表面検査装置（KLA-Tencor社製：Surfscan SP-2）を用いて、ＤＣＯモードで、リフトピンの位置に対応する裏面領域を観察し、レーザー反射の設定値以上の散乱強度を有する領域の面積（ピンマーク強度）を測定し、エピタキシャルウェーハ裏面のリフトピン起因の疵付きを評価した。その結果、比較例、発明例とも０ｍｍ2であり、エピタキシャルウェーハの裏面にリフトピンに起因する疵は確認されなかった。【００５０】
［エピタキシャルウェーハの欠陥数の評価］
発明例及び比較例で製造した各１０枚のエピタキシャルウェーハについて、表面検査装置（KLA-Tencor社製：Surfscan SP-2）を用いて、ＤＣＯモード（Dark Field CompositeObliqueモード）でエピタキシャル膜表面を観察し、直径が０．２５μｍ以上のＬＰＤ（Light Point Defect）の個数を調べた。この測定結果によって、発塵によるパーティクルの発生状況を評価することができる。その結果、比較例では２０．１個／ウェーハ（標準偏差９．１）であったのに対して、発明例では６．４個／ウェーハ（標準偏差３．７）と、減少していた。これは、発明例ではサセプタからの発塵が抑制できたことを示している。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明のサセプタ及びエピタキシャル成長装置は、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能であるため、エピタキシャルウェーハの製造に好適に適用できる。
【符号の説明】
【００５２】
１００  エピタキシャル成長装置
１０  チャンバ
１１  上部ドーム
１２  下部ドーム
１３  ドーム取付体
１４  加熱ランプ
１５  ガス供給口
１６  ガス排出口
２０  サセプタ
２１  座ぐり部
３０  サセプタ本体
３１Ａ，３１Ｂ  凹部
３２  サセプタ本体のおもて面外周部
３２Ａ  ウェーハ支持面
３２Ｂ  縦壁面
３３  サセプタ本体のおもて面中心部
３４Ａ，３４Ｂ  凹部の底面
３５  貫通孔
４０Ａ，４０Ｂ  弧状部材
４１Ａ，４１Ｂ  弧状部材のおもて面
４２Ａ，４２Ｂ  弧状部材の裏面
４３Ａ，４３Ｂ  弧状部材の外周面
４４  リフトピン
４５Ａ，４５Ｂ  弧状部材の内周面
５０  サセプタサポートシャフト
５２  主柱
５４  アーム
５６  貫通孔
５８  支持ピン
６０  昇降シャフト
６２  主柱
６４  支柱
６６  支柱の先端部
７０  ウェーハ搬送用ブレード
７２  ウェーハ支持部
Ｗ  ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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