(57)【要約】  電極のセラミック絶縁層に対する密着性を向上するための密着層を形成することにより、セラミック絶縁層に構造欠陥が生じるのを抑制して、電極が配置された部分におけるセラミック絶縁層の構造を緻密化することができる技術を提供する。  電極２２，２３のセラミック絶縁層２１に対する密着性を向上することができる密着層２５ａ，２５ｂをガラスペーストを焼成することにより低コストで形成することができる。また、電極２２，２３、セラミック絶縁層２１および密着層２５ａ，２５ｂが同時に焼成される際に、ガラスペーストが最後に焼結するため、収縮率の差に起因して生じる応力により焼成時に収縮するのが妨げられてセラミック絶縁層２１の電極２２，２３が配置された部分にボイドや欠陥等が生じるのを抑制することができるので、当該部分におけるセラミック絶縁層２２，２３の構造を密着層２５ａ、２５ｂにより緻密化することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック絶縁層と、前記セラミック絶縁層の一主面上に形成された電極とを備えるセラミック基板において、
前記電極と前記セラミック絶縁層との間に、ガラスペーストを焼成して成る密着層を備えている
ことを特徴とするセラミック基板。
【請求項２】
前記電極の平面視における面積が前記密着層よりも小さく、前記電極が平面視で前記密着層の内側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載のセラミック基板を備える電子部品において、
蓋部材と、
振動する部位を有するデバイスとを備え、
前記セラミック絶縁層の一主面上の所定領域を囲むように環状に形成された前記密着層上に前記電極が環状に形成され、
前記蓋部材が前記所定領域を覆うように前記電極上に配置されてはんだにより前記電極に接合され、
前記蓋部材と前記セラミック絶縁層の一主面との間に前記電極により囲まれて形成された空間に前記デバイスが配置されている
ことを特徴とする電子部品。
【請求項４】
セラミック絶縁層を成すセラミックグリーンシートの一主面上にガラスペーストを印刷して密着層を形成する密着層形成工程と、
前記ガラスペースト上に導電ペーストを印刷して電極を形成する電極形成工程と、
前記セラミックグリーンシート、前記密着層および前記電極を同時焼成する焼成工程と
を備えることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック絶縁層およびその一主面上に形成された電極を備えるセラミック基板、この基板を備える電子部品およびこの基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図７に示すように、蓋部材５０１により封止されたセラミック基板５０２のキャビティ５０３内に、水晶発振器、弾性波デバイス、ＭＥＭＳデバイス等の振動する部位を有するデバイス５０４が配置された構造を備える電子部品５００が提供されている（例えば特許文献１参照）。具体的には、セラミック基板５０２の所定領域に形成されたキャビティ５０３の周囲に設けられた堤部の上面に、キャビティ５０３を平面視で囲むように環状のメタライズ層５０５が形成され、メタライズ層５０５上に環状のめっき層５０６が形成されている。【０００３】
また、蓋部材５０１の下面のめっき層５０６に対向する位置に環状の金属膜層５０７が金属ろうやはんだろうにより形成されている。そして、キャビティ５０３を閉塞するようにセラミック基板５０２上に蓋部材５０１が配置された状態で、めっき層５０６（メタライズ層５０５）と金属膜層５０７とがシーム溶接により接合されることによって、キャビティ５０３が封止されている。【０００４】
また、キャビティ５０３の底部にパッド電極５０８が形成され、セラミック基板５０２の下面に外部接続用のランド電極５０９が形成され、パッド電極５０８とランド電極５０９とがセラミック基板５０２内のビア導体５１０により電気的に接続されている。そして、キャビティ５０３内において、デバイス５０４がパッド電極５０８に導電性の接合材５１１などにより電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１９６４８５号公報（段落００１６〜００２２、図１，２、要約書など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、めっき層５０６とセラミック基板５０２との密着性を向上し、蓋部材５０１によるキャビティ５０３の封止性を向上するために、セラミック基板５０２が形成された後に、セラミック基板５０２の上面にキャビティ５０３を囲むようにメタライズ層５０５が形成され、メタライズ層５０５上にめっき層５０６が形成される。しかしながら、従来の構成では、例えば、めっき層５０６と金属ろうやはんだろうにより形成された金属膜層５０７との接合時に大きな応力が生じることにより、メタライズ層５０５が形成されたセラミック絶縁層（セラミック基板５０２）に割れや欠けなどの構造欠陥が生じるおそれがある。これにより、たとえば、セラミック絶縁層を介して空気等の気体が通過すことによりキャビティ５０３の封止性が劣化するおそれがある。【０００７】
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、電極のセラミック絶縁層に対する密着性を向上するための密着層を形成することにより、セラミック絶縁層に構造欠陥が生じるのを抑制して、電極が配置された部分におけるセラミック絶縁層の構造を緻密化することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明にかかるセラミック基板は、セラミック絶縁層と、前記セラミック絶縁層の一主面上に形成された電極とを備えるセラミック基板において、前記電極と前記セラミック絶縁層との間に、ガラスペーストを焼成して成る密着層を備えていることを特徴としている。【０００９】
また、本発明にかかるセラミック基板の製造方法は、セラミック絶縁層を成すセラミックグリーンシートの一主面上にガラスペーストを印刷して密着層を形成する密着層形成工程と、前記ガラスペースト上に導電ペーストを印刷して電極を形成する電極形成工程と、前記セラミックグリーンシート、前記密着層および前記電極を同時焼成する焼成工程とを備えることを特徴としている。【００１０】
このように構成された発明では、電極とセラミック絶縁層との間にガラスペーストを焼成して成る密着層が配置されているので、電極のセラミック絶縁層に対する密着性を向上することができる。また、電極、セラミック絶縁層および密着層が同時に焼成される際に、密着層を形成するガラスペーストが焼結するのに要する時間は電極およびセラミック絶縁層が焼結するのに要する時間よりも長く、焼成時における電極およびセラミック絶縁層それぞれの収縮率の差に起因して生じる応力は、焼結する前の密着層により吸収されることによって緩和される。したがって、収縮率の差に起因して生じる応力により焼成時に収縮するのが妨げられてセラミック絶縁層の電極が配置された部分にボイドや欠陥等の構造欠陥が生じるのを抑制することができるので、当該部分におけるセラミック絶縁層の構造を密着層により緻密化することができる。【００１１】
また、前記電極の平面視における面積が前記密着層よりも小さく、前記電極が平面視で前記密着層の内側に配置されているとよい。【００１２】
このように構成すると、電極下面の全面に渡って密着層が密着するので、電極のセラミック絶縁層に対する密着性をさらに効果的に向上することができる。【００１３】
また、本発明にかかる電子部品は、請求項１または２に記載のセラミック基板を備える電子部品において、蓋部材と、振動する部位を有するデバイスとを備え、前記セラミック絶縁層の一主面上の所定領域を囲むように環状に形成された前記密着層上に前記電極が環状に形成され、前記蓋部材が前記所定領域を覆うように前記電極上に配置されてはんだにより前記電極に接合され、前記蓋部材と前記セラミック絶縁層の一主面との間に前記電極により囲まれて形成された空間に前記デバイスが配置されていることを特徴としている。【００１４】
このように構成された発明では、蓋部材が接合される環状の電極とセラミック絶縁層との間に密着層が環状に形成されることにより、電極が配置された部分におけるセラミック絶縁層の構造が緻密化されている。したがって、電極が形成された部分においてセラミック絶縁層を空気等の気体が通過するのを抑制することができるので、蓋部材とセラミック絶縁層の一主面との間に電極により囲まれて形成された空間の密封性（気密封止性）を低コストで向上することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電極のセラミック絶縁層に対する密着性を向上することができる密着層をガラスペーストを焼成することにより低コストで形成することができる。また、電極、セラミック絶縁層および密着層が同時に焼成される際に、密着層のガラスペーストが最後に焼結するため、収縮率の差に起因して生じる応力により焼成時に収縮するのが妨げられてセラミック絶縁層の電極が配置された部分にボイドや欠陥等が生じるのを抑制することができるので、当該部分におけるセラミック絶縁層の構造を密着層により緻密化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】電極の剥離強度を示す図である。
【図４】従来のフレーミング構造と異なる点を説明するための図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる電子部品を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）それぞれは電極と密着層との配置関係の変形例を示す図である。
【図７】従来のセラミック基板を備える電子部品を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第１実施形態＞
本発明にかかる電子部品の第１実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。なお、図２でははんだＨが図示省略されている。
【００１８】
図１に示すように、電子部品１は、セラミック基板２と、蓋部材３と、デバイス４とを備えている。
【００１９】
セラミック基板２は、積層された複数のセラミックグリーンシートが一体的に焼成されて成るセラミック絶縁層２１と、セラミック基板２（セラミック絶縁層２１）の一主面２１ａ上に形成された各種の部品を実装するための電極２２，２３と、他主面２１ｂに形成された外部接続用の電極２４と、ガラスペーストが焼成されて成り、電極２２，２３とセラミック絶縁層２１との間に配置された密着層２５ａ，２５ｂとを備えている。また、セラミック絶縁層２１内には、面内導体２６ａと層間接続用のビア導体２６ｂとから成る内部配線電極２６が形成されている。
【００２０】
電極２２は、デバイス４が配置されるセラミック絶縁層２１の一主面２１ａ上の所定領域Ｒに形成され、はんだＨ等の接合材を用いて電極２２にデバイス４が実装される。また、電極２２は、内部配線電極２６を介してセラミック絶縁層２１の他主面２１ｂに形成された電極２４に接続されている。また、電極２２とセラミック絶縁層２１との間に配置された密着層２５ａの平面視における面積（但し、ビア導体２６ｂの形成領域を除く）は電極２２よりも大きく、電極２２は平面視で密着層２５ａの内側に配置されており、平面視で密着層２５ａが電極２２の外側にはみ出した配置状態となっている。換言すれば、密着層２５ａは電極２２の外形の内側に配置されている。
【００２１】
電極２３は、デバイス４が配置されるセラミック絶縁層２１の一主面２１ａ上の所定領域Ｒを囲むように環状に形成された密着層２５ｂ上に環状に形成されている。また、電極２３とセラミック絶縁層２１との間に配置された密着層２５ｂの平面視における面積は電極２３よりも大きく、かつ、電極２３は密着層２５ｂの内側に配置されており、平面視で密着層２５ｂが電極２３の外側にはみ出した配置状態となっている。
【００２２】
蓋部材３は、例えばコバール等の金属製のキャップ状の部材により形成されており、所定領域Ｒに配置されたデバイス４を覆うように開口側の環状の端面が電極２３上に配置され、ＳｎＡｇＣｕやＡｕＳｎ等のはんだＨにより開口の周縁部分が電極２３に接合されている。また、蓋部材３の内側面とセラミック絶縁層２１の一主面２１ａとの間に電極２３により囲まれて形成された空間にデバイス４が配置されている。
【００２３】
デバイス４は、水晶発振器、弾性波デバイス、ＭＥＭＳデバイス等の振動する部位を有するデバイスであり、図１に示すように、例えば水晶発振器から成るデバイス４が気密空間に配置される。
【００２４】
（セラミック基板２の製造方法）
セラミック基板２の製造法の一例について説明する。
【００２５】
まず、セラミック絶縁層２１を形成するセラミックグリーンシートが用意される。セラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーが成型器によりシート化されたものであり、約１０００℃前後の低い温度で、所謂、低温焼成できるように形成されている。そして、所定形状に切り取られたセラミックグリーンシートに、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導電ペーストが充填されたり、ビアフィルめっきが施されることにより層間接続用のビア導体２６ｂが形成され、導電ペーストによる印刷により種々の面内導体２６ａが形成されて、複数の絶縁層が形成される。
【００２６】
なお、セラミック絶縁層２１の最上層の絶縁層を形成するセラミックグリーンシートには、まず、その一主面２１ａ上の所定位置にガラスペーストが印刷されることにより密着層２５ａ，２５ｂが形成される（密着層形成工程）。次に、レーザー加工などにより形成されたビアホールに導電ペーストが充填されてビア導体２６ｂが形成される。そして、ガラスペースト上に導電ペーストが印刷されて電極２２，２３が形成される（電極形成工程）。
【００２７】
続いて、各セラミックグリーンシートが積層、圧着されてセラミック積層体が形成され、セラミックグリーンシート、密着層２５ａ，２５ｂおよび電極２２、２３，２４，２６が約１０００℃前後の低い温度で積層方向に加圧されながら、所謂、低温同時焼成されることによりセラミック基板２が形成される（焼成工程）。なお、単層のセラミック絶縁層によりセラミック基板２が形成されていてもよい。
【００２８】
（電極の剥離強度）
電極２２，２３の剥離強度について図３を参照して説明する。なお、図３では縦軸が電極の剥離強度を示し、同図中の左側のプロットが密着層が無い場合の剥離強度、同図中の右側のプロットが密着層がある場合の剥離強度を示している。
【００２９】
密着層２５ａ，２５ｂの有無と電極２２，２３の剥離強度との関係を調べるために、以下の計測を行った。すなわち、セラミック絶縁層上に形成された２ｍｍ×２ｍｍの正方形状の電極に治具をはんだにより接合し、治具を引っ張ることにより、密着層が形成されている場合と形成されていない場合とについて電極の剥離強度を計測した。その結果、図３に示すように、電極とセラミック絶縁層との間に密着層が形成されている場合には、密着層が形成されていない場合に比べて、約２割程度、電極の剥離強度が向上している。
【００３０】
以上のように、この実施形態では、電極２２，２３にデバイス４や蓋部材３などの各種の部品がはんだＨ等の接合材により接合されるため、例えば、はんだＨを溶融させる際などに熱履歴が生じるが、電極２２，２３とセラミック絶縁層２１との間にガラスペーストを焼成して成る密着層２５ａ，２５ｂが配置されているので、電極２２，２３のセラミック絶縁層２１に対する密着性を向上することができる。そのため、電極２２，２３に熱履歴が生じる過程において、例えば、はんだＨが凝固収縮する際に生じる応力により電極２２，２３が剥離したり破損するのを防止することができる。また、電極２２，２３，２４，２６およびセラミック絶縁層２１と同時に焼成して密着層２５ａ，２５ｂを形成することができるので、従来のようにメタライズ層やめっき層を形成する工程が必要なく、密着層２５ａ，２５ｂを低コストで形成することができる。
【００３１】
また、電極２２，２３、セラミック絶縁層２１および密着層２５ａ，２５ｂが同時に焼成される際に、密着層２５ａ，２５ｂを形成するガラスペーストが焼結するのに要する時間は電極２２，２３およびセラミック絶縁層２１が焼結するのに要する時間よりも長く、密着層２５ａ，２５ｂが最後に焼結するため、焼成時における電極２２，２３およびセラミック絶縁層２１それぞれの収縮率の差に起因して生じる応力は、焼結する前の密着層２５ａ，２５ｂにより吸収されることによって緩和される。したがって、収縮率の差に起因して生じる応力により焼成時に収縮するのが妨げられてセラミック絶縁層２１の電極２２，２３が配置された部分にボイドや欠陥等が生じるのを抑制することができるので、当該部分におけるセラミック絶縁層２１の構造を密着層２５ａ，２５ｂにより緻密化することができる。したがって、特に、電極２３が形成された部分においてセラミック絶縁層２１を空気等の気体が通過するのを抑制することができるので、蓋部材３の内側面とセラミック絶縁層２１の一主面２１ａとの間に電極２３により囲まれて形成された空間の密封性（気密封止性）を低コストで向上することができる。
【００３２】
また、電極２２下面の全面（但し、ビア導体２６ｂの形成領域を除く）に渡って密着層２５ａが密着し、電極２３下面の全面に渡って密着層２５ｂが密着するように各密着層２５ａ，２５ｂが配置されているので、電極２２，２３のセラミック絶縁層２１に対する密着性を効果的に向上することができる。また、各電極２２，２３それぞれは密着層２５ａ，２５ｂ上にどのように配置されてもよい。そのため、図４中の右側に配置されている電極２２の端縁部を被覆するフレーミング構造２５ａ＊のように、電極２２，２３の端縁部が例えばガラスペーストによりフレーミングされた構成と比較すると、図４中の左側に配置されている電極２２の下面に密着する密着層２５ａのように、上記した構成では、一主面２１ａ上の面方向における各電極２２，２３および各密着層２５ａ，２５ｂの位置誤差の許容度が大きく、設計の自由度が高い。したがって、上記した構成は、より小さな電極２２，２３を形成し、各電極２２，２３間の距離を小さくする際に有効であり、電子部品１の小型化に寄与することができる。
【００３３】
＜第２実施形態＞
本発明にかかる電子部品の第２実施形態について、図５を参照して説明する。なお、以下の説明では、上記した第１実施形態と異なる点を中心に説明を行い、上記した第１実施形態と同様の構成については同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
【００３４】
図５に示す電子部品１ａが、図１の電子部品１と異なるのは、セラミック基板１２（セラミック絶縁層２１）の所定領域Ｒの位置にキャビティ２７が形成され、コバール等の金属製の平板状の蓋部材１３が、キャビティ２７を閉塞するように電極２３上に配置されてはんだＨにより電極２３に接合されている点である。また、デバイス４は、蓋部材１３により封止されたキャビティ２７内の空間に配置されている。
【００３５】
このように構成しても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００３６】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記した実施形態が備える構成をどのように組み合わせてもよい。例えば、上記した実施形態ではガラスペーストが焼成されることにより密着層２５ａ，２５ｂが形成されているが、ガラスペーストにアルミナ等のセラミック成分が含まれていてもよい。換言すれば、密着層２５ａ，２５ｂを形成するガラスペーストは、セラミック絶縁層２１を形成するセラミックグリーンシートよりも、ガラスの含有量が多いセラミックペーストであってもよい。
【００３７】
また、ガラスペーストがセラミック絶縁層２１の一主面２１ａの全面に渡って塗布されることにより密着層が形成されていてもよい。また、密着層２５ａが平面視で電極２２、２３と同じ大きさで重なるように配置されていてもよい。また、電極２２，２３の下面の少なくとも一部に密着層２５ａが配置されていてもよい。例えば、図６（ａ）に示すように、平面視で矩形枠状に形成された密着層２５ａと矩形状の電極２２，２３の周縁部とが重なるように密着層２５ａおよび電極２２，２３が配置されていたり、図６（ｂ）に示すように、電極２２，２３の一部が密着層２５ａと重なるように密着層２５ａおよび電極２２，２３が配置されていたり、図６（ｃ）に示すように、密着層２５ａが電極２２，２３の内側に配置されていてもよい。
【００３８】
また、電子部品１，１ａにおいて、セラミック絶縁層２１の一主面２１ａの所定領域Ｒに他の部品がさらに実装されていてもよいし、セラミック絶縁層２１の一主面２１ａの所定領域Ｒと異なる他の領域に他の部品がさらに実装されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、セラミック絶縁層およびその一主面上に形成された電極を備えるセラミック基板、この基板を備える電子部品およびこの基板の製造方法に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１，１ａ    電子部品
２，１２    セラミック基板
２１    セラミック絶縁層
２１ａ    一主面
２２，２３    電極
２５ａ，２５ｂ    密着層
３，１３    蓋部材
４    デバイス
Ｈ    はんだ
Ｒ    所定領域
【図１】
2016111281.tif 000003
【図２】
2016111281.tif 000004
【図３】
2016111281.tif 000005
【図４】
2016111281.tif 000006
【図５】
2016111281.tif 000007
【図６】
2016111281.tif 000008
【図７】
2016111281.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
電極２２は、デバイス４が配置されるセラミック絶縁層２１の一主面２１ａ上の所定領域Ｒに形成され、はんだＨ等の接合材を用いて電極２２にデバイス４が実装される。また、電極２２は、内部配線電極２６を介してセラミック絶縁層２１の他主面２１ｂに形成された電極２４に接続されている。また、電極２２とセラミック絶縁層２１との間に配置された密着層２５ａの平面視における面積（但し、ビア導体２６ｂの形成領域を除く）は電極２２よりも大きく、電極２２は平面視で密着層２５ａの内側に配置されており、平面視で密着層２５ａが電極２２の外側にはみ出した配置状態となっている。換言すれば、電極２２は密着層２５ａの外形の内側に配置されている。
【国際調査報告】
2016111281.tif 000010
2016111281.tif 000011
2016111281.tif 000012
2016111281.tif 000013