(57)【要約】  微細配線化を実現することができ、かつ絶縁層に設けられた孔部による電気的な接続をより確実にすることができる配線板の製造方法。工程（Ａ）第１主表面（２０ａ）及び第１主表面と対向する第２主表面（２０ｂ）を有している絶縁層（２０）、第１主表面のみ又は第１主表面及び第２主表面の両方に設けられている分子接合層（３０）を備える構造体を用意する工程と、工程（Ｂ）分子接合層に接合する金属層（４２）を形成する工程と、工程（Ｃ）レーザー照射を行って、金属層、分子接合層、及び絶縁層を貫通する孔部（２６）を形成する工程と、工程（Ｄ）孔部に対してデスミア処理を行う工程と、工程（Ｅ）導体層（４４）を形成する工程と、工程（Ｆ）配線層（４０）を形成する工程とを含む、配線板（１０）の製造方法。
2015098601.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工程（Ａ）第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層と、前記第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている分子接合層とを備える構造体を用意する工程と、
工程（Ｂ）前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程と、
工程（Ｃ）レーザー照射を行って、前記金属層、前記分子接合層及び前記絶縁層を貫通する孔部を形成する工程と、
工程（Ｄ）前記孔部に対してデスミア処理を行う工程と、
工程（Ｅ）導体層を形成する工程と、
工程（Ｆ）配線層を形成する工程と
を含む、配線板の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が硬化プリプレグであり、前記分子接合層が前記絶縁層の前記第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている構造体を用意する工程である、請求項１に記載の配線板の製造方法。
【請求項３】
前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が回路基板に設けられ、前記分子接合層が該回路基板が接合されている前記第２主表面とは反対側の前記第１主表面のみに設けられている構造体を用意する工程である、請求項１に記載の配線板の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムをさらに備える構造体を用意する工程であり、
前記工程（Ｂ）が、前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項５】
前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムを設ける工程をさらに含み、
前記工程（Ｂ）が、前記構造体から前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ｄ）の後であって前記工程（Ｅ）の前に、工程（Ｇ）前記金属層を除去する工程をさらに含み、
前記工程（Ｅ）が、露出した前記分子接合層及び前記孔部に、導体層を形成する工程である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項７】
前記工程（Ｂ）が、無電解めっき工程により金属層を形成する工程である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化がますます求められている。このため電子機器の製造に用いられる配線板において、配線のさらなる微細化が求められている。【０００３】
絶縁層に配線層を形成するにあたり、絶縁層の表面を粗化処理して形成した絶縁層の表面の凹凸を利用して生じさせる結合力により、配線層と絶縁層とを接合する技術が知られている。しかしながら、絶縁層の表面の凹凸を粗化処理により形成する場合には、かかる凹凸の存在により精度よく配線を形成することが困難であるため、さらなる微細配線化が難しい。【０００４】
配線板における配線のさらなる微細化のため、絶縁層の表面に分子接合層を形成し、この分子接合層により化学的な接着力によって配線層と絶縁層とを接合する配線板の製造方法が知られている（非特許文献１参照。）。こうした分子接合層を構成するための分子接合剤としては、種々の構造を有する化合物が知られている（特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０４３６３１号
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】エレクトロニクス実装学会誌  Ｖｏｌ．１６  Ｎｏ．６（２０１３）、４５０−４５６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記非特許文献１が開示するフレキシブル配線基板の製造方法によれば、絶縁層（ポリイミドフィルム）に孔部を設けた後に分子接合層を形成している。よって、孔部の内壁に加え、孔部がビアホールである場合には、この孔部から露出する配線の表面にも分子接合層が形成されるため、その後に形成されるフィルドビアによる電気的な接続が確立できなかったり、電気的な抵抗が大きくなってしまったりするおそれがある。【０００８】
そこで本発明は、配線のさらなる微細配線化を実現することができ、かつ絶縁層に設けられた孔部による電気的な接続をより確実にすることができる配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、本発明は下記〔１〕〜〔７〕を提供する。
〔１〕工程（Ａ）第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層と、前記第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている分子接合層とを備える構造体を用意する工程と、
工程（Ｂ）前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程と、
工程（Ｃ）レーザー照射を行って、前記金属層、前記分子接合層及び前記絶縁層を貫通する孔部を形成する工程と、
工程（Ｄ）前記孔部に対してデスミア処理を行う工程と、
工程（Ｅ）導体層を形成する工程と、
工程（Ｆ）配線層を形成する工程と
を含む、配線板の製造方法。
［２］前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が硬化プリプレグであり、前記分子接合層が前記絶縁層の前記第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている構造体を用意する工程である、［１］に記載の配線板の製造方法。
［３］前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が回路基板に設けられ、前記分子接合層が該回路基板が接合されている前記第２主表面とは反対側の前記第１主表面のみに設けられている構造体を用意する工程である、［１］に記載の配線板の製造方法。
［４］前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムをさらに備える構造体を用意する工程であり、
前記工程（Ｂ）が、前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
［５］前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムを設ける工程をさらに含み、
前記工程（Ｂ）が、前記構造体から前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
［６］前記工程（Ｄ）の後であって前記工程（Ｅ）の前に、工程（Ｇ）前記金属層を除去する工程をさらに含み、
前記工程（Ｅ）が、露出した前記分子接合層及び前記孔部に、導体層を形成する工程である、［１］〜［５］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
［７］前記工程（Ｂ）が、無電解めっき工程により金属層を形成する工程である、［１］〜［６］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線板の製造方法によれば、従来のように粗化処理工程を行わずとも良好なピール強度を維持しつつさらなる微細配線化を実現することができ、かつ絶縁層に設けられた孔部による電気的な接続をより確実にすることができる配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、孔部を通る切断線で切断した配線板の切断端面を示す模式的な図である。
【図２】図２は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。
【図３】図３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図４】図４は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図５】図５は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図６】図６は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図７】図７は、孔部を通る切断線で切断した配線板の端面を示す模式的な図である。
【図８】図８は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。
【図９】図９は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図１０】図１０は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図１１】図１１は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図１２】図１２は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【図１３】図１３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【００１３】
本発明の配線板の製造方法は、工程（Ａ）第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層と、前記第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている分子接合層とを備える構造体を用意する工程と、工程（Ｂ）前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程と、工程（Ｃ）レーザー照射を行って、前記金属層、前記分子接合層及び前記絶縁層を貫通する孔部を形成する工程と、工程（Ｄ）前記孔部に対してデスミア処理を行う工程と、工程（Ｅ）導体層を形成する工程と、工程（Ｆ）配線層を形成する工程とを含む。
【００１４】
以下、本発明の第１の実施形態（絶縁層がコア基材である配線板）及び第２の実施形態（絶縁層がビルドアップ絶縁層であるビルドアップ配線板）にかかる配線板の製造方法についてそれぞれ説明する。
【００１５】
１．第１の実施形態
〔配線板〕
まず、本発明の第１の実施形態にかかる配線板の製造方法により製造される配線板の構成例について、図１を参照して説明する。図１は、孔部を通る切断線で切断した配線板の模式的な図である。
【００１６】
図１に示されるように、第１の実施形態の配線板１０は、絶層層２０を備えている。絶縁層２０は、第１主表面２０ａ、及び該第１主表面２０ａと対向する第２主表面２０ｂを有している。
【００１７】
第１の実施形態の絶縁層２０は、プリプレグが硬化された硬化プリプレグ２２である。
【００１８】
第１の実施形態の配線板１０には、第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂの両方に分子接合層３０が設けられている。分子接合層３０は、互いに異なる材料により形成される絶縁層２０と金属層４２とを化学的な接着力により接合させる機能を有している。
以下、絶縁層２０、分子接合層３０などを含む、配線板１０の製造中途の構造体を単に「構造体」という場合がある。
【００１９】
第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方の分子接合層３０には、金属層４２が設けられている。金属層４２の材料は、後述する工程（Ｄ）のデスミア処理に耐え得る材料であれば特に限定されない。金属層４２の材料の例としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）が挙げられる。金属層４２の厚さは、分子接合層３０を金属層４２を形成する工程の後に行われる工程による損傷を防止することができ、後述する配線形成工程におけるフラッシュエッチング工程などの除去工程による除去を行うことができることを条件として、特に限定されない。金属層４２の厚さは、一般に０．１μｍ〜５μｍであり、好ましくは０．３μｍ〜２μｍである。
【００２０】
なお、この金属層４２は、金属層４２を形成する工程の後に行われる工程による分子結合層３０の損傷を防止することを目的としているので、かかる目的を達成した後には除去することができる。よって、第１の実施形態の配線板１０には、金属層４２が設けられていない形態も含まれる。
【００２１】
配線板１０は、孔部２６を備えている。第１の実施形態にかかる孔部２６は、絶縁層２０、第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方の分子接合層３０、第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方の金属層４２を貫通するスルーホールである。
【００２２】
配線板１０は、配線層４０を有している。第１の実施形態の配線板１０は、第１主表面２０ａ側に設けられている第１配線層４６と第２主表面２０ｂ側に設けられている第２配線層４８とを含む。
【００２３】
第１配線層４６は、その厚さ方向で見たときに、金属層４２のうちの第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４２ａと、金属層４２の第１領域４２ａに接合されている導体層４４のうちの第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４４ａと、導体層４４の第１領域４４ａに接合されている、電解めっき層４５のうちの第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４５ａとを含んでいる。
【００２４】
第２配線層４８は、その厚さ方向で見たときに、金属層４２のうちの第２主表面２０ｂ側の部分領域である第２領域４２ｂと、金属層４２の第２領域４２ｂに接合されている導体層４４のうちの第２主表面２０ｂ側の部分領域である第２領域４４ｂと、導体層４４の第２領域４４ｂに接合されている、電解めっき層４５のうちの第２主表面２０ｂ側の部分領域である第２領域４５ｂとを含んでいる。
【００２５】
換言すると、第１配線層４６は、金属層４２の第１領域４２ａと、導体層４４の第１領域４４ａと、電解めっき層４５の第１領域４５ａとが積層されることにより構成されている。また第２配線層４８は、金属層４２の第２領域４２ｂと、導体層４４の第２領域４４ｂと、電解めっき層４５の第２領域４５ｂとが積層されることにより構成されている。
【００２６】
なお、第１配線層４６及び第２配線層４８は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。
【００２７】
スルーホールである孔部２６は、その内壁が導体層４４のうちの第３領域４４ｃにより覆われており、かつこの第３領域４４ｃに接合する電解めっき層４５のうちの埋込領域４５ｃにより埋め込まれて、第１配線層４６と第２配線層４８とを電気的に接続するスルーホール内配線５０とされている。
【００２８】
導体層４４の第１領域４４ａ、第２領域４４ｂ及び第３領域４４ｃは電気的に接続されるように一体的に構成されていてもよく、電解めっき層４５の第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ及び第３領域４５ｃは電気的に接続されるように一体的に構成されていてもよい。
【００２９】
〔配線板の製造方法〕
以下、本発明の第１の実施形態にかかる配線板の製造方法について説明する。
【００３０】
本発明の配線板の製造方法にかかる工程（Ａ）は、第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層、第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられた分子接合層を備える構造体を用意する工程である。
【００３１】
＜工程（Ａ）＞
図２を参照して、第１の実施形態にかかる工程（Ａ）で用意される構造体について説明する。図２は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。
【００３２】
第１の実施形態にかかる工程（Ａ）は、絶縁層２０が硬化プリプレグであり、分子接合層３０が絶縁層２０の第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂの両方に設けられている構造体６０を用意する工程である。
【００３３】
前記の通り、第１の実施形態の絶縁層２０は、硬化プリプレグである。以下、絶縁層２０である硬化プリプレグ２２について説明する。
【００３４】
（硬化プリプレグ）
硬化プリプレグ２２は、シート状繊維基材に樹脂組成物を含浸させたシート状のプリプレグを硬化した構造体である。硬化プリプレグ２２としては、配線板１０の用途に応じた任意好適なプリプレグを用いて形成することができる。
【００３５】
硬化プリプレグ２２、その材料であるプリプレグに含まれ得るシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用のシート状繊維基材として常用されている基材を用いることができる。配線板１０の用途により硬化プリプレグ２２、プリプレグの厚さは任意好適な厚さとすることができる。配線板１０のさらなる薄型化の観点から、厚さが１０μｍ〜１５０μｍのシート状繊維基材が好適に用いられ、特に厚さが１０μｍ〜１００μｍのシート状繊維基材、厚さが１０μｍ〜５０μｍのシート状繊維基材、厚さが１０μｍ〜３０μｍのシート状繊維基材が好適に用いられる。
【００３６】
シート状繊維基材として用いられ得るガラスクロスの具体例としては、旭シュエーベル（株）製「スタイル１０２７ＭＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量２０ｇ／ｍ２、厚さ１９μｍ）、旭シュエーベル（株）製「スタイル１０３７ＭＳ」（経糸密度７０本／２５ｍｍ、緯糸密度７３本／２５ｍｍ、布重量２４ｇ／ｍ２、厚さ２８μｍ）、（株）有沢製作所製「１０７８」（経糸密度５４本／２５ｍｍ、緯糸密度５４本／２５ｍｍ、布重量４８ｇ／ｍ２、厚さ４３μｍ）、（株）有沢製作所製「１０６７ＮＳ」、（株）有沢製作所製「１０３７ＮＳ」（経糸密度７２本／２５ｍｍ、緯糸密度６９本／２５ｍｍ、布重量２３ｇ／ｍ２、厚さ２１μｍ）、（株）有沢製作所製「１０２７ＮＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量１９．５ｇ／ｍ２、厚さ１６μｍ）、（株）有沢製作所製「１０１５ＮＳ」（経糸密度９５本／２５ｍｍ、緯糸密度９５本／２５ｍｍ、布重量１７．５ｇ／ｍ２、厚さ１５μｍ）、（株）有沢製作所製「１０００ＮＳ」（経糸密度８５本／２５ｍｍ、緯糸密度８５本／２５ｍｍ、布重量１１ｇ／ｍ２、厚さ１０μｍ）等が挙げられる。また液晶ポリマー不織布の具体例としては、（株）クラレ製の、芳香族ポリエステル不織布のメルトブロー法による「ベクルス」（目付け量６ｇ／ｍ２〜１５ｇ／ｍ２）や「ベクトラン」などが挙げられる。
【００３７】
（樹脂組成物）
プリプレグの形成に用いられ得る樹脂組成物の成分及びその含有量は、硬化プリプレグとされたときに十分な硬度と絶縁性とを有していることを条件として特に限定されない。
【００３８】
以下、プリプレグの形成に用いられ得る樹脂組成物の詳細について説明する。なお、樹脂組成物の成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計を１００質量％としたときの量として示す。
【００３９】
プリプレグの材料、すなわち硬化プリプレグ２２の材料として用いられる樹脂組成物は成分として、無機充填材、エポキシ樹脂、硬化剤、有機充填材、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、難燃剤等を含んでいてもよい。ここで樹脂組成物が含み得る前記成分それぞれについて説明する。
【００４０】
−無機充填材−
樹脂組成物は、硬化されたときの熱膨張率を低下させて熱膨張率の差によるクラック、回路歪みなどの不具合の発生を抑制し、溶融粘度の過度の低下を抑制する観点から無機充填材を含むことが好ましい。
【００４１】
無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、炭酸バリウム、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化マンガン、炭酸ストロンチウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、リン酸ジルコニウム、リン酸タングステン酸ジルコニウム、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、及びジルコン酸カルシウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。市販されている球状（溶融）シリカとしては、例えば、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ１」、「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ４」、「ＳＯＣ５」、「ＳＯＣ６」が挙げられる。
【００４２】
無機充填材の平均粒径は、樹脂組成物の流動性を高める観点から、０．０１μｍ〜４μｍの範囲であることが好ましく、０．０５μｍ〜２．５μｍの範囲であることがより好ましく、０．１μｍ〜１．５μｍの範囲であることがさらに好ましく、０．３μｍ〜１．０μｍの範囲であることがさらにより好ましい。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。この場合には無機充填材を超音波により水中に分散させた測定サンプルを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。
【００４３】
無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。このような表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。
【００４４】
表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。次いで、上澄液を除去し、不揮発成分（固形分）を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。
【００４５】
無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上であることが好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上であることがより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上であることがさらに好ましい。他方、溶融粘度の上昇を抑制する観点から、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、１ｍｇ／ｍ２以下であることが好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下であることがより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下であることがさらに好ましい。
【００４６】
−有機充填材−
樹脂組成物は、めっき工程により形成される層との密着性を向上させる観点から有機充填材を含むことが好ましい。有機充填材の例としては、ゴム粒子が挙げられる。有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、後述するエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないゴム粒子が使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム粒子の成分の分子量を有機溶剤、樹脂に溶解しない程度まで大きくし、粒子状とすることで調製される。
【００４７】
有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、内層のコア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のゴム粒子などが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。用い得るゴム粒子の例としてはガンツ（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」が挙げられる。ゴム粒子は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００４８】
有機充填材であるゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子（株）製「ＦＰＡＲ−１０００」）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。
【００４９】
−エポキシ樹脂−
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００５０】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下、「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を付与することができる。
【００５１】
液状エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、２官能脂肪族エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が挙げられ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「ｊＥＲ１００７」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、「ＹＬ７４１０」（２官能脂肪族エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００５２】
固体状エポキシ樹脂としては、例えば、結晶性２官能エポキシ樹脂、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が挙げられる。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＨＰ−６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラックエポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ４７５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、結晶性２官能エポキシ樹脂である「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）等が挙げられる。
【００５３】
エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：４の範囲であることが好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、十分な破断強度を有する硬化体を得ることができるなどの効果が得られる。このような効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲であることが特に好ましい。
【００５４】
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、３質量％〜５０質量％であることが好ましく、５質量％〜４５質量％であることがより好ましく、５質量％〜４０質量％であることがさらに好ましく、７質量％〜３５質量％であることが特に好ましい。
【００５５】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００５６】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜３０００の範囲であり、より好ましくは８０〜２０００の範囲であり、さらに好ましくは１１０〜１０００の範囲である。このような範囲とすることで、架橋密度が十分な硬化体を得ることができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６として規格化された方法に従って測定することができる。ここでエポキシ当量とは１当量のエポキシ基を含むエポキシ樹脂の質量である。
【００５７】
−硬化剤−
硬化剤としては、前記エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００５８】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、例えば、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、ノボラック構造を有するナフトール系硬化剤、含窒素フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有クレゾール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が挙げられる。
【００５９】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、東都化成（株）製「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ３０１８」等が挙げられる。
【００６０】
活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤としては、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られる硬化剤が好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型のジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。
【００６１】
活性エステル系硬化剤としては、具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール縮合構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。
【００６２】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ジフェノール縮合構造を含む活性エステル化合物として、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物としてＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として三菱化学（株）製「ＤＣ８０８」、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として三菱化学（株）製「ＹＬＨ１０２６」などが挙げられる。
【００６３】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、例えば、昭和高分子（株）製「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００６４】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され３量体とされたプレポリマー）等が挙げられる。
【００６５】
カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。
【００６６】
エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲であることが好ましく、１：０．３〜１：１．５の範囲であることがより好ましく、１：０．４〜１：１の範囲であることがさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、硬化体としたときの耐熱性がより向上する。
【００６７】
硬化剤の含有量に関しては、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、硬化剤の反応基の合計数との比が、好ましくは１：０．２〜１：２の範囲であり、より好ましくは１：０．３〜１：１．５の範囲であり、さらに好ましくは１：０．４〜１：１の範囲である。
【００６８】
樹脂組成物は、エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は１：０．１〜１：４の範囲であることが好ましく、１：０．３〜１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲が特に好ましい）を、硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上（好ましくはフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、より好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、さらに好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を含む硬化剤）を、それぞれ含むことが好ましい。
【００６９】
−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００７０】
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８０００〜７００００の範囲であることが好ましく、１００００〜６００００の範囲であることがより好ましく、２００００〜６００００の範囲であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製「ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａ」を、カラムとして昭和電工（株）製「Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【００７１】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
【００７２】
アクリル樹脂としては、熱膨張率及び弾性率をより低下させる観点から、官能基含有アクリル樹脂が好ましく、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂がより好ましい。
【００７３】
官能基含有アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１００００〜１００００００であり、より好ましくは３００００〜９０００００である。
【００７４】
官能基含有アクリル樹脂の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００であり、より好ましくは２５００〜３００００である。
【００７５】
ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂が好ましく、その具体例としては、ナガセケムテックス（株）製「ＳＧ−８０Ｈ」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１１℃））、ナガセケムテックス（株）製「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃））が挙げられる。
【００７６】
ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業（株）製の電化ブチラール「４０００−２」、「５０００−Ａ」、「６０００−Ｃ」、「６０００−ＥＰ」、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、「ＫＳ−１」などのＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【００７７】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報に記載されているポリイミド樹脂）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載されているポリイミド樹脂）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【００７８】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【００７９】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。
【００８０】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【００８１】
樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。熱可塑性樹脂の含有量をかかる範囲内とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚さやバルク性状の均一な樹脂組成物層を形成することができる。
【００８２】
−硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられる。
【００８３】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。
【００８４】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられる。
【００８５】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。
【００８６】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられる。
【００８７】
硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤との不揮発成分の合計量を１００質量％としたとき、０．０５質量％〜３質量％の範囲内で使用することが好ましい。
【００８８】
−難燃剤−
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。用い得る難燃剤の例としては三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ」が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。樹脂組成物層中の難燃剤の含有量は特に限定されないが、０．５質量％〜１０質量％の範囲であることが好ましく、１質量％〜９質量％の範囲であることがより好ましく、１．５質量％〜８質量％の範囲であることがさらに好ましい。
【００８９】
−その他の添加剤−
樹脂組成物は、必要に応じて、樹脂組成物又はその硬化体の特性を調整することを目的とする他の添加剤を含んでいてもよく、かかる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００９０】
（硬化プリプレグの形成工程）
先ずプリプレグの形成工程について説明する。プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。ホットメルト法では、樹脂組成物を有機溶剤に溶解することなく、樹脂組成物と剥離性のよい離型紙に一旦コーティングし、それをシート状繊維基材にラミネートするか、あるいはダイコーターによりシート状繊維基材に直接的に塗工するなどして、プリプレグを製造している。またソルベント法では、樹脂組成物を有機溶剤に溶解した樹脂ワニスにシート状繊維基材を浸漬することにより、樹脂組成物をシート状繊維基材に含浸させ、その後乾燥させて、プリプレグを形成している。さらにはプリプレグは、樹脂組成物からなる２枚の樹脂シートでシート状繊維基材をその両面側から挟み込んで加圧条件下で加熱することにより、連続的に熱ラミネートすることで形成することもできる。
【００９１】
プリプレグを形成するための樹脂ワニスを調製する際に用いられる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００９２】
プリプレグの形成工程は、長尺のシート状繊維基材を用いて、ロールツーロール方式で行ってもよいし、バッチ方式で行ってもよい。
【００９３】
硬化プリプレグ２２は、プリプレグを所定の条件で加熱処理することにより形成することができる。具体的には、硬化プリプレグ２２の形成方法の例として、真空熱プレス工程が挙げられる。以下、硬化プリプレグ２２の形成工程に用いられ得る真空熱プレス工程について説明する。
【００９４】
真空熱プレス工程は、例えば、加熱されたステンレス板（ＳＵＳ板）等の金属板によってプリプレグをその両面側から押圧することにより行うことができる。
【００９５】
真空熱プレス工程は、用いられる金属板の両側にクッション紙、離型シート等を介在させて実施することが好ましい。クッション紙としては、例えば阿波製紙（株）製「ＡＡＣＰ−９Ｎ」（厚さ８００μｍ）を用いることができる。また離型シートとしては、例えば旭硝子（株）製「アフレックス５０Ｎ  ＮＴ」（厚さ５０μｍ）を用いることができる。
【００９６】
真空熱プレス工程の条件は、例えば気圧を通常１×１０−２ＭＰａ以下、好ましくは１×１０−３ＭＰａ以下とし、加熱温度を例えば１５０℃〜２５０℃とし、押圧力を１０ｋｇｆ／ｃｍ２〜７０ｋｇｆ／ｃｍ２とすればよい。
【００９７】
常温から所定の加熱温度への昇温及び所定の加熱温度から常温への降温は、所定の昇温率及び降温率を維持しつつ行うことが好ましい。昇温率及び降温率としては５℃／分程度とすることが好ましい。
【００９８】
真空熱プレス工程は、この分野において一般的な真空熱プレス装置を用いて行うことができる。真空熱プレス装置としては、例えば、（株）名機製作所製「ＭＮＰＣ−Ｖ−７５０−５−２００」、北川精機（株）製「ＶＨ１−１６０３」が挙げられる。
【００９９】
（分子接合層）
硬化プリプレグ２２の第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂの両方に設けられている分子接合層３０は、分子接合層３０を形成するための材料として選択された分子接合剤に好適な方法により形成することができる。
【０１００】
分子接合層３０の材料である分子接合剤は特に限定されず、例えば、前記特許文献１に記載されているような従来公知の化合物を含む市販の分子接合剤を用いることができる。このような分子接合剤の例としては、信越化学工業（株）製のトリアジンチオール官能性シリコーンアルコキシオリゴマーのフッ素化アルキル基タイプ「Ｘ−２４−９４５３」、アミノトリアジンノボラック樹脂（例えば、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−１３５６」）とエポキシシランカップリング剤（例えば、信越化学工業（株）製、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、「ＫＢＭ４０３」）との混合物など、トリアジン構造とアルコキシシラン構造とを有する分子接合剤が挙げられる。
【０１０１】
分子接合層３０は、例えば、硬化プリプレグ２２を所定の溶媒（例えば、水、イソプロピルアルコール及び酢酸を混合した混合溶媒）に所定の濃度で溶解させた分子接合剤の溶液に所定の条件（温度、時間等）で浸漬し、その後取り出された硬化プリプレグ２２を所定の条件で乾燥させるなどすることにより、第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂを含む表面に形成することができる。分子接合層３０を形成するにあたり、乾燥処理に加えて、紫外線照射などの選択された材料に応じた任意好適なさらなる処理を行ってもよい。
【０１０２】
（保護フィルム）
図２に示されるように、工程（Ａ）は、分子接合層３０に接合する保護フィルム１１０をさらに備える構造体６０を用意する工程とすることが好ましい。
【０１０３】
このように保護フィルム１１０により分子接合層３０を覆えば、分子接合層３０を効果的に保護することができる。また、保護フィルム１１０を備えた構造体６０を貯蔵することができるため、例えば、工程（Ｂ）以後の実施のタイミングを任意のタイミングとすることができる。
【０１０４】
保護フィルム１１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。
【０１０５】
前述の材料を含む保護フィルム１１０には、硬化プリプレグ２２と接合する側の面にマット処理、コロナ処理が施されていてもよい。
【０１０６】
また、保護フィルム１１０としては、硬化プリプレグ２２が接合する側に離型層を有する「離型層付き保護フィルム」を用いてもよい。離型層付き保護フィルムの離型層の形成に用いられる離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層は、例えば、離型剤を含む溶液を保護フィルム１１０の表面に塗布し乾燥させることにより形成することができる。
【０１０７】
離型層付き保護フィルムとしては、市販品を用いてもよい。離型層付き保護フィルムとしては、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」などが挙げられる。
【０１０８】
保護フィルム１１０の厚さは、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましく、１２．５μｍ〜５５μｍの範囲がさらに好ましい。なお、離型層付き保護フィルムを用いる場合、離型層付き保護フィルムの全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【０１０９】
第１の実施形態では、保護フィルム１１０は硬化プリプレグ２２の第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方をそれぞれ覆うように、常法に従うラミネート工程によりラミネートすればよい。硬化プリプレグ２２への保護フィルム１１０のラミネートは、従来公知のラミネーター装置を用いて行うことができる。
【０１１０】
＜工程（Ｂ）＞
図２及び３を参照して、工程（Ｂ）について説明する。図３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【０１１１】
工程（Ｂ）は、分子接合層に接合する金属層を形成する工程である。
図２及び図３に示されるように、第１の実施形態にかかる工程（Ｂ）は、保護フィルム１１０が設けられている場合には構造体６０から保護フィルム１１０を剥離して、露出した分子接合層３０に接合する金属層４２を形成すればよい。
【０１１２】
金属層４２は、既に説明した好適な材料を用いて、無電解めっき工程等のめっき工程により形成することができる。工程（Ｂ）は、銅を材料とする無電解めっき工程（第１の無電解めっき工程）により金属層４２を形成する工程であることが好ましい。
【０１１３】
以下、金属層４２を銅層として無電解めっき工程により形成する例について説明する。
【０１１４】
（１）まず分子接合層３０の表面の洗浄及び電荷調整のためのアルカリクリーニングを行う。
（２）次いでパラジウム（Ｐｄ）を分子接合層３０の表面に付与するために電荷を調整するプレディップ工程を行う。
（３）次に分子接合層３０にアクティヴェーターであるパラジウムを付与する。
（４）次いで分子接合層３０の表面に付与されたパラジウムを還元する。
（５）次に、銅を分子接合層３０に析出させることにより金属層４２を形成する。
【０１１５】
＜工程（Ｃ）＞
図３を参照して、引き続き工程（Ｃ）について説明する。
工程（Ｃ）は、レーザー照射を行って、金属層、分子接合層、及び絶縁層を貫通する、孔部を形成する工程である。
【０１１６】
図３に示されるように、工程（Ｃ）では、前述の＜工程（Ｂ）＞で得られた構造体６０の第１主表面２０ａ側からレーザー照射を行うことにより、金属層４２、分子接合層３０及び絶縁層２０を貫通する、第１の実施形態ではスルーホールである孔部２６を形成する。
【０１１７】
このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。用いられ得るレーザー加工機としては、例えば、日立ビアメカニクス（株）製のＣＯ２レーザー加工機「ＬＣ−２ｋ２１２／２Ｃ」、三菱電機（株）製「ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ」、松下溶接システム（株）製のレーザー加工機が挙げられる。
【０１１８】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１１９】
孔部２６の形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。以下、孔部２６の「径」という場合には、延在方向でみたときの開口の輪郭の径（直径）をいう。本明細書において、トップ径とは孔部２６の第１主表面２０ａ側の輪郭の径ｒ１をいい、底部径とは孔部２６の第２主表面２０ｂ側の輪郭の径ｒ２をいう。
【０１２０】
＜工程（Ｄ）＞
図３を参照して、引き続き工程（Ｄ）について説明する。
工程（Ｄ）は、孔部に対してデスミア処理を行う工程である。
デスミア処理は、孔部２６内のスミア除去のために行われる。このデスミア処理は、湿式のデスミア処理であっても、乾式のデスミア処理であってもよい。
【０１２１】
デスミア処理の具体的な工程、条件は分子接合層３０の機能を損なわないことを条件として特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の工程、条件を採用することができる。乾式のデスミア処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式のデスミア処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤によるデスミア処理及び中和液によるデスミア処理をこの順に行う方法が挙げられる。以下、湿式のデスミア処理について説明する。
【０１２２】
湿式のデスミア処理で用いられる膨潤液は特に限定されない。膨潤液としては、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。
【０１２３】
膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に孔部２６が設けられた構造体６０を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層２０を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、膨潤処理としては、４０℃〜８０℃の膨潤液に構造体６０を５秒間〜１５分間浸漬させる処理とすることが好ましい。
【０１２４】
湿式のデスミア処理で用いられる酸化剤は特に限定されない。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤によるデスミア処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に構造体６０を１０分間〜３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％とすることが好ましい。
【０１２５】
市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。
【０１２６】
また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。
【０１２７】
中和液による処理は、酸化剤により処理された構造体６０を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液によるデスミア処理がなされた対象物を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。
【０１２８】
以上のように第１の実施形態にかかる配線板１０の製造方法では、絶縁層２０に対する粗化処理を行う必要がなく、絶縁層２０の平坦性が維持されるため、さらなる微細配線化を実現することができる。また、分子接合層３０を覆う金属層４２を形成して、分子接合層３０が金属層４２により保護された状態で孔部２６が形成されるため、金属層４２と絶縁層２０との分子接合層３０による接合力の低下を防止することができる。よって、金属層４２と絶縁層２０とを強固に接合させることができる。さらには、形成された孔部２６にはデスミア処理が行われるため、トップ径ｒ１及び底部径ｒ２が比較的小さくアスペクト比が比較的大きい孔部２６であっても、孔部２６内から分子接合層３０の材料、孔部２６の形成工程で生じる反応物等の残滓が除去された清浄な孔部２６を形成することができる。よって、絶縁層２０に設けられた孔部２６による導通をより良好にすることができる。
【０１２９】
＜工程（Ｅ）＞
図４を参照して、工程（Ｅ）について説明する。図４は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
工程（Ｅ）は、導体層を形成する工程である。
【０１３０】
図４に示されるように、工程（Ｅ）では、前述の＜工程（Ｃ）＞で得られた構造体６０の金属層４２及び孔部２６の表面に導体層４４を形成する。すなわち第１主表面２０ａ側の金属層４２に接合する第１領域４４ａ、第２主表面２０ｂ側の金属層４２に接合する第２領域４４ｂ及び孔部２６の内壁に接合する第３領域４４ｃを含む導体層４４を形成する。
【０１３１】
導体層４４は既に説明した金属層４２の形成工程と同様の工程により形成することができる。よって、導体層４４についての詳細な説明は省略する。
【０１３２】
導体層４４は、無電解めっき工程により形成することが好ましい。金属層４２が無電解めっき工程、すなわち第１無電解めっき工程により形成される場合には金属層４２を第１無電解めっき層という場合があり、同様の無電解めっき工程、すなわち第２無電解めっき工程により形成された導体層４４を第２無電解めっき層という場合がある。
【０１３３】
なお、金属層４２は、金属層４２を形成する工程の後に行われる工程による分子接合層３０の損傷を防止するという目的を達成した後に除去することができる。よって、工程（Ｅ）は、金属層４２を除去した後に行ってもよい。すなわちデスミア処理後に金属層４２を除去してから導体層４４を形成すれば、後のフラッシュエッチング工程（金属層４２及び導体層４４の除去工程）による除去量をより少なくすることができ、より穏やかな条件で除去工程を行うことができるため、さらなる微細配線化を実現することができる。
【０１３４】
＜工程（Ｆ）＞
図５及び図６を参照して、工程（Ｆ）について説明する。図５及び図６は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【０１３５】
工程（Ｆ）は、配線層を形成する工程である。
ここでは、配線層４０である第１配線層４６及び第２配線層４８は、同時に単一の工程を実施することにより形成してもよいし、それぞれ別の工程として形成してもよい。第１配線層４６及び第２配線層４８それぞれを異なるタイミングで別の工程として実施する場合には、後のタイミングで形成される側の表面を保護するためにレジスト層などの保護層で覆っておいて、先のタイミングで形成される側の処理を行った後に、保護層を除去して後のタイミングで形成される側の処理を行えばよい。
以下、第１配線層４６及び第２配線層４８の形成をセミアディティブ法により単一の工程として行う例について説明する。
【０１３６】
図５に示されるように、先ずマスクパターン１００を形成する。マスクパターン１００は、シード層である導体層４４のうちの配線が形成されない領域を覆い、配線が形成される領域を露出させるパターンとして形成される。
【０１３７】
マスクパターン１００は、従来公知のドライフィルム（感光性レジストフィルム）を用いて形成することができる。ドライフィルムとしては、例えば、ＰＥＴフィルム付きドライフィルムであるニチゴー・モートン（株）製「ＡＬＰＨＯ  ＮＩＴ３０２５」（商品名）を用いることができる。
【０１３８】
マスクパターン１００は、例えばドライフィルムを導体層４４に接合させて、所定の条件で露光工程、現像工程及び洗浄工程を行うことにより形成することができる。
【０１３９】
図６に示されるように、次いで、スルーホールである孔部２６に材料が充填される条件で電解めっき工程を行って、マスクパターン１００が形成された構造体６０に導体層４４に接合する電解めっき層４５を形成する。このとき併せて孔部２６を埋め込むことによりスルーホール内配線５０を形成する。
【０１４０】
次に、マスクパターン１００を選択された材料に応じた任意好適な工程により剥離して除去し、露出した導体層４４及びその直下の金属層４２を除去する任意好適な条件でのフラッシュエッチング工程を行うことにより、第１主表面２０ａ側に第１配線層４６を形成し、第２主表面２０ｂ側に第２配線層４８を形成する（図１参照。）。
【０１４１】
以上の工程により、図１を参照して既に説明した構成を有する配線板１０を製造することができる。
【０１４２】
なお、本発明の配線板１０の製造方法によれば、配線層４０の形成に際し、工程（Ｄ）の後であって工程（Ｅ）の前に、金属層４２を除去する工程（Ｇ）をさらに含んでいてもよい。
以下、かかる工程（Ｇ）について説明する。
【０１４３】
＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、工程（Ｄ）の後であって工程（Ｅ）の前に、金属層を除去する工程である。
工程（Ｇ）を実施する場合には、工程（Ｅ）は、露出した分子接合層３０及び孔部２６に、導体層４４を形成する工程とされる。
【０１４４】
工程（Ｇ）は、導体層４４の材料に応じた条件で行われるエッチング工程などの任意好適な工程とすることができる。
【０１４５】
工程（Ｇ）を実施した場合には、導体層４４のみをシード層として配線層４０を形成することとなるため、配線層４０の形成時に除去されるべき導体の量を減少させることができ、より穏やかな条件で配線層４０のパターニングを行うことができるため、配線のさらなる微細化を実現することができる。
【０１４６】
２．第２の実施形態
〔配線板〕
まず、本発明の第２の実施形態にかかる配線板の製造方法により製造される配線板の構成例について、図７を参照して説明する。図７は、孔部を通る切断線で切断した配線板の端面を示す模式的な図である。
【０１４７】
なお、以下の説明において、既に説明した第１の実施形態と同様の構成要素、材料についてはその説明を原則として省略し、異なる点についてのみ説明する。
【０１４８】
図７に示されるように、第２の実施形態の配線板１０は、電子回路２４ａを備える回路基板２４を有している。
【０１４９】
本発明の配線板１０の製造方法において、回路基板２４とは、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材の片面又は両面にパターン加工された電子回路２４ａを有し、さらにビルドアップ絶縁層及びビルドアップ配線層が形成されるいわゆるコア基板に相当する。
【０１５０】
回路基板２４の電子回路２４ａは、図示例では片面側のみに設けられた構成が示されているがこれに限定されず両面に設けられていてもよい。この電子回路２４ａは、配線、電極パッド、電子部品等を含み、所定の機能を発揮することができるように構成されている。
【０１５１】
回路基板２４は、電子回路２４ａとして所望の機能を有する配線、電子部品等を備えた従来公知の任意好適な回路基板を用いることができる。
【０１５２】
絶縁性基材の片面又は両面にパターン加工された電子回路２４ａの厚さは特に限定されない。薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。電子回路２４ａの厚さの下限は特に制限されないが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【０１５３】
絶縁性基材の片面又は両面にパターン加工された電子回路２４ａのライン／スペース比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れるビルドアップ絶縁層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。電子回路２４ａのライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペース間への樹脂組成物の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
【０１５４】
回路基板２４としては、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板であるパナソニック（株）製「Ｒ１５１５Ａ」を用い、銅層をパターニングすることにより配線を形成するなどして得られる回路基板が挙げられる。
【０１５５】
回路基板２４には絶層層２０が設けられている。図示例では絶縁層２０は、回路基板２４の電子回路２４ａを覆うように設けられている。第２の実施形態にかかる絶縁層２０はビルドアップ絶縁層である。よって、従来公知のビルドアップ配線板に用いられる材料により形成することができる。第２の実施形態の絶縁層２０には、ガラスクロスなどのシート状繊維基材が含まれていてもよい。
【０１５６】
第２の実施形態の絶縁層２０に用いられ得るシート状繊維基材の例としては、既に説明した第１の実施形態におけるプリプレグに含まれ得るシート状繊維基材が挙げられる。
【０１５７】
絶縁層２０は、第１主表面２０ａ、及び該第１主表面２０ａと対向する第２主表面２０ｂを有している。
【０１５８】
第２の実施形態の配線板１０においては第１主表面２０ａ側に分子接合層３０が設けられている。
【０１５９】
配線板１０は、第１主表面２０ａ側の分子接合層３０に設けられるビルドアップ配線層である配線層４０を有している。
【０１６０】
配線層４０は、分子接合層３０に接合している導体層４４、及びこの導体層４４に接合している電解めっき層４５を備える積層構造とされている。
【０１６１】
配線板１０は、孔部２６を備えている。第２の実施形態にかかる孔部２６は、絶縁層２０、第１主表面２０ａ側の分子接合層３０を貫通して、電子回路２４ａの一部分を露出させるビアホールである。
【０１６２】
導体層４４は、第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４４ａと、孔部２６から露出する電子回路２４ａの一部分に接合している第２領域４４ｂと、孔部２６を画成する内壁を覆う第３領域４４ｃとから構成され、これらは電気的に接続されるように、すなわち一体的に構成されている。
【０１６３】
電解めっき層４５は、第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４５ａと、導体層４４の第２領域４４ｂと第３領域４４ｃとに覆われた孔部２６を埋め込む埋込領域４５ｃとから構成され、これらは電気的に接続されるように、すなわち一体的に構成されている。
【０１６４】
なお、配線層４０は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。
【０１６５】
ビアホールである孔部２６は、その内壁が導体層４４のうちの第２領域４４ｂ及び第３領域４４ｃにより覆われており、かつ第２領域４４ｂ及び第３領域４４ｃに接合する、電解めっき層４５のうちの第３領域４５ｃにより埋め込まれて、配線層４０と電子回路２４ａとを電気的に接続するフィルドビア５０とされている。
【０１６６】
図７に示される構成例では、孔部２６が設けられた絶縁層２０、ビルドアップ配線層である配線層４０を含むビルドアップ層が１層のみ示されているが、本発明はかかる構成に限定されない。第２の実施形態にかかる配線板１０は、ビルドアップ層を２層以上積層した多層ビルドアップ配線板とすることができる。また、図７に示される構成例では絶縁層２０及び配線層４０を含むビルドアップ層が片面側のみに設けられる構成例が示されているがこれに限定されず、回路基板２４の両面側に設けられていてもよい。
【０１６７】
〔配線板の製造方法〕
図８〜図１３を参照して、前記構成を備える第２の実施形態にかかる配線板の製造方法について説明する。
【０１６８】
＜工程（Ａ）＞
図８を参照して、先ず第２の実施形態にかかる工程（Ａ）で用意される構造体について説明する。図８は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。
【０１６９】
第２の実施形態にかかる工程（Ａ）は、絶縁層２０が回路基板２４に設けられ、分子接合層３０が回路基板２４が接合されている第２主表面２０ｂとは反対側の第１主表面２０ａのみに設けられている構造体６０を用意する工程である。
【０１７０】
前記の通り、第２の実施形態の絶縁層２０は、ビルドアップ絶縁層である。以下、ビルドアップ絶縁層である絶縁層２０について説明する。
先ず工程（Ａ）にかかる構造体６０を形成するため用いられる接着フィルム及びその製造工程について説明する。
【０１７１】
（接着フィルム）
接着フィルムは、有機支持体と、この有機支持体の一方の主面に設けられた樹脂組成物層とを含んでいる。
【０１７２】
（有機支持体）
有機支持体の材料としては、第１の実施形態で説明した保護フィルム１１０と同様の材料が挙げられる。
【０１７３】
有機支持体としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）の高い有機支持体を用いることが好適である。有機支持体のガラス転移温度は、１００℃以上であることが好ましい。
【０１７４】
ガラス転移温度が１００℃以上である有機支持体の材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、耐熱性の観点からポリエチレンナフタレート、ポリイミドが好ましい。
【０１７５】
前記の材料を含む有機支持体には、後述する樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理が施されていてもよい。
【０１７６】
また、有機支持体としては、樹脂組成物層が接合する側、すなわち樹脂組成物が塗布される側に離型層を有する「離型層付き有機支持体」を用いてもよい（以下、離型層付き有機支持体を単に有機支持体という場合がある。）。離型層付き有機支持体の離型層の形成に用いられる離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層は、例えば、離型剤を含む溶液を有機支持体の表面に塗布し乾燥させることにより形成することができる。
【０１７７】
離型層付き有機支持体としては、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」などが挙げられる。
【０１７８】
有機支持体の厚さは、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましく、１２．５μｍ〜５５μｍの範囲がさらに好ましい。なお、離型層付き有機支持体を用いる場合、離型層付き有機支持体の全体の厚さが前記範囲内であることが好ましい。
【０１７９】
（樹脂組成物層）
樹脂組成物層の厚さは、めっき工程により配線が形成できることを条件として特に限定されない。樹脂組成物層は、厚さが０．５μｍ〜１０μｍであることが好ましく、１μｍ〜５μｍであることがより好ましい。
【０１８０】
（樹脂組成物）
樹脂組成物層の形成に用いられ得る樹脂組成物の成分及びその含有量は、硬化されて絶縁層２０とされたときに十分な硬度と絶縁性とを有していることを条件として特に限定されない。
【０１８１】
樹脂組成物は、無機充填材、エポキシ樹脂、硬化剤、有機充填材、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、難燃剤等を含んでいてもよい。樹脂組成物が含み得る成分については第１の実施形態で説明した硬化プリプレグ２２の形成において用いられ得る成分と同様であるので、その説明は省略する。
【０１８２】
なお、樹脂組成物の成分であるエポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：４の範囲であることが好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、ｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化体を得ることができるなどの効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲であることが特に好ましい。
【０１８３】
（接着フィルムの形成工程）
樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物は、上記の成分を適宜混合し、また、必要に応じて混練手段（３本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等）あるいは撹拌手段（スーパーミキサー、プラネタリーミキサー等）により混練又は混合することにより調製することができる。
【０１８４】
樹脂組成物層を有する接着フィルムの製造方法は、特に制限されず、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて有機支持体に塗布し、塗布された樹脂ワニスの塗布膜を乾燥させることによって作製することができる。
【０１８５】
樹脂ワニスを調製する際に用いられる有機溶剤は、既に説明した第１の実施形態のプリプレグの形成に用いられ得る有機溶剤と同様である。
【０１８６】
樹脂組成物層の形成における樹脂ワニスからなる塗布膜の乾燥処理は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の任意好適な乾燥方法により実施することができる。この乾燥処理により塗布膜は樹脂組成物層とされる。
【０１８７】
この乾燥処理の乾燥条件は、樹脂組成物、樹脂ワニスが含む有機溶剤の沸点などを勘案して任意好適な条件とすればよい。乾燥条件は、例えば、８０℃〜１５０℃で３分間〜１５分間程度とすればよい。
【０１８８】
接着フィルムの形成工程は、有機支持体である長尺の支持体を用いて、ロールツーロール方式で行うことが好ましく、バッチ方式で行ってもよい。
【０１８９】
ロールツーロール方式による接着フィルムの形成工程は、具体的には巻き出しロール及び巻き取りロールを含む少なくとも２本のロール間に張り渡された長尺の有機支持体を連続的に搬送しながら、巻き出しロール及び巻き取りロール間に露出する支持体の一方の主面に樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成し、得られた塗布膜を連続的に乾燥処理して樹脂組成物層とすることにより行うことができる。
【０１９０】
このようにして、有機支持体に樹脂組成物層が設けられた接着フィルムを用意することができる。
【０１９１】
準備された接着フィルムを一旦貯蔵する場合には、樹脂組成物層の有機支持体と接合していない側の露出面（すなわち、有機支持体とは反対側の面）に接合する保護フィルムをさらに設けることが好ましい。この保護フィルムは、樹脂組成物層へのゴミ等の付着やキズの防止に寄与する。保護フィルムとしては、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等を用いることができる。また有機支持体の材料と同じ材料からなるフィルムを用いることができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されず、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムの厚さは有機支持体の厚さよりも薄いことが好ましい。
【０１９２】
（絶縁層）
次に、絶縁層２０の形成工程について説明する。
まず前記回路基板２４の電子回路２４ａに接触するように、用意された接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートするラミネート工程を行う。
【０１９３】
ラミネート工程の条件は特に限定されず、接着フィルムを用いて絶縁層（ビルドアップ絶縁層）を形成するにあたり使用される公知の条件を採用することができる。例えば、加熱されたステンレス鏡板等の金属板を接着フィルムの有機支持体側からプレスすることにより行うことができる。この場合、金属板を直接的にプレスするのではなく、電子回路２４ａが設けられた回路基板２４の表面の凹凸に接着フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等からなる弾性部材を介してプレスを行うことが好ましい。プレス温度は、好ましくは７０℃〜１４０℃の範囲であり、プレス圧力は好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ２〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０９８ＭＰａ〜１．０７９ＭＰａ）の範囲であり、プレス時間は好ましくは５秒間〜３分間の範囲である。
【０１９４】
また、ラミネート工程は、好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施される。ラミネート工程は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
【０１９５】
ラミネート工程の終了後、回路基板２４にラミネートされた接着フィルムを、加熱及び加圧処理する平滑化工程を実施してもよい。
【０１９６】
平滑化工程は、一般に、常圧（大気圧）下、加熱された金属板又は金属ロールにより、回路基板２４にラミネートされている接着フィルムを加熱及び加圧処理することにより実施される。加熱及び加圧処理の条件は、上記ラミネート工程の条件と同様の条件を用いることができる。
【０１９７】
ラミネート工程及び平滑化工程は、同一の真空ラミネーターを用いて連続的に実施することもできる。
【０１９８】
なお、前記ラミネート工程又は前記平滑化工程の実施後の任意のタイミングで接着フィルムに由来する有機支持体を剥離する工程を行う。有機支持体を剥離する工程は、例えば、市販の自動剥離装置により機械的に実施することができる。
【０１９９】
次に、回路基板２４にラミネートされた樹脂組成物層を熱硬化する熱硬化工程を実施して絶縁層（ビルドアップ絶縁層）を形成する。
【０２００】
熱硬化工程の条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を適用することができる。
【０２０１】
熱硬化工程の条件は、樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物の組成等により任意好適な条件とすることができる。熱硬化工程の条件は、例えば硬化温度を１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２１０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜１９０℃の範囲）とし、硬化時間を５分間〜９０分間の範囲（好ましくは１０分間〜７５分間、より好ましくは１５分間〜６０分間）とすることができる。
【０２０２】
熱硬化工程を実施する前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱する工程を実施してもよい。熱硬化工程の実施に先立ち、例えば５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。予備加熱は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。
【０２０３】
（分子接合層）
絶縁層２０の第１主表面２０ａに設けられている分子接合層３０は、選択された分子接合剤に好適な方法により形成することができる。
【０２０４】
第２の実施形態にかかる分子接合層３０の材料である分子接合剤の例、及び分子接合層３０の形成方法は、第１の実施形態で既に説明した通りである。
【０２０５】
図８に示されるように、工程（Ａ）は、分子接合層３０に接合する保護フィルム１１０をさらに備える構造体６０を用意する工程とすることが好ましい。
【０２０６】
第２の実施形態では、保護フィルム１１０は絶縁層２０の第１主表面２０ａ側を覆うようにラミネートすればよい。
【０２０７】
保護フィルム１１０の詳細については、第１の実施形態で既に説明したとおりであるので説明は省略する。
【０２０８】
このようにして、図８に示される、絶縁層２０が回路基板２４に設けられ、分子接合層３０が絶縁層２０の第１主表面２０ａのみに設けられている構造体６０が用意される。
【０２０９】
＜工程（Ｂ）＞
図９を参照して、工程（Ｂ）について説明する。図９は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【０２１０】
図９に示されるように、第２の実施形態にかかる工程（Ｂ）は、保護フィルム１１０が設けられている場合には、構造体６０から保護フィルム１１０を剥離して露出した分子接合層３０に接合する金属層４２を形成する工程である。
【０２１１】
金属層４２は、既に説明した好適な材料を用いて、無電解めっき工程等のめっき工程により形成することができる。工程（Ｂ）は、銅を材料とする無電解めっき工程（第１の無電解めっき工程）により金属層４２を形成する工程であることが好ましい。金属層４２の詳細については第１の実施形態において既に説明したとおりであるので説明は省略する。
【０２１２】
＜工程（Ｃ）＞
図１０を参照して、引き続き工程（Ｃ）について説明する。図１０は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【０２１３】
図１０に示されるように、工程（Ｃ）では、前述の＜工程（Ｂ）＞で得られた構造体６０の第１主表面２０ａ側からレーザー照射を行うことにより、金属層４２、分子接合層３０及び絶縁層２０を貫通して電子回路２４ａの一部分を露出させる、第２の実施形態ではビアホールである孔部２６を形成する。
【０２１４】
レーザー照射の詳細及び孔部２６の詳細については第１の実施形態において既に説明したとおりであるので説明は省略する。
【０２１５】
＜工程（Ｄ）＞
図１０を参照して、引き続き工程（Ｄ）について説明する。
工程（Ｄ）は、孔部に対してデスミア処理を行う工程である。このデスミア処理は、湿式のデスミア処理であっても、乾式のデスミア処理であってもよい。
【０２１６】
こうしたデスミア処理の具体的な工程、条件等については、第１の実施形態で既に説明したとおりであるので説明を省略する。
【０２１７】
以上のように第２の実施形態にかかる配線板１０の製造方法では、絶縁層２０に対する粗化処理を行う必要がなく、絶縁層２０の平坦性が維持されるため、さらなる微細配線化を実現することができる。また、分子接合層３０を覆う金属層４２を形成して、分子接合層３０が金属層４２により保護された状態で孔部２６が形成されるため、導体層４４と絶縁層２０との分子接合層３０による接合力の低下を防止することができる。よって、導体層４４と絶縁層２０とを強固に接合させることができる。さらには、形成された孔部２６にはデスミア処理が行われるため、トップ径ｒ１及び底部径ｒ２が比較的小さくアスペクト比が比較的大きい孔部２６であっても、孔部２６内から分子接合層３０の材料、孔部２６の形成工程で生じる反応物等の残滓が除去された清浄な孔部２６を形成することができる。よって、絶縁層２０に設けられた孔部２６による導通をより良好にすることができる。
【０２１８】
＜工程（Ｅ）＞
図１１を参照して、工程（Ｅ）について説明する。図１１は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
工程（Ｅ）は、導体層を形成する工程である。
【０２１９】
図１１に示されるように、第２の実施形態の工程（Ｅ）は、露出した分子接合層３０、孔部２６の内壁、及び孔部２６から露出した電子回路２４ａの一部分に接合するように導体層４４を形成する。すなわち第１主表面２０ａ側の分子接合層３０に接合する第１領域４４ａ、孔部２６から露出した電子回路２４ａの一部分に接合する第２領域４４ｂ及び孔部２６の内壁に接合する第３領域４４ｃを含む導体層４４が形成される。
【０２２０】
導体層４４は、第１の実施形態で既に説明した金属層４２の形成工程と同様の工程により形成することができる。よって、導体層４４についての詳細な説明は省略する。
【０２２１】
第２の実施形態では前記のとおり、分子接合層３０に接合するように導体層４４を形成する。よって、前記工程（Ｅ）を行う前に、金属層４２を除去する工程（Ｇ）が行われる。かかる工程（Ｇ）については第１の実施形態において既に説明したとおりであるので説明は省略する。
【０２２２】
工程（Ｇ）を実施した場合には、導体層４４のみをシード層として配線層４０を形成することとなるため、配線層４０の形成時に除去されるべき導体の量を減少させることができ、より穏やかな条件で配線層のパターニングを行うことができるため、配線のさらなる微細化を実現することができる。よって、工程（Ｇ）の実施に引き続き工程（Ｅ）を行う態様は、配線の微細化が求められるビルドアップ配線層の形成に好適に適用することができる。
【０２２３】
なお、第２の実施形態にかかる配線板１０の製造方法においても、配線ピッチ等の仕様が許す場合には、既に説明した第１の実施形態と同様に、金属層４２を除去することなく、すなわち工程（Ｇ）を実施することなく工程（Ｅ）を実施することができる。
【０２２４】
＜工程（Ｆ）＞
図１２及び図１３を参照して、工程（Ｆ）について説明する。図１２及び図１３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
【０２２５】
工程（Ｆ）は、配線層を形成する工程である。
配線層４０は、導体層４４をシード層とするセミアディティブ法により形成することが好ましい。以下、セミアディティブ法により配線層４０を形成する例について説明する。
【０２２６】
図１２に示されるように、先ずマスクパターン１００を形成する。マスクパターン１００は、シード層である導体層４４のうちの配線が形成されない領域を覆い、配線が形成される領域を露出させるパターンとして形成される。マスクパターン１００については、第１の実施形態で説明したとおりであるので説明を省略する。
【０２２７】
図１３に示されるように、次いで、ビアホールである孔部２６に材料が充填される条件で電解めっき工程を行って、マスクパターン１００が形成された構造体６０に、第１主表面２０ａ側であって導体層４４の第１領域４４ａに接合するように設けられる第１領域４５ａ、孔部２６を埋め込む埋込領域４５ｃを含む電解めっき層４５を形成する。このとき併せて孔部２６を埋め込むことによりフィルドビア５０を形成する。
【０２２８】
次に、マスクパターン１００を剥離して除去し、露出した導体層４４を除去する任意好適な条件でのフラッシュエッチング工程を行うことにより、第１主表面２０ａ側にビルドアップ配線層として配線層４０を形成する。
【０２２９】
以上の工程により、図７を参照して既に説明した構成を有する配線板１０を製造することができる。
【０２３０】
ビルドアップ絶縁層である絶縁層２０及びビルドアップ配線層である配線層４０を含むビルドアップ層が２層以上必要な場合には、前記工程（Ｆ）までが実施された配線板１０に対して、さらに前記工程（Ａ）〜前記工程（Ｆ）までの一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。
【０２３１】
〔配線板の使用態様〕
本発明の製造方法により製造される配線板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができる。またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を備える半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例】
【０２３２】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。なお、以下の記載中の「部」は「質量部」を意味する。【０２３３】
＜プリプレグの形成＞
ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７１０」、エポキシ当量約１７１）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−６０００」、エポキシ当量約２４８）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量約２８８）１０部、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のＭＥＫ：シクロヘキサノン＝１：１溶液）５部を、ソルベントナフサ５０部に撹拌しながら加熱して溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量１２５、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）６部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）２０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン、不揮発成分５質量％のＭＥＫ溶液）４部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、単位面積当たりのカーボン量０．３９ｍｇ／ｍ２）１６０部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）４部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を調製した。組成を下記表１に示す。【０２３４】
次いで、ソルベント法により厚さ３０μｍのガラスクロス（（株）有沢製作所製「１０６７ＮＳ」）を前記樹脂ワニス１に浸漬、含浸し、加熱することにより溶剤を揮発させてプリプレグを形成した。プリプレグ中に残存する溶剤量が０．５％となるように、かつプリプレグの厚さが５０μｍとなるように乾燥させてロール状に巻き取った。なお、プリプレグの厚さは、接触式層厚計（（株）ミツトヨ製「ＭＣＤ−２５ＭＪ」）を用いて測定した。【０２３５】
＜接着フィルムの製造＞
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品、エポキシ当量１６９）８部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）３部、ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）６部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量約２８８）１５部、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のＭＥＫ：シクロヘキサノン＝１：１溶液）２５部を、ソルベントナフサ１０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温（常温）まで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量１２５、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）１２部、ナフトール系硬化剤（新日鐵化学（株）製「ＳＮ−４８５」、水酸基当量２１５、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）１２部、ポリビニルアセタール樹脂溶液（積水化学工業（株）製「ＫＳ−１」）、不揮発成分１５％のエタノールとトルエンとの１：１溶液との混合溶液）２５部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン、不揮発成分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．２４μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ１」、単位面積当たりのカーボン量０．３６ｍｇ／ｍ２）６０部、有機充填材であるゴム粒子（ガンツ化成（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」）４部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を調製した。不揮発成分換算の組成を下記表１に示す。【０２３６】
次いで、有機支持体であるアルキド系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）の離型層側に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが３０μｍとなるように樹脂ワニス２を均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で４分間乾燥させて、接着フィルムを作製した。なお、樹脂組成物層の厚さは、接触式層厚計（（株）ミツトヨ製「ＭＣＤ−２５ＭＪ」）を用いて測定した。【０２３７】
【表１】
2015098601.tif 000003
【０２３８】
［実施例１］
（１）真空熱プレス工程
前記＜プリプレグの形成＞において形成されたプリプレグを、２５０ｍｍ角にカットし、クッション紙（阿波製紙（株）製「ＡＡＣＰ−９Ｎ」、厚さ８００μｍ）／ステンレス（ＳＵＳ）板（厚さ１ｍｍ）／離型シート（旭硝子（株）製「アフレックス５０Ｎ  ＮＴ」、厚さ５０μｍ）／プリプレグ／離型シート／ＳＵＳ板／クッション紙の順に積層して真空熱プレス装置（北川精機（株）製「ＶＨ１−１６０３」）を使用して真空熱プレス工程を実施して硬化プリプレグを形成した。【０２３９】
真空熱プレス工程の実施条件は下記の通りである。
温度：室温（常温）から２００℃に至るまで昇温率５℃／分で昇温し、２００℃で９０分間ホールドし、その後降温率５℃／分で室温まで降温
押圧力：押圧せず（０ｋｇ／ｃｍ２）２０分間ホールドし、温度が約１２５℃となった時点で押圧力を５０ｋｇ／ｃｍ２としてこれを降温終了時までホールド
気圧：７０ｍｍ／ｈｇ〜７４ｍｍ／ｈｇ（９．３×１０−３ＭＰａ〜９．９×１０−３ＭＰａ）【０２４０】
（２）分子接合層の形成
形成された硬化プリプレグを、分子接合剤（信越化学工業（株）製トリアジンチオール官能性シリコーンアルコキシオリゴマー、フッ素化アルキル基タイプ「Ｘ−２４−９４５３」）の０．５重量％溶液（混合溶媒；水：イソプロピルアルコール：酢酸＝７０：３０：０．５）に２３℃で３分間浸漬し、その後１００℃で３０分間乾燥させて硬化プリプレグの第１主表面及び第２主表面を含む表面に分子接合層を形成した。【０２４１】
（３）金属層の形成工程
分子接合層を形成した硬化プリプレグの表面に金属層を形成するため、第１の無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製薬液を使用する、下記の無電解銅めっき工程）を行った。第１無電解めっき工程により形成された金属層（第１無電解めっき層）の厚さは０．５μｍであった。【０２４２】
＜第１の無電解銅めっき工程＞
１．アルカリクリーニング（分子結合層の表面の洗浄と電荷調整）
Ｃｌｅａｎｉｎｇ  Ｃｌｅａｎｅｒ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ９０２（商品名）を用いて６０℃で２分間洗浄した。
２．プレディップ（Ｐｄ付与のための分子結合層の表面の電荷の調整）
Ｐｒｅ．  Ｄｉｐ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  Ｂ（商品名）を用い、室温で１分間処理した。
３．アクティヴェーター（分子結合層の表面へのＰｄの付与）
Ａｃｔｉｖａｔｏｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ８３４（商品名）を用い、３５℃で５分間処理した。
４．還元（分子結合層の表面に付与されたＰｄを還元）
Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ＷＡ（商品名）及びＲｅｄｕｃｅｒ  Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ  ８１０  ｍｏｄ．の混合液を用い、３０℃で５分間処理した。
５．無電解銅めっき（Ｃｕを分子結合層の表面（Ｐｄ表面）に析出）
Ｂａｓｉｃ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）、Ｃｏｐｐｅｒ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ（商品名）、Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）及びＲｅｄｕｃｅｒ  Ｃｕ（商品名）の混合液を用いて、３５℃で１０分間処理した。【０２４３】
（４）スルーホールの形成工程
日立ビアメカニクス（株）製ＣＯ２レーザー加工機「ＬＣ−２ｋ２１２／２Ｃ」を使用して穴あけ加工することにより、金属層及び硬化プリプレグを貫通するスルーホールを形成した。硬化プリプレグの表面におけるスルーホールのトップ径（直径）は６５μｍであった。なお、穴あけ加工は、マスク径を３．５ｍｍとし、パワーを１Ｗとし、周波数を２０００Ｈｚとし、パルス幅を４μｓとし、ショット数を３とし、サイクルモードとして実施した。【０２４４】
（５）デスミア処理
スルーホールが形成された構造体を、膨潤液である、アトテックジャパン（株）のジエチレングリコールモノブチルエーテルを含有する「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」に６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン（株）の「コンセントレート・コンパクトＰ」（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬し、水洗処理後、中和液として、アトテックジャパン（株）の「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」に４０℃で５分間浸漬した。その後、１３０℃で１５分間乾燥した。【０２４５】
（６）導体層の形成工程
金属層の表面及びスルーホール内に導体層を形成するため、再度、無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製の薬液を使用した下記の無電解銅めっき工程である第２無電解めっき工程）を行って導体層（第２無電解めっき層）を形成した。形成された導体層の厚さは０．８μｍであった。硬化プリプレグの表面の金属層と導体層との厚さの総和は、約１．３μｍであった。【０２４６】
＜第２の無電解銅めっき工程＞
１．アルカリクリーニング（金属層の表面及びスルーホール内の表面の洗浄と電荷調整）
「Ｃｌｅａｎｉｎｇ  Ｃｌｅａｎｅｒ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ９０２」（商品名）を用いて６０℃で２分間洗浄した。
２．プレディップ（Ｐｄ付与のための金属層の表面及びスルーホールの表面の電荷の調整）
「Ｐｒｅ．  Ｄｉｐ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  Ｂ」（商品名）を用い、室温で１分間処理した。
３．アクティヴェーター（金属層の表面及びスルーホールの表面へのＰｄの付与）
「Ａｃｔｉｖａｔｏｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ８３４」（商品名）を用い、３５℃で５分間処理した。
４．還元（金属層の表面及びスルーホールの表面に付与されたＰｄを還元）
「Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ＷＡ」（商品名）及び「Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ  ８１０  ｍｏｄ．」の混合液を用い、３０℃で５分間処理した。
５．無電解銅めっき（Ｃｕを金属層の表面及びスルーホールの表面（Ｐｄ表面）に析出）
「Ｂａｓｉｃ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ」（商品名）、「Ｃｏｐｐｅｒ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ」（商品名）、「Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ」（商品名）及び「Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｃｕ」（商品名）の混合液を用いて、３５℃で１８分間処理した。【０２４７】
（７）配線層の形成工程
＜マスクパターンの形成工程＞
次いで、構造体の表面を５％硫酸水溶液で３０秒間処理し、厚さ２５μｍのマスクパターン形成用のＰＥＴフィルム付きドライフィルムであるニチゴー・モートン（株）製「ＡＬＰＨＯ  ＮＩＴ３０２５」（商品名）を構造体の両面に真空ラミネーターにて積層した。積層は、（株）名機製作所製バッチ式真空加圧ラミネーター「ＭＶＬＰ−５００」（商品名）を用いて、圧力を０．１ＭＰａとし、温度を７０℃とし、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下にしてから、２０秒間加圧して行った。【０２４８】
その後、Ｌ（ライン：ドライフィルムの線幅）／Ｓ（スペース：線状のドライフィルム同士の間隔）＝８μｍ／８μｍ、すなわち１６μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ、すなわち２０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ、すなわち３０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）を各１０個形成したガラスマスク（フォトマスク）を構造体の両面に設けられたドライフィルムそれぞれの保護層であるＰＥＴフィルム側に配置し、ＵＶ−ランプを用いて１５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外光を構造体の両面に設けられたドライフィルムそれぞれに照射する露光工程を行ってマスクパターンを形成した。【０２４９】
次に、温度３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を圧力０．１５ＭＰａで３０秒間構造体に噴霧するスプレー処理を行った。【０２５０】
＜電解めっき層及びスルーホール内配線の形成工程＞
次に、構造体を水洗して、現像工程を行った。現像工程を行った構造体にアトテックジャパン（株）製の薬液を使用して、スルーホールに銅が充填される条件で電解めっき工程（電解銅めっき工程）を行って、マスクパターンから露出している導体層に電解めっき層（電解銅めっき層）を形成し、併せてスルーホールを埋め込んでスルーホール内配線を形成した。【０２５１】
＜配線層の形成＞
次に、構造体に対して温度５０℃の３％ＮａＯＨ溶液を圧力０．２ＭＰａで噴霧するスプレー処理を行い、構造体の両面からのマスクパターンの剥離を行った。次いで、（株）荏原電産製のＳＡＣプロセス（フラッシュエッチング工程）用エッチャントを用いて、マスクパターンを除去することにより露出した導体層及び露出した導体層の直下の領域の金属層を除去して、微細な複数の配線を含む配線層を構造体の両面に形成した。
以上の工程により実施例１にかかる配線板が製造された。【０２５２】
［実施例２］
（１）回路基板の下地処理
電子回路（配線層）が形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅層（配線層）の厚さ１８μｍ、基材の厚さ０．３ｍｍ、パナソニック（株）製「Ｒ１５１５Ａ」）（回路基板）の両面をマイクロエッチング剤（メック（株）製「ＣＺ８１００」）にて銅層の厚さのうちの１μｍをエッチングすることにより除去して銅層の表面のデスミア処理を行った。【０２５３】
（２）接着フィルムのラミネート
既に説明した＜接着フィルムの製造＞と同様の工程で作製された接着フィルムを用意し、接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニチゴー・モートン（株）製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が回路基板と接合するように、回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、温度を１１０℃とし、押圧力を０．７４ＭＰａとして３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、ラミネートされた接着フィルムを、大気圧下、温度を１００℃とし、押圧力を０．５ＭＰａとして６０秒間熱プレスすることにより平滑化した。【０２５４】
（３）樹脂組成物層の硬化
次に、接着フィルムがラミネートされた構造体を１００℃にて３０分間、次いで１６０℃にて３０分間加熱処理することにより樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。【０２５５】
（４）分子接合層の形成
絶縁層が形成された回路基板から、接着フィルムに由来する離型ＰＥＴフィルムを剥離し、分子接合剤として、アミノトリアジンノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−１３５６」、不揮発成分６０重量％のＭＥＫ溶液、Ｎ含有量１９重量％、固形分水酸基価１４６）０．５重量％、エポキシシランカップリング剤（信越化学工業（株）製、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、「ＫＢＭ４０３」、分子量２３６．３）０．５重量％の混合溶液（エタノール：ＭＥＫ：水＝５０：５０：１の混合溶媒に溶解させた混合溶液）に２３℃で３分間浸漬し、その後１００℃で３０分間乾燥した。【０２５６】
（５）金属層の形成工程
分子接合層が形成された回路基板（構造体）の表面に金属層を形成するため、既に説明した実施例１と同様の第１の無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製薬液を使用する、無電解銅めっき工程）を行った。第１の無電解めっき工程により形成された金属層（第１の無電解めっき層）の厚さは０．５μｍであった。【０２５７】
（６）ビアホールの形成
ＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス（株）製「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、マスク径１．６０ｍｍ、フォーカスオフセット値０．０５０、パルス幅２５μｓ、パワー０．６６Ｗ、アパーチャー１３、ショット数２、バーストモードの条件で穴あけして、金属層、分子接合層、絶縁層を貫通して配線層の一部分を露出させるビアホールを形成した。絶縁層の表面におけるビアホールのトップ径（直径）は５０μｍであった。【０２５８】
（７）デスミア処理
ビアホールが形成された構造体に対し、膨潤液である、アトテックジャパン（株）のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」に６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン（株）の「コンセントレート・コンパクトＰ」（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬し、水洗処理後、中和液として、アトテックジャパン（株）の「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」に４０℃で５分間浸漬し、その後、１３０℃で１５分間乾燥する、ビアホールのデスミア処理を行った。【０２５９】
（８）金属層の除去
デスミア処理後、後述する配線層の形成工程におけるフラッシュエッチング工程により除去される層の厚さを薄くし、より微細な配線を形成するために、金属層を塩化第２鉄水溶液に２５℃で１分間浸漬して除去した。【０２６０】
（９）導体層の形成工程
金属層を除去したことにより露出した分子接合層に導体層を形成するため、第２の無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製薬液を使用した無電解銅めっき工程）を行った。形成された導体層の厚さは０．８μｍであった。【０２６１】
（１０）配線層の形成工程
＜マスクパターンの形成工程＞
次いで、構造体の表面を５％硫酸水溶液で３０秒間処理し、厚さ２５μｍのマスクパターン形成用のＰＥＴフィルム付きドライフィルムであるニチゴー・モートン（株）製「ＡＬＰＨＯ  ＮＩＴ３０２５」（商品名）を構造体の両面に真空ラミネーターにて積層した。積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」（商品名））を用いて、圧力を０．１ＭＰａとし、温度を７０℃とし、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下にしてから、２０秒間加圧して行った。【０２６２】
その後、Ｌ（ライン：ドライフィルムの線幅）／Ｓ（スペース：線状のドライフィルム同士の間隔）＝８μｍ／８μｍ、すなわち１６μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ、すなわち２０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ、すなわち３０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）を各１０個形成したガラスマスク（フォトマスク）をビアホールのトップ径側に積層されたドライフィルムの保護層であるＰＥＴフィルム側に配置し、ＵＶ−ランプを用いて１５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外光を照射する露光工程を行ってマスクパターンを形成した。なお、ビアホールのボトム径側に積層されたドライフィルムについては全面露光して、導体層の表面全面を覆うマスクパターンを形成した。【０２６３】
次に、温度３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を圧力０．１５ＭＰａで３０秒間構造体に噴霧するスプレー処理を行った。【０２６４】
＜電解めっき層及びフィルドビアの形成工程＞
次に、構造体を水洗して、現像工程を行った。現像工程を行った構造体にアトテックジャパン（株）製の薬液を使用して、ビアホールに銅が充填される条件で電解めっき工程（電解銅めっき工程）を行って、マスクパターンから露出している導体層に電解めっき層（電解銅めっき層）を形成し、併せてビアホールを埋め込んでフィルドビアを形成した。【０２６５】
＜配線層の形成＞
次に、構造体に対して温度５０℃の３％ＮａＯＨ溶液を圧力０．２ＭＰａで噴霧するスプレー処理を行って、構造体の両面からのマスクパターンの剥離を行った。次いで、（株）荏原電産製のＳＡＣプロセス（フラッシュエッチング工程）用エッチャントを用いて、マスクパターンを除去することにより露出した導体層のみを除去して、微細な複数の配線を含む配線層を形成した。
以上の工程により実施例２にかかる配線板が製造された。【０２６６】
［比較例１］
スルーホールを形成した後にデスミア処理工程を兼ねる粗化処理工程を行い、その後分子接合層の形成工程を実施した以外は、実施例１と同様にして配線層を形成する工程までを行うことにより、比較例１にかかる配線板を製造した。【０２６７】
［比較例２］
分子接合層を形成した後にビアホールを形成し、次いでデスミア処理工程を兼ねる粗化処理工程を行い、その後、金属層を形成することなく導体層を形成する工程を実施した以外は、実施例２と同様にして配線層を形成する工程までを行うことにより、比較例２にかかる配線板を製造した。【０２６８】
〔算術平均粗さＲａ及び二乗平均平方根粗さＲｑの測定〕
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で製造された配線板それぞれについて、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製「ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００」）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして得られる測定値に基づいて算術平均粗さＲａ及び二乗平均平方根粗さＲｑ（表面粗さ）を求めた。それぞれ無作為に選んだ１０点の測定値の平均値を求めることによりこれを算術平均粗さＲａの値又は二乗平均平方根粗さＲｑの値とした。結果を下記表２に示す。【０２６９】
〔配線層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定〕
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で形成された配線層それぞれに、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの長方形状の切込みをいれ、その一端を剥がしてつかみ具（株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機「ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ」）で掴み、室温にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定して評価した。評価基準は下記の通りである。結果を下記表２に示す。
評価基準：
○：ピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ超
×：ピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ未満【０２７０】
〔最小ピッチの評価〕
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で形成された配線それぞれについて、形成可能な櫛歯パターンの最小ピッチを視覚的に評価した。結果を下記表２に示す。【０２７１】
〔配線の評価〕
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で形成された配線それぞれに剥離の有無を光学顕微鏡にて確認し、さらに除去されるべき導体層（及び金属層）の残滓の有無を確認して評価した。評価基準は下記の通りである。結果を下記表２に示す。
評価基準
○：櫛歯パターンのうちの線状部分１０本中、９本以上で問題なし
×：櫛歯パターンのうちの線状部分１０本中、２本以上で問題あり【０２７２】
【表２】
2015098601.tif 000004
【０２７３】
表２から明らかなとおり、実施例１及び実施例２で製造された配線板では、いずれも配線の最小ピッチを２０μｍ以下とすることができ、微細配線化を実現することができた。また、実施例１及び実施例２では、従来通り粗化処理工程を行った比較例１及び比較例２と比較して遜色のないピール強度を有していることが明らかとなった。他方、比較例１及び比較例２では、粗化処理工程を実施しているため表面粗さ（Ｒａ及びＲｑ）が大きく、この表面粗さに起因していずれも配線の最小ピッチを２０μｍ以下とすることができなかった。【０２７４】
以上より明らかな通り、本発明の配線板の製造方法によれば、粗化処理工程を実施せずともピール強度を維持しつつ、微細配線化を実現することができる。
【符号の説明】
【０２７５】
１０  配線板
２０  絶縁層
２０ａ  第１主表面
２０ｂ  第２主表面
２２  硬化プリプレグ
２４  回路基板
２４ａ  電子回路
２６  孔部（スルーホール、ビアホール）
３０  分子接合層
４０  配線層
４２  金属層
４４  導体層
４４ａ、４５ａ  第１領域
４４ｂ、４５ｂ  第２領域
４４ｃ  第３領域
４５  電解めっき層
４５ｃ  埋込領域
４６  第１配線層
４８  第２配線層
５０  スルーホール内配線、フィルドビア
６０  構造体
１００  マスクパターン
１１０  保護フィルム
【図１】
2015098601.tif 000005
【図２】
2015098601.tif 000006
【図３】
2015098601.tif 000007
【図４】
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【図５】
2015098601.tif 000009
【図６】
2015098601.tif 000010
【図７】
2015098601.tif 000011
【図８】
2015098601.tif 000012
【図９】
2015098601.tif 000013
【図１０】
2015098601.tif 000014
【図１１】
2015098601.tif 000015
【図１２】
2015098601.tif 000016
【図１３】
2015098601.tif 000017
【国際調査報告】
2015098601.tif 000018
2015098601.tif 000019
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