(57)【要約】  本開示の積層体の剥離方法は、第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす第１粘着層を形成することと、粘着層上に第２基板を固着することと、第２基板上に第１機能層を形成することと、第１基板を第２基板から剥離することとを含む。2015152158.tif 0000252015152158.tif 0000262015152158.tif 000027
2015152158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する第１粘着層を形成することと、
前記第１粘着層上に第２基板を固着することと、
前記第２基板上に第１機能層を形成することと、
前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
を含む積層体の剥離方法。
【数１】
2015152158.tif 000018
（Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
【数２】
2015152158.tif 000019
（Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
【数３】
2015152158.tif 000020
（ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
【請求項２】
前記第１粘着層は、前記式（１）および式（２），（３）の両方を満たす、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
【請求項３】
前記第２基板の前記第１粘着層に固着する面に離型層を形成したのち、前記第１粘着層上に前記第２基板を固着する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
【請求項４】
前記第１基板上に離型層を形成したのち、前記第１粘着層を形成する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
【請求項５】
前記離型層は無機材料により形成されている、請求項３に記載の積層体の剥離方法。
【請求項６】
前記粘着層を介して前記第１基板に固着された前記第２基板上に、前記第１機能層を形成すると共に、前記第１機能層の周縁部に切り込みを入れたのち、前記第１機能層上に保護膜を形成する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
【請求項７】
第３基板上に第２粘着層を介して第４基板を固着することと、
前記第２基板と前記第４基板とを対向配置して貼り合わせることとを含み、
前記第２基板と前記第４基板とを貼り合わせたのち、前記第１基板および前記第３基板をこの順に剥離する、請求項１に記載の積層体の剥離方法。
【請求項８】
前記第３基板上に前記第４基板を固着させたのち、前記第４基板上に第２機能層を形成する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
【請求項９】
前記第１機能層および前記第２機能層は半導体層、表示層およびカラーフィルタのうちのいずれかである、請求項８に記載の積層体の剥離方法。
【請求項１０】
前記第１基板および前記第３基板は剛性を有する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
【請求項１１】
前記第２基板および前記第４基板は可撓性を有する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
【請求項１２】
前記第２粘着層は前記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する、請求項７に記載の積層体の剥離方法。
【請求項１３】
第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層を形成することと、
前記粘着層上に可撓性を有する第２基板を固定することと、
前記第２基板上に機能層を形成することと、
前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
を含む可撓性デバイスの製造方法。
【数４】
2015152158.tif 000021
（Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
【数５】
2015152158.tif 000022
（Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
【数６】
2015152158.tif 000023
（ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
【請求項１４】
剛性を有する第１基板と、
可撓性を有する第２基板と、
粘着力が下記式（１）を満たす、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた粘着層と
を備えた積層体。
【数７】
2015152158.tif 000024
（Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば、剛性を有する基板と可撓性を有する基板とが貼り合わされた積層体および積層体の剥離方法ならびにこれを用いた可撓性デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルディスプレイ等の可撓性を有する表示装置は、例えば以下のように製造される。まず、例えば一対のガラス等の剛性を有する基板（支持基板）にそれぞれ可撓性を有する基板（可撓性基板）を固定し、各可撓性基板上でＴＦＴ（Thin Film Transistor）層や表示層あるいはカラーフィルタ等の機能層を形成する。続いて、これら機能層を対向させて貼り合わしたのち、支持基板を可撓性基板から剥がすことによってフレキシブルディスプレイが完成する（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
可撓性基板と支持基板との剥離方法としては、例えば支持基板上に金属層を設け、この金属層にレーザを照射して剥離する方法（例えば、特許文献２参照）や、可撓性基板の一部（例えば、外周部）のみに接着剤を塗布することで剥離を容易にする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２１５７３７号公報
【特許文献２】特開２０１１−１４２３３２号公報
【発明の概要】
【０００５】
しかしながら、特許文献２のようにレーザを用いる場合には、レーザを用いることによるコストの増加やレーザ照射によって発生する熱により機能層が劣化するという問題があった。また、可撓性基板の一部のみを固定する場合には、固定が十分ではないため位置ずれ等が起こりやすく高精細な機能層の形成が困難であった。
【０００６】
従って、機能層を劣化させることなく、容易且つ安価に剥離することが可能な積層体および積層体の剥離方法ならびにこれを用いた可撓性デバイスの製造方法を提供することが望ましい。
【０００７】
本技術の一実施の形態に係る積層体の剥離方法は、第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす第１粘着層を形成することと、第１粘着層上に第２基板を固着することと、第２基板上に第１機能層を形成することと、第１基板を第２基板から剥離することとを含むものである。
【０００８】
【数１】
2015152158.tif 000003
（Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
【０００９】
【数２】
2015152158.tif 000004
（Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み、ｇ：重力定数）
【００１０】
【数３】
2015152158.tif 000005
（ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
【００１１】
本技術の一実施の形態に係る可撓性デバイスの製造方法は、上記本技術の積層体の剥離方法における第２基板として可撓性を有する基板を用いるものである。
【００１２】
本技術の一実施の形態に係る積層体は、剛性を有する第１基板と、可撓性を有する第２基板と、粘着力が下記式（１）を満たす、第１基板と第２基板との間に設けられた粘着層とを備えたものである。
【００１３】
本技術の一実施の形態に係る積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法では、第１基板と第２基板との間に、粘着力が上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層を形成することにより、機械的に第１基板と第２基板とを剥離することが可能となる。
【００１４】
本技術の一実施の形態に係る積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法によれば、第１基板と第２基板との間に、上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力の粘着層を形成するようにしたので、機械的に第１基板と第２基板とが剥離される。即ち、剥離時に機能層を劣化させることなく、容易且つ安価に第１基板と第２基板とを剥離することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本技術の一実施の形態に係る積層体の構成を表す断面図である。
【図２】式（１）を説明するための積層体を模式的に表した斜視図である。
【図３】式（３）を説明するための剥離開始時の積層体を模式的に表した断面図である。
【図４】図１に示した積層体の具体例としての表示装置の構成を表す断面図である。
【図５】図４に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図６】図５に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図７Ａ】図４に示した表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８Ａ】図７Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図９Ａ】変形例１に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１０Ａ】変形例２に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１１Ａ】変形例３に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１２Ａ】図１１Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１３】本変形例の表示装置の断面構成を表す模式図である。
【図１４Ａ】適用例１の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１４Ｂ】適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例２の外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（支持基板と可撓性デバイスとの間に式（１）および式（２），（３）を満たす粘着層を設けた例）
２．変形例    変形例１（粘着層と可撓性デバイスとの間に離型層を設けた例）
変形例２（支持基板と粘着層との間に離型層を設けた例）
変形例３（予め、可撓性基板に切り込みを入れて分割する例）
３．適用例
【００１７】
＜１．実施の形態＞
図１は、本技術の一実施の形態に係る積層体およびその剥離方法を説明するための積層層（積層体１）の断面構成を表したものである。この積層体１は、支持基板１１と支持基板２１との間に可撓性を有するデバイス（可撓性デバイス１０）を有するものである。可撓性デバイス１０は、可撓性を有する基板（可撓性基板１３，２３）の間に機能層１４が設けられたものである。この積層体１は、例えばフレキシブルディスプレイ等の可撓性デバイス１０の製造過程において形成されるものである。可撓性基板１３，２３はそれぞれ支持基板１１，２１に、それぞれ粘着層１２，２２を介して固定（固着）されており、本実施の形態の積層体１では、粘着層１２，２２の少なくとも一方が後述する式（１）を満たす粘着力を有している。また、このような積層体１を剥離する際には、粘着層１２，２２の少なくとも一方がこの式（１）または後述する式（２），（３）のどちらかあるいは両方を満たす粘着力を有するように調製することによって、可撓性デバイス１０から支持基板１１（および／また支持基板２１）を容易且つ安価に剥離することが可能となる。
【００１８】
支持基板１１および支持基板２１は、それぞれ可撓性基板１３および可撓性基板２３を支持して製造過程における運搬および後述する機能層１４の形成を容易にするものである。支持基板１１は、例えばガラス，石英あるいはシリコン等の剛性材料により構成することが好ましい。支持基板１１は、可撓性基板１２よりも厚い基板を用いることが好ましく、例えば、機械的強度や取り扱い性の点から０．４ｍｍ〜２ｍｍであればよい。また、支持基板１１の線膨張係数は、基板１３との関係から１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。
【００１９】
粘着層１２および粘着層２２は、可撓性基板１３および可撓性基板２３を支持基板１１および支持基板２１にそれぞれ固定するものであり、支持基板１１（または支持基板２１）と可撓性基板１３（または可撓性基板２３）との、例えば接触面の全面に設けられている。粘着層１２，２２は、例えばスピンコート法，ダイコートまたはグラビア等の印刷法で塗布することにより形成する。粘着層１２，２２の材料としては、汎用的な粘着剤および粘着テープを用いることができる。具体的には、例えばアクリル系接着剤（粘着剤），エポキシ系接着剤，シロキサン系接着剤，ウレタン系接着剤，シランカップリング剤，天然ゴム系接着剤または合成ゴム系接着剤等が挙げられる。
【００２０】
なお、本実施の形態では、一方の粘着層（例えば、粘着層１２）が後述する式（１）および式（２），（３）のどちらかあるいは両方を満たす粘着力を有するものであれば、他方の粘着層（例えば、粘着層２２）は、粘着テープを用いてもよい。粘着テープを用いる場合には、例えば支持基板２１に粘着テープを添付して粘着層２２を形成したのち、ラミネータで可撓性基板２３を固定する。
【００２１】
可撓性基板１３および可撓性基板２３は、機能層１４を挟持するものである。可撓性基板１３，２３の材料としては、支持基板１１，２１との熱収縮差による基板反りを抑制するために、熱収縮率が０．１％以下であることが好ましい。また、支持基板１１，２１との関係から線膨張係数を０〜１５ｐｐｍ／Ｋ程度とすることで、可撓性基板１３，２３の寸法変化と変形を抑制することができる。このような材料としては、具体的には、例えば厚み５〜２００μｍのポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリエーテルスルホン，ポリエーテルイミド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリフェニレンスルフィド，ポリスルホン，ポリアリレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリカーボネート，セルローストリアセテート，ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリメチルメタクリレート，アラミド，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂，シリコン樹脂またはアクリル樹脂等のプラスチック材料が挙げられる。なお、薄層ガラスあるいは薄層セラミックス等を可撓性を示す程度まで薄くして使用することも可能である。
【００２２】
機能層１４は、例えばＴＦＴや各種配線等が形成された電子回路層（ＴＦＴ層１４１），表示層（表示層１４２），封止層（保護膜１４２Ｅ）およびカラーフィルタ（カラーフィルタ層１４２Ｇ）等のデバイス用の機能を有する層が形成されたものである（図４参照）。なお、図１では機能層１４を単層で表し、基板１１側に一括して設けたものとして説明したが、これに限らず、例えば機能層１４が多層構造であってもよい。その場合には、可撓性基板１３，２３にそれぞれ機能層１４Ａおよび機能層１４Ｂとして分けて設けてもよい（例えば、図７Ｃ参照）。
【００２３】
本実施の形態では、粘着層１２および粘着層２２の少なくとも一方は、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）のどちらか、あるいは両方を満たすように調製されている。なお、ここでの粘着力とは、具体的には、支持基板１１（または支持基板２１）と可撓性基板１３（または可撓性基板２３）との密着力（面密着力）である。式（１）は剥離時に剥離する基板（支持基板１１（または支持基板２１））に破損が生じない条件を表したものである。式（２），（３）は剥離時に、吸着力不足により剥離する基板（支持基板１１（または支持基板２１））を吸着保持不能にならない条件を表したものである。なお、ここでは、支持基板１１等の剥離する側の基板を剥離基板Ａとし、可撓性基板１３および機能層１４等を含む、剥離される側の基板を被剥離基板Ｃとする。また、剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとを固着する粘着層を粘着層Ｂとする。粘着層Ｂの粘着力がこれら式（１）または／および式（２），（３）のどちらかを満たすことによって、剥離基板Ａは被剥離基板Ｂから容易に剥離される。即ち、後述する支持基板１１（または支持基板２１）の剥離工程において可撓性デバイス１０を損傷することなく支持基板１１（または支持基板２１）を可撓性デバイス１０から剥離することが可能となる。式（１）および式（２），（３）における各パラメータは、図２および図３に示す。
【００２４】
【数４】
2015152158.tif 000006
（Ｌ：剥離基板Ａの剥離方向の長さ、ｈ：剥離基板Ａの厚み（ｍｍ）、ｘ：剥離基板Ａの許容変形量、Ｅ：剥離基板Ａのヤング率、σmax：剥離基板Ａの限界曲げ応力）
【００２５】
【数５】
2015152158.tif 000007
（Ｂ’：剥離時における剥離開始部の剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：剥離基板Ａの密度、ｈ：剥離基板Ａの厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
【００２６】
【数６】
2015152158.tif 000008
（ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：剥離基板Ａ突起および反り量、ｒ：重力定数）
【００２７】
式（１）は以下のように導出される。
【００２８】
まず、被剥離基板Ｃから剥離基板Ａを剥離する工程を考える。このとき、剥離基板Ａが破損しない条件は式（４）で表わすことができる。ここで、式（４）におけるσmaxは剥離基板Ａの限界曲げ応力、σbendは剥離基板Ａを曲げた時に剥離基板Ａに係る引張り方向の応力、σbondは被剥離基板Ｃの粘着層Ｂからかかる引張り応力である。σbendは剥離基板Ａの二次モーメントから算出することができ、式（５）で表わすことができる。ここで式（５）におけるＬは剥離基板Ａの剥離方向の長さ、ｈは剥離基板Ａの厚み、ｘは剥離基板Ａの変化量、Ｅは剥離基板Ａのヤング率である。σbendは力学的な力の分解により、式（６）で表わされる。特に、本発明のような剥離角が小さい場合には、剥離時の力は面密着力にて近似することができる。ここで、式（６）におけるＡは剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの面密着力、θは曲げ角度である。式（５）および式（６）を式（４）に代入すると、式（７）となる。この式（７）より、剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの面密着力Ａの項に着目し、整理すると式（８）のように表される。曲げ角度θを剥離基板Ａの剥離方向の長さＬと剥離基板Ａの変化量ｘで表わすと、式（９）のように表される。式（９）を式（８）に代入することにより、上記式（１）が導出される。なお、式（１）におけるｘ以外の変数は材料の特性であり、決まった値を有している。また、ｘも限界変形量ｘmaxによって制限されるため、許容される剥離基板Ａと被剥離基板Ｃとの面密着力は自動的に決定される。
【００２９】
【数７】
2015152158.tif 000009
【００３０】
式（２）および式（３）は以下のように導出される。
【００３１】
剥離開始時、剥離基板Ａには図３に示したような力（剥離時の剥離開始部の剥離基板Ａ−被剥離基板Ｃの粘着力（Ｂ’）、剥離時の剥離基板Ａに対する基板吸着（保持）力（Ｃ）、剥離基板Ａの重さ（ρｈｇ））がかかる。これらの関係から、剥離開始時に正常に剥離される条件としては上記式（２）が得られる。ここで、基板吸着（保持）力、即ち、剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力Ｃは真空での保持の場合には小さい値となり、剥離基板Ａ−被剥離基板Ｃ間の粘着力に大幅な制限がなされる。この条件を元に、剥離開始部に必要な条件を計算すると、剥離開始部の長さｌは図３のような関係が表わされる。図３では、図中の基板端からｌの長さにおいては少なくとも式（２）を満たさねばならない。ここで、ｒは曲率半径、ｄは許容基板突起および反り量、ｚは剥離基板Ａの端から曲率円の中心方向に伸ばし、反った状態の剥離基板Ａと交わる距離である。ここで、ｌが何によって決定されるか解析すると、まず、三角形の比として式（１０）が得られ、この式（１０）を整理すると式（１１）が得られる。ここで、三角形の三平方の定理を考えると、図３におけるｒ，ｚ，ｌは式（１２）のように表わされる。この式（１２）をｌについて整理すると共に、ｚに式（１１）を代入すると、上記式（３）が導出される。このように、剥離開始時に必要な長さｌは、曲率半径ｒと許容基板突起および反り量ｄとによって定義することができる。なお、曲率半径は剥離基板Ａを剥離する装置の仕様や剥離基板Ａの物性値によって決定される。また、許容基板突起および反り量ｄも設備の仕様や剥離基板Ａの物性によって規定される。即ち、吸着力が十分な状態で剥離基板Ａが正常に剥離される条件は、剥離開始部の剥離基板Ａ−被剥離基板Ｃとの粘着力Ｂ’と、剥離開始部の長さｌによって規定される。
【００３２】
【数８】
2015152158.tif 000010
【００３３】
（表示装置）
図４は、図１における可撓性デバイス１０の一例としての表示装置（表示装置１０Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１０Ａは、例えばフレキシブルな極薄型の有機発光カラーディスプレイであり、可撓性を有する駆動基板１３１と対向基板２３１との間にＴＦＴ層１４１および表示層１４２からなる機能層１４０（例えば、図８参照）が設けられている。本実施の形態では、駆動基板１３１は支持基板１１上に固定されており、駆動基板１３１上には、ＴＦＴ層１４１と表示層１４２を構成する下部電極１４２Ａ，有機層１４２Ｂ，上部電極１４２Ｃおよび保護膜１４２Ｄ等からなる表示体が設けられる（機能層１４０Ａ）。対向基板２３１は支持基板２１上に固定されており、対向基板２３１上には、表示層１４２を構成するカラーフィルタ１４２Ｇおよび封止膜１４２Ｅが設けられる（機能層１４０Ｂ）。これら機能層１４０Ａと機能層１４０Ｂとを対向させ、封止膜１４２Ｅを介してカラーフィルタ層１４２Ｇと保護膜１４２Ｄとを貼り合わせたのち、支持基板１１および支持基板２１を剥離することによって表示装置１０Ａは製造されている。なお、図４は、表示装置１０Ａの構造を模式的に表わしたものであり、実際の寸法および形状とは異なる場合がある。
【００３４】
（表示装置１０Ａの全体構成）
図５は、表示装置１０Ａの全体構成を表すものである。表示装置１０Ａは、駆動基板１３１上の中央部に表示領域３１０を有しており、表示領域３１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路３２０および走査線駆動回路３３０が設けられている。
【００３５】
表示領域３１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂと、それらを駆動するための画素駆動回路３４０とが形成されている。画素駆動回路３４０において、列方向には複数の信号線３２０Ａが配置され、行方向には複数の走査線３３０Ａが配置されている。各信号線３２０Ａと各走査線３３０Ａとの各交差点に、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂが対応して設けられている。画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂはそれぞれ、赤色，緑色，青色を発光する画素である。各信号線３２０Ａは信号線駆動回路３２０に、各走査線３３０Ａは走査線駆動回路３３０にそれぞれ接続されている。
【００３６】
信号線駆動回路３２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線３２０Ａを介して選択された画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに供給するものである。信号線３２０Ａには信号線駆動回路３２０からの信号電圧が印加される。
【００３７】
走査線駆動回路３３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。走査線駆動回路３３０は、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線３３０Ａに走査信号を順次供給するものである。走査線３３０Ａには、走査線駆動回路３３０からの走査信号が供給される。
【００３８】
画素駆動回路３４０は、ＴＦＴ層１４１に設けられている。この画素駆動回路３４０は、図６に示したように、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間の保持容量３０Ｃと、有機発光素子ＥＬとを有するアクティブ型の駆動回路である。
【００３９】
表示装置１０Ａの各層は、例えば以下のような構成をとる。なお、駆動基板１３１および対向基板２３１は上記可撓性基板１３および可撓性基板２３であり、同様の構成を有する。
【００４０】
ＴＦＴ層１４１には、具体的には、例えばゲート電極１４１Ａ，ゲート絶縁膜１４１Ｂ，チャネル層としての半導体層１４１Ｃおよびソース・ドレイン電極１４１Ｄ（１４１Ｄ１，１４１Ｄ２）により構成されたＴＦＴ等が設けられている。これらはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法等による成膜およびエッチングの工程を経ることにより形成する。ソース・ドレイン電極１４１Ｄ（１４１Ｄ１，１４１Ｄ２）は、例えばポリイミド等の絶縁性樹脂材料からなる平坦化層１４１Ｅに覆われている。ここで、ＴＦＴは無機半導体層を用いた無機ＴＦＴあるいは有機半導体層を用いた有機ＴＦＴのどちらであってもよい。ＴＦＴは画素を選択するためのスイッチング素子としての機能を有する。なお、ＴＦＴ層１４１はＴＦＴに限らず、その他の電子デバイス、例えば３Ｄ表示用光学デバイスやタッチパネル、モスアイ等の光学機能層、あるいはＭＥＭＳデバイスを形成してもよい。
【００４１】
表示層１４２は、駆動基板１３１（平坦化層１４１Ｅ）の側から、アノード電極としての下部電極１４２Ａ、発光層を含む有機層１４２Ｂおよびカソード電極としての上部電極１４２Ｃを有している。表示層１４２では、この上部電極１４２Ｃを保護膜１４２Ｄが覆い、保護膜１４２Ｄ上に封止膜１４２Ｅを間にして、カラーフィルタ１４２Ｇを有する対向基板２３０が設けられている。有機層１４２Ｂは下部電極１４２Ａ側から例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層をこの順に有している。この発光層は画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ毎に設けられたものでもよく、各画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに共通して設けられていてもよい。発光層以外の層は、必要に応じて設ければよい。保護膜１４２Ｄは、例えば、有機層１４２Ｂへの水分の浸入を防止するためのものであり、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化ケイ素（ＳｉＯ），窒化ケイ素（ＳｉＮ）あるいは、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料によって形成されている。なお、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂは、それぞれ画素分離膜１４２Ｆによって分離され、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの画素領域Ｐ（発光領域）は画素分離膜１４２Ｆにより画定されている。また、ここでは、有機層１４２Ｂを画素毎に設けた例を示したが、これに限らず、例えば発光領域Ｐあるいは駆動基板１３１の全面にベタ膜として形成してもよい。
【００４２】
カラーフィルタ層１４２Ｇは、例えば画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対応するカラーフィルタおよびカラーフィルタの間のブラックマトリクスを有している（図示せず）。このカラーフィルタ層１４２Ｇは、上記のように対向基板２３１側に設けられており、封止膜１４２Ｅを介して表示層１４２と貼り合わされている。封止膜１４２Ｅは、例えば、上記保護膜１４２Ｄで用いた材料、あるいは、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂等により構成されている。
【００４３】
（表示装置１０Ａの製造方法）
このような表示装置１０Ａは、例えば次のように製造することができる。
【００４４】
まず、図７Ａに示したように、例えばガラスからなる支持基板１１に、粘着力が上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着剤を塗布して粘着層１２を形成する。続いて図７Ｂに示したように、粘着層１２上に可撓性を有する駆動基板１３１を固定したのち、例えば、１２０〜２５０℃，１０〜６０分にて加熱処理をする。この加熱処理により、駆動基板１３１の熱収縮を強制的に誘発し、その後の工程における駆動基板１３１の挙動が安定化する。また、粘着層１２を構成する粘着剤の粘着力も安定化する。
【００４５】
続いて、図７Ｃに示したように、駆動基板１３１上にＴＦＴ層１４１および表示層１４２の一部（下部電極１４２Ａ，有機層１４２Ｂ，上部電極１４２Ｃ，保護膜１４２Ｄおよび画素分離膜１４２Ｆ）からなる機能層１４０Ａをこの順に積層する。また、同様の工程を経て、例えばガラスからなる支持基板２１上に粘着剤を介して対向基板２３１およびカラーフィルタ層１４２Ｇを含む機能層１４０Ｂを形成し、機能層１４０Ａおよび機能層１４０Ｂをそれぞれ備えた支持基板１１および支持基板２１を対向配置する。なお、対向基板２１側の粘着層２２を構成する粘着剤は、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たしてもよいし、満たさなくてもよい。
【００４６】
次いで、図８Ａに示したように、封止膜１４２Ｅおよびシール剤（図示せず）を間に支持基板１１および支持基板２１を貼り合わせ、可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを含む積層体を形成する。続いて、図８Ｂに示したように、例えば、剥離開始部にピッキングテープＡを貼り付け、矢印方向への引くことにより支持基板１１を剥離する。あるいは、曲率のついた真空ステージを回転移動させることによって剥離してもよい。なお、剥離の方法はこれらに限らず他の方法を用いてもよく、さらに粘着ステージや静電気力等の種類を問わない。次いで、同様にして支持基板２１を剥離する。これにより、図８Ｃに示したような表示装置１０Ａが完成する。
【００４７】
この表示装置１０Ａでは、各々の画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対して走査線駆動回路３３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極１４１Ａを介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路３２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量３０Ｃに保持される。即ち、この保持容量３０Ｃに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに駆動電流が注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、上部電極１４２Ｃ、保護膜１４２Ｄ、封止膜１４２Ｅおよび対向基板２３０を透過して取り出される。
【００４８】
このような積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法では、可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを構成する駆動基板１３１および対向基板２３１をそれぞれ支持基板１１および支持基板２１に固着する粘着層１２および粘着層２２のうち、少なくとも、先に剥離する側の粘着層（例えば、粘着層１２）を上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着力を有する粘着剤を用いて形成する。これにより支持基板１１を破損することなく、また、機能層１４０に負荷をかけることなく剥離することが可能となる。
【００４９】
一般的に、可撓性基板上に表示素子等の各種デバイスを形成する、所謂フレキシブルディスプレイ等の可撓性デバイスは、可撓性基板をガラス等の剛性を有する基板に固定したのちは既存の表示装置の製造ラインを用いることができるため低コストで製造することができる。しかしながら、ガラス−ガラスのように、剛性を有する基板（例えば、ガラス基板）によって挟持されたデバイスからガラス基板を剥離することは難しく、例えば剥離途中でガラス基板が破損して剥離できなくなる場合があった。あるいは、剥離開始時におけるガラス基板の吸着力が足りず、剥離させることができないという問題があった。
【００５０】
このため、前述したように、ガラス基板上に金属層を設け、この金属層にレーザを照射して剥離する方法や、例えば可撓性基板の外周部にのみ粘着剤を塗布してガラス基板に固定する方法がとられてきたが、レーザの使用によるコストの増加や、レーザ照射による機能層の劣化、あるいは固定力不足による位置ずれ等の問題があった。
【００５１】
これに対して本実施の形態では、例えば先に剥離する側の基板（ここでは、駆動基板１３１（可撓性基板１３）と支持基板１１）間の粘着層（粘着層１２）が、上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有するように調製することにより、機械的に支持基板１１と駆動基板１３１（可撓性基板１３）とを剥離することが可能となる。
【００５２】
以上のように、本実施の形態における積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法によれば、支持基板１１と駆動基板１３１（可撓性基板１３）との間に、粘着力が上記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層１２を形成するようにした。これにより、機械的に支持基板１１と駆動基板１３１（可撓性基板１３）を、支持基板１１の破損や、駆動基板１３１側に設けられた機能層１４０に負荷をかけることなく、容易且つ安価に剥離させることが可能となる。
【００５３】
また、レーザ照射等の処理を行わずに剥離することができるため、支持基板１１上でＴＦＴ層１４１および表示層１４２等が劣化するのを防ぐことができる。更に、支持基板１１と駆動基板１３１との全面に粘着層１２を塗布し固着することができるため、高精細な表示装置を製造することが可能となる。
【００５４】
以下、上記実施の形態の変形例（変形例１，２）について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００５５】
＜２．変形例＞
（変形例１）
図９Ａ〜図９Ｃは、上記実施の形態で説明した表示装置１０Ａの製造方法の他の例（変形例１）を表したものである。この方法では、例えば上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層（例えば粘着層１２）と可撓性基板１３との間に、より粘着力の弱い離型層１５が形成される。変形例１ではこの点を除き、上記実施の形態と同様にして表示装置１０Ａを製造する。
【００５６】
離型層１５は、粘着層１２と可撓性基板１３との粘着力を低減するものであり、例えば無機材料によって構成されている。具体的には、窒化シリコン（ＳｉＮx），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等が挙げられる。離型層１５の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。離型層１５は、剥離工程において可撓性基板１３側に付着する虞があり、例えば光射出方向の可撓性基板側に設ける場合には膜厚が厚すぎると透過率が低下し、有機ＥＬの発光光を遮ることとなり発光効率が低下するため、薄いほうが好ましい。
【００５７】
本変形例の表示装置１０Ａは以下のように製造される。
【００５８】
まず、図９Ａに示したように、駆動基板１３１上に、例えばＣＶＤ法を用いて、例えばＳｉＮ膜を成膜して離型層１５を形成する。また、上記実施の形態と同様に、支持基板１１上に上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着剤を塗布して粘着層１２を形成する。続いて、図９Ｂに示したように、対向配置した粘着層１２と離型層１５とを貼り合わせる。以降、実施の形態と同様に、駆動基板１３１上に機能層１４を形成したのち、別途支持基板２１上に粘着層２２を介して固着した対向基板２３１を貼り合わせることにより、図９Ｃに示したように可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを含む積層体を形成する。
【００５９】
この後、上記実施の形態と同様の方法を用いて、支持基板１１および支持基板２１を剥離することにより、表示装置１０Ａが完成する。
【００６０】
以上のように、本変形例では、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層１２と駆動基板１３１との間に、より粘着力の弱い離型層１５を形成することにより、駆動基板１３１と粘着層１２との粘着量が低減され、より弱い力で支持基板１１を剥離することが可能となる。即ち、剥離時に、例えば表示層１４２等の機能層１４０への負荷による特性の劣化が抑えられ、信頼性の高い可撓性デバイスを提供することが可能となる。
【００６１】
また、駆動基板１３１と離型層１５との間で剥離されるため、剥離後の駆動基板１３１側への粘着剤の付着が低減される。よって、表示装置１０Ａの視認性が向上すると共に、粘着剤の残存によるゴミ等の付着が防止される。
【００６２】
なお、本変形例では、離型層１５を一方の支持基板１１側に設けたが、他方の支持基板２１側の両方に設けてもよい。
【００６３】
（変形例２）
図１０Ａ〜図１０Ｃは、上記実施の形態および変形例１で説明した表示装置１０Ａの製造方法の他の例（変形例２）を表したものである。この方法では、例えば支持基板１１と上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層（例えば粘着層１２）との間に、より粘着力の弱い離型層１５が形成される。変形例２ではこの点を除き、上記実施の形態と同様にして表示装置１０Ａを製造する。
【００６４】
本変形例の表示装置１０Ａは以下のように製造される。
【００６５】
まず、図１０Ａに示したように、支持基板１１上に、離型層１５および粘着層１２をこの順に形成する。具体的には、例えばＣＶＤ法を用いて、支持基板１１上に、例えばＳｉＮ膜を成膜して離型層１５を形成したのち、離型層１５上に、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着剤を塗布して粘着層１２を形成する。続いて、図１０Ｂに示したように、粘着層１２上に駆動基板１３１を固着したのち、機能層１４０Ａを形成する。この後、別途支持基板２１上に粘着層２２を介して固着した対向基板２３１を貼り合わせることにより、図１０Ｃに示したように可撓性デバイス１０である表示装置１０Ａを含む積層体を形成する。
【００６６】
この後、上記実施の形態と同様の方法を用いて、支持基板１１および支持基板２１を剥離することにより、表示装置１０Ａが完成する。
【００６７】
以上のように、本変形例では、支持基板１１と上記式（１）および／または式（２），（３）を満たすように調整された粘着層１２との間に、より粘着力の弱い離型層１５を形成するようにした。これにより、支持基板１１と粘着層１２との粘着量が低減され、より弱い力で支持基板１１を剥離することが可能となる。即ち、例えば表示層１４２等の機能層１４の損傷を抑え、信頼性の高い可撓性デバイスを提供することが可能となる。
【００６８】
なお、本変形例では、離型層１５を一方の支持基板側に設けたが、上記変形例１と同様に他方の支持基板（ここでは、支持基板２１）側に設けてもよいし、両方の支持基板１１，２１と粘着層１２，２２との間に設けてもよい。
【００６９】
また、変形例１と変形例２とを組み合わせて表示装置１０Ａを製造してもよい。例えば、支持基板１１側では、支持基板１１と粘着層１２との間に離型層１５を設け、支持基板２１側では粘着層２２と対向基板２３１との間に離型層２１を形成してもよく、またその逆でもよい。
【００７０】
更に、上記式（１）および／または式（２），（３）を満たす粘着層１２の粘着力等の物性は、外部からの刺激（例えば、光，熱，電磁気力等）によって制御してもよい。
【００７１】
（変形例３）
図１１Ａ〜図１２Ｂは、上記実施の形態の変形例３に係る表示装置１の製造工程の一部を表したものである。本変形例では、大型基板上に、例えば表示装置１０Ａとなる可撓性デバイス１０を複数形成し、基板を貼り合わせた後に、個々に分割する工程を説明する。なお、ここでは、表示装置１０Ａを例に説明する。
【００７２】
一般に、複数の可撓性デバイスを大型基板上に一括で製造する場合、一方の支持基板に固着された可撓性基板（例えば、対向基板）上に機能層（例えば、カラーフィルタおよび封止膜）を形成したのち、機能層ごと可撓性基板に切り込みを入れ、他方の支持基板に固着された可撓性基板（例えば、発光層を含む有機膜等が形成された駆動基板）を貼り合わせる。この後、支持基板をそれぞれ剥離すると共に、切り込みに沿って分割することで、複数の可撓性デバイスを一括で製造することができる。
【００７３】
しかしながら、機能層を形成した後に切り込みを入れると機能層にクラック等の損傷が生じ、デバイスの信頼性が低下する虞がある。
【００７４】
そこで、本変形例では、複数の可撓性デバイス１０（表示装置１０Ａ）の一括製造を以下のように行う。まず、図１１Ａに示したように、支持基板２１上に粘着層２２（ここでは、省略する）を介して固着された大型の対向基板２３１上に、機能層１４として、ここではカラーフィルタ層１４２Ｇを複数形成する。続いて、図１１Ｂに示したように、各カラーフィルタ１４２Ｇの周縁部に切り込みＣＬを入れる。次に、図１１Ｃに示したように、カラーフィルタ１４２Ｇ上に封止膜１４２Ｅを形成したのち、図１２Ａに示したように、支持基板１１に粘着層１２（ここでは、省略する）を介して固着され、別途ＴＦＴ層１４１や有機膜１４２Ｂ等が形成された駆動基板１３１を貼り合わせる。最後に、図１２Ｂに示したように支持基板１１および支持基板２１をそれぞれ剥離すると共に、複数の可撓性デバイス１０を切り込みＣＬに沿って分割することで、複数の表示装置１０Ａが製造される。
【００７５】
図１３は、図１２ＡのＩ−Ｉ線における可撓性デバイス１０の断面構成を模式的に表したものである。本変形例の方法を用いることにより、封止膜１４２Ｅへの損傷が防がれると共に、カラーフィルタ１４２Ｇの端面には封止膜１４２Ｅが形成される。なお、ここでは、対向基板２３１側の製造工程を例に説明したが、駆動基板１３１側の製造工程にも適用できる。なお、この場合には、例えば、機能層に相当する上部電極１４２Ｃまた形成したのち切り込みを入れ、その後、保護膜１４２Ｄを形成する。
【００７６】
以上のように、本変形例では、支持基板２１（あるいは、支持基板１１）に固着された対向基板２３１（あるいは、駆動基板１３１）上にカラーフィルタ１４２Ｇ（あるいは、有機膜１４２Ｂおよび上部電極１４２Ｃ等）を形成したのち、カラーフィルタ１４２Ｇおよび対向基板２３１（あるいは、上部電極１４２Ｃから駆動基板１３１にかけて）に切り込みＣＬを入れ、この後、カラーフィルタ１４２（あるいは、有機膜１４２Ｂ等）を保護する封止膜１４２Ｅ（あるいは、保護膜１４２Ｄ）を形成するようにした。これにより、封止膜１４２Ｅ（あるいは、保護膜１４２Ｄ）への損傷が防がれ、製造歩留まりが向上する。また、カラーフィルタ１４２Ｇおよび対向基板２３１（あるいは、有機膜１４２ＢやＴＦＴ層１４１等）の端面に、例えば、ＳｉＮやＡｌ2Ｏ3等の無機材料からなる封止膜１４２Ｇ（あるいは、保護膜１４２Ｄ）が形成されるため、有機材料によって形成された層への水分等の浸入が抑制され、信頼性が向上する。
【００７７】
なお、ここでは、複数の可撓性デバイス１０を一括で製造する場合を例に説明したが、これに限らず、本変形例の製造方法は、一枚の基板から１つの可撓性デバイス１０を製造する場合にも適用できる。
【００７８】
＜３．適用例＞
本実施の形態および変形例１〜３の方法を用いて作製された表示装置１０Ａは、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７９】
（適用例１）
図１４Ａ，１４Ｂは、電子ブックの外観構成を表している。この電子ブックは、例えば、表示部１１０および非表示部１２０と、操作部１３０とを備えている。なお、操作部１３０は、図１４Ａに示したように非表示部１２０の前面に設けられていてもよいし、図１４Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。表示部１１０が表示装置１により構成される。なお、表示装置１は、図１４Ａ，１４Ｂに示した電子ブックと同様の構成を有するＰＤＡ（Personal Digital Assistants）等に搭載されてもよい。
【００８０】
（適用例２）
図１５は、タブレットパーソナルコンピュータの外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータは、例えば、タッチパネル部３１０および筐体３２０を有しており、タッチパネル部３１０が上記表示装置１により構成されている。
【００８１】
以上、実施の形態および変形例１〜３を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、表示装置１０ＡがＴＦＴ層１４１を有する場合、即ち、アクティブマトリクス型の表示装置である場合について説明したが、表示装置１０Ａはパッシブマトリクス型であってもよい。
【００８２】
更に、上記実施の形態等およびその適用例で説明した各部の材料および厚み、または形成方法および形成条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の形成方法および形成条件としてもよい。例えば、上記実施の形態等では、粘着層１２，２２を支持基板１１，２１の全面に形成した例を示したが、これに限らず所定の形状、例えば、表示装置１０Ａの所謂表示部および周辺部に粘着剤が存在しないようにパターン形成してもよい。
【００８３】
更にまた、上記実施の形態等では、画素として赤色，緑色，青色からなる３種類の画素２Ｒ，画素２Ｇおよび画素２Ｂを設けた表示装置を例に説明したが、これら３色画素に白色画素あるいは黄色画素を組み合わせてもよい。
【００８４】
また、上記実施の形態等の表示装置１０Ａは、有機ＥＬ素子を備えた表示装置のほか、無機ＥＬ素子，液晶素子，電気泳動型の表示素子等、種々の表示素子を備えた表示装置にも適用可能である。
【００８５】
更に、上記実施の形態等の表示装置１０Ａは、他の層を含んでいてもよい。例えば、各可撓性基板１３，２３の表示層１４２等の機能層１４側に離型層１５と同様の材料からなる無機膜を形成することにより、この無機膜はバリア層として働き、例えば表示層１４２を構成する有機膜への水分の侵入を低減することが可能となる。これにより、信頼性を向上させることができる。
【００８６】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００８７】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
第１基板上に、下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する第１粘着層を形成することと、
前記第１粘着層上に第２基板を固着することと、
前記第２基板上に第１機能層を形成することと、
前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
を含む積層体の剥離方法。
【数１】
2015152158.tif 000011
（Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
【数２】
2015152158.tif 000012
（Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
【数３】
2015152158.tif 000013
（ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
（２）
前記第１粘着層は、前記式（１）および式（２），（３）の両方を満たす、前記（１）に記載の多層膜基板の製造方法。
（３）
前記第２基板の前記第１粘着層に固着する面に離型層を形成したのち、前記第１粘着層上に前記第２基板を固着する、前記（１）または（２）に記載の多層膜基板の製造方法。
（４）
前記第１基板上に離型層を形成したのち、前記第１粘着層を形成する、前記（１）または（２）に記載の多層膜基板の製造方法。
（５）
前記離型層は無機材料により形成されている、前記（３）または（４）に記載の多層膜基板の製造方法。
（６）
前記粘着層を介して前記第１基板に固着された前記第２基板上に、前記第１機能層を形成すると共に、前記第１機能層の周縁部に切り込みを入れたのち、前記第１機能層上に保護膜を形成する、前記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の積層体の剥離方法。
（７）
第３基板上に第２粘着層を介して第４基板を固着することと、
前記第２基板と前記第４基板とを対向配置して貼り合わせることとを含み、
前記第２基板と前記第４基板とを貼り合わせたのち、前記第１基板および前記第３基板をこの順に剥離する、前記（１）乃至（６）のうちのいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（８）
前記第３基板上に前記第４基板を固着させたのち、前記第４基板上に第２機能層を形成する、前記（７）に記載の多層膜基板の製造方法。
（９）
前記第１機能層および前記第２機能層は半導体層、表示層およびカラーフィルタのうちのいずれかである、前記（８）に記載の多層膜基板の製造方法。
（１０）
前記第１基板および前記第３基板は剛性を有する、前記（７）乃至（９）のうちのいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（１１）
前記第２基板および前記第４基板は可撓性を有する、前記（７）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（１２）
前記第２粘着層は前記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着力を有する、前記（３）乃至（１１）のうちいずれかに記載の多層膜基板の製造方法。
（１３）
第１基板上に、粘着力が下記式（１）および式（２），（３）の少なくとも一方を満たす粘着層を形成することと、
前記粘着層上に可撓性を有する第２基板を固定することと、
前記第２基板上に機能層を形成することと、
前記第１基板を前記第２基板から剥離することと
を含む可撓性デバイスの製造方法。
【数４】
2015152158.tif 000014
（Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
【数５】
2015152158.tif 000015
（Ｂ’：剥離時における剥離開始部の第１基板と第２基板との粘着力、Ｃ：剥離時における垂直方向（Ｚ軸方向）への剥離力、ρ：第１基板の密度、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｇ：重力定数）
【数６】
2015152158.tif 000016
（ｌ：剥離開始領域の幅、ｄ：第１基板突起および反り量、ｒ：重力定数）
（１３）
剛性を有する第１基板と、
可撓性を有する第２基板と、
粘着力が下記式（１）を満たす、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた粘着層と
を備えた積層体。
【数７】
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（Ｌ：第１基板の剥離方向の長さ、ｈ：第１基板の厚み（ｍｍ）、ｘ：第１基板の許容変形量、Ｅ：第１基板のヤング率、σmax：第１基板の限界曲げ応力）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2015152158.tif 000035
【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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