(57)【要約】  本発明の課題は、高い生産性を有し、可撓性、透明性、着色耐性に優れ、低い抵抗特性を備えた透明導電体の製造方法と、それにより得られる透明導電体を提供することである。  本発明の透明導電体の製造方法は、透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層し、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層は、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成することを特徴とする。
2015107968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造する透明導電体の製造方法であって、
前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層は、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成することを特徴とする透明導電体の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物が、二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項３】
前記透明金属層を、銀を主成分として構成し、形成速度０．３ｎｍ／秒以上の条件で形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項４】
前記第１高屈折率層又は第２高屈折率層を、前記透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が５０体積％以上となる条件で形成することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項５】
前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層を、それぞれ前記透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が７０体積％以上となる条件で形成することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項６】
前記第１高屈折率層と透明金属層との間、又は前記第２高屈折率層と透明金属層との間に、硫化防止層を形成することを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項７】
前記硫化防止層を、亜鉛金属元素を含む材料で形成することを特徴とする請求項６に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項８】
前記透明金属層を所定の形状にパターニングして、金属パターン電極を形成することを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法により製造された透明導電体であって、
透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で有し、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層が、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜であることを特徴とする透明導電体。
【請求項１０】
前記金属酸化物が、二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項９に記載の透明導電体。
【請求項１１】
前記第１高屈折率層又は第２高屈折率層が、前記透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が５０体積％以上であることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の透明導電体。
【請求項１２】
前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、それぞれ前記透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が７０体積％以上であることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の透明導電体。
【請求項１３】
前記第１高屈折率層と透明金属層との間、又は前記第２高屈折率層と透明金属層との間に、硫化防止層を有することを特徴とする請求項９から請求項１２までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【請求項１４】
前記硫化防止層が、亜鉛金属元素を含有することを特徴とする請求項１３に記載の透明導電体。
【請求項１５】
前記透明金属層が、所定の形状にパターニングされている金属パターン電極であることを特徴とする請求項９から請求項１４までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明金属層を有する透明導電体の製造方法及び透明導電体に関し、更に詳しくは、生産性、フレキシブル性、透明性、着色耐性に優れ、低い抵抗特性を備えた透明導電体の製造方法と、それにより得られる透明導電体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネル材料、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、太陽電池等の各種装置においては、低い抵抗特性を備えた透明導電膜が求められている。【０００３】
このような低抵抗な透明導電膜を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の金属酸化物半導体が知られている。【０００４】
ここで、タッチパネル型の表示装置等では、表示装置の画像表示面上に、透明導電膜等により構成される配線が配置される。したがって、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められる。上記要求に対し、各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。【０００５】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低く設定する、具体的には、５０Ω／□以下の抵抗値とすることが強く求められている。しかし、上述のような、現在広く用いられているＩＴＯ膜では、抵抗値としては１５０Ω／□程度にとどまっており、上記の要望に対しては不十分な特性であった。【０００６】
このような背景から、近年、ＩＴＯに代わる次世代の透明導電膜の開発が盛んになされてきた。【０００７】
上記課題に対し、例えば、特開２０１１−１３８６２８号公報、特開２０１１−１７１２９２号公報等には、銀メッシュを適用する導電性要素の製造方法が開示されている。しかしながら、これら銀メッシュを用いた方法では、メッシュの径が２０μｍ程度であるため、人間の目で視認できてしまうため、光透過性が要求されるタッチパネル表示装置等への適用は難しいのが現状である。また、一部メーカーより市販されている銀ナノワイヤーでは、肉眼で視認されない程度の微小サイズを有し、膜内での導電性を発現するものの、面抵抗値としては、６０Ω／□程度に留まっており、現在のタッチパネル表示装置等で要求されている品質に対しては不十分であった。【０００８】
そのほかにも、酸化亜鉛等を用いることにより低抵抗化する試みがなされているが、このような方法では、導電膜の膜厚としては、２００ｎｍ程度まで積層する必要があり、製造過程で形成した導電膜に応力が掛かった際、膜内にクラック等が発生しやすくなるため歩留まりが低下し、また、生産効率の点で課題を有している。またこのような特性を抱えた導電膜は、近い将来に実用化が予測されているフレキシブルタッチパネルや曲面部材への適用が難しい。【０００９】
上記問題を踏まえ、近年、銀の蒸着膜を透明導電膜として適用する方法が、盛んに検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、高い導電性を備えた銀薄膜を、スパッタ法により形成した屈折率の高い金属膜（例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物等の膜）で挟持する構成の透明導電膜も提案されている（例えば、特許文献２〜４、非特許文献３参照。）。さらに、銀薄膜を硫化亜鉛膜で挟み込む方法も提案されている（例えば、非特許文献１及び２参照）。【００１０】
しかしながら、特許文献２〜４や非特許文献１〜３で開示されているような、例えば、ＩＴＯ／銀薄膜／ＩＴＯ、Ｎｂ２Ｏ５／銀薄膜／ＩＺＯ、硫化亜鉛／銀薄膜／硫化亜鉛というような構成を、スパッタ法により作製した透明導電体では、下記のような問題を抱えていた。【００１１】
すなわち、
１）酸化ニオブやＩＺＯ等の金属酸化物層で銀薄膜層を挟み込んだ構成の透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、湿度環境下で透明導電体を使用すると、形成した銀薄膜が腐食しやすい、
２）銀薄膜が硫化亜鉛層に挟持された構成の透明導電体では、透明導電体の耐湿性は十分高いものの、銀薄膜層の形成時、もしくは硫化亜鉛層の形成時に、隣接層から移動する硫黄成分により銀が硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体が変色し、光透過性が低くなる、
３）形成時に酸素導入が必要となり、形成した銀薄膜層の平面性が低下し、不要な吸収が増加する、
４）形成した透明導電体にフレキシブル性がなく、折り曲げ応力等を受けた際にクラック等が発生しやすい、
５）金属酸化物層の形成速度が低く、製造コストが高い（生産効率が低い）、
６）透明導電体製造時に高温になりやすく、銀薄膜層や、透明基板としてプラスチック基材を適用した際に、熱によるダメージを受けやすく、不要な吸収が増加しやすくなる、
７）タッチパネル等で必要となる配線を形成することができない、
８）硫化により、不要な吸収が増加する、
９）挟持する構成要素と、銀との相性が悪く、銀膜を薄膜化すると、プラズモン吸収が増加する、
１０）銀薄膜層の隣接層の形成速度を上げることができないため、銀薄膜の膜質が劣化し、不正な吸収が増加する、
等の様々な問題を抱えていた。【００１２】
従って、上記のような問題を克服し、耐久性、生産性、品質安定性（膜品質、吸収安定性等）に優れた透明導電体の製造方法の開発が、要望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特表２０１１−５０８４００号公報
【特許文献２】特開２００６−１８４８４９号公報
【特許文献３】特開２００２−０１５６２３号公報
【特許文献４】特開２００８−２２６５８１号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】Ｘｕａｎｊｉｅ  Ｌｉｕ，ｅｔ  ａｌ，（２００３）．Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ４４１，２００−２０６
【非特許文献２】Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ＩＲ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｈｅａｔ  ｍｉｒｒｏｒ  ｆｉｌｍｓ  ｏｆ  ＺｎＳ−Ａｇ−ＺｎＳ，Ｂｒｕｃｅ  Ｗ．  Ｓｍｉｔｈ，Ｍａｙ  １９８９．Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  Ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｅｎｔｅｒ  Ｆｏｒ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｓｃｉｅｎｃｅ
【非特許文献３】Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ  Ｌｅｕ，ｅｔ  ａｌ．，ＳＩＤ  ２０１２  ＤＩＧＥＳＴ  ｐ．３５２−３５３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、高い生産性を有し、フレキシブル性を有し、透明性、着色耐性に優れ、低い抵抗特性を備えた透明導電体の製造方法と、それにより得られる透明導電体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を進めた結果、透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造する透明導電体の製造方法であって、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層は、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成することを特徴とする透明導電体の製造方法により、高い生産性を有し、フレキシブル性を有し、透明性、着色耐性に優れ、低い抵抗特性を備えた透明導電体の製造方法を提供することができることを見出し、本発明に至った。【００１７】
すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。【００１８】
１．透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造する透明導電体の製造方法であって、
前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層は、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成することを特徴とする透明導電体の製造方法。【００１９】
２．前記金属酸化物が、二酸化ケイ素であることを特徴とする第１項に記載の透明導電体の製造方法。【００２０】
３．前記透明金属層を、銀を主成分として構成し、形成速度０．３ｎｍ／秒以上の条件で形成することを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体の製造方法。【００２１】
４．前記第１高屈折率層又は第２高屈折率層を、前記透明金属層と隣接する界面領域（隣接する界面から厚さ方向で、全層厚の１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が５０体積％以上となる条件で形成することを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。【００２２】
５．前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層を、それぞれ前記透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が７０体積％以上となる条件で形成することを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。【００２３】
６．前記第１高屈折率層と透明金属層との間、又は前記第２高屈折率層と透明金属層との間に、硫化防止層を形成することを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。【００２４】
７・前記硫化防止層を、亜鉛金属元素を含む材料で形成することを特徴とする第６項に記載の透明導電体の製造方法。【００２５】
８．前記透明金属層を所定の形状にパターニングして、金属パターン電極を形成することを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。【００２６】
９．第１項から第８項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法により製造された透明導電体であって、
透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で有し、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層が、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜であることを特徴とする透明導電体。【００２７】
１０．前記金属酸化物が、二酸化ケイ素であることを特徴とする第９項に記載の透明導電体。【００２８】
１１．前記第１高屈折率層又は第２高屈折率層が、前記透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が５０体積％以上であることを特徴とする第９項又は第１０項に記載の透明導電体。【００２９】
１２．前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、それぞれ前記透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が７０体積％以上であることを特徴とする第９項又は第１０項に記載の透明導電体。【００３０】
１３．前記第１高屈折率層と透明金属層との間、又は前記第２高屈折率層と透明金属層との間に、硫化防止層を有することを特徴とする第９項から第１２項までのいずれか一項に記載の透明導電体。【００３１】
１４．前記硫化防止層が、亜鉛金属元素を含有することを特徴とする第１３項に記載の透明導電体。【００３２】
１５．前記透明金属層が、所定の形状にパターニングされている金属パターン電極であることを特徴とする第９項から第１４項までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の上記手段により、高い生産性を有し、可撓性、透明性、着色耐性に優れ、低い抵抗特性を備えた透明導電体の製造方法と、それにより得られる透明導電体を提供することができる。【００３４】
本発明の上記目的効果を達成することができた発現機構・作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。【００３５】
本発明の透明導電体の製造方法においては、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層を、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜として、共蒸着法により形成することを特徴としている。硫化亜鉛は良好なバリア性を有しており、例えば、Ａｇ等から構成されている透明金属層の耐湿性を向上させることができる。すなわち、硫化亜鉛が透明金属層、例えば、銀薄膜層近傍に豊富に存在することにより銀原子をグリップし、銀原子のマイグレーション（移動）を防止することができる。その結果、１０ｎｍ以下という極めて薄膜で均一な銀層を形成することができる。これにより、銀のプラズモン吸収を低減することができる。【００３６】
また、硫化亜鉛を含有する高屈折率層と、銀等で構成される透明金属層との間に、硫化防止層を層厚として１０ｎｍ以下で設けることにより、透明金属層の硫化を防止し、吸収の増大を防ぐことができる。【００３７】
また、本発明においては、透明金属層上に設ける第２高屈折率層の形成に、硫化硫黄を用いることにより、硫化亜鉛は酸素の導入なしで成膜することができるため、酸素による透明金属層へのアタック（酸化）を低減することができる。この結果、透明金属層の耐湿性向上と、構成元素、例えば、銀が荒れることによるプラズモン吸収の発生を抑えることができる。【００３８】
また、硫化亜鉛を含む高屈折率層は、弱酸により容易にエッチングすることが可能であり、それを用いて、任意の配線パターンを形成することができる。さらに、硫化亜鉛に第２の成分を混在させて高屈折率層を形成した場合、硫化亜鉛の結晶性が損なわれる為、エッチングがさらに容易となる。また、硫化亜鉛に第２の成分（例えば、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物等）を混在させることにより、硫化亜鉛層の結晶成長を妨げることができ、その結果、硫化亜鉛層はアモルファスとなりフレキシブル性が発現することになる。【００３９】
一方、スパッタ法による薄膜形成方法では、薄膜の形成源が面であることと、ターゲット表面の原子のみを叩きだすことでは薄膜形成している為、成膜速度が遅いという問題を抱えている。また、スパッタ法においては、薄膜の形成速度を上げる為、出力を上げるとターゲットが割れる、あるいは熱が発生するため、樹脂基材や形成する薄膜金属層を傷めることになる。また、形成スピードは透過率の観点からも重要な役割を果たす。銀の形成スピードが遅いと銀が吸収を持ち透過率が落ちる為、銀の形成スピードは、０．３ｎｍ／秒を下回れない。つまり、この条件を守りつつ、ロールｔｏロールで成膜する場合は、銀以外の膜材料の形成スピードも速くなければならない。銀より膜厚が厚い高屈折率材料は、当然銀以上の形成スピードが要求される。しかしながら、スパッタでは高屈折率材料をそのような速度で成膜することができないという問題を抱えている。【００４０】
これに対し、本発明の製造方法において、高屈折率層の形成で用いる蒸着法（例えば、抵抗加熱方式や電子ビーム方式）は、エネルギーを狭い領域に与えることができ、材料全体が蒸発するため、薄膜の形成速度がスパッタ法に比べ、飛躍的に向上する。特に、本発明において、高屈折率層の形成で用いる硫化亜鉛は、昇華性を有し、低エネルギーで熱を発生させることなく蒸着することが可能である。また、硫化亜鉛と第２の成分を別々の加熱源を使って、それぞれに最適なエネルギーを投入することにより、硫化亜鉛と第２の成分の融点が異なる場合でも、それぞれの割合を正確に保ちながら、かつ薄膜の形成スピードを落とすことなく、共蒸着して形成することが可能となる。【００４１】
すなわち、本発明で規定する構成とすることにより、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の第二の成分と含有する高屈折率層を共蒸着法で形成することにより、形成速度を無制限に速めることができた。【００４２】
また、共蒸着法を適用することにより、スパッタ法等で問題となる形成時の温度上昇に伴う金属層のダメージや透明基板の変形等のダメージを回避することができ、透明基板の選択の幅が広がるとともに、均質性に優れた高品位の透明金属層を形成することができる。さらに、高屈折率層と透明金属層との間に、硫化防止層を設けることにより、硫化物の透明金属層への悪影響を遮断することで、更に透明度の高い透明導電体を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｂ】本発明の透明導電体の構成の他の一例を示す概略断面図
【図１Ｃ】本発明の透明導電体の構成の他の一例を示す概略断面図
【図２】本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域を有するパターンの一例を示す模式図
【図３】オンライン工程で、透明導電体を製造する工程フローの一例を示す模式図
【図４】透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡の一例を示すグラフ
【図５】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程図
【図６】電極パターンを有する本発明の透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本発明の透明導電体の製造方法は、透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造する透明導電体の製造方法であって、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層は、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項１５に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００４５】
本発明の実施態様としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、第１高屈折率層又は第２高屈折率層が含有する金属酸化物が、二酸化ケイ素であることが、更に高い透明性を有する屈折率層を形成することができる点から好ましい。さらに、形成速度としては、０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。
【００４６】
また、透明金属層を、銀を主成分として構成し、形成速度が０．３ｎｍ／秒以上の条件で形成することが、低抵抗性を備え、均一性が高く、不正吸収のない導電性層を安定して形成することができる点で好ましい。
【００４７】
また、第１高屈折率層又は第２高屈折率層を、透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が５０体積％以上となる条件で形成することが、各屈折率層に隣接して形成する透明金属層、特に、銀を主成分とする透明金属層を形成する際、あるいは透明導電体層上に屈折層を形成する際に、構成層塗布液がはじかれて、海縞状の膜面ムラの発生を防止し、均一性の高い塗膜を形成することができる観点から好ましく、更に好ましくは、第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、共に透明金属層と隣接する界面領域（全層厚の表面から厚さ方向で１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度として、７０体積％以上となる条件で形成することが好ましい。
【００４８】
また、第１高屈折率層と透明金属層との間、あるいは第２高屈折率層と透明金属層との間に、硫化防止層を形成することが、第１高屈折率層あるいは第２高屈折率層の形成に用いた硫化亜鉛のイオウ成分が、透明金属層の構成成分、具体的には銀が硫化し、硫化銀になることによる変色を防止することにより、高い透明性と安定した色調を有する透明金属層を得ることができる観点から好ましく、更には、亜鉛金属元素を含む材料、例えば、酸化亜鉛等を適用することが好ましい態様である。
【００４９】
また、本発明の透明導電体の製造方法として、透明金属層を所定の形状にパターニングして、金属パターン電極を形成することが好ましい。
【００５０】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、以下の説明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００５１】
《透明導電体の基本的な構成》
図１Ａ〜図１Ｃは、それぞれ本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図である。
【００５２】
図１Ａに示す構成の本発明の透明導電体１は、透明基板２上に、少なくとも第１高屈折率層３Ａと、透明金属層４と、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した構成を有している。
【００５３】
図１Ａに記載の構成の透明導電体１において、第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂの少なくとも一方が、硫化亜鉛（以下、ＺｎＳとも記載する。）と共に、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物を含む混合膜を、共蒸着法により形成することを特徴とする。
【００５４】
本発明の透明導電体においては、図１Ａで例示するように、第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂは、透明金属層４と隣接する界面領域０．１ＴＡ又は０．１ＴＢ（隣接する界面から厚さ方向で、全層厚ＴＡ又はＴＢの１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が、５０体積％以上となる条件で形成することが好ましく、さらに好ましくは、第１高屈折率層３Ａの透明金属層４と隣接する界面領域０．１ＴＡにおける平均硫化亜鉛濃度、及び第２高屈折率層３Ｂの透明金属層４と隣接する界面領域０．１ＴＢにおける平均硫化亜鉛濃度が、いずれも７０体積％以上であることが好ましい態様である。さらには、８０体積％以上であることが好ましく、特に好ましくは９０体積％以上の構成である。
【００５５】
本発明でいう各高屈折率層の透明金属層４と隣接する界面領域における平均硫化亜鉛濃度とは、図１Ａで示すように、高屈折率層３Ａ、３Ｂの全層厚をそれぞれＴＡ、ＴＢとしたとき、各高屈折率層の透明金属層４と隣接する面側から層厚の深さ方向で１０％までの領域０．１ＴＡ、０．１ＴＢにおける硫化亜鉛の平均含有量をいい、各原子数比を、従来公知の方法、例えば、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いた分析装置等で、所定の領域範囲０．１ＴＡ、０．１ＴＢについて５０点以上ランダムに測定した後、その平均値を算出することにより求めることができる。
【００５６】
また、本発明の透明導電体１においては、少なくとも第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂと、透明金属層４の間に、硫化防止層５を有する構成であることが好ましい態様である。
【００５７】
図１Ｂに示す透明導電体１では、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間に、第１硫化防止層５Ａを形成した構成例を示し、図１Ｃでは、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間に第１硫化防止層５Ａ、及び第２高屈折率層３Ｂと透明金属層４との間に第２硫化防止層５Ｂを形成した構成例を示してある。
【００５８】
このように、第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂと、透明金属層４の間に、硫化防止層５Ａ又は５Ｂを設けることにより、第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂが含有する硫化亜鉛を構成する硫黄原子が、透明金属層４へ移動や混入することを防止することができ、好ましい態様である。
【００５９】
すなわち、透明金属層４（例えば、銀層）と、少なくともＺｎＳを含む第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂが隣接して形成されると、透明金属層４との界面領域に金属硫化物（例えば、硫化銀）が生成されやすく、透明導電体１の光透過性が低下しやすいという問題があった。
【００６０】
透明金属層４において、金属硫化物は、以下の状況により生成されると推察される。
【００６１】
少なくとも硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層３Ａ上に、蒸着法等の気相成膜法で透明金属層４を形成する場合、硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層３Ａ中の未反応の硫黄成分が、透明金属層４の材料（例えば、銀）によって形成雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と金属、例えば、硫黄原子と銀原子とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層３Ａ上に堆積する。また、連続した蒸着工程で透明導電体を形成する場合、硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層３Ａ上に、蒸着法等の気相成膜法で透明金属層を形成する場合、硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層３Ａの形成雰囲気に含まれる硫黄成分が透明金属層雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層３Ａ上に堆積する。または、第１高屈折率層３Ａの最表面に、Ｚｎと未結合の硫黄がいくつか存在し、次に、透明金属層４を積層させたときに、未結合の活性硫黄成分が、透明金属層４の構成原子、例えば、銀と結合して、硫化銀を生成する。
【００６２】
一方、透明金属層４上に、少なくとも硫化亜鉛を含有する第２高屈折率層３Ｂを形成する場合、透明金属層４中の金属が、硫化亜鉛を含有する第２高屈折率層３Ｂの材料によって、形成雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された金属と硫黄成分とが反応し、金属硫化物が透明金属層４の表面に堆積する。さらに、透明金属層４の表面と、形成雰囲気中の硫黄成分とが接触することでも、透明金属層４の表面に金属硫化物が生成する。または、第２高屈折率層３Ｂを構成する硫化亜鉛を蒸着する際、一部、亜鉛と硫黄が遊離した状態で雰囲気中に存在することになり、遊離した硫黄が、透明金属層の構成原子、例えば、銀と結合する。
【００６３】
これに対し、本発明の透明導電体１では、例えば、図１Ｂに示されるように、第１高屈折率層３Ａ上に、第１硫化防止層５Ａが形成されている。本発明で規定する構成とすることにより、第１高屈折率層３Ａが第１硫化防止層５Ａで保護されるため、透明金属層４の形成時に第１高屈折率層３Ａ中の硫黄成分が弾き出され難い。また、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４とを連続的に形成したとしても、第１高屈折率層３Ａの形成雰囲気に含まれる硫黄成分が、第１硫化防止層５Ａの構成成分と反応、あるいは第１硫化防止層５Ａの構成成分に吸着されることにより、透明金属層４の形成雰囲気には硫黄が含まれ難くなり、金属硫化物の生成が抑制される。
【００６４】
また、本発明の透明導電体１では、例えば、図１Ｃで示めすように、透明金属層４上に第２硫化防止層５Ｂが積層される。当該構成では、透明金属層４が第２硫化防止層５Ｂで保護されるため、第２高屈折率層３Ｂの形成時に透明金属層４中の金属が弾き出され難い。また、第２高屈折率層３Ｂの形成雰囲気中の硫黄成分が、透明金属層４の表面と接触し難くなる。その結果、透明金属層４表面に金属硫化物が生成し難い。
【００６５】
本発明の透明導電体１では、図１Ａ〜図１Ｃで例示するように、透明金属層４が透明基板２の全面に積層されていてもよく、図２に示すように、例えば、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層５Ｂ及び第２高屈折率層３Ｂから構成される透明電極ユニットＥＵが所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明の透明導電体１において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、図２に示されるように、透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
【００６６】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂから構成されるパターンは、透明導電体１の用途に応じて、適宜選択される。静電方式のタッチパネルに適用するパターンの詳細については、後述する。
【００６７】
また、本発明の透明導電体１には、透明基板２、第１高屈折率層３Ａ、透明金属層４、及び第２高屈折率層３Ｂ、及び第１硫化防止層５Ａ、第２硫化防止層５Ｂの他に、必要に応じて公知の機能性層を設けてもよい。例えば、透明金属層４の形成時に成長核になり得る下地層が、透明金属層４と第１高屈折率層３Ａとの間に、透明金属層４に隣接して含まれてもよい。ただし、本発明の透明導電体１に含まれる層は、透明基板２を除いて、いずれも無機材料からなる層であることが好ましい。例えば、第２高屈折率層３Ｂ上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板２から第２高屈折率層３Ｂまでの積層体が、本発明の透明導電体１であると定義する。
【００６８】
《透明導電体の製造方法》
本発明の透明導電体の製造方法は、透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造する透明導電体の製造方法であって、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層は、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成することを特徴とする。
【００６９】
本発明においては、生産効率の観点から、連続したオンライン工程で透明導電体１を製造する方法が好ましい。
【００７０】
図３は、本発明の製造方法に適用可能で、透明基板を連続搬送しながら各構成層を連続して成膜するオンライン工程で、透明導電体を製造する工程の一例を示す模式図である。
【００７１】
以下に、図１Ｃで例示した透明基板２上に、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層する透明導電体の製造方法の概略について説明する。
【００７２】
図３では、工程１の真空蒸着室１１で、共蒸着法により第１高屈折率層３Ａを形成し、工程２の真空蒸着室で第１硫化防止層５Ａを形成し、工程３の真空蒸着室で透明金属層４を形成し、工程４の真空蒸着室で第２硫化防止層５Ｂを製膜し、最後に、工程５の真空蒸着室で、共蒸着法により第２高屈折率層３Ｂを製膜し、本発明の透明導電体１を製造する。
【００７３】
工程１では、第１の抵抗加熱ボートＴ１ａにＺｎＳを、第２の抵抗加熱ボートＴ１ｂには金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物、例えば、ＳｉＯ２を装填し、減圧下で各ターゲットを通電加熱して、連続搬送されている透明基板２上に、共蒸着法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ２で構成される第１高屈折率層３Ａを形成する。この時、第１の抵抗加熱ボートＴ１ａと第２の抵抗加熱ボートＴ１ｂの加熱条件及び蒸着速度を制御することにより、ＺｎＳと金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物の比率や層内における比率を調整することができる。
【００７４】
次いで、工程２では、抵抗加熱ボートＴ２に硫化防止層形成材料、例えば、ＺｎＯを装填し、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている透明基板２の第１高屈折率層３Ａ上に、第１硫化防止層５Ａを形成する。
【００７５】
次いで、工程３で、抵抗加熱ボートＴ３に透明金属層形成材料、例えば、Ａｇを装填し、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている透明基板２の第１硫化防止層５Ａ上に、透明金属層４を形成する。この時、工程３においては、透明金属層４を銀で形成し、銀層の形成速度を０．３ｎｍ／秒以上とすることが好ましい。
【００７６】
更に高い生産性を実現する観点からは、形成速度が０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。本発明で適用する蒸着法は、スパッタ法に対し、極めて高い生産効率を有していることが特徴である。
【００７７】
本発明でいう形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）とは、図３に示す工程３において、蒸発源として、抵抗加熱ボートＴ３に透明金属層形成材料を装填し、その蒸発源の真上にモニターガラスを配置し、モニターガラスを動かさないように静置した状態で、モニターガラス上に透明金属層４を形成し、透明金属層４の形成に要した形成時間（秒）と、モニターガラス上に形成された透明金属層４の層厚を測定し、透明金属層の層厚（ｎｍ）／形成時間(秒)により、形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）を算出する。
【００７８】
次いで、工程４では、抵抗加熱ボートＴ４に硫化防止層形成材料、例えば、ＺｎＯを装填し、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている透明基板２の透明金属層４上に、第２硫化防止層５Ｂを形成する。
【００７９】
そして、最後に、工程５で、第１の抵抗加熱ボートＴ５ａにＺｎＳを、第２の抵抗加熱ボートＴ５ｂには金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物、例えば、ＳｉＯ２を装填し、減圧下で各ターゲットを通電加熱して、連続搬送されている透明基板２の透明金属層４上に、共蒸着法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２で構成される第２屈折率層３Ｂを形成する。この時、第１の抵抗加熱ボートＴ５ａと第２の抵抗加熱ボートＴ５ｂの加熱条件及び蒸着速度を制御することにより、ＺｎＳと金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物の比率や層内における比率を調整することができる。
【００８０】
なお、上記では、一例として、抵抗加熱ボートを用いた蒸着法について説明したが、例えば、電子ビーム等を用いた他の蒸着法を適用してもよい。
【００８１】
以上のような工程を経て、本発明の透明導電体１を製造することができる。
【００８２】
図３に示す工程において、透明金属層４を形成する工程３の真空蒸着室１１の圧力Ｐ３を、第１高屈折率層３Ａを形成する工程１の真空蒸着室１１の圧力Ｐ１や、第２高屈折率層３Ｂを形成する工程５の真空蒸着室１１の圧力Ｐ５より高く設定することが、透明金属層４を形成する工程３への工程１からの硫黄成分の流入を防止することができる観点から好ましい。さらには、第１高屈折率層３Ａを形成する工程１の真空蒸着室１１の圧力Ｐ１、第１硫化防止層５Ａを形成する工程２の真空蒸着室１１の圧力Ｐ２、透明金属層４を形成する工程３の真空蒸着室１１の圧力Ｐ３、第２硫化防止層５Ｂを形成する工程４の真空蒸着室１１の圧力Ｐ４、第２高屈折率層３Ｂを形成する工程５の真空蒸着室１１の圧力Ｐ５として、
圧力Ｐ１＜圧力Ｐ２＜圧力Ｐ３＞圧力Ｐ４＞圧力Ｐ５
の圧力関係を維持することが、透明金属層４の形成である工程３への硫黄成分の流入を、さらに効率的に防止することができる観点から、好ましい態様である。
【００８３】
上記透明導電体の製造工程においては、形成時の透明基板の温度上昇を抑制し、−２０〜６５℃の範囲で温度制御することができる冷却システムを備えていることが好ましい。
【００８４】
また、各真空蒸着室内の圧力としては、１×１０−４〜１×１０−３Ｐａの範囲内とすることが好ましい。また、各工程内には、所望の層厚となるように層厚モニターで、オンラインで監視することが好ましい。
【００８５】
《透明導電体の各構成要素》
本発明の透明導電体は、透明基板２上に、少なくとも第１高屈折率層３Ａと、透明金属層４と、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した構成を有していることを特徴とし、更には、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間、又は第２高屈折率層３Ｂと透明金属層４との間に、硫化防止層５Ａ、５Ｂを有していることが好ましい態様である。
【００８６】
〔透明基板〕
本発明の透明導電体１に適用可能な透明基板２としては、各種表示デバイスの透明基板に用いられている材料を挙げることができる。
【００８７】
透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルム等を挙げることができる。透明基板２が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００８８】
高い透明性を達成することができる観点から、本発明に適用する透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００８９】
透明基板２は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板２の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１の光透過性が高まりやすい。また、透明基板２の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００９０】
上記平均透過率は、透明基板２の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板２の平均反射率を測定し、
平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）
として算出する。平均透過率及び平均反射率は、分光光度計を用いて測定することができる。
【００９１】
透明基板２の波長５７０ｎｍの光における屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板２の屈折率は、通常、透明基板２の材質によって定まる。透明基板２の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下での測定により求めることができる。
【００９２】
透明基板２のヘイズ値は、０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００９３】
透明基板２の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板２の強度が高まり、第１高屈折率層３Ａの作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、透明基板２の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電体１を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電体１を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００９４】
本発明においては、使用する透明基板２は、各構成層を成膜する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いたのち、形成工程で使用することが好ましい。
【００９５】
また、本発明に適用する透明基板上には、そのあとに形成する第１高屈折率層の平滑性を担保する観点から、公知のクリアハードコート層を設けてもよい。
【００９６】
〔第１高屈折率層〕
第１高屈折率層３Ａは、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層４が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層３Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、図２に例示するように導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００９７】
第１高屈折率層３Ａには、前述の透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は金属酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料又は金属酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１程度大きいことが好ましく、０．４〜１．０程度大きいことがより好ましい。本発明でいう屈折率とは、２５℃の環境下で測定した屈折率の値を用いる。また、屈折率は、市販のエリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【００９８】
一方、第１高屈折率層３Ａに含まれる誘電性材料又は金属酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。誘電性材料又は金属酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層３Ａによって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層３Ａの屈折率は、第１高屈折率層３Ａに含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層３Ａに含まれる材料の密度で調整される。
【００９９】
本発明においては、第１高屈折率層及び後述する第２高屈折率層の少なくとも一層が、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成されていることを特徴とする。
【０１００】
硫化亜鉛と共に用いることができる金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。上記金属酸化物の中でも、特に、二酸化ケイ素（ＳiＯ２）が好ましい。
【０１０１】
また、金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等を挙げることができる。
【０１０２】
また、金属窒化物としては、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化クロム、窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化マグネシウム、窒化モリブデン、窒化リチウム、窒化チタン等を挙げることができる。
【０１０３】
本発明に係る第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂでは、誘電性材料として、少なくともＺｎＳを含有することを特徴とするが、第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３ＢにＺｎＳを共存させることにより、透明基板２側から水分が透過し難くなり、透明金属層４の腐食が抑制される。
【０１０４】
本発明においては、第１高屈折率層３Ａで、硫化亜鉛と共に、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物を共蒸着させることにより、第１高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。
【０１０５】
第１高屈折率層３Ａにおいて、硫化亜鉛の平均含有量は、第１高屈折率層３Ａを構成する材料の総モル数に対して、０．５〜９９質量％の範囲内であることが好ましく、５０〜９５質量％の範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５質量％の範囲内である。ＺｎＳの比率が高いと共蒸着速度が速くなり、第１高屈折率層３Ａの形成速度が速くなる。また、硫化亜鉛の比率が高いと屈折率が高くなり、Ａｇの吸収を低減することができる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第１高屈折率層３Ａの非晶質性が高まり、第１高屈折率層３Ａの割れ（クラック）の発生が抑制される。
【０１０６】
本発明の透明導電体においては、更には、前述のように、第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂは、透明金属層４と隣接する界面領域０．１Ｔ（隣接する界面から厚さ方向で、全層厚の１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度が、５０体積％以上となる条件で形成することが好ましく、さらに好ましくは、第１高屈折率層３Ａの透明金属層５と隣接する界面領域０．１ＴＡにおける平均硫化亜鉛濃度、及び第２高屈折率層３Ｂの透明金属層５と隣接する界面領域０．１ＴＢにおける平均硫化亜鉛濃度が、いずれも７０体積％以上であることが好ましい態様である。さらには、８０体積％以上であることが好ましく、特に好ましくは９０体積％以上の構成である。
【０１０７】
第１高屈折率層３Ａの厚さは、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。第１高屈折率層３Ａの厚さが１０ｎｍ以上であると、第１高屈折率層３Ａによって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１高屈折率層３Ａの厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層３Ａが含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層３Ａの厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１０８】
第１高屈折率層３Ａは、共蒸着法により形成することを特徴とする。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
【０１０９】
また、第１高屈折率層３Ａが所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層３Ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、フォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１１０】
〔第１硫化防止層〕
本発明に係る第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂでは、硫化亜鉛を含有することを特徴とする。例えば、第１高屈折率層３Ａが硫化亜鉛を含有する層である場合、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間に第１硫化防止層５Ａを形成することが好ましい態様である。第１硫化防止層５Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、図２に示すように導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１１１】
本発明に係る第１硫化防止層５Ａは、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、又はＺｎを含む層として構成することができる。第１硫化防止層５Ａには、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよいが、亜鉛金属元素を含む化合物を含有することが好ましい。ただし、第１高屈折率層３Ａと、第１硫化防止層５Ａと、透明金属層４とが連続的に形成される場合には、金属酸化物が硫黄と反応可能、もしくは硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
【０１１２】
本発明に係る第１硫化防止層５Ａに適用可能な金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物としては、上記第１高屈折率層３Ａの説明で記載した金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物と同様の金属化合物を挙げることができる。本発明においては、特に、Ｚｎ、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープの酸化亜鉛）であることが好ましい。
【０１１３】
ここで、第１硫化防止層５Ａの厚さは、後述する透明金属層４の形成時の衝撃から、第１高屈折率層３Ａの表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、第１高屈折率層３Ａに含まれ得るＺｎＳは、透明金属層４に含まれる金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層５Ａの厚さが非常に薄く、第１高屈折率層３Ａの一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属層が成長し、透明金属層４が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層５Ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１０ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは１〜５ｎｍの範囲内である。第１硫化防止層５Ａの厚さは、エリプソメーターを用いて測定することができる。
【０１１４】
第１硫化防止層５Ａは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相形成法で形成することができるが、特に真空蒸着法を適用することが好ましい。
【０１１５】
第１硫化防止層５Ａが、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１硫化防止層５Ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１１６】
〔透明金属層〕
透明金属層４は、透明導電体１において電気を導通させるための膜である。透明金属層４は、図１Ａ〜図１Ｃに記載の様に透明基板２の全面に形成されていてもよく、また、図２に示すように所望の形状にパターニングされていてもよい。
【０１１７】
透明金属層４に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば、銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等を挙げることができる。透明金属層４には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【０１１８】
導電性が高いという観点から、透明金属層４を構成する金属元素としては銀、又は銀が９０原子％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀と組み合わされる金属は、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等を挙げることができる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【０１１９】
透明金属層４のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【０１２０】
透明金属層４の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
【０１２１】
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて層厚０．１ｎｍで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法で金属からなる金属膜を２０ｎｍの厚さで形成する。
【０１２２】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【０１２３】
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【０１２４】
透明金属層４の厚さは１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。本発明の透明導電体１では、透明金属層４の厚さが１０ｎｍ以下であるため、透明金属層４に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層４の厚さを１０ｎｍ以下にすると、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂによって、透明導電体１の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層４の厚さは、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【０１２５】
透明金属層４は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法で形成された層であることが好ましい。
【０１２６】
真空蒸着法であれば、高温環境に透明基板を晒すことがなく、平面性の高い透明金属層を、極めて速い形成速度で形成することができる。
【０１２７】
一方、透明金属層４が後述する下地層上に形成する場合には、透明金属層４の形成時に下地層が成長核となるため、透明金属層４が平滑な膜になりやすい。その結果、透明金属層４が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。
【０１２８】
また、透明金属層４が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層４は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【０１２９】
〔第２硫化防止層〕
第２高屈折率層３Ｂは少なくとも硫化亜鉛を含有する層であり、図１Ｃに例示するように、透明金属層４と第２高屈折率層３Ｂとの間に第２硫化防止層５Ｂが形成された構成であることが好ましい。
【０１３０】
第２硫化防止層５Ｂは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１３１】
当該第２硫化防止層５Ｂは、前述の第１硫化防止層と同様の構成材料及び構成方法で形成することができる。
【０１３２】
第２硫化防止層５Ｂの厚さは、後述する第２高屈折率層３Ｂの成膜時の衝撃から、透明金属層４の表面を保護するのに可能な厚さであることが好ましい。一方で、透明金属層４に含まれる金属と、第２高屈折率層３Ｂに含まれるＺｎＳは親和性が高いため、第２硫化防止層５Ｂの厚さが非常に薄く、透明金属層４の一部が僅かに露出していると、透明金属層４や第２硫化防止層５Ｂと第２高屈折率層３Ｂとの密着性が高まりやすい。したがって、第２硫化防止層５Ｂの具体的な厚さは０．１〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは１〜３ｎｍの範囲内である。第２硫化防止層５Ｂの厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１３３】
〔第２高屈折率層〕
第２高屈折率層３Ｂは、透明導電体１の導通領域ａ、すなわち透明金属層４が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第２高屈折率層３Ｂは、透明導電体１の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１３４】
前述の第１高屈折率層３Ａが硫化亜鉛を含まない層である場合には、第２高屈折率層３Ｂは、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物とを共蒸着法により形成した本発明に係る高屈折率層となる。また、第１高屈折率層３Ａと第２高屈折率層３Ｂが、共に、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物とを共蒸着法により形成した層であってもよい。
【０１３５】
本発明に係る第２高屈折率層３Ｂは、先に説明した第１高屈折率層３Ａと同様の構成材料を用い、同様の方法及び条件で形成することができ、詳細な説明は省略する。
【０１３６】
〔その他の構成層〕
（下地層）
本発明の透明導電体１においては、必要に応じて、透明金属層４の形成時に成長核となる下地層を設けてもよい。下地層は、透明金属層４より透明基板１側で、かつ透明金属層４に隣接した位置に配置される層であり、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間、もしくは第１硫化防止層５Ａと透明金属層４との間に形成されること好ましい。下地層は、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１の絶縁領域ｂに形成されていてもよい。
【０１３７】
透明導電体１に下地層を設けることにより、透明金属層４の厚さが薄い場合でも、透明金属層４表面の平滑性が高めることができる。その理由は以下の通りである。
【０１３８】
一般的な真空蒸着法で透明金属層４の材料を、例えば、第１高屈折率層３Ａ上に蒸着させると、形成初期には、第１高屈折率層３Ａ上に付着した原子、例えば、銀原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（海島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、塊同士の間に未だ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、膜の光透過性が低下する。
【０１３９】
これに対し、第１高屈折率層３Ａ上をマイグレートし難い金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、透明金属層４が成長する。つまり、透明金属層４の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、厚さが薄くとも平滑な透明金属層４が得られやすくなる。
【０１４０】
下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウム、あるいはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えば、ＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
【０１４１】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属層４との親和力が高まり、下地層と透明金属層４との密着性が高まりやすい。下地層には、パラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
【０１４２】
一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えば、パラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等が挙げられる。
【０１４３】
下地層の層厚は３ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以下であり、特に好ましくは単原子膜である。下地層は、透明基板２上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の層厚は、形成速度と形成時間との積から算出される。
【０１４４】
下地層は、蒸着法で形成された層であることが好ましい。蒸着法には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の厚さ、及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．０１〜１．５ｎｍ／秒であり、より好ましくは０．０１〜０．７ｎｍ／秒である。
【０１４５】
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１４６】
（低屈折率層）
本発明の透明導電体１には、第２高屈折率層３Ｂ上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する目的で、低屈折率層（図示せず）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
【０１４７】
低屈折率層には、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂに含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光における屈折率より低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂに含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【０１４８】
〔透明導電体の物性〕
本発明の透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途、例えば、タッチパネル等に適用することができる。
【０１４９】
一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。
【０１５０】
一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。
【０１５１】
上記平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下で測定した平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【０１５２】
また、透明導電体１が、図２に示すように導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１５３】
また透明導電体１に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５．０以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、市販の分光光度計で測定される。
【０１５４】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の厚さ等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えば、ＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１５５】
〔透明導電体の光学アドミッタンス〕
透明導電体の透過領域ａの表面（透明導電体において透明基板とは反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の透過領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥとから定まる。ここで光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材又は環境であって；有機樹脂からなる部材、もしくは環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹＥとの関係は以下の式で表される。
【０１５６】
【数１】
2015107968.tif 000003
【０１５７】
上記式において、Ｒは表面の反射率である。上記の式に基づけば、｜Ｙｅｎｖ−ＹＥ｜が０に近い程、透明導電体（透過領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。
【０１５８】
前記媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常、媒質の屈折率ｎｅｎｖと同一である。一方、透明導電体の透過領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥは、透過領域ａを構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば透明導電体（透過領域ａ）が一層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹＥは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。
【０１５９】
一方、透明導電体（透過領域ａ）が積層体からなる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１  Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）又は式（２）にて求められる。
【０１６０】
（ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合）
【数２】
2015107968.tif 000004
【０１６１】
上記式（１）において、δ＝２πｎｄ／λであり、ｙ＝ｎ（ｘ層目の膜のアドミッタンス）、ｄはｘ層目の膜の厚さである。
【０１６２】
（ｘ層目が理想金属層である場合）
【数３】
2015107968.tif 000005
【０１６３】
上記式（２）において、γ＝２π／λ・ｋｄ、ｄはｘ層目の膜の厚さ、ｋは膜の屈折率（虚部）である。
【０１６４】
そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹＥとなる。
【０１６５】
図４に、透明導電体の一例として、透明基板２／第１高屈折率層３Ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１硫化防止層５Ａ（ＩＴＯ）／透明金属層４（Ａｇ）／第２高屈折率層３Ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ２から構成される透明導電体１の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ+ｉｙで表したときの実部、つまり当該式（１）におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部、すなわち当該式（１）におけるｙである。なお、例示した透明導電体１では、第１硫化防止層５Ａ（ＩＴＯ）は厚さが十分に薄いため、その光学アドミッタンスは無視できる。
【０１６６】
図４において、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥである。そして、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標Ｙｅｎｖ（ｎｅｎｖ，０）（図示せず）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。
【０１６７】
ここで、本発明の透明導電体では、透明金属層４の高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ１＋ｉｙ１）とし、透明金属層４の中間層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ２＋ｉｙ２）とした場合に、ｘ１及びｘ２のうちいずれか一方、もしくは両方が１．６以上であることが好ましい。ｘ１又はｘ２のうちいずれか一方が、１．６以上であると透明導電体の光透過性が高まりやすい。その理由を以下に説明する。
【０１６８】
透明導電体を構成する各層どうしの界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。
【０１６９】
【数４】
2015107968.tif 000006
【０１７０】
上記関係式に基づけば、透明金属層４表面の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（ｘ１及びｘ２）が大きくなれば、透明金属層４の電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。すなわち、透明導電体の光透過性が十分に高まる。
【０１７１】
したがって、上記ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方、もしくは両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、さらに好ましくは２．０以上である。ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方が１．６以上であればよいが、特にｘ１が１．６以上であることが好ましい。またｘ１及びｘ２は、７．０以下であることが好ましく、より好ましくは５．５以下である。ｘ１は、第１高屈折率層３Ａの屈折率や、第１高屈折率層３Ａの厚さ等で調整される。ｘ２は、ｘ１の値や透明金属層４の屈折率、第１透明金属層３Ａの厚さ等によって調整される。例えば、第１高屈折率層３Ａの屈折率が高い場合や、第１高屈折率層３Ａの厚さがある程度厚い場合には、ｘ１及びｘ２の値が大きくなりやすい。またｘ１とｘ２との差の絶対値（｜ｘ１−ｘ２｜）は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。
【０１７２】
また、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡は、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましい。アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称であると、特定波長以外の波長（例えば４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹＥの座標が、一定になりやすく、いずれの波長においても、反射率Ｒが小さくなる。したがって、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ２が、ｙ１×ｙ２≦０を満たすことが好ましい。さらに、｜ｙ１＋ｙ２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。
【０１７３】
さらに、前述のｙ１が十分に大きいことが好ましい。前述のように、透明金属層４の光学アドミッタンスは虚部の値が大きく、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。そのため、ｙ１が十分に大きければ、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が適切な範囲に収まりやすく、アドミッタンス軌跡が線対称になりやすい。ｙ１は０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、さらに好ましくは０．３〜１．０である。一方、前述のｙ２は、−０．３〜−２．０であることが好ましく、より好ましくは−０．６〜−１．５である。
【０１７４】
一方、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、透明導電体の第２高屈折率層３Ｂ側の表面と接する部材もしくは環境（媒質）の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｎｅｎｖ，０）との距離（（ｘＥ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙＥ）２）０．５）は、０．５未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、導通領域ａの表面の反射率Ｒａが十分に小さくなり、導通領域ａの光の透過性が高まる。
【０１７５】
さらに、透明金属層４がパターニングされている場合には、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘＥ，ｙＥ）と、絶縁領域ｂの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（（ｘｂ，ｙｂ）で表す）との距離、（（ｘＥ−ｘｂ）２＋（ｙＥ−ｙｂ）２）０．５）が０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥの座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンスＹｂの座標とが十分に近くなると、これらのパターンが視認され難くなる。またさらに、｜（ｘｅｎｖ−ｘｂ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙｂ）２−（ｘｅｎｖ−ｘＥ）２＋（ｙｅｎｖ−ｙＥ）２｜が０．１以下であることが好ましい。当該値を満たすと、導通領域ａ及び絶縁領域ｂがいずれも視認され難くなる。
【０１７６】
〔電極パターンを有する透明導電体の形成方法〕
本発明の透明導電体を用い、図２で示すような導通領域及び絶縁領域からなるパターンの形成方法について説明する。
【０１７７】
本発明の透明導電体においては、上記のような方法で透明基板１上に、少なくとも、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造した後、透明金属層を所定の形状にパターニングして、金属パターン電極を形成することが好ましく、具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、例えば、図２に示すような電極パターンを形成することが好ましい。形成する電極の線幅（導通領域ａ）としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
【０１７８】
（製造工程）
以下、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成方法の一例について説明する。
【０１７９】
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明金属層、例えば、銀薄膜層を、図３〜図５に示すような所望のパターンに加工する方法である。
【０１８０】
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所期のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等の活性エネルギー線を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の各構成層の溶解及び透明金属層（銀薄膜電極）の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所期のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所期の目的に応じて容易に選定することができる。
【０１８１】
次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法の一例について説明する。
【０１８２】
図５は、本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程図である。
【０１８３】
第１ステップとして、図５のＡで示すように、透明基板２上に、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した透明導電体１を作製する。
【０１８４】
次いで、次工程でレジスト膜を形成する前に、透明導電体１に超音波洗浄処理を施すことが好ましい。超音波洗浄としては、例えば、花王社製の洗剤クリンスルー３０３０を用いて超音波洗浄と純水による水洗いを数回行った後、スピンコータで水を飛ばし、オーブンで乾燥させる。
【０１８５】
次いで、図５のＢで示すレジスト膜の形成工程で、透明導電体１上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜６を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。図５ではポジ型の例を示してある。レジストとしては、例えば、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢ等を用いることができる。
【０１８６】
塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、透明導電体１上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０〜１５０℃の温度範囲で、３０秒〜３０分間の加熱処理を行うことができる。
【０１８７】
次いで、図５のＣに示す露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスク７を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機８を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜６Ａに照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。
【０１８８】
次いで、図５のＤに示す現像工程で、露光済みの透明導電体を、現像液に浸漬して、ポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、光照射して現像液に対する溶解性が向上した領域のレジスト膜６Ａを溶解する。現像液としては、例えば、レジストとしてポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ」シリーズ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等を用いることができる。
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で、現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を１種あるいは２種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後は、水でリンスすることが好ましく、続いて５０〜１５０℃の温度範囲で乾燥ベークを行ってもよい。
【０１８９】
次いで、図５のＥに示すように、エッチング液９を用いたエッチング処理を行う。
【０１９０】
本発明に適用可能なエッチング液としては、無機酸あるいは有機酸を含有する液が好ましく、シュウ酸、塩酸、酢酸、リン酸を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。また、エッチング液としては市販品を用いることもでき、例えば、林純薬工業社製のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）、関東化学社製の「混液  ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）等を用いることができる。
【０１９１】
具体的には、例えば、有機酸等を含むエッチング液に、レジスト膜６を有する透明導電体１を浸漬し、レジスト膜６で保護されていない絶縁領域ｂの透明電極ユニットＥＵを溶解し、レジスト膜６で保護している導電領域ａの透明電極ユニットＥＵを所定の電極パターンとして形成する。エッチング時間は、適用する酸の種類により異なるが、３０〜１２０秒の範囲内で調整することが好ましい。
【０１９２】
最後に、図５のＦに示すように、レジスト膜剥離液として、例えば、アセトン、水酸化ナトリウム液、市販品としては、ナガセケムテックス社製のＮ−３００等を用いて、エッチングした透明導電体を浸漬して、レジスト膜６を除去して、電極パターンを有する透明導電体を作製することができる。
【０１９３】
《透明導電体の適用分野》
上記構成からなる本発明の透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１９４】
このとき、透明導電体１の表面（例えば、透明基板２と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、前述のように、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
【０１９５】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
【０１９６】
以下、本発明の透明導電体をタッチパネルに適用した一例を示す。
【０１９７】
図６は、電極パターンを有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
【０１９８】
図６に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板２−１の主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１を有する透明導電体１−１と、透明基板２−２の主面上に、第２の透明電極ユニットＥＵ−２を有する透明導電体１−２がこの順で配置され、この上部が前面板１３で覆われている。
【０１９９】
第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２は、それぞれが、図２及び図５を用いて説明した電極パターンが形成された透明導電体の導電領域ａである。したがって、第１の透明電極ユニットＥＵ−１は、透明基板２−１上に、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した構成である。同様に第２の透明電極ユニットＥＵ−２も同様の構成である。
【実施例】
【０２００】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。また、以下の説明で、各構成要件の後の括弧内に記載した数値及び符号は、各図に示した符号を表す。【０２０１】
《透明導電体の作製》
〔透明導電体１の作製〕
透明基板としてシクロオレフィンポリマー（略称：ＣＯＰ）フィルムを用い、ＣＯＰフィルム上に、下記の方法に従って、蒸着法により第１高屈折率層３Ａ（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）／透明金属層４（Ａｇ）／第２高屈折率層３Ｂ（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）をこの順に積層して積層体を形成した。次いで、当該積層体を下記の方法でパターニングして、図６に示す配線を有する透明導電体１（１−１、１−２）を、バッチ方式で作製した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０２０２】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、第１のモリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボートにＴｉＯ２を装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート及び第２の抵抗加熱ボートに通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、形成速度０．３ｎｍ／秒、形成時間１２０秒の条件でＣＯＰフィルム上に共蒸着して、層厚が３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０２０３】
なお、第１高屈折率層におけるＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて測定した結果、ＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率が８０：２０であることを確認した。【０２０４】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＣＯＰフィルムを、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートＴ３にＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボートに通電加熱し、形成時間が６秒の条件で、ＣＯＰフィルムの第１高屈折率層上に真空蒸着して、層厚が７．７ｎｍの透明金属層を形成した。この時の形成速度は、下記の方法により測定した結果、２．７ｎｍ／秒であった。【０２０５】
形成速度は、図３に示す工程３において、蒸発源として、抵抗加熱のボートＴ３にＡｇを装填し、その蒸発源の真上にモニターガラスを配置し、モニターガラスを固定して移動させない状態で透明金属層を形成した。薄膜形成に要した形成時間が２．８５秒で、モニターカラス上に形成された透明金属層の層厚は７．７ｎｍであった。以上の測定結果より、透明金属層の層厚（ｎｍ）／形成時間(秒)＝７．７（ｎｍ）／２．８５（秒）より、形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）が２．７（ｎｍ／秒）であると算出した。【０２０６】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＣＯＰフィルムを、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、第１のモリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボートにＴｉＯ２を装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート及び第２の抵抗加熱ボートに通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、形成速度０．３７ｎｍ／秒、形成時間１２０秒の条件でＣＯＰフィルム上に共蒸着して、層厚が４４ｎｍの第２高屈折率層を形成して、透明導電体１を作製した。【０２０７】
（透明導電体のパターニング）
次いで、上記作製した透明導電体１に対し、図５に記載のパターニング方法に従って、図２に記載の導通領域ａと、絶縁領域ｂを有するパターンを形成した。【０２０８】
レジスト層（６）を形成する前に、上記作製した透明導電体１について、超音波洗浄処理を行った。洗浄液として、花王社製の洗剤「クリンスルー３０３０（１０％）」を用いて、超音波洗浄処理を、２５℃で４分間行った。次いで、２５℃の純水で水洗を５回行った後、２５℃の純水にて超音波洗浄を４分間で２回行った。最後に、スピンコータで水を飛散させたのち、オーブンで乾燥させた。【０２０９】
次いで、洗浄した透明導電体１上に、レジストとして、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢをスピンコーティング法により、２０００ｒｐｍで３０秒間の塗布、乾燥を行い、厚さ１μｍのレジスト層（６）を形成した。【０２１０】
次いで、マスク７を介して、６０ｍＪの条件で紫外線を照射し、現像液として、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ−１」（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて現像した。【０２１１】
次いで、エッチング液としては、関東化学社製の「混液  ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）を用い、図２に示すように、透明基板（２）のみを有する絶縁領域ｂと、透明電極ユニットＥＵを有する通電領域ａからなる電極パターンを形成した。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。【０２１２】
最後に、アセトンを用いて、残留しているレジスト層（６）を剥離して、配線を有する電極パターンを形成した。【０２１３】
〔透明導電体２及び透明導電体３の作製〕
上記透明導電体１の作製において、透明基板の種類、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の構成材料の種類と層厚、透明金属層の形成速度と層厚を、表１に記載の条件に変更した以外は同様にして、透明導電体２及び透明導電体３を作製した。【０２１４】
〔透明導電体４の作製〕
透明基板として、長尺のポリカーボネート（略称：ＰＣ）フィルムを用い、ＰＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を、この順で、真空蒸着法を用いたロールｔｏロール方式で連続して積層した。次いで、この積層体を、透明導電体１で用いたのと同様の方法でパターニングして、配線を有する透明導電体４を作製した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０２１５】
透明導電体４の作製には、図３で示した工程１〜工程５を有し、５つの真空蒸着室が連続配置されているロールｔｏロール方式の透明導電体の製造装置を用いた。【０２１６】
なお、透明導電体４の作製では、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成は工程１で行い、透明金属層（Ａｇ）の形成は工程３で行い、第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成は、工程５で行った。【０２１７】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
図３に記載の工程１の真空蒸着室（１１）に、透明基板（２）であるＰＣフィルムを連続搬送しながら、共蒸着法により、第１高屈折率層を形成した。【０２１８】
真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１ｂ）にＳｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ１ｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が９９：１となる条件で、形成速度が４．３ｎｍ／秒、形成時間が１０秒でＰＣフィルム上に共蒸着して、層厚が４３ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０２１９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＣフィルムを連続して工程３に搬送し、下記の方法に従って、透明金属層を形成した。【０２２０】
工程３に、工程１で第１高屈折率層を形成したＰＣフィルムを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ３）にＡｇを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ３を１×１０−３Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ３）を通電加熱し、形成速度１．８ｎｍ／秒、形成時間４．４秒の条件で、ＰＣフィルムの第１高屈折率層上に真空蒸着して、層厚が８．０ｎｍの透明電極層を形成した。【０２２１】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
次いで、工程３で透明金属層を形成したＰＣフィルムを、工程５の真空蒸着室に搬送し、下記の方法に従って、第２高屈折率層を形成し、透明導電体４を作製した。【０２２２】
工程５の真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）にＳｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ５を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が９９：１となる条件で、形成速度４．２ｎｍ／秒、形成時間１０秒でＰＣフィルム上に共蒸着して、層厚が４２ｎｍの第２高屈折率層を形成し、透明導電体４を作製した。【０２２３】
〔透明導電体５〜７、２６及び２７の作製〕
上記透明導電体４の作製において、透明基板の種類、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の構成材料の種類、構成比率と形成する層厚、透明金属層の形成速度と層厚を、表１及び表２に記載の条件に変更した以外は同様にして、透明導電体５〜７、２６及び２７を作製した。ただし、透導電体２６及び２７では、配線は形成しなかった。【０２２４】
〔透明導電体８の作製〕
透明基板として、長尺のトリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）フィルムを用い、ＴＡＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＴｉＯ２）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）を、この順で、真空蒸着法を用いたロールｔｏロール方式で連続して積層した。次いで、積層体を、透明導電体１で用いたのと同様の方法でパターニングして、配線を有する透明導電体８を作製した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。上記略称で記載したＡＺＯは、ＡｌをドープしたＺｎＯである。【０２２５】
透明導電体８の作製は、図３で示した工程１〜工程５の５つの真空蒸着室を備えたロールｔｏロール方式の透明導電体の製造装置を用いた。【０２２６】
なお、透明導電体８の作製では、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）の形成を工程１で行い、透明金属層（Ａｇ）の形成を工程３で行い、第２硫化防止層（ＴｉＯ２）の形成を工程４で行い、第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）の形成を工程５で行った。【０２２７】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）の形成）
図３に記載の工程１の真空蒸着室（１１）に、透明基板（２）であるＴＡＣフィルムを連続搬送しながら、共蒸着法により、第１高屈折率層を形成した。【０２２８】
真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１ｂ）にＡＺＯを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ１ｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＡＺＯの体積比率が８０：２０となる条件で、形成速度２．１ｎｍ／秒、形成時間２０秒でＴＡＣフィルム上に共蒸着して、層厚が４２ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０２２９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＴＡＣフィルムを連続して工程３に搬送し、下記の方法に従って、透明金属層を形成した。【０２３０】
工程１で第１高屈折率層を形成したＴＡＣフィルムを工程３に搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ３）にＡｇを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ３を１×１０−３Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ３）を通電加熱し、形成速度１．４ｎｍ／秒、形成時間が５．３秒の条件で、ＴＡＣフィルムの第１高屈折率層上に真空蒸着して、層厚が７．４ｎｍの透明金属層を形成した。【０２３１】
（第２硫化防止層（ＴｉＯ２）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＴＡＣフィルムを工程４に搬送し、下記の方法に従って、第２硫化防止層を形成した。【０２３２】
工程４に、工程３で透明金属層を形成したＴＡＣフィルムを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ４）にＴｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ４を５×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ４）を通電加熱し、形成速度０．５０ｎｍ／秒、形成時間２０秒の条件で、ＴＡＣフィルムの透明金属層上に真空蒸着して、層厚が１０．０ｎｍの第２硫化防止層を形成した。【０２３３】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）の形成）
次いで、工程４で第２硫化防止層を形成したＴＡＣフィルムを、工程５の真空蒸着室に搬送し、下記の方法に従って、第２高屈折率層を形成し、透明導電体８を作製した。【０２３４】
真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）にＡＺＯを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ５を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＡＺＯの体積比率が８０：２０となる条件で、形成速度２．１ｎｍ／秒、形成時間２０秒の条件でＴＡＣフィルム上に共蒸着して、層厚が４４ｎｍの第２高屈折率層を形成した。【０２３５】
〔透明導電体９〜１２、１６、２１〜２５、２８の作製〕
上記透明導電体８の作製において、透明基板の種類、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の構成材料の種類、構成比率と層厚、透明金属層の構成材料、形成速度と層厚、第２硫化防止層の構成材料と膜厚を、表１及び表２に記載の条件に変更した以外は同様にして、透明導電体９〜１２、１６、２１〜２５、２８を作製した。なお、透明導電体２８では、配線は形成しなかった。【０２３６】
〔透明導電体１３の作製〕
透明基板として、長尺の薄ガラスを用い、下記の方法に従って、薄ガラス上に、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＺｎＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を、この順で、真空蒸着法を用いたロールｔｏロール方式で連続して積層した。次いで、積層体を、透明導電体１で用いたのと同様の方法でパターニングして、配線を有する透明導電体１３を作製した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０２３７】
透明導電体１３の作製には、図３で示した工程１〜工程５から構成され、５つの真空蒸着室を備えたロールｔｏロール方式の透明導電体製造装置を用いた。【０２３８】
透明導電体１３の作製においては、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成を工程１で行い、第１硫化防止層（ＺｎＯ）の形成を工程２で行い、透明金属層（Ａｇ）の形成を工程３で行い、第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成を工程４で行い、第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成を工程５で行った。【０２３９】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
図３に記載の工程１の真空蒸着室（１１）に、透明基板（２）である薄ガラスを連続搬送しながら、共蒸着法により、第１高屈折率層を形成した。【０２４０】
真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１ｂ）にＳｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ１ｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が９０：１０となる条件で、形成速度４２ｎｍ／秒、形成時間１秒の条件で薄ガラス上に共蒸着して、層厚が４２ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０２４１】
（第１硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、上記工程１で第１高屈折率層を形成した薄ガラスを工程２に搬送し、下記の方法に従って、第１硫化防止層を形成した。【０２４２】
工程２に、工程１で第１高屈折率層を形成した薄ガラスを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ２）にＺｎＯを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ２を５×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ２）を通電加熱し、形成速度０．３ｎｍ／秒、形成時間が１秒の条件で、薄ガラスの第１高屈折率層上に真空蒸着して、層厚が０．３ｎｍの第１硫化防止層を形成した。【０２４３】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、工程２で第１硫化防止層を形成した薄ガラスを工程３に搬送し、下記の方法に従って、透明金属層を形成した。【０２４４】
工程３に、工程２で第１硫化防止層を形成した薄ガラスを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ３）にＡｇを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ３を１×１０−３Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ３）を通電加熱し、形成速度７．７ｎｍ／秒、形成時間が０．８７秒の条件で、薄ガラスの第１硫化防止層上に真空蒸着して、層厚が６．７ｎｍの透明金属層を形成した。【０２４５】
（第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、工程３で透明金属層を形成した薄ガラスを連続して工程４に搬送し、下記の方法に従って、第２硫化防止層を形成した。【０２４６】
工程４に、工程３で透明金属層を形成した薄ガラスを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ４）にＺｎＯを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ４を５×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ４）を通電加熱し、形成速度１．０ｎｍ／秒、形成時間が１秒の条件で、薄ガラスの透明金属層上に真空蒸着して、層厚が１．０ｎｍの第２硫化防止層を形成した。【０２４７】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
次いで、工程４で第２硫化防止層を形成した薄ガラスを、工程５の真空蒸着室に搬送し、下記の方法に従って、第２高屈折率層を形成し、透明導電体１３を作製した。【０２４８】
真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）にＳｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ５を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が９０：１０となる条件で、形成速度４７ｎｍ／秒、形成時間１秒で薄ガラス上に共蒸着し、層厚が４７ｎｍの第２高屈折率層を形成して、透明導電体１３を作製した。【０２４９】
〔透明導電体１４、透明導電体２９の作製〕
上記透明導電体１３の作製において、透明基板の種類、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の構成材料の種類、構成比率と形成する層厚、透明金属層の形成速度と層厚、第１硫化防止層及び第２硫化防止層の膜厚を、表１、表２に記載の条件に変更した以外は同様にして、透明導電体１４と透明導電体２９を作製した。なお、透明導電体２９では、配線は形成しなかった。【０２５０】
〔透明導電体１５の作製〕
透明基板として、長尺のポリカーボネート（略称：ＰＣ）フィルムを用い、ＰＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＴｉＯ２）／第１硫化防止層（Ｇｅ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を、この順で、真空蒸着法を用いたロールｔｏロール方式で連続して積層した。次いで、積層体を、透明導電体１で用いたのと同様のパターニング法でパターニングして、配線を有する透明導電体１５を作製した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０２５１】
透明導電体１５の作製には、図３で示した工程１〜工程５の５つの真空蒸着室を備えたロールｔｏロール方式の透明導電体の製造装置を用いた。【０２５２】
透明導電体１５の作製においては、第１高屈折率層（ＴｉＯ２）の形成は工程１で行い、第１硫化防止層（Ｇｅ）の形成は工程２で行い、透明金属層（Ａｇ）の形成は工程３で行い、第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成は、工程５を用いて行った。【０２５３】
（第１高屈折率層（ＴｉＯ２）の形成）
図３に記載の工程１の真空蒸着室（１１）に、透明基板（２）であるＰＣフィルムを連続搬送しながら、蒸着法により、第１高屈折率層を形成した。【０２５４】
真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）にＴｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ１ａ）を通電加熱し、形成速度４．６ｎｍ／秒、形成時間１０秒の条件でＰＣフィルム上に蒸着して、層厚が４６ｎｍのＴｉＯ２から構成される第１高屈折率層を形成した。【０２５５】
（第１硫化防止層（Ｇｅ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＣフィルムを工程２に搬送し、下記の方法に従って、第１硫化防止層を形成した。【０２５６】
工程２に、工程１で第１高屈折率層を形成したＰＣフィルムを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ２）にＧｅ単体を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ２を５×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ２）を通電加熱し、形成速度０．０１ｎｍ／秒、形成時間が１０秒の条件で、ＰＣフィルムの第１高屈折率層上に真空蒸着して、層厚が０．１ｎｍの第１硫化防止層を形成した。【０２５７】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、工程２で第１硫化防止層を形成したＰＣフィルムを工程３に搬送し、下記の方法に従って、透明金属層を形成した。【０２５８】
工程３に、工程２で第１硫化防止層を形成したＰＣフィルムを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ３）にＡｇを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ３を１×１０−３Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ３）を通電加熱し、形成速度１．６ｎｍ／秒、形成時間が３．５６秒の条件で、ＰＣフィルムの第１硫化防止層上に真空蒸着して、層厚が５．７ｎｍの透明金属層を形成した。【０２５９】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
次いで、工程３で透明金属層を形成したＰＣフィルムを、工程５の真空蒸着室に搬送し、下記の方法に従って、第２高屈折率層を形成し、透明導電体１５を作製した。【０２６０】
真空蒸着室（１１）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）にＳｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ５を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ５ａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ５ｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比率が８０：２０となる条件で、形成速度４．５ｎｍ／秒、形成時間１０秒の条件で薄ガラス上に共蒸着して、層厚が４５ｎｍの第２高屈折率層を形成した。【０２６１】
〔透明導電体１７の作製〕
透明導電体１７の作製は、図３で示した工程１〜工程５の５つの真空蒸着室を備えたロールｔｏロール方式の透明導電体の製造装置において、工程１及び工程５をそれぞれ２つの真空蒸着室（真空蒸着室１Ａと１Ｂ、真空蒸着室５Ａと５Ｂ）の構成とし、２つの領域を有する第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）の形成を真空蒸着室１Ａ及び真空蒸着室１Ｂで行い、透明金属層（Ａｇ）の形成を工程３で行い、第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成を工程４で行い、２つの領域を有する第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）の形成を真空蒸着室５Ａ及び真空蒸着室５Ｂで行った。【０２６２】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）の形成）
図３に記載の工程１を工程１Ａ（真空蒸着室１Ａ）と工程１Ｂ（真空蒸着室１Ｂ）に分割し、透明基板（２）であるポリエチレンテレフタレート（略装：ＰＥＴ）フィルムを連続搬送しながら、共蒸着法により、２つの構成比率の異なる領域を有する第１高屈折率層を形成した。【０２６３】
真空蒸着室１Ａの第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１Ａａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１Ａｂ）にＴｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した。【０２６４】
また、工程１Ｂ（真空蒸着室１Ｂ）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１Ｂａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ１Ｂｂ）にＴｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した。【０２６５】
第１のステップとして、工程１Ａ（真空蒸着室１Ａ）に透明基板（２）であるＰＥＴフィルムを連続搬送しながら、共蒸着法により、第１高屈折率層の領域１を形成した。具体的には、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ１Ａａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ１Ａｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率が５０：５０で、層厚が３２ｎｍの条件で領域１を形成した。【０２６６】
次いで、第２ステップとして、領域１を形成した透明基板（２）であるＰＥＴフィルムを、工程１Ｂ（真空蒸着室１Ｂ）に搬送し、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ１Ｂａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ１Ｂｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率が８０：２０で、層厚が１０ｎｍの条件で領域２を形成し、総層厚が４２ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０２６７】
工程１Ａ（真空蒸着室１Ａ）で形成した領域１は、第１高屈折率層の透明基板側を構成する領域であり、表２の「第１高屈折率層」欄の上段にその詳細を記載した。また、工程１Ｂ（真空蒸着室１Ｂ）で形成した領域２は、透明金属層側を構成する領域であり、表２の「第１高屈折率層」欄の下段にその詳細を記載した。【０２６８】
なお、第１高屈折率層における各層のＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて、上記記載の比率であることを確認した。【０２６９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、２つの領域から構成されている第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを連続して工程３に搬送し、下記の方法に従って、透明金属層を形成した。【０２７０】
工程１で第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを工程３に搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ３）にＡｇを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ３を１×１０−３Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ３）を通電加熱し、形成速度０．７ｎｍ／秒、形成時間が１０．６秒の条件で、ＰＥＴフィルムの第１高屈折率層上に真空蒸着して、層厚が７．４ｎｍの透明金属層を形成した。【０２７１】
（第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを工程４に搬送し、下記の方法に従って、第２硫化防止層を形成した。【０２７２】
工程４に、工程３で透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを搬送し、真空蒸着室（１１）で、モリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ４）にＺｎＯを装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ４を５×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボート（Ｔ４）を通電加熱し、形成速度１．０ｎｍ／秒、形成時間１秒の条件で、ＰＥＴフィルムの透明金属層上に真空蒸着して、層厚が１．０ｎｍの第２硫化防止層を形成した。【０２７３】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ２）の形成）
図３に記載の工程５を工程５Ａ（真空蒸着室５Ａ）と工程５Ｂ（真空蒸着室５Ｂ）に分割して構成し、上記方法で第１高屈折率層、透明電極層及び第２硫化防止層を形成した透明基板（２）（ＰＥＴフィルム）を連続搬送しながら、共蒸着法により、２つの構成比率の異なる領域を有する第２高屈折率層を形成した。【０２７４】
真空蒸着室５Ａの第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５Ａａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５Ａｂ）にＴｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した。【０２７５】
また、工程５Ｂ（真空蒸着室５Ｂ）の第１のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５Ｂａ）にＺｎＳを、第２のモリブデン製抵抗加熱ボート（Ｔ５Ｂｂ）にＴｉＯ２を装填し、真空蒸着室内の圧力Ｐ１を１×１０−４Ｐａまで減圧した。【０２７６】
第１のステップとして、工程５Ａ（真空蒸着室５Ａ）に第２硫化防止層（ＺｎＯ）までを形成したＰＥＴフィルムを連続搬送しながら、共蒸着法により、第２高屈折率層の領域１を形成した。具体的には、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ５Ａａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ５Ａｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率が８０：２０で、層厚が１０ｎｍの条件で領域１を形成した。【０２７７】
第２ステップとして、領域１を形成したＰＥＴフィルムを、工程５Ｂ（真空蒸着室５Ｂ）に搬送し、第１の抵抗加熱ボート（Ｔ５Ｂａ）及び第２の抵抗加熱ボート（Ｔ５Ｂｂ）を通電加熱し、両抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率が５０：５０で、層厚が３４ｎｍの条件で領域２を形成し、総層厚が４４ｎｍの第２高屈折率層を形成した。【０２７８】
工程５Ａ（真空蒸着室５Ａ）で形成した領域１は、第２高屈折率層の透明金属層側を構成する領域であり、表２の「第２高屈折率層」欄の上段にその詳細を記載した。また、工程５Ｂ（真空蒸着室５Ｂ）で形成した領域２は、第２高屈折率層の表面側を構成する領域であり、表２の「第２高屈折率層」欄の下段にその詳細を記載した。【０２７９】
なお、第２高屈折率層における各層のＺｎＳとＴｉＯ２の体積比率は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて、上記記載の比率であることを確認した。【０２８０】
〔透明導電体１８〜２０の作製〕
上記透明導電体１７の作製において、それぞれの第１高屈折率層及び第２高屈折率層の構成比率の異なる各領域の構成材料の種類及び構成比率を、表２に記載の条件に変更した以外は同様にして、透明導電体１８〜２０を作製した。【０２８１】
〔透明導電体３０の作製〕
透明基板として石英を用い、石英上に、下記の方法で、蒸着法により第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ）を順に下記の蒸着方法で積層した。次いで、当該積層体を下記の方法でパターニングして、図６に示す配線を有する透明導電体３０を、バッチ方式で作製した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ
Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０２８２】
透明導電体３０では、第１高屈折率層及び第２高屈折率層は、それぞれＺｎＳ単独で形成されている。【０２８３】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、層厚が４０ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０２８４】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成した石英を、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、抵抗加熱ボートに通電加熱し、形成速度が０．２ｎｍ／秒の条件で、層厚が１２ｎｍの透明金属層を形成した。【０２８５】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
次いで、透明金属層を形成した石英を、上記と同様の真空蒸着装置に固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電加熱し、層厚が４０ｎｍの第２高屈折率層を形成して、透明導電体３０を作製した。【０２８６】
〔透明導電体３１の作製〕
透明基板としてＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記のスパッタ法により第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＩＺＯ）を順に下記のスパッタ法で積層して、透明導電体３１を作製した。【０２８７】
（第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）の形成）
大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度０．３．ｎｍ／秒でＮｂ２Ｏ５をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍで形成し、層厚が２８ｎｍの第１高屈折率層を形成した。【０２８８】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度１．４ｎｍ／ｓで、Ａｇを層厚が７．３ｎｍとなる条件で対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。【０２８９】
（第２高屈折率層（ＩＺＯ））
前記透明金属層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度０．２ｎｍ／ｓでＩＺＯを、層厚が３６ｎｍとなる条件でＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２９０】
〔透明導電体３２の作製〕
透明基板としてＴＡＣフィルムを用い、特開２００６−１８４８４９号公報の実施例に記載の方法に従って、スパッタ法により透明基板（ＴＡＣ）／第１高屈折率層（ＩＣＯ：２７ｎｍ、Ｃｒ：０．８ｎｍ）／透明金属層（Ａｇ・Ａｕ：９ｎｍ）／第２硫化防止層（Ｃｒ：０．８ｎｍ）／第２高屈折率層（ＩＣＯ：２０ｎｍ、ＳｉＯ２：４０ｎｍ、ＫＰ８０１Ｍ：８ｎｍ）をこの順で積層して、透明導電体３２を作製した。【０２９１】
なお、ＫＰ５０１Ｍは、フッ素系シラン化合物（フルオロアルキルシラザン、信越化学工業社製）である。【０２９２】
〔透明導電体３３の作製〕
透明基板としてＰＥＴフィルムを用い、特開２００２−１５６２３号公報の実施例に記載の方法に従って、スパッタ法により透明基板（ＴＡＣ）／第１高屈折率層（ＩＴＯ：４０ｎｍ）／透明金属層（ＡＰＣ：９ｎｍ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ：４０ｎｍ）をこの順で積層して、透明導電体３３を作製した。【０２９３】
なお、ＡＰＣとしては、Ａｇ（４０原子％）・Ｐｄ（４０原子％）・Ｃｕ（２０原子％）からなる合金を使用した。
〔透明導電体３４の作製〕
透明基板としてガラスを用い、特開２００８−２２６５８１号公報の実施例に記載の方法に従って、スパッタ法により透明基板（ガラス基板）／第１高屈折率層（ａ−ＧＩＯ：５０ｎｍ）／透明金属層（Ａｇ：１０ｎｍ）／第２高屈折率層（ａ−ＧＩＯ：５０ｎｍ）をこの順で積層して、透明導電体３４を作製した。【０２９４】
なお、ａ−ＧＩＯとは、ガリウム・インジウム及び酸素からなる非晶質酸化物膜である。
〔透明導電体３５の作製〕
透明基板としてガラスを用い、中国特許であるＣＮ１０２６７７０１２Ａ号明細書の実施例に記載の方法に従って、スパッタ法により透明基板（ガラス基板）／第１高屈折率層（ＺｎＯ・ＳｉＯ２：４５ｎｍ）／透明金属層（Ａｇ：１１ｎｍ）／第２高屈折率層（ＺｎＯ・ＳｉＯ２：４５ｎｍ）をこの順で積層して、透明導電体３５を作製した。【０２９５】
以上により作製した透明導電体１〜３５の構成を、表１及び表２に示す。【０２９６】
【表１】
2015107968.tif 000007
【０２９７】
【表２】
2015107968.tif 000008
【０２９８】
なお、表１及び表２に略称あるいは符号で記載した構成要素の詳細は、以下のとおりである。【０２９９】
（透明基板）
ＣＯＰ：シクロオレフィンポリマー
ＴＡＣ：トリアセチルセルロース
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート
ＰＣ：ポリカーボネート
（高屈折率層の構成材料）
＊１：ＺｎＳ−ＴｉＯ２
＊２：ＺｎＳ−ＳｉＯ２
＊３：ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ５
＊４：ＣｅＯ２
＊５：ＺｎＳ−ＣｅＯ２
＊６：ＺｎＳ−ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）
＊７：ＺｎＳ−ＨｆＯ２
＊８：ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３
＊９：ＺｎＳ−Ｙ２Ｏ３
＊１０：ＺｎＳ−ＡｌＦ３
＊１１：ＺｎＳ−ＬｉＦ
＊１２：ＺｎＳ−ＳｉＮ
＊１３：ＺｎＳ−ＴｉＮ
＊１４：ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ３
＊１５：ＩＣＯ−Ｃｒ＝２７／１（ｎｍ）
＊１６：ＩＣＯ−ＳｉＯ２−ＫＰ８０１Ｍ＝２０／４０／６（ｎｍ）
ＩＴＯ：インジウム・スズ酸化物
ＩＣＯ：インジウム・セリウム酸化物
ＩＺＯ：インジウム・亜鉛酸化物
ＡＴＯ：ＳｂドープＳｎＯ
ＡＺＯ：ＡｌドープＺｎＯ
ＴＮＯ：ＮｂドープＴｉＯ２
ａ−ＧＩＯ：ガリウム・インジウム及び酸素からなる非晶質酸化物
ＫＰ８０１Ｍ：フッ素系シラン化合物（フルオロアルキルシラザン、信越化学工業社製）
（透明金属層の構成材料）
ＡＰＣ：Ａｇ（４０原子％）・Ｐｄ（４０原子％）・Ｃｕ（２０原子％）からなる合金
《透明導電体の評価》
上記作製した各透明導電体について、下記の各特性値の測定及び評価を行った。【０３００】
〔腐食耐性の評価〕
上記作製した各透明導電体３０ｍｍ×３０ｍｍの面積範囲を、１００倍のルーペを用いて観察し、サイズ２０μｍ以上の腐食数を測定し、下記の基準に従って腐食耐性を評価した。【０３０１】
〇：全面積範囲で、腐食の発生が認められない（腐食数：０個）
△：全面積範囲で、腐食の発生数が１個以上、５個未満である
×：全面積範囲で、腐食の発生数が５個以上である
〔フレキシブル性の評価〕
上記作製した各透明導電体について、透明電極ユニット面が外側になるようにφ５ｍｍの金属棒に巻付及び開放を１０００回繰り返した後、透明導電体の３０ｍｍ×３０ｍｍの面積範囲を、１００倍のルーペを用いて観察し、サイズ２０μｍ以上の腐食数を測定し、下記の基準に従ってフレキシブル性を評価した。【０３０２】
〇：全面積範囲で、腐食の発生が認められない（腐食数：０個）
△：全面積範囲で、腐食の発生数が１個以上、５０個未満である
×：全面積範囲で、腐食の発生数が５０個以上である
〔平均透過率、平均反射率及び平均吸収率の測定）
（配線あり透明導電体の測定）
透明導電体１〜２５については、以下の方法に従って平均透過率、平均反射率及び平均吸収率を測定した。【０３０３】
透明導電体１〜２５の第２高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製  屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の４５０〜８００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）、４００〜１０００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）及び平均反射率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。【０３０４】
また、平均吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。【０３０５】
なお、平均反射率の測定値から、無アルカリガラス基板と大気との界面での反射（４％）、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の平均反射率とした。また、平均透過率についても、上記無アルカリガラス基板と大気との界面での反射、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に８％足した値を透明導電体の各平均透過率とした。【０３０６】
（配線なし透明導電体の測定）
一方、配線のない透明導電体２６〜３５については、空気と接触して使用されるものとし、透明導電体上に、無アルカリガラス基板を貼り合わせずに、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、透明導電体の４５０〜８００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）、４００〜１０００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）及び平均反射率を測定した。
そして、平均吸収率は、１００−（平均透過率＋平均反射率）の計算式より算出した。なお、測定光は、第２高屈折率層側から入射させた。【０３０７】
また、平均反射率の測定値から、透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の平均反射率とした。また、平均透過率についても、上記透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、平均透過率の測定値に４％足した値を透明導電体の透過率とした。【０３０８】
〔導通領域のｂ＊値の評価〕
各透明導電体のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるｂ＊値を、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００で測定した。次いで、測定したｂ＊値をもとに、下記の基準に従ってランク分けを行った。【０３０９】
◎：ｂ＊値が、−１．０以上、＋１．０未満の範囲である
○：ｂ＊値が、−２．０以上、−１．０未満、又は＋１．０以上、＋２．０未満の範囲である
×：ｂ＊値が、−２．０未満、又は＋２．０以上である
〔シート抵抗値の測定〕
各透明導電体の導電領域（ａ）に、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計「ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０」を接触させて、導電領域（ａ）のシート抵抗値（Ω／□）を測定した。【０３１０】
〔生産効率の評価〕
各透明導電体の製造方法における単位時間（分）当たりの生産量（ｍ）を測定して生産速度（ｍ／分）を求め、下記の基準に従って生産効率を評価した。【０３１１】
◎：生産速度が、１０ｍ／分以上である
〇：生産速度が、５ｍ／分以上、１０ｍ／分未満である
△：生産速度が、３ｍ／分以上、５ｍ／分未満である
×：生産速度が、３ｍ／分未満である
以上により得られた結果を、表３に示す。【０３１２】
【表３】
2015107968.tif 000009
【０３１３】
表３に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する透明基板上に第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層を有し、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の少なくとも一層が、硫化亜鉛と、金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも一種の金属化合物との混合膜を、共蒸着法により形成して製造した本発明の透明導電体は、比較例に対し、腐食耐性及びフレキシブル性に優れ、透明導電体としての平均透過率、平均反射率、平均吸収率に優れ、ｂ＊値も良好であることが分かる。また、透明導電体としての低いシート抵抗値を得ることができた。【０３１４】
また、上記特性は、第１高屈折率層又は第２高屈折率層を構成する金属酸化物が、二酸化ケイ素であること、透明金属層を、銀を主成分として構成し、形成速度０．３ｎｍ／秒以上の条件で銀膜を形成すること、透明導電体１７〜２０で確認したように第１高屈折率層及び第２高屈折率層を、透明金属層と隣接する界面領域（隣接する界面から厚さ方向で、全層厚の１０％の領域）における平均硫化亜鉛濃度として、７０体積％以上となる条件で形成すること、第１高屈折率層と透明金属層との間、又は第２高屈折率層と透明金属層との間に、硫化防止層を形成すること、硫化防止層を、亜鉛金属元素を含む材料で形成することにより、上記各特性が更に向上しており、より好ましい条件であることが分かる。【０３１５】
また、蒸着法により作製した本発明の透明導電体１〜２９では、単位時間（分）当たりの生産量（ｍ）で表される生産速度（ｍ／分）が３ｍ／分以上であり、スパッタ法により作製した透明導電体３１〜３５では、生産速度は、３ｍ／分未満であり、極めて生産速度が低く、本発明の透明導電体の製造方法（蒸着法）が、比較例（スパッタ法）に対し、生産効率として極めて優位であることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０３１６】
本発明の透明導電体の製造方法により製造した透明導電体は、フレキシブル性を有し、透明性、着色耐性に優れ、低い抵抗特性を備え、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好適に利用できる。
【符号の説明】
【０３１７】
１、１−１、１−２  透明導電体
２、２−１、２−２  透明基板
３Ａ  第１高屈折率層
３Ｂ  第２高屈折率層
４  透明金属層
５  硫化防止層
５Ａ  第１硫化防止層
５Ｂ  第２硫化防止層
６  レジスト膜
６Ａ  除去するレジスト膜
７  マスク
８  露光機
９  エッチング液
１０  隔壁
１１  真空蒸着室
１３  前面版
２１  タッチパネル
ａ  導通領域
ｂ  絶縁領域
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２  透明電極ユニット
Ｌ  形成範囲（ｍ）
Ｔ１ａＭ、Ｔ１ｂ、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５ａ，Ｔ５ｂ  ターゲット（抵抗加熱ボート）
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５  真空蒸着室内の圧力
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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