(57)【要約】  本発明は、従来よりも高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁化自由層および磁化固定層の一方が表面に形成された基板上にトンネルバリア層を形成する工程Ｓ１３と、トンネルバリア層を形成する工程の後に、基板を冷却する工程Ｓ１４と、冷却する工程の後に、トンネルバリア層上に磁化自由層および磁化固定層の他方を形成する工程Ｓ１５と、磁化自由層および磁化固定層の他方を形成する工程の後に、基板を昇温する昇温工程Ｓ１６とを備える。
2015072140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に磁化自由層および磁化固定層の一方が形成された基板上にトンネルバリア層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記基板を冷却する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記トンネルバリア層上に前記磁化自由層および前記磁化固定層の他方を形成する第３工程と、
前記第３工程の後に、前記基板を昇温する第４工程と、
を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記第４工程は、露点温度を超える温度に前記基板を昇温するものであることを特徴とすることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第４工程の後に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程よりも前に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程は、２００Ｋ以下の温度に前記基板を冷却するものであることを特徴とすることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記磁化自由層および前記磁化固定層はいずれもＣｏＦｅＢ層であり、
前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方はアモルファス相を有し、
前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の中のホウ素含有率は１５ａｔ％以下である
ことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記磁気抵抗効果素子は、垂直磁化型ＭＴＪ素子であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に係り、特にＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ素子に好適な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁場によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子として、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）効果を利用して情報の記憶や磁気の検出を行うＴＭＲ素子（ＭＴＪ素子ともいう）が知られている。近年、ＭＲＡＭ等へのＭＴＪ素子の利用が期待されている。【０００３】
非特許文献１には、垂直磁化型のＭＴＪ素子が開示されている。垂直磁化型のＭＴＪ素子は、フリー層（磁化自由層）、トンネルバリア層、およびリファレンス層（磁化固定層）が積層された構造を含み、フリー層およびリファレンス層の磁化方向はそれぞれ積層方向と平行になっている。【０００４】
磁気抵抗効果素子を用いたＭＲＡＭデバイスの特性の向上のためには、ＭＲ比（磁気抵抗比）を高くすることが重要である。非特許文献１に記載のＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ／ＣｏＦｅＢからなる積層構造は１００％を超える高いＭＲ比を示すことが知られている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】D.  C.  Worledge  et  al.,  ”Spin  torque  switching  of  perpendicular  Ta|CoFeB|MgO-based  magnetic  tunnel  junctions”,  Appl.  Phys.  Lett.  98,  2011,  022501
【発明の概要】
【０００６】
しかしながら、非特許文献１に記載の磁気抵抗効果素子であっても、十分に高いＭＲ比とはいえない。磁気抵抗効果素子の構造を変更することによってＭＲ比をさらに高める研究がなされている一方で、構造ではなく製造方法を変更することによってＭＲ比を高めることも求められている。
【０００７】
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであって、従来よりも高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
本発明の一態様は、磁気抵抗効果素子の製造方法であって、表面に磁化自由層および磁化固定層の一方が形成された基板上にトンネルバリア層を形成する第１工程と、前記第１工程の後に、前記基板を冷却する第２工程と、前記第２工程の後に、前記トンネルバリア層上に前記磁化自由層および前記磁化固定層の他方を形成する第３工程と、前記第３工程の後に、前記基板を昇温する第４工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法によれば、トンネルバリア層を形成する工程の後であって、トンネルバリア層上に磁化自由層又は磁化固定層を形成する工程の前に、基板を冷却する工程を行うことによって、高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子を実現することができる。また、本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法によれば、トンネルバリア層を形成する工程の後であって、トンネルバリア層上に磁化自由層（フリー層）又は磁化固定層（リファレンス層）を形成する工程の後に、基板を昇温する工程を行うことによって、基板上への結露を防ぎ歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板冷却装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る昇温装置を示す概略構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板冷却装置を備える基板処理システムの概略構成図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る成膜方法により製造される素子構成を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る成膜方法のフローチャートを示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る成膜方法により製造される素子のＭＲ比のグラフを示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る成膜方法により製造される素子のＭＲ比のグラフを示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る成膜方法により製造される素子の磁気抵抗曲線を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る成膜方法により製造される素子構成を示す模式図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る成膜方法のフローチャートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る基板の冷却を行う基板処理装置としての基板冷却装置１００を示す概略構成図である。基板冷却装置１００はチャンバ１０１と排気チャンバ１１９とを備えている。チャンバ１０１の上壁１０１ａは取り外し可能に設けられており、上壁１０１ａを取り外してメンテナンス、クリーニング等を行うことができる。チャンバ１０１の側壁１０１ｂには開閉可能なゲートバルブ１０２が設けられており、ゲートバルブ１０２を介して基板Ｓをチャンバ１０１の内外に搬送可能である。チャンバ１０１内には基板載置面１０３ａを有する基板ホルダ１０３が設けられており、基板載置面１０３ａ上には基板Ｓを載置可能である。
【００１３】
基板ホルダ１０３には基板載置面１０３ａを貫通して基板Ｓの裏面を支持するための棒状のリフトピン１０４が設けられており、リフトピン１０４はリフトピン駆動機構１０５によって基板Ｓまたは基板載置面１０３ａの法線方向に沿って上昇および下降可能である。また、基板ホルダ１０３には基板Ｓの表面の外周部を固定するためのメカニカルチャック１０６が設けられており、メカニカルチャック１０６はメカニカルチャック駆動機構１０７によって基板Ｓまたは基板載置面１０３ａの法線方向に沿って上昇および下降可能である。リフトピン駆動機構１０５およびメカニカルチャック駆動機構１０７は、モータ、アクチュエータ等の任意の駆動手段である。リフトピン１０４とリフトピン駆動機構１０５との間、およびメカニカルチャック１０６とメカニカルチャック駆動機構１０７との間には、チャンバ１０１の密閉状態を保ったままリフトピン１０４およびメカニカルチャック１０６を移動できるように、伸縮可能なベローズ１０８が設けられている。
【００１４】
基板Ｓを固定するために、メカニカルチャック１０６およびメカニカルチャック駆動機構１０７の代わりに、静電力により基板Ｓを基板ホルダ１０３に固定する静電吸着機構（ＥＳＣ）を設けてもよい。
【００１５】
基板ホルダ１０３には、チャンバ１０１の下壁１０１ｃを貫通する基板ホルダ支柱１１０を介して、チャンバ１０１の外部に設けられている基板ホルダ冷却部１０９（基板ホルダ冷却手段）が接続されている。基板ホルダ冷却部１０９を用いて基板ホルダ１０３を低温に維持することによって、基板載置面１０３ａに載置された基板Ｓを冷却可能である。基板ホルダ冷却部１０９は、基板ホルダ１０３の温度を測定するための不図示の温度測定部（例えば、熱電対）を有する。基板ホルダ１０３および基板ホルダ支柱１１０は、熱伝導性の高い金属、例えば銅またはアルミニウムを用いて作製されていることが望ましい。
【００１６】
チャンバ１０１内において、シールド１１１が設けられている。シールド１１１は基板ホルダ１０３の側方を取り囲むとともに、基板ホルダ１０３の上方を覆うように設けられている。すなわち、シールド１１１は、基板載置面１０３ａの側方を取り囲むとともに、基板載置面１０３ａに対向するように設けられている。
【００１７】
シールド１１１には、チャンバ１０１の上壁１０１ａを貫通するシールド支柱１１３を介して、チャンバ１０１の外部に設けられているシールド冷却部１１２が接続されている。シールド冷却部１１２を用いてシールド１１１を低温に維持することによって、基板Ｓの搬送時に基板ホルダ１０３から放出される気体分子がシールド１１１の表面に到達した際に、表面に該気体分子をトラップすることができる。シールド冷却部１１２は、シールド１１１の温度を測定するための不図示の温度測定部（例えば、熱電対）を有する。シールド１１１およびシールド支柱１１３は、熱伝導性の高い金属、例えば銅またはアルミニウムを用いて作製されていることが望ましい。
【００１８】
基板ホルダ冷却部１０９およびシールド冷却部１１２（シールド冷却手段）は、任意の方法により冷却を行うための冷却手段であり、例えばヘリウムの断熱膨張を利用して冷却を行う冷却装置（例えば、Gifford-McMahon冷凍機やスターリング冷凍機など）であってよく、または冷媒として外部から供給される低温の液体窒素等の冷媒を流すことにより冷却を行う装置であってよい。本実施形態では基板ホルダ冷却部１０９とシールド冷却部１１２とは別個の部材として設けられているが、単一の冷却部として設けられてもよい。シールド１１１の側面におけるゲートバルブ１０２に対向する部分には、基板Ｓが通るための開口部１１４が設けられている。シールド１１１に付着したガスは、チャンバ１０１および排気チャンバ１１９の各所に設けられているヒータ１１６で加熱することによって除去することができる。
【００１９】
チャンバ１０１には、それぞれの内部空間が連通するように排気チャンバ１１９が接続されている。排気チャンバ１１９にはチャンバ１０１内を真空排気可能な排気部としての排気ポンプ１２０が設けられている。排気ポンプ１２０としては、必要とする真空度に応じてドライポンプ、ターボ分子ポンプ等の任意の排気手段を用いることができ、それらを組み合わせて用いてもよい。さらに、チャンバ１０１にはシールド１１１内、すなわちシールド１１１により区画される空間内の圧力を測定するためのシールド内真空計１２１が設けられており、排気チャンバ１１９には排気チャンバ１１９内の圧力を測定するためのチャンバ内真空計１２２が設けられている。
【００２０】
さらに、基板冷却装置１００には、基板Ｓの冷却を効率的に行うために、基板Ｓの裏面と基板載置面１０３ａとの間に冷却ガスを導入するための冷却ガス導入部１２３が設けられている。冷却ガス導入部１２３は冷却ガスが通るための管であるガスライン１２４に接続されており、ガスライン１２４はチャンバ１０１および基板ホルダ１０３を貫通して基板Ｓの裏面と基板載置面１０３ａとの間の空間に開口している。冷却ガス導入部１２３から導入される冷却ガスとしてはＨｅ、Ａｒまたはそれらの少なくとも一方を含む混合ガスを用いることができ、冷却ガスが基板Ｓの裏面に行き渡ることで基板Ｓを素早く均一に冷却することができる。ガスライン１２４はさらに排気ポンプ１２０に接続されており、排気ポンプ１２０を駆動することによって使用後の冷却ガスを排気することができる。ガスライン１２４は不図示の可変バルブを備えており、経路や流量を変更可能である。
【００２１】
図１ではガスライン１２４は１系統のみ示されているが、冷却ガス導入部１２３から冷却ガスを導入するためのガスラインと冷却ガスを排気するためのガスラインとの２系統が別個に設けられてもよい。冷却ガス導入部１２３は、マスフロー制御器（ＭＦＣ）、自動圧力制御器（ＡＰＣ）等のガス流量調整手段を備えていることが望ましい。なお、冷却ガス導入部１２３は必ずしも設けられなくともよく、上述の冷却ガスを用いず、基板Ｓを冷却された基板載置面１０３ａに直接載置しても基板Ｓを冷却できることはもちろんである。
【００２２】
ガスライン１２４の近傍には、ガスラインヒータ１２５が設けられている。ガスラインヒータ１２５によってガスライン１２４を加熱することによって、ガスラインの内面に吸着される気体分子を効率的に除去することができる。ガスラインヒータ１２５は、図１ではガスライン１２４の一部にのみ設けられているが、ガスライン１２４の全体に設けられてもよい。ガスラインヒータ１２５としては、任意の加熱手段を用いてよいが、例えばリボンヒータを用いることができる。
【００２３】
図２は、本実施形態に係る基板の昇温を行う基板処理装置としての昇温装置２００を示す概略構成図である。昇温装置２００は、基板に昇温処理を施す装置であり、チャンバ２０１と、排気装置２０２と、ガス供給装置２０３と、基板ホルダ２０４を有している。昇温装置２００は、後述の搬送チャンバ３とゲートバルブ２０５を介して連結されている。ガス供給装置２０３は例えば、ガスボンベに連結されたガス流通路とチャンバ２０１内にガスを供給するガス供給口２０３ａと不図示のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）とからなる。基板ホルダ２０４に基板を載置した状態で、ガス供給口２０３ａから昇温ガスを導入することで基板を昇温することができる。このとき、ガス供給装置２０３から導入される昇温ガスは予め温度を調整しておくと好適である。予め調整しておくガスの温度は、水分が結露しない温度（露点温度）以上の温度が望ましく、温度幅としては２８３Ｋ〜３４３Ｋの範囲が好ましい。本実施形態のガスの温度は室温（２９３Ｋ程度）とされている。昇温ガスとしては、水分の少ないガスが好適であり、例えば、窒素ガスやドライエア若しくはアルゴンガスやヘリウムガスを用いることができる。
【００２４】
基板の昇温が終了したら排気装置２０２でチャンバ２０１内のガスを排気した後、基板は搬送チャンバ３が有する搬送装置７（搬送ロボット）によって次の工程のチャンバに搬送される。昇温装置２００では、ガスで基板を昇温する方式したが、ランプヒータや基板ホルダを加熱することで基板を昇温してもよい。本実施形態においては昇温装置２００を用いたが、基板を昇温することができる構成であれば他の方法を用いてもよい。例えば、搬送経路のいずれかに基板を昇温するヒータを設けて、搬送中の基板をヒータで昇温してもよい。或いは、昇温装置２００に替えてロードロックチャンバを用いてもよい。ロードロックチャンバで基板を昇温させる場合は、導入されるガスで基板を昇温した後に後工程の成膜を行うチャンバに搬送される。ここでの昇温処理は、露点温度以上に基板温度を上昇させる処理であり、本実施形態の昇温装置２００では基板を室温（２９３Ｋ）に昇温させている。
【００２５】
図３は、本実施形態に係る基板冷却装置１００を備える基板処理システム１の概略構成図である。基板処理システム１はクラスタ型の装置であり、複数の基板処理チャンバ２と、ロードロックチャンバ４と、本実施形態に係る基板冷却装置１００と、昇温装置２００とを備えている。複数の基板処理チャンバ２は基板Ｓに対して同一の処理を行うものであってもよく、または異なる処理を行うものであってもよい。
【００２６】
複数の基板処理チャンバ２と、ロードロックチャンバ４と、基板冷却装置１００と、昇温装置２００とは搬送チャンバ３を介して接続されており、それぞれの接続部分には開閉可能なゲートバルブが設けられている。搬送チャンバ３には搬送ロボット７が設けられており、搬送ロボット７を駆動させることによって各基板処理チャンバ２、ロードロックチャンバ４、基板冷却装置１００および昇温装置２００の間で所定の処理順にしたがって基板Ｓが搬送される。各基板処理チャンバ２、搬送チャンバ３、基板冷却装置１００および昇温装置２００にはそれぞれ排気ポンプが設けられており、真空を保ったままチャンバ間で基板Ｓを搬送可能である。ロードロックチャンバ４の外側には、基板Ｓを供給するためのオートローダ５が設けられている。オートローダ５は、大気側において複数の基板が収納されている外部カセット６から基板を一枚ずつ取り出し、ロードロックチャンバ４内に収容するように構成されている。
【００２７】
図４は、本実施形態に係る成膜方法を行う例示的なＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｕｎｎｅｌ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ：磁気抵抗効果素子）素子１０００の構成を示す模式図である。ＭＴＪ素子は、例えばＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、磁気センサ等に用いられる。
【００２８】
ＭＴＪ素子１０００は、垂直磁化型ＭＴＪ素子(ｐ−ＭＴＪ素子)である。ＭＴＪ素子１０００は、基板１００１上に下部電極１００２と、Ｔａ層（シード層）１００３と、フリー層（磁化自由層）としてのＣｏＦｅＢ層１００６と、ＭｇＯ層（トンネルバリア層）１００７とを順に備える。ＭＴＪ素子１０００は、さらにその上に、リファレンス層（磁化固定層）としてのＣｏＦｅＢ層１００８と、Ｔａ層１００９と、積層体１０１０と、Ｔａ層（キャップ層）１０１１と、上部電極１０１２とを順に備える。ＭＴＪ素子１０００の積層体１０１０（ピン層）は、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に所定の数Ｎだけ積層したものである。
【００２９】
ＭＴＪ素子１０００としてはここに示した構成に限られず、垂直磁化型素子の機能を損なわない範囲で層の増減、各層の構成材料の変更、上下の積層順の逆転等の任意の変更を行った構成を用いることができる。例えば、図９を用いて後述する第２実施形態のように、上述のＭＴＪ素子１０００の上下の積層順を逆転したＭＴＪ素子２０００の構成を用いてもよい。
【００３０】
本実施形態に係る基板冷却装置１００を用いる冷却処理は、フリー層（ＣｏＦｅＢ層）１００６上にトンネルバリア層（ＭｇＯ層）１００７が成膜された後であって、トンネルバリア層（ＭｇＯ層）１００７の上にリファレンス層のＣｏＦｅＢ層１００８が成膜される前に行われることが好ましい。このタイミングで基板冷却装置１００を用いて冷却処理を行うと、冷却によりトンネルバリア層１００７とリファレンス層のＣｏＦｅＢ層１００８の界面急峻性を向上させることができ、かつ冷却中にトンネルバリア層１００７の表面（すなわち、トンネルバリア層１００７とＣｏＦｅＢ層１００８との間の界面）が汚染されることを抑えることができる。
【００３１】
基板冷却装置１００を用いる冷却処理は、その他のタイミングで行われてよく、例えば、Ｔａ層１００３の成膜後や、フリー層（磁化自由層）としてのＣｏＦｅＢ層１００６の成膜後でもＭＲ比の向上が期待できる。リファレンス層のＣｏＦｅＢ層１００８の成膜時に基板が冷却された状態であれば効果があるためである。また、上記のタイミングのうち、複数のタイミングで冷却処理が行われてもよい。
【００３２】
本実施形態に係る昇温装置２００を用いる昇温処理は、リファレンス層のＣｏＦｅＢ層１００８上の配向分離層（Ｔａ層）１００９を成膜した後であって、配向分離層（Ｔａ層）１００９の上に積層体１０１０が成膜される前に行われることが好ましい。このタイミングで昇温装置２００を用いて昇温処理を行うと、加熱により積層体１０１０の磁気特性を向上させることができる。さらに、昇温処理によって基板は露点温度以上になるため、基板処理システム１から基板を搬出したときに基板への結露を抑えることができる。
【００３３】
なお、昇温処理は、リファレンス層のＣｏＦｅＢ層１００８を成膜した後であって、積層体１０１０が成膜される前の任意のタイミングで行ってもよい。例えば、リファレンス層のＣｏＦｅＢ層１００８の成膜後であって、配向分離層（Ｔａ層）１００９の成膜前に昇温処理を行ってもよい。ここで積層体１０１０は、ひとつの方向（膜面に対して垂直な方向）に磁化されやすい垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を持つ層をいい、ピン層若しくはＰＭＡ層と言い換えられる。積層体１０１０の垂直磁気異方性が大きいほど、リファレンス層の熱擾乱耐性の低下を抑えられ、リファレンス層の意図しない磁化反転の発生を防ぐことができる。
【００３４】
図５は、本実施形態に係る成膜方法のフローチャートを示す図である。ここでは図３に示すクラスタ型の基板処理システム１を用いて本実施形態に係る成膜方法の説明を行うが、これに限られるものではない。例えば、インライン型の基板処理システムを用いてもよい。また、本実施形態では基板処理システム１に含まれる基板冷却装置として図１に示す基板冷却装置１００を用いるが、その他任意の基板冷却装置を用いてもよい。同様に、昇温装置２００に替えて他の装置を用いてもよい。
【００３５】
まず、基板処理システム１のロードロックチャンバ４に基板Ｓを搬入する（ステップＳ１１）。次に、搬送チャンバ３の搬送ロボット７を駆動させることによって、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを移動し、下層成膜工程を行う（ステップＳ１２）。下層成膜工程では、エッチング法によって基板上に付着した不純物等を除去し、その後にＭＴＪ素子１０００のうちＭｇＯ層１００７より下の膜、すなわち基板１００１上に下部電極１００２、Ｔａ層１００３、およびフリー層としてのＣｏＦｅＢ層１００６を順にスパッタリング法によって成膜する。
【００３６】
次に、搬送チャンバ３の搬送ロボット７を駆動させることによって、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを移動し、第１工程を行う（ステップＳ１３）。第１工程では、ＭＴＪ素子１０００のうちトンネルバリア層としてのＭｇＯ層１００７を成膜する。ＭｇＯ層１００７は、ＭｇＯターゲットを用いた高周波（ＲＦ）スパッタリング法によって成膜されている。別の方法として、Ｍｇターゲットを用いたスパッタリング法によってフリー層としてのＣｏＦｅＢ層１００６の上にＭｇ層を成膜し、その後に該Ｍｇ層に対して酸化処理を行うことによって形成してもよい。成膜処理と酸化処理とは同じ基板処理チャンバ２内で行われてもよく、異なる基板処理チャンバ２内で行われてもよい。
【００３７】
次に、搬送チャンバ３の搬送ロボット７を駆動させることによって、基板冷却装置１００に基板Ｓを移動し、第２工程（冷却工程）を行う（ステップＳ１４）。冷却工程では、ＭｇＯ層１００７が成膜された基板Ｓを２００Ｋ以下の温度（本実施形態では１００Ｋ）まで冷却する。２００Ｋ以下の温度まで基板Ｓを冷却することによって、この後に成膜されるリファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層１００８中にアモルファス相を形成しやすくすることができる。
【００３８】
冷却工程においては、基板冷却装置１００を用いて冷却処理を行う。これにより、基板Ｓの冷却を素早く行いかつ膜中の不純物を低減するという追加の効果を得ることができる。本実施形態に係る冷却工程はこれに限られるものではなく、ＭｇＯ層１００７が成膜された基板Ｓを所定の温度まで冷却することが可能であれば、任意の冷却装置の構成および冷却処理の方法を用いてよい。なお、成膜したＣｏＦｅＢ層１００８などの構成成分の分析は、例えばＸ線回折法によって行うことができる。
【００３９】
次に、搬送チャンバ３の搬送ロボット７を駆動させることによって、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを移動し、第３工程を行う（ステップＳ１５）。第３工程では、ＭＴＪ素子１０００のうちリファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層１００８と、ＣｏＦｅＢ層１００８の上のＴａ層１００９とがスパッタリング法によって順に成膜される。
【００４０】
次に、搬送チャンバ３の搬送ロボット７を駆動させることによって、昇温装置２００に基板Ｓを移動し、第４工程（昇温工程）を行う（ステップＳ１６）。昇温工程では、Ｔａ層１００９までの層が成膜された基板Ｓを露点温度以上の温度（本実施形態では２９３Ｋ）まで昇温する。
【００４１】
次に、搬送チャンバ３の搬送ロボット７を駆動させることによって、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを移動し、第５工程を行う（ステップＳ１７）。第５工程では、ＭＴＪ素子１０００のうち積層体１０１０から上の膜、すなわちピン層としての積層体１０１０、Ｔａ層１０１１、上部電極１０１２を順にスパッタリング法によって成膜する。
【００４２】
室温まで基板Ｓを昇温することによって、Ｔａ層１００９の上に成膜される積層体１０１０の磁気特性を向上することができる。積層体１０１０の磁気特性とは、ひとつの方向（膜面に対して垂直な方向）に磁化されやすい垂直磁気異方性をいう。昇温させることで積層体１０１０の磁気特性が向上する理由としては、積層体１０１０を成膜する際にスパッタされて基板上に付着したＣｏ原子が、付着した表面上でマイグレーションしやすくなるためと思われる。すなわち、表面上をＣｏ粒子が移動することで積層体１０１０中のＰｔとＣｏの位置関係がより好ましいものになるためと考えられる。積層体１０１０の磁気特性の向上した効果については後述する。積層体がＣｏ原子を用いない膜構成であっても、付着した表面上でマイグレーションが起こりやすい原子であれば本実施形態の成膜方法（製造方法）を適用すれば同様の効果を期待できる。
【００４３】
その後、所定の温度（例えば１５０〜４００度）でのアニーリング処理を行い、成膜を終了する（ステップＳ１８）。成膜処理とアニーリング処理とは同じ基板処理チャンバ２内で行われてもよく、異なる基板処理チャンバ２内で行われてもよい。最後に、搬送チャンバ３の搬送ロボット７を駆動させることによって、ロードロックチャンバ４内の搬送位置（基板搬出位置）に基板Ｓを移動する（ステップＳ１９）。その後、基板Ｓは、基板処理システム１の下流の工程に送られる。なお、基板処理システム１とは別の装置でアニーリング処理を行ってもよい。この場合、基板処理システム１の下流の工程としてアニーリング工程が行われる。
【００４４】
本実施形態の成膜工程（ステップＳ１２、Ｓ１３、Ｓ１５、Ｓ１７）で成膜される各層はスパッタリング法によって成膜されるが、その他任意の成膜方法によって成膜されてもよい。
【００４５】
成膜工程（ステップＳ１２、Ｓ１３、Ｓ１５、Ｓ１７）で成膜される複数の膜のうち、２以上の膜が同じ基板処理チャンバ２内で成膜されてもよく、全ての膜が異なる基板処理チャンバ２内で成膜されてもよい。成膜工程（ステップＳ１２、Ｓ１３、Ｓ１５、Ｓ１７）のうち少なくとも１つと、冷却工程（ステップＳ１４）若しくは昇温工程（ステップＳ１６）が同一のチャンバ中で行われてもよい。
【００４６】
図６は、本実施形態に係る成膜方法を用いて製造されたＭＴＪ素子のＲＡ（面積抵抗）に対するＭＲ比を示す図である。本実施形態に係る成膜方法を用いて製造されたＭＴＪ素子、および従来の成膜方法を用いて製造されたＭＴＪ素子をそれぞれ製造し、ＲＡおよびＭＲ比の測定を行った。従来の成膜方法とは、図５又は図１０のフローチャートにしたがって製造されたものであるが、冷却工程（ステップＳ１４、３４）および昇温工程（ステップＳ１６、３６）を行わないで製造した成膜方法をいうものとする。
【００４７】
図６の横軸はＲＡ（Ω・μｍ２）であり、縦軸はＭＲ比（％）である。ＲＡが低いほど、またＭＲ比が高いほど、ＭＴＪ素子の素子特性が良好であるといえる。図６において、四角形の色塗り（■）は従来の成膜方法で作製した図４に示すトップピン構造のＭＴＪ素子の測定結果である。四角形の色抜き（□）は本実施形態に係る成膜方法で作製したトップピン構造のＭＴＪ素子の測定結果である。
【００４８】
なお、図６中の丸形の色抜き（○）および丸形の色塗り（●）は、ボトムピン構造のＭＴＪ素子の測定結果である。丸形の色塗り（●）は従来の成膜方法で作製したボトムピン構造のＭＴＪ素子の測定結果である。丸形の色抜き（○）は後述の第２実施形態に係る成膜方法で作製したボトムピン構造のＭＴＪ素子の測定結果である。ＭＴＪ素子２０００については図９、１０を参照しつつ後述する。
【００４９】
図６によれば、本実施形態に係る成膜方法で成膜を行うと、従来のように冷却、昇温工程を行わない場合に比べてＭＲ比が向上することがわかる。なお、昇温工程（ステップＳ１６）を行わずに製造したＭＴＪ素子についても、ＲＡ（面積抵抗）に対するＭＲ比を測定したが、図６の四角形の色抜き（□）の点にほぼ重なる結果となった。すなわち、ＲＡ（面積抵抗）とＭＲ比は、冷却工程（ステップＳ１４）に大きく影響され、昇温工程（ステップＳ１６）の有無はＲＡ（面積抵抗）とＭＲ比への影響は小さいことがわかった。以上により、素子特性の良好なＭＴＪ素子１０００を製造するためには、トンネルバリア層としてのＭｇＯ層１００７の成膜後であってリファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層１００８の成膜前に冷却を行うことが有効であることが確認された。
【００５０】
第２実施形態のボトムピン構造のＭＴＪ素子についても、昇温工程（ステップＳ３６）を行わなかったＭＴＪ素子のＲＡとＭＲ比は、丸形の色抜き（○）の点にほぼ重なった。すなわち、ボトムピン構造のＭＴＪ素子についても、ＲＡ（面積抵抗）とＭＲ比は、冷却工程（ステップＳ３４）に大きく影響される。素子特性の良好なＭＴＪ素子２０００を製造するためには、トンネルバリア層としてのＭｇＯ層２００８の成膜後であってフリー層としてのＣｏＦｅＢ層２００９の成膜前に冷却を行うことが有効であることが確認された。
【００５１】
図７は本実施形態に係る成膜方法のうち冷却工程の効果を示す図であり、ＭＴＪ素子におけるリファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層中のＢ含有率（ホウ素含有率）に対するＭＲ比のグラフを示す図である。ここではリファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層１００８中のＢ含有率を様々に変更し、ＭＲ比の測定を行った。図７の横軸はリファレンス層１００８としてのＣｏＦｅＢ層中のＢ含有率（ａｔ％）であり、縦軸はＭＲ比（％）である。
【００５２】
図７において、三角形の色塗り（▲）は冷却を行わないで成膜が行われたＭＴＪ素子の測定結果であり、三角形の色抜き（△）はＭｇＯ層１００７の成膜後であってリファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層１００８の成膜前に冷却を行って成膜が行われたＭＴＪ素子の測定結果である。いずれの測定結果に係るＭＴＪ素子も図５のフローチャートにしたがって製造されたものであるが、いずれも昇温工程（ステップＳ１６）は行わなかった。三角形の色塗り（▲）で表されたＭＴＪ素子と、三角形の色抜き（△）で表されたＭＴＪ素子は冷却工程（ステップＳ１４）の有無のみが異なる。なお、昇温工程（ステップＳ１６）の有無はＭＲ比に大きな影響はないため、昇温工程を行う本実施形態の製造方法で製造したＭＴＪ素子の測定結果は、図７中の冷却工程を行う成膜方法の測定結果とほぼ同様になる。
【００５３】
図７によれば、冷却工程を行う成膜方法の測定結果（三角形の色抜き（△））は、いずれのＢ含有率においても従来のように冷却を行わない場合の測定結果（三角形の色塗り（▲））よりも高いＭＲ比を実現していることがわかる。特に、リファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層１００８中のＢ含有率を１５ａｔ％以下にすると、冷却を行わない場合に比べて顕著にＭＲ比が高くなるため望ましい。
【００５４】
また、図７のグラフから明らかなように、従来のように冷却を行わない場合の測定結果（三角形の色塗り（▲））においては、Ｂ含有率が約２０％のときに最大のＭＲ比が得られる。そのため、従来ではＣｏＦｅＢ層のＢ含有率を約２０％にすることが一般的である（例えば、Ｃｏ：Ｆｅ：Ｂ＝２０：６０：２０）。それに対して、冷却工程を行う成膜方法の測定結果（三角形の色抜き（△））においては、Ｂ含有率が低いほどＭＲ比が大きくなった。そのため、本実施形態に係る成膜方法によれば、高いＭＲ比を維持しつつも従来よりもＢ含有率を低く設定することが可能であり、リファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層１００８の組成の自由度が高い。
【００５５】
リファレンス層がアモルファス相を有することによって、ＭＲ比を向上できることが知られている。しかしながら、従来ＣｏＦｅＢ層をアモルファス相にするためには、Ｂを所定の割合（上述のように約２０％）添加する必要があった。それに対して、本実施形態に係る成膜方法において従来よりも低いＢ含有率で高いＭＲ比が実現されているのは、トンネルバリア層成膜後であってリファレンス層成膜前に冷却を行うことによって、リファレンス層中にアモルファス相が形成されやすくなるためだと考えられる。
【００５６】
すなわち、本実施形態に係る成膜方法の冷却工程によって、低いＢ含有率においてもリファレンス層がアモルファス相を有するようになり、高いＭＲ比を実現されている。また、ボトムピン構造のＭＴＪ素子についても、ＭｇＯ層２００８の成膜後であってフリー層としてのＣｏＦｅＢ層２００９の成膜前に冷却を行うことで、高いＭＲ比を有するＭＴＪ素子２０００を製造するができる。
【００５７】
図８は、本実施形態に係る成膜方法で製造したＭＴＪ素子の磁化抵抗曲線である。測定に供したＭＴＪ素子は、本実施形態に係る成膜方法で製造した（昇温工程を行った）ＭＴＪ素子（四角形の色塗り（■））と、図５のフローチャートにしたがって製造されたものだが昇温工程を行わなかったＭＴＪ素子（丸形の色塗り（●））との２種類のＭＴＪ素子とを比較測定した。横軸は縦方向の磁界強度の向きと強さであり、−４００（Ｏｅ）は下向き（リファレンス層の磁化方向）で４００（Ｏｅ）の強度の磁界であり、４００（Ｏｅ）は上向き（リファレンス層の磁化方向と逆方向）を表している。縦軸は抵抗値である。縦軸の抵抗値はＭＲ比に比例する値である。
【００５８】
昇温工程（ステップＳ１６）を行わなかったＭＴＪ素子（図中で丸の点）は、８０（Ｏｅ）でフリー層の磁化が反転し、２８０（Ｏｅ）でリファレンス層の磁化が反転した。一方、昇温工程（ステップＳ１６）を行なったＭＴＪ素子（図中で四角の点）は、８０（Ｏｅ）でフリー層の磁化が反転し、３２０（Ｏｅ）でリファレンス層の磁化が反転した。すなわち、昇温工程を行ったＭＴＪ素子のリファレンス層は磁界に対する抵抗が高く、磁化反転が起こり難いことがわかる。
【００５９】
本実施形態の製造方法によれば、従来よりも高いＭＲ比を有するとともに、リファレンス層の垂直磁気異方性が低下せず、ＭＲ比の低下を抑制できる磁気抵抗効果素子を製造することができる。また、本実施形態の製造方法により製造された磁気抵抗効果素子は、従来よりも高いＭＲ比を有するとともに、リファレンス層の熱擾乱耐性の低下を抑えられるため、読み書き時に、リファレンス層の意図しない磁化反転の発生を防ぐことができる。
【００６０】
（第２実施形態）
第１実施形態に係るＭＴＪ素子１０００は、トンネルバリア層１００７の上にリファレンス層１００８を有する構造（トップピン構造）であるが、トンネルバリア層の上にフリー層を有する構造（ボトムピン構造）にも、本発明を適用することができる。図１０は、ボトムピン構造のＭＴＪ素子の例としての図９に示すＭＴＪ素子２０００の成膜方法のフローチャートを示す図である。
【００６１】
所定の基板処理チャンバに基板を搬入した後（ステップＳ３１）、下層成膜工程（ステップＳ３２）でリファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層２００７までを成膜する。すなわち、ＭＴＪ素子２０００の製造工程において、下層成膜工程（ステップＳ３２）では基板１００１上に、下部電極２００２、Ｔａシード層２００３、Ｒｕ層２００４、積層体２００５（ピン層）、Ｔａ層２００６、リファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層２００７を成膜する。このように、本実施形態ではトンネルバリア層（ＭｇＯ層）よりも前に積層体（ピン層）が成膜される。
【００６２】
下層成膜工程（ステップＳ３２）の後に第１工程（ステップＳ３３）で、リファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層２００７上に、トンネルバリア層としてのＭｇＯ層２００８を成膜する。そして第２工程（冷却工程：ステップＳ３４）を行い、第３工程（ステップＳ３５）でＭｇＯ層２００８上にフリー層としてのＣｏＦｅＢ層２００９を成膜する。第３工程（ステップＳ３５）の後に第４工程（昇温工程：ステップＳ３６）を行い、第５工程（ステップＳ３７）でＣｏＦｅＢ層２００９上にＴａキャップ層２０１０と上部電極２０１１を成膜する。そして、成膜を終了し（ステップＳ３８）、基板を搬出する（ステップＳ３９）。
【００６３】
本発明に係る成膜方法は、トップピン構造とボトムピン構造のいずれにも適用可能であり、フリー層およびリファレンス層の一方を形成し、フリー層およびリファレンス層の一方上にトンネルバリア層を形成し、冷却を行い、トンネルバリア層の上にフリー層およびリファレンス層の他方を形成し、さらに昇温を行うものである。
【００６４】
本発明の製造方法（成膜方法）によれば、従来よりも高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子を製造することができる。また、本実施形態の製造方法によれば、昇温処理後の基板は露点温度を超える温度となるため、水分などの付着を抑えることができる。ここでの露点温度とは、水分が結露し始める温度をいい、露点温度を超える温度では基板に水分は結露しない。特に、基板は露点温度を超える温度で基板処理システム１から搬出されるため、基板処理システム１から搬出された際に基板への結露を抑えることができる。
【００６５】
また、本発明の製造方法により製造されたトップピン構造の磁気抵抗効果素子では、従来よりも高いＭＲ比を有するとともに、リファレンス層の熱擾乱耐性の低下を抑えられるため、読み書き時に、リファレンス層の意図しない磁化反転の発生を防ぐことができる。
【００６６】
本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。上述の各実施形態はＭＲＡＭに利用されるＭＴＪ素子（ＴＭＲ素子）の製造に適用されるものとして説明が行われたが、同様の冷却方法、昇温方法および成膜方法がその他のＭＴＪ素子の製造に適用可能である。
【００６７】
上述の各実施形態では重力方向を上下方向として説明を行ったが、装置を構成する方向は任意である。例えば、上述の各実施形態に係る基板冷却装置を９０度倒して設ける（すなわち、基板Ｓの表面が重力方向に沿って固定される）場合には、上述の各実施形態における上下方向は、重力方向に対して垂直な方向として読み替えればよい。
【図１】
2015072140.tif 000003
【図２】
2015072140.tif 000004
【図３】
2015072140.tif 000005
【図４】
2015072140.tif 000006
【図５】
2015072140.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015072140.tif 000009
【図８】
2015072140.tif 000010
【図９】
2015072140.tif 000011
【図１０】
2015072140.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月4日(2015.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に磁化自由層および磁化固定層の一方が形成された基板上にトンネルバリア層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記基板を冷却する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記トンネルバリア層上に前記磁化自由層および前記磁化固定層の他方を形成する第３工程と、
前記第３工程の後に、前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の結晶化温度より低く露点温度より高い温度で、前記基板を昇温する第４工程と、
前記第４工程の後に、前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の上に上部電極を形成する第５工程と、
前記第５工程の後に、前記結晶化温度以上の温度で、前記基板を昇温する第６工程と、
を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
前記第４工程の後に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程よりも前に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程は、２００Ｋ以下の温度に前記基板を冷却するものであることを特徴とすることを特徴とする、請求項１、３および４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記磁化自由層および前記磁化固定層はいずれもＣｏＦｅＢ層であり、
前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方はアモルファス相を有し、
前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の中のホウ素含有率は１５ａｔ％以下である
ことを特徴とする、請求項１、３乃至５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記磁気抵抗効果素子は、垂直磁化型ＭＴＪ素子であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に磁化自由層および磁化固定層の一方が形成された基板上にトンネルバリア層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記基板を冷却する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記トンネルバリア層上に前記磁化自由層および前記磁化固定層の他方を形成する第３工程と、
前記第３工程の後に、前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の結晶化温度より低く露点温度より高い温度で、前記基板を昇温する第４工程と、
前記第４工程の後に、前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の上に上部電極を形成する第５工程と、
前記第５工程の後に、前記結晶化温度以上の温度で、前記基板を昇温する第６工程と、
を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記第４工程の後に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程よりも前に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程は、２００Ｋ以下の温度に前記基板を冷却するものであることを特徴とすることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記磁化自由層および前記磁化固定層はいずれもＣｏＦｅＢ層であり、
前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方はアモルファス相を有し、
前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の中のホウ素含有率は１５ａｔ％以下である
ことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果素子は、垂直磁化型ＭＴＪ素子であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に磁化自由層および磁化固定層の一方が形成された基板上にトンネルバリア層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記基板を冷却する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記トンネルバリア層上に前記磁化自由層および前記磁化固定層の他方を形成する第３工程と、
前記第３工程の後に、前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の結晶化温度より低く露点温度より高い温度で、前記基板を昇温する第４工程と、
前記第４工程の後に、前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方の上に上部電極を形成する第５工程と、
前記第５工程の後に、前記結晶化温度以上の温度で、前記基板を昇温する第６工程と、
を備え、
前記第３工程によって形成される前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方は、ホウ素含有率が２２．５ａｔ％以下のＣｏＦｅＢ層であることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記第４工程の後であって、前記上部電極を形成する前に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程よりも前に、ピン層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程は、２００Ｋ以下の温度に前記基板を冷却するものであることを特徴とすることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記磁化自由層および前記磁化固定層はいずれもＣｏＦｅＢ層であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果素子は、垂直磁化型ＭＴＪ素子であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第３工程によって形成される前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方は、ホウ素含有率が２２．５ａｔ％以下のＣｏＦｅＢ層であり、かつアモルファス相を有することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第３工程によって形成される前記磁化自由層および前記磁化固定層の前記他方は、ホウ素含有率が１５ａｔ％以下のＣｏＦｅＢ層であり、かつアモルファス相を有することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。
【国際調査報告】
2015072140.tif 000013
2015072140.tif 000014
2015072140.tif 000015
2015072140.tif 000016