(57)【要約】  放熱性が高く、かつ共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供する。  圧電基板２と、前記圧電基板２上に積層されており、第１，第２のバスバーと、該第１，第２のバスバーに接続されている第１，第２の電極指３ｃ，３ｄとを有するＩＤＴ電極３と、前記ＩＤＴ電極３に電気的に接続されているバンプ電極と、前記ＩＤＴ電極３を覆うように形成されている保護膜４と、絶縁性を有し、前記ＩＤＴ電極３の励振領域上及び前記バンプ電極上を除く領域の少なくとも一部に形成されている熱伝導性材料層５とを備える、弾性波装置。
2016017308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に積層されており、第１，第２のバスバーと、該第１，第２のバスバーに接続されている第１，第２の電極指とを有するＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている実装電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように形成されている保護膜と、
絶縁性を有し、前記ＩＤＴ電極の励振領域上及び前記実装電極上を除く領域の少なくとも一部に形成されている熱伝導性材料層とを備える、弾性波装置。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極の前記第１，第２のバスバーと、前記実装電極とを接続するように設けられている配線電極をさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記配線電極が、２つの金属層が積層された積層構造を有する、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記熱伝導性材料層が、前記配線電極の少なくとも一部に接するように設けられている、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記熱伝導性材料層が、前記配線電極上に積層されている、請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記熱伝導性材料層が、前記配線電極及び前記圧電基板に挟まれている、請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記熱伝導性材料層が、前記配線電極に隣接している、請求項４〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記熱伝導性材料層が、前記実装電極に接続されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記熱伝導性材料層の厚みが、前記保護膜の厚みよりも厚い、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記保護膜が、ＳｉＯ２と、ＳｉＮのうち少なくとも一方からなる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１１】
前記熱伝導性材料層が、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、スカンジウムがドープされた窒化アルミニウム、ＳｉＯ２及びＳｉＮからなる群から選択された少なくとも１種の誘電体からなる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
ラダー型のフィルタ回路が構成されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１３】
前記ラダー型のフィルタ回路の直列腕共振子のうち、前記実装電極と接続されている共振子を除く共振子と、前記実装電極とが、前記熱伝導性材料層により接続されている、請求項１２に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板上に保護膜が設けられている弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、共振子や帯域フィルタとして弾性波装置が広く用いられている。【０００３】
例えば、下記特許文献１には、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極を覆うように形成されている保護膜とを備える、弾性波装置が開示されている。特許文献１では、上記保護膜は、アルミナやサファイアなどの誘電体材料により形成できるとされている。また、上記保護膜の厚みは、０．０３λ〜０．５λとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１６８８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、キャリアアグリーゲーションなどの複数バンドの同時利用や、ＬＴＥなどの高速通信化に伴い、フィルタに印加される電力が増大している。そのため、特許文献１のような弾性波装置では、ＩＤＴ電極部で発熱し、電気特性が変動したり、ＩＤＴ電極部が溶融したりすることがあった。【０００６】
この場合、熱伝導率が高い誘電体からなる保護膜を、ＩＤＴ電極部に形成することにより放熱させることができる。しかしながら、十分に放熱させるためには、保護膜の膜厚を厚くする必要があった。ＩＤＴ電極上の保護膜の膜厚を厚くすると、共振子特性が劣化することがあった。【０００７】
本発明の目的は、放熱性が高く、かつ共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、上記圧電基板上に積層されており、第１，第２のバスバーと、該第１，第２のバスバーに接続されている第１，第２の電極指とを有するＩＤＴ電極と、上記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている実装電極と、上記ＩＤＴ電極を覆うように形成されている保護膜と、絶縁性を有し、上記ＩＤＴ電極の励振領域上及び上記実装電極上を除く領域の少なくとも一部に形成されている熱伝導性材料層とを備える。【０００９】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、上記ＩＤＴ電極の上記第１，第２のバスバーと、上記実装電極とを接続するように設けられている配線電極をさらに備える。【００１０】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、上記配線電極が、２つの金属層が積層された積層構造を有する。【００１１】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極の少なくとも一部に接するように設けられている。【００１２】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極上に積層されている。【００１３】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極及び上記圧電基板に挟まれている。【００１４】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記配線電極に隣接している。【００１５】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、上記実装電極に接続されている。【００１６】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層の厚みが、上記保護膜の厚みよりも厚い。【００１７】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記保護膜が、ＳｉＯ２と、ＳｉＮのうち少なくとも一方からなる。【００１８】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記熱伝導性材料層が、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、スカンジウムがドープされた窒化アルミニウム、ＳｉＯ２及びＳｉＮからなる群から選択された少なくとも１種の誘電体からなる。【００１９】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、ラダー型のフィルタ回路が構成されている。【００２０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、上記ラダー型のフィルタ回路の直列腕共振子のうち、上記実装電極と接続されている共振子を除く共振子と、上記実装電極とが、上記熱伝導性材料層により接続されている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、ＩＤＴ電極の第１，第２の電極指上及び実装電極上を除く領域の少なくとも一部に絶縁性を有する熱伝導性材料層が設けられているため、放熱性が高く、かつ共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
【図２】図２は、図１に示される弾性波装置の保護膜を除去した構造を示す模式的平面図である。
【図３】図３は、図１に示される弾性波装置の保護膜及び熱伝導性材料層を除去した構造を示す模式的平面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図４（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図であり、図４（ｃ）は、１ポート型弾性波共振子の電極構造の模式的平面図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図５（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図６（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図であり、図２は、図１に示される弾性波装置の保護膜を除去した構造を示す模式的平面図であり、図３は、図１に示される弾性波装置の保護膜及び熱伝導性材料層を除去した構造を示す模式的平面図である。また、図４（ａ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置において、配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図４（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図であり、図４（ｃ）は、１ポート型弾性波共振子の電極構造の模式的平面図である。
【００２５】
図１に示すように、本発明に係る弾性波装置１は、矩形板状の圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３のような圧電単結晶基板からなる。圧電基板２は、圧電セラミックスにより形成されてもよい。
【００２６】
図３に示すように、圧電基板２上には、ラダー型のフィルタ回路が構成されている。すなわち、圧電基板２上に、それぞれが弾性波共振子からなる直列腕共振子Ｓ１−１，Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２と、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とが設けられている。直列腕共振子Ｓ１−１，Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４は、１ポート型弾性波共振子からなる。
【００２７】
１ポート型弾性波共振子は、図４（ｃ）に示す電極構造を有する。すなわち、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器９，１０とが、圧電基板上に形成されている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。
【００２８】
ＩＤＴ電極３は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗまたはこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。ＩＤＴ電極３は、単層であってもよいし、２種以上の金属層が積層された積層体であってもよい。
【００２９】
ＩＤＴ電極３は、複数本の第１の電極指３ｃと、複数本の第２の電極指３ｄとを有する。複数本の第１の電極指３ｃ及び複数本の第２の電極指３ｄは、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。複数本の第１の電極指３ｃと、複数本の第２の電極指３ｄとは、互いに間挿し合っている。複数本の第１，第２の電極指３ｃ，３ｄは、図３に示す、第１，第２のバスバー３ａ，３ｂにそれぞれ接続されている。ＩＤＴ電極３において、互いに電位の異なる第１の電極指３ｃと第２の電極指３ｄとが弾性表面波伝搬方向において互いに重なっている領域であって、弾性表面波を励振する領域を励振領域Ｅとする。
【００３０】
図３においては、直列腕共振子Ｓ１−１，Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４におけるＩＤＴ電極の複数本の第１の電極指と、複数本の第２の電極指とが互いに間挿し合っている部分を、矩形枠状の対角線同士を結んでなるブロックにより略図的に示している。直列腕共振子Ｓ１−１を代表してより詳細に説明すると、ブロックの電極指が伸びる方向の両端には、直列腕共振子Ｓ１−１の第１，第２のバスバー３ａ，３ｂがそれぞれ位置している。直列腕共振子Ｓ１−１の第２のバスバー３ｂは、直列腕共振子Ｓ１−２の第１のバスバー３ａと共有されている。なお、他の直列腕共振子Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４についても、直列腕共振子Ｓ１−１と同様にして示されている。
【００３１】
本実施形態において、第１，第２のバスバー３ａ，３ｂは、２つの金属層が積層された積層構造を有している。もっとも、第１，第２のバスバー３ａ，３ｂは、単層であってもよい。
【００３２】
図３に示すように、直列腕共振子Ｓ１−１，Ｓ４−２は、実装電極を構成するバンプ電極１１に接続されている。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１−１は、第１のバスバー３ａに連なっている配線電極６及び受信端子７ａを介して、ＡｕまたはＡｕ合金からなるバンプ電極１１に接続されている。他方、直列腕共振子Ｓ４−２は、第２のバスバー３ｂに連なっている配線電極６及びアンテナ端子７ｂを介して、バンプ電極１１に接続されている。なお、実装電極は半田ボールによって構成することもできる。弾性波装置１が実装基板の表面上にバンプ電極１１を介して実装されている。バンプ電極１１と接合される表面ランド電極が実装基板の表面に設けられ、裏面ランド電極が実装基板の裏面に設けられている。表面ランド電極と裏面ランド電極とは接続導体で接続されている。なお、実装基板の熱容量は圧電基板２の熱容量より大きいことが好ましい。また、実装基板の体積が圧電基板２の体積より大きいことが好ましい。
【００３３】
直列腕共振子Ｓ１−１と、直列腕共振子Ｓ４−２との間には、直列腕共振子Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１が直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１は、配線電極６を介して、バンプ電極１１と接続されていない。
【００３４】
並列腕共振子Ｐ１は、一端がアース端子８ａに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ１−１に接続されている。並列腕共振子Ｐ２は、一端がアース端子８ｂに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ１−２，Ｓ２に接続されている。並列腕共振子Ｐ３は、一端がアース端子８ｂに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ２及びＳ３に接続されている。そして、並列腕共振子Ｐ４は、一端がアース端子８ｂに接続されており、他端が直列腕共振子Ｓ３，Ｓ４−１に接続されている。
【００３５】
配線電極６は、適宜の金属材料により形成することができる。本実施形態において、配線電極６は、２つの金属層が積層された積層構造を有している。もっとも、配線電極６は単層であってもよい。
【００３６】
図２に示すように、直列腕共振子Ｓ１−１，Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４のＩＤＴ電極の第１，第２の電極指上並びにバンプ電極１１上を除く領域には、絶縁性を有する材料からなる熱伝導性材料層５が積層されている。
【００３７】
より具体的には、熱伝導性材料層５は、直列腕共振子Ｓ１−１，Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４のＩＤＴ電極の第１，第２の電極指と、バンプ電極１１とを接続するように設けられている。
【００３８】
熱伝導性材料層５が設けられることにより、ＩＤＴ電極３で発生した熱を弾性波装置１の外部に放熱することができる。特に、本実施形態のように、熱伝導性材料層５がバンプ電極１１に接続されている場合、より一層放熱性を高めることができる。ＩＤＴ電極３で発熱した熱が、熱伝導性材料層５に連なるバンプ電極１１を介して弾性波装置１が実装される実装基板に伝って、弾性波装置１の外部に放熱されるためである。
【００３９】
従って、本実施形態のように、バンプ電極１１と接続されていない直列腕共振子Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１が、熱伝導性材料層５によりバンプ電極１１に接続されている場合には、さらに一層効果的に放熱性を改善することができる。
【００４０】
本実施形態においては、図１に示すように、直列腕共振子Ｓ１−１，Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４及び熱伝導性材料層５上に、さらに保護膜４が設けられている。保護膜４は、周波数を調整するために設けられている。
【００４１】
保護膜４を構成する材料としては、特に限定されないが、ＳｉＯ２や、ＳｉＮ等により形成することができる。
【００４２】
また、熱伝導性材料層５を構成する材料としては、熱伝導率が高い絶縁体であれば特に限定されず、例えば、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ダイヤモンド及びスカンジウムがドープされた窒化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも１種の誘電体を用いることができる。もっとも、ＳｉＮやＳｉＯ２等、保護膜４と同じ材料を用いてもよい。
【００４３】
熱伝導性材料層５の厚みとしては、特に限定されないが、保護膜４の厚みよりも厚いことが望ましい。具体的に、熱伝導性材料層５の厚みとしては、１μｍ〜６０μｍであることが好ましく、１μｍ〜１５μｍであることがより好ましい。熱伝導性材料層５の厚みが上記範囲内にある場合、より一層効果的に放熱性を高めることができる。実験により、熱伝導性材料層５の厚みが１μｍ以上あれば、より一層放熱効果が得られることが確認されている。熱伝導性材料層５による放熱効果は、熱伝導性材料層５の厚みを厚くすることで高められる。一方で、熱伝導性材料層５の厚みを６０μｍより厚く成膜する場合、製造工程でのウエハの反り等の問題が無視できなくなることがある。よって、熱伝導性材料層５の厚みが６０μｍ以下であれば、ウエハの反りをより一層抑制でき、製造工程の難易度を下げられるため好ましい。さらに、熱伝導性材料層５の厚みに応じて、バンプ電極１１の厚みを厚くしなければならない場合が発生する。バンプ電極１１の厚み増加に起因する誘導成分の増加は、フィルタ回路の減衰特性に悪影響を与える場合がある。減衰特性への悪影響をより一層確実に抑制するためには、熱伝導性材料層５の厚みが１μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。
【００４４】
以下、図４（ａ）及び図４（ｂ）の模式的断面図を参照して、圧電基板２上における、熱伝導性材料層５と、配線電極６又は保護膜４との位置関係について、より詳細に説明する。
【００４５】
図４（ａ）に示すように、配線電極６が設けられている領域においては、配線電極６上に熱伝導性材料層５が設けられており、その上に保護膜４が設けられている。また、図４（ｂ）に示す、配線電極６が設けられていない領域においては、圧電基板２上に熱伝導性材料層５及び保護膜４がこの順に積層されている。
【００４６】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極３の第１及び第２の電極指が弾性波伝搬方向において互いに重なる励振領域上には、熱伝導性材料層５が設けられていない。圧電基板２を平面視して、熱伝導性材料層５がＩＤＴ電極３の励振領域と重ならない位置に設けられているため、ＩＤＴ電極３の励振への熱伝導性材料層５の影響を抑制できる。圧電基板２を平面視して、熱伝導性材料層５が反射器と重ならない位置に設けられていることがさらに好ましい。ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上に、熱伝導性材料層５が設けられておらず、ＩＤＴ電極３の第１及び第２のバスバーの少なくとも一方上には、熱伝導性材料層５が設けられている構造で実施することが好ましい。
【００４７】
このように、本実施形態においては、配線電極６又は圧電基板２上に熱伝導性材料層５が設けられているため、ＩＤＴ電極３で発熱した場合においても、弾性波装置１の外部に放熱することができる。特に、バンプ電極１１に直接接続されていない直列腕共振子Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１についても、熱伝導性材料層５を介してバンプ電極１１に接続されているため、より一層効果的に放熱することができる。また、導電性を有する放熱経路がＩＤＴ電極の近傍に配置される構成では放熱経路が配線電極の機能を有する。この場合、配線電極とＩＤＴ電極３との間に容量成分または誘導成分が発生する課題がある。これに対して、本実施形態においては、絶縁性を有する放熱経路であるため、放熱経路とＩＤＴ電極３との間に発生する容量成分または誘導成分を低減できる。またさらに、熱伝導性材料層５は、ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上には設けられていないため、弾性表面波の励振が阻害されて共振子特性が低下するなどの電気的特性の劣化が生じ難い。熱伝導性材料層５が、ＩＤＴ電極３の第１のバスバーと実装電極とに接続されるように連続して形成されることが好ましい。第１のバスバーとバンプ電極とに電位差が存在する場合でも、絶縁性を有する熱伝導性材料層５では短絡が発生しない。具体的には、信号線路に接続される第１のバスバーとアース電位に接続されるバンプ電極とに熱伝導性材料層５が接続される場合、第１のバスバーとバンプ電極とのでの短絡が発生しない。従って、短絡の心配なく、第1のバスパーとバンプ電極とに熱伝導性材料層５を接続して放熱させることができる。特に、第１のバスバーと、第１のバスバーとの距離が最も短く、第１のバスバーと電位の異なるバンプ電極とに熱伝導性材料層５が接続されることが好ましい。第１のバスバーと電位の異なるバンプ電極が複数であってもよい。圧電基板を平面視して、第１、第２のバスバーと重なる位置、配線電極と重なる位置、および配線電極と配線電極との隙間の圧電基板部分と重なる位置とにのみ、熱伝導性材料層５が設けられることが好ましい。熱伝導性材料層５が、第１、第２のバスバー、配線電極に直接接触して設けられることがさらに好ましい。
【００４８】
図５（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図５（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。
【００４９】
図５（ａ）に示すように、第２の実施形態においては、圧電基板２上に配線電極６及び保護膜４がこの順に積層されており、保護膜４の上に熱伝導性材料層５が設けられている。また、図５（ｂ）に示すように、配線電極６が設けられていない領域においても、圧電基板２上に保護膜４及び熱伝導性材料層５がこの順に積層されている。その他の構造については、第１の実施形態に係る弾性波装置１と同じ構造を有している。
【００５０】
第２の実施形態においては、熱伝導性材料層５が配線電極６上に直接積層されていない。しかしながら、保護膜４上に熱伝導性材料層５が設けられているため、保護膜４及び熱伝導性材料層５を介して放熱することができる。また、第１の実施形態と同様に、熱伝導性材料層５は、ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上には設けられていないため、共振子特性などの電気的特性の劣化が生じ難い。従って、熱伝導性材料層５は、ＩＤＴ電極３の第１，第２の電極指上を除く、保護膜４上に形成されていてもよい。十分な放熱効果を得るため、熱伝導性材料層５が保護膜４以上の熱伝導率を備えることが好ましく、熱伝導性材料層５が保護膜４より高い熱伝導率を備えることがより好ましい。熱伝導率は材料によって変更することができる。
【００５１】
図６（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の配線電極が設けられている領域の模式的断面図であり、図６（ｂ）は、配線電極が設けられていない領域の模式的断面図である。
【００５２】
図６（ａ）に示すように、第３の実施形態においては、圧電基板２上に、熱伝導性材料層５、配線電極６及び保護膜４がこの順に積層されている。すなわち、第３の実施形態においては、圧電基板２と配線電極６とに挟まれるように、熱伝導性材料層５が設けられている。また、図６（ａ）及び図６（ｂ）では図示されていないが、ＩＤＴ電極３の第１，第２のバスバーの下部にも熱伝導性材料層５が設けられている。その他の構造は、第１の実施形態と同じである。
【００５３】
第３の実施形態においては、配線電極６の下部に接するように熱伝導性材料層５が設けられているため、ＩＤＴ電極３で発生した熱が熱伝導性材料層５を伝って、弾性波装置１の外部に放出される。詳細には、圧電基板２上に設けられたＩＤＴ電極３の励振により発生した熱が、配線電極６、バンプ電極１１を介して実装基板に伝わる。なお、熱伝導性材料層５は、圧電基板２と配線電極６とに挟まれるように設けられていてもよい。
【００５４】
なお、図４〜図６においては図示されていないが、本発明においては、圧電基板２の主面に向かって見て、ＩＤＴ電極３の第１，第２のバスバー、反射器、または配線電極６に隣接するように熱伝導性材料層５が設けられていてもよい。この場合においても、熱伝導性材料層５を介して、ＩＤＴ電極３で発生した熱を放出することができる。
【００５５】
本発明においては、上記のように、ＩＤＴ電極の励振領域及びバンプ電極上を除く領域の少なくとも一部に熱伝導性材料層が設けられているため、放熱性が高く、耐電力性に優れている弾性波装置を提供することができる。また、本発明に係る弾性波装置では、ＩＤＴ電極の第１，第２の電極指上に熱伝導性材料層が設けられていないため、共振子特性などの電気的特性が劣化し難い。熱伝導性材料層は、第１，第２の電極指上及びバンプ電極の導体上に設けられていない。
【００５６】
また、本発明では、上述したように、ラダー型のフィルタ回路において、バンプ電極に接続されていない直列腕共振子を、熱伝導性材料層を介してバンプ電極に接続させることで、より一層効果的に放熱性を高めることができる。従って、本発明に係る弾性波装置は、分波装置の送信フィルタとして好適に用いることができる。
【００５７】
次に、具体的な実験例につき説明する。
【００５８】
（実験例）
以下の条件で、ＬｉＴａＯ３基板上に、送信フィルタ及び受信フィルタを備える、分波装置を作製し、ＩＤＴ電極の最高温度を測定した。
【００５９】
・ＩＤＴ電極：Ａｌを主材料、厚み２００ｎｍ
・保護膜：ＳｉＯ２により形成、厚み３０ｎｍ
・配線電極：Ａｌを主材料、厚み３μｍ
・熱伝導性材料層：ＳｉＮにより形成
・熱伝導性材料層厚み：配線電極上では厚み１μｍ、配線電極のない圧電基板上では厚み４μｍ
・熱伝導性材料層パターン：ＩＤＴ電極の電極指及びバンプ電極以外の部分に作製
・バンプ電極を介してＰＣＢ基板を用いた実装基板に圧電基板を実装
・送信フィルタ共振子部に、０．８Ｗの電力を印加
・外部温度：２５℃
【００６０】
なお、同様の条件で熱伝導性材料層が設けられていないサンプルも併せて作製し、比較検討を行った。
【００６１】
熱伝導性材料層が設けられているサンプルは、熱伝導性材料層が設けられていないサンプルと比較して、バンプ電極に接続されていない直列腕共振子のＩＤＴ電極の最高温度が約１０℃低くなっていることを確認した。
【００６２】
熱伝導性材料層が設けられていない場合には、バンプ電極に配線を通して接続されないために放熱が効率よく行われず、他方、熱電導性材料層が設けられている場合には、熱伝導性材料層がバンプ電極までの熱流路となるために効率よく放熱されるものと考えられる。
【符号の説明】
【００６３】
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ…第１，第２のバスバー
３ｃ，３ｄ…第１，第２の電極指
４…保護膜
５…熱伝導性材料層
６…配線電極
７ａ…受信端子
７ｂ…アンテナ端子
７ｃ…送信端子
８ａ，８ｂ…アース端子
９，１０…反射器
１１…バンプ電極
Ｓ１−１，Ｓ１−２，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４−１，Ｓ４−２…直列腕共振子
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…並列腕共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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