(57)【要約】本発明のナフトトリアゾール誘導体は下記一般式（１）；【化１】2014132871.tif 000107で表され、式中、Ａｒ１は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、Ａは、芳香族複素環基を含む基である。この化合物は、電子の注入・輸送性能に優れ、正孔阻止能力を有し、薄膜状態での安定性が高く、高効率、高耐久性の有機エレクトロルミネッセンス阻止用の材料として有用である。
2014132871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるナフトトリアゾール誘導体；
【化１】
2014132871.tif 000103
式中、
Ａｒ１は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｒ１〜Ｒ５は、同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子
、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１ないし６のアル
キル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ａは、下記構造式（１ａ）で示される１価基を表す；
【化２】
2014132871.tif 000104
式中、
ｍは、０、１または２の整数を表し、
Ａｒ２は、芳香族複素環基を表し、
Ｒ６〜Ｒ９は、同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子
、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１ないし６のアル
キル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｘは炭素原子または窒素原子を表し、
ここで、Ｘが窒素原子である場合、この窒素原子を含む環におけ
るＲ９は、存在しないものとし、ｍが０である場合、Ａｒ２はトリ
アゾール環の窒素原子に直接結合しており、ｍが２である場合、複
数個存在するＲ６〜Ｒ９及びＸは、相互に同一でも異なっていても
良いものとする。
【請求項２】
前記式（１）中の基Ａｒ１は、ナフトトリアゾール環中のナフタレン環の４位に結合している請求項１に記載のナフトトリアゾール誘導体。
【請求項３】
前記一般式（１）において、構造式（１ａ）におけるｍが０である、請求項１記載のナフトトリアゾール誘導体。
【請求項４】
前記一般式（１）において、構造式（１ａ）におけるｍが１である、請求項１記載のナフトトリアゾール誘導体。
【請求項５】
前記一般式（１）において、構造式（１ａ）におけるｍが２である、請求項１記載のナフトトリアゾール誘導体。
【請求項６】
前記一般式（１）において、Ａが下記構造式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）のいずれかで示される１価基である、請求項１記載のナフトトリアゾール誘導体；
【化３】
2014132871.tif 000105
前記式中、Ｒ６〜Ｒ９及びＡｒ２は、前記構造式（１ａ）に示したとおりの意味である。
【請求項７】
前記一般式（１）において、構造式（１ａ）におけるＡｒ２がピリジル基である、請求項１記載のナフトトリアゾール誘導体。
【請求項８】
前記一般式（１）中のＡが、下記構造式（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）、（Ａ−７）のいずれかで示される１価基である、請求項１記載のナフトトリアゾール誘導体；
【化４】
2014132871.tif 000106
【請求項９】
一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記請求項１に記載のナフトトリアゾール誘導体が、少なくとも１つの有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記有機層が電子輸送層である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記した有機層が正孔阻止層である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記した有機層が発光層である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
前記した有機層が電子注入層である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なナフトトリアゾール誘導体、より詳細には、ナフトトリアゾール環構造が導入されている新規なナフトトリアゾール誘導体及び該誘導体を含む有機層を電極間に備えている有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶことがある）は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であるため、活発な研究がなされてきた。【０００３】
１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは各種の役割を各材料に分担した積層構造素子を開発することにより有機材料を用いた有機ＥＬ素子を実用的なものにした。かかる有機ＥＬ素子は、電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層することにより構成されるものであり、両方の電荷を蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ２以上の高輝度が得られるというものである。【０００４】
現在まで、有機ＥＬ素子の実用化のために多くの改良がなされている。例えば、積層構造の各種の役割がさらに細分化され、基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極がこの順に設けられた構造のものが知られており、このような素子では、高効率と耐久性が達成されている。
また、発光効率のさらなる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光性化合物の利用も検討されている。【０００５】
有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、電子の移動速度より正孔の移動速度が速いため、正孔の一部が発光層を通り抜けてしまうことによる効率低下が問題となる。そのため電子の移動速度の速い電子輸送材料が求められている。【０００６】
代表的な発光材料であるトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以後、Ａｌｑ３と略称する）は電子輸送材料としても一般的に用いられるが、電子の移動度が遅く、また仕事関数が５．６ｅＶなので正孔阻止性能が十分とは言えない。【０００７】
正孔の一部が発光層を通り抜けてしまうことを防ぎ、発光層での電荷再結合の確率を向上させる方策には、正孔阻止層を挿入する方法がある。【０００８】
このような正孔阻止層の形成に使用される正孔阻止材料としては、例えば特許文献１に、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（以後、ＴＡＺと略称する）が開示されている。【０００９】
また、正孔阻止材料としては、バソクプロイン（以後、ＢＣＰと略称する）、アルミニウムの混合配位子錯体、例えばアルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（以後、ＢＡｌｑと略称する）も知られている。【００１０】
ＴＡＺは仕事関数が６．６ｅＶと大きく正孔阻止能力が高いために、真空蒸着や塗布などによって作製される蛍光発光層や燐光発光層の、陰極側に積層する電子輸送性の正孔阻止層として使用され、有機ＥＬ素子の高効率化に寄与している。【００１１】
しかしながら、ＴＡＺは電子輸送性が低いため、より電子輸送性の高い電子輸送材料と組み合わせて使用することが必要であった。また、ＢＣＰは、仕事関数が６．７ｅＶと大きく正孔阻止能力が高いものの、ガラス転移点(Ｔｇ)が８３℃と低いことから、薄膜の安定性に乏しく、安定に機能する正孔阻止層の形成には未だ改善の余地がある。
また、特許文献２には、一般的な電子輸送性化合物が開示されているが、このような電子輸送性化合物においても、膜安定性が不足しているか或いは正孔の阻止する機能が不十分である。【００１２】
従って、有機エレクトロルミネッセンス素子の素子特性を改善させるために、電子の注入・輸送性能と正孔阻止能力に優れ、薄膜状態での安定性が高い有機化合物が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第２７３４３４１号公報
【特許文献２】ＷＯ２００３／０６０９５６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、高効率、高耐久性の有機エレクトロルミネッセンス素子用の材料として、電子の注入・輸送性能に優れ、正孔阻止能力を有し、薄膜状態での安定性が高い優れた特性を有する新規な有機化合物を提供することにある。【００１５】
本発明の目的は、上記の有機化合物を用いて形成された有機層を備え、高効率、高耐久性の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは上記の目的を達成するために、電子親和性である芳香族複素環のヘテロ原子が金属に配位する能力を有していること、ナフトトリアゾール環構造が高い電子輸送能力を有していること、芳香族複素環、特にナフトトリアゾール環構造が耐熱性に優れているということなどに着目して、ナフトトリアゾール環構造を有する化合物を設計して化学合成し、該化合物を用いて種々の有機エレクトロルミネッセンス素子を試作し、素子の特性評価を鋭意行なった結果、高い効率及び高い耐久性が得られることを確認し、本発明を完成するに至った。【００１７】
本発明によれば、下記一般式（１）で表されるナフトトリアゾール誘導体が提供される。
【化１】
2014132871.tif 000003
式中、
Ａｒ１は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｒ１〜Ｒ５は、同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ
素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１ないし６のアルキル基、芳香
族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ａは、下記構造式（１ａ）で示される１価基を表し、
【化２】
2014132871.tif 000004
式中、
ｍは、０、１または２の整数を表し、
Ａｒ２は、芳香族複素環基を表し、
Ｒ６〜Ｒ９は、同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ
素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１ないし６のアルキル基、芳香
族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ｘは炭素原子または窒素原子を表し、
ここで、Ｘが窒素原子である場合、この窒素原子を含む環におけるＲ９
は、存在しないものとし、ｍが０である場合、Ａｒ２はトリアゾール環の
窒素原子に直接結合しており、ｍが２である場合、複数個存在するＲ６〜
Ｒ９及びＸは、相互に同一でも異なっていても良いものとする。【００１８】
本発明によれば、また、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも１つの層は、前記ナフトトリアゾール誘導体を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。【００１９】
本発明の有機ＥＬ素子においては、前記ナフトトリアゾール誘導体を含む有機層として、例えば、電子輸送層、正孔阻止層、発光層或いは電子注入層を有する。
【発明の効果】
【００２０】
前述した一般式（１）で表される本発明のナフトトリアゾール誘導体は、新規な化合物であり、ナフトトリアゾール環と芳香族複素環とを有している。このような構造を有するナフトトリアゾール誘導体は、次の特性を有している。
（Ａ）電子の注入特性が良いこと。
（Ｂ）電子の移動速度が速いこと。
（Ｃ）正孔阻止能力に優れること。
（Ｄ）薄膜状態が安定であること。
（Ｅ）耐熱性に優れていること。【００２１】
従って、本発明のナフトトリアゾール誘導体は、薄膜状態が安定であることから、有機エレクトロルミネッセンス素子の電極間に設けられる有機層として利用され、しかも、有機ＥＬ素子に次の様な特性を付与することができる。
（Ｆ）発光効率および電力効率が高いこと。
（Ｇ）発光開始電圧が低いこと。
（Ｈ）実用駆動電圧が低いこと。
（Ｉ）素子寿命が長いこと（高い耐久性を示す）。【００２２】
例えば、本発明のナフトトリアゾール誘導体を用いて電子注入層及び／または電子輸送層が形成されている有機ＥＬ素子は、電子注入・移動速度が速く、電子輸送層から発光層への電子輸送効率が向上しているため、高い発行効率を示すと共に、駆動電圧が低下しており、高い耐久性を示す。【００２３】
また、本発明のナフトトリアゾール誘導体を用いて形成された正孔阻止層を有する有機ＥＬ素子は、正孔の阻止能力と電子輸送性に優れていることから、高い発行効率を有しながら、駆動電圧が低下し、電流耐性が改善されており、最大発高輝度が向上している。【００２４】
さらに、本発明のナフトトリアゾール誘導体は電子輸送性に優れ、かつバンドギャップが広いという特性も有していることから、発光層のホスト材料として用いることができ、例えば、ドーパントと呼ばれている蛍光体や燐光発光体を担持させて発光層として用いることにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下せしめ、発光効率を向上させることができる。【００２５】
このように、本発明のナフトトリアゾール誘導体は、有機ＥＬ素子の電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層あるいは発光層の構成材料として有用であり、有機ＥＬ素子の発光効率および電力効率を向上させ、実用駆動電圧を低くさせ、低い発行開始電圧を実現し、耐久性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施例１の化合物（化合物９）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図２】実施例２の化合物（化合物７４）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図３】実施例３の化合物（化合物７６）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図４】実施例４の化合物（化合物７５）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図５】実施例５の化合物（化合物７７）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図６】実施例６の化合物（化合物５３）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図７】実施例７の化合物（化合物７８）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図８】実施例８の化合物（化合物７９）の１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。
【図９】有機ＥＬ素子の層構造の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の新規ナフトトリアゾール誘導体は、下記一般式（１）で表されるものであり、ナフトトリアゾール環の窒素原子に芳香族複素環基Ａｒ２が、直接または２価の基を介して結合している構造を有している。
【化３】
2014132871.tif 000005
【００２８】
＜基Ａｒ１＞
上記の一般式（１）中、Ａｒ１は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。かかる芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、単環構造を有するものであってもよいし、縮合多環構造を有するものであってもよい。
これらの芳香族基（芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基）の例としては、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、トリアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基等を挙げることができる。
【００２９】
また、上記の芳香族基は、置換基を有してもよい。
このような置換基としては、重水素原子；フッ素原子；塩素原子；シアノ基；トリフルオロメチル基；水酸基；ニトロ基；炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基；環状アルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基）；炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基；炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を置換基として有するジアルキル置換アミノ基；フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基、スチリル基等のアリール基；ピリジル基、ピリドインドリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾチアゾリル基等の芳香族複素環基；などをあげることができ、これらの置換基はさらに、前記例示した置換基を有していてもよい。
尚、上記置換基におけるアルキル基やアルコキシ基は、以下に述べる一般式（１）中のＲ１〜Ｒ５で例示されているものと同じものであってよい。
【００３０】
＜基Ｒ１〜Ｒ５＞
一般式（１）中のＲ１〜Ｒ５は、同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１ないし６のアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
上記の炭素原子数１ないし６のアルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、３−メチルブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｉｓｏ−ヘキシル基およびｔｅｒｔ−ヘキシル基を挙げることができる。
【００３１】
また、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、単環構造を有するものであってもよいし、縮合多環構造を有するものであってもよく、これらの芳香族基の例としては、Ａｒ１が示す芳香族基と同じものを挙げることができる。
【００３２】
さらに、上記の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、置換基を有してもよい。このような置換基としては、Ａｒ１の芳香族基が有してもよい置換基と同じものを挙げることができる。
【００３３】
＜基Ａ＞
一般式（１）において、ナフトトリアゾール環中の窒素原子に結合している一価の基Ａは、芳香族複素環基（Ａｒ２）を含む基であり、具体的には、下記構造式（１ａ）で表される。
【化４】
2014132871.tif 000006
【００３４】
上記構造式（１ａ）中、ｍは、０、１または２の整数を表す。
また、Ａｒ２は、芳香族複素環基を表し、Ｒ６〜Ｒ９は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１ないし６のアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
更に、Ｘは、炭素原子または窒素原子を表し、Ｘが窒素原子である場合、この窒素原子を含む環におけるＲ９は、存在しないものとし、ｍが０である場合、Ａｒ２はトリアゾール環の窒素原子に直接結合しており、ｍが２である場合、複数個存在するＲ６〜Ｒ９及びＸは、相互に同一でも異なっていても良いものとする。
【００３５】
上記の構造式（１ａ）中、Ａｒ２で表される芳香族複素環基としては、トリアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基のような基をあげることができる。
これらの中で、トリアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基などの含窒素芳香族複素環基が好ましく、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基がより好ましく、更に、ピリジル基が最も好ましい。
【００３６】
また、上記のＡｒ２で表される芳香族複素環基は、置換基を有してもよく、具体的には、一般式（１）におけるＡｒ１が有してもよい置換基と同じものを例示することができる。
また、上記でも述べたように、ｍが０であるとき、Ａｒ２（芳香族複素環基）は、トリアゾール環の窒素原子に直接結合するものである。
【００３７】
構造式（１ａ）中のＲ６〜Ｒ９における炭素原子数１ないし６のアルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよく、その具体例は、一般式（１）中のＲ１〜Ｒ５で表されるアルキル基の例として挙げたものと同じものである。
【００３８】
構造式（１ａ）中のＲ６〜Ｒ９における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、単環構造を有するものであってもよいし、縮合多環構造を有するものであってもよい。
これらの芳香族基の例としては、一般式（１）中のＡｒ１で表される芳香族基と同じものをあげることができる。
【００３９】
また、上記のＲ６〜Ｒ９で表される芳香族基（芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基）は、置換基を有してもよい。これらの置換基としては、一般式（１）におけるＡｒ１が有してもよい置換基と同じものを例示することができる。
【００４０】
上述した一般式（１）で表される本発明のナフトトリアゾール誘導体は、例えば、以下の方法で合成できる。
まず、１，２−ジアミノナフタレン誘導体とニトロ基を有する芳香族複素環誘導体より、既知の方法によって、アミノアリールアゾナフタレン誘導体を合成する。
このアミノアリールアゾナフタレン誘導体をヨードベンゼンジアセテートによる酸化的環化反応を行うことによって、２−アリールナフトトリアゾール誘導体を合成する（例えば、Ａｕｓｔ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，４５，３７１（１９９２）参照）。
このようにして得られた２−アリールナフトトリアゾール誘導体と種々のアリールボロン酸誘導体をＳｕｚｕｋｉカップリングなどのクロスカップリング反応を行うことによって、一般式（１）で表される本発明のナフトトリアゾール誘導体を合成することができる。
【００４１】
得られた化合物の精製は、カラムクロマトフラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土などによる吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法などによって行われる。また、化合物の同定は、ＮＭＲ分析により行われる。
【００４２】
このような本発明のナフトトリアゾール誘導体の中で好適なものの多くは、一般式（１）中のＡｒ１がナフトトリアゾール環の５位（ナフトトリアゾール環中のナフタレン環の４位）に結合しているタイプのものであり、例えば、下記一般式（１−１）で表される。
【化５】
2014132871.tif 000007
上記の一般式（１−１）中、Ａｒ１、Ｒ１〜Ｒ５及び一価の基Ａは、其々、一般式（１）で示した通りである。
【００４３】
また、本発明においては、上記の一般式（１）中、Ａが下記の構造式（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）で表されるナフトトリアゾール誘導体が好ましい。
【化６】
2014132871.tif 000008
【００４４】
上記の一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）中、Ａｒ２、Ｒ６〜Ｒ９は、其々、構造式（１ａ）で示した通りである。
【００４５】
即ち、上記構造式（Ａ−１）は、構造式（１ａ）で表される基Ａ中のｍが１であり、このような構造式で表される基Ａを有するベンゾトリアゾール誘導体は、芳香族複素環基Ａｒ２が、ベンゼン環（Ｘ＝Ｃ）を介してナフトトリアゾール環中の窒素原子に連なっている。
また、構造式（Ａ−２）は、構造式（１ａ）中のｍが２の整数であり、このような構造式で表される基Ａを有するベンゾトリアゾール誘導体は、芳香族複素環基Ａｒ２が、ベンゼン環（Ｘ＝Ｃ）及びピリジン環（Ｘ＝Ｎ）を介してナフトトリアゾール環中の窒素原子に連なっている。
さらに、上記構造式（Ａ−３）も、構造式（１ａ）中のｍが２であるが、このような構造式で表される基Ａを有するベンゾトリアゾール誘導体は、芳香族複素環基Ａｒ２が、２つのベンゼン環（Ｘ＝Ｃ）を介してナフトトリアゾール環中の窒素原子に連なっている。
【００４６】
本発明においては、上記の一般式（１）中のＡが下記の構造式（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）或いは（Ａ−７）で表されるナフトトリアゾール誘導体が最も好ましい。
【００４７】
【化７】
2014132871.tif 000009
【００４８】
以下に本発明のナフトトリアゾール誘導体の具体例を示すが、勿論、本発明は、この具体例に限定されるものではない。
尚、以下の具体例においては、基Ａを示す構造式（１ａ）のｍの値及びＸの種類を示し、さらに、該誘導体を示す式の番号と共に、基Ａを示す式の番号を併せて付した。
【００４９】
【化８】
2014132871.tif 000010
ｍ＝２、Ｘ＝Ｃ、Ｎ
式（１−１）、（Ａ−２）
【００５０】
【化９】
2014132871.tif 000011
ｍ＝２、Ｘ＝Ｃ、Ｎ
式（１−１）、（Ａ−２）
【００５１】
【化１０】
2014132871.tif 000012
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００５２】
【化１１】
2014132871.tif 000013
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００５３】
【化１２】
2014132871.tif 000014
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００５４】
【化１３】
2014132871.tif 000015
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００５５】
【化１４】
2014132871.tif 000016
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００５６】
【化１５】
2014132871.tif 000017
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００５７】
【化１６】
2014132871.tif 000018
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００５８】
【化１７】
2014132871.tif 000019
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００５９】
【化１８】
2014132871.tif 000020
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００６０】
【化１９】
2014132871.tif 000021
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００６１】
【化２０】
2014132871.tif 000022
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００６２】
【化２１】
2014132871.tif 000023
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００６３】
【化２２】
2014132871.tif 000024
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００６４】
【化２３】
2014132871.tif 000025
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００６５】
【化２４】
2014132871.tif 000026
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００６６】
【化２５】
2014132871.tif 000027
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００６７】
【化２６】
2014132871.tif 000028
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００６８】
【化２７】
2014132871.tif 000029
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００６９】
【化２８】
2014132871.tif 000030
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００７０】
【化２９】
2014132871.tif 000031
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００７１】
【化３０】
2014132871.tif 000032
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００７２】
【化３１】
2014132871.tif 000033
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００７３】
【化３２】
2014132871.tif 000034
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００７４】
【化３３】
2014132871.tif 000035
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００７５】
【化３４】
2014132871.tif 000036
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００７６】
【化３５】
2014132871.tif 000037
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００７７】
【化３６】
2014132871.tif 000038
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００７８】
【化３７】
2014132871.tif 000039
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００７９】
【化３８】
2014132871.tif 000040
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００８０】
【化３９】
2014132871.tif 000041
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００８１】
【化４０】
2014132871.tif 000042
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００８２】
【化４１】
2014132871.tif 000043
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００８３】
【化４２】
2014132871.tif 000044
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００８４】
【化４３】
2014132871.tif 000045
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００８５】
【化４４】
2014132871.tif 000046
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００８６】
【化４５】
2014132871.tif 000047
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００８７】
【化４６】
2014132871.tif 000048
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００８８】
【化４７】
2014132871.tif 000049
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００８９】
【化４８】
2014132871.tif 000050
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００９０】
【化４９】
2014132871.tif 000051
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００９１】
【化５０】
2014132871.tif 000052
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００９２】
【化５１】
2014132871.tif 000053
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００９３】
【化５２】
2014132871.tif 000054
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００９４】
【化５３】
2014132871.tif 000055
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００９５】
【化５４】
2014132871.tif 000056
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【００９６】
【化５５】
2014132871.tif 000057
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００９７】
【化５６】
2014132871.tif 000058
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【００９８】
【化５７】
2014132871.tif 000059
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【００９９】
【化５８】
2014132871.tif 000060
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１００】
【化５９】
2014132871.tif 000061
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１０１】
【化６０】
2014132871.tif 000062
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１０２】
【化６１】
2014132871.tif 000063
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１０３】
【化６２】
2014132871.tif 000064
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１０４】
【化６３】
2014132871.tif 000065
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１０５】
【化６４】
2014132871.tif 000066
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１０６】
【化６５】
2014132871.tif 000067
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１０７】
【化６６】
2014132871.tif 000068
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１０８】
【化６７】
2014132871.tif 000069
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１０９】
【化６８】
2014132871.tif 000070
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１１０】
【化６９】
2014132871.tif 000071
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１１１】
【化７０】
2014132871.tif 000072
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１１２】
【化７１】
2014132871.tif 000073
ｍ＝０、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）
【０１１３】
【化７２】
2014132871.tif 000074
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）
【０１１４】
【化７３】
2014132871.tif 000075
ｍ＝１、Ｘ＝Ｎ
式（１−１）
【０１１５】
【化７４】
2014132871.tif 000076
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１１６】
【化７５】
2014132871.tif 000077
ｍ＝１、Ｘ＝Ｎ
式（１−１）
【０１１７】
【化７６】
2014132871.tif 000078
ｍ＝２、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−３）
【０１１８】
【化７７】
2014132871.tif 000079
ｍ＝０、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）
【０１１９】
【化７８】
2014132871.tif 000080
ｍ＝０、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）
【０１２０】
【化７９】
2014132871.tif 000081
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１２１】
【化８０】
2014132871.tif 000082
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）
【０１２２】
【化８１】
2014132871.tif 000083
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１２３】
【化８２】
2014132871.tif 000084
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１２４】
【化８３】
2014132871.tif 000085
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【０１２５】
【化８４】
2014132871.tif 000086
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−４）
【０１２６】
【化８５】
2014132871.tif 000087
ｍ＝２、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−３）、（Ａ−７）
【０１２７】
【化８６】
2014132871.tif 000088
ｍ＝２、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−３）、（Ａ−７）
【０１２８】
上述した本発明のナフトトリアゾール誘導体は、ガラス転移点（Ｔｇ）が高く、耐熱性に優れた薄膜を形成することができ、しかもアモルファス状態が安定に維持され、薄膜状態を安定に保持することができる。さらには、電子の注入速度が良く、電子の移動速度が速いことに加え、高い正孔阻止能力を示す。例えば、本発明の化合物を用いて１００ｎｍ厚みの蒸着膜を形成し、その仕事関数を測定すると、極めて高い値を示す。
従って、本発明のナフトトリアゾール誘導体は、有機ＥＬ素子が有する有機層の形成材料として極めて有用である。
【０１２９】
＜有機ＥＬ素子＞
上述した本発明のナフトトリアゾール誘導体を用いて形成される有機層を備えた有機ＥＬ素子は、例えば図９に示す構造を有している。
即ち、ガラス基板１（透明樹脂基板など、透明基板であればよい）の上に、透明陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９が設けられている。
勿論、本発明のナフトトリアゾール誘導体が適用される有機ＥＬ素子は、上記の層構造に限定されるものではなく、正孔輸送層４と発光層５との間に電子阻止層などを設けることができる。また、電子注入層８や正孔注入層３などを省略したシンプルな層構造とすることができる。例えば、上記の多層構造において、いくつかの層を省略することもできる。例えば基板１上に、陽極２、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層７及び陰極９を設けたシンプルな層構造とすることもできる。
【０１３０】
即ち、本発明のナフトトリアゾール誘導体は、上記の陽極２と陰極９との間に設けられる有機層（例えば発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７或いは電子注入層８）の形成材料として好適に使用される。
【０１３１】
上記の有機ＥＬ素子において、透明陽極２は、それ自体公知の電極材料で形成されていてよく、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料を基板１（ガラス基板等の透明基板）上に蒸着することにより形成される。
【０１３２】
また、透明陽極２上に設けられている正孔注入層３としては、従来公知の材料、例えば以下の材料を用いて形成することもできる。
銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物；
スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体；
単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有するアリールアミン（例えば、トリフェニルアミン３量体及び４量体）；
ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物；
塗布型の高分子材料、例えばポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（スチレンスルフォネート）（ＰＳＳ）等。
【０１３３】
上記の材料を用いての層（薄膜）の形成は、蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法などにより成膜することができる。以下に述べる各種の層も同様に、蒸着やスピンコート、インクジェットなどにより成膜することができる。
【０１３４】
上記の正孔注入層３の上に設けられている正孔輸送層４も従来公知の正孔輸送材料を用いて形成することができる。このような正孔輸送材料として代表的なものは、次のとおりである。
ベンジジン誘導体、例えば、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン
（以下、ＴＰＤと略す）；
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン
（以下、ＮＰＤと略す）；
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジン；
アミン系誘導体
１，１−ビス［４−(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］シクロヘキサン
（以下、ＴＡＰＣと略す）；
種々のトリフェニルアミン３量体および４量体；
正孔注入層用としても使用される上記の塗布型高分子材料；
【０１３５】
このような正孔輸送層の化合物は、それぞれ単独で成膜してもよいが、２種以上混合して成膜することもできる。また、上記化合物の１種または複数種を用いて複数の層を形成し、このような層が積層された多層膜を正孔輸送層とすることもできる。
【０１３６】
また、正孔注入層３と正孔輸送層４とを兼ねた層とすることもでき、このような正孔注入・輸送層は、ＰＥＤＯＴなどの高分子材料を用いてコーティングにより形成することができる。
【０１３７】
尚、正孔輸送層４（正孔注入層３も同様）において、該層に通常使用される材料に対し、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモンなどをＰドーピングしたものを使用することができる。また、ＴＰＤ基本骨格を有する高分子化合物などを用いて正孔輸送層４（或いは正孔注入層３）を形成することができる。
【０１３８】
さらに、図示されていない電子阻止層（正孔輸送層４と発光層５との間に設けることができる）は、電子阻止作用を有する公知の電子阻止性化合物、例えば、カルバゾール誘導体や、トリフェニルシリル基を有し且つトリアリールアミン構造を有する化合物などを用いて形成することもできる。カルバゾール誘導体及びトリアリールアミン構造を有する化合物の具体例は、以下の通りである。
＜カルバゾール誘導体＞
４，４’,４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン
（以下、ＴＣＴＡと略す）；
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］
フルオレン；
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン
（以下、ｍＣＰと略す）；
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン
(以下、Ａｄ−Ｃｚと略す)；
＜トリアリールアミン構造を有する化合物＞
９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；
【０１３９】
電子阻止層は、上記のような公知の電子阻止性材料を１種単独或いは２種以上を用いて形成されるが、これらの電子阻止性材料の１種または複数種を用いて複数の層を形成し、このような層が積層された多層膜を電子阻止層とすることもできる。
【０１４０】
有機ＥＬ素子の発光層５として、本発明のナフトトリアゾール誘導体を発光材料として用いて形成することができるが、Ａｌｑ３をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、亜鉛やベリリウム、アルミニウムなどの各種の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体などの発光材料を用いて形成することができる。
【０１４１】
また、発光層５をホスト材料とドーパント材料とで構成することもできる。
この場合のホスト材料として、上記の発光材料に加え、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを使用することができる。
ドーパント材料としては、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることができる。
【０１４２】
このような発光層５も、各発光材料の１種或いは２種以上を用いた単層構成とすることもできるし、複数の層を積層した多層構造とすることもできる。
【０１４３】
さらに、発光材料として燐光発光材料を使用して発光層５を形成することもできる。
燐光発光材料としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体を使用することができる。例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体などを用いることができ、これらの燐光発光材料は、正孔注入・輸送性のホスト材料や電子輸送性のホスト材料にドープして使用される。
【０１４４】
正孔注入・輸送性のホスト材料としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（以後、ＣＢＰと略称する）、ＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などを用いることができる。
また、電子輸送性のホスト材料としては、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン(以後、ＵＧＨ２と略称する)や２，２’,２’’−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（以後、ＴＰＢIと略称する）などを用いることができる。
【０１４５】
尚、燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。
【０１４６】
また、発光材料としてＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である。（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３０２（２０１１）参照）。
【０１４７】
発光層５と電子輸送層７との間に設ける正孔阻止層６として、本発明のナフトトリアゾール誘導体の他、それ自体公知の正孔阻止作用を有する化合物を用いて形成することができる。
このような正孔阻止作用を有する公知化合物の例としては、以下のものをあげることができる。
バソクプロイン（以後、ＢＣＰと略称する）などのフェナントロリン
誘導体；
アルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−
フェニルフェノレート（以後、ＢＡｌｑと略称する）などのキノリノー
ル誘導体の金属錯体；
各種希土類錯体；
トリアゾール誘導体；
トリアジン誘導体；
オキサジアゾール誘導体。
これらの材料は、以下に述べる電子輸送層７の形成にも使用することができ、さらには、この正孔阻止層６と電子輸送層７とを兼用させることもできる。
【０１４８】
このような正孔阻止層６も、単層或いは多層の積層構造とすることができ、各層は、上述した正孔阻止作用を有する化合物の１種或いは２種以上を用いて成膜される。
【０１４９】
電子輸送層７は、本発明のナフトトリアゾール誘導体の他、それ自体公知の電子輸送性の化合物、例えば、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体のほか、各種金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いて形成される。
この電子輸送層７も、単層或いは多層の積層構造とすることができ、各層は、上述した電子輸送性化合物の１種或いは２種以上を用いて成膜される。
【０１５０】
さらに、電子注入層８も、本発明のナフトトリアゾール誘導体の他、それ自体公知のもの、例えば、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いて形成することができる。
【０１５１】
有機ＥＬ素子の陰極９としては、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。
【０１５２】
本発明のナフトトリアゾール誘導体を用いて有機層の少なくとも一つ（例えば電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６あるいは発光層５）が形成されている有機ＥＬ素子は、発光効率および電力効率が高く、実用駆動電圧が低く、発光開始電圧も低く、極めて優れた耐久性を有している。
【０１５３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１５４】
＜実施例１＞
５−｛１０−（ナフタレン−１−イル）アントラセン−９−イル｝−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物９の合成）
【化８７】
2014132871.tif 000089
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１５５】
１−ブロモ−４−ニトロベンゼン  ５０ｇ
３−ピリジンボロン酸  ３１．９ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  ３０９ｍｌ
トルエン  ２００ｍｌ
エタノール  ４０ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  １１．０g
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら１４時間加熱還流した。反応液を濃縮し、析出する結晶をろ過によって採取した。イソプロパノールで分散洗浄することによって、３−（４−ニトロフェニル）ピリジンの灰色の粉末状結晶４３．５ｇ（収率８８．８％）を得た。
【０１５６】
上記で得られた３−（４−ニトロフェニル）ピリジン  ３．５ｇ
４−ブロモ−１，２−ジアミノナフタレン  ４．０ｇ
苛性ソーダ  １．４ｇ
トルエン  ５０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら７時間加熱還流した。
トルエン１００ｍｌを加えて抽出し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、４−ブロモ−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニルアゾ｝ナフチル−１−アミン（第１の中間ハロゲン化物）の赤色の粉末状結晶２．１４ｇ（収率３０．３％）を得た。
【０１５７】
上記で得られた第１の中間ハロゲン化物  ２．０ｇ
ヨードベンゼンジアセテート  ２．６ｇ
トルエン  ２０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加えて加熱し、９２℃で１時間攪拌した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−ブロモ−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（第２の中間ハロゲン化物）の白色の粉末状結晶１．２ｇ（収率６０．６％）を得た。
【０１５８】
上記の第２の中間ハロゲン化物  ４．０ｇ
｛１０−（ナフタレン−１−イル）アントラセン−９−イル｝ボロン酸
３．８ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １５ｍｌ
トルエン  ４０ｍｌ
エタノール  １６ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．１ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら９．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−｛１０−（ナフタレン−１−イル）アントラセン−９−イル｝−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物９）の淡黄色粉体４．１８ｇ（収率６７．０％）を得た。
【０１５９】
得られた淡黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１に示した。
【０１６０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の２８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８（１Ｈ）
８．８７（１Ｈ）
８．６７（１Ｈ）
８．６１（１Ｈ）
８．１１（２Ｈ）
８．０５（２Ｈ）
８．００（１Ｈ）
７．８４（２Ｈ）
７．７６−７．６６（６Ｈ）
７．５３−７．２１（１１Ｈ）
【０１６１】
＜実施例２＞
５−（９，１０−ジフェニルアントラセン−２−イル）−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物７４の合成）
【化８８】
2014132871.tif 000090
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１６２】
実施例１で合成した第２の中間ハロゲン化物  ５．５９ｇ
｛９，１０−ジフェニルアントラセン−２−イル｝ボロン酸  
６．２５ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １４ｍｌ
１，４−ジオキサン  ５６ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．６４ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら４．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−（９，１０−ジフェニルアントラセン−２−イル）−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物７４）の淡黄白色粉体６．３６ｇ（収率７０．２％）を得た。
【０１６３】
得られた淡黄白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図２に示した。
【０１６４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８）で以下の３０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８（１Ｈ）
８．６９（１Ｈ）
８．５８（１Ｈ）
８．５３（２Ｈ）
８．０８（１Ｈ）
７．９４（２Ｈ）
７．９１（１Ｈ）
７．８８（１Ｈ）
７．８５（１Ｈ）
７．７４−７．６６（６Ｈ）
７．６０−７．５３（９Ｈ）
７．４６（１Ｈ）
７．４２（１Ｈ）
７．３７（１Ｈ）
【０１６５】
＜実施例３＞
５−（９，１０−ジフェニルアントラセン−２−イル）−２−｛４−（ピリジン−４−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物７６の合成）
【化８９】
2014132871.tif 000091
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−６）
【０１６６】
１−ブロモ−４−ニトロベンゼン  ５０ｇ
４−ピリジンボロン酸  ３１．９ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  ３０９ｍｌ
トルエン  ２００ｍｌ
エタノール  ４０ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  １１．０g
を窒素置換した反応容器に、加え、攪拌しながら１４時間加熱還流した。
反応液を濃縮し、析出する結晶をろ過によって採取した。イソプロパノールで分散洗浄することによって、４−（４−ニトロフェニル）ピリジンの灰色の粉末状結晶４１．８ｇ（収率８５．４％）を得た。
【０１６７】
上記の４−（４−ニトロフェニル）ピリジン  ３．５ｇ
４−ブロモ−１，２−ジアミノナフタレン  ４．０ｇ
苛性ソーダ  １．４ｇ
トルエン  ５０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら７時間加熱還流した。
トルエン１００ｍｌを加えて抽出し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、４−ブロモ−２−｛４−（ピリジン−４−イル）フェニルアゾ｝ナフチル−１−アミン（第１の中間ハロゲン化物）の赤色の粉末状結晶２．２ｇ（収率３１．５％）を得た。
【０１６８】
上記の第１の中間ハロゲン化物  ２．０ｇ
ヨードベンゼンジアセテート  ２．６ｇ
トルエン  ２０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加えて加熱し、９２℃で１時間攪拌した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−ブロモ−２−｛４−（ピリジン−４−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（第２の中間ハロゲン化物）の白色の粉末状結晶１．１ｇ（収率５７．８％）を得た。
【０１６９】
上記の第２の中間ハロゲン化物  ５．５９ｇ
｛９，１０−ジフェニルアントラセン−２―イル｝ボロン酸  ６．２５g
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １４ｍｌ
１，４−ジオキサン  ５６ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．６４ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら４．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−（９，１０−ジフェニルアントラセン−２−イル）−２−｛４−（ピリジン−４−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物７６）の淡黄白色粉体６．３９ｇ（収率７０．５％）を得た。
【０１７０】
得られた淡黄白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図３に示した。
【０１７１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８）で以下の３０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．６９（１Ｈ）
８．６５（２Ｈ）
８．５４（２Ｈ）
８．０２（２Ｈ）
７．９０（１Ｈ）
７．８８（１Ｈ）
７．８４（１Ｈ）
７．７４−７．６１（８Ｈ）
７．６０−７．５３（９Ｈ）
７．４６（１Ｈ）
７．３７（２Ｈ）
【０１７２】
＜実施例４＞
５−｛９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル｝−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物７５の合成）
【化９０】
2014132871.tif 000092
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１７３】
実施例１で合成した第２の中間ハロゲン化物  ３．０ｇ
｛９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル
｝ボロン酸  ６．２ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １１ｍｌ
トルエン  ４４ｍｌ
エタノール  １１ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．１ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら２２．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−｛９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル｝−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物７５）の淡黄白色粉体３．１５ｇ（収率５６．１％）を得た。
【０１７４】
得られた淡黄白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図４に示した。
【０１７５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９２（１Ｈ）
８．６７（１Ｈ）
８．６３（１Ｈ）
８．４５（２Ｈ）
８．１４（１Ｈ）
８．１０（１Ｈ）
８．０６（３Ｈ）
７．９３（７Ｈ）
７．８０−７．６３（１０Ｈ）
７．５４−７．５０（４Ｈ）
７．４０（１Ｈ）
７．３６（２Ｈ）
【０１７６】
＜実施例５＞
５−｛９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル｝−２−｛４−（ピリジン−２−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物７７の合成）
【化９１】
2014132871.tif 000093
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−４）
【０１７７】
１−ブロモ−４−ニトロベンゼン  ５０ｇ
２−ピリジンボロン酸  ３１．９ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  ３０９ｍｌ
トルエン  ２００ｍｌ
エタノール  ４０ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  １１．０g
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら１４時間加熱還流した。
反応液を濃縮し、析出する結晶をろ過によって採取した。イソプロパノールで分散洗浄することによって、２−（４−ニトロフェニル）ピリジンの灰色の粉末状結晶４１．５ｇ（収率８４．８％）を得た。
【０１７８】
上記の２−（４−ニトロフェニル）ピリジン  ３．５ｇ
４−ブロモ−１，２−ジアミノナフタレン  ４．０ｇ
苛性ソーダ  １．４ｇ
トルエン  ５０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら７時間加熱還流した。
トルエン１００ｍｌを加えて抽出し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、４−ブロモ−２−｛４−（ピリジン−２−イル）フェニルアゾ｝ナフチル−１−アミン（第１の中間ハロゲン化物）の赤色の粉末状結晶２．３３ｇ（収率３２．９％）を得た。
【０１７９】
上記の第１の中間ハロゲン化物  ２．０ｇ
ヨードベンゼンジアセテート  ２．６ｇ
トルエン  ２０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加えて加熱し、９２℃で１時間攪拌した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−ブロモ−２−｛４−（ピリジン−２−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（第２の中間ハロゲン化物）の白色の粉末状結晶１．２８ｇ（収率６５．０％）を得た。
【０１８０】
上記の第２の中間ハロゲン化物  ３．０ｇ
｛９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル
｝ボロン酸  ６．２ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １１ｍｌ
トルエン  ４４ｍｌ
エタノール  １１ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．１ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら１４．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−｛９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル｝−２−｛４−（ピリジン−２−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物７７）の淡黄緑色粉体３．０４ｇ（収率５４．３％）を得た。
【０１８１】
得られた淡黄緑色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図５に示した。
【０１８２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．６６（１Ｈ）
８．３４（２Ｈ）
８．１４（１Ｈ）
８．１０（１Ｈ）
８．０５（３Ｈ）
７．９９（３Ｈ）
７．８６−７．９５（５Ｈ）
７．８０（１Ｈ）
７．７７（１Ｈ）
７．７３（５Ｈ）
７．６５（５Ｈ）
７．５３（６Ｈ）
７．４２（１Ｈ）
７．３６（２Ｈ）
【０１８３】
＜実施例６＞
５−｛３−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル｝−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物５３の合成）
【化９２】
2014132871.tif 000094
ｍ＝１、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−１）、（Ａ−５）
【０１８４】
実施例１で合成した第２の中間ハロゲン化物  ２．３ｇ
３−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニルボロン酸
２．４ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １１ｍｌ
トルエン  ４４ｍｌ
エタノール  １１ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．１ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら２２．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−｛３−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル｝−２−｛４−（ピリジン−３−イル）フェニル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物５３）の白色粉体１．８０ｇ（収率４８．６％）を得た。
【０１８５】
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図６に示した。
【０１８６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９４（１Ｈ）
８．７５（１Ｈ）
８．６４（１Ｈ）
８．５１（２Ｈ）
８．１２（１Ｈ）
７．９２（４Ｈ）
７．７９−７．７０（８Ｈ）
７．６０（５Ｈ）
７．５１−７．３５（７Ｈ）
【０１８７】
＜実施例７＞
２−｛３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−４−イル｝−５−｛［１，１’；３’，１’
’］ターフェニル−５’−イル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物７８の合成）
【化９３】
2014132871.tif 000095
ｍ＝２、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−３）、（Ａ−７）
【０１８８】
１−ブロモ−４−ニトロベンゼン  ５０ｇ
３−（ピリジン−３−イル）−フェニルボロン酸  ３１．９ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  ３０９ｍｌ
トルエン  ２００ｍｌ
エタノール  ４０ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  １１．０g
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら１４時間加熱還流した。
反応液を濃縮し、析出する結晶をろ過によって採取した。イソプロパノールで分散洗浄することによって、３−（４'−ニトロビフェニル−３−イル）ピリジンの灰色の粉末状結晶４０．１ｇ（収率８２．０％）を得た。
【０１８９】
上記の３−（４'−ニトロビフェニル−３−イル）ピリジン  ３．５ｇ
４−ブロモ−１，２−ジアミノナフタレン  ４．０ｇ
苛性ソーダ  １．４ｇ
トルエン  ５０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら９時間加熱還流した。
トルエン１００ｍｌを加えて抽出し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、４−ブロモ−２−［｛３'−(ピリジン−３−イル)ビフェニル−４−イル｝アゾ］ナフチル−１−アミン（第１の中間ハロゲン化物）の赤色の粉末状結晶２．５０ｇ（収率３５．２％）を得た。
【０１９０】
上記の第１の中間ハロゲン化物  ２．０ｇ
ヨードベンゼンジアセテート  ２．６ｇ
トルエン  ２０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加えて加熱し、９２℃で１時間攪拌した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−ブロモ−２−｛３'−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−４−イル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（第２の中間ハロゲン化物）の白色の粉末状結晶１．２８ｇ（収率６５．０％）を得た。
【０１９１】
上記の第２の中間ハロゲン化物  ３．０ｇ
３，５−ジフェニル−フェニルボロン酸  １．９ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １１ｍｌ
トルエン  ４４ｍｌ
エタノール  １１ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．１ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら１２．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、２−｛３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−４−イル｝−５−｛［１，１’；３’，１’
’］ターフェニル−５’−イル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物７８）の淡黄緑色粉体１．６８ｇ（収率３０．４％）を得た。
【０１９２】
得られた淡黄緑色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図７に示した。
【０１９３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９５（１Ｈ）
８．７８（１Ｈ）
８．６５（１Ｈ）
８．５２（２Ｈ）
７．９４−８．０１（３Ｈ）
７．８７（４Ｈ）
７．７１−７．７７（８Ｈ）
７．６０（３Ｈ）
７．４９（４Ｈ）
７．４１（３Ｈ）
【０１９４】
＜実施例８＞
５−（４−フェニルナフタレン−１−イル)−２−｛３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−４−イル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾールの合成；
（化合物７９の合成）
【化９４】
2014132871.tif 000096
ｍ＝２、Ｘ＝Ｃ
式（１−１）、（Ａ−３）、（Ａ−７）
【０１９５】
実施例７で合成した第２の中間ハロゲン化物  ３．０ｇ
３，５−ジフェニル−フェニルボロン酸  ４．０ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（４−フェニルナフタレン−１
−イル）−［１，３，２］ジオキサボロン酸エステル  ３．０ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液  １１ｍｌ
トルエン  ４４ｍｌ
エタノール  １１ｍｌ
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）  ０．１ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら１２．０時間加熱還流した。
有機層を分液操作によって採取し、減圧下濃縮した後、カラムクロマトグラフによって精製して、５−（４−フェニルナフタレン−１−イル)−２−｛３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−４−イル｝−２Ｈ−ナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］トリアゾール（化合物７９）の淡黄緑色粉体３．４９ｇ（収率６９．４％）を得た。
【０１９６】
得られた淡黄緑色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図８に示した。
【０１９７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の２８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９５（１Ｈ）
８．７９（１Ｈ）
８．６５（１Ｈ）
８．５４（２Ｈ）
８．０３（１Ｈ）
７．９６（１Ｈ）
７．８８（４Ｈ）
７．７２（１Ｈ）
７．６８（１Ｈ）
７．６２（５Ｈ）
７．５４‐７．５７（５Ｈ）
７．４５（６Ｈ）
【０１９８】
＜実施例９＞
上記の実施例で得られた本発明の化合物について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００Ｓ）によって融点とガラス転移点を求めた。その結果を以下に示す。
化合物Ｎｏ．            融点        ガラス転移点
化合物９              ３６２℃        １８５℃
化合物７４            ２７３℃        １７２℃
化合物７６            ２９４℃        １７１℃
化合物７５            ３１５℃        １９２℃
化合物７７            ３５８℃        １７５℃
化合物５３            ３２２℃        １４８℃
化合物７８            ２７３℃        １０８℃
化合物７９            ２２８℃        １１２℃
【０１９９】
上記の結果から理解されるように、本発明の化合物は１００℃以上のガラス転移点を有している。このことは、本発明の化合物により形成される薄膜は安定に維持される（薄膜状態が安定である）ことを示すものである。
【０２００】
＜実施例１０＞
上記の実施例で得られた本発明の化合物を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業製、ＰＹＳ−２０２型）で仕事関数を測定した。その結果は以下の通りであった。
化合物Ｎｏ．              仕事関数
化合物９                ６．１３ｅＶ
化合物７４              ６．０２ｅＶ
化合物７６              ６．０５ｅＶ
化合物７５              ５．９６ｅＶ
化合物７７              ５．８４ｅＶ
化合物５３              ６．０５ｅＶ
【０２０１】
このように本発明の化合物は、ＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．４ｅＶより大きい値を有しており、大きな正孔阻止能力を有している。
【０２０２】
＜実施例１１＞
ガラス基板１上に透明陽極２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、電子注入層８、陰極（アルミニウム電極）９の順に蒸着して、図９に示す層構造の有機ＥＬ素子を作製した。
【０２０３】
具体的には、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを成膜したガラス基板１を有機溶媒で洗浄した後に、酸素プラズマ処理にて表面を洗浄した。その後、このＩＴＯ電極付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように正孔注入層３として、下記構造式の化合物８０を蒸着速度６ｎｍ／ｍｉｎで膜厚２０ｎｍとなるように形成した。
【化９５】
2014132871.tif 000097
【０２０４】
この正孔注入層３の上に、正孔輸送層４として下記構造式の化合物８１を蒸着速度６ｎｍ／ｍｉｎで膜厚４０ｎｍとなるように形成した。
【化９６】
2014132871.tif 000098
【０２０５】
この正孔輸送層４の上に、発光層５として下記構造式の化合物８２と下記構造式の化合物８３を、蒸着速度比が化合物８２：化合物８３＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍとなるように形成した。
【化９７】
2014132871.tif 000099
【化９８】
2014132871.tif 000100
【０２０６】
この発光層５の上に、正孔阻止層兼電子輸送層６および７として実施例1で合成された本発明の化合物９を蒸着速度６ｎｍ／ｍｉｎで膜厚３０ｎｍとなるように形成した。
このように形成された正孔阻止層兼電子輸送層６および７の上に、電子注入層８としてフッ化リチウムを蒸着速度０．６ｎｍ／ｍｉｎで膜厚０．５ｎｍとなるように形成した。
最後に、アルミニウムを膜厚１５０ｎｍとなるように蒸着して陰極９を形成した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。
【０２０７】
このようにして本発明の化合物９を使用して１つの有機層（正孔阻止層兼電子輸送層）が形成されている有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。
【０２０８】
＜実施例１２＞
実施例１１における正孔阻止層兼電子輸送層６および７の材料として、実施例1で合成された本発明の化合物９に代えて、実施例６の化合物５３を用いた以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。
【０２０９】
＜実施例１３＞
実施例１１において、正孔阻止層兼電子輸送層６および７の材料として実施例1の化合物９に代えて、実施例２の化合物７４を用いた以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。
【０２１０】
＜実施例１４＞
実施例１１において、正孔阻止層兼電子輸送層６および７の材料として実施例1の化合物９に代えて、実施例４の化合物７５を用いた以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。
【０２１１】
＜実施例１５＞
実施例１１において、正孔阻止層兼電子輸送層６および７の材料として実施例1の化合物９に代えて、実施例３の化合物７６用いた以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。
【０２１２】
＜実施例１６＞
実施例１１において、正孔阻止層兼電子輸送層６および７の材料として実施例1の化合物９に代えて、実施例５の化合物７７を用いた以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。
【０２１３】
＜比較例１＞
比較のために、実施例１１において、正孔阻止層兼電子輸送層６および７の材料として実施例1の化合物９に代えて、ＷＯ２００３／０６０９５６に開示されている下記構造式の化合物８４を用いた以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
【化９９】
2014132871.tif 000101
【０２１４】
作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。
【０２１５】
【表１】
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【０２１６】
表１に示す様に、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２時における駆動電圧は、前記構造式の化合物８４を用いた有機ＥＬ素子（比較例１）の５．９５Ｖに対して、本発明の実施例１１〜１６では、５．１９〜５．８３Ｖと低電圧化した。
また、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの輝度は、比較例１の７９２ｃｄ／ｍ２に対して、本発明の実施例１１〜１６では、８４０〜９８３ｃｄ／ｍ２と大きく向上した。
更に、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２時における発光効率（電流効率）は、比較例１の７．９２ｃｄ／Ａに対して、本発明の実施例１１〜１６では、８．４０〜９．８７ｃｄ／Ａと大きく向上した。
そして、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２時における電力効率は、比較例１の４．１９ｌｍ／Ｗに対して、本発明の実施例１１〜１６では、４．６７〜５．９５ｌｍ／Ｗと大きく向上した。
【０２１７】
このように本発明の有機ＥＬ素子は、一般的な電子輸送材料として用いられている前記構造式の化合物８４を用いた素子と比較して、発光効率および電力効率に優れており、さらに実用駆動電圧の顕著な低下が達成できることがわかった。
【０２１８】
ナフトトリアゾール環構造を有する本発明のナフトトリアゾール誘導体を用いた有機ＥＬ素子における顕著な駆動電圧の低下から、かかるナフトトリアゾール誘導体の電子移動の速度は、一般的な電子輸送材料として用いられている前記構造式の化合物８４より各段に速いものと予測される。
【産業上の利用可能性】
【０２１９】
本発明のナフトトリアゾール誘導体は、電子の注入特性が良く、正孔阻止能力に優れており、薄膜状態が安定であるため、有機ＥＬ素子用の化合物として優れている。該化合物を用いて有機ＥＬ素子を作製することにより、高い発光効率および電力効率を得ることができると共に、実用駆動電圧を低下させることができ、耐久性を改善させることができる。例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。
【符号の説明】
【０２２０】
１  ガラス基板
２  透明陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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