(57)【要約】  接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導電材料により形成された接続部にボイドが生じ難く、かつ接続後の接続信頼性を高めることができる導電材料を提供する。  本発明に係る導電材料は、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられる。導電性粒子１１は、基材粒子１２と、基材粒子１２の表面上に配置された導電層１３とを有する。導電性粒子１１を１００℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率は５００Ｎ／ｍｍ２以上、２０００Ｎ／ｍｍ２以下である。導電性粒子１１の１００℃での圧縮回復率は３％以上、３０％以下である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられる導電材料であって、
硬化性成分と、導電性粒子とを含み、
前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを有し、
前記導電性粒子を１００℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率が５００Ｎ／ｍｍ２以上、２０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、
前記導電性粒子の１００℃での圧縮回復率が３％以上、３０％以下である、導電材料。
【請求項２】
有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に用いられる、請求項１に記載の導電材料。
【請求項３】
有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板の電極と、封止基板の電極との電気的な接続に用いられる、請求項１又は２に記載の導電材料。
【請求項４】
無機フィラーをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項５】
無機フィラーと、有機粒子とをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項６】
前記硬化性成分が、硬化性化合物とカチオン発生剤とを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項７】
アミン化合物をさらに含み、
前記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンであり、
前記硬化性成分が、硬化性化合物とカチオン発生剤とを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項８】
前記硬化性化合物が、２３℃で液状のエポキシ化合物と、２３℃で固体のエポキシ化合物とを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項９】
第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電材料を、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化させて形成されている、接続構造体。
【請求項１０】
前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、
前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されている、請求項９に記載の接続構造体。
【請求項１１】
前記第１，第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である、請求項９又は１０に記載の接続構造体。
【請求項１２】
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とが、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板と封止基板とである、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の接続構造体。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法であって、
前記第１の接続対象部材の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、
前記導電材料層の前記第１の接続対象部材側と反対側の表面に、前記第２の接続対象部材を配置する工程と、
１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して、前記導電材料層を硬化させて、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える、接続構造体の製造方法。
【請求項１４】
有機エレクトロルミネッセンス表示素子である接続構造体の製造方法であって、
前記第１の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第１の基板であり、
前記第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第２の基板であり、
前記有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第１の基板の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、
前記導電材料層の前記第１の基板側とは反対側の表面に、前記有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第２の基板を配置する工程と、
前記導電材料層に光を照射し、かつ前記導電材料層を１２０℃以下の温度に加熱して、前記導電材料層を光硬化及び熱硬化させて、前記第１，第２の基板を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える、請求項１３に記載の接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の導電性粒子を含む導電材料に関する。より詳細には、本発明は、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、半導体チップ及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板などの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続するために用いることができ、特に有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の電極間を電気的に接続するために好適に用いることができる導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペースト状又はフィルム状の導電材料が広く知られている。該導電材料では、バインダー樹脂などに複数の導電性粒子が分散されている。また、導電性粒子を含む導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと記載することがある）表示素子の電極間の接続に用いられることがある。【０００３】
上記有機ＥＬ表示素子は、互いに対応する一対の電極間に、有機発光材料層が挟み込まれた積層体の構造を有する。上記有機発光材料層に一方の電極から電子が注入されるとともに、他方の電極から正孔が注入されることにより、上記有機発光材料層内で電子と正孔とが結合して発光する。上記有機ＥＬ表示素子は、自己発光を行うことから、バックライトを必要とする液晶表示素子等と比較して視認性がよく、薄型化が可能であり、しかも直流低電圧で駆動が可能であるという利点を有する。【０００４】
上記有機ＥＬ表示素子の一例として、下記の特許文献１の図９−Ａには、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ基板の電極と、封止基板の電極とが接着部により接着された有機ＥＬ素子が開示されている。上記特許文献１の実施例では、上記接着部を形成するために、異方性導電性粒子を含む熱硬化性エポキシ系接着剤を用いることが記載されている。【０００５】
また、上記導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等にも使用されている。【０００６】
上記導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、導電材料を硬化させて、かつ導電性粒子を介して電極間を電気的に接続し、接続構造体を得る。【０００７】
上記のような接続構造体に用いることができる導電材料の一例として、下記の特許文献２には、脂環式エポキシ樹脂と、ジオール類と、エポキシ基を有するスチレン系熱可塑性エラストマーと、紫外線活性型カチオン重合触媒と、導電性粒子とを含む異方性導電材料が開示されている。【０００８】
また、下記の特許文献３には、カチオン重合触媒と、カチオン重合性有機材料とを含む組成物に、グアニジン系化合物、チアゾール系化合物、ベンゾチアゾール系化合物、チアゾールカルボン酸系化合物、スルフェンアミド化合物、チオウレア系化合物、エチレンチオ尿素、イミダゾール系化合物、ベンズイミダゾール系化合物又はアルキルフェニルスルフィド系化合物を安定剤として配合したカチオン重合性有機材料組成物が開示されている。なお、このカチオン重合性有機材料組成物は、導電性粒子を含まない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−１１７２１４号公報
【特許文献２】特開平１１−０６０８９９号公報
【特許文献３】特開平８−２８３３２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載のような異方性導電性粒子を含む熱硬化性エポキシ系接着剤を用いて、上記有機ＥＬ基板の電極と上記封止基板の電極とを接着部により接着する際に、電極と異方性導電性粒子とを十分に接触させるために、異方性導電性粒子は圧縮される。しかし、接着剤の硬化中に異方性導電性粒子が元の形状に回復しやすく、異方性導電性粒子の反発力により電極間の間隔が広がって、上記接着部にボイドが発生することがある。また、接着後に、有機ＥＬ基板及び封止基板が、上記接着部により強固に接着しないことがある。【００１１】
特許文献２，３に記載のような導電材料を用いて各種の接続構造体を得た場合でも、接続対象部材が導電材料の硬化物により強固に接着しないことがある。特に、特許文献２，３に記載のような導電材料では、硬化温度が低くなると、接着性を充分に高めることは困難である。【００１２】
また、特許文献２に記載のようなカチオン重合触媒を含む従来の異方性導電材料が長期間保管されると、硬化性が変化することがある。すなわち、カチオン重合触媒を含む従来の異方性導電材料では、保存安定性が低いことがある。【００１３】
また、カチオン重合触媒を含む従来の異方性導電材料では、導電性粒子の導電部の腐食が生じやすいという問題がある。このため、電極間の導通信頼性が低くなることがある。【００１４】
本発明の目的は、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導電材料により形成された接続部にボイドが生じ難く、かつ接続後の接続信頼性を高めることができる導電材料、並びに該導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。【００１５】
本発明の限定的な目的は、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、保存安定性に優れており、電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導通信頼性を高めることができる導電材料、並びに該導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の広い局面によれば、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられる導電材料であって、硬化性成分と、導電性粒子とを含み、前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを有し、前記導電性粒子を１００℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率が５００Ｎ／ｍｍ２以上、２０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、前記導電性粒子の１００℃での圧縮回復率が３％以上、３０％以下である、導電材料が提供される。【００１７】
本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に好適に用いられる。【００１８】
本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板の電極と、封止基板の電極との電気的な接続に好適に用いられる。【００１９】
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、該導電材料は、無機フィラーをさらに含む。【００２０】
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、該導電材料は、無機フィラーと、有機粒子とをさらに含む。【００２１】
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記硬化性成分が、硬化性化合物とカチオン発生剤とを含む。【００２２】
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料が、アミン化合物をさらに含み、前記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンであり、前記硬化性成分が、硬化性化合物とカチオン発生剤とを含む。【００２３】
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記硬化性化合物が、２３℃で液状のエポキシ化合物と、２３℃で固体のエポキシ化合物とを含む。【００２４】
本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電材料を、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化させて形成されている、接続構造体が提供される。【００２５】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されている。【００２６】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１，第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。【００２７】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とが、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板と封止基板とである。【００２８】
本発明の広い局面によれば、上述した接続構造体の製造方法であって、前記第１の接続対象部材の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、前記導電材料層の前記第１の接続対象部材側と反対側の表面に、前記第２の接続対象部材を配置する工程と、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して、前記導電材料層を硬化させて、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。【００２９】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記接続構造体の製造方法は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子である接続構造体の製造方法であって、前記第１の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第１の基板であり、前記第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第２の基板であり、前記接続構造体の製造方法は、前記有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第１の基板の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、前記導電材料層の前記第１の基板側とは反対側の表面に、前記有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第２の基板を配置する工程と、前記導電材料層に光を照射し、かつ前記導電材料層を１２０℃以下の温度に加熱して、前記導電材料層を光硬化及び熱硬化させて、前記第１，第２の基板を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る導電材料は、硬化性成分と導電性粒子とを含み、更に上記導電性粒子を１００℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率が５００Ｎ／ｍｍ２以上、２０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、上記導電性粒子の１００℃での圧縮回復率が３％以上、３０％以下であるので、上記導電材料を１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化させて、導電材料に含まれている導電性粒子により電極間を電気的に接続した場合に、導電材料により形成された接続部にボイドを生じ難くすることができる。さらに、接続後の接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体を得る各工程を説明するための正面断面図である。
【図３】図３は、導電性粒子の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３３】
本発明に係る導電材料は、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられる。本発明に係る導電材料は、硬化性成分と、導電性粒子とを含む。上記導電性粒子を１００℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率（以下、２０％Ｋ値と記載することがある）は、５００Ｎ／ｍｍ２以上、２０００Ｎ／ｍｍ２以下である。上記導電性粒子の１００℃での圧縮回復率は３％以上、３０％以下である。
【００３４】
本発明に係る導電材料が上述した構成を有することにより、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して上記導電材料を硬化させて、上記導電材料に含まれている導電性粒子により、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導電材料により形成された接続部にボイドを生じ難くすることができる。具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示素子の電極を電気的に接続するために、本発明に係る導電材料を用いた場合に、圧縮変形された導電性粒子の反発力がさほど大きくないことから、ボイドが発生し難くなる。ボイドが発生し難くなる結果、電極間の接続抵抗が低くなる。また、電極と導電性粒子との接触面積が大きくなることによっても、電極間の接続抵抗が低くなる。さらに、上記接続対象部材を上記接続部により強固に接着させることができる。このため、有機ＥＬ表示素子における導通信頼性及び接続信頼性を高めることができる。
【００３５】
上記導電性粒子の２０％Ｋ値及び上記導電性粒子の圧縮回復率の値を１００℃に設定したのは、本発明に係る導電材料は１２０℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられ、好ましくは６０℃以上、１２０℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられ、更に好ましくは１００℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられるためである。１００℃での上記２０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間で導電性粒子が上記導電材料の熱硬化時に適度に圧縮変形され、電極と導電性粒子との接触面積が大きくなり、圧縮変形された導電性粒子による反発力が小さくなる。上記２０％Ｋ値が上記下限以上及び上記上限以下であることは、ボイドの発生の抑制及び電極間の接続抵抗の低減に大きく寄与する。上記圧縮回復率が上記下限以上及び上記上限以下であることも、ボイドの発生の抑制及び電極間の接続抵抗の低減に大きく寄与する。さらに、上記圧縮回復率が上記下限以上及び上記上限以下であることは、上記接続対象部材を上記接続部により強固に接着させることに大きく寄与する。
【００３６】
さらに、本発明に係る導電材料は、無機フィラーをさらに含むことが好ましい。無機フィラーの使用により、硬化物の耐湿性が高くなる。
【００３７】
さらに、本発明に係る導電材料は、無機フィラーと、有機粒子とをさらに含むことがより好ましい。従来の導電材料では、硬化中に導電材料の粘度が低くなりすぎて、導電材料が過度に流動することがある。このため、特定の領域に導電材料を配置することができないことがあり、更には、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されることがある。これに対して、上記導電材料が、硬化性成分と、無機フィラーと、有機粒子と、導電性粒子とを含む場合には、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化させたときに、接続対象部材上に配置された導電材料が、大きく流動し難くなり、導電材料により形成された接続部及び導電性粒子を精度よく特定の領域に配置することが可能になる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されるのを抑制できる。このことによって、得られる接続構造体の導通信頼性を高めることができる。さらに、導電材料の硬化物が接続対象部材の表面を過度に濡れ拡がり難くなり、得られる接続構造体にボイドをより一層生じ難くすることができる。
【００３８】
また、上記導電材料が、硬化性成分と、無機フィラーと、有機粒子と、導電性粒子とを含む場合には、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化させたときに、導電材料により形成された接続部による汚染を効果的に抑制することができる。具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示素子の電極を電気的に接続するために、上記導電材料を用いた場合に、導電材料の硬化中に導電材料の粘度が低くなりすぎないため、上記接続部を所定の位置に配置することができる。さらに、導電材料の硬化物が接続対象部材の表面を過度に濡れ拡がり難くなり、得られる接続構造体にボイドをより一層生じ難くすることができる。このため、有機ＥＬ表示素子における接続構造体の導通信頼性を効果的に高めることができ、有機ＥＬ表示素子の動作不良を生じ難くすることができる。
【００３９】
また、上記導電材料が、硬化性成分と、無機フィラーと、有機粒子と、導電性粒子とを含む場合には、硬化物の耐湿性がより一層高くなる。
【００４０】
ボイドの発生をより一層抑制し、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電性粒子の１００℃での上記２０％Ｋ値は、好ましくは７００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ２以上、好ましくは１６５０Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは１５００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００４１】
上記圧縮弾性率（２０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。
【００４２】
微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、１００℃で、圧縮速度２．６ｍＮ／秒、及び最大試験荷重１０ｇｆの条件下で導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
【００４３】
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電性粒子の半径（ｍｍ）
【００４４】
上記圧縮弾性率は、導電性粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、導電性粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。
【００４５】
ボイドの発生をより一層抑制し、接続部による接着性をより一層高め、かつ電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電性粒子の１００℃での圧縮回復率は、好ましくは５％以上、より好ましくは８％以上、好ましくは２０％以下、より好ましくは１７％以下である。
【００４６】
上記圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。
【００４７】
試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子１個について、微小圧縮試験機を用いて、１００℃で、導電性粒子の中心方向に、導電性粒子が３０％圧縮変形するまで負荷（反転荷重値）を与える。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は０．３３ｍＮ／秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
【００４８】
圧縮回復率（％）＝［（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ１］×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでのまでの圧縮変位
Ｌ２：負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位
【００４９】
本発明に係る導電材料を硬化させる方法としては、導電材料を加熱する方法、導電材料に光を照射した後、導電材料を加熱する方法、並びに導電材料を加熱した後、導電材料に光を照射する方法が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。なかでも、導電材料に光を照射した後、導電材料を加熱する方法が好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、導電材料を短時間で硬化させることができる。さらに、光硬化と熱硬化との併用により、低温の加熱であっても、硬化性がより一層良好になる。本発明に係る導電材料を硬化させる際には、少なくとも加熱が行われる。すなわち、本発明に係る導電材料は、熱硬化されて用いられる。
【００５０】
上記導電材料は、上記硬化性成分として、硬化剤を含む。上記導電材料は、上記硬化剤として、カチオン発生剤を含むことが好ましい。上記硬化性成分は、硬化性化合物とカチオン発生剤とを含むことが好ましい。本発明者らは、カチオン発生剤を用いることで、カチオン発生剤以外の熱硬化剤（イミダゾール化合物など）を用いた場合と比べて、導通信頼性を効果的に高めることができることを見出した。
【００５１】
さらに、本発明に係る導電材料は、アミン化合物を含み、上記アミン化合物が芳香族環を有する第１級アミンであり、上記硬化性成分が、硬化性化合物とカチオン発生剤とを含むことが好ましい。カチオン発生剤を含む従来の導電材料が長期間保管されると、硬化性が変化することがある。すなわち、カチオン発生剤を含む従来の導電材料では、保存安定性が低いことがある。また、カチオン発生剤を含む従来の導電材料では、導電性粒子の導電部の腐食が生じやすいという問題がある。このため、電極間の導通信頼性が低くなることがある。これに対して、上記導電材料が、硬化性化合物と、カチオン発生剤と、アミン化合物と、導電性粒子とを含み、上記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンである場合には、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、導電材料の保存安定性を高めることができ、電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導通信頼性を効果的に高めることができる。
【００５２】
上記導電材料が、硬化性化合物と、カチオン発生剤と、アミン化合物と、導電性粒子とを含み、上記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンである場合には、特に上記カチオン発生剤と上記芳香族環を有する第１級アミンとを用いることにより、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、導電材料の保存安定性がかなり高くなる。本発明に係る導電材料では、長期間保管されても、硬化性が変化し難い。この結果、導電材料により接着された接続対象部材の接着性がより一層高くなる。さらに、上記導電材料では、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導通信頼性を高めることができる。
【００５３】
また、本発明者らは、上記芳香族環を有する第１級アミンを用いることで、芳香族環を有さないアミン化合物を用いたり、第１級アミン以外のアミン化合物を用いたりした場合と比べて、カチオン発生剤を含む導電材料において、導電材料の保存安定性、及び電極間の導通信頼性を高めることができることを見出した。
【００５４】
上記硬化性化合物は、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であってもよい。上記硬化性化合物は、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であることが好ましい。
【００５５】
上記導電材料は、加熱により硬化可能な導電材料であり、上記硬化性化合物として、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【００５６】
また、上記導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な導電材料であり、上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）をさらに含むことが好ましい。この場合には、光の照射により導電材料を半硬化（Ｂステージ化）させ、導電材料の流動性を低下させた後、加熱により導電材料を硬化させることができる。半硬化では、導電材料の硬化を進行させるが、導電材料を完全に硬化させない。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【００５７】
本発明に係る導電材料に使用可能な上記カチオン発生剤は、加熱によりカチオンを発生するカチオン発生剤（熱カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であってもよく、光の照射によりカチオンを発生する光カチオン発生剤（光カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であってもよい。上記カチオン発生剤は、加熱によりカチオンを発生するカチオン発生剤（熱カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であることが好ましい。上記カチオン発生剤の作用により、上記導電材料を熱硬化させることが好ましい。上記カチオン発生剤の作用により、上記導電材料を光硬化させ、かつ上記カチオン発生剤の作用により、上記導電材料を熱硬化させてもよい。
【００５８】
本発明に係る導電材料は、光硬化開始剤を含んでいてもよい。本発明に係る導電材料は、上記光硬化開始剤として、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。
【００５９】
上記導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物を含み、光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物を更に含むことが好ましい。上記導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを含むことが好ましい。
【００６０】
以下、本発明に係る導電材料に好適に用いられる各成分の詳細を説明する。
【００６１】
（硬化性化合物）
上記導電材料に含まれている硬化性化合物は特に限定されない。上記硬化性化合物として、従来公知の硬化性化合物が使用可能である。上記硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６２】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。上記エポキシ基を有する硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６３】
上記エポキシ基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましく、ナフタレン環であることが更に好ましい。ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることが可能である。
【００６４】
上記導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基を有する硬化性化合物と該エポキシ基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。
【００６５】
上記硬化性化合物は、２３℃で液状のエポキシ化合物を含むことが好ましく、２３℃で固体のエポキシ化合物を含むことが好ましく、２３℃で液状のエポキシ化合物と２３℃で固体のエポキシ化合物との双方を含むことが好ましい。
【００６６】
上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＥ型エポキシ化合物、及びビスフェノールＳ型エポキシ化合物、並びにこれらのエポキシ化合物の水素化物等が挙げられる。なかでも、導電材料の硬化性がより一層高くなり、硬化物のガラス転移温度がより一層高くかつ耐湿性がより一層低くなり、更に耐熱性、耐ＵＶ性及び接着性により一層優れた硬化物が得られることから、上記２３℃で液状のエポキシ化合物は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールＡ型エポキシ化合物又は水素化ビスフェノールＦ型エポキシ化合物であることが好ましい。
【００６７】
上記２３℃で液状のエポキシ化合物の重量平均分子量は、好ましくは１５０以上、より好ましくは２００以上、好ましくは１２００以下、より好ましくは１０００以下である。上記重量平均分子量が上記下限以上であると、硬化物のガラス転移温度がより一層高くなり、硬化物の耐湿性がより一層高くなる。上記重量平均分子量が上記上限以下であると、導電材料の塗工性及び硬化性がより一層良好になる。
【００６８】
上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記２３℃で液状のエポキシ化合物の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。上記液状のエポキシ化合物の含有量が上記下限以上であると、導電材料の塗工性がより一層高くなる。上記液状のエポキシ化合物の含有量が上記上限以下であると、導電材料の塗工性がより一層高くなり、硬化物の耐湿性がより一層高くなる。
【００６９】
上記２３℃で固体のエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＥ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、並びにこれらのエポキシ化合物の水素化物等が挙げられる。なかでも、導電材料の硬化性がより一層高くなり、硬化物のガラス転移温度がより一層高くかつ耐湿性がより一層低くなり、更に耐熱性、耐ＵＶ性及び接着性に優れることから、上記２３℃で液状のエポキシ化合物は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールＡ型エポキシ化合物又は水素化ビスフェノールＦ型エポキシ化合物であることが好ましい。
【００７０】
上記２３℃で固体のエポキシ化合物の重量平均分子量は、好ましくは２００以上、より好ましくは２５０以上、好ましくは５０００以下、より好ましくは４５００以下である。上記重量平均分子量が上記下限以上であると、硬化物の耐湿性及び接着性がより一層高くなる。上記重量平均分子量が上記上限以下であると、導電材料の硬化性がより一層良好になり、上記導電材料の軟化点が適度になり、上記液状のエポキシ化合物と上記固体のエポキシ化合物との相溶性がより一層高くなる。
【００７１】
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での値である。上記重量平均分子量の測定に用いるカラムとしては、例えば、昭和電工社製「Ｓｈｏｄｅｘ  ＬＦ−８０４」等が挙げられる。
【００７２】
上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記２３℃で固体のエポキシ化合物の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは１５重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３５重量％以下である。上記固体のエポキシ化合物の含有量が上記下限以上であると、硬化物の耐湿性がより一層高くなる。上記固体のエポキシ化合物の含有量が上記上限以下であると、導電材料の塗工性がより一層高くなる。
【００７３】
また、上記硬化性化合物は、脂環式エポキシ化合物を含むことが好ましい。該脂環式エポキシ化合物は、上記液状のエポキシ化合物であることが好ましく、上記固体のエポキシ化合物であることが好ましく、上記液状のエポキシ化合物と上記固体のエポキシ化合物との双方であることがより好ましい。上記脂環式エポキシ化合物の重量平均分子量は好ましくは１００以上、より好ましくは１５０以上、好ましくは１０００以下、より好ましくは８００以下である。脂環式エポキシ化合物の使用により、又は重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下である脂環式エポキシ化合物の使用により、導電材料の硬化性がより一層良好になる。上記脂環式エポキシ化合物の重量平均分子量が上記下限以上であると、脂環式エポキシ化合物の揮発性が低下し、ガスの発生の問題が生じ難くなる。上記脂環式エポキシ化合物の重量平均分子量が上記上限以下であると、導電材料の粘度が適度になり、導電材料の塗工性がより一層高くなる。
【００７４】
上記脂環式エポキシ樹脂の市販品としては、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１Ｐ、セロキサイド２０００、セロキサイド２０８３、セロキサイド２０８５及びセロキサイド３０００（いずれもダイセル社製）等が挙げられる。なかでも、粘度が低く、硬化性に優れていることから、セロキサイド２０２１Ｐが好ましい。
【００７５】
上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記脂環式エポキシ化合物の含有量は好ましくは５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記脂環式エポキシ化合物の含有量が上記下限以上であると、導電材料の硬化性がより一層高くなる。上記脂環式エポキシ化合物の含有量が上記上限以下であると、導電材料の塗工性がより一層高くなる。
【００７６】
また、上記硬化性化合物は、フェノールノボラック型エポキシ化合物を含むことが好ましい。
【００７７】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物を更に含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７８】
上記導電材料の硬化を容易に制御したり、電極間の導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記導電材料の硬化を容易に制御したり、電極間の導通信頼性を更に一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した導電材料全体（光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む）で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【００７９】
Ｂステージ化した導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。
【００８０】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。
【００８１】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。
【００８２】
上記硬化性化合物は、エポキシ（メタ）アクリレートを含むことが好ましい。上記エポキシ（メタ）アクリレートは、エポキシ化合物中の全てのエポキシ基を（メタ）アクリル酸と反応させた化合物である。
【００８３】
上記エポキシ（メタ）アクリレートの市販品としては、ＥＢＥＣＲＹＬ８６０、ＥＢＥＣＲＹＬ３２００、ＥＢＥＣＲＹＬ３２０１、ＥＢＥＣＲＹＬ３４１２、ＥＢＥＣＲＹＬ３６００、ＥＢＥＣＲＹＬ３７００、ＥＢＥＣＲＹＬ３７０１、ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２、ＥＢＥＣＲＹＬ３７０３、ＥＢＥＣＲＹＬ３８００、ＥＢＥＣＲＹＬ６０４０及びＥＢＥＣＲＹＬＲＤＸ６３１８２（いずれもダイセル・オルネクス社製）、ＥＡ−１０１０、ＥＡ−１０２０、ＥＡ−５３２３、ＥＡ−５５２０、ＥＡ−ＣＨＤ及びＥＭＡ−１０２０（いずれも新中村化学工業社製）、エポキシエステルＭ−６００Ａ、エポキシエステル４０ＥＭ、エポキシエステル７０ＰＡ、エポキシエステル２００ＰＡ、エポキシエステル８０ＭＦＡ、エポキシエステル３００２Ｍ、エポキシエステル３００２Ａ、エポキシエステル１６００Ａ、エポキシエステル３０００Ｍ、エポキシエステル３０００Ａ、エポキシエステル２００ＥＡ及びエポキシエステル４００ＥＡ（いずれも共栄社化学社製）、並びにデナコールアクリレートＤＡ−１４１、デナコールアクリレートＤＡ−３１４及びデナコールアクリレートＤＡ−９１１（いずれもナガセケムテックス社製）等が挙げられる。
【００８４】
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。
【００８５】
上記エポキシ基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物である。
【００８６】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応させることにより得られる。エポキシ基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。
【００８７】
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ部分（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ部分（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ部分（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ部分（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００８８】
上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基が（メタ）アクリロイル基に変換された変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。
【００８９】
また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。
【００９０】
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９１】
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９２】
熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。
【００９３】
（硬化剤）
上記導電材料は、硬化剤を含む。該硬化剤は、熱硬化剤を含み、光硬化開始剤を更に含んでいてもよい。該硬化剤は、カチオン発生剤を含む。該カチオン発生剤として従来公知のカチオン発生剤が使用可能である。また、本発明では、カチオン発生剤は、導電材料を光硬化のみさせるための光カチオン発生剤として用いるのではなく、導電材料を少なくとも熱硬化させるための熱カチオン発生剤として用いることが好ましい。さらに、本発明では、カチオン発生剤は、導電材料を光硬化させるための光カチオン発生剤として用いるのではなく、導電材料を熱硬化させるための熱カチオン発生剤として用いることがより好ましい。上記カチオン発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９４】
上記カチオン発生剤として、ヨードニウム塩及びスルフォニウム塩が好適に用いられる。例えば、上記カチオン発生剤の市販品としては、三新化学社製のサンエイドＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ、並びにＡＤＥＫＡ社製のアデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１７０等が挙げられる。
【００９５】
好ましいカチオン発生剤のアニオン部分としては、ＰＦ６、ＢＦ４、及びＢ（Ｃ６Ｆ５）４が挙げられる。
【００９６】
また、上記カチオン発生剤の他の具体例としては、２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、２−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、及びフルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。
【００９７】
上記カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出するか、又は加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出することが好ましい。上記カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出する成分であることが好ましく、加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する成分であることも好ましい。
【００９８】
加熱により無機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ６−又はＰＦ６−を有する化合物であることが好ましい。上記カチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ６−を有する化合物であることが好ましく、アニオン部分としてＰＦ６−を有する化合物であることも好ましい。
【００９９】
上記カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ６Ｘ５）４−で表されることが好ましい。ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、下記式（１）で表されるアニオン部分を有する化合物であることが好ましい。
【０１００】
【化１】
2014088095.tif 000003
【０１０１】
上記式（１）中、Ｘはハロゲン原子を表す。上記式（１）中のＸは、塩素原子、臭素原子又はフッ素原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。
【０１０２】
上記カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ６Ｆ５）４−で表されることが好ましい。上記ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、下記式（１Ａ）で表されるアニオン部分を有する化合物であることがより好ましい。
【０１０３】
【化２】
2014088095.tif 000004
【０１０４】
また、上記カチオン発生剤の種類は、イオン性光酸発生型であってもよく、非イオン性光酸発生型であってもよい。上記カチオン発生剤は、アンチモン錯体、６フッ化リンイオンを有する塩、又は下記式（２）で表される塩であることが好ましい。
【０１０５】
【化３】
2014088095.tif 000005
【０１０６】
上記式（２）中、ｎは１〜１２の整数を表し、ｍは１〜５の整数を表し、Ｒｆは、アルキル基の全部又は一部の水素原子がフッ素原子に置換されたフルオロアルキル基を表す。
【０１０７】
上記アンチモン錯体は特に限定されないが、スルホニウム塩であることが好ましい。上記アンチモン錯体であるスルホニウム塩としては、テトラフェニル（ジフェニルスルフィド−４，４’−ジイル）ビススルホニウム・ジ（六フッ化アンチモン）、テトラ（４−メトキトフェニル）［ジフェニルスルフィド−４，４’−ジイル］ビススルホニウム・ジ（六フッ化アンチモン）、ジフェニル（４−フェニルチオフェニル）スルホニウム・六フッ化アンチモン、並びにジ（４−メトキシフェニル）［４−フェニルチオフェニル］スルホニウム・六フッ化アンチモン等が挙げられる。
【０１０８】
上記アンチモン錯体の市販品としては、例えば、アデカオプトマーＳＰ１７０（ＡＤＥＫＡ社製）等が挙げられる。
【０１０９】
上記６フッ化リンイオンを有する塩の市販品としては、例えば、ＷＰＩ−１１３（和光純薬工業社製）、並びにＣＰＩ−１００Ｐ（サンアプロ社製）等が挙げられる。
【０１１０】
上記カチオン発生剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記硬化性化合物に対する上記カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料が充分に硬化する。
【０１１１】
上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物に対する上記カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料が充分に熱硬化する。
【０１１２】
電極間の導通信頼性及び有機ＥＬ表示素子などの接続構造体の高湿下での接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料は、上記カチオン発生剤と、熱ラジカル発生剤との双方を含むことが好ましい。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。ここで、「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。
【０１１３】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び過酸化物等が挙げられる。上記過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。
【０１１４】
上記熱硬化剤の他の例としては、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、酸無水物、ジシアンジアミド、グアニジン化合物、変性脂肪族ポリアミン、アミン化合物とエポキシ化合物との付加生成物等が挙げられる。
【０１１５】
上記ヒドラジド化合物としては特に限定されず、例えば、１，３−ビス［ヒドラジノカルボノエチル−５−イソプロピルヒダントイン］等が挙げられる。
【０１１６】
上記イミダゾール化合物としては特に限定されず、例えば、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、Ｎ−［２−（２−メチル−１−イミダゾリル）エチル］尿素、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチル−１−イミダゾリルエチル）尿素、Ｎ，Ｎ’−（２−メチル−１−イミダゾリルエチル）−アジポアミド、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、及び２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【０１１７】
上記酸無水物としては特に限定されず、例えば、テトラヒドロ無水フタル酸、及びエチレングリコール−ビス（アンヒドロトリメリテート）等が挙げられる。
【０１１８】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を充分に熱硬化させることができる。上記熱硬化剤の含有量は、上記熱硬化剤が熱カチオン発生剤のみである場合には、カチオン発生剤の含有量を示し、上記熱硬化剤がカチオン発生剤と他の熱硬化剤（熱ラジカル発生剤など）との双方を含む場合には、カチオン発生剤と他の熱硬化剤との合計の含有量を示す。
【０１１９】
上記硬化剤が熱ラジカル発生剤を含む場合に、上記硬化性化合物中の上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を充分に熱硬化させることができる。
【０１２０】
上記導電材料は、上記硬化剤として、光硬化開始剤を含んでいてもよい。光硬化開始剤には、上述した光カチオン発生剤（光カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）が含まれる。上記光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。電極間の導通信頼性及び有機ＥＬ表示素子などの接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２１】
上記カチオン発生剤以外の他の光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。
【０１２２】
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を適度に光硬化させることができる。導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、導電材料の流動を抑制できる。上記光硬化開始剤の含有量は、上記光硬化開始剤がカチオン発生剤のみである場合には、カチオン発生剤の含有量を示し、上記光硬化開始剤がカチオン発生剤と他の光硬化開始剤との双方を含む場合には、カチオン発生剤と他の光硬化開始剤との合計の含有量を示す。
【０１２３】
（無機フィラー）
上記導電材料は、無機フィラーを含むことが好ましい。該無機フィラーは、導電材料の硬化中の粘度の低下を抑制し、硬化物の耐湿性をより一層高める作用を有する。上記無機フィラーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２４】
上記無機フィラーの平均粒子径は好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．２μｍ以上、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下である。上記平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下である無機フィラーは、硬化物の耐湿性をより一層向上させる。上記無機フィラーの平均粒子径が上記上限以下であると、硬化物にボイドがより一層生じ難くなる。なお、上記無機フィラーの平均粒子径は、体積平均粒子径である。上記平均粒子径は、レーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置等を用いて測定可能である。
【０１２５】
上記無機フィラーとしては、タルク、石綿、シリカ、スメクタイト、ベントナイト、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、モンモリロナイト、珪藻土、酸化マグネシウム、酸化チタン、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、ガラスビーズ、硫酸バリウム、石膏、珪酸カルシウム及びセリサイト活性白土等が挙げられる。なかでも、ブロッキング性が良くなり、耐湿性が向上するため、タルクが好ましい。
【０１２６】
上記無機フィラーは、板状であることが好ましい。上記無機フィラーの平均アスペクト比は、１以上、好ましくは１．５以上、より好ましくは２以上、好ましくは１０以下、より好ましくは５以下である。上記無機フィラーの平均アスペクト比が上記上限以下であると、電極と導電性粒子との間に無機フィラーが挟み込まれ難くなる結果、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、低圧でも無機フィラーを良好に配向できる結果、導電性粒子により形成された接続部の厚みがより一層均一になる。上記平均アスペクト比は、無機フィラーの長径／無機フィラーの短径の平均値を意味する。
【０１２７】
上記無機フィラーの含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記無機フィラーの含有量は好ましくは１重量部以上、より好ましくは２重量部以上、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは２８重量部以下である。上記無機フィラーの含有量が上記下限以上であると、硬化物にボイドがより一層生じ難くなる。上記無機フィラーの含有量が上記上限以下であると、導電材料の塗工性がより一層高くなる。
【０１２８】
（有機粒子）
上記導電材料は、有機粒子を含むことが好ましい。該有機粒子はゲル化剤として作用する。上記有機粒子は、常温において導電材料中で膨潤し、導電材料の粘度を適度に向上させる。さらに、上記有機粒子は、導電材料の硬化中に粘度の低下を抑制する作用を有する。また、上記有機粒子を無機フィラーと組み合わせて用いることにより、基板を減圧雰囲気下で貼り合わせる場合でも、硬化物にボイドが効果的に生じ難くなる。上記有機粒子は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２９】
上記有機粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル粒子であることがより好ましい。上記コアは、第１の（メタ）アクリル樹脂により形成されていることが好ましい。なお、（メタ）アクリル樹脂とは、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とする樹脂の総称とし、（メタ）アクリル樹脂には、アクリル系ゴム等も含まれる。上記シェルは、第２のアクリル樹脂により形成されていることが好ましい。上記第１の（メタ）アクリル樹脂のガラス転移温度は２３℃以下であることが好ましい。上記第２の（メタ）アクリル樹脂のガラス転移温度は、上記第１の（メタ）アクリル樹脂のガラス転移温度よりも高いことが好ましい。上記第２の（メタ）アクリル樹脂のガラス転移温度は２３℃以上であることが好ましい。
【０１３０】
上記有機粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル粒子であることがより好ましい。上記コアは、第１の（メタ）アクリル樹脂により形成されていることが好ましい。上記シェルは、第２のアクリル樹脂により形成されていることが好ましい。上記第２の（メタ）アクリル樹脂のガラス転移温度は、上記第１の（メタ）アクリル樹脂のガラス転移温度よりも高いことが好ましい。
【０１３１】
上記有機粒子の市販品としては、例えば、三菱レイヨン社製「メタブレンＷ−５５００，Ｗ−４５０Ａ」、並びにガンツ化成社製のコアシェルアクリレート共重合体微粒子「Ｆ−３５１」等が挙げられる。
【０１３２】
上記有機粒子の平均粒子径は好ましくは０．０５μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、更に好ましくは０．２μｍ以上、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．９μｍ以下である。なお、上記有機粒子の平均粒子径は、体積平均粒子径である。上記平均粒子径は、レーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置等を用いて測定可能である。
【０１３３】
上記有機粒子の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記有機粒子の含有量は好ましくは１重量部以上、より好ましくは５重量部以上、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは２０重量部以下である。上記有機粒子の含有量が上記下限以上であると、導電材料の粘度が適度になり、硬化物にボイドが効果的に生じ難くなる。上記有機粒子の含有量が上記上限以下であると、導電材料の塗工性がより一層高くなる。
【０１３４】
（アミン化合物）
上記導電材料は、アミン化合物を含むことが好ましい。上記アミン化合物は、芳香族環を有する第１級アミンであることが好ましい。この特定の芳香族環を有する第１級アミンの使用は、カチオン発生剤を含む導電材料の保存安定性の向上に大きく寄与する。上記アミン化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３５】
上記第１級アミンにおける芳香族環としては、上記硬化性化合物の芳香族環として挙げた芳香族環が挙げられる。なかでも、ベンゼン環が好ましい。
【０１３６】
上記芳香族環を有する第１級アミンの具体例としては、ベンジルアミン、α，α−ジメチルベンジルアミン、アニリン、２−ナフチルアミン、１−ナフチルメチルアミン、２−アミノビフェニル及び４−アミノビフェニル等が挙げられる。
【０１３７】
上記導電材料中のカチオン発生剤と上記芳香族環を有する第１級アミンとの含有量は、重量比（カチオン発生剤：第１級アミン）で、９９．９：０．１〜９７：３であることが好ましく、９９．５：０．５〜９８：２であることがより好ましい。
【０１３８】
上記芳香族環を有する第１級アミンの含有量が、上述した好ましい範囲内であると、導電材料の保存安定性と電極間の導通信頼性とがより一層安定する。
【０１３９】
（導電性粒子）
上記導電性粒子は、導電性の表面に導電部を有していればよい。該導電部は導電層であることが好ましい。図３に、導電性粒子の一例を断面図で示すように、導電性粒子１１は、基材粒子１２と、基材粒子１２の表面上に配置された導電層１３とを備えていてもよい。導電性粒子は、全体が導電部である金属粒子であってもよい。なかでも、コストを低減したり、導電性粒子の柔軟性を高くして、電極間の導通信頼性を高めたりする観点からは、基材粒子と、基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子が好ましい。
【０１４０】
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記基材粒子は、コアと、コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。
【０１４１】
上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１４２】
上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【０１４３】
上記無機粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【０１４４】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。
【０１４５】
上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。さらに、導電性粒子が、全体が導電部である金属粒子である場合、該金属粒子を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗がより一層低くなるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。
【０１４６】
上記導電層は、１つの層により形成されていてもよい。導電層は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電層は、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電層が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。
【０１４７】
上記基材粒子の表面に導電層を形成する方法は特に限定されない。導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。
【０１４８】
上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、より一層好ましくは８０μｍ以下、更に好ましくは７０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下、最も好ましくは２０μｍ以下である。導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積を充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【０１４９】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０１５０】
上記導電層の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下である。導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、充分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が充分に変形する。
【０１５１】
上記導電層が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の厚みは、特に最外層が金層である場合の金層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。また、上記最外層が金層である場合の金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。
【０１５２】
上記導電層の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子又は導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。
【０１５３】
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層（第１の導電層）とを有することが好ましい。
【０１５４】
上記導電性粒子における導電部の表面は、絶縁層又は絶縁性粒子などの絶縁性材料、フラックス等により絶縁処理されていてもよい。絶縁性材料及びフラックス等は、接続時の熱により軟化、流動することで接続部から排除されることが好ましい。これにより、電極間での短絡を抑制することができる。
【０１５５】
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。
【０１５６】
上記導電材料において、上記導電性粒子の含有量の上記無機フィラーの含有量に対する比は、好ましくは０．１以上、より好ましくは１以上、好ましくは２０以下、より好ましくは１０以下である。上記比が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の耐湿性及び電極間の接続抵抗の双方をバランスよく、より一層良好にすることができる。
【０１５７】
（他の成分）
上記導電材料は、増感剤を含むことが好ましい。該増感剤は、下記式（１１）で表されるベンゾフェノン誘導体であることが好ましい。上記増感剤は、上記カチオン発生剤による重合開始効率をより向上させて、導電材料の硬化反応を適度に促進させる役割を有する。
【０１５８】
【化４】
2014088095.tif 000006
【０１５９】
上記式（１１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素原子、下記式（１１ａ）で表される置換基、又は、下記式（１１ｂ）で表される置換基を表す。上記Ｒ１と上記Ｒ２とは同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１６０】
【化５】
2014088095.tif 000007
【０１６１】
【化６】
2014088095.tif 000008
【０１６２】
上記式（１１ａ）及び上記式（１１ｂ）中、Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、又は、炭素数１〜２０のカルボン酸アルキルエステル基を表す。上記アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。
【０１６３】
上記式（１１）で表されるベンゾフェノン誘導体としては、ベンゾフェノン、２，４−ジクロロベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン及び４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイド等が挙げられる。
【０１６４】
上記増感剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記増感剤の含有量は好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは３重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記増感剤の含有量が上記下限以上であると、増感効果が充分に得られる。上記増感剤の含有量が上記上限以下であると、光吸収が適度になって導電材料層の深部まで光が伝わりやすくなる。
【０１６５】
上記導電材料は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。上記シランカップリング剤は、導電材料の硬化物による接着性を向上させる。
【０１６６】
上記シランカップリング剤としては、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びγ−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１６７】
上記シランカップリング剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記シランカップリング剤の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記シランカップリング剤の含有量が上記下限以上であると、接着性の向上効果が効果的に得られる。上記シランカップリング剤の含有量が上記上限以下であると、余剰のシランカップリング剤がブリードアウトし難くなる。
【０１６８】
上記導電材料は、硬化遅延剤を含んでいてもよい。上記硬化遅延剤の使用により、導電材料のポットライフが長くなる。
【０１６９】
上記硬化遅延剤としては特に限定されず、ポリエーテル化合物等が挙げられる。上記ポリエーテル化合物としては特に限定されず、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール及びクラウンエーテル化合物等が挙げられる。なかでも、クラウンエーテル化合物が好適である。
【０１７０】
上記クラウンエーテル化合物は特に限定されず、１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６、２４−クラウン−８、及び、下記式（１２）で表される化合物等が挙げられる。
【０１７１】
【化７】
2014088095.tif 000009
【０１７２】
上記式（１２）中、Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれ、水素原子又は炭素数１〜２０の置換又は無置換アルキル基を表す。但し、Ｒ１〜Ｒ１２の内の少なくとも１つは炭素数１〜２０のアルキル基を表す。上記置換又は無置換アルキル基は、炭素数１〜２０のアルコキシル基、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、及び、炭素数１〜２０のカルボン酸アルキルエステル基からなる群より選択される１以上の官能基で置換されていてもよく、更に、隣接するＲｎ及びＲｎ＋１（但し、ｎは、１〜１２の偶数を表す）は、共同して環状アルキル骨格を形成していてもよい。上記炭素数１〜２０のアルコキシル基は、直鎖状であってもよく、分枝状であってもよい。
【０１７３】
上記式（１２）で表される化合物のなかでも、少なくとも１つのシクロヘキシル基を有する化合物が好適である。上記シクロヘキシル基の存在により、クラウンエーテルの骨格が安定し、遅延効果が高まる。
【０１７４】
シクロヘキシル基を有し、かつ上記式（１２）で表される化合物としては、具体的には下記式（１２Ａ）で表される化合物が挙げられる。
【０１７５】
【化８】
2014088095.tif 000010
【０１７６】
上記化学式（１２Ａ）で表される化合物は、１８−クラウン−６−エーテル分子の中央を通る線に対して線対称となる位置に２個のシクロヘキシル基を有する。このため、１８−クラウン−６−エーテル分子の骨格に歪み等を生じさせることなく、遅延効果が高くなると考えられる。
【０１７７】
上記硬化遅延剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記硬化遅延剤の含有量は好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは５重量部以下、より好ましくは３重量部以下である。上記硬化遅延剤の含有量が上記下限以上であると、遅延効果が充分に得られる。上記硬化遅延剤の含有量が上記上限以下であると、導電材料を硬化させる際にアウトガスが発生し難くなる。
【０１７８】
上記導電材料は、素子電極などの耐久性を向上させるために、硬化物中に発生した酸と反応する化合物又はイオン交換体を含んでいてもよい。
【０１７９】
上記発生した酸と反応する化合物としては、酸と中和する物質、例えば、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の炭酸塩又は炭酸水素塩等が挙げられる。上記発生した酸と反応する化合物の具体例としては、炭酸カルシウム、炭酸水素カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等が挙げられる。
【０１８０】
上記イオン交換体として、陽イオン交換型、陰イオン交換型、及び両イオン交換型のいずれも使用することができる。特に、塩化物イオンを吸着可能な陽イオン交換型又は両イオン交換型が好適である。
【０１８１】
上記導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。
【０１８２】
上記導電材料は、必要に応じて、補強剤、軟化剤、可塑剤、紫外線吸収剤及び酸化防止剤等の公知の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１８３】
（導電材料の他の詳細）
上記導電材料を製造する方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、３本ロール等の混合機を用いて、硬化性成分と導電性粒子と必要に応じて他の成分とを混合する方法が挙げられる。
【０１８４】
上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に用いられる導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、ペースト状又はフィルム状の導電材料であり、ペースト状の導電材料であることが好ましい。ペースト状の導電材料は、導電ペーストである。フィルム状の導電材料は、導電フィルムである。導電材料が導電フィルムである場合、該導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されてもよい。
【０１８５】
接続対象部材の熱劣化を抑制する観点から、本発明に係る導電材料は、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して、熱硬化されて用いられ、１００℃を超える温度に加熱せずに、１００℃以下の温度に加熱して、熱硬化されて用いられることが好ましい。有機エレクトロルミネッセンス素子用基板では、１２０℃を超える温度に加熱されると、熱劣化がかなり問題となることがある。
【０１８６】
導電材料の保存安定性をより一層高くし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料の２５℃でのｐＨは、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、更に好ましくは６以上、好ましくは１０以下、より好ましくは９以下、更に好ましくは８以下である。
【０１８７】
本発明に係る導電材料は、導電ペーストであって、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗布される導電ペーストであることが好ましい。
【０１８８】
上記導電ペーストの２５℃での粘度は、好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは７００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度が上記下限以上であると、導電ペースト中での導電性粒子の沈降を抑制できる。上記粘度が上記上限以下であると、導電性粒子の分散性がより一層高くなる。塗布前の上記導電ペーストの上記粘度が上記範囲内であれば、第１の接続対象部材上に導電ペーストを塗布した後に、硬化前の導電ペーストの流動をより一層抑制でき、更にボイドがより一層生じ難くなる。なお、ペースト状には液状も含まれる。
【０１８９】
また、本発明に係る導電材料は、有機ＥＬ表示素子における電極の電気的な接続に好適に用いられる。本発明に係る導電材料は、有機ＥＬ表示素子用基板の電極間の電気的な接続により好適に用いられる。上記有機ＥＬ表示素子用基板としては、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ基板及び封止基板等が挙げられる。上記封止基板は、有機ＥＬ素子を封止するための基板である。本発明に係る導電材料は、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ基板の電極と、封止基板の電極との電気的な接続により好適に用いられる。
【０１９０】
本発明に係る導電材料は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。上記導電材料は、第１，第２の接続対象部材が電気的に接続されている接続構造体を得るために好適に用いられる。上記導電材料は、第１，第２の接続対象部材の電極間が電気的に接続されている接続構造体を得るためにより好適に用いられる。
【０１９１】
図１に、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いた接続構造体の一例を模式的に正面断面図で示す。
【０１９２】
図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３は、硬化物層であり、導電性粒子１１を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。
【０１９３】
第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。第２の接続対象部材４は表面（下面）に、複数の第２の電極４ａを有する。第１の電極２ａと第２の電極４ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材２，４が導電性粒子１１により電気的に接続されている。
【０１９４】
第１，第２の電極２ａ，４ａ間の接続は、通常、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とを導電材料を介して第１，第２の電極２ａ，４ａ同士が対向するように重ね合わせた後に、導電材料を硬化させる際に、加圧することにより行われる。加圧により、一般に導電性粒子１１は圧縮される。
【０１９５】
第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、電子部品の接続に用いられる導電材料であることが好ましい。
【０１９６】
本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第１の接続対象部材の表面に、上記導電材料により導電材料層を配置する工程と、上記導電材料層の上記第１の接続対象部材側と反対側の表面に、上記第２の接続対象部材を配置する工程と、上記導電材料層を熱硬化させて、上記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備えることが好ましい。この場合に、上記接続部は、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して、上記導電材料層を硬化させて形成される。上記導電材料層は、１００℃を超える温度に加熱せずに、１００℃以下の温度に加熱して、熱硬化されることがより好ましい。
【０１９７】
また、図１に示す接続構造体１は、例えば、図２（ａ）〜（ｃ）に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。
【０１９８】
図２（ａ）に示すように、第１の電極２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、第１の接続対象部材２の表面に、複数の導電性粒子１１を含む導電材料を配置し、第１の接続対象部材２の表面に導電材料層３Ａを形成する。このとき、第１の電極２ａ上に、１つ又は複数の導電性粒子１１が配置されていることが好ましい。
【０１９９】
次に、導電材料層３Ａに光を照射することにより、導電材料層３Ａの硬化を進行させる。図２（ａ）〜（ｃ）では、導電材料層３Ａに光を照射して、導電材料層３Ａの硬化を進行させて、導電材料層３ＡをＢステージ化している。すなわち、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを形成している。Ｂステージ化により、第１の接続対象部材２とＢステージ化された導電材料層３Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化された導電材料層３Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化された導電材料層３Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化が更に進行され得る。但し、導電材料層３ＡをＢステージ化せずに、導電材料層３Ａに光を照射又は導電材料層３Ａを加熱して、導電材料層３Ａを一度に硬化させてもよい。導電材料層３Ａを加熱して、導電材料層３Ａを熱硬化させることが好ましい。
【０２００】
導電材料層３Ａの硬化を効果的に進行させるために、光を照射する際の光照射強度は０．１〜８０００ｍＷ／ｃｍ２の範囲内であることが好ましい。積算光量は、０．１〜２００００Ｊ／ｃｍ２であることが好ましい。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。
【０２０１】
次に、図２（ｃ）に示すように、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂの第１の接続対象部材２側とは反対の表面に、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の表面の第１の電極２ａと、第２の接続対象部材４の表面の第２の電極４ａとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。
【０２０２】
さらに、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを更に硬化させ、接続部３を形成する。但し、第２の接続対象部材４の積層の前に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを加熱してもよい。さらに、第２の接続対象部材４の積層の後にＢステージ化された導電材料層３Ｂを加熱してもよい。
【０２０３】
導電材料層３Ａ又はＢステージ化された導電材料層３Ｂを加熱により硬化させる際の加熱温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは８０℃以上、より一層好ましくは１００℃以上、１２０℃以下、より好ましくは１１０℃以下である。本発明に係る導電材料が、有機ＥＬ表示素子における電極の電気的な接続に用いられる場合には、上記導電材料層３Ａ又はＢステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は１２０℃以下であり、１００℃以下であることがより好ましい。
【０２０４】
Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ａと第２の電極４ａとで導電性粒子１１を圧縮することにより、第１，第２の電極２ａ，４ａと導電性粒子１１との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。さらに、導電性粒子１１を圧縮することで、第１，第２の電極２ａ，４ａ間の距離が拡がっても、この拡がりに追従するように導電性粒子１１の粒子径が大きくなる。
【０２０５】
Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させることにより、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、接続部３を介して接続される。また、第１の電極２ａと第２の電極４ａとが、導電性粒子１１を介して電気的に接続される。このようにして、導電材料を用いた図１に示す接続構造体１を得ることができる。ここでは、光硬化と熱硬化とが併用されているため、導電材料を短時間で硬化させることができる。
【０２０６】
本発明に係る導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。なかでも、上記導電材料は、ＦＯＧ用途又はＣＯＧ用途に好適であり、ＣＯＧ用途により好適である。本発明に係る導電材料は、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続、又は半導体チップとガラス基板との接続に用いられる導電材料であることが好ましく、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続に用いられる導電材料であることがより好ましい。
【０２０７】
本発明に係る接続構造体では、上記第２の接続対象部材と上記第１の接続対象部材とが、フレキシブルプリント基板とガラス基板とであるか、又は半導体チップとガラス基板とであることが好ましく、フレキシブルプリント基板とガラス基板とであることがより好ましい。
【０２０８】
また、本発明に係る接続構造体は、有機ＥＬ表示素子であることも好ましい。上記有機ＥＬ表示素子における電極が、上記導電材料に含まれる導電性粒子により電気的に接続されていてもよい。
【０２０９】
また、上記第１，第２の接続対象部材はそれぞれ、有機ＥＬ表示素子用基板であることが好ましい。上記第１，第２の接続対象部材は、有機ＥＬ表示素子用基板である第１，第２の基板であることが好ましい。上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とが、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ基板と封止基板とであることが好ましい。この場合に、上記第１の接続対象部材が上記有機ＥＬ基板でありかつ上記第２の接続対象部材が上記封止基板であってもよく、上記第１の接続対象部材が上記封止基板でありかつ上記第２の接続対象部材が上記有機ＥＬ基板であってもよい。上記接続構造体は、有機ＥＬ表示素子であることが好ましい。
【０２１０】
電極幅（第１の電極幅及び第２の電極幅）は、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下である。電極間幅（第１の電極間幅及び第２の電極間幅）は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下である。また、電極幅／電極間幅であるＬ／Ｓ（ライン／スペース）は、好ましくは５μｍ／５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ／１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ／５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ／３００μｍ以下である。
【０２１１】
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０２１２】
（実施例１）
（１）導電材料の調製：
ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０」）４０重量部、ビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）４０重量部、及びフェノールノボラック樹脂（三菱化学社製「１０３２Ｈ６０」）２０重量部に、カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）３重量部と、無機フィラーである平均粒子径０．５μｍのシリカ（東亞合成社製「ＨＰＳ−０５００」、アスペクト比１．２）１０重量部と、平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ａ（１００℃での２０％Ｋ値：１４００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）４重量部とを添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。
【０２１３】
なお、用いた導電性粒子Ａ及び後述する導電性粒子Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｉ，Ｌ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚはいずれも、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている導電層を有する導電性粒子である。また、用いた導電性粒子Ｈは、樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面にパラジウムめっき層が形成されている導電層を有する導電性粒子である。導電性粒子Ｊは、樹脂粒子の表面にニッケルめっき層のみが形成された導電性粒子である。導電性粒子Ｋは樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面にパラジウムめっき層が形成されており、さらに上記導電層の外表面に隆起した突起を有する導電性粒子である。２０％Ｋ値及び圧縮回復率はジビニルベンゼン樹脂粒子の組成及び導電層の厚みを変更することで調整した。
【０２１４】
（２）有機ＥＬ表示素子の作製：
有機ＥＬ素子を備えており、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが上面に形成された有機ＥＬ基板（第１の基板、第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが下面に形成された封止基板（第２の基板、第２の接続対象部材）を用意した。
【０２１５】
上記第１の基板上に、作製直後の導電ペーストを幅２ｍｍ、厚さ５０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、導電ペースト層を形成した。次に、導電ペースト層上に上記第２の基板を、電極同士が対向するように積層した。この積層体を、貼り合せ装置を用いて、０．３ＭＰａの圧力をかけて１００℃で３０分間導電ペースト層を硬化させ、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２１６】
（実施例２）
導電ペースト層の加熱温度を１００℃から１２０℃に変更したこと以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２１７】
（実施例３）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｂ（１００℃での２０％Ｋ値：５２０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１０％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２１８】
（実施例４）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｃ（１００℃での２０％Ｋ値：１９８０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１８％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２１９】
（実施例５）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｄ（１００℃での２０％Ｋ値：１１００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：３％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２０】
（実施例６）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｅ（１００℃での２０％Ｋ値：１７００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：３０％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２１】
（実施例７）
無機フィラーを平均粒子径０．８μｍのタルク（日本タルク社製「Ｄ−８００」、平均アスペクト比２）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２２】
（実施例８）
ビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）を、ビスフェノールＥ（プリンテック社製「ＥＰＯＸ−ＭＫ  Ｒ１７１０」）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２３】
（実施例９）
ＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）を、カチオン発生剤であるＣＸＣ−１６１２（Ｋ−ＰＵＲＥ社製のＫ−ＰＵＲＥ  ＣＸＣ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２４】
（実施例１０）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを配合せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１５重量部を配合したこと以外は、実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２５】
（実施例１１）
無機フィラーを配合しなかったこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２６】
（実施例１２）
ＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）を、カチオン発生剤であるＣＰＩ−２１０Ｓ（サンアプロ社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。
【０２２７】
実施例１と同様の第１，第２の基板を用意した。上記第１の基板上に、導電ペーストをディスペンサーを用いて塗工し、導電ペースト層を形成した後、３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射し、光重合によって導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。次に、導電ペースト層上に上記第２の基板を、電極同士が対向するように積層した。この積層体を、貼り合せ装置を用いて、０．３ＭＰａの圧力をかけて１００℃で３０分間導電ペースト層を硬化させ、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２８】
（実施例１３）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｆ（１００℃での２０％Ｋ値：５８０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２２９】
（実施例１４）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｇ（１００℃での２０％Ｋ値：１６８０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：２５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３０】
（実施例１５）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｈ（１００℃での２０％Ｋ値：１５２０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３１】
（実施例１６）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｊ（１００℃での２０％Ｋ値：１４８０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３２】
（実施例１７）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｋ（１００℃での２０％Ｋ値：１５８０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３３】
（実施例１８）
導電性粒子Ａを平均粒子径２０μｍの導電性粒子Ｌ（１００℃での２０％Ｋ値：１３８０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１３％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３４】
（実施例１９）
（１）導電フィルムの作製：
フェノキシ樹脂（フェノキシアソシエーツ社製「ＰＫＨＨ」）３０重量部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４０３２Ｄ」）２０重量部、液状エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＥＰ−８２８」）２０重量部、硬化剤としてイミダゾール硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュア３９４１ＨＰ」）３０重量部、シランカップリング剤（東レダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ６０４０」）１重量部、平均粒子径０．５μｍのシリカ（東亞合成社製「ＨＰＳ−０５００」、アスペクト比１．２）１０重量部、及び平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ａ４重量部を添加し、トルエンを固形分５０重量％となるように加え、樹脂組成物を得た。
【０２３５】
得られた樹脂組成物を、片面が離型処理された厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムに塗布し、８０℃の熱風で５分間乾燥し、導電フィルムを作製した。得られた導電フィルムの厚さは５０μｍであった。得られた導電フィルムを幅２ｍｍの大きさに切断した。
【０２３６】
（２）有機ＥＬ表示素子の作製：
上記第１の基板上に、導電ペーストをディスペンサーで塗工して、導電ペースト層を形成するプロセスを、導電フィルムを貼り付けて、導電フィルム層を形成するプロセスに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３７】
（比較例１）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｗ（１００℃での２０％Ｋ値：３５０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３８】
（比較例２）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｘ（１００℃での２０％Ｋ値：３６７０Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：９５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２３９】
（比較例３）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｙ（１００℃での２０％Ｋ値：６００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１．５％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２４０】
（比較例４）
導電性粒子Ａを平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ｚ（１００℃での２０％Ｋ値：１８００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：４０％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２４１】
（実施例１〜１９及び比較例１〜４の評価）
（１）導電性粒子の１００℃での圧縮弾性率（２０％Ｋ値）
用いた導電性粒子の１００℃での圧縮弾性率（２０％Ｋ値）を、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。
【０２４２】
（２）導電性粒子の１００℃での圧縮回復率
用いた導電性粒子を１００℃で３０％圧縮したときの圧縮回復率を、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。
【０２４３】
（３）ボイドの有無
得られた有機ＥＬ表示素子において、導電材料層が硬化した接続部にボイドが生じているか否かを観察した。ボイドの有無を下記の基準で判定した。
【０２４４】
［ボイドの有無の判定基準］
○：ボイドなし
△：ボイドはあるものの、電極幅及び電極間幅よりも大きいボイドはない
×：電極幅又は電極間幅よりも大きいボイドがある
【０２４５】
（４）耐湿性
得られた導電ペーストを厚さ１００μｍとなるように、ベーカー式アプリケーター（テスター産業社製）にて恒温プレート上に塗布した。その後、実施例１〜１１，１３〜１８及び比較例１〜４では、１００℃で３０分間加熱して、実施例１２では、３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射した後、１００℃で３０分間加熱して、フィルムを得た。実施例１９では、２つの導電フィルムを合計で厚さ１００μｍになるように積層して、恒温プレート上に配置した後、１００℃で３０分加熱して、フィルムを得た。得られたフィルムの透湿度を、ＪＩＳ  Ｚ０２０８に従い、６０℃、９０％ＲＨの条件に２４時間暴露して測定した。
【０２４６】
なお、上記透湿度は、ＪＩＳ  Ｚ０２０８のように、透湿カップで測定する方法が一般的であるが、アメリカモコン社製のＰＥＲＭＡＴＲＡＮ  Ｗ３／３３を用いて測定することも可能である。
【０２４７】
透湿度の測定値から耐湿性を下記の基準で判定した。
【０２４８】
［耐湿性の判定基準］
○○：透湿度が２５ｇ／ｍ２以下
○：透湿度が２５ｇ／ｍ２を超え、５０ｇ／ｍ２以下
△：透湿度が５０ｇ／ｍ２を超え、１００ｇ／ｍ２以下
×：透湿度が１００ｇ／ｍ２を超える
【０２４９】
（５）接続抵抗（導通信頼性）
得られた有機ＥＬ表示素子の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。１００箇所の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。得られた有機ＥＬ表示素子における電極間の接続抵抗を下記の基準で判定した。
【０２５０】
［接続抵抗の判定基準］
○○：３Ω未満
○：３Ω以上、４Ω未満
△：４Ω以上、５Ω未満
△△：５Ω以上、１０Ω未満
×：１０Ω以上
【０２５１】
（６）接続信頼性
得られた有機ＥＬ表示素子を８５℃、８５％ＲＨの条件に５００時間放置した後、上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。１００箇所の接続抵抗の平均値を算出した。高温高湿条件に放置した後の有機ＥＬ表示素子における電極間の接続抵抗から、接続信頼性を下記の基準で判定した。
【０２５２】
［接続信頼性の判定基準］
○○：３Ω未満
○：５Ω未満
△：５Ω以上、１０Ω未満
×：１０Ω以上
【０２５３】
結果を下記の表１に示す。
【０２５４】
【表１】
2014088095.tif 000011
【０２５５】
（実施例２０）
（１）導電材料の調製：
ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０」）４０重量部、及びビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）３０重量部に、カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）３重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・オルネクス社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）２０重量部と、光硬化開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ」）１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ１０重量部と、平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ａ（実施例１で用いた導電性粒子、１００℃での２０％Ｋ値：１４００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）４重量部とを添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。
【０２５６】
（２）有機ＥＬ表示素子の作製：
有機ＥＬ素子を備えており、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが上面に形成された有機ＥＬ基板（第１の基板、第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが下面に形成された封止基板（第２の基板、第２の接続対象部材）を用意した。
【０２５７】
上記第１の基板上に、作製直後の導電ペーストを幅２ｍｍ、厚さ５０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、導電ペースト層を形成した。次に、導電ペースト層上に上記第２の基板を、電極同士が対向するように積層した。３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射し、光重合によって導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。この積層体を、貼り合せ装置を用いて、０．３ＭＰａの圧力をかけて１００℃で３０分間導電ペースト層を硬化させ、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２５８】
（実施例２１）
導電ペースト層の加熱温度を１００℃から１２０℃に変更したこと以外は実施例２０と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２５９】
（実施例２２）
上記第２の基板を積層する前に光の照射を行い、光の照射後に速やかに上記第２の基板を積層したこと以外は実施例２０と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２６０】
（実施例２３）
熱硬化性化合物の種類を、ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０」）から、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−７７０」）に変更したこと以外は実施例２０と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２０と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２６１】
（実施例２４）
カチオン発生剤の種類を、ＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）から、ＣＸＣ−１６１２（Ｋ−ｐｕｒｅ社製のＫ−ｐｕｒｅ  ＣＸＣ）に変更したこと以外は実施例２０と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２０と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２６２】
（実施例２５）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１５重量部を添加したこと以外は、実施例２０と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２０と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２６３】
（実施例２６）
導電性粒子Ａを平均粒子径６０μｍの導電性粒子I（１００℃での２０％Ｋ値：１４００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）に変更したこと以外は実施例２０と同様にして、導電ベーストを得た。また、上記第１の基板の電極をＬ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さ２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンに変更し、封止基板（第２の基板）の電極を、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さ２０ｍｍのＩＴＯ電極パターンに変更し、上記第１の基板上に、作製直後の導電ペーストを幅１．５ｍｍ、厚さ１２０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工したこと以外は、実施例２０と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２６４】
（実施例２０〜２６評価）
実施例２０〜２６では、実施例１〜１９及び比較例１〜４の評価項目（１）〜（６）について、実施例１〜１９及び比較例１〜４と同様にして評価を実施した。
【０２６５】
なお、上記（４）耐湿性の評価では、得られた導電ペーストを厚さ１００μｍとなるように、ベーカー式アプリケーター（テスター産業社製）にて恒温プレート上に塗布した。その後、３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射した後、１００℃で３０分間加熱して、フィルムを得た。得られたフィルムの透湿度を、ＪＩＳ  Ｚ０２０８に従い、６０℃、９０％ＲＨの条件に２４時間暴露して測定した。
【０２６６】
結果を下記の表２に示す。
【０２６７】
【表２】
2014088095.tif 000012
【０２６８】
（実施例２７）
（１）導電材料の調製：
ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０」）４０重量部、及びビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）３０重量部に、カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）３重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・オルネクス社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）２０重量部と、光硬化開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ」）１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ１０重量部と、ベンジルアミン０．０５重量部と、平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ａ（実施例１で用いた導電性粒子、１００℃での２０％Ｋ値：１４００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）４重量部とを添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。
【０２６９】
（２）有機ＥＬ表示素子の作製：
有機ＥＬ素子を備えており、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが上面に形成された有機ＥＬ基板（第１の基板、第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが下面に形成された封止基板（第２の基板、第２の接続対象部材）を用意した。
【０２７０】
上記第１の基板上に、作製直後の導電ペーストを幅２ｍｍ、厚さ５０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、導電ペースト層を形成した。次に、導電ペースト層上に上記第２の基板を、電極同士が対向するように積層した。３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射し、光重合によって導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。この積層体を用いて、かつ貼り合せ装置を用いて、０．３ＭＰａの圧力をかけて１００℃で３０分間導電ペースト層を硬化させ、有機ＥＬ表示素子（接続構造体Ｘ）を得た。
【０２７１】
また、導電ペーストを遮光プラスチック容器中３０℃で７２時間放置した。作製直後の導電ペーストにかえて、３０℃で７２時間放置した後の導電ペーストを用いたこと以外は接続構造体Ｘと同様にして、有機ＥＬ表示素子（接続構造体Ｙ）を得た。
【０２７２】
（実施例２８）
ベンジルアミンの添加量を０．０５重量部から０．０９重量部に変更したこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２７３】
（実施例２９）
ベンジルアミンの添加量を０．０５重量部から０．００３重量部に変更したこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２７４】
（実施例３０）
上記アミン化合物の種類を、ベンジルアミンから、α，α−ジメチルベンジルアミンに変更したこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２７５】
（実施例３１）
熱硬化性化合物の種類を、ビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）から、ビスフェノールＥ（プリンテック社製「ＥＰＯＸ−ＭＫ  Ｒ１７１０」）に変更したこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２７６】
（実施例３２）
カチオン発生剤の種類を、ＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）から、ＣＸＣ−１６１２（Ｋ−ＰＵＲＥ社製のＫ−ＰＵＲＥ  ＣＸＣ）に変更したこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２７７】
（実施例３３）
ベンジルアミンを添加しなかったこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２７８】
（実施例３４）
上記アミン化合物の種類を、ベンジルアミンから、Ｎ−メチルベンジルアミン（芳香族環を有する第２級アミン）に変更したこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２７９】
（実施例３５）
上記アミン化合物の種類を、上記ベンジルアミンから、ｎ−ヘキシルアミン（脂肪族骨格を有する第１級アミン）に変更したこと以外は実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２８０】
（実施例３６）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１５重量部を添加したこと以外は、実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２８１】
（実施例３７）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１５重量部を添加したこと、並びにベンジルアミンを添加しなかったこと以外は、実施例２７と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例２７と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。
【０２８２】
（実施例２７〜３７の評価）
実施例２７〜３７では、実施例１〜１９及び比較例１〜４の評価項目（１）〜（６）について、実施例１〜１９及び比較例１〜４と同様にして評価を実施した。さらに、実施例２７〜３７では、以下の評価項目（７）〜（９）についても、評価を実施した。
【０２８３】
なお、上記（４）耐湿性の評価では、得られた導電ペーストを厚さ１００μｍとなるように、ベーカー式アプリケーター（テスター産業社製）にて恒温プレート上に塗布した。その後、３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射した後、１００℃で３０分間加熱して、フィルムを得た。得られたフィルムの透湿度を、ＪＩＳ  Ｚ０２０８に従い、６０℃、９０％ＲＨの条件に２４時間暴露して測定した。
【０２８４】
（７）導電材料のｐＨ
作製直後の導電ペーストの２５℃でのｐＨを測定した。ｐＨを下記の基準で判定した。
【０２８５】
［ｐＨの判定基準］
Ａ：ｐＨが６以上、８以下
Ｂ：ｐＨが４以上、６未満、又は８を超え、１０以下
Ｃ：ｐＨが４未満、又は１０を超える
【０２８６】
（８）保存安定性（硬化性）
作製直後の導電ペーストを用意して、導電ペーストを遮光プラスチック容器中３０℃で７２時間放置した。作製直後（放置前）の導電ペーストと、放置後の導電ペーストとを１００℃１時間オーブンにて硬化させ、硬化物（直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍ）を得た。
【０２８７】
ショア硬度計（Ｄ型）にて作製直後（放置前）の導電ペーストの硬化物の硬度Ｄ１と、放置後の導電ペーストの硬化物の硬度Ｄ２とから、導電ペーストの硬化性を下記の基準で判定した。
【０２８８】
［保存安定性（硬化性）の判定基準］
○：硬度Ｄ２の硬度Ｄ１に対する比が０．９以上
△：硬度Ｄ２の硬度Ｄ１に対する比が０．８以上、０．９未満
△△：硬度Ｄ２の硬度Ｄ１に対する比が０．６以上、０．８未満
×：硬度Ｄ２の硬度Ｄ１に対する比が０．６未満
【０２８９】
（９）保存安定性（粘度）
作製直後の導電ペーストを用意して、導電ペーストを３０℃で７２時間放置した。作製直後（放置前）の導電ペーストの粘度η１と、放置後の導電ペーストの粘度η２とから、導電ペーストの保存安定性を下記の基準で判定した。なお、上記粘度η１及びη２は、Ｅ型粘度測定装置（ＴＯＫＩ  ＳＡＮＧＹＯ  ＣＯ．ＬＴＤ社製「ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ  ＴＶ−２２」、コーンローター：Ｎｏ．７）を用いて、２．５ｒｐｍ及び２５℃の条件で測定された値である。
【０２９０】
［保存安定性（粘度）の判定基準］
○○：粘度η２の粘度η１に対する比が１．２未満
○：粘度η２の粘度η１に対する比が１．２以上、１．４未満
△：粘度η２の粘度η１に対する比が１．４以上、１．６未満
△△：粘度η２の粘度η１に対する比が１．６以上、２．０未満
×：粘度η２の粘度η１に対する比が２．０以上
【０２９１】
結果を下記の表３に示す。
【０２９２】
【表３】
2014088095.tif 000013
【０２９３】
（実施例３８）
（１）導電材料の調製：
２３℃で固形の多官能型エポキシ樹脂（三菱化学社製「１０３２Ｈ６０」）５０重量部、及び２３℃で液状のビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）５０重量部に、カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）３重量部と、有機粒子であるコアシェル型アクリル系ゴム粒子（三菱レイヨン社製「メタブレンＷ−５５００」、平均粒子径０．４μｍ）１０重量部と、無機フィラーであるシリカ（平均粒子径０．２５μｍ）１０重量部と、平均粒子径３０μｍの導電性粒子Ａ（実施例１で用いた導電性粒子、１００℃での２０％Ｋ値：１４００Ｎ／ｍｍ２、１００℃での圧縮回復率：１５％）４重量部とを添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。
【０２９４】
（２）有機ＥＬ表示素子の作製：
有機ＥＬ素子を備えており、Ｌ／Ｓが２５０μｍ／２５０μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが上面に形成された有機ＥＬ基板（第１の基板、第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが２５０μｍ／２５０μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが下面に形成された封止基板（第２の基板、第２の接続対象部材）を用意した。
【０２９５】
上記第１の基板上に、作製直後の導電ペーストを幅２ｍｍ、厚さ５０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、導電ペースト層を形成した。次に、導電ペースト層上に上記第２の基板を、電極同士が対向するように積層した。この積層体を、貼り合せ装置を用いて、０．２ＭＰａの圧力をかけて１００℃で３０分間導電ペースト層を硬化させ、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２９６】
（実施例３９）
導電ペースト層の加熱温度を１００℃から１２０℃に変更したこと以外は実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２９７】
（実施例４０）
有機粒子をコアシェル構造微粒子（ガンツ化成社製「Ｆ３５１」、平均粒子径０．３μｍ）に変更したこと以外は実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２９８】
（実施例４１）
無機フィラーをタルク（日本タルク社製「Ｄ−８００」、平均粒子径０．８μｍ）に変更したこと以外は実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０２９９】
（実施例４２）
ビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）５０重量部を、２３℃で液状のビスフェノールＥエポキシ樹脂（プリンテック社製「ＥＰＯＸ−ＭＫ  Ｒ１７１０」）５０重量部に変更したこと以外は実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０３００】
（実施例４３）
カチオン発生剤の種類を、ＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）から、ＣＸＣ−１６１２（Ｋ−ｐｕｒｅ社製「Ｋ−ｐｕｒｅ  ＣＸＣ」）に変更したこと以外は実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０３０１】
（実施例４４）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１５重量部を添加したこと以外は、実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０３０２】
（実施例４５）
有機粒子と無機フィラーとを配合しなかったこと以外は実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０３０３】
（実施例４６）
有機粒子を配合しなかったこと以外は実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０３０４】
（実施例４７）
無機フィラーを配合しなかったこと以外は実施例３８と同様にして、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを用いて、実施例３８と同様にして、有機ＥＬ表示素子を得た。
【０３０５】
（実施例３８〜４７の評価）
実施例３８〜４７では、実施例１〜１９及び比較例１〜４の評価項目（１）〜（６）について、実施例１〜１９及び比較例１〜４と同様にして評価を実施した。さらに、実施例３８〜４７では、以下の評価項目（１０）についても、評価を実施した。
【０３０６】
なお、上記（４）耐湿性の評価では、得られた導電ペーストを厚さ１００μｍとなるように、ベーカー式アプリケーター（テスター産業社製）にて恒温プレート上に塗布した。その後、１００℃で３０分間加熱して、フィルムを得た。得られたフィルムの透湿度を、ＪＩＳ  Ｚ０２０８に従い、６０℃、９０％ＲＨの条件に２４時間暴露して測定した。
【０３０７】
（１０）導電材料の硬化中の最低溶融粘度
導電材料の硬化中の最低溶融粘度を回転式レオメーター（ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ、ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）を用いて、ギャップ５００ｕｍ、周波数１Ｈｚ、歪量１ｒａｄ、昇温速度１０℃／分、測定温度範囲３０℃〜１２０℃の間における複素粘度が最も低下した値を最低溶融粘度とすることにより評価した。導電材料の硬化中の粘度を下記の基準で判定した。
【０３０８】
［導電材料の硬化中の最低溶融粘度］
○：最低溶融粘度が２Ｐａ・ｓ以上、１０Ｐａ・ｓ以下
△：最低溶融粘度が０．４Ｐａ・ｓ以上、２Ｐａ・ｓ未満、又は１０Ｐａ・ｓを超え、５０Ｐａ・ｓ以下
×：最低溶融粘度が０．４Ｐａ・ｓ未満、又は５０Ｐａ・ｓを超える
【０３０９】
結果を下記の表４に示す。
【０３１０】
【表４】
2014088095.tif 000014
【符号の説明】
【０３１１】
１…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…第１の電極
３…接続部
３Ａ…導電材料層
３Ｂ…Ｂステージ化された導電材料層
４…第２の接続対象部材
４ａ…第２の電極
１１…導電性粒子
１２…基材粒子
１３…導電層
【図１】
2014088095.tif 000015
【図２】
2014088095.tif 000016
【図３】
2014088095.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月26日(2015.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化されて用いられる導電材料であって、
硬化性成分と、導電性粒子とを含み、
前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを有し、
前記導電性粒子を１００℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率が５００Ｎ／ｍｍ２以上、２０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、
前記導電性粒子の１００℃での圧縮回復率が３％以上、３０％以下である、導電材料。
【請求項２】
有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に用いられる、請求項１に記載の導電材料。
【請求項３】
有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板の電極と、封止基板の電極との電気的な接続に用いられる、請求項１又は２に記載の導電材料。
【請求項４】
無機フィラーをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項５】
無機フィラーと、有機粒子とをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項６】
前記硬化性成分が、硬化性化合物とカチオン発生剤とを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項７】
アミン化合物をさらに含み、
前記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンである、請求項６に記載の導電材料。
【請求項８】
前記硬化性成分が、硬化性化合物と熱硬化剤とを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項９】
前記熱硬化剤が、アミン化合物とエポキシ化合物との付加生成物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、酸無水物、ジシアンジアミド、グアニジン化合物、又は変性脂肪族ポリアミンである、請求項８に記載の導電材料。
【請求項１０】
前記硬化性成分が、硬化性化合物を含み、
前記硬化性化合物が、２３℃で液状のエポキシ化合物と、２３℃で固体のエポキシ化合物とを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項１１】
第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電材料を、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して硬化させて形成されている、接続構造体。
【請求項１２】
前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、
前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されている、請求項１１に記載の接続構造体。
【請求項１３】
前記第１，第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である、請求項１１又は１２に記載の接続構造体。
【請求項１４】
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とが、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板と封止基板とである、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の接続構造体。
【請求項１５】
請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法であって、
前記第１の接続対象部材の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、
前記導電材料層の前記第１の接続対象部材側と反対側の表面に、前記第２の接続対象部材を配置する工程と、
１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して、前記導電材料層を硬化させて、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える、接続構造体の製造方法。
【請求項１６】
有機エレクトロルミネッセンス表示素子である接続構造体の製造方法であって、
前記第１の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第１の基板であり、
前記第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第２の基板であり、
前記有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第１の基板の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、
前記導電材料層の前記第１の基板側とは反対側の表面に、前記有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である第２の基板を配置する工程と、
前記導電材料層に光を照射し、かつ前記導電材料層を１２０℃以下の温度に加熱して、前記導電材料層を光硬化及び熱硬化させて、前記第１，第２の基板を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える、請求項１５に記載の接続構造体の製造方法。
【国際調査報告】
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