(57)【要約】  複数の蓄電デバイスの接続をスイッチにて切り替え制御して、所望する複数の直流電圧を出力する電源装置を得る。複数の蓄電デバイスに対応して設けられ、それらの負極端を第１蓄電デバイス接続用回路に接続する負極端接続用スイッチと、それらの正極端を第１蓄電デバイス接続用回路に接続する第１正極端接続用スイッチと、それらをバイパスさせるバイパス用スイッチとを有する第１スイッチ回路、前記複数の蓄電デバイスに対応して設けられ、それらの正極端を第２蓄電デバイス接続用回路に接続する第２正極端接続用スイッチと、それらの正極端と他の蓄電デバイスの負極端とを接続する接続用スイッチとを有する第２スイッチ回路を備えた。
2016125589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極端と負極端を有する複数の蓄電デバイス、
第１端子正極と端子負極間に設けられる第１蓄電デバイス接続用回路、
前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの負極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する負極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する第１正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスをバイパスさせるバイパス用スイッチとを有する第１スイッチ回路、
第２端子正極と端子負極間に設けられる第２蓄電デバイス接続用回路、
前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第２蓄電デバイス接続用回路に接続する第２正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの正極端と他の蓄電デバイスの負極端とを接続する接続用スイッチとを有する第２スイッチ回路、
前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路の各スイッチの開閉を制御する制御回路を備え、
前記第１スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続し、
前記第２スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第２端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続するようにした電源装置。
【請求項２】
前記第１蓄電デバイス接続用回路の前記第１端子正極と端子負極間に平滑コンデンサが接続され、前記第１蓄電デバイス接続用回路における、接続された蓄電デバイスの電流通路に平滑リアクトルが設けられたことを特徴とする請求項１記載の電源装置。
【請求項３】
前記第１端子正極と端子負極に、直流電圧を可変しうる可変電源装置である充電装置を接続したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電源装置。
【請求項４】
前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの正極端同士を接続する接続用スイッチを有する第３スイッチ回路を備え、
前記制御回路は、前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路の各スイッチの開閉を制御するとともに、前記第３スイッチ回路の各スイッチの開閉を制御し、
前記第１スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続し、
前記第２スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第２端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続し、
前記第３スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間に複数個の所望の蓄電デバイスを並列接続するようにした請求項１記載の電源装置。
【請求項５】
前記第３スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間および前記第２端子正極と端子負極間に複数個の所望の蓄電デバイスを並列接続するようにした請求項４記載の電源装置。
【請求項６】
前記第１蓄電デバイス接続用回路の前記第１端子正極と端子負極間に平滑コンデンサが接続され、前記第１蓄電デバイス接続用回路における、接続された蓄電デバイスの電流通路に平滑リアクトルが設けられたことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の電源装置。
【請求項７】
前記第１端子正極と端子負極に、直流電圧を可変しうる可変電源装置である充電装置を接続したことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数の蓄電デバイスの接続をスイッチにて切り替え制御して、複数の蓄電デバイスから複数の直流電圧を出力する電源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の複数の蓄電デバイスを直列接続した電源装置において、両端の蓄電デバイスとともに途中の蓄電デバイスにもタップを接続することで、複数の直流電圧を取り出すことができる（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−６５６７号公報（第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記特許文献１では、複数の蓄電デバイスを直列に接続する一方、両端の蓄電デバイスとともに途中の蓄電デバイスにもタップを接続して、複数の直流電圧を取り出していた。しかしながら、グランドに接続される蓄電デバイスは固定であるため、途中の蓄電デバイスから直流電圧を取り出そうとすると、前記蓄電デバイスよりグランドに近い蓄電デバイスの正極と負極が短絡して、回路の破損や発火が発生するという課題があった。【０００５】
この発明は、前記のような課題を解決するためになされたもので、回路の破損が発生しにくい電源装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係わる電源装置は、正極端と負極端を有する複数の蓄電デバイス、第１端子正極と端子負極間に設けられる第１蓄電デバイス接続用回路、前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの負極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する負極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する第１正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスをバイパスさせるバイパス用スイッチとを有する第１スイッチ回路、第２端子正極と端子負極間に設けられる第２蓄電デバイス接続用回路、前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第２蓄電デバイス接続用回路に接続する第２正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの正極端と他の蓄電デバイスの負極端とを接続する接続用スイッチとを有する第２スイッチ回路、前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路の各スイッチの開閉を制御する制御回路を備え、前記第１スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続し、前記第２スイッチ回路のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第２端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続するようにしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明による電源装置によれば、第１と第２スイッチ回路にて端子負極に接続する蓄電デバイスを選択することができるので、蓄電デバイスを短絡させることが少なく、途中の蓄電デバイスから直流電圧を取り出すことができる。
この発明の前記以外の目的、特徴、観点及び効果は、図面を参照する以下のこの発明の詳細な説明から、さらに明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１による電源装置の構成を示す回路図である。
【図２】実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。
【図３】実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。
【図４】実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。
【図５】実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。
【図６】実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。
【図７】実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。
【図８】実施の形態２による電源装置の構成を示す回路図である。
【図９】実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。
【図１０】実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。
【図１１】実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。
【図１２】実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。
【図１３】実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。
【図１４】実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。
【図１５】実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。
【図１６】実施の形態３による電源装置の構成を示す回路図である。
【図１７】実施の形態３による電源装置の他の構成を示す回路図である。
【図１８】実施の形態４による電源装置の構成を示す回路図である。
【図１９】実施の形態４による電源装置の他の構成を示す回路図である。
【図２０】実施の形態５による電源装置の構成を示す回路図である。
【図２１】実施の形態５による電源装置の他の構成を示す回路図である。
【図２２】実施の形態６による電源装置の構成を示す回路図である。
【図２３】実施の形態６による電源装置の回路動作を示す図である。
【図２４】実施の形態６による電源装置の回路動作を示す図である。
【図２５】実施の形態６による電源装置の回路動作を示す図である。
【図２６】実施の形態７による電源装置の構成を示す回路図である。
【図２７】実施の形態７による電源装置の回路動作を示す図である。
【図２８】実施の形態７による電源装置の回路動作を示す図である。
【図２９】実施の形態８による電源装置の構成を示す回路図である。
【図３０】実施の形態８による電源装置の回路動作を示す図である。
【図３１】実施の形態８による電源装置の回路動作を示す図である。
【図３２】実施の形態９による電源装置の構成を示す回路図である。
【図３３】実施の形態９による電源装置の回路動作を示す図である。
【図３４】実施の形態９による電源装置の回路動作を示す図である。
【図３５】実施の形態１０による電源装置の構成を示す回路図である。
【図３６】実施の形態１０による電源装置の回路動作を示す図である。
【図３７】実施の形態１０による電源装置の回路動作を示す図である。
【図３８】実施の形態１１による電源装置の構成を示す回路図である。
【図３９】実施の形態１１による電源装置の回路動作を示す図である。
【図４０】実施の形態１１による電源装置の回路動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による電源装置の構成を示す回路図を示す。図１において、蓄電デバイスとしては、例えばニッケル水素バッテリや、リチウムイオンバッテリが用いられる。
【００１０】
第１のスイッチ回路９（第１スイッチ回路）は、以下から構成される。蓄電デバイス３の正極端にＭＯＳＦＥＴ９ａ（第１正極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ａ（第１正極端接続用スイッチ）のソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｄ（バイパス用スイッチ）のドレイン端子が接続され、その接続点と第１取出し口１の正極１ａ（第１端子正極）が接続される。蓄電デバイス３の負極端にＭＯＳＦＥＴ９ｇ（負極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子がＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子に接続される。蓄電デバイス４の正極端にＭＯＳＦＥＴ９ｂ（第１正極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｅ（バイパス用スイッチ）のドレイン端子が接続され、その接続点とＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子が接続される。
【００１１】
蓄電デバイス４の負極端とＭＯＳＦＥＴ９ｈ（負極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子が接続される。蓄電デバイス５の正極端とＭＯＳＦＥＴ９ｃ（第１正極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｆ（バイパス用スイッチ）のドレイン端子が接続され、その接続点とＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子が接続される。蓄電デバイス５の負極端とＭＯＳＦＥＴ９ｉ（負極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子が接続され、その接続点とグランド７が接続される。グランド７は第１取出し口１の負極１ｂ（端子負極）と接続される。
【００１２】
第２のスイッチ回路１０（第２スイッチ回路）は、以下から構成される。蓄電デバイス３の負極端はＭＯＳＦＥＴ１０ａ（接続用スイッチ）のソース端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｂ（第２正極端接続用スイッチ）のソース端子が接続され、その接続点と蓄電デバイス４の正極端が接続される。蓄電デバイス４の負極端とＭＯＳＦＥＴ１０ｃ（接続用スイッチ）のソース端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｄ（第２正極端接続用スイッチ）のソース端子が接続され、その接続点と蓄電デバイス５の正極端が接続される。蓄電デバイス５の負極端はＭＯＳＦＥＴ１０ｅ（接続用スイッチ）のソース端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｆ（第２正極端接続用スイッチ）のソース端子が接続され、その接続点と蓄電デバイス３の正極端が接続される。ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子が接続され、その接続点と第２取出し口２の正極２ａ（第２端子正極）が接続される。グランド８と第２取出し口２の負極２ｂ（端子負極）が接続される。グランド７とグランド８は同基準電位点である。
【００１３】
制御回路６は第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を構成する各ＭＯＳＦＥＴのオン／オフの制御を行う。制御回路６は例えば処理回路により実現され、処理回路はメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵを有している。
【００１４】
次に蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に直流電圧を取り出す動作について説明する。
【００１５】
図２に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極1ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００１６】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００１７】
このとき、第２のスイッチ回路１０で、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５のみの直流電圧を取り出すことができる。また、第２のスイッチ回路１０で、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｂをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出すことができる。
【００１８】
また、図３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４の負極端に接続され、第１取出し口１の正極1ａに蓄電デバイス４の直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００１９】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００２０】
また、図４に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス３の負極端に接続され、第１取出し口１の正極1ａに蓄電デバイス３の直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００２１】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００２２】
また、図５に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００２３】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００２４】
また、図６に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００２５】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００２６】
また、図７に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００２７】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００２８】
第１端子正極１ａと端子負極１ｂ間に設けられる第１蓄電デバイス接続用回路には、ＭＯＳＦＥＴ９ａ〜９ｉのいずれかがオンするときはそのオンしたＭＯＳＦＥＴが、及び蓄電デバイス３〜５のいずれかが生かされるときはその蓄電デバイスが、取り込まれて第１蓄電デバイス接続用回路が構成されるが、第１蓄電デバイス接続用回路に常に取り込まれる電流通路は次に示す１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆである。なお電流通路１ｃは正極１ａからＭＯＳＦＥＴ９ａ、９ｄの接続点までであり、電流通路１ｄはＭＯＳＦＥＴ９ｄ、９ｇの接続点からＭＯＳＦＥＴ９ｂ、９ｅの接続点までであり、電流通路１ｅはＭＯＳＦＥＴ９ｅ、９ｈの接続点からＭＯＳＦＥＴ９ｃ、９ｆの接続点までであり、電流通路１ｆはＭＯＳＦＥＴ９ｆ、９ｉの接続点から負極１ｂまでである。
なお、図７の第１蓄電デバイス接続用回路９において、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出すことができる。つまり、バイパス用スイッチＭＯＳＦＥＴ９ｅをオンさせることにより、蓄電デバイス４をバイパスさせ、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の直列接続された直流電圧を取り出すことができる。
【００２９】
第２端子正極２ａと端子負極２ｂ間に設けられる第２蓄電デバイス接続用回路には、ＭＯＳＦＥＴ１０ａ〜１０ｆのいずれかがオンするときはそのオンしたＭＯＳＦＥＴが、及び蓄電デバイス３〜５のいずれかが生かされるときはその蓄電デバイスが、取り込まれて第２蓄電デバイス接続用回路が構成されるが、第２蓄電デバイス接続用回路に常に取り込まれる電流通路は次に示す２ｃ、２ｄである。なお電流通路２ｃは正極２ａからＭＯＳＦＥＴ１０ｂ、１０ｄ、１０ｆの接続点までであり、電流通路２ｄは負極２ｂからグランド８までである。
【００３０】
その結果、第１のスイッチ回路にてグランドに接続される蓄電デバイスを選択することができるので、蓄電デバイスを短絡させることなく途中の蓄電デバイスから直流電圧を取り出すことができる。なお、この発明の実施の形態１において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。
【００３１】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２による電源装置の回路図を、図８に示す。実施の形態１と異なる点は平滑リアクトル１１と平滑コンデンサ１２を追加した点である。具体的には、平滑リアクトル１１はＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子の接続点と第１取出し口１の正極１ａとの間に接続され、平滑コンデンサ１２は第１取出し口１の正極１ａと負極１ｂの間に接続される。なお、平滑リアクトル１１は、負極１ｂと接続された所望の蓄電デバイスと第１取出し口１の正極１ａの電流通路に設けてもよい。
【００３２】
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図９に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。以下、平滑リアクトル１１が励磁されている状態を励磁状態とする。
【００３３】
第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００３４】
図９の動作後に、図１０に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、エネルギーを第１取出し口１に供給し続けるために平滑リアクトル１１は蓄積されたエネルギーで還流させようとする。以下、平滑リアクトル１１が蓄積されたエネルギーで還流させようとする状態を還流状態とする。励磁状態になり、励磁状態から還流状態になり、還流状態から再度励磁状態になるまでの時間を１周期とする。図１０で、第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００３５】
制御回路６は図９の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）を繰り返すように第１のスイッチ回路９のＭＯＳＦＥＴをスイッチングさせる。このとき１周期における図９の動作（励磁状態）を占める割合を増やしていくことで、０Ｖから蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
【００３６】
また、図１１に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００３７】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００３８】
図１１の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
【００３９】
また、図１２に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続した直流電圧を取り出す。
【００４０】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００４１】
図１２の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続した直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
【００４２】
また、図１３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、平滑リアクトル１１、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００４３】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００４４】
図１３の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス５の直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
【００４５】
また、図１４に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、平滑リアクトル１１、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００４６】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００４７】
図１４の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス４の直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
【００４８】
また、図１５に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、平滑リアクトル１１、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
【００４９】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００５０】
図１５の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス３の直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
【００５１】
その結果、第１のスイッチ回路９を構成するＭＯＳＦＥＴをスイッチングさせることで、第１取出し口１にはランプ状電圧を取り出すことができるので、第１取出し口１への突入電流を抑制することができる。なお、この発明の実施の形態２において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。
【００５２】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３による電源装置の回路図を、図１６と図１７に示す。この発明の実施の形態３における第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０の動作は、実施の形態１で示したものと同様であるため、説明は省略する。異なる点は直流出力電圧を調整可能に構成した可変電圧電源装置である充電装置１３を追加した点である。具体的には充電装置１３の正極と第１取出し口１の正極１ａが接続され、充電装置１３の負極と第１取出し口１の負極１ｂが接続される。
【００５３】
充電装置１３は第１取出し口１に取り出した直流電圧より大きくなるように直流電圧を出力する。その結果、充電装置１３から蓄電デバイス３、４、５に電力を供給することができるので、蓄電デバイスを充電することができる。具体的には、例えば、図２、図３、図４、図５、図６、図７、図９、図１１、図１２、図１３、図１４、又は図１５の接続状態で、第１取出し口１に取り出した直流電圧より大きくなるような直流電圧を充電装置１３から出力することにより、接続された１又は複数の蓄電デバイス３、４、５に蓄電できる。
【００５４】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４による電源装置の回路図を、図１８と図１９に示す。この発明の実施の形態４における第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０の動作は、実施の形態１〜２で示したものと同様であるため、説明は省略する。異なる点は、電動発電機１４と電動発電機１４を駆動するインバータ１５から構成される第１の負荷１６と、インバータ１５の直流母線と低圧蓄電デバイス１８を接続するＤＣ／ＤＣコンバータ１７と、低圧蓄電デバイス１８に接続する低圧電装品１９から構成される第２の負荷２０と、電気負荷から構成される第３の負荷２１を追加した点である。
【００５５】
図１８の各構成要素間の接続状況を説明する。第１取出し口１の正極１ａと、インバータ１５の直流母線側正極と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の直流母線側正極が接続され、第１取出し口１の負極１ｂと、インバータ１５の直流母線側負極と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の直流母線側負極が接続される。インバータ１５を構成するＭＯＳＦＥＴ１５ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｂのドレイン端子の接続点と、ＭＯＳＦＥＴ１５ｃのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｄのドレイン端子の接続点と、ＭＯＳＦＥＴ１５ｅのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｆのドレイン端子の接続点が、電動発電機１４に接続される。低圧蓄電デバイス１８と低圧電装品１９は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７を構成する平滑コンデンサ１７ｅに並列に接続される。第２取出し口２の正極２ａと第３の負荷２１の正極と接続され、第２取出し口２の負極２ｂと第３の負荷２１の負極が接続される。インバータ１５、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７は各々制御する機能を保有しているが、各構成要素に動作状態を指令するために制御回路６と接続される。
【００５６】
次に、各構成要素の回路構成を説明する。インバータ１５内は、ＭＯＳＦＥＴ１５ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｂのドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｃのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｄのドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｅのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｆのドレイン端子が各々接続される。ＭＯＳＦＥＴ１５ａのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｃのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｅのドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｂのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｄのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｆのソース端子が接続される。ＭＯＳＦＥＴ１５ａのドレイン端子と平滑コンデンサ１５ｇの一方の端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｂのソース端子と平滑コンデンサ１５ｇの他方の端子が接続される。
【００５７】
ＤＣ／ＤＣコンバータ１７内は、ＭＯＳＦＥＴ１７ｂのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１７ｃのドレイン端子が接続され、その接続点と平滑リアクトル１７ｄの一方の端子が接続される。平滑リアクトル１７ｄの他方の端子が平滑コンデンサ１７ｅの一方の端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１７ｃのソース端子は平滑コンデンサ１７ｅの他方の端子と接続される。ＭＯＳＦＥＴ１７ｂのドレイン端子は平滑コンデンサ１７ａの一方の端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１７ｃのソース端子は平滑コンデンサ１７ａの他方の端子に接続される。この様な回路構成にすることで、制御回路６は各構成要素の動作状態を監視しながら各構成要素を制御する。
【００５８】
例えば、電動発電機１４を始動させる時に第１取出し口１に取り出される直流電圧が低くなるように、第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を動作させる。その結果、電動発電機１４及びインバータ１５に過大な電流が流れることを防止することができ、電動発電機１４及びインバータ１５の破損を回避することができる。また、第１取出し口１に取り出される直流電圧が低くなることで、インバータ１５を構成するＭＯＳＦＥＴの発生損失を低減させることができ、インバータ１５の冷却器を簡素化することが可能となり、インバータ１５の小型化を実現することができる。
【００５９】
また例えば、低圧電装品１９が重負荷の時に上述と同様に第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を動作させる。その結果、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の入力電圧が低くなり、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の発生損失を低減させることができ、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の冷却器を簡素化することが可能となり、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の小型化を実現することができる。
【００６０】
また例えば、電動発電機１４が発電する時に第１取出し口１に取り出される直流電圧が大きくなるように、第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を動作させる。その結果、直流母線電圧が高くなり、電動発電機１４の発電エネルギーを積極的に蓄電デバイス３、４、５に回収し、充電することが可能となる。
【００６１】
なお、この発明の実施の形態４において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。また、実施の形態４において、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の回路構成として、非絶縁型の降圧チョッパ回路で説明を行ったが、降圧することができればよく、非絶縁型、絶縁型の回路方式は特に問わない。
【００６２】
実施の形態５．
実施の形態５による電源装置の回路図を、図２０と図２１に示す。実施の形態５における第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０の動作は、実施の形態１〜２で示したものと同様であるため、説明は省略する。異なる点は第３の負荷２１が低圧蓄電デバイス１８より高い入力電圧を要する高圧電装品２２で構成される点である。その結果、高圧電装品２２の入力電圧は蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５を直列接続した電圧になり、ＤＣ／ＤＣコンバータを追加することなく高圧電装品２２を使用することができる。
【００６３】
実施の形態６．
この発明の実施の形態６による電源装置の回路図を図２２に示す。実施の形態１と異なる点は第３のスイッチ回路２３（第３スイッチ回路）を追加するとともに、第２のスイッチ回路２４に短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｇを追加した点である。具体的には、第３のスイッチ回路は逆直列接続されたＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂで構成され、ＭＯＳＦＥＴ２３ａはドレイン端子が蓄電デバイス３の正極端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子は蓄電デバイス５の正極端に接続される。また、第２のスイッチ回路２４のＭＯＳＦＥＴ１０ｇはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス３の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子に接続される。
【００６４】
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図２３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
【００６５】
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂとＭＯＳＦＥＴ１０ｃをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００６６】
なお、図２４に示すように第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出すこともできる。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。また、第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出すこともできる。
【００６７】
第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９aのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
【００６８】
ここで、図２５に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
【００６９】
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
【００７０】
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。なお、図２２の電源装置の第１取出し口１に、図１６の電源装置に示す充電装置１３を接続して、蓄電デバイス３、４、５を充電することができる。具体的には、充電装置１３の正極と第１取出し口１の正極１ａが接続され、充電装置１３の負極と第１取出し口１の負極１ｂが接続される。
【００７１】
ここで、前記特許文献１では、複数の蓄電デバイスは直列に接続されるため、負荷に供給できる電流は１つの蓄電デバイスの許容電流に制限される。従って、低電圧でも大電流が必要となる負荷状態が生じる場合には、蓄電デバイスを並列に増設して許容電流を増加させる必要があり、蓄電デバイスの増加による装置の大型化、高コスト化を招くという課題があった。しかし、実施の形態６では、複数の蓄電デバイス（具体的には蓄電デバイス３，５）が並列接続された直流電圧が取り出され、複数の蓄電デバイス（具体的には蓄電デバイス３，５）の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。そのため小型、低コストで必要に応じて許容出力電流の拡大が可能な電源装置を得ることができる。この効果は以下の実施の形態７〜１１においても、同様に発揮される。
【００７２】
実施の形態７．
この発明の実施の形態７による電源装置の回路図を図２６に示す。実施の形態６と異なる点は第３のスイッチ回路２３が蓄電デバイス３と蓄電デバイス４に接続された点である。具体的には、逆直列接続されたＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂにおいて、ＭＯＳＦＥＴ２３ａはドレイン端子が蓄電デバイス３の正極端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂはドレイン端子が蓄電デバイス４の正極端に接続される。
【００７３】
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図２７に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
【００７４】
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。なお、ＭＯＳＦＥＴ１０ｇは短絡防止のために追加されたものである。例えば、図２７において、ＭＯＳＦＥＴ１０ｇが無いとすると、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子に蓄電デバイス５の電圧が印加され、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された電圧が印加される。これによって、短絡が発生する。これをＭＯＳＦＥＴ１０ｇで防止している。後述の短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｈについても同様である。
【００７５】
ここで、図２８に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の正極端が接続される。
【００７６】
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。また、第２取出し口２の正極２ａからは、蓄電デバイス５の直流電圧が取り出される。
【００７７】
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００７８】
なお、図２６の電源装置の第１取出し口１に、図１６の電源装置に示す充電装置１３を接続して、蓄電デバイス３、４、５を充電することができる。具体的には、充電装置１３の正極と第１取出し口１の正極１ａが接続され、充電装置１３の負極と第１取出し口１の負極１ｂが接続される。
【００７９】
実施の形態８．
この発明の実施の形態８による電源装置の回路図を図２９に示す。実施の形態６と異なる点は第３のスイッチ回路２３が蓄電デバイス４と蓄電デバイス５に接続された点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ２３ａはドレイン端子が蓄電デバイス４の正極端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子は蓄電デバイス５の正極端に接続される。
【００８０】
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３０に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
【００８１】
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００８２】
ここで、図３１に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
【００８３】
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。
【００８４】
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００８５】
実施の形態９．
この発明の実施の形態９による電源装置の回路図を図３２に示す。実施の形態６と異なる点は第２のスイッチ回路２４に短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｈを追加した点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ１０ｈはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス４の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子に接続される。
【００８６】
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
【００８７】
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００８８】
ここで、図３４に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
【００８９】
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
【００９０】
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００９１】
実施の形態１０．
この発明の実施の形態１０による電源装置の回路図を図３５に示す。実施の形態７と異なる点は第２のスイッチ回路２４にＭＯＳＦＥＴ１０ｈを追加した点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ１０ｈはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス４の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子に接続される。
【００９２】
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３６に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
【００９３】
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００９４】
ここで、図３７に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の正極端が接続される。
【００９５】
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
【００９６】
また、第２取出し口２の正極２ａからは、蓄電デバイス５の直流電圧が取り出される。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【００９７】
実施の形態１１．
この発明の実施の形態１１による電源装置の回路図を図３８に示す。実施の形態８と異なる点は第２のスイッチ回路２４に短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｈを追加した点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ１０ｈはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス４の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子に接続される。
【００９８】
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３９に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
【００９９】
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【０１００】
ここで、図４０に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
【０１０１】
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
【０１０２】
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
【０１０３】
なお、この発明の実施の形態６から実施の形態１１において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。また、第２のスイッチ回路や第３のスイッチ回路には逆直列接続したＭＯＳＦＥＴを用いて説明したが、その他の双方向性スイッチを用いることができることは言うまでもない。
【０１０４】
また、図８に示す平滑リアクトル１１と平滑コンデンサ１２を、図２２、図２６、図２９、図３２、図３５、又は図３８に追加することが可能である。具体的には、平滑リアクトル１１はＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子の接続点と第１取出し口１の正極１ａとの間に接続され、平滑コンデンサ１２は第１取出し口１の正極１ａと負極１ｂの間に接続される。なお、平滑リアクトル１１は、負極１ｂと接続された所望の蓄電デバイスと第１取出し口１の正極１ａの電流通路に設けてもよい。
【０１０５】
また、この発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１０６】
１：第１取出し口、  １ａ：正極、  １ｂ：負極
２：第２取出し口、  ２ａ：正極、  ２ｂ：負極
３、４、５：蓄電デバイス
６：制御回路、  ７：グランド、  ８：グランド
９：第１のスイッチ回路
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、９ｇ、９ｈ、９ｉ：ＭＯＳＦＥＴ
１０、２４：第２のスイッチ回路
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ：ＭＯＳＦＥＴ
１１：平滑リアクトル、  １２：平滑コンデンサ、  １３：充電装置
１４：電動発電機、  １５：インバータ
１５ｇ：平滑コンデンサ
１６：第１の負荷
１７：ＤＣ／ＤＣコンバータ
１７ａ、１７ｅ：平滑コンデンサ
１７ｄ：平滑リアクトル
１８：低圧蓄電デバイス、  １９：低圧電装品
２０：第２の負荷、  ２１：第３の負荷、  ２２：高圧電装品
２３：第３のスイッチ回路
２３ａ、２３ｂ：ＭＯＳＦＥＴ
２５：第１の電流
２６；第２の電流
【図１】
2016125589.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2016125589.tif 000007
【図６】
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【図７】
2016125589.tif 000009
【図８】
2016125589.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2016125589.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2016125589.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
2016125589.tif 000037
【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極端と負極端を有する複数の蓄電デバイス、
複数のスイッチを有する第１スイッチ回路、
前記複数の蓄電デバイスのうちの少なくとも１つの蓄電デバイスと、前記第１スイッチ回路の複数のスイッチのいずれかとが取り込まれて、第１端子正極と端子負極間に構成される第１蓄電デバイス接続用回路、
複数のスイッチを有する第２スイッチ回路、
前記複数の蓄電デバイスのうちの少なくとも１つの蓄電デバイスと、前記第２スイッチ回路の複数のスイッチのいずれかとが取り込まれて、第２端子正極と端子負極間に構成される第２蓄電デバイス接続用回路、
前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路の複数のスイッチのそれぞれの開閉を制御する制御回路を備え、
前記第１スイッチ回路の複数のスイッチは、前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの負極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する負極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する第１正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスをバイパスさせるバイパス用スイッチであり、
前記第２スイッチ回路の複数のスイッチは、前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第２蓄電デバイス接続用回路に接続する第２正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの負極端と他の蓄電デバイスの正極端とを接続する接続用スイッチであり、
前記第１スイッチ回路の複数のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続し、
前記第２スイッチ回路の複数のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第２端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続するようにした電源装置。
【請求項２】
前記第１蓄電デバイス接続用回路の前記第１端子正極と端子負極間に平滑コンデンサが接続され、前記第１蓄電デバイス接続用回路における、接続された蓄電デバイスの電流通路に平滑リアクトルが設けられたことを特徴とする請求項１記載の電源装置。
【請求項３】
前記第１端子正極と端子負極間に、直流電圧を可変しうる可変電源装置である充電装置を接続したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電源装置。
【請求項４】
前記複数の蓄電デバイスにおける蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの正極端同士を接続する接続用スイッチを有する第３スイッチ回路を備え、
前記制御回路は、前記第３スイッチ回路の前記接続用スイッチの開閉を制御して、
前記第１端子正極と端子負極間に複数個の所望の蓄電デバイスを並列接続するようにした請求項１記載の電源装置。
【請求項５】
前記第３スイッチ回路の前記接続用スイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間及び前記第２端子正極と端子負極間に複数個の所望の蓄電デバイスを並列接続するようにした請求項４記載の電源装置。
【請求項６】
前記第１蓄電デバイス接続用回路の前記第１端子正極と端子負極間に平滑コンデンサが接続され、前記第１蓄電デバイス接続用回路における、接続された蓄電デバイスの電流通路に平滑リアクトルが設けられたことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の電源装置。
【請求項７】
前記第１端子正極と端子負極間に、直流電圧を可変しうる可変電源装置である充電装置を接続したことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の電源装置。
【請求項８】
前記制御回路は、
前記第１端子正極と前記端子負極間に接続される蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記第１正極端接続用スイッチをオンに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記バイパス用スイッチをオフに制御し、
前記第１端子正極と前記端子負極間に接続されない蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記第１正極端接続用スイッチをオフに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記バイパス用スイッチをオンに制御するようにしたことを特徴とする請求項１記載の電源装置。
【請求項９】
前記制御回路は、
前記第２端子正極と前記端子負極間に接続される蓄電デバイスであって、
前記第２スイッチ回路を介して正極端が前記第２端子正極に接続される前記蓄電デバイスに対しては、前記第２スイッチ回路の対応する前記第２正極端接続用スイッチ及び前記接続用スイッチをオンに制御し、
負極端が前記端子負極に接続される前記蓄電デバイスに対しては、前記第２スイッチ回路の対応する前記第２正極端接続用スイッチ及び前記接続用スイッチをオフに制御し、
その他の前記蓄電デバイスに対しては、前記第２スイッチ回路の対応する前記第２正極端接続用スイッチをオフに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記接続用スイッチをオンに制御するようにしたことを特徴とする請求項８記載の電源装置。
【請求項１０】
前記制御回路は、
前記第１端子正極と前記端子負極間に並列接続される蓄電デバイスのうち、
一方の前記蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記第１正極端接続用スイッチをオンに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記バイパス用スイッチをオフに制御し、
他方の前記蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記バイパス用スイッチをオンに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記第１正極端接続用スイッチをオフに制御し、
前記第３スイッチ回路の前記接続用スイッチをオンに制御するようにしたことを特徴とする請求項４記載の電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係わる電源装置は、正極端と負極端を有する複数の蓄電デバイス、第１端子正極と端子負極間に構成される第１蓄電デバイス接続用回路、前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの負極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する負極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第１蓄電デバイス接続用回路に接続する第１正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスをバイパスさせるバイパス用スイッチとを有する第１スイッチ回路、第２端子正極と端子負極間に構成される第２蓄電デバイス接続用回路、前記複数の蓄電デバイスにおける各蓄電デバイスに対応して設けられ、その対応蓄電デバイスの正極端を前記第２蓄電デバイス接続用回路に接続する第２正極端接続用スイッチと、その対応蓄電デバイスの負極端と他の蓄電デバイスの正極端とを接続する接続用スイッチとを有する第２スイッチ回路、前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路の各スイッチの開閉を制御する制御回路を備え、前記第１スイッチ回路の複数のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続し、前記第２スイッチ回路の複数のスイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第２端子正極と端子負極間に１又は複数個の所望の蓄電デバイスを接続するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第１端子正極１ａと端子負極１ｂ間に設けられる第１蓄電デバイス接続用回路には、ＭＯＳＦＥＴ９ａ〜９ｉのいずれかがオンするときはそのオンしたＭＯＳＦＥＴが、及び蓄電デバイス３〜５のいずれかが生かされるときはその蓄電デバイスが、取り込まれて第１蓄電デバイス接続用回路が構成されるが、第１蓄電デバイス接続用回路に常に取り込まれる電流通路は次に示す１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆである。なお電流通路１ｃは正極１ａからＭＯＳＦＥＴ９ａ、９ｄの接続点までであり、電流通路１ｄはＭＯＳＦＥＴ９ｄ、９ｇの接続点からＭＯＳＦＥＴ９ｂ、９ｅの接続点までであり、電流通路１ｅはＭＯＳＦＥＴ９ｅ、９ｈの接続点からＭＯＳＦＥＴ９ｃ、９ｆの接続点までであり、電流通路１ｆはＭＯＳＦＥＴ９ｆ、９ｉの接続点から負極１ｂまでである。
なお、図７の第１のスイッチ回路９において、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出すことができる。つまり、バイパス用スイッチＭＯＳＦＥＴ９ｅをオンさせることにより、蓄電デバイス４をバイパスさせ、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の直列接続された直流電圧を取り出すことができる。
【国際調査報告】
2016125589.tif 000043
2016125589.tif 000044