(57)【要約】  本願は、導通領域のパターンが視認され難く、導通領域の表面電気抵抗値が低く、かつフレキシブル性の高い透明導電体を提供することを課題とする。  上記課題を解決するため、透明金属膜を含む積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹａ＝ｘａ＋ｉｙａで表し、透明金属膜を含まない積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹｂ＝ｘｂ＋ｉｙｂで表した場合に、（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５＜０．５を満たす、透明導電体とする。
2014167835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
透明金属膜と、
前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む積層体であり、
前記透明金属膜は所定の形状にパターニングされた金属パターンであり、
前記金属パターンのパターン領域における、前記積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹａ＝ｘａ＋ｉｙａで表し、前記金属パターンの非パターン領域における、積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹｂ＝ｘｂ＋ｉｙｂで表した場合に、（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５＜０．５を満たす、透明導電体。
【請求項２】
前記積層体の前記第二高屈折率層側の表面に接する部材または環境の、波長５７０ｎｍの光の屈折率をｎｅｎｖで表した場合に、（（ｘａ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙａ）２）０．５＜０．４を満たす、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項３】
前記金属パターンの非パターン領域における積層体表面が、前記透明基板の表面である、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項４】
前記透明金属膜は、厚みが１５ｎｍ以下であり、
前記金属パターンのパターン領域における、積層体の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１０％以下であり、
前記金属パターンのパターン領域における、積層体の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値が１５％以下であり、
前記透明金属膜の前記第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１、前記透明金属膜の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２で表した場合に、ｘ１及びｘ２のうち少なくとも一方が１．６以上である、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項５】
前記第一高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率と、前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率との差が０．５以下であり、
｜ｙ１＋ｙ２｜＜１を満たす、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項６】
｜ｘ１−ｘ２｜＜０．５を満たす、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項７】
前記透明金属膜のプラズモン吸収率が、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの全範囲で１０％以下である、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項８】
前記透明金属膜が、銀、銅、金、白金族、チタン、及びクロムからなる群から選ばれる一種以上の金属を含む、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項９】
前記第一高屈折率層及び前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．８〜２．５である、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項１０】
前記第一高屈折率層及び前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、及びＩＣＯからなる群から選ばれる一種以上である、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項１１】
前記積層体が、前記第一高屈折率層と前記透明金属膜との間、または前記透明金属膜と前記第二高屈折率層との間に、厚みが０．１〜１５ｎｍである低屈折率層をさらに含み、
前記低屈折率層は、前記第一高屈折率層及び前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む、請求項１に記載の透明導電体。
【請求項１２】
前記低屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料は、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．８以下である、請求項１１に記載の透明導電体。
【請求項１３】
前記低屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料が、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、及びＴｈＯ２からなる群から選ばれる、一種以上である、請求項１１に記載の透明導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属パターンを含む透明導電体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置の電極材料や、無機及び有機ＥＬ素子の電極材料、タッチパネル材料、太陽電池材料等の各種装置に透明導電膜が使用されている。【０００３】
このような透明導電膜を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。【０００４】
近年、静電容量方式のタッチパネルが開発されている。当該タッチパネルには、通常、ライン状の絶縁パターンで導通領域が格子状に区切られた透明導電膜が配設される。当該導通領域には、透明導電膜が配設される。しかし、一般的な透明導電体では、絶縁領域の光の透過率と、導通領域の光の透過率とが相違する。そのため、導通領域のパターンが、視認されやすいとの問題があった。【０００５】
このような問題に対し、透明導電膜が、高い透明性を有するＩＴＯ膜からなる透明導電体が提案されている（特許文献１）。また、ＩＴＯ膜の上に、高屈折率誘電体層及び低屈折率誘電体層が繰り返し積層された透明導電体も提案されている（特許文献２）。【０００６】
一方、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）膜と、Ａｇ薄膜と、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）膜とが積層された透明導電体も提案されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２７２２５９号公報
【特許文献２】特開２０１０−８６６８４号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Transparent Conductive Film Nb2O5/Ag/IZO with an Anti-Reflection Design，Ywh-Tarng Leu, et al., SID 2012 DIGEST p.352-353
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述の特許文献１及び２に記載のＩＴＯ膜は透明性が高いものの、表面電気抵抗値が高い。また、ＩＴＯ膜は割れやすい。したがって、当該透明導電体をフレキシブル性が求められる用途に適用できない、という問題もある。【００１０】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものである。本発明は、導通領域のパターンが視認され難く、導通領域の表面電気抵抗値が低く、かつフレキシブル性の高い透明導電体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
即ち、本発明の第一は、以下の透明導電体に関する。
［１］透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、透明金属膜と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む積層体であり、前記透明金属膜は所定の形状にパターニングされた金属パターンであり、前記金属パターンのパターン領域における、前記積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹａ＝ｘａ＋ｉｙａで表し、前記金属パターンの非パターン領域における、積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹｂ＝ｘｂ＋ｉｙｂで表した場合に、（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５＜０．５を満たす、透明導電体。【００１２】
［２］前記積層体の前記第二高屈折率層側の表面に接する部材または環境の波長５７０ｎｍの光の屈折率をｎｅｎｖで表した場合に、（（ｘａ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙａ）２）０．５＜０．４を満たす、［１］に記載の透明導電体。
［３］前記金属パターンの非パターン領域における積層体表面が、前記透明基板の表面である、［１］または［２］に記載の透明導電体。【００１３】
［４］前記透明金属膜は、厚みが１５ｎｍ以下であり、前記金属パターンのパターン領域における、積層体の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１０％以下であり、前記金属パターンのパターン領域における、積層体の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値が１５％以下であり、前記透明金属膜の前記第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１、前記透明金属膜の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２で表した場合に、ｘ１及びｘ２のうち少なくとも一方が１．６以上である、［１］〜［３］のいずれかに記載の透明導電体。
［５］前記第一高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率と、前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率との差が０．５以下であり、｜ｙ１＋ｙ２｜＜１を満たす、［１］〜［４］のいずれかに記載の透明導電体。
［６］｜ｘ１−ｘ２｜＜０．５を満たす、［１］〜［５］のいずれかに記載の透明導電体。【００１４】
［７］前記透明金属膜のプラズモン吸収率が、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの全範囲で１０％以下である、［１］〜［６］のいずれかに記載の透明導電体。
［８］前記透明金属膜が、銀、銅、金、白金族、チタン、及びクロムからなる群から選ばれる一種以上の金属を含む、［１］〜［７］のいずれかに記載の透明導電体。【００１５】
［９］前記第一高屈折率層及び前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．８〜２．５である、［１］〜［８］のいずれかに記載の透明導電体。
［１０］前記第一高屈折率層及び前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、及びＩＣＯからなる群から選ばれる一種以上である、［１］〜［９］のいずれかに記載の透明導電体。【００１６】
［１１］前記積層体が、前記第一高屈折率層と前記透明金属膜との間、または前記透明金属膜と前記第二高屈折率層との間に、厚みが０．１〜１５ｎｍである低屈折率層をさらに含み、前記低屈折率層は、前記第一高屈折率層及び前記第二高屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む、［１］〜［１０］のいずれかに記載の透明導電体。
［１２］前記低屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料は、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．８以下である、［１１］に記載の透明導電体。
［１３］前記低屈折率層が含む誘電性材料または酸化物半導体材料が、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、及びＴｈＯ２からなる群から選ばれる、一種以上である、［１１］または［１２］に記載の透明導電体。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、視認され難い金属パターンを有し、導通領域の表面電気抵抗値が低く、かつフレキシブルな透明導電体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の透明導電体の層構成一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、実施例１で作製した透明導電体の層構成を示す概略断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは実施例１で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図３Ｃ】図３Ｃは実施例１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図４Ａ】図４Ａは、透明基板／透明金属膜／高屈折率層を備える透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図４Ｂ】図４Ｂは、透明基板／透明金属膜／高屈折率層を備える透明導電体の波長４５０ｎｍ、波長５７０ｎｍ、及び波長７００ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図５Ａ】図５Ａは実施例２で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図５Ｂ】図５Ｂは実施例２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図６Ａ】図６Ａは実施例３で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図６Ｂ】図６Ｂは実施例３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図７Ａ】図７Ａは実施例４で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図７Ｂ】図７Ｂは実施例４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図８Ａ】図８Ａは実施例５で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図８Ｂ】図８Ｂは実施例５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図９Ａ】図９Ａは実施例６で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図９Ｂ】図９Ｂは実施例６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１０Ａ】図１０Ａは実施例７で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは実施例７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１１Ａ】図１１Ａは実施例８で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは実施例８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１２Ａ】図１２Ａは実施例９で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは実施例９で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１３Ａ】図１３Ａは実施例１０で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは実施例１０で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１４Ａ】図１４Ａは実施例１１で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは実施例１１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１５】本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは実施例１２で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは実施例１２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【図１７Ａ】図１７Ａは実施例１３で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは実施例１３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の透明導電体の層構成の例を図１〜図３Ａに示す。図１〜図３Ａに示されるように、本発明の透明導電体１００は、透明基板１／第一高屈折率層２／透明金属膜３／第二高屈折率層４がこの順に積層された積層体からなる。当該積層体において、上記透明金属膜３は、所望の形状にパターニングされている。一方、第一高屈折率層２、及び第二高屈折率層４は、透明基板１の全面に積層されていてもよく、一部のみに積層されていてもよい。導通領域ａのパターンを視認され難くするとの観点からは、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４が、透明金属膜３と同様の形状にパターニングされていることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の透明導電体１００（積層体）には、上記以外の層が含まれてもよく、例えば図２に示されるように、透明基板１と第一高屈折率層２との間に、透明導電体１００の光学アドミッタンスを調整するための下地層５が含まれてもよい。さらに、図３Ａに示されるように、透明金属膜３と第一高屈折率層２との間、もしくは透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に、透明金属膜３のプラズモン吸収を抑制するための低屈折率層６が含まれてもよい。また、第二高屈折率層４上に、透明導電体１００の光学アドミッタンスを調整するためのアドミッタンス調整層（図示せず）等が含まれてもよい。ただし、本発明の透明導電体１００では、透明基板１上に成膜される層を、いずれも無機材料からなる層とする。例えば第二高屈折率層４上に有機樹脂からなる接着層が積層されている部材において、本発明の透明導電体は、透明基板から第二高屈折率層までの積層体である。
【００２１】
本発明の透明導電体１００において、金属パターンのパターン領域；つまり透明金属膜３が含まれる領域が、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、金属パターンの非パターン領域；つまり透明金属膜３が含まれない領域が絶縁領域である。つまり、図１の透明導電体１００では、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属膜３、及び第二高屈折率層４が積層されている領域ａが導通領域であり；透明基板１のみからなる領域ｂが絶縁領域である。一方、図２の透明導電体１００では、透明基板１、下地層５、第一高屈折率層２、透明金属膜３、及び第二高屈折率層４が積層されている領域ａが導通領域であり；透明基板１及び下地層５が積層されている領域ｂが絶縁領域である。後述するように、導通領域ａのパターンを視認され難くするとの観点からは、絶縁領域ｂに透明基板１のみが含まれることが好ましい。
【００２２】
導通領域のａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図１５に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等でありうる。
【００２３】
前述のように、従来の透明導電体では、透明導電膜を光透過性の高いＩＴＯ膜とすることで、導通領域のパターンを視認され難くしている。しかし、フィルム基板上にＩＴＯ膜を成膜する場合には、十分に成膜温度を高められず；緻密なＩＴＯ膜を成膜できない。その結果、透明導電体の表面電気抵抗が高くなりやすい。一方、ガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜する場合には、十分に成膜温度を高められるため；緻密なＩＴＯ膜を成膜できる。しかし、ガラス基板を含む透明導電体は、フレキシブル性が低いため、透明導電体の用途が制限されるとの問題がある。
【００２４】
これに対し、本発明の透明導電体１００では、透明導電膜が透明金属膜３からなり、フィルム基板上にも緻密な膜を成膜できる。そのため、低い表面電気抵抗と、透明導電体のフレキシブル性とが両立する。さらに本発明の透明導電体では、後述するように、導通領域及び絶縁領域の光の透過性が近似する。したがって、導通領域のパターンが視認され難く、タッチパネルや有機ＥＬ素子、太陽電池等、各種表示素子のパネル基板等に適用可能である。
【００２５】
１．透明導電体の層構成について
１．１）透明基板
透明導電体１００に含まれる透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製）」）、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）／ＡＳ（アクリロニトリル・スチレン）樹脂、ＭＢＳ（メタクリル酸メチル・ブタジエン・スチレン）樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００２６】
透明性の観点から、透明基板１はガラス基板、もしくはセルロースエステル樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）／ＡＳ（アクリロニトリル・スチレン）樹脂、ＭＢＳ（メタクリル酸メチル・ブタジエン・スチレン）樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、またはスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。
【００２７】
透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく；波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００２８】
上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し；平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定する。
【００２９】
透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。
【００３０】
透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値を抑制できる。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。
【００３１】
透明基板１の厚みは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板の厚みが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚みが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体１００を用いた機器の厚みを薄くできる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。
【００３２】
１．２）第一高屈折率層
第一高屈折率層２は主に、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスを調整する層である。第一高屈折率層２は、透明導電体１００の導通領域ａだけでなく、絶縁領域ｂに配設されていてもよい。ただし、前述のように、導通領域ａのパターンを視認され難くするとの観点から、第一高屈折率層２は透明金属膜３と同様の形状にパターニング；つまり導通領域ａのみに配設されていることが好ましい。
【００３３】
第一高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第一高屈折率層２の屈折率は、第一高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第一高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。
【００３４】
第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよく；金属酸化物または金属硫化物であることが好ましい。金属酸化物または金属硫化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ガリウムドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）等が含まれる。なお、ＩＴＯやＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ等、２種以上の化合物が含まれる金属酸化物や金属硫化物では、これらの化合物の含有比（モル比）は、前述の屈折率を満たす範囲において、適宜選択される。金属酸化物または金属硫化物は、屈折率や生産性の観点からＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５またはＺｎＳであることが好ましい。第一高屈折率層２には、上記金属酸化物または金属硫化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。また、第一高屈折率層２には、本発明の効果を損なわない範囲で、低屈折率（例えば波長５７０ｎｍの光の屈折率１．８未満）である化合物が含まれてもよい。このような例としては、ＺｎＳ及びＳｉＯ２を含む層等が挙げられる。
【００３５】
第一高屈折率層２の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第一高屈折率層２の厚みが１０ｎｍ以上であると、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第一高屈折率層２の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第一高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第一高屈折率層２の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００３６】
第一高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。第一高屈折率層の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第一高屈折率層は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。
【００３７】
また、第一高屈折率層２は、いずれの方法でパターニングされた層であってもよい。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００３８】
１．３）透明金属膜
透明金属膜３は、透明導電体において電気を導通させるための膜であり、所望の形状にパターニングされた膜でありうる。透明金属膜３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等でありうる。透明金属膜には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。プラズモン吸収が小さく、かつ反射率が小さいとの観点から、透明金属膜は銀または銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀と組み合わされる金属は、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。例えば銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属膜の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【００３９】
透明金属膜３のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって（全範囲）で１０％以下であることが好ましい。透明金属膜３の上記プラズモン吸収率は７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなり、導通領域ａのパターンが視認されやすくなる。
【００４０】
透明金属膜３の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に蒸着機にて測定対象と同様の金属からなる膜を２０ｎｍ成膜する。
【００４１】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【００４２】
（iii）続いて、測定対象の透明金属膜について、同様に透過率及び反射率を測定する。そして、得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００４３】
透明金属膜３の厚みは１５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜１３ｎｍであり、さらに好ましくは７〜１２ｎｍである。透明金属膜３の厚みが１５ｎｍ以下であると、透明金属膜３に含まれる金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属膜３の厚みが１５ｎｍ以下であると、後述するように、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４によって、光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａのパターンが視認され難くなる。透明金属膜３の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００４４】
透明金属膜３は、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうるが、厚みが１５ｎｍ以下であり、かつプラズモン吸収の少ない膜とするためには、金属からなる成長核の上に、気相成膜法で成膜された層であることが好ましい。好ましい透明金属膜の成膜方法は後述する。
【００４５】
また、透明金属膜３は、いずれの方法でパターニングされた膜であってもよい。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された膜であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【００４６】
１．４）第二高屈折率層
第二高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスを調整する層である。第二高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａだけでなく、絶縁領域ｂにも配設されていてもよい。ただし、前述のように、導通領域ａのパターンを視認され難くするとの観点から、第二高屈折率層４は透明金属膜３と同様の形状にパターニング；つまり導通領域ａのみに配設されていることが好ましい。
【００４７】
第二高屈折率層４には、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の具体的な波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．６〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第二高屈折率層４の屈折率は、第二高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第二高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。
【００４８】
第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよく；第一高屈折率層２に含まれる材料と同様でありうる。第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４には、同一の材料が含まれてもよく、異なる材料が含まれてもよい。
【００４９】
第二高屈折率層４の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第二高屈折率層４の厚みが１０ｎｍ以上であると、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第二高屈折率層４の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第二高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第二高屈折率層４の厚みは、エリプソメーターで測定される。
【００５０】
第二高屈折率層４は、前述の第一高屈折率層２と同様に、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。また、第二高屈折率層４はいずれの方法でパターニングされた層であってもよい。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００５１】
１．５）下地層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、透明基板１と第一高屈折率層２との間に、透明導電体１００の導通領域ａや絶縁領域ｂの光学アドミッタンスを調整するための下地層５が含まれてもよい。下地層５は、前述のように、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に配設されてもよい。ただし、導通領域ａのパターンを視認され難くするとの観点から、下地層５は、導通領域ａのみに配設されていることが好ましい。
【００５２】
下地層５には、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．０３〜０．５低いことが好ましく、０．０５〜０．３低いことがより好ましい。また、下地層５の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は、１．８以下であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、さらに好ましくは１．３５〜１．５である。
【００５３】
下地層５に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の例には、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、ＳｉＯ２、ＡｌＦ３、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＣｄＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、ＹＦ３、ＹｂＦ３、Ｇａ２Ｏ３等が含まれる。これらの中でも屈折率が低いとの観点から、ＭｇＦ２またはＳｉＯ２が好ましい。下地層５には、これらの材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【００５４】
下地層５の厚みは、後述する光学アドミッタンスに基づいて適宜設定されるが、１０〜５００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは３０〜２５０ｎｍである。下地層５の厚みが１０ｎｍ以上であると、下地層５によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
【００５５】
下地層５は、通常、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。成膜の容易性等の観点から、下地層は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。また、下地層５は、いずれの方法でパターニングされた層であってもよい。所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００５６】
１．６）低屈折率層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、もしくは透明金属膜３と第二高屈折率層４との間のいずれか一方、もしくは両方に、透明金属膜３のプラズモン吸収を抑制するための低屈折率層６が含まれてもよい。低屈折率層６は、透明金属膜３と接するように配設される。低屈折率層６は、透明導電体１００の導通領域ａだけでなく、絶縁領域ｂにも配設されていてもよい。ただし、導通領域ａのパターンを視認され難くするとの観点から、低屈折率層６は透明金属膜３と同様の形状にパターニング；つまり導通領域ａのみに配設されていることが好ましい。
【００５７】
低屈折率層６には、前述の第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層６に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【００５８】
低屈折率層６に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．８未満であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、特に好ましくは１．３５〜１．５である。なお、低屈折率層６の屈折率は主に、低屈折率層６に含まれる材料の屈折率や、低屈折率層６に含まれる材料の密度で調整される。
【００５９】
低屈折率層６に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＡｌＦ３、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＣｄＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、ＹＦ３、ＹｂＦ３、Ｇａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、及びＴｈＯ２等でありうる。誘電性材料または酸化物半導体材料は中でも、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ３、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、またはＴｈＯ２であることが好ましく、屈折率が低いとの観点から、ＭｇＦ２及びＳｉＯ２が特に好ましい。低屈折率層６には、これらの材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。また、低屈折率層には、本発明の効果を損なわない範囲で、比較的高屈折率（例えば波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．８程度）である化合物が含まれてもよい。このような化合物としては、例えばＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３（モル比）＝６０：４０）等が挙げられる。
【００６０】
透明金属膜３に接して、低屈折率層６が配設されると、透明金属膜３のプラズモン吸収が抑制される理由は以下の通りである。
【００６１】
前述の透明金属膜３が、金属微細球で構成されるとすると、局在プラズモン吸収断面積Ｃabsは下記の式で表される。
【数１】
2014167835.tif 000003
【００６２】
上記式に基づけば、透明金属膜３の周囲の層の屈折率が、低ければ低いほど、局在プラズモン吸収断面積が小さくなる。したがって、比較的屈折率の低い低屈折率層６が透明金属膜３の表面に配設されると、透明金属膜３のプラズモン吸収が抑制される。
【００６３】
低屈折率層６の厚みは、透明導電体１００の光学アドミッタンスに大きく影響しない厚みであることが好ましい。低屈折率層６の厚みは０．１〜１５ｎｍであることが好ましく、１〜１０ｎｍであることがより好ましく、さらに好ましくは３〜８ｎｍである。
【００６４】
低屈折率層６は、通常、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。成膜の容易性等の観点から、低屈折率層６や他の層は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。また、低屈折率層６はいずれの方法でパターニングされた層であってもよい。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法でパターニングされた層であってもよい。
【００６５】
２．透明導電体の光学アドミッタンスについて
本発明の透明導電体では、透明金属膜が含まれる導通領域の積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス（以下、「導通領域の等価アドミッタンス」とも称する）をＹａ＝ｘａ＋ｉｙａで表し、透明金属膜が含まれない絶縁領域の積層体表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス（以下、「絶縁領域の等価アドミッタンス」とも称する）をＹｂ＝ｘｂ＋ｉｙｂで表したときの、（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５が０．５未満であり、好ましくは０．３以下である。そのため、導通領域のパターンが視認され難い。以下、その理由を説明する。
【００６６】
導通領域の積層体表面の反射率Ｒａは、積層体表面と接する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、導通領域の表面の等価アドミッタンスＹａと、から定まる。同様に、絶縁領域の積層体表面の反射率Ｒｂは、積層体表面と接する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、導通領域ｂの表面の等価アドミッタンスＹｂと、から定まる。ここで積層体表面とは、透明導電体上に配設される有機樹脂からなる部材もしくは環境に接する面をいう。また積層体表面と接する媒質とは、積層体に入射する光が、入射直前に通過する部材または環境であって；有機樹脂からなる部材、もしくは環境をいう。各領域の反射率Ｒａ及びＲｂは、それぞれ以下の式（ａ）及び式（ｂ）で表される。
【数２】
2014167835.tif 000004
【００６７】
これらの式に基づけば、導通領域の等価アドミッタンスＹａの値、及び絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂの値が近似すると、導通領域の積層体表面の反射率Ｒａと、絶縁領域の積層体表面の反射率Ｒｂとが近似し、導通領域のパターンが視認され難くなる。
【００６８】
ここで、前記媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、媒質の屈折率ｎｅｎｖと同一である。一方、導通領域の表面の等価アドミッタンスＹａ、及び絶縁領域の表面の等価アドミッタンスＹｂは、それぞれ各領域に含まれる層の光学アドミッタンスから求められる。例えば、絶縁領域に透明基板のみが含まれる場合、絶縁領域の等価アドミッタンスは、当該透明基板の光学アドミッタンス（屈折率）と等しくなる。
【００６９】
一方、導通領域または絶縁領域に複数の層が含まれる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１  Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）または式（２）にて求められる。
【００７０】
・ｘ層目が誘電性材料または酸化物半導体材料からなる層である場合
【数３】
2014167835.tif 000005
【００７１】
・ｘ層目が理想金属層である場合
【数４】
2014167835.tif 000006
【００７２】
そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が、当該領域の等価アドミッタンスとなる。積層体の光学アドミッタンス（Ｙ＝ｘ＋ｉｙ）の軌跡は、実部（ｘ）を横軸、虚部（ｙ）を縦軸としたグラフで表すことができる。
【００７３】
図３Ｂに、後述する実施例１の透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。図３Ａに示されるように、当該透明導電体は、透明基板（ＰＥＴ）、第一高屈折率層（ＩＴＯ）、透明金属膜（Ａｇ）、低屈折率層（ＳｉＯ２）、及び第二高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に備える導通領域と、透明基板のみからなる絶縁領域とを有する。
【００７４】
図３Ｂにおいて、絶縁領域の表面の等価アドミッタンスＹｂの座標（ｘｂ，ｙｂ）は、透明基板のアドミッタンス座標と一致する。一方、導通領域の等価アドミッタンスＹａの座標（ｘａ，ｙａ）は、アドミッタンス軌跡の最終座標と一致する。そして、当該グラフにおけるＹａの座標とＹｂの座標との距離が近ければ近い程、これらが近似するといえる。そして、前述のように、本発明の透明導電体ではこれらの距離（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５を特定しており；当該距離が十分に近い（０．５未満である）。したがって、本発明の透明導電体では、前述の式（ａ）及び（ｂ）で表される導通領域の積層体表面の反射率Ｒａと絶縁領域の積層体表面の反射率Ｒｂとが近似し、導通領域のパターンが視認され難い。
【００７５】
ここで、本発明の透明導電体において、導通領域の等価アドミッタンスＹａの座標と、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂの座標とを十分に近づける；つまり（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５を小さくするためには、（ｉ）導通領域のアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になるようにし、（ii）絶縁領域には透明基板のみが含まれる構成とすることが好ましい。その理由を以下に示す。
【００７６】
図４Ａに、透明基板／透明金属膜／高屈折率層をこの順に備える透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示し、図４Ｂに当該透明導電体の波長４５０ｎｍ、波長５７０ｎｍ、及び波長７００ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。図４Ａに示されるように、特定の波長（ここでは波長５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称にならないと、図４Ｂに示されるように、他の波長（例えば４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹａの座標が、大きくぶれやすい。そのため、特定の波長では導通領域の等価アドミッタンスＹａと、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂとが近似したとしても、他の波長では、導通領域の等価アドミッタンスＹａと、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂとが近似しない。つまり、一部の波長領域で、導通領域の反射率と絶縁領域の反射率とが相違し、導通領域のパターンが視認されやすくなる。
【００７７】
これに対し、導通領域のアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称であると、全波長領域において、アドミッタンス軌跡の終点（導通領域の等価アドミッタンスＹａの座標）が特定の範囲に収まりやすくなる。その結果、全ての波長領域において、導通領域の反射率と絶縁領域の反射率とが近似する。
【００７８】
一方、アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称であると、アドミッタンス軌跡の終点（導通領域の等価アドミッタンスＹａの座標）は、アドミッタンス軌跡の始点；つまり透明基板のアドミッタンス座標に近づく。一方、絶縁領域に透明基板のみが含まれる構成では、絶縁領域のアドミッタン座標が透明基板のアドミッタンス座標と一致する。したがって、絶縁領域に透明基板のみが含まれる構成とすれば、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂの座標と、導通領域の等価アドミッタンスＹａの座標とが近似しやすくなる。
【００７９】
ここで、透明金属膜は、光学アドミッタンスの虚部の値が大きい。そのため、図４Ａに示されるように、透明基板上に直接透明金属膜を積層すると、アドミッタンス軌跡の始点（透明基板のアドミッタンス座標（約１．５，０））から縦軸（虚部）の負方向にアドミッタンス軌跡が大きく移動し、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が非常に大きくなる。そしてアドミッタンス座標の虚部の絶対値が大きくなると、透明金属膜上に他の層を積層しても、アドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になり難い。
【００８０】
これに対し、本発明の透明導電体のように、透明基板と透明金属膜との間に、第一高屈折率層が配設されると、当該第一高屈折率層によって、アドミッタンス軌跡の虚部の座標が正方向に大きく移動する。そのため、透明金属膜によって、アドミッタンス軌跡が虚部の負方向に大きく移動しても、虚部の絶対値が大きくなり難い。そして、透明金属膜の他方に配設された第二高屈折率層によって、アドミッタンス軌跡を、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂの座標（透明基板のアドミッタンス座標）側に移動させることができ、アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称に近くなる。
【００８１】
本発明の透明導電体では、透明金属膜の第一高屈折率層側の表面の光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１で表し、透明金属膜の第二高屈折率層側の光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２で表した場合に、ｘ１及びｘ２のうち、いずれか一方、もしくは両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、さらに好ましくは２．０以上である。特にｘ１が１．６以上であることが好ましい。一方、ｘ１及びｘ２は、７．０以下であることが好ましく、より好ましくは５．５以下である。
【００８２】
ｘ１が１．６以上であると、アドミッタンス軌跡の円弧が大きくなり、Ｙ１の虚部の絶対値（ｙ１）が正方向に大きくなる。つまり、透明金属膜によって、アドミッタンス軌跡が虚部の負方向に大きく移動しても、Ｙ２の虚部の絶対値（ｙ２）が過度に大きくなり難い。つまり、アドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になりやすい。
【００８３】
またｘ１とｘ２との差の絶対値（｜ｘ１−ｘ２｜）は０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．２以下であり、さらに好ましくは０．１以下である。ｘ１とｘ２との差が小さいと、等価アドミッタンスが、グラフの横軸を中心に線対称となりやすい。
【００８４】
一方、Ｙ１の虚部の座標ｙ１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ２が、ｙ１×ｙ２≦０を満たすことが好ましい。さらに、｜ｙ１＋ｙ２｜が１未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。｜ｙ１＋ｙ２｜が１未満であると、アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称になりやすい。
【００８５】
ｙ１は具体的には、０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、さらに好ましくは０．３〜１．０である。一方、ｙ２は、−０．２以下であることが好ましく、より好ましくは−０．３〜−１．５であることが好ましく、より好ましくは−０．３〜−１．０である。
【００８６】
ｘ１及びｙ１は、第一高屈折率層の屈折率や、第一高屈折率層の厚み等で調整される。第一高屈折率層の屈折率が高い場合や、厚みがある程度厚い場合には、ｘ１及びｙ１の値が大きくなりやすい。また、透明導電体に、前述の下地層が含まれると、ｘ１及びｙ１の値が大きくなりやすい。一方、ｘ２及びｙ２は、ｘ１及びｙ１の値や透明金属膜の屈折率、透明金属膜の厚み等によって調整される。
【００８７】
また、アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称となるためには、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率と第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率との差が０．５以下であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。また第一高屈折率層の厚みと、第二高屈折率層の厚みとの差が２０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。第一高屈折率層及び第二高屈折率層の屈折率及び厚みが近似すると、第一高屈折率層のアドミッタンス軌跡及び第二高屈折率層のアドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称になりやすい。
【００８８】
ここで、前述の式（ａ）及び式（ｂ）に基づけば、｜Ｙｅｎｖ−Ｙａ｜及び｜Ｙｅｎｖ−Ｙｂ｜が０に近い程、導通領域の積層体表面の反射率Ｒａ、及び絶縁領域の積層体表面の反射率Ｒｂがそれぞれ低くなる。その結果、透明導電体全体（導通領域及び絶縁領域）の光透過性が高まる。
【００８９】
そこで、本発明の透明導電体では、導通領域の等価アドミッタンスＹａのアドミッタンス座標（ｘａ，ｙａ）と、透明導電体の第二高屈折率層側の表面と接する部材もしくは環境（媒質）のアドミッタンス座標（ｎｅｎｖ，０）との距離（（ｘａ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙａ）２）０．５が０．４未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．３以下である。上記距離が０．４未満であれば、導通領域の積層体表面の反射率Ｒａが十分に小さくなり、導通領域の光の透過性が高まる。また、前述のように、導通領域の等価アドミッタンスＹａと、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂとが近似する。したがって、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂの座標と、媒質のアドミッタンス座標との距離も近くなり；絶縁領域の積層体表面の反射率Ｒｂが十分に小さくなるため、絶縁領域の光透過性も高まる。
【００９０】
導通領域の等価アドミッタンスＹａのアドミッタンス座標と媒質のアドミッタンス座標との距離を近くする手段としては、媒質の屈折率と近い屈折率を有する透明基板を選択する；または、透明基板の屈折率に近い媒質を選択すること等が挙げられる。
【００９１】
３．透明導電体の物性について
前述のように、本発明の透明導電体では、導通領域の反射率、及び絶縁領域の反射率がそれぞれ近似する。具体的には、導通領域の視感反射率と、絶縁領域の視感反射率との差ΔＲが３％以下であることが好ましく、より好ましくは１％以下であり、さらに好ましくは０．３％以下である。ここで、導通領域の視感反射率は、５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。一方、絶縁領域の視感反射率は、５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【００９２】
また、透明導電体の導通領域及び絶縁領域の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が、それぞれ１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、導通領域及び絶縁領域の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、それぞれ１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。導通領域の光の吸収率は、透明導電体に前述の低屈折率層が含まれたり、各層に含まれる材料の光吸収率が低いと低減する。
【００９３】
さらに、透明導電体の導通領域及び絶縁領域の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均透過率はそれぞれ５０％以上であることが好ましく、より好ましくは７０％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。一方、透明導電体の導通領域及び絶縁領域の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、それぞれ２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。上記波長の光の平均透過率が５０％以上であり、かつ平均反射率２０％以下であると、高い透明性が要求される用途にも、透明導電体を適用できる。上記平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の用途に合わせ、透明導電体の使用環境下での平均透過率及び平均反射率を測定する。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率測定する。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定する。このとき、透明導電体の導通領域の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【００９４】
透明導電体の導通領域及び絶縁領域のいずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であれば、導通領域及び絶縁領域のいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【００９５】
透明導電体の導通領域の表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域の透明導電体の表面電気抵抗値は、透明金属膜の厚み等によって調整される。導通領域の透明導電体の表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【００９６】
４．透明導電体の用途
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【００９７】
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、前述のように、透明導電体の導通領域の表面の等価アドミッタンスＹａのアドミッタンス座標及び絶縁領域の表面の等価アドミッタンスＹｂのアドミッタンス座標と接着層のアドミッタンス座標と、が前述の範囲であることが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
【００９８】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の導通領域の表面の等価アドミッタンスＹａのアドミッタンス座標及び絶縁領域の表面の等価アドミッタンスＹｂのアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、が前述の範囲であることが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
【００９９】
５．透明金属膜の好ましい成膜方法
前述のように、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの全範囲で、プラズモン吸収率が１５％以下であり、かつ厚みが１５ｎｍ以下である透明金属膜は、以下の２つの工程を経て成膜されることが好ましい。
（ａ）第一高屈折率層上に成長核を形成するステップ
（ｂ）第一高屈折率層上に透明金属膜を成膜するステップ
【０１００】
一般的な気相成膜法で透明金属膜を第一高屈折率層上に成膜すると、成膜初期には、第一高屈折率層上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、成膜初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長し、厚みが１５μｍ程度になると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、膜の表面が平滑になり難く、プラズモン吸収が生じやすい。
【０１０１】
これに対し、（ａ）成長核形成ステップで、あらかじめ成長核を形成すると、透明金属膜の材料が第一高屈折率層上をマイグレートし難くなる。また、成長核同士の間隔は、原子がマイグレートして形成される塊同士の間隔より狭い。したがって、この成長核を起点として膜が成長すると、厚みが薄くても平坦な膜となりやすい。つまり、厚みが薄くても導通が得られ、さらにプラズモン吸収が生じない透明金属膜が得られる。
【０１０２】
（ａ）成長核形成ステップ
第一高屈折率層上に、透明金属膜を形成するための成長核を形成する。成長核の形成方法には、以下の２種類の方法がある。
（ｉ）第一高屈折率層上にスパッタ法または蒸着法で、厚み３ｎｍ以下の金属薄膜を形成し、これを成長核とする方法
（ii）第一高屈折率層上に金属層を成膜し、この金属層をドライエッチングし、残った金属薄膜を成長核とする方法
【０１０３】
（ｉ）の方法で成長核を形成する場合、第一高屈折率層上をマイグレート（移動）し難い金属で薄膜（成長核）を形成する。成長核となりうる金属の例には、金、白金族、コバルト、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、クロム、ニッケル、もしくはこれらの合金が含まれる。これらの１種のみを用いて成長核を形成してもよく、２種以上を組み合わせて成長核を形成してもよい。これらの中でも白金パラジウム、パラジウム、チタン、またはアルミニウムで成長核を形成することが好ましい。白金パラジウムもしくはパラジウムは、第一高屈折率層上でマイグレートし難く、透明金属膜を構成する金属との親和性が高く、かつ緻密で細かい成長核が得られる。白金パラジウムに含まれるパラジウムの割合は、１０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは２０質量％以上である。パラジウムの割合が１０質量％以上であると、緻密で細かい成長核が得られやすく、平滑な透明金属膜が得られやすい。
【０１０４】
チタンやアルミニウムからなる薄膜を成長核とする場合、イオンアシスト等によって、薄膜（成長核）を細かく砕きながら成膜すると、白金パラジウムやパラジウムと同様の緻密で細かい成長核が得られやすい。
【０１０５】
上記金属からなる薄膜（成長核）は、スパッタ法または蒸着法で形成することが好ましい。薄膜（成長核）の平均厚みは３ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以下であり、さらに好ましくは単原子膜であり、特に好ましくは金属原子が互いに離間して付着している膜である。上記薄膜（成長核）の平均厚みは、成膜速度及び成膜時間により調整する。
【０１０６】
スパッタ法の例には、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が含まれる。スパッタ時間は、形成する薄膜（成長核）の平均厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択する。スパッタ成膜速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。
【０１０７】
一方、蒸着法の例には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、形成する薄膜（成長核）及び成膜速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。
【０１０８】
(ii)の方法で成長核を形成する場合、第一高屈折率層上に金属層を成膜し、この金属層を所望の厚みまでドライエッチングする。本発明でいうドライエッチングには、化学的な反応によってエッチングを行う反応ガスエッチングや、レンズペーパー等で研磨する方法等も含まれるが、エッチングガスやイオン、ラジカル等の物理的な衝突を伴うエッチング方法であることが好ましい。物理的な衝突を伴うエッチング方法で金属層をエッチングすると、第一高屈折率層上に均一な金属薄膜（成長核）が形成されやすい。
【０１０９】
金属薄膜（成長核）の種類は、透明金属膜に含まれる金属と親和性の高い金属であれば特に制限されない。透明金属膜に含まれる金属と同一であってもよく、異なる金属であってもよく；その例には、銀、金、白金族、チタン及びアルミニウム等が含まれる。
【０１１０】
金属層の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の乾式成膜法や、メッキ法等の湿式成膜法でありうる。形成する金属層の平均厚みは３〜１５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１０ｎｍである。金属層の平均厚みが３ｎｍ以上であると、十分な成長核が得られやすい。
【０１１１】
当該金属層のドライエッチング方法は、前述のように物理的な衝突を伴うエッチング方法であることが好ましく、イオンビームエッチング、逆スパッタエッチング、プラズマエッチング等でありうる。特にエッチング後の薄膜（成長核）に所望の凹凸を形成しやすいとの観点から、イオンビームエッチングが特に好ましい。
【０１１２】
金属層をドライエッチングして得られる薄膜（成長核）の平均厚みは３ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２ｎｍ以下であり、さらに好ましくは０．０１〜１ｎｍであり、特に好ましくは０．０１〜０．２ｎｍである。薄膜（成長核）の厚みが３ｎｍ以下であると、厚みが薄くかつ平滑な透明金属膜が得られやすい。さらにこの成長核を起点に形成される透明金属膜の厚みが薄くなりやすい。成長核の平均厚みは、金属膜の厚みと金属膜のエッチング厚みとの差から求められる。金属膜のエッチング厚みは、エッチングレートとエッチング時間との積である。エッチングレートは、別途ガラス基板上に作製した厚み５０ｎｍの金属層を同条件でエッチングし、エッチング後の光の透過率がガラス基板と同等になる（大凡厚み０ｎｍ）までの時間から求める。成長核の平均厚みは、ドライエッチングする時間で調整する。
【０１１３】
（ｂ）透明金属膜形成ステップ
前述の成長核が形成された第一高屈折率層上に、一般的な気相成膜法で金属を積層して、透明金属膜を形成する。気相成膜法の種類は、特に制限されず、例えば真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等でありうる。これらの中でも、好ましくは真空蒸着法またはスパッタ法である。真空蒸着法またはスパッタ法によれば、均一かつ、所望の厚みの透明金属膜が得られやすい。
【実施例】
【０１１４】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。【０１１５】
［実施例１］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５９）上に、下記の方法で第一高屈折率層／透明金属膜／低屈折率層／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図３Ｂに示し、当該透明導電体の分光特性を図３Ｃに示す。【０１１６】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、４３ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．１２とした。【０１１７】
（透明金属膜）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は、６ｎｍであった。【０１１８】
（低屈折率層）
前記透明金属膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１１９】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層上に、第一高屈折率層の成膜条件と同一の条件で、ＩＴＯをＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は、４０ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．１２とした。【０１２０】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、透明金属膜、低屈折率層、及び第二高屈折率層を図１５に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。【０１２１】
［実施例２］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．４９））上に、下記の方法で第一高屈折率層／低屈折率層（Ａ）／透明金属膜／低屈折率層（Ｂ）／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図５Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図５Ｂに示す。【０１２２】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．２Å／ｓでＮｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、３４ｎｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１２３】
（低屈折率層（Ａ））
前記第一高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層（Ａ）は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ａ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１２４】
（透明金属膜）
前記低屈折率層（Ａ）上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は８ｎｍであった。【０１２５】
（低屈折率層（Ｂ））
前記透明金属膜上に、低屈折率層（Ａ）の成膜条件と同じ条件でＳｉＯ２をＲＦスパッタした。得られた低屈折率層（Ｂ）は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ｂ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１２６】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層（Ｂ）上に、第一高屈折率層の成膜条件と同様の条件で、Ｎｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は、３５ｎｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１２７】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、低屈折率層（Ａ）、透明金属膜、低屈折率層（Ｂ）、及び第二高屈折率層を図１５に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にフッ酸でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は４０μｍとした。【０１２８】
［実施例３］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．４９））上に、下記の方法で第一高屈折率層／低屈折率層（Ａ）／透明金属膜／低屈折率層（Ｂ）／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図６Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図６Ｂに示す。【０１２９】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ  １３００により、３２０ｍＡ、成膜レート３Å／ｓでＴｉＯ２を、イオンアシストしながら電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。得られた第一高屈折率層は、３４ｎｍであった。イオンビームは電流５００ｍＡ、電圧５００Ｖ、加速電圧４００Ｖで照射した。イオンビーム装置内には、Ｏ２ガス：５０ｓｃｃｍ、及びＡｒガス：８ｓｃｃｍを導入した。ＴｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３５とした。【０１３０】
（低屈折率層（Ａ））
前記第一高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層（Ａ）は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ａ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１３１】
（透明金属膜）
前記低屈折率層（Ａ）上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、白金パラジウム（Ｐｔ８０質量％、Ｐｄ２０質量％）を０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ９８質量％、Ｃｕ２質量％）をＲＦスパッタし、Ａｇ−Ｃｕからなる透明金属膜（７ｎｍ）を得た。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１３２】
（低屈折率層（Ｂ））
前記透明金属膜上に、低屈折率層（Ａ）の成膜条件と同じ条件でＳｉＯ２をＲＦスパッタした。得られた低屈折率層（Ｂ）は、５ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ｂ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１３３】
（第二高屈折率層）
前記透明基板上に、第一高屈折率層の成膜条件と同じ条件で、イオンアシストしながら、電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。得られた第二高屈折率層は、３５ｎｍであった。ＴｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３５とした。【０１３４】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、低屈折率層（Ａ）、透明金属膜、低屈折率層（Ｂ）、及び第二高屈折率層を図１５に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にフッ酸でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は５０μｍとした。【０１３５】
［実施例４］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．４９））上に、下記の方法で第一高屈折率層／透明金属膜／低屈折率層／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図７Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図７Ｂに示す。【０１３６】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．４Å／ｓでＺｎＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、４３ｎｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。【０１３７】
（透明金属膜）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は６ｎｍであった。【０１３８】
（低屈折率層）
前記透明金属膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１３９】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層上に、第一高屈折率層の成膜条件と同じ条件でＺｎＯをＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は４１ｎｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。【０１４０】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、透明金属膜、低屈折率層、及び第二高屈折率層を図１５に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＺＯエッチング液（林純薬社製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は２０μｍとした。【０１４１】
［実施例５］
松波硝子工業製の薄板ガラス（５０μｍ）（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５２）上に、下記の方法で第一高屈折率層／透明金属膜／低屈折率層／第二高屈折率層を順に成膜した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図８Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図８Ｂに示す。【０１４２】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、４６ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．１２とした。【０１４３】
（透明金属膜）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は７ｎｍであった。【０１４４】
（低屈折率層）
前記透明金属膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１４５】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層上に、第一高屈折率層の成膜条件と同じ条件で、ＩＴＯをＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は３６ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．１２とした。【０１４６】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、透明金属膜、低屈折率層、及び第二高屈折率層を図１５に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬社製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１５μｍとした。【０１４７】
［実施例６］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５９）上に、下記の方法で第一高屈折率層／低屈折率層（Ａ）／透明金属膜／低屈折率層（Ｂ）／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図９Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図９Ｂに示す。【０１４８】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．２Å／ｓでＮｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、３２ｎｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１４９】
（低屈折率層（Ａ））
前記第一高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層（Ａ）は、５ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ａ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１５０】
（透明金属膜）
前記低屈折率層（Ａ）上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は、８ｎｍであった。【０１５１】
（低屈折率層（Ｂ））
前記透明金属膜上に、低屈折率層（Ａ）の成膜条件と同じ条件でＳｉＯ２をＲＦスパッタした。得られた低屈折率層（Ｂ）は、５ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ｂ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１５２】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層（Ｂ）上に、第一高屈折率層の成膜条件と同様の条件で、Ｎｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は、３２ｎｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１５３】
（積層体のパターニング）
得られた積層体の、第一高屈折率層、低屈折率層（Ａ）、透明金属膜、低屈折率層（Ｂ）、及び第二高屈折率層を、実施例１と同様にパターニングした。【０１５４】
［実施例７］
両面がハードコート処理されたＰＥＴフィルム（きもと社製  ＧＳＡＢ）からなる透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５９）上に、下記の方法で第一高屈折率層／低屈折率層（Ａ）／透明金属膜／低屈折率層（Ｂ）／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。【０１５５】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．２Å／ｓでＮｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、３４ｎｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１５６】
（低屈折率層（Ａ））
前記第一高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層（Ａ）は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ａ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１５７】
（透明金属膜）
前記低屈折率層（Ａ）上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ９８質量％、Ｃｕ２質量％）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇ−Ｃｕからなる透明金属膜は８ｎｍであった。【０１５８】
（低屈折率層（Ｂ））
前記透明金属膜上に、低屈折率層（Ａ）の成膜条件と同じ条件でＳｉＯ２をＲＦスパッタした。得られた低屈折率層（Ｂ）は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層（Ｂ）の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１５９】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層（Ｂ）上に、第一高屈折率層の成膜条件と同様の条件で、Ｎｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は、３５ｎｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１６０】
（積層体のパターニング）
得られた積層体の、第一高屈折率層、低屈折率層（Ａ）、透明金属膜、低屈折率層（Ｂ）、及び第二高屈折率層を、実施例１と同様にパターニングした。【０１６１】
［実施例８］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５）上に、下記の方法で下地層／第一高屈折率層／透明金属膜／低屈折率層／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図１１Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図１１Ｂに示す。【０１６２】
（下地層）
前記透明基板上に、Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ  １３００によって、１９０ｍＡ、成膜レート１０Å／ｓでＭｇＦ２を電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。得られた下地層は、１８０ｎｍであった。ＭｇＦ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．３８であり、下地層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．３８とした。【０１６３】
（第一高屈折率層）
前記下地層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．４Å／ｓでＺｎＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、３９ｎｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。【０１６４】
（透明金属膜）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ９８質量％、Ｃｕ２質量％）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇ−Ｃｕからなる透明金属膜は７ｎｍであった。【０１６５】
（低屈折率層）
前記透明金属膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１６６】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層上に、第一高屈折率層の成膜条件と同様の条件で、ＺｎＯをＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は、４０ｎｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。【０１６７】
（積層体のパターニング）
得られた積層体の、下地層、第一高屈折率層、透明金属膜、低屈折率層、及び第二高屈折率層を、実施例１と同様にパターニングした。【０１６８】
［実施例９］
ポリカーボネートフィルムからなる透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５７）上に、下記の方法で第一高屈折率層／透明金属膜／低屈折率層／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図１２Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図１２Ｂに示す。【０１６９】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．２Å／ｓでＮｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、３３ｎｍであった。Ｎｂ２Ｏ５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。【０１７０】
（透明金属膜）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ９８質量％、Ｃｕ２質量％）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇ−Ｃｕからなる透明金属膜は７ｎｍであった。【０１７１】
（低屈折率層）
前記透明金属膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２Å／ｓでＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた低屈折率層は、３ｎｍであった。ＳｉＯ２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。【０１７２】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層上に、第一高屈折率層の成膜条件と同様の条件で、ＺｎＯをＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は、４３ｎｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。【０１７３】
（積層体のパターニング）
得られた積層体の、第一高屈折率層、透明金属膜、低屈折率層、及び第二高屈折率層を、実施例１と同様にパターニングした。【０１７４】
［実施例１０］
松波硝子工業製の薄板ガラス（５０μｍ）（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５２）上に、下記の方法で第一高屈折率層／透明金属膜／第二高屈折率層を順に成膜した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図１３Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図１３Ｂに示す。【０１７５】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．４Å／ｓでＺｎＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、４３ｎｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。【０１７６】
（透明金属膜）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は６ｎｍであった。【０１７７】
（第二高屈折率層）
前記透明金属膜上に、第一高屈折率層の成膜条件と同様の条件で、ＺｎＯをＤＣスパッタした。得られた第二高屈折率層は、４１ｎｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。【０１７８】
（積層体のパターニング）
得られた積層体の、第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層を、実施例４と同様にパターニングした。【０１７９】
［実施例１１］
松波硝子工業製の薄板ガラス（５０μｍ）（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５２）上に、下記の方法で第一高屈折率層／透明金属膜／第二高屈折率層を順に成膜した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図１４Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図１４Ｂに示す。【０１８０】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、４６ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．１２とした。【０１８１】
（透明金属膜）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。
続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は７ｎｍであった。【０１８２】
（第二高屈折率層）
透明金属膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第二高屈折率層は３６ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．１２とした。【０１８３】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層を図１５に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬社製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１５μｍとした。【０１８４】
［実施例１２］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５）上に、下記の方法で第一高屈折率層／低屈折率層（Ａ）／透明金属膜／低屈折率層（Ｂ）／第二高屈折率層を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図１６Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図１６Ｂに示す。【０１８５】
（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．０Å／ｓでＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＺｎＳとＳｉＯ２との比率（モル比）は、８０：２０であり、第一高屈折率層の屈折率は２．１４であった。【０１８６】
（低屈折率層（Ａ））
前記第一高屈折率層上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＧＺＯ（ＺｎＯとＧａ２Ｏ３との混合物）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＺｎＯとＧａ２Ｏ３との比率（モル比）は、６０：４０であり、低屈折率層（Ａ）の屈折率は１．８であった。【０１８７】
（透明金属膜）
前記低屈折率層（Ａ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる透明金属膜は７．４ｎｍであった。【０１８８】
（低屈折率層（Ｂ））
前記透明金属膜上に、低屈折率層（Ａ）の成膜条件と同じ条件でＧＺＯをＲＦスパッタした。ＺｎＯとＧａ２Ｏ３との比率（モル比）は、６０：４０であり、低屈折率層（Ｂ）の屈折率は１．８であった。【０１８９】
（第二高屈折率層）
前記低屈折率層（Ｂ）上に、第一高屈折率層の成膜条件と同様の条件で、ＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ＺｎＳとＳｉＯ２との比率（モル比）は、８０：２０であり、第二高屈折率層の屈折率は２．１４であった。【０１９０】
（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、低屈折率層（Ａ）、透明金属膜、低屈折率層（Ｂ）、及び、第二高屈折率層を図１５に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬社製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１５μｍとした。【０１９１】
［実施例１３］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚み５０μｍ）からなる透明基板（波長５７０ｎｍの光の屈折率：１．５９）上に、低屈折率層（Ａ）／透明金属膜／低屈折率層（Ｂ）／第二高屈折率層を順に積層した。各層は、透明金属膜の厚みを６．７ｎｍとした以外は、実施例１２と同様に成膜した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。
得られた透明導電体の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図１７Ａに示し、当該透明導電体の分光特性を図１７Ｂに示す。【０１９２】
［各実施例の透明金属膜のプラズモン吸収率について］
ガラス基板上に、各実施例と同様の条件で透明金属膜のみを成膜した。当該透明金属膜について以下のようにプラズモン吸収率の測定を行った。その結果、いずれの透明金属膜についても、波長４００〜８００ｎｍにわたって、プラズモン吸収率が１０％以下であった。【０１９３】
＜プラズモン吸収率の測定方法＞
透明ガラス基板上に、白金パラジウムを真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）を用いて、０.２ｓ(０．１ｎｍ)成膜した。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。その後、白金パラジウムが付着した基板上にシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて銀を２０ｎｍ成膜した。このときの抵抗加熱は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。得られた金属膜の反射率及び透過率を測定し、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）として算出した。この金属膜にはプラズモン吸収が無いと仮定し、当該データをリファレンスデータとした。
一方、各実施例と同様の条件でガラス基板上に成膜した上記透明金属膜の吸収率を測定した。そして、測定データからリファレンスデータを差し引いた値を、当該透明金属膜のプラズモン吸収率とした。光の透過率及び反射率は、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて測定した。【０１９４】
［評価］
前述の各実施例で得られた透明導電体の光学アドミッタンスを特定した。透明金属の第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１、透明金属膜の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２としたときの（ｘ１，ｙ１）、及び（ｘ２，ｙ２）の値を表１に示す。また、前記透明金属膜を含む積層体（導通領域）表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹａ＝ｘａ＋ｉｙａで表し、前記透明金属膜を含まない積層体（絶縁領域）表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹｂ＝ｘｂ＋ｉｙｂで表したときの（ｘａ，ｙａ）、及び（ｘｂ，ｙｂ）の値をそれぞれ表１に示す。さらに、（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５の値、積層体の第二高屈折率層側の表面に接する部材の屈折率をｎｅｎｖとしたときの（（ｘａ−ｎｅｎｖ）２＋（ｙａ）２）０．５の値を、それぞれ表１に示す。【０１９５】
透明導電体に含まれる層の光学アドミッタンスは、薄膜設計ソフトEssential Macleod Ver.9.4.375で算出した。なお、算出に必要な各層の厚みｄ、屈折率ｎ、及び吸収係数ｋは、Ｊ．Ａ．ＷｏｏｌｌａｍＣｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０１９６】
一方、導通領域の平均透過率、平均反射率、平均吸収率、及び吸収最大値、導通領域及び絶縁領域の視感反射率、導通領域のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値、並びに導通領域の表面電気抵抗を測定した。これらの結果を表２に示す。【０１９７】
各実施例における膜の厚みの測定、導通領域の平均透過率、平均反射率、平均吸収率、及び吸収最大値の測定、導通領域及び絶縁領域の視感反射率の測定、導通領域のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値、並びに導通領域の表面電気抵抗の測定は、以下の方法で行った。【０１９８】
＜膜の厚みの測定方法＞
各層の厚みは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０１９９】
＜導通領域の光の透過率、反射率、及び吸収率の測定方法＞
実施例１〜４、及び実施例７〜１３の透明導電体表面に、イマージョンオイル（Ｎｉｋｏｎ社製  ＴｙｐｅＡ  屈折率＝１．５１５）を塗布し、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ））とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の透過率及び反射率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。【０２００】
なお、反射率の測定値から、無アルカリガラス基板と大気との界面での反射（４％）、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記無アルカリガラス基板と大気との界面での反射、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に８％足した値を透明導電体の透過率とした。【０２０１】
一方、実施例５及び６の透明導電体は、空気と接触して使用されるものとした。したがって、透明導電体上に、無アルカリガラス基板を貼り合わせずに、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。なお、測定光は、第二高屈率層側から入射させた。【０２０２】
なお、反射率の測定値から、透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に４％足した値を透明導電体の透過率とした。【０２０３】
＜視感反射率の測定方法＞
視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定した。【０２０４】
＜導通領域のａ＊値及びｂ＊値の測定方法＞
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、日立株式会社製：分光光度計  Ｕ４１００で導通領域ａ＊値及びｂ＊値をそれぞれ測定した。【０２０５】
＜導通領域の表面電気抵抗の測定方法＞
各透明導電体の導通領域に三菱化学アナリテック製のロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０を接触させて、導通領域の表面電気抵抗を測定した。【０２０６】
【表１】
2014167835.tif 000007
【０２０７】
【表２】
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【０２０８】
表１及び表２に示されるように、導通領域の等価アドミッタンスＹａのアドミッタンス座標（ｘａ，ｙａ）と、絶縁領域の等価Ｙｂのアドミッタンス座標（ｘｂ，ｙｂ）との距離［（（ｘａ−ｘｂ）２＋（ｙａ−ｙｂ）２）０．５］が０．５未満である実施例１〜１３の透明導電体では、導通領域の視感反射率と絶縁領域の視感反射率との差が０．８４以下であり、非常に小さかった。また特に、導通領域の等価アドミッタンスＹａのアドミッタンス座標（ｘａ，ｙａ）と、絶縁領域の等価アドミッタンスＹｂのアドミッタンス座標（ｘｂ，ｙｂ）との距離が０．１０以下である場合には、視感反射率が０．２以下となった（実施例１、４、５、７、８、１０、１２、及び１３）。これらの透明導電体では、導通領域のパターンが殆ど視認されなかった。【０２０９】
またさらに、導通領域の等価アドミッタンスＹａのアドミッタンス座標（ｘａ，ｙｂ）と、当該導通領域の表面に接する部材または環境のアドミッタンス座標（ｎｅｎｖ，０）との距離が０．４未満である（実施例１〜４、７〜１３）と、波長５００ｎｍ〜８００ｎｍにおける平均反射率が１％以下であった。【０２１０】
また、いずれの実施例においても、導通領域の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均透過率が高く（８９．４％以上）、透明導電体の透明性が非常に高かった。
【産業上の利用可能性】
【０２１１】
本発明で得られる透明導電体は、導通領域のパターンが視認され難く、さらに導通領域の表面電気抵抗値が低い。さらに、フレキシブル性にも優れる。したがって、各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスに好ましく用いられる。
【符号の説明】
【０２１２】
１  透明基板
２  第一高屈折率層
３  透明金属膜
４  第二高屈折率層
５  下地層
６  低屈折率層
１００  透明導電体
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【国際調査報告】
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