(57)【要約】  本発明の目的は、分析画像の取得時間を大幅に低減することに関する。本発明は、加工面の二次粒子像と分析画像の相関に基づき、所望の加工面の二次粒子像（１１１−１１４）から分析画像を擬似的に形成することに関する。好ましくは、実際に取得された分析画像（１２１−１２２）と、擬似的に形成された分析画像（１３１−１３２）に基づき、三次元像を再構築する。本発明によれば、加工面ごとに分析画像を取得すること無く、三次元再構成に必要な多数の分析画像を短時間で取得できるため、解析効率が向上する。また、試料への電子ビームによるダメージを低減でき、解析の信頼性も向上する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギービームを照射するエネルギービーム光学系と、  電子ビームを照射する電子ビーム光学系と、  試料を載置する試料ステージと、  試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出器と、  試料から発生する分析情報を検出する分析器と、を備える荷電粒子線装置において、  エネルギービームの照射により試料に第１の断面を形成し、当該第１の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子および分析情報を検出し、エネルギービームの照射により第２の断面を形成し、当該第２の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子を検出し、前記第１の断面にかかる二次粒子像および分析画像の相関に基づき、前記第２の断面にかかる二次粒子像から前記第２の断面の分析画像を擬似的に作成することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  少なくとも、前記第１の断面にかかる分析画像と、前記第２の断面にかかる擬似的な分析画像を用いて、３次元再構築することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記二次粒子検出器が、反射電子検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記二次粒子検出器が、二次電子検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記分析器が、ＥＤＸ用検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記分析器が、ＷＤＸ用検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記分析器が、ＥＢＳＰ用検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記第２の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧を、前記第１の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧より下げることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記第２の断面へ電子ビームを照射するときに、試料にリターディング電圧を印加することにより、前記第１の断面へ電子ビームを照射するときとは異なる観察条件とすることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記第１の断面にかかる分析画像に基づき、前記第２の断面にかかるエネルギービームの加工条件を変更することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記第１の断面にかかる二次粒子像および前記第２の断面にかかる二次粒子像に基づき、エネルギービームの加工条件を変更し、当該エネルギービームの照射により第３の断面を形成することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  エネルギービームの照射により形成された第３の断面にかかる分析情報を前記分析器により取得するか否かにつき、前記第１の断面にかかる二次粒子像および前記第２の断面にかかる二次粒子像に基づき判断することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、  前記第１の断面にかかる二次粒子像に基づき、前記第１の断面にかかる分析画像の取得条件を変更することを特徴とする荷電粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、エネルギービームによる断面加工と、断面の観察および分析とを繰り返し実施する荷電粒子線装置に関する。好適には、分析画像を三次元再構築する荷電粒子線装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  三次元再構築と呼ばれる、二次元の画像データを積層して三次元のデータを構築する手法がある。三次元再構築は、対象物の内部構造を感覚的に理解できる有効なツールであり、３Ｄプリンターを用いれば、三次元のデータから立体模型を作ることもできる。【０００３】  三次元再構築の一つとして、集束イオンビーム（ＦＩＢ）による試料表面の削剥と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による画像取得を交互に行い、三次元再構成するＦＩＢ／ＳＥＭトモグラフィーと呼ばれる方法がある。【０００４】  例えば、特開平９−１１５８６１号公報（特許文献１）や特開２０１３−１９９００号公報（特許文献２）においては、ＦＩＢ装置とＳＥＭを備えた加工観察装置において、ＦＩＢ照射による加工面ごとにＸ線分析（ＥＤＸ）などにより分析画像を取得し、これらの分析画像から三次元再構築している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１１５８６１号公報
【特許文献２】特開２０１３−１９９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  本願発明者が、分析画像からの三次元再構築の効率向上について鋭意検討した結果、次の知見を得るに至った。【０００７】  ＥＤＸなどによる分析画像の取得には、１画像につき少なくとも５分程度、解像度を上げると２０分以上かかる場合もあるため、多数の分析画像を取得する必要がある分析画像からの三次元再構築には、膨大な時間を要していた。【０００８】  本発明の目的は、分析画像の取得時間を大幅に低減することに関する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  本発明は、加工面の二次粒子像と分析画像の相関に基づき、所望の加工面の二次粒子像から分析画像を擬似的に形成することに関する。好ましくは、実際に取得された分析画像と、擬似的に形成された分析画像に基づき、三次元再構築する。
【発明の効果】
【００１０】  本発明によれば、加工面ごとに分析画像を取得すること無く、三次元再構成に必要な多数の分析画像を短時間で取得できるため、解析効率が向上する。また、試料への電子ビームによるダメージを低減でき、解析の信頼性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】分析画像を擬似的に形成する三次元再構築の原理説明図
【図２】実施例１にかかるＦＩＢ−ＳＥＭの概略構成図
【図３】実施例１にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図
【図４】実施例２にかかるＦＩＢ−ＳＥＭの概略構成図
【図５】実施例３にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図
【図６】実施例４にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図
【図７】実施例５にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図
【図８】実施例６にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図
【図９】実施例７にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図
【発明を実施するための形態】
【００１２】  図１は、分析画像を擬似的に形成する三次元再構築の原理説明図である。
【００１３】  この三次元再構築は、固体デバイスの積層構造などに対し、ＦＩＢなどのエネルギービームによる加工と、ＳＥＭなどによる加工面の観察および分析とを繰り返し実施する荷電粒子線装置において、加工面の二次粒子像と分析画像の相関に基づき、所望の加工面の二次粒子像から分析画像を形成するアルゴリズムを組み込むことにより、ある加工面に対して二次粒子像を取得することにより、この加工面の分析画像を実際に取得することなく擬似的に作成し、擬似的な分析画像を用いて三次元像を再構築するものである。
【００１４】  エネルギービームの照射により試料に断面を形成した後、この加工面をＳＥＭにより観察してＢＳＥ（反射電子）像などの二次粒子像１１１を取得する。また、この加工面について、ＥＤＸマッピング（エネルギー分散形Ｘ線分析)像などの分析画像１２１も取得する。その後、再度のエネルギービーム照射により次の加工面を形成する。そして、この加工面をＳＥＭにより観察して二次粒子像１１２を取得する。この加工面においては、分析画像は取得せずに、二次粒子像１１２から擬似的分析画像１３１（補間像）を作成する。更に、エネルギービーム照射により次の加工断面を形成する。この加工面においても、二次粒子像１１３は取得するが、分析画像は取得せずに、二次粒子像１１３から擬似的分析画像１３２（補間像）を作成する。更に、エネルギービーム照射により次の加工断面を形成する。この加工面においては、二次粒子像１１４を取得し、その後、分析画像１２２も取得する。以下、同様に、加工面の形成、二次粒子像の取得、および分析画像の取得、または擬似的分析画像（補間像）の作成の作業を繰り返し実施する。そして、分析画像１２１、擬似的分析画像１３１（補間像）、擬似的分析画像１３２（補間像）、および分析画像１２２などを用いて、三次元再構築像を取得する。
【００１５】  この三次元再構築の特徴の一つは、ある加工面において取得した二次粒子像と分析画像の相関から、所望の加工面において取得した二次粒子像を基に、分析画像を擬似的に作成することである。更に、これら分析画像および擬似的分析画像（補間像）を用いて三次元再構築することも、特徴の一つである。
【００１６】  なお、各加工面における分析画像の取得の有無や、回数は限定されるものではなく、任意に選択できる。また、二次粒子像はＢＳＥ像に限定されるものではなく、例えば、ＳＥ（二次電子）像などを用いてもよい。また、三次元再構築するための分析画像も、ＥＤＸマッピング像に限定されるものではなく、例えば、ＷＤＸ（波長分散形Ｘ線分析)像やＥＢＳＰ（電子線後方散乱回折）像などを用いてもよい。
【００１７】  実施例では、エネルギービームを照射するエネルギービーム光学系と、電子ビームを照射する電子ビーム光学系と、試料を載置する試料ステージと、試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出器と、試料から発生する分析情報を検出する分析器と、を備え、エネルギービームの照射により試料に第１の断面を形成し、当該第１の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子および分析情報を検出し、エネルギービームの照射により第２の断面を形成し、当該第２の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子を検出し、第１の断面にかかる二次粒子像および分析画像の相関に基づき、第２の断面にかかる二次粒子像から第２の断面の分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置を開示する。
【００１８】  また、実施例では、少なくとも、第１の断面にかかる分析画像と、第２の断面にかかる擬似的な分析画像を用いて、３次元再構築する荷電粒子線装置を開示する。
【００１９】  また、実施例では、二次粒子検出器が、反射電子検出器である荷電粒子線装置を開示する。
【００２０】  また、実施例では、二次粒子検出器が、二次電子検出器である荷電粒子線装置を開示する。
【００２１】  また、実施例では、分析器が、ＥＤＸ用検出器である荷電粒子線装置を開示する。
【００２２】  また、実施例では、分析器が、ＷＤＸ用検出器である荷電粒子線装置を開示する。
【００２３】  また、実施例では、分析器が、ＥＢＳＰ用検出器である荷電粒子線装置を開示する。
【００２４】  また、実施例では、第２の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧を、第１の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧より下げる荷電粒子線装置を開示する。
【００２５】  また、実施例では、第２の断面へ電子ビームを照射するときに、試料にリターディング電圧を印加することにより、第１の断面へ電子ビームを照射するときとは異なる観察条件とする荷電粒子線装置を開示する。
【００２６】  また、実施例では、第１の断面にかかる分析画像に基づき、第２の断面にかかるエネルギービームの加工条件を変更する荷電粒子線装置を開示する。
【００２７】  また、実施例では、第１の断面にかかる二次粒子像および第２の断面にかかる二次粒子像に基づき、エネルギービームの加工条件を変更し、当該エネルギービームの照射により第３の断面を形成する荷電粒子線装置を開示する。
【００２８】  また、実施例では、エネルギービームの照射により形成された第３の断面にかかる分析情報を分析器により取得するか否かにつき、第１の断面にかかる二次粒子像および第２の断面にかかる二次粒子像に基づき判断する荷電粒子線装置を開示する。
【００２９】  また、実施例では、第１の断面にかかる二次粒子像に基づき、第１の断面にかかる分析画像の取得条件を変更する荷電粒子線装置を開示する。
【００３０】  以下、上記およびその他の本発明の新規な特徴と効果について図面を参酌して説明する。なお、図面は、発明の理解のために用いるものであり、権利範囲を限定するものではない。
【実施例１】
【００３１】  図２は、本実施例にかかるＦＩＢ−ＳＥＭの概略構成図である。【００３２】  本実施例にかかるＦＩＢ−ＳＥＭは、その内部に試料ステージ５が配置されるチャンバー６に対して、集束イオンビームを照射するＦＩＢカラム１が垂直に、電子ビームを照射するＳＥＭカラム２が斜めに配置されている。ＦＩＢカラム１とＳＥＭカラム２の配置は逆でもよい。また、チャンバー６には、ＢＳＥ検出器３およびＥＤＸ検出器４も設けられている。チャンバー６の内部は、図示していない排気装置により、真空状態に保持されている。【００３３】  ＦＩＢカラム１から集束イオンビームを照射することにより、試料ステージ５に載置された試料を加工し、観察用の断面を形成する。また、この断面にＳＥＭカラム２から電子ビームを照射し、ＢＳＥ検出器３によりＢＳＥを検出することによりＳＥＭ観察を実施する。ＢＳＥ検出器の代わりに、ＳＥを検出する二次電子検出器を用いてもよい。また、この断面への電子ビーム照射によりＥＤＸ分析器４にてＥＤＸ分析する。ＥＤＸ分析器の代わりに、ＷＤＸ用検出器やＥＢＳＰ用検出器など、物質の組成、性質、構造または状態などを測定する分析器を用いてもよい。【００３４】  ＦＩＢカラム１、ＳＥＭカラム２、ＢＳＥ検出器３、およびＥＤＸ検出器４は、それぞれＦＩＢカラム制御部１１、ＳＥＭカラム制御部２１、検出器制御部３１、およびＥＤＸ検出器制御部４１に接続されており、各制御部により制御されている。これら各制御部は、装置全体制御部７に接続されており、加工観察の条件やタイミングを制御する。【００３５】  装置全体制御部７は、ユーザからの指示などが入力される入力部、二次粒子像、分析画像および三次元再構築像などを表示する出力部、分析画像作成や三次元再構築などを実行する計算部、および各種アルゴリズムや計算結果などを記憶する記憶部を有する。装置全体制御部７においては、ＢＳＥ観察とＥＤＸ分析の切替制御を実施している。装置全体制御部7は、試料のある加工面に対して取得したＢＳＥ像とＥＤＸマッピング像の相関から、別の加工面で取得したＢＳＥ像に基づいて擬似的にＥＤＸマッピング像を作成し、これらＥＤＸマッピング像および擬似的ＥＤＸマッピング像から三次元再構築像を作成できる。【００３６】  図２は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図である。【００３７】  試料の加工面が、第１〜第４の４面であり、第１加工面および第４加工面において、ＢＳＥ像およびＥＤＸマッピング像を取得し、第２加工面および第３加工面ではＢＳＥ像のみ取得した場合について説明する。【００３８】  本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、第１の加工面にかかるＥＤＸマッピング像（第１Ｍａｐ像）から、注目元素の信号のあるピクセル座標を抽出する。第１Ｍａｐ像（対象）の全座標ではなくサンプリングにより抽出してもよい。そして、この座標に対応する第１ＢＳＥ像の輝度、例えば平均輝度を算出する。次に、算出した輝度に相当する輝度の座標のみ第２ＢＳＥ像から抽出する。この場合、算出する輝度は、ある程度の範囲を持たせてもよい。全体輝度がばらついている場合は、輝度プロファイルの規格を使ってもよい。この第２ＢＳＥ像から抽出された座標情報（像���に基づいて作成されたＥＤＸマッピング像を、第２擬似的ＥＤＸマッピング像（第２補間像）として保存する。【００３９】  同様な手順により第３ＢＳＥ像から第３補間像を作成する。なお、この第３補間像の作成にあたっては、第１ＢＳＥ像と第１Ｍａｐ像の相関情報ではなく、第４ＢＳＥ像と第４Ｍａｐ像の相関情報から事後的に作成してもよい。第４ＢＳＥ像と第４Ｍａｐ像の相関情報を基に第３ＢＳＥ像から第３補間像を作成する手順は、上述の第１ＢＳＥ像と第１Ｍａｐ像の相関を基に第２ＢＳＥ像から第２補間像を作成した手順と同じである。【００４０】  このようにして取得や作成されたＥＤＸマッピング像や擬似的ＥＤＸマッピング像（第１Ｍａｐ像、第２補間像、第３補間像および第４Ｍａｐ像）から三次元像を再構築する。【００４１】  本実施例によれば、取得に長時間を要するＥＤＸマッピング像（分析画像）を加工面ごとに取得する必要が無く、分析画像の三次元再構築像を従来に比べて短い時間で取得できるようになり、解析効率の向上が図れる。また、電子ビーム照射によるダメージを低減でき、解析の信頼性を向上できる。
【実施例２】
【００４２】  本実施例は、ＦＩＢカラムとＳＥＭカラムが垂直配置されたＦＩＢ−ＳＥＭにおける例である。以下、実施例1との相違点を中心に説明する。【００４３】  図４は、本実施例にかかるＦＩＢ−ＳＥＭの概略構成図である。【００４４】  本実施例にかかるＦＩＢ−ＳＥＭは、チャンバー６に対してＦＩＢカラム１が垂直に、ＳＥＭカラム２が水平に配置されている。つまり、ＦＩＢカラム１に対して直角方向にＳＥＭカラム２が配置されている。なお、ＦＩＢカラム１とＳＥＭカラム２の配置は逆でもよい。この配置構成によれば、ＦＩＢカラム１から照射された集束イオンビームにより加工された加工面に対し、試料ステージ５を動かすことなく、ＳＥＭカラム２から電子ビームを垂直に入射できる。【００４５】  本実施例によれば、加工面に対して電子ビームを斜め方向から入射させた場合に比べ高精度な観察や分析が可能である。試料ステージ５の駆動に伴うドリフトも回避できるため、高精度な三次元再構築像を取得できる。
【実施例３】
【００４６】  本実施例は、形状情報から分析画像を作成する例である。以下、実施例１および２との相違点を中心に説明する。【００４７】  図５は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図である。【００４８】  実施例１と同様、試料の加工面が、第１〜第４の４面であり、第１加工面および第４加工面において、ＢＳＥ像およびＥＤＸマッピング像を取得し、第２加工面および第３加工面ではＢＳＥ像のみ取得した場合について説明する。【００４９】  本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、第１Ｍａｐ像から注目元素の形状情報と、該当するピクセル座標を抽出する。代表となるピクセル座標を抽出してもよい。次に、抽出したピクセル座標と形状情報から、第１ＢＳＥ像上の抽出したピクセル座標の近傍位置に抽出した形状情報と類似する形状があるか判定する。類似の形状がある場合には、これを注目元素のＢＳＥ像と推定する。次に、第２ＢＳＥ像上における、上述の抽出されたピクセル座標の近傍位置から、上述の推定された形状情報と類似の形状を抽出する。この第２ＢＳＥ像から抽出された形状情報（像）に基づいて作成されたＥＤＸマッピング像を、第２補間像として保存する。【００５０】  同様な手順により第３ＢＳＥ像から第３補間像を作成する。なお、この第３補間像の作成にあたっては、実施例１と同様、第１ＢＳＥ像と第１Ｍａｐ像の相関情報ではなく、第４ＢＳＥ像と第４Ｍａｐ像の相関情報から事後的に作成してもよい。【００５１】  このようにして取得や作成されたＥＤＸマッピング像や擬似的ＥＤＸマッピング像（第１Ｍａｐ像、第２補間像、第３補間像および第４Ｍａｐ像）から三次元像を再構築する。【００５２】  本実施例によれば、実施例１と同様、取得に長時間を要する分析画像を加工面ごとに取得する必要が無く、分析画像の三次元再構築像を従来に比べて短い時間で取得できるようになり、解析効率の向上が図れる。また、電子ビーム照射によるダメージを低減でき、解析の信頼性を向上できる。
【実施例４】
【００５３】  本実施例は、１つの加工面における二次粒子像と分析画像の相関から、次の加工面における二次粒子像より擬似的に分析画像を作成する三次元再構築において、より精度の高い三次元像を再構築するために観察条件を最適化するものである。以下、実施例１〜３との相違点を中心に説明する。【００５４】  図６は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。【００５５】  本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）および分析画像（ＥＤＸマッピング像)を取得する。第１の断面観察時における電子ビーム照射は、ＥＤＸマッピング像を取得するために、電子ビームの引き出し電圧を高加速電圧にして実施する。次に、第２の断面加工と、第２の断面観察を実施する。第２の断面観察では二次粒子像(ＢＳＥ像)のみ取得する。第２の断面観察時では、ＥＤＸマッピング像を取得する必要が無いため、電子ビームの加速電圧は低くする。低加速電子ビーム照射により、第２の断面観察では、深さ方向および面内方向ともに分解能が上がる。このため、第２の加工断面のＢＳＥ像から擬似的に作成した擬似的ＥＤＸマッピング像において高分解能な像を形成できる。【００５６】  なお、第２の断面観察時の観察条件として、電子ビームの加速電圧を下げる代わりに、ホルダー側に接続された電圧印加機構によりリタ−ディング電圧を印加しても同様の効果を得られる。【００５７】  本実施例によれば、高分解能な擬似的ＥＤＸマッピング像（分析画像）を作成でき、これら高分解能な分析画像から高精度な三次元像を再構築できる。
【実施例５】
【００５８】  本実施例は、１つの加工面における二次粒子像と分析画像の相関から、次の加工面における二次粒子像より擬似的に分析画像を作成する三次元再構築において、断面加工の加工条件を最適化するものである。以下、実施例１〜４との相違点を中心に説明する。【００５９】  図７は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。【００６０】  本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）および分析画像（ＥＤＸマッピング像)を取得する。取得したＥＤＸマッピング像からＥＤＸマッピング像中の粒径を測定し、最小粒径（ａ）を判断する。次に、第２の断面加工にあたり、イオンビーム照射による加工量がａ以下となるよう加工条件に変更する。これにより、加工量が大き過ぎることにより、二次粒子像および分析画像からの情報の欠落を抑制できる。【００６１】  本実施例によれば、二次粒子像および分析画像に粒子の情報が確実に捕捉されるため、情報の確実性が高い三次元像を再構築できる。
【実施例６】
【００６２】  本実施例は、組成変化を踏まえて断面加工の加工条件を最適化するものである。以下、実施例１〜５との相違点を中心に説明する。【００６３】  図８は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。【００６４】  本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）および分析画像（ＥＤＸマッピング像)を取得する。この時のＢＳＥ像をＢＳＥ像（１）とする。次に、第２の断面加工と、第２の断面観察を実施し、ＢＳＥ像を取得する。この時のＢＳＥ像をＢＳＥ像（２）とする。そして、第３の断面加工を実施する前に、ＢＳＥ像（１）の輝度とＢＳＥ像（２）の輝度を比較する。ＢＳＥ像（１）の輝度に対するＢＳＥ像（２）の輝度の比率がある規定値αを超えている場合は、材料の加工面方向の組成変化が急峻と推測されるため、第三の断面加工時の加工量が小さくなるように加工条件を変更する。また、第３の断面観察では、当初予定を変更し、ＥＤＸマッピング像を取得する。これにより、第３の加工断面の観測において、組成変化の急峻にかかる情報が捕捉される確実性を高められる。【００６５】  本実施例によれば、二次粒子像および分析画像に組成の情報が捕捉され易くなるため、情報の確実性が高い三次元像を再構築できる。
【実施例７】
【００６６】  本実施例は、１つの加工面における二次粒子像と分析画像の相関から、次の加工面における二次粒子像より擬似的に分析画像を形成する三次元再構築において、分析画像の取得条件を最適化するものである。以下、実施例１〜６との相違点を中心に説明する。【００６７】  図９は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。【００６８】  本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）を取得する。そして、取得したＢＳＥ像からＢＳＥ像中の粒子径を測定する。この時の最小粒子径が規定値βより小さい場合は、同じ加工断面のＥＤＸマッピング像の取得における取得条件を見直す。例えば、高分解能取得モードとして取得する。これにより、ＢＳＥ像とＥＤＸ像の相関について、より高い情報が得られる。【００６９】  本実施例によれば、二次粒子像と分析画像の相関が高まるため、高精度な三次元像を再構築できる。
【符号の説明】
【００７０】  １…ＦＩＢカラム  ２…ＳＥＭカラム  ３…ＢＳＥ検出器  ４…ＥＤＸ分析器  ５…試料ステージ  ６…チャンバー  ７…装置全体制御部  １１…ＦＩＢカラム制御部  ２１…ＳＥＭカラム制御部  ３１…検出器制御部  ４１…ＥＤＸ分析器制御部  １１１、１１２、１１３、１１４…二次粒子像  １２１、１２２…分析画像  １３１、１３２…擬似的分析画像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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