(57)【要約】    基板材料層（２）及び導体層（３）を含む積層体（１）を準備する準備工程と、前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜（４）を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域（５）を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むこと。
2016185604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材料層及び前記基板材料層の表面に導体層が積層された積層構造を備える積層体を準備する準備工程と、
前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、
前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、
パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、
パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、
前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記光重合開始剤は、３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれる請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記露光工程において、前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記現像工程において、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅は、５０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記露光工程において、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト膜形成工程において、前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記ネガ型レジスト材料が塗布される前記導体層の表面は、平坦面である請求項１乃至６のいずれいか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
エッチング対象物の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、
前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、を有し、
前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項９】
前記光重合開始剤は、３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれる請求項８に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１０】
前記露光工程において、前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である請求項８又は９に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１１】
前記現像工程において、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅は、５０μｍ以下である請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１２】
前記露光工程において、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１３】
前記フォトレジスト膜形成工程において、前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１４】
前記エッチング対象物の表面は、平坦面である請求項８乃至１３のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブトラクティブ法を用いたプリント配線板の製造方法、及びサブトラクティブ法に用いるエッチングレジストのパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板を構成する導体層のパターン形成には、従来からサブトラクティブ法又はアディティブ法が用いられている。サブトラクティブ法とは、減算法という意味として、銅張積層板の表面の銅箔上に、エッチングレジストを塗布し、これにマスクパターンを通して露光焼付けを行って現像し、当該現像によってパターニングされたエッチングレジストを用いて、露出した銅をエッチングで除去する方法である。また、エッチングレジストとしては、液状タイプのフォトレジスト又はフィルムタイプのドライフィルムレジストが使用されている。【０００３】
一方、アディティブ法とは、銅箔を備えない絶縁基板上に無電解銅めっきを主体として、導体パターンを形成する方法である。更にアディティブ法は、フルアディティブ法とセミアディティブ法とに分かれている。【０００４】
例えば、特許文献１には、サブトラクティブ法及びアディティブ法を用いて部品内蔵基板を製造することが開示されている。特に、特許文献１では、部品内蔵基板において、放熱フィンを所望の形状にパターニングするために、サブトラクティブ法又はアディティブ法が用いられている。【０００５】
以前から、プリント配線板を搭載する電気・電子機器の小型化及び高機能化が進み、プリント配線板自体の小型化及び高機能化が強く求められている。このような要求に対応するため、プリント配線板における隣接する導体層同士の間隔（すなわち、導体間隙）を小さくすることが重要となる。このような導体間隙を小さくする方法として、安価で生産性の高いサブトラクティブ法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１１５３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、近年における電気・電子機器の更なる小型化及び高機能化にともない、プリント配線板の導体層も更なる微細化が要求されているが、従来の液状タイプのフォトレジスト又はドライフィルムレジストを用いたとしても、導体幅と導体間隙とを示すＬ／Ｓを５０μｍ／５０μｍ以下にしつつ、高品質のプリント配線板を低コストで製造することは困難である。これは、液状タイプのフォトレジストは解像性が悪いため、Ｌ／Ｓを５０μｍ／５０μｍ以下にすることが困難であり、更には比較的に高い露光量が必要となり生産性が下がるためである。また、ドライフィルムレジストは液状タイプのフォトレジストと比較すると銅表面との密着性が弱いため、エッチングムラが生じやすく、導体層の形状が安定せずに歩留まりの低下につながるからである。【０００８】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができるプリント配線板の製造方法、及び微細細線パターンを容易且つ高精度で形成するために用いられるエッチングレジストのパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明のプリント配線板の製造方法は、基板材料層及び前記基板材料層の表面に導体層が積層された積層構造を備える積層体を準備する準備工程と、前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。【００１０】
上記目的を達成するため、本発明のエッチングレジストのパターン形成方法は、エッチング対象物の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができるプリント配線板の製造方法、及び微細細線パターンを容易且つ高精度で形成するために用いられるエッチングレジストのパターン形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
【図６】本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について、実施例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、実施例の説明に用いる図面は、いずれも本発明によるプリント配線板及びその構成部材を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っており、プリント配線板及びその構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、実施例で用いる様々な数値は、一例を示す場合もあり、必要に応じて様々に変更することが可能である。
【００１４】
＜実施例＞
以下において、本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程及びこれに用いられるエッチングレジストのパターン形成方法について、図１乃至図６を参照しつつ詳細に説明する。ここで、図１乃至図６は、本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
【００１５】
先ず、図１に示すように、本実施例に係るプリント配線板の構成部材である積層体１を準備する（準備工程）。本実施例においては、積層体１として、基板材料層２、及び基板材料層２の表面上に形成された導体層３が積層された構造を備える基材を想定した。そして、本実施例においては、導体層３がエッチング対象物となる。ここで、基板材料層２は、絶縁材料のみから構成される絶縁層であってもよく、或いは複数の絶縁層及び内層配線となる複数の導体層を積層し、ビアホール及びスルーホール等が形成されている基材であってもよい。また、本実施例において、導体層３の構成材料は銅を用いているが、金、銀等の他の金属材料を用いてもよい。なお、本実施例においては、基板材料層２の一方の面のみに導体層３が形成されている積層体１が用いられているが、導体層が基板材料層の両面に形成された両面構造の積層体を用いてもよい。このような場合には、両面に形成された導体層に後述するパターニングが施されてもよい。
【００１６】
次に、図２に示すように、導体層３の表面上に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、エッチングレジストとなるフォトレジスト膜４を形成する（フォトレジスト膜形成工程）。当該ネガ型レジスト材料は、直接描画装置によって露光をすることができ、高い解像度を有するネガ型フォトレジストである。ネガ型レジスト材料の具体的な構成として、当該ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、着色剤であるロイコ染料、及び光重合開始剤を含んでいる。本実施例においては、ドライフィルムレジストを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層３とフォトレジスト膜４との密着性を比較的に高くすることができ、導体層３とフォトレジスト膜４との剥離等を防止することができる。
【００１７】
本実施例においては、現像性樹脂としてカルボン酸樹脂、感光性樹脂としてアクリレート化合物を用いた。また、有機溶剤としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、又はこれらの混合溶媒等を用いることができ、本実施例においては、エーテル系溶剤のポリメチルアセテート（ＰＭＡ）を主溶剤として使用した。
【００１８】
更に、ロイコ染料としては、トリス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）メタン［ロイコクリスタルバイオレット：４,４',４''−メチリジントリス（Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン）］、トリス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）メタン［ロイコマラカイトグリーン］、又はフルオラン染料を用いることができる。これらの中で、特に、ロイコクリスタルバイオレットを用いることが好ましく、後述する露光工程を経た直後のコントラストを良好にすることができる。すなわち、後述するレーザ光照射領域と非照射領域との識別が容易に行えることになる。また、このようなロイコ染料を使用することで、従来の着色剤と比較して後述する露光の阻害を低減することができる。
【００１９】
そして、光重合開始剤としては、例えば、２−エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン、３−クロロ−２−メチルアントラキノンなどのキノン類、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン［４，４´−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン］、４，４´−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンなどの芳香族ケトン類、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタールなどのジアルキルケタール類、９−フェニルアクリジン等のアクリジン類、ジエチルチオキサントン、クロルチオキサントン等のチオキサントン類、ジメチルアミノ安息香酸エチル等のジアルキルアミノ安息香酸エステル類、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−ｏ−ベンゾイルオキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等のオキシムエステル類、ロフィン二量体等を用いることができる。
【００２０】
本実施例においては、３５５ｎｍ以上３６５ｎｍ以下のレーザ光（Ｉ線）において特に高い感度を有するオキシム・エステルをその構造に備える材料（すなわち、オキシムエステル類のエタノン,１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−,１−（０−アセチルオキシム））を使用した。これにより、フォトレジスト膜４は、後述する直接描画装置で用いられるレーザ光の波長域に高い感度を有することになり、当該直接描画装置で用いた露光を容易に行うことができる。換言すると、光重合開始剤は、レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高くなっている。ここで、光重合開始剤は、直接描画装置で使用するレーザ光の３５５ｎｍ〜４０５ｎｍの波長領域において吸収の極大があらわれることが好ましく、更に３５５ｎｍ〜３６５ｎｍの波長領域に吸収の極大があらわれることが特に好ましい。なお、直接描画装置で使用するレーザ光の波長に合わせ、光重合開始剤の材料を適宜変更してもよい。
【００２１】
本実施例においては、フォトレジスト膜４の膜厚を１５マイクロメートル（μｍ）以下とする。これは、フォトレジスト膜４の解像性を向上するためである。なお、後述するエッチング工程において、フォトレジスト膜４をエッチングマスクとして使用することになるため、エッチングマスクとしての耐久性を考慮し、フォトレジスト膜４の膜厚を５〜１５μｍとすることがより好ましい。
【００２２】
次に、図３に示すように、直接描画装置を使用して、フォトレジスト膜４に３５５ｎｍ〜３６５ｎｍのレーザ光を照射する（露光工程）。本実施例においては、当該露光工程における露光量を、１０ミリジュール（ｍＪ）以上３５ミリジュール以下に設定する。このような比較的に低い露光量とすることは、露光時間の低減となり、プリント配線板の生産性を向上することができる。すなわち、本実施例においては、従来の液状タイプのネガ型レジスト材料では実現が困難であった低露光量による処理が可能となる。なお、低露光量での処理が可能となる理由としては、上述したように、光重合開始剤及びロイコ染料によるものとなる。
【００２３】
また、本実施例において、当該レーザ光はフォトレジスト膜４を除去する部分のみに照射されることになり、レーザ光が照射された部分は変色しフォトレジスト膜４には所望の形状のレーザ光照射領域５が形成される。ここで、レーザ光が照射されない領域は、図３において、レーザ光非照射領域（レーザ光の非照射領域）６として示される。そして、レーザ光照射領域５の幅Ａ、及びレーザ光非照射領域６の幅Ｂは、導体層３に要求されるＬ／Ｓ（導体幅／導体間隙）に応じて、２０μｍ以上５０μｍ以下で調整される。なお、レーザ光の波長は、３５５ｎｍ〜３６５ｎｍに限定されることなく、プリント配線板の生産性を考慮して適宜変更することができる。
【００２４】
次に、図４に示すように、一般的な現像処理を行い、レーザ光非照射領域６を除去する（現像工程）。これにより、フォトレジスト膜４には開口７が形成される。すなわち、フォトレジスト膜４に、パターニングが施されることになる。ここで、フォトレジスト膜４の幅Ｃ、及び開口７の幅Ｄは、上述したレーザ光照射領域５の幅Ａ及びレーザ光非照射領域６の幅Ｂと同一になり、２０μｍ以上５０μｍ以下となる。換言すると、本実施例においては、フォトレジスト膜４の幅Ｃ、及び開口７の幅Ｄとの関係であるＬ／Ｓが２０μｍ／２０μｍ〜５０μｍ／５０μｍとなり、従来の液状タイプのフォトレジストでは実現が困難であった微細な加工が可能になっている。
【００２５】
なお、上述したフォトレジスト膜形成工程、露光工程、現像工程を経ることにより、本実施例に係るエッチングレジストのパターン形成方法が終了することになる。
【００２６】
次に、図５に示すように、パターニングが施されたフォトレジスト膜４をエッチングマスクとして、導体層３にエッチングを施す（エッチング工程）。これにより、導体層３には、フォトレジスト膜４の開口７の形状（すなわち、開口パターン）に対応した開口８が形成される。ここで、開口８が形成された導体層３の側面部分の形状は、基板材料層２の表面に対して基本的に直交するようになるが、導体層３の層厚及び材料、並びにエッチング液等に起因するエッチングレートに応じて、導体層３の側面が内側に若干湾曲することもある。すなわち、導体層３の側面部分が内側に向かって部分的に除去されることになるが、ドライフィルムタイプのフォトレジストと比較すると、その曲率は非常に小さく、めっきによって形成された導体層と同様の形状を有することになる。
【００２７】
次に、図６に示すように、一般的なアッシングによってフォトレジスト膜４を除去する（除去工程）。これにより、パターニングされた導体層３が露出し、プリント配線板１０の製造が完了する。本実施例においては、導体層３の幅Ｌはフォトレジスト膜４の幅Ｃよりも若干小さくなり、その逆に導体層３の開口８の幅Ｓ（すなわち、導体間隙）は、開口７の幅Ｄよりも若干大きくなる。そのため、パターンの仕上がりが設計の狙い値に仕上がるようにするためには、フォトレジスト膜４の幅Ｃ、及び開口７の幅Ｄは、数μｍ程度の露光データの補正を行う場合がある。導体層３の層厚及び材料、ならびにエッチング液、露光データの補正等に起因するが、例えば導体層３の層厚が１８μｍの場合、導体層３の幅と、導体層３の開口８の幅との関係であるＬ／Ｓが最小３０μｍ／３０μｍとなり、従来の液状タイプのフォトレジストでは実現が困難であった微細細線パターンの形成が可能になっている。なお、従来において実現が困難であった微細細線を鑑みると、上記Ｌ／Ｓの最大は５０μｍ／５０μｍとなる。
【００２８】
以上のように、本実施例においては、ネガ型レジスト材料の着色剤及び光重合開始剤を上述のように選択し、且つフォトレジスト膜４の膜厚を調整することにより、直接描画装置による露光処理及び現像処理によって容易且つ高精度でフォトレジスト膜４に微細加工を施すことができる。これにより、薄く且つ微細なマスクによってエッチング処理を行うことができ、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができる。すなわち、本実施例においては、基板材料層２に対して直交した側面を有し且つ線幅が細い導体パターンを形成することができ、当該導体パターンの形状はアディティブ法のめっきによって形成された形状と同程度になる。
【００２９】
また、本実施例に係るプリント配線板の製造方法及びエッチングレジストのパターン形成方法においては、従来のようなドライフィルムを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層３とフォトレジスト膜４との密着性を高めることができ、エッチング工程における剥離の防止を図ることができる。更に、このような密着性を高めることができれば、導体層３の表面に凹凸加工を施す必要がなくなり、導体層３の表面が平坦面のままで、フォトレジスト膜形成工程及びその後の工程を行うことができる。なお、本実施例に係るプリント配線板の製造方法及びエッチングレジストのパターン形成方法によれば、導体層３の表面に凹凸加工を施こさなくとも優れた密着性を得ることができるが、導体層３の表面に凹凸加工をあえて加えることで、より優れた密着性を得るようにしてもよい。
【００３０】
＜本発明の実施態様＞
本発明の第１実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、基板材料層及び前記基板材料層の表面に導体層が積層された積層構造を備える積層体を準備する準備工程と、前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。
【００３１】
第１実施態様においては、ネガ型レジスト材料の着色剤及び光重合開始剤の特性、及びフォトレジスト膜の膜厚調整により、直接描画装置による露光処理及び現像処理によって容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。これにより、薄く且つ微細なマスクによってエッチング処理を行うことができ、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができる。
【００３２】
また、第１実施態様においては、従来のようなドライフィルムを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層とフォトレジスト膜の密着性を高めることができ、エッチング工程における剥離の防止を図ることができる。
【００３３】
本発明の第２実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１実施態様において、前記光重合開始剤には３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれることである。これによれば、より容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
【００３４】
本発明の第３実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１又は第２実施態様において、前記露光工程での前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である。これによれば、より一層容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
【００３５】
本発明の第４実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第３実施態様のいずれかにおいて、前記現像工程では、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅が５０μｍ以下である。これによれば、より一層容易且つ高精度で導体層に微細加工を施すことができる。
【００３６】
本発明の第５実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第４実施態様のいずれかにおいて、前記露光工程では、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする。これによれば、露光時間を低減することができ、プリント配線板の生産性を向上することができる。
【００３７】
本発明の第６実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第５実施態様のいずれかにおいて、前記フォトレジスト膜形成工程では前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする。これによれば、より一層容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
【００３８】
本発明の第７実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第６実施態様のいずれかにおいて、前記ネガ型レジスト材料が塗布される前記導体層の表面は平坦面である。これによれば、導体層とフォトレジスト膜との密着性を向上させるために導体層の表面に凹凸加工を施す必要がなくなり、プリント配線板の生産性を向上することができる。
【００３９】
本発明の第８実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、エッチング対象物の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。
【００４０】
第８実施態様においては、ネガ型レジスト材料の着色剤及び光重合開始剤の特性、及びフォトレジスト膜の膜厚調整により、直接描画装置による露光処理及び現像処理によって容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
【００４１】
また、第８実施態様においては、従来のようなドライフィルムを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層とフォトレジスト膜の密着性を高めることができ、エッチング工程における剥離の防止を図ることができる。
【００４２】
本発明の第９実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８実施態様において、前記光重合開始剤には３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれることである。これによれば、より容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
【００４３】
本発明の第１０実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８又は第９実施態様において、前記露光工程での前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である。これによれば、より一層容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
【００４４】
本発明の第１１実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１０実施態様のいずれかにおいて、前記現像工程では、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅が５０μｍ以下である。これによれば、より微細な形状のフォトレジスト膜が得られることになる。
【００４５】
本発明の第１２実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１１実施態様のいずれかにおいて、前記露光工程では、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする。これによれば、露光時間を低減することができ、フォトレジスト膜の加工に関する加工時間及び加工コストを低減することができる。
【００４６】
本発明の第１３実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１２実施態様のいずれかにおいて、前記フォトレジスト膜形成工程では前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする。これによれば、より微細な形状のフォトレジスト膜が得られることになる。
【００４７】
本発明の第１４実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１３実施態様のいずれかにおいて、前記ネガ型レジスト材料が塗布される前記導体層の表面は平坦面である。これによれば、導体層とフォトレジスト膜との密着性を向上させるために導体層の表面に凹凸加工を施す必要がなくなり、フォトレジスト膜の加工に関する加工時間及び加工コストを低減することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１    積層体
２    基板材料層
３    導体層
４    フォトレジスト膜（エッチングレジスト）
５    レーザ光照射領域
６    レーザ光非照射領域
７    開口
８    開口
１０    プリント配線板
【図１】
2016185604.tif 000003
【図２】
2016185604.tif 000004
【図３】
2016185604.tif 000005
【図４】
2016185604.tif 000006
【図５】
2016185604.tif 000007
【図６】
2016185604.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月19日(2016.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材料層及び前記基板材料層の表面に導体層が積層された積層構造を備える積層体を準備する準備工程と、
前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、
前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、
パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、
パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、
前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含み、
前記光重合開始剤は、オキシム・エステルをその構造に備えるプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記光重合開始剤は、３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれる請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記露光工程において、前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記現像工程において、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅は、５０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記露光工程において、露光量を１０ｍＪ以上３５ｍＪ以下とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト膜形成工程において、前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記ネガ型レジスト材料が塗布される前記導体層の表面は、平坦面である請求項１乃至６のいずれいか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
エッチング対象物の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、
前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、を有し、
前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含み、
前記光重合開始剤は、オキシム・エステルをその構造に備えるエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項９】
前記光重合開始剤は、３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれる請求項８に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１０】
前記露光工程において、前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である請求項８又は９に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１１】
前記現像工程において、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅は、５０μｍ以下である請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１２】
前記露光工程において、露光量を１０ｍＪ以上３５ｍＪ以下とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１３】
前記フォトレジスト膜形成工程において、前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【請求項１４】
前記エッチング対象物の表面は、平坦面である請求項８乃至１３のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
【国際調査報告】
2016185604.tif 000009
2016185604.tif 000010
2016185604.tif 000011
2016185604.tif 000012