(57)【要約】  本発明は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、上記有機半導体組成物を用いた形成される有機薄膜トランジスタ、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパーおよびディスプレイデバイスを提供する。本発明の有機半導体組成物は、有機半導体材料と、一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、および、一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択されるＦ含有マイグレーション抑制剤とを含有する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料と、
一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、および、一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択されるマイグレーション抑制剤と
を含有する有機半導体組成物。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ          一般式（１）
（一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。なお、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（２）
（一般式（２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。なお、Ｒ７で表される基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
【化１】
2014189116.tif 000075
（一般式（３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
【化２】
2014189116.tif 000076
（一般式（４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。Ｒ１１およびＲ１２は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｚ−ＳＨ            一般式（５）
（一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚで表される基には置換基が含まれていてもよい。なお、Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
【化３】
2014189116.tif 000077
（一般式（６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。なお、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
【化４】
2014189116.tif 000078
（一般式（７）中、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ７１〜Ｒ７２の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２          一般式（８）
（一般式（８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つには、置換基が含まれていてもよい。なお、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つは、基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
【化５】
2014189116.tif 000079
（一般式（Ａ）中、ＲＡは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。Ａは、前記一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または前記一般式（１）〜（８）で表される化合物であって分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基を表す。）
【化６】
2014189116.tif 000080
（一般式（Ｂ）中、ＲＢは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。ＬＢは、単結合または２価の有機基を表す。Ｂは、下記一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、下記一般式（２５）で表される基を表す。
一般式（Ｃ）中、ＲＣは、水素原子、または炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。ＬＣは、単結合または２価の有機基を表す。Ｘは、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい、水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。）
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ          一般式（Ｙ−１）
（一般式（Ｙ−１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（Ｙ−２）
（一般式（Ｙ−２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。）
【化７】
2014189116.tif 000081
（一般式（Ｙ−３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
【化８】
2014189116.tif 000082
（一般式（Ｙ−４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｚ−ＳＨ            一般式（Ｙ−５）
（一般式（Ｙ−５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚで表される基には置換基が含まれていてもよい。）
【化９】
2014189116.tif 000083
（一般式（Ｙ−６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。）
【化１０】
2014189116.tif 000084
（一般式（Ｙ−７）中、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２          一般式（Ｙ−８）
（一般式（Ｙ−８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つには、置換基が含まれていてもよい。）
【化１１】
2014189116.tif 000085
（一般式（２５）中、Ｒ２５１、Ｒ２５２、Ｒ２５３およびＲ２５４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を示す。）
【請求項２】
前記一般式（６）で表される化合物が、一般式（２２）で表される化合物である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
【化１２】
2014189116.tif 000086
（一般式（２２）中、Ｒ２２１は、水素原子、炭素数１〜８の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基またはＲｆ１−ＣＦＸ１−Ｌ１−Ｙ１―Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−を表す。Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。Ｘ１は、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ２は、単結合または水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２２２−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−または−ＮＲ２２２−を表す。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。）
【請求項３】
前記一般式（８）で表される化合物が、一般式（２３）で表される化合物である、請求項１または２に記載の有機半導体組成物。
【化１３】
2014189116.tif 000087
（一般式（２３）中、Ｒ２３１およびＲ２３２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ２３３およびＲ２３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合、−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を表す。Ｒｆ２は、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロエーテル基を表す。Ｙ２が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。Ｙ２が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、ｍは１から６の整数を表す。ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。）
【請求項４】
前記一般式（１）で表される化合物が、一般式（２４）で表される化合物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【化１４】
2014189116.tif 000088
（一般式（２４）中、Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｘ１は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ２は、単結合、または、水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙ１およびＺ１は、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２４５−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２４５−、または、−ＮＲ２４５−を表す。Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ２４３およびＲ２４４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
【請求項５】
前記一般式（１）で表される化合物が、一般式（３１）〜一般式（４６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【化１５】
2014189116.tif 000089
（一般式（３１）中、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。なお、Ｖ３１のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。
一般式（３２）中、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。なお、Ｖ３２のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。
一般式（３３）中、Ｖ３３は置換基を表す。Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３４）中、Ｖ３４は置換基を表す。Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３５）中、Ｖ３５は置換基を表す。Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３６）中、Ｖ３６は置換基を表す。Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３７）中、Ｖ３７は置換基を表す。Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３８）中、Ｖ３８は置換基を表す。Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３９）中、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数を表す。なお、Ｖ３９のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。
一般式（４０）中、Ｖ４０は置換基を表す。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４１）中、Ｖ４１は置換基を表す。Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４２）中、Ｖ４２は置換基を表す。Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｄは、０または１を表す。なお、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４３）中、Ｖ４３は置換基を表す。Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４４）中、Ｖ４４は置換基を表す。Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４５）中、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４６）中、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。）
【請求項６】
前記一般式（５）で表される化合物が、一般式（５１）〜一般式（５４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【化１６】
2014189116.tif 000090
（一般式（５１）中、Ｒ５１１は、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
一般式（５２）中、Ｒ５２１およびＲ５２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ５２１およびＲ５２２は、互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ５２３は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。
一般式（５３）中、Ｒ５３１は水素原子または置換基を表す。Ｒ５３２は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。
一般式（５４）中、Ｒ５４１は、フッ素原子が含まれる窒素原子に置換可能な基を表す。）
【請求項７】
前記マイグレーション抑制剤が、前記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
【請求項８】
前記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位中、Ｂは、前記一般式（Ｙ−１）で表される化合物もしくは前記一般式（Ｙ−６）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、前記一般式（２５）で表される基である、請求項７に記載の有機半導体組成物。
【請求項９】
前記マイグレーション抑制剤が、一般式（Ｘ１）で表される化合物、一般式（３３）で表される化合物、一般式（２）で表される化合物、一般式（３）で表される化合物、一般式（４Ａ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（７Ａ）で表される化合物、および、一般式（２３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
【化１７】
2014189116.tif 000091
（一般式（Ｘ１）中、Ｒｘ１およびＲｘ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ａは、炭素数１〜２のアルキレン基を表す。Ｘ１１は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１〜３のアルキレン基を表す。Ｙ１１は、炭素数４〜１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。）
【化１８】
2014189116.tif 000092
（一般式（３３）中、Ｖ３３は置換基を表す。Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（２）
（一般式（２）中、Ｒ７は、フッ素原子が含まれるアリール基を表す。）
【化１９】
2014189116.tif 000093
（一般式（３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、フルオロアルキル基が置換するアリール基を表す。）
【化２０】
2014189116.tif 000094
（一般式（４Ａ）中、Ｒ１０Ａ〜Ｒ１３Ａは、それぞれ独立にアルキル基を表す。Ｒ１４Ａは、フッ素原子が含まれる置換基を表す。）
【化２１】
2014189116.tif 000095
（一般式（Ｙ）中、Ｒｙ１およびＲｙ２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。ｎ１は１または２を表す。Ｒｙ３およびＲｙ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｍ１は１〜６の整数を表す。Ｒｙ５は、炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。）
【化２２】
2014189116.tif 000096
（一般式（２２）中、Ｒ２２１は、水素原子、炭素数１〜８に直鎖状もしくは分岐状のアルキル基またはＲｆ１−ＣＦＸ１−Ｌ１−Ｙ１―Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−を表す。Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。Ｘ１は、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ２は、単結合または水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２２２−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−または−ＮＲ２２２−を表す。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。）
【化２３】
2014189116.tif 000097
（一般式（７Ａ）中、ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。Ｒｆ基は、フルオロアルキル基を表す。）
【化２４】
2014189116.tif 000098
（一般式（２３）中、Ｒ２３１およびＲ２３２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ２３３およびＲ２３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合、−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を表す。Ｒｆ２は、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロエーテル基を表す。Ｙ２が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。Ｙ２が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、ｍは１から６の整数を表す。ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。）
【請求項１０】
前記マイグレーション抑制剤が、前記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
【請求項１１】
前記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位中、Ａは、一般式（Ｘ１）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基である、請求項１０に記載の有機半導体組成物。
【化２５】
2014189116.tif 000099
（一般式（Ｘ１）中、Ｒｘ１およびＲｘ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ａは、炭素数１〜２のアルキレン基を表す。Ｘ１１は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１〜３のアルキレン基を表す。Ｙ１１は、炭素数４〜１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。）
【請求項１２】
前記有機半導体材料の分子量が２０００以下である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパー。
【請求項１５】
請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタを使用したディスプレイデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体組成物および有機薄膜トランジスタならびに電子ペーパーおよびディスプレイデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体材料からなる有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機半導体デバイスが利用されている。
昨今、有機薄膜トランジスタへの期待が高まるなか、有機薄膜トランジスタには、移動度（特に電界効果移動度）の向上や安定性などが求められている。
このようななか、特許文献１には、有機半導体層の酸化劣化を低減するために、酸化防止剤を含有する組成物で有機半導体層を形成した有機薄膜トランジスタが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−５５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機半導体デバイスの製造は、フォトリソグラフィーによる方法から、導電性インク、半導体インクおよび絶縁性インク等を用いて、グラビアオフセット印刷やインクジェット等の印刷技術を利用して有機半導体膜、配線等を作製する、いわゆる印刷エレクトロニクス（プリンテッドエレクトロニクス）による方法への移行が考えられている。有機半導体デバイスの配線を印刷エレクトロニクスにて作製する場合、導電性が高く、酸化の影響が少ない銀などの金属材料を用いることが考えられるが、銀に代表される金属材料には、イオンマイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーションともいう。以下、単に「マイグレーション」という。）が発生しやすいという問題がある。特に、有機薄膜トランジスタにおいて、銀に代表される金属材料を配線に用いる場合には、配線（ソース電極、ドレイン電極）間を成長するマイグレーションを抑制することが求められる。【０００５】
本発明者らが特許文献１に開示される組成物を用いて有機薄膜トランジスタを作製したところ、有機薄膜トランジスタの移動度が大きく低下することが明らかとなった。また、寿命試験を行ったところ、ソース／ドレイン電極間の絶縁信頼性が昨今求められるレベルを満たすものではないことが明らかとなった。【０００６】
そこで、本発明は、上記実情を鑑みて、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパーおよびディスプレイデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、有機半導体材料にフッ素原子を含有する特定構造の化合物を配合することで、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物が得られることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。【０００８】
（１）  有機半導体材料と、
後述する一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、後述する一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、および、後述する一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択されるマイグレーション抑制剤と
を含有する有機半導体組成物。
なお、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）は以下の通りである。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ          一般式（Ｙ−１）
（一般式（Ｙ−１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（Ｙ−２）
（一般式（Ｙ−２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。）
【化１】
2014189116.tif 000002
（一般式（Ｙ−３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
【化２】
2014189116.tif 000003
（一般式（Ｙ−４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｚ−ＳＨ            一般式（Ｙ−５）
（一般式（Ｙ−５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚで表される基には置換基が含まれていてもよい。）
【化３】
2014189116.tif 000004
（一般式（Ｙ−６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。）
【化４】
2014189116.tif 000005
（一般式（Ｙ−７）中、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２          一般式（Ｙ−８）
（一般式（Ｙ−８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つには、置換基が含まれていてもよい。）
（２）後述する一般式（６）で表される化合物が、後述する一般式（２２）で表される化合物である、（１）に記載の有機半導体組成物。
（３）後述する一般式（８）で表される化合物が、後述する一般式（２３）で表される化合物である、（１）または（２）に記載の有機半導体組成物。
（４）後述する一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（２４）で表される化合物である、（１）〜（３）のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
（５）後述する一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（３１）〜一般式（４６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）〜（３）のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
（６）後述する一般式（５）で表される化合物が、後述する一般式（５１）〜一般式（５４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）〜（５）のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
（７）  上記マイグレーション抑制剤が、上記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）である、（１）〜（６）のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
（８）  上記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位中、Ｂは、後述する一般式（Ｙ−１）で表される化合物もしくは後述する一般式（Ｙ−６）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、後述する一般式（２５）で表される基である、（７）に記載の有機半導体組成物。
（９）  上記マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物、後述する一般式（３３）で表される化合物、後述する一般式（２）で表される化合物、後述する一般式（３）で表される化合物、後述する一般式（４Ａ）で表される化合物、後述する一般式（Ｙ）で表される化合物、後述する一般式（２２）で表される化合物、後述する一般式（７Ａ）で表される化合物、および、後述する一般式（２３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）に記載の有機半導体組成物。
（１０）  上記マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）である、（１）に記載の有機半導体組成物。
（１１）  後述する一般式（Ａ）で表される繰り返し単位中、Ａは、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基である、（１０）に記載の有機半導体組成物。
（１２）  上記有機半導体材料の分子量が２０００以下である、（１）〜（１１）のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
（１３）  上記（１）〜（１２）のいずれか１つに記載の有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ。
（１４）  （１３）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパー。
（１５）  （１３）に記載の有機薄膜トランジスタを使用したディスプレイデバイス。
【発明の効果】
【０００９】
以下に示すように、本発明によれば、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパーおよびディスプレイデバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の有機半導体組成物（有機半導体用組成物）の好適態様について説明する。
本発明の有機半導体組成物（以下、単に「組成物」とも称する。）は、有機半導体材料と、フッ素原子を含有する特定構造の化合物（以下、単に「Ｆ含有マイグレーション抑制剤」とも称する。）とを含有する。
上述のとおり、本発明の組成物は、後述するＦ含有マイグレーション抑制剤を含有するため、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物となると考えらえる。
【００１２】
以下、図１を用いて、本発明のメカニズムについて詳述する。なお、図１では、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの場合について詳述する。
図１において、有機薄膜トランジスタ１０は、基板１１と、ゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、有機半導体層１４と、ソース電極１５ａと、ドレイン電極１５ｂとを備える。
有機薄膜トランジスタ１０に電圧を印加すると、電界の作用によりソース電極１５ａおよび／またはドレイン電極１５ｂ中の金属がイオン化し、ソース電極１５ａおよびドレイン電極１５ｂの間で金属イオンが移動（マイグレーション）ことにより、ソース電極１５ａ／ドレイン電極１５ｂ間の絶縁性が低下してしまう。特に、上記イオンマイグレーションは、ソース電極１５ａとドレイン電極１５ｂとの間に位置する、有機半導体層１４の外側露出表面付近で顕著に生じるものと考えられる。
本発明の組成物を用いて作製した有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）では、Ｆ含有マイグレーション抑制剤の表面エネルギーの低さのため、Ｆ含有マイグレーション抑制剤が有機半導体層の表面近傍に移動し、有機半導体層の露出表面（ゲート絶縁膜と接触していない側の表面）付近にＦ含有マイグレーション抑制剤が偏在し、移動度を損なうことなく、マイグレーションを抑制することができる。より具体的には、有機ＴＦＴにおいて、有機半導体層の外側露出表面付近に多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させることにより、電極から析出する金属イオンの拡散を効率よく抑制することができ、微細な電極を有する有機ＴＦＴを作製した際のマイグレーション耐性を向上させる。また、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を表面近傍に偏在させ、有機半導体層内部において、移動度を低下させるＦ含有マイグレーション抑制剤の量を低減させることができ、結果として移動度を損なわず、優れた性能を達成することができる。
これらのことは、後述する比較例１〜３によっても支持される。すなわち、フッ素原子を含有しない化合物であるイルガノックス−１０７６を有機半導体組成物に含有させた比較例１および２では、上記のような化合物の遍在が進行せず、有機半導体層内部に散在したままとなり、キャリア移動を妨げるため、移動度の評価が低くなること、フッ素原子を含有する化合物であるメガファックスＦ−７８１を有機半導体組成物に含有させた比較例３では、上記のような化合物の偏在が進行するため、移動度の評価が高くなるものの、マイグレーション抑制能がないため、絶縁信頼性の評価が低いことからも推測される。
【００１３】
以下、本発明の組成物に含有される各成分について詳述する。
なお、本明細書においては、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
【００１４】
＜有機半導体材料＞
本発明の組成物に含有される有機半導体材料としては、有機半導体トランジスタの有機半導体層として利用される、公知の材料が、利用可能である。具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
有機半導体材料の分子量は特に制限されないが、有機薄膜トランジスタの移動度の点から、２０００以下が好ましく、１２００以下がより好ましい。
なお、有機半導体材料が重合体の場合は、上記分子量は重量平均分子量に意図する。
有機半導体材料が重合体の場合の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、有機半導体材料をテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行う。
【００１５】
＜Ｆ含有マイグレーション抑制剤＞
本発明の組成物に含有されるＦ含有マイグレーション抑制剤（Ｆ含有マイグレーション防止剤）は、下記一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、および、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および下記一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択される化合物である。Ｆ含有マイグレーション抑制剤は、フッ素原子を含有し、金属イオンのマイグレーションを抑制する化合物である。
Ｆ含有マイグレーション抑制剤中のフッ素原子の含有率（フッ素含有率）は、特に限定されず、使用する有機半導体材料の種類などに応じて適宜調整され得るが、表面エネルギーを低くして、有機半導体層の露出表面付近により多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させ、有機半導体の移動度を損なわない点で、２質量％以上６５質量％未満であることが好ましく、５〜６０質量％がより好ましく、１０〜５０質量％がさらに好ましい。なお、フッ素含有率とは、マイグレーション抑制剤の全分子量中におけるフッ素原子の占める質量の割合（含有率）を表したものである。つまり、｛（化合物中のフッ素原子の数）×（フッ素の原子量）／（化合物の全分子量）｝×１００（％）で表される値である。例えば、マイグレーション抑制剤の全分子量が１００であり、フッ素原子が３個含まれる場合、フッ素原子の占める質量割合（％）は、｛（１９×３）／１００｝×１００で、５７質量％と計算される。
以下、Ｆ含有マイグレーション抑制剤について詳述する。
【００１６】
（一般式（１）で表される化合物）
まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ          一般式（１）
【００１７】
一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
【００１８】
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
窒素原子に置換可能な基としては窒素原子に置換できる基であれば特に制限されないが、例えば、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
【００１９】
さらに詳しくは、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）を好ましい例として挙げることができる。
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに置換されていてもよい。
【００２０】
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５０、さらに好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０である。
好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。
なお、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。なお、アルキル基中に上記連結基が含まれる場合、その位置は特に制限されず、末端であってもよい。例えば、−Ｓ−Ｒｘ（Ｒｘ：アルキル基）であってもよい。
【００２１】
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキル基は、さらに置換基を有していてもよい。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
【００２２】
さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
【００２３】
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
【００２４】
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
【００２５】
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００２６】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【００２７】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
【００２８】
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
【００２９】
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【００３０】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
【００３１】
Ｒ２およびＲ３で表されるアルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルであり、特に好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルである。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルケニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
【００３２】
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルキニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
【００３３】
Ｒ２およびＲ３で表されるアリール基は、置換または無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６〜５０、さらに好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０である。好ましい例としては、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニル、２−メチルカルボニルフェニル、４−メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。
さらに好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができる。
Ｒ２およびＲ３で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００３４】
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ４およびＲ５で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４およびＲ５で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００３５】
Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ１およびＲ６で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ１およびＲ６で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００３６】
一般式（１）で表される化合物は、鎖状であっても環状であってもよく、環状である場合は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基のうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
なお、二つの基が結合する際には、単結合、二重結合および三重結合のいずれかの結合形式が含まれていてもよい。
【００３７】
Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。フッ素原子は、一般式（１）で表される化合物の任意の炭素原子に置換してもよい。なお、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、フッ素原子は、フルオロアルキル基（以下、Ｒｆ基ともいう）またはＲｆ基で置換された基として含まれることが好ましい。つまり、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも一つの基中には、フルオロアルキル基（好ましくは、パーフルオロアルキル基）が含まれることが好ましい。なお、一般式（１）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
上記フルオロアルキル基とは、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。パーフルオロアルキル基とは、水素原子の全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。
Ｒｆ基は、炭素原子数１ないし１４（好ましくは炭素原子数１〜１０、より好ましくは炭素原子数１〜７）の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基、または、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基で置換された、炭素原子数２ないし２０の置換基であることが好ましい。
炭素原子数１ないし１４の直鎖または分岐鎖パーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ３−、Ｃ２Ｆ５−、Ｃ３Ｆ７−、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、（ＣＦ３）２−ＣＦ−（ＣＦ２）２−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、（ＣＦ３）２−ＣＦ−（ＣＦ２）４−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−およびＣ１４Ｆ２９−を挙げることができる。
炭素原子数１ないし１４のパーフルオロアルキル基により置換された炭素原子数２ないし２０の置換基の例としては、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２−、Ｃ９Ｆ１９ＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣ＝ＯＣＨ２−、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２ＯＣ＝ＯＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ２）２−、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ２）２−、（ＣＦ３）２ＣＦＯＣ２Ｆ４−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ〔ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ〕４−ＣＦ（ＣＦ３）−、などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Ｒｆ基は１分子中に１ないし４個含まれることが好ましい。
なお、上述した一般式（１）で表される化合物は、２種以上使用してもよい。
【００３８】
一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（２４）で表される化合物であることが好ましい。なお、一般式（２４）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
なお、一般式（２４）で表される化合物は、後述する一般式（３６）で表される化合物の下位概念に該当する。具体的は、以下のＲ２４１が一般式（３６）中のＣＨＲ３６１Ｒ３６２に該当し、Ｒ２４２〜Ｒ２４４、および、Ｒｆ１（Ｘ１）（Ｆ）Ｃ−Ｌ１−Ｙ１−Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−が一般式（３６）中のＶ３６に該当する。
【００３９】
【化５】
2014189116.tif 000006
【００４０】
一般式（２４）中、Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。なかでも、マイグレーション抑制能がより優れる理由から、炭素数１〜８のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜６のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜５のアルキル基であることが特に好ましい。アルキル基の好適な具体例としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、２，２−ジメチルプロピル、ヘキシル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
【００４１】
一般式（２４）中、Ｒ２４３およびＲ２４４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基と同じである。
【００４２】
一般式（２４）中、Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。
上記フルオロアルキル基中の水素原子はフッ素原子以外の他のハロゲン原子に置換されていてもよい。他のハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。また、エーテル性酸素原子（−Ｏ−）は、フルオロアルキル基の炭素−炭素結合環に存在してもよく、フルオロアルキル基の末端に存在してもよい。また、フルオロアルキル基の構造は、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環を有する構造が挙げられ、直鎖構造が好ましい。
Ｒｆ１としては、ペルフルオロアルキル基または水素原子１個を含むポリフルオロアルキル基であることが好ましく、ペルフルオロアルキル基が特に好ましい（ただし、エーテル性酸素原子を有するものを含む。）。
Ｒｆ１としては、炭素原子数が４〜６のペルフルオロアルキル基、または、エーテル性酸素原子を有する炭素原子数が４〜９のペルフルオロアルキル基が好ましい。
Ｒｆ１の具体例としては、以下が挙げられる。
−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＨＦ２、−（ＣＦ２）２ＣＦ３、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−（ＣＦ２）４ＣＦ３、−（ＣＦ２）５ＣＦ３、−（ＣＦ２）６ＣＦ３、−（ＣＦ２）７ＣＦ３、−（ＣＦ２）８ＣＦ３、−（ＣＦ２）９ＣＦ３、−（ＣＦ２）１１ＣＦ３、−（ＣＦ２）１５ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）５ＣＦ３、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐＣＦ３（ｐは１〜８の整数）、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｑＣ６Ｆ１３（ｑは１〜４の整数）、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｒＣ３Ｆ７（ｒは１〜５の整数）。
Ｒｆ１としては、特に−（ＣＦ２）ＣＦ３または−（ＣＦ２）５ＣＦ３が好ましい。
【００４３】
一般式（２４）中、Ｘ１は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。なかでも、フッ素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
【００４４】
一般式（２４）中、Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｌ２は、単結合、または、水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、単結合または炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
【００４５】
一般式（２４）中、Ｙ１およびＺ１は、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２４５−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２４５−、または、−ＮＲ２４５−を表す。なかでも、−ＣＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２４５−、または、−ＣＯＮＲ２４５−が好ましい。Ｒ２４５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
【００４６】
一般式（１）で表される化合物の別の好適な態様としては、例えば、下記一般式（３１）〜（４６）で表される化合物からなる群から選択される化合物が挙げられる。なお、一般式（３１）〜（４６）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【００４７】
【化６】
2014189116.tif 000007
【００４８】
一般式（３１）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の化合物である。
一般式（３１）において、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。なお、Ｖ３１のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３１が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３１が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３１にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３１で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３１中に上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
Ｖ３１で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３１）に複数のＶ３１が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００４９】
以下に、一般式（３１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００５０】
【化７】
2014189116.tif 000008
【００５１】
一般式（３２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３２）において、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。なお、Ｖ３２のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３２が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３２が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３２にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３２で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３２中に上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
Ｖ３２で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３２）に複数のＶ３２が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００５２】
以下に、一般式（３２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００５３】
【化８】
2014189116.tif 000009
【００５４】
一般式（３３）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（３３）において、Ｖ３３は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３３で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３３）に複数のＶ３３が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３３が複数ある場合、複数のＶ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００５５】
以下に、一般式（３３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００５６】
【化９】
2014189116.tif 000010
【００５７】
一般式（３４）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３４）において、Ｖ３４は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数、さらに好ましくは１を表す。Ｖ３４で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３４）に複数のＶ３４が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３４が複数ある場合、複数のＶ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００５８】
以下に、一般式（３４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００５９】
【化１０】
2014189116.tif 000011
【００６０】
一般式（３５）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ４Ｒ５であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（３５）において、Ｖ３５は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３５で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３５）に複数のＶ３５が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ３５１およびＲ３５２で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ３５１およびＲ３５２が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
なお、Ｖ３５が複数ある場合、複数のＶ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００６１】
以下に、一般式（３５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００６２】
【化１１】
2014189116.tif 000012
【００６３】
一般式（３６）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ４Ｒ５であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３６）において、Ｖ３６は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３６で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３６）に複数のＶ３６が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ３６１およびＲ３６２で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ３６１またはＲ３６２が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３６が複数ある場合、複数のＶ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００６４】
以下に、一般式（３６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００６５】
【化１２】
2014189116.tif 000013
【００６６】
一般式（３７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（３７）において、Ｖ３７は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３７で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３７）に複数のＶ３７が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３７が複数ある場合、複数のＶ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００６７】
以下に、一般式（３７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００６８】
【化１３】
2014189116.tif 000014
【００６９】
一般式（３８）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３８）において、Ｖ３８は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３８で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３８）に複数のＶ３８が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３８が複数ある場合、複数のＶ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００７０】
以下に、一般式（３８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００７１】
【化１４】
2014189116.tif 000015
【００７２】
一般式（３９）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３９）において、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数、好ましくは１を表す。なお、Ｖ３９のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３９が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３９が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３９にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３９で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３９中に上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
Ｖ３９で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３９）に複数のＶ３９が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００７３】
以下に、一般式（３９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００７４】
【化１５】
2014189116.tif 000016
【００７５】
一般式（４０）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４０）において、Ｖ４０は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４０で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４０）に複数のＶ４０が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４０が複数ある場合、複数のＶ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００７６】
以下に、一般式（４０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００７７】
【化１６】
2014189116.tif 000017
【００７８】
一般式（４１）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ｎが０であり、Ｒ２およびＲ３が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４１）において、Ｖ４１は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。Ｖ４１で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４１）に複数のＶ４１が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４１が複数ある場合、複数のＶ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００７９】
以下に、一般式（４１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００８０】
【化１７】
2014189116.tif 000018
【００８１】
一般式（４２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ｎが０であり、Ｒ２およびＲ３が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４２）において、Ｖ４２は置換基を表す。ｄは、０または１を表す。Ｖ４２で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４２）に複数のＶ４２が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４２が複数ある場合、複数のＶ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００８２】
以下に、一般式（４２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００８３】
【化１８】
2014189116.tif 000019
【００８４】
一般式（４３）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６および窒素原子であり、ｎが３であり、Ｒ１およびＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４３）において、Ｖ４３は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４３で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４３）に複数のＶ４３が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ４３１で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４３１が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４３およびＲ４３１の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４３が複数ある場合、複数のＶ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００８５】
以下に、一般式（４３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００８６】
【化１９】
2014189116.tif 000020
【００８７】
一般式（４４）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６および窒素原子であり、ｎが２であり、Ｒ１およびＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４４）において、Ｖ４４は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４４で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４４）に複数のＶ４４が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ４４１で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４４１が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４４およびＲ４４１の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４４が複数ある場合、複数のＶ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００８８】
以下に、一般式（４４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００８９】
【化２０】
2014189116.tif 000021
【００９０】
一般式（４５）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（４５）において、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
【００９１】
以下に、一般式（４５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００９２】
【化２１】
2014189116.tif 000022
【００９３】
一般式（４６）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ＱがＯＨであり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（４６）において、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ４６１およびＲ４６２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
【００９４】
以下に、一般式（４６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００９５】
【化２２】
2014189116.tif 000023
【００９６】
また、一般式（１）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物が挙げられる。なお、一般式（Ｘ１）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物は、上述した一般式（３５）の下位概念に該当する。つまり、一般式（３５）中のＣＲ３５１Ｒ３５２が、以下の−Ａ−ＣＯＯ−Ｘ１１−Ｙ１１に該当する。
【００９７】
【化２３】
2014189116.tif 000024
【００９８】
Ｒｘ１およびＲｘ２の定義、具体例および好適な態様は、Ｒ２４１およびＲ２４２と同じである。
【００９９】
Ａは、炭素数１〜２のアルキレン基を表す。Ａとして好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、であり、より好ましくは、−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【０１００】
Ｘ１１は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１〜３のアルキレン基を表す。Ｘ１１として好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−であり、さらに好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−であり、特に好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【０１０１】
Ｙ１１は、炭素数４〜１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。好ましいパーフルオロアルキル基の例としては、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−が挙げられる。炭素数が上記範囲内であれば、マイグレーション抑制機能がより優れる。
上記Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ａ、およびＸ１１は、さらに上述した置換基を有していてもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。
【０１０２】
（一般式（２）で表される化合物）
次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（２）
【０１０３】
本発明において一般式（２）で表される化合物には、アルデヒド体とヘミアセタール体との間に平衡が存在することにより還元性を示す化合物（アルドースなど）や、ロブリー・ドブリュイン−ファン  エッケンシュタイン転位反応によるアルドース−ケトース間の異性化によりアルデヒド体を形成しうる化合物（フルクトースなど）も含有する。
【０１０４】
一般式（２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。
Ｒ７がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基を表すとき、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ７が複素環基を表すとき、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族または、非芳香族の複素環基である。好ましい例としては、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、チアジアゾリル、ピロリジニル、ピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニルなどを挙げることができる。
Ｒ７としてさらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基である。
Ｒ７で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【０１０５】
Ｒ７で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）はフッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ７中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（２）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシル基、または、−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。
また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。
Ｒ７の好適態様の一つとしては、フッ素原子が含まれるアリール基が挙げられる。
【０１０６】
以下に、一般式（２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【０１０７】
【化２４】
2014189116.tif 000025
【０１０８】
（一般式（３）で表される化合物）
次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。
【化２５】
2014189116.tif 000026
【０１０９】
一般式（３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）はフッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。Ｒ８〜Ｒ１０の好適態様の一つとしては、Ｒｆ基が置換したアリール基が挙げられる。アリール基に置換したＲｆ基の数は特に制限されず、１〜４個が好ましく、１〜２個がより好ましい。
なお、一般式（３）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１１０】
以下に、一般式（３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【０１１１】
【化２６】
2014189116.tif 000027
【０１１２】
（一般式（４）で表される化合物）
次に、一般式（４）で表される化合物について説明する。
【化２７】
2014189116.tif 000028
【０１１３】
一般式（４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ１１およびＲ１２で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１１およびＲ１２は、互いに結合して環を形成していてもよい。形成される環には、置換基が含まれていてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（４）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１１４】
一般式（４）で表される化合物の好適態様の一つとしては、以下の一般式（４Ａ）で表される化合物が挙げられる。
【０１１５】
【化２８】
2014189116.tif 000029
Ｒ１０Ａ〜Ｒ１３Ａは、それぞれ独立にアルキル基を表す。
Ｒ１４Ａは、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ１４Ａで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１４Ａには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ１４Ａ中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ１４Ａには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましく、Ｒ１４Ａは−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基が含まれていてもよいＲｆ基がより好ましい。なお、一般式（４Ａ）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１１６】
以下に、一般式（４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【０１１７】
【化２９】
2014189116.tif 000030
【０１１８】
（一般式（５）で表される化合物）
次に、一般式（５）で表される化合物について説明する。
Ｚ−ＳＨ            一般式（５）
【０１１９】
一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｚで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｚ中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（５）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１２０】
一般式（５）で表される化合物は、一般式（５１）ないし一般式（５４）で表される化合物であることが好ましい。
【０１２１】
【化３０】
2014189116.tif 000031
【０１２２】
一般式（５１）において、Ｒ５１１は、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ５１１で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ５１１には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５１１中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５１１には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５１）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１２３】
以下に、一般式（５１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【０１２４】
【化３１】
2014189116.tif 000032
【０１２５】
一般式（５２）において、Ｒ５２１およびＲ５２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ５２３は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ５２１、Ｒ５２２およびＲ５２３は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５２）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１２６】
以下に、一般式（５２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２７】
【化３２】
2014189116.tif 000033
【０１２８】
一般式（５３）において、Ｒ５３１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ５３２は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ５３１およびＲ５３２は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５３）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１２９】
以下に、一般式（５３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【０１３０】
【化３３】
2014189116.tif 000034
【０１３１】
一般式（５４）において、Ｒ５４１はフッ素原子が含まれる窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ５４１には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５４１中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５４１には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５４）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１３２】
以下に、一般式（５４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【０１３３】
【化３４】
2014189116.tif 000035
【０１３４】
また、一般式（５）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｙ）で表される化合物が挙げられる。
【０１３５】
【化３５】
2014189116.tif 000036
【０１３６】
一般式（Ｙ）中、Ｒｙ１およびＲｙ２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。ｎ１は１または２を表し、好ましくは２を表す。ｎが２であるとき、複数のＣＲｙ１Ｒｙ２で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｙ１およびＲｙ２がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１〜３０、さらに好ましくは炭素数１〜１５、特に好ましくは炭素数１〜６であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−ヒドロキシエチル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、２−エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
（ＣＲｙ１Ｒｙ２）ｎ１で表される構造として、好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、であり、さらに好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、であり、特に好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【０１３７】
Ｒｙ３およびＲｙ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。ｍ１は１〜６の整数を表す。ｍ１が２以上であるとき、複数のＣＲｙ３Ｒｙ４で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒｙ３およびＲｙ４は、互いに結合して環を形成していてもよい。
【０１３８】
（ＣＲｙ３Ｒｙ４）ｍ１で表される構造として、好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−であり、さらに好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、であり、特に好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、である。
【０１３９】
Ｒｙ５は、炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。パーフルオロアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
炭素原子数１〜１４の直鎖状または分岐鎖状のパーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ３−、Ｃ２Ｆ５−、Ｃ３Ｆ７−、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−、Ｃ１４Ｆ２９−などが挙げられる。
【０１４０】
一般式（６）で表される化合物について説明する。なお、一般式（６）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１４１】
【化３６】
2014189116.tif 000037
【０１４２】
一般式（６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。ヘテロ原子としては特に制限されないが、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子などが挙げられる。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
【０１４３】
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基（置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じ）を有してもよい炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基の具体例および好適な態様は、後述するＬＡと同じである。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。重合性基および架橋性基の具体例としては、メタクリロイル基、アクリロイル基、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。
【０１４４】
上記「カルビル基」は、任意の非炭素原子を含まないか（例えば、−Ｃ≡Ｃ−のような）、またはＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅもしくはＧｅのような少なくとも一つの非炭素原子と随意に結合した少なくとも一つの炭素原子を含む（例えば、カルボニル等）任意の一価もしくは多価有機基部分を指す。上記「ヒドロカルビル基」は、１以上のＨ原子を追加的に含み、随意に、例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅもしくはＧｅのような１以上のヘテロ原子を含むカルビル基を指す。
【０１４５】
Ｒ６１、Ｒ６２、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３の基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（６）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１４６】
一般式（６）で表される化合物は、下記一般式（２２）で表される化合物であることが好ましい。なお、一般式（２２）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１４７】
【化３７】
2014189116.tif 000038
【０１４８】
一般式（２２）中、Ｒｆ1、Ｘ1、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、Ｙ1およびＺ1の定義、具体例および好適な態様は、それぞれ上述した一般式（２４）中のＲｆ1、Ｘ1、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、Ｙ1およびＺ1と同じである。
【０１４９】
Ｒ２２１は、水素原子、炭素数１〜８の直鎖もしくは分岐のアルキル基、またはＲｆ１−ＣＦＸ１−Ｌ１−Ｙ１―Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−を表す。
ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
【０１５０】
以下に、一般式（２２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５１】
【化３８】
2014189116.tif 000039
【０１５２】
（一般式（７）で表される化合物）
次に、一般式（７）で表される化合物について説明する。
【０１５３】
【化３９】
2014189116.tif 000040
【０１５４】
一般式（７）において、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なかでも、Ｒ７１は水素原子であることが好ましく、Ｒ７２はアルキル基、アリール基であることが好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ７１およびＲ７２のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（７）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（７）で表される化合物の好適態様としては、一般式（７Ａ）で表される化合物が挙げられる。
【０１５５】
【化４０】
2014189116.tif 000041
【０１５６】
ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ２２２−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ２２２−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−またはこれらを複数組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
Ｒｆ基は、フルオロアルキル基（好ましくは、パーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ基の定義および好適範囲は上述の通りである。
【０１５７】
（一般式（８）で表される化合物）
次に、一般式（８）で表される化合物について説明する。なお、一般式（８）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１５８】
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２          一般式（８）
一般式（８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なかでも、アリール基、複素環基であることが好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
なお、Ｚ１およびＺ２には、置換基が含まれていてもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基と同じである。
Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（８）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
なお、上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基には、ヘテロ原子（例えば、酸素原子、硫黄原子など）が含まれていてもよい。
【０１５９】
一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（２３）で表される化合物であることが好ましい。なお、一般式（２３）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
【０１６０】
【化４１】
2014189116.tif 000042
【０１６１】
一般式（２３）中、Ｒ２３１およびＲ２３２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ２３１およびＲ２３２がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１〜３０、さらに好ましくは炭素数１〜１５、特に好ましくは炭素数１〜６であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−ヒドロキシエチル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、２−エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
（ＣＲ２３１Ｒ２３２）ｎで表される構造として、好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、であり、さらに好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、であり、特に好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【０１６２】
Ｒ２３３およびＲ２３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
（ＣＲ２３３Ｒ２３４）ｍで表される構造として、好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−であり、さらに好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、であり、特に好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、である。
【０１６３】
Ｙ２は、単結合、−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を表す。
Ｙ２が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。なかでも、ｍは０〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
Ｙ２が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、好ましくは２を表す。ｍは１から６の整数を表し、１〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
【０１６４】
Ｒｆ２は、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロエーテル基を表す。
パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロアルキレン基の具体例としては、例えば、−Ｃ４Ｆ８−、−Ｃ５Ｆ１０−、−Ｃ６Ｆ１２−、−Ｃ７Ｆ１４−、−Ｃ８Ｆ１６−、−Ｃ９Ｆ１８−、−Ｃ１０Ｆ２０−、−Ｃ１２Ｆ２４−などが挙げられる。
パーフルオロエーテル基とは、上記パーフルオロアルキレン基中の１箇所以上の炭素−炭素原子間、またはパーフルオロアルキレン基の結合末端にエーテル性酸素原子（−Ｏ−）が挿入された基を意味する。パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロエーテル基の具体例としては、−（ＣｇＦ２ｇＯ）ｈ−（式中、ｇはそれぞれ独立に１〜２０の整数であり、ｈは１以上の整数であり、ｇ×ｈ≦２０以下の関係を満たす。）で表されるパーフルオロエーテル基が挙げられる。
【０１６５】
ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。なかでも、ｐが３で、ｌが０であることが好ましい。
【０１６６】
以下に、一般式（２３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６７】
【化４２】
2014189116.tif 000043
【０１６８】
（高分子化合物（Ｘ））
高分子化合物（Ｘ）は、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。高分子化合物（Ｘ）は、側鎖にマイグレーション抑制能を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有する。
高分子化合物（Ｘ）は、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでもよい。高分子化合物（Ｘ）中の一般式（Ａ）で表される繰り返し単位の割合は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましく、３０質量％以上であることが特に好ましく、５０質量％以上であることが最も好ましい。
高分子化合物（Ｘ）に含まれる一般式（Ａ）で表される複数の繰り返し単位は、同一であっても異なってもよい。
【０１６９】
【化４３】
2014189116.tif 000044
【０１７０】
一般式（Ａ）中、ＲＡは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。なかでも、水素原子またはメチル基であることがより好ましい。
【０１７１】
ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ２２２−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ２２２−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−またはこれらを複数組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
【０１７２】
ＬＡの好適な態様としては、例えば、下記一般式（Ａ−１）で表される２価の有機基が挙げられる。
【０１７３】
【化４４】
2014189116.tif 000045
【０１７４】
一般式（Ａ−１）中、Ｚ２は、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ２２２−）またはエーテル基（−Ｏ−）を表す。Ｒ２２２の定義は上述のとおりである。
【０１７５】
一般式（Ａ−１）中、Ｌ４は、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基は、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、または、これらを組み合わせた基であることが好ましい。上記組み合わせた基は、エーテル基（−Ｏ−）、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ２２２−）、ウレタン基（−ＮＨＣＯＯ−）、ウレア基（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）を介して組み合わせた基であってもよい。Ｒ２２２の定義は上述のとおりである。
Ｌ4は、総炭素数が１〜１５であることが好ましい。ここで、総炭素数とは、Ｌ4に含まれる総炭素原子数を意味する。
Ｌ４の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、および、これらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、さらには、これらを組み合わせた基などが挙げられる。
【０１７６】
一般式（Ａ−１）中、Ｚ３は、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２２２−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−、または、−ＮＲ２２２−を表す。Ｒ２２２の定義は上述のとおりである。
【０１７７】
一般式（Ａ−１）中、上側の＊（Ｚ２に隣接する＊）は、一般式（Ａ）中のＲＡが結合する炭素原子との結合位置を表す。
一般式（Ａ−１）中、下側の＊（Ｚ３に隣接する＊）は、一般式（Ａ）中のＡとの結合位置を表す。
すなわち、ＬＡが一般式（Ａ−１）で表される２価の有機基である場合、一般式（Ａ）は下記一般式（Ａ−２）で表される。
【０１７８】
【化４５】
2014189116.tif 000046
【０１７９】
一般式（Ａ−２）中、ＲＡの定義および好適な態様は、上述した一般式（Ａ）中のＲＡと同じである。
一般式（Ａ−２）中、Ｚ２、Ｌ４およびＺ３の定義、具体例および好適な態様は、それぞれ上述した一般式（Ａ−１）中のＺ２、Ｌ４およびＺ３と同じである。
一般式（Ａ−２）中、Ａの定義および好適な態様は、後述する一般式（Ａ）中のＡと同じである。
【０１８０】
一般式（Ａ）中、Ａは、上記一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、上記一般式（１）〜（８）で表される化合物であって、分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基を表す。ここで、「一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基」とは、一般式（１）〜（８）で表される化合物において、化合物の有する水素原子のうち、水酸基の水素原子以外の任意の水素原子を１個取り去った１価の基を表す。また、「一般式（１）〜（８）で表される化合物であって、分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基」とは、一般式（１）〜（８）で表される化合物であって、分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物において、化合物の有するフッ素原子のうち、任意のフッ素原子を１個取り去った１価の基を表す。Ａで表される基は、マイグレーション抑制能を有する。
【０１８１】
上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物のうち、水素原子が取り去られる位置は特に制限されないが、マイグレーション抑制能がより優れる点で、一般式（１）〜（４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（５）で表される化合物においてはＺ、一般式（６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７2、一般式（８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２が好ましく挙げられる。言い換えると、一般式（Ａ）中のＬＡは、一般式（１）〜（４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（５）で表される化合物においてはＺ、一般式（６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７2、一般式（８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２と結合していることが好ましい。
また、上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物のうち分子内にフッ素原子を２個以上有するものからフッ素原子が取り去られる位置についても、上記の水素原子の場合と同様である。
【０１８２】
また、Ａとしては、上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物の好適態様である一般式（２２）〜（２４）、一般式（３１）〜（４６）、一般式（５１）〜（５４）、一般式（Ｘ１）、および、一般式（Ｙ１）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、またはこれらの化合物のうち分子内に２個以上のフッ素原子を有するものからフッ素原子を１個取り去った１価の基であってもよい。
【０１８３】
（高分子化合物（Ｘ）の合成方法）
以下、本発明の側鎖にマイグレーション防止部位（マイグレーション抑制部位）を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有する高分子化合物（Ｘ）の合成方法について説明する。
高分子化合物（Ｘ）の合成方法は特に制限されないが、例えば、下記のｉ）〜ii）が挙げられる。
【０１８４】
ｉ）一般式（Ａ―３）で表されるマイグレーション防止部位を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有するモノマーを重合する方法
【化４６】
2014189116.tif 000047
【０１８５】
ii）反応性基を有する高分子化合物に、該高分子化合物中の反応性基と反応しうる基とマイグレーション防止部位を有する特定の基とを有する化合物を反応させ、マイグレーション防止部位を有する特定の基を導入する方法
【０１８６】
これらの中でも、好ましいのは、合成適性の観点から、ｉ）の方法である。
以上のように、マイグレーション防止部位を有する特定の基は、マイグレーション防止部位を有する特定の基がペンダントされたモノマーを重合することで高分子化合物中に導入してもよいし、予め合成された反応性基を有するポリマーの一部に付加・置換させることで、高分子化合物中に導入してもよい。
なお本発明に好適に使用できる高分子化合物（Ｘ）において、一般式（Ａ）のユニット以外に他の共重合成分を含んでいてもよい。上記合成方法において、更に他のモノマーを共重合させることで導入することができ、本発明の効果を損なわないものであれば、いかなるモノマーも使用することができる。
【０１８７】
使用されうる他のモノマーとしては、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレートなどの無置換（メタ）アクリル酸エステル類、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、３，３，３−トリフルオロプロピル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、２−クロロエチル（メタ）アクリレートなどのハロゲン置換（メタ）アクリル酸エステル類、ブチル（メタ）アクリルアミド、イソプロピル（メタ）アクリルアミド、オクチル（メタ）アクリルアミド、２−エチルヘキシルアクリルアミド、ジメチル（メタ）アクリルアミドなどの（メタ）アクリルアミド類、スチレン、α―メチルスチレンなどのスチレン類、Ｎ−ビニルカルバゾール、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどのビニル化合物類や、その他にジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−エチルチオ−エチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどが使用できる。また、上記記載のモノマーを用いて得られたマクロモノマーも使用できる。
【０１８８】
上記ii）の合成方法において用いられる反応性基を有する高分子化合物は、マイグレーション防止部位を有する特定の基導入のための反応性基を有するモノマーをラジカル重合することにより合成される。マイグレーション防止部位を有する特定の基導入を有するモノマーとしては、反応性基として、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、またはイソシアネート基を有するモノマーが挙げられる。
【０１８９】
カルボキシル基含有のモノマーとしては、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、安息香酸ビニル、東亞合成製のアロニクスＭ−５３００、Ｍ−５４００、Ｍ−５６００、三菱レーヨン製のアクリルエステルＰＡ、ＨＨ、共栄社化学(株）製のライトアクリレートＨＯＡ−ＨＨ、中村化学製のＮＫエステルＳＡ、Ａ−ＳＡなどが挙げられる。
【０１９０】
ヒドロキシル基含有のモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１−（メタ）アクリロイル−３−ヒドロキシ−アダマンタン、ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、２−（ヒドロキシメチル）−（メタ）アクリレート、２−（ヒドロキシメチル）−（メタ）アクリレートのメチルエステル、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、１−ヒドロキシメチル−４−（メタ）アクリロイルメチル−シクロヘキサン、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、１−メチル−２−アクリロイロキシプロピルフタル酸、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシエチルフタル酸、１−メチル−２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタル酸、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシ−３−クロロプロピルフタル酸、東亞合成（株）製のアロニクスＭ−５５４、Ｍ−１５４、Ｍ−５５５、Ｍ−１５５、Ｍ−１５８、日本油脂（株）製のブレンマーＰＥ−２００、ＰＥ−３５０、ＰＰ−５００、ＰＰ−８００、ＰＰ−１０００、７０ＰＥＰ−３５０Ｂ、５５ＰＥＴ８００、以下の構造を有するラクトン変性アクリレートが使用できる。
【０１９１】
ＣＨ２＝ＣＲＣＯＯＣＨ２ＣＨ２［ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ５Ｈ１０］ｎＯＨ
（Ｒ＝ＨまたはＭｅ、ｎ＝１〜５）
【０１９２】
また、エポキシ基を有するモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、ダイセル化学製のサイクロマーＡ、Ｍなどが使用できる。
イソシアネート基を有するモノマーとしては、昭和電工製のカレンズＡＯＩ、ＭＯＩが使用できる。
【０１９３】
上記ii）の合成方法において、反応性基を有する高分子化合物と反応させるマイグレーション防止部位を有する特定の基を有する化合物としては、高分子化合物中の反応性基の種類によって異なるが、以下の組合せの官能基を有する化合物を使用することができる。
即ち、（ポリマーの反応性基、マイグレーション防止部位を有する特定の基を有する化合物）＝（カルボキシル基、カルボキシル基）、（カルボキシル基、エポキシ基）、（カルボキシル基、イソシアネート基）、（カルボキシル基、ハロゲン化ベンジル）、（水酸基、カルボキシル基）、（水酸基、エポキシ基）、（水酸基、イソシアネート基）、（水酸基、ハロゲン化ベンジル）（イソシアネート基、水酸基）、（イソシアネート基、カルボキシル基）、（エポキシ基、カルボキシル基）等を挙げることができる。
【０１９４】
上記のような官能基を有するモノマーとして、具体的には、アクリル酸、グリシジルアクリレート、サイクロマーＡ（ダイセル化学製）、カレンズＡＯＩ（昭和電工製）、メタクリル酸、グリシジルメタクリレート、サイクロマーＭ（ダイセル化学製）、カレンズＭＯＩ（昭和電工製）を使用することができる。
【０１９５】
本発明における高分子化合物（Ｘ）の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【０１９６】
【化４７】
2014189116.tif 000048
【０１９７】
（高分子化合物（Ｙ））
高分子化合物（Ｙ）は、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位、および、下記一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。高分子化合物（Ｙ）は、側鎖にマイグレーション抑制能を有する特定の基（一般式（Ｂ）中のＢ）を有すると共に、一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位中にフッ素原子が含まれる。
高分子化合物（Ｙ）中の一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。
高分子化合物（Ｙ）中の一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。
高分子化合物（Ｙ）に含まれる一般式（Ｂ）および（Ｃ）で表される複数の繰り返し単位は、同一であっても異なってもよい。
【０１９８】
【化４８】
2014189116.tif 000049
【０１９９】
一般式（Ｂ）中のＲＢおよびＬＢの定義は、上述した一般式（Ａ）中のＲＡおよびＬＡの定義と同じで、好適態様も同じである。
一般式（Ｂ）中、Ｂは、後述する一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、下記一般式（２５）で表される基を表す。ここで、「一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基」とは、一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物において、化合物の有する水素原子のうち、水酸基の水素原子以外の任意の水素原子を１個取り去った１価の基を表す。Ｂで表される基は、マイグレーション抑制能を有する。
【０２００】
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ          一般式（Ｙ−１）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（Ｙ−２）
Ｚ−ＳＨ            一般式（Ｙ−５）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２          一般式（Ｙ−８）
【０２０１】
【化４９】
2014189116.tif 000050
【０２０２】
上記一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）中の各基の定義は、上述した一般式（１）〜（８）中の各基の定義と同じである。
一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物と、一般式（１）〜（８）で表される化合物との違いとしては、一般式（１）〜（８）で表される化合物においては上述した基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されているが、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物ではそのようなフッ素原子による置換がなされていない。なお、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物にはフッ素原子は含まれていてもよい。
なお、一般式（Ｙ−１）の好適態様としては、上記一般式（１）と同じく一般式（３１）〜（４６）で表される化合物が挙げられる。ただし、この場合、フッ素原子による置換がなされていなくてもよい。より具体的には、以下の通りである。
【０２０３】
【化５０】
2014189116.tif 000051
【０２０４】
一般式（３１）中、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
一般式（３２）中、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
一般式（３３）中、Ｖ３３は置換基を表す。Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３４）中、Ｖ３４は置換基を表す。Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３５）中、Ｖ３５は置換基を表す。Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３６）中、Ｖ３６は置換基を表す。Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３７）中、Ｖ３７は置換基を表す。Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３８）中、Ｖ３８は置換基を表す。Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３９）中、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数を表す。
一般式（４０）中、Ｖ４０は置換基を表す。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４１）中、Ｖ４１は置換基を表す。Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４２）中、Ｖ４２は置換基を表す。Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｄは、０または１を表す。
一般式（４３）中、Ｖ４３は置換基を表す。Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４４）中、Ｖ４４は置換基を表す。Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４５）中、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（４６）中、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
【０２０５】
上述した一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物のうち、水素原子が取り去られる位置は特に制限されないが、マイグレーション抑制能がより優れる点で、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（Ｙ−５）で表される化合物においてはＺ、一般式（Ｙ−６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（Ｙ−７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７2、一般式（Ｙ−８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２が好ましく挙げられる。言い換えると、一般式（Ｂ）中のＬＢは、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（Ｙ−５）で表される化合物においてはＺ、一般式（Ｙ−６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（Ｙ−７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７2、一般式（Ｙ−８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２と結合していることが好ましい。
【０２０６】
【化５１】
2014189116.tif 000052
【０２０７】
一般式（２５）中、Ｒ251、Ｒ252、Ｒ253、およびＲ254は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。なかでも移動度への影響が少なく、移動度がより優れる点で、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基が好ましい。特にＲ252またはＲ253のいずれかまたは双方がアルキル基またはアルコキシ基であることが好ましい。なお、アルキル基としてはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等が好ましく、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基等が特に好ましい。Ｒ252またはＲ253のいずれかまたは双方が炭素数２〜５のアルキル基であることがさらに好ましく、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基であることがさらに好ましく、ｔ−ブチル基であることがもっとも好ましい。
Ｒ２５１およびＲ２５４は、水素原子であることが好ましい。
＊は、一般式（Ｂ）中のＬＢとの結合位置を示す。
【０２０８】
一般式（Ｃ）中のＲＣおよびＬＣの定義は、上述した一般式（Ａ）中のＲＡおよびＬＡの定義と同じで、好適態様も同じである。
ＬＣの好適な態様としては、例えば、−Ｚ４−Ｌ５−で表される２価の有機基が挙げられる。
Ｚ４は、それぞれ独立に、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ２７１−）またはエーテル基（−Ｏ−）を表す。ここで、Ｒ２７１は、好ましくは、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
Ｌ５は、単結合または炭素数１〜６のフッ素を有さない２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、Ｌ４について記載したもののうち、炭素数１〜６のフッ素を有さないものが挙げられる。
Ｘは、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい、水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。
【０２０９】
以下に、高分子化合物（Ｙ）の具体例を示す。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２１０】
【化５２】
2014189116.tif 000053
【０２１１】
本発明の組成物において、上述したＦ含有マイグレーション抑制剤の含有量は、特に制限されないが、有機半導体材料全質量に対して、０．１〜２０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。
【０２１２】
本発明の組成物は、形成される有機半導体層の均質性、結晶性の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。
溶媒としては特に制限されないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソールなどの芳香族化合物などが好適に例示される。
【０２１３】
本発明の組成物は、上述のとおり、優れた特性を示すため、有機薄膜トランジスタの有機半導体層を形成する組成物として好適である。
【０２１４】
［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した本発明の組成物を有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタである。なかでも、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタであることが好ましく、以下トップコンタクト型の態様について詳述する。
【０２１５】
本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図であり、上述したように、有機薄膜トランジスタ１０は、基板１１と、ゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、有機半導体層１４と、ソース電極１５ａと、ドレイン電極１５ｂとを備える。ここで、有機半導体層１４は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。必要により、素子全体を覆う封止層を形成してもよい。有機薄膜トランジスタ１０は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
【０２１６】
ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成することで作製することができる。要すれば封止層を形成することもできる。
【０２１７】
以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体層、ソース電極およびドレイン電極ならびにそれぞれの形成方法について詳述する。
【０２１８】
＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性、コストの観点から、ガラス基板、プラスチック基板がより好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ、ＰＥＮなどのポリエステル樹脂など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
【０２１９】
＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
【０２２０】
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【０２２１】
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
【０２２２】
＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
【０２２３】
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
【０２２４】
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【０２２５】
＜有機半導体層＞
有機半導体層は、上述した本発明の有機半導体組成物を用いて形成した層である。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【０２２６】
有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、有機半導体組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【０２２７】
＜ソース電極、ドレイン電極＞
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、導電性が優れることから、銅、銀または金が好ましく、性能とコストのバランスが優れることから、銀がより好ましい。特に、本発明においては、マイグレーションを起こしやすい金属である銀を電極材料として使用しても、マイグレーションが抑制され、絶縁信頼性を確保することができるので、性能のよい有機半導体トランジスタを作製することができる。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、有機半導体層が形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが５〜３０μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、１０〜２００μｍであることが好ましい。
【０２２８】
＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
【０２２９】
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜と有機半導体層とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【実施例】
【０２３０】
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０２３１】
＜合成例１：マイグレーション抑制剤ｂ−１の合成＞
【化５３】
2014189116.tif 000054
【０２３２】
下記スキームに従って、化合物Ｍ−１を合成した。
【化５４】
2014189116.tif 000055
【０２３３】
反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（４．０ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２．８７ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．７５ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．１０ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。【０２３４】
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝８／１）にて精製し、化合物Ｍ−１を３．２ｇ得た(収率５８％)。【０２３５】
１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−１（３．５１ｇ）、メタクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−オクチル（２．５９ｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（５．１ｇ）を入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）（４９．３ｍｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１．０ｇ）溶液を加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１８．０ｇ）で希釈した。メタノールで再沈を行った後、減圧化で乾燥し、マイグレーション抑制剤ｂ−１（Ｍｗ＝３５，０００）を４．８ｇ得た。【０２３６】
マイグレーション抑制剤ｂ−１の分子量は、重量平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。【０２３７】
＜合成例２：マイグレーション抑制剤ｂ−２の合成＞【０２３８】
【化５５】
2014189116.tif 000056
【０２３９】
下記スキームに従って、化合物Ｍ−２を合成した。【０２４０】
【化５６】
2014189116.tif 000057
【０２４１】
反応容器に、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸（３．０ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（５４ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（６ｍｌ），２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２．３９ｇ，１８．４ｍｍｏｌ），１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（３．５４ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２２ｇ，０．１８４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合物Ｍ−２を３．０ｇ得た（収率５９％）。【０２４２】
１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−２（２．４８ｇ）、メタクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−オクチル（２．５９ｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（４．１ｇ）を入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）（４９．３ｍｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１．０ｇ）溶液を加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１８．０ｇ）で希釈した。メタノールで再沈を行った後、減圧化で乾燥し、マイグレーション抑制剤ｂ−２（Ｍｗ＝４５，０００）を４．３ｇ得た。【０２４３】
マイグレーション抑制剤ｂ−２の分子量は、重量平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。【０２４４】
＜合成例３：マイグレーション抑制剤ｂ−３の合成（化合物３３−５）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−３（化合物３３−５）を合成した。【０２４５】
【化５７】
2014189116.tif 000058
【０２４６】
反応容器に、４−アミノフェノール（和光純薬製）（１．９６ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（４０ｍｌ）トリエチルアミン（１．８２ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴にて冷却して、ヘプタフルオロブチリルクロリド（４．１８ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間掛けて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、粗結晶５ｇを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−３を４ｇ得た（収率７３％）。【０２４７】
＜合成例４：マイグレーション抑制剤ｂ−４の合成（化合物３５−３）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−４（化合物３５−３）を合成した。【０２４８】
【化５８】
2014189116.tif 000059
【０２４９】
反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（３．５ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ノナデカフルオロデカン−１−オール（６．３ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．４ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．０５ｇ、０．４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、白色の粗結晶を得た。メタノールで再結晶を行い、マイグレーション抑制剤ｂ−４を６．０ｇ得た（収率６３％）。【０２５０】
＜マイグレーション抑制剤ｂ−５（化合物２−２）＞
マイグレーション抑制剤ｂ−５（化合物２−２）としてペンタフルオロベンズアルデヒド（東京化成社製）を使用した。【０２５１】
【化５９】
2014189116.tif 000060
【０２５２】
＜合成例５：マイグレーション抑制剤ｂ−６の合成（化合物３−２）＞
Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００９，ｖｏｌ．１１，＃９，ｐ．１８７９−１８８１に記載の合成例に従い、マイグレーション抑制剤ｂ−６（化合物３−２）を合成した。【０２５３】
【化６０】
2014189116.tif 000061
【０２５４】
＜合成例６：マイグレーション抑制剤ｂ−７の合成（化合物４−３）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−７（化合物４−３）を合成した。【０２５５】
【化６１】
2014189116.tif 000062
【０２５６】
反応容器に、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシル  フリーラジカル（東京化成社製）（３．０８ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（４０ｍｌ）トリエチルアミン（１．８２ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴にて冷却して、ヘプタフルオロブチリルクロリド（４．１８ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間掛けて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、粗結晶５．５ｇを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−７を５ｇ得た（収率７６％）。【０２５７】
＜合成例７：マイグレーション抑制剤ｂ−８の合成（化合物５１−２）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−８（化合物５１−２）を合成した。【０２５８】
【化６２】
2014189116.tif 000063
【０２５９】
反応容器に、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ、２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。その後、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，８，８，８−ドデカフルオロ−７−（トリフルオロメチル）オクチル（１２．５ｇ、２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間掛けて反応溶液に滴下した。反応溶液を６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、反応溶液を減圧濃縮した。反応溶液にヘキサン２００ｍＬを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１６ｇを得た。粗結晶のうち８ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−８を６ｇ得た（収率７２％）。【０２６０】
＜合成例８：マイグレーション抑制剤ｂ−９の合成（化合物２２−１）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−９を合成した。【０２６１】
【化６３】
2014189116.tif 000064
【０２６２】
反応容器に、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸（３．０ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（５４ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクタノール（６．７ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（３．５４ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２２ｇ，０．１８４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−９を６．０ｇ得た（収率６４％）。【０２６３】
＜合成例９：マイグレーション抑制剤ｂ−１０の合成（化合物７−１）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−１０を合成した。【０２６４】
【化６４】
2014189116.tif 000065
【０２６５】
反応容器に、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸（２．３ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（５４ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクタノール（６．７ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（３．５４ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２２ｇ，０．１８４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−１０を５．０ｇ得た（収率５７％）。【０２６６】
＜合成例１０：マイグレーション抑制剤ｂ−１１の合成（化合物２３−１）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−１１を合成した。【０２６７】
【化６５】
2014189116.tif 000066
【０２６８】
化合物５１−２と同様の方法で化合物２３−１Ａを合成した。反応容器に、化合物２３−１Ａ（３．０ｇ，５．２８ｍｍｏｌ）、酢酸エチル（２０ｍｌ）を加えて完溶させた。ヨウ化ナトリウム（７９．１ｍｇ，０．５２８ｍｍｏｌ）と３０％過酸化水素（２２．１１ｍｍｏｌ，２．３９ｇ）をこの順で加えて、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を１００ｍｌの水で洗浄し、得られた粗結晶２．７ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−１１を２．４ｇ得た（収率８０％）。【０２６９】
＜合成例１１：マイグレーション抑制剤ｂ−１２の合成（化合物Ｘ−６）＞
まず、下記スキームに従って、化合物Ａ−１を合成した。【０２７０】
【化６６】
2014189116.tif 000067
【０２７１】
反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（８．０ｇ，２８．８ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−ドデカフルオロ−１,８−オクタンジオール（２０．８ｇ，５７．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（３０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（５．５ｇ，２８．８ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２０ｇ、１．４４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ａ−１を１０ｇ得た。【０２７２】
次いで、下記スキームに従って、化合物Ｍ−２を合成した。【０２７３】
【化６７】
2014189116.tif 000068
【０２７４】
反応容器に、化合物Ａ−１（９．３４ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）、トリエチルアミン（１．５２ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴にて冷却して、メタクリル酸クロリド（１．６ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、Ｍ−２を８ｇ得た（収率７７％）。【０２７５】
１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−２（８ｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１６ｇ）を入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）（４９．３ｍｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（２．０ｇ）溶液を加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１８．０ｇ）で希釈した。メタノールで再沈を行った後、減圧下で乾燥し、マイグレーション抑制剤ｂ−１２（化合物Ｘ−６）（Ｍｗ＝４，１０００）を５ｇ得た。
マイグレーション抑制剤ｂ−１２の分子量は、重量平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。【０２７６】
【化６８】
2014189116.tif 000069
【０２７７】
＜合成例１２：マイグレーション抑制剤ｂ−１３＞
２００ｍｌフラスコ中にて、ｔ−ブトキシスチレン１０．５８ｇ（０．０６５モル）、パーフルオロヘキシルエチルメタクリレート１８．６９ｇ（０．０４３モル）をテトラヒドロフラン４０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業社製）１．０ｇ添加し、７０℃にて３時間反応を行った。反応液を放冷後、ヘキサンを攪拌しながら投入し、樹脂を析出させた。得られた樹脂をヘキサンにて洗浄、減圧下で乾燥を行った。続いて２００ｍｌフラスコに得られた樹脂を１５ｇ秤量し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２００ｇ、濃塩酸２０ｍｌを加え、８０℃にて３時間反応を行った。反応液を放冷後、イオン交換水を撹拌しながら投入することにより、白色樹脂を析出させた。得られた樹脂をイオン交換水にて水洗、減圧下で乾燥し、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−（Ｍｗ＝１５，０００、Ｍｎ＝７，０００）を２０ｇ得た。Ｍｗ（重量平均分子量）およびＭｎ（数量平均分子量）の測定方法は上述のとおりである。【０２７８】
【化６９】
2014189116.tif 000070
【０２７９】
＜実施例１＞
（有機半導体組成物の調製）
ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン）と上記マイグレーション抑制剤ｂ−１とをトルエンに溶解させて（ＴＩＰＳペンタセン／マイグレーション抑制剤ｂ−１＝３３．３（ｗ／ｗ）、溶液濃度：１質量％）、有機半導体組成物を調製した。得られた有機半導体組成物を組成物１とする。【０２８０】
（有機半導体トランジスタの作製１）
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１／１（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に上記組成物１をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、１４０℃で３０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機半導体トランジスタを得た。本方法を素子作製方法１とする。【０２８１】
（有機半導体トランジスタの作製２）
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（膜厚５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜溶液（ポリビニルフェノール／メラミン＝１／１  ｗ／ｗ混合物）のＰＧＭＥＡ溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０ｍｉｎ．ベークし、膜厚４００ｎｍの絶縁膜を形成した。絶縁膜上に、調製した有機半導体組成物１をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、膜厚１００ｎｍの有機半導体層を形成した。次に、有機半導体層上にＡｇをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で３０分間ベークし、膜厚２μｍの封止層を形成して、有機半導体トランジスタを作製した。本方法を素子作製方法２とする。【０２８２】
＜塗布性の評価＞
実施例１の有機半導体トランジスタの作製と同様の手順に従って、ガラス基板上にゲート電極を蒸着し、さらに、ゲート絶縁膜を形成した。
上記ゲート絶縁膜上に、有機半導体組成物１を１００μＬ滴下し、デジタルマイクロースコープＶＨＸ−９００（キーエンス社製）を用いて１０秒後の液滴の半径を測定した。測定した液滴の半径をＲ１とする。
また、マイグレーション抑制剤を溶解させない以外は実施例１の有機半導体組成物の調製と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を調製した。得られた比較用組成物を、上記形成したゲート絶縁膜上に１００μＬ滴下し、デジタルマイクロースコープＶＨＸ−９００（キーエンス社製）を用いて１０秒後の液滴の半径を測定した。測定した液滴の半径をＲ２とする。
測定したＲ１およびＲ２からＲ１／Ｒ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。塗布性の観点から、Ａ、ＢまたはＣであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：Ｒ１／Ｒ２≧２
「Ｂ」：２＞Ｒ１／Ｒ２≧１．５
「Ｃ」：１．５＞Ｒ１／Ｒ２≧１
「Ｄ」：１＞Ｒ１／Ｒ２【０２８３】
＜移動度の評価＞
作製した有機半導体トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。算出した電界効果移動度をμ１とする。
また、上述した塗布性の評価と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を調製した。次に、組成物１の代わりに上記比較用組成物を用いた以外は、実施例１の有機半導体トランジスタの作製と同様の手順に従って、有機半導体トランジスタを作製した。得られた有機半導体トランジスタについて、上記μ１と同様の手順に従って、電界効果移動度を算出した。算出した電界効果移動度をμ２とする。
算出したμ１およびμ２からμ１／μ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。実用上、移動度の観点から、Ａ、ＢまたはＣであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
・Ａ：μ１／μ２≧０．８
・Ｂ：０．８＞μ１／μ２≧０．５
・Ｃ：０．５＞μ１／μ２≧０．１
・Ｄ：０．１＞μ１／μ２【０２８４】
＜絶縁信頼性の評価＞
得られた有機半導体トランジスタについて、ＥＨＳ−２２１ＭＤ（エスペック社製）を用いて、以下の条件により寿命試験を行い、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ１とする。
・温度：４５℃
・湿度：６０％ＲＨ
・圧力：１．０ａｔｍ
・ドレイン電圧：−４０Ｖ
・ソース／ドレイン電極間電圧：１５Ｖ
また、上述した移動度の評価と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を使用した有機半導体トランジスタを作製した。得られた有機半導体トランジスタについて、上記Ｔ１と同様の手順に従って、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ２とする。
算出したＴ１とＴ２からＴ１／Ｔ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。絶縁信頼性の観点から、Ａ、ＢまたはＣであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
・Ａ：Ｔ１／Ｔ２≧５
・Ｂ：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２
・Ｃ：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１
・Ｄ：１≧Ｔ１／Ｔ２【０２８５】
＜実施例２〜１５、比較例１〜４＞
ＴＩＰＳ−ペンタセンの代わりに、下記表１に示す有機半導体材料を使用し、マイグレーション抑制剤ｂ−１の代わりに、下記表１に示すマイグレーション抑制剤を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体組成物（組成物２〜１５、ｃ１〜ｃ４）を調製した。
また、組成物１の代わりに、下記表１に示す有機半導体組成物を使用し、上記素子作製方法１および素子作製方法２のいずれかを選択した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体トランジスタを作製し、各種評価を行った。結果を表１にまとめて示す。【０２８６】
【表１】
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【０２８７】
【表２】
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【０２８８】
【表３】
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【０２８９】
【表４】
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【０２９０】
表１中、有機半導体材料およびマイグレーション抑制剤は以下に示すものである。
・有機半導体材料
ａ−１：ＴＩＰＳペンタセン（Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
ａ−２：ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
ａ−３：ＰＢＴＴＴ−Ｃ１２（Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
ａ−４：Ｐ３ＨＴ（ポリ（３−ヘキシルチオフェン））（Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
・マイグレーション抑制剤
ｂ−１：合成例１により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−１
ｂ−２：合成例２により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−２
ｂ−３：合成例３により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−３
ｂ−４：合成例４により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−４
ｂ−５：上述したマイグレーション抑制剤ｂ−５
ｂ−６：合成例５により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−６
ｂ−７：合成例６により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−７
ｂ−８：合成例７により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−８
ｂ−９：合成例８により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−９
ｂ−１０：合成例９により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−１０
ｂ−１１：合成例１０により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−１１
ｂ−１２：合成例１１により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−１２
ｂ−１３：合成例１２により合成したマイグレーション抑制剤ｂ−１３
ｃ−１：ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６（ＢＡＳＦ社製）
ｃ−２：メガファックＦ−７８１（ＤＩＣ社製）【０２９１】
表１に示す結果からわかるように、フッ素原子を含有する特定構造の化合物をマイグレーション抑制剤として含有する本発明の組成物は、有機半導体トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機半導体トランジスタの絶縁信頼性を向上させた。なかでも、有機半導体材料としてａ−１またはａ−２を含有する実施例１〜３の組成物は、有機半導体トランジスタの絶縁信頼性をさらに向上させた。
一方、マイグレーション抑制剤として、イルガノックス−１０７６を含有する比較例１、２および４の組成物は、有機半導体トランジスタの移動度を大きく低下させた。また、有機半導体トランジスタの絶縁信頼性の向上の度合いは小さかった。また、マイグレーション抑制剤として、メガファックＦ−７８１（Ｆ含有界面活性剤）含有する比較例３の組成物を有機半導体トランジスタに使用した場合、有機半導体トランジスタの移動度を大きく低下させなかったが、絶縁信頼性の向上は見られなかった。
【符号の説明】
【０２９２】
１１  基板
１２  ゲート電極
１３  ゲート絶縁膜
１４  有機半導体層
１５ａ  ソース電極
１５ｂ  ドレイン電極
１０  薄膜トランジスタ
【図１】
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【国際調査報告】
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