(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の金型のうち、一方の金型に第一の充填空間部が形成されるとともに第一の加熱部が設けられ、他方の金型に第二の充填空間部が形成されると共に第二の加熱部が設けられたモールド金型を用いてワークをクランプして樹脂モールドする樹脂モールド方法であって、
前記モールド金型は、前記ワーク上に第一の樹脂を供給し、前記一方の金型のポットに第二の樹脂を各々供給して、他方の金型との間で前記ワークをクランプし、前記第一の樹脂は容積が可変する第一の充填空間部に供給されると共に前記第二の樹脂は前記ポットよりトランスファ成形により前記第二の充填空間部に各々充填されて、溶融した前記第一の樹脂及び第二の樹脂に各々所定樹脂圧を平衡するように加えかつ前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部の成形温度を各々所定温度に保ちながら１回の型開閉動作で前記ワーク両面を異なる成形方法で各々樹脂モールドすることを特徴とする樹脂モールド方法。
【請求項２】
一対の金型のうち、一方の金型に第一の充填空間部が形成されるとともに第一の加熱部が設けられ、他方の金型に第二の充填空間部が形成されると共に第二の加熱部が設けられたモールド金型を用いてワークをクランプして樹脂モールドする樹脂モールド方法であって、
前記モールド金型は、いずれか一方の金型に形成された第一の充填空間部に第一の樹脂を供給し、いずれか一方の金型のポットに第二の樹脂を各々供給して、他方の金型との間で前記ワークをクランプし、前記第一の樹脂は容積が可変する前記第一の充填空間部に供給されると共に前記第二の樹脂は前記ポットよりトランスファ成形により前記第二の充填空間部に各々充填されて、溶融した前記第一の樹脂及び第二の樹脂に各々所定樹脂圧を平衡するように加えかつ前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部の成形温度を各々所定温度に保ちながら１回の型開閉動作で前記ワーク両面を異なる成形方法で各々樹脂モールドすることを特徴とする樹脂モールド方法。
【請求項３】
前記モールド金型のうち少なくともいずれか一方には冷却部が設けられており、前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部に加えて前記冷却部によって、前記第一の充填空間部及び前記第二の充填空間部の成形温度を所定温度に保つ請求項１又は請求項２記載の樹脂モールド方法。
【請求項４】
前記モールド金型に前記ワークがクランプされることで仕切られた前記第一の充填空間部と前記第二の充填空間部に対して同一の成形条件若しくは異なる成形条件で各々樹脂が充填される請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の樹脂モールド方法。
【請求項５】
前記第一の樹脂と前記第二の樹脂は、互いに少なくとも成形温度が異なる樹脂を用いる請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の樹脂モールド方法。
【請求項６】
前記第一の樹脂と前記第二の樹脂は、互いに少なくとも加熱硬化時間が異なる樹脂を用いる請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の樹脂モールド方法。
【請求項７】
前記第一の樹脂が供給される第一の充填空間部と前記第二の樹脂が供給される前記第二の充填空間部は、同一充填空間部である請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の樹脂モールド方法。
【請求項８】
一対の金型のうち、いずれか一方の金型に充填空間部が形成されるとともに第一の加熱部が設けられ、他方の金型に第二の加熱部が設けられたモールド金型を用いてワークをクランプして樹脂モールドする樹脂モールド方法であって、
前記モールド金型は、前記充填空間部に第一の樹脂を供給し、いずれか一方の金型のポットに第二の樹脂を各々供給して、他方の金型との間で前記ワークをクランプし、前記第一の樹脂は容積が可変する前記充填空間部に供給され、圧縮成形動作後に前記第二の樹脂は前記ポットよりトランスファ成形により前記充填空間部に充填されて、溶融した前記第一の樹脂及び第二の樹脂が混錬され、前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部の成形温度を各々所定温度に保ちながら１回の型開閉動作で前記ワーク片面に異なる成形方法を併用して樹脂モールドすることを特徴とする樹脂モールド方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の樹脂モールド方法を用いてワーク両面若しくはワーク片面に各々樹脂モールドが行われる樹脂モールド装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体チップを樹脂モールドする方法としてはトランスファ成形若しくは圧縮成形が用いられている。また、発明者は、トランスファ成形装置に圧縮成形機構を取り込んだ樹脂モールド方法としてＴＣＭ（トランスファコンプレッションモールド）モールド装置を開発している。この装置では、トランスファ成形する際に、キャビティの容積を十分確保してポットからキャビティへのモールド樹脂の充填を促し、樹脂充填後キャビティ容積を狙い通りの厚さまで圧縮することにより、最終的には、モールド樹脂をキャビティからポット側に押し戻す成形が可能となっている。これにより、トランスファ成形のみでは、モールド樹脂が半導体チップとキャビティ底部との狭い隙間にモールド樹脂が流れ込み難いとする課題を解決することができる。
【０００３】
尚、参考までに、本件出願人は同一若しくは異なる樹脂を用いて、キャビティ内樹脂とポット内樹脂として各々供給しておき、モールド金型によってワークをクランプして溶融したポット内樹脂をキャビティへ圧送りして溶融したキャビティ内樹脂と溶融結合することで、モールド樹脂の流動量を抑え、ワーク及びワイヤ接続への負荷を減らしたトランスファ成形による樹脂モールド方法を提案した（特許文献１）。
また、本件出願人は、同一の樹脂特性を持つ樹脂を用いて金型内に設けた加熱機構及び冷却機構により温度制御を行うことで、溶融樹脂の流動性、硬化性を制御して樹脂モールドする樹脂モールド方法及び装置を過に提案している（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１４６７７０号公報
【特許文献２】特開平６−１７７１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したトランスファ成形若しくは圧縮成形或いはＴＣＭ（トランスファコンプレッションモールド）によっても、以下の場合には、所期の成形品質を満たした樹脂モールドが行うことができない。
即ち、同一のワークを複数（例えば２種類）のモールド樹脂で樹脂モールドする必要がある場合、例えば基板一方面に実装された半導体チップは通常のエポキシ系樹脂でモールドし、基板の他方面には放熱用の樹脂で封止することが求められる。この場合、樹脂特性（成形条件（成形温度、キュアタイム、流動性、フィラーやシリカの含有量等）、樹脂形態（シート状、顆粒状、液状、タブレット状、粉状）、ワイヤ流れ性、放熱特性、収縮性、吸湿性、防湿性、電磁特性等）の異なるモールド樹脂を用いて効率良く充填ししかも成形品質を維持して成形すること、具体的には同一若しくは異なる樹脂形態を持つ樹脂であって成形条件（成形温度、キュアタイム等）が異なるモールド樹脂を用いて成形することが求められる。
【０００６】
或いは、同一のモールド樹脂を、大判サイズの基板に半導体チップが多数フリップチップ実装されたワークをアンダーフィルモールドしつつ半導体チップどうしの隙間を埋めるべく基板全体を樹脂封止する場合、通常の構成では樹脂の未充填エリアが発生するおそれがある。
【０００７】
更には、例えば車載用のＥＣＵ、ＦＢＧＡ、ＭＡＰ、ＩＧＢＴ等の比較的大型で樹脂量を要するワークをトランスファ成形により樹脂モールドする場合、樹脂の流動量が多く移動経路が長いため、比較的高い樹脂圧で圧送りされるため、ワークである基板にワイヤボンディング実装された半導体チップのワイヤ流れが生じたり、コンデンサなどの端子が樹脂圧により曲がったり、位置ずれを起こしたりするなどの不具合が発生しやすい。
【０００８】
本発明は上記従来技術の課題を解決し、多様なワークに対応すべく同一若しくは異なる成形条件でワーク両面を各々樹脂モールドすることが可能な樹脂モールド方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記目的を達成するため、次の構成を備える。
即ち、一対の金型のうち、一方の金型に第一の充填空間部が形成されるとともに第一の加熱部が設けられ、他方の金型に第二の充填空間部が形成されると共に第二の加熱部が設けられたモールド金型を用いてワークをクランプして樹脂モールドする樹脂モールド方法であって、前記モールド金型は、前記ワーク上に第一の樹脂を供給し、前記一方の金型のポットに第二の樹脂を各々供給して、他方の金型との間で前記ワークをクランプし、前記第一の樹脂は容積が可変する第一の充填空間部へ供給されると共に前記第二の樹脂は前記ポットよりトランスファ成形により前記第二の充填空間部に各々充填されて、溶融した前記第一の樹脂及び第二の樹脂に各々所定樹脂圧を平衡するように加えかつ前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部の成形温度を各々所定温度に保ちながら１回の型開閉動作で前記ワーク両面を異なる成形方法で各々樹脂モールドすることを特徴とする。
或いは、前記モールド金型は、いずれか一方の金型に形成された第一の充填空間部に第一の樹脂を供給し、いずれか一方の金型のポットに第二の樹脂を各々供給して、他方の金型との間で前記ワークをクランプし、前記第一の樹脂は容積が可変する前記第一の充填空間部に供給されると共に前記第二の樹脂は前記ポットよりトランスファ成形により前記第二の充填空間部に各々充填されて、溶融した前記第一の樹脂及び第二の樹脂に各々所定樹脂圧を平衡するように加えかつ前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部の成形温度を各々所定温度に保ちながら１回の型開閉動作で前記ワーク両面を異なる成形方法で各々樹脂モールドすることを特徴とする。
【００１０】
上記樹脂モールド方法を用いれば、第一の充填空間部及び第二の充填空間部に対して同一若しくは異なる成形条件でワーク両面を各々樹脂モールドするので、多様なワークに合わせて最適な成形条件を選択してワーク両面を各々樹脂モールドすることができる。
特に、第一の樹脂を容積が可変する第一の充填空間部に圧縮成形により充填し、第二の樹脂をポットよりトランスファ成形により第二の充填空間部に各々充填して、溶融した第一の樹脂及び第二の樹脂に各々所定樹脂圧を平衡するように加えかつ成形温度を各々所定温度に保ちながらワーク両面を異なる成形方法で各々樹脂モールドするので、多様なワークへの樹脂充填性並びに成形品質を向上させることができる。
【００１１】
前記モールド金型のうち少なくともいずれか一方には冷却部が設けられており、前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部に加えて前記冷却部によって、前記第一の充填空間部及び前記第二の充填空間部の成形温度を所定温度に保つことが好ましい。
これにより、第一の充填空間部の成形温度及び第二の充填空間部の成形温度を成形条件に合わせて同一若しくは異なる温度に精度よく調整することができ、成形品質を向上させることができる。
【００１２】
前記モールド金型に前記ワークがクランプされることで仕切られた前記第一の充填空間部と前記第二の充填空間部に対して同一若しくは異なる成形条件で各々樹脂が充填されるようにしてもよい。これにより、第一充填空間部と第二充填空間部はワークによって仕切られているので、個別の充填空間に対して各々の成形条件にしたがって樹脂を充填して多様なワーク両面を各々樹脂モールドすることができる。
【００１３】
一対の金型のうち、いずれか一方の金型に充填空間部が形成されるとともに第一の加熱部が設けられ、他方の金型に第二の加熱部が設けられたモールド金型を用いてワークをクランプして樹脂モールドする樹脂モールド方法であって、前記モールド金型は、前記充填空間部に第一の樹脂を供給し、いずれか一方の金型のポットに第二の樹脂を各々供給して、他方の金型との間で前記ワークをクランプし、前記第一の樹脂は容積が可変する前記充填空間部に供給され、圧縮成形動作後に前記第二の樹脂は前記ポットよりトランスファ成形により前記充填空間部に充填されて、溶融した前記第一の樹脂及び第二の樹脂が混錬され、前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部の成形温度を各々所定温度に保ちながら１回の型開閉動作で前記ワーク片面に異なる成形方法を併用して樹脂モールドすることを特徴とする。
このように、圧縮成形後にトランスファ成形を行うことで、圧縮成形のみではキャビティ内に所定の樹脂圧が得られ難いという課題を解決することができ、またキャビティ内の正確な樹脂量を計量しなくてもキャビティ容量に相当する樹脂を充填することができる。よって、大判サイズで薄型のパッケージを成形する場合に好適に用いられる。
【００１９】
前記第一の樹脂と前記第二の樹脂は、互いに少なくとも成形温度が異なる樹脂を用いてもよいし、前記第一の樹脂と前記第二の樹脂は、互いに少なくとも加熱硬化時間が異なる樹脂を用いてもよい。
これにより、多様なワークに応じて種類の異なる樹脂のみならず成形条件の異なる同一樹脂を用いてワーク両面を樹脂モールドすることができる。
【００２０】
また、前記第一の樹脂が供給される第一の充填空間部と前記第二の樹脂が供給される前記第二の充填空間部は、同一充填空間部であってもよい。これにより、モールド前にキャビティ内に充填しておく樹脂量を正確に計量しなくてもキャビティ容積に相当する樹脂を充填することができる。
【００２１】
樹脂モールド装置においては、上述したいずれかの樹脂モールド方法を用いてワーク両面若しくはワーク片面に各々樹脂モールドが行われるので、多様なワークに対する樹脂充填性を向上させて成形品質を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
多様なワークに対応すべく異なる成形条件でワーク両面を各々樹脂モールドすることが可能な樹脂モールド方法及びこれを用いて多様なワークに対する樹脂充填性を向上させた樹脂モールド装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】樹脂モールド装置のレイアウト構成例を示す平面図である。
【図２】樹脂モールド方法のモールド動作の一例を説明する金型断面図である。
【図３】図２とは形態が異なるワークを用いたモールド動作を説明する金型断面図である。
【図４】他例に係る樹脂モールド方法のモールド動作を説明する金型断面図である。
【図５】図４とは形態が異なるワークのモールド動作を説明する金型断面図である。
【図６】他例に係る樹脂モールド方法のモールド動作を説明する金型断面図である。
【図７】他例に係る樹脂モールド方法のモールド動作を説明する金型断面図である。
【図８】図７の上型平面図である。
【図９】図７の下型平面図である。
【図１０】他例に係る樹脂モールド方法のモールド動作を説明する金型断面図である。
【図１１】図１０の上型平面図である。
【図１２】図１０の下型平面図である。
【図１３】他例に係る樹脂モールド方法のモールド動作を説明する金型断面図である。
【図１４】図１３の上型平面図である。
【図１５】図１３の下型平面図である。
【図１６】他例に係る樹脂モールド方法のモールド動作を説明する金型断面図である。
【図１７】他例に係る樹脂モールド方法のモールド動作を説明する金型断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る樹脂モールド方法の好適な実施の形態について、モールド金型の構成とともに添付図面を参照して詳述する。
先ず、樹脂モールド装置の概略構成について図１のレイアウト図を参照しながら説明する。被成形品であるワーク（樹脂基板、リードフレーム、半導体ウエハ、キャリア等）を供給するとともにポット内に第二の樹脂Ｒａを供給するワーク樹脂供給部Ａ、ワーク上に第一の樹脂Ｒｂを供給する樹脂搭載部Ｂ、モールド金型を備えたプレス部Ｃ、成形品を収納する成形品収納部Ｄなどが設けられている。プレス部Ｃは、２台設けられているが１台でもよく、３台以上設けられていてもよい。
また、ワーク樹脂供給部Ａ、樹脂搭載部Ｂとプレス部Ｃとの間を往復動してワークを搬入するローダーＥとプレス部Ｃと成形品収納部Ｄとの間を往復移動して成形品を搬出するアンローダーＦが設けられている（搬送部）。
【００２５】
プレス部Ｃに備えたモールド金型には、ローダーＥによってワーク及び第二の樹脂（例えば樹脂タブレット）と第一の樹脂Ｒｂ（例えばワークに載置されたシート樹脂等）が供給される。尚、第一の樹脂Ｒｂは、プレス部Ｃに搬入されたワーク上に供給されるようにしてもよい。また、プレス部Ｃには、モールド金型を型閉じすることによりワークＷをクランプし、プランジャを作動させて溶融したポット内樹脂を充填空間部（キャビティ）へ圧送りするトランスファ機構が設けられている。トランスファ機構は、型締め機構により昇降駆動される可動プラテンに組み付けられ、型締め機構とは別の駆動源により独立で昇降する均等圧ユニットを備えている。トランスファ機構が動作することにより均等圧ユニットに支持されたプランジャが上昇し、第二の樹脂Ｒａがトランスファされる。
【００２６】
図２（Ａ）において、モールド金型１を構成する上型２と下型３の概略構成について説明する。尚、以下では、上型２を固定型、上型２に対して接離動する下型３を可動型として説明するものとする。型締め機構は、可動型を駆動させ、駆動源に公知の電動モータを用いトグルリンクなどのリンク機構により昇降するようになっている。
【００２７】
上型２には、上型ベース４に上型キャビティ駒５が一体に設けられている。また上型ベース４には、上型キャビティ駒５の周囲を囲むように上型クランパ６がコイルばね７を介して吊り下げ支持されている。上型クランパ６のポット対向部には上型カル６ａが彫り込まれて形成されている。また、上型クランパ６の上型キャビティ駒５の周囲には、上型キャビティ５ｂ（第一の充填空間部）の側面を形成する傾斜面６ｂ及び底面６ｃが形成されている。底面６ｃは相対移動する上型キャビティ駒５の下面５ａと共にキャビティ底面を形成する（図２（Ｂ）参照）。
【００２８】
上型キャビティ駒５及び上型クランパ６には、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）が各々設けられている。これらは、上型キャビティ５ｂ（第一の充填空間部）に充填される成形温度を一定に保つために設けられている。
【００２９】
モールド金型１のクランプ動作に応じて上型クランパ６がワークＷをクランプしてから上型キャビティ駒５が上型キャビティ５ｂ（第一の充填空間部）の容積が縮小する方向に相対移動して圧縮成形動作をするようになっている。なお、上型キャビティ駒５及び上型クランパ６の少なくとも一方を他の駆動源（モータや油圧等）により昇降させることで、圧縮成形動作をさせるようにしてもよい。
【００３０】
また、上型２の上型カル６ａ、上型キャビティ５ｂを含む上型クランプ面には、リリースフィルム８が吸着保持される（吸着面に吸引孔を設けることは公知なため不図示）。リリースフィルム８は、耐熱性を有するもので、金型面より容易に剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するもの、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等が好適に用いられる。なお、樹脂の金型面からの離型性や摺動部分における樹脂漏れ防止のためにリリースフィルム８を用いるのが好ましいが、必ずしもリリースフィルム８を用いる必要は無い。この場合、例えば、上型キャビティ駒５と上型クランパ６との隙間からの樹脂漏れを防止するために樹脂漏れ防止のためのシール機構を設けることが好ましく、型面からの樹脂の離型性を確保するために型面に樹脂に対する離型性の高い表面処理を行うことが好ましい。このような表面処理としては、一例として硬質Ｃｒメッキ、ＴｉＮコーティング、ＤＬＣコーティングや、酸化ジルコニウム又は酸化イットリウムなどを含むセラミック層を用いることができる。
【００３１】
下型３には、図示しない下型チェイスにポット９と下型インサート１０が支持されている。ポット９には、トランスファ機構により昇降動作するプランジャ１１が挿入されている。下型インサート１０の下型クランプ面には、下型ランナゲート１０ａ及びこれに連続する下型キャビティ１０ｂ（第二の充填空間部）が彫り込まれて形成されている。下型インサート１０には下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）が各々設けられている。これらは、下型キャビティ１０ｂ（第二の充填空間部）に充填される成形温度を一定に保つために設けられている。ポット９内に第二の樹脂Ｒａ（例えば樹脂タブレット１２）が充填されて、溶融した当該第二の樹脂Ｒａがプランジャ１１によって、下型ランナゲート１０ａを通じてこれに連続する下型キャビティ１０ｂへ圧送りされる。（図２（Ｂ）参照）。
【００３２】
ここで樹脂モールド動作の一例について説明する。尚、ワークＷは基板Ｋの両面に半導体チップＴが実装（例えばワイヤボンディング接続等）されたものを想定している。尚、ワークＷは、図１に示す樹脂搭載部Ｂにおいて基板Ｋ上に第一の樹脂Ｒｂ（例えばシート樹脂等）が供給されて、ローダーＥによってプレス部Ｃに搬入されるものとする。第一の樹脂Ｒｂは、シート樹脂の他に、固形樹脂、顆粒状樹脂、液状樹脂等を用いてもよい。尚、以下では第一の樹脂Ｒｂ、第二の樹脂Ｒａともにエポキシ系の同一の性質を持つ樹脂を用いるものとする。同一の性質を持つ樹脂であっても成形条件（成形温度、キュアタイム等）が異なるモールド成形をする場合を含むものとする。
【００３３】
図２（Ａ）に示すように、ローダーＥ（図１参照）によって型開きしたモールド金型１の下型３のポット９に樹脂タブレット１２（第二の樹脂Ｒａ）が供給され、下型キャビティ１０ｂ（第二の充填空間部）に対応する位置に第一の樹脂Ｒｂが供給されたワークＷが載置される。尚、プレス部Ｃにおいて下型３にワークＷが載置された後に第一の樹脂Ｒｂを供給するようにしてもよい。また、上型クランプ面には予めリリースフィルム８が吸着保持されているものとする。
【００３４】
図２（Ｂ）に示すように、下型３を上昇させて上型２との間でワークＷをクランプし、第一の樹脂Ｒｂ（低温成形；成形温度１２０°〜１３０°）を圧縮成形により容積が可変する上型キャビティ５ｂ（第一の充填空間部）に充填する。上型２の成形温度は、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。
【００３５】
また、ポット９に装填された樹脂タブレット１２（第二の樹脂Ｒａ；高温成形；成形温度１５０°〜１８０°）が溶融してプランジャ１１により上型カル６ａ、下型ランナゲート１０ａを通じて下型キャビティ１０ｂ（第二の充填空間部）へ圧送りしてトランスファ成形により充填する。下型３の成形温度は、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。
【００３６】
この圧縮成形とトランスファ成形は、先ず圧縮成形を完了させてから、トランスファ成形を行ってもよいし、圧縮成形を行いながらトランスファ成形を並行させてもいずれでもよい。このように、例えば、ワークＷを挟んで上下に配置された第一の充填空間部である上型キャビティ５ｂと、第二の充填空間部である下型キャビティ１０ｂとにおいて樹脂圧を平衡させることで、樹脂圧によるワークＷの撓みを防止しながら複数個所における成形を同時に行うことが可能となっている。
そして、上型キャビティ５ｂ及び下型キャビティ１０ｂが溶融した第一の樹脂Ｒｂ及び第二の樹脂Ｒａに満たされたまま所定樹脂圧を加えながら加圧硬化を並行することで樹脂モールドが行われる。
【００３７】
尚、上型キャビティ５ｂに充填される第一の樹脂Ｒｂと下型キャビティ１０ｂに充填される第二の樹脂Ｒａとは、一例として同じ成形温度であって、第一の樹脂Ｒｂを相対的にキュアタイムの短い樹脂（例えばシート状、顆粒状、液状樹脂等）、第二の樹脂Ｒａを相対的にキュアタイムの長い樹脂（タブレット樹脂）を用いて樹脂モールドするようにしてもよい。
【００３８】
ワークＷによって仕切られた第一の充填空間部（上型キャビティ５ｂ）に第一の樹脂Ｒｂを充填し第二の充填空間部（下型キャビティ１０ｂ）に第二の樹脂Ｒａを各々充填して第一の加熱部（上型ヒータ１４ａ）及び第一の冷却部（上型クーラ１４ｂ）によって第一の充填空間部（上型キャビティ５ｂ）の成形温度を所定温度に保ちかつ第二の加熱部（下型ヒータ１５ａ）及び第二の冷却部（下型クーラ１５ｂ）によって第二の充填空間部（下型キャビティ１０ｂ）の成形温度を所定温度に保ちながら異なる種類の樹脂若しくは同一の性質を持つ樹脂どうしを各々の成形条件にしたがって樹脂モールドする。
よって、異なる種類の樹脂或いは成形条件の異なる同一の性質を持つ樹脂を用いて多様なワークＷの両面を効率良く樹脂モールドすることが可能となる。
尚、本実施例におけるヒータにはセンサー内蔵型を使用しているため、特に明記していないが、センサーをヒータとは別に金型に取り付けてもよい。
【００３９】
尚、上記ワークＷは基板の基板両面に半導体チップが実装（例えばワイヤボンディング接続等）されたものとして説明したが、基板の片面に半導体チップが実装されているワークＷの半導体チップ搭載面を上型キャビティ５ｂ及び下型キャビティ１０ｂに各々臨むように上下に相対する向きに背中合わせに重ねて貼り合わせた状態で樹脂モールドするようにしてもよい。樹脂モールド後、貼り合わせ面で剥離させると、１回の樹脂モールド動作で２枚のワークＷを成形することができる。
【００４０】
また、第一の樹脂Ｒｂと第二の樹脂Ｒａは、任意の形態・任意の組成・任意の性能の樹脂を用いることができる。この場合、樹脂の形態として、固形樹脂、顆粒状樹脂、シート樹脂、液状樹脂等の各種の形態の樹脂を組み合わせて使用することができる。また、樹脂の組成として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂といった樹脂材料の種別や、これに含有されるフィラーやシリカ含有量、蛍光体、顔料又は染料などの添加剤の有無や含有量等を異ならせたものを組み合わせて使用することができる。さらに、樹脂の性能として、放熱性、収縮性、シールド性、吸湿性、防湿性、充填性又は光学特性（例えば透明度）といった任意の性能の樹脂を組み合わせて使用することができる。
【００４１】
また、第一の樹脂Ｒｂと第二の樹脂Ｒａは、形態の異なる樹脂のみならず、成形条件を変えることで形態及び性能の同一の性質を持つ樹脂を組み合わせて用いてもよい。また、ワークＷの両面に半導体チップが実装されていなくても、片面実装のみであってもよい。
【００４２】
次に他例に係るワークＷの樹脂モールド方法について図３を参照して説明する。モールド金型１及び樹脂モールド装置の構成は、図２と同様であるものとする。図３（Ａ）は、ワークＷである基板Ｋの上面に第一の半導体チップＴ１がワイヤボンディング接続されており、下面には第二の半導体チップＴ２がフリップチップ接続されている。ワークＷは、第一の半導体チップＴ１を含む基板Ｋ上に第一の樹脂Ｒｂ（エポキシ系樹脂；液状樹脂等；成形温度１２０°〜１３０°）が供給されて下型３に基板Ｋが載置される。また、ポット９には、第二の樹脂Ｒａ（エポキシ系樹脂；樹脂タブレット１２等；成形温度１５０°〜１８０°）が装填される。第二の半導体チップＴ２及びその周囲に設けられたはんだバンプＢＰは、下型キャビティ１０ｂのキャビティ底面に当接した状態でモールド金型１がクランプされる。
【００４３】
モールド金型１のクランプ動作が進行すると、上型クランパ６のコイルばね７が押し縮められて上型キャビティ駒５が相対的に下方に移動して上型クランパ６の底面６ｃと上型キャビティ駒５の下面５ａが面一となり上型キャビティ５ｂが形成されて、第一の樹脂Ｒｂが上型キャビティ５ｂ内に充填される。このとき、上型２の成形温度は、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。また、任意の樹脂圧で樹脂の流動量が少ない圧縮成形により半導体チップＴ１を樹脂モールドするので、ワイヤ流れや変形を防いで高品質な成形を行うことができる。なお、この場合、下型キャビティ１０ｂではキャビティ底面にはんだバンプＢＰが当接した状態となっているため、第一の樹脂Ｒｂの樹脂圧によるワークＷの変形（撓み）を低減することもできる。
【００４４】
また、プランジャ１１を作動させてポット９内で溶融した第二の樹脂Ｒａを上型カル６ａ、下型ランナゲート１０ａを通じて下型キャビティ１０ｂに圧送りしてモールドアンダーフィルを行う。このとき、下型３の成形温度は、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。第二の半導体チップＴ２と基板Ｋとの隙間にトランスファ成形により、任意の方向に第二の樹脂Ｒａを流動させることで、ワークＷの厚み方向における隙間（一例として第二の半導体チップＴ２と基板Ｋとの隙間）に第二の樹脂Ｒａを充填させ易くすることができる。例えば、圧縮成形では樹脂の流れが最小となりワイヤの変形などを防止できる反面、半導体チップＴ２と基板Ｋとの隙間に充填するのが困難となる場合がある。従って、この他例においては、このような各成形におけるメリットをそれぞれの目的に合せて選択的に用いることにより、多機能かつ高品位の成形品を効率的に成形することができる。樹脂モールド後、半導体チップＴ２以外の基板実装部品（はんだバンプＢＰ，受動部品等）を封止してもよい。また、樹脂モールド後、基板実装部品の露出工程や再配線工程を行って、半導体チップを多段積載した高機能チップを成形するようにしてもよい。
【００４５】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の変形例であり、ワークＷは同様であるが、モールド金型１の構成が異なっている。即ち、下型３の下型キャビティ１０ｂの底部には基板実装部品が押し込まれることで弾性的に変形してその先端を保護可能な弾性体１３（例えばシリコンゴム、フッ素ゴム又はエンジニアリングプラスチックのシート等）が敷設されている。
【００４６】
ワークＷの下面に実装された実装部品（はんだバンプＢＰ等）やフリップチップ実装された第二の半導体チップＴ２の表面を露出させて成形できるので、樹脂モールド後の後工程を簡略化することができる。ワークＷがモールド金型１にクランプされると弾性体１３に当接して露出されるのは、はんだバンプＢＰや半導体チップＴだけではなく、バンプＢＰにより接続された基板等であってもよい。
【００４７】
次に、樹脂モールド方法の他例について図４乃至図１５を参照して説明する。樹脂モールド装置の構成は、図２と同様であるので、ワークＷとそれをモールドするモールド金型の構成を中心に説明するものとする。
【００４８】
図４（Ａ）は、図２（Ａ）の変形例であって、モールド金型１の上型２の構成と下型３の構成が上下反転した構成になっている。即ち、上型インサート１０´には、ポット９´プランジャ１１´が設けられている。上型インサート１０´のクランプ面には、上型ランナゲート１０ａ´とこれに連なる上型キャビティ１０ｂ´（第一の充填空間部）が形成されている。上型インサート１０´には、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）が複数箇所に設けられている。
【００４９】
下型３は、下型ベース４´に下型キャビティ駒５´が固定されている。下型キャビティ駒５´の周囲には、下型クランパ６´がコイルばね７´を介してフローティング支持されている。下型クランパ６´のポット対向位置には、下型カル６ａ´が形成されており、上型ランナゲート１０ａ´と連通している。また、下型クランパ６´の下型キャビティ駒５´の周囲には、下型キャビティ５ｂ´（第二の充填空間部）の側面を形成する傾斜面６ｂ´及び底面６ｃ´が形成されている。底面６ｃ´は相対移動する下型キャビティ駒５´の上面５ａ´と共にキャビティ底面を形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００５０】
下型キャビティ駒５´及びこれを囲む下型クランパ６´によって下型キャビティ５ｂ´（第二の充填空間部）が形成される。下型キャビティ５ｂ´を含む下型クランプ面は、リリースフィルム８が吸着保持されている。下型キャビティ駒５´及び下型クランパ６´には下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）が各々設けられている。尚、ワークＷの形態は、図２と同様に基板Ｋの両面に半導体チップＴがワイヤボンディング実装されている。
【００５１】
図４（Ａ）に示すように、ワークＷは、リリースフィルム８に覆われた下型キャビティ５ｂ´に第一の樹脂Ｒｂ（エポキシ系樹脂；例えば顆粒状樹脂、液状樹脂等；成形温度１５０°〜１８０°）が供給されてから、下型クランプ面にワークＷが下型キャビティ５ｂ´に位置合わせして載置される。また、上型２の上型インサート１０´に設けられたポット９´には、第二の樹脂Ｒａ（エポキシ系樹脂；例えば樹脂タブレット１２等；成形温度１５０°〜１８０°）が装填される。
【００５２】
また、図４（Ｂ）に示すように、下型３を上昇させて上型２との間でワークＷをクランプし、第一の樹脂Ｒｂを圧縮成形により容積が可変する下型キャビティ５ｂ´（第二の充填空間部）に充填する。下型３の成形温度は、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。
【００５３】
また、図４（Ｂ）に示すように、上型２のプランジャ１１´を作動させてポット９´内で溶融した第二の樹脂Ｒａを下型カル６ａ´、上型ランナゲート１０ａ´を通じて上型キャビティ１０ｂ´に圧送りしてトランスファ成形を行う。上型２の成形温度は、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。このとき、例えば上型キャビティ１０ｂ´と下型キャビティ５ｂ´とでは、下型３側の加熱硬化時間（キュアタイム）が上型２側より短くなるように異なる成形条件で圧縮成形とトランスファ成形が行われる。
尚、トランスファ成形するタイミングは、下型３の圧縮成形を先に行った後でトランスファ成形を行ってもよいし、圧縮成形とトランスファ成形を並行してもよい。また、上型２と下型３とは種類の異なる樹脂を用いてもよい。
【００５４】
図５（Ａ）は、図３（Ａ）の変形例であって、モールド金型１の上型２の構成と下型３の構成が上下反転した構成になっている。また、ワークＷである基板Ｋの下面に第一の半導体チップＴ１がワイヤボンディング接続されており、上面には第二の半導体チップＴ２がフリップチップ接続されている。
【００５５】
図５（Ａ）に示すように、ワークＷは、リリースフィルム８に覆われた下型キャビティ５ｂ´に第一の樹脂Ｒｂ（エポキシ系樹脂；顆粒状樹脂、液状樹脂等；成形温度１２０°〜１３０°）が供給されてから、下型クランプ面にワークＷが下型キャビティ５ｂ´に位置合わせして載置される。また、上型２の上型インサート１０´に設けられたポット９´には、第二の樹脂Ｒａ（エポキシ系樹脂；例えば樹脂タブレット１２等；成形温度１５０°〜１８０°）が装填される。
【００５６】
下型３を上昇させて上型２との間でワークＷをクランプし、第一の樹脂Ｒｂを圧縮成形により容積が可変する下型キャビティ５ｂ´（第一の充填空間部）に充填する。下型３の成形温度は、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。
また、上型２のプランジャ１１´を作動させてポット９´内で溶融した第二の樹脂Ｒａを下型カル６ａ´、上型ランナゲート１０ａ´を通じて上型キャビティ１０ｂ´（第二の充填空間部）に圧送りしてトランスファ成形によりアンダーフィルを行う。上型２の成形温度は、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）によって、最適な温度に保たれて成形されるようになっている。
【００５７】
図５（Ｂ）は、図３（Ｂ）の変形例であり、モールド金型１は図５（Ａ）と同様に上型２の構成と下型３の構成が上下反転した構成になっている。ワークＷは、基板Ｋの下面に複数の第一の半導体チップＴ１が積層されてワイヤボンディング接続されており、上面には第二の半導体チップＴ２がフリップチップ接続されている。また、上型２の上型キャビティ１０ｂ´の底部には基板実装部品が押し込まれることで弾性的に変形してその先端を保護可能な弾性体１３（例えばシリコンゴム、フッ素ゴム又はエンジニアリングプラスチックのシート等）が載置されている。
ワークＷの上面に実装された実装部品（はんだバンプＢＰ等）やフリップチップ実装された半導体チップＴ２の表面を露出させて成形できるので、樹脂モールド後の後工程を簡略化することができる。上述した実施例は、第一の樹脂Ｒｂと第二の樹脂Ｒａは成形温度やキュアタイムなどの成形条件が異なる同一の性質を持つ樹脂を用いたが種類の異なる樹脂を用いてもよい。
【００５８】
次に樹脂モールド方法の他例について説明する、図６はモールド金型１として圧縮成形用金型が用いられる場合を例示している。上型２には、上型ベース１６に上型ブロック１７が設けられている。上型ブロック１７には、上型キャビティ駒１８が一体に組み付けられている。また、上型ブロック１７には、上型キャビティ駒１８を囲んで上型クランパ１９がコイルばね２０を介して吊り下げ支持されている。上記上型キャビティ駒１８及びこれを囲む上型クランパ１９によって上型キャビティ２１（第一の充填空間部）が形成される。また、上型キャビティ駒１８及びこれを囲む上型クランパ１９には、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）が各々設けられており、上型キャビティ２１（第一の充填空間部）内の成形温度が所定温度に保たれるようになっている。また、上型キャビティ２１を含む上型クランプ面には上型リリースフィルム８ａが吸着保持されている。
【００５９】
下型３には、下型ベース２２に下型ブロック２３が設けられている。下型ブロック２３には、下型キャビティ駒２４が一体に組み付けられている。また、下型ブロック２３には、下型キャビティ駒２４を囲んで下型クランパ２５がコイルばね２６を介してフローティング支持されている。下型クランパの直下には一定高さまでしか下がらないように図示しないストッパが挿入されている。上記下型キャビティ駒２４及びこれを囲む下型クランパ２５によって下型キャビティ２７（第二の充填空間部）が形成される。また、下型キャビティ駒２４及びこれを囲む下型クランパ２５には、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）が各々設けられており、下型キャビティ２７（第二の充填空間部）内の成形温度が所定温度に保たれるようになっている。また、下型キャビティ２７を含む下型クランプ面には下型リリースフィルム８ｂが吸着保持されている。
【００６０】
ワークＷは、基板Ｋの上面に第一の半導体チップＴ１がフリップチップ接続されており、下面に第二の半導体チップＴ２がワイヤボンディング接続されている。例えば、ワークＷの上面にシート樹脂（第一の樹脂Ｒｂ）を搭載し、ワークＷの下面が臨む下型キャビティ２７に顆粒樹脂（第二の樹脂Ｒａ）を供給し、ワークＷを下型クランプ面に第二半導体チップＴ２が下型キャビティ２７内となるように位置合わせして載置する。尚、シート樹脂（第一の樹脂Ｒｂ）は予めワークＷの第一の半導体チップＴ１上に供給してからモールド金型１に搬入しても、ワークＷをモールド金型１へ搬入してからシート樹脂（第一の樹脂Ｒｂ）を供給してもいずれでもよい。
【００６１】
次いで、モールド金型１を型閉じして、上型キャビティ２１（第一の充填空間部）及び下型キャビティ２７（第二の充填空間部）の容積が各々縮小する方向に上型クランパ１９及び下型クランパ２５と上型キャビティ駒１８及び下型キャビティ駒２４を相対移動させて１回の型開閉動作で圧縮成形する。このとき、上型キャビティ２１（第一の充填空間部）内の成形温度は上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）によって低温領域（例えば１２０°〜１３０°）に保たれたまま圧縮成形され、下型キャビティ２７（第二の充填空間部）内の成形温度は下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって高温領域（例えば１５０°〜１８０°）に保たれたまま圧縮成形される。よって、多様なワークＷに対して形態の異なる樹脂を用いて１回の型開閉動作でワーク両面を効率良く圧縮成形することができる。
【００６２】
次に他の樹脂モールド方法について、モールド金型の構成と共に図７乃至図９を参照して説明する。モールド金型１としてトランスファ成形用金型が用いられる。図７（Ａ）に示すように、上型２には、上型チェイス３０が設けられている。この上型チェイス３０の凹部には、上型センターインサート３１とその両側に上型キャビティインサート３２が組み付けられている。上型チェイス３０には、複数箇所に上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）が設けられている。上型センターインサート３１のクランプ面には、上型カル３１ａ及びこれに接続する上型ランナゲート３１ｂが彫り込まれて形成されている。また、上型キャビティインサート３２のクランプ面には、上型キャビティ３２ａ（第一の充填空間部）及び上型ランナゲート３２ｂが彫り込まれている。上型ランナ３１ｂは、上型ランナゲート３２ｂを介して上型キャビティ３２ａと連通している。
【００６３】
下型３には、下型チェイス３３が設けられている。この下型チェイス３３の凹部には、下型センターインサート３４とその両側に下型キャビティインサート３５が組み付けられている。上型チェイス３３には、複数箇所に下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）が設けられている。下型センターインサート３４及び下型チェイス３３には、筒状の第一ポット３６ａ及び第二ポット３６ｂが貫通して交互に組み付けられている。第一，第二ポット３６ａ，３６ｂ内には、プランジャ３７が各々昇降可能に設けられている。
【００６４】
図７（Ｂ）に示すように、下型キャビティインサート３５のクランプ面には、下型キャビティ３５ａ（第二の充填空間部）及び下型ランナゲート３５ｂが彫り込まれている下型センターインサート３４のクランプ面には、上型カル３１ａに接続する下型ランナゲート３４ａが彫り込まれている。下型ランナゲート３４ａは、下型ランナゲート３５ｂを介して下型キャビティ３５ａと連通している。
【００６５】
図８に上型２のクランプ面の模式平面図を示す。上型２のクランプ面は、上型カル３１ａ１と上型カル３１ａ２が一対で形成されている。上型カル３１ａ１は、上型ランナゲート３１ｂを通じて上型キャビティ３２ａと連通している。
【００６６】
図９に下型３のクランプ面の模式平面図を示す。
下型３の下型センターインサート３４及び下型チェイス３３には、第一ポット３６ａと第二ポット３６ｂが交互に配列されて組み付けられている。第一ポット３６ａは上型カル３１ａ１と対向配置され、第二ポット３６ｂは、上型カル３１ａ２と対向配置されている。また、上型カル３１ａ２は、下型ランナ３４ａ、下型ランナゲート３５ｂを通じて下型キャビティ３５ａと連通している。
【００６７】
例えば、第一ポット３６ａと第二ポット３６ｂには、種類の異なる第一の樹脂（例えば低温成形樹脂）と第二の樹脂（高温成形用樹脂）が交互に装填され、ワークＷによって仕切られた上型キャビティ３２ａ（第一の充填空間部）と下型キャビティ３５ａ（第二の充填空間部）とで異なる樹脂路を通じて各々充填される。
【００６８】
即ち、上型キャビティ３２ａを樹脂モールドする場合には、第一ポット３６ａのみに第一の樹脂Ｒｂを投入し、ワークＷをモールド金型１でクランプして、モールド樹脂を上型カル３１ａ１、上型ランナ３１ｂ、上型ランナゲート３２ｂを通じて上型キャビティ３２ａへ充填する。このとき、モールド金型１の成形温度は、低温成形温度（例えば１２０°〜１３０°）となるように上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）並びに下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって調整される。上型キャビティ３２ａの樹脂モールドが完了すると、再度モールド金型１を型開きして下型キャビティ３５ａを樹脂モールドする。
【００６９】
即ち、第二ポット３６ｂのみに第二の樹脂Ｒａを投入し、ワークＷを再度モールド金型１でクランプして、モールド樹脂を上型カル３１ａ２、下型ランナゲート３４ａを通じて下型キャビティ３５ａへ充填する。このとき、モールド金型１の成形温度は、高温成形温度（例えば１５０°〜１８０°）となるように上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）並びに下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって調整される。
【００７０】
このように、トランスファ成形用の上型２及び下型３の金型温度を上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）並びに下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって成形温度を調整しつつ上型キャビティ３２ａ（第一の充填空間部）と下型キャビティ３５ａ（第二の充填空間部）に異なる樹脂路を通じて種類の異なる第一の樹脂Ｒｂと第二の樹脂Ｒａを各々充填して樹脂モールドすることができる。尚、第一の樹脂Ｒｂと第二の樹脂Ｒａは、例えば成形温度が同じでキュアタイムの異なる同一の性質を持つ樹脂を用いてもよい。
【００７１】
次に、図７（Ａ）（Ｂ）のトランスファ成形用金型を用いた樹脂モールド方法の他例について図１０乃至図１２を参照して説明する。図７（Ａ）（Ｂ）に示すモールド金型１と同一部材には同一番号を付して説明を援用するものとする。本実施例は、上型２に第一ポット３６ａ、下型３に第二ポット３６ｂを設けて、上型キャビティ３２ａ及び下型キャビティ３５ａに異なる樹脂路を通じて第一の樹脂Ｒｂ，第二の樹脂Ｒａを各々充填するようになっている。
【００７２】
図１０（Ａ）において、上型２の上型チェイス３０には、上型センターインサート３１´が組み付けられている。上型センターインサート３１´と上型チェイス３０を貫通して第一ポット３６ａ及びプランジャ１１が昇降可能に組み付けられている。上型センターインサート３１´のクランプ面には、第一ポット３６ａに連なる上型ランナ３１ａ´が彫り込まれている。上型ランナ３１ａ´は上型ランナゲート３２ｂと連通している。上型２の成形温度は、上型チェイス３０に備えた上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）によって調整される。
【００７３】
また、図１０（Ｂ）に示すように、下型３の下型チェイス３３には、下型センターインサート３４´が上型センターインサート３１´に対向して組み付けられている。下型センターインサート３４´と下型チェイス３３を貫通して第二ポット３６ｂ及びプランジャ１１が昇降可能に組み付けられている。下型センターインサート３４´のクランプ面には、第二ポット３６ｂに連なる下型ランナ３４ａ´が彫り込まれている。下型ランナ３４ａ´は下型ランナゲート３５ｂと連通している。下型３の成形温度は、下型チェイス３３に備えた下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって調整される。
【００７４】
図１１に上型２のクランプ面の模式平面図を示す。また図１２に下型３のクランプ面の模式平面図を示す。図１１において、第一ポット３６ａに装填された第一の樹脂Ｒｂは上型ランナ３１ａ´、上型ランナゲート３２ｂを通じて上型キャビティ３２ａにトランスファされる。
また、図１２において、第二ポット３６ｂに装填された第二の樹脂Ｒａは下型ランナ３４ａ´、下型ランナゲート３５ｂを通じて下型キャビティ３５ａにトランスファされる。
【００７５】
これにより、上型キャビティ３２ａ（第一の充填空間部）へ第一の樹脂Ｒｂを第一ポット３６ａから第一の樹脂路を通じて充填し、下型キャビティ３５ａ（第二の充填空間部）へ第二の樹脂Ｒａを第二ポット３６ｂから第二の樹脂路を通じて充填することができ、種類の異なる樹脂を用いても成形条件の異なる同一の性質を持つ樹脂を用いてもいずれの場合も１回の型開閉動作でワーク両面を効率良くトランスファ成形することができる。
【００７６】
次にトランスファ成形用金型を用いた樹脂モールド方法の他例について図１３乃至図１５を参照して説明する。図７（Ａ）（Ｂ）に示すモールド金型１と同一部材には同一番号を付して説明を援用するものとする。本実施例は、図１０（Ａ）（Ｂ）の更なる変形例を示すものであり上型２及び下型３に設けられるポット及びキャビティの配置が異なっている。
【００７７】
図１３において、上型２の上型チェイス３０には、上型センターインサート３７とその両側に上型インサート３８が組み付けられている。上型センターインサート３７のクランプ面には、上型キャビティ３７ａ及び上型ランナゲート３７ｂが彫り込まれて形成されている。また、上型インサート３８及び上型チェイス３０には、複数の第一ポット３６ａが貫通して組み付けられている。第一ポット３６ａ内にはプランジャ１１が昇降可能に設けられている。上型インサート３８のクランプ面には、第一ポット３６ａに連なる上型ランナ３８ａが彫り込まれて形成され、上型ランナゲート３７ｂと連通している。上型２の成形温度は、上型チェイス３０に備えた上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）によって調整される。
【００７８】
下型３の下型チェイス３３には、下型センターインサート３９とその両側に下型インサート４０が組み付けられている。下型センターインサート３９のクランプ面には、下型キャビティ３９ａが上型キャビティ３７ａと対向する位置に彫り込まれて形成されている。また、下型キャビティ３９ａに連通する下型ランナゲート３９ｂが彫り込まれて形成されている。また、下型インサート４０及び下型チェイス３３には、複数の第二ポット３６ｂが貫通して組み付けられている。第二ポット３６ｂ内にはプランジャ１１が昇降可能に設けられている。下型インサート４０のクランプ面には、第二ポット３６ｂに連なる下型ランナ４０ａが彫り込まれて形成され、下型ランナゲート３９ｂと連通している。下型３の成形温度は、下型チェイス３３に備えた下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）によって調整される。
【００７９】
図１４に上型２のクランプ面の模式平面図を示す。また図１５に下型３のクランプ面の模式平面図を示す。図１４において、第一ポット３６ａに装填された第一の樹脂Ｒｂは上型ランナ３８ａ、上型ランナゲート３７ｂを通じて上型キャビティ３７ａにトランスファされる。
また、図１５において、第二ポット３６ｂに装填された第二の樹脂Ｒａは下型ランナ４０ａ、下型ランナゲート３９を通じて下型キャビティ３９にトランスファされる。
【００８０】
これにより、上型キャビティ３７（第一の充填空間部）へ第一の樹脂Ｒｂを第一ポット３６ａから第一の樹脂路を通じて充填し、下型キャビティ３９ａ（第二の充填空間部）へ第二の樹脂Ｒａを第二ポット３６ｂから第二の樹脂路を通じて充填することができ、種類の異なる樹脂を用いても成形条件の異なる同一の性質を持つ樹脂を用いてもいずれの場合も１回の型開閉動作でワーク両面に効率良くトランスファ成形することができる。
【００８１】
尚、上型２及び下型３のポット及びキャビティ配置は上述したものに限らず、第一，第二ポットが交互に配置されたポット列を金型クランプ面の一方側に配置し、キャビティ列を金型クランプ面の他方側に配置するようにしてもよい。
【００８２】
次にトランスファ成形用金型を用いた樹脂モールド方法の他例について図１６及び図１７を参照して説明する。図１６（Ａ）〜（Ｃ）は、上型がトランスファ成形用の金型であり、下型が圧縮成形用の金型を示す。図４のモールド金型のうちポット位置を上下反転させた形態であり、図４と同一部材には同一番号を付して説明を援用するものとする。また、図１７（Ａ）〜（Ｃ）は、図１６（Ａ）〜（Ｃ）の変形例であり、下型トランスファ成形及び圧縮成形用の金型であって、片面モールドする場合を例示している。ワークＷは、基板Ｋの両面に第一，第二の半導体チップＴ１，Ｔ２が各々ワイヤボンディング接続されている。
【００８３】
図１６（Ａ）において、下型３には、下型ベース４´に下型キャビティ駒５´が一体に支持されている。また下型ベース４´には、下型キャビティ駒５´の周囲を囲むように下型クランパ６´がコイルばね７´によりフローティング支持されている。また、下型クランパ６´の下型キャビティ駒５´の周囲には、下型キャビティ５ｂ´（第一の充填空間部）の側面を形成する傾斜面６ｂ´及び底面６ｃ´が形成されている。底面６ｃ´は下型キャビティ駒５´の上面５ａ´と共にキャビティ底面を形成する。下型ベース４´には、下型センターインサート３４（図７参照）が支持されている。この下型センターインサート３４には、ポット９が組み付けられている。ポット９には、トランスファ機構により昇降動作するプランジャ１１が挿入されている。また、下型３の下型キャビティ５ｂ´を含む下型クランプ面には、図示しないリリースフィルムが吸着保持されていてもよい（吸着面に吸引孔を設けることは公知なため不図示）。下型ベース４´とこれに支持された下型キャビティ駒５´下型クランパ６、下型センターインサート３４は、図示しない下型チェイスに組み付けられる。
【００８４】
上型インサート１０´は上型チェイス（図示せず）に組み付けられる。上型インサート１０´のクランプ面には、ポット対向部に上型カル１０ｃ´、上型ランナゲート１０ａ´とこれに連なる上型キャビティ１０ｂ´（第一の充填空間部）が形成されている。上型インサート１０´には、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）が複数箇所に設けられている。これらは、上型キャビティ１０ｂ´（第一の充填空間部）に充填される樹脂の成形温度を一定に保つために設けられている。
【００８５】
下型キャビティ駒５´及び下型クランパ６´には、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）が各々設けられている。これらは、下型キャビティ５ｂ´（第二の充填空間部）に充填される樹脂の成形温度を一定に保つために設けられている。尚、上型ヒータ１４ａ及び下型ヒータ１５ａだけで温度制御可能な場合は、上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）は省略してもよく、また上下型のいずれか一方のみにクーラを設けてもよい。
【００８６】
図１６（Ａ）に示すように、型開きした下型３の下型キャビティ５ｂ´には、キャビティ容積に相当する予め所定量の第一の樹脂Ｒｂ（エポキシ系樹脂；顆粒樹脂等；成形温度１２０°〜１３０°）が供給される。第一の樹脂Ｒｂは、顆粒樹脂に替えて、シート樹脂、液状樹脂等であってもよい。また、下型キャビティ５ｂ´に第一，第二の半導体チップＴ１，Ｔ２を位置合わせして下型クランパ６´上にワークＷ（基板Ｋ）を載置する。また、ポット９には第二の樹脂Ｒａ（エポキシ系樹脂；樹脂タブレット１２等；成形温度１５０°〜１８０°）が装填される。
【００８７】
図１６（Ｂ）に示すように、モールド金型１の型閉じ動作を開始して、下型クランパ６´と上型インサート１０´とでワークＷ（基板Ｋ）をクランプし、下型キャビティ駒５´が下型キャビティ５ｂ´（第二の充填空間部）の容積が縮小する方向に相対移動して圧縮成形動作をする。下型キャビティ５ｂ´に充填された第一の樹脂Ｒｂは、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）により所定温度に加熱され、硬化させられる。なお、下型キャビティ駒５´及び下型クランパ６´の少なくとも一方を他の駆動源（モータや油圧等）により昇降させることで、圧縮成形動作をさせるようにしてもよい。
【００８８】
また、図１６（Ｃ）に示すように、トランスファ機構を作動させて、ポット９内に挿入されているプランジャ１１を上昇させて、溶融した第二の樹脂Ｒａを上型カル１０ｃ´及び上型ランナゲート１０ａ´を通じて連続する上型キャビティ１０ｂ´（第一の充填空間部）へ圧送りされる。上型キャビティ１０ｂ´に充填された第二の樹脂Ｒａは、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）により所定温度に加熱され、硬化させられる。
【００８９】
尚、トランスファ成形するタイミングは、下型３の圧縮成形を先に行った後で上型２にトランスファ成形を行ってもよいし、圧縮成形とトランスファ成形を並行してもよい。また、上型２と下型３に供給される樹脂は、同一若しくは異なる樹脂特性を持つ樹脂のいずれを用いてもよい。
【００９０】
次に、図１７（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、図１６（Ａ）〜（Ｃ）の変形例について説明する。本実施例は、モールド金型１が片面モールド用の金型であって、第一の樹脂Ｒｂが供給される第一の充填空間部と第二の樹脂Ｒａが供給される第二の充填空間部は、同一充填空間部（下型キャビティ）となっている。具体的には、上型２の上型インサート１０´に上型ランナゲート１０ａ´及び上型キャビティ１０ｂ´（第二の充填空間部）が形成されておらず、ワークＷを吸着保持するワーク吸着部１０ｄ´が設けられている。一方で、下型３には、下型キャビティ駒５´とこれを囲んでフローティング支持された下型クランパ６´により下型キャビティ５ｂ´が形成されている。また、下型クランパ６´には上型カル１０ｃ´及び下型キャビティ５ｂ´各々に連続する下型ランナゲート６ｄ´が彫り込まれている。ワークＷは、基板Ｋの片面に第一の半導体チップＴのみがワイヤボンディング接続されている。
【００９１】
上型インサート１０´には、上型ヒータ１４ａ（第一の加熱部）及び上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）が複数箇所に設けられている。下型キャビティ駒５´及び下型クランパ６´には、下型ヒータ１５ａ（第二の加熱部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）が各々設けられている。これらは、下型キャビティ５ｂ´（第一、第二の充填空間部）に充填される成形温度を一定に保つために設けられている。尚、上型クーラ１４ｂ（第一の冷却部）及び下型クーラ１５ｂ（第二の冷却部）は上型ヒータ１４ａ及び下型ヒータ１５ａだけで温度制御可能な場合は、省略してもよく、また上下型いずれか一方のみにクーラを設けてもよい。
【００９２】
図１７（Ａ）に示すように、型開きした下型３の下型キャビティ５ｂ´には、予め満充填より少ない所定量の第一の樹脂Ｒｂ（エポキシ系樹脂；顆粒樹脂、シート状樹脂、液状樹脂等）が供給される。また、ポット９には、上記第一の樹脂Ｒｂの不足分を補う第二の樹脂Ｒａ（エポキシ系樹脂；タブレット樹脂、顆粒樹脂、液状樹脂等）が装填される。尚、第一の樹脂Ｒｂと第二の樹脂Ｒａは同一樹脂であっても或いは異なる樹脂でもいずれでもよく、成形条件が同一の樹脂（例えば、成形温度１２０°〜１３０°又は成形温度１５０°〜１８０°）若しくは異なる樹脂（例えば、一方の成形温度が１２０°〜１３０°であって他方の成形温度１５０°〜１８０°）のいずれを用いてもよい。更には、上型インサート１０´のワーク吸着部１０ｄ´にはワークＷ（基板Ｋ）が吸着保持させておく。
【００９３】
図１７（Ｂ）に示すように、モールド金型１の型閉じ動作を開始して、下型クランパ６´と上型インサート１０´とでワークＷ（基板Ｋ）をクランプし、下型キャビティ駒５´が下型キャビティ５ｂ´（第一の充填空間部）の容積が縮小する方向に相対移動して圧縮成形動作をする。このとき、第一の樹脂Ｒｂは溶融するが、下型キャビティ５ｂ´を満たしていない。なお、下型キャビティ駒５´及び下型クランパ６´の少なくとも一方を他の駆動源（モータや油圧等）により昇降させることで、圧縮成形動作をさせるようにしてもよい。
【００９４】
また、図１７（Ｃ）に示すように、トランスファ機構を作動させて、ポット９内に挿入されているプランジャ１１を上昇させて、溶融した第二の樹脂Ｒａを上型カル１０ｃ´及び下型ランナゲート６ｄ´を通じて連続する下型キャビティ５ｂ´（第一の充填空間部）へ圧送りする。このとき、第一の樹脂Ｒｂの不足分に相当する第二の樹脂Ｒａは、下型キャビティ５ｂ´内に充填され混練されて一体成形される。
【００９５】
このように、圧縮成形後にトランスファ成形を行うことで、圧縮成形のみではキャビティ内に所定の樹脂圧が得られ難いという課題を解決することができ、またキャビティ内の正確な樹脂量を計量しなくてもキャビティ容量に相当する樹脂を充填することができる。よって、大判サイズで薄型のパッケージを成形する場合に好適に用いられる。
【００９６】
以上、各実施例として、本発明における好適な形態とそれぞれの作用効果について説明したが、本発明は必要に応じて適宜に変更して実施することができる。例えば、モールド金型１の充填空間部（上型キャビティ若しくは下型キャビティ）に供給される樹脂は、上述した実施例で示す形態に限定されるものではない。また、ワークＷは、例えば半導体チップ、受動部品（コンデンサ等）、配線構造体などの部品が搭載された各種の基板（樹脂基板、セラミックス基板、金属基板等）であってもよい。また、ワークＷは、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）成形に用いるウエハや、半導体チップを貼り付けたＥ−ＷＬＰ（Embedded Wafer Level Package）成形に用いるキャリアプレートを適宜採用することもできる。これらの組み合わせの一例として、ＬＥＤチップが実装されたリードフレームやセラミックス基板であってもよい。また、ワークＷとしては、必ずしも半導体チップが実装されていなくてもよく、ＬＥＤのリフレクタや放熱板を固定するためのスティフナのような樹脂成形部を形成する基板やリードフレーム等の板状部材であってもよい。このように、ワークＷとしては各種の樹脂モールド方法に用いられる任意の対象であってよく、どのようなワークＷであっても上述したような好適な効果が得られる。またワークＷは、複数のパッケージ領域が一体的に連結されて１つのキャビティ（充填空間部）を構成するマップ型の製品に限らず複数の独立したパッケージ領域が連結されたキャビティ（充填空間部）を構成するマトリクス型の製品の成形に用いる金型であっても良い。また、モールド金型１は、上型２を固定型、下型３を可動型としたが、下型３を固定型、上型２を可動型としてもよく、双方を可動型としても良い。
【００９７】
本実施例ではヒータの他にクーラもモールド金型に入れて積極的に冷やしているが、ヒータとセンサーで十分に上下型が温度等の成形条件を制御できる場合は、必ずしもクーラは必要としていない。また、ワークＷは上下貫通孔のない仕切られた実施例について説明したが、必ずしも上下型で仕切られるワークで無ければならないことはなく、通常の上下貫通孔が開いたリードフレームであっても良い。また、ワークは、両面パッケージ用の製品に限らず、片面モールド用の製品であってもよい。上述した各実施例においてそれぞれ例示した実施の形態において説明した各種のトランスファ成形及び圧縮成形の組み合わせを入れ替えたり、部分的に追加したりして用いることもできる。
【符号の説明】
【００９８】
Ｒｂ  第一の樹脂  Ｒａ  第二の樹脂  Ａ  ワーク樹脂供給部  Ｂ  樹脂搭載部Ｃ  プレス部  Ｄ  成形品収納部  Ｅ  ローダー  Ｆ  アンローダー  Ｋ  基板  Ｔ１  第一の半導体チップ  Ｔ２  第二の半導体チップ  ＢＰ  はんだバンプ  １  モールド金型  ２  上型  ３  下型  ４，１６  上型ベース  ４´，２２  下型ベース  ５，１８  上型キャビティ駒  ５´，２４，２７  下型キャビティ駒  ５ａ  下面  ５ａ´  上面  ５ｂ，１０ｂ´，２１，３２ａ，３９ａ  上型キャビティ（第一の充填空間部）  ５ｂ´，１０ｂ，３５ａ，３９ａ  下型キャビティ（第二の充填空間部）  ６，１９  上型クランパ  ６´，２５  下型クランパ  ６ａ，１０ｃ´，３１ａ，３１ａ１，３１ａ２  上型カル  ６ａ´  下型カル  ６ｂ，６ｂ´  傾斜面  ６ｃ，６ｃ´  底面  ６ｄ´  下型ランナゲート  ７，７´，２０，２６  コイルばね  ８  リリースフィルム  ８ａ  上型リリースフィルム  ８ｂ  下型リリースフィルム  ９，９´，３６，３６ａ，３６ｂ  ポット  １０，４０  下型インサート  １０´，３８  上型インサート  １０ａ，３５ｂ，３９ｂ  下型ランナゲート  １０ａ´，３１ｂ，３２ｂ，３７ｂ  上型ランナゲート  １０ｄ´  ワーク吸着部  １１，１１´  プランジャ  １２  樹脂タブレット  １３  弾性体  １４ａ  上型ヒータ（第一の加熱部）  １４ｂ  上型クーラ（第一の冷却部）１５ａ  下型ヒータ（第二の加熱部）  １５ｂ  下型クーラ（第二の冷却部）  １７  上型ブロック  ２３  下型ブロック  ３０  上型チェイス  ３１，３１´，３７  上型センターインサート  ３１ａ´，３８ａ  上型ランナ  ３２  上型キャビティインサート  ３３  下型チェイス  ３４，３４´，３９  下型センターインサート  ３４ａ，３４ａ´，４０ａ  下型ランナ  ３５  下型キャビティインサート  ３６ａ  第一ポット  ３６ｂ  第二ポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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