(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１加熱部を用いて、ベース部の下面から、前記ベース部の上面に設けられたロウ材が溶融する熱量を供給することで前記ロウ材を溶融する工程と、
第２加熱部を用いて半導体チップを非接触で加熱する工程と、
前記第２加熱部により加熱された半導体チップを前記溶融したロウ材と接触させることで、前記半導体チップを前記ベース部の上面に搭載する工程と、
前記半導体チップを搭載する工程の後、前記第２加熱部による加熱を停止する工程と、
前記第２加熱部による加熱を停止する工程の後に、前記第１加熱部による前記ロウ材の溶融を停止する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２加熱部は赤外線照射装置であり、赤外線を照射することにより前記半導体チップを加熱する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップは、基板と、前記基板の下面に設けられた金属層とを含み、
前記基板の前記赤外線の吸収率は前記金属層に比べて低く、
前記半導体チップを加熱する工程は、前記赤外線照射装置が前記基板の側から前記金属層に赤外線を照射することにより前記半導体チップを加熱する工程である請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体チップの前記基板は、炭化シリコンを含む請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造にはダイスボンディング法が用いられることがある。ダイスボンディング法では、例えば金属で形成されたロウ材を用いて半導体チップをベース部に搭載する。特許文献１には、粒状のロウ材を用いて、半導体チップを金属ベースに接合する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１６６８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体チップとベース部との接合強度を高めるため、ロウ材を半導体チップの接合面全体に行き渡らせることが好ましい。また、ロウ材の熱抵抗を低下させるため、ロウ材の量を少なくすることがある。少量のロウ材を面全体に行き渡らせるため、溶融させたロウ材に半導体チップを接触させる。すなわち、ロウ材の融点以上の温度までロウ材を加熱することでロウ材を溶融させ、半導体チップの接着後にロウ材を冷却し固化する。
【０００５】
しかしながら、ロウ材の内側にボイド（気泡）が形成された状態でロウ材が固化することがある。ボイド内の空気の熱伝導率はロウ材の熱伝導率よりも低いため、ボイドの形成により半導体装置の放熱性が低下する。特に半導体チップの熱伝導率が高い場合、半導体チップをロウ材に接触させると、ロウ材から熱が急激に奪われ、ボイドが生じやすくなる。例えば高出力の半導体チップに用いられる炭化シリコン（ＳｉＣ）の基板は高い熱伝導率を有するため、ボイドが発生しやすい。
【０００６】
本願発明は、上記課題に鑑み、ボイドの形成を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態は、第１加熱部を用いて、ベース部の上面に設けられたロウ材を、前記ベース部の下面から、前記ロウ材が溶融する熱量を供給することで前記ロウ材を溶融する工程と、第２加熱部を用いて半導体チップを非接触で加熱する工程と、前記第２加熱部により加熱された半導体チップを前記溶融したロウ材と接触させることで、前記半導体チップを前記ベース部の上面に搭載する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
上記発明によれば、ボイドの形成を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】図１Ａは実施例１に係る半導体装置の製造方法に用いる製造装置を例示する断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは半導体チップを例示する断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは半導体チップ付近を拡大した断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは半導体チップ付近を拡大した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一形態は、（１）第１加熱部を用いて、ベース部の上面に設けられたロウ材を、前記ベース部の下面から、前記ロウ材が溶融する熱量を供給することで前記ロウ材を溶融する工程と、第２加熱部を用いて半導体チップを非接触で加熱する工程と、前記第２加熱部により加熱された半導体チップを前記溶融したロウ材と接触させることで、前記半導体チップを前記ベース部の上面に搭載する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。半導体チップが加熱され温度が上昇することにより、ロウ材から半導体チップへの熱の伝導が抑制され、ロウ材の急激な固化が抑制される。このためボイドの発生が抑制され、半導体装置の放熱性が向上する。
（２）前記第２加熱部は赤外線照射装置であり、赤外線を照射することにより前記半導体チップを加熱することが好ましい。これにより、ヒータなどを半導体チップに接触させて加熱する場合よりも半導体チップを均一に加熱することができる。
（３）前記半導体チップの下面に金属層が形成され、前記半導体チップを加熱する工程は、前記赤外線照射装置が前記金属層に赤外線を照射することにより前記半導体チップを加熱する工程であることが好ましい。赤外線の吸収率の高い金属層が赤外線により加熱され、金属層から半導体チップに熱が伝導することにより半導体チップが加熱される。
（４）前記半導体チップは、炭化シリコンにより形成された基板を含むことが好ましい。熱伝導率の高い炭化シリコンを用いる場合でも、ボイドの形成を抑制することができる。この結果、放熱性が高く、かつ高出力の動作が可能な半導体装置を形成することができる。
【００１１】
本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１２】
（製造装置）
図１Ａは実施例１に係る半導体装置の製造方法に用いる製造装置１００を例示する断面図である。図１Ａに示すように、製造装置１００はヒータブロック１０および赤外線照射装置１２（第２加熱部）を備える。ヒータブロック１０は例えば銅（Ｃｕ）などの金属で形成されたブロック状の部材であり、内部にヒータ１１（第１加熱部）を備える。ヒータ１１は例えば電熱線などの発熱素子である。赤外線照射装置１２は例えばヒータブロック１０の斜め上方に配置され、赤外線を照射することができる。
【００１３】
ヒータブロック１０の上面にベース部１４が配置されている。ベース部１４の上面には金属層１６が設けられ、金属層１６の上面にはロウ材１８が設けられている。ベース部１４はヒータブロック１０の上面に接触し、金属層１６はベース部１４の上面に接触し、ロウ材１８は金属層１６の上面に接触している。ベース部１４は金属または絶縁体により形成されている。ベース部１４は例えば下から順にＣｕ層、モリブデン（Ｍｏ）層、Ｃｕ層を積層したものでもよいし、セラミックなどの絶縁体で形成してもよい。金属層１６は例えば金（Ａｕ）などの金属により形成されている。ロウ材１８は例えば金および錫（Ａｕ−Ｓｎ）の合金などの金属により形成されている。ベース部１４の厚さは例えば０．１〜５μｍ、金属層１６の厚さは例えば０．５〜１０μｍである。
【００１４】
（半導体チップ）
図１Ｂは半導体チップ２０を例示する断面図である。図１Ｂに示すように、半導体チップ２０の下面には金属層２２が形成されている。半導体チップ２０は、例えば電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor：ＦＥＴ）を含む。半導体チップ２０において、例えば基板は厚さ５０〜２００μｍのＳｉＣ、ＦＥＴのチャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）、電子供給層は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）により形成されている。半導体チップ２０の長さは例えば７ｍｍ以下である。金属層２２は例えばＡｕなどの金属により形成されており、金属層２２の厚さは例えば５〜３０μｍである。
【００１５】
（半導体装置の製造方法）
次に実施例１に係る半導体装置の製造方法を説明する。図２Ａから図２Ｃは実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。図２Ａおよび図２Ｃにおいては赤外線照射装置１２の図示を省略している。図２Ｄは図２Ｃの半導体チップ２０付近を拡大した断面図である。
【００１６】
図２Ａに示すように、例えばピンセットまたは吸着コレットなど（不図示）で半導体チップ２０をロウ材１８の上まで搬送する。ヒータ１１はベース部１４の下面からロウ材１８を加熱する。すなわちヒータ１１が発熱すると、熱はヒータブロック１０、ベース部１４および金属層１６を介して、ロウ材１８に伝わる。これによりロウ材１８の融点以上の温度までロウ材１８を加熱し、ロウ材１８を溶融させる。Ａｕ−Ｓｎ合金のロウ材１８（Ｓｎ組成比が２０％）の融点は２８２〜２８３℃程度であるため、例えば３００℃まで加熱する。ヒータ１１によるロウ材１８の加熱は半導体チップ２０の搬送の前でも後でもよいが、半導体チップ２０がロウ材１８に接触する前にロウ材１８を溶融させる。
【００１７】
図２Ｂにブロック矢印で示すように、赤外線照射装置１２は半導体チップ２０および金属層２２に、例えば波長０．７５〜１５μｍの赤外線を照射する。金属層２２は赤外線により加熱され、金属層２２から半導体チップ２０に熱が伝導する。これにより半導体チップ２０および金属層２２の温度は例えば約５０〜３０℃に上昇する。赤外線の照射中、ヒータ１１は発熱し続けている。
【００１８】
図２Ｃおよび図２Ｄに示すように、金属層２２をロウ材１８に接触させ、半導体チップ２０をベース部１４に搭載する。溶融したロウ材１８は金属層２２の下面を流動し、下面全体に行き渡る。半導体チップ２０の搭載の後、赤外線照射装置１２は赤外線の照射を停止する。赤外線の停止後、ヒータ１１は発熱を停止する。これによりロウ材１８が冷却され、固化する。固化したロウ材１８により、金属層１６と金属層２２とが接合され、半導体チップ２０がベース部１４に固定される。以上の工程により、半導体装置が形成される。
【００１９】
実施例１によれば、赤外線により半導体チップ２０を加熱するため、半導体チップの温度が上昇し、半導体チップ２０とロウ材１８との温度差が小さくなる。したがってロウ材１８と金属層２２とを接触させたときの、ロウ材１８から半導体チップ２０への熱伝導が抑制される。このためロウ材１８の急激な固化が抑制され、ロウ材１８が金属層２２の下面の全体に行き渡る。この結果、ボイドの形成が抑制される。これにより半導体装置の放熱性が向上し、動作時に半導体チップ２０から発生する熱はロウ材１８およびベース部１４を介して放出される。また、半導体チップ２０のベース部１４への接合強度が高くなる。
【００２０】
ヒータ１１は、ロウ材１８を融点以上の温度まで加熱し、溶融させる。すなわちヒータ１１は、赤外線の照射がされていなくともロウ材１８を溶融させることが可能な熱量をロウ材１８に供給する。これにより金属層２２をロウ材１８に接触させたとき、溶融したロウ材１８が金属層２２の下面を流動し、下面全体に行き渡る。この結果、ボイドが生じにくくなる。
【００２１】
ヒータ１１の発熱だけでロウ材１８が溶融しない場合、金属層２２とロウ材１８とを接触させたときに、ヒータ１１からの熱に金属層２２からの熱が加わることでロウ材１８が溶融する。しかし金属層２２とロウ材１８との接触前においてロウ材１８が固体であるため、ロウ材１８が金属層２２の下面に十分に行き渡らず、ボイドが生じる可能性もある。したがって、ヒータ１１は、ロウ材１８を融点以上の温度まで加熱することが好ましい。
【００２２】
また、ロウ材１８が赤外線を吸収し、ヒータ１１および赤外線による加熱でロウ材１８が溶融することもある。しかし半導体チップ２０をベース部１４の上に搬送すると、赤外線が半導体チップ２０および金属層２２によって遮断され、赤外線によるロウ材１８の加熱が停止する。これによりロウ材１８が固化してしまう恐れがある。したがって、ヒータ１１は、ロウ材１８を融点以上の温度まで加熱することが好ましい。赤外線の停止後にヒータ１１の発熱を停止するため、ロウ材１８の急速な冷却は抑制される。このためロウ材１８の亀裂の発生が抑制される。
【００２３】
赤外線照射装置１２は赤外線が半導体チップ２０に到達するような位置に配置すればよい。半導体チップ２０を効果的に加熱するため、図２Ｂに示すように赤外線照射装置１２は例えば半導体チップ２０の斜め上方に配置することが好ましい。
【００２４】
赤外線照射装置１２のように非接触の加熱装置を用いることで、例えばヒータなどを半導体チップ２０に接触させる場合よりも均一に加熱することができる。温度の不均一性をさらに小さくするため、赤外線の照射は半導体チップ２０の搭載の直前に開始することが好ましい。赤外線照射装置１２以外に、例えば波長０．５〜２．５μｍの光を照射するハロゲンランプなど、半導体チップ２０に接触することなく加熱することができる装置を用いてもよい。電磁波以外に温風などで加熱してもよい。半導体チップ２０が温風で加熱される場合、金属層２２を設けなくてもよい。
【００２５】
半導体チップ２０に窒化物半導体を含むＦＥＴなど高出力の素子を形成する場合、基板はＳｉＣとすることが好ましい。半導体チップ２０の基板を形成するＳｉＣは、例えばシリコン（Ｓｉ）の２倍以上の高い熱伝導率を有する。このため、熱はロウ材１８から半導体チップ２０に伝導しやすい。実施例１によれば赤外線により半導体チップ２０を加熱するため、熱伝導が抑制される。したがって、ボイドを抑制することができる。この結果、放熱性が高く、かつ高出力の動作が可能な半導体装置が形成される。
【００２６】
半導体チップ２０の基板は赤外線の吸収率が小さい。特にＳｉＣ基板は赤外線を吸収しにくい。半導体チップ２０の下面に赤外線の吸収率の高い金属層２２を設けることで、金属層２２が赤外線により加熱される。金属層２２から半導体チップ２０に熱が伝導することで、半導体チップ２０が加熱される。金属層２２にＡｕを用いる場合、赤外線は波長０．７５〜１５μｍの近赤外線または中赤外線とすることが好ましい。金属層２２は、例えばＣｕ、金とゲルマニウムとの合金（Ａｕ−Ｇｅ）などＡｕ以外の金属により形成されていてもよい。赤外線の波長は金属層２２に吸収されやすい波長とすることができる。半導体チップ２０は、少なくとも室温より高い温度に加熱されればよい。
【００２７】
（比較例）
比較例について説明する。図３Ａは比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。図３Ｂは半導体チップ２０付近を拡大した断面図である。
【００２８】
図３Ａに示すように、比較例では赤外線照射装置１２を使用せず、また金属層２２は設けられていない。ヒータ１１によりロウ材１８を溶融させ、半導体チップ２０を接合する。しかし、半導体チップ２０をロウ材１８に接触させたとき、熱がロウ材１８から半導体チップ２０に伝わり、ロウ材１８が急激に固化する。この結果、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、ロウ材１８の内部にボイド２４が発生する。ロウ材１８の量を少なくすると、ボイド２４が発生しやすい。また半導体チップ２０の基板をＳｉＣなど熱伝導率の高いものとすると、ロウ材１８から熱が急速に奪われるため、特にボイド２４が発生しやすい。ボイド２４内の空気の熱伝導率はロウ材１８より低いため、半導体装置の放熱性が低下する。
【００２９】
前述のように実施例１によれば、ボイドの発生を抑制することができる。このため半導体装置の放熱性を高めることができる。またロウ材１８の量を少なくして、ロウ材１８の熱抵抗を小さくすることができるため、半導体装置の放熱性をより高めることができる。
【００３０】
実施例１において、半導体チップ２０は基板、および基板上に設けられた半導体層を含む。基板はＳｉＣ、シリコン（Ｓｉ）、サファイア、ＧａＮなどにより形成される。半導体層には、例えば窒化物半導体を含むＦＥＴなどが形成されている。窒化物半導体とは、窒素（Ｎ）を含む半導体であり、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、および窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などがある。半導体チップ２０には、窒化物半導体以外に、例えば砒素系半導体などの化合物半導体を用いてもよい。砒素系半導体とはガリウム砒素（ＧａＡｓ）など砒素（Ａｓ）を含む半導体である。この場合、半導体チップ２０の基板をＧａＡｓで形成してもよい。ＦＥＴの動作層をＳｉＣとしてもよい。また半導体チップ２０にはＦＥＴ以外のトランジスタなどが形成されていてもよい。半導体装置は例えば増幅器としたが、他の機能を有してもよい。ロウ材１８はＡｕ−Ｓｎ以外に、例えば銀（Ａｇ）、鉛フリー半田などを用いてもよい。
【００３１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００３２】
１０                                  ヒータブロック
１１                                  ヒータ
１２                                  赤外線照射装置
１４                                  ベース部
１６、２２                            金属層
１８                                  ロウ材
２０                                  半導体チップ
２４                                  ボイド
１００                                製造装置
【図１Ａ】
0006611004.tif 000002
【図１Ｂ】
0006611004.tif 000003
【図２Ａ】
0006611004.tif 000004
【図２Ｂ】
0006611004.tif 000005
【図２Ｃ】
0006611004.tif 000006
【図２Ｄ】
0006611004.tif 000007
【図３Ａ】
0006611004.tif 000008
【図３Ｂ】
0006611004.tif 000009