(57)【要約】  本発明は磁気記録媒体の成分の組成が膜厚方向に単調に変化する磁気記録媒体を、量産可能に製造する方法である。この方法は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法である。磁気記録媒体の製造法は、ＦｅＰｔ、又は、ＦｅＰｔＲｈの第１磁性層の上にＦｅＰｔＲｈの第２磁性層を積層し、次いで第１磁性層及び第２磁性層を成膜した後で基板を加熱するか、或いは、予め所定温度に加熱した基板上で第１磁性層及び第２磁性層を成膜することを含む。磁気記録媒体の製造方法では、ＦｅＰｔＲｈの第１磁性層の上にＦｅＰｔＲｈの第２磁性層を積層する場合には、第２磁性層のＲｈの濃度は、第１磁性層のそれよりも高くする。
2017002316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、
（１）Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、
（２）Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程と、
（３）第１成膜工程及び第２成膜工程に続いて、第１及び第２磁性層を形成した基板を加熱する工程
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記（３）の加熱工程における加熱温度が４００℃以上であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の製造方法により製造された磁気記録媒体。
【請求項４】
基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、
（ｉ）前記基板を加熱する加熱工程と
（ｉｉ）Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、
（ｉｉｉ）Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程、
を含み、第１成膜工程及び第２成膜工程に先立って加熱工程を行うことを特徴とする製造方法。
【請求項５】
前記（ｉ）の加熱工程における基板を加熱する温度が４００℃以上であることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体。
【請求項７】
基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、
（Ａ）基板を裏面から加熱しながら、Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、
（Ｂ）裏面から加熱しながら、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項８】
前記（Ａ）及び（Ｂ）の基板の加熱の温度が４００℃以上であることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法およびその製造方法により製造される磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録の高密度化の要請が著しい。磁気記録の高密度化を実現する技術として、垂直磁気記録方式が採用されている。垂直磁気記録媒体は、非磁性基板と、硬質磁性材料から形成される磁気記録層を少なくとも含む。垂直磁気記録媒体は、任意選択的に、軟磁性材料から形成されて、磁気ヘッドが発生する磁束を磁気記録層に集中させる役割を担う軟磁性裏打ち層、磁気記録層の硬質磁性材料を目的の方向に配向させるための下地層、磁気記録層の表面を保護する保護膜などをさらに含むことができる。【０００３】
磁気記録の高密度化のためには、高い熱安定性を得るために、ＦｅＰｔなどの高い磁気異方性を有する材料で構成された磁気記録層が必要とされている。しかしながら、ＦｅＰｔは、室温での保磁力が高く、通常の記録ヘッドでは磁場が足りず記録を行うことができない。そこで熱アシスト磁気記録方式が提案されている。【０００４】
熱アシスト磁気記録方式は、磁気記録層にレーザ等を照射して加熱することで保磁力を低下させ、その状態で記録用の磁場を印加して磁化を反転させる記録方式である。熱アシスト磁気記録方式では磁性材料のキュリー温度近傍まで加熱して記録する。例えば、ＦｅＰｔのキュリー温度は４７０℃程度であることが知られている。【０００５】
一方、高温での記録は、磁気記録層を保護するためのカーボン保護膜や保護膜上の潤滑剤の劣化をもたらし、記録ヘッド自体の劣化の原因ともなるため、磁気記録装置の信頼性が大きく低下する要因となる。そのため、できるだけ低温で記録を行うことが望まれる。【０００６】
非特許文献１には、高い磁気異方性（Ｋｕ）を有する下層、中程度のＫｕを有する中層及び低いＫｕを有する上層の順に積層された、Ｋｕが傾斜する磁気記録層により、熱安定性を維持しつつ記録磁界（保磁力）を低減できることが報告されている。また、非特許文献２では、（ＦｅＰｔ）100-xＣｕx合金からなる磁性層を有し、Ｃｕの含有量ｘを下層から上層へと単調に減少させ、Ｋｕの傾斜をつけることで記録磁界（保磁力）を低減できることが報告されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｃｈｅｎら、J. Phys. D: Appl. Phys., 43 (2010) 185001
【非特許文献２】Ｚｈａら、Appl. Phys. Lett., 97 182504 (2010)
【非特許文献３】R. F. Penoyer、「Automatic Torque Balance for Magnetic Anisotropy Measurements」、The Review of Scientific Instruments、１９５９年８月、第３０巻第８号、７１１−７１４
【非特許文献４】近角聰信、強磁性体の物理（下）  裳華房、１０−２１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
非特許文献２では、Ｆｅ、Ｐｔ及びＣｕターゲットを用いたｃｏ−スパッタ法で磁気記録層を形成しており、Ｃｕの含有量を膜厚方向で傾斜させるにはＣｕのスパッタパワーを時間とともに変化させることで行っている。しかしながら、ｃｏ−スパッタ法は成分比率の制御が難しく安定した生産が困難である。【０００９】
一方、磁気記録媒体を量産するための工程には、複数の成膜チャンバーを並べて、基板を移動させながら各成膜チャンバーにおいて、磁気記録媒体の各層を１層ずつ形成するというような、スループットを高めた成膜方式が採用されている。このような量産工程では、例えばＦｅＰｔＣｕ膜を成膜する場合、ＦｅＰｔＣｕ膜の成膜チャンバーにおいて、ＦｅＰｔＣｕの合金ターゲットを用いて磁気記録層を成膜する。この場合、Ｃｕの組成だけを変化させて、成膜した磁気記録層中のＣｕの組成に傾斜を設けることは非常に困難である。このような量産工程での成膜で、Ｃｕの組成を傾斜させるには、あらかじめ組成を変化させた複数のＦｅＰｔＣｕ合金ターゲットを用意し、徐々に磁気記録層中のＣｕの組成が変化するようにターゲットを配置して、ＦｅＰｔＣｕ膜を積層させる必要がある。しかし、このような工程を実現するには、多くの成膜チャンバーが必要となり、生産効率が低下する。【００１０】
そこで、磁気記録媒体の成分の組成が膜厚方向に単調に変化する磁気記録媒体を、量産可能に製造する方法を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
１つの実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、（１）Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、（２）Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程と、（３）第１成膜工程及び第２成膜工程に続いて、第１及び第２磁性層を形成した基板を加熱する工程を含むことを特徴とする。ここで、（３）の加熱する工程における加熱の温度は４００℃以上であることが好ましい。【００１２】
別の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、（ｉ）前記基板を加熱する加熱工程と、（ｉｉ）Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、（ｉｉｉ）Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程を含み、第１成膜工程及び第２成膜工程に先立って加熱工程を行うことを特徴とする。ここで、（ｉ）の加熱する工程における基板の加熱の温度は４００℃以上であることが好ましい。【００１３】
更に別の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、（Ａ）基板を裏面から加熱しながら、Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、（Ｂ）基板を裏面から加熱しながら、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程を含むことを特徴とする。ここで、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）の基板の加熱温度が４００℃以上であることが好ましい。【００１４】
磁気記録媒体は、上記３つの製造方法により製造された磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１５】
磁気記録媒体の成分の組成が膜厚方向に単調に変化する磁気記録媒体を、量産して製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】磁気記録媒体の１つの構成例を示す断面図である。
【図２】磁気記録媒体の磁気記録層の状態の変化を示す概略図である。
【図３】磁気記録媒体の磁気記録層の製造方法１つの例を示す概略図である。
【図４】磁気記録媒体の磁気記録層の製造方法の１つの例を示す概略図である。
【図５】ＦｅＰｔＸ（ＸはＲｈ、Ｃｕ又はＲｕである）を用いた磁気記録層における、Ｘの添加量と、２３０℃でのＫｕの関係を示すグラフである。
【図６Ａ】ＦｅＰｔＸ（ＸはＲｈ又はＲｕである）を用いた磁気記録層におけるＸの濃度分布を測定する場合の手順を説明するための図である。
【図６Ｂ】ＦｅＰｔＸ（ＸはＲｈ又はＲｕである）を用いた磁気記録層におけるＸの濃度分布を測定する場合の手順を説明するための図である。
【図７】ＦｅＰｔＸ（ＸはＲｈ又はＲｕである）を用いた磁気記録層における拡散距離と加熱成膜時間の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図面を参照しながら、磁気記録媒体の製造方法及び当該製造方法により製造される磁気記録媒体について説明するが、以下の説明は単なる例示であり、本願発明を制限することを意図するものではない。
【００１８】
磁気記録媒体の製造方法は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体を製造する方法である。
【００１９】
ここで、上記製造方法で製造される磁気記録媒体は、基板と磁気記録層を少なくとも含むが、これらの層の間に、密着層、軟磁性裏打ち層、ヒートシンク層、下地層および／またはシード層のような当該技術において知られている層をさらに含んでもよい。加えて、磁気記録媒体は、磁気記録層の上に、保護層および／または液体潤滑剤層のような当該技術において知られている層をさらに含んでもよい。図１に、基板１０、密着層２０、下地層３０、シード層４０、磁気記録層５０、および保護層６０を含む磁気記録媒体１００の１つの構成例を示す。磁気記録媒体１００の磁気記録層５０は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向において変化している。例えば、磁気記録媒体は、磁気記録層５０の基板１０側から保護層６０側に向けて、Ｒｈの濃度が増加するような濃度勾配を有する磁気記録層を有する。
【００２０】
磁気記録媒体の製造方法は、例えば図２に示すように、基板１０上に、第１磁性層５２及び第２磁性層５４を形成し、磁性層中の所定の元素を第１磁性層へ拡散させて、磁気記録層５０の膜厚方向に、所定の元素の組成に勾配を持たせるものである。
【００２１】
磁気記録媒体の製造方法は、（１）前記基板上に、Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、（２）前記第１磁性層上に、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程と、（３）第１成膜工程及び第２成膜工程に続いて、第１及び第２磁性層を形成した基板を加熱する工程を含むことを特徴とする。
【００２２】
本明細書及び特許請求の範囲において、「傾斜」とは、磁気記録層の対象となる元素（例えば、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｒｕ等）の組成、又は、磁気記録層の磁気異方性の（Ｋｕ）が、磁気記録層の膜厚方向で単調に変化していることをいう。例えば、磁気記録層の基板側から保護層側へ向けて、対象となる元素の組成が単調に変化するような磁気記録層を、対象となる元素が「傾斜」した磁気記録層と称する。例えば、Ｒｈの組成が、磁気記録層の膜厚方向で単調に増加するような磁気記録層を、「Ｒｈの組成が傾斜した」磁気記録層等と称する。また、磁気記録層の基板側から保護層側へ向けて、Ｋｕが単調に変化するような磁気記録層を「Ｋｕが傾斜した」磁気記録層等と称する。
【００２３】
工程（１）は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、基板１０を準備し、この基板１０上に第１磁性層５２として、ＦｅＰｔ又はＦｅＰｔＲｈからなる磁性層を成膜する。
【００２４】
基板１０は、表面が平滑である様々な基板であってもよい。たとえば、磁気記録媒体に一般的に用いられる材料を用いて、基板１０を形成することができる。用いることができる材料は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、ＭｇＯ単結晶、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＳｒＴｉＯ3、強化ガラス、結晶化ガラス、Ｓｉ／ＳｉＯ2等を含む。
【００２５】
磁気記録層５０の第１磁性層５２は、規則合金の構成元素であるＦｅ及びＰｔと、任意選択的なＲｈをスパッタ法により堆積させることにより形成される。
【００２６】
規則合金を構成するＦｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈをスパッタすることによって、第１磁性層５２を形成することができる。本明細書における「スパッタする」工程とは、高エネルギーイオンの衝突によりターゲットから原子、クラスターまたはイオンを射出させる段階のみを意味し、射出された原子、クラスターまたはイオンに含まれる元素の全てが被成膜基板上に固定されることを意味しない。言い換えると、本明細書における「スパッタする」工程で得られる薄膜は、被成膜基板に到達した元素を必ずしも到達量の比で含有しない。第１磁性層５２を規則合金ＦｅＰｔで形成する場合、Ｆｅ及びＰｔを所定の比率で含むターゲットを用いることができる。或いは、ＦｅターゲットとＰｔターゲットを用いてもよい。また、第１磁性層５２を規則合金ＦｅＰｔＲｈで形成する場合、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを所定の比率で含むターゲットを用いることができる。或いは、Ｆｅ及びＰｔを含むターゲットと、Ｒｈターゲットを用いてもよい。或いはまた、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈの各ターゲットを用いてもよい。いずれの場合においても、それぞれのターゲットに印加する電力を調整して構成比率を制御することができる。
【００２７】
工程（２）は、図３（ｃ）に示すように、基板１０上に形成した第１磁性層５２上に第２磁性層５４を形成する。第２磁性層として、ＦｅＰｔＲｈからなる磁性層を成膜する。工程（１）で、第１磁性層の材料にＦｅＰｔＲｈを用いた場合、第２磁性層は、第１磁性層で使用したＦｅＰｔＲｈのＲｈ含有量よりも高いＲｈ含有量を有するＦｅＰｔＲｈを使用する。
【００２８】
第２磁性層の成膜は、第１磁性層で、ＦｅＰｔＲｈを用いて成膜する場合と同じ方法で成膜することができる。
【００２９】
工程（１）及び工程（２）において、第１磁性層５２及び第２磁性層５４の材料の各成分、並びに膜厚のパラメータは以下の通りである。
【００３０】
第１磁性層の膜厚をｔ１、第１磁性層のＦｅＰｔ又はＦｅＰｔＲｈの各成分の原子％を、Ｆｅ：ｘ１原子％、Ｐｔ：ｙ１原子％、Ｒｈ：ｚ１原子％とし、第２磁性層の膜厚をｔ２、第２磁性層のＦｅＰｔＲｈの各成分の原子％を、Ｆｅ：ｘ２原子％、Ｐｔ：ｙ２原子％、Ｒｈ：ｚ２原子％とした場合、Ｆｅ／Ｐｔ比は、ｘ２／ｙ２＝０．７〜１．４であることが好ましく、ｘ１／ｙ１＝０．７〜１．４であることが好ましい。また、Ｒｈの濃度は、ｚ２：３原子％〜１５原子％、及びｚ１：０原子％〜１２原子％であることが好ましい（但し、ｚ２＞ｚ１である）。また、第１磁性層５２及び第２磁性層５４の膜厚は、ｔ１：０．５ｎｍ〜１０ｎｍ、ｔ２：０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。なお、後述するとおり、第１磁性層と第２磁性層の順序は逆であってもよい。
【００３１】
工程（３）は、図３（ｄ）に示すように第１磁性層及び第２磁性層を形成した基板を加熱して、Ｒｈを第２磁性層から第１磁性層へ拡散させ、磁気記録層５０内でＲｈ成分の傾斜をつくる。基板の加熱温度は、４００℃以上、好ましくは４００℃〜７００℃である。加熱時間は、成分の所望の傾斜の程度に依存するが、例えば１ｓｅｃ〜２０ｓｅｃ、好ましくは２ｓｅｃ〜１０ｓｅｃである。基板の加熱は、加熱チャンバー中においてランプヒーターなどで行う従来の手法を用いることができる。
【００３２】
Ｒｈが第１磁性層に拡散してＲｈ成分の傾斜をつくることで、Ｒｈの濃度勾配によりＫｕ値が磁気記録層の膜厚方向で変化する。このため、Ｋｕの傾斜を実現することができる。また、ＲｈはＦｅＰｔ内での拡散が速いため、成分の傾斜をつくるために適する添加材料である。
【００３３】
磁気記録媒体の別の製造方法は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、（ｉ）前記基板を加熱する加熱工程と、（ｉｉ）加熱した基板上に、Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、（ｉｉｉ）前記第１磁性層上に、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００３４】
工程（ｉ）は、図４（ａ）に示すように基板１０を加熱する。基板の加熱温度は、主に基板の耐熱温度により上限が制限されるが、４００℃以上、好ましくは４００℃〜１０００℃である。加熱時間は、前記温度を実現できる時間であれば特に制限されない。基板の加熱は、加熱チャンバー中においてランプヒーターなどで行う従来の手法を用いることができる。
【００３５】
磁気記録媒体の量産のための成膜装置は、真空成膜チャンバーを複数並べた構成を有する。磁気記録媒体の製造では、このような装置を用いて、基板投入チャンバーより基板を投入した後、成膜、隣のチャンバーに基板を移動、次の層を成膜、隣のチャンバーに基板を移動というように、成膜と基板の移動の工程を一定のタイミングで繰り返し、多層構造の薄膜を効率的に成膜している。また、磁気記録媒体は、基板の両面に成膜することが必要になるので、各成膜チャンバーはカソードを対向させた構造を有しており、基板の両面を同時に成膜する。従って、加熱と成膜を同時に実施することは困難である。基板を加熱して成膜する加熱成膜の場合、加熱成膜する層の直前のチャンバーで、ランプヒーターにより基板を加熱し、その熱を利用して次のチャンバーで加熱成膜を行う。
【００３６】
従って、工程（ｉ）では、まず、基板１０を加熱用のチャンバーで所定温度に加熱する。
【００３７】
工程（ｉｉ）では、図４（ｂ）に示すように、所定温度に加熱した基板に第１磁性層を成膜する。第１磁性層は、規則合金の構成元素であるＦｅ及びＰｔと、任意選択的なＲｈをスパッタ法により堆積させることにより成膜される。例えば、Ｆｅ及びＰｔ、或いは、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈをスパッタすることによって、第１磁性層５２を形成することができる。成膜は、加熱した温度が一定の温度以下、好ましくは４２０℃未満に下がる前に実施する。第１磁性層を成膜する際のターゲット、膜厚等の諸条件、並びに、成膜の手順は、上で説明したものと同じである。
【００３８】
工程（ｉｉｉ）では、図４（ｃ）に示すように、第１磁性層を成膜した基板の第１磁性層上に第２磁性層を成膜する。成膜は、加熱した温度が一定の温度以下、好ましくは４００℃未満に下がる前に実施する。例えば、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈをスパッタすることによって、第２磁性層５４を形成することができる。第２磁性層は、工程（ｉｉ）で、第１磁性層の材料にＦｅＰｔＲｈを用いた場合、第１磁性層で使用したＦｅＰｔＲｈのＲｈ含有量よりも高いＲｈ含有量を有するＦｅＰｔＲｈを使用する。第２磁性層を成膜する際のターゲット、膜厚等の諸条件、並びに、成膜の手順は、上で説明したものと同じである。
【００３９】
工程（ｉｉｉ）で第２磁性層を成膜する際、基板が所定温度になっているので、第２磁性層から第１磁性層へＲｈが拡散し、磁気記録層５０内でＲｈ成分の傾斜が形成される。第２磁性層を成膜した後、所望のＲｈ成分の傾斜が得られるように、所定の時間基板の温度を保持するか、或いは、必要に応じて、基板の冷却速度を調整する。冷却速度の調整は、冷却チャンバー内で、例えば、ＡｒやＮ2などの不活性ガスを流して、冷却チャンバー内の温度を調節することで実施できる。
【００４０】
磁気記録媒体の更に別の製造方法は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化した、磁気記録媒体の製造方法であって、（Ａ）基板を裏面から加熱しながら、Ｆｅ及びＰｔ、又は、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第１磁性層を形成する第１成膜工程と、（Ｂ）第１成膜工程で得られた基板を裏面から加熱しながら、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈを含む第２磁性層を形成する第２成膜工程であって、前記第１磁性層がＲｈを含む場合は、当該第１磁性層よりも高い濃度のＲｈを含むように第２磁性層を形成する工程を含むことを特徴とする。ここで、「裏面」とは、基板上の２つの表面において、その一方に磁性層などの薄膜を形成する場合に、その層の形成を行わない側の表面をいう。
【００４１】
工程（Ａ）は、まず、基板１０の一方、例えば裏面を加熱する。基板の加熱温度は、主に基板の耐熱温度により上限が制限されるが、４００℃以上、好ましくは４００℃〜１０００℃である。基板の加熱は、加熱チャンバー中においてランプヒーターなどで行う従来の手法を用いることができる。
【００４２】
次に、基板を所定温度に加熱しながら、基板上の加熱を施している面とは反対側の面、具体的には、基板の裏面を加熱している場合は、基板の表面側に第１磁性層を形成する。第１磁性層は、規則合金の構成元素であるＦｅ及びＰｔと、任意選択的なＲｈをスパッタ法により堆積させることにより成膜される。例えば、Ｆｅ及びＰｔ、或いは、Ｆｅ、Ｐｔ及びＲｈをスパッタすることによって、第１磁性層５２を形成することができる。成膜は、基板を加熱しながら行うため、基板の加熱を施していない方向から行われる。第１磁性層を成膜する際のターゲット、膜厚等の諸条件、並びに、成膜の手順は、上で説明したものと同じである。
【００４３】
工程（Ｂ）では、第１磁性層を成膜した基板の第１磁性層上に第２磁性層を成膜する。成膜は、第１磁性層を成膜した基板を加熱した状態のままで実施することができる。例えば、基板を加熱しながらＦｅ、Ｐｔ及びＲｈをスパッタすることによって、第２磁性層５４を第１磁性層上に形成することができる。第２磁性層は、工程（Ａ）で、第１磁性層の材料にＦｅＰｔＲｈを用いた場合、第１磁性層で使用したＦｅＰｔＲｈのＲｈ含有量よりも高いＲｈ含有量を有するＦｅＰｔＲｈを使用する。第２磁性層を成膜する際のターゲット、膜厚等の諸条件、並びに、成膜の手順は、上で説明したものと同じである。
【００４４】
工程（Ａ）及び工程（Ｂ）で、第１磁性層及び第２磁性層を成膜する際、基板が所定温度に加熱されているので、第２磁性層を成膜するときに、第２磁性層から第１磁性層へＲｈが拡散し、磁気記録層５０内でＲｈ成分の傾斜が形成される。必要であれば、第２磁性層を成膜した後、所望のＲｈ成分の傾斜が得られるように、所定の時間基板の温度を保持するか、或いは、基板の冷却速度を調整する。冷却速度の調整は、冷却チャンバー内で、例えば、ＡｒやＮ2などの不活性ガスを流して、冷却チャンバー内の温度を調節することで実施できる。
【００４５】
以上のように、ＦｅＰｔ、又は、ＦｅＰｔＲｈの第１磁性層の上にＦｅＰｔＲｈの第２磁性層を積層し、次いで第１磁性層及び第２磁性層を成膜した後で基板を加熱するか、或いは、予め所定温度に加熱した基板上で第１磁性層及び第２磁性層を成膜することにより、磁気記録層５０内でＲｈ成分の傾斜を形成できる。磁気記録媒体の製造方法では、ＦｅＰｔＲｈの第１磁性層の上にＦｅＰｔＲｈの第２磁性層を積層する場合には、第２磁性層のＲｈの濃度は、第１磁性層のそれよりも高くする。
【００４６】
磁気記録層内でＲｈ成分が傾斜することにより、Ｋｕが傾斜した磁気記録層を実現することができる。
【００４７】
以上の説明では、第１磁性層５２、第２磁性層５４の順に形成する例を用いて説明したが、第２磁性層５４、第１磁性層５２の順に形成してもよい。後者の場合には、磁気記録層５０の基板１０側から保護層６０側に向けて、Ｒｈの濃度が単調に減少する濃度勾配を有する磁気記録層５０を形成することができる。
【００４８】
また、Ｒｈの濃度勾配の形成を妨げない範囲で各種の変更を加えることも可能である。たとえば、磁気記録層を構成する元素としては、Ｆｅ，Ｐｔ、Ｒｈに他の元素を加えて磁気特性を所望の特性に調整することもできる。たとえば、キュリー温度Ｔｃを調整する目的でＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｎ等をさらに添加することもできる。
【００４９】
また、磁気記録層５０をグラニュラー構造とするために、粒界を構成する炭化物、酸化物、窒化物等をさらに添加してもよい。
【００５０】
さらには、磁気記録層５０は、第１磁性層５２及び第２磁性層５４に加えて、１つまたは複数の追加の磁性層をさらに含んでもよい。１つまたは複数の追加の磁性層のそれぞれは、グラニュラー構造または非グラニュラー構造のいずれを有してもよい。たとえば、第１磁性層５２及び第２磁性層５４からなる積層構造と、追加の磁性層とで、Ｒｕなどの結合層を挟んで積層したＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構造を形成してもよい。あるいはまた、連続層として、グラニュラー構造を含まない磁性層を、第１磁性層５２及び第２磁性層５４からなる積層構造の上部に設けてもよい。連続層としては、いわゆるＣＡＰ層を含む。
【００５１】
磁気記録媒体は、上述したとおり、磁気記録層以外に種々の層を任意選択的に設けてもよい。以下にこれらの層について説明する。なお、以下の説明において引用する引用番号は、図２に示すものである。
【００５２】
任意選択的に設けてもよい密着層２０は、密着層２０の上に形成される層と密着層２０の下に形成される層との密着性を高めるために用いられる。密着層２０の下に形成される層としては基板１０を含む。密着層２０を形成するための材料はＮｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕなどの金属、前述の金属を含む合金を含む。密着層２０は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層構造を有してもよい。密着層は、スパッタ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。
【００５３】
任意選択的に設けてもよい軟磁性裏打ち層（不図示）は、磁気ヘッドからの磁束を制御して、磁気記録媒体の記録・再生特性を向上させる。軟磁性裏打ち層を形成するための材料は、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、ＣｏＦｅ合金などの結晶質材料、ＦｅＴａＣ，ＣｏＦｅＮｉ，ＣｏＮｉＰなどの微結晶質材料、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を含む。軟磁性裏打ち層の膜厚の最適値は、磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造および特性に依存する。他の層と連続成膜で軟磁性裏打ち層を形成する場合、生産性との兼ね合いから、軟磁性裏打ち層が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内（両端を含む）の膜厚を有することが好ましい。軟磁性裏打ち層は、スパッタ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。
【００５４】
本発明の磁気記録媒体を熱アシスト磁気記録方式において使用する場合、ヒートシンク層（不図示）を設けてもよい。ヒートシンク層は、熱アシスト磁気記録時に発生する磁気記録層５０の余分な熱を効果的に吸収するための層である。ヒートシンク層は、熱伝導率および比熱容量が高い材料を用いて形成することができる。そのような材料は、Ｃｕ単体、Ａｇ単体、Ａｕ単体、またはそれらを主体とする合金材料を含む。ここで、「主体とする」とは、当該材料の含有量が５０ｗｔ％以上であることを示す。また、強度などの観点から、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ｃｕ−Ｂ合金などを用いて、ヒートシンク層を形成することができる。さらに、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、軟磁性のＣｏＦｅ合金などを用いてヒートシンク層を形成することができる。軟磁性材料を用いることによって、ヘッドの発生する垂直方向磁界を磁気記録層５０に集中させる機能をヒートシンク層に付与し、軟磁性裏打ち層の機能を補完することもできる。ヒートシンク層の膜厚の最適値は、熱アシスト磁気記録時の熱量および熱分布、ならびに磁気記録媒体の層構成および各構成層の厚さによって変化する。他の構成層との連続成膜で形成する場合などは、生産性との兼ね合いから、ヒートシンク層の膜厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。ヒートシンク層は、スパッタ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。通常の場合、ヒートシンク層は、スパッタ法を用いて形成される。ヒートシンク層は、磁気記録媒体に求められる特性を考慮して、基板１０と密着層２０との間、密着層２０と下地層３０との間などに設けることができる。
【００５５】
下地層３０は、上方に形成されるシード層４０の結晶性および／または結晶配向を制御するための層である。下地層３０は単層であっても多層であってもよい。下地層３０は、非磁性であることが好ましい。下地層３０の形成に用いられる非磁性材料は、Ｐｔ金属、Ｃｒ金属、または主成分であるＣｒにＭｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔａ、およびＺｒからなる群から選択される少なくとも１種の金属が添加された合金を含む。下地層３０は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。
【００５６】
シード層４０の機能は、上層である磁気記録層５０中の磁性結晶粒の粒径および結晶配向を制御することである。シード層４０に、シード層４０の下にある層と磁気記録層５０との間の密着性を確保する機能を持たせてもよい。また、シード層４０と磁気記録層５０の間に中間層等の他の層を配置してもよい。中間層等を配置する場合は、中間層等の結晶粒の粒径および結晶配向を制御することにより磁気記録層５０の磁性結晶粒の粒径および結晶配向を制御する機能を担うことになる。シード層４０は非磁性であることが好ましい。シード層４０の材料は、磁気記録層５０の材料に合わせて適宜選択される。より具体的には、シード層４０の材料は、磁気記録層の磁性結晶粒の材料に合わせて選択される。たとえば、磁気記録層５０の磁性結晶粒がＬ１0型規則合金で形成される場合、ＮａＣｌ型の化合物を用いてシード層４０を形成することが好ましい。特に好ましくは、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3などの酸化物、あるいはＴｉＮなどの窒化物を用いてシード層４０を形成する。また、上記の材料からなる複数の層を積層して、シード層４０を形成することもできる。磁気記録層５０の磁性結晶粒の結晶性の向上、および生産性の向上の観点から、シード層４０は、１ｎｍ〜６０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。シード層４０は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。
【００５７】
以上の磁気記録層の成膜よりも前に基板上に成膜される、密着層、軟磁性裏打ち層、ヒートシンク層、下地層および／またはシード層のような当該技術において知られている層は、上記磁気記録媒体の製造方法において、第１磁性層の成膜工程よりも前に成膜すればよい。
【００５８】
保護層６０は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料を用いて形成することができる。具体的には、Ｐｔなどの非磁性金属、ダイアモンドライクカーボンなどのカーボン系材料、あるいは窒化シリコンなどのシリコン系材料を用いて、保護層６０を形成することができる。また、保護層６０は、単層であってもよく、積層構造を有してもよい。積層構造の保護層６０は、たとえば、特性の異なる２種のカーボン系材料の積層構造、金属とカーボン系材料との積層構造、または金属酸化物膜とカーボン系材料との積層構造であってもよい。保護層６０は、ＣＶＤ法、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタリング法などを含む）、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。
【００５９】
また、任意選択的に、本発明の磁気記録媒体は、保護層６０の上に設けられる液体潤滑剤層（不図示）をさらに含んでもよい。液体潤滑剤層は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料を用いて形成することができる。液体潤滑剤層の材料は、たとえば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤などを含む。液体潤滑剤層は、たとえば、ディップコート法、スピンコート法などの塗布法を用いて形成することができる。
【００６０】
磁気記録層５０の上に形成される保護層および／または液体潤滑剤層のような当該技術において知られている層は、上記磁気記録媒体の製造方法において、磁気記録層５０の成膜工程の後、即ち上記工程（１）〜（３）又は、工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）の後に成膜すればよい。
【００６１】
磁気記録媒体は、基板と、磁気記録層を少なくとも含み、前記磁気記録層がＦｅ、Ｐｔ及びＲｈを含み、前記磁気記録層のＲｈの組成が磁気記録層の膜厚方向に変化したものである。このような磁気記録媒体を、上述した磁気記録媒体の製造方法により、量産可能な工程で作製することができる。
【実施例】
【００６２】
（実施例１）
実施例１では、ＦｅＰｔＸ（ＸはＲｈ、Ｃｕ又はＲｕである）におけるＸの濃度とＫｕの関係を検討した。【００６３】
平滑な表面を有する化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を洗浄し、基板１０を準備した。洗浄後の基板１０を、インライン式のスパッタ装置内に導入した。圧力０．５ＰａのＡｒガス中で純Ｔａターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＴａ密着層２０を形成した。Ｔａ密着層形成時の基板温度は室温（２５℃）であった。Ｔａ密着層形成時のスパッタ電力は１００Ｗであった。【００６４】
次に、圧力０．５ＰａのＡｒガス中で純Ｃｒターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚２０ｎｍのＣｒ下地層３０を得た。Ｃｒ下地層３０形成時の基板温度は室温（２５℃）であった。Ｃｒ下地層３０形成時のスパッタ電力は３００Ｗであった。【００６５】
次に、圧力０．１ＰａのＡｒガス中でＭｇＯターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により膜厚５ｎｍのＭｇＯシード層４０を形成した。ＭｇＯシード層４０形成時の基板温度は、室温（２５℃）であった。ＭｇＯシード層４０形成時のスパッタ電力は２００Ｗであった。【００６６】
次に、ＭｇＯシード層４０を形成した積層体を４３０℃に加熱し、圧力０．６ＰａのＡｒガス中でＦｅＰｔターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、ＦｅＰｔＸ（ＸはＲｈ、Ｒｕ又はＣｕである）からなる磁気記録層を形成した。磁気記録層の膜厚は１０ｎｍであった。磁気記録層の形成時のＦｅＰｔターゲットに投入した電力は、３００Ｗであった。また、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｃｕターゲットに印加した電力は表１〜３に記載した通りであった。作製した磁気記録媒体の成分Ｘの含有量は、以下の表１〜表３に示した。また、Ｘの添加量が０の時のＦｅ及びＰｔの含有量はＦｅが５５原子％であり、Ｐｔが４５原子％であり、Ｘを添加していくと、Ｆｅ／Ｐｔ比率を維持しつつ、Ｘ添加量が増加する。なお、Ｆｅ及びＰｔの添加量、並びに表中における元素Ｘの添加量は、全原子を基準とした原子％である。【００６７】
最後に、圧力０．５ＰａのＡｒガス中でＰｔターゲットを用いたＤＣスパッタ法により膜厚５ｎｍのＰｔ保護層６０を形成して、磁気記録媒体を得た。保護層形成時の基板温度は、室温（２５℃）であった。Ｐｔ保護層６０の形成時のスパッタ電力は５０Ｗであった。【００６８】
ＰＰＭＳ装置（Quantum Design社製；Physical Property Measurement System）を用いて自発磁化の磁場印加角度依存性を評価し、室温及び２３０℃における磁気異方性定数Ｋｕを決定した。磁気異方性定数Ｋｕの決定には、R. F. Penoyer、「Automatic Torque Balance for Magnetic Anisotropy Measurements」、The Review of Scientific Instruments、１９５９年８月、第３０巻第８号、７１１−７１４、ならびに近角聰信、強磁性体の物理（下）、裳華房、１０−２１に記載の手法を用いた（非特許文献３および４参照）。測定結果を表１〜表３に併せて示した。【００６９】
【表１】
2017002316.tif 000003
【００７０】
【表２】
2017002316.tif 000004
【００７１】
【表３】
2017002316.tif 000005
【００７２】
図５に、上記結果の一部をグラフに示した。図５のグラフは、ＦｅＰｔにＲｈ、Ｃｕ又はＲｕを添加した時の添加濃度と、Ｋｕ（２３０℃）の関係を示したものである。熱アシスト磁気記録では、磁気記録層を加熱して記録を行うため、記録過程に影響を及ぼす磁気特性は加熱時のものとなる。このため、例として、２３０℃でのデータを比較する。グラフより、Ｃｕと比べて、Ｒｈ又はＲｕを添加したＦｅＰｔ磁気記録層は、添加量が増加するに従いＫｕの低下が大きく、Ｋｕの傾斜をつけやすい材料といえる。【００７３】
（実施例２）
実施例２では、ＦｅＰｔＸ（ＸはＲｈ又はＲｕ）の加熱成膜時間と、成分Ｘの拡散距離及び拡散係数の関係を検討した。なお、実施例２は、第１磁性層及び第２磁性層を成膜した後に加熱する、磁気記録媒体の製造方法の例に相当する。【００７４】
Ｓｉ基板、ＳｉＯ2、ＦｅＰｔ（２０ｎｍ）、ＦｅＰｔＸ（２０ｎｍ）を順次形成して磁気記録媒体を得た。成膜は室温にて行った。その後、表４に示す温度及び加熱時間で後加熱処理を行った。ＦｅＰｔＸのＸはＲｈ及びＲｕである。ＦｅＰｔＸのＦｅ及びＰｔの含有量はＦｅが５０原子％であり、Ｐｔが４０原子％である。Ｒｈ及びＲｕの添加量は、それぞれ、１０原子％である（各元素の添加量は、全原子を基準とした）。【００７５】
添加材料Ｘの濃度、拡散距離、拡散係数は、以下の手順で求めた。【００７６】
図６Ａに示すように、室温で成膜したＦｅＰｔ膜、ＦｅＰｔＸ膜に対し、基板側からエッチングしていき、厚さ方向の添加元素Ｘの濃度プロファイルを測定した。【００７７】
同時にＦｅ及びＰｔの濃度プロファイルも測定し、ＳｉＯ2とＦｅＰｔ膜の界面を同定し、その点の厚さを０とする。【００７８】
温度Ｔ（４００、５００及び６００℃）、加熱処理時間ｔ（ｓｅｃ）で後加熱処理を実施した後、上と同様に、加熱後のＸの濃度プロファイルを測定する。【００７９】
加熱処理前でＸが検出される厚さを、拡散距離Ｌの基準とし、この基準の厚さと、加熱処理後でのＸが検出される厚さの差を拡散距離Ｌとした。拡散距離Ｌと拡散係数Ｄの関係は下記式で表されるので、実験的に求めたＬとｔよりＤを算出した。【００８０】
【数１】
2017002316.tif 000006
【００８１】
室温で成膜したサンプルは元素Ｘが拡散しておらず、一方、加熱後のサンプルでは、元素Ｘが第１磁性層側へ拡散しているため、室温で成膜したサンプルに比べ、元素Ｘが検出される距離は基板側に移動する。この元素Ｘが検出される距離の差を拡散距離Ｌとした（図６Ｂ）。【００８２】
加熱前後のサンプルについて、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で深さ方向の元素Ｘの濃度プロファイルを評価して、上記手順に従って、拡散距離を求め、拡散係数を算出した。結果を表４及び表５に併せて示した。【００８３】
【表４】
2017002316.tif 000007
【００８４】
【表５】
2017002316.tif 000008
【００８５】
上記結果から、Ｒｕに比べ、ＲｈはＦｅＰｔに拡散しやすい元素であることが分かる。【００８６】
また、図７のグラフは、上記拡散係数Ｄから計算した、加熱時間ｔと拡散距離Ｌの関係を示すグラフである。Ｒｕは殆ど拡散せず、Ｒｈは５００℃、５ｓｅｃで６ｎｍ以上拡散させることが可能であることがわかる。【００８７】
（実施例３）
実施例３は、基板を加熱した後、第１磁性層及び第２磁性層を成膜する、磁気記録媒体の製造方法の例である。【００８８】
まず、実施例１と同様にしてシード層まで形成した基板を作製する。次に、ＦｅＰｔＲｈのＲｈ成分が傾斜した磁気記録層を形成する場合、加熱チャンバーでシード層まで形成した基板を所定の温度まで加熱する。所定の温度とは、後に説明するように、成膜時に保持したい温度より、実験的に決定される数値である。その後、次の成膜チャンバーでＦｅＰｔ（Ｆｅ添加量：５５原子％、Ｐｔ添加量：４５原子％（各元素の添加量は、全原子を基準とした））を２ｎｍ形成する。次いで、基板を次のチャンバーへ移動して、ＦｅＰｔＲｈ（Ｆｅ添加量：５０原子％、Ｐｔ添加量：４０原子％、Ｒｈ添加量：１０原子％（各元素の添加量は、全原子を基準とした））を７ｎｍ成膜する。例えば、実施例２の図７のグラフから、基板温度が４００℃であれば、Ｒｈが２ｎｍ以上拡散するのに必要な時間は２ｓｅｃ程度と見積もれるので、ＦｅＰｔＲｈを成膜する条件（成膜時間含めた、成膜後の温度及び時間）が、４００℃以上の状態を２ｓｅｃ以上保持できるように、加熱チャンバーでの加熱温度、成膜チャンバーにおける冷却速度を調整する。冷却速度の調整方法は、冷却チャンバー内で、例えば、ＡｒやＮ2などの不活性ガスを流して、チャンバー内の温度を変化させることで実施できる。また、上記実施例２で得られた加熱時間（ｔ）と拡散距離（Ｌ）の関係から、ＦｅＰｔＲｈを成膜した以降の保持温度と時間は任意に調整することができる。【００８９】
また、磁気記録層を成膜した後は、カーボン保護膜を成膜するが、基板温度が高い状態ではカーボン保護膜は特性が劣化する。このため、冷却用チャンバーで、基板の温度を低下させ、カーボン保護層を形成した。また、必要に応じ、潤滑層を成膜する。【００９０】
以上の手順で、ＦｅＰｔＲｈのＲｈ成分が傾斜した磁気記録層を含む磁気記録媒体を作成することができる。【００９１】
（実施例４）
実施例４は、基板の加熱と成膜を同時に行う場合の例である。【００９２】
平滑な表面を有する化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を洗浄し、非磁性基体を準備した。洗浄後の非磁性基体を、スパッタ装置内に導入した。圧力０．５０ＰａのＡｒガス中で、基板から１２０ｍｍの位置に配置したＴａターゲットを用いるＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＴａ密着層を形成した。ターゲットに印加した電力は１００Ｗであった。【００９３】
次に、圧力０．２８ＰａのＡｒガス中で、基板から１２０ｍｍの位置に配置したＣｒターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚２０ｎｍのＣｒ下地層を形成して、基板を得た。ターゲットに印加した電力は３００Ｗであった。【００９４】
次に、Ｃｒ下地層を形成した積層体に対して、圧力０．１ＰａのＡｒガス中で、基板から１６５ｍｍの位置に配置したＭｇＯターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＭｇＯシード層を形成した。ターゲットに印加した電力は２００Ｗであった。また、この際の基板の温度は室温（２５℃）であった。【００９５】
次に、シード層を形成した積層体を４３０℃に加熱し、４３０℃の基板温度を保持したまま、圧力１．００ＰａのＡｒガス中で、基板から１６５ｍｍの位置に配置したＦｅＰｔターゲットを用いるＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚２ｎｍのＦｅＰｔ磁気記録層を形成した。その上層に、４３０℃の基板温度の状態で、ＦｅＰｔターゲットとＲｈターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＦｅＰｔＲｈ磁気記録層を形成した。この時、ＦｅＰｔターゲットに投入した電力は３００Ｗであり、Ｒｈターゲットに投入した電力は１００Ｗであった。また、この時のＦｅＰｔＲｈ層の成膜時間は６０ｓｅｃであった。なお、基板の加熱は、磁性層を形成した表面とは反対側の裏面からランプヒーターにより行った。【００９６】
最後に、圧力０．５ＰａのＡｒガス中で、ＰｔターゲットおよびＴａターゲットを用いるＤＣマグネトロンスパッタ法により膜厚５ｎｍのＰｔ膜および膜厚５ｎｍのＴａ膜の積層体である保護層を形成して、磁気記録媒体を得た。保護層形成時の基板温度を、室温（２５℃）であった。Ｐｔ膜およびＴａ膜の形成時のスパッタ電力は１００Ｗであった。【００９７】
以上の方法で、上層のＲｈを下層へ拡散させ、Ｒｈの濃度傾斜を得ることができる。
【符号の説明】
【００９８】
１０  基板
２０  密着層
３０  下地層
４０  シード層
５０  磁気記録層
５２  第１磁性層
５４  第２磁性層
６０  保護層
【図１】
2017002316.tif 000009
【図２】
2017002316.tif 000010
【図３】
2017002316.tif 000011
【図４】
2017002316.tif 000012
【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2017002316.tif 000015
【図７】
2017002316.tif 000016
【国際調査報告】
2017002316.tif 000017
2017002316.tif 000018
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