(57)【要約】  圧電デバイスは、基板（１）と、少なくとも一部が基板（１）に重ならないメンブレン部（７）となるように、基板（１）によって直接または間接的に支持され、基板（１）より上側に配置された圧電体層（４）と、少なくともメンブレン部（７）において圧電体層（４）の下側に配置された下部電極（３）と、メンブレン部（７）において圧電体層（４）を挟んで下部電極（３）の少なくとも一部に対向するように圧電体層（４）の上側に配置された上部電極（５）とを備える。上部電極（５）とは別に圧電体層（４）の上側にヒータ（６）が配置されているか、または、上部電極（５）の少なくとも一部がヒータ（６）を兼ねている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
少なくとも一部が前記基板に重ならないメンブレン部となるように、前記基板によって直接または間接的に支持され、前記基板より上側に配置された圧電体層と、
少なくとも前記メンブレン部において前記圧電体層の下側に配置された下部電極と、
前記メンブレン部において前記圧電体層を挟んで前記下部電極の少なくとも一部に対向するように前記圧電体層の上側に配置された上部電極とを備え、
前記上部電極とは別に前記圧電体層の上側にヒータが配置されているか、または、前記上部電極の少なくとも一部がヒータを兼ねている、圧電デバイス。
【請求項２】
前記基板は貫通孔を有し、前記メンブレン部は前記貫通孔に重なるように設けられている、請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記上部電極および前記圧電体層を覆うように保護膜が設けられている、請求項１または２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記保護膜はＡｌＮを主材料とする、請求項３に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記圧電体層はＡｌＮを主材料とする、請求項１から４のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項６】
前記基板より上側に支持層が配置され、前記圧電体層は前記支持層を介する形で前記基板によって支持されている、請求項１から５のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項７】
前記支持層はＡｌＮを主材料とする、請求項６に記載の圧電デバイス。
【請求項８】
前記ヒータの少なくとも一部は、平面的に見てミアンダ形状となっている、請求項１から７のいずれかに記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、特開２００９−２６０７２３号公報（特許文献１）に示されるように、基板と、この基板の上方に設けられた圧電体層と、この圧電体層を挟み込むように配置された電極とを備える、圧電デバイスが従来から知られている。このような圧電デバイスは、フィルタ、アクチュエータ、センサなどに用いられる。【０００３】
このような圧電デバイスの一例として、米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１９５８５１Ａ１（特許文献２）の段落００１７〜００２３、図１Ａおよび図１Ｂには、トランスデューサと、基板と、温度補償素子とを備えるＭＥＭＳデバイスが開示されている。トランスデューサは、たとえば屈曲振動する圧電超音波トランスデューサであり、基板の上方に配置されている。温度補償素子は、たとえばヒータ素子であり、トランスデューサの周囲かつ下面側に位置するように、基板上に配置されている。【０００４】
また、米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１３４２０９Ａ１（特許文献３）の段落００７０〜００７６、図２Ａおよび図２Ｂには、センサ素子と、基板と、ヒータ素子とを備える３×３センサアレイが開示されている。個々のセンサ素子は、圧電体層とその上面に配置された２つの電極とを有する圧電共振素子であり、基板上に配置されている。ヒータ素子は、センサ素子の周囲かつ基板上に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６０７２３号公報
【特許文献２】米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１９５８５１Ａ１
【特許文献３】米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０１３４２０９Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２，３に記載の圧電デバイスは、以下のような問題点を有する。
（問題点１）  ヒータ素子が基板に接しているため、基板が熱容量の大きいシリコン基板である場合には、ヒータ素子で発生した熱の多くが基板に伝わり、加熱対象である圧電体層や電極を効率的に加熱することができない。すなわち、ヒータ素子で発生した熱の損失が多い。
（問題点２）  圧電体層や電極の表面に結露が生じる場合があるが、ヒータ素子が基板上に配置されているため、結露が生じている部分を直接加熱することができない。
（問題点３）  ヒータ素子を形成するための製造工程が別途必要になり、製造プロセスが複雑化する。【０００７】
そこで、本発明は、これらの問題点を解消することができる圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に基づく圧電デバイスは、基板と、少なくとも一部が上記基板に重ならないメンブレン部となるように、上記基板によって直接または間接的に支持され、上記基板より上側に配置された圧電体層と、少なくとも上記メンブレン部において上記圧電体層の下側に配置された下部電極と、上記メンブレン部において上記圧電体層を挟んで上記下部電極の少なくとも一部に対向するように上記圧電体層の上側に配置された上部電極とを備え、上記上部電極とは別に上記圧電体層の上側にヒータが配置されているか、または、上記上部電極の少なくとも一部がヒータを兼ねている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、以下のとおりの効果が得られる。
（１）  ヒータが基板に接していないため、基板が熱容量の大きいシリコン基板である場合であっても、ヒータで発生した熱の多くが基板に伝わりにくく、加熱対象である圧電体層や電極を効率的に加熱することができる。すなわち、ヒータで発生した熱の損失が少ない。
（２）  圧電デバイスとして使用することにより、圧電体層や電極の表面に結露が生じることがあるが、ヒータが圧電体層の上面に配置されているので、結露が生じている部分を直接加熱することができる。
（３）  ヒータが上部電極と同じ面に配置されているので、上部電極とヒータとを同時に形成することができ、製造プロセスが複雑化しない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスの平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態２における圧電デバイスの平面図である。
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ線に関する矢視断面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態３における圧電デバイスの平面図である。
【図６】図５におけるＶＩ−ＶＩ線に関する矢視断面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態４における圧電デバイスの平面図である。
【図８】図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態５における圧電デバイスの平面図である。
【図１０】図９におけるＸ−Ｘ線に関する矢視断面図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態５における圧電デバイスが備える下部電極の説明図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態６における圧電デバイスの平面図である。
【図１３】図１２におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態６における圧電デバイスが備える下部電極の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（実施の形態１）
図１および図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における圧電デバイスについて説明する。図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。
【００１２】
本実施の形態における圧電デバイス１０１は、基板１と、少なくとも一部が基板１に重ならないメンブレン部７となるように、基板１によって直接または間接的に支持され、基板１より上側に配置された圧電体層４と、少なくともメンブレン部７において圧電体層４の下側に配置された下部電極３と、メンブレン部７において圧電体層４を挟んで下部電極３の少なくとも一部に対向するように圧電体層４の上側に配置された上部電極５とを備える。上部電極５とは別に圧電体層４の上側にヒータ６が配置されているか、または、上部電極５の少なくとも一部がヒータ６を兼ねている。本実施の形態における圧電デバイス１０１では、上部電極５とは別に圧電体層４の上側にヒータ６が配置されている。
【００１３】
図１に示すように、圧電体層４の上面には電極１１〜１４が設けられており、電極１１は上部電極５に接続されており、電極１２は下部電極３に接続されている。下部電極３は圧電体層４の上面ではなく下面の高さにあるので、電極１２から引き出された配線１５は途中で圧電体層４を厚み方向に貫通している。したがって、図１では配線１５が途中で途切れているように見えている。
【００１４】
基板１は、たとえばシリコン基板である。図１に破線で示すように中央部に貫通孔８が設けられている。このような貫通孔８は基板１の下面側から基板１をエッチングすることにより形成することができる。
【００１５】
支持層２、下部電極３、圧電体層４および上部電極５のうち貫通孔８の上に配置された部分がメンブレン部７を構成している。メンブレン部７は一定の広さを有し、振動可能となっている。メンブレン部７は基板１には重なっていない。本実施の形態では、図２に示すように、メンブレン部７の範囲は貫通孔８の範囲とほぼ一致している。
【００１６】
本実施の形態では、図１に示すように、上部電極５は、貫通孔８に重なる領域の中央部に円形の導体膜として設けられている。上部電極５のうち、メンブレン部７に位置し、かつ、下部電極３と対向している部分は、駆動／検出用の電極として機能しうる。本実施の形態では、上部電極５の全体がメンブレン部７内に位置している。
【００１７】
圧電体層４は、基板１によって直接または間接的に支持されていればよい。本実施の形態では、図２に示すように、基板１によって支持層２が支持され、この支持層２の上側に下部電極３を介して圧電体層４が載っている。圧電体層４は、このような形で支持されていてもよい。このように支持層２を介する場合であっても、圧電体層４は基板１によって間接的に支持されているといえる。支持層２は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ2などのうちのいずれかの材料からなる層であってよい。本実施の形態における圧電デバイス１０１においては、支持層２および圧電体層４はそれぞれＡｌＮからなるものとする。圧電体層４は、支持層２および下部電極３の上側に設けられている。本実施の形態では、支持層２がある例を示したが、支持層２の存在は必須ではない。
【００１８】
本実施の形態では、下部電極３は、圧電体層４の全域を覆うように設けられているものとする。ただし、下部電極３は、必ずしもそのように広く設けられている必要はなく、少なくともメンブレン部７において上部電極５と重なる領域に存在すればよい。たとえば図１においては上部電極５は中央部における円形の導体膜として示されているが、下部電極３も同じように中央部に同サイズの円形の導体膜として設けられていてもよい。下部電極３のうち、メンブレン部７に位置し、かつ、上部電極５と対向している部分は、駆動／検出用の電極として機能しうる。
【００１９】
ヒータ６は基板１に接していない。ヒータ６は圧電体層４の上面において上部電極５を取り囲むように配置されている。ただし、駆動／検出用電極として機能しうる上部電極５とヒータ６とは電気的に絶縁されている。本実施の形態では、図２に示すように、ヒータ６は上部電極５と同じ面内に形成されている。ヒータ６と上部電極５とは、同じ材質であってもよい。ヒータ６と上部電極５とは共通する工程によって同時に形成されてもよい。
【００２０】
圧電デバイスが超音波トランスデューサである場合には、上部電極および下部電極が互いに対向する部分において、上部電極および下部電極の少なくとも一方は、駆動電極および／または検出電極として機能する。圧電デバイスがアクチュエータである場合には、上部電極および下部電極が互いに対向する部分において、上部電極および下部電極の少なくとも一方は、駆動電極として機能する。圧電デバイスがセンサである場合には、上部電極および下部電極が互いに対向する部分において、上部電極および下部電極の少なくとも一方は、検出電極として機能する。
【００２１】
圧電デバイスが超音波トランスデューサであって、「送信」を行なう場合には、上部電極５と下部電極３との間に交流信号が印加されることにより、メンブレン部７が振動し、音波が発生する。
【００２２】
また、圧電デバイスが超音波トランスデューサであって、「受信」を行なう場合には、外部からの音波によりメンブレン部７が変位すると圧電体層４に電荷が発生し、発生した電荷は上部電極５と下部電極３との組合せから出力される。
【００２３】
ヒータ６に直流電流またはオフセットした交流電流を印加することで、メンブレン部７を加熱することができる。これにより、メンブレン部７の表面に結露が生じにくくすることができる。ここでいうメンブレン部７の表面とは、圧電体層４および上部電極５の上面だけでなく支持体２の下面を含む。
【００２４】
また、メンブレン部７の表面に結露が生じたとしても、ヒータ６によってメンブレン部７を加熱することにより、付着した水分を蒸発させ、除去することができる。メンブレン部７は熱容量が小さいため、短時間で加熱することができる。このとき、ヒータ６が基板１に接していないため、基板１が熱容量の大きいシリコン基板である場合であっても、ヒータ６で発生した熱の多くが基板１に伝わりにくく、加熱対象である圧電体層４や電極上部５を効率的に加熱することができる。すなわち、ヒータ６で発生した熱の損失が少ない。
【００２５】
本実施の形態における圧電デバイスによって得られる効果を整理すると、以下のとおりである。
（１）  ヒータが基板に接していないため、基板が熱容量の大きいシリコン基板である場合であっても、ヒータで発生した熱の多くが基板に伝わりにくく、加熱対象である圧電体層や電極を効率的に加熱することができる。すなわち、ヒータで発生した熱の損失が少ない。
（２）  圧電デバイスとして使用したことにより、圧電体層や電極の表面に結露が生じることがあるが、ヒータが圧電体層の上面に配置されているので、結露が生じている部分を直接加熱することができる。
（３）  ヒータが上部電極と同じ面に配置されているので、上部電極とヒータとを同時に形成することができ、製造プロセスが複雑化しない。
【００２６】
なお、本実施の形態で示したように、圧電体層４はＡｌＮを主材料とすることが好ましい。ＡｌＮは耐熱性が高い上に、熱伝導率が高いので、圧電体層４の主材料をＡｌＮとすることにより、ヒータが作動したときには圧電体層４を介して熱を効率良く伝えることができ、メンブレン部７をほぼ均一に加熱することができる。
【００２７】
本実施の形態で示したように、基板１より上側に支持層２が配置され、圧電体層４は支持層２を介する形で基板１によって支持されていることが好ましい。この構成を採用することにより、圧電体層４を安定した姿勢で支持することができる。
【００２８】
支持層２はＡｌＮを主材料とすることが好ましい。支持層２がＡｌＮを主材料とする場合、支持層２は基板１に貫通孔８を形成するための反応性イオンエッチング（Deep  Reactive-Ion  Etching）におけるエッチングストッパとして機能しうる。支持層２がエッチングストッパとして機能する場合は、貫通孔８を形成するためのエッチングによって圧電体層４の厚みが変動することを防ぐことができるので、製造ばらつきを小さくすることができる。
【００２９】
本実施の形態で示したように、基板１は貫通孔８を有し、メンブレン部７は貫通孔８に重なるように設けられていることが好ましい。この構成を採用することにより、基板１はメンブレン部７を取り囲むように支持することができるので、メンブレン部７を安定して支持することができる。
【００３０】
上部電極５および圧電体層４を覆うように保護膜が設けられていることが好ましい。保護膜があった方が上部電極５および圧電体層４の破損を防止することができ、信頼性の高い圧電デバイスとすることができるからである。この場合の保護膜の材料としては、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ2などが採用可能である。
【００３１】
保護膜はＡｌＮを主材料とすることが好ましい。保護膜がＡｌＮを主材料とする場合、保護膜と圧電体層４とが同一材料またはほぼ同じ材料となるように構成することができるので、ヒータ６による加熱の際にメンブレン部７が変形しにくくなり、好ましい。
【００３２】
ヒータ６の少なくとも一部は、平面的に見てミアンダ形状となっていることが好ましい。図１に示したヒータ６は、この条件を満たしている。ヒータ６がミアンダ形状となっていることにより、限られた面積の中で効率良くヒータ６を配置することができ、必要な量の熱を発生させることができる。
【００３３】
上部電極５および下部電極３は、Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕのうちいずれかの金属またはこれらのうち少なくとも１つを含む合金からなる。この場合、上部電極５および下部電極３は、ＡｌＮからなる圧電体層と線膨張係数が近くなり、メンブレン部７が熱による不所望な変形を引き起こしにくくなる。また、Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕのいずれかの金属またはこれらのうち少なくとも１つを含む合金であれば融点が高いため、ヒータ６で加熱されても融点に達しにくく、影響が非常に小さい。下部電極３がＭｏ，Ｗ，Ｒｕのいずれかの金属またはこれらのうち１つを含む合金からなる場合には、圧電体層４のＡｌＮの配向性を高くすることができる。上部電極５と下部電極３とは、互いに同じ材質であっても異なる材質であってもよい。
【００３４】
（実施の形態２）
図３および図４を参照して、本発明に基づく実施の形態２における圧電デバイスについて説明する。図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ線に関する矢視断面図である。
【００３５】
本実施の形態における圧電デバイス１０２は、基本的な構成においては実施の形態１で説明した圧電デバイス１０１と同様である。実施の形態１では、上部電極５の全体が駆動／検出用電極となる構成となっており、上部電極５は貫通孔８の投影領域の中央部に設けられており、ヒータ６は駆動／検出用電極としての上部電極５の周囲を取り囲むように設けられていたが、本実施の形態では、逆に、ヒータ６が貫通孔８の投影領域の中央部に配置されており、駆動／検出用電極として機能しうる上部電極５はヒータ６の周囲を取り囲むように設けられている。
【００３６】
なお、駆動／検出用電極として機能しうる上部電極５は、Ｃ字形状となっている。これに対して、下部電極３は、圧電体層４の全域に設けられていてもよく、上部電極５と同じ形状で設けられていてもよい。上部電極５はリング形状の一部を欠いた形状であるが、下部電極３は完全なリング形状となっていてもよい。下部電極３は、少なくともメンブレン部７において上部電極５と重なる領域に存在すればよい。上部電極５は、下部電極３の少なくとも一部と対向している。図３に示すように、ヒータ６は平面視したときに少なくとも一部がミアンダ形状である。駆動／検出用電極として機能しうる上部電極５とヒータ６とは電気的に絶縁されている。
【００３７】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態３）
図５および図６を参照して、本発明に基づく実施の形態３における圧電デバイスについて説明する。図６は、図５におけるＶＩ−ＶＩ線に関する矢視断面図である。
【００３８】
本実施の形態における圧電デバイス１０３は、基本的な構成においては実施の形態１で説明した圧電デバイス１０１と同様である。ただし、以下の点で異なる。圧電デバイス１０３では、上部電極５とは別に圧電体層４の上側にヒータ６が配置されているのではなく、上部電極５がヒータ６を兼ねている。
【００３９】
上部電極５兼ヒータ６は、平面視したときに貫通孔８の外縁に沿うように配置されている。上部電極５兼ヒータ６は、平面視したときにミアンダ形状である。このような上部電極５であっても、下部電極３と対向していることによって、駆動電極および／または検出電極として機能しうる。下部電極３は、圧電体層４の全域に配置されていてもよいが、圧電体層４を挟んで上部電極５と対向するように、貫通孔８の内側において貫通孔８の外周部に沿うようなリング形状に配置されていてもよい。
【００４０】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。上部電極５がヒータ６を兼ねていることによって、圧電デバイスの全体サイズの小型化を図ることも可能となる。
【００４１】
（実施の形態４）
図７および図８を参照して、本発明に基づく実施の形態４における圧電デバイスについて説明する。図８は、図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に関する矢視断面図である。
【００４２】
本実施の形態における圧電デバイス１０４は、基本的な構成においては実施の形態３で説明した圧電デバイス１０３と同様である。ただし、以下の点で異なる。圧電デバイス１０３においては、上部電極５兼ヒータ６は、平面視したときに貫通孔８の外周部に沿うように配置されていたが、本実施の形態における圧電デバイス１０４においては、上部電極５兼ヒータ６は、平面視したときに貫通孔８の中央部に位置するように配置されている。上部電極５兼ヒータ６は、部分的にミアンダ形状となっている。このような上部電極５であっても、下部電極３と対向していることによって、駆動電極および／または検出電極として機能しうる。下部電極３は、圧電体層４の全域に配置されていてもよいが、圧電体層４を挟んで上部電極５と対向するように、貫通孔８の中央部において円形の部材として配置されていてもよい。
【００４３】
本実施の形態においても、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態５）
図９〜図１１を参照して、本発明に基づく実施の形態５における圧電デバイスについて説明する。本実施の形態における圧電デバイス１０５の平面図を図９に示す。図１０は、図９におけるＸ−Ｘ線に関する矢視断面図である。圧電デバイス１０５から圧電体層４および圧電体層４より上側に形成されたものを取り去った状態を図１１に示す。図１１においては、下部電極３より手前に存在するものは、二点鎖線で表示している。図１１に示すように、円形の下部電極３が支持層２の上面に配置されている。
【００４４】
本実施の形態における圧電デバイス１０５は、基本的な構成においては実施の形態４で説明した圧電デバイス１０４と同様である。ただし、以下の点で異なる。圧電デバイス１０４においては、上部電極５兼ヒータ６は、平面視したときに貫通孔８の中央部に位置するように配置されていたが、本実施の形態における圧電デバイス１０５においては、上部電極５兼ヒータ６は、平面視したときに貫通孔８のほぼ全体を占めるように配置されている。一方、下部電極３は、上部電極５兼ヒータ６の中央部に重なるように配置されている。すなわち、下部電極３は、メンブレン部７の中央部にのみ配置されている。下部電極３は円形となっている。
【００４５】
上部電極５兼ヒータ６は、部分的にミアンダ形状となっており、ミアンダ形状となっている部分が圧電体層４を挟んで下部電極３と対向している。
【００４６】
図９においては、説明の便宜のため、貫通孔８の形状線を上部電極５兼ヒータ６の外形線よりわずかに外側にずらして表示しているが、実際には両者は一致していてもよい。また、貫通孔８の外形線は、上部電極５兼ヒータ６の外形線より外側とは限らず内側に位置してもよい。
【００４７】
本実施の形態においても、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態６）
図１２〜図１４を参照して、本発明に基づく実施の形態６における圧電デバイスについて説明する。本実施の形態における圧電デバイス１０６の平面図を図１２に示す。図１３は、図１２におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。圧電デバイス１０６から圧電体層４および圧電体層４より上側に形成されたものを取り去った状態を図１４に示す。図１４においては、下部電極３より手前に存在するものは、二点鎖線で表示している。
【００４８】
本実施の形態における圧電デバイス１０６は、基本的な構成においては実施の形態５で説明した圧電デバイス１０５と同様である。ただし、以下の点で異なる。圧電デバイス１０５においては、下部電極３は、上部電極５兼ヒータ６の中央部に重なるように配置されていたが、圧電デバイス１０６においては、下部電極３は、上部電極５兼ヒータ６の外周部に重なるように配置されている。すなわち、下部電極３は、貫通孔８の内側において貫通孔８の外縁に沿うようなリング形状で配置されている。図１４には下部電極３の形状がより明確に示されている。
【００４９】
本実施の形態においても、実施の形態５と同様の効果を得ることができる。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、圧電デバイスに利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１  基板、２  支持層、３  下部電極、４  圧電体層、５  上部電極、６  ヒータ、７  メンブレン部、８  貫通孔、１１，１２，１３，１４  電極、１５  配線。
【図１】
2015190322.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015190322.tif 000007
【図６】
2015190322.tif 000008
【図７】
2015190322.tif 000009
【図８】
2015190322.tif 000010
【図９】
2015190322.tif 000011
【図１０】
2015190322.tif 000012
【図１１】
2015190322.tif 000013
【図１２】
2015190322.tif 000014
【図１３】
2015190322.tif 000015
【図１４】
2015190322.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ヒータ６に直流電流またはオフセットした交流電流を印加することで、メンブレン部７を加熱することができる。これにより、メンブレン部７の表面に結露が生じにくくすることができる。ここでいうメンブレン部７の表面とは、圧電体層４および上部電極５の上面だけでなく支持層２の下面を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、メンブレン部７の表面に結露が生じたとしても、ヒータ６によってメンブレン部７を加熱することにより、付着した水分を蒸発させ、除去することができる。メンブレン部７は熱容量が小さいため、短時間で加熱することができる。このとき、ヒータ６が基板１に接していないため、基板１が熱容量の大きいシリコン基板である場合であっても、ヒータ６で発生した熱の多くが基板１に伝わりにくく、加熱対象である圧電体層４や上部電極５を効率的に加熱することができる。すなわち、ヒータ６で発生した熱の損失が少ない。
【国際調査報告】
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