(57)【要約】  インダクタと電子部品とを有する高周波部品において、インダクタの特性の向上を図りつつ、小型化を図る。  高周波部品１ａは、樹脂層２と、インダクタ３と樹脂層２の上面に配置された電子部品４とを有する、樹脂層２に設けられた高周波回路６とを備え、インダクタ３は、それぞれ上端面が樹脂層２の上面から露出し、下端面が樹脂層２の下面から露出して設けられた第１および第２の金属ピン３ａ，３ｂを有し、電子部品４は、平面視で第１の金属ピン３ａの上端面に重なる位置に設けられて第１の金属ピン３ａに接続された第１の外部電極４ａと、平面視で第２の金属ピン３ｂの上端面に重なる位置に設けられて第２の金属ピン３ｂに接続された第２の外部電極４ｂとを有する。
2016047316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
インダクタと前記絶縁層の一方主面に配置された電子部品とを有する高周波回路とを備え、
前記インダクタは、
一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方主面から露出して設けられた第１の金属ピンと、
一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方端面から露出して設けられた第２の金属ピンとを有し、
前記電子部品は、平面視で前記第１の金属ピンの前記一方端面に重なる位置に設けられて前記第１の金属ピンに接続された第１の外部電極と、平面視で前記第２の金属ピンの前記一方端面に重なる位置に設けられて前記第２の金属ピンに接続された第２の外部電極とを有する
ことを特徴とする高周波部品。
【請求項２】
前記インダクタは、
一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方主面から露出して設けられた第３の金属ピンと、
前記絶縁層の一方主面に形成されて前記第２の金属ピンと前記第３の金属ピンの前記一方端面同士を接続する第１の配線電極とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の高周波部品。
【請求項３】
前記インダクタは、前記絶縁層の一方主面に形成されて、前記第１の金属ピンと前記第２の金属ピンの前記一方端面同士を接続する第２の配線電極をさらに有し、
前記第１の外部電極は、前記第２の配線電極を介して前記第１の金属ピンの前記一方端面に接続され、
前記第２の外部電極は、前記第２の配線電極を介して前記第２の金属ピンの前記一方端面に接続されることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波部品。
【請求項４】
複数の前記高周波回路を備え、
前記各高周波回路が、マトリクス状に配列されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波部品。
【請求項５】
前記電子部品が平面視矩形状のチップ部品で形成された複数の前記高周波回路を備え、
前記各高周波回路は、隣接する２つの前記高周波回路の組がマトリクス状に多数配列されて成り、
前記高周波回路の組それぞれは、２つの前記電子部品が平行に配置されるとともに、２つの前記第３の金属ピンの前記一方端面が当該２つの前記電子部品間にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項２に記載の高周波部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層に高周波回路が設けられた高周波部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、インダクタなどで構成される高周波回路が絶縁層の内部に形成された高周波部品が知られている。例えば、図１５に示すように、特許文献１に記載の高周波部品１００は、多層基板１０１にインダクタ１０２が内蔵されて成る。ここで、多層基板１０１は、複数の磁性体層１０１ａの積層体で構成される。また、インダクタ１０２は、所定の磁性体層１０１ａの一方主面に形成された面内導体１０３ａ〜１０３ｄと、層間の面内導体１０３ａ〜１０３ｄを接続する柱状導体１０４ａ〜１０４ｃとを備え、多層基板１０１の内部に１本の導体として形成される。そして、このような構成により、インダクタ１０２がインダクタ素子として機能している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１８３８９０号公報（段落００５１、図５等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
多層基板１０１にインダクタ１０２を内蔵する場合、各柱状導体１０４ａ〜１０４ｃは、磁性体層１０１ａ毎に、ビア導体またはスルーホール導体を形成し、これらの導体を、重ね合せて積み上げることで形成される。このような柱状導体１０４ａ〜１０４ｃの形成方法によると、磁性体層１０１ａの積層ずれによって、隣接する導体（ビア導体またはスルーホール導体）間の接続面積が減少するため、柱状導体１０４ａ〜１０４ｃ全体としての抵抗値が高くなり、ひいてはインダクタ１０２の抵抗値が高くなる。また、積層ずれのばらつきは、インダクタ１０２の抵抗値のばらつきの原因になる。【０００５】
また、多層基板１０１の一方主面に、例えばチップコンデンサ等の電子部品が実装され、インダクタ１０２と前記電子部品とを組み合わせて高周波部品の高機能化を図る場合もある。近年の電子機器の小型化に伴って、この種の高周波部品のさらなる小型化も要求されている。【０００６】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、インダクタと電子部品とを有する高周波部品において、インダクタの特性の向上を図りつつ、小型化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明の高周波部品は、絶縁層と、インダクタと前記絶縁層の一方主面に配置された電子部品とを有する高周波回路とを備え、前記インダクタは、一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方主面から露出して設けられた第１の金属ピンと、一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方端面から露出して設けられた第２の金属ピンとを有し、前記電子部品は、平面視で前記第１の金属ピンの前記一方端面に重なる位置に設けられて前記第１の金属ピンに接続された第１の外部電極と、平面視で前記第２の金属ピンの前記一方端面に重なる位置に設けられて前記第２の金属ピンに接続された第２の外部電極とを有することを特徴としている。【０００８】
第１、第２の金属ピンは、例えば、Ｃｕなどの金属で形成された線材をせん断加工するなどして形成されるため、ビアホールに導電性ペーストを充填して形成されたビア導体と比較して比抵抗が低く、そのばらつきも小さい。そのため、コイル特性に優れ（例えば、Ｑ値が高い）、かつ、特性のばらつきが小さいインダクタを形成することができる。【０００９】
また、電子部品の第１の外部電極が平面視で第１の金属ピンの一方端面に重なる位置に設けられ、第２の外部電極が平面視で第２の金属ピンの一方端面に重なる位置に配置される。この場合、インダクタと電子部品とを接続する配線を短くできるため、高周波回路の寄生インダクタンスを低減することができるとともに、高周波部品の小型化を図ることができる。【００１０】
また、前記インダクタは、一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方主面から露出して設けられた第３の金属ピンと、前記絶縁層の一方主面に形成されて前記第２の金属ピンと前記第３の金属ピンの前記一方端面同士を接続する第１の配線電極とをさらに有していてもよい。この場合、電子部品とインダクタの多様な接続構造を提供することができる。【００１１】
また、前記インダクタは、前記絶縁層の一方主面に形成されて、前記第１の金属ピンと前記第２の金属ピンの前記一方端面同士を接続する第２の配線電極をさらに有し、前記第１の外部電極は、前記第２の配線電極を介して前記第１の金属ピンの前記一方端面に接続され、前記第２の外部電極は、前記第２の配線電極を介して前記第２の金属ピンの前記一方端面に接続されていてもよい。この場合、インダクタと電子部品とが並列接続された高周波回路を提供することができる。【００１２】
また、複数の前記高周波回路を備え、前記各高周波回路が、マトリクス状に配列されていてもよい。この場合、インダクタのコイル特性が優れ、かつ、その特性ばらつきが小さい複数の高周波回路のアレイ構造を提供することができる。【００１３】
また、前記電子部品が平面視矩形状のチップ部品で形成された複数の前記高周波回路を備え、前記各高周波回路は、隣接する２つの前記高周波回路の組がマトリクス状に多数配列されて成り、前記高周波回路の組それぞれは、２つの前記電子部品が平行に配置されるとともに、２つの前記第３の金属ピンの前記一方端面が当該２つの前記電子部品間にそれぞれ配置されていてもよい。この場合、組を成す２つの高周波回路の両電子部品間に、互いの第３の金属ピンの一方端面が配置されるため、両電子部品間のスペースを有効活用することができる。そのため、複数の前記高周波回路のアレイ構造を有する高周波部品の小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１、第２の金属ピンは、例えば、Ｃｕなどの金属で形成された線材をせん断加工するなどして形成されるため、ビアホールに導電性ペーストを充填するなどして形成されたビア導体と比較して比抵抗を低く、そのばらつきも小さい。そのため、コイル特性に優れ（例えば、Ｑ値が高い）、かつ、特性のばらつきが小さいインダクタを形成することができる。【００１５】
また、電子部品の第１の外部電極が平面視で第１の金属ピンの一方端面に重なる位置に設けられ、第２の外部電極が平面視で第２の金属ピンの一方端面に重なる位置に配置される。この構成によると、インダクタと電子部品とを接続する配線を短くできるため、高周波回路の寄生インダクタンスを低減することができるとともに、高周波部品の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波部品を示す図である。
【図２】図１の高周波部品の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる高周波部品を示す図である。
【図４】図３の高周波部品の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第３実施形態にかかる高周波部品を示す図である。
【図６】図５の高周波部品の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の第４実施形態にかかる高周波部品を示す図である。
【図８】本発明の第５実施形態にかかる高周波部品を示す図である。
【図９】図８の高周波部品の製造方法を説明するための図である。
【図１０】絶縁被覆膜の変形例を示す図である。
【図１１】本発明の第６実施形態にかかる高周波部品を示す図である。
【図１２】本発明の第７実施形態にかかる高周波部品を示す図である。
【図１３】本発明の第８実施形態にかかる高周波部品の断面図である。
【図１４】本発明の第９実施形態にかかる高周波部品の断面図である。
【図１５】従来の高周波部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる高周波部品１ａについて、図１を参照して説明する。なお、（ａ）は高周波部品１ａの断面図、（ｂ）は高周波部品１ａの平面図、（ｃ）は高周波部品１ａの電子部品４を搭載していない状態の平面図である。
【００１８】
この実施形態にかかる高周波部品１ａは、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、樹脂層２（本発明の「絶縁層」に相当）と、インダクタ３と、樹脂層２の上面（一方主面）に実装された電子部品４とを備え、例えば、携帯電話等の電子機器に搭載される。
【００１９】
樹脂層２は、例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性熱硬化樹脂とフェライト粉末などの磁性体フィラとを混合した磁性体含有樹脂で形成される。
【００２０】
インダクタ３は、第１の金属ピン３ａと第２の金属ピン３ｂとを備える。これらの金属ピン３ａ，３ｂは、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ合金などのＣｕ合金またはＦｅなどの金属材料で形成される。これらの金属ピン３ａ，３ｂは、これらの金属材料のいずれかにより形成された線材をせん断加工するなどして柱状に形成される。
【００２１】
両金属ピン３ａ，３ｂは、それぞれの上端面（本発明の「一方端面」に相当）が樹脂層２の上面から露出し、それぞれの下端面（本発明の「他方端面」に相当）が樹脂層２の下面から露出した状態で、樹脂層２の内部に配設（埋設）される。このとき、両金属ピン３ａ，３ｂは、略平行に配置される。また、両金属ピン３ａ，３ｂの上端面には、めっき膜５が形成され、電子部品４の実装用電極として使用される。一方、両金属ピン３ａ，３ｂの下端面は、外部接続用の電極として使用される。なお、めっき膜５は、例えばＮｉ／ＡｕめっきやＣｕめっきで形成することができる。
【００２２】
電子部品４としては、例えば、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗などのチップ部品やＩＣ等の半導体素子などが挙げられる。この電子部品４は、外部接続用の電極として第１、第２の外部電極４ａ，４ｂが形成される。なお、この実施形態の電子部品４は、平面視矩形状のチップコンデンサであり、第１の外部電極４ａと第２の外部電極４ｂとが対向するように配置されている。
【００２３】
また、図１（ｂ）に示すように、電子部品４は、樹脂層２の上面に配置された状態で、第１の外部電極４ａと第１の金属ピン３ａの上端面とが平面視で重なる位置に配置されるとともに、第２の外部電極４ｂと第２の金属ピン３ｂの上端面とが平面視で重なる位置に配置される。そして、第１の金属ピン３ａと第１の外部電極４ａとが接続され、第２の金属ピン３ｂと第２の外部電極４ｂとが接続されることで、インダクタ３と電子部品４とにより高周波回路６が形成される。なお、本実施形態では、第１の金属ピン３ａと、電子部品４と、第２の金属ピン３ｂとにより、直列接続された高周波回路が形成されている。
【００２４】
なお、この実施形態では、電子部品４の実装用のパッド電極は設けられていない。つまり、金属ピン３ａ，３ｂの上端面に、該上端面と略同じ形状（この実施形態では、平面視で円形）のめっき膜５が形成され、このめっき膜５を介して、金属ピン３ａ，３ｂと電子部品４の外部電極４ａ，４ｂとが接続される。
【００２５】
（高周波部品１ａの製造方法）
次に、高周波部品１ａの製造方法について、図２を参照して説明する。なお、図２（ａ）〜図２（ｅ）は、それぞれ高周波部品１ａの製造方法の各工程を示している。
【００２６】
まず、一方主面に粘着層７が設けられた連結板８を用意し、両金属ピン３ａ，３ｂを配置する（図２（ａ）参照）。このとき、両金属ピン３ａ，３ｂの端部を粘着層７に貼り付けて、両金属ピン３ａ，３ｂそれぞれを、連結板８の一方主面に立設された状態で固定する。また、両金属ピン３ａ，３ｂの間隔は、後で実装する電子部品４の外部電極４ａ，４ｂの間隔に合わせる。換言すれば、樹脂層２の上面に電子部品４を配置した際、第１の金属ピン３ａの上端面が平面視で第１の外部電極４ａに重なり、第２の金属ピン３ｂの上端面が平面視で第２の外部電極４ｂに重なるように、両金属ピン３ａ，３ｂを配置する。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、両金属ピン３ａ，３ｂを埋設するように、連結板８の一方主面に樹脂層２を積層する。この実施形態では、樹脂層２を形成する材料として、エポキシ樹脂に磁性体フィラを含有させた磁性体含有樹脂を使用し、塗布方式、印刷方式、コンプレッションモールド方式、トランスファモールド方式などより樹脂層２を形成する。
【００２８】
次に、図２（ｃ）に示すように、樹脂層２の上側を研磨または研削して、両金属ピン３ａ，３ｂの上端面を露出させる。
【００２９】
次に、樹脂層２の上面から露出した両金属ピン３ａ，３ｂそれぞれの上端面に、めっき膜５を形成し、連結板８を粘着層７ごと剥離する（図２（ｄ）参照）。この剥離により、両金属ピン３ａ，３ｂの下端面が樹脂層２の他方主面から露出する。なお、両金属ピン３ａ，３ｂの下端面を樹脂層２から確実に露出させるため、連結板８の剥離後に樹脂層２の下面を研磨または研削するようにしてもよい。
【００３０】
最後に、図２（ｅ）に示すように、第１の金属ピン３ａの上端面と電子部品４の第１の外部電極４ａとを接続するとともに、第２の金属ピン３ｂの上端面と電子部品４の第２の外部電極４ｂとを接続することで、高周波部品１ａが完成する。この実施形態では、前記接続に半田を使用している。
【００３１】
したがって、上記した実施形態によれば、インダクタ３が、金属ピン３ａ，３ｂで形成されているため、ビア導体やスルーホール導体の場合と比較して、インダクタ３の比抵抗を低く、かつ、コイル特性（例えば、Ｑ値）のばらつきを小さくすることができる。また、金属ピン３ａ，３ｂを樹脂層２に埋設してインダクタ３を形成するため、従来の各層にビア導体を形成して重ね合せて１本の柱状導体を形成する場合（樹脂層が多層構造）と比較して、積層ずれに起因するインダクタの抵抗値の増加やばらつきも生じない。
【００３２】
また、電子部品４の第１の外部電極４ａは、平面視で第１の金属ピン３ａの上端面に重なる位置に配置されて当該第１の金属ピン３ａに接続され、第２の外部電極４ｂは、平面視で第２の金属ピン３ｂの上端面に重なる位置に配置されて当該第２の金属ピン３ｂに接続される。この構成によると、インダクタ３と電子部品４とを接続する配線を短くできるため、高周波回路６の寄生インダクタンスを低減できるとともに、高周波部品１ａの小型化を図ることができる。
【００３３】
また、金属ピン３ａ，３ｂと電子部品４とを接続するのに、従来のように両金属ピン３ａ，３ｂの上端面上に大面積のパッド電極を設けないため、高周波部品１ａの小型化を図ることができる。
【００３４】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる高周波部品１ｂについて、図３を参照して説明する。なお、図３（ａ）は高周波部品１ｂの断面図、（ｂ）は高周波部品１ｂの平面図、（ｃ）は（ｃ）は高周波部品１ｂの電子部品４を搭載していない状態の平面図である。
【００３５】
この実施形態にかかる高周波部品１ｂが、図１を参照して説明した第１実施形態の高周波部品１ａと異なるところは、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、金属ピン３ａ、３ｂの一方端面上に、電子部品４の実装用のパッド電極９が形成されていることと、パッド電極９の周囲を囲むようにダム部材１０ａが設けられていることとである。その他の構成は、第１実施形態の高周波部品１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００３６】
この場合、両金属ピン３ａ，３ｂの上端面の上に、該上端面の面積よりも広いパッド電極９がそれぞれ形成される。これらのパッド電極９は、金属ピン３ａ，３ｂの上端面の金属成分を核として、めっきによりそれぞれ形成される。なお、パッド電極９は、Ｃｕめっきに限らず、例えば、Ｎｉ／Ａｕめっきであってもかまわない。また、パッド電極９は、Ｃｕ等の金属を含有する導電性ペーストを用いたスクリーン印刷でも形成することもできる。
【００３７】
ダム部材１０ａは、例えば、レジスト樹脂で形成されており、パッド電極９の形状を決定する型部材として機能している。
【００３８】
（高周波部品１ｂの製造方法）
次に、高周波部品１ｂの製造方法について、図４を参照して説明する。なお、図４は高周波部品１ｂの製造方法を説明するための図であり、（ａ）〜（ｄ）はその各工程を示している。
【００３９】
まず、図４（ａ）に示すように、樹脂層２に両金属ピン３ａ，３ｂを埋設したものを準備する。ここまでは、第１実施形態の高周波部品１ａの製造方法と略同じ要領で製造する。具体的には、連結板８への両金属ピン３ａ，３ｂの配置、連結板８の一方主面への樹脂層２の積層、樹脂層２の上側の研磨・研削による両金属ピン３ａ,３ｂの上端面の露出までの工程は、第１実施形態の高周波部品１ａの製造方法（図２（ａ）〜図２（ｃ））と同じ要領で形成することができる。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に示すように、樹脂層２の上面にダム部材１０ａを形成する。この実施形態では、レジスト樹脂を用いたスクリーン印刷などによりダム部材１０ａを形成する。このとき、ダム部材１０ａは、樹脂層２の上面における両金属ピン３ａ，３ｂの周囲および両金属ピン３ａ，３ｂの間の領域を被覆して設けられる。具体的には、ダム部材１０ａには、パッド電極９の形成領域として設定された領域の位置に開口１０ａ１，１０ａ２が設けられており、この構成により、ダム部材１０ａがパッド電極９の形状を決定する型部材として機能する。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示すように、Ｃｕめっきなどにより、両金属ピン３ａ，３ｂの上端面それぞれにパッド電極９を形成する。めっき処理については、金属ピン３ａ，３ｂの上端面の金属をめっき核として成長させる。このようにすると、ダム部材１０ａに設けられた開口１０ａ１，１０ａ２を埋めるようにめっき膜が成長し、その結果、ダム部材１０ａの開口１０ａ１，１０ａ２の形状に合ったパッド電極９が形成される。
【００４２】
最後に、図４（ｄ）に示すように、第１の金属ピン３ａのパッド電極９と電子部品４の外部電極４ａとを接続するとともに、第２の金属ピン３ｂのパッド電極９と電子部品４の第２の外部電極４ｂとを接続することで、高周波部品１ｂが完成する。この実施形態でも前記接続に半田を使用している。
【００４３】
したがって、上記した実施形態によれば、金属ピン３ａ，３ｂの上端面よりも面積が大きいパッド電極９を設けることで、電子部品４との接続強度の向上を図ることができる。また、パッド電極９がめっきで形成されるため、例えば、パッド電極９を導電性ペーストで形成した場合と比較して、金属ピン３ａ，３ｂとの接続抵抗を低減することができる。
【００４４】
また、ダム部材１０ａに開口１０ａ１，１０ａ２を設けることにより、所望の形状のパッド電極９を形成できるだけでなく、両パッド電極９間の短絡を防止できる。
【００４５】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる高周波部品１ｃについて、図５を参照して説明する。なお、（ａ）は高周波部品１ｃの断面図、（ｂ）は高周波部品１ｃの電子部品４を搭載していない状態の平面図である。
【００４６】
この実施形態にかかる高周波部品１ｃが、図１を参照して説明した高周波部品１ａと異なるところは、図５に示すように、樹脂層２の上面に第１の金属ピン３ａと第２の金属ピン３ｂの上端面同士を接続する配線電極１１（本発明の「第２の配線電極」に相当し、以下、第２の配線電極１１と言う場合もある。）が形成されていることと、樹脂層２の上面に第２の配線電極１１の周囲を囲むようにダム部材１０ｂが形成されていることと、第２の配線電極１１の上面に絶縁被覆膜１２ａが設けられていることとである。その他の構成は、第１実施形態の高周波部品１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４７】
この場合、第２の配線電極１１は、樹脂層２の上面に形成された下地電極１１ａと、該下地電極１１ａに積層された表面電極１１ｂとで形成される。下地電極１１ａは、Ｃｕなどの金属を含有する導電性ペーストによりライン状に形成されており、その両端部１１ａ１のライン幅が、残りの部分１１ａ２のライン幅よりも細く形成される。また、両端部１１ａ１のライン幅は、それぞれ接続先の金属ピン３ａ，３ｂの上端面の最大幅（この実施形態では直径）よりも細く形成される。したがって、金属ピン３ａ，３ｂの上端面それぞれは、下地電極１１ａに被覆された部分とそうでない部分が存在する。なお、この実施形態では、両金属ピン３ａ，３ｂと第２の配線電極１１とによりインダクタ３が形成され、該インダクタ３と電子部品４とにより高周波回路６が形成されている。また、第２の配線電極１１と電子部品４が並列接続されており、当該並列接続された第２の配線電極１１と電子部品４に、金属ピン３ａ、３ｂが直列に接続されている。
【００４８】
表面電極１１ｂは、下地電極１１ａの表面の金属および金属ピン３ａ，３ｂの上端面の金属をめっき核として、Ｃｕなどの金属によりめっき形成される。このとき、表面電極１１ｂは、下地電極１１ａの表面および金属ピン３ａ，３ｂの下地電極１１ａに被覆されていない部分を被覆して設けられる。ここで、表面電極１１ｂの上面の一部は、電子部品４の外部電極４ａ，４ｂとの接続面として使用される。なお、下地電極１１ａは、両端部１１ａ１と前記残りの部分１１ａ２とが同じライン幅で形成されていてもよい。また、下地電極１１ａが、金属ピン３ａ，３ｂの上端面の全体を被覆するように形成されていてもよい。
【００４９】
ダム部材１０ｂは、例えば、レジスト樹脂で形成され、樹脂層２の上面に、第２の配線電極１１の周囲を囲むように形成される。このダム部材１０ｂは、表面電極１１ｂの形状を決定する型部材として機能している。
【００５０】
絶縁被覆膜１２ａは、例えば、レジスト樹脂で形成される。この実施形態では、図５（ｂ）に示すように、表面電極１１ｂの両端それぞれの平面視矩形状の領域が、外部電極４ａ，４ｂとの接続領域１１ｂ１，１１ｂ２として設定されている。そして、絶縁被覆膜１２ａが、表面電極１１ｂの接続領域１１ｂ１，１１ｂ２を除く領域を被覆するように形成される。なお、絶縁被覆膜１２ａは、表面電極１１ｂの電子部品４（第１、第２の外部電極４ａ，４ｂ）との接続面の面積の調整と、第１、第２の外部電極４ａ，４ｂ間の短絡を防止するために形成される。
【００５１】
以上の構成により、第１の外部電極４ａは、第２の配線電極１１の接続領域１１ｂ１を介して第１の金属ピン３ａの上端面に接続され、第２の外部電極４ｂは、第２の配線電極１１の接続領域１１ｂ２を介して第２の金属ピン３ｂの上端面に接続されることになる。
【００５２】
（高周波部品１ｃの製造方法）
次に、高周波部品１ｃの製造方法について、図６（ａ）〜図６（ｅ）を参照して説明する。なお、図６は高周波部品１ｃの製造方法を説明するための図であり、（ａ）〜（ｅ）は、その各工程を示している。
【００５３】
まず、図６（ａ）に示すように、樹脂層２に両金属ピン３ａ，３ｂを埋設したものを準備する。ここまでは、第１実施形態の高周波部品１ａの製造方法と略同じ要領で製造する。具体的には、連結板８への両金属ピン３ａ，３ｂの配置、連結板８の一方主面への樹脂層２の積層、樹脂層２の上側の研磨・研削による両金属ピン３ａ,３ｂの上端面の露出までの工程は、第１実施形態の高周波部品１ａの製造方法（図２（ａ）〜図２（ｃ））と同じ要領で形成することができる。
【００５４】
次に、図６（ｂ）に示すように、両金属ピン３ａ，３ｂの上端面同士を接続するように、樹脂層２の上面に下地電極１１ａを形成し、その後、樹脂層２の上面の表面電極１１ｂの形成領域として設定された領域を囲むようにダム部材１０ｂを形成する。この場合、下地電極１１ａは、Ｃｕなどの金属を含有する導電性ペーストを用いたスクリーン印刷により形成することができる。また、ダム部材１０ｂは、例えば、レジスト樹脂を使用したスクリーン印刷方式やディスペンサ方式などで形成することができる。
【００５５】
次に、図６（ｃ）に示すように、下地電極１１ａの表面および両金属ピン３ａ,３ｂの上端面（下地電極１１ａに被覆されていない部分）の金属成分をめっき核として、Ｃｕめっき膜から成る表面電極１１ｂを形成する。このとき、表面電極１１ｂは、ダム部材１０ｂにより囲まれた領域を埋めるように形成される。
【００５６】
次に、図６（ｄ）に示すように、表面電極１１ｂの上面に絶縁被覆膜１２ａを形成する。このとき、絶縁被覆膜１２ａは、表面電極１１ｂの上面の前記接続領域１１ｂ１，１１ｂ２を除く領域を被覆するように形成する。なお、絶縁被覆膜１２ａは、例えば、レジスト樹脂を用いたスクリーン印刷などにより形成することができる。
【００５７】
最後に、図６（ｅ）に示すように、表面電極１１ｂ上に電子部品４を実装することで、高周波部品１ｃが完成する。この場合、表面電極１１ｂの接続領域１１ｂ１（図５（ｂ）参照）と電子部品４の第１の外部電極４ａとを半田により接続し、表面電極１１ｂの接続領域１１ｂ２（図５（ｂ）参照）と電子部品の第２の外部電極４ｂとを半田により接続する。
【００５８】
この実施形態によれば、第１実施形態の高周波部品１ａで得られた効果に加え、インダクタ３と電子部品４とが並列接続された高周波回路６を提供することができる。
【００５９】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態にかかる高周波部品１ｄについて、図７を参照して説明する。なお、（ａ）は高周波部品１ｄの断面図、（ｂ）は高周波部品１ｄの平面図、（ｃ）は高周波部品１ｄの電子部品４を搭載していない状態の平面図である。
【００６０】
この実施形態にかかる高周波部品１ｄが、図１を参照して説明した第１実施形態の高周波部品１ａと異なるところは、図７に示すように、第１の金属ピン３ａの上端面上に、該上端面の面積よりも大ききパッド電極１３が形成されていることと、インダクタ３が第３の金属ピン３ｃと、第２の金属ピン３ｂと第３の金属ピン３ｃの上端面同士を接続する配線電極１４（本発明の「第１の配線電極」に相当し、以下、第１の配線電極１４と言う場合もある。）とをさらに有することと、第１の金属ピン３ａおよび第２の金属ピン３ｂの電子部品４との接続面積を調整するための絶縁被覆膜１２ｂ，１２ｃが、両金属ピン３ａ，３ｂそれぞれに対して個別に設けられていることとである。その他の構成は、第１実施形態の高周波部品１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６１】
この場合、パッド電極１３と第１の配線電極１４それぞれは、Ｃｕなどの金属を含有する導電性ペーストを用いたスクリーン印刷などにより樹脂層２の上面に形成される。第３の金属ピン３ｃは、他の金属ピン３ａ，３ｂと同様、上端面が樹脂層２の上面から露出し、下端面が樹脂層２の下面から露出した上で、樹脂層２の内部に配設（埋設）される。また、金属ピン３ｃの下端面は、外部接続用の電極として使用される。なお、第３の金属ピン３ｃは、他の金属ピン３ａ、３ｂと同じ材料で形成することができる。
【００６２】
また、第３の金属ピン３ｃは、平面視横長矩形状の電子部品４の一方の長辺側（図７（ｂ）における上側の長辺）に、電子部品４と所定の間隔を空けて配置される。このとき、第３の金属ピン３ｃは、電子部品４の長手方向の略真ん中に配置される。そして、第１の配線電極１４は、樹脂層２の上面において、Ｌ字状に屈折したパターン形状を成し、一端が第２の金属ピン３ｂの上端面に接続され、他端が第３の金属ピン３ｃの上端面に接続される。
【００６３】
絶縁被覆膜１２ｂ，１２ｃは、例えば、レジスト樹脂でそれぞれ形成される。このとき、絶縁被覆膜１２ｂは、パッド電極１３の第１の金属ピン３ａの上端面に平面視で重なる部分が露出するように、パッド電極１３の周縁を被覆して設けられる。一方、絶縁被覆膜１２ｃは、第１の配線電極１４のうち、第１の金属ピン３ａの上端面に平面視で重なる部分が露出するように、当該第１の配線電極１４の一端部の周縁を被覆して設けられる。この構成によると、インダクタ３と電子部品４の接続に際し、第１の外部電極４ａとの接続面積と、第２の外部電極４ｂとの接続面積とを同じ大きさに調整することができる。
【００６４】
したがって、この実施形態によれば、第１実施形態の高周波部品１ａが得られる効果に加えて、電子部品４とインダクタ３の多様な接続構造を提供することができる。なお、本実施形態では、「第３の金属ピン３ｃ、第１の配線電極１４、第２の金属ピン３ｂが構成するインダクタ」と、「第１の金属ピン３ａ、電子部品４、第２の金属ピン３ｂが構成する回路」が、第２の金属ピン３ｂを共通電極として接続された回路となっている。
【００６５】
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態にかかる高周波部品１ｅについて、図８を参照して説明する。なお、（ａ）は高周波部品１ｅの断面図、（ｂ）は高周波部品１ｅの電子部品４を搭載していない状態の平面図である。
【００６６】
この実施形態にかかる高周波部品１ｅが、図７を参照して説明した第４実施形態の高周波部品１ｄと異なるところは、図８に示すように、パッド電極１３の周囲を囲むようにダム部材１０ｃが設けられていることと、第１の配線電極１４の周囲を囲むようにダム部材１０ｄが設けられていることと、インダクタ３の電子部品４（第１、第２の外部電極４ａ，４ｂ）との接続面の面積が、１つの絶縁被覆膜１２ｄで調整されていることと、パッド電極１３がめっきで形成されていることと、第１の配線電極１４が、下地電極１４ａと表面電極１４ｂとで形成されていることとである。その他の構成は、第４実施形態の高周波部品１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６７】
この場合、パッド電極１３は、例えば、Ｃｕめっきによりダム部材１０ｃに囲まれた領域を埋めるように形成される。このとき、第１の金属ピン３ａの上端面の金属をめっき核として使用する。第１の配線電極１４は、第３実施形態の第２の配線電極１１と略同じ構成であり、樹脂層２の上面にＣｕ等の金属を含有する導電性ペーストで形成された下地電極１４ａと、下地電極１４ａ上にＣｕめっきなどにより積層された表面電極１４ｂとで形成されている。第１の配線電極１４は、ダム部材１０ｄに囲まれた領域を埋めるように形成される。
【００６８】
絶縁被覆膜１２ｄは、樹脂層２の上面に短冊状に形成される。このとき、絶縁被覆膜１２ｄには、パッド電極１３の上面が露出するように開口１２ｄ１が設けられるとともに、第１の配線電極１４の上面（表面電極１４ｂの上面）の第２の外部電極４ｂとの接続領域として設定された部分１４ｂ１が露出するように開口１２ｄ２が設けられる。この開口１２ｄ２の大きさは、パッド電極１３の上面と同じ大きさに設定されている。
【００６９】
（高周波部品１ｅの製造方法）
次に、高周波部品１ｅの製造方法について、図９を参照して説明する。なお、図９は高周波部品１ｅの製造方法を説明するための図であり、（ａ）〜（ｆ）は、その各工程を示している。なお、樹脂層２の内部に第１〜第３の金属ピン３ａ〜３ｃが配設されたものを準備するまでの工程は、第１実施形態の高周波部品１ａと同じであるため、この工程以降について説明する。
【００７０】
樹脂層２に第１〜第３の金属ピン３ａ〜３ｃを配設した後（図９（ａ）参照）は、第２の金属ピン３ｂと第３の金属ピン３ｃの上端面同士を接続する下地電極１４ａを樹脂層２の上面に形成する（図９（ｂ）参照）。この場合、下地電極１４ａを略Ｌ字状に形成して、一端を第２の金属ピン３ｂの上端面に接続し、他端を第３の金属ピン３ｃの上端面に接続する。また、両端部のライン幅は接続先の金属ピン３ｂ，３ｃの上端面の最大幅（この実施形態では、直径）よりも細く形成し、両金属ピン３ｂ，３ｃの上端面に、下地電極１４ａに被覆されない部分を設ける。なお、下地電極１４ａは、例えば、Ｃｕなどの金属を含有する導電性ペーストを用いたスクリーン印刷により形成することができる。
【００７１】
次に、図９（ｃ）に示すように、パッド電極１３の形成領域を囲むように樹脂層２の上面にダム部材１０ｃを形成するとともに、表面電極１４ｂの形成領域を囲むように樹脂層２の上面にダム部材１０ｄを形成する。両ダム部材１０ｃ，１０ｄは、例えば、レジスト樹脂を用いて、印刷方式やディスペンス方式などにより形成することができる。
【００７２】
次に、図９（ｄ）に示すように、Ｃｕめっきにより、パッド電極１３および表面電極１４ｂを形成する。なお、このめっき処理により、ダム部材１０ｃに囲まれた領域を埋めるようにパッド電極１３が形成され、ダム部材１０ｄに囲まれた領域を埋めるように表面電極１４ｂが形成される。
【００７３】
次に、図９（ｅ）に示すように、レジスト樹脂を用いたスクリーン印刷などにより絶縁被覆膜１２ｄを樹脂層２の上面に形成する。このとき、絶縁被覆膜１２ｄには、パッド電極１３の上面および前記接続領域として設定された領域を露出させるための開口１２ｄ１，１２ｄ２を設ける。
【００７４】
最後に、図９（ｆ）に示すように、樹脂層２の上面に電子部品４を実装することで、高周波部品１ｅが完成する。この場合、パッド電極１３と電子部品４の第１の外部電極４ａとを半田により接続し、第１の配線電極１４の外部電極４ｂとの接続領域として設定された部分１４ｂ１と、当該外部電極４ｂとを半田により接続する。
【００７５】
この実施形態によれば、第４実施形態の高周波部品１ｄで得られる効果に加えて、以下の効果が得られる、すなわち、パッド電極１３および第１の配線電極１４の表面電極１４ｂが、導電性ペーストよりも比抵抗の低いめっき膜で形成されるため、第１の金属ピン３ａとパッド電極１３との接続抵抗および第１の配線電極１４の第２、第３の金属ピン３ｂ，３ｃとの接続抵抗を低減することができる。
【００７６】
（絶縁被覆膜１２ｄの変形例）
上記した第５実施形態の高周波部品１ｅでは、絶縁被覆膜１２ｄに開口１２ｄ１，１２ｄ２を設けて、外部電極４ａ，４ｂとの接続面積を調整するように構成したが、例えば、図１０に示すように、ダム部材１０ｄを利用して外部電極４ａ，４ｂとの接続面積を調整するように構成してもよい。具体的には、ダム部材１０ｄの第１の配線電極１４の一端（第２の金属ピン３ｂとの接続側の端部）の周囲を囲む部分と、絶縁被覆膜１２ｅとを組み合わせて、第１の配線電極１４に第２外部電極４ｂとの接続面を形成する。この場合、第１の配線電極１４の一端部に平面視矩形状の領域（第２外部電極４ｂとの接続領域）を形成するように、絶縁被覆膜１２ｅは配置する。この構成によると、絶縁被覆膜１２ｅの形成領域を減らすことができるため、高周波部品１ｅの製造コストを低減することができる。
【００７７】
＜第６実施形態＞
本発明の第６実施形態にかかる高周波部品１ｆについて、図１１を参照して説明する。なお、図１１は高周波部品１ｆの平面図である。
【００７８】
この実施形態にかかる高周波部品１ｆが、図８を参照して説明した第５実施形態の高周波部品１ｅと異なるところは、図１１に示すように、高周波部品１ｆが、複数の高周波回路６を備えていることである。その他の構成は、第５実施形態の高周波部品１ｅと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００７９】
この場合、高周波部品１ｆは、第５実施形態の高周波部品１ｅが備える高周波回路６を複数備え、これらの高周波回路６が、マトリクス状（この実施形態では、４行３列）に配列されている。
【００８０】
この構成によると、インダクタ３のコイル特性が優れ、かつ、その特性ばらつきが小さい複数の高周波回路６のアレイ構造を提供することができる。
【００８１】
＜第７実施形態＞
本発明の第７実施形態にかかる高周波部品１ｇについて、図１２を参照して説明する。なお、図１２は高周波部品１ｇの平面図である。
【００８２】
この実施形態にかかる高周波部品１ｇが、図１１を参照して説明した第６実施形態の高周波部品１ｆと異なるところは、図１２に示すように、各高周波回路６の配列構造が異なることと、各高周波回路６それぞれにダム部材１０ｃ、１０ｄ、パッド電極１３、および絶縁被覆膜１２ｄが設けられていないことと、第１の金属ピン３ａの上端面と電子部品４の第１の外部電極４ａとが直接接続されるとともに、第２の金属ピン３ｂの上端面と電子部品４の第２の外部電極４ｂとが直接接続されていることと、第１の配線電極１４が、Ｃｕなどの金属を含有する導電性ペーストの１層構造で形成されていることとである。その他の構成は、第６実施形態の高周波部品１ｆと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００８３】
この場合、各高周波回路６は、隣接する２つの高周波回路６の組がマトリクス状に多数配列されて成る。具体的には、この実施形態では、上下に隣接する２つの高周波回路６が組として設定されており、これらの組が２行３列に配列される。また、高周波回路６の組それぞれは、平面視矩形状の２つの電子部品４が平行に配置されるとともに、２つの第３の金属ピン３ｃの上端面が当該２つの電子部品４間にそれぞれ配置されている。そのため、第２の金属ピン３ｂから略Ｌ字状に屈曲して形成された第１の配線電極１４は、両電子部品４の間のスペースにそれぞれ配置される。
【００８４】
この構成によると、組を成す２つの高周波回路６の両電子部品４間に、互いの第３の金属ピン３ｃの一方端面が配置されるため、両電子部品４間のスペースを有効活用することができる。そのため、複数の前記高周波回路６のアレイ構造を有する高周波部品１ｇの小型化を図ることができる。なお、第１、第２の金属ピン３ａ，３ｂの上端面にＮｉ／Ａｕめっき膜を形成してもよい。この場合、電子部品４との半田接続を容易に行うことができる。また、第５、第６実施形態の高周波部品１ｅ，１ｆと同様に、第１の配線電極１４を、下地電極１４ａと表面電極１４ｂとで形成してもよい。また、ダム部材１０ｃ，１０ｄおよび絶縁被覆膜１２ｄを設けてもよい。
【００８５】
＜第８実施形態＞
本発明の第８実施形態にかかる高周波部品１ｈについて、図１３を参照して説明する。なお、図１３は高周波部品１ｈの断面図である。
【００８６】
この実施形態にかかる高周波部品１ｈが、図５を参照して説明した第３実施形態の高周波部品１ｃと異なるところは、図１３に示すように、第３実施形態のインダクタ３を２つ有することと、電子部品４としてのＩＣがフリップチップ実装されていることと、このＩＣの第１の外部電極４ｃが一方のインダクタ３に接続されるとともに、ＩＣの第２の外部電極４ｄが他方のインダクタ３に接続されていることとである。その他の構成は、第３実施形態の高周波部品１ｃと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００８７】
この場合、一方のインダクタ３（図１３における左側）では、第２の配線電極１１の表面電極１１ｂの上面のうち、第２の金属ピン３ｂの上端面に略重なる領域が電子部品４の第１の外部電極４ｃとの接続領域として設定されており、表面電極１１ｂの当該領域以外が、絶縁被覆膜１２ａにより被覆される。これに対して、他方のインダクタ３（図１３における右側）では、第２の配線電極１１の表面電極１１ｂの上面のうち、第１の金属ピン３ａの上端面に略重なる領域が電子部品４の第２の外部電極４ｄとの接続領域として設定されており、表面電極１１ｂの当該領域以外が、絶縁被覆膜１２ａにより被覆される。
【００８８】
この構成によると、高周波回路６が、インダクタ３とＩＣ（電子部品４）とで構成される場合に、コイル特性に優れ（例えば、Ｑ値が高い）、かつ、特性のばらつきが小さいインダクタ３を形成することができる。また、電子部品４の外部電極４ｃ，４ｄを平面視で金属ピン３ａ，３ｂの上端面に重なる位置に配置されるため、インダクタ３と電子部品４とを接続する配線を短くできる。そのため、高周波回路６の寄生インダクタンスを低減することができるとともに、高周波部品１ｈの小型化を図ることができる。
【００８９】
＜第９実施形態＞
本発明の第９実施形態にかかる高周波部品１ｉについて、図１４を参照して説明する。なお、図１４は高周波部品１ｉの断面図である。
【００９０】
この実施形態にかかる高周波部品１ｉが、図１３を参照して説明した第８実施形態の高周波部品１ｈと異なるところは、図１４に示すように、２つのインダクタ３のうち、他方のインダクタ３が第４の金属ピン３ｄで構成されていることと、電子部品４の第２の外部電極４ｄが、第４の金属ピン３ｄの上端面に接続されていることとである。その他の構成は、第８実施形態の高周波部品１ｈと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００９１】
この場合、第４の金属ピン３ｄは、上端面が樹脂層２の上面から露出し、下端面が樹脂層２の下面から露出した状態で樹脂層２の内部に配設（埋設）される。ここで、上端面にはパッド電極１５が設けられ、該パッド電極１５が、電子部品４との接続電極として機能する。また、下端面は外部接続用の電極として使用される。なお、パッド電極１５は、導電性ペーストで形成された下地電極１５ａと、めっきで形成された表面電極１５ｂとで形成されている。
【００９２】
この構成によると、電子部品４とインダクタ３とが上記した構成で接続された高周波部品１ｉにおいても、第８実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９３】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態の構成を組み合せて高周波部品を形成してもかまわない。
【００９４】
また、上記した第２実施形態の高周波部品１ｂでは、下地電極１１ａが金属ピン３ａ、３ｂの上端面の一部を被覆するように構成したが、下地電極１１aが前記上端面の全体を被覆して、その上に表面電極１０を積層する構成であってもかまわない。
【００９５】
また、樹脂層２を形成する樹脂には、必ずしも磁性体フィラを含有していなくてもよい。
また、樹脂層２の一方主面上に、電子部品４や第１、第２の配線電極１４，１１等を被覆するように、さらに樹脂層を形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
また、本発明は、樹脂層に高周波回路が設けられた種々の高周波部品に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００９７】
１ａ〜１ｉ    高周波部品
２            樹脂層（絶縁層）
３            インダクタ
３ａ          第１の金属ピン
３ｂ          第２の金属ピン
３ｃ          第３の金属ピン
４            電子部品
４ａ，４ｃ    第１の外部電極
４ｂ，４ｄ    第２の外部電極
６            高周波回路
１１          第２の配線電極
１４          第１の配線電極
【図１】
2016047316.tif 000003
【図２】
2016047316.tif 000004
【図３】
2016047316.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016047316.tif 000009
【図８】
2016047316.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2016047316.tif 000012
【図１１】
2016047316.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2016047316.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年3月17日(2017.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる高周波部品１ｂについて、図３を参照して説明する。なお、図３（ａ）は高周波部品１ｂの断面図、（ｂ）は高周波部品１ｂの平面図、（ｃ）は高周波部品１ｂの電子部品４を搭載していない状態の平面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（絶縁被覆膜１２ｄの変形例）
上記した第５実施形態の高周波部品１ｅでは、絶縁被覆膜１２ｄに開口１２ｄ１，１２ｄ２を設けて、外部電極４ａ，４ｂとの接続面積を調整するように構成したが、例えば、図１０に示すように、ダム部材１０ｄを利用して外部電極４ａ，４ｂとの接続面積を調整するように構成してもよい。具体的には、ダム部材１０ｄの第１の配線電極１４の一端（第２の金属ピン３ｂとの接続側の端部）の周囲を囲む部分と、絶縁被覆膜１２ｅとを組み合わせて、第１の配線電極１４に第２の外部電極４ｂとの接続面を形成する。この場合、第１の配線電極１４の一端部に平面視矩形状の領域（第２の外部電極４ｂとの接続領域）を形成するように、絶縁被覆膜１２ｅは配置する。この構成によると、絶縁被覆膜１２ｅの形成領域を減らすことができるため、高周波部品１ｅの製造コストを低減することができる。
【国際調査報告】
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