(57)【要約】  放熱性が高められた半導体レーザー装置を提供する。半導体レーザー装置１０は、ステム１１と、ステム１１の上面に取り付けられたキャップ１２と、半導体レーザー素子１３と、少なくとも一部がステム１１に埋設された給電部材１４を有する。給電部材１４は、半導体レーザー素子１３に電気的に接続された素子側端子３２と、外部端子３３と、を有する。ステム１１の側面または上面に給電部材１４の外部端子３３が露出され、ステム１１の下面に搭載対象に取り付けられる取付面１１ｂが設けられている。
2016060069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載対象に搭載される半導体レーザー装置であって、
ステムと、
透光部材を有し、前記ステムの上面に取り付けられて前記ステムとの間に収容空間を形成するキャップと、
前記収容空間内に配置され、レーザー光を出射する半導体レーザー素子と、
少なくとも一部が前記ステムに埋設され、前記半導体レーザー素子と導通する給電部材を有し、
前記給電部材は、前記収容空間に露出して前記半導体レーザー素子に電気的に接続された素子側端子と、外部電源と接続される外部端子と、を有し、
前記ステムの側面または上面に前記給電部材の前記外部端子が露出され、前記ステムの下面に搭載対象に取り付けられる取付面が設けられている、半導体レーザー装置。
【請求項２】
前記ステムの前記側面に凹部が設けられ、前記外部端子が前記凹部に露出している、請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項３】
複数の前記給電部材が設けられ、少なくとも１つの前記外部端子が上方から見て他の前記外部端子とは異なる位置で前記ステムの前記側面に露出している、請求項１または２に記載半導体レーザー装置。
【請求項４】
前記半導体レーザー素子は、前記ステムの前記上面に固定されたヒートシンクに設けられており、
前記ヒートシンクに接続された一端と、前記ステムの前記側面に露出された他端とを有する補助導体が前記ステムに埋設されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項５】
前記ステムの前記側面および前記下面の少なくとも一方に、前記ステムを搭載対象に位置決めする位置決め部が設けられている、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項６】
前記外部端子は前記位置決め部に位置している、請求項５に記載の半導体レーザー装置。
【請求項７】
前記給電部材は、前記ステムの前記取付面に沿って延びる放熱部を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項８】
前記給電部材の前記ステムに埋設された部位と前記外部端子とが同一の直線状に延びている、請求項７に記載の半導体レーザー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１などに、半導体レーザー素子をステムに固定し、キャップで覆った半導体レーザー装置が知られている。このような半導体レーザー装置は、画像表示装置、照明器具、車両用灯具などの搭載対象に搭載されて用いられている。特許文献１に記載の半導体レーザー装置は、キャップの上面に設けられた透光部材を介して、レーザー光を上方へ出射させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本国特許第５３４７２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体レーザー装置において、レーザー発振時に半導体レーザー素子に発生する熱を外部に放熱することが求められている。しかし、特許文献１に記載の半導体レーザー装置には、放熱性に改善の余地があった。【０００５】
そこで本発明は、放熱性が高められた半導体レーザー装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる半導体レーザー装置は、
搭載対象に搭載される半導体レーザー装置であって、
ステムと、
透光部材を有し、前記ステムの上面に取り付けられて前記ステムとの間に収容空間を形成するキャップと、
前記収容空間内に配置され、レーザー光を出射する半導体レーザー素子と、
少なくとも一部が前記ステムに埋設され、前記半導体レーザー素子と導通する給電部材を有し、
前記給電部材は、前記収容空間に露出して前記半導体レーザー素子に電気的に接続された素子側端子と、外部電源と接続される外部端子と、を有し、
前記ステムの側面または上面に前記給電部材の前記外部端子が露出され、前記ステムの下面に搭載対象に取り付けられる取付面が設けられている。【０００７】
上記構成の半導体レーザー装置によれば、外部端子がステムの側面または上面に露出されているので、ステムの下面に大きく取付面を確保することができる。半導体レーザー素子からステムに伝えられた熱を、取付面を介して効率よく搭載対象に伝えやすいので、放熱性が高められた半導体レーザー装置を提供することができる。【０００８】
本発明の半導体レーザー装置において、前記ステムの前記側面に凹部が設けられ、前記外部端子が前記凹部に露出していてもよい。上記構成の半導体レーザー装置によれば、外部端子が外表面から引き込んだ位置に設けられているため、外部端子の破損を抑制できる。【０００９】
本発明の半導体レーザー装置において、複数の前記給電部材が設けられ、少なくとも１つの前記外部端子が上方から見て他の前記外部端子とは異なる位置で前記ステムの前記側面に露出していてもよい。
上記構成の半導体レーザー装置によれば、上方から見て給電部材をそれぞれ離間するように配置しやすく、熱が特定の領域に集中しにくいので、放熱性を高めやすい。【００１０】
本発明の半導体レーザー装置において、前記半導体レーザー素子は、前記ステムの前記上面に固定されたヒートシンクに設けられており、前記ヒートシンクに接続された一端と、前記ステムの前記側面に露出された他端とを有する補助導体が前記ステムに埋設されていてもよい。
上記構成の半導体レーザー装置によれば、半導体レーザー素子で生じてヒートシンクに伝えられた熱を、補助導体を介してステムに伝え、ステムの取付面から効率よく搭載対象に伝えることができる。【００１１】
本発明の半導体レーザー装置において、前記ステムの前記側面および前記下面の少なくとも一方に、前記ステムを搭載対象に位置決めする位置決め部が設けられていてもよい。
上記構成の半導体レーザー装置によれば、半導体レーザー装置を搭載対象に取り付けるときに、位置合わせをしやすい。【００１２】
本発明の半導体レーザー装置において、前記外部端子は前記位置決め部に位置していてもよい。上記構成の半導体レーザー装置によれば、位置合わせをしやすい部位を使って、外部端子の外部電源への接続作業を正確に行うことができる。【００１３】
本発明の半導体レーザー装置において、前記給電部材は、前記ステムの前記取付面に沿って延びる放熱部を有していてもよい。
上記構成の半導体レーザー装置によれば、半導体レーザー素子から生じて給電部材に伝えられた熱を、放熱部を介して取付面へ効率よく伝えることができる。【００１４】
本発明の半導体レーザー装置において、前記給電部材の前記ステムに埋設された部位と前記外部端子とが同一の直線状に延びていてもよい。上記構成の半導体レーザー装置によれば、給電部材を加工しやすい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、放熱性が高められた半導体レーザー装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体レーザー装置の斜視図である。
【図２】図１におけるII−II線断面図である。
【図３】ステムの構造を示す図であって、（ａ）は図２におけるIII−III線断面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。
【図４】本発明の第二実施形態に係る半導体レーザー装置を示す断面図である。
【図５】本発明の第三実施形態に係る半導体レーザー装置を示す断面図である。
【図６】本発明の第三実施形態に係る半導体レーザー装置を示す断面図である。
【図７】本発明の第四実施形態に係る半導体レーザー装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第五実施形態に係る半導体レーザー装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る半導体レーザー装置の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。
【００１８】
（第一実施形態）
まず、第一実施形態に係る半導体レーザー装置を説明する。
図１は、本発明の第一実施形態に係る半導体レーザー装置１０の斜視図である。図２は、図１におけるII−II線断面図である。
図１及び図２に示すように、第一実施形態に係る半導体レーザー装置１０は、ステム１１と、キャップ１２と、半導体レーザー素子１３と、給電部材１４とを有している。半導体レーザー装置１０は、例えば、画像表示装置や照明器具、車両用灯具などの搭載対象Ｔに搭載されて用いられる。
【００１９】
キャップ１２は、ステム１１の上面に取り付けられる。キャップ１２は、円板状の上面部１５と、この上面部１５の周縁から下方へ延在する円筒状の周壁部１６とを有している。キャップ１２は、ステム１１の上面に取り付けられてステム１１との間に収容空間Ｓ（図２参照）を形成する。キャップ１２は、上面部１５の中心部分に、透光部材１７を有している。透光部材１７は、透光性を有する材料から形成されている。本実施形態において、透光部材１７には蛍光体が含まれている。なお、この透光部材１７は、キャップ１２の上面部１５以外に、側面部などに設けられていてもよい。
【００２０】
なお、以降の説明において、図２に示すように、半導体レーザー装置１０において、ステム１１に対して半導体レーザー素子１３が設けられる方向を上方、半導体レーザー素子１３に対してステム１１が設けられる方向を下方、この上下方向に対して直交する方向を側方と呼ぶ。
【００２１】
ステム１１は、平面視円形状の搭載部２１と、搭載部２１の周囲の一部から側方へ突出する平面視矩形状の位置決め部２２とを有している。位置決め部２２は、搭載対象Ｔに半導体レーザー装置１０を取り付ける際の半導体レーザー装置１０の搭載対象Ｔに対する位置決めに利用される。例えば、位置決め部２２は、搭載対象Ｔに形成された凹部等に嵌合する形状に形成される。
【００２２】
ステム１１の上面のうち、円形状の搭載部２１の上面が搭載面１１ａである。ステム１１の下面のうち、搭載部２１の下面および位置決め部２２の下面が取付面１１ｂである。これらの搭載面１１ａ及び取付面１１ｂは、それぞれ平坦面とされている。
【００２３】
図１および図２に示したように、ステム１１の搭載面１１ａには、キャップ１２、半導体レーザー素子１３、サブマウント２５、ヒートシンク２６が搭載されている。
【００２４】
半導体レーザー素子１３は、給電されることでレーザー光を出射する半導体素子である。半導体レーザー素子１３は、透光部材１７へ向かってレーザー光を照射するように、収容空間Ｓに設けられている。
本実施形態において、半導体レーザー素子１３は青色光を出射する。この青色光によって、透光部材１７に含まれる蛍光体は黄色光を発する。これにより、半導体レーザー装置１０は、青色光と黄色光とを混色して、白色光を外部に出射する。
【００２５】
半導体レーザー素子１３は、サブマウント２５に固定されている。サブマウント２５は、ステム１１の搭載面１１ａに固定されたヒートシンク２６に取り付けられている。このように、半導体レーザー素子１３は、サブマウント２５およびヒートシンク２６を介してステム１１の搭載面１１ａに搭載されている。
【００２６】
半導体レーザー装置１０は、複数本（本例では二本）の給電部材１４を備えている。給電部材１４は、導電性金属製の部材である。給電部材１４の両端はそれぞれ、素子側端部３２および外部端子３３とされている。給電部材１４の中間部分はステム１１に埋設されている。ステム１１に埋設された給電部材１４の一部は、その外周が絶縁樹脂からなる絶縁体３１によって覆われている。給電部材１４は、その中間部分において、略直角に屈曲されている。給電部材１４のうち、素子側端子３２及び外部端子３３は、絶縁体３１から露出されている。
【００２７】
給電部材１４の素子側端子３２は、ステム１１の搭載面１１ａから突出し収容空間Ｓに露出されている。この素子側端子３２は、半導体レーザー素子１３が支持されたヒートシンク２６の近傍に配置されている。素子側端子３２は、ボンディングワイヤ３５によって半導体レーザー素子１３に電気的に接続されている。
【００２８】
給電部材１４の外部端子３３は、ステム１１の側面に露出されている。具体的には、ステム１１の位置決め部２２の側面に、側方に向かって開口した凹部２３が設けられている。外部端子３３は、この凹部２３に露出されている。凹部２３で露出された給電部材１４の外部端子３３は、図示せぬ外部電源と接続される。これにより、外部電源から給電部材１４を介して半導体レーザー素子１３へ給電可能とされている。
この外部端子３３は、給電部材１４のステム１１に埋設された部位と同一の直線状に延びている。給電部材１４を作製する際には、折り曲げ箇所が一か所であるため、加工が容易である。
【００２９】
図３は、ステム１１の構造を示す図であって、（ａ）は図２におけるIII−III線断面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ線断面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、複数本の給電部材１４は、上方から見て互いに重ならないように間隔をあけて配置されている。そして、これらの給電部材１４の外部端子３３は、ステム１１の側面に設けられた単一の凹部２３で露出されている。
外部端子３３が外表面から引き込んだ位置に設けられているので、外部端子３３の破損を抑制できる。また、単一の凹部２３に複数の外部端子３３が集中的に設けられているため、半導体レーザー装置１０を小型化しやすく、また、外部端子３３と外部電源とを容易に接続しやすくされている。
さらに、外部端子３３が位置決め部２２に位置されているので、位置合わせをしやすい位置決め部２２を使って、外部端子３３の外部電源への接続作業を正確に行いやすい。
【００３０】
また、半導体レーザー装置１０は、補助導体４１を有している。補助導体４１は、樹脂より熱伝導性に優れた金属製の部材である。補助導体４１は、半導体レーザー素子１３と外部のグランド端子とを電気的に接続する。補助導体４１の一端はヒートシンク２６に接続され、他端４１ｂはステム１１の側面に露出されている。補助導体４１の他端４１ｂは、位置決め部２２に形成された凹部２３に露出されている。補助導体４１は、二本の給電部材１４の間に給電部材１４と並列に配置されている。
【００３１】
補助導体４１の中間部分は略直角に屈曲されている。補助導体４１の中間部分はステム１１に埋設されている。補助導体４１におけるステム１１に埋設された部分では、その外周が絶縁樹脂からなる絶縁体４２よって覆われている。
【００３２】
上記構成の半導体レーザー装置１０において、外部電源から電力が供給されると、その電力は給電部材１４を通して半導体レーザー素子１３へ供給される。すると、この半導体レーザー素子１３から上方へ青色のレーザー光が照射され、透光部材１７に入射する。すると、透光部材１７に含まれる蛍光体から黄色光が生じて、青色光と黄色光とが混色され、白色の光が外部へ出射される。
【００３３】
このように、半導体レーザー素子１３からレーザー光を出射させると、半導体レーザー素子１３が発熱する。半導体レーザー装置１０では、半導体レーザー素子１３の良好な発光性能を維持させるために、半導体レーザー素子１３で発生した熱を速やかに放出させることが求められる。本実施形態に係る半導体レーザー装置１０によれば、半導体レーザー素子１３の熱は、サブマウント２５、ヒートシンク２６、ステム１１を介して搭載対象Ｔに伝達され、半導体レーザー素子１３が冷却される。
【００３４】
ここで、特許文献１に記載の半導体レーザー装置を、例えば表示装置、照明器具や車両用灯具などの搭載対象に搭載する場合、ステムの下面を搭載対象に固定することとなる。ところが、特許文献１に記載の半導体レーザー装置のステムの下面には外部端子が露出されている。このため、ステムの下面に外部端子を露出させる領域を確保する必要があり、ステムの下面において取付面として利用できる領域が限られている。このため、半導体レーザー素子で生じ、ステムに伝えられた熱を、取付面を介して搭載対象に効率よく伝えることが難しい。このような理由により、特許文献１に記載の半導体レーザー装置において、放熱性に改善の余地があった。
【００３５】
これに対して、本実施形態に係る半導体レーザー装置１０によれば、給電部材１４の外部端子３３がステム１１の側面に露出されている。このため、ステム１１の下面に大きく取付面１１ｂを確保することができ、半導体レーザー素子１３からステム１１に伝えられた熱を、取付面１１ｂを介して効率よく搭載対象Ｔに伝えやすい。このため、放熱性が高められた半導体レーザー装置１０を提供することができる。
【００３６】
また、上述した実施形態に係る半導体レーザー装置１０によれば、半導体レーザー素子１３で生じた熱を、樹脂に比べて熱伝導率の高い金属製の給電部材１４を介して効率よくステム１１に伝えることができる。さらに、複数の給電部材１４は、上方から見て互いに重ならないように配置されている。したがって、半導体レーザー素子１３から給電部材１４に伝えられた熱を上方から見て均一にステム１１に伝えやすく、ステム１１の下面の特定の領域のみに熱が集中しにくい。このため、ステム１１の取付面１１ｂから搭載対象Ｔへ効率よく熱を伝えることができる。
【００３７】
また、給電部材１４のステム１１に埋設された部位は、ステム１１の取付面１１ｂに沿って延びて、放熱部１４ａとしても機能している。給電部材１４により、半導体レーザー素子１３で生じた熱を効率よくステム１１の取付面１１ｂに近い部位まで伝えることができ、ステム１１の取付面１１ｂから効率よく搭載対象Ｔに放熱することができる。
【００３８】
また、上述した実施形態に係る半導体レーザー装置１０は補助導体４１を備えている。半導体レーザー素子１３で生じた熱は、給電部材１４に加えてこの補助導体４１を介して、効率よくステム１１に伝えられるので、ステム１１の取付面１１ｂから効率よく搭載対象Ｔに放熱することができる。
【００３９】
また、ステム１１の取付面１１ｂは平坦面とされているので、取付面１１ｂを搭載対象Ｔに密着させやすく、放熱性を高めやすい。なお、搭載対象Ｔの被搭載面が曲面や段差面である場合には、ステム１１の取付面１１ｂも当該被搭載面の形状に合わせた形状とすることが好ましい。
【００４０】
次に、上記第一実施形態に係る半導体レーザー装置１０と一部の構成が異なる第二から第四実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ａから１０Ｃを説明する。なお、第一実施形態と同一構成部分は、同一符号を付して説明を省略する。
【００４１】
（第二実施形態）
第一実施形態に係る半導体レーザー装置１０においては、上方から見て、給電部材１４が互いに重ならないように配置されていたが、本発明はこれに限られない。
図４は、本発明の第二実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ａを示す図であり、図２に対応する断面図である。
【００４２】
図４に示すように、第二実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ａでは、複数本の給電部材１４のステム１１に埋設された部分がステム１１の厚さ方向に配列されている。これにより、凹部２３で露出された外部端子３３は、凹部２３内において上下に配列されている。このような構成によれば、上方から見てステム１１の位置決め部２２の幅寸法を小さくして全体を小型にしやすい。
【００４３】
（第三実施形態）
なお、上述した第一実施形態に係る半導体レーザー装置１０においては、複数の外部端子３３が単一の凹部２３で露出された例を示したが、本発明はこれに限られない。
図５は、本発明の第三実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｂを示す図であり、図３（ａ）に対応する断面図である。図６は、図５におけるＸＩ−ＸＩ線断面図である。
【００４４】
図５及び図６に示すように、第三実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｂは、二つの位置決め部２２がステム１１Ｂに設けられている。これらの位置決め部２２は、上方から見て互いに対向する位置に設けられている。各々の位置決め部２２には、凹部２３が設けられている。複数本の給電部材１４は、ステム１１Ｂに埋設された部分が互いに反対方向へ延びてそれぞれの外部端子３３はそれぞれ位置決め部２２の凹部２３で露出されている。
このように、第三実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｂでは、複数の給電部材１４の少なくとも１つの外部端子３３が上方から見て他の外部端子３３とは異なる位置でステム１１Ｂの側面に露出している。
【００４５】
第三実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｂによれば、複数の給電部材１４の少なくとも１つの外部端子３３を上方から見て他の外部端子３３とは異なる位置でステム１１Ｂの側面に露出させている。このため、上方から見て給電部材１４をそれぞれ離間するように配置しやすく、熱が特定の領域に集中しにくいので、放熱性を高めやすい。また、二つの位置決め部２２を設けたことで、搭載対象Ｔに対して、より確実に位置決めすることができる。
【００４６】
なお、第三実施形態では、補助導体４１を設けていないが、補助導体４１を設けても良い。また、補助導体４１の外部へ露出する端子は、給電部材１４の外部端子３３が露出された部位と同じ位置でステム１１Ｂの側面に露出されていてもよいし、上方から見て外部端子３３とは異なる位置でステム１１Ｂの側面に露出されていてもよい。
【００４７】
（第四実施形態）
上述した第一実施形態から第三実施形態では、給電部材１４が直角に折り曲げられた形状である例を説明したが、本発明はこれに限られない。
図７は、本発明の第四実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｃを示す図であり、図２に対応する図である。
図７に示すように、第四実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｃでは、給電部材１４の中間部分における屈曲部分での屈曲角度Ａが鈍角とされている。給電部材１４のうちステム１１に埋設された中間部は取付面１１ｂに対して傾いて延びている。また、外部端子３３はこの中間部に対して鈍角に屈曲されて、取付面１１ｂと平行に延びている。
【００４８】
第四実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｃによれば、給電部材１４の屈曲角度を鈍角としたので、給電部材１４の折り曲げ加工を容易にできる。
【００４９】
また、本実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｃにおいては、搭載面１１ａに設けられた、給電部材１４が挿入される開口の径方向の一部に、給電部材１４の中間部１４ａが延びる方向に沿ったテーパ部１１ｃが設けられている。これにより、給電部材１４を開口のテーパ部１１ｃに沿ってステム１１に挿入しやすくなり、半導体レーザー装置１０Ｃを組み立てやすくなる。
【００５０】
（第五実施形態）
上述した第一実施形態から第五実施形態では、給電部材１４の外部端子３３がステム１１の側面に露出された例を説明したが、本発明はこれに限られない。
図８は、本発明の第五実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｄを示す図であり、図２に対応する図である。
図８に示すように、給電部材１４の外部端子３３がステム１１Ｄの上面に露出されていてもよい。本実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｄにおいては、ステム１１Ｄの上面に凹部２３が設けられ、外部端子３３がこの凹部２３に露出されている。ステム１１Ｄの上面のうち、キャップ１２で覆われていない部位に、凹部２３が設けられ、外部端子３３が露出されている。
本実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｄによれば、ステム１１Ｄの下面の全面が取付面１１ｂとされている。このため、半導体レーザー素子１３の熱を効率よく搭載対象Ｔに伝えることができる。また、外部端子３３が側方に露出しないので、左右方向に取付スペースがない場合であっても、本実施形態に係る半導体レーザー装置１０Ｄを取り付けやすい。
【００５１】
（種々の変形例）
なお、上記第一から第四実施形態では、ステム１１の下面の全面を取付面１１ｂとしたが、ステム１１の下面の一部のみを取付面１１ｂとしても良い。また、ステム１１の側面など、下面以外にも搭載対象Ｔに接する取付面を設けても良い。
【００５２】
また、上述の各実施形態では、ステム１１の下面全体が平坦面とされた例を説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、ステム１１の下面に穴部を設けて、搭載対象Ｔに設けた凸部を使って、半導体レーザー装置１０の搭載対象Ｔに対する位置決めをしてもよい。この場合、ステム１１の下面のうち、穴部以外の領域を取付面１１ｂとすることができる。
【００５３】
さらに、上述の各実施形態では、ステム１１の下面に単一の取付面を設けた例を説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、ステム１１の下面が、段差を介して接続する二つの平坦面で構成されていてもよい。この場合、二つの平坦面が取付面１１ｂとして機能する。二つの平坦面により半導体レーザー素子１３の熱を効率よく搭載対象Ｔに伝えつつ、段差を用いて搭載対象Ｔに位置決めできる。
【００５４】
また、ステム１１やキャップ１２の形状は、ステム１１の搭載面１１ａに半導体レーザー素子１３が収容可能な収容空間Ｓを形成することができれば、上記の実施形態における形状に限定されない。
【００５５】
また、一つの位置決め部２２から一つの外部端子３３が露出された例を説明したが、本発明はこれに限られない。一つの位置決め部２２にそれぞれ離間した複数の凹部２３を設けて、それぞれの凹部２３から外部端子３３を露出させてもよい。
【００５６】
なお、位置決め部２２は、ステム１１の側面に限らず下面に設けても良い。この場合、例えば、搭載対象Ｔに形成した穴部へステム１１の下面に設けた位置決め部２２を嵌め込むことで、半導体レーザー装置１０を搭載対象Ｔに対して容易に位置合わせできる。
【００５７】
さらに、ステム１１の位置決め部２２の形状としては、段差や直線部分、搭載対象Ｔの取付部に対応する凹凸や曲線部分などであってもよく、上記の実施形態における形状に限定されない。
【００５８】
また、半導体レーザー素子１３は、ステム１１の搭載面１１ａに直接搭載されていても良い。
【００５９】
半導体レーザー素子１３は、青色発光のものに限られず、所望の波長のレーザー光を出射させる素子を採用できる。また、透光部材１７に含まれる蛍光体も、青色光を受けて黄色光を発するものに限られず、任意の組成の蛍光体を採用できる。さらに、半導体レーザー装置として白色光を出射した例を示したが、これに限られず、特定の波長の光を出射させるように構成してもよい。
【００６０】
透光部材１７は、半導体レーザー素子１３からのレーザー光を屈折させるレンズ機能を持っていてもよい。
【００６１】
なお、半導体レーザー素子１３は一つに限らず、収容空間Ｓ内に複数設けても良い。収容空間Ｓ内に、レンズ部品や蛍光体が設けられていても良い。
【００６２】
本出願は、2014年10月15日出願の日本特許出願（特願2014-210996）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明によれば、放熱性が高められた半導体レーザー装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：半導体レーザー装置、１１：ステム、１１ｂ：取付面、１２：キャップ、１３：半導体レーザー素子、１４：給電部材、１４ａ：放熱部、１７：透光部材、２２：位置決め部、２３：凹部、２６：ヒートシンク、３２：素子側端子、３３：外部端子、４１：補助導体、Ｓ：収容空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年2月8日(2016.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載対象に搭載される半導体レーザー装置であって、
ステムと、
透光部材を有し、前記ステムの上面に取り付けられて前記ステムとの間に収容空間を形成するキャップと、
前記収容空間内に配置され、レーザー光を出射する半導体レーザー素子と、
少なくとも一部が前記ステムに埋設され、前記半導体レーザー素子と導通する給電部材を有し、
前記給電部材は、前記収容空間に露出して前記半導体レーザー素子に電気的に接続された素子側端子と、外部電源と接続される外部端子と、を有し、
前記ステムの側面または上面に前記給電部材の前記外部端子が露出され、前記ステムの下面に搭載対象に取り付けられる取付面が設けられており、
前記給電部材の中間部分は、前記ステムに埋設されており、屈曲されている、半導体レーザー装置。
【請求項２】
前記ステムの前記側面に凹部が設けられ、前記外部端子が前記凹部に露出している、請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項３】
複数の前記給電部材が設けられ、少なくとも１つの前記外部端子が上方から見て他の前記外部端子とは異なる位置で前記ステムの前記側面に露出している、請求項１または２に記載半導体レーザー装置。
【請求項４】
前記半導体レーザー素子は、前記ステムの前記上面に固定されたヒートシンクに設けられており、
前記ヒートシンクに接続された一端と、前記ステムの前記側面に露出された他端とを有する補助導体が前記ステムに埋設されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項５】
前記ステムの前記側面および前記下面の少なくとも一方に、前記ステムを搭載対象に位置決めする位置決め部が設けられている、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項６】
前記外部端子は前記位置決め部に位置している、請求項５に記載の半導体レーザー装置。
【請求項７】
前記給電部材は、前記ステムの前記取付面に沿って延びる放熱部を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項８】
前記給電部材の前記ステムに埋設された部位と前記外部端子とが同一の直線状に延びている、請求項７に記載の半導体レーザー装置。
【国際調査報告】
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