(57)【要約】  大型化した基板に対して、均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供する。共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体（１０）と、複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路（ＷＧ）と、複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニット（７０）とを有し、複数の誘電体の各々は、ガスを下面から放出するための複数のガス放出孔（１１）をそれぞれ備え、複数の誘電体は、第１の方向（ｘ）に配列された誘導体からなる第１の誘電体列と、第１の方向に配列された誘導体からなるとともに第２の方向（ｙ）において第１の誘導体列に隣り合わせに配置された第２の誘導体列と、を形成し、第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体（１０）は、他方を形成する誘電体（１０）に対して、第１の方向において、偏倚して配置されている。
2015029090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘導体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘導体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘導体列に隣り合わせに配置された第２の誘導体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘導体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘導体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘導体列に隣り合わせに配置された第２の誘導体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置された、プラズマ発生機構が内部に設けられた容器内において、被処理体を前記第１および第２の誘導体列の下面に対向するように設置するステップと、
前記複数のマイクロ波供給ユニットから、前記複数の導波路を通じて、前記複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるステップと、
前記プラズマ発生機構により、前記複数のガス放出孔から放出されるガスをプラズマ化するステップと、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤ装置などの製造工程においては，マイクロ波を利用して処理室内にプラズマを発生させ，ＬＣＤ基板に対してＣＶＤ処理やエッチング処理等を施す装置が用いられている。かかるプラズマ処理装置として，処理室の上方に複数本の導波管を平行に並べたものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。この導波管の下面には複数のスロットが並べて開口され、さらに，導波管の下面に沿って平板状の誘電体が設けられる。そして，スロットを通じて誘電体の表面にマイクロ波を伝播させ、処理室内に供給された所定のガス（プラズマ励起用の希ガスおよび／またはプラズマ処理用のガス）をマイクロ波のエネルギ（電磁界）によってプラズマ化させる構成となっている。例えばＬＣＤ装置などの製造工程においては、マイクロ波を利用して処理室内にプラズマを発生させ、ＬＣＤ基板に対してＣＶＤ処理やエッチング処理等を施す装置が用いられている。【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２００６４６号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板などの大型化に伴って処理装置も大きくなってきており、特に大型化した誘電体の製造が困難で製造コストが高くなってきている。また誘電体が大きく重くなると、それを支持する支持部材も強固な構造にしなければならないが、そうすると、処理室内に発生するプラズマが不均一になりやすいという問題がある。即ち、大型化した支持部材が邪魔となって、基板の上方全体に均一な電磁界が形成されることが阻害され、また、誘電体自体の面積が大きいため、処理ガスの種類や処理室内の圧力などといった各種条件によっては、誘電体の表面全体にマイクロ波を均一に伝播させることが困難な場合がある。【０００５】
本発明の目的は、大型化した基板に対して、均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプラズマ処理装置は、共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘導体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘導体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘導体列に隣り合わせに配置された第２の誘導体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置されている、ことを特徴とする。【０００７】
本発明のプラズマ処理方法は、共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘導体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘導体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘導体列に隣り合わせに配置された第２の誘導体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置された、プラズマ発生機構が内部に設けられた容器内において、被処理体を前記第１および第２の誘導体列の下面に対向するように設置するステップと、
前記複数のマイクロ波供給ユニットから、前記複数の導波路を通じて、前記複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるステップと、
前記プラズマ発生機構により、前記複数のガス放出孔から放出されるガスをプラズマ化するステップと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、隣り合う第１および第２の誘電体列の一方を構成する誘電体と他方を構成する誘電体とを第１の方向において偏倚させることにより、複数の誘電体内において表面波の伝搬による定在波の形成が抑制され、その結果、複数の誘電体間においてプラズマの均一化が可能となる。また、導波路に複数の開口部を設けた場合には、各開口部の位置における定在波の位相や強度により、各開口部を通じて伝搬されるマイクロ波の強度は誘電体ごとに変化するが、複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるように、複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ独立に供給することで、複数の誘電体の間においてプラズマの均一化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の断面図。
【図２】図１のプラズマ処理装置のII‐II線方向の断面図。
【図３】図１のプラズマ処理装置のIII‐III方向から見た上面図。
【図４Ａ】シャワープレートの下面図。
【図４Ｂ】図４ＡのIVＢ‐IVＢ線に沿った断面図。
【図４Ｃ】図４ＢのIVＣ‐IVＣＢ線に沿った断面図。
【図５】ガス孔の直径と、ガス孔の密度、および、ガス流路の圧力の関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１１】
本実施形態に係るプラズマ処理装置（以下、装置１という。）は、図１に示すように、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の各種プラズマ処理に用いられる。装置１は、密閉空間２０１を画定する金属製の処理チャンバ２００、処理チャンバ２００内に設置された窒化アルミニウム等から形成されたシリコンウエハ等の基板を載置するためのステージ２２０、ステージ２２０の上方に設けられたプラズマ形成用の誘電体からなるシャワープレート１０、各シャワープレート１０上に設けられた複数の接続用誘電体２０、処理チャンバ２００の上蓋２０２上に設けられた複数の導波管５０、および、複数の導波管５０へマイクロ波をそれぞれ供給する複数のマイクロ波供給ユニット７０と、を有する。
【００１２】
処理チャンバ２００は、アルミニウム合金、ステンレス等の導電性材料で形成され、基準電位に接続されている。処理チャンバ２００の底部には、処理チャンバ２００内の雰囲気を排気するための排気口２０５が設けられ、この排気口２０５に処理チャンバ２００の外部に設置された図示しない真空ポンプなどの排気装置が接続される。この排気装置により、密閉空間２０１は減圧される。
【００１３】
シャワープレート１０は、酸化アルミニウム、石英等の誘電体材料で形成されている。各シャワープレート１０は、同じ寸法の矩形状の外形を有しており、図２に示すように、上蓋２１０の下面にラダー状に設けられたアルミニウム合金等の導電性材料で形成された固定部材３０により、上蓋２１０の下面に固定されている。なお、シャワープレート１０の構造および配置については、後述する。
【００１４】
上蓋２１０は、アルミニウム合金、ステンレス等の導電性材料でプレート状に形成され、その上面から内部を通じてシャワープレート１０に接続されるガス流路２１５が形成されている。このガス流路２１５には、図示しないガス供給装置からプラズマ化すべき、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2、Ｏ2、Ｎ2Ｏ等のガスＧを供給するための図示しないガス供給装置が接続され、ガスの供給量や圧力が調整される。上蓋２１０のガス流路２１５とシャワープレート１０との接続部周辺には、ガスが漏れないように、Ｏリング２５０が設けられている。また、上蓋２１０と処理チャンバ２００の上端との間はＯリング２５２でシールされている。
【００１５】
上蓋２１０には、シャワープレート１０へマイクロ波を伝搬させる導波路ＷＧの一部を画定する開口部としてのスロット２１１が複数形成されている。上蓋２１０の下面とシャワープレート１０の上面との間には、スロット２１１の周囲において、Ｏリング２５１が設けられ、スロット２１１をシールしている。
【００１６】
導波管５０は、アルミニウム合金、銅等の導電性材料で形成され、断面が矩形状を有し、下端部が開口するとともに上端部が閉塞している。この導波管５０は、上蓋２０１上に固定され、上蓋２１０の上面に対して垂直な方向に延びている。
【００１７】
接続用誘電体２０は、酸化アルミニウム、石英、テフロン（登録商標）などのフッ化炭素樹脂等の誘電体で形成され、スロット２１１に嵌合してスロット２１１を埋めるように形成されている。接続用誘電体２０の下端面は、シャワープレート１０の上面に当接している。接続用誘電体２０の上側部分は、先細り状に形成され、導波管５０の画定する導波路ＷＧ内に延在している。ここで、マイクロ波は、スロット２１１を通してシャワープレート１０に伝搬されるが、スロット２１１内が中空であるとマイクロ波が反射してシャワープレート１０に効率的に伝搬されない可能性がある。このため、本実施形態では、スロット２１１に接続用誘電体２０を設けることにより、マイクロ波の反射を抑えつつシャワープレート１０に効率良くマイクロ波を伝搬させることができる。
【００１８】
図１および図２に示すように、導波管５０の一側面部には、長手方向の途中に、同軸管６０の一端部が接続され、この同軸管６０の他端部は、マイクロ波供給ユニット７０に接続されている。同軸管６０の内部導体６２の先端部は、導波管５０内に突出している。複数のマイクロ波供給ユニット７０は、図示しないマイクロ波電源および整合器をそれぞれ備え、複数の導波管５０に対してそれぞれ設けられ、互いに電気的に独立している。周波数が３００ＭＨｚ〜６０００ＭＨｚ程度の周波数のマイクロ波を使用できるが、本実施形態では、各マイクロ波供給ユニット７０は、２４５０ＭＨｚのマイクロ波を供給する構成とした。図２に示すように、複数のマイクロ波供給ユニット７０を上蓋２１０上に配置するので、マイクロ波供給ユニット７０は可能な限り小型化される必要がある。このため、本実施形態では、マイクロ波供給ユニット７０のマイクロ波電源には、ソリッドステートタイプを用いる。ソリッドステートのマイクロ波電源では、水晶発信器で発生した高周波を逓倍回路により周波数を上げて所望の周波数のマイクロ波信号を作り、これを数段のトランジスタ増幅回路により増幅して所望の電力のマイクロ波を出力するようになっている。また、複数のマイクロ波供給ユニット７０から、複数の導波路ＷＧを通じて、複数のシャワープレート１０へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるために、複数のマイクロ波電源は互いに同期している。複数のマイクロ波電源を同期させるには、例えば、複数のマイクロ波電源について、水晶発信器と逓倍回路の部分を共通化することである。即ち、一セットの水晶発信器と逓倍回路を用意し、この出力を分岐して複数の増幅回路に入力するようにすればよい。このとき、分岐と増幅回路を接続するケーブルは、電気長が等しくなるようにする。
【００１９】
ここで、図３および図４Ａ〜図４Ｃを参照して、シャワープレート１０の配置および構造を説明する。図４〜図４Ｃに示すように、シャワープレート１０は、酸化アルミニウム等の誘電体材料で、外形が矩形を有する板状に形成され、平板状の上部板部１２と、これに対向するように配置された平板状の下部板部１３と、上部板部１２と下部板部１３の間に形成された閉空間からなるガス流路１４とを有する。上部板部１２の上面１２ｆは平面で構成され、上蓋２１０の平面からなる下面２１０ｆに設置される。上部板部１２は、厚さが薄く強度が低いので、図４Ｃ等に示すように、上部板部１２と下部板部１３との間に設けられた円柱状の複数の支持部１５によって支持されている。上部板部１２には、図４Ｃに示すように、ガス導入孔１６が形成されている。このガス導入孔１６は、上蓋２１０のガス流路２１５の出口と接続され、ガス流路２１５を通じてガス流路１４内にガスＧが供給される。下部板部１３には、図４Ａに示すように、多数のガス放出孔１１が略均等な密度で形成されている。なお、支持部１５のある領域付近には、ガス放出孔１１は形成されていない。本実施形態では、ガス放出孔１１の寸法は、例えば、直径０．５ｍｍ、深さ４ｍｍであり、一枚のシャワープレート１００に２２００個程度設けられている。
【００２０】
上記のように構成される複数のシャワープレート１０は、同一構造および同一寸法を有し、図３に示すように、上蓋２１０の下面２１０ｆに固定部材３０によって固定されている。複数のシャワープレート１０は、固定部材３０を介して４枚のシャワープレート１０がｘ軸方向に等間隔に配列されたシャワープレート１０からなる第１のシャワープレート列１０Ａを形成している。また、複数のシャワープレート１０は、ｘ軸方向に固定部材３０を介して等間隔に配列されたシャワープレート１０からなるとともにｘ軸方向に直交するｙ軸方向において、第１のシャワープレート列１０Ａに隣り合わせに配置された第２のシャワープレート列１０Ｂを形成している。第１のシャワープレート列１０Ａおよび第２のシャワープレート列１０Ｂは、ｙ軸方向において、交互に形成している。そして、第１のシャワープレート列１０Ａのシャワープレート１０に対して、隣り合う第２のシャワープレート列１０Ｂのシャワープレート１０は、ｙ軸方向において偏倚している。この偏倚量は、これに限定されるわけではないが、好適には、シャワープレート１０のｙ軸方向の幅の略半分である。
【００２１】
ここで、隣り合うシャワープレート列の間で、シャワープレート１０の位置をずらすことの意義について説明する。誘電体であるシャワープレート１０内では、表面波の伝搬により定在波が形成され、プラズマにむらが発生する。このため、シャワープレート１０が碁盤目状に配列されていると、誘電体内のプラズマのむらにより、プラズマ処理すべき基板周辺のプラズマの分布が不均一になりやすい。このため、本実施形態のように、誘電体であるシャワープレート１０を半分ずつずらしながら配列すると、基板周辺のプラズマの分布をより均一にすることができる。より詳細には、誘電体であるシャワープレート１０の下部板部１３の下面内ではプラズマ密度が均一ではなく、通常、シャワープレート１０の中央部でプラズマ密度が高い不均一な分布になっている。シャワープレート１０の外形が正方形だと仮定し、縦横に配列されたシャワープレート１０の配列ピッチをＰとする。シャワープレート１０を碁盤目状に並べた場合、シャワープレート１０の中央（プラズマ密度が最も高い部分）と、隣り合うシャワープレート１０の中央から最も離れた部分（プラズマ密度が最も低い部分）間の距離は、Ｐ/√2≒=0.707Ｐとなる。一方、半分ずつずらしながら並べた場合、この距離は5Ｐ/8=0.625Ｐとなり、碁盤目状に並べた場合よりも小さい。なお、シャワープレート１０の近傍ではプラズマが不均一であるが、プラス間処理すべき基板まで拡散する間にある程度均一化する。シャワープレート１０を半分ずつずらしながら並べた場合の方が、プラズマ密度が高い部分と低い部分の距離が短いので、基板周辺のプラズマの分布をより均一にすることができる。
【００２２】
次に、スロット２１１（導波路ＷＧ）毎に、マイクロ波供給ユニット７０を設けた意義について説明する。導波路ＷＧを通じて、マイクロ波をシャワープレート１０に伝搬させると、シャワープレート１０だけではなく、導波路ＷＧ内にも定在波が生じる。仮に、導波路に複数の開口部（スロット）を形成したとすると、各スロットの位置における定在波の位相や強度に応じて、開口部(スロット)を伝搬するマイクロ波の強度は変化する。この場合には、全てのスロットから同じ強度、同じ位相のマイクロ波を伝搬させることはほぼ不可能である。これに対して、本実施形態では、スロット２１１（導波路ＷＧ）毎に、整合器およびマイクロ波電源を備えるマイクロ波供給ユニット７０を設けることで、プラズマ（負荷）の条件が変わったとしても、常時、全てのスリット２１１から同じ強度および同じ位相のマイクロ波をシャワープレート１０に伝搬させることが可能となる。この結果、複数のシャワープレート１０間でプラズマの分布をより均一にすることができる。
【００２３】
次に、シャワープレートのガス放出孔の最適化について説明する。プラズマの分布の均一性を改善するには、ガス流路での放電の発生を抑制しつつラジカルの生成を促進させることが必要であり、このためには、シャワープレート１０のガス放出孔１１の寸法および開口率が重要である。ガス流路１４での放電の発生を抑制するためには、ガス流路の圧力をできるだけ高く、例えば、３００Ｔｏｒｒ以上にすることが望ましい。一方、ラジカルの発生を促進させるには、ガス放出孔１１からのガス吹き出し流速をできるだけ遅く、例えば、１ｍ/秒以下にすることが望ましい。ここで、ガス放出孔１１の直径と、ガス放出孔１１の密度（１）およびガス流路１４の圧力（２）とは、図５のグラフに示すような関係にある。このため、上記したガス吹き出し流速を、３００Ｔｏｒｒの圧力条件で実現するためには、ガス放出孔１１の長さ４ｍｍ、ガス放出孔１１の直径を４０ｎｍ、開口率０．１２７とする必要がある。例えば、１００ｍｍ×１２０ｍｍの酸化アルミニウム製の板の場合には、約１．２兆個のガス放出孔１１を形成すればよい。
【００２４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００２５】
１  プラズマ処理装置
１０  シャワープレート(誘電体)
１１  ガス放出孔
２０  接続用誘電体
３０  固定部材
５０  導波管
６０  同軸管
７０  マイクロ波供給ユニット
２１１  スロット
Ｇ  ガス
【図１】
2015029090.tif 000003
【図２】
2015029090.tif 000004
【図３】
2015029090.tif 000005
【図４Ａ】
2015029090.tif 000006
【図４Ｂ】
2015029090.tif 000007
【図４Ｃ】
2015029090.tif 000008
【図５】
2015029090.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月2日(2014.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数のマイクロ波供給ユニットは、マイクロ波電源および整合器をそれぞれ有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
共通の平面上に配置される下面を有する複数のプレート状の誘電体と、
前記誘電体の上面に配置された開口部を有し、当該開口部を通じて前記複数の誘電体の各々にマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給するマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給するマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記複数の誘電体の下面において形成される定在波によるプラズマの均一性の低下を抑制するために、前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数のマイクロ波供給ユニットは、マイクロ波電源および整合器をそれぞれ有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置された、プラズマ発生機構が内部に設けられた容器内において、被処理体を前記第１および第２の誘電体列の下面に対向するように設置するステップと、
前記複数のマイクロ波供給ユニットから、前記複数の導波路を通じて、前記複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるステップと、
前記プラズマ発生機構により、前記複数のガス放出孔から放出されるガスをプラズマ化するステップと、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
共通の平面上に配置される下面を有する複数のプレート状の誘電体と、
前記誘電体の上面に配置された開口部を有し、当該開口部を通じて前記複数の誘電体の各々にマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給するマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置された、プラズマ発生機構が内部に設けられた容器内において、被処理体を前記第１および第２の誘電体列の下面に対向するように設置するステップと、
前記複数のマイクロ波供給ユニットから、前記複数の導波路を通じて、前記複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるステップと、
前記プラズマ発生機構により、前記複数のガス放出孔から放出されるガスをプラズマ化するステップと、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給するマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記複数の誘電体の下面において形成される定在波によるプラズマの均一性の低下を抑制するために、前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体が他方を形成する誘電体に対して前記第１の方向において偏倚して配置されている、プラズマ発生機構が内部に設けられた容器内において、被処理体を前記第１および第２の誘電体列の下面に対向するように設置するステップと、
前記複数のマイクロ波供給ユニットから、前記複数の導波路を通じて、前記複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるステップと、
前記プラズマ発生機構により、前記複数のガス放出孔から放出されるガスをプラズマ化するステップと、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数のマイクロ波供給ユニットは、マイクロ波電源および整合器をそれぞれ有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、
前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路へマイクロ波をそれぞれ供給する電気的に互いに独立した複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数のマイクロ波供給ユニットは、マイクロ波電源および整合器をそれぞれ有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、
前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列とを形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置された、プラズマ発生機構が内部に設けられた容器内において、被処理体を前記第１および第２の誘電体列の下面に対向するように設置するステップと、
前記複数のマイクロ波供給ユニットから、前記複数の導波路を通じて、前記複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるステップと、
前記プラズマ発生機構により、前記複数のガス放出孔から放出されるガスをプラズマ化するステップと、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路の対応する導波路にマイクロ波をそれぞれ独立に供給する複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数のマイクロ波供給ユニットの其々は、マイクロ波電源および整合器を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔を備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、
前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列と、を形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
共通の平面上に配置される下面を有する複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の各々に開口部を通じてマイクロ波を伝搬させる複数の導波路と、
前記複数の導波路の対応する導波路にマイクロ波をそれぞれ独立に供給する複数のマイクロ波供給ユニットと、を有し、
前記複数のマイクロ波供給ユニットの其々は、マイクロ波電源および整合器を有し、
前記複数の誘電体の各々は、プラズマ化すべきガスを前記下面から放出するための複数のガス放出孔をそれぞれ備え、
前記複数の誘電体は、第１の方向に配列された前記誘電体からなる第１の誘電体列と、
前記第１の方向に配列された前記誘電体からなるとともに前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第１の誘電体列に隣り合わせに配置された第２の誘電体列と、を形成し、
前記第１および第２の誘電体列の一方を形成する誘電体は、他方を形成する誘電体に対して、前記第１の方向において、偏倚して配置された、プラズマ発生機構が内部に設けられた容器内において、被処理体を前記第１および第２の誘電体列の下面に対向するように設置するステップと、
前記複数のマイクロ波供給ユニットから、前記複数の導波路を通じて、前記複数の誘電体へ互いに同位相で同じ強度のマイクロ波を伝搬させるステップと、
前記プラズマ発生機構により、前記複数のガス放出孔から放出されるガスをプラズマ化するステップと、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【国際調査報告】
2015029090.tif 000010
2015029090.tif 000011
2015029090.tif 000012
2015029090.tif 000013