(57)【要約】  【課題】半導体ウエハの回路面にダイボンディング用接着フィルムを貼付する際に、接着フィルムのバンプへの追従性が向上した半導体チップを製造する方法を提供すること。  【解決手段】本発明に係る半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、減圧下でダイボンディング用接着フィルムを貼付する工程、  半導体ウエハおよびダイボンディング用接着フィルムを、回路毎に個片化し、回路面にダイボンディング用接着フィルムを有するチップを得る工程を含むことを特徴としている。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、減圧下でダイボンディング用接着フィルムを貼付する工程、
半導体ウエハおよびダイボンディング用接着フィルムを、回路毎に個片化し、回路面にダイボンディング用接着フィルムを有するチップを得る工程を含む、半導体チップの製造方法。
【請求項２】
支持シートと、その上に剥離可能に担持された前記ダイボンディング用接着フィルムとからなる接着シートのダイボンディング用接着フィルムを、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、減圧下で貼付し、
その後、ダイボンディング用接着フィルムから支持シートを剥離する工程を含む、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
接着シートの支持シートが段差吸収層を有し、該段差吸収層上に、ダイボンディング用接着フィルムが剥離可能に担持されてなる請求項２に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
半導体ウエハの回路面に、凸状電極が設けられてなる、請求項１〜３の何れかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
ダイボンディング用接着フィルムを貼付する工程を、圧力環境を５０〜４００Ｐａとする減圧下で行う請求項１〜４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造方法に関し、さらに詳しくは、いわゆるブレードダイシング法や先ダイシング法と、フリップチップボンディングを採用した実装プロセスとを連続して行う半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるフリップチップボンディングやフェースダウン（face down）方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。この方式においては、回路面にバンプなどの凸状電極を有する半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう。）が用いられ、該電極が基板と接合される。【０００３】
半導体チップは半導体ウエハを個片化することで得られ、チップと基板との接合には、液状エポキシ樹脂などが使用されてきた。しかしながら、プロセスの簡素化および品質の均一化の観点からフィルム状のダイボンディング剤（ダイボンディング用接着フィルム（以下、単に「接着フィルム」と記載することがある。））が用いられるようになってきた。このような接着フィルムを用いて、フェースダウン方式で実装を行う場合には、チップの回路面に予め接着フィルムを設けておくことがプロセス上簡便である。【０００４】
回路面に接着フィルムを有するチップを得る方法として、特許文献１（特開２００８−９８４２７号公報）には、ウエハの回路面にダイボンディング用接着フィルムを積層し、該接着フィルムを完全に切断し、かつウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を接着フィルムとウエハとの積層体に形成した後に、該接着フィルムに表面保護シートを貼付し、ウエハの裏面研削を行うことによりウエハを個片化する方法が記載されている。【０００５】
また、特許文献２（特開２００９−１５２４２４号公報）には、半導体ウエハの回路面に保護シートを貼付、あるいは裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼付するために主に使用されるシート貼付装置が開示されている。しかし、特許文献２では、半導体ウエハの回路面にダイボンディング用接着フィルムを貼付することは意図されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−９８４２７号公報
【特許文献２】特開２００９−１５２４２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、回路表面に形成される凸状電極（バンプともよばれる）の形状、分布密度は、多岐にわたり、回路面のバンプに接着フィルムを追従させて貼付することが困難になっている。バンプが比較的低く、分布密度が低い場合には、十分に接着フィルムをバンプに追従させて貼付できたとしても、バンプの高さが変わり、また分布密度が異なる場合には、同一の接着フィルムでは十分にバンプに追従させて貼付できない場合があった。この結果、得られた接着フィルム付半導体チップをダイボンドする際においても、チップとチップ搭載用基板との間の接着力が不十分となったり、バンプの周囲に接着フィルムの存在しない空隙（ボイド）が発生し、実装後の信頼性低下につながったり、ダイボンドの際にバンプが接着フィルムを貫通できずに接続不良の原因となったりする懸念があった。【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものである。すなわち、接着フィルムの貼付の際の、接着フィルムのバンプへの追従性が向上した半導体チップを製造する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の要旨を含む。【００１０】
（１）表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、減圧下でダイボンディング用接着フィルムを貼付する工程、
半導体ウエハおよびダイボンディング用接着フィルムを、回路毎に個片化し、回路面にダイボンディング用接着フィルムを有するチップを得る工程を含む、半導体チップの製造方法。【００１１】
（２）支持シートと、その上に剥離可能に担持された前記ダイボンディング用接着フィルムとからなる接着シートのダイボンディング用接着フィルムを、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、減圧下で貼付し、
その後、ダイボンディング用接着フィルムから支持シートを剥離する工程を含む、（１）に記載の半導体チップの製造方法。【００１２】
（３）接着シートの支持シートが段差吸収層を有し、該段差吸収層上に、ダイボンディング用接着フィルムが剥離可能に担持されてなる（２）に記載の半導体チップの製造方法。【００１３】
（４）半導体ウエハの回路面に、凸状電極が設けられてなる、（１）〜（３）の何れかに記載の半導体チップの製造方法。【００１４】
（５）ダイボンディング用接着フィルムを貼付する工程を、圧力環境を５０〜４００Ｐａとする減圧下で行う（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、いわゆるブレードダイシング法や先ダイシング法と、フリップチップボンディングを採用した実装プロセスとを連続して行うチップの製造方法において、接着フィルムの貼付の際の、接着フィルムのバンプへの追従性を向上させることができる。このため、接着フィルム付半導体チップの製造プロセスが安定化されうる。また、製品品質が向上されうる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ダイボンディング用接着フィルム２０を含む接着シートの１態様を示す。
【図２】ダイボンディング用接着フィルム２０を含む接着シートの１態様を示す。
【図３】ダイボンディング用接着フィルム２０を含む接着シートの１態様を示す。
【図４】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図５】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図６】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図７】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図８】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図９】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１０】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１１】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１２】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１３】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１４】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１５】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１６】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１７】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１８】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図１９】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【図２０】半導体チップの製造方法の一例における各工程の順序の類型の例を示す。
【図２１】半導体チップの製造方法の一工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について、図面を参照しながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。
【００１８】
本発明に係る半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に、減圧下でダイボンディング用接着フィルム２０を貼付した後、該半導体ウエハ１０およびダイボンディング用接着フィルム２０を、回路毎に個片化し、回路面にダイボンディング用接着フィルム２０を有するチップ１１を得る工程を含む。ウエハ１０および接着フィルム２０の個片化方法は、後述するように、特に限定はされず、種々の方法を採用できる。
【００１９】
本発明では、ウエハ回路面への接着フィルムの貼付を減圧下で行うことを特徴としている。ウエハ１０の回路面にダイボンディング用接着フィルム２０を貼付する方法は、ウエハ回路面と接着フィルムの接着表面との間を減圧状態として、接着フィルムを貼付しうる方法であれば特に限定はされない。非限定的な方法の一例としては、接着フィルムをウエハ１０と略同形状に型抜きした単葉接着フィルムを準備し、この単葉接着フィルムとウエハとを減圧チャンバー内で重ね、チャンバー内を減圧とした後に、単葉接着フィルムとウエハとを圧着もしくは熱圧着する方法があげられる。また、前記特許文献２に記載のシート貼付装置を用いることで、接着フィルムを長尺の状態で供給でき、減圧下での貼付プロセスの連続化、自動化が可能になり、より好ましい。
【００２０】
ここで、「減圧下」とは、ウエハ回路面と接着フィルムの接着表面との間の空間が大気圧以下の圧力環境であることを意味し、好ましくは圧力環境を４００Ｐａ以下、より好ましくは５０〜４００Ｐａ、さらに好ましくは８０〜３５０Ｐａ程度とする減圧であればよい。圧力環境がこのような範囲のものであれば、接着フィルムの被着体表面の凹凸への追従が十分に得られる。また、接着フィルムは通常低分子量成分を比較的多く含み、減圧環境の程度によってはアウトガスの発生が懸念されるが、圧力環境がこのような範囲にあれば、アウトガスの発生を抑制しうる。圧力環境は、乾燥雰囲気であってもよく、また窒素などの不活性ガス雰囲気であってもよい。ウエハ回路面への接着フィルムの貼付を減圧下で行うことで、回路面と接着フィルムとの間のエアの混入を低減でき、またウエハの回路表面に形成されるバンプへの追従性が向上する。
【００２１】
また、減圧チャンバーのほか、ダイヤフラム等を介して接着フィルムを押圧し、被着体への貼付を行うための加圧チャンバーを貼付装置に設けてもよい。加圧チャンバー内の圧力環境は、０．１ＭＰａ〜０．４ＭＰａ程度とすることが好ましい。
【００２２】
接着フィルム２０は、半導体ウエハ１０と略同形状に予め切断されたプリカット形態でウエハ表面に貼付されてもよく、ウエハよりも大きな平面形状の接着フィルムを貼付した後に、ウエハの外径に沿って接着フィルムの外周部を切除してもよい。
【００２３】
接着フィルム２０は、単層フィルムであってもよく、組成の異なる二種以上の層からなる複層フィルムであってもよい。また、接着フィルム２０は、支持シート２１上に剥離可能に担持された状態で、半導体ウエハ１０との貼付工程に供給されてもよい。以下では、接着フィルム２０と支持シートとの積層体を「接着シート」と呼ぶことがある。接着シートと半導体ウエハ１０との貼付は、上記のように減圧下で行われ、その後の任意の段階で、支持シートは剥離される。さらに、支持シート２１には、ウエハ回路面の高低差を吸収し、接着フィルムを密着してウエハ表面に貼付するために、段差吸収層２２を有していてもよい。これらの接着フィルム、支持シート、段差吸収層についての非限定的な態様を説明する。
【００２４】
（ダイボンディング用接着フィルム２０）
ダイボンディング用接着フィルム２０に少なくとも要求される機能は、（１）シート形状維持性、（２）初期接着性、（３）硬化性である。
【００２５】
接着フィルム２０には、バインダー成分の添加により（１）シート形状維持性および（３）硬化性を付与することができ、バインダー成分としては、重合体成分（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含有する第１のバインダー成分または（Ａ）成分および（Ｂ）成分の性質を兼ね備えた硬化性重合体成分（ＡＢ）を含有する第２のバインダー成分を用いることができる。
【００２６】
接着フィルム２０を硬化までの間、被着体（半導体ウエハ２０や半導体チップ２１）に仮着させておくための機能である（２）初期接着性は、感圧接着性であってもよく、熱により軟化して接着する性質であってもよい。（２）初期接着性は、通常バインダー成分の諸特性や、後述する無機フィラー（Ｃ）の配合量の調整などにより制御される。
【００２７】
（第１のバインダー成分）
第１のバインダー成分は、重合体成分（Ａ）と硬化性成分（Ｂ）を含有することにより、接着フィルムに造膜性と硬化性を付与する。なお、第１のバインダー成分は、第２のバインダー成分と区別する便宜上、硬化性重合体成分（ＡＢ）を含有しない。
【００２８】
（Ａ）重合体成分
重合体成分（Ａ）は、接着フィルムにシート形状維持性を付与することを主目的として接着フィルムに添加される。
【００２９】
上記の目的を達成するため、重合体成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常２０，０００以上であり、２０，０００〜３，０００，０００であることが好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）の値は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー法（ＧＰＣ）法（ポリスチレン標準）により測定される場合の値である。このような方法による測定は、たとえば、東ソー社製の高速ＧＰＣ装置「ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ」に、高速カラム「ＴＳＫ ｇｕｒｄ ｃｏｌｕｍｎ ＨXL−Ｈ」、「ＴＳＫ Ｇｅｌ ＧＭＨXL」、「ＴＳＫ Ｇｅｌ Ｇ２０００ ＨXL」（以上、全て東ソー社製）をこの順序で連結したものを用い、カラム温度：４０℃、送液速度：１.０ｍＬ／分の条件で、検出器を示差屈折率計として行われる。
【００３０】
なお、後述する硬化性重合体（ＡＢ）と区別する便宜上、重合体成分（Ａ）は後述する硬化機能官能基を有しない。
【００３１】
重合体成分（Ａ）としては、アクリル系重合体、ポリエステル、フェノキシ樹脂（後述する硬化性重合体（ＡＢ）と区別する便宜上、エポキシ基を有しないものに限る。）、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリシロキサン、ゴム系重合体等を用いることができる。また、これらの２種以上が結合したもの、たとえば、水酸基を有するアクリル重合体であるアクリルポリオールに、分子末端にイソシアネート基を有するウレタンプレポリマーを反応させることにより得られるアクリルウレタン樹脂等であってもよい。さらに、２種以上が結合した重合体を含め、これらの２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
（Ａ１）アクリル系重合体
重合体成分（Ａ）としては、アクリル系重合体（Ａ１）が好ましく用いられる。アクリル系重合体（Ａ１）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０〜５０℃、より好ましくは−５０〜４０℃、さらに好ましくは−４０〜３０℃の範囲にある。アクリル系重合体（Ａ１）のガラス転移温度が低過ぎると接着フィルム２０と支持シート２１との剥離力が大きくなって接着フィルムの転写不良が起こることがあり、高過ぎると接着フィルムの接着性が低下し、被着体に転写できなくなる、あるいは転写後に被着体から接着フィルムが剥離する等の不具合が生じることがある。
【００３３】
アクリル系重合体（Ａ１）の重量平均分子量は、１００，０００〜１，５００，０００であることがより好ましい。アクリル系重合体（Ａ１）の重量平均分子量が低過ぎると接着フィルム２０と支持シート２１との密着性が高くなり、接着フィルムの転写不良が起こることがあり、高過ぎると接着フィルムの接着性が低下し、被着体に転写できなくなる、あるいは転写後に被着体から接着フィルムが剥離する等の不具合が生じることがある。
【００３４】
アクリル系重合体（Ａ１）は、少なくとも構成する単量体に、（メタ）アクリル酸エステルを含む。
【００３５】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなど；環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、後述する水酸基を有する単量体、カルボキシル基を有する単量体、アミノ基を有する単量体として例示するもののうち、（メタ）アクリル酸エステルであるものを例示することができる。
【００３６】
なお、本明細書で（メタ）アクリルは、アクリルおよびメタクリルの両者を包含する意味で用いることがある。
【００３７】
アクリル系重合体（Ａ１）を構成する単量体として、水酸基を有する単量体を用いてもよい。このような単量体を用いることで、アクリル系重合体（Ａ１）に水酸基が導入され、接着フィルムが別途エネルギー線硬化性成分（Ｂ２）を含有する場合に、これとアクリル系重合体（Ａ１）との相溶性が向上する。水酸基を有する単量体としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステル；Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
【００３８】
アクリル系重合体（Ａ１）を構成する単量体として、カルボキシル基を有する単量体を用いてもよい。このような単量体を用いることで、アクリル系重合体（Ａ１）にカルボキシル基が導入され、接着フィルムが、別途エネルギー線硬化性成分（Ｂ２）を含有する場合に、これとアクリル系重合体（Ａ１）との相溶性が向上する。カルボキシル基を有する単量体としては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等が挙げられる。後述する硬化性成分（Ｂ）として、エポキシ系熱硬化性成分を用いる場合には、カルボキシル基とエポキシ系熱硬化性成分中のエポキシ基が反応してしまうため、カルボキシル基を有する単量体の使用量は少ないことが好ましい。
【００３９】
アクリル系重合体（Ａ１）を構成する単量体として、アミノ基を有する単量体を用いてもよい。このような単量体としては、モノエチルアミノ（メタ）アクリレート等のアミノ基を有する（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。
【００４０】
アクリル系重合体（Ａ１）を構成する単量体として、このほか酢酸ビニル、スチレン、エチレン、α−オレフィン等を用いてもよい。
【００４１】
アクリル系重合体（Ａ１）は架橋されていてもよい。アクリル系重合体（Ａ１)が架橋される場合には、架橋される前のアクリル系重合体（Ａ１）が水酸基等の架橋性官能基を有している。また、接着フィルム２０を形成するための組成物中に架橋剤を添加する。架橋性官能基と架橋剤の有する官能基が反応することにより架橋が行われる。アクリル系重合体（Ａ１）を架橋することにより、接着フィルムの初期接着力および凝集力を調節することが可能となる。
【００４２】
架橋剤としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
【００４３】
有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。
【００４４】
有機多価イソシアネート化合物として、具体的には、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンイソシアネート、およびこれらの多価アルコールアダクト体が挙げられる。
【００４５】
有機多価イミン化合物として、具体的には、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネートおよびＮ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。
【００４６】
架橋剤は架橋する前のアクリル系重合体（Ａ１）１００質量部に対して通常０．０１〜２０質量部、好ましくは０．１〜１０質量部、より好ましくは０．５〜５質量部の比率で用いられる。
【００４７】
本発明において、接着フィルムを構成する成分の含有量の態様について、重合体成分（Ａ）の含有量を基準として定める場合、重合体成分（Ａ）が架橋されたアクリル系重合体であるときは、その基準とする含有量は、架橋される前のアクリル系重合体の含有量である。
【００４８】
（Ａ２）非アクリル系樹脂
また、重合体成分（Ａ）として、ポリエステル、フェノキシ樹脂（後述する硬化性重合体（ＡＢ）と区別する便宜上、エポキシ基を有しないものに限る。）、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリシロキサン、ゴム系重合体またはこれらの２種以上が結合したものから選ばれる非アクリル系樹脂（Ａ２）の１種単独または２種以上の組み合わせを用いてもよい。このような樹脂としては、重量平均分子量が２０，０００〜１００，０００のものが好ましく、２０，０００〜８０，０００のものがさらに好ましい。
【００４９】
非アクリル系樹脂（Ａ２）のガラス転移温度は、好ましくは−３０〜１５０℃、さらに好ましくは−２０〜１２０℃の範囲にある。非アクリル系樹脂のガラス転移温度が低過ぎると接着フィルムと支持シートとの剥離力が大きくなって接着フィルムの転写不良が起こることがある。ガラス転移温度が高過ぎると接着フィルムと被着体との接着力が不十分となるおそれがある。
【００５０】
非アクリル系樹脂（Ａ２）を、上述のアクリル系重合体（Ａ１）と併用した場合には、後述する保護膜形成用複合シートを用いて被着体へ接着フィルムを転写する際に、支持シート２１と接着フィルム２０との層間剥離を容易に行うことができる。また、転写面のバンプ等の凹凸に接着フィルムが追従しやすくなる傾向がある。
【００５１】
非アクリル系樹脂（Ａ２）を、上述のアクリル系重合体（Ａ１）と併用する場合には、非アクリル系樹脂（Ａ２）の含有量は、非アクリル系樹脂（Ａ２）とアクリル系重合体（Ａ１）との質量比（Ａ２：Ａ１）において、通常１：９９〜６０：４０、好ましくは１：９９〜３０：７０の範囲にある。非アクリル系樹脂（Ａ２）の含有量がこの範囲にあることにより、上記の効果をより高い程度で得ることができる。
【００５２】
（Ｂ）硬化性成分
硬化性成分（Ｂ）は、接着フィルム２０に硬化性を付与することを主目的として接着フィルムに添加される。硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分（Ｂ１）、またはエネルギー線硬化性成分（Ｂ２）を用いることができる。また、これらを組み合わせて用いてもよい。熱硬化性成分（Ｂ１）は、少なくとも加熱により反応する官能基を有する化合物を含有する。また、エネルギー線硬化性成分（Ｂ２）は、エネルギー線照射により反応する官能基を有する化合物（Ｂ２１）を含有し、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する。これらの硬化性成分が有する官能基同士が反応し、三次元網目構造が形成されることにより硬化が実現される。硬化性成分（Ｂ）は、重合体成分（Ａ）と組み合わせて用いるため、接着フィルムを形成するための塗工用組成物の粘度上昇を抑制し、取り扱い性を向上させる等の観点から、通常その重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００以下であり、１００〜１０，０００であることが好ましい。
【００５３】
（Ｂ１）熱硬化性成分
接着フィルムを硬化する際に、チップ搭載部とチップとに挟まれた状態の接着フィルムにエネルギー線照射を行うことが困難な場合があるため、熱硬化性成分（Ｂ１）を用いることが好ましい。熱硬化性成分としては、たとえば、エポキシ系熱硬化性成分が好ましい。
エポキシ系熱硬化性成分は、エポキシ基を有する化合物（Ｂ１１）を含有し、エポキシ基を有する化合物（Ｂ１１）と熱硬化剤（Ｂ１２）を組み合わせたものを用いることが好ましい。
【００５４】
（Ｂ１１）エポキシ基を有する化合物
エポキシ基を有する化合物（Ｂ１１）（以下、「エポキシ化合物（Ｂ１１）」ということがある。）としては、従来公知のものを用いることができる。具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
エポキシ化合物（Ｂ１１）を用いる場合には、接着フィルムには、重合体成分（Ａ）１００質量部に対して、エポキシ化合物（Ｂ１１）が、好ましくは１〜１５００質量部含まれ、より好ましくは３〜１２００質量部含まれる。エポキシ化合物（Ｂ１１）が１質量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、１５００質量部を超えると接着フィルム２０と支持シート２１との剥離力が高くなり、接着フィルムの転写不良が起こることがある。接着フィルムのバンプへの追従性をさらに高める観点からは、接着フィルムには、重合体成分（Ａ）１００質量部に対して、エポキシ化合物（Ｂ１１）が１００〜１２００質量部含まれることが好ましい。
【００５６】
（Ｂ１２）熱硬化剤
熱硬化剤（Ｂ１２）は、エポキシ化合物（Ｂ１１）に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、１分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。
【００５７】
フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。これらは、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００５８】
熱硬化剤（Ｂ１２）の含有量は、エポキシ化合物（Ｂ１１）１００質量部に対して、０．１〜５００質量部であることが好ましく、１〜２００質量部であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると接着フィルムの吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。
【００５９】
（Ｂ１３）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｂ１３）を、接着フィルムの熱硬化の速度を調整するために用いてもよい。硬化促進剤（Ｂ１３）は、特に、熱硬化性成分（Ｂ１）として、エポキシ系熱硬化性成分を用いるときに好ましく用いられる。
【００６０】
好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００６１】
硬化促進剤（Ｂ１３）は、エポキシ化合物（Ｂ１１）および熱硬化剤（Ｂ１２）の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１０質量部、さらに好ましくは０．１〜１質量部の量で含まれる。硬化促進剤（Ｂ１３）を上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤（Ｂ１３）の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で接着フィルム中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させることがある。
【００６２】
（Ｂ２）エネルギー線硬化性成分
接着フィルムがエネルギー線硬化性成分を含有することで、多量のエネルギーと長い時間を要する熱硬化工程を行うことなく接着フィルムの硬化を行うことができる。これにより、製造コストの低減を図ることができる。また、ダイボンド用のフィルム状接着剤として用いる場合において、接着フィルムが熱硬化性成分（Ｂ１）とエネルギー線硬化性成分（Ｂ２）をいずれも含むときは、接着フィルムを熱硬化工程の前にエネルギー線照射により予備硬化することができる。これにより、接着フィルム２０と支持シート２１との界面の密着性を制御したり、ワイヤーボンディング工程など、熱硬化工程よりも前に行われる工程におけるフィルム状接着剤の工程適性を向上させたりすることが可能となる。
【００６３】
エネルギー線硬化性成分は、エネルギー線照射により反応する官能基を有する化合物（Ｂ２１）を単独で用いてもよいが、エネルギー線照射により反応する官能基を有する化合物（Ｂ２１）と光重合開始剤（Ｂ２２）を組み合わせたものを用いることが好ましい。
【００６４】
（Ｂ２１）エネルギー線照射により反応する官能基を有する化合物
エネルギー線照射により反応する官能基を有する化合物（Ｂ２１）（以下「エネルギー線反応性化合物（Ｂ２１）」ということがある。）としては、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート等のアクリレート系化合物が挙げられ、また、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物等の重合構造を有するアクリレート化合物であって、比較的低分子量のものが挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有する。
【００６５】
エネルギー線反応性化合物（Ｂ２１）を用いる場合、接着フィルムには、重合体成分（Ａ）１００質量部に対して、エネルギー線反応性化合物（Ｂ２１）が、好ましくは１〜１５００質量部含まれ、より好ましくは３〜１２００質量部含まれる。
【００６６】
（Ｂ２２）光重合開始剤
エネルギー線反応性化合物（Ｂ２１）に光重合開始剤（Ｂ２２）を組み合わせることで、重合硬化時間を短くし、ならびに光線照射量を少なくすることができる。
【００６７】
このような光重合開始剤（Ｂ２２）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２−ジフェニルメタン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドおよびβ−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｂ２２）は１種類単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００６８】
光重合開始剤（Ｂ２２）の配合割合としては、エネルギー線反応性化合物（Ｂ２１）１００質量部に対して０．１〜１０質量部含まれることが好ましく、１〜５質量部含まれることがより好ましい。
【００６９】
光重合開始剤（Ｂ２２）の配合割合が０．１質量部未満であると光重合の不足で満足な硬化性が得られないことがあり、１０質量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、不具合の原因となることがある。
【００７０】
（第２のバインダー成分）
第２のバインダー成分は、硬化性重合体成分（ＡＢ）を含有することにより、接着フィルムに造膜性（シート形成性）と硬化性を付与する。
【００７１】
（ＡＢ）硬化性重合体成分
硬化性重合体成分は、硬化機能官能基を有する重合体である。硬化機能官能基は、互いに反応して三次元網目構造を構成しうる官能基であり、加熱により反応する官能基や、エネルギー線により反応する官能基が挙げられる。
【００７２】
硬化機能官能基は、硬化性重合体（ＡＢ）の骨格となる連続構造の単位中に付加していてもよいし、末端に付加していてもよい。硬化機能官能基が硬化性重合体成分（ＡＢ）の骨格となる連続構造の単位中に付加している場合、硬化機能官能基は側鎖に付加していてもよいし、主鎖に直接付加していてもよい。硬化性重合体成分（ＡＢ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、接着フィルムにシート形状維持性を付与する目的を達成する観点から、通常２０，０００以上である。
【００７３】
加熱により反応する官能基としてはエポキシ基が挙げられる。エポキシ基を有する硬化性重合体成分（ＡＢ）としては、エポキシ基を有するフェノキシ樹脂が挙げられ、具体的な製品名としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲ１２５６、ｊＥＲ４２５０等が挙げられる。
【００７４】
また、硬化性重合体成分は、上述のアクリル系重合体（Ａ１）と同様の重合体であって、単量体として、エポキシ基を有する単量体を用いて重合したもの（エポキシ基含有アクリル系重合体）であってもよい。このような単量体としては、たとえばグリシジル（メタ）アクリレート等のグリシジル基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。
【００７５】
エポキシ基含有アクリル系重合体を用いる場合、その好ましい態様はアクリル系重合体（Ａ１）と同様である。
【００７６】
エポキシ基を有する硬化性重合体成分（ＡＢ）を用いる場合には、硬化性成分（Ｂ）としてエポキシ系熱硬化性成分を用いる場合と同様、熱硬化剤（Ｂ１２）や、硬化促進剤（Ｂ１３）を併用してもよい。
【００７７】
エネルギー線により反応する官能基としては、（メタ）アクリロイル基が挙げられる。エネルギー線により反応する官能基を有する硬化性重合体成分（ＡＢ）としては、ポリエーテルアクリレートなどの重合構造を有するアクリレート系化合物等であって、高分子量のものを用いることができる。
【００７８】
また、たとえば側鎖に水酸基等の官能基Ｘを有する原料重合体に、官能基Ｘと反応しうる官能基Ｙ（たとえば、官能基Ｘが水酸基である場合にはイソシアネート基等）およびエネルギー線照射により反応する官能基を有する低分子化合物を反応させて調製した重合体を用いてもよい。
【００７９】
この場合において、原料重合体が上述のアクリル系重合体（Ａ）に該当するときは、その原料重合体の好ましい態様は、アクリル系重合体（Ａ）と同様である。
【００８０】
エネルギー線により反応する官能基を有する硬化性重合体成分（ＡＢ）を用いる場合には、エネルギー線硬化性成分（Ｂ２）を用いる場合と同様、光重合開始剤（Ｂ２２）を併用してもよい。
【００８１】
第２のバインダー成分は、硬化性重合体成分（ＡＢ）と併せて、上述の重合体成分（Ａ）や硬化性成分（Ｂ）を含有していてもよい。
【００８２】
接着フィルムには、バインダー成分のほか、以下の成分を含有させてもよい。
【００８３】
（Ｃ）無機フィラー
接着フィルムは、無機フィラー（Ｃ）を含有していてもよい。無機フィラー（Ｃ）を接着フィルムに配合することにより、硬化後の接着フィルムにおける熱膨張係数を調整することが可能となり、被着体である半導体チップ１１に対して硬化後の接着フィルムの熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の接着フィルムの吸湿率を低減させることも可能となる。
【００８４】
好ましい無機フィラーとしては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。上記無機フィラー（Ｃ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。上述の効果をより確実に得るための、無機フィラー（Ｃ）の含有量の範囲としては、接着フィルムを構成する全固形分の質量に占める割合が、好ましくは１〜８０質量％、より好ましくは５〜７５質量％、特に好ましくは１５〜６０質量％である。
【００８５】
（Ｄ）カップリング剤
無機物と反応する官能基および有機官能基と反応する官能基を有するカップリング剤（Ｄ）を、接着フィルムの被着体に対する接着性、密着性および／または接着フィルムの凝集性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｄ）を使用することで、接着フィルムを硬化して得られる接着フィルムの耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。このようなカップリング剤としては、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、シランカップリング剤等が挙げられる。これらのうちでも、シランカップリング剤が好ましい。
【００８６】
シランカップリング剤としては、その有機官能基と反応する官能基が、重合体（Ａ）、硬化性成分（Ｂ）や硬化性重合体成分（ＡＢ）などが有する官能基と反応する基であるシランカップリング剤が好ましく使用される。
このようなシランカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００８７】
シランカップリング剤は、重量平均分子量１０，０００以上の重合体（Ａ）、硬化性成分（Ｂ）および硬化性重合体成分（ＡＢ）の合計１００質量部に対して、通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．２〜１０質量部、より好ましくは０．３〜５質量部の割合で含まれる。シランカップリング剤の含有量が０．１質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、２０質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。
【００８８】
（Ｅ）汎用添加剤
接着フィルムには、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤などが挙げられる。
【００８９】
接着フィルム２０は、単一組成のフィルムであってもよく、また組成の異なる２種以上のフィルムの積層フィルムであってもよい。２種以上のフィルムで構成する場合、たとえば、半導体ウエハ側に接着されるフィルムには、比較的粘着成分を多量に配合し、チップ搭載部に接着されるフィルムには、硬化性成分の配合量を増加してもよい。
【００９０】
接着フィルム２０の厚さは、通常は３〜１００μｍ、好ましくは３〜９５μｍ、特に好ましくは５〜８５μｍ程度である。なお、接着フィルムが貼付されるウエハ表面に凸状電極（バンプ）１２が形成されている場合には、ボイドの発生なく回路面を覆い、かつバンプが接着フィルムを貫通するため、バンプ１２の平均高さ（ＨB）と、接着フィルム２０の厚み（ＴA）との比（ＨB／ＴA）は、好ましくは１．０／０．３〜１．０／０．９５、より好ましくは１．０／０．５〜１．０／０．９、さらに好ましくは１．０／０．６〜１．０／０．８５、特に好ましくは１．０／０．７〜１．０／０．８の範囲にある。バンプ１２の平均高さ（ＨB）は、チップ表面（バンプを除く回路面）からバンプ頂部までの高さであり、バンプが複数ある場合には、これらの算術平均による。
【００９１】
接着フィルムの厚みに対して、バンプ高さが高すぎると、チップ表面（バンプを除く回路面）とチップ搭載用基板との間隔があき、ボイド発生の原因となる。一方、接着フィルムが厚すぎると、バンプが接着剤層を貫通しないため、導通不良の原因となる。
【００９２】
（支持シート２１）
接着フィルム２０は、支持シート２１上に剥離可能に担持され接着シートとされた状態で、半導体ウエハとの貼付工程に供給されてもよい。さらに、支持シート２１は、ウエハ回路面の高低差を吸収し、接着フィルムを密着してウエハ表面に貼付するために、段差吸収層２２を有していてもよい。
【００９３】
接着フィルム２０は、支持シート２１上に剥離可能に積層されてなる。支持シート２１は、基材２３と呼ばれる単層または複層の樹脂フィルムであってもよく（図１参照）、さらに樹脂フィルム上に粘着剤層２４が形成された粘着シートであってもよい（図２参照）。
【００９４】
（基材２３）
基材２３としては、特に限定されず、例えば低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ），エチレン・プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレタンフィルム、アイオノマー等からなる樹脂フィルムなどが用いられる。また、後述する段差吸収層を基材として用いることもできる。
【００９５】
これらの樹脂フィルムは、２種類以上を積層したり、組み合わせて用いたりすることもできる。さらに、これら樹脂フィルムを着色したもの、あるいは印刷を施したもの等も使用することができる。また、樹脂フィルムは熱可塑性樹脂を押出形成によりシート化したものであってもよく、延伸されたものであってもよく、硬化性樹脂を所定手段により薄膜化、硬化してシート化したものが使われてもよい。
【００９６】
基材２３の厚さは特に限定されず、好ましくは３０〜３００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍである。基材２３の厚みを上記範囲とすることで、基材と接着フィルムとを含む接着シートに充分な可とう性が付与されるため、半導体ウエハに対して良好な貼付性を示す。
【００９７】
図１に示すように、基材２３上に接着フィルム２０を直接形成する場合には、基材２３の接着フィルム２０に接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。下限値は通常２５ｍＮ／ｍ程度である。このような表面張力が比較的低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
【００９８】
剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。
【００９９】
上記の剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、剥離剤が塗布された基材を常温下または加熱下に供するか、または電子線により硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。
【０１００】
（粘着剤層２４）
図２に示すように、支持シート２１は、上記基材２３上に粘着剤層２４を有する粘着シートであってもよい。この場合、上記接着フィルム２０は、粘着剤層２４上に剥離可能に積層される。したがって、粘着剤層２４としては、弱粘着性のものを使用してもよいし、エネルギー線照射により粘着力が低下するエネルギー線硬化性のものを使用してもよい。また、エネルギー線硬化性の粘着剤をあらかじめ硬化させて粘着剤層２４を形成してもよい。弱粘着性の粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤（例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系などの汎用粘着剤、表面に凹凸のある粘着剤、エネルギー線硬化型粘着剤、熱膨張成分含有粘着剤等）により形成できる。
【０１０１】
粘着剤としては、アクリル系、シリコーン系が好ましく用いられる。また、接着フィルムの剥離性を考慮して、粘着剤層２４の２３℃でのＳＵＳ板への粘着力は、３０〜１２０ｍＮ／２５ｍｍであることが好ましく、５０〜１００ｍＮ／２５ｍｍであることがさらに好ましく、６０〜９０ｍＮ／２５ｍｍであることがより好ましい。この粘着力が低すぎると、接着フィルム２０と粘着剤層２４との密着性が不十分になり、接着フィルムと粘着剤層とが剥離することがある。また粘着力が高過ぎると、接着フィルム２０と粘着剤層２４とが過度に密着し、ピックアップ不良の原因となる。
【０１０２】
また、図２の構成では、基材２３と粘着剤層２４との接着を強固にするため、基材２３の粘着剤層２４が設けられる面には、所望により、サンドブラストや溶剤処理などによる凹凸化処理、あるいはコロナ放電処理、電子線照射、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理などの酸化処理などを施すことができる。また、プライマー処理を施すこともできる。
【０１０３】
粘着剤層２４の厚さは特に限定されないが、好ましくは１〜１００μｍ、さらに好ましくは２〜８０μｍ、特に好ましくは３〜５０μｍである。
【０１０４】
（段差吸収層２２）
接着フィルム２０が貼付される半導体ウエハ表面の高低差が大きな場合には、支持シート２１が段差吸収層２２を有することが好ましい。段差吸収層２２上に接着フィルム２０が直接積層されててもよい（図示せず）。また、図３に示すように、支持シートが基材２３上に段差吸収層２２および粘着剤層２４のいずれも有する場合には、粘着剤層２４が支持シート２１の最上層として形成され、粘着剤層２４上に接着フィルム２０が設けられることが好ましい。これにより、粘着剤層２４により、接着フィルム２０の支持シート２１からの剥離性を制御することが容易となる。
【０１０５】
段差吸収層２２の厚みは、特に限定はされないが、好ましくは１０〜４００μｍであり、２３℃における貯蔵弾性率は好ましくは０．２〜６．０ＭＰａである。
【０１０６】
段差吸収層２２は、ウエハ表面に形成されたバンプを有するデバイス領域が押し付けられると特異な粘弾性を示し、デバイスの形状に応じて速やかに変形し、デバイスの高低差（段差）に起因する応力を緩和するため、デバイスを押し付けてもデバイスが潰れることを回避することが容易である。段差吸収層２２の厚みが１００μｍ未満の場合や段差吸収層２２の２３℃における貯蔵弾性率が６．０ＭＰａを超える場合には、デバイスの高低差に起因する応力を十分に緩和することができないおそれがある。一方、段差吸収層２２の厚みが４００μｍを超える場合や段差吸収層２２の２３℃における貯蔵弾性率が０．２ＭＰａ未満の場合には、接着シートを巻き取る際に段差吸収層２２が潰れて端面から押し出される不具合等が懸念される。
【０１０７】
段差吸収層２２の厚みは、より好ましくは３０〜３５０μｍ、特に好ましくは５０〜２５０μｍである。また、段差吸収層２２の２３℃における貯蔵弾性率は、より好ましくは０．２〜２．５ＭＰａ、特に好ましくは０．５〜１．５ＭＰａである。段差吸収層２２の厚みと２３℃における貯蔵弾性率を上記範囲とすることで、ウエハ表面の段差が段差吸収層２２に埋め込まれ、段差を吸収しやすくなる。
【０１０８】
段差吸収層２２は、上記の厚みと貯蔵弾性率を満たすことが好ましく、その材料は特に限定されないが、含ウレタン硬化性組成物を硬化させて得られる硬化物を含むことが好ましい。含ウレタン硬化性樹脂組成物としては、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーに必要に応じてエネルギー線硬化性モノマーを配合したものや、非反応性のポリウレタンにエネルギー線硬化性モノマーを配合したものが挙げられる。一例として、ポリエーテルポリオール系ポリウレタンとエネルギー線硬化性モノマーとを含む配合物をエネルギー線硬化させた硬化物を用いた場合について説明する。
【０１０９】
ポリエーテルポリオール系ポリウレタンは、ポリエーテルポリオールと多価イソシアネート化合物とを重縮合して得られるものであれば、高分子量体であってもオリゴマーであってもよい。オリゴマーである場合には、重合性官能基を有することが好ましく、重合性官能基としては（メタ）アクリロイル基等が挙げられる。このようなポリエーテルポリオール系ポリウレタンとしては、ポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが挙げられる。
【０１１０】
ポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーは、分子内にポリエーテルポリオールから導かれる構成単位および、エネルギー線重合性の（メタ）アクリロイル基を有し、さらにウレタン結合を有する化合物である。ポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーは、たとえばポリエーテル型ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得られる。２つ以上の（メタ）アクリロイル基を有するポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーを用いることで、段差吸収層２２のタックを抑制することができ、作業者や設備等に接着しにくく好ましい。
【０１１１】
ポリエーテル型ポリオール化合物は、特に限定はされず、２官能のジオール、３官能のトリオール、さらには４官能以上のポリオールであってよいが、入手の容易性、汎用性、反応性などの観点から、ジオールを使用することが特に好ましい。したがって、ポリエーテル型ジオールが好ましく使用される。
【０１１２】
ポリエーテル型ジオールは、一般にHO-(-R-O-)n-Hで示される。ここで、Ｒは２価の炭化水素基、好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくは炭素数１〜６のアルキレン基、特に好ましくは炭素数２または３のアルキレン基である。また、炭素数１〜６のアルキレン基の中でも好ましくはエチレン、プロピレン、ブチレンまたはテトラメチレン、特に好ましくはエチレンまたはプロピレンである。このようなエーテル結合部は、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、テトラヒドロフラン等の環状エーテルの開環反応によって誘導される構造であってもよい。このようなポリエーテル型ポリオール化合物を用いることで、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーは、ポリエーテル型ポリオール化合物から誘導される構成単位を含有する。ｎは(-R-O-)の繰り返し数であり、１０〜２５０程度が好ましく、２５〜２０５程度とすることがさらに好ましく、４０〜１８５程度とすることが特に好ましい。ｎが１０より小さいと、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーのウレタン結合密度が高くなってしまい、段差吸収層２２の２３℃における貯蔵弾性率が高くなってしまうことがある。一方、ポリエーテル鎖同士の高分子相互作用の為に、ｎが２５０より大きいと、２３℃における貯蔵弾性率が低下しにくくなる懸念がある。
【０１１３】
ポリエーテル型ポリオール化合物の分子量としては、１０００〜１００００程度が好ましく、２０００〜８０００程度とすることがさらに好ましい。分子量が１０００より低いと、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーの架橋密度が高くなり、段差吸収層２２の２３℃における貯蔵弾性率が上昇する傾向にある。重量平均分子量が高すぎると、ポリエーテル鎖同士の高分子相互作用の為に、２３℃における貯蔵弾性率が低下しにくくなる懸念がある。
【０１１４】
なお、ポリエーテル型ポリオール化合物の分子量は、ポリエーテル型ポリオール官能基数×５６.１１×１０００／水酸基価[ｍｇＫＯＨ/ｇ]であり、ポリエーテル型ポリオール化合物の水酸基価から算出される値である。
【０１１５】
ポリエーテル型ポリオール化合物は、多価イソシアネート化合物とのウレタン化反応により、エーテル結合部（-(-R-O-)n-）が導入された、末端イソシアネートウレタンプレポリマーを生成する。
【０１１６】
多価イソシアネート化合物としては、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類；イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、ω，ω’−ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類；４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン−１,５−ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類などが挙げられる。これらの中では、イソホロンジイソシアネートやヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートを用いることが、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーの粘度を低く維持でき、取り扱い性が良好となるため好ましい。
【０１１７】
なお、当該ウレタン化反応には、必要に応じて各種公知の触媒を使用してもよい。触媒としては、例えば、ジブチルスズオキサイドやオクチル酸第一スズなどのスズ化合物やテトラブチルチタネート、テトラプロピルチタネートなどのアルコキシチタンが挙げられる。触媒を使用する場合には、その使用量は特に限定されないが、１０〜５００ｐｐｍ程度が、反応速度や反応制御の面から合理的である。当該エステル化反応の反応温度は特に限定されないが、１５０〜３００℃が反応速度や反応制御の面から合理的である。
【０１１８】
上記のようなポリエーテル型ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させてポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが得られる。
【０１１９】
ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、１分子中にヒドロキシ基および（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されず、公知のものを使用することができる。具体的には、例えば、α−ヒドロキシメチルアクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシシクロオクチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェニルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のアルキレンエーテル基含有（メタ）アクリレート；Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリルアミド；ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールＡのジグリシジルエステルに（メタ）アクリル酸を反応させて得られる反応物などが挙げられる。
【０１２０】
末端イソシアネートウレタンプレポリマーおよびヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させるための条件としては、末端イソシアネートウレタンプレポリマーとヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとを、必要に応じて溶剤、触媒の存在下、６０〜１００℃程度で、１〜４時間程度反応させればよい。
【０１２１】
末端イソシアネートウレタンプレポリマーおよびヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートの使用量は、特に限定されないが、通常、（末端イソシアネートウレタンプレポリマーのイソシアネート基の当量）／（ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートのヒドロキシ基の当量）を０．５〜１．０程度とすることが好ましい。
【０１２２】
このようにして得られたポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーの重量平均分子量Ｍｗ（ゲルパーミエテーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算値をいう、以下同様。）は、特に限定されないが、通常、３５０００〜１０００００程度とすることが好ましく、４００００〜８００００程度とすることがより好ましく、４５０００〜７００００程度とすることが特に好ましい。重量平均分子量Ｍｗがこのような範囲にあることで、段差吸収層２２の２３℃における貯蔵弾性率を上記の好ましい範囲に調整することが容易となる。１０００００以下とすることで、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーの樹脂粘度を低くすることができ、製膜用塗布液のハンドリング性が向上する。
【０１２３】
得られるポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、エネルギー線照射により重合硬化し、皮膜を形成する性質を有する。このようなポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーは、分子内に比較的鎖長の長いポリエーテルポリオール部位を有し、また重合点となるアクリロイル基が分子量に比して少ないため、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーの硬化物を含む段差吸収層２２は、特異な粘弾性を示す。
【０１２４】
上記のポリエーテルポリオール系ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーは一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようなウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーのみでは、製膜が困難な場合が多いため、エネルギー線硬化性モノマーを混合して製膜した後、これを硬化して段差吸収層２２を得る。エネルギー線硬化性モノマーは、分子内にエネルギー線重合性の二重結合を有し、比較的嵩高い基を有するアクリル酸エステル系化合物が好ましく用いられる。
【０１２５】
エネルギー線硬化性モノマーの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、エイコシル（メタ）アクリレート等のアルキル基の炭素数が１〜３０の（メタ）アクリレート；イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの脂環式構造を有する（メタ）アクリレート；フェノキシエチルアクリレート、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレートなどの芳香族構造を有する（メタ）アクリレート；もしくはテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの複素環式構造を有する（メタ）アクリレート；スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ−ビニルホルムアミドなどのビニル化合物が挙げられる。また、必要に応じて多官能（メタ）アクリレートを用いてもよい。
【０１２６】
これらの中でも、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーとの相溶性の点から、比較的嵩高い基を有する脂環式構造を有する（メタ）アクリレート、芳香族構造を有する（メタ）アクリレート、複素環式構造を有する（メタ）アクリレートが好ましい。
【０１２７】
このエネルギー線硬化性モノマーの使用量は、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー１００質量部（固形分）に対して、１０〜５００質量部が好ましく、３０〜４００質量部がより好ましい。
【０１２８】
製膜方法としては、流延製膜（キャスト製膜）と呼ばれる手法が好ましく採用できる。具体的には、液状の配合物（上記成分の混合物を、必要に応じ溶媒で希釈した液状物）を、たとえば工程シート上に薄膜状にキャストした後に、塗膜にエネルギー線を照射して重合硬化させてフィルム化する。このような製法によれば、製膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常２％以内になる。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。また、その照射量は、エネルギー線の種類によって様々であり、たとえば紫外線を用いる場合には、紫外線強度は５０〜３００ｍＷ／ｃｍ２、紫外線照射量は１００〜１２００ｍＪ／ｃｍ２程度が好ましい。
【０１２９】
製膜時、紫外線をエネルギー線として使用する場合、該配合物に光重合開始剤を配合することにより、効率よく反応することができる。このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光重合開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどが挙げられる。
【０１３０】
光重合開始剤の使用量は、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーおよびエネルギー線硬化性モノマーの合計１００質量部に対して、好ましくは０．０５〜１５質量部、さらに好ましくは０．１〜１０質量部、特に好ましくは０．３〜５質量部である。
【０１３１】
また、上述の配合物中には、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラー、鉄、鉛等の金属フィラーを添加してもよい。さらに、上記成分の他にも、段差吸収層２２には顔料や染料等の着色剤等の添加物が含有されていてもよい。
【０１３２】
このような含ウレタン硬化性組成物を硬化させて得られる硬化物を含む段差吸収層２２は、工程シート上に製膜された後に、基材２３と積層されてもよく、基材２３上に、直接段差吸収層２２を製膜してもよい。
【０１３３】
また、段差吸収層２２は、オレフィン系共重合体を主成分として含むものであってもよい。オレフィン系共重合体としては三井化学社製ＴＡＦＭＥＲ（登録商標）のようなエチレン・α−オレフィン共重合体が例示できる。本発明の段差吸収層２２を形成するオレフィン系共重合体は、炭素原子数２〜１２のα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体であることが好ましい。
【０１３４】
炭素原子数２〜１２のα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン等が挙げられる。貼り付け適性に優れる組合せとしては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、プロピレン・１−ブテン・炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの三元共重合体、エチレン・プロピレン・炭素原子数４〜１２のα−オレフィンの三元共重合体、プロピレン・１−ブテン・炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの３成分共重合体等が挙げられる。また、上記のオレフィン系共重合体は単独でも、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【０１３５】
段差吸収層２２は、前記オレフィン系共重合体を主成分として含有することが好ましく、その含有量は、通常、６０〜１００質量％程度であり、好ましくは、７０〜１００質量％程度である。
【０１３６】
このようなオレフィン系共重合体を主成分として含む段差吸収層２２を基材２３上に形成する方法としては、たとえば押出成型法が挙げられる。
【０１３７】
（半導体チップの製造方法）
次に、上記の接着フィルムを用いた接着フィルム付半導体チップの製造方法について、非限定的具体例として、方法１〜３をあげて説明する。なお、以下では、主に、接着フィルム２０が支持シート２１上に担持された接着シートを使用する例をあげて説明するが、支持シート２１を使用せずに、接着フィルム２０は非担持であってもよい。接着フィルム２０の貼付後の任意の段階で、支持シート２１の剥離を行ってもよい。接着フィルムは、部分硬化されたものであってもよく、この場合、接着フィルムをウエハ回路面へ貼付する前に部分硬化を行ってもよく、接着フィルムの貼付後に部分硬化を行ってもよい。接着フィルム２０の部分硬化は、たとえば、接着フィルムを加熱し、Ｂステージ状態としてもよく、また接着フィルムが、エネルギー線硬化性成分を含む場合には、エネルギー線照射により行うこともできる。また、図では、支持シート２１を単層として記載するが、支持シート２１は、基材２３の単層の樹脂シートであってもよく、複層樹脂シートであってもよく、基材２３と粘着剤層２４とからなる粘着シートであってもよく、さらに段差吸収層２２を有する構成であってもよい。
【０１３８】
（方法１）
半導体装置の製造方法１は、以下の工程（１ａ）〜（１ｆ）を含み、半導体装置の製造方法１においては、（１ａ）工程の後にまたは（１ａ）工程と同時に（１ｂ）工程を行う。
（１ａ）ダイボンディング用接着フィルム２０が支持シート２１上に剥離可能に担持されてなる接着シートの接着フィルム面を、表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に減圧下で貼付する工程、
（１ｂ）半導体ウエハ１０に、接着シート２１または接着フィルム２０を介して、表面保護シート２５を貼付する工程、
（１ｃ）半導体ウエハ１０の裏面を研削する工程、
（１ｄ）半導体ウエハ１０の裏面に粘着シート２６を貼付する工程、
（１ｅ）表面保護シート２５を剥離する工程、
（１ｆ）支持シート２１を剥離する工程、および
（１ｇ）半導体ウエハ１０およびダイボンディング用接着フィルム２０を、回路毎に個片化する工程。
以下、各工程について説明する。
【０１３９】
（１ａ）工程
（１ａ）工程では、ダイボンディング用接着フィルム２０が支持シート２１上に剥離可能に担持されてなる接着シートの接着フィルム面を、表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に減圧下で貼付する（図４参照）。減圧下で接着フィルムを貼付する具体的方法は、前述のとおりである。
【０１４０】
なお、方法１〜３において、ダイボンディング用接着フィルム２０および支持シート２１は、半導体ウエハ１０と略同形状に予め切断されたプリカット形態でウエハ表面に貼付されてもよく、ウエハよりも大きな平面形状の接着フィルムを貼付した後に、ウエハの外径に沿って外周部を切除してもよい。接着シートを貼付した後に、支持シート２１を剥離してもよく（（１ｆ）工程。）、また支持シートを残しておいてもよい。
【０１４１】
半導体ウエハ１０としては、従来より用いられているシリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウエハなどの半導体ウエハが挙げられるが、これらに限定されず、種々の半導体ウエハを用いることができる。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む、様々な方法により行うことができる。ウエハの回路形成工程において、所定の回路が形成される。また回路面には、チップ搭載用基板との導通に用いられる凸状電極（バンプ）１２が形成されていることが望ましい。バンプ１２の高さ、径は、半導体装置の設計に応じ様々だが、一般的には、高さは１０〜１００μｍ程度であり、径は２０〜１００μｍ程度である。このようなバンプ１２は、金、銅、ハンダ等の金属から形成されることが多い。バンプ１２の形状は特に限定はされないが、円柱状や球状の他、図４に示すような円柱の先端に半球が載置された形状等が挙げられる。
【０１４２】
（１ｂ）工程
（１ｂ）工程では、接着シートの支持シート２１側の面に、表面保護シート２５を貼付する（図５参照）。なお、支持シート２１を剥離している場合には、接着フィルム２０に表面保護シート２５を貼付する。表面保護シート２５は、後述する裏面研削工程（（１ｃ）工程）において、ウエハ１０を保持し、回路面を保護するために貼着される。
【０１４３】
表面保護シート２５としては、この種の用途に用いられている各種の粘着シートが特に制限されることなく使用される。なお、方法１〜３において、表面保護シート２５を支持シート２１に貼着する場合には、後の工程では、支持シートと一体化した状態で表面保護シートの剥離を行うことが好ましく、そのため、強粘着性の表面保護シートを用いることが好ましい。また、表面保護シート２５を接着フィルム２０に貼着する場合には、後の工程では、表面保護シート２５と接着フィルム２０との界面で剥離を行うため、表面保護シートとしては弱粘着性または再剥離性の表面保護シートを用いることが好ましい。
【０１４４】
上記の表面保護シート２５は、ウエハ１０の形状に略等しい形状で用いられることが好ましい。この場合、表面保護シート２５が予めウエハ１０と略同形状に切断されていてもよく、ウエハ１０に接着シートを介して表面保護シート２５を貼付後、余分なシートをウエハ１０の外周に沿って切断、除去してもよい。また、表面保護シート２５の厚さは、通常は２０〜１０００μｍであり、好ましくは５０〜２５０μｍである。表面保護シート２５が粘着剤層を有している場合は、上記の厚さのうちで粘着剤層の厚さは５〜５００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである。なお、表面保護シートを貼付する方法は特に限定されず、テープマウンターなどを用いた汎用の手法により行われる。
【０１４５】
また、接着フィルム２０と支持シート２１とからなる接着シートを、予め表面保護シート２５上に積層しておき、上記（１ａ）工程と（１ｂ）工程とを同時に行うこともできる。また、表面保護シート２５上に接着フィルム２０を直接積層しておいてもよい。この場合、図面等における支持シート２１は存在せず、表面保護シート２５が支持シート２１を兼ねる。
【０１４６】
（１ｃ）工程
（１ｃ）工程では、半導体ウエハの裏面を研削し、ウエハ１０の厚みを薄くする（図６参照）。ウエハ１０の裏面研削は、グラインダー等を用いた方法により行われる。裏面研削後のウエハ１０の厚みは特に限定はされないが、通常は５０〜３００μｍ程度である。なお、ここでウエハの厚みとは、バンプが形成されていない部分の厚みをいう。
【０１４７】
（１ｄ）工程
（１ｄ）工程では、半導体ウエハ１０の裏面に粘着シート２６を貼付する（図７参照）。粘着シート２６としては、公知のダイシングシートとして用いられているものを使用すればよい。粘着シート２６を貼付する方法は特に限定されず、テープマウンターなどを用いた汎用の手法により行われる。ダイシングシートに代表される粘着シートとしては、たとえば基材２７上に粘着剤層２８を有する粘着シート２６が一般的に用いられるが、これに限定されず、種々の粘着シートが用いられうる。
【０１４８】
（１ｅ）工程
（１ｅ）工程では、表面保護シート２５を剥離する。
【０１４９】
（１ｆ）工程
（１ｆ）工程では、支持シート２１を剥離する。上述のとおり、（１ｂ）工程よりも前に（１ｆ）工程を行ってもよい。また、支持シート２１を残留させた場合には、表面保護シート２５と同時に支持シート２１を剥離することが好ましいが（図８参照）、表面保護シート２５を剥離した後に、支持シート２１を剥離してもよい。
【０１５０】
（１ｇ）工程
（１ｇ）工程では、半導体ウエハ１０およびダイボンディング用接着フィルム２０を回路毎に個片化し、回路面にダイボンディング用接着フィルム２０を有する半導体チップ１１を得る（図９参照）。つまり、（１ｇ）工程では、半導体ウエハ１０と接着フィルム２０との積層体を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングする。
【０１５１】
ダイシングは、ウエハ１０と接着フィルム２０をともに切断するように行われる。ダイシング法は特に限定されず、一例として、図９に示すように、ウエハのダイシング時には、粘着シート２６の外周部をリングフレーム２９により固定した後、ダイシングブレード３０などの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。ダイシングによる粘着シート２６への切込み深さは、接着フィルム２０とウエハ１０とを完全に切断していればよく、ウエハ１０と粘着シート２６との界面から０〜３０μｍとすることが好ましい。基材２７への切り込み量を小さくすることで、ダイシングブレード３０の摩擦による基材２７の溶融や、基材２７におけるバリ等の発生を抑制することができる。また、レーザー光を用いてウエハ１０と接着フィルム２０とを切断してもよい。この際、レーザー光を用いてのフルカットダイシングであってもよく、またレーザー光を、ウエハ内部に集光して改質領域層を形成し、この改質領域層を起点としてダイシングを行う方法であってもよい。後者の方法では、接着フィルムを切断できない場合があり、この場合には、粘着シート２６のエキスパンドを行い、エキスパンド力によって接着フィルムを切断すればよい。
【０１５２】
その後、ダイシングされた接着フィルム付半導体チップ１１をコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、粘着シート２６と半導体チップ１１とを剥離する。この結果、図１０に示すように、回路面にダイボンディング用接着フィルム２０を有する半導体チップ１１（接着フィルム付半導体チップ１１）が得られる。なお、ピックアップに先立ち、粘着シート２６のエキスパンドを行い、チップ間隔を離間することで、ピックアップをさらに容易に行えるようになる。
【０１５３】
（方法２）
半導体装置の製造方法２は、以下の工程（２ａ）〜（２ｆ）を含み、半導体装置の製造方法２においては、（２ｄ）工程の後に（２ｅ）工程を行う。
（２ａ）表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に表面保護シート２５を貼付する工程、
（２ｂ）半導体ウエハ１０の裏面を研削する工程、
（２ｃ）半導体ウエハ１０の裏面に粘着シート２６を貼付する工程、
（２ｄ）半導体ウエハ１０の回路面から表面保護シート２５を剥離する工程、
（２ｅ）ダイボンディング用接着フィルム２０が支持シート２１上に剥離可能に担持されてなる接着シートの接着フィルム面を、表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に減圧下で貼付する工程、
（２ｆ）半導体ウエハ１０およびダイボンディング用接着フィルム２０を、回路毎に個片化する工程。
以下、各工程について説明する。
【０１５４】
（２ａ）工程
（２ａ）工程では、表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に表面保護シート２５を貼付する（図１１参照）。半導体ウエハ１０および表面保護シート２５は前記と同様である。表面保護シート２５は、半導体ウエハ１０と略同形状に予め切断されたプリカット形態でウエハ表面に貼付されてもよく、ウエハよりも大きな平面形状の接着フィルムを貼付した後に、ウエハの外径に沿って外周部を切除してもよい。
【０１５５】
（２ｂ）工程
（２ｂ）工程では、半導体ウエハの裏面を研削し、ウエハ１０の厚みを薄くする（図１２参照）。具体的手法は、前記（１ｃ）工程と同様である。
【０１５６】
（２ｃ）工程
（２ｃ）工程では、半導体ウエハ１０の裏面に粘着シート２６を貼付する。粘着シート２６は前記と同様である。プロセスの安定化のため、粘着剤層２８は、その外周部においてリングフレーム２９に貼付されていてもよい（図１３参照）。
【０１５７】
（２ｄ）工程
（２ｄ）工程では、半導体ウエハ１０の回路面から、表面保護シート２５を剥離する。この結果、粘着シート２６上に積層されたバンプ１２を有する半導体ウエハ１０が得られる（図１４参照）。
【０１５８】
（２ｅ）工程
（２ｅ）工程では、ダイボンディング用接着フィルム２０が支持シート２１上に剥離可能に担持されてなる接着シートの接着フィルム面を、半導体ウエハ１０の回路面に減圧下で貼付する（図１５参照）。減圧下で接着フィルムを貼付する具体的方法は、前述のとおりである。
【０１５９】
（２ｆ）工程
（２ｆ）工程では、半導体ウエハ１０およびダイボンディング用接着フィルム２０を、回路毎に個片化し、回路面にダイボンディング用接着フィルムを有するチップ１１を得る。その方法は特に限定されないが、粘着シートを剥離し、ダイボンディング用接着フィルム２０が支持シート２１上に剥離可能に担持されてなる接着シートを、ダイシング時のウエハ固定用テープとしても用いることが好ましい。すなわち、接着シート上にウエハを転写した後に、ダイシングを行うことが好ましい。ウエハの個片化方法は、ダイシングブレードを用いた方法であってもよく、またレーザー光を用いた方法であってもよい。
【０１６０】
（２ｆ）工程の後、得られたチップ１１を別途粘着シートに転写した場合には、前記（１ｆ）工程で参照した図９と同様となる。その後のピックアップ工程は、前記と同様であり、その具体的態様も図１０と同様である。
【０１６１】
（方法３）
半導体装置の製造方法３は、以下の工程（３ａ）〜（３ｆ）を含む。
（３ａ）ダイボンディング用接着フィルム２０が支持シート２１上に剥離可能に担持されてなる接着シートの接着フィルム面を、表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に減圧下で貼付する工程、
（３ｂ）半導体ウエハ１０に、そのウエハ厚よりも浅い深さの溝３１を形成する工程、
（３ｃ）半導体ウエハ１０に、直接に、または接着シート２１もしくは接着フィルム２０を介して、表面保護シート２５を貼付する工程、
（３ｄ）半導体ウエハ１０の裏面を研削することでウエハの厚さを薄くするとともに、最終的には個々のチップ１１に分割する工程、
（３ｅ）分割された一群のチップ１１の裏面に粘着シート２６を貼付する工程、
（３ｆ）表面保護シート２５を剥離する工程。
（３ｇ）支持シート２１を剥離する工程。
以下、各工程について説明する。
【０１６２】
（３ａ）工程
（３ａ）工程は、前記（１ａ）工程と同様である（図４参照）。
【０１６３】
（３ｂ）工程
（３ｂ）工程では、表面に回路が形成された半導体ウエハ１０の回路面に、そのウエハの厚さよりも浅い深さの溝３１を形成する（図１６参照）。この際、半導体ウエハ１０の表面に接着シートが貼付されている場合、すなわち、（３ａ）の工程の後であって、かつ（３ｇ）の工程よりも前に（３ｂ）工程を行う場合には、接着シート（接着フィルム２０および支持シート２１）を完全に切断する（図１６参照。）。また、接着フィルム２０が貼付されている場合、すなわち、（３ａ）の工程および（３ｇ）の工程よりも後に（３ｂ）工程を行う場合には、接着フィルムを完全に切断する。（３ａ）工程よりも前に（３ｂ）工程を行う場合には、半導体ウエハ１０の表面に接着シートまたは接着フィルム２０は存在しない。
【０１６４】
溝３１を形成する方法は特に限定されず、例えば、ダイシングテープにウエハ１０を貼付し、ダイシングテープの周辺部をリングフレームにより固定したり、あるいはウエハ１０の回路面側を吸着テーブルに固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法により、接着シートを完全に切断し、ウエハの厚さよりも浅い深さの溝３１を形成できる。
【０１６５】
（３ｃ）工程
（３ｃ）工程では、溝を形成した面（半導体ウエハ１０の表面に接着シートまたは接着フィルム２０が貼付されている場合は、支持シート２１または接着フィルム２０側の面）に、表面保護シート２５を貼付する（半導体ウエハ１の表面に接着シートが貼付されている場合について、図１７参照）。表面保護シート２５の具体例およびその貼付方法は、前記と同様である。
【０１６６】
（３ｄ）工程
（３ｄ）工程では、半導体ウエハ１０の裏面を研削することでウエハの厚さを薄くするとともに、個々のチップ１１に分割する（半導体ウエハ１０の表面に接着シートが貼付されている場合について、図１８参照）。ウエハの裏面研削は、グラインダー等を用いた方法により行われる。裏面研削によりウエハの厚みが薄くなり、ウエハの厚みが（３ｂ）工程で形成された溝３１の底部に達することでウエハは個々のチップ１１に分割される。
【０１６７】
（３ｅ）工程
（３ｅ）工程では、分割された一群のチップ１１の裏面（研削面側）に粘着シート２６を貼付する（半導体ウエハ１０の表面に接着シートが貼付されている場合について、図１９参照）。粘着シート２６の具体例およびその貼付方法は、前記と同様である。また、操作性を確保し、エキスパンドを容易に行えるようにするため、粘着シート２６の周辺部をリングフレーム２９により固定することが好ましい。
【０１６８】
（３ｆ）工程
（３ｆ）工程では、表面保護シート２５を剥離する。
【０１６９】
（３ｇ）工程
（３ｇ）工程では、支持シート２１を剥離する。（３ｆ）工程において、表面保護シート２５と支持シート２１を同時に剥離することにより、（３ｇ）工程を（３ｆ）工程と同時に行ってもよい。この場合において、（３ｂ）工程を（３ａ）工程の後に行ったときは、（３ｂ）工程において切断された個片化された支持シート２１を剥離することとなる。
【０１７０】
ここで、（３ａ）工程〜（３ｇ）工程を行う順序について説明する。
（３ａ）工程が行われるのは、（３ｃ）工程よりも前または（３ｃ）工程と同時であるが、（３ａ）工程と（３ｂ）工程との前後は任意である。（３ｂ）工程〜（３ｆ）工程については、必要的に、（３ｂ）工程、（３ｃ）工程、（３ｄ）工程、（３ｅ）工程、（３ｆ）工程の順に行われる。
【０１７１】
方法１においても述べたように、（３ｇ）工程は、（３ａ）工程の後、（３ｃ）工程までの間に行うことができる。（３ｃ）工程よりも前に（３ｇ）工程を行わなかった場合は、（３ｆ）工程までの間、支持シート２１は半導体ウエハ１０と表面保護シート２５に挟まれた状態であり、支持シート２１のみを剥離することはできない。したがって、この場合、（３ｇ）工程は（３ｆ）工程と同時または（３ｆ）工程の後に行われる。
これらの工程の順序のいくつかの類型について、図２０にチャート図を示す。
【０１７２】
（３ｃ）工程と同時に（３ａ）工程を行う場合は、方法１と同様に、接着フィルム２０と支持シート２１とからなる接着シートを、予め表面保護シート２５上に積層しておいてもよく、支持シート２１を兼ねる表面保護シート２５上に接着フィルム２０を直接積層しておいてもよい。この場合、（３ｃ）工程が（３ｂ）工程よりも後に行われるものであることから、（３ａ）工程も（３ｂ）工程よりも後に行われることになる。したがって、次に説明する（３ｈ）工程を行うことが好ましい。
【０１７３】
（３ａ）工程を（３ｂ）工程よりも後に行った場合、（３ｂ）工程において接着フィルム２０を溝の形成と同時に切断するということがない。そのため、（３ａ）工程〜（３ｇ）工程の実施後においても、接着フィルム２０が個片化されずにいることになる（図２１を参照。）。そこで、さらに（３ｈ）平面視においてチップ間に相当する部分のダイボンディング用接着フィルム２０を、チップと同形状に切断する工程を行うことが好ましい。（３ｈ）工程を行う場合、（３ｈ）工程は（３ｄ）工程よりも後に行う。
【０１７４】
（３ｈ）工程
（３ｈ）工程では、平面視においてチップ間に相当する部分のダイボンディング用接着フィルム２０を、チップ１１と同形状に切断する（図２１参照）。接着フィルム２０の切断方法は特に限定されず、例えば、表面保護シート２５または粘着シート２６をエキスパンドすることで、ダイボンディング用接着フィルム２０をチップ１１と同形状に切断する方法（方法Ａ）が挙げられる。また、レーザー光を、平面視においてチップ間に相当する部分のダイボンディング用接着フィルム２０に照射することで、ダイボンディング用接着フィルム２０をチップ１１と同形状に切断する方法（方法Ｂ）が挙げられる。
【０１７５】
方法Ａにおいては、エキスパンドの際にダイボンディング用接着フィルム２０を１５℃以下、好ましくは−１０〜１０℃に維持することで、エキスパンドにより発生する応力（エキスパンド力）がチップ間の接着フィルム２０に伝播しやすくなる傾向があり、接着フィルムをチップ毎に個片化することが容易となる。チップ１０に密着している接着フィルムは、その変形がチップに拘束されるため延伸されないが、チップ間に位置する接着フィルムは変形が拘束されないため、延伸によりチップと略同形状に切断される。エキスパンドは、５〜６００ｍｍ／分の速度で行うことが好ましい。方法Ａを採用する場合には、表面保護シート２５または粘着シート２６のエキスパンド力を接着フィルム２０に伝播するために、支持シート２１を予め剥離しておく（工程（３ｇ））ことが好ましい。表面保護シート２５をエキスパンドする場合には、工程（３ｃ）に先立ち、工程（３ｇ）を完了しておくことが好ましい。
【０１７６】
支持シート２１および表面保護シート２５を剥離し、場合によって必要となる（３ｈ）工程を行うことにより、前記（１ｇ）工程で参照した図９と同じ状況となる（ただしダイシングブレード３０は存在しない）。その後のピックアップ工程は、前記と同様であり、その具体的態様も図１０と同様である。
【０１７７】
上述した方法１〜３により得られた接着フィルム付半導体チップは、次いで、ピックアップされる。接着フィルム付半導体チップのピックアップは、粘着シート２６から直接行ってもよく、また接着フィルム付半導体チップ１１を粘着シート２６から他の粘着シートに転写した後に、該他の粘着シートから接着フィルム付半導体チップをピックアップしてもよい。このような他の粘着シートとしては、適度な感圧接着性と再剥離性を有する粘着シートが好ましく、特に従来よりダイシングシートとして使用されている紫外線硬化型粘着シートが好ましく用いられる。
【０１７８】
接着フィルム付半導体チップのピックアップは、吸引コレットなどを用いた公知の手法により行うことができる。また、必要に応じ、突き上げピンで、粘着シート２６または他の粘着シートの裏面側から接着フィルム付チップを突き上げてもよい。
【０１７９】
ピックアップされた接着フィルム付半導体チップは、そのまま、またはチップの反転工程を経て次工程に進んでもよいし、一度、転写テープ上や収納容器内に保管し、必要に応じて次工程に使用してもよい。
【０１８０】
そして、接着フィルム付半導体チップ１１を接着フィルム２０を介して、チップ搭載用基板の電極部等の所定の位置に載置する。具体的には、回路面側に接着フィルム２０を有するチップをフェースダウン方式により、所定のチップ搭載用基板に載置する。バンプを有するチップにあっては、それらのバンプをチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面するように載置する。
【０１８１】
その後、ダイボンドされた接着フィルム付半導体チップを加熱し、チップをチップ搭載用基板に固着する。接着フィルム２０は、上述したように加熱により接着性を発現するＢステージの樹脂、粘接着剤あるいは熱可塑性樹脂等から形成されている。これらを所定条件で加熱することで、Ｂステージ樹脂であれば、樹脂の硬化により接着性が発現し、また粘接着剤であれば、これに含まれる熱硬化性樹脂の硬化により接着性が発現する。また、熱可塑性樹脂であれば、ヒートシールにより接着力が発現する。
【０１８２】
このようにしてダイボンディング（フリップチップボンディング）した後、必要に応じ、樹脂封止などの通常の工程を経て半導体装置が得られる。
【０１８３】
以上、本発明の半導体チップの製造方法について、図面に沿って説明したが、本発明は、上記構成の半導体チップの製造方法には限定されず、種々の構成を有する半導体チップの製造方法に適用できる。
【符号の説明】
【０１８４】
１０：半導体ウエハ
１１：半導体チップ
１２：凸状電極（バンプ）
２０：ダイボンディング用接着フィルム
２１：支持シート
２２：段差吸収層
２３：基材
２４：粘着剤層
２５：表面保護シート
２６：粘着シート
２７：粘着シートの基材
２８：粘着シートの粘着剤層
２９：リングフレーム
３０：ダイシングブレード
３１：溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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