(57)【要約】  本発明は、渦電流センサ（１）を、発生する電磁界がキャビティ（１１）に充填される溶湯に到達する位置に配置する。キャビティ（１１）に対して溶湯の注入が開始された後、渦電流センサ（１）より出力される電圧信号が上昇変化して、検出装置（２１）内の微分回路（２８）の出力信号が閾値Ｖｘを超えた後（第１ステップ）、微分回路（２８）の出力信号が閾値Ｖｙ（＜Ｖｘ）を超えると（第２ステップ）、コントローラ（２７）はその時点のセンサ検出値を基準電圧値Ｖ３（＝Ｖoffset＋Ｖα）として記憶する。そして、センサ検出値が、基準電圧値Ｖ３より判定値ΔＶｂだけ上昇したことを検知すると溶湯の凝固が終了したと判定する（第３ステップ）。
2015033790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温に加熱されて液状化した合金である溶湯を、金型（１０）内部のキャビティ（１１）に充填して鋳造を行う際に、渦電流センサ（１）を用いて前記溶湯の凝固が終了したタイミングを検知する鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法において、
前記渦電流センサ（１）は、当該渦電流センサ（１）が発生する電磁界が、前記キャビティ（１１）に充填される溶湯に到達する位置に配置されており、
前記キャビティ（１１）に対して前記溶湯の注入が開始された後、前記渦電流センサ（１）より出力される電圧信号の変化が示す傾きが、第１のピークを示したことを検知する第１ステップと、
次に、前記渦電流センサ（１）より出力される電圧信号の変化が示す傾きが、前記第１のピークよりも小さい第２のピークを示したことを検知すると、その時点に前記渦電流センサ（１）より出力されている電圧信号を基準電圧値として記憶する第２ステップと、
前記渦電流センサ（１）より出力される電圧信号が、前記基準電圧値より判定値だけ上昇したことを検知すると、前記溶湯の凝固が終了したと判定する第３ステップとからなることを特徴とする鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法。
【請求項２】
請求項１の鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法において、
前記第２ステップにおいて得られる前記基準電圧値を第２基準電圧値として、
前記第１ステップにおいて、前記傾きが前記第１のピークを示したことを検知すると、前記渦電流センサ（１）より出力されている電圧信号の値を第１基準電圧値として記憶し、
前記第２ステップにおいて、前記第２基準電圧値が、前記第１基準電圧値から所定の範囲内にあれば、前記第２基準電圧値を有効とすることを特徴とする。
【請求項３】
請求項２記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法において、
前記渦電流センサ（１）の信号出力側に遅延回路（４０）を配置し、
前記第１ステップにおいて、前記傾きが前記第１のピークを示したことを検知すると、前記遅延回路（４０）によって遅延された電圧信号の値を前記第１基準電圧値とすることを特徴とする。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法において、
前記第２ステップにおいて、前記傾きが前記第２のピークを示したことを検知すると、その時点を第１基準時刻として記憶し、
前記第３ステップは、前記第２ステップで得られた基準電圧値と前記判定値との間に予備閾値を設定すると、前記渦電流センサより出力される電圧信号が前記予備閾値を超えたことを検知した時刻を第２基準時刻として記憶し、
前記第２基準時刻と前記第１基準時刻との差を求めると、前記差に基づいて予測時間を決定し、
前記第２基準時刻より前記予測時間が経過すると、前記溶湯の凝固が終了したと判定することを特徴とする。
【請求項５】
高温に加熱されて液状化した合金である溶湯を、金型（１０）内部のキャビティ（１１）に充填して鋳造を行う際に、前記溶湯の凝固が終了したタイミングを検知するもので、
前記渦電流センサ（１）は、発生する電磁界が、前記キャビティ（１１）に充填される溶湯に到達する位置に配置されており、
前記キャビティ（１１）に対して前記溶湯の注入が開始された後、前記渦電流センサ（１）より出力される電圧信号の変化が示す傾きが、第１のピークを示したことを検知する第１ピーク検出手段（２７，２８，２９ａ）と、
次に、前記渦電流センサより出力される電圧信号の変化が示す傾きが、前記第１のピークよりも小さい第２のピークを示したことを検知すると、その時点に前記渦電流センサより出力されている電圧信号を基準電圧値として記憶する基準電圧記憶手段（２７，２８，２９ｂ）と、
前記渦電流センサ（１）より出力される電圧信号が、前記基準電圧値より判定値だけ上昇したことを検知すると、前記溶湯の凝固が終了したと判定する凝固終了判定手段（２７）とを備えることを特徴とする鋳造システムの溶湯凝固終了検知装置。
【請求項６】
請求項５記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知装置において、
前記基準電圧記憶手段（２７，２８，２９ｂ）により得られる前記基準電圧値を第２基準電圧値として、
前記第１ピーク検出手段（２７，２８，２９ａ）は、前記傾きが前記第１のピークを示したことを検知すると、前記渦電流センサより出力されている電圧信号の値を第１基準電圧値として記憶し、
前記基準電圧記憶手段（２７，２８，２９ｂ）は、前記第２基準電圧値が、前記第１基準電圧値から所定の範囲内にあれば、前記第２基準電圧値を有効とすることを特徴とする。
【請求項７】
請求項６記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知装置において、
前記渦電流センサ（１）の信号出力側に配置される遅延回路（４０）を備え、
前記第１ピーク検出手段（２７，２８，２９ａ）は、前記傾きが前記第１のピークを示したことを検知すると、前記遅延回路（４０）によって遅延された電圧信号の値を前記第１基準電圧値とすることを特徴とする。
【請求項８】
請求項５から７の何れか一項に記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知装置において、
前記基準電圧記憶手段（２７，２８，２９ｂ）は、前記傾きが前記第２のピークを示したことを検知すると、その時点を第１基準時刻として記憶し、
前記凝固終了判定手段（２７）は、前記基準電圧記憶手段（２７，２８，２９ｂ）により得られた基準電圧値と前記判定値との間に予備閾値を設定すると、前記渦電流センサより出力される電圧信号が前記予備閾値を超えたことを検知した時刻を第２基準時刻として記憶し、
前記第２基準時刻と前記第１基準時刻との差を求めると、前記差に基づいて予測時間を決定し、
前記第２基準時刻より前記予測時間が経過すると、前記溶湯の凝固が終了したと判定することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶湯を金型内部のキャビティに充填して鋳造を行う際に、渦電流センサを用いて前記溶湯の凝固が終了したタイミングを検知する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウム合金などの非鉄合金の鋳造システムの一つにダイカスト法がある。ダイカスト法は、アルミニウム合金などの溶融金属（溶湯）を金型に高速で充填し、高圧で加圧造形する鋳造法である。ダイカスト法では、溶湯がキャビティの一部を未充填のまま凝固する、いわゆる湯回り不良といわれる現象を回避する必要がある。そのため、例えば金型に溶湯検知センサを配置して、キャビティ内の所定位置まで溶湯が到達したことを検知することが行われている。【０００３】
例えば、特許文献１では、溶湯検知センサに渦電流センサを使用している。渦電流センサによれば、検出体である溶湯の近接を、センサ内に巻かれたコイルのインピーダンス変化として捉えることができるので、溶湯とコイルとが非接触の状態でも検出が可能である。したがって、例えば溶湯の近接をセンサ電極の導通で検出するものに比較して（特許文献２参照）、電極の酸化や、溶湯とセンサ電極との接触不良の問題が生じることがなく、耐久性を確保しつつより正確な検出が可能である。【０００４】
また、鋳造システムにおいては、例えば特許文献３，４に開示があるように、鋳型内の溶湯金属の凝固過程（あるいは凝固終了）を検知することが行われている。上記文献ではそのメリットとして、凝固過程を把握することで鋳造欠陥を抑制したり、チル層生成に関する情報を知ることで製品の高品質化に寄与できたり、製造のサイクルタイムを短縮できる点などが挙げられている。
【特許文献１】特開２００８−１７０２３４号公報
【特許文献２】特開２００４−３０６１１７号公報
【特許文献３】特開２０１０−１２５４６５号公報
【特許文献４】特開２００５−７４４９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献３ではセンシングにＸ線を利用している。しかしながら、キャビティの厚さに制限があることや、Ｘ線測定システムを実際の鋳造システムに組入れることが困難なこと、Ｘ線自体が人体に危険であることなどの問題点がある。また、特許文献４ではセンシングに超音波を利用しているが、超音波は一般的に拡散的な信号であるため、細かいポイントについての測定には不向きであり、複雑な形状をとる実際の鋳造製品には向いていない。また高温になる金型に長時間接していても性能を維持するセンサの入手が困難である。そして、特許文献１での渦電流センサは、あくまでも溶湯の到達検知のみに適用されており、凝固過程を検知することについては全く開示がない。【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、渦電流センサを用いて溶湯の到達を検知すると共に、溶湯の凝固終了も検知できる鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法及び溶湯凝固終了検知装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法は、高温に加熱されて液状化した合金である溶湯を、金型内部のキャビティに充填して鋳造を行う際に、渦電流センサを用いて前記溶湯の凝固が終了したタイミングを検知するものにおいて、
前記渦電流センサは、当該渦電流センサが発生する電磁界が、前記キャビティに充填される溶湯に到達する位置に配置されており、
前記キャビティに対して前記溶湯の注入が開始された後、前記渦電流センサより出力される電圧信号の変化が示す傾きが、第１のピークを示したことを検知する第１ステップと、
次に、前記渦電流センサより出力される電圧信号の変化が示す傾きが、前記第１のピークよりも小さい第２のピークを示したことを検知すると、その時点に前記渦電流センサより出力されている電圧信号を基準電圧値として記憶する第２ステップと、
前記渦電流センサより出力される電圧信号が、前記基準電圧値より判定値だけ上昇したことを検知すると、前記溶湯の凝固が終了したと判定する第３ステップとからなることを特徴とする。【０００８】
すなわち、キャビティに注入された溶湯が、渦電流センサが配置されている位置に到達すると、インピーダンスが大きく変化することで渦電流センサより出力される電圧信号が急激に変化する。したがって、その変化が示すピーク（第１のピーク）を捉えることで、溶湯が所定位置まで到達したことを検知できる。そして、キャビティに注入された溶湯の凝固が開始されると、金属が液相から固相に変化する過程でやはりインピーダンスが変化する。その変化が示すピークは、前記第１のピークよりも小さく表れるので、それを第２のピークとして検知する。【０００９】
この時点が凝固の開始時点と推定できるので、電流センサより出力されている電圧信号を基準電圧値として記憶する。そして、渦電流センサより出力される電圧信号は、凝固が進む過程に伴い緩やかに変化する。したがって、前記電圧信号が、基準電圧値より判定値だけ変化したことを検知すれば、そこで溶湯の凝固が終了したものと判定できる。【００１０】
請求項２記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法は、前記第２ステップにおいて得られる前記基準電圧値を第２基準電圧値として、
前記第１ステップにおいて、前記傾きが前記第１のピークを示したことを検知すると、前記渦電流センサより出力されている電圧信号の値を第１基準電圧値として記憶し、
前記第２ステップにおいて、前記第２基準電圧値が、前記第１基準電圧値から所定の範囲内にあれば、前記第２基準電圧値を有効とすることを特徴とする。
この方法によれば、第２ステップで取得された第２基準電圧値は、第１ステップにおいて取得された第１基準電圧値をベースとする所定範囲外であれば無効とされる。したがって、第２基準電圧値が異常な値を示した場合に排除できる。【００１１】
請求項３記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法は、前記渦電流センサの信号出力側に遅延回路を配置し、
前記第１ステップにおいて、前記傾きが前記第１のピークを示したことを検知すると、前記遅延回路によって遅延された電圧信号の値を前記第１基準電圧値とする。したがって、第１のピークが検知された時点より、遅延された時間分だけ過去の電圧信号の値を第１基準電圧値として取得することで、第１のピークの検知応答遅れをカバーできる。【００１２】
請求項４記載の鋳造システムの溶湯凝固終了検知方法は、前記第２ステップにおいて、前記傾きが前記第２のピークを示したことを検知すると、その時点を第１基準時刻として記憶し、
前記第３ステップは、前記第２ステップで得られた基準電圧値と前記判定値との間に予備閾値を設定すると、前記渦電流センサより出力される電圧信号が前記予備閾値を超えたことを検知した時刻を第２基準時刻として記憶し、
前記第２基準時刻と前記第１基準時刻との差を求めると、前記差に基づいて予測時間を決定し、
前記第２基準時刻より前記予測時間が経過すると、前記溶湯の凝固が終了したと判定する。【００１３】
すなわち、第１基準時刻から第２基準時刻までの経過時間は、溶湯の凝固が進行する過程において、渦電流センサより出力される電圧信号が予備閾値まで変化した時間である。そして、前記時間を得れば、溶湯の凝固が終了すると予測される時点に、上記電圧信号が達している値（これは、請求項１における「前記電圧信号が、基準電圧値より判定値だけ変化したこと」に相当する）になるまでの時間を推定できる。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１記載の発明によれば、低コストである渦電流センサを用いて、溶湯の凝固が終了したタイミングを検知でき、鋳造システムのサイクルタイムを短縮して作業効率を向上させることができる。
請求項２記載の発明によれば、有効と判断された第２基準電圧値を用いることで、溶湯の凝固が終了したタイミングを、より確実に検知できる。【００１５】
請求項３記載の発明によれば、第１のピークの検知応答遅れをカバーして、第１基準電圧値として妥当な値を取得できるので、溶湯の凝固が終了したタイミングを、一層確実に検知できる。
請求項４記載の発明によれば、第１基準時刻から第２基準時刻までの経過時間に基づいて、溶湯の凝固が終了したタイミングをより正確に検知できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は一実施形態であり、（ａ）は２線式の渦電流センサに対応した検出装置の内部構成を示す機能ブロック図、（ｂ）は４線式に対応した（ａ）の一部相当図である。
【図２】図２はコントローラ内部の遅延回路の構成を示す図である。
【図３】図３（ａ）は渦電流センサの縦断面図、（ｂ）は同正面図である。
【図４】図４は渦電流センサを金型に取り付けた状態を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）はセンサ検出の変化の一例を示す図、（ｂ）は微分回路の出力波形図、（ｃ），（ｄ）はそれぞれパルスＰｘ，Ｐｙの出力タイミングを示す図である。
【図６】図６（ａ）は図５（ａ）相当図、（ｂ）は溶湯注入予告タイミングを通知するパルス信号の出力タイミングを示す図である。
【図７】図７は溶湯の凝固終了タイミングを説明する図である。
【図８】図８はコントローラを中心とする処理手順の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００１７】
１は渦電流センサ、１０は金型、１１はキャビティ、２１は検出装置、２７はコントローラ（第１ピーク検出手段，基準電圧記憶手段，凝固判定手段）、２８は微分回路（第１ピーク検出手段，基準電圧記憶手段）、２９ａはコンパレータ（第１ピーク検出手段）、２９ｂはコンパレータ（基準電圧記憶手段）、４０は遅延回路を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、一実施形態について図面を参照して説明する。先ず、溶湯の凝固終了を検知するために使用する渦電流センサの構成について、図３を参照して説明する。渦電流センサ１は、図３（ａ）中で右側である先端側に段部を有する円筒形のケース２を備えている。ケース２には、耐熱性，強度，非磁性材であるといった特性が要求されるので、例えばオーステナイト系のステンレスや、インコネル（登録商標）,ハステロイ（登録商標）といった耐熱鋼などを用いる。尚、渦電流センサ１の検出面２Ｓは、アルミの溶湯が直接に接するので、耐溶損性，離型性などを向上させる目的で、検出面２Ｓを含むケース２の外周部に表面処理を行うのが好ましい。例えば代表的なものとして、窒化処理やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）によるコーティングなどがある。【００１９】
ケース２の内部における先端部には、マグネットワイヤ（コイル）３が配置されている。溶湯の温度を検知する用途では、マグネットワイヤ部分の温度は５００℃に達する場合もある。このような温度帯では、マグネットワイヤの線材として一般的に用いられる純銅は使えない。線材に必要な特性としては、やはり耐熱性があり、非磁性材であることが必須となる。これらを満たすものとしては、例えばオーステナイト系ステンレス、ニクロム線（１種）、上述したインコネル，ハステロイなどがある。これらの材料は体積抵抗率が高いという性質があるが、例えばセンサ信号を検出する回路の電源電圧を上げることで励磁電圧の振幅を大きくするなどの対策を施せば実用上問題はない。耐熱性が高く且つ体積抵抗率が低い材料にはバラジウム，プラチナなどがあるが、これらは貴金属に類するもので高コストとなる。【００２０】
マグネットワイヤ３をコイル形状に複数回巻くことで、センサコイルが形成される。図３では１つのコイルとして示されているが、励磁用，検出用に２つのコイルを備えても良い。但しこの場合は電線が２対（４本）必要になる。ボビン４は、コイル形状のマグネットワイヤ３をケース２内部で動かないよう固定している。ボビン４に必要な特性も、やはり耐熱性，絶縁性，物理的強度などであり、このような特性を満たすものとしては、例えばセラミックがある。また、加工性が改善された、マシナブルセラミックも使用可能である。【００２１】
引出しケーブル５は、それぞれマグネットワイヤ３の両端に接続された２本の電線（素線）６ａ，６ｂを、シース７の内部に収めてケース２の外部に引き出すものであるが、やはりケース２の内部では非常に高温となる。このような用途に耐え得るものの一例として、ＭＩ（Mineral Insulation）ケーブルがある。尚、図３（ａ）では、渦電流センサ１の後端（検出面２Ｓの反対側）からケーブル５を引き出す構造となっているが、ケース２の側面から引き出す構造としても良い。電線６ａ，６ｂとマグネットワイヤ３との接続は、高温でも耐えられるように溶接或いはロウ付けなどが行われる。また、電線６ａ，６ｂには比較的抵抗値の高い材料が使われることが多いので、ケーブル５に高温が加わらない場所で抵抗値の低い汎用のケーブルに接続して延長しても良い。【００２２】
ケース２の後端でケーブル５を引き出した箇所は、カバー８により塞がれている。渦電流センサ１には、金型に使用される冷却水がかかる場合があるので、防水のため、カバー８は、ケース２に例えば溶接によって接合されている。あるいは、防水性が維持されれば圧入により嵌合させても良い。また、図３（ａ）では、引出しケーブル５がカバー８を貫通しているが、この部分でも防水性を確保するために、カバー８とケーブル５の外周との間も溶接等する。【００２３】
ケース２の内部空間には無機系の充填材（或いは接着剤）９が充填されている。これにより、マグネットワイヤ３及びボビン４の固定や、電線６の固定・絶縁などを図る。尚、電線６は多少の強度を備えており自己形状の保持は可能であるから、充填材９で完全に空間を満たす必要はない。また、充填材９によりマグネットワイヤ３を十分に固定できれば、ボビン４を用いなくても良い。【００２４】
図４は、渦電流センサ１を金型１０に設置した状態を示す一例である。このように、金型１０のキャビティ１１側の面と、検出面２Ｓとを面一に設置すれば、ダイカスト製品に、渦電流センサ１の痕跡を殆ど残さない状態で検知が可能となる。ここでは、金型１０の背面から押え金具１２とボルト１３で、ケース２の後端部を抑えて固定する構造としており、鋳造時に検出面２Ｓにかかる圧力に対して、押え金具１２及びボルト１３が破断しないように設計する必要がある。【００２５】
図１（ａ）は、渦電流センサ１の検出面２Ｓにおける溶湯の到達，及び溶湯の液相から固相状態への変化を検知する検出装置２１の内部構成を示す機能ブロック図である。原理的には、渦電流センサ１の出力電圧又は電流を検出してマグネットワイヤ３のインピーダンスを測定する。発振回路２２は、励磁信号用の信号として、通常は一定周波数の信号を発振出力する。正弦波信号の発生手法としては。Ｄ／Ａコンバータによるものでも良いし、いわゆる発振回路（ウィーブリッジ発振回路など）によるものでも良い。【００２６】
励磁回路２３は、渦電流センサ１を励磁（駆動）する回路であり、マグネットワイヤ３に所定の電流を流す。増幅回路２４は、渦電流センサ１の出力電圧を増幅する回路（アンプ）である。同期整流回路２５は、発振回路２２の周波数を基準位相として、増幅した信号を同期整流する回路である。基準位相によっては、渦電流センサ１の抵抗成分あるいは、インダクタンス成分の検知が可能である。または、両成分からインピーダンスを検出することもできる。【００２７】
同期整流回路２５の出力信号は、Ａ／Ｄコンバータ２６を介してコントローラ２７に入力されると共に、微分回路２８を介してコンパレータ２９ａ，２９ｂの非反転入力端子に出力される。コンパレータ２９ａ，２９ｂの反転入力端子には、それぞれ基準電圧Ｖｘ，Ｖｙが与えられており、コンパレータ２９ａ，２９ｂの出力端子は、コントローラ２７の入力端子にそれぞれ接続されている。【００２８】
コントローラ２７（凝固判定手段）は、例えばマイクロコンピュータやＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array），ＤＳＰ（Digital Signal Processor）などで構成され、検出装置２１全体をコントロールしたり、検出データを内部で演算処理したり記憶したりする。外部出力回路３０は、コントローラ２７が検知したインピーダンス等を上位ユニット３１に伝達したり、判定処理の結果を接点出力したり、さらには、図示しない検出装置２１のパネル面などに、結果を表示したりするものである。【００２９】
外部入力回路３２は、上位ユニット３１より送信した信号を受信して、必要に応じて復調などの処理を行いコントローラ２７に出力する。内部電源回路３３は、検出装置２１の外部にある外部電源３４より供給される電源を、必要に応じて変圧・安定化させて内部の各回路に供給する。
以上の構成において、コントローラ２７，微分回路２８及びコンパレータ２９ａが第１ピーク検出手段に相当し、コントローラ２７，微分回路２８及びコンパレータ２９ｂが基準電圧記憶手段に相当する。【００３０】
尚、前述し且つ図１（ｂ）に示すように、渦電流センサ側で励磁信号の入力線６ａ，６ｂと、検出信号の出力線６ｃ，６ｄとを分けた渦電流センサ１Ａを用い、４線式としても良い。この場合、２線式と比較して、センサ接続ライン（引出ケーブルや延長ケーブル）の抵抗成分を無視できるので検出精度向上が期待できるが、接続線数が増加するので、製造コストがアップするというデメリットもある。【００３１】
次に、本実施形態の作用について図２，図５から図８を参照して説明する。まず、材料の特性について述べる。非鉄金属の鋳造に使われる材料は、亜鉛合金，銅合金，マグネシウム合金などがあるが、最も普及して生産量が多いのがアルミニウム合金である。純アルミニウムの融点は９３３．５２Ｋ（６６０．３７℃）であるが、この温度を境にして液相と固相とに分かれる。この温度における固相と液相の電気抵抗率は次のようになる。
アルミニウム固相の電気抵抗率：１０．５６５×１０−８Ωｍ
アルミニウム液相の電気抵抗率：２４．７７×１０−８Ωｍ
つまり、溶けた状態の純アルミニウムが冷却されて固体に変化した際に、その電気抵抗は、約１／２．３４に低下する。その他、銅、亜鉛、マグネシウムなどの純金属も固相と液相での電気抵抗変化が、類似の傾向を持つ。【００３２】
一方、アルミニウム合金は複数の成分から構成されるため、固相から液相に変わる温度が幅を持つことが知られており、この温度範囲を半溶融温度域などと称する。また、固体が融け始める温度を固相線温度、完全に融ける温度を液相線温度という。例えば下記の文献Ａによれば、アルミニウム合金Ａ３５７においても、固相線温度における電気抵抗率は約２３．９μΩ・ｃｍ、液相線温度における電気抵抗率は約５２．９μΩ・ｃｍとなり、その比は、２．２倍程度になることが示されている。【００３３】
さらに、その温度間における電気抵抗率の上昇に関しては、温度が高くなるにつれ電気抵抗率も高くなる性質、つまり単調増加性があることを示している。また、Ａ３５７材の液相状態(６１５〜６４０℃)における電気抵抗率の温度係数αは０．００１８程度となっており、固相状態(５４０〜５６０℃)における温度係数も０．００２０程度と近い値となっている。一方、半溶融温度域の抵抗変化は直線的ではないが、半溶融温度域の両端を結ぶ直線として換算した場合、電気抵抗率の温度係数αは０．０２２程度となり、液相・固相状態と比較し１１倍程度の大きさになっている。尚、相の変化がなくても温度変化があれば固有電気抵抗の変化は生じるが、液相から固相への変化から比べると十分小さい。
文献Ａ：「アルミニウム合金への抵抗加熱半溶融鍛造応用展開のための高精度液相率制御技術の確立」；牧  清二郎；http://hdl.hadle.net/10076/10966【００３４】
例えば、鋳造用アルミ材の成分を変えたとしても固有電気抵抗の大きな変化と、液相から固相への変化は物理的に同時に起こる。つまりこの原理によれば、単に温度変化を捉える方式とは異なり、材質を変更したことによる凝固温度の変化にも、渦電流センサ１の設定を変えることなく、金属が凝固する状態を直接的に(正確に)測定することが可能となる。【００３５】
次に、上述の検出原理に基づいて、具体的に溶湯金属の凝固終了を検知する手法について説明する。図５（ａ）は、ダイカストのキャビティ内に設置される渦電流センサ１の波形例を、時間軸のＴ０〜Ｔ４における出力電圧Ｖの変化で説明する。尚、回路方式によっては渦電流センサ１の出力信号が電圧になるとは限らないが、ここでは便宜上電圧とする。また、渦電流センサ１は、時間Ｔ０以前に金型１０に設置されているものとする。【００３６】
＜Ｔ０：金型１０の加熱開始＞
室温状態にあった金型１０が、時点Ｔ０から加熱され始める。この時点では、溶湯は未だ注入されていない。渦電流センサ１の周囲温度が室温付近にあった際にＶ０だったセンサ検出値（渦電流センサ１の出力電圧が、Ａ／Ｄコンバータ２６によりＡ／Ｄ変換されてコントローラ２７が読み込む値）は、周囲温度が上昇するのに伴い変化する。この変化が、プラス／マイナス何れの方向になるか、更にどの程度の勾配をもつかは、様々な要因やバラツキが関係するため一般には特定できない。【００３７】
＜Ｔ１：溶湯注入＞
金型１０が所定の温度に達するとセンサ検出値はＶ１となる。さらに時点Ｔ１で溶湯が注入される。この時点では、溶湯は渦電流センサ１の検出面２Ｓに達していないので、センサ検出値はＶ１のままである。【００３８】
＜Ｔ２：溶湯が渦電流センサ１に到達＞
溶湯が渦電流センサ１の検出面２Ｓに達し、ここからさらに検出装置２１内部の検知応答遅れ時間が経過するとセンサ検出値が上昇し始める。尚、検出面２Ｓに溶湯が到達する直前の時間Ｔ２と上述の時間Ｔ１との時間間隔「Ｔ２−Ｔ１」は通常非常に短い時間であるから、それぞれの時点のセンサ検出値Ｖ２，Ｖ１はほぼ同じ電圧とみて良い。【００３９】
＜Ｔ３：凝固開始＞
時間Ｔ２からＴ３までの状態について考える。溶湯が渦電流センサ１の検出面２Ｓ付近に一様に分布しており、且つ未だ凝固が始まっていない状態では、渦電流センサ１から見れば、特定の電気抵抗をもった検出体が静止している状態と同じである。そして、センサ検出値は、やがて一定値Ｖ３に飽和する。この応答の上昇曲線は、検出装置２１内部のフィルタ等による遅れ成分と、渦電流センサ１の検出面２Ｓに溶湯が徐々に満たされていく過程による成分との複合的な波形になる。【００４０】
この時の電圧Ｖ３，Ｖ２の電圧差、すなわち
ΔＶａ＝Ｖ３−Ｖ２      …（１）
は、溶湯の材料によりほぼ同じ値になる。しかし、センサ検出値Ｖ０からＶ２に至る電圧の絶対値は、上述のように特定できない。つまり、センサ検出値Ｖ３の絶対値のみでは飽和に近い電圧か否かは特定できないが、センサ検出値Ｖ１（≒Ｖ２）が何等かの手段で把握できれば、センサ検出値のＶ２からの上昇分がΔＶａに近接しているか否かが判別可能になる。時間Ｔ３以降は、溶湯の凝固が開始する状態となる。【００４１】
＜Ｔ４：凝固終了＞
溶湯の凝固が始まると電気抵抗が急激に変化する。これに伴いセンサ検出値も変化し、凝固が終了すると最終的にＶ４まで上昇する。この時のセンサ検出値Ｖ４，Ｖ３の差、すなわち
ΔＶｂ＝Ｖ４−Ｖ３      …（２）
は、やはり溶湯の材料によりほぼ同じ値になる。検出装置２１内部で電圧Ｖ３の同定ができていれば、「渦電流センサ１のセンサ検出値のＶ３からの上昇分」がΔＶｂに近接しているか、つまり凝固が終了しているか否かが判別できる。【００４２】
以上に説明した電圧の変化を捉えることで、溶湯の注入から凝固終了までの過程が検出できる。尚、溶湯により渦電流センサ１の周辺部材（ケース２や金型１０）も加熱されるため、それに伴い渦電流センサ１の検出信号も変化する。しかし、溶湯の凝固過程における抵抗変化に基づく検出信号の変化がより大きいので、データの推移特性に大きな影響は与えない。これらの温度上昇は、概ね渦電流センサ１のセンサ検出値の全体的なオフセットとして検知される。オフセット成分は、図５（ａ）中の検出値Ｖ０〜Ｖ２として観測される値である。つまり、検出値Ｖ１（≒Ｖ２）を何等かの方法で検出すれば、安定的に溶湯注入から凝固終了までの過程が検出可能となる。以降に、検出値Ｖ１を観測する方法について述べる。【００４３】
まず、上述したように、溶湯注入時点（Ｔ１）でのセンサ検出値Ｖ１と、溶湯の渦電流センサ１への到達直前の時点（Ｔ２）のセンサ検出値Ｖ２はほぼ同じ値になる。更に言えば、時間Ｔ１の前であっても例えば数秒程度であれば殆ど同じセンサ検出値となる。この条件を踏まえた上で、溶湯注入時点及び溶湯通過（到達）時点のセンサ検出値の観測方法を２通り示す。【００４４】
＜方法１＞
ダイカスト鋳造システムには、その複雑な動作を制御するための制御装置が必ず実装されている。したがって、溶湯をキャビティ１１に注入するタイミング或いはその直前（例えば数秒前）に、溶湯注入を予告するタイミングでパルス信号を発生させることは容易である。このパルス信号の入力を検知する回路を、検出装置２１に用意しておく。例えば、上位ユニット３１を介してパルス信号を受信しても良い。そして、図６に示すように、検出装置２１に内蔵されるコントローラ２７は、パルス信号を検知した時点で出力されている検出値をゼロリセットする。以上の操作により、「溶湯注入時点のセンサ検出値の観測」という目的は、その時点のセンサ検出値をゼロとして扱うという処理により達成でき、前述したΔＶａは単純な次式で与えられる。
ΔＶａ＝Ｖ３            …（３）
つまり、センサ検出値がΔＶａ（既知の値）になった時点が、溶湯（凝固の始まっていない）が検出面２Ｓに満たされている状態で、センサ検知値が飽和していることを示す。さらに、検出値Ｖ３から、出力が上昇し始めれば凝固が開始したことを示し、Ｖ３に対して（２）式の偏差分ΔＶｂだけ上昇すると凝固が終了したことを示す。【００４５】
＜方法２＞
図５（ｂ）は、センサ検出値（ここではアナログ信号）とその微分波形とを示す。まず、時間Ｔ０からＴ２に至るまでのセンサ検出値は、金型１０などのセンサ１周辺部の緩やかな温度上昇による変化である。したがって、そのセンサ検出値の微分値は非常に小さくほぼゼロとなる。時間Ｔ２で溶湯が到達することでセンサ検出値が急速に上昇すると、微分波形はパルス状の変化を示す。このパルス状波形に対して、適切な閾値（図中Ｖｘ）を設定しておき、この閾値を超えた時に（第１のピーク）パルスＰｘを発生させる。すなわち、図１（ａ）に示す検出装置２１において、微分回路２８の出力信号をコンパレータ２９ａにおいて閾値Ｖｘと比較することで、コントローラ２７にパルスＰｘを出力する。【００４６】
ここで図２には、コントローラ２７の内部に配置されるもので、パルスＰｘの入力タイミングよりもわずかなタイミングだけ過去に出力されたセンサ検出値を取得するための遅延回路４０の構成を示す。図２（ａ）に示す遅延回路４０Ａでは、６個のレジスタ（Ｄフリップフロップ）４１ａ〜４１ｆを直列に接続し、初段のレジスタ４１ａには、Ａ／Ｄ変換された検出データＶin［ｎ．．．０］（ｎ＋１ビット）が入力される。そして、レジスタ４１ａ〜４１ｅのクロック端子には、共通のクロック信号UPDATEが入力され、レジスタ４１ｆのクロック端子にはパルスＰｘが入力されている。【００４７】
ここで、クロック信号UPDATEのクロック周期が例えば０．１秒であるとすれば、パルスＰｘが入力されたタイミングでレジスタ４１ｆに格納（ホールド）されるのは、０．５秒前に入力された検出データＶinとなる。これにより、検出装置２１内部の応答遅れをカバーして、急激な上昇を開始した時点のセンサ検出値を適切にとらえることができる。尚、クロック信号UPDATEのクロック周期とレジスタ４１の個数とについては、要求される遅延時間に応じて適宜設定変更すれば良い。【００４８】
また、図２（ｂ）に示す遅延回路４０Ｂでは、レジスタ４１ｆの後段にフィルタ４２を配置した例であり、フィルタ４２は、デジタル演算によりローパスフィルタとして機能する。例えば、前回にレジスタ４１ｆを介して入力されたデータＶｚ（ｍ−１）を内部で記憶しており、今回入力されたデータＶｚ（ｍ）との差分［Ｖｚ（ｍ）−Ｖｚ（ｍ−１）］を求める。そして、差分の１／ｘの値を、次回に得られるデータＶｚ（ｍ＋１）に加算する、といった処理を行う。この場合、上記「ｘ」がフィルタの時定数に相当する。これにより、長期的なデータＶｚの変化に追随させると共に、単発的な異常データの影響を低減できる。【００４９】
このパルスＰｘが発生した時点以降、センサ検出からデータＶｚの値を減算すれば、＜方法１＞と同じように、オフセットをキャンセルできる。そして、ここで述べてきたパルスＰｘが出力されるタイミングは、溶湯が渦電流センサ１の検出面２Ｓに到達したタイミングに相当し、「溶湯の通過検知」出力そのものである。【００５０】
また、このようにセンサ検知値の微分処理が必要な理由は、周囲環境（特に温度）の変化が大きく、それにより渦電流センサ１の出力電圧が受ける影響が不確定であることに起因する。ただし、ある程度周囲環境が安定してしまえば、出力電圧の大きな変化もなくなってくる。したがって上述したデータをホールドして更新する処理は、毎回行う必要はなく、間隔をおくなど必要なタイミングで実行してもよい。【００５１】
次に、溶湯の凝固終了時点の検知について説明する。前述のように、センサ検出値がＶ４に到達したことで凝固終了を検知できる。しかし、図５（ａ）に示すように、センサ検出値は、Ｖ４に向かって漸近線のような曲線で接近する。これは検出装置２１内部のフィルタ特性や、溶湯が凝固するまでの変化にある程度時間を要することによる。ただし、この応答波形は、溶湯の到達時の波形よりも緩やかな（遅い）変化を示す。凝固終了検知の基本的方法については以下の方法が考えられる。【００５２】
図５（ｂ）に示すように、溶湯の凝固が始まると微分回路２８の出力信号が再度立ち上がるが、そのレベルは溶湯通過時点よりも若干低い。そこで、微分回路２８の出力信号をコンパレータ２９ｂにおいて閾値Ｖｙ（＜Ｖｘ）と比較し、コントローラ２７にパルスＰｙを出力することで（第２のピーク）次の変曲点となる時間Ｔ３を検知する（図５（ｄ）参照）。そして、時間Ｔ３を検知した時点のセンサ検出値Ｖ３（飽和レベル）を取得して記憶保持する。ここから、２通りの方法が考えられる。【００５３】
＜方法１＞
センサ検出値Ｖ３から、（２）式で示すΔＶｂだけ上昇したことを検出して凝固終了を検知する。実際には、ΔＶｂよりも、やや低い値を閾値に設定して検出することが望ましい。あるいは、図５（ｂ）に示す微分波形を用いて次のようにも検知できる。時間Ｔ３（凝固を開始した変曲点）以降、微分波形は１度ピークを迎え、その後下降して行く。したがって、前記ピークを迎えた以降、微分値が一定値以下になったことを検知し、凝固終了とする。【００５４】
＜方法２＞
センサ検出値Ｖ３〜Ｖ４（Ｖ３＋ΔＶｂ）の間に適当な閾値を設定して、時間Ｔ３から前記閾値を超えた時間を測定し、この測定時間を元に凝固終了までの時間を類推する。以下、より詳細に説明する。【００５５】
図７に示すように、センサ検出値Ｖ３に対して閾値ΔＶｃ（＜ΔＶｂ，予備閾値）を設定し、センサ検出値が（Ｖ３＋ΔＶｃ）を超えた時間をＴ３ｚとする。これにより、時間Ｔ３からの経過時間Ｔａが下記のように算出される。
Ｔａ＝Ｔ３ｚ×Ｔ３      …（４）
ここで、時間Ｔ３ｚから、凝固終了（Ｔ４）までの時間をＴｂとすると、ＴａとＴｂは比例に近い（少なくとも単調増加の関係）が成り立つと考えられる。したがって、時間Ｔａを算出すると、時間Ｔａから演算（通常は比例倍）して値Ｔｂを求め、時間Ｔ３ｚから時間Ｔｂ経過後を凝固終了と推定する（図７参照）。【００５６】
尚、時間Ｔａ，Ｔｂの関係は、基本的にその鋳造システム固有のものになると考えられるので、実測によりその関係を定めるのが望ましい。その関係が、例えば比例関係にならない場合でも、例えばテーブルを用意することで時間Ｔｂの値を導き出すことは容易である。尚、上記方法１，２を複合的に実行して、例えば各方法より得られた結果の平均値を利用しても良い。
また、金型１０の温度が所定範囲であれば、溶湯を注入してから凝固が終了するタイミングはある程度の時間範囲内となる。したがって、例えばこれを大きく外れた場合などは、金型１０の温度設定異常など、何等かの異常検知とすることも可能である。【００５７】
ここで、時間Ｔｂを決定する手法の１つとして、以下のようなものも考えられる。時間Ｔ３以降に渦電流センサ１が出力する電圧信号の挙動が、一次遅れ系で近似できると仮定すると、その電圧応答は次の式で示すことができる。
Ｖin−Ｖ３＝ΔＶｂ（１−ｅ−ｔｘ／τ）  …（５）
左辺は、時間Ｔ３以降の電圧上昇分であり、ｔｘはＴ３以降の経過時間（＝Ｔ３−t）,Τは１次遅れ系時定数である。【００５８】
時定数τは、金型１０の温度,体積や形状、溶湯の温度や容量などから決まる。パラメータが多く関係が複雑であるため、時定数τそのものは算出が困難であるが、応答波形から容易に読み取ることができるので実測して求めれば良い。また、経過時間ｔｘを、時定数τの整数倍とすると、その倍率に応じて（５）式の右辺は下記のようになる。
ｔｘ＝τ×１→右辺≒ΔＶｂ×０．６３２
ｔｘ＝τ×２→右辺≒ΔＶｂ×０．８６５
ｔｘ＝τ×３→右辺≒ΔＶｂ×０．９５０
ｔｘ＝τ×４→右辺≒ΔＶｂ×０．９８２
ｔｘ＝τ×５→右辺≒ΔＶｂ×０．９９３
ｔｘ＝τ×６→右辺≒ΔＶｂ×０．９９８【００５９】
この結果は、例えばｔｘ＝τ×４，つまり経過時間ｔｘが時定数τの４倍に達した状態において、（Ｖin−Ｖ３）が最終的な飽和電圧の９８．２％に達することを意味する。この電圧が到達した割合がどの程度になれば実際に凝固が終了するかも算出は困難であるが、実測によって決めれば良い。ここで、例えば凝固終了を「ｔｘ＝τ×６」の時点と仮定すると、（６）式が成り立つ。
Ｔａ＋Ｔｂ＝τ×６      …（６）
さらに、閾値ΔＶｃを
ΔＶｃ＝ΔＶｂ×０．６３２
となるように選ぶとする。この条件では、閾値ΔＶｃは時間ｔｘで丁度時定数τに等しくなるから、
Ｔａ＝τ                …（７）
となる。（６），（７）式から、
Ｔｂ＝τ×５
Ｔｂ＝Ｔａ×５          …（８）
となる。つまり、当初に設定した条件を選ぶと、時間Ｔｂは（８）式より、測定された時間Ｔａの５倍として算出できる。【００６０】
図８は、以上に説明した検知方法を一連の処理として実行する場合に、コントローラ２７を中心とする処理手順の一例を示すフローチャートである。金型１０の加熱が開始されると（Ｓ１）コントローラ２７内部のタイマにより時間Ｔの計時を開始し、パルスＰｘが入力されれば、溶湯が渦電流センサ１に到達したと判定する（Ｓ２：ＹＥＳ,第１のステップ）。そして、その時点のセンサ検出値Ｖinを、Ｖoffset（＝Ｖｚ, 第１基準電圧値）として記憶する（Ｓ３）。【００６１】
次に、パルスＰｙが入力されると（Ｓ４：ＹＥＳ,第２のステップ）、その時点のセンサ検出値Ｖinが（Ｖoffset＋ΔＶａ±α）の範囲内にあるか否かを判断する（Ｓ５）。上記範囲内であれば（ＹＥＳ）その時点の時間Ｔを時間Ｔ３として記憶し（Ｓ６）、上記範囲外であれば（ＮＯ）異常検知出力を行う（Ｓ１３）。【００６２】
時間Ｔ３において、センサ検出値Ｖinは、ほぼ（Ｖoffset＋ΔＶａ）に達している（第２基準電圧値）。そこで次に、センサ検出値Ｖinが、更にΔＶｃだけ上昇するまで待機する（Ｓ７）。ΔＶｃだけ上昇すると（ＹＥＳ）、その時点の時間Ｔを時間Ｔ３ｚとし、時間Ｔ３との差Ｔａを求める（Ｓ８）。それから、前記差の時間Ｔａに基づき、予め用意したテーブル又は係数演算処理により時間Ｔｂを求めると（Ｓ９）、時間Ｔが（Ｔ３ｚ＋Ｔｂ）に達するまで待機して（Ｓ１０：ＹＥＳ）溶湯の凝固が終了したと判定し（第３のステップ）、凝固終了信号を例えば上位ユニット３１に出力する（Ｓ１１）。その時点で終了でなければ（Ｓ１２：ＮＯ）、ステップＳ２に戻り処理を継続する。【００６３】
ところで、渦電流式の検出センサには、その励磁周波数によって電磁界が検出面から検出対象（本実施形態の場合、溶湯）のどの程度の深さまで到達するかの目安となる「表皮深さ」がある。これは、ある材質に入射した電磁界が
１／ｅ≒ １／２．７１８≒−８．７ｄＢ
に減衰する距離であるが、透磁率μ、導電率σの導体においては、
１／√(π×f×μ×σ)        …（９）
という（９）式で与えられる。従って、励磁周波数ｆを適宜変更することで、溶湯に対する検出深さを制御できる。したがって、例えば励磁周波数ｆを変更設定可能としても良いし、複数の周波数成分により同時励磁して、より多くの情報を得るようにしても良い。【００６４】
以上のように本実施形態によれば、渦電流センサ１を、発生する電磁界が、キャビティ１１に充填される溶湯に到達する位置に配置する。キャビティ１１に対して溶湯の注入が開始された後、渦電流センサ１より出力される電圧信号（センサ検出値）が上昇変化して、検出装置２１内の微分回路２８の出力信号が閾値Ｖｘを超えた後（第１ステップ）、微分回路２８の出力信号が閾値Ｖｙ（＜Ｖｘ）を超えると（第２ステップ）、コントローラ２７は、その時点のセンサ検出値を基準電圧値Ｖ３（＝Ｖoffset＋Ｖα）として記憶する。【００６５】
そして、センサ検出値が、基準電圧値Ｖ３より判定値ΔＶｂだけ上昇したことを検知すると溶湯の凝固が終了したと判定する（第３ステップ）。したがって、低コストである渦電流センサ１を用いて溶湯の凝固が終了したタイミングを検知でき、鋳造システムのサイクルタイムを短縮して作業効率を向上させることができる。【００６６】
ここで、例えば温度センサを、例えば特許文献２に開示されている通過検知センサの近くに配置して、溶湯の到達を通過検知センサで検知し、温度測定によって凝固検知をしたとしても、異なるポイントでの現象となり正確な測定とは言いがたい。また、凝固過程を溶湯の温度を測定することで検知することは原理的には可能であるが、現実的に溶湯の中、すなわち金型よりキャビティ内に温度センサの先端部を突出させる必要がある。例えば一般的な金属シース熱電対には、φ１〜３ｍｍ程度のものが容易に入手できるが、このようなものをキャビティ内に突出させると次のような問題を生じる。一つは、鋳造製品にセンサが突出している分の穴が空いてしまい、一般的には、強度的或いは製品の美観的・機能的な問題が生じる。【００６７】
他の一つは、金型から鋳造製品を取り出す際に、この細い温度センサの先端が引き千切られたり、或いは溶湯の熱が長期的に加わることで溶ける（溶損）おそれがある。また、これらの問題をクリアした強固な温度センサが入手できても、温度センサは応答速度が遅く、溶湯の到達を高速で検知できる通過検知センサと共用はできない。更にこの場合、２つのセンサを配置する必要があるが、本実施形態では、溶湯の通過（到達）と凝固とを１つの渦電流センサ１で検知できるので、２つのセンサを設置するスペースを確保する必要が無い。【００６８】
また、本実施形態によれば、第１ステップにおいて得られるセンサ検出値を第１基準電圧値Ｖoffsetとし、第２ステップにおいて得られるセンサ検出値を第２基準電圧値Ｖ３とすると、第２基準電圧値Ｖ３が、第１基準電圧値から所定の範囲（ΔＶａ±α）内にあれば、第２基準電圧値Ｖ３を有効とする。したがって、第２基準電圧値Ｖ３が異常な値を示した場合に排除できる。更に、渦電流センサ１の信号出力側に遅延回路４０を配置し、第１ステップにおいて、遅延回路４０により遅延された電圧信号の値を第１基準電圧値とする。したがって、第１のピークの検知応答遅れをカバーできる。【００６９】
加えて、第２ステップにおいて、センサ検出値の上昇変化の傾きが第２のピークを示したことを検知すると、その時点を第１基準時刻Ｔ３として記憶し、第３ステップにおいて得られる基準電圧値と前記判定値との間に予備閾値ΔＶｃを設定する。そして、センサ検出値が予備閾値ΔＶｃを超えたことを検知した時刻を第２基準時刻Ｔ３ｚとして記憶し、第２基準時刻刻Ｔ３ｚと第１基準時刻Ｔ３との差Ｔａを求めると、前記差Ｔａに基づいて予測時間Ｔｂを決定し、第２基準時刻Ｔ３ｚより予測時間Ｔｂが経過すると溶湯の凝固が終了したと判定する。したがって、溶湯の凝固が終了したタイミングをより正確に検知できる。【００７０】
本発明は上記した、又は図面に記載した実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
遅延回路４０は、必要に応じて設ければ良い。また、遅延回路をアナログ的に構成しても良い。
微分回路２８及びコンパレータ２９を削除して、これらに相当する機能をコントローラ２７がソフトウェア処理で行っても良い。
図８に示すフローチャートにおいて、ステップＳ４で「ＹＥＳ」と判定したタイミングでセンサ検出値を読み出して、基準電圧値Ｖ３を設定しても良い。この場合、ステップＳ３における電圧Ｖoffsetの取得は不要となる。
鋳造する対象は、アルミニュウム合金に限ることはない。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように、本発明は、鋳造システムに有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
2015033790.tif 000011
2015033790.tif 000012
2015033790.tif 000013