(57)【要約】多層回路基板（１０）は次に示す製造フローによって形成される。パターニング工程では、導体が設けられている絶縁基材（９０１，９０２，９０３）に対して信号導体（２１）、第１、第２グランド導体（３１，４１）をパターニングする。積層体（９０）を形成する工程では、パターニング工程によって形成された信号導体（２１）、第１、第２グランド導体（３１，４１）を備える絶縁基材（９０１，９０２，９０３）を積層して加熱圧着することによって、積層体（９０）を形成する。次の工程では、ＬＤＳ工法によって、積層体（９０）の表面に層間接続導体（５１）を形成する。
2016031691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材に第１の導体パターンを形成する工程と、
前記第１の導体パターンが形成された前記絶縁基材を含む複数の絶縁基材を積層して積層体に成型する工程と、
前記積層体におけるレーザを照射した領域に第２の導体パターンを形成する工程と、
を有する、多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数の絶縁基材は、熱可塑性を有し、
前記積層体に成型する工程は、
前記複数の絶縁基材を積層した後に加熱圧着する工程を含む、
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の導体パターンを形成する工程は、
前記積層体に、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤を塗布する工程と、
前記レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が塗布された前記積層体の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程と、を有する、
請求項１または請求項２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記複数の絶縁基材は、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が含有された絶縁基材を含み、
前記第２の導体パターンを形成する工程は、
前記レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が含有された絶縁基材が積層された前記積層体の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程を有する、
請求項１または請求項２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
複数の絶縁基材を積層した積層体と、
前記絶縁基材の主表面に形成された第３の導体パターンと、
前記積層体の外面に形成された第４の導体パターンと、
を備え、
前記第３の導体パターンと前記第４の導体パターンとは接続されており、
前記第３の導体パターンは、前記絶縁基材に貼り付けられた導体がパターニングされた導体パターンであり、
前記第４の導体パターンは、レーザを照射した領域に形成された導体パターンである、
多層回路基板。
【請求項６】
複数の絶縁基材を積層した積層体と、
前記積層体の内部に形成された内装導体パターンと、
前記積層体の外面に形成された外面導体パターンと、
を備え、
前記内装導体パターンと前記外面導体パターンとは接続されており、
前記内装導体パターンおよび前記外面導体パターンは、レーザを照射した領域に形成された導体パターンである、
多層回路基板。
【請求項７】
前記内装導体パターンは、その一部分が他の部分とは前記積層体の積層方向において異なる位置に設けられている、
請求項６に記載の多層回路基板。
【請求項８】
前記第４の導体パターンは、前記積層体の積層方向に沿った側面に形成され、
前記積層体の前記側面のうち、前記第４の導体パターンが形成されていない領域に孔が形成されている、請求項５に記載の多層回路基板。
【請求項９】
前記外面導体パターンは、前記積層体の積層方向に沿った側面に形成され、
前記積層体の前記側面のうち、前記外面導体パターンが形成されていない領域に孔が形成されている、請求項６または請求項７に記載の多層回路基板。
【請求項１０】
前記孔は複数設けられ、
複数の前記孔が、前記積層体の伸長方向に沿って周期的に形成されている、請求項８または請求項９に記載の多層回路基板。
【請求項１１】
段差を有する絶縁基材を少なくとも一層含む積層体と、
前記積層体に形成された導体と、を備え、
前記段差を有する面に形成された導体は、レーザを照射した領域に形成された導体パターンである、
多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁基材を積層した積層体に導体パターンを形成してなる多層回路基板の製造方法、および、多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波信号を伝送する信号線路として、多層回路基板を用いたものが実用化されている。例えば、特許文献１には、絶縁基材を積層した積層体を備え、該積層体に信号導体とグランド導体とを形成した構成が記載されている。【０００３】
特許文献１に記載の信号線路では、積層方向の途中位置に信号導体が配置されている。２つのグランド導体は、積層方向において、信号導体を挟む位置に配置されている。２つのグランド導体は、積層体内に設けられ、積層方向に伸長する層間接続導体によって接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４９６２６６０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の信号線路では、積層体における積層方向に平行な側面など、絶縁基材の主表面に沿った面以外の面への導体パターンの形成が容易ではない。特に、複雑な導体パターンは、容易に形成することができない。また、積層体の各部に設けられた導体パターンの高精細化、複雑化が進むと、所望とする導体パターンを形成することが容易ではない。【０００６】
本発明の目的は、所望とする導体パターンをより確実に形成することができる多層回路基板の製造方法および多層回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の多層回路基板の製造方法は、絶縁基材に第１の導体パターンを形成する工程と、第１の導体パターンが形成された絶縁基材を含む複数の絶縁基材を積層して積層体に成型する工程と、レーザの照射によって積層体に第２の導体パターンを形成する工程と、を有することを特徴としている。【０００８】
この製造方法では、レーザ照射による導体パターンの形成方法を用いることにより、より多様な導体パターンを積層体に形成することが可能になる。【０００９】
また、この発明の多層回路基板の製造方法では、次の構成を含むことが好ましい。多層回路基板の製造方法では、複数の絶縁基材は熱可塑性を有する。積層体に成型する工程は、複数の絶縁基材を積層した後に加熱圧着する工程を含む。【００１０】
この製造方法では、積層体を容易に一体成形することができる。【００１１】
また、この発明の多層回路基板の製造方法では、次の構成を含むことが好ましい。第２の導体パターンを形成する工程は、積層体に、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤を塗布する工程と、レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が塗布され積層体の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程と、を有する。【００１２】
また、この発明の多層回路基板の製造方法では、次の構成を含んでいてもよい。複数の絶縁基材は、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が含有された絶縁基材を含む。第２の導体パターンを形成する工程は、レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が含有された絶縁基材が積層された積層体の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程を有する。【００１３】
これらの製造方法では、高精細で複雑な導体パターンを容易に形成することができる。【００１４】
この発明の多層回路基板は、複数の絶縁基材を積層した積層体と、絶縁基材の主表面に形成された第３の導体パターンと、積層体の外面に形成された第４の導体パターンと、を備える。第３の導体パターンと第４の導体パターンとは接続されている。第３の導体パターンは、絶縁基材に貼り付けられた導体がパターニングされた導体パターンである。第４の導体パターンは、レーザの照射によって形成された導体パターンである。【００１５】
この発明の多層回路基板は、複数の絶縁基材を積層した積層体と、積層体の内部に形成された内装導体パターンと、積層体の外面に形成された外面導体パターンとを備える。内装導体パターンと外面導体パターンとは接続されている。内装導体パターンおよび外面導体パターンは、レーザの照射によって形成された導体パターンである。【００１６】
これらの構成では、多様な導体パターンを備えることが可能な多層回路基板を実現できる。【００１７】
また、この発明の多層回路基板は、次の構成であってもよい。内装導体パターンは、その一部分が他の部分とは積層体の積層方向において異なる位置に設けられている。【００１８】
この構成では、設置状況に適した伝送損失が低い多層回路基板を実現できる。【００１９】
この発明の多層回路基板は、次の構成であってもよい。第４の導体パターンは、積層体の積層方向に沿った側面に形成され、積層体の側面のうち、第４の導体パターンが形成されていない領域に孔が形成されている。【００２０】
この発明の多層回路基板は、次の構成であってもよい。外面導体パターンは、積層体の積層方向に沿った側面に形成され、積層体の側面のうち、外面導体パターンが形成されていない領域に孔が形成されている。【００２１】
これらの構成では、積層体の側面に孔が形成されているため、必要な強度を備えつつ、可撓性に優れた多層回路基板を実現できる。【００２２】
孔は、複数設けられ、複数の孔が、積層体の伸長方向に沿って周期的に形成されている。【００２３】
この構成では、積層体の伸長方向に沿って全体的に可撓性を有する多層回路基板を実現できる。【００２４】
また、この発明の多層回路基板は、次の構成であってもよい。多層回路基板は、段差を有する絶縁基材を少なくとも一層含む積層体と、この積層体に形成された導体と、を備える。段差を有する面に形成された導体は、レーザを照射した領域に形成された導体パターンである。【００２５】
この構成では、積層体に段差があっても、所望の導体を確実に形成することができる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば、積層体に対して所望とする導体パターンを、より確実に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る多層回路基板の製造フローを示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る多層回路基板の製造フローを示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板の平面図である。
【図１４】図１３における本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板のＡ−Ａ’断面図である。
【図１５】本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板の製造フローを示す図である。
【図１６】本発明の第７の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図１７】本発明の第７の実施形態に係る多層回路基板の平面図である。
【図１８】図１７における本発明の第７の実施形態に係る多層回路基板のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１９】本発明の第８の実施形態に係る多層回路基板の分解斜視図である。
【図２０】本発明の第８の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図２１】本発明の第９の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図２２】本発明の第１０の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【図２３】本発明の第１１の実施形態に係る多層回路基板の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以降、図を参照していくつかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。
【００２９】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る多層回路基板の製造フローを示す図である。
【００３０】
図１に示すように、多層回路基板１０は、信号導体２１、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、層間接続導体５１，７０、外部接続端子６１，６２、および積層体９０を備える。これにより、多層回路基板１０は、高周波信号の伝送線路を構成する。
【００３１】
本実施形態において、信号導体２１、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、外部接続端子６１，６２は請求項１に記載の発明における「第１の導体パターン」に相当し、層間接続導体５１は請求項１に記載の発明における「第２の導体パターン」に相当する。また、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１は請求項５に記載の発明における「第３の導体パターン」にも相当し、層間接続導体５１は請求項５に記載の発明における「第４の導体パターン」にも相当する。
【００３２】
積層体９０は、信号伝送方向（第１方向）に伸長する長尺状の平板である。積層体９０は、図２に示すように、絶縁基材９０１，９０２，９０３を積層して加熱圧着することによって実現される。絶縁基材９０１，９０２，９０３は、液晶ポリマを主原料とする熱可塑性樹脂である。
【００３３】
信号導体２１は、積層体９０における厚み方向（第３方向）、すなわち、絶縁基材９０１，９０２，９０３が積層される方向の途中位置に配置されている。信号導体２１は、積層体９０の伸長する方向（第１方向）に沿って延びる長尺状である。信号導体２１は、積層体９０の幅方向（第２方向）の略中央の位置に配置されている。
【００３４】
第１グランド導体３１は、積層体９０における厚み方向（第３方向）の一方端の端面（主表面）に配置されている。第１グランド導体３１は、積層体９０の一方端の端面の略全面に形成されている。積層体９０を平面視して、信号導体２１の伸長方向の両端と重なる領域には、第１グランド導体３１に対して開口部（導体の非形成部）３１０が設けられている。各開口部３１０には、それぞれ外部接続用端子６１，６２が形成されている。
【００３５】
第２グランド導体４１は、積層体９０における厚み方向（第３方向）の他方端の端面（主表面）に配置されている。第２グランド導体４１は、積層体９０の他方端の端面の略全面に形成されている。
【００３６】
信号導体２１、第１グランド導体３１、および、第２グランド導体４１は、絶縁基材９０１，９０２，９０３の主表面に貼り付けられた導体をエッチング等によってパターニングすることで形成される。
【００３７】
層間接続導体５１は、積層体９０の各側面に配置されている。層間接続導体５１は、積層体９０における第１方向の両端の側面の略全面に配置されている。また、層間接続導体５１は、積層体９０における第２方向の両端の側面の略全面に、第１方向に沿って所定の間隔を空けるようにして、複数個配置されている。複数の層間接続導体５１の間隔は、多層回路基板１０を伝送する高周波信号のスプリアス特性に応じて適宜設定すればよい。なお、層間接続導体５１は、積層体９０における第２方向の両端の側面の略全面に配置してもよい。このように層間接続導体５１を積層体９０の各側面に配置することにより、積層体９０内に層間接続導体を形成する構成と比べ、グランド電位である層間接続導体と信号導体２１との間の離間距離を大きくすることができる。したがって、本実施形態に係る多層回路基板１０Ａでは、積層体９０内に層間接続導体を形成する構成と比べ、層間接続導体５１と信号導体２１との離間距離を大きく保ちつつ第２方向の幅を狭くすることができる。
【００３８】
層間接続導体５１は、積層体９０の表面に、レーザ照射によって変質する性質を有する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤（ＬＤＳ添加剤）を塗布して、レーザ照射によって塗布膜をパターニングし、その後、メッキによって導体パターンを形成するパターニング処理を行うことで形成される。
【００３９】
層間接続導体７０は、積層体９０内に形成されている。層間接続導体７０は、積層方向に伸長する形状である。層間接続導体７０は、信号導体２１の伸長方向の第１の端部と外部接続端子６１とを接続し、信号導体２１の伸長方向の第２の端部と外部接続端子６２とを接続する。
【００４０】
層間接続導体７０は、積層体９０を形成する絶縁基材に孔を設けて、孔に導電ペーストを充填し、絶縁基材を加熱圧着する際に固化させることで形成される。
【００４１】
このような構成では、導体のエッチングによるパターニングが容易でない部分に対して、レーザダイレクトストラクチュアリング工法（ＬＤＳ工法）を用いて導体パターンが形成される。したがって、より多様な導体パターンの多層回路基板１０を実現することができる。
【００４２】
このような多層回路基板１０は、次に示す製造フローによって製造される（図２、図３参照）。
【００４３】
まず、片面に銅貼りがされた熱可塑性の絶縁基材９０１，９０２，９０３を用意する。そして、絶縁基材９０１，９０２，９０３の必要箇所に対してエッチングによるパターニング処理等を行うことで、図２（Ａ）に示すように、絶縁基材９０１，９０２，９０３に対して信号導体２１、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、外部接続端子６１，６２を形成する（Ｓ１０１）。この際、絶縁基材９０１には、層間接続導体７０の形成位置に貫通孔を設けて導電ペーストが充填されている（図２では図示を省略している。）。この時点では、絶縁基材９０１，９０２，９０３は、複数の多層回路基板１０を形成可能な大きさの絶縁シートである。
【００４４】
次に、複数の絶縁基材９０１，９０２，９０３を積層して加熱圧着する（Ｓ１０２）。また、導電ペーストが固化して層間接続導体７０（図２では図示を省略している。）が形成される。
【００４５】
次に、積層体９０を個片に切り出す（Ｓ１０３）。これにより、図２（Ｂ）に示すような積層体９０が形成される。
【００４６】
次に、図２（Ｃ）に示すように、積層体９０の側面にレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤（ＬＤＳ添加剤）９１０を塗布する（Ｓ１０４）。
【００４７】
次に、ＬＤＳ添加剤９１０が塗布された積層体９０の側面にレーザ光を照射することによって、導体を形成したい領域を粗化する。そして、側面の粗化した領域に対してメッキによる導体パターンを形成する（Ｓ１０５）。これにより、図１に示すように、層間接続導体５１が形成される。
【００４８】
このような製造方法を用いることによって、エッチングによる導体の形成が容易でない積層体の側面に、積層方向に伸長する導体パターンを容易に形成することができる。すなわち、導体パターンの形成可能な種類や積層体における導体パターンの形成可能な領域を増やすことができる。また、単なるメッキ処理と異なり、導体パターンを形成すべき位置に高精度に導体パターンを形成することができる。これにより、従来よりも多様な導体パターンを有する多層回路基板を、確実且つ高精度に製造することができる。また、多層回路基板の内部にＬＤＳ添加剤が塗布されない（含まれない）ので、異質材料が含まれることに伴う特性劣化を抑制できる。
【００４９】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る多層回路基板および多層回路基板の製造方法について、図を参照して説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。図５は、本発明の第２の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。図６は、本発明の第２の実施形態に係る多層回路基板の製造フローを示す図である。
【００５０】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ａは、第１の実施形態に係る多層回路基板１０に対して、積層体９０Ａを構成する絶縁基材９０１Ｓ，９１２Ｓ，９０３Ｓの組成が異なる。他の構成は、第１の実施形態に係る多層回路基板１０と同じである。また、この構成を用いることによって、製造方法も第１の実施形態に係る多層回路基板１０と異なる。
【００５１】
図４、図５に示すように、本実施形態に係る多層回路基板１０Ａは、絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓ，９０３Ｓを積層して加熱圧着した積層体９０Ａを備える。各絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓ，９０３Ｓは、ＬＤＳ添加剤が添加された熱可塑性樹脂である。
【００５２】
この構成では、信号導体２１、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、外部接続端子６１，６２も、ＬＤＳ工法によって製造することが可能になる。したがって、例えば、信号導体２１に複雑且つ高精細なパターンが求められる場合にも、確実且つ高精度に導体パターンを形成することができる。
【００５３】
本実施形態において、信号導体２１は本発明の「内装導体パターン」に相当し、外部接続端子６１，６２は本発明の「外面導体パターン」に相当する。
【００５４】
このような多層回路基板１０Ａは、次に示す製造フローによって製造される（図５、図６参照）。
【００５５】
まず、ＬＤＳ添加剤が添加された熱可塑性の絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓ，９０３Ｓを用意する。そして、絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓ，９０３Ｓの必要箇所に対してＬＤＳ工法によってパターニング処理等を行うことで、図５（Ａ）に示すように、絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓ，９０３Ｓに対して信号導体２１、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、外部接続端子６１，６２を形成する（Ｓ２０１）。この際、絶縁基材９０１Ｓには、層間接続導体７０の形成位置に貫通孔を設けて導電ペーストが充填されている（図５では図示を省略している。）。この時点では、絶縁基材９０１，９０２，９０３は、複数の多層回路基板１０を形成可能な大きさの絶縁シートであってもよく、個片化されていてもよい。
【００５６】
次に、複数の絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓ，９０３Ｓを積層して加熱圧着する（Ｓ２０２）。また、導電ペーストが固化して層間接続導体７０（図５では図示を省略している。）が形成される。
【００５７】
次に、図５（Ｂ）に示すように、積層体９０Ａの側面にＬＤＳ工法によって導体パターンを形成する（Ｓ２０３）。これにより、図４に示すように、層間接続導体５１が形成される。
【００５８】
このような製造方法を用いることで、積層体の外面、内部の区別無く、全ての導体パターンをＬＤＳ工法で形成することができる。また、本実施形態の製造方法を用いることによって、導体のパターニングプロセスを共通化でき、工程を簡略化できるとともに、導体パターンの形成の自由度を高めることができる。
【００５９】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る多層回路基板および多層回路基板の製造方法について、図を参照して説明する。図７は、本発明の第３の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。図８は、本発明の第３の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。
【００６０】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｂは、積層体９０Ｂおよびグランド導体３０Ｂが第２の実施形態に係る多層回路基板１０Ａと異なる。他の構成は、第２の実施形態に係る多層回路基板１０Ａと同じである。
【００６１】
本実施形態において、信号導体２１は本発明の「内装導体パターン」に相当し、外部接続端子６１，６２は本発明の「外面導体パターン」に相当する。
【００６２】
図７に示すように、本実施形態に係る多層回路基板１０Ｂは、絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓを積層して加熱圧着した積層体９０Ｂを備える。絶縁基材９０１Ｓ，９０２Ｓは、ＬＤＳ添加剤が添加された熱可塑性樹脂である。積層体９０Ｂは、伸長方向に直交する面で切った断面が所定の曲率を有するカーブ状の角部を有する略長方形となる形状である。
【００６３】
積層体９０Ｂの外面の略全面には、グランド導体３０Ｂが形成されている。積層体９０Ｂの積層方向の一方端の端面には、グランド導体３０Ｂに対して複数の開口部（導体の非形成部）３２０が設けられている。
【００６４】
グランド導体３０Ｂは、ＬＤＳ工法によって形成されている。ＬＤＳ工法を用いることで、積層体９０Ｂの略全面という三次元に広がる領域に対しても、導体パターンを確実且つ高精度に形成することができる。特に、本実施形態の積層体９０Ｂに示すように、湾曲する面が存在しても、ＬＤＳ工法を用いることによって、確実に導体パターンを形成することができる。
【００６５】
そして、本実施形態の構成を用いることによって、積層体の角部での電界の集中を防ぐことができ、伝送損失を抑制できる。したがって、本実施形態に係る製造方法を用いることによって、伝送損失の低い伝送線路を確実且つ容易に製造することができる。
【００６６】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係る多層回路基板および多層回路基板の製造方法について、図を参照して説明する。図９は、本発明の第４の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【００６７】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｃは、第３の実施形態に係る多層回路基板１０Ｂに対して、信号導体２１Ｃ、グランド導体３０Ｃ、および外部接続端子６１Ｃ，６２Ｃの構成が異なる。他の構成は、第３の実施形態に係る多層回路基板１０Ｂと同じである。
【００６８】
信号導体２１Ｃは、伸長方向の両端が引き出し用導体２１０Ｃに接続されている。引き出し用導体２１０Ｃの伸長方向は、積層方向に直交し、かつ、信号導体２１Ｃの伸長方向に直交している。引き出し用導体２１０Ｃにおける信号導体２１Ｃに接続する端部と反対側の端部は、積層体９０Ｃの側面（長尺方向に平行な側面）に露出している。すなわち、引き出し用導体２１０Ｃの当該端部は、長尺方向に平行な面で、かつ、積層方向に沿った面に露出している。
【００６９】
積層体９０Ｃの外面の略全面には、グランド導体３０Ｃが形成されている。積層体９０Ｃにおける引き出し用導体２１０Ｃが露出する側面には、引き出し用導体２１０Ｃが露出する領域を含むように、外部接続端子６１Ｃ，６２Ｃが形成されている。外部接続端子６１Ｃ，６２Ｃは開口部（導体の非形成部）３１０Ｃによって、グランド導体３０Ｃと分離されている。
【００７０】
グランド導体３０Ｃおよび外部接続端子６１Ｃ，６２Ｃは、ＬＤＳ工法によって形成されている。信号導体２１Ｃおよび引き出し用導体２１０Ｃは、ＬＤＳ工法であっても、エッチングによるパターニングであっても、いずれの方法で形成してもよい。
【００７１】
本実施形態において、信号導体２１Ｃは本発明の「第３の導体パターン」に相当し、外部接続端子６１Ｃ，６２Ｃは本発明の「第４の導体パターン」に相当する。また、引き出し用導体２１０Ｃは本発明の「内装導体パターン」に相当し、外部接続端子６１Ｃ，６２Ｃは本発明の「外面導体パターン」に相当する。
【００７２】
このように、ＬＤＳ工法を用いることによって、積層体９０Ｃの側面に、積層方向に長さを持つ導体パターンを持つような態様であっても、容易に導体パターンを形成することができる。そして、この構成では、導電ペーストを用いた積層体９０Ｃ内の層間接続導体を用いなくてもよい。したがって、信号導体２１Ｃを外面に引き出す引き出し用導体２１０Ｃを容易に形成できる。また、この部分での抵抗値を低くすることができ、伝送損失をさらに抑制することができる。
【００７３】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第５の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。図１１は、本発明の第５の実施形態に係る多層回路基板の製造工程毎の状態を示す斜視図である。
【００７４】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｄは、上述の第１、第２、第３の実施形態に係る多層回路基板に対して、信号導体２１Ｄが積層方向に湾曲する部分を備える点で異なる。多層回路基板を構成する基本的な構成要素は、上述の第１、第２、第３の実施形態に係る多層回路基板と同じである。
【００７５】
図１０に示すように、多層回路基板１０Ｄは、信号導体２１Ｄ、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、層間接続導体５１、外部接続端子６１，６２、および積層体９０Ｄを備える。
【００７６】
本実施形態において、信号導体２１Ｄは本発明の「内装導体パターン」に相当し、外部接続端子６１，６２は本発明の「外面導体パターン」に相当する。
【００７７】
積層体９０Ｄは、図１１に示すように、絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳを積層して加熱圧着することによって実現される。絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳは、液晶ポリマを主原料とする熱可塑性樹脂である。絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳには、ＬＤＳ添加剤が添加されている。絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳは、伸長方向の途中で厚みが変化する形状である。絶縁基材９０１ＤＳにおける厚い部分は、絶縁基材９０２ＤＳにおける薄い部分と重なっており、絶縁基材９０１ＤＳにおける薄い部分は、絶縁基材９０２ＤＳにおける厚い部分と重なっている。この構成によって、積層体９０Ｄは、全体として一定の厚みを有する形状である。
【００７８】
信号導体２１Ｄは、積層体９０Ｄにおける厚み方向（第３方向）の途中位置に配置されている。信号導体２１Ｄは、積層体９０の伸長する方向に沿って延びる長尺状である。信号導体２１Ｄは、積層体９０Ｄの幅方向（第２方向）の略中央の位置に配置されている。信号導体２１Ｄは、伸長方向の途中において、積層体９０Ｄの厚み方向（積層方向）に湾曲している。これにより、信号導体２１Ｄの伸長方向の第１端部の領域と第２端部側の領域とは、積層体９０Ｄの厚み方向（第３方向）において位置が異なる。
【００７９】
第１グランド導体３１は、積層体９０Ｄにおける厚み方向（第３方向）の一方端の端面に配置されている。第１グランド導体３１は、積層体９０Ｄの一方端の端面の略全面に形成されている。積層体９０Ｄを平面視して、信号導体２１の伸長方向の両端と重なる領域には、第１グランド導体３１に対して開口部（導体の非形成部）３１０が設けられている。各開口部３１０には、それぞれ外部接続用端子６１，６２が形成されている。また、信号導体２１Ｄが第１グランド導体３１側に近づいている領域には、第１グランド導体３１における信号導体２１Ｄと重なる領域に複数の開口部（導体の非形成部）３２０が設けられている。
【００８０】
第２グランド導体４１は、積層体９０における厚み方向（第３方向）の他方端の端面に配置されている。第２グランド導体４１は、積層体９０の他方端の端面の略全面に形成されている。
【００８１】
また、信号導体２１Ｄが第２グランド導体４１側に近づいている領域には、第２グランド導体４１における信号導体２１Ｄと重なる領域に複数の開口部（導体の非形成部）３２０が設けられている。
【００８２】
層間接続導体５１は、積層体９０Ｄの各側面に配置されている。
【００８３】
このような構成とすることで、積層体内において、積層体の厚み方向（第３方向）における信号導体の位置を変化させる構造を実現できる。これにより、設置態様に応じた信号導体とグランド導体との位置関係を実現でき、設置態様に応じた適切な形状の伝送線路を実現することができる。
【００８４】
また、このような構成とすることで、絶縁基材に形成したビアや貫通孔を用いた層間接続導体を用いることなく、面状のパターンで厚み方向（第３方向）の信号導体の位置を変えることができる。したがって、伝送線路としての導体損を小さくすることができる。これにより、適切な形状で伝送損失の小さな伝送線路を容易に形成することができる。
【００８５】
このような構成からなる多層回路基板１０Ｄは、次に示す製造フローによって製造される（図１１参照）。
【００８６】
まず、ＬＤＳ添加剤が添加された熱可塑性の絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳを用意する。そして、絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳの必要箇所に対してＬＤＳ工法によってパターニング処理等を行うことで、図１１に示すように、絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳに対して信号導体２１Ｄ、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、外部接続端子６１，６２を形成する。
【００８７】
次に、複数の絶縁基材９０１ＤＳ，９０２ＤＳを積層して加熱圧着する。次に、積層体９０Ｄの側面にＬＤＳ工法によって、層間接続導体５１を形成する。
【００８８】
このような製造方法を用いることによって、信号導体２１Ｄが伸長方向の途中で積層体９０Ｄの厚み方向（第３方向）に湾曲する形状を容易に実現することができる。すなわち、従来よりも複雑な導体パターンであっても、容易に製造することができる。
【００８９】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図１２は、本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。図１３は、本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板図の平面図である。図１４は、図１３における本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板のＡ−Ａ’断面図である。図１５は、本発明の第６の実施形態に係る多層回路基板の製造フローを示す図である。
【００９０】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｅは、上述の第１の実施形態に係る多層回路基板に対して、積層体の側面に孔８０が形成される点で異なる。多層回路基板を構成する基本的な構成要素は、上述の第１の実施形態に係る多層回路基板と同じである。
【００９１】
すなわち、本実施形態において、信号導体２１、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１、外部接続端子６１，６２は請求項１に記載の発明における「第１の導体パターン」に相当し、層間接続導体５１は請求項１に記載の発明における「第２の導体パターン」に相当する。また、第１グランド導体３１、第２グランド導体４１は請求項５に記載の発明における「第３の導体パターン」にも相当し、層間接続導体５１は請求項５に記載の発明における「第４の導体パターン」にも相当する。
【００９２】
図１２、図１３に示すように、積層体９０Ｅは信号導体２１の伸長方向（第１方向）に伸長する長尺状の平板である。多層回路基板１０Ｅでは、層間接続導体５１が積層体９０Ｅの積層方向に沿った側面（第２方向の側面）に形成され、積層体９０Ｅの側面のうち、層間接続導体５１や外部接続端子等の導体パターンが形成されていない領域に孔８０が形成されている。孔８０は、積層体９０Ｅの側面に形成される凹部である。
【００９３】
このような構成により、必要な強度を保持しつつ、可撓性に優れた多層回路基板を実現できる。また、多層回路基板１０Ｅでは、孔８０が複数設けられ、複数の孔８０が、積層体９０Ｅの伸長方向（第１方向）に沿って周期的に形成されている。そのため、積層体９０Ｅの伸長方向（第１方向）に沿って全体的に可撓性を有する多層回路基板を実現できる。
【００９４】
さらに、本実施形態に係る多層回路基板１０Ｅでは、信号導体２１の第２方向の両側の領域で、かつ、第１グランド導体３１と第２グランド導体４１との間の領域（図１４の破線の矢印参照）に、孔８０が形成される。一方、信号導体２１と第１・第２グランド導体（３１，４１）とが対向している領域（図１４の矢印参照）には、孔８０が形成されていない。
【００９５】
高周波信号の伝送の際、信号導体２１と第１・第２グランド導体（３１，４１）とは容量結合する。ここで、キャパシタンスＣは誘電率に比例し、絶縁基材の誘電率εｒは空気の誘電率εＡよりも大きいため（εｒ＞εＡ）、本実施形態に係る多層回路基板１０Ｅでは、積層体の側面に孔が形成されていない場合と比べ、信号導体２１と第１・第２グランド導体（３１，４１）との間のキャパシタンスＣｓを小さくできる。また、高周波信号の伝送の際、電荷は信号導体２１の両端部に集中するため、本実施形態のように信号導体２１の両端部近傍において孔を設けて誘電率を下げると、信号導体２１と第１・第２グランド導体（３１，４１）との間のキャパシタンスＣｓを効果的に小さくできる。
【００９６】
このように、信号導体２１と第１グランド導体３１との間のキャパシタンス、および信号導体２１と第２グランド導体４１との間のキャパシタンスをより小さくした多層回路基板を実現することができる。
【００９７】
なお、孔８０の個数、周期、形状、深さ、配置等は、適宜変更可能である。多層回路基板の強度、可撓性、層間接続導体５１の間隔、信号導体２１と第１グランド導体３１との間のキャパシタンス、および信号導体２１と第２グランド導体４１との間のキャパシタンス等に応じて適宜設定すればよい。
【００９８】
このような多層回路基板１０Ｅは、次に示す製造フローによって製造される（図１５参照）。
【００９９】
まず、ＬＤＳ添加剤が添加された熱可塑性の絶縁基材を複数用意する。そして、複数の絶縁基材の必要箇所に対してＬＤＳ工法によってパターニング処理を行うことで、絶縁基材に対して信号導体、第１グランド導体、第２グランド導体、外部接続端子等を形成する（Ｓ３０１）。
【０１００】
次に、複数の絶縁基材を積層して加熱圧着する（Ｓ３０２）。次に、積層体の側面にＬＤＳ工法によって、層間接続導体を形成する（Ｓ３０３）。
【０１０１】
次に、積層体の幅方向（第２方向）からレーザの照射を行って、側面に孔を形成する（Ｓ３０４）。
【０１０２】
このような製造方法を用いることによって、容易に孔を形成することができる。
【０１０３】
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図１６は、本発明の第７の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。図１７は、本発明の第７の実施形態に係る多層回路基板の平面図である。図１８は、図１７における本発明の第７の実施形態に係る多層回路基板のＢ−Ｂ’断面図である。
【０１０４】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｆは、上述の第６の実施形態に係る多層回路基板に対して、積層体の側面に形成される孔８０が積層体を貫通する点で異なる。多層回路基板を構成する基本的な構成要素は、上述の第２の実施形態に係る多層回路基板と同じである。
【０１０５】
すなわち、本実施形態において、信号導体２１は本発明の「内装導体パターン」に相当し、外部接続端子６１，６２は本発明の「外面導体パターン」に相当する。
【０１０６】
図１６から図１８に示すように、多層回路基板１０Ｆおいて孔８０は、積層体９０Ｆの伸長方向に平行な両側面（第２方向の側面）を貫通する。すなわち、多層回路基板１０Ｆの孔８０は、積層方向に直交する方向で、かつ、積層体９０Ｆの伸長方向に直交する方向である第２の方向に積層体９０Ｆを貫通している。また、多層回路基板１０Ｆでは、複数の孔８０が、積層体９０Ｆの伸長方向（第１方向）に沿って周期的に形成されている。
【０１０７】
このような構成により、上述した第６の実施形態に係る多層回路基板１０Ｅと同様の効果を奏する。
【０１０８】
また、本実施形態に係る多層回路基板１０Ｆでは、信号導体２１の第２方向の両側の領域で、かつ、第１グランド導体３１と第２グランド導体４１との間の領域（図１８の破線の矢印参照）だけでなく、信号導体２１と第１・第２グランド導体（３１，４１）とが対向している領域（図１８の矢印参照）にも、孔８０が形成されている。そのため、本実施形態に係る多層回路基板１０Ｆでは、信号導体２１と第１・第２グランド導体（３１，４１）とが対向している領域に孔８０が形成されていない多層回路基板１０Ｅと比べ、信号導体２１と第１・第２グランド導体（３１，４１）との間のキャパシタンスＣｓをさらに小さくできる。
【０１０９】
このように、第６の実施形態に係る多層回路基板１０Ｅよりも、さらに信号導体２１とグランド導体との間のキャパシタンスを小さくした多層回路基板を実現することができる。
【０１１０】
（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図１９は、本発明の第８の実施形態に係る多層回路基板の分解斜視図である。図２０は、本発明の第８の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【０１１１】
上述の各実施形態に係る多層回路基板は、伝送線路を形成するものであったが、本実施形態に係る多層回路基板１０Ｇは、アンテナおよびその周辺回路を構成するものである。
【０１１２】
積層体９０Ｇは、絶縁基材９０１ＧＳ，９０２ＧＳを積層してなる。この際、絶縁基材９０１ＧＳの裏面が絶縁基材９０２ＧＳの表面に当接している。絶縁基材９０１ＧＳ，９０２ＧＳは、上述の各実施形態の絶縁基材と同じ材質からなる。
【０１１３】
絶縁基材９０１ＧＳの裏面は平坦であり、絶縁基材９０１ＧＳの表面は、段差部９１１を有する。この構造により、絶縁基材９０１ＧＳは、厚みの異なる２つの部分からなる。
【０１１４】
絶縁基材９０１ＧＳの表面には、アンテナ導体２２が形成されている。アンテナ導体２２は、環状の線状導体であり、環の途中に分断部２２０を有する。アンテナ導体２２は、絶縁基材９０１ＧＳの表面における段差部９１１を跨るように形成されている。アンテナ導体２２の環におけるそれぞれ異なる途中位置には、接続用ランド導体２３，２４が形成されている。接続用ランド導体２３，２４は、アンテナ導体２２よりも幅広である。アンテナ導体２２に対する接続用ランド導体２３，２４の形成位置は、アンテナの各種特性等に基づいて適宜設定されている。接続用ランド導体２３，２４は、絶縁基材９０１ＧＳにおける薄部に形成されている。
【０１１５】
絶縁基材９０２ＧＳは表裏面ともに平坦であり、絶縁基材９０２ＧＳの表面には、インダクタ導体２５、キャパシタ用導体２６１、およびグランド導体３３が形成されている。インダクタ導体２５は、ミアンダ状の線状導体である。キャパシタ用導体２６１およびグランド導体３３は、平板導体である。このインダクタ導体２５からなるインダクタ、キャパシタ用導体２６１からなるキャパシタ、およびグランド導体３３は、例えば、アンテナの整合回路用の回路素子として用いられる。
【０１１６】
グランド導体３３は、絶縁基材９０２ＧＳにおける絶縁基材９０１ＧＳの厚部に重なる領域の略全面に形成されている。
【０１１７】
インダクタ導体２５における延びる方向の一方端は、グランド導体３３に接続されており、他方端は、接続用ランド導体２５１に接続されている。接続用ランド導体２５１は、インダクタ導体２５よりも幅広である。接続用ランド導体２５１は、平面視して、接続用ランド導体２４と略同じ位置にある。接続用ランド導体２５１は、絶縁基材９０１ＧＳの側面に設けられた層間接続導体５１によって、接続用ランド導体２４に接続されている。
【０１１８】
キャパシタ用導体２６１は、接続用ランド導体２６３に接続されている。接続用ランド導体２６３は、平面視して、接続用ランド導体２３と略同じ位置にある。接続用ランド導体２６３は、絶縁基材９０１ＧＳの側面に設けられた層間接続導体５２によって、接続用ランド導体２３に接続されている。
【０１１９】
絶縁基材９０２ＧＳの裏面には、キャパシタ用導体２６２、および、外部接続導体６３，６４，６５が形成されている。
【０１２０】
キャパシタ用導体２６２は、絶縁基材９０２ＧＳを介して、キャパシタ用導体２６１と対向している。この構造によって、キャパシタが形成される。
【０１２１】
外部接続導体６３は、グランド導体３３に対向しており、絶縁基材９０２ＧＳを貫通する層間接続導体７０によって、グランド導体３３に接続されている。
【０１２２】
外部接続導体６４は、接続用ランド導体２５１に対向しており、絶縁基材９０２ＧＳを貫通する層間接続導体７０によって、接続用ランド導体２５１に接続されている。
【０１２３】
外部接続導体６５は、キャパシタ用導体２６２に接続されている。
【０１２４】
このような構成からなる多層回路基板１０Ｇは、次のように製造される。
【０１２５】
まず、絶縁基材９０１ＧＳを用意する。絶縁基材９０１ＧＳは、射出成形等によって実現される。これにより、表面側に段差９１１を有する絶縁基材９０１ＧＳを容易に形成できる。
【０１２６】
絶縁基材９０１ＧＳの表面および側面に、ＬＤＳ法等のレーザ照射式の導体パターン形成法を用いて、アンテナ導体２２、接続用ランド導体２３，２４、層間接続導体５１を形成する。このようなレーザ照射式の導体パターン形成方法を用いることによって、段差９１１が有っても、確実且つ高精度にアンテナ導体２２を形成することができる。
【０１２７】
両面銅箔貼りで平板状の絶縁基材９０２ＧＳを用意し、フォトリソグラフィ等を用いて銅箔をパターニングすることによって、インダクタ導体２５、キャパシタ用導体２６１，２６２、グランド導体３３、接続用ランド導体２５１、２６３、外部接続導体６３，６４，６５を形成する。
【０１２８】
絶縁基材９０２ＧＳにおけるグランド導体３３と外部接続導体６３が重なる位置、および、接続用ランド導体２５１と外部接続導体６４が重なる位置に貫通孔を形成し、メッキ処理を行うことで、それぞれに層間接続導体７０を形成する。
【０１２９】
絶縁基材９０１ＧＳの裏面と絶縁基材９０２ＧＳの表面を絶縁基材９０１ＧＳと絶縁基材９０２ＧＳを、加圧、超音波溶接する。このように、接着剤を用いることなく、絶縁基材９０１ＧＳ，９０２ＧＳを接着することによって、積層方向に沿った絶縁基材９０１ＧＳの導体パターンと絶縁基材９０２ＧＳの導体パターンとの位置関係の精度が向上する。これにより、多層回路基板１０Ｇの特性が向上する。特に、本実施形態では、アンテナ導体２２とグランド導体３３との距離を精度良く固定できるので、製造によるアンテナ特性のバラツキを抑制できる。また、絶縁基材９０１ＧＳ，９０２ＧＳ間に物性の異なる材質が存在しないので、この物性の差による剥離が生じることを防止できる。
【０１３０】
なお、図示していないが、積層体９０Ｇの表面、側面には、保護用の絶縁性レジスト膜を形成することが好ましい。
【０１３１】
（第９の実施形態）
次に、本発明の第９の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図２１は、本発明の第９の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【０１３２】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｈは、第８の実施形態に係る多層回路基板１０Ｇに対して、積層体９０Ｈの構造が異なり、コネクタ６１０を備える点で異なる。
【０１３３】
積層体９０Ｈは、絶縁基材９０１ＨＳ，９０２ＨＳ，９０３ＨＳを備える。絶縁基材９０１ＨＳ，９０２ＨＳは、第８の実施形態に係る絶縁基材９０１ＧＳ，９０２ＧＳと基本的には同じ構造である。
【０１３４】
絶縁基材９０３ＨＳは、絶縁基材９０２ＨＳの裏面に当接している。絶縁基材９０ＨＳは、平面視した形状が絶縁基材９０２ＨＳよりも大きい。
【０１３５】
絶縁基材９０３ＨＳの表面における外部に露出する部分には、コネクタ６１０が実装されている。コネクタ６１０は、絶縁基材９０３ＨＳの表面に形成された接続用導体２７１によって、積層体９０Ｈに設けられる回路要素（アンテナ導体２２等）に接続されている。
【０１３６】
このような構成とすることによって、外部端子に容易に接続ができる。また、絶縁基材９０３ＨＳのみからなる積層体９０Ｈの薄い部分にコネクタ６１０が実装されるため、外部に接続する部分の可撓性が高く、実装の自由度を向上することができる。
【０１３７】
（第１０の実施形態）
次に、本発明の第１０の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図２２は、本発明の第１０の実施形態に係る多層回路基板の外観斜視図である。
【０１３８】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｊは、第９の実施形態に係る多層回路基板１０Ｈに対して、絶縁基材９０３ＪＳに実装される部品が異なる。
【０１３９】
積層体９０Ｊは、絶縁基材９０１ＪＳ，９０２ＪＳ，９０３ＪＳを備える。絶縁基材９０１ＪＳ，９０２ＪＳは、第９の実施形態に係る絶縁基材９０１ＨＳ，９０２ＨＳと基本的には同じ構造である。
【０１４０】
絶縁基材９０３ＪＳの表面における外部に露出する部分には、電子部品６２０，６３０が実装されている。電子部品６２０は、絶縁基材９０３ＪＳの表面に形成された接続用導体２７２によって、積層体９０Ｊに設けられる回路要素（アンテナ導体２２等）に接続されている。電子部品６３０は、絶縁基材９０３ＪＳに形成された接続用導体によって、アンテナ導体２２によるアンテナの整合回路を形成するように接続されている。
【０１４１】
このような構成とすることによって、実装部品を用いたアンテナ整合回路を、アンテナに対して一体形成することができる。なお、積層体９０Ｊに設けられたインダクタ導体やキャパシタ用導体などと併用してアンテナ整合回路を構成してもよい。
【０１４２】
（第１１の実施形態）
次に、本発明の第１１の実施形態に係る多層回路基板について、図を参照して説明する。図２３は、本発明の第１１の実施形態に係る多層回路基板の部分断面図である。
【０１４３】
本実施形態に係る多層回路基板１０Ｋは、第１の実施形態に係る多層回路基板１０に対して、外部接続する部分の構造が異なる。
【０１４４】
積層体９０Ｋは、絶縁基材９０１ＫＳ，９０２ＫＳ，９０３ＫＳ，９０４ＫＳ，９０５ＫＳを、絶縁基材９０５ＫＳ、絶縁基材９０４ＫＳ、絶縁基材９０１ＫＳ、絶縁基材９０２ＫＳ、および絶縁基材９０３ＫＳの順で積層してなる。絶縁基材９０１ＫＳと絶縁基材９０２ＫＳとの当接面には、信号導体２１が形成されている。絶縁基材９０１ＫＳと絶縁基材９０４ＫＳとの当接面には、第１グランド導体３１が形成されている。絶縁基材９０２ＫＳと絶縁基材９０３ＫＳとの当接面には、第２グランド導体３２が形成されている。絶縁基材９０１ＫＳと絶縁基材９０４ＫＳとの界面には、第１グランド導体３１が形成されている。
【０１４５】
層間接続導体７１は、絶縁基材９０４ＫＳの貫通孔に充填された導電材によって実現される。層間接続導体７１は、第１グランド導体３１に接続されている。
【０１４６】
層間接続導体７２は、絶縁基材９０４ＫＳ，９０１ＫＳの貫通孔に充填された導電材、および、絶縁基材９０４ＫＳ，９０１ＫＳの界面の補助導体によって実現される。層間接続導体７２は、信号導体２１に接続されている。
【０１４７】
層間接続導体７３は、絶縁基材９０４ＫＳ，９０１ＫＳ，９０２ＫＳの貫通孔に充填された導電材、および、絶縁基材９０４ＫＳ，９０１ＫＳの界面と絶縁基材９０１ＫＳ，９０２ＫＳの界面の補助導体によって実現される。層間接続導体７３は、第２グランド導体に接続されている。
【０１４８】
層間接続導体７１，７２，７３は、絶縁基材９０４ＫＳと絶縁基材９０５ＫＳの界面に露出している。
【０１４９】
絶縁基材９０５ＫＳにおける層間接続導体７１，７２，７３と重なる位置には、凹部９５０が設けられている。各貫通孔９５０は、それぞれ導体９５１によって覆われている。これにより、積層体９０Ｋに対して、メス型コネクタを実現できる。
【０１５０】
導体９５１は、レーザ照射式の導体パターン形成方法によって形成される。この形成方法を用いることによって、印刷等で形成することが困難である凹部であっても、凹部９５０の表面に導体９５１を確実に形成することができる。
【０１５１】
オス型コネクタ７００は、主体７０１と導電性突起部７０２とを備える。導電性突起部７０２は、導体９５１に覆われた凹部９５０に嵌合される。これにより、オス型コネクタ７００を積層体９０Ｋに接続することができる。
【０１５２】
このように、本実施形態を用いれば、多層回路基板１０Ｋにおける表面に段差を有するコネクタ部分にも、確実に導体を形成することができる。
【符号の説明】
【０１５３】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ、１０Ｈ，１０Ｊ，１０Ｋ：多層回路基板
２１：信号導体
２２：アンテナ導体
２３，２４，２５１，２６３：接続用ランド導体
２５：インダクタ導体
３０Ｂ，３０Ｃ：グランド導体
３１：第１グランド導体
３３：グランド導体
４１：第２グランド導体
５１，５２，７０：層間接続導体
６１，６２，６１Ｃ，６２Ｃ，６３，６４，６５：外部接続端子
７０，７１，７２，７３：層間接続導体
８０：孔
９０，９０Ａ，９０Ｂ，９０Ｃ，９０Ｄ，９０Ｅ，９０Ｆ，９０Ｇ，９０Ｈ，９０Ｊ，９０Ｋ：積層体
２１０Ｃ：引き出し用導体
２６１，２６２：キャパシタ用導体
２７１，２７２：接続用導体
３１０、３１０Ｃ：各開口部
６１０：コネクタ
６２０，６３０：電子部品
９０１，９０２，９０３，９０１ＤＳ，９０２ＤＳ，９０１Ｓ，９０２Ｓ，９０３Ｓ，９０１ＧＳ，９０２ＧＳ，９０１ＨＳ，９０２ＨＳ，９０３ＨＳ，９０１ＪＳ，９０２ＪＳ，９０３ＪＳ，９０１ＫＳ，９０２ＫＳ，９０３ＫＳ：絶縁基材
９１０：ＬＤＳ添加剤
９１１：段差
９５０：凹部
９５１：凹部９５０を覆う導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年10月19日(2016.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材に貼り付けられた導体をパターニングすることにより第１の導体パターンを形成する工程と、
前記第１の導体パターンが形成された前記絶縁基材を含む複数の絶縁基材を、前記第１の導体パターンの少なくとも一部が前記積層体の内部に形成されるように積層して積層体に成型する工程と、
前記積層体の外面に第２の導体パターンを形成する工程と、
を有する多層基板の製造方法であって、
前記第２の導体パターンを形成する工程は、
前記絶縁基材に、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤を付与する工程と、
前記レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が付与された部分の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程と、を有する、
多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁基材に第１の導体パターンを形成する工程と、
前記第１の導体パターンが形成された前記絶縁基材を含む複数の絶縁基材を、前記第１の導体パターンの少なくとも一部が前記積層体の内部に形成されるように積層して積層体に成型する工程と、
前記積層体の外面に第２の導体パターンを形成する工程と、
を有する多層基板の製造方法であって、
前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンを形成する工程は、
前記絶縁基材に、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤を付与する工程と、
前記レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が付与された部分の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程と、を有する、
多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記複数の絶縁基材は、熱可塑性を有し、
前記積層体に成型する工程は、
前記複数の絶縁基材を積層した後に加熱圧着する工程を含む、
請求項１または請求項２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２の導体パターンを形成する工程は、
前記積層体に、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤を塗布する工程と、
前記レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が塗布された前記積層体の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程と、を有する、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の絶縁基材は、レーザ照射によって変質する添加剤であるレーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が含有された絶縁基材を含み、
前記第２の導体パターンを形成する工程は、
前記レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤が含有された絶縁基材が積層された前記積層体の表面にレーザ照射することによってパターニングを行って、パターニングされた領域に導体をメッキする工程を有する、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
複数の絶縁基材を積層した積層体と、
前記絶縁基材の主表面に形成された第３の導体パターンと、
前記積層体の外面に形成された第４の導体パターンと、
を備え、
前記第３の導体パターンは、前記絶縁基材に貼り付けられた導体がパターニングされた導体パターンであり、
前記第４の導体パターンは、レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤にレーザを照射した領域にメッキ形成された導体パターンである、
多層回路基板。
【請求項７】
前記第３の導体パターンと前記第４の導体パターンとは接続されている、
請求項６記載の多層回路基板。
【請求項８】
複数の絶縁基材を積層した積層体と、
前記積層体の内部に形成された内装導体パターンと、
前記積層体の外面に形成された外面導体パターンと、
を備え、
前記内装導体パターンおよび前記外面導体パターンは、レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤にレーザを照射した領域にメッキ形成された導体パターンである、
多層回路基板。
【請求項９】
前記内装導体パターンと前記外面導体パターンとは接続されている、
請求項８に記載の多層回路基板。
【請求項１０】
前記内装導体パターンは、その一部分が他の部分とは前記積層体の積層方向において異なる位置に設けられている、
請求項８または請求項９に記載の多層回路基板。
【請求項１１】
前記第４の導体パターンは、前記積層体の積層方向に沿った側面に形成され、
前記積層体の前記側面のうち、前記第４の導体パターンが形成されていない領域に孔が形成されている、請求項６または請求項７に記載の多層回路基板。
【請求項１２】
前記外面導体パターンは、前記積層体の積層方向に沿った側面に形成され、
前記積層体の前記側面のうち、前記外面導体パターンが形成されていない領域に孔が形成されている、請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項１３】
前記孔は複数設けられ、
複数の前記孔が、前記積層体の伸長方向に沿って周期的に形成されている、請求項１１または請求項１２に記載の多層回路基板。
【請求項１４】
前記積層体は、段差を有する絶縁基材を少なくとも一層含み、
前記段差を有する面に形成された導体を備え、
前記段差を有する面に形成された導体は、レーザダイレクトストラクチュアリング用添加剤にレーザを照射した領域にメッキ形成された導体パターンである、
請求項６乃至請求項１３のいずれかに記載の多層回路基板。
【国際調査報告】
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