(57)【要約】  配線基板に電子部品が実装されたモジュールにおいて、電子部品から発生する熱の放熱機構を備えつつ、配線基板に熱が溜まらないようにする。  モジュール１ａは、電子部品３ａと、その一方主面に電子部品３ａが実装されるとともに、電子部品３ａから発生する熱を放熱するための放熱体４が設けられた配線基板２とを備え、放熱体４は、一部が配線基板２の側面に露出して設けられた放熱部４ａを有する。この場合、放熱部４ａは、一部が配線基板２の側面に露出して設けられるため、電子部品３ａからの熱を配線基板２の側面から放熱することができる。すなわち、従来のように、電子部品の真下の配線基板を貫通するサーマルビアを設ける必要がないため、電子部品３ａからの熱の放熱過程で配線基板２の内部に熱が溜まるのを低減できる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されてなる配線基板と、
前記配線基板の一方主面に実装された電子部品と、
前記配線基板に設けられ、その一部が前記電子部品に接触しつつ前記電子部品とは電気的に絶縁された放熱体とを備え、
前記放熱体は、少なくとも１つの前記絶縁層を貫通する貫通導体からなる放熱部を有し、
前記放熱部は、一部が前記配線基板の側面に露出して設けられていることを特徴とするモジュール。
【請求項２】
前記電子部品用の電磁シールド材をさらに備え、
前記放熱部の前記一部が、前記電磁シールド材に接触していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記放熱体は、前記配線基板の前記一方主面寄りの位置に配設されて、前記電子部品の熱を前記放熱部に伝える伝熱部を有することを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記伝熱部は、前記配線基板の前記一方主面を形成する一の前記絶縁層およびこれに隣接する他の前記絶縁層との境界に形成された面内導体を有し、
前記面内導体が前記放熱部と接続されていることを特徴とする請求項３に記載のモジュール。
【請求項５】
前記放熱体は、前記放熱部と、前記配線基板の他方主面に形成された外部接続用のグランド電極とを接続する接続部を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に電子部品が実装されたモジュールに関し、詳しくは、電子部品から発生する熱を放熱する放熱体が配線基板に設けられたモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器のマザー基板などに実装されるモジュールの中には、配線基板に電子部品が実装されたものがある。この種のモジュールでは、電子部品にＩＣなどの発熱部品が使用される場合がある。発熱部品から発生する熱は、モジュール内の他の電子部品や、マザー基板に一緒に実装される他の部品などの特性に影響を与えるため、発熱部品に対する放熱対策が要求されている。【０００３】
そこで、従来では、配線基板に放熱機構が設けられたモジュールが提案されている。例えば、図７に示す特許文献１に記載のモジュール１００は、複数の絶縁層が積層されて成る配線基板１０１と、配線基板１０１の上面に実装されたＩＣ１０２および表面実装部品１０３とを備え、配線基板１０１の内部に放熱機構が設けられる。この放熱機構は、ＩＣ１０２の直下に配置された導電体膜１０４と、該導電体膜１０４の下で配線基板１０１を貫通して設けられた複数のビア導体１０５（いわゆる、サーマルビア）で構成されている。導電体膜１０４は、ＩＣ１０２から発生した熱を各ビア導体１０５に伝える機能を担っている。この放熱機構によると、ＩＣ１０２から発生した熱は、その真下に配置されたビア導体１０５を伝ってモジュール１００の外部に放熱されるため、ＩＣ１０２の発熱に起因する他の部品への影響を抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９１４３５号公報（段落００３８〜００５０、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のモジュール１００では、放熱経路となる各ビア導体１０５が、ＩＣ１０２直下の配線基板１０１を貫通して設けられる。この場合、ＩＣ１０２の熱が配線基板１０１の内部を集中的に通ることになるため、配線基板１０１の内部で熱が溜まりやすいという課題があった。【０００６】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、配線基板に電子部品が実装されたモジュールにおいて、電子部品から発生する熱の放熱機構を備えつつ、配線基板に熱が溜まりにくくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、複数の絶縁層が積層されてなる配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された電子部品と、前記配線基板に設けられ、その一部が前記電子部品に接触しつつ前記電子部品とは電気的に絶縁された放熱体とを備え、前記放熱体は、少なくとも１つの前記絶縁層を貫通する貫通導体からなる放熱部を有し、前記放熱部は、一部が前記配線基板の側面に露出して設けられていることを特徴としている。【０００８】
この場合、配線基板には放熱機構として放熱体が設けられるため、電子部品からの熱を当該放熱体により放熱することができる。また、放熱体の放熱部は、一部が配線基板の側面に露出して設けられるため、電子部品の熱を配線基板の側面から放熱することができる。すなわち、従来のように、電子部品の真下の配線基板を貫通するサーマルビアを設ける必要がないため、電子部品からの熱の放熱過程で配線基板の内部に熱が溜まるのを抑えることができる。【０００９】
また、前記電子部品用の電磁シールド材をさらに備え、前記放熱部の前記一部が、前記電磁シールド材に接触していてもよい。電磁シールド材は、一般的に熱伝導率の高い材料で形成されているため、放熱部が電磁シールド材に接触することで、電子部品からの熱の放熱効率を向上することができる。【００１０】
また、前記放熱体は、前記配線基板の前記一方主面寄りの位置に配設されて、前記電子部品の熱を前記放熱部に伝える伝熱部を有するのが好ましい。この場合、電子部品からの熱が、伝熱部を介して放熱部に伝熱されるという放熱経路が形成されるため、放熱体による効率的な放熱が可能になる。また、伝熱部が配線基板の一方主面寄りの位置に配設されるため、従来の配線基板を貫通するサーマルビアを設ける構成と比較して、配線基板内の配線パターンの設計自由度を向上することができる。【００１１】
また、前記伝熱部は、前記配線基板の前記一方主面を形成する一の前記絶縁層およびこれに隣接する他の前記絶縁層との境界に形成された面内導体を有し、前記面内導体が前記放熱部と接続されていてもよい。このようにすると、面内導体を配線基板の一方主面の近くに配置することができる。そのため、放熱部を配線基板の周縁部に配置して面内導体に接続した場合に、従来の配線基板を貫通するサーマルビアを設ける構成と比較して、配線基板内の配線パターンの設計自由度を向上することができる。【００１２】
また、前記放熱体は、前記放熱部と、前記配線基板の他方主面に形成された外部接続用のグランド電極とを接続する接続部を有していてもよい。このようにすると、モジュールをマザー基板に実装した場合に、電子部品からの熱をグランド電極を介してマザー基板側に伝熱することができる。また、放熱体と電磁シールド材とを接続した場合は、電磁シールド材による電子部品に対するシールド特性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、配線基板には放熱機構としての放熱体が設けられるため、電子部品からの熱を当該放熱体により放熱することができる。また、放熱体の放熱部は、一部が配線基板の側面に露出して設けられるため、電子部品の熱を配線基板の側面から放熱することができる。すなわち、従来のように、発熱部品の直下の配線基板を貫通するサーマルビアを設ける必要がないため、電子部品からの熱の放熱過程で配線基板に熱が溜まるのを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるモジュールの断面図である。
【図２】図１のモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかるモジュールの断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態にかかるモジュールの断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態にかかるモジュールの断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態にかかるモジュールの断面図である。
【図７】従来のモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかるモジュール１ａについて、図１を参照して説明する。なお、図１はモジュール１ａの断面図である。なお、図１では、配線基板２に形成される配線パターンの一部を図示省略している。
【００１６】
この実施形態にかかるモジュール１ａは、図１に示すように、配線基板２と、配線基板２の上面（本発明の「配線基板の一方主面」に相当）に実装された複数の電子部品３ａ，３ｂと、配線基板２に設けられた放熱体４と、電子部品３ａ，３ｂ用の電磁シールド材５とを備え、高周波信号が使用される携帯電話機等の電子機器などに搭載される。
【００１７】
配線基板２は、積層された複数の絶縁層２ａから成る多層構造で形成される。ここで、配線基板２の下面（本発明の「配線基板の他方主面」に相当）には、外部接続用のグランド電極６が形成される。各絶縁層２ａを形成する材料には、例えば、ガラスエポキシ樹脂やセラミックを使用することができる。なお、この実施形態では、絶縁層２ａを形成するものとして、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が使用されている。
【００１８】
電子部品３ａ，３ｂは、ＳｉやＧａＡｓなどで形成された半導体素子（ＩＣ）や、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗などのチップ部品などの表面実装部品であり、この実施形態では、電子部品３ａが発熱部品であるＩＣで構成されている。
【００１９】
放熱体４は、電子部品３ａから発生した熱を放熱するための放熱経路を形成するもので、放熱部４ａと、電子部品３ａの熱を放熱部４ａに伝える伝熱部４ｂと、放熱部４ａとグランド電極６とを接続する接続部４ｃを有している。
【００２０】
伝熱部４ｂは、接触導体膜７ａと、複数のビア導体７ｂと、伝熱導体膜７ｃとで形成されている。ここで、接触導体膜７ａは、配線基板２の上面の電子部品３ａの実装領域に形成されている。電子部品３ａは接触導体膜７ａに接着剤や半田などで固定され、電子部品３ａと接触導体膜７ａとは接触またはほぼ接触した状態にある。そのため、接触導体膜７ａは、電子部品３ａからの熱が放熱体４を伝熱する際の入り口として機能する。各ビア導体７ｂは、最上層の絶縁層２ａ（本発明の「配線基板の一方主面を形成する一の絶縁層」に相当）の電子部品３ａの真下に形成されており、上端が接触導体膜７ａにそれぞれ接続されている。
【００２１】
伝熱導体膜７ｃは、最上層の絶縁層２ａとこれに隣接する絶縁層２ａ（上から２番目の絶縁層）との境界に形成された面内導体であり、各ビア導体７ｂそれぞれの下端が接続されるとともに、放熱部４ａに接続される。接触導体膜７ａおよび伝熱導体膜７ｃは、例えば、ＣｕやＡｌなどの金属を含有する導電性ペーストを用いたスクリーン印刷で形成することができる。また、各ビア導体７ｂは、絶縁層２ａに形成したビアホールにＣｕやＡｌなどを含有する導電性ペーストを充填したり、ビアフィルめっきをするなどして形成することができる。なお、伝熱導体膜７ｃの配置位置は、上述の場合に限らず、配線基板２の上面寄りの位置に配置されていればよい。ここで「配線基板２の上面寄りの位置」とは、配線基板２の厚み方向の中間よりも上面側の位置を意味する。
【００２２】
放熱部４ａは、配線基板２の側面に近接配置され、その一部が配線基板２の側面に露出して設けられる。この実施形態では、放熱部４ａは、複数層（この実施形態では６層）の絶縁層２ａを貫通する柱状の貫通導体からなり、上端が伝熱導体膜７ｃに接続され、下端が後述する接続導体膜８ａに接続される。なお、放熱部４ａは、ＣｕやＡｌなど、配線電極を形成する一般的な導体で形成されている。
【００２３】
接続部４ｃは、放熱部４ａの下端に接続された接続導体膜８ａと、該接続導体膜８ａとグランド電極６とを接続する複数のビア導体８ｂとで構成されている。接続導体膜８ａは、配線基板２の下面を形成する最下層の絶縁層２ａと、この絶縁層２ａに隣接する絶縁層２ａ（下から２番目の絶縁層２ａ）との境界に形成された面内導体であり、他の導体膜７ａ，７ｃと同様の材料、方法で形成されている。各ビア導体８ｂは、最下層の絶縁層２ａに形成されており、上端が接続導体膜８ａに接続され、下端がグランド電極６にそれぞれ接続される。なお、各ビア導体８ｂも、上述の各ビア導体７ｂと同様の材料、方法で形成されている。なお、この実施形態では、放熱体４は、接触導体膜７ａの部分で電子部品３ａに接触またはほぼ接触しているが、電子部品３ａとは電気的に絶縁されている。
【００２４】
配線基板２の上面には、例えば、各電子部品３ａ，３ｂを封止する封止樹脂層９が形成される。この封止樹脂層９を形成する樹脂は、例えば、エポキシ樹脂など、電子部品を封止する一般的な材料を使用することができる。なお、封止樹脂層９は、塗布方式、印刷方式、コンプレッションモールド方式、トランスファモールド方式などで形成することができる。
【００２５】
電磁シールド材５は、封止樹脂層９の表面および配線基板２の側面を被覆して設けられ、配線基板２の上面に実装された電子部品３ａ，３ｂに対する不要な電磁波を遮断する。ここで、電磁シールド材５は、例えば、金属膜や導電性樹脂膜で形成されている。また、電磁シールド材５は、放熱部４ａの配線基板２の側面から露出した部分と接触して電気的な接続がとられており、電子部品３ａからの熱が電磁シールド材５を伝って放熱できるように構成されている。すなわち、この実施形態では、電磁シールド材５は、不要な電磁波を遮断する部材としてだけでなく、電子部品３ａからの熱を放熱する部材としても使用される。また、電磁シールド材５は、放熱体４を介してグランド電極６に電気に接続されて接地される。なお、電磁シールド材５が金属膜である場合は、スパッタリング法で形成することができ、導電性樹脂の場合は、例えば、スピンコートなどで形成することができる。
【００２６】
以上のような構成により、モジュール１ａには、電子部品３ａから発生した熱が、放熱体４を介して電磁シールド材５から放熱される経路と、放熱体４を介してグランド電極６と接続されるマザー基板に放熱される経路とが形成される。
【００２７】
（モジュール１ａの製造方法）
次に、モジュール１ａの製造方法の一例について、図２を参照して説明する。なお、以下では、複数のモジュール１ａの集合体を形成した後に、個片化して１つのモジュール１ａを形成する場合について説明する。なお、図２では、集合体の中で、隣接する２つのモジュール１ａのみを図示している。
【００２８】
まず、配線基板２を準備する。この実施形態では、各絶縁層２ａがセラミックで形成されており、配線基板２はセラミック多層基板の製造方法として一般的な、セラミックグリーンシート（絶縁層２ａ）の準備、各シートの積層、圧着、焼成の各工程を経て形成される。
【００２９】
ここで、セラミックグリーンシートを準備する際、各シートに、各ビア導体７ｂ，８ｂを含やその他のビア導体を周知の方法で形成する。また、所定のシートの主面には、接触導体膜７ａ、伝熱導体膜７ｃ、接続導体膜８ａ、グランド電極６を含む種々の面内導体を形成する。これらの面内導体は、例えば、ＣｕやＡｌなどの金属フィラを含有する導電性ペーストを用いたスクリーン印刷などで形成することができる。なお、最上層のシートと最下層のシートを除く各シートそれぞれには、ダイシングラインＤＬを跨ぐ位置に各ビア導体７ｂ，８ｂよりも大径のビア導体１０を形成する。各ビア導体１０は、各シートが積層されたときに積み上げられてビア導体１０の連続体を成し、隣り合うモジュール１ａそれぞれの放熱部４ａの基礎となる。
【００３０】
各シートの焼成により配線基板２が完成した後は、電子部品３ａ，３ｂを表面実装する（図２（ａ）参照）。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、ダイシングラインＤＬに沿って、ダイサーでハーフカットを行う。この実施形態では、最下層の絶縁層２ａを残してダイシングを行う。このとき、各ビア導体１０の連続体は略均等に縦断されて、一部が配線基板２の側面から露出する放熱部４ａが形成される。なお、放熱部４ａの露出面は、配線基板２の側面と同一平面を成す、いわゆる、面一状態で形成される。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、封止樹脂層９の表面および配線基板２の側面を被覆するように電磁シールド材５を形成する。電磁シールド材５は、金属膜または導電性樹脂膜で形成することができ、金属膜の場合は例えばスパッタリング法、導電性樹脂膜の場合は例えばスピンコート法で形成することができる。なお、電磁シールド材５が、放熱部４ａの露出面も覆うように形成されることで、両者５，４ａが電気的に接続される。
【００３３】
最後に、図２（ｄ）に示すように、残りの絶縁層２ａ（最下層の絶縁層２ａ）をダイサーでカットすることで個片化して、モジュール１ａが完成する。ここで、配線基板２の裏面のダイシングラインＤＬに浅い溝を作って、ブレイクすることで個片化するようにしてもよい。
【００３４】
したがって、上記した実施形態では、配線基板２には放熱機構としての放熱体４が設けられるため、電子部品３ａから発生した熱を当該放熱体４により放熱することができる。また、放熱体４の放熱部４ａは、一部が配線基板２の側面に露出して設けられるため、電子部品３ａの熱を配線基板２の側面から放熱することができる。すなわち、従来のように、電子部品の真下の配線基板を貫通するサーマルビアを設ける必要がないため、電子部品３ａからの熱の放熱過程で配線基板２の内部に熱が溜まるのを抑えることができる。
【００３５】
また、放熱部４ａが、熱伝導率の高い電磁シールド材５に接触しているため、電子部品３ａの熱を放熱する放熱特性を向上することができる。
【００３６】
また、電磁シールド材５は、接地されることで、シールド特性が向上するため、一般的に電磁シールド材５はグランド電極に接続される。そこで、従来のモジュールでは、配線基板の内部に形成されたグランド電極（面内導体）を配線基板の側面に達するように形成し、配線基板の側面に露出した当該グランド電極と電磁シールド材とを接続する方法が採られる場合がある。この場合、グランド電極と電磁シールド材との接続面積が小さいため、接続信頼性が悪い。しかしながら、この実施形態では、電磁シールド材５が、放熱部４ａの露出面と接続する構成であるため、両者の接続面積を広くすることができ、これにより接続信頼性を向上することができる。また、放熱部４ａと電磁シールド材５の接続面積が大きくなることで、両者の接続抵抗を下げることができるため、電磁シールド材５によるシールド特性が向上する。
【００３７】
また、伝熱部４ｂが配線基板２の上面寄りの位置に配設されて、配線基板２の上側で配線基板２の側面に位置する放熱部４ａと接続されるため、配線基板２の電子部品３ａの真下の領域に空きスペースを容易に確保することができる。したがって、従来の配線基板２を貫通するサーマルビアを設ける構成と比較して、配線基板２内の配線パターンの設計自由度を向上することができる。また、伝熱部４ｂでは、配線基板２の内部（上から２層目の絶縁層２ａの上面）に形成された伝熱導体膜７ｃで放熱部４ａと接続させるため、接触導体膜７ａを配線基板２の側面まで延出させて放熱部４ａと接続させる場合と比較して、配線基板２の実装面（上面）の設計自由度が向上する。
【００３８】
また、放熱体４は、マザー基板の接地電極に接続されるグランド電極６に接続されるため、電子部品３ａからの熱をマザー基板側にも放熱することができる。
【００３９】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかるモジュール１ｂについて、図３を参照して説明する。なお、図３はモジュール１ｂの断面図である。
【００４０】
この実施形態にかかるモジュール１ｂが、図１を参照して説明した第１実施形態のモジュール１ａと異なるところは、図３に示すように、放熱体４の放熱部４ａと伝熱部４ｂの構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態のモジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４１】
この場合、放熱部４ａの上端が配線基板２の上面に露出するように形成される。一方、伝熱部４ｂは、接触導体膜７ａのみで構成され、当該接触導体膜７ａは、放熱部４ａの上端と接続できる位置まで配線基板２の側面側に延出形成される。
【００４２】
この構成によると、伝熱部４ｂに各ビア導体７ｂおよび伝熱導体膜７ｃを設けない分、配線基板２の内部の設計スペースを広くすることができる。また、放熱経路の一部を形成する伝熱部４ｂが配線基板２の内部を通らないため、配線基板２の内部の熱溜まりを低減することができる。
【００４３】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかるモジュール１ｃについて、図４を参照して説明する。なお、図４はモジュール１ｃの断面図である。
【００４４】
この実施形態にかかるモジュール１ｃが、図１を参照して説明した第１実施形態のモジュール１ａと異なるところは、図４に示すように、放熱体４に接続部４ｃが設けられていないことと、放熱部４ａの構成が異なることと、グランド電極６が設けられていないことである。その他の構成は、第１実施形態のモジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４５】
この場合、放熱体４に接続部４ｃが設けられない代わりに、放熱部４ａの下端が配線基板２の下面に露出するまで延出形成される。そして、放熱部４ａの下端がマザー基板の接地電極に半田などで接続されることになる。
【００４６】
この構成によれば、接続部４ｃを設けない分、配線基板２の内部の設計スペースを広くすることができる。また、配線基板２の内部を通る放熱経路の一部（接続部４ｃ）がなくなるため、配線基板２の内部の熱溜まりを低減することができる。
【００４７】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態にかかるモジュール１ｄについて、図５を参照して説明する。なお、図５はモジュール１ｄの断面図である。
【００４８】
この実施形態にかかるモジュール１ｄが、図４を参照して説明した第３実施形態のモジュール１ｃと異なるところは、図５に示すように、配線基板２の下面に外部接続用のグランド電極６ａが設けられていることである。その他の構成は、第３実施形態のモジュール１ｃと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４９】
この構成によれば、第３実施形態のモジュール１ｃと同様の効果を得ることができる。また、配線基板２の下面にグランド電極６ａが設けられているため、第３実施形態のモジュール１ｃと比較して、マザー基板の接地電極との接続面積を広くすることができる。
【００５０】
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態にかかるモジュール１ｅについて、図６を参照して説明する。なお、図６はモジュール１ｅの断面図である。
【００５１】
この実施形態にかかるモジュール１ｅが、図１を参照して説明した第１実施形態のモジュール１ａと異なるところは、図６に示すように、放熱体４がさらに複数の放熱ビア導体１１を有していることである。その他の構成は、第１実施形態のモジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５２】
この場合、伝熱導体膜７ｃと接続導体膜８ａとの間に配置された各絶縁層２ａを貫通する複数の放熱ビア導体１１が、電子部品３ａの真下に設けられる。各放熱ビア導体１１それぞれは、上端が伝熱導体膜７ｃに接続されるとともに、下端が接続導体膜８ａに接続される。
【００５３】
この構成によると、各放熱ビア導体１１により放熱経路が増えるため、電子部品３ａから発生する熱の放熱特性をさらに向上することができる。なお、この場合は、従来のモジュール１００と同様に、電子部品３ａからの熱が配線基板２の内部を通ることになるが、電子部品３ａからの熱の一部は放熱部４ａを通って放熱されるため、従来のモジュール１ａと比較して、配線基板２の内部に溜まる熱を低減することができる。
【００５４】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、各実施形態において、電磁シールド材５を設けなくてもよい。
【００５５】
また、放熱体４がグランド電極６や電磁シールド材５と電気的な接続を要しない場合は、放熱体４を導体で形成する必要はなく、熱伝導率の高い材料で代用してもかまわない。
【００５６】
また、配線基板２が単層構造であってもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
また、本発明は、配線基板に電子部品から発生する熱を放熱する放熱体が設けられた種々のモジュールに広く適用することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１ａ〜１ｅ    モジュール
２    配線基板
２ａ    絶縁層
３ａ，３ｂ    電子部品
４    放熱体
４ａ    放熱部（貫通導体）
４ｂ    伝熱部
４ｃ    接続部
５    電磁シールド材
６，６ａ    グランド電極
７ｃ    伝熱導体膜（面内導体）
【図１】
2016080333.tif 000003
【図２】
2016080333.tif 000004
【図３】
2016080333.tif 000005
【図４】
2016080333.tif 000006
【図５】
2016080333.tif 000007
【図６】
2016080333.tif 000008
【図７】
2016080333.tif 000009
【国際調査報告】
2016080333.tif 000010
2016080333.tif 000011
2016080333.tif 000012
2016080333.tif 000013