(57)【要約】  天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて製造され、ＹＩ値が１．１以下であるか又は波長４００ｎｍの光線透過率が８５％以上である、液晶部材用ポリカーボネート樹脂。【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて製造され、以下の測定方法におけるＹＩ値が１．１以下である、液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜ＹＩ値の測定方法＞
ポリカーボネート樹脂にビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイトを５００質量ｐｐｍ添加して、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、ペレットを得、得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を成形し、分光測色計で測定面積３０φ、Ｃ２光源の透過法で測定する。
【請求項２】
天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて製造され、以下の測定方法における波長４００ｎｍの光線透過率が８５％以上である、液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜波長４００ｎｍの光線透過率の測定方法＞
ポリカーボネート樹脂にビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイトを５００質量ｐｐｍ添加して、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、ペレットを得、得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を成形し、分光光度計を用い、全光線透過率を測定する。
【請求項３】
前記ポリカーボネート樹脂に含まれる全末端基に占めるＯＨ由来の末端基組成量が５．０ｍｏｌ％以下である、請求項１又は２に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項４】
３−ペンタデシルフェノールの純度が９７．５質量％以上である、請求項１〜３のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項５】
３−ペンタデシルフェノールの純度が９７．７５質量％以上である、請求項１〜３のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項６】
３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．３３質量％以上である、請求項１〜３のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項７】
蒸留及び晶析を行うことによって得られた３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて製造される、請求項１〜６のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項８】
蒸留の後に晶析を行う、請求項７に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項９】
前記晶析において、炭化水素系溶媒を用いる、請求項７又は８に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項１０】
前記晶析において、炭化水素系溶媒としてヘキサン又はヘプタンのうち１種以上を用いる、請求項９に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項１１】
前記晶析において、３−ペンタデシルフェノール１質量部に対して２質量部以上２０質量部以下の溶媒を用いる、請求項７〜１０のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項１２】
前記晶析において、３−ペンタデシルフェノール１質量部に対して４質量部以上１０質量部以下の溶媒を用いる、請求項７〜１０のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項１３】
前記末端停止剤が、ｐ−ｔ−ブチルフェノール又はｐ−クミルフェノールを含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂及びそれ以外の芳香族ポリカーボネート樹脂を含む、液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂又は請求項１４に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる、液晶部材。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂が導光板用である、導光板用ポリカーボネート樹脂。
【請求項１７】
請求項１６に記載の導光板用ポリカーボネート樹脂及びそれ以外の芳香族ポリカーボネート樹脂を含む、導光板用ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項１８】
請求項１６に記載の導光板用ポリカーボネート樹脂又は請求項１７に記載の導光板用ポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる、導光板。
【請求項１９】
天然物から得られ、純度が９７．５質量％以上である３−ペンタデシルフェノールを末端停止剤として用いる、液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法。
【請求項２０】
３−ペンタデシルフェノールの純度が９７．７５質量％以上である、請求項１９に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法。
【請求項２１】
３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．３３質量％以上である、請求項１９又は２０に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶部材用ポリカーボネート樹脂、それを含む液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物及びそれを成形してなる液晶部材に関し、より詳細には、天然物から得られる特定のフェノール化合物を用いて製造された、流動性及び色調に優れる液晶部材用ポリカーボネート樹脂、それを含む液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物及びそれを成形してなる液晶部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリカーボネート樹脂は、透明性、耐熱性、機械特性など優れた特徴を有し、ＯＡ及び家電の筐体や電気電子分野の部材、レンズなどの光学材料など、幅広い用途に使用されている。一方、近年、成形品の薄型化、大型化や成形サイクルの向上といった要望に対し、さらにポリカーボネート樹脂の流動性を向上させることが必要となっている。ポリカーボネート樹脂の流動性を向上させる方法として、可塑剤を使用したり、ＡＢＳ、ＨＩＰＳ、ＡＳ等のスチレン系樹脂のような流動性に優れる樹脂を使用したりする方法が用いられている。しかし、これらの方法は、ポリカーボネート樹脂の流動性を向上できるが、ポリカーボネート樹脂が本来有する優れた耐衝撃性を低下させるという問題があった。
また、上記の問題点を回避するために、ポリカーボネート樹脂自体の構造を変えることにより流動性を向上させることが知られている。その方法の一つに、末端停止剤として長鎖アルキル基を有する一価フェノールを用い、長鎖アルキル末端基をポリカーボネートの末端に導入することで流動性を向上させることが知れている。例えば、特許文献１には、アルキル基の炭素数が８〜２０のアルキルフェノール、カルボン酸又は酸ハロゲン化物が末端停止剤として使用することが記載されている。しかしながら、その実施例には、アルキル基の炭素数が９〜１７の酸クロライドを用いた記載しかない。また、特許文献２には、ｍ−ペンタデシルフェノキシ末端基を有するポリカーボネートを光学記録媒体とすることが記載されているが、液晶部材、特に薄肉化した液晶機器に使用される液晶部材に使用できることは記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公昭５２−５００７８号公報
【特許文献２】特開２００３−０４１０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いてなる、液晶部材用ポリカーボネート、特に薄肉部に好適に用いることができる液晶部材用ポリカーボネートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
＜１＞天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて製造され、以下の測定方法におけるＹＩ値が１．１以下である、液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜ＹＩ値の測定方法＞
ポリカーボネート樹脂にビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイトを５００質量ｐｐｍ添加して、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、ペレットを得、得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を成形し、分光測色計で測定面積３０φ、Ｃ２光源の透過法で測定する。
＜２＞天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて製造され、以下の測定方法における波長４００ｎｍの光線透過率が８５％以上である、液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜波長４００ｎｍの光線透過率の測定方法＞
ポリカーボネート樹脂にビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイトを５００質量ｐｐｍ添加して、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、ペレットを得、得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を成形し、分光光度計を用い、全光線透過率を測定する。
＜３＞前記ポリカーボネート樹脂に含まれる全末端基に占めるＯＨ由来の末端基組成量が５．０ｍｏｌ％以下である、上記＜１＞又は＜２＞に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜４＞３−ペンタデシルフェノールの純度が９７．５質量％以上である、上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜５＞３−ペンタデシルフェノールの純度が９７．７５質量％以上である、上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜６＞３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．３３質量％以上である、上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜７＞蒸留及び晶析を行うことによって得られた３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて製造される、上記＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜８＞蒸留の後に晶析を行う、上記＜７＞に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜９＞前記晶析において、炭化水素系溶媒を用いる、上記＜７＞又は＜８＞に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜１０＞前記晶析において、炭化水素系溶媒としてヘキサン又はヘプタンのうち１種以上を用いる、上記＜９＞に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜１１＞前記晶析において、３−ペンタデシルフェノール１質量部に対して２質量部以上２０質量部以下の溶媒を用いる、上記＜７＞〜＜１０＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜１２＞前記晶析において、３−ペンタデシルフェノール１質量部に対して４質量部以上１０質量部以下の溶媒を用いる、上記＜７＞〜＜１０＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜１３＞前記末端停止剤が、ｐ−ｔ−ブチルフェノール又はｐ−クミルフェノールを含む、上記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂。
＜１４＞上記＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂及びそれ以外の芳香族ポリカーボネート樹脂を含む、液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物。
＜１５＞上記＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂又は上記＜１４＞に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる、液晶部材。
＜１６＞上記＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂が導光板用である、導光板用ポリカーボネート樹脂。
＜１７＞上記＜１６＞に記載の導光板用ポリカーボネート樹脂及びそれ以外の芳香族ポリカーボネート樹脂を含む、導光板用ポリカーボネート樹脂組成物。
＜１８＞上記＜１６＞に記載の導光板用ポリカーボネート樹脂又は上記＜１７＞に記載の導光板用ポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる、導光板。
＜１９＞天然物から得られ、純度が９７．５質量％以上である３−ペンタデシルフェノールを末端停止剤として用いる、液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法。
＜２０＞３−ペンタデシルフェノールの純度が９７．７５質量％以上である、上記＜１９＞に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法。
＜２１＞３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．３３質量％以上である、上記＜１９＞又は＜２０＞に記載の液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、流動性及び色調に優れるため、成形性に優れ、特に、厚みの薄い液晶部材の製造に適する。また、本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂とそれ以外の芳香族ポリカーボネート樹脂を含む液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物も、流動性及び色調に優れるため、成形性に優れ、特に、厚みの薄い液晶部材の製造に適する。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
［液晶部材用ポリカーボネート樹脂］
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて得られる。以下、天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いて得られる本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂について説明する。
＜天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールについて＞
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤が用いられる。天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールは、カシューナッツの殻液等の天然物に由来する抽出物であるカルダノールが用いられる。カシューナッツ殻液に含まれるカルダノールは、主に、下記式（III）に記載した、３−ペンタデシルフェノール、３−ペンタデシルフェノールモノエン、３−ペンタデシルフェノールジエン、および３−ペンタデシルフェノールトリエンの混合物である。
【０００８】
【化１】
2014171509.tif 000002
上記式（III）中、Ｒ4が−（ＣＨ2）14ＣＨ3である場合は、３−ペンタデシルフェノールであり、Ｒ4が−（ＣＨ2）7ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）5ＣＨ3である場合は、３−ペンタデシルフェノールモノエンであり、Ｒ4が−（ＣＨ2）7ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）ＣＨ3である場合は、３−ペンタデシルフェノールジエンであり、Ｒ4が−（ＣＨ2）7ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2である場合は、３−ペンタデシルフェノールトリエンである。
【０００９】
上述したとおり、カシューナッツ殻液に含まれるカルダノールの主成分は、飽和及び不飽和二重結合を１〜３個有する、炭素数が１５の炭化水素基を３位（メタ位）に有するフェノール誘導体からなる。
本発明の３−ペンタデシルフェノールを効率的に得るためには、天然物の中でもカシューナッツ殻液に含まれるカルダノールを水素添加反応処理することにより得られる３−ペンタデシルフェノールを用いて、本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂を製造する際の、末端停止剤とすることができる。また、前記カルダノールを水素添加反応処理することにより得られる３−ペンタデシルフェノール中には、不純物として、レゾルシノール誘導体や３−ペンタデシルフェノール以外のフェノール誘導体を７〜１０質量％程度含有しており、液晶部材の中でも透明性が重要となる液晶部材、例えば、導光板や光拡散板として用いる場合には、前記不純物をできるだけ低減させることが好ましい。３−ペンタデシルフェノールの純度は、好ましくは９７．５質量％以上、より好ましくは９７．７５質量％以上、更に好ましくは９９．３３質量％以上である。なお、３−ペンタデシルフェノールの純度は理想的には１００質量％である。
【００１０】
前記カルダノールの水素添加反応方法としては、特に限定されるものではなく、通常の水素添加方法を用いることができる。触媒としては、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、白金などの貴金属またはニッケル、或いはこれらから選ばれる金属を活性炭素、活性アルミナ、珪藻土などの担体上に担持したものが挙げられる。反応方式としては、粉末状の触媒を懸濁撹拌しながら反応を行うバッチ方式や、成形した触媒を充填した反応塔を用いた連続方式を採用することができる。水素添加の際の溶媒は、水素添加の方式によっては用いなくてもよいが、溶媒を使用する場合は、通常、アルコール類、エーテル類、エステル類、飽和炭化水素類が挙げられる。水素添加の際の反応温度は、特に限定されないが、通常２０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃に設定できる。反応温度が低すぎると水素化速度が遅くなり、逆に高すぎると分解生成物が多くなる傾向がある。水素添加の際の水素圧は、通常、常圧〜８０ｋｇｆ／ｃｍ2（常圧〜７８．４×１０5Ｐａ）、好ましくは３〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2（２．９×１０5〜４９．０×１０5Ｐａ）に設定できる。
【００１１】
上記の水素添加処理方法によって得られる３−ペンタデシルフェノール中には、不純物として、レゾルシノール誘導体や３−ペンタデシルフェノール以外のフェノール誘導体が含まれる。これらの不純物を除去して、３−ペンタデシルフェノールの純度を上げるには、蒸留によって純度を上げる方法、晶析によって純度を上げる方法、蒸留した後に晶析によって純度を上げる方法等を挙げることができる。中でも、蒸留の後に晶析を行うことが好ましい。
蒸留によって純度を上げる方法としては、例えば常圧蒸留や減圧蒸留を行う方法があり、減圧蒸留を用いることが好ましい。減圧蒸留を行うに当っては、主分画を２００〜２６０℃の温度及び１〜１０ｍｍＨｇの圧力とし、減圧蒸留塔内に充填剤を用いて処理することが好ましく、このとき還流比（還流量／留出量）を０．５〜１０とするのが好ましい。減圧蒸留塔内に用いられる充填剤としては、マクマホンパッキング、ディクソンパッキング、ラシヒリング、ボールリング、コイルパック、ヘリパック等の充填剤を用いることができるが、マクマホンパッキングを用いることが好ましい。
【００１２】
晶析によって純度を上げる方法としては、晶析槽中で前記不純物を含む３−ペンタデシルフェノールを晶析溶媒に溶解した溶液の温度を低下させ、高純度化を目的とする３−ペンタデシルフェノール溶液の過飽和状態と、該化合物の飽和濃度との差を利用して、３−ペンタデシルフェノールを析出させて３−ペンタデシルフェノールの結晶を生成させ、次いで結晶状態の３−ペンタデシルフェノールを溶液から固液分離することにより、純度を上げた３−ペンタデシルフェノールを得ることができる。晶析操作は、用いる晶析溶媒の沸点から融点までの幅広い温度域で行なうことができる。また、晶析溶媒は３−ペンタデシルフェノールを溶解することのできる溶媒であれば、特に限定されず、アセトン、酢酸エチル、炭化水素系溶媒、アセトニトリル、メタノール、エタノールなどを用いることができる。これらの中でも好ましい溶媒としては、炭化水素系溶媒、更に好ましくはヘキサン又はへプタンのうち１種以上を挙げることができる。なお、晶析槽中で不純物を含む３−ペンタデシルフェノールを晶析溶媒に溶解した溶液の温度を低下させるに当たって、その冷却速度は適宜設定することができる。晶析溶媒量は適宜設定することができるが、好ましくは３−ペンタデシルフェノール１質量部に対し２〜２０質量部、さらに好ましくは４〜１０質量部の溶媒を用いることで所望の純度を確保しつつ効率よく生産できる。また、種晶を添加しなくても晶析は可能であるが、種晶を投入することで効率よく晶析が可能となる。
また、晶析槽中で粗ペンタデシルフェノールを晶析溶媒に溶解した溶液の温度を低下させるに当たって、制御冷却法、直線冷却法、自然冷却法などが知られているが、冷却法は特に限定されず、また冷却速度は適宜設定することができる。その中でも、制御冷却法は結晶量が少ない初期には温度変化を小さく（冷却速度を遅く）し、結晶量が多くなる終期には温度変化を大きく（冷却速度を速く）することにより、飽和溶液の過飽和度が終始低く一定に保たれるので、二次核の発生が抑制されて、単分散粒子のみが得られるため好ましい。冷却速度として初期段階では好ましくは０℃（温度一定）〜−１０℃／ｈ、さらには０℃（温度一定）〜−５℃／ｈに設定することが好ましく、終期では好ましくは−５℃／ｈ〜−３０℃／ｈ、さらには−１０℃〜−２０℃／ｈで降温させることが好ましい。
【００１３】
上記に記載した高純度化方法により、粗ペンタデシルフェノールから、天然物から得られ、純度が好ましくは９７．５質量％以上である３−ペンタデシルフェノールを得ることができる。
本発明に用いられる３−ペンタデシルフェノール中には、下記一般式（Ｉ）で表わされるレゾルシノール誘導体の含有量が１質量％以下及び／又は下記一般式（II）で表わされるフェノール誘導体の含有量が２．５質量％以下であり、かつ該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計量が２．５質量％以下であることが好ましい。該レゾルシノール誘導体及び該フェノール誘導体の含有量が、上記範囲外であると、ポリカーボネート樹脂等の高分子材料の原料として用いた際に、透明性や外観を悪化させるおそれがある。また、高純度３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．２質量％以上の場合、該レゾルシノール誘導体の含有量が０．８質量％以下及び／又は該フェノール誘導体の含有量が０．８質量％以下であり、かつ該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計量が０．８質量％以下であることが好ましい。
【００１４】
【化２】
2014171509.tif 000003
［上記一般式（Ｉ）及び（II）中、Ｒ1及びＲ2は、水素原子、又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ3は、水素原子、又は飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は同一であっても異なっていてもよい。但し、一般式（II）において、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ3＝Ｃ15Ｈ31で表される３−ペンタデシルフェノールは除く。］
【００１５】
Ｒ1又はＲ2で表される炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等のアルキル基を例示することができる。Ｒ3で表される飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、上記Ｒ1、Ｒ2で例示したアルキル基の他に、前記アルキル基中に炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエンである不飽和脂肪族炭化水素基を例示することができる。
上記一般式（Ｉ）に含まれる化合物としては、Ｒ1、Ｒ2が共に水素原子である化合物としては、５−ペンタデシルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、５−エチルレゾルシノール、５−プロピルレゾルシノール、５−ブチルレゾルシノール、５−ヘキシルレゾルシノール、５−オクチルレゾルシノール、５−デシルレゾルシノール、５−ドデシルレゾルシノール、５−テトラデシルレゾルシノール、５−オクタデシルレゾルシノール、５−ノニルデシルレゾルシノール等のＲ3が炭素数１〜２０のアルキル基である化合物を例示することができ、また前記アルキル基中に、炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエン等の不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。
【００１６】
また、上記一般式（Ｉ）において、Ｒ1が炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ2が水素原子であり、Ｒ3が炭素数１〜２０の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基である化合物として、例えば、３−メトキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−エトキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−プロポキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−ブトキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−メトキシ−５−ヘキシルフェノール、３−メトキシ−５−オクチルフェノール、３−メトキシ−５−デシルフェノール、３−メトキシ−５−ドデシルフェノール、３−メトキシ−５−テトラデシルフェノール、３−メトキシ−５−ヘプタデシルフェノール、３−メトキシ−５−オクタデシルフェノール、３−メトキシ−５−ノニルデシルフェノール、３−エトキシ−５−ヘキシルフェノール、３−エトキシ−５−オクチルフェノール、３−エトキシ−５−デシルフェノール、３−エトキシ−５−ドデシルフェノール、３−エトキシ−５−テトラデシルフェノール、３−エトキシ−５−ヘプタデシルフェノール、３−エトキシ−５−オクタデシルフェノール、３−エトキシ−５−ノニルデシルフェノール等の化合物を例示することができ、また前記５位のアルキル基中に、炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエン等の不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。
【００１７】
上記一般式（II）に含まれる化合物としては、Ｒ1が水素であり、Ｒ3が飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である化合物としては、３−ヘキシルフェノール、３−オクチルフェノール、３−デシルフェノール、３−ドデシルフェノール、３−トリデシルフェノール、３−テトラデシルフェノール、３−ヘキサデシルフェノール、３−オクタデシルフェノール、３−ノニルデシルフェノール等のアルキル基を３位に有する化合物や前記アルキル基中に炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエン等の不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。
また、Ｒ1が炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である化合物としては、例えば、３位がヘキシル基である場合、１−メトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−エトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−プロポキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ブトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ペントキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ヘキトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−オクトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−デトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ドデトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ブチロデトキシ−３−ヘキシルベンゼン等の化合物を挙げることができる。３位がペンタデシル基である場合、１−メトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−エトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−プロポキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ブトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ペントキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ヘキトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−オクトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−デトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ドデトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ブチロデトキシ−３−ペンタデシルベンゼン等の化合物を挙げることができる。
【００１８】
なお、前記一般式（Ｉ）及び一般式（II）中において、例示したアルキル基は、直鎖状アルキル基であってもよいし、分岐状アルキル基であってもよい。
【００１９】
＜液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法＞
次に、本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造方法について説明する。本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂を製造するためには、前記末端基となる天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いることが必要である。特に、上述したように蒸留及び晶析を行うことによって得られた３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いることが好ましい。天然物から得られる３−ペンタデシルフェノール以外の末端停止剤（他の末端停止剤）としては、従来から使用されているポリカーボネート樹脂を製造するための末端停止剤を用いることができ、例えば、フェノール，ｐ−クレゾール，ｐ−ｔ−ブチルフェノール，ｐ−クミルフェノール，トリブロモフェノール，ノニルフェノール，ｐ−ｔ−オクチルフェノールなどが挙げられる。これらの他の末端停止剤を前記天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールと併用して用いてもよく、併用して用いる場合の他の末端停止剤としては、ｐ−ｔ−ブチルフェノールとｐ−クミルフェノールが特に好ましい。天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールと他の末端停止剤とを併用して用いる場合、その使用比率は、（３−ペンタデシルフェノール）：（他の末端停止剤）のモル比は、好ましくは９９：１〜２０：８０、より好ましくは９０：１０〜３０：７０である。
また、ポリカーボネート樹脂に含まれる全末端基に占めるＯＨ由来の末端基組成量は、好ましくは５．０ｍｏｌ％以下、さらに好ましくは３．０ｍｏｌ％以下、特に好ましくは１．０ｍｏｌ％以下である。ＯＨ由来の末端基組成量が前記の範囲内であれば、得られるポリカーボネート樹脂はより高い熱安定性を示す。
【００２０】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂を製造するためには、主鎖を構成するための二価フェノールを用いる必要がある。二価フェノールとしては、各種の公知の二価フェノールを用いることができるが、下記一般式（１）で表される二価フェノールを用いることが好ましい。
【００２１】
【化３】
2014171509.tif 000004
【００２２】
ここで、一般式（１）中、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基又はアルコキシ基、Ｘは単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−又は−ＣＯ−、ａ及びｂは０〜４の整数を示す。
【００２３】
一般式（１）で表される二価フェノールとしては、特に限定されないが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔通称：ビスフェノールＡ〕が好適である。
ビスフェノールＡ以外の二価フェノールとしては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ナフチルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン等のビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，５，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン等のビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルエーテル等のジヒドロキシアリールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルフィド等のジヒドロキシジアリールスルフィド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホキシド等のジヒドロキシジアリールスルホキシド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホン等のジヒドロキシジアリールスルホン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニル等のジヒドロキシジフェニル類、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン等のジヒドロキシジアリールフルオレン類、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン等のジヒドロキシジアリールアダマンタン類、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール、１０，１０−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−９−アントロン、１，５−ビス（４−ヒドロキシフェニルチオ）−２，３−ジオキサペンタン等が挙げられる。
これらの二価フェノールは、単独で又は二種以上を混合して用いてもよい。
【００２４】
さらに、上記一般式（１）で表される二価フェノールに含まれない二価フェノールとして、下記式（２）で表される構成単位を含む二価フェノールを一般式（１）で表される二価フェノールと併用して用いることができる。このような構成単位を有する共重合体とすることにより、得られる本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂の難燃性を向上させることができる。下記一般式（２）で表される構成単位を含む二価フェノールは、下記一般式（２−１）で表されるポリオルガノシロキサンで表わされる。
【００２５】
【化４】
2014171509.tif 000005
【００２６】
上記一般式（２）又は一般式（２−１）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。Ｚは、アリル基を有するフェノール化合物から誘導される、トリメチレン基を有するフェノール残基を示す。ｎは７０〜１０００を示す。
上記一般式（２−１）で表されるポリオルガノシロキサンは、末端が水素のポリオルガノシロキサンの末端を、例えば、２−アリルフェノール及びオイゲノール等のアリル基を有するフェノール化合物で変性したものである。末端がアリル基を有するフェノール化合物で変性されたポリオルガノシロキサンは、特許第２６６２３１０号公報に記載の方法により合成することができる。
上記ポリオルガノシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサンが好適である。
【００２７】
更に、上記の二価フェノールに対して、分岐化剤を用いて、該ポリカーボネート樹脂の主鎖中に分岐構造を有することもできる。この分岐化剤の添加量は、上記の二価フェノールに対して、好ましくは０．０１〜３モル％、より好ましくは０．１〜１．０モル％である。
分岐化剤としては、例えば、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、α，α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１−［α−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［α’，α’−ビス（４”−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、フロログリシン、トリメリット酸、イサチンビス（ｏ−クレゾール）等の官能基を３つ以上有する化合物が挙げられる。
【００２８】
本発明のポリカーボネート樹脂は、カーボネート原料と二価フェノールとを反応させることによって製造される。カーボネート原料とは、縮合反応や交換反応などの重合体生成反応によってポリカーボネート主鎖中にカーボネート結合を生成し得る化合物のことである。このような化合物としては、界面重縮合法によりポリカーボネートを製造する場合には、ホスゲンをはじめ、トリホスゲン、ブロモホスゲン、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、クロロギ酸トリクロロメチルなどが挙げられる。
また、エステル交換反応法（溶融法）によるポリカーボネートの製造においては、カーボネート原料としては炭酸ジエステルが使用され、炭酸ジエステルとしては、炭酸ジアリール化合物、炭素ジアルキル化合物、炭酸アルキルアリール化合物等が挙げられる。
ここで、炭酸ジアリール化合物の具体例としては、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート等が挙げられる。炭酸ジアルキル化合物の具体例としては、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート、ビスフェノールＡビスメチルカーボネート等が挙げられる。炭酸アルキルアリール化合物の具体例としては、メチルフェニルカーボネート、エチルフェニルカーボネート、ブチルフェニルカーボネート、シクロヘキシルフェニルカーボネート、ビスフェノールＡメチルフェニルカーボネート等が挙げられる。
【００２９】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、通常のポリカーボネートの製造において慣用されている方法、例えば、ホスゲンまたはホスゲン誘導体を使用する界面重縮合法およびエステル交換法（溶融法）などを用いて製造することができるが、これらの中で界面重縮合法が好ましい。ホスゲンまたはホスゲン誘導体を用いる界面重縮合法としては、例えば、予め前記二価フェノールのポリカーボネートオリゴマーを前記二価フェノールとホスゲンまたはホスゲン誘導体とから合成しておき、このオリゴマーの不活性有機溶剤溶液に、前記二価フェノールを含有するアルカリ水溶液及び前記天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を加えて反応させる方法、または、前記二価フェノールのアルカリ水溶液、前記天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤及び不活性有機溶剤との混合液にホスゲンまたはホスゲン誘導体を加えて反応させる方法などが挙げられるが、これらの中で前者のオリゴマー法が好適である。
【００３０】
次に、オリゴマー法により本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂を製造する方法について説明すると、先ず、アルカリ金属水酸化物の水溶液に前記二価フェノールを溶解させ、二価フェノールのアルカリ水溶液（水酸化ナトリウム等の水溶液）を調整する。次いで、このアルカリ水溶液と不活性有機溶剤（塩化メチレン等の有機溶剤）との混合液にホスゲンまたはホスゲン誘導体を導入して、前記二価フェノールのポリカーボネートオリゴマーを合成する。この際、該アルカリ水溶液のアルカリ濃度は１〜１５質量％の範囲が好ましく、また有機相と水相との容積比は５：１〜１：７、好ましくは２：１〜１：４の範囲にあるのが望ましい。反応温度は水浴冷却し、通常０〜５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲で選ばれ、反応時間は１５分ないし４時間、好ましくは３０分ないし２時間程度である。このようにして得られたポリカーボネートオリゴマーの重合度は、通常２０以下、好ましくは２〜１０程度である。
【００３１】
次いで、このようにして得られたポリカーボネートオリゴマーを含む有機相に、前記二価フェノールのアルカリ水溶液、前記天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤、所望により不活性有機溶剤を加えて撹拌等を行うことにより接触させて、通常０〜５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲の温度において、１０分ないし６時間程度界面重縮合させる。この際、該アルカリ水溶液のアルカリ濃度は１〜１５質量％が好ましく、また有機相と水相との容積比は７：１〜１：２、好ましくは４：１〜１：１の範囲にあるのが望ましい。そして、前記二価フェノールとポリカーボネートオリゴマーとの割合は、（二価フェノール）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常０．４〜０．５５、好ましくは０．４５〜０．５になるように選ばれる。また、アルカリ金属水酸化物とポリカーボネートオリゴマーとの割合は、（アルカリ金属水酸化物）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常１．０〜２．０、好ましくは１．２〜１．７になるように選ばれる。また、末端停止剤の使用量は、（末端停止剤）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常０．０２〜０．２０、好ましくは０．０４〜０．１７になるように選ばれる。さらに、この反応において、所望に応じて触媒を用いることができる。触媒の使用量は、（触媒）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常１．０×１０-3〜１０．０×１０-3、好ましくは１．０×１０-3〜５．０×１０-3になるように選ばれる。
【００３２】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造において用いられるアルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，水酸化リチウム，水酸化セシウムなどが挙げられる。これらの中では、水酸化ナトリウムと水酸化カリウムが好適である。また、不活性有機溶剤としては、各種のものがある。例えば、ジクロロメタン（塩化メチレン）；クロロホルム；１，１−ジクロロエタン；１，２−ジクロロエタン；１，１，１−トリクロロエタン；１，１，２−トリクロロエタン；１，１，１，２−テトラクロロエタン；１，１，２，２−テトラクロロエタン；ペンタクロロエタン，クロロベンゼンなどの塩素化炭化水素や、アセトフェノンなどが挙げられる。これらの有機溶剤はそれぞれ単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、クロロホルムや塩化メチレンが好ましく、特に塩化メチレンが好適である。
【００３３】
前記触媒としては、各種のものを用いることができる。具体的には四級アンモニウム塩，四級ホスホニウム塩あるいは三級アミンなどで、例えば、四級アンモニウム塩としては、トリメチルベンジルアンモニウムクロライド，トリエチルベンジルアンモニウムクロライド，トリブチルベンジルアンモニウムクロライド，トリオクチルメチルアンモニウムクロライド，テトラブチルアンモニウムクロライド，テトラブチルアンモニウムブロマイドなどが挙げられる。また、四級ホスホニウム塩としては、例えば、テトラブチルホスホニウムクロライド，テトラブチルホスホニウムブロマイドなどが、そして、三級アミンとしては、例えば、トリエチルアミン，トリブチルアミン，Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン，ピリジン，ジメチルアニリンなどが挙げられる。
前記触媒の中では、三級アミンが好ましく、特にトリエチルアミンが好適である。
このようにして得られたポリカーボネート樹脂を含む有機溶媒溶液から、通常の方法に従って回収操作を行うことにより、本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂を得ることができる。
【００３４】
エステル交換反応法（溶融法）によるポリカーボネートの製造においては、二価フェノール、炭酸ジエステル、及び前記３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤と、必要に応じ分岐剤等とを用いて、溶融状態でエステル交換反応させ、副生するフェノールを減圧条件等で系外に除去することで、ポリカーボネート樹脂を得ることができる。エステル交換反応法では、反応促進のためエステル交換触媒を使用することもできる。エステル交換触媒としては、ナトリウム、カルシウム及びセシウム等の塩やアンモニウム塩、ホスホニウム塩が好ましい。
【００３５】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、天然物から得られる３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を用いてなるものであり、その粘度平均分子量は、特に限定されるものではないが、薄肉の液晶部材を成形する際の流動性と強度を保つ上から、８，０００〜３０，０００、好ましくは８，０００〜２２，０００、より好ましくは８，０００〜１９，０００、特に好ましくは８，０００〜１４，０００とすることが望ましい。
【００３６】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は色調に優れ、以下の測定方法におけるＹＩ値が好ましくは１．１以下、より好ましくは１．０以下である。また、以下の測定方法における波長４００ｎｍの光線透過率が好ましくは８５％以上、より好ましくは８７％以上、更に好ましくは８８．１％以上である。
＜ＹＩ値の測定方法＞
ポリカーボネート樹脂にビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイトを５００質量ｐｐｍ添加して、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、ペレットを得、得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を成形し、分光測色計で測定面積３０φ、Ｃ２光源の透過法で測定する。
＜波長４００ｎｍの光線透過率の測定方法＞
ポリカーボネート樹脂にビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイトを５００質量ｐｐｍ添加して、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、ペレットを得、得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を成形し、分光光度計を用い、全光線透過率を測定する。
【００３７】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、該液晶部材用ポリカーボネート樹脂以外の芳香族ポリカーボネート樹脂と任意の割合で混合して、液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物とすることができる。本発明の前記液晶部材用ポリカーボネート樹脂又は前記液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物には、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、離型剤、無機充填材（ガラス繊維、タルク、酸化チタン、マイカ等）、着色剤、光拡散剤等の添加剤を目的とする液晶部材に必要とされる特性に応じて用いることができる。
上記の液晶部材用ポリカーボネート樹脂又は液晶部材用ポリカーボネート樹脂と該液晶部材用ポリカーボネート樹脂以外の芳香族ポリカーボネート樹脂を含む液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物は、射出成形、射出圧縮成形、押出成形、ブロー成形等の各種成形方法により、携帯電話、液晶テレビ、パソコン、電子辞書、電子書籍等に用いられる液晶表示装置の液晶部材とすることができる。
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂及びそれを用いた液晶部材用ポリカーボネート樹脂組成物は、流動性及び色調に優れるため、特に、厚みの薄い成形体を製造する場合は、射出成形により成形することが望ましく、液晶表示装置の導光板や光拡散板用の樹脂として好適に用いることができる。
【実施例】
【００３８】
以下に実施例、比較例を挙げ、本発明を更に詳しく説明する。なお、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、実施例及び比較例中の測定評価は以下に示す方法で行った。【００３９】
＜粘度平均分子量（Ｍｖ）の測定＞
粘度平均分子量（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度計を用いて、２０℃における塩化メチレン溶液の粘度を測定し、これより極限粘度［η］を求め、次式にて算出するものである。
［η］＝１．２３×１０-5Ｍｖ0.83【００４０】
＜３−ペンタデシルフェノールの純度及び不純物量の測定方法＞
３−ペンタデシルフェノール、及びレゾルシノール誘導体は、液体クロマトグラフィー（アジレント・テクノロジー社製、製品名：「ＡＧＩＬＥＮＴ  １２００」）を用い、カラムとして「Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ  ＯＤＳ」（一般財団法人化学物質評価研究機構製、４．６ｍｍＩＤ×１５０ｍｍ，粒径３μｍ）、移動相としてアセトニトリル／ギ酸バッファー＝９５／５（ｖｏｌ／ｖｏｌ）を用いて測定した。
フェノール誘導体は、ガスクロマトグラフ質量分析計（日本電子株式会社製、製品名：「ＪＭＳ−Ｑ１０００ＧＣ」）にて、長さ３０ｍ×内径２５０μｍ×膜厚０．２５μｍのカラム「ＶＦ−１」を用いて測定した。
＜末端基組成量の測定＞
ＮＭＲ装置（日本電子株式会社製、製品名：「ＪＮＭ−ＬＡ５００」）を用い、1Ｈ−ＮＭＲを測定して、ポリカーボネート樹脂の末端基組成量を算出した。
＜末反応ＰＤＰ量の測定＞
ポリカーボネート樹脂ペレット２ｇをクロロホルム１５ｍｌで溶解し、ヘキサン２５ｍｌを加え、ポリカーボネート樹脂を析出させた。その後、上澄み液を２０ｍｌ採取し、濃縮乾固し、ＴＨＦ、水、アセトニトリル＝９／７／１４（体積比）で混合した混合溶媒を１０ｍｌ加えた。前記混合溶液中に含まれるＰＤＰ量を、高速液体クロマトグラフィー（日本分光株式会社製、製品名：「ＬＣ−２０００」）を用いて定量し、ポリカーボネート樹脂中の未反応ＰＤＰ量を算出した。【００４１】
＜流れ値（Ｑ値）の測定＞
高架式フローテスターを用い、ＪＩＳ  Ｋ７２１０に準拠して、２８０℃、１５．７ＭＰａの圧力下で、直径１ｍｍ、長さ１０ｍｍのノズルより流出する溶融樹脂量（×１０-2ｍＬ／秒）を測定した。【００４２】
＜薄肉成形性の評価＞
参考例１〜１２、実施例１〜２及び比較例１〜３で得られたポリカーボネート樹脂に、アデガスタブＰＥＰ３６〔株式会社ＡＤＥＫＡ製、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイト〕を５００質量ｐｐｍ添加し、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温度２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、それぞれのペレットを得た。得られた各ペレットを用い、５０ｍｍ×９０ｍｍ×０．４ｍｍの平板を成形し、その成形性を下記の判断基準により、◎〜×で評価した。
◎：厚み０．４ｍｍの平板の面積１００％に樹脂を充填でき、平板を成形できた。
○：厚み０．４ｍｍの平板の面積７５％〜１００％未満に樹脂を充填できた。
△：厚み０．４ｍｍの平板に面積５０％〜７５％未満しか樹脂を充填できなかった。
×：厚み０．４ｍｍの平板に面積５０％未満しか樹脂を充填できなかった。【００４３】
＜ＹＩ値の測定＞
参考例１〜１２、実施例１〜２及び比較例１〜３で得られたポリカーボネート樹脂に、アデガスタブＰＥＰ３６〔株式会社ＡＤＥＫＡ製、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイト〕を５００質量ｐｐｍ添加し、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、それぞれのペレットを得た。得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を３２０℃にて成形し、分光測色計（日本電色工業株式会社製、製品名：「Σ９０」）で測定面積３０φ、Ｃ２光源の透過法で測定した。
＜波長４００ｎｍの光線透過率の測定方法＞
参考例１〜１２、実施例１〜２及び比較例１〜３で得られたポリカーボネート樹脂に、アデガスタブＰＥＰ３６〔株式会社ＡＤＥＫＡ製、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイト〕を５００質量ｐｐｍ添加し、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、それぞれのペレットを得た。得られたペレットを用い、厚み３ｍｍの成形品を３２０℃にて成形し、分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、製品名：「Ｕ−４１００」）を用い、全光線透過率を測定した。【００４４】
参考例１
（１）ポリカーボネートオリゴマーの製造
濃度５．６質量％水酸化ナトリウム水溶液に、後に溶解するビスフェノールＡ（ＢＰＡ）に対して０．２質量％の亜二チオン酸ナトリウムを加え、ここにＢＰＡ濃度が１３．５質量％になるようにＢＰＡを溶解し、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。内径６ｍｍ、管長３０ｍの管型反応器に、上記ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を４０Ｌ／ｈｒ及び塩化メチレンを１５Ｌ／ｈｒの流量で連続的に通すと共に、ホスゲンを４．０ｋｇ／ｈｒの流量で連続的に通した。管型反応器はジャケット部分を有しており、ジャケットに冷却水を通して反応液の温度を４０℃以下に保った。
管型反応器から送出された反応液は、後退翼を備えた内容積４０Ｌのバッフル付き槽型反応器へ連続的に導入され、ここにさらにＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を２．８Ｌ／ｈｒ、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液を０．０７Ｌ／ｈｒ、水を１７Ｌ／ｈｒ、１質量％トリエチルアミン水溶液を０．６４Ｌ／ｈｒ、及び２０質量％のｐ−ｔ−ブチルフェノール（ＰＴＢＰ）の塩化メチレン溶液１４９．２ｋｇ／ｈｒの流量で供給し、２９〜３２℃で反応を行った。槽型反応器から反応液を連続的に抜き出し、静置することで水相を分離除去し、塩化メチレン相を採取した。このようにして得られたポリカーボネートオリゴマー溶液は、オリゴマー濃度３１５ｇ／Ｌ、クロロホーメート基濃度０．７５ｍｏｌ／Ｌであった。【００４５】
（２）液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造
邪魔板、パドル型撹拌翼を備えた内容積１Ｌの槽型反応器に上記ポリカーボネートオリゴマー溶液３３３ｍＬ、塩化メチレン２１７ｍＬを仕込み、３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）［東京化成工業株式会社製、純度：９２．１０質量％、レゾルシノール誘導体：２．１５質量％、フェノール誘導体：５．１１質量％］１４ｇを溶解後、トリエチルアミン１１１μＬを加え、ここに６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液３３．３ｇを撹拌下で添加し、１０分間反応を行った。次いで、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ  １４ｇと亜二チオン酸ナトリウム５５ｍｇを水２０３ｍＬに溶解した水溶液に、ＢＰＡ  ２７．４ｇを溶解したもの）を添加し、５０分間重合反応を行った。
希釈のため塩化メチレン２００ｍＬを加え１０分間撹拌した後、ポリカーボネート樹脂を含む有機相と過剰のビスフェノールＡ及びＮａＯＨを含む水相に分離し、有機相を単離した。得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を、その溶液に対し順次１５容量％の０．０３ｍｏｌ／Ｌ・ＮａＯＨ水溶液と０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸で洗浄し、次いで洗浄後の水相中の電気伝導度が０．０５μＳ／ｍ以下になるまで純水で洗浄を繰り返した。洗浄により得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を濃縮・粉砕し、得られたフレークを減圧下、１００℃で乾燥し、ポリカーボネート樹脂を得た。得られたポリカーボネート樹脂について、末端停止剤として使用したｍ−ＰＤＰ及びＰＴＢＰに由来するポリカーボネート樹脂の末端組成は、ｍ−ＰＤＰ由来が６．８７ｍｏｌ％、ＰＴＢＰ由来が１．４４ｍｏｌ％であった。また、得られたポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は８７００であり、流れ値（Ｑ値）は１６５×１０-2ｍＬ／秒であり、薄肉成形性は◎であった。これらの測定結果を表１に示す。【００４６】
参考例２
参考例１の（２）においてｍ−ＰＤＰの量を８．８ｇに代えた以外は参考例１と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００４７】
参考例３
参考例１の（２）においてｍ−ＰＤＰの量を７．６ｇに代えた以外は参考例１と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００４８】
参考例４
参考例１の（２）においてオリゴマー溶液を３４９ｍＬ、塩化メチレンを１９１ｍＬ、ｍ−ＰＤＰを１．６ｇ、トリエチルアミンを１１０μＬ、６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液を３３ｇ、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液をＮａＯＨ  １４ｇと亜二チオン酸ナトリウム５４ｍｇを水１９９ｍＬに溶解した水溶液にＢＰＡ  ２６．９ｇを溶解したものに代え、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を加えると同時にＰＴＢＰ  ２．４ｇを塩化メチレン１０ｍＬに溶解したものを添加した以外は参考例１と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００４９】
参考例５
参考例３において、ｍ−ＰＤＰを３．２ｇに、ＰＴＢＰを１．６ｇに代えた以外は参考例３と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５０】
参考例６
参考例５において、ｍ−ＰＤＰを４．９ｇに、ＰＴＢＰを０．８ｇに代えた以外は参考例５と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５１】
参考例７
参考例１の（２）のポリカーボネートオリゴマー溶液を１３．４Ｌ、塩化メチレン９．８Ｌ、ｍ−ＰＤＰを２８０ｇ、トリエチルアミンを４．１ｍＬ、６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液を８５ｇ、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液をＮａＯＨ  ５４５ｇと亜二チオン酸ナトリウム２．２ｇを水８Ｌに溶解した水溶液にＢＰＡ  １１７６ｇを溶解したものに代えた以外は参考例１と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５２】
参考例８
参考例１の（２）のポリカーボネートオリゴマー溶液を１４３ｍＬ、塩化メチレン８２ｍＬ、ｍ−ＰＤＰを２ｇ、トリエチルアミンを２μＬ、６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液を２６．８ｇ、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液をＮａＯＨ  ４．７ｇと亜二チオン酸ナトリウム２０ｍｇを水６９ｍＬに溶解した水溶液にＢＰＡ  ９．８ｇを溶解したものに代えた以外は参考例１と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５３】
参考例９
参考例１の（２）において、ポリカーボネートオリゴマー溶液を２８６ｍＬ、塩化メチレンを１６４ｍＬ、ｍ−ＰＤＰを４ｇ、トリエチルアミンを９０μＬに代え、６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液の代わりにＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液をＮａＯＨ  １２．９ｇと亜二チオン酸ナトリウム４４ｍｇを水１８８ｍＬに溶解した水溶液にＢＰＡ  ２２ｇを添加し、重合を６０分行った以外は参考例１と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５４】
参考例１０
（１）ポリカーボネートオリゴマーの製造
濃度５．６質量％水酸化ナトリウム水溶液に、後に溶解するＢＰＡに対して０．２質量％の亜二チオン酸ナトリウムを加え、ここにＢＰＡ濃度が１３．５質量％になるように溶解し、モノマーの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。内径６ｍｍ、管径３０ｍの管型反応器に、上記モノマーの水酸化ナトリウム水溶液を４０Ｌ／ｈｒ及び塩化メチレンを３５Ｌ／ｈｒの流量で連続的に通すと共に、ホスゲンを４．０ｋｇ／ｈｒの流量で連続的に通した。管型反応器はジャケット部分を有しており、ジャケットに冷却水を通して反応液の温度を４０℃以下に保った。
管型反応器から送出された反応液は、静置することで水相を分離除去し、塩化メチレン相を採取した。このようにして得られたポリカーボネートオリゴマー溶液は、オリゴマー濃度２２５ｇ／Ｌ、クロロホーメート基濃度０．７３ｍｏｌ／Ｌだった。【００５５】
（２）液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造
邪魔板、パドル型撹拌翼を備えた内容積１Ｌの槽型反応器に上記オリゴマー溶液４８９ｍＬ、塩化メチレン６１ｍＬを仕込み、３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）［東京化成工業株式会社製、純度：９２．１０質量％］９．６ｇを溶解後、トリエチルアミン１４９μＬを加え、ここに６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液４７ｇを撹拌下で添加し、１０分間反応を行った。次いで、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ  １８．４ｇと亜二チオン酸ナトリウム７３ｍｇを水２６９ｍＬに溶解した水溶液に、ＢＰＡ  ３６．６ｇを溶解したもの）を添加し、５０分間重合反応を行った。
希釈のため塩化メチレン２００ｍＬを加え１０分間撹拌した後、ポリカーボネートを含む有機相と過剰のビスフェノールＡ及びＮａＯＨを含む水相に分離し、有機相を単離した。得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を、その溶液に対し順次１５容量％の０．０３ｍｏｌ／Ｌ・ＮａＯＨ水溶液と０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸で洗浄し、次いで洗浄後の水相中の電気伝導度が０．０５μＳ／ｍ以下になるまで純水で洗浄を繰り返した。洗浄により得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を濃縮・粉砕し、得られたフレークを減圧下、１００℃で乾燥し、ポリカーボネート樹脂を得た。得られたポリカーボネート樹脂について、末端停止剤として使用したｍ−ＰＤＰに由来するポリカーボネート樹脂の末端組成、粘度平均分子量（Ｍｖ）、流れ値（Ｑ値）及び薄肉成形性の評価についての結果を表１に示す。【００５６】
参考例１１
参考例１０の（２）において、ｍ−ＰＤＰを１０．１ｇに代えた以外は参考例１０と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５７】
参考例１２
参考例１０の（２）において、塩化メチレンを５５ｍＬ、ｍ−ＰＤＰを７．９ｇ、トリエチルアミン１３４．５μＬ、６．４質量％の４０．３ｇ、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液をＮａＯＨ  １６．７ｇと亜二チオン酸ナトリウム６６ｍｇを水２４５ｍＬに溶解した水溶液にＢＰＡ  ３３ｇを溶解したものに代えた以外は参考例１０と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５８】
比較例１
参考例８において、ｍ−ＰＤＰの代わりにＰＴＢＰを２．６１ｇ、トリエチルアミンを３５μＬ、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液をＮａＯＨ  １５ｇと亜二チオン酸ナトリウム５１ｍｇを水２１９ｍＬに溶解した水溶液にＢＰＡ  ２５．７ｇを溶解したものに代えた以外は参考例８と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００５９】
比較例２
比較例１の（２）においてＰＴＢＰを３．３ｇに代えた以外は比較例１と同様に行った。その測定結果を表１に示す。【００６０】
【表１】
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【００６１】
実施例１
（１）３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）の精製
内径３０ｍｍ、容量５００ｍＬのカラムに６ｍｍマクマホンパッキング（Ｍｃ．ＭＡＨＯＮ  Ｐａｃｋｉｎｇ）を充填して精留塔とし、内温測定装置の付いた２Ｌフラスコに取り付け、充填塔頂には還流比（還流量／流出量）を調整する器具と塔頂温度を測定する装置、更には減圧度調整装置を取り付けた。東京化成工業株式会社製の水添カルダノール［３−ペンタデシルフェノール：９２．１０質量％、レゾルシノール誘導体：２．１５質量％、フェノール誘導体：５．１１質量％］１００６．９６ｇをフラスコに供給し、窒素置換後、加熱減圧を開始した。減圧度２ｍｍＨｇ、還流量／流出量＝１に設定し、塔頂温度２０５〜２１０℃の留分を分取した。この時、フラスコ温度は２３０〜２４５℃であった。分取量は８２５．７１ｇ（仕込みの８２％）、３−ペンタデシルフェノールの純度は９３．６１％であった。
次に、得られた粗３−ペンタデシルフェノール（純度：９３．６１％）を６０℃の湯浴にて融解させ規格瓶に７０ｇ秤量した後、４２０ｇのｎ−ヘキサンを加え溶解させた。室温にて１２時間静置し、析出した固体を減圧濾過した後、室温にて８時間減圧乾燥することにより対応する純度９７．７５質量％の３−ペンタデシルフェノール４８ｇを得た。このとき、不純物として、レゾルシノール誘導体０．０３質量％、フェノール誘導体２．０４質量％を含有していた。
この方法で得られた純度９７．７５質量％の３−ペンタデシルフェノール７０ｇを６０℃の湯浴にて融解させ、規格瓶に７０ｇ秤量した後、４２０ｇのｎ−ヘキサンを加え溶解させた。室温にて１２時間静置し、析出した固体を減圧濾過した後、室温にて８時間減圧乾燥することにより、純度９９．３３質量％の３−ペンタデシルフェノール５４ｇを得た。このとき、不純物として、レゾルシノール誘導体０．０７質量％、フェノール誘導体０．２８質量％を含有していた。【００６２】
（２）液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造
邪魔板、パドル型撹拌翼を備えた内容積５０Ｌの槽型反応器に参考例１の（１）で得られたオリゴマー溶液１８Ｌ、塩化メチレン１０．１Ｌを仕込み、上記（１）３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）の精製により得られた純度９７．７５質量％の３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）３８１ｇを溶解後、トリエチルアミン５ｍＬを加え、ここに６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液１．６ｋｇを撹拌下で添加し、１０分間反応を行った。次いで、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ  ６６５ｇと亜ジチオン酸ナトリウム２．６ｇを水９．７Ｌに溶解した水溶液に、ＢＰＡ  １．３ｋｇを溶解したもの）を添加し、５０分間重合反応を行った。
希釈のため塩化メチレンを加え１０分間撹拌した後、重合反応により生成したポリカーボネート樹脂を含む有機相と過剰のビスフェノールＡ及びＮａＯＨを含む水相に分離し、有機相を単離した。得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液（有機相）を、その溶液に対し順次１５容量％の０．０３ｍｏｌ／Ｌ・ＮａＯＨ水溶液と０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸で洗浄し、次いで洗浄後の水相中の電気伝導度が０．０５μＳ／ｍ以下になるまで純水で洗浄を繰り返した。洗浄により得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を濃縮・粉砕し、得られたフレークを減圧下、１００℃で乾燥し、ポリカーボネート樹脂を得た。1Ｈ−ＮＭＲにより測定したｍ−ＰＤＰに由来する末端基組成量は４．５３ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰに由来する末端基組成量は２．９２ｍｏｌ％であり、ＯＨに由来する末端基組成量は０．０３ｍｏｌ％であり、未反応ＰＤＰの量は６質量ｐｐｍであった。また、得られたポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は１１９００であり、２８０℃での流れ値（Ｑ値）は１２３（×１０-2ｍＬ／秒）であり、薄肉成形性は◎であった。また、得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂のＹＩを測定したところ、１．１であった。
また、得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂の波長４００ｎｍにおける全光線透過率を測定したところ、８８．１％であった。【００６３】
実施例２
実施例１の（２）液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造において、純度９７．７５質量％の３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）に代えて、実施例１の（１）で得られた純度９９．３３質量％の３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）を用いた以外は、実施例１の（２）と同様にして、液晶部材用ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂を1Ｈ−ＮＭＲにより測定したｍ−ＰＤＰに由来する末端基組成量は４．５４ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰに由来する末端基組成量は２．６９ｍｏｌ％であり、ＯＨに由来する末端基組成量は０．０４ｍｏｌ％であり、未反応ＰＤＰの量は６質量ｐｐｍであった。この液晶部材用ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は１１５００であり、流れ値（Ｑ値）は１２７（×１０-2ｍＬ／秒）であり、薄肉成形性は◎であった。また、得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂ＹＩを測定したところ、１．０であった。
また、得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂の波長４００ｎｍにおける全光線透過率を測定したところ、８８．６％であった。【００６４】
比較例３
実施例１の（２）液晶部材用ポリカーボネート樹脂の製造において、純度９７．７５質量％の３−ペンタデシルフェノールに代えて、純度９２．１０質量％の３−ペンタデシルフェノール［東京化成工業株式会社製］を用いた以外は、実施例１の（２）と同様にして、液晶部材用ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂を1Ｈ−ＮＭＲにより測定したｍ−ＰＤＰに由来する末端基組成量は４．５５ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰに由来する末端基組成量は２．９０ｍｏｌ％であり、ＯＨに由来する末端基組成量は０．０６ｍｏｌ％であり、未反応ＰＤＰの量は７質量ｐｐｍであった。この液晶部材用ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は１２０００であり、流れ値（Ｑ値）は１２３（×１０-2ｍＬ／秒）であり、薄肉成形性は◎であった。また、得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂ＹＩを測定したところ、４．６であった。
また、得られた液晶部材用ポリカーボネート樹脂の波長４００ｎｍにおける全光線透過率を測定したところ、８１．７％であった。【００６５】
上記の参考例１〜１２及び実施例１〜２で得られた、液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、流れ値（Ｑ値）が高く、特に薄肉成形性に優れ、液晶部材用ポリカーボネート樹脂として好適に用いることができる。また、実施例１及び２から、高純度ｍ−ＰＤＰを用いた場合、ＹＩが低く、透明性に優れる液晶部材用ポリカーボネート樹脂とすることができ、導光板や光拡散板等に好適に用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の液晶部材用ポリカーボネート樹脂は、流動性及び色調に優れるために、成形性に優れ、特に、厚みの薄い成形体、液晶表示装置の導光板、光拡散板やその他ＯＡ機器材料部材の製造に適する。
【国際調査報告】
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