(57)【要約】下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基を表す。Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表し、Ｌ２は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表す。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基等を表す。ｎは０〜３の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表す。Ｘ１〜Ｘ５は、それぞれ窒素原子又はＣＲ３を表す。ただし、Ｘ１〜Ｘ５の少なくとも１つは窒素原子である。Ｒ３は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基等を表す。2014087657.tif 000059
2014087657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化５３】
2014087657.tif 000057
（式（１）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基を表す。Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表し、Ｌ２は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表す。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。ｎは０〜３の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ１が複数ある場合、複数のＲ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ２が複数ある場合、複数のＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｘ１〜Ｘ５は、それぞれ窒素原子又はＣＲ３を表す。ただし、Ｘ１〜Ｘ５の少なくとも１つは窒素原子である。Ｒ３は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。Ｒ３が複数ある場合、複数のＲ３はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、複数のＲ３が互いに結合して環構造を形成していてもよい。）
【請求項２】
Ｘ１、Ｘ２及びＸ３の少なくとも１つが窒素原子である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項３】
Ｘ１〜Ｘ５の少なくとも２つが窒素原子である請求項１又は２に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
Ｌ２が単結合である請求項１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項５】
Ｘ１〜Ｘ５の２つ又は３つが窒素原子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項６】
Ａｒ１及びＡｒ２がフルオレン構造を含まない請求項１〜５のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項７】
下記式（１−１）又は（１−２）で表される請求項１〜６のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
【化５４】
2014087657.tif 000058
（式（１−１）、（１−２）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ｎ、ｍ、Ｘ１〜Ｘ５及びＲ３は、式（１）と同じである。）
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項９】
陰極と陽極間に発光層を含む１以上の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも１層が、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記芳香族アミン誘導体が前記発光層に含有される請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記発光層が燐光発光材料を含有する請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族アミン誘導体、及びそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。【０００３】
初期の有機ＥＬ素子は、駆動電圧、発光効率及び耐久性が不十分であり、これら問題に対して様々な技術的改良がなされてきた。
有機ＥＬ素子の発光効率の向上はディスプレイの消費電力の低下につながる重要な課題であり、さらなる改良が求められている。
特許文献１には複素環を含むアミン化合物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１２／００１９６９号パンフレット
【発明の概要】
【０００５】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子に用いたときに発光効率に優れる芳香族アミン誘導体を提供することである。
【０００６】
本発明によれば、以下の芳香族アミン誘導体等が提供される。
１．下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化１】
2014087657.tif 000003
（式（１）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基を表す。Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表し、Ｌ２は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表す。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。ｎは０〜３の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ１が複数ある場合、複数のＲ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ２が複数ある場合、複数のＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｘ１〜Ｘ５は、それぞれ窒素原子又はＣＲ３を表す。ただし、Ｘ１〜Ｘ５の少なくとも１つは窒素原子である。Ｒ３は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。Ｒ３が複数ある場合、複数のＲ３はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、複数のＲ３が互いに結合して環構造を形成していてもよい。）
２．Ｘ１、Ｘ２及びＸ３の少なくとも１つが窒素原子である１に記載の芳香族アミン誘導体。
３．Ｘ１〜Ｘ５の少なくとも２つが窒素原子である１又は２に記載の芳香族アミン誘導体。
４．Ｌ２が単結合である１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
５．Ｘ１〜Ｘ５の２つ又は３つが窒素原子である１〜４のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
６．Ａｒ１及びＡｒ２がフルオレン構造を含まない１〜５のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
７．下記式（１−１）又は（１−２）で表される１〜６のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
【化２】
2014087657.tif 000004
（式（１−１）、（１−２）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ｎ、ｍ、Ｘ１〜Ｘ５及びＲ３は、式（１）と同じである。）
８．１〜７のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
９．陰極と陽極間に発光層を含む１以上の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも１層が、１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．前記芳香族アミン誘導体が前記発光層に含有される９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．前記発光層が燐光発光材料を含有する９又は１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【０００７】
本発明によれば、有機ＥＬ素子に用いたときに発光効率に優れる芳香族アミン誘導体が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体は下記式（１）で表される。
【化３】
2014087657.tif 000005
式（１）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基を表す。Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表し、Ｌ２は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。ｎは０〜３の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ１が複数ある場合、複数のＲ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ２が複数ある場合、複数のＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｘ１〜Ｘ５は、それぞれ窒素原子又はＣＲ３を表す。ただし、Ｘ１〜Ｘ５の少なくとも１つは窒素原子である。
Ｒ３は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。Ｒ３が複数ある場合、複数のＲ３はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、複数のＲ３が互いに結合して環構造を形成していてもよい。
【００１０】
本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体において、トリアリールアミン部分（−Ｌ１−Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２））が正孔輸送部位として、Ｘ１〜Ｘ５を含む６員環（アジン環）部分が電子輸送部位として機能する。正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットを兼ね備えた構造、即ちバイポーラー性を有することで、本発明の化合物はキャリアバランスに優れ、再結合確率が高く、発光効率に優れる。
【００１１】
また、一般的に、正孔輸送部位（正孔耐性大）となるためには、正孔が発生する酸化条件下において耐性が大きいことが求められる。
アミンにアルキルやヘテロアリール（カルバゾール等）が直結すると、電子密度が高くなり、酸化に対して耐性が出ないと考えられる。耐性を大きくするためには、アミンには電子密度が中性的なアリール基を直結させる必要があると考えられる。本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体は、アミン（−Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２））に直結するアリーレン（Ｌ１）を必須に含むため、トリアリールアミン部分は正孔輸送部位になり得ると考えられる。
尚、アミンに直結するアリール基にアルキルやヘテロアリールが置換する場合は電子密度が高くなることがないため、耐性を有すると考えられる。
アリーレン（Ｌ１）によって、正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットとを機能分離が可能となり、バイポーラー性を発現することができる。
【００１２】
上述したように、本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体は電荷耐性があるため、正孔輸送層又は正孔注入層に用いたときこれらの層の劣化を防ぐことができ、素子の寿命が向上すると考えられる。
【００１３】
また、本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体は、正孔と電子の両方を輸送できるので、有機EL素子用の発光層用材料のみならず、正孔輸送材料、乃至は電子輸送材料、さらには、電荷障壁材料として用いることができる。電荷輸送性が高いため、低電圧駆動が可能となり、ワイドギャップとなるため、キャリアバランスを調整することが可能であり、発光効率が高く、長寿命となる。
【００１４】
さらに、本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体は燐光ホスト等に用いることができる。キャリアバランスに優れるため、再結合確率が増し、効率が上昇する。また、発光領域が正孔輸送層側に偏らないため、正孔輸送層の劣化を防ぐことができ寿命が向上する。
【００１５】
Ｌ１は好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、より好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリーレン基、特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基のいずれかである。
Ｌ１の具体例としては以下が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１６】
【化４】
2014087657.tif 000006
【００１７】
Ｌ２は、好ましくは単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基であり、より好ましくは単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリーレン基であり、さらに好ましくは単結合、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、及び置換もしくは無置換のフルオレニレン基のいずれかであり、特に好ましくは単結合である。
但し、式（１）で表わされる化合物を後述する電子輸送帯域の材料とする場合、Ｌ２は特に好ましくは上述のアリーレン基である。
【００１８】
Ｘ１、Ｘ２及びＸ３の少なくとも１つが窒素原子であると好ましい。
また、Ｘ１〜Ｘ５のうち、少なくとも２つが窒素原子であると好ましく、２つ又は３つが窒素原子であるとより好ましい。
具体的に、Ｘ１〜Ｘ５のうち、Ｘ１及びＸ３、Ｘ１及びＸ５、又はＸ１、Ｘ３及びＸ５が窒素原子であると好ましい。
【００１９】
Ｘ１〜Ｘ５のうち窒素原子でないもの、即ちＣＲ３について、Ｒ３としては水素原子又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基が好ましく、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基がより好ましく、環形成炭素数６〜１５のアリール基がさらに好ましく、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基及び置換もしくは無置換のフルオレニル基が特に好ましい。複数のＲ３が結合して環を形成する場合、例えば、飽和又は不飽和の６員環を形成し、６員環は窒素原子を１又は２以上含んでもよい。
【００２０】
Ａｒ１及びＡｒ２は、好ましくはそれぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、より好ましくはそれぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基であり、特に好ましくは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、又は置換もしくは無置換のターフェニル基である。
Ａｒ１及びＡｒ２は、好ましくはフルオレン構造を含まない。
【００２１】
Ｒ１及びＲ２としては、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基が好ましく、具体的には、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換のメチル基、置換もしくは無置換のエチル基、置換もしくは無置換のプロピル基、及び置換もしくは無置換のブチル基が好ましい。
ｎ、ｍは、好ましくはそれぞれ０〜２である。
【００２２】
本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体は、好ましくは下記式（１−１）又は（１−２）で表される。
【化５】
2014087657.tif 000007
（式（１−１）、（１−２）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ｎ、ｍ、Ｘ１〜Ｘ５及びＲ３は、上記式（１）と同じである。）
【００２３】
本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とは環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）及び三重水素（tritium）を含む。
【００２４】
上記式（１）、（１−１）、（１−２）における各基及びこれらの置換基について、以下に詳細に述べる。
【００２５】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
上記炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が好ましい。
【００２６】
アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、トリフェニレニル基、１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、９−フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
アリーレン基としては、上記のアリール基に対応する２価の基が挙げられる。
【００２７】
上記アリール基は、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であり、上述したアリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、１−ナフチル基が特に好ましい。
【００２８】
ヘテロアリール基としては、具体的には、ピロール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、インドール環、キノリン環、アクリジン環、ピロリジン環、ジオキサン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラン環、ジベンゾフラン環、ベンゾ［ｃ］ジベンゾフラン環、カルバゾール環及びこれらの誘導体から形成される基等が挙げらる。
【００２９】
アルコキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。
【００３０】
アリールオキシ基は、−ＯＺと表され、Ｚの例として上記のアリール基又は、後述する単環基及び縮合環基の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
【００３１】
ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００３２】
前記「置換もしくは無置換」という場合の任意の置換基としては、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、シアノ基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜６）のアルキル基、炭素数３〜２０（好ましくは５〜１２）のシクロアルキル基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のアルコキシ基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のハロアルキル基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のハロアルコキシ基、炭素数１〜１０（好ましくは１〜５）のアルキルシリル基、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリール基、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリールオキシ基、炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリールシリル基、炭素数７〜３０（好ましくは７〜２０）のアラルキル基、及び環形成原子数５〜３０の（好ましくは５〜１８）ヘテロアリール基が挙げられる。これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。
【００３３】
上記任意の置換基の例としてのアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基としては、上述したものが挙げられる。
【００３４】
シクロアルキル基としては、上記炭素数３以上のアルキル基の例が脂肪族環構造となったものが挙げられる。
【００３５】
ハロアルキル基としては、上記アルキル基において１以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ素が好ましい。ハロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる。
【００３６】
ハロアルコキシ基としては、上記アルコキシ基において１以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたものが挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ素が好ましい。
【００３７】
アラルキル基としては、上記アルキル基の水素原子が上記アリール基で置換されたものが挙げられる。
【００３８】
アルキルシリル基としては、上記アルキル基が結合したシリル基が挙げられる。
アリールシリル基としては、上記アリール基が結合したシリル基が挙げられる。
【００３９】
本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体の例を以下に示す。
【化６】
2014087657.tif 000008
【化７】
2014087657.tif 000009
【化８】
2014087657.tif 000010
【化９】
2014087657.tif 000011
【化１０】
2014087657.tif 000012
【化１１】
2014087657.tif 000013
【化１２】
2014087657.tif 000014
【００４０】
本発明の一形態に係る芳香族アミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用材料に用いることができ、例えば、正孔輸送材料、燐光ホスト材料や電荷輸送性材料として使用できる。
【００４１】
本発明の他の態様である有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に、少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持され、この有機薄膜層の少なくとも１層が上記の芳香族アミン誘導体を含有する。
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の素子構造は、陽極、発光層及び陰極がこの順に積層していれば特に限定されず、その他の１以上の有機層又は無機層をさらに有してもよい。
【００４２】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、好ましくは、上記芳香族アミン誘導体を発光層に含有する燐光発光素子である。
このとき、発光層は上記芳香族アミン誘導体に加えて、後述する燐光性ドーパント（金属錯体）を含有すると好ましく、イリジウム錯体を含有するとより好ましい。
【００４３】
また、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子において、上記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を含み、上記の芳香族アミン誘導体が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層に含有される構造としてもよい。
正孔輸送層及び／又は正孔注入層は、芳香族アミン誘導体から実質的になる（芳香族アミン誘導体を主成分として含有する）ように構成してもよいし、芳香族アミン誘導体のみから構成してもよい。
【００４４】
加えて、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子において、上記有機薄膜層が電子輸送帯域を含み、上記の芳香族アミン誘導体が電子輸送帯域に含有される構造としてもよい。
電子輸送帯域を構成する層は、芳香族アミン誘導体から実質的になる（芳香族アミン誘導体を主成分として含有する）ように構成してもよいし、芳香族アミン誘導体のみから構成してもよい。
尚、上記電子輸送帯域とは、陰極と発光層に挟まれた部分であり、例えば後述する電子輸送層、電子注入層、正孔障壁層、トリプレット障壁層等が含まれる。
【００４５】
有機ＥＬ素子の素子構成として、例えば下記の構成が挙げられる。これら素子構成において、発光層は、複数の発光層の積層体であってもよい。また、陽極と発光層の間には正孔輸送帯域を設けることが好ましい。
ここで、「発光ユニット」とは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。
【００４６】
（１）陽極／発光ユニット／陰極
上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。
（ａ）正孔輸送層／発光層（／電子輸送層）
（ｂ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層（／電子輸送層）
（ｃ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｄ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｅ）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｆ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｇ）正孔輸送層／電子障壁層／発光層（／電子輸送層）
（ｈ）正孔輸送層／発光層／正孔障壁層（／電子輸送層）
（ｉ）正孔輸送層／蛍光発光層／トリプレット障壁層（／電子輸送層）
【００４７】
上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光層（ｄ）において、正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
尚、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子障壁層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔障壁層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、寿命を向上させることができる。
【００４８】
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第一発光ユニット／中間層／第二発光ユニット／陰極
ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットと同様のものを選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
【００４９】
図１に、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、燐光ホスト材料と燐光ドーパントを含む少なくとも１つの燐光発光層を含む発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔注入・輸送層６等、発光層５と陰極４との間に電子注入・輸送層７等を形成してもよい。また、発光層５の陽極３側に電子障壁層を、発光層５の陰極４側に正孔障壁層を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成確率を高めることができる。
【００５０】
尚、本明細書において、蛍光ドーパントと組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。即ち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を構成する材料を意味し、蛍光発光層を構成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
【００５１】
（基板）
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、透光性基板上に作製する。透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いてなるものを挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いてなるものを挙げることができる。
【００５２】
（陽極）
有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有するものを用いることが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【００５３】
（陰極）
陰極は電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料により形成するのが好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用できる。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、必要に応じて、陰極側から発光を取り出してもよい。
【００５４】
（発光層）
発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。
燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
【００５５】
ここで、上記発光層は、例えば、電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせる等して、発光層内のキャリアバランスを調整するダブルホスト（ホスト・コホストともいう）を採用してもよく、発光層が第１ホスト材料と第２ホスト材料とを含有し、前記第１ホスト材料が本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料であると好ましい。
また、量子収率の高いドーパント材料を二種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光するダブルドーパントを採用してもよい。具体的には、ホスト、赤色ドーパント及び緑色ドーパントを共蒸着することによって、発光層を共通化して黄色発光を実現する態様が挙げられる。
【００５６】
上記発光層は、複数の発光層を積層した積層体とすることで、発光層界面に電子と正孔を蓄積させて、再結合領域を発光層界面に集中させて、量子効率を向上させることができる。
発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔と電子の移動度で表される正孔輸送能と電子輸送能が異なっていてもよい。
【００５７】
発光層は、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等の公知の方法により形成することができる。また、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かした溶液をスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
【００５８】
ドーパント材料としては、公知の蛍光型発光を示す蛍光ドーパント又は燐光型発光を示す燐光ドーパントから選ばれる。
蛍光ドーパントとしては、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、硼素錯体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、クリセン誘導体等から選ばれる。好ましくは、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、硼素錯体が挙げられる。
【００５９】
発光層を形成する燐光ドーパント（燐光発光材料）は三重項励状態から発光することのできる化合物であり、三重項励状態から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｅ及びＲｕから選択される少なくとも一つの金属と配位子とを含む有機金属錯体であることが好ましい。前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、Ｉｒ，Ｏｓ及びＰｔから選ばれる金属原子を含有する金属錯体が好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体、特にオルトメタル化錯体がより好ましく、イリジウム錯体及び白金錯体がさらに好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が特に好ましい。
【００６０】
燐光ドーパントの発光層における含有量は特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。燐光ドーパントの含有量が０．１質量％以上であると十分な発光が得られ、７０質量％以下であると濃度消光を避けることができる。
【００６１】
燐光ドーパントとして好ましい有機金属錯体の具体例を、以下に示す。
【化１３】
2014087657.tif 000015
【００６２】
【化１４】
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【００６３】
【化１５】
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【００６４】
【化１６】
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【００６５】
燐光ホストは、燐光ドーパントの三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることにより、燐光ドーパントを効率的に発光させる機能を有する化合物である。本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料は燐光ホストとして好適である。発光層は、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料を１種含有していてもよく、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料を２種以上含有していてもよい。
【００６６】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料を発光層のホスト材料として用いる場合、発光層に含まれる燐光ドーパント材料の発光波長は特に限定されない。なかでも、発光層に含まれる前記燐光ドーパント材料のうち少なくとも１種は、発光波長のピークが４９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下であることが好ましく、４９０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であることがより好ましい。発光層の発光色としては、例えば、赤色、黄色、緑色が好ましい。ホスト材料として本発明の一形態に係る化合物を用い、このような発光波長の燐光ドーパント材料をドープして発光層を構成することにより、長寿命な有機ＥＬ素子とすることができる。
【００６７】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子において、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料以外の化合物も、燐光ホストとして、上記目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料とそれ以外の化合物を同一の発光層内の燐光ホスト材料として併用してもよいし、複数の発光層がある場合には、そのうちの一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料を用い、別の一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を用いてもよい。また、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料は発光層以外の有機層にも使用しうるものであり、その場合には発光層の燐光ホストとして、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を用いてもよい。
【００６８】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料以外の化合物で、燐光ホストとして好適な化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。燐光ホストは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
【００６９】
【化１７】
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【００７０】
発光層が、第１ホスト材料と第２ホスト材料とを含有する場合、第１ホスト材料として本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料を用い、第２ホスト材料として本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を用いてもよい。尚、本発明における「第１ホスト材料」及び「第２ホスト材料」という用語は、発光層に含有されている複数のホスト材料が、互いに構造が異なるという意味であり、発光層中の各ホスト材料の含有量で規定されるものではない。
前記第２ホスト材料としては、特に限定されず、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料以外の化合物であり、かつ燐光ホストとして好適な化合物として前記した化合物と同じものが挙げられる。第２ホスト材料としては、シアノ基を有さない化合物が好ましい。また、第２ホストとしては、カルバゾール誘導体、アリールアミン誘導体、フルオレノン誘導体、芳香族第三アミン化合物が好ましい。
【００７１】
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、さらに好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ以上であると発光層の形成が容易であり、５０ｎｍ以下であると駆動電圧の上昇が避けられる。
【００７２】
（電子供与性ドーパント）
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、陰極と発光ユニットとの界面領域に電子供与性ドーパントを有することも好ましい。このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。ここで、電子供与性ドーパントとは、仕事関数３．８ｅＶ以下の金属を含有するものをいい、その具体例としては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
【００７３】
アルカリ金属としては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。アルカリ土類金属としては、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０ｅＶ〜２．５ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。希土類金属としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
【００７４】
アルカリ金属化合物としては、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＮａＦが好ましい。アルカリ土類金属化合物としては、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。希土類金属化合物としては、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＳｃＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＧｄＦ３、ＴｂＦ３等が挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【００７５】
アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００７６】
電子供与性ドーパントの添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成すると好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する有機化合物（発光材料や電子注入材料）を同時に蒸着させ、有機化合物に電子供与性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で有機化合物：電子供与性ドーパント＝１００：１〜１：１００、好ましくは５：１〜１：５である。
【００７７】
電子供与性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ〜１５ｎｍで形成する。電子供与性ドーパントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ〜１ｎｍで形成する。
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子における、主成分と電子供与性ドーパントの割合は、モル比で主成分：電子供与性ドーパント＝５：１〜１：５であると好ましく、２：１〜１：２であるとさらに好ましい。
【００７８】
（電子輸送層）
電子輸送層は、発光層と陰極との間に形成される有機層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有する。電子輸送層が複数層で構成される場合、陰極に近い有機層を電子注入層と定義することがある。電子注入層は、陰極から電子を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。
【００７９】
電子輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましい。
この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式（Ａ）で表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。
【００８０】
【化１８】
2014087657.tif 000020
【００８１】
含窒素環金属キレート錯体である式（Ａ）におけるＲ２〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数１〜４０の炭化水素基、炭素数１〜４０のアルコキシ基、炭素数数６〜５０のアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、又は、環形成炭素数５〜５０の芳香族複素環基であり、これらは置換されていてもよい。
【００８２】
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
置換されていてもよいアミノ基の例としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基が挙げられる。
アルキルアミノ基及びアラルキルアミノ基は−ＮＱ１Ｑ２と表される。Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアラルキル基を表す。Ｑ１及びＱ２の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。
アリールアミノ基は−ＮＡｒ１Ａｒ２と表され、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、炭素数６〜５０の非縮合芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ１及びＡｒ２の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。
【００８３】
炭素数１〜４０の炭化水素基はアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基を含む。
アルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹ’と表され、Ｙ’は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）又はインジウム（Ｉｎ）であり、Ｉｎであると好ましい。
Ｌは、下記式（Ａ’）又は（Ａ”）で表される基である。
【００８４】
【化１９】
2014087657.tif 000021
【００８５】
式（Ａ’）中、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。また、前記式（Ａ”）中、Ｒ１３〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。
【００８６】
式（Ａ’）及び式（Ａ”）のＲ８〜Ｒ１２及びＲ１３〜Ｒ２７が示す炭素数１〜４０の炭化水素基は、含窒素環金属キレート錯体である前記式（Ａ）中のＲ２〜Ｒ７が示す炭化水素基と同様である。また、Ｒ８〜Ｒ１２及びＲ１３〜Ｒ２７の互いに隣接する基が環状構造を形成した場合の２価の基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−２，２’−ジイル基、ジフェニルエタン−３，３’−ジイル基、ジフェニルプロパン−４，４’−ジイル基等が挙げられる。
【００８７】
電子輸送層に用いられる電子伝達性化合物としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記のものを挙げることができる。
【００８８】
【化２０】
2014087657.tif 000022
【００８９】
前記式中、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９、Ａｒ２１、Ａｒ２２及びＡｒ２５は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ａｒ１７とＡｒ１８、Ａｒ１９とＡｒ２１、Ａｒ２２とＡｒ２５は、たがいに同一でも異なっていてもよい。芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。これらの置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。
【００９０】
Ａｒ２０、Ａｒ２３及びＡｒ２４は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の２価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ａｒ２３とＡｒ２４は、たがいに同一でも異なっていてもよい。２価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。これらの置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。
【００９１】
これらの電子伝達性化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。そして、これら電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。
【００９２】
【化２１】
2014087657.tif 000023
【００９３】
電子伝達性化合物としての含窒素複素環誘導体は、以下の式を有する有機化合物からなる含窒素複素環誘導体であって、金属錯体でない含窒素化合物が挙げられる。例えば、下記式（Ｂ）に示す骨格を含有する５員環もしくは６員環や、下記式（Ｃ）に示す構造のものが挙げられる。
【００９４】
【化２２】
2014087657.tif 000024
【００９５】
前記式（Ｃ）中、Ｘは炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１ならびにＺ２は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。
【００９６】
含窒素複素環誘導体は、さらに好ましくは、５員環もしくは６員環からなる含窒素芳香多環族を有する有機化合物である。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記式（Ｂ）と（Ｃ）もしくは上記式（Ｂ）と下記式（Ｄ）を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物が好ましい。
【００９７】
【化２３】
2014087657.tif 000025
【００９８】
前記の含窒素芳香多環有機化合物の含窒素基は、例えば、以下の式で表される含窒素複素環基から選択される。
【００９９】
【化２４】
2014087657.tif 000026
【０１００】
前記各式中、Ｒは、炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、炭素数１〜２０のアルキル基、又は炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲは互いに同一又は異なっていてもよい。
【０１０１】
さらに、好ましい具体的な化合物として、下記式（Ｄ１）で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。
ＨＡｒ−Ｌ１−Ａｒ１−Ａｒ２    （Ｄ１）
前記式（Ｄ１）中、ＨＡｒは、置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の含窒素複素環基であり、Ｌ１は単結合、置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基であり、Ａｒ１は置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ２は置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。
【０１０２】
ＨＡｒは、例えば、下記の群から選択される。
【化２５】
2014087657.tif 000027
【０１０３】
前記式（Ｄ１）におけるＬ１は、例えば、下記の群から選択される。
【化２６】
2014087657.tif 000028
【０１０４】
前記式（Ｄ１）におけるＡｒ１は、例えば、下記式（Ｄ２）、式（Ｄ３）のアリールアントラニル基から選択される。
【化２７】
2014087657.tif 000029
【０１０５】
前記式（Ｄ２）、式（Ｄ３）中、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基であり、Ａｒ３は、置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。また、Ｒ１〜Ｒ８は、いずれも水素原子又は重水素原子である含窒素複素環誘導体であってもよい。
【０１０６】
前記式（Ｄ１）におけるＡｒ２は、例えば、下記の群から選択される。
【化２８】
2014087657.tif 000030
【０１０７】
電子伝達性化合物としての含窒素芳香多環有機化合物には、この他、下記の化合物も好適に用いられる。
【０１０８】
【化２９】
2014087657.tif 000031
【０１０９】
前記式（Ｄ４）中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０の脂肪族基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０の脂肪族式環基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０の複素環基を表し、Ｘ１、Ｘ２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、又はジシアノメチレン基を表す。
【０１１０】
また、電子伝達性化合物として、下記の化合物も好適に用いられる。
【化３０】
2014087657.tif 000032
【０１１１】
前記式（Ｄ５）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は互いに同一の又は異なる基であって、下記式（Ｄ６）で表される芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基である。
【化３１】
2014087657.tif 000033
【０１１２】
前記式（Ｄ６）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は互いに同一又は異なる基であって、水素原子、重水素原子、飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０のアルコキシル基、飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０のアルキル基、アミノ基、又は炭素数１〜２０のアルキルアミノ基である。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９の少なくとも１つは水素原子、重水素原子以外の基である。
【０１１３】
さらに、電子伝達性化合物は、該含窒素複素環基又は含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。
【０１１４】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の電子輸送層は、下記式（Ｅ）〜（Ｇ）で表される含窒素複素環誘導体を少なくとも１種含むことが特に好ましい。
【化３２】
2014087657.tif 000034
【０１１５】
（式（Ｅ）〜式（Ｇ）中、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。
【０１１６】
ｎは、０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する２つのＲ１同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の炭化水素環を形成していてもよい。
Ａｒ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ａｒ２は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
【０１１７】
但し、Ａｒ１、Ａｒ２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合芳香族炭化水素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０の縮合芳香族複素環基である。
Ａｒ３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０の２価の縮合芳香族複素環基である。）
【０１１８】
環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基としては、ピローリル基、フリル基、チエニル基、シローリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、べンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、セレノフェニル基、オキサジアゾリル基、トリアゾーリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリミジニル基等が挙げられる。
【０１１９】
炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基等が挙げられる。
炭素数１〜２０のハロアルキル基としては、前記アルキル基の１又は２以上の水素原子をフッ素、塩素、ヨウ素及び臭素から選ばれる少なくとも１のハロゲン原子で置換して得られる基が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、前記アルキル基をアルキル部位としては有する基が挙げられる。
環形成炭素数６〜５０のアリーレン基としては、前記アリール基から水素原子１個を除去して得られる基が挙げられる。
環形成原子数９〜５０の２価の縮合芳香族複素環基としては、前記ヘテロアリール基として記載した縮合芳香族複素環基から水素原子１個を除去して得られる基が挙げられる。
【０１２０】
電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍである。
また、電子輸送層に隣接して設けることができる電子注入層の構成成分として、含窒素環誘導体の他に無機化合物として、絶縁体又は半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
【０１２１】
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【０１２２】
また、半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
【０１２３】
このような絶縁体又は半導体を使用する場合、その層の好ましい厚みは、０．１ｎｍ〜１５ｎｍ程度である。また、本発明における電子注入層は、前述の電子供与性ドーパントを含有していても好ましい。
【０１２４】
（正孔輸送層）
発光層と陽極との間に形成される有機層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有する。正孔輸送層が複数層で構成される場合、陽極に近い有機層を正孔注入層と定義することがある。正孔注入層は、陽極から正孔を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。
【０１２５】
正孔輸送層を形成する他の材料としては、芳香族アミン化合物、例えば、下記式（Ｈ）で表される芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。
【化３３】
2014087657.tif 000035
【０１２６】
前記式（Ｈ）において、Ａｒ１〜Ａｒ４は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、又は、それら芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基と芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基が結合した基を表す。
また、前記式（Ｈ）において、Ｌは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基を表す。
【０１２７】
式（Ｈ）の化合物の具体例を以下に記す。
【化３４】
2014087657.tif 000036
【０１２８】
また、下記式（Ｊ）の芳香族アミンも正孔輸送層の形成に好適に用いられる。
【０１２９】
【化３５】
2014087657.tif 000037
【０１３０】
前記式（Ｊ）において、Ａｒ１〜Ａｒ３の定義は前記式（Ｈ）のＡｒ１〜Ａｒ４の定義と同様である。以下に式（Ｊ）の化合物の具体例を記すがこれらに限定されるものではない。
【０１３１】
【化３６】
2014087657.tif 000038
【０１３２】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）の２層構造にしてもよい。
正孔輸送層の膜厚は特に限定されないが、１０〜２００ｎｍであるのが好ましい。
【０１３３】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子では、正孔輸送層又は第１正孔輸送層の陽極側にアクセプター材料を含有する層を接合してもよい。これにより駆動電圧の低下及び製造コストの低減が期待される。
前記アクセプター材料としては下記式（Ｋ）で表される化合物が好ましい。
【０１３４】
【化３７】
2014087657.tif 000039
【０１３５】
（上記式（Ｋ）中、Ｒ２１〜Ｒ２６は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ２７（Ｒ２７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表す。ただし、Ｒ２１及びＲ２２、Ｒ２３及びＲ２４、並びにＲ２５及びＲ２６の１又は２以上の対が一緒になって−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を形成してもよい。）
Ｒ２７としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アクセプター材料を含有する層の膜厚は特に限定されないが、５〜２０ｎｍであるのが好ましい。
【０１３６】
（ｎ／ｐドーピング）
上述の正孔輸送層や電子輸送層においては、特許第３６９５７１４号明細書に記載されているように、ドナー性材料のドーピング（ｎ）やアクセプター性材料のドーピング（ｐ）により、キャリア注入能を調整することができる。
ｎドーピングの代表例としては、電子輸送材料にＬｉやＣｓ等の金属をドーピングする方法が挙げられ、ｐドーピングの代表例としては、正孔輸送材料にＦ４ＴＣＮＱ（２，３，５，６−Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−７，７，８，８−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）等のアクセプター材料をドーピングする方法が挙げられる。
【０１３７】
（スペース層）
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
【０１３８】
（障壁層）
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層に隣接する部分に、電子障壁層、正孔障壁層、トリプレット障壁層といった障壁層を有することが好ましい。ここで、電子障壁層とは、発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔障壁層とは、発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。
トリプレット障壁層は、発光層で生成する三重項励起子が、周辺の層へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の発光ドーパント以外の電子輸送層の分子上でのエネルギー失活を抑制する機能を有する。
【０１３９】
トリプレット障壁層を設ける場合、燐光素子においては、発光層中の燐光発光性ドーパントの三重項エネルギーをＥＴｄ、トリプレット障壁層として用いる化合物の三重項エネルギーをＥＴＴＢとすると、ＥＴｄ＜ＥＴＴＢのエネルギー大小関係であれば、エネルギー関係上、燐光発光性ドーパントの三重項励起子が閉じ込められ（他分子へ移動できなくなり）、該ドーパント上で発光する以外のエネルギー失活経路が断たれ、高効率に発光することができると推測される。ただし、ＥＴｄ＜ＥＴＴＢの関係が成り立つ場合であってもこのエネルギー差ΔＥＴ＝ＥＴＴＢ−ＥＴｄが小さい場合には、実際の素子駆動環境である室温程度の環境下では、周辺の熱エネルギーにより吸熱的にこのエネルギー差ΔＥＴを乗り越えて三重項励起子が他分子へ移動することが可能であると考えられる。特に燐光発光の場合は蛍光発光に比べて励起子寿命が長いため、相対的に吸熱的励起子移動過程の影響が現れやすくなる。室温の熱エネルギーに対してこのエネルギー差ΔＥＴは大きい程好ましく、０．１ｅＶ以上であるとさらに好ましく、０．２ｅＶ以上であると特に好ましい。一方、蛍光素子においては、国際公開ＷＯ２０１０／１３４３５０Ａ１に記載するＴＴＦ素子構成のトリプレット障壁層として、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子用材料を用いることもできる。
【０１４０】
また、トリプレット障壁層を構成する材料の電子移動度は、電界強度０．０４〜０．５ＭＶ／ｃｍの範囲において、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが望ましい。有機材料の電子移動度の測定方法としては、Ｔｉｍｅ  ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ法等幾つかの方法が知られているが、ここではインピーダンス分光法で決定される電子移動度をいう。
電子注入層は、電界強度０．０４〜０．５ＭＶ／ｃｍの範囲において、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが望ましい。これにより陰極からの電子輸送層への電子注入が促進され、ひいては隣接する障壁層、発光層への電子注入も促進し、より低電圧での駆動を可能にするためである。
【０１４１】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品；テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置；及び照明、車両用灯具等の発光装置等の電子機器に使用できる。
【実施例】
【０１４２】
実施例１
【化３８】
2014087657.tif 000040
アルゴン雰囲気下、５００ｍＬ三口フラスコに、２，４，６−トリクロロピリミジン（５ｇ、２７．３ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（６．７ｇ、５４．９ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１．２６ｇ、１．０９ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、１００ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（８２ｍＬ，１６４ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ａ）（５．６ｇ，収率７６．９％）を得た。【０１４３】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ａ）（５．３ｇ、２０ｍｍｏｌ）、３−ブロモカルバゾール（５．１７ｇ、２１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．３２ｇ、２４ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、５０ｍＬ）を加え８時間、１００℃で加熱還流した。室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｂ）（９．３ｇ，収率９７．６％）を得た。【０１４４】
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｂ）（２．４ｇ、５ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミノフェニルボロン酸（１．４ｇ、５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１２０ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、１０ｍＬ）、トルエン（１０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（７．５ｍＬ，１５ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物Ｈ−１（２．１ｇ，収率６５．５％）を得た。
得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳ分析を行った。分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．５％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４６Ｈ３２Ｎ４＝６４０．７７
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝６４１（Ｍ＋１００）【０１４５】
実施例２
【化３９】
2014087657.tif 000041
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｂ）（６．９ｇ、１４．５ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸（２．３８ｇ、１５．２ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（３３５ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、３０ｍＬ）、トルエン（３０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２ｍＬ，４４ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｃ）（６．５６ｇ，収率８９．１％）を得た。【０１４６】
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｃ）（２ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、ビスビフェニルアミン（１．２５ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（７１ｍｇ、０．０７８ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（８７ｍｇ、０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．５２ｇ、５．５ｍｍｏｌ）、無水キシレン（２０ｍＬ）を順次加えて８時間加熱還流した。【０１４７】
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−２（２ｇ，収率６４．７％）を得た。
得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳ分析を行った。分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．６％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５８Ｈ４０Ｎ４＝７９２．９６、
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７９３（Ｍ＋１００）【０１４８】
実施例３
【化４０】
2014087657.tif 000042
アルゴン雰囲気下、５００ｍＬ三口フラスコに、２，４，６−トリクロロトリアジン（４７．２ｇ、２５６ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ、４７０ｍｌ）を投入し、反応液の温度を２０〜４０℃に保ちながら、１Ｍ−フェニルマグネシウムブロマイド（６４０ｍｌ、６４０ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、１６時間撹拌した。次いで、反応液を５〜１５℃に保ちながら、イオン交換水１５０ｍｌを滴下した。酢酸エチルを用いて反応物を抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去したのち得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｄ）（２２．７ｇ，収率３３％）を得た。【０１４９】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｄ）（５．３ｇ、２０ｍｍｏｌ）、３−ブロモカルバゾール（５．１７ｇ、２１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．３２ｇ、２４ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、５０ｍＬ）を加え８時間、１００℃で加熱還流した。室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｅ）（８．９ｇ，収率９３．２％）を得た。【０１５０】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｅ）（６．９ｇ、１４．５ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸（２．３８ｇ、１５．２ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（３３５ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、３０ｍＬ）、トルエン（３０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２ｍＬ，４４ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｆ）（６．４５ｇ，収率８７．４％）を得た。【０１５１】
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｆ）（２ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、ビスビフェニルアミン（１．３ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（７１ｍｇ、０．０７８ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０９ｇ、０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．５２ｇ、５．５ｍｍｏｌ）、無水キシレン（２０ｍＬ）を順次加えて８時間加熱還流した。【０１５２】
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−３（２．３ｇ，収率７４．３％）を得た。
得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳ分析を行った。分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．５％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５７Ｈ３９Ｎ５＝７９３．９５、
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７９４（Ｍ＋１００）【０１５３】
実施例４
【化４１】
2014087657.tif 000043
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｅ）（６．９ｇ、１４．５ｍｍｏｌ）、３−クロロフェニルボロン酸（２．３８ｇ、１５．２ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（３３５ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、３０ｍＬ）、トルエン（３０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２ｍＬ，４４ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｇ）（６．３ｇ，収率８５．４％）を得た。【０１５４】
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｇ）（２ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、ビスビフェニルアミン（１．３ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（７１ｍｇ、０．０７８ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０９ｇ、０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．５２ｇ、５．５ｍｍｏｌ）、無水キシレン（２０ｍＬ）を順次加えて８時間加熱還流した。【０１５５】
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−４（２．２ｇ，収率７１．１％）を得た。
得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳ分析を行った。分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．５％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５７Ｈ３９Ｎ５＝７９３．９５、
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７９４（Ｍ＋１００）【０１５６】
実施例５
【化４２】
2014087657.tif 000044
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ａ）（５．６ｇ、２１ｍｍｏｌ）、２−ブロモカルバゾール（５．４３ｇ、２２．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．４８ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、５０ｍＬ）を加え８時間、１００℃で加熱還流した。室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｈ）（９．０ｇ，収率９０％）を得た。【０１５７】
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｈ）（２．４ｇ、５ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミノフェニルボロン酸（１．４ｇ、５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１２０ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、１０ｍＬ）、トルエン（１０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（７．５ｍＬ，１５ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物Ｈ−５（２．０ｇ，収率６２．４％）を得た。
得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳ分析を行った。分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．７％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４６Ｈ３２Ｎ４＝６４０．７７
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝６４１（Ｍ＋１００）【０１５８】
実施例６
【化４３】
2014087657.tif 000045
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｈ）（６．６ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸（２．２８ｇ、１４．６ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（３２３ｍｇ、０．２８ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、３０ｍＬ）、トルエン（３０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２ｍＬ，４４ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｉ）（６．４ｇ，収率９０．６％）を得た。【０１５９】
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｉ）（２ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、ビスビフェニルアミン（１．３ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（７０ｍｇ、０．０７８ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０９ｇ、０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．５２ｇ、５．５ｍｍｏｌ）、無水キシレン（２０ｍＬ）を順次加えて８時間加熱還流した。【０１６０】
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−６（２．１ｇ，収率６７．９％）を得た。
得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳ分析を行った。分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．６％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５８Ｈ４０Ｎ４＝７９２．９６、
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７９３（Ｍ＋１００）【０１６１】
実施例７
【化４４】
2014087657.tif 000046
アルゴン雰囲気下、５００ｍＬ三口フラスコに、２，４，６−トリクロロトリアジン（４７．２ｇ、２５６ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ、４７０ｍｌ）を投入し、反応液の温度を２０〜４０℃に保ちながら、１Ｍ−ビフェニルマグネシウムブロマイド（６４０ｍｌ、６４０ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、１６時間撹拌した。次いで、反応液を５〜１５℃に保ちながら、イオン交換水１５０ｍｌを滴下した。酢酸エチルを用いて反応物を抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｊ）（３２．７ｇ，収率３０％）を得た。【０１６２】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｊ）（５．６ｇ、２１ｍｍｏｌ）、２−ブロモカルバゾール（５．４３ｇ、２２．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．４８ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、５０ｍＬ）を加え８時間、１００℃で加熱還流した。室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体（ｋ）（１０．９ｇ，収率８２．４％）を得た。【０１６３】
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三口フラスコに、中間体（ｋ）（３．１５ｇ、５ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミノフェニルボロン酸（１．４ｇ、５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１２０ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ、１０ｍＬ）、トルエン（１０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（７．５ｍＬ，１５ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧留去した後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物Ｈ−７（２．１ｇ，収率５２．９％）を得た。
得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳ分析を行った。分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．５％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５７Ｈ３９Ｎ５＝７９３．９５
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７９４（Ｍ＋【０１６４】
実施例８（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記電子受容性化合物（Ｃ−１）を蒸着し、膜厚５ｎｍのＣ−１膜を成膜した。このＣ−１膜上に、第１正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体（Ｘ１）を蒸着し、膜厚５０ｎｍの第１正孔輸送層を成膜した。第１正孔輸送層の成膜に続けて、第２正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体（Ｘ２）を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を成膜した。【０１６５】
さらに、この第２正孔輸送層上に、上記実施例１で得た芳香族アミン誘導体（Ｈ−１）を蒸着し、膜厚４５ｎｍの発光層を成膜した。同時に燐光発光材料として下記化合物（Ｄ３）を共蒸着した。化合物Ｄ３の濃度は８．０質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
そして、この発光層成膜に続けて下記化合物（ＥＴ２）を膜厚３０ｎｍで成膜した。このＥＴ１膜は電子輸送層として機能する。【０１６６】
次に、ＬｉＦを電子注入性電極（陰極）として成膜速度０．１オングストレーム／ｍｉｎで膜厚を１ｎｍとした。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着させ、金属陰極を膜厚８０ｎｍで形成し有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表１に示す。【０１６７】
【化４５】
2014087657.tif 000047
【０１６８】
実施例９〜１２、比較例１〜３
発光層材料として、Ｈ−１の代わりに表１に記載の化合物を用いた他は、実施例８と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。
尚、比較例１〜３で用いた化合物は以下の通りである。
【化４６】
2014087657.tif 000048
【０１６９】
【表１】
2014087657.tif 000049
【０１７０】
表１より、本発明の芳香族アミン誘導体を発光層に用いた有機ＥＬは、比較例に比べ、高い発光効率が得られた。尚、比較例１では電子輸送材料の発光を観測した。これは、比較化合物の正孔輸送性が大きく、正孔が発光層から電子輸送層に注入されたことが原因と考えられる。【０１７１】
実施例１３
【化４７】
2014087657.tif 000050
【０１７２】
実施例１の中間体（ａ）の合成において、２，４，６−トリクロロピリミジンの代わりに３−ブロモカルバゾールを用い、フェニルボロン酸の代わりにジフェニルアミノフェニルボロン酸を用いた他は同様にして、中間体（ｌ）を合成した。
得られた中間体（ｌ）は、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により同定した。【０１７３】
実施例１の化合物Ｈ−１の合成において、中間体（ｂ）の代わりに４−（４−ブロモフェニル）―２，６−ジフェニルピリミジンを用い、ジフェニルアミノフェニルボロン酸の代わりに中間体（ｌ）を用いた他は同様にして、化合物Ｈ−８を合成した。
得られた化合物Ｈ−８は、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により同定した。結果を以下に示す。
ＦＤＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５２Ｈ３６Ｎ４＝７１６
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７１６（Ｍ＋）【０１７４】
実施例１４
【化４８】
2014087657.tif 000051
実施例１のＨ−１の合成において、中間体（ｂ）の代わりに６−ビフェニル−４−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルピリミジンを用い、ジフェニルアミノフェニルボロン酸の代わりに中間体（ｌ）を用いた他は同様にして、化合物Ｈ−９を合成した。
得られた化合物Ｈ−９は、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により同定した。結果を以下に示す。
ＦＤＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５８Ｈ４０Ｎ４＝７９２
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７９２  （Ｍ＋）【０１７５】
実施例１５
【化４９】
2014087657.tif 000052
実施例１のＨ−１の合成において、中間体（ｂ）の代わりに２−（４−ブロモフェニル）ー４、６−ジフェニルトリアジンを用い、ジフェニルアミノフェニルボロン酸の代わりに中間体（ｌ）を用いた他は同様にして、化合物Ｈ−１０を合成した。
得られた化合物Ｈ−１０は、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により同定した。結果を以下に示す。
ＦＤＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５１Ｈ３５Ｎ５＝７１７，
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７１７  （Ｍ＋）【０１７６】
実施例１６
【化５０】
2014087657.tif 000053
実施例１のＨ−１の合成において、中間体（ｂ）の代わりに２−（３−ブロモフェニル）−４、６−ジフェニルトリアジンを用い、ジフェニルアミノフェニルボロン酸の代わりに中間体（ｌ）を用いた他は同様にして、化合物Ｈ−１１を合成した。
得られた化合物Ｈ−１１は、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により同定した。結果を以下に示す。
ＦＤＭＳ：ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５１Ｈ３５Ｎ５＝７１７
ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝７１７  （Ｍ＋）【０１７７】
実施例１７（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記化合物（ＨＩ−１）を蒸着して膜厚５ｎｍのＨＩ−１膜を成膜し、正孔注入層を形成した。
次に、この正孔注入層上に、第１正孔輸送材料として下記化合物ＨＴ−１を蒸着して膜厚８０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、第１正孔輸送層を形成した。
次に、この第１正孔輸送層上に、下記化合物ＨＴ−２を蒸着して膜厚１５ｎｍのＨＴ−２膜を成膜し、第２正孔輸送層を形成した。
次に、この第２正孔輸送層上に、化合物ＢＨ−１（ホスト材料）とＢＤ−１（ドーパント材料）を共蒸着し、膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を成膜した。化合物ＢＤ−１の濃度は５．０質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
次に、この発光層の上に、調製した化合物Ｈ−３を蒸着して膜厚２０ｎｍのＨ−３膜を成膜し、第１電子輸送層を形成した。
次に、この第１電子輸送層の上に、下記化合物ＥＴ−２を蒸着して膜厚５ｎｍのＥＴ−２膜を成膜し、第２電子輸送層を形成した。
次に、この第２電子輸送層上に、ＬｉＦを成膜速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着して，膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。【０１７８】
有機ＥＬ素子の作製に使用した材料を以下に示す。
【化５１】
2014087657.tif 000054
【０１７９】
（有機ＥＬ素子の評価）
得られた有機ＥＬ素子の室温及びＤＣ定電流駆動（電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２）での発光効率を測定した。さらに、ＤＣ定電流駆動（電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２）における８０％寿命（定電流駆動で、輝度が初期輝度の８０％まで低下するまでの時間）を求めた。結果を表２に示す。【０１８０】
実施例１８及び比較例４
第１電子輸送層の材料として、化合物Ｈ−３の代わりに表２に記載の化合物を用いた他は、実施例１７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表２に示す。
尚、表２中の化合物Ｈ−１１は、実施例１６で調製した化合物であり、化合物Ｅｘｐ４は、下記化合物である。
【化５２】
2014087657.tif 000055
【０１８１】
【表２】
2014087657.tif 000056
【産業上の利用可能性】
【０１８２】
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。【０１８３】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
【図１】
2014087657.tif 000060
【国際調査報告】
2014087657.tif 000061
2014087657.tif 000062
2014087657.tif 000063
2014087657.tif 000064
2014087657.tif 000065