(57)【要約】  本発明は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスを提供する。本発明の有機半導体組成物は、有機半導体材料と、一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基を少なくとも２つ以上を含む化合物Ｘ、並びに、一般式（Ｃ）で表される化合物Ｙのうち少なくともいずれか一方を含むマイグレーション防止剤と、を含む。2015016003.tif 000016
2015016003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料と、
一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基を少なくとも２つ以上を含む化合物Ｘ、並びに、一般式（Ｃ）で表される化合物Ｙのうち少なくともいずれか一方を含むマイグレーション防止剤と、を含む有機半導体組成物。
【化１】
2015016003.tif 000013
（一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は結合位置を示す。ただし、Ｒ1とＲ2とが両方とも水素原子になることはない。
一般式（Ｂ）中、Ｒ4は置換基を表す。Ｒ5〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｘは、２価の連結基を表す。＊は結合位置を示す。
一般式（Ｃ）中、Ｒ8およびＲ12は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ9〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−ＰＲ−、−ＰＯＲ−、−ＣＯＣＯ−、―ＮＨ−ＮＨ−または−Ｓ−Ｓ−を表す。Ｒは、水素原子または置換基を表す。）
【請求項２】
前記化合物Ｘおよび前記化合物Ｙの分子量が３０００以下である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
【請求項３】
前記マイグレーション防止剤が、一般式（Ｄ）で表される化合物である、請求項１または２に記載の有機半導体組成物。
一般式（Ｄ）      （Ｒｘ）ｎ−Ｌ−（Ｒｙ）ｍ
（一般式（Ｄ）中、Ｒｘは、一般式（Ｅ）で表される基、および、前記一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基である。ｎが２以上の場合、複数のＲｘは同一でも異なっていてもよい。
Ｒｙは、水素原子または置換基を表す。ｍが２以上の場合、複数のＲｙは同一でも異なっていてもよい。
Ｌは、ｎ＋ｍ価の連結基を表す。ｎは２〜６の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎ＋ｍ≦６を満たす。
一般式（Ｅ）中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、単結合または２価の連結基を表す。＊は結合位置を示す。ただし、Ｒ1とＲ2とが両方とも水素原子になることはない。）
【化２】
2015016003.tif 000014
【請求項４】
前記Ｌが、一般式（１）〜一般式（１０）で表される基からなる群から選択されるいずれか一つである、請求項３に記載の有機半導体組成物。なお、一般式（１０）中、Ｌ1は、単結合または２価の連結基を表す。＊は結合位置を示す。
【化３】
2015016003.tif 000015
【請求項５】
前記マイグレーション防止剤が前記化合物Ｘであり、
前記化合物Ｘ中に含まれる一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基の合計数が３以上である、請求項１または２に記載の有機半導体組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を使用して作製される有機半導体層。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を使用して作製される有機半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および、前記ゲート電極からなる群から選択される少なくとも１つが銀を含む、請求項７に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項７または８に記載の有機薄膜トランジスタを含む電子ペーパー。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体材料からなる有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機半導体デバイスが利用されている。
昨今、有機薄膜トランジスタへの期待が高まるなか、有機薄膜トランジスタには、移動度（特に電界効果移動度）の向上や安定性などが求められている。
このようななか、特許文献１には、有機半導体層の酸化劣化を低減するために、酸化防止剤を含有する組成物で有機半導体層を形成した有機薄膜トランジスタが開示されている。より具体的には、特許文献１の実施例欄においては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（長瀬産業社製：イルガノックス１０７６）や、２，２'−メチレンビス（６−tert−ブチル−ｐ−クレゾール（住友化学社製：スミライザーＭＤＰ−Ｓ）などが使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−５５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、近年、有機薄膜トランジスタの性能のより一層の向上が求められており、特に、移動度を低下させることなく、ソース電極／ドレイン電極間の絶縁信頼性をより一層向上させることが求められている。
本発明者らが特許文献１で具体的に開示される上述した酸化防止剤を含む組成物を用いて有機薄膜トランジスタを作製したところ、有機薄膜トランジスタの移動度、および／または、ソース電極／ドレイン電極間の絶縁信頼性は昨今求められるレベルを満たすものではないことが明らかとなった。【０００５】
そこで、本発明は、上記実情を鑑みて、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造式で表されるマイグレーション防止剤を有機半導体組成物に配合することで、所定の効果が得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。【０００７】
（１）  有機半導体材料と、
後述する一般式（Ａ）で表される基および後述する一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基を少なくとも２つ以上を含む化合物Ｘ、並びに、後述する一般式（Ｃ）で表される化合物Ｙのうち少なくともいずれか一方を含むマイグレーション防止剤と、を含む有機半導体組成物。
（２）  化合物Ｘおよび化合物Ｙの分子量が３０００以下である、（１）に記載の有機半導体組成物。
（３）  マイグレーション防止剤が、後述する一般式（Ｄ）で表される化合物である、（１）または（２）に記載の有機半導体組成物。
（４）  一般式（Ｄ）中のＬが、後述する一般式（１）〜一般式（１０）で表される基からなる群から選択されるいずれか一つである、（３）に記載の有機半導体組成物。
（５）  マイグレーション防止剤が化合物Ｘであり、
化合物Ｘ中に含まれる一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基の合計数が３以上である、（１）または（２）に記載の有機半導体組成物。
（６）  （１）〜（５）のいずれかに記載の有機半導体組成物を使用して作製される有機半導体層。
（７）  （１）〜（５）のいずれかに記載の有機半導体組成物を使用して作製される有機半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを含む有機薄膜トランジスタ。
（８）  ソース電極、ドレイン電極、および、ゲート電極からなる群から選択される少なくとも１つが銀を含む、（７）に記載の有機薄膜トランジスタ。
（９）  （７）または（８）に記載の有機薄膜トランジスタを含む電子ペーパー。
（１０）  （７）または（８）に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイデバイス。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
【図２】本発明の有機薄膜トランジスタの他の態様の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の有機半導体組成物（有機半導体用組成物。有機半導体層形成用組成物）および有機薄膜トランジスタ（有機半導体トランジスタ）の好適態様について説明する。
本発明の有機半導体組成物（以下、単に「組成物」とも称する。）は、有機半導体材料と、所定の化合物より選択されるマイグレーション防止剤（マイグレーション抑制剤）とを含有する。
本発明の従来技術と比較した特徴点は、所定の化合物より選択されるマイグレーション防止剤を使用している点が挙げられる。このマイグレーション防止剤を使用することにより、有機半導体層中におけるマイグレーション防止剤の分散性が向上するとともに、有機半導体の結晶化の阻害がより抑制され、結果として移動度と絶縁信頼性とが優れる有機薄膜トランジスタが得られる。
以下、組成物中に含まれる各成分について詳述する。まず、有機半導体材料について詳述し、その後マイグレーション防止剤について詳述する。
【００１１】
＜有機半導体材料＞
本発明の組成物に含有される有機半導体材料としては、有機薄膜トランジスタの有機半導体層として利用される、公知の材料が利用可能である。具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
【００１２】
＜マイグレーション防止剤＞
本発明の組成物に含有されるマイグレーション防止剤としては、以下の化合物Ｘおよび化合物Ｙから選択される化合物が挙げられる。
化合物Ｘ：一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基を少なくとも２つ以上を含む化合物
化合物Ｙ：一般式（Ｃ）で表される化合物
以下、式中の各基について説明する。
【００１３】
【化１】
2015016003.tif 000003
【００１４】
一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
【００１５】
さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
【００１６】
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
【００１７】
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
【００１８】
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００１９】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【００２０】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
【００２１】
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
【００２２】
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
【００２３】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
【００２４】
なお、本明細書において「置換基」とは上記の意味を表す。
【００２５】
なかでも、得られる有機薄膜トランジスタの移動度および／または絶縁信頼性がより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、または、アルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ3は水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
なお、Ｒ1とＲ2とが両方とも水素原子であることはない。
また、式中、＊は結合位置を示す。
【００２６】
一般式（Ｂ）中、Ｒ4は置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ4はアルキル基、または、アルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基がより好ましい。
Ｒ5〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ5およびＲ7は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
Ｒ6は水素原子、アルキル基、またはアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。
【００２７】
Ｘは、２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、炭素数１〜１２のアルキレン基。より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基など）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ20−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ20−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ3−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ2ＮＲ20−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、またはこれらを複数組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ20は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
＊は結合位置を示す。
【００２８】
一般式（Ｃ）中、Ｒ8およびＲ12は、それぞれ独立に、置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ8およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基またはアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ9〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ9〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
Ｒ9、Ｒ11、Ｒ13およびＲ15は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。Ｒ10およびＲ14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。
【００２９】
Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−ＰＲ−、−ＰＯＲ−、−ＣＯＣＯ−、−ＮＨＮＨ−または−Ｓ−Ｓ−を表す。
なお、Ｒは、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。Ｒとしては、水素原子またはアルキル基が好ましい。
【００３０】
化合物Ｘは、上述した一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基を少なくとも２つ以上を含み、本発明の効果がより優れる点で、３つ以上含むことが好ましく、４つ以上含むことがより好ましい。上限は特に制限されないが、合成上の点から、１２つ以下含むことが好ましく、６つ以下含むことがより好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、化合物Ｘには一般式（Ａ）で表される基が少なくとも含まれることが好ましく、特に、一般式（Ａ）で表される基が上記好適範囲の数含まれることがより好ましい。
【００３１】
化合物Ｘは、高分子化合物であっても低分子化合物であってもよい。例えば、高分子化合物としては、多分岐高分子（ハイパーブランチポリマー、デンドリマーなど）であってもよい。
化合物Ｘおよび化合物Ｙの分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、有機半導体材料の結晶性の点からは、３３０以上が好ましく、５００以上がより好ましい。
【００３２】
上記マイグレーション防止剤の好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式（Ｄ）で表される化合物が挙げられる。
一般式（Ｄ）      （Ｒｘ）ｎ−Ｌ−（Ｒｙ）ｍ
一般式（Ｄ）中、Ｒｘは、一般式（Ｅ）で表される基、および、一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基である。一般式（Ｂ）で表される基の定義は、上述の通りである。
一般式（Ｅ）で表される基中のＲ1〜Ｒ3の定義は、一般式（Ａ）で表される基中の各基の定義と同義である。
【００３３】
【化２】
2015016003.tif 000004
【００３４】
一般式（Ｅ）中、Ｙは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、上述したＸで表される２価の連結基の定義と同義である。なお、Ｙの好適態様としては、アルキレン基、アミド基、−Ｌ10−Ｌ11−Ｌ10−（Ｌ10：アルキレン基、Ｌ11：エステル基またはアミド基）が挙げられ、該アルキレン基には−Ｏ−が含まれていてもよい。
＊は結合位置を示す。ただし、Ｒ1とＲ2が両方とも水素原子になることはない。
また、ｎが２以上の場合、複数のＲｘは同一でも異なっていてもよい。
【００３５】
Ｒｙは、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｙは、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。ｍが２以上の場合、複数のＲｙは同一でも異なっていてもよい。
【００３６】
Ｌは、ｎ＋ｍ価の連結基を表す。例えば、ｎ＋ｍ＝２の場合は２価の連結基を、ｎ＋ｍ＝３の場合は３価の連結基を、ｎ＋ｍ＝４の場合は４価の連結基、ｎ＋ｍ＝５の場合は５価の連結基、および、ｎ＋ｍ＝６の場合は６価の連結基を表す。
Ｌの好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式（１）〜一般式（１０）で表される基からなる群から選択される基が挙げられる。＊は、結合位置を示す。
なお、一般式（１）、（２）、（８）および（９）の場合はｎ＋ｍ＝２（ｎは２、ｍは０）であり、一般式（３）〜（５）の場合はｎ＋ｍ＝３（ｎは２〜３、ｍは０〜１）であり、一般式（６）の場合はｎ＋ｍ＝４（ｎは２〜４、ｍは０〜２）であり、一般式（７）および（１０）の場合はｎ＋ｍ＝６（ｎは２〜６、ｍは０〜４）である。
なお、一般式（１０）中、Ｌ1は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、Ｘで表される２価の連結基の定義と同義である。
【００３７】
【化３】
2015016003.tif 000005
【００３８】
ｎは２〜６の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎ＋ｍ≦６を満たす。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ｎは２〜４の整数を表すことが好ましい。また、ｍは０〜２の整数を表すことが好ましく、ｍは０が好ましい。
ｎとｍとの関係の好適態様は、ｎは２〜４の整数を表し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎ＋ｍ≦４を満たす態様が挙げられる。
【００３９】
一般式（Ｄ）で表される化合物の分子量の好適態様は、上述した化合物Ｘの分子量の範囲が挙げられる。
【００４０】
本発明の組成物において、上述したマイグレーション防止剤の含有量は、特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、有機半導体材料１００質量部に対して、３０質量部以上であることが好ましく、５０質量部以上であることがより好ましく、６００質量部以下であることが好ましく、３００質量部以下であることがより好ましく、２００質量部以下であることがさらに好ましい。
【００４１】
上記マイグレーション防止剤としては、例えば、以下が例示される。
【００４２】
【化４】
2015016003.tif 000006
【００４３】
【化５】
2015016003.tif 000007
【００４４】
本発明の組成物は、形成される有機半導体層の均質性、結晶性の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。
溶媒としては特に制限されないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソールなどの芳香族化合物が好適に例示される。
【００４５】
本発明の組成物は、上述のとおり、優れた特性を示すため、有機薄膜トランジスタ、有機ＥＬおよび有機薄膜太陽電池の有機半導体層を形成する組成物として好適であり、なかでも、有機薄膜トランジスタの有機半導体層を形成する組成物として特に好適である。なお、有機薄膜トランジスタは、電子ペーパーまたはディスプレイデバイスに好適に利用される。
【００４６】
［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した本発明の組成物より形成される有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタである。なかでも、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
【００４７】
本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０側とは反対側の表面に接するソース電極４０およびドレイン電極４２と、ソース電極４０とドレイン電極４２との間のゲート絶縁膜３０の表面を覆う有機半導体膜５０と、各部材を覆う封止層６０とを備える。ここで、有機半導体層５０は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
【００４８】
以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層の態様、並びに、それぞれの形成方法について詳述する。
【００４９】
＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ、ＰＥＮ）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリフェニレンスルフォン樹脂など）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
【００５０】
＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
【００５１】
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００５２】
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
【００５３】
＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
【００５４】
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
【００５５】
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【００５６】
＜ソース電極、ドレイン電極＞
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、金であることがより好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜３０μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、１０〜２００μｍであることが好ましい。
【００５７】
＜有機半導体層＞
有機半導体層は、上述した本発明の有機半導体組成物を用いて形成した層である。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００５８】
有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、有機半導体組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【００５９】
＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
【００６０】
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
【００６１】
また、図２は、本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０上に配置された有機半導体膜５０と、有機半導体膜５０上に配置されたソース電極４０およびドレイン電極４２と、各部材を覆う封止層６０を備える。ここで、有機半導体層５０は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層については上述のとおりである。
【００６２】
上記では図１および２において、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの態様について詳述したが、本発明の組成物はトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにも適用できる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００６４】
後述する実施例および比較例においては、以下に例示する有機半導体材料およびマイグレーション防止剤を使用した。
（Ａ）有機半導体材料
「ａ−１」：ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
「ａ−２」：ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
「ａ−３」：ＰＢＴＴＴ−Ｃ１２（ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
「ａ−４」：Ｐ３ＨＴ（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
（Ｂ）マイグレーション防止剤
「ｂ−１」：ＩＲＧＡＮＯＸ−２４５（ＢＡＳＦ社製）
「ｂ−２」：ＩＲＧＡＮＯＸ−１０３５（ＢＡＳＦ社製）
「ｂ−３」：ＩＲＧＡＮＯＸ−１０１０（ＢＡＳＦ社製）
「ｂ−４」：特開２００５−２２７４４１の段落００２８に記載のＤＭ−２と同構造を有する第二世代ポリマー（Ｍｗ：１８００）。ただし、本件では上記ＤＭ−２中のＶ−１８の代わりに、Ｖ−１を使用した。
「ｂ−５」：特開２００５−２２７４４１の段落００３０に記載のＤＭ−４と同構造を有する第四世代ポリマー（Ｍｗ：７５００）
「ｂ−６」：ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６（ＢＡＳＦ社製）
「ｂ−７」：ＢＨＴ（２，６−ジ−tert−ブチル−ｐ−クレゾール、和光純薬社製）
「ｂ−８」：ＩＲＧＡＮＯＸ−１３３０（ＢＡＳＦ社製）
「ｂ−９」：ＩＲＧＡＮＯＸ−３１１４（ＢＡＳＦ社製）【００６５】
【化６】
2015016003.tif 000008
【００６６】
【化７】
2015016003.tif 000009
【００６７】
【化８】
2015016003.tif 000010
【００６８】
＜実施例１＞
（有機半導体組成物の調製）
上記有機半導体材料ａ−１と上記マイグレーション防止剤ｂ−１とをトルエンに溶解させて（有機半導体材料ａ−１／マイグレーション防止剤ｂ−１＝１００質量部／５０質量部（ｗ／ｗ）、有機半導体濃度：１．５質量％）、有機半導体組成物を調製した。得られた有機半導体組成物を組成物１とする。【００６９】
（有機薄膜トランジスタの作製（素子作製方法１））
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上に、ゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２５μｍ、チャネル幅１８０μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に上記組成物１をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機薄膜トランジスタ（ボトムコンタクト型）を得た。
本作製方法を素子作製方法１とする。【００７０】
＜移動度の評価＞
得られた有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。算出した電界効果移動度をμ１とする。
また、上記組成物１の調製と同様の手順に従って、マイグレーション防止剤を含有しない比較用組成物を調製した。次に、組成物１の代わりに上記比較用組成物を用いた以外は、実施例１の有機薄膜トランジスタの作製と同様の手順に従って、有機薄膜トランジスタを作製した。得られた有機薄膜トランジスタについて、上記μ１と同様の手順に従って、電界効果移動度を算出した。算出した電界効果移動度をμ２とする。
算出したμ１とμ２とからμ１／μ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。実用上、移動度の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：μ１／μ２≧０．８
「Ｂ」：０．８＞μ１／μ２≧０．５
「Ｃ」：０．５＞μ１／μ２≧０．１
「Ｄ」：０．１＞μ１／μ２【００７１】
＜絶縁信頼性の評価＞
得られた有機薄膜トランジスタについて、ＥＨＳ−２２１ＭＤ（エスペック社製）を用いて、以下の条件により寿命試験を行い、ソース電極／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ１とする。
・温度：６０℃
・湿度：ＲＨ６０％
・圧力：１．０ａｔｍ
・ドレイン電圧：−４０Ｖ
・ソース電極／ドレイン電極間電圧：２０Ｖ
また、上述した移動度の評価と同様の手順に従って、マイグレーション防止剤を含有しない比較用組成物を使用した有機薄膜トランジスタを作製した。得られた有機薄膜トランジスタについて、上記Ｔ１と同様の手順に従って、ソース電極／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ２とする。
算出したＴ１とＴ２からＴ１／Ｔ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。絶縁信頼性の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：Ｔ１／Ｔ２≧５
「Ｂ」：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２
「Ｃ」：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１
「Ｄ」：０．１≧Ｔ１／Ｔ２【００７２】
＜実施例２＞
上述した素子作製方法１の代わりに、以下の素子作製方法２を実施した以外は、実施例１と同様の手順で有機薄膜トランジスタを作製し、実施例１と同様の手順に従い、各種評価を行った。結果を表１にまとめて示す。【００７３】
（有機薄膜トランジスタの作製（素子作製方法２））
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング製）上に、ゲート電極となるＡｌを蒸着した（膜厚５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークし、膜厚４００ｎｍの絶縁膜を形成した。絶縁膜上に、調製した組成物１をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、膜厚１００ｎｍの有機半導体層を形成した。次に、有機半導体層上にＡｇをマスク蒸着し、チャネル長２５μｍ、チャネル幅１８０μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークし、膜厚２μｍの封止層を形成して、有機薄膜トランジスタ（トップコンタクト型）を作製した。本作製方法を素子作製方法２とする。【００７４】
＜実施例３〜１４、比較例１〜３＞
実施例３〜１４、比較例１〜３に関しては、有機半導体濃度および溶剤は組成物１と同様にして、有機半導体材料ａ−１〜ａ−４、マイグレーション防止剤ｂ−１〜ｂ−９を表１に記載の混合比で混合して、各組成物を調製した。
実施例３〜１４、比較例１〜３で得られた組成物を用いて、表１に示すように、素子作製方法１または素子作製方法２に従って、有機薄膜トランジスタを作製し、各種評価を実施した。結果を表１にまとめて示す。
なお、上記評価を実施する際、比較用組成物中の有機半導体材料として、実施例１〜４、１３〜１４ではａ−１を使用し、実施例５および６ではａ−２を使用し、実施例７および８ではａ−３を使用し、実施例９〜１２ではａ−４を使用した。【００７５】
なお、表１中「（Ａ）／（Ｂ）質量比」は、「（Ａ）有機半導体材料」と「（Ｂ）マイグレーション防止剤」との質量比を示す。【００７６】
【表１】
2015016003.tif 000011
【００７７】
【表２】
2015016003.tif 000012
【００７８】
上記表１に示すように、本発明の組成物を使用した場合は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させることができた。
なかでも、実施例３と４との比較から分かるように、一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基の合計数が３以上（好ましくは４以上）の場合、絶縁信頼性がより優れることが確認された。
また、実施例１１と実施例１２との比較からわかるように、分子量が３０００以下の場合、より移動度が優れることが確認された。
また、実施例５と６、実施例７と８、実施例９と１０との比較より、（Ａ）／（Ｂ）質量が２．０以下の場合、より発明の効果が優れることが確認された。
一方、特許文献１で具体的に開示されている酸化防止剤を使用した比較例１〜３においては、移動度および／または絶縁信頼性の点において、実施例より劣っていた。
【符号の説明】
【００７９】
１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
１００，２００：有機薄膜トランジスタ
【図１】
2015016003.tif 000017
【図２】
2015016003.tif 000018
【国際調査報告】
2015016003.tif 000019
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