(57)【要約】  透明導電層が視認されにくい透明導電層付き光学部材を提供する。  透明導電層付き光学部材１は、高屈折率誘電体層２１と、パターニングされた透明導電層２３と、低屈折率誘電体層２２とを備える。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．６５〜１．９５である。透明導電層２３は、高屈折率誘電体層２１の上に配されている。低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３と高屈折率誘電体層２１との間に配されている。低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３及び高屈折率誘電体層２１のそれぞれよりも屈折率が低い。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率が１．６５〜１．９５である高屈折率誘電体層と、
前記高屈折率誘電体層の上に配されており、パターニングされた透明導電層と、
前記透明導電層と前記高屈折率誘電体層との間に配されており、前記透明導電層及び前記高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い低屈折率誘電体層と、
を備える、透明導電層付き光学部材。
【請求項２】
さらに、前記透明導電層と前記低屈折率誘電体層との間に配されており、屈折率が１．６５以上である第２の高屈折率誘電体層と、
前記透明導電層と前記第２の高屈折率誘電体層との間に配されており、前記透明導電層、前記高屈折率誘電体層及び前記第２の高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い第２の低屈折率誘電体層と、
を備える、請求項１に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項３】
前記高屈折率誘電体層の屈折率が、前記第２の高屈折率誘電体層の屈折率以下である、請求項２に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項４】
前記高屈折率誘電体層及び／または前記第２の高屈折率誘電体層の厚みが１０ｎｍ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項５】
前記高屈折率誘電体層及び／または前記第２の高屈折率誘電体層の屈折率が１．７以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項６】
前記高屈折率誘電体層及び／または前記第２の高屈折率誘電体層が、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物からなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項７】
前記低屈折率誘電体層及び／または前記第２の低屈折率誘電体層の屈折率が１．６以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項８】
前記低屈折率誘電体層及び／または前記第２の低屈折率誘電体層が、酸化ケイ素からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項９】
前記低屈折率誘電体層及び／または前記第２の低屈折率誘電体層の厚みが１０ｎｍ以上である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項１０】
前記透明導電層の屈折率が、１．７〜２．２である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項１１】
前記透明導電層の厚みが、１５ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項１２】
前記高屈折率誘電体層、前記第２の高屈折率誘電体層、前記低屈折率誘電体層及び前記第２の低屈折率誘電体層のそれぞれの厚み及び屈折率は、前記高屈折率誘電体層、前記第２の高屈折率誘電体層、前記低屈折率誘電体層及び前記第２の低屈折率誘電体層が設けられていない場合と比べて、前記透明導電層が設けられた領域における光反射率と、前記透明導電層が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【請求項１３】
前記高屈折率誘電体層または前記第２の高屈折率誘電体層の上に、前記透明導電層を覆うように反射抑制層が配される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電層付き光学部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、タッチパネルなどに、パターニングされた透明導電層を有する光学フィルムが用いられている。このような光学フィルムには、パターニングされた透明導電層が視認され、タッチパネルの見栄えが悪くなるという問題がある。【０００３】
これに鑑み、特許文献１では、フィルム基材と透明導電層との間に、所定の屈折率及び厚みを有する第１及び第２の透明誘電体層を配することにより、透明導電層が設けられた部分と設けられていない部分とにおける反射率差を低減し、透明導電層が視認されにくくすることが提案されている。具体的には、特許文献１に記載の透明導電性フィルムでは、透明フィルム基材側から、第１の透明誘電体層と、第２の透明誘電体層と、透明導電層とがこの順番で形成されている。第１の透明誘電体層の屈折率ｎ１は、透明導電層の屈折率ｎ３よりも大きい。透明導電層の屈折率ｎ３は、第２の透明誘電体層の屈折率ｎ２よりも大きい。具体的には、ｎ１は、２．０〜２．３である。ｎ２は、１．４〜１．５である。ｎ３は、１．９〜２．１である。第１の透明誘電体層の厚みは、２ｎｍ〜１０ｎｍである。第２の透明誘電体層の厚みは、２０ｎｍ〜５５ｎｍである。透明導電層の厚みは、１５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４９６６９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
透明導電層がさらに視認されにくく、より優れた見栄えを実現したいという要望がある。【０００６】
本発明の主な目的は、透明導電層が視認されにくい透明導電層付き光学部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る透明導電層付き光学部材は、高屈折率誘電体層と、パターニングされた透明導電層と、低屈折率誘電体層とを備える。高屈折率誘電体層の屈折率は、１．６５〜１．９５である。透明導電層は、高屈折率誘電体層の上に配されている。低屈折率誘電体層は、透明導電層と高屈折率誘電体層との間に配されている。低屈折率誘電体層は、透明導電層及び高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い。【０００８】
本発明に係る透明導電層付き光学部材は、さらに、第２の高屈折率誘電体層と、第２の低屈折率誘電体層とを備えていてもよい。第２の高屈折率誘電体層は、透明導電層と低屈折率誘電体層との間に配されており、屈折率が１．６５以上である。第２の低屈折率誘電体層は、透明導電層と第２の高屈折率誘電体層との間に配されており、透明導電層、高屈折率誘電体層及び第２の高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い。【０００９】
高屈折率誘電体層の屈折率は、第２の高屈折率誘電体層の屈折率以下であることが好ましい。【００１０】
高屈折率誘電体層及び／または第２の高屈折率誘電体層の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましい。【００１１】
高屈折率誘電体層及び／または第２の高屈折率誘電体層の屈折率が１．７以上であることが好ましい。【００１２】
高屈折率誘電体層及び／または第２の高屈折率誘電体層が、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物からなるものであってもよい。【００１３】
低屈折率誘電体層及び／または第２の低屈折率誘電体層の屈折率が１．６以下であることが好ましい。【００１４】
低屈折率誘電体層及び／または第２の低屈折率誘電体層が、酸化ケイ素からなるものであってもよい。【００１５】
低屈折率誘電体層及び／または第２の低屈折率誘電体層の厚みが１０ｎｍ以上であることが好ましい。【００１６】
透明導電層の屈折率が、１．７〜２．２であることが好ましい。【００１７】
透明導電層の厚みが、１５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。【００１８】
高屈折率誘電体層、第２の高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層及び第２の低屈折率誘電体層のそれぞれの厚み及び屈折率は、高屈折率誘電体層、第２の高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層及び第２の低屈折率誘電体層が設けられていない場合と比べて、透明導電層が設けられた領域における光反射率と、透明導電層が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されていることが好ましい。【００１９】
本発明に係る透明導電層付き光学部材は、高屈折率誘電体層または第２の高屈折率誘電体層の上に、透明導電層を覆うように反射抑制層が配されるものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、透明導電層が視認されにくい透明導電層付き光学部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る透明導電層付き光学部材の略図的断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る透明導電層付き光学部材の使用態様の一例を表す略図的断面図である。
【図３】図３は、透明導電層が設けられた領域と、透明導電層が設けられていない領域との間の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける反射率差が最小となる場合の、高屈折率誘電体層の屈折率と高屈折率誘電体層の厚みとの関係を表すグラフである。
【図４】図４は、本発明の他の実施形態に係る透明導電層付き光学部材の略図的断面図である。
【図５】図５は、本発明の他の実施形態に係る透明導電層付き光学部材の使用態様の一例を表す略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００２３】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態に係る透明導電層付き光学部材１の略図的断面図である。
【００２５】
図１に示されるように、光学部材１は、基材１０を備える。基材１０は、透光性を有するものである限りにおいて特に限定されない。本実施形態では、基材１０は、ガラス板１１と、ガラス板１１の上に設けられた酸化ケイ素層１２とを有する。酸化ケイ素層１２は、例えば、ガラス板１１がアルカリを含む場合にアルカリバリア層としての機能や、後述する高屈折率誘電体層２１と基材１０との間の密着力を改善する密着層としての機能等を有していてもよい。もっとも、基材１０は、例えば、ガラス板のみにより構成されていてもよい。また、基材１０は、樹脂板や、表面にハードコート層等が形成された樹脂板等により構成されていてもよい。
【００２６】
基材１０の形状は特に限定されないが、本実施形態では、基材１０は、板状である。
【００２７】
基材１０の上には、高屈折率誘電体層２１が設けられている。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．６５〜１．９５である。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．７以上であることが好ましく、１．７５以上であることがより好ましい。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．９以下であることが好ましく、１．８５以下であることがより好ましい。
【００２８】
高屈折率誘電体層２１の構成材料は、屈折率が１．６５〜１．９５である限りにおいて特に限定されない。高屈折率誘電体層２１は、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物により構成することができる。Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物の具体例としては、ＮｂとＳｉとの複合酸化物、ＴｉとＳｉとの複合酸化物、ＺｒとＳｉとの複合酸化物、ＴａとＳｉとの複合酸化物等が挙げられる。高屈折率誘電体層２１は、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとの原子比（Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種：Ｓｉ）が１５：８５〜８０：２０である複合酸化物からなることが好ましく、２５：７５〜７０：３０である複合酸化物からなることがより好ましい。
【００２９】
高屈折率誘電体層２１の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１２ｎｍ以上であることがより好ましい。高屈折率誘電体層２１の厚みは、４０ｎｍ以下であることが好ましく、３５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３０】
高屈折率誘電体層２１の上には、透明導電層２３が配されている。透明導電層２３は、パターニングされている。このため、透明導電層２３は、高屈折率誘電体層２１の一部の上に配されており、高屈折率誘電体層２１の残りの部分は、透明導電層２３により覆われていない。
【００３１】
透明導電層２３は、例えば、透明導電性酸化物により構成することができる。具体的には、透明導電層２３は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、等により構成されていてもよい。
【００３２】
透明導電層２３が透明導電性酸化物により構成されている場合は、透明導電層２３の屈折率は、通常、１．７〜２．２程度である。また、シート抵抗を低くする観点から、透明導電層２３の厚みは、通常、１５〜２００ｎｍ程度とされる。透明導電層２３が厚すぎると、光の吸収が大きくなる。従って、透明導電層２３の厚みは、５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３３】
透明導電層２３と高屈折率誘電体層２１との間には、低屈折率誘電体層２２が配されている。低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３が設けられた領域と、透明導電層２３が設けられていない領域とに跨がって設けられている。本実施形態では、低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３が設けられた領域を含め、高屈折率誘電体層２１の実質的に全体の上に設けられている。よって、高屈折率誘電体層２１は、低屈折率誘電体層２２から露出していない。低屈折率誘電体層２２と透明導電層２３とにより、光学部材１の表面が構成されている。
【００３４】
低屈折率誘電体層２２の屈折率は、透明導電層２３の屈折率よりも低く、かつ、高屈折率誘電体層２１の屈折率よりも低い。低屈折率誘電体層２２の屈折率は、１．６以下であることが好ましく、１．５５以下であることがより好ましい。低屈折率誘電体層２２の屈折率は、通常、１．３８以上である。
【００３５】
低屈折率誘電体層２２は、例えば、酸化ケイ素、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム等により構成することができる。低屈折率誘電体層２２の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。低屈折率誘電体層２２の厚みは、５５ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３６】
図２は、光学部材１の使用態様の一例を表す略図的断面図である。
【００３７】
図２に示されるように、光学部材１は、透明導電層２３側の表面が、粘着層３１によりガラス板３２に粘着された態様で使用され得る。通常、粘着層３１の屈折率はガラス板３２と同程度である。ガラス板３２の光学部材１とは反対側の表面の上には、表面における光反射を抑制する反射抑制層３３が設けられていることが好ましい。すなわち、高屈折率誘電体層２１の上に、透明導電層２３を覆うように反射抑制層３３が設けられていることが好ましい。反射抑制層３３は、例えば、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層と、相対的に高い屈折率を有する高屈折率層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜により構成することができる。
【００３８】
高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とのそれぞれの厚み及び屈折率は、高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とが設けられていない場合と比べて、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されている。高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とのそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が最小となるように設定されていることが好ましい。透明導電層２３が視認されにくくなるためである。高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とのそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が０．５％以下となるように設けられていることが好ましく、０．３％以下となるように設けられていることがより好ましい。
【００３９】
下記の表１〜表４に、光学部材１の設計例を示す。なお、表１〜表４において、「波長５５０ｎｍにおける反射率差」は、波長５５０ｎｍにおける、透明導電層が設けられた領域と設けられていない領域との間の反射率差のことである。表１〜表４に示す「波長５５０ｎｍにおける反射率差」は、透明導電層の上に位置する媒質の屈折率が１．５である場合の反射率差のデータである。高屈折率誘電体層の材料の欄に示す比率は、原子比である。
【００４０】
【表１】
2014080742.tif 000003
【００４１】
【表２】
2014080742.tif 000004
【００４２】
【表３】
2014080742.tif 000005
【００４３】
【表４】
2014080742.tif 000006
【００４４】
なお、高屈折率誘電体層２１がＴｉとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｔｉ：Ｓｉを１５：８５〜４５：５５程度とすればよい。高屈折率誘電体層２１がＮｂとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｎｂ：Ｓｉを３０：７０〜７０：３０程度とすればよい。高屈折率誘電体層２１がＺｒとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｚｒ：Ｓｉを２５：７５〜７０：３０程度とすればよい。高屈折率誘電体層２１がＴａとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｔａ：Ｓｉを４０：６０〜８０：２０程度とすればよい。
【００４５】
図３に、透明導電層２３が設けられた領域と、透明導電層２３が設けられていない領域との間の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける反射率差が最小となる場合の、高屈折率誘電体層２１の屈折率と高屈折率誘電体層２１の厚みとの関係を表すグラフを示す。なお、図３に示すグラフは、下記の条件におけるグラフである。
【００４６】
透明導電層２３の屈折率：１．８３
透明導電層２３の厚み：１８ｎｍ
ガラス板１１の屈折率：１．５
酸化ケイ素層１２の屈折率：１．４７
酸化ケイ素層１２の厚み：１０ｎｍ
【００４７】
図３に示される結果から、高屈折率誘電体層の屈折率が１．９５を超える場合は、透明導電層が視認されにくくするためには、高屈折率誘電体層の厚みを１０ｎｍ未満にする必要がある。しかしながら、厚みが１０ｎｍ未満である場合は、均一な高屈折率誘電体層を形成することが困難である。また、高屈折率誘電体層を所望の厚みに形成することが困難である。また、形成された高屈折率誘電体層の厚みが設計値からずれると、高屈折率誘電体層の光学特性が大きく変化する。従って、透明導電層が視認されにくい光学部材を安定して製造することは困難である。
【００４８】
一方、高屈折率誘電体層の屈折率が１．６５を下回ると、高屈折率誘電体層の厚みを厚くしても透明導電層が設けられた領域と設けられた領域とにおける光反射率差を小さくすることが困難となる。
【００４９】
それに対して、高屈折率誘電体層２１の屈折率が、１．６５〜１．９５である光学部材１においては、厚みが１０ｎｍ以上の高屈折率誘電体層２１を設けることにより、透明導電層２３が設けられた領域と設けられた領域とにおける光反射率差を小さくすることができる。また、高屈折率誘電体層２１の厚みを１０ｎｍ以上とできるため、均一な厚みの高屈折率誘電体層２１を形成しやすい。形成された高屈折率誘電体層の厚みが設計値からずれたときにおいても、高屈折率誘電体層の光学特性が変化しにくい。従って、透明導電層２３が視認されにくい光学部材１を容易に安定して製造することができる。
【００５０】
透明導電層２３がより視認されにくいようにする観点からは、高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．７以上であることが好ましく、１．７５以上であることがより好ましい。
【００５１】
図２に示されるように、高屈折率誘電体層２１の上に、透明導電層２３を覆うように反射抑制層３３が設けられる場合には、相対的に透明導電層２３が設けられた領域と設けられていない領域の反射率の割合が大きくなる。そのため、透明導電層２３が設けられた領域と設けられていない領域との光反射率の差がより顕著に視認されやすくなるため、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とすることがより好ましい。
【００５２】
なお、光学部材１とは異なり、低屈折率誘電体層、高屈折率誘電体層及び透明導電層をこの順番で積層することも考えられる。しかしながら、この場合は、透明導電層が設けられた領域と透明導電層が設けられていない領域とにおける光反射率の差を十分に小さくすることができない。
【００５３】
図４は、本発明の他の実施形態に係る透明導電層付き光学部材２の略図的断面図である。本実施形態では、図１に示す実施形態と同様に、基材１０と、基材１０の上に設けられる高屈折率誘電体層２１と、高屈折率誘電体層２１の上に設けられる低屈折率誘電体層２２と、低屈折率誘電体層２２の上に設けられる透明電極層２３とを備えている。本実施形態では、図４に示すように、さらに、低屈折率誘電体層２２と透明電極層２３との間に、第２の高屈折率誘電体層２４及び第２の低屈折率誘電体層２５が設けられている。第２の高屈折率誘電体層２４は、低屈折率誘電体層２２の上に設けられており、第２の低屈折率誘電体層２５は、第２の高屈折率誘電体層２４の上に設けられている。
【００５４】
第２の高屈折率誘電体層２４及び第２の低屈折率誘電体層２５をさらに備えることにより、透明導電層２３をさらに視認されにくくすることができる。
【００５５】
第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率は、１．６５以上であることが好ましく、１．７以上であることがより好ましく、１．７５以上であることがさらに好ましい。第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率は、２．２以下であることが好ましく、１．９以下であることがより好ましく、１．８５以下であることがさらに好ましい。上述のように、高屈折率誘電体層２１の屈折率は、第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率以下であることが好ましい。したがって、第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率は、高屈折率誘電体層２１の屈折率以上であることが好ましい。
【００５６】
第２の高屈折率誘電体層２４は、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物により構成することができる。Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物の具体例としては、ＮｂとＳｉとの複合酸化物、ＴｉとＳｉとの複合酸化物、ＺｒとＳｉとの複合酸化物、ＴａとＳｉとの複合酸化物等が挙げられる。第２の高屈折率誘電体層２４は、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとの原子比（Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種：Ｓｉ）が１５：８５〜８０：２０である複合酸化物からなることが好ましく、２５：７５〜７０：３０である複合酸化物からなることがより好ましい。
【００５７】
第２の高屈折率誘電体層２４の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１２ｎｍ以上であることがより好ましい。第２の高屈折率誘電体層２４の厚みは、４０ｎｍ以下であることが好ましく、３５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００５８】
第２の低屈折率誘電体層２５の屈折率は、透明導電層２３の屈折率よりも低く、かつ、高屈折率誘電体層２１の屈折率よりも低く、かつ、第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率よりも低い。第２の低屈折率誘電体層２５の屈折率は、１．６以下であることが好ましく、１．５５以下であることがより好ましい。第２の低屈折率誘電体層２５の屈折率は、通常、１．３８以上である。
【００５９】
第２の低屈折率誘電体層２５は、例えば、酸化ケイ素、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム等により構成することができる。第２の低屈折率誘電体層２５の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。第２の低屈折率誘電体層２５の厚みは、６０ｎｍ以下であることが好ましく、５５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６０】
図５は、光学部材２の使用態様の一例を表す略図的断面図である。
図５に示されるように、低屈折率誘電体層２２と透明電極層２３との間に、第２の高屈折率誘電体層２４及び第２の低屈折率誘電体層２５が設けられている以外は、図２に示す光学部材１の使用態様と同様である。第２の高屈折率誘電体層２４の上に、透明導電層２３を覆うように反射抑制層３３が設けられている。
【００６１】
高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５のそれぞれの厚み及び屈折率は、高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５が設けられていない場合と比べて、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されている。高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５のそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が最小となるように設定されていることが好ましい。透明導電層２３が視認されにくくなるためである。高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５のそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が０．５％以下となるように設けられていることが好ましく、０．３％以下となるように設けられていることがより好ましい。
【００６２】
下記の表５〜表７に、光学部材２の設計例を示す。なお、表５〜表７において、「最大反射率差（４００−８００ｎｍ）」は、波長４００〜８００ｎｍの領域での透明導電層が設けられた領域と設けられていない領域との間の反射率差が最大となる、波長における反射率差のことである。「平均反射率差（４００−８００ｎｍ）」は、波長４００〜８００ｎｍの領域での透明導電層が設けられた領域と設けられていない領域との間の反射率差の絶対値の平均のことである。表５〜表７に示す「最大反射率差（４００−８００ｎｍ）」及び「平均反射率差（４００−８００ｎｍ）」は、透明導電層の上に位置する媒質の屈折率が１．５である場合の反射率差のデータである。高屈折率誘電体層及び第２の高屈折率誘電体層の材料の欄に示す比率は、原子比である。
【００６３】
【表５】
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【００６４】
【表６】
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【００６５】
【表７】
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【符号の説明】
【００６６】
１，２…光学部材
１０…基材
１１…ガラス板
１２…酸化ケイ素層
２１…高屈折率誘電体層
２２…低屈折率誘電体層
２３…透明導電層
２４…第２の高屈折率誘電体層
２５…第２の低屈折率誘電体層
３１…粘着層
３２…ガラス板
３３…反射抑制層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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