(57)【要約】  本発明の課題は、ガスバリアー層の損傷が少なく、高温高湿環境下においても発光性能の劣化が少ない有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供することである。  本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、同一のフィルム基板を用いて、発光層を含む有機機能層と有機機能層を挟持する一対の電極とを備える有機ＥＬ素子を複数形成し、当該有機ＥＬ素子ごとにフィルム基板を切断分割する製造方法であって、（ａ）フィルム基板上に第１ガスバリアー層を形成し、第１ガスバリアー層上に複数の有機ＥＬ素子の有機機能層及び一対の電極を形成する工程と、（ｂ）各有機ＥＬ素子の境界線に沿ってフィルム基板の第１ガスバリアー層が形成された第１面の反対側の面である第２面に、分割溝を形成する工程と、（ｃ）第１ガスバリアー層が形成されたフィルム基板を分割溝に沿って切断分割し、複数の有機ＥＬ素子を得る工程と、を含むことを特徴とする。
2015016082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一のフィルム基板を用いて、発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも備える有機エレクトロルミネッセンス素子を複数形成し、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ごとに前記フィルム基板を切断分割する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
（ａ）前記フィルム基板上に第１ガスバリアー層を形成し、当該第１ガスバリアー層上に複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記有機機能層及び前記一対の電極を形成する工程と、
（ｂ）各有機エレクトロルミネッセンス素子の境界線に沿って、前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面の反対側の面である第２面に、分割溝を形成する工程と、
（ｃ）前記第１ガスバリアー層が形成された前記フィルム基板を、前記分割溝に沿って切断分割し、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を得る工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
（ｄ）前記第１ガスバリアー層上の前記有機機能層及び前記一対の電極を被覆するように、第２ガスバリアー層を形成する工程と、
（ｅ）前記第２ガスバリアー層上に保護フィルムを貼り合わせる工程と、をさらに含み、
前記（ｂ）工程では、各有機エレクトロルミネッセンス素子の境界線に沿って、前記保護フィルムにおいて前記第２ガスバリアー層と対向する第１面の反対側の面である第２面に、分割溝をさらに形成し、
前記（ｃ）工程では、前記フィルム基板及び前記保護フィルムのそれぞれに形成された分割溝に沿って、前記第２ガスバリアー層が形成されたフィルム基板を切断分割することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程では、テーパー形状の分割溝を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記テーパー形状の分割溝は、断面形状がＶ字状、斜面が曲面状のＶ字状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記（ｂ）工程では、複数の段階に分けて分割溝を形成し、各段階で形成する分割溝の断面形状を異ならせて、分割溝の断面形状をＶ字状、斜面が曲面状のＶ字状又は階段状のうちの２以上を組み合わせた形状とすることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）工程では、複数の段階に分けて断面形状がＶ字状の分割溝を形成し、各段階で形成する分割溝の斜面の傾斜角度を異ならせて、断面形状がＶ字状の分割溝の斜面を曲面状に形成することを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記（ｂ）工程では、レーザー光を照射するか、熱インプリントを行うか又はこれらの組み合わせにより、前記分割溝を形成することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記（ｃ）工程では、前記分割溝にエアーを吹き付けるか、有機エレクトロルミネッセンス素子ごとに前記フィルム基板をエアー吸引して引っ張るか又は前記フィルム基板を挟持して引っ張ることにより、切断分割することを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
前記（ａ）工程では、前記フィルム基板と前記第１ガスバリアー層間に、下地層をさらに形成することを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記下地層は、バインダー樹脂を含有し、前記フィルム基板よりも硬度が大きいことを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
前記下地層は、無機化合物粒子を含有することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
前記（ａ）工程では、有機エレクトロルミネッセンス素子ごとに前記一対の電極の取出し配線をさらに形成し、当該取出し配線が、各有機エレクトロルミネッセンス素子間で隣接し、かつフィルム基板の搬送方向において連続するように、前記フィルム基板上に各有機エレクトロルミネッセンス素子を配置することを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第１ガスバリアー層又は前記第２ガスバリアー層は、無機化合物を含有することを特徴とする請求項２から請求項１２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
同一のフィルム基板を用いて、発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも含む有機エレクトロルミネッセンス素子を複数形成し、当該有機エレクトロルミネッセンス素子ごとに前記フィルム基板を切断分割する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置であって、
前記フィルム基板上に第１ガスバリアー層を形成し、当該第１ガスバリアー層上に複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記有機機能層及び前記一対の電極を形成する本体形成部と、
各有機エレクトロルミネッセンス素子の境界線に沿って、前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面の反対側の面である第２面に、分割溝を形成する第１切断部と、
前記第１ガスバリアー層が形成された前記フィルム基板を、前記分割溝に沿って切断分割し、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を得る第２切断部と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。
【請求項１５】
フィルム基板上に第１ガスバリアー層が形成され、当該第１ガスバリアー層上に発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面と、前記第１面の反対側の面である第２面とのうち、前記第２面の面積が前記第１面の面積より小さくなるように、前記第２面に分割溝が形成され、当該分割溝に沿って前記フィルム基板が切断分割されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
前記フィルム基板の端部形状が、斜面状、曲面状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記フィルム基板と前記第１ガスバリアー層間に、下地層を備えることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
前記下地層は、バインダー樹脂を含有し、前記フィルム基板より硬度が大きいことを特徴とする請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
前記下地層は、無機化合物粒子を含有することを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記第１ガスバリアー層上の前記有機機能層及び前記一対の電極を被覆するように形成された第２ガスバリアー層と、
前記第２ガスバリアー層上に貼り合わされた保護フィルムと、
を備えることを特徴とする請求項１５から請求項１９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
前記保護フィルムは、前記第２ガスバリアー層と対向する第１面と、前記第１面の反対側の面である第２面とのうち、前記第２面の面積が前記第１面の面積より小さくなるように、前記第２面に分割溝が形成され、当該分割溝に沿って前記保護フィルムが切断分割されていることを特徴とする請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記保護フィルムの端部形状が、斜面状、曲面状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることを特徴とする請求項２０又は請求項２１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
前記第１ガスバリアー層又は前記第２ガスバリアー層が、ケイ素化合物を含有することを特徴とする請求項２０から請求項２２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。特に、ガスバリアー層の損傷が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）素子は、一般的に、発光層を含む有機機能層と、当該有機機能層を挟持する陽極及び陰極と、を基板上に備えて構成されている。
発光層は発光性の有機化合物を含有し、陽極と陰極間に電圧を印加すると、陽極から発光層に正孔が注入され、陰極から発光層に電子が注入される。そして、注入された正孔及び電子が、発光層において再結合することにより、励起子（エキシントン）が生成する。この励起子が失活する際にエネルギーを放出し、当該エネルギーが光として発光層から放出される。【０００３】
このような有機ＥＬ素子は、発光層の材料として最適な有機化合物を選択することにより、特定の光波長で面発光することができる。また、有機ＥＬ素子は、各層を薄膜として形成することができ、薄型かつ固体形状で発光可能である。これらの特性から、薄型で大面積のフルカラーディスプレイ、電子写真用の光源デバイス、液晶ディスプレイ用のバックライト、静脈センサー等の生体認識用光源、面発光照明等として、有機ＥＬ素子の商品化が急がれている。【０００４】
有機ＥＬ素子の用途をさらに拡大するため、低コスト化及び信頼性向上に向けて、材料の開発、構造の最適化、生産プロセスの効率化等、品質向上を目的とする開発が活発に進められている。
例えば、有機ＥＬ素子の大型化及び生産性の向上のため、大面積の基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成し、基板を切断分割することにより、複数の有機ＥＬ素子を一貫生産する大規模な生産技術の確立が図られている。【０００５】
従来は、基板としてガラス基板が用いられ、当該ガラス基板を金属刃又はダイヤモンド刃によって機械的に切断するか（例えば、特許文献１参照）、又は化学薬品に浸漬してエッチングして切断することが一般的であった。また、高エネルギーのレーザー光を照射して切断することも行われていた（例えば、特許文献２及び３参照）。【０００６】
一方、有機ＥＬ素子のさらなる薄型化、軽量化及び耐衝撃性の向上を目的として、可撓性が高いフィルム基板の使用も一般的である。フィルム基板は、ロール体で供給することができ、一貫生産にも適している。【０００７】
フィルム基板としては樹脂フィルムが用いられることが多いが、樹脂フィルムは経時により大気中の水、酸素等のガスが浸入しやすく、浸入したガスによって電極及び発光層が劣化して非発光化するダークスポット現象が起こりやすい。
そのため、電極及び発光層の周囲を、高いガスバリアー性を示すガスバリアー層で被覆し、電極及び発光層へのガスの進入を遮蔽することが行われている。【０００８】
ガスバリアー層は、幅広い温度域で安定したガスバリアー性が求められ、光の取出しを考慮すると透明性が高い方が好ましい。よって、ガスバリアー層には、通常は酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の無機化合物が用いられる。
このような無機化合物を主に含有するガスバリアー層は、脆く硬い性質を持つため、切断時に刃が直接接触すると、クラック等の損傷が生じやすい。ガスバリアー層が形成されるフィルム基板は可撓性が高いため、使用時に曲げられるか、引っ張られてフィルム基板が変形すると、切断部分で生じた損傷が拡大しやすく、ガスバリアー層の信頼性が低下する。【０００９】
フィルム基板の切断にレーザー光が用いられることもあるが（例えば、特許文献４及び５参照）、フィルム基板は、ガラス基板に比べて耐熱性が低い。完全切断のため、レーザー光を長時間照射すると、高い熱エネルギーによってフィルム基板が溶融及び炭化して変形することがある。変形によってフィルム基板上のガスバリアー層に歪みが生じ、損傷しやすくなる。
化学薬品を用いたエッチングについては、化学薬品によってフィルム基板が加水分解し腐食されるため、適さない。【００１０】
さらに、有機ＥＬ素子は、端部の非発光部分の面積が小さいほど、基板の実用面積が増えてコストの低減が可能であり、表示装置又は照明装置として使用する際にも商品価値が上がることから、非発光部分の縮小化が図られている。
この縮小化にともない、同じフィルム基板上で隣接する有機ＥＬ素子間の距離も小さくなるため、いずれかの有機ＥＬ素子のガスバリアー層に損傷が生じると、隣接する有機ＥＬ素子のガスバリアー層にも損傷が拡大しやすいという問題もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第４６５００９５号公報
【特許文献２】特開２０１３−７５８１８号公報
【特許文献３】特開２００９−２４２１８５号公報
【特許文献４】国際公開第２０１３／０１９７６３号パンフレット
【特許文献５】特開２０１１−１２８４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記問題・状況に鑑みてなされ、その解決課題は、ガスバリアー層の損傷が少なく、高温高湿環境下においても発光性能の劣化が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、ガスバリアー層が形成されたフィルム基板を一度に完全切断しようとすると、ガスバリアー層に損傷が生じやすいことが分かった。例えば、刃を用いる場合は刃がガスバリアー層に当接して損傷が生じ、レーザー光を照射する場合は長時間の照射によってフィルム基板が変形して損傷が生じる。本発明者は、ガスバリアー層に刃を当接させず、フィルム基板の変形が少ない切断分割方法を鋭意検討したところ、切断工程を２段階に分けて、フィルム基板を一部切断して分割溝を形成した後、当該分割溝に沿って切断分割すると、ガスバリアー層の損傷が少ないことを見出し、本発明に至った。【００１４】
すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段によって解決される。
１．同一のフィルム基板を用いて、発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも備える有機ＥＬ素子を複数形成し、当該有機ＥＬ素子ごとに前記フィルム基板を切断分割する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
（ａ）前記フィルム基板上に第１ガスバリアー層を形成し、当該第１ガスバリアー層上に複数の有機ＥＬ素子の前記有機機能層及び前記一対の電極を形成する工程と、
（ｂ）各有機ＥＬ素子の境界線に沿って、前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面の反対側の面である第２面に、分割溝を形成する工程と、
（ｃ）前記第１ガスバリアー層が形成された前記フィルム基板を、前記分割溝に沿って切断分割し、複数の有機ＥＬ素子を得る工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。【００１５】
２．（ｄ）前記第１ガスバリアー層上の前記有機機能層及び前記一対の電極を被覆するように、第２ガスバリアー層を形成する工程と、
（ｅ）前記第２ガスバリアー層上に保護フィルムを貼り合わせる工程と、をさらに含み、
前記（ｂ）工程では、各有機ＥＬ素子の境界線に沿って、前記保護フィルムにおいて前記第２ガスバリアー層と対向する第１面の反対側の面である第２面に、分割溝をさらに形成し、
前記（ｃ）工程では、前記フィルム基板及び前記保護フィルムのそれぞれに形成された分割溝に沿って、前記第２ガスバリアー層が形成されたフィルム基板を切断分割することを特徴とする第１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００１６】
３．前記（ｂ）工程では、テーパー形状の分割溝を形成することを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００１７】
４．前記テーパー形状の分割溝は、断面形状がＶ字状、斜面が曲面状のＶ字状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることを特徴とする第３項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００１８】
５．前記（ｂ）工程では、複数の段階に分けて分割溝を形成し、各段階で形成する分割溝の断面形状を異ならせて、分割溝の断面形状をＶ字状、斜面が曲面状のＶ字状又は階段状のうちの２以上を組み合わせた形状とすることを特徴とする第４項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００１９】
６．前記（ｂ）工程では、複数の段階に分けて断面形状がＶ字状の分割溝を形成し、各段階で形成する分割溝の斜面の傾斜角度を異ならせて、断面形状がＶ字状の分割溝の斜面を曲面状に形成することを特徴とする第４項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２０】
７．前記（ｂ）工程では、レーザー光を照射するか、熱インプリントを行うか又はこれらの組み合わせにより、前記分割溝を形成することを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２１】
８．前記（ｃ）工程では、前記分割溝にエアーを吹き付けるか、有機ＥＬ素子ごとに前記フィルム基板をエアー吸引して引っ張るか又は前記フィルム基板を挟持して引っ張ることにより、切断分割することを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２２】
９．前記（ａ）工程では、前記フィルム基板と前記第１ガスバリアー層間に、下地層をさらに形成することを特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２３】
１０．前記下地層は、バインダー樹脂を含有し、前記フィルム基板よりも硬度が大きいことを特徴とする第９項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２４】
１１．前記下地層は、無機化合物粒子を含有することを特徴とする第９項又は第１０項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２５】
１２．前記（ａ）工程では、有機ＥＬ素子ごとに前記一対の電極の取出し配線をさらに形成し、当該取出し配線が、各有機ＥＬ素子間で隣接し、かつフィルム基板の搬送方向において連続するように、前記フィルム基板上に各有機ＥＬ素子を配置することを特徴とする第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２６】
１３．前記第１ガスバリアー層又は前記第２ガスバリアー層は、無機化合物を含有することを特徴とする第２項から第１２項までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。【００２７】
１４．同一のフィルム基板を用いて、発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも含む有機ＥＬ素子を複数形成し、当該有機ＥＬ素子ごとに前記フィルム基板を切断分割する有機ＥＬ素子の製造装置であって、
前記フィルム基板上に第１ガスバリアー層を形成し、当該第１ガスバリアー層上に複数の有機ＥＬ素子の前記有機機能層及び前記一対の電極を形成する本体形成部と、
各有機ＥＬ素子の境界線に沿って、前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面の反対側の面である第２面に、分割溝を形成する第１切断部と、
前記第１ガスバリアー層が形成された前記フィルム基板を、前記分割溝に沿って切断分割し、複数の有機ＥＬ素子を得る第２切断部と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。【００２８】
１５．フィルム基板上に第１ガスバリアー層が形成され、当該第１ガスバリアー層上に発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも備える有機ＥＬ素子であって、
前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面と、前記第１面の反対側の面である第２面とのうち、前記第２面の面積が前記第１面の面積より小さくなるように、前記第２面に分割溝が形成され、当該分割溝に沿って前記フィルム基板が切断分割されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。【００２９】
１６．前記フィルム基板の端部形状が、斜面状、曲面状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることを特徴とする第１５項に記載の有機ＥＬ素子。【００３０】
１７．前記フィルム基板と前記第１ガスバリアー層間に、下地層を備えることを特徴とする第１５項又は第１６項に記載の有機ＥＬ素子。【００３１】
１８．前記下地層は、バインダー樹脂を含有し、前記フィルム基板より硬度が大きいことを特徴とする第１７項に記載の有機ＥＬ素子。【００３２】
１９．前記下地層は、無機化合物粒子を含有することを特徴とする第１７項又は第１８項に記載の有機ＥＬ素子。【００３３】
２０．前記第１ガスバリアー層上の前記有機機能層及び前記一対の電極を被覆するように形成された第２ガスバリアー層と、
前記第２ガスバリアー層上に貼り合わされた保護フィルムと、
を備えることを特徴とする第１５項から第１９項までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。【００３４】
２１．前記保護フィルムは、前記第２ガスバリアー層と対向する第１面と、前記第１面の反対側の面である第２面とのうち、前記第２面の面積が前記第１面の面積より小さくなるように、前記第２面に分割溝が形成され、当該分割溝に沿って前記保護フィルムが切断分割されていることを特徴とする第２０項に記載の有機ＥＬ素子。【００３５】
２２．前記保護フィルムの端部形状が、斜面状、曲面状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることを特徴とする第２０項又は第２１項に記載の有機ＥＬ素子。【００３６】
２３．前記第１ガスバリアー層又は前記第２ガスバリアー層が、ケイ素化合物を含有することを特徴とする第２０項から第２２項までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の上記手段により、ガスバリアー層の損傷が少なく、高温高湿環境下においても発光性能の劣化が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。【００３８】
本発明の効果の発現機構ないし作用機構は、以下のとおりである。
すなわち、本発明の製造方法及び製造装置によれば、第１ガスバリアー層が形成されたフィルム基板に分割溝を形成し、当該分割溝に沿って切断分割する。このように、２段階で切断分割を実現することにより、第１ガスバリアー層に刃を当接させることも、溶融等によってフィルム基板を変形させることもなく、フィルム基板を切断することができる。よって、刃の当接又はフィルム基板の変形に起因する第１ガスバリアー層の損傷を防ぐことができる。また、切断時にフィルム基板に加えられる応力を分割溝に集中させることができ、フィルム基板の変形を抑えて、変形に起因する第１ガスバリアー層の損傷を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】有機ＥＬ素子の構成例を示す断面図。
【図２】図１の有機ＥＬ素子の平面図。
【図３】モジュール化された一つの有機ＥＬ素子を示す断面図。
【図４】モジュール化された複数の有機ＥＬ素子を示す断面図。
【図５Ａ】フィルム基板の端部形状の例を示す断面図。
【図５Ｂ】フィルム基板の端部形状の例を示す断面図。
【図５Ｃ】フィルム基板の端部形状の例を示す断面図。
【図５Ｄ】フィルム基板の端部形状の例を示す断面図。
【図５Ｅ】フィルム基板の端部形状の例を示す断面図。
【図５Ｆ】フィルム基板の端部形状の例を示す断面図。
【図５Ｇ】フィルム基板の端部形状の例を示す断面図。
【図６】有機ＥＬ素子の他の構成例を示す断面図。
【図７】単色発光時の取出し配線の配置例を示す平面図。
【図８】有機ＥＬ素子の製造装置の概略構成を示す正面図。
【図９】フィルム基板上の複数の有機ＥＬ素子の配置例を示す平面図。
【図１０】層形成部の概略構成を示す正面図。
【図１１Ａ】分割溝の断面形状の例を示す断面図。
【図１１Ｂ】分割溝の断面形状の例を示す断面図。
【図１１Ｃ】分割溝の断面形状の例を示す断面図。
【図１１Ｄ】分割溝の断面形状の例を示す断面図。
【図１１Ｅ】分割溝の断面形状の例を示す断面図。
【図１１Ｆ】分割溝の断面形状の例を示す断面図。
【図１１Ｇ】分割溝の断面形状の例を示す断面図。
【図１２】レーザー光を照射する場合の第１切断部の概略構成を示す正面図。
【図１３】熱インプリントを行う場合の第１切断部の概略構成を示す正面図。
【図１４】エアー吹き付けにより切断分割する場合の第２切断部の概略構成を示す正面図。
【図１５】エアー吸引により切断分割する場合の第２切断部の概略構成を示す正面図。
【図１６】挟持により切断分割する場合の第２切断部の概略構成を示す正面図。
【図１７Ａ】保護フィルムを貼り合わせる工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１７Ｂ】レーザー光の照射によりフィルム基板に分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１７Ｃ】エアーの吹き付けにより切断分割して有機ＥＬ素子を製造する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１７Ｄ】切断分割により得られた有機ＥＬ素子を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１８Ａ】熱インプリントによりフィルム基板に分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１８Ｂ】熱インプリントによりフィルム基板に分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１８Ｃ】エアーの吹き付けにより切断分割により得られた有機ＥＬ素子を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１９Ａ】レーザー光の照射により１段階目の分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１９Ｂ】レーザー光の照射により２段階目の分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図１９Ｃ】エアーの吹き付けにより切断分割して得られた有機ＥＬ素子を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図２０Ａ】熱インプリントにより１段階目の分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図２０Ｂ】レーザー光の照射により２段階目の分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図２０Ｃ】エアーの吹き付けにより切断分割して得られた有機ＥＬ素子を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図２１Ａ】保護フィルムを貼り合わせる工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図２１Ｂ】レーザー光の照射によりフィルム基板及び保護フィルムに分割溝を形成する工程を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【図２１Ｃ】エアーの吹き付けにより切断分割して得られた有機ＥＬ素子を、フィルム基板の搬送方向から表した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、同一のフィルム基板を用いて、発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも備える有機ＥＬ素子を複数形成し、当該有機ＥＬ素子ごとに前記フィルム基板を切断分割する有機ＥＬ素子の製造方法であって、（ａ）前記フィルム基板上に第１ガスバリアー層を形成し、当該第１ガスバリアー層上に複数の有機ＥＬ素子の前記有機機能層及び前記一対の電極を形成する工程と、（ｂ）各有機ＥＬ素子の境界線に沿って、前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面の反対側の面である第２面に、分割溝を形成する工程と、（ｃ）前記第１ガスバリアー層が形成された前記フィルム基板を、前記分割溝に沿って切断分割し、複数の有機ＥＬ素子を得る工程と、を含むことを特徴とする。
この特徴は請求項１から請求項２３までの各請求項に係る発明に共通する又は対応する技術的特徴である。
【００４１】
本発明の実施態様としては、前記（ｄ）工程及び前記（ｅ）工程をさらに含み、各有機ＥＬ素子の境界線に沿って、前記保護フィルムの第２面に分割溝をさらに形成し、前記（ｃ）工程では、前記フィルム基板及び前記保護フィルムのそれぞれに形成された分割溝に沿って、前記第２ガスバリアー層が形成されたフィルム基板を切断分割することが好ましい。
これにより、第２ガスバリアー層の損傷も少ない有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００４２】
本発明の実施態様としては、テーパー形状の分割溝を形成することが、フィルム基板に加わる応力を分割溝に集中させ、第１及び第２ガスバリアー層の損傷を少なくすることから、好ましい。
【００４３】
また、本発明の実施態様としては、前記（ａ）工程では、前記フィルム基板と前記第１ガスバリアー層間に、下地層をさらに形成することが好ましい。分割溝を形成する際の緩衝材として、下地層を機能させることができる。
【００４４】
本発明の有機ＥＬ素子は、フィルム基板上に第１ガスバリアー層が形成され、当該第１ガスバリアー層上に発光層を含む有機機能層と当該有機機能層を挟持する一対の電極とを少なくとも備える有機ＥＬ素子であって、前記フィルム基板において前記第１ガスバリアー層が形成された第１面と、前記第１面の反対側の面である第２面とのうち、前記第２面の面積が前記第１面の面積より小さくなるように、前記第２面に分割溝が形成され、当該分割溝に沿って前記フィルム基板が切断分割されていることを特徴とする。
【００４５】
本発明の実施態様としては、前記フィルム基板の端部形状が、斜面状、曲面状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることが、フィルム基板の端部の強度を向上させることができ、好ましい。
【００４６】
本発明の実施態様としては、さらに第２ガスバリアー層と保護フィルムとを備え、当該保護フィルムは、前記第２ガスバリアー層と対向する第１面と、前記第１面の反対側の面である第２面とのうち、前記第２面の面積が前記第１面の面積より小さくなるように、前記第２面に分割溝が形成され、当該分割溝に沿って前記保護フィルムが切断分割されていることが好ましい。
これにより、第２ガスバリアー層の損傷も少ない有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００４７】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法、製造装置及び有機ＥＬ素子は、上述のように２段階で切断すること、すなわちフィルム基板に分割溝を形成して一部切断した後、当該分割溝に沿って完全に切断分割することを特徴としている。
以下、本発明の製造方法、製造装置及び有機ＥＬ素子を実施するための形態又は態様について詳細を説明する。
なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
【００４８】
〔有機ＥＬ素子〕
図１及び図２は、本発明の製造方法及び製造装置によって製造される有機ＥＬ素子の一例としての有機ＥＬ素子１を示している。図１は、図２のＡ−Ａ線における断面図である。
図１及び図２に示すように、有機ＥＬ素子１は、可撓性を有するフィルム基板２０と、フィルム基板２０上に形成された下地層２１及び第１ガスバリアー層２２と、当該第１ガスバリアー層２２上に形成された陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６及び第２ガスバリアー層２７と、を備えて構成されている。
また、有機ＥＬ素子１は、接着層３を介して第２ガスバリアー層２７上に貼り合わされた保護フィルム４を備えている。
【００４９】
有機ＥＬ素子１は、図１に示すように気体又は液体を封入した中空構造ではなく、完全固体構造を有する。
有機ＥＬ素子１において、有機機能層２５中の発光層から得られた光を、陽極２３側からのみ又は陰極２６側からのみ取り出すこともできるし、陽極２３及び陰極２６の両方から取り出すこともできる。
【００５０】
上記有機ＥＬ素子１は、端部補強のため、図３に示すように接着層５を介して保護枠６ａが取り付けられ、モジュール化され得る。
保護枠６ａは、透明性の高い樹脂等によって成形することができ、接着層５は、接着層３と同様に構成することができる。
発光面を大きくするため、図４に示すように、複数の有機ＥＬ素子１がプレート状の一つの保護枠６ｂに取り付けられてユニット化され、モジュール化される場合もある。
【００５１】
モジュール化された有機ＥＬ素子１は、取出し配線２４が、電源と当該電源により供給する電流量を調整するＩＣとを備えるプリント基板、フレキシブル基板等に接続され得る。さらに、筐体、フレーム部材、固定用基板等によって、有機ＥＬ素子１は補強され、照明装置、表示装置等の発光装置として用いられ得る。
【００５２】
有機ＥＬ素子１は、図１に示すように、フィルム基板２０において第１ガスバリアー層２２が形成された第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側の面である第２面２０Ｂのうち、第２面２０Ｂの面積が第１面２０Ａの面積より小さくなるように、第２面２０Ｂに分割溝が形成され、当該分割溝に沿ってフィルム基板２０が切断分割されている。そのため、フィルム基板２０の端部は、第１面２０Ａに対して傾斜角度θで傾斜している。
【００５３】
このように切断分割された有機ＥＬ素子１は、第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７の損傷が少なく、高温高湿環境下においても発光性能の劣化が少ない。損傷が少ないので、損傷を考慮して有機ＥＬ素子１端部の非発光部分を広く設ける必要がなく、非発光部分の縮小が可能である。
【００５４】
第２面２０Ｂの面積が第１面２０Ａよりも小さくなるように、フィルム基板２０の端部が傾斜しているのであれば、フィルム基板２０の端部形状は、斜面状、曲面状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることができる。
これらの形状であれば、フィルム基板２０の端部の強度を向上させることができ、曲げに対する有機ＥＬ素子１の耐久性が向上する。また、有機ＥＬ素子１のフィルム基板２０がこのような端部形状を有することにより、保護枠６ａへの取り付けが容易となる。
【００５５】
図５Ａ〜図５Ｇは、フィルム基板２０の端部形状の例を示している。
図５Ａは、単純な斜面状の端部の例を示しているが、図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、フィルム基板２０の端部形状は、傾斜角度が異なる二つの斜面を組み合わせた形状であることもできる。図５Ｄは、傾斜角度が異なる３以上の斜面を組み合わせて、全体として曲面状に形成された端部形状の例を示している。
図５Ｅは、階段状の端部形状の例を示している。
図５Ｆ及び図５Ｇは、階段状と斜面状を組み合わせた端部形状の例を示している。
なお、図５Ｄ及び図５Ｅに示すように、フィルム基板２０の端部形状が階段状又は曲面状である場合、第１面２０Ａ及び第２面２０Ｂにおけるフィルム基板２０の端部を結ぶ線と、第１面２０Ａとがなす角度を、傾斜角度θとする。
【００５６】
有機ＥＬ素子１は、保護フィルム４において第２ガスバリアー層２７と対向する第１面４Ａと、当該第１面４Ａの反対側の面である第２面４Ｂとのうち、第２面４Ｂの面積が第１面４Ａの面積よりも小さくなるように、第２面４Ｂに分割溝が形成され、当該分割溝にそって保護フィルム４が切断されて、保護フィルム４の端部が傾斜していることが好ましい。
これにより、より切断分割が容易となり、第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７の損傷がより少ない有機ＥＬ素子１が得られる。
【００５７】
図６は、保護フィルム４の第２面４Ｂの面積が第１面４Ａよりも小さくなるように、切断分割された有機ＥＬ素子２の断面構成を示している。保護フィルム４の端部形状は、これに限らず、図５Ａ〜図５Ｇに例示されたフィルム基板２０と同様の端部形状であり得る。
保護フィルム４がこのような端部形状を有することにより、保護フィルム４の端部の強度を向上させることができ、曲げに対する有機ＥＬ素子１の耐久性が向上する。
【００５８】
以下、有機ＥＬ素子１の各層について詳細に説明する。
【００５９】
〔フィルム基板〕
フィルム基板２０は、フィルム状に成形された可撓性を有する基板である。フィルム基板２０を用いることにより、可撓性を有する有機ＥＬ素子１が得られる。
【００６０】
フィルム基板２０としては、例えば薄膜セラミック、樹脂フィルム、ガラス繊維又は炭素繊維を含む樹脂フィルム、ＳＵＳ（Steel Use Stainless）、インバー等のＮｉ−Ｆｅの合金、アルミニウム、チタン等の金属フィルム等を用いることができる。なかでも、軽量化、耐衝撃性の向上及び低コスト化の観点から、樹脂フィルムが好ましく、フィルム基板２０側からの光の取出しを考慮すると、透明性が高い樹脂フィルムがより好ましい。
【００６１】
透明性が高い樹脂フィルムの材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）等のポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、セロファン、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネイト、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、フッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ポリアリレート類等とそれらの誘導体が挙げられる。市販品としては、例えばアートン（登録商標：ＪＳＲ社製）、アペル（登録商標：三井化学社製）等のシクロオレフィン系樹脂を用いることができる。
【００６２】
フィルム基板２０の厚さは、ロール体として供給する場合の取扱い性を高める観点から、３０〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００６３】
〔下地層〕
下地層２１は、フィルム基板２０に形成される分割溝が第１ガスバリアー層２２を損傷させないように、緩衝材として、フィルム基板２０と第１ガスバリアー層２２間に形成され得る。
また、下地層２１により、フィルム基板２０の表面を平坦化し、表面硬度を向上させるとともに、フィルム基板２０と第１ガスバリアー層２２との密着性を向上させることもできる。
【００６４】
下地層２１は、緩衝材としての機能を向上させるため、フィルム基板２０よりも硬度が大きいことが好ましい。
これにより、意図せず分割溝が深く形成されてしまった場合にも、第１ガスバリアー層２２への分割溝の形成を下地層２１が抑制することができる。また、有機ＥＬ素子１の曲げに対する耐久性も向上する。
【００６５】
下地層２１は、フィルム基板２０よりも硬度を大きくする観点から、例えば硬化性のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の透明なバインダー樹脂を、主な材料として含有することができる。
【００６６】
下地層２１は、フィルム基板２０からの入射光を散乱させる観点から、酸化ケイ素等の無機化合物粒子を、添加剤として含有することが好ましい。なかでも、上記バインダー樹脂と屈折率が異なる無機化合物粒子であれば、効果的に光散乱させることができ、好ましい。
無機化合物粒子の含有する下地層２１は、分割溝の形成時に照射され、フィルム基板２０を透過したレーザー光を散乱かつ減衰させることができる。下地層２１によりレーザー光のエネルギーが弱められ、第１ガスバリアー層２２がレーザー光によって損傷することを防ぐことができる。また、無機化合物粒子の含有によって下地層２１の硬度をより大きくすることができ、緩衝材としての機能が向上する。
【００６７】
下地層２１は、第１ガスバリアー層２２との密着性を向上させる観点から、例えばエポキシシラン、アミノシラン等のシランカップリング剤、上記無機化合物粒子等を、添加剤として含有することもできる。下地層２１の表面硬度及び耐熱性を向上させ、第１ガスバリアー層２２の形成時に欠陥が生じることを防止する観点からは、特に無機化合物粒子が好ましい。
【００６８】
上述した無機化合物粒子の粒径は、下地層２１の表面上で無機化合物粒子が突起として現れないように、直径１０μｍ以下であることが好ましい。
また、フィルム基板２０側から光を取り出す場合、透明性を考慮して、粒径が１０〜１０００ｎｍの範囲内にあるナノサイズの無機化合物粒子を用いることが好ましい。
【００６９】
下地層２１の厚さは、任意に設定できるが、０．１〜１０．０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７０】
〔第１ガスバリアー層〕
第１ガスバリアー層２２は、フィルム基板２０を介して、陽極２３、有機機能層２５及び陰極２６に浸入する大気中の水、酸素等のガスを遮蔽するため、フィルム基板２０の第１面２０Ａ上を全面的に被覆するように形成されている。
【００７１】
第１ガスバリアー層２２は、水蒸気透過度（環境条件：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が約０．０１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下であり、酸素透過度が約０．０１ｃｍ３／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下であるガスバリアー性を有することが好ましく、水蒸気透過度が約０．０００１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下であり、かつ酸素透過度が０．０００１ｃｍ３／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下であるハイガスバリアー性を有することがより好ましい。ハイガスバリアー性を得る観点から、第１ガスバリアー層２２はガスバリアー性を有する複数の層が積層された多層構造であることが好ましい。
なお、上記「水蒸気透過度」は、ＪＩＳ（日本工業規格）−Ｋ７１２９（１９９２年）に準拠した赤外センサー法により測定された値であり、「酸素透過度」は、ＪＩＳ−Ｋ７１２６（１９８７年）に準拠したクーロメトリック法により測定された値である。
【００７２】
第１ガスバリアー層２２は、フィルム基板２０として金属フィルムが使用されている場合、フィルム基板２０と陽極２３、取出し配線２４及び陰極２６とを電気的に絶縁する絶縁層であることが好ましい。
第１ガスバリアー層２２は、絶縁層としても機能する観点から、電気抵抗率が１×１０１２Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが好ましい。
【００７３】
また、第１ガスバリアー層２２は、フィルム基板２０側から光を取り出す場合、光線透過率が可視光領域で約８０％以上である透明性を有することが好ましい。
【００７４】
上述したようなガスバリアー性、絶縁性及び透明性を有する第１ガスバリアー層２２は、主な材料として、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素等のケイ素化合物、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン等の無機化合物を含有することができる。なかでも、ケイ素化合物はガスバリアー性、透明性及び切断分割時の割断性に優れ、フィルム基板２０側又は保護フィルム４側のいずれからでも光の取出しが可能となり、発光効率が向上するため、好ましい。
【００７５】
第１ガスバリアー層２２は、上述したような無機化合物を主に含有するのであれば、無機化合物と有機化合物の複合材料からなる層又は無機化合物の層に有機化合物の層を積層したハイブリッド層であることができる。第１ガスバリアー層２２の脆弱性を改良する観点からは、無機化合物と有機化合物の複合材料からなる層又はハイブリッド層であることが好ましい。
ハイブリッド層における無機化合物及び有機化合物の各層の積層順序は任意であり、各層が交互に繰り返し積層されていてもよい。各層を繰り返し積層する場合、第１ガスバリアー層２２の陽極２３等が形成される側の最表面は無機化合物の層とすることが、絶縁性及びガスバリアー性を高め、第２ガスバリアー層２７と接して有機機能層２５等を封止する観点から好ましい。
【００７６】
第１ガスバリアー層２２の厚さは、上記ガスバリアー性、絶縁性及び透明性を示すのであれば、任意に設定できる。有機ＥＬ素子１の可撓性を考慮すると、第１ガスバリアー層２２の厚さは、５０〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００７７】
〔電極〕
陽極２３及び陰極２６は、有機機能層２５を挟持するようにして形成される一対の電極層である。
図１は、陽極２３上に有機機能層２５が積層され、当該有機機能層２５上に陰極２６が積層された例を示しているが、陽極２３及び陰極２６の積層順はこれに限定されず、逆の場合もある。
【００７８】
陽極２３は、発光層に正孔を供給（注入）する電極層である。
陽極２３は、第１ガスバリアー層２２上に所定のパターン形状で形成され、一つ以上の取出し配線２４と接続されている。
【００７９】
陽極２３は、仕事関数が４ｅＶ以上と大きい材料、例えば金属、合金、導電性化合物、これらの混合物等の電極材料を用いて形成することができる。
【００８０】
陽極２３は、有機ＥＬ素子１において陽極２３側から光を取り出す場合、光線透過率が可視光領域で約５０％以上の透明性を有し、シート抵抗率（表面抵抗率）が３００Ω／□以下であることが好ましい。
陽極２３側から光を取り出す場合、例えば金、銀、アルミニウム等の金属、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）等の透明性を有する金属酸化物等が、陽極２３の電極材料として用いられ得る。
【００８１】
一方、有機ＥＬ素子１において、陽極２３側から光を取り出さない場合であっても、上述した陽極２３側から光を取り出す場合と同様に、陽極２３を構成することができる。この場合、光の取出し効率を向上させるため、高反射率層が適宜追加されていてもよい。
【００８２】
陽極２３は、多層構造であってもよい。例えば、陽極２３は、下地層に、平坦化層、密着層、光の取出し効率を向上させる高屈折率層及び光散乱層が積層された後、上述した電極材料の層が積層された構造であることができる。
【００８３】
陽極２３の厚さは、陽極２３の層構造、電極材料の電気抵抗率又は光線透過率に応じて適宜設定できるが、好ましくは１０〜５００ｎｍの範囲内である。
【００８４】
陰極２６は、発光層に電子を供給（注入）する電極層である。
陰極２６は、通常、仕事関数が４ｅＶ以下と小さい電極材料により形成され得る。そのような電極材料としては、例えば金属（電子注入性金属）、合金、導電性化合物、これらの混合物等が挙げられる。
【００８５】
有機ＥＬ素子１において陰極２６側から光を取り出さない場合、具体的な陰極２６の電極材料としては、例えばアルミニウム、ナトリウム、リチウム、インジウム、マグネシウム、希土類等の金属、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銅合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−アルミニウム合金、マグネシウム−インジウム合金、リチウム−アルミニウム合金等の合金、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、アルミニウム酸化物等の金属酸化物等の導電性化合物が挙げられる。
【００８６】
陰極２６側から光を取り出す場合、陰極２６の材料として、上記材料のなかでも透明性の高い金属酸化物を用いるか、上記材料を用いて厚さが５〜５０ｎｍの範囲内である薄膜の陰極２６を形成することが好ましい。
【００８７】
陰極２６は、多層構造であることができる。陰極２６の多層構造としては、高い透明性と目的の電気抵抗率を両立させる観点から、例えばマグネシウム層とアルミニウム層の積層構造、マグネシウム−銀合金層と銀層の積層構造、銀層とアルミニウム層の積層構造等が挙げられる。
陰極２６の厚さは、陰極２６の層構成、電極材料の電気抵抗率及び光線透過率によって適宜設定することができるが、好ましくは１０〜５００ｎｍの範囲内である。
陰極２６側から光を取り出す場合、陰極２６の厚さが５〜５０ｎｍの範囲内であると、陰極２６を薄膜化することができ、好ましい。
【００８８】
〔取出し配線〕
取出し配線２４は、陽極２３及び陰極２６のそれぞれを外部電源に電気的に接続する。
取出し配線２４の材料は特に限定されず、公知の材料を好適に使用できる。例えば、３層構造からなるＭＡＭ電極（Ｍｏ／Ａｌ・Ｎｄ合金／Ｍｏ）等の金属膜を用いることができる。
取出し配線２４は、第１ガスバリアー層２２上に最初に形成されてもよいが、陽極２３より後に形成されてもよく、形成順は適宜変更が可能である。
【００８９】
有機ＥＬ素子１を３色で発光させる調色発光時、有機機能層２５は発光色が異なる三つの発光層を有し、発光層ごとに陰極２６が設けられる。この場合、四つの取出し配線２４を、図２に例示するように配置することができる。
これに対し、有機ＥＬ素子１を１色で発光させる単色発光時、有機機能層２５は一つの発光層を有し、当該発光層に対して一つの陰極２６が設けられる。この場合、二つの取出し配線２４を、図７に例示するように配置することができる。
【００９０】
〔有機機能層〕
有機機能層２５は、少なくとも発光層を含む複数の有機層を有している。発光層以外の有機層としては、例えば正孔注入層、正孔輸送層、阻止層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられ、これらは必要に応じて設けられる。以下、各有機層について説明する。
【００９１】
（１）正孔注入層
正孔注入層は、陽極バッファー層とも呼ばれ、有機ＥＬ素子１の駆動電圧の低下及び発光輝度の向上を目的として、陽極２３と発光層間又は陽極２３と正孔輸送層間に設けられ得る。
正孔注入層の材料としては、例えば銅フタロシアニン等の特開２０００−１６０３２８号公報等に記載の公知の材料を用いることができる。
【００９２】
（２）正孔輸送層
正孔輸送層は、陽極２３から供給された正孔を発光層に輸送（注入）する層である。また、正孔輸送層は、陰極２６側からの電子の流入を阻止する障壁としても作用する。そのため、正孔輸送層は、正孔注入層、電子阻止層又はその両方として機能させるために形成されることもある。
【００９３】
正孔輸送層としては、正孔を輸送する作用及び電子の流入を阻止する作用を発現できれば、有機化合物又は無機化合物のいずれも材料として用いることができる。
正孔輸送層の材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特に、チオフェンオリゴマー）等を用いることができる。
正孔輸送層の材料として、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物等も用いることができ、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【００９４】
芳香族第３級アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン等が挙げられる。
【００９５】
また、芳香族第３級アミン化合物としては、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン等のスチリルアミン化合物が挙げられる。
さらに、芳香族第３級アミン化合物として、米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されているような２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（略称：ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているようなトリフェニルアミンユニットが三つ、スターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【００９６】
正孔輸送層の他の材料としては、上述した正孔輸送層の各種材料を、高分子鎖に導入した高分子材料又は高分子の主鎖として用いた高分子材料等が挙げられる。
また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も、正孔輸送層の材料として使用することができる。
【００９７】
正孔輸送層の他の材料として、特開平１１−２５１０６７号公報、J.Huang et.al.著文献（Applied Physics Letters 80(2002),p.139）等に記載された、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。ｐ型正孔輸送材料を用いた場合、より発光効率が高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。
【００９８】
正孔輸送層は、不純物のドープにより、ｐ性が高い、正孔リッチな正孔輸送層とすることができる。そのような正孔輸送層は、例えば特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されている。正孔リッチな正孔輸送層を用いた場合、より低消費電力の有機ＥＬ素子１を得ることができる。
【００９９】
正孔輸送層の厚さは、材料に応じて適宜設定することができるが、５〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
正孔輸送層は、１層又は複数層設けることもできる。１層の正孔輸送層を設ける場合、上述した正孔輸送材料のうち１種又は２種以上の材料が用いられるようにすることが好ましい。
【０１００】
（３）発光層
発光層は、陽極２３から直接注入されるか又は陽極２３から正孔輸送層等を介して注入される正孔と、陰極２６から直接注入されるか又は電子輸送層等を介して注入される電子とが、再結合して発光する層である。
発光は、発光層の層内で行われてもよいし、発光層と隣接する層との界面で行われてもよい。
【０１０１】
発光層は、発光性の有機化合物として、ホスト化合物（発光ホストともいう）と、ドーパント（発光ドーパントともいう）とを含有する。
ホスト化合物及びドーパントを含む発光層において、ドーパントの発光波長、種類等を適宜調整することにより、任意の発光色を得ることができる。
【０１０２】
（３−１）ホスト化合物
ホスト化合物は、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が、約０．１未満であることが好ましく、約０．０１未満であることがより好ましい。
また、ホスト化合物は、正孔輸送機能、電子輸送機能及び発光の長波長化を防止する機能を有し、ガラス転移温度Ｔｇが高い化合物であることが好ましい。「ガラス転移温度Ｔｇ」とは、ＤＳＣ（Differential Scanning Calorimetry：示差走査熱量）法を用いて、ＪＩＳ−Ｋ７１２１に準拠した手法により求められる値である。
【０１０３】
上述のような特性を有するホスト化合物としては、例えば公知の低分子化合物、繰り返し単位をもつ高分子化合物、ビニル基又はエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）等が挙げられる。
【０１０４】
具体的なホスト化合物としては、例えば特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載されている化合物が挙げられる。
なかでも、ホスト化合物は、カルバゾール誘導体であることが好ましく、カルバゾール誘導体のなかでもジベンゾフラン化合物であることが好ましい。
【０１０５】
上記ホスト化合物のうち、１種類のみを用いることもできるし、複数種を併用することもできる。複数種のホスト化合物を併用する場合、電荷（正孔又は電子）の移動度（移動量）を調整することができ、有機ＥＬ素子１の発光効率を向上させることができる。
発光層中のホスト化合物の体積比は、約５０％以上とすることが好ましい。
【０１０６】
（３−２）ドーパント
ドーパントとしては、例えばリン光発光ドーパント（リン光性化合物又はリン光発光性化合物とも呼ばれる）、蛍光発光ドーパント（蛍光発光体又は蛍光性ドーパントとも呼ばれる）等を用いることができる。なかでも、発光効率を向上させる観点からは、リン光発光ドーパントが好ましい。
【０１０７】
リン光発光ドーパントは、励起三重項からの発光が得られる化合物である。具体的には、リン光発光ドーパントは、室温（２５℃）においてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において約０．０１以上となる化合物である。なかでも、リン光量子収率が約０．１以上の化合物が好ましい。
リン光量子収率は、例えば「第４版実験化学講座７・分光II」（１９９２年版、丸善）の３９８頁に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光発光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記０．０１以上のリン光量子収率が達成されればよい。
【０１０８】
リン光発光ドーパントの発光原理としては、エネルギー移動型とキャリアトラップ型の二つを挙げることができる。
エネルギー移動型の場合、キャリア（正孔又は電子）が輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こり、ホスト化合物の励起状態が生成する。この際に発生したエネルギーをホスト化合物からリン光発光ドーパントに移動させることで、リン光発光ドーパントからの発光を得る。
キャリアトラップ型の場合、リン光発光ドーパントがキャリア（正孔又は電子）をトラップすることで、リン光発光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光発光ドーパントからの発光を得る。
いずれの場合においても、リン光発光ドーパントの励起状態のエネルギー準位が、ホスト化合物の励起状態のエネルギー準位より低いことが条件である。
【０１０９】
上述のような発光過程を生じさせるリン光発光ドーパントとしては、従来の有機ＥＬ素子で用いられる公知の各種リン光発光ドーパントを適宜選択して用いることができる。
そのようなリン光発光ドーパントとしては、例えば元素の周期表で８族〜１０族の金属元素を含有する金属錯体が挙げられる。金属錯体のなかでも、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体及び希土類錯体のいずれかをリン光発光ドーパントとして用いることが好ましい。
【０１１０】
蛍光発光ドーパントとしては、例えばクマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０１１１】
上述したドーパントのうち、１種類のドーパントを用いることもできるし、発光極大波長の異なる複数種のドーパントを併用することもできる。複数種のドーパントを用いる場合、発光波長の異なる複数の光を混合することができ、これにより、任意の色の発光を得ることができる。例えば、青色ドーパント、緑色ドーパント及び赤色ドーパントの３種類のドーパントを、発光層に含有させることにより、白色光を得ることができる。
【０１１２】
なお、有機ＥＬ素子１から発光する光の色は、有機ＥＬ素子１から発光する光を分光放射輝度計（コニカミノルタ社製、ＣＳ−１０００）で測定し、その測定結果を、ＣＩＥ（国際照明委員会）色度座標（例えば、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図７．１６参照）に当てはめて決定する。
発光色の「白色」とは、２度視野角正面輝度を上記手法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度が、Ｘ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にある色をいう。
【０１１３】
発光層は、１層又は複数層設けることができる。
複数の発光層を設ける場合、互いに発光色の異なる発光層として積層することができる。例えば、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を積層し、各発光層からの光から白色光が得られるように調色発光させてもよい。
また、複数の発光層を設ける場合、隣り合う発光層間に非発光性の中間層を設けることができる。当該中間層は、発光層が含有するホスト化合物と同様の材料で形成することができる。
【０１１４】
発光層の厚さは、任意に設定することが可能である。発光層の均質性を高めるとともに、発光時の不要な高電圧の印加を避け、駆動電流に対する発光色の安定性を向上させる観点からは、発光層の厚さは、５〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【０１１５】
（４）電子輸送層
電子輸送層は、陰極２６から供給された電子を発光層に輸送（注入）する層である。電子輸送層は、陽極２３側からの正孔の流入を阻止する障壁としても作用する。そのため、電子輸送層は、電子注入層、正孔阻止層又はその両方として機能させるために形成されることもある。
【０１１６】
電子輸送層の材料としては、正孔阻止材料を兼ね、陰極２６より注入された電子を発光層に伝達（輸送）する機能を有する材料であれば、従来公知の化合物を用いることができる。
従来公知の電子輸送層の材料としては、例えばフルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリゾール誘導体、シロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、８−キノリノール誘導体、アルミニウムキノレート（Ａｌｑ３）等の金属錯体が挙げられる。
電子輸送層の他の材料としては、例えばメタルフタロシアニン、メタルフリーフタロシアニン、それらの末端基をアルキル基、スルホン酸基等で置換した化合物等が挙げられる。
【０１１７】
電子輸送層は、不純物がゲスト材料（ドープ材ともいう）としてドープされた、ｎ性の高い、電子リッチな電子輸送層であってもよい。不純物がドープされた電子輸送層の具体例は、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されている。
【０１１８】
ゲスト材料としては、有機物のアルカリ金属塩を用いることができる。
有機物の種類は任意であるが、例えば、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、フタル酸塩、イソフタル酸塩、テレフタル酸塩、サリチル酸塩、ピルビン酸塩、乳酸塩、リンゴ酸塩、アジピン酸塩、メシル酸塩、トシル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩等を、有機物として用いることができる。なかでも、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩又は安息香酸塩が好ましい。より好ましくは、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩等の脂肪族カルボン酸であり、さらに好ましくは炭素数が４以下の脂肪族カルボン酸であり、特に好ましくは、酢酸塩である。
【０１１９】
有機物のアルカリ金属塩を構成するアルカリ金属の種類は任意であり、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等を用いることができる。なかでも、Ｋ又はＣｓが好ましく、Ｃｓがより好ましい。
【０１２０】
そのため、電子輸送層のゲスト材料として用い得る有機物のアルカリ金属塩は、上記有機物と上記アルカリ金属とを組み合わせた化合物になる。
具体的には、ゲスト材料として、例えばギ酸Ｌｉ、ギ酸Ｋ、ギ酸Ｎａ、ギ酸Ｃｓ、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、プロピオン酸Ｌｉ、プロピオン酸Ｎａ、プロピオン酸Ｋ、プロピオン酸Ｃｓ、シュウ酸Ｌｉ、シュウ酸Ｎａ、シュウ酸Ｋ、シュウ酸Ｃｓ、マロン酸Ｌｉ、マロン酸Ｎａ、マロン酸Ｋ、マロン酸Ｃｓ、コハク酸Ｌｉ、コハク酸Ｎａ、コハク酸Ｋ、コハク酸Ｃｓ、安息香酸Ｌｉ、安息香酸Ｎａ、安息香酸Ｋ、安息香酸Ｃｓ等を用いることができる。なかでも、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ又は酢酸Ｃｓが好ましく、酢酸Ｃｓが最も好ましい。
【０１２１】
上記ゲスト材料の含有量は、電子輸送層に対して、約１．５〜３５．０質量％の範囲内であることが好ましく、約３〜２５質量％の範囲内であることがより好ましく、約５〜１５質量％の範囲内であることがさらに好ましい。
【０１２２】
電子輸送層の厚さは、電子輸送層の材料に応じて適宜設定することができるが、５〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【０１２３】
電子輸送層は、１層のみ設けることもできるし、複数層設けることもできる。
電子輸送層を１層のみ設ける場合、当該１層に上述した材料の１種又は２種以上が用いられることが好ましい。
また、電子輸送層を複数層設ける場合、発光層に最も近い電子輸送層の材料としては、上述した材料の１種又は２種以上が用いられることが好ましい。
【０１２４】
（５）電子注入層
電子注入層は、電子バッファー層とも呼ばれ、有機ＥＬ素子１の駆動電圧の低下及び発光輝度の向上を目的として、陰極２６と発光層間又は陰極２６と電子輸送層間に設けられ得る。
電子注入層の構成の詳細な説明は省略するが、例えばフッ化リチウム等を用いることができ、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）等に記載された電子注入層の構成を採用し得る。
【０１２５】
〔第２ガスバリアー層〕
第２ガスバリアー層２７は、陽極２３、有機機能層２５及び陰極２６が、大気中の水又は酸素等と反応して変質し、劣化することを防ぐため、陽極２３、有機機能層２５及び陰極２６の側面も含めて全面的に被覆するように形成されている。第２ガスバリアー層２７の形成により、陽極２３、有機機能層２５及び陰極２６は、第１ガスバリアー層２２と第２ガスバリアー層２７間に封止されるため、第２ガスバリアー層２７は封止層としても機能する。
【０１２６】
第２ガスバリアー層２７は、第１ガスバリアー層２２と同様のガスバリアー性、絶縁性及び透明性を有することが好ましい。
すなわち、第２ガスバリアー層２７は、水蒸気透過度（環境条件：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が約０．０１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下であり、酸素透過度が約０．０１ｃｍ３／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下のガスバリアー性を有することが好ましく、水蒸気透過度が約０．０００１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下であり、かつ酸素透過度が０．０００１ｃｍ３／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下のハイガスバリアー性を有することがより好ましい。
【０１２７】
第２ガスバリアー層２７は、電気抵抗率が１×１０１２Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが好ましい。
また、第２ガスバリアー層２７は、光線透過率が可視光領域で約８０％以上の透明性を有することが好ましい。
【０１２８】
上述したようなガスバリアー性、絶縁性及び透明性を有する第２ガスバリアー層２７の材料としては、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等のケイ素化合物、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の無機化合物が挙げられる。なかでも、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等の窒化物は耐水性、ガスバリアー性、透明性及び切断分割時の割断性に優れるだけでなく、原料となる酸素ガスの使用量を減らして、酸化による有機機能層２５及び陰極２６の劣化を抑えることができ、好ましい。また、フィルム基板２０側又は保護フィルム４側のいずれからでも光の取出しが可能となり、発光効率が向上する点においても、好ましい。
【０１２９】
第２ガスバリアー層２７の厚さは、条件に応じて適宜設定することができるが、１００〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
厚さが１００ｎｍ以上であると、パーティクル等によるピンホールが発生しにくく、軟化した接着層３が当該ピンホールを介して陰極２６及び有機機能層２５に入りこむことを抑えることができる。接着層３の成分によって、陰極２６及び有機機能層２５が酸化し、変質することを抑えることができ、ダークスポットの増大を抑えることができる。一方、第２ガスバリアー層２７の厚さが１０００ｎｍ以下であると、厚膜化による生産効率の低下及び有機ＥＬ素子１の曲げに対する耐久性の低下を抑えることができる。また、厚膜化によって第２ガスバリアー層２７の製膜時間が長時間となり、製膜時の蓄熱によりフィルム基板２０が変形することを防ぐことができる。
【０１３０】
〔接着層〕
接着層３は、保護フィルム４を第２ガスバリアー層２７上に貼り合わせるために設けられている。
接着層３の材料としては、例えばアクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化性又は熱硬化性接着剤、エポキシ樹脂等の熱硬化性又は化学硬化性（二液混合）接着剤、ポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いたホットメルト型接着剤、カチオン硬化性の紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤等が挙げられる。
【０１３１】
なかでも、製造プロセスを簡略化する観点から、熱硬化性接着剤が好ましい。
熱硬化性接着剤は、第２ガスバリアー層２７及び保護フィルム４との密着性を考慮して、好適な熱硬化性接着剤を適宜選択することができる。例えば、分子の末端又は側鎖にエチレン性二重結合を有する化合物と、熱重合開始剤とを主成分とする樹脂等を用いることができ、より具体的には、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等を用いた熱硬化性接着剤を用いることができる。また、貼り合わせ方法及び硬化方法に応じて溶融タイプの熱硬化性接着剤を用いることができる。
【０１３２】
接着層３は、保護フィルム４側からの入射光を散乱させる観点から、下地層２１と同様の無機化合物粒子を含有することができる。
これにより、接着層３の硬度を大きくすることができ、保護フィルム４に分割溝が形成された場合に第２ガスバリアー層の損傷を防ぐ緩衝材として、接着層３機能させることができる。また、分割溝の形成時に照射され、保護フィルム４を透過したレーザー光を、接着層３が散乱させることができ、レーザー光による第２ガスバリアー層２７の損傷を防ぐことができる。
【０１３３】
また、接着層３は、第２ガスバリアー層２７との接着性を向上させる観点から、下地層２１と同様のシランカップリング剤、上記無機化合物粒子等を含有することもできる。
【０１３４】
熱硬化性接着剤は、シート状に加工されていることが好ましい。シート状の熱硬化性接着剤を用いる場合、常温（２５℃）付近では非流動性を示し、５０〜１２０℃の温度範囲内では流動性を示す熱硬化性接着剤が好ましい。
【０１３５】
接着層３は、有機ＥＬ素子１の長寿命化等を考慮して、含水率が約１．０％以下であることが好ましい。この含水率は、ＡＳＴＭ（米国材料試験協会）−Ｄ５７０に準拠した手法で測定された値である。
【０１３６】
〔保護フィルム〕
保護フィルム４は、有機ＥＬ素子１の各層を外部衝撃から保護し、発光時の放熱性を高めるため、接着層３を介して第２ガスバリアー層２７上に貼り合わされている。
保護フィルム４は、放熱性を高める目的から、図１に示すようにフィルム面の面積が第２ガスバリアー層２７よりも小さいことが好ましい。保護フィルム４の面積が第２ガスバリアー層２７より小さいと、貼り合わせの精度に左右されることなく、有機ＥＬ素子１の各層を所定のパターン形状に形成する精度を高めることで、有機ＥＬ素子１端部の非発光部分の面積を縮小することができる。非発光部分の面積が小さいほど、フィルム基板２０の実用面積が増えてコストの低減が可能であり、有機ＥＬ素子１が表示装置、照明装置として使用された場合の商品価値が向上する。
【０１３７】
保護フィルム４は、フィルム状又は板状であり、フィルム基板２０と対向するように位置する。
保護フィルム４としては、フィルム基板２０と同様の可撓性を有するフィルムを用いることができ、例えば薄膜ガラス、薄膜セラミック、樹脂フィルム、ガラス繊維又は炭素繊維を含む樹脂フィルム、ＳＵＳ、インバー等のＮｉ−Ｆｅ合金、アルミニウム、チタン等の金属フィルム等を用いることができる。
【０１３８】
保護フィルム４側から光を取り出す場合、保護フィルム４は、上記フィルム基板２０と同様に透明性の高い樹脂フィルムであることが好ましい。この場合、保護フィルム４と接着層３間に、第１ガスバリアー層２２と同様のガスバリアー層を設けて、保護フィルム４から接着層３へのガスの浸入を抑制することが好ましい。当該ガスバリアー層の水蒸気透過度は、０．０１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下であることが好ましい。
【０１３９】
保護フィルム４から光を取り出さない場合、保護フィルム４は、ロール体として供給する場合の取扱い性、防湿性及び放熱性の向上の観点から、上記透明性の高い樹脂フィルムと金属フィルムの積層体であることが好ましい。
【０１４０】
保護フィルム４の厚さは、ロール体として供給された場合の取扱い性及び操作性の向上、貼り合わせ時に第２ガスバリアー層２７に与える負荷の軽減等の観点から、３０〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１４１】
貼り合わせ時、接着層３があらかじめ積層された保護フィルム４が、当該接着層３を介して第２ガスバリアー層２７に貼り合わされることが、製造プロセスが容易となり、好ましい。
接着層３が積層され、所定の形状に断裁された保護フィルム４を、離型フィルムに仮固定したロール体を貼り合わせに用いることもできるし、接着層３が所定の形状に形成された保護フィルム４のロール体を、貼り合わせに用いることもできる。
【０１４２】
〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
次に、上記有機ＥＬ素子１を製造する本実施の形態の製造方法及び製造装置を説明する。
図８は、本実施の形態の製造装置１００の概略構成を示している。
製造装置１００は、図８に示すように、アンワインダー１０１、前処理部Ｒ１０、本体形成部Ｒ２０、封止部Ｒ３０、アキューム室Ｒ４０、貼り合わせ部Ｒ５０、第１切断部Ｒ６０、第２切断部Ｒ７０及びワインダー１０２を備えている。
アンワインダー１０１からワインダー１０２までの間には、フィルム基板２０を搬送する複数のガイドローラーが設けられている。
【０１４３】
あらかじめ、フィルム基板２０上に下地層２１及び第１ガスバリアー層２２を形成し、得られたフィルム基板２０のロール体をアンワインダー１０１にセットする。
【０１４４】
下地層２１の形成方法としては、例えば蒸着法等のドライプロセス、スプレー塗布法、グラビアコーター、コンマコーター、ダイコーター等を用いた塗布法、インクジェット法等のウェットプロセスが挙げられる。
【０１４５】
第１ガスバリアー層２２の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッター法、マグネトロンスパッター法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法（特開２００４−６８１４３号公報参照）、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、湿式塗布法等が挙げられる。
【０１４６】
アンワインダー１０１は、フィルム基板２０のロール体を巻き出す。
前処理部Ｒ１０は、１×１０−５〜１０Ｐａの範囲内の真空雰囲気下において、スリット後のフィルム基板２０の表面、すなわち第１ガスバリアー層２２の表面をドライクリーニングし、脱水処理する。
前処理部Ｒ１０において表面処理されたフィルム基板２０は、本体形成部Ｒ２０へと順次搬送される。
【０１４７】
本体形成部Ｒ２０は、図８に示すように四つの層形成部Ｒ２１〜Ｒ２４を備えている。
前処理部Ｒ１０と層形成部Ｒ２１間には、それぞれの圧力差を調整するゲートバルブ又は圧力調整部が設けられている。
また、各層形成部Ｒ２１〜Ｒ２４間には、各層形成部Ｒ２１〜Ｒ２４での処理速度の差を吸収するためのアキュムレーターが設けられている。
各層形成部Ｒ２１〜Ｒ２４は、独立して排気を行い、真空状態又は減圧状態に保たれている。各層形成部Ｒ２１〜Ｒ２４内の圧力は、製膜方法によって異なるが、１×１０−６〜１０Ｐａ程度の範囲に設定されている。
【０１４８】
本体形成部Ｒ２０は、各層形成部Ｒ２１〜Ｒ２４により、フィルム基板２０の第１ガスバリアー層２２上に、複数の有機ＥＬ素子１の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５及び陰極２６を所定のパターン形状で形成する。
なお、フィルム基板２０上の下地層２１及び第１ガスバリアー層２２も、本体形成部Ｒ２０が形成する構成であってもよい。
【０１４９】
図９は、フィルム基板２０上の複数の有機ＥＬ素子１の配置例を示している。図９中の一点鎖線は各有機ＥＬ素子１の境界線Ｌ１を示している。
本体形成部Ｒ２０は、図９に示すように、各有機ＥＬ素子１の取出し配線２４が各有機ＥＬ素子１間で隣接し、かつフィルム基板２０の搬送方向Ｌ２において連続するように、各有機ＥＬ素子１を配置することが好ましい。
これにより、第２ガスバリアー層２７をフィルム基板２０の搬送方向に連続してストライプ状に形成することができ、第２ガスバリアー層２７の形成が容易となる。また、接着層３及び保護フィルム４もロール体として供給してストライプ状に貼り合わせればよく、貼り合わせが容易となる。第２ガスバリアー層２７及び保護フィルム４の位置合わせのための時間を短縮することができ、フィルム基板２０の搬送速度も高速化することができるため、生産性が向上する。
【０１５０】
フィルム基板２０は、各有機ＥＬ素子１の境界線Ｌ１に沿って切断分割されるが、１度に切断分割する従来の方法では第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７の損傷を考慮して、各有機ＥＬ素子１の端部の非発光部分を広く設けなければならない。しかし、製造装置１００によれば、切断分割時の第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７の損傷がないか、あっても少ないため、非発光部分を縮小することができる。これにより、フィルム基板２０上により多くの有機ＥＬ素子１を配置することができ、生産性が向上する。
【０１５１】
層形成部Ｒ２１は、フィルム基板２０の第１ガスバリアー層２２上に、各有機ＥＬ素子１の陽極２３を形成する。
陽極２３の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッター法、マグネトロンスパッター法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、湿式塗布法等が挙げられる。
【０１５２】
図１０は、層形成部Ｒ２１の概略構成を示している。
層形成部Ｒ２１は、図１０に示すように、複数の搬送ローラー５１及び５２、冷却ローラー５３、連続マスク５４、材料供給部５５並びにクリーニング部５６を備えている。
【０１５３】
層形成部Ｒ２１において、フィルム基板２０は複数の搬送ローラー５１により搬送される。
また、連続マスク５４は、複数の搬送ローラー５２に掛け渡されて、周回するように連続的に搬送される。
フィルム基板２０及び連続マスク５４の搬送路は、図１０に示すように一部共通しており、共通の搬送路では、搬送ローラー５１及び５２により、フィルム基板２０及び連続マスク５４は重ねて搬送される。
【０１５４】
冷却ローラー５３は、フィルム基板２０を挟んで材料供給部５５と対向する位置に配置され、フィルム基板２０及び連続マスク５４が重なるように、フィルム基板２０及び連続マスク５４を張架している。
冷却ローラー５３は、ローラー内部に冷却機構を内蔵し、フィルム基板２０の第１ガスバリアー層２２の第２面２０Ｂに当接して、フィルム基板２０を冷却する。これにより、材料供給部５５からの材料供給によって高温状態にあるフィルム基板２０を冷却することができる。
【０１５５】
連続マスク５４は、形成する層のパターン形状に応じた開口部が所定間隔で設けられたループ状の遮蔽材である。
連続マスク５４は、搬送中のフィルム基板２０と重ね合わせられるため、フィルム基板２０と同様に可撓性を有することが好ましい。
【０１５６】
可撓性を有する連続マスク５４の材料としては、例えばＳＵＳ３００系、インバー、４２アロイ合金、ハステロイ（登録商標）、インコネル（登録商標）等のＦｅ−Ｎｉ合金、アルミニウム、マグネシウム、チタン等の金属又はこれらの合金、ガラス、シリコン、アルミナ、窒化ホウ素等のセラミックス、ポリエステル、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ベークライト樹脂、ポリカーボネイト等の耐熱性に優れた熱硬化性樹脂等が挙げられる。
【０１５７】
なかでも、金属は、開口部の加工が容易であり、耐熱性が高く、線膨張係数の低い連続マスク５４を得ることができ、クリーニング部５６によるドライクリーニングに対する耐久性に優れることから好ましい。
また、上記熱硬化性樹脂は、耐熱性の向上及び線膨張係数の低減の観点から、ガラス繊維、炭素繊維等を含有することが好ましい。これにより、連続マスク５４の寸法精度を向上させることができる。
【０１５８】
連続マスク５４の厚さは、可撓性及び耐久性を得る観点から、０．１〜３．０ｍｍの範囲内であることが好ましい。
連続マスク５４は、ドライクリーニングに対する耐久性及び連続マスク５４に付着した材料の剥離性を向上させる観点から、表面処理が施され得る。表面処理としては、例えばＮｉメッキ処理、アルマイト処理、フッ素コーティング処理等が挙げられる。
【０１５９】
材料供給部５５は、連続マスク５４が重ね合わされたフィルム基板２０に対し、陽極２３の材料を供給する。これにより、フィルム基板２０の第１ガスバリアー層２２上の連続マスク５４の開口部と対応する部分に、陽極２３が所定のパターン形状で形成される。
材料供給部５５は、採用された陽極２３の形成方法に対応した方法で材料を供給する。
【０１６０】
クリーニング部５６は、陽極２３の形成後、フィルム基板２０から離れた連続マスク５４をドライクリーニングし、連続マスク５４上に残存する材料を除去する。
【０１６１】
具体的には、クリーニング部５６は、冷却部５６１及びプラズマエッチング部５６２を備えている。
冷却部５６１は、材料供給によって高温状態にある連続マスク５４を冷却する。
プラズマエッチング部５６２は、高周波電圧を印加してプラズマ化したガスを連続マスク５４に吹き付け、連続マスク５４に付着した材料をエッチングして取り除く。プラズマ化するガスとしては、Ｏ２、ＮＦ３、Ａｒ、Ｎ２等のガスが用いられ得る。
【０１６２】
層形成部Ｒ２２は、陽極２３が形成されたフィルム基板２０上に、各有機ＥＬ素子１の陽極２３及び陰極２６の取出し配線２４を形成する。陽極２３の取出し配線２４は、フィルム基板２０上の陽極２３と接する位置に形成される。
層形成部Ｒ２２は、層形成部Ｒ２１と同様に構成されている。すなわち、層形成部Ｒ２２は、取出し配線２４のパターン形状に応じた連続マスク５４を用いて、材料供給部５５により取出し配線２４の材料を供給する以外は、層形成部Ｒ２１と同様にして、取出し配線２４を形成することができる。
【０１６３】
なお、陽極２３と取出し配線２４を同一材料として、層形成部Ｒ２１が一つの連続マスクを用いて陽極２３及び取出し配線２４の両方を一度に形成することもできる。この形成方法によれば、生産コストを減らすことができ、好ましい。
【０１６４】
層形成部Ｒ２３は、取出し配線２４が形成されたフィルム基板２０上に、各有機ＥＬ素子１の有機機能層２５を形成する。
有機機能層２５の形成方法としては、例えば真空蒸着法が挙げられる。
層形成部Ｒ２３は、有機機能層２５を形成するため、１×１０−６〜１×１０−４Ｐａの高真空領域に設定されていることが好ましい。
【０１６５】
層形成部Ｒ２３は、層形成部Ｒ２１と同様に構成されている。すなわち、層形成部Ｒ２３は、有機機能層２５のパターン形状に応じた連続マスク５４を用いて、材料供給部５５により有機機能層２５の材料を供給する以外は、層形成部Ｒ２１と同様にして、有機機能層２５を形成することができる。
有機機能層２５が発光層以外にも複数の有機層を有する場合、層形成部Ｒ２３は、有機機能層２５の各層を、一つの連続マスク５４により同一パターン形状で積層して、有機機能層２５を形成することが好ましい。
【０１６６】
層形成部Ｒ２４は、有機機能層２５が形成されたフィルム基板２０上に、各有機ＥＬ素子１の陰極２６を形成する。層形成部Ｒ２４は、陰極２６の取出し配線２４と一部接するように陰極２６を形成する。
陰極２６の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッター法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
【０１６７】
層形成部Ｒ２４は、層形成部Ｒ２１と同様に構成されている。すなわち、層形成部Ｒ２４は、陰極２６のパターン形状に応じた連続マスク５４を用いて、材料供給部５５により陰極２６の材料を供給する以外は、層形成部Ｒ２１と同様にして、陰極２６を形成することができる。
層形成部Ｒ２４内は、１×１０−６〜１０Ｐａの範囲内の圧力下にあることが好ましい。
【０１６８】
封止部Ｒ３０は、陰極２６が形成されたフィルム基板２０上に、第２ガスバリアー層２７を形成する。
第２ガスバリアー層２７の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッター法、マグネトロンスパッター法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等が挙げられる。
【０１６９】
なかでも、フィルム基板２０上の各層間の段差及び凹凸を平面化するように被覆する観点から、ステップカバーレッジ性が良好な方法で形成されることが好ましい。
ステップカバーレッジ性が良好な方法としては、比較的圧力が高く、原料ガスが拡散しやすいスパッター法、イオンプレーティング法又はＣＶＤ法が挙げられる。これらの形成方法を採用することにより、緻密で、ステップカバーレッジ性及びガスバリアー性に優れた第２ガスバリアー層２７を形成することができる。
【０１７０】
封止部Ｒ３０は、層形成部Ｒ２１と同様に構成されている。すなわち、封止部Ｒ３０は、第２ガスバリアー層２７のパターン形状に応じた連続マスク５４を用いて、材料供給部５５により第２ガスバリアー層２７の材料を供給する以外は、層形成部Ｒ２１と同様にして、第２ガスバリアー層２７を形成することができる。
【０１７１】
なお、封止部Ｒ３０は、フィルム基板２０上の各層２１〜２６を全面的に被覆するように、第２ガスバリアー層２７を形成することもできるし、有機ＥＬ素子１が図９に示すように配置される場合は前述のようにストライプ状のパターン形状で形成することもできる。
【０１７２】
封止部Ｒ３０により第２ガスバリアー層２７が形成されたフィルム基板２０は、アキューム室Ｒ４０へ搬送される。
【０１７３】
アキューム室Ｒ４０は、封止部Ｒ３０と貼り合わせ部Ｒ５０間の圧力差を調整する。また、アキューム室Ｒ４０は、アキュムレーターによりフィルム基板２０の搬送速度を調整する。
圧力及び搬送速度が調整されたフィルム基板２０は、アキューム室Ｒ４０から貼り合わせ部Ｒ５０へ搬送される。
【０１７４】
貼り合わせ部Ｒ５０は、フィルム基板２０の第２ガスバリアー層２７に、接着層３を介して保護フィルム４を貼り合わせる。
貼り合わせ部Ｒ５０は、図８に示すようにワインダー９１、複数の搬送ローラー９２及び９３を備えている。ワインダー９１には、接着層３があらかじめ形成された保護フィルム４のロール体がセットされている。
【０１７５】
貼り合わせ部Ｒ５０は、保護フィルム４のロール体をワインダー９１により巻き出し、搬送ローラー９２及び９３によりフィルム基板２０と保護フィルム４を重ね合わせて搬送する。搬送ローラー９２及び９３のニップ圧により、接着層３を介してフィルム基板２０と保護フィルム４が接着される。
保護フィルム４が貼り合わされたフィルム基板２０は、第１切断部Ｒ６０へ搬送される。
【０１７６】
貼り合わせ部Ｒ５０は、フィルム基板２０上を全面的に被覆するように保護フィルム４を貼り合わせることができる。この場合、保護フィルム４の貼り合わせが容易であり、位置合わせの時間を短縮化し、搬送速度を高速化できるので、生産性が向上する。
貼り合わせ部Ｒ５０は、有機ＥＬ素子１が図９に示すように配置される場合は、前述のように保護フィルム４をストライプ状に貼り合わせることができる。この場合、保護フィルム４に要するコストを低減することができる。なお、ストライプ状の保護フィルム４は、第２ガスバリアー層２７よりもフィルム面が小さいことが好ましい。
【０１７７】
第１切断部Ｒ６０は、各有機ＥＬ素子１の境界線に沿って、フィルム基板２０の第２面２０Ｂに分割溝を形成する。
【０１７８】
第１切断部Ｒ６０は、フィルム基板２０の厚さ方向において先細るテーパー形状の分割溝を形成することが好ましい。
分割溝がテーパー形状であると、フィルム基板２０を切断分割する際にフィルム基板２０に加わる応力を分割溝の先端に集中させることができる。これにより、フィルム基板２０の変形を防ぐことができ、変形によって第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７が歪み、損傷することを防ぐことができる。損傷が少ない有機ＥＬ素子１は、非発光部分が縮小されても高いガスバリアー性、ひいては発光性能に対する信頼性を維持できる。また、分割溝に沿っての切断分割が容易となり、生産性が向上する。
【０１７９】
テーパー形状の分割溝は、断面形状がＶ字状、斜面が曲面状のＶ字状、階段状又はこれらのうちの２以上を組み合わせた形状であることが好ましい。
これにより、図５Ａ〜図５Ｇに例示したような端部形状のフィルム基板２０を有する有機ＥＬ素子１を得ることができる。
【０１８０】
図１１Ａ〜図１１Ｄは、上記テーパー形状の分割溝の断面形状を例示している。
図１１Ａは、断面形状がＶ字状の分割溝の例を示している。当該分割溝の斜面はフィルム基板２０の第１面２０Ａに対し、傾斜角度θで傾斜している。
図１１Ｂ及び図１１Ｃは、断面形状がＶ字状で傾斜角度θ１又はθ２の分割溝に、さらに異なる傾斜角度θのＶ字状の分割溝を組み合わせた例を示している。
図１１Ｄは、斜面が曲面のＶ字状の断面形状を持つ分割溝の例を示している。当該分割溝の斜面は、異なる傾斜角度θ３〜θ５（θ５＞θ４＞θ３）の斜面からなり、全体として曲面状に形成されている。この分割溝は、分割溝の幅中心で切断分割されるため、切断分割後のフィルム基板２０端部の傾斜角度は、傾斜角度θ５ではなく、傾斜角度θとなる。
図１１Ｅは、断面形状が階段状の分割溝の例を示している。
図１１Ｆ及び図１１Ｇは、断面形状が階段状の分割溝の先端に、さらにＶ字状の分割溝を組み合わせた例を示している。
【０１８１】
特に、図１１Ｂ〜図１１Ｇに示す形状であれば、レーザー光の照射によるフィルム基板２０の蒸発成分がフィルム基板２０に再付着することを防ぐことができる。
【０１８２】
分割溝は、切断分割を容易とするため、フィルム基板２０の第２面２０Ｂから下地層２１の界面付近まで形成されることが好ましい。一方、下地層２１を超えて第１ガスバリアー層２２まで分割溝が形成されないように、分割溝の深さは、フィルム基板２０の厚さの７０〜１００％程度の範囲内であることが好ましい。
【０１８３】
第１切断部Ｒ６０は、レーザー光を照射するか、熱インプリントを行うか又はこれらの組み合わせにより、上記テーパー形状の分割溝を形成することができる。
レーザー光又は熱インプリントにより、保護フィルム４が貼り合わされたフィルム基板２０を一度に完全切断する場合、多くの熱エネルギーを長時間加える必要があるため、フィルム基板２０が溶融及び炭化しやすい。炭化及び溶融に起因するフィルム基板２０の変形によって、第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７が歪み、損傷することがある。しかし、分割溝の形成に必要な熱エネルギーは、完全切断に必要な熱エネルギーに比較して十分に小さく、分割溝の形成によって、フィルム基板２０の炭化及び溶融はほとんど生じない。そのため、上述したような第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７の損傷も回避することができる。
【０１８４】
レーザー光を照射する場合、第１切断部Ｒ６０は、図１２に示すように、フィルム基板２０の第２面２０Ｂと対向する位置に配置されたレーザー照射部６１を備え、当該レーザー照射部６１により分割溝を形成する。
【０１８５】
レーザー照射部６１は、フィルム基板２０の第２面２０Ｂにレーザー光を照射してフィルム基板２０をエッチングし、分割溝を形成する。レーザー光の照射によれば、断面形状がＶ字状の分割溝を形成することができる。
レーザー照射部６１は、レーザー出力又は照射時間を異ならせて、形成する分割溝の幅、深さ及び斜面の傾斜角度を調整することができる。
また、レーザー照射部６１は、フィルム基板２０及び下地層２１の材料に応じて、照射するレーザー光の波長を異ならせることができる。例えば、フィルム基板２０と下地層２１の吸収波長が異なる場合、レーザー光の波長を、下地層２１よりもフィルム基板２０側に多くエネルギーが吸収される波長に合わせることで、下地層２１に分割溝が形成される速度を遅らせることができる。レーザー光のエネルギーが第１ガスバリアー層２２に到達する前に、レーザー光の照射を停止することができ、損傷を防ぐ効果が得られる。
【０１８６】
レーザー照射部６１は、複数の段階に分けて断面形状がＶ字状の分割溝を形成し、各段階で形成する分割溝の斜面の傾斜角度を異ならせることにより、断面形状がＶ字状の分割溝の斜面を曲面状に形成することができる。
例えば、レーザー照射部６１は、３段階に分けてレーザー光を照射し、段階ごとにレーザー出力を大きくし、レーザー光のスポット径を小さくする。これにより、図１１Ｄに示すように、傾斜角度がそれぞれθ３、θ４及びθ５（θ５＞θ４＞θ３）の斜面を連続して形成することができ、全体として曲面状の斜面を持つＶ字状の分割溝とすることができる。
【０１８７】
レーザー照射部６１が照射するレーザー光としては、例えばエキシマレーザー、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザー、ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、ルビーレーザー、ＹＶＯ４レーザー、半導体レーザー等を用いることができる。
【０１８８】
第１切断部Ｒ６０は、一つのレーザー照射部６１を各境界線に合わせて移動して分割溝を形成することもできるし、各境界線上に複数のレーザー照射部６１を配置して複数の分割溝を並行して形成することもできる。
【０１８９】
熱インプリントを行う場合、第１切断部Ｒ６０は、図１３に示すように、フィルム基板２０の第２面２０Ｂと対向する位置に配置された成形部６２を備えて、当該成形部６２により分割溝を形成する。
成形部６２は、形成する分割溝の形状に応じた突起部を有する金型を加熱して、当該金型をフィルム基板２０の第２面２０Ｂに押し当てて分割溝を形成する。
熱インプリントによれば、金型の突起部の形状を変えることにより、任意の断面形状の分割溝を形成することが可能である。
【０１９０】
成形部６２が用いる金型は、ガラス製、セラミック製又は金属製であることができる。
金型の加熱温度は、フィルム基板２０に応じて適宜選択すればよいが、一般的には２０〜２００℃の範囲内である。
金型は、フィルム基板２０からの剥離性を高めるため、フッ素コーティング等の表面処理が施されていてもよい。
【０１９１】
第１切断部Ｒ６０は、レーザー光の照射と熱インプリントを組み合わせて、複数の段階に分けて分割溝を形成し、各段階で形成する分割溝の断面形状を異ならせて、分割溝の断面形状をＶ字状、斜面が曲面状のＶ字状又は階段状のうちの２以上を組み合わせた形状とすることができる。この場合、第１切断部Ｒ６０は、レーザー照射部６１及び成形部６２の両方を備え、それぞれにより複数の段階的に分けて分割溝を形成する。
【０１９２】
例えば、成形部６２により断面形状が階段状の分割溝を形成した後、レーザー照射部６１により断面形状がＶ字状の分割溝を形成することにより、図１１Ｆ又は図１１Ｇに示すように、階段状の分割溝の先端がＶ字状である分割溝を形成することができる。
任意の形状の分割溝を１度に形成できる熱インプリントと組み合わせることにより、レーザー光の照射を１回のみとすることができ、生産性が高いとともに、レーザー光による第１ガスバリアー層２２の損傷を抑えることができる。また、レーザー光の照射単独で分割溝を形成する場合に比較してタクトタイムを短縮することができ、生産性が向上する。一方、レーザー光の照射によれば、熱インプリントよりも、分割溝を精度良く形成できる。よって、熱インプリントにレーザー光の照射を組み合わせることにより、下地層２１の界面ぎりぎりまで溝を形成したり、精細な溝形状を形成したりすることができる。
【０１９３】
第１切断部Ｒ６０は、フィルム基板２０上を全面的に被覆するように保護フィルム４が貼り合わされている場合、フィルム基板２０の第２面２０Ｂだけでなく、各有機ＥＬ素子１の境界線に沿って、保護フィルム４の第２面４Ｂにも同様の分割溝を形成することができる。
各分割溝により、切断分割がより容易となる。また、フィルム基板２０と保護フィルム４を並行して切断することができ、生産性が向上する。切断分割時の第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７の損傷が少ないため、損傷を考慮することなく、フィルム基板２０における各有機ＥＬ素子１間の距離を縮小することができ、単位面積あたりの有機ＥＬ素子１の製造量が増え、コストを低減することができる。
【０１９４】
保護フィルム４の第２面４Ｂにも分割溝を形成する場合、第１切断部Ｒ６０は、フィルム基板２０の第２面２０Ｂ及び保護フィルム４の第２面４Ｂのそれぞれに対向する位置にレーザー照射部６１又は成形部６２を備えて、第２面２０Ｂ及び第２面４Ｂの分割溝を並行して形成することができる。
【０１９５】
また、第１切断部Ｒ６０は、第２ガスバリアー層２７がフィルム基板２０上に全面的に形成されている場合、第２ガスバリアー層２７まで分割溝が到達しないように、保護フィルム４のみに分割溝を形成することが好ましい。接着層３にも分割溝を形成する場合には、接着層３の厚さの３０〜９０％の範囲内とする等、分割溝の先端から第２ガスバリアー層２７まで十分な距離を設けることが好ましい。
【０１９６】
第２切断部Ｒ７０は、保護フィルム４が貼り合わされたフィルム基板２０を、第１切断部Ｒ７０により形成された分割溝に沿って切断分割し、複数の有機ＥＬ素子１を得る。
第２切断部Ｒ７０は、フィルム基板２０にエアーを吹き付けることにより、切断分割することができる。この場合、フィルム基板２０に非接触で切断分割を行うことができる。また、第２切断部Ｒ７０は、有機ＥＬ素子１ごとにフィルム基板２０をエアー吸引するか又は挟持して引っ張ることにより、切断分割することもできる。このような切断分割により、簡易な構成で切断分割することができ、高い生産性が得られる。
【０１９７】
エアーの吹付けにより切断分割する場合、第２切断部Ｒ７０は、図１４に示すようにエアー吹付け部７１を備えた構成とすることができる。
エアー吹付け部７１は、フィルム基板２０に形成された分割溝にエアーを吹付けて、その風圧によりフィルム基板２０を有機ＥＬ素子１ごとに切断分割する。
【０１９８】
エアー吹付け部７１の下方には、回収ボックス７８が設けられている。切断分割により得られた各有機ＥＬ素子１は、この回収ボックス７８に収容される。
有機ＥＬ素子１が切断された残りのフィルム基板２０は、ワインダー１０２によって巻き取られる。
【０１９９】
エアー吸引により切断分割する場合、第２切断部Ｒ７０は、図１５に示すように吸引アーム７２を備えた構成とすることができる。
吸引アーム７２は、エアーを吸引して、有機ＥＬ素子ごとにフィルム基板２０を吸着して引っ張り力を加え、切断分割する。吸引アーム７２は、切断分割により得られた有機ＥＬ素子１を図示しない回収ボックス内に移動する。
有機ＥＬ素子１が切断された残りのフィルム基板２０は、ワインダー１０２によって巻き取られる。
【０２００】
フィルム基板２０を挟持して切断分割する場合、第２切断部Ｒ７０は、図１６に示すようにローラー７４〜７６並びに搬送ベルト７７を備えた構成とすることができる。
ローラー７５は、搬送方向下流に位置するローラー７６とともに搬送ベルト７７を巻き回して、搬送ベルト７７を回動させている。搬送ベルト７７は、ベルト面に吸気孔が設けられ、当該ベルト面の内側に配置されたエアー吸引部を備えている。搬送ベルト７７は、エアー吸引部によりエアーを吸引し、フィルム基板２０を吸着して搬送することができる。
【０２０１】
一対のローラー７４及び７５は、有機ＥＬ素子１ごとにフィルム基板２０を挟持して、フィルム基板２０の搬送速度より早い搬送速度で搬送して引っ張り力を加える。
ローラー７４及び７５により引っ張り力が加えられたフィルム基板２０を、搬送ベルト７７が吸着してさらに引っ張り力を加え、有機ＥＬ素子１単位に切断分割する。なお、搬送ベルト７７がフィルム基板２０を吸着できるのであれば、ベルト表面に粘着層が設けられた構成であってもよい。
切断分割されて得られた有機ＥＬ素子１は、搬送ベルト７７により回収ボックス７８内へ搬送される。
有機ＥＬ素子１が切断された残りのフィルム基板２０は、ローラー７４により搬送されてワインダー１０２によって巻き取られる。
【実施例】
【０２０２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０２０３】
〔有機ＥＬ素子Ｓ１の製造〕
厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのロール体をフィルム基板２０として用いた。このフィルム基板２０の鉛筆硬度は、ＨＢであった。
次に、アクリル樹脂に平均粒径２０ｎｍの酸化ケイ素フィラーを混合した塗布液を調製し、当該塗布液をフィルム基板２０上に塗布して、厚さ５μｍの下地層２１を形成した。下地層２１の鉛筆硬度は、２Ｈ〜３Ｈであった。
さらに、ケイ素Ｓｉに対する酸素Ｏの原子数比が１．５〜２．０の範囲内にある酸化ケイ素ＳｉＯｘを用いて気相成長法により製膜し、下地層２１上に第１ガスバリアー層２２を形成した。第１ガスバリアー層２２の厚さは３００ｎｍであった。【０２０４】
次に、第１ガスバリアー層２２上に、複数の有機ＥＬ素子の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６を順次形成した。陽極２３として厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ層を高周波（ＲＦ：Radio Frequency）スパッター法により形成し、取出し配線２４として、厚さ３００ｎｍのアルミニウム層を形成した。また、有機機能層２５として、正孔注入層（銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、厚さ３０ｎｍ）／正孔輸送層（ＮＰＤ、厚さ１００ｎｍ）／蛍光系青色発光層（厚さ３０ｎｍ）／電子輸送層（アルミニウムキノレート（Ａｌｑ３）、厚さ３０ｎｍ）／電子注入層（フッ化リチウム、厚さ１ｎｍ）を形成し、陰極２６として、厚さ２００ｎｍのアルミニウム層を形成した。さらに、それら各層を被覆するように、気相成長法で窒化ケイ素（ＳｉＮ）層を形成し、厚さ３００ｎｍの第２ガスバリアー層２７を形成した。
次に、図１７Ａに示すように、第２ガスバリアー層２７上に、あらかじめ接着層３が設けられたストライプ状の保護フィルム４を貼り合わせた。【０２０５】
次に、図１７Ｂに示すように、フィルム基板２０の第２面２０Ｂに、レーザー照射部６１により炭酸ガスレーザー光を照射してフィルム基板２０をエッチングし、斜面の傾斜角度が約４５°のＶ字状の分割溝を形成した。照射時、炭酸ガスレーザー光を集光レンズで集光しながら、各有機ＥＬ素子の境界線上を３００ｍ／ｍｉｎの走査速度で走査した。炭酸ガスレーザー光は、波長１０．５μｍ、レーザー出力３０Ｗ、集光後のスポット径５０μｍであった。下地層２１の界面付近まで分割溝が形成されるように、炭酸ガスレーザー光の照射時間を調整した。【０２０６】
分割溝を形成後、図１７Ｃに示すように、エアー吹付け部７１により分割溝にエアーを吹き付けて、分割溝に沿ってフィルム基板２０を切断分割し、図１７Ｄに示すように複数の有機ＥＬ素子Ｓ１を得た。
各有機ＥＬ素子Ｓ１は、フィルム基板２０の第２面２０Ｂの面積が第１面２０Ａよりも小さく、フィルム基板２０の端部形状は、図５Ａに示すように傾斜角度θが約４５°の斜面状であった。【０２０７】
〔有機ＥＬ素子Ｓ２の製造〕
上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にして、フィルム基板２０上に複数の有機ＥＬ素子の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６及び第２ガスバリアー層２７を形成し、保護フィルム４を貼り合わせた。【０２０８】
貼り合わせ後、図１８Ａに示すように、成形部６２により、７０℃の温度雰囲気下で、フィルム基板２０の第２面２０ＢにＳＵＳ製の金型を押し当てて、断面形状がＶ字状の分割溝を形成した。金型は、断面形状がＶ字状である突起部を有し、当該突起部の高さは１５０μｍ、幅は１００μｍであった。分割溝の形成時、この突起部の高さ８０％程度までがフィルム基板２０に埋没するよう金型を押し当てて、深さが１２０μｍ程度の分割溝を形成した。【０２０９】
分割溝の形成後、図１８Ｂに示すように金型を離型した。そして、上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にしてエアーを吹き付け、分割溝に沿ってフィルム基板２０を切断分割した。切断分割により、図１８Ｃに示すように複数の有機ＥＬ素子Ｓ２を得た。
各有機ＥＬ素子Ｓ２は、フィルム基板２０の第２面２０Ｂの面積が第１面２０Ａよりも小さく、フィルム基板２０の端部形状が有機ＥＬ素子Ｓ１と同じ傾斜角度θが約７０°の斜面状であった。【０２１０】
〔有機ＥＬ素子Ｓ３の製造〕
上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にして、フィルム基板２０上に複数の有機ＥＬ素子の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６及び第２ガスバリアー層２７を形成し、保護フィルム４を貼り合わせた。【０２１１】
貼り合わせ後、図１９Ａに示すように、レーザー照射部６１によりフィルム基板２０の第２面２０Ｂに炭酸ガスレーザー光を照射して、フィルム基板２０の厚さの７０％程度をエッチングし、斜面の傾斜角度が約４５°のＶ字状の分割溝を形成した。照射時、炭酸ガスレーザー光を集光レンズで集光しながら、各有機ＥＬ素子の境界線上を３００ｍ／ｍｉｎの走査速度で走査した。炭酸ガスレーザー光は、波長１０．５μｍ、レーザー出力３０Ｗ、集光後のスポット径５０μｍであった。【０２１２】
次に、図１９Ｂに示すように、集光レンズを変更してレーザー照射部６１により下地層２１の界面付近までエッチングし、斜面の傾斜角度が約７０°のＶ字状の分割溝を形成した。
分割溝の形成後、上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にしてエアーを吹き付け、分割溝に沿ってフィルム基板２０を切断分割し、図１９Ｃに示すように複数の有機ＥＬ素子Ｓ３を得た。
各有機ＥＬ素子Ｓ３は、フィルム基板２０の第２面２０Ｂの面積が第１面２０Ａよりも小さく、フィルム基板２０の端部形状は、図５Ｃに示すように傾斜角度がそれぞれ約４５°及び約７０°の斜面状を組み合わせた形状であった。【０２１３】
〔有機ＥＬ素子Ｓ４の製造〕
上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にして、フィルム基板２０上に複数の有機ＥＬ素子の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６及び第２ガスバリアー層２７を形成し、保護フィルム４を貼り合わせた。【０２１４】
貼り合わせ後、図２０Ａに示すように、成形部６２により、７０℃の温度雰囲気下で、フィルム基板２０の第２面２０ＢにＳＵＳ製の金型を押し当てて、フィルム基板２０の厚さの７０％程度の分割溝を形成した。金型は、高さが１５０μｍ、幅が１００μｍである階段状の突起部を有し、形成された分割溝は断面形状が階段状であった。分割溝の形成時、この突起部の高さ８０％程度までがフィルム基板２０に埋没するよう金型を押し当てて、深さが１２０μｍ程度の分割溝を形成した。【０２１５】
さらに、図２０Ｂに示すようにレーザー照射部６１により炭酸ガスレーザー光を照射し、当該レーザー光を集光レンズで階段状の分割溝の先端に集光させながら、分割溝内を３００ｍｍ／分の走査速度で走査した。炭酸ガスレーザー光は、光波長が１０．５μｍ、出力３０Ｗ、集光後のスポット径５０μｍであった。この光走査により下地層２１の界面付近までフィルム基板２０をエッチングし、階段状の分割溝の先端部分を、斜面の傾斜角度が約４５°のＶ字状に加工した。【０２１６】
分割溝の形成後、上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にしてエアーを吹き付け、分割溝に沿ってフィルム基板２０を切断分割し、図２０Ｃに示すように複数の有機ＥＬ素子Ｓ４を得た。
各有機ＥＬ素子Ｓ４は、フィルム基板２０の第２面２０Ｂの面積が第１面２０Ａよりも小さく、フィルム基板２０の端部形状は、図５Ｇに示すよう階段状と斜面状を組み合わせた形状であった。また、フィルム基板２０の端部の傾斜角度θは、約４５°であった。【０２１７】
〔有機ＥＬ素子Ｓ５の製造〕
上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にして、フィルム基板２０上に複数の有機ＥＬ素子の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６及び第２ガスバリアー層２７を形成した。次に、図２１Ａに示すように、フィルム基板２０上に形成された各第２ガスバリアー層２７を全面的に覆うように、保護フィルム４を貼り合わせた。【０２１８】
貼り合わせ後、図２１Ｂに示すように、フィルム基板２０の第２面２０Ｂ及び保護フィルム４の第２面４Ｂのそれぞれに、集光レンズで集光しながら、３００ｍｍ／分の走査速度で炭酸ガスレーザー光を照射した。炭酸ガスレーザー光は、光波長が１０．５μｍ、出力３０Ｗ、集光後のスポット径５０μｍであった。この光走査により、下地層２１の界面付近までフィルム基板２０をエッチングし、取出し配線２４の界面付近まで保護フィルム４及び接着層３をエッチングして、それぞれ断面形状がＶ字状の分割溝を形成した。分割溝の傾斜角度θは、約４５°であった。【０２１９】
分割溝の形成後、上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にしてエアーを吹き付け、分割溝に沿ってフィルム基板２０を切断分割し、図２１Ｃに示すように複数の有機ＥＬ素子Ｓ５を得た。
各有機ＥＬ素子Ｓ５は、フィルム基板２０の第２面２０Ｂの面積が第１面２０Ａよりも小さく、フィルム基板２０の端部形状は、図５Ａに示すように斜面状であり、傾斜角度θが約４５°であった。また、保護フィルム４の第２面４Ｂの面積が第１面４Ａよりも小さく、保護フィルム４の端部形状は、フィルム基板２０と同様に傾斜角度が約４５°の斜面状であった。【０２２０】
〔有機ＥＬ素子Ｓ６の製造〕
上記有機ＥＬ素子Ｓ５と同様にして、フィルム基板２０上に複数の有機ＥＬ素子の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６及び第２ガスバリアー層２７を形成し、接着層３及び保護フィルム４を貼り合わせた。また、上記有機ＥＬ素子Ｓ５と同様にして、フィルム基板２０の第２面２０Ｂ及び保護フィルム４の第２面４Ｂのそれぞれに分割溝を形成した。【０２２１】
分割溝の形成後、図１６に示すように一対のローラー７４及び７５間にフィルム基板２０を通した。ローラー７４及び７５によりフィルム基板２０を挟持しながら、搬送ベルト７７によりフィルム基板２０を有機ＥＬ素子単位で吸引して引っ張り、切断分割した。この切断分割により、複数の有機ＥＬ素子Ｓ６を得た。
各有機ＥＬ素子Ｓ６は、上記有機ＥＬ素子Ｓ５と同様の形状を有していた。【０２２２】
〔有機ＥＬ素子Ｓ７の製造〕
上記有機ＥＬ素子Ｓ１と同様にして、フィルム基板２０上に複数の有機ＥＬ素子の陽極２３、取出し配線２４、有機機能層２５、陰極２６及び第２ガスバリアー層２７を形成し、保護フィルム４を貼り合わせた。
次に、各有機ＥＬ素子の境界線に沿って、フィルム基板２０の第２面２０Ｂに金属刃を押し当てて、フィルム基板２０を一度に完全切断し、複数の有機ＥＬ素子Ｓ７を得た。金属刃は、ＳＵＳ製のピナクル金型を用いた。
各有機ＥＬ素子Ｓ７は、フィルム基板２０の第１面２０Ａと第２面２０Ｂの面積がほぼ同じであり、フィルム基板２０の端部形状が直角形状であった。また、保護フィルム４の第１面４Ａと第２面４Ｂの面積がほぼ同じであり、保護フィルム４の端部形状は直角形状であった。【０２２３】
〔評価〕
上記製造した各有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ７の屈曲試験を実施した。屈曲試験では、各有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ７を直径φ５ｍｍのローラーに巻き付けて、２００Ｎ／ｍの張力を加えながら曲げる操作を１００回繰り返し行った。次に、各有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ７の高温高湿試験を実施した。高温高湿試験では、各有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ７を温度８５℃・相対湿度８５％の高温高湿環境下に５００時間放置した。それぞれの試験後、各有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ７を電源に接続し、発光できたか否かによって、発光性能を確認した。【０２２４】
下記表１は、各有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ７の評価結果を示している。
【表１】
2015016082.tif 000003
【０２２５】
上記表１に示すように、実施例に係る有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ６は、φ５ｍｍのローラーを用いた１００回の屈曲試験後でも発光特性に影響なく、強度及び曲げに対する耐性が高いことが分かる。また、有機ＥＬ素子Ｓ１〜Ｓ６は、高温高湿環境下においても良好な発光性能が得られており、切断分割の際、第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７の損傷が無いため、高温高湿試験後でも初期時の発光性能を維持できるガスバリアー性を保つことができたと推定される。
一方、比較例に係る有機ＥＬ素子Ｓ７は、切断端部付近の第１ガスバリアー層２及び第２ガスバリアー層２７が損傷してクラックが多数発生してしまい、屈曲試験後にクラックが拡大したことで発光ムラが発生した。さらに、８５℃８５％ＲＨ５００時間の高温高湿試験後にはクラックから水蒸気が浸入して発光できない状態となった。切断分割の際、金属刃が直接当接したことによって、第１ガスバリアー層２２及び第２ガスバリアー層２７が損傷し、高温高湿環境下において損傷部分から浸入した水蒸気によって発光層等が劣化したため、発光性能が劣化したと推定される。
【産業上の利用可能性】
【０２２６】
複数の有機ＥＬ素子を一貫生産する大規模な生産技術に利用することができる。
【符号の説明】
【０２２７】
１、２    有機ＥＬ素子
２０    フィルム基板
２１    下地層
２２    第１ガスバリアー層
２３    陽極
２４    取出し配線
２５    有機機能層
２６    陰極
２７    第２ガスバリアー層
３    接着層
４    保護フィルム
１００    製造装置
Ｒ２０    本体形成部
Ｒ３０    封止部
Ｒ４０    貼り合わせ部
Ｒ６０    第１切断部
６１    レーザー照射部
６２    成形部
Ｒ７０    第２切断部
７１    エアー吹付け部
７２    吸引アーム
７４、７５、７６    ローラー
７７    搬送ベルト
【図１】
2015016082.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
2015016082.tif 000012
【図５Ｆ】
2015016082.tif 000013
【図５Ｇ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2015016082.tif 000017
【図９】
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【図１０】
2015016082.tif 000019
【図１１Ａ】
2015016082.tif 000020
【図１１Ｂ】
2015016082.tif 000021
【図１１Ｃ】
2015016082.tif 000022
【図１１Ｄ】
2015016082.tif 000023
【図１１Ｅ】
2015016082.tif 000024
【図１１Ｆ】
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【図１１Ｇ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2015016082.tif 000030
【図１６】
2015016082.tif 000031
【図１７Ａ】
2015016082.tif 000032
【図１７Ｂ】
2015016082.tif 000033
【図１７Ｃ】
2015016082.tif 000034
【図１７Ｄ】
2015016082.tif 000035
【図１８Ａ】
2015016082.tif 000036
【図１８Ｂ】
2015016082.tif 000037
【図１８Ｃ】
2015016082.tif 000038
【図１９Ａ】
2015016082.tif 000039
【図１９Ｂ】
2015016082.tif 000040
【図１９Ｃ】
2015016082.tif 000041
【図２０Ａ】
2015016082.tif 000042
【図２０Ｂ】
2015016082.tif 000043
【図２０Ｃ】
2015016082.tif 000044
【図２１Ａ】
2015016082.tif 000045
【図２１Ｂ】
2015016082.tif 000046
【図２１Ｃ】
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【国際調査報告】
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2015016082.tif 000049
2015016082.tif 000050
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