(57)【要約】  軸ずれが起きにくい、大型の人工水晶の育成方法を提供する。人工水晶の育成方法は、略直方体形状の少なくとも２枚の水晶基板を結晶軸方向を合わせてＸ軸方向において当接させる圧力を印加することと、圧力が加えられた状態で、少なくとも２枚の水晶基板に人工水晶を育成させることと、を含む。
2015029569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略直方体形状の少なくとも２枚の水晶基板を結晶軸方向を合わせてＸ軸方向において当接させる圧力を印加することと、
前記圧力が加えられた状態で、前記少なくとも２枚の水晶基板に人工水晶を育成させることと、
を含む人工水晶の育成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の人工水晶の育成方法であって、
前記少なくとも２枚の水晶基板は、３枚以上の水晶基板を含む、
人工水晶の育成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の人工水晶の育成方法であって、
前記圧力を印加することは、前記少なくとも２枚の水晶基板を鉛直方向に積み重ねて配置し、前記少なくとも２枚の水晶基板のうち、鉛直方向における上方に配置された水晶基板の自重によって前記少なくとも２枚の水晶基板を当接させる圧力を印加することを含む、
人工水晶の育成方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の人工水晶の育成方法であって、
前記圧力を印加することは、前記少なくとも２枚の水晶基板における最外側のＸ軸方向の面に圧力を印加することを含む、
人工水晶の育成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の人工水晶の育成方法であって、
前記圧力を印加することは、Ｘ軸方向に弾性を有する治具を用いて前記最外側のＸ軸方向の面に圧力を印加することを含む、
人工水晶の育成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、人工水晶の育成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器や通信機器、光学機器等において、水晶デバイスが幅広く用いられている。水晶デバイスを製造するにあたっては、水晶が必要であるが、天然の水晶をそのまま用いることは資源やコストの観点から難しいため、天然の水晶を種子として育成された人工水晶を用いることが一般的である。【０００３】
人工水晶の育成においては、生産性を高めることなどを目的として、大型の人工水晶が求められることがある。例えば、特許文献１には、複数の水晶基板を直接接合して水晶種子を形成し、この水晶種子を用いることにより、大きな人工水晶を得る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４７０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に開示されている手法では、例えばシロキサン結合によって複数の水晶基板を直接接合して水晶種子を形成するため、複数の水晶基板の軸をあわせることが難しく、軸ずれが起きやすい。【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、軸ずれが起きにくい、大型の人工水晶の育成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る人工水晶の育成方法は、略直方体形状の少なくとも２枚の水晶基板を結晶軸方向を合わせてＸ軸方向において当接させる圧力を印加することと、圧力が加えられた状態で、少なくとも２枚の水晶基板に人工水晶を育成させることと、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、人工水晶の育成中に水晶基板が結合するため、軸ずれが起きにくい、大型の人工水晶の育成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態における水晶基板の外観を示す図である。
【図２Ａ】２枚の水晶基板を当接させる様子の一例を示す図である。
【図２Ｂ】２枚の水晶基板がＸ軸方向の当接面において当接されて配置された状態の一例を示す図である。
【図２Ｃ】２枚の水晶基板を治具により固定した状態の一例を示す図である。
【図３】水晶基板を用いて、水熱合成法により人工水晶を育成する様子の一例を示す図である。
【図４】水晶基板を種子として育成された人工水晶の一例を示す図である。
【図５】水晶基板の軸方向が直方体の軸方向からずれた状態の一例を示す図である。
【図６】３枚の水晶基板がＸ軸方向の当接面において当接されて配置された状態の一例を示す図である。
【図７】２枚の水晶基板を、水平方向に並べて配置した状態の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図１は、本実施形態における水晶基板の外観を示す図である。水晶基板１００は、人工水晶を育成する際に種子として用いられるものであり、ＸＹＺ軸を有する略直方体の形状を有している。図１に示す例では、水晶基板１００のＸＹＺ軸は、直方体の軸（Ｘ’Ｙ’Ｚ’軸）に一致した状態となっている。
【００１１】
図２Ａ〜図２Ｃを参照して、人工水晶を育成する際の水晶基板１００の配置の一例について説明する。図２Ａは、２枚の水晶基板１００（１００ａ，１００ｂ）を当接させる様子の一例を示している。図２Ａに示すように、２枚の水晶基板１００ａ，１００ｂは、結晶軸（ＸＹＺ軸）の方向が一致した状態で、水晶基板１００ａの−Ｘ方向の面２００ａと、水晶基板１００ｂの＋Ｘ方向の面２００ｂとが当接される。なお、図２Ａにおいて、重力は−Ｘ方向である。
【００１２】
図２Ｂは、２枚の水晶基板１００がＸ軸方向の当接面２００（２００ａ，２００ｂ）において当接されて配置された状態の一例を示している。２枚の水晶基板１００は、鉛直方向（重力方向）に積み重ねて配置されているため、当接面２００には、鉛直方向における上方に配置された水晶基板１００ａの自重による圧力が印加される。この圧力により、２枚の水晶基板１００は、当接面２００において密接した状態となる。
【００１３】
図２Ｃは、２枚の水晶基板１００を治具により固定した状態の一例を示している。図２Ｃに示すように、治具は、３つの部材２１０，２２０，２３０を含んでいる。
【００１４】
部材２１０は、２枚の水晶基板１００を両側（−Ｙ方向及び＋Ｙ方向）から支持する。水晶基板１００の−Ｙ方向及び＋Ｙ方向の端部は、部材２１０が有する溝に嵌合されている。
【００１５】
部材２２０は、部材２１０の溝に嵌合された水晶基板１００が重力によって−Ｘ方向に落下しないように、水晶基板１００を支持するために設けられている。
【００１６】
部材２３０は、水晶基板１００ａの＋Ｘ方向の面２４０（水晶基板１００のＸ軸方向における最外側の面）に圧力を印加する。即ち、部材２３０は、２枚の水晶基板１００の当接面２００に平行な面２４０に圧力を印加する。これにより、当接面２００に圧力が印加され、２枚の水晶基板１００の密接度が高められる。なお、部材２３０は、Ｘ軸方向に弾性を有している。具体的には、部材２３０は、−Ｘ方向に伸びる性質を有している。このように、部材２３０は弾性を有しているため、例えばサーマルエッチングによって当接面２００が数ミクロン程度溶融した際においても、部材２３０が−Ｘ方向に伸びることにより、当接面２００への圧力印加を維持することができる。
【００１７】
図３は、水晶基板１００を用いて、水熱合成法により人工水晶を育成する様子の一例を示す図である。オートクレーブ（金属筒炉）３００は、内部の圧力を計測可能な圧力計３１０を有する金属蓋３２０で密閉されている。オートクレーブ３００の内部は、バッフル板（対流制御板）３３０で上下に仕切られている。バッフル板３３０の上方には、図２Ｃに示すように配置された１組の水晶基板１００（１００ａ，１００ｂ）が、複数格納されている。また、バッフル板３３０の下方には、ラスカ（屑水晶）３４０が格納されている。そして、オートクレーブ３００の内部には、人工水晶を育成するための育成溶液（例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液）３５０が注入されている。オートクレーブ３００の外部には、オートクレーブ３００を加熱するためのヒータ３６０が設けられている。
【００１８】
ヒータ３６０によって、例えば、オートクレーブ３００の上方は約３００〜３５０℃、下方は約３６０〜４００℃の温度に制御される。
【００１９】
水晶基板１００には、ヒータ３６０の加熱によってサーマルエッチングが施される。即ち、水晶基板１００の表面が数ミクロン程度溶融され、水晶基板１００の加工歪層が除去される。なお、１組の水晶基板１００は、鉛直方向に積み重ねられているため、サーマルエッチングによって当接面２００が溶融しても、鉛直方向における上方に配置された水晶基板１００ａの自重による圧力によって、１組の水晶基板１００が密接した状態が維持される。これにより、１組の水晶基板１００に軸ずれが起きるのを抑制することができる。また、１組の水晶基板１００は、Ｘ軸方向に弾性を有する部材２３０によって圧力が印加されているため、１組の水晶基板１００の当接面２００に印加される圧力が大きくなる。従って、１組の水晶基板１００における軸ずれの抑制効果をさらに高めることができる。
【００２０】
ラスカ３４０は、ヒータ３６０の加熱によって育成溶液３５０中に溶解する。ラスカ３４０が溶解してＳｉＯ2分子が飽和状態となった育成溶液３５０が、オートクレーブ３００内の上下の温度差により、オートクレーブ３００内を対流する。この対流により、育成溶液３５０が水晶基板１００の周囲に到達する。水晶基板１００の周囲は、オートクレーブ３００の下方より温度が低いため、育成溶液３５０中のＳｉＯ2分子が過飽和状態となり、水晶基板１００の表面に析出する。これにより、水晶基板１００を種子として、人工水晶が育成されることとなる。
【００２１】
図４は、図２Ａ〜図２Ｃに示した水晶基板１００を種子として育成された人工水晶の一例を示す図である。図４に示すように、人工水晶４００は、１組の水晶基板１００が、当接面２００において接合されるとともに、Ｘ軸方向に成長したものとなっている。Ｘ軸方向においては、−Ｘ方向よりも＋Ｘ方向の成長が大きくなっている。また、図４には示していないが、水晶基板１００は、Ｚ軸方向にも成長している。なお、水晶基板１００は、Ｙ軸方向にはほとんど成長していない。
【００２２】
このように、本実施形態における人工水晶の育成方法により、Ｘ軸方向に大きい人工水晶４００を得ることができる。そして、人工水晶４００を育成する際に、１組の水晶基板１００のＸ軸方向における当接面２００に、鉛直方向における上方の水晶基板１００ａの自重による圧力が印加されている。これにより、人工水晶４００の育成中に水晶基板１００が結合されるため、人工水晶４００の軸ずれを抑制することができる。また、Ｘ軸方向に弾性を有する部材２３０によって、最外側のＸ軸方向の面に圧力が印加されているため、軸ずれの抑制効果をさらに高めることができる。
【００２３】
なお、本実施形態における人工水晶の育成方法により育成された人工水晶４００から切り出された水晶基板を種子として、さらに大型の人工水晶を得ることも可能である。例えば、本実施形態に示したように２枚の水晶基板１００を用いて育成された人工水晶４００を２組用いることにより、合計４枚の水晶基板１００が結合された大型の人工水晶を得ることも可能である。
【００２４】
なお、本実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。
【００２５】
例えば、本実施形態では、水晶基板１００のＸＹＺ軸が直方体の軸（Ｘ’Ｙ’Ｚ’軸）に一致した状態で（図１）、１組の水晶基板１００を当接させて配置したが（図２Ｂ）、１組の水晶基板１００のＸ軸方向において当接させることが可能であれば、水晶基板１００の軸方向と直方体の軸方向との関係はこれに限られない。例えば、図５に示すように、水晶基板１００のＹ軸及びＺ軸が、直方体のＹ’軸及びＺ’軸から数度ずれた状態で、１組の水晶基板１００のＸＹＺ軸方向を合わせてＸ軸方向において当接させることとしてもよい。
【００２６】
また例えば、本実施形態では、１組の水晶基板１００として、２枚の水晶基板１００ａ，１００ｂを示したが、接合される水晶基板の枚数は２枚に限られない。例えば、図６に示すように、３枚の水晶基板１００ｃ，１００ｄ，１００ｅを、結晶軸方向を合わせてＸ軸方向で当接させて配置し、これを種子として人工水晶を育成してもよい。さらに、３枚以上の水晶基板を用いてもよい。
【００２７】
また例えば、本実施形態では、１組の水晶基板１００を鉛直方向に積み重ねることとしたが、水晶基板の配置はこれに限られない。例えば、図７に示すように、２枚の水晶基板１００ｆ，１００ｇを、水平方向に並べて配置してもよい。この場合においても、１組の水晶基板１００は、結晶軸方向を合わせてＸ軸方向で当接させて配置され、当接面２００が密接されるように圧力が印加される。なお、当接面２００に対する圧力の印加は、例えば、Ｘ軸方向に弾性を有する治具等を用いて行うことができる。
【符号の説明】
【００２８】
１００  水晶基板
２００  当接面
２１０〜２３０  治具
３００  オートクレーブ
３１０  圧力計
３２０  金属蓋
３３０  バッフル板
３４０  ラスカ
３５０  育成溶液
３６０  ヒータ
【図１】
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【図２Ａ】
2015029569.tif 000004
【図２Ｂ】
2015029569.tif 000005
【図２Ｃ】
2015029569.tif 000006
【図３】
2015029569.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
2015029569.tif 000010
【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略直方体形状の少なくとも２枚の水晶基板を結晶軸方向を合わせてＸ軸方向において当接させるために、Ｘ軸方向に弾性を有する治具を用いて、前記少なくとも２枚の水晶基板における最外側のＸ軸方向の面に圧力を印加することと、
前記圧力が加えられた状態で、前記少なくとも２枚の水晶基板に人工水晶を育成させることと、
を含む人工水晶の育成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の人工水晶の育成方法であって、
前記少なくとも２枚の水晶基板は、３枚以上の水晶基板を含む、
人工水晶の育成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の人工水晶の育成方法であって、
前記圧力を印加することは、前記少なくとも２枚の水晶基板を鉛直方向に積み重ねて配置し、前記少なくとも２枚の水晶基板のうち、鉛直方向における上方に配置された水晶基板の自重によって前記少なくとも２枚の水晶基板を当接させる圧力を印加することを含む、
人工水晶の育成方法。
【国際調査報告】
2015029569.tif 000012
2015029569.tif 000013