(57)【要約】  低消費電力化が可能な表示装置を提供する。バックライト（１００）と、フィールドシーケンシャル方式の表示パネル（２００）と、を備える表示装置であって、バックライトの発光部が、有機エレクトロルミネッセンス素子からなり、有機エレクトロルミネッセンス素子は、異なる色の光を発光する発光ユニットが複数積層され、白色光、又は、黄色光を発光可能な発光ユニットが、最も光射出面側に設けられている。
2016063871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックライトと、フィールドシーケンシャル方式の表示パネルと、を備える表示装置であって、  前記バックライトの発光部が、有機エレクトロルミネッセンス素子からなり、  前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、異なる色の光を発光する発光ユニットが複数積層され、  白色光、又は、黄色光を発光可能な発光ユニットが、最も光射出面側に設けられている  表示装置。
【請求項２】
赤色光を発光する発光ユニット、緑色光を発光する発光ユニット、及び、青色光を発光する発光ユニットを備える請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
白色光、又は、黄色光を発光可能な前記発光ユニットは、赤色光を発光する前記発光ユニット、緑色光を発光する前記発光ユニット、及び、青色光を発光する前記発光ユニットよりも発光効率が高い請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの電極が、Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
最も前記表示パネル側に形成される前記電極がＡｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる前記電極が、窒素原子を含む化合物からなる下地層上に形成されている請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光ユニットが積層された前記有機エレクトロルミネッセンス素子において、積層された前記発光ユニットの間に形成される中間電極が、Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金からなる請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
白色光、又は、黄色光の映像信号の諧調データが、赤色光、緑色光、及び、青色光の映像信号の内、最も小さい映像信号をＭ諧調したとき、α×Ｍ（但し、αは０以上１以下）となる請求項２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、光源として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を備えるフィールドシーケンシャル方式の表示装置に係わる。
【背景技術】
【０００２】  表示装置として、フィールドシーケンシャル方式の表示装置が提案されている。フィールドシーケンシャル方式は、２色以上の光を継続的に切り替えて発光させ、かつ、その切り替えの速さを人間の眼の時間的分解能を越えた速さとし、人間が２色以上の色を混色して認識することを応用した方式である。フィールドシーケンシャル方式は、「時分割」による混色を利用したカラー表示方式である。【０００３】  フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、直下型やサイドエッジ型のバックライトとして、ＬＥＤに替わり有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。【０００４】  フィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、動画表示時に、バックライトを構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちのいずれか一色を発光可能にするとともに、フィールド毎に継続的に各色を切り替えて（時分割して）発光させ、その切り替えの速さを充分に速くすることにより任意の色光を得る。【０００５】  例えば、カラーのフィールドをＲのフィールド、Ｇのフィールド及びＢのフィールドに分光した状態で分割し、ＲＧＢの各フィールドを順番に時間差を付けて発光させ、一つのカラーのフィールドを表示パネルに表示する。このとき、Ｒのフィールドを表示する際にはバックライトの発光を赤（Ｒ）とし、Ｂのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を青（Ｂ）とし、Ｇのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を緑（Ｇ）としている。  このように時分割された３色のカラーの各フィールドを、発光色を切り替えながら連続して表示することにより、カラーの動画を表示できる。【０００６】  フィールドシーケンシャル方式の表示装置は、カラーフィルタを用いる方式に比べ吸収による光の損失がないことや、高価なカラーフィルタを用いないことから、部材点数を減らすことができ、コスト削減のために大きな利点を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−６６３６６号公報
【特許文献２】特開２００７−１７２９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  しかしながら、特許文献１に記載されているフィールドシーケンシャル液晶表示装置では、基板上に赤（Ｒ）を発光する有機ＥＬ素子、緑（Ｇ）を発光する有機ＥＬ素子、及び、青（Ｂ）を発光する有機ＥＬ素子の３種の有機ＥＬ素子を区分して形成されたバックライトが用いられている。このように、赤、緑、青の３色を互いに区分して形成された有機ＥＬ素子をバックライトに用いると、基板上において各色を発光する部分が実質的に１／３となり開口率が低くなってしまう。【０００９】  また、特許文献２に記載されているフィールドシーケンシャル液晶表示装置では、基板上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び、青（Ｂ）を発光する発光層が光射出方向に積層されたスタック構造の有機ＥＬ素子がバックライトに用いられている。しかし、このようなスタック構造の有機ＥＬ素子では、光射出面（例えば基板）から最も遠い位置に配置された発光層で発生した光は、発光層から光射出面までの間に設けられた他の発光層及び電極等による吸収及び反射等の影響を受ける。このため、光射出面から最も遠い位置に配置された発光層は、光射出面側に配置された発光層よりも、光の取り出し効率が低下する。これは、フィールドシーケンシャル方式の表示装置のバックライトにおいて、消費電力の増加を招くため、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の消費電力が増加してしまう。【００１０】  上述した問題の解決のため、本発明においては、低消費電力化が可能な表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  本発明の表示装置は、バックライトと、フィールドシーケンシャル方式の表示パネルと、を備える表示装置であって、バックライトの発光部が、有機エレクトロルミネッセンス素子からなり、有機エレクトロルミネッセンス素子は、異なる色の光を発光する発光ユニットが複数積層され、白色光、又は、黄色光を発光可能な発光ユニットが、最も光射出面側に設けられている。
【発明の効果】
【００１２】  本発明によれば、低消費電力化が可能な表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態の表示装置の概略構成図である。
【図２】第２実施形態の表示装置の概略構成図である。
【図３】有機ＥＬ素子の等価回路図とタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】  以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。  なお、説明は以下の順序で行う。１．表示装置の第１実施形態２．表示装置の第２実施形態３．タイミングチャート
【００１５】〈１．表示装置の第１実施形態〉  図１に、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の概略構成図を示す。図１に示すフィールドシーケンシャル方式の表示装置は、表示パネル２００と、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）からなるバックライト１００とを備える。
【００１６】［表示パネル］  表示パネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式により高速駆動されるフィールシーケンシャル方式用の液晶表示パネルである。表示パネル２００は、ＴＦＴ方式における周知の構成であり、表示パネル２００は、偏光板２０１を外面側に備えた２枚の透明基板２０２（例えば、ガラス基板若しくは透明フィルム基板）の間に液晶層２０６が挟まれている。
【００１７】  下側の透明基板２０２上には、画素電極２０４、及び、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０３が形成されている。さらに、透明基板２０２上には、マトリクス状にデータ線２１０と走査線（図示省略）とが絶縁層２０７を介して配置されている。そして、データ線２１０と走査線の交点に、ＴＦＴ２０３及び画素電極２０４が配置されている。
【００１８】  また、絶縁層２０７の上方には、配向膜２０５により挟持された高速応答が可能な液晶層２０６が形成されている。液晶層２０６は、スペーサ２０８、シール２０９、及び、一対の配向膜２０５により、液晶層２０６を封入する空間が構成されている。
【００１９】  上記表示パネル２００は、フィールドシーケンシャル方式によりフルカラーの画像を表示するため、高速応答可能なものが要求されるが、周知の強誘電性液晶や反強誘電液晶を用いた高速応答可能な液晶表示パネルを用いることが好ましい。また、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend, Optically Compensated Birefringence）型の液晶パネルや、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）型の液晶パネルを用いてもよい。なお、表示パネル２００は、フィールドシーケンシャル方式の表示装置に適用するため、カラーフィルタが設けられていない構成である。
【００２０】［バックライト］  次に、図１に示すフィールドシーケンシャル方式に用いられるバックライト１００について説明する。バックライト１００の発光部は、積層型の有機ＥＬ素子からなる。
【００２１】  図１に示す表示装置では、バックライト１００の発光部を構成する有機ＥＬ素子が、厚さ方向（光の射出方向）に４層の発光ユニットが積層された、いわゆる４層スタック構造を有している。また、有機ＥＬ素子は、バックライト１００の発光部が設けられる領域の全面に連続して形成されている。
【００２２】  また、図１に示すように、バックライト１００を構成する有機ＥＬ素子は、透明基板１０１上に、第１電極１０２、第１発光ユニット１０３、第１中間電極１０４、第２発光ユニット１０５、第２中間電極１０６、第３発光ユニット１０７、第３中間電極１０８、第４発光ユニット１０９、及び、第２電極１１０が、この順に積層されている。そして、有機ＥＬ素子は、第１電極１０２、第１中間電極１０４、第２中間電極１０６、第３中間電極１０８、及び、第２電極１１０が、それぞれ挟持する第１発光ユニット１０３、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９に対して、一方が陰極として作用し、他方が陽極として作用する。また、有機ＥＬ素子は、発生させた光を、少なくとも透明基板１０１側から取り出すボトムエミッション型として構成されている。
【００２３】  本実施形態では、最も基板側に設けられている第１発光ユニット１０３が白色（Ｗ）の発光色を有する発光ユニットである。また、第２発光ユニット１０５が赤色（Ｒ）の発光色を有する発光ユニットである。第３発光ユニット１０７が緑色（Ｇ）の発光色を有する発光ユニットである。第４発光ユニット１０９が青色（Ｂ）の発光色を有する発光ユニットである。なお、本実施形態では、第１発光ユニット１０３が白色であれば、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９の発光色は、赤、緑、及び、青のいずれでもよく、これらの発光色を有する発光ユニットの積層順は任意の構成とすることができる。また、白色（Ｗ）は色温度が２０００Ｋ〜１２０００Ｋの範囲である。
【００２４】  各電極は、各発光ユニットの発光を制御するための駆動制御部に接続されている。各発光ユニットを挟持する電極への駆動電圧を、駆動制御部で制御することにより、有機ＥＬ素子の各発光ユニットの駆動制御が行なわれる。駆動制御部で発光ユニットの駆動制御を行なうことにより、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び、Ｗの各発光色の第１発光ユニット１０３、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９を個別に駆動させる。さらに、駆動制御により発光ユニット毎の発光時間、発光輝度が制御される。
【００２５】  フィールドシーケンシャル方式の表示装置のバックライトにおいては、有機ＥＬ素子の発光色を切り替えて時分割駆動で発光させる。この表示装置において、色の切り替えによる画像のちらつき（フリッカ）が生じないようにするためには、フィールドを約１／６０秒以下で切り替える必要がある。また、上述の構成の有機ＥＬ素子では、４つの発光ユニットからＲ、Ｇ、Ｂ、及び、Ｗの４色の発光光を得ている。このため、上述の構成の有機ＥＬ素子を時分割駆動して１フィールドあたり１色の表示を行うためには、少なくとも１フレームを４分割する必要がある。即ち、少なくとも約１／２４０秒以下（約４ミリ秒以下）で、有機ＥＬ素子を時分割して駆動させる必要がある。
【００２６】  従来技術の一般的なＲ、Ｇ、Ｂの３色を発光可能な３層スタック構造の有機ＥＬ素子をフィールドシーケンシャル方式の表示装置に用いた場合には、カラーのフィールドを１／３に時分割してＲ、Ｇ、Ｂを順次発光させる。例えば、表示パネル側においてカラーのフィールドをＲのフィールド、Ｇのフィールド及びＢのフィールドに分光した状態で分割する。そして、バックライトにおいてＲ、Ｇ、Ｂの各フィールドを順番に時間差を付けて発光させる。このとき、Ｒのフィールドを表示する際にはバックライトの発光を赤（Ｒ）とし、Ｂのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を青（Ｂ）とし、Ｇのフィールドを表示する際には、バックライトの発光を緑（Ｇ）とする。  このように時分割された３色のカラーの各フィールドを、発光色を切り替えながら連続して表示することにより、一つのカラーのフィールドを表示する。例えば、この表示装置においてカラーのフィールドに白色（Ｗ）を表示したい場合には、時分割して発光させたＲ、Ｇ、Ｂを順次、連続して発光させることにより、Ｒのフィールド、Ｇのフィールド及びＢのフィールドを連続的に表示して白色光を合成する。
【００２７】  しかしながら、発光ユニットを積層したスタック構造の有機ＥＬ素子では、積層された各層において、発光光の反射や吸収等が起きる。このため、例えば、光射出面側に形成された発光ユニットからの発光光と、この光射出面とは反対側に積層された発光ユニットからの発光光とは、それぞれ取り出し効率が異なる。通常は、光射出面とは反対側に積層された発光ユニットからの発光光の方が、光取り出し効率が低くなる。即ち、光射出面側に形成された発光ユニットの発光効率が高く、光射出面とは反対側に形成された発光ユニットの発光効率が低くなる。
【００２８】  また、上述のスタック構造の有機ＥＬ素子において、輝度を高めたい場合には、各発光ユニットへの印加電圧を高くし、各発光層の発光輝度を高くする必要がある。このため、消費電力が増加する。特に、光取り出し効率が低い光射出面とは反対側に積層された発光ユニットは、光射出面側に形成された発光ユニットに合わせて輝度を高めるために、より高い駆動電圧の印加が必要となる。このため、この発光ユニットにおいて、発光効率の低さに起因する消費電力の増加が顕著になる。
【００２９】  これに対し、本実施形態の有機ＥＬ素子は、最も光射出面側に配置された第１発光ユニットに、Ｗの発光色を有する発光ユニットを有している。Ｗの発光色を有する発光ユニットを備えることにより、３層の発光ユニットからのＲ、Ｇ、Ｂの３色の光を合成して白色光を得る場合に比べて、積層構造に起因する吸収等の輝度低下の影響を受けにくい。このため、最も光取り出し側にＷの発光色を有する発光ユニットを配置することにより、他の発光ユニットによって白色光の射出が阻害されず、より高い輝度を得ることができる。従って、有機ＥＬ素子の発光効率が向上する。
【００３０】  特に、Ｗの発光色を有する発光ユニットの発光効率が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光ユニットよりも発光効率が高い場合には、この効果が顕著になる。例えば、発光効率の高い白色発光層を備えることにより、有機ＥＬ素子の輝度を高めようとした場合には、白色発光層の輝度を高めればよく、発光効率の低いＲＧＢ層の輝度を高める必要が無くなる。このため、白色発光層を備えることにより、バックライトの発光効率が向上し、低消費電力化が可能となる。
【００３１】  なお、有機ＥＬ素子では、白色光を発光する発光ユニットが最も光射出面側に配置されていればよく、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光ユニットの配置については任意の構成とすることができる。  なお、白色光を発光する発光ユニット以外の発光ユニットは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色の各発光ユニットに限らず、他の発光色の組み合わせとしてもよい。例えば、イエロー、シアン、マゼンダのいずれかの補色を発光可能な発光ユニットを備える構成や、３原色のいずれかを発光する発光ユニットと、補色のいずれかを発光する発光ユニットとを組み合わせた構成としてもよい。
【００３２】  白色光を発光する発光ユニットは、例えば、Ｂを発光する発光層と黄色（ＹＬ）を発光する発光層との積層構造や、発光層内にＢ発光用のドーパントとＹＬ発光ドーパントとを添加する構成とすることができる。このように、白色光を発光する発光ユニットは、単層の発光層を有する構成であっても、複数の発光層を有する構成であってもよい。これは、他のＲ、Ｇ、Ｂの発光ユニットにおいても同様である。
【００３３】  また、発光ユニットが、複数の発光層を有する構成の場合には、発光層同士が直接積層されていてもよく、各発光層の間に非発光性の中間コネクタ層が設けられていてもよい。中間コネクタ層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。例えば、後述する中間電極と同様の構成を用いることができる。
【００３４】［有機ＥＬ素子］  次に、バックライトの発光部を構成する有機ＥＬ素子の各構成について説明する。有機ＥＬ素子において、第１電極１０２、第１中間電極１０４、第２中間電極１０６、及び、第３中間電極１０８が、透光性の電極として構成されている。また、第１電極１０２、第１中間電極１０４、第２中間電極１０６、第３中間電極１０８、及び、第２電極１１０によって挟持されている部分の第１発光ユニット１０３、第２発光ユニット１０５、及び、第３発光ユニット１０７のみが、有機ＥＬ素子における発光領域である。以下、これら各構成の詳細について説明する。
【００３５】［基板］  有機ＥＬ素子の透明基板１０１としては、例えばガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。好ましく用いられる透明基板１０１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。
【００３６】  樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
【００３７】［第１電極］  第１電極１０２は、有機ＥＬ素子における透明電極であり、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された導電層である。ここで、主成分とは、第１電極１０２を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。
【００３８】  第１電極１０２を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。
【００３９】  第１電極１０２は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。  さらに、この第１電極１０２の層厚は、２〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、３〜１２ｎｍの範囲内にあることがより好ましく、４〜９ｎｍの範囲内にあることが特に好ましい。層厚が１５ｎｍより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なく、第１電極１０２の光透過率が大きくなる。また、層厚が２ｎｍより厚い場合には、層の導電性を十分に確保することができる。
【００４０】  第１電極１０２の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、蒸着法が好ましく適用される。
【００４１】（下地層）  また、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された第１電極１０２は、下記の下地層上に形成さることが好ましい。下地層は、第１電極１０２の透明基板１０１側に設けられる層である。  下地層を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２の成膜に際し、銀の凝集を抑制できる窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物等や、銀を成膜する際に成長核となるＰｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ等の金属を含む層、及び、酸化亜鉛を含む層が挙げられる。
【００４２】  下地層が、低屈折率材料（屈折率１．７未満）からなる場合、その層厚の上限としては、５０ｎｍ未満である必要があり、３０ｎｍ未満であることが好ましく、１０ｎｍ未満であることが更に好ましく、５ｎｍ未満であることが特に好ましい。層厚を５０ｎｍ未満とすることにより、光学的ロスを最小限に抑えられる。一方、層厚の下限としては、０．０５ｎｍ以上が必要であり、０．１ｎｍ以上であることが好ましく、０．３ｎｍ以上であることが特に好ましい。層厚を０．０５ｎｍ以上とすることにより、下地層の成膜を均一とし、その効果（銀の凝集抑制）を均一とすることができる。  下地層が、高屈折率材料（屈折率１．７以上）からなる場合、その層厚の上限としては特に制限はなく、層厚の下限としては上記低屈折率材料からなる場合と同様である。  ただし、単なる下地層の機能としては、均一な成膜が得られる必要層厚で形成されれば十分である。
【００４３】  下地層が銀の成長核となる金属を含む層である場合には、その厚さ、有機ＥＬ素子の光透過性を阻害しない程度の厚さとし、例えば５ｎｍ以下とすることが好ましい。一方、この下地層は、第１電極１０２の膜均一性を確保することができる程度の厚さを必要とする。この厚さとして下地層は、各金属原子が１原子層以上形成されていればよい。また、下地層は、連続膜であることが好ましい。なお、この下地層において、銀の成長核となる金属を含む層の連続相に欠陥があっても、この欠陥が第１電極１０２を構成するＡｇ原子よりも小さければ、第１電極１０２の膜均一性を確保することができる。
【００４４】  下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物としては、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば特に限定されないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であることが好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−Ｃ−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。
【００４５】  下地層の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、真空蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、成膜性の観点から電子ビーム蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。
【００４６】  また、下地層を構成する酸化亜鉛を含む層（酸化亜鉛含有層）は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分として含む。酸化亜鉛含有層における主成分とは、構成する成分のうち構成比率が最も高い成分であり、好ましくは５０原子％以上である。酸化亜鉛含有層を第１電極１０２の下地層として用いることにより、第１電極１０２に含まれる銀原子の配列を均一にし、光透過性と抵抗特性の両立を達成することができる。
【００４７】  酸化亜鉛含有層は、酸化亜鉛以外の材料が含まれていてもよい。酸化亜鉛含有層に含まれる、酸化亜鉛以外の材料としては、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。酸化亜鉛含有層に含まれる、誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＳ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｇａ２Ｏ３等が含まれる。酸化亜鉛含有層には、誘電性材料又は酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、特に好ましくは、ＺｎＳ、ＴｉＯ２、ＧＺＯ、ＩＴＯである。
【００４８】  なお、酸化亜鉛含有層には、上記の誘電性材料や酸化物半導体材料以外に、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２等が含まれてもよい。例えば、ＳｉＯ２が含まれると、酸化亜鉛含有層が非晶質になりやすく、有機ＥＬ素子のフレキシブル性が高まりやすい。
【００４９】  また、酸化亜鉛含有層には、第１電極１０２の成膜時の銀の凝集を抑制し、薄くとも均一な厚さの第１電極１０２を得るとの観点から、酸化亜鉛を主成分として含むことが好ましい。酸化亜鉛含有層に含まれる亜鉛原子の量は、酸化亜鉛含有層を構成する全原子の数に対して０．１〜５０ａｔ％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０ａｔ％である。  一方、亜鉛原子の量が過剰であると、酸化亜鉛含有層の均一な成膜が難しくなり、透明性が低下する場合がある。第１電極１０２に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。
【００５０】  酸化亜鉛含有層の厚さは、通常３〜３５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜２５ｎｍである。酸化亜鉛含有層の厚さが３ｎｍ以上であると、第１電極１０２の成膜性が十分に向上する。一方、酸化亜鉛含有層の厚さが、３５ｎｍ以下であると、有機ＥＬ素子の光学特性への影響が小さく、有機ＥＬ素子の光透過性が低下し難い。酸化亜鉛含有層の厚さは、エリプソメータ等で測定される。
【００５１】  第１電極１０２は、下地層上に成膜されることにより、第１電極１０２成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。
【００５２】  基材上にＡｇを主成分とする第１電極１０２を形成する場合、基材に付着したＡｇ原子が表面拡散しながら、ある大きさの塊（核）を生成する。そして、この塊（核）の周囲に沿うように、初期の薄膜成長が進む。このため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長し、厚みが１５μｍ程度になると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、膜の表面がいまだ平滑ではなく、プラズモン吸収が生じやすい。
【００５３】  これに対し、予め下地層として、銀を成膜する際に成長核となるＰｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ等の金属を含む層を形成しておくと、第１電極１０２を構成するＡｇ等の金属材料が、下地層上を移動し難くなる。また、Ｐｄ等の金属原子は、成長核同士の間隔を、Ａｇ原子が表面拡散して形成される塊同士の間隔よりも狭くすることができる。従って、このＰｄの成長核を起点としてＡｇ層が成長すると、厚みが薄くても平坦な層となりやすい。
【００５４】  また、例えば、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された下地層上に、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２を設けた構成とすることができる。これにより、下地層の上部に第１電極１０２を成膜する際には、第１電極１０２を構成する銀原子が下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の下地層表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。
【００５５】  また、酸化亜鉛含有層に含まれる亜鉛原子は、第１電極１０２の銀との親和性が高い。このため、第１電極１０２の成膜時に、第１電極１０２を構成する銀が酸化亜鉛含有層上で凝集しにくくなり、厚さが薄く均一な第１電極１０２を形成することができる。さらに、亜鉛原子は第１電極１０２に含まれる銀との親和性が高いため、高湿度環境下での水分による銀の凝集や、銀の腐食を抑制できる。
【００５６】  即ち、一般的に核成長型（Volumer-Weber：ＶＷ型）により銀粒子が島状に孤立しやすい銀の成膜において、上述の下地層を用いることにより、成膜される銀の凝集が抑えられる。このため、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２の成膜においては、単層成長型（Frank-van der Merwe：ＦＭ型）で薄膜成長するようになる。従って、上述のように、銀又は銀を主成分とする合金からなる第１電極１０２が、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなり、第１電極１０２の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になる。
【００５７】［中間電極］  有機ＥＬ素子において、第１発光ユニット１０３、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９の間には、第１中間電極１０４、第２中間電極１０６、及び、第３中間電極１０８による中間電極が設けられる。これら中間電極は、層の吸収成分及び反射成分が少なく、光透過率が大きいことが好ましい。
【００５８】  中間電極としては、例えば、上述の第１電極１０２と同様の構成を適用できる。例えば、２〜１５ｎｍの銀又は銀を主成分とした合金を用いることができる。中間電極として、銀又は銀を主成分とした合金を形成する場合には、上述の下地層上に形成してもよい。或いは、発光ユニットを構成する電子輸送層等の有機材料層上に直接形成してもよい。
【００５９】  また、中間電極としては例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍのアルミニウム等を用いることができる。さらに、アルミニウムと上述の銀とを積層した構成、及びその他の導電性材料を積層した構成とすることもできる。
【００６０】  さらに、中間電極としては、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＢ６、ＲｕＯ２等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３等の２層膜や、ＳｎＯ２／Ａｇ／ＳｎＯ２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３／Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２／ＴｉＮ／ＴｉＯ２、ＴｉＯ２／ＺｒＮ／ＴｉＯ２等の多層膜、またＣ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等を用いることができる。
【００６１】［第２電極］  第２電極１１０は、第４発光ユニット１０９に、例えば電子を供給する機能を有し、透明電極である第３中間電極１０８に対して対向電極となる電極膜である。例えば、第２電極１１０は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。  第２電極１１０としてのシート抵抗は数Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲内、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
【００６２】  このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。  これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物やアルミニウム等が好適である。  第２電極１１０は、蒸着やスパッタリング等の方法によりこれらの電極物質の薄膜を形成することにより、作製することができる。
【００６３】［発光ユニット］  第１発光ユニット１０３、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９は、少なくとも発光性を有する有機材料を含み、白、赤、緑又は青の各色に発光する発光層を有し、さらに、発光層と電極との間に他の層を備えていてもよい。
【００６４】  第１発光ユニット１０３、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９の代表的な素子構成としては、以下の構成を上げることができるが、これらに限定されるものではない。（１）陽極／発光層／陰極（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極  上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。  上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除く層が、発光性を有する発光ユニットである。
【００６５】（発光ユニット）  上記構成において、発光層は、単層または複数層で構成される。発光層が複数の場合は、各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。  また、必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層）や電子注入層（陰極バッファー層）等を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層）や正孔注入層（陽極バッファー層）等を設けてもよい。  電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層である。電子輸送層には、広い意味で電子注入層、及び、正孔阻止層も含まれる。また、電子輸送層は、複数層で構成されていてもよい。  正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層には、広い意味で正孔注入層、及び、電子阻止層も含まれる。また、正孔輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
【００６６】［発光層］  発光層には、発光材料としてリン光発光化合物が含有されていることが好ましい。また、発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、また、リン光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物）とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成として、ホスト化合物（発光ホスト等）、発光材料（発光ドーパント）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。発光層は、発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。
【００６７】  発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には、非発光性の補助層を有していてもよい。
【００６８】  発光層の層厚の総和は、１〜１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。複数層を積層した構成の発光層の場合、個々の発光層の層厚としては、１〜５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、１〜２０ｎｍの範囲内に調整することがより好ましい。なお、発光層の層厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む層厚である。
【００６９】（１）ホスト化合物  発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
【００７０】  ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【００７１】（２）発光材料  発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物、リン光発光材料）と蛍光発光性化合物（蛍光性化合物、蛍光発光材料）が挙げられる。
【００７２】（リン光発光性化合物）  リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【００７３】  上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、リン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００７４】  リン光発光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。好ましくは、元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物若しくは白金化合物（白金錯体系化合物）又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００７５】  少なくとも一つの発光層は、２種以上のリン光発光性化合物を含有していてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。好ましくは、発光層の総量に対し、リン光発光性化合物が０．１体積％以上３０体積％未満である。
【００７６】（蛍光発光性化合物）  蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【００７７】［注入層：正孔注入層、電子注入層］  注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
【００７８】  注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層であれば、アノード（陽極）と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であればカソード（陰極）と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。  電子注入層はごく薄い膜からなる層であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７９】［正孔輸送層］  正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は、単層又は複数層設けることができる。また、正孔輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる一層構造であってもよい。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。
【００８０】  正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。また、正孔輸送層の材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。正孔輸送層のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【００８１】  正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。
【００８２】［電子輸送層］  電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層（図示略）も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。また、電子輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる１層構造であってもよい。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。
【００８３】  単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる。）としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【００８４】  また、電子輸送層の材料（電子輸送性化合物）として、上述した下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物を用いてもよい。これは、電子注入層を兼ねた電子輸送層であっても同様であり、上述した下地層を構成する材料と同様のものを用いてもよい。
【００８５】  電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
【００８６】［阻止層：正孔阻止層、電子阻止層］  阻止層は、上記のように、有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【００８７】  正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【００８８】  一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔との再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲内である。
【００８９】〈２．表示装置の第２実施形態〉  次に、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、バックライトの有機ＥＬ素子の構成のみが上述の第１実施形態と異なる。このため、以下の説明では、有機ＥＬ素子の構成のみを説明し、表示パネル等の構成、及び、各構成において重複する説明は省略する。
【００９０】  図２に、第２実施形態のフィールドシーケンシャル方式の表示装置の概略構成図を示す。図２に示すフィールドシーケンシャル方式の表示装置は、表示パネル２００と、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）からなるバックライト１００Ａとを備える。
【００９１】  図２に示すフィールドシーケンシャル方式の表示装置では、バックライト１００Ａの発光部を構成する有機ＥＬ素子が、厚さ方向（光の射出方向）に４層の発光ユニットが積層された、いわゆる４層スタック構造を有している。そして、第１発光ユニット１０３Ａが黄色（ＹＬ）の発光色を有する発光ユニットである。なお、第１電極１０２、第１中間電極１０４、第２発光ユニット１０５、第２中間電極１０６、第３発光ユニット１０７、第３中間電極１０８、第４発光ユニット１０９、及び、第２電極１１０の構成については、上述の第１実施形態と同様の構成である。
【００９２】  最も光射出面側に配置されている第１発光ユニット１０３Ａに、ＹＬの発光ユニットを備える場合にも、上述の第１発光ユニットにＷの発光ユニットを備える第１実施形態と同様の効果を得ることができる。第１発光ユニット１０３Ａを配置することにより、ＲとＧとを合成してＹＬを得る場合に比べて、積層構造に起因する吸収等の輝度低下の影響を受けにくい。このため、他の発光ユニットによるＹＬの射出が阻害されず、より高い輝度を得ることができる。
【００９３】  特にＲ、Ｇ、Ｂよりも発光効率の高いＹＬ発光ユニットを備えることにより、他の発光ユニットによってＹＬ光の射出が阻害されず、より高い輝度を得ることができる。従って、有機ＥＬ素子の発光効率が向上する。このため、ＹＬの発光色を有する第１発光ユニット１０３Ａを備えることにより、バックライトの発光効率が向上し、低消費電力化が可能となる。
【００９４】  なお、有機ＥＬ素子では、ＹＬ光を発光する発光ユニットが最も光射出面側に配置されていればよく、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光ユニットの配置については任意の構成とすることができる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び、ＹＬの第１発光ユニット１０３Ａ、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９の詳細な構成としては、上述の第１実施形態の各発光ユニットと同様の構成を適用することができる。
【００９５】〈３．タイミングチャート〉  次に、図３に有機ＥＬ素子の等価回路図とタイミングチャートを示す。  第１発光ユニット１０３、第２発光ユニット１０５、第３発光ユニット１０７、及び、第４発光ユニット１０９を、それぞれ挟む１組の電極（図１又は図２に示す第１電極１０２、第１中間電極１０４、第２中間電極１０６、第３中間電極１０８、及び、第２電極１１０）が並列に接続されている。ここでは一例として、第１発光ユニット１０３が白（Ｗ）若しくは黄（ＹＬ）、第２発光ユニット１０５が赤（Ｒ）、第３発光ユニット１０７が青（Ｂ）、第４発光ユニット１０９が緑（Ｇ）を発光する場合について説明する。
【００９６】  図３に示すタイミングチャートは、表示パネルの駆動タイミングと、バックライトの有機ＥＬ素子の各発光ユニットの発光タイミングとを示す図である。有機ＥＬ領域（画素）について、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び、Ｗ（若しくはＹＬ）の各フィールドを順に駆動して１フレームとするときのＶｒ、Ｖｇ、Ｖｂ、Ｖｗ（若しくはＶｙｌ）の駆動パルスのタイミングチャートを示している。  発光ユニットがＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（ＹＬ）の各色を順次時分割して、例えば１フレームを４等分（１／４フレーム）して各色を発光する。そして、この時分割して発光した光を、表示パネルが三原色毎に同期させて遮光することにより、時分割された各色のフィールド画像［Ｒフィールド、Ｇフィールド、Ｂフィールド、Ｗ（ＹＬ）フィールド］が順次形成される。  そして、時分割された各色のフィールド画像の時間的な混色により、一つのフレーム画像が形成される。
【００９７】  なお、上述のタイミングチャートでは、各Ｒ、Ｇ、Ｂ、及びＷ（ＹＬ）の各発光ユニットの発光期間の比率が同一の場合について説明しているが、各発光ユニットの発光期間の比率は、任意に変更することも可能である。  特に、各発光ユニットの寿命に応じて、各Ｒ、Ｇ、Ｂ、及びＷ（ＹＬ）の発光期間を調整することで、バックライトの長寿命化を実現することができる。その際、相対的に経時劣化が大きい（寿命が短い）発光ユニットの発光期間を、他の発光ユニットよりも長くすることが好ましい。例えば、最も寿命の短い発光ユニットの発光期間の比率を、最も長くすることが好ましい。これにより、経時劣化によるバックライトの輝度の低下や、色度の変化を抑制することができ、表示装置の信頼性が向上する。
【００９８】  Ｗの映像信号（諧調データ）の生成方法は下記となる。  Ｒ、Ｇ、Ｂの映像信号の内、最も小さい映像信号をＭ諧調とすると、Ｗの映像信号は、α×Ｍ（αは０以上１以下の乗数）となる。定数αは、１の場合に最も低消費電力となるが、見栄え等の観点から０．８程度の値となる。  ＹＬの場合も同様に、Ｒ、Ｇの映像信号の内、最も小さい映像信号をＮ諧調とすると、ＹＬの映像信号は、β×Ｎ（βは０以上１以下の乗数）となる。定数βは、１の場合に最も低消費電力となるが、見栄え等の観点から０．８程度の値となる。
【００９９】［効果］  上述の第１実施形態及び第２実施形態のフィールドシーケンシャル方式の表示装置においては、最も光射出面側に配置された第１発光ユニットに、Ｗ、又は、ＹＬの発光色を有する発光ユニットを有している。Ｗ、又は、ＹＬの発光色を有する発光ユニットを備えることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光光のみを用いる場合に比べて、積層構造に起因する吸収等を受けにくい。このため、より高い輝度を得ることができる。従って、有機ＥＬ素子の発光効率が向上し、バックライトの低消費電力化が可能となる。そして、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の低消費電力化が可能となる。
【０１００】  なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０１】  １００，１００Ａ  バックライト、１０１  透明基板、１０２  第１電極、１０３，１０３Ａ  第１発光ユニット、１０４  第１中間電極、１０５  第２発光ユニット、１０６  第２中間電極、１０７  第３発光ユニット、１０８  第３中間電極、１０９  第４発光ユニット、１１０  第２電極、２００  表示パネル、２０１  偏光板、２０２  透明基板、２０３  薄膜トランジスタ、２０４  画素電極、２０５  配向膜、２０６  液晶層、２０７  絶縁層、２０８  スペーサ、２０９  シール、２１０  データ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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