(57)【要約】  本発明の課題は、積層された複数のメモリモジュールを備えるメモリが、データの読み書きに伴い高温となることを抑制することである。本発明の一実施形態にかかる記憶装置は積層された複数のメモリモジュールを備える。メモリコントローラとしての役割を果たすデータ処理装置は、データの書込要求を受けると、同時にデータが書き込まれるメモリモジュールが互いに隣接せず、また、一連の書込シーケンスにおいて、後続の書込タイミングでデータが書き込まれるメモリモジュールが、先行する書込タイミングでデータが書き込まれるメモリモジュールと隣接しないように、書込先のメモリモジュールを順次選択する。その結果、積層された複数のメモリモジュールにおける発熱箇所が分散され、高温化が低減される。
2015155906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの書込要求を取得する要求取得部と、
前記書込要求に応じて、積層された複数のメモリモジュールの中から、所定の時間内にデータを書き込む２以上のメモリモジュールが互いに隣接しないように書込先のメモリモジュールを選択する選択部と、
前記書込要求に応じて、前記選択部により選択されたメモリモジュールに対するデータの書き込みを指示する書込指示部と
を備える装置。
【請求項２】
前記選択部は、前記複数のメモリモジュールの中から、同時にデータを書き込む２以上のメモリモジュールが互いに隣接しないように書込先のメモリモジュールを選択する
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記選択部は、前記複数のメモリモジュールの中から、第１の書込タイミングでデータが書き込まれるべき第１のメモリモジュールを選択した場合、前記第１の書込タイミングの次の書込タイミングである第２の書込タイミングでデータが書き込まれるべき第２のメモリモジュールとして、前記第１のメモリモジュールに隣接しないメモリモジュールを選択する
請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記複数のメモリモジュールの中から選択された１以上のメモリモジュールを識別するデータを複数、時系列に並べたデータである選択データを取得する選択データ取得部を備え、
前記選択部は前記選択データに従い、前記書込先のメモリモジュールの選択を行う
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のメモリモジュールのうち使用可能なメモリモジュールを識別する識別データを取得する識別データ取得部と、
前記識別データを出力する識別データ出力部と
を備え、
前記選択データ取得部は、前記識別データの出力に対する応答として入力される前記選択データを取得する
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のメモリモジュールの代表点において計測された温度を示す温度データを取得する温度データ取得部を備え、
前記選択部は、前記温度データが示す温度に応じて、前記所定の時間内にデータを書き込む２以上のメモリモジュールの数を変更する
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記複数のメモリモジュールを備える
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
積層された複数のメモリモジュールの中から同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理と、当該選択した１以上のメモリモジュールにデータを書き込む処理とを繰り返し実行した場合の、前記複数のメモリモジュールの各々の温度の推定値を算出する温度推定部と、
前記温度推定部により算出される温度の推定値に基づき、前記同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理において、ランダムにメモリモジュールを選択する場合と比較し、前記複数のメモリモジュールの推定された温度の代表値が低くなるようなメモリモジュールの選択を行い、当該選択した１以上のメモリモジュールを識別するデータを複数、選択の順序に従い時系列に並べたデータである選択データを生成する選択データ生成部と
を備える装置。
【請求項９】
前記複数のメモリモジュールのうち使用可能なメモリモジュールを識別する識別データを取得する識別データ取得部を備え、
前記選択データ生成部は、前記識別データが識別する使用可能なメモリモジュールの中から選択されたメモリモジュールを識別する選択データを生成する
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
コンピュータを、
積層された複数のメモリモジュールのうち使用可能なメモリモジュールを識別する識別データを取得する識別データ取得部と、
前記識別データが識別する使用可能なメモリモジュールの中から同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理と、当該選択した１以上のメモリモジュールにデータを書き込む処理とを繰り返し実行した場合の、前記使用可能なメモリモジュールの各々の温度の推定値を算出する温度推定部と、
前記温度推定部により推定される温度に基づき、前記同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理において、ランダムにメモリモジュールを選択する場合と比較し、前記使用可能なメモリモジュールの推定された温度の代表値が低くなるようなメモリモジュールの選択を行い、当該選択した１以上のメモリモジュールを識別するデータを複数、選択の順序に従い時系列に並べたデータである選択データを生成する選択データ生成部
として機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データの読み書きに伴い発熱するメモリの温度上昇を抑制するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ等の多くのメモリは、データの読み書きに伴い発熱する。メモリが高温になり過ぎると、正常なデータの読み書きの処理が行われなくなる、いわゆる熱暴走が生じる場合がある。【０００３】
半導体メモリの熱暴走を抑制するための技術として、例えば特許文献１には、スタティック型メモリセルを有する半導体装置において、半導体装置内で計測された温度が閾値に達すると、メモリモジュールに印加される電圧を低下させることにより、半導体装置が高温となり過ぎないようにする、という技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−００９６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数のメモリモジュールを積層することで、集積度の高いメモリを実現することができる。このように、複数のメモリモジュールを積層すると、各々のメモリモジュールがデータの読み書きにおいて発する熱の放熱が隣接物により妨げられるため、局所的に高温となり易い。【０００６】
上記の事情に鑑み、本発明は、積層された複数のメモリモジュールを備えるメモリが、データの読み書きに伴い高温となることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明は、データの書込要求を取得する要求取得部と、前記書込要求に応じて、積層された複数のメモリモジュールの中から、所定の時間内にデータを書き込む２以上のメモリモジュールが互いに隣接しないように書込先のメモリモジュールを選択する選択部と、前記書込要求に応じて、前記選択部により選択されたメモリモジュールに対するデータの書き込みを指示する書込指示部とを備える装置を第１の実施態様として提案する。【０００８】
また、本発明は、上記の第１の実施態様において、前記選択部は、前記複数のメモリモジュールの中から、同時にデータを書き込む２以上のメモリモジュールが互いに隣接しないように書込先のメモリモジュールを選択する、という構成を第２の実施態様として提案する。【０００９】
また、本発明は、上記の第１または第２の実施態様において、前記選択部は、前記複数のメモリモジュールの中から、第１の書込タイミングでデータが書き込まれるべき第１のメモリモジュールを選択した場合、前記第１の書込タイミングの次の書込タイミングである第２の書込タイミングでデータが書き込まれるべき第２のメモリモジュールとして、前記第１のメモリモジュールに隣接しないメモリモジュールを選択する、という構成を第３の実施態様として提案する。【００１０】
また、本発明は、上記の第１乃至第３のいずれかの実施態様において、前記複数のメモリモジュールの中から選択された１以上のメモリモジュールを識別するデータを複数、時系列に並べたデータである選択データを取得する選択データ取得部を備え、前記選択部は前記選択データに従い、前記書込先のメモリモジュールの選択を行う、という構成を第４の実施態様として提案する。【００１１】
また、本発明は、上記の第４の実施態様において、前記複数のメモリモジュールのうち使用可能なメモリモジュールを識別する識別データを取得する識別データ取得部と、前記識別データを出力する識別データ出力部とを備え、前記選択データ取得部は、前記識別データの出力に対する応答として入力される前記選択データを取得する、という構成を第５の実施態様として提案する。【００１２】
また、本発明は、上記の第１乃至第５のいずれかの実施態様において、前記複数のメモリモジュールの代表点において計測された温度を示す温度データを取得する温度データ取得部を備え、前記選択部は、前記温度データが示す温度に応じて、前記所定の時間内にデータを書き込む２以上のメモリモジュールの数を変更する、という構成を第６の実施態様として提案する。【００１３】
また、本発明は、上記の第１乃至第６のいずれかの実施態様において、前記複数のメモリモジュールを備える、という構成を第７の実施態様として提案する。【００１４】
また、本発明は、積層された複数のメモリモジュールの中から同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理と、当該選択した１以上のメモリモジュールにデータを書き込む処理とを繰り返し実行した場合の、前記複数のメモリモジュールの各々の温度の推定値を算出する温度推定部と、前記温度推定部により算出される温度の推定値に基づき、前記同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理において、ランダムにメモリモジュールを選択する場合と比較し、前記複数のメモリモジュールの推定された温度の代表値が低くなるようなメモリモジュールの選択を行い、当該選択した１以上のメモリモジュールを識別するデータを複数、選択の順序に従い時系列に並べたデータである選択データを生成する選択データ生成部とを備える装置を第８の実施態様として提案する。【００１５】
また、本発明は、上記の第８の実施態様において、前記複数のメモリモジュールのうち使用可能なメモリモジュールを識別する識別データを取得する識別データ取得部を備え、前記選択データ生成部は、前記識別データが識別する使用可能なメモリモジュールの中から選択されたメモリモジュールを識別する選択データを生成する、という構成を第９の実施態様として提案する。【００１６】
また、本発明は、コンピュータを、積層された複数のメモリモジュールのうち使用可能なメモリモジュールを識別する識別データを取得する識別データ取得部と、前記識別データが識別する使用可能なメモリモジュールの中から同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理と、当該選択した１以上のメモリモジュールにデータを書き込む処理とを繰り返し実行した場合の、前記使用可能なメモリモジュールの各々の温度の推定値を算出する温度推定部と、前記温度推定部により推定される温度に基づき、前記同時にデータを書き込む１以上のメモリモジュールを選択する処理において、ランダムにメモリモジュールを選択する場合と比較し、前記使用可能なメモリモジュールの推定された温度の代表値が低くなるようなメモリモジュールの選択を行い、当該選択した１以上のメモリモジュールを識別するデータを複数、選択の順序に従い時系列に並べたデータである選択データを生成する選択データ生成部として機能させるためのプログラムを第１０の実施態様として提案する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、同時または近いタイミングで互いに隣接している２つのメモリモジュールにデータの読み書きが行われる確率が下がるため、メモリに局所的な高温箇所が発生しにくい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】一実施形態にかかるデータ記憶システムの外観図。
【図２】一実施形態にかかる記憶装置の物理的な構成を示した図。
【図３】一実施形態にかかる記憶装置が備えるメモリモジュール等の構成部の配置を示した図。
【図４】一実施形態にかかる記憶装置の断面を示した図。
【図５】一実施形態にかかる記憶装置が備える構成部間の接続状態を示した図。
【図６】一実施形態にかかるデータ処理装置の機能構成を示した図。
【図７】一実施形態にかかる記憶装置が使用する選択データの構成を例示した図。
【図８】一実施形態にかかる選択データ生成装置の機能構成を示した図。
【図９】一実施形態にかかる記憶装置においてデータの書込先として選択されるメモリモジュールの配置を例示した図。
【図１０】一変形例にかかる記憶装置が使用する選択データの構成を例示した図。
【図１１】一変形例にかかるデータ処理装置の機能構成を示した図。
【図１２】一変形例にかかる記憶装置が備えるメモリモジュール等の構成部の配置を示した図。
【図１３】一変形例にかかる記憶装置の断面を示した図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［第１実施形態］
以下に本発明の一実施形態にかかるデータ記憶システム１を説明する。図１は、データ記憶システム１の外観を示した図である。データ記憶システム１は、例えばコンピュータが備えるＣＰＵ等のホストとなるデータ処理装置１１と、データ処理装置１１からの要求に応じて、データの読み書きを行う記憶装置１２を備える。
【００２０】
図２は、記憶装置１２の物理的な構成を示した図である。記憶装置１２は、メモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３の３枚のメモリボードと、これら３枚のメモリボードとデータ処理装置１１との間のデータの受け渡しを行うインタフェース１２４と、これらの３枚のメモリボードおよびインタフェース１２４を収容する筐体１２５を備える。なお、記憶装置１２が動作するために要する電力は、インタフェース１２４を介して図示せぬ電源装置から供給される。また、記憶装置１２が備えるメモリボードの数は３枚に限れず、記憶装置１２が積層された複数のメモリモジュール１２０１を備える限り、何枚であってもよい。
【００２１】
メモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３の各々は、複数のメモリモジュール１２０１と、各々のメモリボードが有するメモリモジュール１２０１に対するデータの読み書きや不良のメモリモジュール１２０１の特定等の制御を行う２個のデータ処理装置１２０２を備えている。メモリモジュール１２０１は、例えばフラッシュメモリである。ただし、データの読み書きに伴い発熱するメモリであれば、メモリモジュール１２０１はいずれの方式のメモリであってもよい。また、データ処理装置１２０２は、例えばＣＰＬＤにより構成される。ただし、同じメモリボードが備えるメモリモジュール１２０１の制御を行うデータ処理装置であれば、データ処理装置１２０２はいずれの方式のデータ処理装置であってもよい。
【００２２】
メモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３の各々が備える２個のデータ処理装置１２０２は、各々、これらのメモリボードの一方の面上に配置されているメモリモジュール１２０１と、他方の面上に配置されているメモリモジュール１２０１とを各々、制御する。なお、１枚のメモリボードが備えるデータ処理装置１２０２の数は２つに限られず、例えば１つのデータ処理装置１２０２がメモリボードのいずれかの面に配置された全てのメモリモジュール１２０１を制御してもよい。
【００２３】
また、メモリボード１２２は、メモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３が備える複数のメモリモジュール１２０１に対するデータの読み書きを制御するデータ処理装置１２０３と、データ処理装置１２０３が用いるデータを記憶するメモリ１２０４を備える。データ処理装置１２０３は、データ処理装置１１からの要求に応じて、メモリボード１２１、メモリボード１２２、またはメモリボード１２３のいずれかのデータ処理装置１２０２に対しデータの読み書きを指示する。いずれかのデータ処理装置１２０２は、データ処理装置１２０３の指示に従い、データの読み書きを行う。データ処理装置１２０３は、例えばＦＰＧＡにより構成される。ただし、複数のメモリボードが備える複数のメモリモジュール１２０１に対するデータの読み書きを指示するデータ処理装置であれば、データ処理装置１２０３はいずれの方式のデータ処理装置であってもよい。
【００２４】
また、メモリ１２０４はＥＰＲＯＭである。ただし、データ処理装置１２０３が用いるデータを記憶するメモリであれば、メモリ１２０４はいずれの方式のメモリであってもよい。
【００２５】
図３は、メモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３の各々が備えるメモリモジュール１２０１およびデータ処理装置１２０２と、メモリボード１２２が備えるデータ処理装置１２０３の配置を示した図である。以下、メモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３に関し、図２における上側の面をＡ面、下側の面をＢ面とする。図３に示す６つの図のうち、上段の３つは左から、メモリボード１２１のＡ面、メモリボード１２２のＡ面、メモリボード１２３のＡ面を示す。また、図３に示す６つの図のうち、下段の３つは左から、メモリボード１２１のＢ面、メモリボード１２２のＢ面、メモリボード１２３のＢ面を示す。なお、図３に示すメモリモジュール１２０１の数は例示であって、他の数が採用されてもよい。また、図３に示すメモリモジュール１２０１、データ処理装置１２０２、およびデータ処理装置１２０３の配置は例示であって、他の配置が採用されてもよい。また、図３において、メモリモジュール１２０１の各々に付されている番号は、各メモリボードのＡ面またはＢ面において、複数のメモリモジュール１２０１の各々を識別する番号である。
【００２６】
図４は、筐体１２５内にメモリボード１２１、メモリボード１２２、メモリボード１２３、およびインタフェース１２４が収容された状態における記憶装置１２の断面を示した図である。メモリボード１２１のＢ面のメモリモジュール１２０１とメモリボード１２２のＡ面のメモリモジュール１２０１との間は、例えば０．５ミリメートルの隙間が空いている。同様に、メモリボード１２２のＢ面のメモリモジュール１２０１とメモリボード１２３のＡ面のメモリモジュール１２０１との間は、例えば０．５ミリメートルの隙間が空いている。ただし、これらの隙間の大きさは０．５ミリメートルに限られない。また、これらの互いに対向するメモリモジュール１２０１の間に、筐体１２５への熱の伝導を促進する役割と緩衝材の役割を兼ねる伝熱クッション材が配置されてもよい。
【００２７】
また、メモリボード１２１のＡ面のメモリモジュール１２０１と筐体１２５との間、および、メモリボード１２３のＢ面のメモリモジュール１２０１と筐体１２５との間には、筐体１２５への熱の伝導を促進する役割と緩衝材の役割を兼ねる伝熱クッション材（図示略）が配置されている。
【００２８】
図５は、記憶装置１２が備える構成部間の接続の状態を示した図である。インタフェース１２４は、データ処理装置１１と接続されている。インタフェース１２４は、データ処理装置１１からデータの読み書きの要求を受け取り、データの読み出しの要求を受けた場合、データ処理装置１２０３から要求したデータを受け取り、データ処理装置１１に引き渡す。
【００２９】
データ処理装置１２０３は、インタフェース１２４、メモリ１２０４、およびデータ処理装置１２０２の各々と接続されている。データ処理装置１２０３は、インタフェース１２４を介してデータ処理装置１１からデータの書き込みの要求を受け取ると、当該要求に応じたデータの書込先のメモリモジュール１２０１を選択し、選択した書込先のメモリモジュール１２０１を制御するデータ処理装置１２０２に対し、データの書き込みを指示する。また、データ処理装置１２０３はインタフェース１２４を介してデータ処理装置１１からデータの読み出しの要求を受け取ると、当該要求に応じたデータが書き込まれているメモリモジュール１２０１を特定し、特定したメモリモジュール１２０１を制御するデータ処理装置１２０２に対し、データの読出を指示する。データ処理装置１２０３は当該指示に応じてデータ処理装置１２０２から引き渡されるデータを、インタフェース１２４を介してデータ処理装置１１に出力する。
【００３０】
メモリ１２０４は、データ処理装置１２０３が使用する各種データを記憶する。データ処理装置１２０３が使用する各種データには、例えば、データの書込先のメモリモジュール１２０１を選択する際の規則を示す選択データ（後述）、メモリモジュール１２０１のうち使用可能なメモリモジュール１２０１を識別する識別データ（後述）等が含まれる。
【００３１】
記憶装置１２は、メモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３の各々のＡ面およびＢ面に配置される計６個のデータ処理装置１２０２を備える。これらの６個のデータ処理装置１２０２の各々は同じメモリボードの同じ面に配置されるメモリモジュール１２０１と接続されており、これらのメモリモジュール１２０１を制御する。以下、データ処理装置１２０２と、当該データ処理装置１２０２が制御するメモリモジュール１２０１を総称して「メモリユニット」という。従って、記憶装置１２は、６個のメモリユニットを備える。ただし、記憶装置１２が備えるメモリユニットの数は６個に限られない。
【００３２】
図６は、データ処理装置１２０３の機能構成を示した図である。データ処理装置１２０３は、まず、メモリ１２０４に記憶されている選択データを読み出して取得する選択データ取得部２０を備える。
【００３３】
図７は、記憶装置１２が使用する選択データの構成例を示した図である。選択データは、シーケンス番号欄と、書込先メモリモジュール識別子欄とを持つリストであり、シーケンス番号欄に格納されるシーケンス番号に応じた順序で、書込先メモリモジュール識別子欄に格納される書込先メモリモジュール識別子の各々により識別されるメモリモジュール１２０１にデータが書き込まれるべきであることを示す。
【００３４】
図７の例では、書込先メモリモジュール識別子のフォーマットとして「１Ａ−２」のようなフォーマットが採用されている。書込先メモリモジュール識別子の１桁目の数字はメモリボード１２１、メモリボード１２２、およびメモリボード１２３の符号の末尾１桁を示し、いずれのメモリボードに配置されているメモリモジュール１２０１であるかを識別する。また、書込先メモリモジュール識別子の２桁目の英字は、メモリボードのＡ面およびＢ面のいずれの面に配置されているメモリモジュール１２０１であるかを識別する。また、書込先メモリモジュール識別子の「−」の後に続く数字は、各メモリユニットにおけるメモリモジュール１２０１の識別子（図３においてメモリモジュール１２０１の各々に付された番号）を示す。ただし、選択データのフォーマットは図７に例示のものに限られず、メモリモジュール１２０１を識別可能なフォーマットであればいずれのフォーマットが採用されてもよい。
【００３５】
なお、書込先メモリモジュール識別子欄に複数の書込先メモリモジュール識別子が格納されている場合、選択データは、これらの書込先メモリモジュール識別子により識別される複数のメモリモジュール１２０１に対し同時にデータの書き込みが行われるべきであることを示す。
【００３６】
図６に戻り、データ処理装置１２０３の機能構成の説明を続ける。データ処理装置１２０３は、さらに、データ処理装置１１からデータの書込要求を取得する書込要求取得部２１（要求取得部の一例）と、選択データ取得部２０が取得した選択データに従って複数のメモリモジュール１２０１の中から書込要求取得部２１が取得した書込要求に応じたデータの書込先を選択するメモリモジュール選択部２２（選択部の一例）と、メモリモジュール選択部２２により選択されたメモリモジュール１２０１を制御するデータ処理装置１２０２に対しデータの書き込みを指示する書込指示部２３を備える。データ処理装置１２０２は、書込指示部２３からの指示に従い、データを指定されたメモリモジュール１２０１に書き込む。また、書込指示部２３は、書込指示を行ったデータの各々に関し、データの識別子と当該データの書込先のメモリモジュール１２０１の識別子とを対応付けたマッピングデータをメモリ１２０４に記憶させる。
【００３７】
また、データ処理装置１２０３は、データ処理装置１１からデータの読出要求を取得する読出要求取得部２４と、メモリ１２０４に記憶されているマッピングデータに従って読出要求取得部２４が取得した読出要求に応じたデータが書き込まれているメモリモジュール１２０１を制御するデータ処理装置１２０２に対しデータの読出を指示する読出指示部２５と、読出指示部２５の指示に応じてデータ処理装置１２０２がメモリモジュール１２０１から読み出したデータを取得する読出データ取得部２６と、読出データ取得部２６が取得したデータを読出要求取得部２４が取得した読出要求に対する応答としてデータ処理装置１１に出力する読出データ出力部２７を備える。
【００３８】
また、データ処理装置１２０３は、データ処理装置１２０２の各々から、当該データ処理装置１２０２が制御するメモリモジュール１２０１のうち使用可能なメモリモジュール１２０１を識別する使用可能メモリモジュール識別データを取得する使用可能メモリモジュール識別データ取得部２８（識別データ取得部の一例）と、使用可能メモリモジュール識別データ取得部２８が取得した使用可能メモリモジュール識別データをデータ処理装置１１に出力する使用可能メモリモジュール識別データ出力部２９（識別データ出力部の一例）を備える。なお、使用可能メモリモジュール識別データは、記憶装置１２が備える複数のメモリモジュール１２０１のいずれのメモリモジュール１２０１が使用可能であるかを識別するデータであればその形式は限定されない。すなわち、使用可能メモリモジュール識別データは、使用可能なメモリモジュール１２０１を直接識別するものに限られず、例えば、使用不可能なメモリモジュール１２０１を識別することにより、使用可能なメモリモジュール１２０１を識別可能とするデータであってもよい。
【００３９】
データ処理装置１１は、使用可能メモリモジュール識別データ出力部２９から出力される使用可能メモリモジュール識別データに対する応答として、更新された選択データを記憶装置１２に対し出力する。データ処理装置１１から出力された選択データは、選択データ取得部２０により取得され、メモリ１２０４に記憶される。その後、選択データ取得部２０は更新後の選択データをメモリ１２０４から読み出し取得する。
【００４０】
データ処理装置１１は、ＳＳＤ等のデータ記憶装置（図１において図示略）に記憶されているプログラムに従う処理を行うことにより、選択データの生成を行う装置（以下、「選択データ生成装置」という）として機能する。
【００４１】
図８は、選択データ生成装置として機能するデータ処理装置１１の機能構成を示した図である。データ処理装置１１は、データ処理装置１２０３の使用可能メモリモジュール識別データ出力部２９から出力される使用可能メモリモジュール識別データを取得する使用可能メモリモジュール識別データ取得部１１１と、使用可能メモリモジュール識別データ取得部１１１が取得した使用可能メモリモジュール識別データが識別するメモリモジュール１２０１に対し順次データを書き込み続けた場合におけるメモリモジュール１２０１の各々の温度（例えば、収束値）の推定値を算出する温度推定部１１２と、温度推定部１１２により算出されたメモリモジュール１２０１の各々の温度の推定値に基づきメモリモジュール１２０１の推定された温度の代表値（例えば、最高値）が低くなるような書込先のメモリモジュール１２０１のシーケンスを示す選択データを生成する選択データ生成部１１３と、選択データ生成部１１３が生成した選択データをデータ処理装置１２０３に対し出力する選択データ出力部１１４を備える。
【００４２】
温度推定部１１２は、例えば、記憶装置１２を構成する筐体１２５、各メモリボードの基板、各メモリボードに配置されるメモリモジュール１２０１、データ処理装置１２０２、データ処理装置１２０３、およびメモリ１２０４、インタフェース１２４、伝熱クッション材、筐体１２５の内側の空気、筐体１２５の外側の空気等の各々に関し、熱伝導率、熱容量、接触する他の構成部との間の接触面積、熱伝導の方向における厚さ、１単位量のデータの書き込みに伴いメモリモジュール１２０１、データ処理装置１２０２、データ処理装置１２０３等が発する熱量等のパラメータを取得し、様々な書込シーケンス（使用可能なメモリモジュール１２０１の中から書込先のメモリモジュール１２０１を選択し、順次、時系列に並べたもの）に従いデータの書き込みが繰り返し行われた場合の記憶装置１２における熱分布を、既知の熱伝導方程式を用いたシミュレーション等により推定する。
【００４３】
選択データ生成部１１３は、温度推定部１１２により様々な書込シーケンスの各々に関し推定された記憶装置１２の熱分布に基づき、例えば、メモリモジュール１２０１の各々の温度の推定値の最高値が最も低くなる書込シーケンスを示す選択データを、高温化の低減の観点から望ましい選択データとして生成する。選択データ生成部１１３により生成される選択データは、少なくとも、使用可能なメモリモジュール１２０１の中から書込先のメモリモジュール１２０１をランダムに選択し、順次、時系列に並べた書込シーケンスと比較し、推定されるメモリモジュール１２０１の温度の代表値（例えば最高値）が低くなるような書込シーケンスを示す。
【００４４】
図９は、上記のようにデータ処理装置１１により生成された選択データに従うデータの書込先のメモリモジュール１２０１を例示した図である。図９の上の２段は、選択データ（図７）のシーケンス番号「１」に応じた書込先メモリモジュール識別子により識別されるメモリモジュール１２０１を示している。すなわち、図９の上の２段に示されるメモリモジュール１２０１は、シーケンス番号「１」に応じた第１の書込タイミングにデータ（書込要求の対象を分割した複数のデータブロックの各々）が書き込まれるべきメモリモジュール１２０１を示している。
【００４５】
また、図９の下の２段は、選択データのシーケンス番号「２」に応じた書込先メモリモジュール識別子により識別されるメモリモジュール１２０１を示している。すなわち、図９の下の２段に示されるメモリモジュール１２０１は、シーケンス番号「２」に応じた第２の書込タイミング（第１の書込タイミングの次の書込タイミング）にデータが書き込まれるべきメモリモジュール１２０１を示している。
【００４６】
図９に示されるように、選択データに従い選択される書込先のメモリモジュール１２０１は、多くの場合、同時にデータが書き込まれるメモリモジュール１２０１が互いに隣接しないように選択されている。また、選択データに従い選択される書込先のメモリモジュール１２０１は、多くの場合、後続の書込タイミングでデータが書き込まれるメモリモジュール１２０１は、先行する書込タイミングでデータが書き込まれるメモリモジュール１２０１と隣接しないように選択されている。これは、選択データが、記憶装置１２において局所的な高温化を低減するような書込シーケンスを示すためである。
【００４７】
上記のように、データ記憶システム１によれば、記憶装置１２が備える積層された複数のメモリモジュール１２０１の中から適切に選択されたメモリモジュール１２０１に対しデータの書き込みが順次行われる結果、メモリモジュール１２０１の高温化が低減される。また、データの読出においては、一連のデータが書き込まれた順に読み出されるため、データ記憶システム１によれば、データの読出に伴い発生する熱によるメモリモジュール１２０１の高温化も低減される。
【００４８】
また、データ記憶システム１によれば、いずれかのメモリモジュール１２０１に不良が発生し、使用不可となったような場合、使用可能なメモリモジュール１２０１の中から書込先のメモリモジュール１２０１を選択して示す選択データが生成され、その後の処理に用いられる。従って、記憶装置１２の経年劣化等に伴い一部のメモリモジュール１２０１が使用不可となった場合でも、メモリモジュール１２０１の高温化が生じにくい。
【００４９】
［変形例］
上述した実施形態は本発明の技術的思想の範囲内において様々に変形可能である。以下にそれらの変形の例を示す。なお、上述した実施形態および以下に示す変形例のうちの２以上が適宜組み合わせられてもよい。
【００５０】
（１）記憶装置１２に、複数のメモリモジュール１２０１の代表点における温度を計測する温度センサを設け、温度センサにより計測された温度に応じて、異なる書込シーケンスを示す選択データが選択的に用いられる構成が採用されてもよい。
【００５１】
この変形例（以下、「第１変形例」という）においては、メモリ１２０４に、図１０に示すような複数の選択データを記憶させておく。図１０の上側の選択データ（以下、「第１の選択データ」という）に従う場合、同時にデータが書き込まれるメモリモジュール１２０１の数は６個であり、図１０の下側の選択データ（以下、「第２の選択データ」という）に従う場合、同時にデータが書き込まれるメモリモジュール１２０１の数は３個である。
【００５２】
従って、例えば温度センサにより計測された温度が閾値以下である間は、第１の選択データを用い、温度センサにより計測された温度が閾値を超える間は、第２の選択データを用いるようにメモリモジュール選択部２２を構成することで、メモリモジュール１２０１の高温化を低減することができる。
【００５３】
図１１は、第１変形例にかかるデータ処理装置１２０３の機能構成を示した図である。第１変形例にかかるデータ処理装置１２０３は、温度センサ１２６が計測した温度（メモリモジュール１２０１の代表点の温度）を示す温度データを取得する温度データ取得部３０を備える。第１変形例において、選択データ取得部２０は、温度データ取得部３０が取得した温度データが示す温度が所定の閾値以下である間は、メモリ１２０４から第１の選択データを読み出し、温度データが示す温度が所定の閾値を超える間は、メモリ１２０４から第２の選択データを読み出す。メモリモジュール選択部２２は、選択データ取得部２０により読み出された選択データに従い書込先のメモリモジュール１２０１を順次、選択する。その結果、温度データが示す温度に応じて、所定の時間内にデータが書き込こまれる書込先のメモリモジュール１２０１の数が変更されることになる。
【００５４】
なお、第１変形例において、選択的に使用される選択データの数は２つに限られず、３以上の選択データ（同時にデータを書き込む書込先のメモリモジュール１２０１の数が異なるもの）が用いられてもよい。
【００５５】
（２）記憶装置１２におけるメモリモジュール１２０１等の構成部の配置が、熱分布のシミュレーションや実測等により、メモリモジュール１２０１の高熱化を低減するように設計されてもよい。例えば、図１２は、図３に示したメモリモジュール１２０１等の配置とは異なる配置が採用されたメモリボードを例示している。図１２に示した配置が採用された場合、図１３に示すように、積層されるメモリモジュール１２０１は、互いに基板に沿った方向にずれた位置で対向することになる。その結果、あるメモリモジュール１２０１にデータの読み書きが行われた場合に発生する熱は、図３に示される配置による場合と比較し、より多くの隣接するメモリモジュール１２０１に伝導することになるが、各々のメモリモジュール１２０１が受ける熱量は図３に示される配置による場合と比較し少なくなる。その結果、図３に示される配置と図１２に示される配置では、記憶装置１２における熱分布が異なり得る。ある選択データに従いデータの書き込みが繰り返し行われた場合、より高温化が低減される配置が選択されることが望ましい。
【００５６】
（３）上述した実施形態において、選択データはシミュレーションにより推定されたメモリモジュール１２０１における熱分布に基づき生成される。これに代えて、実測された熱分布に基づき生成された選択データが用いられてもよい。
【００５７】
（４）上述した実施形態においては、選択データはデータの読み書きの要求元であるデータ処理装置１１により生成される。これに代えて、記憶装置１２がＣＰＵ等のデータ処理装置を備え、当該データ処理装置が選択データの生成を行う構成が採用されてもよい。
【００５８】
（５）データ処理装置１２０３がデータ処理装置１２０２の機能を兼ね備えてもよい。また、データ処理装置１１がデータ処理装置１２０３の機能を兼ね備えてもよい。
【００５９】
（６）上述した実施形態においては、データ処理装置１２０３のメモリモジュール選択部２２は、選択データに従い書込先のメモリモジュール１２０１の選択を行う。データ処理装置１２０３が書込先のメモリモジュール１２０１の選択を実現する方法はこれに限られない。例えば、データ処理装置１２０３が論理集積回路を備える場合、書込先のメモリモジュール１２０１のシーケンスを所定のアルゴリズムに従い算出する論理回路をデータ処理装置１２０３が備えるロジックセル等により構築することにより、メモリモジュール選択部２２が実現されてもよい。
【００６０】
従って、例えばデータ処理装置１２０３がＦＰＧＡである場合、選択データをＦＰＧＡの起動時にメモリ１２０４からＦＰＧＡ内のブロックＲＡＭに読み込み、ＦＰＧＡのコンフィギュレーション（メモリ１２０４に記憶されているプログラムに従うロジックセルの論理演算の設定および内部配線の結線によるロジックセル間の接続）においてロジックセル群により実現されるメモリモジュール選択部２２がブロックＲＡＭに記憶されている選択データを参照してメモリモジュール１２０１の選択を行う構成が採用されてもよいし（上述の実施形態の一例）、選択データを用いることなく、ＦＰＧＡのコンフィギュレーションにおいて所定のアルゴリズムに従い書込先のメモリモジュール１２０１を選択するメモリモジュール選択部２２がロジックセル群により構築される構成が採用されてもよい（本変形例の一例）。
【００６１】
（７）上述した実施形態及び変形例において示したデータ記憶システム１の構成部の数、配置、データ等はあくまで例示であって、本発明はこれらにより限定されない。
【符号の説明】
【００６２】
１…データ記憶システム、１１…データ処理装置、１２…記憶装置、２０…選択データ取得部、２１…書込要求取得部、２２…メモリモジュール選択部、２３…書込指示部、２４…読出要求取得部、２５…読出指示部、２６…読出データ取得部、２７…読出データ出力部、２８…使用可能メモリモジュール識別データ取得部、２９…使用可能メモリモジュール識別データ出力部、３０…温度データ取得部、１１１…使用可能メモリモジュール識別データ取得部、１１２…温度推定部、１１３…選択データ生成部、１１４…選択データ出力部、１２１…メモリボード、１２２…メモリボード、１２３…メモリボード、１２４…インタフェース、１２５…筐体、１２６…温度センサ、１２０１…メモリモジュール、１２０２…データ処理装置、１２０３…データ処理装置、１２０４…メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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