(57)【要約】  半導体装置の製造方法は、主面に回路が形成された半導体ウエハを準備する準備工程と、半導体ウエハを接着層に張り付ける張付工程と、接着層に張り付けた状態の半導体ウエハをダイシング領域に沿って分割することにより、複数の半導体チップを得る第１分割工程と、複数の半導体チップの主面を接着層に張り付けた状態で、複数の半導体チップを一括して封止することにより、半導体チップの側面間の間隙および半導体チップの裏面上に半導体封止樹脂組成物からなる封止材層を形成する封止工程と、半導体チップの側面間の間隙に形成された封止材層を分割することにより、側面および裏面に封止材層が形成された複数の前記半導体チップを得る第２分割工程と、を含む。
2016031684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に回路が形成された半導体ウエハを準備する準備工程と、
前記半導体ウエハを接着層に張り付ける張付工程と、
前記接着層に張り付けた状態の前記半導体ウエハをダイシング領域に沿って分割することにより、複数の半導体チップを得る第１分割工程と、
複数の前記半導体チップの前記主面を前記接着層に張り付けた状態で、複数の前記半導体チップを一括して封止することにより、前記半導体チップの側面間の間隙および前記半導体チップの裏面上に半導体封止樹脂組成物からなる封止材層を形成する封止工程と、
前記半導体チップの前記側面間の間隙に形成された前記封止材層を分割することにより、前記側面および前記裏面に前記封止材層が形成された複数の前記半導体チップを得る第２分割工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記張付工程は、
前記半導体ウエハの主面を前記接着層に張り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面を除去することにより、前記半導体ウエハの膜厚を薄くする工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
膜厚を薄くする前記工程後の前記半導体ウエハの膜厚は、１００μｍ以上３００μｍ以下である、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２分割工程における分割幅は、前記第１分割工程における分割幅よりも狭い、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１分割工程は、
前記半導体ウエハの前記裏面を前記接着層に張り付けた状態で、前記半導体ウエハを分割することにより、複数の前記半導体チップを得る工程と、
隣接する前記半導体チップ間の間隔を広げる拡張工程と、を含み、
前記封止工程は、前記半導体チップ間の間隔を広げた状態で実施する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１分割工程は、前記半導体ウエハを分割するとともに、前記接着層に切り込みを形成した後、前記拡張工程を実施する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記準備工程において、前記半導体ウエハの前記主面上に外部接続用のバンプが形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記封止工程の後、前記半導体ウエハの前記主面上に外部接続用のバンプを形成する工程を含み、
その後、前記第２分割工程を実施する、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
粘着部材と、前記粘着部材の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップとを備え、複数の前記半導体チップは互いに所定の間隔をおいて配置され、かつ前記粘着部材の前記粘着面に対して複数の前記半導体チップの回路形成面が貼り付けられている構造体を準備する工程と、
流動状態にある半導体封止用樹脂組成物を複数の前記半導体チップに接触させて、前記間隔に前記半導体封止用樹脂組成物を充填するとともに、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の面および側面を前記半導体封止用樹脂組成物により覆い封止する工程と、
前記半導体封止用樹脂組成物を硬化させる工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記構造体を準備する前記工程が、
半導体ウエハの回路形成面とは反対側の面にダイシングフィルムを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを個片化し、前記ダイシングフィルムに貼り付けられた状態の複数の半導体チップを得る工程と、
前記ダイシングフィルムにおける複数の前記半導体チップが貼り付けられた領域を、フィルム面内方向に拡張させて、隣接する前記半導体チップ間の間隔を前記所定の間隔に拡大させる工程と、
複数の前記半導体チップの回路形成面と前記粘着部材の粘着面とが接触するように前記粘着部材を貼り付ける工程と、
複数の前記半導体チップが前記粘着部材の粘着面に貼りつけられた状態で、前記ダイシングフィルムを前記半導体チップから剥離する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法であって、
隣接する前記半導体チップ間の間隔を前記所定の間隔に拡大させる前記工程において、前記間隔を前記ダイシングフィルムの面内方向に等方的に拡張させる、
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記構造体を準備する前記工程が、
半導体ウエハの回路形成面と前記粘着部材の粘着面とが接触するように前記粘着部材を貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを個片化し、前記粘着部材に貼り付けられた状態の複数の半導体チップを得る工程と、
前記粘着部材における複数の前記半導体チップが貼り付けられた領域を、フィルム面内方向に拡張させて、隣接する前記半導体チップ間の間隔を前記所定の間隔に拡大させる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法であって、
隣接する半導体チップ間の間隔を前記所定の間隔に拡大させる前記工程において、前記間隔を前記粘着部材の面内方向に等方的に拡張させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記間隔に充填された前記半導体封止用樹脂組成物の硬化体を切断し、前記半導体封止用樹脂組成物により封止された複数の前記半導体チップに個片化する工程、
をさらに含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
主面に回路が形成された半導体チップと、
前記主面に形成されているバンプと、
前記半導体チップの側面および前記主面と反対側の裏面を覆う封止材層と、を備える、半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置であって、
前記バンプが、前記封止材層に覆われずに露出している、半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の半導体装置であって、
前記封止材層が、前記半導体チップの前記主面上の全面に亘って形成されており、前記バンプの一部が、当該封止材層から露出している、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでの半導体装置の製造プロセスにおいては、個片化した半導体チップを個別に封止樹脂で封止することが行われていた。この種の技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。同文献には、半導体チップをコレットによりピックアップし、基板に実装した後、半導体封止用エポキシ樹脂を用いてトランスファーモールド法により半導体チップを個別に封止することが記載されている（特許文献１）。【０００３】
特許文献２には、半導体ウエハからチップを個片化する技術が記載されている。具体的には、半導体ウエハの主面にハーフダイシングにより溝を形成する。裏面を研磨することにより、半導体からなるチップを個片化する。個片化されたチップは、下地の半導体が表面に露出した状態で、ピックアップされた後、ダイボンディングされることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１０７０４６号公報
【特許文献２】特開２０１１−２１０９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記文献に記載の半導体パッケージの製造プロセスにおいては、各半導体チップを個別に封止していたため、生産性の点で改善の余地を有していた。【０００６】
また、発明者が検討したところ、チップをコレットによりピックアップする際に、チップ割れ（チッピング）が発生してしまうことが分かった。すなわち、上記文献に記載の技術には、信頼性という点で改善の余地を有していた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者はさらに検討したところ、半導体チップをピックアップするときに、半導体チップの表面を保護することで、チッピングが抑制できることを見出した。このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、複数の半導体チップを一括封止するとともに、隣接チップの間を分割することで、側面と裏面（回路形成面とは反対側）が封止材層で覆われた半導体チップが得られることができる。そして、この半導体チップにおいては、ハンドリング時のチッピングが抑制されることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００８】
本発明によれば、主面に回路が形成された半導体ウエハを準備する準備工程と、
前記半導体ウエハを接着層に張り付ける張付工程と、
前記接着層に張り付けた状態の前記半導体ウエハをダイシング領域に沿って分割することにより、複数の半導体チップを得る第１分割工程と、
複数の前記半導体チップの前記主面を前記接着層に張り付けた状態で、複数の前記半導体チップを一括して封止することにより、前記半導体チップの側面間の間隙および前記半導体チップの裏面上に半導体封止樹脂組成物からなる封止材層を形成する封止工程と、
前記半導体チップの前記側面間の間隙に形成された前記封止材層を分割することにより、前記側面および前記裏面に前記封止材層が形成された複数の前記半導体チップを得る第２分割工程と、を含む、半導体装置の製造方法が提供される。【０００９】
また、本発明によれば、粘着部材と、前記粘着部材の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップとを備え、複数の前記半導体チップは互いに所定の間隔をおいて配置され、かつ前記粘着部材の前記粘着面に対して複数の前記半導体チップの回路形成面が貼り付けられている構造体を準備する工程と、
流動状態にある半導体封止用樹脂組成物を複数の前記半導体チップに接触させて、前記間隔に前記半導体封止用樹脂組成物を充填するとともに、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の面および側面を前記半導体封止用樹脂組成物により覆い封止する工程と、
前記半導体封止用樹脂組成物を硬化させる工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。【００１０】
また、本発明によれば、主面に回路が形成された半導体チップと、
前記主面に形成されているバンプと、
前記半導体チップの側面および前記主面と反対側の裏面を覆う封止材層と、を備える、半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、信頼性および生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供するとともに、信頼性の点で改善された半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００１３】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。
【図４】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。
【図５】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。
【図６】本実施形態に係る製造方法において、隣接する半導体チップ間の間隔を拡大させる際に使用できるエクスパンド装置の構成例である。
【図７】本実施形態に係る製造方法において、隣接する半導体チップ間の間隔を拡大させる際に使用できるエクスパンド装置の構成例である。
【図８】本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図９】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１０】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１１】本実施形態に係る半導体装置の製造方法における半導体ウエハのダイシング領域を示す上面概念図である。
【図１２】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１５】
＜第１の実施形態＞
本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態に係る半導体装置８の製造方法は、粘着部材１０または３０（接着層）と、粘着部材１０または３０の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップ５とを備え、複数の半導体チップ５は互いに所定の間隔をおいて配置され、かつ粘着部材１０または３０の粘着面に対して複数の半導体チップ５の回路形成面が貼り付けられている構造体７を準備する工程と、流動状態にある半導体封止用樹脂組成物４９を複数の半導体チップ５に接触させて、隣接する半導体チップ５間の間隔に半導体封止用樹脂組成物４９を充填するとともに、半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面および側面を半導体封止用樹脂組成物４９により覆い封止する工程と、半導体封止用樹脂組成物４９を硬化させる工程とを含むものである。
【００１６】
本実施形態の半導体装置の製造方法において、半導体チップ５の回路形成面（主面３）とは反対側の面（裏面４）および側面９を半導体封止用樹脂組成物の硬化体（封止材層４０）で覆い保護した状態で、コレットによりピックアップすることができる半導体装置８を得ることができる。これにより、コレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に半導体チップ５に対して直接ハンドリング装置が接触することを防止したり、コレット等のハンドリング装置が接触した時に半導体チップ５に対して加わる衝撃を半導体封止用樹脂組成物の硬化体（封止材層４０）で緩和することができる。このため、半導体チップ５をコレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に加わる衝撃により、半導体チップ５が破損してしまうこと（チッピング）を未然に防ぐことができる。したがって、信頼性に優れた構造を有する半導体装置を実現することができる。
【００１７】
ここで、特許文献２に記載の個片化された半導体チップにおいては、その側面や裏面（バンプが形成された面とは反対側の面）は、保護されておらず、下地の半導体材が露出した状態である。この表面が露出した状態で、ピックアップや搬送などのハンドリングを実施すると、当該半導体チップにおいてチッピングが発生する可能性が高いことが、本発明者の検討により判明した。
【００１８】
これに対して、本実施形態の製造プロセスにおいては、半導体チップ５の側面９および裏面４（主面３とは反対側の面）に封止材層４０を形成した状態で、半導体チップ５をハンドリングすることができる。これにより、ピックアップや搬送時に発生するチッピングを抑制できる。したがって、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、従来の製造プロセスと比べて、信頼性に優れた半導体装置８を得ることができる。
【００１９】
また、本実施形態の半導体装置８の製造方法によれば、個片化した後、複数の半導体チップ５を一括して樹脂封止することが可能となる。このため、半導体装置８の生産性を向上させることができる。
【００２０】
したがって、本実施形態において、信頼性と生産性を両立することが可能な半導体装置の製造方法を実現することができる。
【００２１】
以下、半導体装置の製造方法の各工程について説明する。
図３〜５は、本実施形態に係る半導体装置８の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。
【００２２】
図３（ａ）は、本実施形態に係る半導体ウエハ１の一例を示す図である。図３（ｂ）は、回路形成面に対して保護フィルム１０を貼り付けた半導体ウエハ１を示す図である。図３（ｃ）は、回路形成面とは反対側の面を研磨した半導体ウエハ１を示す図である。図３（ｄ）は、回路形成面とは反対側の面にダイシングフィルム２０を貼り付けた半導体ウエハ１を示す図である。図３（ｅ）は、回路形成面から保護フィルム１０を剥離した、個片化する前の半導体ウエハ１を示す図である。
【００２３】
図４（ａ）は、半導体チップ５を得る工程を説明するための図である。図４（ｂ）は、間隔を設ける工程を説明するための図である。図４（ｃ）は、回路形成面を転写部材３０で覆う工程を説明するための図である。図４（ｄ）は、ダイシングフィルム２０を剥離する工程を説明するための図である。図４（ｅ）および（ｆ）は、半導体封止用樹脂組成物４９を用いて封止する工程を説明するための図である。図５（ａ）は、離型フィルム５０を剥離する工程を示す図である。図５（ｂ）は、半導体装置８を個片化する工程を示す図である。図５（ｃ）は、転写部材３０を剥離する工程を示す図である。
【００２４】
上記図３〜５に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法は半導体ウエハレベルプロセスにて実施される。すなわち、本実施形態の半導体装置の製造方法は、主面３に回路が形成された半導体ウエハ１を準備する準備工程と、半導体ウエハ１を接着層（保護フィルム１０）に張り付ける張付工程と、接着層（ダイシングフィルム２０）に張り付けた状態の半導体ウエハ１をダイシング領域に沿って分割することにより、複数の半導体チップ５を得る第１分割工程と、複数の半導体チップ５の主面３を接着層（転写部材３０）に張り付けた状態で、複数の半導体チップ５を一括して封止することにより、半導体チップ５の側面９間の間隙１２および半導体チップ５の裏面４上に半導体封止樹脂組成物４９からなる封止材層４０を形成する封止工程と、半導体チップ５の側面９の間隙１２に形成された封止材層４０を分割することにより、側面９および裏面４に封止材層４０が形成された複数の半導体チップ（半導体装置８）を得る第２分割工程と、を含むことができる。
【００２５】
本実施形態において、半導体ウエハ１は、例えば、シリコン基板上に単層または多層の配線層が形成されたものを用いることができる。半導体ウエハ１において、配線層が形成された側の面を回路形成面（主面３）と称して説明する。
【００２６】
本実施形態において、上記接着層としては、同種または異種の接着層を複数用いてもよい。例えば、接着層として、各種の操作目的で、保護フィルム１０、ダイシングフィルム２０、転写部材３０等を使用してもよい。粘着部材（保護フィルム１０または転写部材３０）は、粘着テープ単体であってもよいし、支持基材上に粘着層を形成した物であってもよい。保護フィルム１０は、半導体ウエハ１を衝撃などから保護することができる。転写部材３０は、半導体チップ５の配置を維持したまま、接着層への接着面を主面３から裏面４へ、または裏面４から主面３へと反対側に変更することができる。
【００２７】
また、本実施形態に係る製造方法の各工程において使用するダイシングフィルム２０、転写部材３０、保護フィルム１０および離型フィルム５０の詳細については、後述する。
【００２８】
最初に、半導体ウエハ１の回路形成面とは反対側の面にダイシングフィルム２０を貼り付けた状態で半導体ウエハ１を個片化し、ダイシングフィルム２０に貼り付けられた状態の複数の半導体チップ５を得る工程を説明する。
【００２９】
まず、主面３に回路が形成された半導体ウエハ１を準備する。図３（ａ）に示すように、回路形成面（主面３）の全体に亘って複数の外部接続用のバンプ（半田バンプ２）が形成された半導体ウエハ１を準備する。本実施形態において、ウエハとは、平面視において、円形形状でもよく、矩形形状でもよい。当該ウエハは、薄層の板形状を意味しており、複数のチップを切り出せる程度の面積を少なくとも有していれば、とくに限定されない。
【００３０】
次に、半導体ウエハ１を接着層（保護フィルム１０）に張り付ける。図３（ｂ）に示すように、準備した半導体ウエハ１の回路形成面（主面３）を保護するために、当該回路形成面に対して保護フィルム１０を貼り付けて、当該回路形成面の全面を保護フィルム１０により覆う。こうすることで、半導体ウエハ１の回路形成面とは反対側の面を研磨する際に、回路形成面に加わる衝撃により当該回路形成面に搭載された電子部品等が破損してしまうことを防ぐことができる。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示すように、保護フィルム１０を貼り付けた半導体ウエハ１の回路形成面（主面３）とは反対側の面（裏面４）を除去する。これにより、半導体ウエハ１の膜圧を薄くする。例えば、化学機械的研磨（ＣＭＰ）等により半導体ウエハ１の裏面４を研磨することができる。具体的には、保護フィルム１０を貼り付けた状態の半導体ウエハ１を研磨装置上に固定し、当該半導体ウエハ１の厚みが所定の厚みとなるように、回路形成面とは反対側の面を研磨する。
【００３２】
本実施形態において、膜厚を薄くする工程後の半導体ウエハ１の膜厚の上限値は、例えば、３００μｍ以下としてもよく、２００μｍ以下としてもよい。これにより、得られる半導体装置の薄層化を実現することができる。一方、当該膜厚の下限値は、特に限定されないが、例えば、１００μｍ以上としてもよく、１５０μｍ以上としてもよい。これにより、半導体ウエハ１や半導体チップ５の機械強度を十分に得ることができる。
【００３３】
近年では、半導体装置を搭載する電子機器に対して、小型化および軽量化等の要求が高まっている。こうした要求を満たす目的で半導体ウエハの薄層化が行われている。近年における半導体ウエハを薄層化したプロセスにおいて、上述したコレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に加わる衝撃により半導体チップが破損してしまうという問題は、より顕在化する傾向にある。
しかしながら、本実施形態の製造プロセスによれば、上述のように薄層化した半導体ウエハ１を用いた場合においても、コレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に加わる衝撃により半導体チップが破損してしまうことを十分に抑制することが可能である。上述のとおり、半導体チップ５の側面９および裏面４（主面３とは反対側の面）に封止材層４０を形成した状態で、半導体チップ５をハンドリングすることができるためである。
【００３４】
また、本実施形態に係る製造方法においては、上述したように保護フィルム１０を貼り付けた状態で半導体ウエハ１の回路形成面（主面３）とは反対側の面（裏面４）を研磨するため、研磨時に発生する応力により半導体ウエハ１の回路形成面に搭載された電子部品等が破損してしまうことを効果的に防止することができる。
【００３５】
次に、図３（ｄ）に示すように、研磨して得られた半導体ウエハ１の回路形成面（主面３）とは反対側の面（裏面４）に、保護フィルム１０を回路形成面に貼り付けた状態のままダイシングフィルム２０を貼り付ける。
【００３６】
次いで、図３（ｅ）に示すように、半導体ウエハ１から保護フィルム１０を剥離する。そして、半導体ウエハ１の主面３を露出させる。このとき、保護フィルム１０は、当該保護フィルム１０と半導体ウエハ１との間の密着性を低減させてから半導体ウエハ１から剥離することが好ましい。具体的には、保護フィルム１０と半導体ウエハ１との接着部位に対して、たとえば、紫外線照射や熱処理を行うことにより、当該接着部位を形成している保護フィルム１０の粘着層を劣化させることで密着性を低減させる方法が挙げられる。
【００３７】
次に、半導体ウエハの分割工程（第１分割工程）について説明する。
本実施形態の第１分割工程では、接着層（ダイシングフィルム２０）に張り付けた状態の半導体チップ５をダイシング領域に沿って分割することにより、複数の半導体チップ５を得る。
【００３８】
図１１は、上面視における半導体ウエハ１のダイシング領域を示す上面概念図である。この上面概念図は、実際のプロセスとは異なるが、ダイシング領域を理解する目的で使用できる。図１１の半導体ウエハ１は円形形状を有している。ダイシング領域は、第１ダイシングライン１３は、第２ダイシングライン１４と直交する方向に位置している。これらのダイシングラインに沿ってダイシングを行うことができる。また、第１ダイシングライン１３と第２ダイシングライン１４で区画された領域が、半導体チップとなる半導体チップエリア１５である。ダイシング領域の幅を狭めることで、有効チップ数を高めることが可能になる。図１１中のＬ１はダイシング幅を指す。
【００３９】
具体的には、図３（ｅ）に示した回路形成面とは反対側の面（裏面４）にダイシングフィルム２０を貼り付けた状態の半導体ウエハ１を個片化して、図４（ａ）に示すダイシングフィルム２０が貼り付いた状態の複数の半導体チップ５を作製する。半導体ウエハ１の個片化（分割）には、ダイシングブレード、レーザ等を使用することができる。
【００４０】
図４（ａ）に示す半導体チップ５は、隣接した半導体チップ５同士が互いに離間してダイシングフィルム２０上に配置している。半導体チップ５の側面９の間には間隙１１が形成されている。断面視において、この間隙１１の横幅はダイシング幅Ｌ１に対応する。
【００４１】
また、半導体ウエハ１を個片化する際には、ダイシングフィルム２０は切断されることなく、得られた複数の半導体チップ５が貼りついた状態を保持できるようにする必要がある。ダイシングフィルム２０は、半導体チップ５との接着面から内部に向かっており、ダイシング領域に沿った切り込みが形成されていてもよい。当該切り込みは、ダイシングフィルム２０を上面から下面に貫通しておらず、例えば、膜厚の１／２深さでもよく、１／３深さでもよい。この切り込みにより、次の半導体チップ５の間の拡張工程において、スムーズにダイシングフィルム２０が広げることができる。これにより、半導体チップ５の間隙をより均等に広げることが可能になる。
【００４２】
次に、半導体チップの側面同士の間隙を広げる拡張工程について説明する。
本実施形態においては、半導体ウエハ１を複数の半導体チップ５に分割した後で、隣接した半導体チップ５同士の間隔を拡張する工程を追加実施してもよい。
【００４３】
具体的には、図４（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム２０を半導体チップ５の面内方向に拡張させて、隣接する半導体チップ５間の間隔を所定の間隔に拡大させる。これにより、断面視において、拡張工程後の間隙１２の幅（拡張幅Ｌ２）は、拡張工程前の間隙１１の幅（Ｌ１）よりも広くすることができる。
【００４４】
例えば、隣接する半導体チップ５間の間隔は、等間隔であることが好ましい。すなわち、矩形状の半導体チップ５において隣接する半導体チップ５間の間隔は、半導体チップ５の一辺に平行な方向を第１方向とし、上記第１方向と直交する方向を第２方向としたとき、第１方向にのみ等間隔に拡張されてもよいし、第２方向にのみ等間隔に拡張されてもよいが、第１方向と第２方向の両方向に等間隔に拡張されることが好ましい。このため、隣接する半導体チップ５間の間隔を拡大させる際には、上記隣接する半導体チップ５間の間隔を、ダイシングフィルム２０面内方向に等方的に拡張させることが好ましい。
【００４５】
ここで、本実施形態に係る製造方法は、上述したように、半導体チップ５における回路形成面の面内方向にダイシングフィルム２０を拡張させるものである。このため、ダイシングフィルム２０は、延伸性に優れた構成であることが好ましい。
【００４６】
上記の拡張工程においては、ダイシングフィルム２０は加熱された状態で行うことができる。これにより、ダイシングフィルム２０を伸張しやすくなる。加熱温度においては、特に限定されないが、ダイシングフィルム２０の全体に亘って温度分布のバラツキが少ないことが好ましい。
【００４７】
上記の第１分割工程において、半導体ウエハ１を分割するとともに、ダイシングフィルム２０（接着層）に上記切り込みを形成した後、上述の拡張工程を実施してもよい。この切り込みによりダイシングフィルム２０が広がりやすくなるので、半導体チップ５間の間隙１１の幅（ダイシング幅Ｌ１）を拡張した間隔１２の幅（拡張幅Ｌ２）のバラツキを少なくすることが可能になる。ここで、拡張幅Ｌ２は、ダイシング幅Ｌ１よりも大きいものである。拡張幅Ｌ２の上限値は、特に限定されないが、例えば、ダイシング幅と側面９上の封止材層４０の膜厚との合計幅よりも大きいことが好ましい。
【００４８】
以上のように、本実施形態における上記第１分割工程は、半導体ウエハ１の裏面４を前接着層に張り付けた状態で、半導体ウエハ１を分割することにより、複数の半導体チップ５を得る工程と、隣接する半導体チップ５間の間隔（間隙１１）を広げる拡張工程と、を含めることができる。これにより、封止工程は、半導体チップ５間の間隔を広げた状態で実施することができる。
【００４９】
本実施形態において隣接する半導体チップ５間の間隔を所定の間隔に拡大させる際には、公知のダイシング装置を用いてダイシングフィルム２０を拡張すればよい。
【００５０】
ここで、隣接する半導体チップ５間の間隔を拡大させる際には、たとえば、以下のエクスパンド装置を使用することも可能である。
図６および７は、隣接する半導体チップ５間の間隔を拡大させる際に使用できるエクスパンド装置の構成例である。図６は、隣接する半導体チップ５間の間隔を拡大させる前の状態を示す図である。図６（ａ）は側面断面図、図６（ｂ）は平面図である。図７は、隣接する半導体チップ５間の間隔を拡大させた後の状態を示す図である、図７（ａ）は側面断面図、図７（ｂ）は平面図である。
【００５１】
図６および７の装置は、個片化されて得られた複数の半導体チップ５に貼り付けられたダイシングフィルム２０の周囲をクランプするリング状の枠体１００と、枠体１００内側のダイシングフィルム２０の下方に配置され、上方に動かすことによってダイシングフィルム２０を拡張させる拡張台１４０と、拡張台１４０に設けられ、かつ当該拡張台１４０を加熱する加熱部１３０とを備え、拡張台１４０は、その中央部１１０とその周辺部１２０とに分割されてなり、加熱部１３０が拡張台１４０の中央部１１０のダイシングフィルム２０接触面とは異なる面に設けられている。
【００５２】
また、拡張台１４０上におけるダイシングフィルム２０を貼り付けた状態の複数の半導体チップ５を配置する領域においては、温度が均一であることが好ましい。こうすることで、ダイシングフィルム２０の拡張性を当該ダイシングフィルム２０の面内方向において均一に制御することができる。
【００５３】
また、図６および７の装置は、加熱部１３０で拡張台１４０を加熱することにより、ダイシングフィルム２０の拡張性を向上させることができる。
【００５４】
このように、図６および７の装置は、拡張台１４０の中央部１１０と周辺部１２０を加熱しながら拡張台１４０を上方に動かすことができるものである。これにより、ダイシングフィルム２０の面内方向における拡張性を均一に向上させた上で、拡張台１４０を上方に動かすことが可能となる。このため、図７に示すように、隣接する半導体チップ５間の間隔が等間隔となるように、均一にダイシングフィルム２０を拡張させることができる。
【００５５】
次に、半導体チップの一括封止工程について説明する。
第１の実施形態では、半導体ウエハ１の裏面４にダイシングフィルム２０を張り付けた状態で、分割工程と拡張工程を実施してきた。以下の一括封止工程では、半導体チップ５の裏面上も封止する工程を実施するために、事前に、裏面４を露出させることが好ましい。これら一連の操作を転写工程と呼称する。なお、半導体ウエハ１の裏面４を露出させた状態で、分割工程等を実施した場合には、上記転写工程は不要となり、製造プロセスの簡略かを図ることが可能になる。
【００５６】
まず、上記転写工程について説明する。
本実施形態において、転写工程により、半導体チップ５の配置状態を維持したまま、半導体チップ５の接着面を反対側に変更することができる。具体的には、図４（ｃ）に示すように、裏面４にダイシングフィルム２０を貼り付けた状態で、複数の半導体チップ５の回路形成面（主面３）の全体にまたがるように転写部材３０を貼り付ける。このとき、転写部材３０は、半田バンプ２の表面全体および半導体チップ５における回路形成面の全体を覆うように貼り付けてもよいし、当該転写部材３０が半導体チップ５における回路形成面には接触しないように、半田バンプ２の表面の一部分のみを覆うように貼り付けてもよい（図９（ａ）参照）。本実施形態に係る製造方法においては、転写部材３０の貼り付けの程度（半田バンプ２の埋込深さ）を制御することによって、後述する半導体封止用樹脂組成物４９を用いて封止する工程において樹脂封止される領域を調節することができる。
【００５７】
次いで、図４（ｄ）に示すように、ダイシングフィルム２０を半導体チップ５から剥離する。このように、ダイシングフィルム２０を貼り付けた状態で転写部材３０を貼り付け、その後、当該ダイシングフィルム２０を剥離することにより、各半導体チップ５間に形成した隙間の間隔を変動させることなく、転写部材３０を半導体チップ５に貼り付けることができる。なお、ダイシングフィルム２０は、当該ダイシングフィルム２０と半導体チップ５との間の密着性を低減させた後に、当該半導体チップ５から剥離することが好ましい。具体的には、ダイシングフィルム２０と半導体チップ５との接着部位に対して、たとえば、紫外線照射や熱処理を行うことにより、当該接着部位を形成しているダイシングフィルム２０の粘着層を劣化させることで密着性を低減させる方法が挙げられる。
【００５８】
また、転写部材３０は、特に限定されるものではないが、たとえば、後述する半導体封止用樹脂組成物４９を硬化させるために加える熱に耐えうることのできる程度の耐熱性と、当該転写部材３０上に固定する半導体チップ５が脱離しない程度の粘着性とを兼ね備えた構成であることが好ましい。転写部材３０は、粘着性テープ単体でもよいし、粘着性テープを金属やプラスチック等により形成された板状部材に対して貼り付けて剛性を付与したものであってもよい。なお、本実施形態においては、例えば、４２アロイからなる金属の板状部材に粘着性テープを貼り付けたものを使用した。
【００５９】
ここまでの工程により、図４（ｄ）に示す構造体７が得られる。当該構造体７は、粘着部材（転写部材３０）と、粘着部材（転写部材３０）の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップ５とを備え、複数の半導体チップ５は互いに所定の間隔をおいて配置され、かつ粘着部材（転写部材３０）の粘着面に対して複数の半導体チップ５の回路形成面（主面３）が貼り付けられている構造を有している。つまり、本実施形態の構造体７を準備する工程としては、半導体ウエハ１の回路形成面とは反対側の面（裏面４）にダイシングフィルム２０を貼り付けた状態で、半導体ウエハ１を個片化し、ダイシングフィルム２０に貼り付けられた状態の複数の半導体チップ５を得る工程と、ダイシングフィルム２０における複数の半導体チップ５が貼り付けられた領域を、フィルム面内方向に拡張させて、隣接する半導体チップ５間の間隔（間隙１１）を所定の間隔に拡大させる工程と、複数の半導体チップ５の回路形成面（主面３）と粘着部材（転写部材３０）の粘着面とが接触するように粘着部材を貼り付ける工程と、複数の半導体チップ５が粘着部材の粘着面に貼りつけられた状態で、ダイシングフィルム２０を半導体チップ５から剥離する工程と、を含むことができる。
【００６０】
次いで、複数の半導体チップ５の主面３を接着層（転写部材３０）に張り付けた状態で、複数の半導体チップ５を一括して封止する。具体的には、図４（ｅ）に示すように、支持基材上に液状の半導体封止用樹脂組成物４９を準備する。例えば、離型フィルム５０（支持基材）上に、溶融したことにより、流動状態にある半導体封止用樹脂組成物４９を配置する。つまり、離型フィルム５０上の流動状態にある半導体封止用樹脂組成物４９と、転写部材３０に主面３が接着している複数の半導体チップ５の裏面４とを対向配置させる。
【００６１】
続いて、図４（ｆ）に示すように、流動状態にある半導体封止用樹脂組成物４９を、複数の半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面（裏面４）に圧接する。そして、半導体封止用樹脂組成物４９を加熱処理で硬化させることにより封止材層４０を形成することができる。これにより、隣接する半導体チップ５間の間隔（間隙１２）に封止材層４０を充填することができる。さらに、封止材層４０により半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面（裏面４）および側面９を覆うように封止できる。例えば、封止材層４０で隣接する半導体チップ５間に形成された間隔を埋めるとともに、半田バンプ２の全体または一部分が露出するように、半導体チップ５の天面および側面を封止材層４０で封止することもできる。また、複数の半導体チップ５のうち、外周に位置する半導体チップ５の側面９の外側面にも封止材層４０を形成することができる。
【００６２】
本実施形態においては、作製した半導体チップ５をコレットでピックアップする際に、当該コレットにより吸着させる部位を半導体体封止用樹脂組成物の硬化体（封止材層４０）により保護することができる。これにより、半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面および側面を半導体封止用樹脂組成物４９の硬化体で覆い保護した状態で、得られた半導体チップ５をコレット等のハンドリング装置でピックアップすることができるようになる。このため、本実施形態に係る製造方法によれば、半導体チップ５をコレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に加わる衝撃により、当該半導体チップ５が破損してしまう可能性を未然に防ぐことができる。
【００６３】
ここで、流動状態にある半導体封止用樹脂組成物４９とは、溶融状態にある熱硬化性樹脂組成物であってもよいし、液状の樹脂組成物であってもよく、フィルム状またはシート状に成形された樹脂組成物が軟化した状態にあるものであってよい。半導体封止用樹脂組成物４９の配置方法としては、半導体封止用樹脂組成物からなるフィルムを積層配置してもよいし、半導体封止用樹脂組成物からなるペーストをポッティングにより配置してもよい。
【００６４】
ここで、半導体チップを封止する工程について、半導体封止用樹脂組成物として固形の顆粒状樹脂組成物を用いる場合を例に挙げて詳説する。
【００６５】
半導体封止用樹脂組成物４９を用いて半導体チップ５を封止する方法は、特に限定されるわけではなく、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形法、ラミネーション法等が挙げられるが、固定された半導体チップ５の位置ずれが発生し難い圧縮成形法が好ましい。また、圧縮成形して半導体チップ５を封止する場合には、粉粒状の樹脂組成物を用いて樹脂封止してもよい。なお、半導体封止用樹脂組成物４９の詳細については、後述する。
【００６６】
具体的には、圧縮成形金型の上型と下型の間に、顆粒状の樹脂組成物が収容された樹脂材料供給容器を設置する。次いで、接着層（転写部材３０）を貼り付けた半導体チップ５を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成型金型の上型と下型の一方に固定する。以下では、半導体チップ５を、回路形成面とは反対側の面が樹脂材料供給容器に対面するように圧縮成型金型の上型に固定した場合を例に挙げて説明する。
【００６７】
次に、減圧下、金型の上型と下型の間隔を狭めながら、樹脂材料供給容器の底面を構成するシャッター等の樹脂材料供給機構により、秤量された顆粒状の樹脂組成物を下型が備える下型キャビティ内へ供給する。この金型キャビティ内には、事前に離型フィルム５０を静置しておく必要がある。これにより、顆粒状の樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、その結果、離型フィルム５０上に溶融状態の半導体封止用樹脂組成物４９を準備することができる。次いで、金型の上型と下型を結合させることにより、溶融状態の半導体封止用樹脂組成物４９を上型に固定された半導体チップ５に対して押し当てる。こうすることで、隣接する半導体チップ５間に形成された間隔を溶融状態の半導体封止用樹脂組成物４９で埋めることができるとともに、半導体チップ５の天面および側面を半導体封止用樹脂組成物４９で覆うことができる。その後、金型の上型と下型を結合させた状態を保持しながら、半導体封止用樹脂組成物４９を硬化させる。
【００６８】
ここで、圧縮成形を行う場合には、金型内を減圧下にしながら樹脂封止を行うことが好ましく、真空条件下であるとさらに好ましい。こうすることで、隣接する半導体チップ５間に形成された間隔に対して半導体封止用樹脂組成物４９を、未充填部分を残すことなくに良好に充填することができる。
【００６９】
圧縮成形における成形温度は、特に限定されるわけではないが、５０〜２００℃が好ましく、８０〜１８０℃が特に好ましい。また、成形圧力は、特に限定されるわけではないが、０．５〜１２ＭＰａであることが好ましく、１〜１０ＭＰａが特に好ましい。さらに、成形時間は３０秒〜１５分であることが好ましく、１〜１０分が特に好ましい。成形温度、圧力、時間を上記範囲とすることで、溶融状態の半導体封止用樹脂組成物４９が充填されない部分が発生することと半導体チップ５が位置ずれしてしまうことの両方を防止することができる。
【００７０】
次に、半導体チップ５の側面９の間隙１２に形成された封止材層４０を分割することにより（第２分割工程）、側面９および裏面４に封止材層４０が形成された複数の半導体チップ５を得ることができる。
【００７１】
具体的には、図５（ａ）に示すように、まず、封止材層４０の裏面（面４１）に配置された離型フィルム５０を剥離する。
【００７２】
次いで、図５（ｂ）に示すように、半導体チップ５の間隙１２に位置する封止材層４０を分割する。第２分割工程の分割幅をＬ３とする。第２分割幅Ｌ３を調整することにより、側面９に残る封止材層４０の膜厚を制御できる。
【００７３】
具体的には、例えば、転写部材３０を半導体チップ５に貼り付けた状態で、間隔１２に充填された半導体封止用樹脂組成物４９の硬化体（封止材層４０）を切断し、封止材層４０により封止された複数の半導体チップ５に個片化する。このとき、転写部材３０は、封止材層４０とともに切断されてもよいし、切断されることなく複数の半導体チップ５にまたがって貼りついた状態を保持していてもよいが、半導体装置８の生産性を向上させる観点から、半導体チップ５を個片化する際には、転写部材３０が切断されることなく半導体チップ５にまたがって貼りついた状態を保持できるようにすることが好ましい。なお、上述した半導体チップ５の個片化には、ダイシングブレード、レーザ等を使用することができる。
【００７４】
次に、図５（ｃ）に示すように、転写部材３０を半導体装置８から剥離する。こうすることによって、本実施形態に係る半導体装置８を作製することが可能である。なお、転写部材３０は、当該転写部材３０と半導体装置８との間の密着性を低減させた後に、当該半導体チップ５から剥離することが好ましい。具体的には、転写部材３０と半導体チップ５との接着部位に対して、たとえば、紫外線照射や熱処理を行うことにより、当該接着部位を形成している転写部材３０の粘着層を劣化させることで密着性を低減させる方法が挙げられる。
【００７５】
また、得られた半導体装置８は、必要に応じて、基板に実装することも可能である。なお、作製した半導体装置を基板に実装する際には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることが可能である。
【００７６】
以上により、本実施形態の半導体装置の製造方法により半導体装置８を得ることができる。
【００７７】
本実施形態に係る製造方法によれば、半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面および側面を半導体封止用樹脂組成物の硬化体（封止材層４０）で覆い保護した状態で、コレット等のハンドリング装置によりピックアップすることができる半導体チップ５を得ることができる。これにより、コレット等のハンドリング装置が直接半導体チップ５に接触することを防ぐことができるとともに、コレット等のハンドリング装置でピックアップした際に半導体チップ５に対して加わる衝撃を半導体封止用樹脂組成物の硬化体（封止材層４０）で緩和することができる。そのため、本実施形態に係る製造方法によれば、コレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に加わる衝撃により、半導体チップ５が破損してしまう可能性を未然に防ぐことができる。すなわち、本実施形態に係る製造方法によれば、コレット等のハンドリング装置で吸着してピックアップする際に半導体チップ５に対して加わる衝撃による影響を緩和することが可能である。よって、本実施形態に係る製造方法によれば、従来の製造方法と比べて、信頼性に優れた半導体装置８を製造することができる。また、本実施形態に係る製造方法によれば、個片化した後に基板に配置することなく得られた複数の半導体チップ５を一括して樹脂封止することが可能となる。このため、従来の製造方法と比べて、生産効率を飛躍的に向上させることが可能となる。また、本実施形態に係る製造方法により得られた半導体装置８を基板に実装した場合には、封止材層４０と基板とが離間した構造であるため、封止材層４０と基板との間に生じる密着不良を抑制することも可能であり、信頼性をより一層向上させることができる。
【００７８】
本実施形態において保護フィルム１０は、半導体ウエハ１の回路形成面とは反対側の面を研磨する際に、当該半導体ウエハ１の回路形成面を保護する目的で使用しているが、第３の実施形態にて後述するように、本実施形態において半導体ウエハ１を個片化する際に使用したダイシングフィルム２０の機能、および本実施形態において半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面および側面を覆い封止する際に使用した転写部材３０の機能をも有している。このため、生産効率という観点においては、後述する第３の実施形態に係る製造方法の方が優れているが、本実施形態に係る製造方法によれば、各製造工程において異なる粘着部材１０および３０を使用するため、当該粘着部材１０および３０の強度を維持する等のために使い分けることができる等の長所もある。すなわち、本実施形態に係る製造方法によれば、信頼性に優れた半導体装置を精度よく作製することが可能である。
【００７９】
本実施形態に係る半導体装置について説明する。
図１および２は、本実施形態に係る半導体装置８の一例を示す断面図である。
【００８０】
図１および２に示すように、本実施形態に係る半導体装置８は、半導体チップ５と、半導体チップ５の下面（主面３）に設けられた半田バンプ２と、半導体チップ５の天面および側面のうち少なくとも一部を覆う封止材層４０と、を備え、半田バンプ２の全体または一部分が露出している。
【００８１】
具体的には、図１に示す半導体装置８は、主面３に回路が形成された半導体チップ５と、半導体チップ５の側面９の全体および裏面４の全体に亘って覆う封止材層４０と、平面視において、半導体チップ５の周囲に封止材層４０が形成されており、半導体チップ５の主面３領域上のみに形成されているバンプ（半田バンプ２）を備えるものである。
【００８２】
本実施形態に係る半導体装置８は、半導体チップ５の天面（裏面４）および側面９のうち少なくとも一部が封止材層４０により覆われている半導体チップ５を備えている。こうすることで、半導体装置８を製造する際に、半導体チップ５をコレットによりピックアップしたとしても、当該半導体チップ５が破損してしまうことを未然に防ぐことができる。このため、本実施形態に係る製造プロセスにより得られた半導体装置８は、従来の半導体装置と比べて、信頼性に優れている。
【００８３】
図１に示すように、半導体チップ５の下面（主面３）全体が露出している。言い換えると、半導体チップ５の主面３全体が封止材層４０により覆われていない。つまり、半導体チップ５の主面３は、封止材層４０の天面（面４１）とは反対側の面４５と同一面を形成することができる。ここで、同一面とは、転写部材３０の表面粗さ等、プロセス上の不可避な微凹凸を許容することができる略同一面を意味する。つまり、図１の半導体装置８においては、半田バンプ２の全体が、封止材層４０に覆われずに露出している構造を有している。
【００８４】
他方、図２の半導体装置８においては、半導体チップ５の下面（主面３）の一部と、半田バンプ２の一部分が封止材層４０により覆われている。言い換えると、半導体チップ５の主面３のうち、外周部の半田バンプ２が配置された領域よりも内側の領域は、封止材層４０に覆われずに露出している。半田バンプ２は、半導体チップ５の主面３側から反対側に向かって、一部分が封止材層４０で覆われているが、残りの先端部は露出している構造を有している。
【００８５】
図１および２の半導体装置８は、いずれも、基板に実装した際に、封止材層４０と基板とが接触することのなく両者が離間した構造を実現できるものである。つまり、本実施形態においては、封止材層４０は、半導体チップ５が実装する実装基板まで封止しない構造を有することができる。
【００８６】
本実施形態に係る半導体装置８によれば、当該半導体装置８を基板に実装した際に、封止材に基板が接合した従来の半導体装置の構造とは異なるものである。つまり、封止材層４０と実装基板とが接触することのない、両者が離間した構造を実現できる。この結果、従来の半導体装置と比べて小型化された半導体装置８を提供することができる。また、半導体装置８は、封止材に基板が接合した従来の半導体装置の構造とは異なる構造であるが故、インターポーザを介することなくマザーボードに対して直接実装することも可能である。さらに、半導体装置８は、封止材層４０と基板とが接触することなく両者が離間した構造を実現できるものであるため、従来の半導体装置において生じていた基板と封止材との界面における密着不良の問題を解決することができる。このため、従来の半導体装置と比べて、信頼性という点においても優れた半導体装置８を実現することができる。くわえて、半導体装置８は、半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面および側面を半導体封止用樹脂組成物の硬化体（封止材層４０）で覆い保護された状態の構成を備えたものであるが故、従来の半導体装置と比べて、チッピング耐性という点においても優れている。
【００８７】
また、本実施形態に係る半導体装置８は、半田バンプ２の全体または一部分が露出したものであるため、ハンドリング性に優れたものであり、種々のプロセスに使用することが可能である。具体的には、本実施形態に係る半導体装置８は、マザーボード、インターポーザおよびリードフレーム等の種々の基板に対して実装することが可能である。
【００８８】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図９は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【００８９】
第２の実施形態においては、第１の実施形態の転写工程（図４（ｃ））において、転写部材３０を、半導体チップ５上の半田バンプ２の一部を埋め込み、かつ半導体チップ５の主面３面に接触させない点が異なる。
【００９０】
具体的には、図９（ａ）に示すように、転写部材３０を、半田バンプ２の一部を覆うとともに、半導体チップ５における回路形成面には接触しないように半導体チップ５に貼り付けている。このような構造状態のまま、半導体チップ５を一括封止する。
【００９１】
本実施形態において液体状態の半導体封止用樹脂組成物４９は、半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面（裏面４）および側面９にくわえて、半導体チップ５の回路形成面（主面３）にも充填される。これにより、半導体チップ５の側面９、裏面４および主面３までが封止材層４０で覆うように一括封止することができる。第２の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができるが、とくにハンドリング時のチッピングをさらに抑制できる。
【００９２】
図８は、本実施形態に係る半導体装置８の一例を示す断面図である。
図８に示す半導体装置８は、半導体チップ５の下面（主面３）全体が封止材層４０により覆われているという点で、第１の実施形態と異なる。また、バンプ（半田バンプ２）の先端部の一部は、封止材層４０から突出した構造を有しており、露出している。
【００９３】
図８に示す半導体装置８についても、第１の実施形態と同様に、半導体チップ５の天面および側面のうち少なくとも一部が封止材層４０により覆われている。このため、図８に示す半導体装置８についても、第１の実施形態と同様に、従来の半導体装置において生じていた、半導体チップをコレットによりピックアップする際に加わる衝撃により、半導体チップが破損してしまうという問題を解決することができる。それ故、本実施形態に係る半導体装置８は、従来の半導体装置と比べて、信頼性という点において優れたものとすることができる。
くわえて、図８に示す半導体装置８についても、第１の実施形態と同様に、半田バンプ２の一部が露出しているため、当該半導体装置８を基板に実装した際に、封止材層４０と基板とが接触することなく両者が離間した構造を実現することができる。
【００９４】
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図１０は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【００９５】
本実施形態に係る製造方法は、第１の実施形態の転写工程を経ずに、簡略化することできる。すなわち、半導体チップ５の主面３に接着層（保護フィルム１０）を張り付けた状態のまま、第１分割工程および一括封止工程を実施することができる。具体的には、保護フィルム１０と、当該保護フィルム１０の粘着面に貼り付けられた状態の複数の半導体チップ５と、を備えた構造体７を準備し、保護フィルム１０が複数の半導体チップ５に貼り付けられた状態を維持したまま、半導体チップ５を封止することができる。
【００９６】
また、実施形態における構造体７を準備する工程は、半導体ウエハ１の回路形成面（主面３）と粘着部材（保護フィルム１０）の粘着面とが接触するように粘着部材を貼り付けた状態で、半導体ウエハ１を個片化し、粘着部材に貼り付けられた状態の複数の半導体チップ５を得る工程と、粘着部材における複数の半導体チップ５が貼り付けられた領域を、フィルム面内方向に拡張させて、隣接する半導体チップ５間の間隔を所定の間隔に拡大させる工程と、を含むものである。
【００９７】
以下、上記工程について説明する。
図１０（ａ）に示すように、主面３に保護フィルム１０を貼り付けた状態の半導体ウエハ１を個片化して、保護フィルム１０が貼り付いた状態の複数の半導体チップ５を作製する。なお、半導体ウエハ１を個片化する際には、保護フィルム１０は切断されないようにすることで、得られた複数の半導体チップ５が貼りついた状態を保持できる。
【００９８】
次に、図１０（ｂ）に示すように、例えば、保護フィルム１０を半導体チップ５の面内方向に拡張させて、隣接する半導体チップ５間の間隔を所定の間隔に拡大させてもよい。また、半導体チップ５間の間隔を粘着部材（保護フィルム１０）の面内方向に等方的に拡張させてもよい。
【００９９】
次いで、図１０（ｃ）および（ｄ）に示すように、流動状態にある半導体封止用樹脂組成物４９を、複数の半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面に接触させて、隣接する半導体チップ５間の間隔に半導体封止用樹脂組成物４９を充填するとともに、半導体封止用樹脂組成物４９により半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面および側面を覆い封止する。
【０１００】
以上により、第１の実施形態と同様の構成を備えた半導体装置８を得ることができる。また、本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。くわえて、本実施形態の製造方法によれば、半導体装置８の製造工程を簡略化することができるため、従来の製造方法と比べて、生産効率をより一層飛躍的に向上させることが可能となる。
【０１０１】
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図１２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【０１０２】
第４の実施形態においては、第２分割工程における分割幅Ｌ３は、第１分割工程における分割幅Ｌ１よりも狭くするダイシング幅狭小工程を実施することができる。つまり、第４の実施形態において、分割幅を小さくする点で、第１の実施形態等の他の形態と異なる。
【０１０３】
まず、図１２（ａ）に示すように、半導体ウエハ１の主面３を保護フィルム１０（接着層）に張り付ける。続いて、図１２（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１の裏面４側からダイシングする。断面視において、第１回目のダイシングにより形成された間隙１１の幅を分割幅Ｌ１とする。その後、図１２（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１の主面３を保護フィルム１０に張り付けた状態で、複数の半導体チップ５を一括封止する。これにより、半導体チップ５の側面９および裏面４上に封止材層４０を形成する。また、半導体チップ５の側面９の間隙１１に封止材層４０が充填されている。
【０１０４】
続いて、図１２（ｄ）に示すように、隣接する半導体チップ５同士の間隙１１に位置する封止材層４０をダイシング領域に沿ってダイシングする。断面視において、第２回目のダイシングにより形成された間隙の幅を分割幅Ｌ３とする。この後、保護フィルム１０を剥離することにより、本実施形態の半導体装置８を得ることができる。
【０１０５】
本実施形態において、ダイシング方法としては、ブレードダイシングやレーザダイシングを用いることができる。また、ダイシング幅を変更する方法として、例えば、ブレード幅を小さくしたり、レーザの照射径を小さくしたり、ブレードからレーザにダイシング方法を変更したり、ブレードの刃数を少なくする方法などを用いることができる。
【０１０６】
ダイシング幅を小さくすることにより、半導体チップ５の側面９上に残存する封止材層４０の膜厚の厚みを調整することができる。これにより、半導体チップ５の側面９上の封止材層４０の膜厚を十分に厚くすることができる。そのため、ハンドリング時のチッピングを抑制でき、半導体装置の信頼性を高める構造を実現できる。また、半導体ウエハ１の有効チップ数を高める目的で、分割幅Ｌ１を狭めた状態でも、分割幅Ｌ３を小さくできる。これにより、有効チッピング数を高めつつも、上記信頼性を高めることができる。
【０１０７】
本実施形態において、分割幅Ｌ１の下限値は、例えば、５０μｍ以上としてもよく、６０μｍ以上としてもよい。これにより、半導体チップ５の間に半導体封止用樹脂組成物を充填しやすくなる。分割幅Ｌ１の上限値は、例えば、１５０μｍ以下としてもよく、１００μｍ以下としてもよい。これにより、半導体ウエハ１の有効チップ数を高めることができる。
【０１０８】
本実施形態において、分割幅Ｌ３としては、上記分割幅Ｌ１よりも小さければとくに限定されない。分割幅Ｌ３の下限値は、例えば、１０μｍ以上としてもよく、２０μｍ以上としてもよい。これにより、ダイシングの制御性を高めることができる。分割幅Ｌ３の上限値は、例えば、５０μｍ以下としてもよく、４０μｍ以下としてもよい。これにより、半導体チップ５の側面９上の封止材層４０の膜厚を確保することができる。従って、第４の実施形態においては、第１の実施形態と同様の効果を十分に得ることができる。
【０１０９】
＜第５の実施形態＞
第５の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図１３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【０１１０】
第５の実施形態においては、封止工程の後、半導体ウエハ１の主面３上に外部接続用のバンプ（半田バンプ２）を形成する工程を含む点が、第１の実施形態と異なる。つまり、第１の実施形態では、バンプを形成した後に、第１分割工程および一括封止工程を実施するが、第５の実施形態では、第１分割工程および一括封止工程を実施した後に、バンプを形成する。その後、第２分割工程を実施する。これにより、半導体チップ５の主面３のみならず、その領域よりも外側に配線層およびバンプを形成することができる。
【０１１１】
以下、各工程について説明する。
まず、図１３（ａ）に示すように、主面３に回路が形成された半導体ウエハ１を準備する。まだ主面３上には、（不図示の配線層とともに）半田バンプ２は形成されていない状態の構造となっている。続いて、例えば、半導体ウエハ１の主面３に保護フィルム１０を張り付ける。
【０１１２】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、上述の第１分割工程および一括封止工程を実施する。拡張工程を実施してもよい。
【０１１３】
その後、図１３（ｃ）に示すように、保護フィルム１０を剥離する。このとき、複数の半導体チップ５の主面３と、封止材層４０の天面（面４１）とは反対側の面４５とが露出する。これらの主面３および面４５は、同一平面を形成することができる。
【０１１４】
続いて、これらの半導体チップ５の主面３上および封止材層４０の面４５上に、不図示の配線層および半田バンプ２を形成する。半田バンプ２は、主面３上のみならず封止材層４０の面４５上にも形成することができる。これにより、半導体チップ５のピッチ幅を広げる事が可能になる。その後、上記第２分割工程を実施することで、個片化する。以上により、図１４（ｄ）に示す半導体装置８が得られる。
【０１１５】
本実施形態に用いる各部材の詳細について説明する。
以下、本実施形態に係る半導体封止用樹脂組成物４９、ダイシングフィルム２０、転写部材３０、保護フィルム１０および離型フィルム５０の構成について説明する。
【０１１６】
＜半導体封止用樹脂組成物＞
以下、半導体封止用樹脂組成物が、顆粒状の樹脂組成物である態様について詳細に説明するが、これに限定されるものではない。
【０１１７】
本実施形態に係る半導体封止用樹脂組成物は、その構成材料として、エポキシ樹脂を含有するものであることが好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量および分子構造を特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１８】
また、顆粒状の樹脂組成物を得る方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、複数の小孔を有する円筒状外周部と円盤状の底面から構成される回転子の内側に、溶融混練された樹脂組成物を供給し、その樹脂組成物を、回転子を回転させて得られる遠心力によって小孔を通過させて得る方法（以下、「遠心製粉法」とも言う。）；各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものを、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って得る方法（以下、「粉砕篩分法」とも言う。）；各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法（以下、「ホットカット法」とも言う。）等が挙げられる。いずれの方法でも混練条件、遠心条件、篩分条件、切断条件等を選ぶことにより、所望の粒度分布や顆粒密度を得ることができる。特に好ましい製法としては、遠心製粉法であり、これにより得られる顆粒状の樹脂組成物は、所望の粒度分布や顆粒密度を安定して発現させることができるため、搬送路上での搬送性や固着防止の点で好ましい。また、遠心製粉法では、粒子表面をある程度滑らかにすることができるため、粒子同士が引っかかったり、搬送路面との摩擦抵抗が大きくなったりすることもなく、搬送路への供給口でのブリッジ（詰まり）の防止、搬送路上での滞留の防止の点でも好ましい。また、遠心製粉法では、溶融した状態から遠心力を用いて形成させるため、粒子内に空隙がある程度含まれた状態となり、顆粒密度をある程度低くできるため、圧縮成形における搬送性に関して有利である。
【０１１９】
一方、粉砕篩分法は、篩分により発生する多量の微粉及び粗粒の処理方法を検討する必要はあるものの、篩分装置等は半導体封止用樹脂組成物の既存製造ラインで使用されているものであるため、従来の製造ラインをそのまま使用できる点で好ましい。また、粉砕篩分法は、粉砕前に溶融樹脂をシート化する際のシート厚の選択、粉砕時の粉砕条件やスクリーンの選択、篩分時の篩の選択等、本発明の粒度分布を発現させるための独立して制御可能な因子が多いため、所望の粒度分布に調整するための手段の選択肢が多い点で好ましい。また、ホットカット法も、例えば、押出機の先端にホットカット機構を付加する程度で、従来の製造ラインをそのまま利用できる点で好ましい。
【０１２０】
＜ダイシングフィルム＞
本実施形態に係るダイシングフィルム２０は、半導体ウエハ１を個片化する際に、切断されることなく得られた半導体チップ５に貼りついた状態を保持できるものである。このダイシングフィルム２０は、半導体ウエハ１に対して接着し、半導体チップ５との位置ずれが小さいものであれば、特に限定されない。ダイシングフィルム２０としては、たとえば、支持フィルム上に粘着剤層が積層した、複数の積層構造を有していてもよい。また、ダイシングフィルム２０は、加熱や紫外線照射により接着力を小さく変化なる機能を有していても良い。これにより、被着体（半導体チップ５）からの剥離性を高めることができる。
【０１２１】
支持フィルムの構成材料は、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリオレフィン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリウレタン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂等からなる群より選択される１種以上の樹脂を含有してもよい。
【０１２２】
また、支持フィルムの表面は粘着剤層との密着性を高めるため、化学的または物理的表面処理を施すことができる。なお、支持フィルムには、発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（充填材、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤）が含まれていてもよい。
【０１２３】
また、ダイシングテープの粘着剤層としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることができる。これらの中でもアクリル系粘着剤を用いることができる。
【０１２４】
＜転写部材（粘着部材）＞
次に、本実施形態に係る転写部材３０は、上述したように、半導体封止用樹脂組成物４９を硬化させるために加える熱に耐えうる程度の耐熱性と、当該転写部材３０上に固定する半導体チップ５が脱離しない程度の粘着性とを兼ね備えた構成であることが好ましい。具体的には、本実施形態に係る転写部材３０は、基材層と接着剤層とが積層されてなる構成であることが好ましい。
【０１２５】
接着剤層は、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。架橋反応可能な樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等のいわゆる熱硬化性樹脂に分類されるものに加え、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する熱可塑性樹脂等も架橋反応可能な樹脂として挙げることができる。これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
【０１２６】
フラックス活性を有する化合物は、加熱等によって金属酸化膜を取り除く効果を有しているものであれば特に限定されない。たとえば、活性ロジン、カルボキル基を有する有機化合物等の有機酸、アミン、フェノール、アルコール、アジン等の自らフラックス活性を持っていたり、フラックス活性を助長したりする作用を有する化合物でもよい。
このフラックス活性を有する化合物として、より具体的には分子中にカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を少なくとも１つ以上有する化合物が挙げられ、これは液状であっても固体であっても構わない。
【０１２７】
また、耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、さらに無機充填剤を含有してもよい。このような無機充填剤としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等の粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これらの無機充填剤は単独でも混合して使用してもよい。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に溶融球状シリカが好ましい。
【０１２８】
無機充填剤を樹脂組成物に含めることにより、樹脂組成物を硬化させた後の耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができ、また接着剤層の半導体チップ５に対する剥離性を向上させることができる。なお、無機充填剤の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましく、これにより、特に異方性のない接着剤層として好適な樹脂組成物を提供することができる。
【０１２９】
また、基材層としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリウレタン等により作製された耐熱性や耐薬品性の優れたフィルムであれば使用できる。基材層の厚さは、特に限定されないが、通常３０〜５００μｍが好ましい。
【０１３０】
＜保護フィルム（粘着部材）＞
次に、保護フィルム１０は、半導体ウエハ１の回路形成面とは反対側の面を研磨する際に、回路形成面を保護するものである。この保護フィルム１０は、半導体ウエハ１に対して接着するものであれば、特に限定されないが、たとえば、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる構成であればよい。また、図１０に示すように、保護フィルム１０は、半導体ウエハ１を個片化する際の保護部材として使用することもあるし、当該保護フィルム１０を面内方向に拡張させることもあるし、半導体封止用樹脂組成物４９を硬化させるために熱を加えることもある。このため、保護フィルム１０は、ある程度の拡張性と、半導体封止用樹脂組成物４９を硬化させるために加える熱に耐えうる程度の耐熱性と、保護フィルム１０上に固定する半導体チップ５が脱離しない程度の粘着性とを兼ね備えた構成であることが好ましい。
【０１３１】
保護フィルム１０は、バックグラインドテープと、接着剤層とで構成されている。なお、バックグラインドテープと接着剤層との間には、離型フィルム５０が設けられていてもよい。これにより、バックグラインドテープと接着剤層との間の剥離が容易となる。
【０１３２】
接着剤層は、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。架橋反応可能な樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等のいわゆる熱硬化性樹脂に分類されるものに加え、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する熱可塑性樹脂等も架橋反応可能な樹脂として挙げることができる。これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
【０１３３】
フラックス活性を有する化合物は、加熱等によって金属酸化膜を取り除く効果を有しているものであれば特に限定されない。たとえば、活性ロジン、カルボキル基を有する有機化合物等の有機酸、アミン、フェノール、アルコール、アジン等の自らフラックス活性を持っていたり、フラックス活性を助長したりする作用を有する化合物でもよい。
このフラックス活性を有する化合物として、より具体的には分子中にカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を少なくとも１つ以上有する化合物が挙げられ、これは液状であっても固体であっても構わない。
【０１３４】
また、バックグラインドテープとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリウレタン等により作製された耐熱性や耐薬品性の優れたフィルムであれば使用できる。バックグラインドテープの厚さは、特に限定されないが、通常３０〜５００μｍとすることができる。
【０１３５】
＜離型フィルム＞
次に、離型フィルム５０は、優れた離型性を有する構成であれば、特に限定されるものではないが、たとえば、ポリエステル樹脂材料を含む離型層を有するものであると好ましい。
【０１３６】
本実施形態に係る離型フィルム５０は、ポリエステル樹脂材料を含む離型層（第１離型層）を有する離型フィルム５０である。
【０１３７】
本実施形態に係る離型フィルム５０において、離型層とは、少なくとも当該離型フィルム５０を対象物上に配置した際に、対象物に接する面（以下、「離型面」とも示す。）を形成する樹脂層であり、ポリエステル樹脂とは、多価カルボン酸（ジカルボン酸）とポリアルコール（ジオール）との重縮合体であって、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を複数有する化合物である。
【０１３８】
また、本実施形態においてポリエステル樹脂材料は、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリトリメチレンテレフタレート樹脂、ポリヘキサメチレンテレフタレート樹脂等のポリアルキレンテレフタレート樹脂が挙げられる。これらの中でもポリブチレンテレフタレート樹脂を用いることが好ましい。
【０１３９】
本実施形態に係る離型フィルム５０は、単層構造を形成したものであっても、多層構造を形成したものであってもよい。
【０１４０】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
また、上記実施形態では、半導体チップ５を封止する際に、顆粒状の半導体封止用樹脂組成物４９を用いて圧縮成形する場合を例に挙げて説明したが、半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面に対して液状の半導体封止用樹脂組成物４９を、スピンコート法、印刷法、ディスペンス法により塗布した後、乾燥させてもよいし、加圧条件下、半導体チップ５の回路形成面とは反対側の面に対してフィルム状に成形した軟化状態にある半導体封止用樹脂組成物４９を押し当てて侵入させてもよいし、液状の半導体封止用樹脂組成物４９を隣接する半導体チップ５間の間隔に毛細管現象を利用して流れ込ませてもよい。
【０１４１】
さらに、上記実施形態では、回路形成面に複数の半田バンプ２が取り付けられた半導体ウエハ１を用いて半導体装置８を製造する場合を例に挙げて説明したが、複数の半田バンプ２が回路形成面に取り付けられていない半導体ウエハ１を用いて、半導体チップ５の下面の少なくとも一部が封止材層４０により覆われていない半導体装置８を製造した後工程において、半導体チップ５の回路形成面に半田バンプ２を取り付けてから基板に実装してもよいし、半導体チップ５と基板とをワイヤボンディングすることにより電気的に接続してもよい。
【０１４２】
また、半導体チップ５を封止する際に、シート状に加工された半導体封止用樹脂組成物４９からなる封止材（以下、シート状封止材と示す。）を用いて、以下の方法によりラミネーションすることもできる。
【０１４３】
まず、ロール形状で準備したシート状封止材を、真空加圧式ラミネーターの巻き出し装置に取り付け、巻き取り装置まで接続する。次に、保護フィルム１０を貼り付けた半導体ウエハ１をダイアフラム（弾性膜）式ラミネーター部まで搬送する。次いで、減圧下、プレスを開始するとシート状封止材は、所定温度に加熱され、溶融状態となり、その後、溶融状態のシート状封止材を、ダイアフラムを介してプレスすることにより半導体ウエハ１に対して押し当てることで、半導体ウエハ１に形成された切れこみ２０を当該シート状封止材で埋めることができるとともに、半導体ウエハ１の回路形成面とは反対側の面をシート状封止材で覆うことができる。その後、所定時間をかけてシート状封止材を硬化させる。こうすることで、半導体チップ５を封止することができる。
なお、シート状封止材に対し、より高精度な平坦性が要求される場合は、ダイアフラム式ラミネーターでのプレスの後に、高精度に調整された平坦プレス装置によるプレス工程を追加して成型することもできる。
【０１４４】
上述したラミネーション成形を行う際、ダイアフラム（弾性膜）式ラミネーター部による成形温度は、好ましくは、５０〜１２０℃であり、さらに好ましくは、８０〜１１０℃である。また、ダイアフラム（弾性膜）式ラミネーター部による成形圧力は、好ましくは、０．５〜１ＭＰａであり、さらに好ましくは、０．６〜０．９ＭＰａである。くわえて、ダイアフラム（弾性膜）式ラミネーター部による成形時間は、好ましくは、３０秒〜５分であり、さらに好ましくは、１〜３分である。ダイアフラム（弾性膜）式ラミネーター部による成形温度、圧力、時間を上記範囲とすることで、溶融状態にあるシート状封止材が充填されない部分が発生することを防止することができる。
【０１４５】
上述したラミネーション成形を行う際、平坦プレス装置によるプレス温度は、好ましくは、８０〜１３０℃であり、さらに好ましくは、９０〜１２０℃である。また、平坦プレス装置による成形圧力は、好ましくは、０．５〜２ＭＰａであり、さらに好ましくは、０．８〜１．５ＭＰａである。くわえて、平坦プレス装置による成形時間は、好ましくは、３０秒〜５分であり、さらに好ましくは、１〜３分である。平坦プレス装置によるプレス温度、成形圧力、時間を上記範囲とすることで、溶融状態にあるシート状が充填されない部分が発生することを防止することができる。
【０１４６】
また、上述したシート状封止材を用いたラミネーション成形法により半導体チップ５を封止成形後に実施するポストキュア温度は、好ましくは、１５０〜２００℃であり、さらに好ましくは、１６５〜１８５℃である。さらに、ポストキュア時間は、好ましくは、１時間〜５時間であり、さらに好ましくは、２時間〜４時間である。
【０１４７】
この出願は、２０１４年８月２９日に出願された日本出願特願２０１４−１７５１３５号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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