(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体基板の内層に設けられた平板状接地導体と、
前記第１の誘電体基板の表層に設けられた第１の信号パッドと、
前記第１の誘電体基板の表層において前記第１の信号パッドの周囲に設けられた第１の接地パッドと、
前記平板状接地導体と前記第１の接地パッドとを電気的に接続する柱状導体と、
前記第１の誘電体基板の表層または内層に設けられた第１の信号線導体と、
前記第１の信号線導体から前記第１の信号パッドの方向に延びて前記第１の信号パッドとの間に容量成分を形成する第２の信号線導体と、
前記第１の信号線導体と前記第２の信号線導体との接続部から分岐して延びて前記第１の信号パッドに電気的に接続された第３の信号線導体と、
第２の誘電体基板の表層に設けられた第２の信号パッドと、
前記第２の誘電体基板の表層において前記第２の信号パッドの周囲に設けられた第２の接地パッドと、
前記第１の信号パッドと前記第２の信号パッドとを電気的に接続する信号バンプと、
前記第１の接地パッドと前記第２の接地パッドとを電気的に接続する接地バンプと
を備えたことを特徴とする基板間接続構造。
【請求項２】
前記第２の信号線導体は、前記第１の信号パッドの周縁に沿って延びて前記第１の信号パッドとの間で厚み面が対向していること
を特徴とする請求項１記載の基板間接続構造。
【請求項３】
前記第２の信号線導体は、前記第１の誘電体基板の内層に設けられて、前記第１の誘電体基板の厚み方向に前記第１の信号パッドと対向していること
を特徴とする請求項１記載の基板間接続構造。
【請求項４】
前記第２の信号線導体は、さらに前記第１の接地パッドの周縁に沿って延びて前記第１の接地パッドとの間に容量成分を形成すること
を特徴とする請求項２記載の基板間接続構造。
【請求項５】
前記第２の信号線導体は、前記第１の信号パッドと隣り合った前記第１の接地パッドとの間で、前記第１の信号パッドの周縁に沿って周回状に延びていること
を特徴とする請求項２記載の基板間接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、はんだバンプによって基板間の電極パッドを電気的に接続する基板間接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプのモジュールでは、はんだバンプによって基板間の電極を電気的に接続する基板間接続構造が採用されている。
従来の基板間接続構造には、誘電体基板上のパッドと誘電体基板の内層にある接地導体との間に形成される寄生容量成分を低減させて高周波特性を改善するため、パッドの直下にある接地導体を除去して抜き穴とした構造がある。ただし、接地導体の抜き穴は、誘電体基板の内層にある配線との結合を引き起こす要因となるため、基板間接続構造に採用できないことがある。【０００３】
例えば、特許文献１には、接地導体の抜き穴を設けずに、高周波特性を改善する構造が記載されている。特許文献１に記載される基材と半導体素子とを接続する構造では、基材において、めっきスタブと外部電極パッドとが所望の周波数範囲で容量性を示すように、めっきスタブの長さおよび外部電極パッドの形が設定されている。
また、外部電極パッドから半導体素子の電極パッドと接続する部分までの導体配線を、めっきスタブまたは外部電極パッドの電気的影響が及ぶ範囲内に限定することによって、均一なインピーダンス線路を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１６８２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に代表される従来の基板間接続構造では、インピーダンスの整合に必要な対地容量成分を得ようとする場合、接地導体に対向する信号線導体のサイズを大きくする必要があった。このため、インピーダンス整合回路のサイズが大きくなるという課題があった。【０００６】
この発明は上記課題を解決するもので、インピーダンス整合回路を小型化することができる基板間接続構造を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る基板間接続構造は、第１の誘電体基板の内層に設けられた平板状接地導体と、第１の誘電体基板の表層に設けられた第１の信号パッドと、第１の誘電体基板の表層において第１の信号パッドの周囲に設けられた第１の接地パッドと、平板状接地導体と第１の接地パッドとを電気的に接続する柱状導体と、第１の誘電体基板の表層または内層に設けられた第１の信号線導体と、第１の信号線導体から第１の信号パッドの方向に延びて第１の信号パッドとの間に容量成分を形成する第２の信号線導体と、第１の信号線導体と第２の信号線導体との接続部から分岐して延びて第１の信号パッドに電気的に接続された第３の信号線導体と、第２の誘電体基板の表層に設けられた第２の信号パッドと、第２の誘電体基板の表層において第２の信号パッドの周囲に設けられた第２の接地パッドと、第１の信号パッドと第２の信号パッドとを電気的に接続する信号バンプと、第１の接地パッドと第２の接地パッドとを電気的に接続する接地バンプとを備える。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、第１の誘電体基板の内層にある平板状接地導体に抜き穴を設けず、インピーダンス整合回路を小型化するために第３の信号線導体を小さくしても、第１の信号パッドと第２の信号線導体との間に形成される容量成分によってインピーダンスの整合に必要な容量を確保することができる。これによって、インピーダンス整合回路を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１Ａは、この発明の実施の形態１に係る基板間接続構造を備えたモジュールの構成を示す断面図である。図１Ｂは、実施の形態１に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図１ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。図１Ｃは、実施の形態１に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図１ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。
【図２】図２Ａは、信号間容量形成部を有さないプリント基板の表層における導体パターンを示す図である。図２Ｂは、信号間容量形成部を有するプリント基板の表層における導体パターンを示す図である。図２Ｃは、図２Ａのプリント基板を有する基板間接続構造と図２Ｂのプリント基板を有する基板間接続構造とのそれぞれにおける反射特性の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。
【図３】図３Ａは、この発明の実施の形態２に係る基板間接続構造を備えたモジュールの構成を示す断面図である。図３Ｂは、実施の形態２に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図３ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。図３Ｃは、実施の形態２に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図３ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。
【図４】図４Ａは、この発明の実施の形態３に係る基板間接続構造を備えたモジュールの構成を示す断面図である。図４Ｂは、実施の形態３に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図４ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。図４Ｃは、実施の形態３に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図４ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。
【図５】図５Ａは、この発明の実施の形態４に係る基板間接続構造を備えたモジュールの構成を示す断面図である。図５Ｂは、実施の形態４に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図５ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。図５Ｃは、実施の形態４に係る基板間接続構造を備えたモジュールを図５ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、この発明をより詳細に説明するため、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態１．
図１Ａは、この発明の実施の形態１に係る基板間接続構造を備えたモジュール１の構成を示す断面図であり、モジュール１を図１ＢのＣ−Ｃ’線で切断した様子を示している。図１Ｂは、モジュール１を図１ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ａ−Ａ’線は、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４のそれぞれを厚み方向に二分する線である。図１Ｃは、モジュール１を図１ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ｂ−Ｂ’線は、平板状接地導体１１を厚み方向に二分する線である。
【００１１】
モジュール１は、プリント基板１００および半導体基板６００を備え、実施の形態１に係る基板間接続構造によってプリント基板１００と半導体基板６００との間の電極パッドが電気的に接続されている。
プリント基板１００は、１または複数の平板状接地導体１１が内層に設けられた第１の誘電体基板である。平板状接地導体１１は、図１Ｃに示すように、プリント基板１００の内層一面に設けられたベタグランドである。
例えば、図１Ａでは、プリント基板１００の内層に２層の平板状接地導体１１が設けられている。２層の平板状接地導体１１間は、柱状導体である複数の接地スルーホール１２によって電気的に接続されて同電位に保たれている。複数の平板状接地導体１１を設けることにより、接地パッド１４をより強固に接地させることができる。
【００１２】
プリント基板１００のおもて面には、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４が設けられている。接地パッド１４は、図１Ｂに示すように、プリント基板１００の表層において信号パッド２１の周囲に設けられた第１の接地パッドである。また、図１Ａに示すように、接地パッド１４は、柱状導体である接地スルーホール１３によって平板状接地導体１１に電気的に接続されて接地電位となっている。信号パッド２１は、プリント基板１００の表層に設けられた第１の信号パッドである。
【００１３】
信号線導体２２は、プリント基板１００の表層に設けられた第１の信号線導体であり、端部が信号線導体２３と信号線導体２４の双方に接続している。
なお、図１Ａと図１Ｂでは、プリント基板１００の表層に配置された信号線導体２２を示したが、信号線導体２２は、プリント基板１００の内層に配置された信号線導体であってもよい。
【００１４】
信号線導体２３は、図１Ｂに示すように、信号線導体２２と信号線導体２４との接続部から分岐して延びて信号パッド２１に電気的に接続された第３の信号線導体である。
例えば、信号線導体２３は、インピーダンスの整合に使用する容量を得つつ、インピーダンス整合回路を小型化するため、信号線導体２２および信号線導体２４よりも配線幅が狭く、かつ遠回りして信号パッド２１に至るように屈曲した配線で構成されている。
このように信号線導体２３のサイズを小さく設計すると、信号線導体２３における対地容量成分が低減する。
【００１５】
信号線導体２４は、信号線導体２２から信号パッド２１の方向に延びた先端開放の第２の信号線導体であり、信号パッド２１との間に容量成分を形成する。例えば、信号線導体２４の先端部が信号パッド２１の近傍まで延びて信号パッド２１と信号線導体２４とが対向することで、信号パッド２１と信号線導体２４との間には、間隔Ｇに応じた容量成分が形成される。この部位を信号間容量形成部２５と呼ぶ。
【００１６】
また、図１Ｂに示すように、信号線導体２４は、さらに信号パッド２１の周縁に沿って延びた構造であってもよい。この構造では、信号パッド２１と信号線導体２４が近接する部分、すなわち信号間容量形成部２５が長くなるため、信号間容量形成部２５に形成される容量成分が増加する。
なお、図１Ａにおいて、平板状接地導体１１と信号線導体２４との間の距離Ｈに比べて間隔Ｇを小さくした方が、信号間容量形成部２５に形成される容量成分が増加する。
【００１７】
実施の形態１に係る基板間接続構造では、信号線導体２３を小さくして対地容量成分が低減しても、信号間容量形成部２５に形成される容量成分と信号線導体２４における対地容量成分とによってインピーダンスの整合に必要な容量が確保される。
【００１８】
半導体基板６００は、接地パッド６１および信号パッド７１が裏面に設けられた第２の誘電体基板である。半導体基板６００の内層には配線層６０１が設けられ、配線層６０１には、接地導体６２および信号線導体７２が設けられている。
接地パッド６１は、半導体基板６００の表層に設けられた第２の接地パッドであって、半導体基板６００の内層に設けられた接地導体６２に電気的に接続されている。
信号パッド７１は、半導体基板６００の表層に設けられた第２の信号パッドであって、半導体基板６００の内層に設けられた信号線導体７２に電気的に接続されている。
【００１９】
プリント基板１００のおもて面と半導体基板６００の裏面とが対向するように配置されてから、接地パッド１４と接地パッド６１が接地バンプ４１によって電気的に接続され、信号パッド２１と信号パッド７１とが信号バンプ５１によって電気的に接続される。
接地バンプ４１および信号バンプ５１は、はんだバンプであり、例えば、はんだを溶融し固化することで電極パッド間が電気的に接続される。
【００２０】
図１Ｃに示すように、実施の形態１に係る基板間接続構造では、平板状接地導体１１に抜き穴が設けられていない。このため、図１Ａに示すＢ−Ｂ’線を境とした上方の回路と下方の回路とを分離しても上方の回路の機能に変化はない。
【００２１】
次に、信号間容量形成部２５の有無がインピーダンス整合回路のサイズに与える影響について説明する。
図２Ａは、信号間容量形成部２５を有さないプリント基板１０００の表層における導体パターンを示す図である。図２Ｂは、信号間容量形成部２５を有するプリント基板１００の表層における導体パターンを示す図である。図２Ｃは、図２Ａのプリント基板１０００を有する基板間接続構造と図２Ｂのプリント基板１００を有する基板間接続構造とのそれぞれにおける反射特性の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。なお、電磁界シミュレーションには、３次元電磁界解析ツールを使用した。
【００２２】
プリント基板１０００における信号線導体２４０は、信号線導体２２から延びた信号線導体であり、プリント基板１００における信号線導体２４の代わりに設けたものである。信号線導体２４０は、信号線導体２４とは異なって信号パッド２１から離れる方向に延びており、プリント基板１０００には、信号間容量形成部２５が形成されていない。
【００２３】
図２Ｃでは、プリント基板１００およびプリント基板１０００のそれぞれの比誘電率を３．３とし、配線層６０１の比誘電率を３．５とし、特性インピーダンスを５０Ωとしてシミュレーションを行っている。また、プリント基板１０００を有する基板間接続構造とプリント基板１００を有する基板間接続構造とは、ともに同一周波数（４２ＧＨｚ付近）に整合点を有するように設計されている。これによって、プリント基板１０００を有する基板間接続構造の反射特性曲線ａと、プリント基板１００を有する基板間接続構造の反射特性曲線ｂとがほぼ同じであり、両者は同等な性能である。
【００２４】
信号間容量形成部２５を有さない基板間接続構造の反射特性と信号間容量形成部２５を有する基板間接続構造の反射特性とが同等の性能となるように構成すると、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、信号線導体２３の紙面左右方向の長さＬに顕著な違いが現れる。
信号間容量形成部２５を有さない基板間接続構造の信号線導体２３Ａは、図２Ａに示すようにＬ＝０．４０ｍｍであるが、信号間容量形成部２５を有する基板間接続構造の信号線導体２３は、図２Ｂに示すようにＬ＝０．３７ｍｍとなる。
すなわち、信号間容量形成部２５は、インピーダンス整合回路の小型化に有効である。
【００２５】
なお、図１Ａでは、プリント基板１００と半導体基板６００との間の基板間接続構造を示したが、はんだバンプによって基板間の電極パッドを電気的に接続することが可能であれば、他の種類の基板であってもよい。例えば、プリント基板を半導体基板６００の代わりにしてもよく、セラミック基板などを用いてもよい。
【００２６】
図１Ｂでは、複数の接地パッド１４のそれぞれを独立してプリント基板１００の表層に設けた場合を示したが、プリント基板１００の表層で複数の接地パッド１４が電気的に接続されていてもよい。この場合、接地パッドは、ソルダレジストの開口に形成される。
【００２７】
以上のように、実施の形態１に係る基板間接続構造では、プリント基板１００の内層にある平板状接地導体１１に抜き穴を設けず、インピーダンス整合回路を小型化するために信号線導体２３を小さくしても、信号間容量形成部２５に形成される容量成分と信号線導体２４における対地容量成分によってインピーダンスの整合に必要な容量を確保することができる。これにより、インピーダンス整合回路を小型化することができる。
また、信号線導体２４を信号パッド２１の周縁に沿って延びた配線で構成することで、信号間容量形成部２５が長くなって容量値が得やすくなる。
【００２８】
実施の形態２．
図３Ａは、この発明の実施の形態２に係る基板間接続構造を備えたモジュール１Ａの構成を示す断面図であり、モジュール１Ａを図３ＢのＣ−Ｃ’線で切断した様子を示している。図３Ｂは、モジュール１Ａを図３ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ａ−Ａ’線は、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４Ａのそれぞれを厚み方向に二分する線である。図３Ｃは、モジュール１Ａを図３ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ｂ−Ｂ’線は、平板状接地導体１１を厚み方向に二分する線である。
なお、図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃにおいて、図１Ａ、図１Ｂおよび図１Ｃと同一構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２９】
モジュール１Ａは、プリント基板１００Ａおよび半導体基板６００を備えており、実施の形態２に係る基板間接続構造によってプリント基板１００Ａと半導体基板６００との間の電極パッドが電気的に接続されている。
プリント基板１００Ａは、１または複数の平板状接地導体１１が内層に設けられた第１の誘電体基板である。平板状接地導体１１は、図３Ｃに示すようにプリント基板１００Ａの内層一面に設けられたベタグランドであり、抜き穴は設けられていない。
例えば、図３Ａでは、プリント基板１００Ａの内層に２層の平板状接地導体１１が設けられている。２層の平板状接地導体１１間は、柱状導体である複数の接地スルーホール１２によって電気的に接続されて同電位に保たれている。複数の平板状接地導体１１を設けることにより、接地パッド１４をより強固に接地させることができる。
【００３０】
プリント基板１００Ａのおもて面には、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４Ａが設けられている。
信号線導体２４Ａは、図３Ｂに示す信号線導体２２から延びた部分と、図３Ａに示すプリント基板１００Ａの内層に設けられた信号線導体２７と、図３Ａに示す信号線スルーホール２６とから構成された第２の信号線導体である。例えば、信号線導体２４Ａは、信号線導体２２から信号パッド２１の方向に延びた部分が、信号線スルーホール２６によって信号線導体２７と電気的に接続されている。
【００３１】
信号線導体２７は、プリント基板１００Ａの厚み方向に信号パッド２１と対向するように信号パッド２１の直下を含む領域まで延びており、信号パッド２１と信号線導体２７との間に容量成分が形成される。この部分を信号間容量形成部２５Ａと呼ぶ。
なお、信号線導体２７の先端部は、円形、矩形などの形状を採用することができる。
【００３２】
実施の形態２に係る基板接続構造では、インピーダンス整合回路を小型化するために信号線導体２３のサイズを小さく設計しても、信号間容量形成部２５Ａに形成される容量成分によってインピーダンスの整合に必要な容量が確保される。
【００３３】
実施の形態２に係る基板間接続構造では、信号パッド２１のパッド面と信号線導体２７の配線面（信号線導体２７の幅方向の面）とが対向しているため、実施の形態１のように信号パッド２１と信号線導体２４とを近接させた構造よりも高い容量値が得られる。
このため、実施の形態１で示した構造よりも信号線導体２３のサイズを小さくしても、インピーダンスの整合に必要な容量を確保することができる。
【００３４】
一般的なプリント基板における導体パターンの間隔は１００〜２００μｍ程度であり、実施の形態１に係る基板間接続構造では、インピーダンスの整合に必要な容量が得られる間隔Ｇが数十μｍ程度となる。
これに対し、実施の形態２に係る基板間接続構造では、信号線導体２７のサイズおよび内層位置に応じて適切な容量値が得られる。このため、数十μｍオーダーの導体パターンの微細加工が不要である。
【００３５】
以上のように、実施の形態２に係る基板間接続構造において、信号線導体２７は、プリント基板１００Ａの内層に設けられ、プリント基板１００Ａの厚み方向に信号パッド２１と対向している。この構成を有することで、実施の形態１で示した効果に加え、プリント基板１００Ａは表層の微細配線が不要である。これにより、標準的なプリント基板を採用することができ、基板選択の自由度が高く、基板コストの低減も図ることができる。
【００３６】
実施の形態３．
図４Ａは、この発明の実施の形態３に係る基板間接続構造を備えたモジュール１Ｂの構成を示す断面図であり、モジュール１Ｂを図４ＢのＣ−Ｃ’線で切断した様子を示している。図４Ｂは、モジュール１Ｂを図４ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ａ−Ａ’線は、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４Ｂのそれぞれを厚み方向に二分する線である。図４Ｃは、モジュール１Ｂを図４ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ｂ−Ｂ’線は、平板状接地導体１１を厚み方向に二分する線である。
【００３７】
モジュール１Ｂは、プリント基板１００Ｂおよび半導体基板６００を備えており、実施の形態３に係る基板間接続構造によってプリント基板１００Ｂと半導体基板６００との間の電極パッドが電気的に接続されている。
プリント基板１００Ｂは、１または複数の平板状接地導体１１が内層に設けられた第１の誘電体基板である。平板状接地導体１１は、図４Ｃに示すようにプリント基板１００Ｂの内層一面に設けられたベタグランドであり、抜き穴は設けられていない。
例えば、図４Ａでは、プリント基板１００Ｂの内層に２層の平板状接地導体１１が設けられている。２層の平板状接地導体１１間は、柱状導体である複数の接地スルーホール１２によって電気的に接続されて同電位に保たれている。複数の平板状接地導体１１を設けることにより、接地パッド１４をより強固に接地させることができる。
【００３８】
プリント基板１００Ｂのおもて面には、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４Ｂが設けられている。
信号線導体２４Ｂは、図４Ｂに示すように、信号線導体２２から信号パッド２１の周縁に沿って延び、さらに接地パッド１４の周縁に沿って延びた第２の信号線導体である。
実施の形態３に係る基板接続構造では、実施の形態１と同様に、信号パッド２１と信号線導体２４Ｂとの間に容量成分が形成され、さらに、接地パッド１４と信号線導体２４Ｂとの間に容量成分が形成される。この接地パッド１４と信号線導体２４Ｂとの間の部分を信号−接地間容量形成部２８と呼ぶ。
【００３９】
また、信号線導体２４Ｂは、信号パッド２１の周縁に沿って延びてから、さらに、接地パッド１４の周縁に沿って延びており、実施の形態１で示した信号線導体２４よりも配線長が長くなっている。このため、信号線導体２４Ｂと平板状接地導体１１との間に形成される対地容量成分も増加する。
【００４０】
実施の形態３に係る基板接続構造では、信号間容量形成部２５に形成される容量成分、信号−接地間容量形成部２８に形成される容量成分および信号線導体２４Ｂにおける対地容量成分によってインピーダンスの整合に必要な容量が確保される。
このため、実施の形態３に係る基板接続構造は、実施の形態１のように信号パッド２１と信号線導体２４とを近接させた構造よりも高い容量値が得られ、実施の形態１で示した構造よりも信号線導体２３のサイズを小さくしても、インピーダンスの整合に必要な容量を確保することができる。
【００４１】
なお、信号線導体２４Ｂは、図４Ｂに示すように、接地パッド１４と信号パッド２１の配置を変更することなく配線長が延長されているので、インピーダンス整合回路の面積の拡大を招くことがない。
【００４２】
以上のように、実施の形態３に係る基板間接続構造において、信号線導体２４Ｂは、信号パッド２１の周縁に沿って延びて信号パッド２１との間に容量成分を形成し、さらに、接地パッド１４の周縁に沿って延びて接地パッド１４との間に容量成分を形成する。
このように構成することで、インピーダンス整合回路の面積拡大を招くことなく、インピーダンスの整合に必要な対地容量成分を増加させることができる。
【００４３】
実施の形態４．
図５Ａは、この発明の実施の形態４に係る基板間接続構造を備えたモジュール１Ｃの構成を示す断面図であり、モジュール１Ｃを図５ＢのＣ−Ｃ’線で切断した様子を示している。図５Ｂは、モジュール１Ｃを図５ＡのＡ−Ａ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ａ−Ａ’線は、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４Ｃのそれぞれを厚み方向に二分する線である。図５Ｃは、モジュール１Ｃを図５ＡのＢ−Ｂ’線で切断した様子を示す断面矢示図である。Ｂ−Ｂ’線は、平板状接地導体１１を厚み方向に二分する線である。
【００４４】
モジュール１Ｃは、プリント基板１００Ｃおよび半導体基板６００を備えており、実施の形態４に係る基板間接続構造によってプリント基板１００Ｃと半導体基板６００との間の電極パッドが電気的に接続されている。
プリント基板１００Ｃは、１または複数の平板状接地導体１１が内層に設けられた第１の誘電体基板である。平板状接地導体１１は、図５Ｃに示すようにプリント基板１００Ｃの内層一面に設けられたベタグランドであり、抜き穴は設けられていない。
例えば、図５Ａでは、プリント基板１００Ｃの内層に２層の平板状接地導体１１が設けられている。２層の平板状接地導体１１間は、柱状導体である複数の接地スルーホール１２によって電気的に接続されて同電位に保たれている。複数の平板状接地導体１１を設けることにより、接地パッド１４をより強固に接地させることができる。
【００４５】
プリント基板１００Ｃのおもて面には、接地パッド１４、信号パッド２１、信号線導体２２、信号線導体２３および信号線導体２４Ｃが設けられている。
信号線導体２４Ｃは、図５Ｂに示すように、信号パッド２１と隣り合った接地パッド１４との間で、信号パッド２１の周縁に沿って周回状に延びた第２の信号線導体である。
【００４６】
信号線導体２４Ｃが信号パッド２１の周縁に沿って周回状に延びているため、信号パッド２１と信号線導体２４Ｃとが近接した部分、すなわち、信号間容量形成部２５が長くなっている。これにより、図１Ｂに示した構造に比べて信号間容量形成部２５に形成される容量成分が増加する。
【００４７】
さらに、信号線導体２４Ｃは、信号パッド２１の周縁に沿って周回状に延びた分だけ、実施の形態１で示した信号線導体２４よりも配線長が長くなっている。このため、信号線導体２４Ｃと平板状接地導体１１との間に形成される対地容量成分も増加する。
【００４８】
従って、実施の形態４に係る基板接続構造では、信号線導体２３のサイズを小さく設計しても、信号間容量形成部２５に形成される容量成分と信号線導体２４Ｃにおける対地容量成分とによってインピーダンスの整合に必要な容量が確保される。
このため、実施の形態４に係る基板接続構造は、実施の形態１のように信号パッド２１と信号線導体２４とを近接させた構造よりも高い容量値が得られ、実施の形態１で示した構造よりも信号線導体２３のサイズを小さくしても、インピーダンスの整合に必要な容量を確保することができる。
【００４９】
なお、図５Ｂでは、信号パッド２１の半周近く延ばした信号線導体２４Ｃを示したが、信号線導体２４Ｃは、半周以上延ばした信号線導体であってもよい。
また、信号線導体２４Ｃは、図５Ｂに示すように、接地パッド１４と信号パッド２１の配置を変更することなく配線長が延長されているので、インピーダンス整合回路の面積の拡大を招くことがない。
【００５０】
以上のように、実施の形態４に係る基板間接続構造において、信号線導体２４Ｃは、信号パッド２１と隣り合った接地パッド１４との間で、信号パッド２１の周縁に沿って周回状に延びている。このように構成することで、インピーダンス整合回路の面積拡大を招くことなく、インピーダンス整合に必要な対地容量成分を増加させることができる。
【００５１】
なお、本発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
この発明に係る基板間接続構造は、インピーダンス整合回路を小型化することができるので、各種の高周波伝送回路に好適である。
【符号の説明】
【００５３】
１，１Ａ〜１Ｃ  モジュール、１１  平板状接地導体、１２，１３  接地スルーホール、１４，６１  接地パッド、２１，７１  信号パッド、２２〜２４，２４Ａ〜２４Ｃ，２７，７２，２４０  信号線導体、２５，２５Ａ  信号間容量形成部、２６  信号線スルーホール、２８  接地間容量形成部、４１  接地バンプ、５１  信号バンプ、６２  接地導体、１００，１００Ａ〜１００Ｃ，１０００  プリント基板、６００  半導体基板、６０１  配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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