(57)【要約】  カラーフィルター基板の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加せずに、アレイ基板における端子配線の絶縁性を維持する。表示装置は、アレイ基板（２００）の表面に形成される電極（２０１）を覆って形成される絶縁膜２０３と、カラーフィルター基板１００の表面に形成される酸化物半導体膜と、互いに向かい合う絶縁膜と酸化物半導体膜との間に位置し、かつ、絶縁膜と酸化物半導体膜とを貼り合わせるシール部材１０６とを備え、平面視において、シール部材に囲まれる領域を表示領域とし、酸化物半導体膜は、表示領域に対応する部分が導体であり、表示領域の外側に対応する部分が絶縁体である。
2017002655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板（２００）と、
前記アレイ基板（２００）の表面に形成される電極（２０１）と、
前記電極（２０１）を覆って形成される絶縁膜（２０３）と、
カラーフィルター基板（１００）と、
前記カラーフィルター基板（１００）の表面に形成される酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）と、
互いに向かい合う前記絶縁膜（２０３）と前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）との間に位置し、かつ、前記絶縁膜（２０３）と前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）とを貼り合わせるシール部材（１０６）とを備え、
前記アレイ基板（２００）と前記カラーフィルター基板（１００）とに挟まれ、かつ、平面視において、前記シール部材（１０６）に囲まれる領域を表示領域とし、
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）は、前記表示領域に対応する部分が導体であり、前記表示領域の外側に対応する部分が絶縁体である、
表示装置。
【請求項２】
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）の、前記表示領域に対応する部分の表面に形成される酸化シリコン膜（１１０）をさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記カラーフィルター基板（１００）の、前記表示領域に対応する部分の表面に形成される酸化シリコン膜（１１０ａ）をさらに備え、
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）は、前記酸化シリコン膜（１１０ａ）を覆い、かつ、前記カラーフィルター基板（１００）の表面に形成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ）の導体である部分と前記酸化物半導体膜（１０７ｄ）の絶縁体である部分との境界が、前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）の、前記シール部材（１０６）と接触する表面に位置する、
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ）の導体である部分と前記酸化物半導体膜（１０７ｄ）の絶縁体である部分との前記境界が、前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）の、前記シール部材（１０６）と接触する表面のうちの、前記表示領域側の端部に位置する、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）は、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＩｎＳｎＯ系、ＩｎＳｎＺｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＳｎＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＨｆ（ハフニウム）ＺｎＯ系、ＩｎＺｒ（ジルコニウム）ＺｎＯ系、ＩｎＭｇ（マグネシウム）ＺｎＯ系またはＩｎＹ（イットリウム）ＺｎＯ系の酸化物半導体膜である、
請求項１から請求項５のうちのいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
アレイ基板（２００）の表面に電極（２０１）を形成し、
前記電極（２０１）を覆う絶縁膜（２０３）を形成し、
カラーフィルター基板（１００）の表面に酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ）を形成し、
シール部材（１０６）を用いて、互いに向かい合う前記絶縁膜（２０３）と前記酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ）とを貼り合わせ、
前記アレイ基板（２００）と前記カラーフィルター基板（１００）とに挟まれ、かつ、平面視において、前記シール部材（１０６）に囲まれる領域を表示領域とし、
前記酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ）は、前記表示領域に対応する部分が導体であり、前記表示領域の外側に対応する部分が絶縁体である、
表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｃ）の前記表示領域に対応する部分に、水素を含むガスを用いたプラズマ処理を行い、
前記酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｄ）の前記表示領域の外側に対応する部分に、Ｎ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）の、前記表示領域に対応する部分の表面に酸化シリコン膜（１１０）を形成する、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記カラーフィルター基板（１００）の、前記表示領域に対応する部分の表面に酸化シリコン膜（１１０ａ）を形成し、
前記酸化シリコン膜（１１０ａ）の表面および前記カラーフィルター基板（１００）の表面に、酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ）を形成する、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｃ）の前記表示領域に対応する部分に、紫外線処理を行い、
前記酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｄ）の前記表示領域の外側に対応する部分に、Ｎ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う、
請求項９または請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記酸化物半導体膜（１０７ｂ、１０７ｃ）の前記表示領域に対応する部分に、波長が４８０ｎｍ以下である紫外光を照射する前記紫外線処理を行う、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記酸化物半導体膜（１０７ｃ、１０７ｄ）は、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＩｎＳｎＯ系、ＩｎＳｎＺｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＳｎＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＨｆ（ハフニウム）ＺｎＯ系、ＩｎＺｒ（ジルコニウム）ＺｎＯ系、ＩｎＭｇ（マグネシウム）ＺｎＯ系またはＩｎＹ（イットリウム）ＺｎＯ系の酸化物半導体膜である、
請求項７から請求項１２のうちのいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、表示装置および表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置の一例としての液晶表示装置の液晶パネルには、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、すなわちＴＦＴ）またはＴＦＴと接続された画素電極を有するＴＦＴアレイ基板が設けられる。そして、ＴＦＴおよび画素電極がマトリクス状に配置されることによって表示領域が形成される。ＴＦＴアレイ基板には、ＴＦＴと接続される走査信号線と、ＴＦＴと接続される表示信号線とが設けられる。【０００３】
このようなＴＦＴアレイ基板には、走査信号線および表示信号線を複数有する素子区画が１つ形成される。そして、走査信号線および表示信号線に信号を入力するための端子が、ＴＦＴアレイ基板の素子区画の端に設けられる。【０００４】
さらに、ＴＦＴアレイ基板の対向基板としてのカラーフィルター（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ、すなわちＣＦ）基板が配置される。カラーフィルター基板には、対向電極または樹脂膜などが形成される。【０００５】
そして、ＴＦＴアレイ基板とカラーフィルター基板とがシール部材によって貼り合わせられる。ここで、シール部材は、表示領域を囲むように枠状に形成される。さらに、ＴＦＴアレイ基板、カラーフィルター基板およびシール部材で形成される領域内に液晶が封入される。そして、駆動ＩＣまたはフレキシブルプリント回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ、すなわちＦＰＣ）などが実装され、さらにバックライトユニットなどが実装されることにより、液晶ディスプレイモジュールが完成する。【０００６】
ここで、液晶が封入される空間に隣接する外側の領域において異物が存在する場合、端子配線を覆って形成される絶縁膜が異物によって傷つけられる場合がある。そうすると、絶縁膜に形成された傷が端子配線にまで達し、端子配線がむき出しになる。よって、端子配線の絶縁性が悪化する。【０００７】
この状況で、カラーフィルター基板の対向電極に付着する水分などが、絶縁膜の傷にも浸入すると、カラーフィルター基板の対向電極とＴＦＴアレイ基板の端子配線との間に導通回路が形成される場合がある。この場合、電気腐食による断線などの不具合が発生する。【０００８】
なお、対向電極と端子配線との間に導通回路が形成される原因としては、水分ではなく金属系の異物（すなわち導体異物）が絶縁膜における傷から浸入する場合もある。【０００９】
このような問題に対応し、ＴＦＴアレイ基板の端子配線上を保護膜などで覆う構造が開示されている（たとえば特許文献１を参照）。また、カラーフィルター基板の対向電極に疎水膜または樹脂膜が形成された構造も開示されている（たとえば特許文献２または特許文献３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平８−９５０７５号公報
【特許文献２】特開２００６−２８５１０５号公報
【特許文献３】特開２００８−３３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
カラーフィルター基板の対向電極上、および、ＴＦＴアレイ基板の絶縁膜上に保護膜が形成された場合でも、やはり異物などで保護膜が傷つき、端子配線または対向電極がむき出しになる場合がある。よって、端子配線の絶縁性が悪化する。【００１２】
この状況で、カラーフィルター基板の対向電極に付着する水分などが、絶縁膜の傷にも浸入すると、カラーフィルター基板の対向電極とＴＦＴアレイ基板の端子配線との間に導通回路が形成される場合がある。この場合、電気腐食による断線などの不具合が発生する。【００１３】
カラーフィルター基板の周辺部にあらかじめマスクを形成することによって、酸化インジウムスズ（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ  ｉｎｄｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ  または  ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、すなわちＩＴＯ）などの透明導電膜からなる対向電極を、カラーフィルター基板の周辺部には成膜しないという方法によって形成することができる。しかし、このような方法では、カラーフィルター基板の周辺部における対向電極を形成しないための工程が別途必要となる。【００１４】
また、カラーフィルター基板の周辺部に対向電極を形成しない方法として、カラーフィルター基板の全面にＩＴＯなどの透明導電膜を成膜した後で、写真製版によってカラーフィルター基板の周辺部以外にレジストを形成する。そして、エッチング装置を用いて、カラーフィルター基板の周辺部における透明導電膜を除去する。最後に、レジストを除去するという方法がある。しかし、このような方法でも、カラーフィルター基板の周辺部における対向電極を形成しないための工程が別途必要となる。【００１５】
本技術は、上記のような問題を解決するためのものであり、カラーフィルター基板の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加せずに、アレイ基板における端子配線の絶縁性を維持することができる表示装置および表示装置の製造方法に関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本技術の一態様に関する表示装置は、アレイ基板と、前記アレイ基板の表面に形成される電極と、前記電極を覆って形成される絶縁膜と、カラーフィルター基板と、前記カラーフィルター基板の表面に形成される酸化物半導体膜と、互いに向かい合う前記絶縁膜と前記酸化物半導体膜との間に位置し、かつ、前記絶縁膜と前記酸化物半導体膜とを貼り合わせるシール部材とを備え、前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板とに挟まれ、かつ、平面視において、前記シール部材に囲まれる領域を表示領域とし、前記酸化物半導体膜は、前記表示領域に対応する部分が導体であり、前記表示領域の外側に対応する部分が絶縁体である。【００１７】
本技術の一態様に関する表示装置の製造方法は、アレイ基板の表面に電極を形成し、前記電極を覆う絶縁膜を形成し、カラーフィルター基板の表面に酸化物半導体膜を形成し、シール部材を用いて、互いに向かい合う前記絶縁膜と前記酸化物半導体膜とを貼り合わせ、前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板とに挟まれ、かつ、平面視において、前記シール部材に囲まれる領域を表示領域とし、前記酸化物半導体膜は、前記表示領域に対応する部分が導体であり、前記表示領域の外側に対応する部分が絶縁体である。
【発明の効果】
【００１８】
本技術の一態様に関する表示装置は、アレイ基板と、前記アレイ基板の表面に形成される電極と、前記電極を覆って形成される絶縁膜と、カラーフィルター基板と、前記カラーフィルター基板の表面に形成される酸化物半導体膜と、互いに向かい合う前記絶縁膜と前記酸化物半導体膜との間に位置し、かつ、前記絶縁膜と前記酸化物半導体膜とを貼り合わせるシール部材とを備え、前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板とに挟まれ、かつ、平面視において、前記シール部材に囲まれる領域を表示領域とし、前記酸化物半導体膜は、前記表示領域に対応する部分が導体であり、前記表示領域の外側に対応する部分が絶縁体である。【００１９】
このような構成によれば、カラーフィルター基板の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加せずに、アレイ基板における電極の絶縁性を維持することができる。【００２０】
本技術の一態様に関する表示装置の製造方法は、アレイ基板の表面に電極を形成し、前記電極を覆う絶縁膜を形成し、カラーフィルター基板の表面に酸化物半導体膜を形成し、シール部材を用いて、互いに向かい合う前記絶縁膜と前記酸化物半導体膜とを貼り合わせ、前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板とに挟まれ、かつ、平面視において、前記シール部材に囲まれる領域を表示領域とし、前記酸化物半導体膜は、前記表示領域に対応する部分が導体であり、前記表示領域の外側に対応する部分が絶縁体である。【００２１】
このような構成によれば、カラーフィルター基板の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加せずに、アレイ基板における電極の絶縁性を維持することができる。【００２２】
本技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する平面図である。
【図２】実施形態に関するＴＦＴアレイ基板の端子配線の様子を例示する図である。
【図３】実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する断面図である。
【図４】図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。
【図５】図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。
【図６】図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。
【図７】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図８】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図９】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１０】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１１】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。
【図１３】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１４】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１５】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１６】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１７】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１８】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１９】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２０】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２１】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２２】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２３】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２４】図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。
【図２５】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２６】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２７】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２８】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２９】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３０】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３１】図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。
【図３２】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３３】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３４】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３５】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３６】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３７】実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付される図面を参照しながら実施形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示される画像の大きさと位置との相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００２５】
また、以下に示される説明において、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。
【００２６】
＜第１実施形態＞
以下、本実施形態に関する表示装置の一例としての液晶表示装置について説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する平面図である。図１に例示されるように、カラーフィルター基板１００上にはシール部材１０６が配置される。この場合、シール部材１０６に囲まれた液晶が封入される領域を表示領域とし、表示領域の外縁がシール部材１０６のたとえば中心部まで拡張された領域を領域Ｂとし、領域Ｂの外側の領域を領域Ａとすることができる。また、図１におけるＺ−Ｚ’は、カラーフィルター基板１００の基板端から表示領域内にまで達する部分に相当する。
【００２８】
図２は、本実施形態に関するＴＦＴアレイ基板の端子配線の様子を例示する図である。図２におけるシール部材１０６は、カラーフィルター基板１００におけるシール部材１０６がＴＦＴアレイ基板２００に貼り付けられた状態を示すものである。同様に、図２における領域Ａおよび領域Ｂは、カラーフィルター基板１００における領域Ｂ、および、領域Ｂの外側の領域である領域Ａに対応するものである。
【００２９】
図２に例示されるように、ＴＦＴアレイ基板２００においては、シール部材１０６に跨って複数の端子配線２０１が配置される。さらに、端子配線２０１の端部には、外部接続端子２０２が取り付けられる。
【００３０】
図３は、本実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する断面図である。また、図４は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。
【００３１】
図３に例示されるように、ガラスなどのカラーフィルター基板１００上に、ＲＧＢの各色材（赤色材１０２、緑色材１０３および青色材１０４）と、各色材の間に配置されるブラックマトリクス１０１（以下、ＢＭと記載する場合がある）と、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４およびブラックマトリクス１０１を覆って形成されるオーバーコート層１０５とが備えられる。なお、図４においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１およびオーバーコート層１０５は、図示が省略される。
【００３２】
図４に例示されるように、カラーフィルター基板１００の下側には、対向電極１０７が配置される。また、ＴＦＴアレイ基板２００の上には端子配線２０１が形成され、さらに、端子配線２０１を覆って絶縁膜２０３が形成される。
【００３３】
そして、カラーフィルター基板１００とＴＦＴアレイ基板２００とは、シール部材１０６によって貼り付けられる。さらに、カラーフィルター基板１００、ＴＦＴアレイ基板２００およびシール部材１０６に囲まれた空間に、液晶１０００が封入される。当該空間は、図１における表示領域に対応する。
【００３４】
ここで、図４に例示されるように、液晶１０００が封入される空間に隣接する外側の領域、すなわち、領域Ｂと領域Ａとの境界付近の領域において、異物１００１が存在する場合を考える。
【００３５】
図４に例示されるような位置に異物１００１が存在する場合、端子配線２０１を覆って形成される絶縁膜２０３が異物１００１によって傷つけられる場合がある。そうすると、絶縁膜２０３に形成された傷が端子配線２０１にまで達し、端子配線２０１がむき出しになる。よって、端子配線２０１の絶縁性が悪化する。
【００３６】
この状況で、カラーフィルター基板１００の対向電極１０７に付着する水分１００２などが、絶縁膜２０３の傷にも浸入すると、図４に例示されるように、カラーフィルター基板１００の対向電極１０７とＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１との間に導通回路が形成される場合がある。この場合、電気腐食による断線などの不具合が発生する。
【００３７】
なお、対向電極１０７と端子配線２０１との間に導通回路が形成される原因としては、水分ではなく金属系の異物（すなわち導体異物）が絶縁膜２０３における傷から浸入する場合もある。
【００３８】
図５は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。なお、図５においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１およびオーバーコート層１０５は、図示が省略される。
【００３９】
図５においては、液晶１０００が封入される空間に隣接する外側の領域、すなわち、領域Ｂと領域Ａとの境界付近の領域において、対向電極１０７、シール部材１０６および絶縁膜２０３を覆って保護膜１０８が形成される。
【００４０】
図５に例示されるように、カラーフィルター基板１００の対向電極１０７上、および、ＴＦＴアレイ基板２００の絶縁膜２０３上に保護膜１０８が形成された場合でも、やはり異物１００１などで保護膜１０８が傷つき、端子配線２０１または対向電極１０７がむき出しになる場合がある。よって、端子配線２０１の絶縁性が悪化する。
【００４１】
この状況で、カラーフィルター基板１００の対向電極１０７に付着する水分１００２などが、絶縁膜２０３の傷にも浸入すると、図５に例示されるように、カラーフィルター基板１００の対向電極１０７とＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１との間に導通回路が形成される場合がある。この場合、電気腐食による断線などの不具合が発生する。
【００４２】
図６は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。なお、図６においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１およびオーバーコート層１０５は、図示が省略される。
【００４３】
図６においては、対向電極１０７ａの端部がシール部材１０６内に配置され、液晶１０００が封入される空間に隣接する外側の領域、すなわち、領域Ｂと領域Ａとの境界付近の領域においては、対向電極１０７ａが配置されない。
【００４４】
図６に例示される構造は、カラーフィルター基板１００の周辺部にあらかじめマスクを形成することによって、酸化インジウムスズなどの透明導電膜からなる対向電極１０７ａを、カラーフィルター基板１００の周辺部には成膜しないという方法によって形成することができる。しかし、このような方法では、カラーフィルター基板１００の周辺部における対向電極を形成しないための工程が別途必要となる。
【００４５】
また、カラーフィルター基板１００の周辺部に対向電極を形成しない方法として、カラーフィルター基板１００の全面にＩＴＯなどの透明導電膜を成膜した後で、写真製版によってカラーフィルター基板１００の周辺部以外にレジストを形成する。そして、エッチング装置を用いて、カラーフィルター基板１００の周辺部における透明導電膜を除去する。最後に、レジストを除去するという方法がある。しかし、このような方法でも、カラーフィルター基板１００の周辺部における対向電極を形成しないための工程が別途必要となる。この場合、透明導電膜が除去された箇所と透明導電膜が残存する箇所との間に、透明導電膜の端面によって形成される段差が生じることとなる。この段差は、製造工程において生じる異物を捕捉する場合がある。また、この段差から離脱した異物が、ＴＦＴアレイ基板２００に絶縁破壊などの不具合を生じさせる場合もある。
【００４６】
＜製造方法＞
図７から図１１は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【００４７】
まず、図７に例示されるように、ガラスなどのカラーフィルター基板１００が用意される。そして、図８に例示されるように、カラーフィルター基板１００上に、ブラックマトリクス１０１、赤色材１０２、緑色材１０３および青色材１０４が形成される。さらに、必要に応じて、ブラックマトリクス１０１、赤色材１０２、緑色材１０３および青色材１０４を覆ってオーバーコート層１０５が形成される。
【００４８】
次に、図９に例示されるように、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｂがカラーフィルター基板１００の全面に形成される。具体的には、スパッタ装置を用いて、ＩＧＺＯ（インジウム（ｉｎｄｉｕｍ）、ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ）、亜鉛（ｚｉｎｃ）および酸素（ｏｘｉｄｅ）から構成されるアモルファス半導体の略称）が８０ｎｍ程度成膜される。対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｂは、１×１０２Ω・ｃｍ程度以上、かつ、１×１０５Ω・ｃｍ程度以下の比抵抗であることが望ましい。
【００４９】
次に、図１０に例示されるように、たとえばプラズマ装置を用いて、カラーフィルター基板１００の全面にＨ２プラズマ処理を行う。この処理を行うことで、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｃの比抵抗は、１×１０−３Ω・ｃｍ程度以下となり、半導体から導体へと性質が変化する。なお、上記のＨ２プラズマ処理は、少なくとも酸化物半導体膜の表示領域に対応する部分に対して行われればよい。以下においても同様である。
【００５０】
図１は、本実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する平面図である。図１において、シール部材１０６に囲まれた液晶が封入される領域を表示領域とし、表示領域の外縁がシール部材１０６のたとえば中心部まで拡張された領域を領域Ｂとし、領域Ｂの外側の領域を領域Ａとすることができる。また、図１におけるＺ−Ｚ’は、カラーフィルター基板１００の基板端から表示領域内にまで達する部分に相当する。
【００５１】
図２は、本実施形態に関するＴＦＴアレイ基板の端子配線の様子を例示する図である。図２におけるシール部材１０６は、カラーフィルター基板１００におけるシール部材１０６がＴＦＴアレイ基板２００に貼り付けられた状態を示すものである。同様に、図２における領域Ａおよび領域Ｂは、カラーフィルター基板１００における領域Ｂ、および、領域Ｂの外側の領域である領域Ａに対応するものである。
【００５２】
次に、図１１に例示されるように、シール部材１０６の一部を含む領域Ｂを、たとえばメタルマスク１０９で遮蔽する。そして、たとえばプラズマ装置を用いて、カラーフィルター基板１００の全面に少なくともＮ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。なお、上記のＮ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理は、少なくとも酸化物半導体膜の表示領域の外側に対応する部分に対して行われればよい。以下においても同様である。
【００５３】
マスクされていない、シール部材１０６の一部を含む基板端側の領域Ａにおいて、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｄの性質が導体から絶縁体へ変化する。この際の酸化物半導体膜１０７ｄの比抵抗は、１×１０７Ω・ｃｍ程度以上となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは酸化物半導体膜１０７ｃは導体であり、シール部材から外側の領域Ａでは酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体となる。
【００５４】
以降の工程の図示は省略されるが、次に、必要に応じてギャップ形成用の柱スペーサーが形成される。このようにして、カラーフィルター基板１００が完成する。なお、柱スペーサーは、粒子散布によるスペーサーであってもよい。
【００５５】
次に、カラーフィルター基板１００の表示領域とＴＦＴアレイ基板２００とに、配向膜としてのポリイミドなどの樹脂膜が形成される。そして、それぞれの樹脂膜の表面をラビングする配向処理が施される。
【００５６】
次に、シール部材１０６を用いて、ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルター基板１００とが対向するように基板同士が貼り合わせられる。
【００５７】
次に、シール部材１０６の内側の空間である表示領域に液晶が注入された後、封止および必要な処理がなされ、液晶パネルが完成する。
【００５８】
図１２は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。なお、図１２においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１、オーバーコート層１０５、柱スペーサー、ＴＦＴアレイ基板２００の配向膜またはカラーフィルター基板１００の配向膜などは、図示が省略される。
【００５９】
図１２においては、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃは導体の性質を示す。また、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体の性質を示す。
【００６０】
カラーフィルター基板１００の、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体膜である。よって、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１上の絶縁膜２０３が異物などで傷つくことでその絶縁性が低下し、さらに、高湿環境化で、異物によって形成された絶縁膜２０３における隙間から水分などが浸入した場合であっても、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１とカラーフィルター基板１００の対向電極との間に導通回路が形成されない。よって、電気腐食による断線などの不良を防止することができる。
【００６１】
また、水分ではなく金属系の異物（すなわち導体異物）が絶縁膜における隙間から浸入した場合であっても、対向電極が絶縁膜であるため、同様に導通することはない。
【００６２】
本実施形態に例示される方法では、図１１に例示されるように、酸化物半導体膜１０７ｃと酸化物半導体膜１０７ｄとの間に段差が生じない。そのため、段差における異物の捕捉、および、捕捉された異物が離脱することによって生じる不具合を抑制することができる。
【００６３】
＜第２実施形態＞
本実施形態に関する表示装置の一例としての液晶表示装置について説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
【００６４】
＜製造方法＞
図１３から図１７は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【００６５】
図１３から図１５までは、第１実施形態における場合と同様であるので、説明を省略する。
【００６６】
次に、図１６に例示されるように、たとえばプラズマ装置を用いて、カラーフィルター基板１００の全面に少なくともＮ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。この処理を行うことで、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｄの性質が半導体から絶縁体へ変化する。この際の酸化物半導体膜１０７ｄの比抵抗は、１×１０７Ω・ｃｍ程度以上となる。
【００６７】
図１は、本実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する平面図である。図１において、シール部材１０６に囲まれた液晶が封入される領域を表示領域とし、表示領域の外縁がシール部材１０６のたとえば中心部まで拡張された領域を領域Ｂとし、領域Ｂの外側の領域を領域Ａとすることができる。また、図１におけるＺ−Ｚ’は、カラーフィルター基板１００の基板端から表示領域内にまで達する部分に相当する。
【００６８】
図２は、本実施形態に関するＴＦＴアレイ基板の端子配線の様子を例示する図である。図２におけるシール部材１０６は、カラーフィルター基板１００におけるシール部材１０６がＴＦＴアレイ基板２００に貼り付けられた状態を示すものである。同様に、図２における領域Ａおよび領域Ｂは、カラーフィルター基板１００における領域Ｂ、および、領域Ｂの外側の領域である領域Ａに対応するものである。
【００６９】
次に、図１７に例示されるように、シール部材１０６の一部を含む基板端側の領域に相当する領域Ａを、たとえばメタルマスク１０９ａで遮蔽する。そして、たとえばプラズマ装置を用いて、カラーフィルター基板１００の全面にＨ２プラズマ処理を行う。
【００７０】
マスクされていない、シール部材１０６の一部を含む領域Ｂにおいて、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｃの性質が絶縁体から導体へ変化する。この際の酸化物半導体膜１０７ｃの比抵抗は、１×１０−３Ω・ｃｍ程度以下となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは酸化物半導体膜１０７ｃは導体であり、シール部材から外側の領域Ａでは酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体となる。
【００７１】
以降の工程は、第１実施形態に示される場合と同様であるので、説明を省略する。
【００７２】
以降の工程の図示は省略されるが、次に、必要に応じてギャップ形成用の柱スペーサーが形成される。このようにして、カラーフィルター基板１００が完成する。なお、柱スペーサーは、粒子散布によるスペーサーであってもよい。
【００７３】
次に、カラーフィルター基板１００の表示領域とＴＦＴアレイ基板２００とに、配向膜としてのポリイミドなどの樹脂膜が形成される。そして、それぞれの樹脂膜の表面をラビングする配向処理が施される。
【００７４】
次に、シール部材１０６を用いて、ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルター基板１００とが対向するように基板同士が貼り合わせられる。
【００７５】
次に、シール部材１０６の内側の空間である表示領域に液晶が注入された後、封止および必要な処理がなされ、液晶パネルが完成する。
【００７６】
図１２は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。なお、図１２においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１、オーバーコート層１０５、柱スペーサー、ＴＦＴアレイ基板２００の配向膜またはカラーフィルター基板１００の配向膜などは、図示が省略される。
【００７７】
図１２においては、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃは導体の性質を示す。また、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体の性質を示す。
【００７８】
カラーフィルター基板１００の、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体膜である。よって、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１上の絶縁膜２０３が異物などで傷つくことでその絶縁性が低下し、さらに、高湿環境化で、異物によって形成された絶縁膜２０３における隙間から水分などが浸入した場合であっても、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１とカラーフィルター基板１００の対向電極との間に導通回路が形成されない。よって、電気腐食による断線などの不良を防止することができる。
【００７９】
また、水分ではなく金属系の異物（すなわち導体異物）が絶縁膜における隙間から浸入した場合であっても、対向電極が絶縁膜であるため、同様に導通することはない。
【００８０】
＜第３実施形態＞
本実施形態に関する表示装置の一例としての液晶表示装置について説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
【００８１】
＜製造方法＞
図１８から図２３は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【００８２】
図１８から図２１までは、第２実施形態における場合と同様であるので、説明を省略する。
【００８３】
図１は、本実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する平面図である。図１において、シール部材１０６に囲まれた液晶が封入される領域を表示領域とし、表示領域の外縁がシール部材１０６のたとえば中心部まで拡張された領域を領域Ｂとし、領域Ｂの外側の領域を領域Ａとすることができる。また、図１におけるＺ−Ｚ’は、カラーフィルター基板１００の基板端から表示領域内にまで達する部分に相当する。
【００８４】
図２は、本実施形態に関するＴＦＴアレイ基板の端子配線の様子を例示する図である。図２におけるシール部材１０６は、カラーフィルター基板１００におけるシール部材１０６がＴＦＴアレイ基板２００に貼り付けられた状態を示すものである。同様に、図２における領域Ａおよび領域Ｂは、カラーフィルター基板１００における領域Ｂ、および、領域Ｂの外側の領域である領域Ａに対応するものである。
【００８５】
次に、図２２に例示されるように、シール部材１０６の一部を含む基板端側の領域に相当する領域Ａを、たとえばメタルマスク１０９ａで遮蔽する。そして、たとえばＣＶＤ装置を用いて、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜を膜厚５０ｎｍ程度でデポ処理する。
【００８６】
マスクされていない、シール部材１０６の一部を含む領域Ｂにおいて、酸化シリコン膜１１０が形成される。
【００８７】
次に、図２３に例示されるように、たとえば低圧水銀灯を用いて、カラーフィルター基板１００の全面に紫外線（ＵＶ）を照射する。この処理を行うことで、酸化シリコン膜１１０と接触する酸化物半導体膜のみが、絶縁体から導体に変化する。この際の比抵抗は１×１０−２Ω・ｃｍ程度以下となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは酸化物半導体膜１０７ｃは導体であり、シール部材から外側の領域Ａでは酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体となる。なお、上記の紫外線（ＵＶ）を照射する処理は、少なくとも酸化物半導体膜の表示領域に対応する部分に対して行われればよい。以下においても同様である。
【００８８】
以降の工程の図示は省略されるが、次に、必要に応じてギャップ形成用の柱スペーサーが形成される。このようにして、カラーフィルター基板が完成する。なお、柱スペーサーは、粒子散布によるスペーサーであってもよい。
【００８９】
次に、カラーフィルター基板１００の表示領域とＴＦＴアレイ基板２００とに、配向膜としてのポリイミドなどの樹脂膜が形成される。そして、それぞれの樹脂膜の表面をラビングする配向処理が施される。
【００９０】
次に、シール部材１０６を用いて、ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルター基板１００とが対向するように基板同士が貼り合わせられる。
【００９１】
次に、シール部材１０６の内側の空間である表示領域に液晶が注入された後、封止および必要な処理がなされ、液晶パネルが完成する。
【００９２】
図２４は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。なお、図２４においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１、オーバーコート層１０５、柱スペーサー、ＴＦＴアレイ基板２００の配向膜またはカラーフィルター基板１００の配向膜などは、図示が省略される。
【００９３】
図２４においては、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃは導体の性質を示す。また、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体の性質を示す。また、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃ上、すなわち、酸化物半導体膜１０７ｃのカラーフィルター基板１００と接触する側とは反対側の面には、酸化シリコン膜１１０が形成される。
【００９４】
カラーフィルター基板１００の、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体膜である。よって、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１上の絶縁膜２０３が異物などで傷つくことでその絶縁性が低下し、さらに、高湿環境化で、異物によって形成された絶縁膜２０３における隙間から水分などが浸入した場合であっても、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１とカラーフィルター基板１００の対向電極との間に導通回路が形成されない。よって、電気腐食による断線などの不良を防止することができる。
【００９５】
また、水分ではなく金属系の異物（すなわち導体異物）が絶縁膜における隙間から浸入した場合であっても、対向電極が絶縁膜であるため、同様に導通することはない。
【００９６】
＜第４実施形態＞
本実施形態に関する表示装置の一例としての液晶表示装置について説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
【００９７】
＜製造方法＞
第３実施形態では、対向電極上に酸化シリコン膜１１０を形成された構造が示されたが、本実施形態では、対向電極の下に酸化シリコン膜１１０ａが形成される構造について説明する。
【００９８】
図２５から図３０は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【００９９】
図２５および図２６は、第３実施形態における場合と同様であるので、説明を省略する。
【０１００】
図１は、本実施形態に関するカラーフィルター基板における構造を例示する平面図である。図１において、シール部材１０６に囲まれた液晶が封入される領域を表示領域とし、表示領域の外縁がシール部材１０６のたとえば中心部まで拡張された領域を領域Ｂとし、領域Ｂの外側の領域を領域Ａとすることができる。また、図１におけるＺ−Ｚ’は、カラーフィルター基板１００の基板端から表示領域内にまで達する部分に相当する。
【０１０１】
図２は、本実施形態に関するＴＦＴアレイ基板の端子配線の様子を例示する図である。図２におけるシール部材１０６は、カラーフィルター基板１００におけるシール部材１０６がＴＦＴアレイ基板２００に貼り付けられた状態を示すものである。同様に、図２における領域Ａおよび領域Ｂは、カラーフィルター基板１００における領域Ｂ、および、領域Ｂの外側の領域である領域Ａに対応するものである。
【０１０２】
次に、図２７に例示されるように、シール部材１０６の一部を含む基板端側の領域に相当する領域Ａを、たとえばメタルマスク１０９ａで遮蔽する。そして、たとえばＣＶＤ装置を用いて、酸化シリコン膜を膜厚５０ｎｍ程度でデポ処理する。
【０１０３】
マスクされていない、シール部材１０６の一部を含む領域Ｂにおいて、酸化シリコン膜１１０ａが形成される。
【０１０４】
次に、図２８に例示されるように、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｂがカラーフィルター基板１００の全面に形成される。具体的には、スパッタ装置を用いて、ＩＧＺＯが８０ｎｍ程度成膜される。対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｂは、１×１０２Ω・ｃｍ程度以上、かつ、１×１０５Ω・ｃｍ程度以下の比抵抗であることが望ましい。
【０１０５】
次に、図２９に例示されるように、たとえばプラズマ装置を用いて、カラーフィルター基板１００の全面に少なくともＮ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。この処理を行うことで、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｄの比抵抗は、１×１０７Ω・ｃｍ程度以上となり、半導体から絶縁体へと性質が変化する。
【０１０６】
次に、図３０に例示されるように、たとえば低圧水銀灯を用いて、カラーフィルター基板１００の全面に紫外線（ＵＶ）を照射する。この処理を行うことで、酸化シリコン膜１１０ａと接触する対向電極のみが、絶縁体から導体に変化する。この際の比抵抗は１×１０−２Ω・ｃｍ程度以下となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは酸化物半導体膜１０７ｃは導体であり、シール部材から外側の領域Ａでは酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体となる。
【０１０７】
以降の工程の図示は省略されるが、次に、必要に応じてギャップ形成用の柱スペーサーが形成される。このようにして、カラーフィルター基板が完成する。なお、柱スペーサーは、粒子散布によるスペーサーであってもよい。
【０１０８】
次に、カラーフィルター基板１００の表示領域とＴＦＴアレイ基板２００とに、配向膜としてのポリイミドなどの樹脂膜が形成される。そして、それぞれの樹脂膜の表面をラビングする配向処理が施される。
【０１０９】
次に、シール部材１０６を用いて、ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルター基板１００とが対向するように基板同士が貼り合わせられる。
【０１１０】
次に、シール部材１０６の内側の空間である表示領域に液晶が注入された後、封止および必要な処理がなされ、液晶パネルが完成する。
【０１１１】
図３１は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。なお、図３１においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１、オーバーコート層１０５、柱スペーサー、ＴＦＴアレイ基板２００の配向膜またはカラーフィルター基板１００の配向膜などは、図示が省略される。
【０１１２】
図３１においては、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃは導体の性質を示す。また、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体の性質を示す。また、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃの下、すなわち、カラーフィルター基板１００と酸化物半導体膜１０７ｃとの間には、酸化シリコン膜１１０ａが形成される。
【０１１３】
カラーフィルター基板１００の、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体膜である。よって、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１上の絶縁膜２０３が異物などで傷つくことでその絶縁性が低下し、さらに、高湿環境化で、異物によって形成された絶縁膜２０３における隙間から水分などが浸入した場合であっても、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１とカラーフィルター基板１００の対向電極との間に導通回路が形成されない。よって、電気腐食による断線などの不良を防止することができる。
【０１１４】
また、水分ではなく金属系の異物（すなわち導体異物）が絶縁膜における隙間から浸入した場合であっても、対向電極が絶縁膜であるため、同様に導通することはない。
【０１１５】
＜第５実施形態＞
本実施形態に関する表示装置の一例としての液晶表示装置について説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
【０１１６】
＜製造方法＞
図３２から図３７は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【０１１７】
図３２から図３５までは、第４実施形態における場合と同様であるので、説明を省略する。
【０１１８】
次に、図３６に例示されるように、たとえば低圧水銀灯を用いて、カラーフィルター基板１００の全面に紫外線（ＵＶ）を照射する。この処理を行うことで、酸化シリコン膜１１０ａと接触する対向電極のみが、絶縁体から導体に変化する。この際の比抵抗は１×１０−２Ω・ｃｍ程度以下となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは酸化物半導体膜１０７ｃは導体であり、シール部材から外側の領域Ａでは酸化物半導体膜１０７ｂは半導体のままとなる。
【０１１９】
次に、図３７に例示されるように、シール部材１０６の一部を含む領域Ｂを、たとえばメタルマスク１０９で遮蔽する。そして、たとえばプラズマ装置を用いて、カラーフィルター基板１００の全面に少なくともＮ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。
【０１２０】
マスクされていない、シール部材１０６の一部を含む基板端側の領域Ａにおいて、対向電極となる酸化物半導体膜１０７ｄの性質が半導体から絶縁体へ変化する。この際の酸化物半導体膜１０７ｄの比抵抗は、１×１０７Ω・ｃｍ程度以上となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは酸化物半導体膜１０７ｃは導体であり、シール部材から外側の領域Ａでは酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体となる。
【０１２１】
以降の工程の図示は省略されるが、次に、必要に応じてギャップ形成用の柱スペーサーが形成される。このようにして、カラーフィルター基板が完成する。なお、柱スペーサーは、粒子散布によるスペーサーであってもよい。
【０１２２】
次に、カラーフィルター基板１００の表示領域とＴＦＴアレイ基板２００とに、配向膜としてのポリイミドなどの樹脂膜が形成される。そして、それぞれの樹脂膜の表面をラビングする配向処理が施される。
【０１２３】
次に、シール部材１０６を用いて、ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルター基板１００とが対向するように基板同士が貼り合わせられる。
【０１２４】
次に、シール部材１０６の内側の空間である表示領域に液晶が注入された後、封止および必要な処理がなされ、液晶パネルが完成する。
【０１２５】
図３１は、図１から図３のＺ−Ｚ’部分に相当する構造を例示する断面図である。なお、図３１においては、赤色材１０２、緑色材１０３、青色材１０４、ブラックマトリクス１０１、オーバーコート層１０５、柱スペーサー、ＴＦＴアレイ基板２００の配向膜またはカラーフィルター基板１００の配向膜などは、図示が省略される。
【０１２６】
図３１においては、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃは導体の性質を示す。また、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体の性質を示す。また、領域Ｂにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｃの下、すなわち、カラーフィルター基板１００と酸化物半導体膜１０７ｃとの間には、酸化シリコン膜１１０ａが形成される。
【０１２７】
カラーフィルター基板１００の、領域Ａにおける対向電極としての酸化物半導体膜１０７ｄは絶縁体膜である。よって、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１上の絶縁膜２０３が異物などで傷つくことでその絶縁性が低下し、さらに、高湿環境化で、異物によって形成された絶縁膜２０３における隙間から水分などが浸入した場合であっても、ＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１とカラーフィルター基板１００の対向電極との間に導通回路が形成されない。よって、電気腐食による断線などの不良を防止することができる。
【０１２８】
また、水分ではなく金属系の異物（すなわち導体異物）が絶縁膜における隙間から浸入した場合であっても、対向電極が絶縁膜であるため、同様に導通することはない。
【０１２９】
＜効果＞
以下に、上記の実施形態による効果を例示する。
【０１３０】
上記の実施形態によれば、表示装置が、アレイ基板としてのＴＦＴアレイ基板２００と、電極としての端子配線２０１と、絶縁膜２０３と、カラーフィルター基板１００と、酸化物半導体膜１０７ｃおよび酸化物半導体膜１０７ｄと、シール部材１０６とを備える。
【０１３１】
端子配線２０１は、ＴＦＴアレイ基板２００の表面に形成される。絶縁膜２０３は、端子配線２０１を覆って形成される。
【０１３２】
酸化物半導体膜１０７ｃおよび酸化物半導体膜１０７ｄは、カラーフィルター基板１００の表面に形成される。
【０１３３】
シール部材１０６は、互いに向かい合う絶縁膜２０３と酸化物半導体膜との間に位置し、かつ、絶縁膜２０３と酸化物半導体膜とを貼り合わせる。
【０１３４】
ここで、ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルター基板１００とに挟まれ、かつ、平面視において、シール部材１０６に囲まれる領域を表示領域とする。
【０１３５】
そして、酸化物半導体膜のうちの、表示領域に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｃが導体であり、表示領域の外側に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｄが絶縁体である。
【０１３６】
このような構成によれば、カラーフィルター基板１００の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加せずに、ＴＦＴアレイ基板２００における端子配線２０１の絶縁性を維持することができる。
【０１３７】
具体的には、カラーフィルター基板１００の表面に形成される酸化物半導体膜は、表示領域に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｃが導体であり、表示領域の外側に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｄが絶縁体であるため、表示領域の外側において異物１００１によって絶縁膜２０３が傷つけられ端子配線２０１がむき出しになった場合でも、水分１００２などによってカラーフィルター基板１００の対向電極とＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１との間に導通回路が形成されることが抑制される。よって、電気腐食による断線などの不具合の発生を防止することができる。
【０１３８】
また、酸化物半導体の特性を利用して、表示領域の外側において絶縁体を形成したため、カラーフィルター基板１００の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加する必要がない。
【０１３９】
なお、これらの構成以外の本明細書に示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、これらの構成のみで、上記の効果を生じさせることができる。しかし、本明細書に示される他の構成のうちの少なくとも１つを上記の構成に適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては記載されなかった本明細書に示される他の構成を上記の構成に追加した場合でも、同様に上記の効果を生じさせることができる。
【０１４０】
また、上記の実施形態によれば、表示装置が、酸化物半導体膜のうちの、表示領域に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｃの表面に形成される酸化シリコン膜１１０を備える。
【０１４１】
このような構成によれば、紫外線（ＵＶ）を照射することによって、酸化シリコン膜１１０と接触する酸化物半導体膜１０７ｃのみが導体となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは導体である酸化物半導体膜１０７ｃが形成され、シール部材から外側の領域Ａでは絶縁体である酸化物半導体膜１０７ｄが形成される。
【０１４２】
また、上記の実施形態によれば、表示装置が、カラーフィルター基板１００の、表示領域に対応する部分の表面に形成される酸化シリコン膜１１０ａを備える。
【０１４３】
そして、酸化物半導体膜１０７ｃは酸化シリコン膜１１０ａを覆う。また、酸化物半導体膜１０７ｄはカラーフィルター基板１００の表面に形成される。
【０１４４】
このような構成によれば、紫外線（ＵＶ）を照射することによって、酸化シリコン膜１１０ａと接触する酸化物半導体膜１０７ｃのみが導体となる。すなわち、対向電極の領域Ｂでは導体である酸化物半導体膜１０７ｃが形成され、シール部材から外側の領域Ａでは絶縁体である酸化物半導体膜１０７ｄが形成される。
【０１４５】
また、上記の実施形態によれば、表示装置の製造方法において、ＴＦＴアレイ基板２００の表面に端子配線２０１を形成する。そして、端子配線２０１を覆う絶縁膜２０３を形成する。
【０１４６】
また、カラーフィルター基板１００の表面に酸化物半導体膜を形成する。そして、シール部材１０６を用いて、互いに向かい合う絶縁膜２０３と酸化物半導体膜とを貼り合わせる。
【０１４７】
ここで、ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルター基板１００とに挟まれ、かつ、平面視において、シール部材１０６に囲まれる領域を表示領域とする。
【０１４８】
そして、酸化物半導体膜は、表示領域に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｃが導体であり、表示領域の外側に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｄが絶縁体である。
【０１４９】
このような構成によれば、カラーフィルター基板１００の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加せずに、ＴＦＴアレイ基板２００における端子配線２０１の絶縁性を維持することができる。
【０１５０】
具体的には、カラーフィルター基板１００の表面に形成される酸化物半導体膜は、表示領域に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｃが導体であり、表示領域の外側に対応する部分である酸化物半導体膜１０７ｄが絶縁体であるため、表示領域の外側において異物１００１によって絶縁膜２０３が傷つけられ端子配線２０１がむき出しになった場合でも、水分１００２などによってカラーフィルター基板１００の対向電極とＴＦＴアレイ基板２００の端子配線２０１との間に導通回路が形成されることが抑制される。よって、電気腐食による断線などの不具合の発生を防止することができる。
【０１５１】
また、酸化物半導体の特性を利用して、表示領域の外側において絶縁体を形成したため、カラーフィルター基板１００の周辺部における対向電極を形成しないための工程を追加する必要がない。
【０１５２】
なお、これらの構成以外の本明細書に示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、これらの構成のみで、上記の効果を生じさせることができる。しかし、本明細書に示される他の構成のうちの少なくとも１つを上記の構成に適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては記載されなかった本明細書に示される他の構成を上記の構成に追加した場合でも、同様に上記の効果を生じさせることができる。
【０１５３】
また、上記の実施形態によれば、表示装置の製造方法において、酸化物半導体膜の表示領域に対応する部分に、水素を含むガスを用いたプラズマ処理を行う。また、酸化物半導体膜の表示領域の外側に対応する部分に、Ｎ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。
【０１５４】
このような構成によれば、酸化物半導体膜の表示領域に対応する部分においては、導体である酸化物半導体膜１０７ｃが形成される。また、酸化物半導体膜の表示領域の外側に対応する部分においては、絶縁体である酸化物半導体膜１０７ｄが形成される。
【０１５５】
また、上記の実施形態によれば、表示装置の製造方法において、酸化物半導体膜の表示領域に対応する部分に、紫外線処理を行う。また、酸化物半導体膜の表示領域の外側に対応する部分に、Ｎ２Ｏを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。
【０１５６】
このような構成によれば、酸化物半導体膜の表示領域に対応する部分においては、導体である酸化物半導体膜１０７ｃが形成される。また、酸化物半導体膜の表示領域の外側に対応する部分においては、絶縁体である酸化物半導体膜１０７ｄが形成される。
【０１５７】
＜変形例＞
上記実施形態では、酸化物半導体の例としてＩｎＧａＺｎＯからなる酸化物半導体が示されたが、酸化物半導体の例はこれに限られるものではない。すなわち、たとえばＩｎＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＩｎＳｎＯ系、ＩｎＳｎＺｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＳｎＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＨｆ（ハフニウム）ＺｎＯ系、ＩｎＺｒ（ジルコニウム）ＺｎＯ系、ＩｎＭｇ（マグネシウム）ＺｎＯ系またはＩｎＹ（イットリウム）ＺｎＯ系などの酸化物半導体膜が用いられてもよい。これらの酸化物半導体材料が用いられた場合でも、上記実施形態におけるＩｎＧａＺｎＯ系酸化物半導体膜が用いられた場合と同様の効果を生じさせることができる。
【０１５８】
第３実施形態では、酸化シリコン膜がメタルマスクを用いて成膜されたが、写真製版装置を用いてレジストを形成し、さらに、ドライエッチング装置またはウェットエッチング装置を用いて領域Ａに対応する部分のエッチングを行うことによって、酸化シリコン膜が除去されてもよい。
【０１５９】
第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態では、カラーフィルター基板として一般的なカラーフィルターの構造例が説明されたが、異なる構造のカラーフィルターであってもよい。さらに、カラーフィルターを含まないカラーフィルター基板であってもよい。
【０１６０】
第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態では、液晶が真空注入される例が示されたが、滴下注入などの他の方法であってもよい。
【０１６１】
第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態では、配向膜が形成され、さらにラビング処理される場合が示されたが、光配向などの他の方法が実施されてもよい。
【０１６２】
上記の実施形態におけるＮ２Ｏプラズマ処理は、少なくともＮ２Ｏを含むガスを用いられるものであればよい。また、上記の実施形態におけるＨ２プラズマ処理は、少なくとも水素を含むガスが用いられるものであればよい。たとえば、アンモニア（ＮＨ３）が用いられてもよい。
【０１６３】
上記の実施形態における紫外線（ＵＶ）処理は、低圧水銀灯が用いられる場合が示されたが、紫外レーザー、高圧水銀灯または超高圧水銀灯などの紫外線（ＵＶ）ランプが用いられてもよい。たとえば、４８０ｎｍ程度以下の紫外光を発するものが用いられればよい。
【０１６４】
上記のプラズマ処理では、限定的な部分処理を行うためにメタルマスクが用いられたが、限定的な部分処理を行うことができる装置であればそれが用いられてもよい。
【０１６５】
上記の実施形態では、領域Ａと領域Ｂとの境界は、酸化物半導体膜の、シール部材１０６と接触する表面（ほぼ中央）に位置したが、シール部材の内側の表示領域の外縁部に領域Ａと領域Ｂとの境界が位置してもよい。また、シール部材内のどこに領域Ａと領域Ｂとの境界が位置してもよい。
【０１６６】
上記の実施形態では、ＩＧＺＯの膜厚は８０ｎｍ程度とされたが、少なくとも５ｎｍ程度以上であればよい。ＩＧＺＯの膜厚が５ｎｍ程度未満である場合、膜全体の抵抗値が高くなり、電極としての機能が十分に発揮できない。
【０１６７】
一方で、ＩＧＺＯの膜厚の上限値は１μｍ程度以下とする。ＩＧＺＯの膜厚が厚い場合は、生産性が低下する。また、ＩＧＺＯの膜厚が厚い場合は、透過率が低くなる。よって、ＩＧＺＯの膜厚は、製品仕様に応じて適宜決定される。一般的には、１０ｎｍ程度以上５００ｎｍ程度以下とすることが好ましい。
【０１６８】
上記の実施形態では、酸化シリコン膜の膜厚は５０ｎｍ程度とされたが、少なくとも１ｎｍ程度以上であればよい。酸化シリコン膜の膜厚が１ｎｍ程度未満である場合、均一な膜を形成することが難しくなり、上記の実施形態における効果を十分に発揮できない。
【０１６９】
一方で、酸化シリコン膜の膜厚の上限値は１μｍ程度以下とする。酸化シリコン膜の膜厚が厚い場合は、生産性が低下する。また、酸化シリコン膜の膜厚が厚い場合は、ＩＧＺＯ膜の下側に酸化シリコン膜が形成される第４実施形態で酸化シリコン膜の段差が大きくなり、ＩＧＺＯ膜のカバレッジが悪くなる。また、第３実施形態のように、ＩＧＺＯ膜の上側に酸化シリコン膜が形成される場合は、液晶に印加される電界の低下を招き、表示品質が劣化する。したがって、酸化シリコン膜の膜厚は、一般的には、５００ｎｍ程度以下とするのが好ましい。
【０１７０】
第３実施形態、第４実施形態および第５実施形態では、紫外線（ＵＶ）照射は、カラーフィルター基板のガラス面が位置する側の反対側から実施された。しかし、紫外線（ＵＶ）照射は、カラーフィルター基板のガラス面が位置する側から実施されてもよい。その場合であっても、酸化物半導体膜が、半導体または絶縁体から導体へ変化するという効果に変わりはない。
【０１７１】
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本明細書に記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれる。
【０１７２】
また、矛盾が生じない限り、上記実施形態において「１つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「１つ以上」備えられていてもよい。さらに、各構成要素は概念的な単位であって、１つの構成要素が複数の構造物から成る場合と、１つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合と、さらには、複数の構成要素が１つの構造物に備えられる場合とを含む。また、各構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれる。
【０１７３】
また、本明細書における説明は、本技術に関するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。
【０１７４】
また、上記実施形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
【符号の説明】
【０１７５】
１００  カラーフィルター基板、１０１  ブラックマトリクス、１０２  赤色材、１０３  緑色材、１０４  青色材、１０５  オーバーコート層、１０６  シール部材、１０７，１０７ａ  対向電極、１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄ  酸化物半導体膜、１０８  保護膜、１０９，１０９ａ  メタルマスク、１１０，１１０ａ  酸化シリコン膜、２００  ＴＦＴアレイ基板、２０１  端子配線、２０２  外部接続端子、２０３  絶縁膜、１０００  液晶、１００１  異物、１００２  水分、Ａ，Ｂ  領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【国際調査報告】
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2017002655.tif 000041
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