(57)【要約】  ウエハに与える影響を抑制しつつ高い信頼度でウエハ同士を接合することができるウエハの接合方法を提供する。ウエハの接合方法は、第１剛性率を有する第１金属層を表面に形成した第１ウエハと、第１剛性率よりも高い第２剛性率を有する第２金属層を表面に形成した第２ウエハと、を用意する工程と、第１金属層の表面の酸化膜を除去しない一方で、第２金属層の表面の酸化膜を除去する工程と、第１ウエハの表面と第２ウエハの表面とを接合する工程と、を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１剛性率を有する第１金属層を表面に形成した第１ウエハと、前記第１剛性率よりも高い第２剛性率を有する第２金属層を表面に形成した第２ウエハと、を用意する工程と、
前記第１金属層の表面の酸化膜を除去しない一方で、前記第２金属層の表面の酸化膜を除去する工程と、
前記第１ウエハの前記表面と前記第２ウエハの前記表面とを接合する工程と、を含むウエハの接合方法。
【請求項２】
前記第１金属層はアルミニウムを主成分とする金属から形成され、前記第２金属層はゲルマニウムを主成分とする金属から形成される、請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項３】
前記アルミニウムを主成分とする金属は、アルミニウムと銅とから成る合金又は、アルミニウムとシリコンと銅とから成る合金である、請求項２に記載のウエハの接合方法。
【請求項４】
前記第１ウエハには圧電共振子が形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のウエハの接合方法。
【請求項５】
第１剛性率を有する第１金属層を表面に形成した第１ウエハと、前記第１剛性率よりも高い第２剛性率を有する第２金属層を表面に形成した第２ウエハと、を用意する工程と、
前記第１金属層の表面の酸化膜を除去しない一方で、前記第２金属層の表面の酸化膜を除去する工程と、
前記第１ウエハの前記表面と前記第２ウエハの前記表面とを接合する工程と、を含み、
前記第１ウエハには圧電共振子が形成されている、圧電共振装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１ウエハの表面に形成された第１金属層と、第２ウエハの表面に形成された第２金属膜と、を接合することによって第１ウエハと第２ウエハとを互いに接合するウエハの接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ同士を接合する際に例えば共晶接合が実施される。ウエハの表面に形成された金属層の接合面は大気中で酸化され、接合面に酸化膜が形成される。この酸化膜はウエハ同士の接合を阻害することが知られている。この接合の阻害の回避にあたって、特許文献１や特許文献２では、接合対象である第１ウエハの金属層の接合面及び第２ウエハの金属層の接合面の両方に、例えば希フッ酸やフォーミングガス、スパッタリングによって酸化膜を除去又は還元する前処理が実施されている。【０００３】
その一方で、非特許文献１では、接合対象である第１ウエハの金属層の接合面及び第２ウエハの金属層の接合面のいずれにも、酸化膜を除去又は還元する前処理は実施されていない。その代わり、非特許文献１では、接合時、互いに重ね合わせられた１対のウエハに比較的大きな荷重を作用させて両金属層の接合面に機械的衝撃を加え、酸化膜を機械的に破壊することによって、酸化膜を除去すると同時に接合面同士を共晶接合している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４４２５７０号明細書
【特許文献２】特開２０１４−１０７３９３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】EV Group (EVG)、「Wafer Bonding Processes for the Manufacture of MEMS devices for the Mobile Applications」、SEMICON Taiwan 2012、２０１２年９月５日〜７日
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１及び２では、一方のウエハが、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）ウエハの圧電共振子である場合、酸化膜を除去又は還元する前処理が圧電共振子にも実施されると、この前処理によって圧電共振子の振動特性が、許容することができない程度まで変化してしまうことがある。また、非特許文献１では、高荷重の機械的衝撃がウエハ自体の割れなどを生じさせることがある。【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ウエハに与える影響を抑制して高い信頼度でウエハ同士を接合することができるウエハの接合方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面に係るウエハの接合方法は、
第１剛性率を有する第１金属層を表面に形成した第１ウエハと、前記第１剛性率よりも高い第２剛性率を有する第２金属層を表面に形成した第２ウエハと、を用意する工程と、
前記第１金属層の表面の酸化膜を除去しない一方で、前記第２金属層の表面の酸化膜を
除去する工程と、
前記第１ウエハの表面と前記第２ウエハの表面とを接合する工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ウエハに与える影響を抑制しつつ高い信頼度でウエハ同士を接合することができるウエハの接合方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一具体例に係る圧電共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】一具体例に係る圧電共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。
【図３】上側基板を取り外した圧電共振装置の平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る圧電共振装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る圧電共振装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る圧電共振装置の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付の図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図１は、一具体例に係る圧電共振装置１０の外観を概略的に示す斜視図である。この圧電共振装置１０は、下側基板１１と、下側基板１１との間に振動空間を形成する上側基板１２と、下側基板１１及び上側基板１２の間に挟み込まれて保持される圧電共振子１３と、を備えている。圧電共振子１３は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ共振子である。この圧電共振装置１０は、例えばスマートフォンなどの電子機器内に組み込まれるタイミングデバイスとして機能する。
【００１２】
図２は、一具体例に係る圧電共振装置１０の構造を概略的に示す分解斜視図である。図２に示すように、圧電共振子１３は、図２の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って矩形の枠状に広がる支持枠１４と、支持枠１４の一端から支持枠１４内にＸＹ平面に沿って平板状に広がる基部１５と、基部１５の一端に接続された固定端から自由端に向かってＸＹ平面に沿って延びる複数の振動腕１６ａ〜１６ｄと、を備えている。本実施形態では、Ｙ軸に平行に４本の振動腕１６ａ〜１６ｄが延びている。なお、振動腕の数は、４本に限定されず、例えば４本以上の任意の数に設定される。
【００１３】
図３は、上側基板１２を取り外した圧電共振装置１０の平面図である。図２及び図３を併せて参照すると、各振動腕１６ａ〜１６ｄは、角柱形状に形成され、それぞれ同一のサイズを有している。下側基板１１は、ＸＹ平面に沿って広がる平板状の底板１７と、底板１７の周縁部からＺ軸方向に立ち上がる側壁１８と、を備えている。下側基板１１の内面すなわち底板１７の表面と側壁１８の内面とによって凹部１９が形成される。凹部１９は振動腕１６ａ〜１６ｄの振動空間の一部を形成する。
【００１４】
図４は、図３の４−４線に沿った圧電共振装置１０の断面図である。図４を併せて参照すると、一具体例に係る圧電共振装置１０では、下側基板１１の側壁１８上に圧電共振子１３の支持枠１４が受け止められ、圧電共振子１３上に上側基板１２が覆い被さる。こうして下側基板１１と上側基板１２との間に圧電共振子１３が保持され、下側基板１１と上側基板１２と圧電共振子１３の支持枠１４とによって振動腕１６ａ〜１６ｄの振動空間が形成される。この振動空間は気密に保持され、真空状態が維持されている。上側基板１２は例えば平板状に形成されている。なお、振動空間をさらに大きく確保するため、上側基板１２の内面に例えば５０μｍ程度の深さの凹部（図示せず）を形成してもよい。
【００１５】
下側基板１１の底板１７及び側壁１８はＳｉ（シリコン）から一体的に形成されている。側壁１８の上面には酸化ケイ素膜（例えばＳｉＯ2（二酸化ケイ素）膜）２１が形成されており、この酸化ケイ素膜２１は、下側基板１１と圧電共振子１３の支持枠１４との間の接合のために用いられる。Ｚ軸方向に規定される下側基板１１の厚みは例えば１５０μｍ、凹部１９の深さは例えば５０μｍに設定される。
【００１６】
圧電共振子１３では、支持枠１４や基部１５、振動腕１６ａ〜１６ｄは、Ｓｉ（シリコン）層２２と、Ｓｉ層２２上に積層されたＡｌＮ（窒化アルミニウム）層２３とから形成されている。振動腕１６ａ〜１６ｄについて、Ｙ軸方向に規定される長さは例えば５００μｍ程度、Ｘ軸方向に規定される幅例えば５０μｍ程度、Ｚ軸方向に規定される厚みは例えば６μｍ程度に設定される。
【００１７】
各振動腕１６ａ〜１６ｄは、前述のＡｌＮ層２３の上面及び下面にＡｌＮ層２３を挟み込むように形成された第１及び第２Ｍｏ（モリブデン）層２４、２５を備えている。第１及び第２Ｍｏ層２４、２５は第１及び第２電極を形成する。また、Ｍｏ層２５の上にはＡｌＮ層２３´が積層されている。第１及び第２Ｍｏ層２４、２５は、例えば圧電共振子１３の外部に設けられた交流電源（図示せず）に接続されている。接続にあたって、例えば上側基板１２の外面に形成された電極（図示せず）や上側基板１２内に形成されたスルーシリコンビア（ＴＳＶ）（図示せず）が用いられる。ＡｌＮ層２３´はＭｏ層２５を保護するための層である。なお、ＡｌＮ層２３´は絶縁体から成る層であれば、窒化アルミニウムに限定されない。
【００１８】
ＡｌＮ層２３は、印加される電圧を振動に変換する圧電膜である。ＡｌＮ層２３に代えて、例えばＳｃＡｌＮ（窒化スカンジウムアルミニウム）層が用いられてもよい。ＡｌＮ層２３は、第１及び第２Ｍｏ層２４、２５によってＡｌＮ層２３に印加される電界に応じて、ＸＹ平面の面内方向すなわちＹ軸方向に伸縮する。このＡｌＮ層２３の伸縮によって、振動腕１６ａ〜１６ｄは、ＸＹ平面に対して垂直方向（Ｚ軸方向）に屈曲変位する。すなわち、振動腕１６ａ〜１６ｄは、下側基板１１及び上側基板１２の内面に向かってその自由端を変位させ、面外の屈曲振動モードで振動する。
【００１９】
一具体例に係る圧電共振装置１０では、図４から明らかなように、外側の振動腕１６ａ、１６ｄに印加される電界の位相と、内側の振動腕１６ｂ、１６ｃに印加される電界の位相とが互いに逆位相になるように設定されることによって、外側の振動腕１６ａ、１６ｄと内側の振動腕１６ｂ、１６ｃとが互いに逆方向に変位する。例えば外側の振動腕１６ａ、１６ｄが上側基板１２の内面に向かって自由端を変位させると、内側の振動腕１６ｂ、１６ｃは下側基板１１の内面に向かって自由端を変位させる。
【００２０】
上側基板１２は、ＸＹ平面に沿って広がる所定の厚みの平板状のＳｉ（シリコン）から形成されている。図４から明らかなように、上側基板１２はその周縁部で圧電共振子１３の支持枠１４上に受け止められている。圧電共振子１３の支持枠１４の上面に形成された第１金属層２６と、上側基板１２の下面の周縁部に形成された第２金属２７と、の共晶接合によって圧電共振子１３と上側基板１２とが接合されている。
【００２１】
なお、第１金属層は、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とする金属から形成されることが好ましく、第２金属層は、Ｇｅ（ゲルマニウム）を主成分とする金属から形成されることが好ましい。Ａｌを主成分とする金属は、Ａｌを重量比率で９５ｗｔ％以上含む金属をいう。またＧｅを主成分とする金属は、Ｇｅを重量比率で９５ｗｔ％以上含む金属をいう。
【００２２】
本実施形態においては、一例として、第１金属層をＡｌ膜２６とし、第２金属層をＧｅ膜２７として説明する。
【００２３】
なお、より好適には、第１金属層はＡｌＣｕ（アルミニウム − 銅合金）膜またはＡｌＳｉＣｕ（アルミニウム − シリコン − 銅合金）膜で形成される。この場合例えば、Ｃｕの重量比率は例えば、０．５％ｗｔや１．０％ｗｔである。
【００２４】
第１金属層にＡｌＣｕ膜やＡｌＳｉＣｕ膜を用いる場合、Ａｌのマイグレーションやヒロックは、接合工程あるいはそれ以前の工程における熱処理において抑制される。従って、第１金属層としてＡｌＣｕ膜やＡｌＳｉＣｕ膜を用いた場合には、局所的にボイドが発生することを防ぐことが可能になる。
【００２５】
次に、本発明の一実施形態に係る圧電共振装置１０の製造方法について以下に説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る圧電共振装置１０の製造方法を説明するための断面図である。図５（ａ）に示すように、まず、平板状のウエハすなわち下側ウエハ３１を用意する。下側ウエハ３１は、例えばシリコンから成る。下側ウエハ３１には、所定の間隔で配列された複数の区画が規定され、各区画が下側基板１１に対応する。本実施形態では、説明の便宜上、１つの区画のみを図示する。図５（ｂ）に示すように、下側ウエハ３１の平坦な上面に例えばエッチングによって所定の深さの凹部１９が形成される。凹部１９の形成と同時に下側ウエハ３１には複数の下側基板１１が形成される。
【００２６】
その後、図５（ｃ）に示すように、側壁１８の上面に接合用の酸化ケイ素膜２１がパターニングされる。次に、図５（ｄ）に示すように、酸化ケイ素膜２１上に平板状のＳｉ基板３２を例えば直接接合によって接合する。続いて、図５（ｅ）に示すように、Ｓｉ基板３２上に例えばスパッタリングによって第１Ｍｏ膜３３、ＡｌＮ膜３４、第２Ｍｏ膜３５及びＡｌＮ膜３４´が順次成膜される。このとき、第１Ｍｏ膜３３及び第２Ｍｏ膜３５は、Ｓｉ基板３２の上面の全体に形成される必要はなく、例えば第１及び第２電極の形成位置を含む領域のみに形成される。
【００２７】
その後、図６（ａ）に示すように、第１Ｍｏ膜３３、ＡｌＮ膜３４、第２Ｍｏ膜３５及びＡｌＮ膜３４´を例えばドライエッチング又はウェットエッチングすることによって、前述の支持枠１４、基部１５及び振動腕１６ａ〜１６ｄの形状が形成される。このようにして、下側ウエハ３１に区画された複数の下側基板１１の各々の側壁１８上に支持枠１４によって支持された圧電共振子１３が形成される。本実施形態では、下側ウエハ３１上に複数の圧電共振子１３が形成されることで、第１ウエハすなわちＭＥＭＳウエハ３６が構成される。
【００２８】
その後、図６（ｂ）に示すように、上側基板１２との接合箇所である支持枠１４の表面すなわち上面に第１金属層すなわちＡｌ膜２６が成膜される。Ａｌ膜２６は、第１剛性率、すなわち、２６ＧＰａの剛性率を有している。Ａｌ膜２６の表面は大気中で酸化されるので、その表面すなわち接合面にはＡｌの酸化膜（図示せず）が形成される。本実施形態では、Ａｌ膜２６の表面に形成された酸化膜を除去する前処理は実施されない。なお、本実施形態において、酸化膜の「除去」には、例えば酸化膜を「還元」することによって実質的に酸化膜を除去する処理が含まれるものとする。
【００２９】
その後、図６（ｃ）に示すように、第２ウエハすなわち上側ウエハ３７が用意される。上側ウエハ３７は、例えばシリコンから成る。上側ウエハ３７には、所定の間隔で配列された複数の区画が規定され、各区画が上側基板１２に対応する。同時に、各区画は、下側ウエハ３１の下側基板１１の位置に対応付けられている。上側ウエハ３７の支持枠１４との接合箇所には例えばスパッタリングによって第２金属層すなわちＧｅ膜２７が予め形成されている。Ｇｅ膜２７は、第１剛性率より高い第２剛性率、すなわち、４１ＧＰａの剛性率を有している。
【００３０】
Ａｌ膜２６と同様に、Ｇｅ膜２７の表面は大気中で酸化されるので、その表面すなわち接合面にはＧｅの酸化膜（図示せず）が形成される。本実施形態では、Ｇｅ膜２７の表面に形成された酸化膜を除去する前処理が予め実施される。前処理には、例えば、希フッ酸（ＨＦ）によって接合面を洗浄して酸化膜を除去する処理、イオンビーム等によるスパッタリングによって酸化膜を除去する処理、及び、フォーミングガス等によって酸化膜を還元して酸化膜を除去する処理が含まれる。
【００３１】
図７に示すように、ＭＥＭＳウエハ３６の表面に上側ウエハ３７の裏面を向き合わせて、Ａｌ膜２６上にＧｅ膜２７が位置決めされる。下側ウエハ３１、ＭＥＭＳウエハ３６及び上側ウエハ３７は下側ヒータ３８及び上側ヒータ３９に挟み込まれる。下側ヒータ３８及び上側ヒータ３９によって下側ウエハ３１、ＭＥＭＳウエハ３６及び上側ウエハ３７は、所定の時間にわたって例えば４００℃〜４５０℃の温度で加熱される。加熱時、下側ウエハ３１、ＭＥＭＳウエハ３６及び上側ウエハ３７には例えば１５ＭＰａの圧力による荷重が作用する。
【００３２】
このとき、荷重の作用によってＡｌ膜２６及びＧｅ膜２７の接合面には機械的衝撃が加えられる。Ｇｅ膜２７の剛性率はＡｌ膜２６の剛性率よりも高いので、機械的衝撃によってＧｅ膜２７の接合面との接触によってＡｌ膜２６の酸化膜は容易に破壊される。その結果、Ａｌ膜２６の接合面から酸化膜が除去されるので、加熱及び荷重によってＡｌ膜２６とＧｅ膜２７との間で共晶接合が確立される。こうして上側ウエハ３７がＭＥＭＳウエハ３６に接合される。その後、例えばダイシングによって各圧電共振装置１０が切り出され、圧電共振装置１０が製造される。
【００３３】
以上のような圧電共振装置１０の製造方法では、剛性率の高いＧｅ膜２７の酸化膜は前処理によって予め除去されているので、Ａｌ膜２６とＧｅ膜２７との接合時、荷重による機械的衝撃によってＧｅ膜２７が、Ｇｅ膜２７よりも剛性率の低いＡｌ膜２６の酸化膜を容易に破壊することができる。その結果、Ａｌ膜２６の接合面では非酸化状態のＡｌ膜２６が露出するので、Ａｌ膜２６とＧｅ膜２７とを高い信頼度で共晶接合することができる。また、ＭＥＭＳウエハ３６には前処理が実施されないので、ＭＥＭＳウエハ３６に与える影響、すなわち、圧電共振子１３の振動特性に与える影響は最小限に抑制される。
【００３４】
これに対して、上記非特許文献１に開示の技術では、接合前にＡｌ膜の接合面及びＧｅ膜の接合面の両方で酸化膜が除去せず、接合にあたってＡｌ膜及びＧｅ膜に作用する荷重を大きく設定することによって、Ａｌ膜及びＧｅ膜の酸化膜を機械的に破壊するようにしている。しかしながら、荷重を大きく設定することによって、接合対象であるウエハが割れるといった危険性を増大させてしまう。また、荷重を大きく設定するために、接合機械の設備コストが上昇してしまうことが想定される。
【００３５】
その一方で、本発明では、上述したように、共晶接合の実施時に、剛性率の低いＡｌ膜２６の酸化膜のみを除去することができればよいので、下側ウエハ３１、ＭＥＭＳウエハ３６及び上側ウエハ３７に相対的に小さな荷重を作用させることによって、Ａｌ膜２６とＧｅ膜２７との共晶接合を容易に実現することができる。また、下側ウエハ３１、ＭＥＭＳウエハ３６及び上側ウエハ３７に低荷重を作用させれば足りるので、下側ウエハ３１、ＭＥＭＳウエハ３６及び上側ウエハ３７の割れなどの危険性を著しく低下させることができる。
【００３６】
また、上記特許文献１及び２に記載の技術が、本願のようなＭＥＭＳウエハに適用される場合、希フッ酸による酸化膜の除去の前処理によって、例えば圧電共振子の振動腕の先端同士の付着といったスティッキングを引き起こす。また、希フッ酸やフォーミングガス、スパッタリングによる酸化膜の除去は、Ａｌ膜やＧｅ膜のみならず、圧電共振子を構成するＳｉやＳｉＯ2の酸化膜も同時に除去してしまうため、圧電共振子の振動特性を、許容することができない程度まで変化させてしまうことがある。
【００３７】
その一方で、本発明では、上述したように、剛性率の低いＡｌ膜２６の表面に形成された酸化膜を、共晶接合時に作用する低荷重による機械的衝撃によって除去するようにしているので、Ａｌ膜２６を有するＭＥＭＳウエハ３６には酸化膜の除去のための前処理は必要とされない。従って、本発明のウエハの接合方法によれば、振動腕１６〜１６ｄのスティッキングや、除去する必要のない酸化膜の除去といった不都合を確実に回避することができる。その結果、圧電共振子１３の振動特性を変化させる可能性を最小限に抑制することができる。
【００３８】
本発明者らは本発明のウエハの接合方法の効果を検証した。検証にあたって、本発明者らは第１〜第３サンプルを用意した。各サンプルでは、Ｓｉ、ＡｌＮ、Ａｌをそれぞれ５２５μｍ、０．５μｍ、０．９μｍの膜厚で積層した第１ウエハと、Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｔｉ、Ｇｅをそれぞれ５２５μｍ、０．５μｍ、０．１μｍ、０．５μｍの膜厚で積層した第２ウエハと、をそれぞれ用意した。第１ウエハは上述のＭＥＭＳウエハ３６に対応し、第２ウエハは上述の上側ウエハ３７に対応する。
【００３９】
検証にあたって、各サンプルに対して実施する前処理（酸化膜の除去処理）に関する条件を変更した。第１サンプルでは、Ａｌの接合面及びＧｅの接合面の両方に対して前処理を実施しなかったのに対して、第２サンプルでは、Ａｌの接合面及びＧｅの接合面の両方に対して前処理を実施した。また、第３サンプルでは、Ａｌの接合面に前処理を実施しなかったのに対して、Ｇｅの接合面に対して前処理を実施した。すなわち、第３サンプルが本発明の具体例に相当する。
【００４０】
各サンプルにおいて、Ａｌ及びＧｅが接触するように第１ウエハ及び第２ウエハを重ね合わせ、ヒータによって第１ウエハ及び第２ウエハを、２０分間にわたって４００℃で加熱した後、１５分間にわたって４４０℃で加熱した。加熱中、第１ウエハ及び第２ウエハには１５ＭＰａの圧力で荷重を作用させた。加熱後、Ａｌ及びＧｅの接合面の断面を赤外線（ＩＲ）顕微鏡で観察した。
【００４１】
その結果、前処理を一切実施していない第１サンプルでは、ＡｌとＧｅとの間で共晶反応が無いことを確認した。従って、接合面に対して前処理が実施されなければ、共晶接合を実現することが困難であることが確認された。また、両接合面に前処理を実施した第２サンプルでは共晶反応を確認した。さらに、本発明の具体例である第３サンプルでも共晶反応を確認した。この検証によって、剛性率の高いＧｅ膜の酸化膜を除去するのみでも、ＡｌとＧｅとの間で確実に共晶接合が確立されることを確認することができた。なお、本発明者らは、第３サンプルについては５ＭＰａの圧力でも共晶接合を確認した。また、第１サンプルについて、ＡｌとＧｅとの間で接合を確立するには、本発明の接合荷重の例えば数倍程度の接合荷重が必要とされることが想定される。
【００４２】
なお、上記実施形態に係る圧電共振装置１０は、タイミングデバイスとして機能するように説明されたが、例えばジャイロセンサとして機能するように構成されてもよい。また、ＡｌやＧｅは、Ｓｉの半導体製造ラインの汚染源になりにくい金属材料であるため、接合時の例えば４００℃〜４５０℃程度の温度に耐え得るデバイスであれば、本発明の接合方法及び製造方法を適用することができることは明らかである。
【００４３】
なお、本実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  圧電共振装置
１３  圧電共振子
２６  第１金属層（Ａｌ膜）
２７  第２金属層（Ｇｅ膜）
３１  下側ウエハ
３６  ＭＥＭＳウエハ
３７  上側ウエハ
【図１】
2016080506.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
2016080506.tif 000010
2016080506.tif 000011
2016080506.tif 000012
2016080506.tif 000013