(57)【要約】  湿度の影響を受けにくい配線基板として、配線基板１０１が、基材１９と、複数の電極１１及び導体配線１３と、複数の電極１１及び導体配線１３と接続された複数の取出し配線１５と、を具備し、複数の電極１１と導体配線１３を有した導体パターンＣ２が設けられたビューエリアＶＡと、複数の取出し配線１５が設けられた配線エリアＬＡと、を有し、透明導電性高分子の一部が不導体化されてなる不導体部ＮＣと不導体部ＮＣで区切られた透明導電性高分子からなる導体部ＣＤとを備え、ビューエリアＶＡにおいては、導体パターンＣ２が導体部ＣＤから形成されており、配線エリアＬＡにおいては、取出し配線１５が導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣと重ならないように配置されている配線基板が提供され、この配線基板１０１を備えた静電センサも提供される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、
前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、
前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板において、
透明導電性高分子の一部が不導体化されてなる不導体部と、前記不導体部で区切られた前記透明導電性高分子からなる導体部と、を備え、
前記ビューエリアにおいては、前記導体パターンが前記導体部から形成されており、
前記配線エリアにおいては、前記取出し配線が前記透明導電性高分子よりも低い比抵抗を有する材質からなり、
前記取出し配線が前記導体部及び前記不導体部と重ならないように配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ビューエリアの前記導体パターン間に、前記不導体部の一部が形成されていないトリミング部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板と、
該配線基板の複数の電極と指等の指示体との静電容量を検出する検出部と、
該検出部の検出値に基づいて信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする静電容量センサ。
【請求項４】
基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、
前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板の製造方法において、
前記基材上に透明導電性高分子からなる透明導電層を形成する層形成工程と、
前記透明導電層をパターニングするパターニング工程と、
前記パターニング工程の後、前記複数の取出し配線を形成する配線形成工程と、を備え、
前記パターニング工程は、前記透明導電層上にパターンニングされたレジスト膜を形成する膜形成工程と、
前記透明導電層が晒された部分の前記透明導電性高分子を不導体化して不導体部を形成する不導体化工程と、
前記配線エリアにおける前記不導体部を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、
前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、
前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板の製造方法において、
前記基材上の前記ビューエリアに透明導電性高分子からなる透明導電層を形成する層形成工程と、
前記透明導電層をパターニングするパターニング工程と、
前記パターニング工程の後、前記複数の取出し配線を形成する配線形成工程と、を備え、
前記パターニング工程は、前記透明導電層上にパターンニングされたレジスト膜を形成する膜形成工程と、
前記透明導電層が晒された部分の前記透明導電性高分子を不導体化し、不導体化された不導体部と、前記不導体部で区切られた前記透明導電性高分子からなる導体部と、を形成するパターン化工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
レーザ光を用いて、前記ビューエリアの前記導体パターン間に、前記不導体部の一部が形成されていないトリミング部を形成するレーザ加工工程を有していることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性高分子を用いた配線基板、この配線基板の製造方法、及びこの配線基板を用いた静電容量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電性高分子を用いた配線基板は、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、現金自動預払機（ＡＴＭ）等の表示装置を備えた電子機器において、操作パネル表面の所望位置に操作者がペンや指を触接させることにより、表示装置における二次元座標データを指示する入力装置に用いられている。特に、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の表示装置の画面に重ねて設置可能な、それ自体透明な構造を有する入力装置は、タッチパネルの呼称で広く利用されており、近年、携帯電話機能を有する携帯型端末装置への搭載も実現されている。【０００３】
このような透明導電性高分子を用いた配線基板が適用された従来例として、特許文献１では、図１６に示すようなパネル型入力装置９１０が提案されている。図１６は、従来例のパネル型入力装置９１０を説明する分解斜視図である。【０００４】
図１６に示すパネル型入力装置９１０は、矩形平板の形状をしており、絶縁性の第１基板９１２及び絶縁性の第１基板９１２に形成された第１導電膜９１４を有する第１電極板９６２と、絶縁性の第２基板９２０及び第２基板９２０に形成された第２導電膜９１８を有する第２電極板９６４と、から構成されている。そして、第１電極板９６２と第２電極板９６４とは、スペーサを挟んで、第１導電膜９１４と第２導電膜９１８とが対向するように配設されている。【０００５】
また、第１電極板９６２の第１導電膜９１４は、導電性ポリマーを用いて形成されており、図１６に示すように、矩形輪郭の一対の対向辺に沿って並んで配設された複数の検出領域９６６と、それら検出領域９６６に隣接して配置され、複数の検出領域９６６の表面抵抗率よりも高い表面抵抗率を有する非動作領域９６８と、を備えている。同様にして、第２電極板９６４の第２導電膜９１８は、導電性ポリマーを用いて形成されており、図１６に示すように、第１導電膜９１４の検出領域９６６と直交した方向に配設された複数の検出領域９６６と、それら検出領域９６６に隣接して配置され、複数の検出領域９６６の表面抵抗率よりも高い表面抵抗率を有する非動作領域９６８と、を備えている。【０００６】
また、第１導電膜９１４及び第２導電膜９１８における非動作領域９６８の矩形枠状部分には、個々の検出領域９６６に個別に接続される複数の導線９７０及び導線９７２が形成されており、この複数の導線９７０及び導線９７２から検出領域９６６が受ける静電容量の変化を取り出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２１１６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来例のような構成の配線基板（第１電極板９６２または第２電極板９６４）を用いた場合、パネル型入力装置９１０が湿度環境下に晒された際に、応答性や検出感度に変化が見られるという課題があった。【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するもので、湿度の影響を受けにくい配線基板、配線基板の製造方法、及び配線基板を備えた静電容量センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この課題を解決するために、本発明の配線基板は、基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板において、透明導電性高分子の一部が不導体化されてなる不導体部と、前記不導体部で区切られた前記透明導電性高分子からなる導体部と、を備え、前記ビューエリアにおいては、前記導体パターンが前記導体部から形成されており、前記配線エリアにおいては、前記取出し配線が前記透明導電性高分子よりも低い比抵抗を有する材質からなり、前記取出し配線が前記導体部及び前記不導体部と重ならないように配置されていることを特徴としている。【００１１】
これによれば、本発明の配線基板は、取出し配線と基材との間に導体部及び不導体部が存在しないこととなり、導体部及び不導体部による影響を受けることがない。このため、湿度環境下において、導体部及び不導体部に水分が吸湿されて、導体部及び不導体部の抵抗値が変化し、取出し配線と基材との間の浮遊容量が変化するということがない。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板を提供することができる。【００１２】
また、本発明の配線基板は、前記ビューエリアの前記導体パターン間に、前記不導体部の一部が形成されていないトリミング部が設けられていることを特徴としている。【００１３】
これによれば、このトリミング部が不導体部を区切る絶縁体となり、電極間或いは電極と導体配線間における絶縁耐圧を向上させることができる。このため、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極間或いは電極と導体配線間を狭くすることができる。このことにより、導体パターンのレイアウトを小さくすることができ、配線基板の小型化を図ることができる。【００１４】
また、本発明の静電容量センサは、上記に記載の配線基板と、該配線基板の複数の電極と指等の指示体との静電容量を検出する検出部と、該検出部の検出値に基づいて信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴としている。【００１５】
これによれば、本発明の静電容量センサは、湿度の影響を受けにくい静電容量センサを提供することができる。【００１６】
また、本発明の配線基板の製造方法は、基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板の製造方法において、前記基材上に透明導電性高分子からなる透明導電層を形成する層形成工程と、前記透明導電層をパターニングするパターニング工程と、前記パターニング工程の後、前記複数の取出し配線を形成する配線形成工程と、を備え、前記パターニング工程は、前記透明導電層上にパターンニングされたレジスト膜を形成する膜形成工程と、前記透明導電層が晒された部分の前記透明導電性高分子を不導体化して不導体部を形成する不導体化工程と、前記配線エリアにおける前記不導体部を除去するエッチング工程と、を有することを特徴としている。【００１７】
これによれば、本発明の配線基板の製造方法は、複数の取出し配線が設けられる配線エリアに不導体部が存在しない配線基板を得ることができる。このため、湿度環境下において、不導体部に水分が吸湿されて、不導体部の抵抗値が変化し、取出し配線と基材との間の浮遊容量が変化するということがない配線基板を得ることができる。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板を提供することができる。【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板の製造方法において、前記基材上の前記ビューエリアに透明導電性高分子からなる透明導電層を形成する層形成工程と、前記透明導電層をパターニングするパターニング工程と、前記パターニング工程の後、前記複数の取出し配線を形成する配線形成工程と、を備え、前記パターニング工程は、前記透明導電層上にパターンニングされたレジスト膜を形成する膜形成工程と、
前記透明導電層が晒された部分の前記透明導電性高分子を不導体化し、不導体化された不導体部と、前記不導体部で区切られた前記透明導電性高分子からなる導体部と、を形成するパターン化工程と、を有することを特徴としている。【００１９】
これによれば、本発明の配線基板の製造方法は、複数の取出し配線が設けられる配線エリアに透明導電性高分子からなる導体部が存在しない配線基板を得ることができる。このため、湿度環境下において、導体部に水分が吸湿されて、導体部の抵抗値が変化し、取出し配線と基材との間の浮遊容量が変化するということがない配線基板を得ることができる。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板を提供することができる。【００２０】
また、本発明の配線基板の製造方法は、レーザ光を用いて、前記ビューエリアの前記導体パターン間に、前記不導体部の一部が形成されていないトリミング部を形成するレーザ加工工程を有していることを特徴としている。【００２１】
これによれば、電極間或いは電極と導体配線間における絶縁耐圧を向上させることができる配線基板を容易に作製することができる。更に、トリミング部の幅を狭くして作製することができるとともに、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極間或いは電極と導体配線間を狭くしたレイアウトすることができる。このことにより、導体パターンの全体のレイアウトを小さくすることができ、小型化が図れた配線基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の配線基板は、取出し配線と基材との間に導体部及び不導体部が存在しないこととなり、導体部及び不導体部による影響を受けることがない。このため、湿度環境下において、導体部及び不導体部に水分が吸湿されて、導体部及び不導体部の抵抗値が変化し、取出し配線と基材との間の浮遊容量が変化するということがない。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板を提供することができる。【００２３】
また、本発明の配線基板の製造方法は、複数の取出し配線が設けられる配線エリアに導体部及び不導体部が存在しない配線基板を得ることができる。このため、湿度環境下において、導体部及び不導体部に水分が吸湿されて、導体部及び不導体部の抵抗値が変化し、取出し配線と基材との間の浮遊容量が変化するということがない配線基板を得ることができる。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板を提供することができる。【００２４】
また、本発明の静電容量センサは、湿度の影響を受けにくい静電容量センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態の配線基板を説明する上面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の配線基板を説明する構成図であって、図１に示すＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の配線基板を説明する上面図であって、図１において、オーバーコートを省略した図である。
【図４】本発明の第１実施形態の配線基板を説明する上面図であって、図３に示すＰ部分の拡大図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係わる配線基板の効果を説明する図であって、図５（ａ）は、本案の実験サンプルの構成断面図であり、図５（ｂ）は、比較として用いた比較サンプルの構成断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係わる配線基板の効果を説明するグラフであって、図６（ａ）は、本案の実験サンプルの結果であり、図６（ｂ）は、比較サンプルの結果である。
【図７】本発明の第１実施形態に係わる配線基板の効果を説明するグラフであって、図７（ａ）は、第１実施形態のトリミング部を有した配線基板の結果であり、図７（ｂ）は、トリミング部を有しない比較サンプルの結果である。
【図８】本発明の第１実施形態に係わる配線基板の製造工程を説明する工程図ＡＡである。
【図９】本発明の第１実施形態に係わる配線基板の製造工程を説明する工程図であって、図８の工程図ＡＡに続く工程図ＢＢである。
【図１０】本発明の第２実施形態の配線基板を説明する分解斜視図である。
【図１１】本発明の第２実施形態の配線基板を説明する構成断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係わる配線基板の製造工程を説明する工程図ＣＣである。
【図１３】本発明の第２実施形態に係わる配線基板の製造工程を説明する工程図であって、図１２の工程図ＣＣに続く工程図ＤＤである。
【図１４】本発明の第３実施形態の静電容量センサを説明する分解斜視図である。
【図１５】本発明の第３実施形態の静電容量センサを説明する構成断面図である。
【図１６】従来例のパネル型入力装置を説明する分解斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。【００２７】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態の配線基板１０１を説明する上面図である。なお、図１には、電極１１に２点鎖線で“Ａ”から“Ｏ”まで付番を付けているが、１５個の電極１１を区別するため便宜上表記したものであって、電極１１にそのようなパターンがあるわけではない。図２は、本発明の第１実施形態の配線基板１０１を説明する構成図であって、図１に示すＩＩ−ＩＩ線における断面図である。なお、説明を分かり易くするため、図２の構成図は、実際のサイズとは異なって示している。図３は、本発明の第１実施形態の配線基板１０１を説明する上面図であって、図１において、オーバーコート５８を省略した図である。図４は、図３に示すＰ部分の拡大図である。なお、図４では、基材１９が露出している部分にハッチングを施している。【００２８】
本発明の第１実施形態の配線基板１０１は、図１及び図３に示すような矩形の外形を呈しており、図２及び図３に示すように、基材１９と、基材１９の表面に形成された複数の電極１１と、複数の電極１１と接続された複数の導体配線１３と、複数の電極１１或いは複数の導体配線１３と接続された複数の取出し配線１５と、を備えて構成されている。そして、配線基板１０１は、図３に示すように、複数の電極１１と複数の導体配線１３とを有した導体パターンＣ２が設けられたビューエリアＶＡと、複数の取出し配線１５が設けられた配線エリアＬＡと、で区切られたエリアを有している。また、第１実施形態の配線基板１０１には、図２に示すように、取出し配線１５の下層に設けられたアンダーコート５６と、取出し配線１５を覆うカバレッジコート５７と、電極１１、導体配線１３及び取出し配線１５が形成された領域を覆う絶縁性のオーバーコート５８と、を有している。この第１実施形態の配線基板１０１は、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の表示装置の画面に重ねて設置され、複数の電極１１のいずれかにユーザの手指等が近接または接触した際に、その電極１１に対応した入力操作が行えるためのセンサ基板として用いられる。【００２９】
また、本発明の配線基板１０１は、図３に示すように、ビューエリアＶＡにおいて、透明導電性高分子の一部が不導体化されてなる不導体部ＮＣと、不導体部ＮＣで区切られた透明導電性高分子からなる導体部ＣＤと、を備えており、上述した導体パターンＣ２がこの導体部ＣＤから形成されている。【００３０】
また、本発明の配線基板１０１は、図３に示すように、配線エリアＬＡにおいて、複数の取出し配線１５が導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣと重ならないように配置されている。つまり、図２に示すように、複数の取出し配線１５の下層側に、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが設けられていなく、取出し配線１５と基材１９との間に導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが存在しないこととなる。なお、複数の取出し配線１５と複数の電極１１或いは複数の導体配線１３とが接続している部分（図３に例示しているＱ）は、複数の取出し配線１５と導体部ＣＤとが重なって配置されているとは云わない。【００３１】
次に、配線基板１０１の基材１９は、透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、Polyethylene terephthalate）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、Polyethylene naphthalate)等のフィルムを用いており、矩形の外形に加工されている。【００３２】
次に、配線基板１０１の電極１１は、基材１９の片面側に形成され（図２を参照）、透明導電性高分子である、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の混合体（以下、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと表記する）を用いている。このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、透明であり、しかも充分な透明性を確保しつつ所望の導電性を得ることができる材料である。また、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、水分散性であるので、容易に塗布することができるとともに、乾燥、硬化させることにより容易に成膜を行うことができる。【００３３】
次に、配線基板１０１の導体配線１３は、電極１１と同様に、透明導電性高分子であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを用いて形成されている。この導体配線１３と電極１１は、図３に示すように、導体パターンＣ２としてビューエリアＶＡに設けられている。また、導体配線１３と電極１１は、図２に示すように、透明導電性高分子の一部を不導体化して不導体部ＮＣとすることで、不導体部ＮＣで区切られた透明導電性高分子からなる導体部ＣＤが形成され、導体パターンＣ２としている。また、ビューエリアＶＡに設けられた導体パターンＣ２と前述した基材１９とが透明なので、配線基板１０１の背面に配設される表示装置の画面を容易にユーザが視認できる。【００３４】
また、本発明の第１実施形態では、図４に示すように、ビューエリアＶＡの導体パターンＣ２間に、不導体部ＮＣの一部が形成されていないトリミング部ＴＭが設けられている。このトリミング部ＴＭは、不導体部ＮＣが形成されていないので、基材１９が露出している（図４に示すハッチングの部分）。これにより、このトリミング部ＴＭが不導体部ＮＣを区切る絶縁体となり、電極１１間或いは電極１１と導体配線１３間における絶縁耐圧を向上させることができる。このため、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極１１間或いは電極１１と導体配線１３間を狭くすることができる。このことにより、導体パターンＣ２のレイアウトを小さくすることができ、配線基板１０１の小型化を図ることができる。なお、本発明の第１実施形態では、オーバーコート５８が上層に形成されて、このトリミング部ＴＭにオーバーコート５８が充填されることとなるが、オーバーコート５８が絶縁性なので、絶縁耐圧に関して何等問題は発生しない。【００３５】
次に、配線基板１０１の取出し配線１５は、図２に示すように、アクリル樹脂等の合成樹脂であるアンダーコート５６上に、銀粉がバインダー中に分散された銀層１５ａと、カーボン粉がバインダー中に分散されたカーボン層１５ｃと、が順に形成されて構成されている。つまり、図３に示す配線エリアＬＡに設けられた取出し配線１５が基材１９上に形成されたアンダーコート５６上に設けられているので、配線エリアＬＡに設けられた取出し配線１５が導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣと重ならないような構成となっている。このため、取出し配線１５と基材１９との間に導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが存在しないこととなり、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣによる影響を受けることがない。これにより、湿度環境下において、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線１５と基材１９との間の浮遊容量が変化するということがない。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板１０１を提供することができる。【００３６】
また、取出し配線１５は、銀層１５ａを備えているので、透明導電性高分子よりも低い比抵抗を有している。この取出し配線１５は、ユーザが視認しない配線エリアＬＡに設けられているので、透明性が要求されず、より低い比抵抗を有した材質を利用することができる。そして、直接或いは導体配線１３を介して各電極１１に電気的に接続された取出し配線１５は、図３に示すように、配線エリアＬＡに敷設されてまとめられ、基材１９の取出し部１９ｔからコネクタ（図示していない）を介して、外部機器に接続される。【００３７】
また、図２に示すように、取出し配線１５上には、アクリル樹脂等の合成樹脂からなるカバレッジコート５７が形成されている。【００３８】
最後に、配線基板１０１のオーバーコート５８は、アクリル樹脂等の透明な合成樹脂を用い、電極１１、導体配線１３及び取出し配線１５が形成された領域を覆うように形成されている。このオーバーコート５８は、配線基板１０１の耐環境性の向上をはかるために用いている。【００３９】
以上のように構成された本発明の第１実施形態の配線基板１０１における、効果について、検証結果を交えながら、以下に纏めて説明する。【００４０】
図５（ａ）は、本案の実験サンプルＳ１１の構成断面図であり、図５（ｂ）は、比較として用いた比較サンプルＨ６６の構成断面図である。実験サンプルＳ１１と比較サンプルＨ６６との違いは、比較サンプルＨ６６には、取出し配線１５の下層に不導体部ＮＣが形成されており、取出し配線１５と不導体部ＮＣとが重なって配置されている所である。図６（ａ）は、本案の実験サンプルＳ１１の結果のグラフであり、図６（ｂ）は、比較サンプルＨ６６の結果のグラフである。図６の横軸は、図３に示す１５個の電極１１を示し、縦軸は、アナログ／デジタル変換における周波数に対する応答性の変化を数値化した値である。変化が小さい（小さい値）方が良いと云う基準である。また、図６中のデータは、湿度環境に３０分間曝露したデータで、白丸のデータは湿度６０％、黒三角のデータは湿度６５％、白四角のデータは湿度７２％、黒菱形のデータは湿度７８％のデータである。【００４１】
図７（ａ）は、第１実施形態のトリミング部ＴＭを有した配線基板１０１の実験サンプルＳ２２の結果であり、図７（ｂ）は、トリミング部ＴＭを有しない比較サンプルＨ７７の結果である。この実験サンプルＳ２２は、導体パターンＣ２間の距離を極端に狭くした（具体的には５０μｍのスペース）サンプルである。また、図７の横軸は、図３に示す１５個の電極１１を示し、縦軸は、各電極１１が出力した値を示している。各電極１１での変化が少ない方が良いと云う基準である。また、図７中のデータは、初期値と湿度環境に３０分間曝露したデータで、破線で接続したデータは初期値にデータであり、白菱形のデータは湿度７６％、黒丸のデータは湿度８４％、白三角のデータは湿度９０％、黒四角のデータは湿度９５％のデータである。【００４２】
本発明の第１実施形態の配線基板１０１は、配線エリアＬＡに設けられた取出し配線１５が導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣと重ならないように配置する構成とした。図５（ａ）に示す実験サンプルＳ１１は、この構成で作製されている。このため、図５（ｂ）に示す比較サンプルＨ６６とは違い、取出し配線１５と基材１９との間に導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが存在しないこととなり、実験サンプルＳ１１は、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣによる影響を受けることがない。これにより、図６（ｂ）で、湿度７２％（白四角のデータ）や湿度７８％（黒菱形のデータ）に曝露されると、電極１１によっては、応答性の変化値が大きくなるのと比較して、図６（ａ）で、いずれの電極１１においても、応答性の変化値は小さいものとなっている。これは、湿度環境下において、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線１５と基材１９との間の浮遊容量が変化するということがないためと考えられる。このことは、取出し配線１５と基材１９との間に不導体部ＮＣがより多く存在する、取出し部１９ｔから遠い電極１１（例えば“Ｏ”、“Ｎ”、“Ｍ”等）に、応答性の変化値が大きくなる傾向が見られることからも言える。以上のことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板１０１を提供することができる。【００４３】
また、本発明の第１実施形態では、ビューエリアＶＡの導体パターンＣ２間に、不導体の一部が除去されたトリミング部ＴＭを設けるように、好適に構成した。このため、図７（ａ）に示すように、導体パターンＣ２間の距離を極端に狭くした実験サンプルＳ２２でも、湿度環境に曝露された前後で出力値の変化が小さく、安定した出力が得られている。一方、比較サンプルＨ７７では、導体パターンＣ２間の距離を極端に狭くしたため、図７（ｂ）に示すように、湿度環境に曝露された前後での出力値の変化が大きいものとなっている。これは、このトリミング部ＴＭが不導体部ＮＣを区切る絶縁体となり、不導体部ＮＣに水分が吸湿されることによる影響を低減していると考えられる。以上のことにより、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極１１間或いは電極１１と導体配線１３間を狭くすることができる。このことにより、導体パターンＣ２のレイアウトを小さくすることができ、配線基板１０１の小型化を図ることができる。【００４４】
次に、本発明の第１実施形態に係わる配線基板１０１の製造方法について説明する。図８は、本発明の第１実施形態に係わる配線基板の製造工程を説明する工程図ＡＡであり、図８（ａ）は、層形成工程Ｐ１１終了後を示した図であり、図８（ｂ）は、レーザ加工工程ＰＬ２終了後を示した図であり、図８（ｃ）は、膜形成工程Ｐ３１終了後を示した図であり、図８（ｄ）は、不導体化工程Ｐ３２終了後を示した図であり、図８（ｅ）は、レジスト印刷終了後を示した図であり、図８（ｆ）は、エッチング工程Ｐ３３終了後を示した図である。図９は、図８の工程図ＡＡに続く工程図ＢＢであり、図９（ａ）は、平坦化工程Ｐ４１終了後を示した図であり、図９（ｂ）は、導電層形成工程Ｐ４２終了後を示した図であり、図９（ｃ）は、被覆工程Ｐ４３終了後を示した図であり、図９（ｄ）は、カバー層工程ＰＣ終了後を示した図であり、図９（ｅ）は、外形加工工程ＰＥ終了後を示した図である。【００４５】
本発明の配線基板１０１の製造方法は、図８及び図９に示すように、基材１９上に透明導電性高分子からなる透明導電層Ｔ２を形成する層形成工程Ｐ１１と、トリミング部ＴＭを形成するレーザ加工工程ＰＬ２と、透明導電層Ｔ２をパターニングするパターニング工程Ｐ３と、複数の取出し配線１５を形成する配線形成工程Ｐ４と、を有して構成されている。他に、配線基板１０１の製造方法には、オーバーコート５８を形成するカバー層工程ＰＣと、基材１９を切断して外形を形成する外形加工工程ＰＥと、を備えている。【００４６】
配線基板１０１の製造方法は、先ず、平坦な基材１９を準備し、図８（ａ）に示すように、基材１９の表面に透明導電性高分子からなる透明導電層Ｔ２を形成する層形成工程Ｐ１１を行う。層形成工程Ｐ１１における透明導電層Ｔ２の形成は、水溶液中に分散されたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを基材１９上の全面に塗布し、乾燥／硬化することにより行われる。【００４７】
次に、トリミング部ＴＭを形成するレーザ加工工程ＰＬ２を行う。レーザ加工工程ＰＬ２は、ＹＡＧレーザ装置を用い、透明導電層Ｔ２にレーザ光を照射し、照射した部分の透明導電層Ｔ２を除去することにより、図８（ｂ）に示すように、この除去された部分にトリミング部ＴＭを形成している。このため、透明導電層Ｔ２が除去されているので、後の工程で、透明導電性高分子である透明導電層Ｔ２を不導体化して得られる不導体部ＮＣがこのトリミング部ＴＭに形成されることはない。これにより、電極１１間或いは電極１１と導体配線１３間における絶縁耐圧を向上させることができる。また、レーザ光を用いているので、狭い幅のトリミング部ＴＭを容易に作製することができる。【００４８】
また、このトリミング部ＴＭは、図３に示すビューエリアＶＡの導体パターンＣ２間に
相当する部分に形成されている。これにより、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極１１
間或いは電極１１と導体配線１３間を狭くしたレイアウトすることができる。【００４９】
次に、透明導電層Ｔ２をパターニングするパターニング工程Ｐ３を行う。パターニング工程Ｐ３は、図８（ｃ）ないし図８（ｆ）に示すように、レジスト膜Ｒ３１を形成する膜形成工程Ｐ３１と、不導体部ＮＣを形成する不導体化工程Ｐ３２と、配線エリアＬＡにおける不導体部ＮＣを除去するエッチング工程Ｐ３３と、を有している。【００５０】
先ず、図８（ｃ）に示すように、パターニング工程Ｐ３の膜形成工程Ｐ３１で、透明導電層Ｔ２上に、パターンニングされたレジスト膜Ｒ３１を形成する。このレジスト膜Ｒ３１の形成は、スクリーン印刷でレジストインクを塗布し、乾燥／硬化することにより行われる。【００５１】
次に、図８（ｄ）に示すように、パターニング工程Ｐ３の不導体化工程Ｐ３２で、透明導電層Ｔ２が晒された部分の透明導電性高分子を不導体化して不導体部ＮＣを形成する。不導体部ＮＣの形成は、酸化剤が含有されたエッチング液を用い、このエッチング液を透明導電性高分子に晒して、その部分の透明導電性高分子を酸化することにより行われる。この不導体部ＮＣを形成することにより、レジスト膜Ｒ３１で保護された透明導電性高分子が導体部ＣＤとなり、複数の電極１１と複数の導体配線１３とを有した導体パターンＣ２が形成される。その後、レジスト膜Ｒ３１を剥離して、洗浄／乾燥をする工程を行う。  【００５２】
次に、パターニング工程Ｐ３のエッチング工程Ｐ３３を行う。先ず、図８（ｅ）に示すように、図３に示すビューエリアＶＡの全体を覆うようにして、パターンニングされたエッチングレジスト膜Ｒ３３を形成する。このエッチングレジスト膜Ｒ３３の形成は、スクリーン印刷でレジストインクを塗布し、乾燥／硬化することにより行われる。その際に、図３に示す配線エリアＬＡにおける不導体部ＮＣが晒される。【００５３】
次に、エッチング工程Ｐ３３は、酸化剤が含有されたエッチング液を用い、配線エリアＬＡの不導体部ＮＣをエッチングして除去する。その後、エッチングレジスト膜Ｒ３３を剥離した後、洗浄／乾燥して、図８（ｆ）に示す状態とする。【００５４】
パターニング工程Ｐ３が終了した後、次に、複数の取出し配線１５を形成する配線形成工程Ｐ４を行う。配線形成工程Ｐ４は、図９（ａ）ないし図９（ｃ）に示すように、アンダーコート５６を形成する平坦化工程Ｐ４１と、取出し配線１５を形成する導電層形成工程Ｐ４２と、カバレッジコート５７を形成する被覆工程Ｐ４３と、を有している。【００５５】
先ず、図９（ａ）に示すように、配線形成工程Ｐ４の平坦化工程Ｐ４１で、不導体部ＮＣが除去された部分の基材１９上に、アンダーコート５６を形成する。このアンダーコート５６の形成は、スクリーン印刷でアンダーコート用インクを塗布し、乾燥／硬化することにより行われる。【００５６】
次に、図９（ｂ）に示すように、配線形成工程Ｐ４の導電層形成工程Ｐ４２で、銀層１５ａとカーボン層１５ｃを形成する。先ず、銀粉がバインダー中に分散された銀ペーストを用い、スクリーン印刷でアンダーコート５６上に銀ペーストを塗布し、乾燥／硬化することにより銀層１５ａを形成する。次に、カーボン粉がバインダー中に分散されたカーボンペーストを用い、スクリーン印刷で銀層１５ａにカーボンペーストを塗布し、乾燥／硬化することによりカーボン層１５ｃを形成する。このようにして、基材１９上に複数の取出し配線１５が形成される。なお、このカーボン層１５ｃは、銀層１５ａの耐環境性を向上させるために用いている。【００５７】
次に、図９（ｃ）に示すように、配線形成工程Ｐ４の被覆工程Ｐ４３で、取出し配線１５を覆うカバレッジコート５７を形成する。このカバレッジコート５７の形成は、スクリーン印刷でカバレッジコート用インクを塗布し、乾燥／硬化することにより行われる。【００５８】
以上のようにして、図８（ｃ）ないし図８（ｆ）に示すパターニング工程Ｐ３と、図９（ａ）ないし図９（ｃ）に示す配線形成工程Ｐ４と、を行うことによって、複数の取出し配線１５が設けられる配線エリアＬＡに不導体部ＮＣが存在しない配線基板１０１を得ることができる。このため、湿度環境下において、不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線１５と基材１９との間の浮遊容量が変化するということがない配線基板１０１を得ることができる。【００５９】
次に、図９（ｄ）に示すように、オーバーコート５８を形成するカバー層工程ＰＣを行う。カバー層工程ＰＣは、オーバーコート用インクを用い、電極１１、導体配線１３及び取出し配線１５が形成された領域にスクリーン印刷でオーバーコート用インクを塗布し、乾燥／硬化することにより行われる。【００６０】
最後に、ビク型を用いて、外形加工工程ＰＥを行い（図９（ｅ）を参照）、図１に示すような外形にする。【００６１】
以上のように行われる本発明の第１実施形態に係わる配線基板１０１の製造方法における、効果について、以下に纏めて説明する。【００６２】
本発明の第１実施形態に係わる配線基板１０１の製造方法は、パターニング工程Ｐ３には、レジスト膜Ｒ３１を形成する膜形成工程Ｐ３１と、不導体部ＮＣを形成する不導体化工程Ｐ３２と、配線エリアＬＡにおける不導体部ＮＣを除去するエッチング工程Ｐ３３と、を有している。これにより、複数の取出し配線１５が設けられる配線エリアＬＡに不導体部ＮＣが存在しない配線基板１０１を得ることができる。このため、湿度環境下において、不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線１５と基材１９との間の浮遊容量が変化するということがない配線基板１０１を得ることができる。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板１０１を提供することができる。【００６３】
また、トリミング部ＴＭを形成するレーザ加工工程ＰＬ２を有しているので、電極１１間或いは電極１１と導体配線１３間における絶縁耐圧を向上させることができる配線基板１０１を容易に作製することができる。更に、トリミング部ＴＭの幅を狭くして作製することができるとともに、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極１１間或いは電極１１と導体配線１３間を狭くレイアウトすることができる。このことにより、導体パターンＣ２の全体のレイアウトを小さくすることができ、小型化が図れた配線基板１０１を提供することができる。【００６４】
［第２実施形態］
図１０は、本発明の第２実施形態の配線基板１０２を説明する分解斜視図である。図１０では、導体パターンＣ２と取出し配線２５の一部を省略している。図１１は、本発明の第２実施形態の配線基板１０２を説明する構成断面図である。なお、図１１の構成断面図は、説明を分かり易くするため、任意の箇所における断面の構成を実際のサイズとは異なって示している。また、第２実施形態の配線基板１０２は、第１実施形態に対し、２つの基材２９（２９Ａ、２９Ｂ）を設けている構成が主に異なる。なお、第１実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。【００６５】
本発明の第２実施形態の配線基板１０２は、図１０に示すような矩形の外形を呈しており、図１０及び図１１に示すように、２つの基材２９（２９Ａ、２９Ｂ）と、それぞれの基材２９の表面に形成された複数の電極２１（２１Ａ、２１Ｂ）と、複数の電極２１と接続された複数の導体配線２３（２３Ａ、２３Ｂ）（図１１のみ図示）と、それぞれの複数の電極２１（２１Ａ、２１Ｂ）或いは複数の導体配線２３（２３Ａ、２３Ｂ）と接続された複数の取出し配線２５（２５Ａ、２５Ｂ）と、を備えて構成されている。そして、配線基板１０２は、図１０に示すように、複数の電極２１と複数の導体配線（図示していない）とを有した導体パターンＣ２が設けられたビューエリアＶＡと、複数の取出し配線２５が設けられた配線エリアＬＡと、で区切られたエリアを有している。また、第２実施形態の配線基板１０２には、図１０及び図１１に示すように、基材２９Ａと基材２９Ｂとを接着する接着層６６と、基材２９Ｂの下方側（図１０に示すＺ２側）に配設される成形体８８と、成形体８８と基材２９と接着する接着層７７と、を有している。この第２実施形態の配線基板１０２は、基材２９Ａの上方側（図１０に示すＺ１側）に図示していない表示パネルが配設され、この表示パネルにユーザの手指等が近接または接触した際に、配線基板１０２がユーザの手指等を検知し、表示パネルに対応した入力操作が行えるためのセンサ基板として用いられる。【００６６】
また、本発明の配線基板１０２は、図１１に示すように、ビューエリアＶＡにおいて、透明導電性高分子の一部が不導体化されてなる不導体部ＮＣと、不導体部ＮＣで区切られた透明導電性高分子からなる導体部ＣＤと、を備えており、上述した導体パターンＣ２がこの導体部ＣＤから形成されている。【００６７】
また、本発明の配線基板１０２は、図１１に示すように、配線エリアＬＡにおいて、複数の取出し配線２５が導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣと重ならないように配置されている。つまり、図１１に示すように、複数の取出し配線２５Ａの上層側或いは複数の取出し配線２５Ｂの下層側に、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが設けられていなく、取出し配線２５と基材２９との間に導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが存在しないこととなる。なお、第１実施形態と同様に、複数の取出し配線２５と複数の電極２１或いは複数の導体配線２３とが接続している部分は、複数の取出し配線２５と導体部ＣＤとが重なって配置されているとは云わない。【００６８】
次に、配線基板１０２の基材２９Ａ及び基材２９Ｂは、透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ)等のフィルムを用いており、矩形の外形に加工されている。【００６９】
次に、配線基板１０２の電極２１Ａ及び電極２１Ｂは、基材２９の片面側に形成され（図１１を参照）、透明導電性高分子である、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の混合体（以下、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと表記する）を用いている。このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、透明であり、しかも充分な透明性を確保しつつ所望の導電性を得ることができる材料である。また、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、水分散性であるので、容易に塗布することができるとともに、乾燥、硬化させることにより容易に成膜を行うことができる。【００７０】
次に、配線基板１０２の導体配線２３Ａ及び導体配線２３Ｂは、電極２１と同様に、透明導電性高分子であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを用いて形成されている。この導体配線２３と電極２１は、図１１に示すように、導体パターンＣ２としてビューエリアＶＡに設けられている。また、導体配線２３と電極２１は、図１１に示すように、透明導電性高分子の一部を不導体化して不導体部ＮＣとすることで、不導体部ＮＣで区切られた透明導電性高分子からなる導体部ＣＤが形成され、導体パターンＣ２としている。【００７１】
また、本発明の第２実施形態では、図１１に示すように、ビューエリアＶＡの導体パターンＣ２間に、不導体部ＮＣの一部が形成されていないトリミング部ＴＭが設けられている。このトリミング部ＴＭは、不導体部ＮＣが形成されていないので、基材２９が露出している。そして、電極２１Ａ及び導体配線２３Ａと電極２１Ｂ及び導体配線２３Ｂとが対向するように基材２９Ａと基材２９Ｂとが接着された際には、このトリミング部ＴＭが接着層６６で充填される。これにより、このトリミング部ＴＭが不導体部ＮＣを区切る絶縁体となり、電極２１間或いは電極２１と導体配線２３間における絶縁耐圧を向上させることができる。このため、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極２１間或いは電極２１と導体配線２３間を狭くすることができる。このことにより、導体パターンＣ２のレイアウトを小さくすることができ、配線基板１０２の小型化を図ることができる。なお、本発明の第２実施形態では、接着層６６が絶縁性なので、絶縁耐圧に関して何等問題は発生しない。【００７２】
次に、配線基板１０２の取出し配線２５Ａ及び取出し配線２５Ｂは、図１１に示すように、それぞれの基材２９上に銀粉がバインダー中に分散された銀層２５ａと、カーボン粉がバインダー中に分散されたカーボン層２５ｃと、が順に形成されて構成されている。つまり、図１１に示す配線エリアＬＡに設けられた取出し配線２５が基材２９上に設けられているので、配線エリアＬＡに設けられた取出し配線２５が導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣと重ならないような構成となっている。このため、取出し配線２５と基材２９との間に導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが存在しないこととなり、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣによる影響を受けることがない。これにより、湿度環境下において、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線２５と基材２９との間の浮遊容量が変化するということがない。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板１０２を提供することができる。【００７３】
また、取出し配線２５は、銀層２５ａを備えているので、透明導電性高分子よりも低い比抵抗を有している。この取出し配線２５は、ユーザが視認しない配線エリアＬＡに設けられているので、透明性が要求されず、より低い比抵抗を有した材質を利用することができる。そして、直接或いは導体配線２３を介して各電極２１に電気的に接続された取出し配線２５は、図１０に示すように、配線エリアＬＡに敷設されて引き回され、基材２９の取出し部２９ｔからコネクタ（図示していない）を介して、外部機器に接続される。【００７４】
次に、配線基板１０２の成形体８８は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリカーボネート（ＰＣ、polycarbonate）等の透明な合成樹脂を用いて、射出成形を行って成形されている。この成形体８８と基材２９Ａ及び基材２９Ｂが接着された基板とは、図１１に示すように、接着層７７で接着されている。なお、ビューエリアＶＡに設けられた導体パターンＣ２と前述した基材２９とこの成形体８８とが透明なので、例えば配線基板１０２の背面（図１１に示すＺ２側）に照光部材が配設された場合、表示パネルを視認するユーザに対して、照光により視認させやすくすることができる。【００７５】
最後に、配線基板１０２の接着層６６及び接着層７７は、アクリル樹脂等の透明な合成樹脂を用いて形成され、ビューエリアＶＡにおける透明性を確保している。【００７６】
以上のように構成された本発明の第２実施形態の配線基板１０２における、効果について、以下に纏めて説明する。【００７７】
本発明の第２実施形態の配線基板１０２は、配線エリアＬＡに設けられた取出し配線２５が導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣと重ならないように配置する構成とした。このため、取出し配線２５（２５Ａ、２５Ｂ）と基材２９（２９Ａ、２９Ｂ）との間に導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣが存在しないこととなり、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣによる影響を受けることがない。つまり、湿度環境下において、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線２５と基材２９との間の浮遊容量が変化するということがないためと考えられる。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板１０２を提供することができる。【００７８】
また、本発明の第２実施形態では、ビューエリアＶＡの導体パターンＣ２間に、不導体の一部が除去されたトリミング部ＴＭを設けるように、好適に構成した。このため、このトリミング部ＴＭが不導体部ＮＣを区切る絶縁体となり、不導体部ＮＣに水分が吸湿されることによる影響を低減していると考えられる。このことにより、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極２１（２１Ａ、２１Ｂ）間或いは電極２１と導体配線２３（２３Ａ、２３Ｂ）間を狭くすることができる。このことにより、導体パターンＣ２のレイアウトを小さくすることができ、配線基板１０２の小型化を図ることができる。【００７９】
次に、本発明の第２実施形態に係わる配線基板１０２の製造方法について説明する。図１２は、本発明の第２実施形態に係わる配線基板の製造工程を説明する工程図ＣＣであり、図１２（ａ）は、層形成工程Ｐ２１終了後を示した図であり、図１２（ｂ）は、膜形成工程Ｐ３１終了後を示した図であり、図１２（ｃ）は、パターン化工程ＰＡ３２終了後を示した図であり、図１２（ｄ）は、レーザ加工工程ＰＬ４終了後を示した図であり、図１２（ｅ）は、配線形成工程Ｐ４終了後を示した図である。図１３は、図１２の工程図ＣＣに続く工程図ＤＤであり、図１３（ｂ）は、基材２９Ａと基材２９Ｂとを対向させた状態を示した図であり、図１３（ｂ）は、貼合せ工程ＰＢ終了後を示した図であり、図１３（ｃ）は、外形加工工程ＰＥ終了後を示した図であり、図１３（ｄ）は、成形工程ＰＦ終了後を示した図である。【００８０】
本発明の配線基板１０２の製造方法は、図１２及び図１３に示すように、基材２９上に透明導電性高分子からなる透明導電層Ｔ２を形成する層形成工程Ｐ２１と、透明導電層Ｔ２をパターニングするパターニング工程Ｐ３と、トリミング部ＴＭを形成するレーザ加工工程ＰＬ４と、複数の取出し配線２５を形成する配線形成工程Ｐ４と、を有して構成されている。他に、配線基板１０２の製造方法には、２枚の基材２９（２９Ａ、２９Ｂ）を貼り合わせる貼合せ工程ＰＢと、基材２９を切断して外形を形成する外形加工工程ＰＥと、基材２９を成形体８８に貼り付ける成形工程ＰＦと、を備えている。【００８１】
配線基板１０２の製造方法は、先ず、平坦な基材２９Ａを準備し、図１２（ａ）に示すように、基材２９Ａの表面に透明導電性高分子からなる透明導電層Ｔ２を形成する層形成工程Ｐ２１を行う。層形成工程Ｐ２１における透明導電層Ｔ２の形成は、マスクを用いて、水溶液中に分散されたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを基材２９Ａ上に塗布し、その後、乾燥／硬化することにより行われる。なお、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを塗布する範囲は、ビューエリアＶＡと一致させる。【００８２】
次に、透明導電層Ｔ２をパターニングするパターニング工程Ｐ３を行う。パターニング工程Ｐ３は、図１２（ｂ）または図１２（ｃ）に示すように、レジスト膜Ｒ３１を形成する膜形成工程Ｐ３１と、不導体化により導体部ＣＤと不導体部ＮＣとを形成するパターン化工程ＰＡ３２と、を有している。【００８３】
先ず、図１２（ｂ）に示すように、パターニング工程Ｐ３の膜形成工程Ｐ３１で、透明導電層Ｔ２上に、パターンニングされたレジスト膜Ｒ３１を形成する。このレジスト膜Ｒ３１の形成は、スクリーン印刷でレジストインクを塗布し、乾燥／硬化することにより行われる。【００８４】
次に、図１２（ｃ）に示すように、パターニング工程Ｐ３のパターン化工程ＰＡ３２で、透明導電層Ｔ２が晒された部分の透明導電性高分子を不導体化して不導体部ＮＣを形成し、それ以外の部分の透明導電性高分子を残して導体部ＣＤを形成する。この不導体部ＮＣの形成は、酸化剤が含有されたエッチング液を用い、このエッチング液を透明導電性高分子に晒して、その部分の透明導電性高分子を酸化することにより行われる。この不導体部ＮＣを形成することにより、レジスト膜Ｒ３１で保護された透明導電性高分子が導体部ＣＤとなり、複数の電極２１Ａと複数の導体配線２３Ａとを有した導体パターンＣ２が形成される。その後、レジスト膜Ｒ３１を剥離して、洗浄／乾燥をする工程を行う。【００８５】
パターニング工程Ｐ３が終了した後、次に、トリミング部ＴＭを形成するレーザ加工工程ＰＬ４を行う。レーザ加工工程ＰＬ４は、ＹＡＧレーザ装置を用い、不導体部ＮＣにレーザ光を照射し、照射した部分の不導体部ＮＣを除去することにより、図１２（ｄ）に示すように、この除去された部分にトリミング部ＴＭを形成している。これにより、電極２１Ａ間或いは電極２１Ａと導体配線２３Ａ間における絶縁耐圧を向上させることができる。また、レーザ光を用いているので、狭い幅のトリミング部ＴＭを容易に作製することができる。【００８６】
また、このトリミング部ＴＭは、図１１に示すビューエリアＶＡの導体パターンＣ２間に相当する部分に形成されている。これにより、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極２１Ａ間或いは電極２１Ａと導体配線２３Ａ間を狭くしたレイアウトすることができる。【００８７】
次に、複数の取出し配線２５Ａを形成する配線形成工程Ｐ４を行う。配線形成工程Ｐ４は、図１２（ｅ）に示すように、基材２９Ａ上に、銀層２５ａとカーボン層２５ｃを形成する。先ず、銀粉がバインダー中に分散された銀ペーストを用い、スクリーン印刷で基材２９Ａ上に銀ペーストを塗布し、乾燥／硬化することにより銀層２５ａを形成する。次に、カーボン粉がバインダー中に分散されたカーボンペーストを用い、スクリーン印刷で銀層２５ａ上にカーボンペーストを塗布し、乾燥／硬化することによりカーボン層２５ｃを形成する。このようにして、基材２９Ａ上に複数の取出し配線２５Ａが形成される。なお、このカーボン層２５ｃは、銀層２５ａの耐環境性を向上させるために用いている。【００８８】
以上のようにして、図１２（ａ）に示す層形成工程Ｐ２１と、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示すパターニング工程Ｐ３と、図１２（ｅ）に示す配線形成工程Ｐ４と、を行うことによって、複数の取出し配線２５Ａが設けられる配線エリアＬＡに不導体部ＮＣが存在しない配線基板１０２を得ることができる。【００８９】
また、上記の同様な工程を用いて、基材２９Ｂに導体パターンＣ２と取出し配線２５Ｂとが形成された基板を作製する（図１３（ａ）を参照）。この基板においても、複数の取出し配線２５Ｂが設けられる配線エリアＬＡに不導体部ＮＣが存在しない配線基板１０２を得ることができる。これらのことにより、湿度環境下において、不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線２５（２５Ａ、２５Ｂ）と基材２９（２９Ａ、２９Ｂ）との間の浮遊容量が変化するということがない配線基板１０２を得ることができる。【００９０】
次に、２枚の基材２９（２９Ａ、２９Ｂ）を貼り合わせる貼合せ工程ＰＢを行う。貼合せ工程ＰＢは、先ず、図１３（ａ）に示すように、基材２９Ａの電極２１Ａ及び導体配線２３Ａと基材２９Ｂの電極２１Ｂ及び導体配線２３Ｂとが対向するように、基材２９Ａと基材２９Ｂとを配設する。そして、間に設けられた接着層６６により、図１３（ｂ）に示すように、基材２９Ａと基材２９Ｂとを接着する。【００９１】
次に、ビク型を用いて、外形加工工程ＰＥを行い（図１３（ｃ）を参照）、図１０に示すような外形にする。【００９２】
最後に、基材２９Ａと基材２９Ｂを貼り合わせた基板を成形体８８に貼り付ける成形工程ＰＦを行う。成形工程ＰＦは、基材２９Ｂの裏側面（基材２９Ａと対向した面の反対側面）に接着層７７を塗布し、この基板を型に挟み込んでインサート成形を行う。これにより、基材２９Ａと基材２９Ｂを貼り合わせた基板が一体に形成された配線基板１０２を得ることができる。【００９３】
以上のように行われる本発明の第２実施形態に係わる配線基板１０２の製造方法における、効果について、以下に纏めて説明する。【００９４】
本発明の第２実施形態に係わる配線基板１０２の製造方法は、基材２９（２９Ａ、２９Ｂ）上のビューエリアＶＡに透明導電性高分子からなる透明導電層Ｔ２を形成する層形成工程Ｐ２１を有しているので、複数の取出し配線２５（２５Ａ、２５Ｂ）が設けられる配線エリアＬＡに透明導電性高分子からなる導体部ＣＤ、ひいては不導体部ＮＣが存在しない配線基板１０２を得ることができる。このため、湿度環境下において、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣに水分が吸湿されて、導体部ＣＤ及び不導体部ＮＣの抵抗値が変化し、取出し配線２５と基材２９との間の浮遊容量が変化するということがない配線基板１０２を得ることができる。このことにより、湿度の影響を受けにくい配線基板１０２を提供することができる。【００９５】
また、トリミング部ＴＭを形成するレーザ加工工程ＰＬ４を有しているので、電極２１（２１Ａ、２１Ｂ）間或いは電極２１と導体配線２３（２３Ａ、２３Ｂ）間における絶縁耐圧を向上させることができる配線基板１０２を容易に作製することができる。更に、トリミング部ＴＭの幅を狭くして作製することができるとともに、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極２１間或いは電極２１と導体配線２３間を狭くレイアウトすることができる。このことにより、導体パターンＣ２の全体のレイアウトを小さくすることができ、小型化が図れた配線基板１０２を提供することができる。【００９６】
［第３実施形態］
図１４は、本発明の第３実施形態の静電容量センサＣＳ３を説明する分解斜視図である。図１４では、導体パターンＣ２と取出し配線１５の一部を省略している。図１５は、本発明の第３実施形態の静電容量センサＣＳ３を説明する構成断面図である。なお、図１５の構成断面図は、説明を分かり易くするため、任意の箇所における断面の構成を実際のサイズとは異なって示している。なお、第１実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。【００９７】
本発明の第３実施形態の静電容量センサＣＳ３は、図１４及び図１５に示すように、第１実施形態の配線基板１０１と、配線基板１０１に設けられた複数の電極１１と指等の指示体との静電容量を検出する検出部Ｓ７と、検出部Ｓ７の検出値に基づいて信号を出力する制御部Ｓ８と、を備えて構成されている。他に、静電容量センサＣＳ３には、配線基板１０１の上面側（図１４に示すＺ１側）を覆うカバー部材Ｋ４４と、静電容量センサＣＳ３と外部機器とを接続するためのコネクタＣＮと、検出部Ｓ７、制御部Ｓ８及びコネクタＣＮを搭載する回路基板Ｓ９と、を備えている。【００９８】
ここで、静電容量センサＣＳ３の配線基板１０１が第１実施形態の配線基板１０１なので、詳細な説明は省略する。なお、配線基板１０１の上面側には、透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムなるカバー部材Ｋ４４が設けられており、指等の指示体が摺接されても配線基板１０１へのダメージが防止できるように構成されている。【００９９】
先ず、静電容量センサＣＳ３の検出部Ｓ７は、集積回路（ＩＣ、Integrated Circuit）等を用いて構成されており、回路基板Ｓ９に搭載されている。そして、検出部Ｓ７は、取出し配線１５と電気的に接続されて、電極１１に生じる静電容量を検出している。例えば、ユーザの指等の支持体が電極１１ａ（図１４を参照）上に存在した場合、検出部Ｓ７は、支持体と電極１１ａ間に生じる静電容量値を検出し、この検出値を制御部Ｓ８に出力している。また、取出し配線１５と検出部Ｓ７との電気的な接続は、基材１９の取出し部１９ｔから図示していないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ、Flexible printed circuits）を介して、回路基板Ｓ９に接続されて行われる。【０１００】
次に、静電容量センサＣＳ３の制御部Ｓ８は、集積回路（ＩＣ、Integrated Circuit）を用いて構成されており、回路基板Ｓ９に搭載されている。そして、制御部Ｓ８は、検出部Ｓ７からの検出値に基づいて、ユーザの指等の支持体を検知し、コネクタＣＮを介して回路基板Ｓ９に接続されている外部機器に対して信号を出力している。【０１０１】
最後に、静電容量センサＣＳ３の回路基板Ｓ９は、片面Ｓ９ａに銅または銅合金の配線パターン（図示していない）が形成されたプリント配線板(ＰＷＢ、printed wiring board)を用いており、この回路基板Ｓ９には、前述した検出部Ｓ７及び制御部Ｓ８が搭載されているとともに、静電容量センサＣＳ３と外部機器とを接続するためのコネクタＣＮが搭載されている。また、図示はしていないが、配線基板１０１と接続されたフレキシブルプリント基板が接続されている。なお、回路基板Ｓ９としてプリント配線板を用いたが、これに限るものではない。【０１０２】
以上のように構成された第１実施形態の本発明の静電容量センサＣＳ３は、第１実施形態の配線基板１０１を用いているので、湿度の影響を受けにくい静電容量センサである。【０１０３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば次のように変形して実施することができ、これらの実施形態も本発明の技術的範囲に属する。【０１０４】
＜変形例１＞
上記第１実施形態の配線基板１０１では、電極１１及び導体配線１３が片面側に形成された基材１９を用いて構成したが、第２実施形態のように、１組の基材を用いて構成しても良い。【０１０５】
＜変形例２＞
上記第１実施形態の配線基板１０１では、図４に示す例には、電極１１間に３個のトリミング部ＴＭを例示しているが、この数に限るものではない。【０１０６】
＜変形例３＞
上記第１実施形態の配線基板１０１では、取出し配線１５が設けられた配線エリアＬＡにアンダーコート５６とカバレッジコート５７とを設けた構成としたが、第２実施形態のように、アンダーコート５６とカバレッジコート５７とを設けない構成でも良い。【０１０７】
＜変形例４＞
上記第１実施形態の配線基板１０１の製造方法では、層形成工程Ｐ１１の後にレーザ加工工程ＰＬ２を行い、透明導電性高分子である透明導電層Ｔ２の一部を除去してトリミング部ＴＭを形成したが、第２実施形態のような工程の順であっても良い。つまり、パターニング工程Ｐ３が終了した後にレーザ加工工程ＰＬ４を行い、不導体化された不導体部ＮＣの一部を除去してトリミング部ＴＭを形成しても良い。【０１０８】
＜変形例５＞
上記第１実施形態及び第２実施形態では、取出し配線（１５、２５）として、銀層（１５ａ、２５ａ）及びカーボン層（１５ｃ、２５ｃ）の２層で構成したが、これに限るものではなく、銀層（１５ａ、２５ａ）のみの構成でも良いし、銀層（１５ａ、２５ａ）に限らず、透明導電性高分子よりも低い比抵抗を有する材質から構成されても良い。【０１０９】
＜変形例６＞
上記第３実施形態の静電容量センサＣＳ３では、第１実施形態の配線基板１０１を用いて構成したが、これに限らず、第２実施形態の配線基板１０２を用いても良いし、他の本発明に係わる実施形態を用いても良い。【０１１０】
本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【０１１１】
１１、１１ａ、２１、２１Ａ、２１Ｂ  電極
１３、２３、２３Ａ、２３Ｂ  導体配線
１５、２５、２５Ａ、２５Ｂ  取出し配線
Ｒ３１  レジスト膜
１９、２９、２９Ａ、２９Ｂ  基材
Ｃ２    導体パターン
ＣＤ    導体部
ＮＣ    不導体部
Ｔ２    透明導電層
ＴＭ    トリミング部
ＬＡ    配線エリア
ＶＡ    ビューエリア
１０１、１０２  配線基板
ＣＳ３  静電容量センサ
Ｓ７    検出部
Ｓ８    制御部
Ｐ１１、Ｐ２１  層形成工程
Ｐ３    パターニング工程
Ｐ３１  膜形成工程
Ｐ３２  不導体化工程
Ｐ３３  エッチング工程
ＰＡ３２  パターン化工程
Ｐ４    配線形成工程
ＰＬ２、ＰＬ４  レーザ加工工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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