(57)【要約】  コーティング膜を備える磁石体を割断する割断方法及び割断装置は、割断予定位置に沿って下面に脆弱部としての切り欠き溝を備えた磁石体を、下方から２つの支点としてのダイで支持した状態で両支点間に脆弱部が配置される位置まで磁石体を送り、両支点間の脆弱部より送り方向後方にオフセットした位置の上方から磁石体を押圧することで、磁石体を割断後磁石体と割断後磁石体より小さい磁石片とに割断しつつ、コーティング膜を切断する。
2015029882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転電機に配設される界磁極用磁石体を構成する磁石片を、永久磁石体を割断して製造する割断方法であって、
劣化防止用のコーティング膜を表面に備える永久磁石体の少なくとも一面に前記磁石体の幅方向に延在する割断予定位置に脆弱部を形成する工程と、
前記脆弱部を下面側に位置させた磁石体を、下方から２つの支点で支持した状態で両支点間に前記脆弱部が配置される位置まで前記磁石体を送る工程と、
両支点間の前記脆弱部より送り方向後方にオフセットした位置の上方から前記磁石体を押圧して、前記磁石体をそのコーティング膜を含めて割断後磁石体と前記割断後磁石体より小さい磁石片とに割断する工程と、を備える割断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の割断方法において、
前記割断する工程は、磁石体及び磁石片の少なくとも磁石片を上方から押さえて行われる割断方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の割断方法において、
前記割断工程は、磁石体を押圧した状態において、磁石体の位置を送り方向にずらす動作を含む割断方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の割断方法において、
前記脆弱部は、前記磁石体の少なくとも一面において、送り方向に等間隔で設けられ、
前記オフセット量は、全ての脆弱部での割断工程において同じとする割断方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の割断方法において、
前記脆弱部を形成する工程は、脆弱部をレーザビーム照射により加工する割断方法。
【請求項６】
回転電機に配設される界磁極用磁石体を構成する磁石片を、永久磁石体を割断して製造する割断装置であって、
割断予定位置に沿って下面に脆弱部が形成された前記磁石体を下方から２つの支点で支持する支持部と、
両支点間に前記脆弱部が配置される位置まで前記磁石体を送る送り手段と、
両支点間の前記脆弱部より送り方向後方にオフセットした位置の上方から前記磁石体を押圧して前記磁石体をそのコーティング膜を含めて割断後磁石体と前記割断後磁石体より小さい磁石片とに割断する割断手段と、を備えることを特徴とする割断装置。
【請求項７】
請求項６に記載の割断装置において、
前記割断手段は、磁石体及び磁石片の少なくとも磁石片を上方から押さえる磁石押さえを備える割断装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の割断装置において、
前記送り手段は、割断手段により磁石体を押圧した状態において、磁石体の位置を送り方向にずらす動作を行う記載の割断装置。
【請求項９】
請求項６から８のいずれかに記載の割断装置において、
前記脆弱部は、前記磁石体の少なくとも一面において、送り方向に等間隔で設けられ、
前記オフセット量は、全ての脆弱部での割断工程において同じとする割断装置。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれかに記載の割断装置において、
前記脆弱部は、レーザビーム照射により加工されている割断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転電機に配設される界磁極用磁石体を構成する磁石片を製造する割断方法及び割断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から回転電機に配設される界磁極用磁石体として、板状の磁石体（以下、単に「磁石体」と示す）を割断して複数の磁石片とし、この複数の磁石片同士を接着することによって形成した界磁極用磁石体が知られている。このような界磁極用磁石体は、複数の磁石片で形成されるため個々の磁石片の体積を小さくすることができ、ロータの回転による磁界の変動によって磁石片に発生する渦電流を低減させることができる。これにより、渦電流の発生に伴う界磁極用磁石体の発熱を抑制し、不可逆な熱減磁を防止することができる。【０００３】
ＪＰ２００９−１４２０８１Ａは、割断予定線に沿って切り欠きを設けた磁石体を、割断予定線と垂直方向の両端部において磁石体を支持するダイに載置し、割断予定線の上部を下方へとブレードによって押し込むことで、磁石体を割断予定線に沿って割断して複数の磁石片を製造することを開示している。
【発明の概要】
【０００４】
磁石体は、ダイ上で長手方向に送られ、送り方向の先端部から順に１個ずつブレードによって割断されていく。磁石体は割断予定線の両側をダイによって支持された状態で、割断予定線の上部からブレードを下方向に押し込むことで割断される。つまり、磁石体は３点曲げによって割断される。
【０００５】
ところで、磁石体は錆び易い性質があり、防錆効果を有する素材で磁石体表面をコーティングしている。このコーティング膜の素材は延性材料であるため、磁石体の割断に際して、コーティング膜が割断予定線の部分において、切断に到るまでには延されず、コーティング膜が切れていない場合がある。コーティング膜が切れていない場合には、割断された磁石片とまだ割断されていない磁石体とが切れていないコーティング膜により連結された状態となる。その結果として、割断された磁石片を次工程へ搬送する際に、まだ割断されていない磁石体も同時に搬送されてしまうという不具合が付随的に生じる。
【０００６】
そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、コーティング膜を備える磁石体を割断して回転電機に配設される界磁極用磁石体を構成する磁石片を製造するに好適な割断方法及び割断装置を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明のある態様によれば、回転電機に配設される界磁極用磁石体を構成する磁石片を、永久磁石体を割断して製造する割断方法が提供される。この割断方法は、割断予定位置に沿って下面に脆弱部を備えた磁石体を、下方から２つの支点で支持した状態で両支点間に脆弱部が配置される位置まで磁石体を送る工程と、両支点間の脆弱部より送り方向後方にオフセットした位置の上方から磁石体を押圧することで、磁石体を割断後磁石体と割断後磁石体より小さい磁石片とに割断しつつ、コーティング膜を切断する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】図１Ａは、本実施形態にかかる割断方法及び割断装置によって製造された磁石片から構成される界磁極用磁石体を適用した永久磁石型回転電機の主要部の構成を示す概略構成図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａの永久磁石型回転電機のＩ−Ｉ断面を示す断面図である。
【図２】図２は、界磁極用磁石体の構成を示す構成図である。
【図３Ａ】図３Ａは、磁石体の溝入れ工程について説明するための図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、磁石体のバリ取り工程について説明するための図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、磁石体の割断工程について説明するための図である。
【図４Ａ】図４Ａは、比較例１としての割断装置の割断工程を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、比較例１としての割断装置の割断工程を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、比較例２としての割断装置の割断工程を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、比較例２としての割断装置の割断工程を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、比較例２としての割断装置の割断工程を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、第１実施形態にかかる割断装置の割断工程を示した図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第１実施形態にかかる割断装置の割断工程を示した図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、第１実施形態にかかる割断装置の割断工程を示した図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、第１実施形態にかかる割断装置の割断工程を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００１０】
図１Ａ及び図１ＡのＩ−Ｉ断面を示す図１Ｂは、本実施形態にかかる割断方法及び割断装置によって製造された磁石片から構成される界磁極用磁石体８０を適用した永久磁石埋込型回転電機Ａ（以下、単に「回転電機Ａ」という）を示している。
【００１１】
回転電機Ａは、ケーシングの一部を構成する円環形のステータ１０と、このステータ１０と同軸的に配置された円柱形のロータ２０とから構成される。
【００１２】
ステータ１０は、ステータコア１１と、複数のコイル１２とから構成される。複数のコイル１２は、ステータコア１１に軸心Ｏを中心とした同一円周上に等角度間隔で形成されるスロット１３に収設される。
【００１３】
ロータ２０は、ロータコア２１と、ロータコア２１と一体的に回転する回転軸２３と、複数の界磁極用磁石体８０とから構成される。複数の界磁極用磁石体８０は、軸心Ｏを中心とした同一円周上に等角度間隔で形成されるスロット２２に収設される。
【００１４】
ロータ２０のスロット２２に収設される界磁極用磁石体８０は、図２に示すように、複数の磁石片３１を一列に整列させた磁石片３１の集合体として構成される。磁石片３１は、防錆効果を備えたコーティング膜により全周表面が覆われた、長方形の上下面を有する板状の磁石体３０を、長方形の短辺方向に沿って割断することにより分割される。界磁極用磁石体８０は、分割された複数の磁石片３１の割断面同士を樹脂３２により接着して構成される。使用される樹脂３２は、例えば２００℃程度の耐熱性能を備えるものが使用され、隣接する磁石片３１同士を電気的に絶縁する。これにより、作用する磁界の変動により磁石片３１に発生する渦電流を個々の磁石片３１内に留めることで低減させ、渦電流に伴う界磁極用磁石体８０の発熱を抑制して、不可逆な熱減磁を防止することができる。
【００１５】
次に、図３Ａ−図３Ｃを参照して、防錆効果を備えたコーティング膜３５により全周表面が覆われた板状の磁石体３０から複数の磁石片３１を製造する過程について説明する。
【００１６】
磁石体３０を複数の磁石片３１に割断するために、磁石体３０の割断しようとする部位（割断予定線）に、図３Ａに示すように、予め切り欠き溝３３等から成る脆弱部を形成することが有効である。脆弱部として設ける切り欠き溝３３は、表面からの深さが深いほど、また、切り欠き溝３３の先端の尖りが鋭いほど、磁石片３１として割断した場合の割断面の平面度が向上する。
【００１７】
切り欠き溝３３の形成方法としては、磁石体３０の成形型に設けた溝形成用の突条により磁石体３０の成形工程で設ける方法、ダイサーやスライサー等の機械加工による方法、レーザビーム照射による方法、ワイヤカット放電加工等がある。切り欠き溝３３を機械加工、レーザビーム照射及びワイヤカット放電加工により形成する場合は、磁石体３０の表面のコーティング膜３５も同時に切り欠いて形成する。
【００１８】
切り欠き溝３３をレーザビーム照射やワイヤカット放電加工により形成する場合には、切り欠き溝３３に沿ってバリ３４が発生するので、このバリ３４を、図３Ｂに示すように、バリ取り工程において除去する。
【００１９】
続いて、割断工程において、切り欠き溝３３を下にした状態で切り欠き溝３３のない側から溝３３に対応する位置を後述する割断手段としてのブレードによって押圧することで、図３Ｃに示すように、磁石体３０が切り欠き溝３３に沿って割断されて複数の磁石片３１となる。
【００２０】
図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ｃに示す割断工程を行う比較例１としての割断装置４０の概略を示している。
【００２１】
割断装置４０は、一対のダイ４１、４２間に磁石体３０を架け渡した状態で載置し、架け渡した部分に上部からブレード４３を下降させて、磁石体３０を３点曲げにより割断する装置である。割断装置４０は、磁石体３０を架け渡して載置する下型としての一対のダイ４１、４２と、磁石体３０の架け渡した部分を押し込むことで磁石体３０を割断させるブレード４３と、磁石体３０を一端部から順にブレード４３の直下に送る図示しない磁石搬送装置と、を備える（図４Ａ）。
【００２２】
ブレード４３は、一対のダイ４１、４２に架け渡された磁石体３０の上面を下方へ押圧することで、磁石体３０を割断させる。ブレード４３は、先端が一対のダイ４１、４２間の中間に位置するように位置決めされており、例えばサーボプレス、機械プレス、油圧プレスなどによって駆動される。
【００２３】
割断装置４０は上記のように構成され、切り欠き溝３３を設けた磁石体３０を一対のダイ４１、４２の上面に架け渡して載置する。なお、磁石体３０は、割断させたい所望の位置、即ち、割断予定線に予め設ける切り欠き溝３３が、ダイ４１、４２側に対面する側に位置するように、一対のダイ４１、４２上に載置される。
【００２４】
そして、図示しない磁石搬送装置によって、割断予定線としての切り欠き溝３３が一対のダイ４１、４２間の中間に位置するように位置合わせした状態で、ブレード４３を下降させる。ブレード４３を下降させるとブレード４３が切り欠き溝３３の裏側を下方へと押圧し、ブレード４３及び一対のダイ４１、４２の互いに隣接する縁部４１ａ、４２ａの３点曲げにより磁石体３０は切り欠き溝３３に沿って割断される（図４Ｂ）。
【００２５】
この時、磁石体３０の表面を覆っているコーティング膜３５は、切り欠き溝３３により発生する割断面の進行に連れて磁石体３０の側面側では切断されるものの、ブレード４３が当接する磁石体３０の上面側において切断されていない状態を生ずる。即ち、割断された磁石片３１とまだ割断されていない磁石体３０とが、切れていない上面側のコーティング膜３５により連結された状態となる。
【００２６】
これは、コーティング膜３５が延性材料で形成されていること、及び、磁石体３０の割断に際して、磁石体３０の上面側のコーティング膜３５は、割断予定線の部分においてブレード４３に当接しており、下側へ押下げられて折れ曲るのみとなること、が原因と考えられる。このため、磁石片３１の、割断された上面側のコーティング膜３５とまだ割断されていないコーティング膜３５とを引き離す引張り力の発生が弱いままとなり、コーティング膜３５は切断に到るまでには延されず、切断されないこととなる。
【００２７】
上記した問題は、図５Ａ−図５Ｃに示すような、磁石押さえ４５を磁石体３０に押し当てて磁石片３１の動きを抑制して、割断された瞬間の応力解放により磁石片３１が飛散することを防止する比較例２の割断装置４０において、より顕著となる。即ち、比較例２の割断装置４０においては、比較例１の割断装置４０に追加して、ブレード４３と共に上下動する磁石押さえ４５を備える。
【００２８】
そして、図示しない磁石搬送装置によって、割断予定線としての切り欠き溝３３が一対のダイ４１、４２間の中間に位置するように位置合わせした状態で、ブレード４３を下降させる。ブレード４３の下降に伴い、先ず磁石押さえ４５が磁石体３０の上面に接触して磁石体３０の動きを抑制する（図５Ａ）。さらに、ブレード４３を下降させると、ブレード４３が切り欠き溝３３の裏側を下方へと押圧し、ブレード４３及び一対のダイ４１、４２の互いに隣接する縁部４１ａ、４２ａの３点曲げにより磁石体３０は切り欠き溝３３に沿って割断される（図５Ｂ）。
【００２９】
このとき、磁石体３０の上面側のコーティング膜３５は、割断予定線の部分において、ブレード４３に当接しており、下側へ押下げられて折れ曲るのみとなる。この折れ曲り量は、磁石押さえ４５により磁石体３０及び磁石片３１を上側から押え付けていることから、比較例１よりも小さくなる。このため、割断された磁石片３１の上面側のコーティング膜３５とまだ割断されていない磁石体３０の上面側のコーティング膜３５とを引き離す引張り力の発生がさらに弱くなり、コーティング膜３５は切断に到るまでには延されず、切断されないこととなる。
【００３０】
そして、その後のブレード４３の上昇に伴い、磁石体３０及び磁石片３１は切断されていない上面側のコーティング膜３５で繋がれた状態で、磁石押さえ４５により折れ曲り状態から復帰される（図５Ｃ）。
【００３１】
そこで、本実施形態では、磁石体３０の割断工程を以下のように行っている。
【００３２】
図６Ａ−図６Ｄは、本実施形態にかかる割断装置６０の割断工程を示した図である。ところで、本実施形態にかかる割断装置６０は、比較例２と同様に、割断された瞬間の応力解放により磁石片３１が飛散することを防止する磁石押さえ６５を備えるものを記載している。しかし、この磁石押さえ６５は、後述するように、コーティング膜３５の切断に対して有効に作用するが、本実施形態の割断装置６０に対して必ずしも必須の構成ではない。
【００３３】
本実施形態では、先ず、支持部としての一対のダイ６１、６２上に載置された磁石体３０の送り方向位置を、切り欠き溝３３がブレード６３の当接部位７３より磁石体３０の送り方向先端側（図中右側）にオフセットした位置となるように、磁石体３０の送り量を調節する（図６Ａ）。つまり、磁石体３０の割断時、切り欠き溝３３をブレード６３の当接部位７３の直下ではなく、磁石体３０の送り方向に所定のオフセット量だけずらして配置する。
【００３４】
磁石体３０の搬送は、送り手段としての磁石搬送装置６４によって磁石体３０を搬送方向に押出すことにより行われる。磁石搬送装置６４は、例えばＡＣサーボモータとボールネジとを組み合わせたＬＭガイド等で構成され、磁石体３０を送り方向に所定量だけ送り、任意の位置で止めることができる。
【００３５】
本実施形態では、磁石体３０の切り欠き溝３３がブレード６３の当接部位７３より図中右側にオフセットするように磁石体３０が配置される。所定のオフセット量は、１［ｍｍ］を上限とする。オフセット量を、１［ｍｍ］を上限とすることにより、切欠き溝の位置とブレード位置とをオフセットさせることによる割断面の位置精度・表面性状の悪化が防止できる。所定のオフセット量は、具体的には、例えば、０．６［ｍｍ］程度とする。このオフセット量は、割断後の磁石片３１と磁石体３０との間に形成される割断面の位置精度や表面性状に応じて、増加させたり減少させたりして調整されるものである。亀裂の開始位置は脆弱部である切り欠き溝３３となる。
【００３６】
上記のように磁石体３０を位置決めした状態でブレード６３を下降させる。ブレード６３の下降に伴い、先ず磁石押さえ６５が磁石体３０の上面に接触して磁石体３０の動きを抑制する。さらに、ブレード６３を下降させると、図６Ｂに示すように、ブレード６３が磁石体３０の裏側の切り欠き溝３３からオフセットした部分を下方へと押圧し、ブレード６３及び一対のダイ６１、６２の互いに隣接する縁部６１ａ、６２ａの３点曲げにより磁石体３０は切り欠き溝３３に沿って割断する（図６Ｂ）。そして、ブレード６３を下降端で停止させる。ブレード６３の下降速度は、例えば、３０［ｍｍ/ｓｅｃ］以上が好ましい。
【００３７】
割断直後の磁石体３０は下降したブレード６３に接触した状態で搬送方向先端側を下方にして斜めに傾斜し、磁石体３０の先端で割断された磁石片３１は、搬送方向後端側を下方にして斜めに傾斜する。また、磁石体３０の搬送方向先端側は、ブレード６３の当接位置より搬送方向前方に位置するため、磁石体３０の先端及び磁石片３１の後端の上下方向位置は、比較例１，２に比較して、より下方に位置している。このため、磁石片３１の搬送方向後端側を下方にした斜めの傾斜角度も大きくなる。この状態では、磁石体３０とその先端側の磁石片３１とのコーティング膜３５は、切り欠き溝３３により発生する割断面により磁石体３０及び磁石片３１の側面側では切断されているものの、磁石体３０の上面側においては切断されていない。
【００３８】
この時、磁石体３０から割断された先端側の磁石片３１は、ブレード６３に前端が押下げられた磁石体３０に対して割断面部位の上面のコーティング膜３５のみで後端がつながっており、ブレード６３には触れておらず、その動きが制限されていない。そして、先端側の磁石片３１には、それ自体の自重により、当該磁石片３１を傾いた姿勢からダイ６２の縁部６２ａを支点とした矢印方向への回転復帰させるモーメントが作用する。この回転復帰モーメントは、磁石片３１をダイ６２に沿わせて、その傾き姿勢を復帰させる（図６Ｃ）。この磁石片３１の傾き姿勢からの復帰動作は、割断前からその位置が搬送方向前方にずらされていることにより、より確実となる。また、磁石押さえ６５による押付け力によって、磁石片３１の傾き姿勢からの復帰動作は、より一層強くできる。
【００３９】
これにより、磁石片３１の上面後端部が磁石体３０の上面先端部から上方向に離れるよう移動する。この離間移動により、磁石体３０及び磁石片３１の上面側のコーティング膜３５は当該離間部分で引き延ばしされ、磁石体３０及び磁石片３１を連結している上面側のコーティング膜３５が当該離間部分で切り離される。また、上面側のコーティング膜３５の引き延ばし動作は、上記したように、磁石片３１の後端の上下方向位置が、比較例１，２に比較して、より下方に位置しているため、大きいストロークをもって実行され、コーティング膜３５の切り離しが確実に実行される。
【００４０】
そして、ブレード６３を上昇させると、磁石体３０と磁石片３１とはコーティング膜３５を含めて完全に切り離された状態となる（図６Ｄ）。そして、次の磁石片３１の割断のために、磁石搬送装置６４によって磁石体３０を送り方向へと磁石片３１の１個分だけ送り、同様の手順により磁石片３１コーティング膜３５を含めて割断し、必要な割断数だけ上記手順を繰り返すようにする。
【００４１】
上記した割断後の磁石片３１に生ずる回転復帰モーメントは、ダイ６２の縁部６２ａと磁石片３１の搬送方向前端との長さに比例して大きくなる。このため、ブレード６３を割断動作の下降端で停止させた状態において、磁石搬送装置６４により磁石体３０を搬送方向に押出し、磁石体３０から割断された先端側の磁石片３１も搬送方向に位置をずらすようにしてもよい。このように、先端側の磁石片３１の位置を搬送方向にずらすことにより、ダイ６２の縁部６２ａと磁石片３１の搬送方向前端との長さを大きくでき、それ自体の自重により、当該磁石片３１を傾いた姿勢から支持しているダイ６２に沿うよう矢印方向への回転復帰するモーメントを大きくできる。このため、磁石片３１の傾き姿勢からの復帰動作をより一層強くでき、より一層コーティング膜３５の切断を確実化できる。
【００４２】
本実施形態においては、以下に記載する効果を奏することができる。
【００４３】
（ア）割断予定位置に沿って下面に脆弱部としての切り欠き溝３３を備えた磁石体３０を、下方から２つの支点としてのダイ６１，６２で支持した状態で両支点間に脆弱部が配置される位置まで磁石体３０を送り、両支点間の脆弱部より送り方向後方にオフセットした位置の上方から磁石体３０を押圧することで、磁石体３０を割断後磁石体３０と割断後磁石体３０より小さい磁石片３１とに割断しつつ、コーティング膜３５を切断するようにしている。即ち、磁石片３１の自重により、当該磁石片３１を支持している支点であるダイ６２に沿うよう回転復帰するモーメントが発生され、割断後の磁石体３０と連なっているコーティング膜３５を切断することができる。また、コーティング膜３５を切断する付加的な手段を必要とせず、割断装置６０を簡素な構成とすることができる。
【００４４】
（イ）割断工程は、磁石体３０及び磁石片３１の少なくとも磁石片３１を磁石押さえ６５により上方から押さえて行われるため、割断後の磁石片３１の支点であるダイ６２に沿うよう回転復帰するモーメントを大きくすることができ、より一層コーティング膜３５の切断を確実化することができる。
【００４５】
（ウ）また、割断後の磁石片３１を磁石搬送装置６４により送り方向にずらす動作を加えることにより、それ自体の自重によって、当該磁石片３１を支持している支点であるダイ６２に沿うよう回転復帰するモーメントを大きくすることができ、より一層コーティング膜３５の切断を確実化できる。
【００４６】
（エ）脆弱部としての切欠き溝３３は、磁石体３０の少なくとも一面において、送り方向に等間隔で設けられ、前記オフセット量は、全ての脆弱部での割断工程において同じとしている。このため、最初の割断時に、脆弱部とブレード６３との位置関係を最適な割断面の位置精度や表面性状となるよう設定すれば、磁石体３０の搬送が割断動作ごとに常に一定であるため、搬送動作が簡易なものとできる。
【００４７】
（オ）脆弱部としての切り欠き溝３３は、レーザビーム照射により加工されるので、得られる脆弱部の位置精度が向上する。
【００４８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
【００４９】
本願は２０１３年８月２９日に日本国特許庁に出願された特願２０１３−１７７８３１に基づく優先権を主張し、この出願の全ての内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【図１Ａ】
2015029882.tif 000003
【図１Ｂ】
2015029882.tif 000004
【図２】
2015029882.tif 000005
【図３Ａ】
2015029882.tif 000006
【図３Ｂ】
2015029882.tif 000007
【図３Ｃ】
2015029882.tif 000008
【図４Ａ】
2015029882.tif 000009
【図４Ｂ】
2015029882.tif 000010
【図５Ａ】
2015029882.tif 000011
【図５Ｂ】
2015029882.tif 000012
【図５Ｃ】
2015029882.tif 000013
【図６Ａ】
2015029882.tif 000014
【図６Ｂ】
2015029882.tif 000015
【図６Ｃ】
2015029882.tif 000016
【図６Ｄ】
2015029882.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月27日(2014.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転電機に配設される界磁極用磁石体を構成する磁石片を、永久磁石体を割断して製造する割断方法であって、
劣化防止用のコーティング膜を表面に備える永久磁石体の少なくとも一面に前記磁石体の幅方向に延在する割断予定位置に脆弱部を形成する工程と、
前記脆弱部を下面側に位置させた磁石体を、下方から２つの支点で支持した状態で両支点間に前記脆弱部が配置される位置まで前記磁石体を送る工程と、
両支点間の前記脆弱部より送り方向後方に所定のオフセット量だけオフセットした位置の上方からブレードによって前記磁石体を押圧して、前記磁石体をそのコーティング膜を含めて割断後磁石体と前記割断後磁石体より小さい磁石片とに割断する工程と、を備え、
前記オフセット量は、前記磁石体が前記割断後磁石体と前記磁石片とに割断された際に前記磁石片と前記ブレードとが触れない大きさである割断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の割断方法において、
前記割断する工程は、磁石体及び磁石片の少なくとも磁石片を上方から押さえて行われる割断方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の割断方法において、
前記割断する工程は、磁石体を押圧した状態において、磁石体の位置を送り方向にずらす動作を含む割断方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の割断方法において、
前記脆弱部は、前記磁石体の少なくとも一面において、送り方向に等間隔で設けられ、
前記オフセット量は、全ての脆弱部での割断工程において同じとする割断方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の割断方法において、
前記脆弱部を形成する工程は、脆弱部をレーザビーム照射により加工する割断方法。
【請求項６】
回転電機に配設される界磁極用磁石体を構成する磁石片を、永久磁石体を割断して製造する割断装置であって、
割断予定位置に沿って下面に脆弱部が形成された前記磁石体を下方から２つの支点で支持する支持部と、
両支点間に前記脆弱部が配置される位置まで前記磁石体を送る送り手段と、
両支点間の前記脆弱部より送り方向後方に所定のオフセット量だけオフセットした位置の上方からブレードによって前記磁石体を押圧して前記磁石体をそのコーティング膜を含めて割断後磁石体と前記割断後磁石体より小さい磁石片とに割断する割断手段と、を備え、
前記オフセット量は、前記磁石体が前記割断後磁石体と前記磁石片とに割断された際に、前記磁石片と前記ブレードとが触れず、前記磁石片の動きが前記ブレードにより制限されない大きさである割断装置。
【請求項７】
請求項６に記載の割断装置において、
前記割断手段は、磁石体及び磁石片の少なくとも磁石片を上方から押さえる磁石押さえを備える割断装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の割断装置において、
前記送り手段は、割断手段により磁石体を押圧した状態において、磁石体の位置を送り方向にずらす動作を行う記載の割断装置。
【請求項９】
請求項６から８のいずれかに記載の割断装置において、
前記脆弱部は、前記磁石体の少なくとも一面において、送り方向に等間隔で設けられ、
前記オフセット量は、全ての脆弱部での割断工程において同じとする割断装置
【請求項１０】
請求項６から９のいずれかに記載の割断装置において、
前記脆弱部は、レーザビーム照射により加工されている割断装置。
【国際調査報告】
2015029882.tif 000018
2015029882.tif 000019
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