(57)【要約】  本発明は、支持基材と、シリコーン樹脂層と、ガラス基板と、電子デバイス用部材とをこの順で有する電子デバイス用部材付き積層体から、前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板との界面を剥離面として、シリコーン樹脂層付き支持基材と、電子デバイスとを分離して、前記電子デバイスを得る工程を有する電子デバイスの製造方法であって、前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板との剥離界面の境界線である剥離線に、溶解度パラメータが１０超の有機溶媒、または、前記有機溶媒と水との混合溶液を供給して、前記シリコーン樹脂層付き支持基材と前記電子デバイスとの分離を行う、電子デバイスの製造方法に関する。
2015016113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基材と、シリコーン樹脂層と、ガラス基板と、電子デバイス用部材とをこの順で有する電子デバイス用部材付き積層体から、前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板との界面を剥離面として、前記支持基材および前記シリコーン樹脂層を含むシリコーン樹脂層付き支持基材と、前記ガラス基板および前記電子デバイス用部材を含む電子デバイスとを分離して、前記電子デバイスを得る工程を有する電子デバイスの製造方法であって、
前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板との剥離界面の境界線である剥離線に、溶解度パラメータが１０超の有機溶媒、または、前記有機溶媒と水との混合溶液を供給して、前記シリコーン樹脂層付き支持基材と前記電子デバイスとの分離を行う、電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記有機溶媒が、ハロゲン原子を有していてもよいアルコール系溶媒、または、非プロトン性極性溶媒を含む、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記有機溶媒が、炭素数１〜６のアルコール系溶媒、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、スルホラン、および、アセトニトリルからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの反応硬化物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記シリコーン樹脂は、付加反応型シリコーンの硬化物であり、
前記付加反応型シリコーンは、下記（ａ）及び（ｂ）を含む硬化性シリコーン樹脂組成物であり、
前記シリコーン樹脂層は、前記硬化性シリコーン樹脂組成物を前記支持基材の表面で硬化させることにより形成される請求項４に記載の電子デバイスの製造方法：
（ａ）アルケニル基を１分子あたり少なくとも２個有する線状オルガノポリシロキサン、
（ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を１分子あたり少なくとも３個有する線状オルガノポリシロキサンであって、かつ、ケイ素原子に結合した水素原子の少なくとも１個が分子末端のケイ素原子に存在している線状オルガノポリシロキサン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に係り、特にシリコーン樹脂層とガラス基板との間の剥離線に所定の有機溶媒を供給して分離（剥離）を行う分離工程を有する電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
そこで、従来から、最終厚さよりも厚いガラス基板上にデバイス用部材（例えば、薄膜トランジスタ）を形成した後、ガラス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。
しかしながら、この方法では、例えば、１枚のガラス基板の厚さを０．７ｍｍから０．２ｍｍや０．１ｍｍに薄板化する場合、元々のガラス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。また、上記の化学エッチングによるガラス基板の薄板化方法においては、ガラス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み（エッチピット）が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。【０００３】
最近では、上記の課題に対応するため、薄板ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体の薄板ガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、薄板ガラス基板から支持板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。補強板は、支持板と、該支持板上に固定されたシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体のシリコーン樹脂層と薄板ガラス基板の界面が剥離され、薄板ガラス基板から分離された補強板は、新たな薄板ガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／０１８０２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、ガラス積層体のガラス基板上に形成される電子デバイス用部材の高機能化や複雑化に伴い、電子デバイス用部材を形成する際の温度がさらに高温になると共に、その高温に曝される時間も長時間を要する場合が少なくない。
特許文献１に記載のガラス積層体は大気中３００℃、１時間の処理では特に問題を生じない。しかし、本発明者らの検討によれば、特許文献１を参照して、ガラス積層体に対して３５０℃、１時間の処理を行った場合、ガラス基板をシリコーン樹脂層表面から剥離する際に、ガラス基板が樹脂層表面から剥がれずにその一部が破壊されたり、樹脂層の樹脂の一部がガラス基板上に残存したりするため、結果として電子デバイス用部材を形成後に電子デバイスの分離がうまくできず、電子デバイスの生産性の低下を招く場合があった。【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温加熱処理条件後であってもシリコーン樹脂層とガラス基板との剥離が容易に進行する電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、従来技術の問題点について検討を行ったところ、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離界面の境界線である剥離線に所定の性質の有機溶媒を供給することにより、剥離が容易に進行することを見出し、本発明を完成するに至った。【０００８】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、支持基材と、シリコーン樹脂層と、ガラス基板と、電子デバイス用部材とをこの順で有する電子デバイス用部材付き積層体から、上記シリコーン樹脂層と上記ガラス基板との界面を剥離面として、上記支持基材および上記シリコーン樹脂層を含むシリコーン樹脂層付き支持基材と、上記ガラス基板および上記電子デバイス用部材を含む電子デバイスとを分離して、上記電子デバイスを得る工程を有する電子デバイスの製造方法であって、シリコーン樹脂層と上記ガラス基板との剥離界面の境界線である剥離線に、溶解度パラメータが１０超の有機溶媒、または、上記有機溶媒と水との混合溶液を供給して、上記シリコーン樹脂層付き支持基材と上記電子デバイスとの分離を行う、電子デバイスの製造方法である。
第１の態様において、有機溶媒が、ハロゲン原子を有していてもよいアルコール系溶媒、または、非プロトン性極性溶媒を含むことが好ましい。
第１の態様において、有機溶媒が、炭素数１〜６のアルコール系溶媒、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、スルホラン、および、アセトニトリルからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
第１の態様において、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの反応硬化物であることが好ましい。
また、前記シリコーン樹脂は、付加反応型シリコーンの硬化物であり、前記付加反応型シリコーンは、下記（ａ）及び（ｂ）を含む硬化性シリコーン樹脂組成物であり、前記シリコーン樹脂層は、前記硬化性シリコーン樹脂組成物を前記支持基材の表面で硬化させることにより形成されることが好ましい：（ａ）アルケニル基を１分子あたり少なくとも２個有する線状オルガノポリシロキサン、（ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を１分子あたり少なくとも３個有する線状オルガノポリシロキサンであって、かつ、ケイ素原子に結合した水素原子の少なくとも１個が分子末端のケイ素原子に存在している線状オルガノポリシロキサン。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高温加熱処理条件後であってもシリコーン樹脂層とガラス基板との剥離が容易に進行する電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の電子デバイスの製造方法の分離工程の手順を順に示す模式的断面図である。
【図２】図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、それぞれ図１（Ｂ）の状態の斜視断面図および上面図である。
【図３】図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、電子デバイスの構成例を示す模式的断面図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、電子デバイス用部材付き積層体の製造方法の各工程の手順を順に示す模式的断面図である。
【図５】図５は、剥離強度の測定装置の概要図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【００１２】
本発明の電子デバイスの製造方法の特徴点としては、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離界面の境界線である剥離線に、所定の溶解度パラメータ（ＳＰ値）を示す有機溶媒または、上記有機溶媒と水との混合溶液を供給している点が挙げられる。上記有機溶媒または混合溶液を供給することにより、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表層に有機溶媒が侵入し、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面接着力を低下させるため、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離がより容易に進行すると推測される。
【００１３】
本発明の電子デバイスの製造方法は、支持基材と、シリコーン樹脂層と、ガラス基板と、電子デバイス用部材とをこの順で有する電子デバイス用部材付き積層体から、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面を剥離面として、支持基材およびシリコーン樹脂層を含むシリコーン樹脂層付き支持基材と、ガラス基板および電子デバイス用部材を含む電子デバイスとを分離して、電子デバイスを得る工程（分離工程）を少なくとも有する。
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の電子デバイスの製造方法の分離工程の手順を順に示す模式的断面図である。以下に、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）を参照しながら、分離工程の手順について詳述する。
【００１４】
まず、支持基材と、支持基材上に配置されたシリコーン樹脂層と、シリコーン樹脂層上に配置されたガラス基板と、ガラス基板上に配置された電子デバイス用部材と有する電子デバイス用部材付き積層体を用意する。図１（Ａ）は、本発明に係る電子デバイス用部材付き積層体の一例の模式的断面図である。
図１（Ａ）に示すように、電子デバイス用部材付き積層体１０は、支持基材１２と、シリコーン樹脂層１４と、ガラス基板１６と、電子デバイス用部材１８とをこの順で有する。なお、シリコーン樹脂層１４は、その一方の面が支持基板１２の層に固定されると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面に接し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面は剥離可能に密着されていることが好ましい。
支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する後述の部材形成工程において、ガラス基板１６を補強する。支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分は、シリコーン樹脂層付き支持基材２０ともいう。
また、ガラス基板１６および電子デバイス用部材１８からなる２層部分は、電子デバイス２２ともいう。
なお、電子デバイス用部材付き積層体を構成する各部材およびその製造手順については、後段においてまとめて説明する。
【００１５】
まず、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面を剥離面として、電子デバイス用部材付き積層体から、シリコーン樹脂層付き支持基材と、電子デバイスとを分離する手順について説明する。
まず、電子デバイス用部材付き積層体から、シリコーン樹脂層付き支持基材と、電子デバイスとを分離する際には、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面に剥離のきっかけを与えることが好ましい。例えば、図１（Ａ）中のガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与える。
次に、図１（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層付き支持基材２０と、電子デバイス２２との分離を行う。その際、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との剥離界面の境界線である剥離線に溶解度パラメータが１０超の有機溶媒、または、該有機溶媒と水との混合溶液（これらを総称して溶液２４）を供給する。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、図１（Ｂ）の状態の斜視断面図および上面図を示し、剥離線Ｘ（剥離境界線）が示される。剥離線Ｘは、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とが剥離されていない部分と、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６と剥離された部分との境界を示す線である。図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、電子デバイス２２の一端側を持ち上げながら剥離する場合は、剥離線Ｘは電子デバイスの一端側から他端側（図２（Ｂ）の右側から左側）に移動する。
【００１６】
剥離線に供給される有機溶媒としては、溶解度パラメータ（ＳＰ値：ｃａｌ／ｃｍ3）が１０超の有機溶媒が使用される。なかでも、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離がより良好に進行する点で、有機溶媒の溶解度パラメータは、１１以上が好ましい。上限は特に制限されないが、濡れ性の点から、通常、２３以下が好ましい。
有機溶媒は１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、溶解度パラメータ（δ）とは、有機溶媒の１モル当たりの蒸発熱をΔＨ（ｃａｌ／ｍｏｌ）、モル体積をＶ（ｃｍ3・ｍｏｌ）とする時、δ＝（ΔＨ／Ｖ）1/2により、定義される値である。
また、有機溶媒の後述するシリコーン樹脂層に対する接触角は特に制限されないが、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離がより良好に進行する点で、９０°以下であることが好ましい。
なお、接触角の測定方法は、協和界面科学株式会社製ＰＣＡ−１を用いて、液滴の滴下量を１μｌとし、２３℃で１サンプル面あたり５点滴下し、滴下６０秒後の接触角を測定した。５点の接触角うちの最大値、最小値の１点ずつを除いた３点の接触角の平均値を接触角として求める。
【００１７】
また、剥離線に供給される溶液として、溶解度パラメータが１０超の有機溶媒と水との混合溶液も挙げられる。有機溶媒の定義は、上述の通りである。
混合溶液中における有機溶媒の含有量は特に制限されないが、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離がより良好に進行する点で、混合溶液全量に対して、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されない。
【００１８】
有機溶媒の好適態様としては、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離がより良好に進行する点で、上記溶解度パラメータを満たす、ハロゲン原子を有していてもよいアルコール系溶媒、または、非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
アルコール系溶媒としては、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離がより良好に進行する点で、炭素数１〜６のアルコール系溶媒が好ましく挙げられ、炭素数１〜３のアルコール系溶媒がより好ましい。具体的には、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノールなどが挙げられる。なお、アルコール系溶媒は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよい。
また、アルコール系溶媒には、ハロゲン原子が含まれていてもよい。つまり、水素原子がハロゲン原子に置換されたアルコール系溶媒であってもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
非プロトン性極性溶媒としては、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、スルホラン、または、アセトニトリルなどが挙げられる。
【００１９】
有機溶媒または混合溶液の供給方法は特に制限されず、シリンジなどを用いて剥離線に直接有機溶媒または混合溶液を供給する方法や、スプレーにて有機溶媒または混合溶液を剥離線に吹き付ける方法などが挙げられる。
また、有機溶媒または混合溶液を一旦剥離線に供給すると、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離に伴って剥離線が移動する際に、有機溶媒または混合溶液も毛管現象により剥離線に沿って移動するため、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離が継続して進行しやすい。また、剥離の最中、剥離線に連続して有機溶媒または混合溶液を供給してもよい。
なお、有機溶媒または混合溶液の供給量は特に制限されないが、剥離線を覆う程度の量を供給すればよい。
【００２０】
シリコーン樹脂層付き支持基材２０と、電子デバイス２２との分離を行う方法は特に制限されず、公知の方法を使用できる。
例えば、電子デバイス用部材付き積層体１０の支持基材１２が上側、電子デバイス用部材１８側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材１８側を定盤上に真空吸着させ、この状態でまず刃物をシリコーン樹脂層１４−ガラス基板１６界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。
【００２１】
上記処理を実施することにより、図１（Ｃ）に示すように、電子デバイス用部材付き積層体１０を、シリコーン樹脂層付き支持基材２０と、電子デバイス２２とに分離することができる。
なお、シリコーン樹脂層付き支持基材２０には新たなガラス基板１６および電子デバイス用部材１８が積層され、電子デバイス用部材付きガラス積層体１０として再利用することができる。
また、上記方法で製造された電子デバイス２２（ガラス基板１６および電子デバイス用部材１８を含む積層体）としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などとして使用することができる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。
なお、電子デバイスのより具体的な例としては、後述する部材形成工程にて述べるＴＦＴ−ＬＣＤの製造を行った場合、図３（Ａ）に示すような液晶パネルを得ることができる。図３（Ａ）に示す、液晶パネル８０は、ＴＦＴ基板８２、ＣＦ基板８４、および液晶層８６などで構成される。ＴＦＴ基板８２は、ガラス基板１６上にＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ）８３などをパターン形成してなる。ＣＦ基板８４は、ガラス基板１６上にカラーフィルタ素子８５をパターン形成してなる。ＴＦＴ基板８２およびＣＦ基板８４も、上記電子デバイスに相当する。
また、電子デバイスの他の具体的な例としては、図３（Ｂ）に示す電子ペーパが挙げられる。図３（Ｂ）中、電子ペーパ９０は、例えば、ガラス基板１６、ＴＦＴ層９２、電気工学媒体（例えばマイクロカプセル）を含む層９４、透明電極９６、および前面板９８で構成される。ＴＦＴ層９２、電気工学媒体の層９４、および、透明電極９６などで、電子ペーパ素子９１が構成される。電子ペーパ素子は、マイクロカプセル型、インプレーン型、ツイストボール型、粒子移動型、電子噴流型、ポリマーネットワーク型のいずれでもよい。
【００２２】
以下、上記で使用した電子デバイス用部材付き積層体１０の各構成（支持基材１２、シリコーン樹脂層１４、ガラス基板１６、電子デバイス用部材１８）の説明、および、電子デバイス用部材付き積層体１０の製造方法について記載する。
【００２３】
なお、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４の界面は剥離強度（ｘ）を有し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４の界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面が剥離する。シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面は剥離強度（ｙ）を有し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂１４層とガラス基板１６との界面が剥離する。
電子デバイス用部材付き積層体１０においては、通常、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高いことが好ましい。該態様であれば、電子デバイス用部材付き積層体１０に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明の電子デバイス用部材付きガラス積層体１０は、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面で剥離して、電子デバイス２２とシリコーン樹脂層付き支持基材２０とにより容易に分離する。
【００２４】
剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板１６に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高めるためには、例えば、架橋性オルガノポリシロキサンを支持基材１２上で架橋硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成することが好ましい。架橋硬化の際の接着力で、支持基材１２に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
一方、架橋硬化後の架橋性オルガノポリシロキサンの硬化物のガラス基板１６に対する結合力は、上記架橋硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材１２上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成し、その後シリコーン樹脂層１４の面にガラス基板１６を積層することが好ましい。
【００２５】
［支持基材］
支持基材１２は、ガラス基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１６の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基材１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。通常、後述する部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
【００２６】
支持基材１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、シリコーン樹脂層１４の厚さに基づいて、支持基材１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さとシリコーン樹脂層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持基材１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基材１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。
【００２７】
支持基材１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
支持基材１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは５００×１０-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０-7／℃以下である。差が大き過ぎると、後述する部材形成工程における加熱冷却時に、支持基材１２とガラス基板１６とが剥離したりする可能性がある。支持基材１２の材料がガラス基板１６の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。
【００２９】
［シリコーン樹脂層］
シリコーン樹脂層１４は、シリコーン樹脂層付き支持基材２０と、電子デバイス２２とを分離する操作が行われるまでガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の第１主面１６ａに剥離可能に密着する。シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｙ）は、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間の界面の剥離強度（ｘ）よりも低いことが好ましい。
すなわち、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する際には、ガラス基板１６の第１主面１６ａとシリコーン樹脂層１４との界面で剥離し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面では剥離し難いことが好ましい。この好適態様においては、シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａと密着するが、ガラス基板１６を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａに対してある程度の結合力で結合してガラス基板１６の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板１６を剥離する際には、ガラス基板１６を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。このシリコーン樹脂層１４表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基材１２の第１主面とシリコーン樹脂層１４とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面の結合力は、ガラス基板１６の面（第２主面１６ｂ）上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい（すなわち、剥離強度（ｘ）や剥離強度（ｙ）が変化してもよい）。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度（ｙ）は、剥離強度（ｘ）よりも低いことが好ましい。
【００３０】
シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していることが好ましい。シリコーン樹脂層１４を形成した後その表面にガラス基板１６を積層する場合、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合はファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ接着性が極めて低い場合であっても、電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂はガラス基板１６表面に接着し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層との間の結合力は上昇すると考えられる。
場合により、積層前のシリコーン樹脂層１４の表面や積層前のガラス基板１６の第１主面１６ａに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層の界面の結合力を弱め、剥離強度（ｙ）を低くすることができる。
【００３１】
また、シリコーン樹脂層１４は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材１２表面に結合されていることが好ましい。たとえば、上述したように、架橋性オルガノポリシロキサンを支持基材１２表面で架橋硬化させることにより、架橋物であるシリコーン樹脂を支持基材１２表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間の結合力を高めることができる。
シリコーン樹脂層１４と支持基材１２の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度（ｘ）が高いことを意味する。
【００３２】
シリコーン樹脂層１４の厚さは特に限定されないが、２〜１００μｍであることが好ましく、３〜５０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。シリコーン樹脂層１４の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、シリコーン樹脂層１４の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、耐熱性が低下する場合がある。また、シリコーン樹脂層１４の厚さが薄すぎると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との密着性が低下する場合がある。
なお、シリコーン樹脂層１４は２層以上からなっていてもよい。この場合「シリコーン樹脂層１４の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
また、シリコーン樹脂層１４が２層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂が異なる架橋シリコーン樹脂からなってもよい。
【００３３】
シリコーン樹脂層１４に含まれるシリコーン樹脂は架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、シリコーン樹脂は３次元網目構造を形成していることが好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの種類は特に制限されず、所定の架橋反応を介して、架橋硬化し、シリコーン樹脂を構成する架橋物（硬化物）となれば特にその構造は限定されず、所定の架橋性を有していればよい。架橋の形式は特に制限されず、架橋性オルガノポリシロキサン中に含まれる架橋性基の種類に応じて適宜公知の形式を採用できる。例えば、ヒドロシリル化反応、縮合反応、または、加熱処理、高エネルギー線処理若しくはラジカル重合開始剤によるラジカル反応などが挙げられる。
より具体的には、架橋性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはアルキニル基などのラジカル反応性基を有する場合、上記ラジカル反応を介したラジカル反応性基同士の反応により架橋して硬化物（架橋シリコーン樹脂）となる。
また、架橋性オルガノポリシロキサンがシラノール基を有する場合、シラノール基同士の縮合反応により架橋して硬化物となる。
さらに、架橋性オルガノポリシロキサンが、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン）、および、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン）を含む場合、ヒドロシリル化触媒（例えば、白金系触媒）の存在下、ヒドロシリル化反応により架橋して硬化物となる。
【００３４】
なかでも、シリコーン樹脂層１４の形成が容易で、ガラス基板の剥離性により優れる点で、架橋性オルガノポリシロキサンが、両末端および／または側鎖にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＡとも称する）と、両末端および／または側鎖にハイドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＢとも称する）とを含む態様が好ましい。
なお、アルケニル基としては特に限定されないが、例えば、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２−プロペニル基）、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、なかでも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
また、オルガノポリシロキサンＡに含まれるアルケニル基以外の基、および、オルガノポリシロキサンＢに含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基（特に、炭素数４以下のアルキル基）が挙げられる。
【００３５】
オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、アルケニル基は下記に示すＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＭ単位に存在していることが好ましく、２個のＭ単位の両方に存在していることが好ましい。
なお、Ｍ単位およびＤ単位とは、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、Ｍ単位とは有機基が３つ結合した１官能性のシロキサン単位、Ｄ単位とは有機基が２つ結合した２官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ1/2と表現される。
【００３６】
【化１】
2015016113.tif 000003
【００３７】
オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の数は特に制限されないが、１分子中に１〜３個が好ましく、２個がより好ましい。
オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、ハイドロシリル基はＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＤ単位に存在していることが好ましい。
オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の数は特に制限されないが、１分子中に少なくとも３個有することが好ましく、３個がより好ましい。
【００３８】
オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの混合比率は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＢ中のケイ素原子に結合した水素原子と、オルガノポリシロキサンＡ中の全アルケニル基のモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７〜１．０５となるように調整することが好ましい。なかでも、０．８〜１．０となるように混合比率を調整することが好ましい。
【００３９】
ヒドロシリル化触媒としては、白金族金属系触媒を用いることが好ましい。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。白金族金属系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などがあげられる。
ヒドロシリル化触媒の使用量としては、オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの合計質量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。
【００４０】
架橋性オルガノポリシロキサンの数平均分子量は特に制限されないが、取扱い性に優れると共に、成膜性にも優れ、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定による、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１,０００〜５，０００,０００が好ましく、２,０００〜３,０００,０００がより好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの粘度は１０〜５０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１５〜３０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００４１】
また、架橋性オルガノポリシロキサンの具体的に市販されている商品名または型番としては、芳香族基を有さない架橋性オルガノポリシロキサンとして、ＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７（いずれも信越シリコーン社製）、ＴＰＲ６７００（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）、ビニルシリコーン「８５００」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６４」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６５」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせなどが挙げられる。シリコーン樹脂としては、付加反応型シリコーンが好ましい。これは、硬化反応のしやすさ、シリコーン樹脂層を形成した際に剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。付加反応型シリコーンは、下記線状オルガノポリシロキサン（ａ）と下記線状オルガノポリシロキサン（ｂ）とを含む硬化性シリコーン樹脂組成物であるのが好ましい（線状オルガノポリシロキサン（ａ）：アルケニル基を１分子あたり少なくとも２個有する線状オルガノポリシロキサン。線状オルガノポリシロキサン（ｂ）：ケイ素原子に結合した水素原子を１分子あたり少なくとも３個有する線状オルガノポリシロキサンであって、かつ、ケイ素原子に結合した水素原子の少なくとも１個が分子末端のケイ素原子に存在している線状オルガノポリシロキサン。）。
シリコーン樹脂層１４は、この硬化性シリコーン樹脂組成物を支持基材１２の表面で硬化させることにより形成された硬化シリコーン樹脂層であるのがより好ましい。
【００４２】
［ガラス基板］
ガラス基板１６は、第１主面１６ａがシリコーン樹脂層１４と接し、シリコーン樹脂層１４側とは反対側の第２主面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ  Ｒ  ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。
【００４３】
ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、後述する部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。
【００４４】
ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。
【００４５】
ガラス基板１６のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
【００４６】
ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１６のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
【００４７】
ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１０ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００４８】
なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板１６の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
【００４９】
［電子デバイス用部材（機能性素子）］
電子デバイス用部材１８は、ガラス基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材１８としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。
【００５０】
例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
【００５１】
［電子デバイス用部材付き積層体の製造方法］
電子デバイス用部材付き積層体１０の製造方法は特に制限されないが、剥離強度（ｘ）が剥離強度（ｙ）よりも高い積層体を得るために、支持基材１２表面上で所定の架橋性オルガノポリシロキサンを架橋硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成する工程を含むことが好ましい。すなわち、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層１４（架橋シリコーン樹脂）を形成し、次いで、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層して、さらにガラス基板１６上に電子デバイス用部材１８を形成して、電子デバイス用部材付き積層体１０を製造する方法である。
架橋性オルガノポリシロキサンを支持基材１２表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材１２表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材１２表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板１６と支持基材１２とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層１４と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層１４を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層する工程を積層工程、ガラス基板１６上に電子デバイス用部材１８を形成する工程を部材形成工程といい、各工程の手順について詳述する。
【００５２】
（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程では、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層１４を形成する。
支持基材１２上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成するためには、架橋性オルガノポリシロキサンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基材１２上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンを含む層とすることが好ましい。組成物中における架橋性オルガノポリシロキサンの濃度の調整などにより、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で架橋性オルガノポリシロキサンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、クロロホルム等を例示することができる。
【００５３】
支持基材１２表面上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
その後、必要に応じて、溶媒を除去するための乾燥処理が実施されてもよい。乾燥処理の方法は特に制限されないが、例えば、減圧条件下で溶媒を除去する方法や、架橋性オルガノポリシロキサンの硬化が進行しないような温度で加熱する方法などが挙げられる。
【００５４】
次いで、支持基材１２上の架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させて、シリコーン樹脂層１４を形成する。より具体的には、図４（Ａ）に示すように、該工程では支持基材１２の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層１４が形成される。
硬化（架橋）の方法は、上述したように、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋形式に応じて適宜最適な方法が選択され、例えば、加熱処理や露光処理が挙げられる。なかでも、架橋性オルガノポリシロキサンがヒドロシリル化反応、縮合反応、ラジカル反応により架橋する場合、ガラス基板１６に対する密着性および耐熱性に優れるシリコーン樹脂が得られる点で、熱硬化によりシリコーン樹脂層１４を製造することが好ましい。
以下、熱硬化の態様について詳述する。
【００５５】
架橋性オルガノポリシロキサンを熱硬化させる温度条件は、シリコーン樹脂層１４の耐熱性を向上し、１５０〜３００℃が好ましく、１８０〜２５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、１０〜１２０分が好ましく、３０〜６０分がより好ましい。
【００５６】
なお、架橋性オルガノポリシロキサンはプレキュア（予備硬化）を行った後、後硬化（本硬化）を行って硬化させてもよい。プレキュアを行うことにより、耐熱性により優れたシリコーン樹脂層１４を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。
【００５７】
なお、シリコーン樹脂層１４の形成は、上記方法に限られるものではない。
例えば、シリコーン樹脂表面に対する密着性がガラス基板１６よりも高い材質の支持基材１２を用いる場合には、架橋性オルガノポリシロキサンを何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板１６と支持基材１２との間に介在させ同時に積層することができる。
また、架橋性オルガノポリシロキサンの硬化による接着性がガラス基板１６に対して充分低くかつその接着性が支持基材１２に対して充分高い場合は、ガラス基板１６と支持基材１２の間で架橋性オルガノポリシロキサンを硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
さらに、支持基材１２がガラス基板１６と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材１２表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層１４に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法（プライマー処理）や、フレーム（火炎）処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
【００５８】
（積層工程）
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面上にガラス基板１６を積層し、支持基材１２の層とシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とをこの順で備えるガラス積層体を得る工程である。より具体的には、図４（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層１４の支持基材１２側とは反対側の表面１４ａと、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂを有するガラス基板１６の第１主面１６ａとを積層面として、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とを積層し、ガラス積層体２６を得る。
【００５９】
ガラス基板１６をシリコーン樹脂層１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
【００６０】
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
【００６１】
ガラス基板１６を積層する際には、シリコーン樹脂層１４に接触するガラス基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。
【００６２】
なお、ガラス基板１６を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４に対する密着性が向上し、適切な剥離強度（ｙ）とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層１４の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４の間の剥離強度（ｙ）をより適切なものとする点から、３００℃以上（好ましくは、３００〜４００℃）で５分間以上（好ましく、５〜３０分間）加熱処理を行うことが好ましい。
【００６３】
（部材形成工程）
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体２６中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図４（Ｃ）に示すように、ガラス基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材１８を形成し、電子デバイス用部材付き積層体１０を得る。
【００６４】
本工程の手順は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体２６のガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に、電子デバイス用部材１８を形成する。
なお、電子デバイス用部材１８は、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。シリコーン樹脂層１４から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層１４から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材１２を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持基材１２を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
【００６５】
例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４側とは反対側の表面上（ガラス基板１６の第２主面１６ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
【００６６】
また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ガラス積層体２６のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体２６のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。
【００６７】
ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
【００６８】
貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。
【実施例】
【００６９】
以下に、実施例などにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。【００７０】
＜実施例１＞
縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ、線膨張係数３８×１０-7／℃の支持ガラス基板（旭硝子株式会社製、ＡＮ１００）を純水洗浄、ＵＶ洗浄等で洗浄化した後、支持ガラス基板上に、無溶剤付加反応型剥離紙用シリコーン（信越シリコーン株式会社製  ＫＮＳ−３２０Ａ。オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンとの混合物）１００質量部と白金系触媒（信越シリコーン株式会社製  ＣＡＴ−ＰＬ−５６）２質量部の混合物をスピンコーターにて塗工し（塗工量１０ｇ／ｍ2）、１８０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して膜厚１６μｍのシリコーン樹脂層を得た。
縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ、線膨張係数３８×１０-7／℃の薄板ガラス基板（ＡＮ１００）のシリコーン樹脂層と接触させる側の面を純水洗浄、ＵＶ洗浄等で清浄化した後、支持ガラス基板のシリコーン樹脂層形成面と、薄板ガラス基板とを、室温下真空プレスにて貼り合わせ、シリコーン樹脂層を有するガラス積層体Ａを得た。【００７１】
次に、ガラス積層体Ａを大気下で３５０℃にて６０分間加熱処理を行った。
そして、ガラス積層体Ａの４箇所のうち１箇所のコーナー部における薄板ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成した。次に、薄板ガラス基板と支持ガラス基板のそれぞれの剥離面側でない面に真空吸着パッドを吸着させ、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板との剥離界面の境界線である剥離線に、シリンジを用いてメタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）を供給しながら、薄板ガラス基板と支持ガラス基板とが分離する方向に外力を加えたところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。【００７２】
（剥離強度の測定）
日本国特許第５２００５３８号の段落００５０に記載の治具を用いて、剥離試験を行った。使用した治具を図５に示す。図５中、ガラス積層体Ａは、支持ガラス基板４０、シリコーン樹脂層３０、薄板ガラス基板５０を有する。
ガラス積層体Ａを縦５０ｍｍ×横５０ｍｍの大きさに切断し、ガラス積層体Ａの両側のガラス（支持ガラス基板４０および薄板ガラス基板５０）表面に、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ５ｍｍのポリカーボネート６０をエポキシ２液ガラス用接着剤で各々貼り合わせた。さらに、両方の貼り合わせたポリカーボネート６０の表面に、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ５ｍｍのポリカーボネート７０をそれぞれさらに垂直に貼り合わせた。ポリカーボネート７０の貼り合わせた場所は、図５のとおり、縦方向はポリカーボネート６０の最も端の位置に、横方向はポリカーボネート６０の辺と平行な位置とした。
ポリカーボネート６０および７０を貼り合わせたガラス積層体Ａを支持ガラス基板が下側になるように設置した。薄板ガラス基板側に貼り付けたポリカーボネート７０を治具で固定し、支持ガラス基板側に貼り付けたポリカーボネート７０を垂直下方に３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き離したところ、０．３４ｋｇ／ｃｍ２がかかったときに支持ガラス基板がはがれた。【００７３】
＜実施例２＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、エタノール（溶解度パラメータ：１２．７ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００７４】
＜実施例３＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、エタノール（溶解度パラメータ：１２．７ｃａｌ／ｃｍ3）と水との混合溶液（エタノール：水（質量比）＝１：１）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００７５】
＜実施例４＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、エタノールおよび１−プロパノールの混合溶液（含有量：エタノール９０質量％、１−プロパノール１０質量％。溶解度パラメータ：エタノール１２．７ｃａｌ／ｃｍ3、１−プロパノール１２．０ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００７６】
＜実施例５＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、１−プロパノール（溶解度パラメータ：１２．０ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００７７】
＜実施例６＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、イソプロパノール（溶解度パラメータ：１１．５ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００７８】
＜実施例７＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、１−ブタノール（溶解度パラメータ：１１．４ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００７９】
＜実施例８＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、１−ヘキサノール（溶解度パラメータ：１０．７ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００８０】
＜実施例９＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、ジメチルスルホキシド（溶解度パラメータ：１２．０ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００８１】
＜実施例１０＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、ジメチルホルムアミド（溶解度パラメータ：１２．１ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００８２】
＜実施例１１＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、Ｎ−メチルピロリドン（溶解度パラメータ：１１．３ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は破損すること無く分離した。なお、剥離強度の測定結果を表１に示す。【００８３】
＜比較例１＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の供給を行わなかった以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は剥離し難く、薄板ガラス基板の破損が見られた。なお、剥離強度の結果を表１に示す。【００８４】
＜比較例２＞
メタノール（溶解度パラメータ：１４．５ｃａｌ／ｃｍ3）の代わりに、ヘプタン（溶解度パラメータ：７．４ｃａｌ／ｃｍ3）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従い、薄板ガラス基板の剥離を行ったところ、薄板ガラス基板は剥離し難く、薄板ガラス基板の破損が見られた。なお、剥離強度の結果を表１に示す。【００８５】
表１中、「ガラス剥離」欄は、薄板ガラスの剥離が問題なく進行した場合を「○」、薄板ガラスの破損や剥離が進行しにくかった場合を「×」とした。
なお、表１中、実施例３の「ＳＰ値」欄はエタノールのＳＰ値を、実施例４の「ＳＰ値」欄はエタノールと１−プロパノールのＳＰ値をそれぞれ示す。【００８６】
【表１】
2015016113.tif 000004
【００８７】
表１に示すように、所定のＳＰ値を示す有機溶媒、または、該有機溶媒と水との混合溶液を使用した場合は、剥離強度が低下し、剥離の際に薄板ガラス基板の破損が見られなかった。
一方、上記有機溶媒または混合溶液を使用しなかった比較例１、および、ＳＰ値が所定の範囲外である有機溶媒を使用した比較例２では、剥離強度が大きく、剥離の際に薄板ガラス基板の破損が見られた。【００８８】
＜実施例１２＞
本実施例では、実施例１で得たガラス積層体Ａを用いてＯＬＥＤを製造した。
より具体的には、ガラス積層体Ａの薄板ガラス基板に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けた剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜して、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
続いて、得られた積層体の薄板ガラス基板側表面上に、さらに蒸着法により正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ3をこの順に成膜した。次に、得られた積層体の薄板ガラス基板側表面上に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、対向電極を形成した面上に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって得られた、薄板ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体Ａ２は、電子デバイス用部材付き積層体に該当する。
なお、上記製造プロセスにおいて、加熱処理としては、３５０℃にて１時間の処理が最も高温での処理であった。【００８９】
ガラス積層体Ａ１の代わりに上記ガラス積層体Ａ２を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板との剥離を行ったところ、実施例１と同程度の剥離強度にて両者の剥離が進行し、薄板ガラス基板および電子デバイス用部材を含む電子デバイスを得ることができた。【００９０】
また、上記実施例１の手順の代わりに、実施例２〜１１のそれぞれの手順を実施した場合でも、それぞれ実施例２〜１１と同程度の剥離強度にて、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板との剥離を行うことができ、薄板ガラス基板および電子デバイス用部材を含む電子デバイスを得ることができた。【００９１】
一方、上記実施例１の手順の代わりに、比較例１〜２のそれぞれの手順を実施した場合、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板との剥離に際して、薄板ガラス基板の破損が生じ、所望の電子デバイスを得ることができなかった。【００９２】
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、２０１３年７月３１日出願の日本特許出願２０１３−１５９７２４に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【００９３】
１０    電子デバイス用部材付き積層体
１２    支持基材
１４，３０    シリコーン樹脂層
１４ａ  シリコーン樹脂層の第１主面
１６    ガラス基板
１６ａ  ガラス基板の第１主面
１６ｂ  ガラス基板の第２主面
１８    電子デバイス用部材
２０    シリコーン樹脂層付き支持基材
２２    電子デバイス
２４    溶液
２６    ガラス積層体
４０    支持ガラス基板
５０    薄板ガラス基板
６０，７０    ポリカーボネート
８０    液晶パネル
８２    ＴＦＴ基板
８３    ＴＦＴ素子
８４    ＣＦ基板
８５    カラーフィルタ素子
９０    電子ペーパ
９１    電子ペーパ素子
９２    ＴＦＴ層
９４    電気工学媒体の層
９６    透明電極
【図１】
2015016113.tif 000005
【図２】
2015016113.tif 000006
【図３】
2015016113.tif 000007
【図４】
2015016113.tif 000008
【図５】
2015016113.tif 000009
【国際調査報告】
2015016113.tif 000010
2015016113.tif 000011
2015016113.tif 000012
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