(57)【要約】  セラミック層ＳＨ３，ＳＨ４，ＳＨ６をなすセラミックシートにはコイル導体パターンＣＰ３，ＣＰ４，ＣＰ６が印刷され、セラミック層ＳＨ７，ＳＨ８をなすセラミックシートにはダミー導体パターンＤＰ７，ＤＰ８が印刷される。ダミー導体パターンＤＰ７，ＤＰ８はいずれも、積層体１２の側面に沿って延びるように、セラミック層ＳＨ７，ＳＨ８をなすセラミックシートに印刷される。また、セラミック層ＳＨ７，ＳＨ８をなすセラミックシートは、セラミック層をなすセラミックシートＳＨ６と、セラミック層ＳＨ１０をなすセラミックシートとの間に挿入される。
2015056553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコイル導体パターンが各々に印刷されかつ各々が磁性体を含む複数の第１セラミックシートを準備する第１準備工程と、
各々が非磁性体を含む複数の第２セラミックシートを準備する第２準備工程と、
前記複数の第１セラミックシートおよび前記複数の第２セラミックシートを積層しかつ焼成することで、複数のコイル導体が埋め込まれかつ最外層および中間層が非磁性層をなす積層基板を作製する作製工程と、
積層方向から眺めて前記複数のコイル導体を回避するように前記積層基板の最外層に切り込み溝を形成する溝形成工程と、
前記切り込み溝に沿って前記積層基板を個片化する個片化工程と、
を有する積層型インダクタ素子の製造方法であって、
前記切り込み溝に沿って延びるように複数のダミー導体パターンが各々に印刷された１または２以上の第３セラミックシートを準備する第３準備工程をさらに有し、
前記積層工程は前記最外層に最も近い第１セラミックシートと前記最外層をなす第２セラミックシートとの間に前記１または２以上の第３セラミックシートを挿入する挿入工程を含むことを特徴とする、積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第３セラミックシートは磁性体を含む、請求項１記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第３準備工程は積層方向から眺めて各ダミー導体パターンが各コイル導体の外方に位置するように前記複数のダミー導体パターンを印刷する印刷工程を含む、請求項１または２記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項４】
前記第３準備工程は前記切り込み溝までの距離がシート間で相違するように前記複数のダミー導体パターンを複数の第３セラミックシートの各々に印刷する印刷工程を含み、
前記挿入工程は前記最外層に近づくほど前記ダミー導体パターンから前記切り込み溝までの距離が短縮される順序で前記複数の第３セラミックシートを積層する工程である、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項５】
積層方向から眺めて前記切り込み溝と重なるように、複数の貫通孔を前記中間層をなす第２セラミックシートに形成する孔形成工程をさらに備える、請求項１ないし４のいずれかに記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項６】
前記複数の貫通孔に磁性体ペーストを充填する充填工程をさらに備える、請求項５記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の製造方法によって作製された積層型インダクタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層型インダクタ素子の製造方法に関し、特に、複数のコイル導体が埋め込まれかつ最外層および中間層が非磁性層をなす積層基板を個片化して複数の積層型インダクタ素子を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドスクライバを使ってマザー基板を複数の積層型インダクタ素子（＝積層体）に個片化する背景技術の一例が、特許文献１に開示されている。この背景技術によれば、マザー基板をなす２つの最外層および中間層が非磁性層とされ、一方の最外層に個片化用の溝が形成される。ダイヤモンドスクライバは他方の最外層に押圧され、これによって他方の最外層から中間層に達するクラックが発生する。この状態でマザー基板に曲げ応力を加えると、クラックと溝とを結ぶようにマザー基板が割れ、マザー基板が複数の積層型インダクタ素子に個片化される。ただし、この背景技術は、低背化できかつ大電流に対応できる積層型インダクタ素子を想定している。【０００３】
一方で、産業用製品向け或いは携帯電話の基地局向けの積層型インダクタでは、低背化よりも高信頼性に対する要求が高いという事情がある。ここで、「高信頼性」とは長期間使用してもイオンマイグレーションによる短絡がない等の性能であるため、外部の湿気が入ってこないように、コイル導体を積層体のより内側に配置するといった対策が採られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１１５２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、コイル導体を積層体のより内側に配置するようにすると、積層体の厚みが増大し、セラミックとコイル導体（銀ペースト）との線膨張係数の差に起因する応力がかかっていない領域が発生する。この領域ではクラックが走る方向を予想できないため、個片化の際に予期しない割れ方をして外観検査で不良と判断されるおそれがある。【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、個片化時の歩留まりを高めることができる、積層型インダクタ素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に従う積層型インダクタ素子の製造方法は、複数のコイル導体パターンが各々に印刷されかつ各々が磁性体を含む複数の第１セラミックシートを準備する第１準備工程と、各々が非磁性体を含む複数の第２セラミックシートを準備する第２準備工程と、複数の第１セラミックシートおよび複数の第２セラミックシートを積層しかつ焼成することで、複数のコイル導体が埋め込まれかつ最外層および中間層が非磁性層をなす積層基板を作製する作製工程と、積層方向から眺めて複数のコイル導体を回避するように積層基板の最外層に切り込み溝を形成する溝形成工程と、切り込み溝に沿って積層基板を個片化する個片化工程と、を有する積層型インダクタ素子の製造方法であって、切り込み溝に沿って延びるように複数のダミー導体パターンが各々に印刷された１または２以上の第３セラミックシートを準備する第３準備工程をさらに有し、積層工程は最外層に最も近い第１セラミックシートと最外層をなす第２セラミックシートとの間に１または２以上の第３セラミックシートを挿入する挿入工程を含むことを特徴とする。【０００８】
好ましくは、第３セラミックシートは磁性体を含む。【０００９】
好ましくは、第３準備工程は積層方向から眺めて各ダミー導体パターンが各コイル導体の外方に位置するように複数のダミー導体パターンを印刷する印刷工程を含む。【００１０】
好ましくは、第３準備工程は切り込み溝までの距離がシート間で相違するように複数のダミー導体パターンを複数の第３セラミックシートの各々に印刷する印刷工程を含み、挿入工程は最外層に近づくほどダミー導体パターンから切り込み溝までの距離が短縮される順序で複数の第３セラミックシートを積層する工程である。【００１１】
好ましくは、積層方向から眺めて切り込み溝と重なるように、複数の貫通孔を中間層をなす第２セラミックシートに形成する孔形成工程がさらに備えられる。【００１２】
さらに好ましくは、複数の貫通孔に磁性体ペーストを充填する充填工程がさらに備えられる。
【発明の効果】
【００１３】
積層型インダクタ素子のより内側にコイル導体が埋め込まれるように設計すれば、外部からの湿気の影響がコイル導体に及ぶのを抑制することができる。ただし、こうして作製された積層基板は、個片化時に予期しない方向に割れるおそれがある。【００１４】
これを踏まえて、複数のダミー導体パターンが印刷された第３セラミックシートが準備される。各々のダミー導体パターンは切り込み溝に沿って延び、第３セラミックシートは最外層に最も近い第１セラミックシートと最外層をなす第２セラミックシートとの間に挿入される。【００１５】
これによって、コイル導体パターンと第１セラミックシートとの膨張係数の相違に起因する応力に加えて、ダミー導体パターンと第３セラミックシートとの膨張係数の相違に起因する応力が発生する。これらの応力が発生することで、積層基板を切り込み溝に沿って個片化するときにクラックの入り方を均一化することができ、個片化時の歩留まりが向上する。【００１６】
なお、第３セラミックシートを磁性体を含むシートとすれば、第１セラミックシートと第３セラミックシートとの間での応力の相違が抑制される。【００１７】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この実施例の積層型インダクタ素子を分解した状態を示す分解図である。
【図２】（Ａ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ０の一例を示す平面図であり、（Ｂ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ１およびＳＨ２の一例を示す平面図であり、（Ｃ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ３の一例を示す平面図であり、（Ｄ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ４の一例を示す平面図である。
【図３】（Ａ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ５の一例を示す平面図であり、（Ｂ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ６の一例を示す平面図であり、（Ｃ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ７およびＳＨ８の一例を示す平面図であり、（Ｄ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ９の一例を示す平面図であり、（Ｅ）は積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ１０の一例を示す平面図である。
【図４】この実施例の積層型インダクタ素子の外観を示す斜視図である。
【図５】図４に示す積層型インダクタ素子のＡ−Ａ断面図である。
【図６】（Ａ）はセラミック層ＳＨ０に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ０に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ０に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図７】（Ａ）はセラミック層ＳＨ１およびＳＨ２に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ１およびＳＨ２に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ１およびＳＨ２に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図８】（Ａ）はセラミック層ＳＨ３に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ３に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ３に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ３に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図９】（Ａ）はセラミック層ＳＨ４に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ４に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ４に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ４に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１０】（Ａ）はセラミック層ＳＨ５に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ５に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ５に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図１１】（Ａ）はセラミック層ＳＨ６に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ６に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ６に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ６に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１２】（Ａ）はセラミック層ＳＨ７およびＳＨ８に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ７およびＳＨ８に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ７およびＳＨ８に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ７およびＳＨ８に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１３】（Ａ）はセラミック層ＳＨ９に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ９に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ９に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図１４】（Ａ）はセラミック層ＳＨ１０に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ１０に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ１０に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ１０に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１５】（Ａ）は積層型インダクタ素子の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は積層型インダクタ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は積層型インダクタ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図１６】他の実施例の積層型インダクタ素子を分解した状態を示す分解図である。
【図１７】他の実施例の積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ１´およびＳＨ２´の一例を示す平面図である。
【図１８】他の実施例の積層型インダクタ素子の断面図である。
【図１９】（Ａ）はセラミック層ＳＨ１´およびＳＨ２´に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ１´およびＳＨ２´に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ１´およびＳＨ２´に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ１´およびＳＨ２´に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図２０】（Ａ）は他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図２１】その他の実施例の積層型インダクタ素子を分解した状態を示す分解図である。
【図２２】その他の実施例の積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ５´の一例を示す平面図である。
【図２３】その他の実施例の積層型インダクタ素子の断面図である。
【図２４】（Ａ）はセラミック層ＳＨ５´に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ５´に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ５´に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ５´に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図であり、（Ｅ）はセラミック層ＳＨ５´の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図２５】（Ａ）はその他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はその他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はその他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図２６】他の実施例の積層型インダクタ素子を分解した状態を示す分解図である。
【図２７】他の実施例の積層型インダクタ素子を形成するセラミック層ＳＨ８´の一例を示す平面図である。
【図２８】他の実施例の積層型インダクタ素子の断面図である。
【図２９】（Ａ）はセラミック層ＳＨ８´に対応する焼成前のシートの製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミック層ＳＨ８´に対応する焼成前のシートの製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミック層ＳＨ８´に対応する焼成前のシートの製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミック層ＳＨ８´に対応する焼成前のシートの製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図３０】（Ａ）はその他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はその他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はその他の実施例の積層型インダクタ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１を参照して、この実施例の積層型インダクタ素子１０は、１３．５６ＭＨｚ帯における無線通信用のアンテナ素子として利用され、各々の主面が正方形をなして積層されたセラミック層ＳＨ０〜ＳＨ１０を含む。セラミック層ＳＨ０〜ＳＨ１０の各々の主面のサイズは互いに一致し、この順で積層される。また、セラミック層ＳＨ０，ＳＨ５およびＳＨ１０は非磁性体を含む一方、残りのセラミック層ＳＨ１〜ＳＨ４，ＳＨ６〜ＳＨ９は磁性体を含む。
【００２０】
積層体１２は直方体をなし、セラミック層ＳＨ１〜ＳＨ４によって磁性層１２ａが形成され、セラミック層ＳＨ６〜ＳＨ９によって磁性層１２ｂが形成され、セラミック層ＳＨ０によって非磁性層１２ｃが形成され、セラミック層ＳＨ５によって非磁性層１２ｄが形成され、そしてセラミック層ＳＨ１０によって非磁性層１２ｅが形成される。
【００２１】
つまり、積層型インダクタ素子１０をなす積層体１２は、磁性層１２ａが非磁性層１２ｃおよび１２ｄによって挟持されかつ磁性層１２ｂが非磁性層１２ｄおよび１２ｅによって挟持された積層構造を有する。積層体１２の主面（＝上面または下面）をなす正方形の各辺はＸ軸またはＹ軸に沿って延び、積層体１２の厚みはＺ軸に沿って増大する。
【００２２】
図２（Ａ）を参照して、セラミック層ＳＨ０の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ０ａおよびＶＨ０ｂが形成される。ビアホール導体ＶＨ０ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、ビアホール導体ＶＨ０ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられる。セラミック層ＳＨ０の下面には、パッド電極１４ａおよび１４ｂが形成される。パッド電極１４ａはビアホール導体ＶＨ０ａを覆う位置に設けられ、パッド電極１４ｂはビアホール導体ＶＨ０ｂを覆う位置に設けられる。
【００２３】
図２（Ｂ）を参照して、セラミック層ＳＨ１の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ１ａおよびＶＨ１ｂが形成される。また、セラミック層ＳＨ２の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ２ａおよびＶＨ２ｂが形成される。
【００２４】
ビアホール導体ＶＨ１ａおよびＶＨ１ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ１をセラミック層ＳＨ０に積層したときにビアホール導体ＶＨ０ａおよびＶＨ０ｂと重なる位置に設けられる。同様に、ビアホール導体ＶＨ２ａおよびＶＨ２ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ２をセラミック層ＳＨ１に積層したときにビアホール導体ＶＨ１ａおよびＶＨ１ｂと重なる位置に設けられる。
【００２５】
図２（Ｃ）を参照して、セラミック層ＳＨ３の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ３ａおよびＶＨ３ｂとループ状のコイル導体パターンＣＰ３とが形成される。ビアホール導体ＶＨ３ａは、セラミック層ＳＨ３をセラミック層ＳＨ２に積層したときにビアホール導体ＶＨ２ａと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ３ｂは、セラミック層ＳＨ３をセラミック層ＳＨ２に積層したときにビアホール導体ＶＨ２ｂと重なる位置に設けられる。
【００２６】
コイル導体パターンＣＰ３をなすループは、セラミック層ＳＨ３の上面中央位置を始端としかつ始端とビアホール導体ＶＨ３ａとの間の位置を終端として、セラミック層ＳＨ３の上面を時計回り方向に延在する。
【００２７】
コイル導体パターンＣＰ３はまず、始端からＸ軸方向の負側に延び、セラミック層ＳＨ３の上面端部に達する前にＹ軸方向における正側に屈曲する。屈曲したコイル導体パターンＣＰ３は、セラミック層ＳＨ３の上面端部に達する前にＸ軸方向の正側にさらに屈曲する。Ｘ軸方向の正側に延びたコイル導体パターンＣＰ３はビアホール導体ＶＨ３ｂの近傍でＹ軸方向の負側に再度屈曲し、さらにセラミック層ＳＨ３の上面端部に達する前にＸ軸方向の負側に屈曲する。屈曲したコイル導体パターンＣＰ３はその後、終端に達する。
【００２８】
図２（Ｄ）を参照して、セラミック層ＳＨ４の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ４ａ〜ＶＨ４ｄとループ状のコイル導体パターンＣＰ４とが形成される。ビアホール導体ＶＨ４ａおよびＶＨ４ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ４をセラミック層ＳＨ３に積層したときにビアホール導体ＶＨ３ａおよびＶＨ３ｂと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ４ｃは、セラミック層ＳＨ２の上面中央位置に設けられる。さらに、ビアホール導体ＶＨ４ｄは、セラミック層ＳＨ４をセラミック層ＳＨ３に積層したときにコイル導体パターンＣＰ３の終端と重なる位置に設けられる。
【００２９】
コイル導体パターンＣＰ４をなすループは、ビアホール導体ＶＨ４ｄが形成された位置を始端としかつこの位置よりもＸ軸方向における正側にややずれた位置を終端として、セラミック層ＳＨ４の上面を時計回り方向に延在する。
【００３０】
コイル導体パターンＣＰ４はまず、始端からＹ軸方向の正側に延び、セラミック層ＳＨ４の上面端部に達する前にＸ軸方向における正側に屈曲する。屈曲したコイル導体パターンＣＰ４は、ビアホール導体ＶＨ４ｂの近傍でＹ軸方向の負側に再度屈曲し、さらにセラミック層ＳＨ４の上面端部に達する前にＸ軸方向の負側に屈曲する。屈曲したコイル導体パターンＣＰ４はその後、終端に達する。
【００３１】
図３（Ａ）を参照して、セラミック層ＳＨ５の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ５ａ〜ＶＨ５ｄが形成される。ビアホール導体ＶＨ５ａおよびＶＨ５ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ５をセラミック層ＳＨ４に積層したときにビアホール導体ＶＨ４ａおよびＶＨ４ｂと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ５ｃは、セラミック層ＳＨ５の上面中央位置に設けられる。さらに、ビアホール導体ＶＨ５ｄは、セラミック層ＳＨ５をセラミック層ＳＨ４に積層したときにコイル導体パターンＣＰ４の終端と重なる位置に設けられる。
【００３２】
図３（Ｂ）を参照して、セラミック層ＳＨ６の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ６ａ〜ＶＨ６ｄとループ状のコイル導体パターンＣＰ６とが形成される。ビアホール導体ＶＨ６ａおよびＶＨ６ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ６をセラミック層ＳＨ５に積層したときにビアホール導体ＶＨ５ａおよびＶＨ５ｂと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ６ｃは、セラミック層ＳＨ６の上面中央位置に設けられる。さらに、ビアホール導体ＶＨ６ｄは、セラミック層ＳＨ６をセラミック層ＳＨ５に積層したときに、ビアホール導体ＶＨ５ｄと重なる位置に設けられる。
【００３３】
コイル導体パターンＣＰ６をなすループは、ビアホール導体ＶＨ６ｄが形成された位置を始端としかつこの位置よりもＸ軸方向における正側にややずれた位置を終端として、セラミック層ＳＨ６の上面を時計回り方向に延在する。
【００３４】
コイル導体パターンＣＰ６はまず、始端からＸ軸方向の負側に延び、セラミック層ＳＨ６の上面端部に達する前にＹ軸方向における正側に屈曲する。屈曲したコイル導体パターンＣＰ６は、セラミック層ＳＨ６の上面端部に達する前にＸ軸方向の正側にさらに屈曲する。Ｘ軸方向の正側に延びたコイル導体パターンＣＰ６はビアホール導体ＶＨ６ｂの近傍でＹ軸方向の負側に再度屈曲し、さらにセラミック層ＳＨ６の上面端部に達する前にＸ軸方向の負側に屈曲する。屈曲したコイル導体パターンＣＰ６はその後、終端に達する。
【００３５】
図３（Ｃ）を参照して、セラミック層ＳＨ７の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ７ａ〜ＶＨ７ｄとダミー導体パターンＤＰ７とが形成される。ビアホール導体ＶＨ７ａおよびＶＨ７ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ７をセラミック層ＳＨ６に積層したときにビアホール導体ＶＨ６ａおよびＶＨ６ｂと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ７ｃは、セラミック層ＳＨ７の上面中央位置に設けられる。さらに、ビアホール導体ＶＨ７ｄは、セラミック層ＳＨ７をセラミック層ＳＨ６に積層したときにコイル導体パターンＣＰ６の終端と重なる位置に設けられる。
【００３６】
ダミー導体パターンＤＰ７は、厳密には４つの線状導体ＬＣ７ａ〜ＬＣ７ｄからなる。線状導体ＬＣ７ａは、セラミック層ＳＨ７の上面中央よりもＸ軸方向における負側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ７ｂは、セラミック層ＳＨ７の上面中央よりもＹ軸方向における正側の位置をＸ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ７ｃは、セラミック層ＳＨ７の上面中央よりもＸ軸方向における正側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ７ｄは、セラミック層ＳＨ７の上面中央よりもＹ軸方向における負側の位置をＸ軸に沿って延びる。積層方向から眺めたとき、線状導体ＬＣ７ａ〜ＬＣ７ｄはいずれも、コイル導体パターンＣＰ６よりも外方に設けられる。
【００３７】
セラミック層ＳＨ８の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ８ａ〜ＶＨ８ｄとダミー導体パターンＤＰ８とが形成される。ビアホール導体ＶＨ８ａ〜ＶＨ８ｄはそれぞれ、セラミック層ＳＨ８をセラミック層ＳＨ７に積層したときにビアホール導体ＶＨ７ａ〜ＶＨ７ｄと重なる位置に設けられる。
【００３８】
ダミー導体パターンＤＰ８は、厳密には４つの線状導体ＬＣ８ａ〜ＬＣ８ｄからなる。線状導体ＬＣ８ａは、セラミック層ＳＨ８の上面中央よりもＸ軸方向における負側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ８ｂは、セラミック層ＳＨ８の上面中央よりもＹ軸方向における正側の位置をＸ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ８ｃは、セラミック層ＳＨ８の上面中央よりもＸ軸方向における正側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ８ｄは、セラミック層ＳＨ８の上面中央よりもＹ軸方向における負側の位置をＸ軸に沿って延びる。積層方向から眺めたとき、線状導体ＬＣ８ａ〜ＬＣ８ｄは、線状導体ＬＣ７ａ〜ＬＣ７ｄと重なる。
【００３９】
図３（Ｄ）を参照して、セラミック層ＳＨ９の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ９ａ〜ＶＨ９ｄが形成される。ビアホール導体ＶＨ９ａ〜ＶＨ９ｄはそれぞれ、セラミック層ＳＨ９をセラミック層ＳＨ８に積層したときにビアホール導体ＶＨ８ａ〜ＶＨ８ｄと重なる位置に設けられる。
【００４０】
図３（Ｅ）を参照して、セラミック層ＳＨ１０の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ１０ａ〜ＶＨ１０ｄが形成される。ビアホール導体ＶＨ１０ａ〜ＶＨ１０ｄはそれぞれ、セラミック層ＳＨ１０をセラミック層ＳＨ９に積層したときにビアホール導体ＶＨ９ａ〜ＶＨ９ｄと重なる位置に設けられる。セラミック層ＳＨ１０の上面には、パッド電極１６ａおよび１６ｂが形成される。パッド電極１６ａはビアホール導体ＶＨ１０ｃを覆う位置に設けられ、パッド電極１６ｂはビアホール導体ＶＨ１０ｄを覆う位置に設けられる。
【００４１】
セラミック層ＳＨ１〜ＳＨ１０が上述のように構成されることから、コイル導体パターンＣＰ３〜ＣＰ４，ＣＰ６およびビアホール導体ＶＨ４ｃ〜ＶＨ１０ｃ，ＶＨ４ｄ〜ＶＨ１０ｄはコイル状に接続され、これによってＺ軸を巻回軸とする巻回体が積層体１２の内部に形成される。巻回体の内側および外側には磁性体が存在するため、巻回体はインダクタとして機能する。
【００４２】
こうして積層型インダクタ素子１０は、図４に示す外観を有する。セラミック層ＳＨ１０の上面には、図示しないコンデンサや抵抗素子などの受動素子が実装される。これらの受動素子は、パッド電極１６ａ，１６ｂおよびビアホール導体ＶＨ１０ａ，ＶＨ１０ｂと接続される。また、この積層型インダクタ素子１０のＡ−Ａ断面は図５に示す構造をなす。
【００４３】
なお、セラミック層ＳＨ０，ＳＨ５およびＳＨ１０の各々をなすセラミックシートは非磁性（比透磁率：１）のフェライトを材料とし、熱膨張係数は“８．５”〜“９．０”の範囲の値を示す。また、セラミック層ＳＨ１〜ＳＨ４およびＳＨ６〜ＳＨ９の各々をなすセラミックシートは磁性（比透磁率：１００〜１２０）のフェライトを材料とし、熱膨張係数は“９．０”〜“１０．０”の範囲の値を示す。さらに、パッド電極１４ａ〜１４ｂ，１６ａ〜１６ｂ，コイル導体パターンＣＰ１〜ＣＰ４，ビアホール導体ＶＨ０ａ〜ＶＨ１０ａ，ＶＨ０ｂ〜ＶＨ１０ｂ，ＶＨ４ｃ〜ＶＨ１０ｃ，ＶＨ４ｄ〜ＶＨ１０ｄは、銀を材料とし、熱膨張係数は“２０”を示す。
【００４４】
セラミック層ＳＨ０に対応する焼成前のシートは、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ０として用意される（図６（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。この破線によって定義される複数の矩形の各々を“分割ユニット”と定義する。
【００４５】
次に、貫通孔ＨＬ０ａおよびＨＬ０ｂが分割ユニット毎にマザーシートＢＳ０に形成される（図６（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ０ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ０ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられる。貫通孔ＨＬ０ａおよびＨＬ０ｂにはその後、導電ペーストが充填される（図６（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ０ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ０ａをなし、貫通孔ＨＬ０ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ０ｂをなす。
【００４６】
セラミック層ＳＨ１またはＳＨ２に対応する焼成前のシートは、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ１またはＢＳ２として用意される（図７（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００４７】
次に、貫通孔ＨＬ１ａ〜ＨＬ１ｂまたは貫通孔ＨＬ２ａ〜ＨＬ２ｂが、分割ユニット毎にマザーシートＢＳ１またはＢＳ２に形成される（図７（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ１ａまたはＨＬ２ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ１ｂまたはＨＬ２ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられる。貫通孔ＨＬ１ａ〜ＨＬ１ｂまたは貫通孔ＨＬ２ａ〜ＨＬ２ｂにはその後、導電ペーストが充填される（図７（Ｃ）参照）。
【００４８】
貫通孔ＨＬ１ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１ａをなし、貫通孔ＨＬ１ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ２ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ２ａをなし、貫通孔ＨＬ２ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ２ｂをなす。
【００４９】
セラミック層ＳＨ３に対応する焼成前のシートは、図８（Ａ）〜図８（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ３として用意される（図８（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００５０】
次に、貫通孔ＨＬ３ａおよびＨＬ３ｂが分割ユニット毎にマザーシートＢＳ３に形成される（図８（Ｂ）参照）。貫通孔ＨＬ３ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ３ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられる。
【００５１】
こうして形成された貫通孔ＨＬ３ａおよびＨＬ３ｂには、導電ペーストが充填される（図８（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ３ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ３ａをなし、貫通孔ＨＬ３ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ３ｂをなす。充填が完了すると、ループ状に延在するコイル導体パターンＣＰ３が、各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図８（Ｄ）参照）。
【００５２】
セラミック層ＳＨ４に対応する焼成前のシートは、図９（Ａ）〜図９（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ４として用意される（図９（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００５３】
次に、貫通孔ＨＬ４ａ〜ＨＬ４ｄが分割ユニット毎にマザーシートＢＳ４に形成される（図９（Ｂ）参照）。貫通孔ＨＬ４ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ４ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ４ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ４ｄは、上述の要領で作製されたコイル導体パターンＣＰ３の終端に相当する位置に形成される。
【００５４】
こうして形成された貫通孔ＨＬ４ａ〜ＨＬ４ｄには、導電ペーストが充填される（図９（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ４ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ４ａをなし、貫通孔ＨＬ４ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ４ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ４ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ４ｃをなし、貫通孔ＨＬ４ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ４ｄをなす。充填が完了すると、ループ状に延在するコイル導体パターンＣＰ４が、各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図９（Ｄ）参照）。
【００５５】
セラミック層ＳＨ５に対応する焼成前のシートは、図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ５として用意される（図１０（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００５６】
次に、貫通孔ＨＬ５ａ〜ＨＬ５ｄが分割ユニット毎にマザーシートＢＳ５に形成される（図１０（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ５ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ５ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ５ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ５ｄは、上述の要領で作製されたコイル導体パターンＣＰ４の終端に相当する位置に形成される。
【００５７】
貫通孔ＨＬ５ａ〜ＨＬ５ｄにはその後、導電ペーストが充填される（図１０（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ５ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ａをなし、貫通孔ＨＬ５ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ５ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ｃをなし、貫通孔ＨＬ５ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ｄをなす。
【００５８】
セラミック層ＳＨ６に対応する焼成前のシートは、図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ６として用意される（図１１（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００５９】
次に、貫通孔ＨＬ６ａ〜ＨＬ６ｄが分割ユニット毎にマザーシートＢＳ６に形成される（図１１（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ６ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ６ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ６ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ６ｄは、上述の要領で作製されたビアホール導体ＶＨ５ｄに相当する位置に形成される。
【００６０】
貫通孔ＨＬ６ａ〜ＨＬ６ｄにはその後、導電ペーストが充填される（図１１（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ６ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ６ａをなし、貫通孔ＨＬ６ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ６ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ６ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ６ｃをなし、貫通孔ＨＬ６ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ６ｄをなす。充填が完了すると、ループ状に延在するコイル導体パターンＣＰ６が、各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図１１（Ｄ）参照）。
【００６１】
セラミック層ＳＨ７またはＳＨ８に対応する焼成前のシートは、図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ７またはＢＳ８として用意される（図１２（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００６２】
次に、貫通孔ＨＬ７ａ〜ＨＬ７ｄまたは貫通孔ＨＬ８ａ〜ＨＬ８ｄが、分割ユニット毎にマザーシートＢＳ７またはＢＳ８に形成される（図１２（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ７ａまたはＨＬ８ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ７ｂまたはＨＬ８ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ７ｃまたはＨＬ８ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ７ｄまたはＨＬ８ｄは、上述の要領で作製されたコイル導体パターンＣＰ６の終端に相当する位置に形成される。
【００６３】
貫通孔ＨＬ７ａ〜ＨＬ７ｄまたは貫通孔ＨＬ８ａ〜ＨＬ８ｄにはその後、導電ペーストが充填される（図１２（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ７ａまたはＨＬ８ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ７ａまたはＶＨ８ａをなし、貫通孔ＨＬ７ｂまたはＨＬ８ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ７ｂまたはＶＨ８ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ７ｃまたはＨＬ８ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ７ｃまたはＶＨ８ｃをなし、貫通孔ＨＬ７ｄまたはＨＬ８ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ７ｄまたはＶＨ８ｄをなす。充填が完了すると、ダミー導体パターンＤＰ７またはＤＰ８が、各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図１２（Ｄ）参照）。
【００６４】
セラミック層ＳＨ９に対応する焼成前のシートは、図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ９として用意される（図１３（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００６５】
次に、貫通孔ＨＬ９ａ〜ＨＬ９ｄが、分割ユニット毎にマザーシートＢＳ９に形成される（図１３（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ９ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ９ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ９ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ９ｄは、上述の要領で作製されたビアホール導体ＶＨ８ｄに相当する位置に形成される。
【００６６】
貫通孔ＨＬ９ａ〜ＨＬ９ｄにはその後、導電ペーストが充填される（図１３（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ９ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ９ａをなし、貫通孔ＨＬ９ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ９ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ９ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ９ｃをなし、貫通孔ＨＬ９ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ９ｄをなす。
【００６７】
セラミック層ＳＨ１０に対応する焼成前のシートは、図１４（Ａ）〜図１４（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ１０として用意される（図１４（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００６８】
次に、貫通孔ＨＬ１０ａ〜ＨＬ１０ｄが、分割ユニット毎にマザーシートＢＳ１０に形成される（図１４（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ１０ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ１０ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ１０ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ１０ｄは、上述の要領で作製されたビアホール導体ＶＨ９ｄに相当する位置に形成される。
【００６９】
貫通孔ＨＬ１０ａ〜ＨＬ１０ｄにはその後、導電ペーストが充填される（図１４（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ１０ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１０ａをなし、貫通孔ＨＬ１０ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１０ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ１０ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１０ｃをなし、貫通孔ＨＬ１０ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１０ｄをなす。
【００７０】
こうしてビアホール導体ＶＨ１０ａ〜ＶＨ１０ｄが形成されると、パッド電極１６ａおよび１６ｂがマザーシートＢＳ１０の上面に印刷される（図１４（Ｄ）参照）。パッド電極１６ａはビアホール導体ＶＨ１０ｃを覆う位置に形成され、パッド電極１６ｂはビアホール導体ＶＨ１０ｄを覆う位置に形成される。
【００７１】
マザーシートＢＳ０〜ＢＳ１０をベースとして上述の要領で作成された焼成前のシートは、この順序で積層されかつ圧着される。このとき、各シートの積層位置は、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように調整される。また、ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８がそれぞれ印刷されたマザーシートＢＳ７およびＢＳ８は、最外層に最も近いコイル導体パターンＣＰ６が印刷されたマザーシートＢＳ６と最外層をなすマザーシートＢＳ１０との間に挿入される。これによって、図１５（Ａ）に示す積層基板ＬＢ１が作製される。作製された積層基板ＬＢ１は、その後焼成される（図１５（Ｂ）参照）。
【００７２】
焼成が完了すると、各シートに割り当てられた破線に沿って延びる切り込み溝ＧＲが、積層基板ＬＢ１の上面（＝Ｚ軸方向の正側を向く面）に形成される（図１５（Ｂ）参照）。切り込み溝ＧＲが形成されると、積層基板ＬＢ１が上下方向において反転され、パッド電極１４ａおよび１４ｂが分割ユニット毎に積層基板ＬＢ１の上面に形成される。図１５（Ｃ）には現れないが、パッド電極１４ａおよび１４ｂは、分割ユニット毎に設けられたビアホール導体ＶＨ０ａおよびＶＨ０ｂをそれぞれ覆うように形成される。
【００７３】
その後、ダイヤモンドスクライバＤＳが、切り込み溝ＧＲに沿って積層基板ＬＢ１の下面（＝Ｚ軸方向の負側を向く面）から押圧される（図１５（Ｃ）参照）。これによって形成されたクラックの先端は、素材の相違から、非磁性のマザーシートＢＳ５で留まる。積層基板ＬＢ１はその後、クラックが広がる方向に曲げられる。クラックは切り込み溝ＧＲに達し、積層基板ＬＢ１は複数の積層型インダクタ素子１０，１０，…に個片化される。
【００７４】
以上の説明から分かるように、積層型インダクタ素子１０は、以下の工程によって作製される。まず、コイル導体パターンＣＰ３，ＣＰ３，…が印刷された磁性のマザーシートＢＳ３、コイル導体パターンＣＰ４，ＣＰ４，…が印刷された磁性のマザーシートＢＳ４、およびコイル導体パターンＣＰ６，ＣＰ６，…が印刷された磁性のマザーシートＢＳ６が準備され（第１準備工程）、さらに非磁性のマザーシートＢＳ０，ＢＳ５およびＢＳ１０が準備される（第２準備工程）。
【００７５】
また、ダミー導体パターンＤＰ７，ＤＰ７，…が印刷された磁性のマザーシートＢＳ７、およびダミー導体パターンＤＰ８，ＤＰ８，…が印刷された磁性のマザーシートＢＳ８が準備される（第３準備工程）。
【００７６】
準備されたマザーシートＢＳ０，ＢＳ３〜ＢＳ８，ＢＳ１０および他のマザーシートＢＳ１〜ＢＳ２，ＢＳ９は、積層，圧着および焼成の一連の処理を施され、これによって積層基板ＬＢ１が作製される（作製工程）。作製された積層基板ＬＢ１には複数のコイル導体が埋め込まれ、積層基板ＬＢ１の最外層および中間層は非磁性層とされる。
【００７７】
作製された積層基板ＬＢ１の最外層には、積層方向から眺めて複数のコイル導体を回避するように切り込み溝ＧＲを形成される（溝形成工程）。積層基板ＬＢ１は切り込み溝ＧＲに沿って切断され、これによって複数の積層型インダクタ素子１０，１０，…が得られる。
【００７８】
ここで、ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８はいずれも、切り込み溝ＧＲに沿って延びるようにマザーシートＢＳ７およびＢＳ８に印刷される。また、マザーシートＢＳ７およびＢＳ８は、最外層に最も近いコイル導体パターンＣＰ６が印刷されたマザーシートＢＳ６と、最外層をなすマザーシートＢＳ１０との間に挿入される（挿入工程）。
【００７９】
積層型インダクタ素子１０のより内側にコイル導体が埋め込まれるように設計すれば、外部からの湿気の影響がコイル導体に及ぶのを抑制することができる。ただし、こうして作製された積層基板は、個片化時に予期しない方向に割れるおそれがある。
【００８０】
これを踏まえて、ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８がそれぞれ印刷されたマザーシートＢＳ７およびＢＳ８が準備される。ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８は切り込み溝ＧＲに沿って延び、マザーシートＢＳ７およびＢＳ８は最外層に最も近いコイル導体パターンＣＰ６が印刷されたマザーシートＢＳ６と、最外層をなすマザーシートＢＳ１０との間に挿入される。
【００８１】
これによって、コイル導体パターンＣＰ３，ＣＰ４およびＣＰ６とマザーシートＢＳ３，ＢＳ４およびＢＳ６との膨張係数の相違に起因する応力に加えて、ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８とマザーシートＢＳ７およびＢＳ８との膨張係数の相違に起因する応力が発生する。これらの応力が発生することで、積層基板ＬＢ１を切り込み溝ＧＲに沿って個片化するときにクラックの入り方を均一化することができ、個片化時の歩留まりが向上する。
【００８２】
また、積層方向から眺めて、ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８の各々は、コイル導体パターンＣＰ３，ＣＰ４およびＣＰ６よりも外方に設けられる。これによって、ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８がコイル導体による磁界の形成を大きく妨げることがなく、コイル導体のＱ値が向上する。
【００８３】
図１６を参照して、他の実施例の積層型インダクタ素子１０は、セラミック層ＳＨ１およびＳＨ２に代えてセラミック層ＳＨ１´およびＳＨ２´が採用される点を除き、図１に示す積層型インダクタ素子１０と同じであるため、同様の構成に関する重複した説明は省略する。
【００８４】
図１７を参照して、セラミック層ＳＨ１´の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ１ａおよびＶＨ１ｂとダミー導体パターンＤＰ１とが形成される。また、セラミック層ＳＨ２の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ２ａおよびＶＨ２ｂとダミー導体パターンＤＰ２とが形成される。
【００８５】
ビアホール導体ＶＨ１ａおよびＶＨ１ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ１´をセラミック層ＳＨ０に積層したときにビアホール導体ＶＨ０ａおよびＶＨ０ｂと重なる位置に設けられる。同様に、ビアホール導体ＶＨ２ａおよびＶＨ２ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ２´をセラミック層ＳＨ１´に積層したときにビアホール導体ＶＨ１ａおよびＶＨ１ｂと重なる位置に設けられる。
【００８６】
ダミー導体パターンＤＰ１は、厳密には４つの線状導体ＬＣ１ａ〜ＬＣ１ｄからなる。線状導体ＬＣ１ａは、セラミック層ＳＨ１の上面中央よりもＸ軸方向における負側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ１ｂは、セラミック層ＳＨ１の上面中央よりもＹ軸方向における正側の位置をＸ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ１ｃは、セラミック層ＳＨ１の上面中央よりもＸ軸方向における正側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ１ｄは、セラミック層ＳＨ１の上面中央よりもＹ軸方向における負側の位置をＸ軸に沿って延びる。積層方向から眺めたとき、線状導体ＬＣ１ａ〜ＬＣ１ｄはそれぞれ、セラミック層ＳＨ７に設けられた線状導体ＬＣ７ａ〜ＬＣ７ｄと重なる位置に設けられる。
【００８７】
ダミー導体パターンＤＰ２は、厳密には４つの線状導体ＬＣ２ａ〜ＬＣ２ｄからなる。線状導体ＬＣ２ａは、セラミック層ＳＨ２の上面中央よりもＸ軸方向における負側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ２ｂは、セラミック層ＳＨ２の上面中央よりもＹ軸方向における正側の位置をＸ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ２ｃは、セラミック層ＳＨ２の上面中央よりもＸ軸方向における正側の位置をＹ軸に沿って延びる。線状導体ＬＣ２ｄは、セラミック層ＳＨ２の上面中央よりもＹ軸方向における負側の位置をＸ軸に沿って延びる。積層方向から眺めたとき、線状導体ＬＣ２ａ〜ＬＣ２ｄはそれぞれ、セラミック層ＳＨ１´に設けられた線状導体ＬＣ１ａ〜ＬＣ１ｄと重なる位置に設けられる。
【００８８】
図１６に示すセラミック層ＳＨ０，ＳＨ１´，ＳＨ２´，ＳＨ３〜ＳＨ１０を積層して作製された積層型インダクタ素子１０の断面は、図１８に示す構造をなす。
【００８９】
セラミック層ＳＨ１´またはＳＨ２´に対応する焼成前のシートは、図１９（Ａ）〜図１９（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ１´またはＢＳ２´として用意される（図１９（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００９０】
次に、貫通孔ＨＬ１ａ〜ＨＬ１ｄまたは貫通孔ＨＬ２ａ〜ＨＬ２ｄが、分割ユニット毎にマザーシートＢＳ１´またはＢＳ２´に形成される（図１９（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ１ａまたはＨＬ２ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ１ｂまたはＨＬ２ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられる。
【００９１】
貫通孔ＨＬ１ａ〜ＨＬ１ｂまたは貫通孔ＨＬ２ａ〜ＨＬ２ｂにはその後、導電ペーストが充填される（図１９（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ１ａまたはＨＬ２ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１ａまたはＶＨ２ａをなし、貫通孔ＨＬ１ｂまたはＨＬ２ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ１ｂまたはＶＨ２ｂをなす。充填が完了すると、ダミー導体パターンＤＰ１またはＤＰ２が、各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図１９（Ｄ）参照）。
【００９２】
マザーシートＢＳ０，ＢＳ１´，ＢＳ２´，ＢＳ３〜ＢＳ１０をベースとして上述の要領で作成された焼成前のシートは、この順序で積層されかつ圧着される。このとき、各シートの積層位置は、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように調整される。これによって、図２０（Ａ）に示す積層基板ＬＢ１が作製される。作製された積層基板ＬＢ１は、その後焼成される（図２０（Ｂ）参照）。
【００９３】
焼成が完了すると、各シートに割り当てられた破線に沿って延びる切り込み溝ＧＲが、積層基板ＬＢ１の上面（＝Ｚ軸方向の正側を向く面）に形成される（図２０（Ｂ）参照）。
【００９４】
切り込み溝ＧＲが形成されると、積層基板ＬＢ１が上下方向において反転され、パッド電極１４ａおよび１４ｂが分割ユニット毎に積層基板ＬＢ１の上面に形成される。図２０（Ｃ）には現れないが、パッド電極１４ａおよび１４ｂは、分割ユニット毎に設けられたビアホール導体ＶＨ０ａおよびＶＨ０ｂをそれぞれ覆うように形成される。
【００９５】
その後、ダイヤモンドスクライバＤＳが、切り込み溝ＧＲに沿って積層基板ＬＢ１の下面（＝Ｚ軸方向の負側を向く面）から押圧される（図２０（Ｃ）参照）。これによって形成されたクラックの先端は、素材の相違から、非磁性のマザーシートＢＳ５で留まる。積層基板ＬＢ１はその後、クラックが広がる方向に曲げられる。クラックは切り込み溝ＧＲに達し、積層基板ＬＢ１は複数の積層型インダクタ素子１０，１０，…に個片化される。
【００９６】
ダミー導体パターンＤＰ７およびＤＰ８に加えてダミー導体パターンＤＰ２およびＤＰ３を設けることで、個片化の起点から終点までの全域にわたってクラックの入り方を均一化することができる。
【００９７】
図２１を参照して、その他の実施例の積層型インダクタ素子１０は、セラミック層ＳＨ５に代えてセラミック層ＳＨ５´が採用される点を除き、図１に示す積層型インダクタ素子１０と同じであるため、同様の構成に関する重複した説明は省略する。
【００９８】
図２２を参照して、非磁性のセラミック層ＳＨ５´の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ５ａ〜ＶＨ５ｄが形成される。ビアホール導体ＶＨ５ａおよびＶＨ５ｂはそれぞれ、セラミック層ＳＨ５´をセラミック層ＳＨ４に積層したときにビアホール導体ＶＨ４ａおよびＶＨ４ｂと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ５ｃは、セラミック層ＳＨ５´の上面中央位置に設けられる。さらに、ビアホール導体ＶＨ５ｄは、セラミック層ＳＨ５´をセラミック層ＳＨ４に積層したときにビアホール導体ＶＨ４ｄと重なる位置に設けられる。
【００９９】
セラミック層ＳＨ５´の主面をなす正方形の各辺には、磁性体ＭＧａ〜ＭＧｄが設けられる。詳しくは、Ｘ軸方向の負側をＹ軸に沿って延びる辺の中央に磁性体ＭＧａが設けられ、Ｙ軸方向の正側をＸ軸に沿って延びる辺の中央に磁性体ＭＧｂが設けられる。また、Ｙ軸方向の負側をＸ軸に沿って延びる辺の中央に磁性体ＭＧｃが設けられ、Ｘ軸方向の負側をＹ軸に沿って延びる辺の中央に磁性体ＭＧｄが設けられる。
【０１００】
図２１に示すセラミック層ＳＨ０〜ＳＨ４，ＳＨ５´，ＳＨ６〜ＳＨ１０を積層して作製された積層型インダクタ素子１０の断面は、図２３に示す構造をなす。
【０１０１】
セラミック層ＳＨ５´に対応する焼成前のシートは、図２４（Ａ）〜図２４（Ｅ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ５´として用意される（図２４（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【０１０２】
次に、貫通孔ＨＬ５ａ〜ＨＬ５ｄが分割ユニット毎にマザーシートＢＳ５´に形成される（図２４（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ５ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ５ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ５ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ５ｄは、セラミック層ＳＨ４に設けられたコイル導体パターンＣＰ４の終端に相当する位置に形成される。
【０１０３】
貫通孔ＨＬ５ａ〜ＨＬ５ｄにはその後、導電ペーストが充填される（図２４（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ５ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ａをなし、貫通孔ＨＬ５ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ５ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ｃをなし、貫通孔ＨＬ５ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ５ｄをなす。
【０１０４】
続いて、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の各々に延びる破線を跨ぐ位置に、矩形の貫通孔ＨＬ５ｅが形成される（図２４（Ｄ）参照）。厳密には、貫通孔ＨＬ５ｅは、分割ユニットをなす各辺の中央に設けられる。貫通孔ＨＬ５ｅにはその後、磁性体ペーストが充填される。充填された磁性体ペーストは、上述した磁性体ＭＧａ〜ＭＧｄをなす。
【０１０５】
上述の要領で作成されたマザーシートＢＳ０〜ＢＳ４，ＢＳ５´，ＢＳ６〜ＢＳ１０は、この順序で積層されかつ圧着される。このとき、各シートの積層位置は、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように調整される。これによって、図２５（Ａ）に示す積層基板ＬＢ１が作製される。作製された積層基板ＬＢ１は、その後焼成される（図２５（Ｂ）参照）。
【０１０６】
焼成が完了すると、各シートに割り当てられた破線に沿って延びる切り込み溝ＧＲが、積層基板ＬＢ１の上面（＝Ｚ軸方向の正側を向く面）に形成される（図２５（Ｂ）参照）。
【０１０７】
切り込み溝ＧＲが形成されると、積層基板ＬＢ１が上下方向において反転され、パッド電極１４ａおよび１４ｂが分割ユニット毎に積層基板ＬＢ１の上面に形成される。図２５（Ｃ）には現れないが、パッド電極１４ａおよび１４ｂは、分割ユニット毎に設けられたビアホール導体ＶＨ０ａおよびＶＨ０ｂをそれぞれ覆うように形成される。
【０１０８】
その後、ダイヤモンドスクライバＤＳが、切り込み溝ＧＲに沿って積層基板ＬＢ１の下面（＝Ｚ軸方向の負側を向く面）から押圧される（図２５（Ｃ）参照）。これによって形成されたクラックの先端は、素材の相違から、非磁性のマザーシートＢＳ５´で留まる。積層基板ＬＢ１はその後、クラックが広がる方向に曲げられる。クラックは切り込み溝ＧＲに達し、積層基板ＬＢ１は複数の積層型インダクタ素子１０，１０，…に個片化される。
【０１０９】
このように、マザーシートＢＳ５´には貫通孔ＨＬ５ｅが形成され、かつ磁性体ペーストが貫通孔ＨＬ５ｅに充填される。この結果、ダイヤモンドスクライバＤＳによって形成されたクラックは、積層基板ＬＢ１を曲げたときに容易に切り込み溝ＧＲに達する。
【０１１０】
図２６を参照して、さらにその他の実施例の積層型インダクタ素子１０は、セラミック層ＳＨ８に代えてセラミック層ＳＨ８´が採用される点を除き、図１に示す積層型インダクタ素子１０と同じであるため、同様の構成に関する重複した説明は省略する。
【０１１１】
図２７を参照して、セラミック層ＳＨ８´の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ８ａ〜ＶＨ８ｄとダミー導体パターンＤＰ８´とが形成される。ビアホール導体ＶＨ８ａ〜ＶＨ８ｄはそれぞれ、セラミック層ＳＨ８´をセラミック層ＳＨ７に積層したときにビアホール導体ＶＨ７ａ〜ＶＨ７ｄと重なる位置に設けられる。
【０１１２】
ダミー導体パターンＤＰ８´は、厳密には４つの線状導体ＬＣ８ａ´〜ＬＣ８ｄ´からなる。積層方向から眺めたとき、線状導体ＬＣ８ａ´は線状導体ＬＣ７ａよりもＸ軸方向における負側の位置をＹ軸に沿って延び、線状導体ＬＣ８ｂ´は線状導体ＬＣ７ｂよりもＹ軸方向における正側の位置をＸ軸に沿って延びる。また、線状導体ＬＣ８ｃ´は線状導体ＬＣ７ｃよりもＸ軸方向における正側の位置をＹ軸に沿って延び、線状導体ＬＣ８ｄ´は線状導体ＬＣ７ｄよりもＹ軸方向における負側の位置をＸ軸に沿って延びる。
【０１１３】
図２６に示すセラミック層ＳＨ０〜ＳＨ７，ＳＨ８´，ＳＨ９〜ＳＨ１０を積層して作製された積層型インダクタ素子１０の断面は、図２８に示す構造をなす。
【０１１４】
セラミック層ＳＨ８´に対応する焼成前のシートは、図２９（Ａ）〜図２９（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ８´として用意される（図２９（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【０１１５】
次に、貫通孔ＨＬ８ａ〜ＨＬ８ｄが、分割ユニット毎にマザーシートＢＳ８´に形成される（図２９（Ｂ）参照）。各分割ユニットに注目したとき、貫通孔ＨＬ８ａはＸ軸方向の負側端部でかつＹ軸方向の負側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ８ｂはＸ軸方向の正側端部でかつＹ軸方向の正側端部に相当する位置に設けられ、貫通孔ＨＬ８ｃは中央位置に設けられる。また、貫通孔ＨＬ８ｄは、セラミック層ＳＨ７に設けられたビアホール導体ＶＨ７ｄに相当する位置に形成される。
【０１１６】
貫通孔ＨＬ８ａ〜ＨＬ８ｄにはその後、導電ペーストが充填される（図２９（Ｃ）参照）。貫通孔ＨＬ８ａに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ８ａをなし、貫通孔ＨＬ８ｂに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ８ｂをなす。また、貫通孔ＨＬ８ｃに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ８ｃをなし、貫通孔ＨＬ８ｄに充填された導電ペーストはビアホール導体ＶＨ８ｄをなす。充填が完了すると、ダミー導体パターンＤＰ８´が、各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図２９（Ｄ）参照）。
【０１１７】
マザーシートＢＳ０〜ＢＳ７，ＢＳ８´，ＢＳ９〜ＢＳ１０をベースとして上述の要領で作成された焼成前のシートは、この順序で積層されかつ圧着される。このとき、各シートの積層位置は、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように調整される。特に、マザーシートＢＳ７およびＢＳ８´は、積層基板ＬＢ１の最外層に近づくほどダミー導体パターンＤＰ７，ＤＰ８´から破線までの距離が短縮される順序で積層される。これによって、図３０（Ａ）に示す積層基板ＬＢ１が作製される。作製された積層基板ＬＢ１は、その後焼成される（図３０（Ｂ）参照）。
【０１１８】
焼成が完了すると、各シートに割り当てられた破線に沿って延びる切り込み溝ＧＲが、積層基板ＬＢ１の上面（＝Ｚ軸方向の正側を向く面）に形成される（図３０（Ｂ）参照）。切り込み溝ＧＲが形成されると、積層基板ＬＢ１が上下方向において反転され、パッド電極１４ａおよび１４ｂが分割ユニット毎に積層基板ＬＢ１の上面に形成される。図３０（Ｃ）には現れないが、パッド電極１４ａおよび１４ｂは、分割ユニット毎に設けられたビアホール導体ＶＨ０ａおよびＶＨ０ｂをそれぞれ覆うように形成される。
【０１１９】
その後、ダイヤモンドスクライバＤＳが、切り込み溝ＧＲに沿って積層基板ＬＢ１の下面（＝Ｚ軸方向の負側を向く面）から押圧される（図３０（Ｃ）参照）。これによって形成されたクラックの先端は、素材の相違から、非磁性のマザーシートＢＳ５で留まる。積層基板ＬＢ１はその後、クラックが広がる方向に曲げられる。クラックは切り込み溝ＧＲに達し、積層基板ＬＢ１は複数の積層型インダクタ素子１０，１０，…に個片化される。
【０１２０】
このように、積層基板ＬＢ１の上面に近いダミー導体パターンＤＰ８´は、積層方向から眺めたとき、積層基板ＬＢ１の上面から遠いダミー導体パターンＤＰ７よりも外方に形成される。これによって、積層基板ＬＢ１を曲げることで生じたクラックの軌道が途中でずれたとしても、そのずれがダミー導体パターンＤＰ８´によって修正される。
【０１２１】
なお、上述のいずれの実施例においても、マザーシートＢＳ５よりも上面側に形成するダミー導体パターンの層数が２層である。しかし、マザーシートＢＳ５よりも上面側には３層以上のダミー導体パターンを形成するようにしてもよい。
【０１２２】
また、上述のいずれの実施例においても、非磁性層は積層基板ＬＢ１の厚み方向における中央に設けられる。しかし、非磁性層は、積層基板ＬＢ１の厚み方向中央よりも上面側または下面側にずらすようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１２３】
１０  …積層型インダクタ素子
１２  …積層体
１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂ  …パッド電極
ＳＨ０〜ＳＨ１０，ＳＨ１´，ＳＨ２´，ＳＨ５´，ＳＨ８´  …セラミック層
ＢＳ０〜ＢＳ１０，ＢＳ１´，ＢＳ２´，ＢＳ５´，ＢＳ８´  …マザーシート（セラミックシート）
ＬＢ１  …積層基板
ＣＰ３〜ＣＰ４，ＣＰ６  …コイル導体パターン
ＤＰ２〜ＤＰ３，ＤＰ７〜ＤＰ８，ＤＰ８´  …ダミー導体パターン
ＧＲ  …切り込み溝
【図１】
2015056553.tif 000003
【図２】
2015056553.tif 000004
【図３】
2015056553.tif 000005
【図４】
2015056553.tif 000006
【図５】
2015056553.tif 000007
【図６】
2015056553.tif 000008
【図７】
2015056553.tif 000009
【図８】
2015056553.tif 000010
【図９】
2015056553.tif 000011
【図１０】
2015056553.tif 000012
【図１１】
2015056553.tif 000013
【図１２】
2015056553.tif 000014
【図１３】
2015056553.tif 000015
【図１４】
2015056553.tif 000016
【図１５】
2015056553.tif 000017
【図１６】
2015056553.tif 000018
【図１７】
2015056553.tif 000019
【図１８】
2015056553.tif 000020
【図１９】
2015056553.tif 000021
【図２０】
2015056553.tif 000022
【図２１】
2015056553.tif 000023
【図２２】
2015056553.tif 000024
【図２３】
2015056553.tif 000025
【図２４】
2015056553.tif 000026
【図２５】
2015056553.tif 000027
【図２６】
2015056553.tif 000028
【図２７】
2015056553.tif 000029
【図２８】
2015056553.tif 000030
【図２９】
2015056553.tif 000031
【図３０】
2015056553.tif 000032
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコイル導体パターンが各々に印刷されかつ各々が磁性体を含む複数の第１セラミックシートを準備する第１準備工程と、
各々が非磁性体を含む複数の第２セラミックシートを準備する第２準備工程と、
前記複数の第１セラミックシートおよび前記複数の第２セラミックシートを積層しかつ焼成することで、複数のコイル導体が埋め込まれかつ最外層および中間層が非磁性層をなす積層基板を作製する作製工程と、
積層方向から眺めて前記複数のコイル導体を回避するように前記積層基板の最外層に切り込み溝を形成する溝形成工程と、
前記切り込み溝に沿って前記積層基板を切断して複数の個片を作製する個片化工程と、
を有する積層型インダクタ素子の製造方法であって、
前記複数の個片にそれぞれ割り当てられかつ前記積層方向から眺めて前記複数のコイル導体をそれぞれ取り囲むように前記切り込み溝に沿って延びる複数のダミー導体パターンが各々に印刷された１または２以上の第３セラミックシートを準備する第３準備工程をさらに有し、
前記積層工程は前記最外層に最も近い第１セラミックシートと前記最外層をなす第２セラミックシートとの間に前記１または２以上の第３セラミックシートを挿入する挿入工程を含むことを特徴とする、積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第３セラミックシートは磁性体を含む、請求項１記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第３準備工程は前記切り込み溝までの距離がシート間で相違するように前記複数のダミー導体パターンを複数の第３セラミックシートの各々に印刷する印刷工程を含み、
前記挿入工程は前記最外層に近づくほど前記ダミー導体パターンから前記切り込み溝までの距離が短縮される順序で前記複数の第３セラミックシートを積層する工程である、請求項１または２記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項４】
積層方向から眺めて前記切り込み溝と重なるように、複数の貫通孔を前記中間層をなす第２セラミックシートに形成する孔形成工程をさらに備える、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項５】
前記複数の貫通孔に磁性体ペーストを充填する充填工程をさらに備える、請求項４記載の積層型インダクタ素子の製造方法。
【請求項６】
最外層および中間層が非磁性層をなすように複数の磁性セラミック層と複数の非磁性セラミック層とが積層され、かつコイル導体が埋め込まれた積層型インダクタ素子であって、
積層方向から眺めたときに前記コイル導体を取り囲むように側面に沿って延びるダミー導体パターンが前記最外層に最も近い磁性セラミック層と前記最外層をなす非磁性セラミック層との間に配されていることを特徴とする、積層型インダクタ素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、積層型インダクタ素子の製造方法に関し、特に、複数のコイル導体が埋め込まれかつ最外層および中間層が非磁性層をなす積層基板を個片化して複数の積層型インダクタ素子を製造する方法に関する。
この発明はまた、最外層および中間層が非磁性層をなすように複数の磁性セラミック層と複数の非磁性セラミック層とが積層され、かつコイル導体が埋め込まれた積層型インダクタ素子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、個片化時の歩留まりを高めることができる、積層型インダクタ素子の製造方法、および積層型インダクタ素子を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に従う積層型インダクタ素子の製造方法は、複数のコイル導体パターンが各々に印刷されかつ各々が磁性体を含む複数の第１セラミックシートを準備する第１準備工程と、各々が非磁性体を含む複数の第２セラミックシートを準備する第２準備工程と、複数の第１セラミックシートおよび複数の第２セラミックシートを積層しかつ焼成することで、複数のコイル導体が埋め込まれかつ最外層および中間層が非磁性層をなす積層基板を作製する作製工程と、積層方向から眺めて複数のコイル導体を回避するように積層基板の最外層に切り込み溝を形成する溝形成工程と、切り込み溝に沿って積層基板を切断して複数の個片を作製する個片化工程と、を有する積層型インダクタ素子の製造方法であって、複数の個片にそれぞれ割り当てられかつ積層方向から眺めて複数のコイル導体をそれぞれ取り囲むように切り込み溝に沿って延びる複数のダミー導体パターンが各々に印刷された１または２以上の第３セラミックシートを準備する第３準備工程をさらに有し、積層工程は最外層に最も近い第１セラミックシートと最外層をなす第２セラミックシートとの間に１または２以上の第３セラミックシートを挿入する挿入工程を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに好ましくは、複数の貫通孔に磁性体ペーストを充填する充填工程がさらに備えられる。
この発明に従う積層インダクタ素子は、最外層および中間層が非磁性層をなすように複数の磁性セラミック層と複数の非磁性セラミック層とが積層され、かつコイル導体が埋め込まれた積層型インダクタ素子であって、積層方向から眺めたときにコイル導体を取り囲むように側面に沿って延びるダミー導体パターンが最外層に最も近い磁性セラミック層と最外層をなす非磁性セラミック層との間に配されていることを特徴とする。
【国際調査報告】
2015056553.tif 000033
2015056553.tif 000034