(57)【要約】  本願発明は、表示パネルが過熱し、ＥＬ素子が劣化することを抑制する表示装置を提供することを目的とする。  本発明のＥＬ表示装置は、表示画面（２０）と、第１のゲート信号線（１７ａ）及び第２のゲート信号線（１７ｂ）と、ゲートドライバ回路（１２ａ，１２ｂ）と、ＥＬ素子（１５）に電流を供給する電流発生回路（Ｖｄｄ）と、複数の画素（１６）に流れる電流の大きさを求める電流量取得回路（４１）と、ゲートドライバ回路（１２ｂ）が第２のゲート信号線（１７ｂ）に出力する制御電圧を発生する制御電圧発生回路（４３）とを具備し、複数の画素（１６）の各々は、第１のスイッチ用トランジスタ（１１ｄ）を備え、第１のスイッチ用トランジスタ（１１ｄ）を導通状態を制御する制御電圧を、電流量取得回路（４１）の出力結果に基づき、制御電圧発生回路（４３）からの出力を変化させることにより変化させることを特徴とするＥＬ表示装置。
2015001709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリックス状に配置された表示画面と、
前記複数の画素の行ごとに配置された、第１のゲート信号線及び第２のゲート信号線と、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線に、それぞれ第１の制御電圧及び第２の制御電圧を出力するゲートドライバ回路と、
前記表示画面の前記複数の画素に電流を供給する電流発生回路と、
前記複数の画素に流れる電流の大きさを求める電流量取得回路と、
前記ゲートドライバ回路が前記第１のゲート信号線に出力する前記第１の制御電圧を発生する制御電圧発生回路とを具備し、
前記複数の画素の各々は、
ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子と、
前記ＥＬ素子に駆動電流を供給するための駆動用トランジスタと、
前記第１のゲート信号線から供給される第１の制御電圧に基づいてチャンネル間電圧が調整され、前記駆動電流の経路上に配置された第１のスイッチ用トランジスタと、
前記第２のゲート信号線から供給される前記第２の制御電圧に基づいて導通及び非導通が切り換えられ、映像信号を前記駆動用トランジスタに印加するための第２のスイッチ用トランジスタとを備え、
制御電圧発生回路は、前記電流量取得回路の出力結果に基づき、前記第１の制御電圧の大きさを調整することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記電流量取得回路は、ＥＬ表示装置に入力される映像信号を演算することにより、前記表示画面に流れる電流を求めることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記電流量取得回路は、前記電流発生回路から前記表示画面に流れる電流の大きさを検出することにより、前記表示画面に流れる電流を求めることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２の制御電圧は、前記第２のスイッチ用トランジスタをオンさせるオン電圧と、前記第２のスイッチ用トランジスタをオフさせる複数のオフ電圧からなることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
複数の画素がマトリックス状に配置された表示画面を有するＥＬ表示装置の駆動方法であって、
前記画素には、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する駆動用トランジスタと、前記ＥＬ素子に流れる電流の経路に配置されたスイッチ用トランジスタを具備し、
前記スイッチ用トランジスタのゲート端子に印加する電圧の値を制御することにより、前記電流の大きさを可変することを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記電流量取得回路を具備し、ＥＬ表示装置に入力される映像信号を演算することにより、前記表示画面に流れる電流を求め、求めた電流に基づいて、前記スイッチ用トランジスタのゲート端子に印加する電圧を可変することを特徴とする請求項５記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記電流量取得回路を具備し、前記表示画面に流れる電流の大きさを検出することにより、前記スイッチ用トランジスタのゲート端子に印加する電圧を可変することを特徴とする請求項５記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ。以下、ＥＬ、またはＯＬＥＤと呼ぶことがある。）素子などを有する表示パネルにテレビ画像などを表示する映像表示方法及び表示装置、また、立体映像の表示に適するように構成された映像表示システム、映像表示方法及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＥＬ素子を備えるＥＬ表示装置を開示する。ＥＬ表示装置は、駆動用トランジスタに書き込むトランジスタのオン抵抗を下げることにより、ＥＬ素子に流れる電流を制御する。これにより、ＥＬ表示装置の表示輝度と消費電流を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１４５４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、表示パネルが過熱し、ＥＬ素子が劣化することを抑制するＥＬ表示装置、画質低下を抑制し良好な表示品位を維持できるＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係るＥＬ表示装置は、複数の画素がマトリックス状に配置された表示画面と、前記複数の画素の行ごとに配置された、第１のゲート信号線及び第２のゲート信号線と、前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線に、それぞれ第１の制御電圧及び第２の制御電圧を出力するゲートドライバ回路と、前記表示画面の前記複数の画素に電流を供給する電流発生回路と、前記複数の画素に流れる電流の大きさを求める電流量取得回路と、前記ゲートドライバ回路が前記第１のゲート信号線に出力する前記第１の制御電圧を発生する制御電圧発生回路とを具備し、前記複数の画素の各々は、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子と、前記ＥＬ素子に駆動電流を供給するための駆動用トランジスタと、前記第１のゲート信号線から供給される第１の制御電圧に基づいてチャンネル間電圧が調整され、前記駆動電流の経路上に配置された第１のスイッチ用トランジスタと、前記第２のゲート信号線から供給される前記第２の制御電圧に基づいて導通及び非導通が切り換えられ、映像信号を前記駆動用トランジスタに印加するための第２のスイッチ用トランジスタとを備え、制御電圧発生回路は、前記電流量取得回路の出力結果に基づき、前記第１の制御電圧の大きさを調整する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、表示パネルが過熱し、ＥＬ素子が劣化することを抑制するＥＬ表示装置、画質低下を抑制し良好な表示品位を維持できるＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示の基礎となった技術に係るＥＬ表示装置の説明図である。
【図２】図２は、実施の形態１に係るＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図３】図３は、本開示のＥＬ表示装置の構成を示す説明図である。
【図４】図４は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図５】図５は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図６】図６は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図７】図７は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図８】図８は、本開示のＥＬ表示装置の切り替え回路の構成を示す説明図である。
【図９】図９は、Ｎチャンネルトランジスタの場合の電圧２値駆動および電圧３値駆動について説明するための図である。
【図１０】図１０は、Ｐチャンネルトランジスタの場合の電圧２値駆動および電圧３値駆動について説明するための図である。
【図１１】図１１は、本開示のＥＬ表示装置の説明図である。
【図１２】図１２は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図１３】図１３は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図１４】図１４は、本開示のＥＬ表示装置の構成を示す説明図である。
【図１５】図１５は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図１６】図１６は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図１７】図１７は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【図１８】図１８は、本開示のＥＬ表示装置を採用したディスプレイである。
【図１９】図１９は、本開示のＥＬ表示装置を採用したデジタルカメラである。
【図２０】図２０は、本開示のＥＬ表示装置を採用したノート型パーソナルコンピュータである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
【０００９】
（本開示の基礎となった知見）
以下、本開示の詳細を説明する前に、本開示の基礎となった知見について説明する。
【００１０】
有機ＥＬ素子をマトリックス状に備えたアクティブマトリックス（Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ、以下、ＡＭと略する場合がある。）型有機ＥＬ表示装置がスマートフォンなどの表示パネルに採用され、商品化されている。ＥＬ素子は、アノード電極（端子）およびカソード電極（端子）間にＥＬ層が形成されている。ＥＬ素子は、アノード電極（端子）、カソード電極（端子）に供給された電流あるいは電圧により発光する。よって、表示輝度と消費電流が比例し、表示輝度が高くなると消費電流が増大する特性を持っている。
【００１１】
したがって、表示輝度が高くなると消費電力が増大する。消費電力が増大するとパネルが発熱し、ＥＬ素子などの劣化を引き起こす。
【００１２】
この課題を解決する方法として、駆動用トランジスタの電源電圧を変化させる方法がある。
【００１３】
図１は、本開示の基礎となった技術に係るＥＬ表示装置の説明図である。
【００１４】
図１は、有機ＥＬ素子の画素回路の一例を示すものである。
【００１５】
画素回路は１６に示す、発光素子（ＥＬ素子）１５と、これを駆動する駆動用トランジスタ１１ａと、この駆動用トランジスタ１１ａに映像信号を印加するスイッチ用トランジスタ１１ｂとを基本構成とする。駆動用トランジスタ１１ａのドレイン側にはＥＬの電圧源Ｖｄｄ（電源装置等）に接続される。Ｖｄｄはアノード電圧である。駆動用トランジスタ１１ａとスイッチ用トランジスタ１１ｂによりＥＬ素子１５の電流Ｉｄを制御することでＥＬ素子１５の発光輝度を調整することができる。
【００１６】
しかし、図１の画素回路では電圧源ＶｄｄとＥＬ素子との間に電位差を持たせている（駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間の電位差Ｖｄｄ）為、電力＝電流（Ｉｄ）×電圧（Ｖｄｄ−ＥＬ素子電位差−Ｖｓｓ）に相当する電力損失による発熱が駆動用トランジスタ１１ａで起こり、駆動用トランジスタ１１ａに隣接するＥＬ素子の特性が急激に劣化するという問題が発生する。
【００１７】
また、上記駆動用トランジスタ１１ａの発熱を抑制するために、ＥＬ素子１５に流れる電流Ｉｄを検出し、電圧源Ｖｄｄの電圧を可変することで電流Ｉｄの抑制による電力損失低減も考えられるが、ＥＬ素子１５を駆動する駆動用トランジスタ１１ａの特性ムラなどによる表示品位の劣化（輝度ムラ、フリッカ）を引き起こすという問題がある。また、駆動用トランジスタ１１ａに信号を書き込むトランジスタのオン抵抗を変化させる方法があるが、変化できる割合が小さく効果はほとんどない。
【００１８】
以下、ＥＬ特性劣化抑制と表示品位との両立を実現できる画素回路および表示パネルについて説明する。なお、以下において、トランジスタ１１とは、駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｂ、１１ｃ及び１１ｄを示す。
【００１９】
（実施の形態１）
以下、図２〜図１２を用いて、実施の形態１に係るＥＬ表示装置について説明する。
【００２０】
［１−１．ＥＬ表示装置の構成］
本開示にかかるＥＬ表示装置は、ＥＬ素子の電流制御を、ＥＬ素子１５に印加する駆動用トランジスタ１１ａとは別の制御トランジスタ（スイッチ用トランジスタ１１ｄ）で行うことを特徴とするものである。これはスイッチ用トランジスタ１１ｄのゲートへ印加する電圧を変化させることでオン特性を制御し、駆動用トランジスタ１１ａを介してＥＬ素子１５の電流を制御する。これにより、駆動用トランジスタ１１ａの特性ムラによる表示品位低下を起こすことなくＥＬ駆動電流を制御でき、ＥＬ画素回路全体の発熱を抑えて、発熱によるＥＬ素子特性の劣化を防ぐことができるものである。
【００２１】
なお、本開示において、各図は理解を容易するために、また、作図を容易にするために、省略、拡大あるいは縮小した箇所がある。
【００２２】
本開示の実施の形態に図示あるいは明細書で説明した事項あるいは内容は、他の実施の形態においても適用される。また、本開示の実施の形態で説明あるいは図示したＥＬ表示パネルは、本開示のＥＬ表示装置に採用できる。
【００２３】
たとえば、後に詳述する図２０のノート型パーソナルコンピュータのＥＬ表示装置１５１として、本開示の実施の形態で図示した、あるいは説明したＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）を採用し、また、情報機器を構成することができることは言うまでもない。
【００２４】
また、同一番号または、記号等を付した箇所は、同一もしくは類似の形態もしくは材料あるいは機能もしくは動作、あるいは関連する事項、作用などを有する。
【００２５】
各図等で説明した内容は特に断りがなくとも、他の実施の形態等と組み合わせることができる。たとえば、図２の本開示のＥＬ表示パネルにタッチパネルなどを付加し、後に詳述する図１８、図１９、図２０に示す情報表示装置などを構成することができる。
【００２６】
本開示のＥＬ表示装置とは、情報機器などのシステム機器を含む概念である。ＥＬ表示パネルの概念は、広義には情報機器などのシステム機器を含む。
【００２７】
本開示では、駆動用トランジスタおよびスイッチ用トランジスタは、薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード（ＴＦＤ）、リングダイオードなどでも構成することができる。
【００２８】
また、薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。たとえば、シリコンウエハでトランジスタを構成し、剥がしてガラス基板に転写したものが例示される。また、シリコンウエハでトランジスタチップを形成し、ガラス基板のボンディング実装した表示パネルが例示される。
【００２９】
本開示に係るトランジスタは、もちろん、ＦＥＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダオード、ホトトランジスタ、ＰＬＺＴ素子などでもよいことは言うまでもない。
【００３０】
なお、本開示に係るトランジスタは、Ｎチャンネル、Ｐチャンネルのトランジスタとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を採用することが好ましい。
【００３１】
また、トランジスタは、高温ポリシリコン（ＨＴＰＳ：Ｈｉｇｈ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、連続粒界シリコン（ＣＧＳ：Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｇｒａｉｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ、ＩＺＯ）、アモルファスシリコン（ＡＳ：Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、赤外線ＲＴＡ（ＲＴＡ：Ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）で形成したもののうち、いずれでもよい。
【００３２】
図２では、画素１６を構成するすべてのトランジスタ（駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄ）はＰチャンネルで構成している。しかし、本開示は、画素１６のトランジスタ（駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄ）をＰチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Ｎチャンネルのみで構成してもよい。また、ＮチャンネルとＰチャンネルの両方を用いて構成してもよい。また、駆動用トランジスタ１１ａをＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
【００３３】
スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄは、トランジスタに限定するものではなく、たとえば、ＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いて構成したアナログスイッチであってもよい。
【００３４】
ここで、トランジスタはトップゲート構造にすることが好ましい。トップゲート構造にすることにより寄生容量が低減し、トップゲートのゲート電極パターンが、遮光層となり、ＥＬ素子１５から出射された光を遮光層で遮断し、トランジスタの誤動作、オフリーク電流を低減できるからである。
【００３５】
ゲート信号線１７ａ及び１７ｂ、または、ソース信号線１８、もしくはゲート信号線１７ａ及び１７ｂとソース信号線１８との両方の配線材料として、銅配線または銅合金配線を採用できるプロセスを実施することが好ましい。信号線（ゲート信号線１７ａ及び１７ｂ又はソース信号線１８）の配線抵抗を低減でき、より大型のＥＬ表示パネルを実現できるからである。
【００３６】
ゲートドライバＩＣ（ゲートドライバ回路）１２（ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂ）が駆動（制御）するゲート信号線１７ａ及び１７ｂは、低インピーダンス化すること好ましい。したがって、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂの構成あるいは構造に関しても同様である。
【００３７】
特に、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）を採用することが好ましい。低温ポリシリコンは、トランジスタはトップゲート構造であり寄生容量が小さく、ＮチャンネルおよびＰチャンネルトランジスタを作製でき、また、プロセスに銅配線または銅合金配線プロセスを用いることができる。なお、銅配線は、Ｔｉ−Ｃｕ−Ｔｉの３層構造を採用することが好ましい。
【００３８】
配線は、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）の場合には、モリブデン（Ｍｏ）−Ｃｕ−Ｍｏの３層構造を採用することが好ましい。
【００３９】
図２および図３は本開示のＥＬ表示装置の画素構成の説明図である。本実施の形態に係るＥＬ表示装置は、複数のＥＬ素子１５を有する表示画面２０を備えている。また、ＥＬ表示装置は、表示画面２０の周辺回路として、ゲート信号線１７ａを駆動するゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ、ゲート信号線１７ｂを駆動するゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂ、映像信号を発生し、出力するソースドライバＩＣ（回路）１４、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂ及びソースドライバＩＣ（回路）１４などを制御する制御回路７０（図６参照）とを備えている。
【００４０】
なお、ゲート信号線１７ａは、ゲート信号線ＧＳ、ゲート信号線１７ｂは、ゲート信号線ＧＥと呼ぶ。スイッチ用トランジスタ１１ｂのゲート端子には、ゲート信号線１７ａに接続されており、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子には、ゲート信号線１７ｂが接続されている。
【００４１】
図３に示すように、表示画面２０には、マトリックス状に配置されたＥＬ素子１５を備えている。表示画面２０は、外部からＥＬ表示装置へ入力された映像信号に基づいて画像を表示する。
【００４２】
画素のトランジスタはＰチャンネルトランジスタである。駆動用トランジスタ１１ａは、ＥＬ素子１５に流す電流を発生する。スイッチ用トランジスタ１１ｂは、ソースドライバＩＣ（回路)１４が発生し、ソース信号線１８に印加された映像信号を画素１６の駆動用トランジスタ１１ａに印加する。
【００４３】
スイッチ用トランジスタ１１ｄは、ＥＬ素子１５への駆動用電流が流れる配線の経路上に配置または形成されている。なお、経路とは、駆動用電流が流れる経路であり、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、アノードＶｄｄ端子からカソードＶｓｓ端子間のいずれの位置であってもよい。スイッチ用トランジスタ１１ｄをオンさせることにより駆動用トランジスタ１１ａから流出した電流がＥＬ素子１５に供給される。ＥＬ素子１５に供給される電流に比例してＥＬ素子１５が発光する。スイッチ用トランジスタ１１ｄをオフさせることによりＥＬ素子１５への電流の供給が停止し、ＥＬ素子１５の発光が停止する。
【００４４】
コンデンサ１９ａは、第１電極である電極３１が駆動用トランジスタ１１ａのゲート端子に接続され、第２電極が駆動用トランジスタ１１ａのソース端子に接続されたコンデンサである。
【００４５】
コンデンサ１９ａは、ソース信号線１８から供給された信号電圧に対応した電圧を保持し、例えば、スイッチ用トランジスタ１１ｂがオフ状態となった後に、駆動用トランジスタ１１ａのゲート・ソース電極間電位を安定的に保持し、駆動用トランジスタ１１ａからＥＬ素子１５へ供給する電流を安定化する機能を有する。
【００４６】
本開示の実施の形態では、スイッチ用トランジスタ１１ｄを線形領域で使用し、また、非線形領域で使用する。線形領域と非線形領域での切り替えは、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するゲート電圧により操作する。
【００４７】
アノード電極（端子又は配線）とカソード電極（端子又は配線）間に、ＥＬ素子１５と駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｄが配置されている。また、ＥＬ素子１５と駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｄは直列に接続されている。
【００４８】
ゲート端子に印加するオン電圧を高くすると、スイッチ用トランジスタは、強オン状態となり飽和領域で動作する。スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間（ソース−ドレイン間）電圧は低くなる。したがって、ＥＬ素子１５、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間には十分な電圧が印加される。そのため、駆動用トランジスタ１１ａからの定電流がＥＬ素子１５に供給される。
【００４９】
スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を低くすると、スイッチ用トランジスタ１１ｄでは、チャンネル間のオン抵抗が大きくなる（線形領域で動作する）。スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間（ソース−ドレイン間）のオン抵抗が高くなると、チャンネル間電圧が大きくなる。そのため、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間、ＥＬ素子１５に電圧が印加されにくくなる。したがって、駆動用トランジスタ１１ａがＥＬ素子１５に供給する電流が抑制される。
【００５０】
以上のように、本開示は、ＥＬ素子１５に供給する電流を抑制するときは、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を低くし、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間抵抗を高くする。
【００５１】
ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂは、複数の走査・出力バッファ回路１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ（図７参照）を備えている。ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂは、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂにそれぞれ接続されており、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂにそれぞれ選択信号を出力することにより、ＥＬ素子１５の有するスイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄの導通（オン）または非導通（オフ）を制御する機能を有する駆動回路である。
【００５２】
本開示のＥＬ表示装置において、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂは、表示画面２０の左右に配置されており、少なくとも各画素１６のゲート信号線１７は、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａまたはゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂと接続されている。図２、図３において、ゲート信号線１７ａ（ゲート信号線ＧＳ）は、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａと接続され、ゲート信号線１７ａは、スイッチ用トランジスタ１１ｂのゲート端子に接続されている。ゲート信号線１７ｂ（ゲート信号線ＧＥ）は、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂと接続され、ゲート信号線１７ｂは、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に接続されている。
【００５３】
本開示の一態様に係るＥＬ表示装置は、複数の画素がマトリックス状に配置された表示画面と、表示画面の画素行ごとに配置されたゲート信号線１７（ゲート信号線１７ａ及び１７ｂ）と、表示画面の画素列ごとに配置されたソース信号線１８と、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂを駆動するゲートドライバ回路（ゲートドライバＩＣ）１２ａ及び１２ｂと、ソース信号線１８を駆動するソースドライバＩＣ（ソースドライバ回路）１４とを具備する。
【００５４】
ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂは、第１のパルス及び第２のパルスを有する選択信号を出力する。ソースドライバＩＣ（回路）１４は、入力画像に対応した映像信号を出力あるいは発生する。
【００５５】
複数のＥＬ素子１５において、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂを介して入力される選択信号のうちの第１のパルスに基づいて、ＥＬ素子１５の行単位で順次、消光状態が開始される。選択信号のうちの第２のパルスに基づいて、ソース信号線１８から映像信号（発光データ）が書き込まれる。映像信号は、画素１６のコンデンサ１９ａに保持される。駆動用トランジスタ１１ａは、コンデンサ１９ａに保持された映像信号に基づき、発光電流（ＥＬ電流）Ｉｄを発生する。スイッチ用トランジスタ１１ｄが第１のパルスによりオンすることにより、発光電流ＩｄをＥＬ素子１５に供給する。
【００５６】
駆動回路部は、複数のＥＬ素子１５の最後の行の消光状態の開始より前に、複数のＥＬ素子１５の最初の行への発光データの書き込みを開始し、複数のＥＬ素子１５の最初の行の発光状態の開始より後に、複数のＥＬ素子１５の最後の行への発光データの書き込みを終了するように、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂ及びソース信号線１８に選択信号及び映像信号をそれぞれ供給する。
【００５７】
以上のように、本実施の形態に係るＥＬ表示装置は、ＥＬ素子１５の電流制御を、ＥＬ素子１５に印加する駆動用トランジスタ１１ａとは別の制御トランジスタ（スイッチ用トランジスタ１１ｄ）で行うことができる。これは、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲートへ印加する電圧を変化させることでオン特性を制御し、駆動用トランジスタ１１ａを介してＥＬ素子１５の電流を制御する。これにより、駆動用トランジスタ１１ａの特性ムラによる表示品位低下を起こすことなくＥＬ駆動電流を制御でき、ＥＬ画素回路全体の発熱を抑えて、発熱によるＥＬ素子特性の劣化を防ぐ。
【００５８】
［１−２．ＥＬ表示装置の動作］
次に、本実施の形態に係るＥＬ表示装置の動作（駆動方法）について説明する。
【００５９】
図４は、本実施の形態に係るＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。
【００６０】
本開示は、図４に示すように、表示画面２０に流れる電流の大きさを電流検出回路４１で検出する。電流は、アノードＶｄｄに流れる電流とカソードＶｓｓに流れる電流の大きさのうち、少なくとも一方の電流の大きさを検出する。また、電流の大きさだけでなく、電流の大きさの変化あるいは変化割合も考慮してもよい。図４では、アノード配線あるいは端子に、電流検出回路４１を配置している。なお、電流検出回路４１は、本実施の形態にかかる電流検出回路に相当する。
【００６１】
図４において、オン電圧発生回路４３はオン電圧（Ｖｏｎ）を発生する機能と、オン電圧を可変する機能のうち少なくとも一方の機能を有するオン電圧発生回路である。オン電圧発生回路４３は本実施の形態に係る制御電圧発生回路である。
【００６２】
オン電圧（Ｖｏｎ）は、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂに供給され、オン電圧は、ゲート信号線１７ｂ（ゲート信号線ＧＥ）に出力される。
【００６３】
図４において、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、Ｐチャンネルトランジスタである。したがって、オン電圧は、負電圧である。オフ電圧は正電圧である。
【００６４】
アノード電極（端子又は配線）とカソード電極（端子又は配線）間に、ＥＬ素子１５と駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｄが配置されている。また、ＥＬ素子１５と駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｄは直列に接続されている。
【００６５】
スイッチ用トランジスタ１１ｄは、強オン状態とすると飽和領域で動作する。スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間（ソース−ドレイン間）電圧は低くなる。したがって、ＥＬ素子１５、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間には十分な電圧が印加される。そのため、駆動用トランジスタ１１ａからの定電流がＥＬ素子１５に供給される。
【００６６】
スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を小さくすると、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、チャンネル間（ソース−ドレイン間）のオン抵抗が大きくなる（線形領域で動作する）。スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間のオン抵抗が大きくなると、チャンネル間電圧が大きくなる。そのため、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間、ＥＬ素子１５に電圧が印加されにくくなる。したがって、駆動用トランジスタ１１ａがＥＬ素子１５に供給する電流が抑制される。
【００６７】
スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧が低くなるほど、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄは、低下する。したがって、ＥＬ素子１５、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間に十分な電圧が印加されるようになり、ＥＬ素子１５に電流は流れ易くなる。
【００６８】
オン電圧が高くなるほど、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄは、高くなる。したがって、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間に電圧が印加されにくくなり、また、ＥＬ素子１５に、電圧Ｖｅが印加されにくくなり、ＥＬ素子への電流は流れにくくなる（抑制される）。ＥＬ素子１５に流れる電流が抑制されることにより、表示画面で消費される電力が低減する。また、表示画面の発熱が低減することにより、ＥＬ素子１５、トランジスタ１１の劣化が抑制される。
【００６９】
以上のことから、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を変化あるいは調整することにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを変化させることができる。
【００７０】
アノード端子とカソード端子電圧には、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間電圧Ｖａ、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄ、ＥＬ素子１５の端子間電圧Ｖｅに分離することができる。
【００７１】
ゲート信号線１７ｂのオン電圧を変化させることにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄが変化する。カソード電圧Ｖｓｓ、アノード電圧Ｖｄｄは一定電圧であるので、Ｖｄが変化すれば、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間電圧Ｖａ、ＥＬ素子１５の端子間電圧Ｖｅが変化する。したがって、Ｖｄ電圧を変化させることにより、ＥＬ素子１５に流れる電流を変化させることができる。ＥＬ素子１５の電流の変化は、表示画面２０に流れる電流を変化せることになる。そのため、オン電圧を変化せることにより、表示画面２０に流れる電流を変化させることができる。
【００７２】
駆動用トランジスタ１１ａには、製造などの問題から特性バラツキがある。同様に、ＥＬ素子１５にも製造などの問題から特性バラツキがある。駆動用トランジスタ１１ａ、ＥＬ素子１５の特性バラツキは、表示画面２０に筋ムラなどを発生し、表示品位を低下させる。
【００７３】
表示画面２０に流れる電流を抑制する方式として、アノード電圧またはカソード電圧を変化させる方法がある。たとえば、表示画面２０に流れる電流を抑制するには、アノード電圧Ｖｄｄを低下させればよい。アノード電圧Ｖｄｄを低下させると、表示画面２０の電流を抑制することができるが、アノード電圧Ｖｄｄは表示画面２０に共通の電圧であるため、ＥＬ素子１５、駆動用トランジスタ１１ａの特性バラツキに直接反映される。そのため、筋ムラが表示される。したがって、表示品位を低下される。表示画面２０に共通のアノード電圧Ｖｄｄまたはカソード電圧Ｖｓｓを可変すると、可変と同時に、表示画面の明るさが変化する。したがって、Ｖｄｄ電圧の変化、またはＶｓｓ電圧の変化に基づいて表示画面２０にフリッカが発生する。
【００７４】
本開示は、駆動用トランジスタ１１ａの電流経路に配置されたスイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子へのオン電圧を変化させることにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを変化させる。
【００７５】
Ｖｄの変化は、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間電圧Ｖａ、ＥＬ素子１５の端子間電圧Ｖｅとに、トランジスタ、ＥＬ素子１５の特性に基づき適度に分圧される。分圧は、駆動用トランジスタ１１ａ、ＥＬ素子１５の特性バラツキに応じて実行される。駆動用トランジスタ１１ａ、ＥＬ素子１５の特性は、表示画面２０内で、適度にバラツキがある。そのため、スイッチ用トランジスタ１１ｄのオン電圧を変化させてもトランジスタなどの特性に基づく筋ムラなどは表示画面２０に分散して発生するか、もしくは発生が抑制される。したがって、表示画面２０に共通のアノード電圧Ｖｄｄ、カソード電圧Ｖｓｓなどを低下（変化）させたときのように、筋ムラが発生することは軽減され、また、フリッカの発生もない。
【００７６】
本開示は、図４などに示すように、表示画面２０に流れる電流Ｉｄを電流検出回路(手段）４１で検出し、検出した電流の大きさあるいは電流の変化割合に基づいて、オン電圧発生回路４３が発生するオン電圧を変化させる。オン電圧の変化により表示画面２０に流れる電流を変化させる。
【００７７】
本開示は、電流検出回路４１で表示画面２０に流れる電流が増加する時、あるいは所定値より大きくなった場合などを検出などし、検出あるいは測定した電流あるいは電流に比例するデータに基づいて、オン電圧発生回路４３を制御する。オン電圧発生回路４３は、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを大きくするように（スイッチ用トランジスタ１１ｄのオン抵抗を高くするように）、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を変化させ、結果的にＥＬ素子１５に流れる電流を抑制する。
【００７８】
本開示は、電流検出回路４１で表示画面２０に流れる電流が低下する時、あるいは所定値より小さくなった場合などを検出などし、検出あるいは測定した電流あるいは電流に比例するデータに基づいて、オン電圧発生回路４３を制御する。オン電圧発生回路４３は、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを小さくするように（スイッチ用トランジスタ１１ｄのオン抵抗を低くするように）、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を変化させ、結果的にＥＬ素子１５に流れる電流を大きくし、より高いピーク輝度で発光できるように制御する。
【００７９】
図５は、電流検出回路４１をより詳細に説明した本実施の形態におけるＥＬ表示装置の構成を示す図である。
【００８０】
ゲートドライバ回路（ＩＣ）１２ｂ（図５参照）は、電圧源端子Ｖｏｎ、Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２（図９参照）を出力する。オン電圧発生回路４３には、オン電圧調整用のフィードバック（ＦＢ）制御線７０ａを有している（図５参照）。制御トランジスタ（スイッチ用トランジスタ）１１ｄのオン電圧となるオン電圧発生回路４３の電圧を、ＦＢ制御線７０ａを用いて可変することで、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂの制御トランジスタ（スイッチ用トランジスタ）１１ｄのオン特性（オン抵抗、チャンネル間電圧Ｖｄ）を変化させることができる。
【００８１】
つまり、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂに印加する電源電圧としてのオン電圧を高くすると、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂがゲート信号線１７に出力する。これにより、オン電圧も高くなる。したがって、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧も高くなる。また、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂに印加する電源電圧をしてのオン電圧も低くなる。したがって、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂがゲート信号線１７ｂに出力するオン電圧も、低くなる。以上のことから、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂの電源電圧としてのオン電圧を調整あるいは可変もしくは設定等することにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を可変等することができる。したがって、ＥＬ素子１５の電流制御を行うことができる。
【００８２】
スイッチ用トランジスタ（制御トランジスタ）１１ｄにｎ型を使用した場合、スイッチ用トランジスタ１１ｄのオン電圧を高くするとスイッチ用トランジスタ１１ｄのオン抵抗が低くなり、ＥＬ素子１５へ流れる電流値が増加する。
【００８３】
逆に、スイッチ用トランジスタ１１ｄのオン電圧を低くするとスイッチ用トランジスタ１１ｄのオン抵抗が高くなり、ＥＬ素子１５へ流れる電流値が低減する。また、スイッチ用トランジスタ１１ｄにｐ型を用いた場合には、ｎ型の逆の動作となることは言うまでもない。
【００８４】
これにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄなどのオン電圧の増減（高低）でＥＬ素子１５の電流を制御することができるので、ＥＬ素子の電圧源Ｖｄｄ（電源等）の電流値Ｉｄを電流検出回路４１で検出し、オン電圧にフィードバックすることでパネル全体のＥＬ素子電流を制御可能となる。
【００８５】
また、上記ＥＬ素子電流制御により、ＥＬ素子１５のアノード側の電圧源Ｖｄｄ−カソード側の電圧源Ｖｓｓ間に存在するスイッチ用トランジスタ１１ｄと、駆動用トランジスタ１１ａと、ＥＬ素子１５とで適度に分圧されるため、表示画面２０の駆動用トランジスタ１１ａ、ＥＬ素子１５の特性ムラは表示されない。アノード電圧Ｖｄｄを変化させた時のように、表示画面２０にフリッカが発生することもない。
【００８６】
表示画面２０は、電流検出回路４１（図５参照）を備えている。電流検出回路４１は表示画面２０内の表示画面内の全てのＥＬ素子１５を流れる電流の合計であるパネル電流（ＥＬ素子電流）Ｉｄの経路に直列に接続されている。電流検出回路４１は、スイッチ用トランジスタ１１ｄのオン電圧であるＶｏｎを制御するため、オン電圧発生回路４３に接続される。
【００８７】
図５に示すように、電圧源Ｖｄｄとスイッチ用トランジスタ１１ｄとの間に、電流検出回路４１が挿入される。電流検出回路４１は、電流検出抵抗器４１ｄと、ＥＬ素子電流Ｉｄにより電流検出抵抗器４１ｄに発生した電圧を検出する為の差動アンプ４１ｃ（図６参照）とで構成され、差動アンプ４１ｃは、ＥＬ素子電流Ｉｄを、Ｉｄ電流に応じかつ任意の増幅量に増幅した電圧値を発生し、スイッチング素子（トランジスタ）４１ｂおよびアンプ４１ａにより、差動アンプ４１ｃが発生する電圧のレベルを、後段のオン電圧発生回路４３のＦＢ制御線７０ａに合うように、レベル調整を行う。
【００８８】
ＥＬ素子電流Ｉｄが増加すると、アンプ４１ａの出力電圧が増加し、ＥＬ素子電流Ｉｄが減少すると、アンプ４１ａの出力電圧が減少する。
【００８９】
アンプ４１ａは、オン電圧発生回路４３のフィードバック回路（ＦＢ制御線７０ａ）に接続され、ＥＬ素子電流Ｉｄが一定以上にならないようにオン電圧発生回路４３のオン電圧を調整する。
【００９０】
このとき、オン電圧発生回路４３のＦＢ制御線７０ａが負帰還特性の場合には、ＦＢ制御線電圧が増加する場合はオン電圧発生回路４３の出力電圧は低下し、ＦＢ制御線電圧が低下する場合はオン電圧発生回路４３の出力電圧が増加する。アンプ４１ａとＦＢ制御線７０ａとの接続形態では、ＥＬ素子電流Ｉｄが低い場合にＦＢ制御線電圧も低くなることでオン電圧発生回路４３のオン電圧が高くなり、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂおよび画素１６の耐圧破壊を起こす。これを防ぐ為、図６に示すように電流検出回路４１のアンプ４１ａの出力電圧とオン電圧発生回路４３の出力電圧（Ｖｏｎ）とを合成する合成回路７０ｂをＦＢ制御線７０ａの直前に追加し、定電圧定電流（ＣＶＣＣ）制御を行う。なお、図６は、本開示に係るＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。前述のスイッチ用トランジスタ１１ｄにｎ型を用いた場合、ＥＬ素子電流Ｉｄの増加でＦＢ制御線７０ａの電圧が上昇し、オン電圧が低下することで、スイッチ用トランジスタ１１ｄのオン抵抗が高くなり、ＥＬ素子１５へ流れる電流値が低減する。スイッチ用トランジスタ１１ｄにｐ型を用いた場合に、前述の回路ではｎ型とは逆の動作を行うため、ＥＬ素子１５が過電流となるが、スイッチング素子（トランジスタ）４１ｂを位相反転構成とすることで解決できる。
【００９１】
ここで、位相反転とは、アンプ４１ａの＋端子とスイッチング素子（トランジスタ）４１ｂのエミッタ間とに取り付けられた抵抗４１ｅを、アンプ４１ａの＋端子とスイッチング素子（トランジスタ）４１ｂのコレクタ間に接続変更することである（図示せず）。
【００９２】
前述の動作により、表示画面内の全てのＥＬ素子電流を制御でき、本開示の目的である、ＥＬ素子電流制限による、ＥＬ特性劣化抑制と表示品位との両立を実現できる。
【００９３】
上記実施の形態では、全表示画面２０に流れる電流Ｉｄなどを電流検出回路４１で検出するとしたがこれに限定するものではない。たとえば、表示画面２０を複数に分割（たとえば、複数の画素行を組みとして表示画面を分割する）し、分割した表示画面２０ごとに、電流検出回路４１を配置し、流れる電流の大きさあるいは電流の変化量を検出等して、検出等した電流等に基づいて、各表示画面のスイッチ用トランジスタ１１ｄのオン電圧を変化あるいは調整してもよい。
【００９４】
また、分割した表示画面２０ごとに、電流検出回路４１を配置するに限定するものではなく、たとえば、画素行ごとに、流れる電流の大きさあるいは電流の変化量を検出等して、検出等した電流等に基づいて、各画素行のスイッチ用トランジスタ１１ｄのオン電圧を変化あるいは調整してもよい。
【００９５】
また、画素１６ごとに、流れる電流の大きさあるいは電流の変化量を検出等して、検出等した電流等に基づいて、各画素のスイッチ用トランジスタ１１ｄのオン電圧を変化あるいは調整してもよい。
【００９６】
後に詳述する図９に示すように、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂは、出力端子１２３から３値の電圧（Ｖｏｎ、Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２）を出力できる。また、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂは、２値電圧（Ｖｏｎ、Ｖｏｆｆ１）の出力モード（ゲート電圧２値駆動）と３値電圧（Ｖｏｎ、Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２）の出力モード（ゲート電圧３値駆動）とを、選択信号線（ＳＥＬ端子）で設定することができる（図７参照）。ここで、図７および図８は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。ＳＥＬ端子での設定は、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂ内に形成または配置された各走査・出力バッファ回路１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄごとに設定ができるように構成している。
【００９７】
図９は、Ｎチャンネルトランジスタの場合の電圧２値駆動および電圧３値駆動について説明するための図である。また、図１０は、Ｐチャンネルトランジスタの場合の電圧２値駆動および電圧３値駆動について説明するための図である。
【００９８】
ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂのゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂの出力端子１２３から、図９の（ｂ）の出力波形を出力することができる。出力電圧は、オフ電圧（Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２）、オン電圧（Ｖｏｎ）の３つの電圧である。３つの電圧を出力するので、ゲート電圧３値駆動と呼ぶ。または、ゲートオーバードライブ駆動と呼ぶ。
【００９９】
また、オフ電圧（Ｖｏｆｆ１）、オン電圧（Ｖｏｎ）の２つの電圧で駆動する駆動方法を、ゲート電圧通常駆動あるいは、ゲート電圧２値駆動（図９の（ａ）参照）と呼ぶ。
【０１００】
ゲート電圧３値駆動では、図９の（ｂ）に示すように、選択されたゲート信号線１７ａ（または１７ｂ）にＶｏｎが印加され、次の画素行選択期間では、Ｖｏｆｆ２電圧が印加される。さらに、次の画素行選択期間では、Ｖｏｆｆ１電圧が印加される。Ｖｏｆｆ２電圧は、Ｖｏｆｆ１電圧より低電圧である。そのため、Ｖｏｎ電圧とＶｏｆｆ１電圧の電位差よりも、Ｖｏｎ電圧とＶｏｆｆ２電圧の電位差のほうが大きい。また、画素１６のスイッチ用トランジスタ１１ｂは、Ｖｏｆｆ１電圧が印加されることにより、オフ状態となる。
【０１０１】
ゲート電圧２値駆動では、Ｖｏｆｆ１となる時間は、ｔ１時間を必要とする。ゲート電圧３値駆動では、Ｖｏｎ電圧からＶｏｆｆ２電圧に変化する際、Ｖｏｆｆ１を通過する時間はｔ２時間である（ｔ２＜ｔ１）。したがって、ゲート電圧３値駆動では、Ｖｏｆｆ１となる時間がｔ２時間であることから、画素１６のスイッチ用トランジスタ１１ｂは、高速にオフ状態となる。そのため、ゲート電圧３値駆動では、画素行間のクロストークが発生しない。
【０１０２】
ゲート電圧２値駆動とゲート電圧３値駆動とは、図７のＳＥＬ（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４）端子に印加するロジック電圧で決定する。
【０１０３】
オン電圧は、画素１６のトランジスタ１１をオンさせる電圧である。Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２電圧は画素１６のトランジスタ１１とオフさせる電圧である。
【０１０４】
Ｖｏｆｆ２電圧は、映像信号を印加するために選択された画素に対して、映像信号を書込み後、高速に非選択（オフ）にするため使用される。また、Ｖｏｆｆ１電圧は、トランジスタ１１のゲート端子に深い電圧（Ｖｏｆｆ２）が印加され、Ｖｔシフトなどトランジスタ特性が変化することを抑制するために使用される。
【０１０５】
なお、ゲート電圧２値駆動とゲート電圧３値駆動は、ＳＥＬ（ＳＥＬ１、ＳＥＬ２）端子に印加するロジック信号により、設定される。図７に示すＳＥＬ（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４）端子に印加されるロジック電圧が“Ｌ”の場合は、ゲート電圧２値駆動モードに設定される。ＳＥＬ（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４）端子に印加されるロジック電圧が“Ｈ”の場合は、ゲート電圧３値駆動モードに設定される。
【０１０６】
各ＳＥＬ（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４）端子は、走査・出力バッファ回路１２１ａ〜１２１ｄに接続されており、ＳＥＬ端子のロジックにより、走査・出力バッファ回路１２１の出力がゲート電圧２値駆動またはゲート電圧３値駆動に設定される。
【０１０７】
なお、図７に示す本実施の形態に係るＥＬ表示装置では、各走査・出力バッファ回路１２１のデータ入力端子（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４）、クロック入力端子（Ｃｌｋ１ａ、Ｃｌｋ１ｂ、Ｃｌｋ１ｃ、Ｃｌｋ１ｄ、Ｃｌｋ２）は、独立に設定できるように構成されている。
【０１０８】
オン電圧、Ｖｏｆｆ１電圧、Ｖｏｆｆ２電圧の切り替えは、図８に示すように、切り替え回路１３１で行う。図８は、本開示のＥＬ表示装置の切り替え回路の構成を示す説明図である。切り替え回路のｄ端子入力信号（２ｂｉｔ）により、ａ端子（Ｖｏｆｆ２電圧）、ｂ端子（Ｖｏｆｆ１電圧）、ｃ端子（オン電圧）のいずれかが選択され、ゲート信号線１７に印加される。
【０１０９】
なお、図１０は、Ｐチャンネルトランジスタの場合の電圧２値駆動および電圧３値駆動について説明するための図である。図１０に示すように、スイッチ用トランジスタ１１ｂ、１１ｃ、１１ｄが、Ｐチャンネルトランジスタである場合には、ゲート電圧３値駆動およびゲート電圧２値駆動は、オン電圧（Ｖｏｎ）とオフ電圧（Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２）の極性が図９に示したオン電圧（Ｖｏｎ）とオフ電圧（Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２）の極性と逆になる。
【０１１０】
［１−３．効果等］
以上のように、本開示の一態様に係るＥＬ表示装置は、図２に示すような画素１６がマトリックス状に配置された表示画面を有するアクティブマトリックス型ＥＬ表示装置であって、ＥＬ素子がマトリックス状に配置された画素を有する表示画面と、複数の画素の行ごとに配置された、第１のゲート信号線及び第２のゲート信号線と、第１のゲート信号線及び第２のゲート信号線に制御電圧を出力するゲートドライバ回路と、表示画面のＥＬ素子に電流を供給する電流発生回路と、複数の画素に流れる電流の大きさを求める電流検出手段と、ゲートドライバ回路が第１のゲート信号線に出力する制御電圧を発生する制御電圧発生回路とを具備し、複数の画素の各々は、発光素子と、発光素子に駆動電流を供給するための駆動用トランジスタと、第１のゲート信号線から供給される制御電圧に基づいて導通及び非導通が切り換えられ、駆動電流の経路上に配置された第１のスイッチ用トランジスタと、第２のゲート信号線から供給される制御電圧に基づいて導通及び非導通が切り換えられ、映像信号を駆動用トランジスタに印加するための第２のスイッチ用トランジスタとを備え、制御電圧は、第１のスイッチ用トランジスタを導通状態にする電圧であり、制御電圧発生回路は、電流検出回路の出力結果に基づき、制御電圧を可変することを特徴とするものである。
【０１１１】
電流検出回路が検出あるいは求めた電流が所定値よりも大きい場合は、第１のスイッチ用トランジスタに印加する制御電圧を変化させて、第１のスイッチ用トランジスタのオン抵抗と高くする。オン抵抗を高くすることにより、第１のスイッチ用トランジスタのチャンネル間電圧（ドレイン−ソース端子間電圧）が大きくなり、画素のＥＬ素子に流す電流を抑制する。
【０１１２】
電流検出回路が検出あるいは求めた電流が所定値よりも小さい場合は、第１のスイッチ用トランジスタに印加する制御電圧を変化させて、第１のスイッチ用トランジスタのオン抵抗と低くする。オン抵抗を低くすることにより、第１のスイッチ用トランジスタのチャンネル間電圧（ドレイン−ソース端子間電圧）が小さくなり、画素のＥＬ素子に流す電流を増加あるいは流れ易くできる。
【０１１３】
また、ＥＬ素子への駆動電流の経路上に配置された第１のスイッチ用トランジスタのオン抵抗を可変することにより、表示画面に流れる電流を制御することができる。したがって、表示画面に流れる過電流を抑制することができ、抑制は緩やかに実施されるためフリッカの発生がない。また、表示画面に流れる電流の制御は、第１のスイッチ用トランジスタのチャンネル間電圧を可変して行うため、各画素の駆動用トランジスタ、ＥＬ素子の特性バラツキが適度に緩和される。したがって、駆動用トランジスタ、ＥＬ素子の特性ムラが視認されることを抑制でき良好な画像表示を実現できる。
【０１１４】
なお、上記したＥＬ表示装置は、電流検出回路４１が、パネル電流Ｉｄを検出する電流検出用抵抗と、電流検出抵抗の両端電圧を検出する差動アンプで構成され、電圧源Ｖｄｄとスイッチ用トランジスタ（制御トランジスタ）１１ｄ間に、電流検出回路４１が挿入されたハイサイド型（図５参照）を構成するものであるが、電流検出回路４１がＥＬ素子のアノード側と電圧源Ｖｓｓ間に挿入されたローサイド型でも構成することができる。
【０１１５】
図１１は、電流検出回路４１によってカソード電流を検出するＥＬ表示装置の構成である。
【０１１６】
図１１に示すように、電流検出回路４１は、ＥＬ素子１５のカソード側に接続されている表示画面２０に流れる電流Ｉｄを電流検出回路(手段）４１で検出し、検出した電流の大きさあるいは電流の変化割合に基づいて、オン電圧発生回路４３が発生するオン電圧を変化させる。オン電圧の変化により表示画面２０に流れる電流を変化させる。電流検出回路４１の詳細な動作については、図４に示した電流検出回路４１と同様である。
【０１１７】
なお、図１１に示すＥＬ表示装置の他の構成は、後の他の実施の形態で説明する内容と同様であるので説明を省略する。
【０１１８】
また、上記したＥＬ表示装置は、電流検出回路を抵抗器に限定するものではなく、たとえば図１２に示すように、カレントトランス４と、ホール素子４１ｆと、アンプ４１ｇとで構成される電流検出回路５１であってもよい。この場合、電流検出回路５１の電流検出方法が上記した電流検出回路４１の電流検出方法と異なるだけであり、また、電流測定場所（ハイサイド型／ローサイド型）による違いも制御に影響はなく、電流検出回路５１であっても電流検出回路４１と同様にＥＬ素子電流の抑制ができことは言うまでもない。この構成では、アノード配線、カソード配線の途中に、ピックアップ用の抵抗などを配置する必要もなく、構成が容易となる効果も発揮される。
【０１１９】
（実施の形態１の変形例１）
以下、図１３〜図１５を用いて、実施の形態１の変形例１を説明する。
【０１２０】
図２は、１画素が３つのトランジスタで構成されたものの実施の形態であった。また、１画素に接続されているゲート信号線１７は２本であった。しかし、本開示はこれに限定するものではなく、図１３に示すような他の画素構成においても適用できる。
【０１２１】
図１３において、スイッチ用トランジスタ１１ｅは、ゲート端子がゲート信号線１７ｃに接続され、ソースまたはドレインの一方がＶｒｅｆに接続されている。スイッチ用トランジスタ１１ｃは、Ｖｉｎｉをコンデンサ１９ａの電極に印加するタイミングを決定する機能を有する。スイッチ用トランジスタ１１ｅ及びスイッチ用トランジスタ１１ｃは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。
【０１２２】
駆動用トランジスタ１１ａは、ドレインが第１電源線であるアノード電圧Ｖｄｄに接続され、ソースがＥＬ素子１５のアノードに接続された駆動素子である。駆動用トランジスタ１１ａは、ゲート−ソース間に印加された信号電圧に対応した電圧を、当該信号電圧に対応したドレイン電流に変換する。そして、このドレイン電流を信号電流としてＥＬ素子１５に供給する。駆動用トランジスタ１１ａは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。
【０１２３】
ＥＬ素子１５は、カソードが第２電源線であるカソード電圧Ｖｓｓに接続された発光素子であり、駆動用トランジスタ１１ａにより上記信号電流が流れることにより発光する。
【０１２４】
スイッチ用トランジスタ１１ｄは、ゲートがゲート信号線１７ｂに接続され、ソースまたはドレイン端子の一方が駆動用トランジスタ１１ａのドレイン端子に接続されたスイッチ用トランジスタである。スイッチ用トランジスタ１１ｄは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。
【０１２５】
コンデンサ１９ａは、まず、定常状態において駆動用トランジスタ１１ａのソース電位（ソース信号線１８の電位）を、スイッチ用トランジスタ１１ｂが導通している状態で記憶する。その後、スイッチ用トランジスタ１１ｂがオフ状態となっても、コンデンサ１９ａの電位が確定されるので駆動用トランジスタ１１ａのゲート電圧が確定される。
【０１２６】
なお、コンデンサ１９ａは、ソース信号線１８、ゲート信号線１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄの少なくともいずれか）にオーバーラップするように（重なるように）形成または配置する。この場合、レイアウトの自由度が向上し、素子間のスペースをより広く確保することが可能になり、歩留まりが向上する。
【０１２７】
また、ＥＬ表示装置は、画素列数分のソース信号線１８を備えている。ゲート信号線１７ａ及び１７ｂは、それぞれゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂの両方に接続され、ＥＬ素子１５を含む画素行に属する各ＥＬ素子１５に接続されている。これにより、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂは、画素１６を含む画素行に属する各ＥＬ素子１５に上記信号電圧を書き込むタイミングを供給する機能、及び当該ＥＬ素子１５の有する駆動用トランジスタ１１ａのゲートに参照電圧を印加するタイミングを供給する機能を有する。
【０１２８】
図１３に示す実施の形態において、アノード電圧Ｖｄｄ＞リファレンス電圧Ｖｒｅｆ＞カソード電圧Ｖｓｓ＞イニシャル電圧Ｖｉｎｉ、なる関係にすることが好ましい。具体的には、一例として、アノード電圧Ｖｄｄ＝１０〜１８（Ｖ）、リファレンス電圧Ｖｒｅｆ＝１．５〜３（Ｖ）、カソード電圧Ｖｓｓ＝０．５〜２．５（Ｖ）、イニシャル電圧Ｖｉｎｉ＝０〜−３（Ｖ）である。
【０１２９】
なお、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、駆動用トランジスタ１１ａのソース端子とＥＬ素子１５のアノード端子間に配置または形成してもよい。
【０１３０】
スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子は、ゲート信号線１７ｂに接続されている。スイッチ用トランジスタ１１ｅのゲート端子は、ゲート信号線１７ｃに接続されている。スイッチ用トランジスタ１１ｂのゲート端子は、ゲート信号線１７ａに接続されている。スイッチ用トランジスタ１１ｃのゲート端子は、ゲート信号線１７ｄに接続されている。
【０１３１】
なお、図１３の実施の形態において、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に接続されたゲート信号線１７ｂをゲート信号線ＧＥ、スイッチ用トランジスタ１１ｅのゲート端子に接続されたゲート信号線１７ｃをゲート信号線ＧＲ、スイッチ用トランジスタ１１ｂのゲート端子に接続されたゲート信号線１７ａをゲート信号線ＧＳ、スイッチ用トランジスタ１１ｃのゲート端子に接続されたゲート信号線１７ｄをゲート信号線ＧＩと呼ぶことがある。
【０１３２】
ゲート信号線１７ｂ（ＧＥ）にオン電圧が印加されると、スイッチ用トランジスタ１１ｄがオンし、駆動用トランジスタ１１ａからの発光電流がＥＬ素子１５に供給される。ＥＬ素子１５は、発光電流の大きさに基づき、発光する。発光電流の大きさは、ソース信号線１８に印加された映像信号を、スイッチ用トランジスタ１１ｂで画素１６に印加することにより決定する。
【０１３３】
駆動用トランジスタ１１ａのゲート端子には、コンデンサ１９ａの１端子が接続され、コンデンサ１９ａの他の端子は、駆動用トランジスタ１１ａのソース端子と接続されている。スイッチ用トランジスタ１１ｂのドレイン端子は、ソース信号線１８と接続されている。ソースドライバＩＣ（回路）１４は、ソース信号線１８に映像信号を印加する。
【０１３４】
図１４は、本開示のＥＬ表示装置の画素構成を示す説明図である。図１４に示すように、ゲート信号線１７ａ及び１７ｂは、表示画面２０の左右に配置されたゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂに接続されている。また、ゲート信号線１７ｃ及び１７ｄは、表示画面２０の左に配置されたゲートドライバＩＣ（回路）１２ａに接続されている（図１４参照）。
【０１３５】
ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａは、画素の選択電圧（オン電圧Ｖｏｎ）をゲート信号線１７ａ、１７ｂ、１７ｃ及び１７ｄに印加する。ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂは、画素の選択電圧（オン電圧Ｖｏｎ）をゲート信号線１７ａ及び１７ｂに印加する。ゲート信号線１７ｂのオン電圧が印加されると、スイッチ用トランジスタ１１ｂがオンして、ソース信号線１８に印加された映像信号が、画素１６に印加される。
【０１３６】
ＥＬ表示パネルには、ＥＬ素子１５を有する画素１６がマトリックス状に形成された表示画面２０が形成されている。
【０１３７】
図１３に示すように、ゲート信号線１７ａおよび１７ｂの両端には、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂが接続されている。ゲート信号線１７ｃ及び１７ｄの片側には、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａが接続されている。ゲートドライバＩＣ（回路）１２ａ及び１２ｂは、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）（図示せず）に実装されている。
【０１３８】
同様に、各画素１６には、ソース信号線１８が接続されている。ソース信号線１８の一端には、ソースドライバＩＣ（回路）１４が接続されている。ソースドライバＩＣ（回路）１４は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）（図示せず）に実装されている。
【０１３９】
ソースドライバＩＣ（回路）１４は、映像信号を出力し、映像信号は、ソース信号線１８に供給あるいは印加される。
【０１４０】
図１５は、図１３の画素構成に対応した本実施の形態に係るＥＬ表示装置の説明図である。
【０１４１】
オン電圧（Ｖｏｎ）は、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂに供給され、オン電圧は、ゲート信号線１７ｂ（ゲート信号線ＧＥ）に出力される。
【０１４２】
図１３〜１５において、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、Ｎチャンネルトランジスタである。したがって、オン電圧は、正電圧である。オフ電圧は負電圧である。
【０１４３】
オン電圧が高くなるほど、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄは、低下する。したがって、ＥＬ素子１５には電流は流れ易くなる。
【０１４４】
オン電圧が低くなるほど、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄは、低くなる。したがって、ＥＬ素子１５に、電圧Ｖｅが印加されにくくなり、ＥＬ素子への電流は流れにくくなる（抑制される）。
【０１４５】
以上のことから、オン電圧を変化させることにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを変化させることができる。
【０１４６】
ゲート信号線１７ｂのオン電圧を変化させることにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄが変化する。カソード電圧Ｖｓｓ、アノード電圧Ｖｄｄは一定電圧であるので、Ｖｄが変化すれば、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間電圧Ｖａ、ＥＬ素子１５の端子間電圧Ｖｅが変化する。したがって、Ｖｄ電圧を変化させることにより、ＥＬ素子１５に流れる電流を変化させることができる。ＥＬ素子１５の電流の変化は、表示画面２０に流れる電流を変化せることになる。そのため、オン電圧を変化せることにより、表示画面２０に流れる電流を変化させることができる。
【０１４７】
本開示は、オン電圧を変化させることにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを変化させる。Ｖｄの変化は、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間電圧Ｖａ、ＥＬ素子１５の端子間電圧Ｖｅと適度に分圧される。分圧は、駆動用トランジスタ１１ａ、ＥＬ素子１５の特性に応じて実施される。駆動用トランジスタ１１ａ、ＥＬ素子１５の特性は、表示画面２０内で、バラツキがある。したがって、アノード電圧Ｖｄｄを低下（変化）させたときのように、筋ムラが発生することは軽減され、また、フリッカの発生もない。
【０１４８】
本開示は、電流検出回路４１で表示画面２０に流れる電流が増加する時、あるいは所定値より大きくなった場合を検出などし、検出あるいは測定した電流あるいは電流に比例するデータに基づいて、オン電圧発生回路４３を制御する。オン電圧発生回路４３は、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを大きくするようにオン電圧を変化させ、結果的にＥＬ素子１５に流れる電流を抑制する。
【０１４９】
本開示は、電流検出回路４１で表示画面２０に流れる電流が低下する時、あるいは所定値より小さくなった場合を検出などし、検出あるいは測定した電流あるいは電流に比例するデータに基づいて、オン電圧発生回路４３を制御する。オン電圧発生回路４３は、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを小さくするようにオン電圧を変化させ、結果的にＥＬ素子１５に流れる電流を大きくし、より高いピーク輝度で発光できるように制御する。
【０１５０】
（実施の形態１の変形例２）
以下、図１６を用いて、実施の形態１の変形例２を説明する。
【０１５１】
図１６は、他の画素構成に対応する実施の形態である。図１６の実施の形態は、図２と同様に、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、Ｐチャンネルトランジスタである。したがって、オン電圧は、負電圧である。オフ電圧は正電圧である。
【０１５２】
図１６は、本開示のＥＬ表示装置における画素構成を示す説明図である。ゲート信号線１７ｃは、スイッチ用トランジスタ１１ｅのゲート端子に接続され、スイッチ用トランジスタ１１ｅをオンオフ制御する。ゲート信号線１７ａは、スイッチ用トランジスタ１１ｂのゲート端子に接続され、スイッチ用トランジスタ１１ｂをオンオフ制御する。ゲート信号線１７ｄは、スイッチ用トランジスタ１１ｃのゲート端子に接続され、スイッチ用トランジスタ１１ｃをオンオフ制御する。ゲート信号線１７ｂは、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に接続され、スイッチ用トランジスタ１１ｄをオンオフ制御する。
【０１５３】
図１６の画素構成では、ゲート信号線１７ａ、１７ｂ、１７ｄはゲートドライバＩＣ（回路）１２ａに接続され、ゲート信号線１７ｂは、ゲートドライバＩＣ（回路）１２ｂに接続されている。
【０１５４】
図１６において、Ｐチャンネルの駆動用トランジスタ１１ａのドレイン端子に、スイッチ用トランジスタ１１ｃのソース端子が接続され、スイッチ用トランジスタ１１ｃのドレイン端子にＥＬ素子１５のアノード端子が接続されている。また、ＥＬ素子１５のカソード端子には、カソード電圧Ｖｓｓが印加されている。駆動用トランジスタ１１ａのソース端子には、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている。
【０１５５】
ゲート信号線１７ｂにオン電圧が印加されると、スイッチ用トランジスタ１１ｄがオンし、駆動用トランジスタ１１ａからの発光電流がＥＬ素子１５に供給される。ＥＬ素子１５は、発光電流の大きさに基づき発光する。
【０１５６】
駆動用トランジスタ１１ａのゲート端子とドレイン端子間には、スイッチ用トランジスタ１１ｃのソース端子とドレイン端子が接続され、ゲート信号線１７ｄにオン電圧が印加されることにより、駆動用トランジスタ１１ａのゲート端子とドレイン端子間を短絡（接続）する。
【０１５７】
駆動用トランジスタ１１ａのゲート端子には、コンデンサ１９ｂの１端子が接続され、コンデンサの他の端子は、スイッチ用トランジスタ１１ｂのドレイン端子と接続されている。スイッチ用トランジスタ１１ｂのソース端子は、ソース信号線１８と接続されている。
【０１５８】
ゲート信号線１７ａのオン電圧が印加されると、スイッチ用トランジスタ１１ｂがオンして、ソース信号線１８に印加された映像信号（電圧、電流）Ｖｓが、画素１６に印加される。なお、本開示において映像信号は、映像信号電圧としているが、映像信号電流であってもよい。
【０１５９】
コンデンサ１９ａの一端子は、スイッチ用トランジスタ１１ｂのドレイン端子と接続され、他方の端子は、アノード電極（端子）と接続され、アノード電圧Ｖｄｄが印加される。
【０１６０】
なお、コンデンサ１９ａの他方の端子は、アノード電極（端子）と接続され、アノード電圧Ｖｄｄが印加されているとしたが、これに限定するものではない。たとえば、他の任意の直流電圧と接続してもよい。
【０１６１】
駆動用トランジスタ１１ａのソース端子は、アノード電極（端子）と接続され、アノード電圧Ｖｄｄが印加されているとしたが、これに限定するものではない。たとえば、他の任意の直流電圧と接続してもよい。つまり、コンデンサ１９ａの一端子と、駆動用トランジスタ１１ａのソース端子は、異なる電位の端子と接続してもよい。
【０１６２】
一例として、駆動用トランジスタ１１ａのソース端子は、アノード電圧Ｖｄｄが印加された電極または配線と接続し、駆動用トランジスタ１１ａの一方の端子を、直流電圧Ｖｂ＝５（Ｖ）の電圧が印加された電極または配線と接続する構成が例示される。
【０１６３】
スイッチ用トランジスタ１１ｅのドレイン端子は、スイッチ用トランジスタ１１ｂのドレイン端子と接続され、スイッチ用トランジスタ１１ｅのソース端子は、リセット電圧Ｖａが印加された電極あるいは信号線と接続されている。ゲート信号線１７ｃにオン電圧が印加されることにより、スイッチ用トランジスタ１１ｅがオンし、リセット電圧Ｖａがコンデンサ１９ａに印加される。
【０１６４】
スイッチ用トランジスタ１１ｃ、スイッチ用トランジスタ１１ｅはＰチャンネルにし、ＬＤＤ構造を採用する。また、このスイッチ用トランジスタ１１ｃ及び１１ｅは、少なくともダブルゲート（ディアルゲート）以上にする。このましくは、トリプルゲート以上にする。つまり、複数のトランジスタのゲートが直列に接続した構造を採用する。
【０１６５】
ＬＤＤ構造、マルチゲート（ディアルゲート、トリプルゲート、あるいはそれ以上のゲート数）を採用することにより、スイッチ用トランジスタ１１ｃ及び１１ｅのオフ特性を良好にできる。スイッチ用トランジスタ１１ｃ及び１１ｅのオフ特性を良好にしないと、コンデンサ１９ａの電荷の良好な保持ができなくなる。
【０１６６】
なお、スイッチ用トランジスタ１１ｃ及び１１ｅ以外のトランジスタもＰチャンネルを採用し、ＬＤＤ構造を採用することが好ましい。また、必要に応じて、トランジスタはマルチゲート構造とする。
【０１６７】
トランジスタのマルチゲート（ディアルゲート以上）を用いることにより、また、ＬＤＤ構造と組み合わせることにより、オフリークを抑制でき、良好なコントラスト、オフセットキャンセル動作を実現できる。また、良好な高輝度表示、画像表示を実現できる。
【０１６８】
スイッチ用トランジスタ１１ｂは、ソースドライバＩＣ（回路）１４が出力する映像信号を画素１６の駆動用トランジスタ１１ａのゲート端子に印加する。駆動用トランジスタ１１ａは、印加された映像信号に基づき、電圧−電流変換して、ＥＬ素子１５に映像信号に基づく発光電流を供給する。
【０１６９】
スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を低くすると、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、強オン状態となり飽和領域で動作する。スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間（ソース−ドレイン間）電圧は低くなる。したがって、ＥＬ素子１５、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間には十分な電圧が印加される。そのため、駆動用トランジスタ１１ａからの定電流がＥＬ素子１５に供給される。
【０１７０】
スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を高くすると、スイッチ用トランジスタ１１ｄは、チャンネル間のオン抵抗が大きくなる（線形領域で動作する）。スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間（ソース−ドレイン間）のオン抵抗が高くなると、チャンネル間電圧が大きくなる。そのため、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間、ＥＬ素子１５に電圧が印加されにくくなる。したがって、駆動用トランジスタ１１ａがＥＬ素子１５に供給する電流が抑制される。
【０１７１】
以上のように、本開示は、ＥＬ素子１５に供給する電流を抑制するときは、スイッチ用トランジスタ１１ｄのゲート端子に印加するオン電圧を高くし、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間抵抗を高くする。
【０１７２】
ゲート信号線１７ｂのオン電圧を変化させることにより、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄが変化する。カソード電圧Ｖｓｓ、アノード電圧Ｖｄｄは一定電圧であるので、Ｖｄが変化すれば、駆動用トランジスタ１１ａのチャンネル間電圧Ｖａ、ＥＬ素子１５の端子間電圧Ｖｅが変化する。
【０１７３】
したがって、スイッチ用トランジスタ１１ｄのチャンネル間電圧Ｖｄを変化させることにより、ＥＬ素子１５に流れる電流を変化させることができる。ＥＬ素子１５の電流の変化は、表示画面２０に流れる電流を変化せることになる。そのため、オン電圧を変化せることにより、表示画面２０に流れる電流を変化させることができる。
【０１７４】
なお、上記したように、図１６に示すスイッチ用トランジスタ１１ｄは、Ｐチャンネルトランジスタであるため、ゲート電圧３値駆動およびゲート電圧２値駆動は、図１０に示すように、オン電圧（Ｖｏｎ）とオフ電圧（Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２）の極性は図９と逆になる。
【０１７５】
以上の実施の形態は、電流検出回路４１で表示画面２０に流れる電流が増加する時、あるいは所定値より大きくなった場合を検出などし、検出あるいは測定した電流あるいは電流に比例するデータに基づいて、オン電圧発生回路４３を制御するものであった。
【０１７６】
（実施の形態２）
以下、図１７を用いて、実施の形態２を説明する。
【０１７７】
図１７は、電流演算回路１９１で、入力映像信号を処理（演算）することにより、表示画面２０に流れる電流Ｉｄあるいは電流に比例するデータを求め、これらのデータに基づいてオン電圧発生回路４３を制御する実施の形態である。なお、電流演算回路１９１は、本実施の形態に係る電流量取得回路に相当する。
【０１７８】
画素１６のＥＬ素子１５に流れる電流と輝度が直線（比例）の関係にある。そのため、映像データの総和などを算出することにより、パネルの消費電力を求めることができる。
【０１７９】
以上のことから、映像データの総和を求め、総和を積分等することにより、表示画面２０に流れる電流の基づくデータを得ることができる。
【０１８０】
ＥＬ素子１５はＲＧＢで発光効率が異なる。通常、Ｂの発光効率が最も悪い。次にＧが悪い。Ｒが最も発光効率が良好である。そこで、乗算器（図示せず）で発光効率の重み付けを行う。Ｒの乗算器（図示せず）では、Ｒ画像データ（Ｒｄａｔａ）に対してＲの発光効率の乗算を行う。また、Ｇの乗算器（図示せず）では、Ｇ画像データ（Ｇｄａｔａ）に対してＧの発光効率の乗算を行う。また、Ｂの乗算器（図示せず）では、Ｂ画像データ（Ｂｄａｔａ）に対してＢの発光効率の乗算を行う。
【０１８１】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）では視感度が異なる。ＮＴＳＣでの視感度は、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝３：６：１である。したがって、Ｒの乗算器（図示せず）は、Ｒ画像データ（Ｒｄａｔａ）に対して３倍の乗算を行う。また、Ｇの乗算器（図示せず）では、Ｇ画像データ（Ｇｄａｔａ）に対して６倍の乗算を行う。また、Ｂの乗算器（図示せず）では、Ｂ画像データ（Ｂｄａｔａ）に対して１倍の乗算を行う。
【０１８２】
入力データはＲＧＢデータ（赤はＲＤＡＴＡ、緑はＧＤＡＴＡ、青はＢＤＡＴＡ）としているがこれに限定するものではない。ＹＵＶ（輝度データと色度データ）であってもよい。ＹＵＶの場合は、Ｙ（輝度）データあるいはＹデータとＵＶ（色度）データに直接にあるいは、色度に対する発光効率を考慮して輝度データなどに変換して重みづけ処理を行う。他の事項は、図２などで説明しているので説明を省略する。
【０１８３】
以上のように、本開示は、電流検出回路で、電流を測定あるいは検出してもよい。また、電流演算回路で、電流等に基づく値等を求めてもよい。また、電流検出回路と、電流演算回路を両方用いて、電流などを求めてもよい。なお、本開示の実施の形態において、電流を求めるとしているがこれに限定するものではなく、電流と比例する値を求めてもよい。また、電流に基づく、あるいは電流に関連する値を求めてもよい。なお、電流値とは電流の変化あるいは電流の変化割合も含む。したがって、電流量取得回路であればよい。
【０１８４】
（他の実施の形態）
上記実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示画面に適用することができる。
【０１８５】
そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０１８６】
図１８はディスプレイであり、筐体１５２、保持台１５３、本願発明のＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）１５１を含む。図１８に示すディスプレイは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図１８に示すディスプレイが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１８７】
図１９はカメラであり、シャッター１６１、ビューファインダ１６２、カーソル１６３を含む。図１９に示すカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する。なお、図１９に示すカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１８８】
図２０はコンピュータであり、キーボード１７１、タッチパッド１７２を含む。図２０に示すコンピュータは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図２０に示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１８９】
以上の実施の形態は、本開示の他の実施の形態にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施の形態と組み合わせることができることも言うまでもない。
【０１９０】
本実施の形態の表示部に上記実施の形態で説明したＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）もしくは駆動方式を用いて構成とすることで、上述の図１８〜図２０の情報機器などを高画質化することができ、また、低コスト化を実現できる。また、検査、調整を容易に実施することができる。
【０１９１】
本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１９２】
本開示において、各図は理解を容易するために、また、作図を容易にするために、省略、拡大あるいは縮小した箇所がある。
【０１９３】
本開示の実施の形態に図示あるいは明細書で説明した事項あるいは内容は、他の実施の形態においても適用される。また、本開示の実施の形態で説明あるいは図示したＥＬ表示パネルは、本開示のＥＬ表示装置に採用できる。
【０１９４】
たとえば、図２０のノート型パーソナルコンピュータのＥＬ表示装置１５１として、本開示の実施の形態で図示した、あるいは説明したＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）を採用し、また、情報機器を構成することができることは言うまでもない。
【０１９５】
また、同一番号または、記号等を付した箇所は、同一もしくは類似の形態もしくは材料あるいは機能もしくは動作、あるいは関連する事項、作用などを有する。
【０１９６】
各図等で説明した内容は特に断りがなくとも、他の実施の形態等と組み合わせることができる。たとえば、図２の本開示のＥＬ表示パネルにタッチパネルなどを付加し、図１８、図１９、図２０に示す情報表示装置などを構成することができる。
【０１９７】
本開示のＥＬ表示装置とは、情報機器などのシステム機器を含む概念である。ＥＬ表示パネルの概念は、広義には情報機器などのシステム機器を含む。
【０１９８】
本開示では、駆動用トランジスタ１１ａおよびスイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄは、薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード（ＴＦＤ）、リングダイオードなどでも構成することができる。
【０１９９】
また、薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。たとえば、シリコンウエハでトランジスタを構成し、剥がしてガラス基板に転写したものが例示される。また、シリコンウエハでトランジスタチップを形成し、ガラス基板のボンディング実装した表示パネルが例示される。
【０２００】
トランジスタ１１（駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄ）は、もちろん、ＦＥＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダオード、ホトトランジスタ、ＰＬＺＴ素子などでもよいことは言うまでもない。
【０２０１】
なお、本開示のトランジスタ１１（駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄ）は、Ｎチャンネル、Ｐチャンネルのトランジスタとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を採用することが好ましい。
【０２０２】
また、トランジスタ１１は、高温ポリシリコン（ＨＴＰＳ：Ｈｉｇｈ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、連続粒界シリコン（ＣＧＳ：Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｇｒａｉｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ、ＩＺＯ）、アモルファスシリコン（ＡＳ：Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、赤外線ＲＴＡ（ＲＴＡ：Ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）で形成したもののうち、いずれでもよい。
【０２０３】
図２、図１８では、画素を構成するすべてのトランジスタ（駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄ）はＰチャンネルで構成している。しかし、本開示は、画素のトランジスタ１１をＰチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Ｎチャンネルのみで構成してもよい。また、ＮチャンネルとＰチャンネルの両方を用いて構成してもよい。また、駆動用トランジスタ１１ａをＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
【０２０４】
スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄは、トランジスタに限定するものではなく、たとえば、ＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いて構成したアナログスイッチであってもよい。
【０２０５】
トランジスタ１１（駆動用トランジスタ１１ａ、スイッチ用トランジスタ１１ｂ及び１１ｄ）はトップゲート構造にすることが好ましい。トップゲート構造にすることにより寄生容量が低減し、トップゲートのゲート電極パターンが、遮光層となり、ＥＬ素子１５から出射された光を遮光層で遮断し、トランジスタの誤動作、オフリーク電流を低減できるからである。
【０２０６】
ゲート信号線１７またはソース信号線１８、もしくはゲート信号線１７とソース信号線１８の両方の配線材料として、銅配線または銅合金配線を採用できるプロセスを実施することが好ましい。信号線の配線抵抗を低減でき、より大型のＥＬ表示パネルを実現できるからである。
【０２０７】
ゲートドライバＩＣ（回路）１２が駆動（制御）するゲート信号線１７は、低インピーダンス化すること好ましい。したがって、ゲート信号線１７の構成あるいは構造に関しても同様である。
【０２０８】
特に、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）を採用することが好ましい。低温ポリシリコンは、トランジスタはトップゲート構造であり寄生容量が小さく、ＮチャンネルおよびＰチャンネルトランジスタを作製でき、また、プロセスに銅配線または銅合金配線プロセスを用いることができる。なお、銅配線は、Ｔｉ−Ｃｕ−Ｔｉの３層構造を採用することが好ましい。
【０２０９】
配線は、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）の場合には、モリブデン（Ｍｏ）−Ｃｕ−Ｍｏの３層構造を採用することが好ましい。
【０２１０】
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
【０２１１】
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０２１２】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０２１３】
本開示は、ＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）およびその駆動方法に利用できる。具体的には、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などに利用することができる。
【符号の説明】
【０２１４】
１１ａ  駆動用トランジスタ（ＴＦＴ）
１１ｂ  第２のスイッチ用トランジスタ
１１ｄ  第１のスイッチ用トランジスタ
１２ａ、１２ｂ  ゲートドライバＩＣ（回路）
１４  ソースドライバＩＣ（回路）
１５  ＥＬ素子
１６  画素
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ  ゲート信号線
１８  ソース信号線
１９ａ  コンデンサ
２０  表示画面
４１  電流検出回路（電流量取得回路）
４３  オン電圧発生回路
７０  制御回路（制御電圧発生回路）
７０ａ  ＦＢ制御線
１２１  走査・出力バッファ回路
１２３  入力端子
１３１  切り替え回路
１５１  ＥＬ表示パネル（ＥＬ表示装置）
１５２  筐体
１５３  保持台
１６１  シャッター
１６２  ビューファインダ
１６３  カーソル
１７１  キーボード
１７２  タッチパッド
１９１  演算回路（電流量取得回路）
【図１】
2015001709.tif 000003
【図２】
2015001709.tif 000004
【図３】
2015001709.tif 000005
【図４】
2015001709.tif 000006
【図５】
2015001709.tif 000007
【図６】
2015001709.tif 000008
【図７】
2015001709.tif 000009
【図８】
2015001709.tif 000010
【図９】
2015001709.tif 000011
【図１０】
2015001709.tif 000012
【図１１】
2015001709.tif 000013
【図１２】
2015001709.tif 000014
【図１３】
2015001709.tif 000015
【図１４】
2015001709.tif 000016
【図１５】
2015001709.tif 000017
【図１６】
2015001709.tif 000018
【図１７】
2015001709.tif 000019
【図１８】
2015001709.tif 000020
【図１９】
2015001709.tif 000021
【図２０】
2015001709.tif 000022
【国際調査報告】
2015001709.tif 000023
2015001709.tif 000024
2015001709.tif 000025
2015001709.tif 000026