(57)【要約】  初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物およびコーティング液、ならびに表面層を有する基材およびその製造方法の提供。  Ｄ１−Ｒｆ１−Ｏ−ＣＨ２−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ−Ａ（Ｄ１はＣＦ３−／ＣＦ３−Ｏ−、Ｒｆ１は水素原子を１個以上含む炭素数１〜２０のフルオロアルキレン基等、ｍは１〜６、ｎは１〜２００、Ａは−ＣａＦ２ａ−Ｂ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ、Ｂは−ＣｇＨ２ｇＯ−、−ＣｈＨ２ｈＯ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−等、Ｌは加水分解性基、Ｒは１価の炭化水素基等、ａは１〜５、ｂは１〜１０、ｃは１〜３、ｇは１〜５、ｈは１〜５）で表される含フッ素エーテル化合物または、これを含む含フッ素エーテル組成物から形成されてなる表面層を有する基材およびその製造方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（１）で表される、含フッ素エーテル化合物。
Ｄ１−Ｒｆ１−Ｏ−ＣＨ２−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ−Ａ  ・・・（１）
ただし、
Ｄ１はＣＦ３−またはＣＦ３−Ｏ−であり、
Ｒｆ１は、水素原子を１個以上含む炭素数１〜２０のフルオロアルキレン基、水素原子を１個以上含み、炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のフルオロアルキレン基、炭素数１〜２０のアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のアルキレン基であり、
Ａは下式（４）で表される基であり、
ｍは１〜６の整数であり、
ｎは１〜２００の整数であり、ｎが２以上のとき、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎは、ｍの異なる２種以上のＣｍＦ２ｍＯからなるものであってもよい。
−ＣａＦ２ａ−Ｂ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（４）
Ｂは単結合または−ＣｇＨ２ｇＯ−、−ＣｈＨ２ｈＯ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−であり、
Ｌは加水分解性基であり、
Ｒは水素原子または１価の炭化水素基であり、
ａは１〜５の整数であり、
ｂは１〜１０の整数であり、
ｃは１〜３の整数であり、
ｇは１〜５の整数であり、
ｈは１〜５の整数である。
【請求項２】
前記−ＣＨ２−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎが、−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝である（ただし、ｎ１は１以上の整数であり、ｎ２は１以上の整数であり、ｎ１＋ｎ２は２〜２００の整数であり、ｎ１個のＣＦ２Ｏおよびｎ２個のＣＦ２ＣＦ２Ｏの結合順序は限定されない。）、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項３】
前記Ｒｆ１が、下式（３−１）で表される基、下式（３−２）で表される基または下式（３−３）で表される基である、請求項１または２に記載の含フッ素エーテル化合物。
−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−  ・・・（３−１）
−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−  ・・・（３−２）
−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−  ・・・（３−３）
ただし、
ＲＦは、単結合、炭素数１〜１５のペルフルオロアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜１５のペルフルオロアルキレン基であり、
ｚは１〜４の整数である。
【請求項４】
数平均分子量が２，０００〜１０，０００である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物と前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物以外の含フッ素エーテル化合物とを含むことを特徴とする含フッ素エーテル組成物。
【請求項６】
前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が、含フッ素エーテル組成物（１００質量％）中、７０質量％以上である、請求項５に記載の含フッ素エーテル組成物。
【請求項７】
前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物以外の含フッ素エーテル化合物が、下式（２）で表される含フッ素エーテル化合物である、請求項５または６に記載の含フッ素エーテル組成物。
Ｄ２−Ｒｆ２−Ｏ−ＣＨ２−（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑ−ＣｄＦ２ｄ−ＣＨ２−Ｏ−Ｒｆ３−Ｄ３  ・・・（２）
ただし、
Ｄ２およびＤ３は、それぞれ独立に、ＣＦ３−またはＣＦ３−Ｏ−であり、
Ｒｆ２およびＲｆ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のフルオロアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のフルオロアルキレン基であり、
ｄは１〜５の整数であり、
ｐは１〜６の整数であり、
ｑは１〜２００の整数であり、ｑが２以上のとき、（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑは、ｐの異なる２種以上のＣｐＦ２ｐＯからなるものであってもよい。
【請求項８】
前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物以外の含フッ素エーテル化合物が、下式（６）で表される含フッ素エーテル化合物である、請求項５〜７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル組成物。
ＲＦ１−Ｏ−（ＣｓＦ２ｓＯ）ｔ−ＲＦ２  ・・・（６）
ただし、
ＲＦ１およびＲＦ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基であり、
ｓは１〜６の整数であり、
ｔは１〜２００の整数であり、ｔが２以上のとき、（ＣｓＦ２ｓＯ）ｔは、ｓの異なる２種以上のＣｓＦ２ｓＯからなるものであってもよい。
【請求項９】
前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物と前記式（２）で表される含フッ素エーテル化合物との合計の含有量（前記式（６）で表される含フッ素エーテル化合物を含む場合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物と式（２）で表される含フッ素エーテル化合物と式（６）で表される含フッ素エーテル化合物との合計の含有量）が、含フッ素エーテル組成物（１００質量％）中、８０質量％以上である、請求項７または８に記載の含フッ素エーテル組成物。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項５〜９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル組成物と、媒体とを含むことを特徴とするコーティング液。
【請求項１１】
前記媒体が、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物およびフルオロアルキルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種の有機溶媒である、請求項１０に記載のコーティング液。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項５〜９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル組成物を基材の表面に真空蒸着することを特徴とする、表面層を有する基材の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載のコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させることを特徴とする、表面層を有する基材の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項５〜９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル組成物から形成されてなることを特徴とする、表面層を有する基材。
【請求項１５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項５〜９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル組成物から形成されてなる表面層を有する基材を入力面に有することを特徴とする、タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の表面に撥水撥油性を付与する表面処理に好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物、該含フッ素エーテル化合物を含む含フッ素エーテル組成物またはコーティング液に関する。本発明は、該含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物またはコーティング液を用いて、表面層を有する基材を製造する方法および該方法によって製造された表面層を有する基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
含フッ素化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示すため、表面処理剤に好適に用いられる。該表面処理剤によって基材の表面に撥水撥油性を付与すると、基材の表面の汚れを拭き取りやすくなり、汚れの除去性が向上する。該含フッ素化合物の中でも、ペルフルオロアルキル鎖の途中にエーテル結合（−Ｏ−）が存在するポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有する含フッ素エーテル化合物は、特に油脂等の汚れの除去性に優れる。【０００３】
該含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤は、指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）および拭き取りによって表面に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、たとえば、タッチパネルの、指で触れる面を構成する部材の表面処理剤として用いられる。【０００４】
含フッ素エーテル化合物としては、具体的には、下記（１）〜（３）の含フッ素エーテル化合物が知られている。
（１）ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有し、一方の末端にペルフルオロアルキル基を有し、他方の末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物（特許文献１、２）。
（２）ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有し、両末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物（特許文献３）。
（３）ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有し、一方の末端にペルフルオロアルキル基を有し、他方の末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物と、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有し、両末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物との混合物（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１４３９９１号公報
【特許文献２】特許第２８７４７１５号公報
【特許文献３】特開２００３−２３８５７７号公報
【特許文献４】特開２０１１−１１６９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らの知見によれば、（１）の含フッ素エーテル化合物は、媒体への溶解性が低く、コーティング液中で凝集しやすい、または、媒体に溶解しても、基材の表面に塗布した後、乾燥させる途中に塗膜中で凝集しやすいため、表面層の均一性（透明性、平滑性、ムラの少なさ）が不充分である。
（２）、（３）の含フッ素エーテル化合物では、表面層の潤滑性（表面層を指で触った際の滑らかさ）や耐摩擦性が不充分である。【０００７】
本発明は、初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、該含フッ素エーテル化合物を含む含フッ素エーテル組成物およびコーティング液の提供を目的とする。
本発明は、初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる表面層を有する基材およびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、下記［１］〜［１５］の構成を有する含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物およびコーティング液、ならびに表面層を有する基材およびその製造方法を提供する。【０００９】
［１］下式（１）で表される、含フッ素エーテル化合物。
Ｄ１−Ｒｆ１−Ｏ−ＣＨ２−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ−Ａ  ・・・（１）
ただし、
Ｄ１はＣＦ３−またはＣＦ３−Ｏ−であり、
Ｒｆ１は、水素原子を１個以上含む炭素数１〜２０のフルオロアルキレン基、水素原子を１個以上含み、炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のフルオロアルキレン基、炭素数１〜２０のアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のアルキレン基であり、
Ａは下式（４）で表される基であり、
ｍは１〜６の整数であり、
ｎは１〜２００の整数であり、ｎが２以上のとき、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎは、ｍの異なる２種以上のＣｍＦ２ｍＯからなるものであってもよい。
−ＣａＦ２ａ−Ｂ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（４）
Ｂは単結合または−ＣｇＨ２ｇＯ−、−ＣｈＨ２ｈＯ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−であり、
Ｌは加水分解性基であり、
Ｒは水素原子または１価の炭化水素基であり、
ａは１〜５の整数であり、
ｂは１〜１０の整数であり、
ｃは１〜３の整数であり、
ｇは１〜５の整数であり、
ｈは１〜５の整数である。【００１０】
［２］前記−ＣＨ２−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎが、−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝である（ただし、ｎ１は１以上の整数であり、ｎ２は１以上の整数であり、ｎ１＋ｎ２は２〜２００の整数であり、ｎ１個のＣＦ２Ｏおよびｎ２個のＣＦ２ＣＦ２Ｏの結合順序は限定されない。）、［１］の含フッ素エーテル化合物。【００１１】
［３］前記Ｒｆ１が、下式（３−１）で表される基、下式（３−２）で表される基または下式（３−３）で表される基である、［１］または［２］の含フッ素エーテル化合物。
−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−  ・・・（３−１）
−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−  ・・・（３−２）
−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−  ・・・（３−３）
ただし、
ＲＦは、単結合、炭素数１〜１５のペルフルオロアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜１５のペルフルオロアルキレン基であり、
ｚは１〜４の整数である。【００１２】
［４］数平均分子量が２，０００〜１０，０００である、［１］〜［３］のいずれかの含フッ素エーテル化合物。
［５］前記［１］〜［４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物と前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物以外の含フッ素エーテル化合物とを含むことを特徴とする含フッ素エーテル組成物。
［６］前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が、含フッ素エーテル組成物（１００質量％）中、７０質量％以上である、［５］の含フッ素エーテル組成物。【００１３】
［７］前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物以外の含フッ素エーテル化合物が、下式（２）で表される含フッ素エーテル化合物である、［５］または［６］の含フッ素エーテル組成物。
Ｄ２−Ｒｆ２−Ｏ−ＣＨ２−（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑ−ＣｄＦ２ｄ−ＣＨ２−Ｏ−Ｒｆ３−Ｄ３  ・・・（２）
ただし、
Ｄ２およびＤ３は、それぞれ独立に、ＣＦ３−またはＣＦ３−Ｏ−であり、
Ｒｆ２およびＲｆ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のフルオロアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のフルオロアルキレン基であり、
ｄは１〜５の整数であり、
ｐは１〜６の整数であり、
ｑは１〜２００の整数であり、ｑが２以上のとき、（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑは、ｐの異なる２種以上のＣｐＦ２ｐＯからなるものであってもよい。【００１４】
［８］前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物以外の含フッ素エーテル化合物が、下式（６）で表される含フッ素エーテル化合物である、［５］〜［７］のいずれかの含フッ素エーテル組成物。
ＲＦ１−Ｏ−（ＣｓＦ２ｓＯ）ｔ−ＲＦ２  ・・・（６）
ただし、
ＲＦ１およびＲＦ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基であり、
ｓは１〜６の整数であり、
ｔは１〜２００の整数であり、ｔが２以上のとき、（ＣｓＦ２ｓＯ）ｔは、ｓの異なる２種以上のＣｓＦ２ｓＯからなるものであってもよい。
［９］前記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物と前記式（２）で表される含フッ素エーテル化合物との合計の含有量（前記式（６）で表される含フッ素エーテル化合物を含む場合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物と式（２）で表される含フッ素エーテル化合物と式（６）で表される含フッ素エーテル化合物との合計の含有量）が、含フッ素エーテル組成物（１００質量％）中、８０質量％以上である、［７］または［８］の含フッ素エーテル組成物。
［１０］前記［１］〜［４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［５］〜［９］のいずれかの含フッ素エーテル組成物と、媒体とを含むことを特徴とするコーティング液。
［１１］前記媒体が、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物およびフルオロアルキルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種の有機溶媒である、［１０］のコーティング液。【００１５】
［１２］前記［１］〜［４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［５］〜［９］のいずれかの含フッ素エーテル組成物を基材の表面に真空蒸着することを特徴とする、表面層を有する基材の製造方法。
［１３］前記［１０］または［１１］のコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させることを特徴とする、表面層を有する基材の製造方法。【００１６】
［１４］前記［１］〜［４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［５］〜［９］のいずれかの含フッ素エーテル組成物から形成されてなることを特徴とする、表面層を有する基材。
［１５］前記［１］〜［４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［５］〜［９］のいずれかの含フッ素エーテル組成物から形成されてなる表面層を有する基材を入力面に有することを特徴とする、タッチパネル。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の含フッ素エーテル化合物、該含フッ素エーテル化合物を含む含フッ素エーテル組成物およびコーティング液によれば、初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる表面層を形成できる。
本発明の表面層を有する基材は、初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる表面層を有する。
本発明の表面層を有する基材の製造方法によれば、初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる表面層を有する基材を製造できる。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本明細書において、式（１）で表される化合物を化合物（１）と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。
以下の用語の定義は、本明細書および特許請求の範囲にわたって適用される。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応することによってシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を形成し得る基を意味する。たとえば、式（１）中の−ＳｉＬｃＲ３−ｃである。
「エーテル性酸素原子」とは、炭素−炭素原子間においてエーテル結合（−Ｏ−）を形成する酸素原子を意味する。
含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、ＮＭＲ分析法を用い、下記の方法で算出される。
１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシペルフルオロアルキレン基の数（平均値）を求めることによって算出される。末端基は、たとえば式（１）中のＲｆ１またはＡである。
「フルオロアルキレン基」とは、アルキレン基の水素原子の一部またはすべてがフッ素原子に置換された基を意味し、「ペルフルオロアルキレン基」とは、アルキレン基の水素原子のすべてがフッ素原子に置換された基を意味する。
「ペルフルオロアルキル基」とは、アルキル基の水素原子のすべてがフッ素原子に置換された基を意味する。
オキシペルフルオロアルキレン基の化学式は、その酸素原子をペルフルオロアルキレン基の右側に記載して表すものとする。
「表面層」とは、本発明の含フッ素エーテル化合物または含フッ素エーテル組成物から、基材の表面に形成される層を意味する。
【００１９】
［式（１）で表される含フッ素エーテル化合物］
本発明の含フッ素エーテル化合物は、下式（１）で表される化合物（１）である。
Ｄ１−Ｒｆ１−Ｏ−ＣＨ２−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ−Ａ  ・・・（１）
ただし、
Ｄ１はＣＦ３−またはＣＦ３−Ｏ−であり、
Ｒｆ１は、水素原子を１個以上含む炭素数１〜２０のフルオロアルキレン基、水素原子を１個以上含み、炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のフルオロアルキレン基、炭素数１〜２０のアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のアルキレン基であり、
Ａは下式（４）で表される基であり、
ｍは１〜６の整数であり、
ｎは１〜２００の整数であり、ｎが２以上のとき、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎは、ｍの異なる２種以上のＣｍＦ２ｍＯからなるものであってもよい。
−ＣａＦ２ａ−Ｂ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（４）
Ｂは単結合または−ＣｇＨ２ｇＯ−、−ＣｈＨ２ｈＯ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−であり、
Ｌは加水分解性基であり、
Ｒは水素原子または１価の炭化水素基であり、
ａは１〜５の整数であり、
ｂは１〜１０の整数であり、
ｃは１〜３の整数であり、
ｇは１〜５の整数であり、
ｈは１〜５の整数である。
【００２０】
（Ｄ１基）
Ｄ１が末端にＣＦ３−を有するため、化合物（１）の一方の末端がＣＦ３−となり、他方の末端が加水分解性シリル基となる。該構造の化合物（１）によれば、低表面エネルギーの表面層が形成できるため、該表面層は潤滑性や耐摩擦性に優れる。一方、両末端に加水分解性シリル基を有する従来の含フッ素エーテル化合物では、表面層の潤滑性や耐摩擦性が不充分である。
【００２１】
（（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ）
ｍは、表面層に耐摩擦性、指紋汚れ除去性を充分に付与する点からは、１〜３の整数が好ましく、表面層に潤滑性を充分に付与する点からは、１または２がより好ましい。
ｍが２以上の場合、ＣｍＦ２ｍは直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。表面層に指紋汚れ除去性、潤滑性を充分に付与する点からは、直鎖状が好ましい。
【００２２】
ｎは、表面層に初期の撥水撥油性を充分に付与する点からは、ｎは、２以上の整数が好ましく、１０以上の整数がより好ましく、２０以上の整数が特に好ましい。化合物（１）の数平均分子量が大きすぎると、単位分子量当たりに存在する加水分解性シリル基の数が減少し、耐摩擦性が低下する点から、ｎは、１５０以下の整数が好ましく、１００以下の整数がより好ましく、８０以下の整数が特に好ましい。
【００２３】
ｎが２以上のとき、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎは、ｍの異なる２種以上のＣｍＦ２ｍＯからなるものであってもよい。
（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎにおいて、ｍの異なる２種以上のＣｍＦ２ｍＯが存在する場合、各ＣｍＦ２ｍＯの結合順序は限定されない。たとえば、ＣＦ２ＯとＣＦ２ＣＦ２Ｏが存在する場合、ＣＦ２ＯとＣＦ２ＣＦ２Ｏがランダムに配置されてもよく、ＣＦ２ＯとＣＦ２ＣＦ２Ｏが交互に配置されてもよく、複数のＣＦ２Ｏからなるブロックと複数のＣＦ２ＣＦ２Ｏからなるブロックが連結してもよい。
【００２４】
（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎが１種のＣｍＦ２ｍＯからなるものである場合、表面層に耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性を充分に付与する点からは、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎは（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎまたは（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎが好ましく、特に（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎが好ましい。
【００２５】
（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎは、表面層に耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性を充分に付与する点からは、｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝である（ただし、ｎ１は１以上の整数であり、ｎ２は１以上の整数であり、ｎ１＋ｎ２は２〜２００の整数であり、ｎ１個のＣＦ２Ｏおよびｎ２個のＣＦ２ＣＦ２Ｏの結合順序は限定されない。）ことが好ましい。
【００２６】
ｎ１は１以上の整数である。表面層に初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性を充分に付与する点からは、ｎ１は、２の整数以上が好ましく、５以上の整数がより好ましく、１０以上の整数が特に好ましい。化合物（１）の数平均分子量が大きすぎると、単位分子量当たりに存在する加水分解性シリル基の数が減少し、耐摩擦性が低下する点から、ｎ１は、１００以下の整数が好ましく、８０以下の整数がより好ましく、５０以下の整数が特に好ましい。
【００２７】
ｎ２は１以上の整数である。表面層に初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性を充分に付与する点からは、ｎ２は、２の整数以上が好ましく、５以上の整数がより好ましく、１０以上の整数が特に好ましい。化合物（１）の数平均分子量が大きすぎると、単位分子量当たりに存在する加水分解性シリル基の数が減少し、耐摩擦性が低下する点から、ｎ２は、１００以下の整数が好ましく、８０以下の整数がより好ましく、５０以下の整数が特に好ましい。
【００２８】
化合物（１）としては、その製造のしやすさから、下記含フッ素ジオールの誘導体であることが好ましい。下記含フッ素ジオールの誘導体とは、両末端基−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨの少なくとも一方の基が他の基に変換された化合物を意味する。特に水酸基の水素原子が他の基に変換された誘導体が好ましい。
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ
たとえば、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎが｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝である場合、化合物（１）の製造のしやすさの点から、化合物（１）は下記化合物（１０）の誘導体であることが好ましい。
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１０）
化合物（１０）は市販されている化合物であり、また末端基が−ＣＦ２Ｃ（Ｏ）Ｆ等である公知の含フッ素ポリエーテル化合物から還元反応等で末端基を−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨに変換して合成することができる。
なお、化合物（１）が化合物（１０）の誘導体の場合、−ＣＨ２−（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ−は、−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−である。また、Ａ中の−ＣａＦ２ａ−は−ＣＦ２−であり、Ｂにおけるｇおよびｈはいずれも１である。
【００２９】
化合物（１）は、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎを有するため、フッ素原子の含有量が多い。そのため、初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる。
【００３０】
（Ｒｆ１基）
Ｒｆ１における水素原子の数は、表面層の均一性に優れる点から、１以上であり、２以上が好ましく、３以上が特に好ましい。Ｒｆ１における水素原子の数は、（Ｒｆ１の炭素数）×２以下であり、表面層に初期の撥水撥油性を充分に付与する点からは、（Ｒｆ１の炭素数）以下が好ましい。
Ｒｆ１が水素原子を有することによって、化合物（１）の媒体への溶解性が高くなる。そのため、コーティング液中で化合物（１）が凝集しにくく、また、基材の表面に塗布した後、乾燥させる途中に塗膜中で化合物（１）が凝集しにくいため、表面層の均一性に優れる。一方、Ｒｆ１が水素原子を有しない従来の含フッ素エーテル化合物では、表面層の均一性が不充分である。
【００３１】
Ｒｆ１は、化合物（１）の製造のしやすさの点からは、下式（３−１）で表される基、下式（３−２）で表される基または下式（３−３）で表される基が好ましい。なお、ＲＦはＤ１に結合する基である。
−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−  ・・・（３−１）
−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−  ・・・（３−２）
−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−  ・・・（３−３）
ただし、
ＲＦは、単結合、炭素数１〜１５のペルフルオロアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜１５のペルフルオロアルキレン基であり、
ｚは１〜４の整数である。
【００３２】
ＲＦは、表面層に初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性を充分に付与する点からは、炭素数１〜９のペルフルオロアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜１３のペルフルオロアルキレン基が好ましい。ペルフルオロアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。
ｚは、１〜３の整数が好ましい。ｚが３または４の場合、ＣｚＨ２ｚは直鎖であっても分岐であってよく、直鎖が好ましい。
【００３３】
Ｒｆ１が式（３−１）で表される場合のＤ１−Ｒｆ１−基の具体例としては、下記基が挙げられる。
ＣＦ３−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−
【００３４】
Ｒｆ１が式（３−２）で表される場合のＤ１−Ｒｆ１−基の具体例としては、下記基が挙げられる。
ＣＦ３−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨＦＣＦ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨＦＣＦ２−
【００３５】
Ｒｆ１が式（３−３）で表される場合のＤ１−Ｒｆ１−基の具体例としては、下記基が挙げられる。
ＣＦ３−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＯＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−ＣＨ２−
ＣＦ３−ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−ＣＨ２−
【００３６】
（Ａ基）
Ａは下式（４）で表される基である。
−ＣａＦ２ａ−Ｂ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（４）
Ｂは単結合または−ＣｇＨ２ｇＯ−、−ＣｈＨ２ｈＯ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−であり、
Ｌは加水分解性基であり、
Ｒは水素原子または１価の炭化水素基であり、
ａは１〜５の整数であり、
ｂは１〜１０の整数であり、
ｃは１〜３の整数であり、
ｇは１〜５の整数であり、
ｈは１〜５の整数である。
【００３７】
Ｌは加水分解性基である。加水分解性基は、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、化合物（１）の末端のＳｉ−Ｌは、加水分解反応によりシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）となる。シラノール基は、さらに分子間で反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材−ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材−Ｏ−Ｓｉ）を形成する。化合物（１）は、末端に加水分解性シリル基を有するため、基材との密着性に優れ、かつ耐摩擦性に優れ、基材の表面の撥水撥油性化が可能な化合物である。
【００３８】
Ｌとしては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基、イソシアナート基（−ＮＣＯ）等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい。アシル基としては、炭素数２〜５のアシル基が好ましい。
Ｌとしては、工業的な製造が容易な点から、炭素数１〜４のアルコキシ基またはハロゲン原子が好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子が特に好ましい。Ｌとしては、塗布時のアウトガスが少なく、化合物（１）の保存安定性に優れる点から、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、化合物（１）の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、塗布後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
【００３９】
Ｒは水素原子または１価の炭化水素基である。１価の炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基等が挙げられる。
Ｒとしては、１価の炭化水素基が好ましく、１価の飽和炭化水素基が特に好ましい。１価の飽和炭化水素基の炭素数は、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１〜２が特に好ましい。
Ｒとしては、工業的な製造が容易である点から、炭素数が１〜６のアルキル基が好ましく、炭素数が１〜３のアルキル基がより好ましく、炭素数が１〜２のアルキル基が特に好ましい。
【００４０】
ａは、ＣｍＦ２ｍＯのｍの数に依存し、１〜５の整数となる。たとえば、化合物（１）が化合物（１０）の誘導体である場合である場合は、ａは１である。
ｂは、１〜６の整数が好ましく、３〜５が特に好ましい。ｂが３以上の場合、ＣｂＨ２ｂは直鎖であっても分岐であってよく、直鎖が好ましい。
ｃは、２または３が好ましく、３が特に好ましい。分子中にＬが複数存在することによって、基材の表面との結合がより強固になる。
ｃが２以上である場合、１分子中に存在する複数のＬは互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。原料の入手容易性や製造が容易な点からは、互いに同じであることが好ましい。
ｇは１〜３の整数が好ましく、ｇが３以上の場合、ＣｇＨ２ｇは直鎖であっても分岐であってよく、直鎖が好ましい。
ｈは１〜３の整数が好ましく、ｈが３以上の場合、ＣｈＨ２ｈは直鎖であっても分岐であってよく、直鎖が好ましい。
なお、化合物（１）が化合物（１０）の誘導体である場合である場合は、ｇおよびｈはいずれも１である。
【００４１】
−ＳｉＬｃＲ３−ｃとしては、−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、−ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２、−Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３、−ＳｉＣｌ３、−Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）３、−Ｓｉ（ＮＣＯ）３が好ましい。工業的な製造における取扱いやすさの点から、−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３が特に好ましい。
【００４２】
（化合物（１）の好ましい態様）
化合物（１）としては、上述した好ましいＤ１−Ｒｆ１基と、好ましい（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎと、好ましいＡ基とを組み合わせた化合物が好ましく、下式（１１１）、下式（１１２）、下式（１１３）、下式（１２１）、下式（１２２）、下式（１２３）、下式（１３１）、下式（１３２）、下式（１３３）で表される化合物が特に好ましい。化合物（１１１）、化合物（１１２）、化合物（１１３）、化合物（１２１）、化合物（１２２）、化合物（１２３）、化合物（１３１）、化合物（１３２）、化合物（１３３）は、化合物（１０）の誘導体であることにより工業的に製造しやすく、取扱いやすく、表面層に初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性を充分に付与できる。
【００４３】
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１１１）
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１１２）
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ    ・・・（１１３）
【００４４】
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２１）
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２２）
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ    ・・・（１２３）
【００４５】
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１３１）
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１３２）
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ    ・・・（１３３）
【００４６】
（化合物（１）の製造方法）
化合物（１１１）の製造方法：
＜方法ｉ＞化合物（１１１）は、ｂが３以上の場合、下記のようにして製造できる。
塩基性化合物の存在下、化合物（１０）にＤ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＦ＝ＣＦ２を反応させて、化合物（１１）、化合物（２１）および未反応の化合物（１０）の混合物を得る。
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１０）
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１１）
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−Ｏ−ＲＦ−Ｄ１  ・・・（２１）
【００４７】
混合物から化合物（１１）を単離し、塩基性化合物の存在下、化合物（１１）にＸ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ＝ＣＨ２を反応させて、化合物（１２）を得る。Ｘは、脱離基であり、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ等である。
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（１２）
【００４８】
化合物（１２）とＨＳｉＬｃＲ３−ｃとをヒドロシリル化反応して、化合物（１１１ａ）、または化合物（１１１ａ）および化合物（１１１ｂ）の混合物を得る。ヒドロシリル化反応は、白金等の遷移金属触媒または有機過酸化物等のラジカル発生剤を用いて行うことが好ましい。
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１１１ａ）
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ（ＣＨ３）−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１１１ｂ）
【００４９】
＜方法ｉｉ＞化合物（１１１）は、ｂが１以上の場合、下記のようにして製造できる。
塩基性化合物の存在下、化合物（１１）にＸ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１１１）を得る。Ｘは、脱離基であり、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ等である。
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１１１）
【００５０】
化合物（１１２）の製造方法：
化合物（１１２）は、下記のようにして製造できる。
ウレタン化触媒の存在下、化合物（１１）にＯＣＮ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１１２）を得る。
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１１２）
【００５１】
化合物（１１３）の製造方法：
化合物（１１３）は、下記のようにして製造できる。
化合物（１１）を酸化して、化合物（１３ａ）を得る。場合によっては、化合物（１３ａ）をエステル化して化合物（１３ｂ）を得る。Ｒ１は、アルキル基等である。
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ  ・・・（１３ａ）
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ１  ・・・（１３ｂ）
【００５２】
化合物（１３ａ）または化合物（１３ｂ）にＨ２Ｎ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１１３）を得る。
Ｄ１−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ    ・・・（１１３）
【００５３】
化合物（１２１）の製造方法：
＜方法ｉ＞化合物（１２１）は、ｂが３以上の場合、下記のようにして製造できる。
塩基性化合物の存在下、化合物（１０）にＤ１−ＲＦ−ＣＦ＝ＣＦ２を反応させて、化合物（１４）、化合物（２２）および未反応の化合物（１０）の混合物を得る。
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１０）
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１４）
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−ＲＦ−Ｄ１  ・・・（２２）
【００５４】
混合物から化合物（１４）を単離し、塩基性化合物の存在下、化合物（１４）にＸ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ＝ＣＨ２を反応させて、化合物（１５）を得る。Ｘは、脱離基であり、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ等である。
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（１５）
【００５５】
化合物（１５）とＨＳｉＬｃＲ３−ｃとをヒドロシリル化反応して、化合物（１２１ａ）、または化合物（１２１ａ）および化合物（１２１ｂ）の混合物を得る。ヒドロシリル化反応は、白金等の遷移金属触媒または有機過酸化物等のラジカル発生剤を用いて行うことが好ましい。
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２１ａ）
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ（ＣＨ３）−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２１ｂ）
【００５６】
＜方法ｉｉ＞化合物（１２１）は、ｂが１以上の場合、下記のようにして製造できる。
塩基性化合物の存在下、化合物（１４）にＸ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１２１）を得る。Ｘは、脱離基であり、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ等である。
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２１）
【００５７】
化合物（１２２）の製造方法：
化合物（１２２）は、下記のようにして製造できる。
ウレタン化触媒の存在下、化合物（１４）にＯＣＮ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１２２）を得る。
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２２）
【００５８】
化合物（１２３）の製造方法：
化合物（１２３）は、下記のようにして製造できる。
化合物（１４）を酸化して、化合物（１６ａ）を得る。場合によっては、化合物（１６ａ）をエステル化して化合物（１６ｂ）を得る。Ｒ１は、アルキル基等である。
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ  ・・・（１６ａ）
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ１  ・・・（１６ｂ）
【００５９】
化合物（１６ａ）または化合物（１６ｂ）にＨ２Ｎ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１２３）を得る。
Ｄ１−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ    ・・・（１２３）
【００６０】
化合物（１３１）の製造方法：
＜方法ｉ＞化合物（１３１）は、ｂが３以上の場合、下記のようにして製造できる。
塩基性化合物の存在下、化合物（１０）にＤ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｚを反応させて、化合物（１７）、化合物（２３）および未反応の化合物（１０）の混合物を得る。Ｚは、脱離基であり、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ３、ＯＳＯ２ＣＨ３、ＯＳＯ２Ｐｈ（Ｐｈはフェニル基である。）等である。
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１０）
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１７）
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｚＨ２ｚ−ＲＦ−Ｄ１  ・・・（２３）
【００６１】
混合物から化合物（１７）を単離し、塩基性化合物の存在下、化合物（１７）にＸ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ＝ＣＨ２を反応させて、化合物（１８）を得る。Ｘは、脱離基であり、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ等である。
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（１８）
【００６２】
化合物（１８）とＨＳｉＬｃＲ３−ｃとをヒドロシリル化反応して、化合物（１３１ａ）、または化合物（１３１ａ）および化合物（１３１ｂ）の混合物を得る。ヒドロシリル化反応は、白金等の遷移金属触媒または有機過酸化物等のラジカル発生剤を用いて行うことが好ましい。
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２１ａ）
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃｂ−２Ｈ２（ｂ−２）−ＣＨ（ＣＨ３）−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１２１ｂ）
【００６３】
＜方法ｉｉ＞化合物（１３１）は、ｂが１以上の場合、下記のようにして製造できる。
塩基性化合物の存在下、化合物（１７）にＸ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１３１）を得る。Ｘは、脱離基であり、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ等である。
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１３１）
【００６４】
化合物（１３２）の製造方法：
化合物（１３２）は、下記のようにして製造できる。
ウレタン化触媒の存在下、化合物（１７）にＯＣＮ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１３２）を得る。
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ  ・・・（１３２）
【００６５】
化合物（１３３）の製造方法：
化合物（１３３）は、下記のようにして製造できる。
化合物（１７）を酸化して、化合物（１９ａ）を得る。場合によっては、化合物（１９ａ）をエステル化して化合物（１９ｂ）を得る。Ｒ１は、アルキル基等である。
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ  ・・・（１９ａ）
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ１  ・・・（１９ｂ）
【００６６】
化合物（１９ａ）または化合物（１９ｂ）にＨ２Ｎ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃを反応させて、化合物（１３３）を得る。
Ｄ１−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＣｂＨ２ｂ−ＳｉＬｃＲ３−ｃ    ・・・（１３３）
【００６７】
以上の化合物（１）の製造方法によれば、市販の化合物（１０）を原料として用い、温和な条件による付加反応や置換反応によって、目的とする化合物（１）を簡便に得ることができる。
また、化合物（１）を得るための中間体である、化合物（１１）、化合物（１４）、化合物（１７）は、末端が適度な極性を有するアルコールであるため、シリカゲルを用いた通常のカラム精製によって容易に単離できる。よって、化合物（１１）、化合物（２１）および未反応の化合物（１０）の混合物、化合物（１４）、化合物（２２）および未反応の化合物（１０）の混合物、または化合物（１７）、化合物（２３）および未反応の化合物（１０）の混合物から、目的とする化合物（１１）、化合物（１４）または化合物（１７）を単離でき、該化合物に未反応の化合物（１０）が残らない、または残ったとしてもわずかである。よって、未反応の化合物（１０）から得られる両末端が加水分解性シリル基である含フッ素エーテル化合物が、最終的に得られる化合物（１）に含まれない、または含まれたとしてもわずかである。また、化合物（２）である化合物（２１）、化合物（２２）または化合物（２３）を単離することによって、化合物（２）を後述する含フッ素エーテル組成物に添加される一成分として有効に利用することができる。
【００６８】
本発明の化合物（１）は、１種の化合物（１）からなる単一化合物であってもよく、Ｄ１、Ｒｆ１、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ、Ａ等が異なる２種類以上の化合物（１）からなる混合物であってもよい。
本発明において単一化合物である化合物（１）とは、ｎの数に分布を有する以外は同一の化合物群を意味する。（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎが｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝の場合、ｎ１とｎ２に分布を有する以外は同一の化合物群および｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１／ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２／ｎ｝ｎで表した場合にｎの数に分布を有する以外は同一の化合物群を意味する。市販の化合物（１０）は通常上記の意味で単一化合物とみなしうる化合物であることより、その｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝部分に変化を生じていない誘導体は、他の部分（Ｄ１、Ｒｆ１、Ａ等）が同一である限り、単一化合物とみなしうる。
【００６９】
化合物（１）の数平均分子量は、２，０００〜１０，０００が好ましい。数平均分子量が該範囲内であれば、耐摩擦性に優れる。化合物（１）の数平均分子量は、２，１００〜９，０００が好ましく、２，４００〜８，０００が特に好ましい。
通常、含フッ素エーテル化合物においては、数平均分子量が小さいほど、基材との化学結合が強固となると考えられる。この理由は、単位分子量当たりに存在する加水分解性シリル基の数が多くなるためと考えられる。しかしながら、数平均分子量が前記範囲の下限値未満であると、耐摩擦性が低下しやすいことを、本発明者等は確認した。また、数平均分子量が前記範囲の上限値を超えると、耐摩擦性が低下する。この理由は、単位分子量当たりに存在する加水分解性シリル基の数の減少による影響が大きくなるためであると考えられる。
【００７０】
［含フッ素エーテル組成物］
本発明の含フッ素エーテル組成物（以下、本組成物と記す。）は、化合物（１）と化合物（１）以外の含フッ素エーテル化合物とを含む組成物である。化合物（１）以外の含フッ素エーテル化合物（以下、他の含フッ素エーテル化合物と記す。）としては、化合物（１）の製造過程で副生する含フッ素エーテル化合物や化合物（１）と同様の用途に使用される公知の（特に市販の）含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。他の含フッ素エーテル化合物は、化合物（１）の特性を低下させるおそれが少ない化合物であって、かつ組成物中の化合物（１）に対する相対的な含有量が化合物（１）の特性を低下させるおそれが少ない量であることが好ましい。
他の含フッ素エーテル化合物が化合物（１）の製造過程で副生する含フッ素エーテル化合物の場合、化合物（１）製造における化合物（１）の精製が容易となり、また精製工程を簡略化することができる。他の含フッ素エーテル化合物が化合物（１）と同様の用途に使用される公知の含フッ素エーテル化合物の場合、化合物（１）の特性を補う等の新たな作用効果が発揮される場合がある。
他の含フッ素エーテル化合物としては、化合物（１）の特性を低下させるおそれが少ないことより、下記化合物（２）や化合物（６）が好ましい。
【００７１】
（化合物（２））
化合物（２）は、下式（２）で表される含フッ素エーテル化合物である。
Ｄ２−Ｒｆ２−Ｏ−ＣＨ２−（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑ−ＣｄＦ２ｄ−ＣＨ２−Ｏ−Ｒｆ３−Ｄ３  ・・・（２）
ただし、
Ｄ２およびＤ３は、それぞれ独立に、ＣＦ３−またはＣＦ３−Ｏ−であり、
Ｒｆ２およびＲｆ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のフルオロアルキレン基、または炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する炭素数２〜２０のフルオロアルキレン基であり、
ｄは１〜５の整数であり、
ｐは１〜６の整数であり、
ｑは１〜２００の整数であり、ｑが２以上のとき、（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑは、ｐの異なる２種以上のＣｐＦ２ｐＯからなるものであってもよい。
【００７２】
（（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑ）
ｐは、化合物（１）の製造過程で副生する化合物を有効に利用できる点から、式（１）におけるｍと同じであることが好ましい。
ｐが２以上の場合、ＣｐＦ２ｐは直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。表面層に指紋汚れ除去性、潤滑性を充分に付与する点からは、直鎖状が好ましい。
【００７３】
ｑは、化合物（１）の製造過程で副生する化合物を有効に利用できる点から、式（１）におけるｎと同じであることが好ましい。
【００７４】
ｑが２以上のとき、（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑは、ｐの異なる２種以上のＣｐＦ２ｐＯからなるものであってもよい。
（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑにおいて、ｐの異なる２種以上のＣｐＦ２ｐＯが存在する場合、各ＣｐＦ２ｐＯの結合順序は限定されない。
【００７５】
（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑは、化合物（１）の製造過程で副生する化合物を有効に利用できる点から、式（１）における（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎと同じであることが好ましい。たとえば、化合物（１）が｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝を有する化合物である場合は、化合物（２）も｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝を有する化合物であることが特に好ましい。
化合物（２）が｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝を有する化合物である場合、化合物（２）の製造のしやすさの点から、また化合物（１）の製造過程で副生する化合物を有効に利用できる点から、化合物（２）は前記化合物（１０）の誘導体であることが好ましい。化合物（２）が化合物（１０）の誘導体の場合、−ＣＨ２−（ＣｐＦ２ｐＯ）ｑ−は、−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−であり、−ＣｄＦ２ｄ−は−ＣＦ２−である。
【００７６】
（Ｒｆ２およびＲｆ３基）
Ｒｆ２およびＲｆ３の例示および好ましい例は前記Ｒｆ１と同様である。
【００７７】
Ｒｆ２およびＲｆ３は、化合物（１）の製造過程で副生する化合物を有効に利用できる点からは、上述した式（３−１）で表される基、式（３−２）で表される基または式（３−３）で表される基が好ましい。なお、Ｒｆ２においては、ＲＦはＤ２に結合する基であり、Ｒｆ３においては、ＲＦはＤ３に結合する基である。
【００７８】
（化合物（２）の好ましい態様）
化合物（２）としては、化合物（１）の好ましい態様の製造過程で副生する化合物を有効に利用できる点から、化合物（２１）、化合物（２２）、化合物（２３）が好ましい。なお、式中の２つのＲＦ基の種類は同じでも異なっていてもよい。
Ｄ２−ＲＦ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−Ｏ−ＲＦ−Ｄ３  ・・・（２１）
Ｄ２−ＲＦ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−ＲＦ−Ｄ３  ・・・（２２）
Ｄ２−ＲＦ−ＣｚＨ２ｚ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣｚＨ２ｚ−ＲＦ−Ｄ３  ・・・（２３）
【００７９】
（化合物（６））
化合物（６）は、下式（６）で表される含フッ素エーテル化合物である。
ＲＦ１−Ｏ−（ＣｓＦ２ｓＯ）ｔ−ＲＦ２  ・・・（６）
ただし、
ＲＦ１およびＲＦ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基であり、
ｓは１〜６の整数であり、
ｔは１〜２００の整数であり、ｔが２以上のとき、（ＣｓＦ２ｓＯ）ｔは、ｓの異なる２種以上のＣｓＦ２ｓＯからなるものであってもよい。
【００８０】
化合物（６）は、化合物（２）をフッ素ガスでフッ素化することで得られる。また、市販品を用いることができる。市販品としては、ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｍ、ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｙ、ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ（以上、ソルベイソレクシス社製）、Ｋｒｙｔｏｘ（デュポン社製）、デムナム（ダイキン工業社製）等が挙げられる。（ＣｓＦ２ｓＯ）ｔが（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）とを含むＦＯＭＢＬＩＮ  ＭおよびＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚが、潤滑性に優れる点で好ましい。
【００８１】
本発明の含フッ素エーテル組成物は、化合物（１）および他の含フッ素エーテル化合物以外の不純物を含んでいてもよい。化合物（１）および他の含フッ素エーテル化合物以外の不純物とは、化合物（１）および他の含フッ素エーテル化合物の製造上不可避の化合物を意味し、（ＣｍＦ２ｍＯ）ｎ等の含フッ素エーテル鎖を含まない化合物である。具体的には、化合物（１）および他の含フッ素エーテル化合物の製造過程で生成した副生成物、化合物（１）および他の含フッ素エーテル化合物の製造過程で混入した成分である。
【００８２】
本組成物中の化合物（１）の含有量は、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上が特に好ましい。本組成物中の化合物（１）の含有量とは、本組成物中の化合物（１）と他の含フッ素エーテル化合物と前記副生成物等の不純物の合計に対する化合物（１）の含有量をいう。
すなわち、本組成物中の化合物（１）と他の含フッ素エーテル化合物と前記不純物の合計に対しする他の含フッ素エーテル化合物と前記不純物の合計の含有量は、３０質量％以下が好ましく、２０質量％以下が特に好ましい。化合物（１）の含有量が前記範囲であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる。
ただし、他の含フッ素エーテル化合物が化合物（２）と化合物（６）の場合は、前記のようにこれらが化合物（１）の特性を低下させるおそれが少ない化合物であることより、本組成物中の化合物（１）の好ましい含有量は上記含有量の下限よりも低い場合があってもよい。
【００８３】
本組成物が化合物（２）と化合物（６）少なくとも一方を含む場合、本組成物中の化合物（１）、化合物（２）および化合物（６）の合計の含有量は、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上が特に好ましい。本組成物中の化合物（１）、化合物（２）および化合物（６）の合計の含有量とは、本組成物中の化合物（１）と他の含フッ素エーテル化合物と前記副生成物等の不純物の合計に対する化合物（１）、化合物（２）および化合物（６）の合計の含有量をいう。
すなわち、前記化合物（２）および化合物（６）以外の他の含フッ素エーテル化合物と前記不純物の合計の含有量は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下が特に好ましい。化合物（１）、化合物（２）および化合物（６）の合計の含有量が前記範囲であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる。
【００８４】
本組成物が化合物（２）を含む場合、本組成物中の化合物（１）と化合物（２）との質量比（化合物（１）／化合物（２））は、４０／６０以上１００／０未満が好ましく、５０／５０以上１００／０未満が特に好ましい。化合物（１）／化合物（２）が該範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる。
本組成物が化合物（６）である場合、本組成物中の化合物（１）と化合物（６）との質量比（化合物（１）／化合物（６））は、４０／６０以上１００／０未満が好ましく、５０／５０以上１００／０未満が特に好ましい。化合物（１）／化合物（６）が該範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる。
本組成物が化合物（２）と化合物（６）とを含む場合、本組成物中の化合物（１）と化合物（２）および化合物（６）の合計量との質量比（化合物（１）／[化合物（２）＋化合物（６）]）は、４０／６０以上１００／０未満が好ましく、５０／５０以上１００／０未満が特に好ましい。化合物（１）／[化合物（２）＋化合物（６）]が該範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性に優れる。
【００８５】
［コーティング液］
本発明のコーティング液（以下、本コーティング液と記す。）は、化合物（１）または本組成物と媒体とを含む。媒体は、液状であることが好ましい。本コーティング液は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。以下、本化合物（１）と本組成物を総称して化合物（１）等と記す。
本コーティング液は、化合物（１）等を含んでいればよく、化合物（１）の製造工程で生成した副生成物等の不純物を含んでもよい。
化合物（１）等の濃度は、本コーティング液中、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．１〜１質量％が特に好ましい。
【００８６】
（媒体）
媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、フッ素系有機溶媒であってもよく、非フッ素系有機溶媒であってもよく、両溶媒を含んでもよい。
【００８７】
フッ素系有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４〜８の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣ６Ｆ１３Ｈ（ＡＣ−２０００：製品名、旭硝子社製）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（ＡＣ−６０００：製品名、旭硝子社製）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（バートレル：製品名、デュポン社製）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、たとえばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４〜１２の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ−３０００：製品名、旭硝子社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（ノベック−７１００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（ノベック−７２００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３（ノベック−７３００：製品名、３Ｍ社製）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、たとえばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、たとえば２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
フッ素系有機溶媒としては、化合物（１）の溶解性の点で、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテルが好ましく、フルオロアルキルエーテルが特に好ましい。
【００８８】
非フッ素系有機溶媒としては、水素原子および炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒が挙げられる。
炭化水素系有機溶媒としては、ヘキサン、へプタン、シクロヘキサン等が好ましい。
アルコール系有機溶媒としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール等が好ましい。
ケトン系有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が好ましい。
エーテル系有機溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等が好ましい。
エステル系有機溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ブチル等が好ましい。
非フッ素系有機溶媒としては、化合物（１）の溶解性の点で、ケトン系有機溶媒が特に好ましい。
【００８９】
媒体としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、水素原子および炭素原子のみからなる化合物、ならびに、水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物からなる群から選択される少なくとも１種の有機溶媒が好ましい。特に、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物およびフルオロアルキルエーテルから選ばれるフッ素系有機溶媒が好ましい。
媒体としては、フッ素系有機溶媒であるフッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、非フッ素系有機溶媒である水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物からなる群から選択される少なくとも１種の有機溶媒を、合計で媒体全体の９０質量％以上含むことが、化合物（１）の溶解性を高める点で好ましい。
本コーティング液は、媒体を９０〜９９．９９９質量％含むことが好ましく、９９〜９９．９質量％で含むことが特に好ましい。
【００９０】
本コーティング液は、化合物（１）等および媒体の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の成分を含んでいてもよい。
その他の成分としては、たとえば、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。
酸触媒としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。
塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。
本コーティング液における、その他の成分の含有量は、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下が特に好ましい。
【００９１】
本コーティング液の固形分濃度は、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜１質量％が特に好ましい。コーティング液の固形分濃度は、加熱前のコーティング液の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出する値である。また、本組成物の濃度は、固形分濃度と、本組成物および溶媒等の仕込み量とから算出可能である。
【００９２】
［表面層を有する基材］
本発明の表面層を有する基材は、化合物（１）等から形成されてなる表面層を有する。
【００９３】
（表面層）
化合物（１）等においては、化合物（１）中の加水分解性シリル基（−ＳｉＬｃＲ３−ｃ）が加水分解反応することによってシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が形成され、該シラノール基は分子間で脱水縮合反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成され、または該シラノール基が基材の表面の水酸基（基材−ＯＨ）と脱水縮合反応して化学結合（基材−Ｏ−Ｓｉ）が形成される。すなわち、本発明における表面層は、化合物（１）を、化合物（１）の加水分解性シリル基の一部または全部がシラノール基になった状態や脱水縮合反応した状態で含む。
【００９４】
（基材）
本発明における基材は、撥水撥油性の付与が求められている基材であれば特に限定されない。基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。
【００９５】
（タッチパネル）
化合物（１）等から表面層が形成されることによって、優れた初期の撥水撥油性が付与されるとともに、該表面が繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい優れた耐摩擦性、該表面の指紋汚れを容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）、該表面を指で触った際の滑らかさ（潤滑性）、表面層の均一性（透明性、平滑性、ムラの少なさ）が得られる。したがって、このようにして得られる、表面層を有する基材は、表面層が優れた初期の撥水撥油性を有するとともに、優れた耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性を有するため、タッチパネルを構成する部材として好適である。タッチパネルとは、指等による接触によってその接触位置情報を入力する装置と表示装置とを組み合わせた入力／表示装置（タッチパネル装置）の、入力装置を意味する。タッチパネルは、基材と、入力検出方式に応じて、透明導電膜、電極、配線、ＩＣ等とから構成されている。基材の表面層を有する面をタッチパネルの入力面とすることにより、表面層が優れた耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性を有するタッチパネルが得られる。
タッチパネル用基材の材質は、透光性を有する。「透光性を有する」とは、ＪＩＳ  Ｒ  ３１０６に準じた垂直入射型可視光透過率が２５％以上であることを意味する。
【００９６】
タッチパネル用基材の材質としては、ガラスまたは透明樹脂が好ましい。ガラスとしては、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、および化学強化したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。透明樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネートが好ましい。
また、本発明における基材として、液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディスプレイ等の各種ディスプレイの最表面を構成するディスプレイ用基材も好適であり、化合物（１）等または本コーティング液を用いた表面処理によって表面層を形成することによって、表面層が優れた耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、均一性を有するディスプレイが得られる。
【００９７】
［表面層を有する基材の製造方法］
（ドライコーティング法）
化合物（１）等は、ドライコーティング法によって基材の表面を処理して、表面層を有する基材を製造する方法に、そのまま用いることができる。化合物（１）等は、ドライコーティング法によって密着性に優れた表面層を形成するのに好適である。ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。化合物（１）の分解を抑える点、および装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好適に利用できる。真空蒸着法は、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、高周波誘導加熱法、反応性蒸着、分子線エピタキシー法、ホットウォール蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法等に細分することができるが、いずれの方法も適用できる。化合物（１）の分解を抑制する点、および装置の簡便さの点から、抵抗加熱法が好適に利用できる。真空蒸着装置は特に制限なく、公知の装置が利用できる。
【００９８】
真空蒸着法を用いる場合の成膜条件は、適用する真空蒸着法の種類によって異なるが、抵抗加熱法の場合、蒸着前真空度は１×１０−２Ｐａ以下が好ましく、１×１０−３Ｐａ以下が特に好ましい。蒸着源の加熱温度は、化合物（１）等の蒸着源が充分な蒸気圧を有する温度であれば特に制限はない。具体的には３０〜４００℃が好ましく、５０〜３００℃が特に好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、成膜速度が良好になる。前記範囲の上限値以下であれば、化合物（１）の分解が生じることなく、基材の表面に初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性を付与できる。真空蒸着時、基材温度は室温（２０〜２５℃）から２００℃までの範囲であることが好ましい。基材温度が２００℃以下であれば、成膜速度が良好になる。基材温度の上限値は１５０℃以下がより好ましく、１００℃以下が特に好ましい。
【００９９】
化合物（１）等を用い、ドライコーティング法によって基材の表面を処理する場合、該処理によって基材の表面に形成される表面層は、膜厚として、１〜１００ｎｍが好ましく、１〜５０ｎｍが特に好ましい。該表面層の膜厚が前記範囲の下限値以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。なお、膜厚は、たとえば薄膜解析用Ｘ線回折計ＡＴＸ−Ｇ（ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、該干渉パターンの振動周期から算出できる。
【０１００】
特に、真空蒸着法においては、本組成物中の化合物（１）の含有量が多く、不純物の含有量が少ないため、初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性の向上効果が大きい。これは、不純物である分子量が小さい副生成物が、化合物（１）よりも先に基材の表面に蒸着し、その結果、性能の発現を担う化合物（１）と基材の表面との化学結合が妨げられるのが、抑えられるためと考えられる。
【０１０１】
（ウェットコーティング法）
本コーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させることによって、表面層を有する基材を製造することができる。
コーティング液の塗布方法としては、公知の手法を適宜用いることができる。
塗布方法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法またはグラビアコート法が好ましい。
乾燥させる方法は、媒体を乾燥除去できる方法であればよく、公知の手法を適宜用いることができる。乾燥温度は１０〜３００℃が好ましく、２０〜２００℃が特に好ましい。
【０１０２】
媒体を乾燥除去した後に、基材の表面に形成される表面層は、膜厚として、１〜１００ｎｍが好ましく、１〜５０ｎｍが特に好ましい。該表面層の膜厚が前記範囲の下限値以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。なお、膜厚の測定は、ドライコーティング法で形成される表面層の膜厚の測定方法と同様に行うことができる。
【０１０３】
（後処理）
前記ドライコーティング法やウェットコーティング法により基材表面に表面層を形成した後に、該表面層の摩擦に対する耐久性を向上させるために、必要に応じて、化合物（１）と基材との反応を促進するための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。たとえば、水分を有する大気中で表面層が形成された基材を加熱して、加水分解性シリル基のシラノール基への加水分解反応、基材表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進することができる。
表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、たとえば、表面層に溶媒をかけ流す方法や、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法が挙げられる。
【実施例】
【０１０４】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
以下、「％」は特に断りのない限り「質量％」である。また、２種以上の化合物（１）からなる混合物を「化合物」、化合物（１）と他の含フッ素エーテル化合物とからなるものを「組成物」と記す。
例１〜２、５〜６、１１〜１２、１５〜１６、２１〜２４は実施例、例３〜４、７、１３〜１４、１７は比較例である。【０１０５】
［例１：化合物（Ａ）の製造］
（例１−１）
３００ｍＬの３つ口フラスコに、２０％ＫＯＨ水溶液の２．９ｇ、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールの３３ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンの１１０ｇ、化合物（１０）（ＦＬＵＯＲＯＬＩＮＫ  Ｄ４０００：製品名、ソルベイソレクシス社製）の２２０ｇを入れ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ＝ＣＦ２の１４．６ｇを加えた。窒素雰囲気下、４０℃で２０時間撹拌した。希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収し、エバポレータで濃縮することによって、粗生成物（ａ）の２３３ｇを得た。粗生成物（ａ）をＣ６Ｆ１３Ｈ（ＡＣ−２０００：製品名、旭硝子社製）の１１５ｇで希釈し、シリカゲルカラムクロマトグラフィに展開して分取した。展開溶媒としては、ＡＣ−２０００、ＡＣ−２０００／ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ−３０００：製品名、旭硝子社製）（質量比１／２）、ＡＥ−３０００／アセトン（質量比２／１）を順に用いた。各フラクションについて、末端基の構造および構成単位の単位数（ｎ１−１、ｎ２）の平均値を１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲの積分値から求めた。これにより、粗生成物（ａ）中には化合物（１１−１）、化合物（２１−１）および化合物（１０）がそれぞれ、５０モル％、２５モル％および２５モル％含まれていたことがわかった。また、化合物（１１−１）の１０５．１ｇ（収率４４．８％）および化合物（２１−１）の５５．４ｇ（収率２３．６％）が得られた。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１１−１）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＦ３  ・・・（２１−１）
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ・・・（１０）【０１０６】
化合物（１１−１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．９（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．８（１Ｆ）、−８０．８（１Ｆ）、−８１．４（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８３．５（１Ｆ）、−８５．３〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，２００。【０１０７】
化合物（２１−１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：４．２（４Ｈ）、５．８〜６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．８（２Ｆ）、−８０．７（２Ｆ）、−８２．２（６Ｆ）、−８５．３〜−８８．２（４Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８４Ｆ）、−１３０．５（４Ｆ）、−１４５．１（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，４００。【０１０８】
（例１−２）
１００ｍＬの２つ口ナスフラスコ内に、例１−１で得た化合物（１１−１）の５２．０ｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニウムの０．５２ｇ、臭化アリルの４．４ｇ、および３０％水酸化ナトリウム水溶液の６．５ｇを加え、６０℃で８時間撹拌した。反応終了後、ＡＣ−２０００の５０ｇを加え、希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をシリカゲルカラムに通し、回収した溶液をエバポレータで濃縮し、化合物（１２−１）の５２．４ｇ（収率９９．９％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（１２−１）【０１０９】
化合物（１２−１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．７（２Ｈ）、４．１（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．２〜５．３（２Ｈ）、５．８〜６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．１（１Ｆ）、−７８．７（１Ｆ）、−８０．２（１Ｆ）、−８０．７（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，２００。【０１１０】
（例１−３）
５０ｍＬのポリテトラフルオロエチレン製密閉式耐圧容器に、例１−２で得た化合物（１２−１）の５．０ｇ、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシドの０．０３４ｇ、トリクロロシランの１．２６ｇおよびＡＣ−２０００の２．５ｇを入れ、１２０℃で８時間撹拌した。減圧濃縮して未反応物や溶媒等を留去した後、滴下ロートを備えたフラスコに入れ、オルト蟻酸トリメチルとメタノールの混合溶液１．０ｇ（オルト蟻酸トリメチル／メタノール＝２５／１モル比）を滴下し、６０℃にて３時間反応させた。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、残渣に０．０５ｇの活性炭を加えて１時間撹拌した後、０．５μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物（１１１ａ−１）と化合物（１１１ｂ−１）との混合物である化合物（Ａ）の５．０ｇ（収率９７．２％）を得た。化合物（１１１ａ−１）と化合物（１１１ｂ−１）とのモル比は、ＮＭＲより９２：８であった。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（１１１ａ−１）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（１１１ｂ−１）【０１１１】
化合物（１１１ａ−１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：０．７（２Ｈ）、１．７（２Ｈ）、３．６（１１Ｈ）、３．８（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．２（１Ｆ）、−７８．７（１Ｆ）、−８０．３（１Ｆ）、−８０．７（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，３００。【０１１２】
化合物（１１１ｂ−１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：１．１（３Ｈ）、１．８（１Ｈ）、３．６（１１Ｈ）、３．８（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．１（１Ｆ）、−７８．７（１Ｆ）、−８０．２（１Ｆ）、−８０．７（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，３００。【０１１３】
［例２：組成物（Ｂ）の製造］
（例２−１）
１００ｍＬのテトラフルオロエチレン−ペルフルオロ（アルコキシビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）製ナスフラスコに、例１−２で得た化合物（１２−１）の２５．０ｇ、白金／１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２％）の０．１６ｇ、トリメトキシシランの２．８４ｇおよびＡＣ−２０００の１２．５ｇを入れ、７０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、残渣に０．２ｇの活性炭を加えて１時間撹拌した後、０．５μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物（１１１ａ−１）と化合物（３０）との組成物（Ｂ）の２４．５ｇ（収率９５．３％）を得た。化合物（１１１ａ−１）と化合物（３０）とのモル比は、ＮＭＲより８３：１７であった。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（１１１ａ−１）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３  ・・・（３０）【０１１４】
化合物（１１１ａ−１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：０．７（２Ｈ）、１．７（２Ｈ）、３．６（１１Ｈ）、３．８（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．２（１Ｆ）、−７８．７（１Ｆ）、−８０．３（１Ｆ）、−８０．７（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，３００。【０１１５】
化合物（３０）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：１．６（３Ｈ）、４．０（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、４．５〜５．０（１Ｈ）、５．８〜６．２（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．１（１Ｆ）、−７８．７（１Ｆ）、−８０．２（１Ｆ）、−８０．７（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，２００。【０１１６】
［例３：組成物（Ｃ）の製造］
（例３−１）
１００ｍＬの２つ口ナスフラスコ内に、化合物（１０）の３０．０ｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニウムの０．６４ｇ、臭化アリルの４．５ｇ、および３０％水酸化ナトリウム水溶液の６．０ｇを加え、６０℃で８時間撹拌した。反応終了後、ＡＣ−２０００の３０ｇを加え、希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をシリカゲルカラムに通し、回収した溶液をエバポレータで濃縮し、化合物（３１）の２９．７ｇ（収率９７．１％）を得た。
ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（３１）【０１１７】
化合物（３１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．７（４Ｈ）、４．１（４Ｈ）、５．２〜５．３（４Ｈ）、５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．１（２Ｆ）、−８０．２（２Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８０Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，０００。【０１１８】
（例３−２）
１００ｍＬのＰＦＡ製ナスフラスコに、例３−１で得た化合物（３１）の２９．６ｇ、白金／１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２％）の０．４２ｇ、トリメトキシシランの５．３４ｇおよびＡＣ−２０００の１５ｇを入れ、７０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、残渣に０．１ｇの活性炭を加えて１時間撹拌した後、０．５μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、組成物（Ｃ）の２９．１ｇ（収率９２．１％）を得た。組成物（Ｃ）の末端基構造は１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲの積分値から求めると、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３および−ＯＣＨ＝ＣＨＣＨ３がそれぞれ８４モル％および１６モル％含まれていた。すなわち、組成物（Ｃ）中には、化合物（３２）が７１モル％、化合物（３３）が２６モル％および化合物（３４）が３モル％含まれていると考えられる。【０１１９】
（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（３２）
ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（３３）
ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３  ・・・（３４）【０１２０】
組成物（Ｃ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：０．７（３．３６Ｈ）、１．６（０．９６Ｈ）、１．７（３．３６Ｈ）、３．６（１８．５Ｈ）、３．８（３．３６Ｈ）、４．０（０．６４Ｈ）、４．５〜５．０（０．３２Ｈ）、５．８〜６．２（０．３２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．２（２Ｆ）、−８０．３（２Ｆ）、−８９．１〜−９１．０（８０Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，２００。【０１２１】
［例４：組成物（Ｄ）の製造］
（例４−１）
１００ｍＬのナスフラスコに、例１−１で得た化合物（１１−１）の３０．０ｇ、フッ化ナトリウム粉末の０．９ｇ、ジクロロペンタフルオロプロパン（ＡＫ−２２５：製品名、旭硝子社製）の３０ｇを取り入れ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦの３．５ｇを加えた。窒素雰囲気下、５０℃で２４時間撹拌した。加圧ろ過器でフッ化ナトリウム粉末を除去した後、過剰のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦとＡＫ−２２５を減圧留去した。得られた粗生成物をＡＣ−２０００で希釈し、シリカゲルカラムに通し、回収した溶液をエバポレータで濃縮し、化合物（３５）の３１．８ｇ（収率９８．８％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３  ・・・（３５）【０１２２】
化合物（３５）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：４．２（２Ｈ）、４．７（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．８〜−８８．２（１７Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（８２Ｆ）、−１３０．３（２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１３２．５（１Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，５００。【０１２３】
（例４−２）
オートクレーブ（ニッケル製、内容積１Ｌ）を用意し、オートクレーブのガス出口に、２０℃に保持した冷却器、ＮａＦペレット充填層、および０℃に保持した冷却器を直列に設置した。また０℃に保持した冷却器から凝集した液をオートクレーブに戻す液体返送ラインを設置した。
オートクレーブにＣｌＣＦ２ＣＦＣｌＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｃｌ（以下、ＣＦＥ−４１９と記す。）の７５０ｇを投入し、２５℃に保持しながら撹拌した。オートクレーブに窒素ガスを２５℃で１時間吹き込んだ後、２０％フッ素ガスを、２５℃、流速２．０Ｌ／時間で１時間吹き込んだ。次いで、２０％フッ素ガスを同じ流速で吹き込みながら、オートクレーブに、例４−１で得た化合物（３５）の３１．０ｇをＣＦＥ−４１９の１２４ｇに溶解した溶液を、４．３時間かけて注入した。
次いで、２０％フッ素ガスを同じ流速で吹き込みながら、オートクレーブの内圧を０．１５ＭＰａ（ゲージ圧）まで加圧した。オートクレーブ内に、ＣＦＥ−４１９中に０．０５ｇ／ｍＬのベンゼンを含むベンゼン溶液の４ｍＬを、２５℃から４０℃にまで加熱しながら注入し、オートクレーブのベンゼン溶液注入口を閉めた。１５分撹拌した後、再びベンゼン溶液の４ｍＬを、４０℃を保持しながら注入し、注入口を閉めた。同様の操作をさらに３回繰り返した。ベンゼンの注入総量は０．１７ｇであった。
さらに、２０％フッ素ガスを同じ流速で吹き込みながら、１時間撹拌を続けた。次いで、オートクレーブ内の圧力を大気圧にして、窒素ガスを１時間吹き込んだ。オートクレーブの内容物をエバポレータで濃縮し、化合物（３６）の３１．１ｇ（収率９８．５％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３  ・・・（３６）【０１２４】
化合物（３６）のＮＭＲスペクトル；
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．８〜−８８．１（１１Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（９２Ｆ）、−９１．５（２Ｆ）、−１３０．３（２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１３２．５（１Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，６００。【０１２５】
（例４−３）
ＰＦＡ製丸底フラスコに、例４−２で得た化合物（３６）の３０．０ｇおよびＡＫ−２２５の６０ｇを入れた。氷浴で冷却しながら撹拌し、窒素雰囲気下、メタノールの２．０ｇを滴下漏斗からゆっくり滴下した。窒素でバブリングしながら１２時間撹拌した。反応混合物をエバポレータで濃縮し、化合物（３７）の２７．６ｇ（収率９８．８％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ３  ・・・（３７）。【０１２６】
化合物（３７）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．９（３Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（９２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，２００。【０１２７】
（例４−４）
１００ｍＬの３つ口ナスフラスコ中にて、塩化リチウムの０．１８ｇをエタノールの１８．３ｇに溶解させた。これに、例４−３で得た化合物（３７）の２５．０ｇを加えて氷浴で冷却しながら、水素化ホウ素ナトリウムの０．７５ｇをエタノールの２２．５ｇに溶解した溶液をゆっくり滴下した。その後、氷浴を取り外し、室温までゆっくり昇温しながら撹拌を続けた。室温で１２時間撹拌後、液性が酸性になるまで塩酸水溶液を滴下した。ＡＣ−２０００の２０ｍＬを添加し、水で１回、飽和食塩水で１回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をエバポレータで濃縮し、化合物（３８）の２４．６ｇ（収率９９．０％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ  ・・・（３８）。【０１２８】
化合物（３８）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．９（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．７（４２Ｆ）、−８１．４（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８３．４（１Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（９０Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，２００。【０１２９】
（例４−５）
１００ｍＬの２つ口ナスフラスコ内に、例４−４で得た化合物（３８）の２０．０ｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニウムの０．２１ｇ、臭化アリルの１．７６ｇ、および３０％水酸化ナトリウム水溶液の２．６ｇを加え、６０℃で８時間撹拌した。反応終了後、ＡＣ−２０００の２０ｇを加え、希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をシリカゲルカラムに通し、回収した溶液をエバポレータで濃縮し、化合物（３９）の１９．８ｇ（収率９８．２％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（３９）。【０１３０】
化合物（３９）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．７（２Ｈ）、４．１（２Ｈ）、５．２〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．１（１Ｆ）、−８０．１（１Ｆ）、−８２．１（３Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（９０Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，３００。【０１３１】
（例４−６）
１００ｍＬのＰＦＡ製ナスフラスコに、例４−５で得た化合物（３９）の１０．０ｇ、白金／１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２％）の０．０９ｇ、トリメトキシシランの１．４８ｇおよびＡＣ−２０００の５．０ｇを入れ、７０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、残渣に０．１ｇの活性炭を加えて１時間撹拌した後、０．５μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物（４０）と化合物（４１）との組成物（Ｄ）の９．９ｇ（収率９６．４％）を得た。化合物（４０）と化合物（４１）とのモル比は、ＮＭＲより８２：１８であった。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
・・・（４０）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３  ・・・（４１）【０１３２】
化合物（４０）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：０．７（２Ｈ）、１．７（２Ｈ）、３．６（１１Ｈ）、３．８（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．２（１Ｆ）、−８０．２（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（９０Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，４００。【０１３３】
化合物（４１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：１．６（３Ｈ）、４．０（２Ｈ）、４．５〜５．０（１Ｈ）、５．９〜６．２（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．２（１Ｆ）、−８０．２（１Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８９．４〜−９１．１（９０Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２０。
数平均分子量：４，３００。【０１３４】
［例５：組成物（Ｅ）の製造］
（例５−１）
２００ｍＬの３つ口フラスコに、２０％ＫＯＨ水溶液の１．５ｇ、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールの１５ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンの５０ｇ、化合物（１０）の１００ｇを入れ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ＝ＣＦ２の１１．６ｇを加えた。窒素雰囲気下、４０℃で２０時間撹拌した。希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収し、エバポレータで濃縮することによって、粗生成物（ｂ）の１０９ｇを得た。粗生成物（ｂ）をＡＣ−２０００の５５ｇで希釈し、シリカゲルカラムクロマトグラフィに展開して分取した。展開溶媒としては、ＡＣ−２０００、ＡＣ−２０００／ＡＥ−３０００（質量比１／２）、ＡＥ−３０００／アセトン（質量比２／１）を順に用いた。各フラクションについて、末端基の構造および構成単位の単位数（ｎ１−１、ｎ２）の平均値を１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲの積分値から求めた。これにより、粗生成物（ｂ）中には化合物（１１−２）、化合物（２１−２）および化合物（１０）がそれぞれ、５０モル％、２５モル％および２５モル％含まれていたことがわかった。また、化合物（１１−２）の４３．６ｇ（収率３９．１％）および化合物（２１−２）の２７．０ｇ（収率２４．２％）が得られた。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１１−２）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＦ３  ・・・（２１−２）
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ・・・（１０）
化合物（１１−２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．９（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．９（１Ｆ）、−８０．９（４Ｆ）、−８１．４（１Ｆ）、−８２．２（５Ｆ）、−８３．５（１Ｆ）、−８４．４〜−８７．２（２Ｆ）、−８９．１〜−９０．７（８６Ｆ）、−１３０．２（２Ｆ）、−１４５．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２１。
数平均分子量：４，４００。
化合物（２１−２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：４．２（４Ｈ）、５．８〜６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．４〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．９（２Ｆ）、−８０．９（８Ｆ）、−８２．２（１０Ｆ）、−８４．３〜−８７．２（４Ｆ）、−８９．１〜−９０．８（８８Ｆ）、−１３０．２（４Ｆ）、−１４５．５（４Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２１。
数平均分子量：４，６００。【０１３５】
（例５−２）
１００ｍＬの３つ口ナスフラスコ内に、例５−１で得た化合物（１１−２）の３０．０ｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニウムの０．３０ｇ、臭化アリルの４．１ｇ、および３０％水酸化ナトリウム水溶液の３．６ｇを加え、６０℃で８時間撹拌した。反応終了後、ＡＣ−２０００の５０ｇを加え、希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をシリカゲルカラムに通し、回収した溶液をエバポレータで濃縮し、化合物（１２−２）の２８．６ｇ（収率９４．５％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（１２−２）
化合物（１２−２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．７（２Ｈ）、４．１（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．２〜５．３（２Ｈ）、５．８〜６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．３〜−５５．７（４２Ｆ）、−７８．１（１Ｆ）、−７８．７（１Ｆ）、−８０．２（１Ｆ）、−８０．７（４Ｆ）、−８２．２（５Ｆ）、−８４．４〜−８７．２（２Ｆ）、−８９．１〜−９１．０（８６Ｆ）、−１３０．２（２Ｆ）、−１４５．５１（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２１。
数平均分子量：４，５００。【０１３６】
（例５−３）
例５−２で得た化合物（１２−２）の１０．０ｇ、白金／１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２％）の０．１９ｇ、トリメトキシシランの１．３７ｇおよびＡＣ−２０００の５．０ｇを入れ、７０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、残渣に０．２ｇの活性炭を加えて１時間撹拌した後、０．５μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物（１１１ａ−２）と化合物（３０−２）との組成物（Ｅ）の１０．１ｇ（収率９８．３％）を得た。化合物（１１１ａ−２）と化合物（３０−２）とのモル比は、ＮＭＲより８１：１９であった。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（１１１ａ−２）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ｛（ＣＦ２Ｏ）ｎ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ２｝−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３  ・・・（３０−２）
化合物（１１１ａ−２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：０．７（２Ｈ）、１．７（２Ｈ）、３．６（１１Ｈ）、３．８（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．０〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．２（１Ｆ）、−７８．８（１Ｆ）、−８０．４（１Ｆ）、−８０．９（４Ｆ）、−８２．２（５Ｆ）、−８４．４〜−８７．１（２Ｆ）、−８９．１〜−９１．７（８６Ｆ）、−１３０．２（２Ｆ）、−１４５．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２１。
数平均分子量：４，６００。
化合物（３０−２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：１．６（３Ｈ）、４．０（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、４．５〜５．０（１Ｈ）、５．８〜６．２（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５２．０〜−５５．８（４２Ｆ）、−７８．２（１Ｆ）、−７８．８（１Ｆ）、−８０．４（１Ｆ）、−８０．９（４Ｆ）、−８２．２（５Ｆ）、−８４．４〜−８７．１（２Ｆ）、−８９．１〜−９１．７（８６Ｆ）、−１３０．２（２Ｆ）、−１４５．５（２Ｆ）。
単位数ｎ１の平均値：２１。
単位数ｎ２の平均値：２１。
数平均分子量：４，５００。【０１３７】
［例６：組成物（Ｆ）の製造］
（例６−１）
国際公開第２００４／０３５６５６号の例１〜４に記載の方法で下記化合物（１０−３）を得た。
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ・・・（１０−３）
化合物（１０−３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．９（４Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−８１．４（４Ｆ）、−８９．５（８０Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２０。
数平均分子量：２，５００。【０１３８】
（例６−２）
１００ｍＬの３つ口フラスコに、２０％ＫＯＨ水溶液の０．７２ｇ、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールの７．５ｇ、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンの２５ｇ、例６−１で得た化合物（１０−３）の５０．０ｇを入れ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ＝ＣＦ２の５．４０ｇを加えた。窒素雰囲気下、４０℃で２０時間撹拌した。希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収し、エバポレータで濃縮することによって、粗生成物（ｃ）の５３．８ｇを得た。粗生成物（ｃ）をＡＣ−２０００の１１５ｇで希釈し、シリカゲルカラムクロマトグラフィに展開して分取した。展開溶媒としては、ＡＣ−２０００、ＡＣ−２０００／ＡＥ−３０００：（質量比１／４）、ＡＥ−３０００／アセトン（質量比２／１）を順に用いた。各フラクションについて、末端基の構造および構成単位の単位数（ｎ２）の平均値を１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲの積分値から求めた。これにより、粗生成物（ｃ）中には化合物（１１−３）、化合物（２１−３）および化合物（１０−３）がそれぞれ、５２モル％、２４モル％および２４モル％含まれていたことがわかった。また、化合物（１１−３）の２４．０ｇ（収率４４．０％）および化合物（２１−３）の１３．１ｇ（収率２４．０％）が得られた。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ  ・・・（１１−３）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＦ３  ・・・（２１−３）
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ・・・（１０−３）
化合物（１１−３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．９（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−７８．８（２Ｆ）、−８１．４（２Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．３〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．５（８０Ｆ）、−９０．０〜−９１．５（２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２０。
数平均分子量：２，８００。
化合物（２１−３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：４．２（４Ｈ）、５．８〜６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−７８．８（４Ｆ）、−８２．２（６Ｆ）、−８５．３〜−８８．２（４Ｆ）、−８９．５（８０Ｆ）、−９０．０〜−９１．５（４Ｆ）、−１３０．５（４Ｆ）、−１４５．１（２Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２０。
数平均分子量：３，０００。【０１３９】
（例６−３）
１００ｍＬの２つ口ナスフラスコ内に、例６−２で得た化合物（１１−３）の２０．０ｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニウムの０．３１ｇ、臭化アリルの４．４ｇ、および３０％水酸化ナトリウム水溶液の３．２ｇを加え、６０℃で８時間撹拌した。反応終了後、ＡＣ−２０００の２０ｇを加え、希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をシリカゲルカラムに通し、回収した溶液をエバポレータで濃縮し、化合物（１２−３）の２０．０ｇ（収率９８．６％）を得た。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（１２−３）
化合物（１２−３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．７（２Ｈ）、４．１（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．２〜５．３（２Ｈ）、５．８〜６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−７８．１（２Ｆ）、−７８．７（２Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．５（８０Ｆ）、−９０．０〜−９１．５（２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２０。
数平均分子量：２，８００。【０１４０】
（例６−４）
１００ｍＬのＰＦＡ製ナスフラスコに、例６−３で得た化合物（１２−３）の１８．０ｇ、白金／１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２％）の０．１３ｇ、トリメトキシシランの２．２７ｇおよびＡＣ−２０００の１０．０ｇを入れ、７０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、残渣に０．１ｇの活性炭を加えて１時間撹拌した後、０．５μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物（１１１ａ−３）と化合物（３０−３）との組成物（Ｆ）の１８．２ｇ（収率９６．９％）を得た。化合物（１１１ａ−３）と化合物（３０−３）とのモル比は、ＮＭＲより８０：２０であった。
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（１１１ａ−３）
ＣＦ３−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３  ・・・（３０−３）
化合物（１１１ａ−３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：０．７（２Ｈ）、１．７（２Ｈ）、３．６（１１Ｈ）、３．８（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、５．８〜６．０（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−７８．１（２Ｆ）、−７８．７（２Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．５（８０Ｆ）、−９０．０〜−９１．５（２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２０。
数平均分子量：２，９００。
化合物（３０）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：１．６（３Ｈ）、４．０（２Ｈ）、４．２（２Ｈ）、４．５〜５．０（１Ｈ）、５．８〜６．２（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−７８．１（２Ｆ）、−７８．７（２Ｆ）、−８２．２（３Ｆ）、−８５．４〜−８８．２（２Ｆ）、−８９．５（８０Ｆ）、−９０．０〜−９１．５（２Ｆ）、−１３０．５（２Ｆ）、−１４５．１（１Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２０。
数平均分子量：２，８００。【０１４１】
［例７：組成物（Ｇ）の製造］
（例７−１）
下記化合物（４２）（ユニオックスＭ−１０００：製品名、日油社製。ｎ２の平均値：２１）を用い、国際公開第２００４／００８３８０号の例１に記載の方法と同様にして下記化合物（４３）を得た。
ＣＨ３Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＨ・・・（４２）
ＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＨ・・・（４３）
化合物（４３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．９（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５６．２（３Ｆ）、−８１．４（２Ｆ）、−８９．５（８２Ｆ）、−９１．４（２Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２１。
数平均分子量：２，６００。【０１４２】
（例７−２）
１００ｍＬの２つ口ナスフラスコ内に、例７−１で得た化合物（４３）の２５．０ｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニウムの０．４０ｇ、臭化アリルの５．８ｇ、および３０％水酸化ナトリウム水溶液の４．０ｇを加え、６０℃で８時間撹拌した。反応終了後、ＡＣ−２０００の２０ｇを加え、希塩酸水溶液で１回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をシリカゲルカラムに通し、回収した溶液をエバポレータで濃縮し、化合物（４４）の２４．５ｇ（収率９６．４％）を得た。
ＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２  ・・・（４４）
化合物（４４）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：３．８（２Ｈ）、４．１（２Ｈ）、５．２〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５６．３（３Ｆ）、−７８．３（２Ｆ）、−８９．５（８２Ｆ）、−９１．５（２Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２１。
数平均分子量：２，６００。【０１４３】
（例７−３）
１００ｍＬのＰＦＡ製ナスフラスコに、例７−３で得た化合物（４４）の２０．０ｇ、白金／１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２％）の０．１４ｇ、トリメトキシシランの２．５０ｇおよびＡＣ−２０００の１０．０ｇを入れ、７０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、残渣に０．１ｇの活性炭を加えて１時間撹拌した後、０．５μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物（４５）と化合物（４６）との組成物（Ｇ）の２０．０ｇ（収率９５．６％）を得た。化合物（４５）と化合物（４６）とのモル比は、ＮＭＲより８３：１７であった。
ＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  ・・・（４５）
ＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３  ・・・（４６）
化合物（４５）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：０．７（２Ｈ）、１．７（２Ｈ）、３．６（１１Ｈ）、３．８（２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５６．３（３Ｆ）、−７８．３（２Ｆ）、−８９．５（８２Ｆ）、−９１．５（２Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２１。
数平均分子量：２，８００。
化合物（４５）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ）  δ（ｐｐｍ）：１．６（３Ｈ）、４．０（２Ｈ）、４．５〜５．０（１Ｈ）、５．８〜６．２（１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）：−５６．３（３Ｆ）、−７８．３（２Ｆ）、−８９．５（８２Ｆ）、−９１．５（２Ｆ）。
単位数ｎの平均値：２１。
数平均分子量：２，６００。【０１４４】
［例１１〜１７：表面層を有する基材の製造および評価］
例１〜７で得られた各化合物、組成物を用いて基材の表面処理を行い、例１１〜１７とした。各例について下記のドライコーティング法、ウェットコーティング法、スピンコーティング法およびスプレーコーティング法をそれぞれ用いて表面層を有する基材を製造した。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた表面層を有する基材について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。【０１４５】
（ドライコーティング法）
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ−３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。例１〜７で得られた化合物または組成物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０−３Ｐａ以下に排気した。化合物または組成物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への成膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への成膜を終了させた。化合物または組成物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、その後、ＡＫ−２２５にて洗浄することにより、表面層を有する基材を得た。【０１４６】
（ウェットコーティング法）
例１〜７で得られた化合物または組成物と、媒体としてのＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（ノベック−７２００：製品名、３Ｍ社製）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。基材を該コーティング液にディッピングし（ディップコート法）、３０分間放置後、基材を引き上げた。基材を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ−２２５にて洗浄することにより、表面層を有する基材を得た。【０１４７】
（ドライコーティング法およびウェットコーティング法における評価方法）
＜水接触角およびｎ−ヘキサデカン接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた、約２μＬの蒸留水あるいはｎ−ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置ＤＭ−５００（協和界面科学社製）を用いて測定した。基材の表面層の表面における異なる５箇所で測定を行い、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。【０１４８】
＜初期の水およびｎ−ヘキサデカン接触角＞
表面層を有する基材について、初期の水接触角およびｎ−ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。【０１４９】
＜耐摩擦性＞
表面層を有する基材について、ＪＩＳ  Ｌ  ０８４９に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、セルロース製不織布（ベンコットＭ−３、旭化成社製）を荷重１ｋｇで１０万回往復させた後、水接触角およびｎ−ヘキサデカン接触角を測定した。
摩擦回数を増大させたときの撥水性（水接触角）および撥油性（ｎ−ヘキサデカン接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。【０１５０】
＜指紋汚れ除去性＞
人工指紋液（オレイン酸とスクアレンとからなる液）を、シリコンゴム栓の平坦面に付着させた後、余分な油分を不織布（ベンコットＭ−３、旭化成社製）にて拭き取ることによって、指紋のスタンプを準備した。該指紋スタンプを表面層を有する基材上に乗せ、１ｋｇの荷重にて１０秒間押しつけた。この時に、指紋が付着した箇所のヘーズをヘーズメータ（東洋精機社製）にて測定した。この時の値を初期値とした。次に、指紋が付着した箇所について、ティッシュペーパを取り付けた、往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、荷重５００ｇにて拭き取りを行った。拭き取り一往復毎にヘーズの値を測定し、１０往復拭き取るまでの間に、ヘーズが目視で確認できない数値に達したら合格とした。【０１５１】
＜動摩擦係数＞
表面層を有する基材の人工皮膚（ＰＢＺ１３００１、出光テクノファイン社製）に対する動摩擦係数を、荷重変動型摩擦摩耗試験システムＨＨＳ２０００（新東科学社製）を用い、接触面積３ｃｍ×３ｃｍ、荷重１００ｇの条件で測定した。
動摩擦係数が小さいほど潤滑性に優れる。【０１５２】
（スピンコーティング法）
例１〜７で得た化合物または組成物と、媒体としてのＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（ノベック−７２００：製品名、３Ｍ社製）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。基材に該コーティング液をスピンコート法にて、毎分１,５００回転の条件で３０秒間塗布した。基材を１２０℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ−２２５にて洗浄することにより、表面層を有する基材を得た。【０１５３】
（スプレーコーティング法）
例１〜７で得た化合物または組成物と、媒体としてのノベック−７２００とを混合して、固形分濃度０．１％のコーティング液を調製した。基材に該コーティング液をスプレー塗布システム（ノードソン社製）を用いてスプレーコートした。基材を１２０℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ−２２５にて洗浄することにより、表面層を有する基材を得た。【０１５４】
（スピンコーティング法およびスプレーコーティング法における評価方法）
＜ヘーズの測定方法＞
表面層を有する基材のヘーズをヘーズメータ（東洋精機社製）を用いて測定した。ヘーズが小さいほど、表面層の均一性に優れる。【０１５５】
＜表面粗さの測定方法＞
表面層を有する基材の表面粗さ（Ｒａ）を、走査型プローブ顕微鏡ＳＰＭ４００（ＳＩＩナノテクノロジー社製）を用いて測定した。
表面粗さ（Ｒａ）が小さいほど、表面層の均一性に優れる。【０１５６】
＜水接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた、約２μＬの蒸留水の接触角を、接触角測定装置ＤＭ−５００（協和界面科学社製）を用いて測定した。基材の表面層の表面における異なる１０箇所で測定を行い、その平均値と標準偏差を算出した。
標準偏差が小さいほど各測定点における接触角の差が小さく、表面層の均一性に優れる。【０１５７】
【表１】
2014163004.tif 000002
【０１５８】
化合物（１）である化合物（Ａ）を用いた例１１、本組成物である組成物（Ｂ）、（Ｅ）および（Ｆ）を用いた例１２、１５〜１６は、表面層の初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性に優れ、さらに、均一性に優れる。
一方、両末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物を含む組成物（Ｃ）（例３）を用いた例１３は、表面層の耐摩擦性、潤滑性に劣る。
式（１）におけるＲｆ１が水素原子を有しない含フッ素エーテル化合物を含む組成物（Ｄ）および（Ｇ）を用いた例１４および１７は、表面層の表面粗さ（Ｒａ）が大きく、また、水接触角の標準偏差が大きく、均一性に劣る。ヘーズも高い。【０１５９】
［例２１〜２４：表面層を有する基材の製造および評価］
例２で得た組成物（Ｂ）と、加水分解性シリル基を有しない例１で得た化合物（２１−１）または化合物（６−１）（ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｍ０３：製品名、ソルベイソレクシス社製）とを表２の混合比で混合して得た組成物を用いて基材の表面処理を行い、例２１〜２４とした。各例について例１１〜１４と同様に、ドライコーティング法とウェットコーティング法とをそれぞれ用いて表面層を有する基材を製造し、同様の方法で評価した。結果を表２に示す。【０１６０】
【表２】
2014163004.tif 000003
【０１６１】
本組成物である組成物（Ｂ）（例２）に化合物（２）または化合物（６−１）を加えた組成物を用いた例２１〜２４は、本組成物である組成物（Ｂ）（例２）を用いた例１２と同様に、表面層の初期の撥水撥油性が高く、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性に優れる。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明の含フッ素エーテル化合物は、タッチパネルの、指で触れる面を構成する部材等の基材の表面に撥水撥油性を付与する表面処理に好適に用いることができる。
なお、２０１３年４月４日に出願された日本特許出願２０１３−０７８６６２号の明細書、特許請求の範囲および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【国際調査報告】
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