(57)【要約】  金属基板（１０１）は、金属基板（１０１）と、金属基板（１０１）上に設けられた絶縁樹脂層（１０２）と、絶縁樹脂層（１０２）上に設けられた金属層（１０３）とを備える金属ベース回路基板（１００）を構成するものである。そして、金属基板（１０１）は、絶縁樹脂層（１０２）と接する面に多数の微細な鱗片状突起を有する。
2015056555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、前記金属基板上に設けられた絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層上に設けられた金属層とを備える金属ベース回路基板を構成する前記金属基板であって、
前記金属基板は、前記絶縁樹脂層と接する面に多数の微細な鱗片状突起を有する、金属基板。
【請求項２】
請求項１に記載の金属基板において、
前記鱗片状突起は、前記金属基板の前記絶縁樹脂層と接する面の一面にわたって形成されている、金属基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の金属基板において、
前記金属基板の前記絶縁樹脂層と接する面はサンドブラスト処理されている、金属基板。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項に記載の金属基板において、
前記金属基板の前記絶縁樹脂層と接する面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である、金属基板。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項に記載の金属基板において、
前記金属基板の前記絶縁樹脂層と接する面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上２０μｍ以下である、金属基板。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか一項に記載の金属基板において、
アルミニウム基板である、金属基板。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか一項に記載の金属基板と、
前記金属基板上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に設けられた金属層と、
を備える金属ベース回路基板。
【請求項８】
請求項７に記載の金属ベース回路基板において、
前記絶縁樹脂層はエポキシ樹脂およびアルミナを含む、金属ベース回路基板。
【請求項９】
請求項８に記載の金属ベース回路基板において、
前記エポキシ樹脂はナフタレン型エポキシ樹脂である、金属ベース回路基板。
【請求項１０】
請求項７乃至９いずれか一項に記載の金属ベース回路基板において、
前記絶縁樹脂層はフェノキシ樹脂をさらに含む、金属ベース回路基板。
【請求項１１】
請求項７乃至１０いずれか一項に記載の金属ベース回路基板と、
前記金属ベース回路基板上に設けられた電子部品と、
を備える電子装置。
【請求項１２】
請求項７に記載の金属ベース回路基板を製造するための製造方法であって、
金属基板の少なくとも一方の面をサンドブラスト処理する工程と、
前記サンドブラスト処理した面上に前記絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層上に前記金属層を形成する工程と、
を含む金属ベース回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属基板、金属ベース回路基板、電子装置および金属ベース回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、実装部品から発せられる熱を放熱することを目的として、金属基板上に、絶縁樹脂層を介して金属層が積層された金属ベース回路基板が使用されている。
金属ベース回路基板を構成する金属基板表面に酸化被膜が形成されている場合、絶縁樹脂層との密着性を低下させる。そこで、特許文献１に記載のように、アルミニウム基板表面の酸化被膜を除去するため、該表面に対して機械研磨や化学エッチングすることが行われている。
また、近年では、ＬＥＤのような発光素子等を搭載し、液晶表示装置等の光源として用いられるようになってきている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−１９７２７２号公報
【特許文献２】特開２００７−１９４１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インバーター搭載基板や高出力ＬＥＤ照明用基板は高電圧が掛かることが多い。そのため、十分な絶縁性を確保するために、絶縁樹脂層が厚く、金属基板も厚いものを使う傾向がある。しかしながら、加工はコスト面から金型打ち抜き工程が一般的であり、その打ち抜き時の衝撃で絶縁樹脂層が金属基板から一部欠け落ちたりクラックが入ったりする場合があった。また、ＬＥＤの光の直進性ゆえに多方向に光を放出するために基板を曲げて使いたいという要求があった。そのため、確実に金属基板と絶縁樹脂層との密着力を保持する必要性が生じている。【０００５】
特許文献１に記載のような機械研磨や化学エッチングによれば、金属基板表面に凹凸が形成され、アンカー効果により金属基板と絶縁樹脂層との密着性が向上する。しかしながら、機械研磨では十分な密着力が得られず、化学処理ではその処理された層の熱伝導性が低下したり、硬くなり曲げ性が低下したりすることがあった。
一方、これらの処理を行わなければ、金属基板と絶縁樹脂層との密着性が低く、金属ベース回路基板の加工性や熱伝導特性が大きく低下するため、機械研磨や化学エッチング等の表面処理は必須の工程となっていった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
金属基板と、上記金属基板上に設けられた絶縁樹脂層と、上記絶縁樹脂層上に設けられた金属層とを備える金属ベース回路基板を構成する上記金属基板であって、
上記金属基板は、上記絶縁樹脂層と接する面に多数の微細な鱗片状突起を有する、金属基板が提供される。【０００７】
この発明によれば、上記金属基板の表面に多数の微細な鱗片状突起が存在することにより、得られる金属ベース回路基板の金属基板と絶縁樹脂層との密着性を向上できる。その結果、得られる金属ベース回路基板の打ち抜き、曲げ加工性および放熱性を向上できる。これにより、耐久性の高い電子装置とすることができる。【０００８】
また、本発明によれば、
上記金属基板と、
上記金属基板上に設けられた絶縁樹脂層と、
上記絶縁樹脂層上に設けられた金属層と、
を備える金属ベース回路基板を提供できる。【０００９】
さらに、本発明によれば、
上記金属ベース回路基板と、
上記金属ベース回路基板上に設けられた電子部品と、
を備える電子装置を提供できる。【００１０】
さらに、本発明によれば、
上記金属ベース回路基板を製造するための製造方法であって、
金属基板の少なくとも一方の面をサンドブラスト処理する工程と、
上記サンドブラスト処理した面上に上記絶縁樹脂層を形成する工程と、
上記絶縁樹脂層上に上記金属層を形成する工程と、
を含む金属ベース回路基板の製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、耐久性の高い電子装置を実現できる金属基板、金属ベース回路基板、およびこの金属ベース回路基板の製造方法ならびに耐久性の高い電子装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００１３】
【図１】本発明の一実施形態にかかる金属ベース回路基板の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる電子装置の断面図である。
【図３】実施例１のアルミニウム基板表面の１０００倍の電子顕微鏡写真を示す図である。
【図４】実施例１のアルミニウム基板表面の２００倍の電子顕微鏡写真を示す図である。
【図５】比較例１のアルミニウム基板表面の１０００倍の電子顕微鏡写真を示す図である。
【図６】比較例４のアルミニウム基板表面の１０００倍の電子顕微鏡写真を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明は重複しないように適宜省略される。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。また、「〜」はとくに断りがなければ、以上から以下を表す。
【００１５】
はじめに、本実施形態の金属ベース回路基板１００について説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる金属ベース回路基板１００の断面図である。
金属ベース回路基板１００は、金属基板１０１と、金属基板１０１上に設けられた絶縁樹脂層１０２と、絶縁樹脂層１０２上に設けられた金属層１０３とを備える。
そして、金属基板１０１は、絶縁樹脂層１０２と接する面に多数の微細な鱗片状突起を有する。
また、絶縁樹脂層１０２は、例えば、後述する樹脂組成物により形成されるものである。
【００１６】
金属基板１０１は、放熱性の金属基板であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム基板、銅基板、ステンレス基板等であり、アルミニウム基板が好ましい。
ここで、アルミニウム基板とはアルミニウムを含む基板のことをいい、アルミニウム合金により形成された基板も含まれる。同様に、銅基板とは銅を含む基板のことをいい、銅合金により形成された基板も含まれる。
【００１７】
金属基板１０１は、絶縁樹脂層１０２と接する面に多数の微細な鱗片状突起を有する。図３は、後述する実施例１のアルミニウム基板表面の１０００倍の電子顕微鏡写真を示す図である。図４は、後述する実施例１のアルミニウム基板表面の２００倍の電子顕微鏡写真を示す図である。
図３および図４に示すように、鱗片状突起は、金属基板１０１の絶縁樹脂層１０２と接する面の一面にわたって形成されている。絶縁樹脂層１０２を構成する樹脂が鱗片状突起の隙間に侵入し、アンカー効果により金属基板１０１と絶縁樹脂層１０２との密着性が向上すると推察される。
【００１８】
鱗片状突起の平均長径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、特に好ましくは３μｍ以上、そして、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。
鱗片状突起の平均長径が上記範囲内であると、金属基板１０１と絶縁樹脂層１０２との密着性と、金属ベース回路基板１００の耐屈曲性とをより一層向上させることができる。
なお、この平均長径は電子顕微鏡写真により測定することができる。例えば、以下の手順で測定する。まず、走査型電子顕微鏡により、金属基板１０１の表面写真を撮影する。次いで、任意の鱗片状突起を選択し、写真からその長径を測定する。このとき、１０個以上の鱗片状突起について長径を測定し、それらの平均値を平均長径とする。
【００１９】
金属基板１０１の絶縁樹脂層１０２と接する面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上５．０μｍ以下である。
算術平均粗さ（Ｒａ）が上記範囲内であると、金属基板１０１と絶縁樹脂層１０２との密着性と、金属ベース回路基板１００の耐屈曲性とをより一層向上させることができる。
【００２０】
金属基板１０１の絶縁樹脂層１０２と接する面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下である。
最大高さ粗さ（Ｒｚ）が上記範囲内であると、金属基板１０１と絶縁樹脂層１０２との密着性と、金属ベース回路基板１００の耐屈曲性とをより一層向上させることができる。
【００２１】
金属基板１０１の厚さは、例えば、３００μｍ以上５０００μｍ以下である。金属基板１０１の厚さが上記下限値以上であると、放熱性をより向上させることができる。また、金属基板１０１の厚さが上記上限値以下であると、金属ベース回路基板１００の折り曲げ等の加工性を向上させることができる。
【００２２】
絶縁樹脂層１０２は金属層１０３を金属基板１０１に接着するための層である。この絶縁樹脂層１０２の厚みは、４０μｍ以上２５０μｍ以下が好ましい。
絶縁樹脂層１０２の厚みを上記上限値以下とすることで、電子部品からの熱を金属基板１０１に伝達させやすくすることができる。
また、絶縁樹脂層１０２の厚みを上記下限値以上とすることで、金属基板１０１と絶縁樹脂層１０２との熱膨張率差による熱応力の発生を絶縁樹脂層１０２で緩和することが十分にできる。さらに、金属ベース回路基板１００の絶縁性が向上する。
【００２３】
絶縁樹脂層１０２は、例えば、熱硬化性樹脂（Ａ）と、無機充填材（Ｂ）と、フェノキシ樹脂（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、カップリング剤（Ｅ）とを含む樹脂組成物を熱硬化させたものである。すなわち、絶縁樹脂層１０２は、熱硬化した硬化樹脂を含んだＣステージ状態となっている。
【００２４】
ここで、樹脂組成物の組成について説明する。
樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂（Ａ）と、無機充填材（Ｂ）と、フェノキシ樹脂（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、カップリング剤（Ｅ）とを含む。なお、本実施形態において、樹脂組成物の全固形分とは当該樹脂組成物を加熱硬化した際に固形分として残るものであり、例えば、溶剤など加熱により揮発する成分は除かれる。一方で、液状のエポキシ樹脂、カップリング剤等の液状成分は、加熱硬化した際に絶縁樹脂層１０２に取り込まれるため全固形分に含まれる。
【００２５】
熱硬化性樹脂（Ａ）としては、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、アクリル樹脂のうち、いずれか１以上を使用することが好ましい。なかでも、エポキシ樹脂を使用することが好ましい。
エポキシ樹脂としては、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
このようなエポキシ樹脂（Ａ１）を使用することで、ガラス転移温度を高くするとともに、絶縁樹脂層１０２の熱伝導性を向上させることができる。
そして、芳香環あるいは脂環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ１）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
【００２６】
また、ガラス転移温度をより一層高くでき、かつ、絶縁樹脂層１０２のボイドの発生を抑制し、熱伝導性をより一層向上できる観点から、エポキシ樹脂（Ａ１）として、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。ここで、ナフタレン型エポキシ樹脂とは、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有するものを呼ぶ。ナフタレン型エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂（Ａ）１００質量％に対し、好ましくは２０質量％以上８０質量％以下であり、より好ましくは４０質量％以上６０質量％以下である。
【００２７】
ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば、以下の式（５）〜（８）のいずれかを使用できる。なお、式（６）において、ｍ、ｎはナフタレン環上の置換基の個数を示し、それぞれ独立して１〜７の整数を示している。また、式（７）においては、Ｍｅはメチル基を示し、ｌ、ｍ、ｎは１以上の整数である。ただし、ｌ、ｍ、ｎは１０以下であることが好ましい。
【００２８】
【化１】
2015056555.tif 000003
【００２９】
【化２】
2015056555.tif 000004
【００３０】
【化３】
2015056555.tif 000005
【００３１】
なお、式（６）の化合物としては、以下のいずれか１種以上を使用することが好ましい。
【００３２】
【化４】
2015056555.tif 000006
【００３３】
また、ナフタレン型エポキシ樹脂としては、以下の式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂も使用できる。
【００３４】
【化５】
2015056555.tif 000007
（上記式（８）において、ｎは１以上２０以下の整数であり、ｌは１以上２以下の整数であり、Ｒ１はそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記式（９）で表される構造であり、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。）
【００３５】
【化６】
2015056555.tif 000008
（上記式（９）において、Ａｒはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、ｍは１または２の整数である。）
【００３６】
上記式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、下記式（１０）で表されるものが例として挙げられる。
【００３７】
【化７】
2015056555.tif 000009
（上記式（１０）において、ｎは１以上２０以下の整数であり、好ましくは１以上１０以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数である。Ｒはそれぞれ独立に水素原子または下記式（１１）で表される構造であり、好ましくは水素原子である。）
【００３８】
【化８】
2015056555.tif 000010
（上記式（１１）において、ｍは１または２の整数である。）
【００３９】
上記式（１０）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、例えば、下記式（１２）〜（１６）で表されるものが例として挙げられる。
【００４０】
【化９】
2015056555.tif 000011
【００４１】
【化１０】
2015056555.tif 000012
【００４２】
【化１１】
2015056555.tif 000013
【００４３】
【化１２】
2015056555.tif 000014
【００４４】
【化１３】
2015056555.tif 000015
【００４５】
不飽和ポリエステルとしては、例えば、エチレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、水素化ビスフェノールＡ、ネオペンチルグリコール、イソペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール等のいずれか１以上の多価アルコールと、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のいずれか１以上の不飽和二塩基酸とを反応させ、さらに、スチレン、ｔ−ブチルスチレン、ジビ二ルベンゼン、ジアリルフタレート、ビニルトルエン、アクリル酸エステル等のいずれか１種以上のビニル単量体を、共重合させたものがあげられる。
【００４６】
アクリル樹脂は、分子内に（メタ）アクリロイル基を有する化合物であり、（メタ）アクリロイル基が反応することで３次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。（メタ）アクリロイル基は分子内に１つ以上有する必要があるが、２つ以上含まれていることが好ましい。
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマーが挙げられる。
【００４７】
樹脂組成物中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、その目的に応じて適宜調整されればよく特に限定されないが、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、１質量％以上２３質量％以下が好ましく、２質量％以上１５質量％以下がより好ましい。熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、絶縁樹脂層１０２を形成するのが容易となる。熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量が上記上限値以下であると、絶縁樹脂層１０２の強度や難燃性がより一層向上したり、絶縁樹脂層１０２の熱伝導性がより一層向上したりする。
【００４８】
無機充填材（Ｂ）としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
【００４９】
なかでも、絶縁樹脂層１０２の熱伝導性を向上させるために、熱伝導性フィラーを含むことが好ましい。熱伝導性フィラーとしては、アルミナ、窒化ホウ素、ベーマイト、窒化アルミニウム、酸化マグネシウムのうちのいずれか１種以上を使用できる。
なかでも、熱伝導フィラーとして、アルミナが好ましい。
【００５０】
無機充填材（Ｂ）は、平均粒子径が異なる３成分（大粒径、中粒径、小粒径）の混合系で、大粒径成分が球状であり、中粒径成分および小粒径成分が多面体状であることが好ましい。
より具体的には、無機充填材（Ｂ）は、平均粒子径が５．０μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以上２５μｍ以下の第１粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．８０以上１．０以下、好ましくは０．８５以上０．９５以下である大粒径成分と、平均粒子径が１．０μｍ以上５．０μｍ未満の第２粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．５０以上０．９０以下、好ましくは０．７０以上０．８０以下である中粒径成分と、平均粒子径が０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第３粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．５０以上０．９０以下、好ましくは０．７０以上０．８０以下ある小粒径成分と、の混合物であることが好ましい。
ここで、粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００を用いて、水中にアルミナを１分間超音波処理することにより分散させ、測定することができる。
【００５１】
これにより、大粒径成分の隙間に中粒径成分が充填され、さらに中粒径成分の隙間に小粒径成分が充填されるため、無機充填材（Ｂ）の充填性が高められ、無機充填材（Ｂ）粒子同士の接触面積をより大きくすることができる。その結果、絶縁樹脂層１０２の熱伝導性をより一層向上できる。さらに、絶縁樹脂層１０２の半田耐熱性、耐屈曲性、絶縁性をより一層向上できる。
また、このような無機充填材（Ｂ）を用いることにより、絶縁樹脂層１０２と金属基板１０１との密着性をより一層向上できる。
これらの相乗効果により、金属ベース回路基板１００の絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００５２】
樹脂組成物中に含まれる無機充填材（Ｂ）の含有量は、当該樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、７５質量％以上９５質量％以下であり、より好ましくは８０質量％以上９０質量％以下である。無機充填材（Ｂ）の含有量を７５質量％以上９５質量％以下とすることで、アルミナ粒子同士の接触面積が大きくなる。その結果、絶縁樹脂層１０２の熱伝導性を向上でき、電子装置１の放熱性を向上できる。そのため、電子部品１１の熱を外部に十分に伝熱させることができる。これにより、耐久性の高い電子装置１とすることができる。
【００５３】
また、無機充填材（Ｂ）の全体１００質量％に対し、第１粒径範囲に属する無機充填材（Ｂ）の含有量は、好ましくは６５質量％以上８５質量％以下であり、第２粒径範囲に属する無機充填材（Ｂ）の含有量は、好ましくは１０質量％以上２０質量％以下であり、第３粒径範囲に属する無機充填材（Ｂ）の含有量は、好ましくは５質量％以上１８質量％以下である。
【００５４】
樹脂組成物は、さらにフェノキシ樹脂（Ｃ）を含むことが好ましい。フェノキシ樹脂（Ｃ）を含むことにより、絶縁樹脂層１０２の耐屈曲性をより一層向上できる。
また、フェノキシ樹脂（Ｃ）を含むことにより、絶縁樹脂層１０２の弾性率を低下させることが可能となり、その場合には金属ベース回路基板１００の応力緩和力を向上させることができる。例えば、電子装置１を製造した場合、急激な加熱／冷却の環境下においても、電子部品１１と金属ベース回路基板１００を接合する半田接合部、またはその近傍で、クラック等の不良が発生することが抑制されることになる。このように金属ベース回路基板１００のヒートサイクル特性を向上させることができる。
また、フェノキシ樹脂（Ｃ）を含むと、粘度上昇により、プレス時の流動性が低減し、得られる絶縁樹脂層１０２中にボイド等が発生することを抑制できたり、得られる絶縁樹脂層１０２の厚みをより容易に調整できたり、絶縁樹脂層１０２の厚みの均一性を向上できたりする。また、絶縁樹脂層１０２と金属基板１０１との密着性を向上できる。これらの相乗効果により、金属ベース回路基板１００の絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００５５】
フェノキシ樹脂（Ｃ）としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
【００５６】
これらの中でも、ビスフェノールＡ型またはビスフェノールＦ型のフェノキシ樹脂を用いるのが好ましく、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格を両方有するフェノキシ樹脂を用いるのがより好ましい。ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格を両方有するフェノキシ樹脂において、ビスフェノールＦ骨格とビスフェノールＡ骨格の比率は、好ましくはビスフェノールＦ骨格／ビスフェノールＡ骨格＝５／９５〜５０／５０である。
【００５７】
フェノキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、とくに限定されないが、４．０×１０４以上８．０×１０４以下が好ましい。
なお、フェノキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の値である。
【００５８】
フェノキシ樹脂（Ｃ）の含有量は、例えば、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、好ましくは１質量％以上１５質量％以下、より好ましくは２質量％以上１０質量％以下である。
【００５９】
硬化剤（Ｄ）（硬化触媒）としては、例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩；ジシアンジアミド、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシリレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジエチルジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソフォロンジアミン、ノルボルネンジアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等のアミン系硬化剤；２−フェニル−イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤；トリフェニルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン等の有機リン化合物；フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物；酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。硬化剤（Ｄ）として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。
これらの中でも、硬化性に優れる点で、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤が好ましい。
【００６０】
硬化触媒の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、例えば、０．０２質量％以上１．０質量％以下である。
【００６１】
さらに、樹脂組成物は、カップリング剤（Ｅ）を含んでもよい。カップリング剤（Ｅ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）と無機充填材（Ｂ）との界面の濡れ性を向上させることができる。
【００６２】
カップリング剤（Ｅ）としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。
カップリング剤（Ｅ）の添加量は無機充填材（Ｂ）の比表面積に依存するので、とくに限定されないが、無機充填材（Ｂ）１００質量部に対して０．０５質量部以上３質量部以下が好ましく、とくに０．１質量部以上２質量部以下が好ましい。
【００６３】
樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、酸化防止剤、レベリング剤等を含むことができる。
【００６４】
次に、絶縁樹脂層１０２の物性について説明する。
絶縁樹脂層１０２は、高い熱伝導性を有する。具体的には、レーザーフラッシュ法により測定される、絶縁樹脂層１０２の厚み方向の熱伝導率が３．０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上であることが好ましく、５．０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上であることがより好ましい。
これにより、電子部品１１からの熱が、絶縁樹脂層１０２を介して、金属基板１０１に伝達させやすくすることができる。
【００６５】
以上のような金属ベース回路基板１００は、以下のようにして製造することができる。
はじめに、金属基板１０１を用意する。
【００６６】
次いで、サンドブラスト装置を用いて、金属基板１０１の表面をサンドブラスト処理する。サンドブラスト処理は、例えば、２〜７００Ｌ／分の空気量で、平均粒子径４５〜５５μｍの研磨粒子により、１〜３ｍ／分でφ５ｍｍのノズルを揺動させながら行なう。
このような研磨粒子と金属基板１０１との接触処理により、金属基板１０１の表面に前述した多数の微細な鱗片状突起を形成することができる。ここで、サンドブラスト処理は研磨粒子を噴射し金属基板１０１の表面にて吹き付けることによって行なうものである。
【００６７】
サンドブラスト処理に用いられる研磨粒子としては、シリカ、ジルコニア、アルミナ、ダイヤモンド等があげられる
【００６８】
その後、金属基板１０１上に、前述した樹脂組成物からなるＢステージ状態の樹脂層を設ける。このとき、前述した樹脂組成物を金属基板１０１に塗布することにより金属基板１０１上に樹脂層を形成してもよく、また、樹脂層をキャリア材料上に形成して樹脂層付きキャリア材料を作製し、この樹脂層付きキャリア材料を金属基板１０１に積層することにより金属基板１０１上に樹脂層を形成してもよい。
このとき、Ｂステージ状態の樹脂層の厚みは、例えば、４５μｍ以上３００μｍ以下である。
【００６９】
以下、樹脂層付きキャリア材料を作製し、この樹脂層付きキャリア材料を金属基板１０１に積層する方法について説明する。まず、キャリア材料上に樹脂層を形成し、樹脂層付きキャリア材料を得る。
キャリア材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の樹脂フィルム；銅箔等の金属箔等である。キャリア材料の厚みは、例えば、１０〜５００μｍである。
【００７０】
次いで、樹脂層付きキャリア材料の樹脂層側の面が金属基板１０１のサンドブラスト処理面に接するように樹脂層付きキャリア材料を金属基板１０１に積層する。その後、プレス等を用い樹脂層を加圧・加熱硬化させて絶縁樹脂層１０２を形成する。
【００７１】
次いで、絶縁樹脂層１０２からキャリア材料を除去し、露わになった絶縁樹脂層１０２の表面に金属層１０３を形成する。また、キャリア材料が金属箔の場合は、キャリア材料をそのまま金属層１０３としてもよい。
金属層１０３は、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫等から構成され、２種以上含んでいてもよい。金属層１０３の厚みは、例えば、１０μｍ以上２１０μｍ以下である。なお、絶縁樹脂層１０２と金属層１０３との間には、接着層等の他の層が介在していてもよい。
次いで、必要に応じて、金属層１０３を所定のパターンにエッチング等することにより回路を形成し、金属ベース回路基板１００が得られる。なお、本実施形態において、金属ベース回路基板１００には金属１０３が回路加工される前の状態も含まれる。
多層にする場合は、金属ベース回路基板１００に回路形成後、さらに絶縁シートを積層し、上記同様エッチングにより回路形成することにより多層の金属ベース回路基板１００を得ることができる。なお、上記絶縁シートとしては、電子装置１の熱伝導性をより一層向上させる観点から、前述した絶縁樹脂層１０２に用いたものと同じ樹脂組成物により形成したものが好ましい。
また、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により電子部品１１が実装できるよう接続用電極部を露出させてもよい。
【００７２】
つづいて、本実施形態の電子装置１について説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる電子装置１の断面図である。
電子装置１は、金属ベース回路基板１００と、金属ベース回路基板１００上に設けられた電子部品１１と、を備える。絶縁樹脂層１０２は前述した樹脂組成物により形成されたものである。
【００７３】
本実施形態では、電子装置１は半導体装置であり、例えば、パワー半導体装置、ＬＥＤ照明、インバーター装置である。
ここでインバーター装置とは、直流電力から交流電力を電気的に生成する（逆変換する機能を持つ）ものである。またパワー半導体装置とは、通常の半導体素子に比べて高耐圧化、大電流化、高速・高周波化されている特徴を有し、一般的にはパワーデバイスと呼ばれ、整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）、トライアック等が挙げられる。
電子部品１１は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、ダイオード等の半導体素子、抵抗、コンデンサ等の各種発熱素子である。金属ベース回路基板１００はヒートスプレッダーとして機能する。
電子部品１１は、支持基材１２に半田１５を介して接合されている。
【００７４】
支持基材１２は、電子部品１１が搭載されるものである。本実施形態では、支持基材１２は、リードフレーム１２１と、絶縁シート１２２とを備える。
リードフレーム１２１は、ダイパッド部１２１Ａと、このダイパッド部１２１Ａに接続されたインナーリード（図示略）と、インナーリードに接続されたアウターリード（図示略）とを備える。リードフレーム１２１はダイパッド部１２１Ａで電子部品１１を支持している。ダイパッド部１２１Ａは、半田１５を介して電子部品１１に電気的に接続されている。リードフレーム１２１は導電性の部材であればよいが、例えば、Ｃｕ等の金属製である。
【００７５】
絶縁シート１２２は、金属層１０３をリードフレーム１２１から絶縁するためのものである。絶縁シート１２２は、樹脂材料で構成されている。
例えば、絶縁シート１２２は、樹脂成分であるカルボキシル基を有する樹脂と、熱伝導性のフィラーとを含む。
カルボキシル基を有する樹脂としては、アクリル酸ブチルおよびアクリル酸エチルのいずれかまたは両方を主要原料成分とした、カルボキシル基含有ポリ（メタ）アクリル酸エステル系高分子化合物（所謂アクリルゴム）があげられる。
また、熱伝導性のフィラーとしては、窒化ホウ素や、アルミナ等を使用できる。
熱伝導性フィラーの含有量は絶縁シート１２２全体に対して５０〜６０体積％であり、樹脂成分は、４０〜５０体積％であることが好ましい。
本実施形態では、絶縁シート１２２は、リードフレーム１２１のダイパッド部よりも平面形状が大きくなっており、電子部品１１、支持基材１２、金属層１０３、絶縁樹脂層１０２、金属基板１０１の積層方向に沿って、電子装置１を平面視した際に、ダイパッド部１２１Ａの外周縁からはみ出している。
なお、絶縁シート１２２としては、電子装置１の熱伝導性をより一層向上させる観点から、前述した絶縁樹脂層１０２に用いたものと同じ樹脂組成物により形成したものが好ましい。
【００７６】
金属層１０３は、絶縁樹脂層１０２と絶縁シート１２２との間に配置され、絶縁樹脂層１０２に直接接触している。
この金属層１０３は、電子部品１１からの熱を、金属基板１０１に伝達する。金属層１０３は例えば、Ｃｕ等の金属製である。金属層１０３は板状の部材であり、絶縁シート１２２とほぼ同じ大きさとなっている。
【００７７】
以上のような電子装置１は、以下のようにして製造することができる。
はじめに、金属ベース回路基板１００を用意する。
次に、金属層１０３上に、絶縁シート１２２、リードフレーム１２１を配置する。その後、リードフレーム１２１のダイパッド部と、電子部品１１とを半田１５を介して接合する。その後、封止材１６により、電子部品１１を封止する。
【００７８】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上記実施形態では、支持基材１２は、リードフレーム１２１と、絶縁シート１２２とを備えていたが、これに限られるものではない。例えば、支持基材１２および金属層１０３の代わりに、セラミックス基板を使用してもよい。この場合には、絶縁樹脂層１０２は、セラミックス基板と、金属基板１０１とを接着することとなる。
【実施例】
【００７９】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例では、部はとくに特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。【００８０】
（実施例１）
（１）樹脂ワニスの調製
ビスフェノールＦ骨格とビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂（三菱化学社製、４２７５、重量平均分子量６．０×１０４、ビスフェノールＦ骨格とビスフェノールＡ骨格の比率＝７５：２５）３．９質量部、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、８３０Ｓ、エポキシ当量１７０）３．０質量部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−６０００、エポキシ当量２５０：化学式（１０）において、Ｒがいずれも水素原子で、ｎ＝１である成分とｎ＝２である成分との混合物）３．０質量部、ジシアンジアミド（デグサ社製）０．３質量部、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越シリコーン社製、ＫＢＭ−４０３）１．３質量部、球状アルミナ（平均粒子径２２μｍ、円形度：０．９１、新日鉄住金マテリアルズ株式会社製、ＡＸ−２５)６７．３質量部、多面体状アルミナ（平均粒子径４μｍ、円形度：０．７５、日本軽金属社製、ＬＳ−２１０)１３．２質量部、多面体状アルミナ（平均粒子径０．７μｍ、円形度：０．７１、日本軽金属社製、ＬＳ−２５０)８．０質量部、をシクロヘキサノンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、固形分基準で８６質量％のワニス状のエポキシ樹脂組成物を得た。
（２）樹脂付き銅箔の作製
金属箔として、厚さ３５μｍの銅箔（長春石油化学股▲フン▼有限公司社製、ＧＬＳ−３５）を用い、銅箔の粗化面にワニス状の樹脂組成物をコンマコーターにて塗布し、１００℃で３分、１５０℃で３分加熱乾燥し、樹脂厚１９０μｍの樹脂付き銅箔を得た。
（３）アルミニウム基板のサンドブラスト処理
研磨粒子として平均粒子径５０μｍの不定形アルミナ粉末（不二製作所社製、フジランダムＡ）を用いてサンドブラスト装置（不二製作所社製、ＭＣ３）により５００ｍｍ＊５００ｍｍサイズで厚み１ｍｍのアルミニウム基板（＃５０５２−３４Ｈ）の片面に６７０Ｌ／分の空気量で面全体をφ５ｍｍのノズルを揺動させながら０．５分間サンドブラスト処理した。つづいて、アルミニウム基板の表面を流水で水洗、乾燥した。
そのサンドブラスト処理したアルミニウム基板の表面に、カップリング剤などの化学的処理や物理的処理をおこなわずに、作製した樹脂付き銅箔を１７０℃、８ＭＰａ、６０分間で熱プレスした。これにより、金属ベース回路基板を成型した。
ここで、得られたアルミニウム基板について以下の評価をおこなった。【００８１】
（電子顕微鏡観察）
サンドブラスト処理したアルミニウム基板の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影し、アルミニウム基板の表面の構造を観察した。図３に、実施例１のアルミニウム基板表面の１０００倍の電子顕微鏡写真を示す。また、図４に、実施例１のアルミニウム基板表面の２００倍の電子顕微鏡写真を示す。
サンドブラスト処理した上記アルミニウム基板には鱗片状突起が観察された。【００８２】
（表面粗さ）
アルミニウム基板の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳＢ０６０１、Ｂ０６３３、Ｂ０６５１に準拠して測定した。
アルミニウム基板の表面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１、Ｂ０６３３、Ｂ０６５１に準拠して測定した。【００８３】
得られたアルミニウム基板の物性は以下のとおりである。
算術平均粗さ（Ｒａ）：４．８μｍ
最大高さ粗さ（Ｒｚ）：１３．０μｍ
鱗片状突起の平均長径：４．６μｍ【００８４】
また、得られた金属ベース回路基板について以下の評価をおこなった。評価結果を表１に示す。なお、表１に示した特性の測定方法は以下の通りである。【００８５】
（１）半田耐熱性
金属ベース回路基板を５０ｍｍ×５０ｍｍにグラインダーソーでカットした後、エッチングにより銅箔を１／２だけ残した試料を作製し、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に準拠して評価した。評価は、２６０℃の半田槽に３０秒間浸漬した後で外観の異常の有無を調べた。
評価基準  ○：異常なし
×：異常あり（膨れの箇所がある）
（２）吸湿半田耐熱性
金属ベース回路基板を５０ｍｍ×５０ｍｍにグラインダーソーでカットした後、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に従い半面エッチングを行って試料を作製した。１２１℃のプレッシャークッカーで２時間処理した後、２６０℃の半田槽に銅箔面を下にして浮かべ、３０秒後の外観異常の有無を調べた。
評価基準  ○：異常なし
×：膨れあり（膨れの箇所がある）
（３）絶縁破壊電圧
金属ベース回路基板を１００ｍｍ×１００ｍｍにグラインダーソーでカットした後、銅箔を全面エッチングにより除去し、試料を作成した。耐電圧試験器（ＭＯＤＥＬ７４７３、ＥＸＴＥＣＨ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いて、絶縁樹脂層とアルミニウム基板に電極を接触せしめて、両電極に０．５ｋＶ／秒の速度で電圧が上昇するように、交流電圧を印加した。金属ベース回路基板の絶縁樹脂層が破壊した電圧を、絶縁破壊電圧とした。【００８６】
（４）ヒ−トサイクル試験
得られた金属ベース回路基板を用いて、図２に示した電子装置１を製造した。ただし、封止材１６は設けなかった。
金属ベース回路基板１００上に、絶縁シート１２２、Ｃｕ製のリードフレーム１２１を配置した。絶縁シート１２２としては古河電工社製のエフコＴＭシートＨＦを使用した。その後、リードフレーム１２１のダイパッド部と、電子部品１１とを半田１５（材料Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ）を介して接合した。
以上のようにして、電子装置３個を用意して、ヒートサイクル試験を実施した。ヒートサイクル試験は、−４０℃５分〜＋１２５℃５分を１サイクルとして３０００回行なった。  
ヒートサイクル試験後、顕微鏡で半田部分のクラック率を観察した。電子装置３個のうち１つでもクラック率が１００％となったものがある場合を不良（×）とし、電子装置３個のいずれもがクラック率が１００％未満のものを良好（○）と判定した。
ここで、半田部分のクラック率とは、部品接合部の半田部分のクラック進行率をいう。クラックが進み基板との接続が完全に断線した場合を１００％とした比率である。
（５）金属基板との密着性
金属基板と絶縁樹脂層の密着力を評価するための曲げ試験用基板は、金属ベース回路基板から銅箔を全てエッチング除去したものを２５ｍｍ×１００ｍｍに切り出して作製した。その基板を絶縁樹脂層側が外側になるように直径４０ｍｍの鉄製の棒に巻きつけるように１２０°屈曲させて２６０℃の半田槽に３０秒間浸漬した。その後、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との剥離の有無を調べた。
評価基準  ○：異常なし
×：剥れあり（剥れの箇所がある）
（６）熱抵抗
金属ベース回路基板をＪＰＣＡ−ＴＭＣ−ＬＥＤ０２Ｔ−２０１０  １０．６項に準拠して厚み方向の熱抵抗を測定した。【００８７】
（比較例１）
アルミニウム基板についてサンドブラスト処理をしない以外は実施例１と同様にした。
ここで、図５に、比較例１のアルミニウム基板表面の１０００倍の電子顕微鏡写真を示す。サンドブラスト処理をしていないアルミニウム基板には鱗片状突起は観察されなかった。【００８８】
（比較例２）
アルミニウム基板として以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
エポキシシラン系カップリング剤（Ａ−１８７  モメンティブパフォーマンスマテリアルズ社製）をアセトンに添加し、エポキシシラン系カップリング剤の濃度が０．５質量％のエポキシシラン系カップリング剤溶液を調製した。次いで、バットを用いて、５００ｍｍ＊５００ｍｍサイズで厚み１ｍｍのアルミニウム基板（＃５０５２−３４Ｈ）をエポキシシラン系カップリング剤溶液に浸した。そして、アルミニウム基板に付着した液滴をよく切った後、１５０℃１０分間で乾燥することにより、エポキシシラン系カップリング剤で表面処理されたアルミニウム基板を得た。
ここで、比較例２のアルミニウム基板表面を電子顕微鏡により観察したところ、上記アルミニウム基板には鱗片状突起は観察されなかった。【００８９】
（比較例３）
サンドブラスト処理の研磨粒子として平均粒子径９２５μｍの不定形アルミナ粉末を用いた以外は実施例１と同様にした。
得られたアルミニウム基板の物性は以下のとおりである。
算術平均粗さ（Ｒａ）：５．２μｍ
最大高さ粗さ（Ｒｚ）：１３．５μｍ
ここで、比較例３のアルミニウム基板表面を電子顕微鏡により観察したところ、上記アルミニウム基板には鱗片状突起は観察されなかった。【００９０】
（比較例４）
アルミニウム基板として以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
５００ｍｍ＊５００ｍｍサイズで厚み１ｍｍのアルミニウム基板（＃５０５２−３４Ｈ）の表面をブラシ（＃１５００）で研磨した後、アセトンで洗浄し乾燥させアルミニウム基板を得た。
得られたアルミニウム基板の物性は以下のとおりである。
算術平均粗さ（Ｒａ）：５．０μｍ
最大高さ粗さ（Ｒｚ）：１２．０μｍ
ここで、図６に、比較例４のアルミニウム基板表面の１０００倍の電子顕微鏡写真を示す。上記アルミニウム基板には鱗片状突起は観察されなかった。【００９１】
【表１】
2015056555.tif 000016
【００９２】
実施例１で得られた金属ベース回路基板は絶縁樹脂層とアルミニウム基板との密着性が高く、半田耐熱性、および吸湿半田耐熱性に優れる結果となった。また、十分な絶縁破壊電圧値も有していた。また、電子装置におけるヒートサイクル性についても良好な結果が得られた。
したがって、本発明による金属基板および金属ベース回路基板を用いることにより、耐久性の高い電子装置が得られることが分かった。【００９３】
この出願は、２０１３年１０月１７日に出願された日本出願特願２０１３−２１６１２０号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
2015056555.tif 000017
【図２】
2015056555.tif 000018
【図３】
2015056555.tif 000019
【図４】
2015056555.tif 000020
【図５】
2015056555.tif 000021
【図６】
2015056555.tif 000022
【国際調査報告】
2015056555.tif 000023
2015056555.tif 000024
2015056555.tif 000025
2015056555.tif 000026