(57)【要約】  本発明の一態様に係る光電変換装置は、電極層と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、中間層とを具備する。第１の半導体層は、電極層上に位置している。第１の半導体層は、ｐ型またはｉ型であり、カルコパイライト系化合物またはペロブスカイト系化合物を主として含んでいる。第２の半導体層は、ｎ型であり、第１の半導体層上に位置している。中間層は、電極層および第１の半導体層の界面に位置している。中間層は、第１の半導体層とは異なる結晶構造のｐ型の半導体を主として含んでいる。さらに、中間層は、第１の半導体層よりもキャリア密度が高い。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極層と、
該電極層上に位置するカルコパイライト系化合物またはペロブスカイト系化合物を主として含む、ｐ型またはｉ型の第１の半導体層と、
該第１の半導体層上に位置するｎ型の第２の半導体層と、
前記電極層および前記第１の半導体層の界面に位置しており、前記第１の半導体層とは異なる結晶構造のｐ型の半導体を主として含み、前記第１の半導体層よりもキャリア密度の高い中間層と
を具備する光電変換装置。
【請求項２】
前記中間層はシリコンを主として含んでいる、請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１の半導体層のキャリア密度が１×１０１０〜９×１０１７ｃｍ−３であり、前記中間層のキャリア密度が１×１０１８〜９×１０１８ｃｍ−３である、請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記中間層は前記電極層を部分的に覆っており、
前記電極層の前記中間層に覆われていない部位上に位置する絶縁層をさらに具備し、前記第１の半導体層は前記中間層と前記絶縁層とに接合している、請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記中間層と前記第１の半導体層との界面に前記中間層を部分的に覆う絶縁層をさらに具備し、
前記第１の半導体層は前記中間層と前記絶縁層とに接合している、請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記絶縁層の電気抵抗率が１Ω・ｍ以上である、請求項４または５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記中間層と前記第１の半導体層との接合面積は、前記絶縁層と前記第１の半導体層との接合面積の０．０１〜２倍である、請求項４乃至６のいずれかに記載の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体層を具備する光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電等に使用される光電変換装置として、カルコパイライト系化合物等から成る化合物半導体層を光吸収層として用いたものがある（例えば特許文献１参照）。このような光電変換装置は、複数の光電変換セルが平面的に並設された構成を有する。各光電変換セルは、ガラス等の基板の上に、金属電極等の下部電極と、ＣＩＧＳなどの金属カルコゲナイドを含む光吸収層と、この光吸収層にヘテロ接合した、硫化インジウムを含むバッファ層と、透明電極や金属電極等の上部電極とが、この順に積層されて構成されている。また、複数の光電変換セルは、隣り合う一方の光電変換セルの上部電極と他方の光電変換セルの下部電極とが接続導体によって電気的に接続されることで、電気的に直列に接続されている（特開２００３−２８２９０９号公報参照）。
【発明の概要】
【０００３】
本発明の一態様に係る光電変換装置は、電極層と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、中間層とを具備する。第１の半導体層は、電極層上に位置している。第１の半導体層は、ｐ型またはｉ型であり、カルコパイライト系化合物またはペロブスカイト系化合物を主として含んでいる。第２の半導体層は、ｎ型であり、第１の半導体層上に位置している。中間層は、電極層および第１の半導体層の界面に位置している。中間層は、第１の半導体層とは異なる結晶構造のｐ型の半導体を主として含んでいる。さらに、中間層は、第１の半導体層よりもキャリア密度が高い。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】第１実施形態の光電変換装置を示す斜視図である。
【図２】図１の光電変換装置の断面図である。
【図３】第２実施形態の光電変換装置を示す斜視図である。
【図４】図３の光電変換装置の断面図である。
【図５】図３の光電変換装置の第１の半導体層およびそれよりも上側の部分を除いた平面図である。
【図６】第３実施形態の光電変換装置を示す斜視図である。
【図７】図６の光電変換装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下に本開示の光電変換装置の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【０００６】
＜第１実施形態の光電変換装置＞
図１は、第１実施形態に係る光電変換装置を示す斜視図であり、図２はその断面図である。光電変換装置１１は、基板１上に複数の光電変換セル１０を具備している。これらの光電変換セル１０は、互いに間隔Ｐ３をあけて並んでおり、隣接する光電変換セル１０同士が互いに電気的に接続されている。なお、図１においては図示の都合上、２つの光電変換セル１０のみを示しているが、実際の光電変換装置１１においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル１０が平面的に（二次元的に）配設されていてもよい。
【０００７】
図１、図２において、基板１上に複数の電極層２が平面配置されている。なお、以下の説明においては、第１の半導体層３側に接続された電極層２を、後述する上部電極層５と区別するため、下部電極層２として説明する。しかし、下部電極層２が、必ずしも上部電極層４よりも下側に位置している必要はなく、上側であってもよい。
【０００８】
図１、図２において、複数の下部電極層２は、一方向に間隔Ｐ１をあけて並べられた下部電極層２ａ〜２ｃを具備している。この下部電極層２ａ上から基板１上を経て下部電極層２ｂ上にかけて、第１の半導体層３、バッファ層４および上部電極層５が順に積層されている。さらに、下部電極層２ｂ上において、接続導体７が、第１の半導体層３およびバッファ層４側面に沿って、またはこれらを貫通して設けられている。この接続導体７は、上部電極層５と下部電極層２ｂとを電気的に接続している。また、下部電極層２と第１の半導体層３との界面には中間層３ａが介在している。これら下部電極層２、中間層３ａ、第１の半導体層３、バッファ層４および上部電極層５によって、１つの光電変換セル１０が構成され、隣接する光電変換セル１０同士が接続導体７を介して直列接続されることによって、高出力の光電変換装置１１となる。なお、本実施形態における光電変換装置１１は、上部電極層５側から第１の半導体層３へ光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、下部電極層２側から第１の半導体層３へ光が入射されるものであってもよい。
【０００９】
基板１は、光電変換セル１０を支持するためのものである。基板１に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板１としては、例えば、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）を用いることができる。
【００１０】
下部電極層２（下部電極層２ａ、２ｂ、２ｃ）は、基板１上に設けられた、Ｍｏ、Ａｌ、ＴｉまたはＡｕ等の導電体である。下部電極層２は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、０．２μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成される。
【００１１】
第１の半導体層３は、光を吸収してキャリア（電子および正孔）を発生させる機能をする半導体層であり、いわゆる光吸収層である。第１の半導体層３は、例えば１μｍ〜３μｍ程度の厚みのｐ型またはｉ型の半導体層である。また、第１の半導体層３は、カルコパイライト系化合物を主として含んでいるか、あるいはペロブスカイト系化合物を主として含んでいる。カルコパイライト系化合物を主として含むとは、カルコパイライト系化合物を７０ｍｏｌ％以上含むことをいう。また、ペロブスカイト系化合物を主として含むとは、ペロブスカイト系化合物を７０ｍｏｌ％以上含むことをいう。
【００１２】
カルコパイライト系化合物とは、カルコパイライト構造を有する化合物であり、例えば、Ｉ−III−VI族化合物が挙げられる。Ｉ−III−VI族化合物とは、１１族元素（Ｉ−Ｂ族元素ともいう）と１３族元素（III−Ｂ族元素ともいう）と１６族元素との化合物である。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ２（二セレン化銅インジウム、ＣＩＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳともいう）が挙げられる。あるいは、第１の半導体層３は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
【００１３】
ペロブスカイト系化合物とは、ペロブスカイト構造を有する化合物であり、例えばＣＨ３ＮＨ３ＰｂＸ３（Ｘはハロゲン元素である）等の有機無機複合材料が挙げられる。なお、有機無機複合材料とは、分子レベルで有機成分と無機成分とが複合された材料である。また、ＡＰｂＸ３（ＡはＣｓなどのアルカリ金属元素、Ｘはハロゲン元素である）のような有機物を含まない構造も、ペロブスカイト系化合物には含まれる。本開示に含まれる材料としては、Ｐｂを含み、ハロゲン元素でＸが構成されているペロブスカイト系化合物が好適に用いられる。さらには、Ｘで表したハロゲン元素は、２種類以上の元素が含まれても良く、ＣＨ３ＮＨ３などの有機物や、Ｃｓなどのアルカリ金属も、２種類以上の元素が含まれても良い。このように材料を多く混ぜることで、所望のバンドギャップや、耐熱性、耐電圧性が得られるようになり、タンデム化に適したペロブスカイト系太陽電池や、プロセスの自由度が高い、かつ長期信頼性に優れた太陽電池を得ることができるようになる。
【００１４】
第１の半導体層３は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第１の半導体層３の構成元素の錯体溶液を中間層３ａまたは下部電極層２の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。
【００１５】
中間層３ａは、下部電極層２と第１の半導体層３との界面に位置している。つまり、第１の半導体層３は中間層３ａを介して下部電極層２と電気的に接続されている。中間層３ａは、第１の半導体層３とは異なる結晶構造を有するｐ型の半導体から成り、第１の半導体層３よりもキャリア密度が高い。また、中間層３ａは３０〜２０００ｎｍ程度の厚みを有する。
【００１６】
このような構成によって、第１の半導体層３の光電変換によって生じたキャリアの再結合を低減し、光電変換装置１１の光電変換効率を向上させることができる。つまり、第１の半導体層３で電荷分離したキャリアに対し、中間層３ａによって強い電界をかけてキャリアを引き抜く効果を強めることができる。その結果、キャリアの再結合を低減して変換効率を高めることができる。
【００１７】
ここで、カルコパイライト系化合物およびペロブスカイト系化合物はドーパントの制御が難しく、欠陥の少ない状態でキャリア密度を所望の濃度に制御するのが難しい。そのため、第１の半導体層３のキャリア密度は、欠陥による再結合を顕在化させないように例えば１×１０１０〜９×１０１７ｃｍ−３程度以下としてもよい。そして、中間層３ａは、第１の半導体層３よりもキャリア密度が例えば１×１０１８〜９×１０１８ｃｍ−３と高くなっているので、電荷分離したキャリアを第１の半導体層３から引き抜き易くすることができる。このような中間層３ａとしては、欠陥の少ない状態でドーパントの制御が容易であるという観点から、第１の半導体層３とは異なる結晶構造を有するｐ型の半導体が用いられる。
【００１８】
このような中間層３ａとしては、ホウ素（Ｂ）等の他の元素をドーピングしたシリコン（Ｓｉ）を主として含む半導体等が挙げられる。なお、Ｓｉを主として含むとは、Ｓｉを７０ｍｏｌ％以上含むことをいう。また、他の中間層３ａとしては、第１の半導体層３と接合し易いセレン化亜鉛等の化合物半導体を用いてもよい。
【００１９】
中間層３ａは、蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法、スクリーン印刷法、塗布法、めっき法、スプレー塗布法、インクジェット塗布法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＰＶＤ法等の成膜方法を用いて作製することができる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、リフトオフ法、ディスペンサーを用いた塗布法、レーザスクライブ等のパターン形成法を組み合わせることによって、中間層３ａを所望のパターン形状にしてもよい。
【００２０】
第２の半導体層は、第１の半導体層３と異なるｎ型の導電型を有する半導体層であり、第１の半導体層３とｐｎ接合を形成する。第１実施形態の光電変換装置１１では、第２の半導体層がバッファ層４と上部電極層５との積層体である例を示すが、これに限定されず、１層だけでもよく、３層以上の積層体であってもよい。第２の半導体層が複数層から成る場合、その複数層のうちの少なくとも１層がｎ型であればよい。つまり、第２の半導体層は、ｎ型の半導体層とｉ型の半導体層の積層体であってもよく、ｎ型の半導体層の積層体であってもよい。
【００２１】
バッファ層４は、第１の半導体層３にヘテロ接合された、ｎ型またはｉ型の半導体層である。バッファ層４は、例えば５〜２００ｎｍの厚みを有している。バッファ層４としては、例えば、ＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３等の金属硫化物が用いられる。なお、バッファ層４は、このような金属硫化物に加えて、金属酸化物および金属水酸化物の少なくとも一方を含む混晶であってもよい。バッファ層４は、例えば溶液析出法（ＣＢＤ法）、ＡＬＤ法、ＭＯＣＶＤ法などで形成される。
【００２２】
また、第１の半導体層３がペロブスカイト系化合物を主として含む場合には、バッファ層４として、ｎ型の有機半導体を用いてもよい。このような有機半導体としては、フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）およびフラーレンＣ６０等のフラーレン誘導体等が挙げられる。バッファ層４として有機半導体を用いる場合、例えば、ＰＣＢＭ等を有機溶剤に溶解させ、この溶液を第１の半導体層３上に塗布した後、乾燥することによってバッファ層４を形成できる。もしくは、フラーレンＣ６０等を第１の半導体層３上に蒸着することによってバッファ層４を形成してもよい。また、第１の半導体層３またはバッファ層４に対して、後述する上部電極層５を形成する際のプロセスの影響を受けにくくするため、バッファ層４の上に、さらに保護用バッファ層を積層しても良い。この保護用バッファ層としては、酸化モリブデンおよび酸化タングステンなどが挙げられる。このような保護用バッファ層はスパッタリング法や蒸着法等で形成することができる。
【００２３】
上部電極層５は、ｎ型の半導体層であり、０．０５〜３．０μｍ程度の厚みの導電膜である。上部電極層５は、第１の半導体層３で生じたキャリアを良好に取り出すためのものであり、例えば、上部電極層５の電気抵抗率は１Ω・ｃｍ以下であり、シート抵抗は５０Ω／□以下であってもよい。
【００２４】
上部電極層５は、例えば、ＺｎＯやＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２等の金属酸化物を含み、電気抵抗率を低くするために、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、ＳｎおよびＦ等のうちの何れかの元素が含まれても良い。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＢＺＯ（Boron Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＦＴＯ（Fluorine tin Oxide）等がある。上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ法等で形成される。
【００２５】
また、バッファ層４としてｎ型の有機半導体を用いる場合、上部電極層５として、金、銀または銅等の金属を用いても良い。この場合、光が透過する程度に上部電極層５を薄くするか、あるいは、下部電極層２として光透過性の材料を採用するとともに、基板１側から第１の半導体層３に光が入射可能となるようにしてもよい。このように上部電極層５として金属を用い、基板１側から光が入射可能となるようにした場合、上部電極層５による光反射で光路長が延び、光吸収が改善されて変換効率が向上する。
【００２６】
また、図１、図２に示すように、上部電極層５上にさらに集電電極８が形成されていてもよい。集電電極８は、第１の半導体層３で生じたキャリアをさらに良好に取り出すためのものである。集電電極８は、例えば、図１に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体７にかけて線状に形成されている。これにより、第１の半導体層３で生じた電流が上部電極層５を介して集電電極８に集電され、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に良好に通電される。
【００２７】
集電電極８は、第１の半導体層３への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、５０〜４００μｍの幅を有していてもよい。また、集電電極８は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
【００２８】
集電電極８は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
【００２９】
図１、図２において、接続導体７は、第１の半導体層３、バッファ層４および上部電極層５を分断する溝Ｐ２内に設けられた導体である。接続導体７は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図１、図２においては、集電電極８を延伸して接続導体７が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層５が延伸したものであってもよい。
【００３０】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。以下に種々の変形例を示す。
【００３１】
＜第２実施形態の光電変換装置＞
図３は、第２実施形態の光電変換層２１の斜視図であり、図４はその断面図である。また、図５は、中間層２３ａおよび絶縁層２６の平面視構造を見やすくするため、光電変換装置２１における第１の半導体層２３およびそれよりも上側の部分を除いた状態における平面図である。第２実施形態の光電変換装置２１において、第１実施形態の光電変換装置１１と同じ構成のものには同じ符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００３２】
第２実施形態の光電変換装置２１における各光電変換セル２０は、中間層２３ａが下部電極層２を部分的に覆っており、下部電極層２の中間層２３ａに覆われていない部位上に絶縁層２６が位置している。そして、第１の半導体層２３は、中間層２３ａと絶縁層２６とに接合している。
【００３３】
このような構成によって、絶縁層２６がパッシベーション膜として機能し、バンドベンディングによる電界効果を生じさせることによって第１の半導体層２３の表面でのキャリアの再結合を低減できる。また、中間層２３ａを介して下部電極層２と第１の半導体層２３とが接合している部分においては、中間層２３ａが第１の半導体層３からキャリアを良好に取り出すことができる。以上の結果、光電変換装置２１の光電変換効率をさらに向上させることができる。
【００３４】
絶縁層２６は、図５に示すように、平面視において、複数のものが互いに間隔をあけて点在している。絶縁層２６は、このような構成に限定されず、例えば、複数の線状のものが互いに間隔をあけて並んだものであってもよい。
【００３５】
絶縁層２６は電気抵抗率が１Ω・ｍ以上のものが用いられ得る。このような絶縁層２６としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯおよびＴｉＯ２の等の金属酸化物またはポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂が挙げられる。
【００３６】
絶縁層６がＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯおよびＴｉＯ２の少なくとも一種を含む場合、下部電極層２と第１の半導体層２３との密着性を高めることができる。この場合、絶縁層６におけるＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯおよびＴｉＯ２の含有量は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯおよびＴｉＯ２の質量合計が絶縁層６の全質量の５０％以上となるようにするのが好ましい。下部電極層２と第１の半導体層２３との密着性および絶縁層２６の耐熱性をより高めるという観点からは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯおよびＴｉＯ２の質量合計が絶縁層６の全質量の７０％以上となるようにするのが好ましい。
【００３７】
また、絶縁層２６がポリイミド樹脂を含む場合、絶縁層２６の柔軟性が向上し、絶縁層２６のクラックなどによる絶縁不良（パッシベーション機能の低下）を低減させることが可能となる。更に、絶縁層２６が第１の半導体層２３と下部電極２との間の応力緩和層として作用し、第１の半導体層２３のクラックや剥離を軽減する役割もする。また、パターン形状の絶縁層２６を形成する際、インクジェット塗布法等で容易に行なうことができ、生産性も向上する。なお、絶縁層２６がポリイミド樹脂を含む場合、ポリイミド樹脂の質量合計が絶縁層２６の全質量の５０％以上となるようにするのが好ましい。絶縁層２６の柔軟性および耐熱性をより高めるという観点からは、ポリイミド樹脂の質量合計が絶縁層２６の全質量の７０％以上となるようにするのが好ましい。
【００３８】
また、絶縁層２６の厚みは１５〜２００ｎｍ程度であればよい。また、絶縁層２６によるパッシベーション機能とキャリアの取り出しとを良好に行なって光電変換効率をさらに高めるという観点からは、中間層２３ａと第１の半導体層２３との接合面積は、絶縁層２６と第１の半導体層２３との接合面積の０．０１〜２倍であってもよい。
【００３９】
絶縁層２６は、蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法、スクリーン印刷法、塗布法、めっき法、スプレー塗布法、インクジェット塗布法、ＡＬＤ法等の成膜方法を用いて作製することができる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、リフトオフ法、ディスペンサーを用いた塗布法、レーザスクライブ等のパターン形成法を組み合わせることによって、絶縁層２６を所望のパターン形状にすることができる。
【００４０】
絶縁層２６は、数量やサイズなどを場所によって変更しても良い。このようにすることで、第１の半導体層２３の組成や膜厚ムラなどに対応して再結合抑制の効果をさらに高めたり、抵抗成分を極力小さくすることで光電変換装置２１の変換効率を高めることができる。
【００４１】
＜第３実施形態の光電変換装置＞
図６は、第３実施形態の光電変換層３１の斜視図であり、図７はその断面図である。第３実施形態の光電変換装置３１において、第１実施形態の光電変換装置１１と同じ構成のものには同じ符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００４２】
第３実施形態の光電変換装置３１における各光電変換セル３０は、中間層３３ａと第１の半導体層３３との界面に、中間層３３ａを部分的に覆う絶縁層３６が位置している。そして、第１の半導体層３３は中間層３３ａと絶縁層３６とに接合している。
【００４３】
このような構成によって、絶縁層３６がパッシベーション膜として機能し、バンドベンディングによる電界効果を生じさせることによって第１の半導体層３３の表面でのキャリアの再結合を低減できる。また、絶縁層３６の非形成部においては、中間層３３ａが第１の半導体層３３からキャリアを良好に取り出すことができる。以上の結果、光電変換装置３１の光電変換効率をさらに向上させることができる。
【００４４】
また、第３実施形態の光電変換装置３１では、中間層３３ａを下部電極層２上の全面に形成した後、中間層３３ａの除去等のパターン加工をすることなく絶縁層３６を形成すればよいので、製造工程が簡略化できる。
【００４５】
絶縁層３６は、第２実施形態の光電変換装置２１における絶縁層２６と同様の構造および同様の材料とすることができる。
【符号の説明】
【００４６】
２、２ａ、２ｂ、２ｃ：下部電極層
３、２３、３３：第１の半導体層
３ａ、２３ａ、３３ａ：中間層
４：バッファ層
５：上部電極層
２６、３６：絶縁層
１１、２１、３１：光電変換装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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2016152857.tif 000011