(57)【要約】  実施形態によれば、金属の基材と、前記基材の上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた配線層と、を備え、前記絶縁層は、第１領域と、前記第１領域と前記基材の間に設けられた第２領域を含み、前記第１領域は、複数の第１微細構造体と、酸化ケイ素と、を含み、前記第２領域は、前記第１微細構造体よりも熱伝導率が高い複数の第２微細構造体と、酸化ケイ素と、を含む。
2016042788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属の基材と、
前記基材の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられた配線層と、
を備え、
前記絶縁層は、第１領域と、前記第１領域と前記基材の間に設けられた第２領域を含み、
前記第１領域は、複数の第１微細構造体と、酸化ケイ素と、を含み、
前記第２領域は、前記第１微細構造体の説伝導率よりも高い熱伝導率を有する複数の第２微細構造体と、酸化ケイ素と、を含む発光モジュール用基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記第１領域と前記第２領域の間に設けられた第３領域をさらに含み、
前記第３領域は、前記第１微細構造体と、前記第２微細構造体と、酸化ケイ素と、を含む請求項１記載の発光モジュール用基板。
【請求項３】
前記第１領域の反射率は前記第２領域の反射率よりも高く、
前記第２領域の熱伝導率は前記第１領域の熱伝導率よりも高い請求項１または２に記載の発光モジュール用基板。
【請求項４】
前記第１領域の熱伝導率は、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上３Ｗ／ｍ・Ｋ以下であり、前記第２領域の熱伝導率は、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上７Ｗ／ｍ・Ｋ以下である請求項１または２に記載の発光モジュール用基板。
【請求項５】
前記第１微細構造体は、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムの少なくともいずれかを含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光モジュール用基板。
【請求項６】
前記第２微細構造体は、窒化アルミニウムを含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光モジュール用基板。
【請求項７】
前記第１領域の全光線反射率の平均値は、９２％以上である請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光モジュール用基板。
【請求項８】
前記基材の熱膨張係数は前記第２領域の熱膨張係数よりも低く、前記第２領域の熱膨張係数は前記第１領域の熱膨張係数以下である請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光モジュール用基板。
【請求項９】
前記第１領域の前記第２領域に対する圧縮応力は、前記第２領域の前記第１領域に対する圧縮応力以上である請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光モジュール用基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光モジュール用基板と、
前記配線層と電気的に接続された発光素子と、
を備えた発光モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光モジュールと、
前記発光モジュールが搭載された照明装置部材と、
を備えた照明器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光モジュール用基板、発光モジュール及び照明器具に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、青色光を発光する半導体発光素子と、光の波長を変換する蛍光体と、を組み合わせて白色光を発光する発光装置（ＬＥＤモジュール）がある。このような発光装置は、投光器などの照明装置などに応用できる。発光装置において、効率の向上が求められる。ＬＥＤモジュールに用いられる基板において、効率を向上することが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２３８８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、効率を向上できる発光モジュール用基板、発光モジュール及び照明器具を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、金属の基材と、前記基材の上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた配線層と、を備え、前記絶縁層は、第１領域と、前記第１領域と前記基材の間に設けられた第２領域を含み、前記第１領域は、複数の第１微細構造体と、酸化ケイ素と、を含み、前記第２領域は、前記第１微細構造体よりも熱伝導率が高い複数の第２微細構造体と、酸化ケイ素と、を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、効率を向上できる発光モジュール用基板、発光モジュール及び照明器具が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する平面図である。
【図４】第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施形態に係る発光モジュール用基板を例示するグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。  
図１（ａ）は平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面の一部を例示する断面図である。  
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０（発光モジュール）は、発光部４０と、放熱部材５１と、熱伝導部材５２と、を含む。
【００１０】
放熱部材５１の上に、発光部４０が設けられる。放熱部材５１と発光部４０との間に、熱伝導部材５２が設けられる。
【００１１】
すなわち、放熱部材５１の上に熱伝導部材５２が設けられ、熱伝導部材５２の上に、発光部４０が設けられる。この例では、放熱部材５１の上に１つの発光部４０が設けられる。後述するように、１つの放熱部材５１の上に、複数の発光部４０が設けられても良い。
【００１２】
本願明細書において、上に設けられる状態は、直接的に上に設けられる状態の他に、間に別の要素が挿入される状態も含む。
【００１３】
放熱部材５１から発光部４０に向かう方向を積層方向とする。本願明細書において、積層される状態は、直接接して重ねられる状態の他に、間に別の要素が挿入されて重ねられる状態も含む。
【００１４】
積層方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの軸をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直で、Ｘ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１５】
図１（ｂ）に表したように、放熱部材５１は、例えば板状である。放熱部材５１の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。放熱部材５１の平面形状は、例えば矩形である。放熱部材５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。放熱部材５１の平面形状のコーナー部は、曲線状でも良い。放熱部材５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。放熱部材５１の縁部５１ｒは、例えば、曲線状でも良い。
【００１６】
放熱部材５１には、例えば、金属などの基板が用いられる。放熱部材５１には、例えば、銅やアルミニウムなどが用いられる。
【００１７】
発光部４０は、光を放出する。それと同時に、発光部４０は熱を発生する。熱伝導部材５２は、発光部４０で発生した熱を、放熱部材５１に効率良く伝導する。熱伝導部材５２には、例えば、はんだなどが用いられる。すなわち、熱伝導部材５２は、はんだを含む。この場合、熱伝導部材５２は、発光部４０と放熱部材５１とを接合する。例えば、熱伝導部材５２には、例えば、ＡｕＳｎ合金などが用いられる。熱伝導部材５２の厚さｔ５２は、例えば、１０μｍ（マイクロメートル）以下である。
【００１８】
熱伝導部材５２には、液体状または固体状の潤滑油（グリース）などを用いても良い。熱伝導部材５２には、潤滑油（グリース）よりもさらに熱伝導率を高めるために、シリコーンにアルミナなどの金属粉末を混合した導電性を有する潤滑油（導電性グリース）などを用いても良い。
【００１９】
発光部４０は、実装基板部１５（発光モジュール用基板）と、発光素子部３５と、を含む。
【００２０】
実装基板部１５は、基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。  
基板１０には、例えば、金属製の基板などが用いられる。例えば、基板１０は、ＡｌまたはＣｕ等を含む。基板１０には、ＡｌまたはＣｕ等の金属基板などが用いられる。  
基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。放熱部材５１は、基板１０の第２主面に対向している。換言すると、第２主面１０ｂは、放熱部材５１側の面である。
【００２１】
本願明細書において、対向している状態は、直接面している状態に加え、間に別の要素が挿入されている状態も含む。
【００２２】
第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒ（縁部１０ｕｅ）から離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。
【００２３】
第１金属層１１は、第１主面１０ａの側において、実装領域１６の上に設けられる。一方、第２金属層１２は、第２主面１０ｂの側に設けられる。  
実装基板部１５の例の詳細は、後述する。
【００２４】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。  
図２（ａ）は、基板１０の第１主面１０ａを例示する平面図である。図２（ｂ）は、第１金属層１１のパターンを例示する平面図である。図２（ｃ）は、第２金属層１２のパターンを例示する平面図である。
【００２５】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する平面図である。  図３（ａ）は、第１金属層１１のパターンを例示する平面図である。図３（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面の一部を例示する断面図である。図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面の一部を例示する断面図である。  
図３（ａ）〜図３（ｃ）に表したように、基板１０は、反射層８１と、熱伝導層８２と、を含む。
【００２６】
図３（ｂ）及び図３（ｃ）に表したように、熱伝導層８２は、基板１０の上（第１主面１０ａの上）に設けられる。基板１０と熱伝導層８２とは、例えば、酸素を介して化学結合される。これにより、高い接合強度が得られる。  
熱伝導層８２は、ガラス（ＳｉＯ２）を主成分とする。すなわち、熱伝導層８２は、ガラス層（ＳｉＯ２）８２ａを含む。熱伝導層８２は、例えば、反射層８１と比較して高熱伝導層である。熱伝導層８２は、例えば、窒化アルミニウム（例えば、ＡｌＮ）を含むセラミックスフィラー（第１セラミックスフィラー８２ｂ）を含む。ガラス（ＳｉＯ２）層中に、窒化アルミニウムを含む複数の第１セラミックスフィラー８２ｂが分散される。
【００２７】
ガラス（ＳｉＯ２）層中に窒化アルミニウムを含む複数の第１セラミックスフィラー８２ｂが分散されることで、高い熱伝導率が得られる。熱伝導層８２の熱伝導率は、例えば、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上７Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。
【００２８】
熱伝導層８２の厚さｔ８２は、例えば、２０μｍ以上１００μｍ以下である。高熱伝導性および剥離しにくさを考慮すると、３０μｍ以上６０μｍ以下であることが、さらに好ましい。熱伝導層８２の耐電圧は、例えば、０．２ｋＶ以上７ｋＶ以下である。０．５ｋＶ以上５ｋＶ以下であることが、さらに好ましい。
【００２９】
熱伝導層８２は、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とを含む。第２領域Ｒ２の上に、第１金属層１１が設けられる。第２領域Ｒ２は、実装領域１６の一部に対応する。第１領域Ｒ１は、実装領域１６に含まれる。第１領域Ｒ１は、周辺領域１７に含まれても良い。
【００３０】
図３（ａ）〜図３（ｃ）に表したように、反射層８１は、熱伝導層８２の上に設けられる。例えば、反射層８１は、熱伝導層８２（基板１０）の第１領域Ｒ１の上に設けられる。反射層８１は、実装領域１６の上だけでなく、周辺領域１７の上に設けられても良い。
【００３１】
一方、配線層（第１金属層１１）は、第２領域Ｒ２の上に設けられる。配線層の一部の上に、反射層８１の一部が位置しても良い。反射層８１の一部の上に、配線層の一部が位置しても良い。
【００３２】
反射層８１と熱伝導層８２とは、例えば、酸素を介して化学結合されても良い。これにより、高い接合強度が得られる。
【００３３】
反射層８１は、ガラス（ＳｉＯ２）を主成分とする。このため、反射層８１は、熱や光によって劣化しにくい。反射層８１は、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）のセラミックスフィラー（第２セラミックスフィラー８１ｂ）を含む。これにより、反射層８１は、例えば、高い反射率が得られる。
【００３４】
反射層８１において、安定性の高いガラス（ＳｉＯ２）を用い、その中に、ガラス（ＳｉＯ２）とは異なる屈折率を有する第２セラミックスフィラー８１ｂを分散することで、高い反射率が得られる。反射層８１の全光線反射率の平均値は、例えば、８５％以上である。９２％以上であることが、さらに好ましい。全光線反射率は、正反射率と拡散反射率との和である。例えば、３８０ｎｍ（ナノメートル）以上７８０ｎｍ以下の波長を対象とする。
【００３５】
反射層８１の熱伝導率は、例えば、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上３Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。反射層８１の耐電圧は、例えば、０．２ｋＶ以上７ｋＶ以下である。０．５ｋＶ以上５ｋＶ以下であることが、さらに好ましい。
【００３６】
反射層８１の厚さｔ８１は、例えば、２０μｍ以上１００μｍ以下である。高反射性および剥離しにくさを考慮すると、３０μｍ以上６０μｍ以下であることが、さらに好ましい。
【００３７】
上述したように、熱伝導層８２は、高熱伝導性を確保するためには３０μｍ以上が望ましく、剥離しにくくするためには６０μｍ以下が望ましい。また、上述したように、反射層８１は、高反射性を確保するためには３０μｍ以上が望ましく、剥離しにくくするためには６０μｍ以下が望ましい。  
従って、熱伝導層８２の厚さと反射層８１の厚さとの総和は、好ましくは、６０μｍ以上１２０μｍ以下である。これにより、高い反射率を得る。高い熱伝導率を得る。高い絶縁性を得る。剥離を抑制できる。
【００３８】
このように、実施形態に係る発光モジュール用基板（実装基板部１５）は、金属製の基材（基板１０）と、基材の上に設けられガラス層８２ａと第２セラミックフィラー８２ｂを含む熱伝導層８２と、熱伝導層８２の上に設けられガラス層８１ａと第１セラミックフィラー８１ｂとを含む反射層８１と、反射層８１の上に設けられた配線層（第１金属層１１など）と、を含む。熱伝導層８２により、基板１０及び熱伝導層８２において、高い伝導率が得られる。反射層８１において、高い信頼性と、高い反射率が得られる。実施形態によれば、熱による効率の低下が抑制でき、高い光取り出し効率が得られる。効率を向上できる発光モジュール用基板及び発光モジュールが提供できる。
【００３９】
近年、ＬＥＤの高効率化に伴い、光取り出し効率の向上が求められている。反射性のレジストを用いて基板表面の全光線反射率を向上させる技術がある。このレジストには例えば、ポリイミドなどの有機系レジストが用いられる。しかし、有機系レジストにおいては、熱や光による劣化が生じやすい。
【００４０】
実施形態においては、ガラス層８１ａと第１セラミックスフィラー８１ｂとを含む反射層８１を用いる。これにより、熱や光による劣化が抑制でき、高い信頼性が得られる。実施形態においては、高い反射率による高い光取り出し効率と、高い信頼性と、が提供される。
【００４１】
実施形態においては、ガラス層８２ａと、熱伝導性の高い第２セラミックスフィラー８２ｂと、を含む熱伝導層８２を設ける。これにより、高い伝導率が得られる。熱による効率低下の少ない発光モジュールが提供される。
【００４２】
第１金属層１１及び第２金属層１２の例について説明する。  
図１（ｂ）に示したように、既に説明したように、第１金属層１１は、第１主面１０ａ上に設けられる。第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれか２つ以上は、互いに離間している。例えば、複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれかは、島状である。複数の実装パターン１１ｐの２つは、互いに独立している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。例えば、実装パターン１１ｐの設けられている領域が、第２領域Ｒ１に対応する。
【００４３】
複数の実装パターン１１ｐのそれぞれは、例えば、第１実装部分１１ａと、第２実装部分１１ｂと、を含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとの間に設けられ、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとを繋ぐ。これらの実装部分の例については、後述する。
【００４４】
第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含んでも良い。この例では、第１金属層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのその１つとは別の１つと電気的に接続される。後述するように、１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子が配置される。この半導体発光素子により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子が配置される。この半導体発光素子により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。  
この例では、発光部４０は、第１主面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。この例では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光素子部３５が配置される。これらのコネクタを介して、発光部４０に電力が供給される。
【００４５】
図１（ｂ）に示したように、第２金属層１２は、第２主面１０ｂ上に設けられる。第２金属層１２は、第１金属層１１と電気的に絶縁されている。第２金属層１２の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面（第１主面１０ａに対して平行な第１平面）に投影したときに、実装領域１６と重なる。
【００４６】
このように、基板１０の上面（第１主面１０ａ）に第１金属層１１が設けられ、基板１０の下面（第２主面１０ｂ）に第２金属層１２が設けられる。
【００４７】
発光素子部３５は、基板１０の第１主面１０ａ上に設けられる。発光素子部３５は、複数の半導体発光素子２０と、封止層３０と、を含む。発光素子部３５の上面３５ｕは、例えば、平面である。封止層３０として、波長変換層３１が用いられる。
【００４８】
複数の半導体発光素子２０は、第１主面１０ａ上に設けられる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。半導体発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。半導体発光素子２０は、例えば、ＩｎｙＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）を含む。ただし、実施形態において、半導体発光素子は任意である。
【００４９】
複数の半導体発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂなどを含む。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。
【００５０】
例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。
【００５１】
例えば、複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。
【００５２】
第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、積層方向（放熱部材５１から発光部４０に向かうＺ軸方向）に対して交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。
【００５３】
第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと実装基板部１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。  
半導体発光素子２０は、例えばフリップチップ型のＬＥＤである。
【００５４】
例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分１１ａと対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分１１ｂと対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、第１実装部分１１ａと電気的に接続される。第２半導体層２２が、第２実装部分１１ｂと電気的に接続される。この接続には、例えば、はんだや金バンプなどが用いられる。この接続は、例えば、金属溶融はんだ接合により行われる。または、この接続は、例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着法により行われる。
【００５５】
すなわち、例えば、発光素子部３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、をさらに含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分１１ａ）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、実装基板部１５に伝えることができ、放熱性が高まる。
【００５６】
封止層３０（波長変換層３１）は、複数の半導体発光素子２０の少なくとも一部を覆う。波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。第２光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）とは、異なる。波長変換層３１には、例えば、蛍光体などの複数の波長変換粒子と、複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。第１光は、例えば青色光を含む。第２光は、第１光よりも波長が長い光を含む。第２光は、例えば、黄色光及び赤色光の少なくともいずれかを含む。
【００５７】
波長変換層３１の光透過性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂が用いられる。  
封止層３０として、ガラス（ＳｉＯ２）などの光透過性の無機材を用いても良い。
【００５８】
この例では、発光素子部３５は、光反射性の壁部３２をさらに含む。壁部３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。壁部３２には、例えば、金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。金属酸化物などの粒子は、光反射性を有する。この金属酸化物などの粒子として、例えば、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の少なくともいずれか用いることができる。壁部３２を設けることで、半導体発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。
【００５９】
発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。
【００６０】
本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の光束発散度は、１０ルーメン／平方ミリメートル（ｌｍ／ｍｍ２）以上、１００ルーメン／平方ミリメートル以下である。望ましくは、２０ルーメン／平方ミリメートル以上である。すなわち、本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の発光面積に対する比（光束発散度）が、非常に高い。本願明細書においては、発光面積は、実質的に実装領域１６の面積に対応する。
【００６１】
本実施形態に係る発光装置１１０は、例えば、投光器などに利用される。
【００６２】
図１（ｂ）に表したように、発光装置１１０は、例えば、照明装置部材７１の上に配置される。図１（ａ）では、この照明装置部材７１は、省略されている。照明装置部材７１は、照明装置の一部である。照明装置部材７１と発光装置１１０との間に、照明装置用接続部材５３が設けられる。照明装置用接続部材５３には、例えば、はんだ、または、グリースなどが用いられる。例えば、発光装置１１０の熱は、照明装置用接続部材５３により、照明装置部材７１に伝導されて、放熱される。
【００６３】
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、発光装置１１０を含む照明装置２１０（照明器具）の構成の例も表している。照明装置２１０は、照明装置部材７１と、発光装置１１０と、を含む。発光装置１１０は、照明装置部材７１の上に設けられる。照明装置２１０は、照明装置用接続部材５３をさらに含んでも良い。照明装置用接続部材５３は、照明装置部材７１と発光装置１１０との間に設けられ、発光装置１１０の放熱部材５１と、照明装置部材７１と、に接する。照明装置用接続部材５３は、発光装置１１０に含めても良い。
【００６４】
本実施形態に係る発光装置１１０においては、放熱部材５１をＸ−Ｙ平面（第１平面）に投影したときに、放熱部材５１は、実装領域１６の面積の５倍以上の面積を有する。
【００６５】
すなわち、本実施形態においては、実装領域１６の面積に対して、放熱部材５１の面積が非常に大きく設定されている。これにより、実装領域１６の上に設けられた発光素子部３５で生じる熱を、面積の大きい放熱部材５１により、面内方向（Ｘ−Ｙ面内方向）に広げる。そして、面内方向に拡がった熱が、例えば、発光装置１１０が取り付けられる照明装置部材７１に向けて、伝達され、効率良く放熱される。
【００６６】
実装領域１６、第１金属層１１及び第２金属層１２の例について説明する。  
図２（ａ）に表したように、第１主面１０ａは、実装領域１６と、周辺領域１７と、を有する。この例では、実装領域１６のパターンは、実質的に円形である。実装領域１６の中心は、基板１０の中心に略一致するように設けられている。周辺領域１７は、実装領域１６の周辺の領域である。
【００６７】
周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積よりも大きい。周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積の４倍以上である。周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積の９倍以下であることが好ましい。
【００６８】
例えば、第１主面１０ａに対して平行で実装領域１６の中心を通る１つの方向（例えばＸ軸方向）に沿った、第１主面１０ａの端（外縁１０ｒ）と、実装領域１６との間の距離（最短距離）は、上記の中心を通る方向（Ｘ軸方向）に沿った実装領域１６の幅の１／２以上である。例えば、Ｘ軸方向に沿った外縁１０ｒと、実装領域１６との間の距離１７ｘａ（最短距離）は、実装領域１６の幅１６ｘの１／２以上である。例えば、Ｘ軸方向に沿った外縁１０ｒと、実装領域１６との間の距離１７ｘｂ（最短距離）は、実装領域１６の幅１６ｘの１／２以上である。例えば、Ｙ軸方向に沿った外縁１０ｒと、実装領域１６との間の距離１７ｙａ（最短距離）は、実装領域１６の幅１６ｙの１／２以上である。例えば、Ｙ軸方向に沿った外縁１０ｒと、実装領域１６との間の距離１７ｙｂ（最短距離）は、実装領域１６の幅１６ｙの１／２以上である。
【００６９】
これにより、周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積よりも大きくなる。熱が発生する実装領域１６の面積よりも、周辺領域１７の面積を大きくすることで、発生した熱は、面内方向に沿って効率良く広がる。これにより放熱性が高まる。
【００７０】
図２（ｂ）に表したように、第１金属層１１の一部である複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６内に設けられる。この例では、複数の実装パターン１１ｐは、円形の領域内に設けられている。換言すると、複数の実装パターン１１ｐが設けられている領域が、実装領域１６となる。実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの複数の実装パターン１１ｐを内包する領域である。複数の実装パターン１１ｐどうしの間の領域は、実装領域１６に含まれる。複数の実装パターン１１ｐのうちの外側に配置される実装パターン１１ｐの外縁を最短距離で繋いだ線の内側が、実装領域１６となる。
【００７１】
図２（ｂ）に表したように、光束発散度を高めるために、複数の実装パターン１１ｐは、例えば、略円形の領域内に配置される。この場合には、実用的には、複数の実装パターン１１ｐを内包する略円形の領域を実装領域１６として用いても良い。
【００７２】
実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの、複数に実装パターン１１ｐが設けられる領域を含む。実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの、接続部４４、第１コネクタ用電極部４５ｅ及び第２コネクタ用電極部４６ｅが設けられる領域を含まない。この領域は、周辺領域１７に含まれる。
【００７３】
既に説明したように、図２（ｂ）に例示したように、複数の実装パターン１１ｐの一部は、互いに独立している。互いに隣接する独立した２つの実装パターン１１ｐは、それらの上に配置される半導体発光素子２０により電気的に接続される。複数の半導体発光素子２０の一部は、例えば、直列に接続される。直列に接続された複数の半導体発光素子２０は、例えば、Ｘ軸方向に沿って並ぶ。
【００７４】
さらに、例えば、複数の実装パターン１１ｐの２つは、接続部４４により接続される。これにより、直列に接続された複数の半導体発光素子２０の群が、さらに接続される。Ｘ軸に沿って並び直列に接続された複数の半導体発光素子の群が、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。直列に接続された複数の半導体発光素子の群は、互いに並列に接続される。
【００７５】
さらに、実装パターン１１ｐは、配線パターン４４ｃを介して、第１コネクタ用電極部４５ｅまたは第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。第１コネクタ用電極部４５ｅの上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ用電極部４６ｅの上に設けられた第２コネクタ４６と、を介して、実装パターン１１ｐに電流が供給される。その電流が半導体発光素子２０に供給され、光が生じる。
【００７６】
図２（ｃ）に表したように、第２金属層１２の面積は、大きく設計される。第２金属層１２の面積は、実装領域１６の面積よりも大きい。例えば、Ｘ−Ｙ平面（積層方向に対して平行な第１平面）に投影した第２金属層１２の面積は、第２主面１０ｂの面積の９５％以上である。第２金属層１２の面積を大きくすることで、熱の放熱の効率が高まる。
【００７７】
熱伝導部材５２の平面パターンは、実質的に第２金属層１２のパターンに沿っている。第２金属層１２の面積を大きくすることで、熱伝導部材５２の面積を広げることができる。これにより、熱伝導部材５２を介した熱伝導の効率が向上できる。
【００７８】
例えば、Ｘ−Ｙ平面（第１平面）に投影したときの第２金属層１２の外縁１２ｒは、実装領域１６の外縁１６ｒの外側に位置する。
【００７９】
Ｘ−Ｙ平面（第１平面）に投影したときの第２金属層１２の面積は、実装領域１６の面積より小さくても良い。この場合においても、Ｘ−Ｙ平面（第１平面）に投影したときの第２金属層１２の面積は、実装領域１６の面積の８０％よりも大きい。これよりも小さいと、放熱の効率が低くなる。
【００８０】
図４は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図４は、発光部４０の一部を例示している。
【００８１】
図４に表したように、第１金属層１１は、銅層１３ａ（Ｃｕ層）を含む。第１金属層１１は、金層１３ｄ（Ａｕ層）をさらに含んでも良い。銅層１３ａは、金層１３ｄと基板１０との間に設けられる。この例では、第１金属層１１は、銅層１３ａと金層１３ｄの間に設けられたニッケル層１３ｂ（Ｎｉ層）と、ニッケル層１３ｂと金層１３ｄとの間に設けられたパラジウム層１３ｃ（Ｐｄ層）と、をさらに含んでいる。このように、この例では、第１金属層１１は、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの積層構造を有している。  
第１金属層１１は、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｈ及びＡｌの少なくともいずれかを含む合金材料を用いてもよい。これにより、第１金属層１１の反射率が向上する。
【００８２】
一方、第２金属層１２は、銅層１４ａを含む。第２金属層１２は、金層１４ｄをさらに含んでも良い。銅層１４ａは、金層１４ｄと基板１０との間に設けられる。この例では、第２金属層１２は、銅層１４ａと金層１４ｄの間に設けられたニッケル層１４ｂと、ニッケル層１４ｂと金層１４ｄとの間に設けられたパラジウム層１４ｃと、をさらに含んでいる。このように、この例では、第２金属層１２は、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの積層構造を有している。
【００８３】
上記において、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び金層のそれぞれの間の境界が明確でない場合がある。これらの層の一部が、混合された状態（例えば合金状態）を有していても良い。
【００８４】
第２金属層１２には、例えば、第１金属層１１の材料と同じ材料を用いることができる。第２金属層１２には、第１金属層１１の積層構造と同じ積層構造を適用できる。これにより、これらの金属層の形成が容易になる。実施形態において、第２金属層１２の構成は、第１金属層１１の構成と異なっても良い。
【００８５】
第１金属層１１の厚さｔ１１は、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、例えば、４０μｍ以上６０μｍ以下である。第２金属層１２の厚さｔ１２は、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、例えば、４０μｍ以上６０μｍ以下である。
【００８６】
第１金属層１１の銅層１３ａ及び第２金属層１２の銅層１４ａは、例えば、電解めっきにより形成できる。銅層１３ａの厚さ、及び、銅層１４ａの厚さのそれぞれは、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、例えば、約５０μｍである。
【００８７】
ニッケル層１３ｂ、パラジウム層１３ｃ及び金層１３ｄは、例えば、無電解めっきにより形成される。ニッケル層１４ｂ、パラジウム層１４ｃ及び金層１４ｄは、例えば、電解めっきにより形成される。
【００８８】
ニッケル層１３ｂの厚さ及びニッケル層１４ｂの厚さのそれぞれは、例えば、２μｍ以上８μｍ以下であり、例えば、約４．５μｍである。パラジウム層１３ｃの厚さ及びパラジウム層１４ｃの厚さのそれぞれは、例えば、０．０７５μｍ以上０．２μｍ以下であり、例えば、約１μｍである。金層１３ｄの厚さ及び金層１４ｄの厚さのそれぞれは、例えば、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であり、例えば、約０．１μｍである。
【００８９】
第１金属層１１の少なくとも一部、及び、第２金属層１２の少なくとも一部を無電解めっきにより形成することで、第１金属層１１の側面、及び、第２金属層１２の側面を、実質的に垂直にできる。
【００９０】
例えば、第１主面１０ａに対して垂直な平面（例えば、Ｙ−Ｚ平面などの第２平面）で切断したときの第１金属層１１の側面１１ｓは、積層方向（Ｚ軸方向）に対してほぼ平行にできる。第１金属層１１の側面１１ｓと、第１主面１０ａと、の間の角度θは、例えば、８０度以上９５度以下である。角度θは、例えば、８５度以上であることがさらに好ましい。
【００９１】
もし、この角度θが小さい場合は、第１金属層１１の一部である実装パターン１１ｐの実装のための面積（例えば上面の面積）に対して、実装パターン１１ｐの下面の面積が、過度に大きくなってしまう。このため、基板１０の上面（第１主面１０ａ）のうちで、実装パターン１１ｐで覆われてしまう部分の割合が高くなる。このため、実装領域１６の全体としての反射率を高くすることが困難になる。
【００９２】
第１金属層１１の側面１１ｓと、第１主面１０ａと、の間の角度θを８０度以上９５度以下にすることで、基板１０の上面（第１主面１０ａ）のうちで、実装パターン１１ｐで覆われてしまう部分の割合を低くできる。これにより、実装領域１６の全体としての反射率を十分に高くすることができる。これにより、光束発散度を向上できる。
【００９３】
第１金属層１１の断面のコーナー部の曲率は、比較的高い。すなわち、曲率半径が小さい。第１金属層１１の断面は矩形に近く、すなわち、側面１１ｓは垂直に近い。例えば、第１金属層１１は、Ｘ−Ｙ平面（第１平面）に対して平行な上面１１ｕをさらに有する。第１金属層１１の上面１１ｕと、第１金属層１１の側面１１ｓと、を繋ぐコーナー部１１ｓｕの曲率半径は、１０μｍ以下である。これにより、実装パターン１１ｐの実装のため面積（例えば実装パターン１１ｐの上面１１ｕの面積）に対して、実装パターン１１ｐの下面の面積を小さくできる。これにより、実装領域１６の全体としての反射率を高くして、光束発散度を向上できる。
【００９４】
この例では、波長変換層３１の一部は、複数の半導体発光素子２０のいずれかと、基板１０と、の間の位置１１ｇ（スペース）に配置されている。位置１１ｇは、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装パターン１１ｐａ）と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間の位置である。この位置１１ｇ（スペース）にも波長変換層３１の一部が配置されることで、半導体発光素子２０から放出される第１光を効率良く波長変換層３１で第２光に変換できる。位置１１ｇ（スペース）には、透明の樹脂や、他の蛍光体材料を含む波長変換部材を、別途、配置してもよい。
【００９５】
波長変換層３１の一部を上記の位置１１ｇ（スペース）に配置するために、位置１１ｇを含む空間を大きくするようにしても良い。例えば、半導体発光素子２０と基板１０との間のギャップを大きくする。例えば、Ｚ軸方向（放熱部材５１から発光部４０に向かう積層方向）に沿った、複数の半導体発光素子２０のいずれかと、基板１０と、の間の距離ｔｇは、比較的長く設定される。例えば、距離ｔｇは、複数の半導体発光素子２０のＺ軸方向に沿った厚さｔ２０（高さ）の１／１０以上である。
【００９６】
例えば、半導体発光素子２０の高さ（Ｚ軸方向に沿った厚さｔ２０）は、例えば、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、例えば３００μｍである。距離ｔｇは、例えば、４０μｍ以上１１０μｍ以下であり、例えば６０μｍである。第１金属層１１の厚さｔ１１を厚くすることで、距離ｔｇを長くすることができる。
【００９７】
実施形態において、基板１０の厚さｔ１０は、例えば、例えば、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、例えば０．６３５ｍｍである。基板１０の厚さｔ１０が０．３ｍｍ未満だと、例えば、基板１０の機械的強度が弱くなる。基板１０の厚さｔ１０が２ｍｍを超えると、例えば、半導体発光素子２０（発光素子部３５）で発生する熱の、放熱部材５１への伝導の効率が低くなる。
【００９８】
図４に例示したように、波長変換層３１は、蛍光体などの複数の波長変換粒子３１ａと、複数の波長変換粒子３１ａが分散された光透過性樹脂３１ｂと、を含む。波長変換粒子３１ａは、複数の半導体発光素子２０から放出される第１光の少なくとも一部を吸収し第１光の波長とは異なる波長の第２光を放出する。
【００９９】
上記の各実施形態に係る発光装置は、例えば、投光器などの照明装置として利用することができる。
【０１００】
上記の実施形態において、封止層３０として、ガラス（ＳｉＯ２）などの光透過性の無機材を用いても良い。封止層３０にガラスを用いると、反射層８１もガラスを主成分とするため、熱膨張率差を小さくできるとともに、密着性を良くすることができる。
【０１０１】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図５は、図３（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面の一部に相当する部分を例示する。
図５に示すように、本実施形態に係る実装基板部（発光モジュール用基板１５）は、金属の基材（基板１０）と、基材の上に設けられた絶縁層８０と、絶縁層８０の上に設けられた配線層（第１金属層１１）と、を含む。
【０１０２】
絶縁層８０は、第１領域８１ｒと、第１領域８１ｒと基材の間に設けられた第２領域８２ｒを含む。この例では、絶縁層８０は、第３領域８３ｒをさらに含む。第３領域８３ｒは、第１領域８１ｒと第２領域８２ｒとの間に設けられる。
【０１０３】
第１領域８１ｒは、複数の第１微細構造体８１ｘａと、酸化ケイ素８１ｘｓと、を含む。
【０１０４】
第２領域８２ｒは、複数の第２微細構造体８２ｘａと、酸化ケイ素８２ｘｓと、を含む。第２微細構造体８２ｘａの熱伝導率は、第１微細構造体８１ｘａの熱伝導率が高い。
【０１０５】
例えば、第１微細構造体８１ａは、酸化ジルコニウムを含む。第１微細構造体８１ａは、酸化アルミニウムを含んでも良い。
【０１０６】
例えば、第２微細構造体８２ａは、窒化アルミニウムを含む。
【０１０７】
例えば、第１領域８１ｒは、反射層８１の少なくとも一部である。第１微細構造体８１ｘａは、第２セラミックスフィラー８１ｂに対応する。酸化ケイ素８１ｘｓは、ガラス層８１ａに対応する。
【０１０８】
例えば、第２領域８２ｒは、熱伝導層８２の少なくとも一部である。第２微細構造体８２ｘａは、第１セラミックスフィラー８１ａに対応する。酸化ケイ素８２ｘｓは、ガラス層８２ａに対応する。
【０１０９】
第１領域８１ｒの反射率は、第２領域８２ｒの反射率よりも高い。第２領域８２ｒの熱伝導率は、第１領域８１ｒの熱伝導率よりも高い。
【０１１０】
第１領域８１ｒの熱伝導率は、例えば、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上３Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。第２領域８２ｒの熱伝導率は、例えば、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上７Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。
【０１１１】
第３領域８３ｒは、第１微細構造体８１ｘａと、第２微細構造体８２ｘａと、酸化ケイ素８３ｘｓと、を含む。第３領域８３ｒは、第１微細構造体８１ｘａ及び第２微細構造体８２ｘａを含む混合領域である。
【０１１２】
実施形態において、第３領域８３ｒは設けられなくても良い。すなわち、第２領域８２ｒは、第１領域８１ｒと接しても良い。
【０１１３】
例えば、第１領域８１ｒの主成分は、酸化ケイ素である。第２領域８２ｒの主成分は、酸化ケイ素である。第３領域８３ｒの主成分は、酸化ケイ素である。
【０１１４】
上記以外の構成は、第１の実施形態に係る実装基板部と同様なので説明を省略する。
【０１１５】
第１微細構造体８１ｘａの粒径は、例えば、０．７μｍ以上２μｍ（例えば約１μｍ）である。第１微細構造体８１ｘａは、例えば、球状である。第２微細構造体の粒径は、例えば、０．２μｍ以上１μｍ以下（例えば約０．７μｍ）である。第２微細構造体は、例えば、球状である。
【０１１６】
例えば、第１領域８１ｒの厚さは、例えば３０μｍ以上６０μｍ以下（例えば約４５μｍ）である。第２領域８２ｒの厚さは、例えば、３０μｍ以上６０μｍ以下（例えば約４５μｍ）である。第３領域８３ｒの厚さは、約５μｍ以上２０μｍ以下（例えば約１０μｍ以下）である。
【０１１７】
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施形態に係る発光モジュール用基板を例示するグラフ図である。  
図６（ａ）は、第１領域８１ｒ、第２領域８２ｒ及び第３領域８３ｒにおける第１微細構造体８１ｘａ８２ｘａの濃度を例示している。  
図６（ｂ）は、第１領域８１ｒ、第２領域８２ｒ及び第３領域８３ｒにおける第２微細構造体８２ｘａの濃度を例示している。
【０１１８】
これらの図の横軸は、Ｚ軸方向の位置である。図６（ａ）の縦軸は、第１微細構造体８１ａの濃度Ｃ１（相対値）である。図６（ｂ）の縦軸は、第２微細構造体８２ｘａの濃度Ｃ２（相対値）である。
【０１１９】
本実施形態に係る実装基板部１５において、第１領域８１、第２領域８２ｒ及び第３領域８３ｒの相互の界面は、観察される場合と、観察されない場合がある。界面が実質的に明確に設けられない場合には、絶縁層８０は、実質的に一体的である。例えば、第１領域８１ｒの酸化ケイ素８１ｘｓと、第３領域８３ｒの酸化珪素８３ｘｓと、は一体的である。第２領域８２ｒの酸化珪素８２ｘｓと、第３領域８３ｒの酸化珪素８３ｘｓと、は一体的である。これにより、これらの領域が熱応力などによって剥離することが抑制される。第３領域８３ｒが設けられない場合は、第１領域８１ｒと第２領域８２ｒとが一体的である。第１領域８１ｒと第２領域８２ｒとが熱応力などによって剥離することが抑制される。
【０１２０】
第２領域８２ｒにおいて、高い伝導率が得られる。第１領域８１ｒにおいて、高い信頼性と、高い反射率が得られる。第１領域８１ｒの全光線反射率の平均値は、例えば、９２％以上である。実施形態によれば、熱による効率の低下が抑制でき、高い光取り出し効率が得られる。効率を向上できる発光モジュール用基板が提供できる。
【０１２１】
実施形態において、例えば、反射層８１（例えば第１領域８１ｒ）の熱膨張係数は、熱伝導層８２（例えば第２領域８２ｒ）の熱膨張係数以下である。熱伝導層８２の熱膨張係数は、基板１０の熱膨張係数未満である。例えば、基板１０、反射層８１及び熱伝導層８２のそれぞれの熱膨張係数（熱膨張率）は、反射層８１≦熱伝導層８２＜基板１０の関係を満たす。この関係は、例えば、発光装置１１０の点灯時の温度以下の条件において、満たされる。
【０１２２】
実施形態において、反射層８１（例えば第１領域８１ｒ）の熱伝導層８２（例えば第２領域８２ｒ）に対する圧縮応力は、熱伝導層８２の反射層８１に対する圧縮応力以上である。例えば、反射層８１は、圧縮応力を受ける。この圧縮応力は、例えば、基板１０からの応力である。熱伝導層８２は、圧縮応力を受ける。この圧縮応力は、例えば、反射層８１からの応力である。応力により、熱伝導層８２においてクラックが抑制される。
【０１２３】
例えば、反射層８１は、窒化シリコン及び窒化アルミニウムの少なくともいずれかを含む。一方、基板１０として金属が用いられる。これにより、反射層８１の熱膨張係数は、基板１０の熱膨張係数よりも低くなる。例えば、熱伝導層８２は、例えば、窒化シリコン及び窒化アルミニウムの少なくともいずれかを含む。これにより、熱伝導層８２の熱膨張係数は、基板１０の熱膨張係数よりも低くなる。
【０１２４】
本実施形態に係る実装基板部は、第１の実施形態に関して説明した発光装置１１０（発光モジュール）及び照明装置２１０（照明装置）に適用できる。
【０１２５】
実施形態によれば、効率を向上できる発光モジュール用基板、発光モジュール及び照明器具が提供される。
【０１２６】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１２７】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれる発光部、実装基板部、発光素子部、基板、第１金属層、第２金属層、半導体発光素子、波長変換層、壁部、放熱部材、熱伝導層、反射層及び熱伝導層、並びに、照明装置に含まれる照明装置部材などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１２８】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１２９】
その他、本発明の実施の形態として上述した発光モジュール用基板、発光モジュール及び照明器具を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光モジュール用基板、発光モジュール及び照明器具も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１３０】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１３１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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