(57)【要約】  ヒータは、セラミックスからなる基体と、該基体の表面に設けられた発熱抵抗体層と、該発熱抵抗体層上に積層された導電層と、該導電層上に設けられた、一対の貫通孔を有する板状部材と、ワイヤからなり、該ワイヤが前記一対の貫通孔の一方から他方に挿通され、前記板状部材の前記導電層側と反対側で一体化されており、かつ前記導電層と電気的に接続された接続端子とを備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなる基体と、該基体の表面に設けられた発熱抵抗体層と、該発熱抵抗体層上に積層された導電層と、該導電層上に設けられた、一対の貫通孔を有する板状部材と、ワイヤからなり、該ワイヤが前記一対の貫通孔の一方から他方に挿通され、前記板状部材の前記導電層側と反対側で一体化されており、かつ前記導電層と電気的に接続された接続端子とを備えるヒータ。
【請求項２】
前記板状部材がセラミックスからなる請求項１に記載のヒータ。
【請求項３】
前記接続端子は、前記ワイヤが縒り合されて一体化されている請求項１または請求項２に記載のヒータ。
【請求項４】
前記板状部材は、前記導電層側の面に前記一対の貫通孔間にわたる溝を有するとともに、前記接続端子のうち前記導電層と前記板状部材との間に位置する前記ワイヤが前記溝に配置されている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のヒータ。
【請求項５】
前記板状部材は、前記貫通孔と前記溝との間の角部に面取り部が設けられている請求項４に記載のヒータ。
【請求項６】
前記一対の貫通孔の内部にそれぞれ導電性接着剤が設けられている請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のヒータ。
【請求項７】
前記一対の貫通孔の内部および前記溝の内部に導電性接着剤が設けられていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のヒータ。
【請求項８】
前記導電性接着剤が前記板状部材の前記導電層側と反対側の面上で前記一対の貫通孔の周囲に広がっている請求項６または請求項７に記載のヒータ。
【請求項９】
前記板状部材が前記導電層を覆っている請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のヒータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に半導体ウエハを加熱するために用いるヒータに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程における、半導体薄膜の成膜処理、エッチング処理またはレジスト膜の焼付け処理等においては、半導体ウエハ（以下、ウエハと略す）を加熱するためにウエハ加熱装置が用いられている。ウエハ加熱装置は、半導体製造装置に組み込まれて用いられている。このようなウエハ加熱装置としては、例えば、特開２００１−２４４０５７号公報（以下、特許文献１という）に開示されたヒータが挙げられる。特許文献１に開示されたヒータは、セラミックスから成る均熱板と、均熱板の表面に設けられたＳｉＯ２膜と、ＳｉＯ２膜の表面に設けられたガラスから成る絶縁層と、絶縁層の表面に設けられた発熱抵抗体とを備えている。発熱抵抗体は、給電部（導電層）を介して棒状の導電端子（接続端子）に電気的に接続されている。接続端子と導電層との接続は、導電層に接続端子が押し付けられていることによって保たれている。ヒータは、均熱板の上面において被加熱物であるウエハ等を加熱するように用いられる。【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示されたヒータにおいては、接続端子が導電層に押し付けられていることによって接続端子と導電層とを接続していることから、接続端子と導電層との間の電気的な接続の長期信頼性を向上させることが困難であった。具体的には、ヒートサイクル下において、接続端子と導電層との間に働く押圧力が変化する場合がある。このとき、この押圧力が大きくなり過ぎてしまうと、接続端子または導電層が損傷してしまうおそれがあった。また、押圧力が小さくなり過ぎてしまうと、接続端子と導電層との間の電気的な接続を維持できなくなってしまうおそれがあった。【０００４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続端子と導電層との間の電気的な接続の長期信頼性を向上させることができるヒータを提供することにある。
【発明の概要】
【０００５】
ヒータは、セラミックスからなる基体と、該基体の表面に設けられた発熱抵抗体層と、該発熱抵抗体層上に積層された導電層と、該導電層上に設けられた、一対の貫通孔を有する板状部材と、ワイヤからなり、該ワイヤが前記一対の貫通孔の一方から他方に挿通され、前記板状部材の前記導電層側と反対側で一体化されており、かつ前記導電層と電気的に接続された接続端子とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本態様のヒータの部分断面図である。
【図２】図１に示すヒータの変形例を示す部分断面図である。
【図３】図１に示すヒータの変形例を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本態様のヒータ１について、図面を参照しながら説明する。図１は、ヒータ１の部分断面図である。本態様のヒータ１は、セラミックスから成る基体２と、この基体２上に設けられた絶縁層４と、この絶縁層４上に積層された発熱抵抗体層５と、この発熱抵抗体層５上に積層された導電層６と、この導電層６に接続された接続端子７とを具備する。接続端子７は板状部材８によって導電層６に取り付けられている。
【０００８】
図１を参照して、本態様のヒータ１の基体２の構造を詳しく説明する。本態様のヒータ１においては、基体２は、炭化珪素質セラミックスから成る。基体２は一つの表面がウエハ載置面（図示せず）になっている。基体２の表面のうち、ウエハ載置面を除く領域には、酸化雰囲気中で熱処理することによって生成したＳｉＯ２膜２１が設けられている。そして、このＳｉＯ２膜２１上にガラスから成る絶縁層４が設けられている。さらにこの絶縁層４上に、金（Ａｕ）もしくは白金（Ｐｔ）またはこれらの合金から成る発熱抵抗体層５が設けられている。発熱抵抗体層５上には、導電層６が設けられている。導電層６は、例えば、金属材料とガラス材料との混合物から成る。導電層６に用いられる金属材料としては、例えば、金が挙げられる。導電層６が金とガラス材料との混合物から成る場合には、金粉末を添加したガラスペーストを、スクリーン印刷法を用いて発熱抵抗体層５上に塗布して焼結することによって、導電層６を設けることができる。
【０００９】
ＳｉＯ２膜２１の厚みは、例えば０．０５〜２μｍとすることが好ましい。さらに好ましくは０．１〜１μｍとするとよい。これにより、ＳｉＯ２膜２１の表面に絶縁層４を高い信頼性を持たせて設けることが可能となる。ＳｉＯ２膜２１の厚みを０．０５μｍ以上にすることによって、このＳｉＯ２膜２１の上に絶縁層４と成るガラスの層を形成した場合に、ＳｉＯ２膜２１がガラスに吸収されることを抑制できる。その結果、絶縁層４をＳｉＯ２膜２１上に良好に広げて設けることができる。
【００１０】
また、ＳｉＯ２膜２１の厚みを２μｍ以下にすることによって、ＳｉＯ２膜２１中にクリストバライトから成る結晶相が増えることを抑制できる。その結果、絶縁層４とＳｉＯ２膜２１との間の密着性が低下することを抑制できる。なお、信頼性および生産性の両面から考慮すると、ＳｉＯ２膜２１の厚みは０．１〜１μｍとすることがさらに好ましい。
【００１１】
また、ＳｉＯ２膜２１を設ける方法については、炭化珪素質セラミックスから成る基体２の表面を平坦度が１０μｍ以下になるように研磨した後に、酸素雰囲気中で１２００〜１６００℃で１〜１２時間処理し、冷却過程において少なくとも１０００〜６００℃の間を２００℃／時より速い速度で冷却することにより、クリストバライト結晶の生成を抑えたＳｉＯ２膜２１を設けることができる。
【００１２】
基体２は、炭化珪素質セラミックスの他にも、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素および炭化硼素のいずれか１種以上を主成分とするセラミックスから成っていてもよい。なお、基体２が絶縁性セラミックスから成る場合には、絶縁層４を設けなくてもよい。また、基体２を構成する炭化珪素質セラミックスとしては、主成分の炭化珪素に対して焼結助剤として硼素（Ｂ）と炭素（Ｃ）とを含有したものを焼結したセラミックスを用いることができる。また、炭化珪素質セラミックスの別の例としては、主成分の炭化珪素に対して焼結助剤としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とイットリア（Ｙ２Ｏ３）とを含有させたものを焼結したセラミックスを用いることができる。これらのセラミックスは、１９００〜２２００℃で焼結させることができる。また、炭化珪素としては、α型を主体とするもの、またはβ型を主体とするもののいずれを用いても構わない。
【００１３】
また、炭化硼素質セラミックスとしては、主成分の炭化硼素に対して焼結助剤として炭素を３〜１０質量％混合したものを焼結したセラミックスを用いることができる。このセラミックスは、２０００〜２２００℃で焼結させることができる。
【００１４】
また、窒化硼素質セラミックスとしては、主成分の窒化硼素に対して焼結助剤として３０〜４５質量％の窒化アルミニウムと５〜１０質量％の希土類元素酸化物とを混合したものを焼結したセラミックスを用いることができる。このセラミックスは、１９００〜２１００℃で焼結させることができる。
【００１５】
また、窒化珪素質セラミックスとしては、主成分の窒化珪素に対して焼結助剤として３〜１２質量％の希土類元素酸化物と０．５〜３質量％のＡｌ２Ｏ３と、さらにセラミックスに含まれるＳｉＯ２量が１．５〜５質量％になるように計量したＳｉＯ２とを混合したものを焼結したセラミックスを用いることができる。このセラミックスは、１６５０〜１７５０℃で焼結させることができる。なお、ここで示すＳｉＯ２量とは、窒化珪素原料中に含まれる酸素から生成されるＳｉＯ２量と、他の添加物に含まれる不純物としてのＳｉＯ２量と、意図的に添加したＳｉＯ２量との総和の量である。
【００１６】
また、窒化アルミニウム質セラミックスとしては、主成分の窒化アルミニウムに対して焼結助剤としてＹ２Ｏ３またはＹｂ２Ｏ３等の希土類元素酸化物と、必要に応じてＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物とを添加して混合したものを焼結したセラミックスを用いることができる。このセラミックスは、窒素ガス中で１９００〜２１００℃で焼成することによって得られる。
【００１７】
これらのセラミックスは、ヒータ１の用途に応じて材質を選択して使用する。例えば、ヒータ１をレジスト膜の乾燥に使用する場合には、窒化物以外のセラミックスを用いることが好ましい。これにより、水分と反応してアンモニアガスが発生することを抑制できる。また、ヒータ１を８００℃程度の高温で使用する可能性のあるＣＶＤ用に使用する場合には、窒化硼素系以外のセラミックスを用いることによって、基体２が使用中に変形する可能性を抑制できる。
【００１８】
基体２の表面のうちウエハ載置面を除く領域は、ガラスまたは樹脂から成る絶縁層４との密着性を高めるために、平面度が２０μｍ以下、算術平均粗さＲａが０．１〜０．５μｍ程度になるように研磨しておくことが好ましい。
【００１９】
炭化珪素質セラミックスを基体２として使用する場合には、基体２が多少の導電性を有することになるために、絶縁層４が必要になる。基体２と発熱抵抗体層５との間の絶縁を保つ絶縁層４としては、例えば、ガラスまたは樹脂を用いることができる。絶縁層４にガラスを用いる場合には、その厚みを３０μｍ以上にすることによって、耐電圧が１．５ｋＶを上回るものにできるため、絶縁性を保つことができる。また、ガラスを用いた絶縁層４の厚みを６００μｍ以下にすることによって、基体２を構成する炭化珪素質セラミックスとの間または窒化アルミニウム質セラミックスとの間で生じる熱応力を小さく抑えることができる。さらに好ましくは、絶縁層４の厚みを１００〜３５０μｍの範囲に設定することがよい。
【００２０】
なお、ガラスまたは樹脂から成る絶縁層４を基体２上に被着する手段としては、ガラスペーストまたは樹脂ペーストを基体２の中心部に適量滴下してスピンコーティング法にて延ばして均一に塗布するか、あるいはスクリーン印刷法、ディッピング法またはスプレーコーティング法等にて均一に塗布した後に焼結させればよい。ガラスペーストの場合には６００℃の温度で焼結させることができ、樹脂ペーストの場合には３００℃以上の温度で硬化させることができる。また、絶縁層４としてガラスを用いる場合には、あらかじめ炭化系素質セラミックスまたは炭化硼素質セラミックスから成る基体２を１２００℃程度の温度に加熱して、絶縁層４を被着する表面を酸化処理しておくことで、ガラスから成る絶縁層４の基体２への密着性を高めることができる。
【００２１】
発熱抵抗体層５は、電圧が加えられることによって発熱するための部材である。発熱抵抗体層５は基体２の表面に絶縁層４を介して設けられている。発熱抵抗体層５に電圧が加えられることによって電流が流れ、発熱抵抗体層５が発熱する。この発熱によって生じた熱が基体２の内部を伝わって、基体２のウエハ載置面が高温になる。そして、基体２のウエハ載置面から被加熱物に対して熱が伝わることによって、ヒータ１が機能する。
【００２２】
絶縁層４上に被着する発熱抵抗体層５は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）またはパラジウム（Ｐｄ）等の金属単体を蒸着法またはメッキ法にて直接被着するか、あるいは、酸化レニウム（Ｒｅ２Ｏ３）またはランタンマンガネート（ＬａＭｎＯ３）等の酸化物を導電材として含む樹脂ペーストまたはガラスペーストを用意し、所定のパターン形状にスクリーン印刷法等にて印刷した後に焼結することによって設けることができる。
【００２３】
さらに、発熱抵抗体層５は、絶縁層４との密着性を高めるためにガラスを含み、このガラスの軟化点が絶縁層４に含まれるガラスの転移点よりも低いことが好ましい。これにより、発熱抵抗体層５の加工精度を向上させることができる。ガラスは転移点以上の温度では高粘度の粘性流体であると考えられる。このため、絶縁層４に含まれるガラスの転移点よりも発熱抵抗体層５に含まれるガラスの軟化点を低くすることによって、発熱抵抗体層５の焼結時に基材となる絶縁層４に生じる影響を抑制できる。
【００２４】
発熱抵抗体層５のパターン形状としては、円弧状の電極部と直線状の電極部とから成る略同心円状のもの、または渦巻き状のものなどを用いることができる。均熱性を向上させるために、発熱抵抗体層５を複数のパターンに分割することも可能である。また、発熱抵抗体層５としては、金、銀、パラジウムまたは白金族の金属等の材質のものを使用することができる。また、必要に応じて発熱抵抗体層５をトリミングすることにより、均熱性を向上させてもよい。
【００２５】
板状部材８は、接続端子７と発熱抵抗体層５との接続を保つための部材である。板状部材８は、上下方向に貫通する一対の貫通孔８０を有している。板状部材は、例えば、円盤状の部材である。板状部材８は、導電層６上に設けられている。板状部材８は、例えば、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、またはアルミナ等のセラミック材料からなる。導電層６の上に、セラミック材料からなる板状部材８を設けることによって、この板状部材８と基体２とに挟まれた導電層６に生じる熱膨張を抑制できる。その結果、ヒータ１の長期信頼性を向上できる。
【００２６】
さらに、導電層６はＡｕまたはＡｇ等の貴金属を主成分とするが、ガラス成分をさらに含むことが好ましい。ガラス成分を含むことによって導電層６を柔らかくすることができることから、熱応力を吸収しやすくすることができる。その結果、発熱抵抗体層５に熱応力を集中しにくくすることができる。その結果、ヒータ１の長期信頼性を向上できる。
【００２７】
接続端子７は、発熱抵抗体層５と外部電源とを電気的に接続するための部材である。接続端子７は、例えば、金線、ニッケル線または銅線等の金属製のワイヤからなる。接続端子７は、板状部材８の一対の貫通孔８０の一方から他方に通されており、導電層６と板状部材８との間で導電層６と電気的に接続されている。そして、接続端子７は、板状部材８の導電層６側と反対側においてワイヤが一体化されている。すなわち、一対の貫通孔８０の一方から他方に通され、板状部材８上に引き出されたワイヤ同士が固定されている。
【００２８】
また、接続端子７が金から成るとともに基体２と板状部材８とが炭化珪素から成っていてもよい。この場合には、例えば、接続端子７の熱伝導率は３２０Ｗ／（ｍ・ｋ）に、基体２および板状部材８の熱伝導率は２００Ｗ／（ｍ・ｋ）になり、接続端子７の熱伝導率が基体２および板状部材８の熱伝導率よりも大きい。基体２上に板状部材８を設けた場合には、局所的に熱容量が大きくなる。その為、基体２を昇降温する場合には、板状部材８を接合した箇所だけ所定の温度に到達するための時間が長くなり、過渡特性が悪くなるおそれがある。ここで、上記のように、接続端子７として基体２および板状部材８よりも熱伝導率が大きい部材を用いることによって、接続端子７から熱が逃げやすくなる。その結果、板状部材８に熱がこもることを低減できる。
【００２９】
本態様のヒータ１によれば、接続端子７がワイヤからなる。そして、ワイヤが一対の貫通孔８０の一方から他方に挿通され、板状部材８の導電層６側と反対側で一体化されており、かつ、導電層６と電気的に接続されている。このように、接続端子７がワイヤからなることによって、ヒートサイクル下において導電層６が損傷してしまうことを低減できる。さらに、ワイヤが一対の貫通孔８０の一方から他方に挿通され、板状部材８の導電層６側と反対側で一体化されていることによって、ヒートサイクル下において引張応力がかかったときに、ワイヤが導電層６から離れてしまうおそれを低減できる。これらの結果、接続端子７と導電層６との間の電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
【００３０】
接続端子７としては、例えば、縒り糸を用いることができる。具体的には、本態様のヒータ１においては、接続端子８は３５本の金糸が縒り合わされている。接続端子８が糸を１０本以上縒り合わされて設けられることによって、接続端子８の耐久性が向上されている。
【００３１】
さらに、接続端子７のワイヤのうち一対の貫通孔８０からそれぞれ板状部材８上に引き出された部分が縒り合されて一体化されている。これにより、接続端子７のうち板状部材８上に引き出されたワイヤを固定することによって接続端子７のたわみ性が低下してしまうことを抑制できる。また、ワイヤが複数本縒り合わされて接続端子７とされていることにより、接続端子７の引張応力に対する強度が高い、すなわち引張強度が高いものにすることができる。これにより、ヒータ１の長期信頼性を向上できる。また、ワイヤのうち板状部材８上に引き出された部分同士を固定するための方法としては、例えば、半田付け、スポット溶接または接着剤を用いた方法が挙げられる。接着剤としては、例えば、エポキシ接着剤等の樹脂系接着剤を用いることができる。
【００３２】
さらに、図２に示すように、板状部材８は、導電層６側の面に一対の貫通孔８０間にわたる溝８１を有するとともに、接続端子７のうち導電層６と板状部材８との間に位置するワイヤが溝８１に配置されていることが望ましい。板状部材８のうち導電層６側の面が平坦な場合には、板状部材８と導電層６とに接続端子７が挟まれることによって、板状部材８が導電層６から浮いてしまう可能性があった。この場合には板状部材８と導電層６との密着性が低下してしまう可能性があった。これに対して、接続端子７のうち導電層６と板状部材８との間に位置するワイヤが溝８１をに配置されている構成にすることによって、板状部材８と導電層６との間に接続端子７を挟みつつも、板状部材８のうち溝８１が設けられていない領域と導電層６とを接触させやすくすることができる。これにより、導電層６と板状部材８との密着性を向上させることができるので、ヒータ１の耐久性を向上させることができる。
【００３３】
さらに、図２に示すように、板状部材８は、貫通孔８０と溝８１との間の角部に面取り部８２が設けられていることが好ましい。これにより、ワイヤからなる接続端子７が角部において断線してしまうおそれを低減できる。なお、面取り部８２とは、角部の一部が切り欠かれて斜面や曲面になっている部位のことを指す。
【００３４】
溝８１は、深さよりも幅が大きくてもよい。これにより、溝８１の内部に接続端子７が熱膨張しようとしたときに、主に溝８１における幅方向に熱膨張させることができる。言い換えると、接続端子７の深さ方向の熱膨張を低減することができる。これにより、板状部材８と基体２とに挟まれることによって接続端子７に生じる応力を低減することができる。
【００３５】
貫通孔８０の直径は、例えば、０．４〜１ｍｍに設定できる。溝８１の幅は、例えば、０．６〜１．５ｍｍに設定できる。溝８１の深さは、例えば、０．４〜１ｍｍに設定できる。
【００３６】
さらに、図３に示すように、一対の貫通孔８０の内部にそれぞれ導電性接着剤８３が設けられていることが好ましい。これにより、導電性接着剤によって接続端子７を固定することができるので、接続端子７が導電層６から離れてしまうおそれを低減できる。その結果、ヒータ１の長期信頼性を向上させることができる。導電性接着剤としては、例えば、金または銀等の貴金属を主成分とするペーストを用いることができる。特に、導電層６との接着強度観点からガラス成分を含むペーストを用いることが好ましい。これにより、導電層６と導電性接着剤のガラス成分とを結合させることができるので、接着強度を高めることができる。
【００３７】
さらに、一対の貫通孔８０の内部だけではなく溝８１の内部にも導電性接着剤８３が設けられていることが好ましい。これにより、接続端子７と導電層６との間の接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００３８】
また、図３に示すように、導電性接着剤８３が板状部材８の導電層６側と反対側の面上で貫通孔８０の周囲にまで広がっていることが好ましい。これにより、導電性接着剤８３と接続端子７との接触面積を大きくできる。これにより、接続端子７をより強固に固定することができる。
【００３９】
また、図３に示すように、板状部材８が導電層６を覆っていることが好ましい。これにより、導電層６の全体を板状部材８と基体２とで挟み込むことができる。そのため、導電層６に生じる熱膨張をさらに抑制できる。
【実施例】
【００４０】
本態様のヒータ１を実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下に示す方法により、図１に示すヒータ１を作製した。まず、炭化珪素原料に３質量％のＢ４Ｃと２質量％の炭素とを加えて適量のバインダおよび溶剤を用いて混合し造粒した後に、成形圧を１００ＭＰａに設定して成形した。その後、１９００〜２１００℃で焼成を行なった。これにより、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋであり、外径が３４０ｍｍ、厚みが３ｍｍの円盤状の基体２を得た。そして、両主面を平面研削した後に、１１００℃で１時間の熱処理を各々施した後に、ＳｉＯ２膜２１を形成して、その上に厚みが３００μｍのガラスからなる絶縁層４を形成した。【００４１】
次に、絶縁層４上に発熱抵抗体層５を被着するため、導電材としてＡｕ粉末とＰｄ粉末とを添加したガラスペーストを、スクリーン印刷法にて所定のパターン形状に印刷した。そして、１５０℃に加熱して有機溶剤を乾燥させ、さらに５５０℃で３０分間脱脂処理を施した後に、７００〜９００℃の温度で焼付けを行なった。以上のようにして、厚みが５０μｍの発熱抵抗体層５を形成した。【００４２】
次に、板状部材８として、炭化珪素原料に３質量％のＢ４Ｃと２質量％の炭素とを加えて適量のバインダおよび溶剤を用いて混合して造粒した後に、成形圧を１００ＭＰａに設定して成形した。その後、１９００〜２１００℃で焼成して、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋであり、長さ４ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの板状部材８を得た。【００４３】
得られた板状部材８の中央に直径が０．６５ｍｍの一対の貫通孔８０を開けて、両主面を平面研削した後に、１１００℃で１時間の熱処理を施して、ＳｉＯ２膜を形成した。そして、貫通孔８０にワイヤからなる接続端子７を通して、貫通孔８０から引き出された部分同士を縒り合せることによって固定した。ワイヤとしては、直径が０．５ｍｍの金線から成るものを用いた。【００４４】
次に、導電材としてＡｕ粉末を添加した有機溶媒を含むガラスペーストを発熱抵抗体層５の上にスクリーン印刷法にて円形状に導電層６を印刷した後で、得られた板状部材８を導電層６上に取り付けた。その後、１５０℃に加熱して有機溶剤を乾燥させ、さらに５５０℃で３０分間脱脂処理を施した後に、７００〜９００℃の温度で焼付けを行なうことにより、導電層６に板状部材８を接合した。【００４５】
以上のようにして、ヒータ１を作製した。得られたヒータ１に対して、接続端子７の引張応力に対する強度をプッシュプルゲージを用いて測定した。１０回の測定を行なったところ、全ての場合において１００Ｎ以上の値を得た。また、破壊が生じたときの起点は、いずれの場合も導電層６と板状部材８との界面であった。【００４６】
比較例として、板状部材を用いずに、ワイヤからなる接続端子を導電層に接合したヒータを作製した。板状部材を用いていないこと以外の構成は上述の実施例のヒータと同様である。比較例のヒータに対しても接続端子の引張応力に対する強度をプッシュプルゲージを用いて測定した。１０回の測定を行なったところ、全ての場合において１０Ｎ以下の値を得た。また、破壊が生じたときの起点は、接続端子と導電層との界面であった。【００４７】
以上の結果から、本態様の構成を採用することによって、接続端子７と導電層６との間の接続の長期信頼性を向上させることができることが確認できた。
【符号の説明】
【００４８】
１:ヒータ
２：基体
４：絶縁層
５：発熱抵抗体層
６：導電層
７：接続端子
８：板状部材
８０：貫通孔
８１：溝
８２：面取り部
８３：導電性接着剤
２１：ＳｉＯ２膜
【図１】
2016031951.tif 000003
【図２】
2016031951.tif 000004
【図３】
2016031951.tif 000005
【国際調査報告】
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2016031951.tif 000007
2016031951.tif 000008
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