(57)【要約】  基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を、大変形を要する金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する封止体の製造方法において、封止体の金型からの優れた離型性と、大変形を要する金型への優れた追従性とを備える離型フィルムの提供。  前記樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の層と、第２の層とを有し、前記第１の層が、厚さ５〜３０μｍであり、かつ、フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選択される少なくとも１種から構成され、前記第２の層が、厚さが３８〜１００μｍであり、１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が１８，０００（ＭＰａ・μｍ）以下で、かつ１８０℃における引張破断応力（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２,０００（ＭＰａ・μｍ）以上である離型フィルム。
2015133634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を、少なくとも一方の深さが３ｍｍ以上である上金型と下金型とを備える金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する封止体の製造方法において、前記上金型および下金型のうち深さが３ｍｍ以上であるものの前記硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、
前記樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の層と、第２の層とを有し、
前記第１の層が、厚さ５〜３０μｍであり、かつ、フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選択される少なくとも１種から構成され、
前記第２の層が、厚さが３８〜１００μｍであり、１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が１８，０００（ＭＰａ・μｍ）以下であり、かつ、１８０℃における引張破断応力（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２,０００（ＭＰａ・μｍ）以上であることを特徴とする離型フィルム。
【請求項２】
前記第１の層が、フルオロオレフィン系重合体またはポリメチルペンテンから構成される、請求項１に記載の離型フィルム。
【請求項３】
前記第１の層が、テトラフルオロオレフィンに基づく単位と、エチレン基づく単位とを有する共重合体から構成される、請求項１に記載の離型フィルム。
【請求項４】
前記第２の層は第２の層用樹脂から構成され、前記第２の層用樹脂のガラス転移温度が４０〜１０５℃である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項５】
前記第２の層が、無延伸ポリアミド、ポリブチレンテレフタレートおよび易成形ポリエチレンテレフタレートからなる群から選択される少なくとも１種から構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項６】
前記第２の層の金型面側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１．５〜２．１μｍである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項７】
第２の層の、（１８０℃の引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）×厚さ（μｍ））／（１８０℃の引張破断応力（ＭＰａ）×厚さ（μｍ））が、３．８未満である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項８】
基板と、半導体素子と、接続端子と、硬化性樹脂から形成される厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部とを有する封止体を、少なくとも一方の深さが３ｍｍ以上である上金型と下金型とを備える金型を用いて製造する方法であって、
前記上金型および下金型のうち深さが３ｍｍ以上であるものの前記硬化性樹脂が接する面に、請求項１〜４のいずれか一項に記載の離型フィルムを配置する工程と、
基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を前記金型内に配置し、前記金型内の空間を硬化性樹脂で満たして硬化させ、厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する工程と、
前記樹脂封止部を前記構造体とともに前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする封止体の製造方法。
【請求項９】
下記の工程（α１）〜（α５）を有する、請求項８に記載の封止体の製造方法。
（α１）深さ３ｍｍ以上の凹部を有する下金型と、深さ３ｍｍ以上の凹部を有しない上金型とを備える金型の前記下金型に、離型フィルムを、離型フィルムが下金型の凹部を覆うように配置する工程。
（α２）離型フィルムを下金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（α３）下金型の凹部内に硬化性樹脂を充填する工程。
（α４）基板と積層構造とシリコン貫通ビアとを備える構造体を上金型と下金型との間に配置し、上金型と下金型とを型締めし、前記上金型と下金型との間に形成されたキャビティを硬化性樹脂で満たして硬化させて樹脂封止部１９を形成することにより封止体を得る工程。
【請求項１０】
下記の工程（β１）〜（β５）を有する、請求項８に記載の封止体の製造方法。
（β１）深さ３ｍｍ以上の凹部を有する上金型と、深さ３ｍｍ以上の凹部を有しない下金型とを備える金型の上金型に、離型フィルムを、離型フィルムが上金型の凹部の開口を覆うように配置する工程。
（β２）離型フィルムを上金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（β３）基板と積層構造とシリコン貫通ビアとを備える構造体を下金型の所定の位置に配置し、上金型と下金型とを型締めする工程。
（β４）上金型と下金型との間に形成されたキャビティ内に硬化性樹脂を充填し、硬化させることによって樹脂封止部を形成することにより封止体を得る工程。
（β５）金型内から封止体を取り出す工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を大変形を要する金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する封止体の製造方法に用いられる離型フィルム、および前記離型フィルムを用いた封止体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体モジュールの１つであるパワー半導体モジュールや自動車のＥＣＵ（エンジンコントロールユニット）は、実装後の基板に耐熱性や信頼性が必要とされるため、その製造工程では、樹脂（封止樹脂）で基板自体を封止する工程が行われる。封止は一般に、液状ないしゲル状のシリコーンを基板上にポッティングし、硬化させることにより行われる。しかし、ポッティングによる封止では、シリコーンを注入するためにケースが必要になること、硬化に時間がかかること、ポッティング面が必ず平坦になる等構造の制約があること等の問題があり、近年は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用い、トランスファ成形によって封止する方法が採用されている。
トランスファ成形による半導体モジュールの製造は一般に、半導体素子や受動部品が実装された基板やその他放熱板等の部品を金型内に配置し、熱硬化性樹脂を注入し、硬化することにより行われる。その後に金型との離型が必要となるため、熱硬化性樹脂には、離型性を確保するために、離型剤が配合されている（たとえば特許文献１）。
しかし、離型剤を配合することは、封止樹脂と基板との密着性を損ない、半導体モジュールの信頼性を低下させる問題がある。【０００３】
離型剤を使用しない金型との離型方法として、硬化性樹脂と金型との固着を防ぐために、金型の硬化性樹脂と接する面に、フッ素樹脂等の樹脂から構成される離型フィルムを配置する場合がある。離型フィルムは一般に、真空吸引によって金型の表面に沿って引き延ばされ、金型に密着した状態とされる。この方法は、１つの半導体素子を封止する半導体パッケージ等、厚さ１ｍｍ以下程度の薄型のパッケージの製造に適用されている。
しかし、このような用途に従来用いられている離型フィルムを、半導体パッケージに比べて厚く、形状も複雑な半導体モジュールの製造に使用すると、離型フィルムが大きく変形し、金型に追従しきる前に離型フィルムが破れる問題がある。たとえば角のあるキャビティの場合、角の部分で離型フィルムが大きく引き伸ばされ、ピンホールが発生しやすい。離型フィルムの破れは、金型が大型化、複雑化するほど生じやすくなる。離型フィルムが破れると、その部分から熱硬化性樹脂が漏れ出して金型に付着する。金型に付着した硬化性樹脂は、その後、別の構造体を封止する際に外観不良を引き起こすため、金型のクリーニングが必要となり、半導体モジュールの生産性が低下する。
なお、特許文献２では、半導体モジュールの部品としての放熱板を露出させるために、リードフレームの放熱面と金型との間に柔軟性離型シートを配置し、前記放熱面を前記柔軟性離型シートに沈み込ませた状態でトランスファ成形を行っている。柔軟性離型シートの役割はあくまで放熱板を露出させることであり、半導体モジュールの金型からの離型には寄与していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２４５１８８号公報
【特許文献２】特開２０１２−２８５９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を、大変形を要する金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する封止体の製造方法において、封止体の金型からの優れた離型性と、大変形を要する金型への優れた追従性とを備える離型フィルム、および該離型フィルムを用いた封止体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の［１］〜［１０］の構成を有する離型フィルムを用いた封止体の製造方法を提供する。
［１］基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を、少なくとも一方の深さが３ｍｍ以上である上金型と下金型とを備える金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する封止体の製造方法において、前記上金型および下金型のうち深さが３ｍｍ以上であるものの前記硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、
前記樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の層と、第２の層とを有し、
前記第１の層が、厚さ５〜３０μｍであり、かつ、フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選択される少なくとも１種から構成され、
前記第２の層が、厚さが３８〜１００μｍであり、１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が１８，０００（ＭＰａ・μｍ）以下であり、かつ、１８０℃における引張破断応力（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２,０００（ＭＰａ・μｍ）以上であることを特徴とする離型フィルム。
［２］前記第２の層が、無延伸ポリアミド、ポリブチレンテレフタレートおよび易成形ポリエチレンテレフタレートからなる群から選択される少なくとも１種から構成される、［１］の離型フィルム。
［３］前記第１の層が、テトラフルオロオレフィンに基づく単位と、エチレン基づく単位とを有する共重合体から構成される、［１］の離型フィルム。
［４］前記第２の層は第２の層用樹脂から構成され、前記第２の層用樹脂のガラス転移温度が４０〜１０５℃である、［１］〜［３］のいずれかの離型フィルム。
［５］前記第２の層が、無延伸ポリアミド、ポリブチレンテレフタレートおよび易成形ポリエチレンテレフタレートからなる群から選択される少なくとも１種から構成される、［１］〜［４］のいずれかの離型フィルム。
［６］前記第２の層の金型面側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、１．５〜２．１μｍである、［１］〜［５］のいずれかの離型フィルム。
［７］第２の層の、（１８０℃の引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）×厚さ（μｍ））／（１８０℃の引張破断応力（ＭＰａ）×厚さ（μｍ））が、３．８未満である、［１］〜［６］のいずれかの離型フィルム。
［８］基板と、半導体素子と、接続端子と、硬化性樹脂から形成される厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部とを有する封止体を、少なくとも一方の深さが３ｍｍ以上である上金型と下金型とを備える金型を用いて製造する方法であって、
前記上金型および下金型のうち深さが３ｍｍ以上であるものの前記硬化性樹脂が接する面に、［１］〜［４］のいずれかの離型フィルムを配置する工程と、
基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を前記金型内に配置し、前記金型内の空間を硬化性樹脂で満たして硬化させ、厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する工程と、
前記樹脂封止部を前記構造体とともに前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする封止体の製造方法。
［９］下記の工程（α１）〜（α５）を有する、［８］の封止体の製造方法。
（α１）深さ３ｍｍ以上の凹部を有する下金型と、深さ３ｍｍ以上の凹部を有しない上金型とを備える金型の前記下金型に、離型フィルムを、離型フィルムが下金型の凹部を覆うように配置する工程。
（α２）離型フィルムを下金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（α３）下金型の凹部内に硬化性樹脂を充填する工程。
（α４）基板と積層構造とシリコン貫通ビアとを備える構造体を上金型と下金型との間に配置し、上金型と下金型とを型締めし、前記上金型と下金型との間に形成されたキャビティを硬化性樹脂で満たして硬化させて樹脂封止部１９を形成することにより封止体を得る工程。
［１０］下記の工程（β１）〜（β５）を有する、［８］の封止体の製造方法。
（β１）深さ３ｍｍ以上の凹部を有する上金型と、深さ３ｍｍ以上の凹部を有しない下金型とを備える金型の上金型に、離型フィルムを、離型フィルムが上金型の凹部の開口を覆うように配置する工程。
（β２）離型フィルムを上金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（β３）基板と積層構造とシリコン貫通ビアとを備える構造体を下金型の所定の位置に配置し、上金型と下金型とを型締めする工程。
（β４）上金型と下金型との間に形成されたキャビティ内に硬化性樹脂を充填し、硬化させることによって樹脂封止部を形成することにより封止体を得る工程。
（β５）金型内から封止体を取り出す工程。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の離型フィルムは、封止体の金型からの優れた離型性と、大変形を要する金型への優れた追従性とを備える。また、本発明の離型フィルムは、封止体の金型からの優れた離型性を有するため、
本発明の封止体の製造方法によれば、大変形を要する金型に離型フィルムを優れた追従性で追従させることができる。また、前記金型から封止体を、優れた離型性で離型できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の離型フィルムの第１実施形態を示す概略断面図。
【図２】本発明の封止体の製造方法により製造する封止体の一例の概略断面図。
【図３】本発明の封止体の製造方法の第１実施形態の工程（α３）を示す模式断面図。
【図４】本発明の封止体の製造方法の第１実施形態の工程（α４）を示す模式断面図。
【図５】本発明の封止体の製造方法の第１実施形態の工程（α４）を示す模式断面図。
【図６】本発明の封止体の製造方法の第２実施形態に用いる金型の一例の断面図。
【図７】本発明の封止体の製造方法の第２実施形態の工程（β１）を示す模式断面図。
【図８】本発明の封止体の製造方法の第２実施形態の工程（β２）を示す模式断面図。
【図９】本発明の封止体の製造方法の第２実施形態の工程（β３）を示す模式断面図。
【図１０】本発明の封止体の製造方法の第２実施形態の工程（β４）を示す模式断面図。
【図１１】本発明の封止体の製造方法の第２実施形態の工程（β５）を示す模式断面図。
【図１２】本発明の封止体の製造方法で得られる封止体の他の例の概略断面図。
【図１３】実施例における１８０℃追従性試験の試験方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書において、以下の用語は、それぞれ、次の意味で使用される。
樹脂の「単位」は、当該樹脂を構成する構成単位（モノマー単位）を示す。「フッ素樹脂」とは、構造中にフッ素原子を含む樹脂を示す。
上金型または下金型の深さは、上金型と下金型とを型締めしたときにキャビティを形成する、上金型または下金型の凹部の深さを示す。凹部の深さは、上金型と下金型との界面に対して垂直方向における最大深さを示す。
上金型および下金型のうち、深さ３ｍｍ以上の凹部を有するのは、いずれか一方でもよく、両方でもよい。いずれか一方が深さ３ｍｍ以上の凹部を有する場合、他方は、深さ３ｍｍ以上の凹部を有してもよく、深さ０超３ｍｍ未満の凹部を有してもよく、凹部を有しなくてもよい。
樹脂封止部の厚さは樹脂封止部の、基板面に対して垂直方向における最大厚さを示す。
離型フィルムの厚さ、多層構造の離型フィルムを構成する層（第２の層、第１の層等）の厚さ、１８０℃における引張貯蔵弾性率、１８０℃における引張破断応力はそれぞれ、実施例に記載の方法により測定される。
算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される算術平均粗さである。粗さ曲線用の基準長さｌｒ（カットオフ値λｃ）は０．８ｍｍとした。
【００１０】
〔離型フィルム〕
本発明の離型フィルムは、基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を、少なくとも一方の深さが３ｍｍ以上である上金型と下金型とを備える金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する封止体の製造方法において、前記上金型および下金型のうち深さが３ｍｍ以上であるもの（以下、深さ３ｍｍ以上の金型ともいう。）の前記硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、
前記樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の層と、第２の層とを有し、
前記第１の層が、厚さ５〜３０μｍであり、かつ、フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選択される少なくとも１種から構成され、
前記第２の層が、厚さが３８〜１００μｍであり、１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が１８，０００（ＭＰａ・μｍ）以下であり、かつ、１８０℃における引張破断応力（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２,０００（ＭＰａ・μｍ）以上であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の離型フィルムは、深さ３ｍｍ以上の金型の前記硬化性樹脂が接する面に、第１の層側の表面がキャビティに向くように配置される。離型フィルムが第１の層を有するため、硬化性樹脂の硬化後、金型からの封止体の離型性に優れる。
また、第１の層の厚さが一定以下であり、かつ離型フィルムが第２の層を有することにより、大きく引き伸ばされても破れにくく、深さ３ｍｍ以上の金型への追従性に優れる。
【００１２】
（第１実施形態の離型フィルム）
図１は、本発明の離型フィルムの第１実施形態を示す概略断面図である。第１実施形態の離型フィルム１は、第１の層２と第２の層３とがこの順に積層したものである。離型フィルム１は、第１の層２が硬化性樹脂と接し、第２の層３が金型に接する。
【００１３】
＜第１の層＞
第１の層２の厚さは５〜３０μｍであり、１２〜３０μｍが好ましい。第１の層２の厚さが前記範囲の下限値以上であると、金型からの封止体の離型性に優れる。上限値以下であると、深さ３ｍｍ以上の金型に、離型フィルム１が破れることなく追従する。
【００１４】
第１の層２は、フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選択される少なくとも１種（以下、第１の層用樹脂ともいう。）から構成される。第１の層用樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
硬化性樹脂と直接接する第１の層２が前記第１の層用樹脂から構成されることにより、金型からの封止体の離型性に優れる。また、前記第１の層用樹脂から構成されることにより、第１の層２は、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性を有し、熱分解に由来する樹脂低分子物の封止体表面への転写が少なく好ましい。
【００１５】
フッ素樹脂としては、離型性および耐熱性の点から、フルオロオレフィン系重合体が好ましい。フルオロオレフィン系重合体は、フルオロオレフィンに基づく単位を有する重合体である。フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン等が挙げられる。フルオロオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
フルオロオレフィン系重合体としては、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥともいう。）、ポリテトラフルオロエチレン、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体等が挙げられる。フルオロオレフィン系重合体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１６】
フルオロオレフィン系重合体の中でも、高温での伸びが大きい点から、ＥＴＦＥが特に好ましい。
ＥＴＦＥは、テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥともいう。）に基づく単位と、エチレン（以下、Ｅともいう。）に基づく単位とを有する共重合体である。
ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＴＦＥおよびＥ以外の第３のモノマーに基づく単位とを有するものが好ましい。第３のモノマーに基づく単位の種類や含有量によってＥＴＦＥの結晶化度、すなわち第１の層２の引張貯蔵弾性率を調整しやすい。また、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。
第３のモノマーとしては、フッ素原子を有するモノマーと、フッ素原子を有しないモノマーとが挙げられる。
【００１７】
フッ素原子を有するモノマーとしては、下記のモノマー（ａ１）〜（ａ５）が挙げられる。
モノマー（ａ１）：炭素数３以下のフルオロオレフィン類。
モノマー（ａ２）：Ｘ（ＣＦ２）ｎＣＹ＝ＣＨ２（ただし、Ｘ、Ｙは、それぞれ独立に水素原子またはフッ素原子であり、ｎは２〜８の整数である。）で表されるペルフルオロアルキルエチレン。
モノマー（ａ３）：フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ４）：官能基含有フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ５）：脂肪族環構造を有する含フッ素モノマー。
【００１８】
モノマー（ａ１）としては、フルオロエチレン類（トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフルオロエチレン等）、フルオロプロピレン類（ヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰともいう。）、２−ヒドロペンタフルオロプロピレン等）等が挙げられる。
【００１９】
モノマー（ａ２）としては、ｎが２〜６のモノマーが好ましく、ｎが２〜４のモノマーが特に好ましい。また、Ｘがフッ素原子、Ｙが水素原子であるモノマー、すなわち（ペルフルオロアルキル）エチレンが特に好ましい。
モノマー（ａ２）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２、
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２（（ペルフルオロブチル）エチレン。以下、ＰＦＢＥともいう。）、
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２、
ＣＦ２ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２、
ＣＦ２ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２等。
【００２０】
モノマー（ａ３）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。なお、下記のうちジエンであるモノマーは環化重合し得るモノマーである。
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＦ２）２ＣＦ３（ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）。以下、ＰＰＶＥともいう。）、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）２（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）２ＣＦ＝ＣＦ２等。
【００２１】
モノマー（ａ４）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３ＣＯ２ＣＨ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）３ＣＯ２ＣＨ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ２Ｆ等。
【００２２】
モノマー（ａ５）の具体例としては、ペルフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）、２，２，４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１，３−ジオキソール、ペルフルオロ（２−メチレン−４−メチル−１，３−ジオキソラン）等が挙げられる。
【００２３】
フッ素原子を有しないモノマーとしては、下記のモノマー（ｂ１）〜（ｂ４）が挙げられる。
モノマー（ｂ１）：オレフィン類。
モノマー（ｂ２）：ビニルエステル類。
モノマー（ｂ３）：ビニルエーテル類。
モノマー（ｂ４）：不飽和酸無水物。
【００２４】
モノマー（ｂ１）の具体例としては、プロピレン、イソブテン等が挙げられる。
モノマー（ｂ２）の具体例としては、酢酸ビニル等が挙げられる。
モノマー（ｂ３）の具体例としては、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル等が挙げられる。
モノマー（ｂ４）の具体例としては、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水ハイミック酸（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物）等が挙げられる。
【００２５】
第３のモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
第３のモノマーとしては、結晶化度の調整すなわち引張貯蔵弾性率の調整がしやすい点、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度に優れる点から、モノマー（ａ２）、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、酢酸ビニルが好ましく、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２、ＰＦＢＥがより好ましく、ＰＦＢＥが特に好ましい。
すなわち、ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＰＦＢＥに基づく単位とを有する共重合体が特に好ましい。
【００２６】
ＥＴＦＥにおいて、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）は、８０／２０〜４０／６０が好ましく、７０／３０〜４５／５５がより好ましく、６５／３５〜５０／５０が特に好ましい。ＴＦＥ／Ｅが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。
【００２７】
ＥＴＦＥ中の第３のモノマーに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．０１〜２０モル％が好ましく、０．１０〜１５モル％がより好ましく、０．２０〜１０モル％が特に好ましい。第３のモノマーに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。
【００２８】
第３のモノマーに基づく単位がＰＦＢＥに基づく単位を含む場合、ＰＦＢＥに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．５〜４．０モル％が好ましく、０．７〜３．６モル％がより好ましく、１．０〜３．６モル％が特に好ましい。ＰＦＢＥに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、第１の層２は耐熱性に優れる。また、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。
【００２９】
ＥＴＦＥの溶融流量（ＭＦＲ）は、２〜４０ｇ／１０分が好ましく、５〜３０ｇ／１０分がより好ましく、１０〜２０ｇ／１０分が特に好ましい。ＭＦＲが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの成形性が向上し、第１の層２の機械特性が優れる。
ＥＴＦＥのＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３１５９に準拠して、荷重４９Ｎ、２９７℃にて測定される値である。
【００３０】
融点２００℃以上のポリオレフィンの融点は、２００℃以上３００℃以下が好ましい。
融点２００℃以上のポリオレフィンとしては、離型性および金型追随性に優れる点から、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３１】
第１の層用樹脂としては、前記の中でも、フルオロオレフィン系重合体が好ましく、ＥＴＦＥが特に好ましい。ＥＴＦＥは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
第１の層２は、第１の層用樹脂のみからなるものでもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等の添加物が配合されていてもよい。無機系添加剤としては、カーボンブラック、シリカ、ガラスファイバー、カーボンファイバー、酸化チタン等の無機フィラー等が挙げられる。有機系添加剤としては、シリコーンオイル、金属石鹸等が挙げられる。
【００３３】
＜第２の層＞
第２の層３の厚さは３８〜１００μｍであり、５０〜１００μｍが好ましい。第２の層３の厚さが前記範囲の下限値以上であると、深さ３ｍｍ以上の金型に離型フィルム１を追従させる際に、金型の形状が複雑な場合でも、離型フィルム１が破れにくい。前記範囲の上限値以下であると、離型フィルム１が容易に変形でき、金型の形状が複雑な場合でも、離型フィルム１がしっかりと金型に密着し、高品質な樹脂封止部を安定して形成できる。
【００３４】
第２の層３の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積は１８，０００（ＭＰａ・μｍ）以下であり、１４，０００（ＭＰａ・μｍ）以下が好ましい。第２の層３の厚さが前記の範囲内であり、この厚さ（μｍ）と１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）との積が前記の上限値以下であると、深さ３ｍｍ以上の深い金型であっても金型追従性に優れる。前記積の下限値は３，０００が好ましく、４，０００が特に好ましい。前記積が前記の下限値以上であると、ロール・トゥ・ロールにおけるハンドリング性に優れる。
【００３５】
第２の層３の１８０℃における引張貯蔵弾性率は、第２の層を構成する樹脂（以下、第２の層用樹脂ともいう。）の結晶化度によって調整できる。具体的には、樹脂の結晶化度が低いほど、該樹脂から構成される層の引張貯蔵弾性率は低くなる。樹脂の結晶化度は、公知の方法によって調整できる。たとえば、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の場合、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の他のモノマーに基づく単位の種類や割合によって調整できる。第２の層３の１８０℃における引張貯蔵弾性率は、５０〜４００ＭＰａが好ましく、５０〜３００ＭＰａが特に好ましい。
第２の層３の、（１８０℃の引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）×厚さ（μｍ））／（１８０℃の引張破断応力（ＭＰａ）×厚さ（μｍ））は、３．８未満が好ましく、３．５未満が特に好ましい。３．８以上であると、金型への真空吸着時の金型追従性が不充分になりやすく、深い金型では破裂しやすい。下限は、特に設定されない。
【００３６】
第２の層３の１８０℃における引張破断応力（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積は２，０００（ＭＰａ・μｍ）以上であり、３，０００（ＭＰａ・μｍ）以上が好ましい。１８０℃における引張破断応力（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が前記の下限値以上であると、離型フィルムにピンホールが形成されにくい。前記積の上限値は７，０００が好ましく、６，０００が特に好ましい。前記積が前記の上限値以下であると、金型追従性に優れる。
第２の層３の１８０℃における引張破断応力は、第２の層用樹脂の分子量、すなわちＭＦＲによって調整できる。第２の層３の１８０℃における引張破断応力は、２０〜１００ＭＰａが好ましく、３０〜９０ＭＰａが特に好ましい。
【００３７】
第２の層用樹脂としては、前述の引張貯蔵弾性率と厚さとの積、および引張破断応力が前記の範囲内となるものであればよく、公知の熱可塑性樹脂、ゴム等の樹脂の中から適宜選択し得る。
第２の層３は、封止体の製造に際し、離型フィルム１を金型からスムースに剥離可能とする程度の離型性を有することが好ましい。また、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性を有することが好ましい。
第２層の層用樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０〜１０５℃が好ましく、４０〜８０℃が特に好ましい。前記範囲の下限値以上であると離型フィルムが適度な柔らかさになり、ロール・トゥ・ロールでのハンドリングが容易である。前記範囲の上限値以下であると、離型フィルムを金型に真空吸着する際にフィルムの弾性率が充分に下がり、追従性に優れる。
これらの観点から、第２の層用樹脂としては、無延伸ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート（以下、ＰＢＴともいう。）、易成形ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴともいう。）からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
ポリアミドとしては、耐熱性、強度、ガスバリア性の点から、ナイロン６、ナイロンＭＸＤ６が好ましい。
ＰＢＴは、さらにポリアルキレングリコールが共重合されていてもよい。その場合、ポリアルキレングリコール単位は全単位中１０モル％以下であることが好ましい。ポリアルキレングリコール単位を前記範囲含むことで、適切に弾性率を下げることができる。ポリアルキレングリコールの具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリトリメチレンエーテルグリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリヘキサメチレンエーテルグリコール等が挙げられる。
ＰＢＴの質量平均分子量（Ｍｗ）は５０，０００〜１００，０００が好ましく、６０，０００〜９０，０００が特に好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、引張破断応力が高くなり、破れにくくなる。前記範囲の上限値以下であれば、溶融粘度が低く、厚さ１００μｍ以下の薄いフィルムを製膜しやすい。なお、Ｍｗは上記ＰＢＴの１ｇをフェノールとテトラクロロエタンとが質量比１対１の溶液１００ｍＬに室温で溶解し、オストワルド粘度計を用いて３０℃にて固有粘度（η）を測定し、下式（１）を用いて算出した。
Ｍｗ＝４．３×１０４×[η]０．７６      （１）
易成形ＰＥＴとは、エチレングリコールおよびテレフタル酸（あるいはジメチルテレフタレート）に加え、その他のモノマーを共重合して成形性を改良したものである。具体的には、以下の方法で測定されるガラス転移温度Ｔｇが１０５℃以下のＰＥＴである。
Ｔｇは、ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき測定される貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ”の比であるｔａｎδ（Ｅ”／Ｅ’）が最大値を取る際の温度である。Ｔｇは、周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とし、温度を２０℃から１８０℃まで、２℃／分で昇温させて測定する。これらの第２の層用樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３８】
第２の層３は、第２の層用樹脂のみからなるものでもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等の添加物が配合されていてもよい。無機系添加剤、有機系添加剤としてはそれぞれ前記と同様のものが挙げられる。
【００３９】
離型フィルム１において、第１の層２と第２の層３とは、直接積層してもよく、図示しない接着層を介して積層してもよい。
【００４０】
＜離型フィルムの表面形状＞
離型フィルム１の、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する面、すなわち第１の層２側の表面２ａは、平滑でもよく、凹凸が形成されていてもよい。また、離型フィルム１の、樹脂封止部の形成時に金型の上金型と接する面、すなわち第２の層３側の表面３ａは、平滑でもよく、凹凸が形成されていてもよい。表面２ａに凹凸が形成されていると、平滑である場合に比べて、封止体の金型からの離型性が向上する。表面３ａに凹凸が形成されていると、平滑である場合に比べて、離型フィルム１の金型からの離型性が向上する。
平滑である場合の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．２μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍが特に好ましい。凹凸が形成されている場合の表面のＲａは、１．５〜２．１μｍが好ましく、１．６〜１．９μｍが特に好ましい。
【００４１】
凹凸が形成されている場合の表面形状は、複数の凸部および／または凹部がランダムに分布した形状でもよく、複数の凸部および／または凹部が規則的に配列した形状でもよい。また、複数の凸部および／または凹部の形状や大きさは、同じでもよく異なってもよい。
凸部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の凸条、点在する突起等が挙げられる。凹部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の溝、点在する穴等が挙げられる。
凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。離型フィルム表面においては、複数の凸条または溝が平行に存在して縞状をなしていてもよい。凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、三角形（Ｖ字形）等の多角形、半円形等が挙げられる。
突起または穴の形状としては、三角錐形、四角錐形、六角錐形等の多角錐形、円錐形、半球形、多面体形、その他各種不定形等が挙げられる。
【００４２】
離型フィルム１においては、表面２ａおよび表面３ａの両方が平滑でもよく、表面２ａおよび表面３ａの両方に凹凸が形成されていてもよく、表面２ａおよび表面３ａのうちの一方が平滑で他方に凹凸が形成されていてもよい。表面２ａおよび表面３ａの両方に凹凸が形成されている場合、各表面のＲａや表面形状は同じでも異なってもよい。
【００４３】
＜離型フィルムの厚さ＞
離型フィルム１の厚さは、４３〜１３０μｍが好ましく、５０〜１３０μｍが特に好ましい。厚さが前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルム１の取り扱いが容易であり、離型フィルム１を金型に追従させる際に破れやしわが発生しにくい。厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルム１が容易に変形でき、金型の形状が複雑な場合でも、離型フィルム１がしっかりと金型に密着し、金型の形状がきれいに製品に転写される。
【００４４】
＜離型フィルム１の製造方法＞
離型フィルム１の製造方法は特に限定されず、公知の多層フィルムの製造方法を利用できる。具体例としては、以下の（１）、（２）等が挙げられ、各層の材質、厚さ等を考慮して適宜選択し得る。
（１）第１の層用樹脂からなる樹脂フィルムと、第２の層用樹脂からなる樹脂フィルムとを積層する方法。
（２）第１の層用樹脂と第２の層用樹脂とを共押出成形する方法。
【００４５】
離型フィルム１の製造方法としては、経済性に優れる点で、（１）の方法が好ましい。
（１）の方法において、各樹脂フィルムを積層する方法としては、公知の種々のラミネート方法が採用でき、たとえば押出ラミネート法、ドライラミネート法、熱ラミネート法等が挙げられる。
ドライラミネート法では、接着剤を用いて各樹脂フィルムを積層する。接着剤としては、ドライラミネート用の接着剤として公知のものを使用できる。たとえばポリ酢酸ビニル系接着剤；アクリル酸エステル（アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル等）の単独重合体もしくは共重合体、またはアクリル酸エステルと他の単量体（メタクリル酸メチル、アクリロニトリル、スチレン等）との共重合体等からなるポリアクリル酸エステル系接着剤；シアノアクリレ−ト系接着剤；エチレンと他の単量体（酢酸ビニル、アクリル酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸等）との共重合体等からなるエチレン共重合体系接着剤；セルロ−ス系接着剤；ポリエステル系接着剤；ポリアミド系接着剤；ポリイミド系接着剤；尿素樹脂またはメラミン樹脂等からなるアミノ樹脂系接着剤；フェノ−ル樹脂系接着剤；エポキシ系接着剤；ポリオール（ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等）とイソシアネートおよび／またはイソシアヌレートと架橋させるポリウレタン系接着剤；反応型（メタ）アクリル系接着剤；クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム等からなるゴム系接着剤；シリコーン系接着剤；アルカリ金属シリケ−ト、低融点ガラス等からなる無機系接着剤；その他等の接着剤を使用することができる。
【００４６】
（１）の方法で積層する樹脂フィルムは、市販のものを用いてもよく、公知の製造方法により製造したものを用いてもよい。樹脂フィルムには、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー塗工処理等の表面処理が施されてもよい。
樹脂フィルムの製造方法としては、特に限定されず、公知の製造方法を使用できる。
両面が平滑である熱可塑性樹脂フィルムの製造方法としては、たとえば、所定のリップ幅を有するＴダイを具備する押出機で溶融成形する方法等が挙げられる。
片面または両面に凹凸が形成されている熱可塑性樹脂フィルムの製造方法としては、たとえば、熱加工で熱可塑性樹脂フィルムの表面に元型の凹凸を転写する方法が挙げられ、生産性の点から、下記の方法（ｉ）、（ｉｉ）等が好ましい。方法（ｉ）、（ｉｉ）では、ロール状の元型を用いることによって、連続した加工が可能となり、凹凸が形成された熱可塑性樹脂フィルムの生産性が著しく向上する。
（ｉ）熱可塑性樹脂フィルムを元型ロールと圧胴ロールとの間に通し、熱可塑性樹脂フィルムの表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
（ｉｉ）押出機のダイスから押し出された熱可塑性樹脂を元型ロールと圧胴ロールとの間に通し、該熱可塑性樹脂をフィルム状に成形すると同時に、該フィルム状の熱可塑性樹脂の表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
方法（ｉ）、（ｉｉ）において、圧胴ロールとして表面に凹凸が形成されたものを用いると、両面に凹凸が形成されている熱可塑性樹脂フィルムが得られる。
【００４７】
以上、本発明の離型フィルムについて、第１実施形態を示して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
たとえば、第１実施形態の離型フィルム１の第１の層２と第２の層３との間に、必要に応じて設けられる接着層以外の他の層をさらに有してもよい。他の層としては、たとえば、ガスバリア層、帯電防止層等が挙げられる。ガスバリア層としては、たとえば、金属層、金属蒸着層、金属酸化物蒸着層等が挙げられる。帯電防止層としては、導電性高分子から形成される層や、導電性高分子、導電性金属酸化物、金属イオン塩等を有する熱硬化性樹脂から形成される層等が挙げられる。
第１実施形態の離型フィルム１の第２の層３の、第１の層２側とは反対側に、樹脂封止部の形成時に金型と接する第３の層をさらに有してもよい。この場合、必要に応じて、第２の層３と第３の層との間に、接着層や他の層をさらに有してもよい。
本発明の離型フィルムは、本発明の効果の点では、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の層と、第２の層とが、直接または接着層を介して積層したものであることが好ましい。
【００４８】
＜作用効果＞
基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を、少なくとも一方の深さが３ｍｍ以上である上金型と下金型とを備える金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する封止体の製造方法において、樹脂封止部を形成するために使用される金型は、１つの半導体素子を封止する半導体パッケージ等の製造に使用される金型に比べて深い。また、基板上にそれぞれ高さの異なる複数の部品が実装されている場合等には、硬化性樹脂が接する面が複雑な形状を有する場合がある。そのため、封止体を良好に離型するための対策が重要となり、従来は、硬化性樹脂に離型剤を添加する、特殊な構造の金型を用いる等の対策が採られている。
また、放熱板等の部品を露出しながら封止を行う場合、金型と露出したい部品を直接接触させた状態で封止を行うといわゆる樹脂バリが発生しやすい。そのため、従来は樹脂バリを取り除く工程を追加する対策が採られている。
本発明の離型フィルムは、封止体の金型からの優れた離型性と、大変形を要する金型への優れた追従性とを備える。
本発明の離型フィルムは、封止体の金型からの優れた離型性を有するため、本発明の離型フィルムを前記金型の硬化性樹脂が接する面に配置することで、硬化性樹脂に離型剤を添加したり特殊な構造の金型を用いたりしなくても、封止体の金型からの良好な離型を実現できる。
また、本発明の離型フィルムは、大変形を要する金型への優れた追従性とを備えており、前記のように深く、場合によっては複雑な形状の金型に、破れることなく追従する。そのため、構造体の封止を行う際に、離型フィルムが破れ、その部分から硬化性樹脂が漏れる問題が生じにくい。
また、本発明の離型フィルムは、構造体表面の露出したい部品への密着に優れる。そのため、封止時に発生する樹脂バリを効果的に予防できる。
【００４９】
〔封止体の製造方法〕
本発明の封止体の製造方法は、基板と、半導体素子と、接続端子と、硬化性樹脂から形成される厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部とを有する封止体を、少なくとも一方の深さが３ｍｍ以上である上金型と下金型とを備える金型を用いて製造する方法であって、
前記上金型および下金型のうち、深さが３ｍｍ以上であるものの前記硬化性樹脂が接する面に、前述の本発明の離型フィルムを配置する工程と、
基板と半導体素子と接続端子とを備える構造体を前記金型内に配置し、前記金型内の空間を硬化性樹脂で満たして硬化させ、厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部を形成する工程と、
前記樹脂封止部を前記構造体とともに前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする。
【００５０】
本発明の封止体の製造方法は、封止体の製造に際し、金型の前記硬化性樹脂が接する面に配置すること以外は、公知の製造方法を採用できる。
例えば樹脂封止部の形成方法としては、圧縮成形法またはトランスファ成形法が挙げられ、この際に使用する装置としては、公知の圧縮成形装置またはトランスファ成形装置を用いることができる。製造条件も、公知の半導体パッケージの製造方法における条件と同じ条件とすればよい。
【００５１】
本発明の封止体の製造方法により製造する封止体としては、基板と半導体素子と接続端子と厚さ３ｍｍ以上の樹脂封止部とを備えるものであれば特に限定されない。
封止体としては、たとえば、パワー半導体モジュール、ハイブリッドメモリキューブ（hybrid  memory  cube）等が挙げられる。樹脂封止部の厚さは、３〜１０ｍｍが好ましく、３〜７ｍｍが特に好ましい。
【００５２】
（第１実施形態）
封止体の製造方法の一実施形態として、図１に示した離型フィルム１を用い、図３に示す封止体１１０を圧縮成形法により製造する場合について説明する。本実施形態の封止体の製造方法は、下記の工程（α１）〜（α５）を有する。
（α１）深さ３ｍｍ以上の凹部を有する下金型と、深さ３ｍｍ以上の凹部を有しない上金型とを備える金型の前記下金型に、離型フィルム１を、離型フィルム１が下金型の凹部を覆うように配置する工程。
（α２）離型フィルム１を下金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（α３）下金型の凹部内に硬化性樹脂を充填する工程。
（α４）基板１６と積層構造１７とシリコン貫通ビア１８とを備える構造体（以下、構造体１３０ともいう。）を上金型と下金型との間に配置し、上金型と下金型とを型締めし、前記上金型と下金型との間に形成されたキャビティを硬化性樹脂で満たして硬化させて樹脂封止部１９を形成することにより封止体１１０を得る工程。
（α５）金型から封止体１１０を取り出す工程。
【００５３】
封止体：
図２は、第１実施形態の封止体の製造方法により製造する封止体１１０の概略断面図である。
封止体１１０は、ハイブリッドメモリキューブであり、基板１６と、複数の半導体チップ１７ａが積層してなる積層構造１７と、複数のシリコン貫通ビア（接続端子）１８と、樹脂封止部１９とを備える。
シリコン貫通ビア１８は、積層構造１７を貫通し、複数の半導体チップ１７ａを接続している。樹脂封止部１９は、基板１６上に形成され、半導体チップ１７ａおよびシリコン貫通ビア１８を封止している。樹脂封止部１９の厚さＤ１は３ｍｍ以上である。
【００５４】
金型：
第１実施形態における金型としては、圧縮成形法に用いる金型として公知のものを使用できる。たとえば、図３に示すように、固定上型（上金型）２０と、キャビティ底面部材２２と、キャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動部材２４とを有する金型が挙げられる。
固定上型２０には、基板１０と固定上型２０との間の空気を吸引することによって基板１０を固定上型２０に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。また、キャビティ底面部材２２には、離型フィルム１とキャビティ底面部材２２との間の空気を吸引することによって離型フィルム１をキャビティ底面部材２２に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。
この金型においては、キャビティ底面部材２２と可動部材２４とによって下金型が構成される。可動部材２４を上下方向に移動させることで、下金型の深さを変えることができる。キャビティ底面部材２２の上面および可動部材２４の内側側面によって、工程（α４）で形成する樹脂封止部１９の形状に対応する形状の凹部２６が形成される。
以下、キャビティ底面部材２２の上面および可動部材２４の内側側面を総称してキャビティ面ともいう。
【００５５】
工程（α１）：
可動部材２４上に、キャビティ底面部材２２の上面を覆うように離型フィルム３０を配置する。このとき離型フィルム１は、第１の層２側の表面２ａを上側（キャビティ底面部材２２方向とは反対方向）に向けて配置される。
離型フィルム１は、典型的には、巻出ロール（図示略）から送られ、巻取ロール（図示略）で巻き取られる。離型フィルム１は、巻出ロールおよび巻取ロールによって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて、可動部材２４上に配置される。
【００５６】
工程（α２）：
別途、キャビティ底面部材２２の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、キャビティ底面部材２２の上面と離型フィルム１との間の空間を減圧し、離型フィルム１を引き伸ばして変形させて、キャビティ底面部材２２の上面に真空吸着させる。さらに、キャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動部材２４を締め、離型フィルム１を全方向から引っ張り、緊張状態にさせる。
なお、高温環境下での離型フィルム１の強度、厚さ、キャビティ底面部材２２の上面と可動部材２４の内側側面によって形成された凹部の形状によって、離型フィルム１は、キャビティ面に密着するとは限らない。工程（α２）の真空吸着の段階では、図３に示すように、離型フィルム１とキャビティ面との間に空隙が少し残っていてもよい。
【００５７】
工程（α３）：
図３に示すように、硬化性樹脂４０を、アプリケータ（図示略）によって、凹部２６内の離型フィルム３０の上に適量充填する。
また、別途、固定上型２０の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、固定上型２０の下面に、構造体１３０の基板１０を真空吸着させる。
【００５８】
硬化性樹脂４０としては、半導体モジュール等の製造に用いられている各種の硬化性の樹脂を用いてよい。エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
エポキシ樹脂としては、たとえば住友ベークライト社製のスミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、ナガセケムテックス社製のＴ６９３／Ｒ４７１９−ＳＰ１０等が挙げられる。
シリコーン樹脂の市販品としては、信越化学工業社製のＬＰＳ−３４１２ＡＪ、ＬＰＳ−３４１２Ｂ等が挙げられる。
【００５９】
硬化性樹脂４０には、カーボンブラック、熔融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が含まれてもよい。
なお、ここでは、硬化性樹脂４０として固体のものを充填する例を示したが、本発明はこれに限定されず、液状の硬化性樹脂を充填してもよい。
【００６０】
工程（α４）：
図４に示すように、凹部２６内の離型フィルム１の上に硬化性樹脂４０を充填した状態で、キャビティ底面部材２２および可動部材２４を上昇させ、固定上型２０と型締めする。
次いで、図５に示すように、キャビティ底面部材２２のみ上昇させるとともに金型を加熱して硬化性樹脂４０を硬化させ、構造体１３０を封止する樹脂封止部１９を形成する。これにより、封止体１１０が形成される。
工程（α４）においては、キャビティ底面部材２２を上昇させたときの圧力によって、キャビティ内に充填された硬化性樹脂４０がさらにキャビティ面に押し込まれる。これによって離型フィルム１が引き伸ばされて変形し、キャビティ面に密着する。そのため、凹部２６の形状に対応した形状の樹脂封止部１９が形成される。樹脂封止部１９の厚さは、キャビティ底面部材２２を上昇させた後のキャビティ底面部材２２の上面から可動部材２４の上端までの高さ（下金型の深さ）と同じである。
【００６１】
金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、１００〜１８５℃が好ましく、１５０〜１８０℃が特に好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、半導体パッケージ１の生産性に優れる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、硬化性樹脂４０の劣化が抑えられる。
硬化性樹脂４０の熱膨張率に起因する樹脂封止部１９の形状変化を抑制する点から、封止体１１０の保護が特に求められる場合には、前記範囲内においてできるだけ低い温度で加熱することが好ましい。
【００６２】
工程（α５）：
固定上型２０とキャビティ底面部材２２と可動部材２４とを型開きし、封止体１１０を取り出す。
封止体１１０を離型すると同時に、離型フィルム１の使用済み部分を巻取ロール（図示略）に送り、離型フィルム１の未使用部分を巻出ロール（図示略）から送り出す。
巻出ロールから巻取ロールへ搬送する際の離型フィルム１の厚さは４３μｍ以上が好ましい。厚さが４３μｍ未満では、離型フィルム１の搬送時にシワが生じやすい。離型フィルム１にシワが入ると、シワが樹脂封止部１９に転写されて製品不良となるおそれがある。厚さが４３μｍ以上であれば、離型フィルム１に張力を充分にかけることによって、シワの発生を抑えることができる。
【００６３】
（第２実施形態）
封止体の製造方法の他の実施形態として、図１に示した離型フィルム１を用い、図２に示した封止体１１０をトランスファ成形法により製造する場合について説明する。
本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、下記の工程（β１）〜（β５）を有する。
（β１）深さ３ｍｍ以上の凹部を有する上金型と、深さ３ｍｍ以上の凹部を有しない下金型とを備える金型の上金型に、離型フィルム１を、離型フィルム１が上金型の凹部の開口を覆うように配置する工程。
（β２）離型フィルム１を上金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（β３）基板１６と積層構造１７とシリコン貫通ビア１８とを備える構造体１３０を下金型の所定の位置に配置し、上金型と下金型とを型締めする工程。
（β４）上金型と下金型との間に形成されたキャビティ内に硬化性樹脂を充填し、硬化させることによって樹脂封止部１９を形成することにより封止体１１０を得る工程。
（β５）金型内から封止体１１０を取り出す工程。
【００６４】
金型：
第２実施形態における金型としては、トンラスファ成形法に用いる金型として公知のものを使用できる。たとえば、図６に示すように、上金型５０と下金型５２とを有する金型が挙げられる。上金型５０には、工程（β４）で形成する樹脂封止部１９の形状に対応する形状の凹部５４と、凹部５４に硬化性樹脂４０を導く凹状の樹脂導入部６０とが形成されている。下金型５２には、構造体１３０の基板１６を設置する基板設置部５８と、硬化性樹脂４０を配置する樹脂配置部６２とが形成されている。また、樹脂配置部６２内には、硬化性樹脂４０を上金型５０の樹脂導入部６０へと押し出すプランジャ６４が設置されている。
【００６５】
工程（β１）：
図７に示すように、上金型５０の凹部５４を覆うように離型フィルム１を配置する。離型フィルム１は、凹部５４および樹脂導入部６０の全体を覆うように配置することが好ましい。離型フィルム１は、典型的には、巻出ロール（図示略）および巻取ロール（図示略）によって引っ張られ、引き伸ばされた状態にて上金型５０の凹部５４を覆うように配置される。
【００６６】
工程（β２）：
図８に示すように、上金型５０の凹部５４の外部に形成した溝（図示略）を通じて真空吸引し、離型フィルム１とキャビティ面５６との間の空間、および離型フィルム１と樹脂導入部６０の内壁との間の空間を減圧し、離型フィルム１を引き伸ばして変形させて、上金型５０のキャビティ面５６に真空吸着させる。
なお、高温環境下での離型フィルム１の強度、厚さ、また凹部５４の形状によって、離型フィルム１は、キャビティ面５６に密着するとは限らない。図８に示すように、工程（β２）の真空吸着の段階では、離型フィルム１とキャビティ面５６との間には、空隙が少し残る。
【００６７】
工程（β３）：
図９に示すように、構造体１３０の基板１６を、基板設置部５８に設置して上金型５０と下金型５２とを型締めし、構造体１３０を凹部５４内の所定の位置に配置する。また、樹脂配置部６２のプランジャ６４上には、硬化性樹脂４０をあらかじめ配置しておく。
硬化性樹脂４０としては、方法（α）で挙げた硬化性樹脂４０と同様のものが挙げられる。
【００６８】
工程（β４）：
図１０に示すように、下金型５２のプランジャ６４を押し上げ、樹脂導入部６０を通じて凹部５４内に硬化性樹脂４０を充填する。次いで、金型を加熱し、硬化性樹脂４０を硬化させ、構造体１３０を封止する樹脂封止部１９を形成する。これにより、封止体１１０が形成される。樹脂封止部１９の厚さは、上金型５０の凹部５４の深さと同じである。
工程（β４）においては、凹部５４内に硬化性樹脂４０が充填されることによって、樹脂圧力によって離型フィルム１がさらにキャビティ面５６側に押し込まれ、引き延ばされて変形することによってキャビティ面５６に密着する。そのため、凹部５４の形状に対応した形状の樹脂封止部１９が形成される。
【００６９】
硬化性樹脂４０を硬化させる際の金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、方法（α）における温度範囲と同じ範囲とすることが好ましい。
硬化性樹脂４０の充填時の樹脂圧は、２〜３０ＭＰａが好ましく、３〜１０ＭＰａが特に好ましい。樹脂圧が前記範囲の下限値以上であれば、硬化性樹脂４０の充填不足等の欠点が生じにくい。樹脂圧が前記範囲の上限値以下であれば、優れた品質の封止体１１０が得られやすい。硬化性樹脂４０の樹脂圧は、プランジャ６４によって調整できる。
【００７０】
工程（β５）：
図１１に示すように、封止体１１０を金型から取り出す。このとき、樹脂導入部６０内で硬化性樹脂４０が硬化した硬化物４２が、封止体１１０の樹脂封止部１９に付着した状態で封止体１１０とともに金型から取り出される。そのため、取り出された封止体１１０に付着している硬化物４２を切除して、封止体１１０を得る。
【００７１】
以上、本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法について、第１〜第２実施形態を示して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
たとえば、離型フィルム１から封止体１１０を剥離するタイミングは、金型から封止体１１０を取り出す時に限定されず、金型から離型フィルム１とともに封止体１１０を取り出し、その後、封止体１１０から離型フィルム１を剥離してもよい。
【００７２】
工程（α４）または工程（β３）において、構造体１３０の代わりに、基板上に積層構造１７およびシリコン貫通ビア１８からなる構造物が複数形成された構造体を配置し、工程（α５）または工程（β５）の後、取り出した封止体の基板および樹脂封止部を、前記複数の構造体が分離するように切断（個片化）して封止体１１０を得てもよい。
個片化は、公知の方法により行うことができ、たとえばダイシング法が挙げられる。ダイシング法は、ダイシングブレードを回転させながら対象物を切断する方法である。ダイシングブレードとしては、典型的には、ダイヤモンド粉を円盤の外周に焼結した回転刃（ダイヤモンドカッター）が用いられる。ダイシング法による個片化は、たとえば、切断対象物（封止体）を、治具を介して処理台上に固定し、切断対象物の切断領域と前記治具の間にダイシングブレードを挿入する空間がある状態で前記ダイシングブレードを走行させる方法により行うことができる。
個片化を行う場合、前記のように切断対象物を切断する工程（切断工程）の後、前記ダイシングブレードを覆うケースから離れた位置に配置されるノズルから切断対象物に向かって液体を供給しながら前記処理台を移動させる異物除去工程が含まれてもよい。
【００７３】
工程（α５）または工程（β５）の後、任意の情報を表示するために、樹脂封止部の表面にインクを塗布し、インク層を形成する工程を行ってもよい。
インク層によって表示される情報としては、特に限定されず、シリアルナンバー、製造メーカーに関する情報、部品の種別等が挙げられる。ンクの塗布方法は、特に限定されず、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷、ゴム版からの転写等の各種印刷法が適用できる。インクとしては、特に限定されず、公知のインクのなかから適宜選択できる。
インク層の形成方法としては、硬化速度が速くパッケージ上での滲みが少ない、また熱風を当てないのでパッケージの位置ずれが少ない等の点で、光硬化型のインクを使用し、該インクをインクジェット法により樹脂封止部の表面に付着させ、該インクを光の照射により硬化させる方法が好ましい。
【００７４】
光硬化型のインクとしては、典型的には、重合性化合物（モノマー、オリゴマー等）を含むものが用いられる。インクには、必要に応じて、顔料、染料等の色材、液体媒体（溶媒または分散媒）、重合禁止剤、光重合開始剤、その他各種添加剤等が添加される。その他の添加剤としては、たとえば、スリップ剤、重合促進剤、浸透促進剤、湿潤剤（保湿剤）、定着剤、防黴剤、防腐剤、酸化防止剤、放射線吸収剤、キレート剤、ｐＨ調整剤、増粘剤等が挙げられる。
光硬化型のインクを硬化する光としては、紫外線、可視光線、赤外線、電子線、放射線等が挙げられる。紫外線の光源としては、殺菌灯、紫外線用蛍光灯、カーボンアーク、キセノンランプ、複写用高圧水銀灯、中圧または高圧水銀灯、超高圧水銀灯、無電極ランプ、メタルハライドランプ、紫外線発光ダイオード、紫外線レーザーダイオード、自然光等が挙げられる。
光の照射は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
【００７５】
本発明の封止体の製造方法により製造する封止体は、封止体１１０に限定されない。
図１２に、本発明の封止体の製造方法により製造する封止体の他の例の概略断面図を示す。この例の封止体１２０は、パワー半導体モジュールであり、基板１０と、半導体チップ（半導体素子）１１と、複数の接続端子１２と、複数のワイヤ１３と、放熱板１４と、樹脂封止部１５とを備える。
複数の接続端子１２はそれぞれ、一端が基板１０上の半導体チップ１１の近傍に配置され、その位置から基板１０の縁方向に延び、基板１０の縁部で基板１０側とは反対方向に屈曲し、さらに基板１０から離れる方向に屈曲し、樹脂封止部１５の外側に突出している。複数のワイヤ１３はそれぞれ複数の接続端子１２の一端と半導体チップ１１とを接続している。放熱板１４は基板１０の下側に配置され、放熱板１４の上面は基板１０に接している。樹脂封止部１５は、接続端子１２の一部および放熱板１４の底面以外の部分を封止し、放熱板１４の底面は露出している。
【００７６】
封止体１２０は、構造体１３０の代わりに、基板１０と半導体チップ１１と接続端子１２とワイヤ１３と放熱板１４とを備える構造体を用い、樹脂封止部１５に対応するキャビティを有する金型を用いる以外は第１、第２実施形態と同様にして製造できる。
たとえば、上金型として、樹脂封止部１２の接続端子１２が突出する位置より上側に対応する形状の凹部を有するものを用い、下金型として、樹脂封止部１２の接続端子１２が突出する位置より下側に対応する形状の凹部を有するものを使用する。これらの上金型と下金型とを型締めすると、樹脂封止部１５に対応するキャビティが形成される。
上金型の凹部の深さＤ２と下金型の凹部の深さＤ３との合計が、樹脂封止部１５の厚さＤ１となる。この例では、Ｄ２が３ｍｍ未満で、Ｄ３が３ｍｍ以上であるものとする。
封止体１２０の製造においては、下金型のキャビティ面に本発明の離型フィルムを配置し、その上に前記構造体を、放熱板１４側を下金型側に向けて配置し、接続端子１２の封止しない部分を上金型と下金型との間に挟んだ状態で型締めし、前記と同様にトランスファ成形する。これにより、封止体１２０を形成できる。このとき、上金型のキャビティ面に既存の離型フィルムを配置してもよい。
【００７７】
樹脂封止部の形状は、図２、図１２に示すものに限定されない。たとえば樹脂封止部の上面や側面は平らではなく、段差があってもよい。
樹脂封止部を形成する際、半導体チップやその他部品が離型フィルムに直接接していてもよい。この場合、離型フィルムに直接した部分は樹脂封止部から露出する。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。後述する例１〜１５のうち、例１〜１０は実施例であり、例１１〜１５は比較例である。各例で使用した材料および測定・評価方法を以下に示す。【００７９】
〔使用材料〕
＜熱可塑性樹脂フィルム＞
ＥＴＦＥフィルム：後述の製造例１で得たＥＴＦＥ（１）を、リップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、３２０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、厚さ１２μｍ、２５μｍ、１００μｍ、２００μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。
ポリメチルペンテンフィルム：ポリメチルペンテン「ＴＰＸ  ＭＸ００４」（三井化学社製）を、リップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、厚さ２５μｍのポリメチルペンテンフィルムを得た。【００８０】
ＰＢＴフィルム（１）：「ノバデュラン５０２０」（三菱エンジニアリングプラスチック社製、Ｍｗ：７０，０００、ブタンジオール由来の単位／テレフタル酸由来の単位＝５３／４７（モル比））を、リップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、厚さ３８、５０、１００、１５０μｍのＰＢＴフィルムを得た。なお、Ｔｇは６３℃であった。
ＰＢＴフィルム（２）：「ノバデュラン５５０５Ｓ」（三菱エンジニアリングプラスチック社製、Ｍｗ：６０，０００、ブタンジオール由来の単位／テレフタル酸由来の単位／＝５３／４７（モル比）、ポリエチレングリコール由来の単位を全単位中５モル％有する共重合）を、リップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、厚さ５０μｍのＰＢＴフィルムを得た。なお、Ｔｇは６２℃であった。
ＰＢＴフィルム（３）：「ノバデュラン５０２６」（三菱エンジニアリングプラスチック社製、Ｍｗ：１１０，０００、ブタンジオール由来の単位／テレフタル酸由来の単位／＝５３／４７（モル比））を、リップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、厚さ１００μｍのＰＢＴフィルムを得た。なお、Ｔｇは６３℃であった。
ＰＢＴフィルム（４）：「ノバデュラン５５１０Ｓ」（三菱エンジニアリングプラスチック社製、Ｍｗ：６０，０００、ブタンジオール由来の単位／テレフタル酸由来の単位／＝５３／４７（モル比）、ポリエチレングリコール由来の単位を全単位中１１モル％有する共重合）を、リップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、厚さ５０μｍのＰＢＴフィルムを得た。なお、Ｔｇは６０℃であった。【００８１】
無延伸ナイロンフィルム：ダイアミロンＣ−Ｚ  ５０μｍ（三菱樹脂社製）、Ｔｇ：４７℃。
易成形ＰＥＴフィルム：テフレックスＦＴ  ５０μｍ（帝人デュポンフィルム社製）、Ｔｇ：１０１℃。
ＰＥＴフィルム：テイジンテトロン  Ｇ２  ５０μｍ（帝人デュポンフィルム社製）、Ｔｇ：１１８℃。
なお、実施例で使用のフィルムのＴｇは、ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき測定される貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ”の比であるｔａｎδ（Ｅ”／Ｅ’）が最大値を取る際の温度である。Ｔｇは、周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とし、温度を２０℃から１８０℃まで、２℃／分で昇温させて測定した。【００８２】
各フィルムにおいて、Ｒａが小さい面をドライラミネートにおける貼り合わせ面とした。また、各フィルムのドライラミネートにおける貼り合わせ面の、ＩＳＯ８２９６：１９８７（ＪＩＳ  Ｋ６７６８：１９９９）に基づく濡れ張力が４０ｍＮ／ｍ以下の場合、４０ｍＮ／ｍ以上となるように、コロナ処理を施した。【００８３】
＜製造例１：ＥＴＦＥ（１）の製造＞
内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気して、１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの８８１．９ｇ、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（商品名「ＡＫ２２５ｃｂ」旭硝子社製、以下、ＡＫ２２５ｃｂという。）の３３５．５ｇ、ＣＨ２＝ＣＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３（ＰＦＢＥ）の７．０ｇを仕込み、ＴＦＥの１６５．２ｇ、エチレン（以下、Ｅという。）の９．８ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、重合開始剤溶液としてターシャリーブチルパーオキシピバレート（以下、ＰＢＰＶという。）の１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の７．７ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
重合中圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝５４／４６のモル比のモノマー混合ガスを連続的に仕込んだ。また、モノマー混合ガスの仕込みに合わせて、ＴＦＥとＥの合計モル数に対して１．４モル％に相当する量のＰＦＢＥを連続的に仕込んだ。重合開始から２．９時間後、モノマー混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内温を室温まで降温するとともに重合槽の圧力を常圧までパージした。
その後、得られたスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、固形分を回収して１５０℃で１５時間乾燥することにより、ＥＴＦＥ（１）の１０５ｇを得た。
ＥＴＦＥ（１）は、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５２．５／４６．３／１．２（モル比）の共重合体であり、ＭＦＲが１２ｇ／１０分であった。【００８４】
＜接着層＞
各フィルムを貼り合わせるドライラミネート工程で使用する接着剤としては、以下のウレタン系接着剤Ａを用いた。
［ウレタン系接着剤Ａ］
主剤：クリスボンＮＴ−２５８（ＤＩＣ社製）。
硬化剤：コロネート２０９６（日本ポリウレタン工業社製）。
主剤と硬化剤とを、固形分での質量比（主剤：硬化剤）が１０：１となるように混合し、希釈剤として酢酸エチルを用いた。【００８５】
〔測定・評価方法〕
＜厚さ＞
例１〜８および例１２〜１３で第１の層または第２の層に用いたフィルム（あるいは例９〜１１で離型フィルムとして用いたフィルム）の厚さを以下の手順で測定した。
接触式厚み計ＤＧ−５２５Ｈ（小野測器社製）にて、測定子ＡＡ−０２６（Φ１０ｍｍ
ＳＲ７）を使用して、フィルムの厚さを、幅方向に距離が等しくなるように１０点測定し、その平均値を厚さとした。【００８６】
＜１８０℃引張破断応力＞
例１〜８および例１２〜１３で第２の層に用いたフィルム（あるいは例１１で離型フィルムとして用いたフィルム）の引張破断応力（単位：ＭＰａ）を、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して測定した。具体的には、フィルムを試験片タイプＶで打ち抜き、試験フィルムを作製し、該試験フィルムについて、温度１８０℃、引張速度５０ｍｍ／分の条件で引張試験を行い、引張破断応力を測定した。【００８７】
＜１８０℃引張貯蔵弾性率＞
例１〜８、例１２〜１３で第２の層に用いたフィルム（あるいは例１１で離型フィルムとして用いたフィルム）の引張貯蔵弾性率（単位：ＭＰａ）は以下の手順で測定した。
動的粘弾性測定装置  ソリッドＬ−１（東洋精機製）を用い、ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。サンプル測定サイズは幅８ｍｍ×長さ２０ｍｍ、周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とし、温度を２０℃から１８０℃まで、２℃／分の速度で上昇させて、１８０℃の値において測定したＥ’を、１８０℃引張貯蔵弾性率とした。【００８８】
＜１８０℃追従試験＞
図１３を参照して本試験方法を説明する。
本試験に用いた装置は、図１３に示すように、中央にΦ１０ｍｍの円柱状の穴があるドーナツ型の枠材（ステンレス製、厚さ９ｍｍ）７０と、下金型７２と、上金型７４と、コマ７６とを備える。
下金型７２には、枠材７０を収容可能な凹部が形成されている。凹部の底面にはステンレス製のメッシュ７８が配置されている。下金型７２には配管Ｌ１が接続され、配管Ｌ１には真空ポンプ（図示略）が接続されており、凹部内の空気を減圧できるようになっている。
上金型７４の中央には穴があり、上側（下金型７２側とは反対側）の開口はガラス製の天窓８０によって塞がれている。上金型７２には配管Ｌ２が接続されており、配管Ｌ２を介して、上金型７４の穴の中に圧縮空気を供給できるようになっている。【００８９】
試験に際しては、まず、メッシュ７８上に枠材７０を載せ、枠材７０の穴の中にコマ７６を入れ、下金型７２と上金型７４とを、パッキン８２および評価対象の離型フィルム３０を挟んだ状態で、ネジ（図示略）を用いて型締めする。これにより、離型フィルム３０が固定される。また、離型フィルム３０と下金型７２のキャビティ面との間、および離型フィルム３０と上金型７４の穴の内周面と天窓７６との間にそれぞれ、気密な空間が形成される。
このとき、下金型７２の凹部の側面と枠材７０の外周面との間、離型フィルム３０と枠材７０の天面との間にわずかな隙間がある。また、メッシュ７８によって、下金型７２の凹部の底面と枠材７０とが密着しないようになっている。
そのため、離型フィルム３０の固定後、下金型７２の凹部内を、配管Ｌ１を介して減圧し、必要に応じて配管Ｌ２から圧縮空気を上金型７４の穴の中に供給することで、離型フィルム３０を、枠材７０側に吸引し、枠材７０の穴の内周面およびコマ７６の上面に密着するように引き伸ばすことができる。
また、枠材７０の穴の中に入れるコマ７６の厚さを変えることで、追従深さ、すなわち枠材７０の上面とコマ７８の上面との間の距離を変えることができる。【００９０】
試験においては、まず、コマ７６として追従深さが３ｍｍまたは７ｍｍになるものを使用し、前記の手順で離型フィルム３０を固定した。このとき、離型フィルム３０が第２の層と第１の層とが積層した積層フィルムである場合は、第２の層側の表面を枠材７０側に向けて配置した。次に、下金型７２の下側に配置したホットプレート（図示略）で装置全体を１８０℃まで熱したのち、真空ポンプを作動させてコマ７６と離型フィルム３０との間の空気を抜いた。さらに配管Ｌ２から圧縮空気（０．５ＭＰａ）を空間Ｓ内に供給して、離型フィルム３０を枠材７０とコマ７６に追従させた。その状態を３分間維持し、真空ポンプの真空度でピンホールの有無を確認した。具体的には真空度が−９０ｋＰａ以上になっていた場合、ピンホールが開いているとした。結果を以下の基準で評価した。
○（良好）：ピンホールは無かった。
×（不良）：ピンホールが開いた。
また、天窓８０よりフィルムを観察し、枠材７０の穴の中の角部（コマ７６の上面と枠材７０の穴の内周面とが交差する部分）に離型フィルム３０が接触しているか目視で確認し、以下の基準で金型への追従性を評価した。
○（良好）：接触している。
×（不良）：接触していない。【００９１】
＜エポキシ樹脂剥離性＞
１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の金属板（厚さ３ｍｍ）の上に、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のポリイミドフィルム（商品名：ユーピレックス  １２５Ｓ、宇部興産社製、厚さ１２５μｍ）を乗せた。該ポリイミドの上にさらに、スペーサーとして、１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状で、中央に１０ｃｍ×８ｃｍの長方形状の穴が開いたポリイミドフィルム（厚さ３ｍｍ）を乗せた。その穴の中心付近に半導体封止用エポキシ顆粒樹脂（商品名：スミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、住友ベークライト社製）を２ｇ乗せた。さらにその上に、１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の離型フィルムを、第１面を下側（エポキシ樹脂側）に向けて乗せ、最後にその上に１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の金属板（厚さ３ｍｍ）を乗せ、積層サンプルとした。
該積層サンプルを、１８０℃で熱したプレス機（５０ｔプレス機、プレス面積４５ｃｍ×５０ｃｍ）に入れ、１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で５分間プレスして、エポキシ樹脂を硬化させた。積層サンプルを取り出して金属板とポリイミドフィルムを取り除き、常温に戻した。このときの離型フィルムの挙動を目視で確認し、かつ手で離型フィルムを剥離した際の挙動を確認し、以下の基準でエポキシ樹脂剥離性を評価した。
○（良好）：冷却時に自発的に剥離する。手で容易に剥離できる。
×（不良）：冷却時に自発的に剥離しない。手で容易に剥離できない。【００９２】
〔例１〕
１００μｍＰＢＴフィルム（１）の片面にグラビアコートでウレタン系接着剤Ａを０．５ｇ／ｍ２で塗工し、２５μｍＥＴＦＥフィルムのコロナ処理面をドライラミネートにて貼り合わせて離型フィルムを得た。ドライラミネート条件は、基材幅１，０００ｍｍ、搬送速度２０ｍ／分、乾燥温度８０〜１００℃、ラミネートロール温度２５℃、ロール圧力３．５ＭＰａとした。【００９３】
〔例２〜１０、例１４〜１５〕
第１の層、第２の層を表１および２に記載の通りに選択して、例１と同様にして離型フィルムを得た。【００９４】
〔例１１〜１３〕
表１および２に記載の第１の層または第２の層に対応するフィルムをそのまま離型フィルムとした。【００９５】
例１〜１５の離型フィルムのフィルム構成、第２の層の引張破断応力（ＭＰａ）、第２の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）、第２の層の１８０℃における引張破断応力（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積（１８０℃引張破断応力×厚さ）、第２の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積（１８０℃引張貯蔵弾性率×厚さ）、評価結果（エポキシ樹脂剥離性、１８０℃追従試験）を表１および２に示す。
フィルム構成には、第１の層および第２の層それぞれに対応するフィルムの種類、厚さ（μｍ）、および両面のＲａを示した。なお、表１および２中の第１の層および第２の層のフィルムの各Ｒａ値は上下２段に表示されているが、その小さい方がドライラミネート面であり、大きい方がドライラミネートしない面である。【００９６】
【表１】
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【表２】
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【００９７】
上記結果に示すとおり、例１〜１０の離型フィルムは、エポキシ樹脂剥離性の評価結果が○であり、金型からの封止体の離型性に優れることが確認できた。
また、例１〜７の離型フィルムは、１８０℃追従試験の評価結果が○であり、成形時の温度条件下で深さ３ｍｍおよび７ｍｍの金型に、破れることなく追従できる追従性を有することが確認できた。例８と例１０の離型フィルムは、深さ７ｍｍの金型ではピンホールが発生したが、深さ３ｍｍの金型には、破れることなく追従できる追従性を有していた。  これは、例８の離型フィルムが（第２の層の１８０℃の引張貯蔵弾性率×厚さ）／（第２の層の１８０℃の引張破断強度×厚さ）の値が３．８以上であるため、深さ７ｍｍの金型に追従しにくく、次の圧縮空気によって急激に金型に追従し、ピンホールが発生したと考える。また、１０の離型フィルムは、第２の層を形成するＰＢＴにおいて、ポリアルキレングリコール単位が全単位中１０モル％超であるため、引張破断応力が低すぎて深い金型でのピンホールが発生したと考える。
例９の離型フィルムは、深さ７ｍｍの金型では金型に追従しなかったが、深さ３ｍｍの金型には、破れることなく追従できる追従性を有していた。これは、例９の離型フィルムは、第２の層を形成するＰＢＴにおいて、Ｍｗが１００，０００超であり、引張破断応力が高すぎて、深い金型での追従性が不充分であるためと考える。
一方、ＥＴＦＥの単層フィルムで厚さが１００μｍである例１１の離型フィルムは、１８０℃追従試験の際に深さ３ｍｍの金型で破れが見られた。
ＥＴＦＥの単層フィルムで厚さが２００μｍである例１２の離型フィルムは、ピンホールは見られなかったが、追従性が良くなかった。
ＰＢＴの単層フィルムである例１３の離型フィルムは、離型性が不充分であった。
第２の層の厚さが１００μｍ超である例１４の離型フィルムは、１８０℃追従試験の際に深さ３ｍｍ以上の金型に追従しなかった。
第２の層の１８０℃引張貯蔵弾性率×厚さの値が１８，０００超である例１５の離型フィルムは、１８０℃追従試験の際に深さ３ｍｍ以上の金型に追従しなかった。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明の離型フィルム、およびそれを使用する封止体の製造方法は、形状が複雑な半導体モジュール等の製造において広く使用される。
なお、２０１４年３月７日に出願された日本特許出願２０１４−０４５４６７号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【００９９】
１  離型フィルム、２  第１の層、３  第２の層、１０  基板、１１  半導体チップ（半導体素子）、１２  接続端子、１３  ワイヤ、１４  放熱板、１５  樹脂封止部、１６  基板、１７  積層構造、１７ａ  半導体チップ（半導体素子）、１８  シリコン貫通ビア（接続端子）、１９  樹脂封止部、２０  固定上型（上金型）、２２  キャビティ底面部材、２４  可動部材、２６  凹部、３０  離型フィルム、４０  硬化性樹脂、５０  上金型、５２  下金型、５４  凹部、５６  キャビティ面、５８  基板設置部、６０  樹脂導入部、６２  樹脂配置部、６４  プランジャ、７０  枠材、７２  下金型、７４  上金型、７６  コマ、７８  メッシュ、Ｌ１  配管、Ｌ２  配管、８０  天窓、８２  パッキン、１１０  封止体、１２０  封止体、１３０  構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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