(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する基体を準備する工程と、
前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、
第１部材を前記凹部内に滴下し、前記第１部材により前記発光素子の上面及び前記凹部の内壁を連続して被覆する工程と、
前記第１部材の本硬化前に、前記第１部材よりも比重が大きい第２部材を前記凹部内に滴下する工程と、
前記第１部材と前記第２部材とを本硬化させる工程と、を有し、
前記第２部材を滴下する工程は、前記第２部材の滴下と前記第１部材の仮硬化とを同時に行うことを含む発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２部材は前記第１部材と同じ樹脂材料を用いて形成される請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２部材は前記第１部材よりも高い耐熱性を有する樹脂材料を用いて形成される請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２部材に蛍光体が含まれている請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２部材を滴下する工程において、前記第２部材を前記発光素子の直上から前記凹部内に滴下する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１部材に蛍光体が含まれている請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１部材と前記第２部材とに蛍光体が含まれ、
前記第１部材に含まれる蛍光体には前記第２部材に含まれる蛍光体とは組成が異なる物質が用いられる請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
凹部を有する基体を準備する工程と、
前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、
第１部材を前記凹部内に滴下し、前記第１部材により前記発光素子の上面及び前記凹部の内壁を連続して被覆する工程と、
前記第１部材の本硬化前に、前記第１部材よりも比重が大きい第２部材を前記凹部内に滴下する工程と、
前記第１部材と前記第２部材とを本硬化させる工程と、を有し、
前記第１部材を滴下する前に、前記第１部材及び前記第２部材よりも光反射性が高い光反射部材を前記凹部内に滴下し、前記光反射部材により前記凹部の底面及び前記凹部の側面を被覆し、
前記第２部材を滴下する工程は、前記第２部材の滴下と前記第１部材の仮硬化とを同時に行うことを含む発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記光反射部材は前記発光素子と離間している請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子上に第一の波長変換層を塗布し硬化させる第一の工程と、発光素子が載置されたキャビティ全体に第二の波長変換層を充填・塗布し硬化させる第二の工程と、を有する半導体発光装置の製造方法が提案された（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１３５３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の製造方法では、第一の波長変換層と第二の波長変換層とが別々に硬化されるため、第一の波長変換層と第二の波長変換層との間に界面が形成されてしまい、発光素子から出射した光が当該界面にて全反射され発光装置の光取り出し効率が低下するという虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題は、例えば、次の手段により解決することができる。
【０００６】
凹部を有する基体を準備する工程と、前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、第１部材を前記凹部内に滴下し、前記第１部材により前記発光素子の上面及び前記凹部の内壁を連続して被覆する工程と、前記第１部材の本硬化前に、前記第１部材よりも比重が大きい第２部材を前記凹部内に滴下する工程と、前記第１部材と前記第２部材とを本硬化させる工程と、を有し、前記第２部材を滴下する工程は前記第１部材を仮硬化させる工程を含む発光装置の製造方法。
【０００７】
凹部を有する基体を準備する工程と、前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、第１部材を前記凹部内に滴下し、前記第１部材により前記発光素子の上面及び前記凹部の内壁を連続して被覆する工程と、前記第１部材の本硬化前に、前記第１部材よりも比重が大きい第２部材を前記凹部内に滴下する工程と、前記第１部材と前記第２部材とを本硬化させる工程と、を有し、前記第１部材を滴下する前に、前記第１部材及び前記第２部材よりも光反射性が高い光反射部材を前記凹部内に滴下し、前記光反射部材により前記凹部の底面及び前記凹部の側面を被覆する発光装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
上記した発光装置の製造方法によれば光取り出し効率に優れた発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図１Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図１Ｃ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図１Ｄ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図１Ｅ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図２Ａ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図２Ｂ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図２Ｃ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図２Ｄ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図２Ｅ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図２Ｆ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図２Ｇ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３Ａ】実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３Ｂ】実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３Ｃ】実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３Ｄ】実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３Ｅ】実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３Ｆ】実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３Ｇ】実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［実施形態１に係る発光装置１００］
図１Ｅに示すように、実施形態１に係る発光装置１００は、凹部Ｘを有する基体１０と、凹部Ｘの底面に載置された発光素子１２と、発光素子１２を被覆し、凹部Ｘ内に充填される部材（第１部材１４、第２部材１６）とを含み、凹部Ｘの底面に載置された発光素子１２近傍に蛍光体２２が配置された発光装置である。蛍光体２２は凹部Ｘ内にて均等に分散せずに、より多くの蛍光体２２が発光素子１２の周囲に偏って配置されている。実施形態１に係る発光装置１００は第１部材１４と第２部材１６との間に界面を有しない。実施形態１に係る発光装置１００によれば、発光素子１２から出射された光が第１部材１４と第２部材１６との間の界面で反射されることが無い光取り出し効率に優れた発光装置を提供することができる。
【００１１】
［実施形態１に係る発光装置の製造方法］
図１Ａから図１Ｅは実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。以下、図１Ａから図１Ｅを参照しつつ、説明する。
【００１２】
（第１工程）
まず、図１Ａに示すように、凹部Ｘを有する基体１０を準備する。凹部Ｘは基体１０の上面側に設けられる。凹部Ｘは、主に底面と底面から基体１０の上面に連続する内壁面からなり、その底面には例えば、リードフレームや金属部材などからなる配線が設けられる。凹部Ｘの底面には発光素子１２が載置され、凹部Ｘ内の発光素子１２は、第１部材１４および第２部材１６によって封止される。
【００１３】
基体１０は、例えば、樹脂材料やセラミックスなどの絶縁性材料を用いて構成される。凹部Ｘの形状は特に限定されない。例えば底面および上面の平面形状は円、楕円、正方形、長方形、多角形及びこれらの変形（例えば角を丸めた又は切欠きした形状）があげられる。内壁面の傾斜は、底面に対して垂直であってもよいが、発光装置の配光等を調節するために底面から上面側に近づくに従って広がるテーパ形状であってもよい。
【００１４】
凹部Ｘの内壁の高さは凹部Ｘ内に載置される発光素子１２の上面よりも高いことが好ましい。これにより、後の工程にて、第２部材１６が第１部材１４の下方へ移動しやすくなり、第２部材１６が発光素子１２の近傍に配置されやすくなる。
【００１５】
（第２工程）
次に、凹部Ｘの底面に発光素子１２を載置する。図１Ｂに示すように、発光素子１２は凹部Ｘの底面中央近傍に載置される。発光素子１２は凹部Ｘの底面に露出された配線と接続される。発光素子１２は、半導体発光素子であり、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子であればどのようなものでもよい。例えば、サファイア基板やＧａＮ基板などの成長用基板上に、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。発光素子１２の発光波長は特に限定されず、紫外領域から赤外領域まで任意の波長のものを選択することができる。発光素子１２は、例えば、ｐ側電極及びｎ側電極を同一面側に備えていてもよいし、あるいは対向するように備えていてもよい。発光素子１２の配線に対する実装方法は、特に限定されるものではないが、例えば、ワイヤボンディングやフリップチップ方式により行うことができる。なお、図１Ｂでは凹部Ｘ内に１つの発光素子が載置されているが、凹部Ｘ内に載置される発光素子の数は特に限定されず、１つであってもよいし、複数であってもよい。
【００１６】
（第３工程）
次に、図１Ｃに示すように、第１部材１４を凹部Ｘ内に滴下し、第１部材１４により発光素子１２の上面及び凹部Ｘの内壁を連続して被覆する。連続して被覆するとは、発光素子１２の上面を被覆する第１部材１４と凹部Ｘの内壁を被覆する第１部材１４とが繋がるよう被覆することをいう。
【００１７】
第１部材１４は主として樹脂材料からなる部材である。樹脂材料には蛍光体２０や光拡散材等のフィラーが含有されていてもよく、この場合は、樹脂材料とこれに含有されるフィラーとが第１部材１４を形成することになる。第１部材１４に用いられる樹脂材料は、特に限定されないが、絶縁性を有し、発光素子１２から出射される光を透過可能であり、硬化前は流動性を有する材料であればよい。具体的にはエポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種類以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れた熱硬化性樹脂が好ましく、絶縁性や耐候性に優れたシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂がより好適に利用できる。
【００１８】
第１部材１４は、発光素子１２の上面を覆うように凹部Ｘ内に充填される。第１部材１４の充填量は、後の工程で滴下される第２部材１６の量を考慮して、凹部Ｘ内を満たす全充填量（本実施形態では第１部材１４の充填量と第２部材１６の充填量の和）から第２部材１６の充填量を差し引いて決定される。凹部Ｘ内を満たす全充填量より少ない量の第１部材１４が凹部Ｘ内に充填されるため、凹部Ｘ内に充填された第１部材１４は凹部Ｘの下方側に配置される。この際、第１部材１４は表面張力により凹部Ｘの内壁を這い上がるため、凹部Ｘ内に充填された第１部材１４の上面は凹形状となっている。なお、第１部材１４や第２部材１６の充填量は、それぞれに用いられる樹脂材料の選択やそれぞれに含まれるフィラー（例：蛍光体）の濃度等により定まり、第１部材１４や第２部材１６がフィラーを含有する場合は、樹脂材料の量だけではなく、当該含有するフィラーの量も含めた第１部材１４全体及び第２部材１６全体の量で判断する。
【００１９】
（第４工程）
次に、図１Ｄに示すように、第１部材１４の本硬化前に、第１部材１４より比重が大きい第２部材１６を凹部Ｘ内に滴下する。第２部材１６は主として樹脂材料からなる部材である。樹脂材料には蛍光体２２や光拡散材等のフィラーが含有されていてもよく、この場合は、樹脂材料とこれに含有されるフィラーとが第２部材１６を形成することになる。
【００２０】
第１部材１４と第２部材１６の比重は、それぞれに用いられる樹脂材料の選択やそれぞれに含まれるフィラー（例：蛍光体）の濃度や粒径等により定まり、第１部材１４や第２部材１６がフィラーを含有する場合は、樹脂材料だけではなく、当該含有するフィラーも含めた第１部材１４全体及び第２部材１６全体で判断する。具体的には、例えば、次の（１）から（３）は、第２部材１６の比重が第１部材１４の比重よりも大きい場合の一例となる。
（１）第１部材１４と第２部材１６とに用いられる樹脂材料自体の比重が異なるため、第２部材１６全体の比重が第１部材１４全体の比重よりも大きくなる場合。
（２）第１部材１４と第２部材１６とに用いられる樹脂材料自体の比重は同じであるが、第１部材１４と第２部材１６とに含まれる蛍光体２０、２２等のフィラーの比重が異なるため（あるいは、第２部材１６には蛍光体２２等のフィラーが含まれるが、第１部材１４には蛍光体２０等のフィラーが含まれないため）、第２部材１６全体の比重が第１部材１４全体の比重よりも大きくなる場合。
（３）第１部材１４と第２部材１６とに用いられる樹脂材料自体の比重が同じであり、第１部材１４と第２部材１６とに含まれる蛍光体２０、２２等のフィラーの比重も同じであるが、第２部材１６に第１部材１４より多くのフィラーが含まれるため（すなわち、第２部材１６におけるフィラーの濃度が第１部材１４におけるフィラーの濃度より大きいため）、第２部材１６全体の比重が第１部材１４全体の比重よりも大きくなる場合。
【００２１】
第１部材１４がすでに充填された凹部Ｘ内に、第１部材１４より比重が大きい第２部材１６を滴下することにより、第２部材１６は第１部材１４の下方側へ移動しようとする。具体的には、第１部材１４の上面に滴下された第２部材１６は、第１部材１４の上面側から凹部Ｘの下方側へ向かって移動し、第１部材１４を凹部Ｘの上方側へ押し上げる。つまり、第２部材１６は、第１部材１４の中を潜り込むように移動して凹部Ｘの下方側に配置される。
【００２２】
第２部材１６は、発光素子１２が凹部Ｘの底面中央近傍に載置される場合、平面視で凹部Ｘの中央上方から滴下することが好ましい。第２部材１６を凹部Ｘの中央上方から滴下することにより、第２部材１６を凹部Ｘの底面中央近傍に選択的に配置することが可能となり、第２部材１６を第１部材１４よりも先に滴下する場合と比べると、凹部Ｘの内壁面における第２部材１６の這い上がりを抑制できる。他方、第２部材１６は、発光素子１２が凹部Ｘの底面中央近傍以外に載置される場合、発光素子１２の上方（例：発光素子１２の直上）から滴下することが好ましい。第２部材１６を発光素子１２の直上から滴下することにより、第２部材１６を発光素子１２近傍に選択的に配置することが可能となる。なお、凹部Ｘ内に複数の発光素子１２が載置されている場合は、複数の発光素子群の略中央の上方から第２部材１６を滴下することが好ましい。第２部材１６を複数の発光素子１２の上方から滴下することにより、第２部材１６を複数の発光素子群近傍に配置することが可能となる。
【００２３】
前記したとおり、第１部材１４や第２部材１６は主として樹脂材料からなる部材であるが、樹脂材料には蛍光体２２や光拡散材等のフィラーが含有されていてもよく、この場合は、樹脂材料とこれに含有されるフィラーとが第１部材１４や第２部材１６を形成することになる。蛍光体２０、２２としては、発光素子１２の光により励起されて発光素子１２の光とは異なる波長の光を発する当該分野で公知の物質を用いることができる。具体的には、セリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、セリウムで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、ユーロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、ユーロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、クロロシリケート蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体などの窒化物系蛍光体、希土類金属窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、ＫＳＦ（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）系蛍光体、硫化物系蛍光体などを蛍光体２０、２２の一例として挙げることができる。これらの物質を蛍光体２０、２２として用いれば、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置を提供することができる。特に、発光素子１２として青色発光素子を用いる場合には、青色光により励起されて黄色のブロードな発光を示す蛍光体を蛍光体２０、２２として用いることが好ましい。なお、蛍光体２０、２２は、一種の物質からなるものであってもよいし、組成が異なる二種以上の物質を組み合わせてなるものであってもよい。この場合は、二種以上の物質の配合比を調整することにより、所望の演色性や色再現性を実現することができる。
【００２４】
蛍光体２０、２２としては、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質を用いることもできる。このような発光物質としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族又はＩＶ−ＶＩ族の半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳＸＳｅ１−Ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等のナノサイズの高分散粒子を挙げることができる。また、このような発光物質としては、例えば、粒径が１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜２０ｎｍ程度（原子１０〜５０個程度）のものを挙げることができる。このような発光物質を蛍光体２０、２２として用いることにより、内部散乱を抑制することができ、色変換された光の散乱を抑制し、光の透過率をより一層向上させることができる。
【００２５】
蛍光体２０、２２としては有機系の発光材料を用いることもできる。有機系の発光材料として代表的なものとしては、有機金属錯体を用いた発光材料を挙げることができる。これらの発光材料には透明性の高い発光材料が多いため、蛍光体２０、２２として有機系の発光材料を用いた場合には、量子ドット蛍光体を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
【００２６】
光拡散材には、例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム等を用いることができる。
【００２７】
樹脂材料に含有させるフィラーとしては、上記蛍光体および光拡散材の他、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボンブラック等の無機フィラー、放熱性の高い材料（例えば窒化アルミ、窒化ホウ素等）等のフィラーを一例として挙げることができる。
【００２８】
第２部材１６を滴下する工程は第１部材１４を仮硬化させる工程を含んでいることが好ましい。具体的に説明すると、第１部材１４は第２部材１６の滴下と同時に仮硬化させること、換言すれば、第２部材１６は第１部材１４を仮硬化させながら滴下することが好ましい。
【００２９】
（第５工程）
次に、図１Ｅに示すように、第１部材１４と第２部材１６とを本硬化させる。このように、第２部材１６の滴下完了後に第１部材１４と第２部材１６とを同時に本硬化させることにより、第２部材１６が必要以上に水平方向へ移動することを防止して、所望の位置（例：発光素子１２の近傍のみ）に第２部材１６を配置することができる。第２部材１６が第１部材１４と同じ樹脂材料を用いて形成される場合は、第１部材１４と第２部材１６とを、同一の硬化条件の下、同一工程内で同時に本硬化させ易くなる。なお、本硬化後の第１部材１４および第２部材１６の外表面形状は必ずしもその上面が平坦である必要はなく凸状または凹状であってもよい。
【００３０】
本明細書において「本硬化」とは樹脂が完全に硬化することをいい、「仮硬化」とは樹
脂の流動を抑える程度に硬化することをいう。本硬化及び上記した仮硬化の方法は、特に
限定されるものではないが、本硬化や仮硬化は、例えば、熱、触媒、ＵＶ照射、放射線照
射等の方法により行うことができる。
【００３１】
例えば、第１部材１４と第２部材１６とがともに熱硬化性樹脂である場合、第１部材１４が本硬化する温度に達しない温度まで加熱しながら第２部材１６を滴下することが好ましい。これにより、第２部材１６の滴下後、速やかに本硬化工程を行うことができるため、第２部材１６が必要以上に流動してしまうことを制御できる。つまり、第２部材１６の配置エリアを制御しやすくなる。
【００３２】
以上説明したように、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法によれば、第１部材１４の本硬化前に、第１部材１４よりも比重が大きい第２部材１６を凹部Ｘ内に滴下するため、第２部材１６を発光素子１２近傍に配置させやすくなるとともに（特に、第２部材１６に蛍光体２２が含まれる場合には、当該蛍光体２２を発光素子１２の近傍に配置させやすくなる。）、第１部材１４と第２部材１６との間に界面が形成されることを抑制することができる。したがって、光取り出し効率に優れた発光装置を提供することができる。
【００３３】
また、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法によれば、本硬化前の第１部材１４が第２部材１６を発光素子１２近傍に優先的に配置する働きをするため、特に第２部材１６に蛍光体２２が含まれる場合においては、色ムラの少ない発光装置を提供することもできる。すなわち、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法によれば、本硬化前の第１部材１４が、凹部Ｘ内に滴下された第２部材１６を、凹部Ｘの全体に広がらないよう発光素子１２の近傍に抑え込む働きをする。このため、第２部材１６が、凹部Ｘ内への滴下後、凹部Ｘの全体に直ぐに広がるのではなく、時間をかけて徐々に凹部Ｘの全体に広がるようになる。したがって、第２部材１６が蛍光体２２を有する場合には、当該蛍光体２２が発光素子１２の上方や発光素子１２の周辺により多く堆積するようになる。
【００３４】
発光素子１２からの出射光が、凹部Ｘ内を封止する第１部材１４および第２部材１６中を通過する際の距離である光路長は、光の取り出し方向によって異なる。このため、蛍光体２２が凹部Ｘの全体に広がって堆積してしまうと、発光素子１２の側方へ向かう光が凹部Ｘの内壁に反射して凹部Ｘの外部へ至る光路Ｌ１上に、発光素子１２の上方へ向かう光が凹部Ｘの外部へ至る光路Ｌ２上より多くの蛍光体２２が存在してしまう。つまり、発光素子１２の側方領域において、発光素子１２の上方領域におけるより多くの蛍光体２２が発光素子１２の光によって励起されるようになる。したがって、発光素子１２の側方領域から蛍光体２２により波長変換された光がより多く出射するようになるため、発光素子１２の上方領域から出射する光と発光素子１２の側方領域から出射する光の色度が異なり、色ムラが顕著になってしまう。
【００３５】
しかしながら、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法によれば、上記のとおり、本硬化前の第１部材１４が第２部材１６を発光素子１２載置領域の近傍に優先的に配置する働きをするため、発光素子１２から側方へ向かう光が凹部Ｘの内壁に反射して凹部Ｘの外部へ至る光路Ｌ１上と、発光素子１２から上方へ向かう光が凹部Ｘの外部へ至る光路Ｌ２上と、に存在する蛍光体量の差を小さくすることができる。したがって、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法によれば、特に第２部材１６に蛍光体２２が含まれる場合において、色ムラの少ない発光装置を提供することができる。
【００３６】
実施形態１に係る発光装置１００の製造方法によれば、第２部材１６が発光素子１２載置領域の近傍に優先的に配置される。言い換えると、第２部材１６は発光装置１００の発光面から離間して配置される。したがって、第２部材１６に蛍光体２２が含まれる場合において、当該蛍光体２２は発光装置の外表面に露出されない。よって、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法は、特にガス、水分に弱い蛍光体２２を用いた発光装置の製造方法に適している。
【００３７】
なお、（１）第１部材１４と第２部材１６とに異なる比重の樹脂材料を用いることにより第２部材１６の比重を第１部材１４の比重より大きくする場合は、例えば、第２部材１６が第１部材１４よりも高い耐熱性を有する樹脂材料を用いて形成されることが好ましい。このようにすれば、より高い耐熱性を有する第２部材１６を発光素子近傍に選択的に配置することが可能となるため、発光素子１２からの発熱によって発光素子１２を覆う樹脂が劣化したり変色したりすること等を防止して、発光装置１００の発光効率低下を抑制することができる。また、（２）第１部材１４と第２部材１６とに異なる比重のフィラーを含有させることにより第２部材１６の比重を第１部材１４の比重より大きくしたり、（３）第１部材１４と第２部材１６とにおけるフィラーの濃度を変えたりすることにより、第２部材１６の比重を第１部材１４の比重より大きくする場合には、第２部材１６に含まれるフィラーを凹部Ｘ内の所望の場所に配置させやすくなるため、特に第２部材１６に蛍光体２２が含まれる場合において、より一層、蛍光体２２が発光素子１２の近傍に配置されるようになる。したがって、さらに色むらの少ない発光装置を提供することが可能となる。
【００３８】
［実施形態２に係る発光装置２００の製造方法］
図２Ａから図２Ｇは実施形態２に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。図２Ａから図２Ｇ（特に図２Ｃ、図２Ｄ）に示すように、実施形態２に係る発光装置２００の製造方法は、第１部材１４を滴下する前に、第１部材１４及び第２部材１６よりも光反射性が高い光反射部材１８を凹部Ｘ内に滴下し、光反射部材１８により凹部Ｘの底面及び発光素子１２の側面を被覆する点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。なお、光反射部材１８を滴下する際は、発光素子１２の上面が光反射部材１８から露出するよう、発光素子１２の真上ではなく、発光素子１２と凹部Ｘ側壁との間における上方から光反射部材１８を滴下する。このように光反射部材１８を滴下した場合、光反射部材１８が発光素子１２の側面を這い上がり、発光素子１２の側面が光反射部材１８で被覆される。実施形態２に係る発光装置２００の製造方法によれば、凹部Ｘの底面及び発光素子１２の側面が第１部材１４及び第２部材１６よりも光反射性が高い光反射部材１８で被覆されるため、発光装置の光取り出し効率をさらに高めることができる。
【００３９】
光反射部材１８は、光反射率の高い光反射性材料から形成することができる。具体的には、発光素子１２からの光に対する反射率が６０％以上、より好ましくは８０％または９０％以上である光反射性材料を用いることができる。光反射性材料としては、光反射性物質を含有した樹脂材料が好ましい。樹脂材料としては、具体的には、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種類以上を含む樹脂またはハイブリッド樹脂等が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性にすぐれ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。光反射性物質には、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、等を用いることができる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。また、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボンブラック等の無機フィラー、放熱性の高い材料（例えば窒化アルミ、窒化ホウ素等）を光反射性材料に含有させてもよい。
【００４０】
光反射部材１８は、第１部材１４や第２部材１６と同じ方法により滴下し、硬化させることができる。光反射部材１８は、第１部材１４および第２部材１６の滴下前に仮硬化または本硬化させておくことが好ましい。つまり、光反射部材１８と第１部材１４および第２部材１６との間に界面が形成されることが好ましい。これにより、発光素子１２から出射した光が光反射部材１８の表面にて反射されるため、発光装置２００の光取り出し効率が向上する。
【００４１】
［実施形態３に係る発光装置３００の製造方法］
図３Ａから図３Ｇは実施形態３に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。図３Ａから図３Ｇに示すように、実施形態３に係る発光装置３００の製造方法は、第１部材１４を滴下する前に、第１部材１４及び第２部材１６よりも光反射性が高い光反射部材１８を凹部Ｘ内に滴下し、光反射部材１８により凹部Ｘの底面及び凹部Ｘの側面を被覆する点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。また、光反射部材１８と発光素子１２とが離間している点で実施形態２に係る発光装置の製造方法と相違する。光反射部材１８を発光素子１２から離間して配置させるために、光反射部材１８の滴下は、発光素子１２の上面および側面が光反射部材１８から露出するよう、発光素子１２の真上ではなく、発光素子１２と凹部Ｘ側壁との間の、より凹部Ｘ側壁に近い位置における上方から光反射部材１８を滴下する。特に、凹部Ｘの底面が平面視略矩形状である場合、光反射部材１８は矩形の四隅近傍に滴下することが好ましい。これにより、光反射部材１８が凹部Ｘの側面に沿って濡れ広がり、ひと続きの反射曲面が形成される。ひと続きの反射曲面が形成された状態で光反射部材１８を仮硬化または本硬化させる。
【００４２】
実施形態３に係る発光装置３００の製造方法によれば、凹部Ｘの底面及び側面が第１部材１４及び第２部材１６よりも光反射性が高い光反射部材１８で被覆されるため、発光装置の光取り出し効率をさらに高めることができる。さらに、光反射部材１８と発光素子１２とが離間しているため、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法と同様に、第２部材１６を発光素子１２の側面近傍にも優先的に配置することができる。このため、特に、第２部材１６に蛍光体２２が含まれる場合においては、発光素子１２の上面及び側面近傍に蛍光体２２を優先的に配置することが可能となり、色ムラの少ない発光装置３００を提供することができる。
【００４３】
以上、実施形態について説明したが、これらの説明は一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成を何ら限定するものではない。
【符号の説明】
【００４４】
１０    基体
１２    発光素子
１４    第１部材
１６    第２部材
１８    光反射部材
２０    蛍光体
２２    蛍光体
１００  発光装置
２００  発光装置
３００  発光装置
Ｌ１    光路
Ｌ２    光路
Ｘ      凹部
【図１Ａ】
0006561861.tif 000002
【図１Ｂ】
0006561861.tif 000003
【図１Ｃ】
0006561861.tif 000004
【図１Ｄ】
0006561861.tif 000005
【図１Ｅ】
0006561861.tif 000006
【図２Ａ】
0006561861.tif 000007
【図２Ｂ】
0006561861.tif 000008
【図２Ｃ】
0006561861.tif 000009
【図２Ｄ】
0006561861.tif 000010
【図２Ｅ】
0006561861.tif 000011
【図２Ｆ】
0006561861.tif 000012
【図２Ｇ】
0006561861.tif 000013
【図３Ａ】
0006561861.tif 000014
【図３Ｂ】
0006561861.tif 000015
【図３Ｃ】
0006561861.tif 000016
【図３Ｄ】
0006561861.tif 000017
【図３Ｅ】
0006561861.tif 000018
【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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