(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外筒と、
前記外筒の一端側の内部に配置され、軸部、及び前記軸部に固定された案内羽根を有する回転流発生装置と、
前記外筒と同軸の状態で、前記外筒の他端側を通って、前記外筒の内部における前記回転流発生装置が配置されている位置から一定距離離間した位置まで延びる内筒と、
前記外筒の他端と前記内筒の外面との間を封止する封止部材と、を備え、
前記内筒における、前記外筒の内部に配置されている部分の前記他端側に、前記内筒の側壁を貫通するスリットが設けられ、
前記回転流発生装置に流入した流体内の粒子は、前記外筒と前記内筒との間の隙間に入り込み、
前記スリットを介して前記隙間から前記内筒内に流体が流入し、
前記回転流発生装置を通って前記外筒に流入した流体は、前記内筒より外部に流出されること、
を特徴とする流体中の粒子除去装置。
【請求項２】
請求項１に記載の粒子除去装置であって、
前記外筒は、
前記一端側に設けられ、前記回転流発生装置が配置される小径部と、
前記他端側に配置され、前記小径部より大径であって前記内筒が内部に配置される大径部と、
前記小径部と前記大径部との間の遷移部と、を備え、
前記小径部の内径と前記内筒の内径は、同径であること、
を特徴とする粒子除去装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の粒子除去装置であって、
前記スリットに網部材が取り付けられていること、
を特徴とする流体中の粒子除去装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の粒子除去装置であって、
前記外筒と前記内筒との間に、網部材が配置されていること、
を特徴とする粒子除去装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の粒子除去装置であって、
前記回転流発生装置は
円筒部と、
前記円筒部の中心部に位置する軸部と、
前記円筒部と前記軸部との間に、前記軸部の外周面と前記円筒部の内周面とを連結するように設けられた案内羽根と、を備える、
粒子除去装置。
【請求項６】
請求項５に記載の粒子除去装置であって、
前記円筒部の一端側には、外径側に向かって延び且つＯリングを保持するフランジ部が設けられている、
粒子除去装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の粒子除去装置を備える半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粒子除去装置及び半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
流体に含まれる粒子を除去する装置として、鉛直方向に延びる筒部材に、横方向から流体を流入し、比重の高い粒子を筒部材の鉛直下方に沈殿させ、粒子が除去された流体を筒部材の上方から取り出す装置がある（非特許文献１参照）。
【０００３】
また、成膜装置の排気系に取り付けられ、上記成膜装置の排気中に含まれる生成物及び／又は副生成物をトラップ部に固化させて捕集するトラップ装置本体と、上記トラップ装置本体に設けられ、固化した生成物及び／又は副生成物を加熱するヒータと、上記トラップ装置に弁を介して連結され、加熱されて気化した生成物及び／又は副生成物を排気する洗浄排気系と、上記トラップ部を強制的に冷却する冷却手段とを有する反応生成物捕集装置がある。
この反応生成物捕集装置は、成膜時にはトラップ部を冷却し、これに生成物及び／又は副生成物を固着させ、洗浄時にはトラップ部を加熱し、生成物及び／又は副生成物を排出するものである（特許文献１参照）。
【０００４】
さらに、外管の内部に中間処理室及びガス導入内管と排出内管とを同軸上に配装し、排気ガスの流路断面及び流路方向を軸方向に複数回急変させてガストラップ効果を高める排気系トラップ装置が開示されている。
この排気系トラップ装置は、排気ガスの流路断面積及び流路方向を軸方向に複数回急変させる構造を採用することにより、ガス流に対して複数回の衝突及び乱流を形成させて排気ガス流のエネルギーを好適に消費させ得る表面凝縮付着方式を用いている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】黒礒哲雄、“フィルスター”、[online]、有限会社industria  ホームページ、［平成２７年７月９日検索］、インターネット<URL http://www.industria.bz/>
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２５０６９６号公報
【特許文献２】特開平０６−１４２４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
非特許文献１に記載の技術によると、流体の入口から鉛直方向下方に延びる筒部材を配置する必要があるため、鉛直方向下方にスペースが必要である。
特許文献１及び特許文献２に記載の技術によると、構造が複雑であるため製造コストがかかる。
【０００８】
本発明の課題は、スペース効率がよく、簡単な構造の粒子除去装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の粒子除去装置の一実施形態は、外筒と、外筒の一端側の内部に配置され、軸部、及び軸部に固定された案内羽根を有する回転流発生装置と、外筒と同軸の状態で、外筒の他端側を通って、外筒の内部における回転流発生装置が配置されている位置から一定距離離間した位置まで延びる内筒と、外筒の他端と内筒の外面との間を封止する封止部材と、を備え、回転流発生装置を通って外筒に流入した流体が、内筒より外部に流出されること、を特徴とする。
外筒は、一端側に設けられ、回転流発生装置が配置される小径部と、他端側に配置され、小径部より大径であって内筒が内部に配置される大径部と、小径部と大径部との間の遷移部と、を備え、小径部の内径と内筒の内径は、同径であってもよい。
また、内筒における外筒の内部に配置されている部分における、外筒の他端側に、内筒の側壁を貫通するスリットが設けられていてもよい。
スリットに網部材を取り付けてもよい。
外筒と内筒との間に、網部材を配置してもよい。
本発明の他の実施形態は、上記粒子除去装置を備える半導体製造装置である。
なお、上記構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、スペース効率がよく、簡単な構造の粒子除去装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の粒子除去装置の概略断面図である。
【図２】回転流発生装置の外観斜視図である。
【図３】（ａ）は回転流発生装置を上流側から見た正面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】第１実施形態の粒子除去装置を適用した半導体製造装置の一例を示した図である。
【図５】回転流発生装置の外筒への装着構造、及び粒子除去装置とガス排出管との連結構造を示す図である
【図６】第２実施形態の粒子除去装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の粒子除去装置１００の概略断面図である。
粒子除去装置１００は、外筒１１０、内筒１２０と、外筒１１０の上流側（図中右側）の内部に配置された回転流発生装置２０と、を備える。粒子除去装置１００は、第１ガス排出管１０Ａと第２ガス排出管１０Ｂとの間に配置されている。
【００１３】
外筒１１０は、小径部１１１と、大径部１１３と、小径部１１１と大径部１１３との間に位置する遷移部１１２と、を備える。
【００１４】
小径部１１１は、外筒１１０の上流側（図中右側）の部分であり、回転流発生装置２０が内部に配置されている。小径部１１１の内径は、小径部１１１（外筒１１０）が連結される第１ガス排出管１０Ａの内径と略同様である。
小径部１１１の上流側端部の外周には連結フランジ１１１Ａが設けられている。
【００１５】
大径部１１３は、外筒１１０の下流側（図中左側）の部分で、小径部１１１よりも径が大きい。大径部１１３は、外筒１１０の全長の半分以上を占める。大径部１１３の下流側の端部には、連結フランジ１１３Ａが設けられている。
【００１６】
内筒１２０は、外筒１１０の大径部１１３よりも小径で、小径部１１１の内径と略同じ内径を有し、大径部１１３の内部に配置されている。大径部１１３（外筒１１０）の軸線と、内筒１２０の軸線とは同軸であり、大径部１１３と内筒１２０との間には、一定の間隔の隙間１３０が形成される。
【００１７】
内筒１２０の下流側端部は、大径部１１３の下流側端部から下流側に突き出している。
内筒１２０の上流側端部は、大径部１１３の上流側端部（大径部１１３と遷移部１１２との境界）より手前（下流側）に位置する。すなわち、内筒１２０は遷移部１１２の内部までは延びていない。
【００１８】
内筒１２０における、外筒１１０と重なっている部分の、下流側端部近傍の側面には、周方向に均等な間隔で配置された４つのスリット１２１が設けられている。ただし、スリット１２１の数は４に限定されず、それ以上でもそれ以下であってもよい。
内筒１２０の端部には、連結フランジ１２２が設けられている。
【００１９】
外筒１１０の大径部１１３の下流側端部に隣接し、大径部１１３のフランジ１１３Ａの外径と略同じ外径を有する円環状の封止部材１１４が、内筒１２０の外周に装着されている。封止部材１１４の内径は、内筒１２０の外径に隙間なく嵌合可能な大きさである。
【００２０】
封止部材１１４は、連結フランジ１１３Ａと対向配置され、間にＯリングを挟んで外周側からクランプ１１５で締め付けられている。
これにより、外筒１１０の下流側端部が塞がれるとともに、外筒１１０内に内筒１２０が保持される。
【００２１】
図２は、回転流発生装置２０の外観斜視図である。図３（ａ）は回転流発生装置２０を上流側から見た正面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００２２】
回転流発生装置２０は、図２及び図３に示すように、円筒部２１と、その一端に形成されたフランジ部２４と、円筒部２１の中心部に位置する軸部２２と、円筒部２１と軸部２２との間に設けられた４枚の案内羽根２３と、を備えている。なお、回転流発生装置２０は、図２及び図３（ｂ）中、右側を上流側（基板処理室２側）として配置される。
【００２３】
円筒部２１は、肉薄の短筒状であり、その外径は、外筒１１０の内側に隙間なく挿入可能な大きさに形成されている。
軸部２２は、所定径の円柱状であって、後述する案内羽根２３が一体に接合する円柱部２２ａの前後両端に、それぞれ円錐部（先端円錐部２２Ｆ，後端円錐部２２Ｒ）を備えている。
なお、本実施形態の回転流発生装置２０は、このように円筒部２１を有しているが、これに限定されず、羽根２３の外周部に円筒部２１を有さないものであってもよい。
【００２４】
上流側に向かう先端円錐部２２Ｆの頂角は１２０°、下流側に向かう後端円錐部２２Ｒの頂角は９０°に設定されている。
上流側に向かう先端円錐部２２Ｆの頂角を１２０°とすることで、乱流等形成することなく、流体の流れを滑らかに案内羽根２３に導入することができる。
また、下流側に向かう後端円錐部２２Ｒの頂角を９０°とすることで、案内羽根２３によって形成された回転流を、乱流等形成することなく、滑らかに管の内壁に案内することができる。
【００２５】
案内羽根２３は、薄板状で、円筒部２１の内壁と軸部２２の外周面との間に、周方向に等間隔で（すなわち９０°間隔で）４枚設けられている。そして、案内羽根２３は、軸部２２の外周面と円筒部２１の内周面とを連結するように設けられ、換言すると、４枚の案内羽根２３で、円筒部２１の中央に軸部２２を支持している。
【００２６】
円筒部２１の軸線ＣＬと直交する面と円筒部２１との交線Ｌ１に対する、案内羽根２３と円筒部２１との連結部Ｌ２の角度は図２に示すように、角度θ（たとえば、θ＝２０°）で傾斜している。本実施形態では、角度θは、４枚全ての案内羽根２３において同一に設定されている。
【００２７】
円筒部２１の一端側から外径側に向かって延びるフランジ部２４は、該フランジ部２４の外周面２４ａ（外方を向く面）が、図３に示すように湾曲している。
この外周面２４ａにＯリング１４が配置されて保持される。すなわち、フランジ部２４は、Ｏリング１４の位置決めを行うインナーリングの機能を有している。
フランジ部２４の厚みｔは、図３に示すように、Ｏリング１４の厚みＲより小さい。なお、Ｏリング１４の厚みとは、図３に示すように、Ｏリング１４を構成する部材の断面の直径である。
【００２８】
粒子除去装置１００は、例えば、半導体製造装置１内に配置される。
図４は、本実施形態の粒子除去装置１００を適用した半導体製造装置１の一例を示した図である。図５は、回転流発生装置２０の外筒１１０への装着構造、及び粒子除去装置１００と第１ガス排出管１０Ａとの連結構造を示す図である。
【００２９】
図４に示すように。半導体製造装置１は、ガス供給管３と、基板処理室２と、本実施形態の粒子除去装置１００と、真空ポンプ５とを備える。そして、基板処理室２と粒子除去装置１００との間が第１ガス排出管１０Ａで連結され、粒子除去装置１００と真空ポンプ５との間が第２ガス排出管１０Ｂで連結されている。
【００３０】
ガス供給管３は、基板処理室２のガス流入側に連結され、基板処理室２に基板処理ガスを供給する。
基板処理室２は、詳細な説明は省略するが、石英等によって形成され、下部にフランジによって開閉可能な開口部を備えている。基板処理室２には、開口部を介して処理される基板４が出し入れされる。
第１ガス排出管１０Ａは、基板処理室２のガス排出側に連結されている。
【００３１】
粒子除去装置１００の外筒１１０の小径部１１１は、第１ガス排出管１０Ａの下流側に連結されている。第１ガス排出管１０Ａ、外筒１１０、内筒１２０、及び第２ガス排出管１０Ｂは軸線である。
外筒１１０の小径部１１１と第１ガス排出管１０Ａとの連結は以下のように行う。
Ｏリング１４の外周側に、図５に示すようにアウターリング２５を配置する。アウターリング２５は、断面Ｔ字形状の封止部材で、外環部２５ａと、その外環部２５ａの内側中央部より内径側に延びる内環部２５ｂとを有する。内環部２５ｂの厚みは、フランジ部２４の厚みと同じ、Ｏリング１４の厚みＲより小さい厚みｔである。
また、内環部２５ｂの端面２５ｃは、フランジ部２４の外周面２４ａと同様に湾曲し、フランジ部２４の外周面２４ａとアウターリング２５の端面２５ｃとで、Ｏリング１４を挟み込む。
【００３２】
ここで、回転流発生装置２０の円筒部２１は、小径部１１１の内側に挿入されるが、回転流発生装置２０の上流側のフランジ部２４は小径部１１１の内径よりも大きいので、内部に挿入されない。また、回転流発生装置２０の上流側のフランジ部２４は、第１ガス排出管１０Ａの内径よりも大きいので、内部に挿入されない。したがって、回転流発生装置２０全体がガス排出管１０内へ深く進入して取り外しが困難になることが防止される。
【００３３】
さらに、回転流発生装置２０は、フランジ部２４を備え、フランジ部２４がインナーリングの機能を有しているので、別部材としてインナーリングを用いることなく、Ｏリング１４を保持することができる。
フランジ部２４の厚みｔはＯリング１４の厚みＲより小さいので、クランプで締め付けたときにＯリング１４が圧縮変形することができ、ガス排出管１０と基板処理室２とを、気密的に連結することができる。
【００３４】
そして、図５に示すように、外筒１１０の先端部の外周に設けられた連結フランジ１１１Ａと、基板処理室２の排出口に設けられた固定フランジ２Ｆとは、間にフランジ部２４と、Ｏリング１４と、アウターリング２５の内環部２５ｂとを介して対向して配置され、外周側からクランプ１５で締め付けられる。
【００３５】
連結フランジ１１１Ａと、固定フランジ２Ｆとは外周側に向かって厚みが薄くなるように、互いが対向する側と反対側の斜面にテーパが設けられている。
一方、クランプ１５は、外周側から内周側に向かって厚みが薄くなるように内面側にテーパが設けられている。
したがって、クランプ１５を内径側に向かって締め付けると連結フランジ１１１Ａと、固定フランジ２Ｆとが互いに近づくように押圧される。
【００３６】
このとき、Ｏリング１４の厚みＲは、アウターリング２５の内環部２５ｂの厚みｔ及びフランジ部２４の厚みｔよりも大きい。このため、クランプ１５を内径側に向かって締め付けて連結フランジ１１１Ａと、固定フランジ２Ｆとが互いに近づくように押圧されることによってＯリング１４が変形する。
この際、Ｏリング１４はフランジ部２４によって位置が固定されているので締め付けの際にずれることなく、Ｏリング１４の側面は連結フランジ１１１Ａと固定フランジ２Ｆとに押し付けられて、ガス排出管１０と基板処理室２とが気密的に連結される。
【００３７】
第２ガス排出管１０Ｂは、粒子除去装置１００の内筒１２０の下流側に連結されている。
内筒１２０と第２ガス排出管１０Ｂとの間の連結は、詳細な説明を省略するが、内筒１２０の連結フランジ１２２と、第２ガス排出管１０Ｂに設けられたフランジ部１０Ｃとの間にＯリング（図示せず）を挟んだ状態で、クランプ（図示せず）によって連結される。
【００３８】
真空ポンプ５は、第２ガス排出管１０Ｂの下流側に連結されている。
真空ポンプ５は、その駆動によって基板処理室２での反応によって生成された基板処理済みガス等を、ガス排出管１０を介して排気する。
【００３９】
上記構成の半導体製造装置１は、下記のような作用によって基板に成膜処理を行う。
すなわち、基板処理室２内に基板４を載置して、基板処理室２内の温度、圧力が調節し、ガス供給管３を介して基板処理室２に基板処理ガスを供給する。
これにより、基板処理室２に供給された基板処理ガスが、加熱により反応して成膜成分を生成し、基板４の表面に堆積させる。たとえば、基板処理ガスとしてＳｉＨ２ＣＬ２とＮＨ３との混合ガスを用い、反応生成した成膜成分であるＳｉ３Ｎ４（窒化珪素）を基板４の表面に堆積させる。
【００４０】
前述の反応ではＨＣＬが発生し、発生したＨＣＬは、二次反応によって、ＮＨ３（アンモニウム）と結合してＮＨ４ＣＬ（塩化アンモニウム）となり、これが他の反応成分とともに反応副生成物等の粒子となる。
そして、基板処理室２で反応した後の基板処理済みガスは、真空ポンプ５の駆動によって第１ガス排出管１０Ａ、粒子除去装置１００、第２ガス排出管１０Ｂを介して吸引されて排出される。
【００４１】
この際、粒子除去装置１００は以下のように作用する。
図１に示すように、真空ポンプ５の吸引により、上流の基板処理室２及び第１ガス排出管１０Ａ側から、反応生成物の粒子Ｍが含まれるガスが、粒子除去装置１００の回転流発生装置２０に流入する。
【００４２】
回転流発生装置２０の軸部２２の先端円錐部２２Ｆは、ガスの流れを、周囲に向かって（外筒１１０の内壁面に衝突する方向に）放射状に偏向させ、さらに、案内羽根２３がその形成形状に沿って周方向斜めに偏向させる。
【００４３】
すなわち、案内羽根２３は、基板処理済みガスの流れを、軸線ＣＬと直交する面内においては軸線ＣＬを中心とする円の接線方向に、且つ、軸線ＣＬと平行する方向においては案内羽根２３の角度に偏向させる。
軸部２２の後端円錐部２２Ｒは、偏向した流れを軸部２２の下流側において円滑に合流させる。
【００４４】
これにより、回転流発生装置２０の下流側において基板処理済みガスは、外筒１１０の小径部１１１の内壁面に衝突して方向を規制され、回転流を形成する。
案内羽根２３は周方向に９０°間隔で４枚設けられているため、回転流は、同一ピッチで９０°位相が異なる４条ネジのように４本形成され、これらが合流して回転流を発生し、この回転流に沿って粒子Ｍも流れる。
【００４５】
回転流は、外筒１１０の遷移部１１２において遷移部１１２の外径に沿って徐々に外径を拡大し、それにしたがって粒子Ｍの回転軌道の径も大きくなる。
遷移部１１２から大径部１１３になると、ガスは、大径部１１３の側面に沿って流れ、粒子も大径部１１３の側面に沿って流れる。
【００４６】
ここで、内筒１２０は、第２ガス排出管１０Ｂに連結され、第２ガス排出管１０Ｂは真空ポンプ５によって吸引されているため、粒子除去装置１００を流れるガスは、内径部１２０の上流側端部付近において内筒１２０内に吸引される。
しかし、慣性の影響を受ける粒子Ｍ（粒径が約０．１μｍ以上）の場合、慣性力が作用する。この慣性力のため、粒子Ｍは、内筒１２０に入る軌道のガスの流れに乗らず、内筒１２０と外筒１１０との間の隙間１３０に入り込む。
【００４７】
内筒１２０にはスリット１２１が設けられており、スリット１２１を介して隙間１３０から内筒１２０内にガスが流入する。
真空ポンプ５による吸引により、隙間１３０内においてわずかに上流から下流に向かう流れが生じるので、隙間１３０に流入した粒Ｍは、隙間１３０の下流側に向かう。そして、粒子Ｍは隙間１３０内に下流側から捕獲されていく。
一方、粒子Ｍは隙間１３０に捕獲されるので、内筒１２０は粒子Ｍを含まないガスが流れ、慣性の影響を受ける粒子Ｍが減少した、清浄なガスのみ下流に流れる。
【００４８】
粒子Ｍは、このように粒子除去装置１００における外筒１１０の大径部１１３と内筒１２０との間の隙間１３０に捕集され、下流には粒子Ｍを含まない清浄なガスが流れるので、メンテナンスの頻度、及びそのための休止時間を少なくでき、半導体製造装置１の稼働効率を向上させることが可能となる。
【００４９】
なお、ガスの旋回流がほとんど発生しないような減圧下でも、慣性の影響を受ける粒子Ｍには回転流発生装置２０により旋回流が発生され、捕集することができる。
【００５０】
また、粒子除去装置１００の内筒１２０と、外筒１１０の小径部１１１と、第１ガス排出管１０Ａと、第２ガス排出管１０Ｂとは、略同じ内径を有する。したがって、ガスが流れる際に圧力損失が少ない。
【００５１】
内筒１２０の上流側端部は、大径部１１３の端部（大径部１１３と遷移部１１２との境界）より手前（下流側）に位置する。すなわち、内筒１２０は遷移部１１２の内部までは延びていない。
これにより、回転流発生装置２０により発生された回転流によって、遷移部１１２において粒子Ｍに十分な慣性力が与えられ、粒子Ｍは、内筒１２０に入ることなく、大径部１１３の内壁に押し付けられながら進むため、気流と分離される。
【００５２】
（第２実施形態）
つぎに、本発明にかかる粒子除去装置１００の第２実施形態について説明する。図６は第２実施形態の粒子除去装置１００の概略断面図である。
第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、外筒１１０と内筒１２０との間の隙間１３０に、網部材として円筒状網部材１４０が配置されている点である。
円筒状網部材１４０の下流側端部は、封止部材１１４と接している。
また、スリット１２１の外周側にスリット被覆用網部材１４１が、配置されている。
【００５３】
本実施形態によると、隙間１３０に円筒状網部材１４０が設けられているので、粒子が流れ込むと、円筒状網部材１４０に捕獲される。従って、粒子の捕獲効果がより高くなり、メンテナンスの際に捕獲物を取り出しやすい。また、スリット１２１にも網部材１４１が取り付けられているので、したがって、スリット１２１を通して粒子が内筒１２０に流入することがない。
【００５４】
（変形形態）
以上、説明した実施形態に限定されることなく、以下に示すような種々の変形や変更が可能であり、それらも本発明の範囲内である。
実施形態では、粒子除去装置１００が半導体製造装置１内で使用される形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、流体が流れる管内であれば、他の配管内での使用も可能である。例えば流体が気体の場合は、掃除機、空気清浄器等としての使用も可能である。また、流体は気体に限らず、液体であってもよい。
【００５５】
本実施形態では、回転流発生装置２０は４枚の案内羽根を備えている。しかし、案内羽根の数はこれに限らず、それ以下又はそれ以上であってもよい。たとえば、１〜１６枚（好ましくは２〜８枚）の案内羽根を備える構成としてもよい。
【００５６】
本実施形態の回転流発生装置２０は、基板処理室２の直後に設けられたガス排出管に配置したが、これに限定されず、取り外しして捕集粒子を取り出しやすいその他の箇所に配置することができる。
【００５７】
上述の実施形態では、外筒１１０が、大径部１１３と小径部１１１と遷移部１１２とを有する形態について説明したが、本発明はこれに限定されない。
例えば、回転流発生装置２０が配置されている上流側と、封止部材１１４が取り付けられている下流側とが同径であって遷移部１１２を有さない形状、すなわち、外筒１１０の径が一定であってもよい。
【００５８】
なお、実施形態及び変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。また、本発明は以上説明した実施形態によって限定されることはない。
【符号の説明】
【００５９】
１：半導体製造装置、２：基板処理室、５：真空ポンプ、１０Ａ：第１ガス排出管、１０Ｂ：第２ガス排出管、２０：回転流発生装置、２１：円筒部、１００：粒子除去装置、１１０：外筒、１１１：小径部、１１１Ａ：フランジ、１１２：遷移部、１１３：大径部、１１３Ａ：フランジ、１１４：封止部材、１２０：内筒、１２１：スリット、１３０：隙間、１４０：円筒状網部材、１４１：網部材
【図１】
0006595832.tif 000002
【図２】
0006595832.tif 000003
【図３】
0006595832.tif 000004
【図４】
0006595832.tif 000005
【図５】
0006595832.tif 000006
【図６】
0006595832.tif 000007