(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと粘着剤層とを備え、
前記基材フィルムは、少なくとも、前記粘着剤層と隣接する第一基材と、前記第一基材の前記粘着剤層と対向する面とは反対の面側に積層された第二基材とを有し、
前記第一基材には、複数の第一脆弱部が設けられ、
前記第二基材には、複数の第二脆弱部が設けられ、
前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部と、前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部とは、前記基材フィルムの平面視において、互いに重ならない領域に設けられた、粘着シート。
【請求項２】
前記複数の第一脆弱部、および前記複数の第二脆弱部の少なくともいずれかは、前記粘着シートを引き延ばす方向と直交する方向に形成された、
請求項１に記載の粘着シート。
【請求項３】
前記複数の第一脆弱部、および前記複数の第二脆弱部の少なくともいずれかは、前記基材フィルムの平面視において、前記第一基材および前記第二基材のいずれかの基材に設けられた脆弱部同士が交差して格子形状が形成されるように設けられた、
請求項１または請求項２に記載の粘着シート。
【請求項４】
前記基材フィルムの平面視において、前記複数の第一脆弱部、および前記複数の第二脆弱部の少なくともいずれかは、前記基材フィルムの中心部を中心として、前記基材フィルムの中心部からの距離が異なる複数の略同心円状に設けられた、
請求項１または請求項２に記載の粘着シート。
【請求項５】
前記第一基材は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、３Ｎ／ｍｍ以上５０Ｎ／ｍｍ以下であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５Ｎ／ｍｍ以上１００Ｎ／ｍｍ以下であり、
前記第二基材は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５０Ｎ／ｍｍ以上であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、１００Ｎ／ｍｍ以上である、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の粘着シート。
【請求項６】
前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部は、前記第一基材の厚み方向に対して、貫通して設けられ、
前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、前記第二基材の厚み方向に対して、貫通して設けられた、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の粘着シート。
【請求項７】
前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部は、前記第一基材の厚み方向に対して、溝状に設けられ、
前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、前記第二基材の厚み方向に対して、溝状に設けられた、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の粘着シート。
【請求項８】
前記第一基材に設けられた複数の第一脆弱部は、前記第一基材の前記粘着剤層と対向する面に形成され、
前記第二基材に設けられた複数の第二脆弱部は、前記第二基材の前記粘着剤層と対向する面に形成された、
請求項７に記載の粘着シート。
【請求項９】
前記第一基材に設けられた複数の第一脆弱部は、前記第一基材の前記粘着剤層と対向する面に形成され、
前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、前記第二基材の前記粘着剤層と対向する面とは反対側の面に形成された、
請求項７に記載の粘着シート。
【請求項１０】
前記粘着剤層の上には被着体が貼着され、
前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部、前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、少なくとも、前記被着体が貼着される領域に対応する部位に設けられた、
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の粘着シート。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の粘着シートにウエハを貼着する工程と、
前記粘着シートに貼着されたウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、
前記粘着シートを引き延ばし、前記第一領域に貼着された前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備える、
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘着シートおよび半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、および高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、および高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰを製造するプロセスの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、チップ回路形成面に外部電極などを形成し、最終的にはチップを含むパッケージをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ−Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ−Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０５８６４６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ウエハマウントテープなどの既存の粘着シートを引き延ばして、複数の半導体チップ同士の間隔を拡げようとすると、複数の半導体チップの間の距離を充分に拡げることができないおそれがある。一方で、無理に複数の半導体チップを支持するシートを引き延ばそうとすると、シートが破断したり、裂けたりするおそれがある。その結果、シート上の半導体チップ同士の間隔がばらついたり、半導体チップがシートから離脱したりして、半導体チップの取り扱い性が低下するおそれがある。
【０００６】
本発明の目的は、シートを掴んで引き延ばした際に、シート自体の破断や裂けが生じ難く、引き延ばし易い、粘着シートを提供すること、および当該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基材フィルムと粘着剤層とを備え、前記基材フィルムは、少なくとも、前記粘着剤層と隣接する第一基材と、前記第一基材の前記粘着剤層と対向する面とは反対の面側に積層された第二基材とを有し、前記第一基材には、複数の第一脆弱部が設けられ、前記第二基材には、複数の第二脆弱部が設けられ、前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部と、前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部とは、前記基材フィルムの平面視において、互いに重ならない領域に設けられた、粘着シートを提供できる。
上述の本発明の一態様によれば、第一基材には、複数の第一脆弱部が設けられ、第二基材には、複数の第二脆弱部が設けられている。この態様の粘着シートを引き延ばしたときに、引き延ばしの応力が第一脆弱部および第二脆弱部に集中して、第一脆弱部および第二脆弱部に沿って各基材が分離し、分離した領域間の間隔が拡がる。また、第一脆弱部と第二脆弱部とは、平面視で互いに重ならない領域に設けられている。そのため、第一脆弱部に沿って分離した領域と、第二脆弱部に沿って分離した領域とから、それぞれ亀裂が生じたとしても、第一脆弱部に沿って分離した領域と第二脆弱部に沿って分離した領域とが亀裂でつながって、基材フィルムの厚み方向に達するような大きな破断は生じ難い。したがって、上述の本発明の一態様によれば、シート自体の破断や裂けが生じ難く、引き延ばし易い粘着シートを提供できる。
本明細書において、第一脆弱部と第二脆弱部とが、基材フィルムの平面視において、互いに重ならない領域に設けられたとは、第一脆弱部と第二脆弱部とが、全く重ならない領域に設けられた場合だけに限らない。第一脆弱部と第二脆弱部とが、平面視で、一部の領域について部分的に重なった領域が形成されていてもよい。例えば、第一脆弱部と第二脆弱部とがそれぞれ異なる方向に沿って形成され、平面視で、第一脆弱部と第二脆弱部とが交差して、第一脆弱部の一部と第二脆弱部の一部とが部分的に重なる領域が形成されていてもよい。
なお、第一脆弱部が第二脆弱部よりも大きく形成され、平面視で、第一脆弱部が形成された領域内に、第二脆弱部が形成された領域の大部分が含まれるような場合には、第一脆弱部と第二脆弱部とが互いに重ならない領域に設けられたとはいえず、互いに重なる領域に設けられていると判断する。
【０００８】
本発明の一態様において、前記複数の第一脆弱部、および前記複数の第二脆弱部の少なくともいずれかは、前記粘着シートを引き延ばす方向と直交する方向に形成されたことも好ましい。
この態様によれば、第一脆弱部および第二脆弱部の少なくともいずれかが、粘着シートを引き延ばす方向と直交する方向に形成されている。脆弱部が引き延ばす方向と直交する方向に形成されていると、脆弱部が形成された領域において引き延ばしの応力が集中する領域が増えるため、脆弱部に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とに必要な引っ張り強度が低下する。そのため、この態様では、小さな引き延ばし力で、引き延ばすことが可能な粘着シートを提供できる。
【０００９】
本発明の一態様において、前記複数の第一脆弱部、および前記複数の第二脆弱部の少なくともいずれかは、前記基材フィルムの平面視において、前記第一基材および前記第二基材のいずれかの基材に設けられた脆弱部同士が交差して格子形状が形成されるように設けられていることも好ましい。
この態様によれば、各基材に設けられた脆弱部同士が交差して格子形状を形成するように設けられている。引き延ばす方向が、ある特定の方向と、この特定の方向と直交する方向に沿った２方向の場合、この態様の粘着シートを、引き延ばす方向と、格子形状を構成する脆弱部の方向とがそれぞれ直交するように配置する。このように配置して粘着シートを引き延ばすと、格子形状を構成する脆弱部の方向とは直交する方向に引き延ばしの応力が働くため、格子形状に形成された脆弱部に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。そのため、上記態様によれば、ある特定の方向と、この特定の方向と直交する方向との２方向にそれぞれ引き延ばす方法に適した粘着シートを提供できる。
【００１０】
本発明の一態様において、前記基材フィルムの平面視において、前記複数の第一脆弱部、および前記複数の第二脆弱部の少なくともいずれかは、前記基材フィルムの中心部を中心として、前記基材フィルムの中心部からの距離が異なる複数の略同心円状に設けられていることも好ましい。
この態様によれば、第一脆弱部および第二脆弱部の少なくともいずれかが略同心円状に設けられている。
上記形状を有する粘着シートは、例えば、環状のリングフレームと、略矩形状の離間テーブルを備えた離間装置を用いた、エキスパンド工程での使用に適している。
具体的には、まず、環状のリングフレームで粘着シートの外周の領域を保持する。次に、支持面が平面形状の離間テーブルをリングフレームの内側に通過させる。リングフレームを下降させて、離間テーブルの支持面の高さが、リングフレームの高さよりも相対的に高くなると、リングフレームの内側の領域が離間テーブルに押し上げられ、粘着シートが、同心円の円周方向と直交する方向に沿って外側に拡張される。
上記離間装置を用いて粘着シートを引き延ばすと、同心円の円周方向とは直交する方向に引き延ばしの応力が働くため、略同心円状に設けられた脆弱部に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。そのため、上記態様によれば、円周方向と直交する方向に沿って引き延ばす方法に適した粘着シートを提供できる。
なお、本明細書において、粘着シートについて略同心円状という場合には、中心的な部分が同じ位置にある２以上の略円形の存在する状態、および２以上の略円形が所定の間隔を隔てて存在する状態を意味する。なお、略円形とは、円形、楕円等の円形の概念に近い形状およびそれらの変形した形状をいう。  
【００１１】
本発明の一態様において、前記第一基材は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、３Ｎ／ｍｍ以上５０Ｎ／ｍｍ以下であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５Ｎ／ｍｍ以上１００Ｎ／ｍｍ以下であり、前記第二基材は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５０Ｎ／ｍｍ以上であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、１００Ｎ／ｍｍ以上であることも好ましい。
この態様によれば、第一基材の引裂き強度と第二基材の引裂き強度が上記範囲であれば、第一基材に設けられた第一脆弱部および第二基材に設けられた第二脆弱部に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。
また、第一基材と第二基材とで引裂き強度の異なる基材を使用することで、粘着シートを引き延ばしたときに、脆弱部に沿って基材を分離、拡張させるタイミングを基材ごとにずらすことができる。そのため、それぞれの脆弱部に沿った各基材の分離、拡張が段階的に行われるので、第一脆弱部と第二脆弱部とが同じタイミングで分離、拡張するのに比べて、第一脆弱部に沿って分離した領域と第二脆弱部に沿って分離した領域とが亀裂でつながって、基材フィルムの厚み方向に達するような大きな破断がより生じ難くなる。また、各基材の引裂き強度に応じて、各基材に設ける脆弱部の位置や数を適宜調整できる。
【００１２】
本発明の一態様において、前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部は、前記第一基材の厚み方向に対して、貫通して設けられ、前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、前記第二基材の厚み方向に対して、貫通して設けられたことも好ましい。
この態様によれば、第一脆弱部および第二脆弱部が基材厚み方向に対して貫通している。基材厚み方向に対して貫通した脆弱部は、貫通していない脆弱部に比べて、引っ張り強度が弱くなるため分離、拡張し易い。そのため、上記態様によれば、脆弱部が形成されている領域での分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。
【００１３】
本発明の一態様において、前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部は、前記第一基材の厚み方向に対して、溝状に設けられ、前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、前記第二基材の厚み方向に対して、溝状に設けられたことも好ましい。
この態様によれば、第一脆弱部および第二脆弱部が基材厚み方向に対して溝状に設けられている。溝状に設けられた脆弱部は、基材厚み方向に対して貫通するように形成された脆弱部に比べて、引っ張り強度が強くなるため、粘着シートを引っ張る前に分離したり、拡張したりし難い。そのため、上記態様によれば、粘着シートを引き延ばしたときに、基材フィルム自体が破断したり、裂けたりすることをより低減できる。
【００１４】
本発明の一態様において、前記第一基材に設けられた複数の第一脆弱部は、前記第一基材の前記粘着剤層と対向する面に形成され、前記第二基材に設けられた複数の第二脆弱部は、前記第二基材の前記粘着剤層と対向する面に形成されたことも好ましい。
この態様によれば、第一基材に設けられた第一脆弱部および第二基材に設けられた第二脆弱部は、それぞれ粘着剤層側から形成されている。例えば、第一脆弱部と第二脆弱部とがそれぞれ溝状に形成されている場合、第一脆弱部と第二脆弱部とが互いに異なる面側に形成されていることで、引き延ばし力が第一基材の粘着剤層と対向する面側、第二基材の粘着剤層と対向する面側にそれぞれ分散する。そのため、第一脆弱部と第二脆弱部とが第一基材と第二基材との界面に形成されているのに比べて、粘着シートを引っ張る前に分離したり、拡張したりし難い。したがって、上記態様によれば、粘着シートを引き延ばしたときに、基材フィルム自体が破断したり、裂けたりすることをより低減できる。
【００１５】
本発明の一態様において、前記第一基材に設けられた複数の第一脆弱部は、前記第一基材の前記粘着剤層と対向する面に形成され、前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、前記第二基材の前記粘着剤層と対向する面とは反対側の面に形成されたことも好ましい。
この態様によれば、第一基材に設けられた第一脆弱部が粘着剤層側から形成され、第二基材に設けられた第二脆弱部が粘着剤層側と対向する面とは反対側から形成されている。即ち、この構成では、第一脆弱部および第二脆弱部が基材フィルムの表面側と裏面側にそれぞれ形成されている。例えば、第一脆弱部と第二脆弱部とがそれぞれ溝状に形成されている場合、第一脆弱部と第二脆弱部とが、離れた位置に形成されているため、粘着シートを引き延ばしたときに、第一脆弱部から生じる亀裂の方向は、第二脆弱部に向かって誘導され難く、同様に、第二脆弱部から生じる亀裂の方向も、第一脆弱部に向かって誘導され難い。そのため、上記態様によれば、粘着シートを引き延ばしたときに、基材フィルム自体が破断したり、裂けたりすることをより低減できる。
また、この態様では、第一基材および第二基材を積層させて基材フィルムを形成した後に、脆弱付与処理を、基材フィルムの表裏面に対して実施する製造方法に適しており、第一脆弱部および第二脆弱部を一工程で形成できる。
【００１６】
本発明の一態様において、前記粘着剤層の上には被着体が貼着され、前記第一基材に設けられた前記複数の第一脆弱部、前記第二基材に設けられた前記複数の第二脆弱部は、少なくとも、前記被着体が貼着される領域に対応する部位に設けられたことも好ましい。
この態様によれば、第一脆弱部および第二脆弱部が、被着体が貼着される領域に対応する部位に設けられる。
被着体が複数の半導体チップの場合、粘着シートを引き延ばしたときに、複数の半導体チップが貼着された領域に対応する部位に設けられた第一脆弱部および第二脆弱部に沿って各基材が分離し、分離した領域間の間隔が拡がる。一方で、複数の半導体チップが貼着されていない領域に対応する部位には第一脆弱部および第二脆弱部が設けられていない。そのため、粘着シートを引き延ばしても、複数の半導体チップが貼着されていない領域は、複数の半導体チップが貼着された領域に比べて大きく拡がらない。このように、複数の半導体チップが貼着された領域が延び易い構成とすることで、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。
【００１７】
本発明の一態様によれば、上記本発明の粘着シートにウエハを貼着する工程と、前記粘着シートに貼着されたウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、前記粘着シートを引き延ばし、前記第一領域に貼着された前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供できる。
この本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、上述の本発明の一態様に係る粘着シートを使用する。
粘着シートに貼着されたウエハをダイシングにより個片化して複数の半導体チップを形成した後、粘着シートを引き延ばすことで、複数の半導体チップ間の間隔を大きく拡げることができる。
上述の本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ダイシングにより形成した複数の半導体チップをピックアップして、間隔を拡げて支持部材上に再配列する工程を経ることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。それゆえ、上述の本発明の一態様に係る粘着シートは、ＷＬＰの製造プロセスへの適合性に優れ、特にファンアウト型のウエハレベルパッケージの製造プロセスへの適合性に優れる。
【００１８】
本発明の一態様において、前記粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備えることも好ましい。
この態様によれば、複数の半導体チップ間の間隔を大きく拡げたうえで、封止部材で複数の半導体チップを覆うことができる。しかも、この態様によれば、個片化された半導体チップを、１個ずつ粘着シートから別の粘着シートや支持体にピック・アンド・プレイスによって再配列することなく、封止部材で覆うことができる。それゆえ、この態様によれば、ＷＬＰの製造プロセスの工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第一実施形態に係る粘着シートを説明する図。
【図２】第二実施形態に係る粘着シートを説明する図。
【図３】第三実施形態に係る粘着シートを説明する図。
【図４】第四実施形態に係る粘着シートを説明する図。
【図５】第四実施形態に係る離間装置の側面図。
【図６】第五実施形態に係る粘着シートを説明する図。
【図７】第六実施形態に係る粘着シートを説明する図。
【図８】図７に続いて第六実施形態に係る粘着シートを説明する図。
【図９】第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。
【図１０】図９に続いて第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。
【図１１】図１０に続いて第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。
【図１２】図１１に続いて第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。
【図１３】図１２に続いて第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。
【図１４】実施形態の変形例に係る粘着シートを説明する図。
【図１５】実施形態の変形例に係る粘着シートを説明する図。
【図１６】実施形態の変形例に係る粘着シートを説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
〔第一実施形態〕
以下、本発明に係る第一実施形態の粘着シートを説明する。
［粘着シート］
図１（Ａ）には、本実施形態に係る粘着シート１０の断面図が示され、図１（Ｂ）には、粘着シート１０の平面図が示されている。図１（Ａ）は、図１（Ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
図１（Ａ）に示されているように、本実施形態の粘着シート１０は、基材フィルム１１と、粘着剤層１２とを有する。粘着剤層１２は、基材フィルム１１に積層されている。基材フィルム１１は、第一基材１３と、第二基材１４とを有する。第一基材１３は、粘着剤層１２と隣接する。第二基材１４は、第一基材１３の粘着剤層１２と対向する面とは反対の面側に積層される。
第一基材１３には、複数の第一脆弱部１５が設けられ、第二基材１４には、複数の第二脆弱部１６が設けられている。
図１（Ｂ）では、本実施形態の理解を容易にするために、粘着剤層の図示を省略し、複数の第一脆弱部１５の位置を実線で、複数の第二脆弱部１６の位置を点線で示している。図１（Ｂ）に示されているように、複数の第一脆弱部１５と、複数の第二脆弱部１６とは、基材フィルム１１の平面視において、互いに重ならない領域に設けられている。
【００２１】
［基材フィルム］
基材フィルム１１を構成する第一基材１３および第二基材１４の材質は、特に限定されない。第一基材１３および第二基材１４の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂などが挙げられる。
第一基材１３の厚さは、１０〜１００μｍが好ましい。また、第二基材１４の厚さは、５０〜２００μｍが好ましい。
第一基材１３は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、３Ｎ／ｍｍ以上５０Ｎ／ｍｍ以下であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５Ｎ／ｍｍ以上１００Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましい。
第二基材１４は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５０Ｎ／ｍｍ以上であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、１００Ｎ／ｍｍ以上であることが好ましい。
なお、第二基材１４の引裂き強度の上限は、ＭＤ方向、ＣＤ方向ともに、３００Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
引裂き強さ試験は、ＪＩＳ Ｋ ７１２８−１によるトラウザー法に準拠して行われる。ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行う場合の試験片は、試験片の長辺方向が基材フィルムの長手方向（ＭＤ方向）に、試験片の短辺方向が基材フィルムの幅方向（ＣＤ方向）に切り取られる。また、試験片には、ＣＤ方向の中央部に、ＭＤ方向に沿ってスリットが設けられる。また、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行う場合の試験片は、試験片の長辺方向が基材フィルムの幅方向（ＣＤ方向）に、試験片の短辺方向が基材フィルムの長手方向（ＭＤ方向）に切り取られる。また、試験片には、ＭＤ方向の中央部に、ＣＤ方向に沿ってスリットが設けられる。このような試験片を用いて試験速度：２００ｍｍ／ｍｉｎで引裂き強さ試験を行い、単位厚さあたりの引裂き強度を求める。
本明細書において、「ＭＤ方向」とは、基材フィルムを与える原反の長手方向（原反の製造時の送り方向）に平行な方向を示す語として用いており、「ＣＤ方向」とは、ＭＤ方向と直交する方向を示す語として用いており、以下についても同様である。本明細書において、ＭＤは、Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称であり、ＣＤは、Ｃｒｏｓｓ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称である。
【００２３】
［第一脆弱部、第二脆弱部］
第一基材１３に設けられた複数の第一脆弱部１５は、第一基材１３の厚み方向に対して、溝状に設けられる。また、第二基材１４に設けられた複数の第二脆弱部１６は、第二基材１４の厚み方向に対して、溝状に設けられている。
第一基材１３に設けられた複数の第一脆弱部１５は、第一基材１３の粘着剤層１２と対向する面に形成され、第二基材１４に設けられた複数の第二脆弱部１６は、第二基材１４の粘着剤層１２と対向する面に形成されている。
本明細書において、脆弱部とは、基材に対する引裂き強度よりも引裂き強度が弱くなるように形成された領域である。例えば、脆弱部は、溝を設けたり、孔を設けたり、変質層を形成したりするなどの脆弱付与処理を施すことによって形成できる。溝や孔、変質層が形成された領域は、基材に対する引裂き強度よりも引裂き強度が弱くなる。脆弱部として、溝を設けたり、孔を設けたりする場合には脆弱付与処理として歯形加工を行うことが、変質層を形成する場合にはレーザー加工を行うことが好ましい。
第一脆弱部１５は、第一基材１３の所望の脆弱部形成領域に対して、脆弱付与処理を施すことで形成される。第二脆弱部１６についても、第二基材１４の所望の脆弱部形成領域に対して、第一基材１３と同様に、脆弱付与処理を施すことで形成される。
本実施形態では、第一基材１３の所望の脆弱部形成領域に対して脆弱付与処理を施して溝を形成することで、第一基材１３に対する引裂き強度より引裂き強度が弱い第一脆弱部１５が形成される。同様に、第二基材１４の所望の脆弱部形成領域に対して脆弱付与処理を施して溝を形成することで、第二基材１４に対する引裂き強度より引裂き強度が弱い第二脆弱部１６が形成される。図１では、第一脆弱部１５および第二脆弱部１６は、平面視で、縦長の矩形状の溝が所定の間隔を空けて複数形成されているが、間隔を空けることなく、連続的に形成されてもよい。
【００２４】
［粘着剤層］
粘着剤層１２に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、およびウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
【００２５】
粘着剤層１２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、粘着剤層１２に基材フィルム１１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。エネルギー線重合性化合物を硬化させると、粘着剤層１２の凝集力が高まり、粘着剤層１２と被着体との間の粘着力を低下または消失させることができる。そのため、ダイシング後には、粘着剤層１２にエネルギー線を照射することで、粘着剤層１２から被着体を容易に剥離できる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。
【００２６】
［粘着シートの製造方法］
粘着シート１０の製造方法は、特に限定されない。
例えば、粘着シート１０は、次のような工程を経て製造される。
まず、第一基材１３および第二基材１４を積層して基材フィルム１１を形成する。第一基材１３および第二基材１４が積層された基材フィルム１１は、例えば、Ｔダイを用いた共押出成形法により成形されることが好ましい。具体的には、第一基材１３および第二基材１４に対応した押出機を使用し、各押出機から押し出された樹脂をマルチマニホールドＴダイに導入し、各樹脂層を扁平なシート状とした後に積層を行うことで製造される。なお、通常のＴダイの前に設けた特殊ブロックで合流させるフィードブロック方式により共押出成形してもよい。
次に、得られた基材フィルム１１に対して脆弱付与処理を施す。
本実施形態では、脆弱付与処理として歯形加工を実施する。歯形加工では、第一基材１３の脆弱部形成領域に対応する部位に複数の微細な凸部が施された上ロールおよび第二基材１４の脆弱部形成領域に対応する部位に複数の凸部が施された下ロールを使用する。
そして、上ロールと下ロールとの間に基材フィルム１１を通過させて、上ロールおよび下ロールで基材フィルム１１を所定の圧力で狭圧する。上ロールおよび下ロールに施されている複数の微細な凸部が、基材フィルム１１の表裏面に押し付けられることで、基材フィルム１１の表裏面にノッチ加工が施される。この脆弱付与処理で第一基材１３に複数の第一脆弱部１５が形成され、第二基材１４に複数の第二脆弱部１６が形成される。この歯形加工では、複数の微細な凸部が施された上ロールおよび下ロールを使用することで、基材フィルム１１に第一脆弱部１５と第二脆弱部１６とを同時に形成することができる。
そして、基材フィルム１１の第一基材１３の上に粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、この塗膜を乾燥させて、粘着剤層１２を形成する。上記工程を経ることで、粘着シート１０が得られる。
【００２７】
本実施形態によれば、第一基材１３には、複数の第一脆弱部１５が設けられ、第二基材１４には、複数の第二脆弱部１６が設けられている。粘着シート１０を引き延ばしたときに、引き延ばしの応力が第一脆弱部１５および第二脆弱部１６に集中して、第一脆弱部１５および第二脆弱部１６が破断する。第一脆弱部１５および第二脆弱部１６を破断させた後は、破断により分離した領域間の間隔が拡がる。また、第一脆弱部１５と第二脆弱部１６とは、平面視で互いに重ならない領域に設けられている。そのため、第一脆弱部１５の破断により分離した領域と、第二脆弱部１６の破断により分離した領域とから、それぞれ亀裂が生じたとしても、第一脆弱部１５の分離領域と第二脆弱部１６の分離領域とが亀裂でつながって、基材フィルム１１の厚み方向に達するような大きな破断は生じ難い。したがって、シート自体の破断や裂けが生じ難く、引き延ばし易い粘着シート１０を提供できる。
【００２８】
また、この態様によれば、第一基材１３は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、３Ｎ／ｍｍ以上５０Ｎ／ｍｍ以下であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５Ｎ／ｍｍ以上１００Ｎ／ｍｍ以下である。第二基材１４は、ＭＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、５０Ｎ／ｍｍ以上であり、ＣＤ方向に対して引裂き強さ試験を行った際の引裂き強度が、１００Ｎ／ｍｍ以上である。
第一基材１３の引裂き強度と第二基材１４の引裂き強度が上記範囲であれば、第一基材１３に設けられた第一脆弱部１５および第二基材１４に設けられた第二脆弱部１６に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。また、第一基材１３と第二基材１４とで引裂き強度の異なる基材を使用することで、粘着シート１０を引き延ばしたときに、脆弱部に沿って分離、拡張させるタイミングを基材ごとにずらすことができる。それぞれの脆弱部に沿った分離、拡張が段階的に行われるので、第一脆弱部と第二脆弱部とが同じタイミングで分離、拡張するのに比べて、第一脆弱部に沿って分離した領域と第二脆弱部に沿って分離した領域とが亀裂でつながって、基材フィルムの厚み方向に達するような大きな破断がより生じ難くなる。また、各基材の引裂き強度に応じて、各基材に設ける脆弱部の位置や数を適宜調整できる。
【００２９】
本実施形態によれば、第一脆弱部１５および第二脆弱部１６が基材厚み方向に対して溝状に設けられている。溝状に設けられた脆弱部は、基材厚み方向に対して貫通するように形成された脆弱部に比べて、引っ張り強度が強くなるため、引っ張る前に分離したり、拡張したりし難い。そのため、上記態様によれば、粘着シートを引き延ばしたときに、基材フィルム自体が破断したり、裂けたりすることをより低減できる。
【００３０】
第一基材１３に設けられた溝状の第一脆弱部１５および第二基材１４に設けられた溝状の第二脆弱部１６は、それぞれ粘着剤層１２側から形成されている。第一脆弱部１５と第二脆弱部１６とが互いに異なる面側に形成されていることで、引き延ばし力が第一基材１３の粘着剤層１２と対向する面側、第二基材１４の粘着剤層１２と対向する面側にそれぞれ分散する。そのため、第一脆弱部１５と第二脆弱部１６とが第一基材１３と第二基材１４との界面に形成されているのに比べて、粘着シート１０を引っ張る前に分離したり、拡張したりし難い。したがって、上記態様によれば、粘着シート１０を引き延ばしたときに、基材フィルム１１自体が破断したり、裂けたりすることをより低減できる。
【００３１】
〔第二実施形態〕
第二実施形態は、溝状の第一脆弱部および溝状の第二脆弱部の配置が、第一実施形態と相違する。第二実施形態は、その他の点において第一実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。
以下、本発明に係る第二実施形態の粘着シートを説明する。
図２には、本実施形態に係る粘着シート１０Ａの平面図が示されている。なお、図２では、本実施形態の理解を容易にするために、粘着剤層の図示を省略し、基材フィルム１１Ａ（第一基材１３Ａおよび第二基材１４Ａ）を示している。また、複数の第一脆弱部１５Ａの位置を実線で、複数の第二脆弱部１６Ａの位置を点線で示している。図２において、引き延ばす方向は、第一方向Ｍ１、および第一方向Ｍ１と直交する第二方向Ｍ２である。
図２に示すように、本実施形態の粘着シート１０Ａは、複数の第一脆弱部１５Ａ、および複数の第二脆弱部１６Ａが、粘着シート１０Ａを引き延ばす第一方向Ｍ１および第二方向Ｍ２のいずれかと直交する方向に形成されている。
本実施形態によれば、脆弱部が引き延ばす方向と直交する方向に形成されていると、脆弱部が形成された領域において引き延ばしの応力が集中する領域が増えるため、脆弱部に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とに必要な引っ張り強度が低下する。そのため、この態様では、粘着シート１０Ａを第一方向Ｍ１および第二方向Ｍ２に沿って引き延ばしたときに、第一脆弱部１５Ａおよび第二脆弱部１６Ａに沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを容易に行うことができる。そのため、小さな引き延ばし力で、引き延ばすことが可能な粘着シートを提供できる。
【００３２】
〔第三実施形態〕
第三実施形態は、溝状の第一脆弱部および溝状の第二脆弱部の配置が、第一実施形態および第二実施形態と相違する。第三実施形態は、その他の点において第一実施形態および第二実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。
以下、本発明に係る第三実施形態の粘着シートを説明する。
図３には、本実施形態に係る粘着シート１０Ｂの平面図が示されている。なお、図３では、本実施形態の理解を容易にするために、粘着剤層の図示を省略し、基材フィルム１１Ｂ（第一基材１３Ｂおよび第二基材１４Ｂ）を示している。また、複数の第一脆弱部１５Ｂの位置を実線で、複数の第二脆弱部１６Ｂの位置を点線で示している。図３において、引き延ばす方向は、第三方向Ｍ３、および第三方向Ｍ３と直交する第四方向Ｍ４である。
図３に示すように、本実施形態の粘着シート１０Ｂでは、複数の第一脆弱部１５Ｂが、基材フィルム１１Ｂの平面視において、第一基材１３Ｂに設けられた第一脆弱部１５Ｂ同士が交差して格子形状１７Ａが形成されるように設けられている。
また、複数の第二脆弱部１６Ｂが、基材フィルム１１Ｂの平面視において、第二基材１４Ｂに設けられた第二脆弱部１６Ｂ同士が交差して格子形状１７Ｂが形成されるように設けられている。
【００３３】
粘着シート１０Ｂを、第三方向Ｍ３、および第四方向Ｍ４と、格子形状１７Ａを構成する複数の第一脆弱部１５Ｂ、および格子形状１７Ｂを構成する複数の第二脆弱部１６Ｂの方向とがそれぞれ直交するように配置する。
この配置で粘着シート１０Ｂを第三方向Ｍ３および第四方向Ｍ４に沿って引き延ばす。格子形状１７Ａ，１７Ｂを構成する脆弱部の方向とは直交する方向に引き延ばしの応力が働くため、格子形状１７Ａを構成する第一脆弱部１５Ｂおよび格子形状１７Ｂを構成する第二脆弱部１６Ｂに沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。そのため、本実施形態によれば、第三方向Ｍ３、および第三方向Ｍ３と直交する第四方向Ｍ４に沿って引き延ばす方法に適した粘着シート１０Ｂを提供できる。
【００３４】
〔第四実施形態〕
第四実施形態は、溝状の第一脆弱部および溝状の第二脆弱部の配置が、第一実施形態〜第三実施形態と相違する。第四実施形態は、その他の点において第一実施形態〜第三実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。
以下、本発明に係る第四実施形態の粘着シートを説明する。
図４には、本実施形態に係る粘着シート１０Ｃの平面図が示されている。なお、図４では、本実施形態の理解を容易にするために、粘着剤層の図示を省略し、基材フィルム１１Ｃ（第一基材１３Ｃおよび第二基材１４Ｃ）を示している。また、複数の第一脆弱部１５Ｃの位置を実線で、複数の第二脆弱部１６Ｃの位置を点線で示している。
図４に示すように、本実施形態の粘着シート１０Ｃは、基材フィルム１１Ｃの平面視において、複数の第一脆弱部１５Ｃ、および複数の第二脆弱部１６Ｃは、基材フィルム１１Ｃの中心部Ｏを中心として、基材フィルム１１Ｃの中心部Ｏからの距離が異なる複数の略同心円状に設けられている。
【００３５】
上記形状を有する粘着シート１０Ｃは、例えば、図５に示す、環状のリングフレームＲＦと、略矩形状の離間テーブル７０を備えた離間装置５０を用いた、エキスパンド工程での使用に適している。このエキスパンド工程では、粘着シート１０Ｃの粘着剤層の上に、被着体として複数の半導体チップＣＰが貼着される。
図５に示す離間装置５０は、複数の半導体チップＣＰの相互間隔を拡げる装置である。
離間装置５０は、支持手段６０と、離間テーブル７０と、直動モータ８０とを備えている。支持手段６０はリングフレームＲＦを支持する。離間テーブル７０は、粘着シート１０Ｃを介して複数の半導体チップＣＰを支持する。直動モータ８０は、支持手段６０および離間テーブル７０を相互移動させて粘着シート１０Ｃに張力を付与する。
支持手段６０は、リングフレームＲＦを受容可能な溝６１Ａを有する。支持手段６０は、それぞれ直動モータ８０の出力軸８０Ａで支持された一対の支持部材６１を備えている。
離間テーブル７０は、平面視すなわち上方から見た外形が四角形である。離間テーブル７０は、複数の半導体チップＣＰが貼着された領域と略同一面積の平面形状とさせた支持面７０Ａを有している。
【００３６】
上記の離間装置５０において、複数の半導体チップＣＰの相互間隔を拡げる手順を説明する。
まず、図５において、実線で示すように、環状のリングフレームＲＦで粘着シート１０Ｃの外周の領域を保持する。粘着シート１０Ｃを保持したリングフレームＲＦを支持部材６１の溝６１Ａに挿通させる。
次に、直動モータ８０を駆動させて、支持部材６１を下降させ、図５の二点鎖線に示すように、離間テーブル７０をリングフレームＲＦの内側に通過させる。支持部材６１を下降させて、離間テーブル７０の支持面７０Ａの高さが、リングフレームＲＦの高さよりも相対的に高くなると、リングフレームＲＦの内側の領域が離間テーブル７０の支持面７０Ａによって押し上げられる。この押し上げにより、粘着シート１０Ｃが、厚み方向と直交し、円周方向と直交する方向に沿って外側に向かう方向に拡張される。
このように、上記離間装置５０を用いて粘着シート１０Ｃを引き延ばすと、図４に示す、複数の同心円を構成する第一脆弱部１５Ｃおよび第二脆弱部１６Ｃとは直交する方向に引き延ばしの応力が働くため、略同心円状に設けられた脆弱部に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。そのため、上記態様によれば、円周方向と直交する方向に沿って引き延ばす方法に適した粘着シートを提供できる。
【００３７】
〔第五実施形態〕
第五実施形態は、溝状の第一脆弱部および溝状の第二脆弱部の配置が、第一実施形態〜第四実施形態と相違する。第五実施形態は、その他の点において第一実施形態〜第四実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。
以下、本発明に係る第五実施形態の粘着シートを説明する。
図６には、本実施形態に係る粘着シート１０Ｄの断面図が示されている。
図６に示すように、本実施形態の粘着シート１０Ｄでは、第一基材１３Ｄに設けられた複数の第一脆弱部１５Ｄは、第一基材１３Ｄの粘着剤層１２Ｄと対向する面に形成される。また、第二基材１４Ｄに設けられた複数の第二脆弱部１６Ｄは、第二基材１４Ｄの粘着剤層１２Ｄと対向する面とは反対側の面に形成される。
なお、本実施形態の粘着シート１０Ｄにおいて、第一脆弱部１５Ｄおよび第二脆弱部１６Ｄが設けられる領域は、基材フィルム１１Ｄの平面視において、上記第一実施形態から上記第四実施形態までのいずれの領域にも適用できる。
【００３８】
本実施形態によれば、第一基材１３Ｄに設けられた溝状の第一脆弱部１５Ｄが粘着剤層１２Ｄ側から形成され、第二基材１４Ｄに設けられた溝状の第二脆弱部１６Ｄが粘着剤層１２Ｄ側と対向する面とは反対側から形成されている。即ち、この構成では、第一脆弱部１５Ｄおよび第二脆弱部１６Ｄが基材フィルム１１Ｄの表面側と裏面側にそれぞれ形成されている。このように、第一脆弱部１５Ｄと第二脆弱部１６Ｄとが、離れた位置に形成されているため、粘着シート１０Ｄを引き延ばしたときに、第一脆弱部１５Ｄから生じる亀裂の方向は、第二脆弱部１６Ｄに向かって誘導され難く、同様に、第二脆弱部１６Ｄから生じる亀裂の方向も、第一脆弱部１５Ｄに向かって誘導され難い。そのため、上記態様によれば、粘着シート１０Ｄを引き延ばしたときに、基材フィルム１１Ｄ自体が破断したり、裂けたりすることをより低減できる。
また、この態様では、第一基材１３Ｄおよび第二基材１４Ｄを積層させて基材フィルム１１Ｄを形成した後に、脆弱付与処理を、基材フィルム１１Ｄの表裏面に対して実施する製造方法に適しており、第一脆弱部１５Ｄおよび第二脆弱部１６Ｄを一工程で形成できる。
【００３９】
〔第六実施形態〕
以下、本発明に係る第六実施形態の粘着シートを説明する。
図７（Ａ）には、本実施形態に係る粘着シート１０Ｅの平面図が示され、図７（Ｂ）には、粘着シート１０Ｅの断面図が示されている。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
図７（Ａ），図７（Ｂ）に示すように、本実施形態の粘着シート１０Ｅでは、第一基材１３Ｅに設けられた複数の第一脆弱部１５Ｅ、第二基材１４Ｅに設けられた複数の第二脆弱部１６Ｅは、少なくとも、被着体１９が貼着される領域に対応する部位に設けられる。粘着剤層１２Ｅの上には被着体１９が貼着される。本実施形態では、被着体１９は複数の半導体チップである。複数の半導体チップ間には、ダイシングによって、ダイシングソーの厚みに応じた間隔が形成されている。
【００４０】
本実施形態によれば、第一脆弱部１５Ｅおよび第二脆弱部１６Ｅが、被着体１９が貼着される領域に対応する部位に設けられる。
被着体１９が複数の半導体チップの場合、図８に示すように、粘着シート１０Ｅを引き延ばしたときに、被着体１９が貼着された領域に対応する部位に設けられた第一脆弱部１５Ｅおよび第二脆弱部１６Ｅに沿って各基材が分離し、分離した領域間の間隔が拡がる。一方で、被着体１９が貼着されていない領域に対応する部位には第一脆弱部１５Ｅおよび第二脆弱部１６Ｅが設けられていない。そのため、粘着シート１０Ｅを引き延ばしても、被着体１９が貼着されていない領域は、被着体１９が貼着された領域に比べて大きく拡がらない。このように、被着体１９が貼着された領域が延び易い構成とすることで、被着体１９同士の間隔を大きく拡げることができる。
【００４１】
また、この態様では、例えば、ステルスダイシング方式の分割方法において、被着体として内部に変質層が形成されたウエハの分割工程、および分割後の複数の半導体チップのエキスパンド工程での使用に適している。ステルスダイシング方式の分割方法は、ウエハの表面に格子状に配列された分割予定ラインに沿って、ウエハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射して変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って半導体ウエハを分割する方法である。
ステルスダイシング方式の分割方法では、まず、粘着シートにウエハを貼着し、ウエハの表面に格子状に配列された分割予定ラインに沿って、ウエハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射する。パルスレーザー光線の照射でウエハ内部に変質層が連続的に形成される。そして、粘着シートを引き延ばすと、ウエハが貼着された領域に対応する部位に設けられた第一脆弱部および第二脆弱部に沿って各基材が分離し、分離した領域間の間隔が拡がる。この拡張によって、ウエハが変質層から複数のチップに分割され、分割されて生じた複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。
【００４２】
〔第七実施形態〕
以下、本発明に係る第七実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。
本実施形態では、上記実施形態の粘着シートを、ダイシングする際に半導体ウエハＷを貼着させるダイシングシート１００として使用する。
【００４３】
図９（Ａ）には、ダイシングシート１００に貼着された半導体ウエハＷが示されている。ダイシングシート１００は、基材フィルム１０１と、この基材フィルム１０１に積層された粘着剤層１０２とを有する。基材フィルム１０１は、粘着剤層１０２と隣接する第一基材１０３と、第一基材１０３の粘着剤層１０２と対向する面とは反対の面側に積層された第二基材１０４とを有する。また、第一基材１０３には、複数の第一脆弱部（図示省略）が設けられ、第二基材１０４には、複数の第二脆弱部（図示省略）が設けられている。複数の第一脆弱部と、複数の第二脆弱部とは、基材フィルム１０１の平面視において、互いに重ならない領域に設けられている。
半導体ウエハＷは、回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。ダイシングシート１００は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の裏面Ｗ３に貼着されている。
半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法、およびリフトオフ法などが挙げられる。
半導体ウエハＷは、予め所定の厚みに研削して、裏面Ｗ３を露出させてダイシングシート１００に貼着されている。半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダーなどを用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、表面保護シートを回路面Ｗ１に貼着させる。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路Ｗ２が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。研削後の半導体ウエハＷの厚みは、特に限定はされず、通常は、２０μｍ以上５００μｍ以下である。
【００４４】
ダイシングシート１００は、半導体ウエハＷおよび第一リングフレームに貼着されていてもよい。この場合、ダイシングシート１００の粘着剤層１０２の上に、第一リングフレームおよび半導体ウエハＷを載置し、これらを軽く押圧し、固定する。
【００４５】
［第一ダイシング工程］
図９（Ｂ）には、ダイシングシート１００に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
ダイシングシート１００に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚さと、粘着剤層１０２の厚さとの合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。
また、ダイシングによって個片化された複数の半導体チップＣＰ間には、ダイシングソーなどの切断手段の厚みに応じた間隔が形成される。本実施形態では、ダイシングによって生じた半導体チップＣＰ間の間隔をＤとする。
【００４６】
粘着剤層１０２へのエネルギー線の照射は、半導体ウエハＷをダイシングシート１００に貼着させた後から、ダイシングシート１００を剥離する前までのいずれの段階で行ってもよい。エネルギー線の照射は、例えば、ダイシングの後に行ってもよいし、後述するエキスパンド工程の後に行ってもよい。エネルギー線は、複数回に分けて照射してもよい。
【００４７】
［エキスパンド工程］
図９（Ｃ）には、複数の半導体チップＣＰを保持するダイシングシート１００を引き延ばす工程（エキスパンド工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
エキスパンド工程では、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化した後、ダイシングシート１００を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。ダイシングシート１００を引き延ばすと、引き延ばしの応力が第一脆弱部および第二脆弱部に集中して、第一脆弱部および第二脆弱部に沿って各基材が分離し、分離した領域間の間隔が拡がる。結果として、ダイシングシート１００が所望の間隔で引き延ばされ、ダイシングシート１００に貼着された複数の半導体チップＣＰ間の間隔が拡がる。
エキスパンド工程においてダイシングシート１００を引き延ばす方法は、特に限定されない。ダイシングシート１００を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当ててダイシングシート１００を引き延ばす方法や、把持部材などを用いてダイシングシート１００の外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。
本実施形態では、図９（Ｃ）に示されているように、エキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の間隔をＤ１とする。間隔Ｄ１としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。
【００４８】
［転写工程］
図１０（Ａ）には、エキスパンド工程の後に、複数の半導体チップＣＰを転写用シート２００に転写する工程（転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
ダイシングシート１００を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１を拡げた後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に転写用シート２００を貼着する。
【００４９】
転写用シート２００は、第一基材フィルム２０３と、第一粘着剤層２０４とを有する。転写用シート２００は、回路面Ｗ１を第一粘着剤層２０４で覆うように貼着されることが好ましい。
第一基材フィルム２０３の材質は、特に限定されない。第一基材フィルム２０３の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂などが挙げられる。
【００５０】
第一粘着剤層２０４に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第一粘着剤層２０４に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、およびウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
図１０（Ｂ）には、ダイシングシート１００を剥離した後の、転写用シート２００に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
転写用シート２００を貼着した後、ダイシングシート１００を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。ダイシングシート１００を剥離した後も、エキスパンド工程で引き延ばした、複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１は維持されている。
【００５１】
［封止工程］
図１１には、封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
封止工程は、エキスパンド工程の後に実施される。回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態では、転写用シート２００により回路面Ｗ１および回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
【００５２】
封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、間隔Ｄ１が維持された状態で、封止部材３０により覆われることが好ましい。
封止部材３０で複数の半導体チップＣＰを覆う方法は、特に限定されない。例えば、金型内に、転写用シート２００で回路面Ｗ１を覆ったまま複数の半導体チップＣＰを収容し、金型内に流動性の樹脂材料を注入し、樹脂材料を硬化させる方法を採用してもよい。
また、シート状の封止樹脂を複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を覆うように載置し、封止樹脂を加熱することで、複数の半導体チップＣＰを封止樹脂に埋め込ませる方法を採用してもよい。封止部材３０の材質としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止部材３０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、および硬化促進剤などが含まれていてもよい。
【００５３】
封止工程の後、転写用シート２００が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の転写用シート２００と接触していた面３Ａが露出する。
［半導体パッケージの製造工程］
図１２および図１３には、複数の半導体チップＣＰを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明する図が示されている。本実施形態は、このような半導体パッケージの製造工程を含んでいることが好ましい。
【００５４】
［再配線層形成工程］
図１２（Ａ）には、転写用シート２００を剥離した後の封止体３の断面図が示されている。本実施形態では、転写用シート２００が剥離された後の封止体３に再配線層を形成する再配線層形成工程をさらに含むことが好ましい。再配線層形成工程においては、露出した複数の半導体チップＣＰの回路Ｗ２と接続する再配線を、回路面Ｗ１の上および封止体３の面３Ａの上に形成する。再配線の形成に当たっては、まず、絶縁層を封止体３に形成する。
【００５５】
図１２（Ｂ）には、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の面３Ａに第一絶縁層４１を形成する工程を説明する断面図が示されている。絶縁性樹脂を含む第一絶縁層４１を、回路面Ｗ１および面３Ａの上に、回路Ｗ２または回路Ｗ２の内部端子電極Ｗ４を露出させるように形成する。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、およびシリコーン樹脂などが挙げられる。内部端子電極Ｗ４の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。
【００５６】
図１２（Ｃ）には、封止体３に封止された半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線５を形成する工程を説明する断面図が示されている。本実施形態では、第一絶縁層４１の形成に続いて再配線５を形成する。再配線５の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。再配線５は、公知の方法により形成できる。
【００５７】
図１３（Ａ）には、再配線５を覆う第二絶縁層４２を形成する工程を説明する断面図が示されている。再配線５は、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを有する。第二絶縁層４２には開口などを設けて、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを露出させる。本実施形態では、外部電極パッド５Ａは、封止体３の半導体チップＣＰの領域（回路面Ｗ１に対応する領域）内および領域外（封止部材３０上の面３Ａに対応する領域）に露出させている。また、再配線５は、外部電極パッド５Ａがアレイ状に配置されるように、封止体３の面３Ａに形成されている。本実施形態では、封止体３の半導体チップＣＰの領域外に外部電極パッド５Ａを露出させる構造を有するので、ファンアウト型のＷＬＰを得ることができる。
【００５８】
［外部端子電極との接続工程］
図１３（Ｂ）には、封止体３の外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させる工程を説明する断面図が示されている。第二絶縁層４２から露出する外部電極パッド５Ａに、はんだボール等の外部端子電極６を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極６と外部電極パッド５Ａとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだや無鉛はんだ等が挙げられる。
【００５９】
［第二ダイシング工程］
図１３（Ｃ）には、外部端子電極６が接続された封止体３を個片化させる工程（第二ダイシング工程と称する場合がある。）を説明する断面図が示されている。この第二ダイシング工程では、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、封止体３を個片化することができる。封止体３を個片化させる工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
【００６０】
封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１が製造される。上述のように半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させた半導体パッケージ１は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として製造される。
【００６１】
［実装工程］
本実施形態では、個片化された半導体パッケージ１を、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。
【００６２】
本実施形態によれば、上記実施形態の粘着シートを、ダイシングする際に半導体ウエハＷを貼着させるダイシングシート１００として使用する。
ダイシングシート１００に貼着された半導体ウエハＷをダイシングにより個片化して複数の半導体チップＣＰを形成した後、外周部を掴んでダイシングシート１００を引き延ばすことで、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を大きく拡げることができる。
【００６３】
〔実施形態の変形〕
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。
第一脆弱部１５および第二脆弱部１６の位置、形状、数は限定されない。
また、第一脆弱部１５および第二脆弱部１６は、図１の平面視で、縦長の矩形状に形成したが、これに限定されない。例えば、縦長の楕円形状に形成してもよい。
【００６４】
また、第一脆弱部および第二脆弱部を基材厚み方向に対して溝状に設ける構成としたが、これに限定されない。第一脆弱部および第二脆弱部のいずれかを基材厚み方向に対して貫通するように形成してもよい。
図１４には、変形例に係る粘着シート１０Ｆの平面図が示されている。
図１４に示すように、変形例の粘着シート１０Ｆは、基材フィルム１１Ｆと、粘着剤層１２Ｆとを有する。粘着剤層１２Ｆは、基材フィルム１１Ｆに積層されている。基材フィルム１１Ｆは、第一基材１３Ｆと、第二基材１４Ｆとを有する。第一基材１３Ｆは、粘着剤層１２Ｆと隣接する。第二基材１４Ｆは、第一基材１３Ｆの粘着剤層１２Ｆと対向する面とは反対の面側に積層される。
第一基材１３Ｆには、複数の第一脆弱部１５Ｆが、第一基材１３Ｆの厚み方向に対して貫通して設けられている。また、第二基材１４Ｆには、第二脆弱部１６Ｆが、第二基材１４Ｆの厚み方向に対して貫通して設けられている。
この態様によれば、基材厚み方向に対して貫通するように形成された脆弱部は、溝状などの貫通していない脆弱部に比べて、引っ張り強度が弱くなるため分離、拡張し易い。そのため、脆弱部に沿った各基材の分離と、分離した領域間の間隔の拡張とを小さな引き延ばし力で行うことができる。
なお、図１４では、第一脆弱部１５Ｆおよび第二脆弱部１６Ｆを、基材厚み方向に貫通して変質層が構成されている例で説明したが、貫通孔により構成されてもよい。
【００６５】
また、第一実施形態の粘着シートの製造方法において、基材フィルム１１を形成した後に、脆弱付与処理を施したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、第一基材１３に第一脆弱部１５、第二基材１４に第二脆弱部１６をそれぞれ形成した後に、第一基材１３および第二基材１４を積層することで基材フィルム１１を形成してもよい。
また、第一実施形態の粘着シートの製造方法において、脆弱付与処理として歯形加工を実施して溝状の第一脆弱部および溝状の第二脆弱部を設けたが、これに限定されない。例えば、脆弱付与処理としてレーザー加工を実施して変質層を形成してもよい。
レーザー加工は、第一基材１３の脆弱部形成領域に沿って、第一基材１３の表面に対して、レーザーを照射することにより行われる。また、第二基材１４の脆弱部形成領域に沿って、第二基材１４の表面に対して、レーザーを照射することにより行われる。レーザー加工は、上記歯形加工に比べて、脆弱部の位置の変更や脆弱部の数の変更に対応し易い。
【００６６】
また、第三実施形態では、第一基材１３および第二基材１４のそれぞれに格子形状が形成されることを説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、第一基材１３のみ、あるいは第二基材１４のみに格子形状が形成された構成としてもよい。
【００６７】
また、第四実施形態の同心円において、内側に位置する同心円（第一の円）に沿って設けられた脆弱部同士の間隔が、当該内側の同心円（第一の円）よりも外側に位置する同心円（第二の円）に沿って設けられた脆弱部同士の間隔よりも狭くてもよい。
図１５には、変形例に係る粘着シート１０Ｇの平面図が示されている。なお、図１５では、本変形例の理解を容易にするために、粘着剤層の図示を省略し、基材フィルム１１Ｇ（第一基材１３Ｇおよび第二基材１４Ｇ）を示している。また、第一脆弱部のみを示し、第二脆弱部の図示を省略している。また、内側に位置する第一の円Ｃ１の位置を実線で、外側に位置する第二の円Ｃ２の位置を点線で示している。さらに、第一の円Ｃ１に沿って設けられた第一脆弱部を１８Ａ、第二の円Ｃ２に沿って設けられた第一脆弱部を１８Ｂで表している。
図１５に示すように、内側に位置する第一の円Ｃ１に沿って設けられた第一脆弱部１８Ａ同士の間隔Ｐ１は、当該内側の第一の円Ｃ１よりも外側に位置する第二の円Ｃ２に沿って設けられた第一脆弱部１８Ｂ同士の間隔Ｐ２よりも狭い。
なお、図１５では、２つの同心円（第一の円Ｃ１，第二の円Ｃ２）が形成された例を示したが、３以上の同心円が形成されている場合についても、本変形例に適用される。例えば、最も内側に設けられた同心円に沿って設けられた脆弱部同士の間隔が最も狭く、最も外側に設けられた同心円に沿って設けられた脆弱部同士の間隔が最も広く形成される。最も内側に設けられた同心円と最も外側に設けられた同心円との間に設けられた同心円において、同心円に沿って設けられた脆弱部同士の間隔は、粘着シートの外縁側から中心部に向かうにつれて順に間隔が狭くなるように形成される。
この態様によれば、第一の円Ｃ１に沿って設けられた第一脆弱部１８Ａ同士の間隔Ｐ１は、脆弱部同士の間隔が狭く、第二の円Ｃ２に沿って設けられた第一脆弱部１８Ｂ同士の間隔Ｐ２に比べて引っ張り強度が弱くなる。そのため第一の円Ｃ１を構成する第一脆弱部１８Ａは、第二の円Ｃ２を構成する第一脆弱部１８Ｂに比べて破断し易い。一方、間隔Ｐ２は、脆弱部同士の間隔が広いため、破断し難い。このため、円周方向と直交する方向に沿って粘着シート１０Ｇを引き延ばしたときに、内側に位置する第一の円Ｃ１に沿って設けられた第一脆弱部１８Ａおよびその脆弱部同士の間隔Ｐ１が先に破断し、外側に位置する第二の円Ｃ２に沿って設けられた第一脆弱部１８Ｂおよびその脆弱部同士の間隔Ｐ２が後から破断する。
【００６８】
また、第四実施形態の同心円において、複数の同心円（第三の円、第四の円、第五の円）の半径寸法が所定寸法ごとに増加するように形成してもよい。
図１６には、変形例に係る粘着シート１０Ｈの平面図が示されている。なお、図１６では、本変形例の理解を容易にするために、粘着剤層の図示を省略し、基材フィルム１１Ｈ（第一基材１３Ｈおよび第二基材１４Ｈ）を示している。また、第一脆弱部のみを示し、第二脆弱部の図示を省略している。また、第三の円Ｃ３、第四の円Ｃ４、第五の円Ｃ５の位置を実線で示している。さらに、第三の円Ｃ３に沿って設けられた第一脆弱部を１８Ｃ、第四の円Ｃ４に沿って設けられた第一脆弱部を１８Ｄ、第五の円Ｃ５に沿って設けられた第一脆弱部を１８Ｅで表している。
図１６に示すように、隣接する第三の円Ｃ３、第四の円Ｃ４、第五の円Ｃ５同士の半径寸法の差ΔＤが、それぞれ一定となるように形成されている。隣接する同心円同士の間隔が等間隔に形成されているため、粘着シート１０Ｈを引き延ばして、複数の同心円（第三の円Ｃ３、第四の円Ｃ４、第五の円Ｃ５）を構成する第一脆弱部１８Ｃ，１８Ｄ，１８Ｅがそれぞれ分離、拡張されるため、粘着シートを等間隔に分離、拡張できる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、粘着シートおよび半導体装置の製造方法に利用できる。
【符号の説明】
【００７０】
１…半導体パッケージ、３…封止体、３Ａ…面、５…再配線、５Ａ…外部電極パッド、６…外部端子電極、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ…粘着シート、１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｆ，１１Ｇ，１１Ｈ，１０１…基材フィルム、１２，１２Ｄ，１２Ｅ，１２Ｆ，１０２…粘着剤層、１３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ，１３Ｇ，１３Ｈ，１０３…第一の基材、１４，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ，１４Ｇ，１４Ｈ，１０４…第二の基材、１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆ，１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄ，１８Ｅ…第一脆弱部、１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ，１６Ｆ…第二脆弱部、１７Ａ，１７Ｂ…格子形状、１９…被着体、３０…封止部材、４１…第一絶縁層、４２…第二絶縁層、５０…離間装置、６０…支持手段、６１…支持部材、６１Ａ…溝、７０…離間テーブル、７０Ａ…支持面、８０…直動モータ、８０Ａ…出力軸、１００…ダイシングシート、２００…転写用シート、２０３…第一基材フィルム、２０４…第一粘着剤層、Ｃ１…第一の円、Ｃ２…第二の円、Ｃ３…第三の円、Ｃ４…第四の円、Ｃ５…第五の円、ＣＰ…半導体チップ、Ｄ，Ｄ１，Ｐ１，Ｐ２…間隔、Ｍ１…第一方向、Ｍ２…第二方向、Ｍ３…第三方向、Ｍ４…第四方向、Ｏ…中心部、ＲＦ…リングフレーム、Ｗ…半導体ウエハ、Ｗ１…回路面、Ｗ２…回路、Ｗ３…裏面、Ｗ４…内部端子電極、ΔＤ…半径寸法の差。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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