(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた光検出素子と、
外部接続用のパッドと、
前記半導体基板の上に設けられ、前記光検出素子の一端と前記パッドとを電気的に接続する配線と、
前記光検出素子及び前記配線の上に設けられた多層膜光学フィルターと、
を含み、
前記多層膜光学フィルターは、
前記半導体基板に直交する方向での平面視において、前記多層膜光学フィルターの配置領域の内側に前記配線が位置すると共に、前記半導体基板の一辺と前記パッドとの間に前記多層膜光学フィルターの一辺が位置するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記多層膜光学フィルターは、
前記平面視において、前記パッドの位置に開口を有するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記パッドは、
前記光検出素子の前記一端を外部に接続するためのパッドであることを特徴とする光検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記半導体基板の上に設けられた遮光層を有し、
前記多層膜光学フィルターは、
前記平面視において、前記多層膜光学フィルターの配置領域の内側に前記遮光層が位置するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記多層膜光学フィルターは、
前記平面視において、前記半導体基板の前記一辺と、前記半導体基板の前記一辺に対向する前記遮光層の一辺との間に、前記多層膜光学フィルターの前記一辺が位置するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記平面視において前記光検出素子を覆うように、前記半導体基板の上に設けられる絶縁層を有し、
前記多層膜光学フィルターは、
前記平面視の方向を第１の方向とし、前記第１の方向に直交する方向を第２の方向とした場合に、前記絶縁層の端部の前記第２の方向側において、前記半導体基板の上に立設するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項７】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた光検出素子と、
前記半導体基板の上に設けられる配線と、
前記光検出素子及び前記配線の上に設けられた多層膜光学フィルターと、
前記半導体基板に直交する方向での平面視において前記光検出素子を覆うように、前記半導体基板の上に設けられる絶縁層と、
を含み、
前記多層膜光学フィルターは、
前記平面視において、前記多層膜光学フィルターの配置領域の内側に前記配線が位置するように設けられると共に、前記平面視の方向を第１の方向とし、前記第１の方向に直交する方向を第２の方向とした場合に、前記絶縁層の端部の前記第２の方向側において、前記半導体基板の上に立設するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記多層膜光学フィルターは、
前記平面視において、前記配線及び前記光検出素子を覆うように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項９】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた光検出素子と、
前記半導体基板の上に設けられた遮光層と、
外部接続用のパッドと、
前記半導体基板の上に設けられ、前記光検出素子の一端と前記パッドとを電気的に接続する配線と、
前記光検出素子及び前記配線の上に設けられた多層膜光学フィルターと、
を含み、
前記多層膜光学フィルターは、
前記半導体基板に直交する方向での平面視において、前記半導体基板の一辺と、前記半導体基板の前記一辺に対向する前記遮光層の一辺との間に、前記多層膜光学フィルターの一辺が位置すると共に、前記半導体基板の前記一辺と前記パッドとの間に前記多層膜光学フィルターの前記一辺が位置するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の光検出装置を含むことを特徴とする光検出モジュール。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれかに記載の光検出装置を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光検出装置、光検出モジュール及び電子機器等に関係する。
【背景技術】
【０００２】
種々の分野において光検出装置（光学センサー）による測定が応用されている。例えば、対象物の診断や検査をするために分光センサーが用いられる。光検出装置では、装置自体が測定環境中に存在する水分により浸食されるなどの測定環境に起因する問題が懸念される。また、体に装着するタイプの光検出装置では、汗による浸食なども懸念される。そのため、光検出装置の配線をシリコン窒化膜で保護すべきとも思われるが、その場合には光透過性が悪くなることがあり、酸化膜（絶縁膜）のままとなっていた。
【０００３】
この環境耐性（あるいは耐湿性）と光透過性の問題に対して、特許文献１の発明では、薄いシリコン窒化膜とシリコン酸窒化膜を用いることにより、この問題を解決している。また、特許文献２の発明では、薄いシリコン窒化膜とシリコン酸化膜を交互に複数層積層させて、この問題を解決している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１６５１９１号公報
【特許文献２】特開平６−２１４７０号公報
【特許文献３】特開平８−８３５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の発明及び特許文献２の発明では、シリコン酸窒化膜という特別な膜を積み増す必要があり、製造工程のスループットとコストを悪化させてしまう。
【０００６】
本発明の幾つかの態様によれば、耐湿性や光透過性等の向上が可能な光検出装置、光検出モジュール及び電子機器等を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された光検出素子と、前記半導体基板の上に形成された配線と、前記光検出素子及び前記配線の上に形成された多層膜光学フィルターと、を含み、前記多層膜光学フィルターは、前記半導体基板に直交する方向での平面視において、前記多層膜光学フィルターの形成領域の内側に前記配線が位置するように形成される光検出装置に関係する。
【０００８】
本発明の一態様では、多層膜光学フィルターが、半導体基板に直交する方向での平面視において、多層膜光学フィルターの形成領域の内側に配線が位置するように形成され、配線が水に濡れることを防ぐ。よって、製造コストを抑制したまま、耐湿性と光透過性を向上させることが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記光検出装置の外部接続用のパッドを含み、前記多層膜光学フィルターは、前記平面視において、前記パッドの位置に開口を有するように形成されてもよい。
【００１０】
これにより、多層膜光学フィルターがパッドを塞がないようにすること等が可能になる。
【００１１】
また、本発明の一態様では、前記パッドは、前記光検出素子の一端を外部に接続するためのパッドであってもよい。
【００１２】
これにより、光検出素子の一端を外部に電気的に接続すること等が可能になる。
【００１３】
また、本発明の一態様では、前記半導体基板の上に形成された遮光層を有し、前記多層膜光学フィルターは、前記平面視において、前記多層膜光学フィルターの形成領域の内側に前記遮光層が位置するように形成してもよい。
【００１４】
これにより、光検出素子の非形成領域を遮光すること等が可能になる。
【００１５】
また、本発明の一態様では、前記多層膜光学フィルターは、前記平面視において、前記光検出装置の一辺と、光検出装置の前記一辺に対向する前記遮光層の一辺との間に、前記多層膜光学フィルターの一辺が位置するように形成されてもよい。
【００１６】
これにより、遮光層を覆うように、多層膜光学フィルターを形成すること等が可能になる。
【００１７】
また、本発明の一態様では、前記配線は、前記パッドと前記光検出素子の一端とを電気的に接続する配線であってもよい。
【００１８】
これにより、外部装置と、光検出素子とを電気的に接続すること等が可能になる。
【００１９】
また、本発明の一態様では、絶縁層を有し、前記多層膜光学フィルターは、前記平面視の方向を第１の方向とし、前記第１の方向に直交する方向を第２の方向とした場合に、前記絶縁層の端部において、前記絶縁層の前記第２の方向側に形成されてもよい。
【００２０】
これにより、光検出装置の側面から水が装置内部に入り込むのを防ぐこと等が可能になる。
【００２１】
また、本発明の一態様では、前記多層膜光学フィルターは、前記平面視において、前記配線及び前記光検出素子を覆うように形成されてもよい。
【００２２】
これにより、多層膜光学フィルターが、半導体基板に直交する方向での平面視において、多層膜光学フィルターの形成領域の内側に配線が位置するように形成すること等が可能になる。
【００２３】
また、本発明の他の態様は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された光検出素子と、前記半導体基板の上に形成された遮光層と、前記光検出素子及び前記配線の上に形成された多層膜光学フィルターと、を含み、前記多層膜光学フィルターは、前記半導体基板に直交する方向での平面視において、光検出装置の一辺と、光検出装置の前記一辺に対向する前記遮光層の一辺との間に、前記多層膜光学フィルターの一辺が位置するように形成される光検出装置に関係する。
【００２４】
これにより、遮光層を覆うように、多層膜光学フィルターが形成され、遮光層が金属層である場合、水分による腐食を防ぐこと等が可能になる。
【００２５】
また、本発明の他の態様では、光検出装置を含む光検出モジュールに関係する。
【００２６】
また、本発明の他の態様では、光検出装置を含む電子機器に関係する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、第１の実施形態の光検出装置の構成例。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、第１の実施形態の光検出装置の構成の変形例。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、光検出装置の構成の比較例。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、第２の実施形態の光検出装置の構成例。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、電子機器の具体的な構成例。
【図６】電子機器の具体的な構成例。
【図７】ネットワークにより通信接続を行う電子機器と端末装置の構成例。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本実施形態について説明する。なお、以下で説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成の全てが、本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２９】
１．第１の実施形態
前述したように、光検出装置では、耐湿性の確保と、光透過性の確保という相反する課題がある。例えば、単純にシリコン窒化膜で光検出装置を保護して、耐湿性を確保すれば、光透過性が悪くなってしまう。
【００３０】
そこで、本実施形態では、半導体基板全域を多層膜光学フィルターで覆う。つまり、多層膜光学フィルターに光透過性の制御だけでなく、耐湿保護の役割ももたせる。前述した特許文献３の発明で開示されている通り、酸化チタン（ＴｉＯ２）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）の交互層は高い耐湿性を有する。よって、新たな追加層を必要とせず、耐湿性と光透過性の維持の両立をはかることができる。
【００３１】
具体的に、本実施形態の光検出装置の構成例を図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示す。図１（Ａ）には、光検出装置の平面図を示し、図１（Ｂ）には、図１（Ａ）の直線Ｘ―Ｘ’における断面図を示す。
【００３２】
本実施形態の光検出装置は、図１（Ａ）に示すように、半導体基板１１０と、半導体基板１１０の表面に形成された光検出素子１２０と、半導体基板１１０の上に形成された配線１３０と、光検出素子１２０及び配線１３０の上に形成された多層膜光学フィルター１４０と、を含む。さらに、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す光検出装置は、後述するボンディングパッド１５０と、遮光層（遮光膜）１６０と、絶縁層１７０（シリコン酸化膜）と、角度制限フィルター１８０と、導電性プラグ１９０と、を含むことができる。なお、光検出装置は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）の構成に限定されず、これらの一部の構成要素（角度制限フィルター等）を省略したり、他の構成要素を追加したりするなどの種々の変形実施が可能である。
【００３３】
光検出素子１２０は、例えばフォトダイオードである。フォトダイオードは、半導体基板１１０（例えばシリコン基板）上に形成された不純物領域（例えば拡散層）により形成される。不純物領域がＮ型の不純物領域であり、シリコン基板がＰ型である場合には、ＰＮ接合部分がフォトダイオード（光検出素子１２０）に対応する。
【００３４】
また、多層膜光学フィルター１４０は、本来、光検出素子１２０への入射光の周波数帯域を制限するために設けられるフィルターである。例えば光検出装置には、光源から対象物へ出射した光の反射光だけでなく、外光なども入射するが、光検出装置を含む電子機器が測定処理を行う際には、このような外光がノイズになってしまう。そこで、光検出素子１２０の上面に多層膜光学フィルター１４０を形成して、多層膜光学フィルター１４０を介して光検出素子１２０に入射光が入射するようにする。これにより、入射光から外光成分をカットして、光源から出射した光の反射光成分だけが光検出素子１２０に入射するように制御することができる。さらに、人体内部の測定用途に光検出装置を用いる場合などには、例えば血液に吸収されやすい波長の光のみを通すように、入射光の周波数帯域を制限すること等ができる。
【００３５】
そして本実施形態では、本来、光透過制御の目的で形成される多層膜光学フィルター１４０に、耐湿性を向上させる膜としての役割ももたせる。
【００３６】
具体的には、多層膜光学フィルター１４０は、半導体基板１１０に直交する方向での平面視において、多層膜光学フィルター１４０の形成領域の内側に配線１３０が位置するように形成される。つまり、多層膜光学フィルター１４０は、半導体基板１１０に直交する方向での平面視において、配線１３０及び光検出素子１２０を覆うように設けられる。なお、半導体基板１１０に直交する方向とは、回路形成面に直交する方向である。また、半導体基板１１０に直交する方向での平面視とは、半導体基板１１０に直交する方向にある所定の点から半導体基板１１０を見た時の平面視のことである。
【００３７】
多層膜光学フィルター１４０は、図１（Ｃ）に拡大して示すように、高屈折率層（ＴｉＯ２）ＨＲｉと低屈折率層（ＳｉＯ２）ＬＲｉとが交互に積層されて形成される（ｉは１≦ｉ≦ｎであり、ｎは２以上の整数である）。
【００３８】
これにより、配線１３０及び光検出素子１２０が水分に浸食されることを防ぐことができる。また、前述したように多層膜光学フィルター１４０は、光透過性も維持できる。さらに、このような構成であれば、新たな追加層を必要としないため、後述する図３（Ａ）に示す構成と比べても、製造コストが増加しない。よって、製造コストを抑制したまま、耐湿性と光透過性を向上させることが可能となる。なお、多層膜光学フィルター１４０は、光検出装置のその他の部分を一連の製造工程で形成した後に、別の製造工程で形成することができる。なお、多層膜光学フィルター１４０は、高屈折率層として窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）ＨＲｉと低屈折率層（ＳｉＯ２）ＬＲｉとが交互に積層されて形成されるように構成しても良い（ｉは１≦ｉ≦ｎであり、ｎは２以上の整数である）。
【００３９】
また、本実施形態の光検出装置は、光検出装置の外部接続用のパッド１５０を含む。このパッド１５０は、光検出素子１２０の一端を外部（又はボンディングワイヤー）に接続するための構造である。
【００４０】
具体的には、まず光検出素子１２０の一端がパッドに電気的に接続される。ここで、光検出素子１２０の一端とは、フォトダイオードの２つの端子のうちの一方の端子のことである。より具体的には、光検出素子１２０の一端は、フォトダイオードを形成する不純物領域に接続される電極（例えば導電性プラグ１９０）である。
【００４１】
また、例えばこの際に角度制限フィルター１８０が、導電性プラグ１９０により形成されていてもよい。その場合には、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、光検出素子１２０と導電性プラグ１９０が電気的に接続され、導電性プラグ１９０と角度制限フィルター１８０が電気的に接続される。そして、格子状に配置された角度制限フィルター１８０と、配線１３０が電気的に接続されることによって、光検出素子１２０の一端とパッドが電気的に接続される。
【００４２】
あるいは、光検出素子１２０の一端は、シリコン基板に電位を与える電極であってもよい。なお、光検出素子１２０及びパッド１５０の間に、他の回路素子（抵抗等）が介在していても良い。
【００４３】
そして、パッド１５０には不図示のボンディングワイヤーが電気的に接続され、ボンディングワイヤーが光検出装置のチップの不図示の端子に電気的に接続される。さらに、端子が不図示の外部の回路基板の配線に電気的に接続される。
【００４４】
これにより、光検出素子１２０の一端を外部に電気的に接続すること等が可能になる。
【００４５】
そして、多層膜光学フィルター１４０は、半導体基板１１０に直交する方向での平面視において、パッド１５０の位置に開口を有するように形成される。つまり、本実施形態の多層膜光学フィルター１４０は、必ずしも半導体基板１１０の全面に形成されなければいけないわけではなく、一部に開口等を有していてもよい。
【００４６】
これにより、多層膜光学フィルター１４０がパッド１５０を塞がないようにすること等が可能になる。従って、前述したように、パッド１５０にボンディングワイヤーを電気的に接続すること等が可能になる。
【００４７】
また、配線１３０は、パッド１５０と光検出素子１２０との一端を電気的に接続する配線である。具体的に、配線１３０は、絶縁層１７０（シリコン酸化膜）の上に、例えばアルミなどの金属層によって形成される。
【００４８】
これにより、外部装置と、光検出素子１２０とを電気的に接続すること等が可能になる。
【００４９】
また、本実施形態の光検出装置は、半導体基板１１０の上に形成された遮光層１６０を有する。遮光層１６０は、例えば金属層により形成される。そして、多層膜光学フィルター１４０は、半導体基板１１０に直交する方向での平面視において、多層膜光学フィルター１４０の形成領域の内側に遮光層１６０が位置するように形成される。さらに、遮光層１６０は、光検出素子１２０の形成領域の外側に位置するように形成される。さらに、断面視において、遮光層１６０は、半導体基板１１０あるいは絶縁層１７０と、多層膜光学フィルター１４０との間に配置される。
【００５０】
これにより、光検出素子１２０の形成領域において入射光を透過させ、光検出素子１２０の非形成領域を遮光すること等が可能になる。つまり、図１（Ａ）の例における光検出装置の平面視において、点線に囲まれる斜線領域だけを遮光することができる。そのため、光検出素子１２０の非形成領域の半導体基板１１０に、不要な電荷が発生しないようにすること、及び光検出素子１２０に所望範囲外の角度から光が入射しないようにすること等が可能になる。
【００５１】
また、多層膜光学フィルター１４０は、半導体基板１１０に直交する方向での平面視において、光検出装置の一辺と、光検出装置の一辺に対向する遮光層１６０の一辺との間に、多層膜光学フィルター１４０の一辺が位置するように設けられる。例えば図１（Ａ）の例では、光検出装置の一辺はＬ１であり、光検出装置の一辺Ｌ１に対向する遮光層１６０の一辺はＬ２である。そして、辺Ｌ１と辺Ｌ２の間に位置する多層膜光学フィルター１４０の一辺がＬ３である。
【００５２】
これにより、遮光層１６０を覆うように、多層膜光学フィルター１４０が形成され、遮光層１６０が金属層である場合、水分による腐食を防ぐこと等が可能になる。
【００５３】
また、角度制限フィルター１８０は、光検出素子１２０により検出される波長に対して遮光性のある遮光物質（光吸収物質または光反射物質）により形成される。具体的には、角度制限フィルター１８０は、半導体プロセスの配線形成工程により形成され、例えばアルミ（光反射物質）配線層等の導電層とタングステン（光吸収物質）プラグ等の導電性プラグにより形成される。
【００５４】
ただし、本実施形態では必ずしも角度制限フィルター１８０を設けなくても良い。例えば、本実施形態の光検出装置は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、角度制限フィルター１８０を設けない構成であってもよい。
【００５５】
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は本実施形態の比較例となる光検出装置である。図３（Ａ）に示す比較例の光検出装置は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、半導体基板１１０と、光検出素子１２０と、配線１３０と、多層膜光学フィルター１４０と、ボンディングパッド１５０と、遮光層１６０と、絶縁層１７０（シリコン酸化膜）と、角度制限フィルター１８０と、導電性プラグ１９０と、を含む。
【００５６】
図３（Ｃ）に示すように、多層膜光学フィルター１４０の構成は、図１（Ｃ）に示す構成と同様である。ただし、図１（Ｃ）と違い、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示す光検出装置では、多層膜光学フィルター１４０が半導体基板の全体を覆っていない。具体的には、図３（Ａ）の例では、多層膜光学フィルター１４０は、光検出素子１２０と、角度制限フィルター１８０を覆っているだけであり、配線１３０、遮光層１６０等を覆ってはいない。そのため、配線１３０、遮光層１６０等が水分に浸食される恐れがあり、耐湿性に問題がある。一方で、前述したように、図１（Ａ）に示す光検出装置は、配線１３０を覆うように、多層膜光学フィルター１４０が形成されることで、耐湿性の問題を解決している。
【００５７】
２．第２の実施形態
次に、第２の実施形態を図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示す。前述した第１の実施形態では、多層膜光学フィルター１４０が、少なくとも半導体基板１１０上の光検出素子１２０及び配線１３０を覆うように設けられていた。言い換えれば、光検出装置を平面視した時に対向する上面にだけ、多層膜光学フィルター１４０を形成している。
【００５８】
一方で、第２の実施形態では、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、光検出装置の上面だけでなく、側面にも多層膜光学フィルター１４０を形成する。つまり、多層膜光学フィルター１４０は、半導体基板１１０に直交する方向での平面視の方向を第１の方向ＤＲ１とし、第１の方向ＤＲ１に直交する方向を第２の方向ＤＲ２とした場合に、絶縁層１７０の端部において、絶縁層１７０の第２の方向ＤＲ２側に形成されてもよい。
【００５９】
これにより、光検出装置の側面から水が装置内部に入り込むのを防ぐこと等が可能になる。なお、この際の多層膜光学フィルター１４０は、図４（Ｃ）に示すように、図１（Ｃ）と同様の積層構造である。
【００６０】
３．光検出モジュール及び電子機器の構成例
本実施形態の光検出装置は、光検出モジュールや電子機器に含まれる。例えば、光検出モジュールは、光検出装置と発光部を含む。また、電子機器は、例えば、測定装置や生体情報検出装置である。
【００６１】
以下では、例えば電子機器が測定装置である場合について、図５（Ａ）〜図７を用いて説明する。まず、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図６に本実施形態の測定装置（生体情報検出装置）の外観図を示す。図５（Ａ）は測定装置を正面方向側から見た図であり、図５（Ｂ）は上方向側から見た図であり、図６は側面方向側から見た図である。
【００６２】
図５（Ａ）〜図６に示すように本実施形態の測定装置は、バンド部５１０とケース部５３０と光検出モジュール（センサー部、生体センサー）３００を有する。ケース部５３０は、バンド部５１０に取り付けられる。光検出モジュール３００は、ケース部５３０に設けられる。なお、本実施形態の測定装置（電子機器）は図５（Ａ）〜図６等の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００６３】
バンド部５１０は、ユーザーの手首に巻き付けて測定装置を装着するためのものである。バンド部５１０は、穴部５１２、バックル部５１４を有する。バックル部５１４はバンド挿入部５１５と突起部５１６を有する。ユーザーは、バンド部５１０の一端側を、バックル部５１４のバンド挿入部５１５に挿入し、バンド部５１０の穴部５１２にバックル部５１４の突起部５１６を挿入することで、測定装置を手首に装着することができる。この場合、どの穴部５１２に突起部５１６を挿入するかに応じて、光検出モジュール３００への押圧（手首表面に対する押圧）の大きさが調整される。なお、バックル部５１４に代わって尾錠を用いてバンド部５１０のサイズを調節するように構成しても良い。
【００６４】
ケース部５３０は、測定装置の本体部に相当するものである。ケース部５３０の内部には、光検出モジュール３００、生体情報取得部、処理部、記憶部、表示処理部等の種々の構成部品が設けられる。即ち、ケース部５３０は、これらの構成部品を収納する筐体である。
【００６５】
ケース部５３０には発光窓部５３２が設けられている。発光窓部５３２は透光部材により形成されている。そしてケース部５３０には、フレキシブル基板に実装された発光部（ＬＥＤ）が設けられており、この発光部からの光が、発光窓部５３２を介してケース部５３０の外部に照射される。
【００６６】
図６に示すようにケース部５３０には端子部５３１が設けられている。測定装置を図示しないクレードルに装着すると、クレードルの端子部とケース部５３０の端子部５３１が電気的に接続される。これにより、ケース部５３０に設けられる二次電池（バッテリー）の充電が可能になる。
【００６７】
光検出モジュール（センサー部）３００は、例えば被検体の脈波等の測定生体情報を検出するものである。例えば光検出モジュール３００は、受光部と発光部を有する。また光検出モジュール３００は、透光部材により形成され、被検体の皮膚表面に接触して押圧を与える凸部５５２を有する。このように凸部５５２が皮膚表面に押圧を与えた状態で、発光部が光を出射し、その光が被検体（血管）により反射された光を受光部が受光し、その受光結果が検出信号として生体情報取得部に出力される。なお、本実施形態の測定装置の検出対象となる測定生体情報は、脈波（脈拍数）には限定されず、測定装置は、脈波以外の測定生体情報（例えば血液中の酸素飽和度、体温、心拍等）を検出する装置であってもよい。
【００６８】
図７は測定装置の装着及び情報処理装置２００との通信についての説明図である。
【００６９】
図７に示すように被検体であるユーザーは手首４１０に測定装置を時計のように装着する。図６に示すように、ケース部５３０の被検体側の面には光検出モジュール３００が設けられている。従って、測定装置が装着されると、光検出モジュール３００の凸部５５２が手首４１０の皮膚表面に接触して押圧を与え、その状態で光検出モジュール３００の発光部が光を発光し、受光部が反射光を受光することで脈波等の測定生体情報が検出される。
【００７０】
測定装置と情報処理装置２００は通信接続されて、データのやり取りが可能になっている。情報処理装置２００は、例えばスマートフォン、携帯電話機、フィーチャーフォン等の携帯端末装置である。或いは情報処理装置２００は、タブレット型コンピューター等の情報処理端末であってもよい。測定装置と情報処理装置２００の通信接続としては、例えばブルートゥース等の近接無線通信を採用できる。このように測定装置と携帯端末装置２００が通信接続されることで、携帯端末装置２００の表示部４３０（ＬＣＤ等）に、脈拍数や消費カロリーなどの各種情報（測定生体情報、活動状態情報）を表示できる。即ち、センサー部３００の検出信号に基づき求められた各種の情報を表示できる。なお、脈拍数や消費カロリーなどの情報の演算処理は、測定装置において実行してもよいし、その少なくとも一部を携帯端末装置２００において実行してもよい。
【００７１】
以上のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、光検出装置、光検出モジュール及び電子機器の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１１０  半導体基板、１２０  光検出素子、１３０  配線、
１４０  多層膜光学フィルター、１５０  パッド（ボンディングパッド）、
１６０  遮光層、１７０  絶縁層、１８０  角度制限フィルター、１９０  導電性プラグ、
２００  情報処理装置（携帯端末装置）、３００  光検出モジュール（センサー部）、
４１０  手首、４３０  表示部、５１０  バンド部、５１２  穴部、５１４  バックル部、
５１５  バンド挿入部、５１６  突起部、５３０  ケース部、５３１  端子部、
５３２  発光窓部、５５２  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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