(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁を駆動する比例ソレノイドの電流指令値に対しディザ信号を重畳する工程と、
前記電流指令値が大きい領域では前記電流指令値が小さい領域よりも大きさが大きく、前記電流指令値が大きい領域では前記電流指令値が小さい領域よりも、前記電流指令値の変化に対する変化量が大きいオフセット信号を前記電流指令値に対し重畳する工程と、
前記ディザ信号および前記オフセット信号が重畳された前記電流指令値を実現するように前記比例ソレノイドの電流を制御する工程と、を有する、
電流制御方法。
【請求項２】
比例ソレノイドにより駆動される弁の開度を制御するために前記比例ソレノイドの電流を制御する電流制御装置であって、
前記比例ソレノイドの電流指令値に対しディザ信号を重畳するディザ信号重畳部と、
前記電流指令値に対しオフセット信号を重畳するオフセット信号重畳部と、
前記ディザ信号および前記オフセット信号が重畳された前記電流指令値を実現するように前記比例ソレノイドの電流を制御する制御部と、を有し、
前記オフセット信号重畳部は、前記電流指令値が大きい領域では前記電流指令値が小さい領域でよりも前記オフセット信号の大きさを大きくするとともに、前記電流指令値が大きい領域では前記電流指令値が小さい領域よりも、前記電流指令値の変化に対する前記オフセット信号の変化量を大きくする、
ことを特徴とする電流制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電流制御装置において、
前記オフセット信号重畳部は、前記弁の開度に対する前記電流のヒステリシス差を予め取得し、前記ヒステリシス差が大きい前記電流指令値の領域では、前記ヒステリシス差が小さい前記電流指令値の領域でよりも前記オフセット信号の大きさを大きくする、
ことを特徴とする電流制御装置。
【請求項４】
請求項２ないし３のいずれか１つに記載の電流制御装置において、
前記オフセット信号重畳部は、前記電流指令値の変化方向が切り替わると、前記弁の開度に対する前記電流のヒステリシス差が小さくなる方向に、前記オフセット信号を前記電流指令値に重畳する、
ことを特徴とする電流制御装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電流制御装置において、
前記オフセット信号重畳部は、前記比例ソレノイドの電流応答の規範である電流規範応答を前記電流指令値から算出し、前記電流規範応答の微分値の符号に基づき、前記電流指令値の変化方向を判断する、
ことを特徴とする電流制御装置。
【請求項６】
請求項２ないし５のいずれか１つに記載の電流制御装置を備えた、車両用の自動変速機の油圧制御装置であって、
前記弁は前記自動変速機を作動させる油圧を制御する、
ことを特徴とする自動変速機の油圧制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソレノイド弁の電流を制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に記載の技術は、ソレノイド弁の電流指令値に対しディザ信号を重畳する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２７６０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ソレノイド弁の制御精度を向上する余地があった。本発明は、ソレノイド弁の制御精度を向上することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的のため、本発明の実施形態に係る電流制御方法は、電流指令値に対しディザ信号を重畳するとともに、前記電流指令値が大きい領域では前記電流指令値が小さい領域よりも大きさが大きく、前記電流指令値が大きい領域では前記電流指令値が小さい領域よりも、前記電流指令値の変化に対する変化量が大きいオフセット信号を前記電流指令値に対し重畳する。
【発明の効果】
【０００６】
よって、ソレノイド弁の制御精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態の無段変速機構の油圧制御装置を示すシステム図である。
【図２】実施形態のCVTコントロールユニットの電流制御部を示すブロック線図である。
【図３】実施形態のソレノイド特性の一例を示すグラフである。
【図４】実施形態のヒステリシス補正補償器を示すブロック線図である。
【図５】実施形態のオフセット信号を演算するためのマップの一例である。
【図６】実施形態のディザ信号（振幅）を演算するためのマップの一例である。
【図７】実施形態のソレノイド電流に対するプーリ圧の応答を示すタイムチャートである。
【図８】比較例のソレノイド電流に対するプーリ圧の応答を示すタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【０００９】
［構成］
まず、構成を説明する。図１は、本実施形態の車両の駆動系の一部と、無段変速機構７の油圧制御装置とを示すシステム図である。車両は自動車である。駆動系は、車両の駆動源であるエンジン（原動機）３と、変速システム４と、ファイナルギヤ（図外）と、ディファレンシャルギヤ（図外）と、駆動輪（図外）とを備える。油圧制御装置は、油圧制御機構２とCVTコントロールユニット１とを備える。エンジン３は、内燃機関であり、ガソリンエンジンやディーゼルエンジン等を用いることができる。変速システム４は、トルクコンバータ５と、前後進切替機構６と、自動変速機としての無段変速機構７とを備える。トルクコンバータ５は、エンジン３の後段に配置される動力伝達装置であり、トルク増幅機能を有する流体継手である。前後進切替機構６は、トルクコンバータ５の後段に配置される動力伝達装置であり、前進クラッチ及び後進ブレーキを有する。前後進切替機構６は、入力される回転の方向を（前進走行時の正転方向と後退走行時の逆転方向とで）切換えて出力可能である。無段変速機構７は、前後進切替機構６の後段に配置される動力伝達装置であり、入力される回転の速度（トルク）を変えて出力可能な変速部である。エンジン３からの回転（トルク、回転駆動力）は、トルクコンバータ５と前後進切替機構６を介して無段変速機構７に入力される。無段変速機構７に入力された回転は、この無段変速機構７において所望の変速比で変速された後、後段側に位置するファイナルギヤ等を介して駆動輪に出力される。駆動輪が駆動されることで車両が走行する。
【００１０】
無段変速機構７は、ベルト式の無段変速機CVTであり、入力軸70pの回転数と出力軸70sの回転数との比を無段階で変化させる無段変速機能を有する。無段変速機構７は、一対のプーリ（プライマリプーリ71pおよびセカンダリプーリ71s）と、これらの間に巻き掛けられたベルト72とを備える。プライマリプーリ71pは、入力側（駆動側）のプーリであり、エンジン３からの回転駆動力が（トルクコンバータ５を介して）入力される。セカンダリプーリ71sは、出力側（従動側）のプーリであり、ベルト72を介してプライマリプーリ71pの側から伝達された回転駆動力を出力する。プーリ71は、固定（フィックス）シーブ710と可動（スライド）シーブ711とを備える。固定シーブ710は回転軸70に固定され、回転軸70と一体に回転する。可動シーブ711は、回転軸70の軸方向に移動可能であると共に回転方向の移動が規制され、回転軸70と一体に回転する。固定シーブ710と可動シーブ711との間にV字状のプーリ溝73が形成される。可動シーブ711の背面側（プーリ溝73に対し軸方向反対側）に作動油室74が区画される。作動油室74には油圧制御機構２から油圧が供給される。
【００１１】
油圧制御機構２は、無段変速機構７の動作を制御するための油圧を無段変速機構７に供給可能である。油圧制御機構２は、油圧回路20を有すると共に、油圧アクチュエータとして、オイルポンプ21および複数の制御弁22〜25を有する。オイルポンプ20はエンジン３により駆動される油圧源である。制御弁は、第１調圧弁（レギュレータバルブ）22と、第２調圧弁23と、プライマリソレノイド弁24pと、セカンダリソレノイド弁24sと、プライマリ調圧弁25pと、セカンダリ調圧弁25sとを有する。ソレノイド弁24は、ソレノイドと、ソレノイドにより駆動されるプランジャ（可動鉄心）と、固定鉄心と、戻しばねとを有する。ソレノイドは比例ソレノイドである。ソレノイドに電流（駆動電流）を流すと、プランジャを固定鉄心に電磁的に吸引する力が発生する。戻しばねは、プランジャを固定鉄心から引き離す付勢力を常時発生する。上記吸引力と付勢力との大小関係によりプランジャを往復移動させることで、プランジャの位置、すなわち開方向および閉方向の弁開度（バルブ開口量）をリニアに調整する。本実施形態では、ソレノイド弁24は常閉弁であり、ソレノイドに流す電流（以下、ソレノイド電流Iという。）が大きいほど弁開度が大きくなる。
【００１２】
油圧回路20は、ライン圧油路200と、パイロット圧油路201と、プーリ圧（作動圧）油路202と、信号圧油路203とを有する。ライン圧油路200は、オイルポンプ20の吐出側に接続する。ライン圧油路200には第１調圧弁22が設けられる。パイロット圧油路201は、ライン圧油路200における第１調圧弁22の下流側に接続する。パイロット圧油路201には第２調圧弁23が設けられる。プーリ圧油路202は、ライン圧油路200におけるパイロット圧油路201の接続部位の下流側に接続する。プーリ圧油路202は、プライマリプーリ圧油路202pとセカンダリプーリ圧油路202sを有する。プライマリプーリ圧油路202pはプライマリプーリ71pの作動油室74pに接続し、セカンダリプーリ圧油路202sはセカンダリプーリ71sの作動油室74sに接続する。プライマリプーリ圧油路202pにはプライマリ調圧弁25pが設けられ、セカンダリプーリ圧油路202sにはセカンダリ調圧弁25sが設けられる。信号圧油路203は、パイロット圧油路201における第２調圧弁23の下流側に接続する。信号圧油路203は、プライマリ信号圧油路203pとセカンダリ信号圧油路203sを有する。プライマリ信号圧油路203pはプライマリ調圧弁25pに接続し、セカンダリ信号圧油路203sはセカンダリ調圧弁25sに接続する。プライマリ信号圧油路203pにはプライマリソレノイド弁24pが設けられ、セカンダリ信号圧油路203sにはセカンダリソレノイド弁24sが設けられる。
【００１３】
CVTコントロールユニット１は電子制御ユニットであり、油圧制御機構２に指令信号を出力して変速比制御を行う。CVTコントロールユニット１は、車両の運転状態（無段変速機構７の入力回転数やアクセル開度等）に応じて目標変速比を決定し、または、車両の運転状態に応じて決定された目標変速比の入力を受け、この目標変速比を実現するように、プライマリプーリ71pの作動油室74pの油圧（プライマリプーリ圧Pp）及びセカンダリプーリ71sの作動油室74sの油圧（セカンダリプーリ圧Ps）を制御する。油圧制御機構２は、CVTコントロールユニット１からの指令に応じて、プライマリプーリ圧Pp及びセカンダリプーリ圧Psを互いに独立に調整する。オイルポンプ20は、作動油を圧送してライン圧油路200に吐出圧を供給する。第１調圧弁22は吐出圧を調圧してライン圧を生成する。ライン圧はパイロット圧油路201およびプーリ圧油路202に供給される。第２調圧弁23はライン圧を調圧してパイロット圧を生成する。パイロット圧は信号圧油路203に供給される。プライマリソレノイド弁24pはパイロット圧を調圧してプライマリ信号圧を生成する。プライマリ信号圧はプライマリ調圧弁25pに供給される。セカンダリソレノイド弁24sはパイロット圧を調圧してセカンダリ信号圧を生成する。セカンダリ信号圧はセカンダリ調圧弁25sに供給される。プライマリ調圧弁25pはライン圧を調圧し、プライマリ信号圧に応じたプライマリプーリ圧Ppを生成する。プライマリプーリ圧Ppはプライマリプーリ71pの作動油室74pに供給される。セカンダリ調圧弁25sはライン圧を調圧し、セカンダリ信号圧に応じたセカンダリプーリ圧Psを生成する。セカンダリプーリ圧Psはセカンダリプーリ71sの作動油室74sに供給される。CVTコントロールユニット１は、プライマリソレノイド弁24p及びセカンダリソレノイド弁24sのソレノイドの電流をそれぞれ制御することで、これらの弁24p,24sの開度を制御し、パイロット圧から所望のプライマリ信号圧およびセカンダリ信号圧を生成する。
【００１４】
プーリ圧Pは、無段変速機構７を作動させる油圧（作動油圧）である。すなわち、プーリ圧Pにより可動シーブ711が固定シーブ710の側に押され、プーリ溝73にベルト72が挟まれる。すなわちプーリ溝73においてベルト72は回転軸方向の両側でシーブ710,711の間に挟持される。これによりベルト72を介して両プーリ71p, 71s間で動力伝達が行われる。可動シーブ711は、作動油室74の油圧に応じて回転軸70の軸方向に移動（スライド）する。可動シーブ711が移動することでプーリ溝幅が変更される。作動油室74の油圧を調整することでプーリ溝幅が制御される。プーリ溝幅が連続的に変化することで、ベルト72とプーリ71との接触半径（ベルト72の巻き付け半径）が連続的に変化する。プライマリプーリ71pに対するベルト72の巻き付け半径Rpと、セカンダリプーリ71sに対するベルト72の巻き付け半径Rsとの比Rs/Rpが、変速比に相当する。各プーリ71p, 71sのプーリ溝幅を互いに独立に変更することで、プライマリプーリ71p（入力軸70p）からセカンダリプーリ71s（出力軸70s）に回転駆動力を伝達する際の変速比（プーリ比）が無段階で変更される。例えば、動力伝達中、プライマリプーリ71pの可動シーブ711pを固定シーブ710pから遠ざけてプライマリプーリ71pのプーリ溝幅を広くする一方、セカンダリプーリ71sの可動シーブ711sを固定シーブ710sに接近させてセカンダリプーリ71sのプーリ溝幅を狭くする。これにより、Rpが小さくなる一方、Rsが大きくなる。これにより、プーリ比がロー側に変更され、ダウンシフト可能である。両プーリ71p, 71sで上記と逆の動作を行うことにより、プーリ比がハイ側に変更され、アップシフト可能である。
【００１５】
以上のように、CVTコントロールユニット１は、各ソレノイドへの供給電流を制御することで、無段変速機構７の変速を達成する。変速比は、各ソレノイド弁24p,24sからの信号圧に応じて各調圧弁25p,25sから各プーリ71p,71sに与えられるプーリ圧Pにより決まる。すなわち、CVTコントロールユニット１は、電流制御装置として機能し、各ソレノイド弁24p,24sのソレノイドの電流を制御することでこれらの弁24p,24sの開度（各信号圧）を制御する。これにより各調圧弁25p,25sの開度を調整し、各プーリ圧Pp,Psを制御する。CVTコントロールユニット１は、各ソレノイドの電流I（ソレノイドコイルに流す駆動電流）を制御する電流制御部10を有する。図２は、電流制御部10を制御対象100と共に示すブロック線図である。電流制御部10は、まず、電流指令値Icmdを設定する。Icmdは、決定された目標変速比を実現する各プーリ圧Pp,Ps（すなわち目標プーリ圧Pp*,Ps*）に応じて設定される。
【００１６】
ここで、ソレノイド弁24におけるプランジャ等の摺動箇所にはフリクションがあり、このフリクション等に起因して、ソレノイド弁24の開度（バルブ開口量）ないしプランジャの位置とソレノイド電流Iとの間にヒステリシス特性（Iの増加方向と減少方向とでソレノイド弁24の開度が異なる現象）が存在する。図３は、ソレノイド電流Iとプーリ圧Pとの間の静特性を実験により測定した結果の一例を示すグラフである。Iが０の側から増加するにつれてPが上昇し、Iが０の側へ減少するにつれてPが低下する。以下、増加する方向に変化する電流IをIincとし、減少する方向に変化する電流IをIdecとする。ソレノイド弁24の開度はPに対応する。図３から明らかなように、PとIとの間にはヒステリシス特性が存在し、Pに対するIには、ヒステリシス特性による差（ヒステリシス差またはヒステリシス幅）ΔIhysがある。所定のPが得られるときのIincは、上記所定のPが得られるときのIdecよりも、大きい。言換えると、所定のPが得られるときのIdecは、上記所定のPが得られるときのIincよりも、小さい。任意のIで、Iの変化方向を増加から減少へ切り換えると、Iが切換え時の値IincからΔIhysだけ小さいIdec（＝Iinc−ΔIhys）まで減少してから初めて、Pが低下を開始する。Iの変化方向を減少から増加へ切り換えると、Iが切換え時の値IdecからΔIhysだけ大きいIinc（＝Idec＋ΔIhys）まで増加してから初めて、Pが上昇を開始する。
【００１７】
また、プランジャの移動量が大きい領域ではプランジャに作用する吸引力（推力）が小さくなる。この吸引力差等に起因し、プランジャの移動量（弁開度）によってヒステリシス差ΔIhysが異なっており、プランジャの移動量が大きいほどΔIhysが大きくなる。P（またはI）が大きい領域では、P（またはI）が小さい領域でよりも、ΔIhysが大きい。P（またはI）が増大するにつれてΔIhysは大きくなる。具体的には、Pが所定値P1よりも大きい領域（Iが所定値I1の近傍より大きい領域）では、PがP1よりも小さい領域（IがI1の近傍より小さい領域）に比べ、Pの変化（単位当り変化量）に対するIの変化量dI/dPが大きい（Iの変化に対するPの変化量dP/dIが小さい）と共に、ΔIhysが大きく、また、P（またはI）の変化に対するΔIhysの変化量dΔIhys /dP（またはdΔIhys /dI）が大きい。
【００１８】
電流指令値Icmdは、ソレノイド弁24における摺動箇所にフリクションがなく、ヒステリシス特性がないという前提で設定される指令電流値である。具体的には、Icmdは、目標プーリ圧P*に対応するIincとIdecとの略中間の値である。
【００１９】
電流制御部10は、電流指令値Icmdから最終電圧指令値Vcmd_FINを算出し、これを制御対象100であるソレノイド（コイル）へ印加する。制御対象100は、ソレノイド弁24のソレノイドの実際の電気特性を示している。Vcmd_FINからソレノイドの実電流Irealへの伝達特性は、次式(1)で表される。sはラプラス演算子である。Lはソレノイドのコイルのインダクタンスであり、Rはコイルの抵抗である。
【数１】
0006503956.tif 000002
Vcmd_FINを印加されたソレノイドには、上記式(1)の伝達特性に従ってIrealが流れる。Irealの値は電流制御部10に入力され、電流制御部10はIrealを検知する。
【００２０】
以下、電流指令値Icmdから最終電圧指令値Vcmd_FINを算出する過程を具体的に説明する。電流制御部10は、ヒステリシス補正補償器11と、規範応答演算器12と、フィードフォワード補償器13と、フィードバック補償器14と、第１ロバスト補償器15と、第２ロバスト補償器16とを有する。また、電流制御部10は、第１減算器171と、第２減算器172と、第１加算器181と、第２加算器182とを有する。
【００２１】
ヒステリシス補正補償器11は、電流指令値Icmdからヒステリシス補正用電流指令値Icmd_hysを算出する。詳細は後述する。
【００２２】
規範応答演算器12は、ヒステリシス補正用電流指令値Icmd_hysから、次式(2)により規範応答Irefを算出する。Irefは、設計者の希望する電流応答である。Trefは１次遅れ時定数である。
【数２】
0006503956.tif 000003
【００２３】
フィードフォワード補償器13は、ヒステリシス補正用電流指令値Icmd_hysから、次式(3)よりフィードフォワード電圧指令値Vcmd_FFを算出する。Vcmd_FFは、規範応答Irefを実現する電圧指令値である。式(3)は、式(1)の制御対象100の伝達特性の逆系と、式(2)の規範応答とを掛け合わせたものである。
【数３】
0006503956.tif 000004
【００２４】
第１減算器171は、規範応答Irefから実電流Irealを減算して両者の偏差（Iref−Ireal）を算出する。
【００２５】
フィードバック補償器14は、偏差（Iref−Ireal）を入力とし、次式(4)よりフィードバック電圧指令値Vcmd_FBを算出する。Kはフィードバックゲインである。
【数４】
0006503956.tif 000005
【００２６】
第１加算器181は、フィードフォワード電圧指令値Vcmd_FFとフィードバック電圧指令値Vcmd_FBとを加算して両者の和（Vcmd_FF＋Vcmd_FB）を算出する。
【００２７】
第２加算器182は、次式(5)より、（Vcmd_FF＋Vcmd_FB）と後述するロバスト電圧指令値Vcmd_ROBとを加算して最終電圧指令値Vcmd_FINを算出する。
【数５】
0006503956.tif 000006
【００２８】
第１ロバスト補償器15は、最終電圧指令値Vcmd_FINを入力とし、次式(6)より第１ロバスト電圧指令値Vcmd_ROB_1を算出する。THはロバストカットオフ周波数である。
【数６】
0006503956.tif 000007
【００２９】
第２ロバスト補償器16は、実電流Irealを入力とし、次式(7)より第２ロバスト電圧指令値Vcmd_ROB_2を算出する。
【数７】
0006503956.tif 000008
【００３０】
第２減算器172は、次式(8)より、第１ロバスト電圧指令値Vcmd_ROB_1から第２ロバスト電圧指令値Vcmd_ROB_2を減算して（最終）ロバスト電圧指令値Vcmd_ROBを算出する。
【数８】
0006503956.tif 000009
【００３１】
最後に、最終電圧指令値Vcmd_FINをソレノイドに印加することで、設計者の希望する規範応答Irefを実現しつつ、ソレノイド電流Irealがヒステリシス補正用電流指令値Icmd_hysに制御される。
【００３２】
次に、ヒステリシス補正補償器11について説明する。図４は、ヒステリシス補正補償器11を示すブロック線図である。ヒステリシス補正補償器11は、オフセット用規範応答演算部110と、変化演算部111と、符号判定部112と、引数演算部113と、オフセット信号演算部114と、ディザ振幅演算部115と、ディザ信号演算部116と、ヒステリシス補正用電流指令値演算部117とを有する。
【００３３】
オフセット用規範応答演算部110は、電流指令値Icmdから、次式(9)によりオフセット用の電流規範応答Iref_ofsを算出する。式(9)は上記式(2)と同形である。
【数９】
0006503956.tif 000010
【００３４】
変化演算部111は、次式(10)より、オフセット用規範応答Iref_ofsの変化Idotを算出する。Tdは近似微分時定数である。
【数１０】
0006503956.tif 000011
【００３５】
符号判定部112は、Idot/|Idot|により、規範応答変化Idotの符号を判定する。
【００３６】
引数演算部113は、次式(11)より、電流指令値Icmdと変化Idotの符号とを積算してオフセットマップ引数Icmd_xを算出する。
【数１１】
0006503956.tif 000012
ただし、Idotが０の場合は、引数演算部113は、Icmd_xの符号として、前回サンプルの計算値を使う。
【００３７】
オフセット信号演算部114は、オフセットマップ引数Icmd_xから、図５に示すマップに基づきオフセット信号Ioffsetを表引き演算する。Ioffsetは、電流指令値Icmdに対するオフセット分（電流オフセット）であり、Icmdに重畳されることで、Icmdを元の値よりも大きい側または小さい側に持続的にオフセットさせる電流信号である。Icmdは０または正である。Idotの符号が正（Icmdが増加方向に変化）であれば、Icmd_xはIcmdの大きさに応じた正値となる。図５のマップにおけるグラフの第１象限でIcmd_xに応じたIoffsetが決定される。Idotの符号が負（Icmdが減少方向に変化）であれば、Icmd_xはIcmdの大きさに応じた負値となる。グラフの第３象限でIcmd_xに応じたIoffsetが決定される。マップでは、Icmd_xが正のとき、Ioffsetは、Icmd_xが０から所定値Icmd1までの第１領域α（Icmdが小さい領域）で、Icmd_xが大きくなるのに応じて（比例的に）大きくなる。Ioffsetは、Icmd_xが０のとき所定値Ioffset0であり、Icmd_xがIcmd1のとき所定値Ioffset1（>Ioffset0）である。Ioffsetは、Icmd_xがIcmd1以上の第２領域β（Icmdが大きい領域）で、Icmd_xが大きくなるのに応じて（比例的に）大きくなる。第２領域βにおけるIcmd_xの変化に対するIoffsetの変化量d Ioffset /d Icmd_xは、第１領域αにおける上記変化量d Ioffset /d Icmd_xよりも大きい。
【００３８】
Icmd_xが負のとき、Ioffsetは、Icmd_xが０から−Icmd1までの第３領域γ（Icmdが小さい領域）で、Icmd_xが小さくなるのに応じて（比例的に）小さくなる。Ioffsetは、Icmd_xが０のとき−Ioffset0であり、Icmd_xが−Icmd1のとき−Ioffset1（<−Ioffset0）である。Ioffsetは、Icmd_xが−Icmd1以下の第４領域δ（Icmdが大きい領域）で、Icmd_xが小さくなるのに応じて（比例的に）小さくなる。第３領域γにおけるd Ioffset /d Icmd_xの大きさは、第１領域αにおけるd Ioffset /d Icmd_xの大きさと略同じである。第４領域δにおけるd Ioffset /d Icmd_xの大きさは、第２領域βにおけるd Ioffset /d Icmd_xの大きさと略同じである。マップにおけるIcmd1は、図３の所定値I1に設定される。すなわち、オフセット信号演算部114は、図３のΔIhysを予め取得し、ΔIhysが大きいIcmdの領域（第２，第４領域β,δ）では、ΔIhysが小さいIcmdの領域（第１，第３領域α,γ）でよりも、Ioffsetを大きくすると共に、Icmdの変化に対するIoffsetの変化量d Ioffset /d Icmdを大きくする。
【００３９】
ディザ振幅演算部115は、電流指令値Icmdから、図６に示すマップに基づき、ディザ振幅Adizを表引き演算する。マップでは、Adizは、Icmdが０から所定値Icmd2までの領域で、Icmdが大きくなるのに応じて（比例的に）大きくなる。Icmd2は、上記Icmd1よりも若干大きい値に設定される。Adizは、Icmdが０のとき０であり、IcmdがIcmd2のとき最大値Adiz_maxとなる。IcmdがIcmd2以上の領域では、Icmdに関わらずAdizはAdiz_maxである。
【００４０】
ディザ信号演算部116は、ディザ振幅Adizとディザ周波数Fdiz[Hz]とから、次式(12)により、ディザ信号Idizを算出する。πは円周率であり、ｔは時間である。Fdizは予め設定される。Idizは、Icmdに重畳されることで、Icmdを元の値よりも大きい側と小さい側との間で変化させる電流信号である
【数１２】
0006503956.tif 000013
【００４１】
ヒステリシス補正用電流指令値演算部117は、次式(13)より、電流指令値Icmdにディザ信号Idizとオフセット信号Ioffsetとを加算（重畳）してヒステリシス補正用電流指令値Icmd_hysを算出する。
【数１３】
0006503956.tif 000014
オフセット信号Ioffsetの大きさ（電流指令値に対するオフセット量）とディザ振幅Adiz（ディザ信号の振幅量）との配分は、図５と図６に示すマップの設定値により、電流指令値Icmdに応じて決まる。
【００４２】
［作用］
次に、作用効果を説明する。図７は、ソレノイド電流Iを変化させた際のプーリ圧Pの応答を示すタイムチャートである。一点鎖線でIcmdを示し、二点鎖線でIcmd＋Ioffsetを示し、実線でIreal（＝Icmd_hys＝Icmd＋Idiz＋Ioffset）を示す。
【００４３】
時刻t1から時刻t4まで、電流指令値Icmdを０から一定勾配で増加させる。Icmdは、時刻t2でIcmd1になり、時刻t3でIcmd2になる。Icmdは、時刻t1から時刻t2まで図５のマップの第１領域αにあり、時刻t2から時刻t4まで第２領域βにある。時刻t1から時刻t4まで、オフセット信号Ioffsetは、オフセット信号演算部114により図５のマップの第１象限を用いて演算される。Ioffsetは、時刻t1から時刻t2まで、Icmd の増加に応じてIoffset0から徐々に増加する。Ioffsetは、時刻t2から時刻t4まで、時刻t2までよりも大きい増加率d Ioffset/dtで、Icmd の増加に応じてIoffset1から徐々に増加する。ディザ振幅演算部115により図６のマップを用いて演算されるディザ信号Idizの振幅Adizは、時刻t1から時刻t3まで、Icmd の増加に応じて、０から徐々に増加する。Adizは、時刻t3から時刻t4まで、Adiz_maxのままである。時刻t1から時刻t4まで、実電流Irealは、Icmd＋Ioffsetを中心として振幅Adizで振動する波状に変化する。実際のプーリ圧Pは、Icmdに対応する目標プーリ圧P*に追従する。
【００４４】
時刻t4で、Icmd（の変化方向）が増加から減少へ切り替わる。Icmd に加算されるIoffsetは、図５のマップの第１象限における正値から、第３象限における負値へ切り替わる。
【００４５】
時刻t4から時刻t7まで、Icmdを一定勾配で０まで減少させる。Icmdは、時刻t5でIcmd2になり、時刻t6でIcmd1になる。Icmdは、時刻t4から時刻t6までは図５のマップの第４領域δにあり、時刻t6から時刻t7まで第３領域γにある。Ioffset（負値）は、時刻t4から時刻t6まで、Icmd の減少（Icmd_xの増加）に応じて徐々に（０の側に）増加する（大きさが減少する）。Ioffset（負値）は、時刻t6から時刻t7まで、時刻t6までよりも小さい増加率d Ioffset/dtで、Icmd の減少に応じて−Ioffset1から徐々に増加する（大きさが減少する）。Adizは、時刻t4から時刻t5まで、Adiz_maxのままである。Adizは、時刻t5から時刻t7まで、Icmd の減少に応じて、０に向って徐々に減少する。時刻t4から時刻t7まで、Irealは、Icmd＋Ioffsetを中心として振幅Adizで振動する波状に変化する。実際のPは、Icmdに対応するP*に追従する。
【００４６】
ソレノイド弁24を使用する油圧制御装置は、ソレノイド弁24のソレノイドに電流Iを流し、プランジャを移動させることで、弁開度を調整して油圧Pを調圧する。この油圧制御では、ソレノイド電流Iにより、弁開度（プランジャ位置）をリニアに制御することが重要である。しかし、Iと弁開度との間のヒステリシス特性（図３参照）の存在により、ソレノイドのリニアな弁開度制御が困難となり、高精度な油圧制御が実現できないおそれがあった。これに対し、本実施形態では、電流指令値Icmdに対しオフセット信号Ioffsetを重畳する。よって、ヒステリシス特性による影響を抑制し、ソレノイド弁24の制御を安定化して、ソレノイド弁24の制御精度を向上できる。なお、本実施形態の電流制御を、自動変速機の油圧制御装置以外におけるソレノイド弁の制御に適用してもよい。本実施形態では、上記電流制御を自動変速機（無段変速機構７）の油圧制御装置におけるソレノイド弁24の制御に適用したため、プーリ圧Pp,Psの制御（変速比制御）の精度を向上できる。
【００４７】
具体的には、電流Iの変化方向が増加から減少へ切り替わると、Iが減少する方向にヒステリシス差ΔIhysが生じる（図３参照）。本実施形態では、時刻t4で、Icmd（の変化方向）が増加から減少へ切り替わる際、Icmdの大きさを減少させる方向にIoffsetをIcmdに重畳する。すなわち、Icmdに負値のIoffsetを加算し、元のIcmdからIoffsetの大きさを減算した電流指令値Icmdを用いる。よって、ΔIhysを低減するようにソレノイド電流Iが補正されるため、リニアな弁開度制御が実現される。したがって、時刻t4の直後、Iに対するPの応答特性がリニアである。なお、同様に、電流Iの変化方向が減少から増加へ切り替わると、Iが増加する方向にΔIhysが生じる（図３参照）。本実施形態では、Icmdの変化方向が減少から増加へ切り替わると、Icmdの大きさを増加させる方向にIoffsetをIcmdに重畳する（元のIcmdに正のIoffsetを加算した電流指令値Icmdを用いる）。よって、ΔIhysを低減するようにIが補正される。このように、ΔIhysが小さくなる方向にIoffsetをIcmdに加減することで、ΔIhysを低減し、ソレノイド弁24の制御精度を向上して、リニアな弁開度制御が可能となる。
【００４８】
なお、電流Iの変化方向が切り替わったか否かを、実電流Irealに基づき推定してもよい。本実施形態では、電流指令値Icmdに基づき判断することで、電流Iの変化方向を正確に推定できる。また、ソレノイドの電流応答の規範である電流規範応答Iref_ofsを電流指令値Icmdから算出し、Iref_ofsの微分値Idotの符号Idot/|Idot|に基づき、電流指令値Icmdが増加から減少へ切り替わったか否かを判断する。よって、電流Iの変化方向をより正確に推定できると共に、目標プーリ圧P*の変動等に伴うIcmdの変動に起因する、電流変化方向の判断のチャタリングを防止できる。このため、ヒステリシス差ΔIhysをより効果的に低減することができる。
【００４９】
電流指令値Icmdが大きい領域ではIcmdが小さい領域でよりもオフセット信号Ioffsetの大きさを大きくする。言換えると、弁開度に対する電流Iのヒステリシス差ΔIhysを予め取得し（図３参照）、ΔIhysが大きいIcmdの領域では、ΔIhysが小さいIcmdの領域でよりもIoffsetの大きさを大きくする。すなわち、Iが大きい領域では、Iが小さい領域でよりも、ΔIhysが大きい。このようなヒステリシス特性に対し、ΔIhysが大きい領域ではIoffsetの大きさを大きくすることで、ΔIhysをより効果的に低減できる。なお、本実施形態では、ソレノイド弁24が常閉弁であり、Iが増加するにつれてPが上昇すると共に、Pが高い（プランジャの移動量が大きい）ほどΔIhysが大きくなる特性であるが、ソレノイド弁24が常開弁であり、Iが増加するにつれてPが低下する特性であってもよいし、Pが低い（プランジャの移動量が大きい）ほどΔIhysが大きくなる特性であってもよい。この場合も、Iが大きい領域では、Iが小さい領域でよりも、ΔIhysが大きい特性となる。
【００５０】
また、電流指令値Icmdが大きい領域ではIcmdが小さい領域でよりも、Icmdの変化に対するオフセット信号Ioffsetの変化量d Ioffset /d Icmdを大きくする。具体的には、IcmdがIcmd1より大きい領域では、IcmdがIcmd1より小さい領域でよりも、d Ioffset /d Icmdを大きくする。すなわち、Iが大きい領域では、Iが小さい領域でよりも、Iの変化に対するΔIhysの変化量dΔIhys /dIが大きい。このようなヒステリシス特性に対し、dΔIhys /dIが大きい領域でd Ioffset /d Icmdを大きくすることで、ΔIhysをより効果的に低減できる。
【００５１】
電流指令値Icmdに対し、オフセット信号Ioffsetだけでなく、ディザ信号Idizを重畳する。よって、ヒステリシス特性の影響をより効果的に抑制し、ソレノイド弁24の制御を安定化して、制御精度を向上できる。なお、Idizは正弦波状に限らず、例えばパルス状であってもよい。
【００５２】
電流指令値Icmdが大きい領域ではIcmdが小さい領域でよりもディザ信号Idizの振幅Adizを大きくする。すなわち、Iが大きい領域ではIが小さい領域でよりもΔIhysが大きくなる（図３参照）。このようなヒステリシス特性に対し、ΔIhysが大きい領域でAdizを大きくすることで、ΔIhysをより効果的に低減できる。言換えると、IdizによるΔIhysの低減効果（以下、ヒステリシス低減効果という。）をIの制御領域に関わらず略平均化することで、Icmdに対する弁開度の良好な応答性を維持し、ソレノイド弁24の制御精度を向上して、リニアな弁開度制御を行うことが可能となる。
【００５３】
電流指令値Icmdに対しディザ信号Idizとオフセット信号Ioffsetの両方を重畳する。ソレノイド電流Iの上限が（製品によって決まる）最大電流Imaxにより制限される場合、Icmdが（Imaxに近い）大きい領域では、十分なディザ振幅Adizを設定することができず、ディザ信号Idizのみではヒステリシス差ΔIhysを十分に低減できないおそれがある。これに対し、本実施形態では、IdizだけでなくIoffsetを重畳することで、Idizでは低減できないΔIhysをも低減することができるため、より制御精度を向上して、リニアな弁開度制御が可能となる。以下、具体的に説明する。
【００５４】
図８は、電流指令値Icmdにディザ信号Idizのみを重畳し、Idizのみでヒステリシス差ΔIhysを低減しようとする比較例の、図７と同様のタイムチャートを示す。時刻t11から時刻t13まで、Icmdを０から一定勾配で増加させる。時刻t13から時刻t16まで、Icmdを一定勾配で０まで減少させる。IdizのみでΔIhysを低減しようとする場合、ヒステリシス特性の影響を排除し、リニアな弁開度制御を行うためには、ΔIhysが大きな領域で、Idizの振幅Adizを大きく設定する必要がある。よって、比較例では、プランジャの位置によりAdizを決定する。例えば、Icmdに応じてAdizを変え、Icmdが大きいほどAdizを大きくする。図８において、Icmdと、Icmdの両側を挟む破線との間の距離は、ΔIhysを低減するのに必要なAdizを示す。しかし、ソレノイド電流Iの上限に電流最大値Imaxによる制限がある場合、Iが大きい領域では十分なAdizを設定できない。時刻t13を挟んで時刻t12から時刻t14まで、Imaxの制限により、高電流領域でIdizが飽和し（Idizを重畳されたIcmdがImaxと干渉し）、適正なAdizを得ることができない。このため、ΔIhysを十分に低減できず、リニアな弁開度制御が困難となる。時刻t12から時刻t14まで、実際のプーリ圧Pは、Icmdに対応する目標プーリ圧P*（Icmdに追従した場合の油圧応答）に追従しない。Icmd（P*）の変化方向が切り替わる際、ヒステリシス特性が現れて、油圧応答が停滞する（遅れる）。
【００５５】
これに対し、本実施形態では、図７に示すように、Icmdの変化方向が切り替わるときにIoffsetをIcmdに重畳することで、ヒステリシス特性を補正する。よって、ΔIhysを十分に低減でき、制御精度を向上して、リニアな弁開度制御ができる。Pは、Icmdに対応するP*に追従し、電流-プーリ圧特性がリニアである。なお、Adizは、Icmdが大きい領域（Icmd2以上の領域）では最大値Adiz_maxに設定される。よって、IcmdがImaxに近づいても、Idizの飽和が抑制される。すなわち、Idizによるヒステリシス低減効果が妨げられる事態を回避することが容易である。
【００５６】
オフセット信号Ioffsetの大きさとディザ信号Idizの大きさ（振幅Adiz）との配分は、例えば以下のように予め設定する。すなわち、電流指令値Icmdが小さい領域では、Icmdが大きい領域に比べ、IoffsetによるΔIhysの低減効果よりもIdizによるΔIhysの低減効果のほうが大きくなるように、上記配分を設定する。すなわち、ソレノイド特性（図３に示すような電流-プーリ圧特性。例えばΔIhysの大きさ）は、製品によってバラツキがある。IdizとIoffsetの２つでヒステリシス特性を補正する場合、Idizはソレノイド特性のバラツキの影響を受けにくいが、Ioffsetはソレノイド特性のバラツキの影響を受けやすい。そして、Icmdが小さい領域では、Icmdが大きい領域でよりも、弁開度（プーリ圧P）の制御精度が高く要求される。また、Icmdが小さい領域では、Idizの振幅Adizに対する（Imaxによる）制限がほとんど無い。よって、Icmdが小さい領域では、Ioffsetによるヒステリシス低減効果よりもIdizによるヒステリシス低減効果が大きくなるように、両信号の大きさの配分を設定する。これにより、ソレノイド特性のバラツキの影響を受けることを回避しつつ、ΔIhysを精度良く低減することができる。なお、図５のマップにおいてIoffsetを予め設定する際、ソレノイド特性（ΔIhysの大きさ）の上記バラツキを補正するようにIoffsetを設定することが好ましい。また、Icmdが小さい領域で、Idizのみを用い、Ioffsetを用いないようにしてもよい。
【００５７】
一方、Icmdが大きい領域では、Icmdが小さい領域でよりも、制御精度が高く要求されない。また、Imax付近の高電流領域では、Idizの振幅Adizに制限が課せられる場合がある。よって、Icmdが大きい領域では、Idizによるヒステリシス低減効果よりもIoffsetによるヒステリシス低減効果が大きくなるように、両信号の大きさの配分を設定する。これにより、Adizに対する上記制限にもかかわらず、ΔIhysを精度良く低減することができる。なお、Icmdが大きい領域（特にImax付近）で、Ioffsetのみを用い、Idizを用いないようにしてもよい。
【００５８】
具体的には、電流指令値Icmdが大きい領域では、Icmdが小さい領域でよりも、Icmdの変化に対するオフセット信号Ioffsetの変化量d Ioffset /d Icmdを大きくする。これにより、Icmdが大きい領域で、ディザ信号Idizによるヒステリシス低減効果よりもIoffsetによるヒステリシス低減効果を大きくすることが容易である。言換えると、Icmdが小さい領域では、Icmdが大きい領域でよりも、d Ioffset /d Icmd_xを小さくする。これにより、Icmdが小さい領域で、Ioffsetによるヒステリシス低減効果よりもIdizによるヒステリシス低減効果を大きくすることが容易である。
【００５９】
［効果］
以下、本実施形態の効果を列挙する。
(1) 電流制御方法は、ソレノイド弁24を駆動する比例ソレノイドの電流指令値Icmdに対しディザ信号Idizを重畳する工程と、Icmdが大きい領域ではIcmdが小さい領域でよりも大きさが大きいオフセット信号IoffsetをIcmdに対し重畳する工程と、IdizおよびIoffsetが重畳されたIcmdであるヒステリシス補正用電流指令値Icmd_hysを実現するように比例ソレノイドの電流Iを制御する工程とを有する。
よって、Icmdに対しIdizとIoffsetの両方を重畳することで、ヒステリシス差ΔIhysを効果的に低減し、ソレノイド弁24の制御精度を向上できる。また、Iが大きい領域ではIが小さい領域でよりもΔIhysが大きいヒステリシス特性に対し、Icmdが大きい領域ではIcmdが小さい領域でよりもIoffsetの大きさを大きくすることで、ΔIhysをより効果的に低減できる。
【００６０】
(2) 比例ソレノイドにより駆動されるソレノイド弁24の開度を制御するために比例ソレノイドの電流Iを制御するCVTコントロールユニット１（電流制御装置）であって、比例ソレノイドの電流指令値Icmdに対しディザ信号Idizを重畳するディザ信号演算部116およびヒステリシス補正用電流指令値演算部117（ディザ信号重畳部）と、Icmdに対しオフセット信号Ioffsetを重畳するオフセット信号演算部114およびヒステリシス補正用電流指令値演算部117（オフセット信号重畳部）と、IdizおよびIoffsetが重畳されたIcmdであるヒステリシス補正用電流指令値Icmd_hysを実現するように比例ソレノイドの電流Iを制御する電流制御部10とを有し、オフセット信号重畳部は、Icmdが大きい領域ではIcmdが小さい領域でよりもIoffsetの大きさを大きくする。
よって、上記(1)と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
(3) オフセット信号演算部114（オフセット信号重畳部）は、電流指令値Icmdが大きい領域ではIcmdが小さい領域でよりも、Icmdの変化に対するオフセット信号Ioffsetの変化量d Ioffset /d Icmdを大きくする。
よって、Iが大きい領域ではIが小さい領域でよりもIの変化に対するヒステリシス差ΔIhysの変化量dΔIhys /dIが大きいヒステリシス特性に対し、ΔIhysをより効果的に低減できる。また、Icmdが大きい領域で、ディザ信号Idizによるヒステリシス低減効果よりもIoffsetによるヒステリシス低減効果を大きくすることが容易であり、これによりソレノイド弁24の制御精度を向上できる。
【００６２】
(4) オフセット信号演算部114（オフセット信号重畳部）は、ソレノイド弁24の開度に対する電流Iのヒステリシス差ΔIhysを予め取得し、ΔIhysが大きい電流指令値Icmdの領域では、ΔIhysが小さいIcmdの領域でよりもオフセット信号Ioffsetの大きさを大きくする。
よって、予め取得したヒステリシス特性に合わせ、ヒステリシス差ΔIhysが大きい領域ではIoffsetの大きさを大きくすることで、ΔIhysをより効果的に低減できる。
【００６３】
(5) オフセット信号演算部114およびヒステリシス補正用電流指令値演算部117（オフセット信号重畳部）は、電流指令値Icmdの変化方向が切り替わると、ソレノイド弁24の開度に対する電流Iのヒステリシス差ΔIhysが小さくなる方向に、オフセット信号IoffsetをIcmdに重畳する。
このように、電流Iの変化方向の切り替わりの際に生じるヒステリシス差ΔIhysを低減するようにIcmdが補正されるため、ΔIhysを低減できる。
【００６４】
(6) オフセット信号演算部114（オフセット信号重畳部）は、比例ソレノイドの電流応答の規範である電流規範応答Iref_ofsを電流指令値Icmdから算出し、Iref_ofsの微分値Idotの符号Idot/|Idot|に基づき、Icmdの変化方向を判断する。
よって、電流Iの変化方向を正確に推定し、ヒステリシス差ΔIhysをより効果的に低減できる。
【００６５】
(7) CVTコントロールユニット１（電流制御装置）を備えた、車両用の無段変速機構７（自動変速機）の油圧制御装置であって、ソレノイド弁24は無段変速機構７を作動させるプーリ圧Pを制御する。
よって、プーリ圧Pの制御（変速比制御）の精度を向上できる。
【００６６】
［他の実施形態］
以上、本発明を実施するための形態を、図面に基づき説明したが、本発明の具体的な構成は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっても本発明に含まれる。例えば、自動変速機は無段変速機に限らず、例えば有段変速機であってもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１      ＣＶＴコントロールユニット（電流制御装置）
１０    電流制御部（制御部）
１１６  ディザ信号演算部（ディザ信号重畳部）
１１７  ヒステリシス補正用電流指令値演算部（ディザ信号重畳部）
１１４  オフセット信号演算部（オフセット信号重畳部）
１１７  ヒステリシス補正用電流指令値演算部（オフセット信号重畳部）
２４    ソレノイド弁
７      無段変速機構（自動変速機）
【図１】
0006503956.tif 000015
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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