(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層と、前記金属層に設けられた複数の貫通孔と、を有する蒸着マスクであって、
前記金属層は、４０μｍ以下の厚さを有し、
前記金属層は、第１金属層と、前記第１金属層と重なる第２金属層と、を含み、
前記第１金属層及び前記第２金属層は、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる、蒸着マスク。
【請求項２】
前記金属層は、めっき層である、請求項１に記載の蒸着マスク。
【請求項３】
所定の基材の上に、第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
前記第１金属層の上に隙間を有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストパターンの前記隙間に、第２金属層を析出させるめっき処理工程と、
前記第１金属層及び前記第２金属層を前記基材から分離させる分離工程と、を有し、
前記第１金属層及び前記第２金属層の合計厚さは４０μｍ以下であり、
前記第１金属層及び前記第２金属層は、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる、蒸着マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスク、及び、蒸着マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラフルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。
【０００３】
表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板を蒸着装置に投入し、次に、蒸着装置内で有機ＥＬ表示装置用の基板に対して蒸着マスクを密着させ、有機材料を基板に蒸着させる蒸着工程を行う。この場合、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製するためには、蒸着マスクを基板に確実に密着させることが求められる。蒸着マスクが基板と密着していない場合、すなわち蒸着マスクと基板との間に隙間が生じている場合、有機材料が当該隙間に入り込んでしまい、隣接する画素間における混色を生じ得る。また、基板から浮いた蒸着マスクが、とりわけ基板の板面に斜め方向から向かう有機材料の当該基板への付着を阻害し、すなわち有機材料の付着ムラを生じ、これにより当該基板を有する有機ＥＬ表示装置において、輝度ムラが生じ得る。
【０００４】
蒸着マスクと基板との密着性を向上させる技術として、特許文献１に開示された技術が知られている。特許文献１では、基板の、蒸着マスクと反対の側に磁石を配置し、磁石の磁力により蒸着マスクを基板に密着させる。ここで、蒸着マスクとしては、インバー材（Ｆｅ−３６Ｎｉ）で形成された金属板に、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングにより貫通孔が形成されたものを用いている。インバー材は、その熱膨張係数が小さいため、有機材料の蒸着処理が高温雰囲気中で行われる場合においても、インバー材を用いた蒸着マスクの寸法変化は小さくなる。したがって、基板上に付着する有機材料の寸法精度及び位置精度が向上する利点がある。
【０００５】
また、蒸着マスクとして、例えば特許文献２に開示されているような、めっき処理を利用して製造された蒸着マスクも知られている。この技術によれば、薄厚化された蒸着マスクを精度よく製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５３８２２５９号公報
【特許文献２】特開２００１−２３４３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この蒸着マスクについての本件発明者らの研究により、基板の、蒸着マスクと反対の側に磁石を配置し、磁石の磁力により蒸着マスクを基板に密着させる際、蒸着マスクとして薄厚化された蒸着マスクを用いると、十分な密着性が得られなくなることが知見された。この現象は、以下のメカニズムによるものであると考えられる。すなわち、薄厚化された蒸着マスクは、薄厚化されていない蒸着マスクに比べて撓みやすく、例えば重力によっても大きく撓む。そして、この撓んだ部分は基板及び磁石から大きく離間する。ところで、２つの物体間に働く磁力は、当該２つの物体間の距離の二乗に反比例することが知られている。したがって、蒸着マスクにおける、磁石から大きく離間した部分に付加される磁力は大きく減少し、これにより薄厚化された蒸着マスクの基板への密着性が低下する。
【０００８】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであって、薄厚化された蒸着マスクの基板への密着性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の蒸着マスクは、
金属層と、前記金属層に設けられた複数の貫通孔と、を有する蒸着マスクであって、
前記金属層は、４０μｍ以下の厚さを有し、
前記金属層は、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる合金層を含む。
【００１０】
本発明の蒸着マスクにおいて、前記金属層は、めっき処理により作製されたものであってもよい。
【００１１】
本発明の蒸着マスクの製造方法は、
所定の基材上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストパターンの前記隙間において、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる合金層を含み、厚さが４０μｍ以下である金属層を析出させるめっき処理工程と、
前記金属層を前記基材から分離させる分離工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、薄厚化された蒸着マスクの基板への密着性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示す蒸着マスク装置を用いた蒸着方法を説明するための図である。
【図３】図３は、鉄−ニッケル合金中のニッケル含有量に対する飽和磁束密度の変化を示す図である。
【図４】図４は、図１に示された蒸着マスクを示す部分平面図である。
【図５】図５は、蒸着マスクの断面形状の一例を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、めっき処理によって蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、めっき処理によって蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、めっき処理によって蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、めっき処理によって蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図５に示す蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図５に示す蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図５に示す蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、蒸着マスクの作用を説明するための図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、蒸着マスクの作用を説明するための図である。
【図９Ａ】図９Ａは、めっき処理によって蒸着マスクを製造する方法のその他の例の一工程を示す図であって、第１の変形例に係る方法を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、めっき処理によって蒸着マスクを製造する方法のその他の例の一工程を示す図であって、第１の変形例に係る方法を示す図である。
【図１０】図１０は、図９Ａ及び図９Ｂに示す方法によって得られた蒸着マスクを示す断面図である。
【図１１】図１１は、第２の変形例に係る蒸着マスクの断面形状の一例を示す図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、図１１に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１１に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、図１１に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｄは、図１１に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、第３の変形例に係る蒸着マスクの断面形状の一例を示す図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示す蒸着マスクの作用を説明するための図である。
【図１４】図１４は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の変形例を示す図であって、第４の変形例に係る蒸着マスク装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺及び縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００１５】
図１〜図１４は、本発明による一実施の形態及びその変形例を説明するための図である。以下の実施の形態及びその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクを例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本発明を適用することができる。
【００１６】
なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。
【００１７】
また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。
【００１８】
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件及び物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００１９】
（蒸着マスク装置）
まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、図１及び図２を参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図である。
【００２０】
図１及び図２に示された蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。各蒸着マスク２０には、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が設けられている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０が蒸着対象物である基板、例えば有機ＥＬ表示装置用の基板（以下、有機ＥＬ基板ともいう）９２の下面に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、有機ＥＬ基板９２への蒸着材料の蒸着に使用される。
【００２１】
蒸着装置９０内で、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面（図２では上面）上に、磁石９３が配置される。これにより、蒸着マスク２０は、磁石９３からの磁力によって磁石９３に引き寄せられ、有機ＥＬ基板９２に密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化又は昇華して有機ＥＬ基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を介して有機ＥＬ基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２の表面に成膜される。図２において、蒸着マスク２０の面のうち蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２と対向する面（以下、第１面とも称する）が符号２０ａで表されている。また、蒸着マスク２０の面のうち第１面２０ａの反対側に位置する面（以下、第２面とも称する）が符号２０ｂで表されている。第２面２０ｂ側には、蒸着材料９８の蒸着源（ここではるつぼ９４）が配置される。
【００２２】
上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着機をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着機に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料及び青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。
【００２３】
なお、蒸着マスク装置１０のフレーム１５は、矩形状の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスク２０を張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。
【００２４】
フレーム１５の材料としては、一例としてニッケルを含む鉄合金を用いることができる。具体的には、例えば３４重量％以上３８重量％以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を用いることができる。このような材料で形成されたフレーム１５によれば、フレーム１５の熱膨張係数を小さくすることができる。したがって、蒸着処理が高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合であっても、フレーム１５の熱膨張による寸法変化を小さくすることができ、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度の低下を効果的に抑制することができる。なお、蒸着処理の際の温度が高温に達しない場合は、フレーム１５の熱膨張係数をインバー材やスーパーインバー材並みに小さくする必要は特にない。この場合、フレーム１５の材料として、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、上述の鉄合金以外の様々な材料を用いることができる。
【００２５】
（蒸着マスク）
次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、後述の合金層を含む金属層を有し、この金属層は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。
【００２６】
図１に示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。
【００２７】
蒸着マスク２０の金属層は、４０μｍ以下の厚さＴを有している。とりわけ、３μｍ以上２０μｍ以下の厚さＴを有している。このような厚さＴを有する金属層を有する蒸着マスク２０によれば、蒸着マスク２０が所望の耐久性を有しつつも十分に薄厚化されているので、有機ＥＬ基板９２に、斜め方向、すなわち有機ＥＬ基板９２の板面及び当該板面への法線方向の両方に対して傾斜した方向、から向かう蒸着材料の当該有機ＥＬ基板９２への付着が阻害されることを抑制すること、すなわち有機材料の付着ムラの発生を抑制することが可能になる。これにより、当該有機ＥＬ基板９２を有する有機ＥＬ表示装置において、輝度ムラが生じることを効果的に防止することができる。
【００２８】
このような薄厚化された金属層を有する蒸着マスクは、薄厚化されていない蒸着マスクに比べて撓みやすく、例えば重力によっても大きく撓む。蒸着装置９０内において、この撓んだ部分は有機ＥＬ基板９２及び磁石９３から大きく離間する。２つの物体間に働く磁力が、当該２つの物体間の距離の二乗に反比例することを考慮すると、蒸着マスクにおける、磁石９３から大きく離間した部分に付加される磁力は大きく減少する。そして、これにより薄厚化された蒸着マスクの基板への密着性が低下する。
【００２９】
一般に、磁力による吸引力Ｆは、吸引面の磁束密度をＢ、吸引面の面積をＡ、真空中の透磁率をμ０として、
Ｆ＝（１／２）×（Ｂ２／μ０）×Ａ      ・・・式（１）
と表せる。したがって、吸引面の面積が一定である場合、吸引力Ｆを増大させるためには、磁束密度Ｂを増大させることが有効である。
【００３０】
図３に、鉄−ニッケル合金におけるニッケル含有量に対する飽和磁束密度の変化をグラフで示す。横軸に、鉄−ニッケル合金におけるニッケル含有量（単位：重量％（ｗｔ％））を示し、縦軸に、飽和磁束密度（単位：ガウス（Ｇ））を示している。本研究者らの研究により、蒸着マスク２０の金属層が、１５．５×１０３Ｇ以上の飽和磁束密度を有する層を含んでいる場合、所定の強さの磁場を受けた際の、蒸着マスク２０の金属層における磁束密度が十分に大きくなり、すなわち式（１）で表される吸引力Ｆが十分に大きくなり、蒸着マスク２０の、蒸着対象物である基板（例えば有機ＥＬ基板９２）への良好な密着性が得られることが知見された。
【００３１】
そこで、本実施の形態では、蒸着マスク２０の金属層は、１５．５×１０３Ｇ以上の飽和磁束密度に対応する、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる組成を有する合金層を含んでいる。
【００３２】
蒸着マスク２０が、このような組成の合金層を含む金属層を有している場合、合金層における飽和磁束密度が１５．５×１０３Ｇ以上であるので、磁石９３による蒸着マスク２０に対する吸引力が十分に大きくなり、蒸着マスク２０の、有機ＥＬ基板９２への密着性を効果的に向上させることができる。
【００３３】
なお、合金層におけるニッケルの含有量が３０％を下回ると、当該合金層の熱膨張係数が大きくなり、当該合金層を含む蒸着マスクの熱膨張係数が大きくなる。結果として、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料における寸法精度や位置精度の低下が生じ得る。
【００３４】
次に、図４を参照して、蒸着マスク２０の貫通孔２５について詳細に説明する。図４は、蒸着マスク２０を第１面２０ａの側から示す拡大図である。
【００３５】
図４に示された例では、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。この貫通孔２５の形状などについて、以下に詳細に説明する。ここでは、蒸着マスク２０がめっき処理によって形成される場合の、貫通孔２５の形状などについて説明する。
【００３６】
図５は、めっき処理によって作製された蒸着マスク２０を、図４のＡ−Ａ線に沿って切断した場合を示す断面図である。
【００３７】
図５に示すように、蒸着マスク２０は、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えている。第２金属層３７は、第１金属層３２よりも蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側に配置されている。図５に示す例においては、第１金属層３２が蒸着マスク２０の第１面２０ａを構成し、第２金属層３７が蒸着マスク２０の第２面２０ｂを構成している。また、図示された例では、第１金属層３２及び第２金属層３７が、蒸着マスク２０の金属層をなす。
【００３８】
本実施の形態においては、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに連通することにより、蒸着マスク２０を貫通する貫通孔２５が構成されている。この場合、蒸着マスク２０の第１面２０ａ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される。一方、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される。言い換えると、貫通孔２５には、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される形状、及び、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される形状の両方が付与されている。
【００３９】
図４に示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０や第２開口部３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１開口部３０及び第２開口部３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状になっていてもよい。また、平面視において第２開口部３５が第１開口部３０を囲う輪郭を有する限りにおいて、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっている必要はない。
【００４０】
図５において、符号４１は、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部を表している。また符号Ｓ０は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における貫通孔２５の寸法を表している。なお図５においては、第１金属層３２と第２金属層３７とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２と第２金属層３７との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第１金属層３２と第２金属層３７との間に、第１金属層３２上における第２金属層３７の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。
【００４１】
図５に示すように、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。
【００４２】
図５において、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５（第２開口部３５）の端部３８を通る蒸着材料９８の経路であって、有機ＥＬ基板９２に到達することができる経路のうち、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす角度が最小となる経路が、符号Ｌ１で表されている。また、経路Ｌ１と蒸着マスク２０の法線方向Ｎとがなす角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。例えば角度θ１を４５°以上にすることが好ましい。
【００４３】
上述の開口寸法Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２は、有機ＥＬ表示装置の画素密度や上述の角度θ１の所望値などを考慮して、適切に設定される。例えば、４００ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、接続部４１における貫通孔２５の開口寸法Ｓ０は、２０μｍ以上６０μｍ以下の範囲内に設定され得る。また、第１面２０ａにおける第１開口部３０の開口寸法Ｓ１は、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定され、第２面２０ｂにおける第２開口部３５の開口寸法Ｓ２は、１５μｍ以上６２μｍ以下の範囲内に設定され得る。
【００４４】
図５に示された例では、金属層の厚さＴ、すなわち第１金属層３２及び第２金属層３７の合計厚さＴは、４０μｍ以下となっている。また、第１金属層３２及び第２金属層３７の少なくともいずれかは、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる組成を有する合金層で形成される。好ましくは、第１金属層３２及び第２金属層３７が、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる組成を有する合金層で形成される。
【００４５】
次に、図５に示す蒸着マスク２０を、めっき処理を利用して製造する方法について説明する。
【００４６】
〔パターン基板準備工程〕
はじめに、パターン基板５０を作製する方法の一例について説明する。はじめに、基材５１を準備する。次に図６Ａに示すように、導電性材料からなる導電層５２ａを形成する。導電層５２ａは、パターニングされることによって導電性パターン５２となる層である。
【００４７】
絶縁性及び適切な強度を有する限りにおいて、基材５１を構成する材料や基材５１の厚みが特に限られることはない。例えば基材５１を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。
【００４８】
導電層５２ａを構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述するレジストパターン５３に対する高い密着性を有する材料が、導電性パターン５２を構成する材料として用いられる。例えばレジストパターン５３が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電性パターン５２を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。
【００４９】
後述するように、導電層５２ａをパターニングすることによって形成される導電性パターン５２の上には、導電性パターン５２を覆うように第１金属層３２が形成され、この第１金属層３２はその後の工程で導電性パターン５２から分離される。このため、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と接する側の面の上には、通常、導電性パターン５２の厚みに対応する窪みが形成される。この点を考慮すると、電解めっき処理に必要な導電性を導電性パターン５２が有する限りにおいて、導電性パターン５２の厚み、すなわち導電層５２ａの厚みは小さい方が好ましい。一方、導電層５２ａの厚みは、薄すぎると抵抗値が大きくなり、電解めっき処理により第一金属層３２が形成されにくくなる。例えば導電層５２ａの厚みは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内になっている。
【００５０】
次に図６Ｂに示すように、導電層５２ａ上に、所定のパターンを有するレジストパターン５３を形成する。レジストパターン５３を形成する方法としては、後述するレジストパターン５５の場合と同様に、フォトリソグラフィー法などが採用され得る。レジストパターン５３用の材料に所定のパターンで光を照射する方法としては、所定のパターンで露光光を透過させる露光マスクを用いる方法や、所定のパターンで露光光をレジストパターン５３用の材料に対して相対的に走査する方法などが採用され得る。その後、図６Ｃに示すように、導電層５２ａのうちレジストパターン５３によって覆われていない部分を、エッチングによって除去する。次に図６Ｄに示すように、レジストパターン５３を除去する。これによって、第１金属層３２に対応するパターンを有する導電性パターン５２が形成されたパターン基板５０を得ることができる。
【００５１】
〔第１成膜工程〕
次に、パターン基板５０を利用して上述の第１金属層３２を作製する第１成膜工程について説明する。ここでは、導電性パターン５２が形成された基材５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基材５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図７Ａに示すように、基材５１上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を得ることができる。第１金属層３２の厚さは、例えば５μｍ以下になっている。
【００５２】
なおめっき処理の特性上、図７Ａに示すように、第１金属層３２は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２の端部５４と重なる部分に析出した第１金属層３２の表面にさらに第１金属層３２が析出するためである。この結果、図７Ａに示すように、第１開口部３０の端部３３は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重ならない部分に位置するようになり得る。
【００５３】
導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。若しくは、導電性パターン５２が、触媒層として機能するよう構成されていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。
【００５４】
用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのｐＨ緩衝剤、サッカリンナトリウなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。
【００５５】
〔第２成膜工程〕
次に、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する第２成膜工程を実施する。まず、基材５１上及び第１金属層３２上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程を実施する。図７Ｂは、基材５１上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図である。図７Ｂに示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２の第１開口部３０がレジストパターン５５によって覆われるとともに、レジストパターン５５の隙間５６が第１金属層３２上に位置するように実施される。
【００５６】
以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、基材５１上及び第１金属層３２上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。また、レジストパターン５５用の材料を基材５１上に塗布し、その後に必要に応じて焼成を実施することにより、レジスト膜を形成してもよい。次に、レジスト膜のうち隙間５６となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。
【００５７】
その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図７Ｂに示すように、第１金属層３２上に位置する隙間５６が設けられるとともに第１金属層３２の第１開口部３０を覆うレジストパターン５５を形成することができる。なお、レジストパターン５５を基材５１及び第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にレジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。
【００５８】
次に、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２が形成された基材５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図７Ｃに示すように、第１金属層３２上に第２金属層３７を形成することができる。第２金属層３７の厚さは、蒸着マスク２０の金属層の厚さＴが４０μｍ以下になるように設定される。さらに好ましくは、第２金属層３７の厚さは、蒸着マスク２０の金属層の厚さＴが３μｍ以上２０μｍ以下の範囲内になるように設定される。
【００５９】
第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２上に触媒層が設けられていてもよい。
【００６０】
第２めっき液としては、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。
【００６１】
なお図７Ｃにおいては、レジストパターン５５の上面と第２金属層３７の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７の上面がレジストパターン５５の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。
【００６２】
〔除去工程〕
その後、レジストパターン５５を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン５５を基材５１、第１金属層３２や第２金属層３７から剥離させることができる。
【００６３】
〔分離工程〕
次に、第１金属層３２及び第２金属層３７の組み合わせ体を基材５１から分離させる分離工程を実施する。これによって、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。
【００６４】
なお、めっき処理により作製された金属層は、光学顕微鏡等で観察すると、その表面に光沢面を有している。一方、例えば金属材料をロールを用いて圧延することによって作製された金属層は、光学顕微鏡等で観察すると、その表面にいわゆるロール筋が観察される。したがって、めっき処理により作製された金属層と、他の方法、例えば圧延により作製された金属層とは、その表面を光学顕微鏡等で観察することによって区別することができる。また、めっき処理により作製された金属層には、不可避不純物として、硫黄や窒素が含有されている。したがって、めっき処理により作製された金属層と、他の方法、例えば圧延により作製された金属層とは、当該金属層内に硫黄又は窒素を含有しているか否かを調査することによっても区別することができる。
【００６５】
次に、図８Ａ及び図８Ｂを参照して、以上に説明した蒸着マスク２０による作用について説明する。なお、蒸着マスク２０の断面形状は、実際には、図５を参照して説明した形状、又は、図１０若しくは図１１を参照して後述する形状を有しているが、図８Ａ及び図８Ｂでは、蒸着マスク２０における隣接する貫通孔２５間に形成される部分を、単純な矩形で示している。
【００６６】
図８Ａに示されているように、有機ＥＬ基板９２に対して蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０を積層する。とりわけ図示された例では、有機ＥＬ基板９２の下面側から有機ＥＬ基板９２に蒸着マスク２０を積層する。ここで、蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０の金属層は、４０μｍ以下の厚さＴを有している。このように薄膜化された蒸着マスク２０は薄厚化されていない蒸着マスクに比べて撓みやすい。図示された例では、蒸着マスク２０は重力によって大きく撓み、蒸着マスク２０の撓んだ部分は有機ＥＬ基板９２から大きく離間している。
【００６７】
蒸着マスク２０は、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる合金層を含んでいる。このような組成からなる合金層は大きな飽和磁束密度を有しており、磁石９３の磁力による蒸着マスク２０の吸引力が大きくなっている。したがって、図８Ｂに示されているように、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面（図８Ｂでは上面）上に磁石９３を配置すると、蒸着マスク２０は磁石９３からの磁力によって磁石９３に引き寄せられ、その結果、蒸着マスク２０は有機ＥＬ基板９２に密着する。
【００６８】
以上に説明した蒸着マスク２０は、金属層３２，３７と、金属層３２，３７に設けられた複数の貫通孔２５と、を有し、金属層３２，３７は、４０μｍ以下の厚さＴを有し、金属層３２，３７は、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる合金層を含んでいる。
【００６９】
また、以上に説明した蒸着マスク２０の製造方法は、所定の基材５１上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程と、レジストパターン５５の隙間５６において、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる合金層を含み、厚さＴが４０μｍ以下である金属層３２，３７を析出させるめっき処理工程と、金属層３２，３７を基材５１から分離させる分離工程と、を有している。
【００７０】
このような蒸着マスク２０及び蒸着マスク２０の製造方法によれば、蒸着マスク２０の金属層３２，３７に含まれる合金層が大きな飽和磁束密度を有しているので、所定の強さの磁場を受けた際の、蒸着マスク２０の金属層３２，３７における磁束密度が十分に大きくなる。したがって、薄厚化され、撓みやすい蒸着マスク２０を用いた場合であっても、磁石９３の磁力による蒸着マスク２０の吸引力が十分に大きくなるため、蒸着マスク２０の、蒸着対象物である基板への良好な密着性を得ることができる。
【００７１】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【００７２】
（第１の変形例）
上述の図５及び図７Ａ〜図７Ｃに示す例においては、蒸着マスク２０が、第１金属層３２及び第２金属層３７という、少なくとも２つの金属層を積層させることによって構成される場合について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、蒸着マスク２０は、所定のパターンで複数の貫通孔２５が形成された１つの金属層２７によって構成されていてもよい。以下、図９Ａ〜図１０を参照して、蒸着マスク２０が１つの金属層２７を備える例について説明する。なお本変形例においては、蒸着マスク２０の第１面２０ａから第２面２０ｂに至る貫通孔２５のうち第１面２０ａ上に位置する部分を第１開口部３０と称し、貫通孔２５のうち第２面２０ｂ上に位置する部分を第２開口部３５と称する。
【００７３】
はじめに、本変形例による蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。
【００７４】
まず、所定の導電性パターン５２が形成された基材５１を準備する。次に図９Ａに示すように、基材５１上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程を実施する。好ましくは、レジストパターン５５の隙間５６を画成するレジストパターン５５の側面５７の間の間隔は、基材５１から遠ざかるにつれて狭くなっている。すなわち、レジストパターン５５が、基材５１から遠ざかるにつれてレジストパターン５５の幅が広くなる形状、いわゆる逆テーパ形状を有している。
【００７５】
このようなレジストパターン５５を形成する方法の一例について説明する。例えば、はじめに、基材５１の面のうち導電性パターン５２が形成された側の面上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜を設ける。次に、基材５１のうちレジスト膜が設けられている側とは反対の側から基材５１に入射させた露光光をレジスト膜に照射して、レジスト膜を露光する。その後、レジスト膜を現像する。この場合、露光光の回り込み（回折）に基づいて、図９Ａに示すような逆テーパ形状を有するレジストパターン５５を得ることができる。
【００７６】
次に図９Ｂに示すように、レジストパターン５５の隙間５６にめっき液を供給して、導電性パターン５２上に金属層２７を析出させるめっき処理工程を実施する。その後、上述の除去工程及び分離工程を実施することにより、図１０に示すように、所定のパターンで貫通孔２５が設けられた金属層２７を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。金属層２７の厚さＴは、４０μｍ以下となっている。
【００７７】
なお、図１０に示す蒸着マスク２０を作製するために用いられ得るレジストパターン５５が、図９Ａ及び図９Ｂに示すレジストパターン５５に限られることはない。例えば、レジストパターン５５が、基材５１から遠ざかるにつれてレジストパターン５５の幅が狭くなる形状、いわゆる順テーパ形状を有している場合であっても、図１０に示す貫通孔２５が設けられた蒸着マスク２０を得ることができる。この場合、めっき処理工程によって形成される金属層２７の面のうち基材５１に接する側の面が、蒸着マスク２０の第２面２０ｂとなる。
【００７８】
（第２の変形例）
上述の本実施の形態及び第１の変形例においては、めっき処理によって蒸着マスク２０を作製する例について説明した。しかしながら、蒸着マスク２０を作製するために採用される方法が、めっき処理に限られることはない。以下、エッチングによって金属板２１に貫通孔２５を形成することによって蒸着マスク２０を作製する例について説明する。
【００７９】
図１１は、エッチングを利用することによって作製された蒸着マスク２０を、図４のＡ−Ａ線に沿って切断した場合を示す断面図である。図１１に示す例では、後に詳述するように、蒸着マスク２０の法線方向における一方の側となる金属板２１の第１面２１ａに第１開口部３０がエッチングによって形成され、金属板２１の法線方向における他方の側となる第２面２１ｂに第２開口部３５がエッチングによって形成される。第１開口部３０は、第２開口部３５に接続され、これによって第２開口部３５と第１開口部３０とが互いに通じ合うように形成される。貫通孔２５は、第２開口部３５と、第２開口部３５に接続された第１開口部３０とによって構成されている。また、図示された例では、金属板２１が蒸着マスク２０の金属層をなす。
【００８０】
図１１に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａの側から第２面２０ｂの側へ向けて、蒸着マスク２０の法線方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第１開口部３０の断面積は、しだいに小さくなっていく。同様に、蒸着マスク２０の法線方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第２開口部３５の断面積は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側へ向けて、しだいに小さくなっていく。
【００８１】
図１１に示すように、第１開口部３０の壁面３１と、第２開口部３５の壁面３６とは、周状の接続部４１を介して接続されている。接続部４１は、蒸着マスク２０の法線方向に対して傾斜した第１開口部３０の壁面３１と、蒸着マスク２０の法線方向に対して傾斜した第２開口部３５の壁面３６とが合流する張り出し部の稜線によって、画成されている。そして、接続部４１は、蒸着マスク２０の平面視において貫通孔２５の面積が最小になる貫通部４２を画成する。
【００８２】
図１１に示すように、蒸着マスク２０の法線方向に沿った一方の側の面、すなわち、蒸着マスク２０の第１面２０ａ上において、隣り合う二つの貫通孔２５は、蒸着マスクの板面に沿って互いから離間している。すなわち、後述する製造方法のように、蒸着マスク２０の第１面２０ａに対応するようになる金属板２１の第１面２１ａ側から当該金属板２１をエッチングして第１開口部３０を作製する場合、隣り合う二つの第１開口部３０の間に金属板２１の第１面２１ａが残存するようになる。
【００８３】
同様に、図１１に示すように、蒸着マスクの法線方向に沿った他方の側、すなわち、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側においても、隣り合う二つの第２開口部３５が、蒸着マスクの板面に沿って互いから離間していてもよい。すなわち、隣り合う二つの第２開口部３５の間に金属板２１の第２面２１ｂが残存していてもよい。以下の説明において、金属板２１の第２面２１ｂの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分のことを、トップ部４３とも称する。このようなトップ部４３が残るように蒸着マスク２０を作製することにより、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせることができる。このことにより、例えば搬送中などに蒸着マスク２０が破損してしまうことを抑制することができる。なおトップ部４３の幅βが大きすぎると、蒸着工程においてシャドーが発生し、これによって蒸着材料９８の利用効率が低下することがある。従って、トップ部４３の幅βが過剰に大きくならないように蒸着マスク２０が作製されることが好ましい。例えば、トップ部４３の幅βが２μｍ以下であることが好ましい。なおトップ部４３の幅βは一般に、幅βを測定する方向に応じて変化する。例えば、図１１に示す、図４のＡ−Ａ線に沿って蒸着マスクを仮想的に切断した場合の断面図におけるトップ部４３の幅βと、図４のＡ−Ａ線に交差する方向に沿って蒸着マスクを仮想的に切断した場合の断面図におけるトップ部４３の幅βとは、互いに異なることがある。この場合、いずれの方向で蒸着マスク２０を切断した場合にもトップ部４３の幅βが２μｍ以下になるよう、蒸着マスク２０が構成されていてもよい。
【００８４】
図１１においても、上述の図５及び図１０に示す場合と同様に、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５（第２開口部３５）の端部３８を通る蒸着材料９８の経路であって、有機ＥＬ基板９２に到達することができる経路のうち、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす角度が最小となる経路が、符号Ｌ１で表されている。また、経路Ｌ１と蒸着マスク２０の法線方向Ｎとがなす角度が、符号θ１で表されている。本形態においても、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、角度θ１を大きくすることが好ましい。
【００８５】
次に、図１１に示す蒸着マスク２０を、エッチングを利用して製造する方法について説明する。
【００８６】
はじめに、４０μｍ以下の厚さＴを有する金属板２１を準備する。金属板２１を構成する材料としては、ニッケルを４０重量％以上５５重量％以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる組成を有する合金が用いられる。次に図１２Ａに示すように、金属板２１の第１面２１ａ上に、所定の隙間６６ａを空けて第１レジストパターン６５ａを形成する。また、金属板２１の第２面２１ｂ上に、所定の隙間６６ｂを空けて第２レジストパターン６５ｂを形成する。
【００８７】
その後、図１２Ｂに示すように、金属板２１の第１面２１ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域を、第１エッチング液を用いてエッチングする第１面エッチング工程を実施する。例えば、第１エッチング液が、金属板２１の第１面２１ａに対面する側に配置されたノズルから、第１レジストパターン６５ａ越しに金属板２１の第１面２１ａに向けて噴射される。この結果、図１２Ｂに示すように、金属板２１の第１面２１ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域で、第１エッチング液による浸食が進む。これによって、金属板２１の第１面２１ａに多数の第１開口部３０が形成される。第１エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものが用いられる。
【００８８】
その後、図１２Ｃに示すように、後の第２面エッチング工程において用いられる第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第１開口部３０が被覆される。すなわち、第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第１開口部３０が封止される。図１２Ｃに示す例においては、樹脂６９の膜が、形成された第１開口部３０だけでなく、金属板２１の第１面２１ａ（第１レジストパターン６５ａ）も覆うように形成されている。
【００８９】
次に、図１２Ｄに示すように、金属板２１の第２面２１ｂのうち第２レジストパターン６５ｂによって覆われていない領域をエッチングし、第２面２１ｂに第２開口部３５を形成する第２面エッチング工程を実施する。第２面エッチング工程は、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに通じ合い、これによって貫通孔２５が形成されるようになるまで実施される。第２エッチング液としては、上述の第１エッチング液と同様に、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものが用いられる。
【００９０】
なお第２エッチング液による浸食は、金属板２１のうち第２エッチング液に触れている部分において行われていく。従って、浸食は、金属板２１の法線方向（厚み方向）のみに進むのではなく、金属板２１の板面に沿った方向にも進んでいく。ここで好ましくは、第２面エッチング工程は、第２レジストパターン６５ｂの隣り合う二つの隙間６６ｂに対面する位置にそれぞれ形成された二つの第２開口部３５が、二つの隙間６６ｂの間に位置するブリッジ部６７ｂの裏側において合流するよりも前に終了される。これによって、図１２Ｄに示すように、金属板２１の第２面２１ｂに上述のトップ部４３を残すことができる。
【００９１】
その後、金属板２１から樹脂６９を除去する。これによって、金属板２１に形成された複数の貫通孔２５を備える蒸着マスク２０を得ることができる。樹脂６９は、例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、除去することができる。アルカリ系剥離液が用いられる場合、樹脂６９と同時にレジストパターン６５ａ，６５ｂも除去され得る。なお、樹脂６９を除去した後、樹脂６９を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、樹脂６９とは別途にレジストパターン６５ａ，６５ｂを除去してもよい。
【００９２】
なお、上述の図１１〜図１２Ｄに示す例においては、金属板２１を第１面２１ａ側及び第２面２１ｂ側の両方からエッチングすることによって蒸着マスク２０が作製される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図示はしないが、金属板２１を第２面２１ｂ側からエッチングして、第２面２１ｂから第１面２１ａへ至る貫通孔２５を形成することにより、蒸着マスク２０を作製してもよい。
【００９３】
（第３の変形例）
図５に示した蒸着マスク２０を、蒸着マスク２０の板面が水平方向と平行になり且つ蒸着マスク２０の第１面２０ａが上側となるように配置したものを図１３Ａに示す。図示された例では、重力が蒸着マスク２０の第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側へ（図１３Ａにおいては上側から下側へ）向かって作用する。この重力により、蒸着マスク２０の第１金属層３２は、第２面２０ｂ側（下側）へ向かって撓み変形を生じる。具体的には、蒸着マスク２０の第１金属層３２のうち、第２金属層３７の側面３６から蒸着マスク２０の板面方向に延出し、第２金属層３７により支持されていない部分が、重力の作用により第２面２０ｂ側（下側）へ向かって撓む。図示された例では、第１金属層３２の上面３２ａの蒸着マスク２０の板面に沿った端部が、第１金属層３２の上面３２ａの最下部３２ａ２をなす。また、第１金属層３２の上面３２ａのうち、第２金属層３７により支持されている箇所に対応する領域が、第１金属層３２の上面３２ａの最上部３２ａ１をなす。
【００９４】
図１３Ａに示された例では、第１金属層３２の上面３２ａの最上部３２ａ１と最下部３２ａ２との間の蒸着マスク２０の板面への法線方向に沿った距離Ｄの平均が１μｍ以上３μｍ以下となっている。ここで、第１金属層３２の材料、第１金属層３２の高さ（厚さ）、第１金属層３２の幅、第２金属層３７の幅、等を適宜調整することにより、距離Ｄの平均が１μｍ以上３μｍ以下となるようにすることができる。
【００９５】
なお、第１金属層３２の上面３２ａの最上部３２ａ１と最下部３２ａ２との間の蒸着マスク２０の板面への法線方向に沿った距離Ｄは、蒸着マスク２０の全領域を調べてその平均値を算出して特定する必要はなく、実際的には、距離Ｄの全体的な傾向を反映し得ると期待される面積を持つ一区画内において、距離Ｄのばらつきの程度を考慮して適当と考えられる数を調べてその平均値を算出することによって特定することができる。そしてこのようにして特定された値を距離Ｄとして取り扱うことができる。例えば、蒸着マスク２０の有効領域２２内の３０ｍｍ×３０ｍｍの領域内に含まれる１００箇所をレーザ顕微鏡等を用いて測定してその平均を算出することにより、距離Ｄを特定することができる。
【００９６】
第１金属層３２の上面３２ａの最上部３２ａ１と最下部３２ａ２との間の蒸着マスク２０の板面への法線方向に沿った距離Ｄの平均が上述の範囲となっている場合、蒸着マスク２０が、その第１面２０ａが有機ＥＬ基板９２の下面に対面するようにして配置された後、有機ＥＬ基板９２の蒸着マスク２０と反対側の面（上面）上に磁石９３が配置された際に、蒸着マスク２０の第１金属層３２が磁石９３の磁力により有機ＥＬ基板９２に引き寄せられ、有機ＥＬ基板９２に密着する。すなわち、蒸着マスク２０の第１金属層３２の有機ＥＬ基板９２へのさらに良好な密着性を得ることができる。
【００９７】
しかしながら、蒸着マスク装置１０を、有機ＥＬ基板９２の下面側に、蒸着マスク２０の第１面２０ａが有機ＥＬ基板９２の下面と対面するようにして、すなわち第１面２０ａが上側になるようにして配置し、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面（上面）上に磁石９３を配置しても、蒸着マスク２０に存在し得る微細な凹凸や変形に起因して、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２とが密着しきれず、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２との間に、微小な隙間Ｇを生じることもあり得る（図１３Ｂ参照）。
【００９８】
ここで、蒸着マスク２０が、図１３Ａに示された蒸着マスク２０である場合、すなわち、第１金属層３２の上面３２ａの最上部３２ａ１と最下部３２ａ２との間の蒸着マスク２０の板面への法線方向に沿った距離Ｄの平均が１μｍ以上３μｍ以下となっている蒸着マスク２０である場合、第１金属層３２が適度な柔軟性を有していることにより、図１３Ｂに示されているように、この第１金属層３２が蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２との間に生じた隙間Ｇを塞ぐように変形することができる。したがって、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２との間の隙間Ｇに蒸着材料（有機材料）９８が入り込んでしまうことによって生じ得る、隣接する画素間における混色を効果的に防止することができる。
【００９９】
（第４の変形例）
上述の本実施の形態及び各変形例においては、蒸着マスク２０が、蒸着マスク２０の長手方向に沿って一列に並べられた複数の有効領域２２を含む例を示したが、これに限られることはない。例えば図１４に示すように、蒸着マスク２０の長手方向及び幅方向の両方に沿って、複数の有効領域２２が格子状に配置されていてもよい。
【０１００】
なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０  蒸着マスク装置
１５  フレーム
２０  蒸着マスク
２１  金属板
２２  有効領域
２３  周囲領域
２５  貫通孔
３０  第１開口部
３１  壁面
３２  第１金属層
３２ａ  上面
３２ａ１  最上部
３２ａ２  最下部
３５  第２開口部
３６  壁面
３７  第２金属層
４１  接続部
４３  トップ部
５１  基材
５２  導電性パターン
５５  レジストパターン
５６  隙間
６５ａ  第１レジストパターン
６５ｂ  第２レジストパターン
９０  蒸着装置
９２  有機ＥＬ基板
９３  磁石
９８  蒸着材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
0006624504.tif 000008
【図６Ｃ】
0006624504.tif 000009
【図６Ｄ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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