(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配され、第１電源線と前記第１電源線に印加される電位とは異なる電位が印加される第２電源線とを含む多層配線層と、
前記多層配線層上に配列され、各々が、前記第１電源線に電気的に接続された第１電極と前記第２電源線に電気的に接続された第２電極と前記第１電極および前記第２電極に挟まれた有機発光層とを含む、複数の有機ＥＬ素子と、
前記多層配線層上に配され、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の有機発光層が設けられる領域を規定する隔壁と、
前記多層配線層上に配され、前記基板の上面からの高さが前記隔壁の頂部よりも高い頂部を有する構造物と、を備え、
前記多層配線層は、前記複数の有機ＥＬ素子が上面に配列された第１部分と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分とを有し、前記第２部分は、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する箇所を有し、
前記構造物は、前記第２部分上に位置し、かつ、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する前記箇所を避けた位置にあり、
前記構造物は、前記多層配線層の前記第２部分において、島状に複数設けられている
表示パネル。
【請求項２】
前記構造物は、平面視したとき、前記第１電源線に重なる位置および前記第２電源線に重なる位置の少なくとも一方をさけた位置にある
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記多層配線層は、さらに、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の輝度を設定するための信号を伝達する信号線を含み、
前記構造物は、さらに、前記基板を平面視したとき、前記信号線に重なる位置を避けた位置にある
請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記多層配線層は、さらに、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の輝度を設定するための信号を伝達する信号線を含み、
前記第２部分は、前記信号線が前記第１電源線または前記第２電源線と立体交差する箇所を有し、
前記構造物は、さらに、前記基板を平面視したとき、前記信号線が前記第１電源線または前記第２電源線と立体交差する箇所を避けた位置にある、
請求項２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記多層配線層内にはさらに、複数の層を積層して構成された、前記有機ＥＬ素子の発光を制御する薄膜トランジスタが形成されており、
前記多層配線層の前記構造物が設けられた位置には、前記薄膜トランジスタを構成する前記複数の層が積層された頂部が平坦なマウント部が形成されており、
前記構造物が設けられた位置における前記多層配線層の上面は、前記マウント部が設けられた位置の周囲における前記多層配線層の上面よりも、前記基板の上面からの高さが高い
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第１電源線の配線は、前記基板を平面視したとき、前記多層配線層の前記第１部分から直線的に延伸する第１配線部分を有し、
前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第２電源線の配線は、前記基板を平面視したとき、前記第１配線部分の延伸方向と平行に、前記多層配線層の前記第１部分から直線的に延伸する第２配線部分と、前記第２配線部分に接続され前記第２配線部分の延伸方向に直交する方向に延伸する第３配線部分と、を有し、
前記第１電源線の前記第１配線部分と、前記第２電源線の第３配線部分とが、前記多層配線層の前記第２部分において、前記多層配線層の異なる層に配線され立体交差する
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第１電源線の配線はさらに、前記基板を平面視したとき、前記第１配線部分に接続され前記第１配線部分の延伸方向に直交する方向に延伸する第４配線部分を有し、
前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第２電源線の配線はさらに、前記基板を平面視したとき、前記第３配線部分に接続され前記第２配線部分の延伸方向と平行に延伸する第５配線部分を有し、
前記第１電源線の前記第４配線部分と、前記第２電源線の第５配線部分とが、前記多層配線層の前記第２部分において、前記多層配線層の異なる層に配線され立体交差する
請求項６に記載の表示パネル。
【請求項８】
第１電極と第２電極と前記第１電極および前記第２電極に挟まれた有機発光層とを含む、複数の有機ＥＬ素子が配列された表示パネルの製造方法であって、
基板上に、第１電源線と前記第１電源線に印加される電位とは異なる電位が印加される第２電源線とを含む多層配線層を形成する工程と、
前記多層配線層上に、前記第１電源線に電気的に接続させた前記第１電極と、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の有機発光層が設けられる領域を規定する隔壁とを形成する工程と、
前記多層配線層上に、前記基板の上面からの高さが前記隔壁の頂部よりも高い頂部を有する島状の構造物を複数形成する工程と、
前記隔壁により規定された領域に、前記有機発光層を形成する工程と、
少なくとも前記隔壁により規定された領域に対応する窓が開口されたマスクを、前記構造物に接触させた状態で配して、前記窓を介して少なくとも前記隔壁により規定された領域に機能層を成膜する工程と、を有し、
前記多層配線層は、前記複数の有機ＥＬ素子が上面に配列された第１部分と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分とを有し、前記第２部分は、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する箇所を有し、
前記構造物を形成する工程において、前記構造物は、前記第２部分上に位置し、かつ、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する前記箇所を避けた位置に形成される
表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル、および表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を利用した有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ表示パネルは、例えば、基板と、基板上に配された多層配線層と、多層配線層上に行列状に配列された複数の有機ＥＬ素子とを備える。
各有機ＥＬ素子は、下部電極と、上部電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。下部電極と有機発光層の間、または、上部電極と有機発光層の間には、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などが設けられる。また、赤色、緑色および青色の画素毎に有機発光層の材料が異なる場合、隣り合う有機ＥＬ素子の有機発光層が設けられる領域を規定する隔壁が設けられる。各有機発光層は、隔壁により規定された領域に形成される。
【０００３】
多層配線層は、有機ＥＬ素子の下部電極に接続された第１電源線と、有機ＥＬ素子の上部電極に接続された第２電源線とを含む。第１電源線が正極で第２電源線が負極の場合、あるいは、その逆の場合がある。表示パネルを平面視したとき、第１電源線および第２電源線は、何れも、有機ＥＬ素子が配列された領域（以下、「表示領域」という）からその周囲にある領域（以下、「額縁領域」という）まで引き出され、額縁領域においてドライブ回路に接続されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１２３５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子を構成する層の中には、隔壁および有機発光層の形成後に、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法などを利用して成膜されるものがある。この成膜方法では、通常、形成しようとする層の材料が目的の位置にだけ堆積するようにマスクが利用される。例えば、電子輸送層を表示領域に形成し額縁領域に形成しない場合、額縁領域を被覆する枠状のマスクが利用される。このマスクを表示パネルの多層配線層上に接触させた状態で成膜することで、表示領域だけに電子輸送層を形成することができる。
【０００６】
しかしながら、表示パネルの製造過程において、多層配線層上に意図せず異物が付着している場合がある。異物としては、例えば、空気中に浮遊している塵および埃や、製造装置または製造プロセスに由来する粒子状物質などがある。異物が付着した状態でマスクを多層配線層上に接触させると、多層配線層が異物を通じて局所的に押し潰されて表示パネルの特性に悪影響を与えることがある。
【０００７】
特に、多層配線層における額縁領域に相当する部分は、第１電源線が第２電源線と立体交差する箇所を有する。例えば、上記特許文献１では、各有機ＥＬ素子に与えられる電位のバラつきを抑制するため、第２電源線は、多層配線層の表示領域に相当する部分に配された網目状の支線と多層配線層の額縁領域に相当する部分に配された環状の幹線とからなる。第１電源線は、第２電源線の環状の幹線と立体交差して、第２電源線の環状の幹線よりも外側に引き出されドライブ回路に接続されている。このような立体交差のある場所が押し潰されると、第１電源線と第２電源線との間の距離が縮まり、耐電圧の低下あるいはリーク電流の増大が生じるおそれがある。また、最悪の場合には、第１電源線と第２電源線とが短絡するおそれもある。
【０００８】
また、有機ＥＬ素子の電極の一つを複数の有機ＥＬ素子に接続するコモン電極とし、このコモン電極に第２電源線から給電する場合、第２電源線を複数の有機ＥＬ素子の間に引き回す必要はない。しかし、この構成であっても、多層配線層における額縁領域に相当する部分は、第１電源線が第２電源線と立体交差する箇所を有する。そのため、複数の有機ＥＬ素子に接続するコモン電極を用いた構成であっても、表示パネルの製造過程において、第１電源線が第２電源線と立体交差する箇所が押し潰された場合、特許文献１に開示の構成と同様の問題が生じる。
【０００９】
本発明は、多層配線層における第１電源線が第２電源線と立体交差する箇所が、製造過程において押し潰される可能性を低減できる表示パネルおよびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示パネルは、基板と、前記基板上に配され、第１電源線と前記第１電源線に印加される電位とは異なる電位が印加される第２電源線とを含む多層配線層と、前記多層配線層上に配列され、各々が、前記第１電源線に接続された第１電極と前記第２電源線に接続された第２電極と前記第１電極および前記第２電極に挟まれた有機発光層とを含む、複数の有機ＥＬ素子と、前記多層配線層上に配され、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の有機発光層が設けられる領域を規定する隔壁と、前記多層配線層上に配され、前記基板の上面からの高さが前記隔壁の頂部よりも高い頂部を有する構造物と、を備え、前記多層配線層は、前記複数の有機ＥＬ素子が上面に配列された第１部分（表示パネルの表示領域に相当する）と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分（表示パネルの額縁領域に相当する）とを有し、前記第２部分は、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する箇所を有し、前記構造物は、前記第２部分上に位置し、かつ、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する前記箇所を避けた位置にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
通常、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法に利用されるマスクは、多層配線層の第２部分を被覆する枠状部分を有する。上記態様によれば、多層配線層の第２部分上に構造物が設けられているので、表示パネルの製造過程で有機ＥＬ素子を構成する層の一部が形成される前の状態である表示パネルの中間品をマスクで被覆する場合、マスクが構造物に接触することになる。したがって、多層配線層上に意図せず付着した異物のサイズが十分に小さければ、すなわち、異物の頂部の高さが構造物の頂部の高さよりも低ければ、マスクが異物に接触しないので、異物により意図しない箇所が局所的に押し潰されることを避けることができる。また、異物の頂部の高さが構造物の頂部の高さと同程度の場合でも、マスクによる押圧が異物と構造物に分散されるので、異物による押し潰しが軽減される。なお、構造物は、第１電源線が第２電源線と交差する箇所を避けた位置にあるので、第１電源線が第２電源線と交差する箇所を構造物が押し潰すことはない。以上より、多層配線層における第１電源線が第２電源線と交差する箇所が製造過程において押し潰される可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は第１の実施の形態に係る表示パネル１００の平面レイアウト図であり、（ｂ）は分割領域の拡大図である。
【図２】表示領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図である。
【図３】図１（ｂ）において一点鎖線Ｅで示した範囲内における額縁領域の配線レイアウトを示す模式図である。
【図４】額縁領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図であり、図３のＣ−Ｃ線での断面を示している。
【図５】額縁領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図であり、図３のＢ−Ｂ線での断面を示している。
【図６】表示パネルの製造過程のうち、多層配線層の形成が完了した後、マスク受け構造物を形成するまでの工程を模式的に示す図である。（ａ）は多層配線層が形成された状態を示す図である。（ｂ）は多層配線層上に画素電極が形成された状態を示す図である。（ｃ）正孔注入層が形成された状態を示す図である。（ｄ）隔壁が形成された状態を示す図である。（ｅ）額縁領域においてマスク受け構造物が形成された状態を示す図である。
【図７】電子輸送層の成膜工程において、額縁領域にマスクを接触させた状態を示す模式図である。
【図８】第２の実施の形態に係る表示パネルの額縁領域における配線と、マスク受け構造物の位置関係を示す模式図である。
【図９】第２の実施の形態に係る表示パネルの額縁領域における概略構成を示す部分断面図であり、図８のＤ−Ｄ線での断面を示している。
【図１０】第２の実施の形態に係る表示パネルの製造過程のうち下部パッシベーション層を形成するまでの工程を模式的に示す図である。（ａ）は基板を示す図である。（ｂ）表示領域において基板上にゲート電極が形成され、額縁領域において基板上にゲート電極材料層が形成された状態を示す図である。（ｃ）ゲート絶縁層が形成された状態を示す図である。（ｄ）表示領域においてゲート絶縁層上にチャネル層が形成され、額縁領域においてゲート絶縁層上にチャネル材料層が形成された状態を示す図である。（ｅ）表示領域および額縁領域にチャネル保護層が形成された状態を示す図である。（ｆ）表示領域においてチャネル保護層上にドレイン電極およびソース電極が形成され、額縁領域においてチャネル保護層上にＳＤ電極材料層が形成された状態を示す図である。（ｇ）表示領域および額縁領域に下部パッシベーション層が形成された状態を示す図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る表示パネルの製造過程のうちマスク受け構造物を形成するまでの工程を模式的に示す図である。（ａ）は表示領域において下部パッシベーション層上に中間電極が形成され、額縁領域において下部パッシベーション層上に中間電極材料層が形成された状態を示す図である。（ｂ）は表示領域および額縁領域に上部パッシベーション層が形成された状態を示す図である。（ｃ）は表示領域および額縁領域に層間絶縁層が形成された状態を示す図である。（ｄ）は表示領域に負極電源線の支線部分と有機ＥＬ素子の画素電極とが形成され、額縁領域にマスク受け構造物の電源線材料層が形成された状態を示す図である。（ｅ）は表示領域および額縁領域に正孔注入層および隔壁が形成された状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の一態様に係る表示パネルは、基板と、前記基板上に配され、第１電源線と前記第１電源線に印加される電位とは異なる電位が印加される第２電源線とを含む多層配線層と、前記多層配線層上に配列され、各々が、前記第１電源線に電気的に接続された第１電極と前記第２電源線に電気的に接続された第２電極と前記第１電極および前記第２電極に挟まれた有機発光層とを含む、複数の有機ＥＬ素子と、前記多層配線層上に配され、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の有機発光層が設けられる領域を規定する隔壁と、前記多層配線層上に配され、前記基板の上面からの高さが前記隔壁の頂部よりも高い頂部を有する構造物と、を備え、前記多層配線層は、前記複数の有機ＥＬ素子が上面に配列された第１部分と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分とを有し、前記第２部分は、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する箇所を有し、前記構造物は、前記第２部分上に位置し、かつ、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する前記箇所を避けた位置にあることを特徴とする。
【００１４】
通常、蒸着法、スパッタリング法およびＣＶＤ法に利用されるマスクは、多層配線層の第２部分（表示パネルの額縁領域に相当する）を被覆する枠状部分を有する。上記態様によれば、多層配線層の第２部分上に構造物が設けられているので、表示パネルの中間品をマスクで被覆する場合、マスクが構造物に接触することになる。したがって、多層配線層上に意図せず付着した異物のサイズが十分に小さければ、すなわち、異物の頂部の高さが構造物の頂部の高さよりも低ければ、マスクが異物に接触しないので、異物により意図しない箇所が局所的に押し潰されることを避けることができる。また、異物の頂部の高さが構造物の頂部の高さと同程度の場合でも、マスクによる押圧が異物と構造物に分散されるので、異物による押し潰しが軽減される。なお、第１電源線が第２電源線と交差する箇所が押し潰されると、２つの電源線間で短絡が発生することがある。しかし、構造物は、第１電源線が第２電源線と交差する箇所を避けた位置にあるので、第１電源線が第２電源線と交差する箇所を構造物が押し潰すことはない。以上より、多層配線層における第１電源線が第２電源線と交差する箇所が製造過程において押し潰される可能性を低減し、第１電源線と第２電源線とが短絡する可能性を低減することができる。
【００１５】
また、前記構造物は、平面視したとき、前記第１電源線に重なる位置および前記第２電源線に重なる位置の少なくとも一方をさけた位置にあるとしてもよい。
上記態様によれば、マスクを構造物に接触させたときに構造物が設けられた位置で多層配線層が押し潰されたとしても、多層配線層の第１電源線が存在する領域および第２電源線が存在する領域の一方または両方が構造物により押し潰される事態を避けることができる。そのため、押し潰しに起因する第１電源線や第２電源線の抵抗値変化や断線を避けることができる。
【００１６】
また、前記多層配線層は、さらに、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の輝度を設定するための信号を伝達する信号線を含み、前記構造物は、さらに、前記基板を平面視したとき、前記信号線に重なる位置を避けた位置にあるとしてもよい。
上記態様によれば、マスクを構造物に接触させたときに構造物が設けられた位置で多層配線層が押し潰されたとしても、多層配線層の信号線が存在する領域が構造物により押し潰される事態を避けることができる。そのため、押し潰しに起因する信号線の抵抗値変化や断線を避けることができる。
【００１７】
また、前記多層配線層は、さらに、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の輝度を設定するための信号を伝達する信号線を含み、前記第２部分は、前記信号線が前記第１電源線または前記第２電源線と立体交差する箇所を有し、前記構造物は、さらに、前記基板を平面視したとき、前記信号線が前記第１電源線または前記第２電源線と立体交差する箇所を避けた位置にあるとしてもよい。
【００１８】
上記態様によれば、マスクを構造物に接触させたときに構造物が設けられた位置で多層配線層が押し潰されたとしても、信号線が第１電源線または第２電源線と交差する箇所を構造物が押し潰すことはない。以上より、多層配線層における信号線が第１電源線または第２電源線と交差する箇所が製造過程において押し潰される可能性を低減することができる。そのため、信号線が第１電源線または第２電源線と短絡する可能性を低減することができる。
【００１９】
また、前記構造物は、前記多層配線層の前記第２部分において、島状に複数設けられているとしてもよい。
上記態様によれば、構造物が複数あるため、基板を平面視したときにこれらの間に第１電源線と第２電源線とを配することが可能である。そのため、基板を平面視した場合に、構造物を設ける位置と、第１電源線および第２電源線を配する位置とを分けることができる。また、島状に設けられた構造物が複数あることで、マスクを安定した状態で接触させることができる。
【００２０】
また、前記多層配線層内にはさらに、複数の層を積層して構成された、前記有機ＥＬ素子の発光を制御する薄膜トランジスタが形成されており、前記多層配線層の前記構造物が設けられた位置には、前記薄膜トランジスタを構成する前記複数の層が積層された頂部が平坦なマウント部が形成されており、前記構造物が設けられた位置における前記多層配線層の上面は、前記マウント部が設けられた位置の周囲における前記多層配線層の上面よりも、前記基板の上面からの高さが高いとしてもよい。
【００２１】
上記態様によれば、構造物は、形成位置における多層配線層の上面からの高さを抑えつつ、基板の上面からの高さを隔壁よりも高く形成することが容易である。
また、前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第１電源線の配線は、前記基板を平面視したとき、前記多層配線層の前記第１部分から直線的に延伸する第１配線部分を有し、前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第２電源線の配線は、前記基板を平面視したとき、前記第１配線部分の延伸方向と平行に、前記多層配線層の前記第１部分から直線的に延伸する第２配線部分と、前記第２配線部分に接続され前記第２配線部分の延伸方向に直交する方向に延伸する第３配線部分と、を有し、前記第１電源線の前記第１配線部分と、前記第２電源線の第３配線部分とが、前記多層配線層の前記第２部分において、前記多層配線層の異なる層に配線され立体交差するとしてもよい。
【００２２】
また、前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第１電源線の配線はさらに、前記基板を平面視したとき、前記第１配線部分に接続され前記第１配線部分の延伸方向に直交する方向に延伸する第４配線部分を有し、前記多層配線層の前記第２部分に配された前記第２電源線の配線はさらに、前記基板を平面視したとき、前記第３配線部分に接続され前記第２配線部分の延伸方向と平行に延伸する第５配線部分を有し、前記第１電源線の前記第４配線部分と、前記第２電源線の第５配線部分とが、前記多層配線層の前記第２部分において、前記多層配線層の異なる層に配線され立体交差するとしてもよい。
【００２３】
上記態様によれば、多層配線層の第２部分で第１電源線が第２電源線と交差するが、この交差する箇所を避けた位置に構造物が設けられるので、第１電源線が第２電源線と交差する箇所が製造過程において押し潰される可能性を低減することができる。
また、第１電極と第２電極と前記第１電極および前記第２電極に挟まれた有機発光層とを含む、複数の有機ＥＬ素子が配列された表示パネルの製造方法であって、基板上に、第１電源線と前記第１電源線に印加される電位とは異なる電位が印加される第２電源線とを含む多層配線層を形成する工程と、前記多層配線層上に、前記第１電源線に電気的に接続させた前記第１電極と、前記複数の有機ＥＬ素子の各々の有機発光層が設けられる領域を規定する隔壁とを形成する工程と、前記多層配線層上に、前記基板の上面からの高さが前記隔壁の頂部よりも高い頂部を有する構造物を形成する工程と、前記隔壁により規定された領域に、前記有機発光層を形成する工程と、少なくとも前記隔壁により規定された領域に対応する窓が開口されたマスクを、前記構造物に接触させた状態で配して、前記窓を介して少なくとも前記隔壁により規定された領域に機能層を成膜する工程と、を有し、前記多層配線層は、前記複数の有機ＥＬ素子が上面に配列された第１部分と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分とを有し、前記第２部分は、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する箇所を有し、前記構造物を形成する工程において、前記構造物は、前記第２部分上に位置し、かつ、前記第１電源線が前記第２電源線と立体交差する前記箇所を避けた位置に形成されるとしてもよい。
【００２４】
上記態様によれば、機能層を成膜する工程より前に、多層配線層の第２部分上に構造物が形成されるので、機能層を成膜する工程では、マスクを構造物に接触させた状態で、表示パネルの中間品をマスクで被覆することができる。したがって、異物のサイズが十分に小さければ、すなわち、異物の頂部の高さが構造物の頂部の高さよりも低ければ、マスクが異物に接触しないので、異物により意図しない箇所が局所的に押し潰されることを避けることができる。また、異物の頂部の高さが構造物の頂部の高さと同程度の場合でも、マスクによる押圧が異物と構造物に分散されるので、異物による押し潰しが軽減される。なお、構造物は、第１電源線が第２電源線と交差する箇所を避けた位置にあるので、第１電源線が第２電源線と交差する箇所を構造物が押し潰すことはない。以上より、多層配線層における第１電源線が第２電源線と交差する箇所が製造過程において押し潰される可能性を低減することができる。
【００２５】
以下、本発明の各態様である表示パネルの実施の形態について、図を用いて説明する。
（第１の実施の形態）
［１．表示パネルの構成］
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る表示パネル１００の平面レイアウト図である。表示パネル１００は、平面視したときとき、表示領域１０と、表示領域１０を囲繞する額縁領域２０とを有する。
【００２６】
表示領域１０には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。例えば、表示パネル１００が４Ｋ解像度のパネルである場合は、水平ラインに３８４０個、垂直ラインに２１６０個の画素が配列されている。それぞれの画素は色の異なる複数のサブ画素を含み、本実施の形態では、画素が赤色サブ画素、緑色サブ画素、および青色サブ画素を含んでいる。１つのサブ画素が１つの有機ＥＬ素子から構成されている。
【００２７】
額縁領域２０は、長方形の枠状であり、長辺に沿ってＶ１〜Ｖ１６の分割領域を有し、短辺に沿ってＨ１〜Ｈ１２の分割領域を有する。分割領域Ｖ１〜Ｖ１６、Ｈ１〜Ｈ１２はそれぞれ、外部のドライブ回路に電気的に接続される領域である。
図１の（ｂ）は、分割領域Ｖ１を拡大して示している。分割領域Ｖ１には、第１電源線である１本の正極電源線１１４と、第１電源線と異なる電位が与えられる第２電源線である１本の負極電源線１１９と、複数本のデータ信号線１１３が存在する。さらに分割領域Ｖ１には、複数のマスク受け構造物４が、額縁領域２０の長辺方向に沿って互いに間隔をあけて島状に設けられている。
【００２８】
分割領域Ｖ２〜Ｖ１６も、分割領域Ｖ１と同様の構成であり、正極電源線１１４および負極電源線１１９は、分割領域Ｖ毎に、複数本の垂直ラインに沿って配列する複数の画素の有機ＥＬ素子に電力を供給する。例えば、表示パネル１００が４Ｋ解像度のパネルであり、かつ、分割領域Ｖの数量が１６である場合、１つの分割領域Ｖの正極電源線１１４および負極電源線１１９から、２４０本の垂直ラインに沿って配列する画素の有機ＥＬ素子に電力が供給される。
【００２９】
データ信号線１１３は、正極電源線１１４および負極電源線１１９から電力が供給される有機ＥＬ素子の各々の輝度に対応した電圧信号を伝達する。表示パネル１００が４Ｋ解像度のパネルであり、かつ、分割領域Ｖの数量が１６である場合、１つの分割領域Ｖに存在するデータ信号線１１３の数は７２０本である。
また、分割領域Ｈ１〜Ｈ１２も分割領域Ｖ１〜Ｖ１６と類似の構成であり、領域内に存在する配線の種類のみ相違する。具体的には、分割領域Ｈ１〜Ｈ１２にはそれぞれ、表示領域１０の水平ラインを選択するための選択信号を伝達する複数のスキャン信号線が存在する。さらに、複数のマスク受け構造物４が額縁領域２０の短辺方向に沿って互いに間隔をあけて島状に設けられている。表示パネル１００が４Ｋ解像度のパネルであり、かつ、分割領域Ｈの数量が１２である場合、１つの分割領域Ｈに存在するスキャン信号線の数は１８０本である。
【００３０】
なお、スキャン信号線が伝達する選択信号により水平ラインが選択され、選択された水平ラインの有機ＥＬ素子に、データ信号線１１３から輝度に対応した電圧信号が伝達されることで、有機ＥＬ素子の輝度が設定される。これにより、データ信号線１１３およびスキャン信号線は、有機ＥＬ素子の輝度を設定するための信号を伝達する信号線としての役割を果たしている。
【００３１】
［１．１．表示領域の構成］
図２は表示領域１０における表示パネル１００の概略構成を示す部分断面図であり、図１のＡ−Ａ線での断面を図示している。表示パネル１００の表示領域１０は、基板１上に、多層配線層２および有機ＥＬ素子３を、この順番で積層させた構造である。本図では、１つのサブ画素を構成する有機ＥＬ素子１つ分の範囲だけ示している。
【００３２】
［１．１．１．基板］
基板１は、無機材料或いは有機材料からなる。基板１の材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料が挙げられる。また、有機樹脂フィルムを用いることもできる。
【００３３】
［１．１．２．多層配線層］
基板１上には、ゲート電極１０２、１０３が互いに間隔を開けて形成されている。ゲート電極１０２、１０３は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金のいずれかからなる。また、ゲート電極１０２、１０３は、アルミニウム層、アルミニウム合金層、銅層、銅合金層の何れかの単層で構成してもよいし、これらの層に他の金属層を積層した積層構造にしてもよい。例えば、銅層とチタン層の積層構造、銅層とモリブデン層の積層構造、アルミニウム層とチタン層の積層構造としてもよい。
【００３４】
基板１上にはさらに、スキャン信号線１０４が形成されている。スキャン信号線１０４は、表示パネル１００の水平ライン方向に延伸し、同じ水平ラインに属する全てのサブ画素でゲート電極１０２に電気的に接続されており、額縁領域２０まで引き出されている。
ゲート電極１０２、１０３、スキャン信号線１０４、および基板１の表面を被覆するように、ゲート絶縁層１０５が形成されている。ゲート絶縁層１０５は、酸化シリコン（ＳｉＯ）等の公知のゲート絶縁体材料からなる。
【００３５】
ゲート絶縁層１０５上であって、ゲート電極１０２に対応する部分には、チャネル層１０６が形成されている。また、ゲート絶縁層１０５上であって、ゲート電極１０３に対応する部分には、チャネル層１０７が形成されている。
チャネル層１０６、１０７およびゲート絶縁層１０５の表面を被覆するように、チャネル保護層１０８が形成されている。
【００３６】
チャネル保護層１０８上には、ドレイン電極１０９、１１１、ソース電極１１０、１１２が形成されている。ドレイン電極１０９、ソース電極１１０は、チャネル保護層１０８に挿通されたコンタクトホールを通して、チャネル層１０６に電気的に接続されている。ドレイン電極１１１、ソース電極１１２は、チャネル保護層１０８に挿通されたコンタクトホールを通して、チャネル層１０７に電気的に接続されている。ドレイン電極１０９、１１１、ソース電極１１０、１１２は、モリブデン、タングステン、モリブデンタングステン、バナジウム、ルテニウム、金、銅のいずれか、または、これらの合金からなる。
【００３７】
チャネル保護層１０８上にはさらに、データ信号線１１３、および正極電源線１１４の支線部分１１４ａが形成されている。データ信号線１１３は、表示パネル１００の垂直ライン方向に延伸し、同じ垂直ラインに属する同色の全てのサブ画素で有機ＥＬ素子３のドレイン電極１０９と電気的に接続しており、額縁領域２０まで引き出されている。正極電源線１１４の支線部分１１４ａは、表示パネル１００の垂直ライン方向に延伸し、同じ垂直ラインに属する同色の全てのサブ画素で有機ＥＬ素子３のドレイン電極１１１と電気的に接続しており、額縁領域２０まで引き出されている。
【００３８】
ドレイン電極１０９、１１１、ソース電極１１０、１１２データ信号線１１３、正極電源線１１４の支線部分１１４ａ、およびチャネル保護層１０８上を被覆するように、下部パッシベーション層１１５が形成されている。下部パッシベーション層１１５は、酸化シリコン（ＳｉＯ）等の無機材料からなる。下部パッシベーション層１１５には、ソース電極１１２の上方にコンタクトホールが開設されている。
【００３９】
コンタクトホールの側壁に沿うように接続電極１１６が形成されている。接続電極１１６は、下部においてソース電極１１２に電気的に接続され、上部が下部パッシベーション層１１５の上に乗り上げた状態となっている。接続電極１１６は、ソース電極１１２と共通の材料からなることとしてもよい。
接続電極１１６および下部パッシベーション層１１５の表面を被覆するように、上部パッシベーション層１１７が形成されている。上部パッシベーション層１１７上には、層間絶縁層１１８が堆積されている。層間絶縁層１１８は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。
【００４０】
上部パッシベーション層１１７および層間絶縁層１１８には、コンタクトホール１１８ａが開設されている。コンタクトホール１１８ａの内部において接続電極１１６が露出している。
層間絶縁層１１８上には、負極電源線１１９の支線部分１１９ａが配線されている。支線部分１１９ａは、表示パネル１００の垂直ライン方向に延伸し、水平ライン方向に並ぶ３つのサブ画素毎に１本設けられている。
【００４１】
このように構成された多層配線層２において、ゲート電極１０２と、ゲート絶縁層１０５と、チャネル層１０６と、ドレイン電極１０９、ソース電極１１０によって薄膜トランジスタＴｒ１が構成されている。またゲート電極１０３と、ゲート絶縁層１０５と、チャネル層１０７と、ドレイン電極１１１、ソース電極１１２によって薄膜トランジスタＴｒ２が構成されている。薄膜トランジスタＴｒ１は選択トランジスタとして用いられ、薄膜トランジスタＴｒ２は駆動トランジスタとして用いられる。
【００４２】
［１．１．３．隔壁］
隔壁１２２は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機材料、または、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機材料等で構成されており、サブピクセルを規定している。層間絶縁層１１８の上面から隔壁１２２の上面までの高さは、約１［μｍ］であり、隔壁１２２により規定された領域がサブ画素領域である。画素領域は、水平ライン方向に並ぶ３つのサブ画素領域からなる。
【００４３】
［１．１．４．有機ＥＬ素子］
有機ＥＬ素子３は、多層配線層２上に、画素電極１２０、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２３、有機発光層１２４、電子輸送層１２５、および対向電極１２６を積層させた積層構造となっている。
本開示における第１電極である画素電極１２０は、多層配線層２の層間絶縁層１１８上に、ライン状またはマトリックス状に形成され、コンタクトホール１１８ａを通して多層配線層２の接続電極１１６と電気的に接続されている。画素電極１２０は、例えば、アルミニウム、銀、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）等の光反射材料で構成されている。
【００４４】
層間絶縁層１１８、支線部分１１９ａ、および画素電極１２０の表面は、正孔注入層１２１に被覆されている。正孔注入層１２１は、遷移金属元素を含有する金属、あるいは合金の酸化物からなる遷移金属元素の酸化物で構成されている。ここで、遷移金属元素とは、周期表の第３族元素から第１１族元素までの間に存在する元素である。遷移金属元素の中でも、タングステン、モリブデン、ニッケル、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニオブ、ハフニウム、タンタル等は、酸化した後に高い正孔注入性を有するため好ましい。特に、タングステン、モリブデン、ニッケルは、酸化した後に高いインギャップ状態を有する為、正孔注入有能力が他の遷移金属元素が酸化した場合に比べて大きい。このことにより表示パネル用の正孔注入層用の金属、あるいは合金として好ましい。
【００４５】
隔壁１２２で規定されたサブ画素領域内には、正孔輸送層１２３、および有機発光層１２４が、この順に積層されている。
正孔輸送層１２３は、例えば、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの誘導体（共重合体等）等からなり、正孔注入層１２１から注入された正孔を有機発光層１２４へ輸送する機能を有する。
【００４６】
有機発光層１２４は、例えば、有機高分子であるＦ８ＢＴ（ｐｏｌｙ（９，９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ））からなり、電界発光現象を利用して発光する機能を有する。なお、有機発光層１２４は、Ｆ８ＢＴからなる構成に限定されず、公知の有機材料を含むように構成することが可能である。例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質からなることが好ましい。
【００４７】
電子輸送層１２５、対向電極１２６、および封止層１２７は、隔壁１２２で規定された領域を超えて、この順で一様に積層されている。
電子輸送層１２５は、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、またはこれらの混合物等で構成されており、対向電極１２６から注入された電子を有機発光層１２４へ輸送する機能を有する。
【００４８】
本開示における第２電極である対向電極１２６は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等からなり、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合は、光透過性の材料からなることが好ましい。対向電極１２６の材料として、銀（Ａｇ）、または銀を含む合金を用いる場合は、光を透過する程度の厚みで対向電極１２６を形成する。具体的には、２０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の厚みであることが好ましい。
【００４９】
［１．１．５．封止層］
封止層１２７は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の材料からなる。封止層１２７は、有機ＥＬ素子３等が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有する。有機ＥＬ素子３がトップエミッション型である場合は、封止層１２７が光透過性の材料で構成されることが好ましい。
【００５０】
［１．２．額縁領域の構成］
図３は額縁領域２０における配線レイアウトを示す模式図であり、図１（ｂ）において、一点鎖線Ｅで囲んだ範囲内での多層配線層２中の配線を示している。図３において上側が表示領域１０側であり、紙面の上下方向が額縁領域２０の短辺方向に沿い、紙面の左右方向が額縁領域２０の長辺方向に沿う。図４は図３のＣ−Ｃ線での表示パネル１００の概略構成を示す部分断面図であり、図５は図３のＢ−Ｂ線での表示パネル１００の概略構成を示す部分断面図である。
【００５１】
図３で示すように、負極電源線１１９は、複数の支線部分１１９ａと、これらに接続する幹線部分１１９ｂと、幹線部分１１９ｂから引き出された引出線部分１１９ｃ、１１９ｄ、および１１９ｅとを有する。
各支線部分１１９ａは、表示領域１０側から額縁領域２０に直線的に引き出され額縁領域２０の短辺方向に平行に延伸する。
【００５２】
幹線部分１１９ｂは、額縁領域２０の長辺方向に平行に延伸し、１つの分割領域Ｖ内に配された全ての支線部分１１９ａと接続することで、負極電源線１１９を集約している。
引出線部分１１９ｃ、１１９ｄ、および１１９ｅは、額縁領域２０の短辺方向に平行に延伸する。なお、引出線部分１１９ｃ、１１９ｄ、および１１９ｅは、平面視で直線上に並んでいるが、図４で示すように、それぞれ多層配線層２内の異なる層に配されている。
【００５３】
具体的には、基板１の上面を第１階層、チャネル保護層１０８の上面を第２階層、下部パッシベーション層１１５の上面を第３階層、層間絶縁層１１８の上面を第４階層として説明すると、引出線部分１１９ｃは、第３階層上に形成されており、第４階層上に形成されている幹線部分１１９ｂとコンタクトホール１１９ｐを介して電気的に接続されている。引出線部分１１９ｄは、第２階層上に形成されており、第３階層上の引出線部分１１９ｃとコンタクトホール１１９ｑを介して電気的に接続されている。引出線部分１１９ｅは、第１階層上に形成されており、第２階層上の引出線部分１１９ｄとコンタクトホール１１９ｒを介して電気的に接続されている。
【００５４】
図３に戻って、正極電源線１１４は、複数の支線部分１１４ａと、これらに接続する幹線部分１１４ｂと、幹線部分１１４ｂから引き出された引出線部分１１４ｃとを有する。
各支線部分１１４ａは、表示領域１０側から額縁領域２０に直線的に引き出され額縁領域２０の短辺方向に平行に延伸する。
幹線部分１１４ｂは、額縁領域２０の長辺方向に平行に延伸し、１つの分割領域Ｖ内に配された全ての支線部分１１４ａと接続することで、正極電源線１１４を集約している。
【００５５】
引出線部分１１４ｃは、額縁領域２０の短辺方向に平行に延伸する。なお、幹線部分１１４ｂは、第２階層上に形成されており、引出線部分１１４ｃは、第１階層上に形成されており、これらはコンタクトホール１１４ｐを介して電気的に接続されている。
このような配線レイアウトによると、正極電源線１１４の支線部分１１４ａは、基板１を平面視したときに負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂが配線された位置よりも表示領域１０から遠い位置で正極電源線１１４の幹線部分１１４ｂに接続している。そのため、表示領域１０側から延伸する正極電源線１１４の支線部分１１４ａは幹線部分１１４ｂに接続する前に、負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂと位置３０ａで立体交差している。また、負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂが、正極電源線１１４の幹線部分１１４ｂよりも表示領域１０側に配されているため、負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂから表示領域１０側とは反対側に引き出された引出線部分１１９ｃは、正極電源線１１４の幹線部分１１４ｂと位置３０ｂで立体交差している。
【００５６】
各データ信号線１１３は、第２階層上に形成された配線部分１１３ａと第１階層上に形成された配線部分１１３ｂとを有し、これらがコンタクトホール１１３ｐを介して接続されている。
一部のデータ信号線１１３において、配線部分１１３ｂは、配線部分１１３ａを直線状に延伸した場合よりも、配線密度の疎密に偏りが生じるよう配されている。具体的には、左右に隣接する２画素分の配線部分１１３ｂのうち、この２画素の境界線に近い４本が、配線部分１１３ａと接続する側で額縁領域２０の短辺方向に沿って延伸した後、この２画素の境界線から離れる向きに屈曲し、額縁領域２０の長辺方向に沿って延伸している。２画素の境界線から離れるよう延伸した後、これらの配線部分１１３ｂはさらに屈曲して、額縁領域２０の短辺方向に沿って延伸する。その後、これらの配線部分１１３ｂは屈曲して２画素の境界線に近づくように延伸し、配線部分１１３ａを直線状に延伸した場合の位置で再度屈曲することで、額縁領域２０の短辺方向に沿って延伸する。
【００５７】
この結果、２画素毎にその境界線付近に正極電源線１１４、負極電源線１１９、およびデータ信号線１１３の何れの配線も存在しない領域が形成される。この配線が存在しない領域の上方に、マスク受け構造物４が形成されている。ここで特に、正極電源線１１４の幹線部分１１４ｂ、および負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂは、マスク受け構造物４が形成されている位置よりも表示領域１０側に配されている。そのため、マスク受け構造物４は、負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂと正極電源線１１４の支線部分１１４ａとが交差する位置３０ａ、および正極電源線１１４の幹線部分１１４ｂと負極電源線１１９の引出線部分１１９ｃとが交差する位置３０ｂの何れも避けた位置にある。
【００５８】
具体的には、図５に示すように、マスク受け構造物４は、第４階層である層間絶縁層１１８上に形成されている。マスク受け構造物４が設けられている位置の下方では、第１階層、第２階層、第３階層の何れにも、正極電源線１１４、負極電源線１１９、およびデータ信号線１１３が存在していない。また、マスク受け構造物４は、基板１を平面視した場合に約１０［μｍ］四方の四角形をなす。層間絶縁層１１８の上面からマスク受け構造物４の頂部４ａまでの高さは、約１０［μｍ］であり、マスク受け構造物４の頂部４ａは、基板１の上面１ａからの高さが、隔壁１２２の頂部１２２ａよりも高く形成されている。
【００５９】
なお、表示パネル１００の表示領域１０を広く形成し、額縁領域２０を狭く形成する場合に、位置３０ａおよび位置３０ｂの上方も開口部となっているマスクが表示パネル１００の製造に用いられる場合がある。その場合にも、表示パネル１００の端部でドライブ回路に接続するために正極電源線１１４や負極電源線１１９を露出させ、この部分をマスクで覆う必要がある。マスク受け構造物４は、位置３０ａおよび位置３０ｂよりも表示パネル１００の端部よりの位置に形成されている。そのため、マスク受け構造物４の位置から表示パネル１００の端部側を非開口部としたマスクを用いることで、正極電源線１１４や負極電源線１１９の露出部分をマスクで覆いつつ、意図しない箇所が局所的に押し潰されることを避けることができる。
【００６０】
［２．表示パネルの製造方法］
本態様に係る表示パネル１００の製造方法は、多層配線層２が形成された後、有機ＥＬ素子３の形成過程でマスク受け構造物４が形成される工程に特徴を有する。そこで以下では多層配線層２が形成された後からマスク受け構造物４の形成工程までについてのみ説明する。図６は、表示パネル１００の製造過程のうち、多層配線層２の形成が完了後、マスク受け構造物４を形成するまでの工程を模式的に示す図である。本図において左側には、水平ラインに沿った表示領域１０における断面を図示し、右側には、垂直ラインに沿った額縁領域２０における断面を図示している。
【００６１】
マスク受け構造物４の形成工程においては、まず、図６（ａ）に示すように、層間絶縁層１１８上に負極電源線１１９の支線部分１１９ａおよび幹線部分１１９ｂが形成される前の状態である多層配線基板１０１の中間品を準備する。
次に、図６（ｂ）に示すように、表示領域１０において層間絶縁層１１８上に画素電極１２０と負極電源線１１９の支線部分１１９ａとを形成し、額縁領域２０において負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂを形成する。画素電極１２０の形成には、以下の手順を用いることができる。例えば、金属材料のスパッタリング法により層間絶縁層１１８上に金属材料膜を一様に形成する。さらに成膜した金属材料膜上にレジスト層を形成し、レジスト層上に所定形状の開口部を持つマスクを重ね、マスクの上から感光させる。その後、余分なレジストを現像液（例えばＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ  ｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）水溶液）で洗い出す。これによりレジスト層のパターニングが完了する。その後、電極材料層をウェットエッチング液でウェットエッチングする。最後に、レジスト層を例えば有機系剥離液で除去する。
【００６２】
画素電極１２０の形成後、画素電極１２０の材料よりも低抵抗の金属材料を用いて、画素電極１２０の形成手順と同様の手順により、支線部分１１９ａおよび幹線部分１１９ｂを形成する。なお、本図では図示しないが幹線部分１１９ｂは、多層配線層２内でコンタクトホール１１９ｐを介して引出線部分１１９ｃに電気的に接続される。
次に、図６（ｃ）に示すように、表示領域１０において、層間絶縁層１１８、負極電源線１１９の支線部分１１９ａ、および画素電極１２０上に正孔注入層１２１を一様に形成する。このとき額縁領域２０においても、負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂが形成された位置まで正孔注入層１２１を成膜する。正孔注入層１２１の成膜方法としては、例えば、反応性スパッタリング法が利用できる。
【００６３】
さらに図６（ｄ）に示すように、正孔注入層１２１上に隔壁１２２を形成する。
隔壁１２２の形成後、図６（ｅ）に示すように、額縁領域２０において、マスク受け構造物４を形成する。マスク受け構造物４の形成には、例えば、ダイコート法を用いることができる。ダイコート法によるマスク受け構造物４の形成では、層間絶縁層１１８の上面からマスク受け構造物４の上面までの高さを、約１０［μｍ］に形成することが好ましい。例えば、高粘度のインクを塗布して１０［μｍ］程度の高さのマスク受け構造物４を形成してもよい。他の例として、直径１０［μｍ］程度のスペーサーを含んだインク材を塗布することで高さ１０［μｍ］程度のマスク受け構造物４を形成してもよい。また他の例として、粘度の高いインクを、直径１０［μｍ］程度のノズルから塗布することで、１０［μｍ］程度の高さのマスク受け構造物４を形成してもよい。
【００６４】
以上のような工程により本態様に係る表示パネル１００の製造方法では、マスク受け構造物４が形成される。
なお、画素電極１２０を負極電源線１１９の支線部分１１９ａと同じ金属材料を用いて形成する場合には、多層配線層２の製造過程で支線部分１１９ａと画素電極１２０とを同一工程で形成してもよい。支線部分１１９ａと画素電極１２０とを同一工程で形成するには、例えば、金属材料のスパッタリング法により層間絶縁層１１８上に一様に成膜し、成膜した金属材料膜をウェットエッチングする際に、支線部分１１９ａと画素電極１２０との形状でレジスト層を一度にパターニングする手法を用いることができる。
【００６５】
［２．１．マスク受け構造物形成後の成膜工程］
マスク受け構造物４が形成されたあと、本態様に係る表示パネル１００の製造方法では、有機ＥＬ素子３の形成が継続される。
マスク受け構造物４の形成後の有機ＥＬ素子３の形成過程では、額縁領域２０を覆う枠状部分を有するマスクを用いた成膜工程が含まれる。このような成膜工程で形成される有機ＥＬ素子３を構成する層としては、例えば、電子輸送層１２５、対向電極１２６、封止層１２７等がある。一般に、電子輸送層１２５の成膜には蒸着法、対向電極１２６の成膜にはスパッタリング法または蒸着法、封止層１２７の成膜にはＣＶＤ法またはＡＬＤ法が用いられる。
【００６６】
マスク受け構造物４は、これらの成膜工程においてマスクと接触しマスクからの押圧を受ける役割を果たす。マスク受け構造物４の形成後の成膜工程でのマスク受け構造物４の働きを、マスク受け構造物４の形成後の成膜工程の一例である、電子輸送層１２５の成膜工程に基づいて説明する。
図７は、電子輸送層１２５の成膜工程において、表示パネル１００の製造過程で電子輸送層１２５が形成される前の状態である表示パネルの中間品に、マスク２００を接触させた状態を示す模式図である。マスク２００には、通常、インバー等の金属板をエッチングやレーザー等によりパターニングしたものや、レジストパターンを形成しめっきにより金属を堆積したものが用いられる。
【００６７】
図７に示す状態では、額縁領域２０の上方がマスク２００によって覆われる。この時、マスク２００は、マスク受け構造物４の頂部４ａに接触するように、基板１と平行に配置される。この状態では、基板１の上面１ａから頂部３００ａまでの高さがマスク受け構造物４の頂部４ａよりも低い異物３００には、マスク２００が接触しない。そのため、異物３００を介してマスク２００により多層配線層２が押し潰されることがない。
【００６８】
特に、図７に示すように、負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂと正極電源線１１４の支線部分１１４ａとが立体交差する位置３０ａに異物３００が付着した状態であっても、多層配線層２の押し潰しにより負極電源線１１９と正極電源線１１４との短絡が発生することを抑制することができる。
なお、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を利用した成膜工程では、マスクと成膜対象である表示パネルの中間品との間に隙間があくと、マスクの開口部分から隙間に気化した蒸着材料やスパッタ粒子が入り込み、マスクの下方にも成膜されるおそれがある。図７に示す例では、マスク２００がマスク受け構造物４の頂部４ａに接触しているため、額縁領域２０の上方で、マスク２００と隔壁１２２との間に隙間があいている。
【００６９】
しかし、本実施の形態では、隙間の高さがマスク受け構造物４の頂部４ａと隔壁１２２の頂部１２２ａとの高さの差である約９［μｍ］程度である。この程度の隙間であれば、気化した蒸着材料がマスク２００の下方に回り込む回り込み量が十分に小さく、マスク２００に覆われた額縁領域２０に電子輸送層１２５が形成されることはない。
つまり、マスク受け構造物４の高さは、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を利用した成膜工程で、頂部４ａにマスク２００を接触させたときにマスク２００の下方に生じる隙間に気化した蒸着材料やスパッタ粒子が入り込むことのない程度の高さであることが好ましい。
【００７０】
以上のような成膜工程により、本態様に係る表示パネル１００の製造方法では、額縁領域２０の意図しない位置に付着した異物３００にマスク２００が接触することを避けて、表示パネル１００を製造することができる。
なお、図７では成膜する面を上側に向けて成膜工程を図示したが、実際の蒸着法では、成膜する面を下側に向けた姿勢で表示パネルの中間品にマスク２００が固定される。成膜する面を下側に向けた姿勢でのマスク２００の固定方法としては、成膜する面を下側に向けた表示パネルの中間品の下方に鉄合金を材料に用いたマスク２００を配し、基板１の裏面側からマグネットによりマスク２００を吸引する方法等が利用される。
【００７１】
スパッタリング法を利用する場合には、成膜する面を上側に向けて表示パネルの中間品上にマスク２００を載置して、成膜工程を実施することができる。
［３．効果］
以上の本開示に係る表示パネル１００は、額縁領域２０において、多層配線層２上にマスク受け構造物４が設けられている。そのため、表示パネル１００の製造過程で多層配線層２上に意図しない異物が付着していたとしても、基板１の上面１ａからの異物３００の頂部３００ａまでの高さが、マスク受け構造物４の頂部４ａより低ければ、基板１と平行に配置されたマスク２００はマスク受け構造物４に接触することになる。これによって、マスク２００が異物３００に接触することにより意図しない位置で多層配線層２が破損することを、避けることができる。
【００７２】
さらに、マスク受け構造物４が設けられた位置は、表示パネル１００を平面視したときに、正極電源線１１４と負極電源線１１９が交差する位置３０ａ、３０ｂを避けた位置であるという特徴を有する。そのため、マスク２００をマスク受け構造物４に接触させたときに、マスク受け構造物４が設けられた位置で多層配線層２が押し潰されたとしても、正極電源線１１４と負極電源線１１９との短絡や、正極電源線１１４と負極電源線１１９との間の距離が縮まり、耐電圧の低下あるいはリーク電流の増大が生じることを避けることができる。
【００７３】
さらに、本開示に係る表示パネル１００において、マスク受け構造物４は、基板１を平面視したときに正極電源線１１４に重なる位置および負極電源線１１９に重なる位置を避けた位置に設けられている。これにより、マスク２００をマスク受け構造物４に接触させたときにマスク受け構造物４が設けられた位置で多層配線層２が押し潰されたとしても、正極電源線１１４に重なる位置および負極電源線１１９に重なる位置が押し潰されることがない。そのため、押し潰しに起因する正極電源線１１４や負極電源線１１９の抵抗値変化や断線を避けることができる。
【００７４】
さらに、本開示に係る表示パネル１００において、マスク受け構造物４は、基板１を平面視したときにスキャン信号線１０４に重なる位置およびデータ信号線１１３に重なる位置を避けた位置に設けられている。これにより、マスク２００をマスク受け構造物４に接触させたときにマスク受け構造物４が設けられた位置で多層配線層２が押し潰されたとしても、スキャン信号線１０４に重なる位置およびデータ信号線１１３に重なる位置が押し潰されることがない。そのため、押し潰しに起因するスキャン信号線１０４やデータ信号線１１３の抵抗値変化や断線を避けることができる。
【００７５】
さらに、マスク受け構造物４は、額縁領域２０において、島状に複数設けられている。島状に設けられたマスク受け構造物４は互いに間隔があけられており、平面視したときにこれらの間にデータ信号線１１３、正極電源線１１４、および負極電源線１１９を配している。そのため、平面視した場合に、マスク受け構造物４を設ける位置と、データ信号線１１３や正極電源線１１４や負極電源線１１９を配する位置とを分けることができる。
【００７６】
なお、マスク受け構造物４が島状に形成されていると、マスク受け構造物４の頂部４ａに接触したマスク２００が傾くことで、マスク受け構造物４の頂部４ａよりも頂部３００ａの高さが低い異物３００にもマスク２００が接触する場合が考えられる。しかし、マスク受け構造物４が島状であっても複数設けられているので、異物３００の付着位置が複数のマスク受け構造物４の間の位置であれば、傾いたマスク２００が異物３００に接触することを避けることができる。特に、本開示に係る表示パネル１００は、長方形の枠状であり、その短辺と長辺の両方に複数のマスク受け構造物４が設けられている。このように同一直線上にない３個以上のマスク受け構造物４が設けられていることで、複数のマスク受け構造物４に安定した状態でマスク２００を接触させることができる。
【００７７】
さらに、額縁領域２０に配された正極電源線１１４の配線は、基板１を平面視したとき、多層配線層２の表示領域１０から直線的に延伸する支線部分１１４ａを有する。額縁領域２０に配された負極電源線１１９の配線は、基板１を平面視したとき、支線部分１１４ａの延伸方向と平行に、表示領域１０から直線的に延伸する支線部分１１９ａと、支線部分１１９ａに接続され支線部分１１９ａの延伸方向に直交する方向に延伸する幹線部分１１９ｂとを有する。正極電源線１１４の支線部分１１４ａと、負極電源線１１９の幹線部分１１９ｂとは、額縁領域２０において、多層配線層２の異なる層に配線され立体交差している。
【００７８】
また、額縁領域２０に配された正極電源線１１４の配線はさらに、基板１を平面視したとき、支線部分１１４ａに接続され支線部分１１４ａの延伸方向に直交する方向に延伸する幹線部分１１４ｂを有する。額縁領域２０に配された負極電源線１１９の配線はさらに、基板１を平面視したとき、幹線部分１１９ｂに接続され支線部分１１９ａの延伸方向と平行に延伸する引出線部分１１９ｃを有する。正極電源線１１４の幹線部分１１４ｂと、負極電源線１１９の引出線部分１１９ｃとは、額縁領域２０において、多層配線層２の異なる層に配線され立体交差している。
【００７９】
このように多層配線層２の額縁領域２０で正極電源線１１４が負極電源線１１９と交差するが、この交差する箇所を避けた位置にマスク受け構造物４が設けられるので、正極電源線１１４が負極電源線１１９と交差する箇所が製造過程において押し潰される可能性を低減することができる。
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、有機ＥＬ素子３の形成途中に、有機ＥＬ素子３の形成工程とは別工程でマスク受け構造物４を形成した表示パネル１００について説明した。第２の実施の形態では、多層配線層２の形成工程や有機ＥＬ素子３の形成工程と別途工程を設けることなくマスク受け構造物４Ａを形成した表示パネル１００ａについて説明する。
【００８０】
［１．表示パネルの構成］
図８は、第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａの額縁領域２０における配線レイアウトと、マスク受け構造物４の位置関係を示す模式図である。図８が配線レイアウトを示す範囲は、図３と同様に図１の（ｂ）において、一点鎖線で囲んだ２画素分の配線が含まれる範囲である。
【００８１】
第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａでも、第１の実施の形態に係る表示パネル１００と同様に、マスク受け構造物４の形成位置を避けるようにデータ信号線１１３が配線されている。第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａが第１の実施の形態に係る表示パネル１００と相違するのは、平面視したとき２画素分のデータ信号線１１３をずらして設けられた配線が存在しない領域において、多層配線層２中にマウント部４０が設けられている点である。
【００８２】
例えば表示パネル１００ａが２０型の４Ｋ解像度の表示パネルであれば、１画素が１１５［μｍ］程度であり、２画素分のデータ信号線１１３をずらして配線することで、マウント部４０を平面視で約１００［μｍ］四方の大きさで形成することができる。
図９は、第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａの額縁領域２０における概略構成を示す部分断面図であり、マウント部４０およびその上方に形成されたマスク受け構造物４Ａを含む図８のＤ−Ｄ線での断面を示している。
【００８３】
表示パネル１００ａは、額縁領域２０において、多層配線層２の構成要素であるゲート絶縁層１０５、チャネル保護層１０８、下部パッシベーション層１１５、上部パッシベーション層１１７、および層間絶縁層１１８が一様に形成されている点は、第１の実施の形態に係る表示パネル１００と共通している。しかし、第１の実施の形態に係る表示パネル１００と以下の点で相違する。
【００８４】
基板１上には、ゲート電極１０２、１０３と共通の材料からなるゲート電極材料層１３１が形成されている。
ゲート絶縁層１０５上には、チャネル層１０６、１０７と共通の材料からなるチャネル材料層１３２が形成されている。
チャネル保護層１０８上には、ドレイン電極１０９、１１１、およびソース電極１１０、１１２と共通の材料からなるＳＤ電極材料層１３３が形成されている。
【００８５】
下部パッシベーション層１１５上には、接続電極１１６と共通の材料からなる接続電極材料層１３４が形成されている。
ゲート電極材料層１３１、チャネル材料層１３２、ＳＤ電極材料層１３３、接続電極材料層１３４は、基板１を平面視したときに約１００［μｍ］四方の大きさで、同じ位置に重ねて形成されている。これらの各材料と、各材料層の形成位置におけるゲート絶縁層１０５、チャネル保護層１０８、下部パッシベーション層１１５、および上部パッシベーション層１１７との積層構造は、頂部４０ａが平坦なマウント部４０を構成している。
【００８６】
マウント部４０は、その周囲よりも多層配線層２中に多くの層が形成されているため、基板１の上面１ａからの高さが周囲よりも高くなっている。
上部パッシベーション層１１７上には、一様に層間絶縁層１１８が形成されている。
層間絶縁層１１８は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、通常、上部パッシベーション層１１７の上面の凹凸を平坦化する役割を担う。層間絶縁層１１８による平坦化は、均一な厚みで塗布された絶縁材料が流動して、上面の高さが等しくなることにより生じるものである。そのため、表示領域１０において個々の薄膜トランジスタが形成された程度の狭い範囲であれば、層間絶縁層１１８によって、平坦化することができる。しかし、マウント部４０は、約１００［μｍ］四方という比較的広い範囲で凸形状をなしている。硬化前の絶縁材料の流動性にも限度があるため５０［μｍ］以上移動することがないため、このような広い範囲の凸形状のマウント部４０がある場合、層間絶縁層１１８となる絶縁材料は、上面の高さが等しくなることなく硬化する。そのため、マウント部４０の上方では完全に平坦化されず、層間絶縁層１１８もマウント部４０に沿って凸形状をなしている。
【００８７】
なお、完全に平坦化されることなく層間絶縁層１１８を凸形状に硬化させるためのマウント部４０の大きさは、層間絶縁層１１８の材料となる樹脂の粘性によって定まる。よって、マウント部４０の大きさは、層間絶縁層１１８の材料に用いる樹脂の特性に応じて適宜変更可能である。
層間絶縁層１１８上には、マウント部４０の上方の位置に、負極電源線１１９の支線部分１１９ａと共通の材料からなる電源線材料層１３５が形成されている。
【００８８】
電源線材料層１３５上には、電源線材料層１３５と平面視同一形状で正孔注入層１２１が形成されている。
層間絶縁層１１８、および正孔注入層１２１上には、隔壁１２２が一様に形成されている。
電源線材料層１３５および正孔注入層１２１と、正孔注入層１２１の形成位置における隔壁１２２との積層構造は、第２の実施の形態に係るマスク受け構造物４Ａを構成している。
【００８９】
以上のように構成された表示パネル１００ａは、マスク受け構造物４Ａ自体の厚みが、その周囲と比較して電源線材料層１３５および正孔注入層１２１の厚み分だけ厚く形成されている。しかし、マスク受け構造物４Ａが形成された位置では、多層配線層２中にマウント部４０が形成されている。そのため、マスク受け構造物４Ａの頂部４ａは、マウント部４０が形成されていない位置での隔壁１２２の上面１２２ａと比較して、基板１の上面１ａからの高さが、電源線材料層１３５の厚み分以上に高くなっている。
【００９０】
具体的には、マスク受け構造物４Ａの頂部４ａが、マウント部４０が形成されていない位置での隔壁１２２の上面１２２ａよりも、基板１の上面１ａからの高さが約１０［μｍ］程度高くなっていることが好ましい。
［２．表示パネルの製造方法］
第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａの製造方法は、マスク受け構造物４Ａの形成までの工程に特徴を有する。そこで以下ではマスク受け構造物４Ａの形成工程までについてのみ説明する。図１０は、表示パネル１００ａの製造過程のうち、下部パッシベーション層１１５を形成するまでの工程を模式的に示す図であり、図１１は、その後、マスク受け構造物４Ａを形成するまでの工程を模式的に示す図である。図１０、および図１１において左側には、表示領域１０の１サブ画素分の断面を図示し、右側には、額縁領域２０における断面を図示している。なお、図１０、および図１１において額縁領域２０の断面は、約１／３に幅を縮小して図示している。
【００９１】
表示パネル１００ａの製造過程においては、まず、図１０（ａ）に示すように、基板１を準備する。
次に、図１０（ｂ）に示すように、表示領域１０において基板１上にゲート電極１０２、１０３をパターニングして形成し、額縁領域２０において基板１上にゲート電極材料層１３１をパターニングして形成する。ゲート電極１０２、１０３とゲート電極材料層１３１とは、同一の工程で形成する。具体的には、金属材料のスパッタリング法により基板１上に一様に成膜し、成膜した金属材料膜をウェットエッチングする際に、ゲート電極１０２、１０３、およびゲート電極材料層１３１の形状にレジスト層を一度にパターニングする手法を用いることができる。
【００９２】
続いて、図１０（ｃ）に示すように、表示領域１０、および額縁領域２０において、ゲート絶縁層１０５を一様に成膜する。ゲート絶縁層１０５の成膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法が利用できる。
次に、図１０（ｄ）に示すように、表示領域１０において、ゲート電極１０２の上方の位置でゲート絶縁層１０５の表面にチャネル層１０６をパターニングして形成し、ゲート電極１０３の上方の位置でゲート絶縁層１０５にチャネル層１０７をパターニングして形成する。額縁領域２０においては、ゲート電極材料層１３１の上方の位置でゲート絶縁層１０５上にチャネル材料層１３２をパターニングして形成する。チャネル層１０６、１０７と、チャネル材料層１３２とは、同一の工程で形成する。具体的には、ＣＶＤ法によりゲート絶縁層１０５上に一様に半導体材料膜を成膜し、この半導体材料膜をウェットエッチングする際に、チャネル層１０６、１０７、およびチャネル材料層１３２の形状にレジスト層を一度にパターニングする手法を用いることができる。
【００９３】
次に、図１０（ｅ）に示すように、表示領域１０、および額縁領域２０において、チャネル保護層１０８を形成する。この工程では、ゲート絶縁層１０５、チャネル層１０６、１０７、およびチャネル材料層１３２を覆うように絶縁材料膜を一様に成膜する工程と、成膜した絶縁材料膜の一部をフォトリソグラフィー法に基づき除去し、チャネル層１０６、１０７の一部が露出するようにコンタクトホールを形成する工程と、チャネル層１０６、１０７の一部を露出させた状態で絶縁材料膜を加熱してチャネル保護層１０８を形成する工程とを順に実施する。
【００９４】
その後、図１０（ｆ）に示すように、表示領域１０において、チャネル保護層１０８上の配線をパターニングして形成し、額縁領域２０において、チャネル材料層１３２の上方の位置でチャネル保護層１０８上にＳＤ電極材料層１３３をパターニングして形成する。表示領域１０におけるチャネル保護層１０８上の配線とは、ドレイン電極１０９、１１１、ソース電極１１０、１１２、データ信号線１１３、および正極電源線１１４の支線部分１１４ａである。表示領域１０におけるチャネル保護層１０８上の配線と、ＳＤ電極材料層１３３との形成は、金属材料のスパッタリング法によりチャネル保護層１０８上に一様に成膜し、成膜した金属材料膜をウェットエッチングする際に、レジスト層を一度にパターニングする手法を用いることができる。
【００９５】
次に、図１０（ｇ）に示すように、表示領域１０、および額縁領域２０において、下部パッシベーション層１１５を形成する。この工程では、チャネル保護層１０８と、表示領域１０におけるチャネル保護層１０８上の配線と、ＳＤ電極材料層１３３とを覆うように絶縁材料膜を一様に成膜する工程と、成膜した絶縁材料膜の一部をフォトリソグラフィー法に基づき除去し、ソース電極１１２の一部が露出するようにコンタクトホールを形成する工程と、ソース電極１１２の一部を露出させた状態で絶縁材料膜を加熱して下部パッシベーション層１１５を形成する工程とを順に実施する。
【００９６】
次に、下部パッシベーション層１１５にコンタクトホールが形成された状態で、表示領域１０、および額縁領域２０において、金属材料のスパッタリング法により基板１上に一様に成膜する。成膜した金属材料膜はウェットエッチングを行う際に、表示領域１０における接続電極１１６の形状と、額縁領域２０における接続電極材料層１３４の形状とを、一度にパターニングする。この結果、図１１（ａ）に示すように、表示領域１０には下部パッシベーション層１１５上に、コンタクトホールを介してソース電極１１２と電気的に接続した接続電極１１６が形成され、額縁領域２０には下部パッシベーション層１１５上に接続電極材料層１３４が形成される。
【００９７】
次に、表示領域１０、および額縁領域２０において、図１１（ｂ）に示すように、上部パッシベーション層１１７を形成し、続けて、図１１（ｃ）に示すように、上部パッシベーション層１１７上に、層間絶縁層１１８を形成する。
上部パッシベーション層１１７を形成する工程では、下部パッシベーション層１１５、接続電極１１６、および接続電極材料層１３４を覆うように絶縁材料膜を一様に成膜する工程と、成膜した絶縁材料膜の一部をフォトリソグラフィー法に基づき除去し、接続電極１１６の一部が露出するようにコンタクトホールを形成する工程とを順に実施する。
【００９８】
層間絶縁層１１８を形成する工程では、上部パッシベーション層１１７上にポリイミド系樹脂を均一な厚みで塗布する工程と、上部パッシベーション層１１７に形成されたコンタクトホールの位置でポリイミド系樹脂を除去することで、コンタクトホール１１８ａを形成する工程と、ポリイミド系樹脂層を硬化させることで層間絶縁層１１８を形成する工程とを順に実施する。
【００９９】
ここまでの工程で、額縁領域２０には、ゲート電極材料層１３１、ゲート絶縁層１０５、チャネル材料層１３２、チャネル保護層１０８、ＳＤ電極材料層１３３、下部パッシベーション層１１５、接続電極材料層１３４、および上部パッシベーション層１１７が積層されたマウント部４０が形成される。
この状態では、上部パッシベーション層１１７の上面が、表示領域１０における薄膜トランジスタの上方で凹凸のある形状をなす。しかし、図１１（ｃ）で示す表示領域１０の範囲は、１サブ画素分の薄膜トランジスタが形成された範囲であり、幅が３０［μｍ］程度と狭い。そのため、表示領域１０では、上部パッシベーション層１１７の上面にみられる凹凸形状が平坦化され、層間絶縁層１１８の上面の高さが等しくなっている。
【０１００】
一方、額縁領域２０におけるマウント部４０の上方で、上部パッシベーション層１１７の上面は平坦であるものの、マウント部４０の上方とその隣接する位置とでは、上部パッシベーション層１１７の上面の高さが相違している。また、マウント部４０の幅は、１００［μｍ］程度であり、表示領域１０で薄膜トランジスタが形成された範囲に比較して広い。そのため、額縁領域２０では、マウント部４０の上方とその隣接する位置とにおける上部パッシベーション層１１７の上面の高さの差が完全には平坦化されない。この結果、層間絶縁層１１８の上面でも、マウント部４０の上方とその隣接する位置とで、高さが相違している。
【０１０１】
次に、図１１（ｄ）に示すように、表示領域１０において、層間絶縁層１１８上に負極電源線１１９の支線部分１１９ａおよび画素電極１２０をパターニングして形成し、額縁領域２０において、マウント部４０の上方の位置で層間絶縁層１１８上に電源線材料層１３５をパターニングして形成する。表示領域１０における支線部分１１９ａおよび画素電極１２０と、額縁領域２０における電源線材料層１３５との形成は、金属材料のスパッタリング法により層間絶縁層１１８上に一様に成膜し、成膜した金属材料膜をウェットエッチングする際に、レジスト層を一度にパターニングする手法を用いることができる。
【０１０２】
次に、表示領域１０、および額縁領域２０において、正孔注入層１２１の材料層を一様に成膜し、さらに、額縁領域２０では、正孔注入層１２１を電源線材料層１３５と平面視同一形状にパターニングする。その後、表示領域１０、および額縁領域２０において、隔壁１２２を形成する。
以上の工程を経ることで、図１１（ｅ）に示すように、額縁領域２０では、マウント部４０の上方の位置で、電源線材料層１３５、正孔注入層１２１、および隔壁１２２が積層されたマスク受け構造物４Ａが形成される。
【０１０３】
［３．効果］
以上の第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａでは、マウント部４０が形成された位置とその周辺の位置とで比較した場合、基板１の上面１ａから層間絶縁層１１８の上面までの高さが、マウント部４０が形成された位置で高くなっている。そのため、マウント部４０の上方で層間絶縁層１１８上に設けられたマスク受け構造物４Ａは、形成位置での層間絶縁層１１８の上面からの高さを抑えつつ、基板１の上面１ａからの高さを、マウント部４０が形成された位置の周辺の位置における隔壁１２２の頂部１２２ａよりも高く形成することが容易である。
【０１０４】
このように、形成位置における層間絶縁層１１８の上面からのマスク受け構造物４Ａの高さを抑えることができるので、マスク受け構造物４Ａを形成するために、ダイコート法等により高粘度の塗料を嵩高く塗布する必要がない。
特に、第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａの製造方法によると、表示領域１０において基板１上に多層配線層２および有機ＥＬ素子３を順に形成する製造過程で、新たな工程を追加することなく、額縁領域２０において多層配線層２中にマウント部４０を形成し多層配線層２上にマスク受け構造物４Ａを形成することができる。
【０１０５】
［４．変形例］
第２の実施の形態では、表示領域１０において薄膜トランジスタを構成する複数の層の全てを、額縁領域２０において平面視で重なる位置に積層することで、マウント部４０を構成している。
しかし、マウント部４０は、必ずしも薄膜トランジスタを構成する複数の層の全てを積層する必要はない。基板１の上面１ａから層間絶縁層１１８の上面までの高さがマウント部４０の上方で周囲よりも高くなるならば、一部の層を省略してマウント部４０を形成してもよい。
【０１０６】
（その他）
表示パネル１００の耐久性を向上させる目的で、表示パネル１００の表示面側にガラス等の封止板を張り合わせる場合がある。この場合、表示パネル１００と封止板との間隙には、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなるフィルを充填し、額縁領域２０の最も外側の基板１が露出した位置にシール材を設けてフィルを封止する。
【０１０７】
このフィル、およびシール材が、第１の実施の形態に係る表示パネル１００のマスク受け構造物４と相違する点は、マスク受け構造物４が１０［μｍ］程度の高さでありその頂部が封止板に接触することがないのに対し、フィル、およびシール材は表示パネル１００および封止板の双方に接触していることである。
また、シール材は、フィルの封止を目的としているので、表示領域を囲んで環状に切れ目なく形成される。この点でも、配線が存在する位置を避けるために島状に形成した第１の実施の形態に係る表示パネル１００のマスク受け構造物４は、シール材と相違する。さらに、シール材は、基板１上または多層配線層２上に設けられる。基板１上に設けられた場合、シール材は、多層配線層２上に形成される第１の実施の形態に係る表示パネル１００のマスク受け構造物４と相違する。
【０１０８】
第２の実施の形態に係る表示パネル１００ａのマスク受け構造物４Ａについても、第１の実施の形態に係る表示パネル１００のマスク受け構造物４と同様の点で、フィル、およびシール材と相違する。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、例えば携帯電話用のディスプレイやテレビなどの表示素子に使用される表示パネルとその製造方法として利用可能である。特に、製造過程において額縁領域で多層配線層が押し潰されることによる問題が生じにくい表示パネルおよびその製造方法を期待することが可能である。
【符号の説明】
【０１１０】
１  基板
２  多層配線層
３  有機ＥＬ素子
４、４Ａ  マスク受け構造物
１０  表示領域
２０  額縁領域
３０ａ、３０ｂ  正極電源線と負極電源線とが立体交差する箇所
４０  マウント部
１００、１００ａ  表示パネル
１０１  多層配線基板
１０２  ゲート電極
１０３  ゲート電極
１０４  スキャン信号線
１０５  ゲート絶縁層
１０６、１０７  チャネル層
１０８  チャネル保護層
１０９、１１１  ドレイン電極
１１０、１１２  ソース電極
１１３  データ信号線
１１４  正極電源線
１１４ａ  正極電源線の支線部分
１１４ｂ  正極電源線の幹線部分
１１４ｃ  正極電源線の引出線部分
１１５  下部パッシベーション層
１１６  接続電極
１１７  上部パッシベーション層
１１８  層間絶縁層１１８
１１９  負極電源線
１１９ｂ  幹線部分
１１９ａ  支線部分
１１９ｃ、１１９ｄ、１１９ｅ  引出線部分
１２０  画素電極
１２１  正孔注入層
１２２  隔壁
１２３  正孔輸送層
１２４  有機発光層
１２５  電子輸送層
１２６  対向電極
１２７  封止層
１３１  ゲート電極材料層
１３２  チャネル材料層
１３３  ＳＤ電極材料層
１３４  接続電極材料層
１３５  電源線材料層
２００  マスク
３００  異物
【図１】
0006476449.tif 000002
【図２】
0006476449.tif 000003
【図３】
0006476449.tif 000004
【図４】
0006476449.tif 000005
【図５】
0006476449.tif 000006
【図６】
0006476449.tif 000007
【図７】
0006476449.tif 000008
【図８】
0006476449.tif 000009
【図９】
0006476449.tif 000010
【図１０】
0006476449.tif 000011
【図１１】
0006476449.tif 000012