(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成長のためのリアクタの反応チャンバであって、
−凹部を有する壁（１）と、
−ボディ及び起伏部を有するサセプタ（７）であって、前記ボディは、前記壁（１）に対して回転するように前記凹部に配置される、サセプタ（７）と、
−前記起伏部に安定に置かれるように構成され、前記起伏部から放射状に突出するようなサイズを有し、かつエピタキシャル成長される１以上の基板を支持するように構成される形状を有する円板支持エレメント（８）と、
−前記壁（１）に亘って配置され、前記円板支持エレメント（８）が置かれる位置に穴（１０）を有する平坦なカバリング（９１，９２）と、を備え、
前記穴（１０）の形状は、前記円板支持エレメント（８）の形状に対応し、
前記カバリング（９２）は、前記円板支持エレメント（８）を搬入／搬出する装置（１６）の通路のための少なくとも１つの中空ガイド（１１，１２）を有し、前記中空ガイド（１１，１２）は、前記カバリング（９２）のエッジから始まり、前記穴（１０）へ延びる、反応チャンバ。
【請求項２】
前記カバリング（９２）は、第１の中空ガイド（１１）及び第２の中空ガイド（１２）を有し、前記第１の中空ガイド及び前記第２の中空ガイド（１１，１２）は、前記カバリング（９２）のエッジから始まり、前記穴（１０）へ延びる、請求項１に記載の反応チャンバ。
【請求項３】
前記第１の中空ガイド及び前記第２の中空ガイド（１１，１２）は、平行である請求項２に記載の反応チャンバ。
【請求項４】
前記第１の中空ガイド及び前記第２の中空ガイド（１１，１２）は、前記カバリング（９２）の２つの側面エッジにある請求項３に記載の反応チャンバ。
【請求項５】
前記穴（１０）は、円形形状であり、前記第１の中空ガイド及び前記第２の中空ガイド（１１，１２）は、前記穴（１０）の円の中心に対して反対側の２つの周辺領域へ延びる請求項２から４のいずれか一項に記載の反応チャンバ。
【請求項６】
前記壁（１）は、被覆されていないグラファイトからなり、
前記サセプタ（７）は、被覆されていないグラファイトからなり、
前記円板支持エレメント（８）は、１以上の基板を支持する箇所を除いて炭化ケイ素の層で全体が被覆されたグラファイトからなり、
前記カバリング（９１，９２）は、炭化ケイ素の層で全体が被覆されたグラファイトからなる、請求項１から５のいずれか一項に記載の反応チャンバ。
【請求項７】
底部からエッジを押すことにより、前記円板支持エレメント（８）を上昇させるように構成される前記円板支持エレメント（８）を搬入／搬出する装置（１６）に設けられる、請求項１から６のいずれか一項に記載の反応チャンバ。
【請求項８】
前記搬入／搬出する装置（１６）は、
−少なくとも１つの操作ロッド（１８）と、
−前記少なくとも１つの操作ロッド（１８）で結合され、前記中空ガイド（１１，１２）に摺動するように構成される２つのショルダ（１９）と、
−前記２つのショルダ（１９）にそれぞれ結合され、底部から前記支持エレメント（８）のエッジを押すように構成される２つのウイング（２０）と、を備える請求項７に記載の反応チャンバ。
【請求項９】
前記搬入／搬出する装置（１６）は、全体がクオーツからなる請求項７又は８に記載の反応チャンバ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の反応チャンバを備えるエピタキシャル成長用のリアクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬入／搬出装置及びリアクタで使用するために構成されたエピタキシャル成長用の反応チャンバ及びリアクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、マイクロエレクトロニクスの分野に関し、特に、マイクロエレクトロニクス部品の製造に用いられる基板を処理するための装置の分野に関する。
【０００３】
前記反応チャンバは、優れた性能を有するエピタキシャル成長用のリアクタにとって重要である。
【０００４】
反応チャンバの重要な態様は、基板の搬入及び搬出である。
【０００５】
このような態様は、また、リアクタの生産性にも影響を与え、実際、エピタキシャル成長は、非常に高温（例えば、ケイ素用の通常温度は、１０００−１２００℃であり、炭化ケイ素用の通常温度は、１５００−１７００℃である）であり、したがって、搬入及び搬送が低温で行われる場合、搬入後に加熱するためにチャンバを待機する必要があり、搬出前に冷却するためにチャンバを待機する必要がある。
【０００６】
更に、注目されるのは、損傷を防ぐために（特に、成長層への損傷を防ぐために）基板が特定の注意を払って扱われなければならないことであり、高温（例えば、８００−１２００℃）で基板を扱うことは、より困難である。
【０００７】
最後に、注目されるのは、搬入及び搬出の解決手段は、成長の解決手段と良好に組み合わせなければならず（双方の構成は、反応チャンバ構成と密接にリンクされる）、実際、基板上での良好な成長を得ることは、基板を良好に搬入及び搬出することよりも重要である。
【０００８】
本発明の主な課題は、基板上で成長するための優れた解決手段と組み合わせられる基板の搬入及び搬出のための優れた解決手段を提供することである。
【０００９】
特に、本発明は、炭化ケイ素のエピタキシャル成長に適合された解決手段に着目される。
【発明の概要】
【００１０】
このような課題は、本詳細な説明の全体部分を形成する、添付の特許請求の範囲に示される技術的な構成を有する反応チャンバにより実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本発明は、添付の図面と共に考慮される以下の詳細な説明からより明らかとなるであろう。
【図１】図１は、本発明に係る反応チャンバの実施形態の一例の簡素化した断面図を示す。
【図２】図２は、図１の反応チャンバの（第１の断面に沿って取られた）第１の簡素化した断面視を示す。
【図３】図３は、図１の反応チャンバの（第２の断面に沿って取られた）第２の簡素化した断面視を示す。
【図４】図４の反応チャンバの（第３の断面に沿って取られた）第３の簡素化した断面視を示す。
【図５】図５は、図１の反応チャンバの簡素化した平面図を示す。
【図６】図６は、図１の反応チャンバのために適合された搬入／搬出装置の実施形態の一例の３つの異なる側面図を示す。
【図７】図７は、３つの異なる条件の図６の装置と組み合わせた図１のチャンバの（図２に用いられる断面に沿って取られた）簡素化した断面図を示す。
【００１２】
このような詳細な説明及びこのような図面は、例示によってのみ提供され、よって、非限定的なものである。
【００１３】
これらの図面は、実施形態の同一の例を全て示す。
【００１４】
容易に明らかであるように、その主に有利な態様が添付の特許請求の範囲に定義される本発明は、様々な実施形式からなり、適用されうる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面の反応チャンバは、基板上にエピタキシャル成長、特に炭化ケイ素上にエピタキシャル成長するために用いられる。
【００１６】
反応チャンバは、細長い形状を有し（よって、長手方向を定義することが可能であり、長手方向は全ての図面において水平方向及びチャンバのほぼ円筒対称とされる長手軸に対応する）、４つの平坦な壁を備え、４つの平坦な壁は、平行六面体形状の反応及び堆積領域を区切り、平行六面体の断面は、相対的に長い底辺及び相対的に短い高さを有する四角形であり、平坦な下部壁１、平坦な上部壁２、平坦な左側壁３及び平坦な右側壁４が存在する。チャンバは、他の２つの湾曲した壁５及び６を備え、湾曲した壁５は、その端部によって平坦な壁１の端部に結合され（例えば、図２参照）、湾曲した壁６は、その端部によって平坦な壁２の端部に結合される（例えば、図２参照）。図では、壁１，２，３，４，５，６は、それらが１つのピースからなる場合として示されるが、それらは、異なる部品であり、並んで配置され、適切に結合されうる。このような一連の壁は、例えば、特に、国際特許出願ＷＯ２００４／０５３１８７及びＷＯ２００４／０５３１８８で既知であり、更なる技術的な詳細のために参照される。
【００１７】
図１及び図５に描かれた２つの矢印は、反応ガスの侵入流ＦＩ及び排気ガスの排出流ＦＵを示し、反応ガスは、反応及び堆積チャンバに侵入し、この領域での高温により化学的に反応し、固体材料の堆積を生じさせ、反応及び堆積領域から（より多く又は少なく排気された）排気ガスとして出る。注目されるのは、反応チャンバの加熱手段は、図面中には示されていないが、それらは、典型的には、電磁加熱手段である。
【００１８】
更に、反応チャンバは、同時にエピタキシャル成長される１以上の基板を支持するように構成されるサセプタ７及び支持エレメント８を備え（各基板は、それぞれの支持エレメントの浅い「凹部」に位置決めされる）、支持エレメント８は、サセプタ７上に安定に置かれる。特に、サセプタ７は、下にボディ（典型的には円筒型）及び上に起伏部（典型的には円筒型又角柱型）を備える。特に、支持エレメント８は、円板状であり、典型的には円形形状であり、支持エレメント８は、サセプタ７の起伏部に安定に置かれ、サセプタ７の起伏部から放射状に突出するようなサイズである。
【００１９】
下部壁１は、そのサセプタ７のボディが配置される凹部を有し、典型的には、凹部及びボディは、同一形状を有し、図の例では、凹部及びボディは、正確に同一円筒形状を有し、ほぼ同一の大きさ（凹部でボディの回転を可能にすることのわずかな差異があるのみ）であり、サセプタ７のボディは、壁１に対して回転されるように凹部に配置され、支持エレメント８は、サセプタ７が回転したときに結果として回転する。図では、注目されるのは、サセプタ７のボディの下面には隙間及び中央のブラインド穴が存在し、ブランク穴は、サセプタ７の回転をガイドする壁１のピンを受け入れるために用いられ、隙間は、サセプタを回転させるためにガスジェットを受け入れるために用いられ、これらのガスジェットは、反応チャンバの外側で生じるガス流から由来し、サセプタ７への長手及び中央導管の内側の下部壁１、特に、サセプタ７のボディが配置される壁１の凹部下の領域、を横断することである。このようなシステムは、例えば、特に、国際特許出願ＷＯ２００５／１２１４１７から既知であり、更なる技術的な詳細のために参照される。
【００２０】
最後に、反応チャンバは、参照番号９１及び９２により示される構成要素に対応する、平坦なカバリングを備え、特に図１、図３、図４及び図５にみられる。２つの構成要素９１及び９２は、単一の平坦なカバリングの２つの並んだ隣接エレメントを構成し、このような平坦なカバリングは、以下により詳細に説明されるように、全体反応及び堆積領域のために穴１０を除いて、長手方向及び横方向の両方に延び（特に図５参照）、通常、平坦なカバリングは、複数の隣接したエレメントからなり、例えば、構成要素９１及び９２は、第１の側、例えば、右側（チャンバの長手方向とみなされる）の一方、及び第２の側、例えば、左側（チャンバの長手方向とみなされる）の他方、の２つに分割される。
【００２１】
図の例では、このようなカバリングエレメントは、本質的に２つの平坦なシートからなり、第１のシート９１は、チャンバの入口領域に配置され、第２のシート９２は、チャンバの出口又は排出領域に配置され、簡素化のために、矢印ＦＩ及び矢印ＦＵで示される。注目されるのは、カバリングエレメントをチャンバに固定するため、特に、カバリングエレメントをチャンバの開口部に固定するために用いられる手段は、図には示されていない。用語「平坦なカバリング」は、壁の下を覆うために用いられることから由来し、これは、下部壁１であり、これは、反応及び堆積領域の下限として平坦な表面を製造するために用いられる−反応及び堆積領域の断面は、基板上に良好な成長を得るために、その領域の全体長さに対してできるだけ一定とすべきであり、典型的には、この断面は、四角形ではない又は少なくとも下側は真っ直ぐではない。
【００２２】
平坦な被覆、２つのエレメント９１及び９２の全体は、支持エレメント８で穴１０を有する（図１、図２及び図５参照）。穴１０の形状は、支持エレメント８の形状に対応し、以下に説明される理由のために、穴１０の形状は、エレメント８の形状と正確に同じではない（具体的にはわずかに大きい）。図１に明確に示されるように、エレメント９１及び９２の上面並びにエレメント８の上面は、位置合わせされる（図１は、基板で正確に充填されるエレメント８の凹部を示す）。
【００２３】
更に、平坦なカバリングは、支持エレメントを搬入／搬出するための装置の通路のための少なくとも１つの中空ガイド（つまり、起伏部ではない）を有する。
【００２４】
図の例（特に図５参照）では、カバリングエレメント９２は、支持エレメントを搬入／搬出するための装置１６（図６参照）の通路のための２つの中空ガイド１１（図４の左側）及び１２（図４の右側）を有し、両方のガイド１１及び１２は、カバリングエレメント９２の同一のフロントエッジから始まり、穴１０へ延び、中空ガイド１１及び１２は、カバリングエレメント９２の２つの側のエッジで平行であり、それに代えて、このようなガイドは、例えば、２つの側のエッジからわずかな距離でエレメント９２での平行カットとして、製造されてもよい。
【００２５】
図２の断面は、チャンバの中央に正確であり、図３の断面は、中央と入口との間の中間であり、図４の断面は、中央と出口との中間である。
【００２６】
図５では、穴１０は、円形形状であり、ガイド１１及び１２は、その中心に対して反対側の円の２つの周辺領域に延びる（このため、穴の形状は部分円として見える）。
【００２７】
前述されたように、装置１６は、支持エレメント８を搬入／搬出するために用いられ、チャンバには、それを通過し、かつ支持エレメントと共にそれを上昇させる適切な空間が設けられる。
【００２８】
よって、解決手段は、扱われるのが支持装置であり、基板を直接扱うのではないため、非常に高い温度（１０００℃又はそれ以上）で基板を搬出することが可能である。同様の考えは、基板の搬入にも適用される。
【００２９】
ほぼ円筒形状（又はそれに代えてほぼ楕円形状）の外形を有するチャンバの壁の全体（図の１、２，３，４，５，及び６）は、断熱材料、特に繊維状又は多孔質又は泡沫状グラファイトによって囲まれ、横方向に、壁３，４，５及び６に隣接する断熱材料の層が存在し、前方向に、チャンバの入口に配置される断熱材料からなる第１の層１４（特に円形状又は楕円形状）が存在し、前方向に、チャンバの出口に配置される断熱材料からなる第２の層１５（特に円形状又は楕円形状）が存在し、層１４及び１５は、反応ガスを侵入させ、排気ガスを排出し、チャンバ壁を通じて他の副次ガス流のための開口を有する。
【００３０】
有利には、図１から図５の図の一つの図示される反応チャンバは、例えば、国際特許出願ＷＯ２００６／０２４５７２及びＷＯ２００７／０８８４２０に説明及び図示されるものの全部又は一部のような更なる構成要素を有してもよい。
【００３１】
図６は、添付の図面の反応チャンバのために適合される搬入／搬出装置の実施形態の一例を示す。
【００３２】
装置１６は、ほぼ平坦な円板状エレメントを上昇させ、輸送するように設計され、装置１６は、エレメント８が円形形状である場合でも、様々な形状のエレメントを上昇させ、輸送することができる。エレメント８を把持するために用いられる装置１６の一部は、２つのウイング２０及び２つのショルダ１９に実質的に対応し、装置１６は、ウイング２０によりその下部エッジで押されることによりエレメント８を上昇させるために構成される。より詳細には、装置１６は、
−（水平に配置されるように構成される）少なくとも１つの操作ロッド１８（図６にのみ部分的に示される）と、
−ロッド１８の「Ｖ」字形状ブランチ１７によりロッド１８に結合される、２つの小さな矩形プレートの形態の（垂直に配置されるように構成される）２つのショルダ１９と、
−（水平に配置されるように構成される）２つのショルダ１９にそれぞれ結合される２つの小さな矩形プレートの形態の２つのウイング２０と、
を備える。
【００３３】
操作ロッドのブランチの形状は、例えば、半円形状でありうる「Ｖ字」とは異なることができる。
【００３４】
ロッド１８の長さは、操作を正確に可能にするために、反応及び堆積領域から、特に層１５からの水平方向の延伸（例えば、１０−４０ｃｍ）のためにこのように突出するためのものであり、有利には、ロッド１８は、ロボットにより操作されるように構成される。
【００３５】
装置１６によるエレメント８の搬入及び搬出動作を理解するために図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃを参照する。
【００３６】
装置１６は、その出口からチャンバに挿入され、チャンバを水平に、装置を垂直に維持し、ショルダ１９及びウイング２０がチャンバにまず侵入し、その後、それを操作するために正確に用いられる操作ロッド１８を侵入するように装置を方向付ける。ロッド１８及びそのブランチ１７がカバリング９２のわずかに上方にあり、２つのショルダ１９が２つのガイド１１及び１２のそれぞれのカバリング９２の側にあるように、挿入は生じる。装置１６は、ウイング２０がエレメント８（図５参照）の側に到達するまで、水平に摺動される−ウイング２０の中心は、よって、実質的に、エレメント８の中心も配置されるチャンバの中心断面である。この状況（図７Ａ）では、新たに処理された基板を支持するエレメント８は、サセプタ７上に置かれ、ブランチ１７の下面は、エレメント８の上方にあり、そこに近くなり（図７Ａではそれらは接触するように見えるが、所定の距離がある）、ウイング２０は、エレメント８のエッジの下に配置され、そこからわずかに離れている。装置１６（図７Ｂ）は、わずかに上昇され、エレメント８は、サセプタ７上に置かれ、ブランチ１７の下面は、エレメント８の上方にあり、そこからわずかに離れ、ウイング２０は、エレメント８のエッジに接触する。装置１６（図７Ｃ）は、更に上昇させられ、エレメント８は、サセプタ７上に置かれておらず、そこから十分に離れており、ブランチ１７の下面は、エレメント８の上方にあり、そこからわずかに離れており、ウイング２０は、エレメント８のエッジに接触する。この時点で、装置１６及びエレメント８は、チャンバに向かって水平に下がってそれらを摺動させることにより、チャンバから取り出されてもよい。
【００３７】
処理される基板を支持するエレメント８は、上述したように挿入されるが、反対方向である。
【００３８】
上記から、他の事項のうち、装置１６の水平摺動は、特に、挿入されるとき（処理される１以上の基板と共に支持エレメントを運ぶとき、及び支持するものがないときの両方）、正確に制御されなければならないことが明らかである。この目的のために、例えば、カバリングエレメント９２には、反応及び堆積領域から、特に層１５から、水平方向の延伸（例えば、１０−４０ｃｍ）のために突出するように構成されるロッド形状の突出（図示せず）が設けられてもよい。エレメント９２の位置が穴１０の位置を定義し、サセプタ７の位置に密接に関連するため、優れた精度で外側から装置１６の摺動を遮断するときに、決定することができる、すなわち、ロッド形状の突出の外側端部は、装置１６の移動のための水平（及び垂直）基準として用いられうる。
【００３９】
その構成要素の材料の選択は、反応チャンバ及びリアクタの良好な操作を得るために重要である。それら自体が良好であり、組み合わせて優れている一連の取り得る解決手段は、以下に詳細に説明される。
【００４０】
チャンバの壁、特に下部壁１は、グラファイトからなってもよく、カバリングの存在、つまり、エレメント９１及び９２のために、被覆される必要はない。サセプタ７は、グラファイトからなってもよく、カバリングの存在、つまり、エレメント９１及び９２のために、被覆される必要はない。
【００４１】
支持エレメント８は、１以上の基板を支持する箇所を除いて、炭化ケイ素の層で全体が被覆されたグラファイトからなってもよく、カバリングは、膨張の問題（例えば、エピタキシャル成長処理時のスプリアス堆積に関連する）を回避する又は少なくとも制限するために用いられる。
【００４２】
平坦なカバリング、特にエレメント９１及び９２は、炭化ケイ素の層で全体が被覆されたグラファイトからなり、カバリングは、膨張の問題（例えば、エピタキシャル成長処理時のスプリアス堆積に関連する）を回避する又は少なくとも制限するために用いられる。
【００４３】
搬入／搬出装置１６は、固く、頑丈で、チャンバの高温に関する問題を防ぐために、全体がクオーツからなってもよい。装置がクオーツからなるが、その上昇及び輸送機能を適切に実行するために装置１６に対してエレメント８の搬入及び搬出温度を評価するために適切である。本発明に係る反応チャンバ装置、特に上述されたもののような反応チャンバは、典型的には、エピタキシャル成長のためのリアクタに用いられる。
【００４４】
それを加熱するためのチャンバへの輸送エネルギーのための特定の解決手段を有する反応及び堆積領域の特定の区画を有するホットウォールチャンバであり、非常に高温、例えば、１５００℃を要求するリアクタに特に適合され、このような非常に高い温度は、基板上に炭化ケイ素のエピタキシャル成長のために用いられるものである（典型的には、炭化ケイ素）。付随して、上述された材料及び被覆に関する表記は、特に炭化ケイ素のエピタキシャル成長のために正確に定義される。
【図１】
0006505105.tif 000002
【図２】
0006505105.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006505105.tif 000005
【図５】
0006505105.tif 000006
【図６】
0006505105.tif 000007
【図７Ａ】
0006505105.tif 000008
【図７Ｂ】
0006505105.tif 000009
【図７Ｃ】
0006505105.tif 000010