(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状に延びる第１分割予想ラインと第２分割予想ラインが設定された大判基板の表面に、前記第１分割予想ラインに重なる複数対の電極を形成すると共に、対をなす前記電極間に跨る複数の抵抗体を形成する工程と、
前記電極および前記抵抗体が形成された前記大判基板の裏面を基台に貼り付ける工程と、
前記大判基板の表面に前記第１分割予想ラインおよび前記第２分割予想ラインに沿ってレーザー光を照射して前記基台の途中まで達する貫通スリットを形成する工程と、
前記貫通スリットの形成後に前記抵抗体を覆うように絶縁性樹脂からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の形成後に前記大判基板を前記基台から剥離して多数のチップ単体に個片化する工程と、
を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
格子状に延びる第１分割予想ラインと第２分割予想ラインが設定された大判基板の表面に、前記第１分割予想ラインに重なる複数対の電極を形成すると共に、対をなす前記電極間に跨る複数の抵抗体を形成する工程と、
前記電極および前記抵抗体が形成された前記大判基板の裏面を基台に貼り付ける工程と、
前記大判基板の表面に前記第２分割予想ラインに沿ってレーザー光を照射して前記基台の途中まで達する貫通スリットを形成する工程と、
前記貫通スリットの形成後に前記電極と前記抵抗体を覆うように絶縁性樹脂からなる保護膜を形成する工程と、
前記大判基板を前記保護膜の上から前記第１分割予想ラインに沿ってダイシングすることにより、前記電極を２分して前記基台の途中まで達する分割溝を形成する工程と、
前記貫通スリットと前記分割溝が形成された前記大判基板を前記基台から剥離して多数のチップ単体に個片化する工程と、
を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の記載において、前記貫通スリットは前記抵抗体の抵抗値をトリミングする前に形成されることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２の記載において、前記保護膜は前記大判基板と同系色であることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大判基板に複数組の電極や抵抗体等を形成した後、その大判基板を格子状に分割して個片化するようにしたチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器は、セラミックスからなる直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜等によって主に構成されている。
【０００３】
一般的に、このようなチップ抵抗器を製造する場合、大判基板に対して多数個分の電極と抵抗体および保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を格子状に延びる１次分割溝と２次分割溝に沿って分割（ブレイク）することにより、個片化されたチップ単体を多数個取りするようになっている。これら１次分割溝と２次分割溝は大判基板に予め形成されたものであり、その形成方法としては、焼成前の大判基板（グリーンシート）に断面Ｖ字状の金型を型押してから焼成するという方法や、焼成後の大判基板にレーザー光を照射するという方法（レーザースクライブ法）が知られている。
【０００４】
また、このような分割溝を用いたブレイク方法の代わりに、特許文献１に記載されているように、分割溝が設けられていない大判基板に対して多数個分の電極と抵抗体および保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を支持台に固定した状態で、ダイシングブレードを用いて大判基板を格子状に切断することによって、個片化されたチップ単体を多数個取りするというダイシング方法も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１７３２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、大判基板に予め設けられた分割溝をブレイクするという分割方法では、断面Ｖ字状の分割溝を開くような曲げ応力を大判基板に加えてブレイクするため、分割溝の底部と基板面との間に存するセラミックスが基板面に対して直角にブレイクされず、当該部分が基板面に対してランダムな斜め方向にブレイク（変形割れ）されてしまい、それに伴ってチップ抵抗器の外形寸法にバラツキが発生することがある。このようなバラツキは外形寸法の大きなチップ抵抗器では寸法誤差範囲に収まるが、０４０２ｍｍサイズや０２０１ｍｍサイズといった超小型のチップ抵抗器の場合においては無視できないものとなる。
【０００７】
一方、特許文献１等に開示されたダイシングによる分割方法では、高速回転するダイヤモンドブレード等を用いて大判基板を切断するようになっているため、形状については高い寸法精度で加工することができる。しかし、高速回転するブレードを大判基板の一辺から対向辺まで走査することで１本の切断線が形成され、このような切断工程を１次分割と２次分割のそれぞれについて複数回行う必要があるため、全ての切断工程を終了させるのに多くのタクト時間が掛かってしまいという難点がある。また、ダイシングによってブレードの厚みに相当する切断代が大判基板から切除され、このような切断代を１次分割と２次分割のダイシング本数に合わせて大判基板に確保しておく必要があるため、生産効率が非常に悪いという問題もある。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成する第１手段として、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、格子状に延びる第１分割予想ラインと第２分割予想ラインが設定された大判基板の表面に、前記第１分割予想ラインに重なる複数対の電極を形成すると共に、対をなす前記電極間に跨る複数の抵抗体を形成する工程と、前記電極および前記抵抗体が形成された前記大判基板の裏面を基台に貼り付ける工程と、前記大判基板の表面に前記第１分割予想ラインおよび前記第２分割予想ラインに沿ってレーザー光を照射して前記基台の途中まで達する貫通スリットを形成する工程と、前記貫通スリットの形成後に前記抵抗体を覆うように絶縁性樹脂からなる保護膜を形成する工程と、前記保護膜の形成後に前記大判基板を前記基台から剥離して多数のチップ単体に個片化する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
このように大判基板の表面に電極と抵抗体を形成した後、この大判基板の裏面を基台に貼り付けた状態で、大判基板の表面にレーザー光を照射して基台の途中まで達する貫通スリットを形成すれば、貫通スリットの形成後に大判基板の状態のまま一括で保護膜を形成できると共に、保護膜の材料である樹脂がレーザー光の熱によって損傷してしまうことを防止でき、保護膜の形成後に大判基板を基台から外すだけで個片化したチップ単体を多数個取りすることができる。また、１次分割方向と２次分割方向の分割が両方ともレーザースクライブで行われるため、レーザー光で切断した部分の基板分割を高い寸法精度にて行うことができると共に、当該部分の分割に伴う切断代はほとんど発生しなくなるため、生産効率が良く小型化にも好適なチップ抵抗器を提供することができる。
【００１１】
また、上記の目的を達成する第２手段として、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、格子状に延びる第１分割予想ラインと第２分割予想ラインが設定された大判基板の表面に、前記第１分割予想ラインに重なる複数対の電極を形成すると共に、対をなす前記電極間に跨る複数の抵抗体を形成する工程と、前記電極および前記抵抗体が形成された前記大判基板の裏面を基台に貼り付ける工程と、前記大判基板の表面に前記第２分割予想ラインに沿ってレーザー光を照射して前記基台の途中まで達する貫通スリットを形成する工程と、前記貫通スリットの形成後に前記電極と前記抵抗体を覆うように絶縁性樹脂からなる保護膜を形成する工程と、前記大判基板を前記保護膜の上から前記第１分割予想ラインに沿ってダイシングすることにより、前記電極を２分して前記基台の途中まで達する分割溝を形成する工程と、前記貫通スリットと前記分割溝が形成された前記大判基板を前記基台から剥離して多数のチップ単体に個片化する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
この第２手段によるチップ抵抗器の製造方法では、基台に貼り付けた状態の大判基板を格子状に延びる分割ラインに沿って切断する際、一方向の分割をレーザースクライブで行い、他方向の分割をダイシングで行うようにしているため、前述した第１手段と比較すると、一方向の分割をダイシングで行う分だけタクト時間は幾分長くなるが、ダイシングによる平滑な切断面を確保することができ、第１手段とほぼ同様の効果を奏することができる。
【００１３】
上記の製造方法において、レーザースクライブによる貫通スリットの形成が抵抗体の抵抗値をトリミングする前に行われると、貫通スリットの形成時にレーザーの熱で抵抗体の抵抗値が変化してしまったとしても、その後の工程で抵抗値のトリミング調整が行われるため問題なくなる。
【００１４】
また、上記の製造方法において、保護膜が大判基板と同系色であると、貫通スリットの形成後に形成される保護膜が貫通スリット内に流れ込んだとしても、チップ抵抗器の分割面に露出する保護膜が目立ちにくくなるため、バルク実装に好適なチップ抵抗器を実現することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ抵抗器の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図５】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図６】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。
【図８】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図９】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図１０】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１〜図３に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表電極２と、これら表電極２に接続するように設けられた長方形状の抵抗体３と、両表電極２の一部分と抵抗体３の全面を被覆する絶縁性の保護膜４と、絶縁基板１の裏面における長手方向両端部に設けられた一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端部に設けられた一対の端面電極６と、これら端面電極６と表電極２および裏電極５の表面に被着された一対の外部電極７とによって主に構成されている。
【００１８】
絶縁基板１はセラミックスからなるアルミナ基板であり、この絶縁基板１は後述する大判基板を縦横に延びる１次分割予想ラインと２次分割予想ラインに沿ってレーザースクライブにより切断して多数個取りされたものである。
【００１９】
一対の表電極２と一対の裏電極５はＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、抵抗体３は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。この抵抗体３の長手方向の両端部はそれぞれ表電極２に重なっており、図示省略されているが、抵抗体３には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。
【００２０】
保護膜４はアンダーコート層とオーバーコート層の２層構造からなり、そのうちアンダーコート層はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、オーバーコート層はエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。
【００２１】
一対の端面電極６はＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成させたものであり、これら端面電極６は絶縁基板１の端面に形成されて表電極２と裏電極５を導通している。
【００２２】
一対の外部電極７はバリヤー層と外部接続層の２層構造からなり、そのうちバリヤー層は電解メッキによって形成されたＮｉメッキ層であり、外部接続層は電解メッキによって形成されたＳｎメッキ層である。
【００２３】
次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器の製造方法について、図４〜図６を参照しながら説明する。なお、図５は図４のＸ−Ｘ線に沿った断面図を示し、図６は図４のＹ−Ｙ線に沿った断面図をそれぞれ示している。
【００２４】
まず、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板１０を準備する。この大判基板１０に１次分割溝や２次分割溝は形成されていないが、図４（ｄ）に示す後工程で大判基板１０は縦横方向に延びる第１分割予想ラインと第２分割予想ラインに沿ってレーザースクライブされ、これら両分割予想ラインによって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。
【００２５】
そして、このような大判基板１０の表面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、図４，５，６（ａ）に示すように、大判基板１０の表面に所定間隔を存して複数の表電極２を形成する。また、これに前後して大判基板１０の裏面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、大判基板１０の裏面に所定間隔を存して複数の裏電極５を形成する。
【００２６】
次に、大判基板１０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることにより、図４，５，６（ｂ）に示すように、対をなす表電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。なお、表電極２と抵抗体３の形成順序は上記と逆であっても良い。
【００２７】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体３を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。
【００２８】
次に、図４，５，６（ｃ）に示すように、大判基板１０の裏面全体に接着剤１１を塗布し、この接着剤１１を介して固定基材１２を大判基板１０に貼り付けた後、接着剤１１を熱硬化させる。接着剤１１としては特定の溶剤によって洗浄可能なものが好ましく、本実施形態例の場合はアルコール系溶剤で溶けるシェラック樹脂が用いられている。また、固定基材１２としては０．１ｍｍ以上の厚みを有するガラス等の硬質材料が好ましく、本実施形態例の場合は大判基板１０の材料と同じセラミックス基板（厚みは０．３ｍｍ）が用いられている。
【００２９】
次に、大判基板１０の表面側からレーザー光を照射し、このレーザー光を表電極２の中央部を通る１次分割予想ラインと抵抗体３を挟んで延びる２次分割予想ラインに沿ってそれぞれ走査することにより、図４，５，６（ｄ）に示すように、大判基板１０を貫通して固定基材１２の途中まで達する平面視格子状の貫通スリット１３を形成する。これら貫通スリット１３はレーザー光で切断するレーザースクライブ法によって形成されたものであるため、大判基板１０の所定位置（１次分割予想ラインと２次分割予想ライン）に短時間で多数本の貫通スリット１３を高精度に形成することができる。
【００３０】
なお、図５，６（ｄ）中には比較的傾斜角の大きなＶ字形状の貫通スリット１３が示されているが、実際は傾斜角が非常に小さい直線状の貫通スリット１３が形成される。
【００３１】
次に、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図４，５，６（ｅ）に示すように、図の横方向（Ｘ−Ｘ方向）に延びる貫通スリット１３を跨いで縦方向（Ｙ−Ｙ方向）に配列された各抵抗体３を帯状に覆う複数の保護膜４を形成する。この保護膜４の形成は固定基材１２に貼り付けられた状態の大判基板１０に対して行われるため、樹脂ペーストを加熱硬化する際の熱収縮によって大判基板１０に反りが発生することを抑制できる。特に、貫通スリット１３を形成した後の固定基材１２の最薄部（貫通スリット１３の先端から固定基材１２の下面に至る部分）の厚みが０．０８ｍｍ以上であれば、大判基板１０の反りを確実に防止することができて好ましい。また、保護膜４の形成が固定基材１２に貼り付けられた状態の大判基板１０に対して行われるため、レーザースクライブ法によって大判基板１０が個々のチップ形成領域毎に分断されていても、一括で保護膜４を形成することができる。
【００３２】
このように大判基板１０にレーザースクライブによって格子状の貫通スリット１３を形成した後、アルコール系溶剤で接着剤（シェラック樹脂）１１を洗浄して固定基材１２を大判基板１０から剥離することにより、図４，５，６（ｆ）に示すように、大判基板１０からチップ抵抗器と同等の大きさの多数のチップ単体１０Ａを得る。
【００３３】
図示省略されているが、しかる後、個々のチップ単体１０Ａの端面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成させることにより、チップ単体１０Ａの両端面に表電極２と裏電極５を導通する端面電極を形成する。最後に、個々のチップ単体１０Ａに対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、端面電極と表電極２および裏電極５を被覆する外部電極を形成し、図１〜図３に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、大判基板１０の表面に表電極２と抵抗体３を形成した後、この大判基板１０の裏面を固定基材（基台）１２に貼り付けた状態で、レーザー光を１次分割方向と２次分割方向に沿って照射することにより、大判基板１０を貫通して固定基材１２の途中まで達する貫通スリット１３を形成するようにしたので、貫通スリット１３の形成後に大判基板１０の状態のまま一括で保護膜４を形成することができると共に、保護膜４の材料である樹脂がレーザー光の熱によって損傷してしまうことを防止でき、保護膜４の形成後に大判基板１０を固定基材１２から剥離するだけで個片化したチップ単体１０Ａを多数個取りすることができる。また、１次分割方向と２次分割方向の分割が両方ともレーザースクライブで行われるため、レーザー光で切断した部分の基板分割を高い寸法精度にて行うことができると共に、当該部分の分割に伴う切断代はほとんど発生しなくなり、生産効率が良く小型化にも好適なチップ抵抗器を提供することができる。
【００３５】
図７は本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図であり、このチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表電極２と、これら表電極２に接続するように設けられた長方形状の抵抗体３と、両表電極２と抵抗体３の全面を被覆する絶縁性の保護膜４と、絶縁基板１の裏面における長手方向両端部に設けられた一対の裏電極５と、絶縁基板１の端面から保護膜４の上面まで回り込むように設けられた一対の端面電極６と、これら端面電極６および裏電極５の表面に被着された一対の外部電極７とによって主に構成されている。
【００３６】
図７に示す第２実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、保護膜４が表電極２と抵抗体３の全面を被覆していることと、この保護膜４の上面まで回り込むように端面電極が断面Ｌ字状に形成されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様であるため、図１〜図３に対応する部分に同一符号を付すことで重複する説明は省略することとする。
【００３７】
次に、第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法について、図８〜図１０を参照しながら説明する。なお、図９は図８のＸ−Ｘ線に沿った断面図を示し、図１０は図８のＹ−Ｙ線に沿った断面図をそれぞれ示している。
【００３８】
まず、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板１０を準備する。この大判基板１０に１次分割溝や２次分割溝は形成されていないが、図８（ｄ），（ｇ）に示す後工程で大判基板１０は縦横方向に延びる第１分割予想ラインと第２分割予想ラインに沿って分割され、これら両分割予想ラインによって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。
【００３９】
そして、このような大判基板１０の表面に第１分割予想ラインと重なるようにＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、図８，９，１０（ａ）に示すように、大判基板１０の表面に帯状に延びる複数対の表電極２を所定間隔を存して形成する。また、これに前後して大判基板１０の裏面に第１分割予想ラインと重なるようにＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、大判基板１０の裏面に帯状に延びる複数対の裏電極５を所定間隔を存して形成する。
【００４０】
次に、大判基板１０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることにより、図８，９，１０（ｂ）に示すように、対をなす表電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。
【００４１】
次に、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体３を覆う図示せぬアンダーコート層を形成する。ただし、この時点ではアンダーコート層を形成するだけであり、抵抗体３のトリミング調整は行わない。
【００４２】
次に、図８，９，１０（ｃ）に示すように、大判基板１０の裏面全体に接着剤１１を塗布し、この接着剤１１を介して固定基材１２を大判基板１０に貼り付けた後、接着剤１１を熱硬化させる。これら接着剤１１と固定基材１２は第１実施形態例で用いられたものと同じである。
【００４３】
次に、大判基板１０の表面側からレーザー光を照射し、このレーザー光を抵抗体３を挟んで１次分割予想ラインと直交方向へ延びる２次分割予想ラインに沿って走査することにより、図８，９，１０（ｄ）に示すように、大判基板１０を貫通して固定基材１２の途中まで達する貫通スリット１４を形成する。
【００４４】
しかる後、前述したアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。このように抵抗体３の近傍を通る貫通スリット１４を形成した後に抵抗値調整を行うと、貫通スリット１４の形成時にレーザーの熱で抵抗体３の抵抗値が変化してしまったとしても、その後の工程で抵抗値のトリミング調整が行われるため問題はなくなる。
【００４５】
次に、図８，９，１０（ｅ）に示すように、大判基板１０のチップ形成領域上にエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図８，９，１０（ｅ）に示すように、全ての表電極２と抵抗体３を覆う保護膜４を形成する。第１実施形態例と同様に、この保護膜４の形成は固定基材１２に貼り付けられた状態の大判基板１０に対して行われるため、保護膜４の樹脂ペーストを加熱硬化する際の熱収縮によって大判基板１０に反りが発生することを抑制できると共に、レーザースクライブ法によって大判基板１０が個々のチップ形成領域毎に分断されていても、一括で保護膜４を形成することができる。
【００４６】
次に、図８，９，１０（ｆ）に示すように、保護膜４の上から第１分割予想ラインと重なるようにマスク材料を印刷またはスパッタすることにより、保護膜４上に内部の抵抗体３とほぼ同一幅の帯状のマスキング材１５を形成する。
【００４７】
次に、大判基板１０の表面側から１次分割予想ラインに沿ってダイシングブレードで切断することにより、図８，９，１０（ｇ）に示すように、帯状の表電極２を長手方向に沿って２つに切断して固定基材１２に達する分割溝１６を形成する。
【００４８】
次に、大判基板１０の表面側からニッケルクロム（Ｎｉ／Ｃｒ）をスパッタすることにより、図８，９，１０（ｈ）に示すように、分割溝１６内に露出する表電極２と裏電極５の端面どうしを橋絡し、かつ保護膜４とマスキング材１５上に回り込む端面スパッタ１７を形成する。
【００４９】
しかる後、アルコール系溶剤で接着剤１１を洗浄して固定基材１２を大判基板１０から剥離し、それと同時にマスキング材１５を除去することにより、チップ抵抗器と同等の大きさの多数のチップ単体を得る。その結果、これらチップ単体に両端面から保護膜４の上面まで回り込む断面Ｌ字状の端面電極６が形成される。最後に、個々のチップに対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、端面電極６と裏電極５を被覆する外部電極７を形成し、図７に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００５０】
以上説明したように、第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、大判基板１０の表面に表電極２と抵抗体３を形成した後、この大判基板１０の裏面を固定基材１２に貼り付けた状態で、レーザー光を２次分割予想ラインに沿って照射することにより、大判基板１０を貫通して固定基材１２の途中まで達する貫通スリット１４を形成するようにしたので、貫通スリット１４の形成後に大判基板１０の状態のまま保護膜４を形成することができると共に、保護膜４の形成後に大判基板１０を固定基材１２から剥離するだけで個片化したチップ単体１０Ａを多数個取りすることができる。
【００５１】
また、第２実施形態例では、レーザースクライブによって大判基板１０に貫通スリット１４を形成して２次分割方向の切断を行い、１次分割方向についてはダイシングブレードで大判基板１０に分割溝１６を形成するようにしたので、１次分割方向と２次分割方向の両方をレーザースクライブで行った第１実施形態例に比べると、１次分割方向をダイシングで行った分だけタクト時間は幾分長くなるが、生産効率が良好で小型化に好適なチップ抵抗器を提供することができる。しかも、ダイシングで切断される前の表電極２を帯状に形成することができるため、チップ抵抗器の小型化に伴って電極を微小パターン印刷する場合でも、電極間の直線性を高めて抵抗値を安定化することができると共に、ダイシングによる平滑な切断面が確保されるため、端面電極６の形成を上面からのスパッタにて形成することができる。
【００５２】
また、第２実施形態例においては、レーザースクライブによる貫通スリット１４の形成工程を抵抗体３のトリミング調整前に行うようにしたので、貫通スリット１４の形成時にレーザーの熱で抵抗体３の抵抗値が変化してしまったとしても、その後のトリミング工程で抵抗体３の抵抗値が目標値に調整されるため問題はなくなる。
【００５３】
なお、上記第１および第２実施形態例では、貫通スリット１３，１４の形成後に保護膜４を形成するようにしているため、保護膜４の材料である樹脂ペーストが貫通スリット１３，１４の内部に流れ込むと、大判基板１０を固定基材１２から外してチップ単体１０Ａに個片化したとき、貫通スリット１３，１４に沿った分割面に保護膜４の一部が露出してしまうことになる。その場合、保護膜４として大判基板１０の材料（セラミックス）と同じような白色系の樹脂を用いれば、絶縁基板１の分割面に露出する保護膜４が目立ちにくくなるため、バルク実装に好適なチップ抵抗器を実現することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１  絶縁基板
２  表電極
３  抵抗体
４  保護膜
５  裏電極
６  端面電極
７  外部電極
１０  大判基板
１０Ａ  チップ単体
１１  接着剤
１２  固定基材（基台）
１５  マスキング材
１３，１４  貫通スリット
１６  分割溝
１７  端面スパッタ
【図１】
0006615637.tif 000002
【図２】
0006615637.tif 000003
【図３】
0006615637.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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