(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１温度に制御される第１の励起光源を有する少なくとも１つの第１増幅部と、
前記第１温度と異なる第２温度に制御される第２の励起光源を有する少なくとも１つの第２増幅部と、
前記第１増幅部と前記第２増幅部に接続される制御回路と、
を有し、
前記第１増幅部と前記第２増幅部は、交互に配置されることを特徴とする光増幅器アレイ。
【請求項２】
第１温度に制御される第１の励起光源を有する少なくとも１つの第１増幅部と、
前記第１温度と異なる第２温度に制御される第２の励起光源を有する少なくとも１つの第２増幅部と、
前記第１増幅部と前記第２増幅部に接続される制御回路と、
を有し、
前記第１の励起光源は、基板上の第１領域内に配置され、
前記第２の励起光源は、前記基板上の前記第１領域と異なる熱分布を有する第２領域内に配置されていることを特徴とする光増幅器アレイ。
【請求項３】
前記第１増幅部に配置されて前記第１の励起光源の動作温度を制御する第１の温度制御素子と、
前記第２増幅部に配置されて前記第２の励起光源の動作温度を制御する第２の温度制御素子と、
をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の光増幅器アレイ。
【請求項４】
前記第１増幅部は、光信号をアドするアド側ポートに接続され、前記第２増幅部は、光信号をドロップするドロップ側ポートに接続されることを特徴とする請求項１に記載の光増幅器アレイ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光増幅器アレイと、
前記光増幅器アレイに接続される波長選択スイッチと、
を有することを特徴とする光伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光増幅器アレイ、及びこれを用いた光伝送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
再設定可能な光アド／ドロップマルチプレクサ（ＲＯＡＤＭ：Reconfigurable Optical Add/Drop Multiplexer）機能をサポートする光伝送装置では、任意の波長の信号をアド（挿入）／ドロップ（分岐）することのできる波長選択スイッチ（ＷＳＳ：Wavelength Selectable Switch）が使われている。最近では、光通信ネットワークの複雑化、高機能化に伴い、さらにポート数の多いＷＳＳや、同一信号を多数ポートに振り分けるマルチキャストスイッチ（ＭＣＳ：Multicast Switch）が光部品として用いられている。
【０００３】
ＷＳＳやＭＣＳは光損失が大きいため、これらの光部品を通過した光信号が、次の入力先である光部品の許容ダイナミックレンジを満足できない場合がある。そこで、光損失による光レベルの低下を補償するため、アド、ドロップの各ポートに光増幅器を配置して所望の光レベルにすることが検討されている。
【０００４】
図１は、一般的な光増幅モジュール１０の構成を示す。ひとつの光増幅モジュール１０内に、増幅部２０が、フィールド・プログラマブル・グリッド・アレイ（ＦＰＧＡ：Field Programmable Grid Array）やディジタル信号処理回路（ＤＳＰ：Digital signal processor）などの演算／制御回路３０とともに実装されている。増幅部２０において、入力信号光は、波長分割多重（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplexing）カプラ１０７で励起用のレーザダイオード（ＬＤ）１０６からの光と合波されてＥＤＦ(エルビウム添加ファイバ：Erbium Doped Fiber)で増幅される。ＥＤＦ１０９で増幅された信号光はアイソレータ１１０を通って出力される。入力信号光の一部は分岐カプラ１０１で分岐されて入力側のフォトダイオード（ＰＤ）１０２でモニタされ、アナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）１０３でディジタル変換されて演算／制御回路３０に入力される。ＥＤＦ１０９で増幅された光の一部は、出力側の分岐カプラ１１１で分岐されて出力側のＰＤ１１２でモニタされ、ＡＤＣ１１３でディジタル変換されて演算／制御回路３０に入力される。演算／制御回路３０は入力モニタ値と出力モニタ値を比較することで、ＥＤＦ１０９の増幅利得を計算し、増幅利得が所望の値となるようにＬＤ１０６への注入電流を調整する。これにより、励起用のＬＤ１０６はドライバ１０５により所定の出力光パワーで動作するように駆動される。
【０００５】
温度変化によりＬＤ１０６の波長が変化すると、光増幅モジュール１０の増幅特性に影響するため、一般的に励起用のＬＤ１０６の温度は一定の温度に制御されている。図２はＬＤ１０６の温度制御の構成例を示す。ＬＤ素子１２５に近接して配置されたサーミスタ（温度センサ）１２２でＬＤ素子１２５の温度をモニタし、ＬＤ素子１２５の温度が一定となるように温度調整素子であるペルチェ素子１２０への注入電流量を制御する。温度センサ１２２の出力は温度モニタとしてのＡＤＣ１０８でディジタル変換されて演算／制御回路３０に入力され、ドライバ１２１による注入電流量が制御される。
【０００６】
なお、複数のＬＤ素子と、その各々に対応する複数のＰＤ及び複数のサーミスタを単一の電子冷却素子上に実装する構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３１５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ペルチェ素子１２０への電流量が大きくなるほど温度を変化させる能力が高くなり、電流を流す向きを変えることで昇温、降温を制御する。励起用のＬＤ１０６にとって、光を出力するためにＬＤ素子１２５に注入する電流と、温度を一定にするためにペルチェ素子１２０に注入する電流の２つが必要となり、いずれも発熱の要因となる。
【０００９】
最近の伝送ネットワークの複雑化に伴う光伝送装置の複雑化により、多数の光増幅器をアレイ状に配置して用いる構成も想定され、温度制御のための駆動電流と発熱量の増大が懸念される。
【００１０】
そこで、複数の光増幅器が配列される場合に温度制御に必要な駆動電流の増大を防止することのできる構成と、これを用いた光伝送装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
ひとつの態様では、光増幅器アレイは、
第１温度に制御される第１の励起光源を有する少なくとも１つの第１増幅部と、
前記第１温度と異なる第２温度に制御される第２の励起光源を有する少なくとも１つの第２増幅部と、
前記第１増幅部と前記第２増幅部に接続される制御回路と、
を有する。
【発明の効果】
【００１２】
複数の光増幅器が配列される場合に、温度制御のための駆動電流の増大を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一般的な光増幅器の構成を示す図である。
【図２】ＬＤ素子の温度制御の構成例を示す図である。
【図３】実施形態の構成に至る過程で考えられる構成を示す図である。
【図４】実施形態のアレイ型光増幅器が適用される光伝送装置の構成例である。
【図５】アレイ型光増幅器で一般に考えられる構成例を示す。
【図６】図６の構成に生じ得る課題を説明する図である。
【図７】第１実施形態の光増幅器アレイの構成例を示す図である。
【図８】第１実施形態の消費電力増大の抑制効果を説明する図である。
【図９】第２実施形態の光増幅器アレイの構成例を示す図である。
【図１０】光増幅器アレイをモジュール化した場合のＬＤ配置例を示す図である。
【図１１】光増幅器アレイをモジュール化した場合の別のＬＤ配置例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
複数の光増幅器を用いる場合、励起用のＬＤの制御温度と周囲温度との差が大きくなるほど、ペルチェ素子に供給する電流量は大きくなる。発明者は、制御温度の異なる、すなわち特定の波長光を出力させる温度が異なる２種類以上の励起レーザを用いることで、使用温度範囲にわたってペルチェ素子の制御に必要な駆動電流の最大値を低く抑えることができる構成に思い至った。以下の実施形態で、光増幅器アレイの好ましい構成例を説明する。
【００１５】
図３は、実施形態の構成に至る過程で考えられ得る構成を示す図である。光伝送装置１は、一例として、図の左側の伝送路と右側の伝送路の間で光信号を中継するが、図示の便宜上、左側の伝送路から右側の伝送路への伝送ルートについて接続構成を説明する。光伝送装置１は、伝送路から入力される光信号を増幅する光増幅器（プリアンプ）１３−1と、伝送路へ出力される光信号を増幅する光増幅器（ポストアンプ）１３−２と、アド（Ａｄｄ）側で任意の波長の信号を挿入する波長選択スイッチ（ＷＳＳ）１４addと、ドロップ（Ｄｒｏｐ）側で任意の波長の信号を分岐する波長選択スイッチ（ＷＳＳ）１４dropを有する（以下、適宜「ＷＳＳ１４」と総称する）。光伝送装置１は、右側の伝送路から左側の伝送路への伝送ルートについても、光増幅器（プリアンプ）１２−１、光増幅器（ポストアンプ）１２−２、波長選択スイッチ（ＷＳＳ）１１add、及び波長選択スイッチ（ＷＳＳ）１１drop（以下、適宜「ＷＳＳ１１」と総称する）を有する。ＷＳＳ１１dropで任意の波長の信号が分岐されて受信機側に送られる。ＷＳＳ１１addで送信機側からの任意の波長の信号が挿入されて伝送路に出力される。光伝送装置１は、同一信号を複数のポートに振り分けるマルチキャストスイッチ（ＭＣＳ）１５を有してもよい。また、ドロップ側でＷＳＳ１１dropとＷＳＳ１４dropに替えて光カプラや光セレクタを用いてもよい。アド側でＷＳＳ１１addとＷＳＳ１４addに替えて光りカプラを用いてもよい。
【００１６】
ＷＳＳ１１、１４やＭＣＳ１５は光損失が大きいので、光レベルの低下を補償するために、アド側のポートＰ５〜Ｐ８、ドロップ側のポートＰ１〜Ｐ４の各々に光増幅モジュール１０を配置して所望の光レベルを得ることが考えられる。
【００１７】
しかし、図３のように、多数あるポートの各々に光増幅モジュール１０を搭載する構成は、物理的に実現が困難である。そこで、図４及び図５に示すように、演算／制御回路３０を共通に使用して複数の増幅部２０をひとつの筐体に収容あるいは一つの基板上に搭載するアレイ型の増幅器５０（以降、「増幅器アレイ５０」と称する）を使用することが考えられる。
【００１８】
図４の例では、ＭＣＳ１５と、ＷＳＳ１４及びＷＳＳ１１の間に、アド側ポートＰ５〜Ｐ８及びドロップ側ポートＰ１〜Ｐ４のすべてに共通に用いられる光増幅器アレイ５０が挿入されている。図示の便宜上、ＷＳＳ１１とアレイ型光増幅器５０及びＭＣＳ１５との間の接続線は省略されている。図５に示すように、光増幅器アレイ５０で用いられる複数の増幅部２０は、各ポートで挿入、分岐される光信号を増幅するためのものであり、光伝送装置１と伝送路の間の送受信で用いられる光増幅器１２−１、１２−２、１３−１、及び１３−２とは区別される。
【００１９】
図５は、光伝送装置１に光増幅器アレイ５０を用いる場合、一般的に考えられる構成例を示す。アド側とドロップ側の各ポートに対応して複数の増幅部２０が配置される。図示の便宜上、詳細な構成は省略されているが、複数の増幅部２０は同じ構成を有し、その基本構成は図１の増幅部２０と同様である。各増幅部２０で、入射側のＰＤ１０２のモニタ出力と、ＥＤＦ１０９の後段に配置される出力側のＰＤ１１２のモニタ出力が、共通の演算／制御回路３０に入力される。
【００２０】
各増幅部２０は、励起光源としてＬＤ１０６を有する。励起用のＬＤには、９８０ｎｍ帯のＬＤと、１４８０ｎｍ帯のＬＤの２種類がある。一般的には、増幅時の自然放出光（ＡＳＥ：Amplified Spontaneous Emission）による雑音の発生が少なく、かつコストの低い９８０ｎｍ帯のＬＤが使われている。半導体ＬＤは、温度の変化により素子内部の屈折率が変化することで発振波長が変化する。発信波長の変化と同時に、量子効率（注入電流を光出力に変換する割合）が変化し、光出力が変化する。一般的に温度が高くなると波長は長波長側にシフトし、出力は低下する方向に変化する。
【００２１】
図５の例では、励起用のＬＤ１０６、ＥＤＦ１０９、入力モニタ用のＰＤ１０２、出力モニタ用のＰＤ１１２を含む増幅部２０が８セット搭載されている。ＬＤ１０６は、図２に示すようにＬＤ素子１２５と温度制御素子（ペルチェ素子）１２０を有している。アレイ構成として、ひとつの増幅部２０の８倍のサイズ（体積）を有する構成が求められるわけではなく、単純に乗算した体積よりも小さい体積内に収容する構成が求められる。その場合、より小さい体積内で複数（たとえば８個）のＬＤ１０６からの発熱を考慮しなければならない。
【００２２】
図６は、複数のＬＤ１０６を単純に並べたときに生じ得る課題を説明する図である。一般的に励起用のＬＤ１０６は、発振波長を一定にするために２５℃の温度を保つように制御されている。周囲温度が高くなると、ＬＤ１０６の温度を下げるために、ペルチェ素子１２０（図２参照）でより多くの電流量を消費し、周囲温度が低くなると、ＬＤ１０６の温度を上げて２５℃にするためにペルチェ素子１２０でより多くの電流が消費される。
【００２３】
図６に示すように、周囲温度が２５℃であれば、ペルチェ素子１２０に電流を流す必要がなく、温度制御のための電流量はゼロとなるが、ＬＤ１０６の制御温度と周囲温度との差が大きくなるにつれて、ペルチェ素子１２０に供給すべき電流量が増大する。周囲環境が高温の時や低温の時には、各ＬＤ１０６での消費電力、よく具体的にはペルチェ素子１２０へ供給する電流量が大きくなる。８個のＬＤ１０６を単純に並べると、周囲の温度変化につれて、ペルチェ素子１２０（図２参照）に供給すべき電流量が８倍になり、光増幅器アレイ５０全体での消費電力の増大がより顕著となる。この場合、大きな電流量を確保するために大容量の電流源が必要になるばかりでなく、ペルチェ素子１２０に供給する電流による発熱量も増大する。
【００２４】
そこで、以下の実施形態で、複数の増幅器を用いる光増幅器アレイにおいて、アレイ全体として消費電力の増大を抑制することのできる構成を提供する。
＜第１実施形態＞
図７は、第１実施形態の光増幅器アレイ５０Ａの配置構成を示す。図７の光増幅器アレイ５０Ａは、異なる温度に制御される２種類のＬＤ１０６ＡとＬＤ１０６Ｂを交互に配置する。ＬＤ１０６Ａの励起用のＬＤ素子１２５（図２参照）は、たとえば２５℃の一定温度に制御される。ＬＤ１０６Ｂの励起用のＬＤ素子１２５は、たとえば４５℃の一定温度に制御される。ＬＤ素子１２５の温度制御を行うことで、周囲の環境温度の変化により発振特性が変化することを防ぐ。光増幅器アレイ５０の内部では、ＬＤ１０６自体からの発熱や、演算／制御回路３０やその他の電気・電子部品からの発熱により、周囲温度が４５℃を超えて高温になる場合が多い。他方、使用場所や季節によっては、周囲温度が２５℃よりも低い温度になる場合もある。後述するように、２５℃に制御されるＬＤ１０６Ａと４５℃に制御されるＬＤ１０６Ｂを混合して搭載することで、特に周囲温度が制御温度から離れた領域で温度制御のための電流供給量の増加を抑制することができる。その結果、光増幅器アレイ全体での消費電力の増大を抑制することができる。
【００２５】
図８は、光増幅器アレイ５０の消費電力増大の抑制を説明する図である。図８（Ａ）において、２５℃制御のＬＤ１０６Ａのペルチェ電流を破線で示し、４５℃制御のＬＤ１０６Ｂのペルチェ電流を実線で示し、モジュール全体のペルチェ電流を太線で示す。２５℃制御のＬＤ１０６Ａでは、２５℃を境に周囲温度が低くなっても高くなってもペルチェ電流が増大する。４５℃制御のＬＤ１０６Ｂでは、４５℃を境に周囲温度が低くなっても高くなってもペルチェ電流量が増大する。異なる制御温度のＬＤ１０６ＡとＬＤ１０６Ｂを混載することで、制御温度から離れた高温領域と低温領域でペルチェ電流量の増大を抑制することができる。換言すると、ペルチェ素子１２０に供給されるトータルの駆動電流量の最大値を低く抑え、環境温度全体にわたってペルチェ電流量を分散化して電流量の増大を抑制する。
【００２６】
図８（Ｂ）に示すように、２５℃制御のＬＤ１０６Ａは、周囲温度が５５℃〜７０℃の高温領域でペルチェ電流が最も大きくなり、４５℃制御のＬＤ１０６Ｂは、周囲温度が０℃〜１５度の低温領域でペルチェ電流が最も大きくなる。モジュールあるいは光増幅器アレイ５０全体では、図８（Ａ）に示すように、周囲温度が２５℃〜４５℃の間でペルチェ電流量がほぼ一定量であり、周囲温度が４５℃よりも高くなる場合や２５℃よりも低くなる場合は、ペルチェ電流の変化の割合（傾き）が緩やかである。中温域のペルチェ電流が平均化されるとともに、制御温度から離れる低温領域、高温領域での極端な電流増加が抑制される。一般に、光伝送装置１の使用時は増幅器アレイ５０の内部温度は高温になりやすく、図６と比較して、特に高温時の消費電力の抑制効果が期待できる。
【００２７】
図７に戻って、２５℃制御のＬＤ１０６Ａと４５℃制御のＬＤ１０６Ｂを交互に配置することで、各ＬＤ１０６でのペルチェ素子１２０からの発熱量を分散化し平均化することができる。
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、アド側、ドロップ側に関係なく、隣接するポートで制御温度の異なるＬＤ１０６ＡとＬＤ１０６Ｂを使用する例を示した。現実的には、アド側、ドロップ側で実現すべき光特性（入力レベル、出力レベル）が異なるため、使用する励起用のＬＤ素子１２５に求められる出力パワーが異なる可能性が高い。そこで第２実施形態では、アド側のポートとドロップ側のポートを交互に配置して、互いに隣接する異なる機能のポートに制御温度の異なるＬＤ１０６を配置する。この構成は、ＬＤ１０６の温度制御に必要なペルチェ電流の最大値を低く抑えるとともに、ペルチェ素子１２０からの発熱を分散させて光特性への影響を低減することができる。
【００２８】
図９は、第２実施形態の光増幅器アレイ５０Ｂの配置構成を示す。図９の光増幅器アレイ５０Ｂでは、アド側のポートに挿入される増幅部２０Ｂと、ドロップ側のポートに挿入される増幅部２０Ａが交互に配置される。アド側の増幅部２０Ｂには、各送信機（Ｔｘ）からの光信号が入力され、ドロップ側の増幅部２０Ａの出力は各受信機（Ｒｘ）に供給される（図４参照）。
【００２９】
一例として、ドロップ側の増幅部２０Ａでは、２５℃に温度制御されるＬＤ１０６Ａが使用され、アド側の増幅部２０Ｂでは、４５℃に温度制御されるＬＤ１０６Ｂが配置される。一般に、送信側は大きな光出力を必要とし、増幅部２０Ｂの温度も高くなりやすいので、４５℃で供給すべきペルチェ電流が最小となるＬＤ１０６Ｂを用いる。受信側は、伝送路を伝搬してきた光信号を受け取るため、最適なゲインを得るために入力信号光をＬＤ１０６ＡとＥＤＦ１０９で増幅するが、送信側ほど大きな励起エネルギーを用いなくてもよい。そこで、２５℃で供給すべきペルチェ電流が最小となるＬＤ１０６Ａを用いる。
【００３０】
機能ごとに異なる制御温度のＬＤ１０６Ａ、１０６Ｂを配置することで、図８で説明したのと同様に、ペルチェ素子１２０を駆動するための最大電流量を低く抑えて、光増幅器アレイ５０Ｂ全体での消費電力と発熱量の増大を抑制することができる。また、光特性への影響を低減することができる。
＜適用例＞
図１０及び図１１は、実施形態の光増幅器アレイ５０をひとつのモジュール内にパッケージ化したアレイ型光増幅器モジュール５への適用例を示す。複数の増幅部２０をひとつのモジュール内に配置する場合、発熱量と消費電力の増大の抑制はさらに望まれる。図１０と図１１において、光増幅器アレイ５０は、第１実施形態の光増幅器アレイ５０Ａであってもよいし、第２実施形態の光増幅器アレイ５０Ｂであってもよい。
【００３１】
図１０及び図１１において、同じ種類の部品はプリント板６１上の同じ領域に配置されている。光部品であるＰＤ（入力モニタ用のＰＤと出力モニタ用のＰＤを含む）のグループはある領域に配置され、分岐カプラ、ＥＤＭカプラ、及びアイソレータは、ＰＤの配置領域に隣接して配置されている。また、ＤＳＰ３０やその他の電気・電子部品５１もそれぞれの領域に配置され、プリント板６１の外周に沿って、光ファイバの余長部分とＥＤＦが実装されている。
【００３２】
図１０の構成例では、ＬＤ配置領域５３に、異なる制御温度を有するＬＤ１０６ＡとＬＤ１０６Ｂが交互に配置されている。同じ制御温度のＬＤを分散配置することで、発熱を分散させ、アレイ型光増幅器モジュール５全体としての消費電力の増大を抑制する。
【００３３】
図１１の構成例では、第１の制御温度（たとえば２５℃）を有するＬＤ１０６ＡをＬＤ配置領域５３Ａにまとめて配置し、第２の制御温度（たとえば４５℃）を有するＬＤ１０６ＢをＬＤ配置領域５３Ｂに配置する。この配置は、アレイ型光増幅器モジュール５の内部構成や他の部品配置の関係から、アレイ型光増幅器モジュール５の内部で温度差が出やすい場合に有効である。
【００３４】
設計時に実施する熱シミュレーションから、アレイ型光増幅器モジュール５の内部部品の配置・搭載構成や、熱引きの良し悪しなどの熱環境の違いをあらかじめ知ることができる。高温になりやすい場所にＬＤ配置領域５３Ｂを設定し、高い温度に制御される励起用のＬＤ（たとえば４５℃に制御されるＬＤ１０６Ｂ）を配置する。ＬＤ配置領域５３Ｂと比較して高温になりにくい場所にＬＤ配置領域５３Ａを設定して、低い温度に制御される励起用のＬＤ（たとえば２５℃に制御されるＬＤ１０６Ａ）を配置する。
【００３５】
この構成により、各ＬＤの制御温度と周囲温度の差をなるべく小さくして、アレイ型光増幅器モジュール５全体の消費電力の増大を抑制することができる。
【００３６】
上述の実施形態及び適用例では、制御温度の異なる２種類の励起用のＬＤ１０６ＡとＬＤ１０６Ｂを用いる例を示したが、３種類以上の励起用のＬＤを使用する場合も同様の効果を得ることができる。
【００３７】
励起用のＬＤでは、一定温度に制御されるタイプ以外に、温度制御不要のものがある。温度制御不要のＬＤでは、温度変化によるＬＤ素子１２５の特性（主に光出力）の変化率が小さい素子を使用するが、ＬＤ素子１２５自体の性能として大きな出力は出せないという特徴がある。このため、任意の波長の信号をアドまたはドロップする光伝送装置１においては、光増幅による大きな出力の必要なアド側に温度制御不要の励起用のＬＤを適用することができない。そこで、アド側に温度制御を行うタイプの励起用のＬＤ１０６を使用し、光増幅後の光出力がアド側ほど高くなくてもよいドロップ側に、温度制御不要の励起用のＬＤを使用してもよい。この場合、温度制御するタイプの励起用のＬＤと、温度制御不要の励起用ＬＤを図１０のように分散配置することで、温度制御用の電流供給量を半分にして、アレイ型光増幅器モジュール５全体としての消費電力の増大を抑制するとともに発熱を分散することができる。
【００３８】
また、光増幅器アレイに、第１温度（たとえば２５℃）に制御される励起ＬＤを用いる第１増幅部と、第２温度（たとえば４５℃）に制御される励起ＬＤを用いる第２増幅部と、温度制御不要な励起ＬＤを用いる第３増幅部を搭載してもよい。第１増幅部〜第３増幅部は、交互に配置してもよいし、パッケージ内の他の部品の配置状況や熱分布に応じて分散配置してもよい。この場合も、アレイ全体で温度制御用の電流の最大供給量を抑制して消費電力の増大を防止することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１  光伝送装置
５  アレイ型光増幅器モジュール
１０  光増幅モジュール
１１add、１４add  波長選択スイッチ（アド側）
１１drop、１４drop 波長選択スイッチ（ドロップ側）
１２−１，１３−１  光増幅器（プリアンプ）
１２−２、１３−２  光増幅器（ポストアンプ）
２０  増幅部
２０Ａ  増幅部（第１増幅部）
２０Ｂ  増幅部（第２増幅部）
３０  演算／制御回路
５０、５０Ａ、５０Ｂ  光増幅器アレイ
５３  ＬＤ配置領域
５３Ａ  第１のＬＤ配置領域
５３Ｂ  第２のＬＤ配置領域
１０６  ＬＤ（励起光源）
１０６Ａ  ＬＤ（第１の励起光源）
１０６Ｂ  ＬＤ（第２の励起光源）
１２０  ペルチェ素子（温度制御素子）
１２２  温度センサ
１２５  ＬＤ素子
１６１  プリント板
Ｐ１〜Ｐ４  ドロップ側ポート
Ｐ５〜Ｐ８  アド側ポート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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