(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持デバイス及び該基板保持デバイスを搬送するための搬送システムを有する基板搬送デバイスであって、
前記基板保持デバイスは、
・空洞を備えるキャリア・プレートであって、前記空洞が前記キャリア・プレートの上側から前記キャリア・プレートを通って前記キャリア・プレートの下側まで延在する、キャリア・プレートと、
・フレーム開口部及び前記空洞内に基板を保持するための支持表面を有する保持フレームであって、前記支持表面が前記フレーム開口部を取り囲み、前記フレーム開口部は前記保持フレームを貫通して延在する、保持フレームと、を備え、
・前記空洞内に挿入された前記保持フレームが、前記キャリア・プレート上に部分的に設置され、
・前記キャリア・プレートを搬送するために、互いに平行に延在する２つの支持領域において前記キャリア・プレートが支持され、前記空洞は前記２つの支持領域の間に配置され、
前記搬送システムは、前記基板保持デバイスの前記キャリア・プレートが前記２つの支持領域でのみ支持されるように、２つの保持要素を備える、
基板搬送デバイス。
【請求項２】
基板保持デバイスが、前記保持フレーム上に部分的に設置される、さらなる保持フレームをさらに備える、請求項１に記載の基板搬送デバイス。
【請求項３】
前記空洞内に配設された前記保持フレーム及び前記さらなる保持フレームの間に前記基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、前記保持フレーム及び前記さらなる保持フレームが配設される、
請求項２に記載の基板搬送デバイス。
【請求項４】
前記さらなる保持フレームが、前記基板の上方にさらなる基板を保持するためのさらなる支持表面を有する、
請求項２又は３に記載の基板搬送デバイス。
【請求項５】
前記保持フレーム及び前記さらなる保持フレームは、前記さらなる保持フレームが前記保持フレーム上に載置されるとき、前記保持フレーム及び前記さらなる保持フレームが形状結合して相互に係合するように配設される、
請求項２から４のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項６】
前記保持フレーム及び前記さらなる保持フレームが、対として相互に適合する複数のセンタリング構造を備え、これにより、前記保持フレーム及び前記さらなる保持フレームは、前記さらなる保持フレームが前記保持フレーム上に載置されるときに、互いにセンタリングされる、
請求項５に記載の基板搬送デバイス。
【請求項７】
前記保持フレーム及び前記さらなる保持フレームのそれぞれの内周壁が面取り部を有する、
請求項２から６のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項８】
前記基板保持デバイスは、別のさらなる保持フレームをさらに備え、
前記別のさらなる保持フレームと前記さらなる保持フレームとの間にさらなる基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、前記別のさらなる保持フレームが前記空洞内に挿入され、前記さらなる保持フレームの上方に配置される、
請求項２から７のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項９】
前記基板保持デバイスは、
前記保持フレームと前記さらなる保持フレームとの間の間隙を排気するための通気開口部をさらに備える、請求項２から８のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１０】
前記保持フレーム及びさらなる保持フレームが、前記空洞に適合するように、４つの外側角部分を有する実質的に直方体形状の外側輪郭を備え、前記保持フレーム及びさらなる保持フレームが前記４つの外側角部分において、対として相互に適合するセンタリング構造をそれぞれ備える、
請求項２から９のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１１】
前記空洞が実質的に直方体形状でありかつ４つの角領域を有し、前記保持フレームが、前記空洞の前記角領域内でのみ、前記キャリア・プレート上に設置される、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１２】
前記保持フレームが、
前記支持表面に隣接しかつこれを少なくとも部分的に取り囲む、凹部をさらに備える、請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１３】
前記凹部が前記保持フレームの内周壁に隣接する、
請求項１２に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１４】
前記支持表面が平面状である、
請求項１から１３のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１５】
前記保持フレームが金属を備えるか又は金属から形成される、
請求項１から１４のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１６】
前記保持フレームが、プラスチック材料及び／又は複合材料を備えるか又はこれらから形成される、
請求項１から１４のいずれか一項に記載の基板搬送デバイス。
【請求項１７】
・処理チャンバの処理領域内で複数の基板の両面を処理するための、前記処理チャンバと、
・前記複数の基板を前記処理領域内に搬送及び／又は配置するための、請求項１から１６のいずれか一項に記載の基板搬送デバイスと、
を備える、処理アセンブリ。
【請求項１８】
２つの処理デバイスをさらに備え、前記搬送システムが、前記基板保持デバイスを前記２つの処理デバイス間に搬送及び／又は配置するように配設される、
請求項１７に記載の処理アセンブリ。
【請求項１９】
基板を処理するための方法であって、
・前記基板を保持するための保持フレームをキャリア・プレートの空洞内に挿入するステップであって、前記保持フレームが前記基板を支持するための支持表面を有する、ステップと、
・前記基板を前記保持フレームの前記支持表面上に載置するステップと、
・前記基板が前記保持フレームによって前記空洞内に保持されている間に、フレーム開口部を介して前記基板を処理するステップと、
・前記キャリア・プレートを搬送するステップであって、前記キャリア・プレートは、前記空洞が間に配置されている互いに平行に延在する２つの支持領域でのみ支持される、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２０】
基板保持デバイスであって、
・キャリア・プレートと、
・前記基板保持デバイスが搬送されるために支持され得る、互いに平行に延在する２つの支持領域と、
・前記２つの支持領域間に配設される複数の基板載置領域であって、前記基板載置領域の各々が空洞を備え、前記空洞が前記キャリア・プレートの上側から前記キャリア・プレートを通って前記キャリア・プレートの下側まで延在し、前記基板載置領域の各々が、フレーム開口部及び前記空洞内に基板を保持するための支持表面を有する保持フレームを備え、前記支持表面が前記フレーム開口部を取り囲み、前記フレーム開口部は前記保持フレームを貫通して延在する、複数の基板載置領域と、を備え、
・前記空洞内に挿入された前記保持フレームが、前記キャリア・プレート上に部分的に設置される、基板保持デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持デバイス、基板搬送デバイス、処理アセンブリ、及び基板を処理するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１つの基板又は複数の基板、例えばウエハ又は他のプレート形状の基板は、通常、例えばコーティング工程（又は基板を処置するための任意の他の工程）の間、基板キャリアによって保持され得る。本明細書における基板キャリアは、例えば１つの基板若しくは複数の基板をコーティング・チャンバ内の所定の位置に保持するために、また前記１つの基板若しくは複数の基板をコーティング・チャンバの中で搬送するために、及び／又は前記１つの基板若しくは複数の基板をコーティング・チャンバ内で移動させるために、利用され得る。例えば、基板が固定されずに置かれるだけの基板キャリアが従来使用されているが、この場合基板は、例えば真空チャンバが通気されるときに侵入を許される空気のせいで、容易に基板キャリアから脱落し得る。したがって、従来の基板キャリアは、基板上に設置されこの基板の重りとなるか又は基板を基板キャリア上に押圧する、カバー要素をそれぞれ有し得る。代替的に、例えば、ウエハが２つの可撓性構造間に（例えば２つのゴムリングの間に）挟み込まれ、この結果取り付け具内に固定される。
【０００３】
基板キャリアと基板又は基板用支持表面のそれぞれとの間の機械的な固定は、基板を損傷する可能性のある機械的応力を生成し得る。例えば、支持表面の僅かな変形でさえ、その上に設置される基板に対する点状の応力に、及び／又は、基板のこれらの部分の、それらの上に完全には定着しない寄生コーティング（アンダースパッタリング）につながり得る。
【０００４】
基板キャリアは従来、互いに並んで保持される基板の片面（すなわち前記基板の表面）のコーティングを可能にするコーティング設備とともに使用される。裏面のコーティングが必要とされる場合、基板は裏返しにされ、例えば、この裏面の同一の又は異なるコーティングが行われるときでさえ、やはり片面のみが処理される。代替的に、基板キャリアは、互いに並んで保持される基板の両面（すなわち前記基板の表面及び裏面）のコーティングを可能にするコーティング設備とともに使用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板階層の両面をコーティングするように想定されるコーティング設備において、片面だけのコーティングが行われる（すなわち例示として基板の表面だけがコーティングされる）場合、そのコーティング設備の処理能力は半分になり、このことは前記コーティング設備の経済的側面を犠牲にする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
様々な実施形態によれば、基板キャリア（キャリア・フレーム又はキャリアとも呼ばれ得る）とその１つ又は複数の基板載置領域（ポケットとも呼ばれ得る）との間の機械的及び／又は幾何学的切り離しが提供される。この目的のために、それぞれの基板が基板載置領域内に保持され得る手段となる、１つ又は複数の保持フレーム（マスクとも呼ばれ得る）が提供される。
【０００７】
例えば、機械的切り離しは、基板キャリアのどのような変形からも独立して、各基板載置領域（個々のポケット）において基板を確実に支持することを可能にする。このおかげで、例えば、基板の支持に対して作用する（例えば最大２００℃の温度における）熱機械的変形、言い換えれば熱歪みの影響が低減される。
【０００８】
幾何学的切り離しは、基板又は基板載置領域上で、基板キャリアから独立して修正及び／又は改良がそれぞれ実行されることを可能にする。代替的に又は付加的に、個々の基板載置領域又は保持フレームはそれぞれ、前記個々の基板載置領域又は保持フレームが摩耗又は損傷した場合には、個々に交換され得る。このことは、基板キャリアが継続的に使用されること、修正及び／又は取り換えが行われる必要のないことを可能にする。
【０００９】
様々な実施形態によれば、１つ又は複数の基板（例えばウエハ）は、例えばその周縁被覆との関係においても、正確に配置され得る（言い換えれば、基板は全体に周縁領域を介して設置され得る）。さらに、様々な実施形態によれば、保持フレームが提供され、その支持表面は、基板との関係において提供される公差が適合されることを可能にする。このことは、例えば異なる製造ユニットからの、製造に関連したばらつきを有する基板の使用を容易にし得る。代替的に又は付加的に、基板を有する基板キャリアの自動化されたピッキング及び載置がこの場合、例えばロボットによるピッキング及び載置によって、容易にされ得る。例えば、公差は、例えば基板キャリアを修正する必要なく、基板が（ウエハの取り回しのための）自動化されたデバイスを介して載置されているときの変動に、及び／又は前記基板の製造ばらつきに合わせて、適合され得る。さらに、例えば、その中に載置される保持フレームが要求される条件に合わせて調整される及び／又は取り換えられるという形で、異なる基板タイプ及び／又は方法のために、標準的な基板キャリアが使用され得る。例えば、異種の基板タイプでさえ、基板キャリアによって一緒に搬送され得る。このことはそれぞれ、より大きなフレキシブル性を可能にし、適合する基板キャリアの手持ちを減らし、運用又は改修のためのコストを低減する。
【００１０】
様々な実施形態によれば、基板の両面にマスキングが提供され得るが、これは例えば、追加の上側マスク（例えば第２又は第３保持フレーム）が基板上に載置される（及び例示としてこの基板を部分的に覆う）という形である。例えば、両面にマスキングを有する基板保持物（例示としてサンドイッチ保持物）が提供され得る。
【００１１】
様々な実施形態によれば、正確かつ再現可能なマスキングが提供される。例えば、下側マスク及び上側マスクは、（例えばセンタリング特徴部によって）互いに位置合わせされ得る。このことは、基板の及び／又は連続的に処理される基板の、上側及び下側の合同のマスキングを可能にする。代替的に又は付加的に、上側マスク及び下側マスクに対するセンタリングは、例えばロボットによるピッキング及び載置によって、マスクを有する基板キャリアの自動化されたピッキング及び載置（自動化された取り回し）を可能にする。
【００１２】
様々な実施形態によれば、基板は、例えば搬送中及び／又は処理中に、載置された位置内でより確実に保持され得る。したがって、（例えば搬送中の振動及び／又は圧力差によって引き起こされる振動のせいで）基板の位置がずらされることが防止され得る。例えば、上側マスクは基板上に載置され得、この上側マスクは、例えば基板が基板キャリアから飛び出すのに対抗するために、基板が押さえつけられることをもたらす（ダウンホルダ効果）。
【００１３】
様々な実施形態によれば、保持フレームの及びその中に載置される基板の幾何学形状は、前記保持フレーム及び前記基板が処理に対して相互保護するように、互いに配設され得る。例えば、基板の周縁領域は、保持フレームの支持表面及び／又は挿入輪郭（Einlegekontur）を処理作用から確実に保護し得る。例えば、スパッタリングによる被覆からの下側マスクのマスク基部（挿入輪郭）の保護が、このように提供され得る。
【００１４】
様々な実施形態によれば、寄生コーティングに起因する保持フレーム内での基板の支持が弱まるのを抑えられるように、保持フレームが提供される。例示として、保持フレームにおいて、例えば下側マスク基部（ポケット）において、凹部（例えばクリアランス溝（Freistich）及び／又はアンダーカット(Hinterschnitt)）が提供され得る。凹部は、基板が（例えばスパッタリングによって）上側マスク無しでコーティングされているとき、（例えばマスク基部内の）支持表面上の材料の堆積（寄生コーティング）を低減する。したがって、寄生コーティングが局所化された隆起を形成することが防止され得る。これらの隆起は、基板の（平面状の支持表面から逸脱する）支持の変化につながるものである。
【００１５】
様々な実施形態によれば、保持フレームの製造は、単純化されより利便性の高いものとされ得る。保持フレーム（例えば上側マスク）は例示として、真空に好適なプラスチック材料及び／又は複合材料から、例えば射出成形法によって製造され得る。この結果、より高い精度で及び／又は比較的低い投資コストで、費用効果高く、大量に製造され得る。保持フレームは、射出成形によって大量に迅速に製造可能であり、納品可能である。
【００１６】
様々な実施形態によれば、製造するのに費用効果の高い保持フレームは、使い捨ての部品（新しい部品）として使用され得る。このことは、寸法精度及び表面粗さに関して、検査された均一な品質が提供されることを可能にする。この結果、複数回使用の部品の場合に保持フレームの再生（新品調整（neukonditionierung））の際の、予想可能な及び予想不可能な付随コストが低減され得る。これらのコストは、例えば、周縁を処理する際の機械的変形のリスクによる、搬送による、クリーニングによる、再粗面処理による、倉庫保管による、及び各再生後の保持フレームの再検査による、ものであり、再利用可能部品において生じ得る。
【００１７】
代替的に又は付加的に、プラスチック材料及び／又は複合材料は、保持フレームの（例えばエッチング剤による）化学的クリーニングを可能にする。したがって保持フレームの再生（新品調整）において生じ得る、予想可能な及び予想不可能な付随コストが低減され得る。これらのコストは例えば、周縁を処理する場合の機械的変形のリスクによる、クリーニングによる、再粗面処理による、及び各再生後の保持フレームの再検査によるものである。プラスチック材料及び／又は複合材料は、例示としてエッチングストップとして働き得る。
【００１８】
様々な実施形態によれば、空洞を有するキャリア・プレート、及び空洞内に基板を保持するためのフレーム開口部を有する保持フレームが提供される。
【００１９】
保持フレームは任意選択的に、プラスチック材料又は複合材料を含み得るか、又はこれらから形成され得る。任意選択的に、第２保持フレームが使用され得る。保持フレームは任意選択で、凹部を有し得る。任意選択的に、生産性を高めるために、挿入領域（einlegebereich）あたり２つの基板の同時片面処理が提供される。
【００２０】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、以下の構成、すなわち、空洞を有するキャリア・プレートであって、空洞がキャリア・プレートの上側からキャリア・プレートを通ってキャリア・プレートの下側まで延在するキャリア・プレートと、フレーム開口部及び空洞内に基板を保持するための支持表面を有する保持フレーム（第１保持フレームとも呼ばれる）であって、前記支持表面がフレーム開口部を取り囲む、保持フレームと、を有することができ、この場合、空洞に挿入された保持フレームは、部分的にキャリア・プレート上に設置される。
【００２１】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、保持フレーム上に部分的に設置されるさらなる保持フレーム（第２保持フレームとも呼ばれる）をさらに有し得る。
【００２２】
様々な実施形態によれば、空洞内に配置された２つの保持フレーム（第１保持フレーム及び第２保持フレーム）は、２つの保持フレーム間に基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように配設され得る。
【００２３】
様々な実施形態によれば、さらなる保持フレームは、基板（第１基板とも呼ばれる）の上方にさらなる基板（第２基板とも呼ばれる）を保持するための、さらなる支持表面（第２支持表面とも呼ばれる）を有し得る。
【００２４】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレームは、さらなる保持フレームが保持フレーム上に載置されるとき、これらが形状結合して相互に係合するように配設され得る。
【００２５】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレームは、対として相互に適合するセンタリング構造を備えることができ、従って、２つの保持フレームは、さらなる保持フレームが保持フレーム上に載置される際に、相互にセンタリングされる。
【００２６】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレームのそれぞれの内周壁は、面取り部を有し得る。
【００２７】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、別のさらなる保持フレーム（第３保持フレームとも呼ばれる）をさらに有することができ、この場合、別のさらなる保持フレームは、空洞内に挿入されるとき、別のさらなる保持フレームとさらなる保持フレームとの間にさらなる基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、さらなる保持フレームの上方に配置される。
【００２８】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、保持フレームとさらなる保持フレームとの間の間隙を排気するための通気開口部をさらに有し得る。
【００２９】
様々な実施形態によれば、保持フレームは、支持表面に隣接しこれを少なくとも部分的に取り囲む凹部をさらに有し得る。
【００３０】
様々な実施形態によれば、凹部は、保持フレームの内周壁に隣接し得る。
【００３１】
様々な実施形態によれば、空洞は、実質的に直方体形状とすること、及び４つの角領域を有することができ、この場合、保持フレームは、空洞の角領域内でのみ、キャリア・プレート上に設置される。
【００３２】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレームは、空洞に適合し、４つの外側角部分を有する実質的に直方体形状の外側輪郭を有することができ、またこの場合、２つの保持フレームは４つの外側角部分において、対として相互に適合するセンタリング構造を各々有する。
【００３３】
様々な実施形態によれば、支持表面は平面状とすることができる。
【００３４】
様々な実施形態によれば、保持フレームは、金属を含み得るか又は金属から形成される。
【００３５】
様々な実施形態によれば、保持フレームは、プラスチック材料及び／又は複合材料を含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【００３６】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、キャリア・プレートを搬送するためにキャリア・プレートが支持され得る２つの保持領域をさらに有することができ、この場合、空洞は２つの保持領域間に配置又は配設される。
【００３７】
様々な実施形態によれば、基板搬送デバイスは、以下の構成、すなわち、様々な実施形態による基板保持デバイスと、基板保持デバイスを搬送するための搬送システムであって、基板保持デバイスのキャリア・プレートが２つの保持領域でのみ保持されるように、２つの保持要素を有する、搬送システムと、を有し得る。
【００３８】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは以下の構成、すなわち、処理チャンバの処理領域内で複数の基板の両面を処理するための処理チャンバと、複数の基板を処理領域（処置領域とも呼ばれる）内に搬送及び／又は配置するための、様々な実施形態による基板搬送デバイスと、を有し得る。
【００３９】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは、以下、すなわち、２つの処理デバイス（処置デバイスとも呼ばれる）をさらに有することができ、この場合、搬送システムは、２つの処理デバイス間で基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するように配設される。
【００４０】
様々な実施形態によれば、基板を処理するための方法は、以下のステップ、すなわち、基板を保持するための保持フレームをキャリア・プレートの空洞内に挿入するステップであって、保持フレームが基板を載置するための支持表面を有する、挿入するステップと、基板を保持フレームの支持表面上へと挿入するステップと、基板が保持フレームによって空洞内に保持されている間にフレーム開口部を通してこの基板を処理するステップ及び／又は基板が保持フレームによって空洞内に保持されている間にこの基板を搬送するステップと、を含み得る。
【００４１】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、以下、すなわち、キャリア・プレートと、基板保持デバイスが搬送されるようにこの基板保持デバイスが支持され得る場所である、互いに平行に延在する２つの支持領域と、２つの支持領域間に配設される複数の基板載置領域であって、前記基板載置領域の各々がキャリア・プレートの上側からキャリア・プレートを通ってキャリア・プレートの下側まで延在する空洞を有し、前記基板載置領域の各々が空洞内に基板を保持するためのフレーム開口部及び支持表面を有する保持フレームを有し、前記支持表面が前記フレーム開口部を取り囲み、空洞内に挿入された保持フレームがキャリア・プレート上に部分的に設置される、基板載置領域と、を有し得る。
【００４２】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス（基板ホルダ、基板キャリア、又はウエハキャリアとも呼ばれる）が提供され、これにより、１つの基板又は複数の基板が保持され得、この場合、基板保持デバイスは、それぞれの空洞内に挿入される２つのフレーム（保持フレーム若しくは保持マスク、又はそれぞれ下側フレーム及び上側フレーム若しくは下側マスク及び上側マスクとも呼ばれる）によって中にそれぞれの基板が保持され得る１つ又は複数の空洞を有するキャリア・プレートを有し、この場合、基板は２つのフレーム間に配設される。例えば、それぞれの基板は、下方のフレーム（下側フレーム）上に設置され得、上方のフレーム（上側フレーム）とどのような直接的な物理的接触も有さないことが可能である。本明細書における基板保持デバイスは、キャリア・プレート内の２つのフレーム（又は少なくとも１つのフレーム）が、キャリア・プレートのそれぞれの空洞内に挿入されているとき、センタリングされ所定の位置及び／又は整列関係をとるように配設され得る。本明細書における上側フレームは、下側フレーム上にのみ設置され得る。又は言い換えれば、２つのフレームのうちの一方のみがキャリア・プレートに接触することができ、この結果、キャリア・プレートに何らかの変化があるときに、例えばキャリア・プレートが撓むときに、２つのフレームの相対位置が変化させられないようになっている。このことは、２つのフレーム間で基板の一部を受容するための受容空間が提供され得るために要求され得る。例えば、前記受容空間は、基板厚さよりも最小限の量だけ高い。例えば、２つのフレーム間の受容空間内に受容される基板は、０．５ｍｍ未満である、上側フレームからの間隔を有し得る。言い換えれば、２つのフレーム間の受容空間は、受容されることになる基板の基板厚さよりも、約０．５ｍｍ（例えば０．１ｍｍから０．５ｍｍ）未満だけ高くすることができる。
【００４３】
様々な実施形態によれば、２つのフレームは、例えば、第１フレーム対が第１基板のために使用され、第１フレーム対とは異なる第２フレーム対が第１基板とは異なる第２基板のために使用されるように、受容されることになる基板の形状及び厚さに適合され得る。
【００４４】
様々な実施形態によれば、下側フレーム及び上側フレームは、上側フレームが下側フレーム内に形状結合して係合することができかつ上側フレームが下側フレームに対して所定の位置に留まるように配設され得る、例えば、それぞれの相互に適合するセンタリング構造を有し得る。さらに、１つ又は複数の部分、例えば周縁部分又は角部分を有する下側フレームは、下側フレームが（例えば、下側フレーム上に設置されている上側フレームと一緒に）キャリア・プレートの空洞内に配設され得るように、キャリア・プレートに設置され得る。
【００４５】
様々な実施形態によれば、下側フレーム及びキャリア・プレートは、例えば、下側フレームが形状結合して空洞内に係合することができる、及び下側フレームが空洞に対して所定の位置に留まるように配設され得る。例えば、キャリア・プレートの空洞の内側輪郭が、下側フレームの外側輪郭に適合するように提供され得る。さらに、下側フレームとキャリア・プレートとの間の、例えば空洞の内側輪郭と下側フレームの外側輪郭との間の間隙は、キャリア・プレートが変化させられているときに、例えばキャリア・プレートが撓むときに、下側フレームができる限り少ししか影響されないように提供され得る。本明細書における下側フレームは、キャリア・プレートの表面のみと物理的に接触していることができる。
【００４６】
キャリア・プレート内の両方のフレームの位置はこの場合、例えば重力によって規定され得る。例えば、本明細書に記載される基板キャリアは、基板の水平方向の取り回しにとって好適であり得る（例えば、基板を有するキャリア・プレートは、垂直方向に載置され得ないか、又は基板がそれらの位置に留まることが想定されるときに裏返しにされ得ない）。その理由は、１つのフレーム又は複数のフレームは、重力によって空洞内に留まるからである。
【００４７】
様々な実施形態によれば、保持フレームは、基板が２つの保持フレームの間に配設されるとき、基板の一部を覆い得る。上側フレームは例示として、基板の上側表面を部分的に覆い得る。例えば、上側フレームは、基板の周縁領域を上方から覆い得る。さらに、基板の上側表面の中央領域は開放されたままであることができ、この結果、基板の中央領域が処置、例えばコーティングされ得るようになっている。下側フレームは例示として、基板の下側表面（上側表面の反対側）を部分的に覆い得る。例えば、下側フレームは、基板の周縁領域を下方から覆い得る。さらに、基板の下側表面の中央領域は開放されたままとすることができ、この結果、基板の中央領域が処置、例えばコーティングされ得るようになっている。
【００４８】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、以下の構成を有することができる。すなわち、第１保持フレーム及び第２保持フレームによって空洞内に基板を保持するための、これら２つの保持フレームを（少なくとも部分的に）受容するための空洞を有する、キャリア・プレートを有することができる。この場合、空洞は、キャリア・プレートの上側からキャリア・プレートを通ってキャリア・プレートの下側まで延在し、空洞内に挿入された第１保持フレームは、キャリア・プレート上に部分的に設置され、またこの場合、第２保持フレームは、第１保持フレーム上に部分的に（例えばそこにのみ）設置され、空洞内に配置された保持フレームの間に、又は空洞内に挿入された保持フレームの間に、基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、２つの保持フレームが配設される。本明細書における基板は、第１保持フレーム上にのみ設置され得る。第１保持フレームは、下側フレーム又は下側マスクとも呼ばれ得るか又は呼ばれることになる。第２保持フレームは、上側フレーム又は上側マスクとも呼ばれ得るか又は呼ばれることになる。基板はこの場合、例えば、基板保持デバイスによって保持され得、また両面を処置され得る。
【００４９】
さらに、２つの保持フレームは、第２保持フレームが第１保持フレーム上に載置されているときに、２つの保持フレームが形状結合して相互に係合するように配設され得る（例えば、横方向センタリング構造を有し得る）。さらに、２つの保持フレームは、第２保持フレームが第１保持フレーム上に載置されているときに、２つの保持フレームが２つの異なる（例えば互いに対して垂直な）方向において形状結合を形成するように配設され得る（例えば、横方向センタリング構造及び設置構造を有し得る）。本明細書における圧入は、例えば、重力のみによって確立され得る。代替的に、保持フレームのうちの少なくとも１つは挟持され得る。
【００５０】
さらに、２つの保持フレームは、第２保持フレームが第１保持フレーム上に載置されているときに、対として相互に適合して２つの保持フレームが互いに（例えば横方向に）センタリングされるようにする、複数のセンタリング構造（センタリング要素又はセンタリング輪郭とも呼ばれる）を有し得る。
【００５１】
例えば第１保持フレームにおけるセンタリング構造として、空洞が設けられ得る。さらに、第２保持フレームは、センタリング構造として、第１保持フレームにおける空洞と適合する突起を有し得る。様々な実施形態によれば、対として相互に適合する２つのセンタリング構造は、第１保持フレーム上での第２保持フレームの載置及びセンタリングが単純化されるように配設され得る（例えば、センタリング構造は、面取り部又は導入傾斜部を有し得るか又は提供し得る）。
【００５２】
さらに、２つの保持フレームのそれぞれの内周壁は、面取り部を有し得る。言い換えれば、第１保持フレーム及び／又は第２保持フレームは、その内周壁に斜角を付けられている。基板はこの場合、例えば、コーティングされるときに２つの保持フレームにより陰となる部分が、より小さくなり得る。
【００５３】
さらに、空洞は、実質的に矩形の箱の形状とすること、及び４つの角領域を有することができ、この場合、第１保持フレームは、空洞の角領域内でのみ、キャリア・プレート上に設置される。このことは、キャリア・プレートが（例えばキャリア・プレートの幅に沿って）撓むときに、空洞内の２つの保持フレームのより良好な安定性を実現し得る。
【００５４】
さらに、２つの保持フレームは、空洞に適合するように、４つの外側角部分を有する実質的に矩形の箱の形状の外側輪郭を有することができ、この場合、２つの保持フレームは４つの外側角部分において、対として相互に適合するセンタリング構造を各々有する。
【００５５】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、以下の構成、すなわち、互いに並んで（例えばキャリア・プレートの幅に沿って）配設される複数の空洞を有するキャリア・プレートを有し得る。この場合、空洞の各々は、第１保持フレーム及び第２保持フレームを受容するように配設されかつキャリア・プレートの上側からキャリア・プレートを通ってキャリア・プレートの下側まで延在する。またこの場合、空洞の各々内ではキャリア・プレート上に第１保持フレームが部分的に設置され、また、第２保持フレームが第１保持フレーム上に部分的に（例えばそこにのみ）設置され、この場合、各空洞内に配置された２つの保持フレーム又は各空洞内に挿入された２つの保持フレーム間に、基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、２つの保持フレームが配設される。この場合、キャリア・プレートは、キャリア・プレートを搬送するためにキャリア・プレートが支持され得る２つの保持領域を有し、この場合、互いに並んで配設される複数の空洞は、２つの保持領域間に配設される。
【００５６】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレーム及びそれぞれの空洞は、それぞれの空洞内に挿入された２つの保持フレームがキャリア・プレートと面一に（例えば、少なくともキャリア・プレートの片面で）終端するように設けられ得る。
【００５７】
様々な実施形態によれば、例えば、２つの保持フレームは、基板がコーティングされているときにセンタリング構造が一緒にコーティングされないように、このセンタリング構造が覆われて配設されるように提供され得る。２つの保持フレームの規定された相互の相対位置はこの場合、例えば、センタリング構造がコーティングされていることにより変化させられ得ない。
【００５８】
様々な実施形態によれば、基板搬送デバイスは、以下、すなわち、（本明細書に記載されるような）基板保持デバイスと、基板保持デバイスを搬送するための搬送システムであって、基板保持デバイスのキャリア・プレートが２つの保持領域でのみ保持されるように２つの保持要素を有する、搬送システムと、を有し得る。
【００５９】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは以下、すなわち、処理チャンバの処理領域内で複数の基板の両面を処理するための処理チャンバと、複数の基板を処理領域内に搬送及び／又は配置するための、（本明細書に記載されるような）基板搬送デバイスと、を有し得る。
【００６０】
様々な実施形態によれば、基板を処理するための方法は、以下のステップ、すなわち、基板を保持するための第１保持フレームをキャリア・プレートの空洞内に挿入するステップであって、第１保持フレームが基板を載置するための平面状の支持表面を有する、挿入するステップと、基板を空洞内の第１保持フレームの平面状の支持表面上へと挿入するステップと、第２保持フレームを第１保持フレーム上に載置するステップであって、基板が２つの保持フレーム間に配置されるように、２つの保持フレームが配設され、基板が第１保持フレーム上にのみ配設されるように第２保持フレームと基板との間に間隙が残っている、載置するステップと、を含み得る。
【００６１】
さらに、第１保持フレームの及び／又は第２保持フレームの嵌め込みは、磁気グリッパ又は吸着グリッパ（真空グリッパとも呼ばれる）によって行われ得る。この目的のために、保持フレーム上に設けられ得る係合面は、グリッパに適合され得る。
【００６２】
さらに、２つの保持フレームは、キャリア・プレートの空洞内に挿入された後、又はキャリア・プレート上に載置された後、センタリングされたて空洞内に保持され得、この場合、２つの保持フレームは、２つの保持フレーム間に基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように配設される。基板のこの周縁部分は、例えば設置部として機能すること、及び基板の鉛直方向の保持部／配置部を形成することができる。本明細書における基板の周縁部分は、コーティング工程が実行されているときに一緒にコーティングされ得ない。
【００６３】
さらに、空洞は、矩形の箱の形状とすること、及び４つの角領域（内側角領域）を有することができる。さらに、空洞は、角柱状とすること、及び３つ又は４つ以上の角領域（内側角領域）を有することができる。例えば、空洞の角領域は、第１保持フレームのためのセンタリング領域として適合され得る。さらに、第１保持フレームの角領域は、第２保持フレームのためのセンタリング領域として適合され得る。空洞はさらに、円筒状とすることができる。
【００６４】
例えば、第１保持フレーム及び／又は第２保持フレームは、４つの角部分（外側角部分）を有する矩形の箱の形状の外側輪郭を有し得る。この場合、第１保持フレームの又は第２保持フレームの４つの角部分の各々において、第２保持フレームをセンタリングされて載置するためのそれぞれのセンタリング部分がそれぞれ提供される。さらに、第１保持フレーム及び／又は第２保持フレームは、３つ又は４つ以上の角部分（外側角部分）を有する角柱状の外側輪郭を有し得る。この場合、第１保持フレームの又は第２保持フレームの３つ又は４つ以上の角部分の各々において、第２保持フレームをセンタリングされて載置するためのそれぞれのセンタリング部分がそれぞれ提供される。第１保持フレームの又は第２保持フレームの角部分はそれぞれ、例示として、第２保持フレームをセンタリングされて載置するためのセンタリング部分として適合され得る。さらに、第１保持フレーム及び／又は第２保持フレームは、円筒状の外側輪郭を有し得る。
【００６５】
様々な実施形態によれば、方法サイクル毎に、例えば基板保持デバイスが処理システムの中を搬送されている間に、処理され得る基板の数を増やす、方法、基板保持デバイス、及び、処理システムが提供される。このおかげで、処理コストが低減され、また真空システムにおける基板の処理が経済的なものとなる。このことは、真空システムにおける基板の処理を、他の処理技術と比較してより競争力の高いものにする。
【００６６】
様々な実施形態によれば、基板スタック（上下の関係で配設される少なくとも２つの基板、並びに任意選択で少なくとも１つの間挿されるさらなる要素、例えば分離要素及び／又はさらなる基板を有する）が、下方に存在する基板（すなわちその下側）及び上に存在する基板（すなわちその上側）が処理され得るように、基板保持デバイスの基板受容空洞内に例示として配設される。言い換えれば、少なくともこれら２つの基板は、基板受容空洞ごとに処理され得る。このようにして、少なくとも２つの基板は、上に存在する基板は上側が処理され得る上側基板階層を形成し下方に存在する基板は下側が処理され得る下側基板階層を形成するように、基板保持デバイスの各空洞内に上下の関係で配設され得る。
【００６７】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス（基板ホルダ、基板キャリア、又はウエハキャリアとも呼ばれる）が提供される。これによって、２つの基板の各々が片面を処理され得るように、基板受容空洞あたり２つの基板が上下の関係で保持され得る。基板保持デバイスは、個々の基板階層の両面を処理するように想定される従来の処理システムが、例えば、前記従来の処理システムの処理能力が例示として可能な最大限度まで利用されるように、費用効果の高い手法で改修されることを可能にする。例示的には、従来の基板階層の下側の代わりに、第１（例示として下側の）基板階層が処理され、また従来の基板階層の上側の代わりに、第２（例示として上側の）基板階層が処理される。このことは、１方法サイクル毎に処理され得る基板の数を２倍にすることを可能にする。
【００６８】
処理されているとき、一緒に空洞内に嵌め込まれているか又は嵌め込まれるべき２つの基板（又は２つの基板階層、それぞれ）は、互いを保護する。このことは一般に、２つの基板（又は２つの基板階層、それぞれ）が、例えば異なる時点で又は異なる技術を用いて、異なるように処理されることを可能にする。例えば、上に位置する基板（又は上側基板階層、それぞれ）はクリーニングされ得、下方に位置する基板（又は下側基板階層それぞれ）はコーティングされ得る。２つの基板の（又は２つの基板階層の、それぞれの）処理は、同時に（並行して）、少なくとも部分的に（すなわち部分的に若しくは完全に）同時に、連続的に（順次）、又は少なくとも部分的に連続的に、行われ得る。
【００６９】
様々な実施形態によれば、方法は、以下のステップ、すなわち、（例えば少なくとも部分的に相互に重なっている）第１基板及び第２基板を有する基板スタックを基板保持デバイスの受容領域内に配設するステップであって、第１基板の第１面が第２基板の第１面に対向する、ステップと、第１基板の第１面と反対側の第１基板の第２面を処理するステップと、第２基板の第１面と反対側にありかつ第１基板の第２面から離れる方にある第２基板の第２面を処理するステップと、を含み得る。
【００７０】
様々な実施形態によれば、基板スタックの配設は、基板保持デバイスの支持表面上の第１基板、例えばその第２面が、例えば平面状の支持表面上に載置されるようにさせる。
【００７１】
第１基板の第１面は例示として、第１基板の上側と呼ばれ得、第１基板の第２面は例示として、第１基板の下側と呼ばれ得、第２基板の第１面は例示として、第２基板の下側と呼ばれ得、そして第２基板の第２面は例示として、第２基板の上側と呼ばれ得る。第２基板は例示として、例えば第１基板の上方に配設され得る。基板スタック及び／又は基板保持デバイスは、別の配向でも配設され得るか又は配設されることになる。
【００７２】
基板保持デバイスの受容領域は、基板保持デバイスの空洞及び／又は支持表面によって画定され得るか又は少なくとも境界付けられ得る。受容領域は、例えば空洞内に延在し得る。代替的に又は付加的に、受容領域は、例えば、支持表面にわたって少なくとも部分的に（すなわち部分的に又は完全に）延在し得る。様々な実施形態によれば、第１基板及び第２基板は、基板保持デバイスの共通の受容領域内に嵌め込まれ得る。
【００７３】
第１基板の第２面（例えば下側）は、処理のために少なくとも部分的に露出され得、かつ／又は、第２基板の第２面（例えば上側）は、処理のために少なくとも部分的に露出され得る。
【００７４】
基板スタックの配設は、以下のステップ、すなわち、例えば基板保持デバイスのキャリア・プレート（キャリア又はトレイとも呼ばれる）を通って延在する空洞内に第１基板を挿入するステップと、空洞内に第２基板を挿入するステップと、を含み得る。
【００７５】
様々な実施形態によれば、第１基板は、基板保持デバイスの空洞内の保持フレーム（下側フレーム）内に、例えばその支持表面上に、嵌め込まれ得る。下側フレームは、例えば一体式に及び／又は接合によって（例えば材料結合（stoffschluessig）、例えば溶接及び／若しくは接着結合によって）、キャリア・プレートに接続され得る。代替的に、下側フレーム及びキャリア・プレートは２つの部品となっていてよく、例えば互いから分離可能であってよい。この場合、下側フレームは、キャリア・プレート内に、例えば形状結合（formschluessig）及び／又は力結合（Kraftschluessig）によって（例えば挟持、ねじ止め、及び／又はリベット止めによって）嵌め込まれ得る。下側フレームは、例えば、第１基板が載置される前に空洞内に嵌め込まれ得る。第１基板の第２面は、第１基板が中に嵌め込まれる下側フレームによって、部分的に覆われ得る。
【００７６】
方法は、以下のステップ、すなわち、第１基板と第２基板との間の空洞内に保持フレーム（第２保持フレームとも呼ばれる）を配設する（例えば挿入する）ステップをさらに含み得る。この場合、基板スタックの配設（例えば載置）は、保持フレーム内に第２基板を、例えば前記保持フレームの支持表面上へと第２基板の第１面を、挿入することを含む。
【００７７】
一般に、第１基板の及び／又は第２基板の処理は、例えば少なくとも１つの化学的特性に、構造的特性に、及び／又は物理的特性に関して、第１／第２基板、又は少なくともその表面を修正することを含み得る。
【００７８】
様々な実施形態によれば、第１基板の第２面の処理は、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、（例えば化学的に及び／又は構造的に）変換するステップ、（例えば化学的に）ドープするステップ、研磨するステップのうちの、少なくとも１つを含み得る。代替的に又は付加的に、第２基板の第２面の処理は、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、（例えば化学的に及び／又は構造的に）変換するステップ、（例えば化学的に）ドープするステップ、研磨するステップのうちの、少なくとも１つを含み得る。
【００７９】
第１基板の第２面の処理は、第１基板の第２面を気体状コーティング材料でコーティングすることを含み得る。代替的に又は付加的に、第２基板の第２面の処理は、第２基板の第２面を気体状コーティング材料でコーティングすることを含み得る。気体状コーティング材料は、同一であってよいか又は異なっていてよく、例えば同一の又は異なる組成のものであってよい。
【００８０】
様々な実施形態によれば、第１基板の処理及び第２基板の処理は、少なくとも部分的に同時となるように行われ得る。言い換えれば、第１基板の処理及び第２基板の処理は、時間に関して少なくとも部分的に重なり得る。代替的に、第１基板の処理及び第２基板の処理は、連続的に、すなわち相互に時間間隔をおいて行われ得る。
【００８１】
様々な実施形態によれば、第１基板の処理及び／又は第２基板の処理は、真空中で（又は少なくとも負圧において）行われ得る。代替的に又は付加的に、中に第１基板及び第２基板が挿入される基板保持デバイスは、第１基板の下側の処理の間及び／又は第２基板の上側の処理の間、真空中で搬送及び／又は配設され得る。
【００８２】
様々な実施形態によれば、第１基板と第２基板との間に配設される保持フレーム（第２保持フレームとも呼ばれる）は、例えば、第１基板の第１面と第２基板の第１面との間に間隙が形成されるように、第１基板と第２基板との間の間隔を画定し得る。様々な実施形態によれば、間隙は、第１基板の処理及び／又は第２基板の処理の間、例えばキャリア・プレートにおける通気開口部（例えばダクト）、及び／又は保持フレームにおける通気開口部（例えばダクト）を介して、排気され得る。
【００８３】
様々な実施形態によれば、第１基板及び第２基板は、例えば少なくとも部分的に（すなわち部分的に又は完全に）相互に接触している前記基板の第１面を介して、相互に物理的に接触して配設され得る。代替的に又は付加的に、（例えば基板が非平面状であるか又は相互に間隔をおいて配設されるときに）第１基板と第２基板との間に間隙が形成され得る。代替的に又は付加的に、第１基板と第２基板との間に、例えば保持フレームの形態の、ヒート・シンクが配設され得る。ヒート・シンクは、第１基板に及び／又は第２基板に熱的に結合され得、またヒート・シンクは、任意選択でキャリア・プレートに熱的に結合され得る。要求される熱的結合が達成されるために、ヒート・シンクと、第１基板及び／若しくは第２基板との間の、又は任意選択でキャリア・プレートとの間の、接触面は、相応してより大きくなるように適合され得る。ヒート・シンクは、第１基板から及び／又は第２基板から熱エネルギーを受けるように、並びに、前記熱エネルギーを前記基板から離れるように導くように、適合され得る。例えば、ヒート・シンクは、受けられた熱エネルギーの少なくとも一部を、例えば熱放射の形態で再度放出する表面を有し得る。表面はこの目的に合わせた、例えば冷却フィンの形態の外形とされ得る。この目的のために、ヒート・シンクは、例えば第１基板と表面との間及び／又は第２基板と表面との間に、熱伝導経路を提供し得る。ヒート・シンクは任意選択で、受けられた熱エネルギーの少なくとも一部をキャリア・プレートへと放出するように適合され得る。この目的のために、ヒート・シンクは、例えば第１基板とキャリア・プレートとの間及び／又は第２基板とキャリア・プレートとの間に、熱伝導経路を提供し得る。
【００８４】
ヒート・シンク（例えば保持フレーム）及び／又はキャリア・プレートは、１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）超、例えば５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）超、例えば１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）超、例えば２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）超、例えば３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）超、例えば４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）超の熱伝導率を有する材料、例えば金属を含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【００８５】
第１基板及び／又は第２基板は、プレート形状に構成され得る。例えば、その第１面及び／又は第２面は、平面状に（平に）、例えば互いと面平行となるように構成され得る。第１面が平面状に構成される場合、第１基板及び第２基板は、例えばこれらの間に間隙が構成されないとき、すなわち第１基板及び第２基板が相互に接触しているとき、実質的に完全に接触することができる。
【００８６】
代替的に又は付加的に、例えば第１基板及び／又は第２基板が少なくとも部分的に角度を付けて及び／又は構造化されて構成される場合、少なくとも第１基板の第１面及び／又は少なくとも第２基板の第１面は、非平面状に、例えば角度を付けて及び／又は構造化されて構成され得る。第１面のうちの少なくとも１つが非平面状に構成される場合、第１基板及び／又は第２基板は、部分的に接触することができる。言い換えれば、第１基板と第２基板との間には、例えば前記基板が相互に部分的に接触しているときでさえ、間隙が形成され得る。
【００８７】
様々な実施形態によれば、第１基板及び／又は第２基板は、以下、すなわち、セラミック、ガラス、半導体（例えば、シリコンなどの、非晶質の、多結晶の、又は単結晶の半導体）、金属、ポリマー（例えばプラスチック材料）のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。例えば、第１基板及び／又は第２基板は、プラスチック・フィルム、ウエハ、金属箔、金属シート、又はガラス板とすることができる。
【００８８】
方法は任意選択で、さらなる受容領域内に（第３及び第４基板を有する）さらなる基板スタックを配設するステップ、例えば、第３基板の第２面（例えば下側）が処理のために露出され、第４基板の第２面（例えば上側）が処理のために露出されるように、前記さらなる基板スタックを基板保持デバイスのキャリア・プレートを通って延在するさらなる空洞内に挿入することを含み得る。
【００８９】
様々な実施形態による基板保持デバイスは、以下、すなわち、キャリア・プレートの上側からキャリア・プレートを通ってキャリア・プレートの下側まで延在する空洞を有するキャリア・プレートと、第１基板を（例えば空洞内に）保持するための第１（例えば平面状の）支持表面を有する第１保持フレームと、空洞内に挿入するときに第１（例えば平面状の）支持表面の上方に（例えば、少なくとも部分的に第１保持フレームの空洞内に及び／又は少なくとも部分的に第１保持フレームの上方に）配設され、かつ第２基板を空洞内かつ第１基板の上方に保持するための第２（例えば平面状の）支持表面を有する、第２保持フレームと、を有し得る。第１支持表面及び第２支持表面は、少なくとも部分的に相互に重なっていることができる。
【００９０】
様々な実施形態によれば、第２保持フレームは、例えば、第２保持フレームと第１保持フレームとの間に第１基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、キャリア・プレート及び／又は第１保持フレーム上に少なくとも部分的に設置され得る。この場合、第２基板は、第２保持フレーム上に少なくとも部分的に（例えばその周縁部分を介して）設置され得る。第１基板は、第１保持フレーム上に少なくとも部分的に（例えばその周縁部分を介して）設置され得る。
【００９１】
様々な実施形態によれば、第１支持表面及び／又は第２支持表面は、それぞれの保持フレームの凹部によって提供され得る。代替的に又は付加的に、支持表面は、突起、丸みを帯びた特徴部、面取り部、折り畳み部、点状の接触部、平面状の接触部、直線状の接触部、及び類似のもの、又はこれらの混合された形態によって提供され得る。
【００９２】
第１保持フレームは、下側フレーム、下側マスクとも、又は例示として下側保持フレームとも呼ばれ得る。第２保持フレームは、上側フレーム、上側マスクとも、又は例示として上側保持フレームとも呼ばれ得る。第１基板は例示として、下側基板とも呼ばれ得る。第２基板は例示として、上側基板とも呼ばれ得る。
【００９３】
様々な実施形態によれば、下側フレーム及びキャリア・プレートは、例えば、下側フレームが形状結合して空洞内に係合することができる、及び／又は下側フレームが空洞に対して所定の位置に留まるように配設され得る。例えば、キャリア・プレートの空洞の内側輪郭が、下側フレームの外側輪郭に適合するように提供され得る。本明細書における下側フレームは、空洞の側壁と物理的に接触していることができ、かつ／又は、キャリア・プレートの支持表面上に設置され得る（すなわち物理的に接触していることができる）。様々な実施形態によれば、上側フレーム並びにキャリア・プレート及び／又は下側フレームの少なくとも一方は、上側フレームが空洞内に及び／又は下側フレーム内に形状結合して係合し得るように配設され得る。上側フレームは、例えば、空洞に対する及び／又は下側フレームに対して所定の位置に留まり得る。例えば、キャリア・プレートの空洞の（及び／又は下側フレームの凹部の）内側輪郭は、上側フレームの外側輪郭に適合するように提供され得る。代替的に又は付加的に、下側フレーム、上側フレーム、及びキャリア・プレートは、少なくとも対として相互に適合する、それぞれのセンタリング構造を有し得る。本明細書における上側フレームは、空洞の側壁と及び／又は下側フレームと、物理的に接触していることができる。
【００９４】
様々な実施形態によれば、第１基板は周縁部分を介して、下側フレーム上に、例えばその支持表面上に設置され得、かつ／又は、第２基板は周縁部分を介して、上側フレーム上に、例えばその支持表面上に設置され得る。
【００９５】
様々な実施形態によれば、第１保持フレーム及びキャリア・プレートは、一体式に相互接続され得る。代替的に、第１保持フレームは、空洞内に挿入され得る。この場合、第１保持フレームは、キャリア・プレート上に少なくとも部分的に設置され得る。この目的のために、キャリア・プレートは、第１保持フレームが少なくとも部分的に設置される場所である支持表面を有し得る。
【００９６】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、以下、すなわち、第１基板を覆うための第３保持フレーム（この場合、第１被覆フレームとも呼ばれる）、又は第２基板を覆うための第３保持フレーム（この場合、第２被覆フレームとも呼ばれる）を、さらに有し得る。第１被覆フレームは空洞内に挿入されるとき、例えば、第１被覆フレームと第１（例えば平面状の）支持表面、例えば第１保持フレームとの間に、第１基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられ、かつ／又は、第１被覆フレームが第１保持フレームと第２保持フレームとの間の受容空間内に配設されるように、第１（例えば平面状の）支持表面の上方に、例えば第１保持フレームの上方に、配設され得る。言い換えれば、第１被覆フレームは、第１基板と第２基板との間に配設され得る。第１被覆フレームは空洞内に挿入されるとき、第１基板を固止、例えば挟持し得る。
【００９７】
代替的に又は付加的に、第２被覆フレームは空洞内に挿入されるとき、例えば、第２被覆フレームと第２（例えば平面状の）支持表面、例えば第２保持フレームとの間に、第２基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、第２（例えば平面状の）支持表面の上方に、例えば第２保持フレームの上方に、配設され得る。第２被覆フレームは空洞内に挿入されるとき、第２基板を固止、例えば挟持し得る。
【００９８】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、第２被覆フレーム及び／又は第１被覆フレームを有し得る。
【００９９】
様々な実施形態によれば、上側フレームは、第１基板が上側フレームと下側フレームとの間に配設されるとき、第１基板の少なくとも一部を覆い得る。上側フレームは例示として、第１基板の第１面を、例えばその周縁領域を、例えば上方から、少なくとも部分的に覆い得る。第２基板は、例えばその第２面が完全に開放された（露出された）ままとなるように、上側フレーム上に設置され得る。代替的に、第２被覆フレームは、第２基板の第２面を、例えばその周縁領域を、例えば上方から、部分的に覆い得る。この場合、第２基板の上側表面の中央領域（すなわち、第２基板の上側上）は開放（露出）されたままとすることができ、この結果、第２基板の中央領域が処置、例えばコーティングされ得るようになっている。
【０１００】
様々な実施形態によれば、下側フレームは、例えば第１基板が上側フレームと下側フレームとの間に配設されるとき、第１基板の一部を覆い得る。下側フレームは例示として、第１基板の第２面を、例えばその周縁領域を、部分的に覆い得る。さらに、第１基板の第２面の中央領域（例えば第２基板の下側）は開放（露出）されたままとすることができ、この結果、第１基板の中央領域が処置、例えばコーティングされ得るようになっている。
【０１０１】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、第１保持フレームと第２保持フレームとの間の間隙を排気するための、及び／又は第１基板と第２基板との間の間隙を排気するための、通気開口部を有し得る。通気開口部は、第１支持表面と第２支持表面との間に少なくとも部分的に延在すること、並びに／又はこの間隙をキャリア・プレートの少なくとも一方の側（例えば上側及び／若しくは下側）に接続することができる。通気開口部は、キャリア・プレートにおいて、第１保持フレームにおいて、及び／又は第２保持フレームにおいて、少なくとも部分的に延在し得る。例えば、通気開口部は、キャリア・プレートの上側から及び／若しくはキャリア・プレートの下側から、空洞の側壁まで延在すること、並びに／又は前者と後者を相互接続することができる。例えば、通気開口部は、第１保持フレームに及び／又は第２保持フレームに少なくとも１つの第１開口部分を、並びに、キャリア・プレートに第２開口部分を有し得る。この場合、第１開口部分は、第１保持フレーム及び／又は第２保持フレームがキャリア・プレートの空洞内に挿入されるとき、第２開口部分と整列している。通気開口部は、例えば、凹部の形態で及び／又はダクトの形態で、少なくとも部分的に形成され得る。
【０１０２】
空洞の側壁は、（例えばキャリア・プレート面に沿って）空洞を境界付けること、及び、キャリア・プレートの上側からキャリア・プレートの下側まで延在することができる。
【０１０３】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは、以下、すなわち、処理チャンバと、処理チャンバ内に配設される第１処理デバイス及び第２処理デバイスと、本明細書に記載されるような基板保持デバイスと、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間で基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するための搬送デバイスと、を有し得る。例えば、搬送デバイスは、搬送面に沿って基板保持デバイスを搬送するための、搬送面を画定し得る。
【０１０４】
搬送面は、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間に延在し得る。基板保持デバイスは、搬送デバイス（例えば基板保持デバイス搬送デバイスであり、又は搬送システムとも呼ばれる）によって、例えば第１処理デバイス及び／又は第２処理デバイスによる処理中に、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間で搬送され得る。代替的に又は付加的に、基板保持デバイスは、搬送デバイスによって、例えば第１処理デバイス及び／又は第２処理デバイスによる処理中に、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間に配置され得る。
【０１０５】
第１基板、例えばその第１面は、第１処理デバイスによって、例えば下方（例示として前記第１基板の下側）から処理され得る。第２基板、例えばその第１面は、第２処理デバイスによって、例えば上方（例示として前記第２基板の上側）から処理され得る。
【０１０６】
基板の上側及び下側という用語は、キャリア・プレートの上側及び下側に関連し得る。ただし、キャリア・プレートは、任意の様式で空間的に整列され得る。例えば、搬送デバイスは、搬送面が鉛直方向に（すなわち重力に対して横断方向に）、水平方向に（すなわち重力と平行に）、及び／又は任意の他の角度で延在するように配設され得る。言い換えれば、基板保持デバイス（又はその上側、それぞれ）は、重力に対して横断方向に、重力と平行に、及び／又は重力に対して任意の他の角度で、整列又は搬送され得る。
【０１０７】
様々な実施形態によれば、第１処理デバイスは、第１基板を処理するための第１処理領域を有することができ、また第２処理デバイスは、第２基板を処理するための第２処理領域を有することができる。搬送デバイスは、第１処理領域へと／内に、及び第２処理領域へと／内に、基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するように、適合され得る。言い換えれば、搬送面は、第１処理領域及び／又は第２処理領域を通って延在し得る。
【０１０８】
様々な実施形態によれば、第１基板の第１面は、第１処理領域内で処理され得、また第２基板の第１面は、第２処理領域内で処理され得る。
【０１０９】
キャリア・プレートは、複数の空洞、複数の第１保持フレーム、及び複数の第２保持フレームを有し得る。複数の第１保持フレームのそれぞれの第１保持フレーム、及び複数の第２保持フレームのそれぞれの第２保持フレームは、複数の空洞のうちの１つの空洞に割り当てられる、基板スタックを保持するための保持フレーム対を形成し得る。各保持フレーム対は、割り当てられた空洞内に挿入され得る。保持フレーム対の第２保持フレームは、例えば、保持フレーム対の第２保持フレームと保持フレーム対の第１保持フレームとの間に基板スタックの第１基板の周縁部分を受容するための受容空間が設けられるように、キャリア・プレート上に及び／又は保持フレーム対の第１保持フレーム上に、少なくとも部分的に設置され得る。第２保持フレームは、基板スタックの第２基板を、空洞内かつ第１基板の上方に保持するように適合され得る。
【０１１０】
様々な実施形態によれば、方法は、以下のステップ、すなわち、第１基板及び第２基板を、例えば第１基板の上側が第２基板の下側に面するように、基板保持デバイスの受容領域内に互いに対して配設するステップと、第１基板の上側の反対側に存在する第１基板の下側を処理するステップと、第２基板の下側の反対側に存在する第２基板の上側を処理するステップと、を含み得る。
【０１１１】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス内への第１基板の挿入及び第２基板の挿入（すなわち基板スタックの挿入）は、第１保持フレーム内への（基板スタックの）第１基板の挿入、及び第２保持フレーム内への（基板スタックの）第２基板の挿入を含み得る。
【０１１２】
上に記載してきたように、基板キャリアが、互いに並んで保持される基板の片面の又は両面の（すなわち前記基板の表面及び裏面の）コーティングを可能にする、コーティング・システムとともに提供される。本明細書における基板は、支持表面上に設置され、また上側マスクによって覆われる。支持表面及び上側マスクは各々、基板の一部上に陰になる部分を提供し、この結果、基板の両面に、用途によっては非常に重要な、コーティングされない周縁領域が残る。コーティングされない周縁領域は、例えば、基板の両面のそれぞれのコーティングの空間的及び電気的分離（例示として電気的絶縁）を可能にする。
【０１１３】
上側マスクは任意選択で、基板が支持表面上にしっかりと設置されるように、及び逸脱した蒸気が支持表面と基板との間に進入しそこに堆積（寄生コーティング）され得ないように、基板を挟持する機能を有する。周縁領域内に堆積される逸脱した蒸気は、基板の両面のコーティング間の短絡につながり得る。この場合、短絡は、基板を用途によっては役に立たないものにする（また例示として、不良品が生み出されることを引き起こす）。
【０１１４】
本明細書におけるコーティングされるエリアのサイズは、コーティング工程の経済的側面に関する重要な基準を表し得る。例えば、コーティングされるエリアの前記サイズは例示として、可能な限り大きいべきであるが、周縁領域がその電気的絶縁効果を維持するのに十分な大きさでさえあればよい。
【０１１５】
様々な実施形態によれば、基板エリアの可能な限り大きい利用を例示として提供する基板保持デバイスが提供される。言い換えれば、基板上に、可能な限り大きいコーティングされるエリアが提供され得る。基板の周縁領域は例示として、一方側をコーティングされ得、この結果、基板の他方側にのみ、コーティングされない周縁領域が残る。
【０１１６】
様々な実施形態によれば、上側マスクが省略されることを可能にする基板保持デバイスが提供される。基板がコーティングされるために、その上側は完全に開放されており、この結果、この上側は完全にコーティングされ得る。基板の上側とは別に、支持表面の一部がこのせいで同様に開放されている。その理由は、前記支持表面が通常、基板が挿入されているときにより大きい利用可能な自由空間を有するように、基板よりも少し大きく構成されるからである。したがって、上側マスクの何らかの省略は、支持表面が同様にコーティングされることにつながる。このせいで、クリーニング期間とクリーニング期間の間に、散乱蒸気が中に進入する基板と支持表面との間の間隙につながる、数百マイクロメートルの膜厚を有する層が、支持表面上に作り出され得る。システムの利用の過程で、支持表面は例示として、より非平面状になり、基板と支持表面との間の間隙寸法はさらに大きくなる。
【０１１７】
様々な実施形態によれば、上側マスクが省略されるときに支持表面が例示としてより少なくコーティングされる基板保持デバイスが提供される。このおかげで、基板の両面のコーティング間の短絡による不良品率が低減され、また、より少ないクリーニング期間が要求され、コスト及び労力を節減する。全体として、より低い不良品率及びより低い動作コストでのより高レベルの基板利用が、こうして達成される。
【０１１８】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは以下、すなわち、基板保持デバイスが搬送されるために支持され得る場所である、互いに平行に延在する２つの支持領域と、２つの支持領域間に配設される複数の基板載置領域と、を有し得る。前記基板載置領域の各々は、空洞及び基板を空洞内に保持するための支持表面を有する。また、前記基板載置領域の各々は、支持表面に隣接しておりこれを少なくとも部分的に取り囲む凹部を有する。
【０１１９】
こうして、支持表面がその上に設置される基板によって完全にシールドされることが、例示として達成され得る。対照的に、凹部は、基板が支持表面上に設置されるとき、部分的に露出され得る。凹部は例示的に、基板がコーティングと接触することなくコーティングされ得る領域（層受容領域）を提供する（この理由は、コーティングの基部エリアが支持表面よりも下に存在するからである）。基板は例示として、例えば支持表面を越えて、例えば部分的に凹部を横切って、（少なくとも部分的に）突出し得る。
【０１２０】
基板載置領域の空洞、例えばその内周壁は、載置される基板の位置を例えば支持表面と同じ高さに規定するものであり、例示として、基板が空洞内に、例えば遊びを有して嵌合するように配設される。この遊びは、基板が基板載置領域内に挿入されているときに、及び／又は基板が基板載置領域から取り出されているときに、基板と基板保持デバイス、例えばその内周壁との間の、何らかの接触が防止されることを可能にする。このことは、再配置（載置又は取り出し）されるときの基板破壊のリスクを低減する（低減された基板破壊リスク）。
【０１２１】
凹部は、内周壁と支持表面との間に配設され得る。凹部は、内周壁に隣接していることができる。
【０１２２】
様々な実施形態によれば、複数の基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）基板載置領域の空洞は、基板保持デバイスを通って延在し得る。言い換えれば、基板載置領域は、反対である２つの方向に開いていることができる。その中に載置される基板の両面が処理され得ることが、こうして達成され得る。
【０１２３】
様々な実施形態によれば、複数の基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）基板載置領域の凹部は、それぞれの空洞の内周壁に隣接していることができる。
【０１２４】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスはキャリア・プレートをさらに有し得る。この場合、複数の基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）基板載置領域の支持表面は、キャリア・プレートに（例えば一体式に）接続され、かつ／又はこの場合、複数の基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）基板載置領域の支持表面は、キャリア・プレートの空洞内に挿入されるときにキャリア・プレートの支持表面上に少なくとも部分的に設置される、保持フレームによって提供される。
【０１２５】
様々な実施形態によれば、基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）基板載置領域の空洞、例えばキャリア・プレートの少なくとも１つの（例えば各）空洞は、キャリア・プレートを通って延在し得る。言い換えれば、基板載置領域内のキャリア・プレートは、反対である２つの方向に開いていることができる。その中に載置される基板の両面が処理され得ることが、こうして達成され得る。
【０１２６】
様々な実施形態によれば、複数の基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）基板載置領域の支持表面は、平面状に構成され得る。言い換えれば、支持表面の点は、平面状の平面内に存在し得る。
【０１２７】
様々な実施形態によれば、複数の基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）基板載置領域の支持表面は、金属を含み得るか、又はこれから形成され得る。金属は、例えば、アルミニウムを含み得るか、又はこれから形成され得る。代替的に又は付加的に、金属は、例えば、鉄を含み得るか、又はこれから形成され得、これは例えば鉄合金、例えば鋼などの形態である。
【０１２８】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、２つの支持領域間に延在しかつその中へと延在する、少なくとも１つの補強要素をさらに有し得る。代替的に又は付加的に、基板保持デバイスは、互いに平行に延在する複数の（少なくとも２つの、例えば２つ以上の）補強要素を有し得る。これらのうちの少なくとも１つの（例えば各）補強要素が、２つの支持領域の支持領域内に（例えばそれぞれ）配設される。少なくとも１つの補強要素は、複数の補強要素を有し得る。
【０１２９】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは、以下、すなわち、処理チャンバと、処理チャンバ内に処理領域を画定する処理デバイスと、様々な実施形態による基板保持デバイスと、処理領域内に基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するための搬送デバイスであって、その２つの支持領域内で基板保持デバイスを支持するように適合される搬送デバイスと、を有し得る。
【０１３０】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは、以下、すなわち、さらなる処理デバイスをさらに有することができ、この場合、搬送デバイスは、処理デバイスとさらなる処理デバイスとの間で基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するように適合される。
【０１３１】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、以下、すなわち、基板保持デバイスが搬送されるために支持され得る場所である、互いに平行に延在する２つの支持領域と、複数の基板載置領域であって、複数の基板載置領域の各々が空洞及び空洞内に基板を保持するための支持表面を有し、かつ基板載置領域が２つの支持領域間に配設される、複数の基板載置領域と、を有する。またこの場合、複数の基板載置領域のうちの少なくとも１つの（例えば各）支持表面は、複数の基板載置領域の内周壁によって取り囲まれ、かつこの内周壁から（例えばこれらの間に間隙が形成されるように）離間される。言い換えれば、支持表面は、内周壁から凹ませられて構成され得る。間隙は、支持表面と内周壁との間に、例えば凹部の形態で延在し得る。
【０１３２】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは、以下、すなわち、処理チャンバと、処理チャンバ内に配設される第１処理デバイス及び第２処理デバイスと、様々な実施形態による基板保持デバイスと、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間で基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するための搬送デバイスと、を有し得る。例えば、搬送デバイスは、搬送面に沿って基板保持デバイスを搬送するための、搬送面を画定し得る。
【０１３３】
搬送面は、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間に延在し得る。基板保持デバイスは、搬送デバイスによって、例えば第１処理デバイス及び／又は第２処理デバイスによる処理中に、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間で搬送され得る。代替的に又は付加的に、基板保持デバイスは、搬送デバイスによって、例えば第１処理デバイス及び／又は第２処理デバイスによる処理中に、第１処理デバイスと第２処理デバイスとの間に配置され得る。
【０１３４】
基板、例えばその第１面は、第１処理デバイスによって、例えば上方（例示として前記基板の上側）から処理され得る。基板、例えばその第２面は、第２処理デバイスによって、例えば下方（例示として前記基板の下側）から処理され得る。
【０１３５】
様々な実施形態によれば、方法は、以下のステップ、すなわち、基板保持デバイスのその基板載置領域内の空洞内に基板を挿入するステップであって、基板が第１面及び第１面と反対側の第２面を有し、基板の第２面が基板載置領域の支持表面と物理的に接触しており、また、基板が基板載置領域の空洞よりも小さい（例えば支持表面と同じ高さの内周壁の対向する部分の間隔よりも小さい）支持表面と平行な延伸を有する、挿入するステップと、基板の第１面を処理するステップであって、支持表面及び基板が、支持表面が基板によって処理から完全にシールドされるように互いに対して適合される、処理するステップと、を含み得る。基板の第１面（すなわち支持表面の反対にある側）は任意選択で、完全に露出され得る。方法は任意選択で、以下のステップ、すなわち、基板の第２面を処理するステップを含み得る。
【０１３６】
様々な実施形態によれば、方法は、以下のステップ、すなわち、基板保持デバイスの（例えばキャリア・プレートの又は保持フレームの）（例えば基板載置領域内の）支持表面上に基板を載置するステップであって、支持表面が基板によって完全に覆われる、載置するステップと、基板を処理するステップと、を含み得る。支持表面の反対にある基板の側（第１面）が、任意選択で完全に露出され得る。
【０１３７】
基板の処理は、基板の第１面及び／又は第２面の処理を含むことができ、この場合、第１面は第２面の反対側にある。基板は第２面を介して、例えば物理的接触を介して、支持表面上に設置され得る。
【０１３８】
様々な実施形態によれば、基板の（例えば第１面の及び／又は第２面の）処理は、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、（例えば化学的に及び／又は構造的に）変換するステップ、（例えば化学的に）ドープするステップ、研磨するステップのうちの、少なくとも１つを含み得る。言い換えれば、基板の１つの側が、又は２つの側が処理され得る。
【０１３９】
基板の処理は、基板の第１面を気体状コーティング材料でコーティングすることを含み得る。代替的に又は付加的に、基板の処理は、基板の第２面を気体状コーティング材料でコーティングすることを含み得る。気体状コーティング材料は、同一であってよいか又は異なっていてよく、例えば同一の又は異なる組成のものであってよい。
【０１４０】
様々な実施形態によれば、基板の処理は、真空中で（又は少なくとも負圧において）行われ得る。代替的に又は付加的に、中に基板が挿入される基板保持デバイスは、基板の第１面の処理の間及び／又は基板の第２面の処理の間、真空中で搬送及び／又は配設され得る。
【０１４１】
様々な実施形態によれば、基板の第１面の処理及び基板の第２面の処理は、少なくとも部分的に同時に行われ得る。言い換えれば、基板の第１面の処理及び基板の第２面の処理は、時間に関して少なくとも部分的に、及び／又は空間に関して少なくとも部分的に、重なり得る。代替的に、基板の第１面の処理及び基板の第２面の処理は、連続的に、すなわち相互に時間間隔及び／又は空間間隔をおいて行われ得る。
【０１４２】
様々な実施形態によれば、基板の挿入は、基板保持デバイスの支持表面上に、例えば平面状の支持表面上に、基板を載置することを含み得る。
【０１４３】
様々な実施形態によれば、基板は、保持フレーム（下側フレーム）内に、例えば保持フレームの支持表面上に、挿入され得る。保持フレームは、基板保持デバイスの空洞内に、例えば基板保持デバイスの支持表面上に、挿入され得る。言い換えれば、保持フレーム及びキャリア・プレートは２つの部品となっていてよく、例えば互いから分離可能であってよい。この場合、保持フレームは、キャリア・プレート内に、例えば形状結合及び／又は力結合して挿入（例えば、密着した状態で差し込み嵌合及び／又は挟持）され得る。例えば、保持フレームは、基板が載置される前に、キャリア・プレートの空洞内に挿入され得る。例えば、保持フレームは、キャリア・プレート上に、例えばキャリア・プレートの支持表面上に、少なくとも部分的に設置され得る。この目的のために、キャリア・プレートは、保持フレームが少なくとも部分的に設置される場所である支持表面を有し得る。
【０１４４】
代替的に、保持フレームは、例えば一体式に及び／又は接合によって（例えば溶接及び／若しくは接着結合などの、例えば材料結合によって）、或いは、例えば形状結合及び／又は力結合に（例えばねじ止め及び／又はリベット止めによって）キャリア・プレートに接続され得る。
【０１４５】
基板保持デバイスの基板載置領域は例示として、基板がキャリア・プレートの支持表面上に載置され得るような、又は基板を保持する保持フレームがキャリア・プレートの支持表面上に載置され得るように配設され得る。
【０１４６】
様々な実施形態によれば、基板は、以下、すなわち、セラミック、ガラス、半導体（例えば、シリコンなどの、非晶質の、多結晶の、又は単結晶の半導体）、金属、ポリマー（例えばプラスチック材料）のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれから形成され得る。例えば、基板は、プラスチック・フィルム、ウエハ（半導体基板）、金属箔、金属シート、又はガラス板とすることができる。
【０１４７】
基板は、プレート形状の様式で構成され得る。例えば、その第１面及び／又は第２面は、平面状に（平らに）、例えば互いと面平行に構成され得る。
【０１４８】
基板の第２面（例えば下側）は、処理のために少なくとも部分的に露出（例えば支持表面によって部分的に被覆）され得、かつ／又は、基板の第１面（例えば上側）は、処理のために少なくとも部分的に（例えば完全に）露出され得る。
【０１４９】
基板の第２面（例示として下側）は、基板が上に載置されるこの支持表面によって（例えばキャリア・プレート又は保持フレームによって）、部分的に覆われ得る。支持表面は例示として、基板の第２面を、例えばその周縁領域を、部分的に覆い得る。さらに、基板の第２面の中央領域（例えば基板の下側）は開放（露出）されたままとすることができ、この結果、基板の中央領域が処置、例えばコーティングされ得るようになっている。
【０１５０】
方法は任意選択で、少なくとも１つのさらなる基板（例えば複数の基板）を、（例えば複数の基板載置領域のうちの）少なくとも１つのさらなる基板載置領域内に配設するステップ、前記さらなる基板を、例えば少なくとも１つのさらなる基板の第２面（例えば下側）が処理のために部分的に露出され、少なくとも１つのさらなる基板の第１面（例えば上側）が処理のために完全に露出されるように、例えば基板保持デバイスの少なくとも１つのさらなる空洞内に（例えば複数の空洞内に）載置するステップ、を含み得る。
【０１５１】
様々な実施形態によれば、支持表面は、コンパクトな（連続した）ものとすることができるか、又は空洞によって貫通され得る。支持表面がコンパクトである場合、この支持表面は基板の第２面を完全に覆う。支持表面が空洞によって貫通される場合、支持表面は、基板載置領域の周縁上の折り畳み部によって提供され得、この場合折り畳み部は凹部を有する。
【０１５２】
支持表面が空洞によって貫通される場合、支持表面は、少なくとも部分的に（部分的に又は完全に）、空洞を取り囲むことができる。代替的に又は付加的に、支持表面は、突起、丸みを帯びた特徴部、面取り部、点状の接触部、平面状の接触部、直線状上の接触部、及び類似のもの、又はこれらの混合された形態によって提供され得る。
【０１５３】
支持表面が空洞によって貫通される場合、基板の第２面の中央領域（例えば基板の下側）は開放（露出）されたままとすることができ、この結果、第１基板の中央領域が処理（処置）、例えばコーティングされ得るようになっている。
【０１５４】
基板が中に挿入される保持フレームは、下側フレーム又は下側マスクとも呼ばれ得る。
【０１５５】
様々な実施形態によれば、保持フレーム及びキャリア・プレートは、例えば、保持フレームが形状結合で空洞内に係合することができる、及び／又は保持フレームが空洞に対して所定の位置に（すなわち密着した状態で）留まるように配設され得る。例えば、キャリア・プレートの空洞の内側輪郭が、保持フレームの外側輪郭に適合するように提供され得る。本明細書における保持フレームは、空洞の側壁（すなわちその内周壁）と物理的に接触していることができ、かつ／又は、キャリア・プレートの支持表面上に設置され得る（すなわち物理的に接触していることができる）。代替的に又は付加的に、保持フレーム及びキャリア・プレートは、少なくとも対として相互に適合するセンタリング構造を有し得る。
【０１５６】
様々な実施形態によれば、基板は、周縁部分を介して、（キャリア・プレートの又は保持フレームの）支持表面上に設置され得る。代替的に又は付加的に、保持フレームは、周縁部分を介して、キャリア・プレートの支持表面上に（例えばその上側上に）設置され得る。
【０１５７】
キャリア・プレートの空洞の内周壁（側壁）は、（例えばキャリア・プレート面に沿って）空洞を境界付けること、及び、キャリア・プレートの上側からキャリア・プレートの下側まで延在することができる。キャリア・プレートの上側及び／又はキャリア・プレートの下側は、キャリア・プレート面に沿って、例えばこれと平行に延在し得る。
【０１５８】
基板の上側及び下側という用語は、基板保持デバイスの上側及び下側に、例えばそのキャリア・プレート及び／又はその保持フレームに関連し得る。基板保持デバイスの上側は、基板及び／又は保持フレームが基板保持デバイス内に挿入され得る起点となる側を指し得る。対照的に、基板保持デバイス又はそのキャリア・プレートは、それぞれ、任意の様式で空間的に整列され得る。例えば、搬送デバイスは、搬送面が鉛直方向に（すなわち重力に対して横断方向に）、水平方向に（すなわち重力と平行に）、及び／又は任意の他の角度で延在するように配設され得る。言い換えれば、基板保持デバイス（又はその上側、それぞれ）は、重力に対して横断方向に、重力と平行に、及び／又は重力に対して任意の他の角度で、整列及び／又は搬送され得る。
【０１５９】
様々な実施形態によれば、第１処理デバイスは、基板の第１面を処理するための第１処理領域を有することができ、また第２処理デバイスは、基板の第２面を処理するための第２処理領域を有することができる。搬送デバイスは、第１処理領域へと／内に、及び第２処理領域へと／内に、基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するように、適合され得る。言い換えれば、搬送面は、第１処理領域及び／又は第２処理領域を通って延在し得る。
【０１６０】
様々な実施形態によれば、基板の第１面は、第１処理領域内で処理され得、また基板の第２面は、第２処理領域内で処理され得る。
【０１６１】
基板保持デバイスは、（例えば平面状の様式で互いに並んで配設された）複数の保持フレームを有し得る。キャリア・プレートは任意選択で、複数の保持フレームが中に挿入され得る、複数の空洞（キャリア・プレート空洞）を有し得る。代替的に、複数の保持フレームは、例えば一体式にキャリア・プレートに接続され得る。
【０１６２】
複数の保持フレームの各保持フレームは、複数のキャリア・プレート空洞のうちの１つのキャリア・プレート空洞に割り当てられ得る。複数の保持フレームの各保持フレームは、複数のキャリア・プレート空洞のうちの割り当てられたキャリア・プレート空洞内に挿入され得る。
【０１６３】
様々な実施形態によれば、真空コーティング・システムにおいて、基板（例えばウエハ）、例えば薄い基板の、片面及び／又は両面をコーティングするための、基板保持デバイス（基板ホルダ）が提供される。
【０１６４】
様々な実施形態によれば、基板の両面のコーティングが提供され得、例えばこの場合、基板の上側は、全面にわたってコーティングされる。代替的に又は付加的に、基板の下側（例えば下面）は、例えば保持フレームによって、周縁（周縁除外部とも呼ばれる）上で囲繞する様式で覆われ得る（マスクされ得る）。
【０１６５】
基板の上側も、追加の及び任意選択の上側マスクを採用することによってマスクされ得る（サンドイッチ支持）。
【０１６６】
上側及び／又は下側をマスクすることによって、上側のコーティングと下側のコーティングとの間に電気を絶縁する周縁（絶縁空洞）が設けられ得る。このおかげで、基板の上側及び下側の導電層間のそれぞれの短絡が回避され得る。例えば、基板の規定された囲繞領域（周縁領域）は、コーティングから保護（遮蔽）され得る（周縁除外部又はコーティングされない環状エリアとも呼ばれる）。遮蔽は、支持表面（基板支持表面）が平らである（言い換えれば平面状である）ときに単純化され得る。
【０１６７】
基板は、電気絶縁材料及び／又は電気半導性材料を含み得る。
【０１６８】
様々な実施形態によれば、基板は、（例えば光学構成要素のコーティングのための）透明な材料を含み得るか、又はこれから形成され得る。例えば、基板は、光学構成要素を含み得るか、又はこれから形成され得る。
【０１６９】
様々な実施形態によれば、基板は、半導性材料、例えばシリコン及び／又は炭化ケイ素を含み得るか、又はこれらから形成され得る。例えば、基板は、半導体構成要素及び／又は光起電構成要素を含み得る。
【０１７０】
様々な実施形態によれば、基板上にバリア及び／又は封止部が形成され得る。
【０１７１】
各基板は、個々の、例えば撓み対抗性（Biegesteifen）のある、（保持フレーム又は下側マスクとも呼ばれる）ポケット内に載置される。保持フレームは、平面状の支持表面を有し得る、及び／又は、支持表面の所定の輪郭によって、規定されたマスキング（例えば基板の下側のコーティングの周縁除外部）を提供し得る。これらのポケットは、キャリア・フレーム（キャリア）内に浮動するように（schwimmend）固定及び／又は支持され得る。
【０１７２】
キャリア・フレームからの個々のポケットの機械的切り離しのおかげで、前記ポケットは、キャリア・フレーム（キャリア）の変形から独立して支持され得る。キャリア・フレームは、撓むおかげで、例えば、水平位置において（すなわち水平方向の延伸として）変形され得る。ポケット内の支持表面の平面性はこの場合不変のままである。言い換えれば、キャリア・フレームから保持フレームへの及び／又はその中に保持される基板への、機械的応力の伝達が、低減及び／又は防止される。
【０１７３】
基板はしたがって、撓み応力及び振動から、並びに周縁領域における不十分なスパッタリングから保護され得る。改良、例えば基板の寸法の修正、ポケット輪郭の最適化等の場合、ポケットは、キャリア・フレームを取り換える又は修正する必要なく交換され得る。言い換えれば、保持フレームは、基板キャリアから独立して、すなわち変動可能に提供される。個々のポケットがそれぞれ摩耗又は損傷した場合、前記ポケットのみが交換される必要があり、キャリア・フレーム（キャリア）全体が交換される必要はない。摩耗部品であるポケットは、真空対応のプラスチック材料又は複合材料から射出成形法によって、費用効果の高い手法で、例えば層接着表面を有して製造され得る。任意選択で、保持フレームは、囲繞する凹部を有し得る。代替的に又は付加的に、追加の上側マスクが使用され得る。
【０１７４】
本発明の例示の実施形態が、図において例示されており、また以下でより詳細に説明されることになる。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】様々な実施形態による、基板保持デバイスのそれぞれの概略断面図である。
【図２】様々な実施形態による、基板保持デバイスのそれぞれの概略断面図である。
【図３】様々な実施形態による、基板保持デバイスのそれぞれの概略断面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、様々な実施形態による、基板保持デバイスのそれぞれの概略平面図である。
【図５】図５Ａ乃至図５Ｃ、様々な実施形態による、基板保持デバイスのそれぞれの概略断面図である。
【図６Ａ】様々な実施形態による、基板保持デバイスの２つのそれぞれの保持フレームの概略斜視詳細図である。
【図６Ｂ】様々な実施形態による、基板保持デバイスの概略断面図である。
【図７】様々な実施形態による、基板を処理するための方法の概略フロー図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略断面図である。
【図９】図９Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイスの概略断面図又は概略平面図である。図９Ｂ乃至図９Ｆは、様々な実施形態による、それぞれの第１保持フレーム、第２保持フレーム、及び／又はキャリア・プレートの、概略断面図又は概略平面図である。
【図１０Ａ】様々な実施形態による基板保持デバイスの概略断面図又は概略平面図である。
【図１０Ｂ】様々な実施形態による基板保持デバイスの概略断面図である。
【図１１】図１１Ａ乃至図１１Ｃは、様々な実施形態によるそれぞれの処理アセンブリの概略断面図である。
【図１２Ａ】様々な実施形態による方法の概略フロー図である。
【図１２Ｂ】様々な実施形態による方法における基板保持デバイスの概略断面図又は概略平面図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略断面図である。
【図１４Ａ】様々な実施形態による基板保持デバイスの概略断面図又は平面図である。
【図１４Ｂ】様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略断面図である。
【図１４Ｃ】様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略断面図である。
【図１５Ａ】様々な実施形態による基板保持デバイスの概略断面図である。
【図１５Ｂ】様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略斜視図である。
【図１５Ｃ】様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略斜視図である。
【図１６Ａ】様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略斜視図である。
【図１６Ｂ】様々な実施形態によるそれぞれの基板保持デバイスの概略斜視図である。
【図１７Ａ】様々な実施形態によるそれぞれの基板搬送デバイスの概略断面図である。
【図１７Ｂ】様々な実施形態による基板保持デバイスの概略断面図である。
【図１８Ａ】様々な実施形態による基板保持デバイスの概略断面図又は平面図である。
【図１８Ｂ】様々な実施形態による方法の概略フロー図である。
【図１９】図１９Ａ及び図１９Ｂは、様々な実施形態による、基板保持デバイスのそれぞれの概略平面図である。
【図２０】図２０Ａ及び図２０Ｂは、様々な実施形態によるそれぞれのグラフである。
【図２１】図２１Ａ及び図２１Ｂは、様々な実施形態によるそれぞれのグラフである。
【図２２】図２２Ａ及び図２２Ｂは、様々な実施形態によるそれぞれのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０１７６】
以下の詳細な説明では、添付の図面への参照が行われる。これらの図面は、本明細書の一部を形成し、また、説明の目的で、本発明が実装され得る具体的な例示の実施形態を示す。この点に関して、例えば、「上部に」、「底部に」、「正面に」、「背面に」、「前部」、「後部」、等、などの方向の用語は、記載される図の配向に関連して使用される。例示の実施形態の構成要素はいくつかの異なる配向で配置され得るので、これらの方向の用語は、説明の目的を果たし、またどのような点においても限定的ではない。本発明の保護の範囲から逸脱することなく、他の例示の実施形態が使用され得、また構造の又は論理の変更が成され得ることは、言うまでもない。本明細書に記載される様々な例示の実施形態の特徴が、そうでないと明確に示されない限り互いに組み合わされ得ることは、言うまでもない。以下の詳細な説明はしたがって、限定的な意味において解釈されるべきではなく、また本発明の保護の範囲は、付属の特許請求の範囲によって規定される。
【０１７７】
本明細書の文脈において、「接続された」及び「結合された」という用語は、直接的な接続及び間接的な接続の両方、並びに直接的な結合及び間接的な結合を記載するために使用される。図において、同一の又は同様の要素は、都合の良い限りは、同一の参照符号を与えられている。
【０１７８】
様々な実施形態によれば、本明細書に記載される基板保持デバイスは、例えば物理気相成長（ＰＶＤ）によって及び／又は化学気相成長（ＣＶＤ）によって基板をコーティングするために、例えば水平コーティング・システムにおいて、処理チャンバ内で、基板、例えばウエハを搬送するために使用され得る。本明細書における基板保持デバイスは、基板がコーティング・システムから放出されることなく、下方から及び／又は上方から、例えば下方から及び上方から同時に、又は例えば下方から及び上方から連続的に、基板がコーティングされ得るように、提供され、配設され得る。
【０１７９】
基板保持デバイスを有する、本明細書に記載される基板搬送デバイスは、例示として、真空コーティング・システムにおいて、ウエハ又は他の薄い（例えば２ｍｍ未満又は１ｍｍ未満又は０．５ｍｍ未満の厚さの）基板を搬送するのに好適である。基板の上側並びに下側の両方がこの場合、基板保持デバイスから基板が取り出される必要なくコーティングされ得る。このことは、例えば、基板の上側の及び下側のマスキングを可能にする。関連する裏面のコーティングが回避される。言い換えれば、基板搬送デバイスは、前記基板搬送デバイスが２つの処理領域を互いから分離するように（例えば基板搬送デバイスの上方及び下方のそれぞれのコーティング領域）、適合され得る。基板はしたがって、基板上に堆積された材料が混合することなく、異なる材料で上方及び下方からコーティングされ得る。
【０１８０】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイスは、例えば光学層及び半導体層及び／又は封止層で、基板をコーティングするために使用され得る。
【０１８１】
基板保持デバイスは、例えば、真空中で２％未満の層厚さの差で基板の両面の均一なコーティングが行われ得ることを可能にし得る。それぞれの基板は、上方から全面積にわたってコーティングされ、片面又は両面をマスクされ得る。言い換えれば、保持フレームのうちの１つが、基板の全面が覆われるようなプレートとしても適合され得る。基板保持デバイスの構築は、ウエハ及びマスク（保持フレーム）の自動的な装填及び取り去りが可能であるように、具現化され得る。
【０１８２】
基板の上側を及び下側を均一にコーティングする目的で両面をマスクされる工程では、例えば、同じ幾何学的条件（例えば目標間隔、気体分離、有効面積、作用の角度、遮蔽、等）が両面で実装されることが、必要とされ得るか又は有用であり得る。
【０１８３】
さらに、例えば、工程全体の間、基板が固定された安定した姿勢で搬送されることを保証することが、必要又は有用であり得る。この目的のために、基板は各々、例えば丈夫で撓み性のある下側マスク内に個々に挿入され得る。この場合、丈夫で撓み性のある下側マスクは、平面状の支持表面を提供する。さらに、規定されたマスキング（コーティングの周縁除外部）は、下側マスクにおいて所定のポケット輪郭によって実装され得る。下側マスクは、例えば、キャリア・フレーム（キャリア・プレートと呼ばれる）内に、浮動する様式で固定され得る。下側マスク内の支持表面の平面性は、キャリア・フレームの変形から、例えば水平位置における撓みから独立して、不変のままである。例えば、基板に対する損傷をもたらす撓み応力が、こうして切り離される。言い換えれば、機械的応力は、キャリア・フレームからそれぞれの基板へと、実質的に全く伝達されない。
【０１８４】
マスクの正確な相互の位置、すなわち例えばマスク開口部の一致が、例えばマスクの好適な相互のセンタリングによって保証される。センタリングは、確実な自動化された取り回しが保証されるような、及びマスクの相互の傾き及び／又は突き合いが生じないように、設計され得る。
【０１８５】
保持フレームの（例えば４つの）角の各々においてだぼ穴が設けられ得、また、相手側部片上に（例えば２つの保持フレームの他方上に）、だぼピンが設けられ得る。構造的な観点からは、同じ機能性を有する適切な円形部分（例えばミリングされた輪郭）も可能である。これらのセンタリング輪郭は、最大限の精度で（例えばＮＣ（数値制御）機械のそれぞれの機械正確度で）、マスキング窓に対して位置的に正確でありかつ中心となるようになされ得る。
【０１８６】
センタリング輪郭は、面取り部及び／又は導入傾斜部をさらに有することができ、この結果、マスクの相互事前センタリングが不正確な場合でさえも、マスクがペアリング中に一致する位置へと段階的に移動するようになっている（段階的センタリング）。この利点は、自動装填において要求される下側の位置正確度として、直接引き継がれる。
【０１８７】
センタリング要素（センタリング構造とも呼ばれる）は、前記センタリング要素がそれぞれのマスクの、コーティング源によって到達されない側に位置付けられるように、配設され得る（センタリング要素は例示として遮蔽され得る）。このことは、例えば支持表面及び／又はセンタリング面が意図せずコーティングされることを防止し、また、例えばセンタリングの正確度に関する関連付けられる損失を防止する。
【０１８８】
キャリア・フレーム、下側マスク、及び上側マスクを有するようにキャリア構造を分離することにより、高い可撓性が保証される。キャリア・フレームは、単純で費用効果の高い部品として（例えば事後処理のないレーザ切断部品として）作成され得る。精度に関する高度な要件は、マスク（又は保持フレーム、それぞれ）へと還元される。前記マスクは、比較的小さい寸法のおかげで、体積部としてより高い費用効果で作成され得る。それぞれのマスクは、工程に応じて変えられ得る。いつでも、損傷した場合に個々のマスクを取り換えることが可能である。可能なクリーニングの選択肢（いわゆるデコーティング）も、例えば液体薬品により又はドライアイス洗浄により、より単純でかつより費用効果の高いものとなる。
【０１８９】
図１は、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の概略断面図又は側面図を視覚化している。基板保持デバイス１００は、例えば、キャリア・プレート１０２を有し得る。キャリア・プレート１０２は、基板１２０が２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂによって空洞１１２内に保持されるように、下側フレーム１３２ａ（第１保持フレーム１３２ａ）及び上側フレーム１３２ｂ（第２保持フレーム１３２ｂ）が空洞１１２内に受容又は少なくとも部分的に受容され得るように、少なくとも１つの空洞１１２を有し得る。
【０１９０】
キャリア・プレート１０２は、例えば、上側１０２ａ（又は上側表面、それぞれ）及び下側１０２ｂ（又は下側表面、それぞれ）を有し得る。２つの表面１０２ａ、１０２ｂは、（例えば少なくとも部分的に）互いと面平行とすることができる。キャリア・プレート１０２は、方向１０５に沿って（２つの表面１０２ａ、１０２ｂに対して垂直に）、約３ｍｍから約８０ｍｍまでの範囲内の厚さ、例えば約１ｃｍから約６ｃｍまでの範囲内の厚さを有し得る。様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は、チタンから構成され得るか又はこれを含み得る。代替的に、キャリア・プレート１０２は、任意の他の好適な材料から、例えば複合材料から、又は金属、例えばステンレス鋼から作成され得る。さらに、キャリア・プレート１０２は、方向１０３に沿って（２つの表面１０２ａ、１０２ｂと平行に）、約５０ｃｍから約５ｍまでの範囲内の幅、例えば約１ｍから約３ｍまでの範囲内の幅を有し得る。さらに、キャリア・プレート１０２は、２つの表面１０２ａ、１０２ｂと平行にかつ幅方向１０３に対して横断方向に、約４０ｃｍから約５ｍまでの範囲内の長さ、例えば約０．５ｍから約２ｍまでの範囲内の長さを有し得る。
【０１９１】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は寸法に関して、受容されることになる基板１２０の量及びサイズの両方に、並びに、基板を処置するために使用される処理システムのサイズ（例えばコーティング幅及び／又はロック長さ）に、適合され得る。
【０１９２】
さらに、キャリア・プレート１０２の少なくとも１つの空洞１１２は、キャリア・プレート１０２の上側１０２ａからキャリア・プレート１０２を通ってキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂまで延在し得る。方向１０５から見られるとき、空洞１１２は円形、正方形、又は任意の多角形とすることができる。空洞１１２の形状は、受容されることになる基板の外側輪郭に適合され得る。例えば、空洞１１２は実質的に、円形のウエハが受容されるために円形とする、又は（例えば丸められた又は切り落とされた角を有する）正方形のウエハを受容するために、（例えば丸められた又は切り落とされた角を有する）正方形とすることができる。
【０１９３】
さらに、基板保持デバイス１００は、空洞１１２内に挿入されかつキャリア・プレート（１０２）上に（例えばキャリア・プレート１０２の上側１０２ａ上に）部分的に設置される、第１保持フレーム１３２ａを有し得る。さらに、基板保持デバイス１００は、第１保持フレーム１３２ａ上に部分的に設置される、第２保持フレーム１３２ｂを有し得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に基板１２０の周縁部分を受容するための受容空間１３０（例えば間隙１３０）が設けられるように配設され得る。
【０１９４】
例えば、基板１２０は、第１保持フレーム１３２ａ上に設置され得、かつ／又は、第２保持フレーム１３２ｂは、基板１２０の上方に配設され得る。この場合、例えば、第２保持フレーム１３２ｂは、基板１２０と物理的に接触していない。
【０１９５】
類似の様式で、キャリア・プレート１０２は、複数の基板を同時に受容しかつ保持するための、複数の空洞１１２を有し得る。
【０１９６】
例えば、図１は、ＰＶＤ工程のために１つ又は好ましくは複数のウエハを配置できる、基本キャリア１０２（キャリア・プレート１０２とも呼ばれる）を例示的に示す。基本キャリア１０２は、受容されることになるウエハの数及び形状に応じて、対応する部分１１２を有する。
【０１９７】
図１において視覚化されているように、例えば、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、キャリア・プレート１０２の上側１０２ａ（及び／又は下側１０２ｂ）を越えて突出し得る。代替的に、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂはまた、キャリア・プレート１０２と面一になるように設けられ得る。
【０１９８】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に配置される基板１２０が中でコーティングされ得るコーティング領域を画定し得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは例示として、前記保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に配置される基板１２０の少なくとも１つの周縁部分を覆うか又はシールド（マスク）するように、提供され得る。
【０１９９】
図１において例示されているように、基板１２０、例えばウエハ、例えば半導体ウエハ、例えばシリコン・ウエハは、基板保持デバイス１００内に受容され得る。基板１２０は、例えば、第１（又は下側、それぞれ）保持フレーム１３２ａ上に設置され得る。基板１２０は、例えば、基板１２０の周縁領域の全周を介して、下側保持フレーム１３２ａ上に設置され得る。代替的に、基板１２０はまた、基板１２０の周縁領域内で（例えば角を介して角度のついた基板の場合、それぞれ）、下側保持フレーム１３２ａ上に部分的にのみ設置され得る。下側保持フレーム１３２ａは、基板１２０を載置するための、平らな（又は平面状の、それぞれ）支持表面を有し得る。言い換えれば、下側保持フレーム１３２ａは、基板１２０を載置するための設置平面を提供し得る。
【０２００】
基板１２０の片面のみでの処置が必要とされる場合、保持フレームは、例えば基板のある側が完全に覆われる（又はマスクされる、それぞれ）ように、閉じられた保持プレートとして構成され得る。
【０２０１】
第２（又は上側の、それぞれ）保持フレーム１３２ｂと基板１２０との間に、例えば、約０．１ｍｍから約０．５ｍｍまでの範囲内の（方向１０５に沿った）間隙高さを有する、又は５００μｍ、４００μｍ、３００μｍ、２００μｍ、若しくは１００μｍ未満の間隙高さを有する、狭い間隙が残り得る。この場合、例えば、基板保持デバイス１００の保持フレーム１３２ａ、１３２ｂに関して、僅かな製造公差もまたこうして要求される。基板保持デバイス１００は、任意の厚さの、例えば約０．１ｍｍから約１ｃｍまでの範囲の厚さのプレート形状基板１２０が、空洞１１２内に受容され得るように配設され得る。
【０２０２】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間の間隙１３０（基板１２０を受容するための受容空間とも呼ばれる）は、受容されるべき基板１２０の厚さに適合され得る間隙高さを有することができ、例えば、約０．１ｍｍから約１ｍｍまでの範囲内の（方向１０５に沿った）間隙高さを有する、又は１ｍｍ未満、５００μｍ、３００μｍ、若しくは２００μｍの間隙高さを有する。さらに、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの間に設けられる間隙１３０は、（方向１０３における）基板１２０の幅（例えば直径又は横方向の延伸）に適合され得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ及び空洞１１２は例示として、基板１２０が横方向において露出されるように、すなわち言い換えれば、基板１２０が第１保持フレーム１３２ａ及び第２保持フレーム１３２ｂに横方向において当接しないように、適合され得る。
【０２０３】
この文脈では、基板保持デバイス１００は、異なる保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが異なる基板厚さの基板１２０に対して使用され得るように、提供され得る。上側保持フレーム１３２ｂは例示として、基板１２０と物理的に接触しないべきである。さらに、基板保持デバイス１００は、異なる保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが異なる基板直径又は基板幅を有する基板１２０に対して使用され得るように、提供され得る。基板直径又は基板幅が、例示として空洞１１２の幅によって限定され得ることは、言うまでもない。
【０２０４】
基板保持デバイス１００の様々な変更及び構成、並びに空洞１１２に及び保持フレーム１３２ａ、１３２ｂに関する詳細が、以下で記載される。この場合、図１の文脈において記載されてきた基本的な特徴及び動作モードが、類似の様式で含まれ得る。さらに、以下で記載される特徴及び動作モードは、図１において記載される基板保持デバイス１００に類似の様式で適用され得るか、又は図１において記載される基板保持デバイス１００と組み合わされ得る。
【０２０５】
図２は、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の概略断面図を視覚化している。この場合、上側保持フレーム１３２ｂ及び／又は下側保持フレーム１３２ａは、面取りされる、又は言い換えれば、面取り部２３４ａ、２３４ｂを有し得る。様々な実施形態によれば、下側保持フレーム１３２ｂの及び／又は上側保持フレーム１３２ｂの内周壁は、面取り部２３４ａ、２３４ｂを有し得る。基板１２０はこの場合、例えば、より均質にコーティングされ得る。その理由は、例えば、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂのおかげで、基板１２０の遮蔽が僅かしか又は全く生じないからである。
【０２０６】
さらに、上側保持フレーム１３２ｂは、前記上側保持フレーム１３２ｂが下側保持フレーム１３２ａを完全に覆うように配設され得る。下側保持フレーム１３２ａはこの場合、例えば、上方からコーティングされ得ない。
【０２０７】
さらに、下側保持フレーム１３２ａが例示として空洞内に横方向の遊びを有して懸架されるように、下側保持フレーム１３２ａとキャリア・プレート１０２との間に間隔２０１又は間隙２０１が設けられ得る。下側保持フレーム１３２ａはしたがって、例えば、キャリア・プレート１０２から下側保持フレーム１３２ａへと及びしたがって基板１２０へと撓み応力が伝達されないように、キャリア・プレート１０２から切り離され得る。
【０２０８】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は、下側保持フレーム１３２ａをセンタリングされて保持するための、センタリング構造を有し得る。
【０２０９】
図３は、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の概略断面図を視覚化している。この場合、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、共通のセンタリング構造３３６を有し、この結果、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、下側保持フレーム１３２ａが空洞１１２内に挿入されている及び上側保持フレーム１３２ｂが下側保持フレーム１３２ａ上に載置されているときに、相互の規定された位置に設置されるようになる。
【０２１０】
２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは例示として、形状結合して相互に係合する部分及び／又は空洞を有し得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂはこの場合また、方向１０３に沿って互いから横方向に変位され得ない。本明細書における上側保持フレーム１３２ａは、例えば重力のみによって固定される。言い換えれば、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの相互の挟持が必要とされ得ない。例えば、このことは、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの、及び基板１２０の、より単純なキャリア・プレート１０２内への装填及びそこからの取り去りを可能にする。
【０２１１】
図３において視覚化されているように、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、対として相互に適合する複数のセンタリング構造３３６を有し得る。このことにより、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、下側保持フレーム１３２ａ上に上側保持フレーム１３２ｂが載置されているときに、互いにセンタリングされ得るか、又は相互の所定の位置へと移動され得る。
【０２１２】
図４Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の概略平面図を視覚化している。キャリア・プレート１０２の空洞１１２は、例えば、実質的に矩形の箱の形状とすることができ、したがって（例えば上方から見られるとき）、４つの角領域４１２ｅを有し得る。代替的に、キャリア・プレート１０２の空洞１１２は、例えば基板１２０の形状に及び／又は２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの形状に適合された、任意の他の好適な形状を有し得る。
【０２１３】
例えば、空洞１１２は、４つの内側角部分４１２ｅを有する、実質的に矩形の箱の形状の内側輪郭４１２ｉを有し得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、例えば、空洞１１２に適合するような４つの外側角部分を有する、実質的に矩形の箱の形状の外側輪郭を有し得る。
【０２１４】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂのそれぞれの４つの外側角部分において、対として相互に適合するセンタリング構造をそれぞれ有し得る（例えば図６Ａを参照）。さらに、第１保持フレーム１３２ａは、キャリア・プレート１０２上の、空洞１１２の角領域４１２ｅにのみ、設置され得る。
【０２１５】
図４Ｂにおいて基板保持デバイス１００のキャリア・プレート１０２の概略平面図として視覚化されているように、キャリア・プレート１０２内に、複数の基板１２０が保持されるように、複数の空洞１１２が互いに並んで設けられ得る。本明細書における方向１０１は、複数の基板を処理するために処理アセンブリ内で基板保持デバイス１００が沿って搬送され得る、搬送方向１０１とすることができる。この場合、複数の空洞は、搬送方向１０１に対して横断方向の幅方向１０３に少なくとも沿って、互いに並んで配設され得る。
【０２１６】
したがって、キャリア・プレート１０２は、キャリア・プレート１０２がキャリア・プレート１０２内に保持される基板１２０と一緒に搬送されるように、キャリア・プレート１０２が中に担持又は支持され得る、少なくとも２つの保持領域４０２ｈ（又は保持部分４０２ｈ、それぞれ）を有し得る（図６Ｂを参照）。
【０２１７】
図４Ｂにおいて例示されているキャリア・プレート１０２と類似の様式で、基板保持デバイス１００はこの場合、以下、すなわち、互いに並んで配設される複数の空洞１１２を有するキャリア・プレート１０２を有し得る。この場合、空洞１１２の各々は、本明細書において記載されるように第１保持フレーム１３２ａ及び第２保持フレーム１３２ｂを受容するように適合され、キャリア・プレート１０２は、キャリア・プレート１０２を搬送するためにキャリア・プレート１０２が支持され得る場所である２つの保持領域４０２ｈを有し、互いに並んで配設される複数の空洞１１２は、２つの保持領域４０２ｈ間に配設される。
【０２１８】
図５Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の概略断面図、例えば方向１０３に対して横断方向の断面図を視覚化している（例えば図４Ａ及び図４Ｂを参照）。この場合、図５Ｂにおいて、それぞれの基板保持デバイス１００の方向１０７における断面図が視覚化されている。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの外側角領域５３２ｅ内のセンタリング要素３３６が、上で記載されてきたものと類似の様式で、図５Ｂにおいて例示として視覚化されている。
【０２１９】
例えば、下側保持フレーム１３２ａは、各外側角部分５３２ｅ内に、センタリング空洞、例えば通過穴を有し得る。さらに、上側保持フレーム１３２ｂは、例えば、各外側角部分５３２ｅ内に、下側保持フレーム１３２ａのセンタリング空洞と適合するセンタリング突起を有し得る。
【０２２０】
この場合センタリング突起は、例えば、センタリング突起が例えば円筒形のセンタリング空洞内により容易に導入され得るように、円錐形状とされた部分を有し得る。
【０２２１】
図５Ｃは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の概略断面図、例えば方向１０３に対して横断方向の断面図を視覚化している（例えば、図４Ａ、図４Ｂ、及び図５Ａを参照）。
【０２２２】
様々な実施形態によれば、上側保持フレーム１３２ｂは、面取りされ得る（又は例示として、空洞１１２に向かって斜角を付けられ得る）。言い換えれば、上側保持フレーム１３２ｂは、面取り部２３４ｂを有し得る。下側保持フレーム１３２ａが、さらに面取りされ得る（又は例示として、空洞１１２に向かって斜角を付けられ得る）。言い換えれば、下側保持フレーム１３２ａは、面取り部２３４ａを有し得る。
【０２２３】
様々な実施形態によれば、下側保持フレーム１３２ａの及び／又は上側保持フレーム１３２ｂのそれぞれの内周壁は、面取り部２３４ａ、２３４ｂを有し得る。基板１２０はこの場合、例えば、より均質にコーティングされ得る。その理由は、例えば、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂのおかげで、基板１２０の遮蔽が全く生じないか、又はより少なく生じるからである。
【０２２４】
様々な実施形態によれば、下側保持フレーム１３２ａは、その外側角部分５３２ｅのみを介して、キャリア・プレート１０２上に設置され得る。図５Ｂ及び図６を参照されたい。
【０２２５】
図６Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の２つのそれぞれの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの、概略斜視詳細図を視覚化している。この場合、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、その外側角部分５３２ｅ内に、対として相互に適合する複数のセンタリング要素を有する。これらにより、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、第２保持フレーム１３２ｂが第１保持フレーム１３２ａ上に載置されているときに、互いにセンタリングされるようになっている。２つのフレーム開口部１３２は、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが互いにセンタリングされているときに、一致するようになされ得る。
【０２２６】
対として相互に適合するセンタリング構造は、例えば、下側保持フレーム１３２ａの円筒形のセンタリング空洞６３２ａの、及び、センタリング空洞６３２ａに適合する上側保持フレーム１３２ｂのセンタリング突起６３２ｖの形態で、設けられ得る。代替的に、対として相互に適合するセンタリング構造は、どのような他の任意の好適なセンタリング要素も有し得る。例えば、下側保持フレーム１３２ａに及び上側保持フレーム１３２ｂに、対として相互に適合するセンタリング輪郭６３２ｋが設けられ得る。
【０２２７】
対として相互に適合するセンタリング構造は例示として、少なくとも２つの方向において、例えば、上側保持フレーム１３２ｂが下側保持フレーム１３２ａ上に載置されるように方向１０５に沿って、並びに、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの位置の互いに対する横方向のセンタリングのために方向１０３及び／又は１０７に沿って、形状結合を形成する。
【０２２８】
図６Ｂは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００を搬送するための基板搬送デバイス６００の、概略断面図を視覚化している。
【０２２９】
様々な実施形態によれば、基板搬送デバイス６００は、基板保持デバイス１００を搬送するための搬送システムを有し得る。この場合、搬送システムは、基板保持デバイス１００のキャリア・プレート１０２がそれぞれ２つの保持領域４０２ｈでのみ保持又は支持されるように、２つの保持要素７１２を有する。保持要素７１２上に支持されるキャリア・プレート１０２の搬送は、例えば、搬送ローラ、チェーン、バー、又は別の好適な搬送システムによって行われ得る。
【０２３０】
例えば、キャリア・プレート１０２の支持に起因して、キャリア・プレート１０２は、例えばキャリア・プレート１０２の中心における最大の撓み７０５で、撓み得る。保持フレーム組立体７０２がそれぞれの基板が保持されるためのキャリア・プレート１０２から切り離されているおかげで、キャリア・プレート１０２の撓み７０５は、上述したように、基板に対してどのようなマイナスの影響も有し得ない。
【０２３１】
それぞれの基板１２０が２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に受容されるように、それぞれの保持フレーム組立体７０２は、本明細書において記載される２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂを有し得る。
【０２３２】
本明細書において記載される基板搬送デバイス６００は、処理チャンバ内に（例えば真空チャンバ又は大気圧チャンバ又は正圧チャンバ内に）、複数の基板１２０を搬送及び／又は配置するために使用され得る。処理チャンバはこの場合、処理チャンバの処理領域（例えばコーティング領域）内で複数の基板１２０の片面が又は両面が処理（例えばコーティング）されるように、１つ又は複数の処理デバイス（例えばコーティング・デバイス）を有し得る。
【０２３３】
例えば、コーティング・デバイスとして、マグネトロンが使用され得る。さらに、コーティング・デバイスとして、電子ビーム・エバポレータが使用され得る。処理チャンバの中でキャリア・プレート１０２を搬送するために、例えば、キャリア・プレート１０２の両側で、片側で支持される搬送ローラが使用され得る。さらに、キャリア・プレート１０２はまた、さらなるキャリア内に挿入され得るか、又はさらなるキャリアによって搬送され得る。
【０２３４】
図７は、様々な実施形態による基板１２０を処理するための方法７００の、概略フロー図を視覚化している。この場合、方法７００は、以下のステップ、すなわち、ステップ８１０における、第１保持フレーム１３２ａをキャリア・プレート１０２の空洞１１２内に挿入するステップであって、第１保持フレーム１３２ａが基板１２０を載置するための平面状の支持表面を有する、ステップと、ステップ８２０における、基板を第１保持フレームの平面状の支持表面上へと挿入するステップと、ステップ８３０における、第２保持フレームを第１保持フレーム上に載置するステップであって、基板１２０が２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に配置されるように２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ（第１及び第２保持フレーム）が配設され、基板１２０が第１保持フレーム１３２ａ上にのみ設置されるように第２保持フレーム１３２ｂと基板１２０との間に間隙が残っている、ステップと、を含み得る。
【０２３５】
第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂのそれぞれの挿入及び載置はこの場合、磁気グリッパ又は吸着グリッパによって行われ得る。この目的のために、第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂは、それぞれの領域を有することができ、この中で、磁気グリッパ又は吸着グリッパは、それぞれの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂを強固に保持し得る。
【０２３６】
下側マスク１３２ａは例示として、基本キャリア１０２内に最初に挿入され得る。下側マスク１３２ａが基本キャリア１０２内に挿入されてしまうと、ウエハ１２０が持ち込まれて（例えば基本キャリア１０２に又は下側マスク１３２ａの横方向の周縁に関してそれぞれ周囲全体に小さい間隙を有して）設置され得る。次いで上側マスク１３２ｂが持ち込まれて設置される。例えば、上側マスク１３２ｂはこの場合、ウエハ１２０の表面に決して接触しない。例えば、基板保持デバイス１００によって運ばれることになる全てのウエハ１２０に対してこの手順が完了すると、ＰＶＤ工程が始まり得る。例えば、基板１２０に対して横方向に、及びこれの上方に残る間隙により、気体体積がトラップされることがないので、基板保持デバイス１００がロックを通過して真空チャンバ内に入るときに、効果的な排気が支援され得る。
【０２３７】
取り去り手順は、例えば装填手順と同じように、ただし逆の順序で行われ得、この場合、下側マスク１３２ａは、基本キャリア１０２内に場合によっては永久的に留まり得る。
【０２３８】
様々な実施形態によれば、全ての構成要素が、ウエハ１２０の並びにそのマスク１３２ａ及び１３２ｂの完全に自動化された装填及び／又は取り去りにとって、好適であり得る。様々な実施形態によれば、基板１２０を有する基板保持デバイス１００の装填は、全ての部品のクリーニング後に、例えば液体薬品によるクリーニング後に又はドライアイス洗浄後に行われ得る。
【０２３９】
様々な実施形態によれば、上側保持フレーム１３２ｂは、下側保持フレーム１３２ａによってのみ支持され得る。さらに、下側保持フレーム１３２ａは、キャリア・プレート１０２上に緩く（例えば横方向に浮動する様式で）設置され得る。この場合、下側保持フレーム１３２ａの一部は、キャリア・プレート１０２の空洞１１２内へと延在し得る。
【０２４０】
様々な実施形態によれば、製造システムにおけるウエハ破壊のリスクの低減、並びに柔軟なマスク設計及び単純な保守を可能にする、基板保持デバイス１００が提供される。さらに、基板保持デバイス１００は、低い製造コストを有する。その理由は、精密部が小さい部品に、すなわち例示として、例えば保持フレーム１３２ａ、１３２ｂに集中され、キャリア・プレート１０２全体にではないからである。さらに、マスクの正確なセンタリングが可能とされ得、基板がコーティングされる場合により高い効率レートを可能とする。
【０２４１】
さらに、本明細書に記載されるような基板保持デバイス１００によって、キャリアの移動の影響が、ウエハから切り離され得る。さらに、マスクのセンタリングが正確な形状結合によって行われるので、工程の信頼性が高められる。
【０２４２】
様々な実施形態による実施例が以下に記載される。
【０２４３】
実施例１ａ。  第１保持フレーム１３２ａ及び第２保持フレーム１３２ｂによって基板１２０を空洞１１２内に保持するための空洞１１２を有するキャリア・プレート１０２であって、空洞１１２が、キャリア・プレート１０２の上側１０２ａからキャリア・プレート１０２を通ってキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂまで延在する、キャリア・プレート１０２を有し、
空洞１１２内に挿入される第１保持フレーム１３２ａがキャリア・プレート１０２上に部分的に設置され、また、第２保持フレーム１３２ｂが第１保持フレーム１３２ａ上に部分的に設置され、
２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、空洞１１２内に配設されるときに、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に基板１２０の周縁部分を受容するための受容空間１３０が設けられるように配設される、
基板保持デバイス１００。
【０２４４】
実施例２ａ。  ２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、第２保持フレーム１３２ｂが第１保持フレーム１３２ａ上に載置されているときに、前記２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが形状結合して相互に係合するように配設される、実施例１ａによる基板保持デバイス。
【０２４５】
実施例３ａ。  ２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、対として相互に適合する複数のセンタリング構造３３６を有し、これらにより、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、第２保持フレーム１３２ｂが第１保持フレーム１３２ａ上に載置されているときに、互いにセンタリングされるようになっている、実施例２ａによる基板保持デバイス。
【０２４６】
実施例４ａ。  ２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂのそれぞれの内周壁が面取り部を有する、実施例１ａから３ａのうちの１つによる基板保持デバイス。
【０２４７】
実施例５ａ。  空洞１１２が実質的に矩形の箱の形状でありかつ４つの角領域を有し、また、第１保持フレーム１３２ａが、空洞１１２の角領域内でのみ、キャリア・プレート１０２上に設置される、実施例１ａから４ａのうちの１つによる基板保持デバイス。
【０２４８】
実施例６ａ。  ２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、空洞１１２に適合するように、４つの外側角部分を有する実質的に矩形の箱の形状の外側輪郭を有することができ、また、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが４つの外側角部分において、対として相互に適合するセンタリング構造をそれぞれ有する、実施例５ａによる基板保持デバイス。
【０２４９】
実施例７ａ。  互いに並んで配設される複数の空洞１１２を有するキャリア・プレート１０２を有し、基板を保持するための空洞１１２の各々が、第１保持フレーム１３２ａ及び第２保持フレーム１３２ｂによって適合されかつキャリア・プレート１０２の上側１０２ａからキャリア・プレート１０２を通ってキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂまで延在し、また、空洞１０２の各々内ではキャリア・プレート１０２上に第１保持フレーム１３２ａが部分的に設置され、また、第２保持フレーム１３２ｂが第１保持フレーム１３２ａ上に部分的に設置され、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、それぞれの空洞１１２内に配設されるときに、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に基板１２０の周縁部分を受容するための受容空間１３０が設けられるように配設され、キャリア・プレート１０２が、キャリア・プレート１０２を搬送するためにキャリア・プレート１０２が支持され得る場所である２つの保持領域４０２ｈを有し、互いに並んで配設される複数の空洞１１２が、２つの保持領域４０２ｈ間に配設される、
基板保持デバイス１００。
【０２５０】
実施例８ａ。  実施例７ａによる基板保持デバイス１００と、基板保持デバイス１００を搬送するための搬送システムであって、基板保持デバイス１００のキャリア・プレート１０２が２つの保持領域４０２ｈ内でのみ保持されるように２つの保持要素７１２を有する、搬送システムと、を有する、
基板搬送デバイス。
【０２５１】
実施例９ａ。  処理チャンバの処理領域内で複数の基板１２０の両面を処理するための処理チャンバと、複数の基板１２０を処理領域内に搬送及び／又は配置するための、実施例８ａによる基板搬送デバイスと、を有する、
処理アセンブリ。
【０２５２】
実施例１０ａ。  基板を処理するための方法であって、以下のステップ、すなわち、
基板を保持するための第１保持フレーム１３２ａをキャリア・プレート１０２の空洞１１２内に挿入するステップであって、第１保持フレーム１３２ａが基板１２０を載置するための平面状の支持表面を有する、ステップと、
基板１２０を第１保持フレーム１３２ａの平面状の支持表面上へと挿入するステップと、
第２保持フレーム１３２ｂを第１保持フレーム１３２ａ上に載置するステップであって、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、基板１２０が２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に配設されるように配設され、基板１２０が第１保持フレーム１３２ａ上にのみ設置されるように第２保持フレーム１３２ｂと基板１２０との間に間隙が残っている、ステップと、を含む方法。
【０２５３】
例えば陰極蒸発などのコーティング工程（いわゆるスパッタリング又はマグネトロン・スパッタリング）が行われる真空システムでは、ウエハ及び小面積の基板の両面が、処理、例えばコーティングされ得る。すなわち、１つの同じ基板の両面が、１回の方法サイクルにおいて処理され得る。そのような概念は、例えば光起電技術において、例えばＨＪＴ（ヘテロ接合技術）太陽電池のセル概念において採用される。ヘテロ接合技術はニッチ市場を示しており、また予測によれば、２０２０年までにｃ−Ｓｉ（単結晶シリコン）市場全体の約５％を、また２０３０年までに約１０％を占めるとされる。
【０２５４】
しかしながら、他のセル概念がより大きい経済的突出を達成する可能性がある。例えば、ＩＢＣ（交差指型背面接触）太陽電池、ＷＴ（ラップスルー）太陽電池、（アルミニウム）ＢＳＦ（裏面電界）太陽電池、ＰＥＲＣ（不動態化エミッタ及び背面電池）太陽電池、ＰＥＲＬ（不動態化エミッタ背面局所拡散型）太陽電池、又はＰＥＲＴ（不動態化エミッタ背面全面拡散型）太陽電池、などである。ただし、これらのセル概念は、基板の、例えばウエハの片面の処理しか必要としない。
【０２５５】
様々な実施形態によれば、ｃ−Ｓｉ基板を処理するための処理アセンブリが提供される。例えば、処理アセンブリは、材料蒸気源、例えばＰＶＤ（物理気相成長）用の材料蒸気源を有し得る。例えば、基板の裏面の（又は電池の裏側の、それぞれの）処理は、前記セル概念用の処理アセンブリによって、例えば、基板の裏面の金属化、例えばＰＶＤ金属化を形成するために、行われ得る。
【０２５６】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリ（例えば真空システム）が提供され得る。この処理アセンブリは、例えば基板を裏返すことなどの追加の機械的取り回しを何ら伴わずに、かつ／又は真空の破壊を必要とすることなく、例えばウエハ又は小面積の基板を有する基板スタック（例えば１対の基板）を、両面の様式で処置（処理）するように適合される。本明細書において採用される基板保持デバイス（キャリア又はトレイとも呼ばれる）は、複数の空洞、複数の上側マスク、及び複数の下側マスクを有し得る。これらのうち、それぞれの上側マスク、及び各場合において下側マスクが、キャリアの複数の空洞のうちの１つの空洞内に配設される保持フレーム対を形成し、また基板スタック（例えば１対の基板）を保持する。
【０２５７】
従来のコーティング、例えばペーストを使用する金属化とは対照的に、様々な実施形態によれば、例えば裏側を金属めっきされた太陽電池を製造するための、コーティング（及びコーティングを作り出すための方法）、例えばＰＶＤ金属化（すなわちＰＶＤを使用して形成される金属化）が提供される。この太陽電池は、以下の特性、すなわち、
１．）  表面、層、及び／又はこれらの下に存在する層システムに関する、より低い（例えば化学的）腐食性、
２．）  表面、層、及び／又はこれらの下に存在する層システムに関する、より低い接触抵抗（Ｒ直列又は直列抵抗とも呼ばれる）、
３．）  層平面に沿ったより低い抵抗（横方向の抵抗、又はＲシャントとも呼ばれる）、これは例えば、コーティングが、より高い純度で及びより低い多孔率で構成されることによる、
４．）  例えば発生する最大温度及びこの温度における滞留時間に関する、より低い熱応力、
５．）  より低いエネルギー・コスト、
６．）  電池効率のより少ない低下のうちの、少なくとも１つを有する。
【０２５８】
例えば、様々な実施形態によれば、例えばＰＶＤを用いるときに、より高い電池効率が達成され得る。ＰＶＤがガルバニック技術（めっき）と組み合わされるときに、コストに関するさらなる利点が生じる。この場合、ＰＶＤによってシード層（種層とも呼ばれる（seed layer））が堆積され、前記シード層は次いで、ガルバニック技術によって、所定の、例えば最適な、層厚さにまで補強される。シード層は、ガルバニック技術とともに、他の半導体技術においても使用され得る。
【０２５９】
様々な実施形態によれば、真空ベースの処理技術が、ｃ−Ｓｉ基板の分野において経済的に採用され得る。例えば、ｃ−Ｓｉ基板（例えばｃ−Ｓｉウエハ）がコーティングされるために、費用効果の高いＰＶＤ法が提供され得る。様々な実施形態によれば、例えば本明細書に記載されるような基板保持デバイスを使用するときに、１基板あたり（例えば１ウエハあたり）約４セント未満の処理コストで、シード層が配設され得る。
【０２６０】
製造される太陽電池の潜在電力出力（例えば１基板あたり約５．３ワット）の観点からは、これは、ワット・ピーク（製造される太陽電池の電気出力）あたり約０．７６セントの処理コストに相当する。（例えばアルミニウムから）裏側の金属化を形成するための、ワット・ピークあたり２．７セント未満の処理コストは、経済的であると見なされ得る。
【０２６１】
様々な実施形態によれば、全体的な動作コストが低減される。可能な最高の高さのいくつかの基板は、例示として、可能な最短のシステム長さで処理され得、また、最小限とされた周縁を有する。このおかげで、可能な限り高いシステム利用が達成され得る。
【０２６２】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス、及び、１方法サイクルあたり最大数の基板（例えばウエハ）が片面でそれぞれ処理され得るように配設される、最大限のシステム利用のための方法が提供される。例えば、ＰＶＤ材料源（スパッタリング・システム）を使用して、例えば、水平方向に整列された基板保持デバイス（上及び下の構成）、又はそうでなければ鉛直方向に整列された基板保持デバイス（右／左の構成）を有する、複数の処理ステップが実施され得る。
【０２６３】
例えば、様々な実施形態による基板保持デバイスは、約１０８個の基板の基板装填係数を可能とし得る。例えば、様々な実施形態による処理アセンブリは、１時間あたり約９０００個の基板のスループットを可能とし得る。これは、１年あたり約７２・１０６個の基板に相当するか、又は、１基板あたり５．３Ｗピークにおいて、１年あたり約３８１．６ＭＷにそれぞれ相当する。
【０２６４】
水平方向に（又は鉛直方向に）整列されて搬送される基板保持デバイスは、１基板受容空洞あたり２つの基板を受容し得る（基板支持とも呼ばれ得る）。第１基板は、ＰＶＤ材料源を介して例えば下方から、片面を処理され得、一方、第２基板は、別のＰＶＤ材料源を介して例えば上方から、片面を処理され得る。これは、同時に又は連続的に行われ得る。
【０２６５】
真空技術によって吸着されるために、又は気体脱離の目的で、基板保持デバイスは、機械的ダクトを有し得る。このダクトは、例えばＰＶＤ対応であり、また例示としてそれぞれ、コーティングされるときに詰まらないか、又は現場外でクリーニングされ得る。基板保持デバイスの一部は、キャリア・プレート内に一体式に統合され得るが、必須ではない。キャリア・プレート及び（例えば複数部品の）基板保持デバイスは、モジュール式とすることができる。保持フレーム（又は中間形成体）、例えば上側フレームは、基板縁部を越えた周縁において（周縁領域内で）進む処理（又は影響）がそれぞれ防止又は最小化され得るように、２つの基板間で適合され得る。この保持フレームは任意選択で、前記保持フレームが追加のヒート・シンクとして使用されるように配設され得る。この場合、この保持フレームは、第１基板に及び／又は第２基板に熱的に結合され得、またこの保持フレームは、任意選択でキャリア・プレートに熱的に結合され得る。要求される熱的結合が達成されるために、この保持フレームと、第１基板及び／若しくは第２基板との間の、又は任意選択でキャリア・プレートとの間の、接触面は、それぞれ、相応してより大きくなるように適合され得る。
【０２６６】
基板保持デバイスは任意選択で、カセットを有し得る。このカセットは、少なくとも１つの基板が中に載置された（例えば２つの基板が中に載置された）少なくとも１つのカセット（例えば２つのカセット）が、空洞を介してキャリア・プレート内に挿入されることを可能にする。
【０２６７】
様々な実施形態によれば、２つの基板は、純粋に機械的な設置又は挟持によってのみ、保持され得る。例えばキャリア・プレートの水平方向の通過の場合に、例えば（基板の第２面にある）下を向いた処理面を有する基板をコーティングする場合に、意図的に又は意図せず処理されないまま残っている周縁部分が、例えば支持表面に起因してＰＶＤコーティング内に生じる。
【０２６８】
処理されない周縁部分が実装されるために、又は放出防止安全装置として、被覆フレームが、基板上に載置又は基板内に統合され得る。
【０２６９】
図８Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の、例えば搬送方向に対して横断方向に切断された及び／又はキャリア・プレート面に対して横断方向に切断された、概略断面図を視覚化している。基板保持デバイス１００は、キャリア・プレート１０２を有し得る。キャリア・プレート１０２は、例えば、第１基板１２０ａが空洞１１２内で２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に保持されるように、及び、第２基板１２０ｂが空洞１１２内で上側フレーム１３２ｂ上に（又は第１基板１２０ａの上方に、それぞれ）保持されるように、下側フレーム１３２ａ（第１保持フレーム１３２ａ）及び上側フレーム１３２ｂ（第２保持フレーム１３２ｂ）が空洞１１２内に受容又は少なくとも部分的に受容され得るように、少なくとも１つの空洞１１２を有し得る。
【０２７０】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は寸法に関して、受容されることになる基板１２０ａ、１２０ｂの量及びサイズの両方に、並びに、基板１２０ａ、１２０ｂを処置するために使用される処理アセンブリのサイズ（例えばコーティング幅及び／又はロックの長さ）に、適合され得る（図１１Ａから図１１Ｃを参照）。例えば、キャリア・プレート１０２（基本キャリア１０２とも呼ばれる）は、ＰＶＤコーティング用の複数の基板スタック１２０ａ、１２０ｂ、例えばウエハ・スタックを、配置及び／又は保持し得る。
【０２７１】
さらに、基板保持デバイス１００は、空洞１１２内に挿入される第１保持フレーム１３２ａ、及び空洞１１２内に挿入される第２保持フレーム１３２ｂを有し得る。第１保持フレーム１３２ａは、キャリア・プレート１０２上に（例えばその支持表面上に）少なくとも部分的に設置され得る。第２保持フレーム１３２ｂは、第１保持フレーム１３２ａ上に（例えばその上側に）少なくとも部分的に設置され得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ（保持フレーム対１３２ａ、１３２ｂ）は、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に第１基板１２０ａの周縁部分を受容するための受容空間１３０（例えば間隙１３０）が設けられるように配設され得る。
【０２７２】
２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは例示として、これらの中に挿入される２つの基板１２０ａ、１２０ｂ、すなわちこれらの相互に対面する側１４０ａ（すなわち第１基板１２０ａの第１面１４０ａ及び第２基板１２０ｂの第１面１４０ａ）が、互いを少なくとも部分的に覆う又はシールド（マスク）するように、提供され得る。
【０２７３】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、第１基板１２０ａの第２面１４０ｂ（例示としてその下側１４０ｂ）が少なくとも部分的に露出され、また、第２基板１２０ｂの第２面１４０ｂ（例示としてその上側１４０ｂ）が少なくとも部分的に露出されるように配設され得る。言い換えれば、基板１２０ａ、１２０ｂ（すなわち基板スタック）の、互いから離れるように面を向ける側１４０ｂが、少なくとも部分的に露出され得る。
【０２７４】
２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは例示として、前記２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に配置される第１基板１２０ａの少なくとも１つの周縁部分を覆うか又はシールド（マスク）するように、提供され得る。
【０２７５】
第１基板１２０ａは、基板保持デバイス１００内にある、例えばウエハ、例えば半導体ウエハ、例えばシリコン・ウエハとすることができる。例えば、第１基板１２０ａは、第１保持フレーム１３２ａ上に設置され得る。例えば、第１基板１２０ａは、第１基板１２０ａの周縁領域を介して、全周に沿って第１保持フレーム１３２ａ上に設置され得る。代替的に、第１基板１２０ａはまた、第１保持フレーム１３２ａ上に、第１基板１２０ａの周縁領域内で部分的にのみ設置され得る（例えば角を介して角度のついた基板の場合、それぞれ）。第１保持フレーム１３２ａは、第１基板１２０ａを載置するための、平らな（又は平面状の、それぞれ）支持表面を有し得る。言い換えれば、第１保持フレーム１３２ａは、第１基板１２０ａを載置するための支持表面を提供し得る。
【０２７６】
第２基板１２０ｂは、例えばウエハ、例えば半導体ウエハ、例えばシリコン・ウエハとすることができる。例えば、第２基板１２０ｂは、第２保持フレーム１３２ｂ上に設置され得る。例えば、第２基板１２０ｂは、第２基板１２０ｂの周縁領域を介して、全周に沿って第２保持フレーム１３２ｂ上に設置され得る。代替的に、第２基板１２０ｂはまた、第２保持フレーム１３２ｂ上に、第２基板１２０ｂの周縁領域内で部分的にのみ設置され得る（例えば角を介して角度のついた基板の場合、それぞれ）。第２保持フレーム１３２ｂは、第２基板１２０ｂを載置するための、平らな（又は平面状の、それぞれ）支持表面を有し得る。言い換えれば、第２保持フレーム１３２ｂは、第２基板１２０ｂを載置するための支持表面を提供し得る。第１基板１２０ａの周縁部分は、例えば、第１保持フレーム１３２ａの支持表面と接触していることができる。第１基板１２０ａの周縁部分はこの場合、コーティング中に一緒にコーティングされ得ない。類似の様式で、第２基板１２０ｂの周縁部分は、第２保持フレーム１３２ｂの支持表面と接触していることができる。
【０２７７】
基板保持デバイス１００の様々な変更及び構成、並びに空洞１１２に及び保持フレーム１３２ａ、１３２ｂに関する詳細が、以下で記載される。この場合、図８Ａの文脈で記載されてきた基本的な特徴及び動作モードが、類似の様式で含まれ得る。さらに、以下で記載される特徴及び動作モードは、図８Ａにおいて記載される基板保持デバイス１００に類似の様式で適用され得るか、又は図８Ａにおいて記載される基板保持デバイス１００と組み合わされ得る。
【０２７８】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間の間隙１３０（第１基板１２０ａを受容するための受容空間とも呼ばれる）は、受容されるべき第１基板１２０ａの厚さに適合され得る間隙高さを有することができ、例えば、約０．１ｍｍから約１．５ｃｍまでの範囲内の（方向１０５に沿った）間隙高さを有する、又は１ｃｍ、０．５ｃｍ、１ｍｍ、５００μｍ、３００μｍ、若しくは２００μｍ未満の間隙高さを有する。（方向１０５に沿って）底部に向かう間隙１３０は、第１保持フレーム１３２ａの支持表面によって境界付けられ得る。
【０２７９】
第２保持フレーム１３２ｂと基板１２０との間に、例えば、約０．１ｍｍから約５ｍｍまでの範囲内の（方向１０５に沿った）間隙高さを有する、又は１ｍｍ、５００μｍ、４００μｍ、３００μｍ、２００μｍ、若しくは１００μｍ未満の間隙高さを有する、狭い間隙が残り得る。この場合、例えば、基板保持デバイス１００の保持フレーム１３２ａ、１３２ｂに関して、僅かな製造公差もまたこうして要求される。基板保持デバイス１００は、任意の厚さの、例えば約０．１ｍｍから約１ｃｍまでの範囲の厚さの基板１２０ａが、空洞１１２内に受容され得るように配設され得る。基板１２０ａ、１２０ｂは、例えばプレート形状とすることができる。
【０２８０】
例えば、第１保持フレーム１３２ａの支持表面（及び／又は間隙１３０）は、第１保持フレーム１３２ａの（例えばその上側の）凹部によって提供され得る。言い換えれば、支持表面は、例えばその上側に対して、沈降され得る。凹部は、第１基板１２０ａの横方向の延伸（基板直径若しくは基板幅）よりも大きい横方向の延伸、及び／又は、第１基板１２０ａの基板厚さよりも大きい深さ（すなわち第１保持フレーム１３２ａの中への延伸）を有し得る。凹部は、約０．１ｍｍから約５ｍｍまでの範囲内の、又は、１ｍｍ、５００μｍ、４００μｍ、３００μｍ、２００μｍ、若しくは１００μｍ未満の、深さを有し得る。言い換えれば、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に設けられる間隙１３０は、（方向１０３における）第１基板１２０ａの幅（例えば直径又は横方向の延伸）に適合され得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ及び空洞１１２は例示として、第１基板１２０ａが横方向において露出されるように、すなわち言い換えれば、第１基板１２０ａが第１保持フレーム１３２ａ及び第２保持フレーム１３２ｂに横方向において当接しないように、適合され得る。（方向１０５に沿って）底部に向かう凹部は、第１保持フレーム１３２ａの支持表面によって境界付けられ得る。
【０２８１】
第２保持フレーム１３２ｂの支持表面は任意選択で、第２保持フレーム１３２ｂの（例えばその上側１０２ａ上の）凹部によって提供され得る。言い換えれば、支持表面は、例えばその上側に対して、沈降され得る。凹部は、第２基板１２０ｂの横方向の延伸（基板直径若しくは基板幅）よりも大きい横方向の延伸、及び／又は、第２基板１２０ｂの基板厚さよりも大きい深さ（すなわち第２保持フレーム１３２ｂの中への延伸）を有し得る。凹部は、約０．１ｍｍから約５ｍｍまでの範囲内の、又は、１ｍｍ、５００μｍ、４００μｍ、３００μｍ、２００μｍ、若しくは１００μｍ未満の、深さを有し得る。言い換えれば、凹部は、（方向１０３における）第２基板１２０ｂの幅（例えば直径又は横方向の延伸）に適合され得る。第２保持フレーム１３２ｂ及び空洞１１２は例示として、第２基板１２０ｂが横方向において露出されるように、すなわち言い換えれば、第２基板１２０ｂが第２保持フレーム１３２ｂに横方向において当接しないように、適合され得る。（方向１０５に沿って）底部に向かう凹部は、第１保持フレーム１３２ａの支持表面によって境界付けられ得る。
【０２８２】
この文脈では、基板保持デバイス１００は、異なる保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが異なる基板厚さの基板１２０ａ、１２０ｂに対して使用され得るように、提供され得る。さらに、基板保持デバイス１００は、異なる保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが異なる基板直径又は基板幅を有する基板１２０ａ、１２０ｂに対して使用され得るように、提供され得る。
【０２８３】
キャリア・プレート１０２は、上側１０２ａ（上側表面、それぞれ）及び下側１０２ｂ（下側表面、それぞれ）を有し得る。２つの表面１０２ａ、１０２ｂは、（例えば少なくとも部分的に）互いと面平行とすることができる。キャリア・プレート１０２は、方向１０５に沿って（２つの表面１０２ａ、１０２ｂに対して垂直に）、約１ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内の厚さ、例えば約２ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内の厚さを有し得る。
【０２８４】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は、以下、すなわち、金属、例えばチタン、鋼（例えばステンレス鋼）、半金属、例えば炭素のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。代替的に又は付加的に、キャリア・プレート１０２は、複合材料を含み得るか、又はこれから形成され得る。キャリア・プレートの上側及び／又はキャリア・プレートの下側は、平面状に（平らに）、例えば互いと面平行に構成され得る。キャリア・プレートの上側及び／又はキャリア・プレートの下側は、任意選択でコーティングされ得る。
【０２８５】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は、方向１０３に沿って（キャリア・プレート面に沿って、例えば２つの表面１０２ａ、１０２ｂと平行に）、約１０ｃｍから約５ｍまでの範囲内の幅、例えば約１ｍから約３ｍまでの範囲内の幅を有し得る。さらに、キャリア・プレート１０２は（キャリア・プレート面に沿って、例えば２つの表面１０２ａ、１０２ｂと平行に）、幅方向１０３に対して横断方向に、約１０ｃｍから約５ｍまでの範囲内の長さ、例えば約０．１ｍから約２ｍまでの範囲内の長さを有し得る。キャリア・プレート１０２は、例えば、その長さに沿って搬送され得る。
【０２８６】
図８Ａにおいて視覚化されているように、例えば、第２保持フレーム１３２ｂ、又はその上側はそれぞれ、例えばキャリア・プレート１０２の上側１０２ａと面一となるように、すなわち例示として前記上側１０２ａと一緒に終端するように、設けられ得る。第１保持フレーム１３２ａ、又はその下側はそれぞれ、キャリア・プレート１０２の下側１０２ｂと面一となるように、すなわち例示として前記下側１０２ｂと一緒に終端するように、設けられ得る。
【０２８７】
下側基板は例示として下側保持フレーム（下側フレームとも呼ばれる）上に設置され得、また、上側基板は上側保持フレーム（上側フレームとも呼ばれる）上に設置され得る。この場合、下側フレーム及び上側フレームは、上下の関係で配設される。例えば、下側基板は上側フレームと直接の物理的接触状態になり得ない（すなわち下側フレーム上に上側フレームから間隔をおいて設置される）。本明細書における基板保持デバイスは、上側フレーム及び／又は下側フレームが、キャリア・プレートのそれぞれの空洞内に挿入されているとき、キャリア・プレート内でセンタリングされ、（相互に関して又はキャリア・プレートに対して）所定の位置及び／又は整列関係をとるように配設され得る。上側フレーム及び／又は下側フレームはこの場合、キャリア・プレートに一体式に接続され得る。言い換えれば、２つのフレームのうちの少なくとも一方は、キャリア・プレートの一部として構成され得る。代替的に、上側フレーム及び／又は下側フレームは、キャリア・プレートのそれぞれの空洞内に挿入され得る。
【０２８８】
図８Ａは、様々な実施形態による方法における、基板保持デバイス１００を視覚化している。
【０２８９】
様々な実施形態によれば、方法は、以下のステップ、すなわち、第１基板１２０ａを保持するための第１保持フレーム１３２ａをキャリア・プレート１０２の空洞１１２内に挿入するステップであって、第１保持フレーム１３２ａが第１基板１２０ａを載置するための（例えば平面状の）支持表面を有する、ステップと、第１基板１２０ａを空洞１１２内の第１保持フレーム１３２ａの平面状の支持表面上へと挿入するステップと、第２基板１２０ｂを保持するための第２保持フレーム１３２ｂをキャリア・プレート１０２の空洞１１２内に挿入するステップであって、第２保持フレーム１３２ｂが第２基板１２０ｂを載置するための（例えば平面状の）支持表面を有する、ステップと、第２基板１２０ｂを空洞１１２内の第２保持フレーム１３２ｂの（例えば平面状の）支持表面上へと挿入するステップと、を含み得る。第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂは任意選択で、第１基板１２０ａが、２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ間に少なくとも部分的に配設されるように配設され得る。第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂは任意選択で、第２保持フレーム１３２ｂと第１基板１２０ａとの間に間隙が残るように配設され得る。第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂは任意選択で、第１基板１２０ａが第１保持フレーム１３２ａ上にのみ設置されるように配設され得る。
【０２９０】
第１保持フレーム１３２ａの及び／又は第２保持フレーム１３２ｂの挿入は任意選択で、磁気グリッパ又は吸着グリッパ（真空グリッパとも呼ばれる）によって行われ得る。この目的のために、第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂ上に、グリッパが結合し得る係合面が設けられ得る。
【０２９１】
第１保持フレーム１３２ａは、これを貫通し、また例えば第１基板１２０ａの下側を少なくとも部分的に露出する、空洞１３２を有し得る。第２保持フレーム１３２ｂは任意選択で、これを貫通し、また例えば第２基板１２０ｂの下側を少なくとも部分的に露出する、空洞を有し得る。第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂは、カセットの一部として構成され得る。カセットは例示として、第１基板１２０ａ及び／又は第２基板１２０ｂを事前構成された状態で配設するように構成され得る。これは例えば、各々が空洞１１２内のそれぞれの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ内に予め載置された状態であり、例えば両基板１２０ａ、１２０ｂが一緒に（すなわち対に）及び／又は両保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが一緒に（すなわち対に）なっている。
【０２９２】
図８Ｂは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の、（図８Ａと類似の）概略断面図を視覚化している。
【０２９３】
例えば図８Ｂにおいて視覚化されているように、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、キャリア・プレート１０２の上側１０２ａ（及び／又は下側１０２ｂ）を越えて突出し得る。代替的に、例えば保持フレーム１３２ａ、１３２ｂはまた、キャリア・プレート１０２と、例えばその上側１０２ａ及び／又はその下側１０２ｂと、面一に設けられ得る。
【０２９４】
さらに、基板保持デバイス１００は、空洞１１２内に挿入されかつキャリア・プレート１０２上に（例えばその上側１０２ａに）少なくとも部分的に設置される、第１保持フレーム１３２ａを有し得る。さらに、基板保持デバイス１００は、空洞１１２内に挿入されかつ第１保持フレーム１３２ａ上に（例えばその上側に）少なくとも部分的に設置される、第２保持フレーム１３２ｂを有し得る。
【０２９５】
様々な実施形態によれば、第２保持フレーム１３２ｂは、例えば形状結合して適合するように、すなわち差し込み嵌合されるように、第１保持フレーム１３２ａの凹部内に少なくとも部分的に載置され得る。２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの互いに対する位置が、このことによって規定され得る。
【０２９６】
様々な実施形態によれば、２つの保持フレーム（すなわち上側フレーム１３２ｂ及び下側フレーム１３２ａ）は、キャリア・プレート１０２の空洞１１２内に挿入された後で、又はその上に載置された後で、例えば対として適合するセンタリング構造によって、空洞１１２内にセンタリングされて保持され得る。
【０２９７】
図９Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス２００ａの、（例えば搬送方向に沿って切断された及び／若しくはキャリア・プレート面に沿って切断された）概略断面図、又は、（搬送方向に対して横断する及び／若しくはキャリア・プレート面に対して横断する方向において見られた）概略平面図を視覚化している。
【０２９８】
図９Ａにおいて視覚化されているように、第１保持フレーム１３２ａは、空洞１１２内に配設され得る。第１保持フレーム１３２ａは、これを貫通する空洞１３２を有し得る。図９Ａにおいて視覚化されているように、空洞１１２及び／又は空洞１３２は、実質的に矩形の箱の形状とすることができる。
【０２９９】
第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂは任意選択で、キャリア・プレート１０２の空洞１１２に適合するように、４つの角領域を有する実質的に矩形の箱の形状の外側輪郭を有し得る。第１保持フレーム１３２ａ及び第２保持フレーム１３２ｂは任意選択で、４つの角領域内に、対として相互に適合するセンタリング構造を各々有し得る。
【０３００】
様々な実施形態によれば、第１保持フレーム１３２ａは、キャリア・プレート１０２の支持表面上にのみ、例えば、空洞１１２の角領域にのみ（図９Ｅ及び図９Ｆを参照）、空洞１１２の縁部領域にのみ（図９Ｂ及び図９Ｃを参照）、又は代替的に空洞１１２の角領域及び縁部領域内に（図９Ｄを参照）、設置され得る。
【０３０１】
このことは、例えばキャリア・プレート１０２が（例えばキャリア・プレート１０２の幅に沿って）撓むときに、空洞１１２内の２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂのより良好な安定性を実現し得る。
【０３０２】
類似の様式で、第１基板１２０ａは、第１保持フレーム１３２ａの支持表面上にのみ、例えば、空洞１３２の角領域内にのみ（図９Ｅ及び図９Ｆを参照）、空洞１３２の縁部領域内にのみ（図９Ｂ及び図９Ｃを参照）、又は代替的に空洞１３２の角領域及び縁部領域内に（図９Ｄを参照）、設置され得る。
【０３０３】
第２保持フレーム１３２ｂが空洞を有する場合、この空洞は、空洞１３２の様式と類似の様式で形成され得る。この場合、第２基板１２０ｂは、第２保持フレーム１３２ｂの支持表面上にのみ、例えば、第２保持フレーム１３２ｂの空洞の角領域にのみ（図９Ｅ及び図９Ｆを参照）、第２保持フレーム１３２ｂの空洞の縁部領域にのみ（図９Ｂ及び図９Ｃを参照）、又は代替的に第２保持フレーム１３２ｂの空洞の角領域内に及び第２保持フレーム１３２ｂの空洞の角領域内に（図９Ｄを参照）、設置され得る。
【０３０４】
方向１０５から見られるとき、キャリア・プレート１０２の空洞１１２及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの空所１３２は、円形、正方形（図９Ａから図９Ｅを参照）、又は任意の多角形とすることができる。キャリア・プレート１０２の空洞１１２及び／又は保持フレームの空洞１３２の形状は、受容されることになる基板１２０ａ、１２０ｂの外側輪郭に適合され得る。例えば、キャリア・プレート１０２の空洞１１２及び／又は保持フレームの空洞１３２は、実質的に、円形のウエハが受容されるために円形とする、又は（例えば丸められた又は切り落とされた角を有する）正方形のウエハを受容するために、（例えば丸められた又は切り落とされた角を有する）正方形とすることができる
【０３０５】
図９Ｂから図９Ｆは、それぞれ様々な実施形態による第１保持フレーム１３２ａ及び／若しくは第２保持フレーム１３２ｂ、並びに／又は様々な実施形態によるキャリア・プレート１０２の、概略断面図又は概略平面図を、図９Ａの様式と類似の様式で視覚化している。キャリア・プレート１０２の空洞１１２及び／又は保持フレームの空洞１３２は例示として、図９Ｂから図９Ｆにおいて視覚化されている。前記空洞は、保持フレームを通って、例えば、第１保持フレーム１３２ａ、第２保持フレーム１３２ｂ、又は第３保持フレーム１３２ｃ内に延在する。
【０３０６】
図９Ｂから図９Ｆにおいて視覚化されているように、空洞１１２、１３２は、実質的に矩形の箱の形状とすることができる。図９Ｂにおいて視覚化されているように、空洞１１２、１３２は、支持表面が形成される４つの縁部領域を有し得る。支持表面は、例えば、突起２０２によって形成され得る。図９Ｃにおいて視覚化されているように、空洞１１２、１３２は、支持表面が形成される２つの相互に対向する縁部領域を有し得る。支持表面は、例えば、突起２０２によって形成され得る。図９Ｄにおいて視覚化されているように、空洞１１２、１３２は、支持表面が形成される４つの角領域を有し得る。支持表面は、例えば、少なくとも部分的に空洞１１２、１３２を囲繞する折り畳み部２０４によって形成され得る。図９Ｅにおいて視覚化されているように、空洞１１２、１３２は、支持表面が形成される４つの角領域を有し得る。支持表面は、例えば、角領域の各々において断ち切られる折り畳み部２０４によって形成され得る。図９Ｆにおいて視覚化されているように、空洞１１２、１３２は、支持表面が形成される４つの角領域を有し得る。支持表面は、例えば、突起２０２によって形成され得る。
【０３０７】
図１０Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス３００ａの、（例えばキャリア・プレート面に沿って切断された）概略断面図、又は概略平面図である。
【０３０８】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス３００ａは、以下、すなわち、互いに並んで（例えばキャリア・プレート１０２の幅及び／又は長さに沿って）配設される複数の空洞１１２を有する、キャリア・プレート１０２（キャリア又はトレイとも呼ばれる）を有し得る。この場合、空洞１１２の各々は、第１保持フレーム１３２ａ及び第２保持フレーム１３２ｂを受容するように適合され、かつ、キャリア・プレート１０２の上側１０２ａからキャリア・プレート１０２を通ってキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂまで延在する。
【０３０９】
基板保持デバイス３００ａは、複数の第１保持フレーム１３２ａと、複数の第２保持フレーム１３２ｂと、を有し得る。この場合、複数の第１保持フレーム１３２ａのうちの１つの第１保持フレーム、及び複数の第２保持フレーム１３２ｂのうちの１つの第２保持フレームは、それぞれ、基板スタック１２０ａ、１２０ｂを保持するためにキャリア・プレート１０２の複数の空洞１１２のうちの１つの空洞１１２内に配設される、保持フレーム対を形成する。
【０３１０】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は、ダクト３０２ｏ（吸引ダクト又は中間吸引特徴部とも呼ばれる）の形態の通気開口部を有し得る。ダクト３０２ｏは、例えば、複数の空洞１１２のうちの２つの空洞間に配設され得る。ダクト３０２ｏは、複数の空洞１１２のうちの１つの空洞（例えば第１空洞）を、キャリア・プレート１０２の上側に及び／又はキャリア・プレート１０２の下側に、接続し得る。ダクト３０２ｏは任意選択で、複数の空洞１１２のうちの第１空洞を、複数の空洞１１２のうちの第２空洞に接続し得る。ダクト３０２ｏは例示として、第１ダクトと第２ダクトとの間で空洞を通気するように適合され得る。
【０３１１】
図１０Ｂは、様々な実施形態による基板保持デバイス３００ｂの概略断面図、例えば詳細図３０１における断面軸３０３（図１０Ａを参照）に沿った基板保持デバイス３００ａを視覚化している。
【０３１２】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス３００ｂは、第２基板１２０ｂを覆うための第３保持フレーム１３２ｃ（第２被覆フレーム）をさらに有し得る。例えば、第３保持フレーム１３２ｃは、第２保持フレーム１３２ｂの空洞内に及び／又はキャリア・プレート１０２の空洞内に嵌合し得る、例えば差し込み嵌合可能とし得る。
【０３１３】
第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間に形成される間隙３５５（空洞３５５）が、ダクト３２０ｏを通して排気３１１され得る。ダクト３０２ｏは例示として、２つの基板１２０ａ、１２０ｂ間のガス溜まりの形成を防止し得る。
【０３１４】
図１０Ｂは、様々な実施形態による方法における、基板保持デバイス３００ｂを視覚化している。方法は、第１基板１２０ａの下側を処理する、例えばコーティングするステップ３１３（第１処理３１３）を含み得る。方法は、第２基板１２０ｂの上側を処理する、例えばコーティングするステップ３２３（第２処理３２３）をさらに含み得る。方法は任意選択で、第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間に形成される間隙を排気するステップ３１１を含み得る。排気すること３１１は、例えば、第１処理３１３及び／又は第２処理３２３と同時に行われ得る
【０３１５】
複数の空洞１１２内に、それぞれの基板スタック１２０ａ、１２０ｂが配設され得る。基板スタック１２０ａ、１２０ｂの第１（例示として下側の）基板１２０ａは、それぞれ、第１（例示として下側の）基板階層３２０ａを形成し得る。基板スタック１２０ａ、１２０ｂの第２（例示として上側の）基板１２０ｂは、それぞれ、第２（例示として上側の）基板階層３２０ｂを形成し得る。
【０３１６】
図４Ａを参照すると、キャリア・プレート１０２の空洞１１２は、例えば、実質的に矩形の箱の形状とすることができ、したがって（例えば上方から見られるとき）、４つの角領域４１２ｅ及び４つの縁部領域４１２ｉを有し得る。代替的に、キャリア・プレート１０２の空洞１１２は、例えば基板１２０の形状に及び／又は２つの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの形状に適合された、任意の他の好適な形状を有し得る。
【０３１７】
図４Ｂを参照すると、複数の基板スタック１２０ａ、１２０ｂを保持するための複数の空洞１１２、例えば１０個超の空洞１１２、例えば２０個超の空洞１１２、例えば５０個超の空洞１１２、例えば１００個超の空洞１１２が、キャリア・プレート１０２内に互いに並んで設けられ得る。本明細書における方向１０５は、複数の基板スタック１２０ａ、１２０ｂを処理するために処理アセンブリ内で基板保持デバイス４００ｂが沿って搬送され得る搬送方向に対して、横断方向とすることができる。
【０３１８】
様々な実施形態によれば、複数の空洞１１２は、少なくとも搬送方向に沿って（例えばキャリア・プレート１０２の長手方向１０１に沿って）、互いに並んで（例えば列状に）配設され得る。代替的に又は付加的に、複数の空洞１１２は、少なくとも搬送方向に対して横断方向に（例えばキャリア・プレート１０２の幅方向１０３に沿って）、互いに並んで（例えば列状に）配設され得る。例えば、複数の空洞１１２は、（例えば２次元の）グリッド状に配設され得る。
【０３１９】
図１１Ａは、様々な実施形態による処理アセンブリ５００ａの、（例えばキャリア・プレート面に沿って切断された）概略断面図である。
【０３２０】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリ５００ａは、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂを有し得る。
【０３２１】
第１処理デバイス５１０ａは、少なくとも第１基板１２０ａ、又は第１基板階層３２０ａをそれぞれ処理するように、例えばコーティングするように、照射するように、エッチングするように等、適合され得る。第２処理デバイス５１０ｂは、少なくとも第２基板１２０ｂ、又は第２基板階層３２０ｂをそれぞれ、例えば第１処理デバイス５１０ａの様式と同一の又は異なる様式で処理するように、例えばコーティングするように、照射するように、エッチングするように等、適合され得る。
【０３２２】
第１処理デバイス５１０ａ及び／又は第２処理デバイス５１０ｂは、コーティングのために、例えばマグネトロン（スパッタリング源とも呼ばれ、任意選択で反応性スパッタリング用の反応性ガス源と連携する）、レーザ光線エバポレータ、アーク・エバポレータ、電子ビーム・エバポレータ、及び／又は熱エバポレータなどの、（物理気相成長によるコーティング用の）物理的材料蒸気源、或いは、例えば（プラズマ支援型化学気相成長によるコーティング用の）プラズマ源と任意選択で連携する反応ガス源などの、（化学気相成長によるコーティング用の）化学的材料蒸気源、のうちの少なくとも１つを有するか、これらから構成され得る。
【０３２３】
代替的に又は付加的に、材料を除去するための第１処理デバイス５１０ａ及び／又は第２処理デバイス５１０ｂは、以下、すなわち、プラズマ源、イオン線源、又はエッチング−ガス源のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。代替的に又は付加的に、放射用の第１処理デバイス５１０ａ及び／又は第２処理デバイス５１０ｂは、以下、すなわち、イオン線源、電子線源、又は光源（例えばフラッシュ・バルブ及び／若しくはレーザ）のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【０３２４】
図１１Ａにおいて視覚化されているように、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂが同じ基板スタック１２０ａ、１２０ｂを処理するように、配設され得る。この事例では、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂの処理領域は、少なくとも部分的に相互に重なり得る。例えば、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、上下の関係で配設され得る。
【０３２５】
図１１Ｂは、様々な実施形態による処理アセンブリ５００ｂの、処理アセンブリ５００ａの図と類似の概略図を視覚化している。
【０３２６】
図１１Ｂにおいて視覚化されているように、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂが異なる基板スタック１２０ａ、１２０ｂを処理するように、配設され得る。この事例では、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂの処理領域は、互いから離間され得る。例えば、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、例えば搬送方向に沿って及び／又は搬送方向に対して横断方向に、互いからずらされて配設され得る。
【０３２７】
図１１Ａ及び図１１Ｂは各々、様々な実施形態による方法における処理アセンブリ５００ａ、５００ｂを視覚化している。方法は、第１基板１２０ａの下側（又は第１基板階層３２０ａの下側、それぞれ）を処理するステップを含み得る。第１基板１２０ａの下側の処理は、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、（例えば化学的に及び／又は構造的に）変換するステップ、（例えば化学的に）ドープするステップ、研磨するステップのうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらによって形成され得る。
【０３２８】
代替的に又は付加的に、方法は、第２基板１２０ｂの上側（又は第２基板階層３２０ｂの上側、それぞれ）を処理するステップを含み得る。第２基板１２０ｂの上側の処理は、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、（例えば化学的に及び／又は構造的に）変換するステップ、（例えば化学的に）ドープするステップ、研磨するステップのうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらによって形成され得る。
【０３２９】
第１基板１２０ａの下側の処理は、第２基板１２０ｂの上側の処理と同一とすることができる。代替的に、第１基板１２０ａの下側の処理は、第２基板１２０ｂの上側の処理と異なっていることができる。
【０３３０】
例えば、第１（例えば上側の）基板階層は、第１方法サイクルにおいてクリーニングされ得る。一方、第２（例えば下側の）基板階層は、第１方法サイクルにおいてコーティングされる。第２基板階層は、そのコーティングが終わると、第３基板階層と取り換えられ得る。この結果、クリーニングされた第１基板階層は第２方法サイクルにおいてコーティングされ得、また第３基板階層は、第２方法サイクルにおいてクリーニングされ得る。２段の工程がこうして、処理システムが再編される必要なく、切れ目のない様式で継続され得る。このことは、処理システムの空間要件を緩和すること、並びにしたがって、固定費及び運転費を最小化することを可能にする。
【０３３１】
当然ながら、例えば基板階層が処理システムを２回通過することなく、一段の工程も行われ得る。例えば、上部の基板（上側基板階層、それぞれ）は、第１コーティング材料でコーティングされ得、また、下部の基板（下側基板階層、それぞれ）は、第２コーティング材料で（例えば第１コーティング材料又は別のコーティング材料で）コーティングされ得る。
【０３３２】
図１１Ｃは、様々な実施形態による処理アセンブリ５００ｃを、処理アセンブリ５００ａの様式と類似の様式で視覚化している。
【０３３３】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリは、以下、すなわち、複数の基板スタック１２０ａ、１２０ｂの両面を処理３１３、３２３（処理）するための処理チャンバ５１２と、複数の基板スタック１２０ａ、１２０ｂを処理デバイス５１０ａ、５１０ｂの処理領域５２０内に（ここでは例示の様式で１つの処理領域のみが示されている）搬送及び／又は配置するための、搬送デバイス５２２と、を有し得る。
【０３３４】
搬送デバイス５２２は、例えば、複数の搬送ローラを有し得る。前記搬送ローラの外周は、様々な実施形態による基板保持デバイスが沿って搬送され得る搬送面を画定する。搬送面は、少なくとも部分的に平面状の様式で延在し得（この事例では搬送平面とも呼ばれる）、かつ／又は、少なくとも部分的に湾曲されて延在し得る。キャリア・プレート１０２が処理チャンバ５１２を通って搬送されるために、キャリア・プレート１０２の対向する両側に配設されかつ（例えば処理デバイスが間に配設され得るように）キャリア・プレート１０２を保持する、片側のみ支持された搬送ローラが、例えば使用され得る。さらに、キャリア・プレート１０２はまた、さらなるキャリア内に挿入され得るか、又はさらなるキャリアによって搬送され得る。
【０３３５】
処理チャンバ５１２は、真空チャンバとして、又は大気圧チャンバとして、又は正圧チャンバとして、適合及び／又は操作され得る。処理チャンバ５１２は、処理環境（処理圧力、処理ガス組成、処理温度、等を含む）が中で設定及び／又は調節されるように配設され得る。例えば、処理チャンバ５１２は、圧力（例えば少なくとも１バールの圧力差に耐える）、気密、及び／又は防塵に関して、安定するよう適合され得る。第１基板１２０ａの及び／又は第２基板１２０ｂの処理は、（１バール超の）正圧で、約１バールの大気圧で、（１バール未満の）負圧で、又は（０．３バール未満の）真空において、例えば（１ミリバール未満の）良好な真空で、例えば（１０−３バール未満の）高真空で、例えば（１０−７未満の）超高真空で、行われ得る。処理ガス組成が設定及び／又は調節されるために、少なくとも１種の反応性ガス及び／又は作動ガスが、例えばガス送り込みによって、処理チャンバ５１２の内部に送給され得る。処理圧力が設定及び／又は調節されるために、処理チャンバ５１２は、処理チャンバ５１２の内部を排気する少なくとも１つの加圧ポンプ及び／又は真空ポンプを有する、ポンプ・アセンブリに結合され得る。処理温度が設定及び／又は調節されるために、処理アセンブリ５００ｃは、処理チャンバ５１２の内部に又は少なくともその中に搬送される基板スタック１２０ａ、１２０ｂに、熱エネルギーを供給し得る（加熱のために）か、又はそこから熱エネルギーを抜き取り得る（冷却のために）、加熱デバイス及び／又は冷却デバイスを有し得る。
【０３３６】
例えば、第１基板１２０ａ及び／又は第２基板１２０ｂは、以下、すなわち、機能層、耐腐食層、光学活性層、保護層、導電層、電気絶縁層、封止材、シード層、表面仕上げのうちの、少なくとも１つでコーティングされ得る。例えば、（例えば電池技術において）箔又は硬い金属に、機能層が適用され得る。例えば、（例えば眼鏡、窓、携帯電話、及び／又は建築用ガラス用の）ガラスに、金属コーティング及び／又は誘電性材料によるコーティングが適用され得る。例えば、（例えば燃料セル技術において）導電性保護層、機能層、又は耐腐食層が、金属箔に適用され得る。例えば、（例えば半導体技術において）ウエハに、シード層が適用され得る。シード層は、例えばニッケル（Ｎｉ）及び／又は銅（Ｃｕ）を含み得るか、又はこれらから形成され得る。シード層は続いて、さらにガルバニック技術によってコーティングされ得、例えば金属層が形成される。
【０３３７】
図１２Ａは、様々な実施形態による方法１２００の概略フロー図である。
【０３３８】
方法１２００はステップ６０１において、第１基板１２０ａ及び第２基板１２０ｂを有する基板スタックを基板保持デバイスの受容領域内に配設することを含み得る。この場合、第１基板の第１面は、第２基板の第１面に面する。第２基板１２０ｂの上側及び第１基板１２０ａの下側は例示として、処理のために露出され得る。方法１２００はステップ６０３において、第１基板１２０ａの第１面の反対側にある、第１基板１２０ａの第２面１４０ｂを処理することを、さらに含み得る（図１２Ｂを参照）。方法１２００はステップ６０５において、第２基板１２０ｂの第１面の反対側にありかつ第１基板１２０ａの第２面１４０ｂから離れる方向に面する、第２基板１２０ｂの第２面１４０ｂを処理することを、さらに含み得る（図１２Ｂを参照）。言い換えれば、互いから離れるように面を向ける基板スタックの両面１４０ｂが、処理され得る。
【０３３９】
第１基板１２０ａの及び／又は第２基板１２０ｂの挿入は、基板保持デバイスの装填手順とも呼ばれ得る。取り去る手順は、例えば装填手順と同じように、ただし逆の順序で行われ得る。この場合、第１保持フレーム１３２ａは任意選択で、例えばこれがキャリア・プレート１０２に接続されるときに、またそうでなければ例えば第１保持フレーム１３２ａがキャリア・プレート１０２から回収可能であるときに、例えば永久的に、キャリア・プレート１０２内に留まり得る。
【０３４０】
様々な実施形態によれば、全ての構成要素が、基板１２０ａ、１２０ｂの及び保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの、完全に自動の装填及び／又は取り去りにとって、好適であり得る。様々な実施形態によれば、基板１２０ａ、１２０ｂを有する基板保持デバイス１００の装填は、全ての部品のクリーニング後に、例えば液体薬品によるクリーニング後に又はドライアイス洗浄後に行われ得る。
【０３４１】
様々な実施形態によれば、第２保持フレーム１３２ｂは、第１保持フレーム１３２ａによってのみ支持され得る。任意選択で、第１保持フレーム１３２ａ及び／又は第２保持フレーム１３２ｂは、緩く（例えば横方向に浮動する様式で）設置され得る。
【０３４２】
図１２Ｂは、様々な実施形態による方法（例えば方法１２００）における基板保持デバイス６００ｂの、（図８Ａと類似の）概略断面図を視覚化している。
【０３４３】
第２基板１２０ｂは、第１基板１２０ａ上に又はこれの上方に、例えばキャリア・プレート１０２の基板受容空洞１１２内に密着して第１基板１２０ａと一緒に配設され得る。第１基板１２０ａは、（第１）保持フレーム１３２ａ内に挿入され得るか、又は少なくとも前記（第１）保持フレーム１３２ａの支持表面上へと載置され得る。保持フレーム１３２ａは、キャリア・プレート１０２に一体式に接続され得る。図１２Ｂにおいて例示されているように、第１基板１２０ａ及び第２基板１２０ｂは、相互に（物理的に）接触していることができる。
【０３４４】
第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間に（図８Ａ、図８Ｂ、又は図１３Ｂを参照）、例えば少なくとも部分的に基板受容空洞１１２内に、さらなる保持フレーム１３２ｂ（第２保持フレーム１３２ｂ）が任意選択で挿入され得る。第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間の間隔が、こうして実装され得る。この結果、前記基板１２０ａ、１２０ｂの表面（第２基板１２０ｂの下側の及び第１基板１２０ａの上側の）が、互いに付着、例えば接着的に結合（例えば処理によって引き起こされる）しない。
【０３４５】
図１２Ｂにおいて例示されているように、第１基板１２０ａ及び第２基板１２０ｂは、プレート形状の様式で構成され得る。代替的に、第１基板１２０ａ及び／又は第２基板１２０ｂは、エンボス加工されて構成され得る（外形付与される、とも呼ばれる）。
【０３４６】
様々な実施形態によれば、第１基板１２０ａ及び第２基板１２０ｂを挿入することは、同時に（すなわち一緒に、すなわち基板スタック１２０ａ、１２０ｂの形態で）行われ得る。例えば、第１基板１２０ａ及び第２基板１２０ｂは、事前構成されて、例えば任意選択で以下のうちの少なくとも１つを有するカセットを使用して、空洞１１２内に挿入され得る。すなわち、例えば（例えば保持フレーム１３２ａがキャリア・プレート１０２に接続されていないときに）中に少なくとも第１基板１２０ａが挿入される、例えば、中に第２基板１２０ｂが任意選択で挿入される、第１保持フレーム１３２ａと、（例えば第２基板１２０ｂが第１保持フレーム１３２ａ内に配設されていないときに）中に第２基板１２０ｂが挿入される、第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間に配設される、第２保持フレーム１３２ｂと、例えば第２基板１２０ｂが挟持されるために、例えば第２基板１２０ｂ上に載置される第３保持フレーム１３２ｃと、例えば第１基板１２０ａが挟持されるために、例えば第１基板１２０ａ上に載置され、かつ、例えば第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間に配設される、さらなる第３保持フレーム１３２ｃと、である。
【０３４７】
図１３Ａ及び図１３Ｂは各々、基板保持デバイス７００ａ及び７００ｂの、図８Ａの図と類似の概略断面図を視覚化している。
【０３４８】
様々な実施形態によれば、第２保持フレーム１３２ｂは、第１保持フレーム１３２ａの凹部内に少なくとも部分的に延在し得るか、又はその中に挿入され得る。第１保持フレーム１３２ａは、図１３Ａにおいて視覚化されているように、キャリア・プレート１０２内に挿入され得るか、又は、図１３Ｂにおいて視覚化されているように、キャリア・プレート１０２に、例えば一体式に接続され得る。
【０３４９】
様々な実施形態の実施例が以下に記載される。
【０３５０】
実施例１ｂ。  以下のステップ、すなわち、
第１基板１２０ａ及び第２基板１２０ｂを有する基板スタックを基板保持デバイスの受容領域内に配置するステップであって、第１基板１２０ａの第１面１４０ａが第２基板１２０ｂの第１面１４０ａに面する、ステップと、
第１基板１２０ａの第１面１４０ａの反対側にある、第１基板１２０ａの第２面１４０ｂを処理するステップと、第２基板１２０ｂの第１面１４０ａの反対側にありかつ第１基板１２０ａの第２面１４０ｂから離れる方向に面する、第２基板１２０ｂの第２面１４０ｂを処理するステップと、を含む、方法１２００。
【０３５１】
実施例２ｂ。  基板スタックを配設することが、第１基板１２０ａの第２面１４０ｂを基板保持デバイスの支持表面上に載置することを含む、実施例１ｂによる方法１２００。
【０３５２】
実施例３ｂ。  第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間に保持フレームを配設することであって、基板スタックを配設することが第２基板１２０ｂを保持フレーム内に挿入することを含む、配設すること、をさらに含む、実施例１ｂ又は２ｂによる方法１２００。
【０３５３】
実施例４ｂ。  第１基板１２０ａ及び第２基板１２０ｂが相互に物理的に接触して配設される、並びに／又は、第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間に間隙が形成される、並びに／又は、第１基板１２０ａと第２基板１２０ｂとの間にヒート・シンクが配設される、実施例１ｂから３ｂのうちの１つによる方法１２００。
【０３５４】
実施例５ｂ。  第１基板１２０ａの第２面１４０ｂの処理が、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、変換するステップ、ドープするステップ、研磨するステップのうちの少なくとも１つを含む、並びに／又は、第２基板１２０ｂの第２面１４０ｂの処理が、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、変換するステップ、ドープするステップ、研磨するステップのうちの少なくとも１つを含む、実施例１ｂから４ｂのうちの１つによる方法１２００。
【０３５５】
実施例６ｂ。  キャリア・プレート１０２の上側１０２ａからキャリア・プレート１０２を通ってキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂまで延在する少なくとも１つの空洞１１２を有するキャリア・プレート１０２と、第１基板１２０ａを保持するための第１支持表面を有する第１保持フレーム１３２ａと、空洞１１２内に挿入されるときに第１支持表面の上方に配設され、かつ、第２基板１２０ｂを第１基板の上方に保持するための第２支持表面を有する、第２保持フレーム１３２ｂと、を有する、基板保持デバイス１００、３００ａ、３００ｂ。
【０３５６】
実施例７ｂ。  第１保持フレーム１３２ａ及びキャリア・プレート１０２が一体式に相互接続されるか、又は、第１保持フレーム１３２ａが、空洞１１２内に挿入されるときにキャリア・プレート１０２の支持表面上に少なくとも部分的に設置される、実施例６ｂによる基板保持デバイス１００、３００ａ、３００ｂ。
【０３５７】
実施例８ｂ。  第２基板１２０ｂを覆うための第３保持フレーム１３２ｃをさらに含み、第３保持フレーム１３２ｃが、空洞１１２内に挿入されるときに、第３保持フレーム１３２ｃと第２支持表面との間に第２基板１２０ｂの周縁部分を受容するための受容空間１３０が設けられるように第２支持表面の上方に配設される、実施例６ｂ又は７ｂによる基板保持デバイス１００、３００ａ、３００ｂ。
【０３５８】
実施例９ｂ。  第１保持フレーム１３２ａと第２保持フレーム１３２ｂとの間の間隙を排気するための通気開口部３０２ｏをさらに含む、実施例６ｂから８ｂのうちの１つに記載の基板保持デバイス１００。
【０３５９】
実施例１０ｂ。  処理チャンバ５１２と、処理チャンバ５１２内に配設される第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂと、実施例６ｂから９ｂのうちの１つによる基板保持デバイスと、第１処理デバイス５１０ａと第２処理デバイス５１０ｂとの間で基板保持デバイスを搬送及び／又は配置するための搬送デバイス５２２と、を有する、処理アセンブリ５００ａ、５００ｂ、５００ｃ。
【０３６０】
様々な実施形態によれば、真空コーティング・システムにおいて、基板（例えばウエハ）、例えば（５００μｍ未満の厚さを有する）薄い基板の両面をコーティングするための、基板保持デバイス（基板ホルダ）が提供される。様々な実施形態によれば、基板両面のコーティングが可能とされ、この場合上側は、全面積にわたってコーティングされる。任意選択で、下側（例えば基板の下面）は、周縁（周縁領域）上で囲繞する様式で覆われ得る（マスクされ得る）。様々な実施形態によれば、光学、半導体、光起電技術、バリア、及び封止の分野において使用するためのコーティングが提供され得る。
【０３６１】
様々な実施形態によれば、周縁領域は、約０．１ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内の、例えば約０．２ｍｍから約５ｍｍまでの範囲内の、約０．５ｍｍから約２ｍｍまでの範囲内の、（基板の縁部から基板の中心に向かう方向に測定された）延伸を有し得る。
【０３６２】
様々な実施形態によれば、支持表面（ポケット基部とも呼ばれる）のコーティング（例示としてスパッタリングによる被覆）が、低減又は防止され得る。この目的のために、基板保持デバイスは、支持表面（ウエハ設置部とも呼ばれる）を囲繞する凹部（クリアランス溝であてもよい）を有し得る。様々な実施形態によれば、支持表面上での基板の設置の、確実かつ再現可能な構成が提供される。
【０３６３】
様々な実施形態によれば、例えば酸によるクリーニング又は放射によって、基板保持デバイスのクリーニングが行われ得る。しかしながら、クリーニング中に、基板保持デバイスからの材料の除去が生じ得る（例示として「摩耗法」）。これはすなわち支持表面上の材料の除去であって、その断面積を低減し得、また、その効果（例えば基板の周縁領域の遮蔽）に対するリスクを呈し得る。言い換えれば、クリーニングによる保持フレーム上の材料（マスク）の除去は、支持表面（基板支持表面、例えばウエハ支持表面）の低減につながり得、またこの結果、不良品率を高め得る。したがって、基板保持デバイスは、これが繰り返し使用されるように、例えば支持表面において、比較的大きい材料厚さを有して構成され得る。
【０３６４】
様々な実施形態によれば、処理アセンブリ（例えば真空システム及び／又は連続フローシステム）内で、例えば陰極蒸発（いわゆるスパッタリング又はマグネトロン・スパッタリング）などのコーティング工程（すなわち基板のコーティング）が行われ得る。比較的小さい面積を有するウエハ及び基板は、例えば、片面を及び／又は両面を、処理、例えばコーティングされ得る。そのような処理アセンブリは、例えば光起電技術において、例えば以下のセル概念、すなわち、ＨＪＴ（ヘテロ接合技術）太陽電池、ＩＢＣ（交差指型背面接触）太陽電池、ＷＴ（ラップスルー）太陽電池、（アルミニウム）ＢＳＦ（裏面電界）太陽電池、ＰＥＲＣ（不動態化エミッタ及び背面電池）太陽電池、ＰＥＲＬ（不動態化エミッタ背面局所拡散型）太陽電池、又はＰＥＲＴ（不動態化エミッタ背面全面拡散型）太陽電池のうちの少なくとも１つが製造されるために、採用され得る。ＨＪＴ（ヘテロ接合技術）太陽電池を別として、述べられたセル概念は、基板の、例えばウエハの一方側のみの処理を必要とし得る。
【０３６５】
様々な実施形態によれば、単結晶シリコン基板（ｃ−Ｓｉ基板）を処理するための処理アセンブリが提供される。処理アセンブリは、気体状コーティング材料を提供するための処理デバイス、例えば材料蒸気源、例えばＰＶＤ（物理気相成長）用の材料蒸気源を含み得る。例えば、基板の裏面の（又は電池の裏側の、それぞれの）処理は、前記セル概念用の処理アセンブリによって、例えば、基板の裏面の金属化、例えばＰＶＤ金属化を形成するために、行われ得る。
【０３６６】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス及び基板の利用が高められるための方法が提供される。前記デバイス及び前記方法は、基板（例えばウエハ）が各々、片面及び／又は両面を処理され得るように配設される。例えば、ＰＶＤ材料源（例えばスパッタリング・システム）を用いて、複数の処理段が実装され得る。
【０３６７】
様々な実施形態によれば、真空中での基板の両面の均一なコーティングが提供され得る。例えば、基板の上側及び下側の、導電性のコーティング（層）における短絡を回避するために、例えばコーティングされない周縁領域によって、２つのコーティングされた基板面間に絶縁空洞が設けられ得る。例えば、規定された周縁領域が、囲繞する様式でコーティングから保護（遮蔽）され得、この結果基板上に、いわゆる周縁除外部（すなわち被覆されない環状エリア）が設けられ得る。
【０３６８】
基板保持デバイス（基板キャリア）は、例えばその平面状の支持表面上での、基板の確実な受容と、例えば基板載置領域の内周壁による、基板を位置に関して固定するための横方向の境界と、が実装されるように配設される。
【０３６９】
図１４Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００の、（例えば支持表面１１１ａに沿って切断された）概略断面図、又は（例えば支持表面１１１ａに対して垂直な）平面図である。
【０３７０】
基板保持デバイス１００は、互いに平行に（例えば方向１０１に沿って）延在する、２つの支持領域４０２ｈ（保持領域４０２ｈとも呼ばれる）を有し得る。支持領域４０２ｈは、支持領域４０２ｈが互いに平行に延在するときに沿う方向（搬送方向）に沿って、基板保持デバイス１００が搬送されることを可能にする。言い換えれば、支持領域４０２ｈは、搬送方向を規定し得る、及び／又は、これに沿って延在し得る。基板保持デバイス１００は、基板保持デバイス１００が基板保持デバイス１００内に保持される基板１２０及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂと一緒に搬送されるように、支持領域４０２ｈ内に担持又は支持され得る（図１７Ａを参照）。
【０３７１】
基板保持デバイス１００は複数の基板載置領域１１１を有し得、ここにおいて、基板保持デバイス１００はそれぞれ、複数の基板載置領域１１１内に基板を挿入するための空洞を有し得る。
【０３７２】
基板保持デバイス１００は、基板載置領域１１１の各々内に、上に基板が載置され得る支持表面１１１ａをさらに有し得る。
【０３７３】
さらに、基板保持デバイス１００は、基板載置領域１１１の各々内に、支持表面１１１ａを少なくとも部分的に（例えば完全に）取り囲む、凹部１１１ｖを有し得る。例えば、凹部１１１ｖは、閉じられた経路に沿って少なくとも部分的に（例えば完全に）延在することができ、この場合、閉じられた経路は、支持表面１１１ａを取り囲む。
【０３７４】
様々な実施形態によれば、複数の基板を保持するために、複数の基板載置領域１１１、例えば１０個超の基板載置領域１１１、例えば２０個超の基板載置領域１１１、例えば５０個超の基板載置領域１１１、例えば１００個超の基板載置領域１１１が、基板保持デバイス１００内に互いに並んで設けられ得る。複数の基板１２０を処理するために処理アセンブリ内で基板保持デバイス１００が沿って搬送され得る方向１０５は、本明細書において、搬送方向に対して横断方向とすることができる。
【０３７５】
様々な実施形態によれば、複数の基板載置領域１１１は、少なくとも搬送方向に沿って（例えば基板保持デバイス１００の長手方向１０１に沿って）、互いに並んで（例えば列状に）配設され得る。代替的に又は付加的に、複数の基板載置領域１１１は、少なくとも搬送方向に対して横断方向に（例えば基板保持デバイス１００の幅方向１０３に沿って）、互いに並んで（例えば列状に）配設され得る。例えば、複数の基板載置領域１１１は、（例えば２次元の）グリッド状に配設され得る。
【０３７６】
支持表面１１１ａは、以下で記載されるように、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂによって（図１４Ｂを参照）、又はキャリア・プレート１０２によって（図１４Ｃを参照）、提供され得る。
【０３７７】
図１４Ｂは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００、例えば図１４Ａにおいて視覚化されている基板保持デバイス１００の、（例えば支持表面１１１ａに対して横断方向に切断された）概略断面図を視覚化している。
【０３７８】
基板保持デバイス１００は、キャリア・プレート１０２を有し得る。キャリア・プレート１０２は、例えば、基板１２０が保持フレーム１３２ａ、１３２ｂによって空洞１１２内に保持されるように、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが空洞１１２内に受容され得る（又は少なくとも部分的に受容され得る）ように、少なくとも１つの空洞１１２を有し得る。
【０３７９】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２は寸法に関して、受容されることになる基板１２０の量及びサイズの両方に、並びに、基板１２０を処置するために使用される処理アセンブリ５００ａ、５００ｂ、５００ｃのサイズ（例えばコーティング幅及び／又はロック長さ）に、適合され得る（図１１Ａから図１１Ｃを参照）。例えば、キャリア・プレート１０２（基本キャリア１０２とも呼ばれる）は、ＰＶＤコーティング用の複数の基板１２０、例えばウエハを、配置及び／又は保持し得る。
【０３８０】
基板保持デバイス１００は、空洞１１２内に挿入される保持フレーム１３２ａ、１３２ｂをさらに有し得る。保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、キャリア・プレート１０２上に（例えばその支持表面１０２ｆ上に）少なくとも部分的に設置され得る。保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは例示として、その中に挿入される基板１２０及び保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの支持表面１３２ｆ、すなわちこれらの相互に対面する側（すなわち基板１２０の第２面１４０ｂ）が、少なくとも部分的に互いを覆うか又はシールド（マスク）するように、提供され得る。対照的に、基板１２０の第１面１４０ａは、例えば第１面１４０ａをコーティングするために、完全に露出（曝露）され得る。
【０３８１】
様々な実施形態によれば、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、基板１２０の第２面１４０ｂ（例示としてその下側１４０ｂ）が少なくとも部分的に露出され、また、基板１２０の第１面１４０ａ（例示としてその上側１４０ａ）が完全に露出されるように配設され得る。保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは例示として、前記保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、前記保持フレーム１３２ａ、１３２ｂによって例えば第２面１４０ｂ上に保持される基板１２０の、少なくとも１つの周縁部分を覆い得るか又はシールド（マスク）し得るように、提供され得る。このおかげで、基板１２０の第１面１４０ａのコーティングと基板１２０の第２面１４０ｂのコーティングとの間の短絡が、防止され得る。言い換えれば、基板１２０の周縁部分は、絶縁空洞が設けられるように、コーティング中にコーティングされないままであることが、すなわち一緒にコーティングされないことが可能である。
【０３８２】
例えば、基板１２０は、ウエハ、例えば半導体ウエハ、例えばシリコン・ウエハとすることができる。基板１２０は、その周縁領域を介して、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ上に全周を介して設置され得る。代替的に、基板１２０はまた、基板１２０の周縁領域内で（例えば角を介して角度のついた基板１２０の場合、それぞれ）、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ上に少なくとも部分的に、すなわちこれらの設置表面１３２ｆ上に、部分的にのみ設置され得る。保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、基板１２０を載置するための、平らな（又は平面状の、それぞれ）支持表面１３２ｆを有し得る。基板１２０の周縁部分は、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの支持表面１３２ｆと少なくとも部分的に接触していることができる。
【０３８３】
図１４Ｂは、様々な実施形態による方法における、基板保持デバイス１００を視覚化している。
【０３８４】
様々な実施形態によれば、方法は、以下のステップ、すなわち、基板１２０を保持するための保持フレーム１３２ａ、１３２ｂをキャリア・プレート１０２の空洞１１２内に挿入するステップであって、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、基板１２０を載置するための（例えば平面状の）支持表面１３２ｆを有し、また、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが、支持表面１３２ｆに隣接しかつこれを少なくとも部分的に取り囲む凹部１１１ｖを有する、ステップと、基板１２０を空洞１３２内の保持フレーム１３２の支持表面１３２ｆ上へと挿入するステップと、を含み得る。保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ及び基板１２０は任意選択で、基板１２０と保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの空洞１３２の周縁との間に間隙３０４が残るように、互いに適合され得る。任意選択で、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ、例えばその支持表面１３２ｆ、及び基板１２０は、支持表面１３２ｆが基板１２０によって完全に覆われるように、互いに適合され得る。
【０３８５】
保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ及び／又は基板１２０の載置は任意選択で、磁気グリッパ又は吸着グリッパ（真空グリッパとも呼ばれる）によって行われ得る。
【０３８６】
保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、これらを貫通し、また例えば基板１２０の下側１４０ｂを少なくとも部分的に露出する、空洞１３２を有し得る。
【０３８７】
図１４Ｃは、様々な実施形態による基板保持デバイス１００、例えば図１４Ａにおいて視覚化されている基板保持デバイス１００の、図１４Ｂの図と類似の概略断面図を視覚化している。
【０３８８】
様々な実施形態によれば、支持表面１０２ｆは、キャリア・プレート１０２によって提供され得る。この場合キャリア・プレート１０２は、支持表面１０２ｆに隣接しかつこれを少なくとも部分的に取り囲む、凹部１１１ｖを有する。言い換えれば、支持表面１０２ｆは、例えば統合された（一体の）様式で、キャリア・プレート１０２に接続され得る。
【０３８９】
図１４Ｃは、様々な実施形態による方法における、基板保持デバイス１００を視覚化している。
【０３９０】
様々な実施形態によれば、方法は、以下のステップ、すなわち、基板１２０をキャリア・プレート１０２の空洞１１２内のキャリア・プレート１０２の支持表面１０２ｆ上に挿入するステップであって、キャリア・プレート１０２が、基板１２０を載置するための（例えば平面状の）支持表面１０２ｆを有し、また、キャリア・プレート１０２が、支持表面１０２ｆに隣接しかつこれを部分的に取り囲む凹部１１１ｖを有する、ステップを含み得る。キャリア・プレート１０２及び基板１２０は任意選択で、基板１２０とキャリア・プレート１０２の空洞１１２の周縁との間に間隙３０４が残るように、互いに適合され得る。キャリア・プレート１０２、例えばその支持表面１０２ｆ、及び基板１２０は任意選択で、支持表面１０２ｆが基板１２０によって完全に覆われるように、互いに適合され得る。
【０３９１】
基板保持デバイス１００、１００、及び１００の様々な変更及び構成、並びに詳細が、以下で記載される。この場合、図１４Ａ、図１４Ｂ、及び／又は図１４Ｃの文脈で記載されてきた基本的な特徴及び動作モードが、類似の様式で含まれ得る。さらに、以下で記載される特徴及び動作モードは、以下で記載される基板保持デバイスに、類似の様式で適用され得、かつ／又は、以下で記載される基板保持デバイスは、図１４Ａ，図１４Ｂ、及び／若しくは図１４Ｃにおいて記載される基板保持デバイス１００、１００、及び／若しくは１００と、組み合わせられる。
【０３９２】
キャリア・プレート１０２は、上側１０２ａ（又は上側表面、それぞれ）及び下側１０２ｂ（又は下側表面、それぞれ）を有し得る。２つの表面１０２ａ、１０２ｂは、（例えば少なくとも部分的に）互いと面平行とすることができる。キャリア・プレート１０２は、方向１０５に沿って（２つの表面１０２ａ、１０２ｂに対して垂直に）、約１ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内の厚さ、例えば約２ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内の厚さを有し得る。
【０３９３】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２（若しくはその支持表面１０２ｆ、それぞれ）、及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ（若しくはこれらの支持表面１３２ｆ、それぞれ）は、以下、すなわち、金属、例えばチタン、鋼（例えばステンレス鋼）、半金属、例えば炭素のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。代替的に又は付加的に、キャリア・プレート１０２は、複合材料を含み得るか、又はこれから形成され得る。キャリア・プレート１０２の上側１０２ａ及び／又はキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂは、平面状に（平らに）、例えば互いと面平行に構成され得る。キャリア・プレート１０２の上側１０２ａ及び／又はキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂは、任意選択でコーティングされ得る。
【０３９４】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス１００、１００、及び／又は１００、例えばそのキャリア・プレート１０２は、方向１０３に沿って（キャリア・プレート面に沿って、例えば２つの表面１０２ａ、１０２ｂと平行に）、約１０ｃｍから約５ｍまでの範囲内の幅、例えば約１ｍから約３ｍまでの範囲内の幅を有し得る。さらに、基板保持デバイス１００、１００、及び／又は１００、例えばそのキャリア・プレート１０２は、（キャリア・プレート面に沿って、例えば２つの表面１０２ａ、１０２ｂと平行に）、幅方向１０３に対して横断方向に、約１０ｃｍから約５ｍまでの範囲内の長さ、例えば約０．１ｍから約２ｍまでの範囲内の、例えば０．５ｍよりも大きい長さを有し得る。キャリア・プレート１０２は、例えば、その長さに沿って搬送され得る。
【０３９５】
図１５Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス１５００の、（例えば支持表面１１１ａに対して横断方向に切断された）概略断面図を視覚化している。この場合、キャリア・プレート１０２の及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの空洞１１２は、支持表面１１１ａに対して斜めに、例えば少なくとも１回折れ曲がって延在する、内周壁３０２を有し得る。
【０３９６】
図１５Ｂ及び図１５Ｃは各々、様々な実施形態による基板保持デバイス１５００ｂの、概略斜視図を視覚化している。この場合、図１５Ｂは、基板１２０を有さない基板保持デバイス１５００ｂを示し、また図１５Ｃは、中に基板１２０が載置されている基板保持デバイス１５００ｂを示す。
【０３９７】
様々な実施形態によれば、キャリア・プレート１０２の及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの空洞１１２は、その中に載置される基板１２０と内周壁３０２との間に間隙３０４が残るように、設けられ得る。言い換えれば、凹部１１１ｖは、その上に基板１２０が載置される場合、少なくとも部分的に、すなわち間隙３０４を介して、露出され得る。例えば約０．１ｍｍから約１ｍｍまでの範囲内の、例えば約０．２ｍｍよりも大きい幅（間隙幅）を有する間隙３０４が設けられ得る。
【０３９８】
基板１２０が、基板の公差を考慮しながら、基板保持デバイス１５００ａ内に、例えば保持フレーム１３２ａ、１３２ｂ（ホルダ）内に及び／又はキャリア・プレート１０２内に挿入されるために、最大寸法における基板１２０の確実な載置が保証され、このとき基板１２０の最小限の中心のずれが可能となるように配設される、利用可能な囲繞する間隙３０４を有することが、必要であり得る。
【０３９９】
コーティング工程（スパッタリング、エバポレーション、等）中に、基板１２０ｂの上側１４０ａ及び／又は下側１４０ｂに、層が堆積される、すなわち、コーティングが形成される。層（すなわち層化された構造）の堆積が、基板保持デバイス１５００ａ上で同様に行われる。
【０４００】
基板保持デバイス１５００ａの（例えばキャリア・プレート１０２の及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの）下側の層化された構造は、ほとんど問題を生じ得ない。一方、基板保持デバイス１５００ａの（例えばキャリア・プレート１０２の及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの）上側では、問題を生じ得るコーティングが行われる。積層された構造は、例えば凹部１１１ｖが幅が不十分に配設されるときに、横方向境界面（内周壁３０２）上に、間隙３０４（載置間隙３０４）上に、及び支持表面１１１ａ上に、生じ得る。
【０４０１】
したがって、凹部１１１ｖが寸法均決めされるとき、空洞１１２に対する基板１２０の寸法及び公差が、各々考慮に入れられ得る。言い換えれば、載置間隙３０４は、凹部１１１ｖよりも狭くすることができる。こうして、支持表面１１１ａがその上に存在する基板１２０によって完全にシールドされることが、例示として達成され得る。
【０４０２】
対照的に、支持表面１１１ａがコーティングされる場合、層化された構造が、受容輪郭において次のクリーニング期間まで生じ得る。これにより、基板の確実な受容がもはや保証され得ない。非平面状の支持表面１１１ａが例示として生成され得る。これは、基板破壊の、及び、不十分なコーティング（例えば不十分なスパッタリング）の、すなわち基板下側の周縁領域内の寄生コーティングのリスクを高め、またしたがって周縁除外部の中断を生じさせる（不良部品）。
【０４０３】
様々な実施形態によれば、次のクリーニングまで層の一部分（層部分）を受容し得る、囲繞する凹部１１１ｖ（凹部輪郭）が設けられ得る。基板支持表面１１１ａはしたがって、コーティングに対して保護される。言い換えれば、凹部１１１ｖの深さは、クリーニング期間の間隔に、及び前記期間と期間の間に堆積される層の厚さに、適合され得る。
【０４０４】
図４Ａを参照すると、キャリア・プレート１０２の空洞１１２及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、例えば、実質的に矩形の箱の形状とすることができ、したがって（例えば上方から見られるとき）、４つの角領域４１２ｅ及び４つの縁部領域４１２ｉを有し得る。代替的に、キャリア・プレート１０２の及び／又は保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの空洞１１２は、例えば基板１２０の形状に適合される様式の、任意の他の好適な形状を有し得る。例えば、キャリア・プレート１０２の空洞１１２は、例えば保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの形状に適合された、任意の他の好適な形状を有し得る。
【０４０５】
図４Ｂを参照すると、（例えばそれぞれの保持フレーム１３２ａ、１３２ｂによって）複数の基板１２０を保持するために、基板保持デバイス４００ｂ、例えばそのキャリア・プレート１０２に、複数の空洞１１２、例えば１０個超の空洞１１２、例えば２０個超の空洞１１２、例えば５０個超の空洞１１２、例えば１００個超の空洞１１２が、互いに並んで設けられ得る。本明細書における方向１０５は、複数の基板１２０を処理するために処理アセンブリ内で基板保持デバイス４００ｂが沿って搬送され得る搬送方向に対して、横断方向とすることができる。
【０４０６】
様々な実施形態によれば、複数の空洞１１２は、少なくとも搬送方向に沿って（例えばキャリア・プレート１０２の長手方向１０１に沿って）、互いに並んで（例えば列状に）配設され得る。代替的に又は付加的に、複数の空洞１１２は、少なくとも搬送方向に対して横断方向に（例えばキャリア・プレート１０２の幅方向１０３に沿って）、互いに並んで（例えば列状に）配設され得る。例えば、複数の空洞１１２は、（例えば２次元の）グリッド状に配設され得る。
【０４０７】
図１１Ａを参照すると、処理アセンブリ５００ａは、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂを有し得る。
【０４０８】
第１処理デバイス５１０ａは、少なくとも１つの基板１２０、例えばその第１面１４０ａを処理するように、例えばコーティングするように、照射するように、エッチングするように等、適合され得る。第２処理デバイス５１０ｂは、基板１２０、例えばその第２面１４０ｂを、例えば第１処理デバイス５１０ａの様式と同一の又は異なる様式で処理するように、例えばコーティングするように、照射するように、エッチングするように等、適合され得る。
【０４０９】
第１処理デバイス５１０ａ及び／又は第２処理デバイス５１０ｂは、コーティングのために（すなわち気体状コーティング材料を提供するために）、例えばマグネトロン（スパッタリング源とも呼ばれ、任意選択で反応性スパッタリング用の反応性ガス源と連携する）、レーザ光線エバポレータ、アーク・エバポレータ、電子ビーム・エバポレータ、及び／又は熱エバポレータなどの、（物理気相成長によるコーティング用の）物理的材料蒸気源、或いは、例えば（プラズマ支援型化学気相成長によるコーティング用の）プラズマ源と任意選択で連携する反応ガス源などの、（化学気相成長によるコーティング用の）化学的材料蒸気源のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【０４１０】
代替的に又は付加的に、材料を除去するための第１処理デバイス５１０ａ及び／又は第２処理デバイス５１０ｂは、以下、すなわち、プラズマ源、イオン線源、又はエッチング−ガス源のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。代替的に又は付加的に、放射用の第１処理デバイス５１０ａ及び／又は第２処理デバイス５１０ｂは、以下、すなわち、イオン線源、電子線源、又は光源（例えばフラッシュ・バルブ及び／若しくはレーザ）のうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【０４１１】
図１１Ａにおいて視覚化されているように、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂが同じ基板１２０を処理するように、配設され得る。この事例では、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂの処理領域は、少なくとも部分的に相互に重なり得る。例えば、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、上下の関係で配設され得る。
【０４１２】
図１１Ｂを参照すると、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂが異なる基板１２０を処理するように、配設され得る。この事例では、前記処理デバイス５１０ａ、５１０ｂの処理領域は、互いから離間され得る。例えば、第１処理デバイス５１０ａ及び第２処理デバイス５１０ｂは、例えば搬送方向に沿って及び／又は搬送方向に対して横断方向に、互いからずらされて配設され得る。
【０４１３】
図１１Ａ及び図１１Ｂは各々、様々な実施形態による方法における処理アセンブリ５００ａ、５００ｂを視覚化している。方法は、基板１２０の下側１４０ｂを処理するステップを含み得る。基板１２０の下側１４０ｂの処理は、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、（例えば化学的に及び／又は構造的に）変換するステップ、（例えば化学的に）ドープするステップ、研磨するステップのうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【０４１４】
代替的に又は付加的に、方法は、基板１２０の上側１４０ａを処理するステップを含み得る。基板１２０の上側１４０ａの処理は、以下のステップ、すなわち、コーティングするステップ、放射するステップ、除去するステップ、クリーニングするステップ、加熱するステップ、（例えば化学的に及び／又は構造的に）変換するステップ、（例えば化学的に）ドープするステップ、研磨するステップのうちの、少なくとも１つを含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【０４１５】
基板１２０の下側１４０ｂの処理は、基板１２０の上側１４０ａの処理と同一とすることができる。代替的に、基板１２０の下側１４０ｂの処理は、基板１２０の上側１４０ａの処理と異なっていることができる。
【０４１６】
図１１Ｃを参照すると、処理アセンブリ５００ｃは、以下、すなわち、複数の基板１２０の片面を及び／又は両面を処理３１３、３２３（処理）するための処理チャンバ５１２と、複数の基板１２０を処理デバイス５１０ａ、５１０ｂの処理領域５２０内に（ここでは例示の様式で１つの処理領域のみが示されている）搬送及び／又は配置するための、搬送デバイス５２２と、を有し得る。
【０４１７】
搬送デバイス５２２は、例えば、複数の搬送ローラを有し得る。前記搬送ローラの外周は、様々な実施形態による基板保持デバイスが沿って搬送され得る搬送面を画定する。搬送面は、少なくとも部分的に平面状の様式で延在し得（この事例では搬送平面とも呼ばれる）、かつ／又は、少なくとも部分的に湾曲されて延在し得る。基板保持デバイスが処理チャンバ５１２を通って搬送されるために、基板保持デバイスの対向する両側に配設されかつ（例えば処理デバイスが間に配設され得るように）基板保持デバイスを支持領域４０２において保持する、片側のみ支持された搬送ローラが、例えば使用され得る。さらに、基板保持デバイスはまた、キャリア内に挿入され得るか、又はキャリアによって搬送され得る。
【０４１８】
処理チャンバ５１２は、真空チャンバとして、又は大気圧チャンバとして、又は正圧チャンバとして、適合及び／又は操作され得る。処理チャンバ５１２は、処理環境（処理圧力、処理ガス組成、処理温度、等を含む）が中で設定及び／又は調節されるように配設され得る。例えば、処理チャンバ５１２は、圧力（例えば少なくとも１バールの圧力差に耐える）、気密、及び／又は防塵に関して、安定するよう適合され得る。１つの基板１２０の及び／又は複数の基板１２０の処理は、（１バール超の）正圧で、約１バールの大気圧で、（１バール未満の）負圧で、又は（０．３バール未満の）真空において、例えば（１ミリバール未満の）良好な真空で、例えば（１０−３バール未満の）高真空で、例えば（１０−７バール未満の）超高真空で、行われ得る。処理ガス組成が設定及び／又は調節されるために、少なくとも１種の反応性ガス及び／又は作動ガスが、例えばガス送り込みによって、処理チャンバ５１２の内部に送給され得る。処理圧力が設定及び／又は調節されるために、処理チャンバ５１２は、処理チャンバ５１２の内部を排気する少なくとも１つの加圧ポンプ及び／又は真空ポンプを有する、ポンプ・アセンブリに結合され得る。処理温度が設定及び／又は調節されるために、処理アセンブリ５００ｃは、処理チャンバ５１２の内部に又は少なくともその中に搬送される基板１２０に、熱エネルギーを供給し得る（加熱のために）か、又はそこから熱エネルギーを抜き取り得る（冷却のために）、加熱デバイス及び／又は冷却デバイスを有し得る。
【０４１９】
例えば、１つの基板１２０又は複数の基板１２０、例えば、基板階層は、以下、すなわち、機能層、耐腐食層、光学活性層、保護層、導電層、電気絶縁層、封止材、シード層、表面仕上げのうちの、少なくとも１つでコーティングされ得る。例えば、（例えば電池技術において）箔又は硬い金属に、機能層が適用され得る。例えば、（例えば眼鏡、窓、携帯電話、及び／又は建築用ガラス用の）ガラスに、金属コーティング及び／又は誘電性材料によるコーティングが適用され得る。例えば、（例えば燃料セル技術において）導電性保護層、機能層、又は耐腐食層が、金属箔に適用され得る。例えば、（例えば半導体技術において）ウエハに、シード層が適用され得る。シード層は、例えばニッケル（Ｎｉ）及び／又は銅（Ｃｕ）を含み得るか、又はこれらから形成され得る。シード層は続いて、さらにガルバニック技術によってコーティングされ得、例えば金属層が形成される。
【０４２０】
図１６Ａ及び図１６Ｂは各々、様々な実施形態による基板保持デバイス６００ａの、概略斜視図を視覚化している。この場合、図１６Ａは、基板１２０を有さない基板保持デバイス６００ａを示し、また図１６Ｂは、中に基板１２０が挿入されている基板保持デバイス６００ａを示す。
【０４２１】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス６００ａは、外に向けられた少なくとも１つの角領域４１２ｅ（例えば、外に向けられた１つの角領域４１２ｅ、又は外に向けられた複数の角領域４１２ｅ）を有し得る。凹部１１１ｖは、外に向けられた少なくとも１つの角領域４１２ｅと共形となるように追随し得る。外に向けられた少なくとも１つの角領域４１２ｅ内の支持表面１１１ａは、例えば基板１２０が斜角を付けられた角を有するときに、斜角を付けられ得る。
【０４２２】
凹部１１１ｖは、溝の形態で構成され得る。
【０４２３】
外に向けられた少なくとも１つの角領域４１２ｅは、基板１２０からの内周壁３０２の間隔を大きくすることができ、外に向けられた少なくとも１つの角領域４１２ｅにおいて、支持表面１２０と内周壁３０２との間の接触のリスクを低減する。言い換えれば、基板１２０と内周壁３０２との間の間隙３０４は、外に向けられた少なくとも１つの角領域４１２ｅにおいて、大きくされて提供され得る。基板破壊のリスクの低減がこうして達成され得る。
【０４２４】
図１７Ａは、様々な実施形態による基板搬送デバイス１７００ａの、（例えば、支持表面１１１ａに対して横断方向に及び／又は搬送方向に対して横断方向に切断された）概略断面図を視覚化している。支持表面１１１ａは、例えば、搬送方向に沿って整列され得る。
【０４２５】
様々な実施形態によれば、基板搬送デバイス１７００ａは、基板保持デバイスを搬送するための搬送システムを有し得る。この場合、搬送システムは、基板搬送デバイス７００、例えばそのキャリア・プレート１０２が、２つの支持領域４０２内で、例えば２つの支持領域４０２ｈでのみ、それぞれ保持又は支持されるように、２つの補強要素８１２を有する。保持要素８１２上に支持される基板搬送デバイス１７００ａの搬送は、例えば、搬送ローラ、チェーン、バー、又は別の好適な搬送手段によって行われ得る。
【０４２６】
例えば、基板搬送デバイス１７００ａの支持に起因して、基板搬送デバイス１７００ａは、基板搬送デバイス１７００ａの、例えばそのキャリア・プレート１０２の中心における最大の撓み７０５で、撓み得る。それぞれの基板１０２を保持するために保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが使用されるとき、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂは、例えば、キャリア・プレート１０２の撓み７０５が、基板１２０に対してマイナスの影響を僅かしか若しくは全く有さないように、及び／又はマイナスの影響が基板１２０に伝達されないように、基板搬送デバイス１７００ａから、又はそのキャリア・プレート１０２から、切り離され得る。例えば、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂによって、撓み７０５から独立して、基板１２０用の平面状の支持表面１３２ｆが提供され得る。
【０４２７】
図１７Ｂは、（例えば支持表面１１１ａに対して横断方向に）概略的に断面視して切断された、様々な実施形態による基板保持デバイス１７００ｂを視覚化している。支持表面１１１ａは、例えば、搬送方向に沿って整列され得る。
【０４２８】
様々な実施形態によれば、支持表面１３２ｆは、約０．１ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内の、例えば約０．２ｍｍから約５ｍｍまでの範囲内の、例えば約０．５ｍｍから約２ｍｍまでの範囲内の、延伸７１０を有し得る。
【０４２９】
様々な実施形態によれば、基板載置領域１１１の、例えば保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの、空洞１３２は、約５０ｍｍから約５００ｍｍまでの範囲内の、例えば約１００ｍｍから約２５０ｍｍまでの範囲内の、例えば約１５０ｍｍから約１６０ｍｍまでの範囲内の、例えば約１５４ｍｍの、（例えば支持表面１３２ｆに沿った、例えば支持表面１３２ｆと同じ高さの、及び／又はキャリア・プレート面１０２ｅに沿った）延伸７２８を有し得る。延伸７２８は、内周壁３０２の対向する部分における間隔に相当し得る。
【０４３０】
様々な実施形態によれば、基板１２０上の遮蔽される領域は、約２ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内の、例えば約３ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内の、例えば約３ｍｍから約４ｍｍまでの範囲内の、（基板の縁部から基板の中心に向かう方向に測定された）延伸７１４を与えられ得る。遮蔽される領域は、基板保持デバイス１７００ｂ（例えば内周壁３０２）に近接することによって、堆積される材料の量が影響される、すなわち低減される領域であるものと理解され得る。
【０４３１】
様々な実施形態によれば、内周壁３０２の高さ及びその傾斜は、遮蔽される領域によって決定され得る。例えば、前記高さは、約４０°から約８０°までの範囲内、例えば約６０°の角度７１６を有する包絡線内に存在し得る。
【０４３２】
支持表面１３２ｆに対して垂直に及び／又はキャリア・プレート面１０２ｅに対して垂直に延びる法線方向１０５に対する、（例えば支持表面１３２ｆと同じ高さの、すなわち内周壁３０２の上側部分における）内周壁３０２の傾斜、角度７１８は、約０°から約４０°までの範囲内の、例えば１０°から約３０°までの、例えば約２０°の値を有し得る。
【０４３３】
類似の様式で、法線方向１０５に対する内周壁３０２の（例えば内周壁３０２の下側部分における）傾斜、角度７２０は、約０°から約２０°までの範囲内の、例えば約１０°の値を有し得る。言い換えれば、内周壁３０２は、上側部分及び／又は下側部分において、面取り部を有し得る。
【０４３４】
様々な実施形態によれば、支持表面１３２ｆのその対向する部分における間隔７２６は、空洞１３２の延伸７２８よりも小さく、例えば約０．５ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内でより小さく、例えば約１ｍｍから約５ｍｍまでの範囲内でより小さく、例えば約２ｍｍから約４ｍｍまでの範囲内でより小さくすることができる。
【０４３５】
様々な実施形態によれば、保持フレーム１３２ａ、１３２ｂの、支持表面１３２ｆと空洞の周縁３０２（言い換えれば内周壁３０２）との間の凹部１１１ｖ（例えば間隙）は、例えば、支持表面１３２ｆと平行に、例えば、支持表面１３２ｆの平面において測定される（すなわち支持表面１３２ｆと同じ高さで測定される）、幅７２４（間隙幅）を有することができ、この幅７２４は、受容されることになる基板１２０の幅に適合され得る。例えば、約０．１ｍｍから約１．５ｃｍまでの範囲内の幅７２４、例えば１ｃｍ、０．５ｃｍ、１ｍｍ、５００μｍ、３００μｍ、２００μｍ未満の、例えば約０．１ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内の、例えば約０．２ｍｍから約５ｍｍまでの範囲内の、例えば約０．５ｍｍから約２ｍｍまでの範囲内の、例えば約０．８ｍｍの、幅７２４である。凹部１１１ｖは、約０．１ｍｍから約１．５ｍｍまでの範囲内の（支持表面１３２ｆに対して横断方向の）深さ７２２、例えば１ｍｍ未満、０．５ｍｍ、及び／又は２００μｍ超、若しくは３００μｍの深さを有し得る。
【０４３６】
これと類似の様式で、空洞１１２、支持表面１３２ｆ、及び凹部１１１ｖは、例えば保持フレーム１３２ａ、１３２ｂが使用されないときに、キャリア・プレート１０２に成形され得る。
【０４３７】
図１８Ａは、様々な実施形態による基板保持デバイス８００ａの、（図１４Ａの図と類似の）概略断面図又は平面図を視覚化している。
【０４３８】
様々な実施形態によれば、基板保持デバイス８００ａは、２つの支持領域４０２ｈ間に延在しかつその中へと延在する、少なくとも１つの補強要素８１２（例えば２つ又は３つ以上の補強要素８１２）をさらに有し得る。少なくとも１つの補強要素８１２は例示として、搬送方向に対して横断方向に延在すること及び撓み７０５を低減することができる。少なくとも１つの補強要素８１２において、基板保持デバイス８００ａは、支持領域４０２ｈ（保持領域４０２ｈ）における及び／又は基板載置領域１１１におけるよりも、大きい延伸（例示として、例えば方向１０５における厚さ）を有し得る。少なくとも１つの補強要素８１２は、例えば、支持領域４０２ｈにおける相互に対向する補強要素８１２に接続され得る。基板保持デバイス８００ａの、例えばそのキャリア・プレート１０２の平面的な補強が、こうして達成され得る。
【０４３９】
図１８Ｂは、様々な実施形態による方法８００ｂの概略フロー図を視覚化している。
【０４４０】
方法８００ｂはステップ８０１において、基板保持デバイスの基板載置領域内に基板を挿入するステップを含む。様々な実施形態によれば、基板は、第１面、及び第１面と反対側の第２面を有し得る。この場合、基板の第２面が基板載置領域の支持表面と物理的に接触しており、またこの場合、基板は、基板載置領域の空洞よりも小さい、例えば（例えば支持表面と同じ高さで測定された）基板載置領域の内周壁の直径よりも小さい、支持表面と平行な延伸を有する。
【０４４１】
方法８００ｂはステップ８０１において、基板の第１面を処理するステップを含み得る。様々な実施形態によれば、支持表面及び基板は、支持表面が基板によって処理から完全にシールドされるように互いに適合され得る。言い換えれば、基板は支持表面を完全に覆うことができる。
【０４４２】
様々な実施形態による実施例が以下に記載される。
【０４４３】
実施例１ｃ。  基板保持デバイス１００が搬送されるために基板保持デバイス１００が支持され得る場所である、互いに平行に延在する２つの支持領域４０２ｈと、
２つの支持領域４０２ｈ間に配設される複数の基板載置領域１１１であって、基板載置領域１１１の各々が、空洞１１２及び空洞１１２内に基板１２０を保持するための支持表面１１１ａを有し、また、
基板載置領域１１１の各々が、支持表面１１１ａに隣接しかつこれを少なくとも部分的に取り囲む、凹部１１１ｖを有する、複数の基板載置領域１１１と、
を有する、基板保持デバイス１００。
【０４４４】
実施例２ｃ。  複数の基板載置領域１１１のうちの少なくとも１つの基板載置領域１１１の空洞１１２が、基板保持デバイス１００を通って延在する、実施例１ｃによる基板保持デバイス１００。
【０４４５】
実施例３ｃ。複数の基板載置領域１１１のうちの少なくとも１つの基板載置領域１１１の凹部１１１ｖが、それぞれの空洞１１２の内周壁に隣接する、実施例１ｃ又は２ｃによる基板保持デバイス１００。
【０４４６】
実施例４ｃ。  キャリア・プレート１０２をさらに有し、
複数の基板載置領域１１１のうちの少なくとも１つの基板載置領域１１１の支持表面１１１ａがキャリア・プレート１０２に接続され、かつ／又は、
複数の基板載置領域１１１のうちの少なくとも１つの基板載置領域１１１の支持表面１１１ａが、キャリア・プレート１０２の空洞１１２内に挿入されるときにキャリア・プレート１０２の支持表面１１１ａ上に少なくとも部分的に設置される保持フレーム１３２ａ、１３２ｂによって提供される、実施例１ｃから３ｃのうちの１つによる基板保持デバイス１００。
【０４４７】
実施例５ｃ。  キャリア・プレート１０２の空洞１１２がキャリア・プレート１０２を通って延在する、実施例４ｃによる基板保持デバイス１００。
【０４４８】
実施例６ｃ。  複数の基板載置領域１１１のうちの少なくとも１つの基板載置領域１１１の支持表面１１１ａが平面状である、実施例１ｃから５ｃのうちの１つによる基板保持デバイス１００。
【０４４９】
実施例７ｃ。  複数の基板載置領域１１１のうちの少なくとも１つの基板載置領域１１１の支持表面１１１ａが、金属を含むか又は金属から形成される、実施例１ｃから６ｃのうちの１つによる基板保持デバイス１００。
【０４５０】
実施例８ｃ。  ２つの支持領域４０２ｈ間に延在しかつその中へと延在する少なくとも１つの補強要素８１２と、
互いに平行に延在する複数の補強要素８１２であって、これらのうちの少なくとも１つの補強要素８１２が２つの支持領域４０２ｈのうちの１つの支持領域４０２ｈ内に配設される、複数の補強要素８１２と、
をさらに有する、実施例１ｃから７ｃのうちの１つによる基板保持デバイス１００。
【０４５１】
実施例９ｃ。  処理チャンバ５１２と、
処理チャンバ５１２内に処理領域を画定する処理デバイス５１０ａ、５１０ｂと、
実施例１ｃから８ｃのうちの１つによる基板保持デバイス１００と、
基板保持デバイス１００を処理領域内に搬送及び／又は配置するための搬送デバイス５２２であって、基板保持デバイス１００をその２つの支持領域４０２ｈにおいて支持するように適合される、搬送デバイス５２２と、
を有する、処理アセンブリ５００ａ、５００ｂ、５００ｃ。
【０４５２】
実施例１０ｃ。  さらなる処理デバイス５１０ｂをさらに有し、搬送デバイス５２２が、処理デバイス５１０ａとさらなる処理デバイス５１０ｂとの間で基板保持デバイス１００を搬送及び／又は配置するように適合される、実施例９ｃによる処理アセンブリ５００ａ、５００ｂ、５００ｃ。
【０４５３】
実施例１１ｃ。  以下のステップ、すなわち、
基板保持デバイス１００の空洞１１２内のその基板載置領域１１１内へと基板１２０を挿入するステップ８０１であって、基板１２０が第１面及び第１面と反対側の第２面を有し、基板１２０の第２面が基板載置領域１１１の支持表面１１１ａと物理的に接触しており、基板が、基板載置領域１１１の空洞１１２よりも小さい、支持表面１１１ａと平行な延伸を有する、ステップ８０１と、
基板１２０の第１面を処理するステップ８０３であって、支持表面１１１ａ及び基板が、支持表面１１１ａが基板によって処理から完全にシールドされるように互いに適合される、ステップ８０３と、を含む、方法８００ｂ。
【０４５４】
図１９Ａ及び１９Ｂは各々、様々な実施形態による基板保持デバイスの各々の概略平面図を視覚化している。
【０４５５】
基板保持デバイス１９００ａ、１９００ｂは、空洞１１２を有するキャリア・プレート１０２を有し得る。空洞１１２は、キャリア・プレート１０２の上側１０２ａからキャリア・プレート１０２を通ってキャリア・プレート１０２の下側１０２ｂまで延在し得る。
【０４５６】
基板保持デバイス１９００ａ、１９００ｂは、保持フレーム１３２ａを有し得る。保持フレーム１３２ａは、フレーム開口部１３２（空洞１３２とも呼ばれる）を有し得る。フレーム開口部１３２は、保持フレーム１３２ａの上側１０２ａから保持フレーム１３２ａを通って保持フレーム１３２ａの下側１０２ｂまで延在し得る。
【０４５７】
基板１２０を空洞１１２内に保持するための保持フレーム１３２ａは、フレーム開口部１３２を取り囲む支持表面１１１ａを有し得る。空洞１１２内に挿入される保持フレーム１３２ａは、キャリア・プレート１０２上に少なくとも部分的に設置され得る。
【０４５８】
基板保持デバイス１９００ｂの保持フレーム１３２ａは、支持表面１１１ａを取り囲むクリアランス溝１１１ｖ（凹部１１１ｖ）を有し得る。
【０４５９】
図２０Ａ及び２０Ｂは各々、様々な実施形態によるダイアグラムを視覚化している。この場合、受容器における圧力２００５（単位はミリバール）が、時間２００３（単位は時間）にわたって視覚化されている。
【０４６０】
様々な実施形態によれば、保持フレームは、プラスチック材料（ポリマー）、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含み得るか、又はこれから形成され得る。保持フレームを製造するための方法は、以下のステップ、すなわち、ＰＥＥＫを含むか又はこれから形成される基本本体を提供するステップと、例えば所定の形（又は３次元モデル）に従う、基本本体の除去加工によって、基本本体から保持フレームを形成するステップと、を含み得る。
【０４６１】
除去加工は、高コストとなり得る。したがって、ＰＥＥＫによる保持フレームは、所定の予算において、小さい個数で提供され得る。そのような保持フレームは、例えば、再利用され得る（複数回の使用）。
【０４６２】
代替的に又は付加的に、保持フレームは、ポリフェニレン・サルファイド（ＰＰＳ、フォートロンとも呼ばれ得る）を含み得るか、又はこれから形成され得る。保持フレームを製造するための方法は、以下のステップ、すなわち、鋳型を提供するステップと、ＰＰＳを鋳型の中に注入することによって保持フレームを形成するステップと、ＰＰＳを硬化させるステップと、を含み得る。代替的に、保持フレームは、別の（すなわち射出成形可能な）熱可塑性プラスチック材料を含み得るか、又はこれから形成され得る。
【０４６３】
ポリフェニレン・サルファイドは射出成形法によって成形され得るが、これは、除去加工よりも費用効果の高いものであり得る。したがって、ポリフェニレン・サルファイドによる保持フレームは、所定の予算において、大きい個数で提供され得る。そのような保持フレームは、例えば、使い捨ての部品（１回の使用の部品）として使用され得る。この場合、再利用に起因するコストが節減され得る。例えば、保持フレームのクリーニングが（１回の仕様の場合）省略され得る。例えば、この結果、保持フレームのガス放出がより少なくなる。例えば、クリーニングは、いわゆるスポンジ効果につながり得る。この場合、プラスチック材料は、クリーニングのために使用される物質の構成成分を吸収し、これを、これらプラスチック材料が真空中に入りさえすれば放出する。
【０４６４】
代替的に又は付加的に、プラスチック材料は、ポリイミド（例えば高温ポリイミド、例えばいわゆるＴＥＣＡＳＩＮＴ）、及び／又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含み得るか、又はこれらから形成され得る。
【０４６５】
プラスチック材料は任意選択で、複合材料の一部とすることができる。複合材料は、プラスチック材料及び固体材料を含み得る。例えば、後者（固体材料）はプラスチック材料よりも硬く、かつ／又は、プラスチック材料よりも熱に対する耐性（分解温度、溶融温度、及び／若しくはガラス転移温度）が高い。固体材料は、粒子（固体粒子）、薄片、及び／又は繊維（固体材料繊維）を含み得るか、又はこれらから形成され得る。固体材料は、ポリマー（例えばＰＴＦＥ）、鉱物、セラミック、炭素変化体としての炭素（例えば石炭、グラファイト、若しくはカーボンブラック）、酸化物、炭化物、窒化物、硫化物（例えば二硫化モリブデン）、並びに／又はガラス（例えばガラス粒子及び／若しくはガラス繊維）を含み得る。代替的に又は付加的に、複合材料は、プラスチック材料、並びに、プラスチック材料よりも低い動的摩擦及び／又はプラスチック材料よりも高い導電性を有する固体材料（例えばＰＴＦＥ、導電性カーボンブラック、又はグラファイト）を含み得る。複合材料は、例えば、鉱物補強及び／又はガラス補強プラスチック材料を含み得るか、又はこれらから形成され得る。代替的に又は付加的に、複合材料は、グラファイト及び／又はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）を含み得る。
【０４６６】
保持フレーム、又はプラスチック材料及び／若しくは複合材料は、それぞれ、約１５０℃超の、例えば約２００℃超の、例えば約３００℃超の、例えば約４００℃超の、例えば約２００℃から約５００℃までの範囲内の、又は約５００℃超の、長期耐熱性（すなわち溶融温度、ガラス転移温度、及び／又は分解温度）を有し得る。
【０４６７】
保持フレーム、又はプラスチック材料及び／若しくは複合材料は、それぞれ、例えば約１５０℃超の、例えば約２００℃超の、例えば約３００℃超の、例えば約４００℃超の、例えば約２００℃から約５００℃までの範囲内（例えば約４７０℃）の、又は約５００℃超の温度に関する、耐熱性（ＨＤＴ／Ａ、すなわちＡ法による）を有し得る。
【０４６８】
保持フレーム、又はプラスチック材料及び／若しくは複合材料は、それぞれ、電気絶縁性とすること、例えば、約１０−６Ｓ／ｍ未満の、例えば約１０−７Ｓ／ｍ未満の、例えば約１０−８Ｓ／ｍ未満の、例えば約１０−９Ｓ／ｍ未満の、例えば約１０−１０Ｓ／ｍ未満の、例えば約１０−１１Ｓ／ｍ未満の、例えば約１０−１２Ｓ／ｍ未満の、導電性を有することができる。
【０４６９】
保持フレームのプラスチック材料は、真空対応のものとすることができる。様々な実施形態によれば、真空適合性（真空対応とも呼ばれる）とは、材料（物質とも呼ばれる）が、低い蒸気圧、例えば約１０−１３ミリバール未満の、例えば約１０−１７ミリバール未満の、例えば約１０−５ミリバールから約１０−１５ミリバールまでの範囲内の、（室温で測定された）蒸気圧を有する（すなわち気体ができる限り少ししか外に出ない）ことを意味するものと理解され得る。さらに、蒸気圧は、高い温度においても低い、例えば２００℃で約１０−５ミリバール未満である場合がある。
【０４７０】
プラスチック材料のガス放出に関するそのような測定が、ダイアグラム２０００ａ及び２０００ｂにおいて例示の様式で示されている。それぞれの測定に先立って、プラスチック材料及び／又は受容器は、高真空中で２４時間調整され得、測定される結果の誤差の生じ易さを低減する。受容器の通気時間は、周囲空気中で約１時間とすることができる。
【０４７１】
プラスチック材料は、約１％未満の、例えば約０．５％未満の、例えば約０．１％未満の、例えば約０．０２％の、吸水率を有し得る。プラスチック材料は無臭とすることができる。
【０４７２】
ガス放出を測定するために、吸収量／押出量法が使用され得る。表面積あたりのガス流が、試料に作用する実効吸収量から及び測定される圧力から、導出される。空の受容器を使用する基準測定値を減算すると、ガス放出された材料（ガス放出）の量が得られる。
【０４７３】
ダイアグラム２０００ａは、ＰＥＥＫに関する排気曲線２００２ａ、２００２ｂ（ＰＥＥＫ調整２００２ａ及びＰＥＥＫ測定２００２ｂ）、並びに、ＰＳＳに関する排気曲線２００４ａ、２００４ｂ（ＰＳＳ調整２００４ａ及びＰＳＳ測定２００４ｂ）を視覚化している。排気曲線は、温度変動及び／又は圧力変動によって追加的に歪められる可能性がある。それぞれの補正された排気曲線（ＰＥＥＫ調整２００２ａ及びＰＥＥＫ測定２００２ｂ、ＰＳＳ調整２００４ａ及びＰＳＳ測定２００４ｂ）が、ダイアグラム２０００ｂにおいて示されている。
【０４７４】
図２１Ａ及び２１Ｂは各々、様々な実施形態によるダイアグラム２１００ａ、２１００ｂを視覚化している。この場合、脱離速度２１０５（単位は１秒あたりのミリバール及びリットル、すなわちミリバール・ｌ／ｓ）、又は重量に関して正規化された脱離速度（単位は１秒あたり及び１グラムあたりのミリバール及びリットルすなわちミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ））が、時間２００３（単位は時間）にわたってそれぞれ視覚化されている。
【０４７５】
ＰＥＥＫのガス放出（脱離速度）は、ＰＳＳのガス放出（脱離速度）よりも４倍低い。両方の材料に関して、時間的挙動は同等である。ただし、ＰＥＥＫは、（１０ｈに対応する１０時間超の）比較的長い時間「飽和している」。
【０４７６】
保持フレームのプラスチック材料の脱離速度２１０５は、約１０−５ミリバール・ｌ／ｓ未満、例えばＰＳＳに関して約８．３・１０−６ミリバール・ｌ／ｓ未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約３．１・１０−６ミリバール・ｌ／ｓ未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約２・１０−６ミリバール・ｌ／ｓ未満（例えば１０ｈ後）、及び／又は、例えばＰＥＥＫに関して約３．３・１０−５ミリバール・ｌ／ｓ未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約１．６・１０−５ミリバール・ｌ／ｓ未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約１．１・１０−５ミリバール・ｌ／ｓ未満（例えば１０ｈ後）とすることができる。
【０４７７】
脱離速度の時定数（両対数の図示２１００ａ、２１００ｂにおける線形プロファイルに対応する）は、約１未満、例えば約０．９未満、例えばＰＳＳに関して約０．８７、及びＰＥＥＫに関して約０．８５とすることができる。
【０４７８】
ダイアグラム２１００ａにおいて示されているデータが、ダイアグラム２１００ｂにおいて重量に関して正規化されて視覚化されている。
【０４７９】
重量に関連するＰＳＳ（例えば試料の質量約２６．６ｇ）の脱離は、ＰＥＥＫ（例えば試料の質量約５３．２ｇ）の脱離よりも（２から３倍）少ない。
【０４８０】
保持フレームのプラスチック材料の、重量に関して正規化された脱離速度２１０５ｇは、約１０−６ミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ）未満、例えばＰＳＳに関して約３．１・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ）未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約１．２・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ）未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約７．４・１０−８ミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ）未満（例えば１０ｈ後）、及び／又は、例えばＰＥＥＫに関して約６．１・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ）未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約２．９・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ）未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約２．１・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｇ）未満（例えば１０ｈ後）とすることができる。
【０４８１】
図２２Ａ及び２２Ｂは各々、様々な実施形態によるダイアグラム２２００ａ、２２００ｂを視覚化している。この場合、体積に関して正規化された脱離速度２２０５ａ（単位は１秒あたり及び１立方センチメートルあたりのミリバール及びリットル、すなわちミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３））、又は表面積に関して正規化された脱離速度（単位は１秒あたり及び１平方センチメートルあたりのミリバール及びリットル、すなわちミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２））が、時間２００３（単位は時間）にわたって視覚化されている。
【０４８２】
体積に関連するＰＳＳ（例えば試料の体積約１４ミリリットル）の脱離は、ＰＥＥＫ（例えば試料の体積約４１ミリリットル）の脱離よりも（１から２倍）少ない。
【０４８３】
保持フレームのプラスチック材料の、体積に関して正規化された脱離速度２２０５ａは、約１０−６ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３）未満、例えばＰＳＳに関して約５．８・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３）未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約２．２・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３）未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約１．４・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３）未満（例えば１０ｈ後）、及び／又は、例えばＰＥＥＫに関して約７．９・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３）未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約３．８・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３）未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約２．８・１０−７ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ３）未満（例えば１０ｈ後）とすることができる。
【０４８４】
表面積に関連するＰＳＳ（例えば試料の表面積約１１０ｃｍ２）の脱離は、ＰＥＥＫ（例えば試料の表面積約１２０ｃｍ２）の脱離よりも（例えば約４から５倍）少ない。
【０４８５】
保持フレームのプラスチック材料の、表面積に関して正規化された脱離速度２２０５ｂは、約１０−２ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２）未満、例えばＰＳＳに関して約７．５・１０４ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２）未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約２．８・１０−４ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２）未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＳＳに関して約１．８・１０−４ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２）未満（例えば１０ｈ後）、及び／又は、例えばＰＥＥＫに関して約２．７・１０−３ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２）未満（例えば１ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約１．３・１０−３ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２）未満（例えば４ｈ後）、例えばＰＥＥＫに関して約９．５・１０−４ミリバール・ｌ／（ｓ・ｃｍ２）未満（例えば１０ｈ後）とすることができる。
【０４８６】
ＰＳＳは、ＰＥＥＫの脱離速度よりも低い脱離速度を有し得る。
【図１】
0006567667.tif 000002
【図２】
0006567667.tif 000003
【図３】
0006567667.tif 000004
【図４Ａ】
0006567667.tif 000005
【図４Ｂ】
0006567667.tif 000006
【図５Ａ】
0006567667.tif 000007
【図５Ｂ】
0006567667.tif 000008
【図５Ｃ】
0006567667.tif 000009
【図６Ａ】
0006567667.tif 000010
【図６Ｂ】
0006567667.tif 000011
【図７】
0006567667.tif 000012
【図８Ａ】
0006567667.tif 000013
【図８Ｂ】
0006567667.tif 000014
【図９Ａ】
0006567667.tif 000015
【図９Ｂ】
0006567667.tif 000016
【図９Ｃ】
0006567667.tif 000017
【図９Ｄ】
0006567667.tif 000018
【図９Ｅ】
0006567667.tif 000019
【図９Ｆ】
0006567667.tif 000020
【図１０Ａ】
0006567667.tif 000021
【図１０Ｂ】
0006567667.tif 000022
【図１１Ａ】
0006567667.tif 000023
【図１１Ｂ】
0006567667.tif 000024
【図１１Ｃ】
0006567667.tif 000025
【図１２Ａ】
0006567667.tif 000026
【図１２Ｂ】
0006567667.tif 000027
【図１３Ａ】
0006567667.tif 000028
【図１３Ｂ】
0006567667.tif 000029
【図１４Ａ】
0006567667.tif 000030
【図１４Ｂ】
0006567667.tif 000031
【図１４Ｃ】
0006567667.tif 000032
【図１５Ａ】
0006567667.tif 000033
【図１５Ｂ】
0006567667.tif 000034
【図１５Ｃ】
0006567667.tif 000035
【図１６Ａ】
0006567667.tif 000036
【図１６Ｂ】
0006567667.tif 000037
【図１７Ａ】
0006567667.tif 000038
【図１７Ｂ】
0006567667.tif 000039
【図１８Ａ】
0006567667.tif 000040
【図１８Ｂ】
0006567667.tif 000041
【図１９Ａ】
0006567667.tif 000042
【図１９Ｂ】
0006567667.tif 000043
【図２０Ａ】
0006567667.tif 000044
【図２０Ｂ】
0006567667.tif 000045
【図２１Ａ】
0006567667.tif 000046
【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
0006567667.tif 000049