(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎ含有量が６重量％以下の第１領域と、
ＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、
を具備し、
Ｉｎの平均含有量は６重量％以下であり、
前記第２領域は、前記第１領域の外面に形成されていることを特徴とするＳｎ−５８Ｂｉ共晶合金。
【請求項２】
ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎ含有量が６重量％以下の第１領域と、
ＩｎＳｎ４とＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、
を具備し、
Ｉｎの平均含有量は６重量％以下であり、
前記第２領域は、前記第１領域の内部に複数形成されていることを特徴とするＳｎ−５８Ｂｉ共晶合金。
【請求項３】
リフロー前である請求項１または２に記載のＳｎ−５８Ｂｉ共晶合金を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項１または２に記載のＳｎ−５８Ｂｉ共晶合金を用い、電子部品を被実装部に接合する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶合金、電子部品および電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等を基板等に実装するために、はんだ合金が用いられている。はんだ合金は、環境問題への配慮からＰｂフリーはんだが用いられている。Ｐｂフリーはんだ合金として、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ合金やＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ合金が知られている。これらのはんだ合金よりリフロー温度が低いＳｎ−Ｂｉはんだ合金が知られている（例えば、特許文献１−３）。Ｉｎを含むＳｎ−Ｂｉはんだ合金が知られている（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１４１０７９号公報
【特許文献２】特開平１１−３３７７５号公報
【特許文献３】特開２０１２−２２７１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金のＩｎ含有量を大きくすると、はんだ合金の溶融温度が低下し、リフロー温度を低くすることができる。しかしながら、はんだ合金の溶融温度が低い場合、接合後の電子部品等の温度が上昇することで、はんだ合金の信頼性が低下する可能性がある。このように、リフロー温度は低いことが好ましいが、電子部品等を接合した後は、はんだ合金の溶融温度は高いことが好ましい。
【０００５】
本はんだ合金、電子部品および電子装置の製造方法は、接合後のはんだ合金の溶融温度を高くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎ含有量が６重量％以下の第１領域と、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、を具備し、Ｉｎの平均含有量は６重量％以下であり、前記第２領域は、前記第１領域の外面に形成されていることを特徴とするＳｎ−５８Ｂｉ共晶合金を用いる。
ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎ含有量が６重量％以下の第１領域と、ＩｎＳｎ４とＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、を具備し、Ｉｎの平均含有量は６重量％以下であり、前記第２領域は、前記第１領域の内部に複数形成されていることを特徴とするＳｎ−５８Ｂｉ共晶合金を用いる。
【０００７】
リフロー前である上記Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶合金を備えることを特徴とする電子部品を用いる。
【０００８】
上記Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶合金を用い、電子部品を被実装部に接合する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法を用いる。
【発明の効果】
【０００９】
本はんだ合金、電子部品および電子装置の製造方法によれば、接合後のはんだ合金の溶融温度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶合金にＩｎを添加したときの平衡状態図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るはんだ合金のそれぞれリフロー前および後の断面図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例および実施例１に係るはんだ合金のＤＳＣ測定結果を示す図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例２に係るはんだ合金の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例３に係る電子装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は、実施例４に係る電子装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図７】図７は、実施例４に係る電子装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例５に係る電子部品を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
Ｐｂフリーはんだ合金として用いられるＳｎ−Ａｇ系はんだ合金およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ合金のリフロー温度は、２００℃以上である。電子部品、電子部品を実装する基板等の被接合体、およびはんだ合金は互いに熱膨張係数が異なる。このため、リフロー温度が高いと、被接合体が歪んでしまう。
【００１２】
例えばＢｉの含有量が５８重量％のＳｎ−Ｂｉはんだ合金は融点が１３９℃である。このため、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金を用いることにより、リフロー温度を１８０℃程度とすることができる。しかしながら、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金においては、融点とリフローのときのピーク温度との間に、大きな差が生じている。Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金のリフローピーク温度を例えば１５０℃とすると、濡れ不良が生じやすくなる。これは、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金の融解熱に起因する。すなわち、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金の融解熱は、例えばＳｎ−Ｐｂはんだ合金に比べて高い。このため、リフローの昇温速度を一定とすると、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金が溶解するまでの熱量を得るために、リフローのピーク温度を高くすることになる。よって、融点と、リフローピーク温度との差が大きくなる。
【００１３】
リフローピーク温度を低下させるため、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＩｎを含有させ溶融温度を下げることが考えられる。電子部品が動作すると電子部品の温度が上昇する。例えば半導体部品ではジャンクション温度が上昇する。はんだ合金の溶融温度が電子部品等の動作温度に近いと、はんだ合金の信頼性の確保が難しくなる。
【００１４】
このように、リフロー前のはんだ合金は、リフローピーク温度を低くするため溶融温度が低いことが好ましい。一方、接合後のはんだ合金は、信頼性を向上させるため溶融温度が高いことが好ましい。
【００１５】
図１は、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶合金にＩｎを添加したときの平衡状態図である。縦軸は温度を、横軸はＩｎの含有量（重量％）を示す。Ｓｎ５８Ｂｉの融点は１３９℃である。Ｉｎの添加量が３重量％程度までの固相線は、Ｉｎ添加量の増加とともに低下する。Ｉｎ添加量が約３重量％以下の固体相では、ＳｎとＢｉの共晶にＩｎが固溶している。Ｉｎ添加量が約３重量％から約６重量％では固相線は約８０℃である。この範囲の固体相は、Ｓｎ、ＢｉおよびＩｎＳｎ４金属間化合物の共晶である。Ｉｎ添加量が約６重量％以上となると固相線は８０℃より低下する。Ｉｎ添加量が約７重量％以上では、固相線は約７０℃である。この範囲の固体は、Ｂｉ、ＩｎＳｎ金属間化合物およびＩｎＳｎ４金属間化合物の共晶である。
【実施例１】
【００１６】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るはんだ合金のそれぞれリフロー前および後の断面図である。図２（ａ）に示すように、リフロー前のはんだ合金１０ａは、ＳｎＢｉ領域１２内にＩｎＢｉ領域１４が含まれる。ＳｎＢｉ領域１２は、主にＳｎとＢｉの共晶合金である。ＩｎＢｉ領域１４は、ＩｎＢｉ金属間化合物を含む。はんだ合金１０ａ内の全体を平均したＩｎ含有量は６％以下である。ＩｎＢｉ領域１４のＩｎ含有量は７重量％以上である。このため、リフローの際に温度が上昇すると、ＩｎＢｉ領域１４は、図１のように約７０℃で溶融し始める。ＩｎＢｉ領域１４が溶融すると、これを起点にＳｎＢｉ領域１２も溶融しやすくなる。これにより、はんだ合金１０ａのリフローピーク温度を低くできる。
【００１７】
図２（ｂ）に示すように、リフロー終了後は、はんだ合金１０ｂ内の組成はほぼ均一なＳｎＢｉＩｎ領域１３になる。このため、ＳｎＢｉＩｎ領域１３のＩｎ含有量は６％以下となる。図１より、はんだ合金１０の溶融温度は８０℃以上となる。このように、接合後のはんだ合金１０ｂの溶融温度を高くできる。よって、はんだ合金１０ｂの信頼性を向上できる。例えば、はんだ合金１０ａを用い接合した半導体部品のジャンクション温度が７５℃の場合、半導体部品の基板への接合を動作温度以下の温度で行なうことができる。半導体部品を基板に接合した後のはんだ合金１０ｂの溶融温度は８０℃以上である。このため、半導体部品のジャンクション温度が上昇してもはんだ合金１０ｂの信頼性を確保することができる。
【００１８】
ＩｎＢｉ領域１４におけるＩｎ含有量は、８重量％以上が好ましく、１０重量％以上がより好ましい。ＩｎＢｉ領域１４におけるＩｎ含有量は、ＩｎＢｉ領域１４内にＩｎＢｉとＩｎＳｎ４以外に余剰なＩｎ相が含まれない程度のＩｎ含有量以下とすることが好ましい。
【００１９】
はんだ合金１０ａ内の平均のＩｎ含有量（すなわち、はんだ合金１０ｂのＳｎＢｉＩｎ領域１３のＩｎ含有量）は、５重量％以下が好ましい。これにより、図１のように、はんだ合金１０ｂの溶融温度を８０℃より高くできる。はんだ合金１０ａ内の全体のＩｎ含有量は、３重量％以下がより好ましい。これにより、はんだ合金１０ｂの溶融温度を９０℃以上にできる。はんだ合金１０ａ内の全体のＩｎ含有量は、２重量％以下がより好ましい。これにより、はんだ合金１０ｂの溶融温度を１００℃以上にできる。はんだ合金１０ａ内の平均のＩｎ含有量は、０．０１重量％以上が好ましく、０．１重量％以上がより好ましく、１重量％以上がさらに好ましい。
【００２０】
ＳｎＢｉ領域１２におけるＩｎ含有量は、ＩｎＢｉ領域１４のＩｎ含有量より小さければよい。はんだ合金１０ａの溶融開始温度を低くするためには、ＩｎＢｉ領域１４のはんだ合金１０ａ内の面積（体積）は大きいことが好ましい。このため、ＳｎＢｉ領域１２のＩｎ含有量は低いことが好ましい。例えば、ＳｎＢｉ領域１２のＩｎ含有量は３％以下が好ましく、２％以下がより好ましく、１％以下がさらに好ましい。
【００２１】
はんだ合金１０ａ内の平均のＢｉ含有量（すねわち、はんだ合金１０ｂのＳｎＢｉＩｎ領域１３のＢｉ含有量）は、溶融温度を低くするため、ＢｉとＳｉの重量比は、Ｂｉ／Ｓｎが５８／４２以上であることが好ましい。例えば、Ｉｎ含有量が６重量％以下のとき、Ｂｉ含有量は、５５重量％以上であることが好ましい。Ｉｎ含有量が５重量％、３重量％および２重量％以下のとき、Ｂｉ含有量は、それぞれ５５．５重量％、５６．５重量％および５７重量％以上であることが好ましい。Ｂｉ重量％は７０重量％以下が好ましい。
【００２２】
はんだ合金１０の大きさは、例えば数１０μｍから数１００μｍである。ＩｎＢｉ領域１４の大きさは、例えば数μｍから数１００μｍである。はんだ合金１０ａは、所望の大きさのＩｎの粉体を溶融温度近傍のＳｎＢｉ合金に混合した後、急冷することにより製造できる。
【００２３】
はんだ合金１０ａを作製し、ＤＳＣ（Differential Scanning Calorimetry）測定を行なった。はんだ合金１０ａは、約２００μｍ径のＩｎ粉体を１４０℃のＳｎ−５８Ｂｉ合金に混合した後、急冷することにより作製した。はんだ合金１０ａ内の全体のＩｎ含有量は約２重量％である。比較例として、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶合金についてもＤＳＣ測定を行なった。
【００２４】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例および実施例１に係るはんだ合金のＤＳＣ測定結果を示す図である。横軸は温度、縦軸は熱量を示す。図３（ａ）に示すように、比較例のＳｎ５８Ｂｉ共晶合金は、１３９℃近傍で溶融を開始する。合金が全て溶融するのは１５０℃近傍である。図３（ｂ）に示すように、実施例１では、８０℃から合金が徐々に溶融し、１４０℃近傍では完全に溶融する。このように、実施例１では、比較例に比べリフローのピーク温度を低くできる。
【実施例２】
【００２５】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例２に係るはんだ合金の製造方法を示す断面図である。図４（ａ）に示すように、ＳｎＢｉ領域１２の表面にＩｎ領域１５を形成する。Ｉｎ領域１５は例えば無電解めっき法を用い形成する。図４（ｂ）に示すように、合金を５０℃から８０℃程度に加熱する。これにより、Ｉｎ領域１５の一部がＢｉと反応し、ＩｎＢｉ領域１４が形成される。このように、はんだ合金１０ｃには、ＳｎＢｉ領域１２の表面を覆うようにＩｎＢｉ領域１４が形成される。ＩｎＢｉ領域１４の外側のＩｎ領域１５は残存していてもよいし、Ｉｎ領域１５の全てがＩｎＢｉ領域１４となっていてもよい。
【００２６】
実施例２においても、実施例１と同様に、７０℃程度でＩｎＢｉ領域１４の溶融が始まり、はんだ合金１０ｃは、低い温度で溶融する。はんだ合金を用いた接合後、はんだ合金内のＩｎ含有量はほぼ均一となるため、溶融温度が上昇する。よって、はんだ合金の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
実施例１および２に係るはんだ合金１０ａおよび１０ｃは、Ｓｎ、Ｂｉを含有し、残部は平均含有量が６重量％以下のＩｎと不純物とである。さらに、はんだ合金１０ａおよび１０ｃは、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有する。これにより、はんだ合金１０ａおよび１０ｃは、低い温度で溶融する。一方、接合後ははんだ合金１０ｂの溶融温度が上昇する。このため、はんだ合金１０ｂの信頼性が向上する。なお、残部の不純物は、例えばはんだ合金１０ａおよび１０ｂを製造するときに意図せずに含有する不可避不純物である。
【００２８】
また、はんだ合金１０ａおよび１０ｃは、ＳｎＢｉ領域１２（第１領域）とＩｎＢｉ領域１４（第２領域）を含むことが好ましい。ＳｎＢｉ領域１２は、ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎの含有量が６重量％以下の領域である。ＩｎＢｉ領域１４は、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の領域である。これにより、はんだ合金１０ａおよび１０ｃは低い温度で溶融する。
【００２９】
実施例１のように、ＩｎＢｉ領域１４は、ＳｎＢｉ領域１２の内部に複数形成されていてもよい。これにより、溶融がはじまるＩｎＢｉ領域１４がはんだ合金１０ａ内に複数あるため、はんだ合金１０ａが均一に溶融し易くなる。
【００３０】
実施例２のように、ＩｎＢｉ領域１４は、ＳｎＢｉ領域１２の外面に形成されていてもよい。これにより、ＩｎＢｉ領域１４を簡単に形成できる。
【実施例３】
【００３１】
実施例３は、実施例１に係るはんだ合金を用いた電子装置の製造方法の例である。図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例３に係る電子装置の製造方法を示す断面図である。図５（ａ）に示すように、電子部品２０は、絶縁層２２、電極２４、バリア層２５およびめっき層２６を備えている。電子部品２０が半導体部品の場合、絶縁層２２は、例えば半導体基板上に形成された絶縁層である。電極２４は、例えばＣｕ層等の導電層である。電極２４上にバリア層２５が形成されている。バリア層２５は、例えばＮｉ層等の導電層である。バリア層２５は、はんだ合金１０中の原子が電極２４等に拡散することを抑制する。バリア層２５上にめっき層２６が形成されている。めっき層２６は例えばＡｕ層等の導電層である。基板３０は、絶縁層３２および電極３４を備えている。基板３０は、例えば回路基板であり。絶縁層３２内に配線が形成されている。電極３４は、例えばＣｕ層等の導電層である。電極３４の上（図５（ａ）では下）に、電子部品２０と同様に、バリア層およびめっき層が形成されていてもよい。電極２４と３４との間に実施例１または２のはんだ合金１０を配置する。
【００３２】
図５（ｂ）に示すように、はんだ合金１０を７０℃以上に加熱する。例えば基板３０をリフローする。これにより、はんだ合金１０が溶融する。はんだ合金１０が完全に溶融した後、はんだ合金１０を冷却する。はんだ合金１０は、めっき層２６のＡｕと反応し、金属間化合物層２８が形成される。これにより、はんだ合金１０は電極２４と接合する。はんだ合金１０を介し電極２４と３４が電気的および機械的に接続される。
【００３３】
実施例３によれば、実施例１または２のはんだ合金１０を用い、電子部品２０と基板３０とを接合させる。これにより、低い温度で電子部品２０と基板３０とを接合できる。よって、熱ストレスに起因した基板３０の反り等を抑制できる。また、電子部品２０が低耐熱材料を含む場合であっても、低耐熱材料にダメージを与えることなく、電子部品２０を基板３０に搭載できる。さらに、電子部品２０を基板３０に搭載した後のはんだ合金１０の溶融温度は高い。このため、はんだ合金１０の信頼性を向上できる。
【実施例４】
【００３４】
図６および図７は、実施例４に係る電子装置の製造方法を示す断面図である。図６に示すように、電子部品７０は、半導体チップ４０、インターポーザ５０、はんだ合金４８および１０を備えている。半導体チップ４０は、半導体基板４１、層間絶縁膜４２、配線４３、電極４４および保護膜４６を備えている。半導体基板４１は例えばシリコン基板であり、トランジスタ等の回路素子が形成されている。半導体基板４１上（図６では下）に層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２は、複数の層を有し、例えば酸化シリコン膜である。層間絶縁膜４２内に配線４３が形成されている。配線４３は、半導体基板４１内のトランジスタと電気的に接続され、例えばＣｕ層等の導電層である。電極４４は、層間絶縁膜４２上に形成されている。電極４４は、配線４３と電気的に接続されており、例えばＣｕ層等の導電層である。層間絶縁膜４２上に電極４４を露出する開口を有する保護膜４６が形成されている。保護膜４６は、例えば樹脂膜等の絶縁膜である。
【００３５】
インターポーザ５０は、絶縁層５２、配線５３、電極５４および５６、並びに保護膜５５および５７を備えている。絶縁層５２は、例えば樹脂層である。絶縁層５２は、シリコン基板等の半導体層でもよい。配線５３は、例えばＣｕ層等の導電層である。絶縁層５２の上面に電極５６、絶縁層５２の下面に電極５４が形成されている。電極５４および５６は、例えばＣｕ層等の導電層である。電極５４と５６とは、配線５３を介し電気的に接続されている。絶縁層５２の上面および下面には、それぞれ電極５６および５４に開口を有する保護膜５７および５５が形成されている、保護膜５５および５７は、例えば樹脂膜等の絶縁膜であり、ソルダーレジストである。
【００３６】
電極４４と電極５６には、はんだ合金４８が接合されている。電極５４にははんだ合金１０が接合されている。はんだ合金４８は、例えばＳｎＡｇ合金またはＳｎＡｇＣｕ合金である。はんだ合金１０は、実施例１のはんだ合金１０ａまたは実施例２のはんだ合金１０ｃである。
【００３７】
回路基板６０は、絶縁層６２、配線６３、電極６４、バリア層６５およびめっき層６６が形成されている。絶縁層６２は、例えば樹脂層である。配線６３は、絶縁層６２内に形成されている。配線６３は、例えばＣｕ層等の導電層である。電極６４は、絶縁層６２上に形成されている。電極６４は、例えばＣｕ層等の導電層である。電極６４上にバリア層６５が形成されている。バリア層６５は、例えばＮｉ層等の導電層である。バリア層６５上にめっき層６６が形成されている。めっき層６６は例えばＡｕ層等の導電層である。絶縁層６２の上面には、めっき層６６に開口を有する保護膜６７が形成されている、保護膜６７は、例えば樹脂膜等の絶縁膜であり、ソルダーレジストである。
【００３８】
図７に示すように、はんだ合金１０を加熱する。はんだ合金１０とめっき層６６とが反応し金属間化合物層６８が形成される。これにより、はんだ合金１０と電極６４とが接合する。はんだ合金１０のリフローは、実施例１から３と同様に、低い温度で行なうことができる。はんだ合金４８の溶融温度は、はんだ合金１０のリフロー温度より高いため、はんだ合金４８が溶融することを抑制できる。
【００３９】
実施例３および４のように、はんだ合金１０を用い、電子部品２０または７０を基板３０または６０に接合する。これにより、リフロー温度を例えば１５０℃以下に低くできる。リフロー温度は、１６０℃以下が好ましく、１７０℃以下がより好ましい。また、電子部品２０を基体に実装した後に、はんだ合金１０の溶融温度を高くでき、信頼性を向上できる。
【００４０】
実施例３では、接合前のはんだ合金１０が基板３０に形成されている例、実施例４では、接合前のはんだ合金１０が電子部品に形成されている例を説明した。はんだ合金１０は、電子部品２０、７０および基板３０、６０のいずれにも形成されておらず、接合時に、個別のはんだ合金１０を基板３０、６０と電子部品２０、７０との間に配置してもよい。また、電子部品２０および７０を基板３０および６０に実装する例を説明したが、基板同士の接合、および／または電子部品同士の接合に実施例１または２のはんだ合金を用いてもよい。このように、電子部品を基体に接合するときにはんだ合金１０を用いることができる。
【実施例５】
【００４１】
実施例５は、実施例１または２のはんだ合金を有する電子部品の例である。図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例５に係る電子部品を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、はんだ合金１０は、実施例１に係るはんだ合金１０ａである。はんだ合金１０ａは、ＳｎＢｉ領域１２とＩｎＢｉ領域１４を備える。その他の構成は、実施例３の図５（ａ）および図５（ｂ）の電子部品２０と同じであり説明を省略する。図８（ｂ）に示すように、はんだ合金１０は、実施例２に係るはんだ合金１０ｃある。はんだ合金１０ｃは、ＳｎＢｉ領域１２の表面に形成されたＩｎＢｉ領域１４とＩｎＢｉ領域１４の外側に形成されたＩｎ領域１５とを備える。その他の構成は、実施例３の図５（ａ）および図５（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００４２】
実施例４に係る電子部品２０によれば、実施例１または２のはんだ合金１０ａまたは１０ｃを備える。これにより、電子部品２０を基体に実装するときにリフロー温度を低くできる。また、電子部品２０を基体に実装した後に、はんだ合金１０の溶融温度を高くでき、信頼性を向上できる。
【００４３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４４】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）Ｓｎ、Ｂｉを含有し、残部は平均含有量が６重量％以下のＩｎと不純物とであり、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有することを特徴とするはんだ合金。
（付記２）前記Ｂｉの含有量は５５重量％以上であることを特徴とする付記１記載のはんだ合金。
（付記３）ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎの含有量が６重量％以下の第１領域と、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、を具備することを特徴とする付記１または２記載のはんだ合金。
（付記４）前記第２領域は、前記第１領域の外面に形成されていることを特徴とする付記３記載のはんだ合金。
（付記５）前記第２領域は、前記第１領域の内部に複数形成されていることを特徴とする付記３記載のはんだ合金。
（付記６）Ｓｎ、Ｂｉを含有し、残部は平均含有量が６重量％以下のＩｎと不純物とであり、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有するはんだ合金を備えることを特徴とする電子部品。
（付記７）ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎの含有量が６重量％以下の第１領域と、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、を具備することを特徴とする付記６記載の電子部品。
（付記８）ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎの含有量が６重量％以下の第１領域と、
前記第１領域の外面に形成され、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、を具備することを特徴とする付記６記載の電子部品。
（付記９）ＳｎおよびＢｉを含有し、Ｉｎの含有量が６重量％以下の第１領域と、
前記第１領域の内部に複数形成され、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有し、Ｉｎの含有量が７重量％以上の第２領域と、を具備することを特徴とする付記６記載の電子部品。
（付記１０）Ｓｎ、Ｂｉを含有し、残部は平均含有量が６重量％以下のＩｎと不純物とであり、ＩｎＢｉ金属間化合物を含有するはんだ合金を用い、電子部品を被実装部に接合する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４５】
１０、１０ａ−１０ｃ  はんだ合金
１２  ＳｎＢｉ領域
１３  ＳｎＢｉＩｎ領域
１４  ＩｎＢｉ領域
１５  Ｉｎ層
２０、７０  電子部品
３０、６０  基板
【図１】
0006561467.tif 000002
【図２】
0006561467.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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