(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、
該素子基板に設けられた機能体と、
該機能体の周辺に設けられた素子電極パッドと、
前記機能体から前記素子電極パッドに向かって延びており、前記素子電極パッドに電気的に接続された配線パターンと、
を備えており、
前記配線パターンは、前記素子基板上に設けられており、前記機能体に接続された第１の配線パターンおよび該第１の配線パターン上に設けられるとともに、該第１の配線パターンの端部から前記素子電極パッドの下方に延在しており、前記素子基板上に設けられた第２の配線パターンを含んでおり、
前記素子電極パッドは、平面透視して前記第１の配線パターンに重ならないように前記第２の配線パターン上に設けられ、前記第２の配線パターン側から第１層、該第１層上に設けられた第２層および該第２層上に設けられた第３層を有しており、前記第１層は、Ｔｉ層またはＣｒ層からなり、前記第２層は、Ｎｉ層からなり、前記第３層は、Ａｕ層からなることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
前記配線パターンは、前記素子基板上に設けられた前記第２の配線パターンの厚みが前記第１の配線パターンの厚みよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記第２の配線パターンは、前記素子基板側から第１層、該第１層上に設けられた第２層および該第２層上に設けられた第３層を有しており、前記第１層は、Ｔｉ層またはＣｒ層からなり、前記第２層は、Ａｌ層またはＡｌ合金層からなり、前記第３層は、Ｔｉ層またはＣｒ層からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
請求項1乃至請求項３のいずれかに記載の弾性表面波素子を回路配線基板に搭載していることを特徴とする弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板に設けられた機能体を有する弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置は、素子基板と、素子基板に設けられた機能体、例えば、ＩＤＴ電極とを有している。素子基板上の素子電極パッドは、対向する回路配線基板上の基板電極パッドにはんだバンプを介して電気的に接続されている。素子電極パッドは、一部が機能体から素子基板の外周側に延びる配線パターン上に設けられている。このような構造としては、例えば、特許文献１に開示されているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１２９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の弾性表面波装置において、素子電極パッドは、一部が機能体から素子基板の外周側に延びる配線パターン上に設けられており、配線パターンとの界面で剥がれが生じやすいという問題点があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、素子電極パッドの密着性を向上することができる弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る弾性表面波素子は、素子基板と、該素子基板に設けられた機能体と、該機能体の周辺に設けられた素子電極パッドと、前記機能体から前記素子電極パッドに向かって延びており、前記素子電極パッドに電気的に接続された配線パターンと、を備えており、前記配線パターンは、前記素子基板上に設けられており、前記機能体に接続された第１の配線パターンおよび該第１の配線パターン上に設けられるとともに、該第１の配線パターンの端部から前記素子電極パッドの下方に延在して前記素子基板上に設けられた第２の配線パターンを含んでおり、前記素子電極パッドは、平面透視して前記第１の配線パターンに重ならないように前記第２の配線パターン上に設けられ、前記第２の配線パターン側から第１層、該第１層上に設けられた第２層および該第２層上に設けられた第３層を有しており、前記第１層は、Ｔｉ層またはＣｒ層からなり、前記第２層は、Ｎｉ層からなり、前記第３層は、Ａｕ層からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の弾性表面波素子によれば、配線パターンと素子電極パッドとの密着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置を説明するための概略の縦断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置を上方側から透視して示す透視図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、図２に示す素子基板のＡ−Ａ線で切断した切断部端面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。なお、弾性表面波装置は、いずれの方向を上方もしくは下方としてもよいが、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の語を用いるものとする。
【００１０】
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００１１】
＜実施の形態＞
本発明の実施形態に係る弾性表面波装置１０について、図１乃至図３を参照しながら以下に説明する。
【００１２】
実施形態に係る弾性表面波装置１０は、図１および図２に示すような構成であり、弾性表面波素子２を含んでおり、弾性表面波素子２は、素子基板２ａと、素子基板２ａに設けられた機能体２ｂと、機能体２ｂの周辺に設けられた素子電極パッド３と、機能体２ｂから素子電極パッド３に向かって延びており、素子電極パッド３に電気的に接続された配線パターン７と、を備えている。また、弾性表面波素子２は、図１に示すように、素子基板２ａと素子基板２ａの一方主面に形成された複数の機能体２ｂとを有しており、回路配線基板１との間に空間Ｓを有するように回路配線基板１上に搭載される。
【００１３】
弾性表面波素子２は、平面視して四角形状の素子基板２ａの一方主面に複数の機能体２ｂが設けられ、複数の機能体２ｂの周辺に複数の素子電極パッド３が設けられている。機能体２ｂは、配線パターン７を介して素子電極パッド３に電気的に接続されている。
【００１４】
また、回路配線基板１は、素子基板２ａの一方主面と対向する主面（回路配線基板１の上面）に複数の基板電極パッド４が設けられており、基板電極パッド４がはんだバンプ５を介して素子電極パッド３に電気的に接続される。
【００１５】
図２は、弾性表面波装置１０を上方側から透視した状態を示す透視図であり、弾性表面波素子２の素子基板２ａ上の複数の機能体２ｂ、素子電極パッド３および配線パターン７を示している。なお、図２は、封止樹脂層６を含んだ状態を示している。弾性表面波素子２は、複数の機能体２ｂが素子基板２ａの一方主面（下面）に形成されており、例えば、概ね直方体形状である。
【００１６】
また、弾性表面波素子２は、図２に示すように、複数の素子電極パッド３が素子基板２ａの機能体２ｂの周辺に配置されており、各々の配線パターン７に電気的に接続されている。また、配線パターン７は、機能体２ｂから素子電極パッド３に向かって延びており、四角形状の素子基板２ａの外周辺に沿って形成され、素子電極パッド３に電気的に接続されている。なお、弾性表面波素子２は、素子基板２ａの一方主面には機能体２ｂ同士を電気的に接続するための中間配線が設けられており、この中間配線は配線パターン７に含まれるものとする。
【００１７】
また、素子電極パッド３は、四角形状の素子基板２ａの外周辺に沿って設けられており、配線パターン７の端部に設けられているもの、あるいは、配線パターン７の途中に設けられているものがある。また、素子電極パッド３は、配線パターン７に電気的に接続されているもの、あるいは、電気的に接続されていないものがある。
【００１８】
配線パターン７は、図３に示すように、第１の配線パターン７ａおよび第２の配線パターン７ｂを含んでおり、第１の配線パターン７ａは、素子基板２ａ上に設けられており、
機能体２ｂに接続されており、第２の配線パターン７ｂは、第１の配線パターン７ａ上に設けられるとともに、第１の配線パターン７ａの端部から素子電極パッド３に向かっており、素子電極パッド３の下方に延在して素子基板２ａ上に設けられている。
【００１９】
素子電極パッド３は、第２の配線パターン７ｂを介して第１の配線パターン７ａに電気的に接続されることになる。また、第２の配線パターン７ｂは、特に、素子電極パッド３の外周部との密着性を向上させるために、図２に示すように、平面視して外周が素子電極パッド３の外周よりも外側に位置するように設けられている。これによって、素子電極パッド３は、外周部が第２の配線パターン７ｂから突出しなくなり、すなわち、素子電極パッド３は、平面透視して外周が第２の配線パターン７ｂの外周よりも内側に位置するように設けられることによって、外周部を起点とする素子電極パッド３の剥がれ等の発生が抑制される。
【００２０】
また、第２の配線パターン７ｂは、第１の配線パターン７ａ上に設けられていればよく、機能体２ｂに接続されていても、接続されていなくてもよい。
【００２１】
素子電極パッド３は、図３に示すように、平面透視して第１の配線パターン７ａに重ならないように第２の配線パターン７ｂ上に設けられている。すなわち、第１の配線パターン７ａは、素子電極パッド３の下方には設けられていない。
【００２２】
また、配線パターン７は、素子基板２ａ上に設けられた第２の配線パターン７ｂの厚みが第１の配線パターン７ａの厚みよりも厚くなるように設けられる。配線パターン７は、図３に示すように、第１の配線パターン７ａの厚みＴ１および第２の配線パターン７ｂの厚みＴ２の関係が、Ｔ１＜Ｔ２となるように、第１の配線パターン７ａおよび第２の配線パターン７ｂがそれぞれ素子基板２ａ上に設けられる。
【００２３】
第１の配線パターン７ａは、厚みＴ１が、例えば、１００（ｎｍ）〜５００（ｎｍ）であり、第２の配線パターン７ｂは、厚みＴ２が、例えば、３００（ｎｍ）〜３，０００（ｎｍ）である。
【００２４】
このように、第２の配線パターン７ｂは、厚みＴ２を厚くすることによって表面が粗くなりやすく、一方、第１の配線パターン７ａは、機能体２ｂと同時に形成されており、厚みＴ１が薄く、表面が粗くなりにくい。例えば、第２の配線パターン７ｂを設けずに、第１の配線パターン７ａ上に直接素子電極パッド３を設けた場合には、素子電極パッド３の密着性が低下して、剥がれが発生しやすくなる。しかしながら、弾性表面波装置１０は、素子電極パッド３が第２の配線パターン７ｂ上に設けられており、第２の配線パターン７ｂとの密着性が向上する。
【００２５】
第１の配線パターン７ａの表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、２（ｎｍ）〜６（ｎｍ）であり、第２の配線パターン７ｂは、膜厚を厚くすることによって、第１の配線パターン７ａの表面粗さ（Ｒａ）よりも表面粗さ（Ｒａ）が大きくなり、第２の配線パターン７ｂの表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、３０（ｎｍ）〜８０（ｎｍ）である。なお、表面粗さ（Ｒａ）は、中心線平均粗さ（Ｒａ）であり、例えば、表面粗さ測定器を用いて測定することができる。
【００２６】
弾性表面波素子２は、例えば、一方主面（下面）の複数の素子電極パッド３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を行なって複数の素子極パッド３のいずれかから信号を出力する。また、複数の素子電極パット３は、素子基板２ａの一方主面（下面）に適宜な数で設けられており、素子電極パッド３の形状、数、形成位置および役割等は、弾性表面波素子２の内部の構成等に応じて適宜に設定される。
【００２７】
また、弾性表面波素子２は、図１に示すように、保護膜２ｃが素子基板２ａの一方主面に機能体２ｂを覆うように設けられている。保護膜２ｃは、機能体２ｂおよび第１の配線パターン７ａを覆うように素子基板２ａ上に形成され、第１の配線パターン７ａ上の第２の配線パターン７ｂが形成される領域が露出するように取り除かれ、また、素子基板２ａ上の第２の配線パターン７ｂが形成される領域が露出するように取り除かれる。なお、素子電極パッド３は、第２の配線パターン７ｂ上に設けられる。
【００２８】
具体的には、保護膜２ｃは、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い
て機能体２ｂおよび配線パターン７ａを覆うように素子基板２ａ上に形成される。また、第１の配線パターン７ａ上に第２の配線パターン７ｂを設けるために、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて配線パターン７ａ上に形成された保護膜２ｃを取り除いて第１の配線パターン７ａを露出させるとともに、第２の配線パターン７ｂを素子基板２ａ上に設けるために、第２の配線パターン７ｂが形成される領域の保護膜２ｃを取り除いて素子基板２ａを露出させる。
【００２９】
保護膜２ｃは、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウムまたは窒化珪素等の絶縁材料からなる。保護膜２ｃの厚みは、例えば、５（ｎｍ）〜３０（ｎｍ）である。
【００３０】
弾性表面波素子２は、機能体２ｂおよび機能体２ｂに接続された配線パターン７ａが導電層によって構成されており、例えば、同一の導電材料によって、機能体２ｂおよび第１の配線パターン７ａの導電層は、同時に素子基板２ａ上に形成することができる。導電層は、いずれも、ＡｌまたはＡｌ合金（例えば、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、ＣｕまたはＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系またはＣｕ−Ｔｉ系）、ＡｇまたはＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系またはＡｇ−Ｔｉ系）等の金属材料を用いることができる。また、導電層は、単一の導電材料で構成された単一層であってよく、また、複数の導電材料を積層して構成された積層体であってもよい。機能体２ｂおよび配線パターン７ａは、一部が異なる導電材料によって形成されていてもよい。機能体２ｂおよび配線パターン７ａは、厚みが、例えば、１００（ｎｍ）〜５００（ｎｍ）である。
【００３１】
また、第２の配線パターン７ｂは、積層体構造であり、図３に示すように、第１の配線パターン７ａ上に設けられるとともに、素子基板２ａ上に設けられており、３層の積層体で構成されている。第２の配線パターン７ｂは、第１層７ｂ１、第２層７ｂ２および第３層７ｂ３を有しており、素子基板２ａ側から第１層７ｂ１、第１層７ｂ１上に設けられた第２層７ｂ２および第２層７ｂ２上に設けられた第３層７ｂ３で構成されている。また、第２の配線パターン７ｂは、３層以上の積層体で構成されていてもよい。
【００３２】
第１層７ｂ１は、厚みが、例えば、２（ｎｍ）〜３０（ｎｍ）であり、第２層７ｂ２は、厚みが、例えば、０．８（μｍ）〜３（μｍ）であり、第３層７ｂ３は、厚みが、例えば、２（ｎｍ）〜３０（ｎｍ）である。また、第２の配線パターン７ｂの表面粗さ（Ｒａ）は、第２層７ｂ２の厚みが厚くなっており、第２層７ｂ２の表面粗さが主に反映されることになる。
【００３３】
第１層７ｂ１は、例えば、チタン（Ｔｉ）層またはクロム（Ｃｒ）層であり、第２層７ｂ２は、Ａｌ層またはＡｌ合金層（例えば、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、Ｃｕ層またはＣｕ合金層（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系またはＣｕ−Ｔｉ系）、Ａｇ層またはＡｇ合金層（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系またはＡｇ−Ｔｉ系）等の金属材料である。また、第３層７ｂ３は、例えば、チタン（Ｔｉ）層またはクロム（Ｃｒ）層である。また、Ａｌ層は、例えば、純度が９９．９９９９％以上のＡｌを用いることができる。
【００３４】
第１層７ｂ１は、第１の配線パターン７ａとの密着性の向上のために、チタン（Ｔｉ）層またはクロム（Ｃｒ）層を用いることができる。また、第３層７ｂ３は、素子電極パッド３との密着性の向上および第２層７ｂ２の酸化防止のために、チタン（Ｔｉ）層またはクロム（Ｃｒ）層を用いることができる。第２層７ｂ２は、第２の配線パターン７ｂを低抵抗にするためにＡｌまたはＡｌ合金を用いることができる。
【００３５】
素子電極パッド３は、積層体構造であり、図３に示すように、第２の配線パターン７ｂ上に設けられており、３層の積層体で構成されている。素子電極パッド３は、第１層３ａ、第２層３ｂおよび第３層３ｃを有しており、第２の配線パターン７ｂ側から第１層３ａ、第１層３ａ上に設けられた第２層３ｂおよび第２層３ｂ上に設けられた第３層３ｃで構成されている。また、素子電極パッド３は、３層以上の積層体で構成されていてもよい。
【００３６】
また、第１層３ａは、厚みが、例えば、５（ｎｍ）〜１５（ｎｍ）であり、第２層３ｂは、厚みが、例えば、９００（ｎｍ）〜３５００（ｎｍ）であり、第３層３ｃは、厚みが、例えば、６０（ｎｍ）〜１００（ｎｍ）である。
【００３７】
第１層３ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）層またはクロム（Ｃｒ）層であり、第２層３ｂは、ニッケル（Ｎｉ）層、または、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属材料（例えば、Ｎｉ−Ｔｉ系合金）層である。また、第３層３ｃは、例えば、金（Ａｕ）層である。
【００３８】
第１層３ａは、第２の配線パターン７ｂとの密着性向上のために、チタン（Ｔｉ）層を用いることができる。また、第２層３ｂは、はんだバンプ５のバリア層のために、ニッケル（Ｎｉ）層、または、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属材料層が用いられ、第３層３ｃは、第２層３ｂのニッケル（Ｎｉ）層、または、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属材料層の酸化防止のために、金（Ａｕ）層を用いることができる。
【００３９】
機能体２ｂおよび第１の配線パターン７ａは、以下のようにして素子基板２ａ上に設けられる。具体的には、まず、スパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法を用いて、素子基板２ａの一方主面（下面）上に機能体２ｂおよび第１の配線パターン７ａとなる金属層（導電層）が形成される。次に、形成された金属層に対して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングを行なうことで、機能体２ｂおよび第１の配線パターン７ａを形成することができる。
【００４０】
また、上述のように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、保
護層２ｃを機能体２ｂおよび第１の配線パターン７ａを覆うように素子基板２ａ上に形成する。そして、形成された保護膜２ｃに対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、第２の配線パターン７ｂが形成される領域の保護膜２ｃを取り除く。すなわち、第２の配線パターン７ｂが形成される領域の第１の配線パターン７ａ上の保護膜２ｃを取り除くとともに、第２の配線パターン７ｂが形成される領域の素子基板２ａ上の保護膜２ｃを取り除く。
【００４１】
第２の配線パターン７ｂは、保護膜２ｃが取り除かれた第１の配線パターン７ａ上および素子基板２ａ上に、蒸着法等の薄膜形成法を用いて、第２の配線パターン７ｂとなる金属層（導電層）が形成される。なお、金属層は、例えば、第１層７ｂ１、第２層７ｂ２および第３層７ｂ３の３層が連続で成膜される。次に、形成された金属層に対して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングを行なうことで、第２の配線パターン７ｂを形成することができる。
【００４２】
さらに、素子電極パッド３は、例えば、スパッタリング法を用いて第２の配線パターン７ｂ上に素子電極パッド３となる金属層（導電層）が形成される。なお、金属層は、例え
ば、第１層３ａ、第２層３ｂおよび第３層３ｃの３層が連続で成膜される。次に、形成された金属層に対して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、パターニングを行なうことで、素子電極パッド３を形成することができる。これによって、第２の配線パターン７ｂ上に素子電極パッド３が設けられる。
【００４３】
また、弾性表面波素子２は、素子基板２ａの厚みが、例えば、５０（μｍ）〜４００（μｍ）であり、また、平面視における長辺および短辺の長さが、例えば、０．４（ｍｍ）〜３（ｍｍ）である。なお、素子基板２ａの厚みおよび平面視における長辺および短辺の長さは、適宜な厚みおよび長さとすることができる。
【００４４】
弾性表面波装置１０は、弾性表面波素子２が回路配線基板１の上面に素子基板２ａの一方主面（素子基板２ａの下面）を対向させて搭載されている。また、回路配線基板１は、素子基板２ａの一方主面と対向する主面（上面）上に複数の基板電極パッド４が設けられており、基板電極パッド４は、対応する各々の素子電極パッド３にはんだバンプ５を介して電気的に接続される。
【００４５】
また、弾性表面波素子２は、素子基板２ａが回路配線基板１の上面側に回路配線基板１の上面との間に空間Ｓを形成するように対向して配置されている。このように、素子電極パッド３および基板電極パッド４は、素子基板２ａと回路配線基板１との間に空間Ｓを有するようにはんだバンプ５を介して電気的に接続されている。はんだバンプ５は、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系またはＳｎ―Ｂｉ系等のはんだ材料、あるいは、Ｐｂを含む高融点のはんだ材料からなる。弾性表面波装置１０は、はんだバンプ５の厚みが、例えば、１０（μｍ）〜１００（μｍ）でり、回路配線基板１と素子基板２ａ（保護膜２ｃを含む）との間隔が、例えば、１０（μｍ）〜１３０（μｍ）である。
【００４６】
このように、弾性表面波素子２は、素子基板２ａの一方主面に機能体２ｂが設けられており、弾性表面波装置１０は、弾性表面波素子２が素子基板２ａの一方主面（機能体２ｂ）と回路配線基板１の主面との間に振動のための空間Ｓを有するように配線回路基板１上に搭載されている。
【００４７】
素子基板２ａは、圧電性基板であり、図１および図２に示すように、概ね薄型の直方体形状に形成されている。素子基板２ａは、例えば、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。素子基板２ａの平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。素子基板２ａは、例えば、平面視において四角形状であり、厚さが、例えば、一定であり、適宜に設定され、例えば、５０（μｍ）〜３００（μｍ）であり、また、平面視における長辺および短辺の長さは、例えば、０．５（ｍｍ）〜１．５（ｍｍ）である。また、素子基板２ａは、いわゆる貼り合わせ基板で構成されていてもよい。
【００４８】
弾性表面波素子２は、図１および図２に示すように、機能体２ｂが素子基板２ａの一方主面（下面）に設けられており、機能体２ｂは、例えば、周知のＩＤＴ（Inter Digital transducer）電極２ｂ１および２つの反射器２ｂ２であり、いわゆるＳＡＷ共振子である。
【００４９】
ＩＤＴ電極２ｂ１は、図２に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指が互い
に交互するように)配置された一対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ電極２ｂ１の各櫛歯
電極は、バスバーと、バスバーからバスバーの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指とを有している。複数の電極指のピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ電極２ｂ１は、これより多くの電極指を有するように設けられていてもよい。
【００５０】
また、反射器２ｂ２は、図２に示すように、ＩＤＴ電極２ｂ１を両側から挟むように設けられており、一対のバスバーと、一対のバスバー間において延びる複数の電極指とを有している。この複数の電極指のピッチは概ね一定であるとともに、ＩＤＴ電極２ｂ１の複数の電極指のピッチと概ね同一である。
【００５１】
弾性表面波素子２は、図２に示すように、素子基板２ａに配線パターン７が形成されており、配線パターン７はＩＤＴ電極２ｂ１の一方のバスバーから延出して設けられている。このように、配線パターン７は、ＩＤＴ電極２ｂ１から機能体２ｂの周辺の素子電極パッド３に向かって延出するように形成されている。配線パターン７は、ＩＤＴ電極２ｂ１への電気信号の入出力の経路となり、素子電極パッド３は、配線パターン７の第２の配線パターン７ｂ上に設けられており、配線パターン７に電気的に接続されている。すなわち、配線パターン７は、機能体２ｂと素子電極パッド３との間を電気的に接続している。
【００５２】
回路配線基板１は、図１に示すように、素子基板２ａの一方主面（下面）に対向するように配置されており、上面に基板電極パッド４が設けられ、下面に下面導体層１ｃが設けられ、内部に内部導体層１ｂが設けられている。回路配線基板１は、上面の基板電極パッド４と内部導体層１ｂとが貫通導体層１ａを介して電気的に接続されており、また、内部導体層１ｂと下面導体層１ｃとが貫通導体層１ａを介して電気的に接続されている。また、基板電極パッド４は、厚みが、例えば、５（μｍ）〜１５（μｍ）である。
【００５３】
回路配線基板１は、図１に示すように、例えば、概ね薄型の直方体形状に形成されている。また、回路配線基板１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等のセラミック材料が用いられる。あるいは、回路配線基板１は、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、エポキシ樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の有機樹脂材料が用いられる。また、セラミックまたはガラス等の無機材料をエポキシ樹脂等の有機樹脂材料に混合させてなる複合材料を用いることもできる。また、回路配線基板１は、平面視における長辺および短辺の長さが、例えば、３０（ｍｍ）〜３００（ｍｍ）である。
【００５４】
また、基板電極パッド４は、はんだバンプ５との接合性の向上を目的として、表面に、例えば、めっき層形成法を用いて、ニッケル（Ｎｉ）層およびその上から金（Ａｕ）層が形成されている。
【００５５】
回路配線基板１は、一般的な配線基板の製造方法と同様の製造方法を用いて製造することができる。回路配線基板１の製造方法の一例を以下に示す。本実施形態では、回路配線基板１は、第１の配線基板と第２の配線基板とからなる２層で構成される場合を示しており、例えば、上側の第１の配線基板と下側の第２の配線基板とを積層して製造することができる。
【００５６】
回路配線基板１は、まず、下側の第２の配線基板の下面に周知の印刷法またはフォトリソグラフィー法等を用いて下面導体層１ｃが、例えば、銅等の金属材料で形成される。そして、この第２の配線基板は、上面からレーザー加工、ドリル加工または金型加工等を用いて第２の配線基板を貫通する貫通孔が下面導体層１ｃ上に形成される。次に、第２の配線基板は、周知の印刷法またはフォトリソグラフィー法等を用いて、例えば、銅等の金属材料で貫通孔に貫通導体層１ａが形成されるとともに上面に内部導体層１ｂが形成される。そして、第２の配線基板の上面に第１の配線基板を積層して、上述の製造工程を経ることによって、２層からなる回路配線基板１が得られる。
【００５７】
また、弾性表面波装置１０は、封止樹脂層６が弾性表面波素子２の上面（素子基板２ａの一方主面とは反対側の主面）および弾性表面波素子２の側面を覆うように設けられてい
る。また、封止樹脂層６の厚みは、例えば、０．２（ｍｍ）〜０．８（ｍｍ）であり、封止樹脂層６は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる。
【００５８】
弾性表面波装置１０は、素子電極パッド３が平面透視して第１の配線パターン７ａに重ならないように第２の配線パターン７ｂ上に設けられており、応力の集中が緩和されるので、第２の配線パターン７ｂと素子電極パッド３との密着性が向上して剥がれ等の発生が抑制される。例えば、図３に示すように、第２の配線パターン７ｂは、第１の配線パターン７ａの端部に起因する段差部が生じているので、素子電極パッド３が平面透視して第１の配線パターン７ａに重なるように設けられると、段差部に素子電極パッド３が乗り上げるような状態になり、素子電極パッド３が乗り上げた段差部に応力が集中して、素子電極パッド３は剥がれ等が生じやすくなる。
【００５９】
本発明は、上述した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１  回路配線基板
１ａ  貫通導体層
１ｂ  内部導体層
１ｃ  下面導体層
２  弾性表面波素子
２ａ  素子基板
２ｂ  機能体
２ｃ  保護膜
３  素子電極パッド
４  基板電極パッド
５  はんだバンプ
６  封止樹脂層
７  配線パターン
７ａ  第１の配線パターン
７ｂ  第２の配線パターン
１０  弾性表面波装置
Ｓ  空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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