(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワークを同時に研削又は研磨して所定の厚みへと加工するワーク加工装置において、
複数の前記ワークを同心円上に配列して保持する保持面を有し、該保持面に直交する回転軸心を支点に回転するチャックテーブルと、
前記保持面上のワークと対向して配設される研削又は研磨部材と共に回転する加工ホイールと、
前記加工ホイールを回転可能に支持して前記ワーク方向に送り、前記保持面上のワークに前記研削又は研磨部材を押し付ける送り機構と、
前記ワークの厚み形状を測定する接触型のセンサと、
前記ワークの厚み形状を測定する非接触型のセンサと、
前記各センサの測定結果に基づいて前記ワークの形状を判定し、前記送り機構の動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、チャックテーブルの低速回転時に前記接触型のセンサを使用し、チャックテーブルが所定の回転速度を超えたら前記非接触型のセンサを使用する測定に切り換える、ことを特徴とするワーク加工装置。
【請求項２】
前記研削又は研磨部材と前記ワークが当接する加工位置の上流側に冷却水を供給するノズルを設け、前記加工位置の下流側に前記接触型のセンサ及び前記非接触型のセンサを配置してなる、ことを特徴とする請求項１に記載のワーク加工装置。
【請求項３】
前記非接触型のセンサが測定する前記ワーク上の表面に、エアを吹き付けるノズルを設けた、ことを特徴とする請求項１または２に記載のワーク加工装置。
【請求項４】
前記ワークが半導体ウェハである、ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載のワーク加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はワーク加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体デバイスや光デバイスの製造プロセスでは、インゴットから切り出された炭化ケイ素(ＳｉＣ)、サファイア、ＬＴなどのウェハが、研削装置や研磨装置によって研削・研磨されて、所定の厚みへと薄化及び平坦化される。
【０００３】
そして、薄化・平坦化されたウェハの表面に複数の回路素子を形成し、更にウェハの裏面が研削・研磨されて所定の厚みへと薄化された後、ダイシング装置などによりウェハを個々のデバイスへと分割することで、各種の半導体デバイスや光デバイスが製造される。
【０００４】
また、研削装置や研磨装置による加工中に、被加工物の厚みを測定しつつ研削や研磨を遂行し、被加工物が所定の厚みに達した場合に加工を終了するようにした手段も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
さらに、１つの環状フレームの開口部内に粘着シートを介して複数の被加工物を装着し、研削や研磨を同時に実施して、全ての被加工物を所定の厚みへと薄化するようにした手段も知られている(例えば、特許文献２参照)。
【０００６】
その特許文献２に開示される構造は、図５及び図６に示すように、１つの環状フレームＦに貼着された粘着テープＴの中心に第１ウェハＷａを貼着すると共に、複数(６個)の第２ウェハＷｂをその周りに貼着したウェハユニット５１を形成し、そのウェハユニット５１をチャックテーブル５２上に配置している。また、チャックテーブル５１の回転軸心から第２ウェハＷｂの最外周位置までの長さより大きい半径を有する加工ホイール５４の外周縁が、第１ウェハＷａの中心を通過するように、チャックテーブル５２と加工ホイール５４の位置関係を設定する。そして、接触型の厚みセンサ５５で第１ウェハＷａの厚みを測定しながら第１ウェハＷａ及び第２ウェハＷｂの研削を同時に実施し、第１ウェハＷａの厚みが所定厚みへ達した際に、全てのウェハＷａ、Ｗｂが所定の厚みに研削されたと見なして研削送りを停止するようにしたものである。
【０００７】
その第２ウェハＷｂの他に第１ウェハＷａを使用するのは、次のような理由による。すなわち、研削・研磨加工では、チャックテーブル５２は毎分３０〜３００回転程度の高速で回転している。したがって、第２ウェハＷｂだけを設けて、第２ウェハＷｂが通過する軌跡上に接触型の厚みセンサ５５を配置して測定をしようとした場合、接触型の厚みセンサ５５は高速で回転しているチャックテーブル５２と第２ウェハＷａとの上を交互に接触しながら測定を行うことになる。このような測定の仕方では、接触型の厚みセンサ５５が、チャックテーブル５２上から第２ウェハＷｂ上に乗り移るとき、図７に示すように接触型の厚みセンサ５５の先端が段差を有する第２ウェハＷｂの外周縁に当たるので、当たった時の衝撃で第２ウェハＷｂの外周縁にヒビ５６が入る、あるいは欠損するなどの心配があり、それを避けるためである。この場合、第１ウェハＷａには、常に厚みセンサが機械的に当接して摩擦などによる多少のダメージを受けるが、その周囲にある第２ウェハＷｂにはセンサが当接しないので、第２ウェハＷｂがダメージを受けることはない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２１２６４号公報。
【特許文献２】特開２０１２−１０２１２６４号公報。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献２に開示された加工の仕方では、第１ウェハＷａの厚みだけを見て、第２ウェハＷｂの厚みは見なし測定をしている。このため、実際には測定は行っていないので仕上がり厚みのバラツキが大きい。また、加工の途中で、第２ウェハＷｂの実際の厚み測定を行い、その厚み測定と加工ホイール５４の見なし送りによる加工を繰り返し行うため、加工時間が長くなるという問題点があった。さらに、第１ウェハＷａは、製品としては使えなくなることもあるので、無駄が発生して歩留まりが悪く、コスト的にも問題があった。
【００１０】
そこで、全てのワークの厚みを実際に測定して仕上がり厚みにバラツキがなく、また歩留まりの良い加工を行うことができるようにしたワーク加工装置を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１に記載の発明は、複数のワークを同時に研削又は研磨して所定の厚みへと加工するワーク加工装置において、複数の前記ワークを同心円上に配列して保持する保持面を有し、該保持面に直交する回転軸心を支点に回転するチャックテーブルと、前記保持面上のワークと対向して配設される研削又は研磨部材と共に回転する加工ホイールと、前記加工ホイールを回転可能に支持して前記ワーク方向に送り、前記保持面上のワークに前記研削又は研磨部材を押し付ける送り機構と、前記ワークの厚み形状を測定する接触型のセンサと、前記ワークの厚み形状を測定する非接触型のセンサと、前記各センサの測定結果に基づいて前記ワークの形状を判定し、前記送り機構の動作を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、チャックテーブルの低速回転時に前記接触型のセンサを使用し、チャックテーブルが所定の回転速度を超えたら前記非接触型のセンサを使用する測定に切り換える、ワーク加工装置を提供する。
【００１２】
この構成によれば、例えば、加工が開始されてチャックテーブルの回転が高速になる前などであって、接触型のセンサを当接してもワークにヒビや欠けなどの影響を与えないときには、表面形状と厚みを検出可能な接触型のセンサを使った厚み測定を行い、チャックテーブルの回転が高速になったときには非接触型のセンサを使った厚み測定を行うことができる。したがって、ウェハの測定は見なし測定ではなく、全てを実際に測定して行うので、精度の良い測定が可能となる。また、測定のために作業途中で加工を停止しなくても良いので、加工時間の短縮が図れ、スループットが向上する。
【００１３】
さらに、非接触型のセンサでは、ワークの厚みが大きい、またはワークの表面が鏡面になっていない加工初期の段階では、正確に測定ができないこともあるが、接触型のセンサでは、ワークの厚みが大きく、またワークの表面が鏡面になっていなくても測定が可能である。したがって、加工の初期段階から精度の良い測定が可能となる。また、ワークの加工が開始されてチャックテーブルの回転が低速のときに、接触型のセンサを使用し、チャックテーブルの回転が所定の回転速度を超えて高速になったときには非接触型のセンサを使った厚み測定を行うことができるので、加工の初期段階から最終段階まで精度の良い測定が可能になる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構成において、前記ワークと前記研削又は研磨部材が当接する加工位置の上流側に冷却水を供給するノズルを設け、前記加工位置の下流側に前記接触型のセンサ及び前記非接触型のセンサを配置してなる、ワーク加工装置を提供する。
【００１５】
この構成によれば、ノズルからワーク上に供給された冷却水は、回転している研削又は研磨部材との加工位置において除去され、下流側の接触型のセンサ及び非接触型のセンサの箇所に到達するときには、その冷却水のほとんどが除去されて無くなっているので、冷却水が接触型のセンサの測定及び非接触型のセンサの測定に影響を及ぼすことが少なく、精度の良い測定を可能にする。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の構成において、前記非接触型のセンサが測定する前記ワーク上の表面にエアを吹き付けるノズルを設けた、ワーク加工装置を提供する。
【００１７】
この構成によれば、非接触型のセンサが測定するワーク上の表面に残っている冷却水などは、ノズルで吹き付けるエアで飛ばされて取り除かれ、取り除かれた状態で測定が行われるので、精度の良い測定を行うことができる。
【００２０】
請求項４記載の発明は、請求項１、２又は３に記載の構成において、前記ワークが半導体ウェハである、ワーク加工装置を提供する。
【００２１】
この構成によれば、半導体ウェハを精度良く加工することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、全てのワークの厚みを実際に測定しながら加工を行うことができるので、仕上がり厚みにバラツキが少なく、また加工時間が短縮し、更に歩留まりの良い加工を行うことができる。これにより、製品精度の向上とコスト低減などが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係るワーク加工装置の概略側面図である。
【図２】同上ワーク加工装置の平面図である。
【図３】同上ワーク加工装置における非接触型センサ周辺の構成を説明する図で、(ａ)その一部を破断して示す側面図、(ｂ)はその正面図である。
【図４】同上ワーク加工装置における接触型のセンサから得られる測定波形の一例を示す図で、(ａ)は正常時の波形図、(ｂ)は異常時の波形図である。
【図５】従来の一例として示すワーク加工装置の概略斜視図である。
【図６】複数のウェハを支持した環状フレームの一例を示す斜視図である。
【図７】接触型のセンサを使用した場合における問題点を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明は全てのワークの厚みを実際に測定して仕上がり厚みにバラツキがなく、また歩留まりの良い加工を行うことができるワーク加工装置を提供するという目的を達成するために、複数のワークを同時に研削又は研磨して所定の厚みへと加工するワーク加工装置において、複数の前記ワークを同心円上に配列して保持する保持面を有し、該保持面に直交する回転軸心を支点に回転するチャックテーブルと、前記保持面上のワークと対向して配設される研削又は研磨部材と共に回転する加工ホイールと、前記加工ホイールを回転可能に支持して前記ワーク方向に送り、前記保持面上のワークに前記研削又は研磨部材を押し付ける送り機構と、前記ワークの厚み形状を測定する接触型のセンサと、前記ワークの厚み形状を測定する非接触型のセンサと、前記各センサの測定結果に基づいて前記ワークの形状を判定し、前記送り機構の動作を制御する制御手段と、を備えることにより実現した。
【００２５】
以下、本発明の実施形態によるワーク加工装置を半導体製造プロセスにおいて、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化し、また平坦化する研削装置に適用した場合を例に挙げ、図１乃至図４を参照しながら好適な実施例について詳細に説明する。なお、本実施例では、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化する場合について説明するが、ウェハを研磨する研磨装置にも同様して適用することができるものである。
【実施例】
【００２６】
図１及び図２は半導体製造プロセスにおいて、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化し、平坦化する研削装置を示すものであり、図１はその概略側面図、図２はその平面図である。
【００２７】
図１及び図２において、ワーク加工装置としての研削装置１０は、チャックテーブル１１と、チャックテーブル１１上にセットされた支持基盤１２と、支持基盤１２上に冷却水(純水)を供給する冷却水供給ノズル１３と、砥石１４を設けた加工ホイール１５と、加工ホイール１５を支持する送り機構１６と、接触型のセンサ１７と、非接触型のセンサ１８と、エア供給ノズル１９及び制御手段２０などを備えている。
【００２８】
前記制御手段２０は、接触型のセンサ１７及び非接触型のセンサ１８からの測定結果を基に前記研削装置１０を決められた手順で動作させるプログラムなどが格納されてなる、例えばコンピュータである。
【００２９】
前記チャックテーブル１１は、回転軸心Ｏ１を支点に図２中の矢印Ａで示す反時計回りに回転する。
【００３０】
前記支持基盤１２は、チャックテーブル１１上に、チャックテーブル１１の保持面として一体回転可能に取り付けられた円板状の基盤であり、チャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１と同心的に配設されている。その支持基盤１２は、例えばセラミック材などで形成されている。そして、支持基盤１２上には、回転軸心Ｏ１の周りで、かつ同心円上に４つのウェハＷ(Ａ)、Ｗ(Ｂ)、Ｗ(Ｃ)、Ｗ(Ｄ)がほぼ等間隔で配置されて固定されている。そのウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)は基本的には同じウェハＷであり、これらウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の固定は、例えばワックスなどで固定される。なお、支持基盤１２上に配置するウェハＷの数は、支持基盤１２の大きさによって変更される。また、支持基盤１２は必ずしも必要とするものではなく、チャックテーブル１１の上面を保持面として使用する場合もある。
【００３１】
前記加工ホイール１５は、支持基盤１２と対向する面に砥石１４を設けて、回転可能に前記送り機構１６に取り付けられている。加工ホイール１５の砥石面(砥石１４が占める面)は、支持基盤１２の最外周縁から回転軸心Ｏ１のほぼ近傍の位置を通過するように、支持基盤１２との位置関係を設定する。その加工ホイール１５は、回転軸心Ｏ２を支点に図２中の矢印Ｂで示す時計回りに回転する。
【００３２】
前記送り機構１６は、加工ホイール１５と砥石１４を一体に、前記支持基盤１２上のウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)に対し送り移動させて、加工ホイール１５と共に回転している前記砥石１４を支持基盤１２上のウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)に押し付けることができるようになっている。
【００３３】
前記冷却水供給ノズル１３は、切削ホイール１５の砥石１４と支持基盤１２が当接する位置(以下、この位置を「加工位置」と言う)の上流側に、供給水吹出口をその加工位置に向けて配設されている。その冷却水供給ノズル１３は、砥石１４と支持基盤１２が当接する加工位置に冷却水を供給して、その加工位置での温度上昇を抑える。
【００３４】
前記接触型のセンサ１７は、第１センサ１７ａと第２センサ１７ｂとでなり、その接触型のセンサ１７は、切削ホイール１５の砥石１４と支持基盤１２が当接する加工位置の下流側に配置されている。また、第１のセンサ１７ａは支持基盤１２の最外周縁とウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)との間の位置に配設され、支持基盤１２がチャックテーブル１１と共に回転してもウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)と当接しない支持基盤１２上の位置に配置されている。一方、第２センサ１７ｂは、チャックテーブル１１と共に支持基盤１２が回転すると、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)と当接可能な位置に配置されている。そして、通常、第１センサ１７ａは支持基盤１２に当接している。一方、第２センサ１７ｂは支持基盤１２から離れた位置に保持されており、支持基盤１２がチャックテーブル１１と共に回転してもウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)と当接しないように設定されている。なお、接触型のセンサ１７は、第２センサ１７ｂだけを設けて、第１センサ１７ａは設けない場合もある。
【００３５】
前記非接触型のセンサ１８は、切削ホイール１５と支持基盤１２が当接する位置の下流側で、また接触型のセンサ１７の更に下流側に配置されている。非接触型のセンサ１８は、非接触でウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の厚みを測定可能な光学式のセンサである。また、その非接触型のセンサ１８が配置された位置には、非接触型のセンサ１８の下面側に取り付けられた状態にして、前記エア供給ノズル１９が、そのエア吹出口を、非接触型のセンサ１８が測定するウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)上の表面上に向けて配設されている。そのエア供給ノズル１９は、非接触型のセンサ１８が測定するウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の表面上の位置にエアを吹きかけ、その非接触型のセンサ１８が測定する表面上に付着している水滴などを吹き飛ばして水滴などが非接触型のセンサ１８の測定に影響を与えないようにする機能を有する。
【００３６】
次に、このように構成された研削装置１０の動作を(１)〜(５)の順に説明する。
【００３７】
(１)  まず、加工に先立ち、チャックテーブル１１の保持面である支持基盤１２上に、加工を必要とするウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)が固定してセットされる。
【００３８】
(２)次いで、接触型の第２センサ１７ｂが下降し、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)が通過する支持基盤１２上に当接して配置される。
【００３９】
(３)また、加工ホイール１５が回転しながら送り機構１６により送られ、支持基盤１２上に向かって下降されると共に、チャックテーブル１１の回転(支持基盤１２の回転)と冷却水供給ノズル１３からの冷却水の供給が開始されて、砥石１４による研削が開始される。さらに、支持基盤１２の回転に伴い接触型のセンサ１７が支持基盤１２上のウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の厚み及び表面形状の測定を行う。なお、本実施例での加工ホイール１５の回転数は毎分２０００回転で、チャックテーブル１１の回転数は毎分６０回転である。また、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の設定厚みは３００μｍである。
【００４０】
この接触型のセンサ１７による測定では、加工終了付近では、例えば図４に示すような波形が得られる。図４に示す波形は、縦軸が厚み、横軸が回転角であり、厚みが略０の時は第２センサ１７ｂが支持基盤１２の表面に当たり、厚みがある時(３００μｍ)には第２センサ１７ｂがウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の表面上に当たっている状態を示している。また、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の表面が全て滑らかになっている時には、図４の(ａ)に示すように全ての波形が同じ波形を描き、ウェハＷ(Ｃ)の表面に異常がある場合には、図４の(ｂ)に示すように、ウェハＷ(Ｃ)の部分だけ波形が異なり、ウェハＷ(Ｃ)の表面に異常があることを制御手段２０が認識し、必要な処理を施すことができる。
【００４１】
(４)  また、チャックテーブル１２の回転が所定の速度以上、すなわち接触型の第２センサ１７ｂがウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)との当接でヒビ割れや欠損などの影響が予想される速度になった場合には、接触型の第２センサ１７ｂを上昇位置に移動させてウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)から離れる退避位置に移動させる。そして、制御手段２０は、代わりに非接触型のセンサ１８を動作させ、非接触型のセンサ１８の測定結果に基づいて、送り機構１６を介して加工ホイール１５をチャックテーブル１２側に送りながら研削を続ける。また、その間、非接触型のセンサ１８ではウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の厚みの測定を続ける。この場合、非接触型のセンサ１８は、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)と当接することがないので、チャックテーブル１２の回転速度が早くなっても、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)に影響を与えることはない。
【００４２】
(５)また、非接触型のセンサ１８の測定により、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の厚みが所定の厚みになったら、加工ホイール１５を砥石１４と共に支持基盤１２から離す。同時に、加工ホイール１５及びチャックテーブル１２の回転を停止し、研削加工を終了する。
【００４３】
したがって、この実施例による研削装置１０によれば、研削加工が開始されてチャックテーブル１１(支持基盤１２)の回転が高速になる前、すなわち接触型のセンサ１７(第２センサ１７ｂ)がウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)に当接しても、そのウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)にヒビや欠けなどの影響を与えないときには、表面形状と厚みを検出可能な接触型のセンサを使った厚み測定を行う。一方、チャックテーブル１１の回転が高速になってウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)に影響を及ぼす恐れがあるときには、非接触型のセンサ１８を使って厚み測定を継続させ、常に実際の測定を行うようにしているので、精度の良い測定が可能になる。また、測定のために加工途中で作業を停止しなくても良いので加工時間の短縮が図れ、スループットが向上する。
【００４４】
さらに、非接触型のセンサ１８では、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の厚みが大きい、またはウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の表面が鏡面になっていない加工初期の段階では、正確に測定ができないこともあるが、本実施例の研削装置１０では、加工初期の段階は接触型のセンサ１７を使用して測定を行うので、ウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の厚みが大きく、またウェハＷ(Ａ)〜Ｗ(Ｄ)の表面が鏡面になっていなくても測定が可能になる。
【００４５】
また、本実施例の構成では、砥石１４とウェハが当接している加工位置の上流側に冷却水を供給する冷却水供給ノズル１３を設け、加工位置の下流側に接触型のセンサ１７及び非接触型のセンサ１８を配置した構成としている。したがって、冷却水供給ノズル１３からウェハ上に供給された冷却水は、回転している砥石１４との当接位置において除去され、下流側の接触型のセンサ１７及び非接触型のセンサ１８の箇所に到達するときには、その冷却水のほとんどは除去されているので、供給された冷却水が接触型のセンサ１７の測定及び非接触型のセンサ１８の測定に影響を及ぼすことが少なく、精度の良い測定が可能になる。
【００４６】
また、本実施例の構成では、非接触型のセンサ１８が測定するウェハ上の表面にエアを吹き付けるエア供給ノズル１９を設けているので、非接触型のセンサ１８が測定するウェハの表面に残っている冷却水などは、エア供給ノズル１９で吹き付けられるエアで吹き飛ばされて取り除かれる。そして、水が取り除かれた状態で測定を行うので、精度の良い測定が可能になる。
【００４７】
なお、上記実施例では、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化する場合について説明したが、ウェハを研磨する研磨装置にも同様して適用することができるものである。よって、本発明はワークを研削する研削装置だけでなく、ワークを研磨する研磨装置にも権利化が及ぶものである。
【００４８】
また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上説明したように、本発明は半導体製造プロセスにおける加工に限ることなく、広く一般の研磨・研削装置にも応用できる。
【符号の説明】
【００５０】
１０      研削装置(ワーク加工装置)
１１      チャックテーブル
１２      支持基盤(保持面)
１３      冷却水供給ノズル
１４      砥石
１５      加工ホイール
１６      送り機構
１７      接触型のセンサ
１７ａ    第１プローブ
１７ｂ    第２プローブ
１８      非接触型のセンサ
１９      エア供給ノズル
２０      制御手段
Ｗ(Ａ)、Ｗ(Ｂ)、Ｗ(Ｃ)、Ｗ(Ｄ)    ウェハ
Ｏ１、Ｏ２  回転軸心
Ａ、Ｂ    矢印(回転方向)
【図１】
0006494367.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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