(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極配線及びデータ配線と、
前記ゲート電極配線と前記データ配線により形成された画素部分と、
前記画素部分に設けられる画素と
を有し、
前記ゲート電極配線と前記データ配線の中の少なくとも一方は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成され、前記第２のクラッド層は、前記第１のクラッド層の前記基板から遠い側に形成され、
前記第１のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成され、
前記第２のクラッド層は少なくとも２つの二重層を含み、前記二重層は、一層の前記第１の金属材料層と一層の前記第２の金属材料層が交互に積み重なって形成され、前記二重層それぞれの前記第１の金属材料層の厚さは同一であり、前記二重層それぞれの前記第２の金属材料層の厚さも同一であり、
前記画素は、トランジスタ、コンデンサー、有機発光素子を含み、前記データ配線は、前記トランジスタのソース電極と前記トランジスタのドレイン電極の中の少なくとも一方を含み、前記ゲート電極配線は、前記トランジスタのゲート電極を含み、
前記第１の金属材料の含有量は、前記基板から離れるほど増加し、前記第２の金属材料の含有量は、前記基板に向かうほど増加し、
前記第１の金属材料は、少なくとも１つの電極の導線材料として用いられ、前記第２の金属材料は、前記基板に密着するバリア層の材料として用いられる
ことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記濃度勾配は線形に変化する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記濃度勾配は非線形に変化する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１の金属材料は銅である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第２の金属材料は、モリブデン、チタン、アルミニウム、ニッケルまたは酸化インジウムスズの中の一つまたは複数である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第１のクラッド層の厚さは、前記金属クラッド層全体の厚さの三分の一から二分の一までの範囲を占める
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記二重層それぞれの厚さは５０Åから２００Åまでの範囲内である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置、特に有機発光ディスプレイ装置及びその薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、基板または基材を用いて各種の電子製品を製造することができ、例えばガラス基板、透光基板を用いてディスプレイパネルを製造することができる。
【０００３】
大きいサイズの有機発光ディスプレイ装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  ＬＥ  Ｄｉｓｐｌａｙ，ＯＬＥＤ）パネルの場合、複数の有機発光ディスプレイユニットに切断することができる。有機発光ディスプレイユニットは、少なくとも１つの陽極電極板、１つの発光層、１つの陰極電極板を含む。但し、発光層は陽極電極板と陰極電極板の間に挟まれて、「サンドイッチ」（ｓａｎｄｗｉｃｈ）のような構造に形成される。順方向電圧の駆動により、陽極電極板からの正孔は発光層に注入され、陰極電極板からの電子は発光層に注入される。注入された正孔と電子は発光層で出会って結合して、電子を励起状態から基底状態に戻させるとともに、余分なエネルギーを光波の形で放射する。
【０００４】
具体的に、アクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイ装置において、通常、薄膜トランジスタは各画素ごとのスイッチ部品として用いられる。
【０００５】
近年、有機発光ダイオードディスプレイ装置のサイズが増大する傾向がある。したがって、比較的高い解像度を必要とする。比較的高い解像度を有する比較的大寸法有機発光ダイオードディスプレイ装置の場合、ＲＣ遅延時間の減少が必要であり、このようなＲＣ遅延時間の減少は配線の電気抵抗最小化により実現できる。
【０００６】
通常は、電気抵抗率が１２μΩｃｍより小さいモリブデン（Ｍｏ）と電気抵抗率が５．５μΩｃｍより小さいアルミニウム（Ａｌ）を電極または薄膜トランジスタの配線として使用する。これらの金属は、その電気抵抗率が高いため、比較的高い解像度を有する比較的大寸法の有機発光ダイオードディスプレイ装置の製造に容易に用いることはできない。したがって、銅（Ｃｕ）の場合、その電気抵抗率が２．２μΩｃｍより小さいため、銅を配線と電極とした研究が行われている。
【０００７】
しかしながら、銅を薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のすべての電極に適用することは可能であるが、銅をゲート電極に適用する場合、銅と薄膜トランジスタが形成されるガラス基板との付着力が悪くなる。また、銅をソース電極とドレイン電極に適用する場合、銅とバッファーとして用いられるシリコン（Ｓｉ）との間に化学反応が起こる。このため、銅をゲート電極、ソース電極と／またはドレイン電極に適用する際には、単層として使用することはできない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板上に形成された半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の少なくとも一方は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成され、前記第２のクラッド層は、前記第１のクラッド層の前記基板から遠い側に形成され、前記第１のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成され、前記第２のクラッド層は少なくとも２つの二重層を含み、前記二重層は、一層の第１の金属材料層と一層の第２の金属材料層が交互に積み重なって形成され、前記二重層それぞれの前記第１の金属材料層の厚さは同一であり、前記二重層それぞれの前記第２の金属材料層の厚さも同一である薄膜トランジスタを提供する。
【０００９】
好ましくは、前記第１の金属材料の含有量は、前記基板から離れるほど増加し、前記第２の金属材料の含有量は、前記基板に向かうほど増加する。
【００１０】
好ましくは、前記濃度勾配は線形に変化する。
好ましくは、前記濃度勾配は非線形に変化する。
【００１１】
好ましくは、前記第１の金属材料は、少なくとも１つの電極の導線材料として用いられる。
【００１２】
好ましくは、前記第１の金属材料は銅である。
好ましくは、前記第２の金属材料は、前記基板に密着するバリア層として用いられる。
【００１３】
好ましくは、前記第２の金属材料は、モリブデン、チタン、アルミニウム、ニッケルまたは酸化インジウムスズの中の一つまたは複数である。
【００１４】
好ましくは、前記第１のクラッド層の厚さは、前記金属クラッド層全体の厚さの三分の一から二分の一までの範囲を占める。
【００１５】
好ましくは、前記二重層それぞれの厚さは５０Åから２００Åまでの範囲内である。
好ましくは、前記基板はガラス基板である。
【００１６】
本発明の他の局面によると、基板上に形成されたゲート電極配線及びデータ配線と、前記ゲート電極配線と前記データ配線により形成された画素部分と、前記画素部分に設けられる画素とを有し、前記ゲート電極配線と前記データ配線の中の少なくとも一方は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成され、前記第２のクラッド層は、前記第１のクラッド層の前記基板から遠い側に形成され、前記第１のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成され、前記第２のクラッド層は少なくとも２つの二重層を含み、前記二重層は、一層の前記第１の金属材料層と一層の前記第２の金属材料層が交互に積み重なって形成され、前記二重層それぞれの前記第１の金属材料層の厚さは同一であり、前記二重層それぞれの前記第２の金属材料層の厚さも同一であり、前記画素は、トランジスタ、コンデンサーと有機発光素子を含み、前記データ配線は、前記トランジスタのソース電極と前記トランジスタのドレイン電極の中の少なくとも一方を含み、前記ゲート電極配線は、前記トランジスタのゲート電極を含む有機発光ディスプレイ装置をさらに提供する。
【００１７】
好ましくは、前記第１の金属材料の含有量は、前記基板から離れるほど増加し、前記第２の金属材料の含有量は、前記基板から向かうほど増加する。
【００１８】
好ましくは、前記濃度勾配は線形に変化する。
好ましくは、前記濃度勾配は非線形に変化する。
【００１９】
好ましくは、前記第１の金属材料は、少なくとも１つの電極の導線材料として用いられる。
【００２０】
好ましくは、前記第１の金属材料は銅である。
好ましくは、前記第２の金属材料は、前記基板に密着するバリア層の材料として用いられる。
【００２１】
好ましくは、前記第２の金属材料は、モリブデン、チタン、アルミニウム、ニッケルまたは酸化インジウムスズの中の一つまたは複数である。
【００２２】
好ましくは、前記第１のクラッド層の厚さは、前記金属クラッド層全体の厚さの三分の一から二分の一までの範囲を占める。
【００２３】
好ましくは、前記二重層それぞれの厚さは５０Åから２００Åまでの範囲内である。
好ましくは、前記基板はガラス基板である。
【００２４】
本発明によれば、二種類の金属材料を用いて、コーティングにて金属電極を形成することにより、導線の電気抵抗を低下させる。本発明では、基板に近い部分において勾配金属クラッド層により第１のクラッド層を形成し、当該勾配金属クラッド層上において複数の層を交互に成長させて第２のクラッド層を形成する。本発明において、二種類の金属材料をそれぞれ導線材料及びバリア層材料とすることにより、バリア層の機能を確保するとともに、電気抵抗を低下させる効果が図られ、さらにエッチング速度が調整できるという効果も図ることができる。
【００２５】
本発明の上記の特徴及び利点、並びに他の特徴及び利点は、図面を参照して例示の実施形態を詳しく説明することによりさらに明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１Ａ】本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置を示すレイアウト図である。
【図１Ｂ】本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置の単位画素を示すレイアウト図である。
【図２】本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置の断面構造を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置の金属クラッド層の断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参考して、例示的な実施形態をさらに全面的に説明する。しかし、例示的な実施形態は、多様な形式で実施できるので、ここで述べる実施形態のみに限定されると理解すべきではない。これらの実施形態を提供する目的は、本発明を全面的かつ完全に説明するためであって、例示的な実施形態の構想を全面的に当業者に伝えるためである。図面において、同一または類似する構成には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するようにする。
【００２８】
図１Ａは、本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置を示すレイアウト図である。図１Ａを参照して、有機発光ディスプレイ装置は、互いに絶縁され、且つ一方向に沿って設けられる複数のゲート線１１０と、互いに絶縁され、且つ前記ゲート線１１０と交差する方向に設けられる複数のデータ線１２０と、ゲート線１１０と交差し、且つデータ線１２０と平行して設けられ、当該データ線１２０とは互いに絶縁している電源線１３０と、を備える。有機発光ディスプレイ装置は、ゲート線１１０、データ線１２０及び電源線１３０により形成される複数の画素ユニット１４０と、各画素ユニット１４０の開口１５５中に設けられる画素電極１５０とをさらに含む。
【００２９】
但し、ゲート線１１０、データ線１２０及び電源線１３０は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成されてもよい。第２のクラッド層は、第１のクラッド層の前記基板から遠い側に形成される。第１のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成される。第２のクラッド層は、少なくとも２つの二重層を有する。各二重層は、一層の第１の金属材料層と一層の第２の金属材料層が交互に積み重なって形成される。各二重層それぞれの第１の金属材料層の厚さは同一である。各二重層それぞれの第２の金属材料層の厚さも同一である。
【００３０】
具体的に、各画素ユニット１４０には、Ｒ、ＧとＢぞれぞれの単位画素が設けられ、また、各画素ユニットは、薄膜トランジスタと、コンデンサーと、画素電極１５０に接続される発光ダイオードとを含み、画素電極１５０は、スルーホール１５７を介して前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の中の一方に接続される。
【００３１】
画素ユニットにおける各素子の間の接続方式は図１Ｂに示す。図１Ｂは、本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置の画素ユニットを示すレイアウト図である。具体的に、画素ユニット１４０は、ゲート線１１０、データ線１２０及び電源線１３０により形成される。画素ユニット１４０は、開口１５５を有する画素電極１５０をさらに含む。
【００３２】
各画素電極１５０それぞれにはＲ、ＧとＢそれぞれの単位画素が設けられる。各画素は、二つの薄膜トランジスタ１６０、１８０と、コンデンサー１７０と、画素電極１５０を有する有機発光ダイオードを備える。
【００３３】
スイッチとして用いられる薄膜トランジスタ１６０は、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層１６１と、ゲート線１１０に接続されるゲート電極１６３を含んでもよい。ゲート電極１６３は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成されてもよい。薄膜トランジスタ１６０は、さらに、ソース電極１６５とドレイン電極１６７とを含み、コンタクトホール１６４及び１６６を介して半導体層１６１のソース領域及びドレイン領域のそれぞれに接続される。ソース電極１６５及びドレイン電極１６７は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成されてもよい。但し、第１のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成される。第２のクラッド層は少なくとも２つの二重層を含む。各二重層は、一層の第１の金属材料層と一層の第２の金属材料層が交互に積み重なって形成される。各二重層それぞれの第１の金属材料層の厚さは同一である。各二重層それぞれの第２の金属材料層の厚さも同一である。
【００３４】
駆動に用いられる薄膜トランジスタ１８０は、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体層１８１とゲート電極１８３とを含んでもよい。ゲート電極１８３は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成されてもよい。薄膜トランジスタ１８０は、さらに、ソース電極１８５とドレイン電極１８７とを含み、コンタクトホール１８４と１８６を介して半導体層１８１のソース領域及びドレイン領域のそれぞれに接続される。ソース電極１８５とドレイン電極１８７は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成されてもよい。薄膜トランジスタ１８０のソース電極１８５は前記電源線１３０に接続される。但し、第１のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成される。第２のクラッド層は少なくとも２つの二重層を含む。各二重層は、一層の第１の金属材料層と一層の第２の金属材料層が交互に積み重なって形成される。各二重層それぞれの第１の金属材料層の厚さは同一である。各二重層ぞれぞれの第２の金属材料層の厚さも同一である。
【００３５】
コンデンサー１７０は、下電極１７１を含んでもよく、コンタクトホール１６８を介してスイッチトランジスタ１６０のドレイン電極１６７に接続されるとともに、薄膜トランジスタ１８０のゲート電極１８３にも接続される。コンデンサー１７０の下電極１７１は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成されてもよい。コンデンサー１７０は、さらに、電源線１３０に接続される上電極１７３を含み、上電極１７３は、第１のクラッド層及び第２のクラッド層を有する金属クラッド層により形成されてもよい。但し、第１のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成される。第２のクラッド層は少なくとも２つの二重層を含む。各二重層は、一層の第１の金属材料層と一層の第２の金属材料層が交互に積み重なって形成される。各二重層のそれぞれの第１の金属材料層の厚さは同一である。各二重層それぞれの第２の金属材料層の厚さも同一である。
【００３６】
画素電極１５０はスルーホール１５７を介して薄膜トランジスタ１８０のドレイン電極１８７と接続される。
【００３７】
本発明において、上記の構造を有する例示的な実施例に係る有機発光ディスプレイ装置において、第１のクラッド層と第２のクラッド層を有する金属クラッド層により導線の電気抵抗を低下させることはでき、電気抵抗による電圧降下及びコンデンサー時間遅延問題を解決することができる。金属クラッド層の形成に用いる第１の金属材料として、電気抵抗率が２．２μΩｃｍより小さい銅を用いることが好ましい。また、金属クラッド層の形成に用いる第２の金属材料として、水分などの侵入を遮ることができるモリブデン、チタン、アルミニウム、ニッケルまたは酸化インジウムスズの中の一つまたは複数を用いることができる。
【００３８】
但し、この勾配層において、第１の金属材料と第２の金属材料の濃度は線形にまたは非線形に変化することができる。また、第２の金属材料の含有量は、基板に向かうほど増加するが、第１の金属材料の含有量は、基板から離れるほど増加する。
【００３９】
また、エッチング速度を考慮すると、第１のクラッド層の厚さは金属クラッド層全体の三分の一から二分の一までの範囲を占める。第２のクラッド層の厚さは第１のクラッド層の厚さに対応しており、第１のクラッド層の厚さが金属クラッド層全体の三分の一を占める場合、第２のクラッド層の厚さは金属クラッド層全体の厚さの三分の二を占め、第１のクラッド層の厚さが金属クラッド層全体の二分の一を占める場合、第２のクラッド層の厚さは金属クラッド層全体の厚さの他の二分の一を占める。第２のクラッド層において、各二重層それぞれの厚さは５０Åから２００Åまでの範囲内である。
【００４０】
図２は、本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置の断面構造を示す。有機発光ディスプレイ装置は、有機発光ダイオードと、コンデンサーと、ゲート線と、データ線と、有機発光ダイオードに接続される薄膜トランジスタとを含む。
【００４１】
図２を参照し、薄膜トランジスタ２０１は、絶縁基板２００のバッファー層２１０上に形成されたソース領域２２１及びドレイン領域２２３を有する半導体層と、ゲート絶縁層２３０上に形成されたゲート電極２４１とを含む。ソース電極２６１とドレイン電極２６３は、層間絶縁層２５０上に形成され、それぞれのコンタクトホール２５１と２５３を介してソース領域２２１とドレイン領域２２３に接続される。
【００４２】
コンデンサー２０３は、ゲート絶縁層２３０上にゲート電極２４１と同時に形成された下電極２４５と、層間絶縁層２５０上にソース電極２６１及びドレイン電極２６３と同時に形成された上電極２６５とを含む。ゲート線２４７は、ゲート絶縁層２３０上にゲート電極２４１と同時に形成されることが可能であり、データ線２６７は、層間絶縁層２５０上にソース電極２６１及びドレイン電極２６３と同時に形成されることが可能である。
【００４３】
有機発光ダイオード２０５は、パッシベ−ション層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）２７０上に形成された透明性電極であり、且つ薄膜トランジスタ２０１のソース電極２６１またはドレイン電極２６３の何れかに接続される下電極２８１を含む。例えば、下電極２８１はスルーホール２７５を介してドレイン電極２６３に接続される。有機発光ダイオード２０５は、開口２９５上に形成された有機薄膜層２８３と、基板の表面全体に形成された上電極２８５を含んでもよい。前記開口２９５は下電極２８１上に形成された画素限定層２９０により規定される。
【００４４】
例示的な一実施例によると、ゲート電極配線は、ゲート電極２４１と、コンデンサーの下電極２４５及びゲート線２４７とを含み、データ配線は、ソース電極２６１と、ドレイン電極２６３と、コンデンサーの上電極２６５と、データ線２６７と、電源線とを含む。ゲート電極配線とデータ配線のそれぞれは、第１のクラッド層２０２及び第２のクラッド層２０４を有する金属クラッド層により形成されてもよい。但し、第１のクラッド層２０２は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料と第２の金属材料を有する勾配層により形成される。第２のクラッド層２０４は少なくとも２つの二重層を含む。各二重層は、一層の第１の金属材料層と一層の第２の金属材料層が交互に積み重なって形成される。各二重層それぞれの第１の金属材料層の厚さは同一である。各二重層それぞれの第２の金属材料層の厚さも同一である。また、当該勾配層において、第２の金属材料の含有量は、基板２００に向かうほど増加するが、第１の金属材料の含有量は、基板２００から離れるほど増加する。
【００４５】
図３は、本発明の実施例に係る有機発光ディスプレイ装置の金属クラッド層の断面構造を示す。具体的に、金属クラッド層は、第１のクラッド層３０１と第２のクラッド層３０２とを含む。第１のクラッド層３０１は、基板３１０上に形成され、第２のクラッド層３０２は、第１のクラッド層３０１の基板３１０と反対の側に形成されている。
【００４６】
第１のクラッド層３０１は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第１の金属材料３０３と第２の金属材料３０４を有する勾配層により形成される。但し、第２の金属材料３０４の含有量は、基板３１０に向かうほどほど増加するが、第１の金属材料３０３の含有量は、基板３１０から離れるほど増加する。第１の金属材料３０３と第２の金属材料３０４の濃度は線形にまたは非線形に変化することができる。
【００４７】
第２のクラッド層３０２は少なくとも２つの二重層３０５を含む。各二重層３０５は、一層の第１の金属材料層３０３と一層の第２の金属材料層３０４が交互に積み重なって形成される。各二重層３０５それぞれの第１の金属材料層の厚さは同一である。各二重層３０５それぞれの第２の金属材料層の厚さも同一である。
【００４８】
金属クラッド層の形成に用いられる第１の金属材料は、金属導線用材料として、電気抵抗率が２．２μΩｃｍより小さい銅を選択使用することが好ましい。また、金属クラッド層の形成に用いられる第２の金属材料として、水分などの進入を遮ることができるモリブデン、チタン、アルミニウム、ニッケルまたは酸化インジウムスズの中の一つまたは複数を用いることができる。
【００４９】
また、エッチング速度を考慮すると、第１のクラッド層３０１の厚さは金属クラッド層全体の三分の一から二分の一までの範囲を占める。第２のクラッド層３０２の厚さは第１のクラッド層３０１の厚さに対応しており、第１のクラッド層３０１の厚さが金属クラッド層全体の三分の一を占める場合、第２のクラッド層３０２の厚さは金属クラッド層全体の厚さの三分の二を占め、第１のクラッド層３０１の厚さが金属クラッド層全体の二分の一を占める場合、第２のクラッド層３０２の厚さは金属クラッド層全体の厚さの他の二分の一を占める。第２のクラッド層において、各二重層それぞれの厚さは５０Åから２００Åまでの範囲内である。
【００５０】
但し、本実施例の好ましい一例において、第１のクラッド層３０１と第２のクラッド層３０２それぞれにおける第２の金属材料３０４は同一の材料である。例えば、第１のクラッド層３０１と第２のクラッド層３０２それぞれにおける第２の金属材料３０４はいずれもチタンである。一変形例において、第１のクラッド層３０１と第２のクラッド層３０２における第２の金属材料３０４は異なる材料である。例えば、第１のクラッド層３０１の第２の金属材料３０４がチタンであるのに対し、第２のクラッド層３０２の第２の金属材料３０４はモリブデンであり、また、例えば、第１のクラッド層３０１の第２の金属材料３０４がアルミニウムであるのに対し、第２のクラッド層３０２の第２の金属材料３０４はニッケルである。ここに示した変形例以外にもさらに多い変形例が実現できるが、これは当業者にとって自明なことであるため、その説明は省略することにする。
【００５１】
第１の実施例：
本実施例において、第１の金属材料として銅（Ｃｕ）を選択し、第２の金属としてチタン（Ｔｉ）を選択した。そして、以下のようなエッチング速度比とエッチング選択比などのパラメータに基づいてエッチングを行った。
【００５２】
即ち、Ｃｕ／Ｔｉのエッチング速度比は、５００ｎｍの場合、Ｃｕは１４．９〜１７．２ｎｍ／ｓであるのに対し、Ｔｉは０．６７ｎｍ／ｓであった。また、Ｃｕ／Ｔｉのエッチング選択比は１８：１であった。
【００５３】
第２の実施例：
本実施例において、第１の金属材料として銅（Ｃｕ）を選択し、第２の金属としてモリブデン（Ｍｏ）を選択した。そして、以下のようなエッチング速度比とエッチング選択比などのパラメータに基づいてエッチングを行った。
【００５４】
即ち、Ｃｕ／Ｍｏのエッチング速度比は、５００ｎｍの場合、Ｃｕは７．６５ｎｍ／ｓであるのに対し、Ｍｏは１．４３ｎｍ／ｓであった。Ｃｕ／Ｍｏエッチングの選択比は５．３５であった。
【００５５】
以上の２つの実施例において、比較的に第２の実施例のエッチング効果が良い。
以上、本発明の例示的な実施形態を具体的に示して説明した。しかし、本発明は、開示された実施形態のみに限定されるものではなく、添付される特許請求の範囲の趣旨と範囲を逸脱しない限り、種々の変更及び均等な改善を行うことが可能である、と理解すべきである。
【符号の説明】
【００５６】
１１０・・・ゲート線
１２０・・・データ線
１３０・・・電源線
１４０・・・単位画素
１５５・・・開口
１５０・・・画素電極
１５７・・・スルーホール
１６０・・・薄膜トランジスタ
１６１・・・半導体層
１６３・・・ゲート電極
１６５・・・ソース電極
１６７・・・ドレイン電極
１６４、１６６、１６８・・・コンタクトホール
１８０・・・薄膜トランジスタ
１８１・・・半導体層
１８３・・・ゲート電極
１８５・・・ソース電極
１８７・・・ドレイン電極
１８４、１８６・・・コンタクトホール
１７０・・・コンデンサー
１７１・・・下電極
１７３・・・上電極
２００・・・基板
２１０・・・バッファー層
２３０・・・ゲート絶縁層
２５０・・・層間絶縁層
２７０・・・パッシベ−ション層
２４７・・・ゲート線
２６７・・・データ線
２８３・・・有機薄膜層
２９０・・・画素限定層
２０１・・・薄膜トランジスタ
２２１・・・ソース領域
２２３・・・ドレイン領域
２４１・・・ゲート電極
２６１・・・ソース電極
２６３・・・ドレイン電極
２５１、２５３・・・コンタクトホール
２０３・・・コンデンサー
２４５・・・下電極
２６５・・・上電極
２０５・・・有機発光ダイオード
２８１・・・下電極
２８５・・・上電極
２７５・・・スルーホール
２９５・・・開口
２０２・・・第１のクラッド層
２０４・・・第２のクラッド層
３１０・・・基板
３０１・・・第１のクラッド層
３０２・・・第２のクラッド層
３０３・・・第１の金属材料
３０４・・・第２の金属材料
３０５・・・二重層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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