(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料ガスを供給するガス配管を有するガス供給系と、
前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する排気配管を有する排気系と、
前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する加熱部と、
を備え、
前記加熱部は、
前記配管の外壁を加熱する加熱帯と、
前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有し、該空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えるように構成される囲い部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
配管の外壁を加熱する加熱帯と、
前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有し、該空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えるように構成される囲い部と、
を有する加熱部。
【請求項３】
配管の外壁を加熱する加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有し、該空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加える部材。
【請求項４】
ガス配管を介して処理室内に原料ガスを供給して基板を処理する工程と、
排気配管を介して前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する工程と、
前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する工程であって、
加熱部の加熱帯の外周を囲う囲い部の内部の空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管の外壁を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ガス配管を介して処理室内に原料ガスを供給して基板を処理する工程と、
排気配管を介して前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する工程と、
前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する工程であって、
加熱部の加熱帯の外周を囲う囲い部の内部の空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管の外壁を加熱する工程と、
を有する配管の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置、加熱部、部材、半導体装置の製造方法および配管の加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置は必要なガスの供給及び排気等を行なう必要があり、ガスの供給及び・排気配管にはその配管を加熱するヒータを備え、加熱状態を保持して内部を流通するガス等の冷却による再液化、副生成物の付着を防ぐように考慮されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１０８２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的はヒータにより加熱される配管の温度ムラを低減する構成を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、前記処理室内に原料ガスを供給するガス配管を有するガス供給系と、前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する排気配管を有する排気系と、前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する加熱部と、を備える構成であって、
前記加熱部は、前記配管の外壁を加熱する加熱帯と、前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有し、該空間にガスを供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えるように構成される囲い部と、を備える構成が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、配管の温度ムラを低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に好適に用いられる配管加熱の基本構成を説明するための斜視図である。
【図２】実施形態に好適に用いられる配管加熱の構成を説明するための断面図である。
【図３】実施形態に好適に用いられる配管加熱の運用（加熱時）を説明するための断面図である。
【図４】実施形態に好適に用いられる配管加熱の運用（冷却時）を説明するための断面図である。
【図５】実施例に好適に用いられる基板処理装置を説明するための概略斜示図である。
【図６】実施例に係る基板処理装置で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図７】実施例に係る基板処理装置で好適に用いられるコントローラの構造を説明するためのブロック図である。
【図８】実施例に係る基板処理装置で好適に用いられる基板処理工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態及び実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【０００９】
まず、実施形態に係る配管加熱について図１から図４を用いて説明する。
加熱部であるヒータ３１０は配管３００に接する加熱帯３１１と加熱帯３１１の外周を覆う囲い部３１２とが一体形成されるジャケットヒータである。図１では、このジャケットヒータの概観を示し、図２は、配管３００の回りにヒータ３１０が取り付けられた断面図である。ヒータ３１０の部材は非膨張かつ密閉素材で、例えば半導体製造工場において汚染源となるシロキサン（高温状態のシリコンより発生）の懸念がない、柔軟性のあるフッ素樹脂シートを用いるのが好ましい。ヒータ３１０は断面が主にＣ字を基本とした形状により配管３００の全面を囲うことができるように構成されている。Ｃ字の割り位置(隙間部分)３１３は、断熱材により熱逃げを防ぐ構造となっている。ヒータ３１０は、例えば、固定部として、例えば、スナップボタンを使用したベルト（帯）３１４により、設計された配管径となる位置で固定される。尚、固定部３１４は、熱逃げを塞ぐ構造であればよく、マジックテープ、Ｄ管等であってもよい。
【００１０】
図２に示すように、囲い部３１２の内部に空間３１５を密閉型で形成し、給排部である供給排気用の接続口３１６，３１７を設ける。供給側の接続口３１６には開閉部である逆止弁３１８が設けられており、密閉状態を保持することができる。空間３１５に供給及び排気される媒体は、流体であればよく、液体でも期待でも構わない。以後、本実施の形態では、実施形態の一例として、媒体である気体について説明する。この気体の空間３１５への供給により加圧状態となったヒータ３１０は柔軟性があり、スナップボタン等により外側への膨張が抑制されるため、内部（配管側）へ膨らむ（配管に圧力が加わる）ように構成される。このような構成により、加熱帯３１１と配管３００の外壁の密着性が向上する。ここで、加熱帯３１１(配管３００)に対してより均等に圧力を加える構成にするため、囲い部３１２の外側の部材を加熱帯３１１側(配管３００側)の部材より固い部材にすることが好ましい。また、空間３１５内の静止気体で断熱される。空間３１５に供給する媒体である気体は大気の他にＮ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｘｅガスのいずれかであってもよい。排気側の接続口３１７も開閉部である逆止弁（または切換え弁）３１９が設けられており、内部を一定の所定圧力、若しくは所定圧力以上となるよう管理する。
【００１１】
基板処理時（加熱時）は加熱帯３１１による加熱を行い、図３に示すように、接続口３１７の逆止弁（または切換え弁）３１９は閉じられ、接続口３１６から空間３１５に気体を供給して加圧し、空間３１５を所定の圧力にする。これにより、配管３００の外壁は第１の温度に加熱される。一方、冷却時は加熱帯３１１による配管３００の外壁の加熱を停止し、図４に示すように、接続口３１７の逆止弁（または切換え弁）３１９は開けられ所定圧力が解放されて熱排気が行われる。このとき、接続口３１６から気体が供給され続け（連続供給され）、接続口３１７から気体が排気され続け（連続排気され）、空間３１５は調圧される。これにより、配管３００は第１の温度よりも低い第２の温度になる。特に、メンテナンスである排気配管のクリーニングの際には、腐食性の高いガスを使用するため、配管加熱温度を下げる必要がある。ヒータ３１０が上記の構成であり、内部空間３１５の気体を排気し続けることで、配管温度を急速に降温することができる。これにより、メンテナンス時間を短縮することが可能となる。
【実施例】
【００１２】
実施形態に係るヒータを用いた実施例に係る基板処理装置について図５から図８を用いて説明する。本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合、すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。
【００１３】
従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。
【００１４】
また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
【００１５】
（１）基板処理装置の構成
（基板処理装置の全体構成）
図５に示すように、実施例に係る基板処理装置１は、筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。又、カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共にカセットステージ１０５の上方にも予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられクリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００１６】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、ボートエレベータ１２１に取りつけられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、移載エレベータ１１３には搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。又、ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下側のウエハ搬入出口を気密に閉塞する閉塞手段としての炉口シャッタ１１６が設けられている。
【００１７】
ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５にウエハ２００が上向き姿勢で搬入され、ウエハ２００が水平姿勢となるようカセットステージ１０５で９０°回転させられる。更に、カセット１００は、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及びカセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ１０５からカセット棚１０９又は予備カセット棚１１０に搬送される。
【００１８】
カセット棚１０９にはウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３があり、ウエハ２００が移載に供されるカセット１００はカセットエレベータ１１５、カセット移載機１１４により移載棚１２３に移載される。
【００１９】
カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により移載棚１２３から降下状態のボート２１７にウエハ２００を移載する。
【００２０】
ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されるとボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理炉２０２に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内ではウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に処理がなされる。
【００２１】
ウエハ２００への処理が完了すると、ウエハ２００は上記した作動の逆の手順により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００はカセット移載機１１４により移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部に搬出される。
【００２２】
炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が降下状態の際に処理炉２０２のウエハ搬入出口を気密に閉塞し、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
【００２３】
カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
（処理炉）
図６に示すように、加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する処理容器として反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、ヒータ２０７、反応管２０３、シールキャップ２１９により処理炉２０２を形成し、少なくとも反応管２０３およびシールキャップ２１９により処理室２０１を形成している。シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１７が設置され、処理室２０１内に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平に多段に積載される。ヒータ２０７は処理室２０１に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
【００２４】
処理室２０１へは第１の原料ガスを供給するガス配管１０と第２の原料ガスを供給するガス配管１１とが連通して設けられている。ガス配管１０からは、第１の原料ガス用のガス供給器４から流量を制御するための流量制御器（マスフローコントローラ：ＭＦＣ）４１とバルブ３４を介し、さらに処理室２０１内に設置されたノズル２３４を介して、処理室２０１内に第１の原料ガスが供給される。ガス配管１０、流量制御器４１、バルブ３４、ノズル２３４により第１のガス供給系を構成する。ガス配管１１からは、第２の原料ガス用のガス供給器５から流量を制御するための流量制御器３２とバルブ３５を介して、さらに処理室２０１内に設置されたノズル２３３を介して、処理室２０１内に第２の原料ガスが供給される。ガス配管１１、流量制御器３２、バルブ３５、ノズル２３３により第２の原料ガス供給系を構成する。ガス供給器４から処理室２０１までのガス配管１０の周りには、ガス配管１０を加熱するガス配管用ヒータ２２が設けられ、ガス配管１１に設置されたバルブ３５から処理炉１０１までのガス配管１１の周りには、ガス配管１１を加熱するガス配管用ヒータ２４が設けられている。ガス配管用ヒータ２２及びガス配管用ヒータ２４には実施形態に係るジャケットヒータ３１０が用いられる。
【００２５】
ガス配管１０には、不活性ガスを供給するためのガス配管４０がバルブ３９を介してバルブ３４の下流側に接続されている。このバルブ３９からガス配管１０とガス配管４０との接続部分までのガス配管４０の周りにも、ガス配管用ヒータ２２が設けられている。また、ガス配管１１には、不活性ガスを供給するためのガス配管６がバルブ３６を介してバルブ３５の下流側に接続されている。このバルブ３６からガス配管１１とガス配管６との接続部分までのガス配管６の周りにも、ガス配管用ヒータ２４が設けられている。
【００２６】
処理室２０１は、ガスを排気する排気管である排気配管２３１によりＡＰＣバルブ２４３を介して真空ポンプ２４６に接続されている。排気配管２３１、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６によりガス排気系を構成する。反応管２０３から真空ポンプ２４６までの排気配管２３１の周りには、排気配管２３１を加熱する排気配管用ヒータ２０が設けられている。排気配管用ヒータ２０には実施形態に係るジャケットヒータ３１０が用いられる。
【００２７】
反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って、ノズル２３４が設置されている。そしてノズル２３４にはガスを供給するための複数のガス供給孔が設けられている。このガス供給孔は隣接するウエハ２００とウエハ２００の中間位置に開けられ、ウエハ２００にガスが供給される。ノズル２３４の位置より反応管２０３の内周を１２０°程度回った位置に、ウエハ２００の積載方向に沿ってノズル２３３が同様に設置されている。このノズル２３３にも同様に複数のガス供給孔が設けられている。ノズル２３４は上述の通りガス配管１０に連通し、処理室２０１内に第１の原料ガス及びガス配管１０に接続されたガス配管４０からの不活性ガスを供給する。また、ノズル２３３は上述の通りガス配管１１に連通し、処理室２０１内に、第２の原料ガス及びガス配管１１に接続されたガス配管６からの不活性ガスを供給する。ノズル２３４及びノズル２３３から交互に処理室２０１内に原料ガスが供給されて成膜が行われる。
【００２８】
反応管２０３内には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７はボートエレベータ１２１により反応管２０３内に出入りできるようになっている。また、処理の均一性を向上するためにボート２１７を回転するための回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。
【００２９】
（コントローラ）
コントローラについて図７を用いて説明する。
【００３０】
制御部（制御手段）であるコントローラ３２１は、ヒータ２０７、ガス配管用ヒータ２２、ガス配管用ヒータ２４、排気配管用ヒータ２０、流量制御器３２、３３、４１、バルブ３４、３５、３６、３９、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボート昇降機構等に接続されており、ヒータ２０７、ガス配管用ヒータ２２、ガス配管用ヒータ２４、排気配管用ヒータ２０の温度調節、流量制御器３２、３３、４１の流量調節、バルブ３４、３５、３６、３９及びＡＰＣバルブ２４３の開閉動作、真空ポンプ２４６の起動、停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御等が行われる。
【００３１】
コントローラ３２１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３２１ａ、ＲＡＭ（Random Access Memory）３２１ｂ、記憶装置３２１ｃ、Ｉ／Ｏポート３２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ３２１ｂ、記憶装置３２１ｃ、Ｉ／Ｏポート３２１ｄは、内部バス３２１ｅを介して、ＣＰＵ３２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ３２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置３２２が接続されている。
【００３２】
記憶装置３２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等で構成される。記憶装置３２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ３２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものである。また、ＲＡＭ３２１ｂは、ＣＰＵ３２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００３３】
Ｉ／Ｏポート３２１ｄは、上述の流量制御器３２，３３、バルブ３４，３５，３６，３９、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、ガス配管用ヒータ２２、ガス配管用ヒータ２４、排気配管用ヒータ２０、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。
【００３４】
ＣＰＵ３２１ａは、記憶装置３２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置３２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置３２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ３２１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、流量制御器３２，３３による各種ガスの流量調整動作、バルブ３４，３５，３６，３９の開閉動作、ＡＰＣバルブ２４３の開閉動作及びＡＰＣバルブ２４３による圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１２１によるボート２１７の昇降動作等を制御するように構成されている。
【００３５】
なお、コントローラ３２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）３２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置３２１ｃや外部記憶装置３２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置３２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置３２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置３２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００３６】
（２）基板処理工程
次に、半導体製造装置としての基板処理装置１を使用して、基板を処理する基板処理工程の概略について説明する。この基板処理工程は、例えば、半導体装置を製造するための一工程である。なお、以下の説明において、基板処理装置１を構成する各部の動作や処理は、コントローラ３２１により制御される。
ここでは、第１の原料ガスとしてＳｉ２Ｈ６（ジシラン）を用い、第２の原料ガスとしてＯ３（オゾン）を用いてウエハ２００上に薄膜としてＳｉＯ２（シリコン酸化）膜を形成する例について説明する。なお、例えば、ウエハ２００上には、予め所定の膜が形成されていてもよい。また、ウエハ２００又は所定の膜には予め所定のパターンが形成されていてもよい。
【００３７】
基板処理工程について図８を用いて説明する。
（基板搬入工程Ｓ１０２）
まず、ウエハ２００をボート２１７に装填し、処理室２０１内へ搬入し、基板搬入工程Ｓ１０２を行う。
【００３８】
（成膜工程Ｓ１０４）
次に、ウエハ２００の表面上に薄膜を形成する成膜工程Ｓ１０４を行う。成膜工程は次の４つのステップを順次実行する。なお、ステップ１〜４の間は、ヒータ２０７により、ウエハ２００を所定の温度に加熱しておく。また、ガス配管用ヒータ２２，２４は、ガス配管１０，１１を第１の指定温度に加熱する。第１の指定温度は、原料ガスに応じて適宜設定される。本実施の形態では、原料ガスとしてＳｉ２Ｈ６（ジシラン）が用いられるので、後述する成膜工程Ｓ１０４の間、例えば、第１の指定温度として１３０℃以上に加熱される。尚、本実施形態においては、排気配管用ヒータ２０についても、後述する成膜工程Ｓ１０４の間、加熱する場合について説明する。
［ステップ１］
ステップ１では、Ｓｉ２Ｈ６ガスを流す。まず、ガス配管１０に設けたバルブ３４と排気配管２３１に設けたＡＰＣバルブ２４３を共に開けて、ガス供給器４から流量制御器４１により流量調節されたＳｉ２Ｈ６ガスをガス配管１０をとおりノズル２３４のガス供給孔から処理室２０１内に供給しつつ、排気配管２３１から排気する。この際、ガス配管用ヒータ２２はガス配管１０を加熱し、排気配管用ヒータ２０は排気配管２３１を加熱する。また、この際、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に保つ。
【００３９】
これにより、ウエハ２００の表面にシリコン薄膜を形成する。
［ステップ２］
ステップ２では、ガス配管１０のバルブ３４を閉めてＳｉ２Ｈ６の供給を止める。排気配管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままにし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、残留Ｓｉ２Ｈ６を処理室２０１内から排除する。また、ガス配管４０に設けられたバルブ３９を開けて、ガス配管４０からＮ２等の不活性ガスを処理室２０１内に供給し処理室２０１内のパージを行い、処理室２０１内の残留Ｓｉ２Ｈ６を処理室２０１外に排出する。この際、ガス配管用ヒータ２２はガス配管１０及びガス配管４０を加熱し、排気配管用ヒータ２０は排気配管２３１を加熱する。さらに、ガス配管６に設けられたバルブ３６を開けて、流量制御器３３により流量調節されたＮ２等の不活性ガスをガス配管６からも処理室２０１内に供給する。この際、ガス配管用ヒータ２４はガス配管１１及びガス配管６を加熱する。
［ステップ３］
ステップ３では、Ｏ３ガスを流す。配管１１に設けられた、バルブ３５と排気配管２３１に設けられたＡＰＣバルブ２４３を共に開け、ガス供給器５から流量制御器３２により流量調節されたＯ３ガスをガス配管１１をとおりノズル２３３のガス供給孔から処理室２０１内に供給しつつ、排気配管２３１から排気する。この際、ガス配管用ヒータ２４はガス配管１１を加熱し、排気配管用ヒータ２０は排気配管２３１を加熱する。この際、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に調整する。Ｏ３の供給により、Ｓｉ２Ｈ６がウエハ２００の表面に形成したシリコン薄膜とＯ３が表面反応して、ウエハ２００上にＳｉＯ２膜が形成される。
［ステップ４］
ステップ４では、再び不活性ガスによる処理室２０１内のパージを行う。ガス配管１１のバルブ３５を閉めて、Ｏ３の供給を止める。排気配管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままにし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、残留Ｏ３を処理室２０１内から排除する。また、ガス配管６に設けられたバルブ３６を開けて、流量制御器３３により流量調節されたＮ２等の不活性ガスをガス配管６より処理室２０１内に供給して処理室２０１内のパージを行う。この際、ガス配管用ヒータ２４はガス配管１１及びガス配管６を加熱し、排気配管用ヒータ２０は排気配管２３１を加熱する。さらに、ガス配管４０に設けられたバルブ３９を開けて、ガス配管４０からもＮ２等の不活性ガスを処理室２０１に供給する。この際、ガス配管用ヒータ２２はガス配管１０及びガス配管４０を加熱する。
【００４０】
上記ステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯ２膜を形成する。
【００４１】
（基板搬出工程Ｓ１０６）
次に、ＳｉＯ２が形成されたウエハ２００が載置されたボート２１７を、処理室２０１から搬出する。
【００４２】
本実施例によれば、ガス配管１０，１１及び排気配管２３１の温度ムラを低減することができるので、処理室２０１内のガス温度及びガスの給排の安定性が向上し、成膜の均一性を向上することが可能となる。
【００４３】
また、本実施例ではＳｉ２Ｈ６を原料ガスとして供給する例を挙げたがこれにかぎらず、液体原料（ＴｉＣｌ４、ＨＣＤＳ(Ｓｉ２Ｃｌ６)、ＴＥＯＳ等）や、固体材料（ＡｌＣｌ３、ＨｆＣｌ４、ＺｒＣｌ４等）では、供給器(本実施例では流量制御器４１)から段階的に温度を上げて、再液化、固化しないように構成される。例えば、反応管近くの加熱は、１５０℃〜２００℃に設定される。このように、原料ガスによっても本実施形態における配管ヒータによれば、加熱ムラが生じることなく液化及び固化温度以上に制御できるので、原料ガスの安定な供給を行うことができる。
【００４４】
＜本実施形態における効果＞
本実施形態によれば、以下の(ａ)乃至(ｈ)のうち、少なくとも一つ、又は複数の効果を奏する。
【００４５】
(ａ)本実施形態によれば、加圧密着により均一な配管加熱をすることができる。また、配管の温度（加熱）にムラが発生しないため安定した反応材料の供給が可能となる。また、温度（加熱）ムラが発生しないためコールドスポットの抑制となり、未反応ガスの残渣及び副生成物の付着を防ぐことができる。
【００４６】
(ｂ)本実施形態によれば、また、シロキサンの発生要因がないため、従来よりも高温加熱が可能となる。
【００４７】
(ｃ)本実施形態によれば、従来の断熱材で構成されたジャケットヒータを使用しないため、低価格及び低汚染のジャケットヒータを提供することができる。また、断熱材を使用しないため配管加熱占有堆積を縮小することができる。
【００４８】
(ｄ)本実施形態によれば、また、実施形態におけるジャケットヒータは、成形材への気体加圧による密着により、配管に取付けられるので、取付再現性を高くすることができる。
【００４９】
(ｅ)本実施形態によれば、メンテナンスである排気配管のクリーニングの際には、腐食性の高いガスを使用するため、配管加熱温度を下げる必要がある。ヒータ３１０を構成する囲い部３１２の内部空間３１５の流体を排気し続けることで、配管温度を急速に降温することができる。これにより、メンテナンス時間を短縮することが可能となる。
【００５０】
(ｆ)成膜用の原料ガスに応じて液化しない温度にムラなく配管を加熱することができるので、原料ガスの液化が生じないよう制御された温度で、ガス流量を安定して処理室に供給することができる。
【００５１】
(ｇ)原料ガスと反応させる反応ガスを、原料ガスの液化が生じないよう制御された温度で加熱することができるので、混合される際に原料ガスの温度が低下して液化してしまうことを防止することができ、安定して原料ガスを処理室内に供給することができ、処理室内のガス温度が安定し、均一な成膜をすることができる。
【００５２】
(ｈ)排気配管を所定の温度にムラなく配管を加熱することができるので、成膜時に未反応ガス(未反応の原料ガス)の残渣及び副生成物の付着を抑えることができる。
【００５３】
本実施例ではガス配管及び排気配管の両方をヒータで加熱する例を挙げたがこれに限らず、ガス配管及び排気配管のいずれか一方をヒータで加熱するようにしてもよい。
【００５４】
尚、図６では、原料供給器４から流量制御器４１までを加熱する構成が示されているが、原料供給器４から流量制御器４１までは、常時加熱する必要はなく、非定常作業時（メンテナンス、修理等）に加熱するのが好ましい。
【００５５】
以上、本発明の実施形態及び実施例を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５６】
例えば、上述の実施形態では、原料ガスとして、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）ガスを用いる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ４、略称：ＭＳ）ガス、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８、略称：ＴＳ）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。また、例えば、原料ガスとして、ＨＣＤＳガスの他、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）ガス、オクタクロロトリシラン（Ｓｉ３Ｃｌ８、略称：ＯＣＴＳ）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスを用いることができる。
【００５７】
また、例えば、上述の実施形態では、反応ガスとしてＯ３ガスを用いる例について説明した。例えば、酸素（Ｏ２）ガス等の酸素（Ｏ）含有ガス（酸化ガス）を用いてもよい。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、反応ガスとしては、ＮＨ３ガスの他、ジアゼン（Ｎ２Ｈ２）ガス、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガス、ジエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、モノエチルアミン（Ｃ２Ｈ５ＮＨ２、略称：ＭＥＡ）ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン（（ＣＨ３）３Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ３）２ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ３ＮＨ２、略称：ＭＭＡ）ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリメチルヒドラジン（（ＣＨ３）２Ｎ２（ＣＨ３）Ｈ、略称：ＴＭＨ）ガス等の有機ヒドラジン系ガス等を用いることができる。
【００５８】
また、例えば、上述の実施形態では、ＳｉＯ膜等のシリコン系絶縁膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、本発明は、ウエハ２００上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。
【００５９】
例えば、本発明は、ウエハ２００上に、ＴｉＮ膜、ＴｉＯ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＯＣ膜、ＴｉＣＮ膜、ＴｉＢＮ膜、ＴｉＢＣＮ膜、ＺｒＮ膜、ＺｒＯ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＯＣ膜、ＺｒＣＮ膜、ＺｒＢＮ膜、ＺｒＢＣＮ膜、ＨｆＮ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＯＣ膜、ＨｆＣＮ膜、ＨｆＢＮ膜、ＨｆＢＣＮ膜、ＴａＮ膜、ＴａＯ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＯＣ膜、ＴａＣＮ膜、ＴａＢＮ膜、ＴａＢＣＮ膜、ＮｂＮ膜、ＮｂＯ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＯＣ膜、ＮｂＣＮ膜、ＮｂＢＮ膜、ＮｂＢＣＮ膜、ＡｌＮ膜、ＡｌＯ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＯＣ膜、ＡｌＣＮ膜、ＡｌＢＮ膜、ＡｌＢＣＮ膜、ＭｏＮ膜、ＭｏＯ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＯＣ膜、ＭｏＣＮ膜、ＭｏＢＮ膜、ＭｏＢＣＮ膜、ＷＮ膜、ＷＯ膜、ＷＯＮ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＯＣ膜、ＷＣＮ膜、ＷＢＮ膜、ＷＢＣＮ膜等を形成する場合にも、好適に適用可能である。またこれらの他、これらのいずれかに他の元素をドープ（添加）した膜、例えば、ＴｉＡｌＮ膜、ＴａＡｌＮ膜、ＴｉＡｌＣ膜、ＴａＡｌＣ膜、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＳｉＣ膜等を形成する場合にも、好適に適用可能である。
【００６０】
金属系膜を形成する場合、原料ガスとして、例えば、チタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ４）ガス、チタニウムテトラフルオライド（ＴｉＦ４）ガス、ジルコニウムテトラクロライド（ＺｒＣｌ４）ガス、ジルコニウムテトラフルオライド（ＺｒＦ４）ガス、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ４）ガス、ハフニウムテトラフルオライド（ＨｆＦ４）ガス、タンタルペンタクロライド（ＴａＣｌ５）ガス、タンタルペンタフルオライド（ＴａＦ５）ガス、ニオビウムペンタクロライド（ＮｂＣｌ５）ガス、ニオビウムペンタフルオライド（ＮｂＦ５）ガス、アルミニウムトリクロライド（ＡｌＣｌ３）ガス、アルミニウムトリフルオライド（ＡｌＦ３）ガス、モリブデンペンタクロライド（ＭｏＣｌ５）ガス、モリブデンペンタフルオライド（ＭｏＦ５）ガス、タングステンヘキサクロライド（ＷＣｌ６）ガス、タングステンヘキサフルオライド（ＷＦ６）ガス等の金属元素およびハロゲン元素を含む無機金属原料ガスを用いることができる。また、原料ガスとして、例えば、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３）３、略称：ＴＭＡ）ガス等の金属元素および炭素を含む有機金属原料ガスを用いることもできる。反応ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。
【００６１】
すなわち、本発明は、半導体元素や金属元素等の所定元素を含む膜を形成する場合に好適に適用することができる。
【００６２】
また、上述の実施形態では、ウエハ２上に膜を堆積させる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハ２やウエハ２上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
【００６３】
また、実施例ではバッチ処理の縦型基板処理装置について説明したが、それに限定されるものではなく、枚葉処理の基板処理装置に適用することができる。
【００６４】
また、本発明は、本実施例に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）製造装置にも適用することができる。
【００６５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
（付記１）
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、前記処理室内に原料ガスを供給するガス配管を有するガス供給系と、前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する排気配管を有する排気系と、前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する加熱部(ジャケットヒータ)を備え、
前記加熱部は、前記配管の外壁を加熱する加熱帯と、前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有し、該空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えるように構成される囲い部と、
を備える基板処理装置が提供される。
（付記２）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
更に、前記ガスを前記囲い部内に給排するための給排部と前記給排部を開閉する開閉部と、を有し、前記給排部の一方に設けられる前記開閉部を閉じ、前記給排部の他方に設けられる前記開閉部を開き、前記囲い部に所定媒体を供給するよう構成されている。
（付記３）
付記２の基板処理装置であって、好ましくは、
前記空間に流体を供給することにより、前記加熱帯を前記配管に押し当てる方向に所定圧力以上を加えた状態で、前記加熱部は前記配管を加熱するよう構成されている。
（付記４）
付記３の基板処理装置であって、好ましくは、
前記加熱部の加熱を停止し、前記給排部をそれぞれ開き、前記所定圧力を開放した状態で、前記空間内の前記流体を給排するよう構成されている。
（付記５）
付記３または付記４の基板処理装置であって、好ましくは、
前記加熱部は、基板処理時の前記配管の温度、メンテナンス時の前記配管の温度のそれぞれを調整するように構成されている。
（付記６）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記囲い部の部材は、フッ素樹脂シートで構成される。
（付記７）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記加熱部が、Ｃ字形状で設けられる。
（付記８）
付記２の基板処理装置であって、好ましくは、
前記流体は、大気(Ａｉｒ）である。
（付記９）
付記２の前記基板処理装置であって、好ましくは、
前記流体は、Ｎ２，Ｈｅ,Ｎｅ,Ａｒ,Ｃｒ,Ｘｅよりなる群から選択されるいずれか一つのガスである。
（付記１０）
付記２の前記基板処理装置であって、好ましくは、
前記囲い部の外側の材質は、前記囲い部の内側の材質(加熱帯に接する部分の材質)より固い材質であり、前記が供給されると、前記囲い部は、前記配管側へ膨らむように構成されている。
（付記１１）
付記１の前記基板処理装置であって、好ましくは、
更に、前記配管に前記加熱帯を固定させるために前記囲い部に設けられる固定部を設け、前記固定部は、断熱部材で構成されるベルト(例えば、スナップボタンを使用したベルト、角管ベルト、Ｄ管ベルト)、または、マジックテープ等から選択される一つである。
【００６６】
（付記１２）
本発明の他の態様によれば、
配管の外壁を加熱する加熱帯と、前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有する囲い部とを備えた加熱部による配管の温度制御方法であって、
前記空間にガスを供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管の外壁を第１の温度に加熱する工程と、
前記第１の温度から前記第１の温度よりも低い第２の温度になるまで、前記空間内のガスを給排する工程と、
を有する
配管の温度制御方法が提供される。
【００６７】
（付記１３）
本発明の他の態様によれば、
配管の外壁を加熱する加熱帯と、
前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有し、該空間に媒体を供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えるように構成される囲い部と、
を有する
加熱部が提供される。
【００６８】
（付記１４）
本発明の他の態様によれば、
配管の外壁を加熱する加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有し、該空間に媒体を供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加える
部材が提供される。
【００６９】
（付記１５）
本発明の他の態様によれば、
ガス配管を介して前記処理室内に原料ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
排気配管を介して前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する手順と、
前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する加熱帯と、前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有する加熱部で加熱する手順と、をコンピュータに実行させるプログラムまたは該プログラムが格納されたコンピュータ読取可能な記録媒体が提供される。
（付記１６）
付記１５のプログラムまたは該プログラムが格納されたコンピュータ読取可能な記録媒体であって、好ましくは、
前記空間にガスを供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管を第１の温度に加熱する手順と、
前記第１の温度から前記第１の温度よりも低い第２の温度になるまで、前記空間内のガスを給排する手順と、
を有する。
【００７０】
（付記１７）
本発明の他の態様によれば、
配管を加熱する加熱帯と、前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有する囲い部とを備えた加熱部による配管の温度をコンピュータに制御させるプログラムまたは該プログラムが格納されたコンピュータ読取可能な記録媒体であって、
前記空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管を第１の温度に加熱する手順と、
前記第１の温度から前記第１の温度よりも低い第２の温度になるまで、前記空間内のガスを給排する手順と、
を有するプログラムまたは該プログラムが格納された記録媒体が提供される。
【００７１】
（付記１８）
本発明の他の態様によれば、
ガス配管を介して処理室内に原料ガスを供給して基板を処理する工程と、
排気配管を介して前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する工程と、
配管を加熱する加熱帯と、前記加熱帯の外周を囲い、内部に空間を有する囲い部と、を備えた加熱部で、前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する工程と、
を有し、
前記加熱する工程は、
前記空間にガスを供給することで前記加熱帯に対し、前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管を第１の温度にする工程と、
前記第１の温度から前記第１の温度よりも低い第２の温度になるまで、前記空間内のガスを給排する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００７２】
（付記１９）
本発明の他の態様によれば、
ガス配管を介して処理室内に原料ガスを供給して基板を処理する工程と、
排気配管を介して前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する工程と、
前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する工程であって、
加熱部の加熱帯の外周を囲う囲い部の内部の空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管の外壁を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００７３】
（付記２０）
本発明の他の態様によれば、
ガス配管を介して処理室内に原料ガスを供給して基板を処理する工程と、
排気配管を介して前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する工程と、
前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する工程であって、
加熱部の加熱帯の外周を囲う囲い部の内部の空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管の外壁を加熱する工程と、
を有する配管の加熱方法が提供される。
【００７４】
（付記２１）
本発明の他の態様によれば、
ガス配管を介して処理室内に原料ガスを供給して基板を処理する手順と、
排気配管を介して前記処理室から前記原料ガスを含むガスを排出する手順と、
前記ガス配管及び前記排気配管のうち少なくともどちらか一方の配管の外壁を加熱する手順であって、
加熱部の加熱帯の外周を囲う囲い部の内部の空間に流体を供給することで前記加熱帯に対し前記配管の方向に圧力を加えた状態で、前記加熱帯により前記配管の外壁を加熱する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムまたは該プログラムが格納されたコンピュータ読取可能な記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【００７５】
１…基板処理装置
４…ガス供給器
５…ガス供給器
６…ガス配管
１０…ガス配管
１１…ガス配管
２０…排気配管用ヒータ
２２…ガス配管用ヒータ
２４…ガス配管用ヒータ
３２…流量制御器
３３…流量制御器
３４…バルブ
３５…バルブ
３６…バルブ
３９…バルブ
４０…ガス配管
４１…流量制御器
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０３…反応管
２０７…ヒータ
２１７…ボート
２３１…ガス排気管
２３３…ノズル
２３４…ノズル
２４３…圧力制御器（ＡＰＣバルブ）
２４６…真空ポンプ
３００…配管
３１０…ヒータ
３１１…加熱帯
３１２…囲い部
３１３…割り位置
３１４…ベルト
３１５…空間
３１６…接続口
３１７…接続口
３１８…逆止弁
３１９…逆止弁（又は切換え弁）
３２１…コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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