(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールを有するプリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されている半導体チップとを備えるパッケージ基板における前記プリント配線板の絶縁層作製用の熱硬化性樹脂組成物であり、
熱硬化性樹脂成分と、平均粒径０．２μｍ以上であり３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランで処理されているシリカと、コアシェルゴムとを含有する熱硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
前記シリカが前記熱硬化性樹脂成分に対して５０〜３００質量％の範囲内である請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂成分に対して前記コアシェルゴムの量は２０〜８０質量％の範囲内である請求項１又は２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
スルーホールを有するプリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されている半導体チップとを備えるパッケージ基板における前記プリント配線板作製用の金属張積層板であり、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層と、金属箔とを備える金属張積層板。
【請求項５】
スルーホールを有するプリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されている半導体チップとを備えるパッケージ基板における前記プリント配線板の絶縁層作製用の絶縁シートであり、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層からなる絶縁シート。
【請求項６】
スルーホールを有するプリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されている半導体チップとを備えるパッケージ基板作製用の前記プリント配線板であり、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層と、導体配線とを備えるプリント配線板。
【請求項７】
請求項６に記載のプリント配線板を製造する方法であり、
請求項４に記載の金属張積層板における絶縁層を貫通する孔を形成し、前記孔の内壁にデスミア処理を施すことを含むプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載のプリント配線板を製造する方法であり、
請求項５に記載の絶縁シートにおける絶縁層を貫通する孔を形成し、前記孔の内壁にデスミア処理を施すことを含むプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載され又は請求項７若しくは８に記載の方法で製造されたプリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されている半導体チップとを備えるパッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱硬化性樹脂組成物、金属張積層板、絶縁シート、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及びパッケージ基板に関し、詳しくはシリカを含有する熱硬化性樹脂組成物、前記熱硬化性樹脂組成物から形成された絶縁層を備える金属張積層板、前記熱硬化性樹脂組成物から形成された絶縁層を備える絶縁シート、前記熱硬化性樹脂組成物から形成された絶縁層を備えるプリント配線板、前記プリント配線板の製造方法、及び前記プリント配線板を備えるパッケージ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板とこれに実装されている半導体チップとを備えるパッケージ基板には、反りが生じやすい。これは、半導体チップの熱線膨張係数（ＣＴＥ：ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が、通常のプリント配線板に比べて小さいためである。そこで、パッケージ基板の反り抑制のために、プリント配線板における絶縁層を、シリカを含有する熱硬化性樹脂組成物から作製することが行われている（特許文献１参照）。これにより、絶縁層の弾性率を高くして反りを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５０５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、シリカを含有する絶縁層を備えるプリント配線板にスルーホールのための孔を形成すると、この孔にデスミア処理を施す場合に孔の内壁が過剰に侵されやすいという問題がある。孔の内壁が過度に侵されると、スルーホールの形成不良が発生しやすくなり、スルーホールの径がばらついたり、導体配線のファイン化が困難となったりする。
【０００５】
本発明は上記事由に鑑みてなされたものであり、シリカを含有するにもかかわらず、デスミア処理に対する耐性の高い硬化物に形成できる熱硬化性樹脂組成物、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を備える金属張積層板、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層からなる絶縁シート、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を備えるプリント配線板、並びに前記金属張積層板を用いるプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分と、平均粒径０．２μｍ以上でありイソシアネートで処理されているシリカとを含有する。
【０００７】
本発明に係る金属張積層板は、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層と、金属箔とを備える。
【０００８】
本発明に係る絶縁シートは、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層からなる。
【０００９】
本発明に係るプリント配線板は、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層と、導体配線とを備える。
【００１０】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、前記金属張積層板における絶縁層を貫通する孔を形成し、前記孔の内壁にデスミア処理を施すことを含む。
【００１１】
本発明に係るプリント配線板の別の製造方法は、前記絶縁シートにおける絶縁層を貫通する孔を形成し、前記孔の内壁にデスミア処理を施すことを含む。
【００１２】
本発明に係るパッケージ基板は、前記プリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されている半導体チップとを備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、シリカを含有するにもかかわらずデスミア処理に対する耐性の高い硬化物に形成できる熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。
【００１４】
また、本発明によれば、シリカを含有するにもかかわらずデスミア処理に対する耐性の高い絶縁層を備える金属張積層板、絶縁シート、プリント配線板及びパッケージ基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態におけるパッケージ基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分と、シリカとを含有する。シリカの平均粒径は０．２μｍ以上であり、シリカはイソシアネートで処理されている。
【００１７】
本実施形態では、熱硬化性樹脂組成物がシリカを含有するため、熱硬化性樹脂組成物の硬化物は高い弾性率を有することができ、この硬化物を含む絶縁層も高い弾性率を有することができる。なお、熱硬化性樹脂組成物の硬化物とは、熱硬化性樹脂組成物が溶剤を含有する場合は熱硬化性樹脂組成物中の溶剤を除く成分の硬化物のことである。このため、このような絶縁層を備えるプリント配線板に半導体チップを実装することで得られるパッケージ基板には、半導体チップとプリント配線板との間の熱線膨張係数（以下、ＣＴＥともいう）の差による反りが生じにくい。
【００１８】
また、シリカがイソシアネートで処理されていることで、硬化物を含む絶縁層に孔を形成してからこの孔の内壁にデスミア処理を施しても、孔の内壁が過度に侵されにくくなる。すなわち、絶縁層の耐デスミア処理性が高くなる。これは、イソシアネートで処理されていることで、シリカの粒子が孔の内壁から脱落しにくいためと考えられる。このため、絶縁層を備えるプリント配線板におけるスルーホールの形成不良を抑制できる。
【００１９】
シリカの平均粒径は上記の通り０．２μｍ以上である必要がある。この平均粒径が０．２μｍ未満であると、デスミア処理時に孔の内壁からシリカの粒子が脱落しやすくなって孔の内壁が過度に侵されやすくなってしまうと共に、熱硬化性樹脂組成物の流動性が悪化して絶縁層にボイドが生じるおそれがある。
【００２０】
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物の組成について更に詳しく説明する。
【００２１】
熱硬化性樹脂組成物中の熱硬化性成分は、熱によって硬化する成分のことである。熱硬化性成分は、例えば熱硬化性樹脂及び硬化剤を含有する。
【００２２】
熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、シアネートエステル樹脂、イソシアネート樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、及びオキセタン樹脂からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂は、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラル型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル類、３官能又は４官能のグリシジルアミン類、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂；ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格変性エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂；並びにこれらの樹脂をハロゲン化した難燃化エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。
【００２３】
硬化剤は、例えば、ジシアンジアミド及び多官能フェノール系化合物からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。この場合、熱硬化性樹脂組成物から形成される絶縁層に、良好な電気的特性、強靭性、可撓性及び接着性を付与できると共に、この絶縁層が加熱された場合に絶縁層内の応力が緩和されやすくなる。また、硬化剤がフェノールノボラックを含有すると、絶縁層のガラス転移点の低下を抑制しながら、良好な耐デスミア処理性を得ることができる。絶縁層のガラス転移点の低下を抑制できると、加熱時の絶縁層の弾性率の低下が抑制されることで、金属張積層板、プリント配線板及びパッケージ基板の反りが特に抑制される。熱硬化性樹脂組成物中で、硬化剤は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して４〜７０質量部の範囲内であることが好ましい。
【００２４】
熱硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤は、例えば、イミダゾール化合物、アミン系化合物、チオール化合物、及び金属石鹸等の有機酸金属塩からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有できる。
【００２５】
熱硬化性樹脂組成物中のシリカについて説明する。シリカの平均粒径は上記の通り０．２μｍ以上である。尚、平均粒径は、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布から算出される積算値５０％での粒径（いわゆるメディアン径）である。シリカの平均粒径の上限は特に規定されないが、１０μｍ以下であれば、スルーホールの内面を平滑化できる。
【００２６】
シリカは上記の通りイソシアネートで処理されている。イソシアネートは、例えば３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランを含むことができる。シリカをイソシアネートで処理する方法としては、例えばイソシアネートを含有する溶液にシリカを浸漬させる方法が挙げられる。
【００２７】
シリカは、熱硬化性樹脂成分に対して５０〜３００質量％の範囲内であることが好ましい。この場合、熱硬化性樹脂組成物の良好な成形性が確保しながら、絶縁層の弾性率、並びに絶縁層からなる絶縁シートの弾性率を適切に調整して、パッケージ基板の反りを効果的に抑制することができる。
【００２８】
熱硬化性樹脂組成物は、シリカ以外の無機充填材を更に含有してもよい。シリカ以外の無機充填材として、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、タルク、クレー及びマイカが挙げられる。
【００２９】
熱硬化性樹脂組成物は、コアシェルゴムを含有することが好ましい。この場合、硬化物のＣＴＥを低減でき、硬化物を含む絶縁層のＣＴＥも低減できる。このため、パッケージ基板に、半導体チップとプリント配線板との間のＣＴＥの差による反りが更に生じにくくなる。更に、熱硬化性樹脂組成物がコアシェルゴムを含有すると、絶縁層が加熱された場合に絶縁層と金属箔又は導体配線との密着性が低下しにくく、例えば絶縁層が１５０℃に加熱されても絶縁層と金属箔又は導体配線との間の良好な密着性が維持される。
【００３０】
コアシェルゴムは、コア部分と、コア部分を覆うシェル部分とを備えるゴム粒子である。コア部分は、例えばシリコン樹脂、アクリル樹脂、ブタジエン系ゴム及びイソプレン系ゴムからなる群から選択される一種以上の材料からなる。シェル部分は、例えばＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などのポリメタクリレート樹脂とポリスチレンとのうち少なくとも一方の材料からなる。
【００３１】
コアシェルゴムは、熱硬化性樹脂成分に対して２０〜８０質量％の範囲内であることが好ましい。コアシェルゴムが熱硬化性樹脂成分に対して２０質量％以上であると絶縁層のＣＴＥが特に低減する。またコアシェルゴムが熱硬化性樹脂成分に対して８０質量％以下であると熱硬化性樹脂組成物の良好な成形性が確保できる。
【００３２】
熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じ、熱可塑性樹脂、難燃剤、着色剤、カップリング剤等を含有してもよい。
【００３３】
熱硬化性樹脂組成物は、溶剤を含有してもよい。溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、ジメチルホルムアミド、ベンゼン、及びトルエンからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有できる。
【００３４】
熱硬化性樹脂組成物を構成する成分を配合し、これらの成分を攪拌して混合することで、熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。
【００３５】
熱硬化性樹脂組成物を用いて、基材と樹脂層とを備えるプリプレグを得ることができる。樹脂層は、基材に含浸している熱硬化性樹脂組成物の半硬化物である。熱硬化性樹脂組成物を基材に含浸させてから熱硬化性樹脂組成物を例えば１１０〜１４０℃の範囲内の温度で加熱することで、溶剤を揮発させると共に半硬化させることにより、プリプレグを得ることができる。基材は、例えばガラス繊維又は有機繊維からなる織布又は不織布である。プリプレグのレジンコンテント、すなわちプリプレグ中の熱硬化性樹脂組成物の半硬化物（樹脂層）の割合は、例えばプリプレグ全体に対して３０〜８０質量％の範囲内である。
【００３６】
このプリプレグを用いて、熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を備える金属張積層板、絶縁シート及びプリント配線板を得ることができる。
【００３７】
金属張積層板は、例えば絶縁層と、絶縁層の厚み方向の片面（以下、第一面という）上にある金属箔とを備える。金属張積層板は、更に絶縁層の第一面とは反対側にある面（以下、第二面という）の上にある金属箔を備えてもよい。絶縁層は、プリプレグの硬化物を含む。各金属箔は、例えば銅箔、銀箔、アルミニウム箔又はステンレス箔である。各金属箔の厚みは例えば３〜１０５μｍの範囲内であり、好ましくは１２〜３５μｍの範囲内である。
【００３８】
一枚のプリプレグ、又は複数のプリプレグの積層物に金属箔を重ね、これらを加熱プレスすることで、金属張積層板を製造できる。この場合、一枚のプリプレグが硬化し、或いは積層物が硬化することで、絶縁層が形成される。加熱プレスの条件は、例えば加熱温度１４０〜２００℃の範囲内、プレス圧０．５〜５．０ＭＰａの範囲内、処理時間４０〜２４０分の範囲内である。
【００３９】
絶縁シートは、絶縁層のみからなる部材である。例えば一枚のプリプレグ、又は複数のプリプレグの積層物を加熱プレスすることで、絶縁シートを製造できる。この場合、一枚のプリプレグが硬化し、或いは積層物が硬化することで、絶縁層が形成される。加熱プレスの条件は、例えば加熱温度１４０〜２００℃の範囲内、プレス圧０．５〜５．０ＭＰａの範囲内、処理時間４０〜２４０分の範囲内である。
【００４０】
なお、熱硬化性樹脂組成物をシート状に成形し、これを必要に応じて乾燥させてから加熱して硬化させることで、絶縁シートを得てもよい。
【００４１】
プリント配線板は、例えば絶縁層と、絶縁層の第一面上にある導体配線とを備える。本実施形態では、プリント配線板は絶縁層の第二面上にも導体配線を備える。更に、本実施形態では、プリント配線板はスルーホールを備える。
【００４２】
プリント配線板は、例えば金属張積層板を材料にして製造される。この場合、プリント配線板の製造時には、例えばまずドリル加工、レーザ加工等の適宜の方法で、金属張積層板に絶縁層及び金属箔を貫通する孔を形成する。本実施形態では、絶縁層が加熱されても絶縁層と金属箔との間の密着性が低下しにくいため、レーザ加工により孔を形成しても、金属張積層板における金属箔の剥離が生じにくい。
【００４３】
孔の内壁にはデスミア処理を施す。デスミア処理は、過マンガン酸塩等を含有する公知のデスミア液を用いて、公知の方法で行うことができる。続いて、金属箔にサブトラクティブ法による処理を施すことで、導体配線を形成する。孔の内壁上にはホールめっきを形成することで、スルーホールを形成する。これにより、絶縁層、導体配線及びスルーホールを備えるプリント配線板が得られる。
【００４４】
プリント配線板は、絶縁シートを材料にして製造されてもよい。この場合、プリント配線板の製造時には、例えばまずドリル加工、レーザ加工等の適宜の方法で、絶縁シート（すなわち絶縁層）を貫通する孔を形成する。孔の内壁にはデスミア処理を施す。デスミア処理は、過マンガン酸塩等を含有する公知のデスミア液を用いて、公知の方法で行うことができる。続いて、絶縁シートにアディティブ法による処理を施すことで、導体配線を形成すると共に孔の内壁上にホールめっきを形成してスルーホールを形成する。これにより、絶縁層、導体配線及びスルーホールを備えるプリント配線板が得られる。
【００４５】
このようにプリント配線板を製造すると、本実施形態では絶縁層が熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含むため、孔の内壁にデスミア処理を施しても、孔の内壁は過度に侵されにくい。このため、本実施形態では、スルーホールの形成不良が発生しにくい。
【００４６】
なお、プリント配線板は、複数の絶縁層を備える多層プリント配線板であってもよい。この場合、複数の絶縁層のうち少なくとも一つが、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含んでいればよい。複数の絶縁層の全てが本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含んでいれば特に好ましい。多層プリント配線板は、例えば絶縁層と導体配線とを備えるコア材をビルドアップ法などにより多層化することで得られる。
【００４７】
プリント配線板を用いて、パッケージ基板を得ることができる。パッケージ基板の一例を図１に示す。このパッケージ基板は、プリント配線板１と、プリント配線板１上に実装されている半導体チップ２とを備える。プリント配線板１は、絶縁層３と、絶縁層３の第一面４１上にある導体配線５１（以下、第一導体配線５１という）と、絶縁層３の第二面４２上にある導体配線５２（以下、第二導体配線５２という）とを備える。更にプリント配線板１は、第一導体配線５１と第二導体配線５２とを電気的に接続するスルーホール６を備える。半導体チップ２はバンプ７を備える。半導体チップ２は第一面４１と対向するようにしてプリント配線板１にフェイスダウンで実装され、半導体チップ２のバンプ７は第一導体配線５１に電気的に接続している。本実施形態では、プリント配線板１における絶縁層３が熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含むと共に熱硬化性樹脂組成物がシリカを含有することから、絶縁層３の弾性率が高い。このため、パッケージ基板には半導体チップ２とプリント配線板１との間のＣＴＥの差による反りは生じにくい。また、熱硬化性樹脂組成物がコアシェルゴムを含有すると、絶縁層３のＣＴＥの低減が可能である。これにより絶縁層３と半導体チップ２とのＣＴＥの差を小さくして、半導体チップ２とプリント配線板１との間のＣＴＥの差による反りを更に低減できる。
【００４８】
金属張積層板における絶縁層の弾性率、並びに絶縁層からなる絶縁シートの弾性率は、２０〜５０ＧＰａの範囲内であることが好ましい。この場合、パッケージ基板の反りが効果的に抑制される。このような絶縁層の弾性率は、例えば本実施形態の範囲内において熱硬化性樹脂組成物中のシリカの含有量を調整することで達成できる。
【００４９】
金属張積層板における絶縁層並びに絶縁層からなる絶縁シートの、厚み方向と直交する方向の熱線膨張係数は、１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。この場合、パッケージ基板の反りが更に抑制される。このような絶縁層の熱線膨張係数は、例えば本実施形態の範囲内において熱硬化性樹脂組成物中のコアシェルゴムの含有量を調整することで達成できる。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００５１】
［熱硬化性樹脂組成物］
各実施例及び比較例において、後掲の表に示す成分を配合して、溶剤（メチルエチルケトン）で希釈し、これを撹拌、混合して均一化することにより熱硬化性樹脂組成物を調製した。なお、表に示す成分の詳細は次の通りである。
・エポキシ樹脂１：４官能型ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、品番ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７１０）。
・硬化剤：フェノールノボラック（ＤＩＣ株式会社製、品番ＴＤ−２０９０）。
・硬化促進剤：２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）
・コアシェルゴム：シリコーン・アクリル複合ゴム（三菱レイヨン株式会社製、品番ＳＲＫ２００Ａ）。
・アクリル：ナガセケムテック株式会社製、品番ＳＧ−８０Ｈ。
・シリカ１：イソシアネートによる表面処理が施された処理品、平均粒径０．１μｍ、株式会社アドマテックス製。
・シリカ２：イソシアネートによる表面処理が施された処理品、平均粒径０．２μｍ、株式会社アドマテックス製。
・シリカ３：イソシアネートによる表面処理が施された処理品、平均粒径２μｍ、株式会社アドマテックス製、品番ＳＣ−６１０Ｇ−ＧＮＤ。
・シリカ４：イソシアネートによる表面処理が施された処理品、平均粒径１２μｍ、株式会社アドマテックス製。
・シリカ５：エポキシ化合物による表面処理が施された処理品、平均粒径２μｍ、株式会社アドマテックス製。
・シリカ６：アミノ化合物による表面処理が施された処理品、平均粒径２μｍ、株式会社アドマテックス製。
・シリカ７：ビニル化合物による表面処理が施された処理品、平均粒径２μｍ、株式会社アドマテックス製。
【００５２】
熱硬化性樹脂組成物をＳガラス繊維織布に含浸させてから、１６０℃で３００秒間加熱することで、厚み１００μｍ、レジンコンテント４５質量％のプリプレグを得た。
【００５３】
このプリプレグを２枚重ねて得られた積層物を厚み１２μｍの二枚の銅箔で挟み、これらを加熱温度２００℃、プレス圧３０ＭＰａ、処理時間１２０分間の条件で加熱プレスした。これにより、金属張積層板を得た。
【００５４】
［評価試験］
各実施例及び比較例で得られた金属張積層板について、次の評価試験を実施した。
【００５５】
（１）耐デスミア性
金属張積層板から銅箔をエッチングして除去することで、絶縁層からなるアンクラッド材を得た。アンクラッド材から長さ１００ｍｍ、幅１００ｍｍのサンプルを切り出し、このサンプルをデスミア処理し、デスミア処理によって生じたサンプルの重量減少量を測定した。デスミア処理はローム＆ハース社のＦＲ−４用標準条件にて実施した。
【００５６】
（２）熱時密着評価
金属張積層板に銅箔の１５０℃での密着強度を、ＩＰＣ  ＴＭ６５０  ２．８．３に基づいて測定した。
【００５７】
（３）ＣＴＥ測定
金属張積層板から銅箔をエッチングして除去することで、絶縁層からなるアンクラッド材を得た。このアンクラッド材の、５０〜２５０℃の温度範囲における厚み方向と直交する方向のＣＴＥを測定した。測定は、ＩＰＣ  ＴＭ６５０  ２．４．４１に基づき、ＴＭＡ法（Thermal mechanical analysis method）で行った。
【００５８】
（４）弾性率
金属張積層板から銅箔をエッチングして除去することで、絶縁層からなるアンクラッド材を得た。アンクラッド材から長さ１００ｍｍ、幅２５ｍｍのサンプルを切り出し、このサンプルの２５０℃での弾性率（曲げ弾性率）をＪＩＳ  Ｃ６４８１に準拠して測定した。
【００５９】
（５）成形性
金属張積層板を切断してその断面をＳＥＭにより観察することで、絶縁層におけるボイド及びかすれの有無を確認した。その結果、ボイド及びかすれが認められない場合を「Ａ｝、ボイド及びかすれの少なくとも一方が認められた場合を「Ｂ」と評価した。
【００６０】
（６）ビア形状
金属張積層板に、レーザー加工により１３Ｗ、１０マイクロ秒、５サイクルの条件で孔を形成した。続いて、金属張積層板を孔を両断するように切断してから、孔の内壁を観察し、内壁における異常な凹凸の有無を確認した。その結果、異常な凹凸が認められない場合を「Ａ」、異常な凹凸が認められる場合を「Ｂ」と評価した。
【００６１】
【表１】
0006624545.tif 000002
【符号の説明】
【００６２】
１    プリント配線板
２    半導体チップ
３    絶縁層
５１  導体配線
５２  導体配線
６    スルーホール
【図１】
0006624545.tif 000003