(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されるシクロデキストリン誘導体。
【化１】
0006561728.tif 000022
…（１）
（式（１）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数、Ｒ１は水素原子もしくはメチル基、Ｒ２は炭素原子数１〜４の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１〜６の炭化水素基を示す。）
【請求項２】
請求項１に記載のシクロデキストリン誘導体であって、
式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体。
【化２】
0006561728.tif 000023
…（２）
（式（２）中、ｙは５〜７の整数、Ｒ１は水素原子もしくはメチル基、Ｒ２は炭素原子数１〜４の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１〜６の炭化水素基を示す。）
【請求項３】
式（３）で表される化合物と式（４）で表される化合物とをアミド化することにより請求項１又は２に記載のシクロデキストリン誘導体を生成する
シクロデキストリン誘導体の製造方法。
【化３】
0006561728.tif 000024
…（３）
（式（３）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数を示す。）
【化４】
0006561728.tif 000025
…（４）
（式（４）中、Ｒ１は水素原子もしくはメチル基、Ｒ２は炭素原子数１〜４の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１〜６の炭化水素基を示す。）
【請求項４】
請求項３に記載のシクロデキストリン誘導体の製造方法であって、
式（５）で表される化合物にベンジルアミンを用いてベンジルアミノ化することにより式（６）で表される化合物を生成する（Ａ）工程と、
前記（Ａ）工程で得られた前記式（６）で表される化合物を還元することにより前記式（３）で表される化合物を生成する（Ｂ）工程と
を含むシクロデキストリン誘導体の製造方法。
【化５】
0006561728.tif 000026
…（５）
（式（５）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数を示す。）
【化６】
0006561728.tif 000027
…（６）
（式（６）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数を示す。）
【請求項５】
請求項１又は２に記載のシクロデキストリン誘導体を重合させることにより得られる
シクロデキストリン誘導体の重合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シクロデキストリン誘導体及びその製造方法、並びにシクロデキストリン誘導体の重合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学工場、石油精製工場、製鉄所など、多くの工場で環境汚染物質を含んだ排水が発生する。これらの汚染水を、海、河川ならびに大気中に放出することは規制されており、排出前に無害化する必要がある。
【０００３】
例えば、環境汚染物質の一つとしてフェノール類があるが、水道法や水質汚濁防止法などで厳しく規制されている。フェノール類は、有機合成化学工業における基礎物質であり、フェノール樹脂、ピクリン酸、染料、農薬等の原料として重要となっている。また、分析用試薬、防腐剤、医薬品等にも使用されており、汚染源としてはこれらを扱う事業場、研究施設、病院等からの排水がある。そのため、これらの排水からフェノール化合物を分離・除去することは、極めて重要な課題となっている。
【０００４】
このような問題点を解決する方法として、シクロデキストリンを利用する方法が提案されている。シクロデキストリンは、α−Ｄ−グルコース単位から構成される環状化合物である。シクロデキストリンは、直径数Åという分子サイズの小さな単分散環状オリゴマーであり、疎水性物質を分子内に取り込み包接化合物を形成することがよく知られている。
【０００５】
シクロデキストリンを利用したフェノール化合物の除去方法としては、例えば、特許文献１，２に、シクロデキストリンをジイソシアネートで架橋して得られるポリマーによるフェノール化合物の除去方法が開示されている。また、特許文献３には、光架橋基を有するシクロデキストリンによるフェノール化合物の除去が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１２５１９３号公報
【特許文献２】特開２００６−８３３７９号公報
【特許文献３】特開２００７−４６０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述のようなシクロデキストリンによるフェノール化合物の除去方法は除去率が低く、フェノール化合物を十分に分離・除去できたとは言えない。
【０００８】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、フェノール化合物を良好に除去可能な重合体及びその周辺技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、シクロデキストリンに重合性官能基を付与して得られるモノマーをラジカル重合によりポリマー化することで、効率よくフェノール化合物を包接するとの知見を得て、本発明を完成するに至った。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るシクロデキストリン誘導体は、式（１）に示す構造を有する。
【００１１】
【化１】
0006561728.tif 000002
…（１）
（式（１）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数、Ｒ１は水素原子もしくはメチル基、Ｒ２は炭素原子数１〜４の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１〜６の炭化水素基を示す。）
【００１２】
また、上記シクロデキストリン誘導体は、式（２）に示す構造を有していてもよい。
【００１３】
【化２】
0006561728.tif 000003
…（２）
（式（２）中、ｙは５〜７の整数、Ｒ１は水素原子もしくはメチル基、Ｒ２は炭素原子数１〜４の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１〜６の炭化水素基を示す。）
【００１４】
本発明の一形態に係るシクロデキストリン誘導体の製造方法は、式（３）で表される化合物と式（４）で表される化合物とをアミド化することにより、上記シクロデキストリン誘導体を生成する工程を含む。
【００１５】
【化３】
0006561728.tif 000004
…（３）
（式（３）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数を示す。）
【００１６】
【化４】
0006561728.tif 000005
…（４）
（式（４）中、Ｒ１は水素原子もしくはメチル基、Ｒ２は炭素原子数１〜４の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１〜６の炭化水素基を示す。）
【００１７】
この構成によれば、上記シクロデキストリン誘導体を効率良く得ることができる。
【００１８】
また、本発明の一形態に係るシクロデキストリン誘導体の製造方法は、（Ａ）工程と（Ｂ）工程とを含む。
上記（Ａ）工程では、式（５）で表される化合物にベンジルアミンを用いてベンジルアミノ化することにより式（６）で表される化合物を生成する。
上記（Ｂ）工程では、上記（Ａ）工程で得られた上記式（６）で表される化合物を還元することにより上記式（３）で表される化合物を生成する。
【００１９】
【化５】
0006561728.tif 000006
…（５）
（式（５）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数を示す。）
【００２０】
【化６】
0006561728.tif 000007
…（６）
（式（６）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数を示す。）
【００２１】
【化７】
0006561728.tif 000008
…（３）
（式（３）中、ｘは１〜３の整数、ｋは６〜８の整数を示す。）
【００２２】
この構成によれば、上記シクロデキストリン誘導体の中間体である式（３）で表される化合物を効率良く得ることができる。
【００２３】
本発明の一形態に係るシクロデキストリン誘導体の重合体は、式（１）又は式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体を重合させることにより得られる。
【００２４】
この構成によれば、得られた重合体により、低濃度のフェノール化合物含有水溶液からフェノールを効率良く除去することができる。
【発明の効果】
【００２５】
フェノール化合物を良好に除去可能な重合体及びその周辺技術を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［シクロデキストリン誘導体］
本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体は、式（１）又は式（２）で表される化合物である。
【００２７】
【化８】
0006561728.tif 000009
…（１）
【００２８】
【化９】
0006561728.tif 000010
…（２）
【００２９】
式（１）中のｘの値は、本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体中の置換基を有するグルコース単位の数を表しており、すなわち当該置換基の数を表す。
【００３０】
ｘの値は、１〜３の整数である。また、ｘの値は、１又は２であることが好ましく、１であることが更に好ましい。一方、ｘの値が３よりも多くなると、重合して得られたポリマー水溶液の粘度が高くなるため取扱いが困難となるか、あるいは水に不溶のポリマーとなるおそれがある。
【００３１】
式（１）中のｋ−ｘの値は、本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体中の置換基を持たないグルコース単位の数を表す。式（１）中のｋの値は、６〜８の整数である。
【００３２】
ここで、ｘの値が１であるときは、本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体は式（２）に示す構造となる。式（２）中のｙの値は、５〜７の整数である。
【００３３】
式（１）、（２）中のＲ１は、水素原子もしくはメチル基を表す。また、式（１）、（２）中のＲ２は、炭素原子数１〜４の炭化水素基を表す。炭素原子数１〜４の炭化水素基としては、具体的に、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基があげられる。
【００３４】
式（１）、（２）中のＲ３は、炭素原子数１〜６の炭化水素基を表す。炭素原子数１〜６の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、フェニレン基などがあげられる。
【００３５】
式（１）、（２）中のＲ３は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。さらに、式（１）、（２）中のＲ３は、炭素原子数が３〜６の場合には、環状炭化水素基であってもよい。
【００３６】
式（１）で表される化合物としては、例えば、６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）シクロデキストリン、６−デオキシ−６−（２-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸アミド）シクロデキストリン、６−デオキシ−６−（２-メタクリロイルオキシエチルフタル酸アミド）シクロデキストリン、６−デオキシ−６−（２−アクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）シクロデキストリン、６−デオキシ−６−（２−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸アミド）シクロデキストリン、６−デオキシ−６−（２−アクリロイルオキシエチルフタル酸アミド）シクロデキストリンなどがあげられる。
【００３７】
［シクロデキストリン］
本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体の原料であるシクロデキストリンは、α−Ｄ−グルコース単位から構成される環状化合物であり、例えば、式（７）で表される。
【００３８】
【化１０】
0006561728.tif 000011
…（７）
【００３９】
式（７）中のｋの値は、α−Ｄ−グルコース単位の数を表す。式（７）において、ｋ＝６の場合、α−シクロデキストリン（以下、α−ＣＤと記す場合もある。）が構成され、ｋ＝７の場合、β−シクロデキストリン（以下、β−ＣＤと記す場合もある。）が構成され、ｋ＝８の場合、γ−シクロデキストリン（以下、γ−ＣＤと記す場合もある。）が構成される。
【００４０】
上記の各シクロデキストリン（α−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤ）は、各々単独で使用してもよく、混合して使用してもよい。また、入手性の観点からは、ｋ＝６であるα−ＣＤ又はｋ＝７であるβ−ＣＤの使用が好ましく、ｋ＝７であるβ−ＣＤの使用が更に好ましい。
【００４１】
さらに、本実施形態に係るシクロデキストリンは、式（７）で表される構造に限られない。本実施形態に係るシクロデキストリンは、シクロデキストリン中の水酸基が他の官能基の付加により修飾されたものでもよい。そのようなシクロデキストリンとしては、例えば、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、スルホ基、アリール基、アミノ基などによって置換されているシクロデキストリンがあげられる。
【００４２】
［シクロデキストリン誘導体の製造方法の概要］
本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体は、式（３）で表される化合物（以下、アミノ化シクロデキストリンと呼称する。）と式（４）で表される化合物とを反応させることにより得られる。
【００４３】
【化１１】
0006561728.tif 000012
…（３）
【００４４】
式（３）中のｘ、ｋの値については、式（１）中のｘ、ｋと同等の値をとることができる。
【００４５】
【化１２】
0006561728.tif 000013
…（４）
【００４６】
式（４）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３については、式（１）、（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３と同様のものをあげることができ、とりうる態様も、同様のものをあげることができる。
【００４７】
式（４）で表される化合物としては、具体的に、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−アクリロイルオキシエチルフタル酸があげられる。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の炭素原子数が上記の各化合物より大きいものについては、入手が困難となる。
【００４８】
本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体は、具体的には、式（８）に示す反応経路２により、式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンと式（４）で表される化合物とをアミド化させることにより得られる。
【００４９】
【化１３】
0006561728.tif 000014
…（８）
【００５０】
式（８）中のＣＤ−ＮＨ２は、式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンを表す。また、式（８）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３については、式（１）、（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３と同様のものをあげることができ、とりうる態様も、同様のものをあげることができる。
【００５１】
式（８）中の（ｄ）は、式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンと式（４）で表される化合物とをアミド化させて、本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体を得る工程（（Ｃ）工程）を表す。
【００５２】
さらに、本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体は、式（９）に示す反応経路１で得られる式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンを用いて製造することができる。
【００５３】
【化１４】
0006561728.tif 000015
…（９）
【００５４】
式（９）中のＣＤは式（７）で表されるシクロデキストリンを表し、ＣＤ−Ｔｓは式（５）で表される化合物（以下、トシル化シクロデキストリンと呼称する。）を表し、ＣＤ−ＮＢｎは式（６）で表される化合物（以下、ベンジルアミノ化シクロデキストリンと呼称する。）を表し、ＣＤ−ＮＨ２は式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンを表す。また、式（９）中のＲ４は、塩素原子もしくはイミダゾール基を表す。
【００５５】
式（９）中の（ａ）は、式（７）で表されるシクロデキストリンにスルホン酸誘導体を用いてトシル化し、式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンを得る工程（（ａ−１）工程）を表す。
【００５６】
式（９）中の（ｂ）は、式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンにベンジルアミンを用いてベンジルアミノ化し、式（６）で表されるベンジルアミノ化シクロデキストリンを得る工程（（Ａ）工程）を表す。
【００５７】
式（９）中の（ｃ）は、式（６）で表されるベンジルアミノ化シクロデキストリンを還元して、中間体である式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンを得る工程（（Ｂ）工程）を表す。
【００５８】
【化１５】
0006561728.tif 000016
…（５）
【００５９】
式（５）中のｘ、ｋの値については、（ａ−１）工程により様々に変えることが可能である。
【００６０】
【化１６】
0006561728.tif 000017
…（６）
【００６１】
式（６）中のｘ、ｋの値については、式（５）のｘ、ｋと同等の値をとることができる。
【００６２】
［シクロデキストリン誘導体の製造方法の詳細］
本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体の製造方法は、上述のように、反応経路１〔（ａ−１）工程、（Ａ）工程、（Ｂ）工程〕と、反応経路２〔（Ｃ）工程〕とを有する。以下、上記各反応経路及び各工程について詳細に説明する。
【００６３】
＜反応経路１＞
〔（ａ−１）工程（反応経路１の反応（ａ））〕
（ａ−１）工程は、式（７）で表されるシクロデキストリンを出発原料として、当該シクロデキストリンにスルホン酸誘導体を反応させ、式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンを得るトシル化反応である。
【００６４】
上記トシル化反応で得られる式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンについては、非特許文献１（Ｏｒｇ．  Ｓｙｎｔｈ．，  ７７，  ２２０  （２０００））や非特許文献２（Ｏｒｇ.  Ｓｙｎｔｈ.,  ７７,  ２２５  （２０００））で検討がなされており、式（７）で表されるシクロデキストリンにｐ−トルエンスルホニルクロライドやｐ−トルエンスルホニルイミダゾール等のスルホン酸誘導体を反応させることで得ることができる。
【００６５】
本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体は、式（７）で表されるシクロデキストリンとスルホン酸誘導体の仕込み比を変えることによって、式（１）中のｘの値、すなわち置換基の導入率を様々に変えることが可能である。
【００６６】
上記トシル化反応において、スルホン酸誘導体の使用量は、式（７）で表されるシクロデキストリンに対しモル比で１倍量〜３０倍量とすることができ、３倍量〜２０倍量が好ましい。スルホン酸誘導体の使用量を１倍量以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、スルホン酸誘導体の使用量を３０倍量以下とすることにより、目的とする置換基導入率を効率良く得ることができる。
【００６７】
上記トシル化反応は溶媒の存在下で行うことができる。当該溶媒としては、式（７）で表されるシクロデキストリンを溶解し、スルホン酸誘導体と反応しない、又は反応性の低いものを用いることができる。例えば、水酸化ナトリウム水溶液、ピリジン又はピコリンなどがあげられる。これらの溶媒は、各々単独で用いてもよく、混合して用いてもよい。
【００６８】
上記トシル化反応の反応温度は、通常−２０℃〜６０℃であり、−５℃〜２５℃が好ましい。反応温度を−２０℃以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、反応温度を６０℃以下とすることにより、副反応（分解反応）を防ぐことができ、これにより式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンを効率良く得ることができる。
【００６９】
上記トシル化反応において、式（７）で表されるシクロデキストリンの濃度は、通常１％〜２０％であり、２％〜１０％が好ましい。当該濃度を１％以上とすることにより、使用する溶媒の量を減少させることができ、これにより生産効率を向上させることができる。また、当該濃度を２０％以下とすることにより、トシル基の導入率を抑えることができ、これにより式（５）中のｘの値を３以下に制御することができる。
【００７０】
上記トシル化反応の反応時間は、通常３０分〜１２時間であり、１時間〜６時間が好ましい。
【００７１】
上記トシル化反応により得られた生成物は、塩酸等の酸の添加や、アセトン等の溶媒に再沈殿させることで析出させることができる。当該生成物の精製には、シリカゲルクロマトグラフィーや再結晶などの一般的な精製方法を用いることができる。
【００７２】
〔（Ａ）工程（反応経路１の反応（ｂ））〕
（Ａ）工程は、（ａ−１）工程で得た式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンとベンジルアミンとを反応させ、式（６）で表されるベンジルアミノ化シクロデキストリンを得るベンジルアミノ化反応である。
【００７３】
上記ベンジルアミノ化反応は、溶媒の存在下で行うことができる。当該溶媒としては、式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンを溶解させることができるものを用いることができる。そのような溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどがあげられる。これらの溶媒は、各々単独で用いてもよく、混合して用いてもよい。
【００７４】
上記ベンジルアミノ化反応のベンジルアミンの使用量は、式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンに対し、モル比で１倍量〜３０倍量とすることができ、２倍量〜２０倍量とすることが好ましい。ベンジルアミンの使用量を１倍量以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、ベンジルアミンの使用量が３０倍量以下であると経済的である。
【００７５】
上記ベンジルアミノ化反応の反応温度は、通常２５℃〜１２０℃であり、４０℃〜１００℃が好ましい。反応温度を２５℃以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、反応温度を１２０℃以下とすることにより、生成物の分解を防ぐことができる。
【００７６】
上記ベンジルアミノ化反応において、式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンの反応時の濃度は、通常５％〜６０％であり、１０％〜４０％が好ましい。当該濃度を５％以上とすることにより、反応を十分に進行させることができ、あるいは使用する溶媒の量を減少させることができる。これにより、生産効率を向上させることができる。また、当該濃度を６０％以下とすることにより、反応液の粘度上昇を抑えることができ、これにより反応液の取り扱いを容易にすることができる。
【００７７】
上記ベンジルアミノ化反応の反応時間は、通常３０分〜２４時間であり、１時間〜１２時間が好ましい。
【００７８】
上記ベンジルアミノ化反応により得られた生成物の精製には、再沈殿や再結晶などの一般的な精製方法を用いることができる。
【００７９】
〔（Ｂ）工程（反応経路１の反応（ｃ））〕
（Ｂ）工程は、（Ａ）工程で得た式（６）で表されるベンジルアミノ化シクロデキストリンを還元し、式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンを得る還元反応である。
【００８０】
上記還元反応は、金属触媒の存在下で行うことができる。当該金属触媒としては、例えば、パラジウム触媒を用いることができる。パラジウム触媒を用いる場合は、パラジウムを活性炭に担持させたパラジウム活性炭素を用いることが好ましい。
【００８１】
上記パラジウム活性炭素の使用量は、式（６）で表されるベンジルアミノ化シクロデキストリンに対し、通常０．１質量％〜５０質量％とすることができ、１質量％〜３０質量％が好ましい。パラジウム活性炭素の使用量を０．１質量％以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、パラジウム活性炭素の使用量が５０質量％以下であると経済的である。
【００８２】
上記還元反応は、溶媒の存在下で行うことができる。当該溶媒としては、式（６）で表されるベンジルアミノ化シクロデキストリン及び式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンを溶解させることができるものを用いることができる。そのような溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、水などがあげられる。これらの溶媒は、各々単独で用いてもよく、混合して用いてもよい。
【００８３】
上記還元反応の反応温度は、通常２５℃〜１２０℃であり、４０℃〜１００℃が好ましい。反応温度を２５℃以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、反応温度を１２０℃以下とすることにより、生成物の分解を防ぐことができる。
【００８４】
上記還元反応において、式（６）で表されるベンジルアミノ化シクロデキストリンの反応時の濃度は、通常１％〜３０％であり、２％〜２０％が好ましい。当該濃度を１％以上とすることにより、反応を十分に進行させることができ、あるいは使用する溶媒の量を減少させることができる。これにより、生産効率を向上させることができる。また、当該濃度を３０％以下とすることにより、反応液の粘度上昇を抑えることができ、これにより反応液の取り扱いを容易にすることができる。
【００８５】
上記還元反応の反応時間は、通常１時間〜４８時間であり、２時間〜２４時間が好ましい。
【００８６】
上記還元反応により得られた生成物の精製には、再沈殿や再結晶などの一般的な精製方法を用いることができる。
【００８７】
＜反応経路２＞
〔（Ｃ）工程（反応経路２の反応（ｄ））〕
（Ｃ）工程は、（Ｂ）工程で得た中間体である式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンに式（４）で表される化合物を縮合させて、式（１）又は式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体を得るアミド化反応である。
【００８８】
上記アミド化反応は、溶媒の存在下で行うことができる。当該溶媒としては、式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンと式（４）で表される化合物を溶解し、反応しないものを用いることができる。そのような溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどがあげられる。
【００８９】
上記アミド化反応は、副反応を避けるために縮合剤の存在下で反応を行うことが好ましい。当該縮合剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド系縮合剤、ベンゾトリアゾール−１−イルオキシ−トリスジメチルアミノホスホニウム塩等のホスホニウム系縮合剤、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール等のトリアゾール系縮合剤、４−（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジン−２−イル）−４−メチルモルホリニウムクロリド等のトリアジン系縮合剤などがあげられ、特にアミド結合を選択的に形成させる４−（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジン−２−イル）−４−メチルモルホリニウムクロリドが好ましい。
【００９０】
上記縮合剤の使用量は、式（３）で示されるアミノ化シクロデキストリンに対し、モル比で１倍量〜５倍量用いることができる。上記縮合剤の使用量を当該モル比で１倍量以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、上記縮合剤の使用量が当該モル比で５倍量以下であると経済的である。
【００９１】
上記アミド化反応の反応温度は、通常−２０℃〜１００℃であり、０℃〜８０℃が好ましい。反応温度を−２０℃以上とすることにより、反応を十分に進行させることができる。また、反応温度を１００℃以下とすることにより、重合等の副反応を防ぐことができる。
【００９２】
上記アミド化反応において、式（３）で示されるアミノ化シクロデキストリンの反応時の濃度は、通常１％〜３０％であり、２％〜２０％が好ましい。当該濃度を１％以上とすることにより、反応を十分に進行させることができ、あるいは使用する溶媒の量を減少させることができる。これにより、生産効率を向上させることができる。また、当該濃度を３０％以下とすることにより、反応液の粘度上昇を抑えることができ、これにより反応液の取り扱いを容易にすることができる。
【００９３】
上記アミド化反応の反応時間は、通常３０分〜２４時間であり、１時間〜１２時間が好ましい。
【００９４】
上記アミド化反応により得られた生成物の精製には、再沈殿や再結晶などの一般的な精製方法を用いることができる。
【００９５】
以上の製造方法により、式（１）又は式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体を得ることができる。また、式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体を得るためには、（Ｃ）工程のアミド化反応を行う前に精製を行い、ｘの値が２以上の式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンを除去しておくことが好ましい。特に、（ａ−１）工程で得られる式（５）で表されるトシル化シクロデキストリンを精製し、ｘの値が２以上のものを除去しておくことが更に好ましい。
【００９６】
式（３）で表されるアミノ化シクロデキストリンは市販品を用いても良いが、式（１）又は式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体の純度に影響するので高純度品を用いることが好ましい。
【００９７】
本発明のシクロデキストリン誘導体を得る製造方法は、上述の製造方法に制限されない。反応経路１で得られる式（３）で表される中間体のアミノ化シクロデキストリンは、一般的には、例えば  Ｌａｎｇｍｕｉｒ  １９９９、  １５、  ５４８９−５４９５等に記載の製造方法によっても合成される。当該製造方法において、アミノ化シクロデキストリンは、式（１０）に示す反応経路３により得られる。
【００９８】
【化１７】
0006561728.tif 000018
…（１０）
【００９９】
式（１０）中のＣＤ、ＣＤ−Ｔｓ及びＣＤ−ＮＨ２は、式（９）中のＣＤ、ＣＤ−Ｔｓ及びＣＤ−ＮＨ２と同様の化合物を表し、ＣＤ−Ｎ３はアジ化シクロデキストリンを表す。
【０１００】
式（１０）に示すように、反応経路３では、反応（ｅ）と反応（ｆ）の経路と、反応（ｇ）のみの経路がある。反応（ｅ）のアジ化反応を行う製造方法は、原料のアジ化ナトリウムが爆発性を有することから製造には不向きである。一方、アンモニアを反応させる反応（ｇ）は、副反応として加水分解が生じやすく、収率が低くなる。そのため、アミノ化シクロデキストリンの製造方法としては、本発明の反応経路１が好ましい。
【０１０１】
［シクロデキストリン誘導体の重合体］
本実施形態に係るシクロデキストリン誘導体の重合体は、上述の式（１）又は式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体を重合することにより得られる重合体である。
【０１０２】
上記重合体の分子量は、通常、数平均分子量５０００〜５０００００程度であるが特に限定されず、各用途に要求される性能が発揮し得るように重合条件等を調整して適宜決定することができる。
【０１０３】
上記重合体を生成するための重合反応は、窒素、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気下、ラジカル重合開始剤の存在下で、例えば、塊状重合、懸濁重合、乳化重合、溶液重合等の公知の方法により行うことができる。精製等の観点からは、溶液重合が好ましい。この重合反応により、上記重合体が得られる。
【０１０４】
上記重合反応は、式（１）又は式（２）で表されるシクロデキストリン誘導体単独で行っても良く、その他の一般的なモノマーとの共重合体でも良い。その他の一般的なモノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホリルコリン、メチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等の各種（メタ）アクリル酸エステル；メチルビニルエーテル等の各種ビニルエーテル；アクリルアミド、Ｎ，Ｎ'−ジメチルアクリルアミド、（メタ）アクリル酸、アリルアルコール、アクリロニトリル、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン、スチレン、塩化ビニル、イタコン酸、イタコン酸エステル、フマル酸、フマル酸エステル、マレイン酸、マレイン酸エステル等の各種ラジカル重合性モノマーがあげられる。以下、上記重合体を構成するモノマーあるいはそれらの混合物を、単量体組成物と呼称する。
【０１０５】
上記重合反応に用いることができるラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２−アゾビス（２−アミジノプロピル）二塩酸塩、２，２−アゾビス（２−（５−メチル−２−イミダゾリン−２−イル）プロパン）二塩酸塩、４，４−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２−アゾビスイソブチルアミド二水和物、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ジメチル−２，２'−アゾビスイソブチレート、１−（（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ）ホルムアミド、２，２'−アゾビス（２−メチル−Ｎ−フェニルプロピオンアミヂン）ジハイドロクロライド、２，２'−アゾビス（２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−プロピオンアミド）、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド）ジハイドレート、４，４'−アゾビス（４−シアノペンタン酸）、２，２'−アゾビス（２−（ヒドロキシメチル）プロピオニトリル）等のアゾ系ラジカル重合開始剤があげられる。また、例えば、過酸化ベンゾイル、ジイソプロピルペルオキシジカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、ｔ−ブチルペルオキシジイソブチレート、過酸化ラウロイル、ｔ−ブチルペルオキシネオデカノエート、コハク酸ペルオキシド（＝サクシニルペルオキシド）、グルタルペルオキシド、サクシニルペルオキシグルタレート、ｔ−ブチルペルオキシマレート、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、ジ−２−エトキシエチルペルオキシカーボネート、３−ヒドロキシ−１，１−ジメチルブチルペルオキシピバレート等の有機過酸化物があげられる。さらに、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の過硫酸化物が挙げられる。これらのラジカル重合開始剤は、各々単独で用いてもよく、混合して用いてもよい。
【０１０６】
ラジカル重合開始剤の使用量は、単量体組成物１００質量部に対して通常０．００１質量部〜１０質量部であり、０．０１質量部〜５．０質量部が好ましい。
【０１０７】
上記重合反応は、溶媒の存在下で行うことができる。当該溶媒としては、単量体組成物を溶解し、反応しないものが使用できる。そのような溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ピリジン、などがあげられる。特に、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はこれらの溶媒と水との混合溶媒が好ましい。
【０１０８】
上記重合反応において、反応時の溶液濃度は、１質量％〜５０質量％とすることができる。当該溶液濃度は、反応物である単量体組成物の濃度と、生成物である重合体の濃度との両方を含む。当該溶液濃度を１質量％以上とすることにより、製造効率を向上させることができる。また、当該溶液濃度を５０質量％以下とすることにより、反応液の高粘度化を防ぎ、反応を十分に進行させることができる。
【０１０９】
上記重合反応により得られる重合体の精製には、再沈殿法、透析法、限外濾過法等の一般的な精製方法を用いることができる。
【０１１０】
上記各精製方法に用いることができる溶媒としては、シクロデキストリン誘導体と反応しないものが使用でき、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。特に、水、メタノール、エタノール又はこれらの混合溶媒が好ましい。
【実施例】
【０１１１】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例の範囲に限定されるものではない。なお、例中の各種測定は以下の通り行った。
【０１１２】
［１Ｈ−ＮＭＲ分析］
日本電子社製、商品名「ＪＮＭ−ＡＬ４００」を用い、溶媒：Ｄ２Ｏ、試料濃度：１０ｍｇ／ｇ、積算回数：１２８回の条件で測定を行った。
【０１１３】
［質量分析（ＥＳＩ−ＭＳ）］
Ｗａｔｅｒｓ社製、商品名「Ｑ−ｍｉｃｒｏ２６９５」を用い、試料濃度：１００ｐｐｍ、溶媒：１０ｍＭ酢酸アンモニウム含有１０％アセトニトリル水溶液、検出モード：ＥＳＩ＋、キャピラリー電圧：３．５４Ｖ、コーン電圧：３０Ｖ、イオン源ヒーター：１２０℃、脱溶媒ガス：３５０℃の条件で測定を行った。
【０１１４】
［数平均分子量の測定（ＧＰＣ）］
移動相の調製：臭化リチウム２．６１ｇとリン酸２．９４ｇとをＤＭＦ１Ｌに溶解させた。測定試料の調製：サンプル２ｍｇを移動相１ｇに溶解させた。その他の測定条件は以下の通りである。カラム：ＫＤ−８０６Ｍ（昭和電工社製）、標準物質：ＰＥＯ（東ソー社製）、検出：視差屈折率計ＲＩ−８０２０（東ソー社製）、数平均分子量（Ｍｎ）の算出：分子量計算プログラム（ＳＣ−８０２０用ＧＰＣプログラム）、流速：１．０ｍＬ／分、カラム温度：４０℃、試料溶液注入量：１００μＬ，測定時間：３０分の条件で測定を行った。
【０１１５】
［フェノール化合物の測定（ＨＰＬＣ）］
移動相の調製：イオン交換水７００ｍＬとアセトニトリル（和光純薬工業社製）３００ｍＬとを混合させて調製した。測定試料の調製：サンプル０．１ｇを移動相０．９ｇに溶解させた。その他の測定条件は以下の通りである。カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−３Ｖ（ＧＬ  Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）、検出：紫外可視検出器ＵＶ−８０２０（東ソー社製）、流速：１．０ｍＬ／分、カラム温度：４０℃、試料溶液注入量：２０μＬ、測定時間：３０分の条件で測定を行った。
【０１１６】
［実施例１−１］
＜６−Ｏ−トシル−β−シクロデキストリンの合成＞
β−シクロデキストリン（β−ＣＤ、東京化成工業社製）２５０．０ｇ、水酸化ナトリウム（和光純薬工業社製）１２５．０ｇをイオン交換水７５００ｇに溶解させ、０℃以下に冷却した。その後、ｐ−トルエンスルホン酸クロライド（ｐ−ＴｓＣｌ、東京化成工業社製）１５０．０ｇを加え、３時間トシル化反応を行った。反応後、ｐ−ＴｓＣｌ１００．０ｇを追加し、さらに２時間トシル化反応を行った。トシル化反応終了後、未反応のｐ−ＴｓＣｌをろ別し、ろ液を回収した。ろ液を４℃に冷却し、濃塩酸（和光純薬工業社製）の１０％水溶液３１６５．２ｇを加え、目的物を析出させた。析出物をろ過により回収し、ろ紙上の沈殿物をイオン交換水１０００．０ｇとアセトン（中国精油社製）５００．０ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥した。減圧乾燥により得られた白色粉末に、イオン交換水８９４．６ｇを加え、８５℃で２時間攪拌した。攪拌後、室温まで冷却し、２時間静置した。静置後、ろ過により沈殿物を回収し、ろ紙上の沈殿物をイオン交換水８９４．６ｇとアセトン８９４．６ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（５）のｋ＝７に相当する６−Ｏ−トシル−β−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１１７】
＜６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−β−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られた６−Ｏ−トシル−β−シクロデキストリン１００．０ｇとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、和光純薬工業社製）２００．０ｇとを混合し、４０℃に昇温して溶解させた。その後、ベンジルアミン（東京化成工業社製）９９．８ｇを加えて７５℃に昇温し、７時間ベンジルアミノ化反応を行った。ベンジルアミノ化反応終了後、４０℃以下まで冷却し、１５ｗｔ％アセトニトリル水溶液２０００．０ｇを加えることで白色の沈殿物を得た。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン１０００．０ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥した。減圧乾燥により得られた白色粉末にイオン交換水１０００．０ｇを加えて激しく攪拌し、スラリー状の白色液体を得た。白色液体をろ過することにより水を除去し、ろ紙上の結晶をイオン交換水５００．０ｇとアセトン１０００．０ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（６）のｋ＝７に相当する６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−β−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１１８】
＜６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られた６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−β−シクロデキストリン７８．０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ、和光純薬工業社製）７８０．０ｇに溶解させ、６５℃に昇温した。昇温後、イオン交換水７８０．０ｇに分散させたパラジウム活性炭素（１０％）（和光純薬工業社製）７．８ｇを加え、反応容器内を水素雰囲気下にし、７０℃で７時間水素添加分解反応を行った。水素添加分解反応終了後、イオン交換水７８０．０ｇを加えて４０℃以下に冷却し、セライトを敷いたろ紙でろ過してろ液を回収した。さらに、ろ紙上の活性炭をイオン交換水１９５０．０ｇで洗浄し、ろ液を回収した。回収したろ液の減圧蒸留を行い、約３００ｇまで濃縮した後、濃縮液をアセトン１９５０．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物を酢酸エチル（和光純薬工業社製）７８０．０ｇで２回洗浄した後、５０℃で減圧乾燥した。減圧乾燥により得られた粉末に、イオン交換水３６１．３ｇを加え、５０℃で１時間攪拌した。攪拌後、冷却せずにろ過してろ液を回収した。さらに、ろ過物をイオン交換水１８０．６ｇで洗浄し、ろ液を回収した。回収したろ液をアセトン２７０９．６ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物を酢酸エチル７８０．０ｇで洗浄した後、ろ過物を５０℃で減圧乾燥することで式（３）のｋ＝７に相当する６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリンの粉末を得た。
【０１１９】
＜６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られた６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリン６０．０ｇに、式（４）のＲ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当する２−メタクリロイロキシエチルコハク酸（ＨＯ−ＭＳ、共栄社化学社製）１６．０４ｇを溶解させたＤＭＦ３００．０ｇを加え、均一に分散させた。その後、４−（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジン−２−イル）−４−メチルモルホリニウムクロリド（ＤＭＴ−ＭＭ、和光純薬工業社製）２０．５ｇを加え、室温で８時間アミド化反応を行った。アミド化反応終了後、反応液をアセトン１５００．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトニトリル９００．０ｇで洗浄した。得られたろ過物に７５ｗｔ％アセトニトリル水溶液１６００．０ｇを加え、十分に攪拌して分散させた。分散液をろ過し、ろ過物をアセトン３００．０ｇで２回洗浄し、４０℃で減圧乾燥させることで式（１）のｋ＝７、ｘ＝１、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当するモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリンを９９％、式（１）のｋ＝７、ｘ＝２、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当するジ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリンを１％含有した６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１２０】
得られた生成物についての１Ｈ  ＮＭＲ測定及びＥＳＩ−ＭＳ測定の結果は以下の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（溶媒：Ｄ２Ｏ、標準ピーク：ＨＯＤ）：２．０ｐｐｍ（３Ｈ，ＣＨ３）、２．４−２．８ｐｐｍ（４Ｈ，ＣＯ−（ＣＨ２）２−ＣＯ）、３．５−４．１ｐｐｍ（４２Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−，−ＣＨ２ＯＨ）、４．３−４．５ｐｐｍ（４Ｈ，−Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−）、４．６−５．０ｐｐｍ（２０Ｈ，ＯＨ）、５．１ｐｐｍ（７Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−）、５．７−６．３ｐｐｍ（２Ｈ，ＣＨ２）
ＥＳＩ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ＋）：１３４７（モノ−６−デオキシ（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）、１５５８（ジ−６−デオキシ（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）
【０１２１】
［実施例２−１］
＜モノ−６−Ｏ−トシル−β−シクロデキストリンの合成＞
実施例１−１と同様の手順で得られた上記６−Ｏ−トシル−β−シクロデキストリンの白色粉末１０２．０ｇに、イオン交換水６４４．１ｇとアセトニトリル７８７．２ｇとを加え、撹拌しながら２時間還流した。還流後、室温まで冷却し、２時間静置した。静置後、ろ過により沈殿物を回収し、５５ｗｔ％アセトニトリル水溶液８９４．６ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（５）のｋ＝７、ｘ＝１に相当するモノ−６−Ｏ−トシル−β−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１２２】
＜モノ−６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−β−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られたモノ−６−Ｏ−トシル−β−シクロデキストリン８０．０ｇとＤＭＦ１６０．０ｇとを混合し、４０℃に昇温して溶解させた。その後、ベンジルアミン７９．８ｇを加えて７５℃に昇温し、７時間ベンジルアミノ化反応を行った。ベンジルアミノ化反応終了後、４０℃以下まで冷却し、１５ｗｔ％アセトニトリル水溶液１６００．０ｇを加えることで、白色の沈殿物を得た。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン８００．０ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥した。減圧乾燥により得られた白色粉末に、イオン交換水８００ｇを加えて激しく攪拌し、スラリー状の白色液体を得た。白色液体をろ過することにより水を除去し、ろ紙上の結晶をイオン交換水４００ｇとアセトン８００ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（６）のｋ＝７、ｘ＝１に相当するモノ−６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−β−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１２３】
＜モノ−６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られたモノ−６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−β−シクロデキストリン６４．０ｇをＤＭＡｃ６４０．０ｇに溶解させ、６５℃に昇温した。昇温後、イオン交換水６４０．０ｇに分散させたパラジウム活性炭素（１０％）６．４ｇを加え、反応容器内を水素雰囲気下にし、７０℃で７時間水素添加分解反応させた。水素添加分解反応終了後、イオン交換水６４０．０ｇを加えて４０℃以下に冷却し、セライトを敷いたろ紙でろ過してろ液を回収した。さらに、ろ紙上の活性炭をイオン交換水１２８０．０ｇで洗浄し、ろ液を回収した。回収したろ液の減圧蒸留を行い、約２５０ｇまで濃縮した後、濃縮液をアセトン１６００．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物を酢酸エチル７８０．０ｇで２回洗浄した後、５０℃で減圧乾燥した。減圧乾燥により得られた粉末にイオン交換水２９６．４ｇを加えて５０℃で１時間攪拌した。１時間攪拌後、冷却せずにろ過してろ液を回収した。さらに、ろ過物をイオン交換水１４８．２ｇで洗浄し、ろ液を回収した。回収したろ液をアセトン２２２３．３ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物を酢酸エチル６４０．０ｇで洗浄した後、ろ過物を５０℃で減圧乾燥することで式（３）のｋ＝７、ｘ＝１に相当するモノ−６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリンの粉末を得た。
【０１２４】
＜モノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られたモノ−６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリン５０．０ｇに、ＨＯ−ＭＳ１２．５４ｇを溶解させたＤＭＦ２５０．０ｇを加え、均一に分散させた。その後、ＤＭＴ−ＭＭ１７．０８ｇを加え、室温で８時間アミド化反応を行った。アミド化反応終了後、反応液をアセトン１２５０．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトニトリル７５０．０ｇで洗浄した。得られたろ過物に７５ｗｔ％アセトニトリル水溶液１３３３．３ｇを加え、十分に攪拌して分散させた。分散液をろ過し、ろ過物をアセトン２５０．０ｇで２回洗浄し、４０℃で減圧乾燥させることで式（２）のｙ＝６、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当するモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１２５】
得られた生成物についての１Ｈ  ＮＭＲ測定及びＥＳＩ−ＭＳ測定の結果は以下の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（溶媒：Ｄ２Ｏ、標準ピーク：ＨＯＤ）：２．０ｐｐｍ（３Ｈ，ＣＨ３）、２．４−２．８ｐｐｍ（４Ｈ，ＣＯ−（ＣＨ２）２−ＣＯ）、３．５−４．１ｐｐｍ（４２Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−，−ＣＨ２ＯＨ）、４．３−４．５ｐｐｍ（４Ｈ，−Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−）、４．６−５．０ｐｐｍ（２０Ｈ，ＯＨ）、５．１ｐｐｍ（７Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−）、５．７−６．３ｐｐｍ（２Ｈ，ＣＨ２）
ＥＳＩ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ＋）：１３４７
【０１２６】
［実施例３−１］
＜モノ−６−デオキシ−６−（２-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸アミド）−β−シクロデキストリンの合成＞
実施例２−１と同様の手順で得られたモノ−６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリン２．０ｇに、式（４）のＲ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝シクロへキシレン基に相当する２−メタクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸（ＨＯ−ＨＨ、共栄社化学社製）ＨＯ−ＨＨ１．０ｇを溶解させたＤＭＦ１０．０ｇを加え、均一に溶解させた。その後、ＤＭＴ−ＭＭ０．６８ｇを加え、室温で８時間アミド化反応を行った。アミド化反応終了後、反応液をアセトン５０．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトニトリル３０．０ｇで洗浄した。得られたろ過物に７５ｗｔ％アセトニトリル水溶液５３．３ｇを加え、十分に攪拌して分散させた。分散液をろ過し、ろ過物をアセトン１０．０ｇで２回洗浄し、４０℃で減圧乾燥させることで式（２）のｙ＝６、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝シクロへキシレン基に相当するモノ−６−デオキシ−６−（２-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸アミド）−β−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１２７】
得られた生成物についての１Ｈ  ＮＭＲ測定及びＥＳＩ−ＭＳ測定の結果は以下の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（溶媒：Ｄ２Ｏ、標準ピーク：ＨＯＤ）：１．０−２．０ｐｐｍ（８Ｈ，−ＣＨ２−）２．０ｐｐｍ（３Ｈ，ＣＨ３）、２．６−３．１ｐｐｍ（２Ｈ，ＣＯ−ＣＨ−ＣＨ−ＣＯ）、３．３−４．２ｐｐｍ（４２Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−，−ＣＨ２ＯＨ）、４．２−４．５ｐｐｍ（４Ｈ，−Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−）、４．６−５．０ｐｐｍ（２０Ｈ，ＯＨ）、５．１ｐｐｍ（７Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−）、５．８−６．２ｐｐｍ（２Ｈ，ＣＨ２）
ＥＳＩ−ＭＳ（Ｍ＋Ｎａ＋）：１４２３
【０１２８】
［実施例４−１］
＜６−Ｏ−トシル−α−シクロデキストリンの合成＞
α−シクロデキストリン（α−ＣＤ、シクロケム社製）１０．０ｇをピコリン（和光純薬工業社製）８０．０ｇに溶解後、窒素置換を行い、０℃に冷却した。別容器でｐ−ＴｓＣｌ  １０．０ｇをピリジン（和光純薬工業社製）１５．０ｇに溶解させた。α−ＣＤを溶解させたピコリン溶液を５℃以下に保ちながら、ｐ−ＴｓＣｌを溶解させたピリジン溶液を滴下してトシル化反応を行った。滴下終了後、室温で２時間攪拌を継続した。トシル化反応終了後、アセトン１１５．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン６００ｇで洗浄した後、減圧乾燥して白色〜黄色粉末を得た。得られた粉末を１００．０ｇの水に分散溶解させ、ダイヤイオンＨＰ−２０（三菱化学社製）を充填したカラムに通液し、十分な水で洗浄した。次いで十分な量の２５％エタノール水溶液を通液させて目的物を溶出させた。回収した２５％エタノール水溶液を減圧留去することで、式（５）のｋ＝６に相当する６−Ｏ−トシル−α−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１２９】
＜６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−α−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られた６−Ｏ−トシル−α−シクロデキストリン７．０ｇとＤＭＦ１４．０ｇ、ベンジルアミン１２．０ｇを加えて７５℃に昇温し、７時間ベンジルアミノ化反応を行った。ベンジルアミノ化反応終了後、４０℃以下まで冷却し、アセトン１６５．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン１６５．０ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（６）のｋ＝６に相当する６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−α−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１３０】
＜６−デオキシ−６−アミノ−α−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られた６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−α−シクロデキストリン５．０ｇをＤＭＡｃ５０．０ｇに溶解させた。イオン交換水５０．０ｇに分散させたパラジウム活性炭素（１０％）０．５ｇを加え、反応容器内を水素雰囲気下にし、７０℃で７時間水素添加分解反応を行った。水素添加分解反応終了後、イオン交換水２５．０ｇを加えて４０℃以下に冷却し、セライトを敷いたろ紙でろ過してろ液を回収した。さらに、ろ紙上の活性炭をイオン交換水１００．０ｇで洗浄し、ろ液を回収した。回収したろ液の減圧蒸留を行い、約２０ｇまで濃縮した後、濃縮液をアセトン１２５．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン１００．０ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（３）のｋ＝６に相当する６−デオキシ−６−アミノ−α−シクロデキストリンの粉末を得た。
【０１３１】
＜６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られた６−デオキシ−６−アミノ−α−シクロデキストリン３．５ｇに、式（４）のＨＯ−ＭＳ３．３２ｇ、ＤＭＦ１７．５ｇを加え、均一に溶解させた。その後、ＤＭＴ−ＭＭ２．９９ｇを加え、室温で８時間アミド化反応を行った。アミド化反応終了後、反応液をアセトン８７．５ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトニトリル３５．０ｇとアセトン３５．０ｇで洗浄し、４０℃で減圧乾燥させることで式（１）のｋ＝６、ｘ＝１、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当するモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンを７５％、式（１）のｋ＝６、ｘ＝２、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当するジ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンを２４％、式（１）のｋ＝６、ｘ＝３、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当するモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンを１％含有した６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１３２】
得られた生成物についての１Ｈ  ＮＭＲ測定及びＥＳＩ−ＭＳ測定の結果は以下の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（溶媒：Ｄ２Ｏ、標準ピーク：ＨＯＤ）：２．０ｐｐｍ（４Ｈ，ＣＨ３）、２．４−２．８ｐｐｍ（５Ｈ，ＣＯ−（ＣＨ２）２−ＣＯ）、３．４−４．２ｐｐｍ（３６Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−，−ＣＨ２ＯＨ）、４．２−４．６ｐｐｍ（５Ｈ，−Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−）、４．７−４．９ｐｐｍ（２０Ｈ，ＯＨ）、５．１ｐｐｍ（６Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−）、５．７−６．３ｐｐｍ（３Ｈ，ＣＨ２）
ＥＳＩ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ＋）：１１８５（モノ−６−デオキシ（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリン）、１３９７（ジ−６−デオキシ（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリン）、１６０９（トリ−６−デオキシ（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリン）
【０１３３】
［実施例５−１］
＜モノ−６−Ｏ−トシル−α−シクロデキストリンの合成＞
α−ＣＤ１０．０ｇをピコリン８０．０ｇに溶解後、窒素置換を行い、０℃に冷却した。別容器でｐ−ＴｓＣｌ  １０．０ｇをピリジン１５．０ｇに溶解させた。α−ＣＤを溶解させたピコリン溶液を５℃以下に保ちながら、ｐ−ＴｓＣｌを溶解させたピリジン溶液を滴下してトシル化反応を行った。滴下終了後、室温で２時間攪拌を継続した。トシル化反応終了後、アセトン１１５．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン６００ｇで洗浄した後、減圧乾燥して白色〜黄色粉末を得た。得られた粉末を１００．０ｇの水に分散溶解させ、ダイヤイオンＨＰ−２０を充填したカラムに通液し、十分な水で洗浄した。次いで２０％エタノール水溶液を通液させて目的物を溶出させた。回収した２０％エタノール水溶液を減圧留去することで、式（５）のｋ＝６、ｘ＝１に相当するモノ−６−Ｏ−トシル−α−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１３４】
＜モノ−６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−α−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られたモノ−６−Ｏ−トシル−α−シクロデキストリン３．２ｇとＤＭＦ６．４ｇ、ベンジルアミン３．６５ｇを加えて７５℃に昇温し、７時間ベンジルアミノ化反応を行った。ベンジルアミノ化反応終了後、４０℃以下まで冷却し、アセトン６６．３ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン６６．３ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（６）のｋ＝６、ｘ＝１に相当するモノ−６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−α−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１３５】
＜モノ−６−デオキシ−６−アミノ−α−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られたモノ−６−デオキシ−６−ベンジルアミノ−α−シクロデキストリン２．８ｇをＤＭＡｃ２８．０ｇに溶解させた。イオン交換水２８．０ｇに分散させたパラジウム活性炭素（１０％）０．２８ｇを加え、反応容器内を水素雰囲気下にし、７０℃で７時間水素添加分解反応を行った。水素添加分解反応終了後、イオン交換水１４．０ｇを加えて４０℃以下に冷却し、セライトを敷いたろ紙でろ過してろ液を回収した。さらに、ろ紙上の活性炭をイオン交換水５６．０ｇで洗浄し、ろ液を回収した。回収したろ液の減圧蒸留を行い、約１０ｇまで濃縮した後、濃縮液をアセトン７０．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン７０．０ｇで洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで式（３）のｋ＝７に相当するモノ−６−デオキシ−６−アミノ−α−シクロデキストリンの粉末を得た。
【０１３６】
＜モノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンの合成＞
上記により得られたモノ−６−デオキシ−６−アミノ−β−シクロデキストリン２．４ｇに、式（４）のＨＯ−ＭＳ１．１４ｇ、ＤＭＦ１２．０ｇを加え、均一に溶解させた。その後、ＤＭＴ−ＭＭ１．０３ｇを加え、室温で８時間アミド化反応を行った。アミド化反応終了後、反応液をアセトン６０．０ｇに投入し、沈殿を析出させた。沈殿物をろ過で回収し、ろ過物をアセトン６０．０ｇで洗浄し、４０℃で減圧乾燥させることで式（２）のｙ＝５、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチレン基、Ｒ３＝エチレン基に相当するモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンの白色粉末を得た。
【０１３７】
得られた生成物についての１Ｈ  ＮＭＲ測定及びＥＳＩ−ＭＳ測定の結果は以下の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（溶媒：Ｄ２Ｏ、標準ピーク：ＨＯＤ）：２．０ｐｐｍ（３Ｈ，ＣＨ３）、２．４−２．８ｐｐｍ（４Ｈ，ＣＯ−（ＣＨ２）２−ＣＯ）、３．４−４．２ｐｐｍ（３６Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−，−ＣＨ２ＯＨ）、４．２−４．６ｐｐｍ（４Ｈ，−Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−）、４．７−４．９ｐｐｍ（２０Ｈ，ＯＨ）、５．１ｐｐｍ（６Ｈ，−ＣＨ（ＯＨ）−）、５．７−６．３ｐｐｍ（２Ｈ，ＣＨ２）
ＥＳＩ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ＋）：１１８５
【０１３８】
［実施例６］
＜シクロデキストリン誘導体の重合体の合成＞
実施例１−１、２−１、３−１、４−１、５−１で得られたシクロデキストリン誘導体である白色粉末を、ＤＭＦかあるいはＤＭＦと水の混合溶媒に溶解し、４つ口フラスコに入れて３０分間窒素を吹込んだ。その後、５０℃に加温し、ＤＭＦに溶解させておいたｔ−ブチルパーオキシネオデカノエイト（ＰＢ−ＮＤ、日油株式会社製）を加えることで、ラジカル重合反応を開始した。ＰＢ−ＮＤはＤＭＦで共洗いした。５０℃で４時間ラジカル重合反応させた後、７０℃に昇温してさらに３時間ラジカル重合反応させた。ラジカル重合反応終了後、室温まで冷却し、イオン交換水：エタノール（和光純薬工業社製）＝２５：７５（ｖ／ｖ）の混合溶媒１３５．０ｇに再沈殿した。得られた沈殿物をろ過により回収し、減圧乾燥することでシクロデキストリン誘導体の重合体の白色粉末を得た。得られた重合体のＧＰＣ測定を行い、分子量を測定した。
【０１３９】
［実施例６−１］
シクロデキストリン誘導体は、実施例１−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）とジ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）との混合物３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ１１．２９ｇである。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０１８ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．３５ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．３７ｇである。
【０１４０】
［実施例６−２］
シクロデキストリン誘導体は、実施例１−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）とジ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）との混合物３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ２５．５７ｇである。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０３７ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．７０ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．７３ｇである。
【０１４１】
［実施例６−３］
シクロデキストリン誘導体は、実施例１−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）とジ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）との混合物３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ８．２９ｇと水３．０ｇとの混合溶媒である。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０１８ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．３５ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．３７ｇである。
【０１４２】
［実施例６−４］
シクロデキストリン誘導体は、実施例１−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）とジ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）との混合物３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ１８．８２ｇと水６．７５ｇとの混合溶媒である。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０３７ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．７０ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．７３ｇである。
【０１４３】
［実施例６−５］
シクロデキストリン誘導体は、実施例２−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ１１．２９ｇである。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０１８ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．３５ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．３７ｇである。
【０１４４】
［実施例６−６］
シクロデキストリン誘導体は、実施例２−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ２５．５７ｇである。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０３７ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．７０ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．７３ｇである。
【０１４５】
［実施例６−７］
シクロデキストリン誘導体は、実施例２−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ８．２９ｇと水３．０ｇとの混合溶媒である。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０１８ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．３５ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．３７ｇである。
【０１４６】
［実施例６−８］
シクロデキストリン誘導体は、実施例２−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸アミド）−β−シクロデキストリン）３．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ１８．８２ｇと水６．７５ｇとの混合溶媒である。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０３７ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．７０ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．７３ｇである。
【０１４７】
［実施例６−９］
シクロデキストリン誘導体は、実施例３−１で得られたモノ−６−デオキシ（２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸アミド）−β−シクロデキストリン１．６ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ６．０２ｇである。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０１０ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．１９ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．２０ｇである。
【０１４８】
［実施例６−１０］
シクロデキストリン誘導体は、実施例４−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンと、ジ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンと、トリ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリンとの混合物２．０ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ７．５２ｇである。ＰＢ−ＮＤの量は、０．０１２ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．２３ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．２４ｇである。
【０１４９】
［実施例６−１１］
シクロデキストリン誘導体は、実施例５−１で得られたモノ−６−デオキシ−６−（２−メタクリロイロキシエチルコハク酸アミド）−α−シクロデキストリン１．５ｇである。シクロデキストリン誘導体を溶解させる溶媒は、ＤＭＦ５．６４ｇである。ＰＢ−ＮＤの量は、０．００９ｇである。ＰＢ−ＮＤ溶解用のＤＭＦは０．１７ｇである。ＰＢ−ＮＤの共洗い用のＤＭＦは０．１８ｇである。
【０１５０】
［比較例６−１］
＜シクロデキストリン架橋ポリマーの合成＞
β−ＣＤ２．０ｇをＤＭＦ１３．５ｇに溶解させ、ジラウリン酸ジ−ｎ−ブチルすずを１滴加えた。窒素置換を行い、４．５ｇのＤＭＦに溶解させた２，４トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）１．２ｇをゆっくり滴下し、７０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を１００ｍＬのクロロホルム中に投入して１晩攪拌させた。ろ過にて析出物を回収し、６０℃で減圧することでシクロデキストリン架橋ポリマーを得た。
【０１５１】
［合成結果］
表１は、実施例６−１〜６−１１に係るシクロデキストリン誘導体の重合体と比較例６−１のシクロデキストリン架橋ポリマーについて、使用したシクロデキストリン誘導体と使用した溶媒、シクロデキストリン誘導体の重合体とシクロデキストリン架橋ポリマーの数平均分子量Ｍｎとを示している。
【０１５２】
【表１】
0006561728.tif 000019
【０１５３】
［実施例７］
＜シクロデキストリン誘導体の重合体によるフェノールの除去実験＞
シクロデキストリン誘導体の重合体の白色粉末と、フェノール（和光純薬工業社製）５．９ｍｇと、イオン交換水とをサンプル管に秤量し、均一に混合溶解させた後、ウェイブローターで一晩攪拌した。一晩攪拌することで、フェノールを包接したシクロデキストリン誘導体の重合体の白色沈殿を得た。得られた白色沈殿を０．２μｍセルロースアセテートフィルター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製）で除去し、得られたろ液のＨＰＬＣ測定を行い、ろ液中のフェノールを算出した。
【０１５４】
［実施例７−１］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−１で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１５５】
［実施例７−２］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−２で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１５６】
［実施例７−３］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−３で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１５７】
［実施例７−４］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−４で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１５８】
［実施例７−５］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−５で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１５９】
［実施例７−６］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−６で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１６０】
［実施例７−７］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−７で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１６１】
［実施例７−８］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−８で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１６２】
［実施例７−９］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−９で得られた重合体０．１８ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８２ｇである。
【０１６３】
［実施例７−１０］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−１０で得られた重合体０．１５ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８５ｇである。
【０１６４】
［実施例７−１１］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−１１で得られた重合体０．１５ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８５ｇである。
【０１６５】
［比較例７−１］
シクロデキストリン誘導体の重合体の代わりに、比較例６−１で得られたシクロデキストリン架橋ポリマー０．２３ｇを用いた。イオン交換水の仕込み量は１．７７ｇである。
【０１６６】
［比較例７−２］
シクロデキストリン誘導体の重合体の代わりに、式（７）で表されるβ−ＣＤ０．１４ｇを用いた。イオン交換水の仕込み量は１．８６ｇである。
【０１６７】
［実験結果］
表２は、実施例７−１〜７−１１、比較例７−１、７−２に係るフェノール除去実験について、使用したシクロデキストリン誘導体の重合体と、フェノールおよび水の仕込み量と、攪拌後の溶液の様子、フェノールの除去率を示している。
【０１６８】
【表２】
0006561728.tif 000020
【０１６９】
［実施例８］
＜シクロデキストリン誘導体の重合体によるクレゾールの除去実験＞
シクロデキストリン誘導体の重合体の白色粉末と、クレゾール（和光純薬工業社製）６．８ｍｇと、イオン交換水とをサンプル管に秤量し、均一に混合溶解させた後、ウェイブローターで一晩攪拌した。一晩攪拌することで、クレゾールを包接したシクロデキストリン誘導体の重合体の白色沈殿を得た。得られた白色沈殿を０．２μｍセルロースアセテートフィルターで除去し、得られたろ液のＨＰＬＣ測定を行い、ろ液中のクレゾールを算出した。
【０１７０】
［実施例８−１］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−１で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７１】
［実施例８−２］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−２で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７２】
［実施例８−３］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−３で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７３】
［実施例８−４］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−４で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７４】
［実施例８−５］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−５で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７５】
［実施例８−６］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−６で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７６】
［実施例８−７］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−７で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７７】
［実施例８−８］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−８で得られた重合体０．１７ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８３ｇである。
【０１７８】
［実施例８−９］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−９で得られた重合体０．１８ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８２ｇである。
【０１７９】
［実施例８−１０］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−１０で得られた重合体０．１５ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８５ｇである。
【０１８０】
［実施例８−１１］
シクロデキストリン誘導体の重合体は、実施例６−１１で得られた重合体０．１５ｇである。イオン交換水の仕込み量は１．８５ｇである。
【０１８１】
［比較例８−１］
シクロデキストリン誘導体の重合体の代わりに、比較例６−１で得られたシクロデキストリン架橋ポリマー０．２３ｇを用いた。イオン交換水の仕込み量は１．７７ｇである。
【０１８２】
［比較例８−２］
シクロデキストリン誘導体の重合体の代わりに、式（７）で表されるβ−ＣＤ０．１４ｇを用いた。イオン交換水の仕込み量は１．８６ｇである。
【０１８３】
［実験結果］
表３は、実施例８−１〜８−１１、比較例８−１、８−２に係るクレゾール除去実験について、使用したシクロデキストリン誘導体の重合体と、クレゾールおよび水の仕込み量と、攪拌後の溶液の様子、クレゾールの除去率を示している。
【０１８４】
【表３】
0006561728.tif 000021
【０１８５】
表２および表３より、実施例７−１〜７−１１、８−１〜８〜１１において、実施例６−１〜６−１１に係るシクロデキストリン誘導体の重合体を用いることにより、水溶液中のフェノールあるいはクレゾール（以下、フェノール化合物と呼称する。）を分子内あるいは分子間に取り込んで包接化合物が形成されており、攪拌後に沈殿物による白濁が認められた。また、ＨＰＬＣ測定から、フェノールの除去率は６７％〜９８％、クレゾールの除去率は６１％〜９７％となり、水溶液中のフェノール化合物を効率良く除去できていることがわかった。さらに、シクロデキストリン誘導体の重合体の数平均分子量Ｍｎが大きいほうが、フェノール化合物の包接能が高く、除去率も特に高いことがわかった。一方、比較例である７−１、８−１はＴＤＩにより高密度に架橋されたポリマーであり、フェノール化合物を包接しにくく、除去率は５４％〜５６％であり、比較例７−２、８−２では、重合体ではないβ−ＣＤを用いているため包接化合物を形成しても沈殿物を生じず、フェノール化合物の除去率は０％であった。
【０１８６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。