(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
五酸化バナジウムの粉体と、炭素源の粉体とを混ぜ合わせて成形し、炉内で焼成する二酸化バナジウムの製造方法であって、
前記五酸化バナジウムに対する前記炭素源中の炭素の化学量論比が０．４７５〜１である二酸化バナジウムの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記五酸化バナジウムに対する前記炭素源中の炭素の化学量論比が０．４７５〜０．５５である二酸化バナジウムの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記炭素源が炭素、五酸化バナジウムとともに加熱すると揮発する前に分解して炭化する化合物、または焼成温度で炭素以外の不純物を残さない有機化合物である二酸化バナジウムの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかにおいて、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、および窒素から選択される１以上のガス雰囲気下で前記焼成する二酸化バナジウムの製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかにおいて、
窒素ガス雰囲気下で前記焼成する二酸化バナジウムの製造方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
６００〜１０００℃の温度で前記焼成する二酸化バナジウムの製造方法。
【請求項７】
請求項４または５において、
６００〜８００℃の温度で前記焼成する二酸化バナジウムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、産業上有用な二酸化バナジウムを、簡便かつ安価に製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二酸化バナジウムは、比較的室温に近い７０℃前後で金属−半導体転位を起こし、電気伝導性が可逆的に大きく変わることが報告されている（非特許文献１）。この金属−半導体転位は、低温側の単斜晶構造と高温側の正方晶構造が相互に構造変化することに伴うものだと言われている。この金属−半導体転位では、透過率や反射率等の光学的特性が変化するサーモクロミック現象も起こす。このサーモクロミック現象では、可視光域の変化は小さいが、特に高温側での赤外線透過率が大きく減少する。このため、近年の省エネルギーの気運から、いわゆるスマートガラスや自動調光ガラスと呼ばれるものへの応用研究が盛んに行われている。また、二酸化バナジウムは、転位に伴い体積が変わることを利用したマイクロアクチュエーターや抵抗変化メモリー素子などへの応用も研究されている。
【０００３】
スマートガラスへの応用として、スパッタ法で二酸化バナジウムを透明基板に成膜する方法が特許文献１に開示されている。しかし、スパッタ法によるスマートガラスの製造は、大きな電力を使用する上、スマートガラスを既存の建物に採用する場合にガラスの交換が必要となる問題があった。二酸化バナジウムを粉体として得ることができれば、塗料化して、二酸化バナジウムをガラスへ塗布、または二酸化バナジウムを塗布したフィルムをガラスに貼合することで、スマートガラスに変えることができる。
【０００４】
特許文献２には、二酸化バナジウム粉体を製造する方法が開示されている。これは、メタバナジン酸アンモニウム（ＮＨ4ＶＯ3）の温度と圧力を制御することで、二酸化バナジウムを製造する方法だが、反応の副産物として有毒なアンモニアガスが発生する上、加熱しながら圧力を制御するという複雑な操作が必要であり、簡便な方法とは言えない。特許文献３には、不活性ガス雰囲気下で、バナジウムを含む溶液にレーザーを照射して二酸化バナジウムを製造する方法が開示されている。しかし、これもまたレーザーという大きな電力を使用するという問題があった。
【０００５】
特許文献４には、バナジウムアルコキシドを含む溶液と塩基性水溶液を反応させて前駆体を作成し、この前駆体を水素雰囲気で還元焼成することによって二酸化バナジウムを製造する方法が開示されている。この方法ではバナジウムアルコキシドという高価な薬剤を使用する上、水素中で還元するため、爆発の危険性があるという問題があった。また、二酸化バナジウムは、五酸化バナジウムを水素などの還元ガス内で加熱することで工業的に製造されるが、特許文献４記載の方法と同様に水素中で還元するため爆発の危険性がある。また、五酸化バナジウムの融点が６９０℃と比較的低いことから、高温で還元を行うと五酸化バナジウムが溶融するため、粉砕および分級工程が必要となる、逆に、低温で還元を行うと還元時間が長くなり、エネルギーおよび還元ガスの消費が大きくなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１３７２５１号公報
【特許文献２】特表平１０−５０９９４２号公報
【特許文献３】特開２０１４−９４８８１号公報
【特許文献４】特開２０１３−７１８５９号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】F. J. Morin, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1959年, vol.3, p.34-36
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、産業上有用な二酸化バナジウムを簡便かつ安価に製造することを目的とする。また、異種金属を添加した二酸化バナジウムを簡便かつ安価に製造することを目的とする。さらに、これらの方法によって製造された二酸化バナジウムを用いたサーモクロミック基板などの製品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は鋭意検討を重ねた結果、五酸化バナジウム粉と炭素粉の混合物を不活性ガス雰囲気下で焼成することで五酸化バナジウムを還元し、所望の二酸化バナジウム粉が得られることを見出し、本発明の完成に至った。
【００１０】
本発明の二酸化バナジウムの製造方法は、バナジウムを含む酸化物と炭素源とを含有する混合物を焼成する。本発明の二酸化バナジウムの製造方法において、バナジウムを含む酸化物が五酸化バナジウムであることが好ましい。本発明の二酸化バナジウムの製造方法において、五酸化バナジウムに対する炭素源中の炭素の化学量論比が０.４７５〜１であることが好ましく、０.４７５〜０.５５であることがより好ましい。本発明の二酸化バナジウムの製造方法において、炭素源が炭素または炭素化合物であることが好ましい。
【００１１】
本発明の二酸化バナジウムの製造方法において、ヘリウム、ネオン、アルゴン、および窒素から選択される１以上のガス雰囲気下で混合物を焼成することが好ましく、窒素ガス雰囲気下で混合物を焼成することがより好ましい。本発明の二酸化バナジウムの製造方法において、５００〜１０００℃の温度で混合物を焼成することが好ましく、６００〜８００℃の温度で混合物を焼成することがより好ましい。
【００１２】
本発明の異種金属添加二酸化バナジウムの製造方法は、バナジウムを含む酸化物と、炭素源と、バナジウム以外の金属の化合物とを含有する混合物を焼成する。本発明の他の態様の異種金属添加二酸化バナジウムの製造方法は、バナジウムを含む酸化物と、炭素源と、バナジウム以外の金属の酸化物またはこの金属のイオン溶液とを含有する混合物を焼成する。
【００１３】
本発明のサーモクロミック製品は、本発明の製造方法で製造された二酸化バナジウムまたは異種金属添加二酸化バナジウムを有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、二酸化バナジウムが簡便かつ安価に得られる。また、本発明の他の態様によれば、異種金属を添加した二酸化バナジウムが簡便かつ安価に得られる。さらに、これらの二酸化バナジウムおよび異種金属添加二酸化バナジウムを原料として、サーモクロミック基板など、二酸化バナジウムの金属−半導体転位による光学的、物理的、磁気的特性を利用した製品を安価に製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例で用いた焼成炉の模式断面図である。
【図２】実施例１で得られた二酸化バナジウムおよび実施例１９で得られた異種金属添加二酸化バナジウムの温度−抵抗特性である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の製造方法ついて、図面を参照しながら実施形態と実施例に基づいて詳細に説明する。なお、重複説明は適宜省略する。また、２つの数値の間に「〜」を記載して数値範囲を表す場合には、この２つの数値も数値範囲に含まれるものとする。
【００１７】
本発明の二酸化バナジウムの製造方法は、バナジウムを含む酸化物と炭素源とを含有する混合物を焼成する。具体例として、バナジウムを含む酸化物の粉体と、炭素源の粉体とを混ぜ合わせて成形し、炉内で焼成する方法が挙げられる。バナジウムを含む酸化物は五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）であることが好ましい。五酸化バナジウムは、一般にウランを製造する際の副産物として、または石油を燃料とする工場の煙塵などから得られるが、特にその製法を限定するものではない。炭素源は、炭素そのものまたは炭素化合物であることが好ましい。
【００１８】
カーボンブラック、アセチレンブラック、ファーネスブラック、グラファイトなどの炭素そのものを炭素源として用いるのが簡明だが、五酸化バナジウムとともに加熱すると揮発する前に分解して炭化する化合物や焼成温度で炭素以外の不純物を残さない有機化合物を炭素源として用いることも可能である。このような化合物として、パラフィン、エチレン酢酸ビニル、セルロース、ポリエチレンオキサイド、ステアリン酸などが挙げられる。
【００１９】
これらの化合物が還元雰囲気で炭化する際は、炭化水素やフランなどの低分子量の多種多様な成分となって揮発することが知られている。このため、五酸化バナジウムと混合するこれらの化合物の量を、反応条件などに合わせる必要がある。したがって、炭素源として炭素自体を使用することが簡便である。焼成は大気中でも可能だが、二酸化バナジウムの再酸化を防ぐために、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガス、および窒素から選択される１以上のガス雰囲気下で焼成することが好ましい。これらの中で最も安価なことから、窒素ガス雰囲気下で焼成することがより好ましい。
【００２０】
不活性ガスは、混合物の周囲に存在する酸素による炭素源の酸化を防止する。このため、焼成時の雰囲気ガスとして、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガスを使うことも可能だが、コスト面から窒素を使うことが適当である。また、本発明の二酸化バナジウムの製造方法では、副生成物が二酸化炭素だけなので、特別な回収・処理設備を必要としない。このため、本発明の二酸化バナジウムの製造方法は、産業的規模で実施可能である。
【００２１】
五酸化バナジウムと炭素源から二酸化バナジウムを製造するときの化学反応を式で表すと、２Ｖ2Ｏ5＋Ｃ→４ＶＯ2＋ＣＯ2となり非常にシンプルである。この化学反応を進めるためには加熱が必要である。五酸化バナジウムと炭素源とを含有する混合物を焼成するときの温度は、５００〜１０００℃が好ましく、６００〜８００℃がより好ましい。焼成温度が低過ぎると、得られる二酸化バナジウムの結晶性が低かったり、反応に時間がかかったりする問題ある。焼成温度が高過ぎると、加熱のためのエネルギー消費の増大、バナジウムの昇華によるロス、二酸化バナジウム以外の酸化バナジウムの生成などが起こりうる。
【００２２】
本発明のように、焼成による無機合成で副産物が生じない場合は、一般的に焼成時間とともに結晶が成長するものの、その成長は飽和する傾向にある。このため、短時間焼成では結晶成長が十分に行われず、長時間焼成ではエネルギー消費が増大することが知られている。したがって、本発明の製造方法では、結晶成長が十分に行われる時間だけ焼成すればよい。
【００２３】
混合物中の五酸化バナジウムと炭素源中の炭素の化学量論比は、化学反応式上２：１が理想だが、不活性ガス雰囲気下での加熱焼成が少なからず還元傾向にあることから、炭素が化学量論比より少ない場合でも、五酸化バナジウムが二酸化バナジウムに還元される。また、混合物中の炭素が化学量論比より多過ぎる場合には、二酸化バナジウム以外の酸化バナジウムの生成が起こったり、生成後の二酸化バナジウムに炭素が残留したりする。このため、五酸化バナジウムと炭素源中の炭素の化学量論比、すなわち物質量比（いわゆるモル比）は、五酸化バナジウム：炭素が２：０.９５〜２：２であることが好ましく、２：０.９５〜２：１．１であることがより好ましい。換言すると、五酸化バナジウムに対する炭素源中の炭素の化学量論比が０.４７５〜１であることが好ましく、０.４７５〜０.５５であることがより好ましい。
【００２４】
例えばスマートガラスの被覆層は、二酸化バナジウム自体の転位温度約７０℃より室温に近い転位温度を有する物質から構成されることが望まれる。バナジウムの安定酸化状態である二酸化バナジウム中のバナジウムの価数４価よりも、安定酸化状態での価数が高いニオビウムやタングステンなどが二酸化バナジウムの結晶格子内に存在すると、すなわち二酸化バナジウムにドープされていると、転移温度が７０℃より下がることが知られている。
【００２５】
本発明の異種金属添加二酸化バナジウムの製造方法は、バナジウムを含む酸化物と、炭素源と、バナジウム以外の金属の化合物を含有する混合物を焼成する方法である。また、本発明の他の異種金属添加二酸化バナジウムの製造方法は、バナジウムを含む酸化物と、炭素源と、バナジウム以外の金属の酸化物またはこの金属のイオンを含有する混合物を焼成する方法である。具体例として、バナジウムを含む酸化物の粉体と、炭素源の粉体と、安定酸化状態での価数が４価より高い金属の酸化物、この金属の塩、またはこの金属のイオン溶液とを混ぜ合わせた後に成形し、炉内で焼成する方法が挙げられる。これらの方法によって、転移温度が７０℃より低い異種金属添加二酸化バナジウムが得られる。
【００２６】
なお、安定酸化状態での価数が４価より高い金属に代えて、安定酸化状態での価数が４価以下の金属、例えば安定酸化状態での価数が３価のガリウムを用いて、これらの異種金属添加二酸化バナジウムの製造方法を行ってもよい。安定酸化状態での価数が３価の金属を添加すると、転移温度が高くなる場合が多いが、転移温度が低くなる場合もあるからである。また、転移温度が高い異種金属添加二酸化バナジウムは、例えばガスセンサに使用できる。
【００２７】
本発明の製造方法で得られる二酸化バナジウムまたは異種金属添加二酸化バナジウムの懸濁液を透明基板に塗布・乾燥することで、サーモクロミック性に優れた基板を作製することが可能であり、この簡便かつ安価な製造方法によって更なる用途拡大の可能性が高くなる。自動調光ガラスを代表とする本発明のサーモクロミック製品は、本発明の製造方法で得られる二酸化バナジウムまたは異種金属添加二酸化バナジウムを有している。具体的には、この二酸化バナジウムまたは異種金属添加二酸化バナジウムが、ガラスの表面に被覆されている。
【実施例】
【００２８】
以下に実施例を掲げて本発明の態様をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。図１は、本発明の製造方法の焼成に用いる炉を模式的に示している。なお、図面上の炉の寸法および寸法比は、実物の寸法および寸法比と必ずしも一致していない。
【００２９】
１．二酸化バナジウムおよび異種金属添加二酸化バナジウムの製造
（実施例１〜１６）
まず、表１に示す化学量論比で、五酸化バナジウム（和光純薬工業社製）と、炭素源として炭素であるＣａｒｂｏｎ  Ｂｌａｃｋ（Ａｌｆａ  Ａｅｓａｒ社製）とを乳鉢で混合して混合物である混合粉を調製した。つぎに、この混合粉を錠剤成形機に入れて加圧成形し、ペレットを得た。そして、図１に示す管状の炉内にサンプルであるこのペレットを入れ、窒素をフローしながら毎時５００℃の昇温速度で表１に示す焼成温度まで上昇させ、この焼成温度で表１に示す焼成時間だけ保持した後、自然放冷にて室温まで下げて焼成ペレットを得た。つぎに、この焼成ペレットを乳鉢で粉砕して焼成粉を得た。
【００３０】
（実施例１７）
まず、炭素源であるパラフィン（和光純薬製）０.２ｇをトルエン２ｍＬに溶解してパラフィン溶液を作製した。つぎに、五酸化バナジウム（和光純薬工業社製）０.５０ｇにこのパラフィン溶液０.４０ｍＬを加えた後、溶剤臭がなくなるまで加温しながら乳鉢で混合して、混合物である混合粉を調製した。そして、この混合粉を実施例１と同様にして成型、焼成、粉砕し、パラフィン系焼成粉を得た。
なお、パラフィンの化学式をＣnＨ2n+2として化学量論比Ｖ2Ｏ5：Ｃを算出した。
【００３１】
（実施例１８）
まず、炭素源であるポリエチレングリコール（関東化学製  重合度６,０００）０.０６６ｇを五酸化バナジウム（和光純薬工業社製）０.５０ｇに加えて、乳鉢で混合して混合物である混合粉を調製した。つぎに、この混合粉を実施例１と同様にして成型、焼成、粉砕し、ＰＥＧ系焼成粉を得た。なお、ＰＥＧの化学式をＣ2nＨ4n+2Ｏnとして化学量論比Ｖ2Ｏ5：Ｃを算出した。
【００３２】
（実施例１９、２０）
まず、実施例１で調製した混合粉２.０６６ｇに、Ｎｂ源であるＮｂ系ディップコート液（高純度化学研究所社製、ＳＹＭ−ＮＢ０５）を０.４４４ｍＬ（実施例１９）または１.３６ｍＬ（実施例２０）を加えた後、溶剤臭がなくなるまで加温しながら乳鉢で混合して、混合物である混合粉を調製した。つぎに、この混合粉を実施例１と同様にして成型、焼成、粉砕し、Ｎｂ１％添加焼成粉（実施例１９）またはＮｂ３％添加焼成粉（実施例２０）を得た。
【００３３】
（実施例２１）
まず、実施例１で調製した混合粉１.０３３ｇに、Ｇａ源であるガリウムアセチルアセトナート（Ａｌｆｅｒ  Ａｅｓａｒ社製、Ｇａ(ａｃａｃ)3）を０.０８２４ｇ加えた後、乳鉢で混合して、混合物である混合粉を調製した。つぎに、この混合粉を実施例１と同様にして成型、焼成（７００℃で５時間）、粉砕し、Ｇａ２％添加焼成粉を得た。
【００３４】
（比較例）
五酸化バナジウム（和光純薬工業社製）０.５ｇを、実施例１と同様にして成型、焼成、粉砕し、五酸化バナジウム焼成粉を得た。
【００３５】
２．評価と検討
（評価−１：結晶性）
ＸＲＤ（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｓｍａｒｔ Ｌａｂ）を用いたＸ線回折法で、実施例および比較例で得られた二酸化バナジウムおよび異種金属添加二酸化バナジウムの焼成粉の結晶構造を特定した。なお、測定条件は、電圧４０ｋＶ、電流３０ｍＡ、スキャン速度２°／ｍｉｎ、回折角２θ＝１０〜７０°とした。綺麗なＶＯ2のピーク（（０１１）面、２θ＝２７.８°など）のみが確認された場合を「○」、ＶＯ2のピークに加えてＶ2Ｏ5など他の酸化物のピークが確認された場合、またはＶＯ2の結晶性が明らかに悪い場合を「△」、ＶＯ2のピークが確認されない場合、または試料が回収できなかった場合を「×」とした。その結果を表１に示す。
【００３６】
（評価−２：金属−半導体転位温度）
実施例および比較例で得られた二酸化バナジウムおよび異種金属添加二酸化バナジウムの焼成粉を加圧成形後、ペルチェヒーター（アンペール社製、ＵＴＣ−１００）とデジタルソースメーター（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製、２４００型汎用ソースメータ）を用いて、温度−抵抗特性を測定した。なお、測定条件は、温度範囲を−１０℃から１１４℃、温度ステップを４℃、測定電流を１ｍＡとした。実施例１で得られた二酸化バナジウムおよび実施例１９で得られた異種金属添加二酸化バナジウムの温度−抵抗特性を図２に示す。また、温度−抵抗特性で、昇温時の抵抗の変曲点を金属−半導体転位温度とした。その結果も表１に示す。
【００３７】
【表１】
0006501103.tif 000002
【００３８】
（混合粉中の五酸化バナジウムと炭素の化学量論比の検討）
表１に示すように、五酸化バナジウムと炭素源を不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、二酸化バナジウムが生成することがわかった。実施例１および実施例３〜５より、焼成温度７００℃の場合、五酸化バナジウムと炭素源中の炭素の化学量論比は、五酸化バナジウム：炭素＝２：０.９５〜２：２のときに、Ｘ線回折で綺麗なＶＯ2のピークのみが検出された。五酸化バナジウム：炭素＝２：３である実施例６では、生成したＶＯ2の結晶性が良くなかった。五酸化バナジウム：炭素＝２：０.９である実施例２では、Ｘ線回折で原料のＶ2Ｏ5のピークが認められた。したがって、好ましい五酸化バナジウムと炭素源中の炭素の化学量論比の範囲は、五酸化バナジウム：炭素＝２：０.９５〜２：２である。
【００３９】
なお、焼成温度が７００℃のときにはＶＯ2のみが生成される五酸化バナジウム：炭素＝２：１.２５の化学量論比の混合粉を９００℃で焼成した実施例１６では、Ｘ線回折において、ＶＯ2よりもバナジウムが還元されているバナジウム酸化物と思われるピークが出現した。炭素源の量が多く、反応温度が高くなって還元力も高まった結果と考えられる。一方、五酸化バナジウム：炭素＝２：１.１の混合粉を９００℃で焼成した実施例１５では、ＶＯ2のみが生成された。したがって、より好ましい五酸化バナジウムと炭素源中の炭素の化学量論比の範囲は、五酸化バナジウム：炭素＝２：０.９５〜２：１.１である。五酸化バナジウムと炭素源中の炭素の最も好ましい化学量論比は、五酸化バナジウム：炭素がほぼ２：１のときであると言える。
【００４０】
（焼成温度の検討）
実施例８〜１３からわかるように、五酸化バナジウム：炭素＝２：１の化学量論比の混合粉を６００〜１０００℃で焼成すれば、ＶＯ2のみが生成した。実施例７の焼成温度５５０℃でもＶＯ2が生成したが、結晶性は良くなかった。焼成温度５５０℃で焼成時間を延長すれば結晶性が良くなる可能性はあるものの、簡便かつ安価にＶＯ2を製造するためには、焼成温度は６００℃以上が好ましい。また、この混合粉を１０００℃より高温で焼成してもＶＯ2のみが生成すると思われるが、エネルギー消費抑制のため焼成温度は１０００℃以下が好ましく、８００℃以下がより好ましい。
【００４１】
（焼成時間の検討）
五酸化バナジウム：炭素＝２：１の化学量論比の混合粉を７００℃で焼成した実施例１、実施例１２、および実施例１３から、焼成時間の好ましい範囲を検討した。実用的と思われる焼成時間１０分〜１０時間で結晶性の違いが多少見られたものの、いずれもＶＯ2のみが生成したことから、焼成時間の範囲は特に限定されるものではなかった。
【００４２】
（炭素源の種類の検討）
実施例１７および実施例１８では、炭素源をパラフィンおよびポリエチレングリコールに変更してもＶＯ2が生成するか調べた。いずれの炭素源でもＶＯ2が生成した。したがって、炭素源は炭素に限定されず、混合粉の焼成温度で炭化して炭素源として残存する物質、すなわち高温の還元雰囲気で炭素が残る物質であればよいと考えられる。
【００４３】
（異種金属の添加の検討）
実施例１９および実施例２０では、焼成粉中のバナジウムと異種金属のモル比が９９：１および９７：３となるようにニオビウムをドープして異種金属添加二酸化バナジウムを得た。表１に示すように、実施例１の二酸化バナジウムの転移温度は、ほぼ文献通りの７２℃であったのに対し、実施例１９の異種金属添加二酸化バナジウムの転移温度は５６℃に、実施例２０の異種金属添加二酸化バナジウムの転移温度は４０℃にそれぞれ下がっている。これはＶＯ2の格子内にニオビウムがドープされたことを示している。したがって、本発明の二酸化バナジウムの製造方法において、焼成前の混合粉に異種金属の溶液等を混ぜることで、簡単に異種金属をドープした二酸化バナジウム、すなわち異種金属添加二酸化バナジウムが生成できることがわかった。
【００４４】
（総括）
以上、実施形態および実施例に基づいて本発明を説明したが、ここに示した物質、組成、構成、および使用方法などは本発明を限定するものではなく、２Ｖ2Ｏ5＋Ｃ→４ＶＯ2＋ＣＯ2の化学反応を起こさせる原材料、炉などの設備、および環境などがあればよい。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明によれば、安価な原材料を元に、特殊な装置や特殊なガスなどを使わずに、簡便かつ安価に二酸化バナジウムおよび異種金属添加二酸化バナジウムを提供することができる。二酸化バナジウムの金属−絶縁体転位による特性の変化を利用したアプリケーションには、例えばサーモクロミック特性を利用した自動調光ガラスなどがある。本発明の製造方法で製造された二酸化バナジウムおよび異種金属添加二酸化バナジウムは、転移温度での物理特性の変化を利用した自動調光ガラスを代表とするサーモクロミック製品などに利用可能である。しかし、アプリケーションや使用条件によって求められる転移温度が変わることは想像に難くない。本発明では、異種金属のドープも可能、すなわち、転位点の変更も可能である。したがって、自動調光ガラスへの応用を念頭に置いてきたが、簡便なプロセスであることから新規分野への展開の可能性が広がる。
【図１】
0006501103.tif 000003
【図２】
0006501103.tif 000004