(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（１１）及び裏面（１２）を有する支持基板（１０）と、
前記表面に直交する方向に磁束を発生させると共に、前記表面に固定された磁束発生部（２０）と、
前記裏面のうち前記磁束の透過範囲に設けられており、前記裏面から離れて位置すると共に磁性体で構成された検出対象（１００）のうちの前記裏面の面方向の先端部（１１０）が前記透過範囲に対応する空間部（２００）を当該面方向に基準位置から移動する移動量に応じて変化する前記磁束の強弱に対応した検出信号を出力する磁気素子（３１〜３５）と、
前記検出信号を入力し、前記磁気素子の感度の変化に基づいて前記検出信号を補正する補正部（４０、５０）と、
を備え、
前記補正部は、
前記検出対象の移動にかかわらず前記検出対象とのギャップを検出し、前記ギャップの大きさに対応したギャップ信号を出力するギャップ検出用の磁気素子（４０）と、
前記ギャップ信号を入力し、前記ギャップ信号の初期値と前記検出対象の移動に伴うギャップ値との比をギャップ補正係数として求め、前記ギャップ補正係数を用いて前記検出信号の感度を補正する信号処理部（５０）と、
を有している位置センサ。
【請求項２】
表面（１１）及び裏面（１２）を有する支持基板（１０）と、
前記表面に直交する方向に磁束を発生させると共に、前記表面に固定された磁束発生部（２０）と、
前記裏面のうち前記磁束の透過範囲に設けられており、前記裏面から離れて位置すると共に磁性体で構成された検出対象（１００）のうちの前記裏面の面方向の先端部（１１０）が前記透過範囲に対応する空間部（２００）を当該面方向に基準位置から移動する移動量に応じて変化する前記磁束の強弱に対応した検出信号を出力する磁気素子（３１〜３５）と、
前記検出信号を入力し、前記磁気素子の感度の変化に基づいて前記検出信号を補正する補正部（４０、５０）と、
を備え、
前記磁気素子は、前記検出対象の移動方向に沿って前記裏面に複数設けられており、
前記補正部は、前記複数の磁気素子のうち前記検出対象に対向する磁気素子の出力を前記検出対象とのギャップの大きさに対応したギャップ信号として取得し、前記ギャップ信号の初期値と前記検出対象の移動に伴うギャップ値との比をギャップ補正係数として求め、前記ギャップ補正係数を用いて前記検出信号の感度を補正する位置センサ。
【請求項３】
前記補正部は、前記検出対象の移動によって想定される前記検出信号の出力値の範囲が複数に分割されると共に分割された区間の出力値の最小値と最大値とを結ぶ直線の傾きを目標出力の傾きに補正する傾き補正係数と、前記分割された区間において前記傾き補正係数によって補正される出力値の始点と終点とを前記目標出力に一致させるオフセット補正係数と、を有し、前記検出対象の移動量に対応した前記検出信号の出力値を前記傾き補正係数によって補正すると共に、当該出力値を前記オフセット補正係数によって補正することにより、前記検出信号の感度を補正する請求項１または２に記載の位置センサ。
【請求項４】
前記磁気素子は、前記検出対象の移動方向に沿って前記裏面に複数設けられており、
前記補正部は、前記検出対象に対して予め取得された前記複数の磁気素子の飽和値のうちの１つが基準値とされると共に前記複数の磁気素子の飽和値と前記基準値との比から前記複数の磁気素子毎に算出された飽和補正係数を有し、前記複数の磁気素子から前記検出信号をそれぞれ入力し、前記飽和補正係数を用いて前記検出信号の感度を補正する請求項１ないし３に記載の位置センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出対象の位置を検出する位置センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、直線上の位置を検出する位置センサが、例えば特許文献１で提案されている。具体的には、位置センサは、厚さ方向に着磁された磁石の片面に当該磁石の長さ方向に対する幅が当該長さ方向の位置によって異なる磁性板が設けられたセンサ本体を備えている。また、位置センサは、センサ本体の磁性板の上方に一定のギャップを空けて長手方向に沿って移動する磁気変換素子を備えている。
【０００３】
このような構成によると、磁石から出る磁界が幅の異なる磁性板によって遮蔽されるので、磁性板の表面の磁界強さが磁石の長さ方向の位置によって変化する。したがって、移動する磁気変換素子からの出力を検知することで、磁気変換素子の磁石に対する位置を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２６４３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術では、例えばギャップが変化する等の問題が起こった際に磁気変換素子の感度が変化してしまう。このため、検出対象の位置検出の誤差が発生してしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑み、検出対象の位置検出の誤差を補正することができる位置センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１、２に記載の発明では、位置センサは、表面（１１）及び裏面（１２）を有する支持基板（１０）と、表面に直交する方向に磁束を発生させると共に、表面に固定された磁束発生部（２０）と、を備えている。
【０００８】
また、位置センサは、裏面のうち磁束の透過範囲に設けられており、裏面から離れて位置すると共に磁性体で構成された検出対象（１００）のうちの裏面の面方向の先端部（１１０）が透過範囲に対応する空間部（２００）を当該面方向に基準位置から移動する移動量に応じて変化する磁束の強弱に対応した検出信号を出力する磁気素子（３１〜３５）を備えている。
【０００９】
さらに、位置センサは、検出信号を入力し、磁気素子の感度の変化に基づいて検出信号を補正する補正部（４０、５０）を備えている。
そして、請求項１に記載の発明では、補正部は、検出対象の移動にかかわらず検出対象とのギャップを検出し、ギャップの大きさに対応したギャップ信号を出力するギャップ検出用の磁気素子（４０）を有している。また、補正部は、ギャップ信号を入力し、ギャップ信号の初期値と検出対象の移動に伴うギャップ値との比をギャップ補正係数として求め、ギャップ補正係数を用いて検出信号の感度を補正する信号処理部（５０）を有している。
請求項２に記載の発明では、磁気素子は、検出対象の移動方向に沿って裏面に複数設けられている。また、補正部は、複数の磁気素子のうち検出対象に対向する磁気素子の出力を検出対象とのギャップの大きさに対応したギャップ信号として取得し、ギャップ信号の初期値と検出対象の移動に伴うギャップ値との比をギャップ補正係数として求め、ギャップ補正係数を用いて検出信号の感度を補正する。
【００１０】
このように、位置センサは補正部を備えているので、磁気素子の感度に基づいて検出信号を補正することができる。したがって、検出対象の位置検出の誤差を補正することができる。
【００１１】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る位置センサの側面図である。
【図２】（ａ）は検出対象移動量に対する磁気素子の出力を示した図であり、（ｂ）はギャップが大きくなった場合の磁気素子の出力を示した図である。
【図３】検出対象移動量に対する信号処理後の出力を示した図である。
【図４】第２実施形態において、磁気素子の出力を複数の区間に分割する内容を示した図である。
【図５】第２実施形態において、傾き補正係数及びオフセット補正係数の算出を説明するための図である。
【図６】第３実施形態に係る位置センサの側面図である。
【図７】（ａ）は飽和補正係数による補正前の磁気素子の出力を示した図であり、（ｂ）は飽和補正係数による補正後の磁気素子の出力を示した図である。
【図８】飽和補正係数による信号処理後の出力を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１４】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る位置センサは、検出対象の位置を検出するものである。図１に示されるように、位置センサ１は、支持基板１０、磁石２０、複数の磁気素子３１〜３５、ギャップ検出素子４０、及び信号処理部５０を備えて構成されている。
【００１５】
支持基板１０は、表面１１及び裏面１２を有する板状の部品である。支持基板１０は、図示しないパッドや配線パターンが形成された回路基板である。支持基板１０として、プリント基板等の磁束を透過するものが用いられる。
【００１６】
磁石２０は、検出対象１００の有無に応じて変化する磁束を各磁気素子３１〜３５に印加するための部品である。磁石２０は、支持基板１０の表面１１に直交する方向に磁束が向くように当該表面１１に固定されている。例えば、磁石２０のＮ極が支持基板１０の表面１１側に向けられている。これにより、磁束の向きが支持基板１０の表面１１側から裏面１２側となる。
【００１７】
検出対象１００は、板状の磁性体によって構成されている。検出対象１００は、支持基板１０の裏面１２から離れて位置している。また、検出対象１００は、支持基板１０の裏面１２の面方向に基準位置から移動する。具体的には、検出対象１００のうち支持基板１０の裏面１２の面方向の先端部１１０が、当該裏面１２の上方の空間のうち磁束の透過範囲に対応する空間部２００を当該面方向に移動する。
【００１８】
各磁気素子３１〜３５は、検出対象１００の先端部１１０の基準位置からの移動量に応じて変化する磁束の強弱に対応した検出信号を出力するものである。検出信号は、例えば磁束の強弱に対応した大きさの電圧である。各磁気素子３１〜３５として、磁気の強さを検出するホール素子等が用いられる。
【００１９】
また、各磁気素子３１〜３５は、支持基板１０の裏面１２のうちの磁束の透過範囲に実装されている。具体的には、各磁気素子３１〜３５は、検出対象１００の移動方向に沿って直線上に配置されていると共に、互いに離間して配置されている。本実施形態では、５個の磁気素子３１〜３５が支持基板１０に設けられている。また、全ての磁気素子３１〜３５が同じ機能及び構成を有している。
【００２０】
ギャップ検出素子４０は、検出対象１００とのギャップを検出する素子である。言い換えると、ギャップ検出素子４０は、各磁気素子３１〜３５の感度の変化を検出する素子である。ギャップ検出素子４０は、ギャップの大きさに対応したギャップ信号を出力する。ギャップ信号は、例えばギャップに対応した大きさの電圧である。
【００２１】
また、ギャップ検出素子４０は、検出対象１００の移動にかかわらず検出対象１００とのギャップを常に検出するため、支持基板１０の裏面１２のうちの磁束の透過範囲に実装されている。また、支持基板１０の裏面１２のうち検出対象１００が常に対向する位置に実装されている。ギャップ検出素子４０として、磁気の強さを検出するホール素子等が用いられる。つまり、各磁気素子３１〜３５及びギャップ検出素子４０は、同じ構成の素子である。
【００２２】
信号処理部５０は、各磁気素子３１〜３５から検出信号を入力し、各磁気素子３１〜３５の感度の変化に基づいて検出信号を補正するものである。このため、信号処理部５０は、ギャップ検出素子４０からギャップ信号を入力し、ギャップ信号を用いて検出信号を補正する補正機能を有している。
【００２３】
信号処理部５０は、例えばＩＣチップとして構成されている。信号処理部５０は、支持基板１０の裏面１２のうち磁石２０の影響を受けない場所に実装されている。信号処理部５０は、支持基板１０の表面１１に実装されていても良い。
【００２４】
以上が、位置センサ１の構成である。なお、位置センサ１は、上記各構成を収容する筐体や、他の装置と電気的接続を行うための端子等を備えている。
【００２５】
次に、位置センサ１の作動について説明する。まず、図１に示されるように、空間部２００での検出対象１００の位置に応じて磁束の強弱が異なる。具体的には、支持基板１０の表面１１に直交する方向に検出対象１００が位置する場合、磁石２０の磁束は磁性体である検出対象１００に引き寄せられるので、磁束が強くなる。一方、支持基板１０の表面１１に直交する方向に検出対象１００が位置しない場合、磁石２０の磁束の強さは変化しない。つまり、検出対象１００が位置する場合の磁束よりも弱くなる。
【００２６】
このような磁束の強弱は、検出対象１００の先端部１１０の移動に伴って、当該先端部１１０の移動方向に変化する。したがって、各磁気素子３１〜３５は、検出対象１００の先端部１１０の位置に応じた検出信号の出力を行う。ここで、磁気素子３１の出力をＶ１、磁気素子３２の出力をＶ２、磁気素子３３の出力をＶ３、磁気素子３４の出力をＶ４、磁気素子３５の出力をＶ５とする。
【００２７】
図２（ａ）に示されるように、検出対象１００の先端部１１０が磁気素子３１に近づくと、磁気素子３１の出力Ｖ１が変化する。そして、検出対象１００の先端部１１０の移動量の増加に伴って磁気素子３１が受ける磁束が強くなるので、出力Ｖ１も増加する。磁気素子３１が受ける磁束の強さが最大になると、出力Ｖ１は一定値となる。他の磁気素子３２〜３５の各出力Ｖ２〜Ｖ５も同じ変化をする。
【００２８】
また、各出力Ｖ１〜Ｖ５には切替閾値が設定されている。これは、各磁気素子３１〜３５が受ける磁束の強さが最大または最小になると出力が一定値になるためである。したがって、磁束の変化に応じて出力が変化する範囲が切替閾値によって設定されている。
【００２９】
切替閾値は、各出力に対して最大値側と最小値側との２つが設定されている。切替閾値は固定値ではなく、各出力の最大値及び最小値に対応して変動するように設定されている。切替閾値は、信号処理部５０に予め記憶されている。
【００３０】
例えば、出力Ｖ１が最小値側の切替閾値を超えると、信号処理部５０は磁気素子３１の出力Ｖ１を検出信号とする。出力Ｖ１が最大値側の切替閾値を超えると、信号処理部５０は磁気素子３２の出力Ｖ２を検出信号とする。信号処理部５０はこのような検出信号の切り替えを行う。
【００３１】
さらに、信号処理部５０は、ギャップ検出素子４０からギャップ信号を入力する。例えば、図２（ａ）に示されたギャップ信号を初期値とする。初期値は、ギャップの大きさの基準値である。信号処理部５０は、例えば、位置センサ１に電源が投入されたとき、位置の検出を開始するとき、ある特定の条件が揃ったとき等のギャップ信号に基づいて初期値を設定する。初期値をいつ取得するかは適宜決めれば良い。
【００３２】
そして、図２（ａ）に示された初期値に対してギャップが大きくなったとする。この場合、各磁気素子３１〜３５と検出対象１００との間隔が広がるので、各磁気素子３１〜３５の感度は下がる。したがって、図２（ｂ）に示されるように、各磁気素子３１〜３５の各出力Ｖ１〜Ｖ５の最大値は小さくなる。同様に、ギャップ検出素子４０の出力も小さくなる。なお、図示しないが、初期値に対してギャップが小さくなった場合、各磁気素子３１〜３５の感度は上がると共に、ギャップ検出素子４０の出力も大きくなる。
【００３３】
このように、位置センサ１と検出対象１００とのギャップは常に一定ではない。すなわち、ギャップは位置センサ１や検出対象１００の状態に応じて変化するので、信号処理部５０は、各磁気素子３１〜３５の感度を補正する。
【００３４】
したがって、信号処理部５０は、ギャップ信号を入力すると共に、ギャップ信号の初期値を取得する。そして、信号処理部５０は、ギャップ信号の初期値と検出対象１００の移動に伴うギャップ値との比をギャップ補正係数として取得する。これにより、例えば図２（ａ）に示されたギャップの初期値に対する図２（ｂ）に示されたギャップ値の割合がわかる。
【００３５】
続いて、信号処理部５０は、各磁気素子３１〜３５の出力にギャップ補正係数を掛けることにより、当該出力の感度を補正する。また、信号処理部５０は、切替閾値にギャップ補正係数を掛けることにより、切替閾値を補正する。これにより、信号処理部５０は、ギャップが大きくなった場合にはギャップ補正係数によって出力の感度を上げると共に、切替閾値も変更する。一方、信号処理部５０は、ギャップが小さくなった場合にはギャップ補正係数によって出力の感度を下げると共に、切替閾値も変更する。
【００３６】
そして、図３に示されるように、例えばギャップが大きくなった場合、各出力Ｖ１〜Ｖ５の最大値側の切替閾値がギャップの変化によって変動するので、各出力Ａ〜Ｅの終点が実際よりも低くなってしまう。このため、検出対象１００の位置の誤差となる。
【００３７】
しかしながら、信号処理部５０は上記のギャップ補正係数を用いた補正を行っているので、ギャップの変化にかかわらず、各出力Ｖ１〜Ｖ５が検出対象１００の移動量に対して比例して変化するように信号処理することができる。また、各出力Ｖ１〜Ｖ５の直線性も確保することができる。したがって、検出対象１００の位置検出の誤差を補正することができる。
【００３８】
位置センサ１は、例えば、自動車ドライブシャフト、カムシャフト、ギヤ等の回転体の軸方向の移動位置検出、シフトポジション検出、ピストンやバルブ等の位置検出に適用される。もちろん、位置センサ１は自動車以外の他の用途に適用されても良い。
【００３９】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、磁石２０が特許請求の範囲の「磁束発生部」に対応する。また、ギャップ検出素子４０及び信号処理部５０が特許請求の範囲の「補正部」に対応し、ギャップ検出素子４０が特許請求の範囲の「ギャップ検出用の磁気素子」に対応する。
【００４０】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、信号処理部５０は、各磁気素子３１〜３５の各出力Ｖ１〜Ｖ５の直線性を補正する機能を有している。このため、信号処理部５０は、予め傾き補正係数及びオフセット補正係数を有している。これらの係数は次のように算出する。
【００４１】
まず、図４に示されるように、検出対象１００の移動によって想定される磁気素子３１の検出信号の出力値の範囲を分割閾値によって複数に分割する。本実施形態では、上下の切替閾値の間を２つの分割閾値によって３つの区間Ａ〜Ｃに分割する。
【００４２】
そして、図５に示されるように、例えば区間Ａにおける検出信号の出力値の最小値と最大値とを結ぶ直線の傾きを目標出力の傾きに補正する傾き補正係数を取得する。つまり、傾き補正係数は、区間Ａの感度を調整するパラメータである。また、区間Ａにおいて、傾き補正係数によって補正される出力値の始点と終点とを目標出力に一致させるオフセット補正係数を取得する。区間Ｂ、Ｃにおいても傾き補正係数及びオフセット補正係数を取得する。
【００４３】
さらに、各磁気素子３２〜３５についても傾き補正係数及びオフセット補正係数を取得する。そして、傾き補正係数及びオフセット補正係数を信号処理部５０に記憶する。
【００４４】
各補正係数の取得は、例えば位置センサ１の製造時に行う。また、信号処理部５０に予め目標出力を記憶しておくことで位置センサ１に検出対象１００がセッティングされた際に信号処理部５０が各補正係数を取得する処理を行うようにしても良い。
【００４５】
そして、位置センサ１の動作時、信号処理部５０は、各磁気素子３１〜３５から入力した検出信号に対応する傾き補正係数を出力値に掛け、当該出力値にオフセット補正係数を足す補正を行う。このようにして、検出信号の感度を補正する。
【００４６】
以上の補正により、各磁気素子３１〜３５の各出力Ｖ１〜Ｖ５の非直線性による位置検出の誤差を低減することができる。検出対象１００の移動量に対し、磁気素子３１〜３５の出力変化が小さい区間ほど区間幅を狭くすることで位置検出の誤差の低減効果が大きくなる。
【００４７】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、信号処理部５０が特許請求の範囲の「補正部」に対応する。
【００４８】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図６に示されるように、本実施形態では、位置センサ１が検出対象１００の対向面１２０に対して傾いている場合、信号処理部５０は各磁気素子３１〜３５の感度を補正する機能を有している。
【００４９】
検出対象１００の対向面１２０に対して支持基板１０の裏面１２が傾いているので、各磁気素子３１〜３５と検出対象１００とのギャップｘ１〜ｘ５は全て異なる大きさである。例えば、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３＞ｘ４＞ｘ５である。この場合、図７（ａ）に示されるように、各磁気素子３１〜３５の出力Ｖ１〜Ｖ５の飽和値は、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ４＜Ｖ５となる。したがって、図８に示されるように、検出対象１００の移動量に対する各出力Ｖ１〜Ｖ５は点線で示された非直線性の出力となる。
【００５０】
この非直線性の出力を補正するため、信号処理部５０は飽和補正係数を有している。この係数は次のように算出する。まず、検出対象１００に対して位置センサ１をセッティングする。また、検出対象１００に対して各磁気素子３１〜３５の上側及び下側の飽和値を取得する。そして、上側の飽和値のうちの１つを基準値とする。例えば、磁気素子３３の出力Ｖ３の飽和値を基準値とする。各出力Ｖ１〜Ｖ５において上側の飽和値をＶｕ１〜Ｖｕ５とする。したがって、出力Ｖ３の上側の飽和値はＶｕ３である。
【００５１】
続いて、各磁気素子３１〜３５の飽和値Ｖｕ１〜Ｖｕ５と基準値Ｖｕ３との比から磁気素子３１〜３５毎に飽和補正係数ａｉを算出する。つまり、飽和補正係数ａｉは各磁気素子３１〜３５の感度を調整するパラメータである。各出力Ｖ１〜Ｖ５のオフセットをＶｏｆｆとする。Ｖｏｆｆは各出力Ｖ１〜Ｖ５の下側の飽和値に対応している。したがって、飽和補正係数ａｉ（ｉ＝１〜５）は、ａｉ＝（Ｖｕｉ−Ｖｏｆｆ）／（Ｖｕ３―Ｖｏｆｆ）となる。このように、飽和補正係数ａｉは、各出力Ｖ１〜Ｖ５の上側の飽和値Ｖｆ１〜Ｖｆ５から算出される。
【００５２】
飽和補正係数ａｉの取得は、検出対象１００の位置検出前に行う。例えば、位置センサ１と検出対象１００とが一体化される場合は位置センサ１の製造時に飽和補正係数ａｉを算出し、信号処理部５０に記憶しても良い。
【００５３】
そして、位置センサ１の動作時、信号処理部５０は、各磁気素子３１〜３５入力した検出信号に対応する飽和補正係数ａｉを用いて各出力Ｖ１〜Ｖ５の補正を行う。信号処理部５０は、出力Ｖｓｉの算出時には、飽和値Ｖｕ１〜Ｖｕ５ではなく変動値である出力Ｖ１〜Ｖ５を用いる。補正後の出力Ｖｓｉ（ｉ＝１〜５）は、Ｖｓｉ＝｛（Ｖｉ−Ｖｏｆｆ）／ａｉ｝＋Ｖｏｆｆとなる。
【００５４】
このようにして、各磁気素子３１〜３５の感度を補正する。これにより、図７（ｂ）に示されるように、各出力Ｖ１〜Ｖ５の飽和値を一致させることができる。また、図８に示されるように、各出力Ｖ１〜Ｖ５の直線性も確保することができる。したがって、検出対象１００に対する位置センサ１の傾きに起因した位置検出の誤差を補正することができる。
【００５５】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、信号処理部５０が特許請求の範囲の「補正部」に対応する。
【００５６】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された位置センサ１の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、上記各実施形態で示された信号処理を適宜組み合わせることができる。
【００５７】
上記各実施形態では、磁束を発生させるものとして磁石２０が用いられていたが、これは構成の一例である。例えば、電磁石等の磁束発生手段が用いられても良い。
【００５８】
上記各実施形態では、検出対象１００は板状に構成されていたが、これは形状の一例である。したがって、検出対象１００は板状に限られず、他の形状でも良い。
【００５９】
第１実施形態及び第２実施形態では、位置センサ１は複数の磁気素子３１〜３５を備えていたが、複数備えている必要は無い。１つの磁気素子でも位置センサ１として構成することができる。また、上記各実施形態では、支持基板１０に５個の磁気素子３１〜３５が設けられた例が示されているが、磁気素子３１〜３５の数は一例である。したがって、磁気素子３１〜３５の数は５個に限られない。
【００６０】
第１実施形態では、ギャップ検出素子４０を用いてギャップを検出する構成が示されているが、各磁気素子３１〜３５のいずれかがギャップ検出素子４０として機能するように構成されていても良い。つまり、第３実施形態の図６で示された構成のように、位置センサ１はギャップ検出素子４０を備えていなくても良い。例えば、信号処理部５０は、検出対象１００に対向する磁気素子３１の出力を検出対象１００とのギャップの大きさに対応したギャップ信号として取得する。また、信号処理部５０は、ギャップ信号の初期値と検出対象の移動に伴うギャップ値との比をギャップ補正係数として求め、ギャップ補正係数を用いて検出信号の感度を補正する。ギャップ信号の初期値は、磁気素子３１の出力が最大値になった後の出力となる。したがって、信号処理部５０は、磁気素子３１の出力を用いて磁気素子３２〜３５の出力の感度を補正することができる。このように、ギャップ検出素子４０を用いずにギャップに応じた感度の補正をすることができる。これにより、ギャップ検出素子４０を配置することが難しい構成においても感度の補正が可能になる。また、位置センサ１の小型化にも対応できる。もちろん、当該構成は、第２、第３実施形態と組み合わせても良い。
【符号の説明】
【００６１】
１０        支持基板
１１        表面
１２        裏面
２０        磁石（磁束発生部）
３１〜３５  磁気素子
４０        ギャップ検出素子（補正部）
５０        信号処理部（補正部）
１００      検出対象
１１０      先端部
【図１】
0006536478.tif 000002
【図２】
0006536478.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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