(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＩＩの構造で表される式Ｉｒ（ＬＡ）ｎ（ＬＢ）３−ｎで表されることを特徴とする化合物。
【化１】
0006619578.tif 000123
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８は、炭素又は窒素を含み；
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８の少なくとも１つは、窒素であり；
環Ｂは、Ｃ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
イリジウムは、Ｉｒ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
Ｘは、Ｏ、Ｓ、又はＳｅであり；
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、モノ、ジ、トリ、テトラ置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６における任意の隣接する置換は、互いに結合して環を形成してもよく；
Ｒ１、及びＲ２は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、ホスフィノ，及びこれらの組合せからなる群から選択され；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
ｎは、１から３までの整数であり；
対Ｒ３とＲ４、及び対Ｒ５とＲ６の少なくとも１つにおける炭素の総数は、少なくとも４つである。）
【請求項２】
式ＩＩＩの構造で表される請求項１に記載の化合物。
【化２】
0006619578.tif 000124
【請求項３】
Ａ１〜Ａ８の１つだけが窒素である請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
ＸがＯであり、Ｒ１及びＲ２が、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、及びこれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
下記条件（１）及び（２）の少なくとも１つが当てはまる請求項１に記載の化合物：
（１）Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され；Ｒ３とＲ４を合わせた炭素の総数は、少なくとも４つである、
（２）Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され；Ｒ５とＲ６を合わせた炭素の総数は、少なくとも４つである。
【請求項６】
ＬＡが下記からなる群から選択される請求項１に記載の化合物。
【化３】
0006619578.tif 000125
【化４】
0006619578.tif 000126
【化５】
0006619578.tif 000127
【化６】
0006619578.tif 000128
【化７】
0006619578.tif 000129
【化８】
0006619578.tif 000130
【化９】
0006619578.tif 000131
【化１０】
0006619578.tif 000132
【化１１】
0006619578.tif 000133
【化１２】
0006619578.tif 000134
【化１３】
0006619578.tif 000135
【化１４】
0006619578.tif 000136
【化１５】
0006619578.tif 000137
【化１６】
0006619578.tif 000138
【化１７】
0006619578.tif 000139
【化１８】
0006619578.tif 000140
【化１９】
0006619578.tif 000141
【化２０】
0006619578.tif 000142
【化２１】
0006619578.tif 000143
【化２２】
0006619578.tif 000144
【化２３】
0006619578.tif 000145
【化２４】
0006619578.tif 000146
【化２５】
0006619578.tif 000147
【化２６】
0006619578.tif 000148
【化２７】
0006619578.tif 000149
【化２８】
0006619578.tif 000150
【化２９】
0006619578.tif 000151
【化３０】
0006619578.tif 000152
【化３１】
0006619578.tif 000153
【化３２】
0006619578.tif 000154
【化３３】
0006619578.tif 000155
【請求項７】
ＬＢが下記からなる群から選択される請求項１に記載の化合物。
【化３４】
0006619578.tif 000156
【化３５】
0006619578.tif 000157
【化３６】
0006619578.tif 000158
【化３７】
0006619578.tif 000159
【化３８】
0006619578.tif 000160
【化３９】
0006619578.tif 000161
【化４０】
0006619578.tif 000162
【化４１】
0006619578.tif 000163
【化４２】
0006619578.tif 000164
【請求項８】
下記からなる群から選択される請求項１に記載の化合物。
【化４３】
0006619578.tif 000165
【化４４】
0006619578.tif 000166
【化４５】
0006619578.tif 000167
【化４６】
0006619578.tif 000168
【化４７】
0006619578.tif 000169
【化４８】
0006619578.tif 000170
【化４９】
0006619578.tif 000171
【化５０】
0006619578.tif 000172
【化５１】
0006619578.tif 000173
【化５２】
0006619578.tif 000174
【化５３】
0006619578.tif 000175
【化５４】
0006619578.tif 000176
【化５５】
0006619578.tif 000177
【化５６】
0006619578.tif 000178
【化５７】
0006619578.tif 000179
【請求項９】
下記からなる群から選択されることを特徴とする化合物。
【化５８】
0006619578.tif 000180
【化５９】
0006619578.tif 000181
【請求項１０】
第１の有機発光デバイスを含む第１のデバイスであって、前記第１の有機発光デバイスは、
アノードと；
カソードと；
前記アノードと前記カソードの間に配置され、請求項１から９のいずれかの化合物を含む有機層と、を含むことを特徴とする第１のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、２０１４年８月７日出願の米国特許出願第１４／４５３，７７７号の一部継続出願であり、当該特許出願の全内容を参照により本発明書中に援用する。
【０００２】
特許請求されている発明は、大学・企業の共同研究契約の下記の当事者：Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｍｉｃｈｉｇａｎ、Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ、Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｏｕｔｈｅｒｎ  Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ、及びＵｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの理事らの１又は複数によって、その利益になるように、且つ／又は関連して為されたものである。該契約は、特許請求されている発明が為された日付以前に発効したものであり、特許請求されている発明は、該契約の範囲内で行われる活動の結果として為されたものである。
【０００３】
本発明は、有機発光デバイスに関する。より具体的には、本開示は、リン光発光デバイス（ＰＨＯＬＥＤ）中の緑色リン光発光体として有用な、アルキル置換フェニルピリジン配位子及びアザ−ジベンゾフラン（アザ−ＤＢＦ）配位子を含むルミネセンスイリジウム錯体に関する。
【背景技術】
【０００４】
有機材料を利用する光電子デバイスは、いくつもの理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。ＯＬＥＤについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。例えば、有機発光層が光を放出する波長は、概して、適切なドーパントで容易に調整され得る。
【０００５】
ＯＬＥＤはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。ＯＬＥＤは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。数種のＯＬＥＤ材料及び構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、特許文献１、特許文献２及び特許文献３において記述されている。
【０００６】
リン光性発光分子の１つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和（ｓａｔｕｒａｔｅｄ）」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。色は、当技術分野において周知のＣＩＥ座標を使用して測定することができる。
【０００７】
緑色発光分子の一例は、下記の構造：
【化１】
0006619578.tif 000002
を有する、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と表示されるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウムである。
【０００８】
この図面及び本明細書における後出の図面中で、本発明者らは、窒素から金属（ここではＩｒ）への配位結合を直線として描写する。
【０００９】
本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び小分子有機材料を含む。「小分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「小分子」は実際にはかなり大型であってよい。小分子は、いくつかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「小分子」クラスから分子を排除しない。小分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。小分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又はリン光性小分子発光体であってよい。デンドリマーは「小分子」であってよく、ＯＬＥＤの分野において現在使用されているデンドリマーはすべて小分子であると考えられている。
【００１０】
本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第一層が第二層「の上に配置されている」と記述される場合、第一層のほうが基板から遠くに配置されている。第一層が第二層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第一層と第二層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。
【００１１】
本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送することができ、且つ／又は該媒質から堆積することができるという意味である。
【００１２】
配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。
【００１３】
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の「最高被占分子軌道」（ＨＯＭＯ）又は「最低空分子軌道」（ＬＵＭＯ）エネルギー準位は、第一のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第二のＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル（ＩＰ）は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いＨＯＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するＩＰ（あまり負でないＩＰ）に相当する。同様に、より高いＬＵＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力（ＥＡ）（あまり負でないＥＡ）に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のＬＵＭＯエネルギー準位は、同じ材料のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高い。「より高い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位は、「より低い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。
【００１４】
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第一の仕事関数は第二の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。
【００１５】
ＯＬＥＤについての更なる詳細及び上述した定義は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる特許文献４において見ることができる。
【発明の概要】
【００１６】
本開示の実施形態によれば、式Ｉｒ（ＬＡ）ｎ（ＬＢ）３−ｎで表される化合物が開示され、式中、ＬＡは、アザ−ＤＢＦ配位子を表し、ＬＢは、アルキル置換フェニルピリジン配位子を表し、前記化合物は、下記の式Ｉの構造で表される。
【化２】
0006619578.tif 000003
式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８は、炭素又は窒素を含み；
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８の少なくとも１つは、窒素であり；
環Ｂは、Ｃ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
イリジウムは、Ｉｒ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
Ｘは、Ｏ、Ｓ、又はＳｅであり；
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、モノ、ジ、トリ、テトラ置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ’及びＲ”は、それぞれ独立して、モノ、ジ置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６における任意の隣接する置換は、互いに結合して環を形成してもよく；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ’，及びＲ”は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ，及びこれらの組合せからなる群から選択され；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
ｎは、１から３までの整数であり；
対Ｒ３とＲ４、及び対Ｒ５とＲ６の少なくとも１つにおける炭素の総数は、少なくとも４つである。
【００１７】
他の実施形態によれば、第１の有機発光デバイスを含む第１のデバイスも提供される。前記第１の有機発光デバイスは、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードの間に配置された有機層とを含む。前記有機層は、下記の式Ｉの構造で表される化合物を含む。
【００１８】
更に他の実施形態によれば、式Ｉの構造で表される化合物を含む組成物も開示される。
【００１９】
本明細書において開示されるルミネセンスイリジウム錯体は、リン光ＯＬＥＤ中の発光体としてＯＬＥＤ中で使用されることができる。前記化合物は、所望の低い昇華温度及びより鮮明な色のＣＩＥを示す。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、有機発光デバイスを示す。
【００２１】
【図２】図２は、別の電子輸送層を有さない、反転された有機発光デバイスを示す。
【００２２】
【図３】図３は、本明細書に開示される式Ｉを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
概して、ＯＬＥＤは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも１つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層（複数可）に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。いくつかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。
【００２４】
初期のＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第４，７６９，２９２号において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子（「蛍光」）を使用していた。蛍光発光は、概して、１０ナノ秒未満の時間枠で発生する。
【００２５】
ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料（「リン光」）を有するＯＬＥＤが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Ｂａｌｄｏら、「Ｈｉｇｈｌｙ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｆｒｏｍ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅｓ」、３９５巻、１５１〜１５４、１９９８；（「Ｂａｌｄｏ−Ｉ」）及びＢａｌｄｏら、「Ｖｅｒｙ  ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｇｒｅｅｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ｂａｓｅｄ  ｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、７５巻、３号、４〜６（１９９９）（「Ｂａｌｄｏ−ＩＩ」）。リン光については、参照により組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号５〜６段において更に詳細に記述されている。
【００２６】
図１は、有機発光デバイス１００を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス１００は、基板１１０、アノード１１５、正孔注入層１２０、正孔輸送層１２５、電子ブロッキング層１３０、発光層１３５、正孔ブロッキング層１４０、電子輸送層１４５、電子注入層１５０、保護層１５５、カソード１６０、及びバリア層１７０を含み得る。カソード１６０は、第一の導電層１６２及び第二の導電層１６４を有する複合カソードである。デバイス１００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるＵＳ７，２７９，７０４、６〜１０段において更に詳細に記述されている。
【００２７】
これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板−アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５、８４４、３６３号において開示されている。ｐ−ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、５０：１のモル比でｍ−ＭＴＤＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるＴｈｏｍｐｓｏｎらの米国特許第６，３０３，２３８号において開示されている。ｎ−ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、１：１のモル比でＢＰｈｅｎにＬｉをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５，７０３，４３６号及び同第５，７０７，７４５号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したＩＴＯ層を持つＭｇ：Ａｇ等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０９７，１４７号及び米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において見ることができる。
【００２８】
図２は、反転させたＯＬＥＤ２００を示す。デバイスは、基板２１０、カソード２１５、発光層２２０、正孔輸送層２２５、及びアノード２３０を含む。デバイス２００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なＯＬＥＤ構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス２００はアノード２３０の下に配置されたカソード２１５を有するため、デバイス２００は「反転させた」ＯＬＥＤと称されることがある。デバイス１００に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス２００の対応する層において使用してよい。図２は、いくつかの層が如何にしてデバイス１００の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。
【００２９】
図１及び２において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本発明の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なＯＬＥＤは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス２００において、正孔輸送層２２５は正孔を輸送し、正孔を発光層２２０に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、ＯＬＥＤは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図１及び２に関して記述されている通りの異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。
【００３０】
参照によりその全体が組み込まれるＦｒｉｅｎｄらの米国特許第５，２４７，１９０号において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるＯＬＥＤ（ＰＬＥＤ）等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するＯＬＥＤが使用され得る。ＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第５，７０７，７４５号において記述されている通り、積み重ねられてよい。ＯＬＥＤ構造は、図１及び２において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Ｆｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，０９１，１９５号において記述されている通りのメサ構造及び／又はＢｕｌｏｖｉｃらの米国特許第５，８３４，８９３号において記述されている通りのくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。
【００３１】
別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０１３，９８２号及び同第６，０８７，１９６号において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，３３７，１０２号において記述されているもの等の有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第７，４３１，９６８号において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，２９４，３９８号及び同第６，４６８，８１９号において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及びＯＶＪＤ等の堆積法のいくつかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、且つ好ましくは少なくとも３個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、小分子において使用され得る。２０個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、３〜２０個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を持つ材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける小分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。
【００３２】
本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の１つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び／又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第７，９６８，１４６号、ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０２３０９８号及び同第ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４２８２９号において記述されている通りの、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を構成する前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び／又は同時に堆積されるべきである。ポリマー材料対非ポリマー材料の重量比は、９５：５から５：９５の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作成され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。
【００３３】
本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、多種多様な消費者製品に組み込まれることができ、例として、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、医療用モニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び／又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ファインダー、マイクロディスプレイ、３−Ｄディスプレイ、車、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、或いは看板が挙げられる。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本発明に従って製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、摂氏１８度から摂氏３０度、より好ましくは室温（摂氏２０〜２５度）等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏−４０度〜＋８０度で用いることもできる。
【００３４】
本明細書において記述されている材料及び構造は、ＯＬＥＤ以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。
【００３５】
本明細書において、「ハロ」又は「ハロゲン」という用語は、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を含む。
【００３６】
本明細書において、「アルキル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキル基のいずれをも意味する。好ましいアルキル基としては、１〜１５個の炭素原子を含むアルキル基であり、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等を含む。更に、前記アルキル基は、置換されていてもよい。
【００３７】
本明細書において、「シクロアルキル」という用語は、環状アルキル基を意味する。好ましいシクロアルキル基としては、３〜７個の炭素原子を含むシクロアルキル基であり、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を含む。更に、前記シクロアルキル基は置換されていてもよい。
【００３８】
本明細書において、「アルケニル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルケニル基のいずれをも意味する。好ましいアルケニル基としては、２〜１５個の炭素原子を含むアルケニル基である。更に、前記アルケニル基は、置換されていてもよい。
【００３９】
本明細書において、「アルキニル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキン基のいずれをも意味する。好ましいアルキニル基は、２〜１５個の炭素原子を含むアルキニル基である。更に、前記アルキニル基は置換されていてもよい。
【００４０】
本明細書において、「アラルキル」又は「アリールアルキル」という用語は、相互交換可能に使用され、置換基として芳香族基を有するアルキル基を意味する。更に、前記アラルキル基は、置換されていてもよい。
【００４１】
本明細書において、「ヘテロ環基」という用語は、芳香族環基及び非芳香族環基を意味する。ヘテロ芳香族環基は、ヘテロアリールも意味する。好ましいヘテロ非芳香族環基は、３又は７個の環原子を含む少なくとも１つのヘテロ原子であり、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の環状アミンを含み、及びテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテルを含む。更に、前記ヘテロ環基は、置換されていてもよい。
【００４２】
本明細書において、「アリール」又は「芳香族基」は、単環及び多環系を意味する。多環とは、２つの隣接する環（前記環は、「縮合」している）により２つの炭素が共有されている２つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも１つは、芳香族であり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールである。更に、前記アリール基は、置換されていてもよい。
【００４３】
本明細書において、「ヘテロアリール」は、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、及びピリミジン等、１〜３個のヘテロ原子を含む単環の複素芳香族基を意味する。ヘテロアリールという用語も、２つの隣接する環（前記環は、「縮合」している）により２つの原子が共されている２つ以上の環を有する多環のヘテロ芳香族系を含み、前記環の少なくとも１つは、ヘテロアリールであり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールであることができる。更に、前記ヘテロアリールは、置換されていてもよい。
【００４４】
前記アルキル、前記シクロアルキル、前記アルケニル、前記アルキニル、前記アラルキル、前記ヘテロ環、前記アリール、及び前記ヘテロアリールは、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、環状アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せから選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい。
【００４５】
本明細書において、「置換（された）」は、Ｈ以外の置換基が炭素等の関連している位置に結合していることを示す。したがって、例えば、Ｒ１が一置換である場合、Ｒ１はＨ以外でなくてはならない。同様に、Ｒ１が二置換である場合、Ｒ１のうちの２つは、Ｈ以外でなくてはならない。同様に、Ｒ１が無置換である場合、Ｒ１は全ての置換位置において水素である。
【００４６】
本明細書において記述されるフラグメント、例えば、アザ−ジベンゾフラン、アザ−ジベンゾチオフェン等の中の「アザ」という名称は、各フラグメント中のＣ−Ｈ基の１つ以上が窒素原子に置き換わることができることを意味し、例えば、何ら限定するものではないが、アザトリフェニレンは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンとジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリンのいずれをも包含する。当業者であれば、上述のアザ誘導体の他の窒素アナログを容易に想像することができ、このようなアナログ全てが本明細書に記載の前記用語によって包含されることが意図される。
【００４７】
分子フラグメントが置換基として記述される、又は他の部分に結合されているものとして記述される場合、その名称は、フラグメント（例えば、フェニル、フェニレン、ナフチル、ジベンゾフリル）又は分子全体（ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるように記載されることがあることを理解されたい。本明細書においては、置換基又は結合フラグメントの表示の仕方が異なっていても、これらは、等価であると考える。
【００４８】
本明細書において使用される、「電子受容体」又は「受容体」という用語は、芳香族系から電子密度を受け取ることができるフラグメントを意味し、「電子供与体」又は「供与体」という用語は、電子密度を芳香族系に供与することができるフラグメントを意味する。
【００４９】
本開示において、ＰＨＯＬＥＤ中の緑色リン光発光体として有用な、アルキル置換フェニルピリジン配位子及びアザ−ジベンゾフラン（アザ−ＤＢＦ）配位子を含むルミネセンスイリジウム錯体が開示される。イリジウム錯体の熱安定性は、ＰＨＯＬＥＤデバイスの製造においてこのような錯体の有用性における重要な要因である。イリジウム錯体の分子修飾は、錯体の固体状態充填（ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｐａｃｋｉｎｇ）を効果的に変え、それによって熱安定性及び昇華温度に影響を及ぼす。本発明者らは、ｐｐｙ及びアザ−ＤＢＦ配位子を含むヘテロレプティックイリジウム錯体における二置換アルキル基（全部で少なくとも４つの炭素原子）が予想外に昇華温度を低くし、色のＣＩＥを優れた度合いまで改善したことを発見した。
【００５０】
実施形態によれば、式Ｉｒ（ＬＡ）ｎ（ＬＢ）３−ｎで表される化合物が開示され、式中、ＬＡは、アザ−ジベンゾフラン配位子を表し、ＬＢは、アルキル置換フェニルピリジン配位子を表し、前記化合物は、下記の式Ｉの構造で表される。
【化３】
0006619578.tif 000004
式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８は、炭素又は窒素を含み；
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８の少なくとも１つは、窒素であり；
環Ｂは、Ｃ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
イリジウムは、Ｉｒ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
Ｘは、Ｏ、Ｓ、又はＳｅであり；
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、モノ、ジ、トリ、テトラ置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ’及びＲ”は、それぞれ独立して、モノ、ジ置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６における任意の隣接する置換は、互いに結合して環を形成してもよく；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ’，及びＲ”は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ，及びこれらの組合せからなる群から選択され；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
ｎは、１から３までの整数であり；
対Ｒ３とＲ４、及び対Ｒ５とＲ６の少なくとも１つにおける炭素の総数は、少なくとも４つである。
【００５１】
式Ｉの構造で表される化合物の１つの実施形態においては、ｎは１である。
【００５２】
１つの実施形態においては、式Ｉの化合物は、下記の式ＩＩの構造で表される。
【化４】
0006619578.tif 000005
【００５３】
１つの実施形態においては、式Ｉの化合物は、下記の式ＩＩＩの構造で表される。
【化５】
0006619578.tif 000006
【００５４】
１つの実施形態においては、式Ｉの化合物は、下記の式ＩＶの構造で表される。
【化６】
0006619578.tif 000007
【００５５】
式Ｉの構造で表される化合物の他の実施形態においては、Ａ１〜Ａ８の１つだけが窒素であり、Ａ１〜Ａ８の残りが炭素である。他の実施形態によれば、Ａ５〜Ａ８の１つが窒素であり、Ａ１〜Ａ８の残りが炭素である。
【００５６】
実施形態によれば、式Ｉ〜式ＩＶにおいて、ＸはＯである。
【００５７】
実施形態によれば、式Ｉ〜式ＩＶにおいて、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、及びこれらの組合せからなる群から選択される。
【００５８】
他の態様によれば、式Ｉの構造で表される化合物において、下記条件（１）及び（２）の少なくとも１つは、当てはまる。
（１）Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され；Ｒ３とＲ４を合わせた炭素の総数は、少なくとも４つである。
（２）Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され；Ｒ５とＲ６を合わせた炭素の総数は、少なくとも４つである。
【００５９】
他の態様によれば、式Ｉの構造で表される化合物において、下記条件（３）及び（４）の少なくとも１つは、当てはまる。
（３）Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され；Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つは、少なくとも１つの重水素を含み；Ｒ３とＲ４を合わせた炭素の総数は、少なくとも４つである。
（４）Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され；Ｒ５及びＲ６の少なくとも１つは、少なくとも１つの重水素を含み；Ｒ５とＲ６を合わせた炭素の総数は、少なくとも４つである。
【００６０】
他の態様によれば、式Ｉ〜式ＩＶにおいて、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、メチル、エチル、プロピル、１−メチルエチル、ブチル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，１−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びこれらの組合せからなる群から選択される。
【００６１】
本開示の他の態様においては、式Ｉの化合物は、下記の式Ｖの構造で表される。
【化７】
0006619578.tif 000008
式中、Ｒは、アルキル、シクロアルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択される
【００６２】
式Ｖで表される化合物の１つの実施形態においては、Ｒは、メチル、エチル、プロピル、１−メチルエチル、ブチル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，１−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択される。式Ｖで表される化合物の１つの実施形態においては、ＸはＯである。
【００６３】
本明細書において開示される化合物の１つの実施形態においては、式Ｉｒ（ＬＡ）ｎ（ＬＢ）３−ｎ中の配位子ＬＡは、下記からなる群から選択される。
【化８】
0006619578.tif 000009
【化９】
0006619578.tif 000010
【化１０】
0006619578.tif 000011
【化１１】
0006619578.tif 000012
【化１２】
0006619578.tif 000013
【化１３】
0006619578.tif 000014
【化１４】
0006619578.tif 000015
【化１５】
0006619578.tif 000016
【化１６】
0006619578.tif 000017
【化１７】
0006619578.tif 000018
【化１８】
0006619578.tif 000019
【化１９】
0006619578.tif 000020
【化２０】
0006619578.tif 000021
【化２１】
0006619578.tif 000022
【化２２】
0006619578.tif 000023
【化２３】
0006619578.tif 000024
【化２４】
0006619578.tif 000025
【化２５】
0006619578.tif 000026
【化２６】
0006619578.tif 000027
【化２７】
0006619578.tif 000028
【化２８】
0006619578.tif 000029
【化２９】
0006619578.tif 000030
【化３０】
0006619578.tif 000031
【化３１】
0006619578.tif 000032
【化３２】
0006619578.tif 000033
【化３３】
0006619578.tif 000034
【化３４】
0006619578.tif 000035
【化３５】
0006619578.tif 000036
【化３６】
0006619578.tif 000037
【化３７】
0006619578.tif 000038
【化３８】
0006619578.tif 000039
【００６４】
本明細書において開示される化合物の他の実施形態においては、式Ｉｒ（ＬＡ）ｎ（ＬＢ）３−ｎ中の配位子ＬＢは、下記からなる群から選択される。
【化３９】
0006619578.tif 000040
【化４０】
0006619578.tif 000041
【化４１】
0006619578.tif 000042
【化４２】
0006619578.tif 000043
【化４３】
0006619578.tif 000044
【化４４】
0006619578.tif 000045
【化４５】
0006619578.tif 000046
【化４６】
0006619578.tif 000047
【化４７】
0006619578.tif 000048
本明細書において開示される化合物の他の実施形態においては、前記化合物は、化合物Ａ−１〜化合物Ａ−７１，２８０からなる群から選択され、化合物Ａ−ｘのそれぞれは、式Ｉｒ（ＬＡｋ）（ＬＢｊ）２で表され、ｘ＝４４０ｊ＋ｋ−４４０であり、ｋは１から４４０までの整数であり、ｊは１から１６２までの整数である。
【００６５】
本明細書において開示される化合物の他の実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
【化４８】
0006619578.tif 000049
【化４９】
0006619578.tif 000050
【化５０】
0006619578.tif 000051
【化５１】
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【化５２】
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【化５３】
0006619578.tif 000054
【化５４】
0006619578.tif 000055
【化５５】
0006619578.tif 000056
【化５６】
0006619578.tif 000057
【化５７】
0006619578.tif 000058
【化５８】
0006619578.tif 000059
【化５９】
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【化６０】
0006619578.tif 000061
【化６１】
0006619578.tif 000062
【化６２】
0006619578.tif 000063
【化６３】
0006619578.tif 000064
【００６６】
本開示の他の態様によれば、第１の有機発光デバイスを含む第１のデバイスも開示される。前記第１の有機発光デバイスは、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層とを含む。前記有機層は、式Ｉの構造で表される化合物を含み、
式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８は、炭素又は窒素を含み；
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、及びＡ８の少なくとも１つは、窒素であり；
環Ｂは、Ｃ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
イリジウムは、Ｉｒ−Ｃ結合を介して環Ａと結合し；
Ｘは、Ｏ、Ｓ、又はＳｅであり；
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、モノ、ジ、トリ、テトラ置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ’及びＲ”は、それぞれ独立して、モノ、ジ置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ’、Ｒ”、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６における任意の隣接する置換は、互いに結合して環を形成してもよく；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ’，及びＲ”は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ，及びこれらの組合せからなる群から選択され；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
ｎは、１から３までの整数であり；
対Ｒ３とＲ４、及び対Ｒ５とＲ６の少なくとも１つにおける炭素の総数は、少なくとも４つである。
【００６７】
１つの実施形態においては、前記第１のデバイスは、消費者製品であることができる。前記第１のデバイスは、有機発光デバイスであることができる。前記第１のデバイスは、照明パネルであることができる。
【００６８】
１つの実施形態においては、前記第１のデバイス中の前記有機層は、発光層であり、前記化合物は、発光ドーパントである。
【００６９】
他の実施形態においては、前記第１のデバイス中の前記有機層は、発光層であり、前記化合物は、非発光ドーパントである。
【００７０】
他の実施形態においては、前記第１のデバイス中の前記有機層は、ホスト材料を更に含むことができる。前記ホスト材料は、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンを含み；前記ホスト中の任意の置換基は、独立して、ＣｎＨ２ｎ＋１、ＯＣｎＨ２ｎ＋１、ＯＡｒ１、Ｎ（ＣｎＨ２ｎ＋１）２、Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２）、ＣＨ＝ＣＨ−ＣｎＨ２ｎ＋１、Ｃ≡Ｃ−ＣｎＨ２ｎ＋１、Ａｒ１、Ａｒ１−Ａｒ２、及びＣｎＨ２ｎ−Ａｒ１からなる群から選択される非縮合置換基である、又は無置換であり；ｎは１から１０までであり；Ａｒ１及びＡｒ２は、独立して、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びこれらの複素芳香族類似物からなる群から選択される。
【００７１】
１つの実施形態においては、前記ホスト材料は、トリフェニレン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、アザトリフェニレン、アザカルバゾール、アザ−ジベンゾチオフェン、アザ−ジベンゾフラン、及びアザ−ジベンゾセレノフェンからなる群から選択される少なくとも１つの化学基を含む。他の実施形態においては、前記ホスト材料は、下記からなる群から選択される。
【化６４】
0006619578.tif 000065
【化６５】
0006619578.tif 000066
【００７２】
前記第１のデバイスの他の実施形態においては、前期ホスト材料は、金属錯体を含む。
【００７３】
本開示の他の態様によれば、式Ｉの構造で表される化合物を含む組成物も開示され、式Ｉは上記で定義される。前記組成物は、本明細書中に開示されている溶媒、ホスト、正孔注入材料、正孔輸送材料、及び電子輸送層材料からなる群から選択される１つ以上の成分を含むことができる。
【００７４】
材料合成
【００７５】
特段の断りがない限り、反応はいずれも、窒素保護下で行われた。反応のための溶媒は、いずれも無水溶媒であり、商業的供給源から入手したものを使用した。前駆体及び配位子は、当業者には知られた方法によって生成されることができ、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願第１３／９２８，４５６号に詳細に記載されている。
【００７６】
化合物２の合成
【化６６】
0006619578.tif 000067
８−（４−ｄ３−メチル−５−イソプロピル）ピリジン−２−イル（ＬＡ１８７）（１．９２５ｇ、６．３０ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉ）（２．５ｇ、３．５０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（４０．０ｍＬ）、及びジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（４０ｍＬ）の混合物を１３０℃のオイルバス中で、２０時間、Ｎ２下で加熱した。反応混合物を濃縮して溶媒を除去し、シリカゲルの小プラグに通して濾過し、その後溶離液として酢酸エチルとジクロロメタンとの溶媒混合物を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで更に精製し、所望の生成物である化合物２を得た（０．９３ｇ、収率３３％）。
【００７７】
化合物６の合成
【化６７】
0006619578.tif 000068
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１９６）（１．５ｇ、４．５５ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉｉ）（１．９８ｇ、２．５３ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）、及びＤＭＦ（４０ｍＬ）の混合物を１３０℃のオイルバス中で１７時間、Ｎ２下で加熱した。反応混合物を濃縮し、溶媒を除去し、シリカゲルの小プラグに通して濾過し、ジクロロメタンを用いたカラムクロマトグラフィーで更に精製し、所望の生成物である化合物６を得た（０．６５ｇ、収率２９％）。
【００７８】
化合物８の合成
【化６８】
0006619578.tif 000069
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１８９）（１．１ｇ、３．５２ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉｉ）（１．７２ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、及びＤＭＦ（３０ｍＬ）をフラスコ中に投入し、１３０℃のオイルバス中で１５時間、Ｎ２下で加熱した。反応溶媒を蒸発させ、固体を溶解して、シリカゲルの小プラグに通して濾過し、ジクロロメタン中酢酸エチルを用いたカラムクロマトグラフィーによって更に精製し、化合物８を得た（０．３４ｇ、収率１８％）。
【００７９】
化合物１２の合成
【化６９】
0006619578.tif 000070
イリジウム前駆体（ｉｉｉ）（２．３４ｇ、３．０２ｍｍｏｌ）、８−（５−イソプロピル−４−メチルピリジン−２−イル）−２−メチルベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−ｄ１３（ＬＡ１９０）（１．７ｇ、５．４４ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（６０ｍＬ）、及びＤＭＦ（６０ｍＬ）の混合物を１３０℃で一晩加熱した。反応混合物を濃縮し、溶媒を除去し、シリカゲルの小プラグに通して濾過し、更にクロマトグラフィー分析を行って、化合物１２を得た（０．７７ｇ、収率３５％）。
【００８０】
化合物１３の合成
【化７０】
0006619578.tif 000071
イリジウム前駆体（ｉｖ）（２．２ｇ、２．６７ｍｍｏｌ）、８−（４−（３−イソプロピルフェニル）ピリジン−２−イル）−２メチルベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン（ＬＡ１１３）（１．５ｇ、４．８０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）、及びＤＭＦ（４０ｍＬ）の混合物を１３０℃で一晩加熱した。反応混合物を濃縮し、溶媒を除去し、シリカゲルの小プラグに通して濾過し、更にクロマトグラフィー分析を行って、化合物１３を得た（０．４９ｇ、収率１９．８％）。
【００８１】
化合物９の合成
【化７１】
0006619578.tif 000072
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１９０）（１．５ｇ、４．５５ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖ）（１．９ｇ、２．６６ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのＤＭＦ及び３０ｍＬの２−エトキシエタノールを含む反応フラスコに投入した。この混合物を撹拌し、１３０℃に設定したオイルバス中で１９時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、その後真空下で濃縮した。粗残渣を真空下で乾燥した。この残渣を２００ｍＬのＤＣＭ中に溶解し、その後シリカゲルのプラグに通した。ＤＣＭの濾液を真空下で濃縮した。この粗残渣を６０〜７５の％ＤＣＭ／ヘプタンを用いてシリカゲルのカラムに通した。清澄な生成物画分を合わせて、真空下で濃縮し、所望のイリジウム錯体である化合物９を得た（１．０ｇ、４５．５％）。所望の生成物の質量をＬＣ／ＭＳ分析で確認した。
【００８２】
化合物１１の合成
【化７２】
0006619578.tif 000073
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１９０）（１．５ｇ、４．５５ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉ）（１．９８ｇ、２．５３ｍｍｏｌ）を４０ｍＬのＤＭＦ及び４０ｍＬの２−エトキシエタノールを含む反応フラスコに投入した。この混合物を撹拌し、１３０℃に設定したオイルバス中で１８時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、真空下でその後濃縮した。粗残渣を真空下で乾燥した。粗残渣を２００ｍＬのＤＣＭ中に溶解し、その後シリカゲルのプラグに通した。ＤＣＭの濾液を真空下で濃縮した。粗残渣を６０〜７５％のＤＣＭ／ヘプタンを用いたシリカゲルのカラムに通した。清澄な生成物画分を合わせて、真空下で濃縮し、所望のイリジウム錯体である化合物１１を得た（０．４５ｇ、１９．８％）。質量をＬＣ／ＭＳで確認した。
【００８３】
化合物１４の合成
【化７３】
0006619578.tif 000074
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１９０）（１．５ｇ、４．５５ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉ）（１．９８ｇ、２．５３ｍｍｏｌ）を４０ｍＬのＤＭＦ及び４０ｍＬの２−エトキシエタノールを含む反応フラスコに投入した。この混合物を撹拌し、１３０℃に設定したオイルバス中で１８時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、その後真空下で濃縮した。粗残渣を真空下で乾燥した。粗残渣を２００ｍＬのＤＣＭ中に溶解し、その後シリカゲルのプラグに通した。ＤＣＭの濾液を真空下で濃縮した。粗残渣を６０〜７５％のＤＣＭ／ヘプタンを用いてシリカゲルのカラムに通した。清澄な生成物画分を合わせて、真空下で濃縮し、所望のイリジウム錯体である化合物１４を得た（０．７７ｇ、２９．３％）。所望の生成物の質量をＬＣ／ＭＳ分析で確認した。
【００８４】
化合物３の合成
【化７４】
0006619578.tif 000075
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１９６）（１．５ｇ、４．５５ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖ）（１．９ｇ、２．６６ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのＤＭＦ及び３０ｍＬの２−エトキシエタノールの反応混合物に投入した。反応混合物を窒素で脱気し、その後撹拌し、１３０℃に設定したオイルバス中で１７時間加熱した。その後加熱を中断した。溶媒を真空下で除去した。粗残渣をＤＣＭ中に溶解し、その後シリカゲルのプラグに通した。プラグを２ＬのＤＣＭで溶離した。ＤＣＭの濾液を真空下で蒸発させた。この粗残渣を９０％のＤＣＭ／ヘプタンを用いてシリカゲルのカラムに通した。清澄なカラム画分を合わせて、真空下で濃縮し、黄色固体として所望のイリジウム錯体である化合物３を得た（０．９５ｇ、１．１４６ｍｍｏｌ、収率４３．０％）。所望の生成物の質量をＬＣ／ＭＳ分析で確認した。
【００８５】
化合物１８の合成
【化７５】
0006619578.tif 000076
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ２５１）（１．４０６ｇ、４．０２ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉ）（１．８５ｇ、２．３６６ｍｍｏｌ）を３５ｍＬのＤＭＦ及び３５ｍＬの２−エトキシエタノールとの反応混合物中に投入した。混合物を窒素で脱気し、その後撹拌し、１３０℃に設定したオイルバス中で１８時間加熱した。反応混合物を濃縮し、真空下で乾燥した。粗生成物を３００ｍＬのＤＣＭ中に溶解し、その後シリカゲルのプラグに通した。ＤＣＭの濾液を真空下で濃縮した。粗残渣をシリカゲルのカラムに通し、６０〜９０％のＤＣＭ／ヘプタンを用いてカラムを溶離した。所望のイリジウム錯体である化合物１８を黄色固体として単離した（０．６ｇ、０．６５ｍｍｏｌ、収率２７．６％）。所望の生成物の質量をＬＣ／ＭＳ分析で確認した。
【００８６】
化合物１９の合成
【化７６】
0006619578.tif 000077
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ２５１）（１．４０６ｇ、４．０２ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉ）（１．８５ｇ、２．３６６ｍｍｏｌ）を３５ｍＬのＤＭＦ及び３５ｍＬの２−エトキシエタノールとの反応混合物に投入した。この混合物を窒素で脱気し、その後撹拌し、１３０℃に設定したオイルバス中で１８時間加熱した。反応混合物を濃縮し、真空下で乾燥した。この粗生成物を３００ｍＬのＤＣＭ中に溶解し、その後シリカゲルのプラグに通した。ＤＣＭの濾液を真空下で濃縮した。粗生成物をシリカゲルのカラムに通し、６０〜９０％のＤＣＭ／ヘプタンを用いてカラムを溶離した。黄色固体として所望のイリジウム錯体である化合物１９を単離した（０．７ｇ、０．６５ｍｍｏｌ、収率２７．３％）。所望の生成物の質量をＬＣ／ＭＳ分析で確認した。
【００８７】
化合物２０の合成
【化７７】
0006619578.tif 000078
アザ−ジベンゾフラン（ＬＡ２５１）（１．４５ｇ、４．１５ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉｉ）（１．８５ｇ、２．４７４ｍｍｏｌ）を３５ｍＬのＤＭＦ及び３５ｍＬの２−エトキシエタノールを含む反応フラスコに投入した。この混合物を窒素で脱気し、その後１３０℃に設定したオイルバス中で２４時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、その後蒸発させ、真空下で乾燥した。粗生成物を６００ｍＬの温ＤＣＭ中に溶解し、その後シリカゲルのプラグに通した。ＤＣＭの濾液を真空下で蒸発させ、シリカゲルのカラムに通し、６０〜７５％のＤＣＭ／ヘプタンを用いてカラムを溶離した。清澄なカラムの画分を合わせて、真空下で濃縮し、所望のイリジウム錯体である化合物２０を得た（０．７ｇ、０．７９ｍｍｏｌ、収率３２％）。所望の生成物の質量をＬＣ／ＭＳ分析を用いて確認した。
【００８８】
化合物２１の合成
【化７８】
0006619578.tif 000079
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ４１０）（１．４５ｇ、４．１４ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉ）（１．９ｇ、２．４３０ｍｍｏｌ）を３５ｍＬのＤＭＦ及び３５ｍＬの２−エトキシエタノールを含む反応フラスコ中に投入した。この混合物を窒素で脱気し、その後１３０℃に設定したオイルバス中で２２時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、その後濃縮し、真空下で乾燥した。粗生成物をシリカゲルのプラグに通した。プラグを２．５ＬのＤＣＭで溶離した。ＤＣＭの濾液を真空下で濃縮し、粗残渣をシリカゲルのカラムに通し、６０〜７０％のＤＣＭ／ヘプタンを用いて溶離した。清澄なカラム画分を合わせて、真空下で濃縮し、黄色固体として所望のイリジウム錯体である化合物２１を得た（０．７２ｇ、０．８２ｍｍｏｌ、収率３３．６％）。所望の生成物の質量は、ＬＣ／ＭＳ分析で確認した。
【００８９】
化合物２２の合成
【化７９】
0006619578.tif 000080
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ２１６）（１．４３ｇ、４．０６ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉ）（１．９ｇ、２．４３０ｍｍｏｌ）を３５ｍＬのＤＭＦ及び３５ｍＬの２−エトキシエタノールを含む反応フラスコ中に投入した。この混合物を窒素で脱気し、その後１３０℃に設定したオイルバス中で２２時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、その後濃縮し、真空下で乾燥した。粗生成物をシリカゲルのプラグに通した。プラグを２．５ＬのＤＣＭで溶離した。ＤＣＭの濾液を真空下で濃縮し、粗残渣をシリカゲルのカラムに通し、６０〜７０％のＤＣＭ／ヘプタンを用いて溶離した。清澄なカラム画分を合わせて、真空下で濃縮し、黄色固体として所望のイリジウム錯体である化合物２２を得た（０．７３ｇ、０．７９ｍｍｏｌ、収率３２．６％）。所望の生成物の質量をＬＣ／ＭＳ分析で確認した。
【００９０】
化合物１の合成
【化８０】
0006619578.tif 000081
８−（４−ｄ３−メチル−５−イソプロピル）ピリジン−２−イル（ＬＡ１８７）（１．９８５ｇ、６．５０ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｖｉｉｉ）（２．７ｇ、３．６１ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）、及びＤＭＦ（４０ｍＬ）の混合物をオイルバス中で、１３０℃、２０時間、Ｎ２下で加熱した。反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、所望の生成物である化合物１を得た（１．４５ｇ、収率４８％）。
【００９１】
化合物４の合成
【化８１】
0006619578.tif 000082
８−（４−ｄ３−メチル−５−イソプロピル）ピリジン−２−イル（ＬＡ１８７）（１．４０６ｇ、４．６ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉｉ）（２．０ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、及びＤＭＦ（３０ｍＬ）の混合物をオイルバス中で、１３０℃、２０時間、Ｎ２下で加熱した。反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、所望の生成物である化合物４（０．７７ｇ、収率３５％）を得た。
【００９２】
化合物５の合成
【化８２】
0006619578.tif 000083
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１９６）（１．５ｇ、４．５５ｍｍｏｌ）及びイリジウム前駆体（ｖｉｉｉ）（１．８９１ｇ、２．５３ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）、及びＤＭＦ（４０ｍＬ）の混合物をオイルバス中で１３０℃、１７時間、Ｎ２下で加熱した。反応混合物を酢酸エチル及びジクロロメタンとの溶媒混合物を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、所望の生成物である化合物５を得た（０．８８ｇ、収率３９％）。
【００９３】
化合物１０の合成
【化８３】
0006619578.tif 000084
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１９６）（１．５ｇ、４．５５ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉｉ）（１．９７８ｇ、２．５３ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）、及びＤＭＦ（４０ｍＬ）の混合物をオイルバス中で１３０℃、１７時間、Ｎ２下で加熱した。反応混合物を酢酸エチル及びジクロロメタンとの溶媒混合物を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、所望の生成物である化合物１０を得て（０．７７ｇ、収率２９％）、ＬＣ−ＭＳで確認した。
【００９４】
化合物７の合成
【化８４】
0006619578.tif 000085
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ１８９）（１．１ｇ、３．５２ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｖｉｉｉ）（１．７２ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）、及びＤＭＦ（４０ｍＬ）をフラスコに投入し、オイルバス中で１３０℃、１８時間、Ｎ２下で加熱した。反応溶媒を蒸発させ、固体を溶解し、シリカゲルの小プラグに通して濾過し、ジクロロメタン中酢酸エチルを用いてカラムクロマトグラフィーで更に精製し、所望の生成物である化合物７を得た（１．０５ｇ、収率５２％）。
【００９５】
化合物１５の合成
【化８５】
0006619578.tif 000086
８−（４−ｄ３−メチル−５−イソプロピル）ピリジン−２−イル（ＬＡ１８７）（０．９４３ｇ、３．０１ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉｘ）（１．４ｇ、１．７２ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（３０．０ｍＬ）、及びＤＭＦ（３０ｍＬ）の混合物をオイルバス中で１３０℃、７２時間、Ｎ２下で加熱した。反応混合物を濃縮して溶媒を除去し、シリカゲルの小プラグに通して濾過し、その後ジクロロメタン中酢酸エチルを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで更に精製し、所望の生成物である化合物１５を得た（０．９５ｇ、収率６１％）。
【００９６】
化合物１７の合成
【化８６】
0006619578.tif 000087
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ２０３）（０．９ｇ、２．６６ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉｉ）（１．２９ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、及びＤＭＦ（３０ｍＬ）の混合物をオイルバス中で１３０℃、１８時間、Ｎ２下で加熱した。酢酸エチル及びジクロロメタンとの溶媒混合物を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで反応混合物を精製し、所望の生成物である化合物１７を得た（０．５ｇ、収率３３％）。
【００９７】
化合物１６の合成
【化８７】
0006619578.tif 000088
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ２０８）（０．８５ｇ、２．５１ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｉｉ）（１．２２ｇ、１．５６ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、及びＤＭＦ（３０ｍＬ）との混合物をオイルバス中で１３０℃、２０時間、Ｎ２下で加熱した。酢酸エチル及びジクロロメタンとの溶媒混合物を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで反応混合物を精製し、所望の生成物である化合物１６を得た（０．５ｇ、収率３５％）。
【００９８】
化合物３１の合成
【化８８】
0006619578.tif 000089
アザ−ジベンゾフラン配位子（ＬＡ２０８）（０．８５ｇ、２．５１ｍｍｏｌ）、イリジウム前駆体（ｖｉｉｉ）（１．１２ｇ、１．５６ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、及びＤＭＦ（３０ｍＬ）の混合物をオイルバス中で１３０℃、１８時間、Ｎ２下で加熱した。酢酸エチル及びジクロロメタンとの溶媒混合物を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで反応混合物を精製し、所望の生成物である化合物３１を得た（０．５５ｇ、収率４０％）。
他の材料との組合せ
【００９９】
有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。
ＨＩＬ／ＨＴＬ：
【０１００】
本発明の実施形態において使用される正孔注入／輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入／輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体；芳香族アミン誘導体；インドロカルバゾール誘導体；フッ化炭化水素を含有するポリマー；伝導性ドーパントを持つポリマー；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性ポリマー；ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー；ＭｏＯｘ等の金属酸化物誘導体；１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のｐ型半導体有機化合物；金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。
【０１０１】
ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される芳香族アミン誘導体の例は、下記の一般構造を含むがこれらに限定されない。
【化８９】
0006619578.tif 000090
【０１０２】
Ａｒ１からＡｒ９のそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基である２から１０個の環式構造単位からなる群から選択され、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して、互いに結合している。ここで、各Ａｒは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。
【０１０３】
一態様において、Ａｒ１からＡｒ９は、
【化９０】
0006619578.tif 000091
からなる群から独立に選択される。
式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｘ１０１からＸ１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮであり；Ｚ１０１はＮＡｒ１、Ｏ、又はＳであり；Ａｒ１は、上記で定義したものと同じ基を有する。
【０１０４】
ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式を含むがこれに限定されない。
【化９１】
0006619578.tif 000092
式中、Ｍｅｔは、４０より大きい原子量を有し得る金属であり；（Ｙ１０１−Ｙ１０２）は二座配位子であり、Ｙ１０１及びＹ１０２は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ１０１は補助配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。
【０１０５】
一態様において、（Ｙ１０１−Ｙ１０２）は２−フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、（Ｙ１０１−Ｙ１０２）はカルベン配位子である。別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＺｎから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Ｆｃ＋／Ｆｃカップルに対して、溶液中で約０．６Ｖ未満の最小酸化電位を有する。
ホスト：
【０１０６】
本発明の有機ＥＬデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いるホスト材料を含んでいてもよい。前記ホスト材料の例は、特に限定されず、ホストの三重項エネルギーがドーパントのものより大きい限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。下記の表において、各色を発光するデバイスに好ましいホスト材料が分類されているが、三重項の基準が満たされれば、いずれのホスト材料もいずれのドーパントと共に用いてもよい。
【０１０７】
ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。
【化９２】
0006619578.tif 000093
式中、Ｍｅｔは金属であり；（Ｙ１０３−Ｙ１０４）は二座配位子であり、Ｙ１０３及びＹ１０４は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。
【０１０８】
一態様において、金属錯体は、下記の錯体である。
【化９３】
0006619578.tif 000094
式中、（Ｏ−Ｎ）は、原子Ｏ及びＮに配位された金属を有する二座配位子である。
【０１０９】
別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ及びＰｔから選択される。更なる態様において、（Ｙ１０３−Ｙ１０４）はカルベン配位子である。
【０１１０】
ホスト材料として使用される有機化合物の例は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して互いに結合している２から１０個の環式構造単位からなる群から選択される。各基は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。
【０１１１】
一態様において、ホスト化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。
【化９４】
0006619578.tif 000095
式中、Ｒ１０１からＲ１０７は、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは０から２０又は１から２０までの整数であり；ｋ’’’は、０から２０までの整数である。Ｘ１０１からＸ１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。Ｚ１０１及びＺ１０２はＮＲ１０１、Ｏ、又はＳである。
ＨＢＬ：
【０１１２】
正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）を使用して、発光層から出る正孔及び／又は励起子の数を低減させることができる。デバイスにおけるそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、発光をＯＬＥＤの所望の領域に制限することもできる。
【０１１３】
一態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、上述したホストとして使用されるものと同じ分子を含有する。
【０１１４】
別の態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。
【化９５】
0006619578.tif 000096
式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｌ１０１は他の配位子であり、ｋ’は１から３までの整数である。
ＥＴＬ：
【０１１５】
電子輸送層（ＥＴＬ）は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である（ドープされていない）、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ＥＴＬ材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。
【０１１６】
一態様において、前記ＥＴＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。
【化９６】
0006619578.tif 000097
式中、Ｒ１０１は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。Ａｒ１からＡｒ３は、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは１から２０までの整数である。Ｘ１０１からＸ１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。
【０１１７】
別の態様において、前記ＥＴＬ中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。
【化９７】
0006619578.tif 000098
式中、（Ｏ−Ｎ）又は（Ｎ−Ｎ）は、原子Ｏ、Ｎ又はＮ、Ｎに配位された金属を有する二座配位子であり；Ｌ１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値である。
【０１１８】
ＯＬＥＤデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的に又は完全に重水素化されていてよい。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンを包含する。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスは、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンも包含する。
【０１１９】
本明細書において開示されている材料に加えて且つ／又はそれらと組み合わせて、多くの正孔注入材料、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、励起子／正孔ブロッキング層材料、電子輸送及び電子注入材料がＯＬＥＤにおいて使用され得る。ＯＬＥＤ中で本明細書において開示されている材料と組み合わせて使用され得る材料の非限定的な例を、以下の表Ａに収載する。表Ａは、材料の非限定的なクラス、各クラスについての化合物の非限定的な例、及び該材料を開示している参考文献を収載する。
【表Ａ−１】
0006619578.tif 000099
【表Ａ−２】
0006619578.tif 000100
【表Ａ−３】
0006619578.tif 000101
【表Ａ−４】
0006619578.tif 000102
【表Ａ−５】
0006619578.tif 000103
【表Ａ−６】
0006619578.tif 000104
【表Ａ−７】
0006619578.tif 000105
【表Ａ−８】
0006619578.tif 000106
【表Ａ−９】
0006619578.tif 000107
【表Ａ−１０】
0006619578.tif 000108
【表Ａ−１１】
0006619578.tif 000109
【表Ａ−１２】
0006619578.tif 000110
【表Ａ−１３】
0006619578.tif 000111
【表Ａ−１４】
0006619578.tif 000112
【表Ａ−１５】
0006619578.tif 000113
【表Ａ−１６】
0006619578.tif 000114
【表Ａ−１７】
0006619578.tif 000115
【表Ａ−１８】
0006619578.tif 000116
【表Ａ−１９】
0006619578.tif 000117
【表Ａ−２０】
0006619578.tif 000118
【表Ａ−２１】
0006619578.tif 000119
【表Ａ−２２】
0006619578.tif 000120
実験データ
【０１２０】
本発明者らは、従来の化合物に対して、発明化合物の幾つかの例の性能を比較した。化合物の昇華温度及び色のＣＩＥ値を比較し、それぞれの値を下記の表１にまとめた。比較例２の昇華温度は、２８１℃である。発明化合物である化合物９及び化合物３において、比較例２のピリジンにおける重水素化された二置換メチル基の一つは、イソプロピル−ｄ７で置換される。化合物９及び化合物３の昇華温度は、比較化合物２よりも高い分子量を有するにも関わらず、それぞれ２６１℃及び２５３℃と極めて低い。低い昇華温度は、式Ｉで表される化合物のより容易な精製を可能にし、且つ製造においてより良好な熱安定性を式Ｉで表される化合物が有することを有利に可能にする。更に、化合物９及び化合物３の色のＣＩＥのｘ座標はいずれも、比較例１及び２よりも低い。したがって、比較例１及び２よりも、発明化合物は、より鮮明な緑色であり、特にディスプレイの用途に望ましい性質である。１９３１ＣＩＥ（Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ  ｄｅ  ｌ’Ｅｃｌａｉｒａｇｅ）色度図において、ＣＩＥｘの低い値及びＣＩＥｙの高い値は、高い緑色彩度を示す。比較例１及び比較例２との間の比較において、比較例２のピリジンにあるジメチル置換は、実際に昇華温度を上昇させたので、これらの結果は予想外のものであった。比較例１は、発明化合物である化合物９及び化合物３よりも低い昇華温度を有するが、比較例１の色のＣＩＥは、他の化合物と比べて赤色にシフトし、緑色のリン光発光体のこのクラスとしては望ましくない。したがって、発明化合物は、ＰＨＯＬＥＤデバイスの製造における有益な性質であるより良好な彩度及びより低い昇華温度をもたらす。
【０１２１】
【表１】
0006619578.tif 000121
【０１２２】
同様の置換効果は、特許請求されているヘテロレプティックイリジウム錯体中の２−フェニルピリジン配位子中で観察された。下記表２において、比較例３の昇華温度は、約２７０℃とかなり高い。２−フェニルピリジン配位子中のメチル基の１つがイソプロピルで置換されている、発明化合物である化合物１３において、比較化合物３よりも化合物１３は、高い分子量を有するにも関わらず、観察された昇華温度は２３５℃と極めて低い。
【０１２３】
【表２】
0006619578.tif 000122
【０１２４】
本明細書において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されている通りの本発明は、当業者には明らかとなるように、本明細書において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するのかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１２５】
【特許文献１】米国特許第５，８４４，３６３号明細書
【特許文献２】米国特許第６，３０３，２３８号明細書
【特許文献３】米国特許第５，７０７，７４５号明細書
【特許文献４】米国特許第７，２７９，７０４号明細書
【符号の説明】
【０１２６】
１００  有機発光デバイス
１１０  基板
１１５  アノード
１２０  正孔注入層
１２５  正孔輸送層
１３０  電子ブロッキング層
１３５  発光層
１４０  正孔ブロッキング層
１４５  電子輸送層
１５０  電子注入層
１５５  保護層
１６０  カソード
１６２  第一の導電層
１６４  第二の導電層
１７０  バリア層
２００  反転させたＯＬＥＤ、デバイス
２１０  基板
２１５  カソード
２２０  発光層
２２５  正孔輸送層
２３０  アノード
【図１】
0006619578.tif 000182
【図２】
0006619578.tif 000183
【図３】
0006619578.tif 000184