(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の超低膨張（ＵＬＥ；ultra-low expansion）材料を有する第１層と、
前記第１層と結合され、第２のＵＬＥ材料を有する第２層と、
前記第１層と前記第２層の間に位置する複数の流路であって、熱的に調整された流体を通すように構成される複数の流路と、
前記第２層と結合され、第３のＵＬＥ材料を有する第３層と、
前記第２層と前記第３層の間に挿入された複合層と、
前記第２層と前記複合層の間、または、前記第３層と前記複合層の間に挿入された中間層であって、前記第２層または前記第３層に対して光学接触接合により結合された中間層と、を備えることを特徴とする静電クランプ。
【請求項２】
前記第１のＵＬＥ材料、前記第２のＵＬＥ材料および前記第３のＵＬＥ材料は、同じ材料であることを特徴とする請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項３】
前記第１のＵＬＥ材料、前記第２のＵＬＥ材料および前記第３のＵＬＥ材料は、シリコン系材料を備えることを特徴とする請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項４】
前記複合層は、交互に配置された導電層および絶縁層を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の静電クランプ。
【請求項５】
前記第３層は、固定される対象物を受けるよう構成された上面を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の静電クランプ。
【請求項６】
前記第３層の上面に複数のバールが配置され、前記複数のバールが固定される対象物を受けるよう構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の静電クランプ。
【請求項７】
前記第１層は、前記複数の流路を形成するよう構成された複数の溝を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の静電クランプ。
【請求項８】
熱的に調整された流体を通すよう構成される複数の流路を第１の超低膨張（ＵＬＥ；ultra-low expansion）材料を有する第１層と第２のＵＬＥ材料を有する第２層の間に形成することと、
交互に配置される導電層および絶縁層を備える複合層を第３のＵＬＥ材料を有する第３層上に配置することと、
前記複合層上に中間層を配置することと、
前記中間層を前記第２層に光学接触接合により結合させることにより前記第３層を前記第２層に結合させることと、を備えることを特徴とする静電クランプの製造方法。
【請求項９】
前記複数の流路を形成することは、
前記第１層の上面に複数の溝を形成することと、
前記第２層の底面を研磨することと、
前記第１層の前記上面を前記第２層の前面底面に直接接合して前記第１層と前記第２層の接合構造を形成することと、
前記接合構造をアニールすることと、を備えることを特徴とする請求項８に記載の静電クランプの製造方法。
【請求項１０】
前記第１層、前記第２層および前記第３層は、同じ超低膨張材料を備えることを特徴とする請求項８または９に記載の静電クランプの製造方法。
【請求項１１】
前記複合層を配置することは、
前記第３層の底面上に金属層を配置することと、
前記金属層をパターニングすることと、
前記第３層の前記底面上および前記パターニングされた金属層上に誘電体層を配置することと、
前記誘電体層をパターニングすることと、を備えることを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
固定される対象物を受けるように構成される複数のバールを前記第３層の上面上に形成することをさらに備えることを特徴とする請求項８から１１のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
前記複数のバールを形成することは、
前記第３層の前記上面上に高分子層を配置することと、
前記高分子層をパターニングすることと、を備えることを特徴とする請求項１２に記載のデバイス製造方法。
【請求項１４】
チャックと、着脱可能にパターニングデバイスを保持するよう構成され、前記チャックに固定される静電クランプとを備え、前記静電クランプは、
対向する第１表面および第２表面を有し、第１の超低膨張（ＵＬＥ；ultra-low expansion）材料を有する第１層と、
対向する第３表面および第４表面を有し、第２のＵＬＥ材料を有し、前記第４表面が前記第１表面に結合された第２層と、
前記第１表面と前記第４表面の間に位置する流路のアレイと、
対向する第５表面および第６表面を有し、第３のＵＬＥ材料を有する第３層と、
前記第３層の前記第６表面に結合された複合層と、
前記第２層の前記第３表面と前記複合層の間に挿入された中間層であって、前記第２層の前記第３表面に対して光学接触接合により結合された中間層と、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記流路のアレイは、熱的に調整された流体を通すように構成されることを特徴とする請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記第５表面上に配置される複数のバールをさらに備え、前記複数のバールは、前記パターニングデバイスを受けるように構成されることを特徴とする請求項１４または１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記第１、第２および第３層は、実質的にゼロの熱膨張率を有する同じ材料を備えることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記第１層は、前記チャックに直接接合され、前記チャックは、熱的に調整された流体を通すように構成される複数の流路を有することを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０１４年８月２６日に出願された米国出願６２／０４２，１３３号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
［技術分野］
本開示は、リソグラフィ装置内のパターニングデバイスおよび／または基板等の対象物を支持するための静電クランプおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスがＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウエハ）上の（例えばダイの一部、一つのダイ又はいくつかのダイを備える）目標部分に転写されることができる。一般に、単一の基板にはネットワーク状に隣接する目標部分が含まれ、これらは連続的に露光されるであろう。既知のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパと、いわゆるスキャナとを含む。ステッパでは、パターン全体を目標部分に一回で露光することで各目標部分が照射される。スキャナでは、パターンをビームで所定方向（「スキャン」方向）にスキャンするとともに、この方向に平行または反平行に基板を同期してスキャンすることで各目標部分が照射される。パターンを基板上にインプリントすることでパターニングデバイスからのパターンを基板に転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィは、ＩＣや他のデバイス及び／または構造の製造における主要な工程のひとつとして広く認知されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣや他のデバイス及び／または構造を製造可能とするためのよりクリティカルな要因となってきている。
【０００４】
パターン印刷の限界の理論推定値は、分解能に関するレイリー基準によって以下に示される式（１）で与えられる。
【数１】
0006618529.tif 000002
ここでλは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターン印刷に使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はプロセスに依存する調整係数でありレイリー定数とも呼ばれ、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（または限界寸法）である。式（１）から導かれるのは、印刷可能なフィーチャサイズの最小値を小さくすることができる三つの方法があるということである。すなわち、露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡを大きくすることによって、またはｋ１の値を小さくすることによってである。
【０００５】
露光波長を短くしそれによって印刷可能な最小サイズを小さくするために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５−２０ｎｍの範囲内、例えば１３−１４ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５−１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。実現可能なソースは、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングから供給されるシンクロトロン放射に基づくソースを含む。
【０００６】
しかしながら、このようなソースにより生成される放射はＥＵＶ放射のみではなく、赤外（ＩＲ）放射および深紫外（ＤＵＶ）放射を含む他の波長も放出されうる。ＤＵＶ放射は、コントラストの損失を生じさせうるため、リソグラフィシステムにとって有害であろう。さらに、不要なＩＲ放射は、システム内の要素に熱損傷を生じさせるであろう。したがって、伝搬される放射内のＥＵＶの割合を増加させ、ＤＵＶおよびＩＲ放射などのＥＵＶ以外の不要な放射を低減または除去するためのスペクトル純度フィルタを用いることが知られている。
【０００７】
ＥＵＶ放射を用いるリソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射ビーム経路又はその少なくとも実質的部分がリソグラフィ動作中に真空状態に維持されなければならないことを要求する。このようなリソグラフィ装置の真空領域では、パターニングデバイスおよび／または基板といった対象物を、パターニングデバイステーブルおよび／または基板テーブルといったリソグラフィ装置の構造に固定するための静電クランプが用いられうる。
【０００８】
また、ＥＵＶ放射を用いるリソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイスおよび／または基板の温度調節を要求しうる。ＥＵＶ放射または不要なＥＵＶ以外の放射により生じる熱は、例えばパターニングデバイスおよび／または基板が吸収する熱のため、パターニングデバイスおよび／または基板の変形をリソグラフィ動作中に生じさせる。この変形を低減するため、冷却剤が静電クランプを通って循環されうる。しかしながら、冷却剤が循環するように静電クランプを構成すると、クランプ構造に応力を生じさせるであろう。この応力が静電クランプに固定される対象物（例えばパターニングデバイス、基板）に伝わると、固定される対象物の変形を生じさせるかもしれない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、対象物をしっかりと保持し、固定される対象物の熱および応力により生じる変形を防ぐように構成されることが可能な静電クランプが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
ある実施の形態によれば、静電クランプは、第１層、第２層および第３層を含む。第１、第２および第３層のそれぞれは、第１、第２および第３の超低膨張（ＵＬＥ；ultra-low expansion）材料を含む。第１層は第２層に結合され、第２層は第３層に結合されてもよい。静電クランプは、第１層と第２層の間に位置する複数の流路と、第２層と第３層の間に挿入される複合層をさらに含む。複数の流路は、熱的に調整された流体を通すように構成されてもよい。
【００１１】
別の実施の形態において、デバイス製造方法が提供される。この方法は、第１層と第２層の間に複数の流路を形成することを含む。複数の流路は、熱的に調整された流体を通すように構成されてもよい。この方法は、第３層上に複合層を配置することと、第３層を第２層に結合することとをさらに含む。複合層は、交互に配置された導電層と電気絶縁層とを含んでもよい。
【００１２】
さらに別の実施の形態において、リソグラフィ装置は、チャックおよびチャックに結合される静電クランプを含む。静電クランプは、パターニングデバイスを着脱可能に保持するよう構成されてもよい。静電クランプは、対向する第１表面および第２表面を有する第１層と、対向する第３表面および第４表面を有する第２層と、対向する第５表面および第６表面を有する第３層とを含む。第４表面は第１表面と結合され、第６表面は第３表面と結合されてもよい。静電クランプは、第１表面と第４表面の間に位置する流路のアレイをさらに含む。
【００１３】
本発明のさらなる特徴および利点は、本発明の様々な実施の形態の構造および動作とともに、添付の図面を参照して以下で詳細に説明される。本発明は、本書に記載される特定の実施の形態に限定されないことが留意される。このような実施の形態は、例示を目的として本書に提示されるに過ぎない。本書に含まれる教示に基づけば、追加の実施の形態が関連分野の当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
本書に含まれる明細書の一部を形成する添付の図面は、明細書の記載とともに本発明を例示し、さらに本発明の本質の説明に寄与し、当業者に本発明の実施を可能にする。
【００１５】
【図１】本発明のある実施の形態に係る反射型リソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【００１６】
【図２】本発明のある実施の形態に係る反射型リソグラフィ装置のより詳細な構成を模式的に示す図である。
【００１７】
【図３】本発明のある実施の形態に係る静電クランプを模式的に示す断面図である。
【００１８】
【図４】本発明のある実施の形態に係る静電クランプおよびチャックを模式的に示す断面図である。
【００１９】
【図５】図５Ａ−Ｎは、本発明のある実施の形態に係る静電クランプの製造工程の選択された段階における静電クランプを模式的に示す断面図である。
【００２０】
【図６】本発明のある実施の形態に係るチャックに結合中の静電クランプを模式的に示す断面図である。
【００２１】
【図７】本発明のある実施の形態に係る静電クランプの製造工程を示すフローチャートである。
【００２２】
本発明の特徴および利点は、図面と併せて以下の詳細な説明から明らかになるであろう。 図面において、同様の参照番号は、一般に、同一の、機能的に類似の、および/または構造的に類似の要素を示す。 要素が最初に現れる図面は、対応する参照番号の左端の桁によって示される。 別段の指示がない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本明細書は、本発明の特徴を包含する実施の形態を開示する。開示される実施の形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は、開示される実施の形態に限定されない。本発明は、添付の請求項により規定される。
【００２４】
開示される実施の形態および明細書にて参照される「一つの実施の形態」、「ある実施の形態」、「いくつかの実施の形態」などは、開示される実施の形態が具体的特徴、構造または特性を含んでもよいことを示すが、必ずしも全ての実施の形態がその具体的特徴、構造または特性を含まなければならないことを示すものではない。またこのような表現は、必ずしも同じ実施の形態を指すものではない。さらに、ある具体的特徴、構造または特性がある実施の形態に関連して記載されるとき、明示されているか否かにかかわらず、このような特徴、構造または性質と別の実施の形態との関連をもたらすことが当業者の知識の範囲内であることが理解されよう。
【００２５】
しかしながら、このような実施の形態の詳細を記述する前に、本発明の実施の形態が実装されうる例示的な環境を示すことが有益である。
【００２６】
反射型リソグラフィシステムの例
【００２７】
図１は、本発明のある実施の形態に係る、ソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を模式的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するよう構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するよう構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構築される第１位置決め装置ＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと；基板（例えばレジストコートされたウエハ）Ｗを保持するよう構築され、基板を正確に位置決めするよう構成される第２位置決め装置ＰＷに接続される基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴと；パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付されるパターンを基板Ｗの（例えば一以上のダイを備える）目標部分Ｃに投影するよう構成される投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳと；を備える。
【００２８】
照明システムは、放射を方向付け、成形し、又は制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型、あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子またはこれらの任意の組合せを含んでもよい。
【００２９】
サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計およびパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはパターニングデバイスを保持する他の固定技術を用いてもよい。サポート構造は、フレームまたはテーブルであってもよく、例えば、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。サポート構造は、例えば投影システムに対して所望の位置にパターニングデバイスを位置決めすることを保証してもよい。
【００３０】
「パターニングデバイス」の用語は、例えば基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビームの断面にパターンを付与するのに使用可能な何らかのデバイスを指し示すものと広義に解釈されるであろう。放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。
【００３１】
パターニングデバイスは（図１のリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよいし、透過型であってもよい。パターニングデバイスには例えば、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００３２】
投影システムは、照明システムと同様、使用される露光放射に応じて、または真空の使用といった他の要因に応じて適切である限り、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子、またはこれらの任意の組合せを含みうる。他のガスは放射を吸収しすぎるかもしれないので、ＥＵＶ放射については真空を使用することが望ましい。したがって、真空壁および真空ポンプの助けによりビーム経路の全体に真空環境が与えられてもよい。
【００３３】
図示されるように、リソグラフィ装置は（例えば反射型マスクを採用する）反射型の形式である。
【００３４】
リソグラフィ装置は二つ（デュアルステージ）またはそれより多数の基板テーブル（および／または二以上のマスクテーブル）を有する形式であってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては、追加的なテーブルが並行して使用されてもよく、あるいは一以上のテーブルが露光に使用されている間に一以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。
【００３５】
図１を参照すると、イルミネータＩＬはソースコレクタ装置ＳＯから極端紫外放射ビームを受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法は、必ずしもそれに限定されるわけではないが、ＥＵＶ範囲に一以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの少なくとも一つの元素を有する物質をプラズマ状態に変換することを含む。こうした一つの方法（これは多くの場合レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称される）においては、要求される輝線を放出する元素を有する物質の液滴、流れ、又はクラスタなどの燃料にレーザビームを照射することによって、要求されるプラズマを生成することができる。ソースコレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するための図１に示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として生じるプラズマは出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、これはソースコレクタ装置内に設けられる放射コレクタを用いて集められる。レーザおよびソースコレクタ装置は、燃料励起用のレーザビームの提供にＣＯ２レーザが用いられる場合等には、別体であってもよい。
【００３６】
こうした場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、レーザビームはレーザからビーム搬送系を介してソースコレクタ装置へと通過していく。ビーム搬送系は、例えば適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダを含む。
【００３７】
たいていの場合に放電生成プラズマ（「ＤＰＰ」）と呼ばれる代替的な方法において、ＥＵＶ放射プラズマは、燃料の気化に放電を用いることにより生成される。燃料は、ＥＵＶ範囲に一以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの元素であってもよい。放電は、ソースコレクタ装置の一部を形成しうる電源、または、ソースコレクタ装置に電気的接続を介して接続される別体でありうる電源により生成されてもよい。
【００３８】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常それぞれσアウタ、σインナと呼ばれる）を調整できる。また、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドおよび瞳ミラーデバイスなどの様々な他の要素を備えてもよい。イルミネータは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられてもよい。
【００３９】
放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決め装置ＰＷと位置センサＰＳ２（例えば干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）とにより基板テーブルＷＴは、例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように、正確に移動されることができる。同様に、第１位置決め部ＰＭと別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。
【００４０】
図示される装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。
【００４１】
ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴが実質的に静止状態とされる間、放射ビームに付与されたパターンの全体が目標部分Ｃに一度で投影される（つまり、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向にシフトされ、その結果、異なる目標部分Ｃを露光できる。
【００４２】
スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期して走査される間、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される（つまり、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められてもよい。
【００４３】
別のモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴが移動または走査される間、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスと放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００４４】
上記の使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、使用モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別の使用モードを用いてもよい。
【００４５】
図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの包囲構造２２０内が真空環境に維持できるように構築および構成される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源により形成されうる。ＥＵＶ放射は、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気により生成されてもよく、この中でＥＵＶ範囲の電磁波スペクトルの放射を放出する高温プラズマ２１０が生成される。高温プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせる放電により生成される。放射の効率的な生成には、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の適切なガスもしくは蒸気の部分的な圧力が例えば１０Ｐａであることが要求されうる。ある実施の形態において、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００４６】
高温プラズマ２１０により放出される放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２に向けて、ソースチャンバ２１１の開口内または開口の後方に位置する追加のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（いくつかの場合、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも称される）を介して通過する。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本書に示される汚染物質トラップまたは汚染バリア２３０はさらに、従来技術として知られるチャネル構造を少なくとも含む。
【００４７】
コレクタチャンバ２１２は、いわゆるグレージング入射コレクタでありうる放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流側放射コレクタ側面２５１と下流側放射コレクタ側面２５２を有する。コレクタＣＯを通過する放射は、グレーティングスペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想ソース点ＩＦに集光されることができる。仮想ソース点ＩＦは一般に中間焦点と称されてもよく、中間焦点ＩＦが包囲構造２２０の開口２１９またはその近傍に位置するようにソースコレクタ装置が構成される。仮想ソース点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。グレーティングスペクトルフィルタ２４０は、特に赤外（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。
【００４８】
その後、放射は照明システムＩＬを通過する。この照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける所望の放射強度の均一性を提供するとともにパターニングデバイスＭＡにおいて所望の角度分布の放射ビーム２２１を提供するよう構成されるファセットフィールドミラー装置２２２およびファセット瞳ミラー装置２２４を含んでもよい。サポート構造ＭＴにより保持されるパターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２２１が反射されると、パターン化されたビーム２２６が形成され、パターン化されたビーム２２６は、投影システムＰＳにより反射要素２２８、２３０を介して、ウエハステージまたは基板テーブルＷＴに保持される基板Ｗ上に結像される。
【００４９】
照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳには、図示されるよりも多くの要素が一般に存在してもよい。グレーティングスペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置の形式に応じて選択的に存在してもよい。さらに、図示されるものより多くのミラーが存在してもよく、例えば、図２に示すものと比べて１−６の追加の反射要素が投影システムＰＳ内に存在してもよい。
【００５０】
図２に示されるコレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）の一例として、グレージング入射リフレクタ２５３，２５４および２５５を持つネスト型コレクタとして描かれる。グレージング入射リフレクタ２５３，２５４および２５５は、光軸Ｏの周りに軸対称に設けられる。この形式のコレクタ光学系ＣＯは、しばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源との組み合わせで用いることが好ましい。
【００５１】
静電クランプの実施例
【００５２】
図３は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００の一部として実装できる静電クランプ３００の断面を模式的に示す。この実施の形態のある例において、静電クランプ３００は、リソグラフィ装置１００内の基板テーブルＷＴ上の基板Ｗまたはサポート構造ＭＴ上のパターニングデバイスを保持するために使用されうる。
【００５３】
ある実施の形態によれば、静電クランプ３００は、対向する平行な表面３０２ａおよび３０２ｂを有する第１層３０２と、対向する平行な表面３０４ａおよび３０４ｂを有する第２層３０４と、対向する平行な表面３０６ａおよび３０６ｂを有する第３層３０６とを含む多層構造を備えてもよい。第１層３０２、第２層３０４および第３層３０６は、この実施の形態のある例によれば、それぞれ１−４ｍｍ、１−４ｍｍおよび５０−２００ミクロンの範囲の垂直寸法を有してもよい。第１層３０２は、表面３０２ａが表面３０４ｂに実質的に接触するようにして第２層３０４と結合されてもよく、第３層３０６は、表面３０４ａと表面３０６ｂが向かい合うようにして第２層３０４と結合されてもよい。第３層３０６の表面３０６ａは、静電クランプ３００のクランプ面３０６ａを規定してもよい。クランプ面３０６ａは、静電クランプ３００に固定されるべき対象物３０７（例えば基板ＷまたはパターニングデバイスＭＡ）を受けるように構成されてもよい。対象物３０７は、クランプ面３０６ａに実質的に接触するようにして固定されてもよい。選択的に、クランプ面３０６ａは、固定動作中に対象物３０７と接触するよう構成されるバール３０５を含んでもよい。表面積のより大きいクランプ面３０６ａに比べて表面積のより小さいバール３０５上に汚染物質が存在する可能性が小さいことから、バール３０５が対象物３０７とクランプ面３０６ａの間で汚染のより少ない接触の提供を助けてもよい。
【００５４】
ある実施の形態において、第１層３０２、第２層３０４および第３層３０６は、互いに異なる材料を備えてもよい。別の実施の形態において、第１層３０２、第２層３０４および第３層３０６は、さらに後述されるように、静電クランプ３００の動作中の静電界を維持するように構成される一以上の誘電体材料から製造されてもよい。誘電体材料は、以下に限定されないが、超低膨張シリコン系材料（例えばコーニング（Corning）製造のＵＬＥ（登録商標））、ガラス材料、セラミック材料、シリコン系ガラスセラミック材料（例えばショット（SCHOTT）製造のＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標））またはこれらの組み合わせのようにゼロに等しいか実質的にゼロでありうる超低熱膨張係数を有してもよい。これら超低熱膨張材料のいずれも、製造中の静電クランプ３００の構造内の熱応力の低減を助けうる。静電クランプ３００内の熱応力は、それが低減されない場合、第１層３０２、第２層３０４および／または第３層３０６の一以上の不要な変形を生じさせ、その変形が固定動作中の対象物３０７に伝わるかもしれない。
【００５５】
別の実施の形態において、第１層３０２および／または第２層３０４は、超低熱膨張率を有する一以上の非誘電体絶縁材料から製造されてもよい。
【００５６】
さらに別の実施の形態において、第１層３０２、第２層３０４および第３層３０６は、同一の一以上の超低熱膨張の誘電体材料から製造されてもよい。同様の材料から静電クランプ３００の三層全てを製造することは、異種材料間の熱膨張不整合に起因する熱応力のさらなる低減を助けうる。この実施の形態のある例において、第１層３０２、第２層３０４および第３層３０６は、ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）材料より高い電気的安定性を提供するＵＬＥ（登録商標）材料から製造されてもよい。
【００５７】
図３に示されるように、ある実施の形態に係る静電クランプ３００は、第２層３０４と第３層３０６の間に挿入される複合層３０８をさらに備える。この実施の形態のある例において、複合層３０８は、約５０−２００ｎｍの範囲の垂直寸法を有してもよい。複合層３０８は、交互に配置された導電層３１０および絶縁層３１２を含む。導電層３１０の一つは、絶縁層３１２の一つにより他の導電層から電気的に絶縁される。図３では二つの導電層のみを示しているが、本発明の他の変形例では、複合層３０８が単一のまたは三以上の導電層を含んでもよいことが理解されよう。ある実施の形態において、導電層３１０および絶縁層３１２は同一平面上にある。
【００５８】
この実施の形態の様々な例において、以下に限定されないが、アルミニウム、クロム、白金、金またはこれらの組み合わせといった任意の適切な導電性材料を導電層３１０の形成に用いてよく、酸化シリコンなどの任意の適切な絶縁性材料を絶縁層３１２の形成に用いてもよい。別の実施の形態において、導電層３１０は、金属の単一層、同じ金属の複数の層または異なる金属の複数の層を備えてもよい。
【００５９】
ある実施例によれば、導電層３１０は、対象物３０７をクランプ面３０６ａに固定するために第３層３０６内に静電界を生成する電極３１０として構成されうる。静電界は、電極３１０にクランプ電圧を与えることにより生成されてもよい。クランプ電圧は、対象物３０７をクランプ面３０６ａに静電的に吸着および固定させるため、対象物３０７の導電面３０７ａ上に表面鏡像電荷を誘起させうる。
【００６０】
ある実施の形態によれば、図３に示されるように、静電クランプ３００が複合層３０８と第２層３０４の間に挿入される中間層３１４を選択的に備えてもよい。中間層３１４は、酸化シリコンなどのシリコン系材料を備えてもよく、中間層３１４を第２層３０４に接合するための接合媒体として構成されてもよい。この実施の形態のある例において、中間層３１４は、約１０−２００ｎｍの垂直寸法を有してもよい。代替的に、図５Ｊ−Ｋを参照してさらに後述されるように、中間層３１４が複合層３０８と第３層３０６の間に挿入されてもよい。
【００６１】
別の実施の形態において、静電クランプ３００は、図３に示されるように、流路３１６を備える。流路３１６は、表面３０２ａと平行に延びるように構成され、以下に限定されないが、水、空気、アルゴン、グリコールまたは相変化冷却剤（例えばフロン、二酸化炭素）といった熱的に調整された流体（例えば液体またはガス）を通す。静電クランプ３００に接続される流体調整システム３１８は、流路３１６に入って静電クランプ３００を通って流路を循環する前に、熱的に調整される流体を所望の温度に調節するよう構成されうる。循環する熱的に調整された流体は、静電クランプ３００の温度を所望の温度に制御するのを助けてもよい。静電クランプ３００の温度制御は、熱的に調整された流体により静電クランプ３００から不要な熱を吸収することを含んでもよい。この不要な熱は、クランプ面３０６ａおよび／またはバールを通じて、固定状態の対象物３０７から静電クランプ３００に移動しうる。
【００６２】
この実施の形態のある例において、対象物３０７がパターニングデバイスであってよく、例えば投影システムＰＳおよび／またはリソグラフィ装置１００の他のシステムからパターニングデバイスに不要な熱が動作中に移動しうる。パターニングデバイスに存在する不要な熱は、パターニングデバイスから基板へ転写されるパターン中の誤差につながりうるパターニングデバイスの変形を生じさせるかもしれない。この変形を避けるため、様々な実施の形態によれば、パターニングデバイスの温度は、実質的に室温（約２２℃）または任意の他の規定動作温度に維持されうる。このパターニングデバイスの温度制御は、上述のように、パターニングデバイスから（例えばクランプ面３０６ａ、バール３１６を通じた）静電クランプ３００への熱移動を含んでもよく、これにより、パターニングデバイスの熱により生じる変形を低減または除去しうる。
【００６３】
図４は、ある実施の形態に係るチャック４２０に結合される静電クランプ４００の断面を模式的に示す。静電クランプ４００およびチャック４２０は、この実施の形態のある例によれば、リソグラフィ装置１００の一部として実装されることができる。チャック４２０は、ある実施例において、静電クランプ４００を基板テーブルＷＴおよび／またはサポート構造ＭＡに結合させるよう構成されてもよい。静電クランプ４００は、後述する相違点を除いて、構造および機能が静電クランプ３００と同様であってもよい。ある実施例において、静電クランプ４００の流路３１６は、図４に示されるように、ビア４２４を通じてチャック４２０の流路４２２に結合されてもよい。流路４２２は、流路３１６のように、表面４２０ａと平行に延びて熱的に調整された流体を通すように構成されうる。チャック４２０に接続される流体調整システム４１８は、流路４２２に入って静電クランプ４００およびチャック４０４を通って流路を循環する前に、熱的に調整される流体を所望の温度に調節するよう構成されうる。循環する熱的に調整された流体は、静電クランプ４００およびチャック４２０の温度を所望の温度に制御するのを助けうる。静電クランプ４００およびチャック４２０の温度制御は、熱的に調整された流体により静電クランプ４００およびチャック４２０から不要な熱を吸収することを含んでもよい。静電クランプ４００の不要な熱は、上述のように対象物３０７から移動し、チャック４２０の不要な熱は、静電クランプ４００および／またはチャック４２０に接続されるリソグラフィ装置１００の他の部分から移動しうる。
【００６４】
静電クランプの製造方法の例
【００６５】
図５Ａ−Ｎは、ある実施の形態に係る（図３に示される）静電クランプ３００の製造工程の選択された段階における静電クランプの断面を示す。
【００６６】
図５Ａ−Ｂは、ある実施の形態に係る（図３−４を参照して上述した）流路３１６を形成する間の部分的に形成された静電クランプ３００の断面を示す。流路３１６の形成は、（図５Ａに示される）第１層３０２の表面３０２ａ上への溝５３０の形成と、（図５Ｂに示される）積層構造５３２の形成と、を含んでもよい。
【００６７】
ある実施の形態によれば、溝５３０の形成は、表面３０２ａの研磨、切削およびエッチングを含んでもよい。表面３０２ａの研磨は、約０．５ｍｍ以下の粗さの二乗平均平方根（ＲＭＳ）を有する滑らかな表面を得るための酸化セリウムのスラリーの研磨工程といった任意の適切な研磨工程を用いて実行されうるが、これに限定されない。研磨後、表面３０２ａは、標準的なガラス切削技術を用いて機械加工され、および／または、標準的なフォトリソグラフィおよびガラスエッチング工程を用いてパターニングおよびエッチングされ、（図５Ａに示されるように）溝５３０が形成される。図５Ａに示すような矩形断面形状の溝５３０は例示にすぎず、これに限られないことが理解されよう。溝５３０は、様々な実施の形態によれば、本発明の趣旨および範囲から逸脱しなければ、他の断面形状（例えば、円錐形、台形）を有することができる。切削後、例えばフッ化水素酸を備える酸混合物を用いて、切削された表面３０２ａ上に酸エッチングが実行されてもよい。酸エッチングは、切削された表面３０２ａから第１層３０２の材料を数ミクロン（例えば、約５ミクロン）除去してもよい。この切削された表面３０２ａからの材料の除去は、切削工程により生じうる第１層３０２内の応力の緩和を助けてもよい。応力は、機械加工の物理的な力により生じた表面３０２ａ上の小変形に起因しうる。
【００６８】
ある実施の形態によれば、酸エッチング工程の後、図５Ｂに示されるように、第１層３０２を第２層３０４に結合して積層構造５３２が形成されうる。この結合工程は、表面３０４ｂの研磨と、表面３０２ａおよび３０４ｂの洗浄とを含んでもよく、その後に第１層３０２が第２層３０４に直接接合される。表面３０４ｂは、酸化セリウムのスラリーの研磨工程といった任意の適切な研磨工程を用いて、約０．５ｍｍ以下の粗さの二乗平均平方根（ＲＭＳ）に研磨されうるが、これに限定されない。つづいて、使用される層の材料に応じて適切な圧力下で表面３０４ｂに対して表面３０２ａを押圧することにより、第１層３０２が第２層３０４に直接接合されて積層構造５３２が形成されうる。選択的に、積層構造５３２が約３５０−８００℃の範囲の温度でアニールされ、第１層３０２と第２層３０４の間の直接接合された界面が強化されてもよい。
【００６９】
ある実施の形態によれば、本書での直接接合とは、エポキシや任意の他の接着性材料といった任意の接合材料を用いることなく、実質的に欠陥がなく、高度に研磨された表面（例えば表面３０２ａおよび３０４ｂ）間の接合である光学接触接合と称されうる。光学接触接合は、接合面（例えば表面３０２ａおよび３０４ｂ）間のファンデルワールス力等の引力となる分子間の静電的相互作用から生じる。（上述したような）光学接触接合のアニールは、例えば、接合面間のファンデルワールス接合をより強固な共有結合に変換し、これにより、光学接触接合された構造を強化しうる。
【００７０】
ある実施の形態によれば、流路３１６の形成は、第２層３０４を約２ｍｍに薄くした後になされてもよい。表面３０４ｂは、第２層３０４を薄くするために任意の適切な研磨（ポリッシュおよび／またはグラインド）技術を用いて研磨されてもよい。代わりに、第２層３０４を薄くする工程は、表面３０４ａおよび／または表面３０４ｂの研磨により、流路３１６の形成前に実行されてもよい。
【００７１】
図５Ｃ−Ｄは、ある実施の形態に係る導電層３１０を形成する間の部分的に形成された静電クランプ３００の断面を示す。導電層３１０の形成は、図５Ｃに示されるように、第３層３０６上への例えば一以上の金属層５１０の堆積を含んでもよい。この金属の堆積の後に、図５Ｄに示されるように、導電層３１０を画定するためのパターニングおよびエッチング工程が続いてもよい。層５１０の堆積は、スパッタリング、熱蒸着、原子層蒸着（ＡＬＤ）または化学気相蒸着（ＣＶＤ）といった金属に適した任意の従来方法を用いて実行されうるが、これらに限られない。パターニング工程は、従来のフォトリソグラフィ工程により実行され、エッチング工程は、ウェットエッチ法または反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）といったドライエッチ方法により実行されうるが、これらに限られない。
【００７２】
図５Ｅ−Ｆは、ある実施の形態に係る絶縁層３１２を形成する間の部分的に形成された静電クランプ３００の断面を示す。絶縁層３１２の形成は、図５Ｅに示されるように、導電層３１０および第３層３０６の表面３０６ｂの露出領域上への例えば一以上の誘電体層５１２の堆積を含みうる。この誘電体の堆積の後に、図５Ｆに示すような絶縁層３１２を画定するパターニングおよびエッチング工程が続いてもよい。層５１２の堆積は、ＣＶＤ工程、マグネトロンスパッタリング、熱蒸着、電子ビーム蒸着といった誘電体材料に適した任意の従来方法を用いて実行されうるが、これらに限られない。パターニングおよびエッチング工程は、上述の方法により実行されてもよい。
【００７３】
図５Ｇ−Ｈは、ある実施の形態に係る複合層３０８を（図５を参照して説明した）積層構造５３２に接合する間の部分的に形成された静電クランプ３００の断面を示す。この接合工程は、図５Ｇに示されるように、複合層３０８上に中間層３１４を堆積させることを含みうる。中間層３１４は、表面３０４ａとの直接接合に相性の良い接合面３１４ａを複合層３０８に提供するのを助けてよい。中間層３１４は、例えばＣＶＤ工程のような酸化シリコンを堆積するための任意の適切な方法を用いて堆積されてもよい。接合工程は、図Ｈに示されるように、表面３１４ａを表面３０４ａに接合するために、図５Ｇの複合構造を積層構造５３２に対して押圧することをさらに含んでもよい。表面３１４ａと表面３０４ａの間の接合界面を強化するため、接合された構造が約３５０−８００℃の範囲の温度でアニールされてもよい。
【００７４】
ある実施の形態によれば、接合工程の後、選択的に第３層３０６を約５０−２００ミクロンの範囲の垂直寸法まで薄くする工程が続いてもよい。表面３０６ａは、層３０６を薄くするために任意の適切な研磨（ポリッシュおよび／またはグラインド）技術を用いて研磨されうる。代わりに、第３層３０６を薄くする工程は、表面３０６ａおよび／または表面３０６ｂの研磨により、複合層３０８の形成前に実行されてもよい。
【００７５】
図５Ｉ−Ｊは、ある実施の形態に係るクランプ面３０６ａ上にバール３０５を形成する間の静電クランプ３００の断面を示す。バール３０５は、図５Ｉに示されるように、例えば高分子層５０５を堆積することにより形成されうる。この堆積の後、図５Ｊに示されるように、バール３０５を画定するために高分子層５０５のパターニングおよびエッチングが続いてもよい。パターニングおよびエッチング工程は、上述したような方法により実行されてもよい。矩形断面形状の３０５が例示されているが、これに限定されないことに留意すべきである。バール３０５は、様々な実施の形態によれば、本発明の趣旨および範囲を逸脱しなければ、他の断面形状（例えば、球形、円錐系、台形）を有することができる。
【００７６】
代替的な手法において、ある実施の形態に係る複合層３０８および中間層３１４は、図５Ｋに示されるように、積層構造５３２の表面３０４ａ上に形成されてもよい。第３層３０６は、図５Ｌに示されるように、中間層３１４に直接接合され、約５０−２００ミクロンの範囲の垂直寸法まで薄肉化されてもよい。直接接合および薄肉化は、上述したような方法により実行されてもよい。
【００７７】
図５Ｍに示されるように、別の代替的な手法において、ある実施の形態に係る複合層３０８の第１部分５０８ａおよび第２部分５０８ｂがそれぞれ表面３０６ｂ上および表面３０４ａ上に形成されてもよい。第１部分５０８ａおよび第２部分５０８ｂは、図５Ｎに示されるように、熱融着して複合層３０８を形成してもよい。静電クランプの複合層３０８を形成するこの手法は、接合媒体（例えば中間層３１４）の使用を省くのを助けてもよい。
【００７８】
静電クランプをチャックに結合する方法の例
【００７９】
図６は、静電クランプ３００をチャック６２０に結合する間の静電クランプ３００の断面を示す。チャック６２０は、図４を参照して上述したようなチャック４２０と構造および機能において同様であってもよい。ある実施の形態において、結合工程は、表面３０２ｂおよび６２０ａを研磨および洗浄することと、次にこれら表面を直接接合することを含みうる。表面３０２ｂおよび６２０ａは、酸化セリウムのスラリーの研磨工程といった任意の適した研磨工程を用いて、約０．５ｍｍ以下の粗さの二乗平均平方根（ＲＭＳ）に研磨されうるが、これに限定されない。つづいて、表面３０２ｂおよび６２０ａが一緒に押圧され、表面３０２ｂと６２０ａの間に直接接合が形成される。当業者であれば理解されるように、静電クランプ３００とチャック６２０の結合に他の形式の接合または結合が用いられてもよい。
【００８０】
静電クランプの製造ステップの例
【００８１】
図７は、ある実施の形態に係る静電クランプ３００の製造および静電クランプ３００のチャックへの結合のフローチャートを示す。例示のみを目的として、図７に示されるステップは、図５Ａ−５Ｎおよび図６に示される製造工程例を参照しながら記述されるであろう。ステップは、特定の用途に応じて、異なる順序で実行されることができ、または、実行されなくてもよい。
【００８２】
ステップ７０２において、溝が第１層上に形成される。例えば、図５Ａに示されるように、溝５３０などの溝が第１層３２０などの第１層に形成されてもよい。溝５３０は、標準のガラス機械加工技術を用いて形成されてもよい。
【００８３】
ステップ７０４において、第１層が第２層に結合されて積層構造が形成される。例えば、図５Ｂに示されるように、第２層３０４などの第２層が第１層３０２に結合され、積層構造５３２と同様の積層構造が形成されうる。結合工程は、表面３０２ａおよび３０４ｂの直接接合を含んでもよい。直接接合は、用いられる層材料に適した圧力下で、表面３０４ｂに表面３０２ａを押し付けることにより実行されてもよい。積層構造５３２は、約３５０−８００℃の範囲の温度でアニールされてもよい。
【００８４】
ステップ７０６において、複合層が第３層上に形成される。例えば、図５Ｃ−Ｆに示されるように、複合層３０８と同様の複合層が第３層３０６上に形成されてもよい。複合層３０８は、金属層５１０などの金属層を第３層３０６上で堆積、パターニングおよびエッチングすることにより形成され、その後、誘電体層５１２などの誘電体層が堆積、パターニングおよびエッチングされうる。金属層５１０の堆積は、例えば、スパッタリング、熱蒸着、原子層蒸着（ＡＬＤ）または化学気相蒸着（ＣＶＤ）を用いて実行されてもよい。誘電体層５１２の堆積は、例えば、ＣＶＤ工程、マグネトロンスパッタリング、熱蒸着または電子ビーム蒸着を用いて実行されてもよい。
【００８５】
ステップ７０８において、中間層が複合層上に形成される。例えば、図５Ｇに示されるように、中間層３１４と同様の中間層が複合層３０８上に形成されてもよい。中間層３１４は、例えばＣＶＤ工程を用いて堆積されてもよい。
【００８６】
ステップ７１０において、第３層が積層構造に結合されて静電クランプが形成される。例えば、図５Ｈに示されるように、中間層３１４を積層構造の３０４ａに直接接合することにより、第３構造３０６が積層構造５３２に結合されてもよい。
【００８７】
ステップ７１２において、バールがクランプのクランプ面に形成される。例えば、図５Ｉ−Ｊに示されるように、第３層３０６のクランプ面３０６ａなどのクランプ面にバール３０５などのバールが形成されてもよい。バール３０５は、高分子層５０５を堆積、パターニングおよびエッチングすることにより形成されてもよい。
【００８８】
選択的なステップ７１４において、静電クランプがチャックに結合される。例えば、図６に示されるように、静電クランプ３００がチャック６２０と同様のチャックに結合されてもよい。この結合は、クランプ３００の表面３０２ｂをチャック６２０の表面６２０ａに直接接合することにより実行されてもよい。
【００８９】
本書ではリソグラフィ装置内での静電クランプの使用を具体的に参照しているが、本書に記述される静電クランプは、マスク検査装置、ウエハ検査装置、空間像メトロロジー装置、および、より一般的な、例えばプラズマエッチング装置または蒸着装置といった真空または大気（非真空）のいずれかの条件でウエハ（またたは他の基板）またはマスク（または他のパターニングデバイス）などの対象物を測定または処理する任意の装置における使用といった他の用途を有してもよいことが理解されるべきである。
【００９０】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用可能であるものと理解されるべきである。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本書における「ウエハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置に適用されてもよい。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味しうる。
【００９１】
上記では、光学リソグラフィの文脈において本発明の実施の形態の使用が具体的に参照されているが、本発明はインプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、文脈上許されれば光学リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構造によって基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構造を基板に設けられたレジスト層に押しつけ、その後、電磁放射、熱、圧力またはその組合せによりレジストを硬化する。レジストを硬化した後、パターニングデバイスがレジストから除去されパターンが残される。
【００９２】
本書での語句および用語は、本明細書の語句および用語が本書における教示を考慮して当業者により解釈されるように限定ではなく説明を目的とするものであることが理解されよう。
【００９３】
本書で用いる「放射」および「ビーム」の用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍおよびその近傍の波長を有する）および極短紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５−２０ｎｍの範囲の波長を有する）とともに、イオンビームや電子ビームといった荷電粒子ビームを含む、任意の形式の電磁放射を包含する。
【００９４】
「レンズ」の用語は、文脈上許されれば、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型および静電型の光学素子を含む様々な形式の光学素子の任意の一つまたはその組み合わせを参照してもよい。
【００９５】
本書で用いる「エッチ」または「エッチング」または「エッチバック」の用語は、一般にエッチングの完了後に残る材料の少なくとも一部といった材料をパターニングする製造工程を説明する。例えば、一般的に材料のエッチング工程は、材料の上からマスク層（例えばフォトレジストまたはハードマスク）をパターニングするステップと、つづいてマスク層によりもやは保護されていない材料の領域を除去するステップと、マスク層の残留部分を除去する選択的なステップとを含む。一般に除去ステップは、マスク層よりも材料に対して高い「選択性」を有する「エッチャント」を用いて実施される。このようにして、マスクにより保護される材料の領域がエッチング工程の完了後に残るであろう。しかしながら、上記は限定ではなく例示を目的として与えられる。別の例では、エッチングがマスクを用いないが、エッチング工程の完了後に材料の少なくとも一部が依然として残る工程とされてもよい。
【００９６】
上述の説明は、「エッチング」の用語を「除去」と区別するために役立つ。ある実施の形態において、ある材料がエッチングされるとき、工程完了後に材料の少なくとも一部が残ることになる。対照的に、ある材料が除去されるとき、この工程において材料の実質的に全てが除去される。しかしながら、他の実施の形態において、「除去」がエッチングを包含してもよい。
【００９７】
本書で用いる「堆積」または「配置」の用語は、基板に材料の層を与える行為を説明する。このような用語は、熱成長、スパッタリング、蒸着、化学気相蒸着、エピタキシャル成長、原子層蒸着、電気めっきなどを含むがこれらに限定されない任意の実行可能な層形成技術の記載を意味する。
【００９８】
本書で用いる「基板」の用語は、後続の材料層がその上に付加される材料を説明する。実施の形態において、基板自体がパターン化されてもよいし、その上部に付加される材料がパターン化されてもよいし、基板自体がパターニングされることなく残ってもよい。
【００９９】
本書で用いる「実質的に」または「実質的に接触」の用語は、たいていの場合、製造公差および／または位置ずれ公差から典型的に生じる僅かな離隔のみを有しつつ、要素や構造が互いに物理的に実質的に接触することを説明する。本書で用いる一以上の具体的な形状、構造または特徴間の相対的な空間的描写（例えば「縦に並んでいる」「実質的に接触」など）は例示のみを目的とし、本開示の趣旨および範囲を逸脱しない限りにおいて、本書で記載される構造の実際に実現されるものが製造公差および／または位置ずれ公差を含んでもよいことが理解されよう。
【０１００】
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、本発明が説明されたものと異なるように実施されてもよいことが理解されよう。本説明は、本発明の限定を意図しない。
【０１０１】
発明の概要および要約の欄ではなく、詳細な説明の欄は、請求項の解釈に用いられることを意図する。発明の概要および要約の欄は、本発明者により意図された本発明の一以上ではあるが、全てではない例示的な実施の形態を述べうる。したがって、これらは、本発明および添付の請求項をいかなる方法であっても限定することを意図しない。
【０１０２】
本発明は、特定の機能およびその関係を説明する機能構成ブロック図の助けを借りて説明された。これら機能構成ブロック図の境界は、説明の利便性のために本書において恣意的に規定されている。特定の機能およびその関係が適切に実行できる限りにおいて、代替的な境界を規定することもできる。
【０１０３】
特定の実施の形態の前述の説明は、当業者の範囲内の知識を適用することによって、他の人が、過度の実験をすることなく、本発明の一般的な考え方から逸脱することなく、そのような特定の実施の形態を様々な用途に容易に変更および/または適合させることができる本発明の一般的性質を十分に明らかにするであろう。したがって、そのような適合および変更は、本書に提示された教示および示唆に基づいて、開示された実施の形態の意義および均等物の範囲内にあることが意図される。
【０１０４】
本発明の範囲は、上述の例示的な実施の形態のいずれにも限定されるのではなく、以下の請求項およびその等価物にしたがってのみ規定されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図５Ｉ】
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【図５Ｊ】
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【図５Ｋ】
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【図５Ｌ】
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【図５Ｍ】
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【図５Ｎ】
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【図６】
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【図７】
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