(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は、前記溶融はんだの液面に対し気体を吹き付けることにより前記溶融はんだの液面を下降させる吹付部である、はんだ被膜形成装置。
【請求項２】
溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は、前記溶融はんだの液面に対して下方に押しつけることにより前記溶融はんだの液面を下降させる液面下降ブロックである、はんだ被膜形成装置。
【請求項３】
溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有し、前記半導体装置保持機構に保持された前記半導体装置の幅方向に沿って移動しながら、複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域における前記溶融はんだの液面を漸次、前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、はんだ被膜形成装置。
【請求項４】
溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有し、前記半導体装置保持機構に保持された前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、複数の前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って順次、前記溶融はんだの液面を前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、はんだ被膜形成装置。
【請求項５】
溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は、複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた複数の領域のすべてにおける前記溶融はんだの液面を前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ同時に下降させることが可能である、はんだ被膜形成装置。
【請求項６】
溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有し、前記半導体装置保持機構に保持された前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、前記溶融はんだの液面を前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させることにより、前記溶融はんだの液面を下降させている前記液面下降機構の数が漸次増加する、はんだ被膜形成装置。
【請求項７】
溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち前記溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部を、浸漬する工程と、
複数の前記リード端面の、前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さを調整する工程と、
前記リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる工程とを備え、
前記調整する工程は、複数の前記リード端子を前記溶融はんだに対して相対的に上方に持ち上げる工程を含み、
前記持ち上げる工程においては、前記リード端面が前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの前記初期液面高さよりも高く、かつ複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれたすべての領域において前記溶融はんだが存在可能な位置まで、複数の前記リード端面が、上下方向に関して持ち上げされる、はんだ被膜形成方法。
【請求項８】
前記引き上げる工程においては、前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って移動しながら、前記１対のリード端子に挟まれた領域における前記溶融はんだの液面を順次、前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、請求項７に記載のはんだ被膜形成方法。
【請求項９】
前記引き上げる工程においては、前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、複数の前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って順次、前記溶融はんだの液面を前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、請求項７に記載のはんだ被膜形成方法。
【請求項１０】
溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち前記溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部を、浸漬する工程と、
複数の前記リード端面の、前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さを調整する工程と、
前記リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる工程とを備え、
前記調整する工程においては、前記リード端面が前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの前記初期液面高さよりも低い位置となるように複数の前記リード端面の位置が調整される、はんだ被膜形成方法。
【請求項１１】
前記引き上げる工程においては、前記液面下降機構が、複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれたすべての領域における前記溶融はんだの液面を同時に前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、請求項１０に記載のはんだ被膜形成方法。
【請求項１２】
前記引き上げる工程においては、前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、前記溶融はんだの液面を前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させることにより、前記溶融はんだの液面を下降させている前記液面下降機構の数が漸次増加する、請求項１０に記載のはんだ被膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明ははんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法および半導体装置に関し、特に、半導体装置のリード端子の表面にはんだ被膜を形成するためのはんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法およびそれらにより得られる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に含まれるリード端子は、その素材のままの状態でははんだ付け性に劣る。このため、はんだ付け性を改善させる観点から、リード端子の表面には、あらかじめはんだの被膜が形成される。また一度実装された半導体装置を取り外し再度実装する場合にも、実装前にあらかじめリード端子の表面にはんだの被膜が再形成される。そのようなはんだ被膜を形成する方法として、溶融はんだ内に半導体装置のリード端子を浸漬し、リード端子の表面にはんだ被膜を形成する溶融はんだ浸漬法が用いられる。
【０００３】
ところで近年、半導体装置に入出力する信号数の増加および実装密度の増加のため、半導体装置のリード端子の本数を増やし、リード端子の中心間距離を小さくする傾向がある。その傾向は表面実装型のＱＦＰ（Quad Flat Package）およびＳＯＰ（Small Outline Package）と呼ばれる形態の半導体装置において顕著である。
【０００４】
リード端子の中心間距離が小さくなれば、はんだ被膜の形成時に溶融はんだ内からリード端子を引き上げる際に、隣り合う１対のリード端子間に余分なはんだが残留したものであるいわゆるはんだブリッジが形成され、１対のリード端子間が短絡するために不良品となる問題がある。そこでたとえば以下の特開平７−２２５５８号公報（特許文献１）には、溶融はんだの液面に対してリード端子の端面が傾斜した状態で引き上げることにより、リード端子の表面に付着した溶融はんだの塊が、傾斜に倣って溶融はんだを収容する溶融はんだ槽内に引き戻される技術が開示されている。これにより、はんだブリッジの形成が抑制されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２２５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし特開平７−２２５５８号公報の方法においては、リード端子の端面を傾斜させたときに最も下側（溶融はんだ側）に配置されるリード端子とそれに隣り合うリード端子との間の領域においては上方から降下する溶融はんだが進入する可能性があるため、はんだブリッジを完全に抑制することができないという問題がある。
【０００７】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、溶融はんだ浸漬法を用いたはんだ被膜の形成時におけるはんだブリッジの形成をより確実に抑制することができるはんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法および半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は、溶融はんだの液面に対し気体を吹き付けることにより溶融はんだの液面を下降させる吹付部である。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は、溶融はんだの液面に対して下方に押しつけることにより溶融はんだの液面を下降させる液面下降ブロックである。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は半導体装置の幅よりも狭い幅を有する。半導体装置保持機構に保持された半導体装置の幅方向に沿って移動しながら、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域における溶融はんだの液面を漸次、リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ下降させる。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する。半導体装置保持機構に保持された半導体装置の幅方向に沿って複数並び、複数の液面下降機構が半導体装置の幅方向に沿って順次、溶融はんだの液面をリード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ下降させる。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた複数の領域のすべてにおける溶融はんだの液面をリード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ同時に下降させることが可能である。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は半導体装置の幅よりも狭い幅を有する。半導体装置保持機構に保持された半導体装置の幅方向に沿って複数並び、溶融はんだの液面をリード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ下降させることにより、溶融はんだの液面を下降させている液面下降機構の数が漸次増加する。
【０００９】
本発明のはんだ被膜形成方法は、まず溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部が、浸漬される。複数のリード端面の、浸漬を行なう前の溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さが調整される。リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて溶融はんだの液面を下降させることにより、リード端子が溶融はんだ外に相対的に引き上げられる。上記調整する工程は、複数のリード端子を溶融はんだに対して相対的に上方に持ち上げる工程を含む。上記持ち上げる工程においては、リード端面が浸漬する工程を行なう前の溶融はんだの初期液面高さよりも高く、かつ複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれたすべての領域において溶融はんだが存在可能な位置まで、複数のリード端面が、上下方向に関して持ち上げされる。
本発明のはんだ被膜形成方法は、まず溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部が、浸漬される。複数のリード端面の、浸漬を行なう前の溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さが調整される。リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて溶融はんだの液面を下降させることにより、リード端子が溶融はんだ外に相対的に引き上げられる。上記調整する工程においては、リード端面が浸漬する工程を行なう前の溶融はんだの初期液面高さよりも低い位置となるように複数のリード端面の位置が調整される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のはんだ被膜形成装置によれば、液面下降機構が、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域のはんだ液面を下降させ、当該領域の溶融はんだを溶融はんだ槽内に引き戻すことができる。このため、はんだブリッジの形成をより確実に抑制することができる。
【００１１】
本発明のはんだ被膜形成方法によれば、リード端子が溶融はんだに対して相対的に上方に引き上げられた後、液面下降機構が、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域のはんだ液面を下降させ、当該領域の溶融はんだを溶融はんだ槽内に引き戻すことができる。このため、はんだブリッジの形成をより確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構成を示す概略平面図（Ａ）および図２（Ａ）中に矢印ＩＩＢで示す方向から見た当該半導体装置の構成を示す概略側面図（Ｂ）である。
【図３】実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図４】実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図５】実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図６】実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図７】実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図８】実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図９】実施の形態１における吹付部の配置を図３〜図８とは異なる方向から見た第１例を示す概略断面図である。
【図１０】実施の形態１における吹付部の配置を図３〜図８とは異なる方向から見た第２例を示す概略断面図である。
【図１１】実施の形態１における吹付部の配置を図３〜図８とは異なる方向から見た第３例を示す概略断面図である。
【図１２】比較例のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１３】比較例のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１４】比較例のはんだ被膜形成方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１５】実施の形態２のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図１６】実施の形態２のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１７】実施の形態２のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１８】実施の形態３のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図１９】実施の形態３のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２０】実施の形態３のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２１】実施の形態４のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図２２】実施の形態４のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２３】実施の形態４のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２４】実施の形態５のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図２５】実施の形態５のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２６】実施の形態５のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２７】実施の形態５における吹付部の配置を図２５〜図２６とは異なる方向から見た第１例を示す概略断面図である。
【図２８】実施の形態５における吹付部の配置を図２５〜図２６とは異なる方向から見た第２例を示す概略断面図である。
【図２９】実施の形態６のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図３０】実施の形態６のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図３１】実施の形態６のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図３２】実施の形態７のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図３３】実施の形態７のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図３４】実施の形態７のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図３５】実施の形態８のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図３６】実施の形態８のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図３７】実施の形態８のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず本実施の形態のはんだ被膜形成装置およびそれによりはんだ被膜が形成されるリード端子を含む半導体装置の構成について図１および図２を用いて説明する。なお、説明の便宜のため、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向が導入されている。図１において、Ｘ方向は図の左右方向であり、セットされた半導体装置の幅方向であり、当該半導体装置に複数形成されたリード端子が互いに間隔をあけて並ぶ方向である。Ｙ方向は図１の装置を上方から平面視したときにＸ方向に直交する方向であって、図１における紙面奥行き方向である。Ｚ方向はＸ方向およびＹ方向の双方に直交する方向であって、はんだ被膜形成装置の土台に直交する図１の上下方向である。
【００１４】
図１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置１００は、溶融はんだ浸漬法を用いて、半導体装置に含まれるたとえばリード端子の表面にあらかじめはんだの被膜を形成するための装置である。はんだ被膜形成装置１００は、溶融はんだ槽１と、半導体装置保持アーム４（半導体装置保持機構）と、液面操作部７とを主に有している。
【００１５】
溶融はんだ槽１は、はんだ被膜形成装置１００の土台としてそのＺ方向最下部に配置された装置基盤３０の一方の主表面上に載置された態様となっている。装置基盤３０は、たとえばＸ方向およびＹ方向に沿う矩形状の平面を有する平板形状となっている。溶融はんだ槽１ははんだ収容部１０を有しており、はんだ収容部１０内に加熱溶融されたはんだである溶融はんだ１３を収容可能となっている。溶融はんだ１３としてはたとえばスズを６３質量％、鉛を３７質量％含む共晶はんだが使用される。溶融はんだ１３ははんだ収容部１０内においてはんだ液面１６を最上面とするように収容されている。溶融はんだ１３ははんだ収容部１０内において２００℃以上３００℃以下程度の温度に加熱されて溶融された状態となっていることが好ましい。ただし溶融はんだ１３としては上記以外の組成のはんだが用いられてもよい。
【００１６】
半導体装置保持アーム４は、半導体装置１９を保持可能なする部材である。図１および図２（Ａ），（Ｂ）を参照して、半導体装置１９は、半導体装置本体２０と、リード端子２２とを有している。半導体装置本体２０は、その内部に半導体素子などを収納可能な、たとえばセラミックスにより形成されるケース状の部材である。半導体装置本体２０は、Ｙ方向に関して互いに対向する１対の半導体装置本体主表面２０ａ，２０ｂを有している。半導体装置１９の幅方向すなわちＸ方向に関する寸法は、半導体装置本体２０のＸ方向の寸法とほぼ等しく、ここでは寸法Ａで表される。
【００１７】
リード端子２２は半導体装置本体２０の外側に露出するように配置されており、たとえば半導体装置本体２０の内部に収納された半導体素子などと電気的に導通され、当該半導体素子に対して電気信号を入出力するための部材である。リード端子２２は、半導体装置１９の幅方向（ここではＸ方向）に関して複数（ここでは８本）、互いに間隔をあけて並ぶように配置されている。またリード端子２２は、図２（Ａ）のＺ方向に関して半導体装置本体２０の一方側（上側）および他方側（下側）の双方に配置されていることが好ましい。つまり図１および図２（Ａ）に示すように、リード端子２２のそれぞれは、図２（Ａ）のＺ方向に関する半導体装置本体２０の一方側および他方側の端面である半導体装置本体端面２０ｃ，２０ｄのそれぞれに垂直な方向（すなわちＺ方向）に沿って延びている。リード端子２２のＺ方向に関する寸法はここでは寸法Ｂで表される（寸法Ｂはたとえば２ｍｍ以上３ｍｍ以下程度である）。
【００１８】
特に図２（Ｂ）に示すように、リード端子２２は部分的に（Ｙ方向に）屈折した形状を有していてもよい。ここでは一例として、リード端子２２は、半導体装置本体２０から離れるにつれてＹ方向に関して半導体装置本体主表面２０ａ側から半導体装置本体主表面２０ｂ側に寄るように屈折している。
【００１９】
またリード端子２２のそれぞれは、Ｚ方向に関して半導体装置本体２０から最も離れた端面であるリード端面２２ａを有しており、リード端面２２ａは半導体装置本体端面２０ｃ，２０ｄに沿うように（たとえば平行となるように）拡がる平面となっている。そして再度図１を参照して、半導体装置保持アーム４は半導体装置１９を、複数のリード端面２２ａのそれぞれが、溶融はんだ槽１内に収納された溶融はんだ１３のはんだ液面１６に沿うように（たとえば平行となるように）保持可能となっている（図１においてはそのような態様で半導体装置１９が半導体装置保持アーム４に保持されている）。
【００２０】
半導体装置保持アーム４は、その保持する半導体装置１９をＺ方向（上下方向）に移動させることができる。これにより、たとえば図１においては溶融はんだ１３のＺ方向に関する真上に配置される半導体装置１９の、特にＺ方向下側（半導体装置本体端面２０ｄの下側）の複数のリード端子２２のそれぞれは、溶融はんだ１３のはんだ液面１６よりも下方に沈められることにより、溶融はんだ１３内に浸漬されることになる。また溶融はんだ１３内の浸漬が終わった後は、たとえば半導体装置１９がＺ方向上側に移動されることにより、溶融はんだ１３内に浸漬された複数のリード端子２２のそれぞれがたとえば溶融はんだ１３の外側に配置されるように持ち上げられる。
【００２１】
液面操作部７は、吹付部２５（液面下降機構）と吹付部保持アーム２８とを有している。吹付部２５は、はんだ液面１６のＺ方向上方に配置され、はんだ液面１６に対してその上方から気体を吹き付けることが可能な部材である。吹付部２５は吹付部保持アーム２８により保持されている。吹付部保持アーム２８は吹付部２５を保持するとともに、吹付部２５から放出する気体を供給するための通路としての機能も有している。
【００２２】
吹付部２５がはんだ液面１６に対してＺ方向下向きに気体を吹き付けることにより、溶融はんだ１３のはんだ液面１６はＺ方向下方に下降させられる。これにより後述するようにはんだ液面１６が局所的に下降された領域である液面下降領域が発生する。また後述するように、このはんだ液面１６の下降により、それまで溶融はんだ１３内に浸漬されていたリード端子２２が溶融はんだ１３の外に相対的に引き上げられることになる。
【００２３】
上記気体の例としては空気や窒素などが使用されるが、溶融はんだ１３に対して不活性な気体であることがより好ましい。このようにすれば、はんだ液面１６に酸化物層が生成され、溶融はんだ１３の流動性が低下し、はんだブリッジが発生しやすくなる状況を避けることができる。また上記気体の温度が低ければ溶融はんだ１３の温度が低下し溶融はんだ１３の流動性が低下する。これを抑制する観点から、上記気体の温度は２００℃以上３００℃以下とすることが好ましい。このようにすれば溶融はんだ１３の流動性を確保し、かつ半導体装置１９に熱的なダメージを与える可能性を低減することができる。
【００２４】
本実施の形態においては、吹付部保持アーム２８に吹付部２５が１つのみ取り付けられている。このため液面下降機構としての吹付部２５は、図１に示すように、半導体装置保持アーム４に保持される通常の半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも狭い幅を有している。
【００２５】
なおここで半導体装置１９の幅とは、Ｘ方向に複数並ぶリード端子２２のうち一方端のリード端子２２と他方端のリード端子２２とのＸ方向に関する間隔（幅）と考える。ただし基本的には吹付部２５のＸ方向に関する幅は、Ｘ方向に複数並ぶリード端子２２のうち互いに隣り合う１対のリード端子２２の中心間距離の０．５倍以上３倍以下程度である。
【００２６】
吹付部保持アーム２８は、Ｚ方向下方のはんだ液面１６に対して気体を吹き付ける吹付部２５をＸ方向（半導体装置１９の幅方向）に沿って移動させることが可能である。これにより、吹付部２５の吹き付ける気体によりはんだ液面１６が降下された位置をＸ方向に沿って漸次移動させることができる。したがって、リード端子２２が浸漬されている領域におけるはんだ液面１６を、リード端子２２が複数並ぶＸ方向に関して隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた領域ごとに漸次、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置に存在する状態から、リード端面２２ａよりも下方の位置に存在する状態へと下降させる。これにより、それまで溶融はんだ１３内に浸漬されていたリード端子２２が、吹付部２５のＸ方向に関する移動に従って漸次、溶融はんだ１３の外に相対的に引き上げられることになる。
【００２７】
なお上記においては半導体装置保持アーム４がＺ方向に移動することにより、半導体装置１９のリード端子２２を溶融はんだ２２内に浸漬したり、逆に持ち上げたりしている。しかしこれに限らず、たとえば（半導体装置保持アーム４はＺ方向に移動せず）溶融はんだ槽１がＺ方向に移動することにより、半導体装置１９のリード端子２２を溶融はんだ２２内に浸漬したりそこから持ち上げたりしてもよい。その場合は図１の装置基盤３０がＺ方向に移動し、はんだ被膜形成装置１００全体は支柱８により支えられる。
【００２８】
同様に、上記においては吹付部２５がＸ方向に移動することによりはんだ液面１６の下降する領域をＸ方向に移動させている。しかしこれに限らず、たとえば（吹付部２５はＸ方向に移動せず）半導体装置保持アーム４がＸ方向に移動することによりこれが保持する半導体装置１９をＸ方向に移動させる態様であってもよい。
【００２９】
以上をまとめると、溶融はんだ槽１に対して半導体装置保持アーム４をＺ方向に相対的に移動させるように、半導体装置保持アーム４または溶融はんだ槽１が駆動可能となっている。この駆動は、たとえば一般公知のモータまたはシリンダなどの駆動用の部材により可能となっている。
【００３０】
以上においては一例として、半導体装置１９のリード端子２２がＸ方向に沿って複数並ぶように配置されており、このため吹付部２５もＸ方向に沿って移動可能となっている。しかしこれに限らず、たとえば図示されないが半導体装置１９のリード端子２２がＹ方向に沿って複数並ぶように配置され、これに伴い吹付部２５もＹ方向に沿って移動可能とされてもよい。
【００３１】
次に図３〜図８を用いて、本実施の形態のはんだ被膜形成装置１００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。なお図３〜図８のはんだ被膜形成方法を説明する各図面においては、装置基盤３０、半導体装置保持アーム４など、はんだ被膜形成装置１００を構成する部材の一部の図示が省略されている（以下の各実施の形態についても同じ）。
【００３２】
図３を参照して、溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０が溶融はんだ１３を収納した状態で、当該溶融はんだ１３のＺ方向に関する真上に、図１と同様に半導体装置１９が配置される。このとき半導体装置１９は、図示されない半導体装置保持アーム４により、複数のリード端面２２ａのそれぞれがはんだ液面１６に沿うように（たとえば平行となるように）配置されている。次に、溶融はんだ１３内に浸漬される（半導体装置本体端面２０ｄの下側の）リード端子２２の表面にフラックスが塗布される。
【００３３】
図４を参照して、たとえば半導体装置１９がＺ方向下方に下降する（または溶融はんだ槽１がＺ方向上方に上昇する）ことにより、特に半導体装置本体端面２０ｄの下側に互いに間隔をあけて複数並ぶリード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬される。なおこのとき、半導体装置本体端面２０ｄの下側の複数のリード端子２２の全体が溶融はんだ１３内に浸漬されることがより好ましいが、少なくとも溶融はんだ１３側（Ｚ方向下側）のリード端面２２ａを含む少なくとも一部が浸漬される。
【００３４】
このとき、リード端子２２が溶融はんだ１３に接触すると、熱とフラックスの還元作用によってリード端子２２の表面の酸化膜が除去され、図４に示すようにリード端子２２に沿って溶融はんだ１３がＺ方向上側に濡れ上がり、リード端子２２の配置される領域においてはんだ液面１６の位置が変化する。ここではリード端子２２を浸漬させる前の溶融はんだ１３のはんだ液面の位置を初期はんだ液面３１として点線で示している。
【００３５】
図５を参照して、複数のリード端面２２ａの、初期はんだ液面３１（浸漬する工程を行なう前の溶融はんだ１３の初期液面高さ）に対するＺ方向の高さが調整される。
【００３６】
具体的には、たとえば半導体装置１９を徐々にＺ方向上方に上昇させる（または溶融はんだ槽１を徐々にＺ方向下方に下降させる）ことにより、複数のリード端子２２が溶融はんだ１３に対して相対的に上方に持ち上げられる。このとき、リード端子２２の最下部すなわちリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に持ち上げられても、互いに隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた領域においてははんだ液面１６がリード端子２２に釣られるように持ち上げられる。これは表面張力の作用によるものである。図５においてはリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられており、このとき溶融はんだ１３はリード端子２２の表面に接触したままの状態となっている。
【００３７】
図５のリード端子２２を持ち上げる工程においては、上記のように浸漬されるリード端子２２の最下部のリード端面２２ａは、初期はんだ液面３１よりもＺ方向上方に関して高い位置まで持ち上げられる。
【００３８】
またリード端子２２を持ち上げ続けるとやがて後述するように１対のリード端子２２に挟まれた領域において溶融はんだ１３が離脱し始めるが、その離脱が発生する高さよりもＺ方向に関して低い位置まで、リード端子２２がＺ方向に関して持ち上げられる。このことを言い換えれば、複数のリード端子２２のうち隣り合う１対のリード端子２２に挟まれたすべての領域において溶融はんだ１３が落下することなく存在することが可能な程度の位置まで、リード端面２２ａがＺ方向に関して持ち上げられる。
【００３９】
図６を参照して、高さが調整され図５のようにリード端子２２が持ち上げられた状態で、液面操作部７に含まれる吹付部２５を用いてそこから溶融はんだ１３の液面に向けてＺ方向下方に気体が吹き付けられる（このときは半導体装置１９、溶融はんだ槽１ともにＺ方向に関して移動しない）。この吹付部２５は、半導体装置１９の幅方向に沿うＸ方向に関して一方（たとえば図の右側）の端に配置されるリード端子２２側から他方（たとえば図の左側）の端に配置されるリード端子２２側に向けて、矢印Ｍで示すようにＸ方向に沿って移動しながら、気体３４を吹き付ける。ただし吹付部２５の移動する方向は上記と逆（図の左側から右側に向けて）であってもよい。
【００４０】
これにより溶融はんだ１３の液面は、気体が吹き付けられた領域（の近く）において、他の領域よりもＺ方向下方に下降される。図６においては吹付部２５により溶融はんだ１３の液面が下降された領域を液面下降領域３７として表現している。
【００４１】
液面下降領域３７においては、はんだ液面１６は、少なくともリード端子２２の最下部のリード端面２２ａよりも下方にまで下降するが、初期はんだ液面３１の高さよりもＺ方向下方にまで下降することがより好ましい。
【００４２】
これにより、液面下降領域３７における１対の隣り合うリード端子２２に挟まれた領域の溶融はんだ１３が、１対の隣り合うリード端子２２に挟まれた領域から離れてその下方に引き戻される。これにより、当該領域におけるリード端子２２は、相対的に溶融はんだ１３の外に引き上げられる。
【００４３】
図７を参照して、吹付部２５の矢印Ｍに示すＸ方向に沿う移動に伴い、液面下降領域３７がＸ方向左側に漸次移動する。この吹付部２５は、半導体装置１９の幅方向に沿うＸ方向に関して半導体装置１９よりも狭い幅を有する。このため、吹付部２５の移動に伴い、Ｘ方向に関する右側の１対のリード端子２２間の領域から左側の１対のリード端子２２間の領域に向けて順次、溶融はんだ１３の液面が、当初はリード端面２２ａよりも上方の位置にあるがそこからリード端面２２ａよりも下方の位置に引き戻される。このようにしてすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。
【００４４】
図８を参照して、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられている。このため、いったん溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０内に引き戻された溶融はんだ１３は、その液面の高さが初期はんだ液面３１と同じ定常状態に戻った後においても、再度リード端子２２に付着し濡れ上がることはない。このようにして、リード端子２２の表面のみに薄いはんだの被膜を均一に供給させることができる。
【００４５】
なお、以上においては図３における半導体装置本体端面２０ｄの下側のリード端子２２へのはんだ被膜の形成についてのみ述べているが、同様の手法により（図３の上下を反転させることにより）、半導体装置本体端面２０ｃの上側のリード端子２２へのはんだ被膜の形成も可能である。
【００４６】
ところで図９を参照して、図６〜図７においては半導体装置１９のＹ方向に関するやや手前側に吹付部２５から気体３４が吹き付けられている。このため図９におけるＹ方向すなわち図の左右方向に関して、半導体装置１９（リード端子２２）と吹付部２５との間には少し間隔が形成されている。
【００４７】
しかし気体３４の吹き付けにより形成される液面下降領域３７にはある範囲を有している。具体的には、液面下降領域３７はＺ方向の上方ほど範囲が広く、下方に向かうにつれて範囲が狭くなるすり鉢のような断面形状を有している。つまりはんだ液面１６に沿う方向に関する液面下降領域３７の幅は、通常は吹付部２５の幅よりも広くなっている。このため、たとえＹ方向に関して吹付部２５（により気体３４が吹き付けられる領域）と半導体装置１９（リード端子２２）との間に距離Ｃを有していたとしても、吹付部２５の気体３４により１対のリード端子２２間に挟まれた領域を液面下降領域３７として、当該領域の溶融はんだ１３を下降させ溶融はんだ槽１内に引き戻させることができる。
【００４８】
上記の距離Ｃは、液面下降領域３７のＹ方向（またはＸ方向）に沿う範囲の最大（たとえばＺ方向最上部）の寸法Ｄよりも小さければ許容され、他の条件によって変化する。具体的には、上記の距離Ｃは２ｍｍ以上３ｍｍ以下程度とすることが好ましい。ただし半導体装置１９の（図５などにおける）Ｘ方向およびＹ方向に関する寸法は一般的に１０ｍｍ以上あるのに対し、本実施の形態のように半導体装置１９の幅よりも（かなり）狭い幅を有する吹付部２５を用いる場合には、上記寸法Ｄは基本的にはそれよりも小さい。このため、たとえば吹付部２５が図６の右端のリード端子２２の近くに配置される状態においてはそこで発生する液面下降領域３７をリード端子２２の配置される領域全体に（図６の左端のリード端子２２まで）及ばせることは困難である。したがって、リード端子２２の全体において溶融はんだ１３を下降させるためには、上記のように吹付部２５をリード端子２２が並ぶＸ方向に沿って左側に向けて移動させることが好ましい。
【００４９】
なお図１０を参照して、よりリード端子２２と平面視において重なる領域において確実に１対のリード端子２２の間の領域の溶融はんだ１３を下降させる観点からは、吹付部２５を傾けることがより好ましい。このようにすれば、Ｙ方向に関してリード端子２２からやや離れた領域から、リード端子２２と平面的に重なる領域に向けて確実に気体３４を吹き付けることができる。また図１１を参照して、Ｙ方向に関してリード端子２２（半導体装置１９）を挟んでその両側に吹付部２５を設置し、Ｙ方向に関する液面下降領域３７の寸法Ｅを図９の寸法Ｄよりも広くすることにより、Ｘ方向についても液面下降領域３７の範囲を図９よりもいっそう広げることができる。
【００５０】
以上においては、液面操作部７を用いる前にリード端子２２をＺ方向上方に持ち上げる工程を「持ち上げる」、液面操作部７を用いてはんだ液面を下降させることによりはんだに対して相対的にリード端子２２をＺ方向上方に配置させる工程を「引き上げる」と表現している。また意図的に溶融はんだ１３の液面を下降させることを「下降」、意図せずリード端子２２間の領域の溶融はんだ１３が落下する現象を「離脱」と表現している。
【００５１】
次に、図１２〜図１４の比較例を参照しながら、本実施の形態の作用効果について説明する。
【００５２】
図１２を参照して、比較例においては、まず本実施の形態の上記図３〜図４と同様の処理がなされリード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬される。しかしその後に半導体装置１９を徐々にＺ方向上方に上昇させる（または溶融はんだ槽１を徐々にＺ方向下方に下降させる）工程において、本実施の形態の図５に示すよりもさらに高い位置まで半導体装置１９が持ち上げられる。
【００５３】
つまり図１２のリード端子２２を持ち上げる工程においては、浸漬されるリード端子２２の最下部のリード端面２２ａは、初期はんだ液面３１（浸漬する工程を行なう前の溶融はんだ１３の初期液面高さ）よりもＺ方向上方に関して高い位置まで持ち上げられる。さらにリード端子２２を持ち上げ続けるとやがて後述するように１対のリード端子２２に挟まれた領域において溶融はんだ１３が離脱し始めるが、その離脱が発生する高さ（とほぼ等しい位置）まで、リード端子２２が持ち上げられる。具体的には図１２においてはリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ２だけ高くなるように持ち上げられ、Ｈ２はＨ１より大きい。
【００５４】
このようにリード端子２２（半導体装置１９）を溶融はんだ１３に対して相対的に上方に持ち上げ続けると、持ち上げられる溶融はんだ１３の量が漸次増加する。このため、やがて溶融はんだ１３の表面張力による上向きの力Ｔよりもリード端子２２に付着しリード端子２２とともに持ち上げられた溶融はんだ１３への重力による下向きの力Ｇが大きくなる瞬間がある。
【００５５】
図１３を参照して、その瞬間にリード端子２２に付着していた溶融はんだ１３がリード端子２２から離脱し、それぞれのリード端子２２間に挟まれた領域に付着していた溶融はんだ１３が一気に溶融はんだ槽１内に落下する。
【００５６】
図１４を参照して、この溶融はんだ１３の離脱および落下の際には、すべての溶融はんだ１３が落下せず、一斉の溶融はんだ１３の落下に追従できなかった一部の溶融はんだ１３が、残留はんだとして、一部の１対のリード端子２２間の領域に滞留する。この残留はんだがこれを挟む１対のリード端子２２の双方と接触していれば、当該１対のリード端子２２を短絡させるはんだブリッジ４０として形成される。
【００５７】
これに対して、本実施の形態においては上記の離脱が起こる前の段階（図１２〜図１４より低い図５〜図８のＨ１にセットされた段階）で、吹付部２５により強制的にはんだ液面１６をリード端面２２ａよりも下側に下降させることができる。この下降は比較例のようにすべての１対のリード端子２２間の領域に対して一時に起こるのではなく、個々の１対のリード端子２２間の領域ごとに順番に起こる。このため比較例における溶融はんだ１３の離脱に比べて緩やかであり、この下降に伴って溶融はんだ１３が部分的に残存してはんだブリッジ４０が形成される可能性は低い。このため本実施の形態の手法を用いれば、互いに間隔をあけて複数配置されるリード端子２２のそれぞれの表面に溶融はんだ浸漬法によりはんだ被膜を形成する際の、隣り合う１対のリード端子２２の間の領域でのはんだブリッジ４０の形成を抑制することができる。
【００５８】
液面下降機構として吹付部２５を用いることにより、吹付部２５は溶融はんだ１３に対して非接触とすることができる。これにより、吹き付けられた気体３４ははんだ液面１６上において自由に形を変えることができる。したがって、気体３４の吹き付けられる位置がリード端子２２と平面的に重なる領域から多少大きくずれたとしても、１対のリード端子２２に挟まれた領域のはんだ液面１６を下降させ当該領域を液面下降領域３７とすることが可能となる。
【００５９】
なお以上においては、リード端面２２ａがはんだ液面１６に沿うように（たとえば平行となるように）半導体装置保持アーム４が半導体装置１９を保持した例が示されている。しかしこれに限らず、はんだ液面１６に対してリード端面２２ａが傾斜した状態でリード端子２２の浸漬および引き上げ等がなされてもよい。
【００６０】
次に、本実施の形態の応用例について説明する。
たとえば再度図２（Ａ）を参照して、隣り合う１対のリード端子２２の中心間距離Ｆが０．６５ｍｍ未満である半導体装置１９においては、当該隣り合う１対のリード端子２２の間の領域にはんだブリッジ４０（図１４参照）が発生しやすい。このためこのような半導体装置１９においては、リード端子２２の表面へのはんだ被膜の形成には、溶融はんだ浸漬法を用いずに電気めっきが用いられることが多い。しかしこのようなリード端子２２の間隔が比較的狭い半導体装置においても、本実施の形態の適用により、溶融はんだ浸漬法を用いて、リード端子２２の表面上に膜厚が２０μｍ以上のはんだ被膜を形成することができる。
【００６１】
はんだ被膜を厚くすることにより、リード端子２２を構成する材料とはんだ被膜の材料との金属間化合物の成長による、当該はんだ被膜形成部のはんだ付け性の低下が抑制される。また、リード端子２２の中心間距離Ｆが短くなると、半導体装置１９をプリント配線板などの上にはんだ付けにより実装する際に供給されるはんだ量が不足しクラックが発生しやすくなり、形成される実装品の長期信頼性が低下する可能性がある。しかし本実施の形態を用いて、あらかじめリード端子２２の表面上に厚いはんだ被膜を形成することにより、このような不具合の発生を抑制することができる。
【００６２】
（実施の形態２）
図１５を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置２００は、液面操作部７を構成する吹付部２５が、吹付部保持アーム２８の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる点において、吹付部２５を１つのみ有する実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と構成上の差異がある。これらの複数並ぶ吹付部２５は、Ｘ方向に沿って順次、気体をＺ方向下方に向けて吹き付けることにより、溶融はんだ１３の液面を、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降させる。このようにして、実施の形態１と同様に、たとえばＸ方向右側から左側へ順次、リード端子２２を溶融はんだ１３外（はんだ液面１６の上側）に引き上げさせる。
【００６３】
複数並ぶ吹付部２５同士は、Ｘ方向において互いに接していることが好ましいが、必ずしも接していなくてもよい。また複数並ぶ吹付部２５をすべてＸ方向につなげた長さは、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となることが好ましい（ただし半導体装置１９の幅に満たなくてもよい場合もある）。なお複数並ぶ吹付部２５同士がＸ方向において互いに接していない場合には、隣り合う１対の吹付部２５のＸ方向に関する間隔を含めた、Ｘ方向に関する吹付部２５の一方端と他方端との幅が、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となることが好ましい。
【００６４】
はんだ被膜形成装置２００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成であり、吹付部２５がＸ方向に関して半導体装置１９の幅よりも狭い幅を有する点についても実施の形態１と同様である（実施の形態１の吹付部２５と同じ幅を有している）。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。
【００６５】
次に、図１６および図１７を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置２００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。
【００６６】
図１６を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様に、リード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬され、溶融はんだ１３に対して相対的に上方に持ち上げられる。このとき実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられる。
【００６７】
その後、Ｘ方向に沿って複数並ぶ吹付部２５が、図示しない吹付部保持アーム２８（図１５参照）により、たとえば半導体装置１９とＸ方向に関する位置が重なり、図９に示すようにＹ方向に関して半導体装置１９との間に少しの距離Ｃを有する位置にセットされる。ここで、たとえば複数並ぶ吹付部２５のＸ方向に関する全体の寸法が半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも広くなるように配置された場合は、半導体装置１９が配置される領域とＸ方向に関する座標が等しい位置の全体に、吹付部２５が配置される。なお隣り合う吹付部２５同士の間に間隔を有する場合には、当該間隔も含めた各吹付部２５のＸ方向に関する位置が、半導体装置１９のＸ方向に関する位置と重なるように吹付部２５が配置される。
【００６８】
そして、リード端子２２が持ち上げられた状態で、たとえばＸ方向に関するもっとも右側に配置される吹付部２５から、気体３４がＺ方向下方に吹き付けられる。これによりその真下には液面下降領域３７が発生する。
【００６９】
図１６および図１７を参照して、Ｘ方向に沿う順番に（右側から左側に向かう順番に）順次、吹付部２５から気体３４が吹き付けられ液面下降領域３７が発生する。すなわち最初のある時間は図１６および図１７の最も右側の吹付部２５から気体３４が吹き付けられるが、ある時間の経過後にはその最も右側の吹付部２５からの気体３４の吹き付けはされなくなり、代わりに図１６および図１７の右端から２番目に配置される吹付部２５から気体３４が吹き付けられる。右端から２番目に配置される吹付部２５からの気体３４の吹き付けが終了すれば、次は図１６に示すように右端から３番目の吹付部２５から気体３４が吹き付けられる。このように各吹付部２５が順次気体３４を吹き付けることにより、当初リード端面２２ａよりも上方の位置にある溶融はんだ１３の液面が、リード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。このようにしてリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる領域が、漸次半導体装置１９のＸ方向右側の領域から左側の領域へと移動する。やがて図１７に示す左から３番目の吹付部２５から気体３４が吹き付けられる時間が巡ってくる。
【００７０】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられている。このため、いったん溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０内に引き戻された溶融はんだ１３は、その液面の高さが初期と同じ定常状態に戻った後においても、再度リード端子２２に付着し濡れ上がることはない。このようにして最終的にすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。
【００７１】
以上の点において、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態１のはんだ被膜形成方法と異なっているが、他の点については実施の形態１と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。
【００７２】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態のように複数の半導体装置１９の幅より狭い幅を有する吹付部２５がＸ方向に並び、これがＸ方向に沿って順次気体３４を吹き付ける構成は、実施の形態１のように単一の半導体装置１９の幅より狭い幅を有する吹付部２５がＸ方向に移動しながら気体３４を吹き付ける構成と同様の作用効果を奏する。たとえば複数並ぶ吹付部２５をすべてＸ方向につなげた長さは、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となっている。このため、複数並ぶ吹付部２５をＸ方向に関して半導体装置１９の配置される位置と同じ位置に配置することにより、すべてのリード端子２２間の領域の溶融はんだ１３を下降させ、リード端子２２を溶融はんだ１３外に引き上げさせることができる。つまり本実施の形態の手法を用いれば、互いに間隔をあけて複数配置されるリード端子２２のそれぞれの表面に溶融はんだ浸漬法によりはんだ被膜を形成する際の、隣り合う１対のリード端子２２の間の領域でのはんだブリッジ４０の形成を抑制することができる。
【００７３】
（実施の形態３）
図１８を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置３００は、液面操作部７を構成する吹付部２５の幅が実施の形態１などの吹付部２５の幅よりも広い。具体的には、当該吹付部２５はたとえば、吹付部保持アーム２８の延在するＸ方向に関して、半導体装置１９の幅よりも広い幅を有している。なおここで半導体装置１９の幅とは、半導体装置本体２０の幅と考えてもよいが、Ｘ方向に複数並ぶリード端子２２のうち一方端のリード端子２２と他方端のリード端子２２とのＸ方向に関する間隔（幅）と考えてもよい。あるいはここでの吹付部２５の幅は、たとえば実施の形態２において複数並ぶ吹付部２５をすべてＸ方向につなげた長さと等しくしてもよい。
【００７４】
ただし図１２〜図１４で説明したように、液面下降領域３７は吹付部２５の幅よりも広くなるため、吹付部２５は必ずしも半導体装置１９の幅よりも広い幅を有していなくてもよい。いずれにせよ、吹付部２５の幅は、少なくとも複数並ぶリード端子２２のＸ方向に関する一方端から他方端までの中心間距離の８０％以上あることが好ましい。この点においてはんだ被膜形成装置３００は、比較的狭い幅を有する吹付部２５を１つのみ有する実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と構成上の差異がある。
【００７５】
この幅の広い吹付部２５が気体を吹き付けることにより、複数のリード端子２２のうち隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた複数の領域のすべてにおける溶融はんだ１３の液面を同時に、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降させることが可能である。
【００７６】
はんだ被膜形成装置３００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成である。
【００７７】
次に、図１９および図２０を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置３００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。
【００７８】
図１９を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様に、リード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬される。そして複数のリード端面２２ａの、初期はんだ液面３１（浸漬する工程を行なう前の溶融はんだ１３の初期液面高さ）に対するＺ方向の高さが調整される。ただしここでは実施の形態１と異なり、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低い位置となるように複数のリード端面２２ａのＺ方向の位置が調整される。このため溶融はんだ１３内に浸漬された複数のリード端子２２のそれぞれが持ち上げられてもよいが、持ち上げられずリード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬されたままの状態を維持させてもよい。あるいはリード端子２２をさらに下降させてもよい。以上により必然的に、図１３に示す１対のリード端子２２に挟まれた領域における溶融はんだ１３の離脱が発生する高さよりも低い位置にリード端面２２ａが配置されることになる。
【００７９】
このようにリード端子２２の高さが調整された状態で、液面操作部７に含まれる吹付部２５を用いてそこから溶融はんだ１３の液面に向けてＺ方向下方に気体が吹き付けられる。この吹付部２５は、実施の形態１と同様に、矢印Ｍで示すようにＸ方向に沿って移動しながら、気体３４を吹き付けてもよい。
【００８０】
図２０を参照して、吹付部２５の矢印Ｍで示す方向の移動によりやがて、たとえば半導体装置１９とＸ方向に関する位置が重なり、図９に示すようにＹ方向に関して半導体装置１９との間に少しの距離Ｃを有する位置に達する。ここで、たとえば吹付部２５のＸ方向に関する全体の寸法が半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも広ければ、半導体装置１９が配置される領域とＸ方向に関する座標が等しい位置の全体に、吹付部２５が配置される。
【００８１】
この状態で吹付部２５から気体３４がＺ方向下方に吹き付けられる。これにより、１対のリード端子２２に挟まれたすべての領域における溶融はんだ１３の液面が同時に、当初のリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。
【００８２】
このようにして液面下降領域３７の形成によりリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。なお本実施の形態においてはリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低くなるように調整されている。このため、この後さらに吹付部２５がたとえばＸ方向左方に移動することにより再度リード端面２２ａの真下のはんだ液面１６が上昇して初期はんだ液面３１に戻れば、再度リード端面２２ａを含むリード端子２２の少なくとも一部が溶融はんだ１３に浸漬される。したがって、吹付部２５によりリード端子２２が溶融はんだ１３外に引き上げられたところで、図示しない半導体装置保持アーム４（図１８参照）を用いて速やかに半導体装置１９をさらにＺ方向上方に引き上げることが好ましい。
【００８３】
以上の点において、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態１のはんだ被膜形成方法と異なっているが、他の点については実施の形態１と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。
【００８４】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においては、幅方向に関する半導体装置１９の全体について同時に、はんだ液面１６をリード端面２２ａの下方に下降させすべてのリード端子２２を溶融はんだ１３外に引き上げさせることができる。このため、リード端面２２ａを初期はんだ液面３１よりＺ方向下方の位置までのみ持ち上げたとしても、その後にすべての１対のリード端子２２間の領域における溶融はんだ１３の液面を同時にリード端面２２ａの下方まで下降させることにより、隣り合う１対のリード端子２２間の領域におけるはんだブリッジの形成を抑制することができる。
【００８５】
実施の形態１の比較例（図１２〜図１４）で説明したように、初期はんだ液面３１よりもＺ方向にたとえば寸法Ｈ２だけ上方までリード端面２２ａを移動させれば、これに追従する溶融はんだ１３の大きな重力により瞬間的な離脱が起こり、はんだブリッジ４０が形成される。しかしたとえ上記寸法Ｈ２までリード端面２２ａを持ち上げなくても、様々な要因により溶融はんだ１３の量が変化しはんだ液面１６のＺ方向に関する位置が上下すれば、はんだ液面１６に対するリード端面２２ａの高さが変動するためにはんだブリッジ４０が形成される可能性がある。たとえば実施の形態１のように寸法Ｈ１までのみリード端面２２ａを持ち上げた場合においても、溶融はんだ１３の量の変動により、その後寸法Ｈ２まで持ち上げた場合と同じ状態となり、瞬間的な離脱が発生しはんだブリッジ４０が形成されてしまう可能性もある。
【００８６】
しかし本実施の形態においては、リード端面２２ａが初期はんだ液面３１のＺ方向下方に配置されるように調整される（持ち上げられる）。このためはんだブリッジ４０が形成されるリード端面２２ａの高さとの差が大きくなるため、たとえ溶融はんだ１３の量が変動しはんだ液面１６の位置に大きな変動が生じても、はんだブリッジ４０の形成が発生する可能性を大幅に低減することができる。
【００８７】
なお本実施の形態においてはすべての１対のリード端子２２間の領域に対して一時にはんだ液面１６を下降させる。このため仮に本実施の形態においても実施の形態１と同様にリード端面２２ａを初期はんだ液面３１より上方に移動させれば、溶融はんだ１３の下降する量およびその溶融はんだ１３に加わる重力Ｇ（図１２参照）が大きくなる。したがって瞬間的な離脱およびはんだブリッジ４０（図１４参照）が発生しやすくなる。このため、上記の現象を抑制する観点からも、本実施の形態においては、（リード端子２２を持ち上げることなく）リード端面２２ａが初期はんだ液面３１のＺ方向下方に配置されるように、浸漬された状態をそのまま維持することがより好ましい。
【００８８】
（実施の形態４）
図２１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置４００は、液面操作部７を構成する吹付部２６（液面下降機構）が、吹付部保持アーム２８の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる。この点において、はんだ被膜形成装置４００は、実施の形態２のはんだ被膜形成装置２００と同様である。
【００８９】
ただし本実施の形態の複数並ぶ吹付部２６は、たとえばＸ方向に沿う順番に漸次、気体をＺ方向下方に向けて吹き付け始めることにより、気体を吹き付けている吹付部２６の数が漸次増加する構成となっている。これにより、溶融はんだ１３の液面がリード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降される液面下降領域３７が漸次Ｘ方向に沿って広くなっていく。このようにして最終的にはすべての吹付部２６が溶融はんだ１３の液面を下降させる。この点において本実施の形態の吹付部２６は、１つずつ順次気体を吹き付ける実施の形態２の吹付部２５と異なっている。しかしその他の点（サイズなど）については吹付部２６は基本的に吹付部２５と同様である。
【００９０】
実施の形態２の吹付部２５と同様に、個々の吹付部２６のＸ方向に関する幅は半導体装置１９の幅より狭いが、複数並ぶ吹付部２６をすべてＸ方向につなげた長さは、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となることが好ましい。これにより、実施の形態３と同様に、複数のリード端子２２のうち隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた複数の領域のすべてにおける溶融はんだ１３の液面を同時に、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降させることができる。
【００９１】
はんだ被膜形成装置４００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態２のはんだ被膜形成装置２００と同様の構成である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。
【００９２】
次に、図２２および図２３を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置４００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。
【００９３】
図２２を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様に、リード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬され、溶融はんだ１３に対するＺ方向の高さが調整される。このとき、実施の形態３の図１９と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低い位置となるように、（たとえば持ち上げることにより）浸漬された複数のリード端子２２のそれぞれのＺ方向高さが調整される。
【００９４】
次に、Ｘ方向に沿って複数並ぶ吹付部２６が、実施の形態２の図１６とほぼ同じ位置にセットされる。つまり、たとえば複数並ぶ吹付部２６のＸ方向に関する全体の寸法が半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも広くなるように配置された場合は、半導体装置１９が配置される領域とＸ方向に関する座標が等しい位置の全体に、吹付部２６が配置される。
【００９５】
そして、リード端子２２が持ち上げられた状態で、たとえばＸ方向に関するもっとも右側に配置される吹付部２６から、気体３４がＺ方向下方に吹き付けられる。これによりその真下には液面下降領域３７が発生する。
【００９６】
図２２および図２３を参照して、その後、たとえばＸ方向に沿う順番に（右側から左側に向かう順番に）漸次、気体３４を吹き付ける吹付部２６の数が増加していく。すなわち最初のある時間は図２２および図２３の最も右側の吹付部２６のみから気体３４が吹き付けられるが、ある時間の経過後には最も右側の吹付部２６に加えてその左隣の吹付部２６からも気体３４が吹き付けられ始める。またある時間の経過後には、図２２に示すように、最も右側およびその左隣の吹付部２６に加えてその左隣の吹付部２６からも気体３４が吹き付けられ始める。このように各吹付部２６が（順番に）漸次気体３４を吹き付けることにより、当初リード端面２２ａよりも上方の位置にある溶融はんだ１３の液面が、リード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。このようにしてリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる領域が、漸次半導体装置１９のＸ方向右側の領域から左側の領域へと広くなっていく。
【００９７】
やがて図２３に示すように、右端から左端まですべての吹付部２６から気体３４が吹き付けられる時間が巡ってくる。これにより、すべての１対のリード端子２２に挟まれた領域における溶融はんだ１３の液面が同時に、当初のリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へ下降され、広範囲に液面下降領域３７が形成される。この状態は、幅の広い吹付部２５を用いて同時に広範囲に液面下降領域３７を形成させる実施の形態３と同様である。
【００９８】
このようにして液面下降領域３７の形成によりリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。本実施の形態においてもリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低くなるように調整されている。このため実施の形態３と同様の観点から、吹付部２５によりリード端子２２が溶融はんだ１３外に引き上げられたところで、図示しない半導体装置保持アーム４（図２１参照）を用いて速やかに半導体装置１９をさらにＺ方向上方に引き上げることが好ましい。
【００９９】
以上の点において、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態２，３のはんだ被膜形成方法と異なっているが、他の点については実施の形態２，３と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。
【０１００】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態の作用効果は、基本的に実施の形態３の作用効果と同様である。すなわち本実施の形態のはんだ被膜形成装置４００を用いても、はんだ被膜形成装置３００を用いた場合と同様に、すべての吹付部２６から同時にすべての１対のリード端子２２に挟まれた領域のはんだ液面１６を同時に下降させることができる。すべてのリード端子２２を溶融はんだ１３外に引き上げることができる。このため実施の形態３と同様に、リード端面２２ａを初期はんだ液面３１よりＺ方向下方の位置までのみ持ち上げたとしても、その後にすべての１対のリード端子２２間の領域における溶融はんだ１３の液面を同時にリード端面２２ａの下方まで下降させることにより、隣り合う１対のリード端子２２間の領域におけるはんだブリッジの形成を抑制することができる。
【０１０１】
上記においては、半導体装置１９の幅方向（Ｘ方向）に沿う順番に漸次、気体３４を吹き付ける吹付部２６の数を増加させている。このようにすれば、たとえば一時にすべての吹付部２６から気体３４を吹き付ける場合に比べてはんだ液面１６の下降が緩やかになるため、この下降に伴って溶融はんだ１３が部分的に残存してはんだブリッジ４０が形成される可能性が低減される。
【０１０２】
また、上記においてはＸ方向に沿う順番に（図の右側から左側へ）漸次、吹付部２６から気体３４を供給し始めているが、たとえばＸ方向に関する中央部から左右両側に漸次気体３４を吹き付ける吹付部２６の数が増加するようにしてもよい。あるいは無秩序な順序で気体３４を吹き付ける吹付部２６の数を漸次増加させてもよい。
【０１０３】
（実施の形態５）
図２４を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置５００は、基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成を有している。しかしはんだ被膜形成装置５００は、液面操作部７が、液面下降ブロック４３（液面下降機構）と、ブロック保持アーム２９とを有している。液面下降ブロック４３は実施の形態１の吹付部２５に相当し、ブロック保持アーム２９は実施の形態１の吹付部保持アーム２８に相当する部材である。すなわち液面下降ブロック４３およびブロック保持アーム２９の基本的な機能は、吹付部２５および吹付部保持アーム２８の基本的な機能に準ずる。
【０１０４】
ただし液面下降ブロック４３は、実施の形態１のように気体を吹き付けるのではなく、それ自体が溶融はんだ１３に対して相対的に下方に移動することにより溶融はんだ１３のはんだ液面１６をＺ方向下方に押し付ける。つまり液面下降ブロック４３自体がＺ方向下方に下降してもよいし、液面下降ブロック４３はＺ方向に移動せず溶融はんだ槽１がＺ方向上方に上昇することにより相対的に液面下降ブロック４３が下降する構成であってもよい。これにより、溶融はんだ１３のはんだ液面１６はＺ方向下方に下降させられ、液面下降領域を形成することができる。
【０１０５】
液面下降ブロック４３は、溶融はんだ１３の熱により損傷を受けず、かつ溶融はんだ１３により表面が極めて濡れにくい任意の材質により形成される。このため液面下降ブロック４３を下方に押しつけてもこれは溶融はんだ１３内に浸漬されることなく溶融はんだ１３に対して弾かれる態様となり、はんだ液面１６を下降させる。また本実施の形態においては、半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも狭い幅を有する液面下降ブロック４３が、ブロック保持アーム２９に１つのみ取り付けられている。
【０１０６】
はんだ被膜形成装置５００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成である。たとえばブロック保持アーム２９が液面下降ブロック４３をＸ方向に沿って（半導体装置１９に対して相対的に）移動させることにより、はんだ液面１６が降下された位置をＸ方向に沿って漸次移動させることができる。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。
【０１０７】
次に、図２５および図２６を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置５００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。
【０１０８】
図２５を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様の処理がなされる。つまり実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられる。
【０１０９】
次に、リード端子２２が持ち上げられた状態で、液面操作部７に含まれる液面下降ブロック４３が、溶融はんだ槽１に対して相対的にＸ方向に沿ってたとえば矢印Ｍに示す方向に移動しながら、溶融はんだ１３内に向けてＺ方向下方に力を加える。つまり液面下降ブロック４３は、はんだ液面１６に対して下向きの力を加えながらはんだ液面１６を下方に押しつける。
【０１１０】
これにより図６の工程と同様に、溶融はんだ１３の液面は、気体が吹き付けられた領域（の近く）において、他の領域よりもＺ方向下方に下降され、液面下降領域３７が形成される。これにより実施の形態１と同様に、液面下降領域３７におけるリード端子２２は、相対的に溶融はんだ１３の外に引き上げられる。
【０１１１】
図２６を参照して、液面下降ブロック４３の矢印Ｍに示すＸ方向に沿う移動に伴い、液面下降領域３７がＸ方向左側に漸次移動する。これにより図７の工程と同様に、最終的にすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。なお本実施の形態においては実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられている。このため、いったん溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０内に引き戻された溶融はんだ１３は、その液面の高さが初期と同じ定常状態に戻った後においても、再度リード端子２２に付着し濡れ上がることはない。
【０１１２】
図２７を参照して、本実施の形態のように吹付部２５の代わりに液面下降ブロック４３を用いた場合においても、実施の形態１（図９）と同様に、Ｙ方向に関する液面下降ブロック４３（によりはんだ液面が押し付けられる領域）と半導体装置１９（リード端子２２）との間の距離Ｃが存在する。この距離Ｃは、形成される液面下降領域３７のＹ方向（またはＸ方向）に沿う範囲の最大（たとえばＺ方向最上部）の寸法Ｄよりも小さければ許容される。また図２８を参照して、Ｙ方向に関してリード端子２２（半導体装置１９）を挟んでその両側に液面下降ブロック４３を設置し、Ｙ方向に関する液面下降領域３７の寸法Ｅを図２７の寸法Ｄよりも広くすることにより、Ｘ方向についても液面下降領域３７の範囲を図２７よりもいっそう広げることができる。
【０１１３】
以上のように、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態１のはんだ被膜形成方法に対し、液面下降機構として吹付部２５の代わりに液面下降ブロック４３が用いられる点において異なるが、他の点については実施の形態１と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。
【０１１４】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
基本的に液面下降機構として吹付部２５の代わりに液面下降ブロック４３を用いた場合においても、実施の形態１の吹付部２５を用いた場合と同様の理論に基づき、はんだブリッジ４０を抑制することができる。
【０１１５】
加えて、本実施の形態においては、液面下降ブロック４３が溶融はんだ１３と直接接触するため、吹付部２５からの気体により液面下降領域３７が生じる実施の形態１よりもいっそう確実に液面下降領域３７を形成させることができる。
【０１１６】
（実施の形態６）
図２９を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置６００は、基本的に実施の形態２のはんだ被膜形成装置２００の吹付部２５および吹付部保持アーム２８が、液面下降ブロック４３およびブロック保持アーム２９に置き換わった構成を有しており、他の点についてはすべてはんだ被膜形成装置２００と同様である。すなわちここでは、半導体装置１９よりも幅の狭い液面下降ブロック４３が複数、ブロック保持アーム２９の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる。これらの液面下降ブロック４３はＸ方向に沿って順次下降してはんだ液面を押し付ける。上記しない内容は基本的に実施の形態２と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１１７】
次に図３０および図３１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置６００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。
【０１１８】
図３０および図３１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は、吹付部２５が液面下降ブロック４３に置き換わっているが、基本的に実施の形態２のはんだ被膜形成方法と同様である。すなわちここでは、Ｘ方向に沿って複数並ぶ液面下降ブロック４３がＸ方向に沿って順次下降し、液面下降領域３７が発生することにより、最終的にはすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。上記しない内容は基本的に実施の形態２と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１１９】
本実施の形態の作用効果は基本的に実施の形態２と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１２０】
（実施の形態７）
図３２を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置７００は、基本的に実施の形態３のはんだ被膜形成装置３００の吹付部２５および吹付部保持アーム２８が、液面下降ブロック４３およびブロック保持アーム２９に置き換わった構成を有しており、他の点についてはすべてはんだ被膜形成装置３００と同様である。すなわちここでは、実施の形態５の液面下降ブロック４３よりもＸ方向に関する幅の広い（たとえば半導体装置１９の幅よりも広い）液面下降ブロック４３を有している。これが下降してすべての１対のリード端子２２間の領域に同時に液面下降領域３７を形成させることができる。上記しない内容は基本的に実施の形態３と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１２１】
次に図３３および図３４を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置７００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。
【０１２２】
図３３および図３４を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は、吹付部２５が液面下降ブロック４３に置き換わっているが、基本的に実施の形態３のはんだ被膜形成方法と同様である。すなわちここでは、幅の広い液面下降ブロック４３が下降して液面下降領域３７を形成させることにより、すべての１対のリード端子２２に挟まれた領域における溶融はんだ１３の液面が同時に、当初のリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。上記しない内容は基本的に実施の形態３と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１２３】
本実施の形態の作用効果は基本的に実施の形態３と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１２４】
（実施の形態８）
図３５を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置８００は、基本的に実施の形態４のはんだ被膜形成装置４００の吹付部２６および吹付部保持アーム２８が、液面下降ブロック４４（液面下降機構）およびブロック保持アーム２９に置き換わった構成を有しており、他の点についてはすべてはんだ被膜形成装置４００と同様である。すなわちここでは、半導体装置１９よりも幅の狭い液面下降ブロック４４が複数、ブロック保持アーム２９の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる。これらの液面下降ブロック４４はＸ方向に沿う順番に漸次下降し溶融はんだ１３のはんだ液面１６を押し付けることにより、下降した液面下降ブロック４４の数が漸次増加する。これにより液面下降領域３７が漸次Ｘ方向に沿って広くなっていくことが可能な構成を有している。液面下降ブロック４４は上記の点を除き、たとえばサイズなどは液面下降ブロック４３と同様である。上記しない内容は基本的に実施の形態４と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１２５】
次に図３６および図３７を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置８００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。
【０１２６】
図３６および図３７を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は、吹付部２６が液面下降ブロック４４に置き換わっているが、基本的に実施の形態４のはんだ被膜形成方法と同様である。すなわちここでは、Ｘ方向に沿って複数並ぶ液面下降ブロック４４がＸ方向に沿う順番に漸次下降し始め、液面下降領域３７が発生する。下降した液面下降ブロック４４の数が漸次増加することにより、リード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる領域が、漸次半導体装置１９のＸ方向右側の領域から左側の領域へと広くなっていく。そして最終的にはすべてのリード端子２２が同時に溶融はんだ１３の外に引き上げられる。上記しない内容は基本的に実施の形態４と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１２７】
本実施の形態の作用効果は基本的に実施の形態４と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。
【０１２８】
以上に述べた各実施の形態（に含まれる各例）に記載した特徴を、技術的に矛盾のない範囲で適宜組み合わせるように適用してもよい。また以上においては半導体装置１９に構成される端子としてリード端子２２に特化して説明したが、リード端子以外にも、複数並列しており、その表面に溶融はんだ被膜法を用いてあらかじめ被膜を形成する用途に用いられる任意の端子が上記各実施の形態の適用対象となる。
【０１２９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１３０】
１  溶融はんだ槽、４  半導体装置保持アーム、７  液面操作部、８  支柱、１０  はんだ収容部、１３  溶融はんだ、１６  はんだ液面、１９  半導体装置、２０  半導体装置本体、２０ａ，２０ｂ  半導体装置本体主表面、２０ｃ，２０ｄ  半導体装置本体端面、２２  リード端子、２２ａ  リード端面、２５，２６  吹付部、２８  吹付部保持アーム、２９  ブロック保持アーム、３０  装置基盤、３１  初期はんだ液面、３４  気体、３７  液面下降領域、４０  はんだブリッジ、４３，４４  液面下降ブロック、１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００  はんだ被膜形成装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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