(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の表面と第２の表面とを有するモールド化合物である第１の絶縁層であって、前記第１の絶縁層の第１の表面の一部に前記第１の絶縁層とは材質が異なる第２の絶縁層が形成されている第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に埋め込まれており、前記第１の絶縁層の第１の表面に露出する少なくとも１つの感知領域及び複数の電極パッドを有する電子素子と、
前記第２の絶縁層に設けられ、それらの電極パッドに接触することで、前記電子素子に電気的に接続され、前記感知領域をカバーしていない第１の回路層と、
前記第１の絶縁層の第２の表面に結合され、前記第１の回路層に電気的に接続され、かつ前記電子素子に接触し、表面が前記第１の絶縁層の第２の表面と面一である第２の回路層と、
前記第１の絶縁層に埋め込まれ、前記第１の回路層と前記第２の回路層に電気的に接続され、前記第１の回路層と前記第２の回路層に直接接触する複数の導電柱体と、
を含み、
前記電子素子は前記第１の絶縁層の第１の表面と面一であり、前記複数の電極パッドは前記第１の絶縁層の第１の表面よりも突出しており、前記第１の絶縁層の第２の表面は前記電子素子が前記絶縁層の第２の表面から露出しないように、前記電子素子の全体をカバーしていることを特徴とする電子パッケージ構造。
【請求項２】
対向する第１の表面と第２の表面とを有するモールド化合物である第１の絶縁層であって、前記第１の絶縁層の第１の表面の一部に前記第１の絶縁層とは材質が異なる第２の絶縁層が形成されている第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に埋め込まれており、前記第１の絶縁層の第１の表面に露出する少なくとも１つの感知領域及び複数の電極パッドを有する電子素子と、
前記第２の絶縁層に設けられ、それらの電極パッドに接触することで、前記電子素子に電気的に接続され、前記感知領域をカバーしていない第１の回路層と、
前記第１の絶縁層の第２の表面に結合され、前記第１の回路層に電気的に接続され、かつ前記電子素子に接触せず、表面が前記第１の絶縁層の第２の表面と面一である第２の回路層と、
前記第１の絶縁層に埋め込まれ、前記第１の回路層と前記第２の回路層に電気的に接続され、前記第１の回路層と前記第２の回路層に直接接触する複数の導電柱体と、
を含み、
前記複数の電極パッドは前記第１の絶縁層の第１の表面よりも突出しており、
前記第１の絶縁層の第２の表面は前記電子素子が前記第１の絶縁層の第２の表面から露出しないように、前記電子素子の全体をカバーしていることを特徴とする電子パッケージ構造。
【請求項３】
前記第１の絶縁層の第２の表面及び前記第２の回路層に設けられた絶縁保護層をさらに含み、前記絶縁保護層は前記電子素子に接触していないことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子パッケージ構造。
【請求項４】
前記絶縁保護層に前記第２の回路層の一部が露出していることを特徴とする請求項３に記載の電子パッケージ構造。
【請求項５】
前記第１の絶縁層の第２の表面に設けられた複数の導電素子をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子パッケージ構造。
【請求項６】
前記第２の絶縁層及び前記第１の回路層に設けられる絶縁保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子パッケージ構造。
【請求項７】
前記絶縁保護層に前記第１の回路層の一部が露出していることを特徴とする請求項６に記載の電子パッケージ構造。
【請求項８】
前記絶縁保護層は前記感知領域をカバーしている、または前記絶縁保護層は前記感知領域をカバーしていないことを特徴とする請求項６に記載の電子パッケージ構造。
【請求項９】
前記第１の絶縁層の第２の表面に設けられ、前記第１の回路層に電気的に接続された回路ビルドアップ構造をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子パッケージ構造。
【請求項１０】
前記電子素子の感知領域をカバーしている光透過部材をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子パッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子パッケージ構造に関し、特に薄型化可能な電子パッケージ構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子産業が発展している現在、電子製品は、軽薄短小及び機能多様化の方向へ進んでおり、それに伴って半導体パッケージ技術も様々なパッケージ形態が開発されている。
【０００３】
現在、センサ素子またはカメラレンズに用いられる電子素子としては、主に、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）パッケージ型、またはチップオンボード（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ、ＣＯＢ）型が利用されている。
【０００４】
図１Ａに示すように、従来のワイヤボンディングパッケージ構造１は、基板１０と、電子素子１３と、パッケージ樹脂１８とを含む。
【０００５】
基板１０は、上下側に第１の回路層１１及び第２の回路層１２が設けられ、それらの間に形成された貫通孔またはビアホール型導電体１４により第１及び第２の回路層１１、１２が電気的に接続されるとともに、上下側に第１の絶縁保護層１６及び第２の絶縁保護層１７が形成されることで、第１及び第２の回路層１１、１２の一部が第１及び第２の絶縁保護層１６、１７に露出され、複数の導電素子１５が第２の回路層１２に形成される。
【０００６】
電子素子１３は、センサ素子であり、基板１０上側に形成され、複数のワイヤ１３０により第１の回路層１１に電気的に接続され、電子素子１３の上表面には指紋識別用の感知領域１３１が設けられている。
【０００７】
パッケージ樹脂１８は、基板１０の上側に形成され、電子素子１３及びそれらのワイヤ１３０を包む。
【０００８】
従来のワイヤボンディング型パッケージ構造１において、パッケージ樹脂１８によってセンサ領域１３１が覆われた感知有効な厚さｄは極薄でなければならない（さもなければ感知できなくなる）ため、極めて高い精度が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、ワイヤ１３０が一定の高ループを有し、かつモールド製造工程にはパッケージ樹脂１８が電子素子１３を均一に覆うような十分な高さが必要であるため、パッケージ樹脂１８の極薄の厚さを制御しにくくなり、ワイヤボンディング型パッケージ構造１の薄型化の要求を達成することができない。
【００１０】
図１Ｂは、従来のＣＯＢ型パッケージ構造１’の断面模式図である。図１Ｂに示すように、ＣＯＢ型パッケージ構造１’は、基板１０’（図１Ａに示す構造を参照）と、カメラレンズであるＩＣ電子素子１３と、光透過部材１９と、パッケージ樹脂１８とを含む。
【００１１】
電子素子１３は、基板１０’の上側に形成され、複数のワイヤ１３０により基板１０’に電気的に接続され、電子素子１３の上表面には光感知用の感知領域１３１が設けられている。
【００１２】
光透過部材１９は、複数の支持部材１９０により電子素子１３の上表面に形成され、感知領域１３１をカバーする。
【００１３】
パッケージ樹脂１８は、非光透過材であり、基板１０の上側に形成され、光透過部材１９、電子素子１３及びそれらのワイヤ１３０を包んでおり、光透過部材１９の上表面は、パッケージ樹脂１８に露出している。
【００１４】
従来のＣＯＢ型パッケージ構造１’において、カメラレンズの薄型化が必要である。ただし、電子素子１３が基板１０’に接着され、かつ光透過部材１９がそれらの支持部材１９０により電子素子１３に設けられる必要があるため、ＣＯＢ型パッケージ構造１’全体の厚さは薄型化が困難である。
【００１５】
上記の課題を解決するために、半導体のシリコン貫通電極（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ、ＴＳＶ）技術を応用してパッケージを行うものが知られている。図１Ｃに示すように、従来の光感知パッケージ構造１”は、シリコン基板１０”と、光透過部材１９’とを含む。
【００１６】
シリコン基板１０”は、上下側に第１の回路層１１及び第２の回路層１２が設けられ、それらの間に形成された導電シリコン貫通孔１００により第１の回路層１１及び第２の回路層１２が電気的に接続されるとともに、上側に感知領域１３１が形成され、下側に絶縁保護層１７’が形成されることで、第２の回路層１２の一部が絶縁保護層１７’に露出され、複数の導電素子１５が第２の回路層１２の露出表面に形成される。
【００１７】
光透過部材１９’は、接着層１９０’によりシリコン基板１０”の上側に形成され、感知領域１３１をカバーする。
【００１８】
ただし、従来の光感知パッケージ構造１”において、導電シリコン貫通孔１００の製造コストが高価であり、統合が難しく、技術的困難性が高く、特にセンサ素子またはカメラレンズに応用された電子素子はいずれもコストが高い。
【００１９】
そこで、上記の従来技術の様々な問題は、当業界で解決すべき重要な課題となっている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の従来技術の種々の欠点に鑑み、本発明は、
対向する第１の表面と第２の表面とを有する絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれており、前記絶縁層の第１の表面に露出する少なくとも１つの感知領域及び複数の電極パッドを有する電子素子と、
前記絶縁層の第１の表面に設けられ、それらの電極パッドに接触することで前記電子素子に電気的に接続され、前記感知領域をカバーしていない第１の回路層と、
を含むことを特徴とする電子パッケージ構造を提供する。
【００２１】
前記電子パッケージ構造において、前記絶縁層の第２の表面に結合され、前記第１の回路層に電気的に接続される第２の回路層をさらに含む。また、前記絶縁層の第２の表面及び前記第２の回路層に設けられた絶縁保護層をさらに含み、例えば前記絶縁保護層に前記第２の回路層の一部が露出している。若しくは、前記第２の回路層は、前記電子素子に接触しても接触しなくてもよい。
【００２２】
前記電子パッケージ構造において、前記絶縁層の第１の表面及び前記第１の回路層に設けられ、前記感知領域をカバーしていない絶縁保護層をさらに含み、例えば、前記絶縁保護層に前記第１の回路層の一部が露出している。
【００２３】
さらに、本発明は、
対向する第１の表面と第２の表面とを有する絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれており、前記絶縁層の第１の表面に露出する少なくとも１つの感知領域及び複数の電極パッドを有する電子素子と、
前記絶縁層の第１の表面に設けられ、それらの電極パッドに接触することで前記電子素子に電気的に接続され、前記感知領域をカバーしていない第１の回路層と、
前記感知領域をカバーしている絶縁保護層と、
を含むことを特徴とする電子パッケージ構造を提供する。
【００２４】
前記電子パッケージ構造において、前記絶縁層の第２の表面に結合され、前記第１の回路層に電気的に接続される第２の回路層をさらに含む。また、前記絶縁層の第２の表面及び前記第２の回路層に設けられた他の絶縁保護層をさらに含む。前記他の絶縁保護層に前記第２の回路層の一部が露出している。若しくは、前記第２の回路層は、前記電子素子に接触しても接触しなくてもよい。
【００２５】
前記電子パッケージ構造において、前記絶縁保護層は、さらに前記絶縁層の第１の表面及び前記第１の回路層に設けられており、例えば、前記絶縁保護層に前記第１の回路層の一部が露出している。
【００２６】
それらの電子パッケージ構造において、前記絶縁層に埋め込まれ、前記第１の回路層及び前記第２の回路層に電気的に接続された複数の導電柱体をさらに含む。
【００２７】
それらの電子パッケージ構造において、前記絶縁層の第２の表面に設けられた複数の導電素子をさらに含む。
【００２８】
それらの電子パッケージ構造において、前記絶縁層の第２の表面に設けられ、前記第１の回路層に電気的に接続された回路ビルドアップ構造をさらに含む。
【００２９】
それらの電子パッケージ構造において、前記電子素子の感知領域をカバーしている光透過部材をさらに含む。
【発明の効果】
【００３０】
上記のように、本発明に係る電子パッケージ構造は、主に電子素子が絶縁層に埋め込まれ、第１の回路層が該電子素子に電気的に接続されることにより、製造時、従来のワイヤボンディングのループまたはパッケージ樹脂の厚さを考慮する必要なく、該絶縁層の厚さを容易に制御することができ、より好ましい均一性及びより薄い厚さを達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】従来のワイヤボンディング型パッケージ構造の断面模式図である。
【図１Ｂ】従来のＣＯＢ型パッケージ構造の断面模式図である。
【図１Ｃ】従来の光感知パッケージ構造の断面模式図である。
【図２Ａ】本発明に係る電子パッケージ構造の第１の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図２Ａ−１】本発明に係る電子パッケージ構造の第１の実施例の各種の態様の断面模式図であり、図２Ａの他の態様を示す図である。
【図２Ｂ】本発明に係る電子パッケージ構造の第１の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図２Ｂ−１】本発明に係る電子パッケージ構造の第１の実施例の各種の態様の断面模式図であり、図２Ｂの他の態様を示す図である。
【図２Ｃ】本発明に係る電子パッケージ構造の第１の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図２Ｄ】本発明に係る電子パッケージ構造の第１の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図２Ｅ】本発明に係る電子パッケージ構造の第１の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図３Ａ】本発明に係る電子パッケージ構造の第２の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図３Ａ−１】本発明に係る電子パッケージ構造の第２の実施例の各種の態様の断面模式図であり、図３Ａの他の態様を示す図である。
【図３Ｂ】本発明に係る電子パッケージ構造の第２の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図３Ｂ−１】本発明に係る電子パッケージ構造の第２の実施例の各種の態様の断面模式図であり、図３Ｂの他の態様を示す図である。
【図３Ｃ】本発明に係る電子パッケージ構造の第２の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図４Ａ】本発明に係る電子パッケージ構造の第３の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【図４Ｂ】本発明に係る電子パッケージ構造の第３の実施例の各種の態様の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、具体的な実施例を用いて本発明の実施形態を説明する。この技術分野に精通した者は、本明細書の記載内容によって簡単に本発明のその他の利点や効果を理解できる。
【００３３】
また、明細書に添付された図面に示す構造、比例、寸法等は、この技術に周知する者が理解できるように明細書に記載の内容に合わせて説明されるものであり、本発明の実施を制限するものではないため、技術上の実質的な意味を有せず、いかなる構造の修飾、比例関係の変更又は寸法の調整は、本発明の効果及び目的に影響を与えるものでなければ、本発明に開示された技術内容の範囲に入る。また、明細書に記載の例えば「上」、「第一」、「第二」、「一」等の用語は、説明が容易に理解できるようにするためのものであり、本発明の実施可能な範囲を限定するものではなく、その相対関係の変更又は調整は、技術内容の実質的変更がなければ、本発明の実施可能の範囲と見なされる。
【００３４】
図２Ａないし図２Ｅは、本発明に係る電子パッケージ構造２ａ〜２ｅの第１の実施例の各種の態様の断面模式図である。この実施例に係る電子パッケージ構造２ａ〜２ｅは、例えば指紋識別または画像センサの製品などに適用することができる。
【００３５】
図２Ａに示すように、電子パッケージ構造２ａは、第１の絶縁層２０と、第２の絶縁層２００と、電子素子２３と、導電柱体２４と、第１の回路層２１と、第２の回路層２２とを含む。
【００３６】
第１の絶縁層２０は、対向する第１の表面２０ａと第２の表面２０ｂとを有する。この実施例において、第１の絶縁層２０は、例えば、モールド化合物（ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、誘電材（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｍａｔｅｒｉａｌ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、その他感光または非感光性材料等のような有機樹脂であり、第１の絶縁層２０の第１の表面２０ａに、必要に応じて第１の絶縁層２０と材質が同一または異なる第２の絶縁層２００を形成することができる。また、第１の絶縁層２０及び第２の絶縁層２００は同時に形成してもよい。
【００３７】
電子素子２３は、第１の絶縁層２０に埋め込まれている。この実施例において、電子素子２３は、センサ素子、例えば半導体チップ構造であり、作用面２３ａと、作用面２３ａに対向する非作用面２３ｂとを有する。作用面２３ａには、例えば光感知領域または指紋感知用の感知領域２３１と複数の電極パッド２３０とが設けられており、これにより感知領域２３１及びそれらの電極パッド２３０は、第１の絶縁層２０の第１の表面２０ａに露出される。
【００３８】
電子素子２３が第１の絶縁層２０に埋め込まれているため、製造時には従来のパッケージ樹脂を作製する必要がなく、構造全体の厚さを低減することができる。
【００３９】
第１の回路層２１は、第１の絶縁層２０の第１の表面２０ａに設けられ、それらの電極パッド２３０に接触することで電子素子２３に電気的に接続されており、感知領域２３１をカバーしていない。この実施例において、パターニング製造工程の電気メッキ、沈積またはエッチ方法により、例えば銅材である第１の回路層２１を形成する。
【００４０】
この実施例において、電子パッケージ構造２ａは、第１の絶縁層２０の第２の表面２０ｂに結合される第２の回路層２２をさらに含む。例えば、第２の回路層２２は、第２の表面２０ｂから第１の絶縁層２０に埋め込まれる。ここで、第２の回路層２２の表面は、第１の絶縁層２０の第２の表面２０ｂと面一またはそれよりもやや低くてもよい。若しくは、第２の回路層２２は、第１の絶縁層２０の第２の表面２０ｂに設けられてもよい（図示せず）。
【００４１】
さらに、パターニング製造工程の電気メッキ、沈積またはエッチ方法により、例えば銅材である第２の回路層２２を形成する。
【００４２】
また、第２の回路層２２の一部は、さらに、電子素子２３の放熱のために、電子素子２３の非作用面２３ｂに接触してもよい。
【００４３】
また、電子パッケージ構造２ａは、第１の絶縁層２０に埋め込まれ、第１の回路層２１に電気的に接続された複数の導電柱体２４をさらに含む。このため、第２の回路層２２は、それらの導電柱体２４により第１の回路層２１に電気的に接続される。ただし、第１の回路層２１は、電子素子２３の非作用面２３ｂに電気的に導通していない。
【００４４】
他の実施例において、図２Ａ−１に示すように、第２の回路層２２は、電子素子２３の非作用面２３ｂに接触していない。即ち、第２の回路層２２と電子素子２３の非作用面２３ｂとの間には第１の絶縁層２０を有し、しかも、第１の回路層２１、それらの導電柱体２４及び第２の回路層２２の導電経路は、電子素子２３の非作用面２３ｂの下方に延在している。
【００４５】
第１の回路層２１が電子素子２３に直接的に電気的に接続されるようにしているため、ワイヤボンディングにより電子素子２３と第１の回路層２１とを電気的に接続する必要はなく、構造全体の厚さの低減に有利である。
【００４６】
電子パッケージ構造２ｂは、図２Ｂに示すように、図２Ａの構造に対応するものであり、第１の絶縁層２０の第２の表面２０ｂに設けられた複数の導電素子２５をさらに含む。具体的には、それらの導電素子２５は、第２の回路層２２に設けられることで第２の回路層２２に電気的に接続される。
【００４７】
この実施例において、それらの導電素子２５は、例えば半田ボール、半田バンプ、銅バンプ等、いずれの態様であってもよいが、それらに限定されるものではない。
【００４８】
他の実施例において、第２の回路層２２は、図２Ｂ−１に示すように、図２Ａ−１に対応するものであり、電子素子２３の非作用面２３ｂに接触していない。即ち、第２の回路層２２と電子素子２３の非作用面２３ｂとの間には第１の絶縁層２０を有する。
【００４９】
電子パッケージ構造２ｃは、図２Ｃに示すように、図２Ｂに対応するものであり、第１の絶縁層２０の第１の表面２０ａ及び第１の回路層２１に設けられており、感知領域２３１をカバーしていない第１の絶縁保護層２６’をさらに含む。例えば、第１の絶縁保護層２６’は、誘電材である。
【００５０】
さらに、電子パッケージ構造２ｃは、第２の回路層２２が形成されずに、導電素子２５が直接導電柱体２４に接触可能に設けられてもよい。
【００５１】
図２Ｄに示す電子パッケージ構造２ｄは、図２Ｂ及び図２Ｃに基づいた他の態様である。その第１の絶縁保護層２６は、誘電層またはソルダーマスク（ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ）であり、第１の絶縁保護層２６に第１の回路層２１の一部が露出している。例えば、第１の絶縁保護層２６は、複数の第１の開口２６０を有し、それらの第１の開口２６０に第１の回路層２１の一部が露出している。若しくは、該第１の絶縁保護層の表面は、該第１の回路層の表面と面一であり、該第１の絶縁保護層に該第１の回路層の上面が露出してもよい（図示せず）。
【００５２】
また、電子パッケージ構造２ｄは、第１の絶縁層２０の第２の表面２０ｂ及び第２の回路層２２に設けられた第２の絶縁保護層２７をさらに含む。例えば、第２の絶縁保護層２７は、誘電層またはソルダーマスクである。
【００５３】
また、第２の絶縁保護層２７には、それらの導電素子２５との結合のために第２の回路層２２の一部が露出している。例えば、第２の絶縁保護層２７は、複数の第２の開口２７０を有し、それらの第２の開口２７０に第２の回路層２２の一部が露出している。若しくは、第２の回路層の表面は、第２の回路層の表面と面一であり、第２の絶縁保護層には、それらの導電素子との結合のために該第２の回路層の上面が露出してもよい（図示せず）。
【００５４】
図２Ｅに示す電子パッケージ構造２ｅにおいて、図２Ｃ及び図２Ｄの他の態様によれば、第１の絶縁保護層２６’は、感知領域２３１をカバーし密封する。
【００５５】
図３Ａないし図３Ｃは、本発明に係る電子パッケージ構造３ａ〜３ｃの第２の実施例の各種の態様の断面模式図である。この実施例は、多層回路の設計の点で第１の実施例と異なっているが、その他の構造はほぼ同一である。以下の説明では、第１の実施形態と相違する点についてのみ詳述し、第１の実施形態と同一である構造の説明を省略する。
【００５６】
電子パッケージ構造３ａは、図３Ａ及び図３Ａ−１に示すように、図２Ａ及び図２Ａ−１に対応するものであり、第１の絶縁層２０の第２の表面２０ｂに設けられ、第２の回路層２２及びそれらの導電柱体２４により第１の回路層２１に電気的に接続される回路ビルドアップ構造３０をさらに含む。
【００５７】
この実施例において、回路ビルドアップ構造３０は、少なくとも１つの誘電層３００と、誘電層３００に設けられた回路層３０１とを有し、回路層３０１は、誘電層３００に設けられた導電柱体３０２により第２の回路層２２に電気的に接続される。
【００５８】
さらに、回路層３０１は、それらの導電素子２５との結合のために誘電層３００に露出している。
【００５９】
電子パッケージ構造３ｂは、図３Ｂ及び図３Ｂ−１に示すように、図２Ｂ及び図２Ｂ−１に対応するものであり、図２Ｃまたは図２Ｄに示す構造のいずれかの技術的特徴に基づいて変更することができる。一つの例として、図２Ｃに示すいずれかの技術的特徴によれば、例えば誘電層またはソルダーマスクであって感知領域２３１をカバーしていない第１の絶縁保護層２６を第１の絶縁層２０の第１の表面２０ａ及び第１の回路層２１に設ける。
【００６０】
図３Ｃに示す電子パッケージ構造３ｃは、図２Ｅに対応するものであり、すなわち、誘電材である第１の絶縁保護層２６’は、感知領域２３１をカバーしている。
【００６１】
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明に係る電子パッケージ構造４ａ、４ｂの第３の実施例の各種の態様の断面模式図である。この実施例は、電子パッケージ構造４ａ、４ｂがカメラレンズに応用される点、例えば光透過部材４０が新しく加えられた点で上記２つの実施例と異なっているが、その他の構造はほぼ同一である。以下の説明では、相違点についてのみ詳述し、同一である構造の説明を省略する。
【００６２】
電子パッケージ構造４ａ、４ｂは、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、図２Ｄ及び図３Ｂを例として、電子素子２３の感知領域２３１をカバーする、例えばレンズまたはガラスである光透過部材４０をさらに含む。例えば、光透過部材４０は、従来の支持部材を用いることなく、第１の絶縁保護層２６に接着可能である。従って、構造全体の厚さを低減することができる。
【００６３】
この実施例において、図４Ａに示す電子パッケージ構造４ａは、第１の絶縁保護層２６の表面が第１の回路層２１の表面と面一である。
【００６４】
若しくは、図４Ｂに示す電子パッケージ構造４ｂは、第１の絶縁保護層２６が第１の回路層２１を包んでいる。
【００６５】
上記のように、本発明に係る電子パッケージ構造２ａ〜２ｅ、３ａ〜３ｃ、４ａ〜４ｂによれば、主に電子素子２３が第１の絶縁層２０に埋め込まれ、第１の回路層２１が電子素子２３に電気的に接続されるようにしているため、製造時に、ワイヤボンディングのループまたはパッケージ樹脂の厚さを考慮する必要なく、第１の絶縁層２０の厚さを容易に制御することができ、より好ましい均一性及びより薄い厚さを達成することができる。
【００６６】
さらに、非半導体製造工程が採用されているため、製造コストが低下する。
【００６７】
さらに、電子パッケージ構造２ａ〜２ｅ、３ａ〜３ｃ、４ａ〜４ｂは、製品の要求に応じて構造や設計を容易に調整することができるため、その設計自由度が大きい。
【００６８】
さらに、上記実施例はランドグリッドアレイ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、ＬＧＡ）またはボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、ＢＧＡ）に適用することができる。
【００６９】
上記のように、それらの実施の形態は本発明の原理および効果・機能を例示的に説明するに過ぎず、本発明はこれらによって限定されるものではない。本発明は、この技術分野に精通した者により本発明の主旨を逸脱しない範囲で色々な修飾や変更をすることが可能であり、そうした修飾や変更は本発明の特許請求の範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００７０】
１  ワイヤボンディング型パッケージ構造
１’  ＣＯＢ型パッケージ構造
１”  光感知パッケージ構造
１０、１０’  基板
１０”  シリコン基板
１００  導電シリコン貫通孔
１１、２１  第１の回路層
１２、２２  第２の回路層
１３、２３  電子素子
１３０  ワイヤ
１３１、２３１  感知領域
１４  ビアホール型導電体
１５、２５  導電素子
１６、２６、２６’  第１の絶縁保護層
１７、２７  第２の絶縁保護層
１７’  絶縁保護層
１８  パッケージ樹脂
１９、１９’、４０  光透過部材
１９０  支持部材
１９０’  接着層
２ａ〜２ｅ、３ａ〜３ｃ、４ａ〜４ｂ  電子パッケージ構造
２０  第１の絶縁層
２０ａ  第１の表面
２０ｂ  第２の表面
２００  第２の絶縁層
２３ａ  作用面
２３ｂ  非作用面
２３０  電極パッド
２４、３０２導電柱体
２６０  第１の開口
２７０  第２の開口
３０  回路ビルドアップ構造
３００  誘電層
３０１  回路層
ｄ  厚さ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ａ−１】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｂ−１】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ａ−１】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｂ−１】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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