(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有する半導体層と、
前記第１の半導体層上にそれぞれ離間して設けられ、前記第１の半導体層の主面に対して平行な第１方向に延びる第１のｎ側電極および第２のｎ側電極を有するｎ側電極と、
前記第１のｎ側電極と電気的に接続する第１コンタクト部と、
前記第１コンタクト部と離間し、前記第２のｎ側電極と電気的に接続する第２コンタクト部と、
前記第１コンタクト部および前記第２コンタクト部と接続するｎ側配線部と、
前記第２の半導体層上に設けられ、平面視で前記第１のｎ側電極と、前記第２のｎ側電極と、の間に設けられたｐ側電極と、
前記半導体層の側面で、前記半導体層の外側の表面のうち、前記第１方向に延びる第１側面、前記第１側面に対向する第２側面、前記第１方向に対して交わる第２方向に延びる第３側面、および前記第３側面に対向する第４側面に一体に設けられた絶縁膜であって、
前記第１側面から、前記第１のｎ側電極の側面に沿って設けられた第１絶縁部と、
前記第２側面から、前記第２のｎ側電極の側面に沿って設けられた第２絶縁部と、
前記第３側面から、前記ｐ側電極の前記第２方向に延びる第１端面に沿って設けられた第３絶縁部と、
前記第４側面から、前記ｐ側電極の前記第１端面に対向する第２端面に沿って設けられた第４絶縁部と、
を有する絶縁膜と、
を備え、
前記半導体層の前記第１方向の長さは、前記第２方向の長さよりも長い半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１絶縁部および前記第２絶縁部は、前記ｐ側電極と離間している請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１絶縁部および前記第２絶縁部は、前記ｐ側電極と接しており、
前記第３絶縁部は、前記第１のｎ側電極および前記第２のｎ側電極と離間している請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第４絶縁部は、前記第１のｎ側電極および前記第２のｎ側電極と接している請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第４絶縁部は、前記第１のｎ側電極および前記第２のｎ側電極と離間している請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記ｎ側電極は、
前記第２方向に延び、前記第１のｎ側電極と一体に設けられ、前記第３絶縁部および前記第４絶縁部のいずれかと接する第３部分と、
前記第２方向に延び、前記第２のｎ側電極と一体に設けられ、前記第３絶縁部および前記第４絶縁部のいずれかと接する第４部分と、
を有する請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記ｎ側電極は、
前記第２方向に延び、前記第１のｎ側電極と一体に設けられ、前記第４絶縁部と接する第５部分と、
前記第２方向に延び、前記第２のｎ側電極と一体に設けられ、前記第４絶縁部と接する第６部分と、
を有し、
前記第３部分および前記第４部分は、前記第３絶縁部と接し、
前記第２方向において、前記ｐ側電極は、前記第３部分と、前記第４部分と、の間および前記第５部分と、前記第６部分と、の間に一体に設けられた請求項６記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第２方向において、前記第１のｎ側電極と、前記第２のｎ側電極と、の間の距離は、前記第３部分と、前記第４部分と、の間の距離よりも大きい請求項７記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第３絶縁部は、前記第１のｎ側電極および前記第３部分と接し、前記第２のｎ側電極および前記第４部分と離間し、
前記第４絶縁部は、前記第２のｎ側電極および前記第４部分と接し、前記第１のｎ側電極および前記第３部分と離間する請求項６記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第１絶縁部および前記第２絶縁部は、前記ｐ側電極と接しており、
前記第３絶縁部は、前記第１のｎ側電極と接し、前記第２のｎ側電極と離間しており、
前記第４絶縁部は、前記第２のｎ側電極と接し、前記第１のｎ側電極と離間している請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有する半導体層と、
前記第１の半導体層上にそれぞれ離間して設けられ、前記第１の半導体層の主面に対して平行な第１方向に延びる第１のｎ側電極および第２のｎ側電極を有するｎ側電極と、
前記第１のｎ側電極と電気的に接続する第１コンタクト部と、
前記第１コンタクト部と離間し、前記第２のｎ側電極と電気的に接続する第２コンタクト部と、
前記第１コンタクト部および前記第２コンタクト部と接続するｎ側配線部と、
前記第２の半導体層上に設けられ、平面視で前記第１のｎ側電極と、前記第２のｎ側電極と、の間に設けられたｐ側電極と、
前記半導体層の側面で、前記半導体層の外側の表面のうち、前記第１方向に延びる第１側面、前記第１側面に対向する第２側面、前記第１方向に対して交わる第２方向に延びる第３側面、および前記第３側面に対向する第４側面に一体に設けられた絶縁膜であって、
前記第１側面から、前記第１のｎ側電極の側面に沿って設けられた第１絶縁部と、
前記第２側面から、前記第２のｎ側電極の側面に沿って設けられた第２絶縁部と、
前記第３側面から、前記ｐ側電極の前記第２方向に延びる第１端面に沿って設けられた第３絶縁部と、
前記第４側面から、前記ｐ側電極の前記第１端面に対向する第２端面に沿って設けられた第４絶縁部と、
を有する絶縁膜と、
を備え、
前記ｎ側電極は、前記第１のｎ側電極と、前記第２のｎ側電極と、の間に設けられ、前記第１方向に延び、前記第３絶縁部および前記第４絶縁部と接する第７部分を有する半導体発光装置。
【請求項１２】
前記第１のｎ側電極は、前記第１コンタクト部と接する第１中間部を有し、
前記第２のｎ側電極は、前記第２コンタクト部と接する第２中間部を有し、
前記第２方向における前記第１中間部および前記第２中間部の幅は、前記第１のｎ側電極および前記第２のｎ側電極の幅よりも大きい請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記絶縁膜は、前記ｎ側電極と、前記ｐ側電極と、の間に設けられた第５絶縁部を有する請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記第２方向において、前記ｐ側電極は、前記第１のｎ側電極および前記第２のｎ側電極に挟まれた領域のみに設けられた請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層を含む半導体層の一方の面側に、蛍光体層および複数の蛍光体を設け、他方の面（実装面）側に配線層、外部端子および樹脂層を設けたチップサイズパッケージ構造の半導体発光装置が提案されている。
【０００３】
上記半導体発光装置では、光出力の向上および発光の均一化が課題となり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２５８６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態は、光出力の向上および発光の均一化に優れた半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有する半導体層と、前記第１の半導体層上にそれぞれ離間して設けられ、前記第１の半導体層の主面に対して平行な第１方向に延びる第１のｎ側電極および第２のｎ側電極を有するｎ側電極と、前記第１のｎ側電極と電気的に接続する第１コンタクト部と、前記第１コンタクト部と離間し、前記第２のｎ側電極と電気的に接続する第２コンタクト部と、前記第１コンタクト部および前記第２コンタクト部と接続するｎ側配線部と、前記第２の半導体層上に設けられ、平面視で前記第１のｎ側電極と、前記第２のｎ側電極と、の間に設けられたｐ側電極と、絶縁膜と、を備える。前記絶縁膜は、前記半導体層の側面で、前記半導体層の外側の表面のうち、前記半導体層の前記第１方向に延びる第１側面、前記第１側面に対向する第２側面、前記第１方向に対して交わる第２方向に延びる第３側面、および前記第３側面に対向する第４側面に一体に設けられている。前記絶縁膜は、前記第１側面から、前記第１のｎ側電極の側面に沿って設けられた第１絶縁部と、前記第２側面から、前記第２のｎ側電極の側面に沿って設けられた第２絶縁部と、前記第３側面から、前記ｐ側電極の前記第２方向に延びる第１端面に沿って設けられた第３絶縁部と、前記第４側面から、前記ｐ側電極の前記第１端面に対向する第２端面に沿って設けられた第４絶縁部と、を有する。前記半導体層の前記第１方向の長さは、前記第２方向の長さよりも長い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図２】図２（ａ）は、実施形態の半導体発光装置の平面レイアウトの一例を示す模式平面図であり、図２（ｂ）は、実施形態の半導体発光装置の実装面の一例を示す模式平面図。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施形態の半導体発光装置の平面レイアウトの一例を示す模式平面図。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施形態の半導体発光装置の平面レイアウトの一例を示す模式平面図。
【図６】実施形態の半導体発光装置の平面レイアウトの一例を示す模式平面図。
【図７】図７（ａ）は、他の実施形態の半導体発光装置の平面レイアウトの一例を示す模式平面図であり、図７（ｂ）は、他の実施形態の半導体発光装置の実装面の一例を示す模式平面図。
【図８】図８（ａ）は、他の実施形態の半導体発光装置の平面レイアウトの一例を示す模式平面図であり、図８（ｂ）は、他の実施形態の半導体発光装置の実装面の一例を示す模式平面図。
【図９】実施形態の半導体発光装置の実装面の一例を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００９】
図１〜図３（ｂ）を参照して、本実施形態の半導体発光装置の構成について説明する。
【００１０】
図１、図３（ａ）および図３（ｂ）は、本実施形態の半導体発光装置の模式断面図である。  
図２（ａ）は、本実施形態の半導体発光装置におけるｐ側電極１６と、ｎ側電極１７との平面レイアウトの一例を示す模式平面図であり、図２（ｂ）は、本実施形態の半導体発光装置における各配線部４１、４３のレイアウトの一例を示す模式平面図である。
【００１１】
図１、図３（ａ）および図３（ｂ）は、それぞれ図２（ａ）におけるＡ−Ａ’断面、Ｂ−Ｂ’断面およびＣ−Ｃ’断面に対応する。図２（ａ）は、図１における配線部４１、４３、絶縁膜１８の一部、および反射膜５１を取り除いて半導体層１５の第２面１５ｂを見た図に対応する。
【００１２】
図１および図２（ａ）において、半導体層１５の主面に対して平行であり、相互に直交する２方向をＸ方向（第１方向）およびＹ方向（第２方向）とし、これらＸ方向およびＹ方向に平行な面（ＸＹ平面）に対して直交する方向をＺ方向とする。本実施形態の半導体発光装置は、ＸＹ平面上の平面視で、Ｘ方向に延びる長辺と、Ｙ方向に延びる短辺とを有する。
【００１３】
図１および図２（ａ）に示すように、実施形態の半導体発光装置は、発光層１３を有する半導体層１５を備えている。半導体層１５は、第１面１５ａと、その反対側の第２面１５ｂとを有する。
【００１４】
半導体層１５の第２面１５ｂは、発光層１３を含む部分１５ｅ（発光領域）と、発光層１３を含まない部分１５ｆ（非発光領域  図３（ａ）参照）とを有する。発光層１３を含む部分１５ｅは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されている部分である。発光層１３を含まない部分１５ｆは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されていない部分である。発光層１３を含む部分１５ｅは、発光層１３から放射される光を外部に取り出し可能な積層構造となっている領域を示す。
【００１５】
第２面１５ｂにおいて、発光層１３を含む部分１５ｅの上に、第１の電極としてｐ側電極１６が設けられ、発光層１３を含まない部分１５ｆの上に、第２の電極としてｎ側電極１７が設けられている。
【００１６】
ｎ側電極１７は、第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとを有する。第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂは、Ｘ方向に延び、Ｙ方向に離間している。平面視において、第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとの間には、ｐ側電極１６が設けられている。第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂは、例えばｐ側電極１６を挟んで対象に設けられている。
【００１７】
ｎ側電極１７は積層構造でもよく、例えば第１電極層１７ａａ、１７ａｂと、第２電極層１７ａｂ、１７ｂｂとを有する。ｐ側電極１６は積層構造でもよく、例えば第３電極層１６ｃと、第４電極層１６ｄとを有する。
【００１８】
ｐ側電極１６とｎ側電極１７とを通じて発光層１３に電流が供給され、発光層１３は発光する。そして、発光層１３から放射される光は、第１面１５ａから半導体発光装置の外部に出射される。
【００１９】
半導体層１５の第２面１５ｂには、支持体１００が設けられている。半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子は、第２面１５ｂに設けられた支持体１００によって支持されている。
【００２０】
半導体層１５の第１面１５ａには、発光層１３から放射される光に所望の光学特性を与える蛍光体層３０が設けられている。蛍光体層３０は、発光層１３から放射される光に対して透過性を有する。蛍光体層３０は、例えば半導体層１５と接している。例えば、蛍光体層３０と、半導体層１５との間には、密着性を有する絶縁膜１９が設けられていてもよい。
【００２１】
蛍光体層３０は、複数の粒子状の蛍光体３１を含む。蛍光体３１は、発光層１３の放射光により励起され、その放射光とは異なる波長の光を放射する。
【００２２】
複数の蛍光体３１は、結合材３２により一体化されている。結合材３２は、発光層１３の放射光および蛍光体３１の放射光を透過する。ここで「透過」とは、透過率が１００％であることに限らず、光の一部を吸収する場合も含む。
【００２３】
半導体層１５は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３とを有する。発光層１３は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２との間に設けられている。第１の半導体層１１および第２の半導体層１２は、例えば、窒化ガリウムを含む。
【００２４】
第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む。第２の半導体層１２は、例えば、ｐ型ＧａＮ層を含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を含む。発光層１３の発光ピーク波長は、例えば、４３０〜４７０ｎｍである。
【００２５】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、半導体層１５の第２面１５ｂは、凹凸形状に加工される。その凸部は、発光層１３を含む部分１５ｅであり、凹部は、発光層１３を含まない部分１５ｆである。発光層１３を含む部分１５ｅの表面は第２の半導体層１２の表面であり、第２の半導体層１２の表面にｐ側電極１６が設けられている。発光層１３を含まない部分１５ｆの表面は第１の半導体層１１の表面であり、第１の半導体層１１の表面にｎ側電極１７が設けられている。なお、図１に示すように、第１の半導体層１１の表面には、ｎ側電極１７が設けられていない部分も存在する。
【００２６】
半導体層１５の第２面１５ｂにおいて、発光層１３を含む部分１５ｅの面積は、発光層１３を含まない部分１５ｆの面積よりも広い。また、発光層１３を含む部分１５ｅの表面に設けられたｐ側電極１６の面積は、発光層１３を含まない部分１５ｆの表面に設けられたｎ側電極１７の面積よりも広い。これにより、広い発光面が得られ、光出力を高くできる。
【００２７】
ｎ側電極１７の第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂは、ｎ側配線層２２の各ビア２２ａ、２２ｂ（コンタクト部）と接する各中間部１７ｍ、１７ｎを有する。
【００２８】
半導体層１５の第２面１５ｂ、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、絶縁膜１８で覆われている。絶縁膜１８は、例えば、シリコン酸化膜などの無機絶縁膜である。絶縁膜１８は、半導体層１５の周囲または第１面１５ａから続く側面１５ｃ（外側の表面）に一体に設けられ、例えば側面１５ｃを覆っている。絶縁膜１８は、例えば第１の半導体層１１の側面、発光層１３の側面及び第２の半導体層１２の側面にも設けられ、それら側面を覆っていてもよい。
【００２９】
例えば、絶縁膜１８は少なくとも第２半導体層１２の側面と、発光層１３の側面とを覆っている。このように形成することで、ｐ側電極１６の近傍やジャンクションを保護することが可能となる。
【００３０】
また、例えば、絶縁膜１８は、第１半導体層１１の側面、発光層１３の側面および第２半導体層１２の側面を覆っており、絶縁膜１８が密着層となる絶縁膜１９に達していてもよい。このように薄い半導体層１５の第１面１５ａおよび外側の表面を絶縁膜１８で覆う場合、各絶縁膜１８、１９を無機膜で形成することで、より確実に半導体層１５を保護することができるという点で好ましい。
【００３１】
なお、半導体層１５の側面１５ｃと、絶縁膜１８との間には、別の膜が設けられてもよい。この場合、例えば発光層１３をより保護する構成とすることが可能である。
【００３２】
図１、図２（ａ）および図３（ａ）に示すように、絶縁膜１８は、絶縁部１８ａ〜１８ｄを有する。半導体層１５は、側面１５ｃａ〜１５ｃｄを有する。なお、各側面１５ｃａ〜１５ｃｄを区別しない場合は、側面１５ｃとして説明する。
【００３３】
第１絶縁部１８ａは、半導体層１５のＸ方向に延びる第１側面１５ｃａから、ｎ側電極１７の第１のｎ側電極１７ａの側面に沿って設けられている。第１絶縁部１８ａは、第１側面１５ｃａおよび第１のｎ側電極１７ａ（中間部１７ｍを含む）と接し、ｐ側電極１６と離間している。第１絶縁部１８ａは、例えば第１側面１５ｃａおよび第１のｎ側電極１７ａとの間に別の膜を介して設けられてもよい。
【００３４】
第２絶縁部１８ｂは、第１側面１５ｃａに対向する第２側面１５ｃｂから、ｎ側電極１７の第２のｎ側電極１７ｂの側面に沿って設けられている。第２絶縁部１８ｂは、第２側面１５ｃｂおよび第２のｎ側電極１７ｂ（中間部１７ｎを含む）と接し、ｐ側電極１６と離間している。第２絶縁部１８ｂは、例えば第２側面１５ｃｂおよび第２のｎ側電極１７ｂとの間に別の膜を介して設けられてもよい。
【００３５】
第３絶縁部１８ｃは、半導体層のＹ方向に延びる第３側面１５ｃｃから、ｐ側電極１６のＹ方向に延びる側面（第１端面１６ａ）に沿って設けられている。第３絶縁部１８ｃは、第１のｎ側電極１７ａ、第２のｎ側電極１７ｂ、第３側面１５ｃｃおよびｐ側電極１６の第１端面１６ａと接している。第３絶縁部１８ｃは、例えば第１のｎ側電極１７ａ、第２のｎ側電極１７ｂ、第３側面１５ｃｃおよびｐ側電極１６の第１端面１６ａとの間に別の膜を介して設けられてもよい。
【００３６】
第４絶縁部１８ｄは、第３側面１５ｃｃに対向する第４側面１５ｃｄから、ｐ側電極１６の第１端面１６ａに対向する側面（第２端面１６ｂ）に沿って設けられている。第４絶縁部１８ｄは、第１のｎ側電極１７ａ、第２のｎ側電極１７ｂ（各中間部１７ｍ、１７ｎを含む）、第４側面１５ｃｄおよびｐ側電極１６の第２端面１６ｂと接している。第４絶縁部１８ｄは、例えば第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂ、第４側面１５ｃｄおよびｐ側電極１６の第２端面１６ｂとの間に別の膜を介して設けられてもよい。
【００３７】
Ｙ方向において、各中間部１７ｍ、１７ｎの幅Ｗ２は、第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂの幅Ｗ１よりも大きく、例えば幅Ｗ２は幅Ｗ１の３倍以上である。
【００３８】
上記に加え、絶縁膜１８は、第５絶縁部１８ｅを有する。第５絶縁部１８ｅは、平面視でｎ側電極１７と、ｐ側電極１６との間に設けられている。第５絶縁部１８ｅは、各絶縁部１８ａ〜１８ｄと一体に設けられている。第５絶縁部１８ｅは、ｎ側電極１７およびｐ側電極１６との間に別の膜を介して設けられてもよい。
【００３９】
さらに、絶縁膜１８は、側面１５ｃに隣接するチップ外周部にも設けられている。チップ外周部に設けられた絶縁膜１８は、第１面１５ａで、側面１５ｃから遠ざかる方向に延びている。
【００４０】
図２（ｂ）に示すように、ｐ側電極１６上およびｎ側電極１７上には、絶縁膜１８を介してｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３が設けられている。各配線部４１、４３は、それぞれ配線層２１、２２と、ピラー２３、２４と、を有する。ｐ側配線部４１は、ｎ側配線部４３と離間している。
【００４１】
絶縁膜１８には、ｐ側の複数のビア２１ａおよびｎ側のビア２２ａ、２２ｂが設けられている。複数のビア２１ａは、ｐ側配線部４１と、ｐ側電極１６とを接続する。ビア２２ａ、２２ｂは、ｎ側配線部４３と、ｎ側電極１７とを接続する。なお、ビア２１ａの数は任意であり、１つの大きなビア２１ａでも良い。
【００４２】
ビア２２ａは、第１のｎ側電極１７ａの中間部１７ｍと接続されている。ビア２２ｂは、第２のｎ側電極１７ｂの中間部１７ｎと接続され、ビア２２ａと離間している。各ビア２２ａ、２２ｂおよび各中間部１７ｍ、１７ｎは、ｎ側配線層２２と、ｎ側電極１７との間に設けられていればよく、例えばｎ側電極１７の端部以外の位置に設けられてもよい。ｎ側電極１７は、各中間部１７ｍ、１７ｎを介して各ビア２２ａ、２２ｂと電気的に接続されている。
【００４３】
ｐ側配線層２１は、ビア２１ａを介してｐ側電極１６と電気的に接続されている。ｎ側配線層２２は、ビア２２ａ、２２ｂを介してｎ側電極１７と電気的に接続されている。平面視で、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２が、第２の側の領域の大部分を占めて絶縁膜１８上に広がっている。
【００４４】
ｐ側配線層２１は、ｎ側配線層２２に向かって突出した複数の凸部２１ｐを有する。ｎ側配線層２２は、ｐ側配線層２１の複数の凸部２１ｐの間に延在する複数の凸部２２ｐを有する。例えば、ｐ側配線層２１の凸部２１ｐは方形に設けられ、同じく方形に設けられたｎ側配線層２２の凸部２２ｐは、隣り合う凸部２１ｐの間に延在する。
【００４５】
このように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の対向するそれぞれの辺に凹凸を設け、相互の凸部を入れ子状に配置することにより、ｐ側配線部およびｎ側配線部から半導体層１５に加わる応力を低減することができる。これにより、半導体発光装置の光特性の変動を抑制し、その信頼性を向上させることができる。
【００４６】
図１に示すように、半導体層１５の側面１５ｃは、絶縁膜１８を介して反射膜５１に覆われている。反射膜５１は側面１５ｃと離間し、半導体層１５に対して電気的に接続されていない。反射膜５１は、発光層１３の放射光及び蛍光体３１の放射光に対して反射性を有する。
【００４７】
反射膜５１、ｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３は、共通の金属膜上に例えばめっき法により同時に形成される銅膜を含み、一体に設けられている。反射膜５１は、例えばｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３と離間していてもよい。
【００４８】
なお、半導体層１５の側面１５ｃに隣接するチップ外周部においては、金属膜上にめっき膜（銅膜）を形成せずに、金属膜で反射膜５１を形成してもよい。反射膜５１は、少なくともアルミニウム膜を含むことで、発光層１３の放射光及び蛍光体３１の放射光に対して高い反射率を有する。
【００４９】
また、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２の下にも下地金属膜（アルミニウム膜）が残されるので、第２面１５ｂの大部分の領域にアルミニウム膜が広がって形成されている。これにより、蛍光体層３０側に向かう光の量を増大できる。
【００５０】
ｐ側配線層２１における半導体層１５とは反対側の面には、ｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｎ側配線層２２における半導体層１５とは反対側の面には、ｎ側金属ピラー２４が設けられている。
【００５１】
ｐ側配線部４１とｎ側配線部４３との間には、第２の絶縁膜として樹脂層２５が設けられている。樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３と、ｎ側金属ピラー２４との間に接して設けられている。すなわち、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に、樹脂層２５が充填されている。
【００５２】
また、樹脂層２５は、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間、ｐ側配線層２１と反射膜５１との間、およびｎ側配線層２２と反射膜５１との間に設けられている。
【００５３】
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３の周囲およびｎ側金属ピラー２４の周囲に設けられ、ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面を覆っている。
【００５４】
また、樹脂層２５は、半導体層１５の側面１５ｃに隣接するチップ外周部にも設けられ、反射膜５１を覆っている。
【００５５】
ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１とは反対側の端部（面）は、樹脂層２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２とは反対側の端部（面）は、樹脂層２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｎ側外部端子２４ａとして機能する。ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、例えば、はんだ、または導電性の接合材を介して、実装基板のランドパターンに接合される。
【００５６】
ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、樹脂層２５の同じ面内で離間して並んで形成されている。ｐ側外部端子２３ａは例えば矩形状に形成され、ｎ側外部端子２４ａは、ｐ側外部端子２３ａの矩形と同じサイズの矩形における２つの角を切り欠いた形状に形成されている。これにより、外部端子の極性を判別できる。例えば、ｎ側外部端子２４ａを矩形状にし、ｐ側外部端子２３ａを矩形の角を切り欠いた形状にしてもよい。
【００５７】
ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、絶縁膜１８上におけるｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔よりも広い。ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、実装時のはんだの広がりよりも大きくする。これにより、はんだを通じた、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の短絡を防ぐことができる。
【００５８】
これに対し、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔は、プロセス上の限界まで狭くすることができる。このため、ｐ側配線層２１の面積、およびｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３との接触面積の拡大を図れる。これにより、発光層１３の熱の放散を促進できる。
【００５９】
また、複数のビア２１ａを通じてｐ側配線層２１がｐ側電極１６と接する面積は、ビア２２ａ、２２ｂを通じてｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも広い。これにより、発光層１３に流れる電流の分布を均一化できる。
【００６０】
絶縁膜１８上で広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側電極１７の面積よりも広くできる。そして、ｎ側配線層２２の上に設けられるｎ側金属ピラー２４の面積（ｎ側外部端子２４ａの面積）をｎ側電極１７よりも広くできる。これにより、信頼性の高い実装に十分なｎ側外部端子２４ａの面積を確保しつつ、ｎ側電極１７の面積を小さくすることが可能となる。すなわち、半導体層１５における発光層１３を含まない部分１５ｆの面積を縮小し、発光層１３を含む部分１５ｅの面積を広げて光出力を向上させることが可能となる。
【００６１】
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７及びｎ側配線層２２を介してｎ側金属ピラー２４と電気的に接続されている。第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６及びｐ側配線層２１を介してｐ側金属ピラー２３と電気的に接続されている。
【００６２】
ｐ側金属ピラー２３の厚さは、ｐ側配線層２１の厚さよりも厚い。ｎ側金属ピラー２４の厚さは、ｎ側配線層２２の厚さよりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。なお、上述した「厚さ」とは、各配線層２１、２２と、各外部端子２３ａ、２４ａとの間のＺ方向の厚さを示す。
【００６３】
金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚さの比）は、１以上であっても良いし、１より小さくても良い。すなわち、金属ピラー２３、２４は、その平面サイズより厚くても良いし、薄くても良い。
【００６４】
ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５を含む支持体１００の厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子（ＬＥＤチップ）の厚さよりも厚い。
【００６５】
半導体層１５は、例えば基板上にエピタキシャル成長法により形成される。その基板は、支持体１００を形成した後に除去され、半導体層１５は第１面１５ａに基板を含まない。半導体層１５は、剛直な板状の基板にではなく、金属ピラー２３、２４と樹脂層２５との複合体からなる支持体１００によって支持されている。
【００６６】
ｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３の材料として、例えば、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性および絶縁材料に対する密着性を向上させることができる。
【００６７】
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を補強する。樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えば、エポキシ樹脂を主に含む樹脂、シリコーン樹脂を主に含む樹脂、フッ素樹脂を主に含む樹脂を挙げることができる。
【００６８】
また、樹脂層２５におけるベースとなる樹脂に遮光材（光吸収剤、光反射剤、光散乱剤など）が含まれ、樹脂層２５は発光層１３から放射される光に対して遮光性を有する。これにより、支持体１００の側面及び実装面側からの光漏れを抑制することができる。
【００６９】
半導体発光装置の実装時の熱サイクルにより、ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａを実装基板のランドに接合させるはんだ等に起因する応力が半導体層１５に加わる。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５は、その応力を吸収し緩和する。特に、半導体層１５よりも柔軟な樹脂層２５を支持体１００の一部として用いることで、応力緩和効果を高めることができる。
【００７０】
反射膜５１は、ｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３と一体に設けられている。このため、反射膜５１は、ｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３を介して外部に接続される。これにより、放熱経路が形成され、半導体層１５の放熱性が向上する。例えば、図２（ａ）に示すように、反射膜５１の一部がｐ側配線部４１と一体的に形成され、反射膜５１の残部がｎ側配線部４３と一体的に形成され、これらが相互に絶縁されている。
【００７１】
例えば反射膜５１は、ｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３のうち、どちらか一方と一体的に形成されてもよい。この場合、図９に示すように、反射膜５１は、半導体層１５の側面の全周をリング状（Ｏ状）に覆うように形成することができる。これにより、光漏れをさらに抑制することが可能である。
【００７２】
例えば反射膜５１は、ｐ側配線部４１およびｎ側配線部４３のそれぞれと離間していてもよい。この場合、反射膜５１は、半導体層１５の側面の全周をリング状（Ｏ状）に覆うように形成することができる。これにより、光漏れをさらに抑制することが可能である。
【００７３】
Ｚ方向において、反射膜５１の上面の高さは、例えば半導体層１５の第１面１５ａよりも高い。これにより、より光を反射させることができ、光取り出し効率をさらに向上させることが可能である。
【００７４】
例えば、半導体層１５の形成に用いた基板は、半導体層１５から除去される。これにより、半導体発光装置は低背化される。また、基板の除去により、半導体層１５の第１面１５ａに微小凹凸を形成することができ、光取り出し効率の向上を図れる。
【００７５】
例えば、第１面１５ａに対して、アルカリ系溶液を使ったウェットエッチングを行い、微小凹凸を形成する。これにより、第１面１５ａでの全反射成分を減らして、光取り出し効率を向上できる。
【００７６】
基板が除去された後、第１面１５ａ上に絶縁膜１９を介して蛍光体層３０が形成される。絶縁膜１９は、半導体層１５と蛍光体層３０との密着性を高める密着層として機能し、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜である。
【００７７】
蛍光体層３０は、結合材３２中に複数の粒子状の蛍光体３１が分散された構造を有する。結合材３２には、例えば、シリコーン樹脂を用いることができる。
【００７８】
蛍光体層３０は、半導体層１５の側面の周囲のチップ外周部上にも形成される。したがって、蛍光体層３０の平面サイズは半導体層１５の平面サイズよりも大きい。チップ外周部においては、絶縁膜１８（例えばシリコン酸化膜）上に蛍光体層３０が設けられている。
【００７９】
蛍光体層３０は、半導体層１５の第１面１５ａ、および半導体層１５の側面に隣接する領域上に形成され、半導体層１５の第２面１５ｂ、金属ピラー２３、２４の周囲、および支持体１００の側面にまわりこんで形成されていない。蛍光体層３０の側面と、支持体１００の側面（樹脂層２５の側面）とが揃っている。
【００８０】
すなわち、実施形態の半導体発光装置は、チップサイズパッケージ構造の非常に小型の半導体発光装置である。このため、例えば照明用灯具などへの適用に際して、灯具デザインの自由度が高まる。
【００８１】
また、光を外部に取り出さない実装面側には蛍光体層３０が無駄に形成されず、コスト低減が図れる。また、第１面１５ａに基板がなくても、第２面１５ｂに広がるｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２を介して発光層１３の熱を実装基板側に放散させることができ、小型でありながらも放熱性に優れている。
【００８２】
一般的なフリップチップ実装では、ＬＥＤチップを実装基板にバンプなどを介して実装した後に、チップ全体を覆うように蛍光体層が形成される。あるいは、バンプ間に樹脂がアンダーフィルされる。
【００８３】
これに対して実施形態によれば、実装前の状態で、ｐ側金属ピラー２３の周囲及びｎ側金属ピラー２４の周囲には、蛍光体層３０と異なる樹脂層２５が設けられ、実装面側に応力緩和に適した特性を与えることができる。また、実装面側にすでに樹脂層２５が設けられているため、実装後のアンダーフィルが不要となる。
【００８４】
第１面１５ａには、光取り出し効率、色変換効率、配光特性などを優先した設計の層が設けられ、実装面側には、実装時の応力緩和や、基板に代わる支持体としての特性を優先した層が設けられる。例えば、樹脂層２５は、ベースとなる樹脂にシリカ粒子などのフィラーが高密度充填された構造を有し、支持体として適切な硬さに調整されている。
【００８５】
発光層１３から第１面１５ａに放射された光は、蛍光体層３０に入射し、一部の光は蛍光体３１を励起し、発光層１３の光と、蛍光体３１の光との混合光として例えば白色光が得られる。
【００８６】
ここで、例えば第１面１５ａ上に基板があると、蛍光体層３０に光が入射せずに、基板の側面から外部に光を放出する可能性がある。すなわち、基板の側面から発光層１３の光の色みの強い光が漏れ、蛍光体層３０を上面から見た場合に、外縁側に青色光のリングが見える現象など、色割れや色ムラの原因になり得る。
【００８７】
これに対して、実施形態によれば、第１面１５ａと蛍光体層３０との間には基板がない。そのため、基板側面から発光層１３の光の色みが強い光が漏れることによる色割れや色ムラを防ぐことができる。
【００８８】
さらに、実施形態によれば、半導体層１５の側面には、絶縁膜１８を介して反射膜５１が設けられている。発光層１３から半導体層１５の側面に向かった光は、反射膜５１で反射し、外部に漏れない。このため、基板が第１面１５ａにない特徴とあいまって、半導体発光装置の側面側からの光漏れによる色割れや色ムラを防ぐことができる。
【００８９】
反射膜５１が設けられた半導体層１５の側面は、第１面１５ａ（の平坦部）に対して傾斜している。また、半導体層１５側面は、第２面１５ｂに対して傾斜している。したがって、側面に設けられた反射面が第１面１５ａ及び第２面１５ｂに対して傾斜している。側面の延長線は、蛍光体層３０と絶縁膜１８との界面に対して鈍角を形成して傾斜している。
【００９０】
反射膜５１と、半導体層１５の側面との間に設けられた絶縁膜１８は、反射膜５１に含まれる金属の半導体層１５への拡散を防止する。これにより、半導体層１５の例えばＧａＮの金属汚染を防ぐことができ、半導体層１５の劣化を防ぐことができる。
【００９１】
また、反射膜５１と蛍光体層３０との間、および樹脂層２５と蛍光体層３０との間に設けられた絶縁膜１８は、反射膜５１と蛍光体層３０との密着性、および樹脂層２５と蛍光体層３０との密着性を高める。
【００９２】
絶縁膜１８は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機絶縁膜である。すなわち、半導体層１５の第１面１５ａ、第２面１５ｂ、半導体層１５の側面１５ｃ、第２の半導体層１２の側面、発光層１３の側面は、無機絶縁膜で覆われている。無機絶縁膜は半導体層１５を囲み、金属や水分などから半導体層１５をブロックする。
【００９３】
上記に加え、本実施形態によれば、ｎ側電極１７は、Ｘ方向に延び、互いに離間した第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとを有する。平面視で第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとの間には、ｐ側電極１６が設けられている。第１のｎ側電極１７ａは第１絶縁部１８ａに接し、第２のｎ側電極１７ｂは第２絶縁部１８ｂに接し、ｐ側電極１６は第３絶縁部１８ｃおよび第４絶縁部１８ｄに接している。すなわち、Ｙ方向において、ｎ側電極１７は、ｐ側電極１６よりもチップ外周側に設けられている。そのため、ｐ側電極１６は、第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂに挟まれた領域のみに設けられている。
【００９４】
これにより、例えばｎ側電極１７がｐ側電極１６の側面を囲む構造に比べて、ｐ側電極１６の面積を拡大させることが可能となる。また、第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとの間にｐ側電極１６を設けることにより、ｐ側電極１６に供給される電流のばらつきを抑制することができる。
【００９５】
さらに、例えばｐ側電極１６がｎ側電極１７を挟む構造に比べて、ｐ側電極１６の面積を拡大させることが可能となる。また、ｎ側電極１７がｐ側電極１６を挟む構造のため、ｐ側電極１６に供給される電流のばらつきを抑制することができる。すなわち、光出力の向上および発光の均一化に優れた半導体発光装置の提供を実現することが可能となる。
【００９６】
本実施形態における輝度を測定した結果、ｎ側電極１７がｐ側電極１６の側面を囲む構造に比べて、６％向上した。なお、上記測定は、積分球を用いた全光束測定により実施した。
【００９７】
例えば、フリップチップ実装のようにチップ全体を覆うように蛍光体層が設けられる構造を有する場合がある。このとき、チップの主面に加えて側面から光が放射され得る。そのため、チップ外周側にｐ側電極を設けることにより、チップの側面から放射される光の特性を向上させることがあり得る。
【００９８】
この場合、例えばｐ側電極の間にｎ側電極が設けられる。つまり、ｎ側電極の周囲にｐ側電極があるため、ｐ側電極に供給される電流のばらつきが大きくなり、不均一な発光となる可能性がある。
【００９９】
それに対し、本実施形態によれば、半導体層１５の側面から外部に放出される光を考慮する必要がない構成となっている。そのため、ｎ側電極１７がｐ側電極１６よりもチップ外周に設けられている構成を取った場合でも、チップから放射される光の特性を向上させることが可能となるため、ｎ側電極１７がｐ側電極１６よりもチップ外周に設けられている構成を取ることが可能となる。
【０１００】
これにより、例えば、ｎ側電極１７の片側にｐ側電極１６があるため、ｐ側電極１６に供給される電流のばらつきが抑制できる。さらに、ｎ側電極１７をチップ外周に設けることにより、例えば、ｎ側電極１７の片側にｐ側電極１６があるため、電極間に設けられる絶縁膜の面積を小さくし、ｐ側電極１６の面積を大きく設けることができる。すなわち、光出力の向上および発光の均一化に優れた半導体発光装置を提供することが可能である。
【０１０１】
さらに、本実施形態によれば、第１の半導体層１１の表面には、ｎ側電極１７が設けられていない部分が存在する。例えば、図２に示すように、ｐ側電極１６の端面１６ａの外側には、ｎ側電極１７が設けられていない第１の半導体層１１の表面がある。この表面は、例えばｎ側電極１７が設けられている部分の第１の半導体層１１の表面と同一平面を成している。
【０１０２】
そのため、平面視において、第２の半導体層１２は、第１の半導体層１１に囲まれており、第２の半導体層１２の表面と、第１の半導体層１１の表面との間には、段差が形成されている。すなわち、半導体層１５の端部に、第２の半導体層１２が設けられていない。これにより、加工難易度を低減することが可能である。
【０１０３】
例えば、半導体発光装置を形成する工程において、ウェーハ状態の半導体層を分割する工程がある。このとき、ウェーハ状態の半導体層に格子状の溝を形成し、複数の半導体層１５を形成する。
【０１０４】
このとき、例えば第１の半導体層１１のみが形成されている部分と、第１の半導体層１１および第２の半導体層１２の積層体が形成されている部分と、に溝を形成する場合がある。この場合、構成の異なる部分によって加工する対象物が異なるため、それぞれの部分に適した加工条件を設定する必要があり得る。そのため、格子状の溝を一度に形成することが困難となり得る。上記条件で半導体層１５を形成した場合、半導体層１５の端部には、第２の半導体層１２が設けられている構造を有する。すなわち、平面視において、第２の半導体層１２が、第１の半導体層１１に囲まれていない部分を有する。
【０１０５】
それに対し、本実施形態によれば、半導体層１５の端部に、第２の半導体層１２が設けられていない。すなわち、ウェーハ状態の半導体層を分割するとき、第１の半導体層１１のみが形成されている部分に溝が形成され、第１の半導体層１１および第２の半導体層１２の積層体が形成されている部分には溝が形成されない。そのため、格子状の溝を一度に形成することができ、加工難易度を低減することが可能である。
【０１０６】
図４（ａ）〜図６を参照して、本実施形態の半導体発光装置の平面レイアウトの一例について説明する。
【０１０７】
図４（ａ）〜図６は、本実施形態の半導体装置におけるｐ側電極１６とｎ側電極１７との平面レイアウトの一例を示す。  
図４（ａ）〜図６においては、図２（ａ）と同様に、各配線部４１、４３、絶縁膜１８の一部、および反射膜５１を取り除いて半導体層１５の第２面１５ｂを見た図に対応する。なお、図２（ａ）に示したレイアウトとの主な差異は、ｐ側電極１６と、ｎ側電極１７との構成である。そのため、同様の部分に関しては、一部説明を省略する。
【０１０８】
図４（ａ）に示すように、第１絶縁部１８ａおよび第２絶縁部１８ｂは、ｐ側電極１６と接している。第３絶縁部１８ｃは、第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂと離間している。第４絶縁部１８ｄは、第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂ（各中間部１７ｍ、１７ｎを含む）と接している。
【０１０９】
すなわち、第３絶縁部１８ｃと、第１のｎ側電極１７ａとの間および第３絶縁部１８ｃと、第２のｎ側電極１７ｂとの間には、ｐ側電極１６が設けられている。そのため、さらにｐ側電極１６の面積を拡大することができ、光出力の向上が可能となる。
【０１１０】
図４（ｂ）に示すように、第１絶縁部１８ａおよび第２絶縁部１８ｂは、ｐ側電極１６と接している。第３絶縁部１８ｃは、第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂと離間している。第４絶縁部１８ｄは、第１のｎ側電極１７ａおよび第２のｎ側電極１７ｂと離間している。各中間部１７ｍ、１７ｎは、例えばＹ方向に並んで設けられており、ｐ側電極１６に突出している。
【０１１１】
すなわち、ｎ側電極１７と、第３絶縁部１８ｃとの間およびｎ側電極１７と、第４絶縁部１８ｄとの間には、ｐ側電極１６が設けられている。そのため、さらにｐ側電極１６の面積を拡大することができ、光出力の向上が可能となる。
【０１１２】
図５（ａ）に示すように、ｎ側電極１７は、第３部分１７ｃと、第４部分１７ｄと、第５部分１７ｅと、第６部分１７ｆとを有する。第３〜第６部分１７ｃ〜１７ｆは、Ｙ方向に延び、それぞれ離間している。
【０１１３】
第３部分１７ｃおよび第５部分１７ｅは、第１のｎ側電極１７ａと一体に設けられている。第４部分１７ｄおよび第６部分１７ｆは、第２のｎ側電極１７ｂと一体に設けられている。
【０１１４】
第１絶縁部１８ａおよび第２絶縁部１８ｂは、ｐ側電極１６と離間している。第３絶縁部１８ｃは、第１〜第４部分１７ａ〜１７ｄと接している。第４絶縁部１８ｄは、第１、第２のｎ側電極１７ａ、１７ｂおよび第５、第６部分１７ｅ、１７ｆと接している。
【０１１５】
Ｙ方向において、第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとの間の距離は、第３部分１７ｃと、第４部分１７ｄとの間の距離よりも大きく、第５部分１７ｅと、第６部分１７ｆとの間の距離よりも大きい。
【０１１６】
例えば、１方向に延びる一対のｎ側電極の間にｐ側電極が設けられた場合、チップ端部側のｐ側電極に供給される電流は、チップ中心側のｐ側電極に供給される電流よりも小さくなり得る。そのため、ｐ側電極に供給される電流のばらつきが大きくなり得る。
【０１１７】
それに対し、上述したレイアウトの場合、チップ端部には、Ｙ方向に延びる第３〜第６部分１７ｃ〜１７ｆが設けられている。これにより、チップ端部のｐ側電極１６に供給される電流のばらつきを抑制することができる。そのため、より均一な発光が可能となる。
【０１１８】
また、平面視で第３〜第６部分１７ｃ〜１７ｆのそれぞれの面積は、チップ端部に設けられたｐ側電極１６の面積に比べて十分に小さい。そのため、光出力の向上と、発光の均一化とを同時に実現することが可能である。
【０１１９】
図５（ｂ）に示すように、ｎ側電極１７は、第３部分１７ｃと、第４部分１７ｄとを有する。第３、第４部分１７ｃ、１７ｄは、Ｙ方向に延び、それぞれ離間している。第３部分１７ｃは、第１のｎ側電極１７ａと一体に設けられている。第４部分１７ｄは、第２のｎ側電極１７ｂと一体に設けられている。
【０１２０】
第１絶縁部１８ａおよび第２絶縁部１８ｂは、ｐ側電極１６と接している。第３絶縁部１８ｃは、第１のｎ側電極１７ａおよび第３部分１７ｃと接し、第２のｎ側電極１７ｂおよび第４部分１７ｄと離間している。第４絶縁部１８ｄは、第２のｎ側電極１７ｂおよび第４部分１７ｄと接し、第１のｎ側電極１７ａおよび第３部分１７ｃと離間している。中間部１７ｍは、例えば第１のｎ側電極１７ａ上において第４絶縁部１８ｄに最も近い位置に設けられている。
【０１２１】
すなわち、第１のｎ側電極１７ａと、第４絶縁部１８ｄとの間および第２のｎ側電極１７ｂと、第３絶縁部１８ｃとの間には、ｐ側電極１６が設けられている。そのため、さらにｐ側電極１６の面積を拡大することができ、光出力の向上が可能となる。
【０１２２】
また、平面視で第３部分１７ｃおよび第４部分１７ｄのそれぞれの面積は、チップ端部に設けられたｐ側電極１６の面積に比べて十分に小さい。そのため、光出力の向上と、発光の均一化とを同時に実現することが可能である。
【０１２３】
図６に示すように、第１絶縁部１８ａおよび第２絶縁部１８ｂは、ｐ側電極１６と接している。第３絶縁部１８ｃは、第１のｎ側電極１７ａと接し、第２のｎ側電極１７ｂと離間している。第４絶縁部１８ｄは、第２のｎ側電極１７ｂと接し、第１のｎ側電極１７ａと離間している。各中間部１７ｍ、１７ｍは、例えばＹ方向に並んで設けられており、ｐ側電極１６に突出している。
【０１２４】
すなわち、第１のｎ側電極１７ａと、第４絶縁部１８ｄとの間および第２のｎ側電極１７ｂと、第３絶縁部１８ｃとの間には、ｐ側電極１６が設けられている。そのため、さらにｐ側電極１６の面積を拡大することができ、光出力の向上が可能となる。
【０１２５】
図４（ａ）〜図６に示したレイアウトにおいても、光出力の向上および発光の均一化に優れた半導体発光装置の提供を実現することが可能となる。
【０１２６】
図７（ａ）〜図８（ｂ）を参照して、他の実施形態の半導体発光装置の構成について説明する。
【０１２７】
図７（ａ）および図８（ａ）は、本実施形態の半導体発光装置におけるｐ側電極１６と、ｎ側電極１７との平面レイアウトの一例を示す模式平面図であり、図７（ｂ）および図８（ａ）は、本実施形態の半導体発光装置における各配線部４１、４３のレイアウトの一例を示す模式平面図である。
【０１２８】
図７（ａ）および図８（ａ）においては、図２（ａ）と同様に、各配線部４１、４３、絶縁膜１８の一部、および反射膜５１を取り除いて半導体層１５の第２面１５ｂを見た図に対応する。
【０１２９】
本実施形態は、上述した実施形態と平面視でのチップ形状が異なる。上述した実施形態のチップ形状は、矩形であり、本実施形態のチップ形状は、正方形である。なお、上述した実施形態と同様の構成に関しては、一部説明を省略する。
【０１３０】
図７（ａ）に示すように、ｎ側電極１７の中間部１７ｍ、１７ｎの間には、中間部１７ｐが設けられている。中間部１７ｐは、絶縁膜１８を介してｐ側電極１６に囲まれている。
【０１３１】
図７（ｂ）に示すように、ｎ側配線層２２は、ビア２２ａ〜２２ｃを介してｎ側電極１７の中間部１７ｍ、１７ｎ、１７ｐと接続している。ビア２２ａ〜２２ｃは、凸部２２ｐ内に設けられている。ビア２２ａ〜２２ｃは、ｎ側配線層２２と、ｎ側電極１７との間に設けられていればよく、例えば凸部２２ｐ以外の位置に設けられてもよい。
【０１３２】
ｐ側配線層２１は、複数のビア２１ａを介してｐ側電極１６と接続している。ｐ側配線層２１のビア２１ａは、第１のｎ側電極１７ａ上および第２のｎ側電極１７ｂ上には設けられていない。
【０１３３】
図８（ａ）に示すように、例えばｎ側電極１７は、第７部分１７ｇを有していてもよい。第７部分１７ｇは、第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとの間に設けられ、Ｘ方向に延びている。中間部１７ｐは、第７部分１７ｇ上に設けられている。中間部１７ｐは、例えば各中間部１７ｍ、１７ｎの間に設けられている。
【０１３４】
ｐ側電極１６は、平面視で第１のｎ側電極１７ａと、第７部分１７ｇとの間および第２のｎ側電極１７ｂと、第７部分１７ｇとの間に設けられている。
【０１３５】
第１絶縁部１８ａは、第１のｎ側電極１７ａと接し、第２のｎ側電極１７ｂ、第７部分１７ｇおよびｐ側電極１６と離間している。第２絶縁部１８ｂは、第２のｎ側電極１７ｂと接し、第１のｎ側電極１７ａ、第７部分１７ｇおよびｐ側電極１６と離間している。
【０１３６】
第３絶縁部１８ｃは、第１のｎ側電極１７ａ、第２のｎ側電極１７ｂ、第７部分１７ｇおよびｐ側電極１６の第１端面１６ａと接している。第４絶縁部１８ｄは、第１のｎ側電極１７ａ、第２のｎ側電極１７ｂ、第７部分１７ｇおよびｐ側電極１６の第２端面１６ｂと接している。各中間部１７ｍ、１７ｎ、１７ｐは、例えばＹ方向に並んで設けられている。
【０１３７】
図８（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１は、複数のビア２１ａを介してｐ側電極１６と接続している。ｐ側配線層２１のビア２１ａは、第１のｎ側電極１７ａ、第２のｎ側電極１７ｂおよび第７部分１７ｇ上には設けられていない。
【０１３８】
本実施形態によれば、上述した実施形態と同様に、ｎ側電極１７は、Ｘ方向に延び、互いに離間した第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂと、を有する。平面視で第１のｎ側電極１７ａと、第２のｎ側電極１７ｂとの間には、ｐ側電極１６が設けられている。第１のｎ側電極１７ａは第１絶縁部１８ａに接し、第２のｎ側電極１７ｂは第２絶縁部１８ｂに接し、ｐ側電極１６は第３絶縁部１８ｃおよび第４絶縁部１８ｄに接している。すなわち、Ｙ方向において、ｎ側電極１７は、ｐ側電極１６よりもチップ外周側に設けられている。
【０１３９】
これにより、上述した実施形態と同様に、光出力の向上および発光の均一化に優れた半導体発光装置の提供を実現することが可能となる。
【０１４０】
上記に加え、本実施形態によれば、ｎ側電極１７は、各中間部１７ｍ、１７ｎの間に中間部１７ｐを有する。また、ｎ側電極１７は、例えばＸ方向に延びる第７部分１７ｇを有する。
【０１４１】
例えば、チップ形状が正方形である半導体発光装置の場合、チップ外周部分に設けられたｐ側電極に比べ、チップ中央部分に設けられたｐ側電極には、供給される電流が小さくなり得る。そのため、ｐ側電極に供給される電流のばらつきが大きくなり得る。
【０１４２】
それに対し、本実施形態によれば、チップ中央部に中間部１７ｐが設けられている。さらに、チップ中央部分を経由してＸ方向に延びる第７部分１７ｇが設けられている。これにより、ｐ側電極１６に供給される電流のばらつきを抑えることができる。そのため、より均一な発光が可能となり、光出力の向上および発光の均一化に優れた半導体発光装置の提供を実現することが可能となる。
【０１４３】
なお、本実施形態においても、上述した実施形態と同様のレイアウトを設けることができる。その場合においても、光出力の向上および発光の均一化に優れた半導体発光装置の提供を実現することが可能となる。
【０１４４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４５】
１１…第１の半導体層、  １２…第２の半導体層、  １３…発光層、  １５…半導体層、  １５ａ…側面、  １６…ｐ側電極、  １６ａ，１６ｂ…端面、  １７…ｎ側電極、  １８…絶縁膜、  １９…絶縁膜、  ２１…ｐ側配線層、  ２１ａ…ビア、  ２１ｐ…凸部、  ２２…ｎ側配線層、  ２２ａ〜２２ｃ…ビア、  ２２ｐ…凸部、  ２３…ｐ側金属ピラー、  ２３ａ…ｐ側外部端子、  ２４…ｎ側金属ピラー、  ２４ａ…ｎ側外部端子、  ２５…樹脂層、  ３０…蛍光体層、  ３１…蛍光体、  ３２…結合材、  ４１…ｐ側配線部、  ４３…ｎ側配線部、  ５１…反射膜、  １００…支持体
【図１】
0006619966.tif 000002
【図２】
0006619966.tif 000003
【図３】
0006619966.tif 000004
【図４】
0006619966.tif 000005
【図５】
0006619966.tif 000006
【図６】
0006619966.tif 000007
【図７】
0006619966.tif 000008
【図８】
0006619966.tif 000009
【図９】
0006619966.tif 000010