(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に有する透明導電体であって、
前記透明金属層が、銀を主成分として含有し、
前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、それぞれ、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、
波長５７０ｎｍの光に対して、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の屈折率が、前記透明基板の屈折率よりも高く、
前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有し、かつ、
前記第２高屈折率層が、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有する
ことを特徴とする透明導電体。
【請求項２】
前記第１高屈折率層が含有する硫黄成分が、硫化亜鉛に由来するものであることを特徴とする請求項１に記載の透明導電体。
【請求項３】
前記第２高屈折率層が含有する硫黄成分が、硫化亜鉛に由来するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体。
【請求項４】
前記第１高屈折率層が、二酸化ケイ素を含有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【請求項５】
前記第２高屈折率層が、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物を含有することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【請求項６】
前記第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【請求項７】
前記第２高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【請求項８】
前記透明金属層が、所定の形状にパターニングされていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の透明導電体。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の透明導電体が具備されていることを特徴とするタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電体及びタッチパネルに関する。より詳しくは、高い光透過率及び高い耐湿性を有する透明金属層と回路基板との電気的な接続が改良された透明導電体及び当該透明導電体を具備するタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。【０００３】
タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電体を含む配線が配置される。したがって、透明導電体には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯを用いた透明導電体が多用されている。【０００４】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電体の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。【０００５】
そこで、銀を蒸着して形成する層を透明金属層（以下、Ａｇ層ともいう。）に用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ層を屈折率の高い膜（例えば、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。さらに、Ａｇ層を、硫化亜鉛を含有する層（以下、ＺｎＳ層又は硫化亜鉛含有層ともいう。）で挟み込むことが提案されている（例えば、非特許文献２参照。）。【０００６】
しかし、非特許文献２に示されるように、酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ層が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、高湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ層が腐食しやすい等の問題があった。【０００７】
また、Ａｇ層がＺｎＳ層に挟み込まれた透明導電体では、透明導電体の耐湿性が十分に高いものの、Ａｇ層を形成する際、若しくはＺｎＳ層を形成する際に、銀が硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２５０４３０号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ  Ｌｅｕ，  ｅｔ  ａｌ．，  ＳＩＤ  ２０１２  ＤＩＧＥＳＴ  ｐ．３５２−３５３
【非特許文献２】Ｘｕａｎｊｉｅ  Ｌｉｕ，ｅｔ  ａｌ，  （２００３）．  Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ４４１，  ２００−２０６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものである。その解決課題は、高い光透過率及び高い耐湿性を有する透明金属層と回路基板との電気的な接続が改良された透明導電体及び当該透明導電体を具備するタッチパネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、高屈折率層が誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、透明基板の屈折率よりも高く、さらに所定範囲内の含有率で硫黄成分を含有することが有効であることを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。【００１２】
１．少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に有する透明導電体であって、
前記透明金属層が、銀を主成分として含有し、
前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、それぞれ、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、
波長５７０ｎｍの光に対して、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の屈折率が、前記透明基板の屈折率よりも高く、
前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有し、かつ、
前記第２高屈折率層が、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有する
ことを特徴とする透明導電体。【００１３】
２．前記第１高屈折率層が含有する硫黄成分が、硫化亜鉛に由来するものであることを特徴とする第１項に記載の透明導電体。【００１４】
３．前記第２高屈折率層が含有する硫黄成分が、硫化亜鉛に由来するものであることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体。【００１５】
４．前記第１高屈折率層が、二酸化ケイ素を含有することを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体。【００１６】
５．前記第２高屈折率層が、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物を含有することを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明導電体。【００１７】
６．前記第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層が設けられていることを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明導電体。【００１８】
７．前記第２高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層が設けられていることを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の透明導電体。【００１９】
８．前記透明金属層が、所定の形状にパターニングされていることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の透明導電体。【００２０】
９．第１項から第８項までのいずれか一項に記載の透明導電体が具備されていることを特徴とするタッチパネル。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の上記手段により、高い光透過率及び高い耐湿性を有する透明金属層と回路基板との電気的な接続が改良された透明導電体及び当該透明導電体を具備するタッチパネルを提供することができる。【００２２】
本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
前述のように、透明金属層とＺｎＳを含有する層とが隣接して形成されると、金属硫化物が生成しやすく、透明導電体の光透過性が低下しやすいとの問題があった。金属硫化物は、以下のように生成すると推察される。【００２３】
少なくとも硫化亜鉛を含有する層（以下、硫化亜鉛含有層ともいう。）として第１高屈折率層上にスパッタ法等の気相成膜法で透明金属層を形成する場合、硫化亜鉛含有層中の未反応の硫黄成分が、透明金属層の材料（金属材料）によって層形成の雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。また、硫化亜鉛含有層と透明金属層とを連続的に形成する場合、硫化亜鉛含有層の層形成の雰囲気に含まれる硫黄成分が透明金属層雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と透明金属層由来の金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層上に堆積する。【００２４】
一方、透明金属層上に第２高屈折率層（硫化亜鉛含有層）を形成する場合、透明金属層中の金属が、第２高屈折率層の材料によって、層形成の雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された金属と硫黄成分とが反応し、金属硫化物が透明金属層表面に堆積する。さらに、透明金属層の表面と、層形成の雰囲気中の硫黄成分とが接触することでも、透明金属層表面に金属硫化物が生成する。【００２５】
そこで、第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を所定範囲にすることにより、第１高屈折率層と透明金属層とを連続的に形成したとしても、第１高屈折率層の層形成の雰囲気に含まれる硫黄成分が、第１硫化防止層の構成成分と反応したり、第１硫化防止層の構成成分に吸着される。したがって、透明金属層を形成する雰囲気には硫黄が含まれ難くなり、金属硫化物の生成が抑制されると推察される。【００２６】
さらに、本発明に係る透明金属層では、第１高屈折率層上に、第１硫化防止層が積層されることが好ましい。当該構成では、第１高屈折率層が第１硫化防止層で保護されるため、透明金属層を形成する際に第１高屈折率層中の硫黄成分が弾き出され難いものと推察される。【００２７】
また、高屈折率層を設けることにより、銀と硫黄原子の親和性が強くなり、かつ水の透過性を妨げるため銀の腐食が防止され、透明導電体の耐湿性を向上させることができるものと考えられる。
さらに、第１高屈折率層が、硫黄成分を含有し、かつ、第２高屈折率層が、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有することにより、透明金属層の湿気による劣化を好適に防ぐことができ、高い導電性を維持することができると推察している。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｂ】本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｃ】本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図２】本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図
【図３】銀層の厚さと光吸収の関係を示す一例
【図４Ａ】本発明の透明導電体の電極をフォトリソグラフィー法でパターニングする一例を示す模式図
【図４Ｂ】本発明の透明導電体の電極をフォトリソグラフィー法でパターニングする一例を示す模式図
【図４Ｃ】本発明の透明導電体の電極をフォトリソグラフィー法でパターニングする一例を示す模式図
【図４Ｄ】本発明の透明導電体の電極をフォトリソグラフィー法でパターニングする一例を示す模式図
【図４Ｅ】本発明の透明導電体の電極をフォトリソグラフィー法でパターニングする一例を示す模式図
【図４Ｆ】本発明の透明導電体の電極をフォトリソグラフィー法でパターニングする一例を示す模式図
【図５】パターニングされた電極を有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の透明導電体は、少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に有する透明導電体であって、前記透明金属層が、銀を主成分として含有し、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、それぞれ、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、波長５７０ｎｍの光に対して、前記第１高屈折率層及び第２高屈折率層の屈折率が、前記透明基板の屈折率よりも高く、前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有し、かつ、前記第２高屈折率層が、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項９までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００３０】
また、本発明の効果発現の観点から、前記第１高屈折率層が含有する硫黄成分が、硫化亜鉛に由来するものであることが好ましい。
【００３１】
また、本発明の効果発現の観点から、前記第２高屈折率層が含有する硫黄成分が、硫化亜鉛に由来するものであることが好ましい。
【００３２】
また、前記第１高屈折率層が、二酸化ケイ素を含有することが好ましい。これにより、第１高屈折率層を構成する膜がアモルファス状になり割れに強くフレキシブル性を高めることができる。
【００３３】
また、本発明の透明導電体は、前記第２高屈折率層が、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物を含有することが好ましい。これにより、透明金属層と外部回路を接続するに足る導電性を第２高屈折率層に確保することができる。
【００３４】
本発明の実施態様としては、前記第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層が設けられていることが好ましい。これにより、透明金属層に含有される銀と、第１高屈折率層に含有される硫黄との反応を抑制することができるためである。
【００３５】
また、前記第２高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層が設けられていることが好ましい。透明金属層に含有される銀と、第２高屈折率層に含有される硫黄との反応を抑制することができるためである。
【００３６】
また、前記透明金属層が、所定の形状にパターニングされていることが好ましい。これにより、導電性を向上させることができるためである。
【００３７】
また、本発明の透明導電体は、タッチパネルに好適に具備され得る。
【００３８】
以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００３９】
《透明導電体の基本的な構成》
図１Ａ〜Ｃは、本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図である。
本発明の透明導電体１は、少なくとも、透明基板２、第１高屈折率層３Ａ、透明金属層４及び第２高屈折率層３Ｂをこの順に有することを特徴とする。
【００４０】
図１Ａでは、第１高屈折率層３Ａと第２高屈折率層３Ｂとの間に透明金属層４が設けられている。このように、硫黄成分を含有した高屈折率層を透明金属層４に隣接して設けると、透明金属層４中の銀原子とＺｎＳの硫黄原子との親和性が高いため、銀原子のマイグレーションが抑えられ、薄膜で均一な透明金属層４を得ることができる。かつ、この銀薄膜は安定であるため、耐湿性にも優れている。
【００４１】
また、図１Ｂでは、透明金属層４と前記第１高屈折率層３Ａの間に第１硫化防止層５Ａが設けられている。このような構成とすることで、亜鉛成分を含有した第１硫化防止層５Ａを透明金属層４に隣接して設けると、透明金属層中の銀が高屈折率層に含まれる硫黄により硫化されることを抑えることができる。
【００４２】
図１Ｃでは、さらに透明金属層４と第２高屈折率層３Ｂの間にも第２硫化防止層５Ｂが設けられている。このような構成とすることで、亜鉛成分を含有した第２硫化防止層５Ｂを透明金属層４に隣接して設けると、透明金属層中の銀が高屈折率層に含まれる硫黄により硫化されることをさらに抑えることができる。
【００４３】
本発明の透明導電体１では、図１Ａ〜Ｃで示すように、透明金属層４が透明基板２の全面に積層されていてもよいが、図２に示すように、例えば、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２高屈折率層３Ｂから構成される透明電極ユニットＥＵが所望の形状にパターニングされていることが好ましい。
本発明の透明導電体１において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する。）である。一方、図２に示されるように、透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
【００４４】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１の用途に応じて、適宜選択される。静電方式のタッチパネルに適用するパターンの詳細については、後述する。
【００４５】
また、本発明の透明導電体１には、透明基板２、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層５Ｂ及び第２高屈折率層３Ｂの他に、必要に応じて公知の機能性層を設けてもよい。
【００４６】
本発明の透明導電体１に含まれる層は、透明基板２を除いて、いずれも無機材料からなる層であることが好ましい。例えば、第２高屈折率層３Ｂ上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板２から第２高屈折率層３Ｂまでの積層体が、本発明の透明導電体１であると定義する。
【００４７】
《透明導電体の各構成要素》
本発明の透明導電体は、少なくとも、透明基板２、第１高屈折率層３Ａ、透明金属層４及び第２高屈折率層３Ｂをこの順に有する透明導電体１であって、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂが、それぞれ、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、波長５７０ｎｍの光に対して、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂの屈折率が、透明基板２の屈折率よりも高く、第１高屈折率層３Ａが、硫黄成分を含有し、かつ、第２高屈折率層３Ｂが、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有することを特徴とする。さらに、第１高屈折率層３Ａが、硫黄成分を０．１〜５０ａｔ％の範囲内で含有することが好ましく、第２高屈折率層３Ｂが、硫黄成分を０．１〜５ａｔ％の範囲内で含有することがより好ましい。
さらには、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間又は／及び第２高屈折率層３Ｂと透明金属層４との間に、第１硫化防止層５Ａ、第２硫化防止層５Ｂを有していることが好ましい態様である。
【００４８】
〔透明基板〕
本発明の透明導電体１に適用可能な透明基板２としては、各種表示デバイスの透明基板に適用されている材料を用いることができる。
透明基板２は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板２が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００４９】
高い光透過性を達成することができる観点から、本発明に適用する透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００５０】
透明基板２は、可視光に対する光透過性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板２の光の平均光透過率が７０％以上であると、透明導電体１の光透過性が高まりやすい。また、透明基板２の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００５１】
上記平均光透過率は、透明基板２の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均光吸収率は、平均光透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板２の平均光反射率を測定し、
平均光吸収率（％）＝１００−（平均光透過率＋平均光反射率）（％）
として算出する。平均光透過率及び平均光反射率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定することができる。
【００５２】
透明基板２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板２の屈折率は、通常、透明基板２の材質によって定まる。透明基板２の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００５３】
透明基板２のヘイズ値は、０．０１〜２．５％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２％の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５％以下であると、透明導電体としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００５４】
透明基板２の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板２の強度が高まり、第１高屈折率層３Ａの作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、透明基板２の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電体１を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電体１を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００５５】
本発明においては、使用する透明基板２は、各構成層を成膜する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いたのち、形成工程で使用することが好ましい。
【００５６】
また、本発明に適用する透明基板上には、そのあとに形成する第１高屈折率層の平滑性を得る観点から、公知のクリアハードコート層を設けてもよい。
【００５７】
〔高屈折率層〕
本発明の透明導電体１は、第１高屈折率層３Ａと第２高屈折率層３Ｂを有しており、透明基板２に近い方を第１高屈折率層３Ａ、遠い方を第２高屈折率層３Ｂと呼ぶ（図１Ａ参照。）。
第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂが、それぞれ、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、波長５７０ｎｍの光に対して、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂの屈折率が、透明基板２の屈折率よりも高く、第１高屈折率層３Ａが、硫黄成分を含有し、かつ、第２高屈折率層３Ｂが、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有することを特徴とする。
第１高屈折率層３Ａは、硫黄成分を０．１〜５０ａｔ％の範囲内で含有することが好ましい。
第２高屈折率層３Ｂが、当該範囲内で硫黄成分を含有することで、高い導電性と耐湿性を両立させることが可能であり、第１高屈折率層３Ａが、当該範囲内で硫黄成分を含有することが、当該効果を発揮するためにより好ましいことを見いだした。
これは、第１高屈折率層に含有される硫黄成分が５０ａｔ％以下とすることで、硫黄過多となってターゲットが作製しにくくなることを抑制することができる点で好ましい。また、０．１ａｔ％以上とすることで、銀のマイグレーションを抑え込みやすくすることができる点で好ましい。
第２高屈折率層に含有される硫黄成分が１０ａｔ％を以下とすることで、外部回路と銀の電気的な接続不良を抑制することができる。また、０．１ａｔ％以上とすることで、第１高屈折率層と同様に銀のマイグレーションを抑え込みやすくすることができる。
第１高屈折率層及び第２高屈折率層が含有する硫黄成分としては、硫化亜鉛及び単体の硫黄に由来するものを用いることができるが、硫化亜鉛に由来するものであることが特に好ましい。硫化亜鉛に由来する硫黄成分が、高屈折率層中で安定して存在することができるため、硫黄成分が望まない場所に拡散し反応するのを防ぎやすい。
【００５８】
第１高屈折率層３Ａは、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層４が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層３Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、図２に例示するように導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００５９】
第１高屈折率層３Ａは、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第１高屈折率層３Ａには、前述の透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。波長５７０ｎｍの光に対する当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率は、透明基板の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
なお、本発明に係る屈折率は、温度２５℃、相対湿度２５％における測定値である。
【００６０】
一方、波長５７０ｎｍの光に対する第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率は１．５より高いことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より高いと、第１高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層の屈折率は、第１高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。高屈折率層の屈折率も透明基板と同様に、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００６１】
第１高屈折率層３Ａに含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、上記屈折率を有する金属酸化物でありうる。
上記屈折率を有する金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
特にＳｉＯ２とＺｎＳの混合物は安定でフレキシブル性が高い点で好ましい。さらに、上記２種類以上の高屈折率層が積層されて複数層からなる第１高屈折率層を形成してもよい。
【００６２】
第２高屈折率層３Ｂは、第１高屈折率層３Ａ同様に透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第２高屈折率層には、前述の透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する材料が含まれる。波長５７０ｎｍの光に対する当該材料の屈折率は、透明基板の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
一方、第２高屈折率層に含まれる材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第２高屈折率層の屈折率は、第２高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。
【００６３】
このような屈折率を透明導電体が有することにより、透明金属層に含有される銀による反射を相殺することができる。
具体的には、基材と比較して、第１高屈折率層の屈折率が高いほど、基材と第１高屈折率層の界面での反射が高まるため、透明金属層に含有される銀から発生する反射を打ち消しやすくなる。
また、第２高屈折率層も同様に屈折率が高いほど第２高屈折率層の表面で発生する反射が高まり、銀の反射光を相殺させることが可能になる。したがって高屈折率層の屈折率は基材の屈折率より高いほど望ましい。
【００６４】
第２高屈折率層３Ｂは、さらに、電気接続性を確保するために導電性をも有する層である。本発明において、良好な電気接続性を確保するためには、比抵抗が１０００Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。このような構成とすることで、この第２高屈折率層を通して外側に設けられた端子と、透明金属層との電気接続性が得られ、透明金属層を通して通電できるので、透明導電体の導電性が格段に向上する。
【００６５】
第２高屈折率層に含まれる材料は、上記した第１高屈折率層に含まれる材料の中でも酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。中でも金属酸化物が好ましい。
【００６６】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。または、上記２種類以上の高屈折率層が積層されて複数層からなる第２高屈折率層を形成してもよい。
【００６７】
第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂの厚さは、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。これらの高屈折率層の厚さが１０ｎｍ以上であると、高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、高屈折率層の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、高屈折率層が含まれる領域の光透過性が低下し難い。高屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００６８】
高屈折率層は、蒸着法若しくはスパッタ法により形成することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。スパッタ法としてはマグネトロンスパッタや対向スパッタが含まれる。
【００６９】
また、高屈折率層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。高屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、フォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
【００７０】
本発明においては、第１高屈折率層及び第２高屈折率層が、硫黄成分を含有することを特徴とする。具体的には、第１高屈折率層が、硫黄成分を含有し、かつ、第２高屈折率層が、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有する。当該範囲で硫黄成分を含有することにより、透明金属層の湿気による劣化を好適に防ぐことができ、高い導電性を維持することができる。
【００７１】
これにより、高屈折率層の上部に銀を主成分として含有している透明金属層を成膜する際には、透明金属層を構成する銀原子が、高屈折率層に含有されている銀原子と親和性のある硫化亜鉛の硫黄原子と相互作用し、当該高屈折率層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集が抑えられる。
【００７２】
すなわち、銀原子は、まず銀原子と硫化亜鉛を含有する高屈折率層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。
【００７３】
なお、一般的には、高屈折率層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合し３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に成膜しやすいと考えられるが、本発明では、高屈折率層に含有されている硫化亜鉛により、このような様式の島状成長が防止され、層状成長が促進されると推察される。
【００７４】
したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の導電性層が得られるようになる。そのため、透明金属層４が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この結果、より薄い膜厚として光透過性を保ちつつも、導電性が確保された透明導電体とすることができる。
【００７５】
また、この層を設けることにより、銀と硫黄原子の親和性が強くなり、かつ水の透過性を妨げるため銀の腐食が防止され、透明導電体の耐湿性を向上させることができるものと考えられる。
【００７６】
図３は、銀層の厚さと光吸収の関係を示す一例である。ガラス、ＩＴＯ及び硫化亜鉛の薄層上に銀を蒸着して銀薄膜を形成した際の、銀の膜厚と可視光（４００〜８００ｎｍ）の平均光吸収の関係を示すグラフである。硫化亜鉛上に銀を成膜すると、ガラスやＩＴＯ上に銀を成膜するより銀の吸収を減らすことができる。
【００７７】
第１高屈折率層に硫化亜鉛等の硫黄成分とともに用いることができる金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が含まれる。上記金属酸化物の中でも、特に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。これは、第１高屈折率層を構成する膜がアモルファス状になり割れに強くフレキシブル性を高めることができるためである。
【００７８】
また、第２高屈折率層が、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物を含有することが好ましい。
具体的には、第２高屈折率層は、第１高屈折率層が硫黄成分とともに用いることができる上記金属酸化物と同様の化合物を用いることができる。これにより、透明金属層と外部回路を接続するに足る導電性を第２高屈折率層に確保することができるため好ましい。
【００７９】
また、金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等を挙げることができる。
【００８０】
また、金属窒化物としては、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化クロム、窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化マグネシウム、窒化モリブデン、窒化リチウム、窒化チタン等を挙げることができる。
【００８１】
〔硫化防止層〕
本発明の透明導電体は、高屈折率層と前記透明金属層との間に、亜鉛成分を含有した硫化防止層を有することが好ましい。
硫化防止層としては、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、金属又は半導体が使用でき、例えば、ＺｎＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ等の亜鉛成分を含有した層であることが好ましく、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
硫化防止層は、複数設けてもよく、透明基板に近い方を第１硫化防止層、遠い方を第２硫化防止層と呼ぶ。
【００８２】
透明金属層とＺｎＳを含む高屈折率層とが隣接して成膜されると、透明金属層４の成膜時、若しくは第２高屈折率層３Ｂの成膜時に、透明金属層中の金属が硫化されて金属硫化物が生成し、透明導電体の光透過性が低下する場合がある。これに対し、第１高屈折率層３Ａと透明金属層４との間、又は透明金属層４と第２高屈折率層３Ｂとの間に、硫化防止層が含まれると、金属硫化物の生成が抑制される。
【００８３】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等が含まれる。
金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が含まれる。
金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が含まれる。
【００８４】
硫化防止層の厚さは、透明金属層４の成膜時、若しくは第２高屈折率層３Ｂの成膜時に、透明金属層４が硫化されることを防止可能な厚さであれば、特に制限されない。ただし、第１高屈折率層３Ａや第２高屈折率層３Ｂに含まれるＺｎＳは、透明金属層４に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層の厚さが非常に薄いと、透明金属層４と第１高屈折率層３Ａ、又は透明金属層４と第２高屈折率層３Ｂとが接する部分が生じ、各層同士の密着性が高まりやすい。つまり、硫化防止層は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜５ｎｍであり、さらに好ましくは０．１〜３ｎｍである。硫化防止層の厚さは、エリプソメーターで測定される。特にＺｎやＧａ金属が入った硫化防止層であれば耐湿性を劣化させず、また銀との相互作用も強いため好ましい。
【００８５】
硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。
【００８６】
硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【００８７】
〔透明金属層〕
銀を主成分として含有する透明金属層４は、透明導電体１において電気を導通させるための層である。透明金属層４は、図１Ａ〜Ｃに記載のように透明基板２の全面に形成されていてもよく、また、図２に示すように所定の形状にパターニングされていることが好ましい。
【００８８】
銀を主成分として含有するとは、本発明においては、金属層の銀薄膜電極含有比率が６０ａｔ％（原子％）以上であることをいう。好ましくは銀の含有比率は導電性の観点から９０ａｔ％以上でより好ましくは９５ａｔ％以上で、さらには透明電極が銀のみからなることが好ましい。
【００８９】
銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、白金、チタン、クロム等でありうる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【００９０】
透明金属層４のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【００９１】
透明金属層４の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
【００９２】
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法にて金属からなる層を２０ｎｍの厚さで形成する。
【００９３】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の光透過率及び光反射率を測定する。そして各波長における光透過率及び光反射率から、光吸収率（％）＝１００−（光透過率＋光反射率）（％）を算出し、これをリファレンスデータとする。光透過率及び光反射率は、分光光度計で測定する。
【００９４】
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に光透過率及び光反射率を測定する。得られた光吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００９５】
透明金属層４の厚さは１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電体１では、透明金属層４の厚さが１０ｎｍ以下の場合、透明金属層４に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層４の厚さが１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂによって、透明導電体１の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層４の厚さは、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【００９６】
透明金属層４は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法若しくはスパッタ法で形成された層であることが好ましい。
【００９７】
スパッタ法若しくは真空蒸着法であれば、平面性の高い透明金属層を、極めて早い形成速度で形成することができる。また、ＺｎＳを含有する高屈折率層の上に金属層を成膜する際、層の形成速度が速ければ、金属の硫化物が生成しにくいため、銀を主成分として含有する透明金属層の形成速度は０．３ｎｍ／秒以上であることが好ましい。形成速度が０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また成膜時の温度は、−２５〜２５℃の範囲内であることが好ましい。
対向スパッタ法では銀の平滑性が高まるため、また透明性と導電性が良好になるため好ましい。
【００９８】
また、透明金属層４が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層４は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【００９９】
〔その他の構成層〕
（密着層）
本発明の透明導電体１には、透明基板と第１高屈折率層の密着改善のために透明基板上に密着層があってもよい。密着層は第１高屈折率層が透明基板としっかり密着するものであればよい。
密着層は、誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有してもよい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。屈折率は限定されない。特に第１高屈折率層が蒸着法で成膜される場合、密着層があることが好ましい。これは、明確な作用機構は明らかになっていないが、スパッタ法で成膜した場合に比べて、蒸着法で成膜される方が成膜にかかるエネルギーが小さいため、密着性が透明基板と第１高屈折率層の材質による相性に左右されると考えている。
例えば、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＳ−ＳｉＯ２膜が挙げられる。層の厚さは特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
【０１００】
（低屈折率層）
本発明の透明導電体１には、第２高屈折率層３Ｂ上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
【０１０１】
低屈折率層には、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂに含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、光の屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂに含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【０１０２】
（第３高屈折率層）
本発明の透明導電体１には、第２高屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３高屈折率層が含まれてもよい。第３高屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。
【０１０３】
第３高屈折率層には、前述の透明基板２の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。
誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
なお、第３高屈折率層の屈折率は、第３高屈折率層に含まれる材料の屈折率や密度で調整される。
【０１０４】
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物又は金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、前述の第１高屈折率層３Ａ又は第２高屈折率層３Ｂに含まれる金属酸化物又は金属硫化物等が含まれる。第３高屈折率層には、当該金属酸化物又は金属硫化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０１０５】
第３高屈折率層の厚さは特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第３高屈折率層の厚さが上記範囲であると、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第３高屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１０６】
第３高屈折率層の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層３Ａや第２高屈折率層３Ｂと同様の方法で成膜された層でありうる。
【０１０７】
〔透明導電体の物性〕
本発明の透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均光透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８８％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９３％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均光透過率が８８％以上であると、広い波長範囲の光に対して光透過性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。
【０１０８】
一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均光反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均光吸収率及び平均光反射率が低いほど、前述の平均光透過率が高まる。
【０１０９】
上記平均光透過率、平均光吸収率、及び平均光反射率は、透明導電体の使用環境下で測定した平均光透過率、平均光吸収率、及び平均光反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均光透過率及び平均光反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均光透過率及び平均光反射率を測定することが好ましい。光透過率及び光反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。光吸収率（％）は、１００−（光透過率＋光反射率）の計算式より算出される。
【０１１０】
また、透明導電体１が、図２に示すように導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１１１】
また透明導電体１に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【０１１２】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗値は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の厚さ等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１１３】
〔パターニングされた電極を有する透明導電体の形成方法〕
本発明の透明導電体に対し、図２で示すような導通領域及び絶縁領域からなるパターンの形成方法について説明する。パターンの形成にあたっては、市販のレーザーエッチング装置（武井電機工業株式会社製）などを用いることができる。波長は１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ又は３５５ｎｍが特に望ましい。線幅は５〜３０μｍが望ましい。
本発明の透明導電体においては、上記のような方法で透明基板上に、例えば、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造した後、透明金属層を所定の形状にパターニングされた金属電極を形成することが好ましく、具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、例えば、図５に示すようなパターニングされた電極を形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
【０１１４】
（製造工程）
以下、フォトリソグラフィー法による電極のパターニング方法について説明する。
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明金属層を、所望のパターンに加工する方法である。
【０１１５】
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所定のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。
露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の高屈折率層の溶解及び銀薄膜電極の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所定のパターンを有する透明電極が得られる。
このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所定の目的に応じて容易に選定することができる。
【０１１６】
次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極のパターニング方法について説明する。
図４Ａ〜Ｆは、本発明の透明導電体の電極にフォトリソグラフィー法でパターニングする一例を示す模式図である。
【０１１７】
第１ステップとして、図４Ａで示すように、透明基板２上に、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した透明導電体１を作製する。
次いで、図４Ｂでレジスト膜を形成する前に、透明導電体１に超音波洗浄処理を施すことが好ましい。超音波洗浄としては、例えば、花王社製の洗剤クリンスルー  ＫＳ−３０３０を用いて超音波洗浄と純水による水洗いを数回行った後、スピンコータで水を飛ばし、オーブンで乾燥させる。
【０１１８】
次いで、図４Ｂで示すレジスト膜の形成工程で、透明導電体１上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜７を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。レジストとしては、例えば、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢ等を用いることができる。
【０１１９】
塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、透明導電体１上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０℃以上、１５０℃以下の範囲で３０秒〜３０分間行うことができる。
【０１２０】
次いで、図４Ｃに示す露光工程で、所定のパターニングにより作製したマスク８を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機９を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜７Ａに照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。
【０１２１】
次いで、図４Ｄに示す現像工程で、露光済みの透明導電体を、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト膜７Ａを溶解する。現像液としては、例えば、レジストとしてポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ」シリーズ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等を用いることができる。
【０１２２】
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を１種又は２種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０℃以上１５０℃以下の範囲で乾燥ベークを行ってもよい。
【０１２３】
次いで、図４Ｅに示すように、エッチング液１０を用いたエッチング処理を行う。
本発明に適用可能なエッチング液としては、無機酸又は有機酸を含有する液が好ましく、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、塩酸、リン酸、硝酸等を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。また、エッチング液としては市販品を用いることもでき、例えば、林純薬工業社製のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）、関東化学社製の「混液  ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）等を用いることができる。
【０１２４】
具体的には、例えば、有機酸等を含むエッチング液に、レジスト膜７を有する透明導電体１を浸漬し、レジスト膜７で保護されていない絶縁領域ｂの電極ユニットＥＵを溶解し、レジスト膜７で保護している導電領域ａの電極ユニットＥＵを所定のパターニングされた電極（以下、電極パターンともいう。）として形成する。エッチング時間は、適用する酸の種類により異なるが、３０〜１２０秒の範囲内で調整することが好ましい。
【０１２５】
最後に、図４Ｆに示すように、レジスト膜剥離液として、例えば、アセトン、水酸化ナトリウム液、市販品としては、ナガセケムテックス社製のＮ−３００等を用いて、エッチングした透明導電体を浸漬して、レジスト膜７を除去して、パターニングされた電極を有する透明導電体を作製することができる。
【０１２６】
《透明導電体の適用分野》
上記構成からなる本発明の透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１２７】
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。接着剤の屈折率は一般的に、大きく調整することが難しいためである。
【０１２８】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。
【０１２９】
以下、本発明の透明導電体をタッチパネルに適用した一例を示す。
図５は、パターニングされた電極を有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
図５に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板２−１及び２−２の一主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。
【０１３０】
第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２は、それぞれが、図２及び図４Ａ〜Ｆを用いて説明したパターニングされた電極が形成された透明導電体１である。したがって、第１の透明電極ユニットＥＵ−１は、透明基板２−１上に、第１高屈折率層３Ａ、第１硫化防止層５Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層５Ｂ、第２高屈折率層３Ｂをこの順で積層した構成である。第２の透明電極ユニットＥＵ−２も同様の構成である。
【０１３１】
本発明の透明導電体は、投影型静電容量式のタッチパネルに加え、種々の方式のタッチパネルのタッチセンサー（以下において、「タッチセンサー電極部」ともいう。）に適用され得る。例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどにおいても用いることができる。
【実施例】
【０１３２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。表中の「Ｓ含有率」は、硫黄成分の含有率を表す。
また、本発明に用いる酸化物の組成比は、ＩＧＺＯが、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：４（ａｔ％比）、ＩＴＯが、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０（質量％比）、ＺＴＯが、ＺｎＯ：ＳｎＯ２＝７０：３０（質量％比）、ＡＺＯが、Ｚｎ：Ａｌ＝９６：４（ａｔ％比）、ＩＺＯが、Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝９０：１０（質量％比）である。
また、ＺｎＯ＊１及びＧＺＯ＊２〜ＧＺＯ＊７について、＊１〜＊７を付した酸化物の組成は表３に示したとおりである。また、層厚はスパッタ時間又は蒸着時間を調整することで調節した。【０１３３】
［実施例１］
《透明導電体の作製》
〔透明導電体１の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＡＺＯ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
なお、以下に示す各層の厚さ及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。【０１３４】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦ（交流）スパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、１５ａｔ％とした。【０１３５】
なお、第１高屈折率層における硫黄成分の含有率は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて測定した結果、１５ａｔ％であることを確認した。以下の実施例についても同様に硫黄成分の含有率を確認した。【０１３６】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓで銀（以下、Ａｇと表記する。）を層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１３７】
（第２硫化防止層（ＡＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＡＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１３８】
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
第２硫化防止層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＩＴＯは、ＩＴＯにＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．４ａｔ％とした。
このようにして透明導電体１を作製した。【０１３９】
〔透明導電体２及び３の作製〕
透明導電体１の作製において、表１で示したように第２硫化防止層と第２高屈折率層の材質並びに第１高屈折率層及び第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を変えて、透明導電体１の作製と同様にして透明導電体２及び３を作製した。【０１４０】
〔透明導電体４の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ（５．７質量％））をこの順に積層した。【０１４１】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、２４ａｔ％とした。【０１４２】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣ（直流）スパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４３】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度２．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．４ｎｍとなるようＡｇをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４４】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１４５】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ（５．７質量％））の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ（５．７質量％）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＧＺＯは、ＧＺＯにＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、１．０ａｔ％とした。
このようにして透明導電体４を作製した。【０１４６】
〔透明導電体５の作製〕
透明導電体４の作製において、表１で示したように第１硫化防止層を設けない点を除いて、透明導電体４の作製と同様にして透明導電体５を作製した。【０１４７】
〔透明導電体６の作製〕
透明導電体５の作製において、表１で示したように第２硫化防止層を設けない点を除いて、透明導電体５の作製と同様にして透明導電体６を作製した。【０１４８】
〔透明導電体７の作製〕
透明導電体６の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を５ａｔ％に変更して、透明導電体６の作製と同様にして透明導電体７を作製した。【０１４９】
〔透明導電体８の作製〕
透明導電体４の作製において、表１で示したように第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を２５ａｔ％に変更し、第２高屈折率層に用いられるＧＺＯを１０質量％のものに変更して、透明導電体４の作製と同様にして透明導電体８を作製した。【０１５０】
〔透明導電体９の作製〕
透明導電体４の作製において、表１で示したように第２硫化防止層を設けず、第２高屈折率層に用いられるＧＺＯを２３質量％のものに変更して、透明導電体４の作製と同様にして透明導電体９を作製した。【０１５１】
〔透明導電体１０の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＡＺＯ）をこの順に積層した。【０１５２】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上に蒸着して、層厚が４０ｎｍの第１高屈折率層を形成した。ターゲットであるＺｎＳは、ＺｎＳを焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３５ａｔ％とした。【０１５３】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５４】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５５】
（第２高屈折率層（ＡＺＯ）の形成）
第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＡＺＯをＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＡＺＯは、ＡＺＯにＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４ａｔ％とした。
このようにして透明導電体１０を作製した。【０１５６】
〔透明導電体１１の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０質量％））をこの順に積層した。【０１５７】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳは、ＺｎＳを焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４５ａｔ％とした。【０１５８】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１５９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６０】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０質量％））の形成）
透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ（１０質量％）をＤＣスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＧＺＯ（１０質量％）は、ＧＺＯにＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、１ａｔ％とした。
このようにして透明導電体１１を作製した。【０１６１】
〔透明導電体１２の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＴｉＯ２）をこの順に積層した。【０１６２】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳは、ＺｎＳを焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、５０ａｔ％とした。【０１６３】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６４】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６５】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１６６】
（第２高屈折率層（ＴｉＯ２）の形成）
第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＴｉＯ２をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＴｉＯ２は、ＴｉＯ２にＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４ａｔ％とした。
このようにして透明導電体１２を作製した。【０１６７】
〔透明導電体１３の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＷＯ３）をこの順に積層した。【０１６８】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳは、ＺｎＳを焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４０ａｔ％とした。【０１６９】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７０】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７１】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１７２】
（第２高屈折率層（ＷＯ３）の形成）
第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＷＯ３をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＷＯ３は、ＷＯ３にＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、９．８ａｔ％とした。
このようにして透明導電体１３を作製した。【０１７３】
〔透明導電体１４の作製〕
透明導電体１３の作製において、表１で示したように第１高屈折率に含有される硫黄成分の含有率を変更し、第２高屈折率層に使用される材質をＺｒＯ２に変更して、透明導電体１３の作製と同様にして透明導電体１４を作製した。【０１７４】
〔透明導電体１５の作製〕
透明導電体１０の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用されるターゲットであるＡＺＯについて、ＡＺＯに硫黄単体を混合し、焼結させることで作製する点を変更して、透明導電体１０の作製と同様にして透明導電体１５を作製した。【０１７５】
〔透明導電体１６の作製〕
透明導電体１１の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用されるターゲットであるＺＴＯについて、ＺＴＯに硫黄単体を混合し、焼結させることで作製し、第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４ａｔ％とした点を変更して、透明導電体１１の作製と同様にして透明導電体１６を作製した。【０１７６】
〔透明導電体１７の作製〕
透明導電体１２の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用されるターゲットであるＴｉＯ２について、ＴｉＯ２に硫黄単体を混合し、焼結させることで作製する点を変更して、透明導電体１２の作製と同様にして透明導電体１７を作製した。【０１７７】
〔透明導電体１８の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＷＯ３）をこの順に積層した。【０１７８】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳは、ＺｎＳを焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４０ａｔ％とした。【０１７９】
（第１硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１８０】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１８１】
（第２高屈折率層（ＷＯ３）の形成）
透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＷＯ３をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＷＯ３は、ＷＯ３に硫黄単体を混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、９．８ａｔ％とした。
このようにして透明導電体１８を作製した。【０１８２】
〔透明導電体１９の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＺｎＯ）／第２高屈折率層（ＺｒＯ２）をこの順に積層した。【０１８３】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳは、ＺｎＳを焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４３ａｔ％とした。【０１８４】
（第１硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１８５】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１８６】
（第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１８７】
（第２高屈折率層（ＺｒＯ２）の形成）
第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＺｒＯ２をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表１で示したように、ターゲットであるＺｒＯ２は、ＺｒＯ２に硫黄単体を混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、９．８ａｔ％とした。
このようにして透明導電体１９を作製した。【０１８８】
〔透明導電体２０の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）をこの順に積層した。【０１８９】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。【０１９０】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１９１】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度２．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．４ｎｍとなるようＡｇをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１９２】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１９３】
（第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＺｎＯ＊１をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＺｎＯ＊１の組成は、表３に示した＊１に対応している。また、表１で示したように、ターゲットであるＺｎＯ＊１は、ＺｎＯにＺｎＳとＩＴＯを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．５ａｔ％とした。
このようにして透明導電体２０を作製した。【０１９４】
〔透明導電体２１の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）をこの順に積層した。【０１９５】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。【０１９６】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度２．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．４ｎｍとなるようＡｇをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０１９７】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊２をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＧＺＯ＊２の組成は、表３に示した＊２に対応している。また、表２で示したように、ターゲットであるＧＺＯ＊２は、ＧＺＯ（５．７質量％）にＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４．２ａｔ％とした。
このようにして透明導電体２１を作製した。【０１９８】
〔透明導電体２２の作製〕
透明導電体２１の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊３に変更して、ＧＺＯ＊３に含有される硫黄成分の含有率が２．０ａｔ％とした以外は、透明導電体２１の作製と同様にして透明導電体２２を作製した。【０１９９】
〔透明導電体２３の作製〕
透明導電体２１の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊４に変更して、第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を１．８ａｔ％とした以外は、透明導電体２１の作製と同様にして透明導電体２３を作製した。【０２００】
〔透明導電体２４の作製〕
透明導電体２０の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊５に変更して、第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を０．８ａｔ％とした以外は、透明導電体２０の作製と同様にして透明導電体２４を作製した。【０２０１】
〔透明導電体２５の作製〕
透明導電体２０の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊６に変更して、第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を０．７ａｔ％とした以外は、透明導電体２０の作製と同様にして透明導電体２５を作製した。【０２０２】
〔透明導電体２６の作製〕
透明導電体２０の作製において、表１で示したように第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊７に変更して、第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を０．６ａｔ％とした以外は、透明導電体２０の作製と同様にして透明導電体２６を作製した。【０２０３】
〔透明導電体２７の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＩＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。【０２０４】
（第１高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＩＴＯを層厚が４６ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＩＴＯは、ＩＴＯにＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．７ａｔ％とした。【０２０５】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２０６】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２０７】
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＩＴＯをＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。表２で示したように、ターゲットであるＩＴＯは、ＩＴＯにＺｎＳを混合し、焼結させることで作製した。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．７ａｔ％とした。
このようにして透明導電体２７を作製した。【０２０８】
〔透明導電体２８の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＯ＊１）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）をこの順に積層した。【０２０９】
（第１高屈折率層（ＺｎＯ＊１）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＺｎＯ＊１を層厚が４６ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．５ａｔ％とした。【０２１０】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度２．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．４ｎｍとなるようＡｇをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２１１】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２１２】
（第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＺｎＯ＊１をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．５ａｔ％とした。
このようにして透明導電体２８を作製した。【０２１３】
〔透明導電体２９の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＧＺＯ＊２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）をこの順に積層した。【０２１４】
（第１高屈折率層（ＧＺＯ＊２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＧＺＯ＊２を層厚が４６ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４．２ａｔ％とした。【０２１５】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２１６】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度２．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．４ｎｍとなるようＡｇをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２１７】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊２をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４．２ａｔ％とした。
このようにして透明導電体２９を作製した。【０２１８】
〔透明導電体３０の作製〕
透明導電体２９の作製において、表２で示したように第１高屈折率層及び第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊３に変更して、第１高屈折率層及び第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を２．０ａｔ％とした以外は、透明導電体２９の作製と同様にして透明導電体３０を作製した。【０２１９】
〔透明導電体３１の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＧＺＯ＊４）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊４）をこの順に積層した。【０２２０】
（第１高屈折率層（ＧＺＯ＊４）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、ＧＺＯ＊４を層厚が４６ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、１．８ａｔ％とした。【０２２１】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度２．０ｎｍ／ｓで、層厚が７．４ｎｍとなるようＡｇをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２２２】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊４）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊４をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、１．８ａｔ％とした。
このようにして透明導電体３１を作製した。【０２２３】
〔透明導電体３２の作製〕
透明導電体２８の作製において、表２で示したように第１高屈折率層及び第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊５に変更して、第１高屈折率層及び第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を０．８ａｔ％とした以外は、透明導電体２８の作製と同様にして透明導電体３２を作製した。【０２２４】
〔透明導電体３３の作製〕
透明導電体２８の作製において、表２で示したように第１高屈折率層及び第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊６に変更して、第１高屈折率層及び第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を０．７ａｔ％とした以外は、透明導電体２８の作製と同様にして透明導電体３３を作製した。【０２２５】
〔透明導電体３４の作製〕
透明導電体２８の作製において、表２で示したように第１高屈折率層及び第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊７に変更して、第１高屈折率層及び第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率を０．６ａｔ％とした以外は、透明導電体２８の作製と同様にして透明導電体３４を作製した。【０２２６】
〔透明導電体３５の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）をこの順に積層した。【０２２７】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上に蒸着して、層厚が３５ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３９ａｔ％とした。【０２２８】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２２９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２３０】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２３１】
（第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＺｎＯ＊１をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．５ａｔ％とした。
このようにして透明導電体３５を作製した。【０２３２】
〔透明導電体３６の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（Ｓｉ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）をこの順に積層した。【０２３３】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上に蒸着して、層厚が３５ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３９ａｔ％とした。【０２３４】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２３５】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２３６】
（第２硫化防止層（Ｓｉ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＳｉをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２３７】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊２をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４．２ａｔ％とした。
このようにして透明導電体３６を作製した。【０２３８】
〔透明導電体３７の作製〕
透明導電体３５の作製において、表２で示したように透明基板をポリカーボネートポリマー（略称：ＰＣ）フィルム（カネカ製「エルメックＲ４０＃１４０フィルム」厚さ４０μｍ）に変更し、第２高屈折率層に使用される材質を表３に示したＧＺＯ＊３に変更して、第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率が２．０ａｔ％とした以外は、透明導電体３５の作製と同様にして透明導電体３７を作製した。【０２３９】
〔透明導電体３８の作製〕
透明基板としてポリカーボネートポリマー（ＰＣ）フィルムを用い、ＰＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＤＣ３）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（Ｓｉ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊４）をこの順に積層した。【０２４０】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＤＣ３）の形成）
透明基板（ＰＣ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度１ｎｍ／ｓで、層厚が３５ｎｍとなるようＺｎＳ−ＤＣ３をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ−ＤＣ３は、ＪＸ日鉱日石金属株式会社製を使用した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３５ａｔ％とした。【０２４１】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２４２】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２４３】
（第２硫化防止層（Ｓｉ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＳｉをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２４４】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊４）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊４をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、１．８ａｔ％とした。
このようにして透明導電体３８を作製した。【０２４５】
〔透明導電体３９の作製〕
透明基板としてシクロオレフィンポリマー（略称：ＣＯＰ）フィルム（日本ゼオン社製「ゼオノアＺ１４」厚さ５０μｍ）を用い、ＣＯＰフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊５）をこの順に積層した。【０２４６】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＣＯＰフィルム上に蒸着して、層厚が３５ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３９ａｔ％とした。【０２４７】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２４８】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２４９】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２５０】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊５）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．８ａｔ％とした。
このようにして透明導電体３９を作製した。【０２５１】
〔透明導電体４０の作製〕
透明基板としてシクロオレフィンポリマー（略称：ＣＯＰ）フィルム（日本ゼオン社製「ゼオノアＺ１４」厚さ５０μｍ）を用い、ＣＯＰフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＤＣ３）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊６）をこの順に積層した。【０２５２】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＤＣ３）の形成）
透明基板（ＣＯＰ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度１ｎｍ／ｓで、層厚が３５ｎｍとなるようＺｎＳ−ＤＣ３をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ−ＤＣ３は、ＪＸ日鉱日石金属株式会社製を使用した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３５ａｔ％とした。【０２５３】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２５４】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２５５】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２５６】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊６）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊６をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．７ａｔ％とした。
このようにして透明導電体４０を作製した。【０２５７】
〔透明導電体４１の作製〕
透明基板としてトリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）フィルム（コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム、厚さ４０μｍ）を用い、ＴＡＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（Ｓｉ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊７）をこの順に積層した。【０２５８】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＴＡＣ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が３５ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳは、ＺｎＳを焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３９ａｔ％とした。【０２５９】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＴＡＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２６０】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２６１】
（第２硫化防止層（Ｓｉ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＴＡＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＳｉをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２６２】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊７）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＴＡＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＧＺＯ＊７をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．６ａｔ％とした。
このようにして透明導電体４１を作製した。【０２６３】
〔透明導電体４２の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＯ）をこの順に積層した。【０２６４】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。【０２６５】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２６６】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．４ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２６７】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２６８】
（第２高屈折率層（ＺｎＯ）の形成）
第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４６ｎｍとなるようＺｎＯ（株式会社豊島製作所製）をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
このようにして透明導電体４２を作製した。【０２６９】
〔透明導電体４３の作製〕
透明導電体４２の作製において、表２で示したように第２高屈折率層に使用される材質を５．７質量％のＧＺＯ（株式会社豊島製作所製）に変更し、ＤＣスパッタにより成膜した以外は、透明導電体４２の作製と同様にして透明導電体４３を作製した。【０２７０】
〔透明導電体４４の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ）をこの順に積層した。【０２７１】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ（株式会社豊島製作所製）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、５０ａｔ％とした。【０２７２】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が１２ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２７３】
（第２高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ（株式会社豊島製作所製）をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、５０ａｔ％とした。
このようにして透明導電体４４を作製した。【０２７４】
〔透明導電体４５の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＩＺＯ）をこの順に積層した。【０２７５】
（第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が２７．７ｎｍとなるようＮｂ２Ｏ５（株式会社豊島製作所製）をＲＦスパッタした。【０２７６】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．７ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２７７】
（第２高屈折率層（ＩＺＯ）の形成）
透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が３６ｎｍとなるようＩＺＯ（株式会社豊島製作所製）をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
このようにして透明導電体４５を作製した。【０２７８】
〔透明導電体４６の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺＴＯ）をこの順に積層した。【０２７９】
（第１高屈折率層（ＺＴＯ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺＴＯ（株式会社豊島製作所製）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２８０】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が１０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２８１】
（第２高屈折率層（ＺＴＯ）の形成）
透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が４０ｎｍとなるようＺＴＯ（株式会社豊島製作所製）をＲＦスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
このようにして透明導電体４６を作製した。【０２８２】
〔透明導電体４７の作製〕
透明導電体３７の作製において、第２硫化防止層の層厚を０．５ｎｍに変更して、表２で示したように第２高屈折率層に使用される材質をＧＺＯ＊６に変更して、第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率が１２．０ａｔ％とした以外は、透明導電体３７の作製と同様にして透明導電体４７を作製した。【０２８３】
【表１】
0006536575.tif 000002
【０２８４】
【表２】
0006536575.tif 000003
【０２８５】
【表３】
0006536575.tif 000004
【０２８６】
なお、以上の透明導電体の作製又は表１〜３で用いた略称及び記号の詳細は、以下のとおりである。
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート
ＩＴＯ：インジウム・スズ酸化物
ＧＺＯ：ガリウム・亜鉛酸化物
ＩＧＺＯ：インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物
ＡＺＯ：アルミニウム・亜鉛酸化物
ＺＴＯ：亜鉛・スズ酸化物
Ａ：ＺｎＳにＳｉＯ２を混ぜて焼結
Ｂ：ＺｎＳを焼結
Ｃ：ＩＴＯにＺｎＳを混ぜて焼結
Ｄ：ＩＧＺＯにＺｎＳを混ぜて焼結
Ｅ：ＺｎＯにＺｎＳを混ぜて焼結
Ｆ：ＧＺＯにＺｎＳを混ぜて焼結
Ｇ：ＡＺＯにＺｎＳを混ぜて焼結
Ｈ：ＴｉＯ２にＺｎＳを混ぜて焼結
Ｉ：ＷＯ３にＺｎＳを混ぜて焼結
Ｊ：ＺｒＯ２にＺｎＳを混ぜて焼結
Ｋ：ＡＺＯに硫黄単体を混ぜて焼結
Ｌ：ＺＴＯに硫黄単体を混ぜて焼結
Ｍ：ＴｉＯ２に硫黄単体を混ぜて焼結
Ｎ：ＷＯ３に硫黄単体を混ぜて焼結
Ｐ：ＺｒＯ２に硫黄単体を混ぜて焼結
Ｑ：ＺｎＯにＺｎＳとＩＴＯを混ぜて焼結
Ｒ：ＧＺＯ(５．７質量％)にＺｎＳを混ぜて焼結
Ｓ：ＧＺＯ(５．７質量％)にＺｎＳとＩＴＯを混ぜて焼結
Ｔ：ＧＺＯ(１０質量％)にＺｎＳを混ぜて焼結
Ｕ：株式会社豊島製作所製
Ｖ：ＪＸ日鉱日石金属株式会社製【０２８７】
《透明導電体の評価》
上記作製した各透明導電体について、下記の各特性値の測定及び評価を行った。【０２８８】
〔平均光吸収率の測定〕
平均光吸収率は、透明基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて、透明基板２の平均光透過率及び平均光反射率を測定し、
平均光吸収率（％）＝１００−（平均光透過率＋平均光反射率）（％）
として算出する。平均光透過率及び平均光反射率は、分光光度計を用いて測定することができる。分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定した。【０２８９】
〔シート抵抗値の測定〕
各透明導電体の導通領域ａに、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計「ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０」を接触させて、導通領域ａのシート抵抗値（Ω／□）を測定した。【０２９０】
〔腐食評価〕
実施例及び比較例で得られた透明導電体の腐食耐性を評価した。腐食耐性は、実施例又は比較例で得られた透明導電体を、２個ずつ、８５℃、８５％Ｒｈ中に２４０時間保存した後の外観で評価した。評価は、以下の基準とした。
◎：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が０個
○：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１個以上１０個未満
×：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１０個以上
透明導電体の構成と、以上の評価により得られた結果を表１〜３に示す。【０２９１】
〔フレキシブル性評価〕
実施例及び比較例で得られた透明導電体を平板状の支持部材に載置し、一端を固定した。当該透明導電体をＵ字状に屈曲させた。屈曲部の曲率半径は５ｍｍとした。そして、支持部材と平行に配置した摺動板に、透明導電体の他端を固定した。摺動板と支持部材とを平行に保ったまま、透明導電体の長さ方向に摺動板を１０００回往復移動させた。その後、透明導電体の各層にクラック等が生じたかを目視で確認した。フレキシブル性は以下のように評価した。
◎：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、クラックが一つも生じなかった
○：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、１個以上５０個以下のクラックが生じた
×：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、５０個超のクラックが生じた【０２９２】
【表４】
0006536575.tif 000005
【０２９３】
表４に記載の結果より明らかなように、本発明の透明導電体１〜４１は、比較の透明導電体４２〜４７に比べて、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れていることが分かった。【０２９４】
［実施例２］
実施例２で示す透明導電体は、実施例１で示した透明導電体に密着層及び第３高屈折率層を設けた点が異なっている。各透明導電体の構成は、表５に示すとおりである。実施例１と異なる点を以下に説明する。【０２９５】
〔透明導電体５０の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）／第３高屈折率層（ＺｒＯ２）をこの順に積層した。【０２９６】
（密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上にＳｉＯ２をＥＢ（電子ビーム）蒸着して、層厚が１ｎｍの層を形成した。
次いで、ＳｉＯ２層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が１ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
層厚が２ｎｍの密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を形成した。【０２９７】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で密着層上に蒸着して、層厚が３５ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３９ａｔ％とした。【０２９８】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、第１高屈折率層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０２９９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０３００】
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、透明金属層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚が０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０３０１】
（第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が２０ｎｍとなるようＺｎＯ＊１をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．５ａｔ％とした。【０３０２】
（第３高屈折率層（ＺｒＯ２）の形成）
次いで、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上にＺｒＯ２をＥＢ蒸着して、層厚が２７ｎｍの層を形成した。
このようにして透明導電体５０を作製した。【０３０３】
〔透明導電体５１の作製〕
透明基板として５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）／第３高屈折率層（ＳｎＯ２）をこの順に積層した。【０３０４】
（密着層（ＳｉＯ２）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上にＳｉＯ２をＥＢ蒸着して、層厚が１ｎｍの密着層を形成した。【０３０５】
透明導電体５１において、（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）〜（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）の工程については、透明導電体５０と同様に作製した。【０３０６】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＥＴフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が２０ｎｍとなるようＧＺＯ＊２をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４．２ａｔ％とした。【０３０７】
（第３高屈折率層（ＳｎＯ２）の形成）
次いで、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上にＳｎＯ２をＥＢ蒸着して、層厚が２７ｎｍの層を形成した。
このようにして透明導電体５１を作製した。【０３０８】
〔透明導電体５２の作製〕
透明基板としてポリカーボネートポリマー（ＰＣ）フィルムを用い、ＰＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊３）／第３高屈折率層（ＺｒＯ２）をこの順に積層した。【０３０９】
透明導電体５２において、透明基板としてＰＣを用いた以外は、（密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）〜（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）の工程については、透明導電体５０と同様に作製した。【０３１０】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊３）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が２０ｎｍとなるようＧＺＯ＊３をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、２．０ａｔ％とした。【０３１１】
（第３高屈折率層（ＺｒＯ２）の形成）の工程は、透明導電体５０と同様に作製した。
このようにして透明導電体５２を作製した。【０３１２】
〔透明導電体５３の作製〕
透明基板としてポリカーボネートポリマー（ＰＣ）フィルムを用い、ＰＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊４）／第３高屈折率層（ＳｎＯ２）をこの順に積層した。【０３１３】
透明導電体５３において、（密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）〜（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）の工程については、透明導電体５０と同様に作製した。【０３１４】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊４）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＰＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が２０ｎｍとなるようＧＺＯ＊４をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、１．８ａｔ％とした。【０３１５】
（第３高屈折率層（ＳｎＯ２）の形成）の形成）の工程は、透明導電体５１と同様に作製した。
このようにして透明導電体５３を作製した。【０３１６】
〔透明導電体５４の作製〕
透明基板としてシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルムを用い、ＣＯＰフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊５）／第３高屈折率層（ＺｒＯ２）をこの順に積層した。【０３１７】
（密着層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚が１ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。【０３１８】
透明導電体５４において、（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）〜（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）の工程については、透明導電体５０と同様に作製した。【０３１９】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊５）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が２０ｎｍとなるようＧＺＯ＊５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．８ａｔ％とした。【０３２０】
（第３高屈折率層（ＺｒＯ２）の形成）の工程は、透明導電体５０と同様に作製した。
このようにして透明導電体５４を作製した。【０３２１】
〔透明導電体５５の作製〕
透明基板としてシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルムを用い、ＣＯＰフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊６）／第３高屈折率層（ＳｎＯ２）をこの順に積層した。【０３２２】
透明導電体５５において、透明基板としてＣＯＰを用いた以外は、（密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）〜（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）の工程については、透明導電体５０と同様に作製した。【０３２３】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊６）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＣＯＰフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が２０ｎｍとなるようＧＺＯ＊６をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．７ａｔ％とした。【０３２４】
（第３高屈折率層（ＳｎＯ２）の形成）の工程は、透明導電体５１と同様に作製した。
このようにして透明導電体５５を作製した。【０３２５】
〔透明導電体５６の作製〕
透明基板としてトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムを用い、ＴＡＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊７）／第３高屈折率層（ＳｎＯ２）をこの順に積層した。【０３２６】
透明導電体５６において、透明基板としてＴＡＣを用いた以外は、（密着層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）〜（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）の工程については、透明導電体５４と同様に作製した。【０３２７】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ＊７）の形成）
次いで、第２硫化防止層を形成したＴＡＣフィルムを、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層厚が２０ｎｍとなるようＧＺＯ＊７をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。第２高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、０．６ａｔ％とした。【０３２８】
（第３高屈折率層（ＳｎＯ２）の形成）の工程は、透明導電体５１と同様に作製した。
このようにして透明導電体５６を作製した。【０３２９】
〔透明導電体５７の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＯ＊１）／第３高屈折率層（ＺｒＯ２）をこの順に積層した。【０３３０】
透明導電体５７において、（密着層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）〜（第３高屈折率層（ＺｒＯ２）の形成）の工程のうち、透明金属層の形成を除いて、透明導電体５０と同様に作製した。【０３３１】
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
このようにして透明導電体５７を作製した。【０３３２】
〔透明導電体５８の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ−Ｂｉ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ＊２）／第３高屈折率層（ＳｎＯ２）をこの順に積層した。【０３３３】
透明導電体５８において、（密着層（ＳｉＯ２）の形成）〜（第３高屈折率層（ＳｎＯ２）の形成）の工程のうち、透明金属層の形成を除いて、透明導電体５１と同様に作製した。【０３３４】
（透明金属層（Ａｇ−Ｂｉ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇ−Ｂｉ（株式会社コベルコ科研製）を層厚が６．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
このようにして透明導電体５８を作製した。【０３３５】
《透明導電体の評価》
上記作製した各透明導電体について、下記の各特性値の測定及び評価を行った。
評価方法には実施例１と同様である。【０３３６】
【表５】
0006536575.tif 000006
【０３３７】
【表６】
0006536575.tif 000007
【０３３８】
表６に記載の結果より明らかなように、本発明の透明導電体５０〜５８は、光透過性、耐湿性及び電気接続性に優れていることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０３３９】
本発明は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの分野において利用可能性がある。
【符号の説明】
【０３４０】
１  透明導電体
２、２−１、２−２  透明基板
３Ａ  第１高屈折率層
３Ｂ  第２高屈折率層
４  透明金属層
５Ａ  第１硫化防止層
５Ｂ  第２硫化防止層
７  レジスト膜
７Ａ  除去するレジスト膜
８  マスク
９  露光機
１０  エッチング液
１３  前面板
２１  タッチパネル
ａ  導通領域
ｂ  絶縁領域
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２  透明電極ユニット
【図１Ａ】
0006536575.tif 000008
【図１Ｂ】
0006536575.tif 000009
【図１Ｃ】
0006536575.tif 000010
【図２】
0006536575.tif 000011
【図３】
0006536575.tif 000012
【図４Ａ】
0006536575.tif 000013
【図４Ｂ】
0006536575.tif 000014
【図４Ｃ】
0006536575.tif 000015
【図４Ｄ】
0006536575.tif 000016
【図４Ｅ】
0006536575.tif 000017
【図４Ｆ】
0006536575.tif 000018
【図５】
0006536575.tif 000019