(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面上に配列された複数の入出力端子を有するパワー半導体モジュールと、
前記入出力端子間に配置される絶縁性部材で形成された仕切り部を有する端子カバーと、
前記パワー半導体モジュールを制御する回路基板と、
前記回路基板を支持する基板支持部材と、を備え、
前記端子カバーは、前記基板支持部材に一体的に設けられている、電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記端子カバーは、前記複数の入出力端子の先端と前記回路基板との間に配置され、前記仕切り部と一体的に設けられた端子覆い部を有する、電力変換装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記端子カバーおよび前記基板支持部材は、樹脂により１つの部材として形成されている、電力変換装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記端子カバーは、前記基板支持部材とは別部材として形成されており、前記基板支持部材に取付けられている、電力変換装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記基板支持部材および前記端子カバーは、前記入出力端子と前記回路基板とをシールドするシールド部材を有する、電力変換装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電力変換装置において、
前記基板支持部材および前記端子カバーのシールド部材は、接地電位とされた部材に接続されている、電力変換装置。
【請求項７】
請求項２に記載の電力変換装置において、
前記端子カバーの前記端子覆い部は、前記基板支持部材の上面よりも前記回路基板側に向けて突出して形成されている、電力変換装置。
【請求項８】
請求項２に記載の電力変換装置において、
前記端子カバーは、前記端子覆い部と前記仕切り部により構成される空間部を有し、前記空間部は、前記端子覆い部の内面と前記入出力端子の先端との間に設けられる空隙を含む、電力変換装置。
【請求項９】
請求項３に記載の電力変換装置において、
前記パワー半導体モジュールを複数個備え、
前記端子カバーは、前記パワー半導体モジュールのそれぞれに対応して前記基板支持部材に形成され、
前記基板支持部材の周縁部および前記各端子カバーと前記基板支持部材との境界部には、補強リブが設けられている、電力変換装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の電力変換装置において、
さらに、前記端子カバーと前記回路基板との間に介在する放熱部材を備える電力変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電力変換装置において、
さらに、前記入出力端子が接続されるバスバーを備え、
前記パワー半導体モジュールは、さらに、信号端子を有し、
前記信号端子は、前記回路基板に設けられた回路部に接続されている、電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両駆動用の電力変換装置は、インバータ回路の上・下アーム直列回路を内蔵する、例えば、３相分のパワー半導体モジュールを有する。パワー半導体モジュールの電源用端子は電源用基板に接続され、信号端子は制御回路基板に接続される。電源用基板および制御回路基板には、各端子を挿通するスルーホールが形成され、パワー半導体モジュールの各端子は、開口に挿通された状態ではんだ付けや溶接により接合される。
【０００３】
パワー半導体モジュールの信号端子を制御回路基板のスルーホールに挿通する構造では、信号端子と制御回路基板のスルーホールとの位置ずれが生じる。このため、信号端子挿入を自動化することが困難となる。
これに対応するために、制御回路基板に接続される複数の信号中継端子がインサートされたモジュール押え部材を形成し、パワー半導体モジュールと制御回路基板との間に配置したインバータ装置が知られている。この構造では、パワー半導体モジュールの一面上に配列された複数の信号端子を該パワー半導体モジュールの一側面から側方に突出し、モジュール押え部材の各信号中継端子の一端を、該モジュール押え部材の側方から突出させ、信号端子側に向けて屈曲する。そして、各信号中継端子の一端と各信号端子とをはんだ付けする（例えば、特許文献１の図５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３２０３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載された構造では、パワー半導体モジュールの複数の信号端子は、該パワー半導体モジュールの一側面上に、空間を介して配列される。換言すれば、信号端子間には空気のみが介在する。このため、信号端子間の空間距離は小さい。パワー半導体モジュールでは、入出力端子には強電が印加されるため、この構造を、電源用端子等の入出力端子に適用すると、絶縁性が確保することができず、短絡する可能性がある。このため、入出力端子間を小さくすることができず、電力変換装置の小型化を図ることができない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によると、電力変換装置は、一面上に配列された複数の入出力端子を有するパワー半導体モジュールと、前記入出力端子間に配置される絶縁性部材で形成された仕切り部を有する端子カバーと、前記パワー半導体モジュールを制御する回路基板と、前記回路基板を支持する基板支持部材と、を備え、前記端子カバーは、前記基板支持部材に一体的に設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、入出力端子間の間隔を小さくして小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の電力変換装置の一実施の形態を示し、カバーを外した状態の外観斜視図。
【図２】図１に図示された電力変換装置の筐体内部に収容された部品の分解斜視図。
【図３】（Ａ）は、図１に図示されたパワー半導体モジュールの端子部周辺の拡大図、（Ｂ）は、パワー半導体モジュールに内蔵された回路の一例を示す回路図。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線断面の一部。
【図５】図２に図示された端子カバーの拡大図。
【図６】（Ａ）は、図５に図示された端子カバーの正面図、（Ｂ）は（Ａ）のＶＩB−ＶＩB線断面図。
【図７】図６（Ｂ）の領域ＶＩＩの拡大図。
【図８】（Ａ）は、図５に図示された端子カバーのインサート品である金属板の斜視図、（Ｂ）は、（Ａ）に図示された金属板がインサート成型された端子カバーの外観斜視図。
【図９】図４の領域ＩＸの拡大図。
【図１０】本発明の第２の実施形態を示し、第１の実施形態の図４の一部に対応する断面図。
【図１１】本発明の変形例１を示し、基板支持部材の実装構造の側面図。
【図１２】本発明の変形例２を示し、図４に対応する領域の実装構造を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
−第１の実施形態−
図１は、本発明の電力変換装置の一実施の形態を示し、カバーを外した状態の外観斜視図であり、図２は、図１に図示された電力変換装置の筐体内部に収容された部品の分解斜視図である。
電力変換装置１０は、筐体本体１１とカバー１５とにより構成される筐体を備えている。筐体本体１１は、例えば、アルミニウム合金等の金属の鋳造により形成され、上部に開口部１１ａが形成されたボックス状の部材である。カバー１５は、筐体本体１１の開口部１１ａを封口する。筐体本体１１の側部には、流路形成体４０（図２参照）に連通する冷媒導入管１３が設けられている。図示はしないが、筐体本体１１の冷媒導入管１３の反対側の側部には、冷媒導出管が設けられている。また、筐体本体１１の側部には、交流ターミナル１２および不図示のＤＣターミナルが設けられている。筐体本体１１とカバー１５は、密封構造を構成する。
【００１０】
筐体本体１１とカバー１５内には、図２に図示される、流路形成体４０、３つのパワー半導体モジュール３０、基板支持部材２５、制御用回路基板２０、ＡＣバスバー５１、ＤＣバスバーがインサート成型されたバスバーモールド５２、コンデンサモジュール５３、電流センサ５４等が収容されている。
流路形成体４０は、アルミニウム合金等の金属の鋳造等により形成される。流路形成体４０の一側面４１には、３つの開口部４２が設けられている。各開口部４２にはパワー半導体モジュール３０が挿通される。パワー半導体モジュール３０は、多数の放熱フィンが形成された本体部３１、フランジ部３２および端子部３３を有する。パワー半導体モジュール３０は、本体部３１が流路形成体４０の開口部４２から挿入され、流路形成体４０の内側に配置される。パワー半導体モジュール３０のフランジ部３２と流路形成体４０とは、シール部材３４（図４参照）により密封される。３つのパワー半導体モジュール３０は、例えば、ジェネレータを駆動するためのＵ相、Ｖ相、Ｗ相用の上下アーム回路を内蔵し、三相の交流電力を出力する。
【００１１】
図示はしないが、流路形成体４０の内部には、各パワー半導体モジュール３０の本体部３１の周囲を流通する冷却流路が形成されている。冷却水などの冷媒は、冷媒導入管１３から流路形成体４０の内部に導入され、各パワー半導体モジュール３０を冷却し、冷媒導出管から導出される。
【００１２】
ＡＣバスバー５１は、パワー半導体モジュール３０の交流出力端子１０２（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）に接続される。バスバーモールド５２のＤＣバスバーは、パワー半導体モジュール３０の直流正・負極性入力端子１０１ａ、１０１ｂ、１０３ａ、１０３ｂ（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）に接続される。コンデンサモジュール５３は、流路形成体４０の一側面４１に対向する側面に密着して配置され、流路形成体４０により冷却される。電流センサ５４は、各半導体モジュール３０と交流ターミナル１２との間に配置され、各半導体モジュール３０から出力される電流を検出する。制御用回路基板２０は、パワー半導体モジュール３０を制御する。パワー半導体モジュール３０の信号端子１１１〜１１３および１２１〜１２５（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）は、制御用回路基板２０に設けられたスルーホールに挿通され、制御用回路基板２０の電極パッドにはんだ付けされる。基板支持部材２５は、３つのパワー半導体モジュール３０と制御用回路基板２０との間に配置される。基板支持部材２５はボス部に設けられた貫通孔に挿通されるボルト等の締結部材９１（図４参照）により流路形成体４０に固定される。制御用回路基板２０には、貫通孔が設けられており、該貫通孔に挿通されるねじ等の締結部材により基板支持部材２５に固定され、支持される。基板支持部材２５には、パワー半導体モジュール３０の交流出力端子１０２および直流正・負極性入力端子１０１ａ、１０１ｂ、１０３ａ、１０３ｂを覆う端子カバー１が設けられている。基板支持部材２５および端子カバー１の詳細については後述する。
【００１３】
図３（Ａ）は、図１に図示されたパワー半導体モジュール３０の端子部３３周辺の拡大図であり、図３（Ｂ）は、パワー半導体モジュール３０に内蔵された回路の一例を示す回路図である。
図３（Ｂ）に図示されるように、パワー半導体モジュール３０には、２つのＩＧＢＴ１１０、１２０と２つのダイオード１３０、１４０とが内蔵されている。ＩＧＢＴ１１０とダイオード１３０とは上アーム回路を構成する。ＩＧＢＴ１２０とダイオード１４０とは、下アーム回路を構成する。
ＩＧＢＴ１１０のエミッタとＩＧＢＴ１２０のコレクタが接続される。この接続点にはダイオード１３０のアノードとダイオード１４０のカソードの接続点とが接続され、また、交流出力端子１０２が接続される。ＩＧＢＴ１１０のコレクタおよびダイオード１３０のカソードは直流正極性入力端子１０１に接続される。ＩＧＢＴ１２０のエミッタおよびダイオード１４０のアノードは直流負極性入力端子１０３に接続される。また、ＩＧＢＴ１１０、１２０のゲートは、それぞれ、信号端子であるゲート端子１１１、１２１に接続され、ＩＧＢＴ１１０、１２０のエミッタは、それぞれ、信号端子であるエミッタ端子１１２、１２２に接続される。
なお、図３（Ｂ）におけるＴは、ＩＧＢＴを示し、Ｄはダイオードを示す。
【００１４】
図３（Ｂ）に図示された入出力端子１０１〜１０３、および信号端子１１１、１１２、１２１、１２２は、図３（Ａ）に図示されるようにパワー半導体モジュール３０のフランジ部３２の開口から外部に導出される。但し、図３（Ａ）に図示されるように、直流負極性入力端子１０３は、１０３ａ、１０３ｂとして２つに分岐して形成され、パワー半導体モジュール３０の内部で電気的に接続される。また、直流正極性入力端子１０１は、１０１ａ、１０１ｂとして２つに分岐して形成され、パワー半導体モジュール３０の内部で電気的に接続される。フランジ部３２は、樹脂等の絶縁性部材により形成されており、内部に封止樹脂３２ａが充填されている。なお、図３（Ａ）において、図３（Ｂ）には図示されていない４つの信号端子１１３、１２３〜１２５は、ＩＧＢＴ１１０、１２０の過電流や過温度を検出するためのセンサ信号用の端子である。
【００１５】
図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線断面の一部を示す。
上述したように、パワー半導体モジュール３０は、そのフランジ部３２が流路形成体４０の開口部４２にシール部材３４により密封して取り付けられる。パワー半導体モジュール３０の上方には基板支持部材２５が配置されている。基板支持部材２５は、締結部材９１により流路形成体４０に固定されている。基板支持部材２５の上方には、制御用回路基板２０が配置されている。制御用回路基板２０は、不図示の締結部材により基板支持部材２５に固定されている。
パワー半導体モジュール３０の信号端子１１１〜１１３および１２１〜１２５は、制御用回路基板２０に設けられたスルーホールに挿通され、制御用回路基板２０の不図示の電極パッドにはんだ付けされている。
【００１６】
図５は、図２示された端子カバーの拡大図であり、図６（Ａ）は、図５に図示された端子カバーの正面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＶＩB−ＶＩB線断面図であり、図７は、図６（Ｂ）の領域ＶＩＩの拡大図である。また、図８（Ａ）は、図５に図示された端子カバーのインサート品である金属板の斜視図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に図示された金属板がインサート成型された端子カバーの外観斜視図である。なお、図６（Ｂ）に図示された基板支持部材２５は、図４および図７に図示された基板支持部材２５とは上下が逆に図示されている。
基板支持部材２５には、端子カバー１が一体に設けられている。基板支持部材２５は、図８（Ａ）に図示される金属板２６をインサート品として端子カバー１を含む全体をインサート成型により作製される。金属板２６には、複数の貫通孔２６ａが形成されており、インサート成型は、金属板２６の各貫通孔２６ａの周辺部分が絶縁性の樹脂から露出されるように行う。この金属板２６の貫通孔２６ａ内に締結部材９１等のねじ部を挿通して、締結部材９１等を流路形成体４０のねじ孔（図示せず）に締結する。流路形成体４０は、電力変換装置１０の接地電位となっているので、金属板２６は接地電位となる。なお、図８（Ａ）に図示された金属板２６は、図８（Ｂ）に図示された端子カバー１とは、異なる方向から見た図として示されている。
【００１７】
金属板２６には、図８（Ａ）に示されるように、各パワー半導体モジュール３０の入出力端子１０１〜１０３に対応する部分が、周囲から上方に向けて突出され、コ字形状に屈曲された屈曲部２６ｂが形成されている。従って、基板支持部材２５の屈曲部２６ｂに対応する端子覆い部２７は、図７、図８（Ｂ）に図示されるように、周囲より厚く形成され、図４に図示されるように、制御用回路基板２０側に向けて周囲の領域よりも隆起している。また、基板支持部材２５の屈曲部２６ｂに対応する部分には、図４、図６（Ｂ）、図７に図示されるように、制御用回路基板２０側と反対側に向けて突出する複数の仕切り部２８が絶縁性の樹脂により形成されている。
【００１８】
つまり、基板支持部材２５の端子覆い部２７が形成された領域は、各パワー半導体モジュール３０の入出力端子１０１〜１０３を覆う端子カバー１として設けられている。端子カバー１は、図６（Ａ）において点線の枠内の領域内に設けられている。
基板支持部材２５の周縁部には、補強リブ２９が設けられている。補強リブ２９は、図４、図７に図示されるように、制御用回路基板２０側に向けて突出して形成されている。図６に図示されるように、端子カバー１の基板支持部材２５との境界部には、補強リブ２９に連接する補強リブ２９ａが設けられている。補強リブ２９ａは、補強リブ２９と同一の高さに形成されている。
補強リブ２９、２９ａは、端子カバー１を含む基板支持部材２５に外力が作用した場合、基板支持部材２５の捩りや反り等の変形を抑制する。
【００１９】
図４に図示されるように、端子カバー１の各仕切り部２８は、パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３の間に配置されている。仕切り部２８は、また、入出力端子１０２および１０３ａの外側に設けられている。端子カバー１の端子覆い部２７は、パワー半導体モジュール３０の入出力端子１０１〜１０３の先端１５０（図４参照）側を覆っている。パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３は、先端１５０側が根元側より幅狭に形成されており、各仕切り部２８は、端子覆い部２７から各入出力端子１０１〜１０３の幅狭の先端１５０側のほぼ全長に亘って延在されている。基板支持部材２５にインサートされた金属板２６は、制御用回路基板２０とパワー半導体モジュール３０の入出力端子１０１〜１０３との間に介在されている。
【００２０】
パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３には、高電位が印加される。このため、パワー半導体モジュール３０の入出力端子１０１〜１０３の間の間隔を小さくすると絶縁性を確保することができず、短絡する可能性がある。上記実施形態では、パワー半導体モジュール３０の入出力端子１０１〜１０３の間に絶縁性の仕切り部２８が挿入されており、電磁波の伝播距離を大きくする構造を有する。このため、パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３間の間隔を小さくすることができ、これより、電力変換装置１０の小型化を図ることができる。
なお、パワー半導体モジュール３０の信号端子１１１〜１１２および１２１〜１２５には、低電位、低電流が供給されるため、短絡の可能性が小さく、入出力端子１０１〜１０３の間隔より小さい間隔とすることができる。
【００２１】
また、制御用回路基板２０とパワー半導体モジュール３０の入出力端子１０１〜１０３との間には、基板支持部材２５にインサートされた金属板２６が配置されている。金属板２６は、接地電位とされており、シールド部材としの作用を有する。このため、パワー半導体モジュール３０に内蔵されたＩＧＢＴ１１０、１２００等のスイッチング素子のスイッチング動作時等に発生する放射ノイズのシールド効果を得ることができる。
【００２２】
図９は、図４の領域ＩＸの拡大図である。
パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３は、各端子カバー１の端子覆い部２７と各仕切り部２８とにより囲まれる空間部Ｓ内に配置されている。端子覆い部２７と各入出力端子１０１〜１０３の先端１５０との間には空隙Ｇが設けられている。各入出力端子１０１〜１０３には、ＤＣバスバーまたはＡＣバスバー５１が溶接により接合される。各入出力端子１０１〜１０３とＤＣバスバーまたはＡＣバスバー５１とを溶接する際に発生するスパッタ（導電性異物）Ｍは、空隙Ｇを含む空間部Ｓ内に落下する。これにより、スパッタＭが制御用回路基板２０等の電子部品に付着し、電気的不具合の要因となるのを抑制することができる。
【００２３】
上記第１の実施形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）端子カバー１に設けた絶縁性部材で形成された仕切り部２８を、パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３の間に配置した。これにより、パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３の絶縁性を確保することが可能となるため、入出力端子１０１〜１０３の間隔を小さくすることができる。これ伴って、電力変換装置１０の小型化を図ることができる。
【００２４】
（２）端子カバー１は、パワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３の先端１５０上を覆う端子覆い部２７を有している。このため、制御用回路基板２０がパワー半導体モジュール３０の各入出力端子１０１〜１０３に近接して配置される構造であっても、制御用回路基板２０と各入出力端子１０１〜１０３との絶縁性を確保することができる。
【００２５】
（３）基板支持部材２５は、端子カバー１が一体成型された１つの部材として形成されている。このため、部品点数を削減することができる。
【００２６】
（４）基板支持部材２５は端子カバー１を含み、金属板２６がインサートされたインサート成型により形成される。このため、基板支持部材２５すべてを金属で形成せずとも、基板支持部材２５の強度を確保し、かつ、軽量化を図ることができる。
【００２７】
（５）金属板２６は接地電位とされている。このため、パワー半導体モジュール３０に内蔵されたスイッチング素子のスイッチング動作時等に発生する放射ノイズのシールド効果を得ることができる。
【００２８】
（６）端子カバー１は、端子覆い部２７と仕切り部２８により構成される空間部Ｓを有し、空間部Ｓは、端子覆い部２７の内面と入出力端子１０１〜１０３の先端１５０との間に設けられる空隙Ｇを含んでいる。このため、各入出力端子１０１〜１０３とＤＣバスバーまたはＡＣバスバー５１とを溶接する際に発生するスパッタを、空隙Ｇを含む空間部Ｓ内に留保することができる。これにより、スパッタが制御用回路基板２０等の電子部品に付着し、電気的不具合の要因となるのを抑制することができる。
【００２９】
（７）基板支持部材２５の周縁部および各端子カバー１と基板支持部材２５との境界部には、補強リブ２９、２９ａが設けられている。このため、端子カバー１を含む基板支持部材２５に外力が作用した場合でも、基板支持部材２５の捩りや反り等の変形を抑制することができる。
【００３０】
−第２の実施形態−
図１０は、本発明の第２の実施形態を示し、第１の実施形態の図４の一部に対応する断面図である。
第２の実施形態では、端子カバー１は、基板支持部材２５とは別体に形成され、基板支持部材２５に取付けられる構造を有する。
端子カバー１は、基板支持部材２５に貫通孔または凹部を設け、この貫通孔または凹部に端子カバー１を嵌合して、固定される。端子カバー１と基板支持部材２５との固定は、例えば、締結部材による締結や、圧入等により行うことができる。また、端子カバー１と基板支持部材２５とに係合片と係合部を設けて係合するようにしてもよい。
【００３１】
第２の実施形態における他の構造は、第１の実施形態と同様であり、対応する部材に同一の符号を付し、説明を省略する。
第２の実施形態においても、第１の実施形態の効果（１）〜（２）、（４）〜（７）を奏する。
【００３２】
−変形例１−
図１１は、本発明の変形例１を示し、基板支持部材の実装構造の側面図である。
変形例１は、制御用回路基板２０の一面に端子カバー１の上面を密着させる構造を有する。
上述したように、端子カバー１は、その厚さＴが基板支持部材２５の厚さｔより厚く形成され、制御用回路基板２０側に向けて隆起している。このため、図１１に図示されるように、制御用回路基板２０（点線で示す）の下面を、端子カバー１、すなわち、基板支持部材２５の端子覆い部２７の上面に密着させる構造を採用することができる。
【００３３】
電力変換装置１０に振動が作用すると、制御用回路基板２０および基板支持部材２５に捩りや反り等の変形が生じる可能性がある。基板支持部材２５より厚く形成された端子カバー１と制御用回路基板２０とを密着する構造とすることで、端子カバー１のがたつきを抑制する。これにより、端子カバー１に振動が作用した場合における入出力端子１０１〜１０３間の絶縁の信頼性を向上することができる。また、基板支持部材２５の割れや破損の防止を図ることができる。
変形例１は、上記第１の実施形態および第２の実施形態の双方に適用することができる。
【００３４】
−変形例２−
図１２は、本発明の変形例２を示し、図４に対応する領域の実装構造を示す図である。
図１２に示す変形例では、端子カバー１と制御用回路基板２０との間に放熱シート等の放熱部材３８が介装された構造を有する。放熱部材３８がシート状である場合には、端子カバー１の上面または制御用回路基板２０の下面に貼りつけて実装することができる。
変形例２の構造とすると、制御用回路基板２０に実装された発熱素子が放出する熱を、放熱部材３８および端子カバー１を介して流路形成体４０に放出して冷却することができる。
変形例２は、上記第１の実施形態および第２の実施形態の双方に適用することができる。
【００３５】
上記実施形態では、三相のアーム回路としての機能を備える３つのパワー半導体モジュール３０を備える電力変換回路として例示した。しかし、本発明は、１つのパワー半導体モジュール３０や６つのパワー半導体モジュール３０を備える電力変換装置１０に適用することができる。
【００３６】
上記実施形態では、電力変換装置１０として、ＩＧＢＴ１１０、１２０を用いたインバータ装置として例示した。しかし、ＩＧＢＴ１１０、１２０に代えて、サイリスタや、ＧＴＯ（Gate Turn Off Thyristor）等を用いたインバータ回路にも適用することができる。
【００３７】
また、直流−交流変換を行うインバータ装置に限らず、交流−交流変換を行うマトリックスコンバータ等、他の電力変換装置にも適用することができる。
【００３８】
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００３９】
１      端子カバー
１０      電力変換装置
２０      制御用回路基板
２５      基板支持部材
２６      金属板
２７    端子覆い部
２８      仕切り部
２９、２９ａ      補強リブ
３０      パワー半導体モジュール
３８      放熱部材
４０      流路形成体
１０１      入力端子
１０１ａ、１０１ｂ    直流正極性入力端子
１０２      交流出力端子
１０３      入力端子
１０３ａ、１０３ｂ    直流負極性入力端子
１１０      ＩＧＢＴ
１１１〜１１３、１２１〜１２５    信号端子
１５０      先端
Ｓ          空間部
Ｇ          空隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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