(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を介して長さ方向の両面に交互に露出するように配置される複数の第１内部電極及び複数の第２内部電極を含むセラミック本体と、前記セラミック本体の長さ方向の両端部に前記複数の第１内部電極及び前記複数の第２内部電極とそれぞれ接続されるように配置される第１外部電極及び第２外部電極を含む積層セラミックキャパシタと、
前記セラミック本体の厚さ方向の一側に配置される第１水平絶縁部、前記第１外部電極及び前記第２外部電極の厚さ方向の他面にそれぞれ配置される第２水平絶縁部及び第３水平絶縁部、及び前記第１水平絶縁部の両端部と前記第２水平絶縁部及び前記第３水平絶縁部の端部をそれぞれ連結し、前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ配置される第１垂直絶縁部及び第２垂直絶縁部を含む絶縁フレームと、
前記第１水平絶縁部の外面に互いに離れるように配置される第１上部水平導体部及び第２上部水平導体部、前記第２水平絶縁部及び前記第３水平絶縁部の外面にそれぞれ配置される第１下部水平導体部及び第２下部水平導体部、及び前記第１垂直絶縁部及び前記第２垂直絶縁部の外面にそれぞれ配置される第１垂直導体部及び第２垂直導体部をそれぞれ含む第１外部導体電極及び第２外部導体電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極の上面と前記第１水平絶縁部の間にそれぞれ配置される第１内部導体電極及び第２内部導体電極と、
前記第１上部水平導体部及び前記第２上部水平導体部と前記第１内部導体電極及び前記第２内部導体電極をそれぞれ接続させる電気的連結手段と、を含む、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１外部電極及び前記第２外部電極は、前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ形成された第１ボディ部及び第２ボディ部と、前記第１ボディ部及び前記第２ボディ部からそれぞれ延長されて前記セラミック本体の幅方向及び厚さ方向の面の一部をそれぞれ覆う第１バンド部及び第２バンド部を含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第１内部導体電極及び前記第２内部導体電極と前記第１バンド部及び前記第２バンド部に対応する面の間にそれぞれ配置される第１導電性接着層及び第２導電性接着層をさらに含む、請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第１導電性接着層及び前記第２導電性接着層が、高融点半田または導電性ペーストからなる、請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記電気的連結手段が、前記第１水平絶縁部に貫通結合された第１及び第２ビア電極からなる、請求項１から４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記電気的連結手段は、前記第１上部水平導体部及び前記第２上部水平導体部並びに前記第１水平絶縁部を貫通して形成された第１溝部及び第２溝部と、前記第１溝部及び前記第２溝部にそれぞれ形成された第１導電性連結部及び第２導電性連結部と、を含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記第１溝部及び前記第２溝部が、前記第１上部水平導体部及び前記第２上部水平導体部と前記第１垂直導体部及び前記第２垂直導体部の連結部分にそれぞれ形成される、請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記絶縁フレームは、前記第２水平絶縁部及び前記第３水平絶縁部と前記第１垂直絶縁部及び前記第２垂直絶縁部が前記第１外部電極及び前記第２外部電極からそれぞれ離れるように配置される、請求項１から７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記第１内部導体電極及び前記第２内部導体電極が、前記第１外部電極及び前記第２外部電極の前記第１ボディ部及び前記第２ボディ部の一部をそれぞれ覆うように延長される、請求項２から４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記第１垂直導体部及び前記第２垂直導体部の外面にそれぞれ配置された第１絶縁層及び第２絶縁層をさらに含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
誘電体層を介して長さ方向の両面に交互に露出するように配置される複数の第１内部電極及び複数の第２内部電極を含むセラミック本体、及び前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ配置され、前記複数の第１内部電極及び前記複数の第２内部電極とそれぞれ接続される第１ボディ部及び第２ボディ部と、前記第１ボディ部及び前記第２ボディ部からそれぞれ延長されて前記セラミック本体の幅方向及び厚さ方向の面の一部を覆う第１バンド部及び第２バンド部を含む第１外部電極及び第２外部電極を含む積層セラミックキャパシタと、
前記セラミック本体の厚さ方向の一側に配置される第１水平絶縁部、前記第１外部電極及び前記第２外部電極の厚さ方向の他面にそれぞれ配置される第２水平絶縁部及び第３水平絶縁部、前記第１水平絶縁部の両端部と前記第２水平絶縁部及び前記第３水平絶縁部の端部をそれぞれ連結し、前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ配置される第１垂直絶縁部及び第２垂直絶縁部を含む絶縁フレームと、
前記第２水平絶縁部及び前記第３水平絶縁部の外面にそれぞれ配置される第１下部水平導体部及び第２下部水平導体部、及び前記第１垂直絶縁部及び前記第２垂直絶縁部の外面にそれぞれ配置される第１垂直導体部及び第２垂直導体部をそれぞれ含む第１外部導体電極及び第２外部導体電極と、
前記第１バンド部及び前記第２バンド部の上面と前記第１ボディ部及び前記第２ボディ部の一部をそれぞれ覆うように配置される第１内部導体電極及び第２内部導体電極と、
前記第１垂直導体部及び前記第２垂直導体部と前記第１内部導体電極及び前記第２内部導体電極をそれぞれ接続させる電気的連結手段と、を含む、積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記第１内部導体電極及び前記第２内部導体電極と前記第１バンド部及び前記第２バンド部に対応する面、または前記第１ボディ部及び前記第２ボディ部の間にそれぞれ配置される第１導電性接着層及び第２導電性接着層をさらに含む、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
前記電気的連結手段が、前記第１垂直絶縁部及び前記第２垂直絶縁部にそれぞれ貫通結合された第１ビア電極及び第２ビア電極からなる、請求項１１または１２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
前記電気的連結手段は、前記第１垂直導体部及び前記第２垂直導体部と前記第１垂直絶縁部及び前記第２垂直絶縁部をそれぞれ貫通して形成された第１溝部及び第２溝部と、前記第１溝部及び前記第２溝部にそれぞれ形成された第１導電性連結部及び第２導電性連結部と、を含む、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１５】
前記絶縁フレームは、前記第２水平絶縁部及び前記第３水平絶縁部と前記第１垂直絶縁部及び前記第２垂直絶縁部の下部が前記第１外部電極及び前記第２外部電極からそれぞれ離れるように配置される、請求項１１から１４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１６】
前記第１垂直導体部及び前記第２垂直導体部の外面にそれぞれ配置された第１絶縁層及び第２絶縁層をさらに含む、請求項１１から１５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１７】
上部に複数の電極パッドを有する基板と、
前記電極パッドに外部導体電極が接合されるように前記基板に実装される請求項１から１６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品と、を含む、積層セラミック電子部品の実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック材料を用いる電子部品としては、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスタなどがある。
【０００３】
このようなセラミック電子部品の積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ、Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易であるという長所によって多様な電子装置に用いられることができる。
【０００４】
例えば、上記積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置（ＬＣＤ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ、Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末（ＰＤＡ、Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、及び携帯電話などの多様な製品の基板に装着されて電気を充電または放電させる役割をする。
【０００５】
このような積層セラミックキャパシタは、複数の誘電体層を有し、上記誘電体層の間に異なる極性の内部電極が交互に配置された構造を有することができる。
【０００６】
このとき、上記誘電体層は、圧電性を有するため、上記積層セラミックキャパシタに直流または交流電圧が印加されると、内部電極の間で圧電現象が生じて周波数によってセラミック本体の体積を膨張及び収縮させながら周期的な振動を発生させる可能性がある。
【０００７】
このような振動は、上記積層セラミックキャパシタの外部電極、及び上記外部電極と基板を連結する半田を通じて基板に伝達され、上記基板全体が音響反射面となり、雑音となる振動音を発生させる可能性がある。
【０００８】
上記振動音は、人に不快感を与える２０〜２０，０００Ｈｚ領域の可聴周波数に該当し、このように人に不快感を与える振動音をアコースティックノイズ（ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｎｏｉｓｅ）という。
【０００９】
さらに、最近の電子機器では、器具部品の静音化が進むにつれて、上記積層セラミックキャパシタが発生させるアコースティックノイズがより顕著に現れる可能性がある。
【００１０】
このようなアコースティックノイズは、機器の動作環境が静かである場合、使用者が異常音と考え、機器の故障としてみなすおそれがある。
【００１１】
また、音声回路を有する機器では、音声出力にアコースティックノイズが重なり機器の品質が低下するという問題点が発生しかねない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−２６６１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、アコースティックノイズが低減した積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一側面は、積層セラミックキャパシタのセラミック本体の上下主面と、外部電極のボディ部及びバンド部の上下面を覆うように配置された絶縁フレームを含み、上記絶縁フレームの外面に外部導体電極が配置され、上記絶縁フレームの内面に上記外部電極と接続される内部導体電極が配置され、上記外部導体電極と上記内部導体電極が互いに電気的に連結される積層セラミック電子部品を提供する。
【００１５】
本発明の他の側面は、上部に複数の電極パッドを有する基板と、上記電極パッドに外部導体電極が接合されるように上記基板に実装される上記積層セラミック電子部品と、を含む積層セラミック電子部品の実装基板を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一実施形態によると、外部導体電極及び絶縁フレームの弾性力が積層セラミックキャパシタの外部電極を通じて伝達される振動を吸収することによりアコースティックノイズを低減させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１において積層セラミック電子部品を分解して示す分解斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタの内部電極構造を簡略に示す分解斜視図である。
【図４】図１の積層セラミック電子部品を製造する方法を概略的に示す側断面図である。
【図５】図１の積層セラミック電子部品を製造する方法を概略的に示す側断面図である。
【図６】図１の側断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。
【図１０】図１の積層セラミック電子部品が基板に実装された形状を示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１９】
なお、各実施形態の図面に示された同一の思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。
【００２０】
さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００２１】
＜積層セラミック電子部品＞
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、積層セラミックキャパシタのセラミック本体の上下主面と、外部電極のボディ部及びバンド部の上下面を覆うように配置された絶縁フレームを含み、上記絶縁フレームの外面に外部導体電極が配置され、上記絶縁フレームの内面に上記外部電極と接続される内部導体電極が配置され、上記外部導体電極と上記内部導体電極が互いに電気的に連結される。
【００２２】
このとき、上記内部導体電極と上記外部電極の間には導電性接着層が配置されることができる。
【００２３】
また、上記外部導体電極と上記内部導体電極は、上記絶縁フレームに貫通結合されたビア電極を通じて互いに電気的に連結されるか、または上記外部導体電極及び上記絶縁フレームの一部に溝部が形成され、上記溝部に導電性連結部が形成されて互いに電気的に連結されることができる。
【００２４】
また、上記絶縁フレームの一部は、上記外部電極から離れるように配置されることができる。
【００２５】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す斜視図であり、図２は図１から積層セラミック電子部品を分解して示す分解斜視図であり、図３は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタの内部電極構造を簡略に示す分解斜視図であり、図４及び図５は図１の積層セラミック電子部品を製造する方法を概略的に示す側断面図であり、図６は図１の側断面図である。
【００２６】
図１から図６を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品１００は、積層セラミックキャパシタ１０１と、絶縁フレーム１４０と、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２と、第１及び第２内部導体電極１５３、１５４と、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２と第１及び第２内部導体電極１５３、１５４をそれぞれ接続させるための電気的連結手段と、を含む。
【００２７】
本実施形態の積層セラミックキャパシタ１０１は、複数の誘電体層１１１を有し、複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むセラミック本体１１０と、第１及び第２外部電極１３１、１３２と、を含む。
【００２８】
セラミック本体１１０は、複数の誘電体層１１１を厚さ方向Ｔに積層してから焼成したものである。
【００２９】
このとき、セラミック本体１１０において互いに隣接するそれぞれの誘電体層１１１同士は、その境界が確認できないほど一体化されることができる。
【００３０】
また、セラミック本体１１０は六面体形状であることができるが、本発明はこれに限定されない。
【００３１】
本実施形態では、説明の便宜のために、セラミック本体１１０の誘電体層１１１が積層された厚さ方向Ｔの互いに相対する面を上下面と、上記上下面を連結するセラミック本体１１０の長さ方向Ｌの互いに相対する面を第１及び第２側面と、上記第１及び第２側面と垂直に交差する幅方向Ｗの互いに相対する面を第３及び第４側面と定義する。
【００３２】
また、セラミック本体１１０は、最上部の第１または第２内部電極の上部に所定の厚さの上部カバー層１１２が形成され、最下部の第１または第２内部電極の下部に下部カバー層１１３が配置されることができる。
【００３３】
上部カバー層１１２及び下部カバー層１１３は、誘電体層１１１と同一の組成からなることができ、内部電極を含まない誘電体層をセラミック本体１１０の最上部の内部電極の上部及び最下部の内部電極の下部にそれぞれ少なくとも１つ以上積層して形成されることができる。
【００３４】
誘電体層１１１は、高誘電率のセラミック材料を含むことができ、例えば、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）系セラミック粉末などを含むことができるが、本発明はこれに限定されない。
【００３５】
上記ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末は、例えば、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ１−ｙＣａｙ）Ｏ３、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３またはＢａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３などがあるが、本発明はこれに限定されない。
【００３６】
また、誘電体層１１１には、必要に応じて、セラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、及び分散剤の少なくとも一つ以上がさらに含まれることができる。
【００３７】
上記セラミック添加剤は、例えば、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。
【００３８】
第１及び第２内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１を形成するセラミックシート上に形成されて厚さ方向に積層された後、焼成によって一つの誘電体層１１１を介してセラミック本体１１０の内部に厚さ方向に交互に配置される。
【００３９】
このような第１及び第２内部電極１２１、１２２は、互いに異なる極性を有する電極であり、誘電体層１１１の積層方向に沿って互いに対向するように配置され、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に絶縁されることができる。
【００４０】
第１及び第２内部電極１２１、１２２は、その一端がセラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２側面にそれぞれ露出する。
【００４１】
また、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２側面に露出する第１及び第２内部電極１２１、１２２の端部は、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２側面において第１及び第２外部電極１３１、１３２とそれぞれ接続されて電気的に連結されることができる。
【００４２】
このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、導電性金属で形成され、例えば、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金などの材料を用いることができるが、本発明はこれに限定されない。
【００４３】
上記のような構成により、第１及び第２外部電極１３１、１３２に所定の電圧が印加されると、互いに対向する第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積されるようになる。このとき、積層セラミックキャパシタ１０１の静電容量は、誘電体層１１１の積層方向に沿って互いに重なる第１及び第２内部電極１２１、１２２の面積と比例するようになる。
【００４４】
第１及び第２外部電極１３１、１３２は、セラミック本体１１０の長さ方向の両端部にそれぞれ配置される。
【００４５】
また、第１及び第２外部電極１３１、１３２は、第１及び第２ボディ部１３１ａ、１３２ａと、第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂと、をそれぞれ含むことができる。
【００４６】
第１及び第２ボディ部１３１ａ、１３２ａは、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２側面に配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２の露出した端部とそれぞれ接続されて電気的に連結される部分である。
【００４７】
第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂは、第１及び第２ボディ部１３１ａ、１３２ａから少なくともセラミック本体１１０の実装面である下面の一部、またはセラミック本体１１０の幅方向の両側面の一部をそれぞれ覆うように延長される部分であり、第１及び第２外部電極１３１、１３２の固着強度を向上させる役割をすることができる。
【００４８】
このとき、第１及び第２外部電極１３１、１３２上にめっき層（図示せず）が形成されることができる。
【００４９】
上記めっき層は、一例として、第１及び第２外部電極１３１、１３２上にそれぞれ形成された第１及び第２ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、上記第１及び第２ニッケルめっき層上にそれぞれ形成された第１及び第２すず（Ｓｎ）めっき層と、を含むことができる。
【００５０】
絶縁フレーム１４０は、第１から第３水平絶縁部１４１、１４４、１４５と、第１及び第２垂直絶縁部１４２、１４３と、を含む。
【００５１】
第１水平絶縁部１４１はセラミック本体１１０の上面に配置され、第２及び第３水平絶縁部１４４、１４５は第１及び第２外部電極１３１、１３２の第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂの下面に配置される。
【００５２】
このとき、第２及び第３水平絶縁部１４４、１４５は、必要に応じて、第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂから所定間隔離れるように配置されることができる。
【００５３】
また、第１及び第２垂直絶縁部１４２、１４３は、第１水平絶縁部１４１の両端部と第２及び第３水平絶縁部１４４、１４５の端部を連結し、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２側面に配置される。
【００５４】
このとき、第１及び第２垂直絶縁部１４２、１４３は、必要に応じて、第１及び第２ボディ部１３１ａ、１３２ａから所定間隔離れるように配置されることができる。
【００５５】
絶縁フレーム１４０は、耐熱性及び絶縁性に優れ、折り曲げ加工するのに適した柔軟性を有する絶縁材料、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂などからなることができる。
【００５６】
従来の金属フレームの構造は一対の金属フレームを備え、一対の金属フレームは左右の外部電極にそれぞれの工程を通じて配置されるため、計２回の工程を行わなければならなかった。
【００５７】
しかし、本実施例では、単一の絶縁フレーム１４０を用いており、フレーム構造物を１回の工程で積層セラミックキャパシタ１０１に接合させることができるため作業性を向上させることができる。これにより、製造費用を節減させることができるという効果が期待できる。
【００５８】
また、本実施例の絶縁フレーム１４０は、絶縁体であるため、後述する内部導体電極のサイズを調節すると、積層セラミックキャパシタ１０１と絶縁フレーム１４０の接合面積が容易に制御される。これにより、積層セラミックキャパシタ１０１で発生した圧電振動が絶縁フレーム及び外部導体電極を通じて伝達される面積を容易に調節することができる。
【００５９】
第１外部導体電極１５１は、第１上部水平導体部１５１ｂと、第１下部水平導体部１５１ｃと、第１垂直導体部１５１ａと、を含む。
【００６０】
第１上部水平導体部１５１ｂは絶縁フレーム１４０の第１水平絶縁部１４１の外面（上面）において第１バンド部１３１ｂと対応する位置に配置され、第１下部水平導体部１５１ｃは第２水平絶縁部１４４の外面（下面）において第１バンド部１３１ｂと対応する位置に配置される。また、第１垂直導体部１５１ａは第１上部水平導体部１５１ｂの一端部と第１下部水平導体部１５１ｃを垂直に連結し、絶縁フレーム１４０の第１垂直絶縁部１４２の外面に配置される。
【００６１】
このとき、第１下部水平導体部１５１ｃには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル／すずまたはニッケル／金めっきなどの表面処理が行われることができる。
【００６２】
このように構成された第１外部導体電極１５１は、略「［」字の形状を有することができる。
【００６３】
第２外部導体電極１５２は、第２上部水平導体部１５２ｂと、第２下部水平導体部１５２ｃと、第２垂直導体部１５２ａと、を含む。
【００６４】
第２上部水平導体部１５２ｂは絶縁フレーム１４０の第１水平絶縁部１４１の外面（上面）において第２バンド部１３２ｂと対応する位置に配置され、第２下部水平導体部１５２ｃは第３水平絶縁部１４５の外面（下面）において第２バンド部１３２ｂと対応する位置に配置される。また、第２垂直導体部１５２ａは第２上部水平導体部１５２ｂの一端部と第２下部水平導体部１５２ｃを垂直に連結し、絶縁フレーム１４０の第２垂直絶縁部１４３の外面に配置される。
【００６５】
このとき、第２下部水平導体部１５２ｃには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル／すずまたはニッケル／金めっきなどの表面処理が行われることができる。
【００６６】
このように構成された第２外部導体電極１５２は、略「］」字の形状を有することができる。
【００６７】
また、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２は、導電性に優れた金属材料、例えば、銅などからなることができる。
【００６８】
なお、第１及び第２垂直導体部１５１ａ、１５２ａの外面には、必要に応じて、エポキシ樹脂などの材料からなる第１及び第２絶縁層（図示せず）を配置して、基板への実装時に半田の高さを低く制御することができる。
【００６９】
第１内部導体電極１５３は、第１外部電極１３１の第１バンド部１３１ｂの上面と絶縁フレーム１４０の第１水平絶縁部１４１の間に配置され、第１外部電極１３１の第１バンド部１３１ｂと接続されて電気的に連結される。
【００７０】
第２内部導体電極１５４は、第２外部電極１３２の第２バンド部１３２ｂの上面と絶縁フレーム１４０の第１水平絶縁部１４１の間に配置され、第２外部電極１３２の第２バンド部１３２ｂと接続されて電気的に連結される。
【００７１】
また、第１及び第２内部導体電極１５３、１５４は、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２と同一の材質で、導電性に優れた金属材料、例えば、銅などからなることができる。
【００７２】
上記電気的連結手段は、例えば、絶縁フレーム１４０の第１水平絶縁部１４１にそれぞれ貫通結合された第１及び第２ビア電極１５５、１５６であることができる。
【００７３】
このような第１及び第２ビア電極１５５、１５６の露出した両端部に、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２の第１及び第２上部水平導体部１５１ｂ、１５２ｂと第１及び第２内部導体電極１５３、１５４がそれぞれ接触して互いに電気的に連結されることができる。
【００７４】
本実施形態によると、一つの絶縁フレーム１４０に外部導体電極と内部導体電極が一体化されて構成されるため、積層セラミックキャパシタ１０１に含まれた一対の外部電極に内部導体電極、絶縁フレーム及び外部導体電極をそれぞれ接合する構成に比べて工程が単純化されて、製造効率を高めることができる。
【００７５】
一方、第１及び第２外部電極１３１、１３２の第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂの上面と第１及び第２内部導体電極１５３、１５４の間の接合強度を向上させるために、第１及び第２導電性接着層１６１、１６２がそれぞれ配置されることができる。
【００７６】
第１及び第２導電性接着層１６１、１６２は、例えば、高融点半田または導電性ペーストからなることができるが、本発明はこれに限定されない。
【００７７】
＜変形例＞
図７は本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。
【００７８】
ここで、上述の実施形態と類似した部分は、重複を避けるために具体的な説明を省略し、上述の実施形態と比較して変更された特徴について具体的に説明する。
【００７９】
図７を参照すると、本実施形態の電気的連結手段は、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２の第１及び第２上部水平導体部１５１ｂ、１５２ｂと絶縁フレーム１４０の第１水平絶縁部１４１を同時に貫通して、第１及び第２溝部が形成され、上記第１及び第２溝部に導電性物質からなる第１及び第２導電性連結部１５１ｄ、１５２ｄが形成される。このような第１及び第２導電性連結部１５１ｄ、１５２ｄによって第１及び第２外部導体電極１５１、１５２と第１及び第２内部導体電極１７３、１７４がそれぞれ連結されるように構成することができる。
【００８０】
また、第１及び第２内部導体電極１７３、１７４は、他の実施例として、第１及び第２外部電極１３１、１３２の第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂの上面から第１及び第２ボディ部１３１ａ、１３２ａの一部までを覆うように折り曲げられた形状で形成されることができる。
【００８１】
このとき、上記第１及び第２溝部は、必要に応じて、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２の第１及び第２上部水平導体部１５１ｂ、１５２ｂと第１及び第２垂直導体部１５１ａ、１５２ａの連結部分と、絶縁フレーム１４０の第１水平絶縁部１４１と第１及び第２垂直絶縁部１４２、１４３の連結部分にそれぞれ形成されることができる。
【００８２】
図８は本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図であり、図９は本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。
【００８３】
ここで、上述の実施形態と類似した部分は、重複を避けるために具体的な説明を省略し、上述の実施形態と比較して変更された特徴について具体的に説明する。
【００８４】
図８及び図９を参照すると、本実施形態の第１外部導体電極１７１は、第１下部水平導体部１７１ｂと、第１垂直導体部１７１ａと、を含む。
【００８５】
第１下部水平導体部１７１ｂは第２水平絶縁部１４４の外面（下面）において第１バンド部１３１ｂと対応する位置に配置され、第１垂直導体部１７１ａは第１下部水平導体部１７１ｂの一端部から垂直に折り曲げられて延長され、絶縁フレーム１４０の第１垂直絶縁部１４２の外面に配置される。
【００８６】
このとき、第１下部水平導体部１７１ｂには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル／すずまたはニッケル／金めっきなどの表面処理が行われることができる。
【００８７】
このように構成された第１外部導体電極１７１は、略「└」字の形状を有することができる。
【００８８】
第２外部導体電極１７２は、第２下部水平導体部１７２ｂと、第２垂直導体部１７２ａと、を含む。
【００８９】
第２下部水平導体部１７２ｂは、第３水平絶縁部１４５の外面（下面）において第２バンド部１３２ｂと対応する位置に配置され、第２垂直導体部１７２ａは第２下部水平導体部１７２ｂの一端部から垂直に折り曲げられて延長され、絶縁フレーム１４０の第２垂直絶縁部１４３の外面に配置される。
【００９０】
このとき、第２下部水平導体部１７２ｂには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル／すずまたはニッケル／金めっきなどの表面処理が行われることができる。
【００９１】
このように構成された第２外部導体電極１７２は、略「┘」字の形状を有することができる。
【００９２】
また、第１及び第２内部導体電極１７３、１７４は、他の実施例として、第１及び第２外部電極１３１、１３２の第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂの上面から第１及び第２ボディ部１３１ａ、１３２ａの一部までを覆うように折り曲げられた形状で形成されることができる。
【００９３】
また、第１及び第２導電性接着層１６１、１６２は、第１及び第２外部電極１３１、１３２の第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂの上面または第１及び第２ボディ部１３１ａ、１３２ａと第１及び第２内部導体電極１７３、１７４の間にそれぞれ配置されることができる。
【００９４】
なお、上記電気的連結手段は、絶縁フレーム１４０の第１及び第２垂直絶縁部１４２、１４３にそれぞれ貫通結合された第１及び第２ビア電極１７５、１７６であることができる。
【００９５】
このような第１及び第２ビア電極１７５、１７６の露出した両端部に、第１及び第２外部導体電極１７１、１７２の第１及び第２垂直導体部１７１ａ、１７２ａと第１及び第２内部導体電極１７３、１７４の垂直延長部がそれぞれ接触して互いに電気的に連結されることができる。
【００９６】
一方、本実施形態の電気的連結手段は、第１及び第２外部導体電極１７１、１７２の第１及び第２垂直導体部１７１ａ、１７２ａと絶縁フレーム１４０の第１及び第２垂直絶縁部１４２、１４３を同時に貫通して、第１及び第２溝部が形成され、上記第１及び第２溝部に導電性物質からなる第１及び第２導電性連結部（図示せず）が形成される。上記第１及び第２導電性連結部によって第１及び第２外部導体電極１７１、１７２と第１及び第２内部導体電極１７３、１７４がそれぞれ連結されるように構成することができる。
【００９７】
また、第１及び第２垂直導体部１７１ａ、１７２ａの外面には、必要に応じて、エポキシ樹脂などの材料からなる第１及び第２絶縁層１７７、１７８を配置して、基板への実装時に、半田の高さを低く制御することができる。
【００９８】
なお、第１及び第２絶縁層１７７、１７８は、必要に応じて、高さを第１及び第２垂直導体部１７１ａ、１７２ａの高さより短く形成するなど、多様な形態で変更して構成することができる。
【００９９】
＜積層セラミック電子部品の実装基板＞
図１０を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板２００は、積層セラミック電子部品１００が水平に実装される基板２１０と、基板２１０の上面に離れるように形成された第１及び第２電極パッド２１１、２１２と、を含む。
【０１００】
また、積層セラミック電子部品１００は、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２の第１及び第２下部水平導体部１５１ｃ、１５２ｃがそれぞれ第１及び第２電極パッド２１１、２１２上に接触するように位置した状態で、半田２２１、２２２によって接合されて基板２１０と電気的に連結されることができる。
【０１０１】
このとき、第１及び第２電極パッド２１１、２１２のサイズは、積層セラミック電子部品の第１及び第２下部水平導体部１５１ｃ、１５２ｃと第１及び第２電極パッド２１１、２１２を連結する半田２２１、２２２の量を決定する指標になり得る。このような半田２２１、２２２の量によってアコースティックノイズの大きさが調節されることができる。
【０１０２】
積層セラミック電子部品１００が基板２１０に実装された状態で、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２側面に形成された第１及び第２外部電極１３１、１３２に極性が異なる電圧が印加されると、誘電体層１１１の逆圧電効果（Ｉｎｖｅｒｓｅ  ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｅｆｆｅｃｔ）によってセラミック本体１１０は厚さ方向に膨張及び収縮するようになり、第１及び第２外部電極１３１、１３２が形成されたセラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２側面はポアソン効果（Ｐｏｉｓｓｏｎ  ｅｆｆｅｃｔ）によってセラミック本体１１０の厚さ方向の膨張及び収縮とは逆に収縮及び膨張するようになる。
【０１０３】
このような収縮及び膨張は振動を発生させる。この振動は、第１及び第２外部電極１３１、１３２から基板２１０に伝達され、基板２１０から音響が放射されてアコースティックノイズとなる。
【０１０４】
本実施形態は、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２と絶縁フレーム１４０の弾性力により、積層セラミック電子部品１００の圧電特性によって発生する機械的振動の一部を吸収することにより、上記振動が基板２１０に伝達される量を減少させてアコースティックノイズを低減させることができる。
【０１０５】
また、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２と絶縁フレーム１４０が基板２１０の反りなどによって発生する機械応力及び外部衝撃を吸収することにより、積層セラミック電子部品１００に応力が伝達されないようにするとともに、積層セラミック電子部品１００のクラック発生を防止するという効果を期待することができる。
【０１０６】
また、本実施形態によると、第１及び第２外部導体電極１５１、１５２と絶縁フレーム１４０によって十分な弾性力を得ることができ、絶縁フレーム１４０の第２及び第３水平絶縁部１４４、１４５とセラミック本体１１０の下面は互いに接触するか、または離れても、最小限の間隔を維持することができるため、製品の高さをより減らすことができるようになる。
【０１０７】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【０１０８】
１００  積層セラミック電子部品
１０１  積層セラミックキャパシタ    
１１０  セラミック本体
１１１  誘電体層
１１２、１１３  カバー層
１２１、１２２  第１及び第２内部電極
１３１、１３２  第１及び第２外部電極
１４０  絶縁フレーム
１５１、１７１  第１外部導体電極
１５２、１７２  第２外部導体電極
１５３、１７３  第１内部導体電極
１５４、１７４  第２内部導体電極
１５５、１７５  第１ビア電極
１５６、１７６  第２ビア電極
１６１、１６２  第１及び第２導電性接着層
２００  実装基板
２１０  基板
２１１、２１２  第１及び第２電極パッド
２２１、２２２  半田
【図１】
0006501402.tif 000002
【図２】
0006501402.tif 000003
【図３】
0006501402.tif 000004
【図４】
0006501402.tif 000005
【図５】
0006501402.tif 000006
【図６】
0006501402.tif 000007
【図７】
0006501402.tif 000008
【図８】
0006501402.tif 000009
【図９】
0006501402.tif 000010
【図１０】
0006501402.tif 000011