(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハを保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を成形するビーム成形器と、該ビーム成形器によって成形されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハに照射する集光器と、を含み、
該ビーム成形器は、加工方向にレーザー光線を細長く形成するとともに長手方向にレーザー光線のパワーを弱と強に交互に連続した楕円形の集光スポットを形成し、
該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを分割予定ラインに沿って相対的に加工送りしながら楕円形の該集光スポットを長手方向において順次オーバーラップさせることにより、該半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工装置。
【請求項２】
該ビーム成形器は、レーザー光線を細長く形成するシリンドリカルレンズと、レーザー光線のパワーを弱と強に交互に連続して形成する回折格子と、から構成されている、請求項１記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にアブレーション加工を施すレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。
【０００３】
また、近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスの処理能力を向上するために、シリコン等の基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が積層された機能層によってデバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。
【０００４】
このような半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った分割は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、被加工物保持手段と切削手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃とからなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。
【０００５】
しかるに、上述したＬｏｗ−ｋ膜は、切削ブレードによって切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離がデバイスにまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。
【０００６】
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成された分割予定ラインの幅方向における両側に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すことにより、分割予定ラインに沿って２条のレーザー加工溝を形成してＬｏｗ−ｋ膜からなる機能層を分断し、この２条のレーザー加工溝の外側間に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。
【０００７】
また、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工を施すことにより、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成し、レーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する方法が下記特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−６４２３１号公報
【特許文献２】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかるに、半導体ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射すると、集光器の集光レンズによって集光されたレーザー光線のエネルギーによってデバイスにダメージが生じて抗折強度を低下させるという問題がある。
【００１０】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、周囲にダメージを生じさせることなくアブレーション加工を施すことができるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、半導体ウエーハを保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を成形するビーム成形器と、該ビーム成形器によって成形されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハに照射する集光器と、を含み、
該ビーム成形器は、加工方向にレーザー光線を細長く形成するとともに長手方向にレーザー光線のパワーを弱と強に交互に連続した楕円形の集光スポットを形成し、
該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを分割予定ラインに沿って相対的に加工送りしながら楕円形の該集光スポットを長手方向において順次オーバーラップさせることにより、該半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工装置が提供される。
【００１２】
上記ビーム成形器は、レーザー光線を細長く形成するシリンドリカルレンズと、レーザー光線のパワーを弱と強に交互に連続して形成する回折格子と、から構成されている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によるレーザー加工装置においては、被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を成形するビーム成形器と、該ビーム成形器によって成形されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハに照射する集光器とを含み、ビーム成形器は、加工方向にレーザー光線を細長く形成するとともに長手方向にレーザー光線のパワーを弱と強に交互に連続した楕円形の集光スポットを形成し、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを分割予定ラインに沿って相対的に加工送りしながら楕円形の該集光スポットを長手方向において順次オーバーラップさせることにより、該半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するように構成されているので、レーザー光線のエネルギーが分散されるため、エネルギーの一極集中によって生じるデバイス等の周囲へのダメージを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図および集光スポットの説明図。
【図３】被加工物としての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図。
【図４】図３に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着したダイシングテープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図５】図１に示すレーザー加工装置によって図３に示す半導体ウエーハに実施するレーザー光線照射工程の説明図。
【図６】図５に示すレーザー光線照射工程によって半導体ウエーハの分割予定ラインに形成されたレーザー加工溝を示す半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図７】図５に示すレーザー光線照射工程において照射されるレーザー光線の集光スポットの重なり率を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット４とを具備している。
【００１７】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にＸ軸方向と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ等の被加工物をダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１８】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にＹ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。
【００１９】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Ｙ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってＹ軸方向に移動させるための割り出し送り手段３８を具備している。割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってＹ軸方向に移動せしめられる。
【００２０】
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記静止基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持され実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２に配設されたレーザー光線照射手段５と、ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段６を具備している。なお、撮像手段６は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備えている。
【００２１】
上記レーザー光線照射手段５について、図２を参照して説明する。
レーザー光線照射手段５は、図２の（ａ）に示すようにパルスレーザー光線発振手段５１と、該パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段５２と、該出力調整手段５２によって出力が調整されたパルスレーザー光線を上記チャックテーブル３６に保持された被加工物Ｗに照射する加工ヘッド５３を具備している。上記パルスレーザー光線発振手段５１は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５１１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段５１２とから構成されており、加工する被加工物に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを発振する。
【００２２】
上記加工ヘッド５３は、パルスレーザー光線発振手段５１から発振され出力調整手段５２によって出力が調整されたパルスレーザー光線ＬＢを下方に向けて方向変換する方向変換ミラー５３１と、該方向変換ミラー５３１によって方向変換されたパルスレーザー光線ＬＢを集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Ｗに照射する集光レンズ５３２ａを備えた集光器５３２と、方向変換ミラー５３１と集光器５３２との間に配設され方向変換ミラー５３１によって方向変換されたパルスレーザー光線ＬＢを加工方向（Ｘ軸方向）に細長く形成するとともに長手方向にパルスレーザー光線ＬＢのパワーを弱と強に交互に連続して形成するビーム成形器５３３とを具備している。ビーム成形器５３３は、図２の（ａ）に示す実施形態においてはパルスレーザー光線ＬＢを加工方向（Ｘ軸方向）に細長く形成するシリンドリカルレンズ５３３ａと、該シリンドリカルレンズ５３３ａに入光せしめるパルスレーザー光線ＬＢのパワーを弱と強に交互に連続して形成する回折格子５３３ｂとから構成されている。このように構成されたビーム成形器５３３によって加工方向（Ｘ軸方向）に細長く形成されるとともに長手方向にパワーが弱と強に交互に連続して形成されたパルスレーザー光線ＬＢは、集光レンズ５３２ａによって集光され加工方向（Ｘ軸方向）に長手方向を有する細長い集光スポット（Ｓ）でチャックテーブル３６に保持された被加工物Ｗに照射される。この集光スポット（Ｓ）は、図示の実施形態においては図２の（ｂ）に示すにようにＸ軸方向の長軸（Ｌ１）が１００μｍでＹ軸方向の短軸（Ｌ２）が１０μｍの楕円形になるように設定されている。このように設定された集光スポット（Ｓ）のパワーは、図２の（ｂ）および図２の（ｃ）に示すにように弱（Ｐ１）と強（Ｐ２）がＸ軸方向に交互に連続して形成される。なお、弱（Ｐ１）と強（Ｐ２）の数は、図示の実施形態においてはそれぞれ１０個に設定されている。
なお、上述したビーム成形器５３３は、パルスレーザー光線ＬＢのパワーを回折格子５３３ｂによって弱と強に交互に連続して形成した後にシリンドリカルレンズ５３３ａによってパルスレーザー光線ＬＢを加工方向（Ｘ軸方向）に細長く形成するように構成した例を示したが、パルスレーザー光線ＬＢを加工方向（Ｘ軸方向）に細長く形成した後に回折格子５３３ｂによってパワーを弱と強に交互に連続して形成するように構成してもよい。
【００２３】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図３の（ａ）および（ｂ）には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図３の（ａ）および（ｂ）に示す半導体ウエーハ１０は、厚みが１５０μｍのシリコン等の基板１００の表面１００ａに絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された機能層１１０が形成されており、この機能層１１０に格子状に形成された複数の分割予定ライン１１１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１１２が形成されている。なお、図示の実施形態においては、機能層１１０を形成する絶縁膜は、ＳｉＯ２膜または、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなっており、厚みが１０μｍに設定されている。
【００２４】
上述した半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１１１に沿ってアブレーション加工を施し機能層１１０を分断する加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ１０を構成する基板１００の裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図４に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープＴの表面に半導体ウエーハ１０を構成する基板１００の裏面１００ｂを貼着する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された半導体ウエーハ１０は、機能層１１０の表面１１０ａが上側となる。
【００２５】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ１０のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０をダイシングテープＴを介してチャックテーブル３６上に吸引保持する（被加工物保持工程）。なお、半導体ウエーハ１０をダイシングテープＴを介して支持した環状のフレームＦは、チャックテーブル３６に配設されたクランプ３６２によって固定される。
【００２６】
上述した被加工物保持工程を実施したならば、Ｘ軸方向移動手段３７を作動して半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６を撮像手段６の直下に位置付ける。チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段６および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１１１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の加工ヘッド５３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１１１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００２７】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１１１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図５の（ａ）で示すようにチャックテーブル３６をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の加工ヘッド５３が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１１１を加工ヘッド５３の直下に位置付ける。このとき、図５の（ａ）で示すように半導体ウエーハ１０は、分割予定ライン１１１の一端（図５の（ａ）において左端）が加工ヘッド５３の直下に位置するように位置付けられる。次に、加工ヘッド５３から照射されるパルスレーザー光線の集光スポット（Ｓ）を半導体ウエーハ１０を構成する機能層１１０の表面１１０ａ付近に位置付ける。そして、レーザー光線照射手段５の加工ヘッド５３から機能層１１０に対して吸収性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図５の（ｂ）で示すように分割予定ライン１１１の他端（図５の（ｂ）において右端）が加工ヘッド５３の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。
【００２８】
次に、チャックテーブル３６を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に３０〜４０μｍ程度移動する。そして、レーザー光線照射手段５の加工ヘッド５３からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図５の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、図５の（ａ）に示す位置に達したらパルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。
【００２９】
上述したレーザー光線照射工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０は分割予定ライン１１１に沿ってアブレーション加工され、図６に示すように機能層１１０の厚さより深い２条のレーザー加工溝１１３、１１３が形成される。この結果、機能層１１０は、２条のレーザー加工溝１１３、１１３によって分断される。
【００３０】
なお、上記レーザー光線照射工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長              ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数    ：５０ｋＨｚ
平均出力          ：３Ｗ
集光スポット      ：長軸（Ｌ１）：１００μｍ、短軸（Ｌ２）：１０μｍの楕円形
パワーの弱と強の数：弱（１０個）、強（１０個）
加工送り速度      ：１００ｍｍ／秒
スポットの重なり率：９８％
【００３１】
上記レーザー光線照射工程においては、レーザー光線照射手段５の加工ヘッド５３から照射されるパルスレーザー光線は、上述したように楕円形の集光スポット（Ｓ）で半導体ウエーハ１０の機能層１１０に照射される。そして、パルスレーザー光線は、図７に拡大して示すように楕円形の集光スポット（Ｓ）が加工方向（Ｘ軸方向）に大部分がオーバーラップするように照射される。このオーバーラップ量、即ち楕円形の集光スポット（Ｓ）の重なり率は、上記加工条件においては９８％となる。即ち、上記加工条件においては楕円形の集光スポット（Ｓ）の長軸（Ｌ１）が１００μｍ、パルスレーザー光線の周波数（Ｈ）が５０ｋＨｚ、加工送り速度（Ｖ）が１００ｍｍ／秒であるから、次にパルスレーザー光線が照射されるまでの間に半導体ウエーハ１０が２μｍ移動するので、集光スポット（Ｓ）の９８μｍがオーバーラップすることになり、集光スポット（Ｓ）の重なり率｛１−Ｖ／（Ｈ×Ｌ１）｝×１００％は９８％となる。
【００３２】
以上のように、図示の実施形態におけるレーザー加工装置においては、加工ヘッド５３から照射されるパルスレーザー光線は、集光スポット（Ｓ）が加工方向（Ｘ軸方向）に細長く形成されるとともに長手方向（Ｘ軸方向）にパワーが弱（Ｐ１）と強（Ｐ２）に交互に連続して形成されているので、半導体ウエーハ１０の機能層１１０に照射されるパルスレーザー光線のエネルギーが加工方向（Ｘ軸方向）に分散されるため、エネルギーの一極集中によって生じるデバイス１１２へのダメージを回避することができる。また、上述した実施形態においては、加工ヘッド５３から照射されるパルスレーザー光線の集光スポット（Ｓ）が９８％の重なり率をもってオーバーラップしつつ照射されるので、分割予定ライン１１１に沿って均一な加工を効率よく行うことができる。
【００３３】
以上のようにして半導体ウエーハ１０に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って上述したレーザー光線照射工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０は機能層１１０に形成された２条のレーザー加工溝１１３、１１３間に沿って切断することにより個々のデバイスに分割する分割工程に搬送される。
【００３４】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては、ビーム成形器５３３をパルスレーザー光線を加工方向（Ｘ軸方向）に細長く形成するシリンドリカルレンズ５３３ａと、パルスレーザー光線のパワーを弱と強に交互に連続して形成する回折格子５３３ｂとから構成した例を示したが、ビーム成形器は位相変調器によって構成してもよい。
また、上述した実施形態においては、半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１１１に沿ってアブレーション加工を施し機能層１１０を分断する例を示したが、基板１００に分割予定ライン１１１に沿ってアブレーション加工を施し分割の起点となるレーザー加工溝を形成することもできる。
【符号の説明】
【００３５】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
５１：パルスレーザー光線発振手段
５２：出力調整手段
５３：加工ヘッド
５３１：方向変換ミラー
５３２：集光器
５３３：ビーム成形器
５３３ａ：シリンドリカルレンズ
５３３ｂ：回折格子
６：撮像手段
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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