(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジャンクションを有する半導体装置の周囲温度を制御する周囲温度制御部と、
前記周囲温度において、前記半導体装置を局所加熱する為に熱量を付与する局所加熱制御部と、
前記半導体装置の前記ジャンクションの特性を計測する計測部と、
複数の前記周囲温度での前記ジャンクションの特性から、前記半導体装置の故障を判定する故障判定部と、
前記半導体装置が故障と判定された場合の前記熱量と前記周囲温度との相関関係から、前記熱量が０となる前記周囲温度を故障ジャンクション温度として特定する故障ジャンクション温度特定部と
を備えるジャンクション温度特定装置。
【請求項２】
前記熱量が電流によって与えられる
ことを特徴とする請求項１に記載のジャンクション温度特定装置。
【請求項３】
前記熱量がレーザ光によって与えられる
ことを特徴とする請求項１に記載のジャンクション温度特定装置。
【請求項４】
前記ジャンクションの特性が電流電圧特性である
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のジャンクション温度特定装置。
【請求項５】
前記ジャンクションの特性がレーザ光の反射強度である
ことを特徴とする請求項３に記載のジャンクション温度特定装置。
【請求項６】
前記故障判定部が、前記電流電圧特性において所定電圧での電流が閾値を超える場合に故障と判定する
ことを特徴とする請求項４に記載のジャンクション温度特定装置。
【請求項７】
ジャンクションを有する半導体装置の周囲温度を制御するステップと、
前記周囲温度において、前記半導体装置を加熱する為に熱量を付与するステップと、
前記半導体装置のジャンクションの特性を計測するステップと、
複数の前記周囲温度での前記ジャンクションの特性から、前記半導体装置の故障を判定するステップと、
前記半導体装置が故障と判定された場合の前記熱量と各前記周囲温度との相関関係から、前記熱量が０となる前記周囲温度を故障ジャンクション温度として特定するステップと
を備えるジャンクション温度特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置のジャンクション温度を求める技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を動作させると、半導体装置内部の接合部（以降ジャンクションとする）が発熱し温度が上昇する。半導体装置の高密度化およびハイパワー化に伴い、ジャンクション温度が許容値を超えることによる半導体装置の故障が問題となっている。そこで、ジャンクションの温度を推定する方法として、特許文献１に記載のようなジャンクションを流れる電流と周囲温度との関係を求め、内部の温度が定常状態になった時点でのジャンクションの電流に対応する周囲温度を前記関係から求めてジャンクション温度として推定する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４５７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、動作時のジャンクション温度を推定することができるが、故障時のジャンクション温度を特定することができない。一般的に、半導体装置の最大動作可能温度は、半導体装置メーカーが半導体装置内の最も熱に弱い構造（例えば封止樹脂等）の故障温度からマージンを差し引いて設定しており、半導体装置のジャンクションの温度に注目したものではなく、故障時のジャンクション温度を特定しているものではない。この発明は、故障時のジャンクション温度である故障ジャンクション温度を求めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、ジャンクションを有する半導体装置の周囲温度を制御する周囲温度制御部３と、周囲温度において、半導体装置を局所加熱する為に熱量を付与する局所加熱制御部４と、半導体装置のジャンクションの特性を計測する計測部と、複数の周囲温度でのジャンクションの特性から、半導体装置の故障を判定する故障判定部１５と、半導体装置が故障と判定された場合の熱量と周囲温度の相関関係から、熱量が０となる周囲温度を故障ジャンクション温度として特定する故障ジャンクション温度特定部１６とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、半導体装置の故障ジャンクション温度を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置のジャンクション温度特定装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１における局所加熱制御部から端子に供給される電気的状態の一例を示す図である。
【図３】半導体装置の一般的な電圧−電流特性を示す図である。
【図４】正常な状態および故障した状態の半導体装置の電気特性の一例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態１における、故障時の周囲温度と瞬間入力電力の関係を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２による半導体装置のジャンクション温度特定装置の構成を示すブロック図である。
【図７】本発明の実施の形態２におけるレーザ制御部から被測定半導体装置に照射されるパルスレーザ光の波形および電源装置から端子に供給される電気的状態の一例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２における、故障時の周囲温度と瞬間レーザ光強度の関係を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態３による半導体装置のジャンクション温度および故障ジャンクション温度特定装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明の実施の形態３におけるレーザ走査部から被測定半導体装置に照射されるレーザ走査光の走査の一例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態３における、故障時の周囲温度と瞬間レーザ走査光強度の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
実施の形態１
図１は本発明の実施の形態１による半導体装置のジャンクション温度特定装置１の構成を示すブロック図である。図１を参照して、半導体装置のジャンクション温度特定装置１は、被測定半導体装置２の周囲温度を制御する周囲温度制御部３と、被測定半導体装置２の任意領域を局所的に加熱する為に熱量を付与する局所加熱制御部４と、被測定半導体装置２の故障判定を行うための印加電圧および印加電流をモニターし、半導体装置のジャンクションの特性を計測する計測部５を備える。また、半導体装置が故障しているかどうか、半導体装置のジャンクションの特性から判定する故障判定部１５と、半導体装置が故障であると判定された場合の、熱量との相関関係から熱量が０となる周囲温度を、故障するジャンクション温度である故障ジャンクション温度として特定する故障ジャンクション温度特定部１６とを備える。
【０００９】
本実施の形態では、一例として、被測定半導体装置２はダイオードとし、半導体装置内のＰＮ接合にそれぞれ接続された２つの端子２０１、２０２を備えるものとする。端子２０１がＰ型半導体に接続された陽極であり、端子２０２がＮ型半導体に接続された陰極である。本実施の形態はダイオードより複雑なＩＣに対しても適用可能である。ここで、ジャンクションはＰＮ接合に限定されず、ジャンクションを有している半導体装置ならば何でもよい。ＰＮ接合とはＰ型半導体とＮ型半導体の接合部をいうが、ジャンクションはこれに限定されず、半導体同士または半導体と金属が接合する部分のことをいう。
【００１０】
周囲温度制御部３が、被測定半導体装置２の周囲温度が任意に設定可能とし、例えば２５℃で定常状態（被測定半導体装置２のＰＮ接合部も含む）になるように保つ。本実施の形態において、局所加熱制御部４は被測定半導体装置２の端子２０１、２０２にパルス状電圧および電流を印加し、そのパルス幅および周期を変えることで、ＰＮ接合部の発熱による温度上昇領域を任意に変える手法を用いる。
【００１１】
周囲温度制御部３は、被測定半導体装置２の端子２０１、２０２へ供給する電圧または電流を任意に変化させることが可能であり、一般的には矩形波を供給するが、例えば、間欠的な正弦波や三角波でもよい。また、局所加熱制御部４はパルス状電圧及び電圧を印加するものとしているが、これに限定されるものではなく、熱量を与えるものならば何でもよい。
【００１２】
例えば、矩形波の場合、下側端子の電圧および電流、並びに上側端子の電圧、電流、パルス幅、周期およびサイクル数は任意に設定可能である。ここで、上側端子とは端子２０１をいい、下側端子とは端子２０２のことをいう。本実施の形態では、局所加熱制御部４は、端子２０１へは矩形波の電圧または電流を供給し、端子２０２へは０Ｖの定電圧を供給する。矩形波の上側端子の電圧または電流（第一電気的状態）は、被測定半導体装置２のジャンクション温度を上昇させるためであり、下側端子の電圧および電流（第二電気的状態）は被測定半導体装置２の故障判定を行うためである。半導体装置に電圧または電流を供給して加熱し、瞬間的に故障判定の為の電流または電圧をかけて故障しているかどうかを確認し、故障していない場合には、また局所加熱制御部により加熱ようの電流または電圧がかけられる。故障判定を上側端子の電圧および電流で行う場合は、下側端子の電圧および電流は０にしてもよい。
【００１３】
図２は、局所加熱制御部４から端子２０１、２０２に供給される電気的状態の一例である。図２（ａ）の縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示す。図２（ｂ）の縦軸は電流を示し、横軸は時間を示す。本実施の形態では、図２(a)は定電流制御、図２(b)は定電圧制御で局所加熱制御部４が、測定を実施する。
【００１４】
図３は、半導体装置の一般的な電圧−電流特性を示す。横軸が電圧、縦軸が電流を示している。ＰＮ接合を有する半導体装置は、印加電圧が閾値（Ｖｔｈ）を超えると、急激に電流が増加する性質を持っているため、ＰＮ接合部の温度を上昇させるためには、Ｖｔｈ以上の電圧を印加し、ある程度以上の電力を消費させる必要がある。Ｖｔｈを超える領域では電圧−電流特性の傾きが大きいため、電流の方が電圧よりも増加量が多く制御しやすいことから定電流制御を採用している。図３のIaは電流の増加量、図３のVaは電圧の増加量を示している。
【００１５】
一方、半導体装置の故障判定では、Ｖｔｈ以下の電圧を印加し、電圧を固定して、その際の電流を測定する。
【００１６】
図４には、正常な状態および故障した状態の半導体装置の電気特性の一例を示す。縦軸が電流の対数、横軸が電圧を示している。半導体装置のジャンクションが正常な状態の場合、Ｖｔｈ以下の領域ではほとんど電流が流れないが、故障している場合は、Ｖｔｈ以下の場合においても電流が流れるため、故障しているかどうかを判定できる。正常状態でも僅かに電流は流れるので、故障判定部１５は、前もって基準値を設定して、所定電圧での電流が基準値を超える場合に、故障と判定する。このような故障判定の仕方は一般的なものである。
【００１７】
半導体装置内のジャンクションの構造が故障した場合、Ｖｔｈ以下の領域で流れる電流が増加する。そのため、本実施の形態ではＶｔｈ以下の領域で測定を実施するが、この領域では半導体装置に流れる電流量が少ないため、制御しやすい定電圧制御を採用している。
【００１８】
また、半導体装置を加熱する為の電流または電圧のパルス幅は、被測定半導体装置２における電圧および電流の印加時間であり、被測定半導体装置２のＰＮ接合からの熱供給時間であるため、パルス幅によって温度上昇領域を任意に設定可能である。パルス幅を十分に短くすることで、特許文献１に記載の方法では測定が不可能な、微小な熱容量しか持たないＰＮ接合部のような微小領域のみを加熱することが可能となる。パルスの周期は、矩形波の上側電圧および電流の印加によって被測定半導体装置２の温度上昇した領域が上側電圧および電流印加前の温度状態に戻る時間とする。サイクル数は半導体装置２の温度変化の繰り返しが安定するサイクル数とし、任意に設定可能とする。
【００１９】
局所加熱制御部４による被測定半導体装置２の電圧および電流変化を計測部５でモニターし、定電圧制御において測定する電流量が故障判定の基準値に到達した場合、故障判定部１５は被測定半導体装置２を故障と判定し、計測部５は半導体の電流量の測定を終了する。または定電流制御の電圧が故障判定電圧に到達した場合、被測定半導体装置２を故障と判定し、測定を終了する。被測定半導体装置２の電気的故障はオープン故障とショート（微小電流を含む）故障の２通りであるため、故障判定部１５は、２通りの故障判定電圧および電流を設定する必要があり、被測定半導体装置２の電気特性により任意で設定可能である。
【００２０】
オープン故障のような程度が重い故障は定電流制御で故障判定可能である。Ｖth以下で電流が漏れるようなリーク故障のような程度が軽いのは、精度よく電流を計測する必要があるので定電圧制御することが望ましい。オープン故障の場合は、定電流制御では電圧は局所加熱制御部4または電源装置8にあらかじめ設定した制限電圧値まで上昇し、定電圧制御では電流はほぼ0となる。ショート故障の場合は、定電流制御では電圧は低下し、電圧値はショート箇所の抵抗によって決まる。定電圧制御では電流は局所加熱制御部４または電源装置8にあらかじめ設定した制限電流値まで上昇する。
【００２１】
任意のサイクル数内で故障判定とならなかった場合、故障判定部１５は、第一電気的状態の電流を増加することで被測定半導体装置２の上側電圧と電流の積である瞬間入力電力を増加させて、再び上述の故障判定を実施する。電流の増加幅は任意に設定可能とする。第一電気的状態の電流増加を、被測定半導体装置２の故障判定部１５が故障判定となるまで実施し、故障判定時の第一電気的状態の電流（以下故障電流と呼ぶ）を記録する。
【００２２】
以上の故障電流測定を異なる温度条件下、例えば５０℃、７５℃、１００℃において実施する。周囲温度が上昇すると、印加電流による温度上昇領域の到達温度も上昇するため、図５に示すような周囲温度と故障時の瞬間入力電力の関係が得られる。周囲温度をＹ軸、故障時の瞬間入力電力をＸ軸とすると、故障時の瞬間入力電力が０である時すなわちＹ軸の切片を外挿近似によって求めることで、任意領域における故障ジャンクション温度を算出することができる。ここで入力電力と周囲温度の関係を見ているが、これは半導体に与えられる熱量と周囲温度の関係を見るとしてもよい。
【００２３】
また、図５に示すように、故障ジャンクション温度から周囲温度を差し引いた分が、局所制御加熱部から故障時に与えられていた電力である故障時の瞬間入力電力によるジャンクション温度増加量に相当する。すなわち、複数の周囲温度と故障時の瞬間入力電力との関係から、瞬間入力電力とジャンクション温度増加量の相関が求められるため、動作時の周囲温度に動作時に印加される瞬間入力電力によるジャンクション温度増加量を足し合わせることで、動作時のジャンクション温度を算出することが出来る。瞬間入力電力、つまりジャンクションに熱量が加えられて高くなる場合、周囲温度が低くても、全体としてのジャンクション温度はあがり、ジャンクションは故障することになる。ジャンクションにどれぐらいの熱量を加えた場合に、周囲温度がどれぐらいの場合に半導体装置が故障するかを見ていくことで、瞬間入力電力が０つまり熱量が０の場合に故障する周囲温度である故障ジャンクション温度を特定することができる。
【００２４】
故障判定部１５は、複数の周囲温度での計測部５で計測される半導体装置のジャンクションの特性から、半導体装置の故障を判定する。本実施の形態では、電流電圧特性により、所定電圧での電流が閾値を超えるか超えないかを計測して、超える場合に故障と判定する。
【００２５】
故障ジャンクション温度特定部１６は、半導体装置が故障と判定された場合の、熱量もしくは電力と周囲温度の関係を記憶していき、半導体装置が故障する場合において、熱量もしくは電力がいくらの場合に周囲温度が何度になるかの相関関係を特定する。特定された相関関係において、熱量もしくは電力が０となる場合の周囲温度を特定して、その周囲温度を故障ジャンクション温度として特定する。
【００２６】
ＰＮ接合部（ジャンクション）の故障する温度を特定しようとして、実際にＰＮ接合部が故障する温度まで温度を上昇させてしまうと、熱的に安定し精度良く測定が可能となる前に故障によって測定ができなくなるという問題がある。また、特許文献１に記載のような方法では、半導体装置全体に熱が飽和するために、先にパッケージ樹脂等の熱に弱い部分が故障し、任意領域のＰＮ接合部が故障する温度を測定することができないといった問題も起こる。
【００２７】
本実施の形態１によれば、半導体装置のジャンクションを実際に故障するまで加熱させて、局所加熱を繰り返し熱的に安定した状態とすることで精度良く電流または電圧の関係とジャンクションの故障の関係性を特定することができ、半導体装置のジャンクションにおいて故障のおこる温度である故障ジャンクション温度を特定することができる効果がある。
【００２８】
実施の形態２
実施の形態１では、被測定半導体装置２を局所加熱する方法として、パルス状電圧および電流を印加する手法を用いていたが、実施の形態２では、局所加熱する方法をパルスレーザ光照射とすることで、ＰＮ接合部のように最も電力を消費する箇所に限定されず、動作時のジャンクション温度および故障ジャンクション温度を求めたい任意の箇所を局所加熱することが可能となる。また、その波長および照射面積、照射時間を変えることで温度上昇領域を任意に変えることが可能である。
【００２９】
図６は本発明の実施の形態２による半導体装置のジャンクション温度特定装置６の構成を示すブロック図である。図６を参照して、半導体装置のジャンクション温度特定装置６は、被測定半導体装置２の周囲温度を制御する周囲温度制御部３と、被測定半導体装置２の任意領域を局所的に加熱するためのパルスレーザ光７０１を制御するレーザ制御部７と、被測定半導体装置２の故障判定を行うための電圧を印加する電源装置８と、その印加電圧および印加電流をモニターする計測部５を備える。
【００３０】
周囲温度制御部３により被測定半導体装置２の周囲温度が任意に設定可能であり、例えば２５℃で定常状態（被測定半導体装置２のＰＮ接合部も含む）になるように保つ。本実施の形態において、レーザ制御部７から照射されるパルスレーザ光７０１の波長、および照射面積、照射時間を変えることで、被測定半導体装置２の温度上昇領域を任意に変える手法を用いる。パルスレーザ光７０１の波長、および照射面積、照射時間は任意に設定可能である。
【００３１】
図７は、レーザ制御部７から被測定半導体装置２に照射されるパルスレーザ光７０１の波形および電源装置８から端子２０１に供給される電気的状態の一例である。パルスレーザ光７０１照射の局所加熱による被測定半導体装置２の故障判定を実施するために、パルスレーザ光７０１がＯＦＦ状態の間に、電源装置８から被測定半導体装置２の端子２０１〜２０２に、被測定半導体装置２のジャンクション温度を上昇させない電圧および電流（例えば、ダイオードの閾値電圧未満）を印加し、その電圧および電流変化を計測部５でモニターする。モニターした電圧および電流量が故障判定電圧および電流に到達した場合、被測定半導体装置２を故障と判定し、当該被測定半導体装置の測定を終了する。被測定半導体装置２の電気的故障はオープン故障とショート（微小電流を含む）故障の２通りであるため、２通りの故障判定電圧および電流を設定する必要があり、被測定半導体装置２の電気特性により任意で設定可能である。
【００３２】
任意のサイクル数内で故障判定とならなかった場合、パルスレーザ光７０１のレーザ光強度を増加することで被測定半導体装置２への熱負荷を増加させて、再び上述の測定を実施する。レーザ光強度の増加幅は任意に設定可能とする。レーザ光強度の増加を、被測定半導体装置２が故障判定となるまで実施し、故障判定時のレーザ光強度（以下故障レーザ光強度と呼ぶ）を記録する。
【００３３】
以上の故障電流測定を異なる周囲温度条件下、例えば５０℃、７５℃、１００℃において実施する。周囲温度が上昇すると、パルスレーザ照射による温度上昇領域の到達温度も上昇するため、図８に示すような周囲温度と故障レーザ光強度の関係が得られる。周囲温度をＹ軸、故障レーザ光強度をＸ軸とすると、故障レーザ光強度が０である時の周囲温度すなわちＹ軸の切片を外挿近似により求めることで、任意領域における故障ジャンクション温度を推定することができる。
【００３４】
また、図８に示すように、被測定半導体装置２を電流が流れている動作状態で故障条件（故障時の周囲温度および瞬間レーザ光強度）を１点測定し、周囲温度と故障レーザ光強度の関係のグラフにプロットすると、同じ瞬間レーザ光強度において、動作状態の方が入力電力による発熱分だけ周囲温度が減少する。その減少量が動作時の発熱によるジャンクション温度増加量に相当する。動作時の周囲温度に動作時の発熱によるジャンクション温度増加量を足し合わせることで、動作時のジャンクション温度を推定することが出来る。
【００３５】
なお、本実施の形態では実施の形態１と異なる部分を説明した。それ以外の部分については実施の形態１と同様であるとする。
【００３６】
実施の形態３
実施の形態２では、被測定半導体装置２を局所加熱する方法として、局所加熱する方法をパルスレーザ光照射とする手法を用いて、電圧と電流で故障判定していたが、実施の形態３では、局所加熱する方法をレーザ光の走査とすることで、動作時のジャンクション温度および故障ジャンクション温度を求めたい一定範囲に対して局所加熱することが可能となる。また、レーザ光走査と同時にレーザ反射光強度を検出し、その強度変化から故障判定を実施することで、その瞬間照射されていた箇所での動作時のジャンクション温度および故障ジャンクション温度を求めることができ、取得した各レーザ照射箇所の動作時のジャンクション温度および故障ジャンクション温度を画像化することも可能である。さらに、その波長および照射範囲、走査速度を変えることで温度上昇領域範囲を任意に変えることが可能である。
【００３７】
図９は本発明の実施の形態３による半導体装置のジャンクション温度特定装置９の構成を示すブロック図である。図９を参照して、半導体装置のジャンクション温度特定装置９は、被測定半導体装置２の周囲温度を制御する周囲温度制御部３と、被測定半導体装置２の任意領域を局所的に加熱するためのレーザ走査光１２０１を走査するレーザ走査部１２と、被測定半導体装置２の故障判定を行うためのレーザ反射光検出装置１３と、取得した動作時のジャンクション温度および故障ジャンクション温度をマッピングする画像化処理装置１４を備える。
【００３８】
周囲温度制御部３により被測定半導体装置２の周囲温度が任意に設定可能であり、例えば２５℃で定常状態（被測定半導体装置２のＰＮ接合部も含む）になるように保つ。本実施の形態において、レーザ走査部１２によって走査されるレーザ走査光１２０１の波長、および照射範囲、走査速度を変えることで、被測定半導体装置２の温度上昇領域を任意に変える手法を用いる。レーザ走査光１２０１の波長、および照射面積、照射時間は任意に設定可能である。
【００３９】
レーザ走査光１２０１照射の局所加熱による被測定半導体装置２の故障判定は、レーザ反射光検出装置１３によってレーザ反射光の強度変化を検出して故障判定部１５が行う。半導体装置がレーザ光照射の局所過熱によって故障した場合、レーザ照射箇所の光吸収特性が変化するため、レーザ反射光の強度変化を検出することで半導体装置の故障判定が可能である。
【００４０】
図１０は、レーザ走査部１２から被測定半導体装置２に照射されるレーザ走査光１２０１の走査の一例である。レーザ照射箇所からの反射光強度を照射ポイントごとに検出しながら、被測定半導体装置２を走査する。動作時のジャンクション温度および故障ジャンクション温度を求めたい一定範囲の走査を終了し、全照射ポイントで故障判定とならなかった場合、レーザ光１２０１のレーザ光強度を増加することで、被測定半導体装置２への熱負荷を増加させて、再び上述の測定を実施する。レーザ光強度の増加幅は任意に設定可能とする。レーザ光強度の増加を、被測定半導体装置２のレーザ光照射ポイント全点が故障判定となるまで実施し、各ポイントでの故障判定時のレーザ光強度（以下故障レーザ光強度と呼ぶ）を記録する。
【００４１】
以上の故障判定を異なる周囲温度条件下、例えば５０℃、７５℃、１００℃において実施する。周囲温度が上昇すると、レーザ照射による温度上昇領域の到達温度も上昇するため、図１１に示すような周囲温度と故障時の瞬間レーザ走査光強度の関係が得られる。周囲温度をＹ軸、故障時の瞬間レーザ走査光強度をＸ軸とすると、故障時の瞬間レーザ走査光強度が０である時の周囲温度すなわちＹ軸の切片を外挿近似により求めることで、任意領域における故障ジャンクション温度を各レーザ光照射箇所で算出することができ、故障ジャンクション温度のマッピングが可能になる。
【００４２】
また、図１１に示すように、被測定半導体装置２を動作状態で、故障条件（故障時の周囲温度および瞬間レーザ光強度）を測定し、周囲温度と故障レーザ光強度の関係のグラフにプロットすると、同じ周囲温度において、動作状態の方が入力電力による発熱分だけ故障レーザ光強度が減少する。その減少量が動作時の発熱によるジャンクション温度増加量に相当する。動作時の周囲温度に動作時の発熱によるジャンクション温度増加量を足し合わせることで、動作時のジャンクション温度を算出することが出来る。さらに、各レーザ光照射ポイントで動作時のジャンクション温度を算出できるため、動作時のジャンクション温度のマッピングも可能である。
【００４３】
なお、本実施の形態では実施の形態１又は２と異なる部分を説明した。それ以外の部分については実施の形態１又は２と同様であるとする。
【符号の説明】
【００４４】
１、６、９  半導体装置のジャンクション温度特定装置、２  被測定半導体装置、２０１  端子１、２０２  端子２、３  周囲温度制御部、４  局所加熱制御部、５  計測部、７  レーザ制御部、８  電源装置、１２  レーザ走査部、１５  故障判定部、１２０１  レーザ走査光、１３  レーザ反射光検出装置、１４  画像化処理装置
【図１】
0006531646.tif 000002
【図２】
0006531646.tif 000003
【図３】
0006531646.tif 000004
【図４】
0006531646.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0006531646.tif 000012