(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンから構成され、銅と、ニッケルと、タングステンとの含有量を１００原子％とした場合に、タングステンの含有量が１原子％以上１０原子％以下である黒化層と、を備えた導電性基板。
【請求項２】
前記銅層は厚さが１００ｎｍ以上であり、
前記黒化層は厚さが２０ｎｍ以上である請求項１に記載の導電性基板。
【請求項３】
波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の可視光平均反射率が３５％以下である請求項１または２に記載の導電性基板。
【請求項４】
メッシュ状の配線を備えた請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
【請求項５】
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンから構成され、銅と、ニッケルと、タングステンとの含有量を１００原子％とした場合に、タングステンの含有量が１原子％以上１０原子％以下である黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。
【請求項６】
前記黒化層形成工程は、
銅−ニッケル−タングステン合金のターゲットを用い、
チャンバー内に酸素を５体積％以上３５体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながらスパッタリング法により、前記黒化層を成膜する請求項５に記載の導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基板、および導電性基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。（特許文献１参照）
【０００３】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
【０００４】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて導電性が優れている銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、上記の導電性と視認性の両特性の改善を実現するために、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
【０００６】
しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層とを形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層とで異なるという問題があった。すなわち、配線層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、配線層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来技術の種々の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンから構成され、銅と、ニッケルと、タングステンとの含有量を１００原子％とした場合に、タングステンの含有量が１原子％以上１０原子％以下である黒化層と、を備えた導電性基板を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【図５】実験例３−１の導電性基板の反射率の波長依存性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の導電性基板、および、導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを含有する黒化層（以下、単に「黒化層」とも記載する）とを備えた構成とすることができる。
【００１３】
なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層を有する基板と、銅層や黒化層をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち、配線基板とを含む。
【００１４】
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００１５】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００１６】
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム等の樹脂フィルム、ポリカーボネート系フィルム等を好ましく用いることができる。
【００１７】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。
【００１８】
次に銅層について説明する。
【００１９】
銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００２０】
他の部材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。
【００２１】
例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００２２】
また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００２３】
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００２４】
なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００２５】
次に、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを含有する黒化層について説明する。
【００２６】
銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。そこで本発明の発明者らが検討を行ったところ、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを含有する層は黒色であるため黒化層として使用でき、さらに、エッチング液に対して十分な反応性を示すため、銅層と同時にエッチング処理を行えることを見出したものである。
【００２７】
黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができる。ただし、比較的容易に黒化層を成膜できることから、スパッタリング法により成膜することが好ましい。
【００２８】
黒化層は例えば、銅、ニッケル及びタングステンの混合焼結ターゲット、または銅−ニッケル−タングステン合金のターゲット（以下、これら３元系金属のターゲットを「銅−ニッケル−タングステンターゲット」とも記載する）を用い、チャンバー内に酸素と窒素を供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。
【００２９】
また、銅−ニッケル合金ターゲットと、タングステンのターゲットとを用い、あるいは銅のターゲットと、ニッケル−タングステン合金ターゲットとを用い、チャンバー内に酸素と窒素を供給しながら２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。
【００３０】
ここで、銅−ニッケル−タングステン混合焼結ターゲットの製造方法の一構成例について説明する。銅とタングステンは熔解することが難しく固溶しないため、銅と、ニッケルとタングステンの混合粉末をホットプレス法や熱間等方圧加工法（ＨＩＰ）で焼結体を作製することが好ましい。そして、得られた焼結体を所定の形状に加工した後、バッキングプレートに貼りつけてターゲットとすることができる。
【００３１】
焼結温度は８５０℃以上１０８３℃以下が好ましく、より好ましくは９５０℃以上１０５０℃である。
【００３２】
これは、８５０℃未満では焼結が十分進行しないため焼結体密度が低く、ターゲット化する平面加工で冷却水が焼結体の気孔に残留する場合があるためである。また、１０８３℃を超えると銅の融点を超えるため銅が流れ出すため好ましくない。
【００３３】
また、銅−ニッケル−タングステン合金のターゲットの製造方法の一構成例について説明する。銅−ニッケル−タングステン合金のターゲットは、例えば、銅と、ニッケルと、タングステンとの混合粉末を溶解してインゴットを作製し、得られたインゴットを所望の形状に加工することで作製することができる。なお、原料としては、単体の金属に限定されず、ニッケル−銅合金など、各成分を含有する合金を用いることもできる。
【００３４】
なお、銅−ニッケル−タングステン混合焼結ターゲットや銅−ニッケル−タングステン合金のターゲットの製造方法は、上記製造方法に限定されるものではない。所望の組成を有するターゲットとなるように製造できる方法であれば、特に限定されるものではなく用いることができる。
【００３５】
チャンバー内に供給する酸素と窒素の供給比率は特に限定されるものではないが、チャンバー内に酸素を５体積％以上３５体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながら、スパッタリング法により成膜することが好ましい。
【００３６】
上述のようにチャンバー内への酸素の供給の割合を５体積％以上とすることにより、黒化層の色を十分な黒色とすることができ、黒化層としての機能を十分に発揮できるため好ましい。チャンバー内への酸素の供給割合は７体積％以上とすることがより好ましい。また、酸素の供給量を３５体積％以下とすることにより、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に高めることができ、銅層と共にエッチングを行う際、銅層と、黒化層と、を容易に所望のパターンとすることができ好ましい。チャンバー内への酸素の供給割合は２０体積％以下とすることがより好ましい。
【００３７】
窒素については、黒化層を成膜する際にその雰囲気中に添加することによりエッチングし易くなるが、添加量が多くなりすぎると黒色が薄くなり、黒化層としての性能が低下する恐れがある。このため、スパッタリングの際の窒素の供給割合は３０体積％以上７０体積％以下とすることが好ましく、３５体積％以上４５体積％以下とすることがより好ましい。なお、窒素の供給割合を７０体積％以下とすることにより、黒化層のスパッタ速度を確保できるため好ましい。
【００３８】
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択された１種類以上のガスを供給することができる。
【００３９】
スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。
【００４０】
そして、スパッタリングを行う際用いるターゲットとして、上述のように例えば銅−ニッケル−タングステンターゲットを用いることができる。ターゲットの組成は上述のように特に限定されないが、銅−ニッケル−タングステンターゲットは、銅を５原子％以上５０原子％以下の割合で含有することが好ましく、タングステンを２原子％以上１０原子％以下の割合で含有することが好ましい。これらの場合、残部はニッケルにより構成することができる。
【００４１】
成膜した黒化層中には、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンが含有され、銅と、ニッケルと、タングステンとの含有量の合計を１００原子％とした場合に、タングステンの含有量は１原子％以上１０原子％以下であることが好ましい。
【００４２】
これは、黒化層に含まれる金属元素中のタングステンの含有率が１原子％以上の場合、光の反射率を特に低減することができるためである。また、黒化層中に含まれる金属元素中のタングステンの含有率が１０原子％以下の場合、高いエッチング性を示し、所望のパターンを有する導電性基板を容易に作製することができるためである。
【００４３】
成膜した黒化層中において、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とタングステンとが混合焼結体を形成し、酸素および／または窒素を含有する銅タングステン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅、ニッケルまたはタングステンが例えば酸化銅（Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ３）や窒化銅（Ｃｕ３Ｎ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、窒化ニッケル（Ｎｉ３Ｎ）、酸化タングステン（ＷＯ３、ＷＯ２、Ｗ２Ｏ３）や窒化タングステン（Ｗ２Ｎ、ＷＮ）、ＣｕＷＯ４、Ｃｕ２ＷＯ５等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。
【００４４】
なお、黒化層は例えば酸素および窒素を含有する銅−ニッケル−タングステン混合物のように、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素および／または窒素を含有する銅タングステン混合焼結体や、銅の酸化物、銅の窒化物、ニッケルの酸化物、ニッケルの窒化物、タングステンの酸化物、タングステンの窒化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。
【００４５】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する黒化層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制することができない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより抑制できるため好ましい。
【００４６】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは６０ｎｍ以下とすることが好ましく、４５ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００４７】
また、黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。
【００４８】
そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、２．００×１０−１Ω／□以下であることが好ましい。
【００４９】
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。
【００５０】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを含有する黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。また、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。
【００５１】
さらに、上述のようにシート抵抗の小さい黒化層を含む場合、該シート抵抗の小さい黒化層は導電性基板の最表面に配置されていることが好ましい。これは、シート抵抗の小さい黒化層は配線等の電気部材と接続できるため、接続しやすいように導電性基板の最表面に配置されていることが好ましいためである。
【００５２】
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００５３】
例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
【００５４】
また、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。
【００５５】
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
【００５６】
なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）において、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００５７】
ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。
【００５８】
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射した際の反射率の平均値である可視光平均反射率は３５％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。これは可視光平均反射率が３５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
【００５９】
反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。
【００６０】
具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中Ａで示した表面側から測定できる。
【００６１】
また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、黒化層１３が透明基材１１を除いて最表面に位置する側である、透明基材１１の面１１ｂ側から反射率を測定できる。
【００６２】
なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
【００６３】
本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【００６４】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
【００６５】
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＹ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。
【００６６】
透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【００６７】
まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
【００６８】
また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１Ａと透明基材１１Ｂとの間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。
【００６９】
ただし、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
【００７０】
図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成することができる。
【００７１】
図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｘ軸方向に平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図１（ｂ）中のＸ軸方向とは、図１（ｂ）中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。
【００７２】
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｙ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＹ軸方向は、紙面と垂直な方向を意味している。
【００７３】
以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
【００７４】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図４（ｂ）のように銅層１２等が積層された図１（ａ）における面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せてもよい。
【００７５】
なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
【００７６】
また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるように貼り合せてもよい。
【００７７】
なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【００７８】
また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【００７９】
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
【００８０】
本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
【００８１】
透明基材を準備する透明基材準備工程。  
透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程。  
透明基材の少なくとも一方の面側に酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程。
【００８２】
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
【００８３】
上述のように、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程とを実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
【００８４】
透明基材を準備する透明基材準備工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。
【００８５】
なお、可視光を透過する絶縁体フィルムとして、特に好適に用いることができるフィルムについては既述のため、ここでは説明を省略する。
【００８６】
次に銅層形成工程について説明する。
【００８７】
銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
【００８８】
銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００８９】
巻取式スパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。まず、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、真空チャンバー内に基材、具体的には透明基材や黒化層を形成した透明基材等をセットする。真空チャンバー内を真空排気後、Ａｒガスを導入して装置内を０．１３Ｐａ〜１.３Ｐａ程度に保持する。この状態で、巻出ロールから基材を例えば毎分１〜２０ｍ程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
【００９０】
湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
【００９１】
次に、黒化層形成工程について説明する。
【００９２】
黒化層形成工程も特に限定されるものではないが、既述のように、スパッタリング法により、黒化層を成膜する工程とすることができる。
【００９３】
黒化層形成工程において、黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、ターゲットとして銅−ニッケル−タングステン混合焼結ターゲット、または銅−ニッケル−タングステン合金のターゲットを用いることができる。また、既述のように銅−ニッケル合金ターゲットと、タングステンのターゲットとを用いて２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。あるいは銅のターゲットと、ニッケル−タングステン合金ターゲットとを用い、２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。
【００９４】
スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。
【００９５】
例えばターゲットとして、銅−ニッケル−タングステン混合焼結ターゲット等の銅−ニッケル−タングステンターゲットを用いる場合、銅−ニッケル−タングステンターゲットは、タングステンを２原子％以上１０原子％以下、銅は５原子％以上５０原子％以下の割合で含んでいることが好ましい。なお、残部はニッケルにより構成することができる。
【００９６】
また、チャンバー内に酸素を５体積％以上３５体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながらスパッタリング法により黒化層を形成することが好ましい。
【００９７】
特に、チャンバー内への酸素の供給割合は７体積％以上２０体積％以下とすることがより好ましい。また、チャンバー内への窒素の供給割合は、３５体積％以上４５体積％以下とすることがより好ましい。
【００９８】
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、またはヘリウムから選択される１種類以上を供給することができる。
【００９９】
そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、既述の導電性基板と同様に、銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１００】
また、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板においても、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、４５ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【０１０１】
成膜した黒化層中には酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを含有することができる。黒化層中の各成分の含有割合は特に限定されるものではないが、黒化層に含まれる金属元素である、銅、ニッケル及びタングステンの合計を１００原子％とした場合に、タングステンの含有量が１原子％以上１０原子％以下であることが好ましい。
【０１０２】
これは、黒化層に含まれる金属元素中のタングステンの含有率が１原子％以上の場合、光の反射率を特に低減することができるためである。また、黒化層中に含まれる金属元素中のタングステンの含有率が１０原子％以下の場合、高いエッチング性を示し、所望のパターンを有する導電性基板を容易に作製することができるためである。
【０１０３】
成膜した黒化層中において、酸素、窒素、銅、ニッケル、及びタングステンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とタングステンとが混合焼結体を形成し、酸素および／または窒素を含有する銅タングステン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅、ニッケルまたはタングステンが例えば酸化銅（Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ３）や窒化銅（Ｃｕ３Ｎ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、窒化ニッケル（Ｎｉ３Ｎ）、酸化タングステン（ＷＯ３、ＷＯ２、Ｗ２Ｏ３）や窒化タングステン（Ｗ２Ｎ、ＷＮ）、ＣｕＷＯ４、Ｃｕ２ＷＯ５等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。
【０１０４】
なお、黒化層は例えば酸素および窒素を含有する銅−ニッケル−タングステン混合物のように、酸素、窒素、銅、ニッケル及びタングステンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素および／または窒素を含有する銅タングステン混合焼結体や、銅の酸化物、銅の窒化物、ニッケルの酸化物、ニッケルの窒化物、タングステンの酸化物、タングステンの窒化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。
【０１０５】
そして成膜した黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。
【０１０６】
そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、２．００×１０−１Ω／□以下であることが好ましい。
【０１０７】
そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。
【０１０８】
係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１（ａ）に示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
【０１０９】
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。
【０１１０】
なお、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の最表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。
【０１１１】
また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。
【０１１２】
黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示すことから、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１質量％以上２０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。
【０１１３】
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していることが好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。
【０１１４】
上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
【０１１５】
また、既述のように、図１（ａ）、図２（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。
【０１１６】
以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板、または導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示し、同時にエッチング処理を行うことができる。このため、容易に所望の形状の配線を形成することができる。また、黒化層は黒色であるため、銅層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。
【実施例】
【０１１７】
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
【０１１８】
まず、後述する各実験例において作製した試料の評価方法について説明する。
（評価方法）
【０１１９】
（評価方法）
（１）光学特性（反射率、明度、色度）
以下の実験例２、３において作製した導電性基板について光学特性（反射率）の測定を行い、必要に応じて測定した光学特性（反射率）から明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊,ｂ＊）を算出した。
【０１２０】
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製  型式：Ｕ−４０００）に反射率測定ユニットを設置して行った。
【０１２１】
以下の実験例２、３では、断面形状が図１（ａ）と同様の構造を有する導電性基板を作製した。そこで作製した導電性基板の銅層及び黒化層を形成した側の図１（ａ）における最表面Ａに対して、入射角５°、受光角５°として、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射した際の反射率を測定した。なお、測定に際しては波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で、波長を１ｎｍごとに変化させた光を照射し、各波長についての反射率を測定した。
【０１２２】
そして、波長が３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下範囲の光に対する反射率の平均値を平均可視光平均反射率とした。また、波長が５５０ｎｍの光に対する反射率の測定値を波長５５０ｎｍの光に対する反射率とした。
【０１２３】
なお、測定の際にはＰＥＴフィルムの反りを矯正するためガラス基板上に各実験例、比較例の試料を載置しクランプで固定して、黒化層側から光を照射して測定した。
【０１２４】
また、測定した反射率を用いてＪＩＳ  Ｚ８７８１−４：２０１３に準拠した「色彩計算プログラムを用いて、光源Ａ視野２度の条件でＣＩＥ  １９７６（Ｌ＊，ａ＊，ｂ＊）色空間上の座標を計算した。
（２）溶解試験
以下の実験例１において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料をエッチング液に浸漬して黒化層の溶解試験を行った。
【０１２５】
また、実験例２、３において作製した導電性基板をエッチング液に浸漬して、銅層、及び黒化層の溶解試験を行った。
【０１２６】
エッチング液としては、いずれの溶解試験においても塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用い、エッチング液の温度は室温（２５℃）とした。
【０１２７】
次に溶解試験の評価方法について説明する。
【０１２８】
溶解試験の評価を規定するため、実験例１で用いた透明基材である縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）の一方の面上の全面に、厚さ３００ｎｍの銅層を形成した試料をエッチング液に浸漬する予備実験を行った。この場合、上記いずれのエッチング液でも銅層は１０秒以内に溶解することが確認できた。
【０１２９】
このため実験例１においては、上記エッチング液に浸漬後１０秒以内に黒化層が全量溶解したものを◎、３０秒以内に黒化層が全量溶解したものを○、１分以内に黒化層が全量溶解したものを◇、３分以内に黒化層が全量溶解したものを△、３分を超えても黒化層が全量は溶解せず一部が残存したものを×と評価した。
【０１３０】
また、実験例２、３においては、上記エッチング液に導電性基板を１分間浸漬後、導電性基板をエッチング液から取り出し、銅層および、黒化層が完全に溶解し、透明基材のみとなっていた場合に◎と評価した。エッチング液から取り出した際に、銅層または黒化層が残存していた場合には、同じエッチング液にさらに１分間浸漬し、エッチング液から取り出した際に銅層及び黒化層が完全に溶解し、透明基材のみとなっていた場合には〇と評価した。２回目のエッチング液への浸漬後においても銅層または黒化層が残存していた場合には×と評価した。
（３）ＥＤＳ分析
実験例１において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料、及び実験例３で作製した導電性基板について、ＳＥＭ−ＥＤＳ装置（ＳＥＭ：日本電子株式会社製  型式：ＪＳＭ−７００１Ｆ、ＥＤＳ：サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製  型式：検出器  ＵｌｔｒａＤｒｙ  解析システム  ＮＯＲＡＮ  Ｓｙｓｔｅｍ  ７）によりＥＤＳ分析を行った。
（４）シート抵抗
実験例２、３において作製した透明基材上に黒化層のみを形成した試料ついて、シート抵抗の評価を行った。
【０１３１】
シート抵抗は、四探針法を用いて測定を行った。四探針法は測定する試料の表面に四本の針状電極を同一直線上に配置し、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定して抵抗を測定する方法である。測定に際しては四探針測定器（三菱化学株式会社製  型式：Ｌｏｒｅｓｔａ  ＩＰ）を用い、黒化層の表面に四本の針状電極を配置して測定を行った。
（試料の作製条件）
以下に各実験例における試料の製造条件、及びその評価結果を説明する。
［実験例１］
実験例１においては、以下に示す表１に示す条件で実験例１−１〜実験例１−５の５種の試料を作製し、黒化層の組成についてのＥＤＳ分析、及び溶解試験を実施した。
【０１３２】
なお、本実験例は後述する実験例２のための予備実験として実施したものであり、参考例となる。
（実験例１−１〜実験例１−５）
黒化層を評価するためポリエチレンテレフタレート基板上に酸素、窒素、銅、ニッケル、タングステンを含有する黒化層を形成した試料（実験例１−１〜１−５）を作製した。具体的な手順について、以下に説明する。
【０１３３】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材を準備した。
【０１３４】
次に、直流スパッタリング法により黒化層を成膜した。
【０１３５】
黒化層１３の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製  型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。
【０１３６】
黒化層を成膜する際のスパッタリングの具体的な条件について以下に説明する。
【０１３７】
黒化層を成膜する際のターゲットとして、銅ターゲットとニッケル−７ａｔ％タングステン合金ターゲットの２枚のターゲットを用いた。なお、ニッケル−７ａｔ％タングステン合金ターゲットとは、７ａｔ％のタングステンと、残部がニッケルとからなる合金のターゲットを意味している。
【０１３８】
黒化層をスパッタリングにより成膜する際、チャンバー内にはアルゴンガスと、窒素ガスと、酸素ガスとを合計で１０ＳＣＣＭになるように供給しながら行った。なお、チャンバーに内に供給するガスのアルゴン、窒素、酸素の各体積％が表１に示す割合となるように供給しながらスパッタリングを行った。
【０１３９】
黒化層を成膜する際の具体的な手順について説明する。
【０１４０】
まず、準備した透明基材を基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
【０１４１】
そして、各実験例について、表１のガス成分比の条件を満たすようにチャンバー内にアルゴンガスと、窒素ガスと、酸素ガスとを供給した。また、基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させた。
【０１４２】
そして、ターゲットから供給される銅、ニッケル、タングステンの金属比（Ｃｕ：Ｎｉ：Ｗ、ａｔ％）が、各実験例について表１に示した所定の組成比となるように予め計算したＤＣ電力を各ターゲットに印加し、２元同時スパッタリングにより黒化層（膜厚３００ｎｍ）を作製した。
【０１４３】
なお、銅ターゲットと、ニッケル−７ａｔ％タングステン合金ターゲットと、から供給する銅と、ニッケル−タングステン合金との金属比を所望の値とするためのＤＣ電力の大きさは以下の事前試験により算出した。
【０１４４】
銅膜と、ニッケル−タングステン膜とを、それぞれの実験例でのガス条件下、ＤＣパワー４００Ｗ、スパッタ時間２０分でガラス板上に成膜し、膜厚を測定して成膜速度（Ｖa：ｎｍ/（Ｗ・ｍｉｎ）、a＝Ｃｕ、Ｎｉ−Ｗ）を求めた。
【０１４５】
これから銅とニッケル−タングステン合金の目標組成の金属比をｍ：ｎ、膜厚３００ｎｍ、スパッタ時間２０分として以下の計算式から各ターゲットに印加するＤＣ電力（Ｐａ）を計算した。
【０１４６】
なお、上述のようにニッケル−タングステン合金として、ニッケル−７ａｔ％タングステン合金を用いている。このため、ニッケル及びタングステンの具体的な目標組成は、上記目標組成の金属比ｎのうち７％がタングステン、残部がニッケルとして算出される。
ＰＣｕ＝３００×ｍ/（ｍ+ｎ）/（２０＊ＶＣｕ）
ＰＮｉ−Ｗ＝３００×ｎ/（ｍ+ｎ）/（２０＊ＶＮｉ−Ｗ）
【０１４７】
作製した５種類の黒化層の作製条件と、実験例の番号をまとめると表１の通りとなる。表１に示した条件で作製した試料を、それぞれ実験例１−１から実験例１−５とした。
【０１４８】
例えば実験例１−１は、チャンバー内に供給する酸素、窒素、アルゴンのガス比（ＳＣＣＭ比）が条件１（Ａｒ：Ｎ２：Ｏ２＝５．０：４．０：１．０）である。
【０１４９】
また、実験例１−１では、ニッケル−７ａｔ％タングステン合金ターゲットと銅ターゲットとから供給する金属成分の目標組成比である仕込金属組成比（Ｃｕ：Ｎｉ：Ｗ、各ａｔ％）が５０．０：４６．５：３．５となるように、各ターゲットにＤＣ電力を印加した。具体的には表１に示したように、ニッケル−７ａｔ％タングステン合金ターゲットと銅ターゲットに５０：５０の比率でＤＣ電力を印加している。
【０１５０】
【表１】
0006595766.tif 000002
【０１５１】
（黒化層の組成評価：ＥＤＳ分析結果）
作製した各実験例の黒化層のＥＤＳ分析を実施した。結果を表２に示す。
【０１５２】
表２に示したＥＤＳ分析から、実験例１−１〜実験例１−５で成膜した黒化層はいずれも銅、ニッケル、タングステン、窒素、酸素を含有していることが確認できた。
【０１５３】
すなわち、銅ターゲットと、ニッケル−７ａｔ％タングステン合金ターゲットとを用い、窒素と、酸素とを供給しながら行う２元同時スパッタリング法により、酸素、窒素、銅、ニッケル、タングステンを含有する黒化層を成膜できることが確認できた。
【０１５４】
（溶解試験結果）
エッチング液として塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用いて、２５℃で溶解試験を行った。その結果を表２に示す。
【０１５５】
【表２】
0006595766.tif 000003
表２に示した結果によれば、いずれの実験例においても溶解試験の結果は◎となっており、１０秒以内に黒化層が溶解することを確認できた。すなわち、これらの実験例の黒化層は、銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。
【０１５６】
以上の結果から、実験例１−１〜実験例１−５で作製した黒化層を銅層の上に形成して導電性基板とした場合、パターニングを行う際、銅層、及び黒化層を同時にエッチング処理できることを確認できた。このため、後述する実験例２で作製する実験例２−１〜実験例２−５の導電性基板はいずれも同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であることを確認できた。
【０１５７】
［実験例２］
次に、実験例１で行った予備実験の結果を参考に導電性基板を作製し、その評価を行った。
【０１５８】
本実験例では、図１（ａ）に示した構造、すなわち透明基材の一方の面上に銅層、及び黒化層が形成された構造を有する導電性基板を作製した。導電性基板としては、表３に示したように、黒化層の成膜条件の異なる７種類の試料を作製した。なお、実験例２−１〜実験例２−５は、膜厚が異なる点以外は、実験例１−１〜実験例１−５と同じ条件で黒化層を成膜している。
【０１５９】
以下に説明する実験例２−１〜実験例２−７はいずれも実施例となる。
【０１６０】
【表３】
0006595766.tif 000004
【０１６１】
以下に、実験例２−１〜実験例２−７の導電性基板の作製手順について説明する。
【０１６２】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材１１を準備した（透明基材準備工程）。
【０１６３】
次に透明基材１１の一方の面の全面に銅層１２を形成した（銅層形成工程）。
【０１６４】
銅層１２は、スパッタリング法により銅薄膜層を形成し、次いで、該銅薄膜層を給電層として湿式めっき法により銅めっき層を形成した。具体的にはまず、Ｃｕターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、透明基材１１の一方の面上に１００ｎｍの厚さの銅薄膜層を成膜した。その後、電気めっきにより銅めっき層を０．５μｍ積層し、銅層１２とした。
【０１６５】
次に、銅層１２上の全面に２元同時スパッタリング法により黒化層１３を成膜した（黒化層形成工程）。
【０１６６】
実験例２−１〜実験例２−５はそれぞれ、実験例１−１〜実験例１−５と膜厚が異なる点以外は同じ条件、手順で黒化層を成膜した。なお、各実験例について表３に示した膜厚となるように黒化層を成膜した。
【０１６７】
また、実験例２−６、実験例２−７については、スパッタリングを行う際に、各ターゲットに印加するＤＣ電力の比率、チャンバー内に供給するガス成分の比、及び黒化層の膜厚を表２に示した値に変更した点以外は、実験例２−１と同様にして黒化層を成膜した。
【０１６８】
上記スパッタリング法により、表３に示したように、およそ厚さ３０ｎｍ〜６０ｎｍの黒化層１３を成膜した。
【０１６９】
また、銅層を形成せず、透明基材上に黒化層を直接形成した点以外は同様の条件で各実験例についてシート抵抗測定用試料を作製した。
【０１７０】
以上の工程により得られた導電性基板について、溶解試験、また光学特性評価（反射率測定、明度計算）の評価を実施した。また、シート抵抗測定用試料についてシート抵抗の評価を実施した。評価結果について説明する。
（溶解試験の評価）
作製した導電性基板の溶解試験を実施した。
【０１７１】
溶解試験については、既述の方法、評価基準により評価を行った。
【０１７２】
溶解試験結果を表４にまとめて示す。
（光学特性：反射率、明度の評価）
作製した導電性基板の反射率測定を実施した。
【０１７３】
反射率の測定結果から、可視光平均反射率、及び波長５５０ｎｍの光に対する反射率を求めた。結果を表４に示す。
【０１７４】
また、測定により得られた反射率から計算した明度Ｌ＊の値を算出した。結果を表４に示す。
（シート抵抗の評価）
各実験例で作製したシート抵抗測定用試料、すなわち透明基材上に、導電性基板を作製した際と同じ条件で黒化層のみを形成した試料についてシート抵抗の評価を行った。結果を表４に示す。
【０１７５】
【表４】
0006595766.tif 000005
【０１７６】
表４から実験例２−１〜実験例２−７のいずれの試料の溶解試験結果は◎であり、黒化層、及び銅層を同時にエッチングすることができる導電性基板であることを確認できた。この結果は実験例１の溶解試験の結果とも整合する結果であることが確認できた。
【０１７７】
また、表４から実験例２−１〜実験例２−７のいずれの試料の光学特性評価結果からは５５０ｎｍの反射率はほぼ３０％以下で、可視光平均反射率も３５％以下で十分小さいことが分かった。
【０１７８】
すなわち、銅層、及び黒化層のパターン化を行い、タッチパネル等の用途等に用いた場合であっても、銅層表面での反射を抑制することができることが確認できた。
【０１７９】
表４から実験例２−１〜実験例２−７のいずれの実験例においても黒化層の表面抵抗（シート抵抗）が十分小さいことが確認できた。
【０１８０】
［実験例３］
実験例３では、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットを作製し、係る合金ターゲットによる成膜を行った。
【０１８１】
まず、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットの製造方法について説明する。
【０１８２】
原料として、住友金属鉱山製のＮｉ−７ａｔ％Ｗターゲットと、住友金属鉱山製のＣｕターゲットと、タングステンとを用意した。そして、これらを質量比でＣｕ：Ｎｉ：Ｗ＝１０：７１：１９になるように秤量し、真空溶解炉で溶解し、インゴット作製した。次に、インゴットからワイヤーカットにより３インチのスパッタターゲットを切り出してＣｕ−Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットを作製した。
【０１８３】
作製したＣｕ−Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットの組成を分析した結果、Ｎｉ−７ａｔ％Ｗ−１０ａｔ％Ｃｕであった。なお、Ｎｉ−７ａｔ％Ｗ−１０ａｔ％Ｃｕとは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｗ合金中に、７ａｔ％のＷと、１０ａｔ％のＣｕとを含有し、残部がニッケルであることを意味する。表５中では係る組成をＮｉ７Ｗ１０Ｃｕとして示している。
【０１８４】
作製したＣｕ−Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットを使用して、図１（ａ）に示した構造、すなわち透明基材の一方の面上に銅層、及び黒化層が形成された構造を有する導電性基板を作製した。導電性基板としては、表５に示したように黒化層の成膜条件の異なる２種類の試料を作製した。以下に説明する実験例３−１、実験例３−２はいずれも実施例となる。
【０１８５】
以下に実験例３−１、実験例３−２の導電性基板の作製手順について詳述する。
【０１８６】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材１１を準備した（透明基材準備工程）。
【０１８７】
次に透明基材１１の一方の面の全面に銅層１２を形成した（銅層形成工程）。
【０１８８】
銅層１２は、スパッタリング法により銅薄膜層を形成し、次いで、該銅薄膜層を給電層として湿式めっき法により銅めっき層を形成した。具体的にはまず、Ｃｕターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、透明基材１１の一方の面上に１００ｎｍの厚さの銅薄膜層を成膜した。その後、電気めっきにより銅めっき層を０．５μｍ積層し、銅層１２とした。
【０１８９】
次に、銅層１２上の全面に、上述したＣｕ−Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットを用いてスパッタリング法により黒化層１３を成膜した（黒化層形成工程）。
【０１９０】
黒化層は、実験例１、２の場合と同様の手順で成膜した。
【０１９１】
まず、準備した透明基材を基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
【０１９２】
そして、各実験例について、表５のガス成分比の条件を満たすようにチャンバー内にアルゴンガスと、混合ガスとを供給した。また、基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させた。
【０１９３】
そして、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットにＤＣ電力を印加し、各実験例について表５に示した膜厚となるように黒化層を成膜し、導電性基板を作製した。
【０１９４】
また、銅層を形成せず、透明基材上に黒化層を直接形成した点以外は同様の条件で各実験例についてシート抵抗測定用試料を作製した。
【０１９５】
作製した導電性基板の黒化層側の表面についてＥＤＳ分析を行った結果を表５にあわせて示す。
【０１９６】
【表５】
0006595766.tif 000006
【０１９７】
上記した条件で作製して得られた導電性基板について、溶解試験、及び光学特性評価（反射率測定、明度、色度計算）の評価を実施した。また、シート抵抗測定用試料について、シート抵抗の評価を実施した。結果を表６に示す。
【０１９８】
また、図５に実験例３−１の導電性基板についての、反射率の波長依存性のグラフを示す。
【０１９９】
【表６】
0006595766.tif 000007
【０２００】
図５、及び表６の結果から明らかなように、実験例３−１は可視光領域全体で特に低い反射率であることが確認できた。実験例３−２についても、可視光領域全体で低い反射率を有し、波長５５０ｎｍの光に対する反射率も低くなっていることが確認できた。
【０２０１】
また、実験例３−１、実験例３−２は、表６に示したように、明度Ｌ＊値も低く、色度のａ＊値、ｂ＊値も負であり、黒化層として良好な光学特性を有することが確認できた。エッチング性（溶解試験）、導電性（シート抵抗）もいずれも黒化層として良好な評価結果を示すことが確認できた。
【０２０２】
以上から、本発明の透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と、酸素、窒素、銅、ニッケル、及びタングステンを含有する黒化層と、を備えた導電性基板は、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた導電性基板であることが確認できた
。すなわち、係る導電性基板は、従来よりもエッチング性に優れていることが確認できた。また、係る導電性基板は低明度であるため、タッチパネル用の導電性基板として好適に使用することができることを確認できた。
【符号の説明】
【０２０３】
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０                      導電性基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ                                      透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ                                      銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ                                              黒化層
３１Ａ、３１Ｂ                                            配線
【図１】
0006595766.tif 000008
【図２】
0006595766.tif 000009
【図３】
0006595766.tif 000010
【図４】
0006595766.tif 000011
【図５】
0006595766.tif 000012