(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンから構成され、銅とニッケルとモリブデンとの含有量を１００原子％とした場合に、前記モリブデンの含有量が４原子％以上７０原子％以下である黒化層と、を備えた導電性基板。
【請求項２】
前記銅層は厚さが１００ｎｍ以上であり、
前記黒化層は厚さが２０ｎｍ以上である請求項１に記載の導電性基板。
【請求項３】
波長５５０ｎｍの光の反射率が３０％以下である請求項１または２に記載の導電性基板。
【請求項４】
メッシュ状の配線を備えた請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
【請求項５】
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンから構成され、銅とニッケルとモリブデンとの含有量を１００原子％とした場合に、前記モリブデンの含有量が４原子％以上７０原子％以下である黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。
【請求項６】
前記黒化層形成工程は、
銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲットを用い、
チャンバー内に酸素を５体積％以上３５体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながらスパッタリング法により、前記黒化層を成膜する請求項５に記載の導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基板、および導電性基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。（特許文献１参照）
【０００３】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
【０００４】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて導電性が優れている銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、上記の導電性と視認性の両特性の改善を実現するために、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
【０００６】
しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層とを形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層とで異なるという問題があった。すなわち、配線層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、配線層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来技術の種々の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンから構成され、銅とニッケルとモリブデンとの含有量を１００原子％とした場合に、前記モリブデンの含有量が４原子％以上７０原子％以下である黒化層と、を備えた導電性基板を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一側面によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【図５】実験例２の導電性基板の反射率の波長依存性を示す図。
【図６】実験例４の導電性基板の反射率の波長依存性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の導電性基板、および、導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層（以下、単に「黒化層」とも記載する）を備えた構成とすることができる。
【００１３】
なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層を有する基板と、銅層や黒化層をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち、配線基板とを含む。
【００１４】
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００１５】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００１６】
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム等の樹脂フィルム、ポリカーボネート系フィルム等を好ましく用いることができる。
【００１７】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。
【００１８】
次に銅層について説明する。
【００１９】
銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００２０】
他の部材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。
【００２１】
例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００２２】
また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００２３】
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００２４】
なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００２５】
次に、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層について説明する。
【００２６】
銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。そこで本発明の発明者らが検討を行ったところ、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する層は黒色であるため黒化層として使用でき、さらに、エッチング液に対して十分な反応性を示すため、銅層と同時にエッチング処理を行えることを見出したものである。
【００２７】
黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができる。ただし、比較的容易に黒化層を成膜できることから、スパッタリング法により成膜することが好ましい。
【００２８】
黒化層は例えば、銅、ニッケル及びモリブデンの混合焼結ターゲット（以下、「銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲット」とも記載する）を用い、チャンバー内に酸素と窒素を供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。
【００２９】
また、黒化層は例えば、銅−ニッケル合金ターゲットと、モリブデンのターゲットと、を用い、あるいは銅のターゲットとニッケル−モリブデン合金ターゲットを用い、チャンバー内に酸素と窒素を供給しながら２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。
【００３０】
銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットの製造方法の一構成例について説明する。銅とモリブデンは熔解することが難しく固溶しないため、銅、ニッケル及びモリブデンの混合粉末からホットプレス法や熱間等方圧加工法（ＨＩＰ）により焼結体を作製することが好ましい。そして得られた焼結体を所定の形状に加工した後、バッキングプレートに貼りつけてターゲットとすることができる。焼結温度は８５０℃以上１０８３℃以下が好ましく、より好ましくは９５０℃以上１０５０℃である。
【００３１】
これは、８５０℃より低い温度では焼結が十分進行しないため焼結体密度が低く、ターゲット化する平面加工で冷却水が焼結体の気孔に残留する場合があるという問題があるためである。また、１０８３℃を超えると銅の融点を超えるため銅が流れ出すため好ましくない。
【００３２】
なお、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットの製造方法は、上記製造方法に限定されるものではなく、所望の組成を有するターゲットとなるように製造できる方法であれば特に限定されるものではなく、用いることができる。
【００３３】
スパッタリング時にチャンバー内に供給する酸素と窒素の供給比率は特に限定されるものではないが、チャンバー内に酸素を５体積％以上３５体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながら、黒化層を成膜することが好ましい。
【００３４】
上述のようにチャンバー内への酸素の供給の割合を５体積％以上とすることにより、黒化層の色を十分な黒色とすることができ、黒化層としての機能を十分に発揮できるため好ましい。チャンバー内への酸素の供給割合は１０体積％以上とすることがより好ましい。また、酸素の供給量を３５体積％以下とすることにより、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に高めることができ、銅層と共にエッチングを行う際、銅層と、黒化層と、を容易に所望のパターンとすることができ好ましい。チャンバー内への酸素の供給割合は２０体積％以下とすることがより好ましい。
【００３５】
窒素については、黒化層を成膜する際にその雰囲気中に添加することによりエッチングし易くなるが、添加量が多くなりすぎると黒色が薄くなり、黒化層としての性能が低下する恐れがある。このため、スパッタリングの際の窒素の供給割合は３０体積％以上７０体積％以下とすることが好ましく、３０体積％以上４０体積％以下とすることがより好ましい。なお、窒素の供給割合を７０体積％以下とすることにより、黒化層のスパッタ速度を確保できるため好ましい。
【００３６】
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択された１種類以上のガスを供給することができる。
【００３７】
スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。
【００３８】
スパッタリングを行う際用いるターゲットとして、上述のように例えば銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを用いることができる。この場合、上述のようにターゲットの組成は特に限定されないが、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットは、モリブデンを５原子％以上７５原子％以下の割合で含有することが好ましく、７原子％以上６５原子％以下の割合で含有することがより好ましい。ニッケルは１０原子％以上５０原子％以下が好ましい。これらの場合、残部は銅により構成することができる。
【００３９】
成膜した黒化層中には、酸素、窒素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有することができる。黒化層中の各成分の含有割合は特に限定されるものではないが、黒化層に含まれる銅とニッケルとモリブデンとの合計、すなわち金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量が４原子％以上７０原子％以下であることが好ましい。
【００４０】
これは、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を４原子％以上とすることで、黒化層表面での光の反射率を特に低下させることができるためである。また、金属元素中のモリブデンの含有量を７０原子％以下とすることで、高いエッチング性を示し、所望のパターンを有する導電性基板を容易に作製することができるためである。
【００４１】
成膜した黒化層中において酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とモリブデンとが混合焼結体を形成し、酸素および／または窒素を含有する銅−モリブデン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅、ニッケルまたはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ３）や窒化銅（Ｃｕ３Ｎ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、窒化ニッケル（Ｎｉ３Ｎ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３、ＭｏＯ２、Ｍｏ２Ｏ３）や窒化モリブデン（Ｍｏ２Ｎ、ＭｏＮ）、さらにはＣｕＭｏＯ４、Ｃｕ２ＭｏＯ５等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。
【００４２】
なお、黒化層は例えば酸素および窒素を含有する銅−ニッケル−モリブデン混合物のように、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素および／または窒素を含有する銅−モリブデン混合焼結体や、銅の酸化物、銅の窒化物、ニッケルの酸化物、ニッケルの窒化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの窒化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。
【００４３】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する黒化層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制することができない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより抑制できるため好ましい。
【００４４】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは５０ｎｍ以下とすることが好ましく、４５ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００４５】
また、黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。
【００４６】
そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、２．００×１０−１Ω／□以下であることが好ましい。
【００４７】
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。
【００４８】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。また、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。
【００４９】
さらに、上述のようにシート抵抗の小さい黒化層を含む場合、該シート抵抗の小さい黒化層は導電性基板の最表面に配置されていることが好ましい。これは、シート抵抗の小さい黒化層は配線等の電気部材と接続できるため、接続しやすいように導電性基板の最表面に配置されていることが好ましいためである。
【００５０】
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００５１】
例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
【００５２】
また、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。
【００５３】
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
【００５４】
なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）において、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００５５】
ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。
【００５６】
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長５５０ｎｍの光の反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。これは波長５５０ｎｍの光の反射率が３０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
【００５７】
反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。
【００５８】
具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中Ａで示した表面側から測定できる。
【００５９】
また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、黒化層１３が最表面に位置する側である、透明基材１１の面１１ｂ側から反射率を測定できる。
【００６０】
なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
【００６１】
本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【００６２】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
【００６３】
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＹ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。
【００６４】
透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【００６５】
まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
【００６６】
また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１Ａと透明基材１１Ｂとの間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。
【００６７】
ただし、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
【００６８】
図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成することができる。
【００６９】
図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｘ軸方向に平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図１（ｂ）中のＸ軸方向とは、図１（ｂ）中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。
【００７０】
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｙ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＹ軸方向は、紙面と垂直な方向を意味している。
【００７１】
以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
【００７２】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図４（ｂ）のように銅層１２等が積層された図１（ａ）における面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せてもよい。
【００７３】
なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
【００７４】
また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるように貼り合せてもよい。
【００７５】
なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【００７６】
また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【００７７】
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
【００７８】
本実施形態の導電性基板の製造方法は、
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有することが好ましい。
【００７９】
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
【００８０】
上述のように、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程の順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
【００８１】
透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の工程での各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。
【００８２】
なお、可視光を透過する絶縁体フィルムとして特に好適に用いることができるフィルムについては既述のため、ここでは説明を省略する。
【００８３】
次に銅層形成工程について説明する。
【００８４】
銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
【００８５】
銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００８６】
巻取式スパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。まず、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、真空チャンバー内に基材、具体的には透明基材や黒化層を形成した透明基材等をセットする。真空チャンバー内を真空排気後、Ａｒガスを導入して装置内を０．１３Ｐａ〜１.３Ｐａ程度に保持する。この状態で、巻出ロールから基材を例えば毎分１〜２０ｍ程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
【００８７】
湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
【００８８】
次に、黒化層形成工程について説明する。
【００８９】
黒化層形成工程も特に限定されるものではないが、既述のように、スパッタリング法により、黒化層を成膜する工程とすることができる。
【００９０】
この際、ターゲットとして銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを用いることができる。
【００９１】
また、既述のように銅−ニッケル合金ターゲットと、モリブデンターゲットとを用い、あるいは銅のターゲットとニッケル−モリブデン合金ターゲットとを用いて２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。
【００９２】
スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。
【００９３】
例えば、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットは、モリブデンを５原子％以上７５原子％以下、ニッケルを１０原子％以上５０原子％以下の割合で含んでいることが好ましい。また、モリブデンを７原子％以上６５原子％以下の割合で含有することがより好ましい。なお、残部は銅により構成することができる。
【００９４】
また、チャンバー内に酸素を５体積％以上３５体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながらスパッタリング法により黒化層の成膜を実施することが好ましい。
【００９５】
特に、チャンバー内への酸素の供給割合は１０体積％以上２０体積％以下とすることがより好ましい。また、チャンバー内への窒素の供給割合は３０体積％以上４０体積％以下とすることがより好ましい。
【００９６】
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択される１種類以上を供給することができる。
【００９７】
そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、既述の導電性基板と同様に、銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００９８】
また、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板においても、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、４５ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００９９】
成膜した黒化層は酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンが含有することができる。黒化層中の各成分の含有割合は特に限定されるものではないが、黒化層に含まれる金属元素である銅、ニッケル及びモリブデンの合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量が４原子％以上７０原子％以下であることが好ましい。これは、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を４原子％以上とすることで、黒化層表面での光の反射率を特に低下させることができるためである。また、金属元素中のモリブデンの含有量を７０原子％以下とすることで、高いエッチング性を示し、所望のパターンを有する導電性基板を容易に作製することができるためである。
【０１００】
成膜した黒化層中において酸素、窒素、銅、ニッケル、及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とモリブデンとが混合焼結体を形成し、酸素および／または窒素を含有する銅−モリブデン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅またはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ３）や窒化銅（Ｃｕ３Ｎ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、窒化ニッケル（Ｎｉ３Ｎ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３、ＭｏＯ２、Ｍｏ２Ｏ３）や窒化モリブデン（Ｍｏ２Ｎ、ＭｏＮ）、さらにはＣｕＭｏＯ４、Ｃｕ２ＭｏＯ５等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。
【０１０１】
なお、黒化層は例えば酸素および窒素を含有する銅−ニッケル−モリブデン混合物のように、酸素、窒素、銅、ニッケル及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素および／または窒素を含有する銅−モリブデン混合焼結体や、銅の酸化物、銅の窒化物、ニッケルの酸化物、ニッケルの窒化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの窒化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。
【０１０２】
そして成膜した黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。
【０１０３】
そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、２．００×１０−１Ω／□以下であることが好ましい。
【０１０４】
そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。
【０１０５】
係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１（ａ）に示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
【０１０６】
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。
【０１０７】
なお、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の最表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。
【０１０８】
また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。
【０１０９】
黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示すことから、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１質量％以上２０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。
【０１１０】
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していること好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。
【０１１１】
上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
【０１１２】
また、既述のように、図１（ａ）、図２（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。
【０１１３】
以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことから、容易に所望の配線を形成することができる。また、黒化層は黒色であるため、銅層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。
【実施例】
【０１１４】
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
【０１１５】
まず、後述する各実験例において作製した試料の評価方法について説明する。
（評価方法）
（１）光学特性（反射率、明度）
以下の実験例２、４において作製した導電性基板について、光学特性（反射率）の測定を行った。また、測定した光学特性（反射率）から明度を算出した。
【０１１６】
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製  型式：Ｕ−４０００）に反射率測定ユニットを設置して行った。
【０１１７】
以下の実験例２、４では断面形状が図１（ａ）と同様の構造を有する導電性基板を作製した。そこで、作製した導電性基板の銅層及び黒化層を形成した側の図１（ａ）における最表面Ａに対して、入射角５°、受光角５°として、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射した際の反射率を測定した。なお、測定に際しては波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で、波長を１ｎｍごとに変化させた光を照射し、各波長についての反射率を測定している。
【０１１８】
なお、測定の際にはＰＥＴフィルムの反りを矯正するためガラス基板上に各実験例、比較例の試料を載置しクランプで固定して、黒化層側から光を照射して測定した。
【０１１９】
測定した反射率を用いてＪＩＳ  Ｚ８７８１−４:２０１３に準拠した色彩計算プログラムを用いて、光源Ａ視野２度の条件でＣＩＥ  １９７６（Ｌ＊）色空間上の座標を計算した。
（２）溶解試験
以下の実験例１、３において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料をエッチング液に浸漬して黒化層の溶解試験を行った。なお、実験例１−４−１〜実験例１−４−３においては黒化層にかえてモリブデンの酸窒化膜を形成している。このため、実験例１−４−１〜実験例１−４−３においては形成したモリブデンの酸窒化膜の溶解試験となる。
【０１２０】
エッチング液としては、銅層のエッチング液として用いられる塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用い、エッチング液の温度は室温（２５℃）として溶解試験を実施した。
【０１２１】
次に溶解試験の評価方法について説明する。
【０１２２】
溶解試験の評価を規定するため、実験例１、３で用いた透明基材である縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）の一方の面上の全面に、厚さ３００ｎｍの銅層を形成した試料をエッチング液に浸漬する予備実験を行った。この場合、銅層は１０秒以内に溶解することが確認できた。
【０１２３】
このため、上記エッチング液に浸漬後１０秒以内に黒化層が全量溶解したものを◎、３０秒以内に黒化層が全量溶解したものを○、１分以内に黒化層が全量溶解したものを◇、３分以内に黒化層が全量溶解したものを△、３分を超えても黒化層が全量は溶解せず一部が残存したものを×と評価した。
（３）ＥＤＳ分析
実験例１、３において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料について、ＳＥＭ−ＥＤＳ装置（ＳＥＭ：日本電子株式会社製  型式：ＪＳＭ−７００１Ｆ、ＥＤＳ：サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製  型式：検出器  ＵｌｔｒａＤｒｙ  解析システム  ＮＯＲＡＮ  Ｓｙｓｔｅｍ  ７）によりＥＤＳ分析を行った。
（４）シート抵抗
実験例１、３において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料について、黒化層のシート抵抗の評価を行った。
【０１２４】
シート抵抗は、四探針法を用いて測定を行った。四探針法は測定する試料の表面に四本の針状電極を同一直線上に配置し、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定して抵抗を測定する方法である。測定に際しては四探針測定器（三菱化学株式会社製  型式：Ｌｏｒｅｓｔａ  ＩＰ）を用いて測定を行った。
（試料の作製条件）
以下に各実験例における試料の製造条件、及びその評価結果を説明する。
［実験例１］
実験例１においては、以下に示す実験例１−１−１〜実験例１−４−３の１２種の試料を作製し、黒化層の組成についてのＥＤＳ分析、溶解試験、及びシート抵抗評価を実施した。
【０１２５】
なお、本実験例は後述する実験例２のための予備実験として実施したものであり、参考例となる。
（実験例１−１−１〜実験例１−３−３）
透明基材であるＰＥＴ基板上に、酸素、窒素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した試料（実験例１−１−１〜実験例１−３−３）を作製した。具体的な手順について、以下に説明する。
なお、実験例１−１−１〜実験例１−１−３、実験例１−２−１〜実験例１−２−３、実験例１−３−１〜実験例１−３−３の試料をまとめて示す場合には上述のように単に実験例１−１−１〜実験例１−３−３と記載する場合もある。
【０１２６】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材を準備した。
【０１２７】
次に、直流スパッタリング法により黒化層を成膜した。
【０１２８】
黒化層１３の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製  型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。
【０１２９】
黒化層を成膜する際のスパッタリングの具体的な条件、手順について以下に説明する。
【０１３０】
まず、黒化層を成膜する際のターゲットとして、モリブデンターゲットと、銅−４０ａｔ％ニッケル合金ターゲットとの２枚ターゲットを用いた。なお、銅−４０ａｔ％ニッケル合金ターゲットとは、４０ａｔ％のニッケルと、残部が銅とからなる合金のターゲットを意味している。
【０１３１】
また、黒化層をスパッタリングにより成膜する際、チャンバー内には窒素と酸素が体積比で４：１の比率である混合ガス（窒素と酸素）と、アルゴンガスとを合計で１０ＳＣＣＭになるように供給しながら行った。
【０１３２】
具体的には、チャンバーに内に供給するアルゴンガスと、混合ガス（窒素と酸素）との比（Ａｒガス：混合ガス）を５：５（条件１）、３：７（条件２）、２：８（条件３）と変えて、酸素、窒素、アルゴンの各体積％が表１に示す割合となるように供給しながらスパッタリングを行った。表１に示したチャンバー内に供給するガス比の条件を以後、条件１〜条件３と記述する。
【０１３３】
【表１】
0006595762.tif 000002
黒化層を成膜する際の具体的な手順について説明する。
【０１３４】
まず、準備した透明基材を基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
【０１３５】
そして、各実験例について表１、及び上述のガスの条件を満たすようにチャンバー内にアルゴンガスと、混合ガスとを供給した。また、基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させた。
【０１３６】
そして、ターゲットから供給される銅−ニッケルと、モリブデンとの金属比を６５：３５、５０：５０、２５：７５の３条件となるように予め計算したＤＣ電力を各ターゲットに印加し、２元同時スパッタリングにより黒化層（膜厚３００ｎｍ）を作製した。
【０１３７】
なお、銅−４０ａｔ％ニッケル合金ターゲットと、モリブデンのターゲットと、から供給する銅−ニッケル合金と、モリブデンとの金属比を所望の値とするためのＤＣ電力の大きさは以下の事前試験により算出した。
【０１３８】
銅−ニッケル合金膜と、モリブデン膜とを、それぞれガス条件１〜３、ＤＣパワー４００Ｗ、スパッタ時間２０分でガラス板上に成膜し、膜厚を測定して成膜速度（Ｖai：ｎｍ/（Ｗ・ｍｉｎ）、a＝Ｃｕ−Ｎｉ、Ｍｏ、ｉ＝１，２，３）を求めた。なお、ｉはガス条件の番号を意味している。
【０１３９】
これから銅−ニッケル合金とモリブデンの目標組成の金属比をｍ：ｎ、膜厚３００ｎｍ、スパッタ時間２０分として以下の計算式から各ターゲットに印加するＤＣ電力（Ｐａｉ）を計算した。
【０１４０】
なお、上述のように銅−ニッケル合金として、銅−４０ａｔ％ニッケル合金を用いている。このため、銅及びニッケルの具体的な目標組成は、上記目標組成の金属比ｍのうち４０％がニッケル、残部が銅として算出される。
ＰＣｕ−Ｎｉｉ＝３００×ｍ/（ｍ+ｎ）/（２０＊ＶＣｕ−Ｎｉｉ）
ＰＭｏｉ＝３００×ｎ/（ｍ+ｎ）/（２０＊ＶＭｏｉ）
【０１４１】
ここまで説明したように、銅−ニッケル合金のターゲットと、モリブデンのターゲットとから供給する金属の金属比について３条件と、チャンバー内に供給するガス比の条件で３条件とを変えて、条件を組み合わせた９種類の膜を透明基材上に成膜した。この際、透明基材上に成膜した９種類の膜を成膜した試料を、実験例１−１−１〜実験例１−３−３とした。
【０１４２】
作製した９種類の膜の作製条件と、実験例の番号をまとめると表２の通りとなる。例えば実験例１−１−１は、チャンバー内に供給する酸素、窒素、アルゴンのガス比（体積％）が条件１（Ｏ２：Ｎ２：Ａｒ＝１０：４０：５０）であり、銅−ニッケルとモリブデンのターゲットから供給する金属の金属比（Ｃｕ：Ｎｉ：Ｍｏ、各ａｔ％）が３９：２６：３５となるようにＤＣ電力を印加している。
（実験例１−４−１〜実験例１−４−３）
表２に示したように比較の試料として、ターゲットとしてモリブデンターゲットのみを用いた点以外は実験例１−１−１〜実験例１−１−３と同様にして、透明基材上にモリブデンの酸窒化膜を成膜した試料も作製した。なお、これらの比較の試料を以下、実験例１−４−１〜実験例１−４−３と記載する。
【０１４３】
【表２】
0006595762.tif 000003
【０１４４】
以下に、作製した試料の評価結果を説明する。
（黒化層の組成評価：ＥＤＳ分析結果）
ＥＤＳ分析から、実験例１−１−１〜実験例１−３−３の黒化層はいずれも銅、ニッケル、モリブデン、窒素、酸素から構成されていることが確認できた。
【０１４５】
一部の測定結果を表３に示す。
【０１４６】
【表３】
0006595762.tif 000004
【０１４７】
（溶解試験結果）
エッチング液として塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用いて、２５℃で溶解試験を行った。その結果を表４に示す。
【０１４８】
【表４】
0006595762.tif 000005
【０１４９】
表４に示した結果によると、実験例１−１−１〜実験例１−３−３のいずれの試料においても３０秒以内に黒化層が溶解していることが確認できた。すなわち、これらの実験例の黒化層は、銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。
【０１５０】
以上の結果から、実験例１−１−１〜実験例１−３−３で作製した黒化層を銅層の上に形成し、パターニングを行った場合、銅層、及び黒化層を同時にエッチング処理できることを確認できた。このため、後述する実験例２で作製する導電性基板はいずれも同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であることを確認できた。
【０１５１】
なお、酸素、窒素、銅、ニッケル、モリブデンを含有する黒化層にかえて、モリブデンの酸窒化膜を形成した実験例１−４−１〜実験例１−４−３の試料は表４に示すように、実験例１−４−３の場合を除いて黒化層が溶解するのに３０秒よりも長い時間要することが確認できた。
（シート抵抗の評価）
各実験例の試料について黒化層のシート抵抗の評価を行った。結果を表５に示す。なお、表中の数値の単位はΩ／□となる。また、黒化層の膜厚以外は同じ条件で作製した試料については、同じ実験番号を用いている。
【０１５２】
【表５】
0006595762.tif 000006
表５から実験例１−１−１〜実験例１−３−３のいずれの試料についてもシート抵抗は０．２Ω／□未満であり、十分小さいことが確認できた。
【０１５３】
［実験例２］
次に、実験例１で行った予備実験の結果を参考に導電性基板を作製し、その評価を行った。
【０１５４】
本実験例では、透明基材の一方の面上に銅層、及び黒化層が形成された構造を有する導電性基板、または黒化層にかえてモリブデン酸窒化膜を形成した導電性基板を作製した。導電性基板としては、黒化層の成膜条件の異なる９種類の試料、及び黒化層にかえてモリブデン酸窒化膜を形成した１種類の試料を作製した。
【０１５５】
以下に説明する実験例２−１−１〜実験例２−１−３、実験例２−２−１〜実験例２−２−３、実験例２−３−１〜実験例２−３−３は実施例となり、実験例２−４−１は比較例となる。
【０１５６】
なお、実験例２−１−１〜実験例２−１−３、実験例２−２−１〜実験例２−２−３、実験例２−３−１〜実験例２−３−３をまとめて示す場合には単に実験例２−１−１〜実験例２−３−３と記載する場合もある。
（実験例２−１−１〜実験例２−３−３）
実験例２−１−１〜実験例２−３−３として、表６に示した９種類の条件で成膜した黒化層を備え、図１（ａ）に示した構造を有する導電性基板、すなわち透明基材の片側面上に銅層、さらに黒化層が形成される構造の導電性基板を作製した。
【０１５７】
なお、実験例２−１−１の場合、チャンバー内に供給する酸素、窒素、アルゴンのガス比（体積％）が条件１（Ｏ２：Ｎ２：Ａｒ＝１０：４０：５０）である。さらに、銅−ニッケルのターゲットと、モリブデンのターゲットから供給する金属の金属比（ａｔ％）がＣｕ：Ｎｉ：Ｍｏが３９：２６：３５となるようにＤＣ電力を印加して黒化層を成膜している。
【０１５８】
また、実験例２の各実験例のうち、実験番号の実験例２−の後ろの番号が実験例１と同じ実験例については、膜厚以外は同じ条件で黒化層を成膜していることを示している。例えば実験例２−１−１と実験例１−１−１とは、膜厚以外は同じ条件で黒化層を成膜していることになる。
【０１５９】
さらに、実験例２−４−１として、銅−ニッケルターゲットを用いずに、モリブデンターゲットのみを用い、黒化層にかえてモリブデンの酸窒化膜を成膜した点以外は実験例２−１−１と同様にして、導電性基板を作製した。
【０１６０】
【表６】
0006595762.tif 000007
【０１６１】
以下に実験例２−１−１〜実験例２−３−３導電性基板の作製手順について詳述する。
【０１６２】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材１１を準備した。
【０１６３】
次に透明基材１１の一方の面の全面に銅層１２を形成した。銅層１２は、スパッタリング法により銅薄膜層を形成し、次いで、該銅薄膜層を給電層として湿式めっき法により銅めっき層を形成した。具体的にはまず、Ｃｕターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、透明基材１１の一方の面上に１００ｎｍの厚さの銅薄膜層を成膜した。その後、電気めっきにより銅めっき層を０．５μｍ積層し、銅層１２とした。
【０１６４】
次に、銅層１２上の全面に実験例１と同様の方法で２元同時スパッタリング法により黒化層１３を成膜した。
【０１６５】
上記スパッタリング法により、各実験例において厚さ３０ｎｍの黒化層１３を成膜した。
（実験例２−４−１）
実験例２−４−１については、銅−ニッケルターゲットを用いずに、モリブデンターゲットのみを用いた点以外は実験例２−１−１と同様にして、導電性基板を作製した。
【０１６６】
以上の工程により得られた導電性基板の評価結果について説明する。
（光学特性：反射率の評価）
作製した導電性基板のうち、実験例２−１−１、実験例２−２−１、実験例２−２−２、実験例２−３−１、実験例２−３−２、実験例２−４−１について反射率測定を実施した。反射率の波長依存性を図５に示す。
【０１６７】
図５に示した結果から、波長５５０ｎｍの光に対する反射率はいずれの実験例でも３０％より低くなっていることが確認できた。さらに実験例２−２−２（銅・ニッケル・モリブデン金属比＝３０：２０：５０、ガス条件２）実験例２−３−２（銅・ニッケル・モリブデン金属比＝１５：１０：７５、ガス条件２）は波長５５０ｎｍの反射率が０に近く、波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲の光に対しても反射率は２０％未満であることが確認できた。
【０１６８】
各実験例の導電性基板について測定した反射率から計算した明度Ｌ＊の値を表７に示す。表７に示したいずれの実験例においても明度Ｌ＊は５５以下となっており、良好な特性であることを確認できた。
【０１６９】
【表７】
0006595762.tif 000008
実験例２−１−１〜実験例２−３−３においては、上述のように実験例１−１−１〜実験例１−３−３と同様の条件で黒化層を形成している。このため、実験例２−１−１〜実験例２−３−３で作製した導電性基板に含まれる黒化層は、実験例１−１−１〜実験例１−３−３で評価を行った黒化層と同様の特性を有するものといえる。すなわち、実験例２−１−１〜実験例２−３−３で作製した導電性基板に形成した黒化層の組成や、シート抵抗は、実験例１で評価した対応する実験例１−１−１〜実験例１−３−３と同様の特性となっている。
【０１７０】
また、実験例１で説明したように実験例１−１−１〜実験例１−３−３で評価した黒化層は、溶解試験においてエッチング液に対して銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。このことから、実験例２−１−１〜実験例２−３−３で作製した導電性基板については、いずれも同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であるといえる。
【０１７１】
［実験例３］
実験例３においては、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを作製し、係るターゲットを用いて以下に示す実験例３−３−１〜実験例３−３−３、実験例３−４−１〜実験例３−４−３の６種の試料を作製した。
【０１７２】
なお、実験例３−３−１〜実験例３−３−３、実験例３−４−１〜実験例３−４−３をまとめて示す場合には単に実験例３−３−１〜実験例３−４−３と記載する場合もある。
【０１７３】
そして、黒化層の組成についてのＥＤＳ分析、溶解試験、及びシート抵抗評価を実施した。
【０１７４】
なお、本実験例は後述する実験例４のための予備実験として実施したものであり、参考例となる。
（銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲット：実験例３−１〜実験例３−５）
本実験例ではまず、実験例３−１〜実験例３−５の銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを作製した。以下に具体的な手順を示す。
【０１７５】
出発原料粉末として、Ｍｏ粉末（新日本金属製、２次粒子径約２００〜５００μｍ）、Ｎｉ粉末（高純度化学製  ３Ｎ  ＮＩＥ０８ＰＢ  ６３μｍ）とＣｕ粉末（高純度化学製  ３Ｎ  ＣＵＥ１３ＰＢ  ＜４３μｍ）を所定量秤量し、乳鉢で混合した。この際、各実験例における出発原料粉末の混合比が表８に示す値となるように出発原料粉末を秤量、混合した。
【０１７６】
次いで、得られた混合粉末を内径３インチのグラファイト型に入れてホットプレス法で焼結し、組成の異なる実験例３−１〜実験例３−５の５種類の焼結体を作製した。なお、ホットプレス法で焼結する際の面圧は１３６ｋｇ重／ｃｍ２、ホットプレス温度（ＨＰ温度）は表中に示す９００℃または１０００℃、保持時間は１時間とした。得られた焼結体の密度は表８に示すように８２％から９３％であり、スパッタターゲットとして使用可能であることが確認できた。
【０１７７】
【表８】
0006595762.tif 000009
（実験例３−３−１〜実験例３−４−１）
作製した銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲット（以下、単に「焼結ターゲット」とも記載する）の組成と成膜される黒化層の組成との関係を確認するために、実験例３−３、実験例３−４で作製したターゲットを用いて、実験例１と同様の試料を作製した。なお、実験例３−３−１〜実験例３−３−３は表８中実験例３−３として示したターゲットを用いて黒化層を成膜している。また、実験例３−４−１〜実験例３−４−３は表８中実験例３−４として示したターゲットを用いて黒化層を成膜している。
【０１７８】
以下に試料を作製する際の条件、手順について説明する。
【０１７９】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材を準備した。
【０１８０】
次に、直流スパッタリング法により黒化層を成膜した。
【０１８１】
黒化層の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製  型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。
【０１８２】
黒化層を成膜する際の具体的な手順について説明する。
【０１８３】
まず、準備した透明基材を基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
【０１８４】
次いで、各実験例について表９のガス比の条件を満たすようにチャンバー内にアルゴンガスと、混合ガス（酸素と窒素の混合ガス）とを供給した。また、基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させた。
【０１８５】
そして、ＤＣ電力をターゲットに印加し、黒化層（膜厚３００ｎｍ）を作製した。
【０１８６】
得られた試料について黒化層の組成をＥＤＳにより分析した。結果を表９にあわせて示す。
【０１８７】
【表９】
0006595762.tif 000010
また、作製した試料について実験例１の場合と同様にして溶解試験、及びシート抵抗の評価を実施した。結果を表１０に示す。
【０１８８】
なお、表１０中溶解試験の結果は、エッチング性として示している。
【０１８９】
【表１０】
0006595762.tif 000011
溶解試験についてはいずれの試料においても評価結果が二重丸となっており、いずれの試料においても１０秒以内に黒化層が溶解していることが確認できた。すなわち、これらの実験例の黒化層は、銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。
【０１９０】
さらに、シート抵抗についてもいずれの試料でも２．０×１０−１Ω／□未満と十分小さいことが確認できた。
［実験例４］
次に、実験例３で行った予備実験の結果を参考に導電性基板を作製し、その評価を行った。
【０１９１】
本実験例では、実験例２の場合と同様に、図１（ａ）に示した構造を有する、透明基材の一方の面上に銅層、及び黒化層が形成された構造を有する導電性基板を作製した。導電性基板としては、黒化層の成膜条件の異なる６種類の試料を作製した。
【０１９２】
以下に説明する実験例４−３−１〜実験例４−３−３、実験例４−４−１〜実験例４−４−３はいずれも実施例となる。
【０１９３】
なお、実験例４−３−１〜実験例４−３−３、実験例４−４−１〜実験例４−４−３をまとめて示す場合には単に実験例４−３−１〜実験例４−４−３と記載する場合もある。
【０１９４】
以下に導電性基板の作製手順について詳述する。
【０１９５】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材１１を準備した。
【０１９６】
次に透明基材１１の一方の面の全面に銅層１２を形成した。銅層１２は、スパッタリング法により銅薄膜層を形成し、次いで、該銅薄膜層を給電層として湿式めっき法により銅めっき層を形成した。具体的にはまず、Ｃｕターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、透明基材１１の一方の面上に１００ｎｍの厚さの銅薄膜層を成膜した。その後、電気めっきにより銅めっき層を０．５μｍ積層し、銅層１２とした。
【０１９７】
次に、銅層１２上の全面に実験例３と同様の方法で焼結ターゲットを用いてスパッタリング法により黒化層１３を成膜した。
【０１９８】
実験例３で説明したように、黒化層の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製  型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。
【０１９９】
黒化層を成膜する際のスパッタリングの具体的な条件について説明する。
【０２００】
まず、銅層を形成した透明基材を基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
【０２０１】
次いで、各実験例について表１１のガス比の条件を満たすようにチャンバー内にアルゴンガスと、混合ガス（酸素と窒素の混合ガス）とを供給した。また、基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させた。
【０２０２】
そして、ＤＣ電力をターゲットに印加し、黒化層を作製した。
【０２０３】
なお、実験番号の実験例４−の後の数字の配列が、表９、表１０に示した実験例３における実験番号の数字のうち、実験例３−の後の数字の配列と同じ実験例は、実験例３の対応する実験番号の際と同じターゲットを用い、同じガス比の条件で黒化層を成膜している。すなわち、膜厚以外は同じ条件で黒化層を成膜している。
【０２０４】
ここで、実験例４−の後の数字の配列とは、例えば実験例４−３−１の場合には「３−１」を意味しており、実験例３−の後の数字の配列とは、例えば実験例３−３−１の場合には「３−１」を意味する。このため、実験例４−の後の数字の配列と、実験例３−後の数字の配列が同じ、実験例４−３−１と、実験例３−３−１とは、同じターゲットを用い、同じガス比の条件で黒化層を成膜している。
【０２０５】
各実験例について、表１１に示した黒化層の膜厚となるように黒化層を成膜し、導電性基板を作製した。
【０２０６】
以上の工程により得られた導電性基板について反射率測定を実施した。評価結果を表１１、及び図６に示す。
【０２０７】
反射率の測定は実験例２の場合と同様にして行ったため、ここでは具体的な説明は省略する。
【０２０８】
なお、既述のように測定は波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で、波長を１ｎｍごとに変化させた光を照射し、各波長についての反射率を測定を行っている。そして、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で各波長で測定した測定結果を平均したものを表１１では可視光平均反射率として示している。また、表１１ではあわせて波長５５０ｎｍの光の反射率、明度Ｌ＊も示している。
【０２０９】
さらに、図６に上記波長範囲で測定した際の反射率の波長依存性を示している。図６では実験例４−３−１〜実験例４−３−３の導電性基板についての測定結果を示している。
【０２１０】
【表１１】
0006595762.tif 000012
表１１に示した結果によると、実験例４−３−３において、波長５５０ｎｍにおける反射率が３０％を若干超える場合が観察されたものの、他の実験例はいずれも波長５５０ｎｍにおける反射率が２０％未満となっており、特に低くなることが確認できた。なお、図６によれば実験例４−３−３については、反射率の波長依存性が、実験例４−３−１、実験例４−３−２とは異なる挙動を示すことが確認できた。
【０２１１】
実験例４−３−１〜実験例４−４−３においては、上述のように膜厚以外はそれぞれ実験例３−３−１〜実験例３−４−３と同様の条件で黒化層を形成している。このため、実験例４−３−１〜実験例４−４−３で作製した導電性基板に含まれる黒化層は、それぞれ実験例３−３−１〜実験例３−４−３で評価を行った黒化層と同様の特性を有するものといえる。すなわち、実験例４−３−１〜実験例４−４−３で作製した導電性基板に形成した黒化層の組成や、シート抵抗は、実験例３で評価した対応する実験例３−３−１〜実験例３−４−３と同様の特性となっている。
【０２１２】
また、実験例３で説明したように実験例３−３−１〜実験例３−４−３で評価した黒化層は、溶解試験においてエッチング液に対して銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。このことから、実験例４−３−１〜実験例４−４−３で作製した導電性基板については、いずれも同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であるといえる。
【符号の説明】
【０２１３】
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０                      導電性基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ                                      透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ                                      銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ                                              黒化層
３１Ａ、３１Ｂ                                            配線
【図１】
0006595762.tif 000013
【図２】
0006595762.tif 000014
【図３】
0006595762.tif 000015
【図４】
0006595762.tif 000016
【図５】
0006595762.tif 000017
【図６】
0006595762.tif 000018