(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ微細又はナノ構造を結像するリソグラフィシステムの光学アセンブリ（１００）であって、該光学アセンブリ（１００）のビーム経路に連続して配置された少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）と、
前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）において該少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の光学活性領域（１０２、１０４）の外側に装着されたマーキング要素（４１４、４２４、７２０、７２１、７２２、７２３）から放射線信号（１３１）を取得するよう設計された取得デバイス（１１０）であり、前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の第１光学素子（１０１）と最終光学素子（１０３）との間のビーム経路（１３２）の外側に配置され、前記放射線信号（１３１）は、前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の前記光学活性領域（１０２、１０４）の汚染、劣化の影響又は損傷を決定するための迷光についての情報を含む複数の異なる特性に関する情報を含む、取得デバイス（１１０）と、
前記取得デバイス（１１０）に結合され、前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の前記光学活性領域（１０２、１０４）の複数の特性のそれぞれを、該特性に対応する前記光学素子に装着された前記マーキング要素の少なくとも一つから生じた前記放射線信号（１３１）に含まれる情報に応じて独立して判定するよう設計された制御デバイス（１０２）とを備えた光学アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記放射線信号（１３１）は、前記光学素子の空間分解光学情報、空間分解温度情報、及び／又は所定の基準位置に対する絶対位置情報を含む光学アセンブリ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光学アセンブリ（１００）において、該光学アセンブリは、前記ビーム経路（１３０、１３２、１３３）を少なくとも部分的に囲む保持装置（２２０）を備え、前記取得デバイス（１１０）は、前記ビーム経路の外側で前記保持装置（２２０）に装着された複数のサブ取得デバイス（２１０、２１１、２１２、２１３）を有する光学アセンブリ。
【請求項４】
請求項３に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記保持装置（２２０）は、開口（２２１）を有し、該開口（２２１）を通して、前記サブ取得デバイス（２１０、２１１、２１２、２１３）が各前記光学素子（１０１、１３）上のマーキング要素（４１４、４２４、７２０、７２１、７２２、７２３）から放射線信号を取得する光学アセンブリ。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記サブ取得デバイス（２１０、２１１、２１２、２１３）は、前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の前記光学活性領域（１０２、１０４）間で前記ビーム経路（１３２）の外側に配置される光学アセンブリ。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記保持装置（２２０）は冷却領域を有する光学アセンブリ。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記サブ取得デバイス（２１０、２１１、２１２、２１３）は、１つ又は複数の洗浄ヘッド（３１０、３１１）に装着される光学アセンブリ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記取得デバイス（１１０）は、カメラ、及び／又は前記放射線信号（１３１）を取得及び／又は転送するための光導波路を有する光学アセンブリ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記取得デバイス（１１０）は、６００ｎｍ〜３０μｍの波長を有する赤外線領域、及び／又は１０ｎｍ〜４００ｎｍの波長を有する紫外線領域の放射線信号を取得するよう設計される光学アセンブリ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）は、それぞれが少なくとも１つのマーキング要素（４１４、４２４）を有し、該マーキング要素（４１４、４２４）は、取得すべき前記放射線信号（４１３、４２３）を発する光学アセンブリ。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記マーキング要素（４１４、４２４）は、それぞれが回折構造（８０４）及び／若しくは散乱構造（８０３）、又は反射構造（４１４、４２４）を有する光学アセンブリ。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記取得デバイス（１１０、４１０、４２０）は、前記マーキング要素（４１４、４２４）を照明するために光源（４１１、４２１）を有し、前記取得デバイス（１１０、４１０、４２０）は、前記マーキング要素（４１４、４２４）から出る放射線信号（４１３、４２３）を受け取るよう設計されるアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記制御デバイス（１２０）は前記マーキング要素（４１４、４２４）に結合される光学アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記取得デバイス（１１０）は、光源（４１１、４２１）を有する少なくとも２つのサブ取得デバイス（４１０、４２０）を有し、前記光源（４１１、４２１）から出る前記放射線信号（４１２、４２２）は、相互に交差してそれぞれが光学素子（１０１、１０３）のマーキング要素（４１４、４２４）を照射する光学アセンブリ。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記光学素子（１０１、１０３）の少なくとも１つの選択は、少なくとも２つのマーキング要素（４１４、４２４）を有する光学アセンブリ。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記少なくとも２つのマーキング要素（４１４、４２４）は、波長が異なる前記放射線信号をもたらす光学アセンブリ。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記少なくとも２つのマーキング要素（４１４、４２４）は、該少なくとも２つのマーキング要素（４１４、４２４）が出力した前記放射線信号（１３１）が干渉し合うよう配置される光学アセンブリ。
【請求項１８】
請求項１７に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記少なくとも２つのマーキング要素（４１４、４２４）は、共用される散乱構造（８０３）及び共用回折構造（１００１）と、それぞれのマーキング要素で専用に使用される回折構造（８０４）とを有し、放射線信号が、前記散乱構造（８０３）から前記共用回折構造（１００１）へ伝達され、該共用回折構造（１００１）は、前記少なくとも２つのマーキング要素（４１４、４２４）がそれぞれ有する前記回折構造（８０４）のそれぞれに前記放射線信号を伝達するよう設計される光学アセンブリ。
【請求項１９】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記マーキング要素（４１４、４２４）は、それぞれが散乱構造（８０３）及び回折構造（８０４）を有し、前記散乱構造（８０３）は、各前記光学素子（１０１、１０３）の下側に配置され、前記回折構造（８０４）は、前記光学素子（１０１、１０３）の前記光学活性領域（１０２、１０４）のうち前記下側とは反対に位置する側に配置され、放射線信号が、前記散乱構造（８０３）から前記光学素子（１０１、１０３）を通して前記回折構造（８０４）へ伝達される光学アセンブリ。
【請求項２０】
請求項１８または１９に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記回折構造（８０４）は、前記光学素子（１０１、１０３）のミラー表面（１０２、１０４）に、材料除去によって形成される光学アセンブリ。
【請求項２１】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記マーキング要素（４１４、４２４）が、散乱構造（８０３）及び絞り（１１０３）を有し、放射線信号（１１０４）が、前記散乱構造（８０３）及び前記絞り（１１０３）を通して各前記光学素子（１０１、１０３）の無被覆領域（１１０２）へ指向される光学アセンブリ。
【請求項２２】
請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記散乱構造（８０３）は光源（８０１）によって照射される光学アセンブリ。
【請求項２３】
請求項２０に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記ミラー表面（１０２）は、レンズ素子を形成するために局所的に曲面状（１１０１）である光学アセンブリ。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記取得デバイス（１１０）は、１９３ｎｍ〜１４５０ｎｍの波長を有する放射線信号（１３１）を取得するよう設計される光学アセンブリ。
【請求項２５】
請求項１〜２４のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記マーキング要素（４１４、４２４）は光源を有する光学アセンブリ。
【請求項２６】
請求項１〜２５のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記マーキング要素（４１４、４２４）は、オンとオフとを切り替えることができ、前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の前記マーキング要素（４１４、４２４）は、オンとオフとを相互に独立して切り替えることができる光学アセンブリ。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）において、
前記取得デバイス（１１０）は、前記第１光学素子（１０１）までの前記ビーム経路（１３０）に又は前記最終光学素子（１０３）からの前記ビーム経路（１３３）に配置され、前記取得デバイス（１１０）は、前記光学アセンブリ（１００）の前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）を有する閉鎖領域（７０３）の外側に配置される光学アセンブリ。
【請求項２８】
請求項１〜２７のいずれか１項に記載の光学アセンブリ（１００）を操作する方法において、
リソグラフィ微細又はナノ構造の結像用の少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）を用意するステップ（１２０１）であり、前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）を、前記光学アセンブリ（１００）のビーム経路に連続して配置するステップと、
前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）において該少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の光学活性領域（１０２、１０４）の外側に装着されたマーキング要素（４１４、４２４、７２０、７２１、７２２、７２３）から放射線信号（１３１）を取得するステップであり、前記放射線信号（１３１）は、前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の前記光学活性領域（１０２、１０４）の汚染、劣化の影響又は損傷を決定するための迷光についての情報を含む複数の異なる特性に関する情報を含むステップと、
前記少なくとも２つの光学素子（１０１、１０３）の前記光学活性領域（１０２、１０４）の前記複数の特性のそれぞれを、該特性に対応する前記光学素子に装着された前記マーキング要素の少なくとも一つから生じた前記放射線信号（１３１）に含まれる情報に応じて独立して判定するステップと
を含む方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法において、
該方法は、前記光学素子を位置決めするステップをさらに含み、前記少なくとも２つの光学素子の前記光学活性領域の相互のアライメントを行い、前記少なくとも２つの光学素子の前記位置決めを漸次行う方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にリソグラフィ微細又はナノ構造を結像するリソグラフィシステムの、光学アセンブリに関する。本発明はさらに、光学アセンブリを操作する方法に関する。
【０００２】
本願は、２０１３年７月１７日付けで出願された独国出願第１０  ２０１３  ２１４  ００８．８号の優先権を主張する。当該出願の全体を参照により本明細書に援用する。
【背景技術】
【０００３】
この文脈での光学アセンブリは、光又は他の放射線を指向させる複数の光学素子、例えばミラー又はレンズ素子を備えたアセンブリを意味すると理解されたい。この場合、例えば、光又は放射線を集束又は散乱させる。光学アセンブリは、さまざまな目的で用いることができる。特に、光学アセンブリは、リソグラフィシステムの照明系で用いることができる。こうした照明系では、リソグラフィシステムの下流部分におけるその後の処理又は使用のために光を発生させる。
【０００４】
光学アセンブリは、リソグラフィシステムに関しては、集積回路又は他の微細又はナノ構造コンポーネントを製造するために、後続ステップにおいて用いることもできる。この場合、構造化層が、例えばウェーハ等の基板に塗布され、上記層は、構造化目的で、特定の波長領域の放射線に感応するフォトレジストで最初に被覆される。特に、深紫外スペクトル域（ＤＵＶ：ｄｅｅｐ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＶＵＶ：ｖｅｒｙ  ｄｅｅｐ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）又は遠、極紫外スペクトル域（far, extreme ultraviolet spectral range）（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）の光又は放射線が現在用いられている。
【０００５】
フォトレジストで被覆したウェーハは、同様に光学アセンブリであり得る露光装置によって露光される。この場合、マスク又はレチクル上に生成される構造パターンが、投影レンズを用いてフォトレジストに結像される。例えば反射光学ユニットがこの目的で用いられる。フォトレジストの現像後、ウェーハが化学過程を受け、その結果としてウェーハの表面がマスク上のパターンに従って構造化される。半導体構造の形成のために全ての層がウェーハに塗布されるまで、さらなるステップが続き得る。
【０００６】
リソグラフィシステムは、光発生デバイス又は照明系と光学結像系とを有し、その両方がいわゆる光学アセンブリを構成し得る。ウェーハを照明するために、最初に光発生デバイスで光を発生させ、続いてこの光を、光学結像系を通して又は光学結像系内でウェーハへ指向させる。投影アセンブリとも称する光学結像系内では、光発生デバイスが発生させた光をウェーハへ指向させるために、光学ユニット又は光学素子が用いられる。上記光学ユニットは、例えばミラーであり得る。ウェーハへの構造の正確な結像を確保するために、第１にミラーの相互に対する正確なアライメントが必要である。第２に、ミラーの光学特性を調査し、適切な場合は補正することができることが望ましい。
【０００７】
例えば、光学系を形成するレンズ素子又はミラー又は光学素子での投影光の吸収の結果として、結像収差が生じる可能性がある。不均一加熱等の光誘起効果が、光学素子の光学特性の局所的変化につながり得る。例として、ＥＵＶパワーの増加は、光学素子の吸収負荷を高め、したがって大きな温度勾配につながる。結果としてもたらされる光学特性の変化の回避又は少なくとも検出を可能にするために、光学素子を空間及び時間分解的に監視することができる。ミラー背面上の複数のケーブルベースの温度センサが、この目的で通常は用いられる。この場合、空間分解能は、用いる温度センサの数と相関する。しかしながら、用いられるケーブルは、ミラーと装置のフレームとの間の動的短絡を発生させる。さらに、光学素子上又は光学素子内での多数の温度センサの使用は、センサの位置が光学有効面のすぐ近くにあるので、ミラー製造に厳しい要求を課すと共にミラー全体である種の故障のリスクを伴う。
【０００８】
さらに、ミラー表面上の汚染物質、特に巨視的汚染物質、すなわち数μｍ〜数ｍｍのオーダを有する汚染物質が、光学特性を変える可能性がある。通常のタイプの汚染は、塵粒子である。これまで、動作中にミラー表面上の巨視的汚染物質をミラー毎に個別に確認することは不可能であった。システムの全透過率及び光パワーが低下すると、これまではミラー表面を検査するためにシステムを停止させる必要があった。このような汚染物質は、塵、材料からのガス放出等の結果として生じ得る。
【０００９】
投影系における迷光は、ウェーハに対する有害な光をもたらし得ることで、例えばコントラストの損失を招き得るので、これも同様にミラーの光学特性に影響を及ぼす可能性がある。汚染変化の場合と同様に、生じ得る劣化の影響を初期段階で特定することができるように、迷光の時間的発達（temporal development）を把握することが多くの場合に望ましい。
【００１０】
照明系及び結像系の両方における光学素子の特性は、ミラーの位置にさらに影響される場合があり、したがってこれは調査可能であるべきである。絶対ミラー位置の判定には、センサが現在用いられている。これらのミラー位置に基づき、例えばシステムの停止後又は初期化後に、ミラーを終端停止位置から再度その原点位置にする。この目的で、ミラーを移動させるためにシステム内にあるアクチュエータ、例えばマニピュレータを用いることが可能である。しかしながら、これらのセンサのゼロ位置には、望ましくないドリフト傾向があり、その結果として位置の測定が経時的に不正確になり得る。
【００１１】
光学素子のさらに他の特性は、光学アセンブリ内の位置及びアライメントに関する。ＥＵＶ投影系におけるミラーの光学面の相互に対する相対位置を直接判定するために用いることができる方法は、現時点ではない。取り付け中のレンズの構成において早くも光学ミラー面の位置及びアライメントを把握していることが特に望ましい。このように、非常に早い時点ですでに、光学収差の最初の粗い最適化を対応のミラー位置決めによって行うことができる。しかしながら、これまで、複雑な波面測定技法がこの目的で用いられてきたが、個々のミラーの位置及びアライメントは未知のままであった。光学ミラー面の位置及びアライメントは、例えば、取り付け前にミラーのＣＡＡベクトル（コンピュータ支援アライメント）を測定し、この時点のマニピュレータの場所又は位置を計算的に考慮することによって、取り付け中に間接的に判定される。マニピュレータを用いて、ミラーのアライメント及び位置が変更されるが、マニピュレータが作用できる範囲は限られる。マニピュレータの移動範囲に制限があるので、制限されたマニピュレータ移動範囲を微調整のみに用いることができるように、早くも取り付け中に粗調整を達成できることが望ましい。
【００１２】
特許文献１は、特にマルチミラーアレイ内のミラー素子のアライメントを判定することができるマイクロリソグラフィアセンブリの照明系を開示している。この場合、照明パターンがマルチミラーアレイによって反射され、カメラを用いて取得される。ミラーの相互に対する位置を判定する１つの可能性は、特許文献２に記載されており、ミラー間に画定されて光が通過する測定部を用いて、干渉測定が実行される。
【００１３】
しかしながら、光学アセンブリにおける光学素子の種々の光学特性及び光学素子の位置を単純に決定することを可能にする対策が望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許第８，３３９，５７７号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１１／０３９０３６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
こうした背景の下、１つ又は複数の光学素子の活性領域の種々の特性を単純且つ効率的に判定することができる光学アセンブリを提供することが、本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
したがって、特にリソグラフィ微細又はナノ構造を結像するリソグラフィシステムの光学アセンブリが提案される。この光学アセンブリは、光学アセンブリ（１００）のビーム経路に連続して配置された少なくとも２つの光学素子と、少なくとも２つの光学素子において少なくとも２つの光学素子の光学活性領域の外側に装着されたマーキング要素から放射線信号を取得するよう設計された取得デバイスとを備える。この場合、取得デバイスは、少なくとも２つの光学素子の第１光学素子と最終光学素子との間のビーム経路の外側に配置される。放射線信号は、少なくとも２つの光学素子の光学活性面の複数の特性に関する情報を含む。さらに、光学アセンブリは制御デバイスを備え、これは、取得デバイスに結合され、少なくとも２つの光学素子の光学活性面の複数の特性を、少なくとも２つの光学素子及び／又はマーキング要素から生じた放射線信号に含まれる情報に応じて判定するよう設計される。
【００１７】
さらに別の態様によれば、このような光学アセンブリを操作する方法が提案される。この方法は、
特にマイクロリソグラフィ微細又はナノ構造を結像する少なくとも２つの光学素子を用意するステップであり、少なくとも２つの光学素子を、光学アセンブリ（１００）のビーム経路に連続して配置するステップと、
少なくとも２つの光学素子におけるマーキング要素から放射線信号を取得するステップであり、マーキング要素を、少なくとも２つの光学素子の光学活性領域の外側に装着し、放射線信号は、少なくとも２つの光学素子の光学活性面の複数の特性に関する情報を含むステップと、
少なくとも２つの光学素子の光学活性面の複数の特性を、少なくとも２つの光学素子及び／又はマーキング要素から生じた放射線信号に含まれる情報に応じて判定するステップと
を含む。
【００１８】
光学素子の位置決めは、本方法のさらに別のステップにおいて実行することができる。この場合、少なくとも２つの光学素子の光学活性面の相互に対するアライメントを行うことができる。好ましくは、少なくとも２つの光学素子は、この場合はそれらの設計位置にできる限り近付けられる。光学素子の位置決めは、例えばビーム経路内の第１光学素子から又はビーム経路内の最終光学素子から始めて漸次行うことができる。この文脈での設計位置は、アセンブリの設計で本来意図されていたような光学素子の各位置を指す。代替的に、この位置決めは、少なくとも２つの光学素子の光学活性面の１つ又は複数の特性を求める代わりに実行することができる。
【００１９】
光学アセンブリは、１つ又は複数の光学素子に影響を及ぼすことなく当該光学素子の特性を判定するという概念に基づく。これは、特に、光学素子にセンサが必要ないことによって達成される。取得デバイスは、光学素子からの放射線信号に基づいて直接、又は光学素子におけるマーキング要素を介して間接的に、光学素子の特性を取得することができる。さらなるセンサは必要ないが、用いることもできる。
【００２０】
光学アセンブリは、例えばパターン又は構造をウェーハに結像する投影アセンブリとして用いることができる。別の応用可能性は、光発生又は照明系としての使用である。
【００２１】
少なくとも２つの光学素子が、光学アセンブリにあり得る。このような光学アセンブリは、多数の光学素子、例えば４個〜８個の光学素子を通常は備える。光学素子は、光学アセンブリ内で使用光のビーム経路に連続して配置される。光学素子は、その上側に光学活性領域が形成されている。この表面又は光学活性領域は、反射又は屈折又は回折表面、例えばミラー表面であり得る。
【００２２】
取得デバイスは、光学素子の１つ若しくは光学素子の光学活性領域から、又は光学素子に装着されたマーキング要素から発せられた放射線信号を取得することができる。例示的な実施形態に関連してより詳細に説明するように、放射線信号の発生は、他の発生源からの放射線信号の反射又は回折を含み得る。放射線信号は、１つ又は複数の光学素子の空間分解特性を記述した情報を含む。放射線信号と称する放射線は、結像又は発生光、すなわち使用光とは無関係の、例えば使用波長に関しても使用光とは異なり得る信号であり得る。このように、取得デバイスは、使用光が同時に存在する場合に放射線信号を取得することができる。しかしながら、取得デバイスによって取得された放射線信号は、使用光から例えば迷光として生じることもあり得る。放射線信号は、特に空間分解的に取得される。
【００２３】
マーキング要素は、能動又は受動マーキング要素であり得る。受動マーキング要素は、放射線信号を能動的に発生させるのではなく、例えば入射光を単に反射する要素を意味すると理解されたい。能動マーキング要素は、これに対して、例えば回折若しくは反射によって、又は光源を用いて放射線信号を能動的に発生させる。これは、光源からのもの等である光信号による励起によって実行される。能動マーキング要素の例示的な実施形態を、以下でさらにより詳細に説明する。能動マーキング要素が入射光又は放射線の波長のシフトを引き起こすこと、及び波長変換光を取得可能であることも考えられる。マーキング要素が少なくとも２つの光学素子の光学活性領域の外側に装着される場合、光学アセンブリの動作は、この装着の影響を受けない。一方では、マーキング要素を光学アセンブリの動作中に用いることができ、他方では、光学アセンブリの動作のためにマーキング要素を作動停止させる必要も取り外す必要もない。
【００２４】
取得デバイスは、第１光学素子と最終光学素子との間のビーム経路の外側に配置されるので、動作の過程でも特性を確認することができる。光学アセンブリの機能は、これによる影響を受けない。
【００２５】
この場合、「第１光学素子」は、光学アセンブリにおいて使用光が最初に入射する光学素子を指す。これは、例えば、光発生デバイスが発生させた結像光であり得る。この場合、「最終光学素子」は、光学アセンブリにおいて使用光が転送される前に、例えば結像光としてウェーハへ誘導される前に最後に入射する光学素子を指す。それぞれが使用光を転送するさらに他の光学素子を、第１光学素子と第２光学素子との間に配置することができる。アセンブリ内で使用光が移動する領域を、ビーム経路と称し、全ビーム経路が、使用光の入口から出口までの全領域を含む。ビーム経路は、アセンブリ内の結像光の入口からウェーハまでの領域を含むことができる。ビーム経路は、無指向性、すなわち方向を有さず、使用光が通る領域を画定するだけである。実際の光学使用領域、いわゆる照射領域（footprint）は、光学素子の光学面の領域よりも小さく又は狭くすることができる。取得デバイスは、光学使用領域に影響を及ぼさないように好ましくは照射領域の外側に配置すべきである。
【００２６】
制御デバイスは、特性の判定を実行するのに適した任意のタイプのマイクロチップであり得る。取得デバイスと制御デバイスとの間の結合は、種々のタイプの結合装置を介して行うことができる。例として、取得した放射線信号を制御デバイスに伝送するために、光導波路を用いることができる。放射線信号又は放射線信号に含まれる情報に基づき、制御デバイスは、光学素子の光学活性面の１つ又は複数の特性を空間分解的に判定する。この場合、１つ又は複数の光学素子の特性は、一実施形態では例えば順次判定することができる。例えば経時的な変更又は監視を行うことが意図される場合、空間分解判定に加えて、時間分解判定も行うことができる。
【００２７】
制御デバイスによって確認された特性は、光学素子の特性を適合させるために、制御ループの入力信号（単数又は複数）として用いることができる。
【００２８】
一実施形態によれば、放射線信号は、光学情報、温度情報、及び／又は位置情報を含む。
【００２９】
温度情報は、光学素子の光学活性領域の温度分布を求めるために用いることができる。温度を監視する目的で、特定の期間にわたって温度を測定又は確認することができる。温度分布は、例えば、不均一照明、汚染物質箇所の光の吸収、したがって熱、不均一被覆、又は構造の画像表示（image representation）に関する情報を含み得る。
【００３０】
位置情報は、光学アセンブリ内の１つ又は複数の光学素子の位置を、例えば基準位置に対する絶対位置として記述することができる。上記位置情報は、光学素子の相互に対するアライメント又は状況に関する情報も含み得る。
【００３１】
光学情報は、例えば、１つ又は複数の光学素子の光学活性領域上の迷光に関する情報を含むことができる。迷光情報に基づき、例として、光学活性領域の汚染、すなわち汚染物質又は損傷を判定することができる。さらに、他の面に対する光学活性面の位置又はアライメントを判定することができる。放射線信号も同様に、この目的で用いることができる。
【００３２】
さらに別の実施形態によれば、光学アセンブリはさらに、ビーム経路を少なくとも部分的に囲む少なくとも１つの保持装置を備え、取得デバイスは、ビーム経路の外側で保持装置に装着され、特に、取得デバイスは、ビーム経路の外側で保持装置に装着された複数のサブ取得デバイスを有する。
【００３３】
保持装置は、ビーム経路を少なくとも部分的に包囲する既存のフレームであり得る。実施形態によっては、使用光の入口から出口までの全ビーム経路、すなわち例えば結像光の入口からウェーハまでの全領域が、保持装置によって包囲され得る。例として、保持装置は、ビーム経路を光密に囲む金属管とすることができる。これは、「ミニエンバイロメント」とも称する。取得デバイスは、この保持装置の外側に配置される。さらなるカメラ取り付け装置は必要ない。さらに、光学素子への機械的結合を伴わない取得デバイス又はサブ取得デバイスの固定が、このようにして可能となる。これとは対照的に、光学素子に固定されたセンサは、光学素子から出ているケーブルを必要とすることがあり、その結果として機械的結合が存在することになる。
【００３４】
サブ取得デバイスは、保持装置の種々の領域に装着することができる。好ましくは、保持装置は、ビーム経路を密接に、例えば数ミリメートルまで包囲する。サブ取得デバイスの空間的柔軟性のある装着が、このようにして可能である。したがって、サブ取得デバイスと取得すべき放射線信号の発生源とのアライメントを単純に行うことができる。保持装置は、複数の部分からなることができ、各光学素子は、ビーム経路を画定する又は囲むための保持装置の一部を有し得る。
【００３５】
より高い空間分解能が望まれる場合、サブ取得デバイスの数を対応して増加させることができる。
【００３６】
さらに別の実施形態によれば、保持装置は開口を有し、この開口を通して、サブ取得デバイスが各光学素子及び／又は各光学素子上のマーキング要素から放射線信号を取得する。
【００３７】
保持装置内の光学活性領域又はマーキング要素を取得することが意図される場合、開口を通してサブ取得デバイスと光学活性領域の対応の領域とのアライメントを行うことができる。サブ取得デバイスを開口に配置する結果として、保持装置は、それでもなおビーム経路を光密に閉じることができる。
【００３８】
さらに別の実施形態によれば、サブ取得デバイスは、少なくとも２つの光学素子の光学活性領域間のビーム経路の外側に配置される。
【００３９】
サブ取得デバイスは、全ビーム経路の外側に配置することができる。いずれの場合も、サブ取得デバイスは、第１光学素子と最終光学素子との間のビーム経路の外側に配置される。
【００４０】
さらに別の実施形態によれば、保持装置は冷却領域を有する。
【００４１】
保持装置は、光学素子の冷却に用いることができる。サブ取得デバイスを保持装置に固定できるので、サブ取得デバイスが発生させた熱を直接放散することができる。この目的で、保持装置から熱を放散する冷却素子を用いることが可能である。
【００４２】
さらに別の実施形態によれば、サブ取得デバイスは、１つ又は複数の洗浄ヘッド、特に水素洗浄ヘッドに装着される。
【００４３】
洗浄ヘッドを用いて、光学活性領域が洗浄される。この場合、例として、原子水素がガスジェットによって光学素子の表面に塗布される。サブ取得デバイスが既存の洗浄ヘッドに装着されることにより、さらなる装着装置が不要である。
【００４４】
さらに別の実施形態によれば、取得デバイスは、カメラ、特に赤外線カメラ、及び／又は放射線信号を取得及び／又は転送する光導波路を有する。
【００４５】
カメラを用いて、放射線信号を光学的に取得することができる。温度分布を確認することが意図される場合、光学素子の赤外線画像を記録することができる赤外線カメラを用いることが可能である。
【００４６】
カメラの代わりに、空間的に分離されたＣＣＤカメラ光学ユニットと組み合わせて、例えば光ファイバライトガイド等の光導波路を用いることもできる。この場合、光導波路に供給された信号を一定の空間距離にわたって伝達することができる結果として、ＣＣＤカメラ光学ユニットの位置決めがより自由に選択可能である。光導波路の使用及び構造空間に関して最適化されたそれらの位置決め可能性の結果として、サブ取得デバイスの数をカメラの使用と比べて増加させることができる。さらに、柔軟な位置決めの結果として、ＣＣＤカメラが発生させた熱を光学素子から遠ざけることができる。
【００４７】
例として、シリコンファイバを光導波路の材料として用いることができ、このファイバは、特に２μｍ未満の波長に用いることができる。例えば、カルコゲナイドファイバをより長い波長に用いることができる。
【００４８】
さらに別の実施形態によれば、取得デバイスは、６００ｎｍ〜３０μｍ、特に６００ｎｍ〜１０００ｎｍ、１μｍ〜１０μｍ、及び／又は１０μｍ〜３０μｍの波長を特に有する赤外線領域、及び／又は１０ｎｍ〜４００ｎｍ、特に１００ｎｍ〜３００ｎｍ、特に２００ｎｍ〜２８０ｎｍの波長を特に有する紫外線領域の放射線信号を取得するよう設計される。
【００４９】
判定すべき特性に応じて、異なる波長に合わせた異なるタイプの取得デバイスを用いることが可能である。これに関して、例えば温度分布を測定するために、赤外線領域の放射線信号を取得できる赤外線カメラを用いることが可能である。汚染物質を特定するために、紫外線領域、特にＤＵＶ領域の放射線信号を取得できるカメラを用いることが可能であるが、それは、使用光から生じた迷光を不純物特定のために取得できるからである。
【００５０】
ミラー表面温度のスペクトル分布の最大値に対応する波長で動作する赤外線カメラは、温度測定に適している。黒体に関するプランクの放射則の結果として、通常の動作温度で２μｍ〜２００μｍの検出波長が生じる。紫外線スペクトルの、すなわち１００ｎｍ〜３００ｎｍの迷光信号が、迷光測定で検出され得る。
【００５１】
不純物を確認するために、取得デバイスは、特定の偏光を有する反射信号を取得するカメラを有することができる。ここで用いることができる測定法は、例えば楕円偏光法であり、これによって光学素子の汚染炭素を判定することができる。この場合、光学素子に直線偏光を照射し、反射光を放射線信号として取得デバイスによって取得する。その後、反射光の偏光状態を判定し、放射光と比べた上記偏光状態の変化を検査する。光学素子の表面の汚染物質、例えば汚染炭素は、上記変化に基づいて確認することができる。これは、楕円偏光測定とも称する。
【００５２】
さらに別の実施形態によれば、少なくとも２つの光学素子は、それぞれが少なくとも１つのマーキング要素を有し、マーキング要素は、取得すべき放射線信号を発する。
【００５３】
特に使用光領域の外側での、ミラー上の適当なマーキング要素又は構造の装着の結果として、位置判定を実施することができる。３次元位置判定がマーキング要素によって実現できる結果として、これまで必要だったセンサを回避することができる。マーキング要素の実施形態は、以下及び図面でより詳細に説明する。
【００５４】
さらに別の実施形態によれば、マーキング要素は、それぞれが回折及び／又は散乱及び／又は反射構造を有する。
【００５５】
マーキング要素又はその構造は、薄層からなり得る。薄層は、例えば電子ビーム又は他の粒子ビームを用いて構造化することができる。取得すべき放射線信号を出力するマーキング要素又は構造は、位置が固定された光学素子上の場所を構成する。
【００５６】
さらに別の実施形態によれば、取得デバイスは、マーキング要素を照明するために光源を有し、取得デバイスは、マーキング要素から出る放射線信号を受け取るよう設計される。
【００５７】
この実施形態によれば、マーキング要素は、取得デバイスからの光又は他の放射線を反射することを可能にするために反射構造を有する。このようにして、例えば位置判定を実行することができる。
【００５８】
さらに別の実施形態によれば、制御デバイスはマーキング要素に結合される。
【００５９】
制御デバイスは、マーキング要素を制御して、マーキング要素が放射線信号を発生させるようにすることができる。このように、マーキング要素のオン・オフを制御デバイスによって切り替えることも可能である。
【００６０】
さらに別の実施形態によれば、取得デバイスは、光源を有する少なくとも２つのサブ取得デバイスを有し、光源から出る放射線信号は、相互に交差してそれぞれが光学素子のマーキング要素を照射する。
【００６１】
この構成により、位置判定に加えて他の特性も確認することができる。放射線信号の公差又は相互作用の結果として、サブ取得デバイスは、ここではマーキング要素だけでなく光学素子の光学活性領域とのアライメントも行われる。このように、温度分布又は迷光の存在等の他の特性も同時に判定することができる。この目的で、サブ取得デバイスは、異なる波長用の取得素子を有し得る。
【００６２】
さらに別の実施形態によれば、光学素子の少なくとも１つの選択は、少なくとも２つのマーキング要素、特に３つのマーキング要素を有する。
【００６３】
マーキング要素の数が多いほど、空間分解能を高めることができる。測定のタイプに応じて、異なる数のマーキング要素も好ましい場合がある。マーキング要素の一部を第１測定法に用いて、マーキング要素の別の部分を第２測定法に用いることも可能である。測定法のさまざまな可能性は、以下でさらにより詳細に説明する。
【００６４】
可能な測定法の一例は、光円錐又はＣＣＤ円錐曲線の確認である。この場合、マーキング要素が光円錐を発する。測定のために、マーキング要素が発した光を測定システムのＣＣＤチップ（制御デバイスを備えた取得デバイス）に結像させる。この場合、ＣＣＤチップが対応する円錐曲線を検出する。マーキング要素の位置は、複数の異なる検出円錐曲線から推定することができる。特に、円錐曲線の楕円率を評価することで、ミラーの傾斜の測定値が得られる。これは、円錐曲線が円に近いほど、ミラーと検出デバイスとのアライメントがより平行になることを意味する。この方法の精度は、例えばミラー固有の測定ステーションにおける、マーキング要素に対するミラー表面の実際の測定前の較正測定によって改善することができる。拡張較正では、適当な付属光学ユニット（ズーム光学ユニット）及び／又は絞りを用いて光円錐を変えることができる。これは、マーキング要素の位置の判定の精度を高めるのに役立つ。
【００６５】
さらに別の可能な実施形態では、円形の底面（base area）を有する光円錐の代わりに、楕円形の底面を有する光円錐を適当な付属光学ユニット及び／又は絞りを用いて発することもできる。測定精度は、この変化によってさらに改善することができる。
【００６６】
測定法のさらに別の例は、飛行時間測定である。この測定技法は、考慮中の媒体における光速ｃが分かっており、ｎが屈折率を表す場合に、測定対象のミラー又は光学素子の絶対位置ｓを推定するための、光の飛行時間ｔの正確な測定に基づく。
ｔ＝２ｓ×ｎ／ｃ
【００６７】
この場合、マーキング要素での反射を考慮して、光は距離ｓの２倍、すなわち光源を備えた取得デバイスから対応のマーキング要素まで、そして再度取得デバイスまでに及ぶ。５μｍの精度オーダの光学素子の距離の粗調整のために、例えば、基礎となる時間測定は、少なくとも以下の精度を有しなければならない。
【数１】
0006625532.tif 000002
【００６８】
これらの極めて短い時間の測定を可能にするために、発せられて反射し戻された波を内部基準信号と比較する。この測定法は、光周波数コム及び位相比較の原理を用いたものである。
【００６９】
さらに別の実施形態によれば、少なくとも２つのマーキング要素は、入射光の異なる波シフトをもたらす。
【００７０】
マーキング要素は、異なる波シフトで区別することができる。このように、光学素子上のマーキング要素の位置を単純に特定することができる。例として、波長変換器をマーキング要素として用いることができる。
【００７１】
さらに別の実施形態によれば、少なくとも２つのマーキング要素は、少なくとも２つのマーキング要素が出力した放射線信号が干渉し合う（interfere）よう配置される。
【００７２】
この実施形態によれば、さらに別の測定法が干渉測定を構成し得る。この実施形態では、光学素子に装着された２つのマーキング要素の相対位置が、干渉放射線信号の検査によって判定される。これは、以下でさらにより詳細に説明する。
【００７３】
さらに別の実施形態によれば、少なくとも２つのマーキング要素は、共用（jointly used）散乱構造及び共用回折構造と、それぞれ専用（individually used）回折構造とを有し、放射線信号は、共用散乱構造から共用回折構造へ伝達され、共用回折構造は、少なくとも２つのマーキング要素の専用回折構造の１つにそれぞれ放射線信号を伝達するよう設計される。
【００７４】
回折構造及び散乱構造のこの配置は、１つの散乱構造のみに放射線信号が衝突すればよいという利点をもたらす。専用すなわち別個の回折構造がその後に配置される結果として、複数のマーキング要素を実現することができる。
【００７５】
干渉測定のために、共用散乱構造を適当な波長で照明する。共用回折構造は、共用散乱構造に直接装着され、式ｓｉｎα＝ｋλ／ｇによって求められる回折次数ｋを有し、式中、ｇは、適当に選択された格子定数を表し、αは、回折角を表す。回折次数ｋ＝±１は、専用回折構造に衝突し、これは、構造の適当な位置決め及び格子定数の選択によって達成される。回折構造はさらに、適当な光学ユニット及びＣＣＤカメラによって十分に良好な空間分解能で検出することができる回折スペクトルを発生させる。構造の相対位置、したがって光学素子の絶対位置は、構造が発生させる回折次数の相互位置決めによって判定することができる。
【００７６】
さらに別の実施形態によれば、マーキング要素は、それぞれが散乱構造及び回折構造を有し、散乱構造は、各光学素子の下側に配置され、回折構造は、光学素子の光学使用領域のうち下側とは反対に位置する側に配置され、放射線信号が、散乱構造から光学素子を通して回折構造へ伝達される。
【００７７】
この実施形態によれば、光学素子は、散乱構造から回折構造まで放射線信号の波長に対して透明でもある。各散乱構造に、例えば光源によって放射線信号を衝突させることができる。回折構造は、この構造が出力した放射線信号を取得デバイスへ指向させるよう配置される。
【００７８】
さらに別の実施形態によれば、マーキング要素が散乱構造及び絞りを有し、放射線信号が、散乱構造及び絞りを通して各光学素子の無被覆領域へ指向される。
【００７９】
この実施形態で実行することができる測定法のさらに別の例は、場所・角度測定である。マーキング要素は、ミラー背面に位置する散乱構造が点光源として働き、そこからの光がミラー前面に位置する構造又は絞りによってコリメートされて光ビームを形成するよう設計される。散乱構造は、点光源を構成するために、それ自体が非常に小さな範囲を有していてもよく、又は小さな直径（１０μｍ〜１００μｍ）を有する絞りが続いてもよい。
【００８０】
場所・角度測定の原理は、コリメート光ビームを測定するために用いられる。この場合、取得デバイス上の入射点（場所）及びビームの到来方向（角度）が、コリメート光ビームから判定される。ここで少なくとも２つの（非平行）光ビームが光学素子によって発せられ、この場合は場所・角度センサであり得る取得デバイスに入射した場合、評価アルゴリズムによって、空間で光ビームを再構成し、したがって光学素子の位置を確認することが可能である。
【００８１】
さらに別の実施形態によれば、散乱構造は光源によって照射される。
【００８２】
例えば、光源はＬＥＤ光源であり得る。他のタイプの光源も可能である。散乱構造が、位置が固定された二次光源として働くので、光源を正確に位置決めする必要がない。
【００８３】
さらに別の実施形態によれば、回折構造は、光学素子のミラー表面に、特に例えばエッチング、彫刻、レーザ処理、研削、照射等によって実行することができる材料除去によって形成される。
【００８４】
回折構造は、他のタイプの表面処理によって作製することもできる。表面の直接変更の代わりに、回折構造を薄層として塗布することもできる。
【００８５】
さらに別の実施形態によれば、ミラー表面は、レンズ素子を形成するために局所的に曲面状である。
【００８６】
この実施形態によれば、レンズ素子又は回折構造は、ミラー表面の湾曲によって達成される。さらに、放射線信号の通過を可能にするために、表面の一部を無被覆とすることができる。
【００８７】
さらに別の実施形態によれば、取得デバイスは、１９３ｎｍ〜１４５０ｎｍ、特に１９３ｎｍ〜６８０ｎｍの波長を有する放射線信号を取得するよう設計される。
【００８８】
これらの波長は、リソグラフィシステムで通常は用いられる。例えばＤＵＶ光源は、３００ｎｍ未満の波長を有し得る。
【００８９】
さらに別の実施形態によれば、マーキング要素は光源を有する。
【００９０】
光源によって照射される回折構造の使用の代わりに、マーキング要素自体が光源を有することができる。この目的で、ＬＥＤ等の小さな光源を光学素子の表面に配置することができる。
【００９１】
さらに別の実施形態によれば、マーキング要素は、オン及び／又はオフを切り替えることができ、特に、少なくとも２つの光学素子のマーキング要素は、オン・オフを相互に独立して切り替えることができる。
【００９２】
このように、光学素子は、時間をずらして、例えば順次測定することができる。これは、複数の光学素子が存在する光学アセンブリで特に望ましい。
【００９３】
このように、測定対象の光学素子の選択的選択（selective selection）も、単純な位置判定に加えて実行することができる。既述のように、光学素子の相互に対する正確なアライメントは、光学アセンブリの精密な機能に必要である。この実施形態の結果として、光学素子を連続的に測定してその結果に基づいて較正できるので、閉鎖系でも光学素子の相互に独立した検出及び測定が可能である。
【００９４】
さらに別の実施形態によれば、取得デバイスは、第１光学素子までのビーム経路に又は最終光学素子からのビーム経路に配置され、特に取得デバイスは、光学アセンブリの少なくとも２つの光学素子を有する閉鎖領域の外側に配置される。
【００９５】
閉鎖領域の外側の取得デバイスの配置は、例えば、個々の光学素子を相互に対して調整するための位置判定の場合に行うことができる。この配置は、取り付け中及び取り付け語に用いることができる。
【００９６】
したがって、単純な位置判定を光学アセンブリによって実現することができる。
【００９７】
本発明の１つの変形形態はさらに、当該光学アセンブリを設けたリソグラフィ装置を含む。
【００９８】
光学アセンブリに関連して本明細書に記載した特徴が、方法にも対応して当てはまる。同様に、方法に関連して記載した特徴が、光学アセンブリにも対応して当てはまる。
【００９９】
光学アセンブリのさらに他の可能な実施態様又は変形形態は、例示的な実施形態に関する上述又は後述の、明示的には言及していない組み合わせも含む。この場合、当業者であれば、改良又は補足としての個々の態様も各基本形態に関して追加するであろう。
【０１００】
本発明のさらに他の有利な構成及び態様は、従属請求項及び以下に記載する本発明の例示的な実施形態の主題である。添付図面を参照して、本発明を好ましい実施形態に基づいて以下でより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】リソグラフィ装置の例示的な一実施形態の概略図を示す。
【図２】投影アセンブリの例示的な一実施形態の概略図を示す。
【図３】投影アセンブリのさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図４】投影アセンブリのさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図５】投影アセンブリのさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図６】投影アセンブリのさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図７】投影アセンブリのさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図８】リソグラフィシステムにおける投影アセンブリのさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図９】１つのマーキング要素を有する光学素子の例示的な一実施形態の概略図を示す。
【図１０】複数のマーキング要素を有する光学素子の例示的な一実施形態の概略図を示す。
【図１１】複数のマーキング要素を有する光学素子のさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図１２】１つのマーキング要素を有する光学素子のさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。
【図１３】投影アセンブリを操作する方法の例示的な一実施形態のブロック図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０１０２】
図中、別段の指示のない限り、同一又は機能的に同一の要素には同じ参照符号を設けてある。
【０１０３】
図１は、リソグラフィ装置又はリソグラフィシステムの例示的な一実施形態の概略図を示す。リソグラフィ装置１０を断面で概略的に示す。リソグラフィ装置１０は、特にＥＵＶリソグラフィに適しているので、ビーム経路は、完全に真空チャンバ内に設けられる。図１は、最初に、真空気密に具現された真空チャンバ８又はハウジングを示す。この場合、光発生デバイスは、図１における向きで右側のハウジング部８Ａに設けられ、光学結像系は、第２（左）ハウジング部８Ｂに設けられる。
【０１０４】
リソグラフィ装置１０は、ＥＵＶ光を発生させる放射源２を備える。ガス放電励起プラズマが、放射源として適当である。例えば、キセノンが適当なターゲット物質であると考えられる。ＥＵＶ光の放射源として、レーザ励起プラズマも考えられる。この場合、ＥＵＶ光のパルスが生じる。ＥＵＶ光は、例えば１３．５ｎｍの波長を有する。原理上、約１ｎｍ〜１００ｎｍの波長を有する紫外線と軟Ｘ線との間のスペクトル域を用いることができる。１３．５ｎｍ付近の波長のＥＵＶ放射線又はＥＵＶ光に関して特に効率的な光学ユニットを製造することができる。
【０１０５】
放射源２が発生させたＥＵＶ光Ｌ１は、シャッタデバイス１を通過し、シャッタデバイス１は、光をパルス状に伝送し、したがって所定のパルス周波数及びパルス幅を有するＥＵＶ光Ｌ２をもたらす。光又は放射線パルスＬ２は、デブリフィルタ３を通過する。デブリフィルタ３は、例えば電極破片、気化物質、又は放射源のプラズマに含まれる電子、イオン、又は原子から生じ得る任意の形態の粒子を保持するのに役立つ。フィルタ３があるにもかかわらず、粒子は、左チャンバ領域８Ｂに入り込むことができ、そこで光学素子上の汚染物質をもたらし得る。
【０１０６】
左ＵＨＶチャンバ８Ｂは、フォトリソグラフィ用の結像対象パターンを有するマスク又はレチクルを収容したマスクステーション４を備える。ＥＵＶ光Ｌ３は、続いて光学系５を通過し、光学系５は、概してＥＵＶ放射線用の反射光学ユニットを備える。光学系５から、光Ｌ４がターゲット表面に、すなわち半導体ウェーハの被加工表面に入射する。図１において、ウェーハステーションを６で示す。光学系５及びその中に配置された光学ユニット又は光学素子については、以下の図面、特に図８を参照してより詳細に説明する。
【０１０７】
例えば光源２、レチクル４、又は光学ユニット５の結像性能を試験するために、カメラ７がウェーハの代わりに設けられる。さらに、例えばプログラム制御することができる制御デバイス９が設けられ、制御デバイス９は、カメラ７から制御信号及びセンサ信号を受け取り、シャッタデバイス１に通信可能に結合され、且つ放射源２を駆動する。例として、制御デバイス９は、プラズマ放電用のレーザパルスを起動することができる。制御デバイス９は、さらに、例えば、明確なＥＵＶ光パルスＬ２を発生させて光学ユニット５の通過後にカメラ７によって取得できるように、シャッタデバイス１及び放射源２を制御する。
【０１０８】
被覆された半導体ウェーハの露光中、マスクステーション４におけるマスク又はレチクル構造の一般的な縮小結像が、光学系５によって行われる。リソグラフィ装置１０のわずかに変更した実施形態では、実際のウェーハ製造に用いられるマスクの適切な試験及び測定を行うことができる。リソグラフィ装置の一実施態様では、光源２、マスク（ステーション）４及び／又は使用光学素子用の測定・試験装置として、カメラ７に向けたマスク構造の拡大結像を行う光学アセンブリ５が用いられる。カメラ７に適した露光時間を設定するために、導入部分で示したように、シャッタデバイス１が対応して駆動される。
【０１０９】
測定・試験装置としての代替的な構成では、マスク構造全体をウェーハステーション６の領域のターゲット表面に結像する必要がない。それぞれ用いられるマスクからの抜粋をいわば微視的にカメラ７に向けて結像する、小さな視野を有する光学ユニット５を用いれば十分であり得る。
【０１１０】
すでに上述したように、ウェーハへの構造の精密な結像が必要である。ミラーの相互に対して必要な正確なアライメントを確かめるために、以下の図に記載するような光学又は投影アセンブリ１００を用いることが可能である。ミラー又は他の光学素子の光学特性を調査し、適切な場合は補正することができるようにするために、投影アセンブリ１００を用いることもできる。以下で説明する投影アセンブリ１００は、光学系５で用いることができる。投影アセンブリ１００に関連して説明する特徴は、光発生デバイスの状況での光学アセンブリに用いることもできる。
【０１１１】
図２は、このような投影アセンブリ１００の例示的な一実施形態の概略図を示す。ここで分かるように、投影アセンブリ１００は、光源１４０が発生させる結像に用いる光の入口から数えて少なくとも１つの第１光学素子１０１と、ここでは第２光学素子である最終光学素子１０３とを備える。光源１４０は、図１からのチャンバ８Ａ内の光発生デバイス１、２、３に相当する。
【０１１２】
図１において説明したように、投影アセンブリの光学素子１０１、１０３は、リソグラフィシステムにおける構造又はパターンをウェーハに結像するために用いられる。ウェーハまでの結像光の経路は、ここではビーム経路１３０、１３２で示し、光学素子１０３の下流のビーム経路１３３が、さらに他の光学素子まで延び得る。各光学素子１０１、１０３は、例えばミラー面であり得る光学活性面１０２、１０４を有する。したがって、光学素子１０１、１０３は、以下ではミラーとも称する。これらの光学活性領域１０２、１０４を用いて、結像光は、ビーム経路１３０、１３２、１３３内で光学素子から及び光学素子１０１、１０３間で転送される。
【０１１３】
光学素子１０１、１０３の位置、温度、又は他の光学特性等の種々の特性を判定するために、投影アセンブリ１００は取得デバイス１１０を備える。当該取得デバイス１１０は、図２にビーム経路１３２で示す第１光学素子１０１と最終光学素子１０３との間のビーム経路の外側に配置される。光学素子１０１、１０３の１つ又は複数の特性を判定するために、取得デバイス１１０は、１つ又は複数の光学素子１０１、１０３から放射線信号１３１を取得する。種々の実施形態において後述するように、上記放射線信号は種々の情報アイテムを含むことができる。例として、放射線信号は、光学活性領域の温度分布、汚染物質、位置、又はアライメントに関する情報を含み得る。
【０１１４】
取得デバイスは、図１からの制御デバイス９の一部であり得る制御デバイス１２０に結合される。結合は、例えば光導波路１１１を介して行うことができる。制御デバイス１２０は、取得デバイス１１０によって取得された放射線信号１３１に基づき光学素子１０１、１０３の特性を判定するよう設計される。この目的で、制御デバイス１２０は、例えば、放射線信号１３１を解析し、放射線信号１３１に含まれている情報を抽出し、且つ当該情報に基づき特性を判定することができる。制御デバイス１２０は、すでに上述したような種々の測定法を実行することができる。
【０１１５】
取得デバイス１１０の種々の実施形態を、以下の図において説明する。以下で説明するように、取得デバイス１１０は、例えば光学素子１０１若しくは１０３から又は光学素子１０１、１０３に配置することができるマーキング要素４１４、４２４から放射線信号を取得することができる。
【０１１６】
図３は、投影アセンブリ２００の一部を示す。この図は、１つの光学素子１０１しか示さず、この構成は、投影アセンブリ１００のいかなる光学素子にも装着することができる。投影アセンブリ２００は、光学素子１０１又はその光学活性領域１０２に対するビーム経路を包囲する保持装置２２０を備える。これは、ミニエンバイロメント２２０とも称する。上記保持装置２２０は、例えば、完全に又は部分的に冷却される冷却フレームであり得る。保持装置２２０は、ビーム経路を円錐状に数ミリメートルまで包囲することができる。保持装置２２０は、開口２２１を有し、これを通して光学素子１０１からの放射線信号１３１を取得することができる。
【０１１７】
取得デバイス１１０は、複数のサブ取得デバイス２１０、２１１、２１２、２１３を有することができる。当該サブ取得デバイスは、保持装置２２０の外側に装着され、光学素子１０１からの放射線信号を開口２２１を通して取得する。サブ取得デバイス２１０〜２１３は、いずれの場合も放射線信号が出る光学素子１０１の表面１０２の赤外線画像を記録するために、赤外線カメラであり得る。記録光又は放射線信号は、赤外線カメラ２１０〜２１３によって記録され、表面１０２から機械的且つ熱的に分離された光導波路１１１によって制御デバイス１２０、例えばカメラチップへ誘導される。光学素子１０１の温度分布は、表面１０２の赤外線画像によって判定することができる。上記温度分布は、光学素子１０１、例えばミラーの表面１０２の汚染物質、又はウェーハの露光に用いるパターンの結像に関する情報を含み得る。
【０１１８】
赤外線カメラ２１０〜２１３からの放射線信号１３１を伝達するために、赤外線信号の場合、カルコゲナイドファイバ、例えば２μｍ〜６μｍの波長用の硫化物ガラス及び２μｍ〜９μｍの波長用のセレン化物ガラスからなる光導波路１１１を用いることが可能である。ＥＵＶ光は、シリコンファイバからなる光導波路１１１によって伝達することができる。
【０１１９】
図３からのアセンブリ２００は、迷光測定に用いることもできる。迷光という用語は、結像に寄与するのではなく、露光中のウェーハ上のフォトレジストにおける高い雑音レベルにつながるだけである光を指す。これは、コントラスト損失につながる。高い迷光レベルは、ミラー汚染を示し得る。これに関連した「汚染」は、ミラー表面１０２又は光学素子１０１の光学活性領域１０２における汚染物質又は欠陥であり得る。このような汚染物質は、システム１０内の材料からの塵粒子又は放出ガス（outgassings）であり得る。露光中、ＤＵＶ光、すなわち３００ｎｍ未満の波長を有する深紫外光（ＤＵＶ：ｄｅｅｐ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）が通常は利用され、その迷光は、特に結像品質を損なわせる。上記迷光を測定するために、保持装置２２０に固定されたＤＵＶカメラがサブ取得デバイス２１０〜２１３として用いられる。
【０１２０】
上記アセンブリ２００は、巨視的なミラー汚染物質、すなわち目に見える汚染物質を測定するために用いることもできる。さらに、アセンブリ２００は、ＥＵＶシステムの敏感な膜素子の測定及び状態監視に用いることができ、光学素子が膜素子である。このような膜素子は、例えばペリクル、すなわち適当な材料からなる透明膜であり得る。取得すべき放射線信号１３１のタイプに応じて、サブ取得デバイス２１０〜２１３は、例えばＥＵＶ光の場合は１３．５ｎｍの波長までの対応の波長を取得することができるように適合させることができる。
【０１２１】
図４は、投影アセンブリ３００のさらに別の例示的な実施形態を示す。この例示的な実施形態では、２つのサブ取得デバイス３１０及び３１１が保持装置２２０に固定される。実施形態の全てで多数のサブ取得デバイスを用いることができる。
【０１２２】
ここで示す実施形態では、サブ取得デバイス３１０、３１１は、洗浄ヘッド及びカメラの組み合わせである。投影アセンブリは、ミニエンバイロメント２２０の開口に設けられた洗浄ヘッド、例えば水素洗浄ヘッド（ＨＲＧ）を通常はすでに備えている。結果として、既存の装置を、洗浄ヘッド及びカメラを含む複合コンポーネントに単純な方法で用いることができる。洗浄ヘッド３１０、３１１は、カメラの所望の視認方向にも対応する光学面１０２とのアライメントが行われる。非常に小さなカメラ、小型カメラを用いるので、洗浄ヘッド３１０、３１１とのその組み合わせに新たなアクセスは必要ない。洗浄ヘッド３１０、３１１で用いられるカメラは、温度測定又は迷光測定又は他の光学特性の測定に用いることができる。
【０１２３】
図５は、投影アセンブリ４００のさらに別の例示的な実施形態を示す。図２及び図３からのアセンブリ２００及び３００とは対照的に、保持装置２００は開口を有していない。サブ取得デバイス４１０、４２０としてのカメラは、保持装置２００の外側に、したがってビーム経路の外側に配置される。マーキング要素４１４、４２４が、光学素子１０１に装着される。マーキング要素４１４、４２４は、光学素子１０１上で保持装置の外側に配置される。この図には２つしか図示されていないが、３つ以上のマーキング要素を設けることができる。
【０１２４】
サブ取得デバイス４１０、４２０はそれぞれ、光源４１１、４２１を有する。当該光源４１１、４２１を用いて、光４１２、４２２が各マーキング要素４１４、４２４に放射される。マーキング要素４１４、４２４は、光４１２、４２２を反射する反射面とすることができ、サブ取得デバイス４１０、４２０は、反射放射線４１３、４２３を受け取る。受け取った光に基づき、例えば上述のような光円錐測定によって、光学素子１０１の位置の判定を実行することができる。ミラー１０２の初期化、すなわち初期位置判定に関して、位置判定の精度は１０μｍ未満とすることができ、位置決めは、ミニエンバイロメントに関して行われ、したがってその見込み変形は考慮されない。光源４１１、４２１は、ＬＥＤ光源又はレーザ又は光ファイバ導波路、又は任意の他のタイプの光源であり得る。
【０１２５】
位置判定及びここには図示しないさらに他のセンサへの位置伝達の後、ＬＥＤ光源４１１、４２１は、それ以上必要ないのでオフに切り替えることができる。このようにして、光源４１１、４２１による光学素子１０１の過剰な加熱を回避することができる。
【０１２６】
光学素子１０１の上面にマーキング要素を装着する代わりに、図６に示すように、マーキング要素４１４、４２４を光学素子１０１の側方に装着することもできる。投影アセンブリ５００の場合、保持装置２２０は、サブ取得デバイス４１０、４２０が固定される側方要素５２０を有する。このように、光源４１１、４２１は、側方に装着されたマーキング要素４１４、４２４を照射することができ、サブ取得デバイス４１０、４２０は、マーキング要素４１４、４２４から光を受け取ることができる。
【０１２７】
サブ取得デバイス４１０、４２０の配置に関する異なる可能性を図７に示す。投影アセンブリ６００では、マーキング要素４１４、４２４が光学素子１０１の光学活性領域１０２内に（但し、照射領域の外側に）装着される。サブ取得デバイス４１０、４２０は、光４１２、４２２それぞれを対向するマーキング要素４１４、４２４に放射するよう配置される。マーキング要素４１４、４２４から反射された光４１３、３２３は同様に交差し、サブ取得デバイス４１０、４２０に放射し戻される。代替的な実施形態（図示せず）では、光源４１１、４２１が発した光４１２、４２２は交差せず、マーキング要素４１４、４２４から反射した光４１３、４２３のみが交差する。光学使用面１０２の縁部に位置判定のためにマーキング要素４１４、４２４を装着する結果として、サブ取得デバイス４１０、４２０からなるカメラシステムを、迷光測定、汚染測定、及び損傷監視に用いることもできる。サブ取得デバイス４１０、４２０が、光学活性領域１０２又はミラー表面１０２へ向けられるので、サブ取得デバイスは、図２及び図３で説明した測定を実行することもできる。この場合、サブ取得デバイス４１０、４２０は、赤外線カメラ又は他のカメラもさらに有することになる。
【０１２８】
図２〜図６に示す、各光学素子１０１、１０３に装着することができる個々のミラー面１０２の測定に加えて、又はその代替形態として、ミラーシステム全体の測定を行うことができる。この場合、図８に示すように、光学素子１０１、１０３の位置判定が連続して実行される。
【０１２９】
図８は、投影アセンブリ７００を示す。この投影アセンブリでは、光学素子１０１、１０３、７０４、７０５が、図１からの閉鎖領域８の一部を構成する閉鎖領域７０３に配置される。この場合、任意の数の光学素子１０１、１０３、７０４、７０５を用いることができる。ウェーハを照明するために、光が開口７０２、７０６を通して放射及び放出される。光学素子１０１、１０３、７０４、７０５の位置判定又はアライメントのために、測定光学ユニット７０１を、ウェーハ平面における開口に配置することができる。測定光学ユニット７０１は、上述のような取得デバイス１１０、すなわち放射線信号１３１を取得するカメラを有することができる。測定光学ユニット７０１は、レチクル平面における開口７０２に装着することもできる。各光学素子１０１、１０３、７０４、７０５は、マーキング要素７２０、７２１、７２２、７２３を有する。ビーム経路は、無指性であって領域を示すにすぎないので、ビーム経路は、７１０で示すように開口７０６から光学素子１０１へ、そして７３０で示すように光学素子１０１から光学素子１０３へ、又はその逆に進む。光学素子１０３から、ビーム経路は光学素子７０５へ、そして光学素子７０５からさらに光学素子７０４へ進められる。ミラー位置判定を測定するために、ミラー又は光学素子１０１、１０３、７０４、７０５は、順番に測定される。この目的で、ミラー位置を連続して判定することができるように、マーキング要素７２０、７２１、７２２、７２３は、オン・オフを連続的に切り替えられる。これは、第１測定ステップにおいて、光学素子１０１を測定してそのマーキング要素７２０を作動させることを意味する。第２測定ステップにおいて、光学素子１０３を測定してそのマーキング要素７２１を作動させる一方で、マーキング要素７２０を作動停止させる。以下の図においてより詳細に説明するように、マーキング要素の作動及び作動停止は、さまざまな方法で行うことができる。
【０１３０】
したがって、図８に示すシステム７００では、ミラー位置判定が以下のように行われる。第１に、これは、測定光学ユニット７０１の取得デバイス１１０に対するビーム経路内の第１光学素子又はミラー１０１の位置を判定し、適切な場合は当該位置を補正することを含む。代替的に、物体側ミラー７０４を第１ミラーとして用いることもできる。前のミラー又は光学素子１０１の位置及びアライメントが、測定のこの時点で既知であり、適切な場合は補正されているので、その後、ビーム経路の下流に配置されたミラー又は光学素子、すなわち光学素子１０３、７０５、７０４（代替的に、７０５、１０３、１０１）の位置及びアライメントを判定することができる。以下で説明するように、各光学素子は、能動的であっても受動的であってもよい１つ又は複数のマーカ又はマーキング要素７２０、７２１、７２２、７２３を有することができる。この場合、能動マーカ又はマーキング要素は、これらに光を当てる別個の光源を有する。能動マーキング要素７２０、７２１、７２２、７２３から出る波長又は放射線信号は、ビーム経路にそれぞれ予め位置決めされた光学素子から反射される。したがって、光学素子１０３、７０４、７０５の位置を判定するために、放射線信号のこの転送を考慮して、各光学素子の補正移動を正確に計算できるようにする必要がある。
【０１３１】
光学素子１０１、１０３、７０４、７０５の調整は、システムのシャットダウン後に実行することもできる。さらに、位置若しくはアライメント又は他の特性の補正を行うために、光学素子１０１、１０３、７０４、７０５の位置判定又は他の測定も動作中に可能である。
【０１３２】
ミラーのアライメント及び位置判定に用いることができるさまざまなタイプのマーキング要素を以下で説明する。しかしながら、これらのマーキング要素又はこれらのマーキング要素タイプは、先の図４〜図６で説明した投影アセンブリでも用いることができる。
【０１３３】
図９は、光学素子１０１が１つのマーキング要素７２０を有する投影アセンブリ８００の第１例を示す。マーキング要素は、光源８０１、透過散乱構造８０３、及び回折構造８０４を有する。光源８０１は、例えばＬＥＤ光源であり得る。光源８０１から光８０２が、光学素子１０１の下側又は背面に装着された透過散乱構造８０３に放射される。光８０２は、ミラー本体における拡散光分布を構成する迷光８０５として散乱構造８０３を通過し、光学素子１０１の本体を介して回折構造８０４へ至る。光学素子１０１の本体は、放射線８０２に対して透明である。
【０１３４】
回折構造８０４は、例えば表面１０２に装着された回折格子であり、上記構造は、光学活性領域又はミラー面１０２の照射領域の外側に装着することができる。回折構造８０４は、放射線信号１３１を取得デバイス１１０へ誘導する。回折構造８０４は、位置が分かっている人工光源を提供する。散乱構造８０３及び回折構造８０４は、例えば光学素子の表面の加工によって作製することができる。回折構造８０４及び散乱構造８０３の組み合わせの代わりに、光学素子１０１の表面１０２に装着したＬＥＤを用いることも可能である。このようなＬＥＤ又は他の何らかの光源は、数マイクロメートルのサイズを有し、ミラーに装着、例えば接着結合することができる。
【０１３５】
光源８０１は、熱的及び機械的結合を回避するために光学素子１０１の本体の外側に位置決めされることが好ましい。光源８０１は散乱要素８０３へ光を放射するだけであり、光源として働くのは上記光源自体ではなく散乱要素８０３なので、光源８０１の位置決めは比較的粗いもので十分である。したがって、光源８０１は一次光源を形成し、散乱要素８０３は二次光源を形成する。これにより、投影アセンブリ７００における光源８０１の柔軟な装着が可能となる。光源８０１は、適当な波長を有するレーザ又はＬＥＤ素子であり得る。
【０１３６】
散乱構造８０３の作製は、例えば光学素子１０１のエッチング又は粒子照射によって達成することができる。散乱構造８０３によって形成された二次光源の原点は、現在のミラー位置又は光学素子１０１の位置とは無関係である。光８０２は、光学素子１０１の本体をほぼ無損失で伝播し、回折構造８０４に入射する。回折構造８０４は、光学素子１０１のミラー表面の電子ビーム加工によって作製することができる。図１０にも示すように、回折構造は、光学素子１０１の被覆領域、例えば照射領域余剰部（spillover）９０１、すなわち、光学活性領域ではあるが実際の使用領域の一部として含まれない領域に作製することもできる。
【０１３７】
図１０からのアセンブリ９００に示すように、複数の、例えば３つの回折構造８０４を、照射領域の外側又は光学素子１０１のミラー余剰部９０１に装着することができる。マーキング要素としての種々の回折構造８０４は、異なる波シフトをもたらすこともでき、その結果として、異なるマーキング要素を区別することが可能である。これは、回折構造８０４が波長変換器として具現され、個々のマーキング要素を識別できることを意味する。
【０１３８】
記載したマーキング要素７２０〜７２４は、光学ミラー面１０２、１０４の位置を判定する種々の測定法に用いることができる。これに関して、結像検出、すなわちカメラ１１０に結像した放射線信号の解析によって、種々のマーキング要素７２０〜７２４の位置を判定するために、マーキング要素７２０〜７２４が発した光ビームを放射線信号１３１として用いることができる。すでに上述したように、マーキング要素７２０〜７２４が発した光は、測定のためにカメラ１１０に結像される。制御デバイス１２０（ここでは図示せず）が、対応する円錐曲線を検出する。マーキング要素７２０〜７２４の位置は、複数の異なる検出円錐曲線から推定することができる。ミラーの傾斜に関する測定値は、円錐曲線の楕円率の評価から計算することができる。
【０１３９】
さらに可能なのは飛行時間測定であり、光の飛行時間が測定され、各ミラー１０１、１０３の位置がそれに基づいて確認される。さらに可能なのは、光学素子１０１の位置の干渉測定である。これは、光学素子１０１の表面に装着された２つのマーキング要素７２０の相対位置の判定を含む。このような配置の一例を図１１に示す。
【０１４０】
投影アセンブリ１０００では、光源８０１が共用散乱構造８０３を照射する。当該散乱構造８０３の真後ろに、適当に選択された回折定数を有する回折格子又は回折構造１００１が位置することで、同じく回折パターンが形成された２つの回折構造８０４へ光８０２を指向させて、２つの回折構造８０４が発した放射線信号１３１をカメラ１１０へ指向させ、上記信号が干渉し合うようにする。回折構造８０４は、光学面の照射領域の外側に装着される。カメラ１１０は、放射線信号１３１を取得し、カメラ１１０は、良好な空間分解能で上記信号を検出するのに適している。空間分解能は、ミラー１０１上の位置又は場所が特定されることを意味し、良好な空間分解能は、ミラー１０１上のマーキング要素の位置を高い分解能で特定できる、すなわち回折構造８０４を相互の近くに配置できることを意味する。
【０１４１】
すでに上述したように、回折構造８０４が発生させた回折スペクトルが干渉測定のために検出される。干渉パターンは、カメラ１１０及び制御デバイス１２０において特定及び解析される。構造の相対位置、したがって光学素子の絶対位置は、干渉パターンに応じて判定することができる。
【０１４２】
マーキング要素７２０に関する配置のさらに別の可能性を図１２に示す。アセンブリ１１００の場合、拡散板又は散乱構造８０３が光学素子の下側に装着される。絞り１１０３が、その真後ろに装着され、この絞りを通った散乱構造８０３からの放射線信号１１０４が、開口１１０２を通して光学活性領域１０２の方向に上方に誘導される。開口１１０２は、光学活性領域１０２の無被覆区域によって形成される。この開口１１０２は、アパーチャとして働く。この領域は、曲面状１１０１であり、したがって屈折レンズ素子として機能し、したがって回折構造８０４を構成する。光学素子１０１は、複数のこのようなマーキング要素を有することができる。
【０１４３】
すでに言及したように、図９〜図１１で説明したマーキング要素は、図２〜図６で用いることもできる。
【０１４４】
本明細書に記載の投影装置は、種々の光学素子１０１、１０３、７０４、７０５の位置及びアライメントの判定、及び適切な場合はそれらのアライメントを可能にする。さらに、温度分布、汚染、又は他の特性等の光学素子１０１、１０３、７０４、７０５の他の特性を確認することも可能である。マーキング要素７２０〜７２４の使用は、特に、システム７００全体における個々の素子１０１、１０３、７０４、７０５の選択的測定を可能にする。
【０１４５】
図１３は、上述した投影アセンブリを操作する関連の方法を示す。この場合、第１ステップ１２０１は、少なくとも２つの光学素子１０１、１０３を用意するステップを含む。上記光学素子１０１、１０３は、図４、図５、図６、及び図８〜図１１に示すようにマーキング要素４１４、４２４、７２０〜７２４を有することができるか、又は図２及び図３に示すようにマーキング要素４１４、４２４、７２０〜７２４を一切必要としない取得デバイス１１０を有することができる。第２ステップ１２０２は、光学素子１０１、１０３、７０４、７０５から、又は光学素子１０１、１０３、７０４、７０５に固定又は装着されたマーキング要素４１４、４２４、７２０〜７２４から放射線信号を取得することを含む。先の図で説明したような取得デバイス１１０が、この目的で用いられる。先の図で説明したように、上記放射線信号は、種々の情報アイテムを含むことができ、例えば、光学素子１０１、１０３、７０４、７０５の温度、位置、又は他の光学的特徴に関する情報を含むことができる。放射線信号１３１又はそれに含まれる情報の取得後、光学活性面１０２、１０４の特性、すなわち温度分布、位置、アライメント、汚染等を空間分解的に判定することができる。確認した特性に基づき、続いて、上述したように、例えば投影アセンブリ内の光学素子１０１、１０３、７０４、７０５のアライメントを実行することが可能である。
【０１４６】
例示的な実施形態に基づいて本発明を説明してきたが、本発明を多様な方法で変更することができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１  シャッタデバイス
２  ＥＵＶ光源
３  デブリフィルタ
４  マスクアセンブリ
５  光学系
６  ウェーハステーション
７  カメラ
８  ＵＨＶキャビネット
９  制御デバイス
１０  リソグラフィシステム
１００  投影アセンブリ
１０１  第１光学素子
１０２  光学活性領域
１０３  第２／最終光学素子
１０４  光学活性領域
１１０  取得デバイス
１１１  結合
１２０  制御デバイス
１３０  ビーム経路
１３１  放射線信号
１３２  ビーム経路
１３３  ビーム経路
２００  投影アセンブリの一部
２１０  サブ取得デバイス
２１１  サブ取得デバイス
２１２  サブ取得デバイス
２１３  サブ取得デバイス
２２０  保持装置
２２１  開口
３００  投影アセンブリの一部
３１０  洗浄ヘッド
３１１  洗浄ヘッド
４００  投影アセンブリの一部
４１０  サブ取得デバイス
４１１  光源
４１２  光
４１３  放射線信号
４１４  マーキング要素
４２０  サブ取得デバイス
４２１  光源
４２２  光
４２３  放射線信号
４２４  マーキング要素
５００  投影アセンブリの一部
５２０  保持装置突起
６００  投影アセンブリの一部
７００  投影アセンブリ
７０１  測定光学ユニット（取得デバイス付）
７０２  開口
７０３  閉鎖領域
７０４  第３光学素子
７０５  第４／最終光学素子
７１０  放射線信号
７２０  マーキング要素
７２１  マーキング要素
７２２  マーキング要素
７２３  マーキング要素
８００  投影アセンブリの一部
８０１  光源
８０２  光
８０３  散乱構造
８０４  回折構造
９００  投影アセンブリの一部
９０１  ミラー余剰部
１０００  投影アセンブリの一部
１００１  回折構造
１１００  投影アセンブリの一部
１１０１  ミラー表面の湾曲
１１０２  開口
１１０３  絞り
１１０４  放射線信号
１２０１〜１２０３  方法ステップ
ＣＴ  制御信号
Ｌ１−Ｌ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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