(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置において、
前記チャックトップに載置され、前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置する嵩上げ部材を備え、
前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有することを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項２】
前記チャックトップは真空吸着を行う吸着口を有し、
前記嵩上げ部材は前記吸着口と前記嵩上げ部材に載置される前記研磨用ウエハとを連通させる連通穴を有することを特徴とする請求項１記載のウエハ検査装置。
【請求項３】
前記嵩上げ部材はアルミニウムからなることを特徴とする請求項１又は２記載のウエハ検査装置。
【請求項４】
前記嵩上げ部材は珪素又は炭化硅素からなることを特徴とする請求項１又は２記載のウエハ検査装置。
【請求項５】
ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置のメンテナンス方法であって、
前記チャックトップへ嵩上げ部材を載置し、さらに、前記嵩上げ部材へ前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置し、
前記チャックトップを前記プローブカードへ移動させ、
前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有することを特徴とするウエハ検査装置のメンテナンス方法。
【請求項６】
前記チャックトップは真空吸着を行う吸着口を有し、
前記嵩上げ部材は、前記吸着口と前記嵩上げ部材に載置される前記研磨用ウエハを連通させる連通穴とを有し、
前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記吸着口は前記連通穴を介して前記研磨用ウエハを吸着することを特徴とする請求項５記載のウエハ検査装置のメンテナンス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ検査用のプローブカードの針状のプローブを研磨するウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多数の半導体デバイスが形成されたウエハの検査を行うために、検査装置としてプローバが用いられている。プローバはウエハと対向するプローブカードを備え、プローブカードは、ウエハの半導体デバイスの各電極パッドや各半田バンプと対向するように配置された複数の針状接触端子であるプローブを備える。プローバでは、ウエハをプローブカードへ押し当てるように真空吸着させ、プローブカードの各プローブを半導体デバイスにおける電極パッドや半田バンプと接触させる（例えば、特許文献１参照。）。このとき、各プローブから各電極パッドや各半田バンプに接続された半導体デバイスの電気回路へ電気を流すことによって半導体デバイスの電気的特性を検査する。
【０００３】
ところが、ウエハの剛性は低いため、ウエハのみをプローブカードへ真空吸着させるとウエハが反って各電極パッドや各半田バンプがプローブカードの各プローブへ均等に接触しないことがある。そこで、ウエハとともにウエハを載置する厚板部材であるチャックトップをプローブカードへ真空吸着させ、該チャックトップによってウエハの反りを抑制することが提案されている。具体的には、図７（Ａ）に示すように、基部であるポゴフレーム７０に装着されたプローブカード７１へチャックトップ７２に載置されたウエハＷを対向させる。チャックトップ７２からはポゴフレーム７０へ向けて弾性密封部材であるリップシール７３が突出する。その後、チャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて移動させ、リップシール７３をポゴフレーム７０へ当接させることにより、チャックトップ７２及びポゴフレーム７０の間の空間Ｓを密封する。ウエハＷがプローブカード７１へ押し当てられた後は空間Ｓが減圧されることにより、ウエハＷがチャックトップ７２ごとポゴフレーム７０へ引き寄せられ、ウエハＷのプローブカード７１への当接状態が維持される。このとき、リップシール７３は圧縮される（図７（Ｂ））。
【０００４】
ところで、プローブカード７１を用いたウエハＷの検査を繰り返すと、各電極パッドや各半田バンプとプローブカード７１の各プローブ７４との接触が繰り返され、各プローブ７４が摩耗する。したがって、定期的に各プローブ７４を研磨する必要がある。各プローブ７４を研磨する際には、研磨用ウエハを各プローブ７４へ当接させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−２９９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したチャックトップ７２を用いてウエハＷをプローブカード７１へ押し当てる方法では、チャックトップ７２に研磨用ウエハ７５を載置してチャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて移動させると、研磨用ウエハ７５が各プローブ７４に当接する前に、リップシール７３がポゴフレーム７０へ当接してチャックトップ７２及びポゴフレーム７０の間に空間Ｓが形成される（図７（Ｃ））。その後、さらに、チャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて移動させると、空間Ｓの圧力が上昇してチャックトップ７２に反発力が作用し、結果として研磨用ウエハ７５が各プローブ７４へ適切に当接しないという問題がある。
【０００７】
空間Ｓの圧力の上昇を防止するために空間Ｓを減圧することも考えられるが、この場合、減圧工程に時間を要する。また、空間Ｓの圧力の上昇を緩やかにすることによって空間Ｓの圧力上昇を緩和し、研磨用ウエハ７５を各プローブ７４へ適切に当接させることも考えられるが、この場合、チャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて低速で移動させる必要がある。すなわち、スループットが低下するという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、スループットを低下させることなく研磨用ウエハをプローブへ適切に当接させることができるウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明のウエハ検査装置は、ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置において、前記チャックトップに載置され、前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置する嵩上げ部材を備え、前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有することを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のウエハ検査装置のメンテナンス方法は、ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置のメンテナンス方法であって、前記チャックトップへ嵩上げ部材を載置し、さらに、前記嵩上げ部材へ前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置し、前記チャックトップを前記プローブカードへ移動させ、前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ウエハ及びチャックトップの間に介在して接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置する嵩上げ部材は、チャックトップがプローブカードへ移動する際、シールが空間を密封する前に研磨用ウエハを各接触端子へ当接させる厚みを有するので、上記空間が密封される前に研磨用ウエハが各接触端子へ当接する。すなわち、研磨用ウエハを各接触端子へ当接させる前にチャックトップへ反発力が作用することがなく、もって、研磨用ウエハを各接触端子へ適切に当接させることができる。また、空間の減圧や圧力上昇緩和を考慮する必要が無いので、減圧工程やプローブカードへのチャックトップの低速移動が不要であり、もって、スループットの低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１における線II-IIに沿う断面図である。
【図３】図１及び図２における搬送ステージ及びテスターの構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図３における各プローブの研磨時の様子を説明するための搬送ステージ及びテスターの断面図である。
【図５】図４における研磨用プレートの構成を説明するための図であり、図５（Ａ）は側面図であり、図５（Ｂ）は平面図であり、図５（Ｃ）は底面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置のメンテナンス方法としてのプローブの研磨方法を示す工程図である。
【図７】従来のウエハ検査装置としてのプローバにおけるウエハ及びプローブカードの当接の様子を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置の構成を概略的に示す平面図であり、図２は、図１における線II-IIに沿う断面図である。なお、図１では理解を容易にするために内部の構成が透過して示される。本実施の形態に係るウエハ検査装置は、ウエハに形成された全ての半導体デバイスにおける全ての電極パッドや半田バンプへ、プローブカードの全てのプローブが一度に当接することにより、各半導体デバイスの電気的特性を検査する一括接触型のウエハ検査装置である。
【００１５】
図１において、ウエハ検査装置１０は、ウエハＷに形成された各半導体デバイスの電気的特性を検査する検査領域１１と、当該ウエハ検査装置１０にウエハＷ、後述する研磨用ウエハ３４やプローブカード２１等の搬出入を行う搬出入領域１２と、該搬出入領域１２及び検査領域１１の間に配置されてウエハＷ等の搬送を行う搬送領域１３とを備える。
【００１６】
搬出入領域１２には搬出入用セル１４が配置され、搬出入用セル１４には、ウエハＷの容器であるフープ１５の受け入れ機構（図示しない）が配置される。また、搬出入領域１２には、搬出入用セル１４の他に検査前のウエハＷの位置合わせを行う仮位置合わせセル（プレアライナー）１６や複数の研磨用ウエハ３４を格納するプレート格納セル（ストッカー）１７も配置される。なお、プレアライナー１６にはウエハＷの位置合わせ時にウエハＷを真空吸着するサブチャック１８が配置される。また、ストッカー１７には、研磨用ウエハ３４の各々が後述する研磨用プレート３５に載置された状態で格納される。
【００１７】
搬送領域１３には搬送アーム機構１９が配置され、該搬送アーム機構１９は、搬出入領域１２のフープ１５から受け取った検査前のウエハＷを搬送領域１３において搬送し、検査領域１１において後述のチャックトップ２３へ載置すると共に、検査後のウエハＷをチャックトップ２３から受け取って搬出入領域１２まで搬送する。
【００１８】
検査領域１１には複数の検査部（テスター）２０が配置される。各テスター２０は相互に区画されず、検査領域１１を構成する空間に、それぞれプローブカード２１を有する複数のテスター２０が配列されている。
【００１９】
図２において、検査領域１１は、複数階、例えば、３階に分かれ、各階に複数のテスター２０が配置され、各テスター２０の相互間を移動する搬送ステージ２２、並びに、位置合わせ装置（アライナー）及び位置合わせ用カメラ（いずれも図示しない）がそれぞれ配置される。
【００２０】
搬送ステージ２２は、搬送アーム機構１９によって検査領域１１及び搬送領域１３の境界まで搬送された検査前のウエハＷを当該搬送ステージ２２に載置されたチャックトップ２３上に載置させ、載置されたウエハＷを移動させてプローブカード２１と対向させる。その後、搬送ステージ２２は、ウエハＷ及びチャックトップ２３をプローブカード２１へ接近させ、最終的に、ウエハＷをプローブカード２１に当接させる。テスター２０は、プローブカード２１に当接されたウエハＷの複数の半導体デバイスの電気的特性を検査する。半導体デバイスの電気的特性の検査が終了した後、搬送ステージ２２は、検査後のウエハＷ及びチャックトップ２３を検査領域１１及び搬送領域１３の境界部まで搬送し、検査後のウエハＷを搬送アーム機構１９に受け渡す。その後、搬送アーム機構１９は、検査後のウエハＷを搬出入用セル１４のフープ１５へ搬入する。
【００２１】
ウエハ検査装置１０では、搬送アーム機構１９及び搬送ステージ２２が協働して一のフープ１５から一のウエハＷを搬出して一のテスター２０に搬入するが、一のテスター２０で一のウエハＷの半導体デバイスの電気的特性の検査が行われている間に、他のフープ１５から搬出した他のウエハＷを他のテスター２０に搬入することができる。また、一のテスター２０で一のウエハＷの半導体デバイスの電気的特性の検査が行われている間に、搬送アーム機構１９及び搬送ステージ２２が協働して他のテスター２０から検査後の他のウエハＷを搬出して他のフープ１５に搬入することもできる。すなわち、搬送アーム機構１９及び搬送ステージ２２は、協働して複数のフープ１５及び複数のテスター２０の間で順次ウエハＷの搬出入を行うことにより、効率的な各ウエハＷの半導体デバイスの電気的特性の検査を実現する。
【００２２】
図３は、図１及び図２における搬送ステージ及びテスターの構成を概略的に示す断面図である。なお、図３は、搬送ステージ２２がウエハＷをテスター２０のプローブカード２１へ当接させた状態を示す。
【００２３】
図３において、テスター２０は、プローブカード２１と、該プローブカード２１が下部に装着される板状基部としてのポゴフレーム２４と、ポゴフレーム２４を釣支するベース２５とを備える。
【００２４】
プローブカード２１は、円板状の本体２６と、該本体２６の上面のほぼ一面に配置される多数の電極（図示しない）と、本体２６の下面から図中下方へ向けて突出するように配置される多数の針状接触端子であるプローブ２７とを有する。各電極は対応する各プローブ２７と接続され、各プローブ２７は、プローブカード２１へウエハＷが当接した際、該ウエハＷに形成された各半導体デバイスの電極パッドや半田バンプと接触する。
【００２５】
ポゴフレーム２４は、略平板状の本体２８と、該本体２８の中央部近辺に穿設された複数の貫通穴であるポゴブロック挿嵌穴２９とを有し、各ポゴブロック挿嵌穴２９には多数のポゴピンが配列されて形成されるポゴブロック３０が挿嵌される。ポゴブロック３０はテスター２０が有する検査回路（図示しない）に接続されるとともに、ポゴフレーム２４へ装着されたプローブカード２１における本体２８の上面の多数の電極へ接触し、該電極に接続されるプローブカード２１の各プローブ２７へ電流を流すとともに、ウエハＷの各半導体デバイスの電気回路から各プローブ２７を介して流れてきた電流を検査回路へ向けて流す。
【００２６】
テスター２０では、ポゴフレーム２４及びベース２５の間の空間はシール部材３１で密封され、該空間が真空引きされることによってポゴフレーム２４がベース２５に釣支される。ポゴフレーム２４及びプローブカード２１の間の空間もシール部材３２で密封され、該空間が真空引きされることによってプローブカード２１がポゴフレーム２４に装着される。
【００２７】
搬送ステージ２２はテスター２０の下方に配置される平板状部材からなり、該搬送ステージ２２は厚板部材であるチャックトップ２３を載置して保持し、該チャックトップ２３の上面にはウエハＷが載置されて保持される。チャックトップ２３は搬送ステージ２２が有する吸着口（図示しない）によって当該搬送ステージ２２へ真空吸着され、ウエハＷはチャックトップ２３が有する吸着口（以下、「チャックトップ吸着口」という。）（図示しない）によって当該チャックトップ２３に真空吸着される。したがって、搬送ステージ２２が移動する際、チャックトップ２３やウエハＷが搬送ステージ２２に対して相対的に移動するのを防止することができる。なお、チャックトップ２３やウエハＷの保持方法は真空吸着に限られず、チャックトップ２３やウエハＷの搬送ステージ２２に対する相対的な移動を防止できる方法であればよく、例えば、電磁吸着やクランプによる保持であってもよい。
【００２８】
搬送ステージ２２は移動自在であるため、テスター２０のプローブカード２１の下方へ移動してチャックトップ２３に載置されたウエハＷをプローブカード２１へ対向させることができるとともに、テスター２０へ向けて移動してウエハＷをプローブカード２１に当接させることができる。テスター２０のプローブカード２１、搬送ステージ２２に載置されたチャックトップ２３やウエハＷはいずれも水平に配置される。したがって、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、ウエハＷは各プローブ２７と満遍なく当接する。
【００２９】
チャックトップ２３は、上面、すなわち、ポゴフレーム２４に対向する面において、ポゴフレーム２４へ向けて突出する弾性密封部材であるリップシール３３を有する。搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動してウエハＷがプローブカード２１へ押し当てられる際、リップシール３３はポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する。ウエハＷがプローブカード２１へ押し当てられた際に形成される、チャックトップ２３、ポゴフレーム２４及びプローブカード２１が囲む空間Ｓはリップシール３３によって密封され、該空間Ｓが真空引きされることによってチャックトップ２３がポゴフレーム２４へ引き寄せられ、ウエハＷをプローブカード２１へ押し当てる。これにより、ウエハＷの各半導体デバイスにおける各電極パッドや各半田バンプと、プローブカード２１の各プローブ２７との当接状態が維持される。
【００３０】
図４は、図３における各プローブの研磨時の様子を説明するための搬送ステージ及びテスターの断面図である。なお、図４は、搬送ステージ２２が研磨用ウエハ３４をプローブカード２１の各プローブ２７へ当接させた状態を示す。
【００３１】
図４において、チャックトップ２３の上面には略円板状部材からなる研磨用プレート３５（嵩上げ部材）が載置され、該研磨用プレート３５の上面には研磨用ウエハ３４が載置される。研磨用プレート３５の上面及び下面は平行に形成されるため、水平に配置されるチャックトップ２３に載置される研磨用プレート３５の上面も水平を保ち、結果として研磨用プレート３５の上面に載置される研磨用ウエハ３４も水平を保つ。その結果、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、研磨用ウエハ３４は各プローブ２７と満遍なく当接し、各プローブ２７を均等に研磨する。
【００３２】
本実施の形態において、研磨用プレート３５の厚さは、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４をプローブカード２１の各プローブ２７へ当接させる値に設定される。具体的には、本実施の形態において、研磨用プレート３５の厚さｔ１、研磨用ウエハ３４の厚さｔ２及びポゴフレーム２４の本体２８の下面からプローブカード２１の各プローブ２７の下端までの突出量ｔ３の合計値Ｔが、リップシール３３のチャックトップ２３の上面からの突出量ｔ４よりも大きく設定される。これにより、研磨用ウエハ３４が各プローブ２７へ当接した際、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接することがなく、チャックトップ２３、ポゴフレーム２４及びプローブカード２１が囲む空間Ｓがリップシール３３によって密封されず、空間Ｓの圧力が高まることもない。
【００３３】
なお、本実施の形態では、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面に当接することによって空間Ｓが形成されるため、研磨用プレート３５の厚さは、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４をプローブカード２１の各プローブ２７へ当接させる値に設定される。しかしながら、リップシール３３がプローブカード２１の本体２６の下面に当接することによって空間Ｓが形成される場合、研磨用プレート３５の厚さは、リップシール３３がプローブカード２１の本体２６の下面へ当接する前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる値に設定される。すなわち、研磨用プレート３５の厚さは、空間Ｓがリップシール３３によって密封される前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる値であればよい。
【００３４】
図５は、図４における研磨用プレートの構成を説明するための図であり、図５（Ａ）は側面図であり、図５（Ｂ）は平面図であり、図５（Ｃ）は底面図である。
【００３５】
図５において、研磨用プレート３５は、研磨用ウエハ３４が載置される上面に形成される複数の吸着溝３６を有する。吸着溝３６は、研磨用プレート３５の中心から外周へ向けて放射状に広がる複数の放射溝３６ａと、研磨用プレート３５の中心に関して同心円状に形成される複数の円周溝３６ｂとを有する。吸着溝３６は幅、深さとも数ｍｍの断面を有する溝であり、後述する貫通穴３７と連通する。
【００３６】
研磨用プレート３５は、厚さ方向に当該研磨用プレート３５を貫通する複数の貫通穴３７（連通穴）を有する。各貫通穴３７は研磨用プレート３５の下面においてチャックトップ吸着口と対向するように開口する。これにより、チャックトップ吸着口は、各貫通穴３７を介して吸着溝３６の内部を真空引きすることができ、もって、研磨用プレート３５の上面に載置される研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５へ真空吸着することができる。また、研磨用ウエハ３４が研磨用プレート３５へ真空吸着される際、研磨用ウエハ３４は研磨用プレート３５をチャックトップ２３へ向けて押圧する。したがって、搬送ステージ２２が移動する際、研磨用プレート３５や研磨用ウエハ３４がチャックトップ２３に対して相対的に移動するのを防止することができる。また、研磨用プレート３５の下面にはやや幅広の吸着溝３８が形成され、各貫通穴３７は吸着溝３８内に開口する。したがって、各貫通穴３７がチャックトップ吸着口と一致するように開口していなくても、吸着溝３８をチャックトップ吸着口に対向させるだけで、チャックトップ吸着口によって研磨用ウエハ３４を真空吸着することができる。
【００３７】
ところで、ウエハ検査装置１０では、プレアライナー１６において研磨用ウエハ３４は研磨用プレート３５に載置されたまま位置合わせが行われるため、サブチャック１８は研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を真空吸着する必要があるが、サブチャック１８はチャックトップ２３よりも小さく、サブチャック１８が有する吸着口（以下、「サブチャックトップ吸着口」という。）（図示しない）はサブチャック１８の中心に集中して配置される。これに対応して、研磨用プレート３５では、各貫通穴３７が開口する吸着溝３８が当該研磨用プレート３５の中心近傍、例えば、中心から３８ｍｍ以内に形成される。これにより、吸着溝３８をサブチャック１８の中心に集中して配置されるサブチャックトップ吸着口と対向させることができ、サブチャックトップ吸着口によって研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を真空吸着することができる。
【００３８】
研磨用プレート３５は上面の外周において複数、例えば、４つの窪み３９を有する。各窪み３９は研磨用ウエハ３４によって一部が覆われる。したがって、各窪み３９に篦等の薄板部材を挿入することにより、研磨用プレート３５から研磨用ウエハ３４を容易に剥離させることができる。
【００３９】
また、研磨用プレート３５は、研磨用ウエハ３４の位置合わせ用のノッチに対応する位置に位置合わせ用の切り欠き４０を有する。該切り欠き４０は研磨用プレート３５を厚み方向に貫通するため、研磨用プレート３５に研磨用ウエハ３４が載置されても、研磨用ウエハ３４のノッチを下方から確認することができる。これにより、プレアライナー１６等において研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５に載置させたまま、当該研磨用ウエハ３４の位置合わせを行うことができる。さらに、研磨用プレート３５は、切り欠き４０の内側に研磨用プレート３５を厚み方向に貫通するＩＤ読み取り穴４１を有する。これにより、研磨用ウエハ３４のノッチの内側に形成されるウエハＩＤを、研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５に載置させたまま読み取ることができ、研磨用ウエハ３４の管理工程を簡素化することができる。なお、研磨用プレート３５において切り欠き４０及びＩＤ読み取り穴４１は１箇所にまとめて形成されるため、これらを分離して形成する場合よりも研磨用プレート３５の強度を確保することができる。
【００４０】
さらに、研磨用プレート３５は、下面において座繰り加工等によって形成される複数の凹部４２を有する。また、各凹部４２は上面の吸着溝３６と対向しないように配置される。これにより、研磨用プレート３５の強度を確保しつつ、研磨用プレート３５を軽量化することができる。
【００４１】
研磨用ウエハ３４は珪素からなるが、高温域、例えば、８５℃近傍において研磨用ウエハ３４によって各プローブ２７を研磨する場合、アルミニウムは安価かつ軽量であり加工性も高いため、研磨用プレート３５をアルミニウムで構成するのが好ましい。アルミニウムは、温度域によって珪素との熱膨張量差が大きいことがあるが、８５℃近傍であれば研磨用ウエハ３４が熱膨張量差によって研磨用プレート３５に対してずれることがない。また、高温域だけでなく低温域、例えば、−３０℃近傍でも各プローブ２７を研磨する場合、研磨用プレート３５を珪素や炭化硅素で構成するのが好ましい。特に、炭化硅素は全温度域において珪素と同等の熱膨張率を有する。したがって、研磨用プレート３５の研磨時の温度にかかわらず、研磨用ウエハ３４が熱膨張量差によって研磨用プレート３５に対してずれるのを防止することができる。
【００４２】
図６は、本実施の形態に係るウエハ検査装置のメンテナンス方法としてのプローブの研磨方法を示す工程図である。
【００４３】
図６において、まず、搬送アーム機構１９が、ストッカー１７から研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５に載置された状態で搬出し、プレアライナー１６において研磨用ウエハ３４の位置合わせを行った後、検査領域１１及び搬送領域１３の境界まで搬送する（図６（Ａ））。このとき、搬送アーム機構１９は研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を真空吸着しないため、搬送アーム機構１９は、位置合わせされた研磨用ウエハ３４が研磨用プレート３５に対してずれないように、研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を、ウエハＷを搬送するときの速度よりも遅い速度で搬送する。
【００４４】
次いで、一のテスター２０の搬送ステージ２２は、搬送アーム機構１９によって搬送された研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を当該搬送ステージ２２に載置されたチャックトップ２３上に載置させる。このとき、チャックトップ２３はチャックトップ吸着口によって研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５を真空吸着する（図６（Ｂ））。
【００４５】
次いで、搬送ステージ２２は水平に移動し、チャックトップ２３上に載置された研磨用プレート３５及び研磨用ウエハ３４をプローブカード２１に対向させる（図６（Ｃ））。さらに、搬送ステージ２２は上方に移動し、ウエハＷ及びチャックトップ２３をプローブカード２１へ接近させる。このとき、上述したように、研磨用プレート３５の厚さｔ１、研磨用ウエハ３４の厚さｔ２及びポゴフレーム２４の本体２８の下面からプローブカード２１の各プローブ２７の下端までの突出量ｔ３の合計値Ｔが、リップシール３３のチャックトップ２３の上面からの突出量ｔ４よりも大きく設定されるため、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する前に、研磨用ウエハ３４が各プローブ２７へ当接する。このとき、各プローブ２７は研磨用ウエハ３４によって研磨される。
【００４６】
その後、搬送ステージ２２は研磨用ウエハ３４をプローブカード２１から離間させ、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５を検査領域１１及び搬送領域１３の境界部まで搬送し、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５を搬送アーム機構１９に受け渡す。その後、搬送アーム機構１９は研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５をストッカー１７へ搬入し、本方法を終了する。
【００４７】
本実施の形態によれば、チャックトップ２３に載置され、且つ研磨用ウエハ３４を載置する研磨用プレート３５は、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、リップシール３３が空間Ｓを密封する前に研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる厚みを有するので、上記空間Ｓが密封される前に研磨用ウエハ３４が各プローブ２７へ当接する。すなわち、研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる前にチャックトップ２３へ空間Ｓの圧力上昇に伴う反発力が作用することがなく、もって、研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ適切に当接させることができる。また、空間Ｓの減圧や圧力上昇の緩和を考慮する必要が無いので、減圧工程や搬送ステージ２２のテスター２０へ向けての低速移動が不要であり、もって、スループットの低下を防止することができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、研磨用プレート３５が上面に形成される複数の吸着溝３６を有し、吸着溝３６の内部を真空引きすることにより、研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５へ真空吸着する。すなわち、吸着溝３６によって研磨用ウエハ３４を真空吸着するため、吸着溝３６以外の研磨用プレート３５の上面と、研磨用ウエハ３４との間を真空引きする必要が無く、真空断熱層が形成されるのを防ぐことができる。これにより、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５の間の熱伝達性を改善することができ、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５の熱膨張量差が生じるのを抑制することができる。その結果、研磨用ウエハ３４が研磨用プレート３５に対してずれるのを抑制することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５０】
Ｓ  空間
Ｗ  ウエハ
１０  ウエハ検査装置
２１  プローブカード
２３  チャックトップ
２７  プローブ
３４  研磨用ウエハ
３５  研磨用プレート
３７  貫通穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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