(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板に、画素電極と、前記画素電極が設けられた領域の外側にダミー画素電極と、前記ダミー画素電極と前記シール材との間に設けられた電極と、
前記第２基板に、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、
を備え、
表示期間において、前記ダミー画素電極には、基準電位が印加されると共に、前記電極には、第１の期間に前記基準電位に対して極性が反転する交番電位が印加され、前記第１の期間の後に前記第１の期間よりも長い第２の期間に前記基準電位となる信号が印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記ダミー画素電極には、前記対向電極に印加される電位と同じ電位が印加されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２基板に前記電極と重なるように設けられた見切り部を備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記信号は、周期的に印加される信号であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記基準電位は、前記対向電極の電位と同電位であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１の期間は、１ｍｓｅｃ以上１００ｍｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記基準電位と前記交番電位との電位差が、０．５Ｖ以上であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記交番電位の振幅は、前記画素電極に印加される電位の振幅より大きいことを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記交番電位は、時間とともに３値以上に段階的に変化することを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルを備えている。このような液晶装置に光が入射すると、液晶パネルを構成する液晶材料や配向膜などが、入射光により光化学反応を起こし、反応生成物としてイオン性不純物が発生することがある。また、液晶パネルの製造過程で、シール材や封止材などから液晶層に拡散するイオン性不純物もあることが知られている。特に、投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が、直視型の液晶装置に比べて高くなるので、イオン性不純物が、表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。
【０００３】
イオン性不純物の表示に対する影響を抑制する手段として、例えば、特許文献１には、ＳＴＮ方式の液晶層からイオンを除去するイオン除去駆動ユニットを有する液晶ディスプレイ装置が提案されている。この液晶ディスプレイ装置のイオン除去駆動ユニットの電極には、一様な交番電圧が印加されることによって、一様な電界が液晶層に作られる。その結果、液晶層における液晶分子の配向方向（ダイレクタ）が変動し、イオンはダイレクタの変動に伴って、液晶層内を次第に側方に向かって移動して、表示領域の外側に除去されることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５０４４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶ディスプレイ装置では、表示領域からイオンを除去するのに、イオン除去駆動ユニットの電極に、一様な交番電圧を印加するとしているが、当該電極に対する交番電圧の印加の仕方によっては、交番電圧の波形がなまって、一様な交番電界を液晶層に印加することができないおそれがある。
また、例えば、液晶層に電気見切りなどの交番電界が印加されない領域が配置されている場合には、その領域には、一様な電界を作り難くいため、当該領域がイオン性不純物を側方に移動させるのに障害となるおそれがある。
このようなことから、液晶層に含まれるイオン性不純物の表示に対する影響を十分に抑制できるとは限らないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、前記第２基板に前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、前記第１基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられた周辺電極と、を備え、前記周辺電極には、第１の期間に基準電位に対して極性が反転する交番電位となり、第２の期間に前記基準電位となる信号が印加されることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、周辺電極が設けられた領域の液晶層中に液晶分子の配向変化に伴う液晶のフロー（流れ）を発生させることによって、表示領域のイオン性不純物を周辺電極が設けられた領域に移動させる。そのため、例えば、液晶装置の表示領域に電気見切り部などの交番電位が印加されない領域が配置されている場合でも、イオン性不純物の極性によらずに、イオン性不純物を表示領域から表示領域の外側へ移動させることができる。従って、液晶層中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を低減させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記信号は、周期的に印加される信号であることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、周期的に液晶分子の配向変化に伴う液晶のフロー（流れ）を発生させることによってイオン性不純物を表示領域から表示領域の外側へ掃き寄せることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１の期間は、前記第２の期間より短いことを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、第１の期間と第２の期間とが等しいか、あるいは第１の期間が第２の期間より長い場合に比べて、液晶分子が初期配向状態に戻る時間を十分に確保できるため、強い液晶のフロー（流れ）を形成できる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極を囲むように設けられた電気見切り部を備えていることを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、画素電極と周辺電極との間に電気見切り部を設けることで、周辺電極が設けられた領域に移動したイオン性不純物の影響が表示領域に及ぶことを低減できる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記基準電位は、前記対向電極の電位と同電位であることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、周辺電極と対向電極との電位差によって液晶層に直流電圧が印加されることを抑制することができる。そのため、液晶層の劣化を低減することができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１の期間は、１ｍｓｅｃ以上１００ｍｓｅｃ以下であることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、液晶の応答速度に合わせて、周辺電極に印加される電位を変化させることができるので、周辺電極が設けられた領域に液晶のフロー（流れ）を確実に形成できる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置において、前記基準電位と前記交番電位との電位差が、０．５Ｖ以上であることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、基準電位と交番電位との電位差が、０．５Ｖ未満である場合と比較して、液晶の配向変化が大きくなることから、より強い液晶のフロー（流れ）を形成することができる。そのため、イオン性不純物を表示領域から表示領域の外側へ効率的に掃き寄せることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置において、前記交番電位の振幅は、前記画素電極に印加される電位の振幅より大きいことを特徴とする。
【００２２】
この構成によれば、液晶分子の配向変化の速度を速くすることができる。そのため、液晶分子に高いトルクを発生させて、液晶のフロー（流れ）を大きく形成することができる。その結果、イオン性不純物を表示領域から表示領域の外側へ効率的に掃き寄せることができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置において、前記交番電位は、時間とともに３値以上に段階的に変化することを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、交番電位が時間とともに緩やかに変化するので、液晶のフローが滑らかに形成される。そのため、交番電位を液晶分子の応答に合わせやすくなる。
【００２５】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２６】
本適用例によれば、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図。
【図５】液晶分子の挙動を示す概略断面図。
【図６】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示ムラとの関係を示す概略平面図。
【図７】表示に寄与する画素およびダミー画素の配置を示す概略平面図。
【図８】電気見切り部およびイオン掃出し機構の配線図。
【図９】周辺電極、ダミー画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャート。
【図１０】図７のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置のイオン掃出し機構の構造を示す要部断面図。
【図１１】第２実施形態に係る周辺電極、ダミー画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャート。
【図１２】液晶層の画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャート。
【図１３】第３実施形態に係る周辺電極、ダミー画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャート。
【図１４】第４実施形態に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさにして、説明を分かりやすくするため、各構成要素の尺度を実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００２９】
［第１実施形態］
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた、アクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として、好適に用いることができるものである。
【００３０】
＜液晶装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図であり、図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図である。まず、本実施形態に係る液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。
【００３１】
図１および図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０と、を有する。素子基板１０の基材１０ｓおよび対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な、例えば、石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０が本発明の第１基板に相当し、対向基板２０が本発明の第２基板に相当するものである。
【００３２】
素子基板１０は、対向基板２０より大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して、間隔をおいて貼り合わされ、その間隔に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。
【００３３】
シール材４０は、例えば、熱硬化性、または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３４】
シール材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば、遮光性の金属、または該金属の合金あるいは金属酸化物などからなる。なお、表示領域Ｅには、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むようにダミー画素が設けられていてもよい。
【００３５】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４を配列した端子部が設けられている。この端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間に、データ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に、検査回路１０３が設けられている。
【００３６】
さらに、第１の辺部と直交し、互いに対向する第３および第４の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に、走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３７】
データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
【００３８】
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３９】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター３０（以降、ＴＦＴ３０とする）と、信号配線（図示せず）と、これらを覆う配向膜１８と、が形成されている。
【００４０】
素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、信号配線（図示せず）と、配向膜１８と、を含むものである。
【００４１】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、少なくとも表示領域Ｅに亘って設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４と、を含んでいる。共通電極２３は、本発明における対向電極に相当するものである。
【００４２】
また、液晶装置１００は、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して、スイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。具体的には、見切り部２１は、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。
【００４３】
これにより、対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が、光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。見切り部２１は、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４４】
平坦化層２２は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４５】
共通電極２３は、例えば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、対向基板２０の下方側の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４６】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して、略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して、略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４７】
本実施形態では、配向膜１８，２４は、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から、例えば、斜め蒸着して柱状に成長させたカラムの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して、負の誘電異方性を有する液晶分子は、配向膜面の法線方向に対して、カラムの傾斜方向に、３度〜５度のプレチルト角度を有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical  Alignment）する。
【００４８】
画素電極１５と共通電極２３との間に電圧（駆動信号）を印加して、液晶層５０を駆動することによって、液晶分子は、画素電極１５と共通電極２３との間に発生する電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００４９】
このような液晶装置１００は透過型であり、電圧無印加状態で、画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で、画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とに、それぞれ偏光素子が、光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００５０】
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として先述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００５１】
図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて、互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂと、を有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００５２】
走査線３ａ、データ線６ａおよび容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６と、が設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００５３】
走査線３ａは、ＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００５４】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１、図２参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００５５】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対して、グループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを、所定のタイミングで、パルス的に線順次で供給する。
【００５６】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により、一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが、所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。
【００５７】
そして、画素電極１５を介して、液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して、対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は、例えば、６０Ｈｚである。
【００５８】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎが、リークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００５９】
図１に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで、液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では、図示を省略している。
【００６０】
本実施形態に係る画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングして、データ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路、を含むものとしてもよい。
【００６１】
＜液晶分子の配向状態＞
次に、液晶装置１００における液晶分子の配向状態について、図４、図５を参照して説明する。図４は、液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図であり、図５は、液晶分子の挙動を示す概略断面図である。
【００６２】
図４に示すように、液晶装置１００における画素電極１５および共通電極２３の表面には、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により、斜め蒸着して得られた、配向膜１８および配向膜２４が形成されている。具体的には、液晶層５０に面した、素子基板１０および対向基板２０の基板面の法線に対する蒸着角度θｂは、およそ４５度である。
【００６３】
このような斜め蒸着により、基板面には、酸化シリコンが、蒸着方向に向かって柱状に成長する。この柱状構造物を、カラム１８ａ，２４ａと呼ぶ。配向膜１８，２４は、このようなカラム１８ａ，２４ａの集合体である。
【００６４】
基板面の法線に対するカラム１８ａ，２４ａの成長方向の角度θｃは、蒸着角度θｂと必ずしも一致せず、この場合は、およそ２０度となっている。このような配向膜１８，２４の表面において、垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐは、およそ３度〜５度である。
【００６５】
また、基板面の法線方向から見た液晶分子ＬＣを、傾斜させるプレチルトの方向、すなわち液晶分子ＬＣの傾斜方向は、配向膜１８，２４における斜め蒸着の平面的な蒸着方向と同じである。垂直配向処理の上記傾斜方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。
【００６６】
このように、配向膜面に対して、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣが、プレチルト角θｐを与えられて倒立している配向状態を略垂直配向と呼ぶ。
【００６７】
対向配置された素子基板１０、対向基板２０、並びに、これら一対の基板間に挟持された液晶層５０、を含めたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶装置１００は、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とに、それぞれ配置された偏光素子８１，８２が備えられている。
【００６８】
また、偏光素子８１，８２は、偏光素子８１，８２のうち、一方の透過軸または吸収軸が、Ｘ方向またはＹ方向に対して平行となるように、かつ、互いの透過軸または吸収軸が直交するように、液晶パネル１１０に対してそれぞれ配置されている。
【００６９】
液晶パネル１１０に対する光の入射方向は、対向基板２０側から入射することに限定されない。また、光の入射側または射出側に、位相差板などの光学補償素子を備える構成としてもよい。
【００７０】
本実施形態では、表示領域Ｅにおいて、偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して、液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角が、４５度で交差するように、略垂直配向処理が施されている。従って、図５に示すように、画素電極１５と共通電極２３との間に、駆動電圧を印加して、液晶層５０を駆動すると、液晶分子ＬＣが、プレチルトの傾斜方向に倒れることにより、高い透過率が得られる光学的な配置となっている。
【００７１】
液晶層５０の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣは、プレチルトの傾斜方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このように、液晶分子ＬＣの挙動が起こる略垂直配向処理を、１軸の略垂直配向処理と呼ぶ。
【００７２】
＜イオン性不純物に起因する表示ムラ＞
次に、本発明が解決しようとするイオン性不純物に起因する表示ムラについて、図６を参照して説明する。図６は、無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示ムラとの関係を示す概略平面図である。
【００７３】
カラム１８ａ，２４ａを形成する無機材料の斜め蒸着方向は、例えば、図６に示すように、素子基板１０側では、破線の矢印で示したように、右上から左下に向かって、所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。
【００７４】
素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように、左下から右上に向かって、所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の方位角度θａは、例えば４５度である。なお、図６に示した斜め蒸着方向は、液晶パネル１１０を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００７５】
例えば、ノーマリーブラックモードの場合、液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が生じ、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍において、図６に示した破線あるいは実線の矢印で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。仮に、液晶層５０に極性が正または負のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って表示領域Ｅの角部４５に向かって移動し偏在するおそれがある。
【００７６】
表示領域Ｅの角部４５周辺に位置する画素Ｐにおいて、イオン性不純物の偏在により、液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、駆動電位の低下を招き、図６に示すような表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜がイオン性不純物を吸着し易いので、有機配向膜に比べて表示ムラや焼き付き現象が目立ち易い。図６では、表示領域Ｅの角部４５周辺に位置する３つの画素Ｐに、光漏れが発生した状態を示している。
【００７７】
図６に示すように、方位角度θａは、右上がり４５度だけでなく、右下がり４５度でもよい。その場合には、表示領域Ｅの左上と右下の角部４５周辺に表示ムラが発生する。つまり、液晶層５０に駆動電圧が供給されたときの液晶分子ＬＣの方位角度θａが、液晶分子ＬＣの流動方向となる。
【００７８】
液晶層５０の厚みは、液晶パネル１１０の光学設計条件によるが、およそ１μｍ〜３μｍ程度であるから、液晶分子ＬＣのフローは、各配向膜１８，２４の配向膜面付近で強く発生する。よって、素子基板１０側と対向基板２０側とでは、液晶分子ＬＣの流動方向が逆になる。
【００７９】
本実施形態に係る液晶装置１００では、表示ムラや焼き付き現象を改善するため、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、表示領域Ｅからイオン性不純物を掃き出させるイオン掃出し機構を設けている。以降、本実施形態に係るイオン掃出し機構について、図７および図８を参照して説明する。
【００８０】
＜イオン掃出し機構＞
図７は、表示に寄与する画素およびダミー画素の配置を示す概略平面図であり、図８は、電気見切り部およびイオン掃出し機構の配線図である。
【００８１】
図７に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００の表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐが配置された実表示領域Ｅ１と、実表示領域Ｅ１を囲んで設けられた複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２と、を含んでいる。
【００８２】
額縁状にシール材４０が配置された領域とダミー画素領域Ｅ２との間に、先述した遮光性を有する見切り部２１が設けられており、見切り部２１が設けられた領域が、液晶装置１００のＯＮ・ＯＦＦに依存しない見切り領域Ｅ３となっている。
【００８３】
ダミー画素領域Ｅ２には、Ｘ方向において、実表示領域Ｅ１を挟んで２つずつのダミー画素ＤＰが配置され、Ｙ方向において、実表示領域Ｅ１を挟んで２つずつのダミー画素ＤＰが配置されている。なお、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数は、これに限定されるものではなく、Ｘ方向、Ｙ方向のそれぞれにおいて、実表示領域Ｅ１を挟んで、少なくとも１つずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。
【００８４】
また、ダミー画素ＤＰは、３つずつ以上でもよく、Ｘ方向、Ｙ方向に配置される数が異なっていてもよい。本実施形態では、ダミー画素ＤＰを電気見切り部として機能させていることから、複数のダミー画素ＤＰに符号１２０を与えて、電気見切り部１２０と呼ぶこともある。
【００８５】
図８に示すように、本実施形態に係るイオン掃出し機構は、表示領域Ｅを囲むように、リング状（枠状）に設けられた周辺電極１３０を備えている。周辺電極１３０は、１つに限らず、複数配置されていてもよい。
【００８６】
イオン掃出し機構は、周辺電極１３０によって、表示領域Ｅの角部４５周辺に偏在するイオン性不純物を、表示領域Ｅの外側に掃き出している。周辺電極１３０は、イオン掃出し用の信号としての第１電位が供給される外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）に電気的に接続されている。また、実表示領域Ｅ１の縁に沿って、実表示領域Ｅ１を囲むように配置された複数のダミー画素ＤＰは、ダミー画素電極１５ｄを有している。
【００８７】
複数の外部接続用端子１０４のうち、Ｘ軸方向の両端側に設けられた外部接続用端子１０４は、上下導通部１０６に電気的に接続されている。共通電極２３は、配線２３ａを介して、同じく上下導通部１０６に電気的に接続されている。外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）には、共通電位（以下、ＬＣＣＯＭと呼ぶことがある）が供給される。すなわち、共通電極２３には、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される。
【００８８】
本実施形態では、周辺電極１３０に供給される電位が、素子基板１０上の周辺電極１３０の位置によってばらつくことを低減するために、２つの外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）から電位を供給する構成としたが、これに限定されるものではない。言い換えれば、外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）は、１つ配置されていてもよいし、３つ以上配置されていてもよい。
【００８９】
また、周辺電極１３０は、一方の端に引き回し配線が接続され、他方の端が開放された状態（オープン）でもよい。
【００９０】
＜液晶装置の駆動方法＞
図９は、周辺電極、ダミー画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャートである。横軸はタイミング（時間）であり、縦軸は電位である。周辺電極１３０に印加される具体的な信号の例を挙げて、液晶装置１００の駆動方法について、図９を参照して説明する。
【００９１】
図９に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００の駆動方法は、共通電極２３および基準電位を、例えば０Ｖとして、画素電極１５を駆動する表示期間に、ダミー画素電極１５ｄには、共通電極２３の電位と同じ電位（例えば、０Ｖ）を印加する。
【００９２】
周辺電極１３０には、第１の期間に基準電位を中心に極性が反転する交番電位となり、第２の期間に基準電位となる信号が印加される。言い換えれば、周辺電極１３０には、基準電位が印加される期間を置いて交番電位が印加される。
【００９３】
周辺電極１３０に印加される信号について具体的に説明する。図９に示すように、タイミングｔ０において、液晶装置１００の電源をオンにしたとする。周辺電極１３０の電位（以下、第１電位と呼ぶ）は、タイミングｔ１１において、基準電位（０Ｖ）から低電位（−５Ｖ）に遷移し、タイミングｔ１１からタイミングｔ１２までにおいて、低電位（−５Ｖ）で一定となっている。
【００９４】
その後、第１電位は、タイミングｔ１２において、低電位（−５Ｖ）から高電位（＋５V）に遷移し、タイミングｔ１２からタイミングｔ１３までにおいて、高電位（＋５Ｖ）で一定となる。
【００９５】
その後、タイミングｔ１３において、高電位（＋５Ｖ）から基準電位（０Ｖ）に遷移し、タイミングｔ１３からタイミングｔ１４までにおいて、基準電位（０Ｖ）で一定となっている。つまり、タイミングｔ１１からタイミングｔ１４までが、周辺電極１３０に印加される信号の１周期であり、以降、この周期を繰り返す。
【００９６】
本実施形態の周辺電極１３０に印加される信号は、周期的であり、基準電位と交番電位とが交互に繰り返されているが、周期的でなくてもよく、基準電位と交番電位とが交互に繰り返されなくてもよい。
また、周辺電極１３０に印加される矩形波の基準電位、高電位、低電位の設定およびダミー画素電極１５ｄに印加される電位の設定は、これに限定されるものではない。
【００９７】
第１電位が交番電位になっている期間、言い換えれば、周辺電極１３０に印加される信号の１周期のうち、例えば、タイミングｔ１１からタイミングｔ１３までの期間を第１の期間と呼ぶ。
【００９８】
第１電位が基準電位（０Ｖ）になっている期間、言い換えれば、周辺電極１３０に印加される信号の１周期のうち、例えば、タイミングｔ１３からタイミングｔ１４までの期間を第２の期間と呼ぶ。
【００９９】
周辺電極１３０に印加される信号の１周期において、交番電位が印加される第１の期間を、周辺電極１３０に基準電位が印加される第２の期間より短くすることによって、第１の期間と第２の期間とが等しいか、あるいは、第１の期間が第２の期間より長い場合に比べて、液晶分子ＬＣが初期配向状態に戻る時間を十分に確保できるため、強い液晶のフロー（流れ）を形成することができる。
【０１００】
また、周辺電極１３０に印加される信号の１周期において、交番電位を印加する期間、つまり、タイミングｔ１１からｔ１３までの期間は、１ｍｓｅｃ以上１００ｍｓｅｃ以下とするのが好ましい。
【０１０１】
なぜなら、交番電位を印加する期間（タイミングｔ１１からｔ１３までの期間）を長くしすぎると、周辺電極１３０に直流電位と同様な電位が長期間印加される状態となって、例えば、液晶の分解や焼き付き、表示シミなどの不具合が起こるおそれがあるからである。
一方、交番電位を印加する期間を短くしすぎると、液晶に発生するフロー（流れ）が小さくなって、液晶層５０中のイオン性不純物の移動が効率的に行えないおそれがあるからである。
【０１０２】
また、交番電位を印加する間隔を長くしすぎると、液晶の配向変化回数が少なくなり、液晶に発生するフロー（流れ）が小さくなって、液晶層５０中のイオン性不純物の移動が効率的に行い難い。
一方、交番電位を印加する間隔を短くしすぎると、液晶の応答が追従出来なくなり、液晶の配向変化が起こり難くなるため、液晶のフローが発生し難い。
【０１０３】
例えば、ＴＮ液晶の応答速度は、印加する電位を基準電位（０Ｖ）から高電位（＋５Ｖ）に変更する場合には、３．２ｍｓｅｃであり、高電位（＋５Ｖ）から基準電位（０Ｖ）に変更する場合には、１３．３ｍｓｅｃである。
【０１０４】
また、ＶＡ液晶の応答速度は、印加する電位を基準電位（０Ｖ）から高電位（＋５Ｖ）に変更する場合には、６．５ｍｓｅｃであり、高電位（＋５Ｖ）から基準電位（０Ｖ）に変更する場合には、６．９ｍｓｅｃである。
【０１０５】
このように、イオン性不純物を周辺電極１３０に確実に掃き出させるためには、液晶の種類の応答速度に完全に一致させなくてもよいが、液晶の種類の応答速度に合わせて、周辺電極１３０に印加される信号の波形、例えば、交番電位の振幅および周期を決めることが好ましい。
【０１０６】
また、基準電位と交番電位（高電位、または低電位）との電位差は、０．５Ｖ以上であることが好ましい。なぜなら、イオン性不純物の移動を効率的に行うためには、液晶のフロー（流れ）を大きくする必要があり、そのためには、液晶の配向変化をできるだけ大きくする方がよいからである。
【０１０７】
液晶の配向状態は、電極に印加する電圧に関係することから、できるだけ電位差の大きい信号を周辺電極１３０に印加することが好ましい。本実施形態では、基準電位と交番電位との電位差は５Ｖとなっている。
【０１０８】
また、イオン性不純物を表示領域Ｅからより遠くに掃き出させるためには、周辺電極１３０の数ｎを増やすことが好ましい。周辺電極１３０が複数の場合には、表示領域Ｅの外縁から表示領域Ｅの外側に向かう方向において、表示領域Ｅからみて最外周に配置されている周辺電極の幅が、他の周辺電極の幅に比べて大きくなっていることが好ましい。
【０１０９】
また、周辺電極１３０に印加される信号は、矩形波であることに限定されず、１周期の期間内において、互いに位相が異なる正弦（サイン）波や、三角波としてもよい。なお、正弦波のようなアナログ信号を生成するアナログ回路に比べて、矩形波を生成するデジタル回路の方が、回路構成を簡略化することができる。
【０１１０】
また、周辺電極１３０に印加される信号の振幅の大きさ、つまり、基準電位（例えば、０Ｖ）に対して、正極性側（高電位側）の最大電位と負極性側（低電位側）の最大電位とを必ずしも同じにしなくてもよい。具体的には、周辺電極１３０に、０Ｖを基準電位として、高電位側６Ｖと低電位側−４Ｖとの間で振幅する信号が印加されてもよい。
【０１１１】
＜周辺電極＞
図１０は、図７のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置のイオン掃出し機構の構造を示す要部断面図である。図１０に示すように、液晶装置１００の素子基板１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層１１〜配線層１４を有している。画素Ｐの画素電極１５、ダミー画素ＤＰ（電気見切り部１２０）のダミー画素電極１５ｄ、および周辺電極１３０は、配線層１４上に形成されている。
【０１１２】
共通電極２３は、表示領域Ｅにおける複数の画素電極１５およびダミー画素電極１５ｄに対向するように、対向基板２０に設けられている。
【０１１３】
ダミー画素電極１５ｄおよび周辺電極１３０は、画素電極１５を形成する工程で、画素電極１５と同じ透明導電膜、例えば、ＩＴＯ膜を用いて形成されている。ダミー画素電極１５ｄの平面的な形状および大きさや配置ピッチは、画素電極１５と同じである。
【０１１４】
周辺電極１３０は、Ｘ軸方向にもＹ軸方向にも配置されており、下層の配線層１１〜１３に設けられた配線と接続されて、外部接続用端子１０４（図８参照）に導かれている。
【０１１５】
ダミー画素電極１５ｄは、配線層１１に設けられたＴＦＴ３０に電気的に接続されている。液晶装置１００がノーマリーブラックモードの場合、実表示領域Ｅ１の画素Ｐの表示状態に関わらず、常に、電気見切り部１２０を「ブラックモード（黒表示）」とするため、ＴＦＴ３０を介して、複数のダミー画素電極１５ｄに、例えば、ダミー画素ＤＰの透過率が変化しない程度の電位が印加される。
【０１１６】
＜液晶分子のフロー（流れ）＞
図１０に示すように、液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣに電圧が印加され、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が発生し、配向が周期的に変化する。液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に、液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が発生する。
【０１１７】
液晶分子ＬＣが、垂直配向から水平配向へ変化する場合に、液晶分子ＬＣが右回転であって、液晶層５０に対して素子基板１０側に画素電極１５が配置されている場合には、左方向（−Ｘ軸方向）へ液晶のフロー（流れ）が発生する。また、液晶分子ＬＣが、水平方向から垂直配向へ変化する場合には、右方向（＋Ｘ軸方向）へ液晶のフロー（流れ）が発生する。
【０１１８】
液晶分子ＬＣが、水平配向から垂直配向へ変化するときに、液晶分子ＬＣに発生するトルクと比較して、液晶分子ＬＣが、垂直配向から水平配向へ変化するときに、液晶分子ＬＣに発生するトルクの方が大きい。そのため、液晶分子ＬＣの配向変化を繰り返すことによって、イオン性不純物は、左方向（−Ｘ軸方向）に向かって移動することになる。
【０１１９】
このようなイオン性不純物の移動により、表示領域Ｅの角部４５周辺に位置する画素Ｐにおいて、液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、この画素Ｐにおいて、駆動電位の低下を招き、表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜が、イオン性不純物を吸着しやすいので、有機配向膜に比べて、表示ムラや焼き付き現象が目立ちやすい。
【０１２０】
また、本実施形態の液晶装置１００の周辺電極１３０には、図９で説明したように、第１の期間に基準電位を中心に極性が反転する交番電位となり、第２の期間に基準電位となる信号が印加される。
【０１２１】
そのため、周辺電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３の液晶層５０中にも、液晶分子ＬＣの配向変化に伴う液晶のフロー（流れ）が発生することによって、表示領域Ｅのイオン性不純物を周辺電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３に移動させることができる。フローの速度は、画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数に依存すると考えられる。
【０１２２】
以上のことから、上記第１実施形態に係る液晶装置１００によれば、以下の効果が得られる。
（１）周辺電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３の液晶層５０中に液晶分子ＬＣの配向変化に伴う液晶のフロー（流れ）を発生させることによって、表示領域Ｅのイオン性不純物を周辺電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３に移動させる。そのため、例えば、液晶装置１００の表示領域Ｅに電気見切り部１２０などの交番電位が印加されないダミー画素領域Ｅ２が配置されている場合でも、イオン性不純物の極性によらずに、イオン性不純物を表示領域Ｅから表示領域Ｅの外側へ移動させることができる。従って、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を低減させることができる。
【０１２３】
（２）周辺電極１３０に印加される信号は、周期的であることから、周期的に液晶分子ＬＣの配向変化に伴う液晶のフロー（流れ）を発生させることによって、イオン性不純物を表示領域Ｅから表示領域Ｅの外側へ掃き寄せることができる。
【０１２４】
（３）表示領域Ｅには、画素電極１５を囲んで設けられた電気見切り部１２０を備えていることから、実表示領域Ｅ１と周辺電極１３０との間に電気見切り部１２０を設けることで、周辺電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３に移動したイオン性不純物の影響が実表示領域Ｅ１に及ぶことを低減できる。
【０１２５】
（４）基準電位は、共通電極２３の電位（ＬＣＣＯＭ）と同電位であることから、周辺電極１３０と共通電極２３との電位差によって液晶層５０に直流電圧が印加されることを抑制することができる。そのため、液晶層５０の劣化を低減することができる。
【０１２６】
（５）周辺電極１３０に交番電位が印加される第２の期間は、１ｍｓｅｃ以上１００ｍｓｅｃ以下であることから、液晶の応答速度に合わせて、周辺電極１３０に印加される電位を変化させることができる。従って、周辺電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３に液晶のフロー（流れ）を確実に形成できる。
【０１２７】
（６）周辺電極１３０に印加される基準電位と交番電位との電位差が、０．５Ｖ以上であることから、基準電位と交番電位との電位差が、０．５Ｖ未満である場合と比較して、液晶の配向変化が大きくなることから、より強い液晶のフロー（流れ）を形成することができる。そのため、イオン性不純物を表示領域Ｅから表示領域Ｅの外側へ効率的に掃き寄せることができる。
【０１２８】
［第２実施形態］
＜液晶装置の駆動方法＞
図１１は、第２実施形態に係る周辺電極、ダミー画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャートである。横軸はタイミング（時間）であり、縦軸は電位である。
【０１２９】
本実施形態に係る液晶装置１００は、第１実施形態に係る液晶装置１００と比較すると、液晶の駆動方法が異なっている。上記第１実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１３０】
本実施形態に係る液晶装置１００の駆動方法において、周辺電極１３０に印加される信号の電位は、低電位（−６Ｖ）および高電位（＋６Ｖ）の間で遷移する交番電位であり、０Ｖを基準電位として、時間とともに異なる３値の電位を段階的に遷移するようになっている。
【０１３１】
具体的には、図１１に示すように、タイミングｔ０において、液晶装置１００の電源をオンにしたとする。
周辺電極１３０の電位（以下、第２電位と呼ぶ）は、タイミングｔ０からタイミングｔ２１までにおいて、基準電位（０Ｖ）で一定となっており、タイミングｔ２１において、基準電位（０Ｖ）から第１高電位（＋２Ｖ）に遷移する。
【０１３２】
その後、第２電位は、タイミングｔ２１からタイミングｔ２２までにおいて、第１高電位（＋２Ｖ）で一定となり、タイミングｔ２２において、第１高電位（＋２Ｖ）から第２高電位（＋４Ｖ）に遷移する。
【０１３３】
その後、第２電位は、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３までにおいて、第２高電位（＋４Ｖ）で一定となり、タイミングｔ２３において、第２高電位（＋４Ｖ）から第３高電位（＋６Ｖ）に遷移する。
【０１３４】
その後、第２電位は、タイミングｔ２３からタイミングｔ２４までにおいて、第３高電位（＋６Ｖ）で一定となり、タイミングｔ２４において、第３高電位（＋６Ｖ）から第１低電位（−２Ｖ）に遷移する。
【０１３５】
その後、第２電位は、タイミングｔ２４からタイミングｔ２５までにおいて、第１低電位（−２Ｖ）で一定となり、タイミングｔ２５において、第１低電位（−２Ｖ）から第２低電位（−４Ｖ）に遷移する。
【０１３６】
その後、第２電位は、タイミングｔ２５からタイミングｔ２６までにおいて、第２低電位（−４Ｖ）で一定となり、タイミングｔ２６において、第２低電位（−４Ｖ）から第３低電位（−６Ｖ）に遷移する。
【０１３７】
その後、第２電位は、タイミングｔ２６からタイミングｔ２７までにおいて、第３低電位（−６Ｖ）で一定となり、タイミングｔ２７において、第３低電位（−６Ｖ）から基準電位（０Ｖ）に遷移し、タイミングｔ２７からタイミングｔ２８まで、基準電位（０Ｖ）で一定となる。つまり、タイミングｔ２１からタイミングｔ２８までが、周辺電極１３０に印加される信号の１周期であり、以降、この周期を繰り返す。
【０１３８】
このようにすれば、周辺電極１３０に発生する電界が滑らかになるので、交番電位を液晶分子ＬＣの応答に合わせやすくなる。そのため、イオン性不純物を円滑に移動させることが可能となる。
【０１３９】
図１１において、第２電位は、タイミングｔ２１からタイミングｔ２２までが、第１高電位（＋２Ｖ）であり、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３までが、第２高電位（＋４Ｖ）であり、タイミングｔ２３からタイミングｔ２４までが、第３高電位（＋６Ｖ）であり、タイミングｔ２４からタイミングｔ２５までが、第１低電位（−２Ｖ）であり、タイミングｔ２５からタイミングｔ２６までが、第２低電位（−４Ｖ）であり、タイミングｔ２６からタイミングｔ２７までが、第３低電位（−６Ｖ）となっているが、それぞれの電位は、これに限定されない。
【０１４０】
［第３実施形態］
＜液晶装置の駆動方法＞
図１２は、液晶層の画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャートである。図１３は、第３実施形態に係る周辺電極、ダミー画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャートである。横軸はタイミング（時間）であり、縦軸は電位である。
【０１４１】
本実施形態に係る液晶装置１００は、上記第１実施形態に係る液晶装置１００と比較すると、液晶の駆動方法が異なっている。上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１４２】
本実施形態に係る液晶装置１００の駆動方法において、周辺電極１３０に印加される信号の交番電位の振幅（２０Ｖ）は、画素電極１５に印加される信号の電位の振幅（１０Ｖ）より大きい。
【０１４３】
まず、第３実施形態に係る画素電極１５に印加される信号について具体的に説明する。図１２に示すように、画素電極１５に印加される信号は、画素電極１５がオンの状態であるとき、タイミングｔ０からタイミングｔ３１までにおいて、画素電極１５の電位は高電位（＋５Ｖ）で一定となっており、タイミングｔ３１において、高電位（＋５Ｖ）から低電位（−５Ｖ）に遷移する。
【０１４４】
その後、タイミングｔ３１からタイミングｔ３２までにおいて、画素電極１５の電位は、低電位（−５Ｖ）で一定となり、タイミングｔ３２において、低電位（−５Ｖ）から高電位（＋５Ｖ）に遷移する。
【０１４５】
つまり、タイミングｔ０からタイミングｔ３２までが、画素電極１５に印加される信号の１周期であり、以降、この周期を繰り返す。
【０１４６】
次に、第３実施形態に係る周辺電極１３０に印加される信号について具体的に説明する。図１３に示すように、タイミングｔ０において、液晶装置１００の電源をオンにしたとすると、周辺電極１３０の電位（以下、第３電位と呼ぶ）は、タイミングｔ０からタイミングｔ４１までにおいて、基準電位（０Ｖ）で一定となり、タイミングｔ４１において、基準電位（０Ｖ）から負極性（低電位、−１０Ｖ）に遷移する。
【０１４７】
その後、タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までにおいて、第３電位は、低電位（−１０Ｖ）で一定となり、タイミングｔ４２において、低電位（−１０Ｖ）から高電位（＋１０Ｖ）に遷移する。
【０１４８】
その後、タイミングｔ４２からタイミングｔ４３までにおいて、第３電位は、高電位（＋１０Ｖ）で一定となり、タイミングｔ４３において、高電位（＋１０Ｖ）から基準電位（０Ｖ）に遷移する。
【０１４９】
その後、タイミングｔ４３からタイミングｔ４４までにおいて、第３電位は、基準電位（０Ｖ）で一定となる。つまり、タイミングｔ４１からタイミングｔ４４までが、周辺電極１３０に印加される信号の１周期であり、以降、この周期を繰り返す。
【０１５０】
図１２では、タイミングｔ０からタイミングｔ３１までが、高電位＋５Ｖであり、タイミングｔ３１からタイミングｔ３２までが、低電位−５Ｖとなっているが、それぞれの電位は、これに限定されない。
【０１５１】
また、図１３では、タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までが、低電位−１０Ｖであり、タイミングｔ４２からタイミングｔ４３までが、高電位＋１０Ｖとなっているが、それぞれの電位は、これに限定されない。
【０１５２】
イオンの移動を効率的に行うためには、液晶のフローを大きくする必要がある。そのため、液晶の配向変化ができるだけ大きい方がよい。液晶の配向状態は、電極に印加される電圧で決まるため、できるだけ大きい電位を周辺電極１３０に印加することが好ましい。
【０１５３】
本実施形態では、周辺電極１３０に印加される信号の交番電位の振幅が、画素電極１５に印加される信号の電位の振幅より大きくなっていることから、液晶分子ＬＣの配向変化の速度を速くすることができる。そのため、液晶分子ＬＣに高いトルクを発生させて、液晶のフロー（流れ）を大きく形成することができる。その結果、イオン性不純物を表示領域Ｅから表示領域Ｅの外側へ効率的に掃き出させることができる。
【０１５４】
［第４実施形態］
＜電子機器＞
次に、第４実施形態に係る電子機器としての投射型表示装置について、図１４を参照して説明する。図１４は、第４実施形態に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１５５】
図１４に示すように、本実施形態に係る電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７と、を備えている。
【０１５６】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３と、を含んで構成されている。
【０１５７】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１５８】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して、液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
【０１５９】
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
【０１６０】
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１６１】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０１６２】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。
合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によって、スクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１６３】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した周辺電極１３０を有する液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とに、クロスニコルに配置された一対の偏光素子が、隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１６４】
このような投射型表示装置１０００は、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第１実施形態から第３実施形態までに説明した液晶装置１００が備えられているので、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不具合が改善され、優れた表示品質で画像を投射することができる。
【０１６５】
本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨または思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置、およびこの液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１６６】
（変形例１）
上記実施形態に係る周辺電極１３０を適用可能な液晶装置１００は、ＶＡ方式に限定されず、ＩＰＳ（Ｉｎ  Plane  Switching）方式やＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式、または、ＯＣＢ（Optically  Compensated  Birefringence）方式にも適用することができる。
【０１６７】
また、上記実施形態に記載した液晶装置は、第４実施形態で説明した電子機器としての透過型の投射型表示装置１０００に限らず、反射型表示装置においても適用することができる。上記実施形態に記載した液晶装置を反射型表示装置に適用する場合には、画素電極１５を光反射性の、例えば、Ａｌ、またはＡｌを含む合金を用いて形成してもよい。
【０１６８】
このような反射型表示装置によれば、反射型の液晶装置を液晶ライトバルブに用いているので、明るい画像を投射可能であると共に、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する反射型の投射型表示装置を提供できる。
【０１６９】
（変形例２）
また、上記実施形態または変形例に記載した液晶装置を適用可能な電子機器は、上記第４実施形態で説明した投射型表示装置１０００に限定されない。
【０１７０】
例えば、上記実施形態または変形例に記載した液晶装置は、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの電子機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１７１】
１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、１５ｄ…ダミー画素電極、２０…第２基板としての対向基板、２３…対向電極としての共通電極、４０…シール材、４５…角部、５０…液晶層、１００…液晶装置、１２０…電気見切り部、１３０…周辺電極、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…表示領域、Ｅ１…実表示領域、Ｅ２…ダミー画素領域、Ｅ３…見切り領域、ＬＣ…液晶分子、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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