(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を備えた太陽電池の仕掛品を保持して持ち上げるべき試料とするものであり、前記試料と対向する試料保持面を有し、前記試料保持面と試料との間に気体を流すことによって負圧を生じさせ、当該負圧によって試料を試料保持面側に吸引し、試料を試料保持面に近接した位置に保持する試料保持装置であって、試料が試料保持面の面方向に移動することを阻止する位置決め部材を有し、前記位置決め部材は前記試料保持面の周部に設けられており、前記位置決め部材は試料を保持した状態の際又は試料がずれた際に試料の一部と接触する接触部を有する試料保持装置において、次の部位が丸みを帯びているか面取り形状であることを特徴とする試料保持装置。
（１）接触部または接触部となだらかに連続する部位の試料保持面から遠い側の端部。
（２）接触部の背面側に外向部があり、当該外向部の先端側の端部。
（３）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記天地向き部と側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部。
（４）接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記外向部と天地向き部と側部とによって構成されるコーナー部。
【請求項２】
次の部位が丸みを帯びているか面取り形状であることを特徴とする請求項１に記載の試料保持装置。
（５）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部。
（６）接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記外向部と側部とによって構成されるコーナー部。
【請求項３】
半導体基板を備えた太陽電池の仕掛品を保持して持ち上げるべき試料とするものであり、前記試料と対向する試料保持面を有し、前記試料保持面と試料との間に気体を流すことによって負圧を生じさせ、当該負圧によって試料を試料保持面側に吸引し、試料を試料保持面に近接した位置に保持する試料保持装置であって、試料が試料保持面の面方向に移動することを阻止する位置決め部材を有し、前記位置決め部材は前記試料保持面の周部に設けられており、前記位置決め部材は試料を保持した状態の際又は試料がずれた際に試料の一部と接触する接触部を有する試料保持装置において、次の部位が丸みを帯びているか面取り形状であることを特徴とする試料保持装置。
（１）接触部または接触部となだらかに連続する部位の試料保持面から遠い側の端部。
（２）接触部の背面側に外向部があり、当該外向部の先端側の端部。
（５）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部。
（６）接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記外向部と側部とによって構成されるコーナー部。
【請求項４】
位置決め部材は立体的形状であって接触部を構成する接触面を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の試料保持装置。
【請求項５】
接触部は、試料保持面側に向かって傾斜した傾斜面であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の試料保持装置。
【請求項６】
接触部は、動摩擦係数が０．２未満の素材で作られていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の試料保持装置。
【請求項７】
保持すべき対象とする試料の半導体基板がシリコン基板であり、その厚さが５０μｍ乃至２００μｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の試料保持装置。
【請求項８】
半導体基板を備えた太陽電池の製造方法であって、太陽電池の仕掛品たる仕掛太陽電池基板を、請求項１乃至７のいずれかに記載の試料保持装置で保持する基板保持工程を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項９】
基板保持工程の後に、当該基板に透明導電膜を製膜する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
太陽電池が封止材で封止された太陽電池モジュールを製造する太陽電池モジュールの製造方法において、前記太陽電池が請求項８又は９に記載の太陽電池の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベルヌーイ効果を利用した試料保持装置に関するものである。また本発明は、太陽電池の製造方法に関するものである。また本発明は、太陽電池モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
工業製品の製造過程においては、ワークや原材料等の試料を持ち上げたり、試料を装置間に載せ代える工程が多くある。
試料を持ち上げたり装置間に載せ代える場合には、試料を掴む必要があり、そのための装置として試料保持装置がある。【０００３】
試料保持装置には、マジックハンドで物理的に挟む形式のもの、磁力を利用した磁気チャック、真空を利用した真空パッド、ベルヌーイ効果を利用したベルヌーイチャック等が知られている。
ベルヌーイチャックは、シートや基板の様な薄く且つ平滑な試料を保持して持ち上げるのに適している。またベルヌーイチャックは、理論的には非接触で試料を保持することができるので、試料の表面への油膜の付着や、汚れの付着、凹凸変化を来す等の弊害がない。そのためベルヌーイチャックによって保持された試料は保持によるダメージが小さく、後工程にスパッタ工程やメッキ工程を有する様な場合に好適に使用される。【０００４】
しかしその一方で、ベルヌーイチャックは吸着力が真空パット等に比べて劣り、特に面方向の保持力が弱いという欠点がある。
即ちベルヌーイチャックは、保持すべき試料と対向する試料保持面を有し、試料保持面と試料との間に気体を流すことによって負圧を生じさせ、大気圧との差によって試料を試料保持面側に吸着するものである。
ベルヌーイチャックでは、試料保持面と試料との間に空気流が必要であり、試料保持面と試料との間に空気が通過する空間が存在しなければならず、試料の全面を試料保持面に押しつけることができない。
また試料保持面と試料との間の空間に、試料の面方向の移動を阻止する係合部を作ることは困難である。【０００５】
そこで特許文献１に、試料保持面の周面に位置決め部材が設けられたベルヌーイチャックが提案されている。
特許文献１に開示されたベルヌーイチャック３００では、図１５の様に位置決め部材３０１が試料保持面３０２の周面に間隔を空けて設けられている。
特許文献１に開示された位置決め部材３０１は、断面形状が図１５の様に三角形であり、傾斜面を有している。特許文献１に開示された位置決め部材３０１は、先端部３０３が尖っている。
なお特許文献１に開示されたベルヌーイチャック３００は、試料３０５を保持して回転させるものであり、試料３０５を持ち上げるものではない。そのため試料保持面３０２は上向きであり、位置決め部材３０１も上向きに設けられている。【０００６】
また近年、環境負荷の低いエネルギー源として太陽電池が注目されている。
太陽電池は、半導体接合等からなる光電変換部を内蔵している。
太陽電池等の半導体基板やガラス基板を運搬する場合に、ベルヌーイチャックが利用され、ベルヌーイチャックで半導体基板等を吸着保持し、半導体基板等を持ち上げて運搬する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１２９５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記した様に、ベルヌーイチャックは非接触状態で半導体基板を吸着保持することができるから、半導体基板の表面にキズや油膜、汚れの付着、凹凸変化を起こさないはずである。
しかしながら、本出願人の試作工場でベルヌーイチャックを試作し、半導体基板を持ち上げて一つの装置から次工程の装置に載せ代え、太陽電池を量産試作したところ、いくつかの太陽電池に微小なキズが生じた。キズは、太陽電池の仕掛かり品の段階では目視では気づかない。ただし前記したキズは、最終製品となった際に目視で確認できる。【０００９】
調査の結果、このキズは、ベルヌーイチャックで試料たる半導体基板を吸着する際に、位置決め部材３０１に当たって生じるものであった。
以下説明する。
本発明者らが試作したベルヌーイチャック２００の形状は、概ね図１３の通りである。本発明者らが試作したベルヌーイチャック２００では、半導体基板（具体的には結晶シリコン基板）１０をベルヌーイチャックで保持した際における試料の面方向の移動を防止するため、図１３の様に試料保持面２０１の周囲に位置決め部材２０２を配置した。位置決め部材２０２の形状は、特許文献１の構造を参考にした。即ち特許文献１に開示されたベルヌーイチャック３００は、試料を持ち上げるものではなく、用途は違うが、本試作の位置決め部材２０２を設計する際に参考にした。【００１０】
位置決め部材２０２の有効部分Ｍの断面形状は、図１３の拡大図の様に五角形である。
位置決め部材２０２は、立体的な部材であり、試料保持面２０１よりも下側に突出する有効部分Ｍは、図１３，１４の様に、内向面Ａと、外向面Ｂと、天地向き面Ｃと、側面Ｄによって囲まれている。
内向面Ａは、内側（試料保持面２０１側）に向く面である。外向面Ｂは、内向面Ａの背面側を構成する面であり、外側（試料保持面２０１に対して反対側）に向く面である。
天地向き面Ｃは、内向面Ａと外向面Ｂとをつなぎ試料保持面２０１と平行に広がる面である。
側面Ｄは、内向面Ａ、外向面Ｂ及び天地向き面Ｃとを繋ぐ面であり、試料保持面２０１に対して垂直に交差する方向に広がる面である。
前記した内向面Ａは、半導体基板１０の端辺が接触する傾斜状の接触面Ａａと、試料保持面２０１の辺部と接触面Ａａとを繋ぐ空間形成壁面Ａｂとによって構成されている。空間形成壁面Ａｂは、試料保持面２０１に対して垂直であり、接触面Ａａとは異なる平面である。
従ってより正確には、位置決め部材２０２の有効部分Ｍは、接触面Ａａ、空間形成壁面Ａｂ、外向面Ｂと、天地向き面Ｃと、側面Ｄによって囲まれている。【００１１】
そのため、隣接する２面が接する部分は、稜線状となる。試作品の位置決め部材２０２では、次の６種類の稜線が存在する。
（１）接触面Ａａと空間形成壁面Ａｂとが接する稜線Ａａ−Ａｂ
（２）接触面Ａａと天地向き面Ｃとが接する稜線Ａａ−Ｃ
（３）外向面Ｂと天地向き面Ｃとが接する稜線Ｂ−Ｃ
（４）内向面Ａと側面Ｄとが接する２列の稜線Ａ−Ｄ
（５）外向面Ｂと側面Ｄとが接する２列の稜線Ｂ−Ｄ
（６）天地向き面Ｃと側面Ｄとが接する２列の稜線Ｃ−Ｄ
ただし空間形成壁面Ａｂは、接触面Ａａとは異なる平面であるから、内向面Ａと側面Ｄとが接する２列の稜線Ａ−Ｄは、折れ曲がっている。そのため正確には、稜線Ａ−Ｄは、空間形成壁面Ａｂと側面Ｄとが接する稜線Ａｂ−Ｄと、接触面Ａａと側面Ｄとが接する稜線Ａａ−Ｄとに分かれている。【００１２】
また３面が接する位置には角部ができる。試作品の位置決め部材２０２では、次の３個の角部がある。
（７）接触面Ａａと天地向き面Ｃと側面Ｄによる２つの角部Ａａ−Ｃ−Ｄ
（８）外向面Ｂと天地向き面Ｃと側面Ｄとによる２つの角部Ｂ−Ｃ−Ｄ
（９）接触面Ａａと空間形成壁面Ａｂと側面Ｄとによる２つの角部Ａａ−Ａｂ−Ｄ【００１３】
試作した位置決め部材２０２では、６種類の稜線と、３種類の角部がいずれも尖ったものであった。
即ち接触面Ａａと空間形成壁面Ａｂとはなだらかに繋がっているとはいえず、両者の間の稜線Ａａ−Ａｂは角張っている。
言い換えると、接触部（接触面Ａａ）の試料保持面Ａｂ側の端部は角張っている。【００１４】
また接触面Ａａと天地向き面Ｃとの間の稜線Ａａ−Ｃも角張っている。言い換えると、接触部（接触面Ａａ）の試料保持面２０１から遠い側の端部（稜線Ａａ−Ｃ）は角張っている。【００１５】
また外向面Ｂと天地向き面Ｃとが接する稜線Ｂ−Ｃも角張っている。言い換えると外向面Ｂの試料保持面２０１から遠い側の端部（稜線Ｂ−Ｃ）も角張っている。さらに言い換えると、外向面Ｂの先端側の端部（稜線Ｂ−Ｃ）も角張っている。【００１６】
さらに内向面Ａと各側面Ｄとが接する２列の稜線Ａ−Ｄも角張っている。言い換えると内向面Ａと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（稜線Ａ−Ｄ）も角張っている。【００１７】
また外向面Ｂと、側面Ｄとが接する２列の稜線Ｂ−Ｄも角張っている。言い換えると外向面Ｂと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（稜線Ｂ−Ｄ）も角張っている。【００１８】
また天地向き面Ｃと側面Ｄとが接する稜線Ｃ−Ｄも角張っている。言い換えると天地向き面Ｃと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（稜線Ｃ−Ｄ）も角張っている。【００１９】
また接触面Ａａと天地向き面Ｃと側面Ｄによる角部Ａａ−Ｃ−Ｄも角張っている。言い換えると接触面Ａａと天地向き面Ｃと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（角部Ａａ−Ｃ−Ｄ）も角張っている。【００２０】
外向面Ｂと天地向き面Ｃと側面Ｄとによる角部Ｂ−Ｃ−Ｄも角張っている。言い換えると外向面Ｂと天地向き面Ｃと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（角部Ｂ−Ｃ−Ｄ）も角張っている。【００２１】
接触面Ａａと空間形成壁面Ａｂと側面Ｄとによる角部Ａａ−Ａｂ−Ｄも角張っている。言い換えると稜線Ａａ−Ａｂと、側面Ｄとの交差部（角部Ａａ−Ａｂ−Ｄ）も角張っている。【００２２】
即ち本発明者らが試作した位置決め部材２０２は、異なる平面によって囲まれた立体形状であるが、隣接する面は、いずれもなだらかに繋がっているとは言えず、面同士の接合部が角張っている。【００２３】
一方、半導体基板１０をベルヌーイチャック２００で保持する際、ロボット等によってベルヌーイチャック２００を半導体基板１０に近づけ、中央の孔２２３から空気を流して半導体基板１０と試料保持面２０１の間に空気流を形成して両者の間を負圧にし、半導体基板１０を試料保持面２０１側に吸い寄せる。
ここでベルヌーイチャック２００を半導体基板１０に近づける際、半導体基板１０の中心と、試料保持面２０１の中心が合致し、且つ半導体基板１０のＸ方向軸とＹ方向軸が、試料保持面２０１のｘ方向軸とｙ方向軸それに合致した状態であるべきであるが（図１参照）、これらが多少ずれている場合もある。そのため半導体基板１０を試料保持面２０１側に吸い寄せる際に、半導体基板１０が位置決め部材２０２の傾斜状の接触面Ａａ以外の部分と接触する場合がある。【００２４】
また中心軸やＸ方向軸、Ｙ方向軸が合致していたとしても、半導体基板１０が浮き上がる際に姿勢が傾き、半導体基板１０が位置決め部材２０２の接触面Ａａ以外の部分と接触する場合がある。
そして半導体基板１０が位置決め部材２０２の接触面Ａａ以外の部分であって、角張っている部分と接触すると、半導体基板１０が擦れて僅かにダメージを受け、後工程で不具合を生じさせるのであった。
また半導体基板１０の面積がある程度大きく、且つ薄い場合に、ベルヌーイチャック２００で保持する際のダメージが大きい傾向があった。即ち半導体基板１０の面積がある程度大きく、且つ薄い場合には半導体基板１０が撓みやすい。そして半導体基板１０が撓む場合、半導体基板１０が角張った部分に当たった際に逃げにくく、ダメージを受ける面積が広がる傾向にあった。
特に結晶シリコン基板を用いた場合にこの傾向が顕著であり、半導体基板１０が角張った部分に当たった際に逃げにくく、ダメージを受ける面積が広がりやすい。
例えばヘテロ接合を有した結晶シリコン基板を備えた太陽電池であって、摂氏２００度を超えない程度の低温プロセスで生産されるヘテロ接合太陽電池では、加熱工程におけるダメージ緩和効果があまり期待できないので、ベルヌーイチャック２００で保持する際のダメージが大きいという問題があった。【００２５】
そこで本発明は、上記した問題を解決することを課題とするものであり、半導体基板１０等の試料を傷つけることのない試料保持装置を提供することを課題とするものである。また試料保持装置を使用した太陽電池の製造方法、及び太陽電池モジュールの製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記した課題を解決するための態様は、半導体基板を備えた太陽電池の仕掛品を保持して持ち上げるべき試料とするものであり、前記試料と対向する試料保持面を有し、前記試料保持面と試料との間に気体を流すことによって負圧を生じさせ、当該負圧によって試料を試料保持面側に吸引し、試料を試料保持面に近接した位置に保持する試料保持装置であって、試料が試料保持面の面方向に移動することを阻止する位置決め部材を有し、前記位置決め部材は前記試料保持面の周部に設けられており、前記位置決め部材は試料を保持した状態の際又は試料がずれた際に試料の一部と接触する接触部を有する試料保持装置において、次の部位が丸みを帯びているか面取り形状であることを特徴とする試料保持装置である。
（１）接触部または接触部となだらかに連続する部位の試料保持面から遠い側の端部。
（２）接触部の背面側に外向部があり、当該外向部の先端側の端部。
なお「接触部の背面側に外向部があり、当該外向部の先端側の端部」は、「接触部の背面側に外向部があり、当該外向部の試料保持面から遠い側の端部」である。【００２７】
また同様の課題を解決する他の態様は、半導体基板を備えた太陽電池の仕掛品を保持して持ち上げるべき試料とするものであり、前記試料と対向する試料保持面を有し、前記試料保持面と試料との間に気体を流すことによって負圧を生じさせ、当該負圧によって試料を試料保持面側に吸引し、試料を試料保持面に近接した位置に保持する試料保持装置であって、試料が試料保持面の面方向に移動することを阻止する位置決め部材を有し、前記位置決め部材は前記試料保持面の周部に設けられており、前記位置決め部材は試料を保持した状態の際又は試料がずれた際に試料の一部と接触する接触部を有する試料保持装置において、次のいずれかの部位が丸みを帯びているか面取り形状であることを特徴とする試料保持装置である。
（１）接触部または接触部となだらかに連続する部位の試料保持面側の端部。
（２）接触部または接触部となだらかに連続する部位の試料保持面から遠い側の端部。
（３）接触部の背面側に外向部があり、当該外向部の先端側の端部。
（４）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部。
（５）接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記外向部と側部とによって構成されるコーナー部。
（６）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向に広がる側部とを有し、前記天地向き部と側部とによって構成されるコーナー部。
（７）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記天地向き部と側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部。
（８）接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記外向部と天地向き部と側部とによって構成されるコーナー部。
（９）接触部または接触部となだらかに連続する部位の試料保持面側の端部が連なる稜線と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記稜線と側部との交差部。【００２８】
ここで「半導体基板を備えた太陽電池の仕掛品」とは、シリコンウェハその他の半導体基板の単体、太陽電池の仕掛品たるシリコンウェハその他の半導体基板の単体、半導体基板に何らかの層が積層された基板、半導体基板に何らかの層が積層された基板であって太陽電池の仕掛品」を含む概念である。
なお半導体基板として結晶シリコンを用いる場合に特に破損が生じやすいため本態様の構成として好ましく、結晶シリコンを使用する場合としては、結晶系太陽電池（拡散型）やヘテロ接合太陽電池があるが、ヘテロ接合太陽電池はシリコン系薄膜層を製膜するため、より衝撃等に敏感であるので、本態様を用いることがより好ましい。
即ちヘテロ接合を有した結晶シリコン基板を備えた太陽電池であって、摂氏２００度を超えない程度の低温プロセスで生産されるヘテロ接合太陽電池では、加熱工程におけるダメージ緩和効果があまり期待できない。この様にヘテロ接合太陽電池は、ベルヌーイチャックで保持する際のダメージが残りやすいという問題があったので、本態様を用いることがより好ましい。
前記した態様は、試料が接触する可能性が高い部位を丸みを帯びた形状にするか、あるいは面取り形状としたものである。
そのため例え試料が接触しても、試料を傷つけることはない。【００２９】
位置決め部材は立体的形状であって接触部を構成する接触面を有することが望ましい。【００３０】
本態様によると、試料と位置決め部材とが線接触することとなり、試料に局所的な力が加わらない。【００３１】
接触部は、試料保持面側に向かって傾斜した傾斜面であることが望ましい。【００３２】
本態様では、接触部は、試料保持面側に向かって傾斜した傾斜面であるから、試料が試料保持面側に吸い寄せられた際に、試料と試料保持面との平行性が維持される。【００３３】
接触部は、動摩擦係数が０．２未満の素材で作られていることが望ましい。【００３４】
本態様の試料保持装置は、接触部の動摩擦係数が小さいので、試料が接触して擦れても試料にダメージを与えない。【００３５】
保持すべき対象とする試料がシリコン基板であり、その厚さが５０μｍ乃至２００μｍであることが望ましい。【００３６】
シリコン基板が５０μｍ乃至２００μｍである場合は撓みやすく、位置決め部材と接触した際にダメージを受けやすい。しかし本態様の試料保持装置によると厚さが５０μｍ乃至２００μｍのシリコン基板であっても、保持した際に接触してもダメージを受けにくい。シリコン基板が５０μｍ乃至１７０μｍである場合がより好ましく、５０μｍ乃至１５０μｍ以下の場合がさらに好ましい。【００３７】
次の部位が丸みを帯びているか面取り形状であることが望ましい。
（１）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記天地向き部と側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部。
（２）接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記外向部と天地向き部と側部とによって構成されるコーナー部。【００３８】
次の部位が丸みを帯びているか面取り形状であることが望ましい。
（１）接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部。
（２）接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記外向部と側部とによって構成されるコーナー部。【００３９】
太陽電池の製造方法に関する態様は、半導体基板又は半導体層を備えた太陽電池の製造方法であって、太陽電池の仕掛品たる仕掛太陽電池基板を、前記した試料保持装置で保持する基板保持工程を有することを特徴とする太陽電池の製造方法である。【００４０】
本態様によると、太陽電池パネルの歩留りが向上する。【００４１】
基板保持工程の後に、当該基板に透明導電膜を製膜する工程を有することが望ましい。      【００４２】
本発明者らの経験によると、透明導電膜を製膜する工程で不具合が生じやすい。この経験則から透明導電膜を製膜する前の工程に基板保持工程がある場合、本態様の試料保持装置を使用することが望ましい。さらにその後にめっきをした際に、傷があると不所望の部分にめっきが析出されてしまうが、本態様の工程を経た後でめっきした場合は不所望の部分にめっきが析出されることが抑制できる。【００４３】
太陽電池が封止材で封止された太陽電池モジュールを製造する太陽電池モジュールの製造方法においては、前記太陽電池が前記した太陽電池の製造方法によって製造されたものであることが望ましい。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の試料保持装置は、試料にダメージを与えることが少ないという効果がある。また本発明の太陽電池の製造方法によれば、太陽電池の歩留りが向上する。本発明の太陽電池モジュールの製造方法によれば、太陽電池モジュールの歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態の試料保持装置及び試料たる半導体基板の斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図及びその一部拡大図である。
【図３】図１の試料保持装置の位置決め部材の斜視図であり、（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれ見る角度が異なる。
【図４】本発明の他の実施形態の試料保持装置の一部断面拡大図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態の試料保持装置の一部断面拡大図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態の試料保持装置の一部断面拡大図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態の試料保持装置の一部断面拡大図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態の試料保持装置の一部断面拡大図である。
【図９】太陽電池の断面図である。
【図１０】図９の太陽電池を製造する際の各製造工程の説明図であり、（ａ）は各シリコン層を形成した後の断面図であり、（ｂ）は各透明電極層を形成した後の断面図であり、（ｃ）は下地電極層を形成した後の断面図である。
【図１１】太陽電池モジュールの斜視図である。
【図１２】図１１の太陽電池モジュールの分解斜視図である。
【図１３】本発明者らが試作した試料保持装置の断面図及びその一部拡大図である。
【図１４】図１３の試料保持装置の位置決め部材の斜視図であり、（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれ見る角度が異なる。
【図１５】特許文献１に開示された試料保持装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
本実施形態の試料保持装置１は、ベルヌーイチャックであり、本体部２と、位置決め部材３によって構成されている。
本体部２は、略正方形の板であり、中心部に空気導入管４が接続されている。空気導入管４は、公知のベルヌーイチャックと同様、図２の様に、図面上部側から下部側に連通している。
本体部２の図面下面側は、平坦面であり、試料保持面５として機能する。
試料保持面５の面積は、試料たる半導体基板１０の面積よりもやや小さい。なお半導体基板１０は、太陽電池の仕掛品である。半導体基板１０は、厚さが５０μｍ乃至２００μｍであって外力を受けると撓む。なお基板１０の一方又は双方にテクスチャがある場合は、前記した厚さは、テクスチャの突端を基準として測定したものである。
【００４７】
本実施形態では、本体部２の各辺に位置決め部材３が一個ずつ設けられている。
位置決め部材３は、摩擦係数が０．２未満の樹脂によって作られたものである。
位置決め部材３の素材としては、４フッ化エチレン樹脂（ＰＩＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）、超高分子ポリエチレン樹脂（ＵＰＥ）、硬質ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ポリアセタール樹脂（ＰＯＭ）等が挙げられる。
最も推奨される素材は、摩擦係数がより小さい４フッ化エチレン樹脂（ＰＩＦＥ）である。
位置決め部材３の形状は、概ね前記した試作品の位置決め部材２０２と同一である。そのため同一の部位には同一の番号を付している。
本実施形態の位置決め部材３が試作品の位置決め部材２０２と異なる点は、角張った部分が無いという点である。即ち本実施形態で採用する位置決め部材３は、コーナー部や面同士が接する部分がいずれも丸みを帯びている。
【００４８】
より具体的には、Ｒ２以上のアールが設けられている。より好ましくはＲ５以上のアールであるが、Ｒ１以上であれば発明の効果を期待できる。
【００４９】
即ち位置決め部材３は、立体的な部材であり、試料保持面５よりも下側に突出する有効部分は、図２の様に内側（試料保持面５側）に向く内向面Ａと、外側（試料保持面５に対して反対側）に向く外向面Ｂと、内向面Ａと外向面Ｂとをつなぎ試料保持面５と平行に広がる天地向き面Ｃと、内向面Ａ、外向面Ｂ及び天地向き面Ｃと繋ぐ側面Ｄによって囲まれている。外向面Ｂは内向面（接触部を含む）Ａに対して背面側にある。
位置決め部材３の有効部分Ｍの断面形状は、図２の拡大図の様に五角形である。
【００５０】
内向面Ａは、傾斜面Ａａと、空間形成壁面Ａｂとによって構成されている。空間形成壁面Ａｂは、傾斜面Ａａと試料保持面５の辺部とを繋ぐ平面である。
傾斜面Ａａの傾斜方向は、試料保持面５側に向かっている。即ち傾斜面Ａａと空間形成壁面Ａｂとのなす角度は鈍角である。従って本実施形態では、本体部２の各辺に位置決め部材３が一個ずつ設けられているが、試料保持面５と平行であって全ての位置決め部材３の傾斜面Ａａで囲まれる四角形の面積は、試料保持面５に近づくほど小さくなる。本実施形態では、傾斜面Ａａは平面であって湾曲してはいない。即ち一つの位置決め部材３の傾斜面Ａａと対向する位置にある位置決め部材３の傾斜面Ａａは、試料保持面５側に向かってテーパー状に収束する。
【００５１】
本実施形態では、傾斜面Ａａは、その一部または全部が接触面（接触部）である。即ち接触面（接触部）は、試料たる半導体基板１０を保持した状態の際又は半導体基板１０がずれた際に半導体基板１０の一部と接触する部分である。半導体基板１０が接触し得るか否かは、半導体基板１０の大きさや形状との関係があり、傾斜面Ａａの全てが接触面（接触部）であるとは言えない。しかしながら本実施形態では、傾斜面Ａａは、一つの平面を形成しているから、どこまでが接触面（接触部）であり、どこからが違うのかを限定しても実質的な利益はない。少なくとも傾斜面Ａａは、「接触部または接触部となだらかに連続する部位」である。
以下、混乱を避けるため、傾斜面Ａａの全部が接触面（接触部）であるとして説明する。
【００５２】
本実施形態で採用する位置決め部材３の形状は、前記した様に、概ね前記した試作品の位置決め部材２０２と同一である。そのため本実施形態の位置決め部材３についても次の６種類の稜線が存在する。
（１）接触面Ａａと空間形成壁面Ａｂとが接する稜線Ａａ−Ａｂ
（２）接触面Ａａと天地向き面Ｃとが接する稜線Ａａ−Ｃ
（３）外向面Ｂと天地向き面Ｃとが接する稜線Ｂ−Ｃ
（４）内向面Ａと側面Ｄとが接する２列の稜線Ａ−Ｄ
（５）外向面Ｂと側面Ｄとが接する２列の稜線Ｂ−Ｄ
（６）天地向き面Ｃと側面Ｄとが接する２列の稜線Ｃ−Ｄ
また空間形成壁面Ａｂは、接触面Ａａとは異なる平面であるから、内向面Ａと二つの側面Ｄとが接する２列の稜線Ａ−Ｄは、折れ曲がっている。そのため正確には、稜線Ａ−Ｄは、空間形成壁面Ａｂと側面Ｄとが接する稜線Ａｂ−Ｄと、接触面Ａａと側面Ｄとが接する稜線Ａａ−Ｄとに分かれている。
【００５３】
本実施形態の位置決め部材３についても３面が接する位置には角部ができる。本実施形態の位置決め部材３についても次の３種類の角部がある。
（７）接触面Ａａと天地向き面Ｃと二つの側面Ｄによる２つの角部Ａａ−Ｃ−Ｄ
（８）外向面Ｂと天地向き面Ｃと二つの側面Ｄとによる２つの角部Ｂ−Ｃ−Ｄ
（９）接触面Ａａと空間形成壁面Ａｂと二つの側面Ｄとによる２つの角部Ａａ−Ａｂ−Ｄ
【００５４】
前記した空間形成壁面Ａｂは、試料保持面５に対して垂直であり、傾斜面（接触面）Ａａとは異なる平面である。即ち傾斜面Ａａと空間形成壁面Ａｂにはコーナー部（稜線）Ａａ−Ａｂがある。しかしながら本実施形態では、コーナー部Ａａ−Ａｂにアールが形成されている。
言い換えると、接触部（傾斜面Ａａ）の試料保持面５側の端部は丸みを帯びている。
【００５５】
また接触面Ａａと天地向き面Ｃとの間の稜線Ａａ−Ｃも丸みを帯びている。言い換えると、接触部（接触面Ａａ）の試料保持面５から遠い側の端部（稜線Ａａ−Ｃ）は丸みを帯びている。
【００５６】
また外向面Ｂと天地向き面Ｃとが接する稜線Ｂ−Ｃも丸みを帯びている。言い換えると外向面Ｂの試料保持面５から遠い側の端部（稜線Ｂ−Ｃ）も丸みを帯びている。さらに言い換えると外向面Ｂの先端側の端部（稜線Ｂ−Ｃ）も丸みを帯びている。
【００５７】
さらに内向面Ａと二つの側面Ｄとが接する２列の稜線Ａ−Ｄも丸みを帯びている。言い換えると内向面Ａと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（稜線Ａ−Ｄ）も丸みを帯びている。
【００５８】
また外向面Ｂと、側面Ｄとが接する２列の稜線Ｂ−Ｄも丸みを帯びている。言い換えると外向面Ｂと側面Ｄとによって構成される各コーナー部（稜線Ｂ−Ｄ）も丸みを帯びている。
【００５９】
また天地向き面Ｃと二つの側面Ｄとが接する稜線Ｃ−Ｄも丸みを帯びている。言い換えると天地向き面Ｃと側面Ｄとによって構成される各コーナー部（稜線Ｃ−Ｄ）も丸みを帯びている。
【００６０】
また接触面Ａａと天地向き面Ｃと側面Ｄによる角部Ａａ−Ｃ−Ｄも丸みを帯びている。言い換えると接触面Ａａと天地向き面Ｃと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（角部Ａａ−Ｃ−Ｄ）も丸みを帯びている。
【００６１】
外向面Ｂと天地向き面Ｃと側面Ｄとによる角部Ｂ−Ｃ−Ｄも丸みを帯びている。言い換えると外向面Ｂと天地向き面Ｃと側面Ｄとによって構成されるコーナー部（角部Ｂ−Ｃ−Ｄ）も丸みを帯びている。
【００６２】
接触面Ａａと空間形成壁面Ａｂと側面Ｄとによる角部Ａａ−Ａｂ−Ｄも丸みを帯びている。言い換えると稜線Ａａ−Ａｂと、側面Ｄとの交差部（角部Ａａ−Ａｂ−Ｄ）も丸みを帯びている。
【００６３】
即ち本実施形態で採用する位置決め部材３は、異なる平面によって囲まれた立体形状であるが、隣接する面は、いずれもなだらかに繋がっている。
【００６４】
また本実施形態で採用する位置決め部材３は、異なる平面によって囲まれた立体形状であるが、隣接する面は、丸みを帯びた面で繋がっており、面同士の接合部が丸みを帯びている。
【００６５】
本実施形態の試料保持装置１で半導体基板１０を保持し、持ち上げる場合、ロボット等によって試料保持装置１を半導体基板１０に近づけ、中央の孔１７から空気を流して半導体基板１０と試料保持面５の間に空気流を形成して両者の間を負圧にし、半導体基板１０を試料保持面５側に吸い寄せる。
ここで試料保持装置１を半導体基板１０に近づける際、半導体基板１０の中心と、試料保持面５の中心や、半導体基板１０のＸ方向軸とＹ方向軸が、試料保持面５のそれと合致していない場合もあるが、本実施形態では、一つの位置決め部材３の傾斜面Ａａと対向する位置にある位置決め部材３の傾斜面Ａａは、試料保持面５側に向かってテーパー状に収束する形状となっているから、半導体基板１０が試料保持面５側に引き寄せられる際に、半導体基板１０と試料保持面５の中心が次第に一致し、両者のＸ方向軸とＹ方向軸も一致してゆく。
【００６６】
また試料保持装置１で半導体基板１０を保持する際に、半導体基板１０が位置決め部材３のコーナー部（稜線や角部）に当たる場合があるが、本実施形態では、各コーナー部にアールが設けられているので、半導体基板１０に掻き傷を付けることはない。また位置決め部材３は、摩擦係数が小さいから、半導体基板１０が当たっても半導体基板１０が滑り、半導体基板１０のダメージは小さい。
【００６７】
以上説明した実施形態では、位置決め部材３の有効部分Ｍの断面形状が、図２の拡大図の様に五角形であったが、位置決め部材３の有効部分Ｍの断面形状はこの形状に限定されるものではない。
例えば図４の様に断面形状が台形であってもよい。図４に示す位置決め部材３０では、試料保持面５よりも下側に突出する有効部分Ｍは、内向面Ａと、外側（試料保持面５に対して反対側）に向く外向面Ｂと、内向面Ａ、外向面Ｂを繋ぐ側面（図示せず）によって囲まれており、天地向き面はない。そして内向面Ａに傾斜面（接触部）Ａａがある。傾斜面（接触部）Ａａの試料保持面５から遠い側の端部（コーナー部２０）は丸みを帯びている。即ち稜線Ａａ−Ｂは丸みを帯びている。
前記した実施形態と同一の構成部分には同一の符号を付して重複した説明を省略する。以下の実施形態についても同様である。
【００６８】
図５に示す位置決め部材３１は、肉厚が厚く、傾斜面（接触部）Ａと外向面Ｂとの間隔が広い例を示している。本実施形態においても傾斜面（接触部）Ａの試料保持面５から遠い側の端部（コーナー部２０）は丸みを帯びている。即ち稜線Ａａ−Ｂは丸みを帯びている。
【００６９】
また上記した実施形態では、接触部Ａはいずれも傾斜した平面であったが、図６に示す位置決め部材３２の様に円弧面状の傾斜面Ｅであってもよい。
【００７０】
また上記した実施形態では、コーナー部（稜線と角部）をいずれも円弧面で繋いだ例を示したが、図７の様に多角形でコーナー部を形成してもよい。また図８の様に面取り部であってもよい。ただし円弧面に代わって面取り形状とする場合は、隣接する各面のなす角度が、１８０度に近い鈍角である必要がある。例えば隣接する各面のなす角度θ（シータ）が、１６０度以上であることが望ましい。
【００７１】
以上説明した実施形態では、位置決め部材３の有効部分Ｍに角張った部位が全く無い。この様に角張った部位が全く無い構成が最も推奨されるが、必ずしも全てのコーナー等の角を無くす必要はない。
角張った部分を無くすことについての優先順位は、次の通りである。
第一に優先するべきグループ
（２）接触面Ａａと天地向き面Ｃとが接する稜線Ａａ−Ｃ
（３）外向面Ｂと天地向き面Ｃとが接する稜線Ｂ−Ｃ
【００７２】
即ち「接触部または接触部となだらかに連続する部位の試料保持面から遠い側の端部」と、「接触部の背面側に外向部があり、当該外向部の試料保持面から遠い側の端部（外向部の先端側の端部）」に角張った部分を無くすことが最も優先される。
【００７３】
二番目に優先するべきグループ
（７）接触面Ａａと天地向き面Ｃと側面Ｄによる２つの角部Ａａ−Ｃ−Ｄ
（８）外向面Ｂと天地向き面Ｃと側面Ｄとによる２つの角部Ｂ−Ｃ−Ｄ
【００７４】
即ち「接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記天地向き部と側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部」と、「接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して平行方向あるいは傾斜する方向に広がる天地向き部と、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部とを有し、前記外向部と天地向き部と側部とによって構成されるコーナー部」に角張った部分を無くすことが二番目に優先される。
【００７５】
三番目に優先するべきグループ
（４）内向面Ａと側面Ｄとが接する２列の稜線Ａ−Ｄ
（５）外向面Ｂと側面Ｄとが接する２列の稜線Ｂ−Ｄ
【００７６】
即ち「接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記側部と接触部または接触部となだらかに連続する部位とによって構成されるコーナー部」と、「接触部の背面側に外向部があり、接触部または接触部となだらかに連続する部位と交差し試料保持面に対して交差する方向の広がる側部を有し、前記外向部と側部とによって構成されるコーナー部」に角張った部分を無くすことが三番目に優先される。
【００７７】
続いて、本発明の第１実施形態の太陽電池の製造装置１で製造できる太陽電池１００について説明する。
【００７８】
太陽電池１００は、結晶シリコン基板を支持基板とした結晶シリコン太陽電池であり、具体的には、ヘテロ接合結晶シリコン太陽電池（以下、「ヘテロ接合太陽電池」ともいう）である。
太陽電池１００は、図９に示されるように、光電変換基板１０２の片側主面（第１主面）上に集電極１０５を備えている。また太陽電池１００は、光電変換基板１０２の他方の主面（第２主面）上に裏面電極層１０６を備えている。
【００７９】
光電変換基板１０２は、光エネルギーを電気エネルギーに変換可能な光電変換部であり、面状に広がりを持った板状の基板である。
光電変換基板１０２は、結晶シリコン基板１１０の両面上に複数の層が積層されて形成されるものであり、全体としてＰＩＮ接合又はＰＮ接合を備えている。
具体的には、光電変換基板１０２は、図９に示されるように、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の一方の主面（光入射側の面）上に、ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１１、ｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２、及び第１透明電極層１１３（透明導電性酸化物層）が積層されている。
また光電変換基板１０２は、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の他方の主面（裏面側の面）上に、ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１５、ｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６、及び第２透明電極層１１７が積層されている。
【００８０】
光電変換基板１０２は、図９に示されるように、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の両面にテクスチャ構造が形成されており、そのテクスチャ構造がその外側の層に反映されて、全体として光電変換基板１０２の両面にテクスチャ構造が形成されている。
【００８１】
ｎ型単結晶シリコン基板１１０は、半導体基板であって、シリコン原子に電子を導入するための原子（例えば、リン）を含有させた単結晶シリコン基板である。
【００８２】
ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１１は、半導体層であって、リンやボロン等の不純物が添加されていない真性シリコン層であり、例えば、シリコンと水素で構成されるｉ型水素化非晶質シリコン層が採用できる。
【００８３】
ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１５は、半導体層であって、リンやボロン等の不純物が添加されていない真性シリコン層であり、例えば、シリコンと水素で構成されるｉ型水素化非晶質シリコン層が採用できる。
【００８４】
ｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２は、半導体層であって、シリコン原子に正孔を導入する原子（例えば、ボロン）を含有させたシリコン層であり、例えば、ｐ型水素化非晶質シリコン層やｐ型非晶質シリコンカーバイド層、ｐ型非晶質シリコンオキサイド層などが採用できる。
【００８５】
ｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６は、半導体層であって、シリコン原子に電子を導入する原子（例えば、リン）を含有させたシリコン層であり、例えば、ｎ型非晶質シリコン層などが採用できる。
【００８６】
第１透明電極層１１３は、透明導電膜であり、透光性と導電性を有した層である。
第１透明電極層１１３の構成材料としては、透光性と導電性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2 ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性酸化物で形成されている。
なお、第１透明電極層１１３は、上記した透明導電性酸化物にドーピング剤を添加したものであってもよい。
【００８７】
第２透明電極層１１７は、透明導電膜であり、透光性と導電性を有した層である。
第２透明電極層１１７は、透光性と導電性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2 ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性酸化物で形成できる。
なお、第２透明電極層１１７は、上記した透明導電性酸化物にドーピング剤を添加したものであってもよい。
【００８８】
続いて、第１実施形態の太陽電池１００の製造方法の概要について説明する。
太陽電池１００は、図示しないスパッタ装置、ＣＶＤ装置、めっき装置等を使用して製造され、これらの間に試料たる基板を移載する際に本実施形態の試料保持装置１が活用される。
図示しない工程によって、テクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコン基板１１０（以下、ｎ型単結晶シリコン基板１１０が加工されたもの及びｎ型単結晶シリコン基板１１０上の積層体を含めて、仕掛太陽電池基板１０１という）を製造する。そして当該仕掛太陽電池基板１０１を本実施形態の試料保持装置１で保持し、直接的に、又は他の搬送装置を併用して仕掛太陽電池基板１０１を図示しないＣＶＤ装置に装着する。即ち製造工程中に、試料保持装置１で仕掛太陽電池基板１０１を保持する基板保持工程がある。
【００８９】
そしてＣＶＤ装置内で、図１０（ａ）に示されるように、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の表裏面に、プラズマＣＶＤ法によって、シリコン系薄膜１１１，１１２，１１５，１１６を製膜する。
すなわち、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の一方の主面側の面上にｉ型非晶質シリコン系薄膜１１１及びｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２を形成し、他方の主面側の面上にｉ型非晶質シリコン系薄膜１１５及びｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６を形成する（シリコン層形成工程）。
【００９０】
そして、ｎ型単結晶シリコン基板１１０にシリコン系薄膜１１１，１１２，１１５，１１６が製膜されると、仕掛太陽電池基板１０１がスパッタ装置に移載される。
この場合にも仕掛太陽電池基板１０１を本実施形態の試料保持装置１で保持し、直接的に、又は他の搬送装置を併用して仕掛太陽電池基板１０１を図示しないスパッタ装置に装着する。スパッタ装置内で、図１０（ｂ）に示されるように、仕掛太陽電池基板１０１の表裏面に、透明電極層１１３，１１７を製膜する。
すなわち、光電変換基板１０２のｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２上に第１透明電極層１１３を製膜し、仕掛太陽電池基板１０１のｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６上に第２透明電極層１１７を製膜する（透明電極層形成工程）。
【００９１】
仕掛太陽電池基板１０１は、その後にスパッタ装置から印刷装置に搬送される。この場合においても、仕掛太陽電池基板１０１を本実施形態の試料保持装置１で保持する基板保持工程を伴う。
そして、印刷装置内で、図１０（ｃ）に示されるように、仕掛太陽電池基板１０１の表面に、スクリーン印刷法によって下地電極層１０７が製膜される。その後に、仕掛太陽電池基板１０１上に図示しない絶縁層を設け、（下地電極層上に開口部がある）、下地電極層上にめっき層を形成して集電極１０５が形成される。
なお集電極や裏面電極層としてはペーストを印刷しても良いし、めっき法によりめっき層を形成しても良い。例えば集電極として、下地電極層１０７を形成後にめっき層を形成してもよい。その場合、本発明の保持装置を用いた場合は不所望箇所へのめっきの析出を抑制できるため、より好ましい。裏面電極層として、図９では裏面全面に製膜した図を用いたが表面側の集電極のようにパターン状でもよい。
【００９２】
上記した様に仕掛太陽電池基板１０１を移動させる際に、本実施形態の試料保持装置１が使用されるが、もちろん他の構造の試料保持装置を併用してもよい。
しかしながら、スパッタ法によって透明電極層１１３，１１７を製膜する直前においては、本実施形態の試料保持装置１を使用することが望ましい。
なお透明電極層１１３，１１７は、スパッタ法によるものに限定されず、イオンプレーディング法でも製膜でき、集電極も印刷やめっきだけでなく、いずれか一方だけだったり、スパッタ法でも作製できる。
本実施形態の試料保持装置１の使用は、透明電極層製膜直前が最も好ましいが、シリコン系薄膜製膜前でも良い。
即ちｎ型単結晶シリコン基板１１０にシリコン系薄膜１１１，１１２，１１５，１１６が製膜されるが、経験則上、この状態の仕掛太陽電池基板１０１を保持する際には試料保持装置１を使用することが望ましい。
【００９３】
また透明電極層１１３，１１７を成膜した後に仕掛太陽電池基板１０１を移動させる際にも、本実施形態の試料保持装置１を使用することが望ましい。特にヘテロ接合太陽電池は一般にシリコン基板１１０やシリコン系薄膜１１１，１１２，１１５，１１６が敏感であってダメージを受けやすく、ダメージを受けると、その後にメッキ等を施す場合に不具合が発生する場合があるので、本実施形態の試料保持装置１を使用することが望ましい。
またその他にも、ヘテロ接合太陽電池は一般に透明電極層１１３，１１７を有し、且つその透明電極層１１３，１１７が１０乃至１４０ｎｍ程度と薄いので、透明電極層１１３，１１７もダメージを受けやすい。そのような理由から、透明電極層１１３，１１７を成膜した後に仕掛太陽電池基板１０１を移動させる際にも、本実施形態の試料保持装置１を使用することが推奨される。
【００９４】
前記した製造方法では、第１透明電極層１１３に下地電極層１０７を設け、さらに下地電極層１０７の上にめっき層を形成したが、第１透明電極層１１３に直接めっき層を設けてもよい。
また本実施形態においては受光面側に集電極を有する形態について説明したが、受光面側に集電極を有さず裏面電極層のみを有していてもよい。
【００９５】
本実施形態の太陽電池の製造方法で製造された太陽電池は、他の付属部材が取り付けられてモジュール化される。
図１１は、本実施形態の太陽電池の製造方法で製造された太陽電池３３が使用された太陽電池モジュール３５である。太陽電池モジュール３５では、二枚のガラス板３８，３９（図１２）の間に複数の太陽電池（基板）３３が封入されている。太陽電池と二枚のガラス板３８，３９の間には、樹脂製の封止材が充填され、太陽電池が封止材で封止された状態となっている。
そして各太陽電池３３には、図示しない電線が接続され、二枚のガラス板３８，３９の端部に設けられた端子ボックス３６，３７に接続されている。また二枚のガラス板３８，３９の周囲には、アルミ等で作られたフレーム４０が取り付けられている。
太陽電池モジュールの構成や、各部材のレイアウトは、実施形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００９６】
１    試料保持装置
２    本体部
３    位置決め部材
５    試料保持面
３２，２２  端子ボックス
３５  太陽電池モジュール
Ａ    内向面
Ｂ    外向面
Ｃ    天地向き面
Ｄ    側面
Ａａ−Ａｂ  稜線
Ａａ−Ｃ    稜線
Ｂ−Ｃ      稜線
Ａ−Ｄ      稜線
Ｂ−Ｄ      稜線
Ｃ−Ｄ      稜線
【図１】
0006618476.tif 000002
【図２】
0006618476.tif 000003
【図３】
0006618476.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006618476.tif 000008
【図８】
0006618476.tif 000009
【図９】
0006618476.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0006618476.tif 000013
【図１３】
0006618476.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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