(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法であって、
酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉の混合物に水系溶媒を加えて湿式調合してスラリーを作製する工程と、
前記スラリーを乾燥して造粒粉を作製する工程と、
前記造粒粉を成形してから酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中で所定の温度で焼結して酸化物焼結体タブレットを作製する工程と、を含み、
前記スラリーを作製する際に、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、前記酸化インジウム粉と前記三酸化モリブデン粉を湿式調合し、
前記焼結する際の前記所定の温度は、５００℃以上６００℃以下であり、
前記造粒粉を成形してから焼結する際に、前記焼成雰囲気中で成形した前記造粒粉を５時間以上２０時間以下保持して焼結することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。
【請求項２】
少なくともインジウムとモリブデンを含む真空蒸着用の酸化物焼結体であって、
三酸化モリブデンを固溶したインジウム酸化物が含まれ、前記モリブデンの量が前記インジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％であり、
真空蒸着用タブレットとして適用した際に、圧縮強度が５．３８ｋＮ以上を有することを特徴とする酸化物焼結体。
【請求項３】
酸化モリブデンの単相及び金属相が含まれていないことを特徴とする請求項２に記載の酸化物焼結体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化インジウムを主原料とする真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法と酸化物焼結体に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化物透明導電膜は、高い導電性と特に可視光領域における高い透過率を有するため、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置等の表示素子、太陽電池、発光ダイオード（ＬＥＤ）における透明電極等の材料のほか、自動車窓の熱線反射膜、帯電防止膜、防曇用透明発熱体等に広く利用されている。
【０００３】
近年、これらの中でもＬＣＤや有機ＥＬ表示装置の技術開発が進み、高い表示性能と、高い省エネルギー性を実現する製品が数多く提供されている。これらのＬＣＤや有機ＥＬ表示装置は、小型かつ薄く作製することが可能であり、特に、携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、パーソナルコンピュータ等のディスプレイとして広く使用されている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子は、有機化合物を利用した発光素子であり、近年、その性能の向上は目覚ましいものがある。この有機ＥＬ素子は、電子及び正孔の再結合によって発光するものであるが、この際、正孔輸送層への正孔注入効率は、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルと陽極（透明電極）の仕事関数（真空準位とフェルミ準位のエネルギ差）の大きさに依存する。すなわち、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルとの関係で、より高い仕事関数を有する陽極を使用することにより、正孔輸送層への正孔注入効率を高めることができる。
【０００５】
正孔輸送物質としては、さまざまな有機化合物が提案されているが、それらの中でも芳香族アミン系化合物、特にトリフェニルアミン誘導体や、カルバゾール誘導体が優れた機能を有するものとして知られている。ここで、トリフェニルアミン誘導体であるトリフェニルアミンのイオン化ポテンシャルは５．５ｅＶ〜５．６ｅＶの範囲にあり、カルバゾール誘導体であるポリビニルカルバゾールのイオン化ポテンシャルは５．８ｅＶ程度である。
【０００６】
一方、陽極に用いられる酸化物透明導電膜としては、酸化インジウム系の酸化物膜、酸化亜鉛系の酸化物膜、酸化スズ系の酸化物膜が知られている。これらのうち、酸化インジウム系の酸化物膜の一種である、スズをドープした酸化インジウム（酸化インジウムスズ；ＩＴＯ）膜は、特に低抵抗の膜が容易に得られることから、広く利用されている。
【０００７】
しかしながら、ＩＴＯの仕事関数は４．６ｅＶ〜５．０ｅＶにとどまるため、上記の正孔輸送物質との間には０．５ｅＶ〜１．２ｅＶ程度のエネルギー障壁が存在し、正孔輸送層への正孔注入効率を向上させることはできない。
【０００８】
これに対して、特許文献１では、インジウム及びモリブデンを含む酸化物、または酸化インジウム及び酸化タングステンを含む酸化物を使用することによって、５．０ｅＶを超える仕事関数が得られるとの記載がある。特に、モリブデンを含むものに関しては、モリブデンの添加量が多いほど、仕事関数が増加する傾向がみられることが記載されている。一方、特許文献２には、インジウムとモリブデンと酸素からなる焼結体とその製造方法が記載されている。
【０００９】
また、Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏ膜は、その膜の構成元素を含む酸化物焼結体のタブレット（すなわち、Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏの酸化物焼結体のタブレット）を原料として用いて、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法や高密度プラズマアシスト蒸着法等の各種真空蒸着法で製造することができる。生産性の向上や製造コストの低減を考慮すると、高速で成膜する必要があるが、特に、電子ビーム蒸着法やイオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法で製造することにより、導電性や透過性に優れた非晶質Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏ膜を高速に製造することができる。このような成膜法では、原料である酸化物焼結体タブレットに与えるエネルギー量を増やすことによって高速成膜が可能となる。
【００１０】
しかし、非晶質Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏ膜を高速で成膜するために、電子ビーム等のエネルギーを連続して多量に酸化物焼結体タブレットに与えると、長時間の連続成膜時に膜組成の変動（経時変化）が生じて、一定の特性の膜が製造できないという現象が生じる。この現象は、焼結体中に含まれるＭｏＯ３やＭｏＯ２等の高蒸気圧成分に起因するものであることから、成膜を中断して、未使用の酸化物焼結体タブレットに交換する必要があり、生産性を悪くする要因となっていた。
【００１１】
特許文献３には、電子ビーム蒸着法や、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体とその製造方法、及び酸化物焼結体をタブレットとする製造方法が紹介されている。当該特許文献３には、ＭｏＯ３やＭｏＯ２を含まないようにすれば、長時間の連続成膜時に膜組成の変動（経時変化）が生じることによって、一定の特性の膜が製造できないという現象がおきないとの記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００２−２３１０５４号公報
【特許文献２】特開２００２−２５６４２３号公報
【特許文献３】特開２００７−２４６３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献１には、蒸着源として用いる酸化物ペレットの製法に関して具体的な記述がない。一方、特許文献２には、インジウムとモリブデンと酸素からなる焼結体とその製造方法が記載されているが、モリブデンの添加量は、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の範囲に限られており、モリブデンのより高添加量の領域ついての検討がされていない。
【００１４】
また、特許文献３では、モリブデンの組成範囲は、モリブデンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０６０以下の領域に限られており、よりモリブデン添加量が高い領域についての記載がない。モリブデン添加量が高い組成範囲において、特許文献３の製法で酸化物焼結体を生成する場合、ＭｏＯ２やＭｏＯ３よりはＩｎ２Ｏ３に近いものの、Ｉｎ２（ＭｏＯ４）３がＩｎ２Ｏ３より昇華しやすいため、長時間の連続成膜時において、膜組成の変動（経時変化）が生じて、一定の特性の膜が製造できないという現象が生じる。特に、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、真空蒸着法で酸化物透明導電膜を成膜する際に、大量のエネルギーをタブレットに投入することによって、タブレットに割れやクラックが発生することが問題となっていた。
【００１５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、割れやクラックの発生を抑制することの可能な、新規かつ改良された酸化物焼結体の製造方法、及び酸化物焼結体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一態様は、真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法であって、酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉の混合物に水系溶媒を加えて湿式調合してスラリーを作製する工程と、前記スラリーを乾燥して造粒粉を作製する工程と、前記造粒粉を成形してから酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中で所定の温度で焼結して酸化物焼結体タブレットを作製する工程と、を含み、前記スラリーを作製する際に、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、前記酸化インジウム粉と前記三酸化モリブデン粉を湿式調合し、前記焼結する際の前記所定の温度は、５００℃以上６００℃以下であり、前記造粒粉を成形してから焼結する際に、前記焼成雰囲気中で成形した前記造粒粉を５時間以上２０時間以下保持して焼結することを特徴とする。
【００１７】
本発明の一態様によれば、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させ、密度を所定の範囲にすることによって、真空蒸着法によって高いエネルギーをタブレットに投入しても割れやクラックの発生を抑制して、安定した成膜が実現される。
【００１９】
このようにすれば、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することを抑制するので、所望の組成の酸化物焼結体を確実に作製できる。
【００２１】
このようにすれば、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することを抑制した上で、所望の組成の酸化物焼結体の製造コストを低減できる。
【００２２】
また、本発明の他の態様は、少なくともインジウムとモリブデンを含む真空蒸着用の酸化物焼結体であって、三酸化モリブデンを固溶したインジウム酸化物が含まれ、前記モリブデンの量が前記インジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％であり、真空蒸着用タブレットとして適用した際に、圧縮強度が５．３８ｋＮ以上を有す
ることを特徴とする。
【００２３】
本発明の他の態様によれば、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させ、密度を所定の範囲にすることによって、真空蒸着法によって高いエネルギーをタブレットに投入しても割れやクラックの発生を抑制できる。
【００２５】
このように、酸化物焼結体タブレットの圧縮強度を所定の値以上とすることによって、各蒸着法の装置へタブレットを連続的に投入可能となるので、安定した成膜を持続させることができる。
【００２６】
また、本発明の他の態様では、酸化モリブデンの単相及び金属相が含まれていないこととしてもよい。
【００２７】
このようにすれば、モリブデン添加量が高い組成範囲でも、タブレットに大量のエネルギーを投入した際におけるタブレットの割れやクラックの発生を抑制できる。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように本発明によれば、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、大量のエネルギーをタブレットに投入しても、タブレットに割れやクラックの発生を抑制できる。このため、成膜を中断することなく、連続的にタブレットを供給し安定して成膜できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法の概略を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３１】
本発明者らは、仕事関数を高めるためにモリブデン濃度を高めた酸化物焼結体からなるタブレットを電子ビーム蒸着法や、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の各種真空蒸着法に用いる蒸着源用のタブレットとして用いた場合に、当該タブレットに大量のエネルギーを投入しても、該タブレットに割れやクラックの発生がしないように、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２等）やその金属相がなく、安定に連続成膜することができる強度を有する酸化物焼結体を得ることを目的に鋭意研究を重ねた。
【００３２】
その結果、モリブデンを固溶したインジウム酸化物を含有した酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させて密度を所定の範囲にすると、高いエネルギーをタブレットに投入しても割れることなく、前述した各種真空蒸着法で成膜が実現可能となることを見出した。また、酸化物焼結体タブレットの圧縮強度が所定の値以上であると、各蒸着法の装置へタブレットを連続的に投入することが可能となり、安定した成膜を持続させることができることも見出した。本発明は、これらの知見に基づいて、更に研究を行った結果、本発明を完成するに至った。
【００３３】
以下、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法について、図面を使用しながら詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法の概略を示すフロー図である。
【００３４】
本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法は、電子ビーム蒸着法やイオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法である。本実施形態の酸化物焼結体の製造方法は、図１に示すように、スラリーを作製する工程Ｓ１１と、当該スラリーを乾燥造粒して造粒粉を作製する工程Ｓ１２と、当該造粒粉を成形したものを焼成雰囲気中で所定の温度で焼結して、酸化物焼結体タブレットを作製する工程Ｓ１３とを含む。かかる工程Ｓ１１乃至Ｓ１３を経て、Ｉｎ−Ｍｏ−Ｏの酸化物焼結体のタブレットが作製される。
【００３５】
本実施形態では、スラリーを作製する際に、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉を湿式調合することを特徴とする。具体的には、平均粒径１μｍ以下の酸化インジウム粉と、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように平均粒径５μｍ以下の三酸化モリブデン粉と、水系溶媒を加えて湿式で調合することによって、スラリーを作製する。
【００３６】
スラリーの作製で調合する際に、モリブデンがＭｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ原子数比で３０ａｔ％よりも少ないと、化合物相（Ｉｎ２（ＭｏＯ４）３）の化合物相が少なくなることから、一定の強度を得るための焼結性を保てない。一方、モリブデンがＭｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ原子数比で６０ａｔ％を上回ると、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２等）が現れ、前述したように一定の特性の成膜ができなくなる。
【００３７】
工程Ｓ１１でスラリーを作製したら、スプレードライヤー装置を用いることによって、当該スラリーを乾燥造粒して造粒粉を作製する（工程Ｓ１２）。そして、当該造粒粉を成形してから酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中において、所定の温度で焼結して酸化物焼結体タブレットを作製する（工程Ｓ１３）。具体的には、得られた造粒粉を成形した後に、酸素濃度が体積比で３０％以上である焼成雰囲気中において、５００〜６００℃で５〜２０時間保持して焼結する。
【００３８】
５００℃より下回る温度や５時間を下回る保持時間で焼結した場合、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデンが残り、前述したように成膜時に一定の特性の膜が得られない。一方、６００℃を超える温度や２０時間を超える保持時間で焼結した場合、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華してしまい、所望の組成から外れてしまう。また、製造コストにおいても好ましくない。こうした条件を外れた場合には、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体タブレットが得られ難い。
【００３９】
このように、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体は、少なくともインジウムとモリブデンを含む真空蒸着用の酸化物焼結体であって、三酸化モリブデンを固溶したインジウム酸化物を含み、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％であり、その酸化物焼結体を真空蒸着用タブレットとして適用した際に、その圧縮強度が酸化物焼結体の量産設備ラインの連続供給に耐えうるタブレット強度とされる５．３８ｋＮ以上を有するものとなる。
【００４０】
すなわち、本実施形態では、モリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、所定量のモリブデンを含有させ、密度を所定の範囲にすることによって、真空蒸着法によって高いエネルギーをタブレットに投入しても、タブレットの割れやクラックの発生を抑制して、安定した成膜が実現される。
【００４１】
換言すると、本実施形態の製法で作製された酸化物焼結体からなるタブレットを電子ビーム蒸着法や、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着法における蒸着源として用いると、大量のエネルギーをタブレットに投入しても、タブレットに割れやクラックが発生しない。このため、成膜を中断することなく、連続的にタブレットを供給し安定して成膜することができるようになる。
【００４２】
また、本実施形態の酸化物焼結体タブレットは、ホットプレス焼結法を用いないので、低コストで成膜できる上に、酸化物焼結体タブレットの圧縮強度を所定の値以上とすることによって、各蒸着法の装置へタブレットを連続的に投入可能となるので、安定した成膜を持続させることが可能となる。
【００４３】
さらに、本実施形態の酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体は、酸化モリブデンの単相及び金属相が含まれていないので、モリブデン添加量が高い組成範囲でも、タブレットに大量のエネルギーを投入した際におけるタブレットの割れやクラックの発生を抑制できる。また、本実施形態の酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体を用いて酸化物透明導電膜を成膜すると、得られた酸化物透明導電膜が経時変化のない安定した品質の膜とすることができる。すなわち、本実施形態の酸化物焼結体からなるタブレットを各種の真空蒸着法に用いることによって、表示デバイスに好適に用いることができる酸化物透明導電膜を高速で安定的に成膜できるので、生産性を向上させることができる。
【実施例】
【００４４】
次に、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法、及び酸化物焼結体について実施例により詳しく説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００４５】
＜実施例１＞
実施例１では、はじめに、平均粒径０．８μｍの酸化インジウム粉にインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％となるように三酸化モリブデン粉（高純度化学製）と混合し、純水と分散剤（ポリカルボン酸アンモニウム塩）とバインダー（ポリビニルアルコール）と金型成形時の潤滑剤（ステアリン酸）を加えて、固形分率０．６０％のスラリーを作製した。このスラリーをスプレードライヤー（大川原化工機(株)製 Ｌ−８ｉ）を用いて乾燥・造粒を行った。得られた造粒粉をφ３０ｍｍの円筒状の金型に入れ、上から１２０ｋＮの圧力をかけて成形した。得られた成形体に対し、酸素濃度が体積比で４０％となるように導入して６００℃で２０時間保持して焼結し、酸化モリブデンを含むＩＭｏＯタブレットを作製した。
【００４６】
作製したＩＭｏＯタブレットを引張圧縮試験機（（株）今田製作所製ＳＤＷＳ−２０１２型）を用いて、圧縮強度を測定した。測定時は、真空蒸着装置のタブレット連続供給ラインを想定し、測定するタブレット面にφ１０ｍｍのアルミ製チップの治具を装着し、測定したところ、１１．１ｋＮであり、目標である５．３８ｋＮ以上あることが確認された。また、得られ焼結体タブレットをＸ線回折装置（X’Pert-PRO  スペクトリス(株)製）にて分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかった。また、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行い、成膜時の加熱によるタブレットの割れ欠けは、発生しなかった。
【００４７】
＜実施例２＞
実施例２では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で５０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、９．０ｋＮであり、目標とする圧縮強度以上であることが確認された。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかった。また、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行い、成膜時の加熱によるタブレットの割れ欠けは発生しなかった。
【００４８】
＜実施例３＞
実施例３では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で６０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、８．７ｋＮであり、目標とする圧縮強度以上であることが確認された。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかった。また、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行い、成膜時の加熱によるタブレットの割れ欠けは、発生しなかった。
【００４９】
＜比較例１＞
比較例１では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で２０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、３．８ｋＮであり、目標とする圧縮強度を得ることができなかった。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は確認されなかったが、このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行った際に、欠けが発生した。
【００５０】
＜比較例２＞
比較例２では、使用する三酸化モリブデン粉を酸化インジウム粉のインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で７０ａｔ％とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。得られたタブレットは表面が粗になっており、圧縮強度は測定できなかった。得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相とＩｎ２（ＭｏＯ４）３相及び酸化モリブデン相（ＭｏＯ３）が検出された。また、所望の組成比、寸法から大きく外れ、イオンプレーティング成膜は実施できなかった。
【００５１】
＜比較例３＞
比較例３では、焼結する際の焼結温度を４５０℃、焼結時間を３５時間とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、０．３０ｋＮであり、目標とする圧縮強度を得ることができなかった。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相とＩｎ２（ＭｏＯ４）３相及び酸化モリブデン相（ＭｏＯ３）が検出された。このタブレットを用いてイオンプレーティング成膜を行った際に、欠けが発生した。
【００５２】
＜比較例４＞
焼結する際の焼結温度を７００℃、焼結時間を４時間とした以外は、実施例１と同じ条件を用いてＩＭｏＯタブレットを作製した。その際のタブレット圧縮強度は、４．０ｋＮであり、目標とする圧縮強度を得ることができなかった。また、得られた焼結体タブレットをＸ線回折分析したところ、Ｉｎ２Ｏ３相及びＩｎ２（ＭｏＯ４）３相が検出され、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相は、確認されなかったが、所望の組成比、寸法から大きく外れ、イオンプレーティング成膜は、実施できなかった。
【００５３】
前述した本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法によって作製した酸化物焼結体の各実施例及び各比較例の測定結果について、以下の表１に示す。
【００５４】
【表１】
0006531718.tif 000002
【００５５】
表１に示すように、実施例１乃至３と比較例１及び２の測定結果より、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％となるように、酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉を湿式調合して作製したスラリーを乾燥造粒して得られた造粒粉を焼結することによって、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２）及び金属相が含まれずに、真空蒸着時に必要とされる一定の圧縮強度、すなわち、その圧縮強度が酸化物焼結体の量産設備ラインの連続供給に耐えうるタブレット強度とされる５．３８ｋＮ以上を有する焼結性が確保された酸化物焼結体タブレットとすることができることが分かった。
【００５６】
また、実施例１乃至３と比較例３及び４の測定結果より、焼結する際の温度を５００℃以上６００℃以下とすることによって、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することによる成膜不可となる不具合が抑制されるので、所望の組成の酸化物焼結体を確実に作製できることが分かった。
【００５７】
さらに、実施例１乃至３と比較例３及び４の測定結果より、造粒粉を成形してから焼結する際に、焼成雰囲気中で成形した造粒粉を５時間以上２０時間以下保持して焼結することによって、酸化インジウムに固溶しない酸化モリブデン相の残存や、化合物相となる前に酸化モリブデンが昇華することを抑制した上で、所望の組成の酸化物焼結体の製造コストを低減できることが分かった。
【００５８】
以上の結果から、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法を用いることで、モリブデンの量が原子数比（Ｍｏ／Ｉｎ＋Ｍｏ）で３０ａｔ％〜６０ａｔ％とモリブデン濃度が高い酸化物焼結体タブレットにおいて、酸化モリブデン相（ＭｏＯ３やＭｏＯ２等）やその金属相がなく、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法等の真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際の多量のエネルギー投入や、連続成膜時のタブレット供給ラインにおける割れやクラックに耐えうる強度を有する酸化物焼結体が作製されることが分かった。また、本発明の一実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法で作製された酸化物焼結体を用いて、得られた酸化物透明導電膜が経時変化のない安定した品質の膜となることが分かった。
【００５９】
なお、上記のように本発明の各実施形態及び各実施例について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には、容易に理解できるであろう。従って、このような変形例は、全て本発明の範囲に含まれるものとする。
【００６０】
例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、酸化物焼結体の構成、及び酸化物焼結体の製造方法の動作も本発明の各実施形態及び各実施例で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
Ｓ１１  スラリーを作製する工程、Ｓ１２  スラリーを乾燥造粒する工程、Ｓ１３  造粒粉を焼結する工程
【図１】
0006531718.tif 000003