(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と配線層とが交互に積層された配線部を有し、
前記絶縁層には、下面側の配線層の上面の一部を露出するビアホールが形成され、
前記配線層は、前記絶縁層の上面側に形成された配線パターンと、前記ビアホール内に配置されて前記配線パターンと下面側の前記配線層とを電気的に接続するビアとを含み、
前記ビアは、前記ビアホールの内側面に形成されたビアシード層と、前記ビアシード層の内側に充填された金属からなる充填部とを有し、
前記配線パターンは、前記絶縁層の上面に形成された配線シード層と、前記配線シード層と前記ビアとの上面を覆うように形成されたパターン層とを有し、
前記ビアシード層は、電解めっき液による前記充填部及び前記パターン層の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有する金属材料からなり、
前記配線シード層は、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない金属材料からなること、を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ビアシード層は、前記ビアホール内にのみ形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ビアシード層は銅または銅合金からなり、
前記配線シード層はニッケルまたはニッケル合金からなること、
を特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁層に形成したビアホール内にめっき金属を充填するとともに、前記絶縁層の上に配線層を形成する配線基板の製造方法であって、
前記ビアホールの内側面に、前記めっき金属の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有するビアシード層を形成する工程と、
前記絶縁層の上面に、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない配線シード層を形成する工程と、
前記ビアシード層の表面に前記めっき促進剤を吸着させる工程と、
前記めっき促進剤を含まない電解めっき液を用いて、前記ビアシード層の内側にめっき金属よりなる充填部と、前記充填部の上面と前記配線シード層の上面とにめっき金属よりなるパターン層とを形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記ビアシード層を形成する工程は、
前記ビアホールを形成した前記絶縁層の表面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を形成した前記絶縁層を有する基板をエアブローして乾燥させる工程と、
ソフトエッチングにより前記絶縁層の上面の前記金属膜を除去して前記ビアシード層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線シード層を形成する工程は、
前記ビアシード層を形成した前記ビアホールの内部の表面と前記絶縁層の上面に触媒を吸着する工程と、
銅エッチング液を用いて前記ビアシード層をソフトエッチングする工程と、
無電解めっき液を用いて前記触媒によって前記絶縁層の上面に前記配線シード層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記充填部と前記パターン層とを形成する工程は、
前記配線シード層の上に、開口を有するレジスト層を形成する工程と、
前記電解めっき液を用いて、前記レジスト層をめっきマスクとして前記充填部と前記パターン層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記パターン層をエッチングマスクとして前記配線シード層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記充填部と前記パターン層とを形成する工程は、
前記電解めっき液を用いて、前記充填部と、前記配線シード層の上にめっき金属層を形成する工程と、
前記めっき金属層の上に、開口を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をエッチングマスクとして前記めっき金属層をエッチングする工程と、
前記レジスト層をエッチングマスクとして前記配線シード層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記めっき促進剤はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドであり、
前記ビアシード層は銅または銅合金からなり、
前記配線シード層はニッケルまたはニッケル合金からなること、
を特徴とする請求項４〜８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板は、複数の絶縁層及び配線層を含み、各絶縁層を貫通するビアによって各配線層が電気的に接続されている。このような配線基板は、たとえばビルドアップ法により製造される。この方法は、絶縁層と配線層を交互に積層して配線基板を形成するものである。絶縁層には、層間の電気的接続のためビアホールが形成され、そのビアホールに銅などのめっき金属を充填してビアとともに配線層が形成される（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９１９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、配線基板において、配線パターン（配線層）の微細化が進められ、それに伴い配線層が薄くなっている。このため、ビアホールに銅が十分に充填されない場合がある。銅めっきの不十分な充填は、ビアと配線層との接続不良を招く要因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、絶縁層と配線層とが交互に積層された配線部を有し、前記絶縁層には、下面側の配線層の上面の一部を露出するビアホールが形成され、前記配線層は、前記絶縁層の上面側に形成された配線パターンと、前記ビアホール内に配置されて前記配線パターンと下面側の前記配線層とを電気的に接続するビアとを含み、前記ビアは、前記ビアホールの内側面に形成されたビアシード層と、前記ビアシード層の内側に充填された金属からなる充填部とを有し、前記配線パターンは、前記絶縁層の上面に形成された配線シード層と、前記配線シード層と前記ビアとの上面を覆うように形成されたパターン層とを有し、前記ビアシード層は、電解めっき液による前記充填部及び前記パターン層の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有する金属材料からなり、前記配線シード層は、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない金属材料からなる。
【０００６】
また、本発明の別の一観点によれば、絶縁層に形成したビアホール内にめっき金属を充填するとともに、前記絶縁層の上に配線層を形成する配線基板の製造方法であって、前記ビアホールの内周面に、前記めっき金属の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有するビアシード層を形成する工程と、前記絶縁層の上面に、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない配線シード層を形成する工程と、前記ビアシード層の表面に前記めっき促進剤を吸着させる工程と、前記めっき促進剤を含まない電解めっき液を用いて、前記ビアシード層の内側にめっき金属よりなる充填部と、前記充填部の上面と前記配線シード層の上面とにめっき金属よりなるパターン層とを形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、ビアホールにめっき金属が十分に充填された配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）は配線基板の概略断面図、（ｂ）は配線基板の一部拡大断面図。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、各形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
【００１０】
図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、コア基板２０と、コア基板２０の上下両面の配線部３０，５０を有している。
コア基板２０は、たとえば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ基板である。
【００１１】
コア基板２０には、所定位置に上面と下面との間を貫通する複数の貫通孔２０Ｘが形成されている。貫通孔２０Ｘ内には、コア基板２０の上面と下面との間を貫通する貫通電極２２が形成されている。貫通電極２２の材料は、たとえば銅（Ｃｕ）や銅合金である。コア基板２０の上面２０Ａには、配線層２３が形成されている。また、コア基板２０の下面２０Ｂには、配線層２４が形成されている。これらの配線層２３，２４は、貫通電極２２を介して互いに電気的に接続されている。配線層２３，２４の材料は、たとえば銅や銅合金である。
【００１２】
配線部３０は、複数（図では４層）の絶縁層３１〜３４及び配線層４１〜４４を有している。絶縁層３１〜３４と配線層４１〜４４は、コア基板２０の上面２０Ａから上方に向かって交互に積層されている。各絶縁層３１〜３４には、それぞれの上面と下面との間を貫通するビアホール３１Ｘ〜３４Ｘが形成されている。各配線層４１〜４４は、各ビアホール３１Ｘ〜３４Ｘに配置されたビア４１Ｖ〜４４Ｖと、各絶縁層３１〜３４の上面に配置された配線パターン４１Ｐ〜４４Ｐとを有している。ビア４１Ｖ〜４４Ｖは、絶縁層３１〜３４の上面側の配線層と下面側の配線層とを電気的に接続する。たとえば、絶縁層３１のビアホール３１Ｘに配置されたビア４１Ｖは、絶縁層３１の上面側の配線層（配線パターン４１Ｐ）と、下面側の配線層２３とを電気的接続する。他の絶縁層３２〜３４のビアホール３２Ｘ〜３４Ｘに配置されたビア４２Ｖ〜４４Ｖも同様である。
【００１３】
配線部５０は、複数（図では４層）の絶縁層５１〜５４及び配線層６１〜６４を有している。絶縁層５１〜５４と配線層６１〜６４は、コア基板２０の下面２０Ｂから下方に向かって交互に積層されている。各絶縁層５１〜５４には、それぞれの下面と上面との間を貫通するビアホール５１Ｘ〜５４Ｘが形成されている。各配線層６１〜６４は、各ビアホール５１Ｘ〜５４Ｘに配置されたビア６１Ｖ〜６４Ｖと、各絶縁層５１〜５４の下面に配置された配線パターン６１Ｐ〜６４Ｐとを有している。配線部３０と同様に、ビア６１Ｖ〜６４Ｖは、絶縁層５１〜５４の下面側の配線層と上面側の配線層とを電気的に接続する。
【００１４】
図１（ｂ）に示すように、ビア４１Ｖは、ビアシード層７１と充填部７２とを有している。
ビアシード層７１は、絶縁層３１のビアホール３１Ｘの内側面に形成されている。ビアシード層７１は、たとえば無電解めっき法により形成される。無電解めっき法により形成されるビアシード層７１は、ビアホール３１Ｘにより露出する配線層２３の上面にも形成される。図１（ａ）及び図１（ｂ）では、絶縁層３１の表面（ビアホール３１Ｘの内側面）におけるビアシード層７１を拡大して示し、配線層２３の上面のビアシード層を省略している。そして、以下の説明において、ビアホール３１Ｘの内側面及び底面を覆うビアシード層７１として説明する。
【００１５】
充填部７２は、ビアシード層７１の内側に配置され、柱状（コア基板２０側に縮径した円錐台状）に形成されている。ビアシード層７１の材料は、たとえば銅や銅合金である。ビアシード層７１は、たとえば無電解めっき法により形成される。充填部７２は、ビアシード層７１の内側に充填された金属からなり、たとえば銅や銅合金である。充填部７２は、たとえば電解めっき法により形成されている。
【００１６】
配線パターン４１Ｐは、配線シード層７３とパターン層７４とを有している。配線シード層７３は、絶縁層３１の上面３１Ａに形成されている。パターン層７４は、配線シード層７３とビア４１Ｖとの上面を覆うように形成されている。配線シード層７３の材料は、たとえばニッケル（Ｎｉ）やニッケル合金である。パターン層７４の材料は、たとえば銅や銅合金である。配線シード層７３は、たとえば無電解めっき法、スパッタ、塗布されたペーストにより形成される。パターン層７４は、たとえば、電解めっき法により形成される。
【００１７】
本実施形態において、配線パターン４１Ｐのパターン層７４の材料と、ビア４１Ｖに含まれる充填部７２の材料は互いに等しい。そして、パターン層７４と充填部７２は、同一プロセス、同一工程において形成される。
【００１８】
本実施形態において、パターン層７４と充填部７２は、配線シード層７３とビアシード層７１を電極とする電解めっき法により形成される。配線パターン４１Ｐの配線シード層７３の材料と、ビア４１Ｖのビアシード層７１の材料は、パターン層７４と充填部７２を形成する工程において必要とされる性質（特性）に基づいて選択される。
【００１９】
パターン層７４と充填部７２は、たとえば銅または銅合金である。パターン層７４及び充填部７２は、電解めっき膜であり、配線シード層７３とビアシード層７１とを給電電極とする電解めっき法により形成される。電解めっき法において、めっき促進剤が利用される。めっき促進剤としては、たとえばビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドが用いられる。
【００２０】
なお、めっき促進剤として、たとえばビス（２−スルホプロピル）ジスルフィドおよびそのナトリウム塩、ビス（４−スルホプロピル）ジスルフィドおよびそのナトリウム塩、ビス（３−スルホ−２−ヒドロキシプロピル）ジスルフィドおよびそのナトリウム塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（−３−スルホプロピルエステル）およびそのナトリウム塩、Ｏ−エチル−ジエチルカーボネート−Ｓ（−３スルホプロピルエステル）、チオ尿素およびその誘導体を用いることができる。
【００２１】
めっき促進剤は、電解めっき液に含まれる金属の析出を促進する。めっき促進剤の吸着作用は、金属種によって異なる。たとえばビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド等のめっき促進剤は、銅に対して吸着作用があり、ニッケルに対して吸着作用がない。したがって、銅からなるビアシード層７１の表面にめっき促進剤が吸着し、ニッケルからなる配線シード層７３の表面にめっき促進剤は吸着しない。つまり、ビアホール３１Ｘ内のビアシード層７１には、めっき促進剤の吸着作用がある材料が用いられる。絶縁層３１上面の配線シード層７３には、ビアシード層７１と比べてめっき促進剤の吸着作用が無いまたは極めて小さい材料が用いられる。
【００２２】
なお、ニッケルと銅におけるめっき促進剤の吸着作用は、たとえば、電気化学計測により確認することができる。ニッケルと銅について、それぞれめっき促進剤を含む水溶液に浸漬した金属片と、浸漬しない金属片とを用意する。これらの金属片に対し、めっき促進剤を含まない電解銅めっき液を用いて電解めっき処理を行う。この電解めっき処理において、各金属片の電位を計測する。ニッケルでは、浸漬した金属片と浸漬しない金属片とに電位の差が生じない。一方、銅では、浸漬した金属片の電位と浸漬しない金属片の電位とに差が生じる。
【００２３】
めっき促進剤が吸着したビアシード層７１の表面、つまりビアホール３１Ｘ内において電解めっき法におけるめっき促進作用が働く。これによりビアホール３１Ｘ内では、絶縁層３１（配線シード層７３）の表面と比べ、電解めっきが生成し易い。そして、ビアホール３１Ｘ（ビアシード層７１の内側）において析出した銅の表面と、ニッケルよりなる配線シード層７３の表面とのそれぞれに対して電解めっきが生成される。この結果、ビアホール３１Ｘ（ビアシード層７１）内に電解めっきが充填されて充填部７２が形成される。そして、充填部７２及び配線シード層７３を覆うパターン層７４が形成される。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、ビア４１Ｖ〜４４Ｖ，６１Ｖ〜６４Ｖ、配線パターン４１Ｐ〜４４Ｐ，６１Ｐ〜６４Ｐを有している。ビア４２Ｖ〜４４Ｖ，６１Ｖ〜６４Ｖ、配線パターン４２Ｐ〜４４Ｐ，６１Ｐ〜６４Ｐは、図１（ｂ）に基づいて説明したビア４１Ｖ、配線パターン４１Ｐと同様であるため、説明及び図面を省略する。
【００２５】
次に、上記の配線基板１０の製造方法を説明する。
先ず、図１（ｂ）に示す配線シード層７３及びビアシード層７１を形成する工程を説明する。
【００２６】
図２（ａ）に示すように、配線層２３を被覆した絶縁層３１を形成する。絶縁層３１は、たとえば樹脂フィルムにて配線層２３を被覆した後に、樹脂フィルムを押圧しながら熱処理を施して硬化させることにより形成される。
【００２７】
図２（ｂ）に示すように、配線層２３の上面の一部が露出されるように、絶縁層３１の所定箇所にビアホール３１Ｘを形成する。ビアホール３１Ｘは、たとえばレーザ加工により形成される。なお、感光性樹脂を用いて絶縁層３１を形成した場合には、たとえばフォトリソグラフィ法によりビアホール３１Ｘを形成してもよい。レーザ加工にてビアホール３１Ｘを形成した場合、デスミア処理を行って、ビアホール３１Ｘ内の残渣（樹脂スミア）を除去する。
【００２８】
図２（ｃ）に示すように、絶縁層３１の表面、つまり絶縁層３１の上面３１Ａとビアホール３１Ｘ内を覆う金属膜８１を形成する。金属膜８１は、たとえば無電解めっき法によって形成された銅膜である。
【００２９】
図２（ｄ）に示すように、絶縁層３１の上面３１Ａの金属膜８１（図２（ｃ）参照）を除去する。金属膜８１は、たとえばエアブロー等の乾燥処理とソフトエッチングにより除去される。先ず、上記の金属膜８１を形成した基板を十分に乾燥させる。そして、乾燥させた基板をエッチング液に浸漬し、ソフトエッチングを行う。基板を乾燥させることにより、金属膜８１の濡れ性が低下する。このため、ビアホール３１Ｘ内部にエッチング液が入り込み難くなる。このソフトエッチングにより絶縁層３１の上面３１Ａの金属膜８１のみが除去される。この結果、図２（ｄ）に示すように、絶縁層３１の上面３１Ａが露出され、ビアホール３１Ｘ内のみに金属膜８１が残存する。この金属膜８１がビアシード層７１となる。
【００３０】
図２（ｅ）に示すように、基板表面、つまり絶縁層３１の上面３１Ａ、ビアホール３１Ｘ内のビアシード層７１の表面に所定の触媒８２を吸着させる。本実施形態では、触媒８２としてパラジウム触媒が用いられる。
【００３１】
図２（ｆ）に示すように、ビアホール３１Ｘ内の触媒８２（図２（ｅ）参照）を除去する。触媒８２は、たとえばビアシード層７１の材料に応じたエッチング液を用いたソフトエッチングにより除去される。ビアシード層７１に応じた銅エッチング液を用い、ビアホール３１Ｘ内部のビアシード層７１を僅かにエッチングすることにより、そのビアシード層７１の表面とともに触媒８２が除去される。この結果、絶縁層３１の上面３１Ａにのみ触媒８２を残存する。
【００３２】
図２（ｇ）に示すように、絶縁層３１の上面３１Ａに配線シード層７３を形成する。配線シード層７３はたとえばニッケルよりなる。たとえば、無電解ニッケルめっき法により、配線シード層７３を形成する。なお、この段階では、配線シード層７３は所望の形状ではなく、絶縁層３１の上面３１Ａ全体を覆っている。
【００３３】
上記の工程により、ビアホール３１Ｘの内面を覆う銅のビアシード層７１と、絶縁層３１の上面３１Ａを覆うニッケルの配線シード層７３が形成される。
次に、充填部７２及びパターン層７４の形成方法を説明する。
【００３４】
この形成方法において、図２（ｆ）に示すように、ビアシード層７１と配線シード層７３を形成した基板（構造体）に対し、たとえばセミアディティブ法により図１（ｂ）に示す配線パターン４１Ｐを形成する。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、配線シード層７３の上に、所用の箇所に開口部８３Ｘを有するレジスト層８３を形成する。開口部８３Ｘは、図１（ｂ）に示す配線パターン４１Ｐに対応する部分（領域）の配線シード層７３を露出するように形成される。レジスト層８３の材料としては、耐めっき性を有する材料を用いることができる。たとえば、レジスト層８３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（たとえばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、配線シード層７３の上面を、熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部８３Ｘを有するレジスト層８３を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８３を形成することができる。
【００３６】
図３（ｂ）に示すように、めっき促進剤８４をビアホール３１Ｘの内面、つまりビアシード層７１の表面に吸着させる。めっき促進剤８４は、たとえばビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドである。先ず、めっき促進剤を含む水溶液に基板を浸漬するプレディップ処理を行う。このプレディップ処理において、吸着作用によって、めっき促進剤８４が銅よりなるビアシード層７１の表面に吸着する。
【００３７】
ニッケルよりなる配線シード層７３に対しては、めっき促進剤８４の吸着作用が、ビアシード層７１の表面における吸着作用に比べて極めて小さい。したがって、プレディップの時間やめっき促進剤の重量濃度によって、配線シード層７３の表面にめっき促進剤８４が吸着しないようにすることができる。
【００３８】
図３（ｃ）に示すように、レジスト層８３をめっきマスクとして、配線シード層７３、ビアシード層７１を給電電極とした電解めっき法により、充填部７２及びパターン層７４を形成する。図３（ｂ）に示すめっき促進剤８４により、ビアシード層７１の表面においてめっき液に含まれる銅の析出が促進され、ビアホール３１Ｘ（ビアシード層７１）の内側にめっき金属（銅）が充填されて充填部７２が形成される。そして、充填部７２の上面と配線シード層７３の上面に、銅が析出されてパターン層７４が形成される。
【００３９】
図３（ｄ）に示すように、レジスト層８３を、たとえば剥離法により除去する。これにより、配線シード層７３の上面を部分的に露出する。
図３（ｅ）に示すように、例えばフラッシュエッチングにより、パターン層７４をエッチングマスクとしてパターン層７４から露出する配線シード層７３を除去する。これにより、所望の形状に形成された配線シード層７３とパターン層７４からなる配線パターン４１Ｐが得られる。
【００４０】
次に、充填部７２及びパターン層７４を形成する別の形成方法を説明する。
この形成方法において、図２（ｆ）に示すように、ビアシード層７１と配線シード層７３を形成した基板（構造体）に対し、たとえばサブトラクティブ法により図１（ｂ）に示す配線パターン４１Ｐを形成する。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、めっき促進剤８４をビアホール３１Ｘの内面、つまりビアシード層７１の表面に吸着させる。めっき促進剤８４は、たとえばビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドである。先ず、めっき促進剤を含む水溶液に基板を浸漬するプレディップ処理を行う。このプレディップ処理において、吸着作用によって、めっき促進剤８４が銅よりなるビアシード層７１の表面に吸着する。
【００４２】
ニッケルよりなる配線シード層７３に対しては、めっき促進剤８４の吸着作用が、ビアシード層７１の表面における吸着作用に比べて極めて小さい。したがって、プレディップの時間やめっき促進剤の重量濃度によって、配線シード層７３の表面にめっき促進剤８４が吸着しないようにすることができる。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、配線シード層７３とビアシード層７１を給電電極とした電解めっき法により、充填部７２及びパターン層７４を形成する。なお、この段階では、パターン層７４は所望の形状ではなく、絶縁層３１全体を覆っている。図４（ａ）に示すめっき促進剤８４により、ビアシード層７１の表面においてめっき液に含まれる銅の析出が促進され、ビアホール３１Ｘ内（ビアシード層７１により形成される凹部内）に銅が充填されて充填部７２が形成される。そして、充填部７２の上面と配線シード層７３の上面に、銅が析出されてパターン層７４が形成される。
【００４４】
図４（ｃ）に示すように、パターン層７４の上に、所用の箇所に開口部８５Ｘを有するレジスト層８５を形成する。開口部８５Ｘは、図１（ｂ）に示す配線パターン４１Ｐに対応する部分（領域）のパターン層７４を露出するように形成される。レジスト層８５の材料としては、耐エッチング性を有する材料を用いることができる。たとえば、レジスト層８５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、パターン層７４の上面を熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部８５Ｘを有するレジスト層８５を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８５を形成することができる。
【００４５】
図４（ｄ）に示すように、レジスト層８５をエッチングマスクとして、図４（ｃ）に示すパターン層７４をエッチングし、所望の形状のパターン層７４を形成する。
図４（ｅ）に示すように、レジスト層８５をエッチングマスクとして、図４（ｄ）に示す配線シード層７３をエッチングし、所望の形状の配線シード層７３を形成する。
【００４６】
図４（ｆ）に示すように、レジスト層８５を、たとえば剥離法により除去する。
次に、ビアシード層７１及び配線シード層７３を形成する別の形成方法を説明する。
図５（ａ）に示すように、配線層２３を被覆した絶縁層３１を形成する。絶縁層３１は、たとえば樹脂フィルムにて配線層２３を被覆した後に、樹脂フィルムを押圧しながら熱処理を施して硬化させることにより形成される。
【００４７】
図５（ｂ）に示すように、配線層２３の上面の一部が露出されるように、絶縁層３１の所定箇所にビアホール３１Ｘを形成する。ビアホール３１Ｘは、たとえばレーザ加工により形成される。なお、感光性樹脂を用いて絶縁層３１を形成した場合には、たとえばフォトリソグラフィ法によりビアホール３１Ｘを形成してもよい。レーザ加工にてビアホール３１Ｘを形成した場合、デスミア処理を行って、ビアホール３１Ｘ内の残渣（樹脂スミア）を除去する。
【００４８】
図５（ｃ）に示すように、ビアホール３１Ｘに対応する開口部９１Ｘを有するレジスト層９１を形成する。レジスト層９１は、絶縁層３１の上面３１Ａを覆うように形成される。そして、レジスト層９１をめっきマスクとして、たとえば無電解めっき法によって、ビアホールの内側面にビアシード層７１を形成する。レジスト層９１の材料としては、耐めっき性を有する材料を用いることができる。たとえば、レジスト層９１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層３１の上面及びビアホール３１Ｘ（ビアシード層７１）の内面を熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングしてレジスト層９１を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９１を形成することができる。
【００４９】
図５（ｄ）に示すように、ビアホール３１Ｘをマスクする。たとえば、ビアホール３１Ｘにレジスト層９２を形成する。レジスト層９２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層３１の上面及びビアホール３１Ｘ（ビアシード層７１）の内面を熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングしてレジスト層９２を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９２を形成することができる。
【００５０】
そして、絶縁層３１の上面３１Ａに、スクリーン印刷などによって、ニッケルを含む半硬化状態の導電ペーストを用いて配線シード層７３を形成する。
図５（ｅ）に示すように、ビアホール３１Ｘ内のレジスト層９２を、レジスト層の材料に応じて、アルカリ性の薬液やアルコール等を用いて除去する。これにより、ビアホール３１Ｘの内側面を覆う銅よりなるビアシード層７１と、絶縁層３１の上面３１Ａを覆うニッケルよりなる配線シード層７３とを有する基板（構造体）を得ることができる。
【００５１】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）配線部３０は、複数の絶縁層３１〜３４と配線層４１〜４４を有し、絶縁層３１〜３４と配線層４１〜４４は交互に積層されている。各絶縁層３１〜３４には、それぞれの上面と下面との間を貫通するビアホール３１Ｘ〜３４Ｘが形成されている。各配線層４１〜４４は、各ビアホール３１Ｘ〜３４Ｘに配置されたビア４１Ｖ〜４４Ｖと、各絶縁層３１〜３４の上面に配置された配線パターン４１Ｐ〜４４Ｐとを有している。
【００５２】
ビア４１Ｖは、ビアシード層７１と充填部７２とを有している。ビアシード層７１は、絶縁層３１のビアホール３１Ｘの内側面に形成されている。充填部７２は、ビアシード層７１の内側に配置され、柱状（コア基板２０側に縮径した円錐台状）に形成されている。ビアシード層７１の材料は、たとえば銅や銅合金である。配線パターン４１Ｐは、配線シード層７３とパターン層７４とを有している。配線シード層７３は、絶縁層３１の上面３１Ａに形成されている。パターン層７４は、配線シード層７３とビア４１Ｖとの上面を覆うように形成されている。配線シード層７３の材料は、たとえばニッケル（Ｎｉ）やニッケル合金である。パターン層７４の材料は、たとえば銅や銅合金である。
【００５３】
充填部７２とパターン層７４は、ビアシード層７１と配線シード層７３とを給電電極とする電解めっき法により形成される。ビアシード層７１は銅または銅合金からなり、配線シード層７３はニッケルまたはニッケル合金からなる。このため、配線シード層７３は、電解めっき法において使用されるめっき促進剤の吸着作用が無く、ビアシード層７１はめっき促進剤の吸着作用を有している。したがって、めっき促進剤を含む水溶液に浸漬すると、ビアシード層７１の表面のみにめっき促進剤が吸着する。このめっき促進剤により、ビアホール３１Ｘ内においてめっき金属の形成（析出）が促進され、ビアホール３１Ｘ内がめっき金属により充填されて充填部７２が形成される。また、配線シード層７３の上にめっき金属が析出されてパターン層７４が形成される。このように形成された配線シード層７３とパターン層７４とからなる配線パターン４１Ｐは、銅膜をシード層とする電解めっき法により形成される配線パターンと比べ薄くなり、微細な配線パターン４１Ｐを形成することができる。
【００５４】
（２）ビアホール３１Ｘを形成した絶縁層３１の表面に金属膜８１を形成し、その基板を乾燥処理した後、ソフトエッチングした。乾燥処理によって、金属膜８１の表面における濡れ性が低下するため、エッチング液がビアホール３１Ｘ内に入り込まないので、絶縁層３１の上面３１Ａの金属膜８１が選択的に除去される。この結果、ビアホール３１Ｘ内のビアシード層７１を容易に形成することができる。
【００５５】
（３）ビアシード層７１を形成した絶縁層３１の表面に触媒８２を吸着させる。この基板をソフトエッチングしてビアシード層７１を僅かにエッチングする。これにより、絶縁層３１の上面３１Ａのみに触媒８２が残存する。そして、無電解めっき法によってこの触媒８２によりニッケルよりなる配線シード層７３を形成する。この結果、絶縁層３１の上面３１Ａに配線シード層７３を容易に形成することができる。
【００５６】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態に対し、コア基板を有していない配線基板とする。
たとえば、支持基板の両面に配線部３０，５０を形成し、配線部３０，５０を支持基板から分離して配線基板を得る。
【００５７】
・上記実施形態では、配線シード層７３の材料としてニッケルまたはニッケル合金を示したが、めっき促進剤の吸着作用を有していない、またはビアシード層７１と比べて吸着作用が極めて小さい金属材料を用いてもよい。
【００５８】
・上記実施形態に対し、配線部３０，５０に含まれる絶縁層と配線層の層数を適宜変更してもよい。
【符号の説明】
【００５９】
３１〜３４  絶縁層
３１Ａ  上面
３１Ｘ〜３４Ｘ  ビアホール
４１〜４４  配線層
４１Ｖ〜４４Ｖ  ビア
４１Ｐ〜４４Ｐ  配線パターン
７１  ビアシード層
７２  充填部
７３  配線シード層
７４  パターン層
８４  めっき促進剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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