(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のモジュールを備えるリソグラフィ装置のための調節システムであって、
前記複数のモジュールのための共通調節媒体と、
前記複数のモジュールのうちの異なる個別のモジュール又はモジュールのサブセットの各々が、前記共通調節媒体を搬送する対応する調節分岐を介して調節されるように配列された、複数の調節分岐と、
各々が前記調節分岐のうちの１つで前記共通調節媒体の温度を局所的に変更するように動作可能な複数の熱アクチュエータと、
各々が前記調節分岐のうちの１つで前記共通調節媒体の前記温度を感知するように動作可能な複数のセンサと、
前記複数のモジュールを共通温度で維持するように、前記センサの出力に基づいて前記熱アクチュエータを制御するように動作可能なコントローラと、
を備え、
前記複数のセンサの少なくとも１つのセンサのオフセットは、流体を含む較正媒体を用いて補償される、
前記熱アクチュエータの前記制御は、同じ絶対温度について各センサの未較正の出力に対する補償を行うために、前記センサの各々についての較正オフセットを考慮し、前記リソグラフィ装置は、前記較正オフセットを計算するために較正ルーチンを実行するように動作可能であり、
前記較正ルーチンは、前記リソグラフィ装置の通常動作中の、各モジュールの動きの定義済み範囲内の前記モジュールの動きを制御するように動作可能である、
調節システム。
【請求項２】
前記複数のセンサは、対応するモジュール又は調節分岐の温度を感知するように動作可能な、各モジュール内又は調節分岐内の専用センサを備え、
前記複数の熱アクチュエータは、対応する調節分岐で前記共通調節媒体の温度を局所的に変更するように動作可能な、各調節分岐のための専用熱アクチュエータを備える、請求項１に記載の調節システム。
【請求項３】
前記専用センサの各々は、対応する専用熱アクチュエータの外部であって近傍に配置される、請求項２に記載の調節システム。
【請求項４】
前記コントローラ及び前記複数の熱アクチュエータは、単一の制御ユニット内に含まれる、請求項１に記載の調節システム。
【請求項５】
前記較正ルーチンは、１つ以上の未較正センサ、較正済みセンサ、及び較正媒体を共通の場所にまとめること、並びに、前記未較正センサを前記較正済みセンサに対して較正すること、を含む、請求項１に記載の調節システム。
【請求項６】
前記較正ルーチンは、１つ以上の未較正センサ及び既知の温度の較正媒体を共通の場所にまとめること、並びに、前記未較正センサを既知の温度の前記較正済み媒体に対して較正すること、を含む、請求項１又は５に記載の調節システム。
【請求項７】
前記モジュールの各々は、前記較正済み及び未較正のセンサ及び／又は前記較正媒体を１つ以上の共通の場所にまとめるために、前記センサのうちの１つ及び／又は前記較正媒体のための排出口を備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の調節システム。
【請求項８】
前記較正ルーチンは、前記モジュール及び／又は前記較正媒体が前記共通の場所にある間に、前記モジュール及び／又は前記較正媒体の前記温度を等化することを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の調節システム。
【請求項９】
前記共通調節媒体は、調節流体を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の調節システム。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の調節システムと、
前記複数のモジュールと、
を備える、リソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記複数のモジュールは、基板テーブル、液体閉じ込め構造、計測フレーム、１つ以上の格子板、投影システム、エンコーダブロック、及び基板ステージ、のうちの１つ以上を備える、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
複数のモジュールを備えるリソグラフィ装置を調節する方法であって、
前記複数のモジュールのうちの異なる個別のモジュール又はモジュールのサブセットの各々を、共通調節媒体を搬送する対応する調節分岐を介して調節することと、
各々が前記調節分岐のうちの１つで前記共通調節媒体の前記温度を感知するように動作可能な複数のセンサを用いて、前記調節分岐の各々で前記共通調節媒体の温度を感知することと、
各々が前記調節分岐のうちの１つで前記共通調節媒体の温度を局所的に変更するように動作可能な複数の熱アクチュエータを用いて、前記複数のモジュールを共通温度で維持するように前記調節分岐の各々で前記共通調節媒体の前記温度を局所的に変更することと、
前記複数のモジュールを共通温度で維持するように、コントローラによって、前記センサの出力に基づいて前記熱アクチュエータを制御することとを含み、
前記複数のセンサの少なくとも１つのセンサのオフセットは、流体を含む較正媒体を用いて補償され、
前記熱アクチュエータの前記制御は、同じ絶対温度について各センサの未較正の出力に対する補償を行うために、前記センサの各々についての較正オフセットを考慮し、前記リソグラフィ装置は、前記較正オフセットを計算するために較正ルーチンを実行するように動作可能であり、
前記較正ルーチンは、前記リソグラフィ装置の通常動作中の、各モジュールの動きの定義済み範囲内の動きを制御するように動作可能である、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本願は、２０１４年７月２３日出願の欧州特許出願第１４１７８１２４．５号の利益を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は調節システム、並びにリソグラフィ装置及びそのような調節システムを備えるリソグラフィ装置のための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置は、その構成要素モジュールを共通温度で維持するための調節システムを備えることができる。モジュール間での温度差は、基板処理中のオーバーレイに悪影響を与える可能性がある。そのような調節システムは、調節モジュール（冷却水キャビネットなど）内に所望の温度で維持された後、モジュールを所望の共通温度で維持するためにモジュールに分配される、調節媒体（水など）を備えることができる。しかしながら、このような受動的な調節システムは、温度差が１０ｍＫ未満に維持されるべきである将来のオーバーレイ要件を満たすには不十分である。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置のための改良された調節システムを提供することが望ましい。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  本発明の態様によれば、複数のモジュールを備えるリソグラフィ装置のための調節システムが提供され、調節システムは、複数のモジュールのための共通調節媒体と、複数のモジュールのうちの異なる個別のモジュール又はモジュールのサブセットの各々が、共通調節媒体を搬送する対応する調節分岐を介して調節されるように配列された複数の調節分岐と、各々が調節分岐のうちの１つで共通調節媒体の温度を局所的に変更するように動作可能な複数の熱アクチュエータと、各々が調節分岐のうちの１つで共通調節媒体の温度を感知するように動作可能な複数のセンサと、を備える。
【０００７】
[0007]  本発明のさらなる態様によれば、複数のモジュールを備えるリソグラフィ装置を調節する方法が提供され、方法は、複数のモジュールのうちの異なる個別のモジュール又はモジュールのサブセットの各々を、共通調節媒体を搬送する対応する調節分岐を介して調節することと、調節分岐の各々で共通調節媒体の温度を感知することと、複数のモジュールを共通温度で維持するように調節分岐の各々で共通調節媒体の温度を局所的に変更することと、を含む。
【０００８】
[0008]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に従った調節システムを含む図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[0009]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１１】
[0010]  照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１２】
[0011]  支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１３】
[0012]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１４】
[0013]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１５】
[0014]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００１６】
[0015]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００１７】
[0016]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械（基板ステージは、基板テーブルを含むモジュールである）においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００１８】
[0017]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００１９】
[0018]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２０】
[0019]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えていてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２１】
[0020]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上で保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが付与される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。システムが液浸システムの場合、液体閉じ込め構造（液浸フード）ＩＨが提供される。投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすように、リソグラフィ投影装置内で相対的に高い屈折率を有する液体、例えば水に基板を液浸させることが知られている。これは、露光放射が液体中ではより短い波長を有することから、小型のフィーチャの結像を可能にするためである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を増加させること、及び焦点深度を増加させることとも見なされ得る。）内部に固体粒子（例えば、クオーツ）が懸濁している水を含む、他の液浸液が提案されている。液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間に液浸液を供給する。
【００２２】
[0021]  第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けにより、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的取り出し後、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けによって実現可能である。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現可能である。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定することができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせ可能である。基板アライメントマークは、図に示されるように専用ターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間の空間に配置することも可能である（これらはスクライブレーンアライメントマークとも呼ばれる）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置することも可能である。
【００２３】
[0022]図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２４】
[0023]上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２５】
[0024]  いくつかのリソグラフィ装置において、温度変化及びそれらの間のオフセットに敏感な、多くの性能に不可欠なモジュール（サブシステム及び／又はコンポーネントを含み得る）が存在する。これらのモジュールは、基板テーブルＷＴ、液体閉じ込め構造ＩＨ、計測フレームＭＦ、格子板（計測フレーム上に取り付けて、計測基準として働くことが可能である）、投影システムＰＳ、エンコーダブロック（その上に基板テーブルＷＴがクランプされる）、基板ステージ、位置センサＩＦ（又は他の計測デバイス）、基板ハンドラ（ウェーハハンドラ）、マスクＭＡ、（例えば）エンコーダブロックをパージするためのパージングモジュール、又はアライメントセンサを含む。これらのモジュールはすべて、直接、又は共通調節媒体、例えばレンズ冷却水（ＬＣＷ）などの液体によって、間接的に調節することができる。他の実施形態において、共通調節媒体は空気などの気体であってよい。
【００２６】
[0025]  システム全体にわたる圧力降下及び熱源の差異により、モジュールの温度レベルは等しくない。例えば第２のポジショナＰＷからの熱負荷により、格子板を調節する空気は共通調節媒体よりも温かい場合がある。その結果、格子板が基板テーブルＷＴよりも高温となる可能性がある。別の例では、共通調節媒体が、調節システム及び（特定の例として）基板テーブルＷＴを通って送られる間に圧力を失う可能性がある。この圧力降下が、基板テーブルＷＴに入る共通調節媒体の温度を上昇させることになる。結果として、基板テーブルＷＴと液体閉じ込め構造ＩＨとの間、及び基板テーブルＷＴと基板ハンドラとの間に、温度差が生じる。
【００２７】
[0026]  モジュール間の温度オフセットは、オーバーレイ（リソグラフィ構造のパターン間アライメント）における不安定性を生じさせることになる。例えば、基板ハンドラからの基板が基板ロード時の基板テーブルＷＴよりも温かい場合、基板Ｗから基板テーブルＷＴへの熱流が生じ、測定サイクル中に基板Ｗを変形させることになる。基板ステージエアシャワー（製造中、基板ステージに空気を勢いよく通すために使用される）からの空気が、エンコーダのパージに使用される空気よりも温かい場合、エンコーダビーム中に屈折率の変動を生じさせ、基板ステージ位置決め誤差を生じさせることになる。これらは２つの例に過ぎない。
【００２８】
[0027]  通常、機械内での温度差は、以下の２つの影響を生じさせることになる。
・２つのモジュール間での温度差は、これらの２つのモジュールが出会った場合に熱流を生じさせる。これにより、基板、又は測定ループ内のコンポーネント（例えば、基板テーブルＷＴ、液体閉じ込め構造ＩＨ、基板ハンドラ、エンコーダブロック、格子板、位置センサＩＦ／計測センサ）の、熱機械変形を生じさせる可能性がある。
・２つのエアサプライ間での温度差は、空気（又は他の媒体、例えば液浸水）中に屈折率変化を生じさせ、光学測定誤差（基板ステージ、エンコーダパージング、アライメントパージング、投影レンズ）を生じさせる。
これらの温度オフセットは、およそ２０から１００ｍＫであってよい。しかしながら、将来のオーバーレイ仕様は、温度オフセットが１０分の１に改善されている必要がある。好ましくは、温度オフセットは１０ｍＫを超えないことが望まれる。
【００２９】
[0028]  従来のリソグラフィ装置は、共通調節媒体が共通調節媒体モジュール内で所望の温度まで加熱又は冷却される、調節システムを備えることができる。例えば、共通調節媒体としてＬＣＷが使用される場合、ＬＣＷはＬＣＷキャビネットが供給源であり、ＬＣＷキャビネット内で加熱又は冷却されることになる。その後、所望の温度の共通調節媒体は、その温度を調節し、上記の温度オフセットを最小限にするために、リソグラフィ装置モジュールに出力される。しかしながらこの方法のみでは、前述の将来のオーバーレイ仕様を満たすほど温度オフセットを減少させるには不十分である。
【００３０】
[0029]  本明細書において、較正及び制御を介してリソグラフィプロセス中に存在する温度勾配の大部分を低減又は消去することを目的とする、温度マッチング機能及びストラテジを作成することが提案される。これは、リソグラフィ装置全体が１つの所定の温度に制御されるように、共通調節媒体の各調節分岐の温度を調整する能動的な調節システムを提供することによって、システムレベルで達成可能である。各調節分岐についての制御因子は、１つの較正ルーチンごとに決定可能である。各調節分岐は、リソグラフィ装置のモジュールのうちの１つを調節することができる。
【００３１】
[0030]  図２は、実施形態に従った調節システム２００を示す。調節システム２００は、調節媒体を調節媒体源２１０から複数のモジュール２１５に搬送する、太線で示される調節媒体経路２０５（例えば、ＬＣＷ回路）を備える。調節媒体経路２０５は、各モジュール２１５につき（又は、モジュールのサブセットにつき）１つの、複数の調節分岐２２０を備える。調節分岐２２０のうちのいくつか又はすべてには、各々、熱アクチュエータ２２５（例えば、加熱又は冷却要素）が直接又は間接的に装備されている。各モジュール又は調節分岐には、センサ２３０も装備されている。この例において、熱アクチュエータ２２５は調節制御ユニット２３５内に備えられる。代替として、熱アクチュエータ２２５の各々は、（モジュール２１５内の、又は調節分岐２２０内の他の場所の）センサ２３０に隣接して、又はそのすぐ近傍に配置可能である。すぐ近傍とは、各センサとその対応する熱アクチュエータとの間の距離が、３０ｃｍ未満、２０ｃｍ未満、１０ｃｍ未満、又は５ｃｍ未満であることを意味し得る。
【００３２】
[0031]  好ましくは、各センサ２３０はできる限り当該地点の近くに配置すべきである。当該地点とは、例えば、処理されている基板がモジュール２１５内の特定地点と接触する、モジュール２１５内の地点であってよい。このように、調節システム２００は、リソグラフィ装置との関連においてモジュール２１５を調節する各調節分岐２２０の局所的調節を可能にする機能を備える。
【００３３】
[0032]  調節制御ユニット２３５は、各センサ２３０から出力される信号を処理し、制御信号を熱アクチュエータ２２５に送信する。調節制御ユニット２３５は、入力として温度設定点２４０を受信し、同じ絶対温度について各センサの未較正の読み取り値に対する補償を行うために、較正オフセット２４５を用いてオフセットを行うことができる。調節制御ユニット２３５は、設定点２４０に従って熱アクチュエータを制御し、そのセンサについての較正オフセット２４５を用いてオフセットを行うことができる。各モジュールのセンサ２３０及び熱アクチュエータ２２５は、温度設定点２４０によって定義された絶対温度で（又はできる限り近くで）モジュールの温度が維持されるように、フィードバックループで動作する。このようにして、前述のシステムにおける圧力降下及び熱源が補償される。調節制御ユニット２３５は、図に示されるように単一のユニットを備えることが可能であるか、又は、モジュール２１５に対してコントローラを局所的に分散させてもよい。
【００３４】
[0033]  特定の実施形態において、これらの局所的に制御される分岐は、以下のモジュール２１５のうちのいくつか又はすべてを調節する。
・基板テーブル
・基板ハンドラ微動調節テーブル
・エンコーダパージング
・レベルセンサパージング
・計測フレーム
・投影レンズ
・液体閉じ込め構造及び／又は液浸流体
・ＳＰＭ格子板（計測フレーム及び基板ステージエアシャワーを介して間接的に）
・基板ステージエンコーダブロック（液浸流体及び基板ステージエアシャワーを介して間接的に）
・他の環境調節システム
これらのモジュールは、単なる例として列挙されており、実施形態は、異なるモジュール、他のモジュール、及び／又はこれらのモジュールの単なるサブセットの調節を提供することができる。
【００３５】
[0034]  リソグラフィ装置は、センサ２３０を較正するために較正ルーチンを実行するための制御ソフトウェアも備えることができる。較正ルーチンは、較正媒体の存在下で共通の場所に２つ（又はそれ以上）のモジュール２１５をまとめることを含むことができるため、それらのセンサは互いに共通の場所の近傍にあることになる。センサのうちの１つはすでに較正されている、且つ／又は、較正媒体は既知の温度に予め温度マッチングされている。較正ルーチンは、較正済みセンサに対して、及び／又は較正媒体の温度（予め温度マッチングされている場合）に対して、未較正センサを較正することを含む。代替又は追加として、較正ルーチンは、予め温度マッチングされた較正媒体（既知の温度を有する）に未較正センサを導入すること、及び、予め温度マッチングされた較正媒体に対して未較正センサを較正することを含むことができる。
【００３６】
[0035]  較正ルーチンは、他方のモジュール及び／又は共通較正媒体に関して、各々のモジュールを温度マッチングすることもできる。温度マッチングは、１つ以上のモジュールの温度及び／又は較正媒体の温度を制御することを含むことができるため、モジュール及び／又は較正媒体の温度は等化されることになる。この温度マッチングは、温度マッチングされているモジュール及び／又は較正媒体が共通の場所にある時に実行され、上記の段落で説明された較正ステップと同時に実行することができる。温度の制御は、例えば適切な熱アクチュエータを使用して、モジュール又は較正媒体に入力される熱を調整することによって、達成可能である。
【００３７】
[0036]  較正媒体は共通調節媒体と同じであるか、又は異なる媒体とすることができる。較正媒体は、較正が実行される異なる共通の場所では異なるものとすることができる。較正媒体は、流体（例えば、水又は空気）、又は固体（例えば、基板）とすることができる。
【００３８】
[0037]  リソグラフィ装置内では、モジュール（較正媒体、例えば空気ホース又は蛇口として使用可能な、流体を分配するためのコンポーネントを含む）のうちのいくつか又はすべては、通常動作中に定義済み範囲の動きを有する。これは、各モジュール独自のソフトウェアサブルーチンによって制御される。較正ルーチンは、同時にこれらのモジュールのうちの２つ（又はそれ以上）が共通の場所に移動されるように、それらの離散的な動きを命じる、さらなるサブルーチンを含むことが可能であり、離散的な動きは各モジュールの動きの定義済み範囲内にある。これは、製造（セットアップ時）とは別に実行可能である。いくつかの異なる共通の場所が、特定のセンサが較正される各較正ステップについて１つずつ存在し得る。各共通の場所は、それらを通って流れる１つの媒体（較正媒体）を有する領域となるように選択可能である。代替として、流体を分配するためのコンポーネントは、較正媒体を提供するための領域に移動させることもできる。
【００３９】
[0038]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、すでに複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００４０】
[0039]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００４１】
[0040]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００４２】
[0041]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００４３】
[0042]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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