(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素原料を黒鉛製の坩堝の下部に装填し、坩堝の下部を高周波誘導加熱手段で加熱し、前記炭化珪素原料を間接的に加熱して昇華ガスを発生させ、坩堝の上部に対向配置した炭化珪素の種結晶上に炭化珪素を再結晶させる昇華再結晶法により、炭化珪素単結晶を成長させて炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法において、
前記坩堝の底壁部には、その底壁部中央部分の外面側に、坩堝の底壁部の外径よりも小さい直径の加熱補助部を介して、坩堝の底壁部の外径以上の直径を有する発熱部材が設けられており、
前記坩堝内に装填された炭化珪素原料（坩堝内原料）の中央部を、前記加熱補助部を介して下方側から加熱することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
【請求項２】
前記発熱部材を高周波誘導加熱手段で加熱することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
【請求項３】
前記坩堝の底壁部の外径(Ｄb)に対して、前記加熱補助部の直径(Ｄc)の加熱部比率（Ｄc／Ｄb）が、０．３以上０．８以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
【請求項４】
前記発熱部材の直径が前記坩堝の底壁部の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
【請求項５】
前記発熱部材の電気抵抗が前記坩堝の電気抵抗とは異なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
【請求項６】
種結晶を上部に配置し、炭化珪素原料を下部に装填する黒鉛製の坩堝と、前記坩堝を加熱する高周波誘導加熱手段とを有し、
前記坩堝内に装填された炭化珪素原料（坩堝内原料）を前記高周波誘導加熱手段により加熱し、炭化珪素を昇華させて前記種結晶上に再結晶させることにより、炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置において、
前記坩堝の底壁部には、その底壁部中央部分の外面側に、坩堝の底壁部の外径よりも小さい直径の加熱補助部と坩堝の底壁部の外径以上の直径を有する発熱部材とを設け、
前記加熱補助部は前記坩堝の底壁部と前記発熱部材との間に位置し、
前記発熱部材を取り囲むように前記高周波誘導加熱手段の誘導加熱コイルを配置したことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
【請求項７】
前記坩堝の底壁部の外径(Ｄb)に対して、前記加熱補助部の直径(Ｄc)の加熱部比率（Ｄc／Ｄb）が、０．３以上０．８以下であることを特徴とする請求項６に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
【請求項８】
前記発熱部材の直径が前記坩堝の底壁部の直径よりも大きいことを特徴とする請求項６又は７に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
【請求項９】
前記発熱部材の電気抵抗が前記坩堝の電気抵抗とは異なることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高熱伝導率を持ち、バンドギャップの大きい炭化珪素単結晶は、高温で用いられる電子材料や、高耐圧の求められる電子材料の基板として有用な材料である。
そして、このような炭化珪素単結晶の作製法の一つとして、昇華再結晶法(レーリー法)が知られている。この昇華再結晶法は、２０００℃を超える高温において原料の炭化珪素粉末を昇華させ、生成したその昇華ガス（原料ガス）を低温部に再結晶化させることにより、炭化珪素単結晶を製造する方法である。また、このレーリー法において、炭化珪素単結晶からなる種結晶を用いて炭化珪素単結晶を製造する方法は、特に改良レーリー法と呼ばれ（非特許文献１）、バルク状の炭化珪素単結晶インゴットの製造に利用されている。
【０００３】
この改良レーリー法においては、種結晶を用いているために結晶の核形成過程を最適化することができ、また、不活性ガスによる雰囲気圧力を１０Paから１５kPa程度にすることにより、炭化珪素単結晶の成長速度等の再現性を良くすることができる。このため、一般に、原料と結晶との間で適切な温度差を設け、種結晶の上に炭化珪素単結晶を成長させることが行われている。また、得られた炭化珪素単結晶（炭化珪素単結晶インゴット）については、電子材料の基板としての規格の形状にするために、研削、切断、研磨といった加工が施されて利用されている。
【０００４】
ここで、図６を用いて、改良レーリー法の原理を説明する。炭化珪素原料３として炭化珪素結晶粉末〔通常、アチソン(Acheson)法で作製された炭化珪素結晶粉末を洗浄・前処理したものが使用される。〕が用いられ、また、種結晶２としては炭化珪素単結晶が用いられる。前記炭化珪素原料粉末からなる原料３は黒鉛製の坩堝１内の下部、原料装填部に装填され、また、前記炭化珪素単結晶からなる種結晶２は坩堝１の蓋部材1aの内面側に支持（装着）される。アルゴン等の不活性ガス雰囲気中（10Pa〜15kPa）で原料３を昇華させるために、原料３は２４００℃以上に加熱される。この際、坩堝１内には、原料３側に比べて種結晶２側がやや低温になるように、温度勾配が設定される。原料３は、加熱されて昇華した後、濃度勾配（温度勾配により形成される）により種結晶２方向へ拡散し、輸送される。炭化珪素単結晶の成長は、種結晶２に到着した原料ガスがこの種結晶２上で再結晶化し、単結晶インゴット４となることにより実現される。なお、図６中、符号５は断熱材である。
【０００５】
ところで、電子デバイスを作製するために使用される炭化珪素単結晶製の基板については、その口径を大きくする大口径化が求められており、また同時に、基板の製造時に１つのインゴットから多数の基板を製造して切断加工や研削加工等の生産性をより高めることができるように、結晶成長により得られるインゴットの長さを大きくする長尺化が求められている。
【０００６】
しかしながら、前記の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法においては、炭化珪素単結晶の結晶を成長させる際に、原料を黒鉛製の坩堝の中に装填して加熱する方法が用いられているため、原料を結晶成長の途中で追加することが困難である。そこで、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを作製するためには、小口径の結晶成長に比べて、坩堝の原料装填部に原料粉末を多量に装填する必要がある。しかるに、原料の装填量を増大させるためには、原料装填部の深さを深くすることや、坩堝の径を大きくすることが必要になり、しかも、このように多量に装填した原料を結晶成長の際に効率的に利用するためには、原料装填部内の原料全体の温度を昇華温度まで効率良く加熱することが必要である。
【０００７】
そして、坩堝を加熱する方法としては、一般に、坩堝の側壁部側方にこの側壁部を取り囲むように高周波誘導加熱手段の誘導加熱コイルを配設し、高周波誘導加熱により黒鉛製の坩堝を発熱させ、この発熱した坩堝を介して坩堝内の炭化珪素原料を加熱し、坩堝内に前述の温度勾配を形成することが行われている。また、この高周波誘導加熱では、誘導される高周波電流が高周波の浸透深さに依存しているため、坩堝の形状によって規定された発熱分布を持ち、坩堝側面の表面近傍で強い発熱が生じ、この熱は熱伝導若しくは熱輻射により原料部分に伝達され、これによって原料部分が加熱される。上記のように高周波誘導加熱を行った場合、坩堝の側面に誘導電流が誘起されるが、特に、坩堝のような外形が円柱形状（以下、「外形円柱状」という。）の被加熱物を誘導加熱した場合には、外形円柱状の上端と下端に近い側壁部の側面が強く誘導加熱される。これに伴い、坩堝の上端部側面や、下端の底壁部側面での発熱が他の側面部分に比べて大きくなるという特徴がある。
【０００８】
このようにして原料装填部内の原料が加熱されると、原料内部の高温部から昇華ガスが発生し、結晶成長が生じるが、原料内部には不可避的に温度分布が生じ、原料内部の高温部で昇華した原料ガスの一部は原料内部の低温部で再結晶化を起こし、結晶成長に寄与しない場合がある。そして、この低温部の温度を高温化しその部分にある原料を昇華させるためには、誘導電流の電流値を大きくして坩堝の側壁部の温度をより高温に加熱する必要があるが、一方で、坩堝の側壁部の温度を高温にすると、坩堝全体が高温になり、種結晶と接している部分の坩堝の温度も高温になり、種結晶や成長中の単結晶の温度も高くなって、温度勾配に基づいた結晶成長の駆動力が小さくなり、結晶成長が途中で停止する結晶成長停止の問題が発生する。
【０００９】
そこで、従来においても、坩堝の原料装填部内に装填された原料を加熱する方法について幾つかの提案がされている。
例えば、特許文献１においては、坩堝内の底壁部にこの底壁部と密着する断熱層を設け、これによって坩堝の底壁部での温度低下を防止し、原料の下部における再結晶を抑制し、効率的に原料を加熱する方法が開示されている。また、特許文献２においては、原料を加熱する部分の坩堝の側壁の形状を制御し、原料内部の温度分布を均一化する方法が開示されている。
【００１０】
また、特許文献３においては、坩堝の底壁部の外側に底壁部側加熱コイルを設置し、坩堝内に装填された原料を坩堝の底壁部側からも加熱できるようにした方法が開示されている。更に、特許文献４においては、坩堝の側壁部の下方に坩堝の底壁部を超えて延びる側壁部分を延設し、この側壁部分での発熱により原料下部の発熱を増大させ、断熱材に形成された測温孔部分での温度の低下を抑制する方法が開示されている。更にまた、特許文献５においては、原料を装填する坩堝の底部の電気伝導率を側部（側壁部）よりも高くして底部での発熱を増大させ、これによって原料の底部に接する部分での温度を高くし、原料を残さず昇華させる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開2010-76,990号公報
【特許文献２】特開2007-230,846号公報
【特許文献３】特開2013-216,549号公報
【特許文献４】特開2012-206,876号公報
【特許文献５】特開2012-171,832号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov, Journal of Crystal Growth, 52 (1981) pp.146
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献１の方法では、高周波誘導加熱により発熱する部分は依然として坩堝の側壁部に限られ、原料の中心部分の温度が低下するという問題が残り、大口径化のために口径を増大させた坩堝の中心部の原料を効率良く加熱する目的のためには採用し難いという問題がある。また、特許文献２の方法では、坩堝の側壁部での発熱分布が変化することに伴い、成長している結晶部分近傍での発熱分布も変化する。結晶成長は等温線に沿って進むと考えられるので、発熱分布が変化することにより、成長する結晶の成長面形状も影響を受け、原料部分での均温化と成長結晶部分での温度の最適化とを両立させることが必要になるが、この最適化に時間がかかる、若しくは、最適化ができないという問題がある。
【００１４】
また、特許文献３の方法では、坩堝の底壁部を直接加熱することができるが、装置の構造が複雑になると同時に、坩堝の側壁部側を加熱する側壁部側加熱コイルと坩堝の底壁部側を加熱する底壁部側加熱コイルとの間に相互作用があり、それぞれの誘導加熱コイルに流す電流の最適化が難しくなり、最適化に時間がかかる、若しくは最適化ができないという問題がある。更に、特許文献４の方法では、坩堝の側壁部に近い部分での発熱を増大させているため、依然として、原料の温度がその中心部より外周部で高くなるという問題は残り、この原料の外周部と中心部との間の温度差に起因して、原料の中心部で再結晶化の問題が発生し、装填した原料を有効に昇華させることができないという問題がある。
【００１５】
更にまた、特許文献５の方法では、誘導電流は坩堝の側部（側壁部）を流れるために原料の中心部に近い部分を効果的に加熱することはできず、また、坩堝の底部と原料との配置は結晶成長中に変化することがないため、原料の底部に接する部分での温度を上げるためには系全体の温度を上げる必要がある。そして、系全体の温度を上げた場合には、成長している結晶部分の温度が高くなり、成長した結晶が高温になって結晶自身が昇華する場合があり、その部分に欠陥が発生し、良質の結晶が得られない場合がある。このため、この特許文献５の方法を用いても、中心部近傍の原料を有効に加熱することは難しく、多量の昇華ガスを必要とするインゴットの大口径化、長尺化には不向きである。
【００１６】
本発明は、かかる観点に鑑みて創案させたものであり、炭化珪素単結晶の成長中に坩堝内に装填した炭化珪素原料を効率良く昇華させ、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを製造するのに適した炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、高周波誘導加熱を用いて、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを製造する場合に、黒鉛製の坩堝内に装填した炭化珪素原料（坩堝内原料）を効率良く昇華させることができる方法について鋭意検討した。その結果、坩堝の底壁部の中央部分をその外面側から加熱することにより、坩堝内原料の中央部を効率良く昇華させ、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを製造することができることを見出し、本発明を完成した。
【００１８】
すなわち、本発明の要旨は次の通りである。
〔１〕  炭化珪素原料を黒鉛製の坩堝の下部に装填し、坩堝の下部を高周波誘導加熱手段で加熱し、前記炭化珪素原料を間接的に加熱して昇華ガスを発生させ、坩堝の上部に対向配置した炭化珪素の種結晶上に炭化珪素を再結晶させる昇華再結晶法により、炭化珪素単結晶を成長させて炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法において、
前記坩堝の底壁部には、その底壁部中央部分の外面側に、坩堝の底壁部の外径よりも小さい直径の加熱補助部を介して、坩堝の底壁部の外径以上の直径を有する発熱部材が設けられており、
前記坩堝内に装填された炭化珪素原料（坩堝内原料）の中央部を、前記加熱補助部を介して下方側から加熱することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
〔２〕  前記発熱部材を高周波誘導加熱手段で加熱することを特徴とする前記〔１〕に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
〔３〕  前記坩堝の底壁部の外径(Ｄb)に対して、前記加熱補助部の直径(Ｄc)の加熱部比率（Ｄc／Ｄb）が、０．３以上０．８以下であることを特徴とする前記〔１〕又は〔２〕に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
〔４〕  前記発熱部材の直径が前記坩堝の底壁部の直径よりも大きいことを特徴とする前記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
〔５〕  前記発熱部材の電気抵抗が前記坩堝の電気抵抗とは異なることを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
〔６〕  種結晶を上部に配置し、炭化珪素原料を下部に装填する黒鉛製の坩堝と、前記坩堝を加熱する高周波誘導加熱手段とを有し、
前記坩堝内に装填された炭化珪素原料（坩堝内原料）を高周波誘導加熱手段により加熱し、炭化珪素を昇華させて前記種結晶上に再結晶させることにより、炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置において、
前記坩堝の底壁部には、その底壁部中央部分の外面側に、坩堝の底壁部の外径よりも小さい直径の加熱補助部と坩堝の底壁部の外径以上の直径を有する発熱部材とを設け、
前記加熱補助部は前記坩堝の底壁部と前記発熱部材との間に位置し、
前記発熱部材を取り囲むように前記高周波誘導加熱手段の誘導加熱コイルを配置したことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
〔７〕  前記坩堝の底壁部の外径(Ｄb)に対して、前記加熱補助部の直径(Ｄc)の加熱部比率（Ｄc／Ｄb）が、０．３以上０．８以下であることを特徴とする前記〔６〕に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
〔８〕  前記発熱部材の直径が前記坩堝の底壁部の直径よりも大きいことを特徴とする前記〔６〕又は〔７〕に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
〔９〕  前記発熱部材の電気抵抗が前記坩堝の電気抵抗とは異なることを特徴とする前記〔６〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法によれば、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを成長させる際に、坩堝内原料について、その中心部の温度を外周部の温度と比較して、同じ、若しくは、より高くして加熱することが可能であり、従来、低温である原料中心部での原料の再結晶化を防ぎ、装填した原料を有効に昇華させること、すなわち炭化珪素原料の結晶化率〔＝(成長した炭化珪素単結晶インゴットの重量)／（装填した炭化珪素原料の重量）〕を高くすることができる。
【００２０】
このことにより、結晶成長面に昇華ガスが効率的かつ安定的に供給されるようになり、結晶成長中に昇華ガスの供給が変動することに起因する欠陥の発生を抑制することができ、高品質の炭化珪素インゴットを製造することができ、また、この高品質の炭化珪素単結晶インゴットを用いて電子材料用の炭化珪素単結晶基板を製造すれば、炭化珪素原料に対して製造される基板の歩留まりが向上し、炭化珪素単結晶基板のコスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法の実施例で用いる炭化珪素単結晶インゴットの製造装置の全体を示す説明図である。
【図２】図２は、図１の要部を説明するための説明図である。
【図３】図３は、本発明の実施例１で用いられた坩堝の底壁部中央部分を加熱するための構成を示す説明図である。
【図４】図４は、本発明の実施例２で用いられた坩堝の底壁部中央部分を加熱するための構成を示す説明図である。
【図５】図５は、本発明の実施例３で用いられた坩堝の底壁部中央部分を加熱するための構成を示す説明図である。
【図６】図６は、改良レーリー法の原理を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面に示す炭化珪素単結晶インゴットの製造装置を用いて、本発明の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法の実施の形態を具体的に説明する。
【００２３】
図１は、炭化珪素単結晶インゴットの製造装置の全体を説明するためのものであり、この製造装置において、二重石英管13内には黒鉛製の坩堝１（以下、「坩堝」と略す。）とこの坩堝１を取り囲むように覆う黒鉛製の断熱材５とが配設されており、また、前記坩堝１には、その上部に黒鉛製の蓋部材1aが配設されている。更に、前記二重石英管13の外側には発熱部材として機能する前記坩堝１を発熱させる高周波誘導加熱手段の誘導加熱コイル17が設置されている。
【００２４】
なお、坩堝１内には、その下部（原料装填部）に炭化珪素結晶粉末からなる炭化珪素原料３（以下、「坩堝内原料」と略す。）が装填されており、また、その内部上方〔蓋部材（黒鉛製の坩堝蓋）1a〕には、炭化珪素単結晶からなる種結晶２が取り付けられている。また、図１において、符号６は切欠き孔、符号10は坩堝支持体、符号14は真空排気装置、符号15はArガス配管、符号16はArガス用マスフローコントローラをそれぞれ示し、前記誘導加熱コイル17には高周波電流を流すための図示外の高周波電源が取り付けられている。
【００２５】
この製造装置において、二重石英管13内部は、真空排気装置14により高真空排気（10-3Pa以下）することができ、かつArガス配管15とArガス用マスフローコントローラ16を用いて、内部雰囲気をArガスにより圧力制御することができるようになっている。そして、坩堝１の温度の計測は、坩堝１の上下部を覆う黒鉛製の断熱材５の中央部にそれぞれ光路を設け、坩堝１の上部（蓋部材1a）及び下部（底壁部）からの光を取り出し、二色温度計を用いて行い、坩堝1下部（底壁部）の温度を原料温度とし、坩堝１上部（蓋部材1a）の温度から種結晶２の温度を判断する。
【００２６】
種結晶２上に炭化珪素単結晶の結晶成長をさせるためには、坩堝1内部の上下方向に温度勾配を形成し、坩堝内原料３部分の温度を高くし、種結晶２の結晶成長部分の温度を相対的に低くして再結晶させる必要がある。つまり、坩堝1の中では坩堝内原料３から種結晶２に向かう熱の流れを形成する必要がある。
【００２７】
ここで、従来の方法では、坩堝１の側壁部で高周波誘導により発生した熱を、坩堝内原料３の内部へ伝達させ、次に種結晶２を経由させて系外へと放出させているが、坩堝内原料３では、その外周部（坩堝の側壁部近傍の部分）の温度が高く、中心部（坩堝の中心軸近傍の部分）に向かって温度が低下し、更に、種結晶２に向かって温度勾配が発生する。そして、このような高周波誘導加熱では、発熱部材である黒鉛製の坩堝1の側壁部は加熱され易いが、坩堝１内に装填された坩堝内原料３の中心部は、坩堝１の側壁部に近い外周部に比べて加熱され難く、坩堝１の底壁部1bの中央部分近傍を効果的に加熱することは難しい。
【００２８】
そこで、本発明においては、坩堝１の側壁部を高周波誘導加熱手段で加熱するだけでなく、坩堝１の底壁部1b中央部分をその外面側から加熱することにより、種結晶２上での結晶成長に必要な温度勾配を維持しつつ、従来は困難であった、坩堝１の底壁部1b中央部分に接する坩堝内原料３の中央部を効率的に昇華させることにその特徴がある。
そして、本発明において、前記坩堝１の底壁部1b中央部分をその外側から加熱する手段については、特に制限されるものではなく、坩堝１の底壁部1b中央部分を効率的に加熱できれば如何なる加熱手段でもよいが、設備の変更が最少で済む高周波誘導加熱手段であることが最も好ましい。そして、この高周波誘導加熱手段で坩堝１の底壁部1b中央部分をその外面側から加熱することができるように、坩堝１の底壁部1b中央部分の外面側には高周波誘導加熱で発熱する発熱部材20を接触させて配置し、この発熱部材20を高周波加熱することにより、坩堝１の底壁部1b中央部分をその外面側から加熱するのがよい。
【００２９】
また、本発明において、前記発熱部材20については、その機能が達成されれば特に材質が限定されるものではないが、昇華再結晶法を行うために必要な高温で機能する材料であって、成長する炭化珪素単結晶の不純物とならない材料であることから、黒鉛材料で形成されることが望ましい。この発熱部材20として坩堝１とは異なる電気抵抗の黒鉛材料を用いることは、誘導電流により引き起こされる発熱部材20の周縁部での発熱を制御することができ、特に坩堝１より低い電気抵抗率の発熱部材20を用いて発熱部材20の周縁部での発熱をより高くすることは有効である。
【００３０】
本発明において、坩堝１の底壁部1b中央部分を加熱するための発熱部材20については、底壁部1b中央部分のみを効果的に加熱するために、好ましくは、図２に示すように、坩堝１の底壁部1bと発熱部材20との間に加熱補助部21を設け、高周波誘導加熱により発熱部材20で発生した熱が、この加熱補助部21を経由して底壁部1b中央部分に効果的に伝達されると共に、底壁部1bの周縁部にはできるだけ伝達されないようにするのが望ましい。このような構成にすることで、従来加熱され易かった坩堝内原料３の外周部下部に伝達される熱を可及的に抑制し、この坩堝内原料３の外周部での高温化を抑制すると同時に、発熱部材20の周縁部での発熱を坩堝１の底壁部1b中央部分に効率的に伝達し、坩堝内原料３の中心部に多くの熱が流れるような加熱状態を形成することができ、結晶成長に必要な温度勾配を維持しつつ、坩堝内原料３の外周部から中心部にかけての温度をより均一化し、有効に原料ガスを昇華させることができる。
【００３１】
そして、上記の加熱補助部21については、坩堝１の底壁部1b及び発熱部材20と別体に形成してこれら坩堝１の底壁部1b及び発熱部材20の間に配設してもよく、また、坩堝１の底壁部1bと一体に形成したり、発熱部材20と一体に形成したり、あるいは、厚さ方向に２分割してその一方を坩堝１の底壁部1bと一体に形成すると共に他方を発熱部材20と一体に形成してもよい。また、この加熱補助部21については、坩堝１の底壁部1b及び／又は発熱部材20と同じ材料で形成することができるほか、耐熱性及び熱伝導性に優れた別の材料で形成してもよく、特に熱伝導性に優れた材料で形成することは、発熱用部材20で発生した熱を底壁部1b中央部分に効果的に伝達し、坩堝内原料３の中心部に効率的に伝導する上で有効である。
【００３２】
また、前記坩堝１の底壁部1bと発熱部材20との間において発熱部材20の外周面側に形成される空隙部には、図２に示すように、発熱部材20で発生した熱が坩堝１の底壁部1bの周縁部を介して坩堝内原料３の外周部底壁部側に直接伝達しないように、坩堝１の底壁部1bの周縁部下面と発熱部材20の周縁部上面との間に、前記加熱補助部21の外周面を取り囲むように断熱材5ｂを設置し、これらの間を熱的に分離すると共に、発熱部材20で発生した熱が坩堝内原料３の中心部底壁部側に集中的に伝達するような構造とすることが更に好ましい。そして、坩堝１の底壁部1bと発熱部材20との間に配設される加熱補助部21については、その厚さＴにより前記断熱材5ｂの厚さが決まるので、この断熱材5ｂにより坩堝１の底壁部1b周縁部下面と発熱部材20の周縁部上面との間を効果的に断熱するため、好ましくは１０mm以上、より好ましくは２０mm以上６０mm以下の範囲の大きさにするのがよい。
【００３３】
更に、本発明において、前記坩堝１内に装填された坩堝内原料３の中央部をその下方から加熱するために、坩堝１の底壁部1bの外面側に配置された前記発熱部材20が接触する底壁部1bの中央部分の大きさ（坩堝内原料の加熱部比率）については、この底壁部1b中央部分の外面側形状が円形状であるとして、坩堝１の底壁部1bの外径（すなわち、坩堝１の外径）(Ｄb)に対して前記底壁部1b中央部分の直径(Ｄc)の加熱部比率（Ｄc／Ｄb）が０．３以上０．８以下であるのがよい。この坩堝内原料３の加熱部比率（Ｄc／Ｄb）が０．３よりも小さい場合には、坩堝内原料３の中心部に十分な熱を伝達することができず、坩堝１の側壁部での発熱の寄与が坩堝1の底壁部1b中央部分を通して供給される熱に比べて大きくなり、反対に、この加熱部比率（Ｄc／Ｄb）が０．８よりも大きい場合には、底壁部1b中央部分以外の部分にも熱が供給されるため、坩堝内原料３の中心部のみに熱を供給することができず、従来と同様に坩堝内原料３の外周部底壁部側の温度が高くなり、坩堝内原料３の中心部の温度が外周部の温度に比べて低くなり、本発明の効果が得られなくなる場合がある。
【００３４】
高周波誘導加熱においては、発熱部材20の周縁部において誘導電流が最も多く流れ、発熱が大きくなる。このことから、発熱部材20の直径を大きくし、誘導加熱コイルの径に近づけるほど発熱が大きくなる。発熱部材20の発熱を増やし、その熱を坩堝内原料３の中心部に伝達する効果をより発現させるためには、発熱部材20の直径を坩堝１に比べてより大きくすることが有効である。しかしながら、この発熱部材20の直径を大きくした場合には、誘導加熱コイルの径を大きくすることが必要になり、装置の大型化が必要になる。このため、装置の大型化を抑制しつつ本発明の効果を高めるために、発熱部材20の直径については、坩堝１の直径の１倍以上１．５倍以下の範囲に設定することが好ましい。
【００３５】
また、坩堝1内部の温度勾配は熱の流れの方向と同じである。従って、発熱部材20で発生した熱は、坩堝１の中心部に流れ、坩堝内原料３を通り、生成した炭化珪素単結晶インゴット４、種結晶２を通り、坩堝１の蓋部材1aから系外に放出される。このとき、坩堝内原料３から炭化珪素単結晶インゴット４、種結晶２の向きに坩堝１内部の温度勾配が形成される。詳細に見ると、坩堝１の側壁部での誘導電流による発熱は、坩堝内原料３を通り、炭化珪素単結晶インゴット４、種結晶２の向きに流れており、坩堝内原料３の部分では坩堝内原料３の外周部からその中心部に向かって温度が低下する温度勾配を形成する熱の流れがある。この熱の流れを制御し、坩堝内原料３内部の径方向の温度勾配を小さくするために、坩堝１で発生した熱が、坩堝１の側壁部に配置された断熱材５を通じて、系外に放出される熱量を増大させることが有効である。このことから、本発明においては、坩堝１の側壁部を覆う断熱材５の厚さが前記発熱部材20の側面を覆う断熱材の厚さの０．６倍以上１倍以下であることが望ましい。
【００３６】
本発明の製造方法で成長高さが４０mm以上２００mm以下の炭化珪素単結晶インゴットを製造した場合には、坩堝1内に装填した坩堝内原料３を有効に利用することができ、また、結晶成長中の結晶成長速度の変動が小さくなって高品質の炭化珪素単結晶を得ることができる。このため、電子材料用の炭化珪素単結晶を効率良く作製することが可能な炭化珪素単結晶インゴットをより安価に製造することができる。
【実施例】
【００３７】
〔実施例１〕
図３に示すように、黒鉛製の坩堝１の底壁部1bには、その中央部分の下面側に加工を施し、坩堝内原料３が坩堝１の底壁部1b中央部分を介して下方側から加熱される坩堝内原料３の加熱部比率〔坩堝１の底壁部1b中央部分の直径（Ｄc）／坩堝１の底壁部1bの外径（Ｄb）〕が０．５であって厚さが１５mmである加熱補助部21を形成した。また、前記坩堝1と同じ黒鉛材料を用い、坩堝１の直径の１．２倍の直径を有する発熱部材20を形成し、前記加熱補助部21の下面とこの発熱部材20の中央部上面とが接触するように配置して密着させた。また、断熱材５については、その外形が坩堝１と発熱部材20の側部において同じ径となるように形成すると共に、坩堝1の底壁部1bと発熱部材20との間において加熱補助部21の外周面側に形成される空隙部内には断熱材5bを充填した。
【００３８】
この実施例１の製造装置において、坩堝１の容器内下部には、アチソン法により作製された炭化珪素結晶粉末からなる炭化珪素原料３．０kgを装填し、坩堝内原料３とした。また、坩堝１の蓋部材1aには、種結晶２として口径１０５mmの(0001)面を有する４Ｈポリタイプの炭化珪素単結晶ウェハを配置した。
【００３９】
このようにして準備された坩堝１等からなる部材を、図１に示すように、二重石英管13の内部に設置し、前記手順で常法に従って炭化珪素単結晶の結晶成長を行った。すなわち、原料温度を目標温度である２３００℃まで上昇させた後、二重石英管13内のＡrの圧力を成長圧力１．３kPaまで３０分かけて減圧し、炭化珪素単結晶の成長を開始させ、加熱を１４０時間継続して炭化珪素単結晶を成長させた。
【００４０】
その結果、成長速度は約０．５mm／時であって、炭化珪素単結晶の口径が１０５mm程度であり、かつ、高さが７０mm程度の単結晶インゴットが得られた。坩堝1内の炭化珪素原料の残渣を観察したところ、坩堝内原料３の中心部近傍においても原料が効率良く昇華したことが認められ、高周波誘導加熱の際に坩堝内原料３に対する加熱温度を効果的に制御することができ、結果として中心部近傍の炭化珪素原料も効率良く加熱できたことが判明した。また、得られた単結晶インゴットの重量は１．９kg程度であり、結晶化率は６５%であった。
【００４１】
更に、得られた炭化珪素単結晶インゴットについて、Ｘ線回折及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈの単一ポリタイプからなるインゴットであり、また、マイクロパイプ等の結晶欠陥が少ない極めて高品質であることが確認された。
このインゴットから切り出された炭化珪素単結晶基板は、電子デバイスを作製するための基板として有用である。
【００４２】
〔実施例２〕
実施例２においては、上記実施例１の場合とは異なり、図４に示すように、黒鉛製の坩堝１の底壁部1bには加工を施すことなく、黒鉛材料で形成された発熱部材20側に加工を施し、坩堝内原料３の加熱部比率〔坩堝１の底壁部1b中央部分の直径（Ｄc）／坩堝１の底壁部1bの外径（Ｄb）〕が０．４であって厚さが３０mmである加熱補助部21を形成した。そして、この発熱部材20については、坩堝１より電気抵抗率の低い黒鉛材料を用いて、坩堝1の直径の1.３倍の大きさに形成し、その加熱補助部21の上面が坩堝１の底壁部1b中央部分の下面に接するように配設し密着させた。また、断熱材５については、その外形が坩堝１と発熱部材20の側部において同じ径となるように形成すると共に、坩堝1の底壁部1bと発熱部材20との間において加熱補助部21の外周面側に形成される空隙部内には断熱材5bを充填した。
【００４３】
この実施例２の製造装置において、坩堝１の容器内下部には、アチソン法により作製された炭化珪素結晶粉末からなる炭化珪素原料６．１kgを装填し、坩堝内原料３とした。また、坩堝１の蓋部材1aには、種結晶２として口径１５５mmの(0001)面を有する４Ｈポリタイプの炭化珪素単結晶ウェハを配置した。
【００４４】
このようにして準備された坩堝１等からなる部材を、図１に示すように、二重石英管13の内部に設置し、前記手順で常法に従って炭化珪素単結晶の結晶成長を行った。すなわち、原料温度を目標温度である２３００℃まで上昇させた後、二重石英管13内のＡrの圧力を成長圧力１．３kPaまで３０分かけて減圧し、炭化珪素単結晶の成長を開始させ、加熱を１４０時間継続して炭化珪素単結晶を成長させた。
【００４５】
その結果、成長速度は約０．５mm／時であって、結晶の口径が１５５mm程度であり、かつ、高さが７０mm程度の炭化珪素単結晶インゴットが得られた。坩堝1内の炭化珪素原料の残渣を観察したところ、坩堝内原料３の中心部近傍においても炭化珪素原料が効率良く昇華したことが認められ、高周波誘導加熱の際に坩堝内原料３に対する加熱温度を効果的に制御することができ、結果として中心部近傍の炭化珪素原料も効率良く加熱できたことが判明した。また、得られた単結晶インゴットの重量は４．２kg程度であり、結晶化率は７０%であった。
【００４６】
更に、得られた炭化珪素単結晶インゴットについて、Ｘ線回折及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈの単一ポリタイプからなるインゴットであり、また、マイクロパイプ等の結晶欠陥が少ない極めて高品質であることが確認された。
このインゴットから切り出された炭化珪素単結晶基板は、電子デバイスを作製するための基板として有用である。
【００４７】
〔実施例３〕
実施例３においては、上記実施例１の場合とは異なり、図５に示すように、黒鉛製の坩堝１の底壁部1bにはその中央部分の下面側に加工を施して坩堝１より熱伝導率の高い黒鉛材料製の加熱補助部21の一部を形成し、また、坩堝１と同じ黒鉛材料で形成された発熱部材20側に加工を施して坩堝１より熱伝導率の高い黒鉛材料製の加熱補助部21の一部を形成し、これら坩堝１の底壁部1b中央部分の下面側に形成された加熱補助部21の一部と発熱部材20側に形成された加熱補助部21の一部とが接するように配置して密着させ、坩堝１の底壁部1bと発熱部材20との間に坩堝１より熱伝導率の高い加熱補助部21が形成されるようにした。ここで、前記加熱補助部21については、その坩堝内原料３の加熱部比率〔坩堝１の底壁部1b中央部分の直径（Ｄc）／坩堝１の底壁部1bの外径（Ｄb）〕が０．７であって厚さが４０mmであるように形成し、また、前記発熱部材20については、その直径が坩堝1の直径の１．１倍の大きさに形成し、更に、断熱材５については、その厚さが坩堝１の側壁部と発熱部材20の側部とにおいて同じ厚さとなるように形成すると共に、坩堝1の底壁部1bと発熱部材20との間において加熱補助部21の外周面側に形成される空隙部内には断熱材5bを充填した。
【００４８】
この実施例３の製造装置において、坩堝１の容器内下部には、アチソン法により作製された炭化珪素結晶粉末からなる炭化珪素原料８．８kgを装填し、坩堝内原料３とした。また、坩堝１の蓋部材1aには、種結晶２として口径１５５mmの(0001)面を有する４Ｈポリタイプの炭化珪素単結晶ウェハを配置した。
【００４９】
このようにして準備された坩堝１等からなる部材を、図１に示すように、二重石英管13の内部に設置し、前記手順で常法に従って炭化珪素単結晶の結晶成長を行った。すなわち、原料温度を目標温度である２３００℃まで上昇させた後、二重石英管13内のＡrの圧力を成長圧力１．３kPaまで３０分かけて減圧し、結晶の成長を開始させ、加熱を２２０時間継続して結晶を成長させた。
【００５０】
その結果、成長速度は約０．５mm／時であって、結晶の口径が１５５mm程度であり、かつ、高さが１１０mm程度の炭化珪素単結晶インゴットが得られた。坩堝１内の炭化珪素原料の残渣を観察したところ、坩堝内原料３の中心部近傍においても炭化珪素原料が効率良く昇華したことが認められ、高周波誘導加熱の際に坩堝内原料３に対する加熱温度を効果的に制御することができ、結果として中心部近傍の炭化珪素原料も効率良く加熱できたことが判明した。また、得られた単結晶インゴットの重量は６．６kg程度であり、結晶化率は７５%であった。
【００５１】
更に、得られた炭化珪素単結晶インゴットについて、Ｘ線回折及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈの単一ポリタイプからなるインゴットであり、また、マイクロパイプ等の結晶欠陥が少ない極めて高品質であることが確認された。
このインゴットから切り出された炭化珪素単結晶基板は、電子デバイスを作製するための基板として有用である。
【００５２】
〔比較例１〕
実施例１と比較するために、坩堝１の底壁部1b中央部分の加工や、発熱部材20の使用を行わずに、従来と同じ製造装置を用いて、実施例１と同じ操業条件にて炭化珪素単結晶インゴットの製造を行った。
その結果、結晶の口径が１０５mm程度であり、かつ、高さが２０mm程度のインゴットが得られた。坩堝1内の炭化珪素原料の残渣を観察したところ、坩堝内原料３の中心部で炭化珪素原料の再結晶が観察された。これは、坩堝内原料３の中心部の炭化珪素原料が有効に加熱されなかったために、坩堝内原料３の外周部で昇華した原料ガスが結晶成長に利用されずに、坩堝内原料３の中心部で再結晶化したものと考えられる。
【００５３】
この坩堝内原料３の中心部での昇華ガスの再結晶のため、結晶成長の途中で原料ガスの供給が途絶え、成長した結晶の成長面が昇華し、成長面が炭化した。そのため、インゴットの結晶化率は１９%と低い値であった。また、得られた炭化珪素単結晶インゴットは、インゴット高さが低く、電子デバイス作製時における基板切出しの歩留まりが低いだけでなく、装填した原料に対してインゴットの重量が小さく、上記各実施例１〜３の場合と比較して炭化珪素原料を有効に利用できなかった。
【符号の説明】
【００５４】
１…坩堝、1a…坩堝の蓋部材、1b…坩堝の底壁部、２…種結晶、３…炭化珪素原料、４…炭化珪素単結晶インゴット、５…断熱材、６…切欠き孔、10…坩堝支持体、13…二重石英管、14…真空排気装置、15…Arガス配管、16…Arガス用マスフローコントローラ、17…誘導加熱コイル、20…発熱部材、21…加熱補助部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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