(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を位置決めする位置決めシステムであって、前記物体をＮ自由度で位置決めし、Ｎが正の整数であり、
Ｍ個のアクチュエータデバイスであって、各アクチュエータデバイスが前記物体に力を加え、ＭがＮよりも大きい正の整数であり、前記アクチュエータデバイスの少なくとも１つが補償アクチュエータデバイスであり、前記アクチュエータデバイスの他の少なくとも１つが非補償アクチュエータデバイスである、アクチュエータデバイスと、
補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスを制御するコントローラであって、前記補償アクチュエータデバイスを制御して前記非補償アクチュエータデバイスの寄生力を補償する、コントローラと、を備え、
前記補償アクチュエータデバイス及び前記非補償アクチュエータデバイスは、前記物体の同一ポイントに力を加える、位置決めシステム。
【請求項２】
別の補償アクチュエータデバイス及び／又は別の非補償アクチュエータデバイスは、同一ポイントに力を加え、
前記コントローラは、前記別の補償アクチュエータデバイス及び／又は前記別の非補償アクチュエータデバイスを制御する、請求項１に記載の位置決めシステム。
【請求項３】
前記物体に力を加えるＰ個のポイントがあり、ＰがＮ以下の正の整数である、請求項１又は２に記載の位置決めシステム。
【請求項４】
同一ポイントにおいてＮが２でＭが３であり、２つの非補償アクチュエータデバイス及び１つの補償アクチュエータデバイスが存在する、請求項３に記載の位置決めシステム。
【請求項５】
Ｐが３である、請求項３又は４に記載の位置決めシステム。
【請求項６】
前記コントローラは、各ポイントに加えられる正味の力が前記ポイントの他のいずれかに加えられる正味の力に直交するように、前記少なくとも１つの補償アクチュエータデバイス及び前記少なくとも１つの非補償アクチュエータデバイスを制御する、請求項１から５のいずれか一項に記載の位置決めシステム。
【請求項７】
前記Ｍ個のアクチュエータデバイスのいずれか１つが、ローレンツアクチュエータ又はリラクタンスアクチュエータのいずれかであるアクチュエータを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の位置決めシステム。
【請求項８】
前記補償アクチュエータデバイス及び前記非補償アクチュエータデバイスは、平面モータであるアクチュエータを形成する、請求項１から７のいずれか一項に記載の位置決めシステム。
【請求項９】
前記アクチュエータは、少なくとも１つのばねを用いて前記物体に接続されている、請求項７又は８に記載の位置決めシステム。
【請求項１０】
前記アクチュエータデバイスは、少なくとも１つのばねを用いて支持フレームに接続されている、請求項８又は９に記載の位置決めシステム。
【請求項１１】
少なくとも１つのアクチュエータデバイスが加える前記力は、直線力又は回転力である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の位置決めシステム。
【請求項１２】
前記物体は、光学要素である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の位置決めシステム。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の位置決めシステムを備えるリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置は、更に前記物体を備える、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の位置決めシステムを用いて物体の振動を補償するための方法。
【請求項１５】
光学要素を介して基板テーブル上に位置決めされた基板上に投影放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、
位置決めシステムが前記光学要素をＮ自由度で位置決めし、Ｎが正の整数であり、前記位置決めシステムがＭ個のアクチュエータデバイスを備え、各アクチュエータデバイスが前記光学要素に力を加え、ＭがＮよりも大きい正の整数であり、前記アクチュエータデバイスの少なくとも１つが補償アクチュエータデバイスであり、前記アクチュエータデバイスの他の少なくとも１つが非補償アクチュエータデバイスであり、コントローラが補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスを制御し、前記コントローラが前記補償アクチュエータデバイスを制御して前記非補償アクチュエータデバイスの寄生力を補償し、前記補償アクチュエータデバイス及び前記非補償アクチュエータデバイスが前記光学要素の同一ポイントに力を加える、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、２０１４年４月１７日に出願された欧州特許出願第１４１６５１７０．３号に関する。この出願は参照により本願にも含まれるものとする。
【０００２】
[0002]  本発明はリソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。特に、本発明は、リソグラフィ装置内のリフレクタを制御するためのシステムに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  回路パターンのフィーチャのサイズを縮小するためには、結像放射の波長を短くする必要がある。このため、例えば波長が約５ｎｍから２０ｎｍの範囲内であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を開発中である。ＥＵＶ放射は、ほぼ全ての材料によって強く吸収されるので、光学システム及びマスクは反射性でなければならず、装置は低い圧力又は真空に維持しなければならない。使用する結像放射が短い波長すなわちＥＵＶを有する場合、リソグラフィ装置内で結像放射を誘導する際に誤差があると、例えばオーバーレイエラー等のあらゆる誤差に対して大きな影響を及ぼす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[0005]  放射ビームに対してパターン像を位置決めするため、パターニング手段において、リフレクタが用いられる。放射ビームの像は基板に投影されるが、これは像の位置に大きく影響される。従って、例えばリフレクタのようなリソグラフィ装置内の物体の位置の精度を上げて、オーバーレイエラー又は放射ビームのパターンの誤差を、許容可能レベルに維持するか、又は好ましくはそのレベルまで低減する必要がある。一般に、例えばリソグラフィ装置のような装置内には高精度で位置決めすることが求められる多くの物体があり、従って、物体を位置決めするための制御システムの精度を向上させることは有益である。
【０００６】
[0006]  従って、特にＥＵＶ放射を用いる装置のために、リソグラフィ装置においてリフレクタ及び／又は他のコンポーネントの位置を制御するための改良したシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
[0007]  本発明の一態様に従って、リソグラフィ装置が提供される。これは、リフレクタと、リフレクタをＮ自由度で位置決めするように構成された位置決めシステムであって、Ｎが正の整数であり、Ｍ個のアクチュエータデバイスであって、各アクチュエータデバイスがリフレクタに力を加えるように構成され、ＭがＮよりも大きい正の整数であり、アクチュエータデバイスの少なくとも１つが補償アクチュエータデバイスであり、アクチュエータデバイスの他の少なくとも１つが非補償アクチュエータデバイスである、アクチュエータデバイスと、補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスを制御するように構成されたコントローラであって、非補償アクチュエータデバイスの寄生力を補償するように補償アクチュエータデバイスを制御するように構成された、コントローラと、を備える。補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスは、リフレクタの同一ポイントに力を加えるように構成されている。
【０００８】
[0008]  本発明の一態様に従って、本発明の位置決めシステムを備えた装置が提供される。この装置は更に物体を備えている。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様に従って、本発明の位置決めシステムを用いて物体の振動を補償するための方法が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様に従って、リフレクタを介して基板テーブル上に位置決めされた基板上に投影放射ビームを投影することを備えるデバイス製造方法が提供される。位置決めシステムがリフレクタをＮ自由度で位置決めするように構成され、Ｎが正の整数であり、位置決めシステムがＭ個のアクチュエータデバイスを備え、各アクチュエータデバイスがリフレクタに力を加えるように構成され、ＭがＮよりも大きい正の整数であり、アクチュエータデバイスの少なくとも１つが補償アクチュエータデバイスであり、アクチュエータデバイスの他の少なくとも１つが非補償アクチュエータデバイスであり、コントローラが補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスを制御するように構成され、コントローラが非補償アクチュエータデバイスの寄生力を補償するように補償アクチュエータデバイスを制御するように構成され、補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスがリフレクタの同一ポイントに力を加えるように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0011]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１２】
【図１】[0012]  本発明の一実施形態で用いられるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0013]  図１の装置の主要光学路の更に詳細な図である。
【図３Ａ】[0014]  リソグラフィ装置において用いられるアクチュエータデバイスを示す。
【図３Ｂ】[0015]  本発明の一実施形態に従った補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスを示す。
【図３Ｃ】[0016]  図３Ｂのアクチュエータデバイスによってリフレクタに加えられる力の示力図を示す。
【図４】[0017]  アクチュエータデバイスの図を示す。
【図５】[0018]  本発明の一実施形態において用いられるアクチュエータデバイスの詳細な図である。
【図６Ａ】[0019]  リソグラフィ装置においてリフレクタ上の様々なポイントに作用する力を示す。
【図６Ｂ】[0020]  図６Ａの所望の正味の力の示力図を示す。
【図７】[0021]  本発明の一実施形態に従ったリフレクタ上のポイントにおける力を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[0022]  図１は、放射源コレクタ装置ＳＯを含むＥＵＶリソグラフィ装置４１００を概略的に示す。この装置は、
−  放射ビームＥＢ（例えばＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＥＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＥＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１４】
[0023]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１５】
[0024]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１６】
[0025]  パターニングデバイスの例には、マスク及びプログラマブルミラーアレイが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスク等のマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含む。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１７】
[0026]  リソグラフィ装置は、複数の基板ステージ又は複数の基板テーブル等の２つ以上の基板支持構造、及び／又はパターニングデバイス用の２つ以上の支持構造を有するタイプとすることができる。多数の基板ステージを有する装置では、全ての基板ステージは同等かつ交換可能なものとすることができる。一実施形態では、多数の基板ステージの少なくとも１つが特に露光ステップ向けに適合され、多数の基板ステージの少なくとも１つが特に測定又は予備ステップ向けに適合されている。本発明の一実施形態では、多数の基板ステージの１つ以上が測定ステージに置き換えられる。測定ステージは、センサ検出器及び／又はセンサシステムのターゲットのような１つ以上のセンサシステムの少なくとも一部を含むが、基板を支持することはない。測定ステージは、基板ステージ又はパターニングデバイス用の支持構造の代わりに、投影ビーム内で位置決め可能である。このような装置では、追加のステージを並行して用いてもよく、あるいは、１つ以上のステージを露光に用いている間に１つ以上の他のステージで予備ステップを実行してもよい。
【００１８】
[0027]  ＥＵＶリソグラフィ装置では、ガスが多くの放射を吸収し過ぎる可能性があるので、真空又は低圧環境を用いることが望ましい。従って、真空壁及び１つ以上の真空ポンプを利用して、ビーム経路全体に真空環境を与えることができる。
【００１９】
[0028]  図１を参照すると、ＥＵＶイルミネータＥＩＬは、放射源コレクタ装置ＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。放射源コレクタ装置ＳＯについて以下で更に詳しく説明する。要点としては、ＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有する、例えばキセノン（Ｘｅ）、リチウム（Ｌｉ）、又はスズ（Ｓｎ）のような少なくとも１つの元素を有する材料（燃料と称することがある）を、プラズマ状態に変換する。これは、燃料の小滴、流れ、又はクラスタにレーザビームを照射することで達成される。これにより生じたプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を発し、これは、放射源コレクタ装置内に配置された放射コレクタを用いて収集される。
【００２０】
[0029]  放射システムの部品について異なる構成も可能である。例えばＣＯ2レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザ及び放射源コレクタ装置は別個の構成要素であり得る。そのような場合、レーザはリソグラフィ装置内の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを備えたビームデリバリシステムを利用して、レーザから放射源コレクタ装置へと渡される。
【００２１】
[0030]  ＥＵＶイルミネータＥＩＬは、放射ビームＥＢの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、ＥＵＶイルミネータＥＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及び瞳ミラーデバイスのような他の種々のコンポーネントを備える場合もある。ＥＵＶイルミネータＥＩＬを用いて放射ビームＥＢを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とを得ることができる。
【００２２】
[0031]  放射ビームＥＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射ビームＥＢは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射した後、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を利用して、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＥＢの経路に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＥＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００２３】
[0032]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２４】
[0033]  １．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２５】
[0034]  ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２６】
[0035]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２７】
[0036]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２８】
[0037]  制御システム（図示せず）は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御し、特に、以下で更に説明する最適化プロセスを実行する。制御システムは、中央処理ユニット並びに揮発性及び不揮発性の記憶装置を備える適切にプログラミングされた汎用コンピュータとして具現化することができる。任意選択として、制御システムは更に、キーボード及びスクリーン等の１つ以上の入出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続、及び／又はリソグラフィ装置の様々な部分に対する１つ以上のインタフェースを備えてもよい。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間に一対一の関係は必要ないことは認められよう。本発明の一実施形態では、１つのコンピュータが多数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明の一実施形態では、多数のネットワーク接続されたコンピュータを用いて１つのリソグラフィ装置を制御することができる。制御システムは、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又はクラスタにおいて、１つ以上の関連付けられたプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成してもよい。制御システムは、リソセル又はクラスタの監督制御システム及び／又は製造工場（ｆａｂ）の全体的な制御システムの下位に置かれるように構成することも可能である。
【００２９】
[0038]  図２は、放射源コレクタ装置ＳＯ、ＥＵＶ照明システムＥＩＬ、及び投影システムＰＳを含むＥＵＶ装置４１００を更に詳細に示す。放射源コレクタ装置ＳＯは、この放射源コレクタ装置ＳＯの閉鎖構造４２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置されている。放電生成プラズマ源によって、ＥＵＶ放射を発するプラズマ４２１０を形成することができる。ＥＵＶ放射を生成するには、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気によって、プラズマ４２１０を生成させ、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させればよい。プラズマ４２１０は、例えば放電によって少なくとも部分的に電離したプラズマを生じることにより生成される。効率的な放射発生のため、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気、又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となり得る。一実施形態では、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。
【００３０】
[0039]  プラズマ４２１０が発した放射は、放射源チャンバ４２１１からコレクタチャンバ４２１２内へ、放射源チャンバ４２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択のガスバリア及び／又は汚染トラップ４２３０（場合によっては汚染バリア又はホイルトラップとも称される）を介して送出される。汚染トラップ４２３０はチャネル構造を含むことができる。また、汚染トラップ４２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含むことができる。本明細書で更に示す汚染トラップ又は汚染バリア４２３０は、少なくとも、当技術分野において既知のチャネル構造を含む。
【００３１】
[0040]  コレクタチャンバ４２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側４２５１及び下流放射コレクタ側４２５２を有する。コレクタＣＯを横断した放射は、格子スペクトルフィルタ４２４０で反射して、仮想放射源点ＩＦに合焦させることができる。仮想放射源点ＩＦは一般に中間焦点と称される。放射源コレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造４２２０の開口４２２１に又はその近傍に位置するように構成されている。仮想放射源点ＩＦは、放射を発するプラズマ４２１０の像である。
【００３２】
[0041]  この後、放射は照明システムＥＩＬを横断する。照明システムＥＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム４２１の所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス４２２及びファセット瞳ミラーデバイス４２４を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム４２１が反射されると、パターンが付与されたビーム４２６が形成され、このパターン付与されたビーム４２６は、投影システムＰＳにより、反射要素４２８、４３０を介して、基板ステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
【００３３】
[0042]  一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ４２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意に存在し得る。更に、図示するよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば投影システムＰＳには、図２に示すものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。
【００３４】
[0043]  図２に示すようなコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ４２５３、４２５４、及び４２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすめ入射リフレクタ４２５３、４２５４及び４２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称配置され、このタイプのコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。
【００３５】
[0044]  従来技術では、リソグラフィ装置内のリフレクタの位置を制御するためにアクチュエータデバイスが用いられる。各アクチュエータデバイスを用いて、リフレクタが所望の方向に動くようにリフレクタに制御力を加える。各アクチュエータは、リフレクタを１自由度で制御するように構成されている。アクチュエータデバイスを用いて、フィールドミラーデバイス４２２、ファセット瞳ミラーデバイス４２４、反射要素４２８及び４３０、パターニングデバイスＭＡ、コレクタ内のリフレクタ、例えばかすめ入射リフレクタ４２５３、４２５４及び４２５５、及び／又はリソグラフィ装置内の他のいずれかのミラー及び／又はリフレクタ（図示していないものも含む）のいずれかを制御することができる。本明細書において「ミラー」という言葉を用いた場合、より一般的な用語である「リフレクタ」と同義と見なすことができる。
【００３６】
[0045]  位置コントローラを用いて、例えばリフレクタ等の物体に対して各アクチュエータが加えるべき所望の力を計算する。従来技術では、制御対象のリフレクタの自由度ごとに１つのアクチュエータデバイスを用いてリフレクタの位置を制御する。すなわち、制御されるリフレクタの自由度とアクチュエータデバイスの数との間には一対一の関係がある。この関係によってリフレクタの位置を充分に制御することができる。従来技術では、自由度と同じ数のアクチュエータデバイスを用いて、リフレクタに応力が加わることを回避する。
【００３７】
[0046]  本出願全体を通して、一例としてリフレクタを使用している。これは、リフレクタ位置の精度が、本発明のアクチュエータデバイスにより要求される精度レベルと、リソグラフィ装置のような装置内でコンポーネントを精密に制御する利点を、効果的に例証するからである。本出願で後述するように、リフレクタを別の物体又はコンポーネントと交換することも可能である。
【００３８】
[0047]  各アクチュエータデバイスが加える実際の力と各アクチュエータデバイスが加えるべき所望の力との差が、反射ビームの方向に誤差を誘発する可能性がある。力の所望の方向とは異なる方向を有する力の成分を、寄生力と称することができる。従来技術のアクチュエータは、アクチュエータが加える力を調整することによって、寄生力の回避を試みるように制御される。
【００３９】
[0048]  多くの場合、アクチュエータデバイスが加える力は完全に正確に意図した方向に加えられるわけではなく、この結果として寄生力が生じる。「寄生力」という用語は、不要な力及び不要なトルクを示すために用いる。加えられる力の不一致の原因は、取り付け公差、磁石のばらつき、及びリフレクタの位置であり得る。これらの不一致の結果として、寄生力がリフレクタに作用する。寄生力は、意図した方向でない力（及び／又はトルク）であり、このため寄生力は意図した方向に直交する。
【００４０】
[0049]  更に、アクチュエータの振動モード（以下で更に詳しく説明する）による動的な効果があり、これはリフレクタ位置を制御する制御ループに影響を及ぼす。アクチュエータの動的挙動は、制御ループの帯域幅を制限する。従って、コントローラによって様々な周波数の振動を検出し、様々な方法で制御ループにおいて考慮する。
【００４１】
[0050]  従来技術では、加えられる力の不一致による誤差を低減するため、機械的公差を小さく保つこと、各アクチュエータの自由度の数を制限すること（例えば１つのアクチュエータを用いてリフレクタに一方向のみの並進力を加える）、例えば非作動方向におけるアクチュエータとリフレクタとの間の接続の剛性を制限することが行われてきた。
【００４２】
[0051]  位置コントローラは、リフレクタに加える力を変更して上述のファクタのいくつかを考慮するようにアクチュエータを適合することができる。位置コントローラは、あるアクチュエータデバイスによって加えられる寄生力を低減又は無効にするために他のアクチュエータデバイスで望ましい力を決定することができる。従って、リフレクタの他のポイントにアクチュエータデバイスが加える力を用いて、別のアクチュエータデバイスにおける寄生力を補償することができる。このように、リフレクタに加えられる力を分解することで、リフレクタに作用する正味の寄生力の低減を可能とする。理想的には、リフレクタに作用する正味の寄生力をゼロとして、リフレクタが所望の方向以外の方向に動かないようにする。
【００４３】
[0052]  しかしながら、従来技術では、リフレクタ全体にわたってアクチュエータが加える力は様々であり、これらの力はリフレクタ内を伝達するので、問題が生じる。リフレクタ内を伝達するこれらの力によって、リフレクタに変形が生じる。例えばリフレクタの形状の変形のようなリフレクタの変形は、誤差を誘発する可能性がある。リフレクタの位置の誤差、リフレクタの変形、及び／又は反射放射ビームの誤差によって、オーバーレイエラー、焦点の問題、及び／又はフェージングの問題が起こり得る。特にオーバーレイエラーは、生成される基板の品質に大きな影響を及ぼす恐れがある。
【００４４】
[0053]  図３Ａに、従来技術における例示的な位置決めシステムの単純なモデルを示す。これは、リフレクタ１５に力Ｆｎを加えるアクチュエータデバイス１００を示している。この図は、１つのアクチュエータデバイス１００（Ｍ＝１）が、リフレクタ１５を１自由度（Ｎ＝１）で位置決めするように制御されることを示す。この例における所望の力はｚ方向のみである。位置コントローラを用いてアクチュエータデバイス１００が加える力を制御することで、所望の力に対する加えられる力の差、すなわち誤差を低減する。多数のアクチュエータデバイスを用いる場合、コントローラは、他のアクチュエータデバイスが加える力を考慮に入れることができる。
【００４５】
[0054]  図を見てわかるように、アクチュエータデバイス１００が加える実際の力Ｆｎは、ｘ方向の力成分Ｆｐｎ及びｚ方向の力成分Ｆを有する。ｘ方向の力成分Ｆｐｎは寄生力すなわち不要な力であり、リフレクタ１５の位置に誤差を誘発する可能性がある。
【００４６】
[0055]  本発明は、上述した従来技術の問題に対処する。これらの問題に対処する本発明の実施形態について、図面を参照して以下で詳細に説明する。
【００４７】
[0056]  本発明では、リフレクタと、このリフレクタの位置をＮ自由度（Ｎは正の整数である）で位置決めするように構成された位置決めシステムと、を備えたリソグラフィ装置を提供する。位置決めシステムは、Ｍ個のアクチュエータデバイス（Ｍは正の整数である）を備え、それぞれのアクチュエータデバイスがリフレクタに力を加えるように構成されている。
【００４８】
[0057]  コントローラは、アクチュエータデバイスを制御するように構成されている。具体的には、コントローラは、補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスを制御する。コントローラは、非補償アクチュエータデバイスの寄生力を補償するように補償アクチュエータデバイスを制御する。
【００４９】
[0058]  図３Ｂに本発明の第１の実施形態を示す。図３Ｂに示すように、位置決めシステムは、リフレクタ１５を１自由度（Ｎ＝１）で、すなわちｘ方向で位置決めするように構成されている。この実施形態では、２つのアクチュエータデバイス（Ｍ＝２）が設けられている。この実施形態では、アクチュエータデバイスの一方が補償アクチュエータデバイス２００であり、他方のアクチュエータデバイスが非補償アクチュエータデバイス３００である。非補償アクチュエータデバイス３００は、図３Ａに示すアクチュエータデバイス１００と同一であるか、及び／又はこれと同一の力を加えることができる。非補償アクチュエータデバイス３００は、リフレクタ１５に力Ｆｎを加える。力Ｆｎは、ｘ方向の成分Ｆｐｎ及び所望の力の方向であるｚ方向の成分を有する。
【００５０】
[0059]  この実施形態では、Ｎは自由度の数である。本実施形態では、全ての自由度を制御するためにＮ個の非補償アクチュエータデバイスを設けると共に、（Ｍ−Ｎ）個の補償アクチュエータデバイスを設ける。
【００５１】
[0060]  本実施形態では、図３Ｂに示すように、非補償アクチュエータデバイス３００（これは図３Ａに示すアクチュエータデバイス１００と同等である）に加えて、補償アクチュエータデバイス２００が含まれる。補償アクチュエータデバイス２００はリフレクタ１５に補償力Ｆｃを加える。力Ｆｃは、ｘ方向の成分Ｆｒｃ及びｚ方向の成分を有する。本発明では、制御される自由度よりも多くのアクチュエータデバイスを用いる。すなわち、ＭはＮよりも大きい。制御される自由度よりも多くのアクチュエータデバイスを用いることを、「過作動（overactuation）」と称することができる。
【００５２】
[0061]  図３Ｃは、非補償アクチュエータデバイス３００が加える力Ｆｎ及び補償アクチュエータデバイス２００が加える力Ｆｃを表す示力図である。コントローラ５０は、補償アクチュエータデバイス２００が非補償アクチュエータデバイス３００の寄生力（図３Ａ及び図３ＢのＦｐｎ）を補償するように、補償アクチュエータデバイス２００及び非補償アクチュエータデバイス３００を制御するように構成されている。図３Ｃの示力図は、寄生力（すなわち不要な方向、この場合はｘ方向の力）を低減するために、アクチュエータデバイスによって加える力をどのように制御するかを示す。
【００５３】
[0062]  図３Ｃに示すように、ｘ方向の２つの力の成分は、相互に方向が反対で大きさが同等であるように打ち消し合う。従って、これらの力の和はゼロである。補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスが加える力は、ｚ方向の合力Ｆを有することができる。補償アクチュエータデバイス２００及び非補償アクチュエータデバイス３００は、（実施形態のこの例ではｘ方向の）寄生力を低減又は回避するように制御することができる。
【００５４】
[0063]  本実施形態では、補償アクチュエータデバイス２００及び非補償アクチュエータデバイス３００は、リフレクタ１５の同一ポイントに力を加えるように構成されている。異なるデバイスから同一ポイントに力を加えることは、それらの力が接触点でアクチュエータデバイスとリフレクタ１５との間で分解できることを意味する。従ってこれらの力は、リフレクタ内を伝達されるのではなく、接触点で分解される。図３Ｂでは、これらの力をいっそう明らかに示すため、リフレクタ１５上の接触点の直上にこれらの力を示す。
【００５５】
[0064]  同一ポイントに力を加えるということは、多数のアクチュエータがリフレクタ上に極めて小さい接触ゾーンを有し、これによって各アクチュエータデバイスが（そのポイントで）、いずれかの隣接するアクチュエータ（複数のアクチュエータ）がリフレクタに加える力（複数の力）の近く、理想的にはできる限り近くのリフレクタ上のポイントに力を加えることを意味し得る。このように、隣接するアクチュエータデバイスからの多数の接触点を「同一ポイント」に適用することができる。これは、力が同一ポイントで分解され、従ってミラーを通過して他の異なるポイントに伝達されることはなく、リフレクタとの接触点に応じて局在化又は制御されるので、上述したものと同じ利点を有する。あるいは、同一ポイントに力を加えるということは、多数のアクチュエータがリフレクタ上の単一の接触点でリフレクタに接触するように構成され得ることを意味する。極めて近接した多数の接触点でなく単一の接触点に力を加えるには、同一ポイントにおける補償アクチュエータデバイス（複数の補償アクチュエータデバイス）及び非補償アクチュエータデバイス（複数の非補償アクチュエータデバイス）を、リフレクタに接触させる前に相互に接続させればよい。このように、補償アクチュエータデバイス（複数の補償アクチュエータデバイス）及び非補償アクチュエータデバイス（複数の非補償アクチュエータデバイス）からの力を相互に対して分解することができ、単一の接触点における単一方向の分解された力がリフレクタに加えられる。これは、リフレクタで分解される力が少なくなるので、リフレクタにおける応力が低減するという利点を有する。
【００５６】
[0065]  アクチュエータデバイスは、補償アクチュエータデバイス２００及び非補償アクチュエータデバイス３００を制御するように構成されたコントローラ５０によって制御される。コントローラ５０は、非補償アクチュエータデバイス３００の寄生力を補償するように補償アクチュエータデバイス２００を制御するように構成されている。コントローラ５０は、リフレクタ１５上の接触点でリフレクタ１５に直線力を加えるように、補償アクチュエータデバイス２００及び／又は非補償アクチュエータデバイス３００を制御することができる。コントローラ５０は、リフレクタ１５の接触点で回転力（すなわちトルク）を加えるように、補償アクチュエータデバイス２００及び／又は非補償アクチュエータデバイス３００を制御することができる。
【００５７】
[0066]  コントローラ５０は、少なくとも１つのセンサから提供される情報を用い得る。センサを用いて、リフレクタ１５の動き及び／又は位置を測定することができる。リフレクタ１５の動き及び／又は位置を示す情報をセンサからコントローラ５０に送信することができる。コントローラ５０はこの情報を、例えばフィードバック制御ループ等の伝達関数に用いて、リフレクタ１５の所望の位置とリフレクタ１５の実際の位置の（例えば最新の）情報との差を求めることができる。コントローラ５０は、センサから受信した情報、及びいずれかの既存の又はモデルベースの記憶情報を用いることができる。
【００５８】
[0067]  コントローラ５０は、上述の情報を用いて、加える必要のある力を決定することができ、算出した所望の力に応じて、補償アクチュエータデバイス２００及び非補償アクチュエータデバイス３００を制御する。従ってコントローラ５０は、リフレクタ１５の位置の誤差を低減するように、アクチュエータデバイスが加える力を調整することができる。
【００５９】
[0068]  １つ以上のセンサを用いて、コントローラ５０に必要な情報を提供することができる。同じタイプのセンサを用いて、１つのリフレクタ１５に関する情報を測定することも可能である。あるいは、異なるタイプのセンサを用いてもよい。例えば、センサは干渉計、エンコーダ、容量センサ、渦電流センサ、又は速度センサの加速度計と組み合わせた位置センサとすることができる。好ましくは、センサは非接触式である。
【００６０】
[0069]  本発明のコントローラ５０は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御する制御システムと同一とすることができる。あるいは、本発明のコントローラ５０は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御する制御システムとは異なるものであってもよい。
【００６１】
[0070]  コントローラ５０は、アクチュエータデバイスにより加えられる力を適合して寄生力を低減できるように、アクチュエータデバイスを較正する。この較正は、例えば時間ドメイン又は周波数ドメイン較正を用いて、いくつかの方法で実行することができる。時間ドメイン較正は、一度に１つのアクチュエータデバイスをオフに切り換えることで実行可能である。この較正では、各アクチュエータデバイスが加える力を求めることができる。あるいは、リフレクタ１５に力が加わるポイント間のクロストークを検出することによって、周波数ドメインにおいて力とリフレクタ１５との間の関係を求めることができる。リフレクタ１５を介して他のポイントに伝達する力のクロストークを低減すると、リフレクタ１５上の寄生力が低減する。
【００６２】
[0071]  図４に、アクチュエータデバイスＡの簡略化した図を示す。この実施形態では、各アクチュエータデバイスは、リフレクタ１５に接続されたアクチュエータ２５及び支持フレーム２０を有する。アクチュエータ２５とリフレクタ１５との接続は、ばねを含み得る。アクチュエータ２５と支持フレーム２０との接続は、ばねを含み得る。これらの接続のいずれかは、直列及び／又は並列の２つ以上のばねを含むことがある。全ての接続は、（図５に示すように）少なくとも１つのばねを用いて行い得る。
【００６３】
[0072]  アクチュエータデバイスＡは、補償アクチュエータデバイスであれ非補償アクチュエータデバイスであれ、図３Ａ及び図３Ｂのアクチュエータデバイス１００、２００、３００を含む上述のアクチュエータデバイスのいずれかのために使用可能である。図４に示す図では、アクチュエータデバイスＡのアクチュエータ２５は、リフレクタ１５に力Ｆを加える。リフレクタ１５と支持フレーム２０との全体的な接続は、剛性ｋを有する単純なばねとして表されている。図５を参照して、本実施形態のアクチュエータデバイスについて更に詳しく説明する。図５は、アクチュエータ２５とリフレクタ１５（リフレクタは図示していない）との間、及びアクチュエータ２５と支持フレーム２０との間の接続を含めて、アクチュエータデバイスＡの詳細な例を示す。図５に示すアクチュエータデバイスＡは、例えば１００、２００、又は３００のような上述のアクチュエータデバイスのいずれか１つとすることができる。
【００６４】
[0073]  図５に示すように、アクチュエータデバイスＡは、支持フレーム２０に接続されたアクチュエータ２５としてモデル化され、アクチュエータは、リフレクタ１５に対する弱いばね接続及び支持フレーム２０に対する弱いばね接続を有する。支持フレーム２０に、２つの支持アーム３０ａ及び３０ｂが取り付けられている。アクチュエータは、２つの並列のばね３２ａ及び３２ｂを介して支持アーム３０ａに接続されている。アクチュエータは、２つの並列のばね３４ａ及び３４ｂを介して支持アーム３０ｂに接続されている。アクチュエータは、直列の２つのばね３６ａ及び３６ｂを用いてリフレクタ１５に接続されている。
【００６５】
[0074]  ばね３２ａ、３２ｂ、３４ａ、３４ｂ、３６ａ、３６ｂの各々は、所定の剛性を有する。ばねの剛性は比較的低いので、支持フレーム２０とアクチュエータ２５との間、アクチュエータ２５とリフレクタ１５との間の接続は弱い。弱い接続を有することで、支持フレーム２０上の振動がリフレクタ１５に影響を与えず、支持フレーム２０に対してリフレクタ１５が変位しても大きい力が発生しないので有益である。これらのばねは、同一又は異なる剛性を有することができる。
【００６６】
[0075]  リフレクタ１５とアクチュエータとの間の接続の動的な関係は、ばね３６ａ及び３６ｂによって決定する。ばね３６ａ及び３６ｂのため、この接続では異なる振動モードがある。最低振動モードは、低周波数における曲げモードである。接続の剛性が低いので周波数は低く、これはリフレクタ１５の位置を変える場合に寄生力を低減するため低く維持しなければならない。あるいは、この接続は緩衝器として機能する。このモードの周波数は、フィードバック制御ループの帯域幅要求を満足させるように調節することができる。高周波数では、様々なモードが発生し、結果としてコントローラ５０の帯域幅が制限される。
【００６７】
[0076]  ばね３２ａ、３２ｂ、３４ａ、３４ｂは極めて高い剛性とすることも可能であり、この場合、アクチュエータ２５から支持フレーム２０に反応力が与えられる。ばね３２ａ、３２ｂ、３４ａ、３４ｂが極めて高い剛性である場合、アクチュエータ２５は、高い剛性の比較的大きい寄生効果を補償しなければならない。あるいは、ばね３２ａ、３２ｂ、３４ａ、３４ｂが極めて弱い場合、それらは反応力の機械的フィルタとして作用する。一般的に、ばね３２ａ、３２ｂ、３４ａ、３４ｂがコントローラの帯域幅と干渉する共振モードを持たない領域にあるように、それらの剛性を選択することが有益である。
【００６８】
[0077]  ３６ａ及び３６ｂの最適な剛性を決定するために、様々な概念を適用可能である。従来技術で用いられるアクチュエータの例では、３６ａ及び３６ｂは、作動方向では「極めて」剛性であり、他の方向ではやや弱い。こうして、アクチュエータからリフレクタ１５へ一方向に力が効率的に伝達される。この場合、極めて剛性とは、剛性が制御ループの全体の動的挙動を決定するほどではない充分な大きさであるが、寄生剛性が著しく増大するほどの大きさではないことを意味する。様々な方向でばねの剛性の最適な比が存在する。
【００６９】
本発明では、同一のアクチュエータを用い得るが、従来技術に比べ、ばねの剛性の選択において自由度が高い。これは、ばねの剛性が増すと寄生力が増大するものの、本発明ではこれらの寄生力を低減するために用いる補償アクチュエータデバイスを提供するからである。
【００７０】
[0078]  アクチュエータデバイスの動的効果は、過作動によって低減することができる。従って、アクチュエータと支持フレーム２０との間、及びアクチュエータとリフレクタ１５との間の接続の動的効果も低減され得る。ばね接続によるアクチュエータの振動の効果を低減することで、リフレクタ１５のコントローラ５０の帯域幅を増大させることが可能となる。これによって、リフレクタ１５の位置に対する制御が向上し、前述のようなオーバーレイエラーが軽減する。
【００７１】
[0079]  図５に示すアクチュエータ２５は、コイルアセンブリ５及び磁気アセンブリ１０を有するローレンツアクチュエータである。本発明に従って、ローレンツアクチュエータを別のタイプのアクチュエータで置き換えて用いることも可能である。具体的には、他のタイプの非接触アクチュエータ、例えばリラクタンスアクチュエータを使用可能である。あるいは、平面モータを用いて２つのアクチュエータを提供してもよい。
【００７２】
[0080]  本発明の利点は、制御ループに従って寄生力を低減するようにアクチュエータを制御するので、機械的公差の重要性が低くなることである。従って、リソグラフィ装置内の機械的誤差の影響は低減する。これは、リフレクタ１５の所望の位置及びどのくらいの力を加えるかを決定する場合、アクチュエータにより加えられる力がこれらの誤差を考慮に入れるからである。更に、システム内の誤差の低減は、リソグラフィ装置の効率を向上させると共に、装置がいっそう高速で基板（すでに正しくパターン付与が行われている）を生成可能であることを意味する。本発明では結像品質が向上する。更に、本発明の位置決めシステムは装置内コンポーネントの最初の位置の誤差を計算に入れているので、位置決めシステムを用いる結果、アセンブリプロセスは、初期位置決め誤差の影響が軽減した、複雑さの低減したものとなり得る。
【００７３】
[0081]  本実施形態の変形には、リフレクタ１５をより多い自由度数で制御する、すなわちＮが１より大きい位置決めシステムが含まれる。従って、位置決めシステムにより制御される自由度の数が増えた場合、アクチュエータの数Ｍも増やして、常に自由度よりもアクチュエータの方が少なくとも１つ多くなければならない。本発明に従って、より多数のアクチュエータ及び自由度を用いてリフレクタ１５を「過作動」させることができる。
【００７４】
[0082]  自由度が変更されてもされなくても、アクチュエータの数は変動し得る。しかしながら上述のように、アクチュエータの数Ｍは自由度の数Ｎよりも多くなければならない。
【００７５】
[0083]  第１の実施形態では、２つのアクチュエータデバイスがリフレクタ１５の同一ポイントに力を加える。リフレクタ１５に力を加えるポイントＰの数は変えることができる。
【００７６】
[0084]  上述の実施形態又は説明した変形において、リフレクタ１５に力を加えるために追加のアクチュエータを含めることができる。追加のアクチュエータは、第１の実施形態におけるように、リフレクタ１５の同一ポイントに力を加えることができる。あるいは、追加のアクチュエータを用いて、リフレクタ１５の異なるポイントに力を加えることも可能である。追加の非補償アクチュエータデバイス及び／又は追加の補償アクチュエータデバイスが異なるポイントに力を加える場合であっても、リフレクタ１５の過作動（すなわちＭがＮより大きい）は、なお有益である。リフレクタ１５内で力が伝達される距離は、リフレクタ１５が過作動されない場合に比べて短縮可能である。リフレクタ１５を過作動させることで、リフレクタ１５内の力の経路を制御することができる。このように、所望の領域でリフレクタ１５内の力を分解することができ、他の領域でリフレクタ１５内の力の伝達を回避することができる。
【００７７】
[0085]  特定の数の自由度Ｎ、アクチュエータデバイスＭ、及びアクチュエータデバイスがリフレクタ１５に力を加えるポイントＰを有する第２の実施形態について説明する。
【００７８】
[0086]  第１の実施形態の部分と同一であるか又は対応する第２の実施形態の部分は同様の参照記号で識別する。ここでは、第１の実施形態と異なる第２の実施形態の態様についてのみ説明する。
【００７９】
[0087]  第２の実施形態は、リフレクタ１５を６自由度（Ｎ＝６）で制御する位置決めシステムを有する。９個のアクチュエータデバイス（Ｍ＝９）を用いて、リフレクタ１５の３つの別個のポイント（Ｐ＝３）に力を加える。
【００８０】
[0088]  比較のため、図６Ａに従来技術のリフレクタ１５の上面図を示す。これは、リフレクタ１５に力を加える３つのポイントを有する。これらのポイントをｐ１、ｐ２、ｐ３と示す。図６Ａは、各ポイントに２つのアクチュエータ（図示せず）が加える力を示す。図６Ａに示すリフレクタ１５では、３つのポイント（Ｐ＝３）、６の自由度（Ｎ＝６）、及び６のアクチュエータデバイス（Ｍ＝６）がある。すなわち、リフレクタ１５を充分に制御するため、各自由度に１つのアクチュエータがある。自由度と同じ数のアクチュエータを用いる場合、コントローラ５０は、リフレクタ１５で寄生力を分解するためにアクチュエータが必要とする力を決定することができる。図６Ａは、リフレクタ１５上にアクチュエータの力を示す従来技術の一例を示し、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３は所望の力である。Ｆｐ１は寄生力、すなわちリフレクタ１５に作用する不要の力を示す。
【００８１】
[0089]  コントローラ５０を用いて、第２及び第３のポイントでそれぞれアクチュエータが加えるＦｒ２及びＦｒ３によって力を変更し、正味の寄生力がゼロになるように、リフレクタ１５上の正味の力を分解することができる。しかしながら、図６Ａに示すこの例では、寄生力はリフレクタ１５中で分解される。リフレクタ１５が変形すると、放射ビームがリフレクタ１５で反射される際に放射ビームの像及び放射ビームの角度に誤差が生じ得る。
【００８２】
[0090]  図６Ａの所望の力を図６Ｂに示す。これは、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３を相互に直交した力として示す。これらは、位置決めシステムが制御している自由度の３つを示す。直交する力は、必ずしも直交配置されたアクチュエータに結合する必要はないことに留意すべきである。アクチュエータが加える力の座標変換のためにデカップリング行列を用いることができる。
【００８３】
[0091]  図７は、本発明の第２の実施形態に従って第１のポイントにおける力が示されたリフレクタの上面図を示す。この実施形態では、各ポイントに追加の補償アクチュエータデバイスがある。従って、例えばポイントｐ１では、２つの非補償アクチュエータデバイス（図示せず）がリフレクタ１５に力を加え得る。アクチュエータは、理想的にはＦ１を加えるようにコントローラ５０によって制御される。非補償アクチュエータデバイスが加える力の誤差又は不一致により、図７にＦｐ１としてモデル化された寄生力が生じる。同一のポイントｐ１に補償アクチュエータデバイス（図示せず）を適用して、このポイントにおける寄生力Ｆｐ１を相殺することができる。
【００８４】
[0092]  非補償アクチュエータデバイスと同一のポイントで補償アクチュエータデバイスから力を加えることで、ポイントｐ１で所望の力Ｆ１のみがリフレクタ１５に作用するようにこのポイントで力を分解することができる。ポイントｐ２及びｐ３も、各ポイントに２つの非補償アクチュエータ及び１つの補償アクチュエータを有し、これらのポイントでそれぞれ力を分解することができる。
【００８５】
[0093]  個々のポイントで力を分解することは、寄生力がリフレクタ１５内で分解されないことを意味する。特定のポイントで（又はいくつかの特定のポイントで）力を分解することは、寄生力がリフレクタ１５内を伝達されず、リフレクタ１５の変形を低減可能であることを意味する。これにより、リフレクタ１５の位置の誤差及びリフレクタ１５の変形が低減する。
【００８６】
[0094]  ＭがＮよりも大きい限り、Ｍ及びＮは、それぞれアクチュエータデバイス及び自由度の現実的な数であり得る。上述の実施形態に示したように、同一ポイントでＭがＮよりも大きいことには利点があり、これは、極めて近接したいくつかの接触点に隣接アクチュエータデバイスから力を加えることでアクチュエータデバイスが同一ポイントに力を加えるように構成されているか、あるいは同一ポイントにおけるアクチュエータデバイスを接続して単一の力を単一の接触点でリフレクタに加えるかには無関係である。上述の実施形態におけるように、１つのポイントでＮ＝２でＭ＝３であり、１つの補償アクチュエータデバイス２００が２つの非補償アクチュエータデバイスと同一のポイントに力を加える場合、本出願で説明した利点が得られる。
【００８７】
[0095]  これらの実施形態及び図は、明確さのために力を示している。これらは、リフレクタ１５上の異なるポイントに異なるアクチュエータによって加えられる力の説明に役立つように、簡略化されている。例えば図３Ｂに示す力は、例えば１つの平面内の特定の方向のみであるが、力は全自由度のものであり得る。リフレクタ１５上の重力による力は示力図又は図に含まれていない。本発明の原理は、より複雑なシステムにも適用可能である。更に、図面には、寄生力を完全に分解して正味の寄生力がゼロに低減された理想的な合力を示している。本発明の利点の１つは、力が完全に分解されない場合であっても寄生力を低減できることである。
【００８８】
[0096]  リフレクタ１５の位置に対する重力の効果は、リソグラフィ装置内でのリフレクタ１５、位置決めシステム、及びコントローラ５０の配置（すなわち向き）によって変わり得る。コントローラ５０は、リフレクタ１５の位置を検知することによって重力の効果を考慮に入れてもよい。特定の補償アクチュエータデバイスをコントローラ５０によって選択的に制御して、リフレクタ１５に作用する重力を無効にするようにリフレクタ１５に力を加えることができる。
【００８９】
[0097]  アクチュエータデバイスの説明に用いる用語は、明確さの目的のために使用している。しかしながら、「補償」及び「非補償」という言葉は、アクチュエータデバイスが制御される方法の識別に役立てるために使用している。すなわち、補償アクチュエータデバイスは、少なくとも１つの非補償アクチュエータデバイスが加える寄生力を低減するように力を加えるために用いられる。補償アクチュエータデバイス及び非補償アクチュエータデバイスを制御するコントローラ５０は、リフレクタ１５に特定の力を加えるようにこれらのデバイスを制御することができる。これらのデバイスは、全く同じタイプのデバイスとすることができ、同じサイズとすることができ、及び／又は交換可能とすることも可能である。この文脈において、「交換可能」が意味することは、補償アクチュエータデバイスは補償力を加えるように制御され得るとはいえ、コントローラは非補償力を加えるように補償アクチュエータデバイスを制御することも可能であり、その場合このデバイスが非補償アクチュエータと称されるということである。コントローラは、補償力を加えるように非補償アクチュエータデバイスを変更及び制御し得るので、これと同じことが非補償アクチュエータデバイスにも当てはまる。
【００９０】
[0098]  異なるタイプのアクチュエータを用いて１つのリフレクタ１５を制御することが有益であり得る。例えば、リフレクタ１５上の主要な力を実現するために大型のメインアクチュエータを用いると共に、例えばリフレクタ１５上の寄生力を低減するために小さい力を加えるようにのみ構成された小型のアクチュエータを用いることが有益である場合がある。これは、アクチュエータが全て同じサイズである場合よりも必要な体積が小さいという点で有益であり得る。更に、これはシステムの動的挙動にとって有益となる場合がある。小型で軽量のアクチュエータを用いることは、リフレクタに接続される重量が軽くなることであり、これによって共振周波数が高くなるので、有利であり得る。あるいは、リフレクタ１５に同様の大きさの力を加えるようにアクチュエータを制御することが有益であり得る。すなわち、補償アクチュエータデバイス２００が非補償アクチュエータデバイス３００と同様の大きさの力をリフレクタ１５に加えるということである。このため、同一のタイプ及びサイズのアクチュエータによって力を加えることができる。これは、アクチュエータデバイスの調達、置換、及び／又は修理が容易になることを意味し得る。
【００９１】
[0099]  本発明は、リソグラフィ装置、レーザ、及び／又は放射源コレクタ内で用いるため、いずれかの光学要素、より具体的にはいずれかのリフレクタと組み合わせて使用可能である。
【００９２】
[00100]  本発明の図及び実施形態は、ｘｙｚ座標系を用いて示されている。この座標系は明確さのために用いた。支持フレーム２０、リフレクタ１５、及び／又は位置決めシステムのアクチュエータデバイスの角度は変更可能である。望ましい場合は異なる座標系を用いてもよい。
【００９３】
[00101]  本発明では、アクチュエータデバイスという用語は、リフレクタの位置を１自由度で制御するためのデバイスを指すために用いた。１つのアクチュエータデバイス内で多くのアクチュエータを組み合わせてもよく、例えば２自由度を制御する平面モータアクチュエータが用いられる。従って、平面モータアクチュエータでは、これは本発明によれば２つのアクチュエータと見なされる。このため、本発明の目的のための同等のアクチュエータ数は、アクチュエータデバイスが制御する自由度の数と同じである。
【００９４】
[00102]  本発明に従って、上述の実施形態のいずれかで説明したような位置決めシステム及びコントローラ５０を用いて、リフレクタ以外のリソグラフィ装置のコンポーネントの位置を制御することも可能である。上述の実施形態のいずれかに従って制御可能な他のコンポーネントの例は、限定ではないが、ＥＵＶ又はＤＵＶ装置のコンポーネントであり、例えば測定システム内のもの、マスクテーブル、基板テーブル、レーザ内のもの、又は放射源コレクタ内のものを含む。アクチュエータを利用して、アクティブにコンポーネントを制動し、又は装置内の振動を制御、局在化、もしくは消散させることができる。
【００９５】
[00103]  上述の実施形態のいずれかの位置決めシステムを用いて、物体の振動を制動するように物体を制御することができる。位置決めシステムを用いて物体の動きを補償することによって、物体の振動及び／又は発振を低減させることができる。これは、前述の実施形態について説明したような利点を提供する。
【００９６】
[00104]  本発明に従って基板Ｗを製造する方法は、リフレクタを介して投影ビームを投影して基板Ｗにパターンを付与することを含む。リフレクタの位置は、位置決めシステム及びコントローラ５０を用いて制御されて、パターン付与されたビームが基板Ｗに到達する際の誤差を低減する。基板を製造する方法は、上述したような実施形態又は変形のいずれかにおいてリソグラフィ装置を用いることができる。
【００９７】
[00105]  理解されるように、以上で説明したフィーチャはいずれも、任意の他の形態とともに使用することができ、本出願で扱われているのは、明示的に述べられた以上の組み合わせだけではない。
【００９８】
[00106]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、従って本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００９９】
[00107]  以上、本発明の特定の実施形態を記載したが、少なくとも本明細書に記載の装置の動作方法の形態については、記載した以外の別の態様で本発明を実施してもよいことを理解されたい。例えば、少なくとも本明細書に記載の装置の動作方法の形態については、本発明の実施形態は、上記のような装置の動作方法を記載する機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含む１つ以上のコンピュータプログラム、又は、このようなコンピュータプログラムを内蔵するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気、又は光ディスク）の形態をとることができる。更に機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ以上の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０１００】
[00108]  １つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。従って、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
【０１０１】
[00109]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。従って、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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