(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上面にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数の電極指を有しているＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の上面にて前記複数の電極指のピッチと略同一のピッチで前記伝搬方向に配列されている複数のストリップ電極を有しており、前記ＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向において隣接している反射器と、
を有しており、
前記反射器は、３つ以上の分割反射器を含んでおり、
前記分割反射器は、
前記複数のストリップ電極のうち前記伝搬方向に連続している２本以上の前記ストリップ電極と、
前記２本以上のストリップ電極を接続している接続部と、を有しており、
少なくとも３つの前記分割反射器は、前記ストリップ電極同士及び前記接続部同士が前記伝搬方向において互いに隣接して容量素子を構成している
弾性波素子。
【請求項２】
前記容量素子は、前記ＩＤＴ電極に並列もしくは直列に接続されている
請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記容量素子において、偶数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数が奇数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数よりも多い
請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記容量素子における全ての前記分割反射器は、偶数本の前記ストリップ電極が接続されてなるものである
請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記偶数本は、２本または４本である
請求項３または４に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記容量素子において、奇数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数が偶数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数よりも多い
請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記容量素子における全ての前記分割反射器は、奇数本の前記ストリップ電極が接続されてなるものである
請求項６に記載の弾性波素子。
【請求項８】
前記奇数本は、３本または５本である
請求項６または７に記載の弾性波素子。
【請求項９】
圧電基板と、
前記圧電基板の上面にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数の電極指を有しているＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の上面にて前記複数の電極指のピッチと略同一のピッチで前記伝搬方向に配列されている複数のストリップ電極を有しており、前記ＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向において隣接している反射器と、
を有しており、
前記反射器は、２つ以上の分割反射器を含んでおり、
前記分割反射器は、
前記複数のストリップ電極のうち前記伝搬方向に連続している２本以上の前記ストリップ電極と、
前記２本以上のストリップ電極を接続している接続部と、を有しており、
少なくとも２つの前記分割反射器は、前記ストリップ電極同士及び前記接続部同士が前記伝搬方向において互いに隣接して容量素子を構成しており、３本以上の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器が前記ＩＤＴ電極に隣接している
弾性波素子。
【請求項１０】
前記分割反射器は、前記ＩＤＴ電極の、前記反射器に隣接する位置における交差幅に対して、前記伝搬方向に直交する方向の両側外側となる位置に、前記２本以上の前記ストリップ電極をその両端にて接続する１対の前記接続部を有している
請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波素子。
【請求項１１】
アンテナ端子と、
送信信号をフィルタリングして前記アンテナ端子に出力する送信フィルタと、
前記アンテナ端子からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、
を有しており、
前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波素子を有している
分波器。
【請求項１２】
アンテナと、
前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項１１に記載の分波器と、
前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、
を有している通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子等の弾性波素子、当該弾性波素子を有する分波器および通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波素子として、弾性波を励振するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、励振された弾性波を反射する反射器とを有しているものが知られている。また、弾性波素子内に容量素子を設けて、それをＩＤＴに接続することにより弾性波素子の特性を調整することも一般的に行われている。これに際し、このような弾性波素子の反射器を容量素子として利用する技術が提案されている（例えば特許文献１および２）。
【０００３】
特許文献１では、反射器は、インターデジタル形の電極にされることによって容量素子とされている（特許文献１の図２３（ｃ））。すなわち、反射器は、互いに噛み合わされた１対の櫛歯電極を有する構造とされている。そして、この容量素子は、ＩＤＴ電極に直列に接続されている。なお、後述するように、特許文献１で反射器（容量素子）と呼称されているものを反射器として捉えることには疑義がある。
【０００４】
特許文献２では、反射器は、１対のバスバーと、一方のバスバーから他方のバスバーへ向かって延び、先端が他方のバスバーと対向する電極指とを有する形状とされることによって容量素子とされている。この容量素子は、ＩＤＴ電極に並列に接続されている。
【０００５】
なお、容量素子として利用される反射器に関するものではないが、特許文献３では、櫛型ダブル電極構造とされた反射器を開示している。この櫛型ダブル電極構造では、弾性波の波長の１／４（ＩＤＴ電極の電極指のピッチの１／２）のピッチで電極指が配置され、隣接する２つの電極指同士が互いに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−５１３３４号公報
【特許文献２】特許第５４３６７２９号公報
【特許文献３】特開２００４−１９１３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の反射器では、１対の櫛歯電極同士が互いに接続されておらず、一方の櫛歯電極に信号が入力され、他方の櫛歯電極から信号が出力される。すなわち、この反射器は、実質的にＩＤＴ電極として機能している。そして、隣接する電極指同士の電位が互いに異なることから、例えば、電気的に弾性波の反射に寄与することができない。
【０００８】
また、特許文献２の反射器では、一方のバスバーから延びた電極指の先端と、他方のバスバーとが対向することによって容量素子が構成されていることから、例えば、両者の対向面積が小さく（平面視において互いに対向する縁部の長さが短く）、容量を確保することが困難である。
【０００９】
一方で、特許文献１および２とは異なり、反射器とは別に容量素子を設けるとすれば、例えば、弾性波素子が大型化する。
【００１０】
従って、好適に反射器を容量素子として利用できる弾性波素子、分波器および通信装置が提供されることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様に係る弾性波素子は、圧電基板と、前記圧電基板の上面にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数の電極指を有しているＩＤＴ電極と、前記圧電基板の上面にて前記複数の電極指のピッチと略同一のピッチで前記伝搬方向に配列されている複数のストリップ電極を有しており、前記ＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向において隣接している反射器と、を有しており、前記反射器は、前記複数のストリップ電極のうち前記伝搬方向に連続している２本以上の前記ストリップ電極が互いに接続されてなる分割反射器を３つ以上含んでおり、これらの前記分割反射器が前記伝搬方向において互いに隣接して容量素子を構成している。
【００１２】
好適には、前記容量素子は、前記ＩＤＴ電極に並列接続されている。
【００１３】
好適には、前記容量素子において、偶数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数が奇数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数よりも多い。
【００１４】
好適には、前記容量素子における全ての前記分割反射器は、偶数本の前記ストリップ電極が接続されてなるものである。
【００１５】
好適には、前記偶数本は、２本または４本である。
【００１６】
好適には、前記容量素子において、奇数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数が偶数本の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器の数よりも多い。
【００１７】
好適には、前記容量素子における全ての前記分割反射器は、奇数本の前記ストリップ電極が接続されてなるものである。
【００１８】
好適には、前記奇数本は、３本または５本である。
【００１９】
本発明の一態様に係る弾性波素子は、圧電基板と、前記圧電基板の上面にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数の電極指を有しているＩＤＴ電極と、前記圧電基板の上面にて前記複数の電極指のピッチと同一のピッチで前記伝搬方向に配列されている複数のストリップ電極を有しており、前記ＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向において隣接している反射器と、を有しており、前記反射器は、前記複数のストリップ電極のうち前記伝搬方向に連続している２本以上の前記ストリップ電極が互いに接続されてなる分割反射器を２つ以上含んでおり、少なくとも２つの前記分割反射器が前記伝搬方向において互いに隣接して容量素子を構成しており、３本以上の前記ストリップ電極が接続されてなる前記分割反射器が前記ＩＤＴ電極に隣接している。
【００２０】
本発明の一態様に係る分波器は、アンテナ端子と、送信信号をフィルタリングして前記アンテナ端子に出力する送信フィルタと、前記アンテナ端子からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、を有しており、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、上記の弾性波素子を有している。
【００２１】
本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項１２に記載の分波器と、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、を有している。
【発明の効果】
【００２２】
上記の構成によれば、好適に反射器を容量素子として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子の構成を示す平面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は分割反射器のストリップ電極の本数の例を示す図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は反射器の分割が共振子特性に及ぼす影響を示す図である。
【図４】図３（ｂ）の領域IVの拡大図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は反射器の容量素子が共振子特性に及ぼす影響を示す図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は分割反射器のストリップ電極の本数が共振子特性に及ぼす影響を示す図である。
【図７】図７（ａ）は図６（ｂ）の領域VIａの拡大図であり、図７（ｂ）は図６（ｂ）の領域VIｂの拡大図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は偶数本または奇数本のストリップ電極が共振子特性に及ぼす影響を説明するための模式図である。
【図９】ＳＡＷ素子の利用例としての分波器を示す回路図である。
【図１０】図１１の分波器を有する通信装置を示すブロック図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は反射器の変形例を示す平面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は反射器の他の変形例を示す平面図である。
【図１３】図１３（ａ）および図１３（ｂ）は分割反射器のうち容量素子とし機能する分割反射器が反射器の中で位置する場所が共振子特性に及ぼす影響を示す図である。
【図１４】図１４（ａ）および図１４（ｂ）は分割反射器の幅が共振子特性に及ぼす影響を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子（弾性波素子の一例）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００２５】
変形例等の説明において、既に説明された構成と類似する構成については、細部が異なっていても、既に説明された構成に付された符号と同一の符号を用い、また、図示および説明を省略することがある。
【００２６】
同一または類似する構成については、「第１反射器７Ａ」、「第２反射器７Ｂ」のように、同一名称に対して互いに異なるアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「反射器７」といい、これらを区別しないことがある。
【００２７】
＜ＳＡＷ素子＞
（ＳＡＷ素子の構成）
図１は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子１の構成を示す平面図である。なお、この図は断面図ではないが、図を見やすくするために、ハッチングを適宜に付している。
【００２８】
ＳＡＷ素子１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがあるものとする。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板３の上面（紙面手前側の面。通常は主面。）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板３の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板３の上面に直交するように定義されている。
【００２９】
ＳＡＷ素子１は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子を構成しており、例えば、第１端子５１Ａおよび第２端子５１Ｂの一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を第１端子５１Ａおよび第２端子５１Ｂの他方から出力する。なお、端子５１は、ＳＡＷ素子１と他の素子とを接続する配線であってもよい。
【００３０】
このような１ポートＳＡＷ共振子としてのＳＡＷ素子１は、例えば、圧電基板３と、圧電基板３の上面上に設けられたＩＤＴ電極５と、ＩＤＴ電極５の両側に位置する第１反射器７Ａおよび第２反射器７Ｂと、ＩＤＴ電極５と反射器７との接続等のための配線２１とを有している。
【００３１】
圧電基板３は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板３は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板３の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板３の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。
【００３２】
ＩＤＴ電極５、反射器７および配線２１は、圧電基板３の上面上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極５、反射器７および配線２１は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００３３】
ＩＤＴ電極５は、第１櫛歯電極９Ａおよび第２櫛歯電極９Ｂを有している。各櫛歯電極９は、互いに対向する２本のバスバー１１と、各バスバー１１から他のバスバー１１側へ互いに並列に延びる複数の電極指１３とを有している。１対の櫛歯電極９は、複数の電極指１３が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。なお、各櫛歯電極９は、上記の他、例えば、電極指１３間においてバスバー１１から他方の櫛歯電極９のバスバー１１側へ突出し、他方の櫛歯電極９の電極指１３の先端と対向するダミー電極を有していてもよい。
【００３４】
バスバー１１は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー１１は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー１１は、幅が変化したり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜したりしていてもよい。
【００３５】
各電極指１３は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数の電極指１３は、例えば、互いに同等の長さおよび幅であり、また、ＳＡＷの伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。なお、ＩＤＴ電極５は、複数の電極指１３の長さ（別の観点では交差幅Ｗ）が互いに異なる、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。電極指１３の本数は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１３の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多くの電極指１３が配列されてよい。後述する反射器７のストリップ電極１７についても同様である。
【００３６】
第１櫛歯電極９Ａの電極指１３と第２櫛歯電極９Ｂの電極指１３とは、基本的には、ＳＡＷの伝搬方向において交互に配列されている。１対の櫛歯電極９の複数の電極指１３のピッチｐ（例えば電極指１３の中心線間の長さ）は、基本的に一定であり、共振させたい周波数でのＳＡＷの波長λの半波長と同等とされている。波長λ（２ｐ）は、例えば、１．５μｍ〜６μｍである。各電極指１３の幅は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定され、例えば、ピッチｐに対して０．４ｐ〜０．７ｐである。
【００３７】
複数の電極指１３の一部においては、そのピッチｐが相対的に小さくされたり、逆に、ピッチｐが相対的に大きくされたりしてもよい。このような狭ピッチ部または広ピッチ部を設けることによって、ＳＡＷ素子の周波数特性が向上することが知られている。また、種々の目的で、ピッチｐが通常のピッチｐ（λ／２）の整数倍となるいわゆる間引きが行われてもよい。なお、本実施形態において、単にピッチｐという場合、特に断りがない限り、上記のような特異な部分（狭ピッチ部、広ピッチ部又は間引き部等）を除いた部分（複数の電極指１３の大部分）のピッチｐまたはその平均値（いずれも基本的にはλ／２）をいうものとする。
【００３８】
反射器７は、一般的な格子状の反射器を分割したような構成となっている。すなわち、反射器７は、複数の分割反射器１５を有しており、各分割反射器１５は、ＳＡＷの伝搬方向に並べられた所定本数（図示の例では２本）のストリップ電極１７と、所定本数のストリップ電極１７を接続する接続部１９とを有している。
【００３９】
ストリップ電極１７は、概して言えば、電極指１３と同様の構成である。具体的には、例えば、各ストリップ電極１７は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。反射器７において、複数のストリップ電極１７は、例えば、互いに同等の長さおよび幅であり、また、ＳＡＷの伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。ストリップ電極１７の長さ（Ｄ２軸方向）は、例えば、ＩＤＴ電極５のバスバー１１間の距離と同等とされている。ストリップ電極１７の幅およびピッチｐは、例えば、ＩＤＴ電極５の電極指１３の幅およびピッチｐと同等とされている。また、反射器７のＩＤＴ電極５側の端に位置するストリップ電極１７と、ＩＤＴ電極５の反射器７側の端に位置する電極指１３との間隔（ピッチ）は、ＩＤＴ電極５の電極指１３のピッチｐと同等（またはその概ね整数倍）である。
【００４０】
各反射器７におけるストリップ電極１７の合計本数Ｎ（以下、単に「合計本数Ｎ」ということがある。）は、反射器７に要求される反射率等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、国際公開第２０１３／００２０３３号では、１本のストリップ電極１７における、主共振を発生させる弾性波の反射率をΓ％としたときに、合計本数Ｎは、１００％／Γ％±１本程度の本数で十分であるとしており、合計本数Ｎの具体例として６〜７本を例示している。また、一般に、合計本数Ｎが１０本以上であれば、弾性波を大体反射でき、合計本数Ｎが２０本以上であれば完全に反射できると考えられている。従って、合計本数Ｎは、例えば、６本以上であり、より好ましくは、１０本以上または２０本以上である。また、一般的に合計本数Ｎは比較的多く、例えば、１ポートＳＡＷ共振子では、合計本数Ｎは３０本以上４０本以下、多重モード型ＳＡＷフィルタでは合計本数Ｎは５０本以上１００本以下とされている。本実施形態における合計本数Ｎは、このような本数とされてもよい。
【００４１】
各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎ（以下、「分割本数ｎ」ということがある。）は、２本以上であればよく、また、複数の分割反射器１５間で同じでもよいし、異なっていてもよい。図１では、全ての分割反射器１５間で分割本数ｎが同じで、かつ分割本数ｎが２本である場合を例示している。
【００４２】
接続部１９は、例えば、ＩＤＴ電極５のバスバー１１と同様の電極を分割した形状とされている。従って、例えば、接続部１９は、概ね矩形状であり、バスバー１１と同等の幅（Ｄ２軸方向）と、分割本数ｎ（図１では２本）のストリップ電極１７の配置範囲に亘る長さ（Ｄ１軸方向）とを有している。接続部１９は、例えば、ストリップ電極１７の両端に設けられている。ただし、接続部１９は、例えば、ストリップ電極１７の一方の端部のみに設けられてもよい。
【００４３】
分割反射器１５の数は、例えば、上述した各反射器７において要求される合計本数Ｎが満たされるように設定されてよい。例えば、上述したように、概ね全ての分割反射器１５間で分割本数ｎが同じ場合、分割反射器１５の数は、合計本数Ｎを分割本数ｎで割った数とされてよい。割り切れない場合においては、例えば、割り切れるように合計本数Ｎを増やしたり、割った余りの数を分割本数ｎとする分割反射器１５を１つ設けたりしてよい。また、後述するように、分割反射器１５は、容量素子を構成する電極として機能するから、要求される容量が確保されるように分割反射器１５の数が設定されてもよい。この場合、合計本数Ｎは、例えば、反射に必要な合計本数Ｎを超えてもよい。図１では、各反射器７において、２本のストリップ電極１７を有する３つの分割反射器１５を図示しているが、実際には、これよりも多くの分割反射器１５が設けられていてもよい。
【００４４】
各反射器７において、複数の分割反射器１５は、隣接するもの同士が交互に異なる端子に接続されおり、容量素子である所謂インターディジタル・キャパシタとして機能している。より具体的には、図示の例では、互いに隣接する分割反射器１５同士において、ストリップ電極１７およびその両端の接続部１９が対向しており、容量素子の容量は、これらの長さ（Ｄ２軸方向）、厚み（Ｄ３軸方向）およびギャップ（Ｄ１軸方向）によって規定されている。図示の例では、複数の分割反射器１５から形成される容量素子の端子は、ＩＤＴ電極５の端子である第１端子５１Ａおよび第２端子５１Ｂに接続されており、電気的にはＩＤＴ電極５と並列に接続されているが、本発明はこの形態に限定されるものではなく、ＩＤＴ電極５と直列に接続されていてもよいし、別のデバイスと接続されていても良い。
【００４５】
分割反射器１５の数が３以上の場合においては、複数の分割反射器１５がＳＡＷの伝搬方向における配列に関して交互に（１つ置きに）接続されることによって、容量素子が構成されてもよい。図示の例では、各反射器７における３つの分割反射器１５のうち、両側の２つの分割反射器１５が互いに接続され、この２つの分割反射器１５と、中央の分割反射器１５とで、容量素子の１対の電極が構成されている。
【００４６】
容量素子（反射器７）は、例えば、ＩＤＴ電極５に対して並列に接続されている。すなわち、容量素子の１対の電極のうち一方は、１対の櫛歯電極９の一方に接続され、容量素子の１対の電極のうち他方は、１対の櫛歯電極９の他方に接続されている。
【００４７】
なお、分割反射器１５同士の接続および分割反射器１５と櫛歯電極９との接続は、例えば、既述の配線２１によってなされている。配線２１の経路及び幅等は適宜に設定されてよい。
【００４８】
上記のような構成のＳＡＷ素子１において、ＩＤＴ電極５の電極指１３によって圧電基板３に電圧が印加されると、圧電基板３の上面付近において上面に沿ってＤ１軸方向に伝搬するＳＡＷが誘起される。誘起されたＳＡＷは、電極指１３によって機械的に反射される。その結果、電極指１３のピッチｐを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指１３によって取り出される。このようにしてＳＡＷ素子１は共振子として機能する。
【００４９】
また、ＩＤＴ電極５において誘起されたＳＡＷは、反射器７のストリップ電極１７によって機械的に反射される。また、互いに隣接するストリップ電極１７が接続部１９によって互いに接続されていることから、ＩＤＴ電極５からのＳＡＷは、電気的にもストリップ電極１７によって反射される。これにより、ＳＡＷの発散が抑制され、ＩＤＴ電極５における定在波が強く立ち、ＳＡＷ素子１の共振子としての機能が向上する。
【００５０】
なお、特に図示しないが、圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極５および反射器７の上からＳｉＯ２等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極５等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極５および反射器７の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
【００５１】
また、ＳＡＷ素子１を含むＳＡＷ装置では、例えば、特に図示しないが、圧電基板３の上面の振動を許容してＳＡＷの伝搬を容易化する空間が圧電基板３上に構成される。この空間は、例えば、圧電基板３の上面に被せられる箱型のカバーを形成することによって、または、回路基板の主面と圧電基板３の上面とをバンプを介在させつつ対向させることによって構成される。
【００５２】
（ストリップ電極の本数の変形例）
図１では、各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎが２本である場合を例示した。しかし、既に述べたように、分割本数ｎは、２本以上であればよく、例えば、図２（ａ）に示すように３本でもよいし、図２（ｂ）に示すように４本でもよいし、図２（ｃ）に示すように５本でもよい。
【００５３】
なお、図２（ａ）〜図２（ｃ）に例示した反射器７は、いずれも、図１と同様に、分割本数ｎが、概ね全ての分割反射器１５同士で同一のものである。また、図２（ａ）〜図２（ｃ）では、２つの分割反射器１５のみを図示しているが、これよりも多くの分割反射器１５が設けられてよいこと、分割反射器１５の配列方向に関して１つ置きに分割反射器１５同士が接続されてよいことも、図１と同様である。
【００５４】
＜実施例および比較例＞
図１および図２（ａ）〜図２（ｃ）に示したＳＡＷ素子１を実際に作製して、種々の特性を調べた。その結果、複数の分割反射器１５からなる反射器７（容量素子）は、反射器としての機能および容量素子としての機能を十分に果たすことが確認された。また、各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎがＳＡＷ素子１の特性に及ぼす影響についての知見も得られた。具体的には、以下のとおりである。
【００５５】
実施例および比較例の条件を以下に示す。特に断りが無い限り、後述する実施例および比較例の条件は、下記に示すものである。
圧電基板：
材料：ＬｉＴａＯ３単結晶基板
カット角：４２°Ｙカット−Ｘ伝播
ＩＤＴ電極および反射器に共通の条件：
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
厚み：１６０ｎｍ
交差幅Ｗ：４２μｍ
ピッチｐ：１．０６μｍ
電極指またはストリップ電極の幅：ｐ×０．５（すなわち０．５３μｍ）
ＩＤＴ電極：
電極指の本数：２００本
反射器：
分割本数ｎ：２、３、４または５本
合計本数Ｎ：ｎ＝２のときは３０本
：ｎ＝３のときは３０本
：ｎ＝４のときは２８本
：ｎ＝５のときは３０本
：比較例のときは３０本
容量：ｎ＝２のときは０．５ｐＦ
ｎ＝３のときは０．４ｐＦ
【００５６】
各反射器７において、各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎは、複数の分割反射器１５同士で同一である。また、反射器７は、各反射器７におけるストリップ電極１７の合計本数Ｎが約３０となるようにした。従って、分割本数ｎが２、３、４または５本のケースで容量は互いに異なっている。
【００５７】
（反射器としての機能の確認）
通常の反射器を有する１ポートＳＡＷ共振子（比較例１）と、分割反射器１５を含む反射器７を有する１ポートＳＡＷ共振子（比較例２〜５）とを作製して、これらの共振子特性を比較した。
【００５８】
比較例１で用いた通常の反射器は、全て（合計本数Ｎ）のストリップ電極１７が互いに接続されているものである。比較例２〜５それぞれでは、各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎは、２、３、４または５本とされている。
【００５９】
ここで、分割反射器１５を含む反射器７（本実施形態の反射器７）を有するＳＡＷ共振子も比較例としているのは、複数の分割反射器１５同士を互いに接続せず、また、複数の分割反射器１５をＩＤＴ電極５と接続していないことからである。すなわち、ここでは、分割反射器１５を含む反射器７を容量素子として機能させずに、反射器の分割が反射器としての機能に及ぼす影響のみに着目している。
【００６０】
比較例１〜５の概要を以下にまとめる。
比較例１：通常の反射器
比較例２：ｎ＝２
比較例３：ｎ＝３
比較例４：ｎ＝４
比較例５：ｎ＝５
【００６１】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例１〜５の共振子特性を示す図である。これらの図において、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示している。図３（ａ）において縦軸はインピーダンスの絶対値（Ω）を示している。図３（ｂ）において縦軸はインピーダンスの位相（°）を示している。
【００６２】
これらの図において、通常の反射器を有する比較例１の共振子特性を示す線と、本実施形態の反射器７を有する比較例２〜５の共振子特性を示す線とは、ほとんど重なっている。すなわち、反射器を分割本数ｎ毎に分割しても、反射器としての機能が十分に果たされ、ひいては、共振子特性が維持されることが確認された。
【００６３】
図４は、図３（ｂ）の領域IVの拡大図である。
【００６４】
共振点よりも若干高周波側において、比較例２および４を示す線は、比較例１を示す線にほとんど重なっている。一方、比較例３を示す線は、比較例１を示す線よりも若干位相が低くなっている。また、比較例５を示す線は、比較例３ほどではないが、比較例１を示す線よりも若干位相が低くなっている。ここで、共振点よりも高周波側ではインピーダンスの位相が９０°に近いほど、共振子の損失は少ない。従って、各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎが奇数本（３本または５本）の場合は、損失が若干生じることが分かった。
【００６５】
（容量素子としての機能の確認）
上述の比較例１に係る１ポートＳＡＷ共振子と、各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎを２本とした１ポートＳＡＷ共振子（ＳＡＷ素子１、実施例１）と、比較例１に係る１ポートＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極５に反射器とは別に設けた容量素子を並列接続したもの（比較例６）とを作製して、これらの共振子特性を比較した。
【００６６】
なお、比較例６の容量素子は、ＩＤＴ電極５と同様に１対の櫛歯電極からなるものとした。ただし、この容量素子は、反射器の外側にあり、ＩＤＴ電極５におけるＳＡＷの伝搬には影響を及ぼさない。また、比較例６の容量素子の容量は、実施例と同じである。
【００６７】
着目する比較例および実施例の概要を以下にまとめる。
比較例１：容量素子無し
実施例１：反射器が容量素子（ｎ＝２）
比較例６：外付けの容量素子
【００６８】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、比較例１、実施例１および比較例６の共振子特性を示す図である。これらの横軸および縦軸の意味は、図３（ａ）および図３（ｂ）と同様である。
【００６９】
これらの図に示すように、実施例１を示す線と、比較例６を示す線とはほとんど重なっている。従って、分割されて容量素子とされた反射器７は、容量素子として十分に機能することが確認された。
【００７０】
なお、実施例１および比較例６では、容量素子がＩＤＴ電極５に並列に接続されることによって、比較例１に比較して反共振点を低周波数側に移動させる作用が生じている。別の観点では、帯域（例えば共振点と反共振点との間の帯域）を調整する作用が生じている。これにより、例えば、ＳＡＷ素子を用いたＳＡＷフィルタにおいて、より急峻なフィルタ特性を得ることができる。
【００７１】
（分割本数ｎの影響）
各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎが互いに異なる実施例１〜４に係るＳＡＷ素子１を作製して、これらの共振子特性を比較した。実施例１〜４の分割本数ｎは、２〜５本である。
【００７２】
着目する比較例および実施例の概要を以下にまとめる。
比較例１：容量素子無し
実施例１：ｎ＝２
実施例２：ｎ＝３
実施例３：ｎ＝４
実施例４：ｎ＝５
【００７３】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１、実施例１〜４の共振子特性を示す図である。これらの横軸および縦軸の意味は、図３（ａ）および図３（ｂ）と同様である。
【００７４】
これらの図から、反共振点の低周波数側への移動量（帯域調整度）は、分割本数ｎによって異なることが分かる。具体的には、帯域調整度が大きいものから順に、ｎ＝２、４、３および５である。別の観点では、分割本数ｎが偶数本の場合は、分割本数ｎが奇数本の場合よりも帯域調整度が大きい。
【００７５】
図７（ａ）は、図６（ｂ）の領域VIａの拡大図である。
【００７６】
この図において、比較例１、実施例１および実施例３は概ね重なっており、また、スプリアスが発生している。一方、これらに比較して、実施例２および実施例４では、スプリアスが低減されており、特に、実施例３ではスプリアスが好適に低減されている。別の観点では、分割本数ｎが奇数本の場合は、分割本数ｎが偶数本の場合よりもスプリアスを低減できるという付加的な機能が発現する。
【００７７】
図７（ｂ）は、図６（ｂ）の領域VIｂの拡大図である。
【００７８】
図４を参照して説明したように、共振点よりも高周波側では、インピーダンスの位相が９０°に近いほど、伝搬損失は小さい。そして、図７（ｂ）において、実施例１〜４は、比較例に比較して、若干伝搬損失が生じている。具体的には、伝搬損失の大きさは、３本≒４本＜２本≒５本となっており、ｎ＝３または４のときに伝搬損失が小さくなっている。ただし、その差は顕著なものではない。
【００７９】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、分割本数ｎが偶数本である場合に分割本数ｎが奇数本である場合よりも帯域調整度が大きいことの一因を説明するための模式図である。
【００８０】
これらの図は、圧電基板３の上面付近における、ＩＤＴ電極５の電極指１３および分割反射器１５のストリップ電極１７に直交する断面を模式的に示している。図８（ａ）は、分割本数ｎが２本の場合を示しており、図８（ｂ）は、分割本数ｎが３本の場合を示している。電極指１３およびストリップ電極１７の上方に記載した＋および−は、ある瞬間における電極指１３およびストリップ電極１７における電位の正負を示している。また、その下の波線は、前記の瞬間におけるＳＡＷの変位を示しており、便宜的に山および谷が電極指１３に交互に位置するように記載している。ＳＡＷの山および谷に付した＋および−は、ＳＡＷの山および谷に対応すべき電極指１３の電位の正負を示している。
【００８１】
いずれの図においても、複数のストリップ電極１７は、複数の電極指１３のピッチと同一のピッチで複数の電極指１３に続いているから、ＳＡＷは、複数の電極指１３に対して交互に山および谷が位置したように、複数のストリップ電極１７に対しても交互に山および谷が位置するように伝搬しようとする。しかし、各分割反射器１５において、ストリップ電極１７は隣接するもの同士で接続されていることから、ストリップ電極１７は、電極指１３とは異なり、ＳＡＷの山および谷に対して交互に電位が変化する関係とはならない。その結果、先に言及した電気的な反射が生じる。
【００８２】
ただし、分割反射器１５間においては、電位差が生じる。例えば、図８（ａ）の範囲Ｒ１においては、分割反射器１５間において電位差が生じ、ストリップ電極１７間に電圧が印加される。また、範囲Ｒ２においても、分割反射器１５間において電位差が生じ、ストリップ電極１７間に電圧が印加される。ただし、図から分かるように、その電圧の極性とＳＡＷの山および谷との関係は、範囲Ｒ１と範囲Ｒ２で逆になっている。このため、反射器内でのＳＡＷの励振効果は相殺され、反射器の電極指全体が同電位にショートされている通常の反射器と同様に振舞う。ただし、分割反射器１５間の容量は発生するため、反共振点を低周波側へ移動させる効果が発現する。
【００８３】
同様に、ｎ＝３の場合も範囲Ｒ３と範囲Ｒ４で分割反射器１５間において電位差が生じる。ただし、その電圧の極性とＳＡＷの山および谷との関係は、範囲Ｒ３と範囲Ｒ４で同じなっている。このため、反射器内でも若干のＳＡＷの励振効果が生じる。これが原因で反共振点を高周波側へ移動させる効果が生じ、分割反射器１５間の容量が反共振点を低周波側へ移動させる効果が弱められると推定される。なお、この機構の副作用として、分割本数ｎが奇数本の場合は共振点よりも低周波側のスプリアスを低減できるという効果が発現すると考えられる。
【００８４】
言い換えると、図８（ａ）に示す場合には、ＩＤＴ電極側から数えて一つめの分割反射器にＳＡＷが伝搬するときの、分割反射器の電位とＳＡＷの位相との組み合わせと、次の分割反射器にＳＡＷが伝搬するときの、分割反射器の電位とＳＡＷの位相との組み合わせと、が異なるため、反射器内でのＳＡＷの励振は抑制される。これに対して、図８（ｂ）に示す例では、ＩＤＴ電極側から数えて一つめの分割反射器にＳＡＷが伝搬するときの、分割反射器の電位とＳＡＷの位相との組み合わせと、次の分割反射器にＳＡＷが伝搬するときの、分割反射器の電位とＳＡＷの位相との組み合わせとが同じになるため、ＩＤＴ部と同じ位相関係のＳＡＷが反射器内でも励振されることとなる。
【００８５】
別の観点では、ｎ＝２の場合は、反射器はあたかもピッチがＩＤＴ１３の２倍のＩＤＴのような構成に見える。このため、共振周波数の１／２の周波数域に小さな共振を生じる。ただし、この共振が、ＩＤＴ１３の共振に影響を与えることはない。ｎ＝３の場合は、反射器はあたかもピッチがＩＤＴ１３の３倍のＩＤＴのような構成に見える。このため、共振周波数の１／３の周波数域に小さな共振を生じる。この共振の３次共振はＩＤＴ１３の共振周波数と等しくなり、ＩＤＴ１３の共振に影響を与える。この影響が、前述した反共振点を低周波側へ移動させる効果が弱くなることと、共振点よりも低周波側のスプリアスが低減されるという効果になると考えられる。
【００８６】
＜ＳＡＷ素子の利用例＞
図９は、ＳＡＷ素子１の利用例としての分波器１０１を示す模式図である。
【００８７】
分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。
【００８８】
送信フィルタ１０９は、例えば、ラダー型フィルタによって構成されている。すなわち、複数のＳＡＷ素子１が直列に接続されるとともに並列に接続されている。なお、複数のＳＡＷ素子１を構成するＩＤＴ電極５および１対の反射器７は、例えば、同一の圧電基板３に設けられている。
【００８９】
受信フィルタ１１１は、例えば、互いに直列に接続されたＳＡＷ素子１およびＳＡＷ素子２０１によって構成されている。これらを構成するＩＤＴ電極５および１対の反射器７は、例えば、同一の圧電基板３に設けられている。この圧電基板３は、送信フィルタ１０９が構成される圧電基板３と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００９０】
ＳＡＷ素子２０１は、例えば、縦結合多重モード（２重モードを含むものとする）型ＳＡＷフィルタであり、ＳＡＷの伝搬方向に配列された複数のＩＤＴ電極５と、その両側に配置された１対の反射器２０７とを有している。反射器２０７は、例えば、分割されていない通常の格子状の反射器によって構成されている。ただし、反射器２０７に代えて、複数の分割反射器１５を含む反射器７が設けられてもよい。
【００９１】
図１０は、分波器１０１を有する通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものである。
【００９２】
通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
【００９３】
また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
【００９４】
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。送信用の通過帯と、受信用の通過帯とは、通常、互いに重なっていない。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１０では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１０は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
【００９５】
以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ素子１は、圧電基板３と、ＩＤＴ電極５と、反射器７とを有している。ＩＤＴ電極５は、圧電基板３の上面にてＳＡＷの伝搬方向に配列されている複数の電極指１３を有している。反射器７は、圧電基板３の上面にて複数の電極指１３のピッチと同一のピッチでＳＡＷの伝搬方向に配列されている複数のストリップ電極１７を有しており、ＩＤＴ電極５に対してＳＡＷの伝搬方向に隣接している。また、反射器７は、複数のストリップ電極１７のうちＳＡＷの伝搬方向に連続している２本以上のストリップ電極１７が互いに接続されてなる分割反射器１５を２以上含んでおり、少なくとも２つの分割反射器１５がＳＡＷの伝搬方向に互いに隣接して容量素子を構成している。さらに、反射器７は、３つ以上の分割反射器１５を含み、および／または、３本以上のストリップ電極１７からなる分割反射器１５がＩＤＴ電極５に隣接している。
【００９６】
従って、例えば、反射器７を容量素子として機能させることができる。その一方で、ストリップ電極１７は、ＳＡＷの伝搬方向に連続して配列されているもの同士で接続されていることから、電気的な反射も好適に行うことができる。すなわち、反射器７は、反射器としての機能を十分に果たすことができる。また、例えば、ストリップ電極１７（および接続部１９）の長さに亘って、平行平板型の容量素子として機能する部分を確保することができ、電極指の先端とバスバーとを容量素子として利用する場合に比較して、容量を確保することが容易である。
【００９７】
なお、従来のＳＡＷ共振子においても、反射器を分割する意図は無いにも関わらず、ＩＤＴ電極と反射器との間に、２本の同電位の電極指が介在することがあり、この２本の電極指が分割反射器の２本のストリップ電極として機能する可能性がある。しかし、このような場合であっても、３つ以上の分割反射器１５が構成されたり、ＩＤＴ電極と反射器との間で３本以上の同電位の電極指が介在したりすることはない。
【００９８】
また、本実施形態では、容量素子（本実施形態では反射器７の全体）における全ての分割反射器１５は、偶数本（０本を除く。例えば２本または４本。）のストリップ電極１７が接続されてなるものであってもよい。別の観点では、容量素子において、偶数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５の数が奇数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５の数（０を含む）よりも多くてもよい。
【００９９】
この場合、図６（ｂ）を参照して説明したように、反共振点の低周波数側への移動量を大きくできる。また、図８を参照して説明したように、ＩＤＴ電極５に隣接する分割反射器１５におけるストリップ電極１７の数が偶数であれば、移動量が特に大きくなる。
【０１００】
なお、反射器７またはその反射器に含まれる容量素子において、奇数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５が混じっても、その数よりも偶数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５の数が多ければ、偶数本のときの特性が現れやすい。また、偶数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５のストリップ電極１７の合計が、反射器７またはその反射器に含まれる容量素子の全てのストリップ電極１７の数に占める割合が半分を超える場合においても、偶数本のときの特性が現れやすい。また、反射器として重要な、ＩＤＴ電極５から１０本のストリップ電極１７が、偶数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５のものであれば、偶数本のときの特性が現れやすい。
【０１０１】
また、本実施形態では、容量素子（本実施形態では反射器７の全体）における全ての分割反射器１５は、奇数本（１本を除く。例えば３本または５本。）のストリップ電極１７が接続されてなるものであってもよい。別の観点では、容量素子において、奇数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５の数が偶数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５の数（０を含む）よりも多くてもよい。
【０１０２】
この場合、図７（ａ）を参照して説明したように、共振点の低周波数側のスプリアスを低減することができる。
【０１０３】
なお、反射器７またはその反射器に含まれる容量素子において、偶数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５が混じっても、その数よりも奇数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５の数が多ければ、奇数本のときの特性が現れやすい。また、奇数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５のストリップ電極１７の合計が、反射器７またはその反射器に含まれる容量素子の全てのストリップ電極１７の数に占める割合が半分を超える場合においても、奇数本のときの特性が現れやすい。また、反射器として重要な、ＩＤＴ電極５から１０本のストリップ電極１７が、奇数本のストリップ電極１７が接続されてなる分割反射器１５のものであれば、奇数本のときの特性が現れやすい。
【０１０４】
（反射器の変形例）
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）および図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、反射器７（分割反射器１５）の変形例を示す平面図である。なお、図１１、図１２は、変形例の特徴部分を抽出したものであり、図示していない部分に容量素子として機能する更なる分割反射器１５を備えていてもよい。
【０１０５】
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示すように、各分割反射器１５におけるストリップ電極１７の本数ｎは、分割反射器１５同士で互いに異なっていてもよい。
【０１０６】
この場合において、図１１（ａ）に示すように、分割本数ｎが絶対的に多い（例えば６本以上）分割反射器１５が、分割本数ｎが絶対的に少ない（例えば５本以下）の分割反射器１５の外側（ＩＤＴ電極５とは反対側）に位置してもよい。別の観点では、分割本数ｎが他の分割反射器１５に比較して相対的に多い分割反射器１５が前記の他の分割反射器１５よりも外側に位置してもよい。さらに別の観点では、前記の分割本数ｎが絶対的にまたは相対的に多い分割反射器１５が反射器７において最も外側に位置してもよい。
【０１０７】
また、上記とは逆に、図１１（ｂ）に示すように、分割本数ｎが絶対的に多い（例えば６本以上）分割反射器１５が、分割本数ｎが絶対的に少ない（例えば５本以下）の分割反射器１５の内側（ＩＤＴ電極５側）に位置してもよい。別の観点では、分割本数ｎが他の分割反射器１５に比較して相対的に多い分割反射器１５が前記の他の分割反射器１５よりも内側に位置してもよい。さらに別の観点では、前記の分割本数ｎが絶対的にまたは相対的に多い分割反射器１５が反射器７において最も内側に位置してもよい。
【０１０８】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）のいずれの変形例においても、例えば、分割数（分割反射器１５の数）が少なくても、要求された容量が確保できた場合に、分割本数ｎが多い分割反射器１５を設けることにより、必要以上に容量が大きくなることを抑制しつつ、通常の反射器を設けたときと同様の共振子特性を得やすくなる。
【０１０９】
また、図１１（ａ）の変形例では、例えば、分割本数ｎが少ない分割反射器１５がＩＤＴ電極５に隣接または相対的に近いことによる効果を得ることができる。例えば、分割本数ｎが奇数のときにおいては、図７で説明したようなスプリアスの抑制効果を得ることができる。一方、図１１（ｂ）の変形例では、例えば、分割本数ｎが多い分割反射器１５をＩＤＴ電極５に隣接または相対的に近づけて、ＳＡＷ素子１の特性を通常の反射器を用いた場合のＳＡＷ素子の特性に近づけることができる。
【０１１０】
分割反射器１５のうち少なくとも互いに隣接する３つが容量素子８を構成すればよく、図１１（ｂ）に示すように、残りの分割反射器１５は、例えば、電気的に浮遊状態とされていてもよい。容量素子８を構成する分割反射器１５のいずれにも基準電位が付与されない態様においては、容量素子８を構成しない分割反射器１５には基準電位が付与されてもよい。なお、図１１（ｂ）では、反射器７において内側に位置し、かつ分割本数ｎが絶対的または相対的に多い分割反射器１５が、容量素子８を構成しない分割反射器とされているが、容量素子８を構成しない分割反射器は、反射器７において外側に位置し、および／または、分割本数ｎが絶対的もしくは相対的に少ない分割反射器１５であってもよい。
【０１１１】
図１１（ｃ）に示すように、分割本数ｎが２本以上５本以下の分割反射器１５を適宜に組み合わせてもよい。例えば、図１１（ｃ）では、分割本数ｎは、ＩＤＴ電極５側から順に２本、３本および２本とされている。このような構成においては、例えば、２本のときのメリットと３本のときのメリットとを組み合わせることができる。
【０１１２】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示すように、容量素子を構成する分割反射器１５のＳＡＷの伝搬方向に直交する方向の長さは、ＩＤＴ電極５のＳＡＷの伝搬方向に直交する方向の長さよりも長くてもよいし（図１２（ａ）および図１２（ｃ））、短くてもよい（図１２（ｂ））。ただし、分割反射器１５がＳＡＷの伝搬方向に直交する方向において短い場合においては、ＳＡＷの漏れが生じないように、ストリップ電極１７の長さが交差幅Ｗ（アポダイズが施されているときは例えば反射器７に隣接する位置における交差幅Ｗ）以上であることが好ましい。
【０１１３】
また、分割反射器１５の、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向の長さの調整は、ストリップ電極１７の長さの調整によってなされてもよいし（図１２（ａ）および図１２（ｂ））、接続部１９の長さの調整によってなされてもよいし（図１２（ｃ））、これらの組み合わせによってなされてもよい。
【０１１４】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）のいずれも、例えば、反射器７の容量を調整するために、図示したような長さとされてよい。なお、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）のように分割数の調整によって容量を調整する場合、容量の変化は段階的なものとなる。一方、図１２（ａ）〜図１２（ｃ）のように分割反射器１５の、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向の長さによって容量を調整する場合、容量の変化は連続的なものとなる。容量の調整に際しては、両者の調整方法が適宜に選択または組み合わされてよい。
【０１１５】
ここで、図１１に示す例のように、分割反射器１５のうち容量素子とし機能するものが反射器７の中のどの部分に位置するかを異ならせた場合の共振子特性への影響を調査するために、比較例１と実施例５，６の共振子特性を図１３に示した。
【０１１６】
具体的には、実施例５は、３０本のストリップ電極を備える反射器７のうち、ＩＤＴ電極５に隣接する１０本を、２本ずつの分割反射器１５を５個形成するようにした。残りの２０本は、容量素子を構成しない１個の分割反射器１５で構成した。実施例６は、ＩＤＴ電極５と最も離れた外側の１０本を、２本ずつの分割反射器１５を５個形成するようにした。残りの２０本は、容量素子を構成しない１個の分割反射器１５で構成した。
【０１１７】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、比較例１、実施例５，６の共振子特性を示す図である。これらの図において、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示している。図１３（ａ）において縦軸はインピーダンスの絶対値（Ω）を示している。図１３（ｂ）において縦軸はインピーダンスの位相（°）を示している。
【０１１８】
これらの図において、実施例５，６は、通常の反射器を有する比較例１に比べ、反共振点を低周波数側に移動させる作用が生じている。別の観点では、帯域（例えば共振点と反共振点との間の帯域）を調整する作用が生じている。これにより、例えば、ＳＡＷ素子を用いたＳＡＷフィルタにおいて、より急峻なフィルタ特性を得ることができる。また、実施例５，６の共振子特性は、比較例１の共振子特性と比べてロスが悪化することもない。このことから、容量素子とし機能する分割反射器と、容量素子として機能しない分割反射器とを混在させても共振子特性を悪化させることがないことを確認した。
【０１１９】
また、実施例５，６の共振子特性を示す線は殆ど重なっている。このことから、容量素子とし機能する分割反射器の配置位置を適宜変更しても共振子特性を悪化させることがないことを確認した。
【０１２０】
なお、分割反射器を接続する接続線の長さが異なるため、容量素子とし機能する分割反射器の配置位置を異ならせることでインピーダンス調整を行なうこともできる。
【０１２１】
次に、図１２に示す例のように、分割反射器の長さを異ならせた場合の共振子特性への影響を調査するために、比較例１と実施例１と実施例７との共振子特性を図１４に示した。具体的には、実施例７は、基本構成は実施例１と同様であるが、反射器を構成するストリップ電極の長さを通常の４２μｍから２４μｍだけ幅広にした。これにより、実施例７の容量素子として機能する分割反射器で構成される容量は、実施例１の場合の約１．５倍となる。
【０１２２】
図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、比較例１、実施例１，７の共振子特性を示す図である。これらの図において、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示している。図１４（ａ）において縦軸はインピーダンスの絶対値（Ω）を示している。図１４（ｂ）において縦軸はインピーダンスの位相（°）を示している。
【０１２３】
これらの図において、実施例７は、実施例１や通常の反射器を有する比較例１に比べ、反共振点を低周波数側に移動させる作用が生じている。別の観点では、帯域（例えば共振点と反共振点との間の帯域）を調整する作用が生じている。これにより、例えば、ＳＡＷ素子を用いたＳＡＷフィルタにおいて、より急峻なフィルタ特性を得ることができる。
【０１２４】
このように、実施例７によれば、大きく容量を調整することができる。また、ＳＡＷの伝搬方向において共振子サイズを小さくする必要がある場合にも、分割共振子の長さを調整することで、小型化と帯域調整とを両立させることができる。
【０１２５】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１２６】
弾性波素子は、ＩＤＴ電極および反射器を有するものであればよく、ＳＡＷ素子に限定されない。例えば、弾性波素子は、バルク波素子であってもよいし、弾性境界波（ただし、広義のＳＡＷに含まれる）素子であってもよい。また、弾性波素子は、１ポートＳＡＷ共振子に限定されず、例えば、実施形態で言及した縦結合多重モード型フィルタであってもよいし、横結合多重モード型フィルタであってもよい。
【０１２７】
反射器に含まれる容量素子は、当該反射器が隣接するＩＤＴ電極に並列に接続されるのではなく、隣接するＩＤＴ電極に直列に接続されてもよい。また、反射器に含まれる容量素子は、当該反射器が隣接するＩＤＴ電極とは別のＩＤＴ電極（別の弾性波素子）に接続されたり、ＩＤＴ電極に接続される用途とは全く別の用途に利用されたりしてもよい。いずれにせよ、反射器が容量素子として利用されることによって、例えば、電子部品の小型化が図られる。
【０１２８】
反射器は、分割反射器同士の対向によって構成される容量素子に、他の容量素子が組み合わされてもよい。例えば、分割反射器は、ストライプ電極の両端に位置する１対の接続部の一方と、ストライプ電極の先端とを対向させて構成される容量素子（特許文献２参照）が組み合わされてもよい。また、弾性波の伝搬方向に直交する方向における反射器の外側に、分割反射器の接続部に対して対向する電極を設けて、当該電極と接続部とで容量素子が構成されてもよい。反射器は、容量素子だけでなく、例えば、ミアンダ型のコイルを構成してもよい。
【０１２９】
分割反射器とＩＤＴ電極との接続は、ＩＤＴ電極のバスバーと分割反射器の接続部とを接続することによって行ったり、ＩＤＴ電極の電極指または分割反射器のストライプ電極を利用して行ったりしてもよい。なお、この場合、ＩＤＴ電極と反射器との境界において、弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる電極が、電極指およびストライプ電極のいずれであるかの区別については、例えば、同一の電位の２以上の電極が弾性波の伝搬方向に続けば、ストライプ電極と判断してよい。
【０１３０】
反射器は、ＩＤＴ電極に隣接している（両者の間に弾性波の伝搬を阻害する部材（電極等）が介在していない）が、この隣接の間隔は、実施形態においても言及したように、電極指のピッチに限定されず、当該ピッチの整数倍であってもよい。また、分割反射器同士の間隔または各分割反射器内のストリップ電極のピッチについても、電極指のピッチの整数倍となる部分があってもよい。
【０１３１】
また、圧電基板として厚みが１μｍ〜３０μｍの薄いものを用いて、その裏面に圧電基板よりも線膨張係数の小さな材料からなる基板を支持基板として貼り合せてもよい。支持基板の材料としては、サファイアやシリコン基板を用いることができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３…圧電基板、５…ＩＤＴ電極、７…反射器、１３…電極指、１５…分割反射器、１７…ストリップ電極。
【図１】
0006585459.tif 000002
【図２】
0006585459.tif 000003
【図３】
0006585459.tif 000004
【図４】
0006585459.tif 000005
【図５】
0006585459.tif 000006
【図６】
0006585459.tif 000007
【図７】
0006585459.tif 000008
【図８】
0006585459.tif 000009
【図９】
0006585459.tif 000010
【図１０】
0006585459.tif 000011
【図１１】
0006585459.tif 000012
【図１２】
0006585459.tif 000013
【図１３】
0006585459.tif 000014
【図１４】
0006585459.tif 000015