(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記化学式１で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物：
【化１】
0006585824.tif 000018
（化学式１において、Ｒ１〜Ｒ９は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ６の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の脂環族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の芳香族炭化水素基、およびエポキシ−置換された１価の有機基から独立して選択される有機基であるが、Ｒ１〜Ｒ６のうちの少なくとも１つは、エポキシ−置換された１価の有機基であり、０≦Ｍ＜１、０≦Ｄ１＜１、０＜Ｔ１≦１、０≦Ｄ２＜１、０≦Ｔ２＜１であり、Ｍ＋Ｄ１＋Ｔ１＋Ｄ２＋Ｔ２＝１であり、前記Ｍ、Ｄ１、Ｔ１、Ｄ２、およびＴ２で表した構造単位は、それぞれ異なる１種以上の構造単位を含んでもよい）；および
（Ｂ）スルホニウム系陽イオンとボレート系陰イオンの塩であるエポキシ開環反応陽イオン熱開始剤を含み、
前記化学式１で表される化合物が数平均分子量１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物と、数平均分子量１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物との組み合わせであり、
前記化学式１で表される化合物のシロキサン単位の約３５モル％〜１００モル％は、エポキシ−置換された有機基を有するものであり、
前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、下記化学式２で表され、
【化２】
0006585824.tif 000019
前記化学式２において、
Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせから選択され、
Ｘ−は、ボレート系陰イオンであり、
前記ボレート系陰イオンは、下記化学式３で表される、低温硬化組成物：
【化３】
0006585824.tif 000020
前記化学式３において、
Ｒ２６〜Ｒ３０は、それぞれ独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである。
【請求項２】
前記化学式１で表される化合物は、数平均分子量１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物２０重量％以下と、数平均分子量１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物８０重量％以上との混合物である、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項３】
前記化学式１で表される化合物において０≦Ｍ≦０．３、０≦Ｄ１＜０．７、０．３≦Ｔ１≦１、０≦Ｄ２＜０．７、０≦Ｔ２＜０．７である、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項４】
前記エポキシ−置換された１価の有機基は、エポキシ−置換された１価の脂肪族有機基、エポキシ−置換された１価の脂環族有機基、エポキシ−置換された１価の芳香族有機基であり、前記エポキシ−置換された１価の脂肪族有機基は、グリシジルエーテル基またはオキセタニルエーテル基を含むものである、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項５】
前記化学式２のＲ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基で置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１０のアリール基である、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項６】
前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、前記組成物内に約０．０１重量％〜約５重量％で含まれる、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項７】
前記組成物は、溶媒をさらに含む、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項８】
前記組成物は、重合禁止剤をさらに含む、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項９】
前記組成物は、１００℃以下の温度で硬化する、請求項１に記載の低温硬化組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物を硬化させて得られる硬化膜。
【請求項１１】
前記硬化膜は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子のオーバーコート層である、請求項１０に記載の硬化膜。
【請求項１２】
請求項１０に記載の硬化膜を有する電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
低温硬化組成物、それから形成された硬化膜、および前記硬化膜を有する素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）パネルの場合、光を照らすバックライトユニットおよび色を実現するためのカラーフィルタによって柔軟性（Ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）の実現に限界がある。反面、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）装置は、電流を印加すると自ら発光するので、多くの種類のディスプレイのうち、フレキシブルディスプレイで実現する上で最適なディスプレイとして注目されている。フレキシブルディスプレイで実現されるには、基板自体が壊れやすいガラスでない、壊れない素材のフィルムでなければならない。
【０００３】
一方、ＯＬＥＤ素子またはＴＦＴ上には、平坦化のためのタッチスクリーンパネル（ＴＳＰ：Ｔｏｕｃｈ  Ｓｃｒｅｅｎ  Ｐａｎｅｌ）または透明接着層（ＯＣＡ：Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｌｅａｒ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などのオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）層が使用されるが、これらオーバーコート層の厚さの減少、平坦化の向上、およびＴＦＴ内部回路とタッチセンサとの間のノイズおよびタッチ感度の低減などが重要である。
【０００４】
ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を低くするためには有機絶縁効果がなければならず、印刷時、一定の厚さに平坦化が均等に行われなければならない。オーバーコート層の厚さの均一性が良くなければ、部分ごとに絶縁効果が異なり得、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの次期工程に影響を与えて工程歩留まりを減少させることがある。
【０００５】
また、ＯＬＥＤ素子上に蒸着される層の場合、高輝度のためには透過度が高くなければならず、オーバーコート層自体が有機絶縁層の役割を果たすため、誘電率が低い絶縁効果がなければならない。さらに、コーティング後、一定硬度以上の物理的特性を有してこそ、ＣＶＤ工程時に発生し得るヘイズ（ｈａｚｅ）、低硬度などの問題点を改善することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一実施形態は、低い温度で硬化して高い機械的強度を有し、高い透過率、低い誘電率、および優れた耐薬品性を有し、アウトガス発生も少ない低温硬化組成物を提供する。
【０００７】
他の実施形態は、前記組成物を硬化させて得られる硬化膜を提供する。
【０００８】
さらに他の実施形態は、前記硬化膜を含む電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施形態は、（Ａ）下記化学式１で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物：
【００１０】
【化１】
0006585824.tif 000002
【００１１】
（化学式１において、Ｒ１〜Ｒ９は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ６の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の脂環族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の芳香族炭化水素基、およびエポキシ−置換された１価の有機基から独立して選択される有機基であるが、Ｒ１〜Ｒ６のうちの少なくとも１つは、エポキシ−置換された１価の有機基であり、０≦Ｍ＜１、０≦Ｄ１＜１、０＜Ｔ１≦１、０≦Ｄ２＜１、０≦Ｔ２＜１であり、Ｍ＋Ｄ１＋Ｔ１＋Ｄ２＋Ｔ２＝１であり、前記Ｍ、Ｄ１、Ｔ１、Ｄ２、およびＴ２で表した構造単位は、それぞれ異なる１種以上の構造単位を含んでもよい）；および
（Ｂ）スルホニウム系陽イオンとボレート系陰イオンの塩であるエポキシ開環反応陽イオン熱開始剤を含み、
前記化学式１で表される化合物が数平均分子量１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物と、数平均分子量１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物との組み合わせである、低温硬化組成物を提供する。
【００１２】
前記化学式１で表される化合物は、数平均分子量１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物２０重量％以下と、数平均分子量１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物８０重量％以上との混合物である。
【００１３】
前記化学式１で表される化合物のシロキサン単位の約３５モル％〜１００モル％は、エポキシ−置換された有機基を有することができる。
【００１４】
前記化学式１で表される化合物において０≦Ｍ≦０．３、０≦Ｄ１＜０．７、０．３≦Ｔ１≦１、０≦Ｄ２＜０．７、０≦Ｔ２＜０．７であってもよい。
【００１５】
前記エポキシ−置換された１価の有機基は、エポキシ−置換された１価の脂肪族有機基、エポキシ−置換された１価の脂環族有機基、エポキシ−置換された１価の芳香族有機基であってもよい。
【００１６】
前記エポキシ−置換された１価の脂肪族有機基は、グリシジルエーテル基またはオキセタニルエーテル基を含むものであってもよい。
【００１７】
前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、下記化学式２で表される：
【００１８】
【化２】
0006585824.tif 000003
【００１９】
前記化学式２において、
Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせから選択され、
Ｘ−は、ボレート系陰イオンである。
【００２０】
前記化学式２において、
Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基で置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１０のアリール基であってもよい。
【００２１】
前記ボレート系陰イオンは、下記化学式３で表される：
【００２２】
【化３】
0006585824.tif 000004
【００２３】
前記化学式３において、
Ｒ２６〜Ｒ３０は、それぞれ独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである。
【００２４】
前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、前記組成物内に約０．０１重量％〜約５重量％で含まれる。
【００２５】
前記組成物は、溶媒をさらに含んでもよい。
【００２６】
前記組成物は、重合禁止剤をさらに含んでもよい。
【００２７】
前記組成物は、１００℃以下の温度で硬化してもよい。
【００２８】
他の実施形態では、前記組成物を硬化させて得られる硬化膜を提供する。
【００２９】
前記硬化膜は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子のオーバーコート層であってもよい。
【００３０】
さらに他の実施形態では、前記硬化膜を有する電子装置を提供する。
【発明の効果】
【００３１】
前記実施形態による低温硬化組成物は、１００℃以下の温度で硬化して高い機械的強度を有し、高い透過率、低い誘電率、および優れた耐薬品性を有し、アウトガス発生量も少なく、柔軟性ディスプレイのオーバーコート層に有用に使用できる。また、前記組成物は、低温で速硬化することによって工程時間の短縮効果も得られる。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、これは例として提示されるものであり、これによって本発明が制限されず、本発明は後述する請求範囲の範疇によってのみ定義される。
【００３３】
本明細書において、特別な言及がない限り、「置換」とは、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、イミノ基、アジド基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、カルボニル基、カルバミル基、チオール基、エステル基、カルボキシル基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸やその塩、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリール基、Ｃ３〜Ｃ２０のシクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０のシクロアルケニル基、Ｃ３〜Ｃ２０のシクロアルキニル基、Ｃ２〜Ｃ２０のヘテロシクロアルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０のヘテロシクロアルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０のヘテロシクロアルキニル基、Ｃ３〜Ｃ２０のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせの置換基で置換されていることを意味する。
【００３４】
また、本明細書において、特別な言及がない限り、「ヘテロ」とは、化学式内にＮ、Ｏ、Ｓ、およびＰのうちの少なくとも１つのヘテロ原子が少なくとも１つ含まれていることを意味する。
【００３５】
さらに、本明細書において、特別な言及がない限り、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレート」と「メタクリレート」の両方とも可能であることを意味し、「（メタ）アクリル酸」は、「アクリル酸」と「メタクリル酸」の両方とも可能であることを意味する。
【００３６】
本明細書において、特別な言及がない限り、「組み合わせ」とは、混合または共重合を意味する。
【００３７】
一実施形態は、（Ａ）下記化学式１で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物：
【００３８】
【化４】
0006585824.tif 000005
【００３９】
（化学式１において、Ｒ１〜Ｒ９は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ６の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の脂環族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の芳香族炭化水素基、およびエポキシ−置換された１価の有機基から独立して選択される有機基であるが、Ｒ１〜Ｒ６のうちの少なくとも１つは、エポキシ−置換された１価の有機基であり、０≦Ｍ＜１、０≦Ｄ１＜１、０＜Ｔ１≦１、０≦Ｄ２＜１、０≦Ｔ２＜１であり、Ｍ＋Ｄ１＋Ｔ１＋Ｄ２＋Ｔ２＝１であり、前記Ｍ、Ｄ１、Ｔ１、Ｄ２、およびＴ２で表した構造単位は、それぞれ異なる１種以上の構造単位を含んでもよい）；および
（Ｂ）スルホニウム系陽イオンとボレート系陰イオンの塩であるエポキシ開環反応陽イオン熱開始剤を含み、
前記化学式１で表される化合物が数平均分子量１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物と、数平均分子量１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物との組み合わせである、低温硬化組成物を提供する。
【００４０】
ＴＦＴ−ＬＣＤや集積回路素子には、層間に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜を使用している。層間絶縁膜は、一連の工程、例えば、感光性樹脂組成物の塗布、プリベーク、露光、現像およびポストベーク工程を経て製造される。
【００４１】
従来、ネガティブ層間絶縁膜は、バインダー、反応性不飽和化合物、光重合開始剤、溶媒などの成分で構成されており、前記バインダーは、オレフィン系不飽和化合物を含むことで層間絶縁膜の耐熱性を管理してきた。しかし、既存のオレフィン系不飽和化合物は、硬化温度が１５０℃以上で、１００℃以下の低温硬化が不可でフレキシブルディスプレイ製造工程に適用することができなかった。したがって、既存の有機膜より非常に低い温度で硬化可能でありながらも、容易に合成可能で需給が容易なバインダー、および硬化システムの開発に対する要求があった。
【００４２】
エポキシ基を導入したアクリル系共重合体やエポキシシリコーン組成物自体で低温硬化物性を実現しようとする試みがあった。しかし、エポキシ基を導入したアクリル系共重合体は、低温で所望するだけの硬度を確保することが難しい。また、シリコーン組成物の場合、アルケンと水素との間の反応である水素ケイ素化反応によるエチレン鎖を形成して機械的強度などの特性を改善しようとしたが、１００℃以下で熱硬化時に未硬化率が高くて表面硬度が低くなり、ヘイズ現象が発生する。さらに、エポキシ触媒を用いたエポキシ開環重合の場合にも、１００℃以下で熱硬化時に硬化が完全に行われず表面硬度が低くなり、透過度低下の問題が発生する。表面硬度が低ければ、ＣＶＤ後のヘイズ現象が発生するので、別の反応メカニズムが要求された。
【００４３】
本願発明者らは、置換基としてエポキシ−置換された有機基を含む互いに異なる分子量のシロキサン化合物をブレンディングし、これに、低い温度、例えば、１００℃以下でエポキシ開環反応を起こす陽イオン熱開始剤を添加して硬化することによって、低い温度で硬化しながらも高い機械的強度を有し、同時に高い透過率と低い誘電率を有し、優れた耐薬品性および耐エッチング性を有し、アウトガス発生量も少なく、ヘイズも発生しない硬化膜が得られることを発見して、本発明を完成した。このように得られた硬化膜は、ＯＬＥＤ素子などのオーバーコート層に適用され、フレキシブルディスプレイの製作に有用に使用できる。
【００４４】
前記組成物は、適切な粘度などを実現するために、溶媒をさらに含んでもよい。
【００４５】
また、保管安定性のために、重合禁止剤をさらに含んでもよい。
【００４６】
以下、前記実施形態による低温硬化組成物の各成分について詳細に説明する。
【００４７】
（Ａ）エポキシ基含有シロキサン化合物
一実施形態による低温硬化組成物は、下記化学式１で表されるエポキシ−置換された１価の有機基を含むシロキサン化合物を含む：
【００４８】
【化５】
0006585824.tif 000006
【００４９】
前記化学式１において、
Ｒ１〜Ｒ９は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ６の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の脂環族炭化水素基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０の１価の芳香族炭化水素基、およびエポキシ−置換された１価の有機基から独立して選択される有機基であるが、Ｒ１〜Ｒ６のうちの少なくとも１つは、エポキシ−置換された１価の有機基であり、０≦Ｍ＜１、０≦Ｄ１＜１、０＜Ｔ１≦１、０≦Ｄ２＜１、０≦Ｔ２＜１であり、Ｍ＋Ｄ１＋Ｔ１＋Ｄ２＋Ｔ２＝１であり、前記Ｍ、Ｄ１、Ｔ１、Ｄ２、およびＴ２で表した構造単位は、それぞれ異なる１種以上の構造単位を含んでもよい。
【００５０】
特に、前記化学式１で表される化合物は、数平均分子量が１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物と、数平均分子量が１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物との混合物を含む。
【００５１】
例えば、前記化学式１で表される化合物は、数平均分子量が１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物２０重量％以下と、数平均分子量が１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物８０重量％以上との組み合わせを含む。
【００５２】
一実施例において、前記化学式１で表される化合物は、数平均分子量が１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物１５重量％以下、例えば、１．０重量％〜１２重量％、例えば、１．５重量％〜８．５重量％と、数平均分子量が１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物８５重量％以上、例えば、８８重量％〜９９重量％、例えば、９１．５重量％〜９８．５重量％との組み合わせを含むことができる。
【００５３】
数平均分子量が１００〜１，０００の範囲のシロキサン化合物と、数平均分子量が１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物とをそれぞれ前記範囲内に含むことによって、前記実施形態による組成物は、後述するエポキシ開環反応熱開始剤によって低い温度、例えば、１００℃以下の温度で硬化して十分な表面硬度および機械的強度を提供することができる。
【００５４】
数平均分子量が１，０００〜１０，０００の範囲のシロキサン化合物は、反応性が非常に高くて、前記範囲を超えて含まれる場合、保管安定性などの問題を引き起こすことがある。また、造液後、撹拌する時の温度でも反応が起こるなどの問題が発生することがある。
前記化学式１で表される化合物のシロキサン単位の約３５モル％〜１００モル％は、エポキシ−置換された有機基を有することができる。
【００５５】
前記化学式１で表される化合物のシロキサン単位が前記範囲でエポキシ−置換された有機基を有する場合、前記実施形態による組成物は、後述するエポキシ開環反応熱開始剤によって低い温度、例えば、１００℃以下の温度で硬化して十分な表面硬度および機械的強度を提供することができる。
【００５６】
エポキシ−置換された有機基の含有量が前記化学式１で表される化合物のシロキサン単位の３５重量％未満で存在する場合、前記実施形態による組成物は、エポキシ開環反応によって開環して他のシロキサン化合物と架橋結合するエポキシ基の比率が低く、硬化後、十分な表面硬度および機械的強度を有する硬化膜を提供することができない。
【００５７】
前記化学式１で表される化合物において０≦Ｍ≦０．３、０≦Ｄ１＜０．７、０．３≦Ｔ１≦１、０≦Ｄ２＜０．７、０≦Ｔ２＜０．７であってもよい。
【００５８】
一実施例において、前記化学式１で表される化合物は、Ｍ＝０、Ｄ１＝０、０．３≦Ｔ１≦１、Ｄ２＝０、０≦Ｔ２＜０．７であってもよく、例えば、Ｍ＝０、Ｄ１＝０、０．５≦Ｔ１≦１、Ｄ２＝０、０≦Ｔ２＜０．５であってもよい。
【００５９】
前記エポキシ−置換された１価の有機基は、エポキシ−置換された１価の脂肪族有機基、エポキシ−置換された１価の脂環族有機基、エポキシ−置換された１価の芳香族有機基であってもよい。
【００６０】
一実施例において、前記エポキシ−置換された１価の有機基は、エポキシ−置換された１価の脂肪族有機基であってもよく、前記エポキシ−置換された１価の脂肪族有機基は、グリシジルエーテル基またはオキセタニルエーテル基を含むものであってもよい。
例えば、前記グリシジルエーテル基を含むエポキシ−置換された１価の脂肪族有機基は、３−グリシドキシ−プロピル基であってもよい。
【００６１】
化学式１で表される化合物は、例えば、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＺ１で表現されるモノマー、Ｒ４Ｒ５ＳｉＺ２Ｚ３で表現されるモノマー、Ｒ６ＳｉＺ４Ｚ５Ｚ６で表現されるモノマー、Ｒ７Ｒ８ＳｉＺ７Ｚ８で表現されるモノマー、およびＲ９ＳｉＺ９Ｚ１０Ｚ１１で表現されるモノマーから選択された少なくとも１つを加水分解および縮重合して得ることができる。ここで、Ｒ１〜Ｒ９の定義は、前述した通りであり、Ｚ１〜Ｚ１１は、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、カルボキシル基、またはこれらの組み合わせである。
【００６２】
化学式１で表される化合物を製造するための前記加水分解および縮重合反応は、当該技術分野における通常の知識を有する技術者によく知られている一般的な方法を利用することができる。例えば、前記モノマーの混合物に溶媒、水、および必要に応じて触媒を添加し、５０℃〜１５０℃、例えば、９０℃〜１３０℃の温度で０．５時間〜５０時間程度撹拌することを含む。また、撹拌中に、必要に応じて、蒸留によって加水分解副生成物（メタノールなどのアルコール）や縮合副生成物の蒸留、除去を行うこともできる。
【００６３】
前記反応溶媒としては特別な制限はないが、化学式１の化合物を含む前記実施形態による低温硬化組成物で含まれる溶媒と同一の溶媒を使用することができる。
【００６４】
前記溶媒の添加量は、前記モノマーの合計重量１００重量部に対して１０〜１０００重量部を使用することができる。また、加水分解反応に使用する水の添加量は、加水分解性基１モルに対して０．５モル〜４．５モルの範囲で使用することができる。
必要に応じて添加される触媒に特別な制限はないが、酸触媒、塩基触媒などを使用することができる。触媒の添加量は、前記モノマーの合計重量１００重量部に対して０．００１〜１０重量部の範囲で使用することができる。
【００６５】
（Ｂ）エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤
前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、スルホニウム系陽イオンとボレート系陰イオンの塩であって、１００℃以下の温度、例えば、７５℃以上９０℃以下の温度でエポキシ開環反応を開始することができ、これによって、前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤を含む一実施形態による組成物は、低温、例えば、９０℃以下、例えば、８０℃以下の温度で硬化可能である。
【００６６】
前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、下記化学式２で表される：
【００６７】
【化６】
0006585824.tif 000007
【００６８】
前記化学式２において、
Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせから選択され、
Ｘ−は、ボレート系陰イオンである。
【００６９】
前記化学式２において、
Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基で置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１０のアリール基であってもよい。
一実施例において、Ｒ１０は、水素またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基であってもよく、Ｒ１１およびＲ１２のうちの１つは、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基を表し、他の１つは、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリールアルキル基、またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基で置換もしくは非置換のナフチル基を表し、Ｒ１３は、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、例えば、メチル基を表す。
【００７０】
前記ボレート系陰イオンは、下記化学式３で表される：
【００７１】
【化７】
0006585824.tif 000008
【００７２】
前記化学式３において、
Ｒ２６〜Ｒ３０は、それぞれ独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである。
【００７３】
一実施例において、Ｒ２６〜Ｒ３０は、すべてＦである。
例えば、前記エポキシ開環反応熱開始剤は、下記化学式４で表される４−アセトキシフェニルメチルベンジルスルホニウム・テトラキス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）ボレート、または４−アセトキシフェニルメチル（２−メチルベンジル）スルホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−アセトキシフェニル３−メチルフェニルベンジルメチルスルホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどを使用することができ、これらに制限されない。
【００７４】
【化８】
0006585824.tif 000009
【００７５】
前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、前記実施形態による組成物内に約０．０１重量％〜約５重量％、例えば、約０．０５重量％〜約４重量％、例えば、約０．１重量％〜約３重量％含まれる。
【００７６】
前記範囲で使用されることによって、前記エポキシ開環反応陽イオン熱開始剤は、前記化学式１で表される化合物に置換されたエポキシ基が１００℃以下で開環して他のシロキサン化合物と縮合反応を起こすようにし、したがって、１００℃以下の低い温度で十分な表面硬度を有する硬化膜を製造できるようにする。これにより、前記実施形態による組成物、およびそれから得られる硬化膜は、ＯＬＥＤ素子などの上部でオーバーコート層を形成してフレキシブルディスプレイの製造に有用に使用できる。
【００７７】
（Ｃ）溶媒
一実施形態による低温硬化組成物は、粘度などを調節するために、溶媒をさらに含んでもよい。溶媒は、前記化学式１で表される化合物、および前記エポキシ開環反応熱開始剤との相溶性を有するものの、これらと反応しない物質を使用することができる。
【００７８】
前記溶媒の例としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類；ジクロロエチルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、メチルフェニルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチルセロソルブアセテートなどのセロソルブアセテート類；メチルエチルカルビトール、ジエチルカルビトール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどのカルビトール類；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセチルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどの溶媒が挙げられる。
【００７９】
これらのうち、好適には、相溶性および反応性を考慮して、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；エチルセロソルブアセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類；２−ヒドロキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどのカルビトール類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類を使用することができる。
【００８０】
溶媒は、前記化学式１で表される化合物１００重量部に対して約１０重量部〜約１０，０００重量部の範囲で使用することができ、前記組成物を下部基材上にコーティングするのに適切な粘度を実現可能な範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する技術者が適切な含有量で前記実施形態による組成物に含めて使用することができる。
【００８１】
（Ｄ）重合禁止剤およびその他の添加剤
一実施形態による低温硬化組成物は、重合禁止剤をさらに含んでもよい。
【００８２】
前記化学式１で表されるシロキサン化合物は、常温で重合反応性が高い方であり、したがって、常温または１０℃以下で冷蔵保管時にも重合反応によって化合物の分子量が次第に大きくなり得る。これを防止して化合物の保管安定性を実現するために、一実施形態による組成物は、重合禁止剤をさらに含んでもよい。
【００８３】
重合禁止剤としては、前記エポキシ開環反応熱開始剤と構造が類似しており、架橋される温度が熱開始剤より高いスルホニウム系化合物を用いることができる。例えば、（４−ヒドロキシフェニル）ジメチルスルホニウム・メチルスルフェート（塩）、４−（メチルチオ）フェノールなどを使用することができる。
【００８４】
重合禁止剤を使用する場合、全体組成物の重量を基準として、約３重量％以下、例えば、約１重量％以下、例えば、約０．５重量％以下、例えば、約０．１重量％以下、例えば、約０．０５重量％以下、例えば、約０．０３重量％以下、例えば、約０．０２重量％以下のように少量で使用することができる。
【００８５】
重合禁止剤のほか、前記実施形態による組成物は、下記記載のような追加の添加剤をさらに含んでもよい。
【００８６】
例えば、前記組成物は、マロン酸；３−アミノ−１，２−プロパンジオール；ビニル基または（メタ）アクリルオキシ基を含むシラン系カップリング剤；フッ素系界面活性剤；またはこれらの組み合わせをさらに含んでもよい。
【００８７】
例えば、低温硬化組成物の下部基板との密着性などを改善するために、ビニル基、カルボキシル基、メタクリルオキシ基、イソシアネート基、エポキシ基などの反応性置換基を有するシラン系カップリング剤をさらに含んでもよい。
【００８８】
シラン系カップリング剤の例としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられ、これらを単独または２種以上混合して使用することができる。
【００８９】
シラン系カップリング剤は、前記低温硬化組成物１００重量部に対して０．０１重量部〜１０重量部含まれる。シラン系カップリング剤が前記範囲内に含まれる場合、密着性、保存性などに優れることができる。
【００９０】
また、前記実施形態による組成物は、必要に応じて、コーティング性の向上および欠点生成防止効果のために、界面活性剤、例えば、フッ素系界面活性剤をさらに含んでもよい。
前記フッ素系界面活性剤としては、ＢＭ  Ｃｈｅｍｉｅ社のＢＭ−１０００（登録商標）、ＢＭ−１１００（登録商標）等；大日本インキ化学工業（株）社のメガファックＦ１４２Ｄ（登録商標）、同Ｆ１７２（登録商標）、同Ｆ１７３（登録商標）、同Ｆ１８３（登録商標）等；住友スリーエム（株）社のフロラードＦＣ−１３５（登録商標）、同ＦＣ−１７０Ｃ（登録商標）、同ＦＣ−４３０（登録商標）、同ＦＣ−４３１（登録商標）等；旭硝子（株）社のサーフロンＳ−１１２（登録商標）、同Ｓ−１１３（登録商標）、同Ｓ−１３１（登録商標）、同Ｓ−１４１（登録商標）、同Ｓ−１４５（登録商標）等；東レシリコーン（株）社のＳＨ−２８ＰＡ（登録商標）、同−１９０（登録商標）、同−１９３（登録商標）、ＳＺ−６０３２（登録商標）、ＳＦ−８４２８（登録商標）等の名前で市販されているフッ素系界面活性剤を使用することができる。
【００９１】
前記界面活性剤は、前記組成物１００重量部に対して０．００１重量部〜５重量部使用できる。界面活性剤が前記範囲内に含まれる場合、コーティング均一性が確保され、シミが発生せず、ガラス基板に対する湿潤性（ｗｅｔｔｉｎｇ）に優れている。
【００９２】
また、前記低温硬化組成物は、物性を阻害しない範囲内で酸化防止剤、安定剤などのその他の添加剤が一定量添加されてもよい。
【００９３】
前記低温硬化組成物は、ネガティブ型感光性樹脂組成物であってもよい。
【００９４】
前記低温硬化組成物は、１００℃以下、例えば、９０℃以下、例えば、７５℃以上９０℃以下の低温で硬化が可能である。
【００９５】
他の実施形態は、前述した低温硬化組成物を用いて製造された硬化膜を提供する。
【００９６】
前記硬化膜は、前記実施形態による組成物を、所定の前処理を施した基板、例えば、ＯＬＥＤ素子上に、スピンまたはスリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケータ法などの方法を用いて、所望の厚さ、例えば１μｍ〜３０μｍの厚さに塗布し、７０℃〜９０℃の温度で１分〜１時間加熱して、前記化学式１で表される化合物のエポキシ基の開環反応を開始し、連続して前記組成物を前記温度で加熱することによって、低い温度範囲で高い表面硬度を有するように硬化させることによって製造される。
【００９７】
このように製造された硬化膜は、低い温度で硬化するにもかかわらず、高い表面硬度、およびそれによる高い機械的強度を有し、また、耐薬品性と耐エッチング性に優れ、また、後述する実施例から分かるように、高い光透過率と低い誘電率を有し、アウトガス発生量も少なく、ＣＶＤ後のヘイズも発生しない。
【００９８】
以下、本発明の実施例を記載する。下記の実施例は本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明が下記の実施例によって限定されるものではない。
【実施例】
【００９９】
製造例：シロキサン化合物の合成
合成例１：エポキシ基含有シロキサン化合物の製造
水とトルエンを混合した混合溶媒１ｋｇを３口フラスコに投入した後、２３℃に維持しつつ、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）３００ｇを２時間かけて撹拌した。撹拌が完了した後、９０℃で３時間加熱しながら縮重合反応を実施した。次に、室温に冷却した後、水層を除去してトルエンに溶解した高分子溶液を製造した。次に、得られた高分子溶液を水で洗浄して反応副産物を除去した。前記高分子溶液を減圧蒸留してトルエンを除去し、数平均分子量２１９８ｇ／ｍｏｌｅの下記化学式５で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物を得た。前記数平均分子量はＷａｔｅｒｓ社Ｅｍｐｏｗｅｒ  ＧＰＣのＲＩ  ｄｅｔｅｃｔｏｒで測定した。
【０１００】
【化９】
0006585824.tif 000010
【０１０１】
合成例２：エポキシ基含有シロキサン化合物の製造
水とトルエンを混合した混合溶媒１ｋｇを３口フラスコに投入した後、２３℃に維持し、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）３００ｇを２時間かけて撹拌した。撹拌が完了した後、９０℃で３時間加熱しながら縮重合反応を実施した。次に、室温に冷却した後、水層を除去してトルエンに溶解した高分子溶液を製造した。次に、得られた高分子溶液を水で洗浄して反応副産物を除去した。前記高分子溶液を減圧蒸留してトルエンを除去し、数平均分子量７２１ｇ／ｍｏｌｅの下記化学式６で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物を得た。前記数平均分子量はＷａｔｅｒｓ社Ｅｍｐｏｗｅｒ  ＧＰＣのＲＩ  ｄｅｔｅｃｔｏｒで測定した。
【０１０２】
【化１０】
0006585824.tif 000011
【０１０３】
合成例３：エポキシ基含有シロキサン化合物の製造
水とトルエンを混合した混合溶媒１ｋｇを３口フラスコに投入した後、２３℃に維持しつつ、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）３５０ｇとメチルトリメトキシシラン（Ｍｅｔｈｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）２５ｇを混合して、２時間かけて撹拌した。撹拌が完了した後、９０℃で３時間加熱しながら縮重合反応を実施した。次に、室温に冷却した後、水層を除去してトルエンに溶解した高分子溶液を製造した。次に、得られた高分子溶液を水で洗浄して反応副産物を除去した。前記高分子溶液を減圧蒸留してトルエンを除去し、数平均分子量２７８１ｇ／ｍｏｌｅの下記化学式７で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物を得た。前記数平均分子量はＷａｔｅｒｓ社Ｅｍｐｏｗｅｒ  ＧＰＣのＲＩ  ｄｅｔｅｃｔｏｒで測定した。
【０１０４】
【化１１】
0006585824.tif 000012
【０１０５】
合成例４：エポキシ基含有シロキサン化合物の製造
水とトルエンを混合した混合溶媒１ｋｇを３口フラスコに投入した後、２３℃に維持し、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）３５０ｇとメチルトリメトキシシラン（Ｍｅｔｈｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）２５ｇを混合して、２時間かけて撹拌した。撹拌が完了した後、９０℃で３時間加熱しながら縮重合反応を実施した。次に、室温に冷却した後、水層を除去してトルエンに溶解した高分子溶液を製造した。次に、得られた高分子溶液を水で洗浄して反応副産物を除去した。前記高分子溶液を減圧蒸留してトルエンを除去し、数平均分子量４１３３ｇ／ｍｏｌｅの下記化学式８で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物を得た。前記数平均分子量はＷａｔｅｒｓ社Ｅｍｐｏｗｅｒ  ＧＰＣのＲＩ  ｄｅｔｅｃｔｏｒで測定した。
【０１０６】
【化１２】
0006585824.tif 000013
【０１０７】
比較合成例１：アルケニル基含有シロキサン化合物の製造
水とトルエンを混合した混合溶媒１ｋｇを３口フラスコに投入した後、２３℃に維持しつつ、フェニルメチルジメトキシシラン８２ｇ、およびフェニルトリメトキシシラン２１４ｇを混合して、２時間かけて撹拌した。撹拌が完了した後、９０℃で３時間加熱しながら縮重合反応を実施した。次に、ジビニルテトラメチルジシロキサン４４ｇを入れて、５時間末端置換（Ｅｎｄ−ｃａｐ）反応を実施した。室温に冷却した後、水層を除去してトルエンに溶解した高分子溶液を製造した。次に、得られた高分子溶液を水で洗浄して反応副産物を除去した。前記高分子溶液を減圧蒸留してトルエンを除去し、数平均分子量３２１８ｇ／ｍｏｌｅの下記化学式９で表されるアルケニル基含有シロキサン化合物を得た。前記数平均分子量はＷａｔｅｒｓ社Ｅｍｐｏｗｅｒ  ＧＰＣのＲＩ  ｄｅｔｅｃｔｏｒで測定した。
【０１０８】
【化１３】
0006585824.tif 000014
【０１０９】
比較合成例２：水素含有シロキサン化合物の製造
水とトルエンを混合した混合溶媒１ｋｇを３口フラスコに投入した後、１７℃に維持しつつ、テトラメチルジシロキサン２００ｇを混合して、１時間かけて撹拌した。撹拌が完了した後、ジフェニルジクロロシラン２５０ｇを５時間かけて滴下した。次に、室温状態で水層を除去してトルエンに溶解した高分子溶液を製造した。次に、得られた溶液を水で洗浄して反応副産物を除去した。前記高分子溶液を減圧蒸留してトルエンを除去し、数平均分子量３３２ｇ／ｍｏｌｅの下記化学式１０で表される水素含有シロキサン化合物を得た。前記数平均分子量はＷａｔｅｒｓ社Ｅｍｐｏｗｅｒ  ＧＰＣのＲＩ  ｄｅｔｅｃｔｏｒで測定した。
【０１１０】
【化１４】
0006585824.tif 000015
【０１１１】
実施例１〜７および比較例１〜５：硬化組成物の製造および評価
合成例１と合成例２によるシロキサン化合物を下記表１に記載した比率で混合し、これに、陽イオン開環反応熱開始剤として、それぞれ、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．２重量％（実施例１）、４−アセトキシフェニルメチル（２−メチルベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．２重量％（実施例２）、および４−アセトキシフェニル３−メチルフェニルベンジルメチルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．２重量％（実施例３）を混合して、実施例１〜実施例３による硬化組成物を製造する。
【０１１２】
また、合成例２〜合成例４によるシロキサン化合物を表１に記載した比率で混合し、これに、エポキシ開環反応熱開始剤として、［（４−アセチロキシ）フェニル］メチル（フェニルメチル）スルホニウム・テトラキス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（４−ａｃｅｔｙｌｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｍｅｔｈｙｌ（ｐｈｅｎｙｌｍｅｔｈｙｌ）ｓｕｌｆｏｎｉｕｍ・Ｔｅｔｒａｋｉｓ（２，３，４，５，６−ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｔｅ）をそれぞれ０．１５重量％（実施例４）、０．５重量％（実施例５）、０．１５重量％（実施例６）、および１．０重量％（実施例７）混合し、また、重合禁止剤のＳ−ＭＥ（Ｓａｎｓｈｉｎ  ｃｈｅｍｉｃａｌ製品）を０．０１５重量％ずつ混合して、実施例４〜実施例７による硬化組成物を製造する。
【０１１３】
比較合成例１と比較合成例２によるシロキサン化合物を表１に記載した比率で混合し、これに、水素ケイ素化触媒Ｐｔ−ＣＳ２．０（Ｕｎｉｃｏｒｅ製品）３ｐｐｍを混合して、比較例１による硬化組成物を製造する。
【０１１４】
また、前記合成例２と合成例３によるシロキサン化合物を表１に記載した比率で混合するが、これに、エポキシ触媒のＯ，Ｏ−ジエチルエステルホスホロジチオ酸（Ｏ，Ｏ−ｄｉｅｔｈｙｌ  ｅｓｔｅｒ  ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｄｉｔｈｉｏｉｃ  ａｃｉｄ）、およびテトラブチルホスホニウム（Ｔｅｔｒａｂｕｔｙｌ  ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ）１．５重量％を混合して、比較例２による硬化組成物を製造する。
【０１１５】
さらに、前記合成例１と合成例２によるシロキサン化合物を表１に記載した比率で混合するが、これに、陽イオン熱開始剤として、４−アセトキシフェニル（メチル）２−ナフチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート０．２重量％（比較例３）、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート０．２重量％（比較例４）、および４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート０．２重量％（比較例５）を混合して、比較例３〜比較例５による硬化組成物を製造する。
【０１１６】
具体的には、前記硬化組成物を製造する方法は、前記合成例１〜合成例４、または比較合成例１と比較合成例２で製造したシロキサン化合物の組み合わせを、それぞれ下記表１に記載された組み合わせおよび量でフラスコに入れた後、これに、エポキシ開環反応熱開始剤、エポキシ触媒、水素ケイ素化触媒、または追加的に重合禁止剤を添加して混合することによって製造される。
【０１１７】
製造された硬化組成物のコーティング性を評価するために、前記製造された硬化組成物をスクリーン印刷（Ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）装備を用いてガラス基板上にそれぞれ塗布した後、８５℃のオーブンにて１時間硬化して、厚さ１０μｍの硬化膜を得る。
このように製造された硬化膜に対して、それぞれ下記の方法を用いて、硬度、透過度、ヘイズ、誘電定数、耐薬品性、およびアウトガシングを測定し、結果を下記表１に示す。
【０１１８】
１）硬度：前記硬化膜を常温で十分に冷やした後、ＡＳＴＭ  Ｄ３３６３試験規格により、鉛筆硬度試験器Ｓｈｉｎｔｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＨＥＩＤＯＮ装備でＪＩＳ  Ｋ５６００方法により測定した。６Ｂ〜９Ｈの範囲で、常温で鉛筆硬度を測定する。
【０１１９】
２）透過度：ＵＶ透過度装備（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社のＵＶ−１８００装備）を用いて２８０ｎｍから８００ｎｍまでの透過率を測定した後、４５０ｎｍにおける透過率を代表値として記載する。
【０１２０】
３）ＣＶＤ後のヘイズ：前記製造された硬化膜上にＳｉＮｘ３０００ÅをＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｉｔｉｏｎ）方式により形成する。以降、表面をｈａｚｅ  ｍｅｔｅｒ器（Ｎｉｐｐｏｎ  ｄｅｎｓｈｏｋｕ社のｈａｚｅｍｅｔｅｒ  ＮＤＨ２０００装備）を用いてｈａｚｅ  ｉｎｄｅｘ値を測定した。
【０１２１】
４）誘電定数：誘電定数は、ガラス基板でない、クロム（Ｃｒ）基板上に前記硬化組成物らをそれぞれ塗布し、８５℃で１時間硬化して１０μｍの厚さのコーティング層を得、その上にアルミニウム層を蒸着して１００ｋＨｚで測定する。
【０１２２】
測定は、ＷＡＹＮＥ  ＫＥＲＲ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ社のＰｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｍｏｄｅｌ：４２９４Ａ、ＨＰ）試験片あたり任意の電極３ＥＡを選定して各周波数領域ごとに測定した後、平均キャパシタンス（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）値を算出し、下記式により各周波数ごとの誘電率（εｒ、Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）値を算出する。
【０１２３】
【数１】
0006585824.tif 000016
【０１２４】
ここで、
εｒ：誘電率（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）、
ε０：真空の誘電率、ε０＝８．８５４×１０−１４［Ｆ／ｃｍ］
ｔ：厚さ（ｃｍ）、１μｍ＝１×１０−４ｃｍ
Ａ：面積（ｃｍ２）である。
【０１２５】
５）耐薬品性：前記硬化膜の初期厚さ（１０μｍ）を測定した後、ＮＭＰ溶媒に６０℃、３分間静置させた後、超純水で３０秒間洗浄した後、圧縮空気で吹いて乾燥した。以降、厚さを再測定して膜の厚さ変化の比率により耐薬品性を確認する。この時、厚さは、Ａｌｐｈａ−ｓｔｅｐ、Ｓｕｒｆａｃｅ  ｐｒｏｆｉｌｅｒ  ＫＬＡ  ｔｅｎｃｏｒを用いて測定する。
【０１２６】
６）アウトガシング：前記製造された硬化膜を横１ｃｍ、縦５ｃｍの大きさにそれぞれ９枚ずつ確保した後、Ｈｅａｄｓｐａｃｅ  ＧＣ装備（Ｄｏｎｇ−ｉｌ  ＳＨＩＭＡＺＵ社）で１００℃、６０分間気体を捕集して定量分析を進行させる。
【０１２７】
【表１】
0006585824.tif 000017
【０１２８】
前記表１から、本実施例により分子量が異なる２種類のエポキシ置換基を含有するシロキサン化合物を使用し、これに、スルホニウムイオンとボレートイオンの塩である特定のエポキシ開環反応熱開始剤を含む組成物を使用することによって、低い温度、例えば、１００℃以下の温度、例えば、９０℃以下の温度で前記シロキサン化合物のエポキシ基の開環反応が起こり、それによって、低い温度で硬化しながらも、前記エポキシ開環反応熱開始剤を含まない組成物から硬化した硬化膜に比べて高い表面硬度および耐薬品性を有し、透過度およびＣＶＤ後のヘイズ特性にも優れ、アウトガス発生量が少なく、誘電率が低い優れた硬化膜が得られることが分かる。
【０１２９】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。