(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置された乾式めっき黒化層とを有し、
前記金属層の前記乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、前記乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上であり、
前記金属層が金属めっき層を有する導電性基板。
【請求項２】
前記金属層の前記乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａが０．０２２μｍ以上である請求項１に記載の導電性基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。
【０００３】
そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板の導電層の材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、高分子フィルムおよびその上に気相成膜法により設けられた金属酸化物からなる透明導電膜を含む透明導電性フィルムであって、金属酸化物からなる透明導電膜が、第一の金属酸化物からなる透明導電膜およびその上に設けられた第二の金属酸化物からなる透明導電膜からなり、かつ第二の金属酸化物からなる透明導電膜が第一の金属酸化物からなる透明導電膜の成膜条件と異なる条件で形成されていることを特徴とする透明導電性フィルムが開示されている。そして、金属酸化物からなる透明導電膜が酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）膜であることも開示されている。
【０００５】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化や、高性能化が進んでおり、これに対応するために、導電層の材料として、電気抵抗が高いＩＴＯにかえて、銅等の金属を用いることが検討されている（例えば特許文献２、３を参照）。ただし、金属は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。このため、導電層となる銅等の金属層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を有する導電性基板が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、金属層と、黒化層とを有する導電性基板について、所望の配線パターンを有する導電性基板とするためには、透明基材の少なくとも一方の面上に金属層と黒化層とを形成した後、金属層と黒化層とをエッチングする方法が通常用いられている。
【０００８】
しかしながら、金属層と黒化層とをエッチングする際に導電性基板内で、例えば一部が他の部分よりも早く溶解する等して、均一にエッチングを行うことができない場合があった。このように導電性基板内で均一にエッチングを実施できないと、形成する配線パターンの線幅にばらつきが生じる場合があり問題であった。
【０００９】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、エッチング均一性に優れた導電性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置された乾式めっき黒化層とを有し、
前記金属層の前記乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、前記乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上であり、
前記金属層が金属めっき層を有する導電性基板を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一側面によれば、エッチング均一性に優れた導電性基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の導電性基板、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に配置された金属層と、金属層上に配置された乾式めっき黒化層とを有することができる。そして、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）を、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上とすることができる。
【００１４】
なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び乾式めっき黒化層を有する基板と、金属層等をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち配線基板とを含む。金属層及び乾式めっき黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。
【００１５】
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００１６】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００１７】
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等から選択された１種以上を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等から選択された１種以上をより好ましく用いることができる。
【００１８】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
【００２０】
なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。
【００２１】
次に金属層について説明する。
【００２２】
金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、電気特性に優れ、且つエッチング処理のし易さから、金属層を構成する材料として銅を用いることが好ましい。すなわち、金属層は銅を含有することが好ましい。
【００２３】
金属層が銅を含有する場合、金属層を構成する材料は、例えばＣｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の金属との銅合金、または銅と上記金属から選ばれる１種以上の金属とを含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
【００２４】
金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、他の部材と金属層との間に接着剤を配置しないで形成されていることが好ましい。すなわち、金属層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、金属層は透明基材、または密着層の上面に形成することができる。このため、金属層は、透明基材、または密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００２５】
他の部材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は乾式めっき法を用いて成膜された金属薄膜層を有することが好ましい。乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。
【００２６】
また金属層をより厚くする場合には、乾式めっき法と、湿式めっき法とを用いることができる。具体的には例えば、透明基材上に、金属薄膜層を乾式めっき法により形成し、該金属薄膜層を給電層として用い、湿式めっき法の一種である電解めっきにより金属めっき層を形成することができる。
【００２７】
なお、上述の様に乾式めっき法のみで金属層を成膜した場合、金属層は金属薄膜層により構成できる。また、乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成した場合、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とにより構成できる。
【００２８】
上述のように乾式めっき法のみ、または乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または密着層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成することができる。
【００２９】
本実施形態の導電性基板は、金属層の、乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａが、乾式めっき黒化層の厚さの１．０倍以上であることが好ましい。そして、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａを所望の値とする方法としては、後述するように、例えば形成した金属層の表面処理をする方法や、金属薄膜層のスパッタリング条件を選択する方法、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法等が挙げられる。なお、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法としては、例えば、金属めっき層を成膜している途中で、電極に供給する電流の向きを周期的に反転させるＰＲ電流（Ｐｅｒｉｏｄｉｃ  Ｒｅｖｅｒｓｅ電流）を用いためっき法や、電流密度を低下させる低電流密度を用いためっき法等が挙げられる。
【００３０】
そして、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法によれば、導電性基板を製造する際の工程数を増加させることなく、特に容易に金属めっき層表面の表面粗さＲａを所望の値とすることができる。そこで、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法により、金属層表面の表面粗さＲａを所定の範囲とすることが好ましい。このため、本実施形態の導電性基板の金属層は金属めっき層（湿式めっき金属層）を有することが好ましい。
【００３１】
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
【００３２】
ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
【００３３】
また、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さを所定の範囲内にするため、さらには導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３４】
なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００３５】
金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３６】
そして、本実施形態の導電性基板においては、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）を、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上とすることができる。
【００３７】
本発明の発明者らは、透明基材上に金属層、及び乾式めっき黒化層を配置した導電性基板を所望の配線パターンとなるようにエッチングした際に、導電性基板内で、均一にエッチングできない場合が生じる原因について鋭意検討を行った。
【００３８】
その結果、均一にエッチングできない導電性基板においては、導電性基板中の一部で、金属層と乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入していることが確認された。
【００３９】
通常、乾式めっき黒化層の方が金属層よりもエッチング液に対する反応性が低いため、金属層、及び乾式めっき黒化層のエッチングに要する時間には、乾式めっき黒化層のエッチングに要する時間が大きな割合を占める。そして、上述のように金属層と乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入すると、乾式めっき黒化層は、侵入したエッチング液により金属層側からもエッチングされるため、該エッチング液の侵入がない部分と比較して早くエッチングされることになる。このため、導電性基板内で均一にエッチングできない場合が生じていた。特に乾式めっき黒化層の厚さが厚くなるほど、金属層と乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入した部分と、それ以外の部分とでエッチングに要する時間の差が大きくなり、エッチングの不均一性が生じやすくなっていた。
【００４０】
そこで、本実施形態の導電性基板は、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）を、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上とし、乾式めっき黒化層の厚さに応じて金属層と乾式めっき黒化層との密着性を高め、エッチング均一性に優れた導電性基板とした。
【００４１】
なお、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａは、上述のように乾式めっき黒化層の厚さとの比を満たすように選択することができるが、特に、０．０２２μｍ以上であることが好ましく、０．０２８μｍ以上であることがより好ましい。これは、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａを０．０２２μｍ以上とすることで、特に金属層と、乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入することを抑制できるからである。
【００４２】
金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａの上限値は特に限定されないが、０．０８０μｍ以下であることが好ましく、０．０６０μｍ以下であることがより好ましい。これは、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａが０．０８０μｍを超えると、乾式めっき黒化層が均一に成膜されない場合があり、乾式めっき黒化層の色味に影響を与える恐れがあるからである。
【００４３】
なお、表面粗さＲａはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に算術平均粗さとして規定されている。表面粗さＲａの測定方法としては、触針法もしくは光学的方法等により評価することができる。
【００４４】
次に、乾式めっき黒化層について説明する。
【００４５】
金属層は金属光沢を有するため、透明基材上に金属層をエッチングした配線を形成したのみでは金属層が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、金属層表面における光の反射を抑制するため、本実施形態の導電性基板においては、金属層上に乾式めっき黒化層を設けることができる。
【００４６】
乾式めっき黒化層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、乾式めっき黒化層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【００４７】
なお、乾式めっき黒化層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、乾式めっき黒化層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ合金、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、を好ましく用いることができる。
【００４８】
乾式めっき黒化層は、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。乾式めっき黒化層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、乾式めっき黒化層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００４９】
スパッタリング法により乾式めっき黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、乾式めっき黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。乾式めっき黒化層が合金を含む場合には、乾式めっき黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め乾式めっき黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【００５０】
また、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有する乾式めっき黒化層は、乾式めっき黒化層を成膜する際の雰囲気中に、添加する元素を含有するガスを添加しておくことで成膜できる。例えば、乾式めっき黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【００５１】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【００５２】
乾式めっき黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、乾式めっき黒化層の厚さが薄い場合には、金属層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように乾式めっき黒化層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより金属層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。
【００５３】
乾式めっき黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、乾式めっき黒化層の厚さは５０ｎｍ以下とすることが好ましく、２５ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００５４】
本実施形態の導電性基板においては、乾式めっき黒化層を配置することにより、上述のように金属層表面における光の反射を抑制することができる。このため、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性の低下を抑制することが可能になる。
【００５５】
また、導電性基板は上述の透明基材、銅層、乾式めっき黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
【００５６】
密着層の構成例について説明する。
【００５７】
上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性が十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。
【００５８】
そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。
【００５９】
透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。
【００６０】
また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層表面での光の反射も抑制することが可能になる。
【００６１】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００６２】
密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【００６３】
なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ合金、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金等を好ましく用いることができる。
【００６４】
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００６５】
スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【００６６】
また、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有する密着層は、密着層を成膜する際の雰囲気中に、添加する元素を含有するガスを添加しておくことで成膜できる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【００６７】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【００６８】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
【００６９】
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、５ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７０】
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましく、５ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。
【００７１】
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７２】
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。
【００７３】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、乾式めっき黒化層と、を備えることができる。
【００７４】
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、乾式めっき黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００７５】
例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２と、乾式めっき黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。
【００７６】
図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａにおいて、金属層１２の透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２ａ、第１の金属層表面１２ａと反対側に位置する面、すなわち金属層１２の、金属層１２上に配置した乾式めっき黒化層１３と対向する面を第２の金属層表面１２ｂとすることができる。
【００７７】
そして、第２の金属層表面１２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、乾式めっき黒化層１３の厚さと所定の比となるように形成できる。
【００７８】
また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２１、１２２と、乾式めっき黒化層１３１、１３２と、を一層ずつその順に積層することができる。
【００７９】
この場合も、金属層１２１、１２２は、それぞれ透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａ、第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａの反対側に位置する面を第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂとすることができる。そして、第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、それぞれ乾式めっき黒化層１３１、１３２の厚さと所定の比となるように形成できる。
【００８０】
また、既述のように、透明基材１１と、金属層１２との間にさらに密着層を有することもできる。
【００８１】
例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、密着層１４と、金属層１２と、乾式めっき黒化層１３と、をその順に積層することができる。この場合も、金属層１２の透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２ａ、第１の金属層表面１２ａの反対側に位置する面を第２の金属層表面１２ｂとすることができる。そして、第２の金属層表面１２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、乾式めっき黒化層１３の厚さと所定の比となるように形成できる。
【００８２】
また、図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ密着層１４１、１４２、金属層１２１、１２２と、乾式めっき黒化層１３１、１３２と、を一層ずつその順に積層することができる。
【００８３】
この場合も、金属層１２１、１２２は、それぞれ透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａ、第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａの反対側に位置する面を第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂとすることができる。そして、第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、それぞれの金属層上に配置した乾式めっき黒化層１３１、１３２の厚さと所定の比となるように形成できる。
【００８４】
なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）では、透明基材の両面に金属層と、乾式めっき黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、金属層１２と、乾式めっき黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００８５】
本実施形態の導電性基板はタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【００８６】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層、乾式めっき黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
【００８７】
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を金属層等の積層方向の上面側から見た図を示しており、配線パターンが分かり易いように、透明基材１１、及び金属層をパターニングして形成した配線３１１、３１２以外の層は記載を省略している。また、透明基材１１を透過して見える配線３１２も示している。
【００８８】
図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１１と、Ｘ軸方向に平行な配線３１２とを有している。なお、配線３１１、３１２は金属層をエッチングして形成されており、該配線３１１、３１２の上面または下面には図示しない乾式めっき黒化層が形成されている。また、乾式めっき黒化層は、透明基材１１の金属層等を配置した面（以下、「主表面」とも記載する）と平行な面における断面形状が、配線３１１、３１２の、透明基材１１の主表面と平行な面における断面形状と同じ形状となるようにエッチングされていることが好ましい。
【００８９】
透明基材１１と配線３１１、３１２との配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【００９０】
まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１１、３１２が配置されていてもよい。なお、図４（ａ）では配線３１１の上面、及び３１２の下面には、透明基材１１の主表面と平行な面における断面形状が配線３１１、３１２と同じ形状となるようにエッチングされた乾式めっき黒化層３２１、３２２が配置されている。
【００９１】
また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１１、１１２を用い、一方の透明基材１１１を挟んで上下面に配線３１１、３１２を配置し、かつ、一方の配線３１２は透明基材１１１、１１２間に配置されてもよい。この場合も、配線３１１、３１２の上面には透明基材１１１の主表面と平行な面における断面形状が配線３１１、３１２と同じ形状となるようにエッチングされた乾式めっき黒化層３２１、３２２が配置されている。
【００９２】
なお、既述のように、本実施形態の導電性基板は、金属層、乾式めっき黒化層以外に密着層を有することもできる。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも、例えば配線３１１および／または配線３１２と透明基材１１（１１１、１１２）との間に密着層を設けることもできる。密着層を設ける場合、密着層も、透明基材１１（１１１、１１２）の主表面と平行な面における断面形状が配線３１１、３１２と同じ形状となるようにエッチングされていることが好ましい。
【００９３】
図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に金属層１２１、１２２と、乾式めっき黒化層１３１、１３２とを備えた導電性基板から形成することができる。
【００９４】
図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の金属層１２１、乾式めっき黒化層１３１を、図１（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１（ｂ）中のＹ軸方向とは、図１（ｂ）中の紙面と垂直な方向を意味している。
【００９５】
そして、透明基材１１の他方の面１１ｂ側の金属層１２２、乾式めっき黒化層１３２を図１（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。
【００９６】
以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、金属層１２１、１２２、乾式めっき黒化層１３１、１３２のエッチングは同時に行ってもよい。また、図４（ａ）において、配線３１１、３１２と、透明基材１１との間にさらに配線３１１、３１２と同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂに替えて、図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂを用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。
【００９７】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層１２、乾式めっき黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層１２等が積層された図１（ａ）における表面Ａと、透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１（ａ）における他方の面１１ｂとを貼り合せて、図４（ｂ）に示した構造となるようにすることもできる。
【００９８】
また、例えば透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１（ａ）における他方の面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるようにすることもできる。
【００９９】
なお、図４（ａ）、図４（ｂ）において、配線３１１、３１２と、透明基材１１（１１１、１１２）との間にさらに配線３１１、３１２と同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａに替えて、図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａを用いることで作製できる。
【０１００】
図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【０１０１】
また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１０２】
以上に説明した本実施形態の導電性基板によれば、乾式めっき黒化層の厚さに応じて金属層と乾式めっき黒化層との密着性を高めており、エッチング均一性に優れた導電性基板とすることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
【０１０３】
本実施形態の導電性基板の製造方法は以下の工程を有することができる。
【０１０４】
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。  
金属層上に乾式めっき法により乾式めっき黒化層を形成する乾式めっき黒化層形成工程。  
そして、金属層形成工程では、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上となるように金属層を形成することができる。なお、乾式めっき黒化層形成工程において、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上となるように、乾式めっき黒化層の厚さを調整することもできる。
【０１０５】
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。
【０１０６】
まず、金属層形成工程について説明する。
【０１０７】
なお、金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる（透明基材準備工程）。透明基材としては、既述のように例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を用いることができ、必要に応じて任意のサイズに切断等をしておくことができる。なお、好適に用いることができる可視光を透過する絶縁体フィルムについては既述のため、説明を省略する。
【０１０８】
そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップを有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップと、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電解めっき法により金属めっき層を形成する金属めっき層形成ステップと、を有していてもよい。
【０１０９】
上述のように乾式めっき法のみ、または乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または密着層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できるため好ましい。
【０１１０】
金属薄膜層形成ステップで用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層形成ステップで用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
【０１１１】
次に金属めっき層形成ステップにおいて湿式めっき法により金属めっき層を形成する際の条件、すなわち、電解めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。
【０１１２】
ただし、本実施形態の導電性基板の製造方法において、金属層形成工程で形成する金属層は、透明基材と対向する第１の金属層表面と、第１の金属層表面の反対側に位置し、乾式めっき黒化層と対向する第２の金属層表面とを有することができる。そして、第２の金属層表面の表面粗さＲａを、乾式めっき黒化層の厚さの１．０倍以上とすることが好ましい。
【０１１３】
第２の金属層表面を所望の表面粗さＲａとする方法は特に限定されるものではなく、任意の方法を用いることができる。
【０１１４】
第２の金属層表面を所望の表面粗さとする方法としては、例えば、成膜した金属層の表面をエッチング、化学研磨、またはブラスト等によって表面処理することにより所望の表面粗さとする方法（以下、「形成した金属層の表面処理をする方法」とも記載する）が挙げられる。この場合、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層形成工程後に、金属層の表面処理を行う表面処理工程をさらに有することができる。
【０１１５】
また、金属薄膜層を成膜する際のスパッタリング条件を選択することにより、金属薄膜層の最表面の表面粗さを所望の表面粗さとする方法（以下、「金属薄膜層のスパッタリング条件を選択する方法」とも記載する）が挙げられる。なお、金属層が金属薄膜層のみから構成される場合には、金属薄膜層の最表面が、金属層についての所望の表面粗さとなるようにスパッタリングの条件を選択することができる。また、金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層上に金属めっき層を成膜した際に、金属めっき層の表面の表面粗さが金属層についての所望の表面粗さとなるように金属薄膜層を成膜する際のスパッタリングの条件を選択することができる。
【０１１６】
その他の方法として、金属層が金属薄膜層と、金属めっき層とを含む場合に、金属めっき層を成膜する際のめっき条件を選択することにより、第２の金属層表面を所望の表面粗さとすることができる。
【０１１７】
具体的には例えば、金属めっき層を成膜する金属めっき層形成ステップにおいて、後半の任意のタイミングでＰＲ電流（Ｐｅｒｉｏｄｉｃ  Ｒｅｖｅｒｓｅ電流）めっきを行うことにより金属層の表面粗さを所望の表面粗さとする方法（以下、「ＰＲ電流を用いためっき法」とも記載する）が挙げられる。ＰＲ電流めっきは金属めっき層を成膜する際に電流の方向を任意のタイミングで反転させるめっき方法であり、電流の方向は周期的に反転させることができる。ＰＲ電流めっきにおいて、電流の向きを反転させることで、成膜した金属めっきの一部が溶解する。このため、金属めっき層の表面粗さを容易に調整することができる。
【０１１８】
この場合、金属めっき層形成ステップは、一定方向に電流を供給して初期金属めっき層を成膜する定方向電流金属めっき層形成ステップと、定方向電流金属めっき層形成ステップの後、電流の向きを周期的に反転させるＰＲ電流めっきを行うＰＲ電流金属めっき層形成ステップとを有することができる。すなわち、金属層形成工程は、金属薄膜層形成ステップと、定方向電流金属めっき層形成ステップと、ＰＲ電流金属めっき層形成ステップとを有することができる。
【０１１９】
なお、定方向電流金属めっき層形成ステップと、ＰＲ電流金属めっき層形成ステップとは、連続して実施することができる。
【０１２０】
また、定方向電流金属めっき層形成ステップと、ＰＲ電流金属めっき層形成ステップとは、単一のめっき槽で実施することが好ましい。これは、単一のめっき槽で実施することで、金属層内の結晶を大きくすることができ、金属層の抵抗を小さくすることができるからである。
【０１２１】
さらに他の方法として、例えば金属めっき層を成膜する金属めっき層形成ステップにおいて、後半の任意のタイミングで、通常のめっき時よりも電流密度（Ｄｋ値）を低下させ、低電流密度で金属めっき層を成膜する方法（以下、「低電流密度を用いためっき法」とも記載する）が挙げられる。低電流密度で金属めっき層を成膜することで、電流密度を下げる前よりも成膜した金属めっき層の表面を粗くすることができるため、電流密度を調整することで、所望の表面粗さとすることができる。
【０１２２】
この場合、金属めっき層形成ステップは、例えば０．５Ａ／ｄｍ２以上の電流密度で初期金属めっき層を成膜する初期金属めっき層形成ステップと、初期金属めっき層形成ステップの後、０．１Ａ／ｄｍ２以上０．５Ａ／ｄｍ２以下の電流密度で粗化金属めっき層を成膜する粗化金属めっき層形成ステップとを有することができる。そして、初期金属めっき層と、粗化金属めっき層とで金属めっき層を構成することができる。
【０１２３】
この場合、金属層形成工程は、金属薄膜層形成ステップと、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとを有することができる。
【０１２４】
また、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとについて、各ステップを実施している間、電流密度は一定である必要はなく、変化させることもできる。
【０１２５】
例えば初期金属めっき層形成ステップの場合は、ステップ開始後、目標の電流密度まで徐々に電流密度を上昇させることができる。初期金属めっき層形成ステップにおける最大電流密度は、後述する粗化金属めっき層形成ステップの電流密度よりも大きくなるように設定することが好ましい。また、初期金属めっき層形成ステップにおける電流密度の上限値は、要求される金属めっき層の厚さ、めっき処理槽長、めっき浴の耐電流密度性能等により決まり、特に限定されないが、例えば４Ａ／ｄｍ２以下とすることが好ましい。
【０１２６】
そして、粗化金属めっき層形成ステップにおける電流密度の制御についても特に限定されないが、例えば設定した粗化金属めっき層形成ステップでの電流密度で一定に保ち、粗化金属めっき層の成膜を行うことができる。
【０１２７】
なお、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとは連続して実施することもできる。この場合は、例えば初期金属めっき層形成ステップで、まず開始時の開始時電流密度から目標とする最大電流密度まで電流密度を上げ、初期金属めっき層を成膜できる。そして、設定した目標の最大電流密度に到達後すぐに、または所定時間保持後、例えば粗化金属めっき層形成ステップでの設定電流密度まで電流密度を下げ、該粗化金属めっき層形成ステップを実施できる。
【０１２８】
また、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとは、単一のめっき槽で実施することが好ましい。これは、単一のめっき槽で実施することで、金属層内の結晶を大きくすることができ、金属層の抵抗を小さくすることができるからである。
【０１２９】
以上に、第２の金属層表面を所望の表面粗さとする方法として、形成した金属層の表面処理をする方法、金属薄膜層のスパッタリング条件を選択する方法、ＰＲ電流を用いためっき法、低電流密度を用いためっき法を挙げたが、これらはいずれか１つの方法を選択して実施することができる。または２つ以上の方法を選択し、組み合わせることで、第２の金属層表面を所望の表面粗さとすることもできる。
【０１３０】
次に、乾式めっき黒化層形成工程について説明する。
【０１３１】
乾式めっき黒化層形成工程においては、乾式めっき法により乾式めっき黒化層を成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。乾式めっき黒化層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、乾式めっき黒化層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【０１３２】
スパッタリング法により乾式めっき黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、乾式めっき黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。乾式めっき黒化層が合金を含む場合には、乾式めっき黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め乾式めっき黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【０１３３】
また、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有する乾式めっき黒化層は、乾式めっき黒化層を成膜する際の雰囲気中に、添加する元素を含有するガスを添加しておくことで成膜できる。例えば、乾式めっき黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【０１３４】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【０１３５】
本実施形態の導電性基板の製造方法においては、上述の工程に加えてさらに任意の工程を実施することもできる。
【０１３６】
例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程では、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材に金属層を形成できる。
【０１３７】
密着層形成工程において、密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。密着層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【０１３８】
なお、金属層や、乾式めっき黒化層、密着層に好適に用いることができる材料や、好適な厚さ等については導電性基板において既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１３９】
本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び乾式めっき黒化層がパターニングされていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターニングされていることが好ましい。金属層、及び乾式めっき黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターニングすることができ、金属層、及び乾式めっき黒化層、場合によってはさらに密着層は、透明基材の主表面と平行な面における断面が同じ形状となるようにパターニングされていることが好ましい。
【０１４０】
そこで、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層、及び乾式めっき黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、及び乾式めっき黒化層をパターニングする工程とすることができる。
【０１４１】
パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１（ａ）のように透明基材１１上に金属層１２、乾式めっき黒化層１３が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず乾式めっき黒化層１３上の表面Ａに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施することができる。次いで、乾式めっき黒化層１３上の表面Ａ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
【０１４２】
エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層及び乾式めっき黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。
【０１４３】
また、図１（ｂ）のように透明基材１１の一方の面１１ａ、他方の面１１ｂに金属層１２１、１２２、乾式めっき黒化層１３１、１３２を積層した導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば乾式めっき黒化層１３１、１３２上の表面Ａ、及び表面Ｂに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施できる。次いで、乾式めっき黒化層１３１、１３２上の表面Ａ、及び表面Ｂ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
【０１４４】
エッチングステップで形成するパターンについては特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａの場合、既述のように金属層１２、乾式めっき黒化層１３を複数の直線や、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）を含むようにパターンを形成することができる。
【０１４５】
また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂの場合、金属層１２１と、金属層１２２とでメッシュ状の配線となるようにパターンを形成することができる。この場合、乾式めっき黒化層１３１と、金属層１２１とは、透明基材１１の一方の面１１ａと平行な面での断面形状が同様の形状となるようにパターニングを行うことが好ましい。また、乾式めっき黒化層１３２と金属層１２２とは、透明基材１１の他方の面１１ｂと平行な面での断面形状が同様の形状になるようにパターニングを行うことが好ましい。
【０１４６】
また、例えばパターニング工程で上述の導電性基板１０Ａについて金属層１２等をパターニングした後、パターニングした２枚以上の導電性基板を積層する積層工程を実施することもできる。積層する際、例えば各導電性基板の金属層のパターンが交差するように積層することにより、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を得ることもできる。
【０１４７】
積層した２枚以上の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。
【０１４８】
以上の本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板によれば、乾式めっき黒化層の厚さに応じて金属層と乾式めっき黒化層との密着性を高めており、エッチング均一性に優れた導電性基板とすることができる。
【実施例】
【０１４９】
以下に具体的な実施例、比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
以下の実験例１〜７において作製した導電性基板の評価方法について説明する。
（１）表面粗さＲａ
以下の実施例、比較例では、図２（ａ）に示した導電性基板を作製した。そして、導電性基板を作製する際、金属層１２の成膜後、乾式めっき黒化層１３を成膜する前に、金属層１２の第２の金属層表面１２ｂの表面粗さを評価した。
【０１５０】
表面粗さＲａは、形状解析レーザー顕微鏡（キーエンス社製  型式：ＶＫ―Ｘ１５０）を用いて測定しており、表１中Ｒａとして示している。
【０１５１】
また、表面粗さＲａを乾式めっき黒化層の厚さｔで割ったＲａ／ｔについても算出した。なお、厚さｔはいずれの実験例でも０．０２μｍ（２０ｎｍ）となる。
（２）エッチング時間差
エッチング液として、３質量％塩化第二鉄と０．３質量％塩酸とを混合した水溶液を用意し、エッチング液の温度を室温（２５℃）に保持した。
【０１５２】
そして、幅が４０ｃｍの、各実験例で作製した導電性基板をエッチング液に浸漬した。この際、導電性基板の乾式めっき黒化層１３の表面１３ｂ側から見た場合に、導電性基板の幅方向の両端部、及び幅方向の中央部の３点において、透明基材が露出するまでの溶解に要する時間（秒）を計測した。なお、これらは幅方向に沿った同一直線上に位置している。そして、３つの測定点で溶解に要する時間を比較し、最も長い時間と短い時間の差をエッチング時間差（秒）として算出した。
【０１５３】
本発明の発明者らの検討によれば、エッチング時間差が６秒以下であれば、所望の微細な配線パターンを形成することができ、エッチング均一性に優れた導電性基板といえる。このため、エッチング時間差が６秒以内の場合には〇と評価し、合格とした。そして、６秒よりも長かった場合には、×と評価し、不合格とした。
（導電性基板の作製条件）
以下に各実験例における導電性基板の作製条件、及び評価結果を示す。なお、実験例１〜実験例４が実施例、実験例５〜実験例７が比較例となる。
［実験例１］
図２（ａ）に示した構造を有する導電性基板を作製した。
（透明基材準備工程、密着層形成工程）
まず、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材の一方の面上に密着層を形成した。
【０１５４】
なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、可視光透過率をＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。
【０１５５】
密着層は、ニッケル７０ｗｔ％と、銅３０ｗｔ％とを含有するニッケル−銅合金のターゲットを用い、スパッタリング法により成膜した。成膜に当たっては、予め６０℃まで加熱して水分を除去した上記透明基材をスパッタリング装置のチャンバー内にセットし、チャンバー内を１×１０−４Ｐａ以下まで排気した後、チャンバー内に、酸素ガスを３０体積％含む、酸素−アルゴンガスを導入し、チャンバー内の圧力を０．３Ｐａとした。
【０１５６】
そして係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、透明基材の一方の主表面上に厚さが２０ｎｍとなるように酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ合金から構成される密着層を成膜した。
（金属層形成工程）
続いて、密着層を成膜した透明基材の密着層上に金属層を成膜した。
【０１５７】
金属層は、金属薄膜層形成ステップ、初期金属めっき層形成ステップ、粗化金属めっき層形成ステップを実施することで成膜した。以下、各ステップについて説明する。
【０１５８】
金属薄膜層は、ターゲットとして銅のターゲットを用い、チャンバー内を排気後、酸素−アルゴンガスではなく、アルゴンガスを導入した点以外は密着層の場合と同様にして密着層の上面に厚さが８０ｎｍの金属薄膜層として銅薄膜層を成膜した。
【０１５９】
初期金属めっき層形成ステップ、及び粗化金属めっき層形成ステップは、透明基材上に密着層、金属薄膜層が形成された基材を金属めっき槽に供給して、単一のめっき槽で連続して実施した。
【０１６０】
めっき液としては、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ２共重合体を添加した銅めっき液を用いた。具体的には、銅、硫酸、及び塩素についての濃度が、銅３０ｇ／Ｌ、硫酸８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌとなるように調製した銅めっき液を用いた。用いた銅めっき液には、添加剤として上述のＤＤＡＣ−ＳＯ２共重合体（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ２共重合体）を２０ｍｇ／Ｌとなるように添加している。また、めっき液にはＤＤＡＣ以外に、ポリマー成分としてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）が６５０ｍｇ／Ｌ、ブライトナー成分としてＳＰＳ（ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド）が１５ｍｇ／Ｌとなるように添加している。めっき液は以下の初期金属めっき層形成ステップ、及び粗化金属めっき層形成ステップにおいて、３０℃に調整して使用した。
【０１６１】
そして、まず初期金属めっき層形成ステップとして、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ２から開始し、めっき厚が厚くなるに従って、電流密度を２．０Ａ／ｄｍ２まで上げ、２分間保持し、初期金属めっき層形成ステップを終了した。
【０１６２】
続けて、電流密度を０．３Ａ／ｄｍ２として、粗化金属めっき層形成ステップを実施した。粗化金属めっき層形成ステップの時間は０．５分間とした。
【０１６３】
なお、金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとを実施することで、金属めっき層として厚さ０．５μｍの銅めっき層を形成した。従って、金属層として、銅薄膜層と、銅めっき層とあわせて厚さ０．５８μｍの銅層を形成した。
【０１６４】
金属層形成工程後、乾式めっき黒化層形成工程を実施する前に、既述の方法により、第２の金属層表面の表面粗さの評価を行った。結果を表１に示す。
（乾式めっき黒化層形成工程）
密着層と同様にして、乾式めっき法により、乾式めっき黒化層として、酸素を含有するニッケル−銅合金層を成膜した。
［実験例２〜実験例７］
各実験例において、粗化金属めっき層形成ステップを実施する時間を変更し、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａを表１に示す値となるようにした点以外は、実験例１と同様にして、導電性基板の作製、及び評価を行った。結果を表１に示す。
【０１６５】
【表１】
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表１に示した結果から、実施例であり、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面である第２の金属層表面の表面粗さＲａ（μｍ）が、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上である実験例１〜実験例４は、評価が〇になっていることが確認できる。すなわち、エッチング均一性に優れた導電性基板であることが確認できる。
【０１６６】
これに対して、比較例であり、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面である第２の金属層表面の表面粗さＲａ（μｍ）が、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍未満である実験例５〜実験例７は、評価が×になっていることが確認できる。従って、実験例５〜実験例７で作製した導電性基板はエッチング均一性を有しない導電性基板であり、配線パターンを形成する際に所望の形状とすることができない場合がある。
【符号の説明】
【０１６７】
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０                      導電性基板
１１、１１１、１１２                                      透明基材
１２、１２１、１２２                                      金属層
１３、１３１、１３２、３２１、３２２                      乾式めっき黒化層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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