(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイン電源供給ライン（Ｌ１）から入力されるメイン電源（＋Ｂ）、及び、サブ電源供給ライン（Ｌ２、Ｌ３；Ｌ２〜Ｌ５）から入力されるサブ電源（ＩＧ、ＳＵＢ；ＩＧ、ＳＵＢ、ＡＣＣ、ＩＬＬ＋）を１つの共通接続ノード（Ｎ１）を通じて供給する電源システム（ＳＹ１、ＳＹ３、ＳＹ４、ＳＹ５）であって、
前記サブ電源は、前記メイン電源からキースイッチ（ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３）のオンオフ操作により供給される電源、又は、前記メイン電源から充電装置（２０）を通じて供給される電源であり、
ＭＯＳＦＥＴ（２１、２２；２２１、２２２；６２１、６２２；７２１、７２２）、及び、前記メイン電源供給ラインから前記ＭＯＳＦＥＴを通じて電源供給される電源供給ノードの電圧（Ｖin、Ｖsense、Ｖout）に応じて前記ＭＯＳＦＥＴのゲートにオン制御電圧又はオフ制御電圧を印加するオンオフ制御部（２３）を備え、前記オンオフ制御部が前記ＭＯＳＦＥＴのゲートにオン制御電圧を印加したときには前記メイン電源供給ラインから入力されるメイン電源を前記ＭＯＳＦＥＴを通じて前記共通接続ノードに出力し、前記オンオフ制御部が前記ＭＯＳＦＥＴのゲートにオフ制御電圧を印加したときには前記メイン電源供給ラインと前記共通接続ノードとの間の電気的接続を遮断することで逆流防止する逆流防止回路（２；１０２）と、
前記サブ電源供給ラインから前記共通接続ノードに向けて順方向電流が流れその逆流を防止するように接続されるダイオード（６、７；６、７、３１、３２）と、を備え、
前記オンオフ制御部が前記ＭＯＳＦＥＴのゲートにオン制御電圧を印加したときの前記メイン電源供給ラインから前記共通接続ノードへの前記メイン電源の降下電圧は、前記サブ電源供給ラインから前記共通接続ノードへの前記ダイオードによる前記サブ電源の降下電圧よりも低く設定されている電源システム。
【請求項２】
請求項１記載の電源システムにおいて、
前記ＭＯＳＦＥＴは、ドレイン同士又はソース同士が接続されると共に互いに逆極性で直列接続されると共にソースからドレイン又はドレインからソースに向けて順方向に寄生ダイオード（２１ａ、２２ａ；２２１ａ、２２２ａ；６２１ａ、６２２ａ；７２１ａ、７２２ａ）をそれぞれ備える少なくとも２つのＭＯＳＦＥＴ（２１、２２；２２１、２２２；６２１、６２２；７２１、７２２）により構成され、
前記オンオフ制御部は、前記メイン電源供給ラインから前記２つのＭＯＳＦＥＴを通じて電源供給される複数の電源供給ノードのうち少なくとも２つの電源供給ノードの電圧の値に応じて前記２つのＭＯＳＦＥＴのゲートにオン制御電圧又はオフ制御電圧を印加するものであり、
前記オンオフ制御部が前記２つのＭＯＳＦＥＴのゲートにオン制御電圧を印加したときには前記メイン電源供給ラインに入力されるメイン電源を前記２つのＭＯＳＦＥＴを通じて前記共通接続ノードに出力し、前記オンオフ制御部が前記２つのＭＯＳＦＥＴのゲートにオフ制御電圧を印加したときには前記メイン電源供給ラインと前記共通接続ノードとの間の電気的接続を遮断することで逆流防止する電源システム。
【請求項３】
請求項１または２記載の電源システムにおいて、
前記逆流防止回路及び前記ダイオードから前記共通接続ノードを通じて電源供給されることにより動作する動作回路（４、５、９、４０４）の動作モードを制御する制御部（９）を備え、
前記制御部は、前記メイン電源が予め定められたしきい値電圧以上であるときには前記動作回路を通常動作させる通常動作モードとし、前記メイン電源が前記しきい値電圧未満となるときには前記動作回路を前記通常動作よりも低消費電力となる省電力動作させる省電力動作モードとするように制御する電源システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メイン電源供給ライン及びサブ電源供給ラインを通じて電源供給する電源システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、車両（例えば自動車）には多くの電子制御装置（ＥＣＵ：ElectoronicControlUnit）が搭載されており、これらの電子制御装置が連携動作することで各種制御が行われる。これらの電子制御装置は、バッテリ電源から分岐された電源ラインを通じて電源供給される。これらの電子制御装置の中には、動作安全性を高めるため、メイン電源となるバッテリ電源又はそのメイン電源の供給ラインにたとえ異常等を生じたとしても、その他のサブ電源（例えば補助バッテリ）をサブ電源供給ラインを通じて電源供給することで動作を維持しなければならないものがある。この場合、メイン電源供給ライン及びサブ電源供給ラインからダイオードＯＲ回路を通じて１つの電子制御装置に電源供給できる（例えば、特許文献１参照）。このような技術を用いることで、サブ電源供給ラインからメイン電源供給ラインへの逆流防止を図ることができる。
【０００３】
しかし、メイン電源供給ライン及びサブ電源供給ラインからダイオードＯＲ回路を通じて１つの電子制御装置に電源供給すると、複数のダイオードの順方向電圧の設計値を同一値に設定した場合であっても当該順方向電圧に製造ばらつきを生じている場合には、何れのダイオードを通じて電源供給されるか不明となる。したがって、ダイオードＯＲ回路を用いたときには、メイン電源供給ライン、サブ電源供給ラインの何れのラインに全供給電流が流れてもいいように、各種の回路を構成しなければならず、サブ電源の構成回路の不必要な大型化の懸念がある。特許文献１ではメイン電源電圧とサブ電源電圧を調整することでこの問題の解決を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４０５３４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１のように逆流防止用にダイオードＯＲ回路が用いられると、順方向電圧の電圧降下分が大きくなり低電圧動作には不向きである。そのため、ダイオードＯＲを用いたまま低電圧動作させるためには、低電圧入力を許容可能な昇圧／昇降圧電源回路等、比較的高価な電源回路を用いて内部電源回路を構成しなければならなくなり好ましくない。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、メイン電源供給ラインからのメイン電源の入力電圧が低電圧であったとしても供給するメイン電源の電圧を極力高く保持できるようにすると共に、メイン電源供給ラインを通じて電源供給できなくてもサブ電源供給ラインから信頼性良く電源供給できるようにした電源システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明は、メイン電源供給ラインから入力されるメイン電源、及び、サブ電源供給ラインから入力されるサブ電源を１つの共通接続ノードを通じて供給する電源システムを対象としている。逆流防止回路は、ＭＯＳＦＥＴ及びオンオフ制御部を備えている。オンオフ制御部がＭＯＳＦＥＴのゲートにオン制御電圧を印加したときにはメイン電源供給ラインから入力されるメイン電源をＭＯＳＦＥＴを通じて共通接続ノードに出力する。オンオフ制御部がＭＯＳＦＥＴのゲートにオフ制御電圧を印加したときにはメイン電源供給ラインと共通接続ノードとの間の電気的接続を遮断することで逆流防止する。
【０００８】
他方、ダイオードはサブ電源供給ラインから共通接続ノードに向けて順方向電流が流れその逆流を防止するように接続されている。このため、メイン電源がメイン電源供給ラインを通じて電源供給されなくても、サブ電源がサブ電源供給ラインから共通接続ノードを通じて供給される。
【０００９】
しかも、オンオフ制御部がＭＯＳＦＥＴのゲートにオン制御電圧を印加したときのメイン電源供給ラインから共通接続ノードへのメイン電源の降下電圧は、サブ電源供給ラインから共通接続ノードへのダイオードによるサブ電源電圧の降下電圧よりも低く設定されている。このため、メイン電源供給ラインから入力されるメイン電源の入力電圧がたとえ低電圧であったとしても、共通接続ノードを通じて供給されるメイン電源の電圧を極力高く保持できる。また、通常時にはメイン電源供給ラインから電流を流すことができ、サブ電源供給ラインを通じて流れる電流を制限でき、サブ電源の構成回路の不必要な大型化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態における電気的構成を示すブロック図
【図２】逆流防止回路の電気的構成図
【図３】通常動作モード及び省電力動作モードの切替処理の詳細を示すフローチャート
【図４】第２実施形態における逆流防止回路の電気的構成図
【図５】第３実施形態における電気的構成を示すブロック図（その１）
【図６】電気的構成を示すブロック図（その２）
【図７】第４実施形態における電気的構成を示すブロック図
【図８】第５実施形態における逆流防止回路の電気的構成図（その１）
【図９】逆流防止回路の電気的構成図（その２）
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、電源システムの幾つかの実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に説明する各実施形態において、同一又は類似の動作を行う構成については、同一又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略する。なお、下記の実施形態において、同一又は類似する構成には、符号の十の位と一の位とに同一符号を付して説明を行っている。
【００１２】
（第１実施形態）
図１から図３は第１実施形態の説明図を示している。図１は統合型の電子制御装置（以下、統合ＥＣＵと称す：ＥＣＵはElectronic Control Unit）の電気的構成とその周辺の構成を示している。この統合ＥＣＵ１０１は、逆流防止回路２、電源回路３、内部回路４、５、ダイオード６、７、検出回路８、及び、マイコン９を備える。電源システムＳＹ１は、逆流防止回路２、ダイオード６、７を備え、電源回路３を後段に接続して構成される。
【００１３】
内部回路４、５は、統合ＥＣＵ１０１の機能の一部を示し、動作回路として構成される。例えば、内部回路４は、車両走行制御に法律上で必要な機能（例えばメータ制御機能）、又は、車両内の安全性に関係し事故の発生を未然に防いだり又は車両故障が発生したときに重要な動作（例えばエアバック制御）する機能（以下、必要に応じて走行系／安全系機能と称す）を示す。また、内部回路５は、ナビゲーションＥＣＵ、オーディオＥＣＵなどの情報系機能を備える機能（以下、必要に応じて一般機能と称す）を示している。
【００１４】
この統合ＥＣＵ１０１は、ＣＡＮ又はＬＩＮなどの車内ネットワーク１０に接続されている。マイコン９は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バックアップＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ、Ｉ／Ｏ、及び、Ａ／Ｄ変換回路（何れも図示せず）を備え、動作回路、制御部として構成される。マイコン９は、電源回路３から電源供給されていれば、統合ＥＣＵ１０１自身に接続されたセンサ（図示せず）から各種情報（例えば、アクセル操作情報、ステアリング操作情報、ブレーキ操作情報、車速情報、車両ドア開閉情報等）を取得可能になっている。これらの情報は、車内ネットワーク１０に接続された他のＥＣＵ１１に接続されたセンサ等から取得するように構成しても良い。
【００１５】
統合ＥＣＵ１０１は、メイン電源となるバッテリ電源＋Ｂの電圧ＶＢの入力端子１２、サブ電源となるイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGの入力端子１３、及び、サブ電源となる補助バッテリ１４の電圧ＶSUBの入力端子１５、を備える。
【００１６】
バッテリ電源＋Ｂにはメインのヒューズ１６が接続されており、バッテリ電源＋Ｂはこのヒューズ１６を通じてメイン電源供給ラインＬ１に接続されている。このメイン電源供給ラインＬ１と入力端子１２との間にはヒューズ１７が接続されており、入力端子１２にはバッテリ電源＋Ｂの電圧ＶＢがヒューズ１７を通じて印加されている。バッテリ電源＋Ｂの電圧ＶＢは、キースイッチＳＷ１のオン／オフ状態に拘わらず入力端子１２に入力される電源である。
【００１７】
統合ＥＣＵ１０１の外部において、入力端子１３はヒューズ１８を介してサブ電源供給ラインＬ２に接続されている。メイン電源供給ラインＬ１とサブ電源供給ラインＬ２との間にはキースイッチＳＷ１が接続されており、入力端子１３には電圧ＶIGがキースイッチＳＷ１及びヒューズ１８を通じて印加される。この印加電圧ＶIGの電源をイグニッション電源ＩＧと称す。なお、図示していないが、キースイッチＳＷ１は例えばＯＦＦ、ＡＣＣ、ＯＮ、ＳＴＡＲＴの各状態にユーザ操作可能になっており、このキースイッチＳＷ１のスタータ制御信号（ＯＮ及びＳＴＡＲＴ時オン、ＯＦＦ及びＡＣＣ時オフ）は統合ＥＣＵ１０１のマイコン９に入力されている。このイグニッション電源ＩＧは、キースイッチＳＷ１がＯＮ又はＳＴＡＲＴの位置で出力される電源である。すなわち車両ユーザによりキースイッチＳＷ１が操作されると、イグニッション電源ＩＧがオン／オフ通電される。
【００１８】
また、入力端子１５はヒューズ１９を介してサブ電源供給ラインＬ３に接続されている。このサブ電源供給ラインＬ３には補助バッテリ１４が接続されている。メイン電源供給ラインＬ１とサブ電源供給ラインＬ３との間には充電装置２０が接続されており、充電装置２０はバッテリ電源＋Ｂの電圧を用いて補助バッテリ１４に充電する。補助バッテリ１４は、ヒューズ１９を通じて入力端子１５に動作補助用の電圧ＶSUBを供給する。この印加電圧を特に充電電源ＳＵＢと称す。この充電電源ＳＵＢは、キースイッチＳＷ１のオン／オフ状態に拘わらず、補助バッテリ１４に電圧が充電されていれば入力端子１５に供給される電源である。
【００１９】
入力端子１３と電源回路３の入力ノードＮ１との間にはダイオード６が接続されている。このダイオード６は、入力端子１３の側をアノードとすると共に電源回路３の入力ノードＮ１の側をカソードとして接続されている。また、入力端子１５と電源回路３の入力ノードＮ１との間にもダイオード７が接続されている。このダイオード７は、入力端子１５の側をアノードとすると共に電源回路３の入力ノードＮ１の側をカソードとして接続されている。
【００２０】
入力端子１２と電源回路３の入力ノードＮ１との間には逆流防止回路２が接続されている。図２に逆流防止回路２の構成例を示すように、この逆流防止回路２はＭＯＳＦＥＴ２１、２２とオンオフ制御部２３とを用いて構成されている。この逆流防止回路２は、図２に示すように、例えばゲートＧが互いに共通接続された２つのＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２１、２２を備え、これらのＭＯＳＦＥＴ２１、２２からノードＮ１に流れる電流を検出する検出抵抗２４を接続して構成される。２つのＭＯＳＦＥＴ２１、２２は、ソース同士が接続されると共に逆極性の状態で入力端子１２とノードＮ１との間に直列接続されている。ノードＮ１は、ダイオード６、７のカソードと逆流防止回路２の出力とに共通接続される共通接続ノードとされている。
【００２１】
図２に示す構成例を詳細に説明する。逆流防止回路２は、入力端子１２とノードＮ１との間にＭＯＳＦＥＴ２１のドレインＤ、ソースＳ、ＭＯＳＦＥＴ２２のソースＳ、ドレインＤ、及び、検出抵抗２４を直列接続して構成される。これらのＭＯＳＦＥＴ２１、２２は、それぞれ、内部半導体構造上においてソースＳからドレインＤに向けて順方向に寄生ダイオード２１ａ、２２ａを備えるが、このように逆極性で接続しているのは、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２の寄生ダイオード２１ａ、２２ａを互いに逆方向とし両寄生ダイオード２１ａ、２２ａを通じて流れる電流経路を遮断するためである。これにより、これらのＭＯＳＦＥＴ２１、２２がオフしている場合、ノードＮ１の電圧が入力端子１２の電圧よりも高くなったとしても、大電流が寄生ダイオード２１ａ、２２ａを通じて逆流防止回路２の入力側の入力端子１２に流れる虞をなくすことができる。
【００２２】
オンオフ制御部２３は、ＦＥＴ駆動機能２５と、電圧モニタ機能２６と、を備える。オンオフ制御部２３は、ＦＥＴ駆動機能２５によりＧＡＴＥ端子からＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートを駆動する。また、オンオフ制御部２３は、電圧モニタ機能２６により入力端子１２の入力電圧Ｖin、ＭＯＳＦＥＴ２２のドレインと検出抵抗２４との共通接続ノードの電圧Ｖsense、ノードＮ１の電圧Ｖoutを検出する。オンオフ制御部２３は、これらの電圧Ｖin、Ｖsense、Ｖoutに基づいて、ＦＥＴ駆動機能２５によりＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートに予め定められたオン制御電圧Ｖcon（例えばＶGSが閾値Ｖth以上となるようにＶcon＞ＶＢを印加する）、オフ制御電圧Ｖcoff（例えばＶGSが閾値Ｖth未満となるようにＶcoff＝０＜ＶＢを印加する）を印加することで駆動する。
【００２３】
図１に示す電源回路３は例えば降圧電源回路により構成され、電源回路３の入力ノードＮ１に印加された電圧を所定電圧降圧した電圧を内部回路４、５、及び、マイコン９に供給する。なお、電源回路３には昇圧電源回路を用いて構成しても良いが例えば高コスト化を防止するためには降圧電源回路を用いて構成することが望ましい。内部回路４、５及びマイコン９は、この電源回路３の電源電圧を用いて動作する。
【００２４】
検出回路８は、各入力端子１２、１３、１５の電圧を検出する回路ブロックであり、例えばコンパレータを備えたディテクト用ＩＣにより構成され、これら検出された電圧を予め定められた各しきい値電圧ＶthB、ＶIG、…と比較し、その比較結果をマイコン９に出力する。なお、検出回路８もまた、電源回路３の電源電圧を用いることがあるが図１には結線を省略している。
【００２５】
マイコン９は、検出回路８の比較結果に応じて通常動作モード／省電力動作モードを切替制御する。また、この検出回路８をマイコン９に内蔵されるＡ／Ｄ変換回路により構成しても良い。この場合、マイコン９は、このＡ／Ｄ変換回路の変換結果に応じて通常動作モード／省電力動作モードを切替制御できる。
【００２６】
マイコン９は、スリープモード、通常動作モード及び省電力動作モードを備える。マイコン９は、スリープモードにおいてスリープ動作し、通常動作モードにおいて通常動作し、省電力動作モードにおいて通常動作よりも低消費電力となるように省電力動作する。マイコン９が、例えばマルチコアマイコンにより構成されている場合には、通常動作モードにおいて全てのコアにタスクを分担させて処理させ、省電力動作モードにおいて一部コアの動作を停止させてタスク処理するようになっている。また、省電力動作モードにおいては、通常動作モードよりもマイコン９の動作クロックを低周波数化したり、通常動作モードよりも動作用電源電圧を低下させるようにしても良い。
【００２７】
また、内部回路５もまた、通常動作モード及び省電力動作モードを備えている。このとき内部回路５は通常動作モードにおいて通常動作し、省電力動作モードにおいて通常動作よりも低消費電力となるように省電力動作する。これらのモードの切替処理は、マイコン９による制御に基づいて行っても良いし、電源回路３から入力される電源電圧値に基づいて内部回路５が自主的に行っても良い。なお、これらの通常動作モード／省電力動作モードを備えていなくても良い。
【００２８】
例えば内部回路５が、例えば表示装置を接続するナビゲーション機能を備えるときには、当該内部回路５は省電力動作モードにおいて表示装置による表示画面の輝度を低下させるように制御する。これにより省電力動作モードにおいて通常動作モードに比較して省電力化できる。また内部回路５が、例えば音出力するオーディオ機能を備えるときには音出力量を低下させるなどの機能制限により省電力化しても良い。内部回路４もまた通常動作モード及び省電力動作モードを備えていても良いがこの説明は省略する。
【００２９】
まず前述構成において、図２に示す逆流防止回路２の動作を説明する。まず、バッテリ電源＋Ｂがバッテリ電圧ＶＢを出力すると、逆流防止回路２はこのバッテリ電圧ＶＢを入力端子１２を通じて入力電圧Ｖinとして入力する。この入力電圧ＶinはＭＯＳＦＥＴ２１のドレインに与えられるが、当該ＭＯＳＦＥＴ２１のドレインソース間の寄生ダイオード２１ａの逆方向リーク電流に基づいてＭＯＳＦＥＴ２１、２２のソースにも入力電圧Ｖinと同等の電圧を生じる。
【００３０】
そして、このＭＯＳＦＥＴ２１、２２のソース電圧は、ＭＯＳＦＥＴ２２の寄生ダイオード２２ａを通じて当該ＭＯＳＦＥＴ２２のドレインＤにも印加される。このため、通常時に、バッテリ電圧ＶＢが入力端子１２に入力されると、このバッテリ電圧ＶＢより低い電圧が、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２の共通ソースＳ、及び、ＭＯＳＦＥＴ２２のドレインＤに生じることになる。
【００３１】
この後、オンオフ制御部２３は、通常時にＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートＧに入力電圧Ｖinよりも高く予め定められた（例えばＶGSが閾値Ｖth以上となるように）オン制御電圧を印加する。すると、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２は共にオンすることになり、オン電流が入力端子１２からＭＯＳＦＥＴ２１のドレインソース、ＭＯＳＦＥＴ２２のソースドレインを通じて電源回路３の入力ノードＮ１に流れ込む。
【００３２】
他方、キースイッチＳＷ１がオン操作されると、イグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGが入力端子１３、ダイオード６を通じて電源回路３の入力ノードＮ１に与えられる。また、充電装置２０はバッテリ電源＋Ｂの電圧を補助バッテリ１４に充電する。そして充電電源ＳＵＢの電圧ＶSUBが、入力端子１５、ダイオード７を通じて電源回路３の入力ノードＮ１に入力される。
【００３３】
逆流防止回路２の降下電圧は、２つのＭＯＳＦＥＴ２１、２２のドレイン-ソース間電圧ＶDSを加算した電圧と同等であり、例えば、バッテリ電圧ＶＢが低電圧（例えば４Ｖ）のとき、２つのＭＯＳＦＥＴのオン抵抗Ｒon1＋Ｒon2＝４０ｍΩとし、電流２．５Ａとすれば、ドレイン-ソース間電圧ＶDSは０．１Ｖとなる。この場合、電源回路３の入力ノードＮ１の電圧は３．９Ｖとなる。他方、ダイオード６、７の順方向電圧Ｖfは１Ｖ程度である。したがって、逆流防止回路２の降下電圧をダイオード６、７の順方向電圧Ｖfに比較して低くすることができ、通常時にはメイン電源供給ラインＬ１から逆流防止回路２を通じて電流を流すことができ、サブ電源供給ラインＬ２、Ｌ３を通じて流れる電流を低く（例えば０Ａ）抑制できる。なお、バッテリ電源＋Ｂの負荷変動に応じてバッテリ電圧ＶＢの急激な変動を生じたときには、充電電源ＳＵＢがサブ電源供給ライン（例えばＬ３）を通じて補助的に電源回路３に電源供給することもある。
【００３４】
通常時においては、入力端子１２の電圧が電源回路３の入力ノードＮ１の電圧以上になる。このときオンオフ制御部２３は、電圧モニタ機能２６により以下のように電圧を検出する。
【００３５】
Ｖin≧Ｖsense  …（１−１）
Ｖin≧Ｖout  …（１−２）
Ｖsense≧Ｖout  …（１−３）
例えば（１−１）〜（１−３）の何れの条件も満たしているときには、オンオフ制御部２３はＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートに対しオン制御電圧Ｖconを印加し続ける。これにより、メイン電源供給ラインＬ１を通じて電源回路３に電源供給できる。
【００３６】
ここで、例えば何らかの影響に応じて大電流がメイン電源供給ラインＬ１を通じて流れることでヒューズ１７が溶断した場合を考える。ヒューズ１７が溶断するとメイン電源供給ラインＬ１が切断され、バッテリ電源＋Ｂから逆流防止回路２の入力側の入力端子１２に電源供給されなくなる。しかし、サブ電源供給ラインＬ２からイグニッション電源ＩＧが電源回路３に電源供給しており、サブ電源供給ラインＬ３から充電電源ＳＵＢが電源回路３に電源供給しているため、電源回路３は、マイコン９及び内部回路４、５への供給可能電流量が低くなるものの電源電力供給機能を保つことができる。
【００３７】
他方、入力端子１２の電圧が低下する（例えば０Ｖ）。このため、入力端子１２の電圧が電源回路３の入力ノードＮ１の電圧より低くなる。例えばＭＯＳＦＥＴ２１、２２がオンしているときには、電流が正常動作時とは逆に流れることになる。逆流防止回路２のオンオフ制御部２３は、電流がノードＮ１から入力端子１２に向けて逆流するときには、以下の条件を満たすように電圧を検出することになる。
【００３８】
Ｖin＜Ｖsense  …（２−１）
Ｖin＜Ｖout    …（２−２）
Ｖsense＜Ｖout  …（２−３）
オンオフ制御部２３は、このような（２−１）〜（２−３）の何れか一つ以上又は全部を満たしたときに逆流する虞があるものと判断し、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートソース間電圧ＶGSが閾値Ｖth以下となるようにオフ制御電圧Ｖcoff（例えば０Ｖ）をＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートに印加する。これにより、メイン電源供給ラインＬ１とノードＮ１との間の電気的接続を遮断することができ、逆流を防止できる。
【００３９】
また、（２−１）〜（２−３）式の条件に代えて、任意のマージン電圧ＶＡを見込んで以下の（３−１）〜（３−３）に示すような判断条件を用いても良い。
Ｖin＋ＶＡ＜Ｖsense  …（３−１）
Ｖin＋ＶＡ＜Ｖout    …（３−２）
Ｖsense＋ＶＡ＜Ｖout  …（３−３）
このときマージン電圧ＶＡは逆流許容電流をＩｒとしたときに、マージン電圧ＶＡ＝Ｉｒ×Ｒと定義できる。この抵抗Ｒは、各ＭＯＳＦＥＴ２１、２２のオン抵抗Ｒon1、Ｒon2を用いて表現でき、マージン電圧ＶＡ＝Ｉｒ×（Ｒon1＋Ｒon2）と定義できる。このときオンオフ制御部２３は、（３−１）〜（３−３）の何れか一つ以上又は全部を満たしたときに逆流を検出したものと判断し、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲート−ソース間電圧ＶGSが閾値Ｖth未満となるようにオフ制御電圧Ｖcoff（例えば０Ｖ）を印加する。これにより逆流を防止できる。逆流防止回路２が逆流を防止するため、ノードＮ１への印加電圧は、逆流防止回路２の影響を受けることなく電源回路３に入力される。例えば、内部回路４、５、マイコン９の動作推奨電源電圧を３．３Ｖとした場合、電源回路３に安価な降圧電源回路を用いても、電源回路３は十分に安定的な電源電圧を生成できる。
【００４０】
次に、図３を参照しながら、マイコン９による通常動作モード／省電力動作モードの切替制御処理について説明する。しきい値電圧ＶthBをバッテリ電圧ＶＢの異常判定用の閾値とし、しきい値電圧ＶthIGをイグニッション電源ＩＧの電圧判定用の閾値として説明する。
【００４１】
ここでは、説明の便宜上、バッテリ電圧ＶＢとイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGとに基づいて通常動作モード／省電力動作モードを切替制御する例について説明する。なお、下記の例に、充電電源ＳＵＢの電圧条件を追加しても良い。
【００４２】
マイコン９は、電源回路３から電源供給されると内部メモリに記憶されたプログラムに基づいて動作開始する。図３に示すように、マイコン９は、ステップＳ１においてイベント発生したか否かを検出し、イベント発生したことを検出すると、ステップＳ２以降の処理を行う。ここでいうイベント発生とは、例えばキースイッチＳＷ１がオンされたなどの起動要因を検出した場合、通常動作モード時に定期的にタイマ割込処理を検出した場合、などが挙げられる。
【００４３】
検出回路８は、ステップＳ２においてバッテリ電圧ＶＢを検出し、ステップＳ３においてイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGを検出する。検出回路８は、これらの電圧ＶＢ、ＶIGを予め定められたしきい値電圧ＶthB、ＶthIGと比較し、この比較結果をマイコン９に出力する。
【００４４】
そしてマイコン９は、ステップＳ４においてバッテリ電圧ＶＢがしきい値ＶthB以上であり、且つ、ステップＳ５においてイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGが閾値ＶthIG以上であると判定したときには、ステップＳ６において通常動作モードにより動作する。このときマイコン９は、イグニッション電源ＩＧを高電圧状態と判断するため、イグニッション電源ＩＧも通常供給可能状態であると判断できる。
【００４５】
また、マイコン９は、ステップＳ４においてバッテリ電圧ＶＢがしきい値電圧ＶthB以上であり、且つ、イグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGがしきい値電圧ＶthIG未満であると判定したときには、ステップＳ７において通常動作する。このとき、マイコン９はイグニッション電源ＩＧが低電圧状態であることを認識できる。
【００４６】
すなわち、マイコン９は、バッテリ電圧ＶＢがしきい値ＶthB以上であるときには通常動作の能力を備えていると判断するものの、イグニッション電源ＩＧの電圧が閾値ＶthIGより低く、キースイッチＳＷ１のスタータ制御信号がオフ（すなわちキースイッチＳＷ１がＯＦＦ状態又はＡＣＣ状態）であるときには、キースイッチＳＷ１によるスタータ起動要因がないと判断しながら通常動作モードで動作する。
【００４７】
また、マイコン９は、ステップＳ４においてバッテリ電源＋Ｂの電圧ＶＢがしきい値ＶthB未満であり、且つ、ステップＳ８においてイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGが閾値ＶthIG以上であると判定したときには、ステップＳ９においてイグニッション電源ＩＧを高電圧状態と見做しながらも省電力動作モードで動作する。
【００４８】
この場合、バッテリ電源＋Ｂからメイン電源供給ラインＬ１への供給系統に故障が発生していたり、又は、ヒューズ１７が溶断しメイン電源供給ラインＬ１からの電源供給が途絶えていることになるため、統合ＥＣＵ１０１はイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGにより動作する。この場合、マイコン９は、少なくともマイコン９自身を省電力動作モードで動作させる。
【００４９】
この省電力動作モードにおいては、マイコン９が安全系／走行系機能を備えた内部回路４の機能を通常動作モードと同様に動作させると共に、その他の内部回路５の機能を一部停止する省電力動作モードにより動作させるようにしても良い。また、内部回路５の機能を全部停止しても良い。但し、サブ電源供給ラインＬ２のヒューズ１８の容量に余裕があるときには、その他の内部回路５の機能を必要に応じて動作させても良い。このように、マイコン９（及び内部回路５）が省電力動作モードで動作すれば消費電流を少なくできるため、イグニッション電源ＩＧに係るヒューズ１８の容量を大容量化しなくてもよくなる。
【００５０】
他方、例えば輸送業者が、走行系／安全系機能の内部回路４を搭載した統合ＥＣＵ１０１を船により海外へ長期間輸送するときには、主にメイン電源供給ラインＬ１へのヒューズ１７を取外し、バッテリ電源＋Ｂが統合ＥＣＵ１０１の内部に供給されないように輸送する。これは電源回路３、マイコン９及び内部回路４、５が、暗電流（スリープ電流）を消費することで、バッテリ電源＋Ｂが劣化してしまう虞を防ぐためである。
【００５１】
この後、輸送業者が、車両輸送後に到着先から車両を運転して移動するときには、例えば法定上でメータ機器等の走行系機能を動作させることが必要となり、この場合、ヒューズ１７を取り外したままであるが、バッテリ電源＋Ｂからヒューズ１８を介してイグニッション電源ＩＧだけで動作させることがある。このような場合、統合ＥＣＵ１０１のマイコン９は、ステップＳ９にてイグニッション電源ＩＧを高電圧と見做して省電力動作させる。
【００５２】
このように輸送業者が一時的に運転しなければならない場合においても、マイコン９が、この状況を検知し、自身を省電力動作モードで動作させ、走行系機能を備えた内部回路４の機能を動作させると共に、その他の内部回路５の機能を一部又は全部停止すると良い。
【００５３】
またマイコン９は、ステップＳ４においてバッテリ電圧ＶＢがしきい値電圧ＶthB未満であり、且つ、ステップＳ８においてイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGがしきい値電圧ＶthIG未満であると判定したときには、ステップＳ１０においてイグニッション電源ＩＧを低電圧状態と判断し省電力動作モードで動作させる。この場合、マイコン９は、スリープ状態となり起動要求があるまで待機する。なお、しきい値電圧ＶthIGを複数段階で評価しても良い。
【００５４】
これにより、バッテリ電源＋Ｂの電圧ＶＢ及びイグニッション電源ＩＧの電圧ＶIGの電圧条件に応じて、マイコン９、内部回路５の動作モード（通常動作モード／省電力動作モード）を切り替えて動作させることができる。よって同様に、イグニッション電源ＩＧに係るヒューズ１８の容量を大容量化しなくてもよくなる。
【００５５】
以下、本実施形態に係る特徴をまとめる。本実施形態によれば、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２及びオンオフ制御部２３による逆流防止回路２を備えているため、ダイオードを用いて逆流防止する方法に比較して降下電圧を低くできる。したがって、メイン電源供給ラインＬ１からノードＮ１への電圧ＶＢの降下電圧は、サブ電源供給ラインＬ２からノードＮ１への電圧ＶIGの降下電圧よりも低く設定でき、バッテリ電源＋Ｂが低電圧（例えば４Ｖ）になったとしても逆流防止回路２の出力に供給されるノードＮ１の電圧を極力高く（例えば３．９Ｖ）保持できる。この結果、電源回路３が、このノードＮ１の電圧を用いてマイコン９及び内部回路４、５に対し安定的に電源供給できる。特に電源回路３が降圧電源回路により構成されていたとしてもマイコン９及び内部回路４、５に安定的に電源供給できる。
【００５６】
また、ダイオード６、７がサブ電源供給ラインＬ２、Ｌ３からノードＮ１に向けて順方向電流が流れると共にその逆流を防止するように接続されている。このため、メイン電源供給ラインＬ１を通じて電源供給できなくても、イグニッション電源ＩＧ、充電電源ＳＵＢがサブ電源供給ラインＬ２、Ｌ３からノードＮ１を通じて電源回路３に電源供給できる。
【００５７】
また通常時において、電流はバッテリ電源＋Ｂからメイン電源供給ラインＬ１、ヒューズ１７、逆流防止回路２を通じて定常的に電源回路３に流れ込むことになり、サブ電源供給ラインＬ２、Ｌ３を通じて流れる供給電流を制限できる。このサブ電源供給ラインＬ２、Ｌ３は例えばバッテリ電源＋Ｂが変動した場合などに補助的に用いることができる。
【００５８】
逆流防止回路２のオンオフ制御部２３は、ノードＮ１に流れる電流を検出する検出抵抗２４を接続して構成され、検出抵抗２４の下流側ノードＮ１の電圧Ｖoutと検出抵抗２４の上流側ノードの電圧Ｖsenseとを比較したときに、下流側のノードＮ１の電圧Ｖoutよりも上流側のノードの電圧Ｖsenseの方が低いことを条件として、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートにオフ制御電圧を印加している。このため逆流を防ぐことができる。この場合、マージン電圧ＶＡを設けた判定条件を用いても良い。
【００５９】
逆流防止回路２のオンオフ制御部２３は、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２の上流側の入力端子１２の電圧Ｖinと下流側のノードの電圧Ｖsense、Ｖoutとを比較し、下流側のノードの電圧Ｖsense、Ｖou）よりも上流側の入力端子１２の電圧Ｖinの方が低いことを条件として、ＭＯＳＦＥＴ２１、２２のゲートにオフ制御電圧を印加している。このため、逆流を防ぐことができる。この場合もマージン電圧ＶＡを設けた判定条件を用いても良い。
【００６０】
バッテリ電源＋Ｂからメイン電源供給ラインＬ１への供給系統の異常、ヒューズ１７の溶断、メイン電源供給ラインＬ１に異常を生じた場合、又は、輸送時にメイン電源供給ラインＬ１へのヒューズ１７を取り外した場合には、検出回路８が各車両電源用の電圧ＶＢ、ＶIG、ＶSUBを検出し、マイコン９がこの検出電圧に応じて前述の状態を検出できる。このときマイコン９は、マイコン９自身、必要に応じて内部回路５の動作を省電力動作モードとすることにより、イグニッション電源ＶIG又はサブ電源ＶSUBによる電流供給量を極力抑制できる。このとき、統合ＥＣＵ１０１は例えば動作維持に必須の機能に絞って動作させることもできる。この結果、ヒューズ１８、１９の容量、補助バッテリ１４などの構成部品の大型化を防ぐことができ、必要以上に信頼性を高くしなくてもよくなる。
【００６１】
（第２実施形態）
図４は第２実施形態の追加説明図を示している。図４に示す逆流防止回路２０２は、２つのＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２及びオンオフ制御部２３を備える。ＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２は、ドレイン同士が接続されると共に逆極性の状態で入力端子１２とノードＮ１との間に直列接続されている。ノードＮ１は、ダイオード６、７のカソードと逆流防止回路２０２の出力とに共通接続される共通接続ノードとされている。
【００６２】
結線関係を詳細に説明する。入力端子１２と電源回路３の入力ノードＮ１との間には、ＭＯＳＦＥＴ２２１のソースＳ、ドレインＤ、ＭＯＳＦＥＴ２２２のドレインＤ、ソースＳ、検出抵抗２４を直列接続して構成されている。これらのＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２は、それぞれ、内部半導体構造上においてソースＳからドレインＤに向けて順方向の寄生ダイオード２２１ａ、２２２ａが接続されている。
【００６３】
このとき、逆流防止回路１０２がバッテリ電圧ＶＢを入力電圧Ｖinとして入力すると、この入力電圧ＶinはＭＯＳＦＥＴ２２１のソースＳに与えられるが、入力電圧Ｖinと同等の電圧が寄生ダイオード２２１ａを通じてＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２のドレインにも印加される。そして、このＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２のドレイン電圧は、ＭＯＳＦＥＴ２２２のドレインソース間の寄生ダイオード２２２ａの逆方向リーク電流の影響によりＭＯＳＦＥＴ２２２のソースＳにも生じることになる。このため、通常時にバッテリ電圧ＶＢが入力されると、このバッテリ電圧ＶＢよりも低い電圧が、ＭＯＳＦＥＴ２２２のソースＳに生じることになる。
【００６４】
この後、オンオフ制御部２３は、通常時にＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２のゲートに入力電圧Ｖinよりも高く予め定められたオン制御電圧Ｖconを印加する。するとＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２は共にオンすることになり、オン電流が入力端子１２からＭＯＳＦＥＴ２２１のソースドレイン、ＭＯＳＦＥＴ２２２のドレインソースを通じて電源供給ノードとなる電源回路３の入力ノードＮ１に流れ込む。逆に、オンオフ制御部２３は、前述実施形態で説明した電圧条件（（２−１）〜（２−３）の何れか、又は（３−１）〜（３−３）の何れか）を満たしたときに、ＭＯＳＦＥＴ２２１、２２２のゲートにオフ制御電圧を印加する。これにより、メイン電源供給ラインＬ１とノードＮ１との間の電気的接続を遮断することができ、逆流を防止できる。その他の内容は前述実施形態と同様であるため、その説明を省略する。本実施形態においても前述実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００６５】
（第３実施形態）
図５及び図６は第３実施形態の追加説明図を示している。図５に統合ＥＣＵ３０１の別の構成例を示す。この統合ＥＣＵ３０１は電源回路３に代えて電源回路３０３ａ、３０３ｂを複数設けている。統合ＥＣＵ３０１のその他の構成は、統合ＥＣＵ１０１と同様であるため説明を省略する。電源システムＳＹ３は、逆流防止回路２、ダイオード６、７を備え、電源回路３０３ａ、３０３ｂを後段に接続して構成される。
【００６６】
この統合ＥＣＵ３０１は、通常動作モードにおいて、電源回路３０３ａが走行系／安全系機能を搭載した内部回路４、及び、マイコン９に電源供給すると共に、電源回路３０３ｂが一般機能を搭載した内部回路５に電源供給する。これらの電源回路３０３ａ、３０３ｂは互いに異なる直流電源電圧を出力する。このような場合、例えば、マイコン９が、内部回路５を省電力動作モードに移行させるときには、電源回路３０３ｂによる内部回路５への電流供給機能を通常動作モードに比較して低下させるようにしたり、電源回路３０３ｂによる内部回路５への電源供給経路を遮断するようにしても良い。
【００６７】
また図６に統合ＥＣＵ１０１に代わるＥＣＵ４０１の別の構成例を示す。このＥＣＵ４０１は、電源回路３に代えて電源回路３０３ａ、３０３ｂを複数設け、これらの複数の電源回路３０３ａ、３０３ｂが、例えば走行系／安全系機能又は一般機能を搭載した内部回路４０４に電源供給する。電源システムＳＹ４は、逆流防止回路２、ダイオード６、７を備え、電源回路３０３ａ、３０３ｂを後段に接続して構成される。このような場合、例えばマイコン９が、内部回路４０４を省電力動作モードに移行させるときには、電源回路３０３ｂによる内部回路４０４への電流供給機能を通常動作モードに比較して低下させるようにしても良い。
【００６８】
（第４実施形態）
図７は第４実施形態の追加説明図を示している。前述実施形態で説明した機能は、多くの他の車両電源（例えば、アクセサリ電源ＡＣＣ、イルミネーション電源ＩＬＬ＋）をサブ電源として用いた場合にも適用可能である。
【００６９】
例えば、図７に示すように、メイン電源供給ラインＬ１とサブ電源供給ラインＬ４との間にキースイッチＳＷ２が接続されており、このキースイッチＳＷ２がユーザ操作に応じてオンされることで、アクセサリ電源ＡＣＣがヒューズ２９を通じて統合ＥＣＵ１０１にサブ電源として入力端子２７に入力される。キースイッチＳＷ２は、キースイッチＳＷ１が例えばＡＣＣ又はＯＮの位置でオンとなるスイッチであり、アクセサリ電源ＡＣＣはこのキースイッチＳＷ２がオンされたときに出力される電源である。
【００７０】
また、メイン電源供給ラインＬ１とサブ電源供給ラインＬ５との間にキースイッチＳＷ３が接続されており、このキースイッチＳＷ３がユーザ操作に応じてオンされることで、イルミネーション電源ＩＬＬ＋がヒューズ３０を通じて統合ＥＣＵ１０１にサブ電源として入力端子２８に入力される。イルミネーション電源ＩＬＬ＋は、車両内のスモールランプを点灯するときに出力される電源である。
【００７１】
入力端子２７とノードＮ１との間にはダイオード３１が順方向接続されている。また、入力端子２８とノードＮ１との間にはダイオード３２が順方向接続されている。電源システムＳＹ５は、逆流防止回路２、ダイオード６、７、３１、３２を備え、電源回路３を後段に接続して構成されている。検出回路８は入力端子２７、２８の電圧を検出する。これにより、アクセサリ電源ＡＣＣ、イルミネーション電源ＩＬＬ＋をサブ電源として適用した場合においても、前述実施形態と同様に適用できる。
【００７２】
（第５実施形態）
図８及び図９は第５実施形態の追加説明図を示している。第１、第２実施形態では、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２１、２２、２２１、２２２を用いて逆流防止回路２、２０２を構成した形態を示しているが、図８又は図９に示すように、Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ６２１、６２２、７２１、７２２を用いて逆流防止回路６０２、７０２を構成しても良い。
【００７３】
例えば、図８に示す逆流防止回路６０２は、入力端子１２と電源回路３の入力ノードＮ１との間に、ＭＯＳＦＥＴ６２１のドレインＤ、ソースＳ、ＭＯＳＦＥＴ６２２のソースＳ、ドレインＤ、検出抵抗２４を直列接続して構成されている。これらのＭＯＳＦＥＴ６２１、６２２は、内部半導体構造上においてドレインＤからソースＳに向けて順方向の寄生ダイオード６２１ａ、６２２ａが接続されている。逆流防止回路６０２がバッテリ電圧ＶＢを入力電圧Ｖinとして入力すると、前述実施形態に説明したように、この入力電圧Ｖinよりも低い電圧がＭＯＳＦＥＴ６２１、６２２の共通ソースＳ、ＭＯＳＦＥＴ６２２のドレインＤに印加される。
【００７４】
オンオフ制御部２３は、ＭＯＳＦＥＴ６２１、６２２をオン制御するときには、想定される入力電圧Ｖinよりも予め低く定められたオン制御電圧Ｖcon（ＶGSが閾値Ｖth未満となるように例えば０Ｖ）をゲートＧに印加する。すると、電流が入力端子１２からノードＮ１に流れ込む。オンオフ制御部２３は、ＭＯＳＦＥＴ６２１、６２２をオフ制御するときには、想定される入力電圧Ｖinよりも予め高く、もしくは閾値以内の定められたオフ制御電圧Ｖcoffを（ＶGSが閾値Ｖth以上となるように）ゲートＧに印加する。するとＭＯＳＦＥＴ６２１、６２２はオフする。これにより、ノードＮ１の電圧が入力端子１２の電圧よりも高くなったとしても逆流を防止できる。
【００７５】
例えば、図９に示す逆流防止回路７０２は、入力端子１２と電源回路３の入力ノードＮ１との間に、ＭＯＳＦＥＴ７２１のソースＳ、ドレインＤ、ＭＯＳＦＥＴ７２２のドレインＤ、ソースＳ、検出抵抗２４を直列接続して構成されている。これらのＭＯＳＦＥＴ７２１、７２２は、内部半導体構造上においてドレインＤからソースＳに向けて順方向の寄生ダイオード７２１ａ、７２２ａが接続されている。逆流防止回路７０２がバッテリ電圧ＶＢを入力電圧Ｖinとして入力すると、前述実施形態に説明したように、この入力電圧Ｖinよりも低い電圧がＭＯＳＦＥＴ７２１、７２２の共通ドレインＤ、ＭＯＳＦＥＴ７２２のソースＳに印加される。
【００７６】
オンオフ制御部２３は、ＭＯＳＦＥＴ７２１、７２２をオン制御するときには、想定される入力電圧Ｖinよりも予め低く定められたオン制御電圧Ｖcon（ＶGSが閾値Ｖth以下となるように、例えば０Ｖ）をゲートＧに印加する。すると、電流が入力端子１２からノードＮ１に流れ込む。オンオフ制御部２３は、ＭＯＳＦＥＴ７２１、７２２をオフ制御するときには、想定される入力電圧Ｖinよりも予め高く、もしくは閾値以内の定められたオフ制御電圧Ｖcoffを（ＶGSが閾値Ｖth以上となるように）ゲートＧに印加する。するとＭＯＳＦＥＴ７２１、７２２はオフする。これにより、ノードＮ１の電圧が入力端子１２の電圧よりも高くなったとしても逆流を防止できる。
【００７７】
Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ６２１、６２２、７２１、７２２を用いた場合でもＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２１、２２、２２１、２２２を用いた場合と同様の作用効果を奏する。
【００７８】
（適用例）
以下、前述実施形態の様々な適用例を説明する。
近年の省燃費化の傾向からアイドリングストップ技術を用いている車両も存在する。このようなアイドリングストップ技術を用いた車両においては、エンジン起動していないにも拘わらず、車室内では車室内空間を快適にするための各種機器（例えばテレビやラジオなど）が動作する。これらの機器は、バッテリ電圧ＶＢを電力消費し続けるため比較的消費電力が高く、バッテリ電圧ＶＢの低下が顕著となる場合もある。また車両エンジンを始動したときにはクランキングを生じることになるが、このようなときにはバッテリ電圧ＶＢが大きく低下する。特に、車両がアイドリングストップ状態となっているときにクランキングしたときには、特にバッテリ電圧ＶＢの低下が顕著に現れる。
【００７９】
このような場合、例えば第１実施形態を適用すれば、たとえアイドリングストップ状態からクランキング時にバッテリ電圧ＶＢが低電圧になり、マイコン９が例えば図３のステップＳ４でＮＯと判定したとしても、例えばステップＳ８にてＹＥＳと判定すれば省電力動作モードに移行できる。このため、車両の走行／安全に関わる走行系／安全系機能による内部回路４を動作させ続けながら、一般機能を搭載した内部回路５を一部又は全部停止して省電力動作させることができる。これによりクランキング等のバッテリ電圧低下要因に基づくシステムのリセットを防ぐことができる。
【００８０】
またエンジン始動前には、バッテリ電源＋Ｂが逆流防止回路２を通じて供給されている。このとき、マイコン９は車両ネットワークを通じてドア開閉情報を取得することでドア開状態を検出すると運転手が乗車すると判断できる。このドア開状態を検出したとき、マイコン９はスリープ状態から先行して通常動作モードに起動するようにしても良い。マイコン９が、先行して通常動作モードに起動されていれば、運転者がエンジン始動することでクランキングを生じたときに大電力を消費しバッテリ電圧ＶＢが低下したとしても、ステップＳ４、Ｓ５、Ｓ８の電圧条件に応じて通常動作モード／省電力動作モードに切替えることで、全体システムのリセット、さらには再起動を防ぐことができる。これにより見かけ上の起動時間の短縮を図ることができる。
【００８１】
また従来、クランキング時にはマイコン９の内部データ抹消の防止のため、データの緊急退避制御（例えば不揮発性メモリへのデータ書込）の処理を行う場合もあったが、低電圧でも動作可能な省電力動作モードにおいては、このデータの緊急退避制御処理も行う必要がなくなる。
【００８２】
（他の実施形態）
本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形又は拡張が可能である。
【００８３】
例えば車両に適用するときには、必要に応じてイグニッション電源ＩＧを搭載すれば良い。キースイッチＳＷ１〜ＳＷ３は、回動操作式のものに限らずボタン式であっても良い。また、車両に拘わらず、メイン電源、サブ電源として機能する電源を備える様々な機器に有効である。
【００８４】
逆流防止回路２、１０２として、２つのＭＯＳＦＥＴ２１、２２又は２２１、２２２を用いた構成を示したが、１つ又は３つ以上のＭＯＳＦＥＴを用いて逆流防止回路を構成しても良い。
【００８５】
例えば、一つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分散させたり、複数の構成要素が有する機能を一つの構成要素に統合させたりしてもよい。また前述の実施形態の構成の少なくとも一部を、同様の機能を有する公知の構成に置き換えてもよい。また、前述の２以上の実施形態の構成の一部又は全部を互いに組み合わせて付加しても置換しても良い。
【００８６】
特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、本発明の一つの態様として前述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【符号の説明】
【００８７】
図面中、４、５、４０４は内部回路（動作回路）、６、７、３１、３２はダイオード、９はマイコン（動作回路、制御部）、２１、２２、２２１、２２２はＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）、６２１、６２２、７２１、７２２はＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）、２１ａ、２２ａ、２２１ａ、２２２ａ、６２１ａ、６２２ａ、７２１ａ、７２２ａは寄生ダイオード、２３はオンオフ制御部、Ｌ１はメイン電源供給ライン、Ｌ２、Ｌ３はサブ電源供給ライン、＋Ｂはバッテリ電源（メイン電源）、ＩＧはイグニッション電源（サブ電源）、ＳＵＢは充電電源（サブ電源）、ＡＣＣはアクセサリ電源（サブ電源）、ＩＬＬ＋はイルミネーション電源（サブ電源）、Ｎ１はノード（共通接続ノード）、ＳＹ１、ＳＹ３、ＳＹ４、ＳＹ５は電源システム、を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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