(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、
真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、
真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハを移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステムと、
極端紫外線マスクブランクを出力するための出力と、
真空チャンバに接続された追加の真空チャンバと、
追加の真空チャンバの周囲に取り付けられた追加の複数の処理システムと、
真空から出ることなく、追加の複数の処理システムの間で、ウェハを移動させるための追加の真空チャンバ内の追加のウェハハンドリングシステムと、
ハンドリングの工程数を制限することによって、インタフェース制御及び欠陥制御を達成するように処理システムを統合するプロセスツールであって、基板上のハンドリングに関連する粒子の可能性が低減されるプロセスツールとを含む処理システム。
【請求項２】
複数の処理システムは、脱ガスシステムを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
複数の処理システムは、物理気相堆積システムを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
複数の処理システムは、前洗浄システムを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
極端紫外線ミラーを出力するための出力を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
追加の複数の処理システムは、流動性化学蒸着システムを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項７】
追加の複数の処理システムは、補修チャンバを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
上部アダプタの周囲の多数のカソード源用の設備を有する上部アダプタを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
ウェハを固定するための回転台を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
マルチカソード源は、複数のカソードのそれぞれに取り付けられたシュラウドを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
マルチカソード源は、複数のカソードのうちの１以上の間で、回転用の回転シールドを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
ウェハのエッジ領域内における材料の堆積を防止するために、ウェハのエッジ部を覆うためのエッジ除外カバーマスクを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１３】
ウェハを支持するための支持ピンと、ウェハを横方向に保持するための保持ピンとを有するキャリアを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１４】
ウェハを支持するための支持ピンと、ウェハを横方向に保持するための保持ピンとを有するキャリアを含み、キャリアは、下からの堆積を可能にする開口部を有する、請求項１記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【関連出願への相互参照】
【０００１】
本出願は、２０１３年３月１２日に出願された米国仮特許出願第６１／７７８，４０２号の利益を主張し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００２】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，３０７号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００３】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，３７１号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００４】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，４５７号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００５】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，５０７号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【技術分野】
【０００６】
本発明は、概して、極端紫外線リソグラフィブランク及びそのような極端紫外線リソグラフィブランクのための製造及びリソグラフィシステムに関する。
【背景】
【０００７】
極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ、軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られている）は、０．１３ミクロン及びそれよりも小さい最小フィーチャーサイズの半導体デバイスの製造のための遠紫外線リソグラフィに代わる候補である。
【０００８】
しかしながら、概して５〜４０ナノメートルの波長範囲内にある極端紫外光は、実質的に全ての材料に強く吸収される。そのため、極端紫外線システムは、光の透過によってではなく、反射によって動作する。一連のミラー、又はレンズ要素、及び反射要素、又は非反射吸収体マスクパターンでコーティングされたマスクブランクの使用を介して、パターニングされた化学光は、レジストがコーティングされた半導体ウェハ上へ反射される。
【０００９】
極端紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素及びマスクブランクは、多層反射コーティング材料（例えば、モリブデンとシリコン）でコーティングされる。極端紫外線の狭帯域（例えば、１３ナノメートルの紫外光に対して１２〜１４ナノメートルのバンドパス）内の実質的に単一の波長で光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ要素又はマスクブランク毎に約６５％の反射値が得られている。
【００１０】
問題を引き起こす半導体加工技術の欠陥には、様々なクラスがある。不透明欠陥は、典型的には、多層コーティングの最上部又はマスクパターン上の粒子によって引き起こされ、光を反射すべきときに、光を吸収する。透明欠陥は、典型的には、多層コーティングの最上部の上のマスクパターン内のピンホールによって引き起こされ、光が吸収されるべきときに、光が反射される。位相欠陥は、典型的には、多層コーティングの下の傷及び表面変動によって引き起こされ、反射光の位相遷移を引き起こす。これら位相遷移は、半導体ウェハの表面上のレジスト内に露光されるパターンを歪ませる、又は変える光波干渉効果をもたらす。サブ０．１３ミクロンの最小フィーチャーサイズ用に用いられるに違いないより短波長の照射のために、以前は重要ではなかった傷及び表面変動が、今では許容できなくなっている。
【００１１】
粒子欠陥の低減又は除去において進歩がなされてきて、マスク内の不透明欠陥及び透明欠陥の修復において研究がなされてきたが、位相欠陥の問題に対処するためには、今まで何もなされてきていない。遠紫外線リソグラフィに対しては、６０度以下の位相遷移を維持するように、表面は処理される。極端紫外線リソグラフィのための同様の処理は、まだ開発されていない。
【００１２】
１３ナノメートルの化学線波長に対して、多層コーティングから反射される光の中での１８０度の位相遷移は、下地表面内の深さがわずか３ナノメートルの傷に対して発生する可能性がある。この深さは、より短い波長ではより浅くなる。同様に、同じ波長で、１００ナノメートルの距離上で１ナノメートルよりも急激な表面変動は、同様の位相遷移を引き起こす可能性がある。これら位相遷移は、半導体ウェハの表面に位相欠陥を引き起こし、半導体デバイスに修復不可能な損傷を与える可能性がある。
【００１３】
過去において、遠紫外線リソグラフィ用マスクブランクは、一般的にガラス製であったが、シリコン又は超低熱膨張材料が、極端紫外線リソグラフィ用の代替として提案されてきている。ブランクが、ガラス、シリコン、又は超低熱膨張材料であるかどうかにかかわらず、マスクブランクの表面は、化学機械研磨、磁性流体仕上げ、又はイオンビーム研磨などのプロセスによって可能な限り平滑にされる。このようなプロセスに残されている傷は、しばしば「スクラッチディグ」マークと呼ばれ、それらの深さと幅は、マスクブランクを研磨するために使用される研磨剤中の粒子の大きさに依存する。可視及び遠紫外線リソグラフィでは、これらの傷は、半導体ウェハ上のパターン内に位相欠陥を引き起こすには小さ過ぎる。しかしながら、極端紫外線リソグラフィに対しては、スクラッチディグマークは、位相欠陥として現れるので、重要な問題である。
【００１４】
ＥＵＶリソグラフィ用に要求される短い照明波長のため、使用されるパターンマスクは、現在のリソグラフィで使用される透過型マスクの代わりに反射型マスクでなければならない。反射型マスクは、モリブデンとシリコンの交互の薄い層の正確なスタックで構成され、ブラッグ屈折器又はミラーを作る。多層スタックの性質及び小さいフィーチャーサイズのため、多層スタックが堆積される基板の表面内の任意の欠陥は拡大され、最終製品に影響を与える。数ナノメートルのスケールの欠陥は、完成したマスク上に印刷可能な欠陥となって表れ、多層スタックの堆積前にマスクブランクの表面から除去する必要がある可能性がある。
【００１５】
光リソグラフィ内で使用される典型的なマスクは、ガラスブランクと、光の透過を遮断するパターニングされたクロム層からなる。ＥＵＶリソグラフィでは対照的に、マスクは、反射層と、パターニングされた吸収体層からなる。このアーキテクチャの変化は、大部分の材料でＥＵＶ光の吸光度が高いことに起因して必要となる。
【００１６】
反射体層は、モリブデンとシリコンの８０以上の交互層のスタックである。このスタックの層の厚さと滑らかさの精度は、それぞれ、マスクの高い反射率ならびにラインエッジ粗さを達成するために重要である。
【００１７】
現在の技術は、ガラスの研磨及び洗浄プロセスを利用し、これによって滑らかな基板表面と、反射体層用のイオンビーム堆積を得る。
【００１８】
この処理フローは、厳しい欠陥規格を満たしていない。欠陥の主な原因は、研磨工程ならびにその後の洗浄によって残されたガラス基板内のピット及びバンプである。イオンビーム堆積プロセスは、多層スタック内に埋め込まれた、及び多層スタックの上の粒子を更に残す。
【００１９】
このように、これらの問題に対する答えを見つけ、これらの問題を解決するシステムを開発することは、ますます重要である。消費者の期待を成長させるとともに、増え続ける商業競争圧力を考慮すると、これらの問題に対する答えを見つけることが重要である。また、コストを削減し、効率とパフォーマンスを向上させ、競争圧力を満たすための必要性は、これらの問題に対する答えを見つけるための重要な必要性に更に大きな緊急性を追加する。
【００２０】
これらの問題に対する解決策は、長い間求められてきたが、先行開発は、何の解決策も教示又は示唆してこなかった。したがって、これらの問題に対する解決策は、長い間、当業者には手に入らないものであった。
【概要】
【００２１】
本発明の実施形態は、真空チャンバと、真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハを移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステムを含む処理システムを提供する。
【００２２】
本発明の実施形態は、モリブデン、モリブデン合金、又はそれらの組合せを含むターゲットを含む、極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着システムを提供する。
【００２３】
本発明の特定の実施形態は、上記のものに加えて、又は上記のものの代わりに、他の工程又は要素を有する。工程又は要素は、添付の図面を参照して以下の詳細な説明を読むことにより当業者に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る統合化された極端紫外線（ＥＵＶ）マスクの製造システムである。
【図２】本発明の一実施形態に係る第１のマルチカソード源である。
【図３】本発明の一実施形態に係る第１のマルチカソード源の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る稼働中の第１のマルチカソード源の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る、形状が四角形であり、多層スタックを有するマスクブランクである。
【図６】本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
【図７】本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
【図８】本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
【図９】本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
【図１０】本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
【図１１】本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
【図１２】超低欠陥のマスクブランクの製造方法である。
【詳細な説明】
【００２５】
以下の実施形態は、当業者が本発明を行い、使用することを可能にするために、十分に詳細に記載されている。他の実施形態が、本開示に基づいて明らかとなり、本発明の範囲から逸脱することなく、システム、プロセス、又は機械的な変更を行うことができることを理解すべきである。
【００２６】
以下の説明において、多数の特定の詳細が、本発明の完全な理解を提供するために与えられる。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細なしに実施できることは明らかであろう。本発明を不明瞭にすることを避けるために、いくつかの周知の回路、システム構成、及びプロセスステップは、詳細には開示されない。
【００２７】
システムの実施形態を示す図面は、半概略であり、縮尺通りではなく、特に、寸法のいくつかは、提案説明を明確にするためのものであり、描画図内で誇張して示されている。同様に、説明を容易にするため、図面内の図は、概して、同様の方向を示すが、図面内のこの描写は、ほとんどの部分に対して任意である。一般的に、本発明は、任意の向きで動作させることができる。
【００２８】
いくつかの構成を共通して有する複数の実施形態が開示され、記載されている場合は、それらの図説、記述、及び理解を明瞭かつ容易にするために、類似の構成は、同様の参照番号で記述される。
【００２９】
解説の目的のために、本明細書で使用する用語「水平」は、マスクブランクの平面又は表面に対して平行な平面として定義され、その向きには関係ない。用語「垂直」は、まさに定義されたような水平に対して垂直な方向を指す。用語（例えば、「上方」、「下方」、「底部」、「最上部」、（「側壁」内のような）「側」、「より高い」、「より低い」、「上部」、「上に」、及び「下に」）は、図面内に図示されるように、水平面に対して定義される。用語「上」は、要素間の直接的な接触があることを示す。
【００３０】
本明細書で使用する用語「処理」は、材料又はフォトレジストの堆積、記載された構造を形成するのに必要とされる材料又はフォトレジストのパターニング、露光、現像、エッチング、洗浄、及び／又は除去を含む。
【００３１】
本発明の実施形態は、ピットを充填し、欠陥を埋めるために、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、及び流動性ＣＶＤによって、シリコン、酸化ケイ素、及び互換性のある熱膨張係数の関連する膜を堆積するための様々な確立された技術を使用する。いったん堆積されると、膜表面は、更なる多層スタックの堆積用に十分平滑かつ平坦とすることができ、又はその後、ＣＭＰ、アニーリング、又はイオンビーム研磨を含む多様な確立された平滑化又は研磨技術を更に用いて、平滑化することができる。
【００３２】
ここで、図１を参照すると、本発明の一実施形態に係る、統合化された極端紫外線（ＥＵＶ）マスク製造システム１００がここに図示される。統合化ＥＵＶマスク製造システム１００は、キャリア上でウェハ又はブランクを処理する処理システムであり、内部でマスクブランク１０４がロードされるマスクブランクローディング・キャリアハンドリングシステム１０２を含む。
【００３３】
エアロック１０６は、ウェハハンドリング真空チャンバ１０８へのアクセスを提供する。図示の実施形態では、ウェハハンドリング真空チャンバ１０８は、２つの真空チャンバ（第１真空チャンバ１１０と第２真空チャンバ１１２）を含む。第１ウェハハンドリングシステム１１４は、第１真空チャンバ１１０内にあり、第２ウェハハンドリングシステム１１６は、第２真空チャンバ１１２内にある。
【００３４】
ウェハハンドリング真空チャンバ１０８は、様々な他のシステムの取り付け用に、その周囲に複数のポートを有する。第１真空チャンバ１１０は、脱ガスシステム１１８、第１物理蒸着システム１２０、第２物理蒸着システム１２２、及び前洗浄システム１２４を有する。
【００３５】
第２真空チャンバ１１２は、それに接続された第１マルチカソード源１２６、流動性化学蒸着（ＦＣＶＤ）システム１２８、補修（キュア）システム１３０、及び第２マルチカソード源１３２を有する。ＦＣＶＤシステム１２８は、基板、ブランク、又はウェハ１３６上に平坦化層を堆積させることができ、補修チャンバは、平坦化層を補修することができる。第２のマルチカソード源１３２は、反射材料の多層スタックを堆積させることができ、他のシステムは、キャッピング層を堆積させることができる。平坦化層、多層スタック、及びキャッピング層の全ては、ウェハ１３６の一部となる。
【００３６】
第１ウェハハンドリングシステム１１４は、エアロック１０６及び第１真空チャンバ１１０の周囲の１以上の様々なシステム間で、連続真空内でスリットバルブを介して、ウェハ（例えば、ウェハ１３４）を移動させることができる。第２ウェハハンドリングシステム１１６は、連続的な真空内にウェハを維持しながら、第２真空チャンバ１１２の周囲に、ウェハ（例えば、ウェハ１３６）を移動させることができる。第１ウェハハンドリングシステム１１４及び第２ウェハハンドリングシステム１１６は、第１真空チャンバ１１０及び第２真空チャンバ１１４の周縁部の周りのシステムのうちの１つ又は全てを通して選択的にウェハ１３６を移動させることができ、これによってウェハ１３６がエアロック１０６を介して除去されるまで真空から出ることなく、様々なプロセスが実行されることを可能にする。
【００３７】
ここで図２を参照すると、本発明の一実施形態に係る第１のマルチカソード源１２６がここに図示される。第１のマルチカソード源１２６は、上部アダプタ２０４によってキャップされた円筒状の本体部２０２を有するベース構造２００を含む。
【００３８】
上部アダプタ２０４は、多くのカソード源（例えば、カソード源２０６、２０８、２１０、２１２、２１４）のための、上部アダプタ２０４の周囲に位置する設備を有する。
【００３９】
ここで図３を参照すると、本発明の一実施形態に係る第１のマルチカソード源１２６の断面がここに図示される。第１のマルチカソード源１２６は、ベース構造２００、円筒状の本体部２０２、及び上部アダプタ２０４を有する。
【００４０】
ベース構造２００内には、ウェハ（例えば、ウェハ１３６）を上に固定することができる回転台３００がある。回転台３００の上方には、カバーリング３０２の上方に中間リング３０４を備えたカバーリング３０２がある。円錐シールド３０６が、中間リング３０４の上方にあり、円錐アダプタ３０８によって囲まれる。
【００４１】
ウェハ１３６上に物理的蒸着法（ＰＶＤ）によって材料を堆積させるための堆積領域３１０は、シュラウド３１４が固定された回転シールド３１２によって囲まれる。シュラウド３１４の上方には、多数のターゲットのうちの１つ（例えば、ターゲット３１６）、堆積材料の供給源、及びカソード３１８がある。
【００４２】
代替の一実施形態では、多数の個々のシュラウド３１４は、個々のソース（源）にそれぞれ取り付けられ、回転シールド３１２が回転するとき、静止したままでいる。
【００４３】
ここで図４を参照すると、本発明の一実施形態に係る稼働中の第１のマルチカソード源１２６の断面がここに図示される。第１のマルチカソード源１２６の断面は、ターゲット３１６からウェハ４０２上の材料の堆積のための位置に移動された図示の回転台３００と共にオフアングルの円錐状堆積パターン４００を示す。
【００４４】
稼働時には、ウェハ１３６を有する回転台３００は、図３のシュラウド３１４内の開口の図にある位置に上昇する。第１のマルチカソード源１２６の設計に応じて、上部アダプタ２０４に取り付けられた複数のシュラウド３１４が存在可能であるので、各々のソースは、それ自身のシュラウドを有するか、又は回転シールド３１２と共に回転する１つのシュラウド又はシュラウド無しで単一の大型回転シールドを有する。
【００４５】
その後、回転シールド３１２は、適切なカソード３１８及びターゲット３１６が、回転台３００上のウェハ１３６上にある角度で材料を堆積させるために配置されるまで、様々なカソードの間で回転させられる。
【００４６】
台３００を回転させることにより、ウェハ１３６は、その表面上にターゲット材料の均一な堆積を受けることになる。
【００４７】
ここで図５を参照すると、本発明の一実施形態に係る、形状が四角形であり、多層スタック５０２を有するマスクブランク５００がここに図示される。
【００４８】
ここで図６を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア６００上の支持された位置内のマスクブランク５００がここに図示される。マスクブランク５００は、上向きの多層スタック５０２を有し、支持ピン６０２上のキャリア６００上に支持され、保持ピン６０４によって横方向に適所に保持される。楔形サポート６０６もまた、マスクブランク５００の下端で使用することができる。
【００４９】
ここで図７を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア７００上の支持された位置内のマスクブランク５００がここに図示される。マスクブランク５００は、上向きの多層スタック５０２を有し、支持ピン７０２上のキャリア７００上に支持され、保持ピン７０４によって横方向に適所に保持される。楔形サポート７０６もまた、マスクブランク５００の下端で使用することができる。
【００５０】
ここで図８を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア８００上の支持された位置内のマスクブランク５００がここに図示される。マスクブランク５００は、上向きの多層スタック５０２を有し、支持ピン８０２上のキャリア８００上に支持され、保持ピン８０４によって横方向に適所に保持される。キャリア８００は、支持ピン８０２の厚さ及びマスクブランク５００の厚さよりも僅かに厚い。エッジ除外カバーマスク８０６は、マスクブランク５００のエッジを覆い、これによって多層スタック５０２のエッジ領域内における材料の堆積を防止する。楔形サポート８０８もまた、マスクブランク５００の下端で使用することができる。
【００５１】
ここで図９を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア９００上の支持された位置内のマスクブランク５００がここに図示される。マスクブランク５００は、下向きの多層スタック５０２を有し、支持ピン９０２上のキャリア９００上に支持され、保持ピン９０４によって横方向に適所に保持される。キャリア９００の底部側は、下からの堆積を可能にするための開口部９０６を有する。
【００５２】
ここで図１０を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア１０００上の支持された位置内のマスクブランク５００がここに図示される。マスクブランク５００は、下向きの多層スタック５０２を有し、支持ピン１００２上のキャリア１０００上に支持され、保持ピン１００４によって横方向に適所に保持される。キャリア１０００の底部側は、下からの堆積を可能にするための開口部１００６を有する。
【００５３】
ここで図１１を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア１１００上の支持された位置内のマスクブランク５００がここに図示される。マスクブランク５００は、下向きの多層スタック５０２を有し、支持ピン１１０２上のキャリア１１００上に支持され、保持ピン１１０４によって横方向に適所に保持される。キャリアの底部側は、下からの堆積を可能にするための開口部１１０６を有する。
【００５４】
ここで図１２を参照すると、超低欠陥を有する図５のＥＵＶマスクブランク５００を製造するための方法１２００がここに図示される。方法１２００は、図１のＥＵＶマスク製造システム１００内の真空にマスクブランクを供給させることから始まる。
【００５５】
マスクブランクは、ステップ１２０２で脱気され、予備洗浄される。平坦化が、ステップ１２０４で起こる。平坦化層は、ステップ１２０６で、ＣＶＤ法により堆積され、補修される。多層堆積がステップ１２０８でＰＶＤによって行われ、キャッピング層がステップ１２１０で塗布される。脱ガス、前洗浄、平坦化、多層堆積、及びキャップ層のアプリケーションは、真空からマスクブランクを除去することなく、ＥＵＶマスク製造システム１００内ですべて実行される。
【００５６】
図１の統合化ＥＵＶマスク製造システム１００は、任意のタイプのリソグラフィブランク（例えば、マスクブランク及びミラーブランク）ならびにリソグラフィによる半導体製造プロセス用のマスクを製造するために使用することができる。
【００５７】
本発明の実施形態は、ＥＵＶマスクブランクに必要な層構造を堆積させるための統合化されたツールの概念を提供する。これらは、ガラスブランク上の欠陥（数〜数十ｎｍサイズ範囲内のピット、傷、及び粒子）を平坦化するための層の平滑化、ブラッグ反射器用のモリブデンとシリコンの多層スタックならびに（モリブデン／シリコンスタックを酸化から保護するのに使用される）ルテニウムキャッピング層の堆積を含む。
【００５８】
これらの工程を１つのプロセスツールに統合することにより、ハンドリングの工程数を制限することによって、より良好なインタフェース制御ならびにより良好な欠陥性能を達成することが可能であることが見出された。
【００５９】
マスクブランクのハンドリングが、複数の処理工程を通して最小となるように、基板がキャリア上に配置される。これは、基板上のハンドリングに関連した粒子の可能性を低減させる。
【００６０】
クラスタツールの使用はまた、乾式洗浄プロセスの統合が基板の清浄度を向上させ、こうして真空を破ることなしに層スタックの密着性を向上させることを可能にする。
【００６１】
統合化極端紫外線（ＥＵＶ）マスク製造システム内へ基板をロードした後、マスクブランクは、まず流動性ＣＶＤプロセス内（例えば、ＡＭＡＴエテルナ膜内）の平坦化層でコーティングされ、これによって基板表面上のピット及び傷を埋め、ならびに任意の残っている小さな粒子を平坦化する。
【００６２】
次に、基板を多層堆積用の堆積チャンバに移動させる。チャンバは、複数のターゲットを統合化し、これによって基板を搬送する必要なく、スタック全体を１つのチャンバ内で堆積させることができる。
【００６３】
得られたシステムは、分かりやすく、費用対効果が高く、複雑でなく、汎用性が高く、既知の技術を適応させることによって、驚くべきことに、自明なことではなく、実現することができるので、ＥＵＶマスクブランクを効率的かつ経済的に製造するのに直ちに適している。
【００６４】
本発明の実施形態は、ＥＵＶマスクブランク用の原子レベルで平坦で、低欠陥で、平滑な表面を提供する。しかしながら、本発明の実施形態は、他の種類の（例えば、ミラー用の）ブランクを製造するためにも使用することができる。ガラス基板上に、本発明の実施形態は、ＥＵＶミラーを形成するために使用することができる。更に、本発明の実施形態は、ＵＶ、ＤＵＶ、電子ビーム、可視光、赤外線、イオンビーム、Ｘ線、及び半導体リソグラフィの他のタイプで使用される、原子レベルで平坦で、低欠陥で、平滑な、他の表面構造に適用することができる。本発明の実施形態はまた、ウェハスケールからデバイスレベルまで、更には大面積ディスプレイ及び太陽電池用途までを範囲とすることができる様々なサイズの構造内で使用することができる。
【００６５】
本発明のもう一つの重要な側面は、コストを削減し、システムを簡素化し、パフォーマンスを向上させるという歴史的傾向を有益に支持し、提供することである。
【００６６】
本発明のこれらの及び他の有益な側面は、その結果、技術の状態を少なくとも次のレベルに更に進める。
【００６７】
本発明は、特定の最良の態様に関連して説明されてきたが、多くの代替、修正、及び変形が前述の説明に照らして当業者には明らかとなるであろうことが理解されるべきである。したがって、付属の特許請求の範囲内に入るそのような代替、修正、及び変形のすべてを包含することが意図される。本明細書に記載又は添付の図面に図示されるすべての事項は、例示的かつ非限定的な意味で解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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