(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが複屈折性を有する結晶構造からなる基板の表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハの裏面から撮像手段によって表面に形成された分割予定ラインを検出する検出工程と、
該検出された分割予定ラインに対応する裏面からレーザー光線を照射して分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該ウエーハに外力を付与して個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、
該検出工程において、該撮像手段に備えられた撮像素子と結像レンズとを結ぶ光軸上に配設された偏光子が該基板内で複屈折して現れる異常光を遮断すると共に、通常光を該撮像素子に導くウエーハの加工方法。
【請求項２】
該偏光子は、偏向板、又は偏光ビームスプリッターを含む請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該基板は、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）であり、該デバイスは、ＳＡＷデバイスである請求項１、又は２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該ウエーハに形成された結晶方位を示すオリエンテーションフラットに対して偏光面が直交する直線偏光が通常光である請求項３に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの裏面から分割予定ラインを検出してウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、基板の表面に形成されたウエーハはダイシング装置によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、表面弾性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｕｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイスは、例えば、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）からなる基板の表面に分割予定ラインによって区画されて複数形成されているダイシング装置での加工が困難であることから、レーザー加工装置によって分割起点が生成されて個々のＳＡＷデバイスに分割される。
【０００４】
該分割起点を形成するレーザー加工方法のタイプとしては、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すタイプ（例えば、特許文献１を参照。）のものと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射して改質層を形成するタイプ（例えば、特許文献２を参照。）のものと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の入射面反対側の近傍に位置付けて照射して分割予定ラインの表面側から裏面側に至り細孔と、該細孔を囲繞する非晶質とからなるいわゆるシールドトンネルを形成するタイプ（例えば、特許文献３を参照。）のものと、が知られている。しかし、アブレーション加工を施すものはウエーハの表面にデブリが飛散してデバイスの品質を低下させることから、実質的にデブリが飛散しない改質層を形成するタイプのものと、シールドトンネルを形成するタイプのものが多く採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献３】特開２０１４−２２１４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した改質層を形成するタイプのものと、シールドトンネルを形成するタイプの加工方法においては、レーザー光線を表面から照射しようとした場合、表面側に形成されたデバイスにレーザー光線が妨げられ所望の加工が施されない、或いは、レーザー光線の一部がデバイスに照射されることによりデバイスが損傷させるおそれがある等の理由から、デバイスが形成されていないウエーハの裏面側からレーザー光線が照射される。そして、このようにウエーハの裏面側からレーザー光線を照射して加工を行う場合には、表面側に形成された分割予定ラインを裏面側から検出して、該分割予定ラインと、レーザー光線の照射位置との位置合わせ（アライメント）を正確に行う必要がある。
【０００７】
しかし、ウエーハの裏面側から基板を透かして表面側に形成された分割予定ラインを撮像手段で撮像すると、検出する材料によっては、基板を形成する材料の結晶構造による複屈折に起因して、通常光として現れる実像と、異常光として現れる虚像とが撮像されることがあり、分割予定ラインを正確に検出することが困難であるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの裏面側から分割予定ラインを正確に検出してウエーハを個々のデバイスに分割することが可能なウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが複屈折性を有する結晶構造からなる基板の表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの裏面から撮像手段によって表面に形成された分割予定ラインを検出する検出工程と、該検出された分割予定ラインに対応する裏面からレーザー光線を照射して分割の起点を形成する分割起点形成工程と、該ウエーハに外力を付与して個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、該検出工程において、該撮像手段に備えられた撮像素子と結像レンズとを結ぶ光軸上に配設された偏光子が該基板内で複屈折して現れる異常光を遮断すると共に、通常光を該撮像素子に導くウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
該偏光子は、偏向板、又は偏光ビームスプリッターを含むことができ、該基板は、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）であり、該デバイスは、ＳＡＷデバイスであってよい。また、該ウエーハに形成された結晶方位を示すオリエンテーションフラットに対して偏光面が直交する直線偏光が通常光であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に基づき構成されるウエーハの加工方法は、ウエーハの裏面から撮像手段によって表面に形成された分割予定ラインを検出する検出工程と、検出された該分割予定ラインに対応する裏面からレーザー光線を照射して分割の起点を形成する分割起点形成工程と、該ウエーハに外力を付与して個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、該検出工程において、該撮像手段に備えられた撮像素子と結像レンズとを結ぶ光軸上に配設された偏光子が該基板内で複屈折して現れる異常光を遮断すると共に、通常光を該撮像素子に導くように構成されていることから、検出工程において通常光のみを撮像素子に導き、それによって得られる実像に基づいて表面側に形成された分割予定ラインを正確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の加工方法によって加工されるウエーハを説明するための説明図。
【図２】本発明の加工方法を実施すべく構成されたレーザー加工装置の全体斜視図。
【図３】図２に記載されたレーザー加工装置に配設される撮像手段を説明するための説明図。
【図４】図３に記載された撮像手段によって実行される検出工程の原理を説明するための説明図。
【図５】図２に記載されたレーザー加工装置により実行されるレーザー加工を説明するための説明図。
【図６】本発明に基づき実行される分割工程を説明するための説明図。
【図７】図３に記載された撮像手段の別実施形態を説明するための説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法について添付図面を参照して、詳細に説明する。
【００１４】
図１には、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）基板からなる被加工物としてのウエーハ１０が示されており、その表面１０ａ側に格子状に配列された複数の分割予定ライン１４によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＳＡＷデバイス１２が形成されている。また、ウエーハ１０の側面には、該基板を構成するリチウムナイオベートの光学軸の傾き方向に沿った方向、すなわち結晶方位を示すためオリエンテーションフラット１０ｃが形成されている。
【００１５】
本実施形態において被加工物となるウエーハ１０の表面１０ａ側には３０〜５０μｍ幅程度の分割予定ライン１４にて区画された領域にＳＡＷデバイス１２が形成されており、裏面１０ｂ側からウエーハ１０の内部に分割起点を形成するためのレーザー光線を照射すべく、図１に示すように、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に向けて環状のフレームＦの該開口部に位置付け、粘着テープＴにその表面１０ａ側が貼着されると共に粘着テープＴの外周部は環状のフレームＦに装着されることにより一体化されている。
【００１６】
図２には、本発明のウエーハの加工方法に従ってレーザー加工を実施するためのレーザー加工装置４０の全体斜視図が示されている。図に示すレーザー加工装置４０は、基台４１と、ウエーハを保持する保持機構４２と、保持機構４２を移動させる移動手段４３と、保持機構４２に保持されるウエーハ１０にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４４と、撮像手段５０と、表示手段５２と、コンピュータにより構成される図示しない制御手段を備え、該制御手段により各手段が制御されるように構成されている。
【００１７】
保持機構４２は、Ｘ方向において移動自在に基台４１に搭載された矩形状のＸ方向可動板６０と、Ｙ方向において移動自在にＸ方向可動板６０に搭載された矩形状のＹ方向可動板６１と、Ｙ方向可動板６１の上面に固定された円筒状の支柱６２と、支柱６２の上端に固定された矩形状のカバー板６３とを含む。カバー板６３にはＹ方向に延びる長穴６３ａが形成されている。長穴６３ａを通って上方に延びる円形状の被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル６４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック６５が配置されている。吸着チャック６５は、支柱６２を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。チャックテーブル６４の周縁には、周方向に間隔をおいて複数個のクランプ６６が配置されている。なお、Ｘ方向は図２に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図２に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。
【００１８】
移動手段４３は、Ｘ方向移動手段８０と、Ｙ方向移動手段８２と、図示しない回転手段とを含む。Ｘ方向移動手段８０は、基台４１上においてＸ方向に延びるボールねじ８０２と、ボールねじ８０２の片端部に連結されたモータ８０１とを有する。ボールねじ８０２の図示しないナット部は、Ｘ方向可動板６０の下面に固定されている。そしてＸ方向移動手段８０は、ボールねじ８０２によりモータ８０１の回転運動を直線運動に変換してＸ方向可動板６０に伝達し、基台４１上の案内レール４３ａに沿ってＸ方向可動板６０をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段８２は、Ｘ方向可動板６０上においてＹ方向に延びるボールねじ８２１と、ボールねじ８２１の片端部に連結されたモータ８２２とを有する。ボールねじ８２１の図示しないナット部は、Ｙ方向可動板６１の下面に固定されている。そして、Ｙ方向移動手段８２は、ボールねじ８２１によりモータ８２２の回転運動を直線運動に変換し、Ｙ方向可動板６１に伝達し、Ｘ方向可動板６０上の案内レール６０ａに沿ってＹ方向可動板６１をＹ方向において進退させる。回転手段は、支柱６２に内蔵され支柱６２に対して吸着チャック６５を回転させる。
【００１９】
レーザー光線照射手段４４は、基台４１の上面から上方に延び、次いで実質上水平に延びる枠体４５に内蔵され、加工対象となるウエーハ１０に対して透過性を有する例えば１０３０ｎｍの波長のレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振器と、該パルスレーザー光線発振器から照射されたレーザー光線の出力を調整するための出力調整手段と、該出力調整手段により出力が調整されたレーザー光線を、枠体４５の先端下面に後述する撮像手段５０とＸ方向に並設された集光器４４ａに向けて光路を変換する反射ミラーと、を備えている。
【００２０】
撮像手段５０は、枠体４５の先端下面に付設されており、案内レール４３ａの上方に位置し、チャックテーブル６４を案内レール４３ａに沿って移動させることによりチャックテーブル６４に載置されたウエーハ１０を撮像することが可能になっている。また、枠体４５の先端上面には、撮像手段５０により撮像された画像が図示しない制御手段を介して出力される表示手段５２が搭載されている。
【００２１】
本発明に基づき構成されるウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置４０は、概略以上のように構成されており、その作用について以下に説明する。
【００２２】
レーザー加工装置４０によりウエーハ１０に対してレーザー加工を施すに際し、先ず図２に示すレーザー加工装置４０の吸着チャック６５にウエーハ１０の粘着テープＴ側を載置し、環状のフレームＦが、チャックテーブル６４に配設されたクランプ６６により固定される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ１０を吸着チャック６５上に吸引固定する。
【００２３】
ウエーハ１０を吸着チャック６５に吸引固定したならば、Ｘ方向移動手段８０を作動し、ウエーハ１０を吸引保持した吸着チャック６５が撮像手段５０の直下に位置付け、撮像手段５０および制御手段によってウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域、すなわち分割予定ライン１４に対応する領域を検出しアライメントを行う検出工程を実行する。当該検出工程について、図３、４を用いて詳細に説明する。
【００２４】
図３（ａ）に、撮像手段５０の要部断面図を示すように、撮像手段５０は、撮像素子（ＣＣＤ）５４が上部に配設された上部鏡筒５０ａと、結像レンズ５６が下方に配設された下部鏡筒５０ｂと、下部鏡筒５０ｂの下端部に配設され被加工物に対して可視光線を照射する光源５０ｃからなる。下部鏡筒５０ｂは、上部鏡筒５０ａに対して接合部５０ｄを介して鏡筒軸Ｏを中心に回転可能に支持されている。また、撮像素子５４と結像レンズ５６との間には、偏光子としての偏光板５８が配設されており、偏光板５８は下部鏡筒５０ｂ側に備えられていることから、上部鏡筒５０ａに対して下部鏡筒５０ｂを回転させると、偏光板５８が下部鏡筒５０ｂと共に回転し、該偏光板５８によって規定される所定方向に偏向面が一致する直線偏光のみを透過させるようになっている。なお、図３（ａ）では、上部鏡筒５０ａ、下部鏡筒５０ｂ、撮像素子５４、結像レンズ５６、偏光板５８のみを示したが、撮像手段５０の構成としてはこれに限定されるわけではなく、この他にコリメータレンズ等、他の構成が加えられていてもよい。
【００２５】
図３（ｂ）に示すように、撮像手段５０および該制御手段は、ウエーハ１０の分割予定ライン１４と、分割予定ライン１４に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４４の集光器４４ａとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行すべく、吸着チャック６５上に保持されたウエーハ１０の分割予定ライン１４を撮像し該制御手段に撮像信号を送信すると共に、表示手段５２に出力する。ここで、本実施形態では、結像レンズ５６と撮像素子５４との間に、偏光板５８が配設されていることから、偏光板５８の作用により虚像が排除され、実像のみが透過し、該制御手段により分割予定ライン１４の正確な位置が検出可能になると共に、表示手段５２には、分割予定ライン１４の実像のみが表示される。なお、本実施形態のごとく、撮像素子５４と結像レンズ５６との間に偏光板５８を配設せずにウエーハ１０を撮像した場合は、表示手段５２´に表示されているように、実線で示す割予定ライン１４と、虚像として表示される分割予定ライン１４´が現れ、分割予定ライン１４を正確に検出することが困難となる。
【００２６】
ここで、本発明の検出工程において、分割予定ライン１４の実像のみが検出可能となる検出原理について説明する。本実施形態の被加工物として選択されるウエーハ１０の基板を構成するリチウムナイオベートは、三方晶系の結晶構造を有し、複屈折性を有している。この基板を透過する光線は、２つの屈折率に基づいて２つの光線に分けられる。この際、屈折率が入射光の光学軸に対する角度に依存せずに反射する光線を通常光と呼び、反射する際の屈折率が光学軸に対する角度に依存して変化する光線を異常光と呼ぶ。ウエーハ１０を構成する材料（リチウムナイオベート）の光学軸がウエーハ１０平面に対して垂直であれば、該通常光、異常光の屈折率は一致し、垂直方向から撮像する際に実像と虚像が現れることはない。しかし、一般的にＳＡＷデバイスを形成する基板としてウエーハ１０を構成する場合は、基板の光学軸がウエーハ１０の平面に垂直な法線に対して傾きを有しているため、垂直方向から撮像しようとした場合に、屈折率が光学軸に依存しない通常光として撮像される実像と、該光学軸との角度によって屈折率が変化する異常光として撮像される虚像とが現れる。
【００２７】
ウエーハ１０に形成されるオリエンテーションフラット１０ｃは、基板を形成する材料の光学軸の傾き方向に沿って形成される。そして、虚像となって現れる該異常光は、光学軸の傾き方向、すなわち、オリエンテーションフラット１０ｃの方向に偏向面を有する直線偏光として現れる。そこで、本実施形態の偏光板５８の向きは、図示したように、オリエンテーションフラット１０ｃに対して直交する向きに設定される。上述したように、異常光の偏光面は、オリエンテーションフラット１０ｃに平行に形成されるため、ウエーハ１０の表面で反射して現れる異常光、すなわち虚像は、該偏光板５８を透過することができず、吸収され、オリエンテーションフラット１０ｃに対して直交する偏光面を有する通常光のみが透過することができ、上方の撮像素子５４で分割予定ライン１４の実像のみが撮像されるのである。なお、図４では、説明の都合上、撮像素子５４、上部鏡筒５０ａ、下部鏡筒５０ｂ、結像レンズ５６等は省略している。
【００２８】
図１から明らかなように、分割予定ライン１４は、オリエンテーションフラット１０ｃに平行な方向と、直交する方向とに設けられる。よって、ウエーハ１０の該オリエンテーションフラット１０ｃが設けられた方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１４に対しても、上述した検出工程を実施し、レーザー光線照射位置との位置合わせを行うアライメントが遂行される。その際は、レーザー加工装置４０に配設された保持機構４２の支柱６０に内蔵された回転手段を駆動して、ウエーハ１０が９０°回転させられる。それに伴い、異常光の偏光面も９０°回転するため、ウエーハ１０を９０°回転させた後に該検出工程を実施する場合は、下部鏡筒５０ｂを９０°回転し、偏光板５８の方向を９０°切り替えて異常光を吸収する。なお、上部鏡筒５０ａと下部鏡筒５０ｂとの接合部には、角度調整用のマークＡと、Ｂ１、Ｂ２とが付されており、オリエンテーションフラット１０ｃと平行を成す分割予定ライン１４を検出する検出工程を実施する際は、下部鏡筒５０ｂ側に設けられたマークＢ１を上部鏡筒５０ａ側に設けられたマークＡに合わせ、オリエンテーションフラット１０ｃと直交する方向の分割予定ライン１４を検出する検出工程を実施する際には、下部鏡筒５０ｂ側に設けられたマークＢ２を上部鏡筒５０ａ側のマークＡに合わせることで偏光板５８を正確に９０°回転させることができる。当該回転は、手動で行ってもよいし、駆動モータ等の駆動手段を設けて駆動制御を行うようにしてもよい。以上、検出工程を実施することで、全ての分割予定ライン１４に対するアライメントが完了する。
【００２９】
上記した検出工程を実行したならば、ウエーハ１０が保持されたチャックテーブル６４を、集光器４４ａが位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の方向に形成された分割予定ライン１４の一端が集光器４４ａの直下になるように位置付ける。そして、図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器４４ａを光軸方向に移動し、ウエーハ１０を構成する基板の内部の所定位置に集光点を位置付ける。該集光点の位置付けを行ったならば、レーザー光線照射手段４４を作動し、該レーザー発振器によりウエーハ１０内にシールドトンネルを形成するパルスレーザー光線を発振する。レーザー光線の照射が開始されると、Ｘ方向移動手段８０を作動して、チャックテーブル６４を図５の矢印Ｘで示す方向に移動することにより、該レーザー光線が分割予定ライン１４に沿って照射される。これにより、分割予定ライン１４に沿って、上下方向に延びる細孔と、該細孔をシールドする非晶質とが形成されたシールドトンネルを連続的に形成する。該レーザー光線照射手段４４と、チャックテーブル６４、Ｘ方向移動手段８０、Ｙ方向移動手段８２、図示しない回転手段とを作動して、ウエーハ１０の表面に格子状に形成された全ての分割予定ライン１４に対して該シールドトンネルを形成する（図５を参照）。以上で、分割起点形成工程が完了する。
【００３０】
上記シールドトンネルを形成する分割起点形成工程における加工条件は、例えば、次のように設定されている。
波長                                  ：１０３０ｎｍ
平均出力                              ：３Ｗ
繰り返し周波数                        ：５０ｋＨｚ
パルス幅                              ：１０ｐｓ
スポット径                            ：φ１μｍ
集光レンズの開口数／ウエーハの屈折率  ：０．０５〜０．２０
Ｘ方向加工送り速度                    ：５００ｍｍ／秒
シールドトンネル寸法                  ：φ１μｍの細孔、φ１０μｍの非晶質
【００３１】
該分割起点形成工程を実施したならば、ウエーハ１０を個々のデバイス１２に分割する分割工程を実行する。該分割工程は、図６にその一部を示す分割装置７０にて実施されるものであり、該分割装置７０は、フレーム保持部材７１と、その上面部に環状フレームＦを載置して上記環状のフレームＦを保持するクランプ７２と、該クランプ７２により保持された環状のフレームＦに装着されたウエーハ１０を拡張するための少なくとも上方が開口した円筒形状からなる拡張ドラム７３とを備えている。フレーム保持部材７１は、拡張ドラム７３を囲むように設置された複数のエアシリンダ７２３ａと、エアシリンダ７２３ａから延びるピストンロッド７２３ｂとから構成される支持手段７２３により昇降可能に支持されている。
【００３２】
該拡張ドラム７３は、環状のフレームＦの内径よりも小さく、フレームＦに装着された粘着テープＴに貼着されるウエーハ１０の外径よりも大きく設定されている。ここで、図６に示すように、分割装置７０は、フレーム保持部材７１と、拡張ドラム７３の上面部が略同一の高さになる位置（点線で示す）と、支持手段７２３の作用によりフレーム保持部材７１が下降させられ、拡張ドラム７３の上端部が、フレーム保持部材７１の上端部よりも高くなる位置（実線で示す）とすることができる。
【００３３】
上記フレーム保持部材７１を下降させて、拡張ドラム７３の上端を、点線で示す位置から、実線で示すフレーム保持部材７１よりも高い位置となるように相対的に変化させると、環状のフレームＦに装着された粘着テープＴは拡張ドラム７３の上端縁に押されて拡張させられる。この結果、粘着テープＴに貼着されているウエーハ１０には放射状に引張力が作用するため、上述した分割起点形成工程において分割予定ライン１４に沿ってシールドトンネルが形成されているウエーハ１０の個々のＳＡＷデバイス１２同士の間隔が広げられる。そして、個々のＳＡＷデバイス１２同士の間隔が広げられた状態で、ピックアップコレット７４を作動させて間隔が広げられた状態のＳＡＷデバイス１２を吸着し、粘着テープＴから剥離してピックアップし、図示しないトレー、又は次工程の加工装置に搬送する。以上により、分割工程が終了し、本発明によるウエーハの加工方法が完了する。なお、外力を付与する分割工程は、上記手段に限定されず、他の手段に変更すること、或いは、他の手段をさらに付加することも可能である。たとえば、上述した分割工程において、粘着テープＴ上に保持されたウエーハ１０の上面から、分割予定ライン１４と平行に位置付けられた樹脂製のローラーを上方から押し当ててウエーハ１０の表面上を転動させてウエーハ１０の下方向への力を作用させることにより分割予定ライン１４に沿って分割させるようにしてもよい。
【００３４】
本発明は、本実施形態に限定されず、種々の変形例を採用することが可能である。本実施形態では、偏光子として偏光板５８を採用したが、図７に示すように、偏光板５８に替えて偏光ビームスプリッター５８´を採用してもよい。該偏光ビームスプリッター５８´としては、２つの直角プリズムを張り合わせたものを採用することができる。この場合、直角プリズムの界面（合わせ面）のいずれか一方側の面に電体多層膜コートを施し、界面と直交する入射面内で振動する通常光（ｐ偏光）と、該入射面と直交する方向に振動する異常光（ｓ偏光）とに分離して、上述した偏光板５８と同様に、通常光のみを上方に位置する撮像素子５４側に透過させ、該異常光を分離して図示しないレーザー光線を吸収するダンパーに照射させる。なお、偏光ビームスプリッターとしては、平板ガラスのプレートタイプも選択することが可能であるが、プレートを透過する際に透過する通常光の光軸がプレートの厚みにより若干ずれるため画像補正が必要になることから、図７に示す直角プリズムを張り合わせたものを選択することが好ましい。さらに、偏光ビームスプリッター５８´も偏光板５８と同様に検出工程においてウエーハ１０の回転に合わせて適宜回転させることにより、全ての分割予定ライン１４の実像のみを撮像可能に構成される。
【００３５】
また、上述した実施形態の分割起点形成工程では、分割予定ライン１４に沿って形成する分割起点として、シールドトンネルを形成するようにレーザー加工を行うように説明したが、本発明はこれに限定されず、複屈折性を有する物質を基板とするウエーハの裏面側から分割予定ラインを検出することが必要なレーザー加工であれば、どのような加工にも適用することができ、上記特許文献２に記載された、ウエーハ１０の内部に改質層を形成する技術を採用してもよい。その場合のレーザー加工条件は、例えば、次のように設定される。
波長                  ：１３４０ｎｍ
平均出力              ：１Ｗ
繰り返し周波数        ：５０ｋＨｚ
パルス幅              ：１ｎｓ
スポット径            ：φ１μｍ
開口数                ：０．８
Ｘ方向加工送り速度    ：１００ｍｍ／秒
【００３６】
本実施形態では、被加工物としてのウエーハ１０を構成する基板の材料として、リチウムナイオベートを用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、その他の複屈折性を有する材料を基板とする場合に適用可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１０：ウエーハ
１２：ＳＡＷデバイス
１４：分割予定ライン
４０：レーザー加工装置
４１：基台
４２：保持機構
４３：移動手段
４４：レーザー光線照射手段
４４ａ：集光器
４５：枠体
５０：撮像手段
５２：表示装置
５４：撮像素子
５６：結像レンズ
５８：偏光板
５８´：偏光ビームスプリッター
７０：分割装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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