(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状を有する磁気記録媒体であって、
可撓性を有する基体と、
軟磁性層と、
磁気記録層と、
上記軟磁性層と上記磁気記録層の間に設けられた下地層と
を備え、
上記下地層は、第１の下地層と第２の下地層とを備え、
上記第１の下地層は、上記軟磁性層側に設けられ、ＴｉおよびＣｒを含み、
上記第２の下地層は、上記磁気記録層側に設けられ、ＮｉおよびＷを含み、
磁気記録媒体の長手方向の角型比は、磁気記録媒体の短手方向の角型比以下または未満であり、
磁気記録媒体の長手方向の角型比が３０％以下である磁気記録媒体。
【請求項２】
磁気記録媒体の長手方向および短手方向の角型比がいずれも１０％以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
磁気記録媒体の長手方向および短手方向の角型比がいずれも５％以下である請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記軟磁性層の磁化困難軸の方向は、磁気記録媒体の長手方向である請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
上記軟磁性層は、第１の軟磁性層と、中間層と、第２の軟磁性層とを備える請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
上記第１の軟磁性層および上記第２の軟磁性層の磁化困難軸の方向がいずれも、磁気記録媒体の長手方向である請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
上記下地層と上記磁気記録層の間に設けられた中間層をさらに備える請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
上記下地層と上記磁気記録層の間に設けられた上記中間層は、Ｒｕを含んでいる請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
上記下地層と上記磁気記録層の間に設けられた上記中間層は、第１の中間層と第２の中間層とを備える請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
上記第１の中間層および上記第２の中間層は、Ｒｕを含んでいる請求項９に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
上記磁気記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
上記基体および上記軟磁性層の間に設けられた他の下地層をさらに備え、
上記他の下地層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含んでいる請求項１から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
上記基体は、フィルムである請求項１から１２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む潤滑層をさらに備える請求項１から１３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（１）：
【化１】
0006531764.tif 000014
（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
【請求項１５】
下記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含む潤滑層をさらに備える請求項１から１３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（２）：
【化２】
0006531764.tif 000015
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
【化３】
0006531764.tif 000016
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
【請求項１６】
Ｒｆは、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０である、飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素である請求項１４または１５に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、磁気記録媒体に関する。詳しくは、軟磁性裏打ち層を備える磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展、図書館および公文書館などの電子化、ならびにビジネス文書の長期保管により、データストレージ用テープメディアへの大容量化の要求が高まっている。このような要求に応えるべく、磁気異方性の高いＣｏＣｒＰｔ系の金属材料を非磁性支持体の表面に対して垂直方向に結晶配向させた垂直磁気記録媒体が提案されている。【０００３】
例えば特許文献１には、垂直磁気記録媒体として、非磁性支持体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層および保護層が順次形成された磁気記録媒体が開示されている。また、特許文献２には、軟磁性裏打ち層を備えた垂直磁気記録媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９６８８５号公報
【特許文献２】特開２００２−２７９６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本技術の目的は、優れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本技術は、
長尺状を有する磁気記録媒体であって、
可撓性を有する基体と、
軟磁性層と、
磁気記録層と、
軟磁性層と磁気記録層の間に設けられた下地層と
を備え、
下地層は、第１の下地層と第２の下地層とを備え、
第１の下地層は、軟磁性層側に設けられ、ＴｉおよびＣｒを含み、
第２の下地層は、磁気記録層側に設けられ、ＮｉおよびＷを含み、
磁気記録媒体の長手方向の角型比は、磁気記録媒体の短手方向の角型比以下または未満であり、
磁気記録媒体の長手方向の角型比が３０％以下である磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したように、本技術によれば、優れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の形状の一例を示す平面図である。図１Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、スパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。
【図３】図３Ａは、図２に示したスパッタ装置の一部を矢印Ｃ１の方向から見た拡大平面図である。図３Ｂは、図２に示したスパッタ装置の一部を矢印Ｃ２の方向から見た拡大側面図である。
【図４】図４は、磁場配向装置の構成の一例を示す斜視図である。
【図５】図５は、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を示す断面図である。
【図６】図６は、本技術の第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を示す断面図である。
【図７】図７Ａは、実施例３〜６の磁気テープのヒステリシスループを示す図である。図７Ｂは、比較例１〜３の磁気テープのヒステリシスループを示す図である。図７Ｃは、実施例１、２、７、８および比較例４の磁気テープのヒステリシスループを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本技術において、基体の長手方向の角型比は、基体の短手方向の角型比以下または未満である。ここで、角型比は、磁気記録媒体の状態で測定される角型比である。
【００１０】
軟磁性層が単層構造である場合、基体の長手方向の角型比は、基体の短手方向の角型比未満であることが好ましい。この場合、基体の長手方向の角型比は、３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下、更により好ましくは５％以下である。
【００１１】
軟磁性層が第１の軟磁性層と中間層と第２の軟磁性層とを備える多層構造を有する場合、基体の長手方向の角型比は、基体の短手方向の角型比以下であることが好ましい。この場合、基体の長手方向の角型比は、３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下、更により好ましくは５％以下である。なお、軟磁性層が上述の多層構造を有する場合、基体の長手方向の角型比は、基体の短手方向の角型比と等しくなる、またはほぼ等しくなる傾向が高い。
【００１２】
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１  第１の実施形態
１．１  概要
１．２  磁気記録媒体の構成
１．３  スパッタ装置の構成
１．４  磁気記録媒体の製造方法
１．５  効果
１．６  変形例
２  第２の実施形態
２．１  磁気記録媒体の構成
２．２  効果
２．３  変形例
３  第３の実施形態
３．１  概要
３．２  磁気記録媒体の構成
３．３  効果
３．４  変形例
【００１３】
［１．１  概要］
（軟磁性裏打ち層の磁気異方性方向）
軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）として使用されるＣｏＺｒＮｂやＦｅＴａＮなどの材料は、成膜条件により磁気異方性を発現する。垂直磁気記録媒体においてＳＵＬとしてこのような材料を用いる場合には、以下に述べる２つの理由から、ＳＵＬの磁化困難軸方向を記録／再生ヘッドの移動方向、すなわち機械方向（Machine Direction：ＭＤ）とすることが望ましい。
【００１４】
１つ目の理由は、再生出力の向上の点にある。ＳＵＬを有する垂直磁気記録媒体においては、初期磁化透磁率が高いほど、再生出力が高くなる。また、初期磁化透磁率は、磁化容易化軸方向に比べて磁化困難軸方向の方が高くなる。したがって、再生出力の向上の観点からすると、磁気困難軸方向を機械方向（ＭＤ）とすることが有利である。
【００１５】
２つ目の理由は、磁壁移動に起因するノイズの抑制の点にある。ＳＵＬでは磁壁が形成され、記録再生の過程において磁壁が移動すると、これがノイズ源となるため、磁壁移動を抑えることが媒体設計の重要な要素の一つとなる。磁壁は、磁化容易化軸方向に動きやすく、磁化困難軸方向には動きにくいことから、ＳＵＬの磁化困難軸方向を機械方向（ＭＤ）とすることが有利である。
【００１６】
（面内方向の角型比）
軟磁性膜のＭ−Ｈループは磁気異方性の磁化容易化軸方向と磁化困難軸方向で大きく異なる。磁化容易化軸方向では明らかなヒステリシス特性を示し、磁化困難軸方向に比べて保磁力Ｈｃが大きく、角型比が大きくなる。一方、磁化困難軸方向においては、印加磁界がゼロに近い領域でも、磁化がゼロに近い値となるため、保磁力Ｈｃは小さく、角型比も極めて小さくなる。このような特徴から、面内方向における磁気特性により、磁気異方性の方向を容易に判定可能である。
【００１７】
ＳＵＬを有する垂直磁気記録媒体では、ＳＵＬの他に、記録層があり、振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）などで媒体平均の磁気特性を測定した場合、ＳＵＬと記録層の磁気特性の和が測定される。しかしながら、磁気記録媒体としての実用を想定した領域においては、それぞれに用いられる材料、膜厚、および測定方向を考慮すると、軟磁性裏打ち層の磁気特性の値に比べて、記録層の磁気特性の値は小さく、ＶＳＭによる測定値には、ほとんどＳＵＬの磁気特性が反映される。
【００１８】
なお、現在、ＳＵＬを有する垂直磁気記録媒体が主流であるＨＤＤ（Hard Disk Drive）においては、磁気特性の評価は、極カー効果を用いた記録層の磁気特性の評価が中心であり、ＳＵＬも含めたトータル膜としての磁気特性評価は実施されていない。
【００１９】
上述の観点から、第１の実施形態では、単層のＳＵＬを有する垂直磁気記録媒体において、再生出力を向上し、かつＳＵＬの磁壁移動に起因するノイズを抑制するために、ＳＵＬの磁化困難軸方向を機械方向（ＭＤ）に揃え、かつ機械方向（ＭＤ）の角型比を所定値以下としている。すなわち、垂直磁気記録媒体の機械方向（ＭＤ）の角型比Ｓｑ１をこれに直交する幅方向（Transverse Direction：ＴＤ）の角型比Ｓｑ２未満（Ｓｑ１＜Ｓｑ２）とし、かつ機械方向（ＭＤ）の角型比を所定値以下としている。
【００２０】
［１．２  磁気記録媒体の構成］
以下、図１Ａ、図１Ｂを参照して、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成の一例について説明する。磁気記録媒体１０は、図１Ａに示すように、長尺状を有する。以下では、磁気記録媒体１０の長手方向を機械方向（ＭＤ）Ｄ１といい、短手方向を幅方向（ＴＤ）Ｄ２という。ここで、機械方向Ｄ１とは、磁気記録媒体１０に対する記録／再生ヘッドの相対的な移動方法、すなわち記録再生時に磁気記録媒体１０が走行される方向を意味する。磁気記録媒体１０は、機械方向Ｄ１に平行な磁化困難軸Ａ１と、幅方向Ｄ２に平行な磁化容易軸Ａ２とを有する。
【００２１】
磁気記録媒体１０は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、図１Ｂに示すように、基体１１と、基体１１の表面に設けられた下地層１２と、下地層１２の表面に設けられた単層のＳＵＬ１３と、ＳＵＬ１３の表面に設けられた下地層１４と、下地層１４の表面に設けられた中間層１５と、中間層１５の表面に設けられた磁気記録層１６と、磁気記録層１６の表面に設けられた保護層１７とを備える。磁気記録媒体１０が、保護層１７の表面に設けられた潤滑層１８をさらに備えるようにしてもよい。
【００２２】
磁気記録媒体１０は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体１０は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気テープの１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体１０を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。この磁気記録媒体１０は、単磁極型（Single Pole Type：ＳＰＴ）の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。
【００２３】
磁気記録媒体１０の機械方向（ＭＤ）Ｄ１の角型比Ｓｑ１が、磁気記録媒体１０の幅方向（ＴＤ）の角型比Ｓｑ２未満である（Ｓｑ１＜Ｓｑ２）。また、磁気記録媒体１０の機械方向（ＭＤ）Ｄ１の角型比が、３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下、更により好ましくは５％以下である。これにより、優れた記録再生特性を得ることができる。ここで、角型比は、磁気記録媒体１０の状態で測定された角型比であり、具体的にはＶＳＭを用いて１０ｋＯｅ以上の磁界を印加して測定されたものである。
【００２４】
（基体）
支持体となる基体１１は、例えば、長尺状のフィルムである。フィルムの厚さは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体１１としては、可撓性を有する非磁性基体を用いることが好ましい。非磁性基体の材料としては、例えば、一般的な磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
【００２５】
（下地層）
下地層１２は、基体１１とＳＵＬ１３の間に設けられている。下地層１４は、ＳＵＬ１３と中間層１５の間に設けられている。下地層１２、１４は、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有している。また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法で下地層１２、１４を成膜する際に、下地層１２、１４内に微量に含まれる不純物酸素である。下地層１４は、中間層１５に類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的とするものではなく、当該下地層１４の平坦性およびアモルファス状態によって中間層１５の垂直配向性を向上することを目的とするものである。ここで、「合金」とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。また、「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。
【００２６】
ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有する下地層１２には、基体１１に吸着したＯ2ガスやＨ2Ｏの影響を抑制するとともに、基体１１の表面の凹凸を緩和して基体１１の表面に金属性の平滑面を形成する作用がある。この作用により、中間層１５の垂直配向性を向上できる。なお、下地層１２、１４の状態を結晶状態にすると、結晶成長に伴うカラム形状が明瞭となり、基体１１およびＳＵＬ１３の表面の凹凸が強調され、中間層１５の結晶配向が悪化する。
【００２７】
下地層１２、１４に含まれる合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＷなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
【００２８】
（ＳＵＬ）
ＳＵＬ１３は、単層のＳＵＬであり、下地層１２と下地層１４の間に設けられている。ＳＵＬ１３の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。ＳＵＬ１３は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。軟磁性材料としては、例えば、Ｃｏ系材料またはＦｅ系材料などを用いることができる。Ｃｏ系材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなどが挙げられる。Ｆｅ系材料としては、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどが挙げられる。
【００２９】
ＳＵＬ１３はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ１３上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ１３の上に形成される中間層１５の結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが必要となるが、基体１１からの水分などのデガスの影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ１３上に形成される中間層１５の結晶配向を乱してしまう虞がある。その影響を抑制するためには、基体１１の表面に下地層１２を設けることが好ましい。基体１１として水分や酸素などの気体の吸着の多い高分子材料のフィルムを用いる場合、その影響を抑えるために下地層１２を設けることが特に好ましい。
【００３０】
ＳＵＬ１３は、機械方向（ＭＤ）Ｄ１に磁化困難軸Ａ１を有し、幅方向（ＴＤ）Ｄ２に磁化容易軸Ａ２を有する。これにより、優れた記録再生特性を得ることができる。このような方向の磁化困難軸Ａ１および磁化容易軸Ａ２を有していることは、上述したように磁気記録媒体１０の機械方向（ＭＤ）Ｄ１および幅方向（ＴＤ）Ｄ２の角型比を求めることにより確認することができる。
【００３１】
（中間層）
中間層１５は、下地層１４と磁気記録層１６の間に設けられている。中間層１５は、磁気記録層１６と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁気記録層１６がＣｏ系合金を含んでいる場合には、中間層１５は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。磁気記録層１６の配向性を高め、かつ、中間層１５と磁気記録層１６との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ2、Ｒｕ−ＴｉＯ2またはＲｕ−ＺｒＯ2などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。
【００３２】
（磁気記録層）
磁気記録層１６は、中間層１５と保護層１７の間に設けられている。磁気記録層１６は、いわゆる垂直磁気記録層であり、記録密度を向上する観点から、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ2などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁気記録層１６を構成することができる。
【００３３】
Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ系合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
【００３４】
強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ2）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2またはＨｆＯ2などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。グラニュラ構造をより安定に維持するためには、非磁性粒界が金属窒化物および金属酸化物のうち金属酸化物を含んでいることが好ましい。
【００３５】
強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（１）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性の更なる向上を実現できるからである。
（ＣｏxＰｔyＣｒ100-x-y）100-z−（ＳｉＯ2）z  ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）
【００３６】
なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体１０の保護層１７側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた磁気記録層１６の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とする。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。
【００３７】
（保護層）
保護層１７は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含み、保護層１７の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。
【００３８】
（潤滑層）
潤滑層１８は、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑層１８は、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：
【化１】
0006531764.tif 000002
（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
【００３９】
上記カルボン酸系化合物は、下記の一般式（２）または（３）で表されるものが好ましい。
一般式（２）：
【化２】
0006531764.tif 000003
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
【化３】
0006531764.tif 000004
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
【００４０】
潤滑剤は、上記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含んでいることが好ましい。
【００４１】
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を磁気記録層１６または保護層１７などに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。
【００４２】
例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般式（４）で表される基であることが望ましい。
一般式（４）：
【化４】
0006531764.tif 000005
（但し、一般式（４）において、ｌは、８〜３０、より望ましくは１２〜２０の範囲から選ばれる整数である。）
【００４３】
また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般式（５）で表される基であることが望ましい。
一般式（５）：
【化５】
0006531764.tif 000006
（但し、一般式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から選ばれる整数で、ｍ＝２〜２０、ｎ＝３〜１８、より望ましくは、ｍ＝４〜１３、ｎ＝３〜１０である。）
【００４４】
フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般式（６）のように分散していてもよく、−ＣＦ3や−ＣＦ2−ばかりでなく−ＣＨＦ2や−ＣＨＦ−等であってもよい。
一般式（６）：
【化６】
0006531764.tif 000007
（但し、一般式（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）
【００４５】
一般式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。
【００４６】
特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。
【００４７】
また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。
【００４８】
Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。
【００４９】
また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。
【００５０】
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含んでいることが好ましい。
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
【００５１】
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。
【００５２】
保護層１７が炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層１７上に塗布すると、保護層１７上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑層１８を形成することができる。
【００５３】
なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録媒体１０の表面に潤滑層１８として保持されるのみならず、磁気記録媒体１０を構成する磁気記録層１６および保護層１７などの層に含まれ、保有されていてもよい。
【００５４】
［１．３  スパッタ装置の構成］
以下、図２、図３Ａ、図３Ｂ、図４を参照して、上述の磁気記録媒体１０の製造に用いられるスパッタ装置２０の構成の一例について説明する。スパッタ装置２０は、下地層１２、ＳＵＬ１３、下地層１４、中間層１５および磁気記録層１６の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置である。スパッタ装置２０は、図２に示すように、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、カソード２３ａ〜２３ｅと、供給リール２４と、巻き取りリール２５と、複数のガイドロール２７ａ〜２７ｃ、２８ａ〜２８ｃと、磁場配向装置３０とを備える。スパッタ装置２０は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
【００５５】
成膜室２１は、排気口２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２４および巻き取りリール２５が配置されている。成膜室２１の内部には、供給リール２４とドラム２２との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２７ａ〜２７ｃが設けられていると共に、ドラム２２と巻き取りリール２５との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２８ａ〜２８ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール２４から巻き出された基体１１が、ガイドロール２７ａ〜２７ｃ、ドラム２２およびガイドロール２８ａ〜２８ｃを介して巻き取りリール２５に巻き取られる。ドラム２２は円柱状の形状を有し、細長い矩形状の基体１１はドラム２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室２１の内部には、ドラム２２の周面に対向して複数のカソード２３ａ〜２３ｅが配置されている。これらのカソード２３ａ〜２３ｅにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅにはそれぞれ、下地層１２、ＳＵＬ１３、下地層１４、中間層１５、磁気記録層１６を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード２３ａ〜２３ｅにより複数の種類の膜、すなわち下地層１２、ＳＵＬ１３、下地層１４、中間層１５および磁気記録層１６が同時に成膜される。
【００５６】
カソード２３ｂの近傍には、磁場配向装置３０が設けられている。この磁場配向装置３０は、図３Ａ、図３Ｂに示すように、ドラム２２の円柱面とカソード２３ｂの間の空間において、ドラム２２の幅方向、すなわちドラム２２の周面に沿わせて搬送される基体１１の幅方向に磁力線３０Ｍを発生可能に構成されている。カソード２３ｂは、ドラム２２の円柱面と対向する側に、ＳＵＬ１３を成膜するためのターゲット４０を有している。
【００５７】
磁場配向装置３０は、いわゆる電磁石であり、図４に示すように、ヨークコア３１と、ヨークコア３１に巻きつけられたコイル３２とを備える。ヨークコア３１は、その両先端が対向するように屈曲された略Ｃ字状を有している。このような構成を有する磁場配向装置では、コイル３２に電流Ｉを流すと、ヨークコア３１の対向する先端部分の間に磁力線３０Ｍが発生する。
【００５８】
［１．４  磁気記録媒体の製造方法］
以下、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示したスパッタ装置２０を用いて、下地層１２、ＳＵＬ１３、下地層１４、中間層１５および磁気記録層１６を基体１１の表面に順次積層する。具体的には以下のようにして積層する。まず、成膜室２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード２３ａ〜２３ｅにセットされたターゲットをスパッタして、走行する基体１１の表面に、下地層１２、ＳＵＬ１３、下地層１４、中間層１５および磁気記録層１６を順次成膜する。
【００５９】
但し、ドラム２２の円柱面とカソード２３ｂの間の空間には、磁場配向装置３０によりドラム２２の幅方向、すなわちドラム２２の周面に沿わせて搬送される基体１１の幅方向に磁力線３０Ｍを発生させる。これにより、機械方向（ＭＤ）Ｄ１に磁化困難軸Ａ１を有し、幅方向（ＴＤ）Ｄ２に磁化容易軸Ａ２を有するＳＵＬ１３が成膜される。
【００６０】
次に、磁気記録層１６の表面に保護層１７を形成する。保護層１７の形成方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。次に、必要に応じて、潤滑剤を保護層１７の表面にコーティングすることにより、潤滑層１８を形成する。以上により、図１に示した磁気記録媒体１０が得られる。
【００６１】
［１．５  効果］
第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０では、機械方向（ＭＤ）Ｄ１の角型比Ｓｑ１を幅方向（ＴＤ）Ｄ２の角型比Ｓｑ２未満としている（Ｓｑ１＜Ｓｑ２）。このような磁気特性を有する磁気記録媒体１０では、ＳＵＬ１３の磁化困難軸Ａ１が機械方向（ＭＤ）Ｄ１であり、磁化容易軸Ａ２が幅方向（ＴＤ）Ｄ２である。また、機械方向（ＭＤ）Ｄ１の角型比を３０％以下としている。これにより、高い再生出力を得ることができ、かつＳＵＬ１３の磁壁移動に起因するノイズを抑制することができる。したがって、優れた記録再生特性を実現できる。
【００６２】
［１．６  変形例］
上述の第１の実施形態では、下地層１２を備える磁気記録媒体１０について説明したが、下地層１２を省略した構成としてもよい。また、下地層１４および中間層１５の両方を備える磁気記録媒体１０について説明したが、下地層１４および中間層１５の両方、またはこれらの層うちの一方を省略した構成としてもよい。この構成の場合にも、上述したように下地層１２を省略してもよい。
【００６３】
＜２  第２の実施形態＞
［２．１  磁気記録媒体の構成］
図５に示すように、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、２層構造の下地層１１４および中間層１１５を備える点において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０とは異なっている。なお、第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６４】
下地層１１４は、第１の下地層（上側下地層）１１４ａと第２の下地層（下側下地層）１１４ｂとを備える。第１の下地層１１４ａが中間層１１５の側に設けられ、第２の下地層１１４ｂが軟磁性裏打ち層１３の側に設けられる。
【００６５】
第２の下地層１１４ｂの材料としては、第１の実施形態における下地層１４と同様のものを用いることができる。第１の下地層１１４ａの材料としては、第２の下地層１１４ｂとは異なる組成の材料を用いることができる。この材料の具体例としては、ＮｉＷまたはＴａなどが挙げられる。なお、第１の下地層１１４ａは、下地層ではなく、中間層と見なすことも可能である。
【００６６】
中間層１１５は、第１の中間層（上側中間層）１１５ａと第２の中間層（下側中間層）１１５ｂとを備える。第１の中間層１１５ａが磁気記録層１６の側に設けられ、第２の中間層１１５ｂが下地層１１４の側に設けられる。
【００６７】
第１の中間層１１５ａ、第２の中間層１１５ｂの材料としては、例えば、上述の第１の実施形態における中間層１５と同様のものを用いることができる。しかしながら、第１の中間層１１５ａ、第２の中間層１１５ｂそれぞれにおいて目的とする効果が異なっており、そのため、それぞれのスパッタ条件は異なるものとなる。すなわち、第１の中間層１１５ａについてはその上層となる磁気記録層１６のグラニュラ構造を促進する膜構造とすることが重要であり、第２の中間層１１５ｂについては結晶配向性の高い膜構造とすることが重要となる。
【００６８】
［２．２  効果］
第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０では、下地層１１４が２層構造の下地層１１４を有することで、中間層１１５および磁気記録層１６の配向性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。また、中間層１１５が２層構造の中間層１１５を有することで、磁気記録層１６の配向性およびグラニュラ構造をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。
【００６９】
［２．３  変形例］
第２の実施形態では、下地層１１４および中間層１１５の両方が２層構造を有する構成を例として説明したが、下地層および中間層の構成はこの例に限定されるものではない。例えば、下地層および中間層のうちの一方が２層構造を有し、他方が単層構造を有する構成としてもよい。
【００７０】
＜３  第３の実施形態＞
［３．１  概要］
上述の第１の実施形態では、磁壁移動を抑えるために、ＳＵＬ１３の磁化困難軸Ａ１を機械方向（ＭＤ）とした磁気記録媒体１０について説明した。第３の実施形態では、磁壁移動を更に抑えるために、磁化困難軸Ａ１を機械方向（ＭＤ）とすることに加えて、ＳＵＬをAntiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ−ＳＵＬ」という。）とした磁気記録媒体について説明する。
【００７１】
［３．２  磁気記録媒体の構成］
図６に示すように、本技術の第３の実施形態に係る磁気記録媒体２１０は、ＡＰＣ−ＳＵＬ２１３を備える点において、第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０とは異なっている。なお、第３の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７２】
ＡＰＣ−ＳＵＬ２１３は、薄い中間層２１３ｂを介して２つの軟磁性層２１３ａ、２１３ｃを積層し、中間層２１３ｂを介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行に結合させた構造を有している。軟磁性層２１３ａ、２１３ｃの膜厚は略同一であることが好ましい。軟磁性層２１３ａ、２１３ｃのトータルの膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。４０ｎｍ以上であると、より良好な記録再生特性を得ることができる。一方、７０ｎｍ以下であると、ＡＰＣ−ＳＵＬ２１３の成膜時間による生産性の低下を抑制できる。軟磁性層２１３ａ、２１３ｃの材料は同一の材料であることが好ましく、その材料としては第１の実施形態におけるＳＵＬ１３と同様の材料を用いることができる。中間層２１３ｂの膜厚は、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。中間層２１３ｂの膜厚を０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下の範囲内に選択することで、上下の軟磁性層２１３ａ、２１３ｃ間の反平行交換結合を十分なものとし、より良好な記録再生特性を得ることができる。中間層２１３ｂの材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、ＲｈおよびＲｅなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられ、特に、Ｒｕを含んでいるものが好ましい。
【００７３】
磁気記録媒体１０の機械方向（ＭＤ）Ｄ１の角型比Ｓｑ１が、磁気記録媒体１０の幅方向（ＴＤ）の角型比Ｓｑ２以下または未満である（Ｓｑ１＜Ｓｑ２またはＳｑ１≦Ｓｑ２）。また、磁気記録媒体２１０の機械方向（ＭＤ）および幅方向（ＴＤ）の角型比がいずれも、３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下、更により好ましくは５％以下である。これにより、更に優れた記録再生特性を得ることができる。
【００７４】
ＡＰＣ−ＳＵＬ２１３では、上下の軟磁性層２１３ａ、２１３ｃ間の反平行交換結合により、磁化容易軸Ａ２の方向の残留磁化がキャンセルされるため、残留磁化が０に近くなる傾向がある。このため、ＡＰＣ−ＳＵＬ２１３では、機械方向（ＭＤ）Ｄ１の角型比Ｓｑ１と幅方向（ＴＤ）Ｄ２の角型比Ｓｑ２とが等しくなる、またはほぼ等しくなる傾向が高い。
【００７５】
［３．３  効果］
第３の実施形態に係る磁気記録媒体２１０では、ＡＰＣ−ＳＵＬ２１３を用いているので、上層部である軟磁性層２１３ａと下層部である軟磁性層２１３ｃとが反平行に交換結合し、残留磁化状態で上下層トータルの磁化量はゼロなる。これにより、ＡＰＣ−ＳＵＬ２１３中の磁区が動いた場合に発生する、スパイク状のノイズの発生を抑えることができる。したがって、記録再生特性を更に向上することができる。
【００７６】
［３．４  変形例］
第２の実施形態では、下地層１１４および中間層１１５の両方が２層構造を有する構成を例として説明したが、下地層および中間層の構成はこの例に限定されるものではない。例えば、下地層および中間層の両方が単層構造を有する構成としてもよいし、下地層および中間層のうちの一方が２層構造を有し、他方が単層構造を有する構成としてもよい。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。【００７８】
（実施例１）
（ＴｉＣｒ下地層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての長尺の高分子フィルム上にＴｉＣｒ下地層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ50Ｃｒ50ターゲット
到達真空度：５×１０-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ【００７９】
（ＳＵＬの成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ下地層上に単層構造のＳＵＬとしてＣｏＺｒＮｂ層を１００ｎｍ成膜した。この際、スパッタ装置のアノード−カソード間に、非磁性基体の幅方向（ＴＤ）に平行な磁力を作用させた。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
投入電力：９６ｍＷ／ｍｍ2
磁束密度：３ｍＴ【００８０】
（ＴｉＣｒ下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上にＴｉＣｒ下地層を３ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ50Ｃｒ50ターゲット
到達真空度：５×１０-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ【００８１】
（ＮｉＷ下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ下地層上にＮｉＷ下地層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
到達真空度：５×１０-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ【００８２】
（第１のＲｕ中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＮｉＷ下地層上に第１のＲｕ中間層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ【００８３】
（第２のＲｕ中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第１のＲｕ中間層上に第２のＲｕ中間層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ【００８４】
（磁気記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第２のＲｕ中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ2）磁気記録層を１４ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（Ｃｏ70Ｃｒ15Ｐｔ10）90−（ＳｉＯ2）10ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ【００８５】
（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ2）磁気記録層上にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ【００８６】
（トップコート層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。以上により、目的とする磁気テープが得られた。【００８７】
（実施例２）
ＳＵＬの成膜工程において、長尺の高分子フィルムの幅方向（ＴＤ）に作用させる磁力の磁束密度を４．５ｍＴに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【００８８】
（実施例３、４、５）
単層構造のＳＵＬに代えて、ＡＰＣ−ＳＵＬを成膜する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。ＡＰＣ−ＳＵＬは、具体的には以下のようにして成膜された。【００８９】
（第１の軟磁性層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ下地層上に第１の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を５０ｎｍ成膜した。この際、スパッタ装置のアノード−カソード間に、長尺の高分子フィルムの幅方向（ＴＤ）に平行な磁力を作用させた。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
磁束密度：４．５ｍＴ【００９０】
（Ｒｕ中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上にＲｕ中間層を０．３ｎｍ、１．０ｎｍ、１．５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．３Ｐａ【００９１】
（第２の軟磁性層）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ中間層上に第２の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を５０ｎｍ成膜した。この際、スパッタ装置のアノード−カソード間に、長尺の高分子フィルムの幅方向（ＴＤ）に平行な磁力を作用させた。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
磁束密度：４．５ｍＴ【００９２】
（実施例６）
ＴｉＣｒ下地層とＮｉＷ下地層とにより構成された２層構造の下地層に代えて、ＴｉＣｒ下地層のみにより構成された単層構造の下地層を成膜した。また、第１のＲｕ中間層と第２のＲｕ中間層とにより構成された２層構造の中間層に代えて、第２のＲｕ中間層のみからなる単層構造の中間層を成膜した。これ以外のことは、実施例５と同様にして磁気テープを得た。【００９３】
（実施例７、８）
ＳＵＬとしてのＣｏＺｒＮｂ層の膜厚を５０ｎｍ、３３ｎｍにする以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【００９４】
（比較例１）
ＳＵＬの成膜工程において、投入電力を４０ｍＷ／ｍｍ2とし、かつ非磁性基体のＴＤ方向に平行な磁力の磁束密度を２ｍＴとする以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【００９５】
（比較例２）
ＳＵＬの成膜工程において、投入電力を５５ｍＷ／ｍｍ2とし、かつ非磁性基体のＴＤ方向に平行な磁力の磁束密度を２ｍＴとする以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【００９６】
（比較例３）
ＳＵＬの成膜工程において、非磁性基体のＴＤ方向に平行な磁力の磁束密度を２ｍＴとする以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【００９７】
（比較例４）
ＳＵＬの成膜工程において、磁力の方向を長尺の高分子フィルムの幅方向（ＴＤ）から機械方向（ＭＤ）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【００９８】
（特性評価）
上述のようにして得られた実施例１〜８、比較例１〜４の磁気テープについて、以下の評価を行った。【００９９】
（磁気特性）
磁気テープのＴＤ方向およびＭＤ方向の角型比をＶＳＭを用いて、１０ｋＯｅ以上の磁界を印加して測定した。図７Ａ〜図７Ｃに、実施例３〜６、比較例１〜３、実施例１、２、７、８および比較例４の磁気テープのヒステリシスループを示す。【０１００】
ＳＵＬと記録層とを有する磁気テープでは、磁気テープの角型比はＳＵＬ単体の角型比Ｓｑとほぼ同じとなることが、以下のようにして説明される。ここでは、実施例２の磁気テープを例として説明する。試料サイズは、直径６．３５ｍｍの円形である。ＳＵＬ単体の飽和磁化量Ｍｓと試料体積Ｖの積であるＭｓＶ（ＳＵＬ）と残留飽和磁化量Ｍｒと試料体積Ｖの積であるＭｒＶ（ＳＵＬ）は磁化困難軸方向において、それぞれ、ＭｓＶ（ＳＵＬ）：２．７１ｍｅｍｕ、ＭｒＶ（ＳＵＬ）：０．２７ｍｅｍｕとなる。したがって、その角型比Ｓｑ（ＳＵＬ）＝ＭｒＶ（ＳＵＬ）／ＭｓＶ（ＳＵＬ）＝０．１（１０％）となる。【０１０１】
また、記録層単体のＭｓ（Ｒｅｃ．）とＭｒＶ（Ｒｅｃ．）は、それぞれ、ＭｓＶ（Ｒｅｃ．）：０．２ｍｅｍｕ、Ｍｒ（Ｒｅｃ．）：０．０１ｍｅｍｕである。ＳＵＬと記録層が共に存在する状態で測定した場合、飽和磁化量ＭｓＶ（Ｔｏｔ．）と残留磁化量ＭｒＶ（Ｔｏｔ．）は、それぞれ、ＭｓＶ（Ｔｏｔ．）：２．７３ｍｅｍｕ、ＭｒＶ（Ｔｏｔ．）０．２８ｅｍｕである。したがって、その角型比Ｓｑ（Ｔｏｔ．）は０．１０２（約１０％）となり、磁気テープの角型比は、ＳＵＬ単体の場合の角型比Ｓｑ（ＳＵＬ）とほぼ同じとなることがわかる。【０１０２】
（記録再生特性）
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、Single Pole型の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。１００Ｇｂ／ｉｎ2を超える高記録密度記録領域では、垂直磁気記録媒体であっても主に記録の問題で、十分な記録再生特性を実現することが難しく、垂直方向に急峻な磁界を発生できる単磁極（Single Pole Type：ＳＰＴ）ヘッドとＳＵＬを有する２層垂直記録媒体の組み合わせが必要である。また、巨大磁気抵抗ヘッドに比べて磁気抵抗変化率が大きく再生感度の高いトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドも必要と思われる。そのような理由から、ここでは、ＳＰＴ記録ヘッドとＴＭＲ再生ヘッドによる評価を実施した。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は７５ｎｍとした。次に、記録波長を３００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のピーク・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜６００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。次に、下記の基準に基づき、求めたＳＮＲを３段階で評価し、その結果を表３に示した。なお、表３中の「×」印、「○」印、「◎」印は、下記の基準に対応している。
×：ＳＮＲが１６ｄＢ未満である
○：ＳＮＲが１６ｄＢ以上１９ｄＢ未満である
◎：ＳＮＢが１９ｄＢ以上である
一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、波形等化やエラー補正を処理した後のＳＮＲ（所謂ディジタルＳＮＲ）において、１６ｄＢ程度といわれている。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは１９ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。
【０１０３】
なお、本実施例の磁気テープでは、線記録密度が６００ｋＢＰＩ（Bit Per Inch）であり、トラックピットを再生ヘッドのトラック幅の２倍として、トラック密度が１６９ｋＴＰＩ（Tracks Per Inch）であると考えると、６００ｋＢＰＩ×１６９ｋＴＰＩ＝１０１Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度を実現できることになる。  【０１０４】
表１に、実施例１〜８、比較例１〜４の磁気テープの磁気記録層、中間層、下地層の構成を示す。
【表１】
0006531764.tif 000008
【０１０５】
表２に、実施例１〜８、比較例１〜４の磁気テープのＳＵＬ層の構成を示す。
【表２】
0006531764.tif 000009
【０１０６】
表３に、実施例１〜８、比較例１〜４の磁気テープの磁気特性および記録再生特性の評価結果を示す。
【表３】
0006531764.tif 000010
【０１０７】
上記評価結果から以下のことがわかる。
機械方向の角型比を３０％以下にすると、ＳＮＲを１６％以上にできる。機械方向および幅方向の角型比の両方を１０％以下にすると、ＳＮＲを１９％以上にできる。機械方向および幅方向の角型比の両方を１０％以下とするためには、ＳＵＬをＡＰＣ−ＳＵＬとし、中間層および下地層を２層構造とすることが好ましい。【０１０８】
以上、本技術の実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。【０１０９】
例えば、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。【０１１０】
また、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。【０１１１】
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
可撓性を有する長尺の基体と、軟磁性層と、磁気記録層とを備え、
上記基体の長手方向の角型比は、上記基体の短手方向の角型比以下または未満であり、
上記基体の長手方向の角型比が３０％以下である磁気記録媒体。
（２）
上記基体の長手方向および短手方向の角型比がいずれも１０％以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
上記基体の長手方向および短手方向の角型比がいずれも５％以下である（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
上記軟磁性層の磁化容易軸の方向は、上記基体の長手方向である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
上記軟磁性層は、第１の軟磁性層と、中間層と、第２の軟磁性層とを備える（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
上記第１の軟磁性層および上記第２の軟磁性層の磁化容易軸の方向がいずれも、上記基体の長手方向である（５）に記載の磁気記録媒体。
（７）
上記軟磁性層と上記磁気記録層の間に設けられた下地層および中間層の少なくとも一方の層をさらに備える（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
上記下地層は、ＴｉおよびＣｒを含んでいる（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）
上記下地層は、第１の下地層と第２の下地層とを備える（７）に記載の磁気記録媒体。
（１０）
上記第１の下地層は、上記軟磁性層側に設けられ、ＴｉおよびＣｒを含み、
上記第２の下地層は、上記中間層側に設けられ、ＮｉおよびＷを含んでいる（９）に記載の磁気記録媒体。
（１１）
上記中間層は、Ｒｕを含んでいる（７）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
上記中間層は、第１の中間層と第２の中間層とを備える（７）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１３）
上記第１の中間層および上記第２の中間層は、Ｒｕを含んでいる（１２）に記載の磁気記録媒体。
（１４）
上記記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
上記基体および上記軟磁性層の間に設けられた下地層をさらに備え、
上記下地層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含んでいる（１）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
上記基体は、フィルムである（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む潤滑層をさらに備える（１）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（１）：
【化１】
0006531764.tif 000011
（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
（１８）
下記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含む潤滑層をさらに備える（１）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（２）：
【化２】
0006531764.tif 000012
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
【化３】
0006531764.tif 000013
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
（１９）
Ｒｆは、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０である、飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素である（１７）または（１８）に記載の磁気記録媒体。
【符号の説明】
【０１１２】
１０    磁気記録媒体
１１    基体
１２、１４    下地層
１４ａ    第１の下地層
１４ｂ    第２の下地層
１３  軟磁性裏打ち層
１５    中間層
１５ａ    第１の中間層
１５ｂ    第２の中間層
１６    磁気記録層
１７    保護層
【図１】
0006531764.tif 000017
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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