(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の製造方法であって、
表面に電子素子が形成される基板を搬送するための搬送用基板において、前記基板との接合予定面に、無機材料層を形成する無機材料層形成工程と、
前記無機材料層形成工程の後、希ガス又は不活性ガス下で前記無機材料層に表面処理を施す表面処理工程と、
無機材料層の上にワニスを塗布する塗布工程と、
ワニスをフィルム状にするための焼成工程と、
フィルム状になった基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程と、を備え、
前記無機材料層の材質がシリコンであることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
ワニスの塗布環境が窒素ガスで置換された雰囲気でなされる請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
剥離工程の前、焼成されフィルム状になったワニスに対して紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
紫外線照射工程において、波長３５０〜３８０ｎｍの紫外線を照射することを特徴とする請求項３に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
紫外線照射工程において、波長２４０〜２７０ｎｍの紫外線を照射することを特徴とする請求項３に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
無機材料層形成工程の前、搬送用基板の無機材料層が形成される面に表面活性化処理を施す表面活性化処理工程をさらに備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
ワニスの塗布環境が窒素環境下で行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
搬送基板に形成される無機材料層の厚みが１００ｎｍ以下である請求項１から７のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
無機材料層形成環境が１０−８ｐａ以下の圧力である請求項１から８のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
基板の製造方法であって、
表面に電子素子が形成される基板を搬送するための搬送用基板において、前記基板との接合予定面に、銅からなる層を形成する無機材料層形成工程と、
前記無機材料層形成工程の前、搬送用基板の無機材料層が形成される面に表面活性化処理を施す表面活性化処理工程と、
前記無機材料層形成工程の後、前記無機材料層に表面処理を施す表面処理工程と、
無機材料層の上にワニスを塗布する塗布工程と、
ワニスをフィルム状にするための焼成工程と、
焼成されフィルム状になったワニスに対して紫外線を照射する紫外線照射工程と、
フィルム状になった基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程とを備え、
前記塗布工程が窒素環境下で行われることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
基板の製造方法であって、
表面に電子素子が形成される基板を搬送するための搬送用基板において、前記基板との接合予定面に、シリコンからなる層を形成する無機材料層形成工程と、
前記無機材料層に、表面処理を施す表面処理工程と、
前記表面処理工程の後、前記表面処理が施された無機材料層上に、さらにＳｉＯ２からなる第二の無機材料層を形成する工程と、
前記第二の無機材料層の上にワニスを塗布する塗布工程と、
ワニスをフィルム状にするための焼成工程と、
フィルム状になった基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程とを備え、
下記（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つの工程を、さらに含むことを特徴とする基板の製造方法。
（１）前記無機材料層形成工程の前、搬送用基板の無機材料層が形成される面に表面活性化処理を施す表面活性化処理工程。
（２）前記第二の無機材料層に、希ガス又は不活性ガス下で表面処理を施す表面処理工程。
（３）焼成されフィルム状になったワニスに対して紫外線を照射する紫外線照射工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子が搭載された基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、その表面に電子素子が搭載・形成された基板の製造が盛んになっている。その製造に際して、薄型基板の場合、基板を担持する種々の方法が提案されている。
【０００３】
特に、基板に柔軟性を与えたフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造においては、搬送用基板上に薄型基板を固定し、その状態で電子素子の搭載・形成工程（プロセス）を経る。この製造方法では、例えば、以下のようなプロセスを含む。
【０００４】
１）搬送ガラス基板に液体ポリイミド（ワニス）をコーティングする。
２）その後３００℃から５００℃の温度で、数時間かけて焼成し、ポリイミドフィルムを作成する。
３）ポリイミドは水分を透過し易いフィルムであるため、その上にさらに多層の無機・有機薄膜を作成し、水分を遮断する機能を付加する工程がある場合がある。
４）最終的に、搬送ガラス基板からポリイミドフィルムを剥がすために、搬送ガラス基板裏面からレーザー照射をする。またこのレーザー照射により、効率的にフィルムとガラスを剥がすために無機膜を予め、蒸着する場合がある。この場合、この無機膜は犠牲膜と呼ばれレーザーに反応し、無機膜内部の酸素、水分等が反応することにより剥離を加速させることを目指す場合もある。ただしこのような無機膜は、その膜そのものでは、剥離効果を持たない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の工程で最も問題になるのは剥離工程である。液状であるワニスを焼成してフィルム状にするため、搬送用基板とワニス面が固着する。これは犠牲膜としての無機膜を中間膜として入れても固着は避けられない。そのためパネル完成後、搬送基板からフィルムを剥離するのに搬送基板裏面よりレーザ照射を必要とする。このレーザー照射設備は過大な設備投資を必要とするばかりではなく、レーザー照射による損傷・歩留まり低下の問題も大きな問題となっており、フレキシブル有機ＥＬディスプレイ普及の最大の障害となっている。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、低コストで、損傷・歩留まり低下を抑えた基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、基板の製造方法であって、表面に電子素子が形成される基板を搬送するための搬送用基板において、該基板との接合予定面に、無機材料層を形成する無機材料層形成工程と、無機材料層の上にワニスを塗布する塗布工程と、ワニスをフィルム状にするための焼成工程と、フィルム状になった基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、無機材料層形成工程の後、無機材料層に表面処理を施す表面処理工程をさらに備える。
【０００９】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、ワニスの塗布環境が窒素ガスで置換された雰囲気でなされる。
【００１０】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、剥離工程の前、焼成されフィルム状になったワニスに対して紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに備える。
【００１１】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、紫外線照射工程において、波長３５０〜３８０ｎｍの紫外線を照射する。
【００１２】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、紫外線照射工程において、波長２４０〜２７０ｎｍの紫外線を照射する。
【００１３】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、無機材料層形成工程の前、搬送用基板の無機材料層が形成される面に表面活性化処理を施す表面活性化処理工程をさらに備える。
【００１４】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、ワニスの塗布環境が窒素環境下で行われる。
【００１５】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、搬送基板に形成される無機材料層の厚みが１００ｎｍ以下である。
【００１６】
本発明の一態様によれば、上記の基板の製造方法において、無機材料層形成環境が１０−８ｐａ以下の圧力である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、低コストで、損傷・歩留まり低下を抑えた基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】剥離試験器の概略を説明する図である。
【図２】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図３】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図４】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図５】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図６】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図７】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図８】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図９】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１０】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１１】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１２】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１３】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１４】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１５】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１６】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１７】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１８】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図１９】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図２０】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図２１】基板処理条件及び焼成・剥離条件を示す図である。
【図２２】試験結果の一覧を示す図である。
【図２３】因子と試験結果とを比較する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、実施形態を挙げて本発明を説明するが、本発明がこれらの具体的な実施形態に限定されないことは自明である。
【００２０】
［実施形態１］
本発明によれば、基板の製造方法であって、表面に電子素子が形成されるフィルム基板を搬送するための搬送用基板において、該基板との接合予定面に、無機材料層を形成する無機材料層形成工程と、無機材料層の上にワニスを塗布する塗布工程と、そのワニスをフィルム状にするための焼成工程とフィルム状になった基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法が提供される。
【００２１】
搬送用基板は、表面に電子素子が形成される基板を搬送するためのものであって、板状又はフィルム状のガラス、耐熱性フィルム、ウエハー又はこれらの複合材料により構成されていてもよい。搬送用基板は、シート状又はロール状に巻かれた形で提供されてもよい。搬送用基板は、既設の設備を使えるという観点から、厚みが０．１ｍｍ以上１．１ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
基板上に形成される電子素子は、ＴＦＴや有機ＥＬ素子等が挙げられるが、これらに限定はされない。電子素子が、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）である場合、その形成プロセス等において、３００℃から５００℃程度の加熱工程がある。
【００２３】
（無機材料層形成工程）
本実施形態に係る基板の製造方法では、搬送用基板において、基板との接合予定面に、無機材料層を形成する無機材料層形成工程を含む。
この無機材料は材料内部に酸素分や水分を含まないか、または極端に少ないことが要求される。また無機材料形成後の平坦性はＲａ５０ｎｍ以下である事が好ましい。
【００２４】
無機材料層は、金属、半導体、窒化物、窒化酸化物、酸化物及び炭化物からなる群から選択される無機材料を主成分として形成するようにしたものである。無機材料層としては、アルミニウム（Ａｌ）やニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）などの遷移金属を含む金属、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）を含むはんだ合金又はこれらの合金、シリコン（Ｓｉ）などの半導体、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）など炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）などの窒化物、窒化酸化物、酸化物又は炭化物を採用することができる。特に、無機材料層としては、シリコンが好ましい。。
【００２５】
無機材料層は、プラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）やスパッタ蒸着など堆積方法で形成されることが好ましいが、これに限られない。また、所定の無機材料をプラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）やスパッタ蒸着などで所定の無機材料を堆積させることで無機材料層を形成する際に、当該所定の無機材料以外の無機材料を混合させてもよい。たとえば、粒子ビームをスパッタターゲットに照射することで、スパッタターゲットの所定の無機材料を当該スパッタターゲットから放出させてスパッタ蒸着を行う際に、粒子ビームの経路に当該所定の無機材料以外の無機材料からなるターゲットを配置してもよい。これにより、所定の無機材料に当該所定の無機材料以外の無機材料が混合した混合無機材料をスパッタ蒸着することができる。たとえば、上記所定の無機材料をシリコン（Ｓｉ）とし、上記所定の無機材料以外の無機材料を鉄（Ｆｅ）などの遷移金属としてもよい。
【００２６】
また、無機材料層は、加熱工程や洗浄工程等を経た後、容易に剥がれる状態に膜厚、膜質が調整されることがより好ましい。
【００２７】
本実施形態に係る基板の製造方法では、搬送基板に形成される無機材料層の厚みが１００ｎｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは、１０ｎｍ以下である。無機材料層の厚みをこの範囲とすることで、無機材料層の表面の粗さが抑制され、ワニスとの接合強度が適切となる。
【００２８】
本実施形態に係る基板の製造方法では、無機材料層形成環境が１０−８ｐａ以下の圧力であることが好ましい。
【００２９】
（塗布工程）
本実施形態に係る基板の製造方法では、無機材料層の上にワニスを塗布する塗布工程を含む。
【００３０】
ワニスは、耐熱性を有するポリマーなどであることが好ましい。具体的には、ワニスとしては、ポリイミド系樹脂が好ましい。
ワニスの塗布方法は、特に限定されないが、スリットコーターであることが好ましい。ワニスは、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液として塗布されることが好ましい。またイミド化したポリイミド溶液であってもよい。このワニスを基材に塗布し、高温で焼きつけることにより溶媒が除去されるとともに、イミド化反応が進み、不溶不融で、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性に優れたポリイミド被膜となる。
【００３１】
ワニスの塗布は、無機膜形成後、２４時間以内に大気雰囲気でなされることがより好ましい。さらに好ましくは、ワニスの塗布が無機膜形成後に１２時間以内に大気雰囲気でなされる。
【００３２】
本実施形態に係る基板の製造方法では、ワニスの塗布環境は、窒素ガスで置換された雰囲気でなされることが好ましい。
【００３３】
（焼成工程）
本実施形態に係る基板の製造方法では、搬送基板に塗布されたワニスをフィルム状にするための焼成工程を含む。焼成によりフィルムは搬送基板に固着される。
【００３４】
（剥離工程）
本実施形態に係る基板の製造方法では、基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程を含む。
【００３５】
（表面処理工程）
本実施形態に係る基板の製造方法では、無機材料層形成工程の後、無機材料層に表面処理を施す表面処理工程をさらに備えることがより好ましい。
【００３６】
本実施形態に係る基板の製造方法では、表面処理工程が、希ガス又は不活性ガスのスパッタリングによるものであることがより好ましい。具体的には、スパッタリングは、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、Ｎ２ガスで行われることがより好ましい。
【００３７】
（複数無機材料層形成工程）
【００３８】
本実施形態に係る基板の製造方法では、表面処理工程の後、表面処理が施された無機材料層上に、さらに無機材料層を形成する無機材料層形成工程をさらに備えてもよい。この場合、無機材料層は、第二無機材料層、第三無機材料層として、より好ましくは、隣接する層と異なる材料から構成される。例えば、無機材料層がＳｉであり、第二無機材料層がＳｉＯ２であることがより好ましい。無機材料層が複数形成される場合には、より好ましくは、これらの無機材料層間で剥離が生じる。また、それぞれの無機材料が各々異なる酸素量、水分量を持つことにより、層間での剥離を生じさせやすくすることも可能である。
【００３９】
（紫外線照射工程）
本実施形態に係る基板の製造方法では、剥離工程の前、ワニスに対して紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに備えることがより好ましい。
【００４０】
本実施形態に係る基板の製造方法では、紫外線照射工程において、波長３５０〜３８０ｎｍの紫外線を照射することがより好ましい。あるいは、波長２４０〜２７０ｎｍの紫外線を照射することがより好ましい。
【００４１】
（表面活性化処理工程）
本実施形態に係る基板の製造方法では、無機材料層形成工程の前、搬送用基板の無機材料層が形成される面に表面活性化処理を施す表面活性化処理工程をさらに備えてもよい。
表面活性化処理工程は、所定の運動エネルギーを備える粒子を照射することで活性化させる表面活性化工程であってもよい。所定の運動エネルギーを有する粒子を衝突させて、接合面を形成する物質を物理的に弾き飛ばす現象（スパッタリング現象）を生じさせることで、酸化物や汚染物など表面層を除去し、表面エネルギーの高い、すなわち活性な無機材料の新生表面を露出させることができる。
【００４２】
表面活性化処理に用いる粒子として、例えば、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）などの希ガス又は不活性ガスを採用することができる。これらの希ガスは、衝突される接合面を形成する物質と化学反応を起こしにくいので、化合物を形成するなどして、接合面の化学的性質を大きく変化させることはない。
表面活性化される接合面に衝突させる粒子には、粒子ビーム源やプラズマ発生装置を用いて、粒子を接合面に向けて加速することで所定の運動エネルギーを与えることができる。
【００４３】
表面活性化される接合面に衝突させる粒子の運動エネルギーは、１ｅＶから２ｋｅＶであることが好ましい。上記の運動エネルギーにより、効率的に表面層におけるスパッタリング現象が生じると考えられる。除去すべき表面層の厚さ、材質などの性質、新生表面の材質などに応じて、上記運動エネルギーの範囲から所望の運動エネルギーの値を設定することもできる。
【００４４】
粒子ビーム源を用いて、粒子に所定の運動エネルギーを与えることもできる。粒子ビーム源は、例えばバックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ（パスカル）以下などの、比較的高い真空中で作動する。比較的高い真空に引くために真空ポンプの作動により、金属領域の表面から除去された物質が効率よく雰囲気外へ排気される。これにより、露出された新生表面への望ましくない物質の付着を抑制することができる。さらに、粒子ビーム源は、比較的高い加速電圧を印加することができるので、高い運動エネルギーを粒子に付与することができる。したがって、効率よく表面層の除去及び新生表面の活性化を行うことができると考えられる。
あるいは、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で表面活性化処理を行ってもよい。
【００４５】
粒子ビーム源として、イオンビームを放射するイオンビーム源や中性原子ビームを放射する中性原子ビーム源を用いることができる。イオンビーム源としては、コールドカソード型イオン源を用いることができる。
中性原子ビーム源としては、高速原子ビーム源（ＦＡＢ，Ｆａｓｔ  Ａｔｏｍ  Ｂｅａｍ）を用いることができる。高速原子ビーム源（ＦＡＢ）は、典型的にプラズマを発生させ、このプラズマに電界を掛けて、プラズマから電離した粒子の陽イオンを摘出し電子雲の中を通過させて中性化する構成を有している。この場合、例えば、希ガスとしてアルゴン（Ａｒ）の場合、高速原子ビーム源（ＦＡＢ）への供給電力を、１．５ｋＶ（キロボルト）、１５ｍＡ（ミリアンペア）に設定してもよく、あるいは０．１から５００Ｗ（ワット）の間の値に設定してもよい。たとえば、高速原子ビーム源（ＦＡＢ）を１００Ｗ（ワット）から２００Ｗ（ワット）で稼動してアルゴン（Ａｒ）の高速原子ビームを２分ほど照射すると、接合面の上記酸化物、汚染物等（表面層）は除去され、新生表面を露出させることができる。
【００４６】
本発明において、表面活性化に用いられる粒子は、中性原子又はイオンでもよく、さらには、ラジカル種でもよく、またさらには、これらが混合した粒子群でもよい。
各プラズマ又はビーム源の稼動条件、又は粒子の運動エネルギーに応じて、表面層の除去速度は変化しえる。そこで、表面活性化処理に必要な処理時間を調節する必要がある。例えば、オージェ電子分光法（ＡＥＳ，Ａｕｇｅｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）やＸ線光電子分光法（ＸＰＳ，Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）などの表面分析法を用いて、表面層に含まれる酸素や炭素の存在が確認できなくなる時間又はそれより長い時間を、表面活性化処理の処理時間として採用してもよい。
【００４７】
プラズマ発生装置を用いて、粒子に所定の運動エネルギーを与えることもできる。基板の接合面に対して、交番電圧を印加することで、接合面の周りに粒子を含むプラズマを発生させ、プラズマ中の電離した粒子の陽イオンを、上記電圧により接合面に向けて加速させることで、所定の運動エネルギーを与える。プラズマは数パスカル（Ｐａ）程度の低真空度の雰囲気で発生させることができるので、真空システムを簡易化でき、かつ真空引きなどの工程を短縮化することができる。
【００４８】
従来、一度使用した搬送用基板は使い捨てであったが、上記実施形態の製造方法によれば、レーザー照射等の基板にダメージを与えなく、また有機系接着剤を使用していないという理由より、搬送用基板を再利用することができるという利点もある。
【００４９】
またスパッタで形成された無機材料層は、イオンビームにより搬送用基板から簡単に除去できるという利点がある。
【００５０】
以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態の各構成を組み合わせることも本発明に含まれることは自明である。
【実施例】
【００５１】
以下に、本発明の実施例を示す。
【００５２】
下記実施例では、常温接合装置によってガラス基板へ無機材料層の成膜処理を行い、その基板上へワニスを塗布した。ワニスを焼成後、剥離試験を行い成膜の条件等による剥離強度を検証した。私見の手順としては、概ね、「ガラス基板成膜処理→ワニス塗布→仮焼成→本焼成→剥離試験」とした。試験の条件は以下の通りである。
【００５３】
ガラス基板：無アルカリガラス（１００×１００）  ＯＡ−１０Ｇ
【００５４】
（ワニスの塗布）
ワニス：宇部興産株式会社製（Ｕ−Ｖａｎｉｓｈ−Ｓ）
スリットコーター：東京エレクトロン株式会社製
塗布条件：塗布圧狙い１０μｍ
塗布範囲９０ｍｍ×７０ｍｍ
【００５５】
（剥離膜成膜）
常温接合装置：ランテクニカルサービス株式会社製
試験条件：試験は［表１］のＬ１８直行表を使用し、［表２］に記載される各条件で２サンプルづつ製作した。Ｂ：中間膜の種類のＳｉＯ２の成膜回数は１０ｓｃａｎとした。１ｓｃａｎで、約１．５ｎｍ〜２ｎｍの膜が形成される。
【００５６】
【表１】
0006531031.tif 000002
【００５７】
【表２】
0006531031.tif 000003
【００５８】
（仮焼成）
ホットプレート：アズワン株式会社製  ＥＨＰ−２５０Ｎ
余熱：９０℃  ５分
本焼成９０℃  １０分
【００５９】
（本焼成及び追加焼成）
焼成炉：株式会社デンケン製  ＫＤＦ−９００ＧＬ
焼成条件：ワニスメーカー推奨の温度プログラムによる（昇温時間は、１０分／５０℃を基準に設定）
【００６０】
（剥離強度試験）
複合材料試験機：インストロン株式会社製  ５８６５
剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ
剥離サイズ：６０ｍｍ  （幅）
剥離試験方法：
・焼成後のワニスの片側を５ｍｍ程度剥離し、ガラス基板にカプトンテープで貼りつける。
・ワニス塗布基板を下側チャックで固定し、ガラス基板にカプトンテープで貼り合せた反対側を上側チャックで固定する。
・剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで剥離を行い、完全に剥離した状態で剥離を終了する。
【００６１】
（ＵＶ照射）
ＵＶ照射器：ランテクニカルサービス株式会社製  ＯＤＦ貼り合わせ装置
ＵＶ照射条件：
波長１（２５４ｎｍ）    ２３．５ｍＷ／ｃｍ２     ２０分  ２８，２００ｍＪ／ｃｍ２
波長２（３６５ｎｍ）    ４８．０ｍＷ／ｃｍ２     １０分  ２８，２００ｍＪ／ｃｍ２
下ステージ石英上中心にて照度計測した。点灯後１分で照度測定。ＵＶランプはメタルハライドランプを用い、カットフィルターにより波長を変更した。照射時間を調整することにより、総照射熱量を同等にした。
【００６２】
図２から図２１に、各試験の結果を示す。また、図２２に、試験結果の一覧を示す。表１で示される各因子と接合強度との関係は、図２３に示す関係性があると考察される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
0006531031.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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