(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、
上流ヒータと、供給流路と、複数の上流流路と、複数の吐出口と、複数の下流ヒータと、を含み、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給システムとを含み、
前記上流ヒータは、前記供給流路に供給される処理液を上流温度で加熱し、
前記供給流路は、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内し、
前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された処理液を前記複数の吐出口に向けて案内し、
前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含み、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路を介して供給された処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて吐出し、
前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口にそれぞれ接続された複数の副上流流路と、を含み、
前記複数の下流ヒータは、前記複数の副吐出口よりも上流の位置で前記複数の副上流流路のみにそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる処理液を前記上流温度よりも高温の下流温度で加熱することにより、前記主吐出口からは前記上流温度で加熱された前記処理液を、前記複数の副吐出口からは前記下流温度で加熱された前記処理液を前記基板の上面に向けて吐出させる、基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の下流ヒータによる処理液の加熱温度は、前記上流温度よりも高温であり、互いに異なっている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の下流ヒータは、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置された前記複数の副吐出口から吐出された処理液の温度が、前記回転軸線から離れるにしたがって段階的に増加するように、前記複数の副上流流路を流れる処理液を前記上流温度よりも高い温度で加熱する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板を収容するチャンバーをさらに備え、
前記複数の下流ヒータは、前記チャンバーの外に配置されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体ウエハ等の基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。前記基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面中央部に向けて室温よりも高温の処理液を吐出するノズルとを備えている。ノズルから吐出された高温の処理液は、基板の上面中央部に着液した後、回転している基板の上面に沿って外方に流れる。これにより、高温の処理液が基板の上面全域に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３４４９０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
回転している基板の上面中央部に着液した処理液は、基板の上面に沿って中央部から周縁部に流れる。その過程で、処理液の温度が次第に低下していく。そのため、温度の均一性が低下し、処理の均一性が悪化してしまう。ノズルから吐出される処理液の流量を増加させれば、処理液が基板の上面周縁部に達するまでの時間が短縮されるので、処理液の温度低下が軽減されるが、この場合、処理液の消費量が増加してしまう。
【０００５】
そこで、本発明の目的の一つは、基板に供給される処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給システムと、を含む、基板処理装置である。
前記処理液供給システムは、上流ヒータと、供給流路と、複数の上流流路と、複数の吐出口と、複数の下流ヒータと、を含む。前記上流ヒータは、前記供給流路に供給される処理液を上流温度で加熱する。前記供給流路は、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内する。前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された処理液を前記複数の吐出口に向けて案内する。前記複数の吐出口は、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路を介して供給された処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて吐出する。前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含む。前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口にそれぞれ接続された複数の副上流流路と、を含む。前記複数の下流ヒータは、前記複数の副吐出口よりも上流の位置で前記複数の副上流流路のみにそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる処理液を前記上流温度よりも高温の下流温度で加熱することにより、前記主吐出口からは前記上流温度で加熱された前記処理液を、前記複数の副吐出口からは前記下流温度で加熱された前記処理液を前記基板の上面に向けて吐出させる。
【０００７】
この発明によれば、処理液を案内する供給流路が、複数の上流流路に分岐している。これにより、吐出口の数を増加させることができる。供給流路を流れる処理液は、上流流路から吐出口に供給され、回転軸線まわりに回転する基板の上面に向けて吐出される。複数の吐出口は、回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されている。したがって、１つの吐出口だけに処理液を吐出させる場合と比較して、基板上の処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。
【０００８】
径方向に離れた複数の位置に向けて複数の吐出口に処理液を吐出させる場合、同一品質の処理液を基板の各部に供給することは、処理の均一性向上に対して重要である。吐出口ごとにタンクやフィルター等が設けられている場合、ある吐出口に供給される処理液とは品質が異なる処理液が他の吐出口に供給され得る。これに対して、本実施形態では、供給流路を分岐させ、同じ流路（供給流路）から供給された処理液を各吐出口に吐出させる。これにより、同一品質の処理液を各吐出口に吐出させることができる。さらに、吐出口ごとにタンクやフィルター等が設けられている構成と比較して、部品点数を削減でき、メンテナンス作業を簡素化できる。
【０００９】
処理液が基板よりも高温である場合、処理液の熱が基板に奪われる。また、基板と共に処理液が回転するので、基板上の処理液は、空気によって冷却されながら、基板の上面に沿って外方に流れる。基板の各部の周速は、回転軸線から離れるにしたがって増加する。基板上の処理液は、周速が大きいほど冷却され易い。また、基板の上面を径方向に等間隔で複数の円環状の領域に分割できると仮定すると、各領域の面積は、回転軸線から離れるにしたがって増加する。表面積が大きいと、処理液から円環状の領域に熱が移動し易い。そのため、吐出口から吐出される処理液の温度が全て同じであると、十分な温度の均一性が得られない場合がある。
【００１０】
この発明によれば、下流ヒータによって上流温度よりも高温の下流温度で加熱された処理液が、複数の副上流流路から複数の副吐出口に供給され、これらの吐出口から吐出される。つまり、上流温度の処理液が主吐出口から吐出される一方で、上流温度よりも高温の処理液が、複数の副吐出口から吐出される。このように、基板の上面に供給される処理液の温度が回転軸線から離れるにしたがって段階的に増加するので、同じ温度の処理液を各吐出口に吐出させる場合と比較して、基板上の処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。
請求項２に記載の発明は、前記複数の下流ヒータによる処理液の加熱温度は、前記上流温度よりも高温であり、互いに異なっている、請求項１に記載の基板処理装置である。
請求項３に記載の発明は、前記複数の下流ヒータは、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置された前記複数の副吐出口から吐出された処理液の温度が、前記回転軸線から離れるにしたがって段階的に増加するように、前記複数の副上流流路を流れる処理液を前記上流温度よりも高い温度で加熱する、請求項２に記載の基板処理装置である。
請求項４に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板を収容するチャンバーをさらに備え、前記複数の下流ヒータは、前記チャンバーの外に配置されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理液供給システムを示す模式図であり、吐出状態の処理液供給システムを示している。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理液供給システムを示す模式図であり、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。
【図３】基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な正面図である。
【図４】基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な平面図である。
【図５】複数のノズルを示す模式的な正面図である。
【図６】複数のノズルを示す模式的な平面図である。
【図７】基板処理装置によって実行される基板の処理の一例を説明するための工程図である。
【図８】基板のエッチング量の分布を示すグラフである。
【図９】前記実施形態の第１変形例に係る複数のノズルを示す模式的な平面図である。
【図１０】前記実施形態の第２変形例に係る複数のノズルを示す模式図である。図１０（ａ）は、複数のノズルを示す模式的な正面図であり、図１０（ｂ）は、複数のノズルを示す模式的な平面図である。
【図１１】処理前後における薄膜の厚みと基板に供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。
【図１２】複数の上流流路での薬液の温度の時間的変化の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１および図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の処理液供給システムを示す模式図である。図１は、吐出状態の処理液供給システムを示しており、図２は、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、演算部と記憶部とを含むコンピュータである。
【００１３】
基板処理装置１は、処理ユニット２に対する処理液の供給および供給停止を制御するバルブ５１等の流体機器を収容する複数の流体ボックス５と、流体ボックス５を介して処理ユニット２に供給される処理液を貯留するタンク４１を収容する複数の貯留ボックス６とを含む。処理ユニット２および流体ボックス５は、基板処理装置１のフレーム４の中に配置されている。処理ユニット２のチャンバー７と流体ボックス５とは、水平方向に並んでいる。貯留ボックス６は、フレーム４の外に配置されている。貯留ボックス６は、フレーム４の中に配置されていてもよい。
【００１４】
図３は、処理ユニット２の内部を示す模式的な正面図である。図４は、処理ユニット２の内部を示す模式的な平面図である。
図３に示すように、処理ユニット２は、箱型のチャンバー７と、チャンバー７内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１１と、基板Ｗから排出された処理液を受け止める筒状のカップ１５と含む。
【００１５】
図４に示すように、チャンバー７は、基板Ｗが通過する搬入搬出口８ａが設けられた箱型の隔壁８と、搬入搬出口８ａを開閉するシャッター９とを含む。シャッター９は、搬入搬出口８ａが開く開位置と、搬入搬出口８ａが閉じられる閉位置（図４に示す位置）との間で、隔壁８に対して移動可能である。図示しない搬送ロボットは、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７に基板Ｗを搬入し、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７から基板Ｗを搬出する。
【００１６】
図３に示すように、スピンチャック１１は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１３と、複数のチャックピン１３を回転させることにより回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンモータ１４とを含む。スピンチャック１１は、複数のチャックピン１３を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００１７】
図３に示すように、カップ１５は、スピンチャック１１を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガード１７と、スプラッシュガード１７を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む円筒状の外壁１６とを含む。処理ユニット２は、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも上方に位置する上位置（図３に示す位置）と、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも下方に位置する下位置との間で、スプラッシュガード１７を鉛直に昇降させるガード昇降ユニット１８を含む。
【００１８】
図３に示すように、処理ユニット２は、スピンチャック１１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル２１を含む。リンス液ノズル２１は、リンス液バルブ２３が介装されたリンス液配管２２に接続されている。処理ユニット２は、処理位置と待機位置との間でリンス液ノズル２１を移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。
【００１９】
リンス液バルブ２３が開かれると、リンス液が、リンス液配管２２からリンス液ノズル２１に供給され、リンス液ノズル２１から吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
【００２０】
図４に示すように、処理ユニット２は、薬液を下方に吐出する複数のノズル２６（第１ノズル２６Ａ、第２ノズル２６Ｂ、第３ノズル２６Ｃ、および第４ノズル２６Ｄ）と、複数のノズル２６のそれぞれを保持するホルダ２５と、ホルダ２５を移動させることにより、処理位置（図４で二点鎖線で示す位置）と待機位置（図４で実線で示す位置）との間で複数のノズル２６を移動させるノズル移動ユニット２４とを含む。
【００２１】
薬液の代表例は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）などのエッチング液や、ＳＰＭ（硫酸および過酸化水素水を含む混合液）などのレジスト剥離液である。薬液は、ＴＭＡＨおよびＳＰＭに限らず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、ＴＭＡＨ以外の有機アルカリ、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。
【００２２】
図３に示すように、各ノズル２６は、ホルダ２５によって片持ち支持されたノズル本体２７を含む。ノズル本体２７は、ホルダ２５から水平な長手方向Ｄ１に延びるアーム部２８と、アーム部２８の先端２８ａから下方に延びる先端部２９とを含む。アーム部２８の先端２８ａは、平面視においてホルダ２５から長手方向Ｄ１に最も遠い部分を意味する。
図４に示すように、複数のアーム部２８は、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で、長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並んでいる。複数のアーム部２８は、同じ高さに配置されている。配列方向Ｄ２に隣接する２つのアーム部２８の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図４は、複数のアーム部２８が等間隔で配置されている例を示している。
【００２３】
長手方向Ｄ１への複数のアーム部２８の長さは、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で短くなっている。複数のノズル２６の先端（複数のアーム部２８の先端２８ａ）は、長手方向Ｄ１に関して第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で並ぶように長手方向Ｄ１にずれている。複数のノズル２６の先端は、平面視で直線状に並んでいる。
ノズル移動ユニット２４は、カップ１５のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりにホルダ２５を回動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って複数のノズル２６を移動させる。これにより、処理位置と待機位置との間で複数のノズル２６が水平に移動する。処理ユニット２は、複数のノズル２６の待機位置の下方に配置された有底筒状の待機ポット３５を含む。待機ポット３５は、平面視でカップ１５のまわりに配置されている。
【００２４】
処理位置は、複数のノズル２６から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する位置である。処理位置では、複数のノズル２６と基板Ｗとが平面視で重なり、複数のノズル２６の先端が、平面視において、回転軸線Ａ１側から第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で径方向Ｄｒに並ぶ。このとき、第１ノズル２６Ａの先端は、平面視で基板Ｗの中央部に重なり、第４ノズル２６Ｄの先端は、平面視で基板Ｗの周縁部に重なる。
【００２５】
待機位置は、複数のノズル２６と基板Ｗとが平面視で重ならないように、複数のノズル２６が退避した位置である。待機位置では、複数のノズル２６の先端が、平面視でカップ１５の外周面（外壁１６の外周面）に沿うようにカップ１５の外側に位置し、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に並ぶ。複数のノズル２６は、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で、回転軸線Ａ１から遠ざかるように配置される。
【００２６】
次に、図５および図６を参照して、複数のノズル２６について説明する。その後、処理液供給システムについて説明する。
以下の説明では、第１ノズル２６Ａに対応する構成の先頭および末尾に、それぞれ「第１」および「Ａ」を付ける場合がある。たとえば、第１ノズル２６Ａに対応する上流流路４８を、「第１上流流路４８Ａ」という場合がある。第２ノズル２６Ｂ〜第４ノズル２６Ｄに対応する構成についても同様である。
【００２７】
また、以下の説明では、上流ヒータ４３による処理液の加熱温度を上流温度といい、下流ヒータ５３による処理液の加熱温度を下流温度という場合がある。第２下流ヒータ５３〜第４下流ヒータ５３による処理液の加熱温度を、それぞれ、第２下流温度〜第４加熱温度という場合もある。
図５に示すように、ノズル本体２７は、処理液を案内する樹脂チューブ３０と、樹脂チューブ３０を取り囲む断面筒状の芯金３１と、芯金３１の外面を覆う断面筒状の樹脂コーティング３２とを含む。第１ノズル２６Ａ以外の各ノズル２６は、さらに、ノズル本体２７の先端部２９に取り付けられたノズルヘッド３３を含む。
【００２８】
ノズル本体２７は、ノズル本体２７に沿って延びる１つの流路を形成している。ノズルヘッド３３は、ノズル本体２７から供給された処理液を案内する複数の流路を形成している。ノズル本体２７の流路は、ノズル本体２７の外面で開口する吐出口３４を形成している。ノズルヘッド３３の複数の流路は、ノズルヘッド３３の外面で開口する複数の吐出口３４を形成している。ノズル本体２７の流路は、後述する上流流路４８の一部に相当する。ノズルヘッド３３の各流路は、後述する下流流路５２に相当する。第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端は、回転軸線Ａ１からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されている。
【００２９】
図５および図６は、複数のノズル２６に設けられた吐出口３４の総数が、１０個である例を示している。第１ノズル２６Ａは、ノズル本体２７に設けられた１つの吐出口３４を含む。第１ノズル２６Ａ以外の各ノズル２６は、ノズルヘッド３３に設けられた３つの吐出口３４を含む。同一のノズルヘッド３３に設けられた３つの吐出口３４は、３つの吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１に最も近い内側吐出口と、３つの吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１から最も遠い外側吐出口と、内側吐出口と外側吐出口との間に配置された中間吐出口とによって構成されている。
【００３０】
図６に示すように、複数の吐出口３４は、平面視で直線状に並んでいる。両端の２つの吐出口３４の間隔は、基板Ｗの半径以下である。隣接する２つの吐出口３４の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。また、複数の吐出口３４は、同じ高さに配置されていてもよいし、２つ以上の異なる高さに配置されていてもよい。
【００３１】
複数のノズル２６が処理位置に配置されると、複数の吐出口３４は、回転軸線Ａ１からの距離（平面視での最短距離）が異なる複数の位置にそれぞれ配置される。このとき、複数の吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１に最も近い最内吐出口（第１吐出口３４Ａ）は、基板Ｗの中央部の上方に配置され、複数の吐出口３４のうちで回転軸線Ａ１から最も遠い最外吐出口（第４吐出口３４Ｄ）は、基板Ｗの周縁部の上方に配置される。複数の吐出口３４は、平面視で径方向Ｄｒに並ぶ。
【００３２】
第１ノズル２６Ａに設けられた第１吐出口３４Ａは、基板Ｗの上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口である。第１ノズル２６Ａ以外の各ノズル２６に設けられた第２吐出口３４Ｂ〜第４吐出口３４Ｄは、中央部以外の基板Ｗの上面の一部に向けて処理液を吐出する複数の副吐出口である。第１吐出口３４Ａに接続された第１上流流路４８Ａは、主上流流路であり、第２吐出口３４Ｂ〜第４吐出口３４Ｄに接続された第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄは、複数の副上流流路である。
【００３３】
図５に示すように、各吐出口３４は、基板Ｗの上面に対して垂直な吐出方向に薬液を吐出する。複数の吐出口３４は、基板Ｗの上面内の複数の着液位置に向けて薬液を吐出する。複数の着液位置は、回転軸線Ａ１からの距離が異なる別々の位置である。複数の着液位置のうちで回転軸線Ａ１に最も近い着液位置を第１着液位置といい、複数の着液位置のうちで２番目に回転軸線Ａ１に近い着液位置を第２着液位置というと、第１吐出口３４Ａから吐出された薬液は、第１着液位置に着液し、第２吐出口３４Ｂから吐出された薬液は、第２着液位置に着液する。
【００３４】
次に、図１および図２を参照して、処理液供給システムについて詳細に説明する。
処理液供給システムは、薬液を貯留する薬液タンク４１と、薬液タンク４１から送られた薬液を案内する薬液流路４２と、薬液流路４２内を流れる薬液を室温（たとえば２０〜３０℃）よりも高い上流温度で加熱することにより薬液タンク４１内の薬液の温度を調整する上流ヒータ４３と、薬液タンク４１内の薬液を薬液流路４２に送るポンプ４４と、薬液流路４２内の薬液を薬液タンク４１に戻す循環流路４０とを含む。
【００３５】
処理液供給システムは、薬液流路４２を開閉する供給バルブ４５と、循環流路４０を開閉する循環バルブ４６と、薬液流路４２に接続された供給流路４７とを含む。上流切替ユニットは、供給バルブ４５を含む。
処理液供給システムは、供給流路４７から供給された液体を複数の吐出口３４に向けて案内する複数の上流流路４８と、複数の上流流路４８内を流れる液体の流量を検出する複数の流量計４９と、複数の上流流路４８内を流れる液体の流量を変更する複数の流量調整バルブ５０と、複数の上流流路４８をそれぞれ開閉する複数の吐出バルブ５１とを含む。図示はしないが、流量調整バルブ５０は、流路を開閉するバルブ本体と、バルブ本体の開度を変更するアクチュエータとを含む。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。
【００３６】
処理液供給システムは、上流流路４８から供給された液体を複数の吐出口３４に向けて案内する複数の下流流路５２を含む。第１上流流路４８Ａ以外の各上流流路４８の下流端は、複数の下流流路５２に分岐している。つまり、第１上流流路４８Ａ以外の各上流流路４８は、複数の下流流路５２に分岐した分岐上流流路である。
図１および図２では、分岐上流流路が２つの下流流路５２に分岐している例を示している。図５では、分岐上流流路が３つの下流流路５２に分岐している例を示している。第２上流流路４８Ｂから分岐した３つの下流流路５２は、それぞれ、同じノズルヘッド３３に設けられた３つの吐出口３４（内側吐出口、中間吐出口、および外側吐出口）に接続されている。第３上流流路４８Ｃおよび第４上流流路４８Ｄについても、第２上流流路４８Ｂと同様である。第１上流流路４８Ａは、第１ノズル２６Ａに設けられた第１吐出口３４Ａに接続されている。
【００３７】
処理液供給システムは、第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８内を流れる液体を上流温度よりも高い下流温度で加熱する複数の下流ヒータ５３を含む。処理液供給システムは、さらに、複数の下流ヒータ５３よりも下流の位置で第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８にそれぞれ接続された複数のリターン流路５４と、複数のリターン流路５４をそれぞれ開閉する複数のリターンバルブ５５とを含む。下流切替ユニットは、複数の吐出バルブ５１と、複数のリターンバルブ５５とを含む。
【００３８】
処理液供給システムは、複数のリターン流路５４から供給された薬液を冷却するクーラー５６と、クーラー５６から薬液タンク４１に薬液を案内するタンク回収流路５７とを含む。複数のリターン流路５４からクーラー５６に供給された薬液は、クーラー５６によって上流温度に近づけられた後、タンク回収流路５７を介して薬液タンク４１に案内される。クーラー５６は、水冷ユニットまたは空冷ユニットであってもよいし、これら以外の冷却ユニットであってもよい。
【００３９】
次に、図１を参照して、複数の吐出口３４が薬液を吐出する吐出状態の処理液供給システムについて説明する。図１では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク４１内の薬液は、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られる。ポンプ４４によって送られた薬液は、上流ヒータ４３によって加熱された後、薬液流路４２から供給流路４７に流れ、供給流路４７から複数の上流流路４８に流れる。第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８（分岐上流流路）に供給された薬液は、下流ヒータ５３によって加熱された後、複数の下流流路５２に流れる。
【００４０】
第１上流流路４８Ａ内の薬液は、第１ノズル２６Ａに設けられた１つの第１吐出口３４Ａに供給される。第２上流流路４８Ｂ内の薬液は、複数の下流流路５２を介して、第２ノズル２６Ｂに設けられた複数の第２吐出口３４Ｂに供給される。第３上流流路４８Ｃおよび第４上流流路４８Ｄについても、第２上流流路４８Ｂと同様である。これにより、全ての吐出口３４から薬液が吐出される。
【００４１】
下流ヒータ５３による処理液の加熱温度（下流温度）は、上流ヒータ４３による処理液の加熱温度（上流温度）よりも高い。第２〜第４下流温度は、第２〜第４下流温度の順番で高くなっている。第１吐出口３４Ａは、上流温度の薬液を吐出する。各第２吐出口３４Ｂは、第２下流温度の薬液を吐出する。各第３吐出口３４Ｃは、第３下流温度の薬液を吐出し、各第４吐出口３４Ｄは、第４下流温度の薬液を吐出する。したがって、複数の吐出口３４から吐出される薬液の温度は、回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的に増加する。
【００４２】
次に、図２を参照して、複数の吐出口３４からの薬液の吐出が停止された吐出停止状態の処理液供給システムについて説明する。図２では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク４１内の薬液は、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られる。ポンプ４４によって送られた薬液の一部は、上流ヒータ４３によって加熱された後、循環流路４０を介して薬液タンク４１に戻る。ポンプ４４によって送られた残りの薬液は、薬液流路４２から供給流路４７に流れ、供給流路４７から第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８に流れる。
【００４３】
第２上流流路４８Ｂ内の薬液は、第２上流流路４８Ｂに対応する下流ヒータ５３によって加熱された後、リターン流路５４を介してクーラー５６に流れる。第３上流流路４８Ｃおよび第４上流流路４８Ｄについては、第２上流流路４８Ｂと同様である。クーラー５６に供給された薬液は、クーラー５６で冷却された後、タンク回収流路５７を介して薬液タンク４１に戻る。これにより、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られた全ての薬液が、薬液タンク４１に戻る。
【００４４】
処理液の温度は、基板Ｗの処理に大きな影響を及ぼす場合がある。吐出停止中に下流ヒータ５３を停止させると、下流ヒータ５３の運転を再開したときに、下流ヒータ５３によって加熱された処理液の温度が意図する温度で安定するまでに時間がかかる。そのため、直ぐに処理液の吐出を再開することができず、スループットが低下する。
前述のように、吐出停止中であっても、薬液を下流ヒータ５３に流し続け、下流ヒータ５３に薬液を加熱させる。これにより、下流ヒータ５３の温度が安定した状態を維持できる。さらに、下流ヒータ５３によって加熱された薬液を薬液タンク４１に戻すので、薬液の消費量を低減できる。しかも、クーラー５６によって冷却した薬液を薬液タンク４１に戻すので、薬液タンク４１内の薬液の温度の変動を抑えることができる。
【００４５】
図７は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例を説明するための工程図である。以下の各動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。以下では図３および図４を参照する。図７については適宜参照する。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、複数のノズル２６がスピンチャック１１の上方から退避しており、スプラッシュガード１７が下位置に位置している状態で、搬送ロボットのハンド（図示せず）によって、基板Ｗがチャンバー７内に搬入される。これにより、表面が上に向けられた状態で基板Ｗが複数のチャックピン１３の上に置かれる。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバー７の内部から退避し、チャンバー７の搬入搬出口８ａがシャッター９で閉じられる。
【００４６】
基板Ｗが複数のチャックピン１３の上に置かれた後は、複数のチャックピン１３が基板Ｗの周縁部に押し付けられ、基板Ｗが複数のチャックピン１３によって把持される。また、ガード昇降ユニット１８が、スプラッシュガード１７を下位置から上位置に移動させる。これにより、スプラッシュガード１７の上端が基板Ｗよりも上方に配置される。その後、スピンモータ１４が駆動され、基板Ｗの回転が開始される。これにより、基板Ｗが所定の液処理速度（たとえば数百ｒｐｍ）で回転する。
【００４７】
次に、ノズル移動ユニット２４が、複数のノズル２６を待機位置から処理位置に移動させる。これにより、複数の吐出口３４が平面視で基板Ｗに重なる。その後、複数の吐出バルブ５１等が制御され、薬液が複数のノズル２６から同時に吐出される（図７のステップＳ１）。複数のノズル２６は、ノズル移動ユニット２４が複数のノズル２６を静止させている状態で薬液を吐出する。複数の吐出バルブ５１が開かれてから所定時間が経過すると、複数のノズル２６からの薬液の吐出が同時に停止される（図７のステップＳ２）。その後、ノズル移動ユニット２４が、複数のノズル２６を処理位置から待機位置に移動させる。
【００４８】
複数のノズル２６から吐出された薬液は、回転している基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に流れる。基板Ｗの上面周縁部に達した薬液は、基板Ｗの周囲に飛散し、スプラッシュガード１７の内周面に受け止められる。このようにして、薬液が基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆う薬液の液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、基板Ｗの上面全域が薬液で処理される。
【００４９】
複数のノズル２６からの薬液の吐出が停止された後は、リンス液バルブ２３が開かれ、リンス液ノズル２１からのリンス液（純水）の吐出が開始される（図７のステップＳ３）。これにより、基板Ｗ上の薬液がリンス液によって洗い流され、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜が形成される。リンス液バルブ２３が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ２３が閉じられ、リンス液ノズル２１からのリンス液の吐出が停止される（図７のステップＳ４）。
【００５０】
リンス液ノズル２１からのリンス液の吐出が停止された後は、基板Ｗがスピンモータ１４によって回転方向に加速され、液処理速度よりも大きい乾燥速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗが回転する（図７のステップＳ５）。これにより、基板Ｗに付着しているリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られ、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１４および基板Ｗの回転が停止される。
【００５１】
基板Ｗの回転が停止された後は、ガード昇降ユニット１８が、スプラッシュガード１７を上位置から下位置に移動させる。さらに、複数のチャックピン１３による基板Ｗの保持が解除される。搬送ロボットは、複数のノズル２６がスピンチャック１１の上方から退避しており、スプラッシュガード１７が下位置に位置している状態で、ハンドをチャンバー７の内部に進入させる。その後、搬送ロボットは、ハンドによってスピンチャック１１上の基板Ｗを取り、この基板Ｗをチャンバー７から搬出する。
【００５２】
図８は、基板Ｗのエッチング量の分布を示すグラフである。
図８に示す測定値Ａ〜測定値Ｃにおける基板Ｗの処理条件は、薬液を吐出するノズルを除き、同一である。
測定値Ａは、複数のノズル２６を静止させながら、複数の吐出口３４（１０個の吐出口３４）に薬液を吐出させて、基板Ｗをエッチングしたときのエッチング量の分布を示している。
【００５３】
測定値Ｂは、全てのノズルヘッド３３が取り外された複数のノズル２６を静止させながら、複数の吐出口３４（４個の吐出口３４）に薬液を吐出させて、基板Ｗをエッチングしたときのエッチング量の分布を示している。すなわち、測定値Ｂは、４本のノズル本体２７にそれぞれ設けられた４つの吐出口３４（第１吐出口３４Ａに相当するもの）に薬液を吐出させたときのエッチング量の分布を示している。
【００５４】
測定値Ｃは、１つの吐出口３４だけに薬液を吐出させ、薬液の着液位置を基板Ｗの上面中央部で固定したときのエッチング量の分布を示している。
測定値Ｃでは、基板Ｗの中央部から離れるにしたがってエッチング量が減少しており、エッチング量の分布が山形の曲線を示している。つまり、エッチング量は、薬液の着液位置で最も大きく、着液位置から離れるにしたがって減少している。これに対して、測定値Ａおよび測定値Ｂでは、測定値Ｃと比較して、基板Ｗの中央部以外の位置でのエッチング量が増加しており、エッチングの均一性が大幅に改善されている。
【００５５】
測定値Ｂでは、７つの山が形成されている。真ん中の山の頂点は、最も内側の着液位置に対応する位置であり、その外側の２つの山の頂点は、内側から２番目の着液位置に対応する位置である。さらに外側の２つの山の位置は、内側から３番目の着液位置に対応する位置であり、最も外側の２つの山の位置は、内側から４番目の着液位置に対応する位置である。
【００５６】
測定値Ａでは、測定値Ｂと同様に、複数の着液位置に対応する複数の山が形成されている。測定値Ｂでは、吐出口３４の数が４個であるのに対し、測定値Ａでは、吐出口３４の数が１０個であるので、山の数が増加している。さらに、測定値Ｂと比較して、エッチング量の分布を示す線が、左右方向に延びる直線（エッチング量が一定の直線）に近づいており、エッチングの均一性が改善されている。
【００５７】
以上のように本実施形態では、処理液を案内する供給流路４７が、複数の上流流路４８に分岐している。これにより、吐出口３４の数を増加させることができる。さらに、複数の下流流路５２に分岐した分岐上流流路が複数の上流流路４８に含まれているので、吐出口３４の数をさらに増加させることができる。
供給流路４７を流れる処理液は、上流流路４８または下流流路５２から吐出口３４に供給され、回転軸線Ａ１まわりに回転する基板Ｗの上面に向けて吐出される。複数の吐出口３４は、回転軸線Ａ１からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されている。したがって、１つの吐出口３４だけに処理液を吐出させる場合と比較して、基板Ｗ上の処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。
【００５８】
また本実施形態では、下流ヒータ５３によって上流温度よりも高温の下流温度で加熱された処理液が、最内上流流路（第１上流流路４８Ａ）以外の上流流路４８から最内吐出口（第１吐出口３４Ａ）以外の吐出口３４に供給され、この吐出口３４から吐出される。つまり、上流温度の処理液が最内吐出口から吐出される一方で、上流温度よりも高温の処理液が、最内吐出口よりも外側に位置する吐出口３４から吐出される。
【００５９】
このように、基板Ｗの上面に供給される処理液の温度が回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的に増加するので、同じ温度の処理液を各吐出口３４に吐出させる場合と比較して、温度の均一性を高めることができる。これにより、処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。
また本実施形態では、複数の下流流路５２の上流端がチャンバー７内に配置されている。分岐上流流路は、チャンバー７内で複数の下流流路５２に分岐している。したがって、分岐上流流路がチャンバー７の外で分岐している場合と比較して、各下流流路５２の長さ（液体が流れる方向の長さ）を短縮できる。これにより、処理液から下流流路５２への伝熱による処理液の温度低下を抑制できる。
【００６０】
また本実施形態では、複数の上流流路４８の上流端が流体ボックス５内に配置されている。供給流路４７は、流体ボックス５内で複数の上流流路４８に分岐している。したがって、供給流路４７が流体ボックス５よりも上流の位置で複数の上流流路４８に分岐している場合と比較して、各上流流路４８の長さ（液体が流れる方向の長さ）を短縮できる。これにより、処理液から上流流路４８への伝熱による処理液の温度低下を抑制できる。
【００６１】
また本実施形態では、第１吐出口３４Ａと第２吐出口３４Ｂとが平面視で径方向Ｄｒに並んでいる。複数の吐出口３４が平面視で径方向Ｄｒに並ぶように、同じ長さの複数のノズル２６を長手方向Ｄ１に直交する水平方向に並べると、複数のノズル２６全体の幅が増加する（図９参照）。複数の吐出口３４が平面視で径方向Ｄｒに並ぶように、長さが異なる複数のノズル２６を鉛直方向に並べると、複数のノズル２６全体の高さが増加する（図１０参照）。
【００６２】
これに対して、本実施形態では、複数のアーム部２８を長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並べる。さらに、複数のアーム部２８の先端２８ａが長手方向Ｄ１に関して回転軸線Ａ１側から第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で並ぶように、複数のアーム部２８の先端２８ａを長手方向Ｄ１にずらす（図４参照）。これにより、複数のノズル２６全体の幅および高さの両方を抑えながら、複数の吐出口３４を平面視で径方向Ｄｒに並べることができる。
【００６３】
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前記実施形態では、ノズル２６の数が、４本である場合について説明したが、ノズル２６の数は、２または３本であってもよいし、５本以上であってもよい。
前記実施形態では、薬液タンク４１に向かってリターン流路５４を流れる薬液をクーラー５６で冷却する場合について説明したが、クーラー５６を省略してもよい。
【００６４】
前記実施形態では、吐出停止中に下流ヒータ５３によって加熱された液体を、上流流路４８からリターン流路５４に流す場合について説明したが、吐出停止中に下流ヒータ５３を停止させる場合は、リターン流路５４を省略してもよい。
前記実施形態では、下流ヒータ５３が第１上流流路４８Ａに設けられておらず、第１上流流路４８Ａ以外の全ての上流流路４８に下流ヒータ５３が設けられている場合について説明したが、第１上流流路４８Ａを含む全ての上流流路４８に下流ヒータ５３が設けられていてもよい。これとは反対に、全ての上流流路４８に下流ヒータ５３が設けられていなくてもよい。リターン流路５４についても同様である。
【００６５】
前記実施形態では、ノズルヘッド３３が第１ノズル２６Ａに設けられておらず、第１ノズル２６Ａ以外の全てのノズル２６にノズルヘッド３３が取り付けられている場合について説明したが、第１ノズル２６Ａを含む全てのノズル２６にノズルヘッド３３が設けられていてもよい。これとは反対に、全てのノズル２６にノズルヘッド３３が設けられていなくてもよい。
【００６６】
前記実施形態では、３つの下流流路５２と３つの吐出口３４とが、１つのノズルヘッド３３に形成されている場合について説明したが、１つのノズルヘッド３３に形成されている下流流路５２および吐出口３４の数は、２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。
前記実施形態では、分岐上流流路（第１上流流路４８Ａ以外の上流流路４８）が、チャンバー７内で複数の下流流路５２に分岐している場合について説明したが、分岐上流流路は、チャンバー７の外で分岐していてもよい。
【００６７】
前記実施形態では、複数の吐出口３４が、平面視で径方向Ｄｒに並んでいる場合について説明したが、複数の吐出口３４が、回転軸線Ａ１からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されるのであれば、複数の吐出口３４は、平面視で径方向Ｄｒに並んでいなくてもよい。
前記実施形態では、複数のノズル２６を静止させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させる場合について説明したが、複数のノズル２６をノズル回動軸線Ａ２まわりに回動させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させてもよい。
【００６８】
前記実施形態では、全ての吐出バルブ５１が同時に開かれ、全ての吐出バルブ５１が同時に閉じられる場合について説明したが、制御装置３は、外側の吐出口３４が処理液を吐出している時間が、内側の吐出口３４が処理液を吐出している時間よりも長くなるように、複数の吐出バルブ５１を制御してもよい。
前記実施形態では、供給流路４７に薬液を供給する薬液流路４２が設けられている場合について説明したが、供給流路４７に液体を供給する複数の処理液流路が設けられていてもよい。
【００６９】
たとえば、第１液体が第１液体流路から供給流路４７に供給され、第２液体が第２液体流路から供給流路４７に供給されてもよい。この場合、第１液体および第２液体が供給流路４７で混合されるので、第１液体および第２液体を含む混合液が、供給流路４７から複数の上流流路４８に供給される。第１液体および第２液体は、同種の液体であってもよいし、異なる種類の液体であってもよい。第１液体および第２液体の具体例は、硫酸および過酸化水素水の組み合わせと、ＴＭＡＨおよび純水の組み合わせである。
【００７０】
制御装置３は、基板Ｗの表面の各部に供給される処理液の温度を処理前の薄膜の厚みに応じて制御することにより、処理後の薄膜の厚みを均一化してもよい。
図１１は、処理前後における薄膜の厚みと基板Ｗに供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。図１１の一点鎖線は、処理前の膜厚を示しており、図１１の二点鎖線は、処理後の膜厚を示している。図１１の実線は、基板Ｗに供給される処理液の温度を示している。図１１の横軸は、基板Ｗの半径を示している。処理前の膜厚は、基板処理装置１以外の装置（たとえば、ホストコンピュータ）から基板処理装置１に入力されてもよいし、基板処理装置１に設けられた測定機によって測定されてもよい。
【００７１】
図１１に示す例の場合、制御装置３は、処理液の温度が処理前の膜厚と同様に変化するように、基板処理装置１を制御してもよい。具体的には、制御装置３は、複数の上流流路４８での処理液の温度が、処理前の膜厚に応じた温度となるように、複数の下流ヒータ５３を制御してもよい。
この場合、処理前の膜厚が相対的に大きい位置に相対的に高温の処理液が供給され、処理前の膜厚が相対的に小さい位置に相対的に低温の処理液が供給される。基板Ｗの表面に形成された薄膜のエッチング量は、高温の処理液が供給される位置で相対的に増加し、低温の処理液が供給される位置で相対的に減少する。そのため、処理後の薄膜の厚みが均一化される。
【００７２】
図１２は、複数の上流流路４８での薬液の温度の時間的変化の一例を示す図である。第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄでの薬液の温度を、それぞれ、温度Ｔ１〜温度Ｔ４と定義する。温度Ｔ１〜温度Ｔ４は、この順番で高くなっている。すなわち、制御装置３は、温度Ｔ１〜温度Ｔ４がこの順番で高くなるように複数の下流ヒータ５３を制御する。温度差Δ２１（＝温度Ｔ２−温度Ｔ１）、温度差Δ３２（＝温度Ｔ３−温度Ｔ２）、および温度差Δ４３（＝温度Ｔ４−温度Ｔ３）は、いずれも正の値である。これらの温度差は、等しくてもよいし、等しくなくてもよい。
【００７３】
上流ヒータ４３の加熱温度は、必ずしも一定でなく、設定温度付近で変動する場合がある。上流ヒータ４３の加熱温度が変動すると、図１２に示すように、温度Ｔ１も変動する。しかし、下流ヒータ５３が第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄのそれぞれに設けられているので、温度Ｔ１の揺らぎが発生したとしても、温度Ｔ２〜温度Ｔ４は、変動しないもしくは殆ど変動しない。この場合、第１吐出口３４Ａから吐出される薬液と他の吐出口３４から吐出される薬液との温度差が、意図する値よりも大きくまたは小さくなるため、処理の均一性が低下するおそれがある。
【００７４】
このような場合、制御装置３は、温度Ｔ１が変化すると、温度Ｔ２〜温度Ｔ４が温度Ｔ１に追従するように、複数の下流ヒータ５３を制御してもよい。より具体的には、制御装置３は、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄにそれぞれ設けられた複数の温度センサーの検出値に基づいて温度Ｔ１〜温度Ｔ４を検出してもよい。そして、温度Ｔ１が変化すると、図１２に示すように、制御装置３は、温度Ｔ１の変化量と同じ量だけ、温度Ｔ２〜温度Ｔ４を一律に変化させてもよい。この場合、処理の均一性を安定させることができる。
【００７５】
前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１      ：基板処理装置
３      ：制御装置
５      ：流体ボックス
７      ：チャンバー
１１    ：スピンチャック（基板保持ユニット）
２４    ：ノズル移動ユニット
２５    ：ホルダ
２６Ａ〜２６Ｄ  ：第１〜第４ノズル
２７    ：ノズル本体
２８    ：アーム部
２８ａ  ：先端
２９    ：先端部
３３    ：ノズルヘッド
３４Ａ  ：第１吐出口（主吐出口）
３４Ｂ  ：第２吐出口（副吐出口）
３４Ｃ  ：第３吐出口（副吐出口）
３４Ｄ  ：第４吐出口（副吐出口）
４１    ：薬液タンク
４２    ：薬液流路
４３    ：上流ヒータ
４５    ：供給バルブ
４７    ：供給流路
４８Ａ  ：第１上流流路（主上流流路）
４８Ｂ  ：第２上流流路（副上流流路）
４８Ｃ  ：第３上流流路（副上流流路）
４８Ｄ  ：第４上流流路（副上流流路）
５１    ：吐出バルブ
５２    ：下流流路
５３    ：下流ヒータ
５４    ：リターン流路
５５    ：リターンバルブ
Ａ１    ：回転軸線
Ｄ１    ：長手方向
Ｄ２    ：配列方向
Ｄｒ    ：径方向
Ｗ      ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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