(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
中心軸を有する処理容積を形成するチャンバエンクロージャであって、底部を介して形成された開口部を有し、開口部は中心軸に対して実質的に対称であるチャンバエンクロージャと、
処理容積内に配置された基板支持アセンブリであって、基板を中心軸に対して実質的に対称に位置決めするための支持面を有し、チャンバエンクロージャの側壁部に取り付けられ、基板支持アセンブリは、
基板を支持するための上面を有する静電チャックと、
支持ブロックであって、
処理容積内で静電チャックを支持するディスクと、
チャンバエンクロージャの側壁部上に装着された取付ブロックであって、ディスクは取付ブロックに取り付けられ、取付ブロックは、
チャンバエンクロージャに取付ブロックを固定するための外側部分と、
外側部分に取り付けられた上側アームと、
上側アームの下方で外側部分に取り付けられた下側アームであって、上側アームと下側アームの間にはギャップが形成されており、ディスクはギャップに固定されている下側アームとを備えている取付ブロックとを備えている支持ブロックとを備えている基板支持アセンブリと、
処理容積内で基板支持アセンブリの支持面に向かって１又はそれ以上の処理ガスを送るように位置決めされたガス分配アセンブリと、
チャンバエンクロージャの開口部に結合されたゲートバルブを備えた装置。
【請求項２】
基板支持アセンブリであって、
基板を支持するための上面を有する静電チャックと、
支持ブロックであって、支持ブロックは、
静電チャックを支持するためのディスクと、
ディスク及び静電チャックをカンチレバー方式で側壁部に取り付けるためディスクに
取り付けられた取付ブロックであって、取付ブロックは、
チャンバ本体に取付ブロックを固定するための外側部分と、
外側部分に取り付けられた上側アームと、
上側アームの下方で外側部分に取り付けられた下側アームであって、上側アームと下側アームの間にはギャップが形成されており、ディスクはギャップに固定されている下側アームとを備えている取付ブロックとを備えている支持ブロックとを備える基板支持アセンブリ。
【請求項３】
基板を処理するための装置であって、
中心軸を有するチャンバ本体であって、中心軸の周りにチャンバ本体の底部を貫通して開口部が形成されているチャンバ本体と、
チャンバ本体の内側に配置されたライナであって、
ライナは実質的に円筒形の側壁を含み、
ライナはチャンバ本体の内部容積を処理容積と排除容積とに分離し、
排除容積は処理容積に対して偏心しており、
円筒形の側壁は中心軸に対して実質的に対称に配置されているライナと、
排除容積と流体的に連絡してチャンバ本体に形成されたポンプポートであって、ライナがポンプポートを処理容積から除外しているポンプポートと、
ライナの円筒形の側壁を貫通して形成され、ポンプポートに面して配向されたファシリティポートと、
処理容積内に配置された基板支持アセンブリであって、
基板を中心軸に対して実質的に対称に位置決めするための支持面を有し、
基板支持アセンブリのファシリティがファシリティポートを介してポンプポートを通過するように、基板支持アセンブリはライナにファシリティポートで取り付けられている基板支持アセンブリと、
処理容積内で基板支持アセンブリの支持面に向かって１又はそれ以上の処理ガスを送るように位置決めされたガス分配アセンブリと、
チャンバ本体の開口部に結合されたゲートバルブを備えた装置。
【請求項４】
ライナは円筒形の側壁から内側に延びる底部を含み、基板支持アセンブリは底部の上方に吊り下げられている、請求項３記載の装置。
【請求項５】
ポンプポートは、第２軸に沿ってチャンバ本体の底部を貫通して形成され、チャンバ本体の内部容積は中心軸に対して非対称である請求項４記載の装置。
【請求項６】
基板支持アセンブリの下方に配置されたリフトアセンブリであって、基板支持アセンブリ内のリフトピン穴を貫通して複数のリフトピンを動かすリフトアセンブリと、
チャンバ本体の底部のゲートバルブに接続されている真空ポンプとをさらに備える請求項３記載の装置。
【請求項７】
リフトアセンブリは、
複数のリフトピンが装着されているフープと、
フープに結合されたアームと、
アームに結合され、垂直方向にフープを動かす駆動機構を備えた請求項６記載の装置。
【請求項８】
チャンバ本体の開口部とゲートバルブの間に結合された拡張スプールをさらに備え、拡張スプールは円筒形内部容積を形成し、円筒形内部容積はチャンバ本体の開口部を介して処理容積に結合される請求項７記載の装置。
【請求項９】
拡張スプールは、
円筒形側壁部であって、リフトアセンブリポートが貫通して形成されている円筒形側壁部と、
円筒形側壁部のリフトアセンブリポートから半径方向外側に伸びている延長アームを備え、リフトアセンブリのアームが延長アーム内に配置されており、リフトアセンブリポートを介して拡張スプールの円筒形内部容積内に入る請求項８記載の装置。
【請求項１０】
基板支持アセンブリは、
基板を支持するための上面を有する静電チャックと、
支持ブロックを備え、支持ブロックは、
処理容積内で静電チャックを支持するディスクと、
ライナの側壁に装着された取付ブロックを備え、ディスクは取付ブロックに取り付けられている請求項３記載の装置。
【請求項１１】
取付ブロックは、
ライナに取付ブロックを固定するための外側部分と、
外側部分に取り付けられた上側アームと、
上側アームの下方で外側部分に取り付けられた下側アームを備え、上側アームと下側アームの間にはギャップが形成されており、ディスクはギャップに固定される請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
取付ブロックは、基板支持アセンブリに、電気、ガス及び流体の１つ以上の連絡を提供する１又はそれ以上のチャンネルを含む請求項１０記載の装置。
【請求項１３】
基板支持アセンブリはさらに、静電チャックと支持ブロックとの間に積層されているファシリティプレートを備えている、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
取付ブロックに取り付けられたファシリティダクトをさらに備える、請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
チャンバ本体の上方に配置されたプラズマ源をさらに備える、請求項３記載の装置であって、プラズマ源は中心軸に対して対称に配置されている装置。
【請求項１６】
ポンプポートは、第２軸に沿ってチャンバ本体の底部を貫通して形成され、
チャンバ本体の内部容積は、中心軸に対して非対称であり、
ファシリティダクトは、ポンプポートを通ってチャンバ本体の外に延びている請求項１４記載の装置。
【請求項１７】
ライナは、円筒形の側壁の上端から延びるフランジを備え、ライナは、フランジにおいてチャンバ本体に取り付けられている、請求項４記載の装置。
【請求項１８】
基板を処理するための装置であって、
内部容積を画定するチャンバ本体と、
チャンバ本体の内部容積内に配置されたライナであって、
ライナは、
実質的に円筒形の側壁と、
第１軸の周りでライナの底部に形成された開口部とを含み、
ライナはチャンバ本体の内部容積を円筒形の処理容積と排除容積とに分離し、
排除容積は処理容積に対して偏心しており、
開口部は処理容積と流体的に連絡しているライナと、
第２軸の周りでチャンバ本体の底壁を貫通して形成されたポンプポートであって、
第２軸は第１軸に対して偏心しており、
ポンプポートは排除容積と流体的に連絡しており、
ライナがポンプポートを処理容積から除外しているポンプポートと、
ライナの円筒形の側壁を貫通して形成され、ポンプポートに面して配向されたファシリティポートと、
開口部に接続された真空ポンプと、
円筒形の処理容積内に配置された基板支持アセンブリであって、
基板を支持するための上面を有する静電チャックと、
基板支持アセンブリのファシリティがファシリティポートを介してポンプポートを通過するように、ファシリティポートでライナに固定された支持ブロックとを備える基板支持アセンブリとを備える装置。
【請求項１９】
ライナは、円筒形の側壁の上端から延びるフランジを備え、ライナは、フランジにおいてチャンバ本体に取り付けられている、請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
ライナの底部は円筒形の側壁から内側に延び、基板支持アセンブリは底部の上方に吊り下げられている、請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
ライナの開口部に接続された拡張スプールをさらに備える、請求項１８記載の装置であって、拡張スプールは円筒形内部容積を画定し、真空ポンプに接続されている装置。
【請求項２２】
基板支持アセンブリの下方に配置されたリフトアセンブリをさらに備えている、請求項２１記載の装置であって、リフトアセンブリは、
拡張スプール内に移動可能に配置されたフープであって、複数のリフトピンが装着されているフープと、
フープに結合されたアームと、
アームに結合され、垂直方向にフープを動かす駆動機構を備えている装置。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本開示の実施形態は、半導体基板を処理するための装置及び方法に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、処理の均一性を達成するために、処理チャンバ内の電界、ガスフロー及び熱分布の対称性を改善するための装置及び方法に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
プラズマエッチングチャンバのような従来の半導体処理チャンバは、全てのチャンバ要素を収容し、アクセスを容易にするため、１つの軸に沿って配列された基板支持体とプラズマ／ガス源と、異なる軸に沿って配列されたターボポンプを備えたオフセットポンプ設計を有していたかもしれない。しかしながら、オフセットポンプ設計は、本質的に非対称であり、処理される基板に亘って不均一性を生じさせ、処理からの副生成物が基板の全ての表面及び処理チャンバから効率的に排出される可能性があることから粒子の問題を生じさせる可能性がある。
【０００３】
従って、対称なフローを可能にする処理チャンバの必要性がある。
【概要】
【０００４】
本開示は、一般に、処理の均一性を達成するために、処理チャンバ内の電界、ガスフロー及び熱分布の対称性のための装置及び方法に関する。
【０００５】
本開示の一実施形態は、基板を処理するための装置を提供する。装置は、中心軸を有する処理容積を形成するチャンバエンクロージャを含む。チャンバエンクロージャは、チャンバエンクロージャの底部を介して形成された開口部を有し、開口部は中心軸に対して実質的に対称である。更に、装置は、処理容積内に配置された基板支持アセンブリと、処理容積内で基板支持アセンブリの支持面に向かって１又はそれ以上の処理ガスを送るように位置決めされたガス分配アセンブリと、チャンバエンクロージャの開口部に結合されたゲートバルブを含む。基板支持アセンブリは、基板を中心軸に対して実質的に対称に位置決めするための支持面を有し、基板支持アセンブリはチャンバエンクロージャの側壁部に取り付けられる。
【０００６】
本開示の他の実施形態は、基板支持アセンブリを提供する。基板支持アセンブリは、基板を支持するための上面を有する静電チャックと、支持ブロックを含み、支持ブロックは、静電チャックを支持するためのディスクと、ディスク及び静電チャックをカンチレバー方式で側壁部に取り付けるためディスクに取り付けられた取付ブロックを備える。
【０００７】
本開示の更に他の実施形態は、基板を処理するための方法を提供する。方法は、処理チャンバの処理容積内に配置された基板支持アセンブリ上に基板を位置決めする工程を含む。処理容積は中心軸に対して実質的に対称であり、基板は中心軸に対して実質的に対称に位置決めされ、基板支持アセンブリはカンチレバー方式で処理チャンバの側壁部に取り付けられる。更に、方法は、処理チャンバ上の開口部に結合されたゲートバルブを介して処理容積を排気しながら、中心軸に対して実質的に対称に位置決めされたガス分配アセンブリを介して処理容積に１又はそれ以上の処理ガスを送る工程であって、開口部は中心軸に対して実質的に対称である工程を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、従ってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１Ａ】本開示の一実施形態に係るプラズマ処理チャンバの概略上面図である。
【図１Ｂ】図１Ａのプラズマ処理チャンバの断面側面図である。
【図１Ｃ】図１Ａのプラズマ処理チャンバの第２の断面側面図である。
【図２Ａ】本開示の一実施形態に係る支持ブロックの概略斜視上面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの支持ブロックの概略斜視底面図である。
【図３】本開示の一実施形態に係るチャンバライナの概略斜視断面図である。
【図４】本開示の一実施形態に係るスプールの概略斜視断面図である。
【図５】本開示の一実施形態に係るリフトピンアセンブリの概略斜視図である。
【０００９】
理解を促進するため、図面に共通する同一要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示される要素を特定の説明なしに他の実施形態に有益に使用してもよいと理解される。
【詳細な説明】
【００１０】
本開示は、一般に、処理の均一性を達成するために、処理チャンバ内の電界、ガスフロー及び熱分布の対称性のための装置及び方法に関する。本開示の実施形態は、同一の中心軸に沿って配置されたプラズマ源、基板支持アセンブリ及び真空ポンプを有するプラズマ処理チャンバを含み、これによって、プラズマ処理チャンバ内で実質的に対称なフロー経路、電界、熱分布を形成し、改良された処理均一性及び低減されたスキューという結果を得ることができる。一実施形態では、基板処理のために実質的に対称な内部容積を形成するように設計されたチャンバライナを含む。また、チャンバライナは、真空ポンプシステムに接続するためのインタフェースを提供することができる。一実施形態では、チャンバライナは、既存の非対称プラズマチャンバのチャンバ本体を改造するため用いられることができる。
【００１１】
図１Ａ〜１Ｃは、本開示の一実施形態に係るプラズマ処理チャンバ１００の概略図である。プラズマ処理チャンバ１００は、プラズマ源、基板支持アセンブリ、スロットルゲートバルブ及び真空ポンプを同一軸に沿って配置することにより、処理チャンバ内の処理フローの均一性及びコンダクタンスを向上させる。一実施形態において、プラズマ処理チャンバ１００は、オフセットポンプ設計の既存のプラズマ処理チャンバのチャンバ本体から改造されることができる。
【００１２】
図１Ａは、チャンバ蓋１０６とプラズマ源１１０が除去されたプラズマ処理チャンバ１００の概略上面図である。図１Ｂは、基板リフトアセンブリ１４０の詳細を提供するプラズマ処理チャンバ１００の断面側面図である。図１Ｃは、基板支持アセンブリ１３０の詳細を提供するプラズマ処理チャンバ１００の第２の断面側面図である。プラズマ処理チャンバ１００は、処理の均一性を改善するため、中心軸に対して実質的に対称な内部容積を有するチャンバエンクロージャを含む。一実施形態において、チャンバエンクロージャは、チャンバ本体１０４と、チャンバ本体１０４内に配置されたチャンバライナ１２０を含む。
【００１３】
図１Ａに示されるように、チャンバ本体１０４は、伝統的なポンプオフセット処理チャンバのためのチャンバ本体である。チャンバ本体１０４は、もともと、処理の間、第１軸１０２に対して実質的に対称に位置決めされた基板１０１を有するように設計される。真空ポート１０５は、チャンバ本体の内部容積を排気するため、第２軸１０３周りにチャンバ本体１０４を介して形成されることができる。第２軸１０３は第１軸１０２からオフセットされ、その結果、チャンバ本体１０４によって形成される処理環境は、処理される基板１０１の中心軸でもある第１軸に対して対称でない。本開示の実施形態は、実質的に対称な処理のために中心軸としての第１軸１０２を用いた方法の装置を提供する。
【００１４】
ライナ１２０は、チャンバ本体１０４の内部に配置される。ライナ１２０は、チャンバ本体１０４の内部を処理容積１２４と排除容積１２５に分離する。処理容積１２４はライナ１２０によって囲まれ、第１軸１０２に対し実質的に対称である。排除容積１２５はライナ１２０の外側である。また、ライナ１２０は、処理容積１２４から真空ポート１０５を排除する。基板支持アセンブリ１３０は、第１軸１０２に対して実質的に対称な処理容積１２４内に配置され、これによって、基板１０１は、処理の間、第１軸１０２に対して対称となることができる。また、図１Ｂ及び１Ｃに示されるように、プラズマ源１１０、スロットルゲートバルブ１７０及び真空ポンプ１８０は、第１軸１０２に対して実質的に対称である。
【００１５】
プラズマ源１１０は、チャンバ蓋１０６の上方に配置されることができる。一実施形態において、プラズマ源１１０は、高周波（ＲＦ）電源１１８に接続された１又はそれ以上のコイル１１２を有する誘導結合プラズマ源であってもよい。１又はそれ以上のコイル１１２は、第１軸１０２に対して実質的に対称な処理容積１０４内でプラズマを生成し、及び維持するため、第１軸１０２と同心的に配置されることができる。処理要求に従い、他のプラズマ源も使用されることができる。
【００１６】
ガス供給ノズル１１４は、ガスパネル１１６から処理容積１２４に１又はそれ以上の処理ガスを分配するため、チャンバ蓋１０６を貫通して配置されることができる。ガス供給ノズル１１４は第１軸１０２に対して対称に配置されることができ、対称なガスフローを可能にする。選択的に、シャワーヘッドのような他のガス分配装置が、ガス供給ノズル１１４の位置において第１軸１０２に対して対称に位置決めされることができる。
【００１７】
ライナ１２０は、第１軸１０２に対して対称な容積を包囲するように形成されることができ、ライナ１２０内に配置される基板支持アセンブリ１３０からチャンバ本体１０４の非対称フィーチャをシールドすることができる。図１Ａ〜１Ｃにおいて、ライナ１２０は、実質的に円筒状の内側容積を形成するため、実質的に円筒状の側壁部１２３を有する。フランジ１２７は、円筒状側壁部１２１の上端から伸びることができる。フランジ１２７は、ライナ１２０がチャンバ本体１０４上に装着されることを可能にする。底部１２３は円筒状側壁部１２１から内側に伸びることができる。開口１２８が底部１２３を貫通して形成される。開口１２８は、処理容積１２４がスロットルゲートバルブ１７０と流体連結されることを可能にする。開口１２８は側壁部１２１に対して対称に形成されることができる。スリットバルブドア開口部１２２は、基板１０１の経路を可能にするため、側壁部１２１を介して形成されることができる。一実施形態において、図１Ｃに示されるように、ファシリティポート１２６はライナ１２０を介して形成されることができ、基板支持アセンブリ１３０とライナ１２０の外部の間で、電気、ガス、流体及び他の連絡を可能にする。一実施形態において、ファシリティポート１２６は、チャンバ本体１０４のポンプポート１０５に対向する間に形成されることができ、これによって、基板支持アセンブリ１３０のファシリティーがポンプポート１０５を介して来ることができる。
【００１８】
基板支持アセンブリ１３０は、処理中に基板１０１を支持し、及び固定するための静電チャック１３２を含むことができる。静電チャック１３２は、内部に埋設された電極及び/又はヒータを有する誘電体材料から形成されることができる。静電チャック１３２は、ファシリティプレート１３４上に配置されることができる。ファシリティプレート１３４は、静電チャック１３２に電気的接続、ガス供給、温度制御を提供することができるフィーチャを含むことができる。静電チャック１３２及びファシリティプレート１３４は支持ブロック１３６上に重ねることができる。支持ブロック１３６は、静電チャック１３２及びファシリティプレート１３４へ電気、ガス及び流体の連絡を可能にするインターフェイス及びチャンネルを含むことができる。
【００１９】
一実施形態において、支持ブロック１３６はカンチレバー方式でライナ１２０に固定されることができ、これによって、静電チャック１３２の端部領域に沿った側壁部１２１までの空間と実質的に同じ量で第１軸１０２に沿って静電チャック１３２がセンタリングされることを可能にする。図１Ｃに示されるように、支持ブロック１３６は、ファシリティポート１２６でライナ１２０に固定される。静電チャック１３２及びファシリティプレート１３４に電気、ガス及び流体の連絡を提供するため、ファシリティダクト１９０が支持ブロック１３６に接続されることができる。一実施形態において、ファシリティダクト１９０は、ポンプポート１０５を介してチャンバ本体１０４の外側に伸びることができる。
【００２０】
図１Ｂに示されるように、支持ブロック１３６、ファシリティプレート１３４及び静電チャック１３２は、ライナ１２０の底部１２３の上方に吊るされ、これによって、処理ガスは処理される基板１０１から半径方向外側に、ライナ１２０の底部１２３を介して基板支持アセンブリ１３０の端部と下流の開口１２８に向かって流れ、処理容積１２４に排出されることを可能にする。従って、第１軸１０２に実質的に対称なフロー経路が、基板支持アセンブリ１３０とライナ１２０を第１軸１０２に対して実質的に対称に配置することによって形成される。
【００２１】
一実施形態において、拡張スプール１５０がチャンバ本体１０４から下流側に伸ばされることができ、チャンバ本体１０４とスロットルゲートバルブ１７０の間のインターフェイスを提供する。また、拡張スプール１５０は、基板支持アセンブリ１３０から基板１０１を上昇させるためのリフトアセンブリ１４０を収容する垂直方向の空間を提供することができる。拡張スプール１５０は、円筒状内側容積１５４を包囲する円筒状壁部１５２を有することができる。拡張スプール１５０は、チャンバ本体１０４及びスロットルゲートバルブ１７０上に載置されるフランジ１５３を含むことができる。拡張スプール１５０は第１軸１０２に対して実質的に対称に配置され、更に、プラズマ処理チャンバ１００の対称性を伸ばす。
【００２２】
一実施形態において、拡張スプール１５０は、半径方向外側に延びる延長アーム１５８を含むことができる。延長アーム１５８は、円筒状壁部１５２に取り付けられたケーシングであってもよい。延長アーム１５８は、リフトアセンブリ１４０の一部を収容するために用いることができる。リフトアセンブリポート１５６は、円筒状壁部１５２を介して形成されることができる。
【００２３】
リフトアセンブリ１４０は、フープ１４４によって支持される複数のリフトピン１４２を含むことができる。リフトピン１４２は基板支持アセンブリ１３０を貫通して形成されたリフトピンホール（図示せず）を介して可動であり、基板支持アセンブリ１３０から選択的に基板１０１を持ち上げることができる。フープ１４４は支持ポスト１４６上に装着されることができる。支持ポスト１４６は、延長アーム１５８から円筒状内側容積１４６まで伸びるカンチレバーアーム１４８に結合されることができる。リフトピン駆動機構１６０は、リフトピン１４２を垂直方向に移動するよう駆動するために、カンチレバーアーム１５８に結合されることができる。真空シールを提供するため、カバー１６２が延長アーム１５８に取り付けられることができる。
【００２４】
スロットルゲートバルブ１７０と真空ポンプ１８０は、実質的に対称の流体のフローを達成するため、第１軸１０２に対して実質的に対称に配置される。
【００２５】
図２Ａは、本開示の一実施形態に係る支持ブロック１３６の概略斜視上面図である。図２Ｂは支持ブロック１３６の概略斜視底面図である。支持ブロック１３６は、ファシリティプレート１３４を受領し、支持するための上面２１１を有するディスク２１０を含むことができる。複数のリフトピン２２２がディスク２１０を介して形成されることができる。ディスク２１０は取付ブロック２１２に固定される。取付ブロック２１２は、外側部分２３０と、外側部分２３０から伸びる下側アーム２２４と上側アーム２２６を含むことができる。ギャップ２２８が下側アーム２２４と上側アーム２２６の間に形成される。ディスク２１０はギャップ２２８内に嵌め込まれる。下側アーム２２４は上側アーム２２６より長く、ディスク２１０を支持するカンチレバーとして作用する。上側アーム２２６は短く、上面２１１の円形領域がファシリティプレート１３４を受領するために露出することを可能にする。取付ブロック２１２はライナ１２０のファミリーポート１２６を介して配置されることができ、これによって、外側部分２３０がライナ１２０の外側に位置する。外側部分２３０はインターフェイス２３２を有することができる。冷却チャンネル２１４、２１６、ガスダクト２１８、電気ダクト２２０及び他のインターフェイスは、支持ブロック１３６を介してインターフェイス２３２から形成されることができる。図２Ａに示されるように、冷却チャンネル２１４、２１６、ガスダクト２１８、電気ダクト２２０はディスク２１０の上面２１１で開口し、更に、ファシリティプレート１３４に結合される。
【００２６】
図３は、本開示の一実施形態に係るチャンバライナ１２０の概略斜視断面図である。チャンバライナ１２０は、基板処理のために実質的に対称な内部容積を形成する。一実施形態において、チャンバライナ１２０は、処理化学と適合する材料で形成されることができる。一実施形態において、チャンバライナ１２０は、シリコンカーバイドのようなセラミックから形成されることができる。
【００２７】
図４は、拡張スプール１５０の概略斜視断面図である。リフトアセンブリポート１５６は、円筒状内部容積１５４の対称性に対し最小限の妨害となる小さな垂直スリットであってもよい。
【００２８】
図５は、リフトピンアセンブリ１４０の概略斜視図である。リフトアセンブリ１４０のカンチレバー設計では、駆動機構１６０は軸１０２から離れて位置し、対称なフロー経路を可能にする。
【００２９】
本開示の実施形態は、ポンプポート−基板支持部オフセットのチャンバ本体との関連で説明されるが、本開示の実施形態は、任意のチャンバ本体内の対称性を向上させるために使用されることができる。
【００３０】
本開示の実施形態は、誘導結合プラズマチャンバとの関連で説明されるが、本開示の実施形態は、任意の処理チャンバ内の対称性を向上し、スキューを低減するために使用されることができる。
【００３１】
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及び更なる実施形態は、その基本的な範囲から逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１Ａ】
0006581602.tif 000002
【図１Ｂ】
0006581602.tif 000003
【図１Ｃ】
0006581602.tif 000004
【図２Ａ】
0006581602.tif 000005
【図２Ｂ】
0006581602.tif 000006
【図３】
0006581602.tif 000007
【図４】
0006581602.tif 000008
【図５】
0006581602.tif 000009