(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ce3+により活性化されたホスト格子を有するシンチレータ材料であって、
前記ホスト格子は、
A(Y1-x-yLuxLay)F4、および
BaLa2F8
からなる群から選定され、
Aは、Na、K、Rb、Cs、およびこれらの元素の2または3以上の混合物を有する固溶体からなる群から選定され、
ここで、0≦x≦1であり、0≦y≦1であり、ただし、A＝Naの場合、x＝0かつy＝0の組を除き、
当該シンチレータ材料は、Prを含まない、シンチレータ材料。
【請求項２】
当該材料は、0.01%から10%のCe3+により活性化される、請求項1に記載のシンチレータ材料。
【請求項３】
当該材料は、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、およびYb3+からなる群から選定される少なくとも一つの元素により、共活性化される、請求項1に記載のシンチレータ材料。
【請求項４】
さらに、拡散バリアコーティング材を有し、
該拡散バリアコーティング材は、該拡散バリアコーティング材にわたるH2O、CO2、および揮発有機化合物の拡散を実質的に防止する、請求項1に記載のシンチレータ材料。
【請求項５】
請求項1に記載のシンチレータ材料を有するPETまたはSPECT結像システム。
【請求項６】
請求項1に記載のシンチレータ材料を有するCT結像システム。
【請求項７】
請求項1に記載のシンチレータ材料を含むX線変換膜を有する結像システム。
【請求項８】
活性化剤としてのCe3+と組み合わされたホストマトリクスを有する発光組成物であって、前記Ce3+の放射バンド最大値は、400nm以下であり、
前記ホストマトリクスは、
A(Y1-x-yLuxLay)F4、および
BaLa2F8
からなる群から選定され、
Aは、Na、K、Rb、Cs、およびこれらの元素の2または3以上の混合物を有する固溶体からなる群から選定され、
ここで、0≦x≦1であり、0≦y≦1であり、ただし、A＝Naの場合、x＝0かつy＝0の組を除き、
当該発光組成物は、Prを含まない、発光組成物。
【請求項９】
前記Ce3+の前記放射バンド最大値は、280nm以上である、請求項8に記載の発光組成物。
【請求項１０】
当該発光組成物は、0.01%から10%のCe3+により活性化される、請求項8に記載の発光組成物。
【請求項１１】
当該発光組成物は、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、およびYb3+からなる群から選定される少なくとも一つの元素により、共活性化される、請求項8に記載の発光組成物。
【請求項１２】
さらに、拡散バリアコーティング材を有し、
該拡散バリアコーティング材は、該拡散バリアコーティング材にわたるH2O、CO2、および揮発有機化合物の拡散を実質的に防止する、請求項8に記載の発光組成物。
【請求項１３】
請求項8に記載の発光組成物を含むX線変換膜を有する結像システム。
【請求項１４】
請求項8に記載の発光組成物を含むX線変換膜を有する放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、全般に結像技術に関し、特に、結像システムに使用される発光組成物に関する。本願の主題については、多くの種類の結像システムへの使用が認められ、これには、例えばコンピュータ断層撮影（CT）結像システム、陽電子放射断層撮影（PET）結像システム、および単一光子放射コンピュータ断層撮影（SPECT）システムが含まれる。また、これは、例えばX線増強スクリーン部分のような、他の結像システムとともに使用されてもよい。
【背景技術】
【０００２】
発光組成物は、入射される高エネルギー放射線光子（例えばX線またはγ線）のエネルギーを利用し、このエネルギーを、フォトダイオードまたは光電子増倍管のような電子光検出器によって、より容易に測定できる二次放射線光子（例えば紫外線）に変換するように機能する。そのような変換の各々は、シンチレーション事象と称される。光検出器は、二次放射線の強度を示す電気信号を形成する。通常の用途では、結像検出器アレイは、いくつかの画素を有し、各画素は、光検出器と光学的に結合されたシンチレーション発光組成物材料の1または2以上のブロックにより形成される。
【０００３】
シンチレーション発光組成物材料の性能は、材料の多くの特性に依存し、これには、例えばその阻止能、輝度、および減衰時間が含まれる。1895年のヴィルヘルム・コンラート・レントゲンによるX線の発見以来、高エネルギー光子を低エネルギー光子に効率的に変換する材料を見出し、開発することに対する継続的な要望がある。そのようなシンチレーション材料として、多様なものが調査され、使用されている。X線検出用の広く使用されているシンチレーション発光組成物は、例えば、Ce3+がドープされた無機ホストマトリクスを有し、例えば、Lu2SiO5、LuPO4、およびLu2Si2O7がある。これらは、いずれも高い密度を有し、入射X線放射線に関し、有意に高い阻止能を提供する。
【０００４】
しかしながら、新たな発光組成物に関しては、特に、その密度または光収率が高い場合、あるいはその上昇および減衰時間が短い場合、未だ高い関心が示されている。特に、減衰時間に関して、発光組成物の減衰時間は、二次シンチレーション光の残光が、実質的にゼロまたはある他の最小値まで後退するために必要な時間に対応する。一般に、発光組成物の減衰時間は、抑制することが望ましい。減衰時間が短くなると、結像時間が短くなるとともに、結像データの解像度が向上する。同様に、狭小の波長スペクトルを有する残光は、広い波長スペクトルを有する残光よりも好ましい。小さな残光は、それにより、所与の時間で検出されるシンチレーション事象の回数が増え、検出器の一時的な解像度が向上する点で有意である。このためおよび別の理由により、減衰時間は、それぞれの発光組成物の重要な性能係数であり、減衰時間の短縮により、適用の有意性が提供される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、Ce3+により感光化された発光組成物に関し、特に、Ce3+が紫外領域で放射を示す、そのような発光組成物に関する。本願において使用される「紫外」光は、約280nmと約400nmの間の波長を有する光に対応する。これらの発光組成物には、例えば、シンチレーション組成物が含まれ、ここではCe3+は、活性化剤との間で低結晶場分裂および低共有相互作用を及ぼす結晶学的サイトに配置される。典型的な例は、フッ化物、硫酸塩、およびリン酸塩であり、特に以下のフッ化物である：
A(Y1-x-yLuxLay)LuF4、
A(Y1-x-yLuxLay)3F10、
BaCa(Y1-x-yLuxLay)2F10、および
Ba(Y1-x-yLuxLay)2F8、
ここで、Aは、Li、Na、K、Rb、Cs、およびこれらの固溶体の組み合わせである。また、本発明は、CT画像スキャナ、PET、またはSPECT画像スキャナ用のセラミックもしくは単結晶変換器としての、これらの発光組成物の1または複数の用途に関する。さらに、本発明は、X線増強スクリーン用の発光粉末層における、これらの発光組成物の1または複数の適用に関する。
【０００６】
以下の好適実施例の詳細な説明を読んだ当業者には、多くの追加の長所および利点が明らかである。本発明は、各種化学組成物、各種部材および部材の配置、ならびに各種プロセス動作およびプロセス動作の配置の形態をとってもよい。図面は、単に好適実施例を示す目的のものであり、本発明を限定するものと解してはならない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】X線検出器ユニット100の概略的な断面図である。スケールは示されていない。
【図２】未ドープのKYF4を参照して、KYF4：Ce（ρ＝3.53g／cm3）のＸ線回折パターンを示した図である。
【図３】KYF4：Ceの放射302、励起304、および反射306のスペクトルを示した図である。
【図４】327nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）におけるKYF4：Ceの減衰曲線を示した図である。
【図５】未ドープのKY3F10を参照して、KY3F10：Ce（ρ＝4.27g／cm3）のＸ線回折パターンを示した図である。
【図６】KY3F10：Ceの放射602、励起604、および反射606のスペクトルを示した図である。
【図７】377nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）におけるKY3F10：Ceの減衰曲線を示した図である。
【図８】未ドープのKLaF4を参照して、KLaF4：Ce（ρ＝4.46g／cm3）のＸ線回折パターンを示した図である。
【図９】KLaF4：Ceの放射902、励起904、および反射906のスペクトルを示した図である。
【図１０】317nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）におけるKLaF4：Ceの減衰曲線を示した図である。
【図１１】未ドープのKLuF4を参照して、KLuF4：Ce（ρ＝4.80g／cm3）のＸ線回折パターンを示した図である。
【図１２】KLuF4：Ceの放射202、励起204、および反射206のスペクトルを示した図である。
【図１３】312nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）におけるKLuF4：Ceの減衰曲線を示した図である。
【図１４】未ドープのNaYF4を参照して、NaYF4：Ce（ρ＝4.30g／cm3）のＸ線回折パターンを示した図である。
【図１５】NaYF4：Ceの放射502、励起504、および反射506のスペクトルを示した図である。
【図１６】295nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）におけるNaYF4：Ceの減衰曲線を示した図である。
【図１７】未ドープのNaYF4を参照して、NaLuF4：Ce（ρ＝5.70g／cm3）のＸ線回折パターンを示した図である。
【図１８】NaLuF4：Ceの2つの放射スペクトル802aおよび802b、励起スペクトル804、および反射806スペクトルを示した図である。
【図１９】320nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）におけるNaLuF4：Ceの減衰曲線を示した図である。
【図２０】未ドープのRbLaF4を参照して、RbLaF4：Ce（ρ＝4.94g／cm3）のＸ線回折パターンを示した図である。
【図２１】RbLaF4：Ceの放射102、励起104、および反射106スペクトルを示した図である。
【図２２】310nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）におけるRbLaF4：Ceの減衰曲線を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図1には、ユニット100の第1の実施形態を示す。このユニット100は、入射高エネルギー放射線50を検出する。放射線検出器ユニット100は、例えば、コンピュータ断層撮影（CT）結像機器に使用されてもよい。CTは、医療用結像技術を含む、多くの異なる状況において使用される画像診断技術である。CT結像システムは、通常、X線源（図示されていない）を使用し、検査領域を横断するX線50を発生する。検査領域に配置される対象物は、横断するX線50の一部と相互作用し、これを吸収する。X線源に対向して、X線放射線検出器100のアレイが配置され、透過したX線50の強度が検出、測定される。放射線検出器アレイは、通常、いくつかの検出器100を有し、各検出器は、一つの結像画素に対応する。
【０００９】
代替例では、放射線検出器ユニット100は、陽電子放射断層撮影（PET）結像機器に使用され得る。PETは、医療用結像技術を含む、多くの異なる状況において使用される画像診断技術である。PETでは、通常、画像化される対象物は、放射性医薬品を摂取し、この医薬品は、対象物の画像化される領域を移動するように構成される。放射性医薬品は、ガンマ線50を放射する。これは、対象物の周囲に配置されたガンマ線放射線検出器100のアレイにより検出される被検査対象物を通過、移動し、放射ガンマ線50の強度が検出、測定される。放射線検出器アレイは、通常、いくつかの検出器100を有し、各検出器100は、一つの結像画素に対応する。
【００１０】
特定の結像機器に関わらず、放射線検出器100は、実質的に同じ方法で作動する。放射線検出器100は、入射放射線50と相互作用し、検出器100により受光される放射線50の強度およびスペクトルを表す電子信号を生成する。その後、電子信号は、電子的に処理され、検査対象の2次元または3次元の画像が形成される。図1は、事実上、概略的に示されており、原則として説明に使用することを意図しており、示された素子のスケールに対する正確な描写を意図するものではない。従って、図面に示された他の素子の寸法に対して、所与の素子の寸法は、実際の放射線検出器ユニットにおいて認められるような、そのような相対的な寸法を必ずしも反映してはいない。例えば、実際の放射線検出器ユニットにおいて、反射材料22は、シンチレータ10の寸法に対して、図示されたものよりも薄い。
【００１１】
放射線検出器ユニット100は、シンチレーション発光組成物10を有し、図1の視野方向から、これは、上面12、底面14、および4つの側面を有する。図には、2つの側面16および18のみが示されている。「上面」、「底面」、「側面」という相対的な用語は、図1の視認方向においてのみ、意味を有するものである。これらは、検出器100の動作において、いかなる機能的な重要性も有しない。従って、特定の用途では、検出器100は、面12が実際に底面となるようにして、結像機器に配置されてもよい。
【００１２】
X線検出器ユニット100は、上面12に照射される入射高エネルギー放射線50を用いて、検出される放射線50の量および全エネルギーを表す電気信号を形成するように機能する。このプロセスにおいて、第1のステップは、シンチレータ10により実施され、これは、入射高エネルギー放射線50のエネルギーを吸収して、このエネルギーを二次光子52に変換することにより、トランスジューサとして機能する。従って、シンチレータ10により形成される二次光子52の量は、所与のリード時間内に吸収された入射放射線エネルギーを表す。従来より多くの異なるシンチレータ10が知られており、後に、各種シンチレータ10の実施例について説明する。特定の用途の要求のため、その用途に特に適したまたは特に適さない、1または2以上のシンチレータ10が提供される。
【００１３】
X線検出器ユニット100は、シンチレータ10の底面14に光学的に結合された光検出器20を有する。そのような光結合は、直接接触により得られてもよい。あるいは、例えばフィルタ、透明もしくは半透明層、透明もしくは半透明接着材、光ガイド等のような、介在素子を用いて達成されてもよい。光検出器20は、シンチレータ10で生じる二次光子52のエネルギーを吸収し、エネルギーを電気信号に変換する。光検出器20により生成された電気信号は、光検出器20に衝突する二次光子52の量を表し、従って、検出器100に入る放射線50の光束を表す。光検出器には、光電子増倍管、フォトダイオード等が含まれる。
【００１４】
シンチレータ10は、該シンチレータ10が光検出器20と光学的に結合される領域を除き、外側の各部分が反射材料22で被覆される。反射材料22は、二次光子52を反射するが、高エネルギー放射線光子50は、影響を受けずに通過することができる。従って、二次光子52は、（これら全てが放射される場合）光検出器20を通ってシンチレータ10から放射される必要がある（少量のロスを除いて）。一部の二次光子52は、それらが光検出器20に到達する前に、シンチレータ10により自己吸収され、一部は、反射材料22の周囲に、または反射材料22を介して逸散する。
【００１５】
各放射線検出器ユニット100において、ユニット100の上面12に衝突する放射線50のみを確実にカウントすることを支援するため、隣接するユニット100の上面12同士間の空間に、放射線シールドまたは反射材料28が配置される。例えば、共通X線シールド材料28は、鉛およびタングステンを含み、これらの両方は、いかなるX線がシールド28を通過することも実質的に防止する。
【００１６】
光検出器20は、該光検出器20を回路基盤32に接続する、1または2以上の電気リード30を有する。回路基盤32は、光検出器20からの電気信号を受信し、これらを信号処理ハードウェア、さらには画像プロセッサ34に通す。画像プロセッサ34は、いくつかの異なる放射線検出器ユニット100から受信された電気信号を処理し、数学的アルゴリズムまたはアルゴリズムにより、被検査対象物の画像を形成する。画像は、関連のディスプレイ36に表示することができる。画像プロセッサ34を制御するため、ユーザに、ユーザ入力38が提供されてもよい。画像プロセッサ34は、関連の画像データおよび他のデータを、メモリ40に保管してもよい。
【００１７】
さらに別の例では、本発明の発光組成物は、X線増強スクリーン（図示されていない）として使用されてもよい。そのような実施例では、発光組成物は、図1に示したシンチレータ10のセラミックまたは単結晶の形態ではなく、通常、粉末形態である。
【００１８】
本発明は、特に、活性化剤としてCe3+が取り込まれたホストマトリクスを有する発光組成物シンチレータに関する。ある実施例では、例えば、Ce3+は、ホストマトリクス内の原子数表記で、0.01%から10%含まれてもよい。Ce3+ドーパントは、そのスピンおよび部分的に許容される[Xe]5d1-[Xe]4f1遷移により、紫外線領域において発光を示す。本発明の発光組成物は、Ce3+に加えて、1または2以上の他のドーピング剤を有してもよい。これらの共活性化剤には、例えば、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、またはYb3+が含まれる。好適なホスト格子の典型的な例には、フッ化物、硫酸塩、リン酸塩が含まれ、特に、
A(Y1-x-yLuxLay)F4、
A(Y1-x-yLuxLay)3F10、
BaCa(Y1-x-yLuxLay)2F10、および
Ba(Y1-x-yLuxLay)2F8
である。ここで、A＝Li、Na、K、Rb、Cs、またはその固溶体である。また、0≦x≦1であり、0≦y≦1であり、x＋y≦1である。
【００１９】
また、本発明は、CT結像スキャナ、またはPETもしくはSPECT結像スキャナ用のセラミックもしくは単結晶変換器としての、これらの発光組成物の1もしくは複数の適用に関する。さらに、本発明は、X線増強スクリーン用の発光粉末層における、これらの発光組成物の1または複数の適用に関する。以下の表には、発光組成物のある代表的な例の概略を示す。
【００２０】
【表１】
0006456946.tif 000002
そのような材料では、1または2以上の利点が得られる。これらの利点には、必要材料が少なく低製造コストであること、高画像解像度、および短い結像時間が含まれる。
【００２１】
本発明の発光組成物は、さらに、拡散バリアを有してもよい。この拡散バリアは、組成物の粒子、セラミック、または単結晶を被覆する。拡散バリア材料は、拡散バリアにわたるH2O、CO2および揮発性有機化合物の拡散を、実質的に防止するように機能してもよい。これにより、発光組成物の安定性が向上する。
【００２２】
本発明の発光組成物は、当業者には知られた従来の発光組成物と同様の方法で製造され、使用されてもよい。
【００２３】
以下、本発明の発光組成物に関する、より詳細な実施例について説明する。
【００２４】
（例1）
KYF4：Ce（1%）を調製し評価した。まず、以下の表の最初の3成分を、瑪瑙乳鉢中で完全に混合した。
【００２５】
【表２】
0006456946.tif 000003
次に、最初の3成分の混合物に、表に記載の量でKBF4を添加した。得られた混合物を再度ミル処理し、最終混合物を形成した。最終混合物をグラッシーカーボンるつぼに入れ、650℃で6時間焼成した。管状炉内の水除去剤としてAlF3の少量のサンプルを用い、乾燥窒素のストリーム中に残留する水分を捕集した。加熱ステップの後、サンプルは、瑪瑙乳鉢中で粉砕することにより粉末状にした。
【００２６】
図2には、得られたKYF4：Ce（ρ＝3.53g／cm3）のX線回折パターンを、未ドープのKYF4を参照して示す。
【００２７】
図3には、得られたKYF4：Ceの放射302、励起304、および反射306のスペクトルを示す。
【００２８】
図4には、327nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）下における得られたKYF4：Ceの減衰曲線を示す。
【００２９】
（例2）
KY3F10：Ce（1%）を調製し評価した。まず、以下の表の最初の3成分を、瑪瑙乳鉢中で完全に混合した。
【００３０】
【表３】
0006456946.tif 000004
次に、最初の3成分の混合物に、表に記載の量でKBF4を添加した。得られた混合物を再度ミル処理し、最終混合物を形成した。最終混合物をグラッシーカーボンるつぼに入れ、650℃で6時間焼成した。管状炉内の水除去剤としてAlF3の少量のサンプルを用い、乾燥窒素のストリーム中に残留する水分を捕集した。加熱ステップの後、サンプルは、瑪瑙乳鉢中で粉砕することにより粉末状にした。
【００３１】
図5には、得られたKY3F10：Ce（ρ＝4.27g／cm3）のX線回折パターンを、未ドープのKY3F10を参照して示す。
【００３２】
図6には、得られたKY3F10：Ceの放射602、励起604、および反射606のスペクトルを示す。327nmでのバンドは、KYF4：Ceの不純物によるものである。
【００３３】
図7には、377nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）下における得られたKY3F10：Ceの減衰曲線を示す。
【００３４】
（例3）
KLaF4：Ce（1%）を調製し評価した。まず、以下の表の最初の3成分を、瑪瑙乳鉢中で完全に混合した。
【００３５】
【表４】
0006456946.tif 000005
次に、最初の3成分の混合物に、表に記載の量でKBF4を添加した。得られた混合物を再度ミル処理し、最終混合物を形成した。最終混合物をグラッシーカーボンるつぼに入れ、650℃で6時間焼成した。管状炉内の水除去剤としてAlF3の少量のサンプルを用い、乾燥窒素のストリーム中に残留する水分を捕集した。加熱ステップの後、サンプルは、瑪瑙乳鉢中で粉砕することにより粉末状にした。
【００３６】
図8には、得られたKLaF4：Ce（ρ＝4.46g／cm3）のX線回折パターンを、未ドープのKLaF4を参照して示す。
【００３７】
図9には、得られたKLaF4：Ceの放射902、励起904、および反射906のスペクトルを示す。
【００３８】
図10には、317nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）下における得られたKLaF4：Ceの減衰曲線を示す。
【００３９】
（例4）
KLuF4：Ce（1%）を調製し評価した。まず、以下の表の最初の3成分を、瑪瑙乳鉢中で完全に混合した。
【００４０】
【表５】
0006456946.tif 000006
次に、最初の3成分の混合物に、表に記載の量でKBF4を添加した。得られた混合物を再度ミル処理し、最終混合物を形成した。最終混合物をグラッシーカーボンるつぼに入れ、650℃で6時間焼成した。管状炉内の水除去剤としてAlF3の少量のサンプルを用い、乾燥窒素のストリーム中に残留する水分を捕集した。加熱ステップの後、サンプルは、瑪瑙乳鉢中で粉砕することにより粉末状にした。
【００４１】
図11には、得られたKLuF4：Ce（ρ＝4.80g／cm3）のX線回折パターンを、未ドープのKYF4を参照して示す。発明者らには、本願の準備中に、未ドープのKLuF4のX線回折パターンデータを容易に得ることはできなかった。
【００４２】
図12には、得られたKLuF4：Ceの放射202、励起204、および反射206のスペクトルを示す。
【００４３】
図13には、312nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）下における得られたKLuF4：Ceの減衰曲線を示す。
【００４４】
（例5）
NaYF4：Ce（1%）を調製し評価した。まず、以下の表の最初の3成分を、瑪瑙乳鉢中で完全に混合した。
【００４５】
【表６】
0006456946.tif 000007
次に、最初の3成分の混合物に、表に記載の量でNaBF4を添加した。得られた混合物を再度ミル処理し、最終混合物を形成した。最終混合物をグラッシーカーボンるつぼに入れ、700℃で6時間焼成した。管状炉内の水除去剤としてAlF3の少量のサンプルを用い、乾燥窒素のストリーム中に残留する水分を捕集した。加熱ステップの後、サンプルは、瑪瑙乳鉢中で粉砕することにより粉末状にした。
【００４６】
図14には、得られたNaYF4：Ce（ρ＝4.30g／cm3）のX線回折パターンを、未ドープのNaYF4を参照して示す。
【００４７】
図15には、得られたNaYF4：Ceの放射502、励起504、および反射506のスペクトルを示す。
【００４８】
図16には、295nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）下における得られたNaYF4：Ceの減衰曲線を示す。
【００４９】
（例6）
NaLuF4：Ce（1%）を調製し評価した。まず、以下の表の最初の3成分を、瑪瑙乳鉢中で完全に混合した。
【００５０】
【表７】
0006456946.tif 000008
次に、最初の3成分の混合物に、表に記載の量でNaBF4を添加した。得られた混合物を再度ミル処理し、最終混合物を形成した。最終混合物をグラッシーカーボンるつぼに入れ、700℃で6時間焼成した。管状炉内の水除去剤としてAlF3の少量のサンプルを用い、乾燥窒素のストリーム中に残留する水分を捕集した。加熱ステップの後、サンプルは、瑪瑙乳鉢中で粉砕することにより粉末状にした。
【００５１】
図17には、得られたNaLuF4：Ce（ρ＝5.70g／cm3）のX線回折パターンを、未ドープのNaYF4を参照して示す。発明者らには、本願の準備中に、未ドープのNaLuF4のX線回折パターンデータを容易に得ることはできなかった。
【００５２】
図18には、得られたNaLuF4：Ceの、260nmの励起光下での第1の放射スペクトル802a、295nmの励起光下での第2の放射スペクトル802b、励起スペクトル804、および反射スペクトル806を示す。
【００５３】
図19には、320nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）下における得られたNaLuF4：Ceの減衰曲線を示す。
【００５４】
（例7）
RbLaF4：Ce（1%）を調製し評価した。まず、以下の表の最初の3成分を、瑪瑙乳鉢中で完全に混合した。
【００５５】
【表８】
0006456946.tif 000009
次に、最初の3成分の混合物に、表に記載の量でRbBF4を添加した。得られた混合物を再度ミル処理し、最終混合物を形成した。最終混合物をグラッシーカーボンるつぼに入れ、700℃で6時間焼成した。管状炉内の水除去剤としてAlF3の少量のサンプルを用い、乾燥窒素のストリーム中に残留する水分を捕集した。加熱ステップの後、サンプルは、瑪瑙乳鉢中で粉砕することにより粉末状にした。
【００５６】
図20には、得られたRbLaF4：Ce（ρ＝4.94g／cm3）のX線回折パターンを、未ドープのRbLaF4を参照して示す。
【００５７】
図21には、得られたRbLaF4：Ceの放射102、励起104、および反射106のスペクトルを示す。
【００５８】
図22には、310nmでモニターされた265nmの励起（4f−5d）下における得られたRbLaF4：Ceの減衰曲線を示す。
【００５９】
好適実施例を参照して、本発明について説明した。前述の詳細な説明を読み理解することにより、他の修正および変更が想定されることは明らかである。本発明は、添付の特許請求の範囲およびその均等物に含まれる限りにおいて、そのような全ての修正および変更を含むと解することが意図される。本発明は、化学組成物、部材および配置、示された実施例の要素の組み合わせおよびサブ組み合わせの各種形態を取り得る。
【図１】
0006456946.tif 000010
【図２】
0006456946.tif 000011
【図３】
0006456946.tif 000012
【図４】
0006456946.tif 000013
【図５】
0006456946.tif 000014
【図６】
0006456946.tif 000015
【図７】
0006456946.tif 000016
【図８】
0006456946.tif 000017
【図９】
0006456946.tif 000018
【図１０】
0006456946.tif 000019
【図１１】
0006456946.tif 000020
【図１２】
0006456946.tif 000021
【図１３】
0006456946.tif 000022
【図１４】
0006456946.tif 000023
【図１５】
0006456946.tif 000024
【図１６】
0006456946.tif 000025
【図１７】
0006456946.tif 000026
【図１８】
0006456946.tif 000027
【図１９】
0006456946.tif 000028
【図２０】
0006456946.tif 000029
【図２１】
0006456946.tif 000030
【図２２】
0006456946.tif 000031