(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されるオニウム塩。
式（１）：
【化１】
0006572066.tif 000017
（式中、Ｑ＋は窒素カチオン又はリンカチオンを示す。ａ及びｃは１〜４の整数、ｂ及びｄは１以上の整数である。Ｒ１及びＲ２はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）：
【化２】
0006572066.tif 000018
（式中、ｅは１〜４の整数、ｆは１以上の整数である。）で示されるオキシアルキレン基を示す。Ｒ１及びＲ２がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよい。Ｄ１〜Ｄ３は式（３）：
【化３】
0006572066.tif 000019
（式中、ＥはＣＨ２、ＣＨ（ＣＨ３）又はＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２を示す。ＧはＮＨ又は硫黄原子を示す。Ｒ３及びＲ４は炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｇは０〜３の整数、ｈは１〜４の整数、ｉは１〜３の整数である。）で示されるアルコキシシリルアルキル基である。Ａ−はアニオンを示す。）
【請求項２】
Ｑ＋が窒素カチオンである請求項１に記載のオニウム塩。
【請求項３】
Ａ−が含フッ素アニオンである請求項１又は２のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項４】
Ａ−が（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、又は（ＦＳＯ２）２Ｎ−である請求項１〜３のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項５】
Ｒ１がメチル基である請求項１〜４のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項６】
Ｒ２が炭素数８〜１８のアルキル基である請求項１〜５のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項７】
ａ及びｃが２である請求項１〜６のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項８】
ｂ＋ｄ＝１５である請求項１〜７のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項９】
ｂ及びｄが１である請求項１〜７のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項１０】
式（４）で表されるオニウム塩と式（７）で表されるアルコキシシリルアルキル化合物を反応させる請求項１〜９のいずれかに記載のオニウム塩の製造方法。
式（４）：
【化４】
0006572066.tif 000020
（式中、Ｑ＋及びＡ−並びにａ〜ｄは前記に同じ。Ｒ５及びＲ６はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）：
【化５】
0006572066.tif 000021
（式中、ｅ及びｆは前記に同じ。）で示されるオキシアルキレン基である。Ｒ５及びＲ６がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ１〜Ｘ３は、水素原子、式（６ａ）：
【化６】
0006572066.tif 000022
（式中、Ｒ７は水素原子又はメチル基を示す。）
で示される（メタ）アクリロイル基、又は式（６ｂ）：
【化７】
0006572066.tif 000023
（式中、Ｒ８はハロゲン原子、Ｒ９は水素原子又はメチル基を示す。）
で示されるハロメチルケトン基である。）
式（７）：
【化８】
0006572066.tif 000024
（式中、Ｒ３、Ｒ４、ｈ及びｉは前記に同じである。ＹはＮＣＯ、ＮＨ２又はＳＨを示す。）
【請求項１１】
式（４）で表されるオニウム塩が、式（８）で表されるハライド塩と式（９）で表される酸又はそのアルカリ金属塩とのアニオン交換反応によって製造したものである請求項１０に記載のオニウム塩の製造方法。
式（８）：
【化９】
0006572066.tif 000025
（式中、Ｑ＋、ａ〜ｄ、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ５及びＲ６は前記に同じである。Ｚ−はハロゲンイオンを示す。）
式（９）：
Ｍ＋Ａ−          （９）
（式中、Ｍ＋は水素イオン又はアルカリ金属イオンを示す。Ａ−は前記に同じ。）
【請求項１２】
式（８）で表されるハライド塩がエソカード（登録商標）Ｃ／２５又はエソカード（登録商標）Ｃ／１２である請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれかに記載のオニウム塩を少なくとも１種含有する帯電防止剤。
【請求項１４】
請求項１３に記載の帯電防止剤を少なくとも１種含有する樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルコキシシリルアルキル基を有する新規なオニウム塩に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルコキシシリルアルキル基を有するオニウム塩としては、Ｎ−｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等の、アルコキシシリルアルキルカルバモイルオキシアルキル基を１つ有するオニウム塩が知られている。そして、該オニウム塩は、アクリル樹脂に対して帯電防止性を付与できることが知られている（特許文献１参照）。しかしながら、樹脂の種類や用途によっては、樹脂に対して、より優れた帯電防止性を付与できるオニウム塩が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２８５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、樹脂に対して、優れた帯電防止性を付与できる新規なオニウム塩及びそれを含む帯電防止剤、並びに当該帯電防止剤を含む樹脂組成物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者が上記課題を解決するために鋭意検討を行ったところ、式（１）で表されるオニウム塩を見出し、当該オニウム塩を帯電防止剤としてアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂に使用したところ、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂に対して優れた帯電防止性を付与できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
即ち本発明は、以下の［１］〜［１５］を提供するものである。
【０００７】
［１］式（１）で表されるオニウム塩。
【０００８】
式（１）：
【０００９】
【化１】
0006572066.tif 000002
（式中、Ｑ＋は窒素カチオン又はリンカチオンを示す。ａ及びｃは１〜４の整数、ｂ及びｄは１以上の整数である。Ｒ１及びＲ２はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）：
【００１０】
【化２】
0006572066.tif 000003
（式中、ｅは１〜４の整数、ｆは１以上の整数である。）で示されるオキシアルキレン基を示す。Ｒ１及びＲ２がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよい。Ｄ１〜Ｄ３は式（３）：
【００１１】
【化３】
0006572066.tif 000004
（式中、ＥはＣＨ２、ＣＨ（ＣＨ３）又はＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２を示す。ＧはＮＨ又は硫黄原子を示す。Ｒ３及びＲ４は炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｇは０〜３の整数、ｈは１〜４の整数、ｉは１〜３の整数である。）で示されるアルコキシシリルアルキル基である。Ａ−はアニオンを示す。）
【００１２】
［２］Ｑ＋が窒素カチオンである［１］に記載のオニウム塩。
【００１３】
［３］Ａ−が含フッ素アニオンである［１］又は［２］のいずれかに記載のオニウム塩。
【００１４】
［４］Ａ−が（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、又は（ＦＳＯ２）２Ｎ−である［１］〜［３］のいずれかに記載のオニウム塩。
【００１５】
［５］Ｒ１がメチル基である［１］〜［４］のいずれかに記載のオニウム塩。
【００１６】
［６］Ｒ２が炭素数８〜１８のアルキル基である［１］〜［５］のいずれかに記載のオニウム塩。
【００１７】
［７］ａ及びｃが２である［１］〜［６］のいずれかに記載のオニウム塩。
【００１８】
［８］ｂ＋ｄ＝１５である［１］〜［７］のいずれかに記載のオニウム塩。
【００１９】
［９］ｂ及びｄが１である［１］〜［７］のいずれかに記載のオニウム塩。
【００２０】
［１０］式（４）で表されるオニウム塩と式（７）で表されるアルコキシシリルアルキル化合物を反応させる［１］〜［９］のいずれかに記載のオニウム塩の製造方法。
【００２１】
式（４）：
【００２２】
【化４】
0006572066.tif 000005
（式中、Ｑ＋及びＡ−並びにａ〜ｄは前記に同じ。Ｒ５及びＲ６はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）：
【００２３】
【化５】
0006572066.tif 000006
（式中、ｅ及びｆは前記に同じ。）で示されるオキシアルキレン基である。Ｒ５及びＲ６がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して、環を形成してもよい。Ｘ１〜Ｘ３は、水素原子、式（６ａ）：
【００２４】
【化６】
0006572066.tif 000007
（式中、Ｒ７は水素原子又はメチル基を示す。）
で示される（メタ）アクリロイル基、又は式（６ｂ）：
【００２５】
【化７】
0006572066.tif 000008
（式中、Ｒ８はハロゲン原子、Ｒ９は水素原子又はメチル基を示す。）
で示されるハロメチルケトン基である。）
【００２６】
式（７）：
【００２７】
【化８】
0006572066.tif 000009
（式中、Ｒ３、Ｒ４、ｈ及びｉは前記に同じである。ＹはＮＣＯ、ＮＨ２又はＳＨを示す。）
【００２８】
［１１］式（４）で表されるオニウム塩が、式（８）で表されるハライド塩と式（９）で表される酸又はそのアルカリ金属塩とのアニオン交換反応によって製造したものである［１０］に記載のオニウム塩の製造方法。
【００２９】
式（８）：
【００３０】
【化９】
0006572066.tif 000010
（式中、Ｒ５及びＲ６は前記に同じである。Ｚ−はハロゲンイオンを示す。）
【００３１】
式（９）：
【００３２】
Ｍ＋Ａ−          （９）
（式中、Ｍ＋は水素イオン又はアルカリ金属イオンを示す。Ａ−は前記に同じ。）
【００３３】
［１２］式（８）で表されるハライド塩がエソカード（登録商標）Ｃ／２５又はエソカード（登録商標）Ｃ／１２である［１１］に記載の製造方法。
【００３４】
［１３］［１０］〜［１２］のいずれかに記載の製造方法により得られるオニウム塩。
【００３５】
［１４］［１］〜［９］、又は［１３］のいずれかに記載のオニウム塩を少なくとも１種含有する帯電防止剤。
【００３６】
［１５］［１４］に記載の帯電防止剤を少なくとも１種含有する樹脂組成物。
【発明の効果】
【００３７】
本発明のオニウム塩（１）は、アクリル樹脂及びポリカーボネート樹脂に対して優れた帯電防止性を付与できるため、有用な化合物である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００３９】
式（１）中、Ｑ＋は窒素カチオン又はリンカチオンであり、好ましくは窒素カチオンである。ａ及びｃは１〜４の整数であり、好ましくは２である。ｂ及びｄは１以上の整数であり、好ましくは１〜１５の整数、特に好ましくは１である。また、別の形態として特に好ましくはｂ＋ｄ＝１５である。Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｒ２はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜１８のアルキル基が好ましく、炭素数６〜１８のアルキル基がより好ましく、炭素数８〜１８のアルキル基が特に好ましい。Ｒ１及びＲ２がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよく、環としては、例えば、モルホリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ホスホラン環又はホスホリナン環等が挙げられる。Ｄ１〜Ｄ３は式（３）で示されるアルコキシシリルアルキル基である。
【００４０】
式（２）中、ｅは１〜４の整数であり、好ましくは２である。ｆは１以上の整数であり、好ましくは１である。
【００４１】
式（３）中、ＥはＣＨ２、ＣＨ（ＣＨ３）又はＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２を示す。ＧはＮＨ又は硫黄原子であり、好ましくはＮＨである。Ｒ３及びＲ４は炭素数１〜４のアルキル基を示し、メチル基又はエチル基がより好ましい。ｇは０〜３の整数であり、好ましくは０である。ｈは１〜４の整数であり、好ましくは１〜３の整数、より好ましくは３である。ｉは１〜３の整数であり、好ましくは３である。
【００４２】
Ａ−はアニオンを示し、好ましくは含フッ素アニオン、より好ましくは含フッ素イミドアニオンである。アニオンとしては、例えば、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＣＨ２Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−、ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−等が挙げられ、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、が好ましく、特に好ましくは（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−である。
【００４３】
式（１）で表されるオニウム塩（以下、オニウム塩（１）という。）の具体例としては、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００４４】
Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００４５】
Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００４６】
Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピロリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピロリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピペリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピペリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００４７】
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００４８】
Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等が挙げられ、好ましくは、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４９】
本発明のオニウム塩（１）の製造方法について説明する。オニウム塩（１）は、例えば、式（４）で表されるオニウム塩（以下、オニウム塩（４）という。）と式（７）で表されるアルコキシシリルアルキル化合物（以下、アルコキシシリルアルキル化合物（７）という）を反応させることにより製造できる。
【００５０】
式（４）中、Ｑ＋及びＡ−並びにａ〜ｄは前記に同じである。Ｒ５はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｒ６はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜１８のアルキル基が好ましく、炭素数６〜１８のアルキル基がより好ましく、炭素数８〜１８のアルキル基が特に好ましい。Ｒ５及びＲ６がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよく、環としては、例えば、モルホリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ホスホラン環又はホスホリナン環等が挙げられる。式（５）中、ｅ及びｆは前記に同じである。Ｘ１〜Ｘ３は水素原子、式（６ａ）で表される（メタ）アクリロイル基、又は式（６ｂ）で表されるハロメチルケトン基であり、好ましくは水素原子である。式（６ａ）中、Ｒ７は水素原子又はメチル基である。式（６ｂ）中、Ｒ８はハロゲン原子であり、好ましくは塩素原子である。Ｒ９は水素原子又はメチル基である。
【００５１】
オニウム塩（４）としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−エチルメチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アクリロイルオキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メタクロイルオキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（２−クロロアセチル）オキシエチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［（２−クロロアセチル）ポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等が挙げられ、好ましくは、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドである。
【００５２】
式（７）中、Ｒ３、Ｒ４、ｈ及びｉは前記に同じである。ＹはＮＣＯ、ＮＨ２又はＳＨであり、好ましくはＮＣＯである。
【００５３】
アルコキシシリルアルキル化合物（７）としては、アルコキシシリルアルキルイソシアネート類、トリアルコキシシリルアルキルアミン類及びトリアルコキシシリルアルキルチオール類が挙げられ、好ましくはアルコキシシリルアルキルイソシアネート類である。
【００５４】
アルコキシシリルアルキルイソシアネート類としては、トリメトキシシリルメチルイソシアネート、トリメトキシシリルエチルイソシアネート、トリメトキシシリルプロピルイソシアネート、トリメトキシシリルブチルイソシアネート、トリエトキシシリルメチルイソシアネート、トリエトキシシリルエチルイソシアネート、トリエトキシシリルプロピルイソシアネート、トリエトキシシリルブチルイソシアネート、トリプロポキシシリルメチルイソシアネート、トリプロポキシシリルエチルイソシアネート、トリプロポキシシリルプロピルイソシアネート、トリプロポキシシリルブチルイソシアネート、トリブトキシシリルメチルイソシアネート、トリブトキシシリルエチルイソシアネート、トリブトキシシリルプロピルイソシアネート、トリブトキシシリルブチルイソシアネート等が挙げられ、好ましくは、トリメトキシシリルプロピルイソシアネートである。
【００５５】
アルコキシシリルアルキルアミン類としては、例えば、トリメトキシシリルメチルアミン、トリメトキシシリルエチルアミン、トリメトキシシリルプロピルアミン、トリメトキシシリルブチルアミン、トリエトキシシリルメチルアミン、トリエトキシシリルエチルアミン、トリエトキシシリルプロピルアミン、トリエトキシシリルブチルアミン、トリプロポキシシリルメチルアミン、トリプロポキシシリルエチルアミン、トリプロポキシシリルプロピルアミン、トリプロポキシシリルブチルアミン、トリブトキシシリルメチルアミン、トリブトキシシリルエチルアミン、トリブトキシシリルプロピルアミン、トリブトキシシリルブチルアミン等が挙げられる。
【００５６】
アルコキシシリルアルキルチオール類としては、例えば、トリメトキシシリルメチルチオール、トリメトキシシリルエチルチオール、トリメトキシシリルプロピルチオール、トリメトキシシリルブチルチオール、トリエトキシシリルメチルチオール、トリエトキシシリルエチルチオール、トリエトキシシリルプロピルチオール、トリエトキシシリルブチルチオール、トリプロポキシシリルメチルチオール、トリプロポキシシリルエチルチオール、トリプロポキシシリルプロピルチオール、トリプロポキシシリルブチルチオール、トリブトキシシリルメチルチオール、トリブトキシシリルエチルチオール、トリブトキシシリルプロピルチオール、トリブトキシシリルブチルチオール等が挙げられる。
【００５７】
アルコキシシリルアルキル化合物（７）の使用量は、通常、オニウム塩（４）１モルに対して２モル以上であればよく、好ましくは２．０〜４．５モルである。
【００５８】
オニウム塩（４）とアルコキシシリルアルキル化合物（７）との反応は溶媒を使用してもよい。溶媒を使用する場合、溶媒としては、アセトン、アセトニトリル、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン等が挙げられる。溶媒の使用量としては、通常、オニウム塩（４）１重量部に対して通常１０重量部以下、好ましくは１〜１０重量部であり、特に好ましくは２〜６重量部である。
【００５９】
オニウム塩（４）とアルコキシシリルアルキル化合物（７）との反応において、必要に応じて、有機スズ化合物触媒や第三級アミン化合物触媒等のウレタン化反応触媒を使用してもよい。有機スズ化合物触媒としては、ジラウリン酸ジブチルスズ等が挙げられる。第三級アミン化合物としては、トリエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエチレンジアミン等が挙げられる。ウレタン化反応触媒の使用量としては、通常、オニウム塩（４）１モルに対して、０．０１モル％以上、好ましくは０．０５〜５モル％である。
【００６０】
オニウム塩（４）と、アルコキシシリルアルキル化合物（７）及び溶媒の混合順序は特に限定されず、オニウム塩（４）と溶媒を混合した後にアルコキシシリルアルキル化合物（７）を添加してもよいし、アルコキシシリルアルキル化合物（７）と溶媒を混合した後にオニウム塩（４）を添加してもよい。
【００６１】
オニウム塩（４）とアルコキシシリルアルキル化合物（７）との反応での反応温度は、通常１０℃以上であり、好ましくは３０〜８０℃である。
【００６２】
反応終了後の反応液からオニウム塩（１）を分離するには、濃縮、濾過、抽出、洗浄等の単位操作を適宜組み合わせて、オニウム塩（１）を単離することができる。
【００６３】
前述のオニウム塩（４）は、市販のものを使用しても良いが、例えば、式（８）で示されるハライド塩（以下、ハライド塩（８）という。）から製造したものを使用してもよい。
【００６４】
オニウム塩（４）の製造方法について説明する。オニウム塩（４）は、種々の方法で製造することができる。例えば、ハライド塩（８）と式（９）で表される酸又はそのアルカリ金属塩（以下、アルカリ金属塩類（９）という。）とのアニオン交換反応によって製造できる。
【００６５】
式（８）中、Ｒ５及びＲ６は前記に同じである。Ｚ−はハロゲンイオンである。ハロゲンイオンとしては、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−等が挙げられ、好ましくはＣｌ−である。
【００６６】
ハライド塩（８）としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム  クロリド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム  クロリド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／１２）、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／２５）等が挙げられ、好ましくはＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  クロリド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  クロリドである。
【００６７】
アルカリ金属塩類（９）としては、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドナトリウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドカリウム、ビス（フルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（フルオロメタンスルホニル）イミドナトリウム、ビス（フルオロメタンスルホニル）イミドカリウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、テトラフルオロホウ酸ナトリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、リチウムヘキサフルオロホスフェート、ナトリウムヘキサフルオロホスフェート、カリウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。
【００６８】
イオン交換反応におけるアルカリ金属塩類（９）の使用量は、ハライド塩（８）１モルに対して、通常０．８モル以上、好ましくは０．９モル〜１．２モルであり、より好ましくは１〜１．０５モルである。
【００６９】
イオン交換反応は通常、溶媒中で行う。溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、２−プロパノール等のアルコール類、アセトニトリル、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、水等が挙げられる。使用量は特に制限はないが、ハライド塩（８）１重量部に対して通常１０重量部以下、好ましくは１〜１０重量部であり、特に好ましくは２〜６重量部である。
【００７０】
ハライド塩（８）、アルカリ金属塩類（９）及び溶媒の混合順序は特に限定されず、ハライド塩（８）と溶媒を混合した後にアルカリ金属塩類（９）を添加してもよいし、アルカリ金属塩類（９）と溶媒を混合した後にハライド塩（８）を添加してもよい。
【００７１】
イオン交換反応における反応温度は、通常１０℃以上、好ましくは１０〜６０℃、特に好ましくは１０〜３０℃である。
【００７２】
反応終了後の反応液からオニウム塩（４）を分離するには、溶媒及び生成する無機塩又は酸塩を反応液から除去すればよい。例えば、得られた反応液を濾過するか又は水洗して無機塩又は酸塩を除き、次いで濃縮、濾過、抽出等の単位操作を適宜組み合わせて、オニウム塩（４）を単離することができる。
【００７３】
本発明は、オニウム塩（１）を少なくとも１種含有する帯電防止剤を提供する。本発明において、オニウム塩（１）を単独で帯電防止剤として使用することもできるが、任意選択で、本発明が属する分野において使用される安定化剤等の添加剤、溶媒等を混合して使用することもできる。本発明の帯電防止剤を使用できる絶縁物としては樹脂組成物等が挙げられる。添加剤、溶媒等を配合する場合、帯電防止剤中のオニウム塩（１）の含有量は特に限定されず、例えば、９０重量％以上、７０重量％以上、５０重量％以上、３０重量％以上、１０重量％以上、５重量％以上、１重量％以上等の条件から適宜設定できる。帯電防止性を付与するには、本発明の帯電防止剤を樹脂組成物等の製造時にそれらの材料に添加、混合する等の方法又は樹脂組成物等に塗布する方法等が挙げられる。
【００７４】
本発明は、上記帯電防止剤を含有する樹脂組成物を提供する。樹脂組成物への本発明の帯電防止剤の添加量は、特に限定されないが、例えば、本発明の帯電防止剤が樹脂に対して０．０５〜２０重量％であり、好ましくは０．１〜１０重量％、特に好ましくは０．５〜５重量％である。樹脂組成物には、樹脂及び帯電防止剤以外に樹脂組成物の性質を損なわない範囲で、必要に応じて公知の添加剤を加えることができる。添加剤としては、染料、顔料、補強剤、充填剤、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。本発明の帯電防止剤により帯電防止性を付与する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、好ましくはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂である。
【実施例】
【００７５】
つぎに、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。以下の実施例中、１Ｈ−ＮＭＲはブルカー社製のＤＰＸ  ４００を使用し、溶媒にＤＭＳＯ−ｄ６を用いて４００ＭＨｚで測定した。また、表面抵抗率は三菱化学株式会社製ハイレスタ−ＵＰ（ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を使用し、印加電圧５００Ｖ、温度２５℃、湿度５０％ＲＨの条件にて測定した。
【００７６】
合成例１  Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成
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反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／２５）８５４．９ｇ（０．９７ｍｏｌ）、及びイオン交換水２０１５．２ｇを入れ、撹拌した。そこへ７５．０％ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム水溶液３９０．７ｇ（１．０２ｍｏｌ）を入れ、２５℃で３時間撹拌した。得られた反応液にメチルイソブチルケトン２１３７．８ｇを加えて抽出、分液し、有機層をイオン交換水２１３７．５ｇで３回洗浄した。得られた有機層を濃縮・乾燥してＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド７０７．０ｇ（収率６４．７％）を得た。
【００７７】
合成例２  Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成
0006572066.tif 000012
反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／１２）９０８．０ｇ（１．９７ｍｏｌ）、及びイオン交換水１１１４．１ｇを入れ、撹拌した。そこへ７０．５％ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム水溶液８４４．１ｇ（２．０７ｍｏｌ）を入れ、２５℃で２時間撹拌した。得られた反応液にメチルエチルケトン１２７１．０ｇを加えて抽出、分液し、有機層をイオン交換水１３７３．０ｇで２回洗浄した。得られた有機層を濃縮・乾燥してＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１１４５．６ｇ（収率９８．６％）を得た。
【００７８】
実施例１  Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成
0006572066.tif 000013
反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２０．１ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）、ジラウリン酸ジブチルスズ０．０２ｇ（０．０３ｍｍｏｌ、東京化成工業株式会社製）及びアセトニトリル２８．８ｇを加えて、撹拌しながら５０℃まで昇温し均一溶液とした。この溶液に３−（トリエトキシシリル）プロピルイソシアネート８．８ｇ（３５．０ｍｍｏｌ、信越化学工業株式会社製）を２時間かけて滴下し、５０℃で４時間反応させた。反応後、仕込み重量の約半分になるまで濃縮した。得られた濃縮反応液に、ヘキサン１７．６ｇを加えて分液し、ヘキサン層を除く操作を２回行った。洗浄後の濃縮反応液をさらに７０℃で１６時間濃縮して、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２７．９ｇを得た（収率９７．７％）。得られたＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの１Ｈ  ＮＭＲを次に示す。
【００７９】
１Ｈ  ＮＭＲ  δ（ｐｐｍ）：７．２１（ｂｒｍ，２Ｈ），４．０４（ｂｒｍ，４Ｈ），３．８２（ｂｒｍ，３Ｈ），３．７６−３．７１（ｍ，１２Ｈ），３．５６−３．５１（ｂｒｍ，４８Ｈ），３．３２（ｂｒｍ，２Ｈ），３．０６（ｓ，３Ｈ），２．９４（ｑ，４Ｈ），１．６６（ｂｒｍ，２Ｈ），１．４４（ｂｒｍ，４Ｈ），１．２５（ｂｒｍ，２０Ｈ），１．１４（ｔ，１８Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ），０．５１（ｔ，４Ｈ）
【００８０】
実施例２  Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成
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反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２９９．６ｇ（５０７．３ｍｍｏｌ）、ジラウリン酸ジブチルスズ０．３４ｇ（０．５３ｍｍｏｌ東京化成工業株式会社製）及びアセトニトリル２９９．５ｇを加えて、撹拌しながら５０℃まで昇温し均一溶液とした。この溶液に３−（トリエトキシシリル）プロピルイソシアネート２６０．９ｇ（１０３９．９ｍｍｏｌ、信越化学工業株式会社製）を０．５時間かけて滴下し、５０℃で５時間反応させた。反応後、仕込み重量の約半分になるまで濃縮した。得られた濃縮反応液に、ヘキサン５９９．８ｇを加えて分液し、ヘキサン層を除く操作を２回行った。洗浄後の濃縮反応液をさらに５０℃で６時間濃縮して、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド５５０．０ｇを得た（収率９９．７％）。得られたＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。
【００８１】
１Ｈ  ＮＭＲ  δ（ｐｐｍ）：７．３５（ｂｒｍ，２Ｈ），４．３９（ｂｒｍ，４Ｈ），３．７８−３，７３（ｍ，１２Ｈ），３．６５（ｂｒｍ，４Ｈ），３．３５（ｂｒｍ，２Ｈ），３．０９（ｓ，３Ｈ），２．９９（ｑ，４Ｈ），１．６５（ｂｒｍ，２Ｈ），１．４８（ｂｒｍ，４Ｈ），１．２７（ｂｒｍ，１９Ｈ），１．１６（ｔ，１８Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ），０．５４（ｔ，３Ｈ）
【００８２】
応用例１
ペンタエリスリトールトリアクリレート（Ａ−ＴＭＭ−３ＬＭ−Ｎ、新中村化学工業株式会社製）１００重量部に対して、帯電防止剤として実施例１で得たＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１重量部、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン６重量部（和光純薬株式会社製）、及び希釈剤としてメチルエチルケトン１０７重量部を加えて溶解し、コート剤を調製した。このコート剤をトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム上にバーコーターを使用して乾燥時の厚みが約５μｍになるようにコートし、６０℃で２０分間加熱・乾燥させた。乾燥後のフィルムをアイグラフィックス株式会社製のＵＶコンベア装置ＲＣＳ−１５１１Ｕを使用して、高圧水銀ＵＶランプ（１２０Ｗ／ｃｍ）の紫外線を積算光量４００±１０ｍＪ／ｃｍ２、ピーク照度４００±１０ｍＷ／ｃｍ２の条件で照射して硬化を行い、試験片を作成した。得られた試験片を２５±１℃、５０±５％ＲＨの雰囲気中に３０分間保持させた後、かかる試験片のハードコート膜の表面抵抗率を測定した。結果を表１に示す。
【００８３】
応用例２
応用例１のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、実施例２で得たＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例１と同様にして試験片を作成し、かかる試験片のハードコート膜の表面抵抗率を測定した。それらの結果を表１に示す。
【００８４】
比較応用例１
応用例１のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、Ｎ−｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例１と同様にして試験片を作成し、かかる試験片のハードコート膜の表面抵抗率を測定した。その結果を表１に示す。
【００８５】
【表１】
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【００８６】
表１の結果から本発明のオニウム塩を配合したアクリル樹脂コーティング剤は、優れた帯電防止性を有することが分かった。
【００８７】
応用例３
５０ｍＬのサンプル瓶にポリカーボネート樹脂（住友ダウ株式会社製  カリバー（登録商標）２００−１３  ＮＡＴ）３．２ｇ、ジクロロメタン２０ｍＬを入れて、ポリカーボネートを溶解し、帯電防止剤として実施例１で得たＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド０．０３２ｇを添加して完溶させた。この調整液を金型（縦１３ｃｍ×横１９．５ｃｍ×深さ２ｃｍ）へ流し込み、１時間乾燥させ、ポリカーボネート樹脂組成物の試験片を作成した。得られた試験片を２５±１℃、５０±５％ＲＨの雰囲気中に３０分間保持させた後、試験片表面の表面抵抗率を測定した。結果を表２に示す。
【００８８】
応用例４
応用例３のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例３と同様にして試験片を作成し、かかる試験片の表面抵抗率を測定した。その結果を表２に示す。
【００８９】
比較応用例２
応用例１のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、Ｎ−｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例３と同様にして試験片を作成し、かかる試験片の表面抵抗率を測定した。その結果を表２に示す。
【００９０】
【表２】
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【００９１】
表２の結果から本発明のオニウム塩を配合したポリカーボネート樹脂は優れた帯電防止性を有することが分かった。