(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器であって、
不揮発性の第１のメモリと、
前記第１のメモリよりも書込み速度が速い不揮発性の第２のメモリと、
前記第１のメモリへのデータの書込み要求を受けるように構成される制御部と、
前記電子機器を操作するための１つまたは複数のＧＵＩ（Graphical User Interface）を表示するように構成される表示部と、
前記１つまたは複数のＧＵＩへのタッチ操作を受け付けるように構成されるタッチパネルを含む入力部とを備え、
前記制御部は、前記書込み要求を受けた場合、
前記データの書込みを高速化する必要がない動作状態に前記電子機器があることを意味する所定の条件が成立するとき、前記データを前記第１のメモリへ書込み、
前記所定の条件が成立しないとき、前記データを、前記第２のメモリへ書込むように構成され、
前記所定の条件は、前記表示部がＯＦＦであるという条件、および前記タッチ操作がないという状態が所定の時間継続したという条件の少なくとも１つを含む、電子機器。
【請求項２】
電子機器であって、
不揮発性の第１のメモリと、
前記第１のメモリよりも書込み速度が速い不揮発性の第２のメモリと、
前記第１のメモリへのデータの書込み要求を受けるように構成される制御部とを備え、
前記制御部は、前記書込み要求を受けた場合、
前記データの書込みを高速化する必要がない動作状態に前記電子機器があることを意味する所定の条件が成立するとき、前記データを前記第１のメモリへ書込み、
前記所定の条件が成立しないとき、前記データを、前記第２のメモリへ書込むように構成され、
前記所定の条件は、前記制御部が受けている前記書込み要求の数が所定の数よりも少ないという条件、前記データのサイズが所定のサイズより小さいという条件、および前記制御部の負荷率が所定の負荷率よりも高いという条件の少なくとも１つを含む、電子機器。
【請求項３】
通信部をさらに備え、
前記所定の条件は、前記通信部によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さいという条件を含む、請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
第１の記憶領域と第２の記憶領域とを含む、物理的に一個の不揮発性メモリを備え、
前記第１の記憶領域は、前記第１のメモリに相当し、
前記第２の記憶領域は、前記第２のメモリに相当する、請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項５】
前記第１のメモリは、１つのメモリセルに記憶可能な情報量が第１のビット数であるフラッシュメモリであり、
前記第２のメモリは、前記情報量が第２のビット数であるフラッシュメモリであり、
前記第１のビット数は前記第２のビット数よりも大きい、請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項６】
前記制御部は、
所定の場合に、前記第１のメモリおよび前記第２のメモリの双方と異なる不揮発性の第３のメモリへデータを書込むことが可能であり、
前記所定の場合かつ前記書込み要求を受けた場合に、前記所定の条件が成立しないとき、
前記第２のメモリへの第１の書込み速度が、前記第３のメモリへの第２の書込み速度よりも速いとき、前記データを前記第２のメモリへ書込み、
前記第１の書込み速度が前記第２の書込み速度よりも小さいとき、前記データを前記第３のメモリへ書込むように構成される、請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項７】
前記第１のメモリは、
前記第２のメモリへの書込み速度と、前記第２のメモリへの書込み速度に影響を与える１つまたは複数の要因である第１の要因の状態とを関連付けて記憶し、
前記第３のメモリへの書込み速度と、前記第３のメモリへの書込み速度に影響を与える１つまたは複数の要因である第２の要因の状態とを関連付けて記憶するように構成され、
前記制御部は、前記書込み要求を受けた場合、
前記第１の要因の第１の状態と、前記第２の要因の第２の状態とを特定し、
前記第１の状態と関連付けられて前記第１のメモリへ記憶されている書込み速度を前記第１の書込み速度とし、
前記第２の状態と関連付けられて前記第１のメモリへ記憶されている書込み速度を前記第２の書込み速度とするように構成される、請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記制御部は、
前記第２のメモリへデータを書込んだ場合、前記第２のメモリへの書込み速度と、前記第１の要因の状態とを関連付けて前記第１のメモリへ記録し、
前記第３のメモリへデータを書込んだ場合、前記第３のメモリへの書込み速度と、前記第２の要因の状態とを関連付けて前記第１のメモリへ記録するように構成される、請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記第１の要因は、データのサイズと、前記第１のメモリの空き容量とを含み、
前記第２の要因は、前記サイズを含む、請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記第３のメモリである着脱式メモリを装着することができる装着部をさらに備え、
前記所定の場合とは、前記装着部に前記着脱式メモリが装着されている場合であり、
前記第２の要因は、前記着脱式メモリの空き容量をさらに含む、請求項９に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記第３のメモリであるオンラインストレージと通信可能な通信部をさらに備え、
前記所定の場合とは、前記通信部が前記オンラインストレージと通信を確立している場合であり、
前記第２の要因は、前記通信の方式と、前記通信における電波環境とをさらに含む、請求項９に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の処理能力が向上している。その主な要因として、たとえば電子機器が内蔵するＣＰＵ（Central Processing Unit）の高速化、あるいは電子機器の通信速度の高速化を挙げることができる。このような高速化をユーザによる電子機器の操作に十分に反映するため、電子機器の記憶部へのデータの書込みの高速化が望まれている。
【０００３】
データの書込み速度が速いメモリとして、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが知られている。特開２０１５−１４１６２３号公報（特許文献１）には、メモリコントローラとＮＡＮＤ型フラッシュメモリとを一つにまとめてパッケージ化したｅＭＭＣ（embedded Multi Media Card）（登録商標）を記憶装置とする携帯端末が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１４１６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
書込み速度が速くなるとメモリのコストは一般的に高くなる。記憶部へのデータの書込みを高速化するなら電子機器の記憶部を書込み速度のできるだけ速いメモリで構成するべきである。しかし、それはコストダウンの要請により限界がある。
【０００６】
記憶部をコストが低い第１メモリと書込み速度の速い第２メモリとから構成することにより、コストダウンと書込みの高速化とを調和させることができる。第１メモリには恒常的にデータが保存される。第２メモリには、第１メモリへの書込み要求があった場合に、データが恒常的、もしくは一時的に書込まれる。
【０００７】
第１メモリへのデータの書込み要求が発生した場合、第２メモリへデータを書込むことにより、データの書込みは確かに高速化することができる。しかし、そのような書込みの高速化による効果が、電子機器の使用状況によってはユーザに実感されないことがある。第１メモリへのデータの書込み要求が発生した場合に常にデータを第２メモリへ書込んでは、第２メモリの寿命を不要に短くしてしまう可能性がある。
【０００８】
本開示の目的は、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、データ書込みを高速化するためにデータが書込まれるメモリの寿命が短くなることを抑制することができる電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一態様の電子機器は、不揮発性の第１のメモリと、不揮発性の第２のメモリと、制御部とを備える。第２のメモリは、第１のメモリよりも書込み速度が速い。制御部は、第１のメモリへのデータの書込み要求を受けるように構成される。制御部は、書込み要求を受けた場合、データの書込みを高速化する必要がない動作状態に電子機器があることを意味する所定の条件が成立するとき、データを第１のメモリへ書込む。制御部は、所定の条件が成立しないとき、データを第２のメモリへ書込むように構成される。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、データの書込みを高速化する必要がない場合にはデータを第２メモリへ書込まないことにより、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、第２メモリの寿命が短くなることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態による電子機器であるスマートフォンの正面図（ａ）および側面図（ｂ）である。
【図２】図１のスマートフォンの機能を説明するための機能ブロック図である。
【図３】第１メモリへの書込み要求が発生した場合に図２の制御部によって行なわれる処理の流れを説明するためのフローチャートである。
【図４】図３の「所定の条件」の構成の一例を示す図である。
【図５】「所定の条件」の他の例を示す図である。
【図６】第２の実施の形態によるスマートフォンの制御部がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。
【図７】第１メモリへ記録されている書込み速度のイメージを示す図である。
【図８】第２の実施の形態の変形例によるスマートフォンの制御部がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。
【図９】第２の実施の形態の他の変形例によるスマートフォンの制御部がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００１３】
以下の実施の形態では、実施の形態による電子機器としてスマートフォンを例として説明する。実施の形態による電子機器はスマートフォンに限定されるものではなく、高速化した処理速度のユーザ操作への反映が望まれる電子機器であればどのようなものでも構わない。実施の形態による電子機器は、たとえばタブレットＰＣ、ノート型ＰＣ、あるいはスマートウォッチであってもよい。また、実施の形態による電子機器は携帯型の電子機器に限定されるものでもなく、たとえばデスクトップ型ＰＣ、あるいはワークステーションであってもよい。
【００１４】
[第１の実施の形態]
図１は、第１の実施の形態による電子機器であるスマートフォン１の正面図（ａ）および側面図（ｂ）である。図１（ａ）に示されるように、スマートフォン１は本体部の長手方向の上部にスピーカ７０と、本体部の長手方向の下部にマイク６０と、中央部に表示部２０と入力部５０とを備える。図１（ｂ）に示されるように、スマートフォン１は側面部に着脱式メモリ１００を装着可能な装着部８０を備える。
【００１５】
図２は、図１のスマートフォン１の機能を説明するための機能ブロック図である。図２に示されるように、スマートフォン１は、制御部１０と、表示部２０と、記憶部３０と、通信部４０と、入力部５０と、マイク６０と、スピーカ７０と、装着部８０とを備える。
【００１６】
制御部１０は、スマートフォン１を統合的に制御することができる。制御部１０は、スマートフォン１の表示部２０、記憶部３０、通信部４０、入力部５０、マイク６０、スピーカ７０、および装着部８０の各構成要素を制御することができる。制御部１０は、図示はしないがＣＰＵ（Central Processing Unit）および揮発性の記憶素子を含む。記憶素子は、たとえばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）またはＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）である。
【００１７】
表示部２０は、制御部１０から受信した信号に基づいて表示を行なうことができる。表示部２０は、たとえば液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、または有機ＥＬディスプレイから構成されてもよい。表示部２０は、スマートフォン１を操作するための１つまたは複数のＧＵＩを表示することができる。
【００１８】
記憶部３０は、たとえば制御部１０に読み出されて実行されるＯＳ（Operating System）、各種アプリケーションのプログラム、およびそのプログラムによって使用される各種データを保存することができる。記憶部３０の具体的な構成については後に説明する。
【００１９】
通信部４０は、いずれも図示しないが、アンテナスイッチ、デュプレクサ、電力増幅器、低雑音増幅器、および帯域通過フィルタを含む。通信部４０は、ＬＴＥ（Long Term Evolution）またはＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access）の方式に従い、通信事業者の通信網において広域無線通信を行なうことができる。通信部４０は、アンテナで受信した信号を処理して、当該信号を制御部１０に出力することができる。制御部１０は、通信部４０へ信号を出力することができる。通信部４０は、制御部１０から出力された信号を送信することができる。通信部４０は、いずれも図示しないが無線ＬＡＮ回路および無線ＬＡＮアンテナを含み、ＷｉＦｉ（登録商標）に基づいて、たとえばＷｉＦｉアクセスポイントのようなＷｉＦｉ対応機器と近距離無線通信を行なうことができる。
【００２０】
なお、「近距離無線通信」とは、数メートルから数十メートル程度離れた状態で行なう無線通信を意味する。「近距離無線通信」は、ＷｉＦｉに限らず、たとえば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）の方式に従って行なわれてもよい。
【００２１】
通信部４０は、広域無線通信または近距離無線通信により、たとえばオンラインストレージと通信を行なうことができる。ここで「オンラインストレージ」とは、スマートフォン１とは別個の記憶装置であり、有線または無線を問わず通信によってアクセス可能な記憶装置を意味する。すなわち、「オンラインストレージ」には、事業者によりクラウドサービスの一環として提供される記憶装置のみならず、たとえばＬＡＮ上に設置された記憶装置、あるいは近距離無線通信によってアクセス可能な記憶装置も含まれる。
【００２２】
入力部５０は、ユーザからスマートフォン１を操作するための入力を受け付け、制御部１０にその入力に基づく信号を送信することができる。入力部５０は、タッチパネルを含む。入力部はさらにボタンを含んでもよい。タッチパネルは、表示部２０に表示された１つまたは複数のＧＵＩへのタッチ操作を受け付けることができる。
【００２３】
装着部８０には、着脱式メモリ１００を装着することができる。制御部１０は、装着部８０に装着された着脱式メモリ１００にデータを書込むことができる。着脱式メモリ１００としてはたとえばＳＤカード、あるいはＵＳＢメモリを挙げることができる。
【００２４】
以下では、記憶部３０の具体的な構成について説明する。記憶部３０はＮＡＮＤ型フラッシュメモリを含む。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとして、ＴＬＣ（Triple Level Cell），ＭＬＣ（Multi Level Cell），ＳＬＣ（Single Level Cell）が知られている。ＴＬＣは１つのメモリセルに３ｂｉｔの情報を記憶することができる。ＭＬＣは１つのメモリセルに２ｂｉｔの情報を記憶することができる。ＳＬＣは１つのメモリセルに１ｂｉｔの情報を記憶することができる。それぞれの書込み速度はＴＬＣ，ＭＬＣ，ＳＬＣの順に速くなる。それぞれの製造コストはＴＬＣ，ＭＬＣ，ＳＬＣの順に高くなる。書込み速度に着目すれば、記憶部３０はＳＬＣで構成するべきといえる。しかし、それはコストダウンの要請により限界がある。
【００２５】
スマートフォン１においては、コストダウンと書込みの高速化との調和の観点から、記憶部３０はコストの低いＴＬＣを含むとともに、このＴＬＣの記憶領域の一部はＳＬＣとして使用可能に設定される。記憶部３０の記憶領域のうち、ＴＬＣとして使用可能な第１記憶領域を第１メモリ３１とし、ＳＬＣとして使用可能な第２記憶領域を第２メモリ３２とする。第１メモリ３１と第２メモリ３２とは物理的に一個の不揮発性メモリに含まれる。第１メモリ３１には恒常的にデータが保存される。第２メモリ３２には第１メモリ３１への書込み要求があった場合に、データの書込みを高速するためにデータが恒常的、もしくは一時的に書込まれる。
【００２６】
記憶部３０は、書込み速度が異なる不揮発性メモリを複数含むことが可能なものであればどのような態様のものでもよい。記憶部３０としては、たとえばｅＭＭＣ（embedded Multi Media Card）を挙げることができる。第１メモリ３１と第２メモリ３２とは、物理的に別個であっても構わない。
【００２７】
第１メモリ３１と第２メモリ３２との組み合わせは、ＴＬＣとＳＬＣとに限定されるものではない。第２メモリ３２への書込み速度が第１メモリ３１への書込み速度より速ければどのような組み合わせでもよく、たとえば、ＴＬＣの記憶領域の一部がＭＬＣとして使用可能に設定されてもよい。あるいはＭＬＣの記憶領域の一部がＳＬＣとして使用可能に設定されてもよい。
【００２８】
第２メモリ３２には、データの書込みを正常に記憶することができる所定の書込み回数が予め設定されている。第２メモリ３２への書込み回数がこの所定の書込み回数に達すると、それ以降の第２メモリ３２への書込みは、正常に記憶されることが保証されなくなる。データの書込みを正常に記憶することができなくなる実際の書込み回数は、製品毎にばらつきがあるため、予め設定された所定の書込み込み回数よりも少ない書込み回数であっても、データの書込みが正常に記憶されなくなることもあり得る。
【００２９】
第１メモリ３１への書込み要求が発生した場合、第２メモリ３２へデータを書込むことにより、データの書込みを高速化することができる。しかし、そのような書込みの高速化による効果が、スマートフォン１の使用状況によってはユーザに実感されないことがある。たとえば省電力のために表示部２０がＯＦＦとなっている場合、ユーザはスマートフォン１を操作していない場合がほとんどである。このような場合にまで第２メモリ３２へデータを書込んでしまうと、第２メモリ３２の書込み回数が不要に増えてしまい、第２メモリ３２の寿命を不要に短くしてしまう可能性がある。
【００３０】
そこで、第１の実施の形態においては、第１メモリ３１への書込み要求が発生した場合、スマートフォン１がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあることを意味する所定の条件が成立するときには第２メモリ３２へのデータの書込みを行なわず、第１メモリ３１へデータを書込む。スマートフォン１によれば、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら第２メモリ３２の寿命が短くなることを抑制することができる。
【００３１】
図３は、第１メモリ３１への書込み要求が発生した場合に図２の制御部１０によって行なわれる処理の流れを説明するためのフローチャートである。図３に示されるように、制御部１０はステップＳ１１において、「所定の条件」が成立するか否かを判定する。「所定の条件」は、スマートフォン１の動作状態のうち、データの書込みを高速化する必要がない動作状態に対応する条件である。「所定の条件」が具体的にどのような条件から構成されているかは後に説明する。
【００３２】
所定の条件が成立しない場合（Ｓ１１においてＮＯ）、データの書込みを高速化する必要がある場合として、制御部１０は処理をステップＳ１２へ進める。制御部１０はステップＳ１２においてデータを第２メモリ３２へ書込んで処理を終了する。第２メモリ３２へ書込まれたデータは、たとえば表示部２０がＯＦＦでユーザ操作がないタイミング、第２メモリ３２へ書込まれたデータの容量が所定の容量に達した場合、あるいはＯＳが次に起動するタイミングに第１メモリ３１へまとめて書込まれる。
【００３３】
所定の条件が成立する場合（Ｓ１１においてＹＥＳ）、データの書込みを高速化する必要がない場合として、制御部１０は処理をステップＳ１３へ進める。制御部１０はステップＳ１３においてデータを第１メモリ３１へ書込んで処理を終了する。
【００３４】
図４は、図３のステップＳ１１の「所定の条件」の構成の一例を示す図である。図４に示されるように、制御部１０はステップＳ１１１において表示部２０がＯＦＦであるか否かを判定する。表示部２０がＯＮである場合（Ｓ１１１においてＮＯ）、制御部１０は処理をステップＳ１１２へ進める。表示部２０がＯＦＦである場合（Ｓ１１１においてＹＥＳ）、制御部１０は、スマートフォン１がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップＳ１３へ進めてデータを第１メモリ３１へ書込む。表示部２０がＯＦＦである場合とは、たとえば、表示部２０に何も表示されていない場合、あるいは表示部２０のバックライトが消灯している場合である。
【００３５】
スマートフォン１の操作は、そのほとんどが入力部５０に含まれるタッチパネルへのタッチ操作によって行なわれる。そのため、表示部２０がＯＦＦである場合（Ｓ１１１においてＹＥＳ）には、タッチパネルからのタッチ操作が行なわれない。スマートフォン１がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザがスマートフォン１を操作することがほとんどない。そこで、第１の実施の形態においては、スマートフォン１が、表示部２０がＯＦＦであるという動作状態にある場合、データを第２メモリ３２へ書込まずに第１メモリ３１へ書込む。
【００３６】
制御部１０はステップＳ１１２においてタッチパネルへのタッチ操作がないという状態が所定の時間継続したか否かを判定する。所定の時間の間にタッチパネルへのタッチ操作があった場合（Ｓ１１２においてＹＥＳ）、制御部１０は処理をステップＳ１１３へ進める。タッチパネルへのタッチ操作がないという状態が所定の時間継続した場合（Ｓ１１２においてＮＯ）、制御部１０は、スマートフォン１がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップＳ１３へ進めてデータを第１メモリ３１へ書込む。
【００３７】
タッチパネルへのタッチ操作が行なわれない状態が継続した場合、スマートフォン１は、たとえばどこかに置かれている、あるいはどこかにしまわれているなど、ユーザの手を離れ、その後のユーザ操作がしばらく期待できない状況に置かれている可能性が高い。スマートフォン１がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザがスマートフォン１を操作することがほとんどない。そこで、第１の実施の形態においては、スマートフォン１が、タッチパネルへのタッチ操作が行なわれない状態が所定の時間継続したという動作状態にある場合、データを第２メモリ３２へ書込まずに第１メモリ３１へ書込む。
【００３８】
制御部１０はステップＳ１１３において、制御部１０が受けている第１メモリ３１への書込み要求の数が所定の数よりも少ないか否かを判定する。制御部１０が受けている第１メモリ３１への書込み要求の数が所定の数以上の場合（Ｓ１１３においてＮＯ）、制御部１０は処理をステップＳ１１４へ進める。制御部１０が受けている第１メモリ３１への書込み要求の数が所定の数よりも少ない場合（Ｓ１１３においてＹＥＳ）、制御部１０は、スマートフォン１がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップＳ１３へ進めてデータを第１メモリ３１へ書込む。
【００３９】
制御部１０が受けている第１メモリ３１への書込み要求の数が少ない場合、制御部１０が受けた他の書込み要求が処理されるまでの待ち時間が短くなる。データの書込みは、高速化しなくとも短時間で処理されることが期待できる。スマートフォン１がこのような動作状態にある場合には、データの書込みによってユーザがスマートフォン１の操作に遅さを感じることが少ない。そこで、第１の実施の形態においては、スマートフォン１が、制御部１０が受けている第１メモリ３１への書込み要求の数が所定の数よりも少ないという動作状態にある場合、データを第２メモリ３２へ書込まずに第１メモリ３１へ書込む。
【００４０】
制御部１０はステップＳ１１４において、書込むデータのサイズが所定のサイズより小さいか否かを判定する。書込むデータのサイズが所定のサイズ以上の場合（Ｓ１１４においてＮＯ）、制御部１０は処理をステップＳ１１５へ進める。書込むデータのサイズが所定のサイズより小さい場合（Ｓ１１４においてＹＥＳ）、制御部１０は、スマートフォン１がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップＳ１３へ進めてデータを第１メモリ３１へ書込む。
【００４１】
書込むデータのサイズが小さい場合、データの書込み時間は短くなる。スマートフォン１がこのような動作状態にある場合には、データの書込みによってユーザがスマートフォン１の操作に遅さを感じることが少ない。そこで、第１の実施の形態においては、スマートフォン１が、書込むデータのサイズが所定のサイズより小さいという動作状態にある場合、データを第２メモリ３２へ書込まずに第１メモリ３１へ書込む。
【００４２】
制御部１０はステップＳ１１５において、制御部１０の負荷率が所定の負荷率よりも高いか否かを判定する。制御部１０の負荷率が所定の負荷率以下である場合（Ｓ１１５においてＮＯ）、制御部１０は処理をステップＳ１１６へ進める。制御部１０の負荷率が所定の負荷率よりも高い場合（Ｓ１１５においてＹＥＳ）、制御部１０は、スマートフォン１がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップＳ１３へ進めてデータを第１メモリ３１へ書込む。ここで「負荷率」とは、制御部１０が所定の時間の間にアプリケーションを実行していた時間の、所定の時間に対する割合である。
【００４３】
制御部１０の負荷率が高い場合、ユーザ操作に対するアプリケーションのレスポンスは遅くなる。スマートフォン１がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザ操作が高速化される程度は小さい。そこで、第１の実施の形態においては、スマートフォン１が、制御部１０の負荷率が所定の負荷率よりも高いという動作状態にある場合、データを第２メモリ３２へ書込まずに第１メモリ３１へ書込む。
【００４４】
制御部１０はステップＳ１１６において、通信部４０によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さいか否かを判定する。通信部４０によるデータのダウンロードの速度が所定の速度以上である場合（Ｓ１１６においてＮＯ）、制御部１０は処理をステップＳ１２へ進め、データを第２メモリ３２へ書込む。通信部４０によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さい場合（Ｓ１１６においてＹＥＳ）、制御部１０は、スマートフォン１がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップＳ１３へ進めてデータを第１メモリ３１へ書込む。
【００４５】
通信部４０によるデータのダウンロードが遅い場合、ダウンロード時間がボトルネックとなってユーザがスマートフォン１の操作に遅さを感じる場合が多い。スマートフォン１がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザ操作が高速化される程度は小さい。そこで、第１の実施の形態においては、スマートフォン１が、通信部４０によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さいという動作状態にある場合には、データを第２メモリ３２へ書込まずに第１メモリ３１へ書込む。
【００４６】
以上から、第１の実施の形態によるスマートフォン１によれば、データの書込みを高速化する必要がない場合（所定の条件が成立する場合）にデータを第２メモリ３２へ書込まないことにより、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、第２メモリ３２の寿命が短くなることを抑制することができる。具体的には、スマートフォン１によれば、第２メモリ３２への書込み回数が従来のスマートフォンよりも減らせるため、第２メモリ３２への書込み回数が所定の書込み回数に到達するのを遅らせることができる。その結果、第２メモリ３２の寿命が短くなることを抑制することができる。
【００４７】
第１の実施の形態においては、「所定の条件」は図４のＳ１１１〜１１６に示される条件から構成されている。「所定の条件」はこのような構成に限定されない。図５は、「所定の条件」の他の例を示す図である。図５（ａ）に示されるように、「所定の条件」は、Ｓ１１１〜１１６のいずれか１つの条件から構成されていてもよい。あるいは、図５（ｂ）に示されるように、「所定の条件」はＳ１１１〜１１６のうちの２つ以上の条件を組み合わせた構成であってもよい。さらに、図５（ｃ）に示されるように、「所定の条件」は、電子機器がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあることを意味する条件であれば、Ｓ１１１〜Ｓ１１６に示される条件以外の条件を含んでいても構わない。たとえば、「所定の条件」は、制御部１０が受けている第１メモリ３１への書込み要求毎のデータサイズの総和が、所定のサイズよりも小さいという条件を含んでいてもよい。
【００４８】
[第２の実施の形態]
第１の実施の形態においては、データを、スマートフォン１に予め内蔵されている第２メモリへ書込む場合について説明した。データを書込むメモリはスマートフォン１に内蔵されているメモリに限定されない。第２の実施の形態においては、スマートフォン１に予め内蔵されていない第３メモリにデータを書込む場合について説明する。
【００４９】
第２の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、制御部１０がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理である。すなわち、制御部１０がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理が図３に示される処理から図６に示される処理に置き換わる。これ以外の点については同様であるため、説明を繰り返さない。
【００５０】
図６は、第２の実施の形態によるスマートフォンの制御部１０がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。図６に示されるように、制御部１０は、ステップＳ２１において、受けた書込み要求が記憶部３０への書込み要求か否かを判定する。受けた書込み要求が第３メモリへの書込み要求である場合（Ｓ２１においてＮＯ）、制御部１０は処理をステップＳ２２へ進める。制御部１０はステップＳ２２において第３メモリへデータを書込み、処理をステップＳ２３へ進める。
【００５１】
第３メモリとしては、装着部８０に装着された着脱式メモリ１００、あるいは通信部４０と接続を確立しているオンラインストレージ２００を挙げることができる。
【００５２】
受けた書込み要求が記憶部３０への書込み要求である場合（Ｓ２１においてＹＥＳ）、制御部１０は処理をステップＳ２４へ進める。
【００５３】
制御部１０はステップＳ２４において所定の条件が成立するか否かを判定する。「所定の条件」は第１の実施の形態における図３のＳ１１に相当するものである。所定の条件が成立する場合（Ｓ２４においてＹＥＳ）、制御部１０は、データの書込みを高速化する必要がない場合として、処理をステップＳ２５へ進める。制御部１０はステップＳ２５においてデータを第１メモリ３１へ書込み、処理をステップＳ２３へ進める。
【００５４】
所定の条件が成立しない場合（Ｓ２４においてＮＯ）、制御部１０は、データの書込みを高速化する必要がある場合として、処理をステップＳ２６へ進める。
【００５５】
制御部１０は、ステップＳ２６において、第２メモリ３２への書込み速度が第３メモリへの書込み速度よりも速いか否かを判定する。第２メモリ３２への書込み速度が第３メモリへの書込み速度以下である場合（Ｓ２６においてＮＯ）、制御部１０は処理をステップＳ２７へ進める。制御部１０はステップＳ２７においてデータを第３メモリへ書込んで処理をステップＳ２３へ進める。
【００５６】
第２メモリ３２への書込み速度が第３メモリへの書込み速度より速い場合（Ｓ２６においてＹＥＳ）、制御部１０は処理をステップＳ２８へ進める。制御部１０はステップＳ２８においてデータを第２メモリ３２へ書込んで処理をステップＳ２３へ進める。
【００５７】
着脱式メモリ１００およびオンラインストレージ２００のいずれにも書込みが可能である場合には、第２メモリ３２、着脱式メモリ１００、およびオンラインストレージ２００の中で最も書込み速度の速いメモリへデータを書込むものとする。
【００５８】
ステップＳ２６において比較される書込み速度は、第１メモリ３１へ記録されているものが参照される。書込み速度がどのような態様で第１メモリ３１へ記憶されているか、制御部１０が参照する書込み速度をどのように決定するかについては後に説明する。
【００５９】
制御部１０は、ステップＳ２３において、ステップＳ２２，Ｓ２５，Ｓ２７，Ｓ２８においてデータを書込んだときの書込み速度を第１メモリ３１へ記録し、処理を終了する。
【００６０】
図７は、第１メモリ３１へ記録されている書込み速度のイメージを示す図である。書込み速度は、データを書込んだ対象毎に、書込み速度に影響を与える要因の状態と関連付けられて記録されている。書込み速度に影響を与える要因は、第１メモリ３１、第２メモリ３２、および着脱式メモリ１００の場合、書込んだデータのサイズおよび空き容量を含む。第２の実施の形態においては、書込んだデータのサイズには大，中，小の３段階の状態があり、空き容量には大，小の２段階の状態がある。
【００６１】
書込み速度に影響を与える要因は、オンラインストレージの場合、書込んだデータのサイズ、電波環境、および通信方式を含む。ここで、「電波環境」とは、通信部４０が受信する電波の強度に基づく要因であって、第２の実施の形態においては「良い」および「悪い」の２段階の状態がある。通信方式の状態としては、広域無線通信および近距離無線通信の通信方式が記録される。広域無線通信の方式としては、たとえばＬＴＥおよびＣＤＭＡを挙げることができる。近距離無線通信の方式としては、たとえばＷｉｆｉおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈを挙げることができる。書込み速度に影響を与える要因およびその状態は、図７に示されたものに限定されるものではない。
【００６２】
制御部１０は、図６のステップＳ２６において、第２メモリ３２への書込み速度および第３メモリへの書込み速度に影響を与える要因の状態を特定する。制御部１０は、特定された状態に対応する第２メモリ３２への書込み速度および第３メモリへの書込み速度を第１メモリ３１において参照し、両者の速度比較を行なう。たとえば、第３メモリが着脱式メモリ１００であって、書込むデータのサイズが「中」、第２メモリ３２の空き容量が「小」、着脱式メモリ１００の空き容量が「大」であると制御部１０が特定したとする。この場合、第２メモリ３２への書込み速度としてＶ４が参照され、第３メモリへの書込み速度としてＶ９が参照されて、両者が比較される。
【００６３】
特定した状態に対応する書込み速度が第１メモリ３１に記録されていない場合には、予め定められた第２メモリ３２への書込み速度および予め定められた第３メモリへの書込み速度を用いて速度比較を行なってもよい。あるいは、速度比較を行なうことなく第２メモリ３２または第３メモリへ書込むようにしてもよい。
【００６４】
このように、書込み速度に影響を与える要因の状態と関連付けて記録した書込み速度をステップＳ２６における速度比較に用いることにより、第１メモリ３１への書込み要求が発生した状況に、より即した速度比較が可能になる。その結果、データの書込みのさらなる高速化が可能になる。
【００６５】
以上から、第２の実施の形態によるスマートフォンによれば、データの書込みを高速化する必要がない場合（所定の条件が成立する場合）にデータを書込まないことにより、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、第２メモリ３２の寿命が短くなることを抑制することができる。
【００６６】
第２の実施の形態においては、データの書込みを高速化する必要がある場合（所定の条件が成立しない場合）に、さらに第３メモリへの書込み速度と第２メモリ３２への書込み速度とを比較し、書込み速度の速い方へデータを書込む。第３メモリへの書込み速度が第２メモリ３２への書込み速度以上である場合には、第３メモリへデータを書込むため、第１の実施の形態と比べて第２メモリ３２の書込み回数の増加を抑制することができる。その結果、第２メモリ３２の寿命が短くなることをさらに抑制することができる。
【００６７】
第２の実施の形態においては、第２メモリ３２よりも書込み速度が速い第３メモリへデータを書込む場合があり得るため、第１の実施の形態と比べてデータの書込み速度をさらに高速化することができる。
【００６８】
第２の実施の形態においては、図６のステップＳ２６の速度比較に用いる書込み速度は第１メモリ３１に記録されているものを参照する。この比較に用いる書込み速度は、第１メモリ３１に記憶されているものを参照するのではなく、動的に算出したものを用いてもよい。
【００６９】
第２の実施の形態においては、第１メモリ３１、第２メモリ３２、および第３メモリへの書込み速度が第１メモリ３１に記録される。各メモリへの書込み速度が保存されるメモリは第１メモリ３１に限定されない。たとえば、各メモリへの書込み速度は、制御部１０が含む揮発性の記憶素子に記録されても構わない。
【００７０】
第２の実施の形態においては、データの書込みを行なう度に書込み速度を第１メモリ３１に記録する。データの書込みの度に書込み速度を第１メモリ３１に記録せずに、予め第１メモリ３１に所定の書込み速度を記憶させておいても構わない。
【００７１】
第２の実施の形態においては、所定の条件が成立する場合、第１メモリ３１へ書込む。所定の条件が成立する場合に、第３メモリへデータを書込んでも構わない。たとえば、図８に示されるように、第３メモリへの書込み速度が第１メモリ３１への書込み速度以上である場合（Ｓ２９においてＮＯ）に、第３メモリへデータを書込んでも構わない。
【００７２】
第２の実施の形態においては、データを書込むことができるメモリの中で第２メモリ３２への書込み速度が最も早い場合、第２メモリ３２へデータを書込む。第３メモリへの書込みが可能な場合、第２メモリ３２へのデータの書込みを行なわないようにしても構わない。たとえば、図９に示されるように、第３メモリへの書込み速度が第１メモリ３１への書込み速度以上の場合（Ｓ２９においてＮＯ）に、第３メモリへデータを書込む（Ｓ２７）ようにしても構わない。このような処理の流れとすることにより、第２メモリ３２の寿命が短くなることをさらに抑制することができる。
【００７３】
記憶部３０が第２メモリを含まない場合であっても、書込み速度が第１メモリ３１よりも速いメモリを装着部８０に装着する、あるいはそのようなメモリと通信部４０が通信を確立することにより、データの書込み速度を高速化することができる。
【００７４】
今回開示された各実施の形態は、適宜組合わせて実施することも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７５】
１  スマートフォン、１０  制御部、２０  表示部、３０  記憶部、３１  第１メモリ、３２  第２メモリ、４０  通信部、５０  入力部、６０  マイク、７０  スピーカ、８０  装着部、１００  着脱式メモリ、２００  オンラインストレージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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