(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアと、
前記キャリア上に設けられた半導体レーザ素子と、
前記キャリア上に設けられ、前記半導体レーザ素子に接続され、掘り込みを有する実装基板と、
前記実装基板の前記掘り込み内において前記キャリア上に設けられた温度センサとを備え、
前記半導体レーザ素子と前記温度センサが前記キャリアの同一面に設けられていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記キャリアの裏面に設けられ、前記温度センサにより検出した温度に基づいて前記キャリアから熱量を奪う又は与えるように制御される熱電変換素子を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
サーミスタなどの熱に敏感な温度センサを実装する際に、環境温度の影響を受け難くする必要がある。そこで、従来は、温度センサに接着剤などの有機物を塗布する（例えば、特許文献１（要約）参照）か、又はヒートシンクに設けられた掘り込み内にサーミスタを配置していた（例えば、特許文献２（図８）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３２４５２４号公報
【特許文献２】特開２００７−５６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
接着剤などの有機物を別途塗布する従来技術では、プロセスが増える手間に加えて密閉内でのガス発生などを考慮する必要があった。また、ヒートシンクは加工費が高いという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は別材料を追加することなく環境温度の影響を受け難くでき、実装時のクリアランスを確保することができる光モジュールを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る光モジュールは、キャリアと、前記キャリア上に設けられた半導体レーザ素子と、前記キャリア上に設けられ、前記半導体レーザ素子に接続され、掘り込みを有する実装基板と、前記実装基板の前記掘り込み内において前記キャリア上に設けられた温度センサとを備え、前記半導体レーザ素子と前記温度センサが前記キャリアの同一面に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、実装基板の掘り込み内に温度センサが設けられている。これにより、光モジュール外部から温度センサへの熱流入が実装基板により遮断される。従って、別材料を追加することなく環境温度の影響を受け難くできる。また、温度センサの上面の高さが低くなって部材の段差が少なくなるため、ピンセットによる他部材の実装又はキャピラリによるワイヤボンドなどの実装時のクリアランスを確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光モジュールを示す平面図である。
【図２】図１のＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る光モジュールを示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る光モジュールの変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施の形態に係る光モジュールについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る光モジュールを示す平面図である。図２は図１のＩ−ＩＩに沿った断面図である。キャリア１上に実装基板２〜６が設けられている。実装基板２〜５上にそれぞれ半導体レーザ素子７〜１０が設けられている。実装基板２上の配線１１が半導体レーザ素子７の下面電極に接続され、実装基板２上の配線１２が半導体レーザ素子７の上面電極にワイヤ１３により接続されている。他の実装基板２〜６も同様である。各実装基板２〜５の配線１２，１３が実装基板６のパッドにそれぞれワイヤ１４，１５により接続されている。実装基板６には回路が設けられているが、ここでは図示を省略する。
【００１１】
実装基板６の中央部には掘り込み１６が設けられている。この実装基板６の掘り込み１６内において、サーミスタなどの温度センサ１７がキャリア１上に設けられている。ここでは掘り込み１６は実装基板６を上下に貫通する貫通孔であるが、これに限らず実装基板６の厚さ方向の途中まで掘り込まれた窪みであってもよい。何れの場合でも、温度センサ１７の上面の高さが実装基板６の上面の高さよりも低くなることが好ましい。
【００１２】
キャリア１の裏面には、ペルチェ素子などの熱電変換素子１８が設けられている。熱電変換素子１８は、温度センサ１７により検出した温度に基づいて制御される。熱電変換素子１８は、供給される制御電流の電流量に応じてキャリア１から熱量を奪う又は与える。制御電流の方向に応じて熱電変換素子１８の下面が吸熱面又は放熱面の一方となり、上面が吸熱面又は放熱面の他方となる。
【００１３】
以上説明したように、本実施の形態では、実装基板６の掘り込み１６内に温度センサ１７が設けられている。これにより、光モジュール外部から温度センサ１７への熱流入が実装基板６により遮断される。従って、別材料を追加することなく環境温度の影響を受け難くできるため、半導体レーザ素子７〜１０の温度を精度よく測定できる。そして、シビアな温度管理が求められる製品に対してより厳密に温度管理をすることができる。特に、光モジュールの場合は、半導体レーザ素子７〜１０の発振波長の温度依存性を小さく抑えることができる。
【００１４】
また、温度センサ１７の上面の高さが低くなって部材の段差が少なくなるため、ピンセットによる他部材の実装又はキャピラリによるワイヤボンドなどの実装時のクリアランスを確保することができる。従って、狭接実装に有利である。
【００１５】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２に係る光モジュールを示す平面図である。互いに分離した実装基板１９，２０がキャリア１上に設けられている。実装基板２，３の配線１１，１２が実装基板１９のパッドに接続され、実装基板４，５の配線１１，１２が実装基板２０のパッドに接続されている。実装基板１９，２０上にそれぞれ回路が設けられているが、ここでは図示を省略する。
【００１６】
実装基板１９と実装基板２０の間において、温度センサ１７がキャリア１上に設けられている。温度センサ１７の上面の高さが実装基板１９，２０の上面の高さよりも低くなることが好ましい。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００１７】
本実施の形態では光モジュール外部から温度センサ１７への熱流入が実装基板１９，２０により遮断される。また、本実施の形態でも温度センサ１７の上面の高さが低くなって部材の段差が少なくなる。このため、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、実装基板を２つに分けることで配線引き回しの自由度が高くなる。さらに、ワイヤボンド位置も分割されるため、ワイヤ干渉を避けることができる。そして、ワイヤボンドを行う際に必要な実装面積を確保することができるため、ワイヤボンド時のキャピラリなどのクリアランスを確保することができる。
【００１８】
図４は、本発明の実施の形態２に係る光モジュールの変形例を示す平面図である。図３では実装基板１９，２０が同一形状で左右及び前後対称であるが、これに限らず図４のように実装基板１９，２０が異なる形状でもよい。
【符号の説明】
【００１９】
１  キャリア、６，１９，２０  実装基板、７〜１０  半導体レーザ素子、１６  掘り込み、１７  温度センサ
【図１】
0006555106.tif 000002
【図２】
0006555106.tif 000003
【図３】
0006555106.tif 000004
【図４】
0006555106.tif 000005