(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面にｐ型半導体領域を有するシリコン基板と、
該シリコン基板の前記一方主面の上に配置された、負の固定電荷を有する第１パッシベーション膜と、
該第１パッシベーション膜を貫通した状態で配置されているとともに、前記シリコン基板に接している複数の第１電極と、
前記第１パッシベーション膜および前記第１電極のそれぞれの上に配置されているとともに、前記第１電極に接している第２電極と、
前記シリコン基板の前記一方主面側から平面透視して前記第１電極に重ならない位置で、前記第２電極の上に配置されているとともに、前記第２電極に接している第３電極と、
前記シリコン基板の前記一方主面上に配置されたバスバー電極と、を備え、
前記第２電極の厚みは前記第３電極の厚みよりも薄い、太陽電池素子。
【請求項２】
前記バスバー電極は、前記シリコン基板の前記一方主面において、前記第１パッシベーション膜が配置されていない部位の上に配置されており、
前記バスバー電極は、前記シリコン基板の前記一方主面側から平面透視して前記第３電極に一部が重なる位置に配置されているとともに、前記第２電極を介して前記第３電極に電気的に接続されている、請求項１に記載の太陽電池素子。
【請求項３】
前記第１パッシベーション膜と前記第２電極との間に配置された、絶縁性の第１保護膜をさらに備えている、請求項１または２に記載の太陽電池素子。
【請求項４】
前記バスバー電極は複数の電極部が間隔を空けて直線状に配置されてなり、
隣り合う前記電極部同士の間には前記第３電極が配置されていない、請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項５】
前記第１パッシベーション膜が酸化アルミニウムを有する、請求項１乃至４のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項６】
前記シリコン基板と前記第１パッシベーション膜との間に配置された、酸化シリコンを有する第２パッシベーション膜をさらに備えている、請求項５に記載の太陽電池素子。
【請求項７】
一方主面にｐ型半導体領域を有するシリコン基板を備えている太陽電池素子の製造方法であって、
前記シリコン基板の前記一方主面の上に第１パッシベーション膜を配置する工程と、
前記シリコン基板の表面に到達するレーザービームを前記第１パッシベーション膜の上から照射して、前記第１パッシベーション膜に複数の孔部を形成する工程と、
前記第１パッシベーション膜の前記孔部内に第１導電性ペーストを配置し、前記第１パッシベーション膜の上に第２導電性ペーストを配置し、該第２導電性ペーストの上で且つ前記孔部を除く所定領域に第３導電性ペーストを配置する工程と、
前記第１導電性ペースト、前記第２導電性ペーストおよび前記第３導電性ペーストを焼成して、前記第１パッシベーション膜を貫通した状態で配置されているとともに、前記シリコン基板に接している複数の第１電極と、前記第１パッシベーション膜および前記第１電極のそれぞれの上に配置されているとともに、前記第１電極に接している第２電極と、前記シリコン基板の前記一方主面側から平面透視して前記第１電極に重ならない位置で、前記第２電極の上に配置されているとともに、前記第２電極に接している第３電極とをそれぞれ形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１導電性ペースト、前記第２導電性ペーストおよび前記第３導電性ペーストを配置する工程は、１回の印刷によって行なう、請求項７に記載の太陽電池素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換効率を向上し得る太陽電池素子の構造の１つとして、ＰＥＲＣ（Passivated Emitter and Rear Cell）構造が知られている。
【０００３】
ＰＥＲＣ構造を有する太陽電池素子は、例えば、シリコン基板の裏面にパッシベーション膜を配置して、パッシベーション膜を貫通する電極と、シリコン基板の裏面側全面に配置された裏面電極とを備えている（例えば下記の特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２―７６３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、光電変換効率をさらに向上し得る太陽電池素子が求められている。そこで、光電変換効率を向上し得る、太陽電池素子およびその製造方法を提供することを本発明の目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る太陽電池素子は、一方主面にｐ型半導体領域を有するシリコン基板と、該シリコン基板の前記一方主面の上に配置された、負の固定電荷を有する第１パッシベーション膜と、該第１パッシベーション膜を貫通した状態で配置されているとともに、前記シリコン基板に接している複数の第１電極と、前記第１パッシベーション膜および前記第１電極のそれぞれの上に配置されているとともに、前記第１電極に接している第２電極と、前記シリコン基板の前記一方主面側から平面透視して前記第１電極に重ならない位置で、前記第２電極の上に配置されているとともに、前記第２電極に接している第３電極と、前記シリコン基板の前記一方主面上に配置されたバスバー電極と、を備え、前記第２電極の厚みは前記第３電極の厚みよりも薄い。
【０００７】
また、本発明の一形態に係る太陽電池素子の製造方法は、一方主面にｐ型半導体領域を有するシリコン基板を備えている太陽電池素子の製造方法であって、前記シリコン基板の前記一方主面の上に第１パッシベーション膜を配置する工程と、前記シリコン基板の表面に到達するレーザービームを前記第１パッシベーション膜の上から照射して、前記第１パッシベーション膜に複数の孔部を形成する工程と、前記第１パッシベーション膜の前記孔部内に第１導電性ペーストを配置し、前記第１パッシベーション膜の上に第２導電性ペーストを配置し、該第２導電性ペーストの上で且つ前記孔部を除く所定領域に第３導電性ペーストを配置する工程と、前記第１導電性ペースト、前記第２導電性ペーストおよび前記第３導電性ペーストを焼成して、前記第１パッシベーション膜を貫通した状態で配置されているとともに、前記シリコン基板に接している複数の第１電極と、前記第１パッシベーション膜および前記第１電極のそれぞれの上に配置されているとともに、前記第１電極に接している第２電極と、前記シリコン基板の前記一方主面側から平面透視して前記第１電極に重ならない位置で、前記第２電極の上に配置されているとともに、前記第２電極に接している第３電極とをそれぞれ形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
上記の太陽電池素子およびその製造方法によれば、光電変換効率を向上し得る太陽電池素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る太陽電池素子の第１主面側の外観を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る太陽電池素子の第２主面側の外観を示す平面図である。
【図３】図３（ａ）は、図２のIIIa−IIIa線における切断面の様子を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図２のIIIb−IIIb線における切断面の様子を示す断面図である。
【図４】図４は、図３（ａ）のＡ部の様子を示す拡大断面図である。
【図５】図５は、第１保護膜を備えている太陽電池素子を示す断面図である。
【図６】図６は、第１保護膜および第２パッシベーション膜を備えている太陽電池素子を示す断面図である。
【図７】図７は、第１保護膜および第２保護膜を備えている太陽電池素子を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る太陽電池素子の製造方法８を示す部分拡大断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る太陽電池素子の製造方法を示す部分拡大断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の別の実施形態に係る太陽電池素子の第２主面側の外観を示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のXI−XI線における切断面の様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る太陽電池素子およびその製造方法の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図面は模式的に示したものであり、断面図等において構成要素の一部を省略して図示している。
【００１１】
＜太陽電池素子＞
図１〜３に示すように、本実施形態の太陽電池素子１０は、主として光が入射する表主面である第１主面１０ａと、この第１主面１０ａの反対側に位置する裏主面である第２主面１０ｂとを有する。
【００１２】
また、太陽電池素子１０を構成する半導体である基板１も、主として光が入射する表主面である第１主面１ａと、この第１主面１ａの反対側に位置する裏主面である第２主面１ｂとを有する。基板１は、第２主面１ｂにｐ型半導体領域２を有し、第１主面１ａにｎ型半導体領域３を有する。
【００１３】
以下、基板１としてｐ型のシリコン基板を用いる太陽電池素子を例に挙げて説明する。基板１は、例えば厚みが１００〜２５０μｍ程度のものを用いる。基板１の形状は、特に限定されない。ただし、基板１が平面視で１辺が１５０〜２００ｍｍ程度の正方形状または長方形状であれば、複数の太陽電池素子１０を平面的に並べて太陽電池モジュールを作製する場合に都合がよい。
【００１４】
基板１をｐ型にする場合には、ドーパントとして、例えばホウ素、ガリウム等のアクセプタ不純物をシリコン基板に含有させる。
【００１５】
ｎ型半導体領域３は、例えば、基板１の第１主面１ａ側に、ドーパントとして、例えばリン等のドナー不純物を含有させることによって形成できる。また、ｐ型半導体領域２と
ｎ型半導体領域３との間でｐｎ接合部が形成される。
【００１６】
図３に示すように、基板１の第１主面１ａ側には、照射された光の反射率を低減するための微細な凹凸構造（テクスチャ）が設けられていてもよい。テクスチャの凸部の高さは０．１〜１０μｍ程度であり、互いに隣り合う凸部同士の間隔は０．１〜２０μｍ程度である。テクスチャは、例えば、凹部が略球面状であってもよいし、凸部がピラミッド形状であってもよい。
【００１７】
また、太陽電池素子１０の第１主面１０ａ側には、反射防止膜５および表面電極７が配置されている。一方、太陽電池素子１０の第２主面１０ｂ側には、裏面電極８および負の固定電荷を有する第１パッシベーション膜４が配置されている。このように、基板１の一方主面である第２主面１ｂにｐ型半導体領域２を有していて、ｐ型半導体領域２の上に負の固定電荷を有する第１パッシベーション膜４が配置されている。
【００１８】
反射防止膜５は、太陽電池素子１０の第１主面１０ａに照射された光の反射を低減することによって、太陽電池素子１０の光電変換効率を向上させ得る。反射防止膜５は、例えば、酸化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウムもしくは窒化シリコン等の単層膜、またはこれらの積層膜から成る。反射防止膜５は、太陽光のうち、基板１に吸収されて発電に寄与し得る波長範囲の光に対して低反射条件を実現できる屈折率および厚みを有するものを適宜採用すればよい。窒化シリコンから成る反射防止膜５は、例えば、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法によって成膜できる。反射防止膜５の屈折率は１．８〜２．５程度、厚みは６０〜１２０ｎｍ程度である。
【００１９】
表面電極７は、図１に示すように、太陽電池素子１０の第１主面１０ａ側に設けられている。表面電極７は、数本（例えば、図１では３本）の接続電極７ａと、複数の線状のフィンガー電極７ｂとを有する。第１主面１０ａ側のバスバー電極である接続電極７ａは、基板１の第１主面１ａにおいて、光電変換によって得られた電気を、太陽電池素子１０の外部に取り出すための電極である。接続電極７ａは、例えば１〜３ｍｍ程度の幅を有している。接続電極７ａの少なくとも一部は、フィンガー電極７ｂに対して略垂直に交わるように電気的に接続されている。フィンガー電極７ｂは、基板１での光生成キャリアを集めて、接続電極７ａに伝えるための電極である。フィンガー電極７ｂは、例えば３０〜２００μｍ程度の幅を有する、複数の線状であって、互いに１〜３ｍｍ程度の間隔を空けて設けられている。このような表面電極７は、例えば、銀、または銀および銅を主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、導電性ペーストを焼成することによって形成できる。表面電極７の厚みは１０〜４０μｍ程度である。なお、上記主成分とは、全体の成分に対して５０％以上の含有率であることを示し、以下の記述においても同様とする。なお、フィンガー電極７ｂと同様な形状のサブフィンガー電極７ｃを基板１の周縁部に設けて、フィンガー電極７ｂ同士を電気的に接続するようにしてもよい。
【００２０】
基板１の第２主面１ｂ側の略全面を覆う第１パッシベーション膜４は、ｐ型半導体領域２の表面上に配置されている。第１パッシベーション膜４は負の固定電荷を有する。また、第１パッシベーション膜４は、例えば酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムなどの金属酸化物の膜、またはこれら金属酸化物の積層膜を有する。第１パッシベーション膜４の厚みは１０〜２００ｎｍ程度である。本実施形態では、ｐ型半導体領域２の表面に負の固定電荷を有する第１パッシベーション膜４を配置している。パッシベーション膜４の電界効果によって、基板１の第２主面１ｂ側の少数キャリア（この場合は電子）が、ｐ型半導体領域２と第１パッシベーション膜４との界面（基板１の表面）から遠ざけられる。これにより、基板１の第２主面１ｂ側での少数キャリアの再結合が低減されるので、太陽電池素子１０の光電変換効率の向上を図ることができる。特に、酸化アルミニウムは、酸化ハフニウムなどの材料に比べて負の固定電荷が大きいため、第１パッシベーション膜４の材料として好適に用いることができる。
【００２１】
裏面電極８は、太陽電池素子１０の第２主面１０ｂ側に設けられている。図２および図３に示すように、裏面電極８は、第１電極８ａ、第２電極８ｂ、第３電極８ｃおよびバスバー電極８ｄから成る。
【００２２】
第１電極８ａは、基板１の上に第１パッシベーション膜４を貫通した状態で複数個配置されている。また、第１電極８ａの基板１側に近い側の一部（以下、一方部位という）は、基板１の第２主面１ｂに接している。このように、第１電極８ａの一方部位が基板１の第２主面１ｂに電気的に接続されることによって、基板１の第２主面１ｂ側で光生成キャリアを集めることができる。また、第１電極８ａの一方部位の反対側に位置する（基板１に遠い側の）他方部位は第２電極８ｂに接している。第１電極８ａを平面視した場合の形状は、ドット（点）状であってもよいし、帯（線）状であってもよい。この場合には、第１電極８ａの直径または幅は６０〜５００μｍ程度であればよい。第１電極８ａのピッチ（平面視した際の互いに隣り合う第１電極８ａの中心同士の距離は０．３〜３ｍｍ程度であればよい。
【００２３】
第１電極８ａの形成は例えば次のようにして行う。まず、第１パッシベーション膜４に上述の形状、ピッチでレーザービームを照射することなどによって、孔部１５を形成する。その後、第２主面１ｂ側に、アルミニウムを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷等によって塗布する。このとき、孔部１５にもアルミニウムを主成分とする導電性ペーストが入り込み、孔部１５が充填される。その後、孔部１５内の導電性ペーストを焼成することによって第１電極８ａが形成される。
【００２４】
第２電極８ｂは、第１パッシベーション膜４および第１電極８ａのそれぞれの上に配置されて、第１電極８ａおよびバスバー電極８ｄのそれぞれに接している。このように、第１電極８ａとバスバー電極８ｄとを第２電極８ｂを介して電気的に接続している。これにより、第２電極８ｂは、第１電極８ａによって集められた電気をバスバー電極８ｄに伝えることができる。第２電極８ｂは、第１パッシベーション膜４および第１電極８ａの双方を覆っている。なお、第２電極８ｂは、例えばフィンガー状等の電極であってもよく、この場合でも第１電極８ａおよびバスバー電極８ｄのそれぞれに接続される。ただし、第２電極８ｂは基板１の第２主面１ｂ側の略全面を覆っていることが望ましい。第２電極８ｂは、バスバー電極８ｄが形成された領域の一部と基板１の周辺部分を除く第２主面１ｂ側の略全面に配置されている。これにより、第１パッシベーション膜４をほぼ全域に亘り第２電極８ｂで被覆して保護できて、太陽電池素子１０の信頼性を向上させることができる。さらに、太陽電池素子１０の製造工程において、第２電極８ｂを第１電極８ａ上に形成するための精密な位置合わせが不要になる。第２電極８ｂは、例えば、アルミニウムを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、これを焼成することによって形成できる。
【００２５】
第３電極８ｃは、基板１の第２主面１ｂ側から平面透視して第１電極８ａに重ならない位置で第２電極８ｂの上に配置されている。このようにして、第２電極８ｂの厚みを薄くすることが可能になる。少なくとも第１電極８ａを覆っている部位の第２電極８ｂの厚みを薄くすれば、後述するようにＢＳＦ層１３の高濃度化の効果を期待できる。第２電極８ｂの厚みを薄くすれば、第２電極８ｂのシート抵抗が大きくなるので、太陽電池素子１０の直列抵抗成分が大きくなる場合がある。そこで、基板１の第２主面１ｂ側から平面透視して第１電極８ａに重ならない位置で第２電極８ｂの上に第３電極８ｃを設けて、第２電極８ｂと第３電極８ｃとの合計の厚みを厚くして、太陽電池素子１０の直列抵抗成分の増大を抑えることができる。
【００２６】
バスバー電極８ｄは、基板１の第２主面１ｂの上でパッシベーション膜４が配置されていない部位に配置されている。また、バスバー電極８ｄは、基板１の第２主面１ｂ側から平面透視して第３電極８ｃに一部が重なる位置に配置されている。また、バスバー電極８ｄは、第２電極８ｂを介して第３電極８ｃに電気的に接続されている。このような構造によれば、バスバー電極８ｄは、第２電極８ｂと第３電極８ｃとを合わせた膜厚の厚い電極に電気的に接続されているので、太陽電池素子１０の直列抵抗成分を増加させにくい。これにより、第２主面１０ｂ側において光電変換によって得られた電気を太陽電池素子１０の外部に取り出すことができる。
【００２７】
また、第２電極８ｂの厚みを薄くすることによって、シリコン基板１と第１電極８ａ界面に生成する低密度部２２をより小さくすることができるため、ＢＳＦ層１３中へアルミニウムが高濃度に拡散できる。これにより、太陽電池素子１０の光電変換効率の向上を図ることができる。ＢＳＦ層１３は、基板１の第２主面１ｂ側で、第１電極８ａの一方部位が基板１に接する部分に配置されている。ＢＳＦ層１３は、第１半導体層２と同一のｐ型導電型であり、ＢＳＦ層１３中に含有するドーパントの濃度は、第１半導体層２が含有するドーパントの濃度よりも高い。ＢＳＦ層１３は、基板１の第２主面１ｂ側において内部電界を形成するので、基板１の第２主面１ｂの表面近傍で、少数キャリアの再結合を低減させて、光電変換効率を向上させる。ＢＳＦ層１３は、アルミニウムを含有する導電性ペーストを塗布後、アルミニウムの融点以上の最高温度を有する所定の温度プロファイルで導電性ペーストを焼成して形成できる。この際、第１電極８ａが形成されるとともに、基板１の第２主面１ｂ中にｐ型ドーパント元素であるアルミニウムが拡散する。第１半導体層２およびＢＳＦ層１３が含有するドーパント元素の濃度は、それぞれ５×１０１５〜１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、１×１０１９〜５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度である。
【００２８】
第１電極８ａを形成する導電性ペーストの焼成時には、図４に示すように、ｐ型半導体領域２のシリコン原子と第１電極８ａのアルミニウム原子とは相互に拡散する際に、ｐ型半導体領域２と第１電極８ａとの間に空隙２１を有する低密度部２２が生じる。この低密度部２２の存在によって、シリコン原子とアルミニウム原子との相互拡散が抑制される。このため、従来はＢＳＦ層１３のアルミニウム原子の高濃度化を図ることが難しかった。本実施形態によれば、第２電極８ｂの厚みを薄くすることによって、導電性ペーストの焼成の際に、シリコン原子とアルミニウム原子との相互拡散を急激に起こさせることができて、低密度部２２を大きくすることがない。この点について以下に詳述する。導電性ペーストの焼成時において、第１電極８ａを形成する導電性ペーストと、その直上に位置させる第２電極８ｂを形成する導電性ペーストとは、基板１側に向かうにしたがって温度が上がり、順次溶融していく。この時、第２電極８ｂを形成する導電性ペーストの厚みを薄くすることによって、第１電極８ａを形成する導電性ペーストは速く全体が溶融する。これにより、焼成のピーク温度近傍の高温度領域のほぼ全域で、アルミニウム原子とシリコン原子との相互拡散が起こる。高温度領域では上記の相互拡散は急激なものとなり、低密度部２２が成長しにくい。これにより、低密度部２２を小さくすることができるので、シリコン原子とアルミニウム原子とが相互拡散がしやすくなる。このため、本実施形態ではＢＳＦ層１３のアルミニウム原子の高濃度化が図ることができるので、太陽電池素子１０の光電変換効率を向上させることが可能となる。
【００２９】
第３電極８ｃは、アルミニウムもしくは銀を主成分とする導電性ペースト、または、銅、銀および銅を混合したものを主成分とする導電性ペーストを用いることによって形成できる。ただし、第３電極８ｃは、第２電極８ｂを形成する導電性ペーストと同様にアルミニウムを主成分とする導電性ペーストを用いることによって形成するとよい。これにより、第２電極８ｂと第３電極８ｃとが導電性ペーストの焼成で一体化しやすくなるので、両
者の接着強度を強くできる。
【００３０】
さらに、本実施形態においては、第２電極８ｂは第３電極８ｃよりも薄いことが望ましい。第２電極８ｂを第３電極８ｃよりも薄くすることによって、アルミニウムが高濃度に含有されたＢＳＦ層１３を形成できる。これにより、太陽電池素子１０の直列抵抗成分が大きくなりにくくなる。なお、例えば、第３電極８ｃの厚みを１５〜３０μｍ程度としたとき、第３電極８ｃよりも薄い第２電極８ｂの厚みは１０〜２０μｍ程度が好適である。
【００３１】
バスバー電極８ｄは、第１パッシベーション膜４の上に、または第１パッシベーション膜４を貫通した状態で配置されている。バスバー電極８ｄの厚みは１０〜３０μｍ程度であり、平面視した際の幅（短手方向の長さ）は１〜７ｍｍ程度である。バスバー電極８ｄは複数列の直線状に配置されている。また、バスバー電極８ｄは、太陽電池モジュール製造工程において、リボン状の接続導体の例えばタブ銅箔を簡単に接続可能にしている。バスバー電極８ｄは、ハンダ付け可能な銀もしくは銅、または銀と銅との合金を主成分として含んでいる。このようなバスバー電極８ｄは、例えば銀を主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、これを焼成することによって形成できる。
【００３２】
また、第２電極８ｂおよび第３電極８ｃを銀およびアルミニウムを主成分として含んでいる導電性ペーストで形成することで、接続導体を直接、第２電極８ｂおよび第３電極８ｃにハンダ付けできる。これにより、バスバー電極８ｄを設けないことも可能であるが、銀の使用量を極力少なくするためにバスバー電極８ｄを設けることが望ましい。
【００３３】
バスバー電極８ｄは、図２に示すように、複数の島状電極（以下、電極部という）８ｄａが不連続に直線状に配置されているとよい。このように、隣り合う電極部８ｄａ同士の間９には、第３電極８ｃが配置されていないことが望ましい。バスバー電極８ｄを複数の電極部８ｄａが不連続に直線状に配置することによって、バスバー電極８ｄの焼成などで第１パッシベーション膜４が変質したり劣化する面積を小さくすることができる。さらに、図２のＹ方向において、隣り合う電極部８ｄａ同士の間である領域９には、第３電極８ｃが配置されていない。この理由は以下の通りである。太陽電池モジュール製造工程において、接続導体をバスバー電極８ｄの電極部８ｄａに配置し、ハンダ付けなどで取り付けるときに、領域９に第３電極８ｃがあれば、第２電極８ｂの膜厚に第３電極８ｃの膜厚を加えた合計の膜厚がバスバー電極８ｄの膜厚よりかなり大きくなるため、接続導体が持ち上げられる状態となる。このため、接続導体と電極部８ｄａの表面が当接する面積が小さくなって、ハンダ付けの面積が減少する。このようなことを避けるために、領域９には、第３電極８ｃが配置されていない。そして、ハンダ付けの面積を広くとることができて、太陽電池モジュールの直列抵抗成分が増加しにくくなる。
【００３４】
また、本実施形態に係る太陽電池素子１０では、図５に示すように、第１パッシベーション膜４と第２電極８ｂとの間に配置された、絶縁性の第１保護膜１１をさらに備えていることが望ましい。第１保護膜１１は、例えばＰＥＣＶＤ法で成膜した窒化シリコン膜、スリットコーターまたはスピンコーターなどによって成膜したシロキサン膜などの、無機物または有機物の絶縁性の膜である。ＰＥＣＶＤ法で成膜した窒化シリコン膜を用いる場合、厚みは３０〜１００ｎｍ程度が好適である。第１保護膜１１を備えていることによって、アルミニウムを含んでいる導電性ペーストを焼成して第２電極８ｂを形成するときに、アルミニウムの拡散によって、第１パッシベーション膜４が変質、劣化してパッシベーション効果が低減することを抑制できる。
【００３５】
さらに、図６に示すように、基板１と第１パッシベーション膜４との間に配置された、酸化シリコンまたは窒化シリコンを有する第２パッシベーション膜１４をさらに備えてい
るとよい。第２パッシベーション膜１４の成膜時または膜中の水素および酸素により、半導体基板１の表面の結晶欠陥に由来する未結合手を効果的に終端させることができる。これにより、半導体基板１の表面において、少数キャリアの再結合をさらに抑制できて、太陽電池素子の光電変換効率をより向上させることができる。第２パッシベーション膜１４の形成にＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いると、第１パッシベーション膜４
を構成する酸化アルミニウム膜と連続して、特に酸化シリコン（シリカ）を有する第２パッシベーション膜１４の場合には、ガスの種類を少し変えるだけで容易に成膜できる。
【００３６】
酸化シリコンを有する第２パッシベーション膜１４をＡＬＤ法で形成する場合には、原料ガスとして、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，テトラエチルシランジアミン（Ｈ２Ｓｉ[
Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２]２）ガスと、オゾン（Ｏ３）または水蒸気等のガスとを用いることが
できる。
【００３７】
第１パッシベーション膜４の膜厚は、第２パッシベーション膜１４よりも厚いことが望ましい。第２パッシベーション膜１４を構成する酸化シリコンは、正の固定電荷を有する。このため、第１パッシベーション膜４を構成する酸化アルミニウムの負の固定電荷を打ち消し、第１パッシベーション膜４のパッシベーション効果を低下させ得る。しかし、第１パッシベーション膜４の膜厚を第２パッシベーション膜１４よりも厚くすることによって、第１パッシベーション膜４の負の固定電荷が、第２パッシベーション膜１４の正の固定電荷に比べ優勢になる。このため、第２パッシベーション膜１４の存在によって、第１パッシベーション膜４のパッシベーション効果が低下しにくくなる。
【００３８】
さらに、図７に示すように、第１パッシベーション膜４と第１保護膜１１との間には、第１保護膜１１とは異なる材料からなる絶縁性の第２保護膜１２をさらに備えていてもよい。例えば、第１保護膜１１として窒化シリコンを用いる場合には、第２保護膜１２は酸化シリコン（シリカ）を有する膜とする。これにより、第１パッシベーション膜４のＡＬＤ法による作製と連続して容易に成膜できる。第２保護膜１２を酸化シリコンを有する場合は、その厚みは１０〜７０ｎｍ程度である。ここで、窒化シリコンを有する第１保護膜１１にピンホールなどの欠損部が発生した場合でも、製法および材料が異なる第２保護膜１２で、第１保護膜１１よる保護の役割を補うことができる。これにより、第１保護膜１１に欠損部が生じていても、第２保護膜１２で第１パッシベーション膜４の保護を確実に行うことができる。
【００３９】
＜太陽電池素子の製造方法＞
次に、一方主面にｐ型半導体領域を有する基板１を備えている太陽電池素子１０の製造方法について説明する。以下、第１パッシベーション膜４上に第１保護膜１１を有する太陽電池素子１０の製造方法の例について説明する。
【００４０】
まず、図８（ａ）に示すように、基板１を用意する。基板１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンでよい。基板１は、例えば、既存のＣＺ（チョクラルスキー）法または鋳造法などによって形成される。本実施形態では、基板１としてｐ型多結晶シリコン基板を用いた例について説明する。例えば、鋳造法によって多結晶シリコンのインゴットを作製する。インゴットのドーパント元素として例えばホウ素を用いることで、インゴットの抵抗率を１〜５Ω・ｃｍ程度にすればよい。次いで、インゴットを所定の大きさのブロックに加工する。そして、このブロックをスライスして、例えば約１６０ｍｍ角の正方形状で２００μｍ程度の厚みの基板１を作製する。その後、基板１の切断面に生じた機械的ダメージ層および汚染層を除去する。この除去のために、基板１の表面をＮａＯＨ、ＫＯＨ、フッ酸またはフッ硝酸などの水溶液でごく微量エッチングしてもよい。
【００４１】
また、図８（ｂ）に示すように、基板１の第１主面１ａの光反射を低減するために、第
１主面１ａにテクスチャを形成してもよい。テクスチャの形成方法としては、ＮａＯＨ等のアルカリ溶液もしくはフッ硝酸等の酸溶液を使用したウエットエッチング方法、またはＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等を使用したドライエッチング方法を用いることができる。
【００４２】
次に、図８（ｃ）に示すように、テクスチャを有する基板１の第１主面１ａに、ｎ型半導体領域３を形成する。ｎ型半導体領域３は、ペースト状にしたＰ２Ｏ５を基板１の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法を用いて形成してもよいし、ガス状にしたＰＯＣｌ３（オキシ塩化リン）を拡散源とした気相熱拡散法などによって形成してもよい。ｎ型半導体領域３は０．１〜２μｍ程度の厚み、４０〜２００Ω／□程度のシート抵抗値を有するように形成される。例えば気相熱拡散法では、ＰＯＣｌ３等から成る拡散ガスを有する雰囲気中で６００〜８００℃程度の温度において、基板１を５〜３０分程度熱処理する。これにより、基板１の表面にＰＳＧ（リンシリコンガラス）を形成する。その後、アルゴンまたは窒素等の不活性ガス雰囲気中で８００〜９００℃程度の高い温度において、基板１を１０〜４０分間程度熱処理する。これにより、ＰＳＧから基板１にリンが拡散して、基板１の第１主面１ａ側にｎ型半導体領域３が形成される。
【００４３】
上記のｎ型半導体領域３の形成工程において、第２主面１ｂ側にもｎ型半導体領域３が形成された場合には、第２主面１ｂ側に形成されたｎ型半導体領域３をエッチングして除去する。これにより、第２主面１ｂ側にｐ型半導体領域２を露出させる。例えば、フッ酸硝酸混合溶液に基板１における第２主面１ｂ側を浸して、第２主面１ｂ側に形成されたｎ型半導体領域３を除去する。その後、ｎ型半導体領域３を形成する際に基板１の第１主面１ａ側に付着したＰＳＧをフッ酸にてエッチングして除去する。このとき、基板１の側面に形成されたｎ型半導体領域３も除去してもよい。
【００４４】
次に、基板１のｐ型半導体領域２の上に第１パッシベーション膜４を配置する工程を行う。図８（ｄ）に示すように、第２主面１ｂ側においてｐ型半導体領域２の上に、酸化アルミニウムから成る第１パッシベーション膜４を形成する。第１パッシベーション膜４は、例えば、ＡＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法などを用いて形成できる。特に、第１パッシベーション膜４の成膜法として、基板１の表面のカバーレッジに優れたＡＬＤ法を用いることによって、第１パッシベーション膜４のパッシベーション効果がより大きくなり得る。
【００４５】
ＡＬＤ法による第１パッシベーション膜４の形成では、まず、成膜装置のチャンバー内に上記第２半導体層３が形成された基板１を載置する。そして、基板１を１００℃〜２５０℃の温度域で加熱した状態で、以下に示す工程Ａ〜Ｄを複数回繰り返す。これにより、基板１の上に所望の厚さの酸化アルミニウムからなる第１パッシベーション膜４を形成する。工程Ａ〜Ｄの内容は次の通りである。
【００４６】
［工程Ａ］酸化アルミニウムを形成するためのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等のアルミニウム原料が、Ａｒガスまたは窒素ガス等のキャリアガスとともに、成膜装置のチャンバー内の基板１上に供給される。これにより、基板１の全周囲にアルミニウム原料が吸着される。ＴＭＡが供給される時間は、例えば１５〜３０００ｍ秒程度であればよい。
【００４７】
なお、工程Ａの開始時には、基板１の表面はＯＨ基で終端されているとよい。基板１の表面をＳｉ−Ｏ−Ｈの構造にすることによって、基板１の表面と、形成された酸化アルミニウム膜との界面に共有結合が形成されやすくなる。これにより、基板１の表面と、酸化アルミニウム膜との接合強度を向上させることができ、太陽電池素子１０の信頼性をより向上させることができる。このＳｉ−Ｏ−Ｈの構造は、例えば、基板１を希フッ酸で処理した後に純水で洗浄することによって形成することができる。
【００４８】
［工程Ｂ］窒素ガスによって成膜装置のチャンバー内の浄化が行われ、チャンバー内のアルミニウム原料が除去される。さらに、基板１に物理吸着および化学吸着したアルミニウム原料のうち、原子層レベルで化学吸着した成分以外のアルミニウム原料が除去される。窒素ガスによってチャンバー内が浄化される時間は、例えば１〜数十秒程度であればよい。
【００４９】
［工程Ｃ］水またはオゾンガス等の酸化剤が、成膜装置のチャンバー内に供給されることで、ＴＭＡに含まれるアルキル基が除去されてＯＨ基で置換される。これにより、基板１の上に酸化アルミニウムの原子層が形成される。なお、酸化剤がチャンバー内に供給される時間は、好適には５００〜１５００ｍ秒程度であればよい。また、チャンバー内に酸化剤ととともに水素原子が供給されることで、形成された酸化アルミニウム膜中に水素原子がより含有され易くなる。
【００５０】
［工程Ｄ］窒素ガスによって成膜装置のチャンバー内の浄化が行われ、チャンバー内の酸化剤が除去される。このとき、例えば、基板１上における原子層レベルの酸化アルミニウムの形成時において反応に寄与しなかった酸化剤等が除去される。なお、窒素ガスによってチャンバー内が浄化される時間は、例えば１〜数十秒程度であればよい。
【００５１】
以後、工程Ａ〜Ｄの一連の工程を複数回繰り返すことで、所望の膜厚（例えば１０〜２００ｎｍ程度）の酸化アルミニウム膜が形成される。
【００５２】
ここでは、アルミニウム原料としてＴＭＡを用いて酸化アルミニウムを形成する場合を説明したが、アルミニウム原料として他の原料を用いてもよい。例えば、原料供給温度（−２０〜１２０℃の範囲内が好適例である）において、ガス供給減として適当な蒸気圧（例えば１００Ｐａ以上）を有し、チャンバー内に気体状態で供給できる材料であればよい。アルミニウム原料としては、例えばトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）等を用いることができる。また、気体状態で供給できる材料は、窒素ガス、炭酸ガス等をキャリアガスとして希釈して供給してもよい。原料ガスおよびキャリアガスのガス種並びにそれらの混合比を調整することによって、形成される膜中の構成元素の含有量を最適に調整することもできる。ＡＬＤ法を用いることによって、ｐ型半導体領域２の第１主面１ａ以外に、基板１の側面を含む基板１の全周囲にも第１パッシベーション膜４を形成できる。この場合には、基板１の第２主面１ｂ上の第１パッシベーション膜４に耐酸レジスト膜を塗布形成した後、フッ酸などで不要な第１パッシベーション膜４をエッチングによって除去してもよい。
【００５３】
次に、図８（ｅ）に示すように、反射防止膜形成工程を行う。基板１の第１主面１ａ側に窒化シリコン膜から成る反射防止膜５を形成する。反射防止膜５は、例えばＰＥＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて形成される。ＰＥＣＶＤ法を用いる場合であれば、事前に基板１を成膜中の温度よりも高い温度で加熱する。その後、加熱した基板１にシラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスを窒素（Ｎ２）で希釈して供給する。そして、反応圧力を５０〜２００Ｐａにして、グロー放電分解でプラズマ化させて反応させ、反応物を堆積させることで反射防止膜５が形成される。このときの成膜温度は３５０〜６５０℃程度とする。また、グロー放電に必要な高周波電源の周波数は１０〜５００ｋＨｚである。また、ガス流量は反応室の大きさ等によって適宜決定されるが、例えば、ガスの流量としては１５０〜６０００ｓｃｃｍの範囲にすることが望ましい。このとき、例えば、シランの流量Ａとアンモニアの流量Ｂとの流量比Ｂ／Ａは０．５〜１５であればよい。
【００５４】
次に、基板１の第１パッシベーション膜４上に、図８（ｆ）に示すように、窒化シリコンなどから成る第１保護膜１１を形成する。第１保護膜１１を窒化シリコンによって形成
する場合、窒化シリコンは上述のようにＰＥＣＶＤ法を用いることができる。
【００５５】
その後、図８（ｇ）に示すように、第１保護膜１１とパッシベーション膜４とを貫通する孔部１５を形成する。すなわち、シリコン基板の表面に到達するレーザービームを第１パッシベーション膜４の上から照射して、第１パッシベーション膜４に複数の孔部１５を形成する。レーザービーム照射によって、直径約３０〜１５０μｍ程度の円柱形状で、１ｃｍ２当たり５０〜５００個程度の孔部１５が均一に分布形成できるように、レーザービームの出力等を調整するとよい。この場合に使用するレーザー装置は、Ｑスイッチ付きＮｄ：ＹＡＧ（ネオジムドープ、イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザー（波長１０６４ｎｍ）、またはＮｄ：ＹＡＧレーザーの第２高調波（ＳＨＧ、波長５３２ｎｍ）などを用いることができる。例えばＱスイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いた場合では、発振周波数１０ｋＨｚ、出力７〜１０Ｗ、ビーム径約１００μｍ程度の条件が好適である。なお、第３電極８ｃを設ける位置には、予め孔部１５を設けないか、孔部１５の個数を少なくしておくとよい。
【００５６】
次に、電極形成工程を行う。以下に、表面電極７（接続電極７ａ、フィンガー電極７ｂ、サブフィンガー電極７ｃ）と、裏面電極８（第１電極８ａ、第２電極８ｂ、バスバー電極８ｄ）とを形成するための導電性ペーストの配置について説明する。
【００５７】
まず、図９（ａ）に示すように、表面電極７は表電極用導電性ペースト１６を用いて形成する。表電極用導電性ペースト１６は、導電性成分の主成分は例えば銀（または銀および銅）を含むものとする。この場合、導電性ペースト中に銀粉末（例えば、粒径０．０５〜２０μｍ程度、好ましくは０．１〜５μｍ程度）を導電性ペースト総質量の７０〜８５質量％程度含有させる。また、導電性ペーストは、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを混練したものを用いる。有機ビヒクルは、例えばバインダーとして使用される樹脂成分を有機溶媒に添加して得られる。バインダーとしては、エチルセルロース等のセルロース系樹脂のほか、アクリル樹脂またはアルキド樹脂等が使用できる。有機溶媒としては、例えば、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ターピネオールまたはジエチレングリコールモノブチルエーテル等が使用できる。有機ビヒクルの含有質量は、導電性ペーストの総質量の５〜２０質量％程度含有していればよい。また、ガラスフリットの成分は、ガラス材料として例えばＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＰｂＯ系などの鉛系ガラスを用いることができる。ガラスフリットは、導電性ペースト総質量の２〜１５質量％程度含有させればよい。このような表電極用導電性ペースト１６を、スクリーン印刷を用いて、基板１の第１主面１ａに塗布する。この塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。
【００５８】
また、裏面電極８であるバスバー電極８ｄは、主成分として銀のみから成る金属粉末、有機ビヒクルおよびガラスフリット等を含有する導電性ペースト（第４導電性ペースト１７）を用いて作製される。第４導電性ペースト１７の成分は、表電極用導電性ペースト１６と同様でもよい。第４導電性ペースト１７の塗布法としては、例えば、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。
【００５９】
次に、第１パッシベーション膜４の孔部１５内に、第１電極８ａを形成するための第１導電性ペースト１８を配置する。また、第１パッシベーション膜４の上に、第２電極８ｂを形成するための第２導電性ペースト１９を配置する。さらに、第２導電性ペースト１９の上で且つ孔部１５を除く所定領域に、第３電極８ｃを形成するための第３導電性ペースト２０を配置する工程を行う。
【００６０】
図９（ｂ）に示すように、第１導電性ペースト１８および第２導電性ペースト１９は同一のものを用いる。そして、孔部１５を設けた第１パッシベーション膜４上に、第１導電性ペースト１８および第２導電性ペースト１９をスクリーン印刷法によって１回の印刷で
塗布する。第２導電性ペースト１９は、既に塗布されている第４導電性ペースト１７の外周部に重ねて塗布される。また、第２導電性ペースト１９は、基板１の端部から０．３〜２ｍｍ程度の外周部を除いて、第１パッシベーション膜４の略全面を覆うように塗布する。これにより、スクリーン印刷で押し出された第１導電性ペースト１８は、孔部１５を充填するとともに、第２導電性ペースト１９は、第１パッシベーション膜４上および孔部１５に配置された第１導電性ペースト１８の上のそれぞれに配置される。
【００６１】
ここで、第１導電性ペースト１８および第２導電性ペースト１９は、いずれも主成分としてアルミニウムを含むものを用いる。この場合には、導電性ペースト中にアルミニウム粉末（例えば、粒径０．０５〜２０μｍ程度、好ましくは０．１〜５μｍ程度）を導電性ペースト総質量の６５〜８０質量％程度含有させるとともに、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを混練したものを用いる。有機ビヒクルは、例えばバインダーとして使用される樹脂成分を有機溶媒に添加して得られる。バインダーとしては、エチルセルロース等のセルロース系樹脂のほか、アクリル樹脂またはアルキド樹脂等が使用される。有機溶媒としては、例えば、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ターピネオールまたはジエチレングリコールモノブチルエーテル等が使用される。有機ビヒクルは、導電性ペースト総質量の３〜１５質量％程度含有していればよい。また、ガラスフリットは、例えば非鉛系ガラスも用いることができる。ガラスフリットは、導電性ペースト中に２〜１５質量％程度含有させればよい。この塗布後、所定の温度で第１導電性ペースト１８、第２導電性ペースト１９から溶剤を蒸散させて乾燥させてもよい。
【００６２】
次に、図９（ｃ）に示すように、第３電極８ｃの形成のために、第１導電性ペースト１８の上で且つ平面透視して孔部１５を除く所定領域に第３導電性ペースト２０を配置する工程を行う。この工程では、第３電極８ｃは、第１導電性ペースト１８の上で且つ平面透視して少なくとも孔部１５を除く位置に、例えば図２に示す第３電極８ｃの形状に、第３導電性ペースト２０を例えばスクリーン印刷法などを用いて塗布する。第３導電性ペースト２０は、主成分としてアルミニウムを含むものであり、第１導電性ペースト１８、第２導電性ペースト１９と同一材料を用いても構わない。
【００６３】
その後、表電極用導電性ペースト１６、第４導電性ペースト１７および第１導電性ペースト１８、第２導電性ペースト１９、第３導電性ペースト２０が塗布された基板１を、焼成炉内にて最高温度が約７５０〜９００℃、最高温度で０．１秒〜数十秒間程度維持して焼成を行う。このとき、図５に示すように、表電極用導電性ペースト１６は、反射防止膜５をファイヤースルーして、基板１の第１主面１ａのｎ型半導体領域３と接続され、表面電極７が形成される。また、第１導電性ペースト１８も孔部１５内部で焼結して、一方部位が基板１のｐ型半導体領域２と接する第１電極８ａが形成される。また、第１保護膜１１上では第２電極８ｂが形成される。また、第１電極８ａの形成に伴い、ＢＳＦ層１３も形成される。さらに、第４導電性ペースト１７が焼成され、その際に第１保護層１１および第１パッシベーション膜４をファイヤースルーして、バスバー電極８ｄが形成される。
【００６４】
次に、上述した実施形態の変形例について説明する。
【００６５】
＜変形例＞
変形例を図１０、図１１に示す。変形例では、第２主面１０ｂ側において、第１電極８ａ上およびその近傍部分９のみに第２電極８ｂが露出しており、他の部分の第２電極８ｂの全部または大部分は、第３電極８ｃに覆われている。太陽電池素子１０は、基板１を平面透視して第１電極８ａに重ならない位置で第２電極８ｂの上に配置されているとともに、第２電極８ｂに接している第３電極８ｃを有する。
【００６６】
このような構造によれば、第３電極８ｃの面積を大きくできるので、裏面電極８のシー
ト抵抗をより下げることができ、太陽電池素子１０の直列抵抗成分を小さくすることができる。
【００６７】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されない。例えば、第１パッシベーション膜４の形成は、反射防止膜５の形成の後に行ってもよい。この場合、反射防止膜５の成膜時の熱的影響による第１パッシベーション膜４の変質、劣化等をしにくくできる。また、反射防止膜５の上または下に、第１パッシベーション膜４が配置されていてもよい。この場合、基板１の第１主面１ａ側においても少数キャリアの再結合を低減できるので、太陽電池素子１０の光電変換効率が向上し得る。
【００６８】
また、表電極用導電性ペースト１６と裏面電極８のバスバー電極８ｄとなる第４導電性ペースト１７を塗布した後に１回目の焼成を行い、第１導電性ペースト１８および第２導電性ペースト１９を塗布した後に２回目の焼成を行ってもよい。これにより、各導電ペーストにより好適な温度や時間で焼成することができ、電極の接続強度を向上できるのでよい。
【００６９】
さらに、第１電極８ａ、第２電極８ｂおよび第３電極８ｃの形成の際に、導電性ペーストのスクリーン印刷法による印刷時に、第１電極８ａ形成位置に例えばスリット状に印刷されない部分を設けるとよい。そして、印刷後から乾燥までの保持時間を長くすることによる流動（ダレ）、または焼成時における導電性ペーストの流動（ダレ）を利用して、所定位置の導電性ペーストの膜厚を薄くできる。このため、第１導電性ペースト１７、第２導電性ペースト１８および第３導電性ペースト１９を配置する工程を、１回の印刷によって行なってもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１    ：基板（シリコン基板）
１ａ：第１主面（表主面）
１ｂ：第２主面（裏主面）
２    ：ｐ型半導体領域
３    ：ｎ型半導体領域
４    ：第１パッシベーション膜
５    ：反射防止膜
７    ：表面電極
７ａ：接続電極
７ｂ：フィンガー電極
７ｃ：サブフィンガー電極
８    ：裏面電極
８ａ：第１電極
８ｂ：第２電極
８ｃ：第３電極
８ｄ：バスバー電極
８ｄａ：電極部（島状電極）
９    ：隣り合う電極部の間の領域
１０  ：太陽電池素子
１０ａ：第１主面（表主面）
１０ｂ：第２主面（裏主面）
１１  ：第１保護膜
１２  ：第２保護膜
１３  ：ＢＳＦ層
１４  ：第２パッシベーション膜
１５  ：孔部
１６  ：表電極用導電性ペースト
１７  ：第４導電性ペースト
１８  ：第１導電性ペースト
１９  ：第２導電性ペースト
２０  ：第３導電性ペースト
２１  ：空隙
２２  ：低密度部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0006555984.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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