(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを用いた測定の対象となるパターンを選択する評価条件設定方法において、
フォーカス値とドーズ量の少なくとも１つが異なる複数の露光条件で生成されたパターンに対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られる測定値により作成される複数のプロセスウィンドウチャートの内、所定のプロセスウィンドウ範囲より小さいプロセスウィンドウ範囲を規定する前記プロセスウィンドウチャートに対応するパターンを測定対象から除外することを特徴とする評価条件設定方法。 
【請求項２】
荷電粒子ビームを用いた測定の対象となるパターンを選択する演算装置を備えた評価条件設定装置において、
前記演算装置は、フォーカス値とドーズ量の少なくとも１つが異なる複数の露光条件で生成されたパターンに対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られる測定値により作成される複数のプロセスウィンドウチャートの内、所定のプロセスウィンドウ範囲より小さいプロセスウィンドウ範囲を規定する前記プロセスウィンドウチャートに対応するパターンを測定対象から除外することを特徴とする評価条件設定装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記演算装置は、露光装置の１ショット内の複数の位置について得られたパターンの測定結果に基づいて、露光条件を変化させたときのプロセスウィンドウチャートを生成することを特徴とする評価条件設定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの評価条件設定方法、及び評価条件設定装置に係り、特に縮小投影露光装置等による露光に基づいて生成されるパターンの評価条件を設定する設定方法、及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体回路を生成するプロセスの一部であるリソグラフィ工程では、半導体ウェハ等の基板上に感光性受光樹脂（以下「レジスト」という）を所定の厚さで塗布し、露光装置を用いてマスクパターンを縮小露光した後に現像することでレジストパターンを生成する。生成されたパターンは種々のプロセス変動により形状が変化するため、寸法測定機能付きの走査型電子顕微鏡（以下「測長ＳＥＭ」）等を用いてパターン寸法を計測することで管理している。
【０００３】
しかしながら、昨今の半導体デバイスの細線化および高密度化に伴いパターンの変動許容量が小さくなりつつある。よって、単なる寸法管理では不十分になり、プロセス変動要因の一部である露光装置のフォーカス値および露光量の変動を高精度に管理する必要が出てきた。
【０００４】
露光装置のフォーカス値および露光量の変動を管理する手法として、特許文献１には、ショット（１回の露光単位）ごとに露光条件（フォーカス、露光量）を変えてパターンを焼き付けたＦＥＭ（Ｆｏｃｕｓ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｍａｔｒｉｘ）ウェハを使って、各露光条件におけるパターンサイズの測定や形状評価を実施し、パターンの変動許容範囲に入る露光条件を算出するプロセスウィンドウ解析手法が開示されている。このような解析手法を用いることによって、露光条件の変動を適正に評価し、製造条件の管理を行うことができる。また、特許文献２には、ＦＥＭウェハを用いて取得した各露光条件のパターン形状から種々の特徴量を抽出し、その特徴量を用いて推定モデルを作成した後、撮像された管理対象パターンから抽出した特徴量と上記推定モデルを用いて管理対象パターンの露光条件を推定する手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１７９１０５号公報（対応米国特許公開公報ＵＳ２０１５／００１２２４３）
【特許文献２】特開２００５−２８６０９５号公報（対応米国特許ＵＳＰ７，６８５，５６０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、露光装置における露光条件の変動をより高精度に管理するためには、ショット単位だけではなく、ショット内の複数部位での露光条件の変動を管理することが望ましい。露光装置はショット内における任意の場所の露光条件を調整し、各部位の露光条件が変動許容量を超えないように調整することでパターン変動を一定の範囲に抑えることが可能になる。
【０００７】
特許文献１、２に開示の手法は、ショット内の色々な部位のパターン評価を行うことができる。しかしながら、ショット内の複数部位のそれぞれの露光条件を調整することを前提とした評価を行うことについての開示はない。仮に、ショット内の複数部位のそれぞれの露光条件を調整するための評価を行うことを前提として、評価点の設定を行う場合、調整可能な領域毎に、評価点を設定するとその数は膨大なものとなる。また、量産工程の評価対象とするのではなく、もともとが不良パターンであり、修正対象として分類すべき場合も考えられる。測定効率と露光装置の評価を高精度の両立を実現するためには、適切な評価対象パターンの選択を行う必要がある。
【０００８】
また、特許文献２の手法においては推定モデル作成のために必要な特徴量を有するパターンがショット内の所定の部位に用意しておく必要があり、製品用の半導体ウェハで露光条件管理を実施したい場合に適用が困難である。
【０００９】
以下に、高精度な露光条件管理のための適正な評価パターンを選択することを目的とする半導体デバイスの評価条件設定方法、及び評価条件設定装置を説明する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームを用いた測定の対象となるパターンを選択する評価条件設定法、或いは装置であって、試料上に形成された異なるパターンに対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られる複数のプロセスウィンドウチャートの内、所定のプロセスウィンドウ範囲より小さいプロセスウィンドウ範囲を規定する前記プロセスウィンドウチャートに対応するパターンを測定対象から除外する評価条件設定法、或いは装置を提案する。
【００１１】
また、上記目的を達成するための他の一態様として、荷電粒子ビームを用いた測定の対象となるパターンを選択する評価条件設定法、或いは装置であって、試料上に形成された異なるパターンに対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られる複数のプロセスウィンドウチャートの内、当該複数のプロセスウィンドウチャートに含まれる共通領域を抽出し、当該共通領域を形成するプロセスウィンドウチャート、或いは当該共通領域を基準とした所定の範囲のプロセスウィンドウチャートに対応するパターンを測定対象として選択する評価条件設定法、或いは装置を提案する。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成によれば、高精度な露光条件感知のための適正な評価パターンの選択が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】露光条件管理パターン選択処理の流れを示すフローチャート。
【図２】走査電子顕微鏡の概略構成例を示す図。
【図３】露光のフォーカス値またはドーズ量と測長値との関係を示すグラフ。
【図４】プロセスウィンドウチャートの作成例。
【図５】ショット内対象領域別最小パターン選択の詳細を示すフローチャート。
【図６】ショット領域毎の共通プロセスウィンドウ算出例を示す図。
【図７】不良パターンを含むプロセスウィンドウチャート例を示す図。
【図８】共通ウィンドウ生成に寄与しないパターンを含むプロセスウィンドウチャート例を示す図。
【図９】ショット間対象領域別最小パターン選択の詳細を示すフローチャート。
【図１０】露光装置の１ショット内に含まれる複数の近接ショット領域と、各近接ショット領域のプロセスウィンドウを例示する図。
【図１１】測定システムの構成の一例を示す図。
【図１２】近接ショット領域の共通領域の抽出に基づいて、近接ショット領域、或いは近接ショット領域に含まれるパターンを選択する手法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に説明する実施例では、主に荷電粒子ビームを用いた測定の対象となるパターンを選択する演算装置を備えた測定条件設定装置において、前記演算装置は、試料上に形成された異なるパターンに対する前記荷電粒子ビームの走査に基づいて得られる複数のプロセスウィンドウチャートを評価し、当該複数のプロセスウィンドウチャートの内、所定のプロセスウィンドウ範囲（最悪変動量）より小さい範囲を規定する前記プロセスウィンドウチャートを選択し、当該選択されたプロセスウィンドウチャートに対応するパターンを測定対象から除外して、前記測定対象となるパターンを選択する測定条件設定装置を、図面を用いて説明する。
【００１５】
後述する実施例によれば、プロセスウィンドウ解析手法を用いて露光装置における露光条件の変動を管理するためにショット内の必要最低限のパターン群を自動で選択でき、これを用いることで高精度なプロセス管理を最短時間で実施することができる。
【００１６】
（１）評価用ウェハの生成から測定対象パターンの選択に至るまでの処理の流れ
図１は、露光装置評価用ウエハ（ＦＥＭウエハ）の生成から測定対象パターンの選択に至るまでの処理工程を示すフローチャートである。まず露光条件管理を行いたい半導体回路パターンを生成するための任意のリソグラフィ工程を決定し、プロセスウィンドウが算出できるようにショットごとに露光条件を変えたＦＥＭウェハを作成する（１０１）。次に露光条件管理に用いるパターン候補を各ショットで撮像する（１０２）。この段階で選択されるパターン候補は該当の半導体回路パターン全体からパターン変動の許容量が狭いもの、いわゆるホットスポットパターンが好ましい。ホットスポットパターンの抽出に関しては様々な手法が提案されているが、例えば半導体回路の設計データから露光シミュレーションを実施することで露光条件の変化に対し、変動量の多いパターンを抽出する手法や、ＦＥＭウェハを作成し半導体欠陥検査装置を用いてプロセスウィンドウ周辺を検査することで露光条件の変動で欠陥になり得るパターンを抽出する手法等を適用することができる。次に１０２の工程で撮像されたパターンの寸法測定あるいは形状の測定を行う（１０３）。なお、パターンが崩れているようなＳＥＭ画像は後述のプロセスウィンドウチャート算出に適さない。このため、この時点で、パターンが崩れたＳＥＭ画像は予め除いておいても良い。１０３の測定結果をパターンごとに分類し、プロセスウィドウチャートを算出する（１０４）。
【００１７】
高精度露光条件管理のために、露光装置が調整可能な単位にショット領域を分割する。
【００１８】
パターン選択はまず各ショット領域に所属するパターンごとに算出したプロセスウィドウチャートを用いてショット領域単位で露光条件管理に必要な最小パターン選択を行う（１０５）。次にショット領域単位の最小パターン選択結果と各パターンのプロセスウィンドウチャート選出結果を用いてショット内の各領域のうち露光条件管理に必要な最小パターン選択を行う（１０６）。このフローにより最初に選択された露光条件管理パターン候補のなかから露光条件管理に必要な最小パターンの選択を行うことができる。
【００１９】
（２）測長ＳＥＭ、及び測長ＳＥＭを含む測定システムの構成
ここでは測長ＳＥＭおよび，それをとりまく装置の構成について述べる。
【００２０】
以下の説明では、画像データを取得する装置として荷電粒子線装置を例示すると共に、その一態様としてＳＥＭを用いる例を説明するが、例えば試料上にイオンビームを走査して画像を取得する集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）装置を荷電粒子線装置として採用しても良い。ただし、微細化が進むパターンを高精度に測定するためには、極めて高い倍率が要求されるため、一般的に分解能の面でＦＩＢ装置に勝るＳＥＭを用いることが望ましい。
【００２１】
図２に、実施形態で用いる測長ＳＥＭの概略構成例を示す。電子ビーム２０３は、電子源２０１から引出電極２０２によって引き出され、不図示の加速電極により加速される。加速された電子ビーム２０３は、集束レンズの一形態であるコンデンサレンズ２０４により絞られた後、走査偏向器２０５により偏向される。これにより、電子ビーム２０３は、試料２０９上を一次元的又は二次元的に走査する。試料２０９に入射する電子ビーム２０３は、試料台２０８に内蔵された電極に印加された負電圧により減速されると共に、対物レンズ２０６のレンズ作用により集束されて試料２０９の表面を照射する。
【００２２】
試料２０９上の照射箇所からは電子２１０（二次電子、後方散乱電子等）が放出される。放出された電子２１０は、試料台２０８に内蔵された前記電極に印加された負電圧に基づく加速作用により、電子源２０１の方向に加速される。加速された電子２１０は変換電極２１２に衝突し、二次電子２１１を発生させる。変換電極２１２から放出された二次電子２１１は、検出器２１３により捕捉され、捕捉された二次電子量により検出器２１３の出力Ｉが変化する。この出力Ｉの変化に応じ、不図示の表示装置の輝度が変化する。例えば二次元像を形成する場合には、走査偏向器２０５への偏向信号と、検出器２１３の出力Ｉとを同期させ、走査領域の画像を形成する。なお、図２の走査電子顕微鏡では、対物レンズ２０６内に二次電子２１６を検出する電子検出器２１５が配置されている。
【００２３】
なお、図２の構成例の場合には、試料２０９から放出された電子２１０を変換電極２１２において二次電子２１１に一端変換して検出する例を示しているが、無論このような構成に限られることはなく、例えば加速された電子の軌道上に、電子倍像管や検出器の検出面を配置する構成を採用しても良い。
【００２４】
次に検出器２１３で検出された信号はＡ／Ｄ変換器２１７によってディジタル信号に変換され、画像処理部２１８に送られる。  
画像処理部２１８はディジタル画像を一時記憶するための画像メモリ記憶媒体である２２０と、画像メモリ上の画像から寸法特徴量の算出を行うCPU２１９を有する。さらにまた、各パターンの計測値やプロセスウィンドウ情報を保存する記憶媒体２２１を有する。全体制御はワークステーション２２２によって行われる、必要な装置の操作、検出結果の確認等がグラフィカルユーザーインタフェース（以下、ＧＵＩと表記する）によって実現できるようになっている。
【００２５】
また、後述するように、ワークステーション２２２は、走査電子顕微鏡による測定条件を設定する測定条件（評価条件）設定装置として機能する。より具体的には、走査電子顕微鏡を制御する撮像レシピを生成し、その際、測定対象個所（座標）や走査電子顕微鏡の光学条件の設定に基づいて、所望の個所で所望の評価条件による測定を自動で実行するためのプログラム（撮像レシピ）を生成する。また、ワークステーション２２２は外部の設計データ記憶媒体やシミュレータ等にも接続可能に構成され、例えば設計データから読み出されたレイアウトデータに基づいて、測定対象個所を選択したり、シミュレータから得られるホットスポット情報に基づいて、測定対象個所を選択する機能が備えられている。
【００２６】
図１１は、走査電子顕微鏡１１０１と測定条件設定装置１１０２（図２のワークステーションに相当）がネットワークを介して接続されている測定システムの構成の一例を示す図である。図１１に例示するシステムには、ＳＥＭ１１０１、半導体デバイスの設計データ、或いは設計データに基づいて生成されるレイアウトデータが記憶される設計データ記憶媒体１１０３、設計データ１１０３に記憶された情報に基づいた製造シミュレーションを行うシミュレータ１１０４、及びシミュレータ１１０４から出力されるホットスポット情報や設計データ記憶媒体１１０３に記憶されている情報に基づいて、レシピを作成する測定条件設定装置が１１０２含まれている。
【００２７】
測定条件設定装置２０５は、走査電子顕微鏡１１０１、設計データ記憶媒体１１０３、及びシミュレータ１１０４にアクセス可能に構成されている。また、測定条件設定装置１１０２には、レシピ作成のための演算処理装置１１０５、及び必要な情報を記憶するためのメモリ１１０６が内蔵されている。演算処理装置１１０５には、設計データ記憶媒体１１０３から出力された縮小投影露光装置の露光条件と、走査電子顕微鏡１１０１によって得られた測定結果に基づいてプロセスウィンドウを生成するプロセスウィンドウ生成部１１０７、プロセスウィンドウ生成部１１０７にて生成されたプロセスウィンドウを評価するプロセスウィンドウ評価部１１０８、プロセスウィンドウ評価部１１０８の評価結果に基づいて、所定の条件を持つパターンや露光条件を分類するパターン分類部１１０９、プロセスウィンドウ評価部１１０８の評価結果に基づいて、測定対象となるパターンを選択するパターン選択部１１１０、及び入力装置１１１１の入力情報やパターン選択部１１１０によって選択されたパターン情報に基づいて、走査電子顕微鏡の撮像レシピを生成する撮像レシピ生成部１１１２が備えられている。
【００２８】
（３）プロセスウィンドウチャート生成手法
ここでは図１の“プロセスウィンドウチャート算出”ステップ（１０４）におけるプロセスウィンドウチャート算出手法について説明する。
【００２９】
プロセスウィンドウ生成部１１０７で生成されるプロセスウィンドウチャートは、所定のパターン変動許容量を満たすフォーカス値とドーズ量の範囲をグラフで明確化（可視化）することができる。プロセスウィンドウチャートを作成するに当たり、まず図１のステップ（１０３）で示した対象パターンの測定を行う。測定はＦＥＭウェハから取得した対象パターンごとにＦＥＭウェハから取得した各露光条件で生成されたパターンに対して行う。測定方法としては、例えば対象パターンがＬｉｎｅのような単純なパターンであれば、測長ＳＥＭの機能であるパターンのラインプロファイルを用いた寸法計測値を用いればよい。また、対象パターンが複雑な形状を含む場は形状の変化量を測定すればよい。形状変化量の計測には、例えば特開平１０−３１２４６１号公報や特開２００９−１９０４５１号公報に開示された手法を適用する。これらの手法は、まず取得したパターンから輪郭線を高精度に抽出し、次に参照パターンを指定又は生成し、最後に計測対象パターンの輪郭データと参照パターンの間隔を計測する方法である。
【００３０】
対象パターンの測定が終了すると、次に露光のフォーカス値またはドーズ量と測定値との関係を示すグラフを作成する。
【００３１】
図３に露光のフォーカス値またはドーズ量と測長値との関係を示すグラフ作成例を示す。グラフ上の黒丸等はショット毎の測定値を示している。ＦＥＭウェハ上のドーズ量毎のライン３０５はグラフの３０１と対応しており、ＦＥＭウェハ上のドーズ量毎のライン３０６、３０７、３０８もドーズ量毎のライン３０５同様に、グラフの３０２、３０３、３０４と夫々対応している。因みに、各測定値はプロセス変動によるパターン変形やエッジラフネス等により理想的な値とならない。理想的な値とは、一般的に知られている物理特性に則した形状変化量のことである。例えばドーズ量が等しく、フォーカス値のみを変化させた場合、形状評価値は２次曲線に適合するように変化する。また、フォーカス値が等しく、ドーズ量のみを変化させた場合、形状評価値は線形又は対数近似曲線上に適合するように変化する（３１０）。このフォーカス値とドーズ量の関係を定式化したものを変化量モデルと呼ぶ。変化量モデルを作成することで測定していない部位であっても任意のフォーカス値、ドーズ量に対する理想的な測定値を算出することが可能になる。
【００３２】
図４にプロセスウィンドウチャートの作成例を示す。プロセスウィンドウチャートは前述した変化量モデルとパターン変動許容量に対応する測定上限値および下限値を用いて作成する。変化量モデルを用いて、測定上限値を満たす各フォーカス値からドーズ量上限値（４０１）を算出し、測定下限値を満たす各フォーカス値からドーズ量下限値（４０３）を算出する。このドーズ量上限値およびドーズ量下限値に挟まれる領域が対象パターンの変動許容量を満たすドーズ量とフォーカス値を示す。
【００３３】
（４）ショット内対象領域別最小パターン選択手法
ここでは図１の“ショット内対象領域別最小パターン選択”ステップ（１０５）について説明する。
【００３４】
図５にショット内対象領域別最小パターン選択手法の詳細フローを示す。まずショット領域を管理したいサイズの領域に分割する。この分割サイズを小さく設定するとショット内の露光条件の変動を詳細に管理することが可能になるが、評価するための取得データが膨大になる。ここで露光条件の変動が許容範囲を超えた場合、算出されたフォーカス値およびドーズ量のずれ量を用いて露光装置を補正することになる。そのため、露光装置が調整可能な領域より細かい領域における露光条件の変動を管理する必要はないため、ショット領域の最小分割サイズは露光装置の調整可能な領域に設定するのが良い。
【００３５】
次にショット領域毎の共通プロセスウィンドウの算出を行う（５０２）。共通プロセスウィンドウの算出は、プロセスウィンドウ評価部１１０８にて行われる。このステップでは、まず分割したショット領域ごとに図１の（１０２）ステップで選択されたパターン候補を分類していく。例えばショット領域６０１の所定の分割領域６０２内に含まれるパターン候補は６０３および６０４の２つになる。次に分割されたショット領域毎に分類されたパターンによる共通プロセスウィンドウを算出する。例えば図６の６０５がパターン６０５のプロセスウィンドウチャートに該当し、図６の６０６がパターン６０４のプロセスウィンドウに該当するとする。この際二つのプロセスウィンドウチャートが示す共通領域のうち矩形あるいは楕円で表現される最大領域が共通プロセスウィンドウ（６０７）となる。ショット領域毎に共通プロセスウィンドウを算出した後不良パターンの除外を行う（５０３）。例えば図７に示す７０１、７０２、７０３、７０４の４つのパターンのプロセスウィンドウチャートから共通プロセスウィンドウ７０５を算出する。算出された共通プロセスウィンドウ７０５が露光装置の最悪変動量より小さいと判定された場合、その領域では良品パターンを製造出来ない。そのため、プロセスウィンドウを最も小さくするパターンによって作成されたプロセスウィンドウチャート７０４を除外し、再度プロセスウィンドウ算出を行う。この処理はパターン分類部１１０９にて行われ、共通プロセスリン銅が露光装置の最悪変動量を満たすまで繰り返される。なお、除外されたパターンは不良として修正対象として分類され、残りのパターンが露光条件変動管理用パターンとして登録される。
【００３６】
全ての不良パターンが除外された後、再度共通プロセスウィンドウ算出を行う（５０４）。図８に図７における不良パターンである７０４のプロセスウィンドウチャートを生成するパターン除外後の共通プロセスウィンドウ算出結果を示す。この段階で共通プロセスウィンドウ８０４を生成するのに使用されるプロセスウィンドウチャートは８０１および８０３となり、プロセスウィンドウチャート８０２は不要となるため除外する。このように、パターン選択部１１１０では、共通プロセスウィンドウ生成に寄与するパターンのみを抽出して露光状態管理に必要な最小パターンを抽出する（５０５）。抽出されたパターンは露光状態の変動管理パターンとしてメモリ上あるいは記憶媒体に登録される（５０６）。
【００３７】
撮像レシピ生成部１１１２では、パターン選択部１１１０によって抽出（選択）されたパターン情報（座標情報、パターンの大きさ情報等）に基づいて、撮像レシピを自動生成する。
【００３８】
（５）ショット内対象領域間最小パターン選択手法
ここでは図１の“ショット内対象領域間最小パターン選択”ステップ（１０６）について説明する。この処理では前述したショット領域ごとの最小パターン選出を実施した後にさらに露光条件変動管理に評価にひつようなショット領域の絞込みを行う。
【００３９】
図９にショット間対象領域別最小パターン選択手法の詳細フローを示す。また、図１０に複数の近接ショット領域が含まれる露光装置の１ショット領域（左図）と、複数の近接ショット領域の共通プロセスウィンドウ（右図）を例示する。
【００４０】
まず、ショット領域ごとの共通プロセスウィンドウを算出する（９０１）。ここで隣接するショット領域の露光条件が大きくずれることがない、また、露光装置の調整量を隣接領域で大きく変化させることができないため、ショット間の隣接領域で共通プロセスウィンドウの評価を行う（９０２）。例えば近接ショット領域１００１、１００２、１００３、１００４に対し、それぞれの共通プロセスウィンドウ領域が１０１０、１０１２、１０１３、１０１４であるとする。
【００４１】
次に例えばショット領域１００１の露光条件を固定にした際にその他領域の露光条件変動範囲を考慮して共通プロセスウィンドウ領域１０１２，１０１３，１０１４の領域を狭める。最後に生成された共通領域１０１５を作成するのに寄与しない共通ウィンドウを持つ領域１００２は露光条件管理に用いる必要がないため除外する。このようの領域ごとに評価を行い評価対象ショット領域の絞込みを行う（９０３）。絞り込みの結果、共通プロセスウィンドウ領域１０１１、１０１３、１０１４が選択され、対応する近接ショット領域１０１０、１０１３、１０１４が露光条件管理領域として選択される。このように算出された露光条件管理領域に所属するパターンをメモリ上あるいは記憶媒体に登録する（９０４）。
【００４２】
撮像レシピ生成部１１１２では、ホットスポット抽出等に基づいて選択された測定対象候補パターンが含まれる近接ショット領域１００１、１００２、１００３、１００４の中から、１００１、１００３、１００４に含まれる測定対象候補を、選択的に測定対象とする撮像レシピを自動生成する。
【００４３】
なお、上記の説明では、共通領域１０１５の輪郭を生成するショット領域を選択的に評価対象ショットとする例について説明したが、例えばプロセスウィンドウ生成部１１０７にて、共通領域１０１５を生成し、当該共通領域１０１５から所定の範囲にある共通プロセスウィンドウに対応する近接ショット領域を評価対象とするようにしても良い。より具体的には、図１２に例示するように、共通領域１０１５を抽出した後、当該共通領域１０１５の中心や重心（起点１２０１）を求め、当該起点１２０１を基準とした所定の範囲１２０２に、その輪郭が含まれる共通プロセスウィンドウ領域に対応するショット領域を選択する。図１２の例の場合、共通領域１０１５を生成する共通プロセスウィンドウ領域１０１１、１０１３、１０１４の他に、共通プロセスウィンドウ領域１２０３が選択され、当該領域に含まれるパターンも測定対象として選択される。
【００４４】
所定の範囲１２０２の任意の調整を可能とすることによって、測定効率と測定精度の両立を鑑みた適切な測定条件の設定を行うことが可能となる。
【００４５】
（６）まとめ
以上の通り、本実施例によれば、プロセスウィンドウ解析手法を用いて露光装置における露光条件の変動を管理するためにショット内の必要最低限のパターン群を自動で選択できる。
【００４６】
（７）他の実施例
なお、本明細書にて説明した測定条件設定法は上述した実施例に限定されるものでなく、様々な変形例を含んでいる。例えば上述した実施例は、一部の実施例について詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成や処理を実装する必要は無い。また、前述した実施例に対して他の構成や処理を追加し、又は、実施例の一部の構成や処理を削除若しくは置換しても良い。
【００４７】
また、上述した各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部又は全部を、例えば集積回路その他のハードウェアとして実現しても良い。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することにより実現しても良い。すなわち、ソフトウェアとして実現しても良い。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリやハードディスク、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）等の記憶装置、ＩＣカード、ＳＤカード、ＤＶＤ等の記憶媒体に格納することができる。
【００４８】
また、制御線や情報線は、説明上必要と考えられるものを示すものであり、製品上必要な全ての制御線や情報線を表すものでない。実際にはほとんど全ての構成が相互に接続されていると考えて良い。
【符号の説明】
【００４９】
２０１…電子源
２０２…引出電極
２０３…電子ビーム
２０４…コンデンサレンズ
２０５…走査偏向器
２０６…対物レンズ
２０７…ステージ
２０８…試料台
２０９…試料
２１０…放出された電子
２１１…二次電子
２１２…変換電極
２１３…検出器
２１４…制御装置
２１５…電子検出器
２１６…二次電子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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