(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される主成分を有する誘電体組成物であって、
αは、ＺｒおよびＳｎの中から選択される少なくとも１種であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たすことを特徴とする誘電体組成物。
【請求項２】
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．２００≦ａ≦０．３９０、０．２００≦ｂ≦０．３９０、０．３００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２００、０．０２０≦ｘ≦０．２００および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の誘電体組成物を備える誘電体素子。
【請求項４】
請求項１または２に記載の誘電体組成物からなる誘電体層を備える電子部品。
【請求項５】
請求項１または２に記載の誘電体組成物からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層されてなる積層部分を有する積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物およびこれを用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品に係り、さらに詳しくは、比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられる誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子回路の高密度化に伴う誘電体素子の小型化に対する要求は高く、積層セラミックコンデンサ等の電子部品の小型・大容量化が急速に進むとともに、その用途も拡大している。それに伴い、様々な特性が要求されるようになっている。
【０００３】
例えば、エンジンコントロールモジュール（ＥＣＭ）、燃料噴射装置、電子制御スロットル、インバータ、コンバータ、ハイインテンシティーディスチャージ（ＨＩＤ）ヘッドランプユニット、ハイブリッドエンジンのバッテリコントロールユニット、デジタルスチールカメラ等の機器に用いられる中高圧コンデンサは、高い昇圧回路中で使用されるため、定格電圧が１００Ｖを超えるものが多い。すなわち、このような中高圧コンデンサにおいては、高いＤＣバイアス印加時に、高い比誘電率を有することが要求される。さらに、誘電体素子の自己発熱を抑制するためには、高いＤＣバイアス印加時に低い誘電損失を有することも同時に要求される。
【０００４】
しかしながら、従来の誘電体組成物は、例えば１Ｖ／μｍ程度の低いＤＣバイアス印加時に使用されることを前提に設計されている。したがって、従来の誘電体組成物からなる誘電体層を有する電子部品を高いＤＣバイアス印加時に使用すると、比誘電率が低下するという問題がある。この問題は、ＤＣバイアスが高くなればなるほど、比誘電率は低下する傾向があるため、特に薄層化の進んだ積層セラミックコンデンサにおいて顕著である。
【０００５】
このような課題を解決するべく、下記の特許文献１では、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、｛ＢａＯ｝ｍＴｉＯ２＋αＲ２Ｏ３＋βＢａＺｒＯ３＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｒ２Ｏ３はＥｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３およびＹｂ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種であり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にある。）で表される主成分を含有するとともに、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに対して、ＳｉＯ２に換算して０．２〜５．０モル含有していることを特徴とする誘電体組成物が開示されている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に示すような誘電体組成物は、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が比較的大きいが、より高い８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時には比誘電率が大きく減少してしまうため、中高圧コンデンサの小型・大容量化に伴う薄層化に対応するには不十分であった。さらに、特許文献１には誘電損失の記載はあるが、ＤＣバイアスが印加されていない場合の値であり、８Ｖ／μｍの高いＤＣバイアス印加時の誘電損失の記載はない。
【０００７】
これらの理由により、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時において高い比誘電率および低
い誘電損失を同時に有する誘電体組成物が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３３３４６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられ、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に８００以上の比較的高い比誘電率を有し、かつ、４％以下の比較的低い誘電損失を有する誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供することである。
【００１０】
なお、本発明において、誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品に印加される直流電界をＤＣ（直流）バイアスと呼ぶ。また、ＤＣバイアスの印加により、誘電体組成物等の比誘電率および静電容量が変化する特性をＤＣバイアス特性と呼ぶ。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に係る誘電体組成物は、
（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される主成分を有する誘電体組成物であって、
αは、ＺｒおよびＳｎの中から選択される少なくとも１種であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たすことを特徴とする。
【００１２】
なお、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、酸素原子数を３とした場合のＢｉ、Ｎａ、Ｓｒ、Ｂａ、α（Ｚｒおよび／またはＳｎを含む）の各原子数の比を表す。
【００１３】
本発明の誘電体組成物は、上記構成を有することにより、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時において、８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失が得られる。
【００１４】
好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．２００≦ａ≦０．３９０、０．２００≦ｂ≦０．３９０、０．３００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２００、０．０２０≦ｘ≦０．２００および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす。
【００１５】
本発明に係る誘電体素子は、上記誘電体組成物を備える。
【００１６】
本発明に係る電子部品は、上記誘電体組成物からなる誘電体層を備える。
【００１７】
本発明に係る積層電子部品は、上記誘電体組成物からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層されてなる積層部分を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る誘電体素子、電子部品および積層電子部品は、比較的に定格電圧が高い中高圧コンデンサなどに好適に用いられる。本発明によれば、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣ
バイアス印加時において、８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の低い誘電損失を有する誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供することができる。
【００１９】
上記誘電体組成物を備える誘電体素子、電子部品および積層電子部品の用途は特に限定されないが、高いＤＣバイアス印加時に高い比誘電率を必要とする回路保護用のスナバコンデンサ、平滑コンデンサなどに有用である。
【００２０】
さらに、本発明に係る誘電体組成物は鉛を含有せずとも優れた特性を有する。これにより、本発明に係る誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品は環境面においても優れている。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの概略図である。
【図２】本発明の別の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るＤＣバイアス特性グラフおよび従来のＢａＴｉＯ３系誘電体組成物のＤＣバイアス特性グラフの概略を同時に記載したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図面において、同一または同等の要素には同一の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【００２３】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る単層型のセラミックコンデンサ１００は、円板状の誘電体１と一対の電極２，３とを有する。誘電体１の両面に電極２，３を形成することで単層型のセラミックコンデンサ１００が得られる。誘電体１および電極２，３の形状に特に制限はない。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００２４】
誘電体１は、一般式（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される主成分を有する誘電体組成物で形成される。
【００２５】
上記一般式中でαは、ＺｒおよびＳｎの中から選択される少なくとも１種である。さらに、αは、均一な結晶粒を得られるという観点から、好ましくは、少なくともＺｒである。
【００２６】
上記一般式中でａは、０．１４０≦ａ≦０．３９０を満たす。ａが、０．１４０未満または０．３９０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
【００２７】
また、ａは、０．２００≦ａ≦０．３９０を満たすことが好ましく、さらには０．２１３≦ａ≦０．３９０を満たすことがより好ましい。このような範囲にａを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
【００２８】
上記一般式中でｂは、０．１４０≦ｂ≦０．３９０を満たす。ｂが、０．１４０未満または０．３９０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
【００２９】
また、ｂは、０．２００≦ｂ≦０．３９０を満たすことが好ましく、さらには０．２１３≦ａ≦０．３９０を満たすことがより好ましい。このような範囲にｂを制御することに
より、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
【００３０】
上記一般式中でｃは、０．２００≦ｃ≦０．７００を満たす。ｃが、０．２００未満または０．７００を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
【００３１】
また、ｃは、０．３００≦ｃ≦０．７００を満たすことが好ましく、さらには０．４００≦ｃ≦０．７００を満たすことがより好ましい。このような範囲にｃを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
【００３２】
上記一般式中でｄは、０．０２０≦ｄ≦０．２４０を満たす。ｄが、０．０２０未満または０．２４０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
【００３３】
また、ｄは、０．０２０≦ｄ≦０．２００を満たすことが好ましく、さらには０．０２０≦ｄ≦０．１５０を満たすことがより好ましい。このような範囲にｄを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
【００３４】
上記一般式中でｘは、０．０２０≦ｘ≦０．２４０を満たす。ｘが、０．０２０未満または０．２４０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
【００３５】
また、ｘは、０．０２０≦ｘ≦０．２００を満たすことが好ましく、さらには０．０２０≦ｘ≦０．１００を満たすことがより好ましい。このような範囲にｘを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
【００３６】
さらに、上記一般式中でａ、ｂ、ｃおよびｄは、０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす。ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが、０．９５０未満または１．０５０を超える場合には、十分な焼結密度を得られず、絶縁抵抗が低くなるため、高いＤＣバイアスを印加して使用することは困難になる。
【００３７】
また、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、０．９８０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たすことが好ましく、さらには０．９８０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０２０を満たすことがより好ましい。ａ、ｂ、ｃおよびｄをこのような範囲に制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
【００３８】
すなわち、本実施形態に係る誘電体組成物によれば、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時において、８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の低い誘電損失を得ることができる。
【００３９】
本実施形態に係る誘電体は強誘電体組成物の組み合わせであり、この特定の組み合わせを有することにより８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失を得ることができる。
【００４０】
誘電体組成物として実用に十分な比誘電率が得られる等の観点から、上記一般式で表される主成分の含有量は、誘電体組成物全体を基準として、９０重量％以上であることが好ましい。また、主成分の他に、副成分として、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉから選択される元素の酸化物を１種以上含有してもよい。さらに、作製プロセス上混入する可能性があるＰ、Ｚｒなどの不純物を含有してもよい。
【００４１】
誘電体組成物の組成は、例えば、蛍光Ｘ線分析や誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析で測定することができる。
【００４２】
上記誘電体組成物の相対密度は、理論密度を１００％とした場合に９５％以上であることが好ましい。ここで、本明細書において、相対密度とは、理論密度に対する密度の実測値の割合をいう。なお、誘電体組成物の理論密度は、例えば、Ｘ線回折によって求めた格子定数と、完全結晶を仮定して求めた量論比により計算することができる。誘電体組成物の密度の実測値は、例えば、アルキメデス法によって測定することができる。誘電体組成物の相対密度は、焼成温度や焼成時間などを変えることによって調整することができる。
【００４３】
次に、図１に示すセラミックコンデンサの製造方法の一例について以下に説明する。
【００４４】
まず、誘電体１の出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の粉末を準備する。
【００４５】
そして、本焼成後の誘電体組成物（焼結体）が、本実施形態に係る誘電体組成物の組成を満たすものとなるように、上記粉末原料を秤量する。
【００４６】
次に、秤量した各原料粉末を、ボールミル等により湿式混合する。そして、湿式混合により得られた混合物を仮焼することにより仮焼物を得る。ここで、仮焼は、通常空気中で施される。また、仮焼温度は７００〜９００℃であることが好ましく、仮焼時間は１〜１０時間が好ましい。
【００４７】
得られた仮焼物を、ボールミル等で湿式粉砕した後、これを乾燥させることにより、仮焼物粉体を得る。次いで、得られた仮焼物粉体に結合剤を添加し、プレス成形することにより、成形体を得る。結合剤は本技術分野で一般的に用いられるものであれば特に制限なく使用できる。結合剤の具体例として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。結合剤の添加量についても特に制限はないが、前記仮焼物紛体を１００重量％とした場合に１〜５重量％添加することが好ましい。さらに、プレス成形時の成形圧力は５×１０２ＭＰａ程度であることが好ましい。成形体の形状に特に制限はない。本実施形態においては、円板状としたが、直方体など他の形状とすることもできる。
【００４８】
そして、得られた成形体を焼成することにより誘電体１を得る。ここで、焼成は、通常、空気中で施される。また、焼成温度は９５０〜１４００℃であることが好ましく、焼成時間は２〜１０時間であることが好ましい。
【００４９】
次いで、得られた誘電体１の両面に、電極２，３を形成する。電極の材質に特に制限はなく、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ等が用いられる。電極の形成方法は蒸着、スパッタリング、焼付け、無電解めっき等の方法によるが、これら以外の方法を用いることも可能であり、電極の形成方法に特に制限はない。
【００５０】
図２は本発明の別の実施形態を示す積層セラミックコンデンサの断面図である。図２に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２００は、誘電体層７と、内部電極層６Ａ，６Ｂと、が交互に積層された構成のコンデンサ素子本体５を有する。この素子本体５の両端部には、素子本体５の内部で交互に配置された内部電極層６Ａ，６Ｂと各々導通する一対の端子電極１１Ａ，１１Ｂが形成してある。素子本体５の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００５１】
誘電体層７は、本実施形態に係る誘電体組成物からなる層である。
【００５２】
誘電体層７の１層当たりの厚さは、任意に設定することができ、例えば１〜１００μｍにすることができるが、特に制限はない。
【００５３】
内部電極層６Ａ，６Ｂはそれぞれ平行となるように設けられている。内部電極層６Ａは、一方の端部が積層体５における端子電極１１Ａが形成された端面に露出するように形成されている。また、内部電極層６Ｂは、一方の端部が積層体５における端子電極１１Ｂが形成された端面に露出するように形成されている。さらに、内部電極層６Ａと内部電極層６Ｂとは、これらの大部分が積層方向に重なり合うように配置されている。
【００５４】
内部電極層６Ａ，６Ｂの材質としては、例えば、Ａｕ，Ｐｔ若しくはＡｇ等の金属が用いられるが、特に制限はなく、他の金属を用いることも可能である。
【００５５】
端子電極１１Ａ，１１Ｂは、これらが設けられている積層体５の端面において、当該端面に露出している内部電極層６Ａ，６Ｂの端部とそれぞれ接している。これにより、端子電極１１Ａ，１１Ｂは、内部電極層６Ａ，６Ｂとそれぞれ電気的に接続される。この端子電極１１Ａ，１１Ｂは、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ等を主成分とする導電材料から構成することができる。端子電極１１Ａ，１１Ｂの厚さは、用途や積層型誘電素子のサイズ等によって適宜設定される。例えば１０〜５０μｍにすることができるが、特に制限はない
【００５６】
以上、本発明の実施形態に係る単層型のセラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサついて説明した。本実施形態に係る誘電体組成物は、高いＤＣバイアス印加時において高い比誘電率および低い誘電損失を有するため、例えば、比較的に定格電圧が高い中高圧コンデンサに好適に用いることができる。
【００５７】
また、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態に係る誘電体組成物からなる誘電体層は、半導体装置の誘電体素子などとして用いることもできる。本発明に係る誘電体素子としては、例えば、本発明に係る誘電体組成物を薄膜化し、半導体装置等の基板に組み込む薄膜コンデンサ等が挙げられる。
【００５８】
また、本実施形態において、誘電体組成物以外の構成は、公知の構成を自由に用いることができる。また、例えば、上記セラミックコンデンサの製造において、当該仮焼物粉体を水熱合成法等の公知の方法により製造することもできる。また、前駆体として（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＢａＳｎＯ３などを作製し、混合、焼結することもできる。
【００５９】
本実施形態に係る誘電体は強誘電体組成物の組み合わせであり、この特定の組み合わせを有することにより８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失を得ることができる。
【００６０】
本実施形態に係る誘電体組成物は、例えば（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３およびＳｒＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＢａＳｎＯ３などの強誘電体組成物の組み合わせともいうことができる。この特定の強誘電体組成物の組み合わせにより、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失を得ることもできる。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６２】
（実施例１〜１７、比較例１〜８）
出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）の粉末を準備した。
【００６３】
本焼成後の誘電体組成物（焼結体）が、表１の組成を満たすものとなるように、上記粉末原料を秤量した。なお、ここで、表１中のａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ下記一般式（１）におけるａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘの数値を示す。
【００６４】
（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３…（１）
【００６５】
次に、秤量した各原料粉末を、ボールミルにより湿式混合した後、得られた混合物を、空気中において８５０℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。そして、得られた仮焼物をボールミルで湿式粉砕して、仮焼物粉体を得た。次いで、仮焼物粉体にＰＶＡを、仮焼物紛体を１００重量％とした場合に１重量％添加し、約５×１０２ＭＰａの圧力で成形し、平面寸法Φ１７ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円板状成形体を得た。
【００６６】
次に、得られた成形体を空気中において、焼成温度９５０〜１４００℃、焼成時間２〜１０時間の範囲で、相対密度９５％と以上となる条件で焼成して、誘電体組成物試料を得た。得られた誘電体試料について密度測定を行ったところ、すべての試料の密度が、理論密度に対し９５％以上であった。
【００６７】
得られた誘電体組成物試料の組成を分析した。組成分析は蛍光Ｘ線分析法で行った。その結果、各焼結体の組成が表１の組成と等しいことを確認した。
【００６８】
得られた誘電体組成物試料の両面にＡｇ電極を蒸着し、コンデンサ試料を作製した。
【００６９】
得られた各コンデンサ試料について、室温２５℃におけるＤＣバイアス印加なしでの比誘電率、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率（ε）、および誘電損失を測定した。
【００７０】
比誘電率および誘電損失は、ＤＣバイアス発生装置（ＧＬＡＳＳＭＡＮ  ＨＩＧＨ  ＶＯＬＴＡＧＥ社，ＷＸ１０Ｐ９０）をデジタルＬＣＲメータ（Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ社，４２８４Ａ）に接続して、室温２５℃において、８Ｖ／μｍのＤＣバイアスを印加しながら前記デジタルＬＣＲメータにて、１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚの条件で測定した。
【００７１】
各実施例および比較例に係る誘電体組成物試料について、室温２５℃における８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率および誘電損失を表１に示す。
【００７２】
なお、表中の棒線部「−」は、誘電体組成物試料が緻密に焼結せず、高いＤＣバイアスを印加しての測定ができなかったことを示す。また、本実施例においては、比誘電率については、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に、８００以上となるものを良好とし、９００以上となるものをさらに良好とした。また、誘電損失については、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に、４％以下のものを良好とし、３％以下のものをさらに良好とした。
【００７３】
【表１】
0006467648.tif 000002
【００７４】
以上より、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘは、それぞれ、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．
０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす実施例１〜１７の誘電体組成物は８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が８００以上、かつ誘電損失が４％以下であり、好ましい範囲内であった。
【００７５】
さらに、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘは、それぞれ、０．２００≦ａ≦０．３９０、０．２００≦ｂ≦０．３９０、０．３００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２００、０．０２０≦ｘ≦０．２００および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす実施例１〜７、１０、１１および１３〜１７の誘電体組成物は８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が９００以上、かつ誘電損失が３％以下であった。
【００７６】
それに対し、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０のうちいずれか一つ以上を満たさない比較例１〜８の誘電体組成物は、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が測定できないか、測定できても８００未満、または誘電損失が４％より大きくなった。
【００７７】
さらに、実施例３のコンデンサ試料について、印加するＤＣバイアスを０〜８Ｖ／μｍの範囲内で変化させて比誘電率を測定した。測定結果について、従来のＢａＴｉＯ３系コンデンサ試料の比誘電率変化の概略と合せて図３に示す。
【００７８】
図３より、従来のＢａＴｉＯ３系コンデンサ試料は印加するＤＣバイアスが大きくなるにしたがって比誘電率が急激に低下するのに対し、本願発明に係る誘電体組成物を有するコンデンサ試料は、ＤＣバイアスが大きくなっても高い比誘電率を維持することが分かる。
【符号の説明】
【００７９】
１…誘電体
２，３…電極
５…積層体
６Ａ，６Ｂ…内部電極層
７…誘電体層
１１Ａ，１１Ｂ…端子電極
１００…セラミックコンデンサ
２００…積層セラミックコンデンサ
【図１】
0006467648.tif 000003
【図２】
0006467648.tif 000004
【図３】
0006467648.tif 000005