(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー・パターニング処理により、側断面方向から見て、一主面側からＶ字状をなす凹部が形成された樹脂基板に対して、ドライエッチング法を用いプラズマ処理を施すことにより、前記凹部の形状をＶ字状からＵ字状に変形させる工程αを含むことを特徴とする樹脂基板の加工方法。
【請求項２】
前記Ｖ字状の凹部の深さをＺ１、前記Ｕ字状の凹部の深さをＺ２と定義したとき、Ｚ１＜Ｚ２の関係を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする請求項１に記載の樹脂基板の加工方法。
【請求項３】
前記Ｖ字状の凹部の開口幅をＷ１、前記Ｕ字状の凹部の開口幅をＷ２と定義したとき、Ｗ１≒Ｗ２の関係を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする請求項１に記載の樹脂基板の加工方法。
【請求項４】
前記Ｗ１と前記Ｗ２の差分をΔＷと定義したとき、前記ΔＷが０．５μｍ以下を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする請求項３に記載の樹脂基板の加工方法。
【請求項５】
前記Ｕ字状の凹部が形成された後、前記樹脂基板の一主面の表面粗さＲａが０．８μｍ以下を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする請求項３に記載の樹脂基板の加工方法。
【請求項６】
前記工程αが、プロセスガスとしてＳＦ６とＣ３Ｆ８とＯ２からなる混合ガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂基板の加工方法。
【請求項７】
前記工程αが、プロセスガスとしてＣＦ４とＣＨＦ３とＯ２からなる混合ガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基板に予め形成されたＶ字状の凹部を、ドライエッチング法を用いてＵ字状の凹部に変形させる、樹脂基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント基板用途の樹脂基板として、プリプレグと呼ばれるガラス布にエポキシ樹脂を含浸した材料を用いて、その上に、ビルドアップフィルムを用いて、回路を形成する方法が用いられている。このような樹脂基板は、寸法変化が小さく、高周波特性や絶縁抵抗が高いことから、絶縁性や機械強度が高く長寿命という特長を有している。しかしながら、樹脂基板は、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸した材料ゆえに、その加工は難しいことが知られている。
【０００３】
搭載される機器の小型・軽量化に伴い、樹脂基板における貫通配線を含む導電部についても、さらなる細線化や高密度化が求められている。従来、樹脂基板に貫通配線を含む導電部の形成法としてめっき法が用いられ、この要求に応えてきた（特許文献１、２）。
たとえば、従来の手法では、樹脂基板に備えた導体に向けて、貫通孔を設ける領域に一方の主面から、所望の手法（ドリル加工やレーザー加工などの既知の手法）により、予め非貫通孔が形成された基板を用意し、該樹脂基板の一方の主面からエッチング液を用いて貫通孔を形成した後、該樹脂基板をめっき液に浸漬することにより、貫通孔にめっき液を充填し、貫通孔内に薄膜の導電部を形成する。しかしながら、貫通孔の小径化に伴い、貫通孔内に残存するエッチング液を除去する一連の操作（いわゆる、ウェットプロセス）が困難になりつつある。すなわち、めっき液の残渣が貫通孔内から抜けず、その後の工程に影響を及ぼすことが懸念されている。
【０００４】
ドリル加工により、予め非貫通孔が形成された基板を用いる場合については、本発明者らは既に解決手法を見出し、特許出願を行った（特許文献３）。
しかしながら、レーザー加工により、予め非貫通孔が形成された基板を用いる場合については、解決手法を見出すことができず、その開発を鋭意進めていた。
本発明者らは、レーザー加工によって予め形成された非貫通孔の状況について調査した。その結果、レーザー加工［図１（ａ）］によって、樹脂基板１０Ｂ（１０）に予め形成された非貫通孔１１Ｂ（１１）は、側断面方向から見てＶ字状の凹部（あるいは、擂り鉢状の凹部）となり易いことが分かった［図１（ｂ）］。また、レーザー光に暴露された面、すなわちＶ字状の凹部の傾斜面１１Ｂｓには、表面形態が非暴露面とは異なるダメージを受けた部位ＤＡが発生していることも確認された［図１（ｂ）］。
【０００５】
樹脂基板の非貫通孔は、このような状況にあるため、エッチング液を用いて処理して貫通孔を形成しようとしても、開口部が大きく、奥まるほど狭まる形状に成らざるを得ない。これでは、前述した問題（めっき液の残渣が貫通孔内から抜けず、その後の工程に影響を及ぼすことが懸念されている）が発生しやいため、改善する必要がある。つまり、貫通孔の内部が、その奥行き方向においても、開口部と同様の面形状をもつことができる、新たな製法の開発が期待されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２１７５３６号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６５３３号公報
【特許文献３】特開２０１４−２２７４２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、レーザー加工により、予め非貫通孔が形成された樹脂基板を用い、奥行き方向においても、開口部と同様の面形状を有する非貫通孔が作製できる樹脂基板の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の樹脂基板の加工方法は、レーザー・パターニング処理により、側断面方向から見て、一主面側からＶ字状をなす凹部が形成された樹脂基板に対して、ドライエッチング法を用いプラズマ処理を施すことにより、前記凹部の形状をＶ字状からＵ字状に変形させる工程αを含むことを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の樹脂基板の加工方法は、請求項１において、前記Ｖ字状の凹部の深さをＺ１、前記Ｕ字状の凹部の深さをＺ２と定義したとき、Ｚ１＜Ｚ２の関係を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の樹脂基板の加工方法は、請求項１において、前記Ｖ字状の凹部の開口幅をＷ１、前記Ｕ字状の凹部の開口幅をＷ２と定義したとき、Ｗ１≒Ｗ２の関係を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の樹脂基板の加工方法は、請求項３において、前記Ｗ１と前記Ｗ２の差分をΔＷと定義したとき、前記ΔＷが０．５μｍ以下を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の樹脂基板の加工方法は、請求項３において、前記Ｕ字状の凹部が形成された後、前記樹脂基板の一主面の表面粗さＲａが０．８μｍ以下を満たすように、前記工程αが行われることを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の樹脂基板の加工方法は、請求項１において、前記工程αが、プロセスガスとしてＳＦ６とＣ３Ｆ８とＯ２からなる混合ガスを用いることを特徴とする。
本発明の請求項７に記載の樹脂基板の加工方法は、請求項１において、前記工程αが、プロセスガスとしてＣＦ４とＣＨＦ３とＯ２からなる混合ガスを用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の樹脂基板の加工方法は、樹脂基板の一主面に対してレーザー・パターニング処理したものを用いる。このレーザー・パターニング処理より、樹脂基板は、その一主面に、側断面方向から見て、Ｖ字状をなす凹部が予め形成されている。本発明では、このような樹脂基板の一主面に対して、ドライエッチング法を用いプラズマ処理を施すことにより、前記凹部の形状をＶ字状からＵ字状に変形させる工程αを含んでいる。この工程αにおいては、プロセス圧力や酸素流量などを制御することが重要となる。
ゆえに、本発明は、レーザー加工により、予め非貫通孔が形成された樹脂基板を用い、奥行き方向においても、開口部と同様の面形状を有する貫通孔が作製できる、樹脂基板の加工方法の提供に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る樹脂基板の加工方法の一例を示す断面模式図。
【図２】加工前後の凹部における幅と深さの定義を示す図。
【図３】本発明に係る樹脂基板の加工装置の一例を示す断面模式図。
【図４】加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した一例を示す写真。
【図５】加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した他の一例を示す写真。
【図６】加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した他の一例を示す写真。
【図７】加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した他の一例を示す写真。
【図８】加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した他の一例を示す写真。
【図９】加工前後の樹脂基板の一例を示す表面プロファイル。
【図１０】加工前後の樹脂基板の他の一例を示す表面プロファイル。
【図１１】加工前後の樹脂基板の他の一例を示す表面プロファイル。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る樹脂基板の加工方法の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本発明に係る樹脂基板の加工方法の一例を示す断面模式図である。図１において、（ａ）はレーザー光の照射時、（ｂ）はレーザー光の照射後、（ｃ）はプラズマ処理時、（ｄ）はプラズマ処理後、を各々表わしている。
【００１２】
本発明に係る樹脂基板の加工方法は、樹脂基板１０Ａ（１０）の一主面に対してレーザー光１を用い、パターニング処理したものを用いる［図１（ａ）］。
このレーザー・パターニング処理より、樹脂基板１０Ｂ（１０）は、その一主面に、側断面方向から見て、Ｖ字状をなす凹部１１Ｂ（１１）が予め形成される［図１（ｂ）］。これにより、Ｖ字状をなす凹部１１Ｂ（１１）の内側面１１Ｂｓには、レーザー光を照射した影響により、ダメージ部ＤＡが生じる。
【００１３】
本発明は、Ｖ字状をなす凹部１１Ｂ（１１）の内側面１１Ｂｓに、ダメージ部ＤＡが発生した樹脂基板１０Ｃ（１０）の一主面に対して、ドライエッチング法を用いプラズマ処理を施す工程α［図１（ｃ）］を含んでいる。本発明は、樹脂基板１０Ａ（１０）の一主面において、レーザー光１が未照射の領域に比べて、レーザー光１が照射された領域であるダメージ部ＤＡに対して、プラズマが積極的に作用する現象を初めて見出し、これを利用するものである。
【００１４】
上記工程αでは、所望のプロセスガスを用い、所定の圧力条件下において生成されたプラズマに、ダメージ部ＤＡが発生した樹脂基板１０Ｃ（１０）を曝すだけで、Ｖ字状であった凹部１１を、Ｕ字状をなす凹部１３に内部形状を変形加工することができる［図１（ｄ）］。Ｕ字状をなす凹部１３は、略垂直をなす内側面１３ｓと、略平坦をなす内底面１３ｂから構成される。凹部１３において、内側面１３ｓと内底面１３ｂのなす角度θが、θ≧１１０°であればＵ字状とみなし、θ＜１１０°であればＶ字状とみなすこともできる。
【００１５】
所望のプロセスガスとしては、たとえば、フッ素を含むガス（以下、Ｆ系ガスとも呼ぶ）が好ましく、例えば、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、などが挙げられる。
また、上記プロセスガスに添加するガスとしては、例えば、Ｏ２、Ｎ２、Ｏ２とＮ２の混合ガスなどが挙げられる。
所定の圧力条件としては、たとえば、２〜３０［Ｐａ］の範囲が好ましい。
【００１６】
図２は、加工前後の凹部における幅と深さの定義を示す図である。ここでは、プラズマ加工前における凹部の開口径をＷ１、凹部の深さをＺ１とし、プラズマ加工後における凹部の開口径をＷ２、凹部の深さをＺ２と定義した。また、加工前後の変化量を評価するため、Ｗ２とＷ１の差分をΔＷ、Ｚ２とＺ１の差分をΔＺと定義した。
【００１７】
本発明では、開口の変化が少なく、深さが拡大する条件［ΔＷ＝Ｗ２−Ｗ１≒０（ゼロ）、かつ、ΔＺ＝Ｚ２−Ｚ１＞０（ゼロ）］が好ましいことから、この条件を満たすか否かを評価基準とした。具体的には、加工後における開口部の寸法変化量ΔＷは、０．５μｍ以下が好ましい。また、加工後のＵ字状の凹部における内底面の線粗さＲａは、０．８μｍ以下（従来のウェット工程にて得られるＲａと同じレベル）が望ましい。
【００１８】
図３は、上記工程αに好適な樹脂基板の加工装置の一例を示す断面模式図である。本発明は、図３に示すような、上方からガスを導入してプラズマを生成し、下方の基板をエッチング加工する平行平板プラズマエッチング装置１０を使用して実施できる。図３において、符号３１はガスボンベ等のガスの供給源３２ａ，３２ｂに接続されたガス導入系３２と、真空ポンプに接続された排気系３３を有するチャンバを示す。なお、図３においては、各ガスの供給源３２ａ，３２ｂごとに設けられるバルブや流量計などは省略して描写してある。しかしながら、後述するとおり、図３の平行平板プラズマＣＶＤ装置１０においても、ガス導入の開閉制御や流量制御を行うことから、ガス導入系３２の必要な箇所に、バルブや流量は適宜備えている。
【００１９】
チャンバ３１内には、平板状の電極３４，３５が上下に平行して設けられており、上方に位置する電極３４には高周波電力を与える高周波電源３６ａが、下方に位置する電極３５にはバイアス電力を与えるバイアス電源３６ｂが、それぞれ電気的に接続されている。
下方に位置する電極３５の上には、エッチング処理される基板Ｓｕｂ（前述した「予め非貫通孔１１が形成された樹脂基板１０」に相当）が搭載される。
【００２０】
上方の電極３４をその前面にシャワープレート３８を備えた中空の電極で構成し、その中空部３９に該ガス導入系３２を接続して該中空部３９内へ導入した反応ガスを該シャワープレート３８に形成した多数のガス噴出口３８ａからチャンバ１１内へ均一に噴出させるようにした。また、下方の電極３５は基板Ｓｕｂを加熱するヒーターとしての機能を具備する。ガス導入系３２には、エッチング処理をおこなう際に供給される、プロセスガスの供給源３２ａと、添加ガスの供給源３２ｂとが具備されており、これらのガスを各々、流量調整して導入可能とされている。
【００２１】
真空排気されたチャンバ３１内に、ガス導入系３２から所望のガス（プロセスガス＋添加ガス）を導入し、所定の圧力に調整した後、高周波電源３６ａから例えば１３．５６ＭＨｚ等の高周波電力を投入して両電極３４，３５間にプラズマを発生させる。また、必要に応じて、電極３５には、バイアス電源３６ｂからバイアス電力として高周波電力を印加する。その際、電極３５に載置された基板Ｓｕｂが、所定の温度となるように制御した状態とする。
【００２２】
これにより、電極３５に載置された基板Ｓｕｂは、所望の時間だけプラズマに曝されることにより、基板Ｓｕｂの一方の面側（上方に位置する電極３４と対向する面側）がエッチングされる。すなわち、通常は、基板Ｓｕｂ（予め非貫通孔が形成された樹脂基板）のうち、非貫通孔の開口部の周囲をなす一方の主面とともに、非貫通孔の内底面が同様にエッチングされる。
【００２３】
しかしながら、本発明において使用した基板Ｓｕｂは、上述した通り、「Ｖ字状をなす凹部１１Ｂ（１１）の内側面１１Ｂｓに、ダメージ部ＤＡが発生した樹脂基板１０Ｃ（１０）」である。そのため、樹脂基板１０Ａ（１０）の一主面において、レーザー光１が未照射の領域に比べて、レーザー光１が照射された領域であるダメージ部ＤＡに対して、プラズマが強く作用する。これにより、本発明においては、レーザー光１が未照射の領域は殆どプラズマの影響を受けないのに対して、ダメージ部ＤＡが著しくプラズマの影響を受け、凹部の内側面が局所的にエッチングされることになり、ひいては凹部をＶ字状からＵ字状に変形加工することができる。
【００２４】
Ｕ字状に変形加工された非貫通孔であれば、非貫通孔の内底面が略平坦なプロファイルを有することができる。これにより、非貫通孔部の導電膜の被覆性が改善することで、高周波特性の改善されたプリント基板として活用できる非貫通孔が、本発明により安定して作製可能となる。
【００２５】
＜実験例１＞
本例では、プロセスガスとして「ＳＦ６、Ｃ３Ｆ８、Ｏ２」からなる混合ガスを用い、上述した工程αを行った。その際、プロセス圧力を２〜４０Ｐａの範囲で変更した。その結果、表１に示す結果が得られた。「加工寸法変化量ΔＷ」と「加工表面の線粗さＲａ」の２項目について、次の判定基準で評価した。
条件１（加工寸法変化量ΔＷ）：０．５μｍ以下であること。
条件２（加工表面の線粗さＲａ）：０．８μｍ以下であること。
表１において、○印は条件１と２の両方を満たす場合、△印は条件１と２の何れか一方を満たす場合、×印は条件１と２のどちらも満たさない場合、を表している。
【００２６】
【表１】
0006521377.tif 000002
【００２７】
表１より、プロセスガスとして「ＳＦ６、Ｃ３Ｆ８、Ｏ２」からなる混合ガスを用いた場合、２つの条件１、２を満たすためには、１０Ｐａ以下のプロセス圧力とする必要があることが分かった。
【００２８】
＜実験例２＞
本例では、プロセスガスとして「ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２」からなる混合ガスを用い、上述した工程αを行った。その際、プロセス圧力を２〜５０Ｐａの範囲で変更した。その結果、表２に示す結果が得られた。「加工寸法変化量ΔＷ」と「加工表面の線粗さＲａ」の２項目に関する判定基準は、実施例１と同様である。
【００２９】
【表２】
0006521377.tif 000003
【００３０】
表２より、プロセスガスとして「ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２」からなる混合ガスを用いた場合も、２つの条件１、２を満たすためには、１０Ｐａ以下のプロセス圧力とする必要があることが分かった。
【００３１】
＜実験例３＞
本例では、プロセスガスとして「ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２」からなる混合ガスを用い、上述した工程αを行った。その際、プロセス圧力を５Ｐａに固定し、Ｏ２の流量を１５〜１００ｓｃｃｍの範囲で変更した。その結果、表３に示す結果が得られた。「加工寸法変化量ΔＷ」と「加工表面の線粗さＲａ」の２項目に関する判定基準は、実施例１と同様である。
【００３２】
【表３】
0006521377.tif 000004
【００３３】
表３より、２つの条件１、２を満たすためには、Ｏ２の流量を５０ｓｃｃｍ以下に保つことが重要であることが分かった。
【００３４】
＜実験例４＞
本例では、ガラエポからなる樹脂基板を用い、予めレーザー加工により形成したＶ字状の凹部が、３μｍ／３μｍのＬ（ライン）／Ｓ（スペース）からなる場合において、上記工程αを行った。その際、プラズマ条件は、実施例２（Ｏ２の流量＝３０［ｓｃｃｍ］）と同様に設定した。
【００３５】
図４は、加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した一例を示す写真であり、（ａ）が処理前、（ｂ）が処理後を表している。処理後に計測した結果、ΔＷ＝０．１８μｍ、ΔＺ＝２．９９μｍであった。この結果より、Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍの場合であっても、本発明の作用・効果が得られることが確認された。
【００３６】
＜実験例５＞
本例では、ガラエポからなる樹脂基板を用い、予めレーザー加工により形成したＶ字状の凹部が、５μｍ／５μｍのＬ（ライン）／Ｓ（スペース）からなる場合において、上記工程αを行った。その際、プラズマ条件は、実施例２（Ｏ２の流量＝３０［ｓｃｃｍ］）と同様に設定した。
【００３７】
図５は、加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した一例を示す写真であり、（ａ）が処理前、（ｂ）が処理後を表している。処理後に計測した結果、ΔＷ＝０．２８μｍ、ΔＺ＝５．５５μｍであった。この結果より、Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍの場合であっても、本発明の作用・効果が得られることが確認された。
【００３８】
＜実験例６＞
本例では、ガラエポからなる樹脂基板を用い、予めレーザー加工により形成したＶ字状の凹部が、５μｍ／５μｍのＬ（ライン）／Ｓ（スペース）からなる場合において、上記工程αを行った。その際、プラズマ条件（プロセスガス）を変更して作製した。
【００３９】
図６は、加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した一例を示す写真であり、（ａ）が処理前、（ｂ）が「ＳＦ６／Ｃ３Ｆ８／Ｏ２＝３００／１００／１００［ｓｃｃｍ］、４０Ｐａ」にて処理した場合、（ｃ）が「ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２＝２５０／２５０／３０［ｓｃｃｍ］、５Ｐａ」にて処理した場合、を表している。処理後に計測した結果、（ｂ）はΔＷ＝１．３μｍ、ΔＺ＝２．７μｍ、（ｃ）はΔＷ＝０．２８μｍ、ΔＺ＝５．５５μｍ、であった。
【００４０】
図６（ｂ）の場合は、プロセスガスに占めるＯ２量が多いため、樹脂基板の被処理面において樹脂荒れが発生した。また、圧力が高いため、等方性エッチングとなった。さらに、ＳＦ６を使用したため、等方性エッチングの傾向が強まった。それゆえ、ΔＷが拡大（１．３μｍ）し、ΔＺが浅い（２．７μｍ）結果となった。プラズマ条件により、結果が不良となる場合もあることが分かった。
【００４１】
図６（ａ）の場合は、プロセスガスに占めるＯ２量を少なくしたことにより、樹脂基板の被処理面において樹脂荒れが抑制された。また、圧力を低めに設定したことにより、等方性エッチングではなく、異方性エッチングとなった。それゆえ、ΔＷが小さく（０．２８μｍ）維持されるとともに、ΔＺの深い（５．５５μｍ）、Ｕ字状の凹部が得られた。プラズマ条件により、良好な結果が得られることが確認された。
【００４２】
＜実験例７＞
本例では、ガラエポに代えてポリイミドからなる樹脂基板を用い、上記工程αを行った他の点は、実験例４の条件と同様に設定した。
【００４３】
図７は、加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した一例を示す写真であり、（ａ）が処理前、（ｂ）が処理後を表している。処理後に計測した結果、ΔＷ＝０．０９μｍ、ΔＺ＝２．１８μｍであった。この結果より、ポリイミドからなる樹脂基板においても、本発明の作用・効果が得られることが確認された。
【００４４】
＜実験例８＞
本例では、ガラエポに代えて感光性絶縁樹脂からなる樹脂基板を用い、上記工程αを行った他の点は、実験例４の条件と同様に設定した。
【００４５】
図８は、加工前後の樹脂基板をレーザー顕微鏡により観察した一例を示す写真であり、（ａ）が処理前、（ｂ）が処理後を表している。処理後に計測した結果、ΔＷ＝０．３７μｍ、ΔＺ＝１２．４μｍであった。この結果より、感光性絶縁樹脂からなる樹脂基板においても、本発明の作用・効果が得られることが確認された。
【００４６】
＜実験例９＞
本例では、ガラエポからなる樹脂基板を用い、上記工程αを行った前後において、凹部を横断する方向における断面形状（表面プロファイル）を評価した。Ｌ／Ｓ＝３／３μｍとし、工程αにおける他の条件は、実験例４の条件と同様に設定した。
【００４７】
図９は、加工前後の樹脂基板の一例を示す表面プロファイルである。この結果より、Ｌ／Ｓ＝３／３μｍの凹部形状であっても、ガラエポからなる樹脂基板において、本発明の作用・効果が得られることが確認された。
【００４８】
＜実験例１０＞
本例では、ガラエポからなる樹脂基板を用い、上記工程αを行った前後において、凹部を横断する方向における断面形状（表面プロファイル）を評価した。Ｌ／Ｓ＝５／５μｍとし、工程αにおける他の条件は、実験例４の条件と同様に設定した。
【００４９】
図１０は、加工前後の樹脂基板の一例を示す表面プロファイルである。この結果より、Ｌ／Ｓ＝５／５μｍの凹部形状であっても、ガラエポからなる樹脂基板において、本発明の作用・効果が得られることが確認された。
【００５０】
＜実験例１１＞
本例では、ガラエポに代えてポリイミドからなる樹脂基板を用い、上記工程αを行った前後において、凹部を横断する方向における断面形状（表面プロファイル）を評価した。Ｌ／Ｓ＝５／５μｍとし、工程αにおける他の条件は、実験例４の条件と同様に設定した。
【００５１】
図１１は、加工前後の樹脂基板の一例を示す表面プロファイルである。この結果より、Ｌ／Ｓ＝５／５μｍの凹部形状を備えたポリイミドからなる樹脂基板においても、本発明の作用・効果が得られることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、レーザー加工により、予め非貫通孔が形成された樹脂基板に広く適用可能である。本発明の樹脂基板の加工方法は、奥行き方向においても、開口部と同様の面形状を有する非貫通孔が求められる技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００５３】
１  レーザー光、１０  樹脂基板、１１  Ｖ字状をなす凹部、１３  Ｕ字状をなす凹部。
【図１】
0006521377.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
0006521377.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0006521377.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
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