(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面を被覆率２０〜７０％で被覆する、酸化インジウムスズナノワイヤからなる導電層とを有し、
全光線透過率が９０％以上、表面抵抗が２５０Ω／ｓｑ以下であり、
前記酸化インジウムスズナノワイヤの形状が、テーパー状の先端に直径１〜５００ｎｍの球を有する形状である
ことを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
酸化インジウムスズナノワイヤの平均長さが２００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明性にも導電性にも優れ、電子機器用途に好適に用いられる透明導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、高分子フィルム等からなる基板の表面に導電層が設けられた薄膜であり、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、透明タッチパネル、太陽電池等の電子機器用途に用いられている。
導電層の材料としては、従来、銀が用いられてきたが、銀は酸化しやすく、酸化により導電層の表面抵抗が上昇して導電性が損なわれるという問題があった。酸化防止のために導電層の表面に保護層を設ける場合もあるが、この場合には製造工程が増し、操作が煩雑となる。
【０００３】
銀に代わる材料としては、銀に比べて安定な、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））等の金属酸化物が知られており、なかでも、透明性、導電性等の観点から酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が多用されている。
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる導電層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の乾式法により製膜される（例えば、特許文献１）。
また、乾式法により製膜された導電層は曲げ等の物理的力に対して弱く、物理的力が加わるとクラック等が生じることがあるため、塗布工程を含む湿式法も検討されている。例えば、特許文献２には、ＩＴＯ微粒子が分散しているインク組成物を用いて形成された透明導電膜が記載されている。また、特許文献３には、ガラス基板上にインジウム化合物とスズ化合物とを焼成して得られたＩＴＯ薄膜を備えた透明導電膜付き基板が記載されている。
【０００４】
しかしながら、透明導電膜において透明性と導電性とを両立することは難しく、例えば、特許文献１に記載された透明導電膜は、全光線透過率が充分に高くはなく、透明性の改善が求められる。また、特許文献２及び３に記載された透明導電膜は、全光線透過率は高いものの表面抵抗の低さが不充分であり、導電性の改善が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４９５４６号公報
【特許文献２】特開２００１−２７９１３７号公報
【特許文献３】特開平１０−２２６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、透明性にも導電性にも優れ、電子機器用途に好適に用いられる透明導電膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、前記基板の表面を被覆率２０〜７０％で被覆する、酸化インジウムスズナノワイヤからなる導電層とを有し、全光線透過率が９０％以上、表面抵抗が２５０Ω／ｓｑ以下である透明導電膜である。
以下、本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者は、基板上に、上記基板の表面を特定範囲の被覆率で被覆する、酸化インジウムスズナノワイヤからなる導電層を形成することにより、特定範囲の全光線透過率と表面抵抗とを有し透明性にも導電性にも優れた透明導電膜が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
このような透明導電膜においては、導電層が基板の全面ではなく特定範囲の被覆率で形成されていることにより、充分に高い全光線透過率が得られ、かつ、導電率の高い単結晶であるか又は結晶子が非常に大きくかつ高結晶性である酸化インジウムスズナノワイヤによりナノワイヤ同士のネットワークが形成されていることにより、導電層が基板の全面に形成されていなくても充分に低い表面抵抗が得られる。
なお、このような透明導電膜は、透明性にも導電性にも優れるため、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、透明タッチパネル、太陽電池等の電子機器用途に好適に用いられ、省電力化、ディスプレイの大画面化等にも対応可能である。
【０００９】
本発明の透明導電膜は、基板と、上記基板の表面を被覆率２０〜７０％で被覆する、酸化インジウムスズナノワイヤ（本明細書中、ＩＴＯナノワイヤともいう）からなる導電層とを有する。
【００１０】
上記基板は特に限定されないが、透明であることが好ましく、例えば、ガラス基板、金属基板等の無機基板、プラスチックフィルム等が挙げられる。上記プラスチックフィルムとして、ＰＥＴフィルム、ポリエチレンナフトエートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルム等が好ましい。
上記基板の厚みは特に限定されないが、上記ガラス基板等の無機基板の厚みは、２０μｍ〜１０ｍｍが好ましく、上記プラスチックフィルムの厚みは、８〜２００μｍが好ましい。
【００１１】
上記ＩＴＯナノワイヤは銀に比べて安定であるため、上記導電層が上記ＩＴＯナノワイヤからなることにより、酸化により上記導電層の表面抵抗が上昇して導電性が損なわれるという問題が抑制される。また、酸化防止のために上記導電層の表面に保護層を設ける必要もない。ただし、本発明の透明導電膜は、保護層等の他の層を上記導電層の表面に有していてもよい。
上記ＩＴＯナノワイヤは、酸化インジウムスズ、即ち、酸素、インジウム及びスズを含有していればその組成は特に限定されず、少量又は微量の他の元素を含有していてもよい。
【００１２】
上記ＩＴＯナノワイヤは、平均長さが２００ｎｍ以上であることが好ましい。平均長さが２００ｎｍ未満であると、上記ＩＴＯナノワイヤ同士のネットワークが充分に形成されず、透明導電膜の導電性が低下することがある。平均長さは５００ｎｍ以上であることがより好ましく、１０００ｎｍ以上であることが更に好ましい。
上記ＩＴＯナノワイヤの平均長さの上限は特に限定されず、上記ＩＴＯナノワイヤ同士のネットワークが良好となるため長ければ長いほうが好ましいが、上記ＩＴＯナノワイヤが物理的力で破壊されやすくなることがあることから、好ましい上限は１０μｍである。
【００１３】
上記ＩＴＯナノワイヤの平均直径（平均太さ）は特に限定されないが、好ましい下限は１０ｎｍ、好ましい上限３００ｎｍである。平均直径が上記範囲を外れると、上記ＩＴＯナノワイヤ同士のネットワークが充分に形成されにくくなることやナノワイヤとしての透明性が大きく低下してしまうことがあり、透明導電膜の透明性又は導電性が低下することがある。平均直径のより好ましい下限は３０ｎｍ、より好ましい上限は１００ｎｍである。
【００１４】
上記ＩＴＯナノワイヤのアスペクト比、即ち、平均長さと平均直径との比率（平均長さ／平均直径）は特に限定されないが、好ましい下限は１、好ましい上限は１０００である。アスペクト比が上記範囲を外れると、上記ＩＴＯナノワイヤ同士のネットワークが充分に形成されなかったり、上記導電層の被覆率を調整することが難しくなったりして、透明導電膜の透明性又は導電性が低下することがある。アスペクト比のより好ましい下限は１０、より好ましい上限は５００である。
【００１５】
上記ＩＴＯナノワイヤの形状は、ワイヤ状又は線状であれば特に限定されないが、テーパー状、即ち、先端に向かって徐々に細くなる形状であることが好ましい。
上記テーパー状は、テーパー状の先端に好ましくは直径１〜５００ｎｍ、より好ましくは直径３０〜２５０ｎｍの球を有する形状であることがより好ましい。このようなテーパー状の先端に球を有する形状を有することにより、上記ＩＴＯナノワイヤは、凝集したり束になったりしにくく、高い分散性で均一に上記ＩＴＯナノワイヤ同士のネットワークを形成することができる。
【００１６】
なお、ＩＴＯナノワイヤの平均長さ、平均直径（平均太さ）、アスペクト比及び形状は、透明導電膜の断面又は表面を観察した電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）から求めることができる。平均長さ、平均直径（平均太さ）及びアスペクト比とは、任意に選択した３０以上のＩＴＯナノワイヤの平均値を意味する。
【００１７】
上記導電層は、上記基板の表面を被覆率２０〜７０％で被覆する。
本発明の透明導電膜においては、上記導電層が上記基板の全面ではなく上記範囲の被覆率で形成されていることにより、充分に高い全光線透過率が得られ、かつ、上記ＩＴＯナノワイヤによりナノワイヤ同士のネットワークが形成されていることにより、上記導電層が上記基板の全面に形成されていなくても充分に低い表面抵抗が得られる。
被覆率が２０％未満であると、透明導電膜の表面抵抗が上昇し、導電性が低下する。被覆率が７０％を超えると、透明導電膜の全光線透過率が低下し、透明性が低下する。被覆率の好ましい下限は３０％、好ましい上限は６８％であり、より好ましい下限は４０％、より好ましい上限は６６％である。
【００１８】
なお、導電層の被覆率は、透明導電膜の断面又は表面を観察した電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）から求めることができる。導電層の被覆率とは、任意に選択した面積１０μｍ×１０μｍの領域について算出した被覆率を意味する。
【００１９】
本発明の透明導電膜は、全光線透過率が９０％以上である。全光線透過率が９０％未満であると、透明導電膜の透明性が低下し、高い透明性を必要とする用途に適さなくなったり、太陽電池に用いられる場合に光電変換効率が低下したりする。全光線透過率は９１％以上であることが好ましく、９３％以上であることがより好ましい。
なお、全光線透過率は、ヘーズメーター（例えば、村上色彩技術研究所社製のＨＭ−１５０等）を用い、可視光領域（３７０〜７８０ｎｍ）の光線透過率をＪＩＳ Ｋ  ７３６１−１に従って測定することにより求めることができる。
【００２０】
本発明の透明導電膜は、表面抵抗が２５０Ω／ｓｑ以下である。表面抵抗が２５０Ω／ｓｑを超えると、透明導電膜の導電性が低下し、高い導電性を必要とする用途に適さなくなったり、省電力化、ディスプレイの大画面化等が難しくなったりする。表面抵抗は１５０Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、１００Ω／ｓｑ以下であることがより好ましい。
なお、表面抵抗は、抵抗率計（例えば、三菱化学アナリテック社製のＬｏｒｅｓｔａ  ＡＸ  ＭＣＰ−Ｔ３７０等）を用いて４探針法により測定することができる。
【００２１】
図１及び２は、本発明の透明導電膜の一例を模式的に示した図である。図１及び２に示す本発明の透明導電膜１は、基板２と、この基板２の表面を被覆率２０〜７０％で被覆する、ＩＴＯナノワイヤからなる導電層３とを有している。なお、ＩＴＯナノワイヤは、テーパー状の先端に球４を有する形状を有している。
【００２２】
本発明の透明導電膜の製造方法は特に限定されないが、上記基板上に、上記ＩＴＯナノワイヤを含む分散液（ＩＴＯナノワイヤ分散液）を塗布し、溶剤等を乾燥させることで上記ＩＴＯナノワイヤからなる導電層を形成する方法が好ましい。なお、乾燥後に上記基板の耐熱温度以下で焼成を行うと、上記導電層の上記基板に対する接着力を向上させることができる。
上記ＩＴＯナノワイヤ分散液に含まれる個々のＩＴＯナノワイヤの作製方法としては、スパッタリングによりスパッタリング基材上に下地層及びこの下地層から伸びるＩＴＯナノワイヤを形成した後、上記スパッタリング基材表面から研磨装置や超音波カッターなどを用いてＩＴＯナノワイヤを削り取る方法や、化学エッチングにより上記下地層を除去することでＩＴＯナノワイヤを得る方法が好ましい。
【００２３】
上記スパッタリングに使用するスパッタ装置は特に限定されず、バッチ式のスパッタ装置であってもよいし、ロールｔｏロール方式のスパッタ装置であってもよい。
【００２４】
上記スパッタリングの条件（例えば、ガス雰囲気、スパッタリング基材を加熱する温度（製膜温度）及び時間、スパッタリングターゲット中のＳｎＯ２含有量等）を調整することにより、上記スパッタリング基材上に目的とするＩＴＯナノワイヤを形成することができる。
なかでも、酸素ガスを導入しないでスパッタリングを行うことが好ましく、アルゴンガス雰囲気下でスパッタリングを行うことがより好ましい。なお、酸素ガスを導入しないでスパッタリングを行うとは、少なくとも、酸素ガスを導入しないでスパッタリングを行う工程が含まれていればよく、その工程の前に酸素ガスを導入してスパッタリングを行ってもよい。酸素ガスを導入する場合は、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気下でスパッタリングを行い、続いて、酸素ガスを含まないアルゴンガス雰囲気下でスパッタリングを行うことが好ましい。
【００２５】
上記スパッタリングにおいて、上記スパッタリング基材を加熱する温度（製膜温度）は特に限定されないが、スパッタリングターゲットを構成する元素のうち、常温、常圧下で固体である金属元素の融点以上の温度であることが好ましく、より具体的には、好ましい下限が１３０℃、好ましい上限が５００℃である。このような製膜温度とすることにより、ＩＴＯナノワイヤを充分に形成することができる。
なかでも、上記スパッタリング基材がガラス基材等の無機基材である場合、製膜温度の好ましい下限は１５０℃、より好ましい下限は１７５℃である。製膜温度を１７５℃以上とすることにより、目的とする形状のＩＴＯナノワイヤを形成しやすくなる。
また、プラスチックフィルムは一般的に薄く熱伝導性が高いため、上記スパッタリング基材がプラスチックフィルムである場合、製膜温度の好ましい下限は１２０℃である。
【００２６】
上記スパッタリングに使用するスパッタリングターゲット（ＩＴＯターゲット）は特に限定されないが、ＩＴＯターゲット中のＳｎＯ２の含有量の下限が３．０重量％、上限が５０重量％であることが好ましい。ＳｎＯ２含有量をこのような範囲とすることにより、形成されるＩＴＯナノワイヤの形状を適切なものにでき、より透過率と抵抗値のバランスに優れるものとすることができる。なお、ＳｎＯ２含有量が多くなるにつれて、ＩＴＯナノワイヤが長くなり密度が高くなるとともにテーパー状の先端に存在する球の直径が小さくなる傾向がある。ＳｎＯ２含有量のより好ましい下限は５．０重量％、より好ましい上限は４５重量％であり、更に好ましい下限は７．０重量％、更に好ましい上限は３５重量％である。
【００２７】
上記スパッタリングの様式は特に限定されず、ＤＣスパッタであってもＲＦスパッタであってよく、ＤＣスパッタとＲＦスパッタとの重畳スパッタであってもよい。上記スパッタリングの圧力、投入電力等は特に限定されず、例えば、圧力０．６６６Ｐａ、投入電力３００Ｗ等を用いることができる。
【００２８】
上記スパッタリングにおいては、上記スパッタリング基材と上記スパッタリングターゲットとを好ましくは６０ｍｍ以上、より好ましくは１００ｍｍ以上、更に好ましくは１５０ｍｍ以上離した状態でスパッタリングを行うことが好ましい。これにより、ＩＴＯナノワイヤを広い領域に安定的に形成することができる。
上記スパッタリング基材と上記スパッタリングターゲットとの距離の上限は特に限定されないが、製造上の実現性及び製膜効率の観点から、好ましい上限は５００ｍｍである。
なお、「スパッタリング基材とスパッタリングターゲットとを６０ｍｍ以上離した状態」とは、スパッタリング基材表面の中心からスパッタリング基材側に向いたスパッタリングターゲットの表面の中心までの距離（最短距離）を６０ｍｍ以上離した状態を意味する。
【００２９】
上記スパッタリングにおいては、上記スパッタリング基材に対して、上記スパッタリングターゲットを傾けて対向させた状態でスパッタリングを行うことが好ましい。
この場合、上記スパッタリング基材の鉛直軸と上記スパッタリングターゲットの鉛直軸とがなす角度θの好ましい下限が５°、好ましい上限が６０°であり、より好ましい下限が１０°、より好ましい上限が５５°であり、更に好ましい下限が１５°、更に好ましい上限が４５°である。このような好ましい範囲の角度で製膜することで、ＩＴＯナノワイヤの密度を高密度にすることができる。
【００３０】
上記スパッタリングにおいては、結晶性を高めるために、得られたＩＴＯナノワイヤに対して加熱、プラズマ処理等を行ってもよい。
【００３１】
上記化学エッチングにより上記下地層を除去する方法は特に限定されず、例えば、スパッタリングによって得られたＩＴＯナノワイヤをスパッタリング基材ごとエッチング液に浸漬することで、多結晶の下地層を溶解し、単結晶のＩＴＯナノワイヤを含む分散液を得る方法等が挙げられる。
上記エッチング液は特に限定されず、塩酸、硝酸、硫酸、王水等の酸、塩化鉄等を主成分とする市販のエッチング液（例えば、サンハヤト社製Ｈ−１０００Ａ等）を用いることができる。浸漬時間は特に限定されないが、例えば、上記エッチング液として１０重量％の塩酸を用いた場合、３０分程度が好ましい。
このようにして上記下地層を除去することで、個々のＩＴＯナノワイヤが得られる。得られた個々のＩＴＯナノワイヤをフィルター又は遠心分離により分離し、水で洗浄した後、乾燥することで、不純物の少ないＩＴＯナノワイヤを得ることができる。
【００３２】
上記ＩＴＯナノワイヤ分散液は、上記ＩＴＯナノワイヤに加えて、水、又は、有機溶媒を含有することが好ましい。上記有機溶媒は特に限定されず、例えば、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等が挙げられる。なかでも、エタノール、及び、アセトンが好ましい。
【００３３】
上記ＩＴＯナノワイヤ分散液は、更に、バインダー樹脂を含有してもよい。上記バインダー樹脂は特に限定されず、例えば、導電性高分子であるポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリアニリン等が挙げられる。上記ポリチオフェンとして、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、及び、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が挙げられる。なかでも、ＰＥＤＯＴ、及び、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが好ましい。
【００３４】
上記ＩＴＯナノワイヤ分散液における各成分の含有量は特に限定されないが、上記導電層の被覆率を上記範囲に調整する観点から、上記ＩＴＯナノワイヤの含有量の好ましい下限は０．１重量％、好ましい上限は１０重量％である。上記ＩＴＯナノワイヤの含有量が上記範囲を外れると、上記ＩＴＯナノワイヤ同士のネットワークが充分に形成されなかったり、上記導電層の被覆率を調整することが難しくなったりして、透明導電膜の透明性又は導電性が低下することがある。上記ＩＴＯナノワイヤの含有量のより好ましい下限は０．５重量％、より好ましい上限は５重量％である。
【００３５】
上記基板上に、上記ＩＴＯナノワイヤ分散液を塗布する方法は特に限定されず、例えば、バーコーター、ダイコーター、ディップコーター、スピンコーター、スプレー等を用いた塗工や、グラビア印刷、スクリーン印刷等を用いて特定のパターンを作製しながら行う印刷等が挙げられる。
また、塗布した上記ＩＴＯナノワイヤ分散液を乾燥及び／又は焼成する方法は特に限定されず、例えば、オーブン加熱、赤外線加熱等が挙げられる。
【００３６】
本発明の透明導電膜は、透明性にも導電性にも優れるため、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、透明タッチパネル、太陽電池等の電子機器用途に好適に用いられ、省電力化、ディスプレイの大画面化等にも対応可能である。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、透明性にも導電性にも優れ、電子機器用途に好適に用いられる透明導電膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の透明導電膜の一例を模式的に示した図である。
【図２】本発明の透明導電膜の一例を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００４０】
（実施例１）
（１）ＩＴＯナノワイヤの作製
ＤＣマグネトロンスパッタ装置のターゲット電極にスパッタリングターゲットとしてＳｎＯ２７．０重量％のＩＴＯターゲットを取り付け、アルゴンガス雰囲気下でスパッタリング基材（コーニングガラス＃１７３７基板、厚み０．７ｍｍ）を加熱して該スパッタリング基材にスパッタリングを行い、スパッタリング基材上に下地層及びこの下地層から伸びるＩＴＯナノワイヤを形成した。
このときのスパッタリング基材表面の中心からスパッタリング基材側に向いたスパッタリングターゲットの表面の中心までの距離（スパッタリング基材−ターゲット間距離）は１１０ｍｍであった。また、スパッタリング基材の鉛直軸とスパッタリングターゲットの鉛直軸とがなす角度θは５°であった。また、アルゴン圧は０．６６６Ｐａ、製膜温度は３００℃、投入電力は３００Ｗ、製膜時間は１０分であった。
次いで、スパッタリングによって得られたＩＴＯナノワイヤをスパッタリング基材ごと１０重量％の塩酸に３０浸漬することにより下地層を除去した。その後、得られた個々のＩＴＯナノワイヤをメンブレンフィルターで濾過し、水で洗浄した後、乾燥することで、個々のＩＴＯナノワイヤを得た。
【００４１】
（２）透明導電膜の製造
得られたＩＴＯナノワイヤ１重量部と、水５０重量部と、バインダー樹脂としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを０．１重量部とを混合し、ＩＴＯナノワイヤ分散液を調製した。基板（コーニングガラス＃１７３７基板、厚み０．７ｍｍ）上に、得られたＩＴＯナノワイヤ分散液をバーコーターを用いて塗布し、１５０℃のオーブンで３０分加熱することでＩＴＯナノワイヤからなる導電層を形成し、透明導電膜を得た。
【００４２】
（実施例２〜８、比較例１〜４）
スパッタリングにおいて製膜時間を延ばすことでＩＴＯナノワイヤの平均長さを表１に示すように変更したこと、及び／又は、ＩＴＯターゲット中のＳｎＯ２含有量、ＩＴＯナノワイヤ分散液中のＩＴＯナノワイヤの含有量を変えることで導電層の被覆率を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、透明導電膜を得た。
【００４３】
＜評価＞
実施例、比較例で得られた透明導電膜について、下記の評価を行った。結果を表１に示した。
【００４４】
（１）ＩＴＯナノワイヤの平均長さ
透明導電膜の表面を観察した電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）を用いて、任意に選択した３０以上のＩＴＯナノワイヤの平均値として、ナノワイヤの平均長さを求めた。
【００４５】
（２）基板の表面に対する導電層の被覆率
透明導電膜の表面を観察した電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）を用いて、任意に選択した面積１０μｍ×１０μｍの領域について被覆率を算出した。なお、ＳＥＭ像におけるＩＴＯナノワイヤによって基板が実質的に見えない領域を、基板の表面が導電層により被覆されている領域と判断した。
【００４６】
（３）透明性の評価（全光線透過率の測定）
得られた透明導電膜について、ヘーズメーター（村上色彩技術研究所社製、ＨＭ−１５０）を用いて全光線透過率（％）を測定した。なお、測定はＪＩＳ Ｋ  ７３６１−１に従い、透明導電膜を縦５０ｍｍ、横５０ｍｍの大きさに切り出した試験片を用いて行った。試験片は３個使用し、３個の試験片の平均厚みはいずれも０．７μｍであった。３回の測定値の平均値から全光線透過率を求めた。
【００４７】
（４）導電性の評価（表面抵抗の測定）
得られた透明導電膜について、抵抗率計（Ｌｏｒｅｓｔａ  ＡＸ  ＭＣＰ−Ｔ３７０、三菱化学アナリテック社製）を用いて４探針法により表面抵抗（Ω／ｓｑ）を測定した。
【００４８】
【表１】
0006581425.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、透明性にも導電性にも優れ、電子機器用途に好適に用いられる透明導電膜を提供することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１    本発明の透明導電膜
２    基板
３    ＩＴＯナノワイヤからなる導電層
４    テーパー状の先端に存在する球
【図１】
0006581425.tif 000003
【図２】
0006581425.tif 000004