(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、前記ワークの反対側からレーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置であって、
前記箔の材質及び厚みを含む当該箔の構成を示す箔情報の入力を受け付ける受付部と、
前記レーザ光の出力強度と、加工時における前記レーザ光の走査速度と、加工時における前記レーザ光の走査回数と、前記レーザ光の周波数と、前記レーザ光のパルス幅の何れかから構成される前記レーザ光による加工条件を、前記箔情報に対して対応付けて記憶する記憶部と、
前記受付部によって受け付けた前記箔情報と、前記記憶部の記憶内容に基づいて、当該箔情報に対応する前記加工条件を特定する推奨条件特定部と、を有する
ことを特徴とするレーザ加工データ作成装置。
【請求項２】
前記箔情報は、前記箔の光吸収率に関する情報を含み、
前記推奨条件特定部は、
前記受付部により、前記箔情報として、前記箔の光吸収率を特定可能な情報の入力を受け付けた場合に、前記箔情報に基づく当該箔の光吸収率に対応付けられた前記加工条件を、前記記憶部の記憶内容から特定する
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工データ作成装置。
【請求項３】
前記記憶部は、
照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．１以下を示す前記箔情報に対して、４．６Ｗ〜２０Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、１０ｍｍ／ｓｅｃ以上２００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、２回以上５回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶している
ことを特徴とする請求項２記載のレーザ加工データ作成装置。
【請求項４】
前記記憶部は、
照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す前記箔情報に対して、２Ｗ〜５Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、５０ｍｍ／ｓｅｃ以上５００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、１回以上３回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶している
ことを特徴とする請求項２又は請求項３記載のレーザ加工データ作成装置。
【請求項５】
前記記憶部は、
照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．３以上を示す前記箔情報に対して、０．５Ｗ〜２Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、１回以上３回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶している
ことを特徴とする請求項２乃至請求項４の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
【請求項６】
前記受付部は、前記箔情報として、前記箔の厚みを示す情報の入力を受け付け、
前記推奨条件特定部は、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記箔の厚みが大きい程、前記加工条件における前記レーザ光の出力強度を、前記数値範囲における大きな数値に変更し、前記加工条件を特定する
ことを特徴とする請求項３乃至請求項５の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
【請求項７】
前記受付部は、前記レーザ光による加工品質を示す情報の入力を受け付け、
前記推奨条件特定部は、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記レーザ光の加工品質に応じて、前記加工条件における前記レーザ光の走査速度に関する数値範囲から、当該加工品質に対応する前記レーザ光の走査速度を特定して、前記加工条件を特定する
ことを特徴とする請求項３乃至請求項６の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
【請求項８】
前記受付部は、前記箔情報として、前記箔の厚みを示す情報の入力を受け付け、
前記推奨条件特定部は、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記箔の厚みが小さい程、前記加工条件における前記レーザ光の走査速度を、前記数値範囲における速い走査速度に変更し、前記加工条件を特定する
ことを特徴とする請求項３乃至請求項７の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置。
【請求項９】
ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、前記ワークの反対側からレーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為のレーザ加工データを作成する制御部と、
前記レーザ光の出力強度と、加工時における前記レーザ光の走査速度と、加工時における前記レーザ光の走査回数と、前記レーザ光の周波数と、前記レーザ光のパルス幅の何れかから構成される前記レーザ光による加工条件を、前記箔の材質及び厚みを含む当該箔の構成を示す箔情報に対して対応付けて記憶する記憶部と、を有するレーザ加工データ作成装置を、
前記箔情報の入力を受け付ける受付部と、
前記受付部によって受け付けた前記箔情報と、前記記憶部の記憶内容に基づいて、当該箔情報に対応する前記加工条件を特定する推奨条件特定部
として機能させる為のレーザ加工データ作成装置の制御プログラム。
【請求項１０】
ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、前記ワークの反対側からレーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データの作成方法であって、
前記レーザ光の出力強度と、加工時における前記レーザ光の走査速度と、加工時における前記レーザ光の走査回数と、前記レーザ光の周波数と、前記レーザ光のパルス幅の何れかから構成される前記レーザ光による加工条件を、前記箔の材質及び厚みを含む当該箔の構成を示す箔情報に対して対応付けて記憶する記憶部を有しており、
前記箔情報の入力を受け付ける受付工程と、
前記受付工程において受け付けた前記箔情報と、前記記憶部の記憶内容に基づいて、当該箔情報に対応する前記加工条件を特定する推奨条件特定工程と、を有する
ことを特徴とするレーザ加工データの作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、レーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザ加工装置は、加工対象物に対して、レーザ光を照射して加工を施すように構成されており、レーザ加工データの動作内容に従って、出射されたレーザ光を加工対象物上の任意の位置となるように順次走査することで、当該加工対象物に加工を施している。
【０００３】
レーザ加工装置における加工の一態様として、加工対象物としてのワーク表面上に、金属製の箔を配置し、当該箔に対してレーザ光を照射することによって、箔とワーク表面を合金化して、前記ワーク表面に所望のマーキング加工を施すことが知られている。
【０００４】
このようなレーザ光を用いた加工に関する発明として、特許文献１記載の発明が知られている。特許文献１記載の発明においては、ワークとしての母合金に、約１００μｍの厚みを有する金板（即ち、本発明における箔に相当）を圧接しておき、金板に対してレーザビームを照射して、母合金と金板を溶融・混合することによって、母合金表面を合金化させるように構成されている。そして、特許文献１記載の発明においては、母合金と金板とが合金化した部分によって、所望のマーキング加工を母合金表面に施すことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０９５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、このようなマーキング加工における加工品質は、ワーク表面に配設された箔の構成と、レーザ光に関する加工条件との影響を大きく受ける。従って、マーキング加工に関する加工品質を担保する為には、箔等の構成に応じた適切な加工条件を、レーザ加工装置に設定する必要がある。
【０００７】
この点、特許文献１記載の発明においては、マーキング加工の色を変更する為に、金板の種類を変える毎に、レーザ光に関するパラメータを変更・設定するように構成されているが、レーザ光に関するパラメータを、ユーザ自身の手によって調整設定する必要があった。この為、適切な加工条件（即ち、レーザ光に関するパラメータ）を設定する際に、ユーザに、煩雑な設定作業を課すことになってしまっていた。
【０００８】
本開示は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、ワーク表面上に配置された金属製の箔の構成に応じた適切な加工条件を、レーザ加工装置に対して簡便に設定し得るレーザ加工データを作成し得るレーザ加工データ作成装置等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため、本発明の一側面に係るレーザ加工データ作成装置は、ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、前記ワークの反対側からレーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データ作成装置であって、前記箔の材質及び厚みを含む当該箔の構成を示す箔情報の入力を受け付ける受付部と、前記レーザ光の出力強度と、加工時における前記レーザ光の走査速度と、加工時における前記レーザ光の走査回数と、前記レーザ光の周波数と、前記レーザ光のパルス幅の何れかから構成される前記レーザ光による加工条件を、前記箔情報に対して対応付けて記憶する記憶部と、前記受付部によって受け付けた前記箔情報と、前記記憶部の記憶内容に基づいて、当該箔情報に対応する前記加工条件を特定する推奨条件特定部と、を有することを特徴とする。
【００１０】
当該レーザ加工データ作成装置は、受付部と、記憶部と、推奨条件特定部とを有しており、推奨条件特定部によって、前記受付部によって受け付けた前記箔情報と、前記記憶部の記憶内容に基づいて、当該箔情報に対応する前記加工条件を特定して、レーザ加工データを作成し得る。当該レーザ加工データにおける加工条件は、前記レーザ光の出力強度と、加工時における前記レーザ光の走査速度と、加工時における前記レーザ光の走査回数と、前記レーザ光の周波数と、前記レーザ光のパルス幅の何れかから構成されている為、当該レーザ加工データ作成装置によれば、これらの加工条件を、受付部によって受け付けた箔情報に応じた内容に特定することができ、もって、より簡便な作業で、箔の構成に対応した加工条件を含むレーザ加工データを作成し得る。そして、当該レーザ加工データは、ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、前記ワークの反対側からレーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為、レーザ加工装置における加工品質を向上させることができる。
【００１１】
本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項１記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記箔情報は、前記箔の光吸収率に関する情報を含み、前記推奨条件特定部は、前記受付部により、前記箔情報として、前記箔の光吸収率を特定可能な情報の入力を受け付けた場合に、前記箔情報に基づく当該箔の光吸収率に対応付けられた前記加工条件を、前記記憶部の記憶内容から特定することを特徴とする。
【００１２】
当該レーザ加工データ作成装置において、前記推奨条件特定部は、前記受付部により、前記箔情報として、前記箔の光吸収率を特定可能な情報の入力を受け付けた場合に、前記箔情報に基づく当該箔の光吸収率に対応付けられた前記加工条件を、記憶部の記憶内容から特定する。箔の光吸収率は、レーザ光による箔及びワークに対する入熱量に影響し、もって、マーキング加工の品質に対して影響を及ぼす。従って、当該レーザ加工データ作成装置によれば、箔情報に基づく当該箔の光吸収率に対応付けられた前記加工条件を特定することで、より簡便な作業で、箔の光吸収率に対応した加工条件を含むレーザ加工データを作成し得る。そして、当該レーザ加工データによって、前記レーザ加工装置を動作させる為、レーザ加工装置における加工品質を向上させることができる。
【００１３】
本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項２記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記記憶部は、照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．１以下を示す前記箔情報に対して、４．６Ｗ〜２０Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、１０ｍｍ／ｓｅｃ以上２００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、２回以上５回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶していることを特徴とする。
【００１４】
当該レーザ加工データ作成装置において、前記記憶部は、照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．１以下を示す前記箔情報に対して、４．６Ｗ〜２０Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、１０ｍｍ／ｓｅｃ以上２００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、２回以上５回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶している為、箔の光吸収率が０．１以下を示す箔を用いる場合における適切な加工条件を前記記憶部から特定することができ、当該箔の光吸収率に対して適切なレーザ加工データを作成し得る。
【００１５】
本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項２又は請求項３記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記記憶部は、照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す前記箔情報に対して、２Ｗ〜５Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、５０ｍｍ／ｓｅｃ以上５００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、１回以上３回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶していることを特徴とする。
【００１６】
当該レーザ加工データ作成装置において、前記記憶部は、照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す前記箔情報に対して、２Ｗ〜５Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、５０ｍｍ／ｓｅｃ以上５００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、１回以上３回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶している為、照射するレーザ光の波長に対する箔の光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す箔を用いる場合における適切な加工条件を前記記憶部から特定することができ、当該箔の光吸収率に対して適切なレーザ加工データを作成し得る。
【００１７】
本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項２乃至請求項４の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記記憶部は、照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．３以上を示す前記箔情報に対して、０．５Ｗ〜２Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、１回以上３回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶していることを特徴とする。
【００１８】
当該レーザ加工データ作成装置において、前記記憶部は、照射するレーザ光の波長に対する前記箔の光吸収率が０．３以上を示す前記箔情報に対して、０．５Ｗ〜２Ｗの数値範囲にあたる前記レーザ光の出力強度と、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査速度と、１回以上３回以下の数値範囲にあたる前記レーザ光の走査回数とを含む加工条件を対応付けて記憶している為、照射するレーザ光の波長に対する箔の光吸収率が０．３以上を示す箔を用いる場合における適切な加工条件を前記記憶部から特定することができ、当該箔の光吸収率に対して適切なレーザ加工データを作成し得る。
【００１９】
本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項３乃至請求項５の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記受付部は、前記箔情報として、前記箔の厚みを示す情報の入力を受け付け、前記推奨条件特定部は、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記箔の厚みが大きい程、前記加工条件における前記レーザ光の出力強度を、前記数値範囲における大きな数値に変更し、前記加工条件を特定することを特徴とする。
【００２０】
当該レーザ加工データ作成装置によれば、前記推奨条件特定部によって、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記箔の厚みが大きい程、前記加工条件における前記レーザ光の出力強度を、前記数値範囲における大きな数値に変更し、前記加工条件を特定することができる。ここで、箔の厚みは、レーザ光による箔及びワークに対する入熱量に影響し、もって、マーキング加工の品質に対して影響を及ぼす。従って、当該レーザ加工データ作成装置によれば、より簡便な作業で、箔の厚みに対応した加工条件を含むレーザ加工データを作成し得る。そして、当該レーザ加工データによって、前記レーザ加工装置を動作させる為、レーザ加工装置における加工品質を向上させることができる。
【００２１】
本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項３乃至請求項６の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記受付部は、前記レーザ光による加工品質を示す情報の入力を受け付け、前記推奨条件特定部は、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記レーザ光の加工品質に応じて、前記加工条件における前記レーザ光の走査速度に関する数値範囲から、当該加工品質に対応する前記レーザ光の走査速度を特定して、前記加工条件を特定することを特徴とする。
【００２２】
当該レーザ加工データ作成装置によれば、前記推奨条件特定部によって、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記レーザ光の加工品質に応じて、前記加工条件における前記レーザ光の走査速度に関する数値範囲から、当該加工品質に対応する前記レーザ光の走査速度を特定して、前記加工条件を特定することができる。ここで、レーザ光の走査速度は、レーザ光による箔及びワークに対する単位時間あたりの入熱量に影響し、もって、マーキング加工の品質に対して影響を及ぼす。従って、当該レーザ加工データ作成装置によれば、より簡便な作業で、ユーザ所望の加工品質に対応した加工条件を含むレーザ加工データを作成し得る。そして、当該レーザ加工データによって、前記レーザ加工装置を動作させる為、所望の加工品質を、レーザ加工装置で実現させることができる。
【００２３】
本発明の他の側面に係るレーザ加工データ作成装置は、請求項３乃至請求項７の何れかに記載のレーザ加工データ作成装置であって、前記受付部は、前記箔情報として、前記箔の厚みを示す情報の入力を受け付け、前記推奨条件特定部は、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記箔の厚みが小さい程、前記加工条件における前記レーザ光の走査速度を、前記数値範囲における速い走査速度に変更し、前記加工条件を特定することを特徴とする。
【００２４】
当該レーザ加工データ作成装置によれば、前記推奨条件特定部によって、前記受付部によって受け付けられた情報が示す前記箔の厚みが小さい程、前記加工条件における前記レーザ光の走査速度を、前記数値範囲における速い走査速度に変更し、前記加工条件を特定することができる。ここで、箔の厚みは、レーザ光による箔及びワークに対する入熱量に影響し、又、レーザ光の走査速度は、レーザ光による箔及びワークに対する単位時間あたりの入熱量に影響する為、マーキング加工の品質に対して大きな影響を及ぼすことになる。従って、当該レーザ加工データ作成装置によれば、より簡便な作業で、箔の厚みに対応した加工条件としての前記レーザ光の走査速度を含むレーザ加工データを作成し得る。そして、当該レーザ加工データによって、前記レーザ加工装置を動作させる為、レーザ加工装置における加工品質を向上させることができる。
【００２５】
本発明の一側面に係るレーザ加工データ作成装置の制御プログラムは、ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、前記ワークの反対側からレーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為のレーザ加工データを作成する制御部と、前記レーザ光の出力強度と、加工時における前記レーザ光の走査速度と、加工時における前記レーザ光の走査回数と、前記レーザ光の周波数と、前記レーザ光のパルス幅の何れかから構成される前記レーザ光による加工条件を、前記箔の材質及び厚みを含む当該箔の構成を示す箔情報に対して対応付けて記憶する記憶部と、を有するレーザ加工データ作成装置を、前記箔情報の入力を受け付ける受付部と、前記受付部によって受け付けた前記箔情報と、前記記憶部の記憶内容に基づいて、当該箔情報に対応する前記加工条件を特定する推奨条件特定部として機能させることを特徴とする。
【００２６】
当該レーザ加工データ作成装置の制御プログラムは、制御部と、記憶部とを有するレーザ加工データ作成装置に実行させることによって、前記請求項１記載のレーザ加工装置と同様の効果を生じさせることができる。
【００２７】
本発明の一側面に係るレーザ加工データの作成方法は、ワーク表面上に配置された金属製の箔に対して、前記ワークの反対側からレーザ加工装置のレーザ光を照射することによって前記ワーク表面に加工を施す際に、前記レーザ加工装置を動作させる為のレーザ加工データを作成するレーザ加工データの作成方法であって、前記レーザ光の出力強度と、加工時における前記レーザ光の走査速度と、加工時における前記レーザ光の走査回数と、前記レーザ光の周波数と、前記レーザ光のパルス幅の何れかから構成される前記レーザ光による加工条件を、前記箔の材質及び厚みを含む当該箔の構成を示す箔情報に対して対応付けて記憶する記憶部を有しており、前記箔情報の入力を受け付ける受付工程と、前記受付工程において受け付けた前記箔情報と、前記記憶部の記憶内容に基づいて、当該箔情報に対応する前記加工条件を特定する推奨条件特定工程と、を有することを特徴とする。
【００２８】
当該レーザ加工データの作成方法は、記憶部を有すると共に、受付工程と、推奨条件特定工程とを行うことによって、前記請求項１記載のレーザ加工装置と同様の効果を生じさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施形態に係るレーザ加工システムの概略構成を示す説明図である。
【図２】レーザ加工装置におけるレーザヘッド部の構成を示す平面図である。
【図３】レーザ加工システムの制御系を示すブロック図である。
【図４】セラミックマーキング加工の工程を示す説明図である。
【図５】加工データ作成処理プログラムのフローチャートである。
【図６】情報設定ウィンドウの一表示例を示す説明図である。
【図７】推奨条件データベースの一例を示す説明図である。
【図８】セラミックマーキング加工の加工結果の目視評価例を示す説明図である。
【図９】光吸収率の低い箔を用いたセラミックマーキング加工の加工結果に対し、マーキング条件が与える影響を示す説明図である。
【図１０】光吸収率が中である箔を用いたセラミックマーキング加工の加工結果に対し、マーキング条件が与える影響を示す説明図である。
【図１１】光吸収率の高い箔を用いたセラミックマーキング加工の加工結果に対し、マーキング条件が与える影響を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明に関するレーザ加工データ作成装置を、レーザ加工装置１と共に、レーザ加工システム１００を構成するデータ作成装置７に具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３１】
（レーザ加工システム１００の概略構成）
先ず、本実施形態に関するレーザ加工システム１００の概略構成について、図１を参照しつつ詳細に説明する。レーザ加工システム１００は、レーザ加工装置１と、本発明のレーザ加工データ作成装置に相当するデータ作成装置７を有しており、データ作成装置７によって作成された加工データに従って、レーザ加工装置１を制御することで、加工対象物の表面上に対して、パルスレーザＬを２次元走査してマーキング加工（後述するセラミックマーキング加工を含む）を行うように構成されている。
【００３２】
本実施形態に係るレーザ加工装置１におけるマーキング加工とは、加工対象物としてのワークＷ表面に対して、パルスレーザＬを照射して２次元走査することによって、ユーザ所望の加工内容をワークＷ表面に描画する加工を意味しており、通常のマーキング加工と、後述するセラミックマーキング加工とを含んでいる。通常のマーキング加工とは、金属やプラスチック等によって構成されるワークＷ表面に対して、パルスレーザＬを照射することによって、パルスレーザＬの熱エネルギーによるワークＷ表面の変質、溶融、除去等の物理的効果を発生させて、所望の加工内容をワークＷ表面上に描画する加工を意味する。
【００３３】
そして、セラミックマーキング加工とは、セラミックにより構成されるワークＷ表面上に金属製の箔Ｍｆを配置して、当該箔Ｍｆ及びワークＷ表面に対して、パルスレーザＬを照射することで、パルスレーザＬの熱エネルギーにより箔Ｍｆの構成材料を溶融させて、セラミックにより構成されるワークＷ表面に、所望の加工内容をワークＷ表面上に描画する加工を意味する。セラミックマーキング加工の詳細については、後に図面を参照しつつ説明する。
【００３４】
（レーザ加工装置の概略構成）
次に、レーザ加工システム１００を構成するレーザ加工装置１の概略構成について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１に示すように、本実施形態に関するレーザ加工装置１は、レーザ加工装置本体部２と、レーザコントローラ５と、電源ユニット６により構成されている。
【００３５】
レーザ加工装置本体部２は、加工対象物に対してパルスレーザＬを照射し、当該パルスレーザＬを２次元走査してマーキング加工を行い、加工対象物であるワークＷ表面上に所望の内容を描画し得る。そして、レーザコントローラ５は、コンピュータで構成され、データ作成装置７と双方向通信可能に接続されると共に、レーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６と電気的に接続されている。データ作成装置７は、パーソナルコンピュータ等から構成され、加工データの作成等に用いられる。そして、レーザコントローラ５は、データ作成装置７から送信された加工データ、制御パラメータ、各種指示情報等に基づいてレーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６を駆動制御する。
【００３６】
尚、図１は、レーザ加工システム１００及びレーザ加工装置１の概略構成を示すものであるため、レーザ加工装置本体部２を模式的に示している。従って、当該レーザ加工装置本体部２の具体的な構成については、後述する。
【００３７】
（レーザ加工装置本体部２の概略構成）
次に、レーザ加工装置本体部２の概略構成について、図１、図２に基づいて説明する。尚、レーザ加工装置本体部２の説明において、図１の左方向、右方向、上方向、下方向が、それぞれレーザ加工装置本体部２の前方向、後方向、上方向、下方向である。従って、レーザ発振器２１のパルスレーザＬの出射方向が前方向である。本体ベース１１及びパルスレーザＬに対して垂直な方向が上下方向である。そして、レーザ加工装置本体部２の上下方向及び前後方向に直交する方向が、レーザ加工装置本体部２の左右方向である。
【００３８】
レーザ加工装置本体部２は、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍをｆθレンズ２０から同軸上に出射するレーザヘッド部３（図２参照）と、レーザヘッド部３が上面に固定される略箱体状の加工容器（図示せず）とから構成されている。
【００３９】
図２に示すように、レーザヘッド部３は、本体ベース１１と、パルスレーザＬを出射するレーザ発振ユニット１２と、光シャッター部１３と、光ダンパー１４と、ハーフミラー１５と、ガイド光部１６と、反射ミラー１７と、光センサ１８と、ガルバノスキャナ１９と、ｆθレンズ２０等から構成され、略直方体形状の筐体カバー（図示せず）で覆われている。
【００４０】
レーザ発振ユニット１２は、レーザ発振器２１と、ビームエキスパンダ２２と、取付台２３とから構成されている。レーザ発振器２１は、ファイバコネクタと、集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Ｑスイッチと、出力カプラーと、ウィンドウとをケーシング内に有している。ファイバコネクタには、光ファイバＦが接続されており、電源ユニット６を構成する励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光が、光ファイバＦを介して入射される。
【００４１】
集光レンズは、ファイバコネクタから入射された励起光を集光する。反射鏡は、集光レンズによって集光された励起光を透過すると共に、レーザ媒質から出射されたレーザ光を高効率で反射する。レーザ媒質は、励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光によって励起されてレーザ光を発振する。レーザ媒質としては、例えば、レーザ活性イオンとしてネオジウム（Ｎｄ）が添加されたネオジウム添加ガドリニウムバナデイト（Ｎｄ：ＧｄＶＯ４）結晶や、ネオジウム添加イットリウムバナデイト（Ｎｄ：ＹＶＯ４）結晶や、ネオジウム添加イットリウムアルミニウムガーネット（Ｎｄ：ＹＡＧ）結晶等を用いることができる。
【００４２】
受動Ｑスイッチは、内部に蓄えられた光エネルギーが或る一定値を超えたとき、透過率が高くなるという性質を持った結晶である。従って、受動Ｑスイッチは、レーザ媒質によって発振されたレーザ光をパルス状のパルスレーザとして発振するＱスイッチとして機能する。受動Ｑスイッチとしては、例えば、クロームＹＡＧ（Ｃｒ：ＹＡＧ）結晶やＣｒ：ＭｇＳｉＯ４結晶等を用いることができる。
【００４３】
出力カプラーは、反射鏡とレーザ共振器を構成する。出力カプラーは、例えば、表面に誘電体層膜をコーティングした凹面鏡により構成された部分反射鏡で、波長１０６４ｎｍでの反射率は、８０％〜９５％である。ウィンドウは、合成石英等から形成され、出力カプラーから出射されたレーザ光を外部へ透過させる。従って、レーザ発振器２１は、受動Ｑスイッチを介してパルスレーザを発振し、マーキング加工を施すためのパルスレーザＬとして、パルスレーザを出力する。
【００４４】
ビームエキスパンダ２２は、パルスレーザＬのビーム径を変更するものであり、レーザ発振器２１と同軸に設けられている。取付台２３は、レーザ発振器２１がパルスレーザＬの光軸を調整可能に取り付けられ、本体ベース１１の前後方向中央位置よりも後側の上面に対して、各取付ネジ２５によって固定されている。
【００４５】
光シャッター部１３は、シャッターモータ２６と、平板状のシャッター２７とから構成されている。シャッターモータ２６は、ステッピングモータ等で構成されている。シャッター２７は、シャッターモータ２６のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する。シャッター２７は、ビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬの光路を遮る位置に回転した際には、パルスレーザＬを光シャッター部１３に対して右方向に設けられた光ダンパー１４へ反射する。一方、シャッター２７がビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬの光路上に位置しないように回転した場合には、ビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬは、光シャッター部１３の前側に配置されたハーフミラー１５に入射する。
【００４６】
光ダンパー１４は、シャッター２７で反射されたパルスレーザＬを吸収する。尚、光ダンパー１４の発熱は、本体ベース１１に熱伝導されて冷却される。ハーフミラー１５は、パルスレーザＬの光路に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置される。ハーフミラー１５は、後側から入射されたパルスレーザＬのほぼ全部を透過する。又、ハーフミラー１５は、後側から入射されたパルスレーザＬの一部を、４５度の反射角で反射ミラー１７へ反射する。反射ミラー１７は、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが入射される後側面の略中央位置に対して左方向に配置される。
【００４７】
ガイド光部１６は、可視レーザ光として、例えば、赤色レーザ光を出射する可視半導体レーザ２８と、可視半導体レーザ２８から出射された可視レーザ光Ｍを平行光に収束するレンズ群（図示せず）とから構成されている。可視レーザ光Ｍは、レーザ発振器２１から出射されるパルスレーザＬと異なる波長である。ガイド光部１６は、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが出射される略中央位置に対して右方向に配置されている。この結果、可視レーザ光Ｍは、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが出射される略中央位置において、ハーフミラー１５の前側面にあたる反射面に対して４５度の入射角で入射され、４５度の反射角でパルスレーザＬの光路上に反射される。即ち、可視半導体レーザ２８は、可視レーザ光ＭをパルスレーザＬの光路上に出射する。
【００４８】
反射ミラー１７は、パルスレーザＬの光路に対して平行な前後方向に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置され、ハーフミラー１５の後側面において反射されたパルスレーザＬの一部が、反射面の略中央位置に対して４５度の入射角で入射される。そして、反射ミラー１７は、反射面に対して４５度の入射角で入射されたパルスレーザＬを、４５度の反射角で前側方向へ反射する。
【００４９】
光センサ１８は、パルスレーザＬの発光強度を検出するフォトダイオード等で構成され、反射ミラー１７のパルスレーザＬが反射される略中央位置に対して、図２中、前側方向に配置されている。この結果、光センサ１８は、反射ミラー１７で反射されたパルスレーザＬが入射され、この入射されたパルスレーザＬの強度を検出する。従って、光センサ１８を介してレーザ発振器２１から出力されるパルスレーザＬの強度を検出することができる。
【００５０】
ガルバノスキャナ１９は、本体ベース１１の前側端部に形成された貫通孔２９の上側に取り付けられ、レーザ発振ユニット１２から出射されたパルスレーザＬと、ハーフミラー１５で反射された可視レーザ光Ｍとを下方へ２次元走査する。ガルバノスキャナ１９は、ガルバノＸ軸ミラーを有するガルバノＸ軸モータ３１と、ガルバノＹ軸ミラーを有するガルバノＹ軸モータ３２と、本体部３３により構成されている。ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２は、それぞれのモータ軸が互いに直交するように外側からそれぞれの取付孔に嵌入、保持されて本体部３３に取り付けられている。
【００５１】
ガルバノＸ軸モータ３１において、ガルバノＸ軸ミラーは、走査ミラーとして、モータ軸の先端部に取り付けられており、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍを、ワークＷ表面上においてＸ軸方向に走査する際に用いられる。そして、ガルバノＹ軸モータ３２において、ガルバノＹ軸ミラーは、走査ミラーとして、モータ軸の先端部に取り付けられており、ガルバノＸ軸ミラーによって反射されたパルスレーザＬ及び可視レーザ光Ｍを、ワークＷ表面上の加工領域においてＹ軸方向に走査する際に用いられる。
【００５２】
従って、当該ガルバノスキャナ１９においては、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の各モータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラーが内側で互いに対向している。そして、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転をそれぞれ制御して、各走査ミラー（即ち、ガルバノＸ軸ミラー、ガルバノＹ軸ミラー）を回転させることによって、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍとを下方へ２次元走査する。この２次元走査方向は、ワークＷ表面の加工領域において、前後方向（Ｘ軸方向）と左右方向（Ｙ軸方向）である。
【００５３】
ｆθレンズ２０は、下方に配置された加工対象物（例えば、ワークＷ又はワークＷ表面上に配置された箔Ｍｆ）表面に対して、ガルバノスキャナ１９によって２次元走査されたパルスレーザＬと可視レーザ光Ｍとを同軸に集光する。従って、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転を制御することによって、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍが、ワークＷ又はワークＷ表面上に配置された箔Ｍｆ表面上において、所望の加工パターンで前後方向（Ｘ方向）と左右方向（Ｙ方向）に２次元走査される。
【００５４】
（電源ユニットの概略構成）
次に、レーザ加工装置１における電源ユニット６の概略構成について、図１を参照しつつ説明する。図１に示すように、電源ユニット６は、励起用半導体レーザ部４０と、レーザドライバ５１と、電源部５２と、冷却ユニット５３とを、ケーシング５５内に有している。電源部５２は、励起用半導体レーザ部４０を駆動する駆動電流を、レーザドライバ５１を介して励起用半導体レーザ部４０に供給する。レーザドライバ５１は、レーザコントローラ５から入力される駆動情報に基づいて、励起用半導体レーザ部４０を直流でオンオフ駆動する。
【００５５】
励起用半導体レーザ部４０は、光ファイバＦによってレーザ発振器２１に光学的に接続されている。励起用半導体レーザ部４０は、レーザドライバ５１から入力されるパルス状の駆動電流に対して、レーザ光を発生する閾値電流を超えた電流値に比例した出力の波長のレーザ光である励起光を、光ファイバＦ内に出射する。従って、レーザ発振器２１には、励起用半導体レーザ部４０からの励起光が光ファイバＦを介して入射される。励起用半導体レーザ部４０には、例えば、ＧａＡｓを用いたレーザバーを用いることができる。
【００５６】
冷却ユニット５３は、電源部５２及び励起用半導体レーザ部４０を、所定の温度範囲内に調整する為のユニットであり、例えば、電子冷却方式により冷却することで、励起用半導体レーザ部４０の温度制御を行っており、励起用半導体レーザ部４０の発振波長を微調整する。尚、冷却ユニット５３は、水冷式の冷却ユニットや、空冷式の冷却ユニット等を用いるようにしてもよい。
【００５７】
（レーザ加工システム１００の制御系）
次に、レーザ加工システム１００を構成するレーザ加工装置１の制御系構成について、図面を参照しつつ説明する。図３に示すように、レーザ加工装置１は、レーザ加工装置１の全体を制御するレーザコントローラ５と、レーザドライバ５１と、ガルバノコントローラ５６と、ガルバノドライバ５７と、可視光レーザドライバ５８等を有して構成されている。レーザコントローラ５には、レーザドライバ５１と、ガルバノコントローラ５６と、光センサ１８と、可視光レーザドライバ５８等が電気的に接続されている。
【００５８】
レーザコントローラ５は、レーザ加工装置１の全体の制御を行う演算装置及び制御装置としてのＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、時間を計測するタイマ６４等を備えている。又、ＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、タイマ６４は、バス線（図示せず）により相互に接続されて、相互にデータのやり取りが行われる。
【００５９】
ＲＡＭ６２は、ＣＰＵ６１により演算された各種の演算結果や加工走査パターンのＸＹ座標データ等を一時的に記憶させておくためのものである。ＲＯＭ６３は、各種のプログラムを記憶させておくものであり、データ作成装置７から送信された加工データに基づいて加工走査パターンのＸＹ座標データを算出してＲＡＭ６２に記憶する等の各種プログラムが記憶されている。
【００６０】
そして、ＣＰＵ６１は、ＲＯＭ６３に記憶されている各種の制御プログラムに基づいて各種の演算及び制御を行なうものである。例えば、ＣＰＵ６１は、データ作成装置７から入力された加工データに基づいて算出した各加工点のＸＹ座標データ、ガルバノ走査速度情報等をガルバノコントローラ５６に出力する。又、ＣＰＵ６１は、データ作成装置７から入力された加工データに基づいて設定した励起用半導体レーザ部４０の励起光出力、励起光の出力期間等の励起用半導体レーザ部４０の駆動情報をレーザドライバ５１に出力する。又、ＣＰＵ６１は、加工走査パターンのＸＹ座標データ、ガルバノスキャナ１９のＯＮ・ＯＦＦを指示する制御信号等をガルバノコントローラ５６に出力する。
【００６１】
レーザドライバ５１は、レーザコントローラ５から入力された励起用半導体レーザ部４０の励起光出力、励起光の出力期間等のレーザ駆動情報等に基づいて、励起用半導体レーザ部４０を駆動制御する。具体的には、レーザドライバ５１は、レーザコントローラ５から入力されたレーザ駆動情報の励起光出力に比例した電流値のパルス状の駆動電流を発生し、レーザ駆動情報の励起光の出力期間に基づく期間、励起用半導体レーザ部４０に出力する。これにより、励起用半導体レーザ部４０は、励起光出力に対応する強度の励起光を出力期間の間、光ファイバＦ内に出射する。
【００６２】
ガルバノコントローラ５６は、レーザコントローラ５から入力された加工走査パターンのＸＹ座標データ、ガルバノ走査速度情報等に基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動角度、回転速度等を算出して、駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報をガルバノドライバ５７へ出力する。
【００６３】
ガルバノドライバ５７は、ガルバノコントローラ５６から入力された駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報に基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を駆動制御して、パルスレーザＬや可視レーザ光Ｍを２次元走査する。
【００６４】
可視光レーザドライバ５８は、レーザコントローラ５から出力される制御信号に基づいて、可視半導体レーザ２８を含むガイド光部１６の制御を行い、例えば、制御信号に基づいて、可視半導体レーザ２８から出射される可視レーザ光Ｍの発光タイミングや光量を制御する。
【００６５】
図１、図３に示すように、レーザコントローラ５には、データ作成装置７が双方向通信可能に接続されており、データ作成装置７から送信された加工内容を示す加工データ、レーザ加工装置本体部２の制御パラメータ、ユーザからの各種指示情報等を受信可能に構成されている。
【００６６】
（データ作成装置の制御系）
続いて、レーザ加工システム１００を構成するデータ作成装置７の制御系構成について、図面を参照しつつ説明する。図３に示すように、データ作成装置７は、データ作成装置７の全体を制御する制御部７０と、マウスやキーボード等から構成される入力操作部７６と、液晶ディスプレイ７７と、ＣＤ−ＲＯＭ７９に対する各種データ、プログラム等の書き込み及び読み込みを行うためのＣＤ−Ｒ／Ｗ７８等から構成されている。
【００６７】
制御部７０は、データ作成装置７の全体の制御を行う演算装置及び制御装置としてのＣＰＵ７１と、ＲＡＭ７２と、ＲＯＭ７３と、時間を計測するタイマ７４と、ＨＤＤ７５等を備えている。又、ＣＰＵ７１と、ＲＡＭ７２と、ＲＯＭ７３と、タイマ７４は、バス線（図示せず）により相互に接続されて、相互にデータのやり取りが行われる。又、ＣＰＵ７１とＨＤＤ７５は、入出力インターフェース（図示せず）を介して接続され、相互にデータのやり取りが行われる。
【００６８】
ＲＡＭ７２は、ＣＰＵ７１により演算された各種の演算結果等を一時的に記憶させておくためのものである。ＲＯＭ７３は、各種の制御プログラムやデータテーブルを記憶させておくものである。
【００６９】
そして、ＨＤＤ７５は、各種アプリケーションソフトウェアのプログラム、各種データファイルを記憶する記憶装置である。本実施形態に係るＨＤＤ７５は、マーキング加工を行う為の加工データを作成する為の加工データ作成処理プログラム（図５参照）等の制御プログラムや、後述する推奨条件データベース（図７参照）等の制御データ群等を記憶している。
【００７０】
そして、ＣＤ−Ｒ／Ｗ７８は、アプリケーションプログラム、各種データテーブル及びデータベースを構成する各データ群を、ＣＤ−ＲＯＭ７９から読み込む、又は、ＣＤ−ＲＯＭ７９に対して書き込む。即ち、データ作成装置７は、ＣＤ−Ｒ／Ｗ７８を介して、加工データ作成処理プログラム（図５参照）や、推奨条件データベース（図７参照）をＣＤ−ＲＯＭ７９から読み込み、ＨＤＤ７５に格納すると共に、種々のデータ群を記憶することでデータベース７５ＤをＨＤＤ７５内に形成する。
【００７１】
尚、加工データ作成処理プログラム（図５参照）や、推奨条件データベース（図７参照）は、ＲＯＭ７３に記憶されていても良いし、ＣＤ−ＲＯＭ７９等の記憶媒体から読み込まれても良い。又、インターネット等のネットワーク（図示せず）を介して、ダウンロードされてもよい。
【００７２】
そして、データ作成装置７には、入出力インターフェース（図示せず）を介して、マウスやキーボード等から構成される入力操作部７６と、液晶ディスプレイ７７等が電気的に接続されている。従って、データ作成装置７は、入力操作部７６や、液晶ディスプレイ７７を用いて、マーキング加工を行う為の加工データの作成や制御パラメータの設定等に利用される。
【００７３】
（セラミックマーキング加工の基本的な工程）
続いて、本実施形態に係るレーザ加工システム１００において、データ作成装置７により作成された加工データに基づいて行われるセラミックマーキング加工の内容について、図４を参照しつつ説明する。
【００７４】
上述したように、本実施形態に係るレーザ加工システム１００においては、セラミックマーキング加工は、箔配置工程と、マーキング実行工程と、箔除去工程とを有しており、セラミックにより構成されるワークＷ表面上に金属製の箔Ｍｆを配置した後、当該箔Ｍｆ及びワークＷ表面に対してパルスレーザＬを照射して、所望の加工内容をワークＷ表面上に描画する加工である。
【００７５】
先ず、箔配置工程では、セラミック製のワークＷ表面上に、金属材料により構成される箔Ｍｆが、ワークＷ上面に対して一定の間隔以内で配置される。この時、箔Ｍｆは、ワークＷ表面上において、マーキング加工を施したい範囲を包含するように配置される。尚、本実施形態に係る箔配置工程は、ユーザ自らの手によって行われ、その後、箔Ｍｆが配置されたワークＷは、レーザ加工装置１の加工容器内部における所望の位置に設置される。
【００７６】
続いて、マーキング実行工程では、レーザ加工装置１の加工容器内部に設置された箔Ｍｆ及びワークＷに対して、パルスレーザＬを照射して２次元走査することにより、ワークＷ表面に所望の加工内容を描画する。セラミックマーキング加工においては、マーキング実行工程で、パルスレーザＬを照射することにより、箔Ｍｆを構成する金属を溶融させ、セラミック製のワークＷ表面と結合させて、加工内容をワークＷ表面に直接描画している。
【００７７】
そして、本実施形態においては、レーザ加工装置１は、後述する加工データ作成処理プログラム（図５参照）によって作成された加工データに従って、レーザ発振ユニット１２やガルバノスキャナ１９等を制御することで、パルスレーザＬの出力や走査を行う。
【００７８】
本実施形態において、セラミックマーキングモードで作成した加工データは、箔Ｍｆ及びワークＷに対して照射されるパルスレーザＬに関する諸条件（パルスレーザＬの出力強度や走査速度等）と、複数の加工点により構成される加工内容とを含んで構成されており、パルスレーザＬに関する諸条件は、箔Ｍｆの構成（例えば、構成材料や厚み等）に応じて特定される。箔Ｍｆの構成（例えば、構成材料や厚み等）によっては、箔Ｍｆを構成する金属を溶融させ、セラミック製のワークＷ表面と結合させる為に必要なエネルギー量が異なる為、セラミックマーキング加工で加工内容を確実に描画する為には、適切な条件を設定する必要があるからである。
【００７９】
セラミックマーキングモードで作成した加工データに従って、マーキング実行工程を終了した後、ユーザは、レーザ加工装置１の加工容器内部から、箔Ｍｆ及びワークＷを取り出す。この時、箔Ｍｆは、パルスレーザＬが照射された部分においては、ワークＷ表面と結合しているが、箔Ｍｆにおける他の部分は、ワークＷ表面から除去可能な状態にある。
【００８０】
そして、箔除去工程では、マーキング実行工程を経た箔Ｍｆ及びワークＷから、箔Ｍｆを除去する工程である。この箔除去工程を施すことによって、パルスレーザＬの照射によってワークＷ表面と結合した部分（即ち、加工データにおける加工内容に相当する部分）を除いて、ワークＷ表面から箔Ｍｆが除去される。これにより、セラミック製のワークＷ表面には、パルスレーザＬの照射によってセラミックと結合した金属部分が、加工データにおける加工内容に従って残存することになる為、当該レーザ加工装置１は、セラミックマーキングを施すことができる。尚、箔除去工程は、ユーザ自らの手によって行われる。
【００８１】
こうして、セラミックマーキング加工によってワークＷ表面上になされたマーキングは、当該ワークＷに高温熱処理をした場合であっても、セラミックマーキング加工に用いた箔Ｍｆの金属材料の融点以下の温度であれば、マーキングされた状態を維持することができ、加工データにおける加工内容を示すことができる。
【００８２】
（加工データ作成処理プログラムの処理内容）
続いて、データ作成装置７において実行される加工データ作成処理プログラムの処理内容について、図５〜図７を参照しつつ詳細に説明する。当該加工データ作成処理プログラムは、パルスレーザＬを照射することによって、ワークＷ表面にマーキング加工を行う為の加工データを作成する為のアプリケーションプログラムであり、特に、セラミックマーキング加工を行う場合の加工データの作成に特化したものである。当該加工データ作成処理プログラムは、ＨＤＤ７５から読み出されて、データ作成装置７のＣＰＵ７１によって実行される。
【００８３】
図５に示すように、加工データ作成処理プログラムの実行を開始すると、ＣＰＵ７１は、先ず、入力操作部７６からの操作信号に基づいて、セラミックマーキング加工を行うセラミックマーキングモードであるか否かを判断する（Ｓ１）。セラミックマーキングモードである場合（Ｓ１：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ２に処理を移行する。一方、セラミックマーキングモードでない場合（Ｓ１：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ８に処理を移行する。
【００８４】
尚、本実施形態においては、データ作成装置７のＣＰＵ７１は、加工データ作成処理プログラムの実行開始と共に、セラミックマーキング加工を行うセラミックマーキングモード、通常のマーキング加工を行う通常マーキングモード等の複数の作成モードを選択可能な選択画面を液晶ディスプレイ７７上に表示し、ユーザによる入力操作部７６を用いた選択操作を受け付けることで、ユーザ所望の作成モードを実行するように構成されている。
【００８５】
Ｓ２においては、ＣＰＵ７１は、作成条件受付処理を実行して、作成条件としての種々の情報（例えば、箔Ｍｆの構成材料等）の入力を受け付ける為の情報設定ウィンドウ８０を、液晶ディスプレイ７７上に表示し、入力操作部７６を用いたユーザの操作によって、作成条件の入力を受け付ける。
【００８６】
（情報設定ウィンドウ８０の構成）
ここで、液晶ディスプレイ７７上に表示される情報設定ウィンドウ８０について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図６に示すように、情報設定ウィンドウ８０は、箔Ｍｆの構成（例えば、箔Ｍｆの材質及び厚み等）を含む作成条件を設定する為の作成条件設定部８１と、セラミックマーキング加工を行う際のマーキング条件の提示・編集を行う為のマーキング条件設定部９０を有している。
【００８７】
作成条件設定部８１は、上述したように、本発明における箔情報としての箔Ｍｆの材質や箔の厚みに関する情報や、セラミックマーキング加工の加工品質及び所要時間の優先度合等の情報を含む作成条件を設定する為の受付部であり、箔材質設定部８２と、箔厚設定部８３と、加工品質設定部８４と、自動生成ボタン８５を有している。
【００８８】
箔材質設定部８２は、箔情報の一つとして、箔Ｍｆを構成する材質を入力・設定する際に用いられる。本実施形態において、箔材質設定部８２は、セラミックマーキング加工に使用される箔Ｍｆの材質として、例えば、金属材料である「材質（Ａ）」「材質（Ｂ）」「材質（Ｃ）」等を選択可能に構成されている。「材質（Ａ）」は、加工時におけるパルスレーザＬの波長に対する光吸収率が低い（例えば、０．１以下）を示す金属であり、「材質（Ｂ）」は、加工時におけるパルスレーザＬの波長に対する光吸収率が中程度（例えば、０．１より大きく０．３未満）を示す金属である。そして、「材質（Ｃ）」は、加工時におけるパルスレーザＬの波長に対する光吸収率が高い（例えば、０．３以上）を示す金属である。そして、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、情報設定ウィンドウ８０の箔材質設定部８２に対する操作を行うことで、セラミックマーキング加工に使用される箔Ｍｆの材質を、作成条件を構成する箔情報の一つとして設定し得る。箔Ｍｆの材質の光吸収率によって、セラミックマーキング加工において、箔Ｍｆの溶融に要するパルスレーザＬのエネルギー量が異なる為、箔材質設定部８２で箔情報を受け付けることで、より適切なマーキング条件を特定することができる。
【００８９】
尚、セラミックマーキング加工に使用される箔Ｍｆの材質として挙げた「材質（Ａ）」「材質（Ｂ）」「材質（Ｃ）」…は、あくまでも一例であり、金属材料として、銅、ニッケル、ニクロム、白銅、鉄、アルミニウム、クローム、チタン等を挙げることができる。又、箔Ｍｆの光吸収率は、基本的に箔Ｍｆの材質によって決定される。従って、本実施形態においては、箔材質設定部８２を用いて「箔Ｍｆの材質」を示す箔情報の入力を受け付けることで、箔Ｍｆの光吸収率に関する情報が入力されたものとする。
【００９０】
箔厚設定部８３は、箔情報の一つとして、セラミックマーキング加工に使用される箔Ｍｆの厚みを入力・設定する際に用いられ、所謂、スライダによって構成されている。箔厚設定部８３は、入力操作部７６の操作を受け付けることで、最小値から最大値の数値範囲の間における任意の数値を設定することができる。本実施形態においては、箔Ｍｆの厚みとして、５（μｍ）以下を「薄い」、５（μｍ）より大きく１５（μｍ）以下を「中」、１５（μｍ）より大きいものを「厚い」と区分する。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、情報設定ウィンドウ８０の箔厚設定部８３を操作することで、セラミックマーキング加工に使用される箔Ｍｆの厚みを、作成条件を構成する箔情報の一つとして設定し得る。箔Ｍｆの厚みが大きい程、箔Ｍｆを構成する金属を溶融させ、セラミック製のワークＷ表面と結合させる為に、より大きな必要なエネルギー量が必要となる為、箔厚設定部８３で箔情報を受け付けることで、より適切なマーキング条件を特定することができる。
【００９１】
加工品質設定部８４は、作成条件として、セラミックマーキング加工の加工品質と、セラミックマーキング加工におけるマーキング加工実行工程に関する所要時間との何れを、どの程度優先するかを入力・設定する際に用いられ、所謂、スライダによって構成されている。本実施形態におけるセラミックマーキング加工では、加工品質を高め、綺麗にマーキングしようとすると、加工に関する所要時間が増大し、加工に関する所要時間を短くし、速く加工しようとすると、加工品質の低下を招く傾向にある。従って、ユーザは、データ作成装置７の入力操作部７６を用いて、情報設定ウィンドウ８０の加工品質設定部８４を操作することで、セラミックマーキング加工における加工品質と所要時間の優先度を、作成条件の一つとして設定し得る。
【００９２】
そして、自動生成ボタン８５は、箔材質設定部８２、箔厚設定部８３、加工品質設定部８４を用いて受け付けた各作成条件に関する情報と、推奨条件データベース（図７参照）に基づいて、セラミックマーキング加工に際して、箔Ｍｆの構成を含む諸条件から推奨される各種条件（例えば、パルスレーザＬの出力強度、パルスレーザＬの走査速度、パルスレーザＬの走査回数と、パルスレーザＬの周波数と、パルスレーザＬのパルス幅等）を抽出して特定する際に操作される。従って、本実施形態においては、ＣＰＵ７１は、自動生成ボタン８５の入力操作が行われた時点で、箔材質設定部８２、箔厚設定部８３、加工品質設定部８４に入力された内容を受け付け、作成条件としてＲＡＭ７２に格納する。
【００９３】
図６に示すように、マーキング条件設定部９０は、出力強度設定部９１と、走査速度設定部９２と、走査回数設定部９３と、周波数設定部９４と、パルス幅設定部９５と、条件編集ボタン９６と、条件設定ボタン９７とを有しており、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された各推奨マーキング条件の提示や、各マーキング条件の編集に用いられる。
【００９４】
出力強度設定部９１は、セラミックマーキング加工のマーキング実行工程におけるマーキング条件の一つとして、箔Ｍｆ及びワークＷ表面に照射されるパルスレーザＬの出力強度の設定を行う際に用いられ、テキストボックスを有して構成されている。後述する推奨マーキング条件提示処理（Ｓ４）においては、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬの出力強度の値が、当該出力強度設定部９１のテキストボックス内に提示される。又、マーキング条件編集処理（Ｓ６）においては、出力強度設定部９１のテキストボックスに対する入力操作を受け付けることで、マーキング条件としてのパルスレーザＬの出力強度の値を編集し得る。
【００９５】
走査速度設定部９２は、セラミックマーキング加工のマーキング実行工程におけるマーキング条件の一つとして、加工データにおける加工内容を描画する際のパルスレーザＬの走査速度の設定を行う際に用いられ、テキストボックスを有して構成されている。後述する推奨マーキング条件提示処理（Ｓ４）においては、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬの走査速度の値が、当該走査速度設定部９２のテキストボックス内に提示される。又、マーキング条件編集処理（Ｓ６）においては、走査速度設定部９２のテキストボックスに対する入力操作を受け付けることで、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査速度の値を編集し得る。
【００９６】
走査回数設定部９３は、セラミックマーキング加工のマーキング実行工程におけるマーキング条件の一つとして、加工データにおける加工内容を描画する際のパルスレーザＬの走査回数の設定を行う際に用いられ、テキストボックスを有して構成されている。後述する推奨マーキング条件提示処理（Ｓ４）においては、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬの走査回数の値が、当該走査回数設定部９３のテキストボックス内に提示される。又、マーキング条件編集処理（Ｓ６）においては、走査回数設定部９３のテキストボックスに対する入力操作を受け付けることで、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査回数の値を編集し得る。
【００９７】
周波数設定部９４は、セラミックマーキング加工のマーキング実行工程におけるマーキング条件の一つとして、加工データにおける加工内容を描画する際のパルスレーザＬの周波数の設定を行う際に用いられ、テキストボックスを有して構成されている。後述する推奨マーキング条件提示処理（Ｓ４）においては、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬの周波数の値が、当該周波数設定部９４のテキストボックス内に提示される。又、マーキング条件編集処理（Ｓ６）においては、周波数設定部９４のテキストボックスに対する入力操作を受け付けることで、マーキング条件としてのパルスレーザＬの周波数の値を編集し得る。
【００９８】
パルス幅設定部９５は、セラミックマーキング加工のマーキング実行工程におけるマーキング条件の一つとして、加工データにおける加工内容を描画する際のパルスレーザＬのパルス幅の設定を行う際に用いられ、テキストボックスを有して構成されている。後述する推奨マーキング条件提示処理（Ｓ４）においては、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬのパルス幅の値が、当該パルス幅設定部９５のテキストボックス内に提示される。又、マーキング条件編集処理（Ｓ６）においては、パルス幅設定部９５のテキストボックスに対する入力操作を受け付けることで、マーキング条件としてのパルスレーザＬのパルス幅の値を編集し得る。
【００９９】
条件編集ボタン９６は、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された各推奨マーキング条件の値を編集する際に、入力操作部７６を用いて操作される。そして、条件設定ボタン９７は、作成条件設定部８１で受け付けた作成条件に従って特定された各推奨マーキング条件の値を了承して、推奨マーキング条件からなる加工データを作成する際に、入力操作部７６を用いて操作される。
【０１００】
従って、作成条件受付処理（Ｓ２）においては、ＣＰＵ７１は、情報設定ウィンドウ８０の作成条件設定部８１に対する入力操作を受け付ける。そして、作成条件設定部８１を構成する箔材質設定部８２、箔厚設定部８３、加工品質設定部８４に対する入力を受け付けた状態で、自動生成ボタン８５が入力されると、ＣＰＵ７１は、箔材質設定部８２〜加工品質設定部８４に入力された各作成条件を、ＲＡＭ７２に格納して、Ｓ３に処理を移行する。
【０１０１】
Ｓ３では、ＣＰＵ７１は、推奨マーキング条件特定処理を実行して、作成条件設定部８１を構成する箔材質設定部８２、箔厚設定部８３、加工品質設定部８４で受け付けた各作成条件（箔情報を含む）と、推奨条件データベース（図７参照）に基づいて、セラミックマーキング加工に用いる箔Ｍｆの構成（材質及び厚み）等に応じた推奨マーキング条件を特定する。推奨マーキング条件を特定した後、ＣＰＵ７１は、Ｓ４に処理を移行する。
【０１０２】
（推奨条件データベースの内容）
ここで、Ｓ３において、推奨マーキング条件を特定する際に参照される推奨条件データベースの内容について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【０１０３】
図７に示すように、推奨条件データベースは、箔情報（箔Ｍｆの材質を示す情報、箔Ｍｆの厚みを示す情報）、セラミックマーキング加工の加工品質に関する情報を夫々含む一群の作成条件（以下、作成条件群）に対して、推奨されるマーキング条件（パルスレーザＬの出力強度に関する情報、パルスレーザＬの走査速度に関する情報、パルスレーザＬの走査回数に関する情報、パルスレーザＬの周波数に関する情報、パルスレーザＬのパルス幅に関する情報）を夫々含む一群の推奨マーキング条件を対応付けて構成されている。
【０１０４】
当該推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下）を示す「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度の情報として、５．０Ｗ、１０．０Ｗ、１５．０Ｗを示す情報が対応付けられており、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査速度に関する情報として、１０ｍｍ／ｓｅｃ、１００ｍｍ／ｓｅｃ、２００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。又、「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査回数の情報として、２回、４回、５回を示す情報が対応付けられている。
【０１０５】
そして、当該推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満）を示す「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度の情報として、２．０Ｗ、３．５Ｗ、５．０Ｗを示す情報が対応付けられており、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査速度に関する情報として、５０ｍｍ／ｓｅｃ、２５０ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。又、「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査回数の情報として、１回、２回、３回を示す情報が対応付けられている。
【０１０６】
更に、当該推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上）を示す「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度の情報として、０．５Ｗ、１．０Ｗ、２．０Ｗを示す情報が対応付けられており、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査速度に関する情報として、２００ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃ、１０００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。又、「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査回数の情報として、１回、２回、３回を示す情報が対応付けられている。
【０１０７】
上述したように、セラミックマーキング加工においては、箔Ｍｆを構成する金属を溶融する必要がある為、箔Ｍｆの材質及びパルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率に留意する必要がある。この点、推奨条件データベースにおいては、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率及び材質に対して、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度、走査速度、走査回数を対応付けている為、適切なマーキング条件を特定することができる。尚、図７には図示されていないが、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬのパルス幅等の他のマーキング条件についても、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率に対して、推奨される内容（数値）が対応付けられている。
【０１０８】
従って、推奨マーキング条件特定処理を実行して、（Ｓ３）においては、ＣＰＵ７１は、作成条件設定部８１を構成する箔材質設定部８２、箔厚設定部８３、加工品質設定部８４で受け付けた各作成条件（箔情報を含む）と、推奨条件データベース（図７参照）を参照して、セラミックマーキング加工に用いる箔Ｍｆの構成（材質及び厚み）等に応じた推奨マーキング条件を特定する。
【０１０９】
上述したように、推奨条件データベースにおいては、箔Ｍｆの材質（「材質（Ａ）」「材質（Ｂ）」「材質（Ｃ）」…）及び材質から特定される光吸収率に対して、所定の数値範囲に属する各推奨マーキング条件が対応付けられている。従って、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）では、ＣＰＵ７１は、箔材質設定部８２で受け付けた情報（即ち、箔Ｍｆの材質及び光吸収率）に対応するマーキング条件を特定することができる。
【０１１０】
又、図７に示すように、推奨条件データベースでは、箔厚設定部８３で受け付けた箔Ｍｆの厚みが大きい程、推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬの出力強度が大きな値を示すように対応付けられている。従って、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）では、ＣＰＵ７１は、箔厚設定部８３で受け付けた箔Ｍｆの厚みが大きい程、パルスレーザＬの出力強度に関する推奨マーキング条件を、箔材質設定部８２で受け付けた情報（即ち、箔Ｍｆの材質及び光吸収率）によって特定される数値範囲の内、大きな値を示すものに特定することができる。
【０１１１】
更に、推奨条件データベースにおいては、作成条件として受け付けた加工品質に関する情報（図７中、「綺麗」「中」「速い」）に対して、推奨マーキング条件であるパルスレーザＬの走査速度として、それぞれ異なる値を示す情報が対応付けられており、高い加工品質（即ち、「綺麗」）である程、パルスレーザＬの走査速度の値が小さくなるように対応付けられている（図７参照）。従って、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）では、ＣＰＵ７１は、加工品質設定部８４で受け付けた加工品質に応じて、パルスレーザＬの走査速度に関する推奨マーキング条件を、箔材質設定部８２で受け付けた情報（即ち、箔Ｍｆの材質及び光吸収率）によって特定される数値範囲の内で適切なものに特定することができる。
【０１１２】
図５に戻り、加工データ作成処理プログラムのＳ４以降の処理について説明する。推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）を終了してＳ４に移行すると、ＣＰＵ７１は、推奨マーキング条件提示処理を実行し、情報設定ウィンドウ８０のマーキング条件設定部９０を用いて、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）で特定された各推奨マーキング条件を提示する。具体的には、ＣＰＵ７１は、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）で特定した各推奨マーキング条件（例えば、パルスレーザＬの出力強度に関する情報等）をＲＡＭ７２から読み出し、マーキング条件設定部９０を構成する出力強度設定部９１〜パルス幅設定部９５の各テキストボックスに、各推奨マーキング条件に係る数値を表示する。その後、ＣＰＵ７１は、Ｓ５に処理を移行する。
【０１１３】
Ｓ５においては、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６の操作信号に基づいて、推奨マーキング条件での加工が了承されたか否かを判断する。具体的には、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６を用いて、情報設定ウィンドウ８０における条件設定ボタン９７に対する操作が行われたか否かを判断する。推奨マーキング条件での加工が了承された場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ７に処理を移行する。一方、条件編集ボタン９６に対する操作が行われ、推奨マーキング条件での加工が了承されていない場合（Ｓ５：ＮＯ）、ＣＰＵ７１は、Ｓ６に処理を移行する。
【０１１４】
Ｓ６に移行すると、ＣＰＵ７１は、マーキング条件編集処理を実行して、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度、パルスレーザＬの走査速度、パルスレーザＬの走査回数、パルスレーザＬの周波数、パルスレーザＬのパルス幅を示す数値を、夫々ユーザ所望の数値とする編集操作を受け付ける。具体的には、ＣＰＵ７１は、入力操作部７６の操作信号に基づいて、出力強度設定部９１〜パルス幅設定部９５における各テキストボックスに対する入力操作を受け付けることで、セラミックマーキング加工におけるマーキング条件を編集する。そして、マーキング条件編集処理（Ｓ６）において、条件設定ボタン９７に対する入力操作が行われると、ＣＰＵ７１は、各マーキング条件の内容を確定して、ＲＡＭ７２に格納し、Ｓ７に処理を移行する。
【０１１５】
Ｓ７では、ＣＰＵ７１は、加工データ作成処理を実行して、セラミックマーキング加工に関する加工データを作成する。具体的には、ＣＰＵ７１は、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）で特定された各推奨マーキング条件、又は、マーキング条件編集処理（Ｓ６）で編集された各マーキング条件の何れかを、ＲＡＭ７２から読み出し、セラミックマーキング加工によってワークＷ表面に描画される加工内容と共に、セラミックマーキング加工に関する加工データを作成する。その後、ＣＰＵ７１は、加工データ作成処理プログラムを終了する。
【０１１６】
尚、加工データ作成処理（Ｓ７）を終了した時点で、作成した加工データを、加工実行指示と共に、レーザコントローラ５へ出力してもよい。この場合、加工実行指示及び加工データを受信すると、レーザコントローラ５のＣＰＵ６１は、受信した加工データに従って、レーザドライバ５１及びガルバノドライバ５７を制御する。これにより、本実施形態に係るレーザ加工装置１によれば、箔Ｍｆ及びワークＷに対してパルスレーザＬが照射され、セラミックマーキング加工のマーキング実行工程が行われる。この点、加工データ作成処理（Ｓ７）を終了した時点では、作成した加工データをＨＤＤ７５等の記憶装置に格納しておく構成とすることも可能である。
【０１１７】
セラミックマーキングモードでない場合（Ｓ１）に移行するＳ８では、ＣＰＵ７１は、その他の処理を実行し、セラミックマーキング加工に係る加工データの生成に関する処理（Ｓ２〜Ｓ７）を除いた種々の処理を行う。当該その他の処理（Ｓ８）においては、ＣＰＵ７１は、例えば、通常のマーキング加工に係る加工データの作成処理等を実行する。その他の処理を終了すると、ＣＰＵ７１は、加工データ作成処理プログラムを終了する。
【０１１８】
（加工データ作成処理プログラムに従って設定される推奨マーキング条件に対する評価）
上述したように、本実施形態に関するデータ作成装置７等によれば、情報設定ウィンドウ８０の作成条件設定部８１により受け付けた箔Ｍｆの材質、箔Ｍｆの厚みを含む箔情報と、ＨＤＤ７５内の推奨条件データベースに基づいて、箔Ｍｆの構成（材質、厚み）に対応する推奨マーキング条件を特定して（Ｓ３）、セラミックマーキング加工に関する加工データを作成し得る（Ｓ７）。
【０１１９】
ここで、加工データ作成処理プログラムによって作成された加工データに含まれるマーキング条件が、箔Ｍｆの構成に対応する推奨マーキング条件であるか否かを、図８〜図１１に示す種々の実験結果に基づいて検証する。本実施形態において、推奨マーキング条件は、箔Ｍｆの構成に対応しており、当該箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工について、良好な加工結果を得られるマーキング条件を意味する。
【０１２０】
以下の説明におけるセラミックマーキング加工実験は、四角形の内側を塗り潰して構成されるマークと、当該マークの下方に配置された横書きの「１２３」の文字列とからなる加工内容を、箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工によってワークＷ表面上に描画して行われている（図８参照）。
【０１２１】
この時、箔Ｍｆの材質や、パルスレーザＬの出力強度、パルスレーザＬの走査速度、パルスレーザＬの走査回数等のマーキング条件を、適宜設定することによって、所定の構成の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工に対して、一のマーキング条件が与える影響を評価し、当該セラミックマーキング加工の加工結果に関して、推奨される一のマーキング条件の数値範囲を特定している。当該セラミックマーキング加工実験においては、セラミックマーキング加工の加工結果の視認性に重きをおき、当該セラミックマーキング加工の加工結果を、所定の評価基準に従って、三段階（即ち、「○」「△」「×」）に区分して目視評価している。
【０１２２】
図８に示すように、目視評価「○」は、セラミックマーキング加工の加工結果が良好である旨の評価であり、目視評価「○」に係る評価基準は、加工内容におけるマーク及び文字列の何れについても、ワークＷ表面上に描画されていることである。図８に示す各加工結果の場合、パルスレーザＬの出力強度が１２Ｗ、８Ｗ、５Ｗである３つの加工結果において、マーク及び文字列の何れも描画されている為、これらの３つの加工結果は、目視評価「○」として評価される。
【０１２３】
一方、目視評価「×」は、セラミックマーキング加工の加工結果が不良である旨の評価であり、目視評価「×」に係る評価基準は、加工内容におけるマーク及び文字列の何れについても、ワークＷ表面上に全く描画されていないことである。図８に示す各加工結果の場合、パルスレーザＬの出力強度が２Ｗである加工結果において、マーク及び文字列の何れも描画されていない為、この加工結果は、目視評価「×」として評価される。
【０１２４】
そして、目視評価「△」は、セラミックマーキング加工の加工結果が目視評価「○」と目視評価「×」との間である旨の評価であり、目視評価「△」に係る評価基準は、例えば、加工内容におけるマーク又は文字列の何れかについて、描画不良が生じていることである。図８に示す各加工結果において、パルスレーザＬの出力強度が４Ｗである加工結果では、「１２３」の文字列は、ワークＷ表面上に描画されているが、マーク上部が描画されていない為、この加工結果は、目視評価「△」として評価される。又、パルスレーザＬの出力強度が３Ｗである加工結果では、マークが一部欠落した状態で描画されており、「１２３」の文字列がワークＷ表面上に全く描画されていない為、この加工結果は、目視評価「△」として評価される。
【０１２５】
以下、このような評価基準に従った目視評価に基づくセラミックマーキング加工実験によって、所定の構成の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工の加工結果に関し、一のマーキング条件が与える影響を評価し、当該セラミックマーキング加工の加工結果に関して、推奨される一のマーキング条件の数値範囲を特定する。
【０１２６】
（光吸収率の低い材質の箔を用いた場合におけるマーキング条件が与える影響）
先ず、光吸収率の低い材質で構成された箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工の加工結果に対して、各マーキング条件が与える影響について、図９を参照しつつ検証する。本実施形態においては、光吸収率の低い材質とは、光吸収率が０．１以下を示す材質を意味し、例えば、材質（Ａ）を挙げることができる。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）に示す実験では、光吸収率が０．１以下を示す材質で構成される箔Ｍｆを用いて、セラミックマーキング加工を行い、パルスレーザＬの出力強度、走査速度、走査回数の夫々が及ぼす影響を検証している。
【０１２７】
図９（Ａ）に示す実験結果は、光吸収率が０．１以下を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの出力強度を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの出力強度は、７段階に変更しているが、パルスレーザＬの走査速度は、５０ｍｍ／ｓｅｃ、パルスレーザＬの走査回数は、２回というように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１２８】
この実験結果において、パルスレーザＬの出力強度が２０Ｗ、１２Ｗ、８Ｗ、４．６Ｗである各加工結果は、目視評価「○」と評価され、４Ｗ、３Ｗである加工結果は、目視評価「△」と、２Ｗである加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図９（Ａ）参照）。これにより、吸収率が０．１以下を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの出力強度に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図９（Ａ）の実験結果に基づいて、４．６Ｗ〜２０Ｗに特定される。
【０１２９】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下を示す）「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの出力強度の情報として、４．６Ｗ〜２０Ｗの数値範囲に属する５．０Ｗ、１０．０Ｗ、１５．０Ｗを示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下を示す）「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、図９（Ａ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの出力強度に相当することがわかる。
【０１３０】
図９（Ｂ）に示す実験結果は、光吸収率が０．１以下を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの走査速度を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの走査速度は、７段階に変更しているが、パルスレーザＬの出力強度は、５Ｗ、パルスレーザＬの走査回数は、２回というように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１３１】
この実験結果において、パルスレーザＬの走査速度が１０ｍｍ／ｓｅｃ、２０ｍｍ／ｓｅｃ、４０ｍｍ／ｓｅｃ、８０ｍｍ／ｓｅｃ、１００ｍｍ／ｓｅｃ、２００ｍｍ／ｓｅｃである各加工結果は、目視評価「○」と評価され、４００ｍｍ／ｓｅｃである加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図９（Ｂ）参照）。これにより、吸収率が０．１以下を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査速度に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図９（Ｂ）の実験結果に基づいて、１０ｍｍ／ｓｅｃ〜２００ｍｍ／ｓｅｃに特定される。
【０１３２】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下を示す）「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの走査速度に関する情報として、１０ｍｍ／ｓｅｃ以上２００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する１０ｍｍ／ｓｅｃ、１００ｍｍ／ｓｅｃ、２００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下を示す）「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、図９（Ｂ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの走査速度に相当することがわかる。
【０１３３】
図９（Ｃ）に示す実験結果は、光吸収率が０．１以下を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの走査回数を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの走査回数は、７段階に変更しているが、パルスレーザＬの出力強度は、５Ｗ、パルスレーザＬの走査速度は、５０ｍｍ／ｓｅｃというように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１３４】
この実験結果において、パルスレーザＬの走査回数が２回、３回、４回、５回の各加工結果は、目視評価「○」と評価され、１回、６回である加工結果は、目視評価「△」と、７回である加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図９（Ｃ）参照）。これにより、吸収率が０．１以下を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査回数に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図９（Ｃ）の実験結果に基づいて、２回〜５回に特定される。
【０１３５】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下を示す）「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの走査回数の情報として、２回以上５回以下の数値範囲に属する２回、４回、５回を示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下を示す）「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、図９（Ｃ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの走査回数に相当することがわかる。
【０１３６】
（光吸収率が中である材質の箔を用いた場合におけるマーキング条件が与える影響）
次に、光吸収率が中である材質で構成された箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工の加工結果に対して、各マーキング条件が与える影響について、図１０を参照しつつ検証する。本実施形態においては、光吸収率が中である材質とは、光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す材質を意味し、例えば、材質（Ｂ）を挙げることができる。図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）に示す実験では、光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す材質で構成される箔Ｍｆを用いて、セラミックマーキング加工を行い、パルスレーザＬの出力強度、走査速度、走査回数の夫々が及ぼす影響を検証している。
【０１３７】
図１０（Ａ）に示す実験結果は、光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの出力強度を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの出力強度は、６段階に変更しているが、パルスレーザＬの走査速度は、５０ｍｍ／ｓｅｃ、パルスレーザＬの走査回数は、２回というように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１３８】
この実験結果において、パルスレーザＬの出力強度が５Ｗ、４Ｗ、３Ｗ、２Ｗである各加工結果は、目視評価「○」と評価され、１Ｗである加工結果は、目視評価「△」と、１０Ｗである加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図１０（Ａ）参照）。これにより、吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの出力強度に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図１０（Ａ）の実験結果に基づいて、２Ｗ〜５Ｗに特定される。
【０１３９】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満を示す）である「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの出力強度の情報として、２Ｗ〜５Ｗの数値範囲に属する２．０Ｗ、３．５Ｗ、５．０Ｗを示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満を示す）である「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、図１０（Ａ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの出力強度に相当することがわかる。
【０１４０】
図１０（Ｂ）に示す実験結果は、光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの走査速度を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの走査速度は、７段階に変更しているが、パルスレーザＬの出力強度は、４Ｗ、パルスレーザＬの走査回数は、２回というように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１４１】
この実験結果において、パルスレーザＬの走査速度が、５０ｍｍ／ｓｅｃ、１００ｍｍ／ｓｅｃ、２００ｍｍ／ｓｅｃ、３００ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃである各加工結果は、目視評価「○」と評価され、２０ｍｍ／ｓｅｃである加工結果は、目視評価「△」と、７００ｍｍ／ｓｅｃである加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図１０（Ｂ）参照）。これにより、吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査速度に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図１０（Ｂ）の実験結果に基づいて、５０ｍｍ／ｓｅｃ〜５００ｍｍ／ｓｅｃに特定される。
【０１４２】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満を示す）である「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの走査速度に関する情報として、５０ｍｍ／ｓｅｃ以上５００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する５０ｍｍ／ｓｅｃ、２５０ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満を示す）である「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、図１０（Ｂ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの走査速度に相当することがわかる。
【０１４３】
図１０（Ｃ）に示す実験結果は、光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの走査回数を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの走査回数は、５段階に変更しているが、パルスレーザＬの出力強度は、４Ｗ、パルスレーザＬの走査速度は、５０ｍｍ／ｓｅｃというように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１４４】
この実験結果において、パルスレーザＬの走査回数が１回、２回、３回の各加工結果は、目視評価「○」と評価され、４回である加工結果は、目視評価「△」と、５回である加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図１０（Ｃ）参照）。これにより、吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査回数に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図１０（Ｃ）の実験結果に基づいて、１回〜３回に特定される。
【０１４５】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満を示す）である「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの走査回数の情報として、１回以上３回以下の数値範囲に属する１回、２回、３回を示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満を示す）である「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、図１０（Ｃ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの走査回数に相当することがわかる。
【０１４６】
（光吸収率が高い材質の箔を用いた場合におけるマーキング条件が与える影響）
続いて、光吸収率が高い材質で構成された箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工の加工結果に対して、各マーキング条件が与える影響について、図１１を参照しつつ検証する。本実施形態においては、光吸収率が高い材質とは、光吸収率が０．３以上を示す材質を意味し、例えば、材質（Ｃ）を挙げることができる。図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）に示す実験では、光吸収率が０．３以上を示す材質で構成される箔Ｍｆを用いて、セラミックマーキング加工を行い、パルスレーザＬの出力強度、走査速度、走査回数の夫々が及ぼす影響を検証している。
【０１４７】
図１１（Ａ）に示す実験結果は、光吸収率が０．３以上を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの出力強度を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの出力強度は、６段階に変更しているが、パルスレーザＬの走査速度は、１０００ｍｍ／ｓｅｃ、パルスレーザＬの走査回数は、１回というように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１４８】
この実験結果において、パルスレーザＬの出力強度が２Ｗ、１Ｗ、０．５Ｗである各加工結果は、目視評価「○」と評価され、５Ｗ、４Ｗ、３Ｗである加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図１１（Ａ）参照）。これにより、吸収率が０．３以上を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの出力強度に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図１１（Ａ）の実験結果に基づいて、０．５Ｗ〜２Ｗに特定される。
【０１４９】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上を示す）「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの出力強度の情報として、０．５Ｗ〜２Ｗの数値範囲に属する０．５Ｗ、１．０Ｗ、２．０Ｗを示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上を示す）「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、図１１（Ａ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの出力強度に相当することがわかる。
【０１５０】
図１１（Ｂ）に示す実験結果は、光吸収率が０．３以上を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの走査速度を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの走査速度は、７段階に変更しているが、パルスレーザＬの出力強度は、１Ｗ、パルスレーザＬの走査回数は、１回というように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１５１】
この実験結果において、パルスレーザＬの走査速度が、１００ｍｍ／ｓｅｃ、２００ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃ、１０００ｍｍ／ｓｅｃである各加工結果は、目視評価「○」と評価され、１５００ｍｍ／ｓｅｃである加工結果は、目視評価「△」と、５０ｍｍ／ｓｅｃ、２０００ｍｍ／ｓｅｃである加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図１１（Ｂ）参照）。これにより、吸収率が０．３以上を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査速度に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図１１（Ｂ）の実験結果に基づいて、１００ｍｍ／ｓｅｃ〜１０００ｍｍ／ｓｅｃに特定される。
【０１５２】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上を示す）「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの走査速度に関する情報として、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する２００ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃ、１０００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上を示す）「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、図１１（Ｂ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの走査速度に相当することがわかる。
【０１５３】
図１１（Ｃ）に示す実験結果は、光吸収率が０．３以上を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、パルスレーザＬの走査回数を適宜変更した場合の目視評価を示している。尚、実験条件として、パルスレーザＬの走査回数は、４段階に変更しているが、パルスレーザＬの出力強度は、１Ｗ、パルスレーザＬの走査速度は、１０００ｍｍ／ｓｅｃというように所定値としており、その他のマーキング条件も所定値に固定している。
【０１５４】
この実験結果において、パルスレーザＬの走査回数が１回、２回、３回の各加工結果は、目視評価「○」と評価され、４回である加工結果は、目視評価「×」と評価されている（図１１（Ｃ）参照）。これにより、吸収率が０．３以上を示す所定材質の箔Ｍｆを用いたセラミックマーキング加工において、マーキング条件としてのパルスレーザＬの走査回数に関し、良好な加工結果を得る為に推奨される数値範囲は、図１１（Ｃ）の実験結果に基づいて、１回〜３回に特定される。
【０１５５】
一方、図７に示す推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上を示す）「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、パルスレーザＬの走査回数の情報として、１回以上３回以下の数値範囲に属する１回、２回、３回を示す情報が対応付けられている。つまり、推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上を示す）「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、図１１（Ｃ）の実験結果から特定される数値範囲内に属する情報が対応付けられており、これらの情報は、良好な加工品質を得る為に推奨されるマーキング条件としてのパルスレーザＬの走査回数に相当することがわかる。
【０１５６】
図７〜図１１を用いて説明したように、推奨条件データベースは、箔Ｍｆの光吸収率に対して、実験により検証された推奨マーキング条件（例えば、パルスレーザＬの出力強度、走査速度、走査回数）が対応付けられている為、当該データ作成装置７等によれば、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）において、箔Ｍｆの光吸収率に対応する適切な推奨マーキング条件を推奨条件データベースから特定することができ、当該箔Ｍｆの光吸収率に対して適切なセラミックマーキング加工を可能とした加工データを作成できる。
【０１５７】
以上説明したように、本実施形態に関するデータ作成装置７、加工データ作成処理プログラム及びデータ作成装置７による加工データの作成方法（以下、データ作成装置７等）によれば、情報設定ウィンドウ８０の作成条件設定部８１により受け付けた箔Ｍｆの材質、箔Ｍｆの厚みを含む箔情報と、ＨＤＤ７５内の推奨条件データベースに基づいて、箔Ｍｆの構成（材質、厚み）に対応する推奨マーキング条件を特定して（Ｓ３）、セラミックマーキング加工に関する加工データを作成し得る（Ｓ７）。
【０１５８】
加工データにおけるマーキング条件としては、パルスレーザＬの出力強度、加工時におけるパルスレーザＬの走査速度、加工時におけるパルスレーザＬの走査回数、パルスレーザＬの周波数、パルスレーザＬのパルス幅を有して構成されている為、当該データ作成装置７等によれば、これらのマーキング条件を、作成条件設定部８１によって受け付けた箔情報を含む作成条件に応じた内容に特定することができ（Ｓ３）、もって、より簡便な作業で、箔Ｍｆの構成に対応した各マーキング条件を含むセラミックマーキング加工に係る加工データを作成し得る。そして、当該加工データは、ワークＷ表面上に配置された金属製の箔Ｍｆに対して、前記ワークＷの反対側からレーザ加工装置１のパルスレーザＬを照射することによって前記ワークＷ表面に加工を施すセラミックマーキング加工（図４参照）に際し、前記レーザ加工装置１を動作させる為、セラミックマーキング加工における加工品質を向上させることができる。
【０１５９】
図７に示すように、推奨条件データベースにおいては、箔Ｍｆの材質（「材質（Ａ）」「材質（Ｂ）」「材質（Ｃ）」…）及び箔Ｍｆの材質から特定される光吸収率に対して、所定の数値範囲に属する各推奨マーキング条件が対応付けられている。従って、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）では、ＣＰＵ７１は、箔材質設定部８２で受け付けた情報（即ち、箔Ｍｆの材質及び光吸収率）に対応するマーキング条件を特定することができる。
【０１６０】
パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率は、パルスレーザＬによる箔Ｍｆ及びワークＷに対する入熱量に影響し、もって、セラミックマーキング加工の加工品質に対して影響を及ぼす。従って、当該データ作成装置７等によれば、推奨条件データベースを参照して、当該箔Ｍｆの光吸収率に対応付けられた前記推奨マーキング条件を特定することで、より簡便な作業で、箔Ｍｆの光吸収率に対応した推奨マーキング条件を含むセラミックマーキング加工に関する加工データを作成し得る。そして、当該加工データによって、前記レーザ加工装置１を動作させる為、セラミックマーキング加工における加工品質を向上させることができる。
【０１６１】
図７、図９に示すように、当該推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下）を示す「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度の情報として、４．６Ｗ〜２０Ｗの数値範囲に属する５．０Ｗ、１０．０Ｗ、１５．０Ｗを示す情報が対応付けられており、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査速度に関する情報として、１０ｍｍ／ｓｅｃ以上２００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する１０ｍｍ／ｓｅｃ、１００ｍｍ／ｓｅｃ、２００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。又、「材質（Ａ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査回数の情報として、２回以上５回以下の数値範囲に属する２回、４回、５回を示す情報が対応付けられている（図７、図９参照）。
【０１６２】
従って、当該データ作成装置７等によれば、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）において、箔Ｍｆの光吸収率が０．１以下を示す箔Ｍｆを用いる場合における適切な推奨マーキング条件を推奨条件データベースから特定することができ、当該箔Ｍｆの光吸収率に対して適切なセラミックマーキング加工を可能とした加工データを作成できる。
【０１６３】
そして、図７、図１０に示すように、当該推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が中（０．１より大きく０．３未満）を示す「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度の情報として、２Ｗ〜５Ｗの数値範囲に属する２．０Ｗ、３．５Ｗ、５．０Ｗを示す情報が対応付けられており、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査速度に関する情報として、５０ｍｍ／ｓｅｃ以上５００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する５０ｍｍ／ｓｅｃ、２５０ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。又、「材質（Ｂ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査回数の情報として、１回以上３回以下の数値範囲に属する１回、２回、３回を示す情報が対応付けられている（図７、図１０参照）。
【０１６４】
従って、当該データ作成装置７等によれば、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）において、箔Ｍｆの光吸収率が０．１より大きく０．３未満を示す箔Ｍｆを用いる場合における適切な推奨マーキング条件を推奨条件データベースから特定することができ、当該箔Ｍｆの光吸収率に対して適切なセラミックマーキング加工を可能とした加工データを作成できる。
【０１６５】
更に、図７、図１１に示すように、当該推奨条件データベースにおいて、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上）を示す「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度の情報として、０．５Ｗ〜２Ｗの数値範囲に属する０．５Ｗ、１．０Ｗ、２．０Ｗを示す情報が対応付けられており、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査速度に関する情報として、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する２００ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃ、１０００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報が対応付けられている。又、「材質（Ｃ）」に係る作成条件群には、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査回数の情報として、１回以上３回以下の数値範囲に属する１回、２回、３回を示す情報が対応付けられている（図７、図１１参照）。
【０１６６】
従って、当該データ作成装置７等によれば、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）において、箔Ｍｆの光吸収率が０．３以上を示す箔Ｍｆを用いる場合における適切な推奨マーキング条件を推奨条件データベースから特定することができ、当該箔Ｍｆの光吸収率に対して適切なセラミックマーキング加工を可能とした加工データを作成できる。
【０１６７】
図７に示すように、推奨条件データベースでは、箔厚設定部８３で受け付けた箔Ｍｆの厚みが大きい程、推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬの出力強度が大きな値を示すように対応付けられている。従って、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）では、ＣＰＵ７１は、箔厚設定部８３で受け付けた箔Ｍｆの厚みが大きい程、パルスレーザＬの出力強度に関する推奨マーキング条件を、箔材質設定部８２で受け付けた情報（即ち、箔Ｍｆの材質及び光吸収率）によって特定される数値範囲の内、大きな値を示すものに特定することができる。
【０１６８】
ここで、箔Ｍｆの厚みは、パルスレーザＬによる箔Ｍｆ及びワークＷに対する入熱量に影響し、もって、セラミックマーキング加工の加工品質に対して影響を及ぼす。従って、当該データ作成装置７等によれば、より簡便な作業で、箔Ｍｆの厚みに対応した推奨マーキング条件を含むセラミックマーキング加工に関する加工データを作成し得る。そして、当該加工データによって、前記レーザ加工装置１を動作させる為、セラミックマーキング加工における加工品質を向上させることができる。
【０１６９】
更に、推奨条件データベースにおいては、作成条件として受け付けた加工品質に関する情報（図７中、「綺麗」「中」「速い」）に対して、推奨マーキング条件であるパルスレーザＬの走査速度として、それぞれ異なる値を示す情報が対応付けられており、高い加工品質（即ち、「綺麗」）である程、パルスレーザＬの走査速度の値が小さくなるように対応付けられている（図７参照）。従って、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）では、ＣＰＵ７１は、加工品質設定部８４で受け付けた加工品質に応じて、パルスレーザＬの走査速度に関する推奨マーキング条件を、箔材質設定部８２で受け付けた情報（即ち、箔Ｍｆの材質及び光吸収率）によって特定される数値範囲の内で適切なものに特定することができる。
【０１７０】
ここで、パルスレーザＬの走査速度は、パルスレーザＬによる箔Ｍｆ及びワークＷに対する単位時間あたりの入熱量に影響し、もって、セラミックマーキング加工の加工品質に対して影響を及ぼす。従って、当該データ作成装置７等によれば、より簡便な作業で、ユーザ所望の加工品質に対応した推奨マーキング条件を含む加工データを作成し得る。そして、当該加工データによって、前記レーザ加工装置１を動作させる為、セラミックマーキング加工に関して、所望の加工品質を、レーザ加工装置１で実現させることができる。
【０１７１】
尚、上述した実施形態において、データ作成装置７は、本発明におけるレーザ加工データ作成装置の一例である。そして、レーザ加工装置１は、本発明におけるレーザ加工装置の一例であり、ＣＰＵ７１、入力操作部７６、液晶ディスプレイ７７、情報設定ウィンドウ８０及び作成条件設定部８１は、本発明における受付部の一例である。又、ＨＤＤ７５は、本発明における記憶部の一例である。そして、制御部７０、ＣＰＵ７１は、本発明における推奨条件特定部、制御部の一例である。又、ワークＷは、本発明におけるワークの一例であり、箔Ｍｆは、本発明における箔の一例である。そして、パルスレーザＬは、本発明におけるレーザ光の一例である。
【０１７２】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能である。例えば、上述した実施形態においては、箔Ｍｆを用いたマーキング加工の一例として、セラミックマーキング加工を挙げ、セラミックマーキングモードにおけるワークＷの構成材料として、セラミックを挙げていたが、この態様に限定されるものではない。例えば、箔Ｍｆを用いたマーキング加工におけるワークＷの構成材料としては、パルスレーザＬの吸収エネルギーが小さい材料であれば、種々の材料を用いることができ、例えば、陶材、耐熱プラスチック等とすることも可能である。
【０１７３】
上述した実施形態に係る推奨条件データベースにおいては、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が低い（０．１以下を示す）「材質（Ａ）」に係る作成条件群に対して、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの出力強度の情報として、４．６Ｗ〜２０Ｗの数値範囲に属する５．０Ｗ、１０．０Ｗ、１５．０Ｗを示す情報を対応付けていたが、この態様に限定されるものではなく、４．６Ｗ〜２０Ｗの数値範囲に属する他の値を示す情報を対応付けて構成することも可能である。
【０１７４】
又、上述した実施形態に係る推奨条件データベースにおいては、パルスレーザＬの波長に対する箔Ｍｆの光吸収率が高い（０．３以上を示す）「材質（Ｃ）」に係る作成条件群に対して、推奨マーキング条件を構成するパルスレーザＬの走査速度に関する情報として、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する２００ｍｍ／ｓｅｃ、５００ｍｍ／ｓｅｃ、１０００ｍｍ／ｓｅｃを示す情報を対応付けていたが、この態様に限定されるものではなく、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍｍ／ｓｅｃ以下の数値範囲に属する他の値を示す情報を対応付けて構成することも可能である。
【０１７５】
そして、推奨条件データベースにおいて、作成条件（箔情報）としての箔Ｍｆの厚みが小さい程、推奨マーキング条件の一つであるパルスレーザＬの走査速度が大きな値を示すように対応付けて構成することも可能である。この場合、推奨マーキング条件特定処理（Ｓ３）では、ＣＰＵ７１は、箔厚設定部８３で受け付けた箔Ｍｆの厚みが小さい程、パルスレーザＬの走査速度に関する推奨マーキング条件を、箔材質設定部８２で受け付けた情報（即ち、箔Ｍｆの材質及び光吸収率）によって特定される数値範囲の内、大きな値を示すものに特定する。
【０１７６】
ここで、箔Ｍｆの厚みは、パルスレーザＬによる箔Ｍｆ及びワークＷに対する入熱量に影響し、又、パルスレーザＬの走査速度は、パルスレーザＬによって箔Ｍｆ及びワークＷに対する単位時間あたりの入熱量に影響する為、セラミックマーキング加工の加工品質に対して大きな影響を及ぼす。従って、このように構成すれば、データ作成装置７は、より簡便な作業で、箔Ｍｆの厚みに対応した推奨マーキング条件として、パルスレーザＬの走査速度を含む加工データを作成し得る。そして、当該加工データによって、前記レーザ加工装置１を動作させることで、セラミックマーキング加工における加工品質を向上させることができる。
【符号の説明】
【０１７７】
１      レーザ加工装置
３      レーザヘッド部
５      レーザコントローラ
６      電源ユニット
７      データ作成装置
１２    レーザ発振ユニット
１９    ガルバノスキャナ
７０    制御部
７１    ＣＰＵ
７５    ＨＤＤ
７６    入力操作部
７７    液晶ディスプレイ
８０    情報設定ウィンドウ
８１    作成条件設定部
８２    箔材質設定部
８３    箔厚設定部
９０    マーキング条件設定部
Ｌ      パルスレーザ
Ｗ      ワーク
Ｍｆ    箔
【図１】
0006555048.tif 000002
【図２】
0006555048.tif 000003
【図３】
0006555048.tif 000004
【図４】
0006555048.tif 000005
【図５】
0006555048.tif 000006
【図６】
0006555048.tif 000007
【図７】
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【図８】
0006555048.tif 000009
【図９】
0006555048.tif 000010
【図１０】
0006555048.tif 000011
【図１１】
0006555048.tif 000012