(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１方向に位置するゲートラインと第２方向に位置するデータラインとが交差して定義された各画素に位置した薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に位置し、第１コンタクトホールが形成された第１保護層と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記第１コンタクトホールを通じて連結される第１層と前記第１層上の第２層を含む第１電極と、
前記第１保護層上の第１信号ライン層と前記第１信号ライン層上の第２信号ライン層を含む信号ラインと、
前記第１電極と相異する層上の第２電極と、
を含み、
少なくとも二つの画素のうち、一つの第１画素の前記信号ラインは非表示領域に延長され、残りの第２画素の前記信号ラインは表示領域内で位置し、
前記第２画素の前記信号ラインの一端は前記第１方向に折り曲げられ前記ゲートライン上に配置される、表示装置。
【請求項２】
前記信号ライン上の第２コンタクトホールを含む第２保護層をさらに含み、
前記第２コンタクトホールを通じて前記第２電極が前記信号ラインと連結される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極は、
ディスプレイ駆動モードで前記信号ラインを通じて共通電圧が印加される共通電極として役割をし、
タッチ駆動モードで前記信号ラインを通じてタッチ駆動信号が印加されるタッチ電極として役割をする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記信号ラインは、前記データラインと平行する、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
三つの画素のうち、一つの第１画素の前記信号ラインは表示領域の以外の非表示領域に延長され、残りの二つの第２画素の前記信号ラインは前記表示領域内で位置する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２画素の前記第１コンタクトホールと隣接した前記非表示領域に位置し、前記第１電極の前記第１層と同一な層に同一な材料で前記第１保護層上に形成された第１ダミーパターン層と前記第１電極の前記第２層と同一な層に同一な材料で前記第１ダミーパターン層上に形成された第２ダミーパターン層を含むダミーパターンをさらに含む、請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記信号ラインは、前記非表示領域で少なくとも二つに分岐され、
分岐された二つの信号ラインは前記非表示領域で拡張領域をさらに含む、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記信号ラインと前記第１電極において、前記信号ラインの前記第１層と前記第１電極の前記第１層が同一の材料であり、前記信号ラインの前記第２層と前記第１電極の前記第２層が同一の材料である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２電極は、前記信号ラインの前記第２層と電気的に接触する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１電極の前記第２層は、前記第１保護層の上で前記第１電極の前記第１層の一部を覆う、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記分岐された二つの信号ライン、前記ダミーパターン、二つの前記拡張領域、及び前記信号ラインの前記一端は同一の材料を含む、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ダミーパターンは、前記信号ラインの間に形成される、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１電極の前記第１層の材料は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、またはＳｎＯ２：Ｓｂのような金属と酸化物の混合物、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＴ）、ポリピロール、及びポリアニリンのような伝導性高分子、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェン、及び銀ナノワイヤーのうち、少なくとも一つからなる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１電極の前記第２層の材料は、アルミニウム、タングステン、銅、モリブデン、クロム、チタン、モリタングステン、モリチタン、及び銅／モリチタンから構成された導電性金属グループの中から選択された少なくとも一つである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記信号ラインは、前記第２電極と連結されて、ディスプレイ駆動モードでの共通電圧とタッチ駆動モードでのタッチ駆動信号のうちの一つを伝達する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２電極のうち、少なくとも二つが一つの単位タッチ電極領域に該当する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記単位タッチ電極領域は、前記信号ラインのうち、少なくとも一つと連結される、請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施例は、タッチスクリーンパネル一体型表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するに伴って画像を表示するための表示装置への要求が様々な形態で増加しており、近来は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）等のような様々な表示装置が活用されている。
【０００３】
このような表示装置は、ボタン、キーボード、マウス等の通常の入力方式から脱皮して、ユーザが容易に情報あるいは命令を直観的かつ便利に入力できるようにするタッチ基盤の入力方式を提供する。
【０００４】
このようなタッチ基盤の入力方式を提供するためには、ユーザのタッチ有無を把握し、タッチ座標が正確に検出できなければならない。
【０００５】
このために、従来は、抵抗膜方式、キャパシタンス方式、電磁気誘導方式、赤外線方式、超音波方式等の様々なタッチ方式のうち一つのタッチ方式を採用してタッチセンシングを提供する。
【０００６】
また、表示装置にタッチスクリーンを適用するにあたって、表示装置内にタッチセンサを内蔵させる開発がなされるが、特に、下部基板に形成された共通電極をタッチセンシング電極に活用するイン−セル（Ｉｎ−Ｃｅｌｌ）タイプの表示装置が開発されている。
【０００７】
ところが、イン−セルタイプの表示装置は、タッチセンシング電極を形成しなければならないので、細部工程を要し、高い製造コスト及び製造に要する時間が長くて、製品の競争力が落ちる短所がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような背景から、本発明の目的は、タッチスクリーンパネル一体型表示装置及び製造方法を提供し、細部工程を低減する構造及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した目的を達成するために、一側面において、本発明は、基板上に第１方向に位置するゲートラインと第２方向に位置するデータラインが交差して定義された各画素に位置した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ上に位置し、第１コンタクトホールが形成された第１保護層、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極のうち一つと、第１コンタクトホールを通して連結される第１層と、第１層上に第１コンタクトホール内に位置する第２層を含む第１電極、第１電極の第１層と同一の層に同一の材料で第１保護層上に位置する第１信号ライン層と、第１電極の第２層と同一の層に同一の材料で第１信号ライン層上に位置する第２信号ライン層を含む信号ライン、及び第１電極と異なる層に位置した第２電極を含む表示装置を提供する。
【００１０】
他の側面において、本発明は、基板上に薄膜トランジスタを形成するステップ、薄膜トランジスタ上に位置し、第１コンタクトホールを含む第１保護層を形成するステップ、第１保護層上に第１電極物質と信号ライン物質を形成するステップ、フォトマスクを利用して、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極のうち一つと、第１コンタクトホールを通して連結される第１層と、前記第１層上に前記第１コンタクトホール内に位置する第２層を含む第１電極と、前記第１電極の前記第１層と同一の層に同一の材料で前記第１保護層上に位置する第１信号ライン層と、前記第１電極の前記第２層と同一の層に同一の材料で前記第１信号ライン層上に位置する第２信号ライン層を含む信号ラインを形成するステップ、第１電極と信号ライン上に信号ラインに第２コンタクトホールを含む第２保護層を形成するステップ、及び第２保護層上に前記第２コンタクトホールを通して前記信号ラインと連結される第２電極を形成するステップを含む表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
以上において説明したように、本発明によると、タッチスクリーンパネル一体型表示装置の細部工程を低減する製造方法及びそれを適用した表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置を概略的に示した図である。
【図２】実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置において、タッチ駆動モード時に発生するキャパシタンス成分Ｃｓｅｌｆ、Ｃｐａｒａ１、Ｃｐａｒａ２を示した図である。
【図３】一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置に含まれたパネルの平面図である。
【図４】一例として、図３に示したパネルの一部分の平面図である。
【図５】図４のＡ部分の拡大平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線の画素の断面図である。
【図７】他の例として、図３に示したパネルの一部分の平面図である。
【図８】図７のＢ部分の拡大平面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ’線とＣ−Ｃ’線の断面図である。
【図１０】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１１】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１２】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１３】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１４】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１５】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１６】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１７】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１８】また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【図１９】比較例として、図３に示したパネルの一部分の平面図である。
【図２０】図１９のＣ部分の拡大平面図である。
【図２１】図２０のＤ−Ｄ’線の断面図である。
【図２２】図１９の比較例に係る表示装置と図４の一実施例に係る表示装置、図８の他の実施例に係る表示装置の暗点不良率を比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一部の実施例を例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するにあたって、同一の構成要素に対しては、他の図面上に表示されても可能な限り同一の符号を有することができる。また、本発明を説明するにあたって、関連の公知構成または機能についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする恐れがあると判断される場合は、その詳細な説明は省略できる。
【００１４】
また、本発明の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語により該当構成要素の本質、順番、順序または個数等が限定されることはない。ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接的に連結または接続され得るが、各構成要素の間に他の構成要素が「介在」されるか、各構成要素が他の構成要素を通して「連結」、「結合」または「接続」されてもよいと理解されるべきである。
【００１５】
本発明は、画素電極とソース電極またはドレイン電極を連結（コンタクト）させるために信号ラインの形成に必要な金属物質を利用する工程方法と、ソース電極またはドレイン電極と画素電極が連結されるようにする連結パターンの構造を含む表示装置を提供するものである。
【００１６】
図１は、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置を概略的に示した図である。
【００１７】
図１を参照すると、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００は、パネル１１０、データ駆動部１２０、ゲート駆動部１３０及びタッチ信号を制御する集積回路１４０（以下、「タッチ集積回路」という）等を含む。
【００１８】
パネル１１０には、複数のゲートラインＧＬが第１方向（例：横方向または縦方向）に形成され、複数のデータラインＤＬが第２方向（例：縦方向または横方向）に形成され、複数のデータラインＤＬと複数のゲートラインＧＬの交差箇所毎に対応して多数の画素（Ｐ：Ｐｉｘｅｌ）が定義される。
【００１９】
このような各画素Ｐの画素領域には、ソース電極またはドレイン電極がデータラインＤＬと連結され、ゲート電極がゲートラインＧＬと連結され、ドレイン電極またはソース電極のいずれか一つが画素電極（Ｐｉｘｅｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ、ピクセル電極、または第１電極）と連結される。
【００２０】
また、パネル１１０には、複数の電極グループにグループ化またはブロック化される複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４が互いに離隔されてさらに形成される。
【００２１】
このようなパネル１１０は、「ディスプレイパネル（Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）」の役割をしながらも、「タッチスクリーンパネル（ＴＳＰ：Ｔｏｕｃｈ  Ｓｃｒｅｅｎ  Ｐａｎｅｌ）」の役割も共にする。
【００２２】
即ち、パネル１１０は、ディスプレイパネルとタッチスクリーンパネルが一つに統合されたパネルともいえ、または、タッチスクリーンパネル（ＴＳＰ：Ｔｏｕｃｈ  Ｓｃｒｅｅｎ  Ｐａｎｅｌ）がイン−セル（Ｉｎ−Ｃｅｌｌ）タイプで内蔵されたディスプレイパネルともいえる。
【００２３】
このようなパネル１１０がディスプレイパネルの役割をする場合、パネル１１０の駆動モードを「ディスプレイ駆動モード」といい、パネル１１０がタッチスクリーンパネルの役割をする場合、パネル１１０の駆動モードを「タッチ駆動モード」という。
【００２４】
データ駆動部１２０は、パネル１１０の駆動モードがディスプレイ駆動モードである場合、複数のデータラインＤＬにディスプレイ用途のデータ電圧（Ｖｄａｔａ）またはデータ信号を供給する。
【００２５】
ゲート駆動部１３０は、パネル１１０の駆動モードがディスプレイ駆動モードである場合、複数のゲートラインＧＬにディスプレイ用途のゲート信号（ｇａｔｅ  ｓｉｇｎａｌ）またはスキャン信号（Ｓｃａｎ  Ｓｉｇｎａｌ）を順次に供給する。
【００２６】
タッチ集積回路１４０は、パネル１１０の駆動モードがタッチ駆動モードである場合、信号ラインを通して直接連結された複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４の全体または一部にタッチ駆動信号（Ｔｏｕｃｈ  Ｄｒｉｖｉｎｇ  Ｓｉｇｎａｌ）を印加する。ここで、タッチ駆動信号は、タッチセンシング信号またはタッチセンシング電圧またはタッチ駆動電圧（Ｖｔｄ：Ｔｏｕｃｈ  Ｄｒｉｖｉｎｇ  Ｖｏｌｔａｇｅ）という。
【００２７】
例えば、タッチ集積回路１４０は、パネル１１０の駆動モードがタッチ駆動モードである場合、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４がグループ化された複数の電極グループの全体または一部にタッチ駆動信号を印加する。
【００２８】
一方、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００は、データ駆動部１２０及びゲート駆動部１３０の駆動タイミングを制御するタイミングコントローラ（Ｔｉｍｉｎｇ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ、図示しない）をさらに含むことができる。
【００２９】
また、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００は、タッチ電極の役割をする複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４を通してタッチ集積回路１４０が測定したセンシングデータ（例：キャパシタンス、キャパシタンスの変化量、電圧等）の伝達を受けてタッチ有無及びタッチ座標等を検出するタッチコントローラ（図示しない）等をさらに含むことができる。
【００３０】
一方、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００のパネル１１０は、ディスプレイ駆動モード及びタッチ駆動モードを繰り返しながら駆動されるが、このようなディスプレイ駆動モード及びタッチ駆動モードのタイミングは、タイミングコントローラまたはタッチコントローラ等から出力された制御信号により制御され得、場合によっては、タイミングコントローラとタッチコントローラの連動により制御され得る。
【００３１】
一方、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００は、タッチ方式として、タッチスクリーンパネルに形成された多数のタッチ電極（例：横方向電極、縦方向電極）を通してキャパシタンス（静電容量）の変化に基づいてタッチ有無及びタッチ座標等を検出するキャパシタンスタッチ方式を採用している。
【００３２】
このようなキャパシタンスタッチ方式は、一例として、相互キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）タッチ方式と自己キャパシタンス（Ｓｅｌｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）タッチ方式等に分けられる。
【００３３】
キャパシタンスタッチ方式の一種類である相互キャパシタンスタッチ方式は、横方向電極及び縦方向電極のうち一方向の電極が、駆動電圧が印加されるＴｘ電極（駆動電極ともいう）となり、他の一方向の電極が、駆動電圧をセンシングし、Ｔｘ電極とキャパシタンスを形成するＲｘ電極（センシング電極ともいう）となって、指、ペン等のポインタの有無によるＴｘ電極とＲｘ電極間のキャパシタンス（相互キャパシタンス）の変化に基づいてタッチ有無及びタッチ座標等を検出するタッチ方式である。
【００３４】
キャパシタンスタッチ方式の他の一種類である自己キャパシタンスタッチ方式は、各タッチ電極が指、ペン等のポインタとキャパシタンス（自己キャパシタンス）を形成し、指、ペン等のポインタの有無による各タッチ電極とポイント間のキャパシタンス値を測定し、これに基づいてタッチ有無及びタッチ座標等を検出する方式である。このような自己キャパシタンスタッチ方式は、相互キャパシタンスタッチ方式とは異なり、各タッチ電極を通して駆動電圧（タッチ駆動信号）が印加され、同時にセンシングされる。従って、自己キャパシタンスタッチ方式では、Ｔｘ電極とＲｘ電極の区分がない。
【００３５】
一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００は、前述した２種類のキャパシタンスタッチ方式（相互キャパシタンスタッチ方式、自己キャパシタンスタッチ方式）のうち一つを採用することができる。ただし、本明細書においては、説明の便宜のために、自己キャパシタンスタッチ方式が採用されたものと仮定し、実施例を説明する。
【００３６】
前述したデータ駆動部１２０は、少なくとも一つのデータ駆動集積回路（Ｄａｔａ  Ｄｒｉｖｅｒ  ＩＣ；「ソース駆動集積回路」ともいう）を含むことができるが、このような少なくとも一つのデータ駆動集積回路は、テープ自動化接合（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式またはチップオンガラス（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式でパネル１１０のボンディングパッド（Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｐａｄ）に連結されるか、パネル１１０に直接形成されることもあり、場合によって、パネル１１０に集積化されて形成されることもある。
【００３７】
前述したゲート駆動部１３０は、駆動方式によって、図１のように、パネル１１０の一側にのみ位置してもよく、２つに分けられてパネル１１０の両側に位置してもよい。
【００３８】
また、ゲート駆動部１３０は、少なくとも一つのゲート駆動集積回路（Ｇａｔｅ  Ｄｒｉｖｅｒ  ＩＣ）を含むことができるが、このような少なくとも一つのゲート駆動集積回路は、テープ自動化接合（ＴＡＢ）方式またはチップオンガラス（ＣＯＧ）方式でパネル１１０のボンディングパッドに連結されるか、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ  Ｉｎ  Ｐａｎｅｌ）タイプで具現されてパネル１１０に直接形成されることもあり、場合によって、パネル１１０に集積化されて形成されることもある。
【００３９】
前述したタッチ集積回路１４０は、図１に示されたように、データ駆動部１２０及びゲート駆動部１３０とは別途の構成として、データ駆動部１２０及びゲート駆動部１３０の外部にあってもよいが、具現方式によって、データ駆動部１２０及びゲート駆動部１３０等のうち少なくとも一つを含んでもよい他の別途のドライバＩＣ（例：ディスプレイドライバＩＣ）の内部構成で具現されてもよく、または、データ駆動部１２０またはゲート駆動部１３０の内部構成で具現されてもよい。
【００４０】
従って、タッチ駆動モードで、タッチ集積回路１４０がタッチ駆動モードでタッチ電極の役割をする複数の電極の全体または一部にタッチ駆動信号を印加することは、タッチ集積回路１４０を含む別途のドライバＩＣがタッチ電極の役割をする複数の電極の全体または一部にタッチ駆動信号を印加するものとも見られ、設計方式によっては、タッチ集積回路１４０を含むデータ駆動部１２０またはゲート駆動部１３０がタッチ電極の役割をする複数の電極の全体または一部にタッチ駆動信号を印加するものとも見られる。
【００４１】
このようなタッチ集積回路１４０の具現及び設計方式に制限されず、本明細書において記載されるその遂行機能だけ同一または類似するなら、他のある構成そのものであるか、内部または外部の構成であってもよいだろう。
【００４２】
また、タッチ集積回路１４０は、図１において一つと示されているが、二つ以上で具現されてもよい。
【００４３】
一方、タッチ集積回路１４０がタッチ駆動信号を複数の電極（例：Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４）の全体または一部にタッチ駆動信号を印加するために、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される別途の信号ライン構成が必要となる。
【００４４】
複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結され、タッチ駆動信号または共通電圧を伝達する少なくとも一つの信号ラインが、第１方向（例：横方向）または第２方向（例：縦方向）にパネル１１０に形成され得る。
【００４５】
複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される信号ラインを二つ以上とする場合、抵抗を減らすことができる効果がある。
【００４６】
一方、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される少なくとも一つの信号ラインが形成される方向は、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４をデータラインが形成される第１方向（例：縦方向）にグループ化してセンシングするのか、それとも、ゲートラインが形成される第１方向（例：横方向）にグループ化してセンシングするのかによって変わり得る。
【００４７】
仮に、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４をデータラインが形成される第１方向（例：縦方向）にグループ化してセンシングする場合、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される少なくとも一つの信号ラインは、データラインが形成される第２方向（例：縦方向）に配置され得る（図３参照）。
【００４８】
仮に、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４をゲートラインが形成される第１方向（例：横方向）にグループ化してセンシングする場合、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される少なくとも一つの信号ラインは、ゲートラインが形成される第１方向（例：横方向）に配置され得る。ただし、本明細書においては、説明の便宜のために、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される少なくとも一つの信号ラインは、データラインが形成される第２方向（例：縦方向）に配置されたものと仮定して実施例を説明する。
【００４９】
本明細書において言及される複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４は、前述したように、駆動モードがタッチ駆動モードである場合、タッチ駆動信号が全体または一部に印加される「タッチ電極」の役割をし、駆動モードがディスプレイ駆動モードである場合、パネルに形成された画素電極と対向する共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加される「共通電極」の役割をする。タッチ電極または共通電極の役割を駆動モードによって遂行する電極を第２電極という。
【００５０】
一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００は、一例として、液晶分子を水平に配列し、これをその場で回転させて画面を表現する方式であって、高解像度、低電力、広視野角等に有利な長所を持つＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置であってよい。さらに具体的には、ＡＨ−ＩＰＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｈｉｇｈ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ−ＩＰＳ）方式の液晶表示装置であってよい。
【００５１】
このとき、ディスプレイ駆動モード時、画素電極と共通電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４との間に水平電界が形成されるように、画素電極と共通電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４は、同一基板に形成され得る。
【００５２】
一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００は、他の例として、画素電極と共通電極との間に有機発光層が形成された有機電界発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）であってよい。このとき、画素電極と共通電極は同一基板に形成され得る。
【００５３】
図２は、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置において、タッチ駆動モード時に発生するキャパシタンス成分Ｃｓｅｌｆ、Ｃｐａｒａ１、Ｃｐａｒａ２を示した図である。
【００５４】
図２を参照すると、タッチ駆動モードではタッチ電極の役割をし、ディスプレイ駆動モードでは画素電極と液晶キャパシタを形成する共通電極の役割をする複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４は、タッチ駆動モードで、タッチ有無及びタッチ座標等を検出するために、指及びペン等のポインタと自己キャパシタンスＣｓｅｌｆを形成する。一方、共通電極の役割をする複数の電極は、ゲートライン及びデータラインとも寄生キャパシタンスＣｐａｒａ１、Ｃｐａｒａ２を形成することができるが、自己キャパシタンスに比べて非常に小さく、無視することができる。
【００５５】
下記においては、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００に含まれたパネル１１０、共通電極及びタッチ電極の役割を全てする複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４への共通電圧及びタッチ駆動信号の印加方式、データラインＤＬへのデータ電圧及びタッチ駆動信号（または、これと対応する信号）の印加方式、ゲートラインＧＬへのデータ電圧及びタッチ駆動信号（または、これと対応する信号）の印加方式等について、さらに詳細に説明する。
【００５６】
先ず、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置１００に含まれたパネル１１０について、図３を参照してさらに詳細に説明する。
【００５７】
図３は、一実施例に係るタッチスクリーンパネル一体型表示装置に含まれたパネルの平面図である。
【００５８】
図３を参照すると、パネル１１０は、前述したように、複数のデータラインＤＬ、複数のゲートラインＧＬ及び複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４が形成されている。
【００５９】
また、このようなパネル１１０は、前述したように、ディスプレイ駆動モードで動作することもでき、タッチ駆動モードで動作することもできる。
【００６０】
これと関連して、パネル１１０に形成された複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬは、パネル１１０がディスプレイパネルの役割をするための構成である。
【００６１】
そして、パネル１１０に形成された複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４は、パネル１１０がディスプレイパネルの役割とタッチスクリーンパネルの役割を全てするための構成である。
【００６２】
さらに詳細に説明すると、パネル１１０がディスプレイパネルの役割をする場合、即ち、パネル１１０の駆動モードがディスプレイ駆動モードである場合、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４は、共通電圧（Ｖｃｏｍ：Ｃｏｍｍｏｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ）が印加され、画素電極（第１電極、図示しない）と対向する「共通電極（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ、または「Ｖｃｏｍ電極」ともいう）」となる。
【００６３】
そして、パネル１１０がタッチスクリーンパネルの役割をする場合、即ち、パネル１１０の駆動モードがタッチ駆動モードである場合、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４は、タッチ駆動電圧が印加され、タッチポインタ（例：指、ペン等）とキャパシタを形成し、このように形成されたキャパシタのキャパシタンスが測定される「タッチ電極」となる。
【００６４】
言い換えれば、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４は、ディスプレイ駆動モードでは共通電極（Ｖｃｏｍ電極）の役割をし、タッチ駆動モードではタッチ電極の役割をするものである。
【００６５】
このような複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４には、ディスプレイ駆動モード時、共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加され、タッチ駆動モード時、タッチ駆動信号が印加される。
【００６６】
従って、図３に示されたように、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４への共通電圧またはタッチ駆動信号の伝達のために、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４には、信号ラインＳＬ１１〜ＳＬ１４、ＳＬ２１〜ＳＬ２４、ＳＬ３１〜ＳＬ３４が連結され得る。
【００６７】
これによって、タッチ駆動モード時、信号ラインＳＬ１１〜ＳＬ１４、ＳＬ２１〜ＳＬ２４、ＳＬ３１〜ＳＬ３４を通して、タッチ集積回路１４０で生成されたタッチ駆動信号（Ｖｔｄ）が複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４の全体または一部に伝達され、ディスプレイ駆動モード時、信号ラインＳＬ１１〜ＳＬ１４、ＳＬ２１〜ＳＬ２４、ＳＬ３１〜ＳＬ３４を通して、共通電圧供給部（図示しない）で供給された共通電圧（Ｖｃｏｍ）が複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４に印加される。
【００６８】
図３を参照すると、パネル１１０に形成された複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬの交差箇所毎に対応して一つの画素（Ｐ：Ｐｉｘｅｌ）が定義される。ここで、各画素は、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素等のうち一つであってよい。
【００６９】
図３を参照すると、共通電極及びタッチ電極の役割をする複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれが形成される領域（以下においては、単位タッチ電極領域ともいう）には、二つ以上の画素Ｐが定義され得る。即ち、複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４のうち一つの電極は、二つ以上の画素Ｐと対応する。
【００７０】
例えば、共通電極及びタッチ電極の役割をする複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれが形成された一つの領域（単位タッチ電極領域）には、２４×３個のデータラインＤＬと２４個のゲートラインＧＬが配置され、２４×３×２４個の画素Ｐが定義され得る。
【００７１】
一方、共通電極及びタッチ電極の役割をする複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれは、図３に示されたように、ブロック形状のパターンであってもよく、場合によっては、櫛目形状部分を含むパターンであってもよい。
【００７２】
共通電極及びタッチ電極の役割をする複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれが櫛目形状部分を含むパターンである場合にも、本発明を適用することができる。
【００７３】
本明細書において言及されるタッチ電極及び共通電極の役割を全てする複数の電極は、数々の図面において、３行４列のマトリックス形態で配置され、１２個のものと示されているが、これは、説明の便宜のための例示であるだけで、タッチスクリーンパネル一体型表示装置１００及びパネル１１０の大きさ、タッチシステム設計基準等を考慮して、タッチ電極及び共通電極の役割を全てする複数の電極を多様なマトリックス形態と多様な個数で形成することができる。
【００７４】
本発明の一実施例は、液晶表示装置または有機発光表示装置のいずれにも適用され得る。
【００７５】
図４は、一例として、図３に示したパネルの一部分の平面図である。図５は、図４のＡ部分の拡大平面図である。
【００７６】
図４及び図５を参照すると、一実施例に係るパネル２００は、基板２０１上に第１方向に位置し、ゲート信号を伝達するゲートライン２０４と、基板２０１上に第２方向に位置し、データ信号を伝達するデータライン２１４と、ゲートライン２０４とデータライン２１４が交差して定義された各画素（Ｐｉｘｅｌ：Ｐ）に位置した薄膜トランジスタＴｒを含む。
【００７７】
言い換えれば、パネル２００に形成された複数のデータライン２１４及び複数のゲートライン２０４の交差箇所毎に対応して一つの画素（Ｐ：Ｐｉｘｅｌ）が定義される。ここで、各画素は、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素等のうち一つであってよい。
【００７８】
薄膜トランジスタＴｒは、ゲート電極２０２、活性化層（またはアクティブ層）２１２、ソース電極２２４、及びドレイン電極２２６からなっている。
【００７９】
ゲート電極２０２は、ゲートライン２０４と連結されているか、または一体に具現されている。ゲートライン２０４を通して印加されるゲート信号がゲート電極２０２に供給される。
【００８０】
ソース電極２２４及びドレイン電極２２６のうち一つ、例えば、ソース電極２２４は、データライン２１４と連結されているか、または一体に具現されている。ゲートライン２０４を通して印加されるデータ信号がソース電極２２４に供給される。
【００８１】
薄膜トランジスタのソース電極２２４またはドレイン電極２２６のうち一つ、例えば、ドレイン電極２２６は、第１コンタクトホール２３２を通して第１電極２４０と連結されている。第１電極２４０は、データライン２１４とゲートライン２０４が交差する領域に位置する第１層２４２と、第１層２４２上に第１コンタクトホール２３２内に位置する第２層２４４を含む。第１電極２４０の第１層２４２が第１コンタクトホール２３２を通してドレイン電極２２６と連結される。
【００８２】
パネル２００は、各画素Ｐに基板２０１上に第２方向に位置する信号ライン２５０を含む。図４及び図５に示したように、各信号ライン２５０は、各データライン２１４と異なる層に上下に位置することができるが、これに制限されない。
【００８３】
図４に示したように、三つの画素（例：赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素）のうち一つの第１画素（例：赤色（Ｒ）画素）に、信号ライン２５０は、表示領域Ａ／Ａから非表示領域Ｎ／Ａに延び、残りの二つの第２画素（例：緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素）に、信号ライン２５０は、表示領域Ａ／Ａ内で位置することができる。
【００８４】
前述した例において、三つの画素のうち一つの第１画素の信号ライン２５０は、表示領域Ａ／Ａから非表示領域Ｎ／Ａに延びるものと説明したが、少なくとも二つの画素のうち一つの第１画素の信号ライン２５０は、非表示領域Ｎ／Ａに延び、残りの第２画素の信号ライン２５０は、表示領域Ａ／Ａ内で位置することができる。
【００８５】
このとき、非表示領域Ｎ／Ａに延びた信号ライン２５０が、図３を参照して説明した複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される二つ以上の信号ラインに該当するようになる。複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される二つ以上の信号ラインは、共通電圧またはタッチ信号の抵抗を減らすことができる効果がある。複数の電極Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｓ２１〜Ｓ２４、Ｓ３１〜Ｓ３４それぞれに連結される二つ以上の信号ラインは、非表示領域Ｎ／Ａで一つの配線で共通に結ばれて図３に示したタッチ駆動部１４０と電気的に連結される。
【００８６】
例えば、２ｎ個または３ｎ個（ｎは、１より大きな自然数）の信号ラインのうちｎ個の信号ラインが表示領域Ａ／Ａ以外の非表示領域Ｎ／Ａに延び、残りの信号ラインは、表示領域Ａ／Ａ内で位置することができる。
【００８７】
非表示領域Ｎ／Ａに延びた第１画素の信号ライン２５０は、データライン２１４を中心に非表示領域Ｎ／Ａで広さが拡張されてから、少なくとも二つの分岐信号ライン２５０ａ、２５０ｂに分岐されている。
【００８８】
図６は、図５のＡ−Ａ’線の画素の断面図である。
【００８９】
図６を参照すると、パネル２００の画素Ｐで基板２０１上にゲート電極２０２が位置する。このゲート電極２０２は、単一電極または多重電極構造であってもよい。併せて、ゲート電極２０２と同一の物質で形成されたゲートライン２０４が基板２０１上に位置している。
【００９０】
ゲート電極２０２及びゲートライン２０４は、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリタングステン（ＭｏＷ）、モリチタン（ＭｏＴｉ）、銅／モリチタン（Ｃｕ／ＭｏＴｉ）を含む導電性金属グループの中から選択された少なくとも一つを用いることができるが、これに限定されない。ゲート電極２０２及びゲートライン２０４は、透明導電物質層としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）及びＣＮＴ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ）を含むグループの中から選択されたいずれか一つを用いることができるが、これに限定されない。
【００９１】
ゲート電極２０２及びゲートライン２０４上には、ゲート絶縁層２１０が位置する。そして、ゲート絶縁層２１０上には、活性化層（またはアクティブ層）２１２、ソース電極２２４及びドレイン電極２２６が位置する。また、ゲート絶縁層２１０上にデータライン２１４が位置する。ゲート電極２０２と活性化層２１２、ソース電極２２４及びドレイン電極２２６は、薄膜トランジスタＴｒを構成する。
【００９２】
活性化層２１２は、例えば、非晶質シリコンのような半導体物質、低温ポリシリコン（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ、以下、「ＬＴＰＳ」という）、高温ポリシリコン（Ｈｉｇｈ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ、以下、「ＨＴＰＳ」という）等のようなポリシリコン等で形成され得る。また、活性化層２１２は、ジンクオキサイド（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＺＯ）、インジウム−ガリウム−ジンク−オキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）、ジンク−インジウムオキサイド（Ｚｉｎｃ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ、ＺＩＯ）、ガリウムがドープされたジンクオキサイド（Ｇａ  ｄｏｐｅｄ  ＺｎＯ、ＺＧＯ）のような酸化物半導体物質を用いて形成されてもよい。
【００９３】
ソース電極２２４とドレイン電極２２６、そしてデータライン２１４上に層間絶縁膜２２０と第１保護層２３０が積層されている。第１保護層２３０は、第１コンタクトホール２３２が含まれている。
【００９４】
第１保護層２３０上には、第１電極２４０が位置する。第１電極２４０は、薄膜トランジスタのソース電極２２４またはドレイン電極２２６のうち一つと、第１コンタクトホール２３２を通して連結される第１層２４２と、第１層２４２上に第１コンタクトホール２３２内に位置する第２層２４４を含む。
【００９５】
第１電極２４０は、画素電極を一実施例とする。第１電極２４０の第１層２４２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のような金属酸化物、ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ２：Ｓｂのような金属と酸化物の混合物、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＴ）、ポリピロール及びポリアニリンのような伝導性高分子等からなり得る。また、第１層２４２は、カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ、ＣＮＴ）、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）、銀ナノワイヤー（ｓｉｌｖｅｒ  ｎａｎｏ  ｗｉｒｅ）等からなり得る。
【００９６】
第１電極２４０の第２層２４４は、第１コンタクトホール２３２内に第１電極２４０と薄膜トランジスタＴｒのソース電極２２４またはドレイン電極２２６のうち一つと接触する接触部にのみ位置することができるが、この接触部より広く、または狭く位置することもできる。第１電極２４０の第２層２４４は、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリタングステン（ＭｏＷ）、モリチタン（ＭｏＴｉ）、銅／モリチタン（Ｃｕ／ＭｏＴｉ）を含む導電性金属グループの中から選択された少なくとも一つを用いることができるが、これに限定されない。
【００９７】
第１保護層２３０上に位置する第１信号ライン層２５２と、第１信号ライン層２５２上に位置する第２信号ライン層２５４を含む信号ライン２５０が配置される。第１信号ライン層２５２は、第１電極２４０の第１層２４２と同一の層に同一の材料からなり得るが、これに制限されない。第２信号ライン層２５４は、第１電極２４０の第２層２４４と同一の層に同一の材料からなり得るが、これに制限されない。
【００９８】
第１電極２４０と信号ライン２５０上に位置し、信号ラインに第２コンタクトホール２６２を含む第２保護層２６０が配置されている。第２保護層２６０上には、第２電極２７０が位置する。第２電極２７０は、第２コンタクトホール２６２を通して信号ライン２５０と連結されている。言い換えれば、第２電極２７０は、第２コンタクトホール２６２を通して信号ライン２５０の第２信号ライン層２５４と接触している。
【００９９】
第２電極２７０が信号ライン２５０と電気的に連結されるので、第２電極２７０は、信号ライン２５０を通して共通電圧及びタッチ駆動信号の供給を受ける。第２電極２７０は、ディスプレイモードである場合は、共通電極として機能し、タッチモードである場合、タッチ駆動信号が印加されるタッチ電極として機能する。
【０１００】
図７は、他の例として、図３に示したパネルの一部分の平面図である。図８は、図７のＢ部分の拡大平面図である。
【０１０１】
図７及び図８を参照すると、他の実施例に係るパネル３００は、全体的に図４及び図８を参照して説明した一実施例に係るパネル２００と全体的に同一である。
【０１０２】
基板３０１上に第１方向に位置し、ゲート信号を伝達するゲートライン３０４、基板３０１上に第２方向に位置し、データ信号を伝達するデータライン３１４、ゲートライン３０４とデータライン３１４が交差して定義された各画素（Ｐｉｘｅｌ：Ｐ）に位置した薄膜トランジスタＴｒを含む。
【０１０３】
薄膜トランジスタＴｒは、ゲート電極３０２、活性化層３１２、ソース電極３２４、及びドレイン電極３２６からなっている。ゲート電極３０２上には、ゲート絶縁層３１０が位置する。
【０１０４】
ソース電極３２４とドレイン電極３２６上に、層間絶縁膜３２０と第１保護層３３０が積層されている。
【０１０５】
薄膜トランジスタのソース電極３２４またはドレイン電極３２６のうち一つ、例えば、ドレイン電極３２６は、第１コンタクトホール３３２を通して第１電極３４０と連結されている。第１電極３４０は、データライン３１４とゲートライン３０４が交差する領域に位置する第１層３４２と、第１層３４２上に第１コンタクトホール３３２内に位置する第２層３４４を含む。第１電極３４０の第１層３４２が第１コンタクトホール３３２を通してドレイン電極３２６と連結される。
【０１０６】
パネル３００は、各画素Ｐに基板３０１上に第２方向に位置する信号ライン３５０を含む。
【０１０７】
図４に示したように、三つの画素（例：赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素）のうち一つの第１画素（例：赤色（Ｒ）画素）に、信号ライン３５０は、表示領域Ａ／Ａから非表示領域Ｎ／Ａに延び、残りの二つの第２画素（例：緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素）に、信号ライン３５０は、表示領域Ａ／Ａ内で位置することができる。
【０１０８】
図９は、図８のＢ−Ｂ’線とＣ−Ｃ’線の断面図である。
【０１０９】
図８及び図９を参照すると、他の実施例に係るパネル３００は、第２画素の第１コンタクトホール３３２と隣接した非表示領域Ｎ／Ａに位置するダミーパターン３８０をさらに含む。このダミーパターン３８０は、前述した信号ライン３５０と同一の積層構造を有する。即ち、ダミーパターン３８０は、第１電極３４０の第１層３４２と同一の層に同一の材料で第１保護層３３０上に位置する第１ダミーパターン層３８２と、第１電極３４０の第２層３４４と同一の層に同一の材料で第１ダミーパターン層３８２上に位置する第２ダミーパターン層３８４を含むことができる。ダミーパターン３８０上には、第２保護層３６０が位置する。
【０１１０】
前述したように、各画素の信号ライン３５０は、データライン３１４と異なる層に対応して位置することができる。非表示領域Ｎ／Ａに延びた第１画素の信号ライン３５０は、データライン３１４を中心に非表示領域Ｎ／Ａで広さが拡張されてから少なくとも二つの分岐信号ライン３５０ａ、３５０ｂに分岐されている。このとき、二つの分岐信号ライン３５０ａ、３５０ｂは、データライン３１４を中心に非表示領域Ｎ／Ａで広さが図４及び図５に示したものより空いた空間３５５にさらに拡張された拡張領域３５０ａａ、３５０ｂａをさらに含む。
【０１１１】
一方、図８に示したように、第２画素の信号ライン３５０の一端３５６は、第１方向に折り曲げられている。言い換えれば、第２画素の信号ライン３５０の一端３５６は、第１方向に延びたゲートライン３０４と異なる層に対応する位置に折り曲げられていてもよいが、これに制限されない。
【０１１２】
信号ライン３５０の一端３５６も、前述した信号ライン３５０の積層構造と同様に、第１保護層３３０上に位置する第１信号ライン層３５２と第２信号ライン層３５４を含む。信号ライン３５０上には、第２保護層３６０が位置する。
【０１１３】
図１０乃至図１８は、また他の実施例に係る表示装置の製造方法の工程図である。
【０１１４】
図１０を参照すると、先ず、基板４０１上に薄膜トランジスタＴｒを形成する。薄膜トランジスタＴｒは、ゲート電極４０２、活性化層４１２、ソース電極４２４、及びドレイン電極４２６からなっている。ゲート電極４０２上にゲート絶縁層４１０を形成する。
【０１１５】
次に、薄膜トランジスタＴｒ上に層間絶縁膜３２０と第１コンタクトホール４３２を含む第１保護層４３０を形成する。
【０１１６】
図１１乃至図１６を参照すると、次にフォトレジストＰＲを利用して第１保護層４３０上に第１電極４４０と信号ライン４５０を形成する。
【０１１７】
図１１を参照すると、具体的には、第１保護層４３０上に第１電極物質４４０ａと信号ライン物質４５０ａを蒸着する。以後、図１０において積層された構造にフォトマスクを利用してフォトレジストＰＲを形成する。一実施例として、フォトレジストは、ハーフトーンマスクまたは回折マスク等を利用して第１乃至第３高さＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３を持つフォトレジストＰＲを形成する。第１高さＰＲ１を持つ領域は、フォトレジストＰＲが存在しないオープン領域であってよい。
【０１１８】
言い換えれば、フォトマスクＰＭは、フォトレジストＰＲの第１乃至第３高さに対応する領域を有する一種のハーフトーンフォトマスクであって、第１電極４４０の第２層４４４と第２信号ライン層４５４に対応する第１部分と第２部分以外の第２部分の高さが異なり得る。
【０１１９】
フォトレジストＰＲを利用して信号ライン物質４５０ａを湿式食刻（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）する。第１高さＰＲ１に該当するフォトレジストＰＲ領域の信号ライン物質４５０ａは、湿式食刻でパターニングされる。
【０１２０】
図１２を参照すると、乾式食刻（ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ）でフォトレジストＰＲの第２高さＰＲ２を除去し、第３高さＰＲ３も第２高さＰＲ２だけ低くなる。フォトレジストＰＲの第２高さＰＲ２が除去されるので、フォトレジストＰＲの第２高さＰＲ２に隠れていた領域が露出する。
【０１２１】
図１３を参照すると、第３高さＰＲ３だけが維持されたフォトレジストＰＲを利用して第１電極物質４４０ａを湿式食刻（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）する。第２高さＰＲ２に該当するフォトレジストＰＲ領域の第１電極物質４４０ａは、湿式食刻でパターニングされる。
【０１２２】
図１４を参照すると、第３高さＰＲ３だけが維持されたフォトレジストＰＲを利用して信号ライン物質４５０ａを湿式食刻（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）する。第２高さＰＲ２に該当するフォトレジストＰＲ領域の信号ライン物質４５０ａは、湿式食刻でパターニングされる。
【０１２３】
図１５を参照すると、第３高さＰＲ３だけが維持されたフォトレジストＰＲをストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。
【０１２４】
結果的に、図１６に示すように、薄膜トランジスタＴｒのソース電極４２４またはドレイン電極４２６のうち一つと、第１コンタクトホール４３２を通して連結される第１層４４２と、第１層４４２上に第１コンタクトホール４３２内に位置する第２層４４４を含む第１電極４４０と、第１電極４４０の第１層４４２と同一の層に同一の材料で第１保護層４３０上に位置する第１信号ライン層４５２と、第１電極４４０の第２層４４４と同一の層に同一の材料で第１信号ライン層４５２上に位置する第２信号ライン層４５４を含む信号ライン４５０を形成する。
【０１２５】
図１７を参照すると、次に第１電極４４０と信号ライン４５０上に第２コンタクトホール４６２を有する第２保護層４６０を形成する。
【０１２６】
図１８を参照すると、次に第２保護層４６０上に第２コンタクトホール４６２を通して信号ライン４５０と連結される第２電極４７０を形成する。
【０１２７】
最終的に、図６を参照して説明した表示装置２００と同一の表示装置４００が完成する。
【０１２８】
図１９は、比較例として、図３に示したパネルの一部分の平面図である。図２０は、図１０のＣ部分の拡大平面図である。図２１は、図１８のＤ−Ｄ’線の断面図である。
【０１２９】
図１９及び図２０を参照すると、比較例に係るパネル５００は、全体的に図４及び図８を参照して説明した実施例に係るパネル２００、３００と全体的に同一である。
【０１３０】
基板５０１上に第１方向に位置し、ゲート信号を伝達するゲートライン５０４と、基板５０１上に第２方向に位置し、データ信号を伝達するデータライン５１４と、ゲートライン５０４とデータライン５１４が交差して定義された各画素（Ｐｉｘｅｌ：Ｐ）に位置した薄膜トランジスタＴｒを含む。
【０１３１】
薄膜トランジスタＴｒは、ゲート電極５０２、活性化層５１２、ソース電極５２４、及びドレイン電極５２６からなっている。ゲート電極５０２上には、ゲート絶縁層５１０が位置する。
【０１３２】
ソース電極５２４とドレイン電極５２６上に、層間絶縁膜５２０と第１保護層５３０が積層されている。
【０１３３】
薄膜トランジスタのソース電極５２４またはドレイン電極５２６のうち一つ、例えば、ドレイン電極５２６は、第１コンタクトホール５３２を通して第１電極５４０と連結されている。第１電極５４０は、第１コンタクトホール５３２内に信号ライン５５０の第２信号ライン５５４と同一の層に同一の材料で構成される層が配置されない点で、前述した一実施例及び他の実施例に係る表示装置２００、３００の第１電極２４０、３４０と異なる。
【０１３４】
パネル５００は、各画素Ｐに基板５０１上に第２方向に位置する信号ライン５５０を含む。
【０１３５】
第１保護層３３０上に位置する第１信号ライン層５５２と、第１信号ライン層５５２上に位置する第２信号ライン層５５４を含む信号ライン５５０が配置される。第１信号ライン層５５２は、第１電極５４０と同一の層に同一の材料からなり得るが、これに制限されない。
【０１３６】
第１電極５４０と信号ライン５５０上に位置し、信号ラインに第２コンタクトホール５６２を含む第２保護層５６０が配置されている。第２保護層５６０上には、第２電極５７０が位置する。第２電極５７０は、第２コンタクトホール５６２を通して信号ライン５５０と連結されている。言い換えれば、第２電極５７０は、第２コンタクトホール５６２を通して信号ライン５５０の第２信号ライン層５５４と接触している。
【０１３７】
図１９に示したように、三つの画素（例：赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素）のうち一つの第１画素（例：赤色（Ｒ）画素）に、信号ライン５５０は、表示領域Ａ／Ａから非表示領域Ｎ／Ａに延び、残りの二つの第２画素（例：緑色（Ｇ）画素、青色（Ｂ）画素）に、信号ライン５５０は、表示領域Ａ／Ａ内で位置することができる。
【０１３８】
非表示領域Ｎ／Ａに延びた第１画素の信号ライン５５０は、データライン５１４を中心に非表示領域Ｎ／Ａで広さが拡張されてから、少なくとも二つの分岐信号ライン５５０ａ、５５０ｂに分岐されている。
【０１３９】
比較例に係る表示装置５００は、図８乃至図１０に示したダミーパターン３８０や信号ライン３５０が第２方向に延びた信号ライン３５０の一端３５５を含まない。
【０１４０】
図１９乃至図２１を参照して説明した第１電極５４０と信号ライン５５０は、図１１乃至図１４を参照して説明したような理由からハーフトーン工程適用が必要となる。第１電極５４０と信号ライン５５０のハーフトーン工程の進行時、図１９及び図２０に示したように、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界に位置する第１電極５４０は、ハーフトーンのフォトレジストの厚さが薄くなってドレイン電極５２６と第１電極５４０が接触する第１コンタクトホール５３２内に位置する第１電極５４０の一部が無くなる流失部位５４０ａが存在してドレイン電極５２６と第１電極５４０の接触不良が発生し、この接触不良に起因した暗点不良が頻繁に発生し得る。
【０１４１】
具体的には、第１電極５４０と信号ライン５５０のハーフトーン工程の進行時、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界（表示領域Ａ／Ａの最外郭領域）に位置する第１電極５４０と表示領域Ａ／Ａ内に位置する第１電極５４０に対応する位置のハーフトーン領域（即ち、図１１乃至図１４において説明したフォトレジストＰＲの第２高さＰＲ２領域）の厚さを測定した測定結果が、表１のとおりであった。
【表１】
0006521933.tif 000002
【０１４２】
表１から分かるように、第１電極５４０と信号ライン５５０のハーフトーン工程の進行時、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界（表示領域Ａ／Ａの最外郭領域）に位置する第１電極５４０と表示領域Ａ／Ａ内に位置する第１電極５４０に対応する位置のハーフトーン領域（即ち、図１１乃至図１４において説明したフォトレジストＰＲの第２高さＰＲ２領域）の厚さを測定した測定結果、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界に位置する第１電極５４０の厚さが薄くなることを確認することができた。
【０１４３】
表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界（表示領域Ａ／Ａの最外郭領域）に位置する第１電極５４０の場合、周囲に第１電極５４０と信号ライン５５０のパターンがないので、フォト工程の進行時、他の領域に対比して相対的に大きく、ハーフトーン厚さが相対的に薄くなる。
【０１４４】
図２０に示したように、流失領域５４０ａの下部は、第１電極５４０と信号ライン５５０を全て含むフォトレジストＰＲがない領域であるので、フォトレジスト工程の進行時、他の領域に対比して相対的に大きく、ハーフトーン厚さが相対的に薄くなる現象が発生したのである。
【０１４５】
一方、表示領域Ａ／Ａに位置する第１電極５４０は、図１９に示したように、第１電極５４０の下部に第１電極５４０と信号ライン５５０を全て含む領域が存在し、ローディングエフェクト（Ｌｏａｄｉｎｇ  Ｅｆｆｅｃｔ）効果が微々たるものとなり得る。
【０１４６】
一方、図４及び図８に示した実施例に係る表示装置２００、３００は、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界（表示領域Ａ／Ａの最外郭領域）に位置する第１電極２４０、３４０は、第１コンタクトホール２３２、３３２の第１電極２４０、３４０の第１層２４２、３４２上に、第２層２４４、３４４をそれぞれ含むので、第１層２４２、３４２と第２層２４４、３４４を全て含むフォトレジストＰＲの高さが最も高い第３高さＰＲ３となる。したがって、流失が発生せず、流失に起因した暗点発生を改善することができる。
【０１４７】
また、図８に示した実施例に係る表示装置３００は、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界（表示領域Ａ／Ａの最外郭領域）に位置する第１電極３４０の下部に、第１ダミーパターン層３８２と第２ダミーパターン層３８４を含むダミーパターン層３８０が配置され、信号ライン３５０の二つの分岐信号ライン３５０ａ、３５０ｂが拡張領域３５０ａａ、３５０ｂａをさらに含むので、第１電極３４０と信号ライン３５０のフォト工程の進行時、ローディングエフェクト（Ｌｏａｄｉｎｇ  Ｅｆｆｅｃｔ）を最小化して、第１電極３４０の流失に起因した暗点不良を改善することができる。
【０１４８】
具体的には、第１電極３４０と信号ライン３５０のハーフトーン工程の進行時、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界（表示領域Ａ／Ａの最外郭領域）に位置する第１電極３４０と表示領域Ａ／Ａ内に位置する第１電極３４０に対応する位置のハーフトーン領域（即ち、図１１乃至図１４において説明したフォトレジストＰＲの第２高さＰＲ２領域）の厚さを測定した測定結果が、表２のとおりであった。
【表２】
0006521933.tif 000003
【０１４９】
表２から分かるように、第１電極２４０と信号ライン２５０のハーフトーン工程の進行時、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界（表示領域Ａ／Ａの最外郭領域）に位置する第１電極２４０と表示領域Ａ／Ａ内に位置する第１電極２４０に対応する位置のハーフトーン領域（即ち、図１１乃至図１４において説明したフォトレジストＰＲの第２高さＰＲ２領域）の厚さを測定した測定結果、表示領域Ａ／Ａと非表示領域Ｎ／Ａの境界に位置する第１電極２４０と表示領域Ａ／Ａ内に位置する第１電極２４０の厚さの差が相対的に小さいことを確認することができた。
【０１５０】
図２２は、図１９の比較例に係る表示装置と図４の一実施例に係る表示装置、図８の他の実施例に係る表示装置の暗点不良率を比較したグラフである。
【０１５１】
図２２を参照すると、前述した比較例に係る表示装置５００の暗点不良率は５．６０％であるのに対し、図４の一実施例に係る表示装置２００と図８の他の実施例に係る表示装置３００の暗点不良率は０．０８％及び０．００６％と、暗点不良を大きく改善することを確認した。
【０１５２】
前述した実施例によると、タッチスクリーンパネル一体型表示装置の細部工程を低減する製造方法及びそれを適用した表示装置を提供することができる。
【０１５３】
以上における説明及び添付の図面は、本発明の技術思想を例示的に示したことに過ぎないものであって、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から外れない範囲で構成の結合、分離、置換及び変更等の様々な修正及び変形が可能であるだろう。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるのではない。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等の範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１５４】
１００：タッチスクリーンパネル一体型表示装置  １１０：パネル
１２０：データ駆動部                          １３０：ゲート駆動部
１４０：タッチ集積回路                        ２００：下部基板
２０２：ゲート電極                            ２２４：ソース電極
２２６：ドレイン電極                          ２４０：第１電極
２５０：信号ライン                            ２７０：第２電極
【図１】
0006521933.tif 000004
【図２】
0006521933.tif 000005
【図３】
0006521933.tif 000006
【図４】
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【図５】
0006521933.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0006521933.tif 000020
【図１８】
0006521933.tif 000021
【図１９】
0006521933.tif 000022
【図２０】
0006521933.tif 000023
【図２１】
0006521933.tif 000024
【図２２】
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