(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアに保持された基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記キャリアは、前記基板の周囲に配置されるフレームと、前記基板および前記フレームを保持する保持シートとを備え、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、かつ前記キャリアが搭載される上面を有するステージと、
前記上面の、前記フレームの底面に対向する位置に設けられ、かつ冷却用ガスを前記ステージと前記キャリアとの間に供給するガス孔と、
前記フレームを前記ステージに対して押圧する押圧機構と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ励起装置と、を備える、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記上面は、第１の粗度を有する第１の領域と、前記第１の領域の周囲に配置され、かつ前記第１の粗度より小さい第２の粗度を有する第２の領域とを有し、
前記ガス孔は、前記第１の領域に設けられる、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第１の粗度を示す算術平均粗さＲa1は、１．６μｍ以上かつ２μｍ以下であり、
前記第２の粗度を示す算術平均粗さＲa2は、０．１μｍ以上かつ１．２μｍ以下である、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第２の領域の最大高さは、前記第１の領域の最大高さよりも高い、請求項２または３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記上面は、さらに、前記第１の領域の内側に形成され、かつ第３の粗度を有する第３の領域を有し、
前記第３の粗度を示す算術平均粗さＲa3は、前記算術平均粗さＲa1以下である、請求項２〜４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第３の領域の最大高さは、前記第２の領域の最大高さと同じである、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記押圧機構が、少なくとも前記フレームを覆うように形成された環状カバーと、前記環状カバーの前記フレームに対向する側に形成された押圧部材と、を備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記押圧部材が弾性体である、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
チャンバと、前記チャンバ内に配置されるステージと、前記ステージの上面に設けられたガス孔と、プラズマ励起装置とを備えるプラズマ処理装置を用いる電子部品の製造方法であって、
電子部品の前駆体である基板を保持したキャリアを準備する準備工程、
前記基板を保持した前記キャリアを前記ステージの前記上面に搭載するとともに、押圧機構により前記フレームを前記ステージに対して押圧する搭載工程、
前記搭載工程の後に、前記ガス孔より冷却用ガスを前記ステージと前記キャリアとの間に供給するガス供給工程、ならびに
前記搭載工程の後に、前記プラズマ励起装置により前記チャンバ内に発生させたプラズマにより前記基板をプラズマ処理して前記電子部品を得るプラズマ工程を備え、
前記キャリアは、前記基板の周囲に配置されるフレームと、前記基板および前記フレームを保持する保持シートとを備え、
前記ガス孔は、前記上面の、前記フレームの底面に対向する位置に設けられている、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板をプラズマ処理するためのプラズマ処理装置およびこれを用いた電子部品の製造方法に関し、特に、プラズマ処理の際の基板の冷却に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、保持シートに基板を保持させた状態でプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置が知られている。このようなプラズマ処理装置では、基板を保持するキャリア（搬送キャリア）を処理対象としてプラズマ処理が行われる。搬送キャリアは、基板の周囲に配置されるフレームと、基板およびフレームを保持する保持シートとを有する。そのため、プラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバ内に配置され、かつ搬送キャリアが搭載される上面を有するステージと、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ励起装置とを備えている。ステージは、通常、搬送キャリアを密着させるための静電吸着機構を備えている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開２０１２／１６４８５７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来は、基板を保持した搬送キャリアを、冷却したステージに静電吸着させることにより、プラズマ処理中の基板温度の上昇を抑制する効果を得ている。
処理対象が上述の搬送キャリアではなく、基板単体の場合、基板をステージに静電吸着させるとともに、ステージ表面に設けたガス孔から冷却用ガスとして、基板裏面にＨｅなどの伝熱ガスを供給することにより、さらに冷却効率を向上できる。
【０００５】
しかしながら、処理対象が基板単体ではなく、搬送キャリアに保持されている場合、伝熱ガスを用いた冷却効率の向上には以下の課題があった。具体的には、伝熱ガスを搬送キャリアの裏面に供給する場合、ガス孔上の保持シートが伝熱ガスの圧力で伸びてプラズマ処理中に異常放電が発生する場合がある。このため、伝熱ガスの圧力をあまり高くすることができず、冷却効率を向上することが難しい。
【０００６】
本発明の目的は、基板をプラズマ処理する際に、基板とこれを保持した搬送キャリアを効率よく冷却することができるプラズマ処理装置およびこのような装置を用いて基板をプラズマ処理することにより基板から電子部品を得る工程を有する電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面は、キャリアに保持された基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記キャリアは、前記基板の周囲に配置されるフレームと、前記基板および前記フレームを保持する保持シートとを備え、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、かつ前記キャリアが搭載される上面を有するステージと、
前記上面の、前記フレームの底面に対向する位置に設けられ、かつ冷却用ガスを前記ステージと前記キャリアとの間に供給するガス孔と、
前記フレームを前記ステージに対して押圧する押圧機構と、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ励起装置と、を備える、プラズマ処理装置に関する。
【０００８】
本発明の他の一局面は、チャンバと、前記チャンバ内に配置されるステージと、前記ステージの上面に設けられたガス孔と、プラズマ励起装置とを備えるプラズマ処理装置を用いる電子部品の製造方法であって、
電子部品の前駆体である基板を保持したキャリアを準備する準備工程、
前記基板を保持した前記キャリアを前記ステージの前記上面に搭載するとともに、押圧機構により前記フレームを前記ステージに対して押圧する搭載工程、
前記搭載工程の後に、前記ガス孔より冷却用ガスを前記ステージと前記キャリアとの間に供給するガス供給工程、ならびに
前記搭載工程の後に、前記プラズマ励起装置により前記チャンバ内に発生させたプラズマにより前記基板をプラズマ処理するプラズマ工程を備え、
前記キャリアは、前記基板の周囲に配置されるフレームと、前記基板および前記フレームを保持する保持シートとを備え、
前記ガス孔は、前記上面の、前記フレームの底面に対向する位置に設けられている、電子部品の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、プラズマ処理される基板（例えば、回路が形成された基板もしくは電子部品の前駆体）を保持した搬送キャリアを効率よく冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を概念的に示す断面図である。
【図２】図１における基板を保持した搬送キャリアの一例を示す上面図（ａ）、およびそのIIb−IIb線断面図（ｂ）である。
【図３】図１のステージ１１を模式的に示す上面図である。
【図４】図３のステージ１１をＡ−Ｂ−Ｃでカットした概略断面図である。
【図５】他の実施形態に係るプラズマ処理装置の押圧機構部分を模式的に示す断面図である。
【図６】図５における押圧機構、基板および搬送キャリアの上面図である。
【図７】さらに他の実施形態に係るプラズマ処理装置の押圧機構部分を模式的に示す断面図である。
【図８】図７における押圧機構、基板および搬送キャリアの上面図である。
【図９】別の実施形態に係るプラズマ処理装置の押圧機構部分を模式的に示す断面図である。
【図１０】図９における押圧機構、基板および搬送キャリアの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に図面を参照しながら、本発明の実施形態についてより詳細に説明する。しかし、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、これらの実施形態の変形および改変を含むことができる。
【００１２】
図１は、本発明の第一実施形態に係るプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置）１の構造を概念的に示す断面図である。図２は、図１における基板２を保持した搬送キャリア４の一例を示す上面図（ａ）、およびそのIIb−IIb線断面図（ｂ）である。
【００１３】
搬送キャリア４は、基板２の周囲に配置される環状のフレーム７と、保持シート６とを備えている。保持シート６は、粘着剤を有する面（粘着面６ａ）と、粘着剤を有しない面（非粘着面６ｂ）とを備えており、粘着面６ａにより基板２およびフレーム７を保持している。フレーム７は剛性を有しており、保持シート６は弾性的に伸展可能である。
【００１４】
プラズマ処理装置１は、搬送キャリア４に保持された基板２をプラズマ処理、例えば、プラズマダイシングする装置である。プラズマダイシングとは、例えば複数の集積回路（ＩＣ）が形成されたシリコンウエハなどの基板２を、プラズマを利用したドライエッチングにより境界線（ストリート）で切断し、複数のＩＣ（電子部品）に個片化する工法である。
【００１５】
プラズマ処理装置１は、減圧可能な処理室５を有するチャンバ（真空容器）３ と、処理室５にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部と、処理室５を減圧する減圧機構１４と、処理室５にプラズマを発生させるプラズマ励起装置とを備える。処理室５内（より具体的には処理室５の底部側）には、基板２を保持した搬送キャリア４を載置するステージ１１が配置されている。基板２を保持した搬送キャリア４は、チャンバ３に形成された開閉可能な出入口（図示せず）から処理室５に搬入される。そして、搬送キャリア４は、基板２の一方の主面を露出させた状態で、基板とは反対側の面がステージ１１の上面に接触するように載置または搭載される。
【００１６】
プロセスガス供給部は、処理室５に供給するプロセスガスを収容するプロセスガス源１２と、プロセスガス源１２から処理室５にプロセスガスを供給する配管（図示せず）とを含む。チャンバ３は、処理室５に続くガス導入口３ａを有しており、プラズマ発生に必要なプロセスガスは、プロセスガス源１２から配管を通ってガス導入口３ａに供給される。
【００１７】
チャンバ３は処理室５に続く排気口３ｂを有しており、減圧機構１４は、この排気口３ｂに接続している。減圧機構１４は、例えば、真空ポンプを含む。減圧機構１４は、排気口３ｂを通じて処理室５内から排気することで、処理室５内を減圧する。
【００１８】
プラズマ励起装置は、上部電極（アンテナ）９と、上部電極９に電気的に接続した高周波電源１０Ａを含む。上部電極９は、処理室５の頂部を閉鎖する誘電体壁８の上方に設けられている。上部電極９は、高周波電源（第１高周波電源）１０Ａからの電圧の印加により電磁波を発生させ、処理室内に充満したプロセスガスを電離させることで、プラズマを発生させる。搬送キャリア４は、基板２を保持している面を上部電極９に向けた状態でステージ１１に載置されている。基板２の一方の主面（保持シート６とは反対側の主面）は、上部電極９に向けて露出しているため、上部電極９により発生したプラズマ中のイオンやラジカルを入射させることができ、これにより基板２のエッチングを行うことができる。
【００１９】
ステージ１１は、処理室５の底部側に配置されており、電極部１５と、電極部１５を保持する基台１６とを備える。電極部１５および基台１６の外周は、外装部１７により取り囲まれている。電極部１５は、搬送キャリア４を載置するための載置面１８を有する薄い誘電体部１５ｂと、誘導体部１５ｂを支持する金属部１５ｃとで構成されている。
【００２０】
ステージ１１の電極部１５の内部には、下部電極２２ｂが設けられ、下部電極２２ｂは高周波電源（第２高周波電源）１０Ｂと接続している。下部電極２２ｂに、第２高周波電源１０Ｂからのバイアス電圧を印加することにより、プラズマ中のイオンが基板２へ入射する際のエネルギーを制御することができる。
【００２１】
ステージ１１を構成する金属部１５ｃの内部には、冷却液（冷却水など）を流通させる流路１５ａ設けられている。冷却液循環装置２１は、流路１５ａと連通しており、温調された冷却液を流路１５ａ内に循環させる。ステージ１１内に冷却液を循環させることでステージ１１を効果的に冷却できる。
【００２２】
ステージ１１には、静電吸着用電極２２ａが内蔵されている。静電吸着用電極２２ａは、直流電源２３と電気的に接続されている。静電吸着用電極２２ａは、ステージ１１を構成する誘電体部１５ｂの載置面１８の近傍に内蔵されていることが好ましい。図示例では、静電吸着用電極２２ａは、下部電極２２ｂの上方に配置されている。静電吸着用電極２２aに直流電源２３から電圧を印加することにより、ステージ１１は静電チャックとして機能し、基板２を搬送キャリア４ごと載置面（つまり、ステージ１１の上面）１８に密着させることができる。ステージ１１は上述のように冷却液により冷却されているため、搬送キャリア４をステージ１１の上面１８に密着させることで、搬送キャリア４と基板２を冷却することができる。静電吸着用電極２２ａは双極型であっても単極型であってもよい。
【００２３】
ステージ１１は、冷却用ガスをステージ１１の上面１８と搬送キャリア４（具体的には搬送キャリアの裏面）との間に供給するガス孔３０を備えている。
ガス孔３０には、冷却用ガス（例えば、ヘリウムガスなどの伝熱ガス）を収容する冷却用ガス源３２から配管３１を経由して冷却用ガスが供給される。ガス孔３０からステージ１１の上面１８と搬送キャリア４の間に供給された冷却用ガスは、ステージ１１と搬送キャリア４の間の伝熱を促進する。上述したように、搬送キャリア４は、冷却されたステージ１１に静電吸着されることにより、冷却されているが、冷却用ガスを供給することにより、基板２および搬送キャリア４の冷却効率をさらに向上することができる。
【００２４】
本発明の実施形態においては、ガス孔３０を、ステージ１１の上面１８（具体的には、電極部１５の上面）において、フレーム７の底面に対向する位置に形成することが重要である。ステージ１１の上面１８において、基板２の底面に対向する位置にガス孔３０を設けると、ガス孔３０の影響でステージの上面に局所的な温度等のばらつきが生じることがある。プラズマダイシングされる基板２は厚みも小さく、また、薄い保持シート６を介して上面１８に載置されている。そのため、このようなばらつきが基板２の加工形状に影響を及ぼし、例えば、基板２の加工表面にガス孔３０の形状が転写するなどの不具合が発生することがある。
【００２５】
ダイシング完了時には、基板２が個片化されて搬送キャリア４の帯電状態が変化し、搬送キャリア４とステージ１１の間の静電吸着力が弱まる。このとき、基板２の底面に対向する位置にガス孔３０が設けられていると、ガス孔３０付近の冷却用ガスの圧力は高いため、ガス孔３０付近の保持シート６が基板２ごと浮き上がり、加工形状の異常や異常放電などのトラブルが発生することがある。
【００２６】
また、保持シート６は弾性を有するため、ステージ１１の上面１８において、基板２の底面およびフレーム７の底面のいずれとも対向しない位置（つまり、搬送キャリア４の保持シート６のみが存在する位置）にガス孔３０を設けると、冷却用ガスの圧力によって、ガス孔３０付近の保持シート６が伸びたり、保持シート６にシワが生じたりして、シートの密着性が低下する。その結果、冷却が不足して保持シート６に焼けが生じたり、異常放電が生じたりする場合がある。保持シート６が静電吸着しにくい絶縁性材料で形成されている場合、このような保持シート６の密着性が悪化することに起因して不具合が発生し易い。
【００２７】
ガス孔３０を、ステージ１１（具体的には、電極部１５）の上面１８において、フレーム７の底面に対向する位置（好ましくは、フレーム７の底面に対向する位置のみ）に形成することで、冷却用ガスはフレーム７の底面に保持シート６を介して供給される。ステージ１１の上面１８と搬送キャリア４との間には、上面１８および搬送キャリア４の裏面のそれぞれが有する粗度により、微小な隙間が形成される。フレーム７に供給された冷却用ガスは、上面１８と搬送キャリア４との間に不可避的に形成されるこの隙間内に広がり、基板２および搬送キャリア４の冷却を促進する。
【００２８】
なお、処理室５内は減圧されているため、上面１８と搬送キャリア４との間の空間から処理室５内に漏れ出した冷却用ガスは、減圧機構１４により処理室５から排出される。フレーム７は適度な剛性を有しており、冷却用ガスが供給されても変形しないため、異常放電が発生しない。このように、本実施形態では、ガス孔３０の配置に起因して生じる異常放電などの不具合を抑制できる。また、ガス孔３０が基板２の底面に対向する位置には配置されないため、基板２の加工表面にガス孔３０の形状が転写するなどの不具合も発生しない。
【００２９】
ステージ１１上（具体的には、電極部１５の表面）に形成されるガス孔３０は、１個でもよいが、基板２および搬送キャリア４をできるだけ均一かつ効率よく冷却する観点から、複数であることが好ましい。例えば、フレーム７の底面に対向する位置に間隔をあけてリング状に複数のガス孔３０を形成してもよい。このとき、ガス孔３０を、フレーム７の形状に沿って、所定間隔（例えば、５〜１００ｍｍ間隔、好ましくは３０〜７０ｍｍ間隔）で設けてもよい。この場合、ステージ１１上に形成されるガス孔３０の数は、フレーム７の直径に応じて設定してもよい。例えば、フレーム７の直径が３００ｍｍの場合は、ステージ１１上に形成されるガス孔３０の数が、１３〜２９個であることが好ましい。また、例えば、フレーム７の直径が４００ｍｍの場合は、ステージ１１上に形成されるガス孔３０の数が、１７〜４１個であることが好ましい。
【００３０】
ステージ１１には、ステージ１１を貫通する複数のフレーム昇降ピン１９が設けられている。処理室５への搬送キャリア４の搬入および搬出は、これらのフレーム昇降ピン１９と、図示しない搬送アームとの協働により行われる。フレーム昇降ピン１９は、所定の駆動機構２７により昇降駆動される。フレーム昇降ピン１９は、プラズマ処理装置１の降下位置（処理位置）と、搬送アームとの間で搬送キャリア４の授受を行う上昇位置とに移動可能である。搬送キャリア４は、フレーム昇降ピン１９と共に昇降する。フレーム昇降ピン１９が下降するときに、ステージ１１に搬送キャリア４を載置する作業が行われる。
【００３１】
処理室５内のステージ１１の上方には、プラズマ処理を行う際に、ステージ１１に載置された搬送キャリア４の保持シート６の一部とフレーム７とを覆うカバー２４が設けられている。カバー２４の外形輪郭は円形であり、搬送キャリア４の外形輪郭よりも十分に大きく形成してもよい。カバー２４は、ドーナツ形のルーフ部２４ａと、ルーフ部２４ａの周縁から屈曲部を介してステージ１１側に延在する筒状の周側部２４ｂとを有し、ルーフ部２４ａの中央に円形の窓部２５を有する。プラズマ処理の際、ルーフ部２４ａは保持シート６の一部とフレーム７の少なくとも一部とを覆い、窓部２５は基板２の少なくとも一部をプラズマに露出させることが好ましい。ルーフ部２４ａの窓部２５の周囲には、中央部に向かって徐々に標高が低くなるテーパ状窪みが形成されている。
【００３２】
カバー２４の周側部２４ｂの下端部は、カバー２４がフレーム７を覆っているとき、ステージ１１と接触するようになっている。周側部２４ｂの下端部は、ステージ１１を貫通する１つ以上の第一昇降ロッド２６ａの上端部に連結され、昇降可能である。第一昇降ロッド２６ａは、所定の駆動機構２７により昇降駆動され、第一昇降ロッド２６ａと共にカバー２４が昇降する。具体的には、カバー２４は、搬送キャリア４の保持シート６の一部とフレーム７とを覆う降下位置と、搬送キャリア４の搬入および搬出を行う際の上昇位置との間を上下に移動可能である。
【００３３】
図１では、ステージ１１の上方かつカバー２４に覆われる位置に、押圧機構２９が設けられている。押圧機構２９は、フレーム７をステージ１１の上面１８に対して押圧する。図示例では、押圧機構２９は、カバー２４とは独立に、かつカバー２４で覆われるように設けられている。押圧機構２９は、ステージ１１を貫通する１つ以上の第二昇降ロッド２６ｂの上端部に連結されている。第二昇降ロッド２６ｂは、図１に概念的に示す駆動機構２７により昇降駆動され、これにより押圧機構２９が昇降する。押圧機構２９は、フレーム７を上面１８に対し押圧する降下位置と、搬送キャリア４の搬入および搬出を行う際の上昇位置とに移動可能である。降下位置では、押圧機構２９がフレーム７を上面１８に対して押圧する。
【００３４】
押圧機構２９は、ステージ１１の上面１８に載置された搬送キャリア４のフレーム７を上面１８に対して押圧しフレームの歪を矯正することで、フレーム７と上面１８との間に歪みに起因する隙間ができるのを低減できる。フレーム７の部分において搬送キャリア４と上面１８との密着性を高めることにより、冷却用ガスのフレーム７の外縁から処理室内への漏出を低減し、基板２が配置されている中央部分への冷却用ガスの回り込みを促進できる。よって、プラズマ処理装置１が押圧機構２９を備える場合、搬送キャリア４および基板２の冷却効率をさらに高めることができる。
【００３５】
プラズマ処理装置１の各要素の動作は、図１に概念的に示す制御装置２８により制御される。ここで、プラズマ処理装置１の要素には、第１および第２高周波電源１０Ａ、１０Ｂ、プロセスガス源１２、減圧機構１４、冷却液循環装置２１、冷却用ガス源３２、直流電源２３、駆動機構２７などが含まれる。より具体的には、駆動機構２７は、制御装置２８からの指令に応じて、フレーム昇降ピン１９と第一昇降ロッド２６aと第二昇降ロッド２６ｂの各動作を制御する。
【００３６】
図３は、図１のステージ１１を模式的に示す上面図であり、図４は、図３のステージ１１をＡ−Ｂ−Ｃでカットした概略断面図である。なお、図４は、カバー２４および押圧部材２９が上昇位置にある場合の状態を示している。
【００３７】
ステージ１１の上面（搬送キャリア４と対向する主面）１８は、ガス孔３０を有するリング状の第１の領域３３と、第１の領域３３の周囲に形成された第２の領域３４とを有する。第２の領域３４はリング状である。第１の領域３３の内側には、第３の領域３５が形成されている。第１の領域３３は、保持シート６を介してフレーム７と対向している。第２の領域３４の少なくとも一部（具体的には、第１の領域３３側の領域）は、フレーム７と対向していることが好ましく、保持シート６を介してフレーム７と対向していてもよい。第３の領域３５は、保持シート６、および保持シート６を介して基板２と対向するが、第３の領域３５の少なくとも一部（具体的には、第１の領域３３側の領域）は、保持シート６を介してフレーム７と対向していてもよい。
【００３８】
図示例では、ステージ１１には、４つのガス孔３０がリング状に均等間隔に形成されている。またガス孔３０と並んで、搬送キャリア４の搬送を補助するフレーム昇降ピン１９を昇降可能に収容する孔が形成されており、この孔にはフレーム昇降ピン１９が挿入されている。図示例では、第１の領域３３に４つのフレーム昇降ピン１９が均等に設けられており、カバー２４を昇降する２つの第１昇降ロッド２６ａ、および押圧機構２９を昇降する２つの第２昇降ロッド２６ｂが設けられている。図４は、フレーム昇降ピン１９が降下位置にある場合の状態を示している。なお、図１では、説明の便宜上、ガス孔３０とフレーム昇降ピン１９とを並べて図示したが、図３および図４に示されるように、フレーム昇降ピン１９とガス孔３０とは間隔をあけて交互に配置することが好ましい。
【００３９】
第３の領域３５の粗度と第１の領域３３の粗度とは同程度であってもよいが、第２の領域３４の粗度は第１の領域３３の粗度よりも小さいことが好ましい。なお、第１の領域、第２の領域、および第３の領域の粗度は、算術平均粗さＲaで評価することができる。第１の領域の算術平均粗さＲa1は、１．６〜２μｍであることが好ましく、第２の領域の算術平均粗さＲa2は、０．１〜１．２μｍであることが好ましい。算術平均粗さＲa2およびＲa1がこのような範囲で、Ｒa2＜Ｒa1の条件を満たすことが好ましい。
【００４０】
第２の領域の粗度が第１の領域の粗度よりも小さい場合、フレーム７の部分において、搬送キャリア４とステージ１１との密着性を高め易く、ガス孔３０から供給された冷却用ガスが第１の領域から外側に漏れることが抑制される。また、基板２を保持する搬送キャリア４の中央部分に冷却用ガスが速やかに回りこんで、基板２および搬送キャリア４を効率よく冷却することができる。フレーム７部分において搬送キャリア４とステージ１１との密着性が高まることで、フレーム７部分を効率よく冷却することもできる。よって、冷却効果をさらに高めることができる。特に、押圧機構により、フレーム７部分をステージ１１に対して押し付ける場合には、冷却効果をさらに高め易くなる。
【００４１】
第１の領域の内側の第３の領域の粗度、具体的には算術平均粗さＲa3は、第１の領域におけるＲa1以下（Ｒa3≦Ｒa1）であってもよい。Ｒa3は、例えば、０．８Ｒa1≦Ｒa3≦Ｒa1であってもよい。
【００４２】
第１の領域の粗度（具体的には、Ｒa1）は、ステージの上面において、第１の領域に相当する領域を研磨またはブラスト加工することにより調節できる。例えば、ステージ１１の上面１８全体を滑らかに加工した後で、第１の領域３３に相当する領域を研磨またはブラスト加工することにより、研磨部分またはブラスト加工部分の粗度を大きくすることができる。この場合、ステージ１１の上面１８において第１の領域３３に相当する領域のみを研磨またはブラスト加工すると、第１の領域３３とともに、もともとのステージ１１の上面１８の粗度を有する第２の領域３４および第３の領域３５が形成される。この場合、第２の領域３４と第３の領域３５とは粗度が同程度である。また、第１の領域３３および第３の領域３５に相当する領域を研磨またはブラスト加工すると、第２の領域３４とともに、粗度が同程度である第１の領域３３および第３の領域３５が形成される。
【００４３】
搬送キャリア４の外側への冷却用ガスの漏れを抑制する観点から、第２の領域３４の最大高さは、第１の領域３３の最大高さよりも高いことが好ましい。第１の領域３３の最大高さが第２の領域３４に比べて低いことで、ガス孔３０から放出された冷却用ガスは第１の領域３３およびそれより内側の領域に充満し易くなり、冷却用ガスによる冷却効果を高め易くなる。第３の領域３５の最大高さは、第２の領域３４の最大高さと同じ（同程度）であってもよく、第１の領域３３の最大高さと同じ（同程度）であってもよい。第３の領域３５の最大高さが第２の領域３４の最大高さと同程度である場合、第３の領域３５において、ステージ１１の上面１８と搬送キャリア４との高い密着性を確保できるため、冷却されたステージ１１との接触による冷却効果が得られ易い。第３の領域３５の最大高さが第１の領域３３の最大高さと同程度である場合、第１の領域３３および第３の領域３５に冷却用ガスが速やかに回り込むため、冷却用ガスによる冷却効果が得られ易い。
【００４４】
最大高さは、ステージ１１の上面１８を研磨またはブラスト加工することにより低くすることができる。例えば、ステージ１１の上面１８において、第１の領域３３に相当する領域を研磨またはブラスト加工することにより、第２の領域３４と、第２の領域３４よりも最大高さが低い第１の領域３３とを形成できる。この場合、第３の領域３５の最大高さは、第２の領域３４の最大高さと同程度になる。また、第１の領域３３および第３の領域３５に相当する領域を研磨またはブラスト加工すると、第３の領域３５の最大高さを、第１の領域３３の最大高さと同程度にすることができる。
【００４５】
なお、本明細書中、最大高さとは、基本的には、各領域において所定の位置（例えば、誘電体層１５ｂの底面）からの高さが最も高い部分の高さを言うが、各領域の所定の範囲について求めた最大高さ（極大高さ）であってもよい。なお、最大高さが同じまたは同程度とは、一方の領域の最大高さと他方の領域の最大高さの差が、例えば０〜１．２μｍの範囲にある場合を言うものとする。例えば、第２の領域（または第１の領域）の最大高さと第３の領域の最大高さとが同じである場合とは、第３の領域の最大高さと、第２の領域（または第１の領域）の最大高さの差が、０〜１．２μｍの範囲にある場合である。
【００４６】
なお、第１の領域は必ずしも平坦でなくてもよく、第１の領域に冷却用ガスを流すための溝が形成されていても良い。溝を形成することにより、ガス孔３０から供給される冷却用ガスを素早く第１の領域の全域に行き渡らせることができる。また、第１の領域に溝を形成するのに替えて、第１の領域と対向するフレーム７の底面に溝を形成することでも同様の効果が得られる。
【００４７】
図１において、カバー２４は必ずしも設ける必要はなく、カバー２４の代わりに押圧機構２９がフレーム７をプラズマから遮蔽する機能を有していてもよい。
図５および図７は、それぞれ、押圧機構がフレーム７をプラズマから遮蔽する機能を有する場合の押圧機構部分を模式的に示す断面図である。図６および図８は、それぞれ、図５および図７に示す押圧機構を備える場合の押圧機構、基板および搬送キャリアの上面図である。
【００４８】
図５および図６の押圧機構３９は、フレーム７を覆うように形成された環状カバー３９ａと、環状カバー３９ａのフレーム７に対向する側に形成されたコイルバネなどの弾性体（押圧部材）３９ｂとを含む。図示例において、環状カバー３９ａは、フレーム７だけでなく、フレーム７と基板２との間の保持シート６の大部分の領域を覆うように形成されており、プラズマ処理中にフレーム７および保持シート６がプラズマに晒されるのを効果的に抑制できる。押圧機構３９は、降下位置において、弾性体３９ｂの弾性によりフレーム７をステージ１１に押し付けることで、フレーム７部分において搬送キャリア４とステージ１１との密着性を高めることができる。よって、ステージ１１との接触による冷却効果をさらに高めることができるとともに、ステージ１１の上面において基板２の底面に対向する領域に冷却用ガスが回りこみ易くなることで基板２および搬送キャリア４をさらに効果的に冷却することができる。
【００４９】
図７および図８の押圧機構４９は、フレーム７を覆うように形成された環状カバー４９ａと、環状カバー４９ａのフレーム７に対向する側に形成されたコイルバネなどの弾性体（押圧部材）４９ｂとを含む。図示例では、環状カバー４９ａは、フレーム７を覆うように形成されており、フレーム７と基板２との間の保持シート６の大部分は露出している。プラズマ処理において、フレーム７は繰り返し使用される。繰り返しプラズマに晒されることによるフレーム７の劣化を防ぐ観点からは、環状カバーは少なくともフレーム７を覆うように形成することが好ましい。図示例の場合にも、図５および図６の場合と同様の冷却効果が得られる。
【００５０】
押圧機構は、搬送キャリア４のフレーム７をステージに対して押圧できればよく、必ずしも環状カバーを有する必要はない。図９は、別の実施形態に係るプラズマ処理装置の押圧機構部分を模式的に示す断面図である。図１０は、図９における押圧機構、基板および搬送キャリアの上面図である。
【００５１】
図９および図１０において、押圧機構５９は、コイルバネなどの弾性体（押圧部材）５９ｂを有するクランプである。押圧部材５９ｂは、クランプのフレーム７に対向する側に形成されている。このような簡易な構成の押圧機構であっても、フレーム７をステージ１１に対して押しつけて密着させることができるため、高い冷却効果を得ることができる。また、冷却用ガスが外側に漏れることも抑制できる。図９および図１０の押圧機構５９を採用する場合、カバー２４を設けてフレーム７（および保持シート６）をプラズマから遮蔽してもよい。
【００５２】
図６、図８および図１０において、押圧部材は、フレーム７と重なる位置に形成されている。図示例では、４つの押圧部材（図１０では、押圧機構５９）が均等間隔で形成されているが、押圧部材（または押圧機構５９）の個数および位置は特に制限されない。また、押圧部材は、図５、図７および図９に示すようにガス孔３０の上方に位置するように設けてもよく、ガス孔３０とずらした位置（例えば、ガス孔３０よりも外側）に設けてもよい。
【００５３】
以下に、各構成要素についてより詳細に説明する。
（基板および搬送キャリア）
プラズマ処理の対象物である基板２は、特に限定されない。基板２の材質としては、例えば、単結晶Ｓｉ、ＳｉＯ2、ＳｉＣなどが挙げられる。基板２の形状も、特に限定されず、例えば、円形、多角形である。基板２の大きさも、特に限定されず、例えば最大径は５０ｍｍ〜３００ｍｍ程度である。基板２には、オリエンテーションフラット（オリフラ）、ノッチなどの切欠きが設けられていてもよい。
【００５４】
基板２の保持シート６に貼着されていない面には、所望形状のレジストマスク（図示せず）が形成されている。レジストマスクが形成されている部分は、プラズマによるエッチングから保護される。レジストマスクが形成されていない部分は、その表面から裏面までをプラズマによりエッチング可能である。
【００５５】
フレーム７は、プラズマ処理の対象物である基板２と同じか、それ以上の面積の開口を有していてもよい。フレーム７は、略一定の薄い厚みを有している。フレーム７の開口の形状は、特に限定されず、円形でもよく、矩形、六角形などの多角形でもよい。
フレーム７には、位置決めのためのノッチやコーナーカットが設けられていてもよい。フレーム７の材質は、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼などの金属、樹脂などである。
【００５６】
保持シート６は、フレーム７の外形輪郭内の面積より僅かに小さい面積を有することが好ましい。保持シート６の一方の面の周縁部は、粘着剤により、フレーム７の一方の面に貼着される。保持シート６は、フレーム７の幅全体にわたって貼着する必要はなく、例えばフレーム７の内側から１０ｍｍ幅程度の領域に貼着すればよい。これにより、フレーム７の開口を覆うように、保持シート６をフレーム７に固定することができる。保持シート６は、例えば、ＵＶ硬化型アクリル粘着剤（粘着面６ａ）と、ポリオレフィン製の基材（非粘着面６ｂ）とで構成することができる。
【００５７】
基板２は、フレーム７の開口内に位置するように、保持シート６の粘着面６ａに貼着される。保持シート６は柔軟であるため、保持シート６に基板２を貼着しただけでは、ダイシングにより個片化された基板２（チップ）を安定に搬送することが困難である。基板２が貼着された保持シート６を、剛性を有するフレーム７に固定することにより、ダイシング後においても基板２を搬送することが容易となる。
【００５８】
粘着剤は、紫外線照射により、粘着力が減少する成分を含むことが好ましい。これにより、ダイシング後に紫外線照射を行うことで、個片化された基板（チップ）を粘着面６ａから剥離しやすくなる。
【００５９】
（ガス孔）
ガス孔３０の形状は特に制限されず、円状、楕円状、多角形状（四角形、六角形など）などであってもよい。この場合、ガス孔のサイズは、同じ面積を有する相当円の直径が、例えば、０．３〜１．０ｍｍであることが好ましく、０．５〜０．８ｍｍであってもよい。
【００６０】
（静電吸着電極）
静電吸着用電極２２ａは、必ずしもフレーム７の直下の領域に設ける必要はない。ただし、フレーム７が半導体材料および／または導電材料を具備する場合には、フレーム７の直下の領域において、誘電体部１５ｂの載置面１８付近に静電吸着用電極２２ａを設けることが望ましい。これにより、例えば押圧機構２９による押圧が緩んだ場合でも、静電吸着用電極２２ａがフレーム７に静電気力を働かせ、フレーム７部分において搬送キャリア４をステージ１１に密着させやすくなる。一旦、押圧機構２９によりフレーム７がステージ１１に押圧されると、その後、たとえ押圧機構２９による押圧が解除されたとしても、静電チャックによりフレーム７部分において搬送キャリア４とステージ１１との間に隙間は生じにくくなる。
【００６１】
（カバー）
カバー２４の材質は、例えば石英やアルミナなどのセラミクスや、表面をアルマイト処理したアルミニウムなどである。カバー２４の材質としてセラミクスを用いる場合、ステージ１１に載置されるカバー２４の底面は、Ｎｉなどの金属メッキを施すことにより、導電性としてもよい。また、表面をアルマイト処理したアルミニウムをカバー２４に用いる場合、ステージ１１に載置されるカバー２４の底面は、アルマイト処理を施さずにアルミニウムを露出させた状態とするか、もしくはＮｉなどの金属メッキを施すことにより、導電性としてもよい。このように、カバー２４の底面に導電性を付与することで、静電吸着用電極２２ａによって、カバー２４をステージ１１に吸着させることができ、その結果、カバー２４を効率よく冷却することができる。なお、カバー２４は、少なくともフレーム７の全体を覆うように設けられることが好ましく、フレーム７の全体に加え、フレーム７と基板２との間の保持シート６の露出した部分全体を覆うように設けてもよい。これらの場合、フレーム７や露出した保持シート６をプラズマから遮蔽し易い。ただし、保持シート６の環状領域の一部やフレーム７の一部に、カバー２４で覆われない領域があってもよい。
【００６２】
カバー２４の降下位置において、カバー２４は、搬送キャリア４および基板２のいずれとも直接接触しないことが望ましい。その理由は、プラズマにより加熱されたカバー２４の熱が、搬送キャリア４および基板２に伝わることを避けるためである。
【００６３】
なお、上記の実施形態では、カバー２４がステージ１１に対して移動可能な場合を例示して説明した。ただし、カバー２４が例えばチャンバ３の側壁に固定され、ステージ１１がカバー２４に対して移動可能な場合も、本発明の範囲に含まれる。同様に、押圧機構２９が例えばチャンバ３の側壁に固定されていてもよい。この場合、ステージ１１が押圧機構２９に対して移動可能であればよい。
【００６４】
（押圧機構）
押圧機構（具体的には、環状カバー、クランプおよび押圧部材（弾性体）など）の形状や材質は特に限定されない。熱伝導率を高める観点からは、押圧機構の材質は、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼などの金属や、アルマイト処理をしたアルミニウムなどであることが好ましい。
【００６５】
押圧機構がフレームをステージに対して押圧しているとき、図１に示されるように、カバー２４と押圧機構とが非接触状態となるように押圧機構を形成してもよい。カバー２４と押圧機構とが互いに離間していることにより、プラズマに暴露されるカバー２４のルーフ部分からの熱が押圧機構に伝導しにくくなる。よって、搬送キャリア４の冷却効果がさらに高まる。
【００６６】
（その他）
カバー２４を昇降する第一昇降ロッド２６ａおよび押圧機構を昇降する第二昇降ロッド２６ｂは、共通の駆動機構２７により昇降駆動させてもよい。例えば、第一昇降ロッド２６ａと第二昇降ロッド２６ｂとをステージ１１の下方で連結し、同時に昇降させてもよい。第一昇降ロッド２６ａおよび第二昇降ロッド２６ｂを昇降させる駆動機構は、特に限定されない。
【００６７】
（電子部品の製造方法）
次に本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。
電子部品の製造方法は、チャンバと、チャンバ内に配置されるステージと、ステージの上面に設けられたガス孔と、プラズマ励起装置とを備えるプラズマ処理装置を用いる電子部品の製造方法であって、（i）基板を保持したキャリア（搬送キャリア）を準備する準備工程と、（ii）基板（電子部品の前駆体）を保持した搬送キャリアをステージの上面に搭載する搭載工程と、（iii）搭載工程の後に、ガス孔より冷却用ガスをステージと搬送キャリアとの間に供給するガス供給工程と、（iv）搭載工程の後に、プラズマ励起装置によりチャンバ内に発生させたプラズマにより基板をプラズマ処理して電子部品を得るプラズマ工程とを備える。ここで、ガス孔は、ステージの上面のフレームの底面に対向する位置に設けられている。そのため、ガス孔から冷却用ガスを放出することで、基板および搬送キャリアを冷却用ガスにより効率よく冷却することができる。電子部品の製造方法には、上述のプラズマ処理装置が使用できる。
【００６８】
以下に各工程について、必要に応じて図１および図２の構成要素を参照しながら、より具体的に説明する。
（工程（i）準備工程）
工程（i）では、基板２と、基板２の周囲に配置されるフレーム７とを、保持シート６に保持させることにより、基板２を保持した状態の搬送キャリア４を準備する。具体的には、保持シート６の粘着面６ａに、基板２およびフレーム７を貼り付ける。基板２の保持シート６に貼着されていない面には、所望形状のレジストマスクが形成されている。レジストマスクが形成されている部分は、プラズマによるエッチングから保護される。レジストマスクが形成されていない部分は、その表面から裏面までをプラズマによりエッチング可能である。
【００６９】
（工程（ii）搭載工程）
工程（ii）では、基板２を保持した搬送キャリア４を、プラズマ処理装置１が備えるチャンバ３（具体的には、処理室５）内に搬入して、処理室５内に設けられたステージ１１に載置する。搬送キャリア４は、基板２を保持している面を上部電極９に向けた姿勢でステージ１１に載置される。
【００７０】
搬入の際、基板２を保持した搬送キャリア４は、上昇位置にあるフレーム昇降ピン１９に受け渡される。そして、フレーム昇降ピン１９が降下することで、ステージ１１の上面１８に搬送キャリア４が基板２を保持した状態で載置される。なお、搬送キャリア４をステージ１１上に載置する際には、カバー２４および押圧機構２９は上昇位置にあり、搬送キャリア４の載置を妨げない。
【００７１】
次に、駆動機構２７により、第二昇降ロッド２６ｂを上昇位置から降下位置に移動させ、押圧部材２９により、ステージ１１上に載置された搬送キャリア４のフレーム７をステージ１１に対して押圧する。これにより、フレーム７とステージ１１の上面１８との間に、歪みに起因する隙間が生じないように、フレーム７の歪が矯正される。フレーム７の歪みを矯正することで、保持シート６を介してフレーム７を上面１８に確実に接触させることができる。また、フレーム７の歪みを矯正することで、フレーム７に貼り付けられている保持シート６の上面１８に対する浮きを抑制し、保持シート６を上面１８に確実に接触させることができる。
【００７２】
このように押圧機構２９によりフレーム７部分において搬送キャリア４とステージ１１との密着性が高まることで、搬送キャリア４をステージ１１に静電吸着させ、次工程で冷却用ガスを供給することにより搬送キャリア４および基板２を冷却する場合に、フレーム７部分よりも外側に冷却用ガスが漏れることがより効果的に抑制される。よって、冷却用ガスが搬送キャリア４の中央部分に速やかに回り込むため、搬送キャリア４および基板２を効率よく冷却することができる。
【００７３】
続いて、第一昇降ロッド２６ａを上昇位置から降下位置に移動させる。これにより、カバー２４で搬送キャリア４の保持シート６の一部とフレーム７とが覆われる。このとき、押圧機構２９もカバー２４により覆われる。一方、基板２は、カバー２４の窓部２５から露出する。なお、ここでは、第一昇降ロッド２６ａと第二昇降ロッド２６ｂをそれぞれ個別の駆動機構により昇降させる場合について説明したが、この場合に限定されず、上述のように第１昇降ロッド２６ａと第２昇降ロッド２６ｂとを同じ駆動機構で昇降させてもよい。カバー２４を設けない場合には、第２昇降ロッド２６ｂのみを昇降させればよい。
【００７４】
次に、静電吸着用電極２２ａに直流電源２３から直流電圧が印加される。電圧印加により、搬送キャリア４をステージ１１の載置面１８に静電吸着する。
【００７５】
（工程（iii）ガス供給工程）
搭載工程（ii）の後、ガス孔３０から、ステージ１１と搬送キャリア４との間にＨｅガスなどの伝熱ガスを冷却用ガスとして供給する。このとき、搬送キャリア４がステージ１１に静電吸着された状態で冷却用ガスを供給することが好ましい。ガス孔３０は、ステージ１１の上面１８において、フレーム７の底面に対向する位置に設けられている。ガス孔３０から上面１８と搬送キャリア４の間に供給された冷却用ガスは、ステージ１１と搬送キャリア４の間の伝熱を促進する。また、冷却液循環装置２１から冷却液流路１５ａに冷却液を循環させることにより、ステージ１１を冷却してもよく、この場合、搬送キャリア４の冷却効率をさらに向上することができる。
【００７６】
（工程（iv）プラズマ工程）
搭載工程の後、チャンバ３（具体的には、処理室５）内にプラズマを発生させて、カバー２４の窓部２５から露出する基板２をプラズマ処理する。より具体的には、プロセスガス源１２から処理室５内にプラズマダイシング用のプロセスガスを導入しつつ、減圧機構１４により処理室５内を排気し、処理室５内を所定圧力に維持する。その後、上部電極（アンテナ）９に対して第１高周波電源１０Ａから高周波電力を供給して処理室５内にプラズマを発生させ、基板２にプラズマを照射する。このとき、ステージ１１の電極部１５には第２高周波電源１０Ｂからバイアス電圧が印加される。
【００７７】
基板２のレジストマスクから露出している部分（ストリート）は、プラズマ中のラジカルとイオンの物理化学的作用よって表面から裏面まで除去され、基板２は複数のチップに個片化される。
【００７８】
プラズマダイシング完了後、アッシングが実行される。図示しないアッシングガス源から処理室５内にアッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス）を導入しつつ、減圧機構１４により処理室５内を排気し、処理室５内を所定圧力に維持する。その後、上部電極（アンテナ）９に対して第１高周波電源１０Ａから高周波電力を供給して処理室５内にプラズマを発生させ、基板２に照射する。酸素プラズマの照射により、基板２の表面からレジストマスクが除去される。
【００７９】
本実施形態では、工程（iv）の少なくとも一部のプラズマ処理において、ガス孔３０から、ステージ１１と搬送キャリア４との間に冷却用ガスを供給して、基板２を保持した搬送キャリア４を冷却してもよい（つまり、工程（iii）を行ってもよい）。工程（iv）を開始した後で工程（iii）を開始してもよいが、工程（iii）のガス供給を開始した後、あるいは工程（iii）のガス供給を開始と同時に工程（iv）を開始する方が、搬送キャリア４および基板２の冷却効果が大きく好ましい。
【００８０】
プラズマダイシングおよびアッシング処理の終了後、搬送キャリア４は搬送機構により処理室５から搬出される。そして、搬送キャリアはプラズマ処理装置から取り出され、プラズマダイシングによって個片化された複数のチップは、搬送キャリア４の保持シート６から分離される。そして、個々のチップは実装工程でパッケージに実装され、最終的に電子部品が製造される。
【００８１】
具体的には、プラズマ処理が終った後に、静電吸着用電極２２ａへの直流電源２３からの直流電圧の印加を停止し、搬送キャリア４のステージ１１の載置面１８への静電吸着を解除する。そして、駆動機構２７により、第一昇降ロッド２６ａを降下位置から上昇位置に移動させ、カバー２４を上昇位置に移動させる。さらに、駆動機構２７により、第二昇降ロッド２６ｂを降下位置から上昇位置に移動させ、押圧機構２９を上昇位置に移動させる。そして、駆動機構２７により、フレーム昇降ピン１９を上昇させることにより、搬送キャリア４のフレーム７を突上げて、搬送キャリア４を上昇位置に移動させる。そして、フレーム昇降ピン１９と搬送アームとの協働により、搬送キャリア４は処理室５から搬出される。
【００８２】
なお、プラズマ処理によって、基板２や保持シート６に電荷が蓄積し、プラズマ処理終了後にも電荷が残留する場合がある。特に、プラズマダイシングにより個片化された基板２や絶縁体である保持シート６には電荷が溜まりやすい。この場合、搬送キャリア４がステージ１１の載置面１８に残留吸着する場合がある。残留吸着している状態で、フレーム７を突上げると、保持シート６が伸びたり、シワが入ったりするなどの不具合が生じる。残留吸着を低減するために、Ａｒや酸素などのガスを供給しながら、比較的低パワーの放電を行うことにより、帯電を除去することができる（除電放電処理）。したがって、フレーム昇降ピン１９によってフレーム７を突上げる前に、除電放電処理を行うことで、残留吸着による搬出時の不具合を低減できる。
【００８３】
しかしながら、保持シート６の裏面など、除電放電処理による除電効果が得られにくい部分に残留電荷があると、除電放電処理のみでは残留吸着を解消しきれず、フレーム７を突上げる際に、保持シート６が伸びたり、シワが入ったりするなどの不具合が生じることがある。この場合、搬送キャリア４の載置されたステージ１１のガス孔３０からＨｅ等のガスを流すとよい。
【００８４】
ガス孔３０は、フレーム７の底面に対向する位置に設けられているため、ガス孔３０から供給されるガスは、搬送キャリア４の外周側から中心側部に向かって、残留吸着している保持シート６の裏面に浸透し、その結果、保持シート６の残留吸着が外周側から順に解消される。したがって、除電放電処理の後、ガス孔３０からガスを供給しながら、フレーム７を徐々に突上げることで、搬送キャリア４の保持シート６を外周側からゆっくりと剥がれるようにステージ１１から離すことができる。よって、残留吸着による搬出時の不具合を低減できる。
【００８５】
本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置および電子部品の製造方法におけるプラズマ処理は、プラズマダイシング、アッシングなどに限定されず、通常のドライエッチングであってもよい。また、プラズマ処理装置は、上記実施形態のようなＩＣＰ型に限定されず、平行平板型であってもよい。さらに、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマダイシング装置に限定されず、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置などの他のプラズマ処理装置にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置および電子部品の製造方法では、搬送キャリアに保持された基板を効率よく冷却しながらプラズマ処理を行うことができる。よって、種々のプラズマ処理、特に、回路が形成された基板をプラズマ処理するプラズマダイシングに有用である。
【符号の説明】
【００８７】
１：プラズマ処理装置、２：基板、３：チャンバ、３ａ：ガス導入口、３ｂ：排気口、４：搬送キャリア、５：処理室、６：保持シート、６ａ：粘着面、６ｂ：非粘着面、７：フレーム、８：誘電体壁、９：上部電極（アンテナ）、１０Ａ：第１高周波電源、１０Ｂ：第２高周波電源、１１：ステージ、１２：プロセスガス源、１４：減圧機構、１５：電極部、１５ａ：冷却液流路、１５ｂ：誘電体部、１５ｃ：金属部、１６：基台、１７：外装部、１８：載置面（ステージ１１の上面）、１９：フレーム昇降ピン、２１：冷却液循環装置、２２ａ：静電吸着用電極、２２ｂ：下部電極、２３：直流電源、２４：カバー、２４ａ：ルーフ部、２４ｂ：周側部、２５：窓部、２６ａ：第一昇降ロッド、２６ｂ：第二昇降ロッド、２７：駆動機構、２８：制御装置、２９、３９、４９、５９：押圧機構、３０：ガス孔、３１：冷却用ガスの流路、３２：冷却用ガス源、３３：第１の領域、３４：第２の領域、３５：第３の領域、３９ａ、４９ａ：環状カバー、３９ｂ、４９ｂ、５９ｂ：押圧部材（弾性体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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