(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、およびアクリロニトリルブタジエンゴムの４種のみをゴム分として含むゴム組成物の、非多孔質の架橋物からなる半導電性ローラ。
【請求項２】
前記ゴム分の総量１００質量部あたりの、前記ブタジエンゴムの配合割合は５５質量部以下で、かつ前記アクリロニトリルブタジエンゴムの配合割合は３質量部以上である請求項１に記載の半導電性ローラ。
【請求項３】
外周面に酸化膜を備えている請求項１または２に記載の半導電性ローラ。
【請求項４】
電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで、感光体の表面に形成される静電潜像を、帯電させたトナーによってトナー像に現像する現像ローラとして用いる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導電性ローラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した各種の画像形成装置において、特に現像ローラとして好適に用いることができる半導電性ローラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上記画像形成装置において、感光体の表面を一様に帯電させる帯電ローラ、帯電させた表面を露光して形成した静電潜像をトナー像に現像する現像ローラ、形成したトナー像を紙等に転写させる転写ローラ、トナー像を転写後の感光体の表面に残留するトナーを除去するクリーニングローラ等としては、半導電性ローラが用いられる。
半導電性ローラは、耐久性や圧縮永久ひずみ特性等を向上することを考慮すると、ゴム組成物の、非多孔質の架橋物によって形成するのが好ましい。
【０００３】
かかる半導電性ローラは、例えばゴム組成物を非多孔質の筒状に押出成形するとともに架橋させ、かつその中心の通孔に金属等からなるシャフトを挿通するとともに、外周面を研磨する等して製造される。
半導電性ローラのもとになるゴム組成物は、例えばエピクロルヒドリンゴム等のイオン導電性ゴムをゴム分として用いてイオン導電性を付与して、全体を半導電性とするのが一般的である。
【０００４】
また上記ゴム分としては、ジエン系ゴムを併用するのも一般的である。
ジエン系ゴムは、ゴム組成物を押出成形する際の流動性、成形性を向上し、押出成形された非多孔質の筒状体の、外周面の押出肌の状態を良好にして、当該外周面をできるだけ凹凸のない滑らかな状態としたり、半導電性ローラの機械的強度や耐久性等を向上したり、半導電性ローラのゴムとしての特性、すなわち柔軟でしかも圧縮永久歪みが小さくヘタリを生じにくい特性等を向上したり、あるいは紫外線等の照射によって自身が酸化して、半導電性ローラの外周面に、後述する誘電層、低摩擦層等としての酸化膜を形成したりするために機能する。
【０００５】
ジエン系ゴムとしては、これらの機能に優れるとともに、特にプラス帯電型の非磁性１成分トナーを良好に帯電させることができるブタジエンゴム（ＢＲ）や、上記の機能を有する上、半導電性ローラの柔軟性を向上したりニップ幅を大きくしたりしてトナーの帯電量を高めたり、トナーへのダメージを低減して画像耐久性を向上したりするために機能するクロロプレンゴム（ＣＲ）等が好適に使用される。
【０００６】
しかし、例えば半導電性ローラの半導電性を現状よりも向上するためにエピクロルヒドリンゴムの配合割合を多くしたり、それに伴って低下する傾向にある半導電性ローラの柔軟性やニップ幅を維持するためにＣＲの割合を多くしたりして、相対的にＢＲの割合が少なくなると、ゴム組成物を押出成形する際の流動性や成形性が低下して外周面の押出肌が荒れやすくなる。
【０００７】
そして押出肌が荒れると、その後の工程で外周面を研磨しているにも拘らず、例えば現像ローラとして使用して画像形成した際に、形成画像に濃度ムラを生じたりするといった問題を生じる。
ゴム組成物を押出成形する場合、外周面の押出肌の状態を改善して、当該外周面をできるだけ凹凸のない滑らかな状態とするために、例えば自動車用タイヤなどでは押出機のバックダイの形状等を工夫する場合がある（特許文献１等）。
【０００８】
一方、半導電性ローラ等のＯＡ機器用ゴム部品の押出成形では、例えば押出機の設定温度を高くしたり、口金の形状を変更したりして、ゴム組成物の流動性、成形性を高めるのが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１０６０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、ゴム組成物の組成が変わるごとに口金の形状や構造を変更するのは手間がかかる上、組成によっては口金の変更だけでは対処しきれない場合も生じる。また、押出機の設定温度を高くしすぎるとゴム焼けを生じやすくなるという問題もある。
本発明の目的は、非多孔質で、しかも現像ローラとして使用した際に押出成形時の押出肌の荒れに基づく形成画像の濃度ムラ等を生じにくく、良好な画像を形成しうる半導電性ローラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、エピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、ＢＲ、およびアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）の４種のみをゴム分として含むゴム組成物の、非多孔質の架橋物からなる半導電性ローラである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、非多孔質で、しかも現像ローラとして使用した際に押出成形時の押出肌の荒れに基づく形成画像の濃度ムラ等を生じにくく、良好な画像を形成しうる半導電性ローラを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の半導電性ローラの、実施の形態の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、エピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、ＢＲ、およびＮＢＲの４種のみをゴム分として含むゴム組成物の、非多孔質の架橋物からなる半導電性ローラである。
本発明の半導電性ローラによれば、ゴム分としてのエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＢＲの併用系に、さらにジエン系ゴムとしてＮＢＲを配合したゴム組成物を非多孔質の筒状に押出成形することにより、当該押出成形時に筒状体の外周面の押出肌が荒れるのをできるだけ抑制できる。
【００１５】
これはＮＢＲが、前述したジエン系ゴムとしての機能を有する上、その溶解パラメータ（ＳＰ値）がエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＢＲのいずれとも近いため、いわば相溶化剤としても機能してゴム組成物の一体性を向上して、当該ゴム組成物の流動性、成形性を向上させるのが原因と考えられる。
したがって本発明によれば、特に現像ローラとして使用した際に、上記押出肌の荒れに基づく形成画像の濃度ムラ等を生じにくく、常に良好な画像を形成しうる非多孔質の半導電性ローラを提供できる。
【００１６】
《ゴム組成物》
〈ゴム分〉
（エピクロルヒドリンゴム）
エピクロルヒドリンゴムとしては、繰り返し単位としてエピクロルヒドリンを含み、イオン導電性を有する種々の重合体が使用可能である。
【００１７】
かかるエピクロルヒドリンゴムとしては、例えばエピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド二元共重合体（ＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド二元共重合体、エピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル二元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体（ＧＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル四元共重合体等の１種または２種以上が挙げられる。
【００１８】
中でもエチレンオキサイドを含む共重合体、特にＥＣＯおよび／またはＧＥＣＯが好ましい。
上記両共重合体におけるエチレンオキサイド含量は、いずれも３０モル％以上、特に５０モル％以上であるのが好ましく、８０モル％以下であるのが好ましい。
エチレンオキサイドは半導電性ローラのローラ抵抗値を下げる働きをする。しかし、エチレンオキサイド含量がこの範囲未満ではかかる働きが十分に得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００１９】
一方、エチレンオキサイド含量が上記の範囲を超える場合には、エチレンオキサイドの結晶化が起こり、分子鎖のセグメント運動が妨げられるため、逆にローラ抵抗値が上昇する傾向がある。また架橋後の半導電性ローラが硬くなりすぎたり、ゴム組成物の、加熱溶融時の粘度が上昇して流動性、成形性が低下したりするおそれもある。
ＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は、２０モル％以上であるのが好ましく、７０モル％以下、特に５０モル％以下であるのが好ましい。
【００２０】
またＧＥＣＯにおけるアリルグリシジルエーテル含量は０．５モル％以上、特に２モル％以上であるのが好ましく、１０モル％以下、特に５モル％以下であるのが好ましい。
アリルグリシジルエーテルは、それ自体が側鎖として自由体積を確保するために機能することにより、エチレンオキサイドの結晶化を抑制して、半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる働きをする。しかし、アリルグリシジルエーテル含量がこの範囲未満ではかかる働きが十分に得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００２１】
一方、アリルグリシジルエーテルはＧＥＣＯの架橋時に架橋点として機能するため、アリルグリシジルエーテル含量が上記の範囲を超える場合には、ＧＥＣＯの架橋密度が高くなりすぎることによって分子鎖のセグメント運動が妨げられて、却ってローラ抵抗値が上昇する傾向がある。
ＧＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量、およびアリルグリシジルエーテル含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は、１０モル％以上、特に１９．５モル％以上であるのが好ましく、６９．５モル％以下、特に６０モル％以下であるのが好ましい。
【００２２】
なおＧＥＣＯとしては、先に説明した３種の単量体を共重合させた狭義の意味での共重合体のほかに、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ＥＣＯ）をアリルグリシジルエーテルで変性した変性物も知られており、本発明ではこのいずれのＧＥＣＯも使用可能である。
エピクロルヒドリンゴムとしては、特にＧＥＣＯが好ましい。ＧＥＣＯは、アリルグリシジルエーテルに起因し、架橋点として機能する二重結合を主鎖中に有するため、主鎖間での架橋によって半導電性ローラの圧縮永久ひずみを小さくできる。
【００２３】
そのため、例えば半導電性ローラを現像ローラとして使用した際にヘタリを生じにくくして、当該ヘタリによって形成画像に濃度ムラ等の画像不良が生じるのを抑制できるという利点がある。
（ＣＲ）
ジエン系ゴムのうちＣＲは、クロロプレンを乳化重合させて合成されるもので、その際に用いる分子量調整剤の種類によって硫黄変性タイプと非硫黄変性タイプとに分類される。
【００２４】
このうち硫黄変性タイプのＣＲは、クロロプレンと、分子量調整剤としての硫黄とを共重合させたポリマを、チウラムジスルフィド等で可塑化して所定の粘度に調整することで合成される。
また非硫黄変性タイプのＣＲは、例えばメルカプタン変性タイプ、キサントゲン変性タイプ等に分類される。
【００２５】
このうちメルカプタン変性タイプのＣＲは、例えばｎ−ドデシルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、オクチルメルカプタン等のアルキルメルカプタン類を分子量調整剤として使用すること以外は硫黄変性タイプのＣＲと同様にして合成される。
またキサントゲン変性タイプのＣＲは、アルキルキサントゲン化合物を分子量調整剤として使用すること以外は、やはり硫黄変性タイプのＣＲと同様にして合成される。
【００２６】
またＣＲは、その結晶化速度に基づいて、当該結晶化速度が遅いタイプ、中庸であるタイプ、および速いタイプに分類される。
本発明においてはいずれのタイプのＣＲを用いてもよいが、中でも非硫黄変性タイプで、かつ結晶化速度が遅いタイプのＣＲが好ましい。
またＣＲとしては、クロロプレンと他の共重合成分との共重合体を用いてもよい。かかる他の共重合成分としては、例えば２，３−ジクロロ−１，３−ブタジエン、１−クロロ−１，３−ブタジエン、スチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、イソプレン、ブタジエン、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、およびメタクリル酸エステル等の１種または２種以上が挙げられる。
【００２７】
またＣＲとしては、伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと、加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
（ＢＲ）
ＢＲとしては、分子中にポリブタジエン構造を備え、架橋性を有する種々の重合体がいずれも使用可能である。特に柔軟でありながら圧縮永久ひずみの小さい架橋物を形成できる、シス−１，４結合の含量が９０質量％以上の高シスＢＲが好ましい。
【００２８】
またＢＲとしては、やはり伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと、加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
（ＮＢＲ）
ＮＢＲとしては、アクリロニトリル含量が２４％以下である低ニトリルＮＢＲ、２５〜３０％である中ニトリルＮＢＲ、３１〜３５％である中高ニトリルＮＢＲ、３６〜４２％である高ニトリルＮＢＲ、４３％以上である極高ニトリルＮＢＲのいずれを用いてもよい。
【００２９】
またＮＢＲとしては、やはり伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと、加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
またＮＢＲとしては、ゴム組成物の流動性を向上するためにムーニー粘度が小さいものを選択して用いるのが好ましい。より具体的には、ＮＢＲのムーニー粘度ＭＬ１＋４（１００℃）は３５以下であるのが好ましい。ムーニー粘度の下限は特に限定されず、入手可能な最小のムーニー粘度のＮＢＲまで、種々の固形のＮＢＲが使用可能である。
【００３０】
あるいは固形のＮＢＲに代えて、常温で液状を呈する液状ＮＢＲを用いることもできる。
（配合割合）
ゴム分のうちエピクロルヒドリンゴムの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１５質量部以上、特に２０質量部以上であるのが好ましく、６５質量部以下、特に６０質量部以下であるのが好ましい。
【００３１】
エピクロルヒドリンゴムの配合割合がこの範囲未満では、半導電性ローラに良好な半導電性を付与できないおそれがある。
一方、エピクロルヒドリンゴムの配合割合が上記の範囲を超える場合には、相対的にＣＲの割合が少なくなって、当該ＣＲによる、半導電性ローラの柔軟性を向上したりニップ幅を大きくしたりする効果が十分に得られないおそれがある。またＢＲ、ＮＢＲの割合が少なくなり、ゴム組成物の流動性や成形性が低下して、外周面の押出肌が荒れやすくなるおそれもある。
【００３２】
これに対し、エピクロルヒドリンゴムの配合割合を上記の範囲とすることにより、前述した３種のジエン系ゴムを併用することによる効果を維持しながら、半導電性ローラに良好な半導電性を付与できる。
ＣＲの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以上、特に１０質量部以上であるのが好ましく、４５質量部以下、特に４０質量部以下であるのが好ましい。
【００３３】
ＣＲの配合割合がこの範囲未満では、当該ＣＲによる、半導電性ローラの柔軟性を向上したりニップ幅を大きくしたりする効果が十分に得られないおそれがある。
一方、ＣＲの配合割合が上記の範囲を超える場合には、相対的にエピクロルヒドリンゴムの割合が少なくなって、半導電性ローラに良好な半導電性を付与できないおそれがある。またＢＲ、ＮＢＲの割合が少なくなり、ゴム組成物の流動性や成形性が低下して、外周面の押出肌が荒れやすくなるおそれもある。
【００３４】
これに対し、ＣＲの配合割合を上記の範囲とすることにより、他の３種のゴムを併用することによる効果を維持しながら柔軟性を向上したりニップ幅を大きくしたりして、半導電性ローラを現像ローラとして使用した際のトナーの帯電性や画像耐久性をさらに向上できる。
ＣＲの配合割合は、当該ＣＲとして油展タイプのものを用いる場合は、かかる油展タイプのＣＲ中に含まれる固形分としてのＣＲ自体の配合割合である。
【００３５】
ＢＲの配合割合は、基本的に他の３種のゴムの残量である。すなわちエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＮＢＲを所定の割合で配合し、さらにＢＲを加えてゴム分の総量を１００質量部とすればよい。
ただしＢＲの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり２０質量部以上、特に２５質量部以上であるのが好ましく、６０質量部以下、特に５５質量部以下であるのが好ましい。
【００３６】
ＢＲの配合割合がこの範囲未満では、ゴム組成物の流動性や成形性を主に担う当該ＢＲの量が不足するため、たとえＮＢＲを併用したとしても、上記流動性や成形性が低下して、外周面の押出肌が荒れやすくなるおそれがある。
一方、ＢＲの配合割合が上記の範囲を超える場合には、相対的にエピクロルヒドリンゴムの割合が少なくなって、半導電性ローラに良好な半導電性を付与できないおそれがある。またＣＲの割合が少なくなって、当該ＣＲによる、半導電性ローラの柔軟性を向上したりニップ幅を大きくしたりする効果が十分に得られないおそれもある。さらにＮＢＲの割合が少なくなって、当該ＮＢＲによる、ゴム組成物の一体性を向上して流動性、成形性を向上させる効果が不十分になって、却って外周面の押出肌が荒れやすくなるおそれもある。
【００３７】
これに対し、ＢＲの配合割合を上記の範囲とすることにより、他の３種のゴムを併用することによる効果を維持しながら、ゴム組成物の流動性、成形性を向上して、押出成形時に押出肌が荒れるのをできるだけ抑制できる。
ＢＲの配合割合は、当該ＢＲとして油展タイプのものを用いる場合は、かかる油展タイプのＢＲ中に含まれる固形分としてのＢＲ自体の配合割合である。
【００３８】
ＮＢＲの配合割合は、特にゴム組成物の流動性、成形性を担うＢＲの配合割合との兼ね合いを考慮して設定するのが好ましい。
例えば上述したようにＢＲの配合割合が、ゴム分の総量１００質量部あたり５５質量部以下である系では、ＮＢＲの配合割合は、上記ゴム分の総量１００質量部あたり３質量部以上、特に５質量部以上であるのが好ましく、１５質量部以下、特に１０質量部以下とするのが好ましい。
【００３９】
ＮＢＲの配合割合がこの範囲未満では、当該ＮＢＲを併用することによる、ゴム組成物の一体性を向上して流動性、成形性を向上させる効果が不十分になって、外周面の押出肌が荒れやすくなるおそれがある。
一方、ＮＢＲの配合割合が上記の範囲を超える場合には、相対的にエピクロルヒドリンゴムの割合が少なくなって、半導電性ローラに良好な半導電性を付与できないおそれがある。またＣＲの割合が少なくなって、当該ＣＲによる、半導電性ローラの柔軟性を向上したりニップ幅を大きくしたりする効果が十分に得られないおそれもある。さらに、ゴム組成物の流動性、成形性を主として担うＢＲの割合が少なくなって、たとえＮＢＲを併用したとしても、上記流動性や成形性が低下して外周面の押出肌が荒れやすくなるおそれもある。
【００４０】
これに対し、ＮＢＲの配合割合を上記の範囲とすることにより、他の３種のゴムを併用することによる効果を維持しながら、ゴム組成物の流動性、成形性を向上して、押出成形時に押出肌が荒れるのをできるだけ抑制できる。
ＮＢＲの配合割合は、当該ＮＢＲとして油展タイプのものを用いる場合は、かかる油展タイプのＮＢＲ中に含まれる固形分としてのＮＢＲ自体の配合割合である。
【００４１】
〈架橋成分〉
ゴム組成物には、上記ゴム分を架橋させるための架橋成分を含有させる。架橋成分としては架橋剤、促進剤が挙げられる。
このうち架橋剤としては、例えば硫黄系架橋剤、チオウレア系架橋剤、トリアジン誘導体系架橋剤、過酸化物系架橋剤、各種モノマー等の１種または２種以上が挙げられる。
【００４２】
また、硫黄系架橋剤としては粉末硫黄や有機含硫黄化合物等が挙げられ、このうち有機含硫黄化合物等としては、例えばテトラメチルチウラムジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジチオビスモルホリン等が挙げられる。
チオウレア系架橋剤としては、例えばテトラメチルチオウレア、トリメチルチオウレア、エチレンチオウレア、(ＣｎＨ２ｎ＋１ＮＨ)２Ｃ＝Ｓ〔式中、ｎは１〜１０の数を示す。〕で表されるチオウレア等の１種または２種以上が挙げられる。
【００４３】
さらに過酸化物架橋剤としては、例えばベンゾイルペルオキシド等が挙げられる。
なお架橋剤としては、粉末硫黄等の硫黄と、チオウレア系架橋剤とを併用するのが好ましい。
かかる併用系において硫黄の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上であるのが好ましく、２質量部以下であるのが好ましい。
【００４４】
硫黄の配合割合がこの範囲未満では、ゴム組成物の全体での架橋速度が遅くなり、架橋に要する時間が長くなって半導電性ローラの生産性が低下するおそれがある。
また硫黄の配合割合が上記の範囲を超える場合には、架橋後の圧縮永久ひずみが大きくなったり、過剰の硫黄が半導電性ローラの外周面にブルームして感光体等を汚染したりするおそれがある。
【００４５】
なお、例えばオイル入り粉末硫黄を使用する場合、上記配合割合は、当該オイル入り粉末硫黄中に含まれる有効成分としての硫黄自体の配合割合である。
チオウレア系架橋剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．２質量部以上であるのが好ましく、１質量部以下であるのが好ましい。
チオウレア系架橋剤を上記の割合で硫黄と併用することにより、相対的に、硫黄の配合割合を先述した範囲内でも少なくして、半導電性ローラの圧縮永久ひずみを小さくできる。
【００４６】
また、チオウレア系架橋剤はゴムの分子運動をあまり妨げないため、半導電性ローラのローラ抵抗値をより低くできる。特に、上記の範囲でチオウレア系架橋剤の配合割合を増やして架橋密度を高めるほど、半導電性ローラのローラ抵抗値を低下できる。
しかしチオウレア系架橋剤の配合割合が上記の範囲未満では、当該チオウレア系架橋剤を硫黄と併用することによるこれらの効果が十分に得られないおそれがある。
【００４７】
一方、チオウレア系架橋剤の配合割合が上記の範囲を超える場合には、過剰のチオウレア系架橋剤が半導電性ローラの外周面にブルームして感光体等を汚染したり、半導電性ローラの破断伸び等の機械的特性を低下させたりするおそれがある。
促進剤としては、例えば消石灰、マグネシア（ＭｇＯ）、リサージ（ＰｂＯ）等の無機促進剤や、下記の有機促進剤等の１種または２種以上が挙げられる。
【００４８】
また有機促進剤としては、例えば１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン、１，３−ジフェニルグアニジン、１−ｏ−トリルビグアニド、ジカテコールボレートのジ−ｏ−トリルグアニジン塩等のグアニジン系促進剤；２−メルカプトベンゾチアゾール、ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド等のチアゾール系促進剤；Ｎ−シクロへキシル−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド等のスルフェンアミド系促進剤；テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド等のチウラム系促進剤；チオウレア系促進剤等の１種または２種以上が挙げられる。
【００４９】
促進剤は種類によって機能が異なるため、２種以上の促進剤を併用するのが好ましい。
個々の促進剤の配合割合は、その種類によって任意に設定できるが、通常は個別に、ゴム分の総量１００質量部あたり０．２質量部以上であるのが好ましく、２質量部以下であるのが好ましい。
〈その他〉
ゴム組成物には、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合してもよい。添加剤としては、例えば促進助剤、受酸剤、可塑剤、加工助剤、劣化防止剤、充填剤、スコーチ防止剤、滑剤、顔料、帯電防止剤、難燃剤、中和剤、造核剤、共架橋剤等が挙げられる。
【００５０】
このうち促進助剤としては、例えば酸化亜鉛（亜鉛華）等の金属化合物；ステアリン酸、オレイン酸、綿実脂肪酸等の脂肪酸、その他従来公知の促進助剤の１種または２種以上が挙げられる。
促進助剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上であるのが好ましく、７質量部以下であるのが好ましい。上記範囲内で、ゴム分や架橋剤、促進剤の種類と組み合わせに応じて適宜、配合割合を設定できる。
【００５１】
受酸剤は、ゴム分の架橋時にエピクロルヒドリンゴムやＣＲから発生する塩素系ガスが半導電性ローラ内に残留したり、それによって架橋阻害や感光体等の汚染などを生じたりするのを防止するために機能する。
受酸剤としては、酸受容体として作用する種々の物質を用いることができるが、中でも分散性に優れたハイドロタルサイト類またはマグサラットが好ましく、特にハイドロタルサイト類が好ましい。
【００５２】
また、ハイドロタルサイト類等を酸化マグネシウムや酸化カリウムと併用すると、より高い受酸効果を得ることができ、上記架橋阻害や感光体等の汚染などをより一層確実に防止できる。
受酸剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上であるのが好ましく、４質量部以下であるのが好ましい。
【００５３】
受酸剤の配合割合がこの範囲未満では、当該受酸剤を配合することによる効果が十分に得られないおそれがある。また受酸剤の配合割合が上記の範囲を超える場合には、架橋後の半導電性ローラの硬さが上昇するおそれがある。
可塑剤としては、例えばジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、トリクレジルホスフェート等の各種可塑剤や、極性ワックス等の各種ワックス等が挙げられる。また加工助剤としては、ステアリン酸等の脂肪酸などが挙げられる。
【００５４】
可塑剤および／または加工助剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以下であるのが好ましい。例えば画像形成装置への装着時や運転時に感光体等の汚染が生じたりするのを防止するためである。かかる目的に鑑みると、可塑剤のうち極性ワックスを使用するのが特に好ましい。
劣化防止剤としては、各種の老化防止剤や酸化防止剤等が挙げられる。
【００５５】
このうち酸化防止剤は、半導電性ローラのローラ抵抗値の環境依存性を低減するとともに、連続通電時のローラ抵抗値の上昇を抑制する働きをする。酸化防止剤としては、例えばジエチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラック（登録商標）ＮＥＣ−Ｐ〕、ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラックＮＢＣ〕等が挙げられる。
【００５６】
充填剤としては、例えば酸化亜鉛、シリカ、カーボン、カーボンブラック、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム等の１種または２種以上が挙げられる。
充填剤を配合することにより、半導電性ローラの機械的強度等を向上できる。
充填剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり２質量部以上であるのが好ましく、２０質量部以下であるのが好ましい。
【００５７】
また充填剤として、例えば導電性カーボンブラック等の導電性充填剤を配合して、半導電性ローラに電子導電性を付与してもよい。
導電性カーボンブラックの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上であるのが好ましく、３質量部以下であるのが好ましい。
スコーチ防止剤としては、例えばＮ−シクロへキシルチオフタルイミド、無水フタル酸、Ｎ−ニトロソジフエニルアミン、２，４−ジフエニル−４−メチル−１−ペンテン等の１種または２種以上が挙げられる。特にＮ−シクロへキシルチオフタルイミドが好ましい。
【００５８】
スコーチ防止剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下であるのが好ましい。
共架橋剤とは、それ自体が架橋するとともにゴム分とも架橋反応して全体を高分子化する働きを有する成分を指す。
共架橋剤としては、例えばメタクリル酸エステルや、あるいはメタクリル酸またはアクリル酸の金属塩等に代表されるエチレン性不飽和単量体、１，２−ポリブタジエンの官能基を利用した多官能ポリマ類、あるいはジオキシム等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５９】
このうちエチレン性不飽和単量体としては、例えば下記(a)〜(h)の各種化合物等の１種または２種以上が挙げられる。
(a)  アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸類。
(b)  マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸類。
(c)  (a)(b)の不飽和カルボン酸類のエステルまたは無水物。
【００６０】
(d)  (a)〜(c)の金属塩。
(e)  １，３−ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン。
(f)  スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどの芳香族ビニル化合物。
【００６１】
(g)  トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ビニルピリジンなどの、複素環を有するビニル化合物。
(h)  その他、（メタ）アクリロニトリルもしくはα−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、アクロレイン、ホルミルステロール、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルブチルケトン。
【００６２】
また(c)の不飽和カルボン酸類のエステルとしては、モノカルボン酸類のエステルが好ましい。
モノカルボン酸類のエステルとしては、例えば下記の各種化合物等の１種または２種以上が挙げられる。
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｉ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｎ−へキシル（メタ）アクリレート、シクロへキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ｉ−ノニル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル。
【００６３】
アミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ブチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアミノアルキルエステル。
べンジル（メタ）アクリレート、ベンゾイル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレートなどの、芳香族環を有する（メタ）アクリレート。
【００６４】
グリシジル（メタ）アクリレート、メタグリシジル（メタ）アクリレート、エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの、エポキシ基を有する（メタ）アクリレート。
Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、γ−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、テトラハイドロフルフリルメタクリレートなどの、各種官能基を有する（メタ）アクリレート。
【００６５】
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンジメタクリレート（ＥＤＭＡ）、ポリエチレングリコールジメタクリレート、イソブチレンエチレンジメタクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート。
以上で説明した各成分を含むゴム組成物は、従来同様に調製できる。まずゴム分を所定の割合で配合して素練りし、次いで架橋成分以外の各種添加剤を加えて混練した後、最後に架橋成分を加えて混練することでゴム組成物が得られる。混練には、例えばニーダ、バンバリミキサ、押出機等を用いることができる。
【００６６】
《半導電性ローラ》
図１は、本発明の半導電性ローラの、実施の形態の一例を示す斜視図である。
図１を参照して、この例の半導電性ローラ１は、上記ゴム組成物によって非多孔質でかつ単層構造の筒状に形成されるとともに、中心の通孔２にシャフト３が挿通されて固定されたものである。
【００６７】
シャフト３は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等の金属によって一体に形成されている。
シャフト３は、例えば導電性を有する接着剤を介して半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されるか、あるいは通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入することで、半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されて、上記半導電性ローラ１と一体に回転される。
【００６８】
半導電性ローラ１の外周面４には、図中に拡大して示すように酸化膜５を形成してもよい。
酸化膜５を形成すると、当該酸化膜５が誘電層として機能して半導電性ローラ１の誘電正接を低減できる。また現像ローラとして使用した場合は、酸化膜５が低摩擦層として機能してトナーの付着を良好に抑制できる。
【００６９】
しかも酸化膜５は、例えば酸化性雰囲気中で外周面４に紫外線を照射する等して、当該外周面４の近傍のゴム組成物中に含まれるジエン系ゴムを、前述したように酸化させるだけで簡単に形成できるため、半導電性ローラ１の生産性が低下したり製造コストが高くついたりするのを抑制できる。
なお、半導電性ローラ１の「単層構造」とはゴムからなる層の数が単層であることを指し、紫外線照射等によって形成される酸化膜５は層数に含まないこととする。
【００７０】
半導電性ローラ１を製造するには、まず調製したゴム組成物を、押出成形機を用いて筒状に押出成形し、次いで所定の長さにカットして加硫缶内で加圧、加熱して架橋させる。
次いで架橋させた筒状体を、オーブン等を用いて加熱して二次架橋させ、冷却したのち所定の外径となるように研磨する。
研磨方法としては、例えば乾式トラバース研削等の種々の研磨方法が採用可能であるが、研磨工程の最後に鏡面研磨をして仕上げると、当該外周面の離型性を向上して、酸化膜５を形成しない場合でもトナーの付着を抑制できる。また感光体等の汚染を有効に防止できる。
【００７１】
また外周面を上記のように鏡面研磨して仕上げた後にさらに酸化膜５を形成すると、この両者の相乗効果によってトナーの付着をより一層良好に抑制できるとともに、感光体等の汚染をさらに良好に防止できる。
シャフト３は、筒状体のカット後から研磨後までの任意の時点で通孔２に挿通して固定できる。
【００７２】
ただしカット後、まず通孔２にシャフト３を挿通した状態で二次架橋、および研磨をするのが好ましい。これにより二次架橋時の膨張収縮による筒状体→半導電性ローラ１の反りや変形を抑制できる。また、シャフト３を中心として回転させながら研磨することで当該研磨の作業性を向上し、なおかつ外周面４のフレを抑制できる。
シャフト３は、先に説明したように通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入するか、あるいは導電性を有する熱硬化性接着剤を介して、二次架橋前の筒状体の通孔２に挿通すればよい。
【００７３】
後者の場合は、オーブン中での加熱によって筒状体が二次架橋されるのと同時に熱硬化性接着剤が硬化して、当該シャフト３が筒状体→半導電性ローラ１に電気的に接合されるとともに機械的に固定される。
また前者の場合は、シャフト３の圧入と同時に電気的な接合と機械的な固定が完了する。
【００７４】
酸化膜５は、先に説明したように半導電性ローラ１の外周面４に紫外線を照射して形成するのが好ましい。すなわち、半導電性ローラ１の外周面４に所定波長の紫外線を所定時間照射して、当該外周面４の近傍を構成するゴム組成物中のジエン系ゴム自体を酸化させるだけで酸化膜５を形成できるため簡単で効率的である。
しかも酸化膜５は、上記のように外周面４の近傍を構成するゴム組成物中のジエン系ゴム自体が紫外線の照射によって酸化されて形成されるため、例えば従来の、塗剤を塗布して形成される被覆層のような問題を生じることがなく、厚みや表面形状等の均一性にも優れている。
【００７５】
照射する紫外線の波長は、ジエン系ゴムを効率よく酸化させて、先に説明した機能に優れた酸化膜５を形成することを考慮すると１００ｎｍ以上であるのが好ましく、４００ｎｍ以下、特に３００ｎｍ以下であるのが好ましい。また照射の時間は３０秒間以上、特に１分間以上であるのが好ましく、３０分間以下、特に１５分間以下であるのが好ましい。
ただし、酸化膜５は他の方法で形成してもよいし、場合によっては形成しなくてもよい。
【００７６】
非多孔質でかつ単層構造の半導電性ローラ１のタイプＡデュロメータ硬さは６０以下、特に５０以下であるのが好ましい。
タイプＡデュロメータ硬さがこの範囲を超える半導電性ローラ１は、柔軟性が低下したりニップ幅が小さくなったりして、半導電性ローラを現像ローラとして使用した際のトナーの帯電性や画像耐久性が不十分になるおそれがある。
【００７７】
なおタイプＡデュロメータ硬さを、本発明では日本工業規格ＪＩＳ  Ｋ６２５３−３：２０１２に記載の測定方法に則って、温度２３±２℃で測定した値でもって表すこととする。
また半導電性ローラ１は、現像ローラとして使用する場合、温度２３±２℃、相対湿度５５±２％で測定される、印加電圧１０００Ｖでのローラ抵抗値Ｒが１０４Ω以上、特に１０６．５Ω以上であるのが好ましく、１０８Ω以下であるのが好ましい。
【００７８】
ローラ抵抗値Ｒがこの範囲未満である低抵抗の半導電性ローラ１は、現像ローラとして使用した際にトナーのチャージをリークしやすく、例えば面方向にチャージがリークすることで形成画像の解像度等が低下するおそれがある。
またローラ抵抗値Ｒが上記の範囲を超える高抵抗の半導電性ローラ１では、現像ローラとして使用した際に、十分な画像濃度を有する画像を形成できないという問題を生じるおそれがある。
【００７９】
上記硬さやローラ抵抗値、あるいは圧縮永久ひずみ等を調整するためには、例えば４種のゴムの配合割合を先に説明した範囲内で調整したり、架橋成分の種類と配合割合を調整したり、充填剤その他を配合するか否かやその種類、配合割合を調整したりすればよい。
本発明の半導電性ローラは、以上で説明した単層の半導電性ローラ１を備えた単層構造のものには限定されず、外周面４側の外層とシャフト３側の内層の２層のゴム層を備えた積層構造に形成してもよい。
【００８０】
その場合には、外周面４側の外層を上述したゴム組成物によって形成することにより、当該外層の押出成形時に上記外周面４の押出肌が荒れるのを抑制して、例えば転写ローラとして使用した際に形成画像の濃度ムラ等が生じるのを良好に抑制できる。
本発明の半導電性ローラ１は、例えばレーザープリンタ等の電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで、感光体の表面に形成される静電潜像を、帯電させたトナー、特にプラス帯電型の非磁性１成分トナーによってトナー像に現像するための現像ローラとして好適に使用される。
【００８１】
半導電性ローラ１の厚みは、例えば現像ローラとして使用する場合、その小型化、軽量化を図りながら適度なニップ幅を確保するために１ｍｍ以上、特に３ｍｍ以上であるのが好ましく、１０ｍｍ以下、特に７ｍｍ以下であるのが好ましい。
本発明の半導電性ローラは、上記現像ローラとして例えばレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の画像形成装置に組み込んで好適に使用できるほか、当該画像形成装置において、例えば帯電ローラ、転写ローラ、クリーニングローラ等として用いることもできる。
【実施例】
【００８２】
〈実施例１〉
（ゴム組成物の調製）
ゴム分としては、下記の４種を用いた。
ＧＥＣＯ〔ダイソー(株)製のエピオン（登録商標）−３０１Ｌ、ＥＯ／ＥＰ／ＡＧＥ＝７３／２３／４（モル比）〕：３２質量部
ＣＲ〔昭和電工(株)製のショウプレン（登録商標）ＷＲＴ〕：１０質量部
ＮＢＲ〔日本ゼオン(株)製のＮｉｐｏｌ（登録商標）ＤＮ４０１ＬＬ、低ニトリルＮＢＲ、アクリロニトリル含量：１８％、ムーニー粘度ＭＬ１＋４（１００℃）：３２〕：３質量部
ＢＲ〔ＪＳＲ(株)製のＪＳＲ  ＢＲ０１、シス−１，４結合の含量：９５質量％、ムーニー粘度ＭＬ１＋４（１００℃）：４５〕：５５質量部
上記４種のゴム分の合計１００質量部を、バンバリミキサを用いて素練りしながら、下記表１に示す各成分のうち架橋成分以外を加えて混練し、最後に架橋成分を加えてさらに混練してゴム組成物を調製した。
【００８３】
【表１】
0006555526.tif 000002
【００８４】
表１中の各成分は下記のとおり。
硫黄系架橋剤：５％オイル入り硫黄〔鶴見化学工業(株)製〕
チウラム系促進剤：テトラメチルチウラムモノスルフィド〔三新化学工業(株)製のサンセラー（登録商標）ＴＳ〕
チアゾール系促進剤：ジ−２−ベンゾチアジルジスルフィド〔Ｓｈａｎｄｏｎｇ  Ｓｈａｎｘｉａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．  Ｌｔｄ．製の商品名ＳＵＮＳＩＮＥ  ＭＢＴＳ〕
チオウレア系架橋剤：エチレンチオウレア〔２−メルカプトイミダゾリン、川口化学工業(株)製のアクセル（登録商標）２２−Ｓ〕
グアニジン系促進剤：１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン〔三新化学工業(株)製のサンセラーＤＴ〕
促進助剤：酸化亜鉛２種〔三井金属鉱業(株)製〕
充填剤Ｉ：カーボンブラックＦＴ〔旭カーボン(株)製の旭＃１５〕
充填剤II：導電性カーボンブラック〔電気化学工業(株)製のデンカ  ブラック（登録商標）粒状〕
受酸剤：ハイドロタルサイト類〔協和化学工業(株)製のＤＨＴ-４Ａ（登録商標）〕
（半導電性ローラの製造）
調製したゴム組成物を押出機に供給して外径φ２０ｍｍ、内径φ７．０ｍｍの筒状に押出成形し、架橋用の仮のシャフトに装着して加硫缶内で１６０℃×１時間架橋させた。
【００８５】
次いで架橋させた筒状体を、外周面に導電性の熱硬化性接着剤を塗布した外径φ７．５ｍｍのシャフトに装着し直して、オーブン中で１６０℃に加熱してシャフトに接着させた。
次いで両端をカットするとともに、外周面を、円筒研磨機を用いてトラバース研磨したのち仕上げとして鏡面研磨して、外径φ２０．００ｍｍ（公差０．０５）になるように仕上げた。鏡面研磨には＃２０００のラッピングフィルム〔三共理化学(株)製のミラーフィルム（登録商標）〕を用いた。
【００８６】
次いで、鏡面研磨後の外周面を水洗いしたのち、当該外周面からＵＶランプまでの距離が５ｃｍになるように設定して紫外線照射装置〔セン特殊光源(株)製のＰＬ２１−２００〕にセットし、シャフトを中心として９０°ずつ回転させながら、波長１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの紫外線を５分間ずつ照射することで上記外周面に酸化膜を形成して半導電性ローラを製造した。
【００８７】
〈実施例２〉
ＧＥＣＯの配合割合を３０質量部、ＮＢＲの配合割合を５質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
〈実施例３〉
ＧＥＣＯの配合割合を４０質量部、ＮＢＲの配合割合を５質量部、ＢＲの配合割合を４５質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
【００８８】
〈実施例４〉
ＧＥＣＯの配合割合を４０質量部、ＮＢＲの配合割合を１０質量部、ＢＲの配合割合を４０質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
〈実施例５〉
ＧＥＣＯの配合割合を２０質量部、ＣＲの配合割合を４０質量部、ＮＢＲの配合割合を１０質量部、ＢＲの配合割合を３０質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
【００８９】
〈実施例６〉
ＧＥＣＯの配合割合を６０質量部、ＣＲの配合割合を１０質量部、ＮＢＲの配合割合を５質量部、ＢＲの配合割合を２５質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
〈実施例７〉
ＮＢＲとして、ムーニー粘度ＭＬ１＋４（１００℃）が４３である、ＪＳＲ(株)製のＮ２５０ＳＬ〔低ニトリルＮＢＲ、アクリロニトリル含量：１９．５％〕を同量配合したこと以外は実施例２と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
【００９０】
〈比較例１〉
ＧＥＣＯの配合割合を３５質量部としてＮＢＲを配合しなかったこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
〈実機試験〉
各実施例、比較例で製造した半導電性ローラを、市販のレーザープリンタ用の新品のカートリッジ（トナーを収容したトナー容器、感光体、および感光体と接触させた現像ローラが一体になったもの）の既設の現像ローラと交換した。なおレーザープリンタはプラス帯電型の非磁性１成分トナーを使用するもので、トナー推奨印字枚数は約８０００枚である。
【００９１】
上記カートリッジを初期状態のレーザープリンタに装着し、温度２３±１℃、相対湿度５５±１％の環境下で初期画像として黒ベタ画像を出力して、押出肌の荒れに起因する濃度ムラの画像不良が発生したか否かを確認し、下記の基準で初期画像の良否を評価した。
○：濃度ムラは見られなかった。良好。
△：目視では確認できない程度のごく僅かな濃度ムラが見られたが実用レベル。
【００９２】
×：目視で確認できる濃度ムラが見られた。不良。
以上の結果を表２、表３に示す。
【００９３】
【表２】
0006555526.tif 000003
【００９４】
【表３】
0006555526.tif 000004
【００９５】
表２、表３の実施例１〜７、比較例１の結果より、ゴム分としてのエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＢＲの併用系に、さらにジエン系ゴムとしてＮＢＲを配合したゴム組成物を非多孔質の筒状に押出成形することにより、当該押出成形時に筒状体の外周面の押出肌が荒れるのを抑制して、現像ローラとして使用した際に、上記押出肌の荒れに基づく形成画像の濃度ムラ等を生じにくく、常に良好な画像を形成しうる半導電性ローラが得られることが判った。
【００９６】
また実施例１〜６の結果より、ゴム分の総量１００質量部あたりのＢＲの配合割合が５５質量部以下である系では、ＮＢＲの配合割合を３質量部以上、特に５質量部以上とするのが好ましいことが判った。
さらに実施例２、７の結果より、ＮＢＲとしては、ムーニー粘度ＭＬ１＋４（１００℃）が３５以下であるものを用いるのが好ましいことが判った。
【符号の説明】
【００９７】
１     半導電性ローラ
２     通孔
３     シャフト
４     外周面
５     酸化膜
【図１】
0006555526.tif 000005