(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電可能な内蔵電源と、
外部電源から供給された電力を前記内蔵電源に供給する充電回路と、
前記内蔵電源の電圧を測定する電圧測定回路と、
を備える電子機器において、
前記内蔵電源の温度を測定する温度センサーと、
前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給し、電力の供給を停止した後の前記内蔵電源の電圧の変化量に基づいて前記内蔵電源の劣化度合を推定する推定回路と、
を備え、
前記推定回路は、
前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧と前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度とに基づいて、前記内蔵電源の劣化度合を推定する劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定し、
前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給して前記内蔵電源の前記劣化推定処理を行うことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記推定回路は、前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合、前記内蔵電源の温度と、前記充電回路から前記内蔵電源に対する電流の供給を停止した後の状態において前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧の変化量とに基づいて前記劣化推定処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記推定回路は、前記内蔵電源の温度と、当該温度において前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能な前記内蔵電源の電圧の範囲との関係を予め有しており、前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧が、前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度における前記範囲内にある場合に前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記充電回路から前記内蔵電源に供給される電流の電流値を測定する電流測定回路を備え、
前記推定回路は、前記内蔵電源の温度と前記内蔵電源の電圧の変化量に加え、前記電流測定回路が測定した前記電流の電流値に基づいて、前記劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記推定回路は、前記内蔵電源の温度と、前記内蔵電源の電圧の変化量と、前記電流の電流値とに基づいて前記内蔵電源の容量を算出し、算出した当該容量に基づいて前記内蔵電源の劣化度合を推定することを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記推定回路は、前記劣化推定処理で用いる前記内蔵電源の電圧の変化量として、前記電圧測定回路が測定した、電流の供給停止後の放電状態における前記内蔵電源の電圧のうち前記電圧が急速に減少した後で緩やかに減少する状態に移行した時点での前記電圧の変化量を用いることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
記憶手段を備え、
前記推定回路は、前記劣化推定処理で推定した前記内蔵電源の劣化度合を前記記憶手段に記憶させて保存することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記内蔵電源として、リチウムイオンキャパシターが用いられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項９】
複数の放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサーパネルを備える放射線画像撮影装置であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載に電子機器。
【請求項１０】
前記推定回路は、前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能でないと判定した場合には、少なくとも前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度において前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能となる電圧になるまで前記内蔵電源を充電した後で、または前記内蔵電源からの放電を行った後で、前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１１】
報知手段を備え、
前記推定回路は、前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能でないと判定した場合には、前記報知手段により前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことができない旨を報知することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の電子機器と、
報知装置と、
を備え、
前記電子機器の前記推定回路は、前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能でないと判定した場合には、前記報知装置に、前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことができない旨を報知させることを特徴とする内蔵電源の劣化推定システム。
【請求項１３】
充電可能な内蔵電源と、
外部電源から供給された電力を前記内蔵電源に供給する充電回路と、
前記内蔵電源の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有する電子機器を備える内蔵電源の劣化推定システムにおいて、
前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給し、電力の供給を停止した後の前記内蔵電源の電圧の変化量に基づいて前記電子機器の前記内蔵電源の劣化度合を推定する推定装置を備え、
前記電子機器は、前記内蔵電源の温度を測定する温度センサーを備え、
前記推定装置は、
前記電子機器の前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧と前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度とに基づいて、前記内蔵電源の劣化度合を推定する劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定し、
前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給して前記内蔵電源の前記劣化推定処理を行うことを特徴とする内蔵電源の劣化推定システム。
【請求項１４】
充電可能な内蔵電源と、
外部電源から供給された電力を前記内蔵電源に供給する充電回路と、
前記内蔵電源の電圧を測定する電圧測定回路と、
前記内蔵電源の温度を測定する温度センサーと、
を備える電子機器の前記内蔵電源へ前記充電回路から電力を供給し、電力の供給を停止した後の前記内蔵電源の電圧の変化量に基づいて前記内蔵電源の劣化度合を推定する内蔵電源の劣化推定方法において、
前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧と前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度とに基づいて、前記内蔵電源の劣化度合を推定する劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給して前記内蔵電源の前記劣化推定処理を行う劣化推定工程と、
を有することを特徴とする内蔵電源の劣化推定方法。
【請求項１５】
前記内蔵電源の温度と、当該温度において前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能な前記内蔵電源の電圧の範囲との関係は、前記内蔵電源の温度が高くなるほど、前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能な前記内蔵電源の電圧の範囲が広くなる関係であることを特徴とする、請求項３に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器、内蔵電源の劣化推定システムおよび内蔵電源の劣化推定方法に係り、特に電子機器の劣化度合を推定可能な電子機器、内蔵電源の劣化推定システムおよび内蔵電源の劣化推定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、キャパシターやバッテリー、二次電池、蓄電デバイス等からなる内蔵電源を内蔵しているものが多い。そして、このような内蔵電源の劣化が進んで内蔵電源から正常な値の電力が出力できなくなると、電子機器の動作が異常になったり、或いは、電子機器が動作しなくなったりする。そのため、内蔵電源の劣化判定を行う技術が種々開発されている。
【０００３】
内蔵電源の劣化判定の方法としては種々の方法が知られているが、例えば、特許文献１や非特許文献１に記載されているように、内蔵電源に対する電力の供給を停止すると、内蔵電源の電圧（すなわち内蔵電源のプラス端子とマイナス端子との間の電圧）が内蔵電源の内部抵抗等の影響で低下する現象を利用して、内蔵電源の劣化判定を行うことが可能である。
【０００４】
そして、特許文献１や非特許文献１に記載されているように、内蔵電源に対する電流の供給を停止すると、図１３に概略的に示すように、電流の供給を停止した直後の電圧Ｖの急激な降下（図中のΔＶ１参照）と、その後、経過時間とともに緩やかに降下する電圧降下（図中のΔＶ２参照。非特許文献１では“緩和”成分とも呼ばれている。）とが現れることが分かっている。
【０００５】
そして、例えば特許文献１には、内蔵電源が劣化した場合に、電力供給を停止した直後の急激な電圧降下ΔＶ１（或いは電力供給を停止した際の電流値Ｉ０を用いてＲ１＝ΔＶ１／Ｉ０で算出される内蔵電源の内部抵抗）が、内蔵電源が劣化していない場合に比べて大きくなるとの知見に基づいて、電圧降下ΔＶ１や内部抵抗Ｒ１等によって内蔵電源の劣化度合や劣化状態等を判定する二次電池の状態判定方法等の発明が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２９９１３７号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】村山  正樹、外３名、“リチウム二次電池の充放電における電圧降下に関する考察”、［online］、平成２１年度三重県工業研究所研究報告No.34 (2010)、三重県工業研究所、［平成２６年１１月５日検索］、インターネット＜URL：http://www.mpstpc.pref.mie.lg.jp/KOU/kenhou/h21.htm＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一方、非特許文献１では、上記の急激な電圧降下ΔＶ１に基づいて算出される内蔵電源の内部抵抗は、内蔵電源が新品の場合よりも使用中の方が大きくなり、内蔵電源が劣化後には使用中の場合よりも内部抵抗が小さくなることが記載されている。それに対し、急激な降下後に穏やかに降下する際の電圧降下ΔＶ２から算出される“緩和”抵抗成分を見ると、内蔵電源が新品時、使用中、劣化後と劣化が進むにつれて“緩和”抵抗成分が単調に増加することが記載されている。
【０００９】
そこで、本発明者らは、上記の“緩和”成分、すなわち内蔵電源への電力供給を停止した直後に電圧Ｖが急激に降下した後の、内蔵電源の電圧Ｖが経過時間とともに緩やかに降下する状態（以下、非特許文献１に倣って緩和状態という。）における電圧降下ΔＶ２に基づいて内蔵電源の劣化度合を判定する方法の研究を進めた。
【００１０】
そして、その結果、内蔵電源の劣化度合を良好に推定できる場合と、必ずしも良好に推定できない場合とがあるという知見が得られた。そして、この知見に基づいて、内蔵電源の劣化度合を良好に推定できる状況で内蔵電源の劣化度合を推定することで、内蔵電源の劣化度合を的確に推定して、例えば劣化が進んだ内蔵電源については交換等を行うことで、内蔵電源から正常な値の電力が出力できなくなって電子機器の動作が異常になったり電子機器が動作しなくなったりすることを的確に防止することが可能となる。
【００１１】
本発明は、上記の点を鑑みてなされたものであり、電子機器の内蔵電源の劣化度合を的確に推定することが可能な電子機器、内蔵電源の劣化推定システムおよび内蔵電源の劣化推定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の問題を解決するために、本発明の電子機器は、
充電可能な内蔵電源と、
外部電源から供給された電力を前記内蔵電源に供給する充電回路と、
前記内蔵電源の電圧を測定する電圧測定回路と、
を備える電子機器において、
前記内蔵電源の温度を測定する温度センサーと、
前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給し、電力の供給を停止した後の前記内蔵電源の電圧の変化量に基づいて前記内蔵電源の劣化度合を推定する推定回路と、
を備え、
前記推定回路は、
前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧と前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度とに基づいて、前記内蔵電源の劣化度合を推定する劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定し、
前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給して前記内蔵電源の前記劣化推定処理を行うことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の内蔵電源の劣化推定システムは、
充電可能な内蔵電源と、
外部電源から供給された電力を前記内蔵電源に供給する充電回路と、
前記内蔵電源の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有する電子機器を備える内蔵電源の劣化推定システムにおいて、
前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給し、電力の供給を停止した後の前記内蔵電源の電圧の変化量に基づいて前記電子機器の前記内蔵電源の劣化度合を推定する推定装置を備え、
前記電子機器は、前記内蔵電源の温度を測定する温度センサーを備え、
前記推定装置は、
前記電子機器の前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧と前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度とに基づいて、前記内蔵電源の劣化度合を推定する劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定し、
前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給して前記内蔵電源の前記劣化推定処理を行うことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の内蔵電源の劣化推定方法は、
充電可能な内蔵電源と、
外部電源から供給された電力を前記内蔵電源に供給する充電回路と、
前記内蔵電源の電圧を測定する電圧測定回路と、
前記内蔵電源の温度を測定する温度センサーと、
を備える電子機器の前記内蔵電源へ前記充電回路から電力を供給し、電力の供給を停止した後の前記内蔵電源の電圧の変化量に基づいて前記内蔵電源の劣化度合を推定する内蔵電源の劣化推定方法において、
前記電圧測定回路が測定した前記内蔵電源の電圧と前記温度センサーが測定した前記内蔵電源の温度とに基づいて、前記内蔵電源の劣化度合を推定する劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において前記内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、前記充電回路から前記内蔵電源へ電力を供給して前記内蔵電源の前記劣化推定処理を行う劣化推定工程と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のような方式の電子機器、内蔵電源の劣化推定システムおよび内蔵電源の劣化推定方法によれば、電子機器の内蔵電源の劣化度合を的確に推定することができない場合には劣化推定処理を行わず、電子機器の内蔵電源の劣化度合を的確に推定することが可能な場合にのみ劣化推定処理が行われるため、電子機器の内蔵電源の劣化度合を的確に推定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】電子機器の例としての放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】図１の放射線画像撮影装置の回路構成を表すブロック図である。
【図４】放射線画像撮影装置がクレードルに挿入され、コネクター同士が接続された状態を表す断面図である。
【図５】ケーブルを接続した状態の放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図６】電子機器の内蔵電源の充電にかかわる構成等を説明するブロック図である。
【図７】電流の供給が停止された後の内蔵電源の電圧の時間的推移および緩和状態における電圧の変化量等を説明するグラフである。
【図８】内蔵電源の温度と、当該温度において内蔵電源の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源の電圧の範囲との関係を概略的に表したグラフである。
【図９】内蔵電源の各温度において内蔵電源の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源の電圧Ｖの範囲の下限値が充電回路から内蔵電源に供給する電流の電流値によって変わることを説明するグラフである。
【図１０】推定回路が内蔵電源の劣化推定処理を行う際の具体的な手順を表すフローチャートである。
【図１１】内蔵電源の劣化推定処理を電子機器とは別体の推定装置で行うように構成された内蔵電源の劣化推定システムを表す概略図である。
【図１２】推定回路が内蔵電源の劣化推定処理を行う際の具体的な手順の変形例を表すフローチャートである。
【図１３】内蔵電源に対する電流の供給を停止するとその直後に電圧の急激な降下が現れ、その後、経過時間とともに緩やかに降下する電圧降下が現れることを説明するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る電子機器、内蔵電源の劣化推定システムおよび内蔵電源の劣化推定方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１８】
なお、以下では、電子機器が放射線画像撮影装置（Flat Panel Detector：ＦＰＤ）である場合について説明するが、本発明は、この形態に限定されない。
【００１９】
［電子機器の例としての放射線画像撮影装置の構成例について］
以下、本実施形態に係る電子機器の例として、放射線画像撮影装置１の構成例について簡単に説明する。図１は、放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【００２０】
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレーター３や基板４等で構成されるセンサーパネルＳＰが収納されて構成されている。本実施形態では、筐体２は、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで形成されている。
【００２１】
図１に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクター３９、内蔵電源２４（図２や後述する図３参照）の状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケーター４０等が配置されている。
【００２２】
なお、後述するように、本実施形態では、電子機器としての放射線画像撮影装置１は、クレードル等の充電装置に装填して接続したり（後述する図４参照）、コネクター３９にケーブルを接続したり（後述する図５参照）して、図示しない外部電源から電力を供給することで、内蔵電源２４の充電を行うことができるようになっている。なお、内蔵電源２４に電力を供給することが可能であればよく、充電装置に装填したりコネクター３９にケーブルを接続したりする場合に限定されない。
【００２３】
また、図示を省略するが、本実施形態では、筐体２の反対側の蓋部材２Ｃに、放射線画像撮影装置１が外部装置と信号等の送受信を無線方式で行うための図示しないアンテナ装置が、例えば蓋部材２Ｃに埋め込まれるようにして設けられている。
【００２４】
図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や内蔵電源２４等が取り付けられている。また、基板４やシンチレーター３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３４が配設されており、センサーパネルＳＰと筐体２の側面との間に緩衝材３５が設けられている。
【００２５】
図示を省略するが、基板４の検出部Ｐ上には、フォトダイオード等からなる複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されており、各放射線検出素子７にスイッチ手段としての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８や走査線５、信号線６、バイアス線９等が接続されている。また、シンチレーター３が、基板４の検出部Ｐに対向するように設けられるようになっている。
【００２６】
放射線画像撮影装置１の回路構成を、図３に示すブロック図を用いて説明する。本実施形態では、複数の放射線検出素子７が基板４上に二次元状に配列されて検出部Ｐが形成されている。また、各放射線検出素子７の第２電極７ｂにはそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に接続されてバイアス電源１４に接続されている。そして、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれバイアス電源１４から逆バイアス電圧が印加されるようになっている。
【００２７】
走査駆動手段１５では、電源回路１５ａからゲートドライバー１５ｂに配線１５ｃを介してオン電圧やオフ電圧が供給され、ゲートドライバー１５ｂで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えることで、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理等を行うようになっている。
【００２８】
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されており、読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９（図３ではＣＤＳと記載されている。）等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサー２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。
【００２９】
そして、例えば、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理の際には、ゲートドライバー１５ｂからオン電圧が印加された走査線５に接続されているＴＦＴ８がオン状態になり、オン状態になったＴＦＴ８に接続されている放射線検出素子７から信号線６に電荷が放出され、放出された電荷が読み出し回路１７の増幅回路１８で電荷電圧変換される。
【００３０】
そして、増幅回路１８の出力側に設けられた相関二重サンプリング回路１９で、放射線検出素子７から電荷が放出される前後の増幅回路１８からの出力値の差分を算出し、算出した差分をアナログ値の画像データとして出力する。そして、出力されたアナログ値の画像データが、アナログマルチプレクサー２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて出力され、記憶手段２３に順次保存される。このようにして、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理が順次行われる。
【００３１】
制御部２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたマイクロコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。そして、制御部２２は、放射線画像撮影装置１の走査駆動手段１５や読み出し回路１７、バイアス電源１４等の各機能部の動作等を制御するようになっている。
【００３２】
また、制御部２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）等で構成される記憶手段２３が接続されている。また、図３では図示を省略するが、本実施形態では、制御部２２には、前述した電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクター３９、インジケーター４０（図１参照）等やアンテナ装置等も接続されている。
【００３３】
また、制御部２２には、制御部２２や走査駆動手段１５、読み出し回路１７、バイアス電源１４等の各機能部に電力を供給するための内蔵電源２４が接続されている。本実施形態では、内蔵電源２４として、リチウムイオンキャパシター（ＬｉＣ）が用いられているが、本発明はこれに限定されず、充電可能な内蔵電源であれば、電気二重層キャパシター等の蓄電デバイスやリチウムイオンバッテリー等のバッテリーや二次電池等であってもよい。
【００３４】
［電子機器の充電装置やケーブルとの接続等について］
なお、電子機器としての放射線画像撮影装置１の充電時に、クレードル等の充電装置に装填して接続する際には、例えば図４に示すように、放射線画像撮影装置１を充電装置Ｃｒに装填した時点で、放射線画像撮影装置１のコネクター３９と充電装置ＣｒのコネクターＣとが自動的に接続されるように構成することが可能である。
【００３５】
また、例えば図５に示すように、放射線画像撮影装置１のコネクター３９にケーブルＣａのコネクターＣを接続するように構成することも可能である。そして、放射線画像撮影装置１のコネクター３９に充電装置ＣｒやケーブルＣａのコネクターＣを接続した状態で外部電源Ｂ（図５では図示省略）から放射線画像撮影装置１に電力を供給することが可能となる。
【００３６】
［電子機器の内蔵電源の充電にかかわる構成等について］
次に、本実施形態に係る電子機器（放射線画像撮影装置１）の推定回路における内蔵電源２４の劣化推定処理について説明する前に、内蔵電源２４の劣化推定処理に用いられる、上記の放射線画像撮影装置１等の電子機器の内蔵電源２４の充電にかかわる構成等について説明する。なお、以下では、放射線画像撮影装置１等の電子機器を電子機器１として一般的な形で説明する。
【００３７】
図６は、電子機器１の内蔵電源２４の充電にかかわる構成等を説明するブロック図である。なお、図６では、図４や図５に示したように、電子機器１のコネクター３９に、コネクターＣを介してクレードル等の充電装置ＣｒやケーブルＣａが接続され、それらを介して外部電源（図６では図示省略）から電力が供給される場合が示されているが、電子機器１のコネクター３９に、充電装置Ｃｒのみ或いはケーブルＣａのみが接続されるように構成される場合もある。
【００３８】
前述したように、電子機器１内では、内蔵電源２４と制御部２２等の各機能部とが電気的に接続されている。なお、図６では、制御部２２以外の走査駆動手段１５、読み出し回路１７、バイアス電源１４（図３参照）等の各機能部が、センサーパネルＳＰとしてまとめて記載されている。
【００３９】
また、コネクター３９から内蔵電源２４に至る充電用の電力供給経路３０上には、内蔵電源２４の充電を行うための充電回路２５が設けられている。なお、図示を省略するが、充電回路２５とコネクター３９との間に、例えば充電回路２５側からコネクター３９側に電流が逆流しないようにするための逆流防止回路等を設けることも可能である。
【００４０】
充電回路２５は、外部電源Ｂ（図４参照。なお、ケーブルＣａ（図５参照）を接続した場合も同様。）から供給された電力を内蔵電源２４に対して供給するようになっている。そして、例えば、内蔵電源２４の充電を行う際には、内蔵電源２４の電圧が設定された電圧値に達するまでは、充電回路２５から内蔵電源２４に所定の電流値の定電流を供給して定電流充電を行い、内蔵電源２４の電圧が設定された電圧値に達した後は、充電回路２５から内蔵電源２４に定電圧を供給して定電圧充電を行うようにして、内蔵電源２４の充電を行うように構成することが可能である。
【００４１】
また、本実施形態では、電子機器１は、さらに、電流測定回路２６と、電圧測定回路２７と、温度センサー２８と、推定回路２９等を備えている。なお、図６では、電流測定回路２６と電圧測定回路２７と推定回路２９とが電子機器１の制御部２２とは別々に記載されているが、それらのうちのいずれか或いは全てを制御部２２内に構築するように構成することも可能である。すなわち、電子機器１の制御部２２が、電流測定回路２６や電圧測定回路２７、推定回路２９等として機能するように構成することも可能である。
【００４２】
電流測定回路２６は、充電回路２５から内蔵電源２４に供給される電流の電流値Ｉを測定し、測定した電流値Ｉを推定回路２９に送信するようになっている。なお、例えば電子機器１の充電の際に充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉが一定値に決められているような場合には、充電回路２５から内蔵電源２４に供給される電流の電流値Ｉは予め分かっているため、電流測定回路２６を必ずしも設ける必要はない。
【００４３】
電圧測定回路２７は、内蔵電源２４の電圧Ｖを測定し、測定した電圧Ｖを推定回路２９に送信するようになっている。なお、上記の充電回路２５の内部に内蔵電源２４の電圧Ｖを測定する回路が形成されている場合には、その回路を電圧測定回路２７とし、その回路が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖを推定回路２９に送信するように構成することも可能である。
【００４４】
本実施形態では、内蔵電源２４の近傍には、或いは内蔵電源２４に接触させる状態で、内蔵電源２４の温度Ｔを測定する温度センサー２８が設けられている。温度センサー２８は、内蔵電源２４の温度Ｔを的確に測定し、測定した内蔵電源２４の温度Ｔを推定回路２９に送信することができるものであればよく、特定の形態のセンサーに限定されない。
【００４５】
推定回路２９は、電流測定回路２６や電圧測定回路２７、温度センサー２８から送信されてくる上記の電流値Ｉや内蔵電源２４の電圧Ｖ、温度Ｔ（上記のように電流測定回路２６が設けられていない場合は電圧測定回路２７や温度センサー２８から送信されてくる内蔵電源２４の電圧Ｖや温度Ｔ）に基づいて、内蔵電源２４の劣化度合を推定するようになっている。
【００４６】
［電子機器の推定回路における内蔵電源の劣化推定処理について］
次に、電子機器１の推定回路２９における内蔵電源２４の劣化推定処理について説明する。また、本実施形態に係る電子機器１の作用についてもあわせて説明する。さらに、以下の説明は、本発明に係る内蔵電源の劣化推定方法の説明にもなっている。
【００４７】
本実施形態では、前述したように、充電回路２５から内蔵電源２４に電流値Ｉの電流を供給して充電を行い、電流の供給を停止した後の状態（図１３参照）において電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶに基づいて、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うように構成されている。
【００４８】
具体的には、本実施形態では、推定回路２９は、充電回路２５から内蔵電源２４に電流値Ｉの電流を供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量（例えば１００ｍＶや２００ｍＶ等）だけ上昇させ、電流の供給を停止した後の内蔵電源２４の電圧Ｖを電圧測定回路２７で測定する。そして、図７に示すように、充電後の放電状態で、測定した電圧Ｖが急速に減少した後、緩やかに減少する状態（前述した緩和状態）に移行した時点での電圧Ｖの変化量ΔＶを測定する。
【００４９】
その際、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶとしては、例えば、下記（１）式に示すように、充電回路２５から内蔵電源２４への電流の供給を停止した時点ｔ０から１秒後に電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖ１と、電流の供給を停止した時点ｔ０から１０秒後に電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖ１０との差として算出するように構成することが可能である（図７参照）。
ΔＶ＝Ｖ１−Ｖ１０    …（１）
【００５０】
なお、非特許文献１等に記載されているように、緩和状態において、電圧測定回路２７により測定される内蔵電源２４の電圧Ｖは、充電回路２５から内蔵電源２４への電流の供給を停止した時点ｔ０から１０秒後以降もさらに低下していく場合がある。しかし、本発明者らの研究では、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶを上記のように定義した場合、下記のようにして内蔵電源２４の劣化度合を良好に推定することができることが分かっている。
【００５１】
一方、本実施形態では、推定回路２９は、上記のように算出される緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶ等に基づいて内蔵電源２４の容量Ｃを算出して推定することで、内蔵電源２４の劣化度合を推定するようになっている。内蔵電源２４の劣化が進むほど内蔵電源２４の容量Ｃが小さくなる。そのため、上記のように内蔵電源２４の容量Ｃを算出し、算出した容量Ｃと、新品の状態において測定しておいた内蔵電源２４の初期容量Ｃ０とを比較することで、内蔵電源２４の劣化度合を推定することが可能となる。
【００５２】
その場合、例えば非特許文献１等のように、内蔵電源２４の内部抵抗等を推定することで内蔵電源２４の劣化度合を推定するように構成することも可能である。また、上記のように、緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶに基づいて内蔵電源２４の劣化度合すなわち内蔵電源２４の容量Ｃを推定する場合、例えば、内蔵電源２４の容量Ｃを、下記（２）式のように、定数ａ、ｄを用い、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶに基づいて算出するように構成することが可能である。
Ｃ＝ａ×ΔＶ＋ｄ    …（２）
【００５３】
また、本発明者らの研究では、内蔵電源２４の温度Ｔが同じであれば、上記のようにして算出した内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶが大きいほど、内蔵電源２４の劣化が進んでいる（すなわち内蔵電源２４の容量Ｃが小さくなる）ことを表しているが、一方で、内蔵電源２４の温度Ｔが低い場合も、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶが大きくなる場合があることが分かっている。
【００５４】
すなわち、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶが大きいからと言って、必ずしも内蔵電源２４の劣化が進んでいるとは限らず、例えば外気温や電子機器１（放射線画像撮影装置１）内部の温度が低いために内蔵電源２４の温度Ｔが低くなり、そのために内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶが大きくなっている可能性がある。
【００５５】
このように、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶは、内蔵電源２４の温度Ｔに依存して変化し得る。そして、本発明者らの研究では、内蔵電源２４の劣化度合（すなわち本実施形態の場合は内蔵電源２４の容量Ｃ）は、上記のようにして算出される緩和状態での内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶだけで推定する代わりに、内蔵電源２４の温度Ｔも考慮して推定することが可能であるという知見が得られている。
【００５６】
そこで、内蔵電源２４の劣化度合、すなわち内蔵電源２４の容量Ｃを、下記（３）式のように、定数ａ、ｂ、ｄを用い、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶと、内蔵電源２４の温度Ｔとに基づいて算出することが可能である。
Ｃ＝ａ×ΔＶ＋ｂ×Ｔ＋ｄ    …（３）
或いは、下記（３＊）式のように、定数ｅ、ｆを用い、内蔵電源２４の容量Ｃを、内蔵電源２４の変化量ΔＶと温度Ｔの積の形で算出することも可能である。
Ｃ＝ｅ×ΔＶ×Ｔ＋ｆ    …（３＊）
【００５７】
さらに、本発明者らの研究では、上記の内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶは、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉによっても変化量が変わる。すなわち、電流値Ｉが大きければ内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶは大きくなり、電流値Ｉが小さければ内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶは小さくなる。そして、上記のようにして算出した内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶが大きくても、必ずしも内蔵電源２４の劣化が進んでいるとは限らず、充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉが大きかったためである可能性がある。
【００５８】
このように、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶは、充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉにも依存して変化し得る。そこで、本実施形態のように、電子機器１（放射線画像撮影装置１）をクレードル等の充電装置Ｃｒ（図４参照）に装填して接続したり、コネクター３９にケーブルＣａを接続したり（図５参照）することが可能であり、しかも、電子機器１を充電装置Ｃｒに接続した場合とケーブルＣａを接続した場合とで、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉが異なるような場合には、上記（３）式や（３＊）式に、さらに電流の電流値Ｉの項を追加した下記（４）式や（４＊）式に従って内蔵電源２４の容量Ｃ（すなわち劣化度合）を算出するように構成することも可能である。
Ｃ＝ａ×ΔＶ＋ｂ×Ｔ＋ｃ×Ｉ＋ｄ    …（４）
或いは、
Ｃ＝ｅ×ΔＶ×Ｔ×Ｉ＋ｆ    …（４＊）
【００５９】
なお、以下では、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉも加味した上記（４）式に従って内蔵電源２４の容量Ｃ（すなわち劣化度合）を算出する場合、すなわち電流の電流値Ｉが、例えば充電装置Ｃｒを接続した際とケーブルＣａを接続した際とで変わり得る場合について説明するが、これに限定されない。
【００６０】
例えば、上記のように、充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉが一定値に決められている場合には、電流の電流値Ｉの影響は一定になるため、電流値Ｉの影響を上記（３）式の定数項ｄに盛り込んだ上記（３）式に従って内蔵電源２４の容量Ｃを算出することも可能である。或いは、電流値Ｉの影響を上記（３＊）式の係数ｅに盛り込んだ上記（３＊）式に従って内蔵電源２４の容量Ｃを算出することも可能である。
【００６１】
また、充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉが一定値に決められており、さらに、内蔵電源２４の容量Ｃが、内蔵電源２４の温度Ｔにほとんど影響を受けないような場合には、上記（２）式に従って内蔵電源２４の容量Ｃを算出するように構成することも可能である。
【００６２】
なお、以下では、上記（４）式に従って内蔵電源２４の容量Ｃを算出して内蔵電源２４の劣化度合を推定する場合について説明するが、この場合に限定する意図ではなく、内蔵電源２４の容量Ｃを、上記（２）式や（３）式、（３＊）式、（４＊）式に従って算出したり、或いは、他の方法で算出するように構成する場合も同様に説明することが可能である。
【００６３】
上記（４）式に従って内蔵電源２４の容量Ｃを算出する場合、予め、内蔵電源２４の温度Ｔや、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉを種々変えた場合の内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶを測定し、さらにそれを内蔵電源２４が新品の状態や劣化が進んだ種々の状態で行って、内蔵電源２４の温度Ｔ、電流の電流値Ｉ、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶの組み合わせを種々のケースで取得する。
【００６４】
また、それと同時に、各ケースでの内蔵電源２４の実際の容量Ｃを、公知の方法でそれぞれ算出したり測定する。そして、各ケースごとに、内蔵電源２４の実際の容量Ｃを、当該ケースにおいて測定された内蔵電源２４の温度Ｔ、電流の電流値Ｉ、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶで的確に再現されるような上記（４）式中の定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを予め割り出しておくように構成される。
【００６５】
そして、本実施形態では、推定回路２９は、上記のようにして割り出した定数ａ、ｂ、ｃ、ｄ（すなわち上記（４）式）をメモリー３１やプログラム中に予め有しておく。なお、この場合のメモリー３１は、推定回路２９専用のメモリーとして構成してもよく、制御部２２等に設けられた共用の記憶手段を用いてもよく、また、前述したＳＲＡＭやＳＤＲＡＭ等で構成される電子機器１の記憶手段２３（図３参照）を用いることも可能である。
【００６６】
そして、内蔵電源２４の劣化推定処理を行う際には、推定回路２９は、温度センサー２８が測定した内蔵電源２４の温度Ｔと、電流測定回路２６が測定した、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉと、上記の緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶとを上記（４）式に代入して内蔵電源２４の容量Ｃを算出し、例えば、算出した内蔵電源２４の容量Ｃを、メモリー３１やプログラム中に書き込んでおいた新品の状態における内蔵電源２４の初期容量Ｃ０とを比較することで、内蔵電源２４の劣化度合を推定するようになっている。
【００６７】
このように構成して定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを予め的確に割り出しておくように構成すれば、例えば内蔵電源２４が新品で、その容量Ｃが初期容量Ｃ０である場合に、内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶとして大きな値が測定されても、それは、単に内蔵電源２４の温度Ｔが低かったり、或いは電流の電流値Ｉが大きかったためであり、それらに定数ａ、ｂ、ｃ、ｄをかけて加算すれば（上記（４）式参照）、内蔵電源２４の容量Ｃは初期容量Ｃ０と算出される。そのため、内蔵電源２４の劣化は進行していないと的確に判定することが可能となる。
【００６８】
また、例えば内蔵電源２４の劣化が進み、その容量Ｃが初期容量Ｃ０から低下した場合には、測定された内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶや内蔵電源２４の温度Ｔ、電流の電流値Ｉに定数ａ、ｂ、ｃ、ｄをかけて加算すれば（上記（４）式参照）、内蔵電源２４の容量Ｃとして初期容量Ｃ０より小さい容量Ｃが的確に算出される。そのため、内蔵電源２４の劣化は進んでいると的確に判定することが可能となり、劣化度合を的確に知ることが可能となる。
【００６９】
なお、内蔵電源２４の劣化度合は、上記のように、内蔵電源２４の容量Ｃとして算出するように構成することも可能であり、また、初期容量Ｃ０との差分Ｃ０−Ｃとして算出することも可能であり、或いは初期容量Ｃ０とに対する比Ｃ／Ｃ０として算出することも可能である。また、例えば、劣化度合が１００％の場合に相当する最低容量Ｃminを定めておき、最低容量Ｃminとの差分Ｃ−Ｃminを算出したり最低容量Ｃminとの比Ｃ／Ｃminを算出してそれを内蔵電源２４の劣化度合とすることも可能である。或いは、それらを組み合わせて例えば（Ｃ−Ｃmin）／（Ｃ０−Ｃmin）を算出するように構成することも可能であり、内蔵電源２４の容量Ｃに基づく内蔵電源２４の劣化度合の表現の仕方は適宜の仕方に設定される。
【００７０】
［内蔵電源の劣化推定処理を行うことが可能であるか否かの判定について］
一方、本発明者らの研究では、上記のように定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを予め割り出す際に、定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを的確に割り出すことができ、内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）を良好に推定することができる場合がある一方で、定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを割り出そうとしても的確な定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを見出すことができず、内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）を必ずしも良好に推定することができない場合があるという知見が得られた。
【００７１】
そこで、さらに研究を進めた結果、内蔵電源２４の温度Ｔと、当該温度Ｔにおいて上記の定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを的確に割り出すこと（すなわち内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うこと）が可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲との間に、ある関係が存在することが分かった。以下、具体的に説明する。
【００７２】
図８は、内蔵電源２４の温度Ｔと、当該温度Ｔにおいて内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲との関係を概略的に表したグラフである。なお、図８や後述する図９において、ＶmaxおよびＶminは、内蔵電源２４の電圧Ｖとして許容される電圧Ｖの上限値および下限値を表す。
【００７３】
そして、本発明者らの研究では、図８のグラフにおいて破線の上側の範囲（すなわち破線と内蔵電源２４の電圧Ｖの上限値Ｖmaxとの間の範囲）が、上記のようにして定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを的確に割り出すことができ、内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）を良好に推定することが可能な範囲を表している。すなわち、図８のグラフにおいて破線の下側の範囲（すなわち破線と内蔵電源２４の電圧Ｖの下限値Ｖminとの間の範囲）では、上記のようにして定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを割り出そうとしても的確な定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを見出すことができず、内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）を的確に推定することが困難であった。
【００７４】
このような現象が生じる原因の１つとして、以下のような原因が考えられている。すなわち、内蔵電源２４の温度Ｔが同じであり、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉが同じであれば、本来的には、内蔵電源２４の劣化が進むほど緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶ（図７参照）が大きくなるはずである。
【００７５】
しかし、理由は定かではないが、図８のグラフにおける破線の下側の範囲では、内蔵電源２４の温度Ｔと電流の電流値Ｉがいずれも同じ条件下で上記のようにして緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶの測定を行うと、内蔵電源２４の劣化が進んでいる場合であっても内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶがそれに応じて大きな値にはならず、内蔵電源２４が新品の場合の変化量ΔＶとさほど変わらない値しか得られないことが原因の１つとして考えられている。
【００７６】
このような状況の下では、例えば、温度Ｔと電流値Ｉとが同じで電圧Ｖの変化量ΔＶがほとんど同じ値という上記の実験結果を上記（４）式に当てはめて、内蔵電源２４の実際の容量Ｃを算出できるように定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを定めたとしても、図８のグラフにおいて破線の上側の範囲の条件下で行った実験から割り出した定数ａ、ｂ、ｃ、ｄとはかけ離れた値しか得られない。
【００７７】
そして、例えば、図８のグラフにおいて破線の下側の範囲の条件下で行った実験から割り出した定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを上記（４）式に割り当て、図８のグラフにおいて破線の上側の範囲の条件下で行った実験で得られた緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶや、その際の内蔵電源２４の温度Ｔ、電流の電流値Ｉを上記（４）式に代入しても、ほとんどの場合、内蔵電源２４の実際の容量Ｃを精度良く再現することはできない。
【００７８】
そこで、本実施形態に係る電子機器１（放射線画像撮影装置１）では、推定回路２９（図６参照）は、前述した内蔵電源２４の劣化度合を推定する劣化推定処理を行う前に、電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖと温度センサー２８が測定した内蔵電源２４の温度Ｔとに基づいて、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定するように構成されており、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、上記のようにして劣化推定処理を行うように構成されている。
【００７９】
そのため、本実施形態では、推定回路２９は、上記のように劣化推定処理を行うために必要な定数ａ、ｂ、ｃ、ｄのほかに、図８に例示したような、内蔵電源２４の温度Ｔと、当該温度Ｔにおいて内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲との関係を、予めメモリー３１やプログラム中に予め有している。
【００８０】
具体的には、推定回路２９は、図８に示した、内蔵電源２４の各温度Ｔにおいて内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲の下限に対応する図中の破線（直線または曲線）を表す内蔵電源２４の温度Ｔと電圧Ｖとの関係式を予め有している。なお、関係式の代わりにテーブルや表等の形で上記の関係を有しておくことも可能である。
【００８１】
また、本発明者らの研究では、図９に示すように、内蔵電源２４の各温度Ｔにおいて内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲の下限値（図中の破線参照）は、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉによって変わることが分かっている。なお、図９においてＩａ＞Ｉｂ＞Ｉｃである。
【００８２】
そのため、本実施形態では、推定回路２９は、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを所定量上昇させる際の電流の電流値Ｉごとに、上記の関係式等を予め有しておくように構成されている。そして、推定回路２９は、劣化推定処理を行う際に電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖが、温度センサー２８が測定した内蔵電源２４の温度Ｔにおける上記の範囲内にある場合にのみ、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うようになっている。
【００８３】
［内蔵電源の劣化推定処理における具体的な手順等について］
【００８４】
以下、本実施形態に係る電子機器１において、推定回路２９が内蔵電源２４の劣化推定処理を行う際の具体的な手順等について、図１０等のフローチャートに基づいて説明する。
【００８５】
ユーザーにより電子機器１（放射線画像撮影装置１）がクレードル等の充電装置Ｃｒに装填されて接続されたり（図４参照）、コネクター３９にケーブルＣａが接続される（図５参照）等されると（ステップＳ１）、推定回路２９は、電圧測定回路２７に内蔵電源２４の電圧Ｖを測定させ、温度センサー２８に内蔵電源２４の温度Ｔを測定させる（ステップＳ２）。
【００８６】
そして、推定回路２９は、この時点で、上記の関係式（或いはテーブルや表等）に基づいて、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能か否かを判定する（ステップＳ３）。すなわち、測定された内蔵電源２４の電圧Ｖが、測定された内蔵電源２４の温度Ｔにおける、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲の下限値（図８、図９における破線参照）以上であるか否かを判定する。
【００８７】
そして、推定回路２９は、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能ではないと判定した場合（ステップＳ３；ＮＯ）、すなわち内蔵電源２４の電圧Ｖが劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲の下限値を下回っている場合には、内蔵電源２４の劣化推定処理を終了する。なお、これに関する変形例については後で説明する。
【００８８】
また、推定回路２９は、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能であると判定した場合にのみ（ステップＳ３；ＹＥＳ）、すなわち内蔵電源２４の電圧Ｖが劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲の下限値以上である場合にのみ、内蔵電源２４の劣化推定処理を行う。
【００８９】
この場合、推定回路２９は、充電回路２５から内蔵電源２４に電流を供給させる（ステップＳ４）。その際、上記のように電流測定回路２６が設けられている場合には、電流測定回路２６に、充電回路２５から内蔵電源２４に供給される電流の電流値Ｉを測定させる。一方、推定回路２９は、ステップＳ２で電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖに前述した所定量（例えば１００ｍＶや２００ｍＶ等）を加算した電圧値を終了電圧Ｖendとして算出しておき、電流が供給されて上昇する内蔵電源２４の電圧Ｖが終了電圧Ｖend以上になるまで内蔵電源２４の充電を続ける（ステップＳ５；ＮＯ）。
【００９０】
そして、推定回路２９は、内蔵電源２４の電圧Ｖが終了電圧Ｖend以上になった時点で（ステップＳ５；ＹＥＳ）、充電回路２５から内蔵電源２４への電流の供給を停止させる（ステップＳ６）。そして、図７に示したように、充電回路２５から内蔵電源２４への電流の供給が停止されて、内蔵電源２４の充電後の放電が始まり、電圧Ｖが急速に減少した後、緩やかに減少する状態（すなわち緩和状態）に移行した時点での電圧Ｖの変化量ΔＶを測定する（ステップＳ７）。
【００９１】
具体的には、前述したように、例えば上記（１）式に示したように、充電回路２５から内蔵電源２４への電流の供給を停止した時点ｔ０から１秒後に電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖ１と、電流の供給を停止した時点ｔ０から１０秒後に電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖ１０との差として、緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶを算出する。
【００９２】
そして、推定回路２９は、メモリー３１から定数ａ、ｂ、ｃ、ｄを読み出す等して、ステップＳ２で測定した内蔵電源２４の温度Ｔと、ステップＳ４で測定した充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉと、ステップＳ７で測定した緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶとを上記（４）式に代入して、内蔵電源２４の容量Ｃを算出して、内蔵電源２４の劣化度合を算出する（ステップＳ８）。そして、算出した内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）をメモリー３１等に保存する（ステップＳ９）。
【００９３】
なお、以上の説明では、電子機器１（放射線画像撮影装置１）の推定回路２９が内蔵電源２４の劣化推定処理を行う場合について説明したが、例えば図１１に示すような上記の電子機器１を備える内蔵電源の劣化推定システム１００において、さらに、電子機器１とは別体のコンピューター等で構成される推定装置５０を設け、この推定装置５０で、電子機器１の内蔵電源２４の劣化推定処理を行うように構成することも可能である。
【００９４】
この場合、推定装置５０は、電子機器１から、図１０のステップＳ２で測定した内蔵電源２４の温度Ｔと、ステップＳ４で測定した充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉと、ステップＳ７で測定した緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶ（或いは電圧Ｖ１とＶ１０、或いは図７に示したような内蔵電源２４の電圧Ｖの時間的推移）等の各情報を、アクセスポイント７１を介した無線通信やケーブルＣａを介した有線通信等により中継器７０を介して送信させる。そして、それらの情報に基づいて内蔵電源２４の容量Ｃを算出して、内蔵電源２４の劣化度合を算出し（ステップＳ８）、算出した内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）を自らの記憶手段５１に保存する（ステップＳ９）ように構成することが可能である。
【００９５】
［効果］
以上のように、本実施形態に係る電子機器１（放射線画像撮影装置１）、内蔵電源の劣化推定システムおよび内蔵電源の劣化推定方法によれば、本発明者らの研究で新たに得られた、電子機器１の内蔵電源２４の電圧Ｖと温度Ｔによっては内蔵電源２４の劣化度合を的確に推定することができない場合が存在するとの知見に基づいて、電子機器１の推定回路２９（或いは劣化推定システムにおける推定装置５０。以下同じ。）が、内蔵電源２４の電圧Ｖと温度Ｔとに基づいて内蔵電源２４の劣化推定処理を行うことが可能であるか否かを判定し、劣化推定処理を行うことが可能であると判定した場合にのみ、内蔵電源の温度Ｔや緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶ（或いはさらに供給した電流の電流値Ｉ）に基づいて劣化推定処理を行うように構成した。
【００９６】
そのため、電子機器１の内蔵電源２４の劣化度合を的確に推定することができない場合には劣化推定処理を行わず、電子機器１の内蔵電源２４の劣化度合を的確に推定することが可能な場合にのみ劣化推定処理が行われるため、電子機器１の内蔵電源２４の劣化度合を的確に推定することが可能となる。そして、そのため、例えば劣化が進んだ内蔵電源２４については交換等を行うことで、内蔵電源２４から正常な値の電力が出力できなくなって電子機器１の動作が異常になったり電子機器１が動作しなくなったりすることを的確に防止することが可能となる。
【００９７】
また、本実施形態に係る電子機器１等では、推定回路２９は、緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶだけでなく、その際の内蔵電源２４の温度Ｔや、充電回路２５から内蔵電源２４に供給して内蔵電源２４の電圧Ｖを上昇させる際の電流の電流値Ｉに基づいて、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うように構成した。
【００９８】
そのため、例えば、内蔵電源２４の劣化は進んでおらず、内蔵電源２４の温度Ｔが低かったり、或いは充電回路２５から内蔵電源２４に供給する電流の電流値Ｉが大きいために、緩和状態における内蔵電源２４の電圧Ｖの変化量ΔＶが大きくなっているような場合に、それを、内蔵電源２４の劣化が進んでいるためであると誤って推定するような事態が生じることを的確に防止して、内蔵電源２４の劣化度合を的確に推定することが可能となる。
【００９９】
なお、上記のように、算出した内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）を電子機器１のメモリー３１（図６参照）等に保存したり、或いは劣化推定システムの推定装置５０（図１１参照）が自らの記憶手段５１に保存するように構成することで（図１０のステップＳ９）、ユーザーや、電子機器１のメンテナンスを行う者が、それを確認して、内蔵電源２４を交換するか否かを判断するように構成することも可能である。
【０１００】
また、上記の内蔵電源２４の劣化推定処理は、必ずしも内蔵電源２４の充電時に行われる必要はないが、例えば、ユーザーが電子機器１をクレードル等の充電装置に装填して接続したり、コネクター３９にケーブルを接続したりした場合には、ユーザーは内蔵電源２４が充電されると考えているケースが多いと想定される。そのため、上記の劣化推定処理が終了した時点で、引き続き内蔵電源２４の充電を行うように構成することも可能である。
【０１０１】
さらに、上記のようにしてユーザーが電子機器１の内蔵電源２４の充電を行う際に内蔵電源２４の劣化推定処理を行うように構成し、電子機器１のメモリー３１や推定装置５０の記憶手段５１に保存した内蔵電源２４の劣化度合（容量Ｃ）を、例えばネットワーク等を介して接続されているサーバ等の管理装置に送信させて、管理装置で管理するように構成することも可能である。
【０１０２】
［変形例］
以下、上記の実施形態の変形例について、いくつかの例を挙げて説明する。
【０１０３】
［変形例１］
上記の実施形態では、内蔵電源２４の劣化推定処理が可能であると判定した場合（図１０のステップＳ３；ＹＥＳ）、電圧測定回路２７が測定した内蔵電源２４の電圧Ｖが、ステップＳ２で測定した電圧Ｖに所定量（例えば１００ｍＶや２００ｍＶ等）を加算した電圧値として算出した終了電圧Ｖend以上になるまで内蔵電源２４の充電を続ける場合（ステップＳ５）について説明した。
【０１０４】
しかし、これに代えて、例えば、充電回路２５から内蔵電源２４への電流の供給（ステップＳ４）を開始してから所定時間が経過した時点で電流の供給を停止する（ステップＳ６）ように構成することも可能である。
【０１０５】
［変形例２］
また、上記の実施形態では、推定回路２９は、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能ではないと判定した場合に（ステップＳ３；ＮＯ）、内蔵電源２４の劣化推定処理を終了するように構成されている場合について説明した。そして、この場合、電子機器１のインジケーター４０（図１参照）を所定の態様で点滅させたり所定の色の光を発光させたり、電子機器１に図示しないスピーカーを設けて音声を発声させる等して、ユーザーやメンテナンスを行う者等に、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うことができない旨を報知するように構成することが可能である。
【０１０６】
また、電子機器１とは別体の報知装置を備えるように構成し、報知装置が表示や発光、音声等で、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うことができない旨を報知するように構成することも可能である。
【０１０７】
そして、ユーザーやメンテナンスを行う者等は、上記の報知がなされた場合には、例えば、電子機器１の内蔵電源２４のその時点での温度Ｔにおいて、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲（すなわち図８、図９における破線の上側の範囲）に入るまで内蔵電源２４を充電したうえで、電子機器１に劣化推定処理を行わせることができる。
【０１０８】
［変形例３］
また、上記の変形例２においてユーザーやメンテナンスを行う者等が行う処理を、電子機器１の推定回路２９が自動的に行うように構成することも可能である。すなわち、上記の実施形態では、推定回路２９は、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能ではないと判定した場合に（ステップＳ３；ＮＯ）、内蔵電源２４の劣化推定処理を終了するように構成されている場合について説明した。
【０１０９】
しかし、これに代えて、例えば図１２に示すように、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能ではないと判定した場合（ステップＳ３；ＮＯ）、推定回路２９は、充電回路２５から内蔵電源２４に電流を供給して内蔵電源２４の充電（ステップＳ１０）を行うように構成する。
【０１１０】
そして、内蔵電源２４の電圧Ｖが上昇して、内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能な内蔵電源２４の電圧Ｖの範囲（すなわち図８、図９における破線の上側の範囲）に入り、推定回路２９が内蔵電源２４の劣化推定処理を的確に行うことが可能であると判定した時点で（ステップＳ３；ＹＥＳ）、改めて充電回路２５から内蔵電源２４に電流を供給して（ステップＳ４）、ステップＳ４以降の処理を行うように構成することが可能である。
【０１１１】
なお、内蔵電源２４の電圧Ｖが、内蔵電源２４の電圧Ｖとして許容される電圧Ｖの上限値Ｖmax（図８、図９参照）であるか、それに近い電圧Ｖである場合、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うために上記のようにその電圧Ｖからさらに所定量（例えば１００ｍＶや２００ｍＶ等）だけ電圧Ｖを上昇させると内蔵電源２４の電圧Ｖの上限値Ｖmaxを越えてしまう場合がある。
【０１１２】
このような場合、上記の実施形態では、図１０のステップＳ３の判定処理で、内蔵電源２４の劣化推定処理が可能ではないと判定されて（ステップＳ３；ＮＯ）、劣化推定処理が終了するが、例えば図１２のステップＳ１０に示すように、このような場合に、内蔵電源２４からある程度放電させて、内蔵電源２４の電圧Ｖを、その電圧Ｖからさらに所定量（例えば１００ｍＶや２００ｍＶ等）だけ電圧Ｖを上昇させても内蔵電源２４の電圧Ｖの上限値Ｖmaxを越えない電圧Ｖまで下げ、内蔵電源２４の劣化推定処理が可能な状態にしてから（ステップＳ３；ＹＥＳ）、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うように構成することも可能である。
【０１１３】
このように構成すれば、内蔵電源２４の劣化推定処理を、電子機器１（或いは推定装置５０を備える内蔵電源の劣化推定システム１００）で自動的かつ的確に行うことが可能となるとともに、内蔵電源２４の劣化推定処理を行うことができなくなる頻度を的確に低減することが可能となる。
【０１１４】
なお、以上の実施形態や変形例において、メモリー３１等に保存されている、推定した内蔵電源２４の劣化度合（すなわち上記の実施形態では内蔵電源２４の容量Ｃ）の履歴を用いて、例えば、今後の内蔵電源２４の劣化の時間的推移を推定したり、或いは内蔵電源２４の交換時期を推定したりする処理を行うように構成することも可能である。
【０１１５】
また、本発明が上記の実施形態や変形例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１１６】
１  電子機器、放射線画像撮影装置
２４  内蔵電源
２５  充電回路
２６  電流測定回路
２７  電圧測定回路
２８  温度センサー
２９  推定回路
３１  メモリー（記憶手段）
４０  インジケーター（報知手段）
５０  推定装置
５１  記憶手段
１００  内蔵電源の劣化推定システム
Ｂ  外部電源
Ｃ  内蔵電源の容量（内蔵電源の劣化度合）
Ｉ  電流値
ＳＰ  センサーパネル
Ｔ  内蔵電源の温度
Ｖ  内蔵電源の電圧
ΔＶ  内蔵電源の電圧の変化量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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