(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重巻きコイルパターンが形成されている複数のセラミック層を有するコイル内蔵セラミック基板であって、
複数の前記セラミック層のうちの少なくとも一層には、前記多重巻きコイルパターンと、前記多重巻きコイルパターンとは電気的に接続されていないダミーパターンが形成されており、
前記多重巻きコイルパターンは、前記セラミック層の側辺と平行に延伸しながら前記セラミック層の中心の周りを周回状に形成されており、
前記ダミーパターンは、同じセラミック層に形成されている前記多重巻きコイルパターンの一部の延伸方向の延長上に、当該セラミック層の側辺と平行に形成されており、
前記多重巻きコイルパターンのうちの最内周の位置から前記セラミック層の中心へと引き出されている引出パターンが存在する場合において、前記ダミーパターンは、前記セラミック層の中心に対して、前記引出パターンと略点対称の位置に配置されていることを特徴とするコイル内蔵セラミック基板。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、
前記セラミック層の中心を通り、かつ、前記セラミック層の所定の側辺と平行な線に対して、前記多重巻きコイルパターンの一部と略線対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のコイル内蔵セラミック基板。
【請求項３】
前記ダミーパターンには、前記引出パターンと略点対称の位置に配置されているものとは別に、
前記セラミック層の中心に対して、前記多重巻きコイルパターンのうちの最内周のパターンの一部と略点対称の位置に配置されているものが含まれることを特徴とする請求項１または２に記載のコイル内蔵セラミック基板。
【請求項４】
前記ダミーパターンは、前記多重巻きコイルパターンが形成されている複数の前記セラミック層のうち、積層方向における最も外側のセラミック層に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のコイル内蔵セラミック基板。
【請求項５】
積層方向に隣り合う２つの前記セラミック層を１組としたときに、複数組のうちの少なくとも１組の前記２つのセラミック層の間に空隙が形成されており、
積層方向に見た場合に、前記空隙は、前記多重巻きコイルパターンの外周縁よりも内側に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のコイル内蔵セラミック基板。
【請求項６】
積層方向に見た場合に、前記空隙は、前記ダミーパターンが形成されている領域の少なくとも一部にも形成されていることを特徴とする請求項５に記載のコイル内蔵セラミック基板。
【請求項７】
前記多重巻きコイルパターンが形成されているセラミック層は磁性体層であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のコイル内蔵セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多重巻きコイルパターンが形成されている複数のセラミック層を有するコイル内蔵セラミック基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多重巻きコイルパターンが形成されているセラミック層が複数積層された構造を有するコイル内蔵セラミック基板が知られている。
【０００３】
特許文献１には、そのようなコイル内蔵セラミック基板の一つが記載されており、特に、図９には、多重巻きコイルパターンが形成された複数のセラミック層が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１７／０３８５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、上述したようなコイル内蔵セラミック基板の製造方法として、複数のコイル内蔵セラミック基板を一括で製造可能な大きさのマザー基板を作製し、マザー基板に形成された直線状のブレイク溝に沿ってマザー基板を分割することによって、複数のコイル内蔵セラミック基板を効率よく製造する方法が知られている。
【０００６】
図８は、従来のコイル内蔵セラミック基板を構成するセラミック層１１０に形成されている多重巻きコイルパターン１２０の一例を示す平面図である。図８に示すコイルパターン１２０の形状は、セラミック層１１０の中心Ｃ１０に対して点対称とはなっていないため、セラミック層の内部応力は局所的に異なる場合がある。
【０００７】
このため、コイル内蔵セラミック基板の上述した製造工程において、マザー基板をブレイク溝に沿って分割したときに、直線状に分割されず、製造されたコイル内蔵セラミック基板の側辺に歪みが生じる場合があった。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するものであり、精度の良い直線状の側辺を有するコイル内蔵セラミック基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のコイル内蔵セラミック基板は、
多重巻きコイルパターンが形成されている複数のセラミック層を有するコイル内蔵セラミック基板であって、
複数の前記セラミック層のうちの少なくとも一層には、前記多重巻きコイルパターンと、前記多重巻きコイルパターンとは電気的に接続されていないダミーパターンが形成されており、
前記多重巻きコイルパターンは、前記セラミック層の側辺と平行に延伸しながら前記セラミック層の中心の周りを周回状に形成されており、
前記ダミーパターンは、前記多重巻きコイルパターンの一部の延伸方向の延長上に、前記セラミック層の側辺と平行に形成されており、
前記多重巻きコイルパターンのうちの最内周の位置から前記セラミック層の中心へと引き出されている引出パターンが存在する場合において、前記ダミーパターンは、前記セラミック層の中心に対して、前記引出パターンと略点対称の位置に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
前記ダミーパターンは、
前記セラミック層の中心を通り、かつ、前記セラミック層の所定の側辺と平行な線に対して、前記多重巻きコイルパターンの一部と略線対称の位置に配置されていてもよい。
【００１１】
前記ダミーパターンには、前記引出パターンと略点対称の位置に配置されているものとは別に、
前記セラミック層の中心に対して、前記多重巻きコイルパターンのうちの最内周のパターンの一部と略点対称の位置に配置されているものが含まれていてもよい。
【００１２】
前記ダミーパターンは、前記多重巻きコイルパターンが形成されている複数の前記セラミック層のうち、積層方向における最も外側のセラミック層に形成されていてもよい。
【００１３】
積層方向に隣り合う２つの前記セラミック層を１組としたときに、複数組のうちの少なくとも１組の前記２つのセラミック層の間に空隙が形成されており、
積層方向に見た場合に、前記空隙は、前記多重巻きコイルパターンの外周縁よりも内側に形成されていてもよい。
【００１４】
積層方向に見た場合に、前記空隙は、前記ダミーパターンが形成されている領域の少なくとも一部にも形成されていてもよい。
【００１５】
前記多重巻きコイルパターンが形成されているセラミック層は磁性体層であってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、複数の前記セラミック層のうちの少なくとも一層には、セラミック層の側辺と平行に延伸しながらセラミック層の中心の周りを周回状に形成されている多重巻きコイルパターンと、ダミーパターンが形成されており、ダミーパターンは、多重巻きコイルパターンの一部の延伸方向の延長上に、セラミック層の側辺と平行に形成されている。また、多重巻きコイルパターンのうちの最内周の位置からセラミック層の中心へと引き出されている引出パターンが存在する場合において、ダミーパターンは、セラミック層の中心に対して、引出パターンと略点対称の位置に配置されている。これにより、多重巻きコイルパターンとダミーパターンを含むパターンは、ダミーパターンが設けられていない場合の構成と比べて、セラミック層の中心に対して略点対称となる方向に近づく形状となるので、セラミック層の内部応力が局所的に異なることが緩和される。これにより、複数のコイル内蔵セラミック基板を包含するマザー基板をカットして個々のコイル内蔵セラミック基板に分割する際に、分割ラインに沿って直線状に精度良く分割することができる。その結果、側辺が直線状で、形状精度の高いコイル内蔵セラミック基板を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）は、一実施の形態におけるコイル内蔵セラミック基板を上側から見た斜視図であり、（ｂ）は下側から見た斜視図である。
【図２】コイル内蔵セラミック基板を構成する各セラミック層を示す平面図であって、（ａ）〜（ｇ）は、各セラミック層を積層方向上側から見た図である。
【図３】コイル内蔵セラミック基板を構成する各セラミック層を示す平面図であって、（ａ）〜（ｅ）は、各セラミック層を積層方向上側から見た図であり、（ｆ）および（ｇ）は、各セラミック層を積層方向下側から見た図である
【図４】コイルパターンが形成されている複数のセラミック層のうち、最上層に位置するセラミック層の拡大平面図である。
【図５】コイル内蔵セラミック基板を図４に示す線６０と平行な線で切断した際に、図４の点線で囲まれた位置の領域内の断面図である。
【図６】マザー基板を示す平面図である。
【図７】カッターを用いてマザー基板を分割する様子を示す図である。
【図８】従来のコイル内蔵セラミック基板を構成するセラミック層に形成されている多重巻きコイルパターンの一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに具体的に説明する。
【００１９】
一実施の形態におけるコイル内蔵セラミック基板は、多重巻きコイルパターンが形成されている複数のセラミック層を有する。
【００２０】
図１（ａ）は、一実施の形態におけるコイル内蔵セラミック基板１００を上側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、コイル内蔵セラミック基板１００を下側から見た斜視図である。
【００２１】
図２および図３は、コイル内蔵セラミック基板１００を構成する各セラミック層１０ａ〜１０ｎを示す平面図である。図２の（ａ）〜（ｇ）は、セラミック層１０ａ〜１０ｇを、積層方向上側から見た図である。図３の（ａ）〜（ｅ）は、セラミック層１０ｈ〜１０ｌを、積層方向上側から見た図であり、（ｆ）および（ｇ）は、セラミック層１０ｍおよび１０ｎを、積層方向下側から見た図である。
【００２２】
図１に示すように、コイル内蔵セラミック基板１００は、略直方体の形状を有する。コイル内蔵セラミック基板１００の外形寸法は、例えば、厚みＴが０．５ｍｍ以下であり、幅Ｗおよび奥行Ｄは、２．０ｍｍ〜１０．０ｍｍである。ただし、コイル内蔵セラミック基板１００の外形寸法が上述した寸法に限定されることはない。
【００２３】
コイル内蔵セラミック基板１００は、図２および図３に示すセラミック層１０ａ〜１０ｎがこの順に積層された構造を有する。ただし、セラミック層１０ｍは、後述する第１分配電極４１および第２分配電極４２が形成されている面が積層方向下側となるように積層されている。また、セラミック層１０ｎは、後述する第１表面電極４３、第２表面電極４４、第３表面電極４５、および、第４表面電極４６が形成されている面が積層方向下側となるように積層されている。
【００２４】
各セラミック層１０ａ〜１０ｎは、いずれも磁性体セラミックにより形成された磁性体層である。セラミック層１０ａ〜１０ｎのうち、セラミック層１０ｅ、１０ｆ、１０ｈ〜１０ｋには、多重巻きコイルパターン２０ｅ、２０ｆ、２０ｈ〜２０ｋがそれぞれ形成されている。本実施形態では、三重巻きのコイルパターンとして形成されている。以下の説明では、多重巻きコイルパターンのことを、単にコイルパターンとも呼ぶ。
【００２５】
コイルパターン２０（２０ｅ、２０ｆ、２０ｈ〜２０ｋ）に用いられる材料に特に制限はなく、例えば、銀や銅などを主成分とする材料を用いることができる。これらのコイルパターン２０ｅ、２０ｆ、２０ｈ〜２０ｋ、および、後述するビアホール導体により、積層方向に巻回軸を有するコイルが形成されている。
【００２６】
セラミック層１０ｍには、第１分配電極４１および第２分配電極４２が形成されている。また、セラミック層１０ｎには、第１表面電極４３、第２表面電極４４、第３表面電極４５、および、第４表面電極４６が形成されている。
【００２７】
なお、セラミック層１０ｎの中央近傍には、実装強度を高めるための４つのダミー表面電極４７ａ〜４７ｄが設けられている。これらのダミー表面電極４７ａ〜４７ｄは、第１表面電極４３、第２表面電極４４、第３表面電極４５、および、第４表面電極４６とは電気的に接続されておらず、省略することも可能である。
【００２８】
図２（ｅ）に示すように、セラミック層１０ｅには、ビアホール導体ＶＨ１、ＶＨ２が形成されている。図２（ｆ）に示すように、セラミック層１０ｆには、ビアホール導体ＶＨ３、ＶＨ４が形成されている。図２（ｇ）に示すように、セラミック層１０ｇには、ビアホール導体ＶＨ５、ＶＨ６が形成されている。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、セラミック層１０ｈには、ビアホール導体ＶＨ７、ＶＨ８が形成されている。図３（ｂ）に示すように、セラミック層１０ｉには、ビアホール導体ＶＨ９、ＶＨ１０が形成されている。図３（ｃ）に示すように、セラミック層１０ｊには、ビアホール導体ＶＨ１１、ＶＨ１２が形成されている。図３（ｄ）に示すように、セラミック層１０ｋには、ビアホール導体ＶＨ１３、ＶＨ１４が形成されている。図３（ｅ）に示すように、セラミック層１０ｌには、ビアホール導体ＶＨ１５、ＶＨ１６が形成されている。図３（ｆ）に示すように、セラミック層１０ｍには、ビアホール導体ＶＨ１７、ＶＨ１８が形成されている。図３（ｇ）に示すように、セラミック層１０ｎには、ビアホール導体ＶＨ１９、ＶＨ２０、ＶＨ２１およびＶＨ２２が形成されている。
【００３０】
ビアホール導体ＶＨ１〜ＶＨ２２に用いられる材料に特に制限はなく、例えば、銀や銅などを主成分とする材料を用いることができる。
【００３１】
コイルパターンが形成されているセラミック層のうちの最上層に位置するセラミック層１０ｅに形成されているコイルパターン２０ｅの一端、より具体的には、セラミック層１０ｅの略中心に位置する一端は、ビアホール導体ＶＨ１、ＶＨ３、ＶＨ５、ＶＨ７、ＶＨ９、ＶＨ１１、ＶＨ１３、ＶＨ１５、ＶＨ１７を介して、第２分配電極４２と電気的に接続されている。
【００３２】
一方、コイルパターン２０ｅの他端は、ビアホール導体ＶＨ２を介して、セラミック層１０ｆに形成されているコイルパターン２０ｆの最外周側の一端と電気的に接続されている。最内周側に位置するコイルパターン２０ｆの他端は、ビアホール導体ＶＨ４、および、セラミック層１０ｇに形成されているビアホール導体ＶＨ６を介して、セラミック層１０ｈに形成されているコイルパターン２０ｈの最内周側の一端と電気的に接続されている。
【００３３】
最外周側に位置するコイルパターン２０ｈの他端は、ビアホール導体ＶＨ８を介して、セラミック層１０ｉに形成されているコイルパターン２０ｉの最外周側の一端と電気的に接続されている。最内周側に位置するコイルパターン２０ｉの他端は、ビアホール導体ＶＨ１０を介して、セラミック層１０ｊに形成されているコイルパターン２０ｊの最内周側の一端と電気的に接続されている。
【００３４】
最外周側に位置するコイルパターン２０ｊの他端は、ビアホール導体ＶＨ１２を介して、セラミック層１０ｋに形成されているコイルパターン２０ｋの最外周側の一端と電気的に接続されている。最内周側に位置するコイルパターン２０ｋの他端は、ビアホール導体ＶＨ１４、セラミック層１０ｌに形成されているビアホール導体ＶＨ１６、および、セラミック層１０ｍに形成されているビアホール導体ＶＨ１８を介して、セラミック層１０ｍに形成されている第１分配電極４１と電気的に接続されている。
【００３５】
第１分配電極４１は、セラミック層１０ｎに形成されているビアホール導体ＶＨ１９を介して第１表面電極４３と、また、ビアホール導体ＶＨ２０を介して第２表面電極４４と電気的に接続されている。第２分配電極４２は、セラミック層１０ｎに形成されているビアホール導体ＶＨ２１を介して第３表面電極４５と、また、ビアホール導体ＶＨ２２を介して第４表面電極４６と電気的に接続されている。
【００３６】
上述した構成により、コイル内蔵セラミック基板１００に形成されているコイルの一端は第１表面電極４３および第２表面電極４４と電気的に接続されており、他端は第３表面電極４５および第４表面電極４６と電気的に接続されている。
【００３７】
図４は、図２（ｅ）に示すセラミック層１０ｅ、すなわち、コイルパターンが形成されている複数のセラミック層のうち、積層方向における最も外側、より具体的には、最上層に位置するセラミック層１０ｅの拡大平面図である。
【００３８】
図４に示すように、セラミック層１０ｅは、矩形形状を有し、第１の側辺１１、第２の側辺１２、第３の側辺１３、および、第４の側辺１４を有する。
【００３９】
コイルパターン２０ｅは、セラミック層１０ｅの第１の側辺１１、第２の側辺１２、第３の側辺１３、および、第４の側辺１４と平行に延伸しながら、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１の周りを周回状に形成されている。上述したように、本実施形態では、コイルパターン２０ｅは、三重巻きに形成されている。
【００４０】
コイルパターン２０ｅには、周回状に形成されているコイルパターンの最内周の位置から、セラミック層１０ｅの中心へと引き出されている引出パターン２０ｅ１が含まれる。引出パターン２０ｅ１は、ビアホール導体ＶＨ１と電気的に接続されている。
【００４１】
本実施形態におけるコイル内蔵セラミック基板１００では、後述する理由から、セラミック層１０ｅに、２つのダミーパターン５１、５２が形成されている。ダミーパターン５１、５２は、コイルパターン２０ｅおよびその他の信号ラインとは電気的に接続されていない。
【００４２】
ダミーパターン５１、５２はそれぞれ、コイルパターン２０ｅの一部の延伸方向の延長上に、セラミック層１０ｅの側辺と平行に形成されている。例えば、ダミーパターン５１は、コイルパターン２０ｅのうちの最内周のパターン２０ｅ２の周回形状が途切れている領域を補うような態様で、最内周のパターン２０ｅ２の延長上に、第２の側辺１２および第４の側辺１４と平行に形成されている。また、ダミーパターン５２は、コイルパターン２０ｅのうちの引出パターン２０ｅ１の延長上に、第１の側辺１１および第３の側辺１３と平行に形成されている。
【００４３】
すなわち、本発明における「ダミーパターンは、多重巻きコイルパターンの一部の延伸方向の延長上に、セラミック層の側辺と平行に形成されている」という構成の具体的な態様として、本実施形態では、以下の二つの態様が含まれる。一つ目は、ダミーパターン５１のように、最内周のパターン２０ｅ２が途中で向きを変え、引出パターン２０ｅ１として、セラミック層１０ｅの中心に向かって延びているような場合において、向きを変えずに延びていたら存在するはずの位置にダミーパターンを形成した態様である。二つ目は、ダミーパターン５２のように、引出パターン２０ｅ１がセラミック層１０ｅの中心Ｃ１で終了しているような場合において、引出パターン２０ｅ１が、図４に示すセラミック層１０ｅの中心Ｃ１で終了せずに、最内周のパターン２０ｅ２の近傍まで延びていたら存在するはずの位置にダミーパターンを形成した態様である。
【００４４】
なお、ダミーパターン５１、５２のそれぞれの配置位置については、後ほどさらに詳しく説明する。
【００４５】
ダミーパターン５１、５２は、コイルパターン２０ｅとダミーパターン５１、５２を含むパターンが、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１を通り、かつ、セラミック層１０ｅの第２の側辺１２および第４の側辺１４と平行な線６０に対して、略線対称となるような位置に配置されているとも言える。
【００４６】
なお、略線対称となるような位置とは、ダミーパターン５１、５２が配置されることにより、ダミーパターン５１、５２が配置される前と比べて、コイルパターン２０ｅとダミーパターン５１、５２を含むパターンが上記の線６０に対して線対称の形状に近づくような位置のことである。ダミーパターン５１、５２がそのような位置に配置されることにより、コイルパターン２０ｅ、および、ダミーパターン５１、５２を含むパターンの形状は、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して略点対称となっている。
【００４７】
また、ダミーパターン５１、５２は、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１を通り、かつ、セラミック層１０ｅの第２の側辺１２および第４の側辺１４と平行な線６０に対して、コイルパターン２０ｅの一部と略線対称の位置に配置されているとも言える。
【００４８】
２つのダミーパターン５１、５２のうち、ダミーパターン５１は、コイルパターン２０ｅのうちの最内周のパターン２０ｅ２とダミーパターン５１を含むパターンが、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して略点対称となるような位置に配置されている。
【００４９】
なお、略点対称となるような位置とは、ダミーパターン５１が配置されることにより、ダミーパターン５１が配置される前と比べて、コイルパターン２０ｅのうちの最内周のパターン２０ｅ２とダミーパターン５１を含むパターンが、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して点対称の形状に近づくような位置のことである。
【００５０】
また、２つのダミーパターン５１、５２のうち、ダミーパターン５１は、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して、コイルパターン２０ｅのうちの最内周のパターン２０ｅ２の一部と略点対称の位置に配置されている。
【００５１】
図４に示すように、コイルパターン２０ｅのうちの最内周のパターン２０ｅ２には、第１の側辺１１、第２の側辺１２、第３の側辺１３、および、第４の側辺１４に近い位置のパターンが含まれている。このうち、第２の側辺１２に近い位置のパターンは、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１へと引き出されている引出パターン２０ｅ１と連続的に接続されているため、第１の側辺１１、第３の側辺１３、および、第４の側辺１４に近い位置のパターンと比べて、略半分の長さとなっている。
【００５２】
ダミーパターン５１は、最内周のパターン２０ｅ２のうち、第２の側辺１２に近い位置のパターンの延長線上に、第２の側辺１２と平行に設けられている。そのような位置にダミーパターン５１が配置されていることにより、コイルパターン２０ｅのうちの最内周のパターン２０ｅ２とダミーパターン５１を含むパターンが、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して略点対称の形状を有する。
【００５３】
上述したように、引出パターン２０ｅ１は、環状に形成されているコイルパターン２０ｅの最内周の位置から、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１へと引き出されるような態様で配置されている。ダミーパターン５２は、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して、引出パターン２０ｅ１の一部と略点対称の位置、すなわち、引出パターン２０ｅ１の延長線上であって、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１と、コイルパターン２０ｅの最内周のパターン２０ｅ２との間の領域に配置されている。
【００５４】
コイルパターン２０が形成されているセラミック層１０ｆとセラミック層１０ｈとの間に位置するセラミック層１０ｇには、空隙３０が設けられている（図２（ｇ）参照）。空隙３０は、積層方向に見た場合に、コイルパターン２０が形成されている領域内に設けられている。
【００５５】
図５は、コイル内蔵セラミック基板１００を、中心線、より具体的には、図４に示す線６０と平行な線で切断した際に、図４の点線で囲まれた領域７０に対応する領域の断面図である。なお、積層方向に隣り合うコイルパターンは、図５に示すように、積層方向において完全に重なり合う位置ではなく、ずれた位置に形成されている。
【００５６】
図５に示すように、空隙３０は、積層方向に見た場合の、コイルパターン２０（２０ｅ、２０ｆ、２０ｈ〜２０ｋ）の外周縁Ｔ１よりも内側であって、かつ、コイルパターン２０の内周縁Ｔ２よりも外側に設けられている。
【００５７】
上述したように、２つのダミーパターン５１、５２のうち、ダミーパターン５１は、最内周のパターン２０ｅ２のうちの、第２の側辺１２に近い位置のパターンの延長線上に設けられている。したがって、空隙３０は、積層方向に見た場合に、ダミーパターン５１が形成されている領域にも形成されている。
【００５８】
ここで、各セラミック層１０ａ〜１０ｎの製造工程では、焼成工程が必要となるが、空隙３０が設けられていない場合、焼成した後の冷却時に、セラミック層とコイルパターンとの間に、熱収縮率の違いから応力が発生し、焼成後のコイル内蔵セラミック基板に応力歪が生じて透磁率が低下するなど、磁気特性が低下する可能性がある。しかしながら、空隙３０が設けられていることにより、セラミック層とコイルパターンとの間に発生する応力が緩和され、磁気特性の低下を抑制することができる。
【００５９】
特に、空隙３０は、積層方向に見て、コイルパターン２０の外周縁よりも内側に形成されているので、セラミック層の製造工程時に、熱衝撃による空隙端部からのクラックの発生を抑制することができる。これにより、信頼性の高いコイル内蔵セラミック基板１００を得ることができる。
【００６０】
また、積層方向に見て、コイルパターン２０が設けられている領域だけでなく、ダミーパターン５１が形成されている領域にも空隙３０が設けられていることにより、ダミーパターン５１とセラミック層との間に発生する応力が緩和されて、磁気特性の低下を抑制することができる。
【００６１】
以上のような構造および特徴を備えたコイル内蔵セラミック基板１００は、例えば、次のような方法により製造することができる。
【００６２】
まず、セラミック層１０ａ〜１０ｎを形成するための、磁性フェライト等からなるセラミックグリーンシートを用意する。セラミックグリーンシートは、複数のコイル内蔵セラミック基板を一括で製造することができる大きさのマザーシートである。
【００６３】
次に、セラミックグリーンシートに、必要に応じて、ビアホール導体を形成するための孔を形成し、形成した孔に導電性ペーストを充填する。また、セラミックグリーンシートの主面に、必要に応じて、コイルパターン２０ｅ、２０ｆ、２０ｈ〜２０ｋ、ダミーパターン５１、５２、第１分配電極４１、第２分配電極４２、第１表面電極４３、第２表面電極４４、第３表面電極４５、および、第４表面電極４６を形成するための導電性ペーストを所定の形状に塗布する。
【００６４】
また、空隙３０を形成するために、セラミック層１０ｇを形成するためのセラミックグリーンシートの主面に、焼成により消失する材料を所定の形状に塗布する。焼成により消失する材料としては、例えば、カーボンペーストを用いることができる。
【００６５】
次に、セラミックグリーンシートを所定の順番に積層し、加圧して一体化させ、未焼成のマザー積層体を得る。この未焼成のマザー積層体に対して、個々の素子部に分割するためのブレイク溝を形成する。素子部とは、最終的に１個のコイル内蔵セラミック基板となる部分のことである。
【００６６】
続いて、未焼成のマザー積層体を所定のプロファイルで焼成して、図６に示すようなマザー基板８０を得る。最後に、マザー基板８０に形成されているブレイク溝８１に沿って、マザー基板８０を複数の素子部に個片化する。個片化は、例えば、図７に示すように、カッター９０を用いて、ブレイク溝８１に沿ってマザー基板８０を分割することにより行う。
【００６７】
上述したように、本実施形態におけるコイル内蔵セラミック基板１００では、セラミック層１０ｅの各側辺１１〜１４と平行に延伸しながら周回状に形成されているコイルパターン２０ｅの一部の延伸方向の延長上に、ダミーパターン５１、５２が形成されている。特に、ダミーパターン５１、５２は、コイルパターン２０ｅと当該ダミーパターン５１、５２を含むパターンが、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１を通り、かつ、セラミック層１０ｅの所定の側辺である第２の側辺１２および第４の側辺１４と平行な線６０に対して、略線対称となるような位置に配置されている。ダミーパターン５１、５２は、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１を通り、かつ、セラミック層１０ｅの第２の側辺１２および第４の側辺１４と平行な線６０に対して、コイルパターン２０ｅの一部と略線対称の位置に配置されているとも言える。これにより、セラミック層１０ｅの内部応力が局所的に異なることを緩和することができるので、複数のコイル内蔵セラミック基板１００を一括で製造するため、マザー基板８０を直線状のブレイク溝８１に沿って分割する際に、歪みなく、直線状に精度良く分割することができる。
【００６８】
特に、基板の厚みＴが０．５ｍｍ以下と薄い場合には、マザー基板８０をブレイク溝８１に沿って直線状に分割するのが難しくなる場合があるが、本実施形態におけるコイル内蔵セラミック基板１００によれば、直線状に精度良く分割することができる。
【００６９】
上述したように、ダミーパターン５１は、コイルパターン２０ｅのうちの最内周のパターン２０ｅ２と当該ダミーパターン５１を含むパターンが、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して略点対称となるような位置に配置されている。これにより、セラミック層１０ｅの内部応力が局所的に異なることを緩和することができるので、マザー基板８０を直線状のブレイク溝８１に沿って分割する際に、歪みなく、直線状に精度良く分割することができる。
【００７０】
また、ダミーパターン５２は、セラミック層１０ｅの中心Ｃ１に対して、コイルパターン２０ｅのうちの最内周の位置からセラミック層１０ｅの中心Ｃ１へと引き出されている引出パターン２０ｅ１と略点対称の位置に配置されている。これにより、セラミック層１０ｅの内部応力が局所的に異なることを緩和することができるので、マザー基板８０を直線状のブレイク溝８１に沿って分割する際に、歪みなく、直線状に精度良く分割することができる。
【００７１】
ダミーパターン５１、５２は、コイルパターン２０が形成されている複数のセラミック層１０ｅ、１０ｆ、１０ｈ〜１０ｋのうち、積層方向における最も外側のセラミック層１０ｅに形成されている。すなわち、ダミーパターン５１、５２は、マザー基板８０を直線状のブレイク溝８１に沿って分割する際に、コイルパターン２０の形状によって分割時の直線性に大きい影響を及ぼすセラミック層１０ｅに形成されているので、より精度良く分割することができる。
【００７２】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００７３】
例えば、ダミーパターンは、コイルパターンが形成されている複数のセラミック層のうち、積層方向における最も外側のセラミック層に形成されているものとして説明したが、コイルパターンが形成されている任意のセラミック層に形成することができる。また、コイルパターンとダミーパターンが形成されているセラミック層が１層に限定されることもない。
【００７４】
空隙３０の配置位置は、セラミック層１０ｆとセラミック層１０ｈの間の層に限定されることはなく、積層方向に隣り合う２つのセラミック層の間の任意の層とすることができる。また、空隙３０は、積層方向に隣り合う２つのセラミック層１０を１組としたときに、複数組における２つのセラミック層の間に設けられていてもよい。
【００７５】
セラミック層に形成されている多重巻きコイルパターンの形状が図４に示すような形状に限定されることはない。したがって、多重巻きコイルパターンが三重巻きのコイルパターンに限定されることもない。
【００７６】
コイル内蔵セラミック基板を構成するセラミック層の数、および、多重巻きコイルパターンが形成されているセラミック層の数は任意である。
【００７７】
コイル内蔵セラミック基板を構成する複数のセラミック層が磁性体層に限定されることもない。
【符号の説明】
【００７８】
１０（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ、１０ｉ、１０ｊ、１０ｋ、１０ｌ、１０ｍ、１０ｎ）  セラミック層
１１    第１の側辺
１２    第２の側辺
１３    第３の側辺
１４    第４の側辺
２０（２０ｅ、２０ｆ、２０ｈ〜２０ｋ）  コイルパターン
２０ｅ１  コイルパターン２０ｅの引出パターン
２０ｅ２  コイルパターン２０ｅの最内周パターン
３０    空隙
４１    第１分配電極
４２    第２分配電極
４３    第１表面電極
４４    第２表面電極
４５    第３表面電極
４６    第４表面電極
５１    ダミーパターン
５２    ダミーパターン
６０    セラミック層の中心を通り、第２および第４の側辺と平行な線
８０    マザー基板
８１    ブレイク溝
９０    カッター
１００  コイル内蔵セラミック基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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