(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属体と、
上記金属体の一表面上に設けられた誘電体からなる下層と、
上記下層の上記金属体側と反対側の他の表面上に設けられた複合層と、
上記複合層の上記下層と反対側の他の表面上に設けられた誘電体からなる上層と
を備え、
上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、
上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、
上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体と
を備えることを特徴とする熱光変換部材。
【請求項２】
前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、
前記下層と、前記上層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の熱光変換部材。
【請求項３】
前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、
前記下層は、上記金属又は上記半導体の酸化物、又はＳｉＯ２であり、
前記上層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１に記載の熱光変換部材。
【請求項４】
前記複合層の物理膜厚が５ｎｍから２００ｎｍ、前記下層及び前記上層の物理膜厚が１０ｎｍから３００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱光変換部材。
【請求項５】
金属体と、
上記金属体の一表面上に設けられた複合層と、
上記複合層の上記金属体と反対側の他の表面上に設けられた誘電体からなる上層と
を備え、
上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、
上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、
上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体と
を備えることを特徴とする熱光変換部材。
【請求項６】
前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、
前記上層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする請求項５に記載の熱光変換部材。
【請求項７】
前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、
前記上層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項５に記載の熱光変換部材。
【請求項８】
前記複合層の物理膜厚が５ｎｍから２００ｎｍ、前記上層の物理膜厚が１０ｎｍから３００ｎｍであることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の熱光変換部材。
【請求項９】
金属体と、
上記金属体の一表面上に設けられた誘電体からなる下層と、
上記下層の上記金属体側と反対側の他の表面上に設けられた複合層と
を備え、
上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、
上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、
上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体と
を備えることを特徴とする熱光変換部材。
【請求項１０】
前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、
前記下層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする請求項９に記載の熱光変換部材。
【請求項１１】
前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、
前記下層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項９に記載の熱光変換部材。
【請求項１２】
前記複合層の物理膜厚が５ｎｍから２００ｎｍ、前記下層の物理膜厚が１０ｎｍから３００ｎｍであることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の熱光変換部材。
【請求項１３】
前記金属体はＴｉ−Ｗ−Ｓｉ層、又はＷ−Ｓｉ／Ｔｉ−Ｗ−Ｓｉ層であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の熱光変換部材。
【請求項１４】
前記基板がＳｉ又は石英からなることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の熱光変換部材。
【請求項１５】
前記基板がＳｉからなり、前記基板と前記金属体との間にＳｉＯ２膜を備えることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の熱光変換部材。
【請求項１６】
前記基板が金属基板であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の熱光変換部材。
【請求項１７】
前記金属基板は、Ｆｅ合金又はＮｉ合金で形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の熱光変換部材。
【請求項１８】
前記灰色体は、ＳｉＣ、Ｆｅ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｎｉ酸化物、又は、Ｆｅ酸化物、Ｃｒ酸化物及びＮｉ酸化物の複合酸化物の少なくとも一つを備える請求項１〜１７のいずれか１項記載の熱光変換部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱源からの放射エネルギー（放射光）を所定の波長分布を持つ光に変換する熱光変換部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
５００℃以上の温度域の排熱を利用する方法として熱光起電力（ＴＰＶ： thermophotovoltaic）発電が注目されている。熱光起電力発電では、熱エネルギー（放射光）を熱光変換部材で波長選択して所定の波長分布を持つ光に変換し、変換された光を熱光変換部材から放射し、熱光変換部材から放射された光を光電変換（ＰＶ： photovoltaic）素子で電気に変換する。熱光起電力発電は、熱エネルギーから直接電気エネルギーを得ることができるため、エネルギー変換効率がよい。【０００３】
熱源から発生する放射エネルギー（放射光）を波長選択する熱光変換部材の放射特性と、熱光変換部材からの放射光を電気に変換する光電変換素子の吸収特性の波長マッチングが重要になる。このため、光電変換素子が電気に変換できる波長を選択的に放射できる熱光変換部材の開発が望まれている。【０００４】
特許文献１には、熱光変換部材として、少なくとも１種の半導体と少なくとも１種の金属材料とのコンポジット材を含むものが開示されている。特許文献１には、半導体としてＦｅＳｉＸ（Ｘ＝０．５〜４）が例示されており、金属材料としてＡｇ、Ｍｏ、Ｃｕが例示されている。【０００５】
特許文献２には、熱光変換部材として、少なくとも１種の半導体と誘電体とのコンポジット材を含むものが開示されている。特許文献２には、半導体としてＦｅＳ２、Ｍｇ２Ｓｉ、Ｚｎ３Ａｓ２、Ｇｅが例示されており、誘電体としてＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮが例示されている。【０００６】
特許文献３には、基材の上面、下面に、赤外放射材料層と反射防止層が積層された熱変換素子が開示されている。このような熱交換素子の一例として、赤外放射材料層がＣｒとＣｒ２Ｏ３のサーメット膜、反射防止膜がＣｒ２Ｏ３である例が開示されている。【０００７】
特許文献４には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ステンレス等の基板上に、β−ＦｅＳｉ２等の反射防止膜が設けられた熱光起電力発電用エミッタが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１４−８５０９９号公報
【特許文献２】特開２０１４−８５１０１号公報
【特許文献３】国際公開第２０１２／０５６８０６号
【特許文献４】特開２０１１−０９６７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１〜４に開示された熱光変換部材は、コンポジット材を構成する材料同士が１０００℃までの高温下において反応することで、波長選択性が劣化してしまうので、十分な耐熱性を得ることができないという問題がある。【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑み、１０００℃までの耐熱性を得ることができる熱光変換部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは熱光変換部材の耐熱性を高めるべく、その構成について鋭意検討し、本発明を成した。その要旨は以下のとおりである。【００１２】
（１）金属体と、上記金属体の一表面上に設けられた誘電体からなる下層と、上記下層の上記金属体側と反対側の他の表面上に設けられた複合層と、上記複合層の上記下層と反対側の他の表面上に設けられた誘電体からなる上層とを備え、上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体とを備えることを特徴とする熱光変換部材。
【００１３】
（２）前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、前記下層と、前記上層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする前記（１）の熱光変換部材。【００１４】
（３）前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、前記下層は、上記金属又は上記半導体の酸化物、又はＳｉＯ２であり、前記上層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする前記（１）の熱光変換部材。【００１５】
（４）前記複合層の物理膜厚が５ｎｍから２００ｎｍ、前記下層及び前記上層の物理膜厚が１０ｎｍから３００ｎｍであることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかの熱光変換部材。【００１６】
（５）金属体と、上記金属体の一表面上に設けられた複合層と、上記複合層の上記金属体と反対側の他の表面上に設けられた誘電体からなる上層とを備え、上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体とを備えることを特徴とする熱光変換部材。
【００１７】
（６）前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、前記上層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする前記（５）の熱光変換部材。【００１８】
（７）前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、前記上層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする前記（５）の熱光変換部材。【００１９】
（８）前記複合層の物理膜厚が５ｎｍから２００ｎｍ、前記上層の物理膜厚が１０ｎｍから３００ｎｍであることを特徴とする前記（５）〜（７）のいずれかの熱光変換部材。【００２０】
（９）金属体と、上記金属体の一表面上に設けられた誘電体からなる下層と、上記下層の上記金属体側と反対側の他の表面上に設けられた複合層とを備え、上記複合層は、金属又は半導体が、上記金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体とを備えることを特徴とする熱光変換部材。
【００２１】
（１０）前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、前記下層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする前記（９）の熱光変換部材。【００２２】
（１１）前記複合層に分散した金属又は半導体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ及びＴｉから選択された１種であり、前記下層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする前記（９）の熱光変換部材。【００２３】
（１２）前記複合層の物理膜厚が５ｎｍから２００ｎｍ、前記下層の物理膜厚が１０ｎｍから３００ｎｍであることを特徴とする前記（９）〜（１１）のいずれかの熱光変換部材。【００２４】
（１３）前記金属体はＴｉ−Ｗ−Ｓｉ層、又はＷ−Ｓｉ／Ｔｉ−Ｗ−Ｓｉ層であることを特徴とする前記（１）〜（１２）のいずれかの熱光変換部材。【００２６】
（１４）前記基板がＳｉ又は石英からなることを特徴とする前記（１）〜（１３）のいずれかの熱光変換部材。
【００２７】
（１５）前記基板がＳｉからなり、前記基板と前記金属体との間にＳｉＯ２膜を備えることを特徴とする前記（１）〜（１３）のいずれかの熱光変換部材。
【００２８】
（１６）前記基板が金属基板であることを特徴とする前記（１）〜（１３）のいずれかの熱光変換部材。
【００２９】
（１７）前記金属基板は、Ｆｅ合金又はＮｉ合金で形成されていることを特徴とする前記（１６）に記載の熱光変換部材。
【００３０】
（１８）前記灰色体は、ＳｉＣ、Ｆｅ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｎｉ酸化物、又は、Ｆｅ酸化物、Ｃｒ酸化物及びＮｉ酸化物の複合酸化物の少なくとも一つを備える前記（１）〜（１７）のいずれかの熱光変換部材。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、１０００℃までの耐熱性を有する熱光変換部材を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】熱光起電力発電システムの構成を模式的に示す図である。
【図２】熱光起電力発電システムにおける熱源からの放射エネルギー（放射光）と、熱光変換部材からの放射光と、光電変換素子の吸収波長域との関係を模式的に示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る熱光変換部材の構成を模式的に示す縦断面図である。
【図４】第２の実施の形態に係る熱光変換部材の構成を模式的に示す縦断面図である。
【図５】第３の実施の形態に係る熱光変換部材の構成を模式的に示す縦断面図である。
【図６】実施例５の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図７】実施例１２の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図８】実施例１９の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図９】実施例２３の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１０】実施例２５の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１１】実施例２６の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１２】実施例２９の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１３】実施例３３の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１４】実施例４４の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１５】実施例４８の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１６】実施例４９の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【図１７】実施例５２の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００３４】
（全体構成）
まず、図１、図２を参照して、熱光起電力発電について説明する。熱光起電力発電では、熱源５０からの熱エネルギー（放射光）５１を熱光変換部材１０で波長選択して所定の波長分布を持つ光５４に変換し、変換された光５４を熱光変換部材１０から放射し、熱光変換部材から放射された光５４を光電変換素子６０で電気に変換する。
【００３５】
１０００℃程度の熱源５０からの放射熱の波長範囲は、０．５μｍ〜２０μｍであるが、光電変換素子６０の吸収波長域６２は、光電変換素子６０がＧａＳｂの場合には、０．８μｍ〜１．８μｍであり、光電変換素子６０がＩｎＧａＡｓの場合には、１．５μｍ〜２．５μｍである。
【００３６】
熱源５０からの放射光から、直接光電変換素子６０で発電しようとすると、光電変換素子６０がＧａＳｂの場合には１．８μｍ超の光、光電変換素子６０がＩｎＧａＡｓの場合には２．５μｍ超の光は、光電変換素子６０の発電には使用されず、光電変換素子６０を加熱するだけに使われることになる。そして、温度が上昇した光電変換素子６０は出力が低下するので、光電変換素子６０を冷却するための電力も大きくなってしまう。
【００３７】
そこで、図１に示すように、熱源５０と光電変換素子６０との間に、光電変換素子６０の吸収波長域６２に合わせた波長範囲で光５４を選択的に放射（光電変換素子６０がＧａＳｂの場合には、約０．８μｍ〜１．８μｍの波長域の光を選択的に放射し、光電変換素子６０がＩｎＧａＡｓの場合には、約１．５μｍ〜２．５μｍの波長域の光を選択的に放射）する、熱光変換部材１０を配置することにより、光電変換素子６０の出力を低下させず、且つ光電変換素子６０の冷却電力を抑えることができる。
【００３８】
熱光変換部材１０の熱源５０側の面１０１に放射率の高い層（灰色体）２４を形成することにより、熱源５０からの放射光の全波長の光を吸収して、熱光変換部材１０自体が加熱され、熱光変換部材１０の光電変換素子６０側の面１０２では、光電変換素子６０がＧａＳｂの場合には、約０．８μｍ〜１．８μｍの波長域の光を選択的に放射し、光電変換素子６０がＩｎＧａＡｓの場合には、約１．５μｍ〜２．５μｍの波長域の光を選択的に放射するので、熱光変換部材１０は熱源５０の温度に近い温度まで上昇するが、冷却されにくく、熱光変換部材１０でのエネルギーロスは小さい。また、熱光変換部材１０の熱源５０側の面１０１に放射率の高い層（灰色体）２４を形成することにより、余分な熱５６は熱源５０に戻すので、熱源５０の保温にもなる。
【００３９】
次に、熱光変換部材１０について説明する。
【００４０】
（第１の実施の形態）
図３に示すように、本実施の形態の熱光変換部材１０は、基板２２と、基板２２の表面２２２に設けられた灰色体２４と、基板２２の表面２２２とは反対側の表面２２１に設けられた金属体１２と、金属体１２の一表面１２１上に設けられた、誘電体からなる下層１６、複合層１４、及び誘電体からなる上層２６が積層された積層体３０を備えている。
【００４１】
複合層１４は、付加材１８及び母材２０を含有する。付加材１８は、母材２０中に分散して設けられている。下層１６は、金属体１２の一表面１２１上に設けられている。複合層１４は、下層１６の一表面１６１上に設けられている。上層２６は、複合層１４の表面１４１に接して設けられている。
【００４２】
熱光変換部材１０は、熱源が放射した熱エネルギー（放射光）を波長選択し、光電変換素子６０が電気に変換できる波長の光を選択的に放射する。本実施の形態に係る熱光変換部材１０は、光電変換素子６０がＧａＳｂの場合には、波長０．８以上１．８μｍ未満の範囲で放射率が高く、波長１．８μｍ以上の放射率を抑え、光電変換素子６０がＩｎＧａＡｓの場合には、波長１．５以上２．５μｍ未満の範囲で放射率が高く、波長２．５μｍ以上の放射率を抑える。放射率とは、放射体の放射強度とその放射体と同温度の黒体の放射強度との比をいう。
【００４３】
本実施の形態の熱光変換部材１０は、金属体１２と複合層１４の間に下層１６、及び上層２６が設けられていることにより、波長選択に用いられる層が、下層１６、複合層１４、上層２６となり、これらの層の膜厚の組み合わせが多く、また、それぞれの層の膜厚が多少変動しても、波長選択性に及ぼす影響は小さいので、熱光変換部材１０の製造が容易である。
【００４４】
金属体１２は、波長０．５μｍ以上で高い反射率と耐熱性を有していることが好ましい。金属体１２は、後に述べる複合層１４の母材２０の好ましい材料であるＴａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２と１０００℃までの高温下でも反応しないことが好ましい。金属体１２は、主成分がＷ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＣｒから選ばれる１種の金属から形成されることができる。主成分とは、濃度が５０重量％超を有することである。金属体１２は、合金で形成してもよく、例えばＦｅ合金、Ｎｉ合金などで形成することができる。金属体１２がチタンタングステンシリサイド（Ｔｉ−Ｗ−Ｓｉ）、又はチタンタングステンシリサイドとタングステンシリサイド（Ｗ−Ｓｉ）の積層で形成されると、金属体１２と下層１６との拡散、反応を抑制することができ、１２００℃以上の耐熱性が確保できるので、耐熱性の観点から特に好ましい。本実施形態における金属体１２の厚さは、１００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００４５】
複合層１４の付加材１８は、金属又は半導体で形成される。金属又は半導体は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＳｉから選ばれる１種であることが好ましい。付加材１８は、粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度の粒子であるのが好ましい。複合層１４は、付加材１８を３０体積％以上８０体積％以下含有しているのが好ましい。複合層１４は、付加材１８が３０体積％未満であると充分な屈折率を確保できないため、波長を選択することが困難となり、８０体積％超であると付加材１８同士が結合し連続膜となりやすく、複合層１４の中に金属層や半導体層を形成することにより、波長選択性を失う可能性が生じる。
【００４６】
複合層１４の母材２０は、付加材１８を構成する金属又は半導体の酸化物である。すなわち付加材１８がＴａの場合、母材２０はＴａ２Ｏ５、付加材１８がＴｉの場合、母材２０はＴｉＯ２、付加材１８がＣｒの場合、母材２０はＣｒ２Ｏ３、付加材１８がＳｉの場合、母材２０はＳｉＯ２で形成される。付加材１８と母材２０のこれらの組み合わせとすることにより、１０００℃までの高温下において、母材２０は付加材１８と反応せず、付加材１８は母材２０中で酸化されず、安定して存在する。
【００４７】
複合層１４の物理膜厚が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましい。
【００４８】
下層１６、及び上層２６は、１０００℃までの高温下でも複合層１４の母材２０と反応しない誘電体材料で形成される。下層１６、及び上層２６は、上記付加材１８の酸化物、又はＳｉＯ２で構成されるのが好ましい。ここで付加材１８の酸化物は、複合層１４の母材２０を形成する酸化物である。すなわち下層１６、及び上層２６は、ＳｉＯ２以外を用いる場合、母材２０を形成する酸化物と同じであるのが好ましい。
【００４９】
ＳｉＯ２は下層１６、及び上層２６として、金属又は半導体に関わらず全ての付加材１８の場合に適用し得る。ＳｉＯ２は１５００℃以上の融点を有し、高温の酸化雰囲気であっても蒸発しやすい酸化物組成の化合物を有さない耐熱性の高い材料であり、化学的に安定な酸化物であるので、複合層１４や金属体１２と反応して化合物を形成することがなく、熱光変換部材の波長選択性が崩れることがない。特に、外気に接する上層２６としてＳｉＯ２用いるのは効果的である。
【００５０】
下層１６、及び上層２６は、物理膜厚が１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのが好ましい。
【００５１】
複合層１４には付加材１８が分散されているので、複合層１４と、下層１６及び上層２６は、屈折率が互いに異なる。その結果、複合層１４、下層１６、及び上層２６の積層体３０は波長選択性を持つ。
【００５２】
熱光変換部材１０の基板２２は、Ｓｉ、金属又は石英で形成されていることが好ましい。金属としては、例えばＦｅ合金やＮｉ合金などを用いることができる。Ｆｅ合金としては、ＳＵＳ３０４が好ましく例示され、Ｎｉ合金としては、インコネルが好ましく例示される。基板２２を金属で形成する場合には、金属体１２を基板２２と一体化して、金属の基板２２の表面を金属体１２として使用することができる。基板２２に、Ｓｉを用いる場合は、金属体１２との高温での反応を抑制するため、Ｓｉ基板表面にはＳｉＯ２膜が形成されていることが望ましい。ＳｉＯ２膜はＳｉの熱酸化膜であることが好ましい。
【００５３】
熱光変換部材１０は、灰色体２４を介して熱源に接続される。灰色体２４として、ＳｉＣ層を基板２２の表面２２２に設けてもよい。ＳｉＣ層は、吸収率が黒体に近い灰色体として機能するため、入射された熱を効率的に吸収することで、熱光変換部材１０自体が高温になりやすく、５５０℃以上の温度域で、金属体１２側から放射される放射光の量を多くすることができる。
【００５４】
基板２２は、Ｓｉ、金属又は石英で形成することにより、灰色体２４からの熱を効率良く金属体１２に伝えるとともに、耐熱性を有する。基板２２は、市販されている鏡面研磨されたＳｉウェハーで形成すると、表面の凹凸が少なく平坦性が優れているため、基板２２上に形成された金属体１２及び複合層１４や下層１６及び上層２６の平坦性を向上することができ、結果として反射率を高め、波長選択性を向上することができる。Ｓｉで形成される基板２２は、多結晶、単結晶のいずれでも構わない。
【００５５】
灰色体２４として、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ酸化物層又はこれらの複合酸化物層を、設けてもよい。酸化物層は、吸収率が高く、酸化物層表面に入射した熱を効率良く基板２２に伝えることができ、結果として５５０℃以上の温度域で、金属体１２側から放射される放射光の量を多くすることができる。
【００５６】
熱光変換部材１０に入射する熱エネルギー（放射光）の入射方向は、灰色体２４及び基板２２側から入射する場合と、上層２６側から入射する場合の２通りが考えられる。熱光変換部材１０は、主に、工場排熱などの熱源から放射される熱エネルギー（放射光）が灰色体２４及び基板２２側から入射すると、波長選択された光を上層２６から放射する。
【００５７】
一方、熱光変換部材１０は、上層２６側から光が入射することにより、光が熱光変換部材１０によって波長選択され熱が効率的に吸収されるとともに、余分な光を放射しないため、冷却されにくい。吸収された熱は、基板２２及び灰色体２４を通じて放射され、太陽熱発電に適用可能となる。
【００５８】
次に、本実施形態の熱光変換部材の製造方法について説明する。
【００５９】
金属体１２は、真空蒸着法、スパッタ法により好適に形成することができる。いずれの手法でもＷ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＣｒなどの金属体１２を薄く均一に形成し、平坦性が良好な成膜が可能である。
【００６０】
複合層１４は、スパッタ法により好適に形成することができる。例えば、Ｃｒ２Ｏ３ターゲットの上にＣｒチップ、ＴｉＯ２ターゲットの上にＴｉチップ、Ｔａ２Ｏ５ターゲットの上にＴａチップ、又はＳｉＯ２ターゲットの上にＳｉチップを積載したものを用いて、スパッタリングを行うことにより、酸化物（Ｃｒ２Ｏ３  、ＴｉＯ２  、Ｔａ２Ｏ５  、又はＳｉＯ２）中に金属（Ｃｒ  Ｔｉ  又はＴａ）又は半導体（Ｓｉ）を分散させた層を形成する。
【００６１】
下層１６、及び上層２６は、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法により、好適に形成することができる。いずれの手法でも誘電体である例えば、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２の層を数１０ｎｍの薄さで容易に膜厚を管理でき、均一性を高めることもできる。さらに真空蒸着法、スパッタ法は大面積化にも有利であり、生産性に優れている。
【００６２】
複合層１４、下層１６、及び上層２６の形成後に、ＡｒやＮ２ガスなどの不活性ガス中で６００℃〜１２００℃で熱処理をすることにより、複合層１４の母材２０中に金属又は半導体を凝集させ、付加材１８の粒子を形成するとともにそれぞれの層を緻密化することができる。
【００６３】
灰色体２４として用いるＳｉＣ層は、化学気相成長法（ＣＶＤ法：Chemical Vapor Deposition）、スパッタ法、炭化法などにより好適に作製できる。ＣＶＤ法の場合、カーボン含有ガス及びシリコン含有ガスを熱分解させ基板２２上で反応させることで、ＳｉＣ層を基板２２上に形成できる。
【００６４】
基板２２が石英やＦｅ合金やＮｉ合金などの金属の場合、スパッタ法により、基板２２上にＳｉＣ層を析出できる。基板２２がＳｉの場合、炭化法により、炭化水素ガスで基板２２の表面を炭化させることによりＳｉＣ層を形成できる。
【００６５】
基板２２がＳｉや石英の場合、灰色体２４として用いる酸化物層をスパッタ法で形成できる。基板２２がＦｅ合金やＮｉ合金の場合は、灰色体２４として用いる酸化物層を、基板２２を酸化雰囲気で加熱することで基板２２の表面に容易に形成することができ、酸化物層の基板２２との密着性も良好である。
【００６６】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態について図４を参照して説明する。図４では、第１の実施の形態と同じ構成部材について同じ符号を付してある。第２の実施の形態では、金属体１２の一表面１２１上に、付加材１８及び母材２０を含有する複合層１４を設け、複合層１４の表面１４１に接して誘電体からなる上層２６を設けて積層体３０を形成する。すなわち、第１の実施の形態とは、金属体１２と複合層１４の間に誘電体からなる下層がない点で異なる。本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の耐熱性と波長選択性が得られる。
【００６７】
第２の実施の形態では金属体１２と複合層１４の間に誘電体からなる下層がないため、高温での金属体１２と複合層１４の間の拡散、反応に注意する必要がある。複合層１４の母材２０がＳｉＯ２とすると、１０００℃であっても金属体１２と複合層１４とが化合物を形成し、波長選択性が崩れることはないので好ましい。
【００６８】
また、金属体１２をＴｉ−Ｗ−Ｓｉ層、又はＷ−Ｓｉ／Ｔｉ−Ｗ−Ｓｉ層にすることで、複合層１４の主成分によらず、金属体１２と複合層１４との反応を抑制できるので好ましい。
【００６９】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態について図５を参照して説明する。図５では、第１の実施の形態と同じ構成部材について同じ符号を付してある。第３の実施の形態では、金属体１２の一表面１２１上に、誘電体からなる下層１６を設け、下層１６の表面１６１に接して付加材１８及び母材２０を含有する複合層１４を設けて積層体３０を形成する。すなわち、第１の実施の形態とは、複合層１４の下層１６と反対側の表面に誘電体からなる上層がない点で異なる。本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の耐熱性と波長選択性が得られる。
【００７０】
第３の実施の形態では複合層１４の一方の面に誘電体からなる上層がなく、直接大気に接する点に注意する必要がある。複合層１４の付加材１８をＳｉ、母材２０をＳｉＯ２とすると、酸化雰囲気においても耐熱性が高いので好ましい。
【実施例】
【００７１】
（試料）
上記製造方法の記載に従い、熱光変換部材を作製し、耐熱性を評価した。熱光変換部材１０は、基板２２上に、金属体１２、下層１６、複合層１４、上層２６を、スパッタ法により、ターゲットを変えることで連続的に形成し、作製した。一部の熱光変換部材は、下層１６、上層２６の一方のみを備える構成とした。【００７２】
基板２２としては、熱酸化膜（ＳｉＯ２膜厚０．３μｍ）付Ｓｉウェハーを用い、常温（基板を加熱しない状態）で成膜を行った。成膜は、直径６インチのターゲットを用い、Ａｒ雰囲気（流量２５ｓｃｃｍ、圧力０．７Ｐａ）で行った。【００７３】
灰色体はＳｉＣターゲットを用い、交流電源で８００Ｗの条件で成膜した（ＳｉＣ膜厚０．３μｍ）。【００７４】
金属体１２はＷ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ又はＴｉＷ（Ｔｉ：１０質量％、Ｗ：９０質量％）のターゲットを用い、直流電源で５００Ｗの条件で成膜した。【００７５】
下層１６及び上層２６は、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、又はＴａ２Ｏ５のターゲットを用い、交流電源で８００Ｗの条件で成膜した。【００７６】
複合層１４は、Ｃｒ２Ｏ３ターゲットの上にＣｒチップ、ＴｉＯ２ターゲットの上にＴｉチップ、ＳｉＯ２ターゲットの上にＳｉチップ、又はＴａ２Ｏ５ターゲットの上にＴａチップを積載したものを用い、下層１６及び上層２６と同じ条件で成膜した。成膜後にＮ２ガス雰囲気で１０００℃、１時間加熱した。複合層１４に含まれる付加材の体積分率は、ターゲットに積載するチップのサイズ、枚数を変えることで制御した。実際の体積分率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光（X-ray Photoelectron Spectroscopy））により確認した。【００７７】
また、各層の膜厚は、あらかじめ成膜した膜厚を触針式段差計で測定し、成膜速度を求めて、所定の膜厚になるようにスパッタリング時間を制御した。【００７８】
基板２２としてＳＵＳ３０４、Ｎｉ基合金（インコネル、Ｎｉ：７６質量％、Ｃｒ：１５．５質量％、Ｆｅ：８．０質量％）を用いた実験も行った。この場合、基板２２の鏡面研磨した表面を金属体１２とし、別途スパッタ法により金属体１２を形成することはしなかった。【００７９】
基板２２としてＳｉウェハーを用いた実験も行った。金属体１２としてＴｉ−Ｗ層又はＷ/Ｔｉ−Ｗ積層を形成し、前記の下層１６、複合層１４及び上層２６を形成した。成膜後にＮ２ガス雰囲気で１０００℃、１時間で加熱するとＴｉ−Ｗ層又はＷ／Ｔｉ−Ｗ層はＳｉと反応しシリサイド化して、Ｔｉ−Ｗ−Ｓｉ層又はＷ−Ｓｉ／Ｔｉ−Ｗ−Ｓｉ層になる。ターゲットとして、Ｔｉ−Ｗ−Ｓｉ（例えばＴｉ：７重量％、Ｗ：６５重量％、Ｓｉ：２８重量％）またはＷ−Ｓｉ（例えばＷ：７７重量％、Ｓｉ：２３重量％）を用い、Ｓｉウェハーや他の基板に直接、スパッタ成膜してもよい。【００８０】
試料は、熱光変換部材１０が適用される光電変換素子に合わせて作製した。すなわち実施例１〜３９はＧａＳｂ、実施例４０〜５７はＩｎＧａＡｓに合わせて作製した。試料の構成を表１〜表３に示す。【００８１】
（評価方法）
常温放射率は、近赤外−赤外分光器内で垂直入射（入射角度１０°）での正反射率Ｒ（％）を測定し、１００（％）−Ｒ（％）により求めた値とした。【００８２】
高温放射率は、１０００℃に加熱した黒体炉からの放射光と、試料加熱炉で加熱された試料からの放射光を、導光器を経由して分光器で分光して測定した。最初に１０００℃に加熱された黒体炉からの放射光により分光器の補正を行った。次に、同温度に加熱された試料からの放射光を測定し、高温放射率を求めた。なお加熱された試料の真温度は、表面に黒体スプレー（ジャパンセンサー製、ＪＳＣ−３号、放射率０．９４）を塗布した基板を試料加熱炉で加熱し、当該基板の放射光を測定して決定した。尚、真温度はいずれの実験でも１０００±１０℃の範囲内であった。【００８３】
各試料の評価は、光電変換素子がＧａＳｂの場合に必要な特性と、光電変換素子がＩｎＧａＡｓの場合に必要な特性に合わせて行った。【００８４】
光電変換素子がＧａＳｂの場合、熱光変換部材は、光吸収率の高い０．８μｍ〜１．８μｍで放射率が高く、それ以上の長波長側では放射率が低いことが好ましい。高い放射率が好ましい０．８μｍ〜１．８μｍの波長範囲での平均放射率が９０％以上の場合をＡ、９０％未満８０％以上の場合をＢ、改善すれば使用の可能性があるため８０％未満７０％以上の場合をＣとした。また、低い放射率が好ましい３．５μｍ〜１０μｍの波長範囲での平均放射率が１０％以下をＡ、１０％超２０％以下をＢ、改善すれば使用の可能性があるため２０％超３０％以下の場合をＣとした。その結果を表１及び表２に示す。実施例５、１２、１９、２３、２５、２６、２９、３３の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を図６〜図１３にそれぞれ示す。【００８５】
光電変換素子がＩｎＧａＡｓの場合、熱光変換部材は、光吸収率の高い１．５μｍ〜２．５μｍで放射率が高く、それ以上の長波長側では放射率が低いことが好ましい。高い放射率が好ましい１．５μｍ〜２．５μｍの波長範囲での平均放射率が９０％以上の場合をＡ、９０％未満８０％以上の場合をＢ、改善すれば使用の可能性があるため８０％未満７０％以上の場合をＣとした。また、低い放射率が好ましい４μｍ〜１０μｍの波長範囲での平均放射率が１０％以下をＡ、１０％超２０％以下をＢ、改善すれば使用の可能性があるため２０％超３０％以下の場合をＣとした。その結果を表３に示す。実施例４４、４８、４９、５２の熱光変換部材から放射される光の分光放射率を図１４〜１７にそれぞれ示す。【００８６】
表１〜表３より、実施例１〜５７に係る熱光変換部材は、常温において優れた波長選択性を有しており、高温においても波長選択性の劣化が抑制されており、１０００℃までの耐熱性を有していることが確認された。なお、基板として石英を使用した場合は、熱酸化膜付Ｓｉウェハーと実質的に同じ構成である。【００８７】
【表１】
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【００８８】
【表２】
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【００８９】
【表３】
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【符号の説明】
【００９０】
１０    熱光変換部材
１２    金属体
１４    複合層
１６    下層
１８    付加材
２０    母材
２６    上層
３０    積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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