(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に形成された、抵抗体及び該抵抗体に接する金属電極を含むチップ抵抗体と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された第一金属部材と、前記抵抗体の前記セラミックス基板とは反対側の面に形成されたセラミックス層を有するセラミックス部材と、前記チップ抵抗体を覆うように形成された封止樹脂と、を備えた抵抗器の製造方法であって、
前記抵抗体に前記セラミックス部材の前記セラミックス層を押し付けた状態で加熱し、前記セラミックス基板の他方の面にろう材を用いて前記第一金属部材を接合することを特徴とする抵抗器の製造方法。
【請求項２】
前記セラミックス部材は、前記セラミックス層と第二金属部材層の積層体からなることを特徴とする請求項１記載の抵抗器の製造方法。
【請求項３】
前記セラミックス基板の他方の面と前記第一金属部材とは、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材を用いて接合することを特徴とする請求項１または２に記載の抵抗器の製造方法。
【請求項４】
セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に形成された、抵抗体及び該抵抗体に接する金属電極を含むチップ抵抗体と、前記セラミックス基板の他方の面にろう材によって接合された第一金属部材と、前記抵抗体の前記セラミックス基板とは反対側の面に形成されたセラミックス層を有するセラミックス部材と、前記チップ抵抗体を覆うように形成された封止樹脂と、を備え、
前記セラミックス基板と前記第一金属部材とは、前記抵抗体に前記セラミックス部材の前記セラミックス層を押し付けた状態で加熱して接合したものであることを特徴とする抵抗器。
【請求項５】
前記セラミックス基板の他方の面と前記第一金属部材とはＡｌ−Ｓｉ系のろう材によって接合されていることを特徴とする請求項４に記載の抵抗器。
【請求項６】
前記第一金属部材は、純度が９９．９８質量％以上のＡｌからなる第一緩衝層と、第一ヒートシンクとの積層体であることを特徴とする請求項４または５に記載の抵抗器。
【請求項７】
前記セラミックス部材はセラミックス層と第二金属部材層の積層体からなることを特徴とする請求項４ないし６いずれか一項に記載の抵抗器。
【請求項８】
前記第二金属部材層は、金属からなる第二緩衝層と、第二ヒートシンクとの積層体であることを特徴とする請求項７に記載の抵抗器。
【請求項９】
前記セラミックス部材は、前記金属電極と重ならない位置に形成したことを特徴とする請求項４ないし８いずれか一項に記載の抵抗器。
【請求項１０】
前記セラミックス基板および前記セラミックス部材は、Ａｌ２Ｏ３からなることを特徴とする請求項４ないし９いずれか一項に記載の抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミックス基板の一方の面に形成された抵抗体を有するチップ抵抗体と、このチップ抵抗体に重ねて形成されたセラミックス部材とを備えた抵抗器の製造方法および抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子回路部品の一例として、セラミックス基板の一方の面に形成された抵抗体と、この抵抗体に接合された金属端子と、を備えた抵抗器が広く使用されている。抵抗器は、印加された電流値に応じてジュール熱が生じ、抵抗器が発熱する。抵抗器で生じた熱を効率的に放散するために、例えば、セラミックス基板の他方の面に放熱板（ヒートシンク）を備えたものが提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、セラミックス基板の一方の面及び他方の面にＡｌからなる回路層及び金属層が形成されたパワーモジュール用基板と、この回路層上にはんだ材を介して接合された半導体素子と、を備えたパワーモジュールが開示されている。そして、このパワーモジュール用基板の下側には、ヒートシンクが接合されており、半導体素子からパワーモジュール用基板側に伝達された熱を、ヒートシンクを介して外部へ放散する構成とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３１７１２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板の下側とヒートシンクとの接合には、熱伝導性に優れたろう材などの接合材料が一般的に用いられている。こうした基板とヒートシンクとを、ろう材を用いて接合する場合、ろう材の融点以上の温度まで加熱を行うとともに、基板側を治具等で押圧して基板とヒートシンクとを密着させる必要がある。
【０００６】
しかしながら、例えば抵抗体を備えたセラミックス基板とヒートシンクとをろう材を用いて接合する際に、剛性や平坦性に優れたセラミックスやカーボン板などからなる治具を抵抗体に押し付けて加熱を行うと、治具が抵抗体に熱圧着されてしまうことがあった。このため、セラミックス基板とヒートシンクとの接合が完了した後に治具を抵抗体から引き離そうとすると、抵抗体の一部若しくは全部が治具に転写されて剥離してしまい、抵抗体の実測抵抗値が設計値から大きく変動してしまうという課題があった。
また、こうした抵抗体に接続される電極においても、治具が当接すると、接合後に電極が治具に転写され、電極が剥離して導通不能になってしまうという課題もあった。
【０００７】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、製造時に抵抗体の劣化を防止して抵抗値の変動を抑制可能な抵抗器の製造方法及び抵抗器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の抵抗器の製造方法は、セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に形成された、抵抗体及び該抵抗体に接する金属電極を含むチップ抵抗体と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された第一金属部材と、前記抵抗体の前記セラミックス基板とは反対側の面に形成されたセラミックス層を有するセラミックス部材と、前記チップ抵抗体を覆うように形成された封止樹脂と、を備えた抵抗器の製造方法であって、前記抵抗体に前記セラミックス部材の前記セラミックス層を押し付けた状態で加熱し、前記セラミックス基板の他方の面にろう材を用いて前記第一金属部材を接合することを特徴とする。
【０００９】
本発明の抵抗器の製造方法によれば、抵抗体を備えたセラミックス基板と第一金属部材とを、ろう材を用いて接合する際に、押圧治具として用いたセラミックス部材を抵抗体から引き剥がさずに残して、絶縁部材などとして用いている。そのため、抵抗体の一部又は全部が剥離して抵抗体の実測抵抗値が設計値から大きく変動してしまうということがなく、抵抗値を適正に保った抵抗器を容易に製造することができる。
【００１０】
前記セラミックス部材は、前記セラミックス層と第二金属部材層の積層体からなることを特徴とする。
これによって、抵抗体への通電によって発生した熱を、第一金属部材とともに、第二金属部材層にも伝搬させ、抵抗体で生じた熱を第一金属部材と第二金属部材層の両方で効率的に放熱することができる。
【００１１】
前記セラミックス基板の他方の面と前記第一金属部材とは、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材を用いて接合することを特徴とする。
これによって、例えば、はんだ材などよりも融点の高いＡｌ−Ｓｉ系のろう材を用いることで、抵抗体が発熱して高温となっても、セラミックス基板と第一金属部材との接合強度を十分に維持することができ、耐熱性に優れた抵抗器を製造することができる。
【００１２】
本発明の抵抗器は、セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に形成された、抵抗体及び該抵抗体に接する金属電極を含むチップ抵抗体と、前記セラミックス基板の他方の面にろう材によって接合された第一金属部材と、前記抵抗体の前記セラミックス基板とは反対側の面に形成されたセラミックス層を有するセラミックス部材と、前記チップ抵抗体を覆うように形成された封止樹脂と、を備え、前記セラミックス基板と前記第一金属部材とは、前記抵抗体に前記セラミックス部材の前記セラミックス層を押し付けた状態で加熱して接合したものであることを特徴とする。
【００１３】
本発明の抵抗器によれば、抵抗体を備えたセラミックス基板と第一金属部材とのろう付け後にセラミックス部材を引き剥がさずに残している。そのため、抵抗体の一部若しくは全部が剥離して抵抗体の実測抵抗値が設計値から大きく変動してしまうということがなく、抵抗値を適正に保った抵抗器を実現することができる。また、抵抗体の大部分がセラミックス部材によって覆われることとなるので、封止樹脂によって抵抗器を樹脂封止する場合、抵抗体と封止樹脂との密着について考慮する必要がないため、種々の封止樹脂を用いることが可能となる。
【００１４】
前記セラミックス基板の他方の面と前記第一金属部材とはＡｌ−Ｓｉ系のろう材によって接合されていることを特徴とする。
これによって、例えば、はんだ材などよりも融点の高いＡｌ−Ｓｉ系のろう材を用いたので、抵抗体が発熱して高温となっても、セラミックス基板とＡｌ部材との接合強度を十分に維持することができ、耐熱性に優れた抵抗器を実現できる。
【００１５】
前記第一金属部材は、純度が９９．９８質量％以上のＡｌからなる第一緩衝層と、第一ヒートシンクとの積層体であることを特徴とする。
純度が９９．９８質量％以上のＡｌからなる第一緩衝層と第一ヒートシンクとを設けることによって、チップ抵抗体で発生した熱を効率的に第一ヒートシンクに伝搬させ、熱を速やかに放散することができる。また、第一緩衝層を純度９９．９８質量％以上の高純度Ａｌで形成することによって、変形抵抗が小さくなり、冷熱サイクルが負荷された際にセラミックス基板に発生する熱応力をこの第一緩衝層によって吸収でき、セラミックス基板に熱応力が加わって割れが発生することを抑制できる。
【００１６】
前記セラミックス部材はセラミックス層と第二金属部材層の積層体からなることを特徴とする。
これによって、抵抗体への通電によって発生した熱を、第一金属部材とともに、第二金属部材層にも伝搬させ、抵抗体で生じた熱を第一金属部材と第二金属部材層の両方で効率的に放熱することができる。
【００１７】
前記第二金属部材層は、金属からなる第二緩衝層と、第二ヒートシンクとの積層体であることを特徴とする。
金属からなる第二緩衝層と第二ヒートシンクとを設けることによって、チップ抵抗体で発生した熱を効率的に第二ヒートシンクに伝搬させ、熱を速やかに放散することができる。また、第二緩衝層を金属で形成することによって、変形抵抗が小さくなり、冷熱サイクルが負荷された際にセラミックス基板に発生する熱応力をこの第二緩衝層によって吸収でき、セラミックス基板に熱応力が加わって割れが発生することを抑制できる。
【００１８】
前記セラミックス部材は、前記金属電極と重ならない位置に形成したことを特徴とする。
これによって、セラミックス部材に対して、金属電極から延びる金属端子などの部材を通過させるスルーホールなどを設ける必要が無く、簡易な工程で低コストに抵抗器を形成することができる。
【００１９】
前記セラミックス基板および前記セラミックス部材は、Ａｌ２Ｏ３からなることを特徴とする。
安価で、高精度な形成が容易で、かつ絶縁性に優れたＡｌ２Ｏ３をセラミックス基板およびセラミックス部材に用いることによって、低コストで、高精度な抵抗器を得ることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、製造時に抵抗体の損傷を防止して抵抗値の変動を抑制可能な構造の抵抗器の製造方法及び抵抗器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る抵抗器の断面図である。
【図２】本発明の第二実施形態に係る抵抗器の断面図である。
【図３】本発明の第三実施形態に係る抵抗器の断面図である。
【図４】第一実施形態の変形例に係る抵抗器の断面図である。
【図５】第一実施形態の変形例に係る抵抗器の断面図である。
【図６】第二実施形態の変形例に係る抵抗器の断面図である。
【図７】第一実施形態に係る抵抗器の製造方法の断面図である。
【図８】第一実施形態に係る抵抗器の製造方法の断面図である。
【図９】第一実施形態に係る抵抗器の製造方法の断面図である。
【図１０】第二実施形態に係る抵抗器の製造方法の断面図である。
【図１１】第二実施形態に係る抵抗器の別な製造方法の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、本発明の抵抗器の製造方法および抵抗器について説明する。
なお、以下に示す各実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００２３】
まず初めに、本発明の抵抗器の製造方法によって得られる本発明の抵抗器の構成を説明する。
（抵抗器：第一実施形態）
本発明の抵抗器の第一実施形態について、添付した図１を参照して説明する。
図１は、第一実施形態の抵抗器の積層方向に沿った断面を示す断面図である。第一実施形態に係る抵抗器１０は、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面１１ａに重ねて形成されたチップ抵抗体１６と、を備えている。このチップ抵抗体１６は、抵抗体１２及びこの抵抗体１２に電気的に接続された金属電極１３ａ，１３ｂとを有している。また、金属電極１３ａ，１３ｂのそれぞれに重ねて、金属端子１４ａ，１４ｂが配置されている。
【００２４】
セラミックス基板１１は、抵抗体１２及び金属電極１３ａ，１３ｂと、後述する導電性の第一金属部材２１との電気的接続を防止するものであり、第一実施形態においては、絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３（アルミナ）やＡｌＮ（窒化アルミ）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）等からなる板状部材である。本実施形態では、セラミックス基板１１はＡｌ２Ｏ３によって形成されている。また、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板１１の厚さは、例えば、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内であればよく、第一実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
【００２５】
こうしたセラミックス基板１１の厚さは、０．３ｍｍ未満であるとセラミックス基板１１に加わる応力に対する強度を充分に確保できなくなる懸念がある。また、セラミックス基板１１の厚さが１．０ｍｍを超えると、抵抗器１０全体の厚みが増加し、薄厚化が難しくなる懸念がある。よって、セラミックス基板１１の厚さを、例えば、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内にすることによって、セラミックス基板１１の強度と、抵抗器１０全体の薄厚化とを両立できる。
【００２６】
抵抗体１２は、抵抗器１０に電流が流れた際の電気抵抗として機能させるためのものであり、構成材料の一例として、Ｔａ−Ｓｉ系薄膜抵抗体やＲｕＯ２厚膜抵抗体が挙げられる。抵抗体１２は、第一実施形態においては、ＲｕＯ２の厚膜抵抗体によって構成されている。この抵抗体１２の厚さは５μｍ以上１０μｍ以下とされており、具体的には７μｍとされている。
【００２７】
金属電極１３ａ，１３ｂは、抵抗体１２に通電を行う電極であり、第一実施形態では、金属電極１３ａ，１３ｂは、抵抗体１２と同一の面上であるセラミックス基板１１の一方の面１１ａに接して配され、抵抗体１２と金属電極１３ａ，１３ｂとは、それぞれの厚み方向の端面で接触している。
【００２８】
金属電極１３ａ，１３ｂは、第一実施形態においては、Ａｇによって構成されている。また、金属電極１３ａ，１３ｂの厚さは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下とされており、第一実施形態においては、抵抗体１２と同じ７μｍとされている。なお、本実施形態において、金属電極１３ａ，１３ｂを構成するＡｇは、純ＡｇやＡｇ合金を含むものとする。また、金属電極１３ａ，１３ｂは、Ａｇに限定されるものでは無く、例えば、Ａｌ，Ｃｕなど、高導電率の各種金属を採用することができる。
【００２９】
金属端子１４ａ，１４ｂは、例えば外形が略Ｌ字型に屈曲された電気端子であり、金属電極１３ａ，１３ｂに電気的に接続されている。金属端子１４ａ，１４ｂのそれぞれの一端側は、例えば、はんだ層（図示略）などを介して金属電極１３ａ，１３ｂの表面に固定されている。また、金属電極１３ａ，１３ｂのそれぞれの他端側は、後述する封止樹脂４１から突出して外部に露出されている。こうした金属端子１４ａ，１４ｂは、第一実施形態においては、Ｃｕによって構成されている。また、金属端子１４の厚さは、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とされており、第一実施形態においては、０．３ｍｍとされている。
【００３０】
抵抗器１０は、この金属端子１４ａ，１４ｂを介して外部の電子回路等に接続される。
金属端子１４ａは、抵抗器１０の一方の極性の端子とされ、また、金属端子１４ｂは、抵抗器１０の他方の極性の端子とされる。
【００３１】
セラミックス基板１１の他方の面１１ｂには、第一金属部材２１が接合されている。
本実施形態においては、第一金属部材２１は、純度が９９．９８質量％以上のＡｌからなる第一緩衝層２２と、第一ヒートシンク２３との積層体とされている。
【００３２】
セラミックス基板１１と第一緩衝層２２とは、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材によって接合されている。また、第一ヒートシンク２３としてＡｌを用いた場合、第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３とは、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材で接合されている。第一ヒートシンク２３としてＣｕを用いた場合、第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３とは、固相拡散接合によって接合されている。
【００３３】
Ａｌ−Ｓｉ系のろう材を用いてセラミックス基板１１と第一金属部材２１（第一緩衝層２２）を接合すると、耐熱性と接合時の熱劣化を同時に防止することができる。例えば、第一金属部材２１（第一緩衝層２２）を、はんだを用いて接合した場合、はんだの融点が低い（２００〜２５０℃程度）ために、抵抗体１２が高温になった場合、第一金属部材２１（第一緩衝層２２）に剥離が生じてしまうおそれがある。一方、耐熱性を重視して、第一金属部材２１（第一緩衝層２２）を、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を用いた場合、融点（接合温度）が８５０℃となり、耐熱性は高められるものの、接合時に８５０℃以上に昇温させると、抵抗体が熱劣化を引き起こし、所定の性能を発揮できない懸念がある。しかし、セラミックス基板１１と第一金属部材２１（第一緩衝層２２）をＡｌ−Ｓｉ系のろう材を用いて接合することによって、はんだ接合と比較して耐熱性が大幅に高められ、かつ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を用いた接合と比較して、接合時における抵抗体１２の熱劣化を確実に防止することが可能になる。
【００３４】
第一緩衝層２２は、例えば、純度が９９．９８質量％以上の高純度Ａｌからなる薄板状の部材である。この第一緩衝層２２の厚みは、例えば、０．４ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下であればよい。こうした第一緩衝層２２をセラミックス基板１１の他方の面１１ｂと第一ヒートシンク２３との間に形成することによって、抵抗体１２への通電によって発生した熱を効率的に第一ヒートシンク２３に伝搬させ、熱を速やかに放散することができる。
【００３５】
また、第一緩衝層２２を純度９９．９８質量％以上の高純度Ａｌで形成することによって、変形抵抗が小さくなり、冷熱サイクルが負荷された際にセラミックス基板１１に発生する熱応力をこの第一緩衝層２２によって吸収でき、セラミックス基板１１に熱応力が加わって割れが発生することを抑制できる。
【００３６】
第一ヒートシンク（放熱部材）２３は、抵抗体１２から発生する熱を逃がすためのものであり、熱伝導性が良好なＡｌ又はＡｌ合金、Ｃｕ又はＣｕ合金などから形成されている。第一実施形態においては、第一ヒートシンク２３は、Ａ６０６３合金（Ａｌ合金）で構成されている。
【００３７】
第一ヒートシンク２３は、積層方向に沿った厚みが２．０ｍｍ以上、１０．０ｍｍ以下の範囲に形成されることが好ましい。第一ヒートシンク２３の厚みが２．０ｍｍ未満であると、第一ヒートシンク２３に応力が加わった際に、第一ヒートシンク２３が変形する懸念がある。また、熱容量が小さすぎるため、抵抗体１２から発生する熱を充分に吸収、放熱できない懸念がある。一方、第一ヒートシンク２３の厚みが１０．０ｍｍを超えると、第一ヒートシンク２３の厚みによって抵抗器１０全体の薄厚化も図ることが困難となり、また、抵抗器１０全体の重量が大きくなり過ぎるという懸念がある。
なお、この第一ヒートシンク２３に接するように、更に水冷式や空冷式の冷却器を形成することもできる。
【００３８】
抵抗体１２を挟んでセラミックス基板１１の反対側、即ち、抵抗体１２がセラミックス基板１１に接合された接合面１２ａの反対面１２ｂには、セラミックス層を有するセラミックス部材３５が形成されている。なお、本実施形態では、セラミックス部材３５全体でセラミックス層を成しているが、セラミックス部材３５を、セラミックス層と他の材料層とからなる複層構成としてもよい。
【００３９】
セラミックス部材３５は、後述する本発明の抵抗器の製造方法において、各部材の接合時に抵抗体１２を反対面１２ｂ側から押圧するための治具である。こうしたセラミックス部材３５は、第一実施形態においては、絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３（アルミナ）やＡｌＮ（窒化アルミ）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）等からなる板状部材である。本実施形態では、セラミックス部材３５はＡｌ２Ｏ３によって形成されている。また、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス部材３５の厚さは、例えば、０．３ｍｍ以上であればよく、第一実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
【００４０】
こうしたセラミックス部材３５の厚さは、０．３ｍｍ未満であるとセラミックス部材３５に加わる応力に対する強度を充分に確保できなくなる懸念がある。セラミックス部材３５の厚さの上限については、特に限定されるものではないが、１．０ｍｍを超えると、抵抗器１０全体の厚みが増加し、薄厚化が難しくなる懸念がある。よって、セラミックス部材３５の強度と、抵抗器１０全体の薄厚化とを両立させるために、セラミックス部材３５の厚さを、例えば、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内にすることが望ましい。
【００４１】
セラミックス部材３５の大きさは、例えば、抵抗体１２の面サイズと同一であればよい。本実施形態では、セラミックス部材３５は、抵抗体１２の周縁からはみ出すことのないサイズ、即ち、金属電極１３ａ，１３ｂと重ならない位置に形成されている。
【００４２】
チップ抵抗体１６の周囲には、チップ抵抗体１６に対して離間するように取り囲む型枠３８が配置されている。そして、この型枠３８の内部には、封止樹脂３９が充填されている。こうした封止樹脂３９は、チップ抵抗体１６や金属端子１４ａ，１４ｂの一部を覆うように形成されている。
【００４３】
型枠３８は、例えば、耐熱性の樹脂板から構成されている。そして、この型枠３８の内側を埋める封止樹脂３９は、例えば、３０℃〜１２０℃の温度範囲における熱膨張係数（線膨張率）が８ｐｐｍ／℃〜１６ｐｐｍ／℃の範囲の絶縁性樹脂が用いられる。こうした熱膨張係数を持つ絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂にＳｉＯ２フィラーを入れたものなどを挙げることができる。この場合、封止樹脂３９はＳｉＯ２フィラーが７２質量％〜８４質量％、エポキシ樹脂が１６質量％〜２８質量％の組成とすることが望ましい。
【００４４】
封止樹脂３９として、３０℃〜１２０℃の温度範囲における熱膨張係数が８ｐｐｍ／℃〜１６ｐｐｍ／℃の範囲の絶縁性樹脂を用いることによって、抵抗体１２の発熱に伴う封止樹脂３９の熱膨張による体積変化を最小に抑えることができる。そして、封止樹脂３９に覆われたチップ抵抗体１６や金属端子１４ａ，１４ｂに対して過剰な応力が加わることで接合部分がダメージを受け、導通不良等の不具合を起こすことを防止できる。
【００４５】
（抵抗器：第二実施形態）
本発明の抵抗器の第二実施形態について、添付した図２を参照して説明する。
なお、以下の説明において、第一実施形態の抵抗器と同一の構成に関しては同一の符号を付与し、その詳細な説明は略す。
図２は、第二実施形態の抵抗器の積層方向に沿った断面を示す断面図である。
第二実施形態に係る抵抗器３０は、セラミックス層３４の抵抗体１２に対する接合面３４ａの反対面３４ｂに、更に第二金属部材層３１を形成している。
第二実施形態においては、セラミックス部材３５はセラミックス層３４と第二金属部材層３１の積層体とされている。さらに、第二金属部材層３１は、純度が９９．９８質量％以上のＡｌからなる第二緩衝層３２と、第二ヒートシンク３３との積層体とされている。第二ヒートシンク３３は、ＡｌやＣｕなどの熱伝導性（放熱性）の高い金属で構成される。
【００４６】
セラミックス層３４は、絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３（アルミナ）やＡｌＮ（窒化アルミ）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）等からなる。本実施形態では、セラミックス層３４はＡｌ２Ｏ３によって形成されている。また、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス層３４の厚さは、例えば、０．３ｍｍ以上であればよく、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
【００４７】
セラミックス層３４と第二緩衝層３２とは、例えば、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材によって接合されている。また、第二ヒートシンク３３としてＡｌを用いた場合、第二緩衝層３２と第二ヒートシンク３３とは、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材で接合されている。第二ヒートシンク３３としてＣｕを用いた場合、第二緩衝層３２と第二ヒートシンク３３とは、固相拡散接合によって接合されている。
【００４８】
第二緩衝層３２は、例えば、純度が９９．９８質量％以上の高純度Ａｌからなる薄板状の部材である。この第二緩衝層３２の厚みは、例えば、０．４ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下であればよい。こうした第二緩衝層３２をセラミックス部材３５の反対面３４ｂと第二ヒートシンク３３との間に形成することによって、抵抗体１２への通電によって発生した熱を効率的に第二ヒートシンク３３に伝搬させ、熱を速やかに放散することができる。
【００４９】
第二ヒートシンク（放熱部材）３３は、抵抗体１２から発生する熱を逃がすためのものであり、熱伝導性が良好なＡｌ又はＡｌ合金から形成されている。第一実施形態においては、第二ヒートシンク３３は、Ａ６０６３合金（Ａｌ合金）で構成されている。
【００５０】
第二ヒートシンク３３は、積層方向に沿った厚みが２．０ｍｍ以上、１０．０ｍｍ以下の範囲に形成されることが好ましい。第二ヒートシンク３３の厚みが２．０ｍｍ未満であると、第二ヒートシンク３３に応力が加わった際に、第二ヒートシンク３３が変形する懸念がある。また、熱容量が小さすぎるため、抵抗体１２から発生する熱を充分に吸収、放熱できない懸念がある。一方、第二ヒートシンク３３の厚みが１０．０ｍｍを超えると、第二ヒートシンク３３の厚みによって抵抗器３０全体の薄厚化も図ることが困難となり、また、抵抗器３０全体の重量が大きくなり過ぎるという懸念がある。
なお、この第二ヒートシンク３３に接するように、更に水冷式や空冷式の冷却器を形成することもできる。
【００５１】
抵抗体１２への通電によって発生した熱は、抵抗体１２の両面、即ち第一ヒートシンク２３と第二ヒートシンク３３の双方から効率的に放熱される。よって、抵抗体１２の一方の側だけにヒートシンクを形成した構成よりも、放熱特性を大幅に向上させることができる。
【００５２】
また、第二緩衝層３２を純度９９．９８質量％以上の高純度Ａｌで形成することによって、変形抵抗が小さくなり、冷熱サイクルが負荷された際にセラミックス部材３５に発生する熱応力をこの第二緩衝層３２によって吸収でき、セラミックス部材３５に熱応力が加わって割れが発生することを抑制できる。
【００５３】
また、抵抗体１２を中心として、積層方向の両側にそれぞれ緩衝層やヒートシンクからなる金属部材を対称に配することによって、抵抗体１２、セラミックス基板１１、およびセラミックス部材３５の反りをより確実に防止し、高い寸法精度を備えた抵抗器３０を実現できる。
【００５４】
チップ抵抗体１６の周囲には、チップ抵抗体１６に対して離間するように取り囲む型枠３８が配置され、この型枠３８の内部には、チップ抵抗体１６や金属端子１４ａ，１４ｂの一部を覆い、かつ第二ヒートシンク３３の一方の面である放熱面３３ａを露出させるように封止樹脂３９が充填されている。
【００５５】
（抵抗器：第三実施形態）
本発明の抵抗器の第三実施形態について、添付した図３を参照して説明する。
なお、以下の説明において、第一実施形態の抵抗器と同一の構成に関しては同一の符号を付与し、その詳細な説明は略す。
図３は、第三実施形態の抵抗器の積層方向に沿った断面を示す断面図である。
第二実施形態に係る抵抗器４０は、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面１１ａに重ねて形成されたチップ抵抗体４６と、を備えている。このチップ抵抗体４６は、抵抗体４２及びこの抵抗体４２に電気的に接続された金属電極４３ａ，４３ｂとを有している。
【００５６】
また、抵抗体４２のセラミックス基板１１に対する接合面４２ａの反対面４２ｂには、セラミックス部材３５設けられており、セラミックス層３４と抵抗体４２とが接触するように設けられている。そして、セラミックス基板１１の他方の面１１ｂには、第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３との積層体からなる第一金属部材２１が、また、セラミックス層３４の抵抗体４２に対する接合面３４ａの反対面３４ｂには、第二緩衝層３２と第二ヒートシンク３３との積層体からなる第二金属部材層３１が、それぞれ接合されている。
【００５７】
抵抗体４２は、第三実施形態においては、Ｔａ−Ｓｉ系薄膜抵抗体によって構成され、厚さは０．１μｍ以上１μｍ以下とされており、具体的には、例えば０．５μｍとされている。
【００５８】
また、第三実施形態においては、金属電極４３ａ，４３ｂは、抵抗体４２の反対面４２ｂの周縁部分に重ねて形成されている。これによって、厚膜抵抗体のように厚み方向に沿った端面での接触だけでは十分に導電性が確保できない薄膜抵抗体であっても、広い面積で確実に導通が図られる。
【００５９】
こうした第三実施形態の抵抗器４０においても、抵抗体４２の反対面４２ｂにセラミックス層３４が設けられているので、例えば、抵抗体４２の反対面４２ｂ側に重ねて第二金属部材層３１を形成する構成であっても、この抵抗体４２と第二金属部材層３１との間を確実に絶縁することができる。
【００６０】
また、抵抗体４２への通電によって発生した熱は、抵抗体４２の両面、即ち第一ヒートシンク２３と第二ヒートシンク３３の双方から効率的に放熱される。よって、抵抗体４２の一方の側だけにヒートシンクを形成した構成よりも、放熱特性を大幅に向上させることができる。
【００６１】
（抵抗器：他の実施形態）
上述した第一実施形態、第二実施形態、第三実施形態では、抵抗体上に設けられるセラミックス部材は、金属電極に重ならないサイズに形成したり、抵抗体の反対面と同じサイズになるように形成しているが、抵抗体のサイズはこれに限定されるものでは無い。
図４に示す抵抗器５０では、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに形成された抵抗体５１に対して設けられたセラミックス部材５２（セラミックス層）の幅Ｗ２は、抵抗体５１の幅Ｗ１よりも狭くなるように形成されている。これによって、金属電極５３ａ，５３ｂに形成される金属端子５４ａ，５４ｂの配置自由度が高められる。なお、抵抗体５１とセラミックス部材５２（セラミックス層）との接合性を保つ観点から、セラミックス部材５２の幅Ｗ２は、抵抗体５１の幅Ｗ１の７５％以上にすることが好ましい。
【００６２】
図５に示す抵抗器６０では、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに形成された抵抗体６１に対して設けられたセラミックス部材６２（セラミックス層）の幅Ｗ３は、抵抗体６１の幅Ｗ１よりも広くなり、金属電極６３ａ，６３ｂと重なるように形成されている。このため、セラミックス部材６２（セラミックス層）の周縁領域には、金属電極６３ａ，６３ｂに形成される金属端子６４ａ，６４ｂをそれぞれ貫通させるスルーホール６５ａ，６５ｂが形成されている。こうした実施形態では、金属端子６４ａ，６４ｂを覆うようにセラミックス部材６２（セラミックス層）を形成することによって、金属電極６３ａ，６３ｂの剥離や損傷を抑制することができる。
【００６３】
図６に示す抵抗器７０では、上述した図４に示す抵抗器６０のように、セラミックス部材７９の幅を抵抗体７１の幅よりも広くしたものに、これと同じ幅のセラミックス層７２及び第二緩衝層７７と第二ヒートシンク７８とからなる第二金属部材層７６を形成したものである。このため、セラミックス層７２の周縁領域に、金属電極７３ａ，７３ｂに形成される金属端子７４ａ，７４ｂをそれぞれ貫通させるスルーホール７５ａ，７５ｂを形成するとともに、第二緩衝層７７と第二ヒートシンク７８にも、それぞれ金属端子７４ａ，７４ｂを貫通させるスルーホール７７ａ，７７ｂ，７８ａ，７８ｂを形成している。なお、これら第二緩衝層７７と第二ヒートシンク７８に形成されるスルーホール７７ａ，７７ｂ，７８ａ，７８ｂは、その内周面に絶縁層を形成し、金属端子７４ａ，７４ｂに対して電気的に絶縁させる構成にすることができる。
【００６４】
（抵抗器の製造方法：第一実施形態）
厚膜抵抗体を用いた第一実施形態に係る抵抗器１０の製造方法について、図７、図８、図９を参照して説明する。図７、図８、図９は、第一実施形態の抵抗器の製造方法を段階的に示した断面図である。
図１に示す抵抗体１０を製造する際には、まず、図７（ａ）に示すように、例えば、厚みが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のＡｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板１１を用意する。そしてこのセラミックス基板１１の一方の面１１ａにおける所定の位置に、厚膜印刷法を用いてＡｇペースト１３Ｐを印刷する。そして、１３０℃〜１７０℃で加熱することでＡｇペースト１３Ｐを乾燥させる。更に、８３０℃〜８７０℃で加熱することによりＡｇペースト１３Ｐを焼成し、金属電極１３ａ，１３ｂ（図１参照）を形成する（電極形成工程）。なお、Ａｇペースト１３Ｐを焼成する前に、脱脂を行うことも好ましい。
【００６５】
次に、図７（ｂ）に示すように、セラミックス基板１１の一方の面１１ａにおける所定の位置に、厚膜印刷法を用いてＲｕＯ２ペースト１２Ｐを印刷する。ＲｕＯ２ペースト１２Ｐは、Ａｇペースト１３Ｐの印刷部分の内側に、このＡｇペースト１３Ｐと接するように印刷すればよい。このＲｕＯ２ペースト１２Ｐが後工程の焼成によって抵抗体１２（図１参照）となる。
【００６６】
次に、図７（ｃ）に示すように、このＲｕＯ２ペースト１２Ｐの印刷部分に、例えば、厚みが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のＡｌ２Ｏ３からなるセラミックス部材３５（セラミックス層）を重ねて配置する（積層工程）。
【００６７】
そして、セラミックス部材３５を重ねて配置した積層体を乾燥（抵抗体乾燥工程）させた後、例えば、真空加熱炉を用いて８５０℃で焼成することによって、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに抵抗体１２が形成され、セラミックス部材３５が積層されたチップ抵抗体１６が得られる（抵抗体焼成工程）。なお、ＲｕＯ２ペースト１２Ｐを焼成する前に、有機溶剤等で脱脂を行うことも好ましい。
【００６８】
なお、上述した抵抗体乾燥工程と抵抗体積層工程を行う順序は逆であってもよい。即ち、金属電極１３ａ，１３ｂが形成されたセラミックス基板１１にＲｕＯ２ペースト１２Ｐを印刷形成した後、乾燥（抵抗体乾燥工程）を行い、その後、ＲｕＯ２ペースト１２Ｐの印刷部分にセラミックス部材３５を重ねて配置し（積層工程）、この積層体を焼成（抵抗体焼成工程）する手順にすることもできる。
【００６９】
チップ抵抗体１６を形成する工程は、図７に示す手順以外にも、図８に示す手順で行うこともできる。
まず、図８（ａ）に示すように、例えば、厚みが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のＡｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板１１を用意する。そしてこのセラミックス基板１１の一方の面１１ａにおける所定の位置に、厚膜印刷法を用いてＲｕＯ２ペースト１２Ｐを印刷する。そして、ＲｕＯ２ペースト１２Ｐを１３０℃〜１７０℃で乾燥（抵抗体乾燥工程）させ、８３０℃〜８７０℃で焼成することによって抵抗体１２を形成する（抵抗体焼成工程）。
【００７０】
次に、図８（ｂ）に示すように、セラミックス基板１１の一方の面１１ａにおける所定の位置に、厚膜印刷法を用いてＡｇペースト１３Ｐを印刷する。Ａｇペースト１３Ｐは、抵抗体１２の形成領域の外側に、抵抗体１２と接するように印刷すればよい。そして、１３０℃〜１７０℃で加熱することでＡｇペースト１３Ｐを乾燥させ、更に８３０℃〜８７０℃で加熱することによりＡｇペースト１３Ｐを焼成し、金属電極１３ａ，１３ｂ（図１参照）を形成する（電極形成工程）。これにより、チップ抵抗体１６を得ることができる。
【００７１】
こうして得られたチップ抵抗体１６とセラミックス部材３５を積層することで、セラミックス部材３５が積層されたチップ抵抗体１６が得られる（図８（ｃ）：積層工程）。
【００７２】
次に、図７や図８に示す手順で得られた、セラミックス部材３５が積層されたチップ抵抗体１６に対して、図９（ａ）に示すように、第一金属部材２１を重ねて配置する。即ち、セラミックス基板１１の他方の面１１ｂ側に、純度が９９．９８質量％以上のＡｌで形成された第一緩衝層２２と、Ａｌで形成された第一ヒートシンク２３とからなる第一金属部材２１を配置する。この時、セラミックス基板１１と第一緩衝層２２との間、および第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３との間に、それぞれＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆを配置する。
【００７３】
このようにして得られた積層体を、図９（ｂ）に示すように、例えば、真空加熱炉Ｈを用いて加熱する。真空加熱炉Ｈにおいては、積層方向に０．５ｋｇｆ／ｃｍ２以上１０ｋｇｆ／ｃｍ２以下の加圧力を負荷し、真空加熱炉の加熱温度を６４０℃以上６５０℃以下に設定し、１０分以上６０分以下保持する。これによって、セラミックス基板１１と第一緩衝層２２との間、第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３との間にそれぞれ配したＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆが溶融し、それぞれの部材どうしが接合される（接合工程）。
【００７４】
こうして得られたＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆによるそれぞれの接合部分は、例えば、はんだによる接合と比較して、大幅に耐熱性が高められ、かつ、接合時に８００℃といった高温を必要としないので、既に形成されている抵抗体１２が熱劣化を引き起こすことも防止できる。
【００７５】
次に、図９（ｃ）に示すように、金属電極１３ａ，１３ｂのそれぞれに、例えば、導電性接着剤、はんだ付け、ろう付けや固相拡散接合などによって金属端子１４ａ，１４ｂを接合する（金属端子形成工程）。そして、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに、チップ抵抗体１６の周囲を取り囲むように型枠３８を配置する。そして、この型枠３８の内部に軟化させた絶縁性樹脂を充填し、チップ抵抗体１６、および金属端子１４ａ，１４ｂの一部を封止する封止樹脂３９を形成する（封止樹脂形成工程）。
【００７６】
こうして得られた抵抗器１０は、抵抗体１２を備えたセラミックス基板１１と第一ヒートシンク２３とを接合する際に、剛性や平坦性に優れたセラミックス部材３５を押圧治具として抵抗体１２に押し付けて加熱を行っても、その後の工程でこのセラミックス部材３５を引き剥がさずに、そのまま残している。そのため、抵抗体１２にセラミックス部材３５が食い込んでいたとしても、セラミックス部材を抵抗体１２から引き離すことがなく、抵抗体１２の一部若しくは全部が剥離して抵抗体１２の実測抵抗値が設計値から大きく変動してしまうということがなく、抵抗値を適正に保った抵抗器１０を容易に形成することができる。
【００７７】
なお、抵抗体１２とセラミックス部材３５とは、ろう材等の接合材を介して接合しているのではないため、抵抗体１２とセラミックス部材３５との接触面の大部分が接合されていないが、一部は熱と加圧によって接合されている領域が存在している。そのため、接合工程後にセラミックス部材３５を抵抗体１２から引き離そうとした場合、接合された抵抗体１２の一部の領域がセラミックス部材３５と共に引き離されるために、抵抗体１２の実測抵抗値が設計値から大きく変動してしまう。
【００７８】
（抵抗器の製造方法：第二実施形態）
厚膜抵抗体を用いた第二実施形態に係る抵抗器３０の製造方法について、図１０、図１１を参照して説明する。なお、第一実施形態の製造方法と同様の構成については、その詳細な説明を省略する。
図１０、図１１、図１２は、第二実施形態の抵抗器の製造方法を段階的に示した断面図である。
【００７９】
第二実施形態に係る抵抗器３０（図２参照）の製造方法においては、例えば、図７や図８に示す手順で得られた、セラミックス部材３５が積層されたチップ抵抗体１６に対して、図１０（ａ）に示すように、第一金属部材２１を重ねて配置する。即ち、セラミックス基板１１の他方の面１１ｂ側に、純度が９９．９８質量％以上のＡｌで形成された第一緩衝層２２と、Ａｌで形成された第一ヒートシンク２３とからなる第一金属部材２１を配置する。この時、セラミックス基板１１と第一緩衝層２２との間、および第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３との間に、それぞれＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆを配置する。
【００８０】
また、抵抗体１２の反対面１２ｂ側に、純度が９９．９８質量％以上のＡｌで形成された第二緩衝層３２と、Ａｌで形成された第二ヒートシンク３３とからなる第二金属部材層３１を配置する。この時、セラミックス層３４と第二緩衝層３２との間、および第二緩衝層３２と第二ヒートシンク３３との間に、それぞれＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆを配置する。
【００８１】
このようにして得られた積層体を、図１０（ｂ）に示すように、例えば、真空加熱炉Ｈを用いて加熱する。真空加熱炉Ｈにおいては、積層方向に０．５ｋｇｆ／ｃｍ２以上１０ｋｇｆ／ｃｍ２以下の加圧力を負荷し、真空加熱炉の加熱温度を６４０℃以上６５０℃以下に設定し、１０分以上６０分以下保持する。これによって、セラミックス基板１１と第一緩衝層２２との間、第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３との間、セラミックス層３４と第二緩衝層３２との間、および第二緩衝層３２と第二ヒートシンク３３との間にそれぞれ配したＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆが溶融し、それぞれの部材どうしが接合される（接合工程）。セラミックス層３４と第二金属部材層３１との積層体は、セラミックス部材３５を構成する。
【００８２】
こうして得られたＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆによるそれぞれの接合部分は、例えば、はんだによる接合と比較して、大幅に耐熱性が高められ、かつ、接合時に８００℃といった高温を必要としないので、既に形成されている抵抗体１２が熱劣化を引き起こすことも防止できる。
【００８３】
次に、図１０（ｃ）に示すように、金属電極１３ａ，１３ｂのそれぞれに、例えば、導電性接着剤やはんだ付けなどによって金属端子１４ａ，１４ｂを接合する（金属端子形成工程）。そして、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに、チップ抵抗体１６の周囲を取り囲むように型枠３８を配置する。そして、この型枠３８の内部に軟化させた絶縁性樹脂を充填し、チップ抵抗体１６、第二金属部材層３１、および金属端子１４ａ，１４ｂの一部を封止する封止樹脂３９を形成する（封止樹脂形成工程）。この封止樹脂形成工程においては、第二ヒートシンク３３の一方の面である放熱面３３ａを露出させるように形成する。
【００８４】
こうして得られた抵抗器３０は、抵抗体１２を備えたセラミックス基板１１と第一ヒートシンク２３とを接合する際に、剛性や平坦性に優れたセラミックス部材３５（セラミックス層３４）を押圧治具として抵抗体１２に押し付けて加熱を行っても、その後の工程でこのセラミックス部材３５（セラミックス層３４）を引き剥がさずに、そのまま残している。そのため、抵抗体１２にセラミックス部材３５（セラミックス層３４）が食い込んでいたとしても、セラミックス部材３５（セラミックス層３４）を抵抗体１２から引き離すことがなく、抵抗体１２の一部若しくは全部が剥離して抵抗体１２の実測抵抗値が設計値から大きく変動してしまうということがなく、抵抗値を適正に保った抵抗器１０を容易に形成することができる。
【００８５】
第二実施形態に係る抵抗器３０（図２参照）の製造方法は、図１０に示す手順以外にも、図１１に示す手順で行うこともできる。
まず、図１１（ａ）に示すように、例えば、純度が９９．９８質量％以上のＡｌで形成された第二緩衝層３２およびＡｌで形成された第二ヒートシンク３３とからなる第二金属部材層３１と、セラミックス層３４とを用意し、セラミックス層３４と第二緩衝層３２との間、および第二緩衝層３２と第二ヒートシンク３３との間に、それぞれＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆを配置する。
【００８６】
この積層体を、例えば、真空加熱炉によって積層方向に０．５ｋｇｆ／ｃｍ２以上１０ｋｇｆ／ｃｍ２以下の加圧力を負荷し、真空加熱炉の加熱温度を６４０℃以上６５０℃以下に設定し、１０分以上６０分以下保持し、ろう材箔Ｆを溶融させて、セラミックス層３４と第二金属部材層３１との積層体からなるセラミックス部材３５、第二緩衝層３２、および第二ヒートシンク３３とが接合された積層体を形成する。
【００８７】
次に、上述した積層体に、図７や図８の手順で得たセラミックス基板１１の一方の面１１ａに抵抗体１２や金属電極１３ａ，１３ｂを形成したものを重ね、更に、セラミックス基板１１の他方の面１１ｂ側に、第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３とからなる第一金属部材２１を配置する。この時、セラミックス基板１１と第一緩衝層２２との間、および第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３との間に、それぞれＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆを配置する。
【００８８】
そして、この積層体を、図１１（ｂ）に示すように、例えば、真空加熱炉Ｈを用いて加熱する。真空加熱炉Ｈにおいては、積層方向に０．５ｋｇｆ／ｃｍ２以上１０ｋｇｆ／ｃｍ２以下の加圧力を負荷し、真空加熱炉の加熱温度を６４０℃以上６５０℃以下に設定し、１０分以上６０分以下保持する。これによって、セラミックス基板１１と第一緩衝層２２との間、第一緩衝層２２と第一ヒートシンク２３との間にそれぞれ配したＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆが溶融し、それぞれの部材どうしが接合される（接合工程）。
【００８９】
こうして得られたＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔Ｆによるそれぞれの接合部分は、例えば、はんだによる接合と比較して、大幅に耐熱性が高められ、かつ、接合時に８００℃といった高温を必要としないので、既に形成されている抵抗体１２が熱劣化を引き起こすことも防止できる。
【００９０】
次に、図１０（ｃ）に示すように、金属電極１３ａ，１３ｂのそれぞれに、例えば、導電性接着剤やはんだ付けなどによって金属端子１４ａ，１４ｂを接合する（金属端子形成工程）。そして、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに、チップ抵抗体１６の周囲を取り囲むように型枠３８を配置する。そして、この型枠３８の内部に軟化させた絶縁性樹脂を充填し、チップ抵抗体１６、第二金属部材層３１、および金属端子１４ａ，１４ｂの一部を封止する封止樹脂３９を形成する（封止樹脂形成工程）。この封止樹脂形成工程においては、第二ヒートシンク３３の一方の面である放熱面３３ａを露出させるように形成する。
【００９１】
上述した実施形態以外にも、第一ヒートシンクや第二ヒートシンクとしてＣｕを用い、高純度Ａｌからなる第一緩衝層や第二緩衝層との接合にＡｌ−Ｓｉ系のろう材を用いずに、固相拡散接合によって、第一ヒートシンクと第一緩衝層、および第二ヒートシンクと第二緩衝層３２とを接合した構成とすることもできる。
【００９２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００９３】
また、上述した各実施形態では、セラミックス基板やセラミックス部材（セラミックス層）としてＡｌ２Ｏ３を用いているが、これ以外の各種セラミックス材料、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）やＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）などを用いてセラミックス基板やセラミックス部材を形成することができる。
【００９４】
また、上述した各実施形態では、ろう付け工程においてＡｌ−Ｓｉ系ろう材を用いて接合したが、Ａｌ−Ｃｕ系ろう材やＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系ろう材など各種ろう材を用いることも可能である。
【００９５】
また、上記実施形態において、セラミックス部材３５をセラミックス層と銅又は銅合金からなる第二金属部材層の積層体とすることもできる。この場合、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４やＡｌ２Ｏ３等からなるセラミックス層と第二金属部材層とは、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ等の活性金属ろう材を用いた、活性金属ろう付け法によって接合するとよい。
【実施例】
【００９６】
（本発明例）
上述した第一実施形態の抵抗器の製造方法によって抵抗器を作製した。抵抗体を大面積（サイズ１６ｍｍ×１５ｍｍ）とした抵抗器と、小面積（サイズ１６ｍｍ×５ｍｍ）とした抵抗器をそれぞれ５０個作製した。実施例においては、接合工程後にセラミックス部材を抵抗体から引き剥がさなかった。
（比較例）
上述した第一実施形態の抵抗器の製造方法によって抵抗器を作製した。抵抗体を大面積（サイズ１６ｍｍ×１５ｍｍ）とした抵抗器と、小面積（サイズ１６ｍｍ×５ｍｍ）とした抵抗器をそれぞれ５０作製した。比較例においては、接合工程後にセラミックス部材を抵抗体から引き剥がした。
【００９７】
実施例及び比較例によって得られた抵抗器の抵抗値を測定し、接合工程前の抵抗値と接合工程後の抵抗値を測定し、接合工程後の抵抗値が接合工程前の抵抗値から±２０％以上変動している抵抗器を不良と判断し、不良となった抵抗器の割合を求めた。こうした実施例の結果を以下の表１に示す。
【００９８】
【表１】
0006572705.tif 000002
【符号の説明】
【００９９】
１０  抵抗器
１１  セラミックス基板
１２  抵抗体
１３ａ，１３ｂ  金属電極
２１  第一金属部材
２２  第一緩衝層
２３  第一ヒートシンク
３１  第二金属部材層
３２  第二緩衝層
３３  第二ヒートシンク
３５  セラミックス部材
【図１】
0006572705.tif 000003
【図２】
0006572705.tif 000004
【図３】
0006572705.tif 000005
【図４】
0006572705.tif 000006
【図５】
0006572705.tif 000007
【図６】
0006572705.tif 000008
【図７】
0006572705.tif 000009
【図８】
0006572705.tif 000010
【図９】
0006572705.tif 000011
【図１０】
0006572705.tif 000012
【図１１】
0006572705.tif 000013