(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源からの基板に配置される素子へ供給する電流が流れる導体の電圧降下を算出する電圧降下シミュレーションプログラムであって、
前記導体を少なくとも１つのメッシュのサイズが他のメッシュのサイズと異なる複数のメッシュに分割し、
前記複数のメッシュそれぞれに１つずつ設定された複数の測定ポイントの電圧値を算出し、
前記複数のメッシュそれぞれを対象メッシュとして、前記対象メッシュに含まれる第１の測定ポイントの電圧値と、前記対象のメッシュに隣接するメッシュに含まれる第２の測定ポイントの電圧値との差を、前記第１の測定ポイントと前記第２の測定ポイントとの距離で除算することで、前記対象メッシュの電圧降下を算出する、
処理をコンピュータに実行させる電圧降下シミュレーションプログラム。
【請求項２】
前記対象メッシュに隣接するメッシュが複数ある場合、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュに隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれ測定ポイントとの距離で除算することで、前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイント間の複数の電圧降下を算出し、前記複数の電圧降下のうちの最大値を前記対象メッシュの電圧降下とする処理を前記コンピュータにさらに実行させる請求項１記載の電圧降下シミュレーションプログラム。
【請求項３】
前記対象メッシュの電圧降下を、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュとビアを介して接続するメッシュに設定された第３の測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントが位置する層と前記第３の測定ポイントが位置する層の間の層厚で除算することで算出する処理を前記コンピュータにさらに実行させる請求項１記載の電圧降下シミュレーションプログラム。
【請求項４】
前記対象メッシュを前記対象メッシュの電圧降下に対応する色で表示する処理を前記コンピュータにさらに実行させる請求項１記載の電圧降下シミュレーションプログラム。
【請求項５】
電源からの基板に配置される素子へ供給する電流が流れる導体の電圧降下を算出する情報処理装置であって、
前記導体を少なくとも１つのメッシュのサイズが他のメッシュのサイズと異なる複数のメッシュに分割する分割部と、
前記複数のメッシュそれぞれに１つずつ設定された複数の測定ポイントの電圧値を算出し、前記複数のメッシュそれぞれを対象メッシュとして、前記対象メッシュに含まれる第１の測定ポイントの電圧値と、前記対象のメッシュに隣接するメッシュに含まれる第２の測定ポイントの電圧値との差を、前記第１の測定ポイントと前記第２の測定ポイントとの距離で除算することで、前記対象メッシュの電圧降下を算出する算出部と、
を備える情報処理装置。
【請求項６】
コンピュータが実行する電源からの基板に配置される素子へ供給する電流が流れる導体の電圧降下を算出する電圧降下シミュレーション方法であって、
前記導体を少なくとも１つのメッシュのサイズが他のメッシュのサイズと異なる複数のメッシュに分割し、
前記複数のメッシュそれぞれに１つずつ設定された複数の測定ポイントの電圧値を算出し、
前記複数のメッシュそれぞれを対象メッシュとして、前記対象メッシュに含まれる第１の測定ポイントの電圧値と、前記対象のメッシュに隣接するメッシュに含まれる第２の測定ポイントの電圧値との差を、前記第１の測定ポイントと前記第２の測定ポイントとの距離で除算することで、前記対象メッシュの電圧降下を算出する、
処理を有する電圧降下シミュレーション方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧降下シミュレーションプログラム、情報処理装置、および電圧降下シミュレーション方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の電源設計では、Integrated Circuit（ＩＣ）に十分な電圧が供給されるか否かの確認のために、シミュレーションが使用される。シミュレーションでは、基板の導体をメッシュ分割し、メッシュ毎の電圧を求め電源-ＩＣ間の電圧分布を求める。これにより事前に供給電圧に問題が無いか確認を行い、ＩＣへの供給電圧がＩＣの仕様を下回る場合、電圧降下が大きい部位への対策を行う。
【０００３】
基板の各部位の電圧降下成分を求める場合、隣り合うメッシュの電位差を求め、求めた値により電位差の大きい部位を表している。
【０００４】
シミュレーションにおいて、基板全体を細かなサイズでメッシュ分割すると、解析時間やメモリ使用量が大きくなる問題が有る。そこで、必要な場所のみメッシュのサイズを小さくした不均一メッシュを用いる事で、解析時間およびメモリ使用量を低減する技術がある。
【０００５】
不均一メッシュを用いて電源層をモデル化する電源ノイズ解析モデル生成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３３４６５４号公報
【特許文献２】特開２０１２−５３６５１号公報
【特許文献３】特開２００１−２３７４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
不均一なメッシュでは、細い（抵抗が大きい）配線であってもメッシュ間が狭ければメッシュ間の電位差は小さくなり、太い（抵抗が小さい）配線であってもメッシュ間が広ければメッシュ間の電位差は大きくなる。その為、電位差の比較が難しく、電圧降下が大きい部位の判断が難しくなる。このように、不均一メッシュは各メッシュのサイズが異なる為、隣接メッシュの電位差比較による電圧降下の大きい部位の特定が難しいという問題がある。
【０００８】
本発明は、導体を不均一なメッシュに分割した場合に電圧降下の大きい部位の特定を可能とすること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施の形態に係る電圧降下シミュレーションプログラムは、電源からの基板に配置される素子へ供給する電流が流れる導体の電圧降下を算出する電圧降下シミュレーションプログラムである。
【００１０】
前記電圧降下シミュレーションプログラムは、コンピュータに、前記導体を少なくとも１つのメッシュのサイズが他のメッシュのサイズと異なる複数のメッシュに分割し、前記複数のメッシュそれぞれに１つずつ設定された複数の測定ポイントの電圧値を算出させる。
【００１１】
前記電圧降下シミュレーションプログラムは、前記コンピュータに、前記複数のメッシュそれぞれを対象メッシュとして、前記対象メッシュに含まれる第１の測定ポイントの電圧値と、前記対象のメッシュに隣接するメッシュに含まれる第２の測定ポイントの電圧値との差を、前記第１の測定ポイントと前記第２の測定ポイントとの距離で除算することで、前記対象メッシュの電圧降下を算出させる。
【発明の効果】
【００１２】
実施の形態の電圧降下シミュレーションプログラムによれば、導体を不均一なメッシュに分割した場合に電圧降下の大きい部位の特定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態に係る情報処理装置の構成図である。
【図２】実施の形態に係るシミュレーション処理のフローチャートである。
【図３】実施の形態に係るメッシュの電圧降下の算出方法について説明する図である。
【図４】不均一メッシュに分割した解析対象を示す図である。
【図５】従来の電圧降下の算出方法によるメッシュ間の電圧降下を示す図である。
【図６】実施の形態の電圧降下の算出方法によるメッシュの電圧降値を示す図である。
【図７】実施の形態に係るメッシュの電圧降下の算出方法について説明する図である。
【図８】ビアを介して接続しているノードを示す図である。
【図９】電圧分布の表示例を示す図である。
【図１０】電圧降下の表示例を示す図である。
【図１１】電圧降下のリストを用いた表示例である。
【図１２】情報処理装置（コンピュータ）の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら実施の形態について説明する。
図１は、実施の形態に係る情報処理装置の構成図である。
【００１５】
情報処理装置１０１は、分割部２０１、解析部２０２、表示処理部２０３、記憶部３０１、および表示部４０１備える。情報処理装置１０１は、例えば、サーバやパーソナルコンピュータ（ＰＣ）である。
【００１６】
分割部２０１は、モデルデータ３１１を読み出し、電源からの素子への電流を供給する導体である配線パターンを不均一なメッシュ、すなわち、異なるサイズの領域に分割する。換言すれば、分割された複数のメッシュのうち、少なくとも１つのメッシュのサイズは、他のメッシュのサイズと異なっている。尚、分割された複数のメッシュのうちのいくつかは同じサイズでも良いし、すべてのメッシュが異なるサイズでも良い。
【００１７】
解析部２０２は、入力部５０１から入力された条件を用いて、シミュレーションの実行による解析を行う。解析部２０２は、メッシュの電圧降下を算出する。解析部２０２は、算出部の一例である。
【００１８】
表示処理部２０３は、表示部４０１に解析結果等の情報を表示する。
記憶部３０１は、情報処理装置１０１で使用されるプログラムやデータ等を格納する。記憶部３０１は、モデルデータ３１１を格納する。
【００１９】
モデルデータ３１１は、解析対象である配線パターンを含む基板のデータである。モデルデータ３１１は、基板に含まれる素子（例えば、ＩＣや電源など）の種類や特性、素子の位置、電源と素子間の電力供給に用いられる配線パターン（ビアも含む）の位置、形状、および接続関係、素子間の信号の伝送に用いられる配線パターンの位置、形状、および接続関係、および基板の構造（層の数、層厚、サイズ）等の情報を含む。配線パターンは導体の一例であり、電源からの素子への電力（電流）は、電源と素子を接続する電力供給に用いられる配線パターンを介して供給される。配線パターンは、例えば、電源プレートや銅箔等である。
【００２０】
表示部４０１は、解析結果等の情報を表示する表示装置である。
入力部５０１は、ユーザからの指示や情報（例えば、シミュレーションの条件）を分割部２０１、解析部２０２、および表示処理部２０３に入力する。
【００２１】
図２は、実施の形態に係るシミュレーション処理のフローチャートである。
ステップＳ１１において、分割部２０１は、モデルデータ３１１を記憶部から読み出し、モデルデータ３１１に含まれている解析対象である電源と素子間の電力供給に用いられる配線パターン（導体）を不均一な複数のメッシュに分割する。尚、配線パターンが複数ある場合には、情報処理装置１０１は、複数の配線パターンのうちユーザにより入力部５０１を介して選択指示された配線パターンに対して、メッシュ分割並びに以下のステップＳ１２、Ｓ１３の処理を行う。または、情報処理装置１０１は、全ての配線パターンに対して、メッシュ分割並びに以下のステップＳ１２、Ｓ１３の処理を行っても良い。
【００２２】
ステップＳ１２において、解析部２０２は、入力部５０１からシミュレーションの条件を受信し、該条件を用いてシミュレーションを実行し、各メッシュのノードの電圧値および隣接するメッシュ間の電圧降下の算出を行い、各メッシュの電圧降下を算出する。尚、解析部２０２は、複数のメッシュのうちの少なくとも２つのメッシュの電圧降下を算出し、望ましくは、すべてのメッシュの電圧降下を算出する。シミュレーションの条件は、例えば、配線パターンに対する電源の入力電圧値、および配線パターンと接続する素子へ供給される電流値等である。尚、ノードとは、メッシュの電圧値を代表して示す場所である。ノードは、ステップＳ１１において、各メッシュに１つずつ設定される。
【００２３】
ステップＳ１３において、表示処理部２０３は、算出した電圧値や電圧降下に基づく図、または電圧降下を示すリストを表示部４０１に表示する。表示処理部２０３による表示例については後述する。
【００２４】
次に、実施の形態に係るメッシュの電圧降下の算出方法について説明する。
図３は、実施の形態に係るメッシュの電圧降下の算出方法について説明する図である。
【００２５】
図３において、解析対象である配線パターンは、６つの不均一なメッシュに区切られており、各メッシュにはノード６０１−ｉ（ｉ＝１〜６）が設定されている。ノードとは、当該ノードを含むメッシュの電圧の測定ポイントであり、当該メッシュの電圧値を代表して示す場所である。図３において、ノードは点で示されている。また、ノード６０１−ｉをノードｉと表記する場合がある。ノード６０１−１は電源回路（不図示）と接続しており、ノード６０１−６はＩＣ（不図示）の電源入力端子に接続されている。そして、シミュレーションにより、電源回路からの電力が配線パターンを介してＩＣに供給され、各ノード６０１−ｉの電圧値が算出される。尚、シミュレーションにより、各ノード６０１−ｉの電圧値は算出済みであり、各ノード６０１−ｉの位置（座標）はモデルデータ３１１から取得可能であるとする。
【００２６】
実施の形態において、隣り合うメッシュ間の電圧降下は、当該隣り合うメッシュのそれぞれのノードの電圧値の差分を当該隣り合うメッシュのノード間の距離で除算した値の絶対値とする。
【００２７】
ここで、ノード２の電圧降下を算出する場合について説明する。実施の形態においてノード２とノード１間の電圧降下（電圧降下２−１）は、下式で算出される。
【００２８】
電圧降下２−１＝｜（ノード２の電圧値―ノード１の電圧値）／ノード２とノード１間の距離｜
【００２９】
また、実施の形態においてノード２とノード３間の電圧降下（電圧降下２−３）は、下式で算出される。
【００３０】
電圧降下２−３＝｜（ノード２の電圧値―ノード３の電圧値）／ノード２とノード３間の距離｜
【００３１】
実施の形態において、電圧降下２−１と電圧降下２−３のうち、大きいほうの値をノード２の電圧降下とする。尚、実施の形態において、ノードｉの電圧降下をノードｉを含むメッシュの電圧降下と表記する場合がある。解析部２０２は、同様にノード６０１−１、６０１−３〜６０１−６それぞれの電圧降下を算出する。
【００３２】
上記のような、複数のノード（複数のメッシュ）の電圧降下を算出することで、不均一なメッシュを用いた場合でも電圧降下の比較をすることが出来、電圧降下の大きい部位（メッシュ）を特定できる。
【００３３】
次に、従来の電圧降下の算出方法と実施の形態の電圧降下の算出方法を用いた場合の結果を説明する。
【００３４】
図４は、不均一メッシュに分割した解析対象を示す図である。
図４では、線間Ａ−Ｂ−Ｃにおける各メッシュ（すなわち、各ノード）間の電位差特性（電圧降下）を求めるとする。
【００３５】
図５は、従来の電圧降下の算出方法によるメッシュ間の電圧降下を示す図である。図５において、縦軸がメッシュ間電位差（すなわち、ノード間の電位差）、横軸が線間Ａ−Ｂ−Ｃ上の位置を示す。図５に示すように、従来の電圧降下の算出方法では、電圧降下のピークが表れず、電圧降下が大きい部位を特定するのが難しい。
【００３６】
図６は、実施の形態の電圧降下の算出方法によるメッシュの電圧降下を示す図である。図６において、縦軸がメッシュ間電位差／距離（すなわち、ノード間の電位差をノード間の距離で除算した値）、横軸が線間Ａ−Ｂ−Ｃ上の位置を示す。図６では、各ノードにおいて算出した隣り合うメッシュのノードとの電圧降下（メッシュ間電位差／距離）のうち、最大値を当該ノードを含むメッシュの電圧降下とし、該電圧降下をグラフにプロットしている。図６に示すように、実施の形態の電圧降下の算出方法では、単位長さあたりの電位差（電圧降下）を求めているため、ピークが表示され、電圧降下が大きい部位を容易に特定することができる。また、不均一なメッシュを使用しているため、均一なメッシュを用いた場合に比べ、解析時間および使用メモリの低減が可能である。
【００３７】
ここで、あるメッシュが複数のメッシュと隣接している場合の電圧降下の算出方法について説明する。
【００３８】
図７は、実施の形態に係るメッシュの電圧降下の算出方法について説明する図である。
ここでは、ノード６１１−０を含むメッシュの電圧降下を求める場合を説明する。以下、ノード６１１−０はノード観測点と表記する場合がある。
【００３９】
図７において、ノード６１１−０を含むメッシュは、ノード６１１−ｉ（ｉ＝１〜６）をそれぞれ含む６つのメッシュと隣接している。実施の形態において、ノード６１１−０を含むメッシュの電圧降下は、ノード６１１−０を含むメッシュと隣接するメッシュとの電圧降下のうちの最大値とする。すなわち、ノード６１１−０とノード６１１−ｉとのそれぞれの電圧降下を算出し、算出した電圧降下のうちの最大値をノード６１１−０を含むメッシュの電圧降下とする。
【００４０】
具体的には、図３と同様に、解析部２０２は、ノード６１１−０とノード６１１−１間の電圧降下０−１は、下式で算出する。
【００４１】
電圧降下０−１＝｜（ノード６１１−０の電圧値―ノード６１１−１の電圧値）／ノード６１１−０とノード６１１−１間の距離｜
【００４２】
以下、同様に解析部２０２は、ノード６１１−０とノード６１１−２〜６１１−６間のそれぞれの間の電圧降下０−２〜電圧降下０−６を算出する。そして、解析部２０２は、算出した電圧降下０−１〜電圧降下０−６のうちの最大値をノード６１１−０の電圧降下、すなわちノード６１１−０を含むメッシュの電圧降下とする。
【００４３】
次に、異なる層に位置するノードがビアにより接続されている場合について説明する。
図８は、ビアを介して接続しているノードを示す図である。
【００４４】
図８において、ノード６２１−１〜６２１−３を含むメッシュは基板の１層目に位置し、ノード６２２−１〜６２２−３を含むメッシュは基板の２層目に位置する。ノード６２１−１を含むメッシュは、ノード６２１−２〜６２１−３を含むメッシュと隣接している。また、ノード６２２−１を含むメッシュは、ノード６２２−２を含むメッシュと隣接し、ノード６２２−２を含むメッシュは、ノード６２２−３を含むメッシュと隣接している。また、ノード６２１−１とノード６２２−１は、ビアを介して接続している。換言すれば、ノード６２１−１を含むメッシュとノード６２２−１を含むメッシュは、ビアを介して接続している。
【００４５】
実施の形態において、ビアを介して接続するメッシュ間の電圧降下は、当該ビアを介して接続するメッシュのそれぞれのノードの電圧値の差分を当該ビアを介して接続するメッシュのノード間の距離（層厚）で除算した値の絶対値とする。すなわち、基板の層厚（すなわち、ビアを介して接続するメッシュがある２つの層の間の距離）をノード間距離とし、図３，７の説明と同様に電圧降下を算出する。
【００４６】
図７で説明したように、実施の形態において、あるメッシュの電圧降下を算出する場合、基板の同じ層上の全ての隣接するメッシュのノード間の電圧降下を比較対象とし、最大の電圧降下を当該メッシュの電圧降下として用いている。
【００４７】
実施の形態において、ビアを介して接続しているメッシュも隣り合うメッシュとし、ビアを介して接続しているメッシュに含まれるノード間の電圧降下を算出する。すなわち、電圧降下の算出対象である対象ノードを含む対象メッシュがビアを介して他のノードを含むメッシュと接続している場合、対象ノードを含む対象メッシュと基板の同じ層上の全ての隣接するメッシュのノード間の電圧降下だけでなく、対象ノードを含む対象メッシュとビアを介して接続するメッシュの他のノード間の電圧降下も比較対象に含める。そして、対象ノードを含む対象メッシュと基板の同じ層上の全ての隣接するメッシュのノード間の電圧降下、および対象ノードを含む対象メッシュとビアを介して接続するメッシュの他のノード間の電圧降下のうちの最大値を対象ノードを含む対象メッシュの電圧降下とする。図８では、算出結果であるノード６２１−１〜６２１−３、６２２−１〜６２２−３のそれぞれの電圧値および各ノードの電圧降下を記載している。図８において、層厚およびノード間の距離は１マイクロメートル（μｍ）である。例えば、ノード６６２−１の電圧値は１１．９７５ボルト（Ｖ）であり、ノード６６２−１を含むメッシュの電圧降下は０．０１Ｖ／μｍである。
【００４８】
このように、基板の層厚をノード間距離として電圧降下を算出することで、ビアに対する電圧降下も解析可能となる。
【００４９】
次に、結果の表示（ステップＳ１３）の詳細について説明する。
従来、算出した電圧降下をノード間を結ぶ線の色で示していたが、その場合、電圧降下の程度が見づらくなる。そこで、実施の形態では、各メッシュにノードの電圧値または電圧降下の値に対応する色を付けて表示する。これにより、従来に比べ、電圧降下の程度が分かりやすくなる。また、この表示方法を用いる事で、ビアの電圧降下を含めてパターン図に表示することが可能となる。
【００５０】
図９は、電圧分布の表示例を示す図である。図９では、電源回路（不図示）からの電流をＩＣ（不図示）へ供給する複数の配線パターンのうちの１つの配線パターンの電圧分布を表示している。図９に示すように、表示処理部２０３は、各メッシュをノードの電圧値に対応する色で表示する。電圧値は、ある基準点（例えば、電源の基準点）に対する電位である。図９では、ノードの電圧値が高いメッシュを赤色、ノードの電圧値が低いメッシュを青色となるように表示している。詳細には、電圧値の高いメッシュから順に赤→橙→黄→緑→水色→青となるように表示されている。
【００５１】
図１０は、電圧降下の表示例を示す図である。図１０では、電源からの電流をＩＣへ供給する複数の配線パターンのうちの１つの配線パターンの電圧降下を表示している。図１０に示すように、表示処理部２０３は、各メッシュを求めたノードの電圧降下に対応する色で表示する。図１０では、電圧降下が高いメッシュを赤色、電圧降下が低いメッシュを青色となるように表示している。詳細には、電圧降下の高いメッシュから順に赤→橙→黄→緑→水色→青となるように表示されている。図１０に示すように、メッシュを当該メッシュの電圧降下に対応する色で表示することにより、ユーザは電圧降下の大きい部位を容易に把握出来る。
【００５２】
また、表示処理部２０３は、各ノードの最大電圧降下をリストで示してもよい。
図１１は、電圧降下のリストを用いた表示例である。図１１に示すように、表示処理部２０３は、各ノードの最大電圧降下（すなわち、隣接する複数のノード間の電位差のうちの最大値）をリストとして表示する。リストの各エントリには、ノードに割り当てられた番号（No）、ノードの名前を示すノード名、ノードの位置（層、座標Ｘ，座標Ｙ）、およびノードの最大電圧降下が表示される。例えば、図１１の１行目のエントリは、ノード名が「F001_02」のノードは、基板の１層目のＸ（横）方向の座標が21379,Ｙ（縦）方向の座標が 18456の場所に位置し、電圧降下は1.670E-001（=0.167）Ｖ／μｍであることを示している。
【００５３】
リストは電圧降下の大きい順にソート可能であり、またエントリを指定することで、指定したエントリに対応する図１０で示されるマップ上のノードを指し示すことが可能である。図１１のリストと図１０の電圧降下の表示をリンクさせることで、電圧降下の大きい部位を容易に指し示すことが可能となる。
【００５４】
実施の形態の情報処理装置によれば、配線パターンを不均一にメッシュ分割した場合に、各メッシュの電圧降下が比較しやすくなり、電圧降下の大きい部位の特定を可能とする。また、実施の形態の情報処理装置によれば、不均一メッシュを用いることで、解析時間およびメモリ使用量を低減できる。
【００５５】
図１２は、情報処理装置（コンピュータ）の構成図である。
実施の形態の情報処理装置１０１は、例えば、図１２に示すような情報処理装置（コンピュータ）１によって実現可能である。
【００５６】
情報処理装置１は、ＣＰＵ２、メモリ３、入力部４、出力部５、記憶部６、記録媒体駆動部７、及びネットワーク接続部８を備え、それらはバス９により互いに接続されている。
【００５７】
ＣＰＵ２は、情報処理装置１全体を制御する中央処理装置である。ＣＰＵ２は、分割部２０１、解析部２０２、および表示処理部２０３として動作する。
【００５８】
メモリ３は、プログラム実行の際に、記憶部６（あるいは可搬記録媒体１０）に記憶されているプログラムあるいはデータを一時的に格納するRead Only Memory(ＲＯＭ)やRandom Access Memory(ＲＡＭ)等のメモリである。ＣＰＵ２は、メモリ３を利用してプログラムを実行することにより、上述した各種処理を実行する。
【００５９】
この場合、可搬記録媒体１０等から読み出されたプログラムコード自体が実施の形態の機能を実現する。
【００６０】
入力装置４は、例えば、キーボード、マウス、タッチパネル、カメラ、またはセンサ等であり、ユーザ又はオペレータからの指示や情報の入力、情報処理装置１で用いられるデータの取得等に用いられる。入力装置４は、入力部５０１に対応する。
【００６１】
出力装置５は、例えば、ディスプレイ、またはプリンタ等である。出力部５は、ユーザ又はオペレータへの問い合わせや処理結果を出力したり、ＣＰＵ２による制御により動作する装置である。出力装置５は、表示部４０１に対応する。
【００６２】
記憶部６は、例えば、磁気ディスク装置、光ディスク装置、テープ装置等である。情報処理装置１は、記憶部６に、上述のプログラムとデータを保存しておき、必要に応じて、それらをメモリ３に読み出して使用する。メモリ３および記憶部６は、記憶部３０１に対応する。
【００６３】
記録媒体駆動部７は、可搬記録媒体１０を駆動し、その記録内容にアクセスする。可搬記録媒体としては、メモリカード、フレキシブルディスク、Compact Disk Read Only Memory(ＣＤ−ＲＯＭ)、光ディスク、光磁気ディスク等、任意のコンピュータ読み取り可能な記録媒体が用いられる。ユーザは、この可搬記録媒体１０に上述のプログラムとデータを格納しておき、必要に応じて、それらをメモリ３に読み出して使用する。
【００６４】
ネットワーク接続装置８は、Local Area Network（ＬＡＮ）やWide Area Network（ＷＡＮ）等の任意の通信ネットワークに接続され、通信に伴うデータ変換を行う通信インターフェースである。ネットワーク接続装置８は、通信ネットワークを介して接続された装置へデータの送信または通信ネットワークを介して接続された装置からデータを受信する。
【００６５】
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
電源からの基板に配置される素子へ供給する電流が流れる導体の電圧降下を算出する電圧降下シミュレーションプログラムであって、
前記導体を少なくとも１つのメッシュのサイズが他のメッシュのサイズと異なる複数のメッシュに分割し、
前記複数のメッシュそれぞれに１つずつ設定された複数の測定ポイントの電圧値を算出し、
前記複数のメッシュそれぞれを対象メッシュとして、前記対象メッシュに含まれる第１の測定ポイントの電圧値と、前記対象のメッシュに隣接するメッシュに含まれる第２の測定ポイントの電圧値との差を、前記第１の測定ポイントと前記第２の測定ポイントとの距離で除算することで、前記対象メッシュの電圧降下を算出する、
処理をコンピュータに実行させる電圧降下シミュレーションプログラム。
（付記２）
前記対象メッシュに隣接するメッシュが複数ある場合、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュに隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれ測定ポイントとの距離で除算することで、前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイント間の複数の電圧降下を算出し、前記複数の電圧降下のうちの最大値を前記対象メッシュの電圧降下とする処理を前記コンピュータにさらに実行させる付記１記載の電圧降下シミュレーションプログラム。
（付記３）
前記対象メッシュの電圧降下を、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュとビアを介して接続するメッシュに設定された第３の測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントが位置する層と前記第３の測定ポイントが位置する層の間の層厚で除算することで算出する処理を前記コンピュータにさらに実行させる付記１記載の電圧降下シミュレーションプログラム。
（付記４）
前記対象メッシュを前記対象メッシュの電圧降下に対応する色で表示する処理を前記コンピュータにさらに実行させる付記１記載の電圧降下シミュレーションプログラム。
（付記５）
電源からの基板に配置される素子へ供給する電流が流れる導体の電圧降下を算出する情報処理装置であって、
前記導体を少なくとも１つのメッシュのサイズが他のメッシュのサイズと異なる複数のメッシュに分割する分割部と、
前記複数のメッシュそれぞれに１つずつ設定された複数の測定ポイントの電圧値を算出し、前記複数のメッシュそれぞれを対象メッシュとして、前記対象メッシュに含まれる第１の測定ポイントの電圧値と、前記対象のメッシュに隣接するメッシュに含まれる第２の測定ポイントの電圧値との差を、前記第１の測定ポイントと前記第２の測定ポイントとの距離で除算することで、前記対象メッシュの電圧降下を算出する算出部と、
を備える情報処理装置。
（付記６）
前記算出部は、前記対象メッシュに隣接するメッシュが複数ある場合、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュに隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれ測定ポイントとの距離で除算することで、前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイント間の複数の電圧降下を算出し、前記複数の電圧降下のうちの最大値を前記対象メッシュの電圧降下とする付記５記載の情報処理装置。
（付記７）
前記算出部は、前記対象メッシュの電圧降下を、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュとビアを介して接続するメッシュに含まれる第３の測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントが位置する層と前記第３の測定ポイントが位置する層の間の層厚で除算することで算出する付記５記載の情報処理装置。
（付記８）
前記対象メッシュを前記対象メッシュの電圧降下に対応する色で表示する表示処理部をさらに備える付記５記載の情報処理装置。
（付記９）
コンピュータが実行する電源からの基板に配置される素子へ供給する電流が流れる導体の電圧降下を算出する電圧降下シミュレーション方法であって、
前記導体を少なくとも１つのメッシュのサイズが他のメッシュのサイズと異なる複数のメッシュに分割し、
前記複数のメッシュそれぞれに１つずつ設定された複数の測定ポイントの電圧値を算出し、
前記複数のメッシュそれぞれを対象メッシュとして、前記対象メッシュに含まれる第１の測定ポイントの電圧値と、前記対象のメッシュに隣接するメッシュに含まれる第２の測定ポイントの電圧値との差を、前記第１の測定ポイントと前記第２の測定ポイントとの距離で除算することで、前記対象メッシュの電圧降下を算出する、
処理を有する電圧降下シミュレーション方法。
（付記１０）
前記対象メッシュに隣接するメッシュが複数ある場合、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュに隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれ測定ポイントとの距離で除算することで、前記第１の測定ポイントと前記隣接する複数のメッシュに含まれるそれぞれの測定ポイント間の複数の電圧降下を算出し、前記複数の電圧降下のうちの最大値を前記対象メッシュの電圧降下とする処理をさらに含む付記９記載の電圧降下シミュレーション方法。
（付記１１）
前記対象メッシュの電圧降下を、前記第１の測定ポイントの電圧値と前記対象メッシュとビアを介して接続するメッシュに含まれる第３の測定ポイントの電圧値の差を前記第１の測定ポイントが位置する層と前記第３の測定ポイントが位置する層の間の層厚で除算することで算出する処理をさらに含む付記９記載の電圧降下シミュレーション方法。
（付記１２）
前記対象メッシュを前記対象メッシュの電圧降下に対応する色で表示する処理をさらに含む付記９記載の電圧降下シミュレーション方法。
【符号の説明】
【００６６】
１０１    情報処理装置
２０１    分割部
２０２    解析部
２０３    表示処理部
３０１    記憶部
３１１    モデルデータ
４０１    表示部
５０１    入力部
【図１】
0006569498.tif 000002
【図２】
0006569498.tif 000003
【図３】
0006569498.tif 000004
【図４】
0006569498.tif 000005
【図５】
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【図６】
0006569498.tif 000007
【図７】
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【図８】
0006569498.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0006569498.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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