(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体からなる基板と、
前記基板の上に支持部によって支持されて可動領域で前記基板と離間して配置され、前記可動領域で前記基板の方向に変位可能とされた絶縁体からなる可動部と、
前記可動領域で向かい合う前記基板および前記可動部の一方の面に形成された凸部と、
前記可動領域で向かい合う前記基板および前記可動部の各々の表面に形成された電極と、
前記凸部が形成されている領域で向かい合う前記基板および前記可動部の少なくとも一方の面に設けられた前記電極が形成されていない電極未形成部と、
前記基板および前記可動部の少なくとも一方の面に設けられた前記電極未形成部の少なくとも一方に形成され、形成された側の前記電極に接続された帯電防止層と
を備え、
前記帯電防止層は表面抵抗が帯電防止レベルの材料から構成され、
前記帯電防止層が接続する電極に対して形成する抵抗に、帯電防止層が接続する前記電極との間に形成される容量を乗じた時定数が、前記可動領域で向かい合う前記基板および前記可動部の各々の表面に形成された２つの前記電極に動作時に印加される交流電圧の振動周期より大きい範囲となるように前記帯電防止層の表面抵抗が設定されていることを特徴とする微細機械装置。
【請求項２】
請求項１記載の微細機械装置において、
前記帯電防止層の表面抵抗は、１０9〜１０14Ω／□とされている
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の微細機械装置において、
前記帯電防止層は、半導体から構成されている
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の微細機械装置において、
前記帯電防止層は、酸化チタン，酸化インジウム，酸化亜鉛，酸化スズ，酸化ルテニウム，酸化ジルコニアの少なくとも１つから構成されている
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項５】
請求項１または２記載の微細機械装置において、
前記帯電防止層は、ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＳｉＮのいずれかから構成されている
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項６】
請求項１または２記載の微細機械装置において、
前記帯電防止層は、前記帯電防止層を配置する領域に金属を導入して形成されている
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項７】
請求項６記載の微細機械装置において、
前記金属は、チタン，ニオブ，タンタル，ニッケル，鉄，クロム，マンガンの少なくとも１つである
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項８】
請求項１または２記載の微細機械装置において、
前記帯電防止層は、原子層オーダーの厚さの酸化金属層から構成されている
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項９】
請求項８記載の微細機械装置において、
前記酸化金属層は、モリブデンの酸化物，タングステンの酸化物の少なくとも１つから構成されている
ことを特徴とする微細機械装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の微細機械装置において、
前記絶縁体は、サファイア，アルミナセラミックスのいずれかである
ことを特徴とする微細機械装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な可動部を備える微細機械装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スイッチやセンサにおいて機械的な動作で機能を発揮する微細機械装置を用いるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）が重要視されている。ＭＥＭＳは、既に圧力センサや加速度センサとして使用され、ＬＳＩとともに重要な部品となってきている。ＭＥＭＳは、薄膜形成技術，フォトリソグラフィー技術，および各種のエッチング技術を用いた微細加工により、微細な可動構造体を備える立体的な構造を有している。
【０００３】
例えば、静電容量式の圧力センサでは、図５Ａ，図５Ｂに示すように、圧力によって変位する薄いダイアフラム５０１を、基板５０２の上に離間して支持部５０３で支持して配置している。基板５０２とダイアフラム５０１との間には空隙が存在し、空隙に面した箇所のそれぞれに電極（不図示）を対向して配置し、容量を形成する。被測定媒体の圧力はダイアフラム５０１の容量を形成する面とは反対側の面に印加され、この圧力印加でダイアフラム５０１の空隙に対応した部分が変形する。この変化に対応して上記電極間の距離が変化し、この変化に対応して電極間の容量が変化してセンサ出力となる。空隙が真空ならば、この圧力センサは絶対圧を計測することができる。
【０００４】
このような微細機械装置において、次に示すようなプルイン現象と呼ばれる問題がある。一般に静電容量式センサのようにある距離をおいて平行に対向する２つ電極間に電圧がかかると、距離の二乗に反比例する引力が発生する。このため、圧力が印加されたことにより変形したダイアフラム５０１が基板５０２に極めて近い距離まで近づくと、距離が極端に短いために電圧起因の引力が加わるために強く引きつけられて着底する（プルイン）。
【０００５】
ここで、着底した途端に電極間は短絡するので電圧起因の引力は働くなり、ダイアフラム５０１が基板５０２より離脱する。ところが、離脱した直後は再び電圧起因の引力が加わるために強く引きつけられて、再び着底する。これらの離脱と着底とが、電極間の距離が極めて小さい場合には繰り返されることになる。
【０００６】
静電容量式圧力センサの場合、容量を計測するために電圧を印加する必要があり、これに伴う引力の影響を受けてプルイン現象が起き、結果として上述した着底と離脱とを繰り返す状態となったセンサ出力は、ダイアフラムが被測定媒体から受けた圧力とは無関係に不安定となってしまう。このプルイン現象は、小型で電極間の距離が小さく、さらに基材や電極上の接触部表面がなめらかなＭＥＭＳセンサで顕著に起きる。
【０００７】
また、上記微細機械装置では、上述した着底などの可動部の一部の基板への接触で、これらが接合し、弾性力による反発では可動部が元に戻らなくなる場合がある（特許文献１，２，３，４，５参照）。この現象はスティッキングや固着などと呼ばれ、微細機械装置において問題となっている。
【０００８】
例えば、上述した隔膜真空計のように大気圧より小さな圧力を計測する圧力センサは、搬送・取り付け時やメンテナンス時に大気に曝されるため、計測範囲以上の過大な圧力が印加される状況が頻繁に発生する。このように過大な圧力が印加されると、受圧したダイアフラム５０１は、図５Ｃに示すように、実使用範囲を超えて大きく撓み、ダイアフラム５０１の一部が、基板５０２に接触（着底）してしまう。
【０００９】
ダイアフラム５０１の厚みおよび変形領域の大きさ、また、ダイアフラム５０１の材料などの設計パラメータによって、上述した着底の状態は異なるが、とりわけダイアフラムの変形部分が薄い場合に、着底によりスティッキングが発生する。特に、前述したプルイン現象を抑制するために、接触箇所では電極が形成されていない構成とした場合に、スティッキングが顕著に発生する。これは、プルイン現象防止のために電極を形成していない領域では、着底時に、ダイアフラム５０１および基板５０２を構成する材料同士が直接接触するためと考えられる。
【００１０】
圧力センサの場合、スティッキングが発生すると、圧力を除去してもダイアフラムが復帰せず、あたかも圧力が印加されているかのような出力を出してしまい、測定のエラーを招くことになる。特に、表面荒さ（Ｒｚ）が０．１〜数ｎｍと極めて平坦な基材から作製する微細機械装置では、大きな問題となっている。
【００１１】
上述したスティッキングを防止するために、着底する少なくとも一方の面に、突起などの微細な構造を形成して接触面積を減らして接触力を抑制するようにしている。具体的には、よく知られた半導体装置の製造技術を用い、微細機械装置を構成しているシリコンなどの半導体や石英などの基材に、微小な突起を形成している。例えば、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングで、数μｍの大きさの突起部を形成するようにしている。また、他の技術として、表面を安定化させる表面被膜を形成して発生する引力を小さくする方法、サンドブラストなどにより表面を荒らして突起を形成する方法もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特表平１０−５１２６７５号公報
【特許文献２】特開平１１−３４０４７７号公報
【特許文献３】特開２０００−０４０８３０号公報
【特許文献４】特開２０００−１９６１０６号公報
【特許文献５】特開２００２−２９９６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述した突起により接触面積を少なくするスティッキング対策は、ある程度有効ではあるが、特に圧力センサの場合、過大圧印加時に大きな応力がかかるので、小さい突起ではダイアフラムや基板の破壊につながる。一方、これを防ぐために突起を大きくすると、接触面積を大きくすることになり、対策の効果そのものが得られない。このように、突起によるスティッキング防止対策は、突起の部分における接触面の大きさを厳密に管理しなければならず、管理が複雑となる。
【００１４】
また、使用する環境に対応させて耐食性、耐圧性、耐熱性を持たせるために用いられているサファイアなどの結晶材料やアルミナセラミックスなどの高い絶縁性を有する材料では、シリコンやガラスなどの場合と比較してスティッキングがより発生しやすい。特に、ダイアフラムが薄い構造になると、数μｍ程度の大きさの突起物では有効な対策とならない。
【００１５】
このため、サブμｍ以下のサイズの微小凹凸を形成する必用があるが、サファイアやアルミナセラミックスなどの材料は、高い機械的強度や高い耐食性，耐薬品性を有している反面、シリコンやガラスなどの材料よりも加工がしにくく、サブμｍ以下のサイズの微細加工が極めて困難である。
【００１６】
また、表面を安定化させる表面被膜によりスティッキングを防止する技術もあるが、この場合、表面被覆に有機材料が使われることが多く、高温環境で用いられる場合や、ダイアフラムと基板との間の空間を真空にする構成では使用できない。
【００１７】
上述したように、従来では、様々な環境で用いられる、サファイアなどの高い絶縁性の基材を用いた微細機械装置におけるスティッキングを防止することが容易に実現できないという問題があった。
【００１８】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、様々な環境で用いられる高い絶縁性の基材を用いた微細機械装置におけるスティッキングが、より容易に防止できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る微細機械装置は、絶縁体からなる基板と、基板の上に支持部によって支持されて可動領域で基板と離間して配置され、可動領域で基板の方向に変位可能とされた絶縁体からなる可動部と、可動領域で向かい合う基板および可動部の一方の面に形成された凸部と、可動領域で向かい合う基板および可動部の各々の表面に形成された電極と、凸部が形成されている領域で向かい合う基板および可動部の少なくとも一方の面に設けられた電極が形成されていない電極未形成部と、基板および可動部の少なくとも一方の面に設けられた電極未形成部の少なくとも一方に形成され、形成された側の電極に接続された帯電防止層とを備え、帯電防止層は表面抵抗が帯電防止レベルの材料から構成されている。
【００２０】
上記微細機械装置において、帯電防止層の表面抵抗は、１０9〜１０14Ω／□とされていればよい。
【００２１】
上記微細機械装置において、帯電防止層が接続する電極に対して形成する抵抗に、帯電防止層が接続する電極との間に形成される容量を乗じた時定数が、可動領域で向かい合う基板および可動部の各々の表面に形成された２つの電極に動作時に印加される交流電圧の振動周期より大きい範囲となる状態に帯電防止層の表面抵抗が設定されているようにするとよい。
【００２２】
上記微細機械装置において、帯電防止層は、半導体から構成されていればよい。また、帯電防止層は、酸化チタン，酸化インジウム，酸化亜鉛，酸化スズ，酸化ルテニウム，酸化ジルコニアの少なくとも１つから構成されていてもよい。また、帯電防止層は、ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＳｉＮのいずれかから構成されていても良い。また、帯電防止層は、帯電防止層を配置する領域に金属を導入して形成されていても良い。この場合、金属は、チタン，ニオブ，タンタル，ニッケル，鉄，クロム，マンガンの少なくとも１つであればよい。また、帯電防止層は、原子層オーダーの厚さの酸化金属層から構成されていても良い。酸化金属層は、モリブデンの酸化物，タングステンの酸化物の少なくとも１つから構成されていれば良い。
【００２３】
上記微細機械装置において、絶縁体は、サファイア，アルミナセラミックスのいずれかであればよい。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したことにより、本発明によれば、様々な環境で用いられる高い絶縁性の基材を用いた微細機械装置におけるスティッキングが、より容易に防止できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態における微細機械装置の構成例を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態における微細機械装置の一部構成例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態における他の微細機械装置の一部構成例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における他の微細機械装置の一部構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態における微細機械装置の動作状態を説明するための説明図である。
【図５Ａ】図５Ａは、圧力センサの一部構成を示す断面斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、圧力センサの一部構成を示す断面斜視図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、圧力センサの一部構成を示す断面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図１Ａ，図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、本発明の実施の形態における微細機械装置の構成例を示す断面図である。また、図１Ｂは、本発明の実施の形態における微細機械装置の一部構成例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａの一部を拡大して示している。
【００２７】
絶縁体からなる基板１０１と、基板１０１の上に支持部１０２によって支持されて可動領域１２１で基板１０１と離間して配置され、可動領域１２１で基板１０１の方向に変位可能とされた絶縁体からなる可動部１０３を備える。可動部１０３は、可動領域１２１の周囲の固定部で支持部１０２に固定されている。例えば、支持部１０２は、基板１０１に一体に形成されている。なお、可動部１０３の側に、可動部１０３と一体に支持部１０２が形成されているようにしてもよい。
【００２８】
また、この微細機械装置は、可動領域１２１で向かい合う基板１０１および可動部１０３の基板１０１側の面１０１ａに形成された凸部１０４を備える。凸部１０４は、例えば、平面視円形とされた柱であり、直径が１〜数１０μｍとされている。また、この例では、複数の凸部１０４を備え、隣り合う凸部１０４の間隔は、例えば０．５ｍｍ程度とされている。
【００２９】
なお、可動領域１２１で向かい合う基板１０１および可動部１０３の可動部１０３側の面１０３ａに、凸部が形成されていても良い。また、可動領域１２１で向かい合う基板１０１および可動部１０３の各々の表面には、電極１０５，電極１０６が形成されている。
【００３０】
この微細機械装置は、例えば、可動部１０３がダイアフラムである圧力センサである。例えば、基板１０１および可動部１０３は、サファイアから構成されている。受圧した可動部１０３が基板１０１の方向に変位することにより、可動領域１２１における電極１０５と電極１０６との間隔が変化し、容量が変化する。この容量変化により可動部１０３が受圧した圧力を測定する。電極形成領域が真空とされていれば、絶対圧力が測定可能な圧力センサとして用いることができる。
【００３１】
また、この微細機械装置は、凸部１０４が形成されている領域で向かい合う基板１０１および可動部１０３の両方の面に、電極が形成されていない電極未形成部１０７ａおよび電極未形成部１０７ｂを備える。電極未形成部１０７ａおよび電極未形成部１０７ｂは、例えば、平面視で同じ面積の円形とされ、電極未形成部１０７ａと電極未形成部１０７ｂとは、平面視で中心が同じ位置とされている。
【００３２】
また、この微細機械装置は、基板１０１の電極未形成部１０７ａに、帯電防止層１０８を備える。帯電防止層１０８は、これが形成されている側の電極１０５に接続されている。また、帯電防止層１０８は、表面抵抗が帯電防止レベルの材料から構成されている。例えば、帯電防止層１０８の表面抵抗は、１０9〜１０14Ω／□とされていればよい。このような材料として、シリコンや炭化シリコンなどの半導体がある。また、帯電防止層１０８は、酸化チタン，酸化インジウム，酸化亜鉛，酸化スズ，酸化ルテニウム，酸化ジルコニアなどの金属酸化物から構成しても良い。
【００３３】
また、帯電防止層１０８は、ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＳｉＮなどの炭化物，窒化物から構成しても良い。また、帯電防止層１０８は、帯電防止層１０８を配置する領域に金属を導入して形成してもよい。金属を導入して金属添加領域とすることで、帯電防止レベルとすることができる。このような金属として、チタン，ニオブ，タンタル，ニッケル，鉄，クロム，マンガンなどがある。例えば、金属を堆積して加熱することで熱拡散させた後、余剰の金属をエッチング除去すればよい。他にもイオン注入によりこれらのイオンを基板に導入する方法もある。
【００３４】
帯電防止層１０８は、原子層オーダーの厚さの酸化金属層から構成してもよい。例えば、モリブデン酸化物，タングステンの酸化物などより構成した原子層オーダーの厚さの酸化金属層から帯電防止層１０８を構成すれば良い。酸化モリブデンや酸化タングステンは、サファイアなどと比較して蒸気圧が低い。この材料を、サファイヤからなる基板１０１と共に同一の炉内で９００℃程度に加熱することで上記酸化金属を蒸発（昇華）させれば、基板１０１の表面に原子層オーダーの厚さの上記酸化金属層が形成できる。
【００３５】
上述した実施の形態によれば、受圧した可動部１０３が実使用範囲を超えて大きく撓むと、可動部１０３の一部の面１０３ａが、基板１０１の凸部１０４の上面に着底する。この状態において、接触した箇所には帯電防止層１０８が形成されて帯電しないので、スティッキングが発生することがない。また、当然ながら、着底により接触した箇所では、電極１０５と電極１０６とが接続されることがないので、着底と離脱とを繰り返す現象も発生しない。
【００３６】
ここで、本発明に至った経緯について説明する。まず、前述したように、可動領域１２１で向かい合う基板１０１の面１０１ａおよび可動部１０３の面１０３ａにおいて、各々の全域に電極が形成されていると、着底時にこれらが接触して問題となる。この問題を解消するために、接触箇所には電極を配置しない状態とする。しかしながら、電極が形成されてない箇所では基板１０１の面１０１ａと可動部１０３の面１０３ａとが直接接触することになる。
【００３７】
このように、絶縁抵抗の大きな基板１０１と可動部１０３との接触が繰り返し発生すると、接触帯電が起きて表面に静電気が発生する。これらの静電気は、基板１０１および可動部１０３の絶縁抵抗が大きく、且つ接触する雰囲気も真空中で逃げ場がないために接触を繰り返す度に蓄積される。これは接触する雰囲気が真空となる絶対圧計においてより頻繁に発生する。この結果、基板１０１と可動部１０３との間に静電引力を発生させてスティッキングを生じると考えられる。
【００３８】
このような接触帯電の発生を抑えるためには、接触する面積自体を減らすことが有効な対策である。このために、凸部１０４を形成し、着底時の接触面積を小さくしている。しかしながら、サファイアなどの絶縁材料では、よく知られているように、数μｍ程度のパターンである凸部１０４の形成は容易に実施できるが、ｎｍレベルの微細加工が極めて困難である。従って、容易に実現できる凸部１０４の寸法は、数μｍ単位となる。
【００３９】
ところが、数μｍ程度の大きさの凸部１０４では、上述した静電気によるスティッキングに対して有効な対策とならない。
【００４０】
これに対し、着底時に接触する箇所に、抵抗値の小さな材料から構成した帯電防止層１０８を設ける。着底時には帯電防止層１０８に接触するので、帯電防止層１０８上で電荷が中和されて静電引力も働かず、スティッキングが防止できるようになる。
【００４１】
ところで、金属などの材料も抵抗値が小さい材料であるが、この場合、電極が形成されている状態と同じであり、電極１０５と電極１０６との間の接続を発生させる場合があり、問題となる。これに対し、上述した実施の形態では、帯電防止層１０８を、表面抵抗が帯電防止レベルの材料から構成し、これを電極１０５に接続して構成した。また、帯電防止層１０８は、着底時に接触する領域となる凸部１０４が配置される領域に設けることで、着底時には帯電防止層１０８が接触する状態とした。
【００４２】
例えば、微細機械装置を動作させるときに電極１０５と電極１０６との間に印加される交流電圧の周期よりも、帯電防止層１０８における時定数が十分大きくなるようにすればよい。このように構成することで、帯電防止層１０８表面の電荷は、これが接続する電極１０５を通して外部に逃がすことができるのでスティッキングの発生が防止できる。
【００４３】
ところで、図２に示すように、基板１０１の電極未形成部１０７ａに帯電防止層１０８ａを設けると共に、可動部１０３の電極未形成部１０７ｂに帯電防止層１０８ｂを設けるようにしてもよい。帯電防止層１０８ｂは、電極１０６に接続して配置する。この場合、着底時には、帯電防止層１０８ａと帯電防止層１０８ｂとが接触する。
【００４４】
また、図３に示すように、可動部１０３の側は、電極未形成部を設けず、面１０３ａの凸部１０４の領域に向かい領域に電極１０６が形成されているようにしてもよい。この場合、着底時には、電極１０６と帯電防止層１０８とが接触する。
【００４５】
前述したように、帯電防止層１０８は、帯電防止層１０８が接続する電極１０５に対して形成する抵抗Ｒに、帯電防止層１０８と電極１０５との間に形成される容量Ｃを乗じた時定数ＲＣが、可動領域１２１で向かい合う電極１０５と電極１０６との間に、動作時に印加される交流電圧の振動周期Ｔより大きい範囲（ＲＣ≫Ｔ）となる状態に帯電防止層１０８の表面抵抗が設定されているとよい。
【００４６】
上述した帯電防止層１０８における時定数について図４を用いてより具体的に説明する。図４は、図３を用いた構成とした微細機械装置の可動部１０３が基板１０１に着底している状態の一部を示す断面図である。ここでは、微細機械装置は、可動部１０３がダイアフラムである圧力センサであり、動作時の計測電圧が交流であるものとする。
【００４７】
図４に示すように、着底した瞬間の、電極１０６の電位を０とし、電極１０５の電位をＶ0ｓｉｎ（２πｆｔ）であるとする。電極１０６に接触した凸部１０４上の帯電防止層１０８における電位も当然０であるが、同じ面にある電極１０５との間の抵抗が小さすぎると、帯電防止層１０８も速やかにＶ0ｓｉｎ（２πｆｔ）となり、電位０の電極１０６との間で電位差が発生するので、電圧に起因する静電引力が発生し、前述した計測電圧における異常が発生してしまう。
【００４８】
これに対し、帯電防止層１０８と電極１０５との抵抗をＲとし、帯電防止層１０８と電極１０５との間の容量をＣとすると、帯電防止層１０８および交流が印加されている電極１０５は、単なる１次フィルタ（ＲＣ回路）とみなせる。従って、電極１０５に印加される交流の振動数ｆに対して定義されるＲＣ回路の遮断周波数１／（２πＲＣ）が十分小さければ、帯電防止層１０８表面の電位は、周辺の電極１０５に追随せず０のままであり、電極１０６との間で電位差が発生しない。この結果、静電引力は発生せず、前述した計測電圧における異常が防止できる。
【００４９】
一方、接触により発生する静電気による帯電の拡散は直流であるから、初期に帯電した電荷をＱ0とすると、この電荷は、Ｑ0ｅｘｐ（−ｔ／ＲＣ）のように減衰する。時定数ＲＣが上記圧力センサの応答速度よりも十分小さければ、帯電原因のスティッキングは起きないが、一般的には帯電防止層１０８の表面抵抗が１０9〜１０14Ω／□ならば帯電はし難く、静電気は速やかに除去される。このように、スティッキングおよび計測電圧による異常を回避するため、帯電防止層１０８上とその同じ面にある電極１０５との抵抗は、下限を遮断周波数、上限を帯電防止のために制限すれば良いことになる。
【００５０】
上述した効果は、図３を用いて説明した構成＞図２を用いて説明した構成＞図１Ａ，図１Ｂを用いて説明した構成の順となる。着底時に帯電防止層と電極とが接触する図３を用いて説明した構成は、接触帯電による電荷が最も逃げやすいため、帯電防止層による最も高い効果が得られる。これに対し、着底時に片側が絶縁体である図１Ａ，図１Ｂを用いて説明した構成は、帯電防止層による効果は低い。
【００５１】
なお、電極未形成部は、凸部が形成されている領域で向かい合う基板および可動部の両方の面に設けられていてもよく、いずれか一方に設けられていても良い。電極未形成部が両方に設けられている場合、帯電防止層は、基板および可動部の両方の面に設けられた電極未形成部の各々に形成されていてもよく、いずれか一方に設けられていても良い。また、電極未形成部が、凸部が形成されている領域で向かい合う基板および可動部のいずれか一方に設けられている場合、帯電防止層は、いずれか一方の電極未形成部に形成されていればよい。
【００５２】
以上に説明したように、本発明によれば、基板と変位した可動部とが接触する凸部が形成されている箇所に帯電防止層を設けるようにしたので、様々な環境で用いられる高い絶縁性の基材を用いた微細機械装置におけるスティッキングが、より容易に防止できるようになる。
【００５３】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
【符号の説明】
【００５４】
１０１…基板、１０１ａ…面、１０２…支持部、１０３…可動部、１０３ａ…面、１０４…凸部、１０５…電極、１０６…電極、１０７ａ，１０７ｂ…電極未形成部、１０８…帯電防止層、１２１…可動領域。
【図１Ａ】
0006581849.tif 000002
【図１Ｂ】
0006581849.tif 000003
【図２】
0006581849.tif 000004
【図３】
0006581849.tif 000005
【図４】
0006581849.tif 000006
【図５Ａ】
0006581849.tif 000007
【図５Ｂ】
0006581849.tif 000008
【図５Ｃ】
0006581849.tif 000009