(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行されるエピタキシャルリアクターの再稼動準備過程において反応チャンバ内部をベーキングする段階として、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、
前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階と、
を含み、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、前記サセプタ上下部に水素ガスを流入する段階は同時に遂行される、
エピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項２】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーを時間によって段階的に増加するように設定する段階を含む、
請求項１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項３】
前記熱源のパワーは、３０ｋｗ以上９５ｋｗ以下の範囲を有するように設定される、
請求項２に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項４】
前記熱源のパワーは、３０ｋｗ以上９５ｋｗ以下の範囲で時間によって１０ｋｗずつ増加するように設定される、
請求項３に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項５】
前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部の温度は６００℃から１２００℃まで非線形的に昇温される、
請求項１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項６】
前記メインバルブにおいては、水素ガスが９０ｓｌｍで流入され、前記スリットバルブでは２０ｓｌｍで流入される、
請求項１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項７】
前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階を数回繰り返して実施することを特徴とする、
請求項１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項８】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバ内部をベーキングする段階で２〜５回遂行される、
請求項７に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項９】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による反応チャンバの温度変化幅が異なるように設定される、
請求項１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１０】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による熱源のパワー値の増加幅が異なるように設定される、
請求項９に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１１】
ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行されるエピタキシャルリアクターの再稼動準備過程において反応チャンバ内部をベーキングする段階として、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、
前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階と、
を含み、
前記メインバルブにおいては、水素ガスが９０ｓｌｍで流入され、前記スリットバルブでは２０ｓｌｍで流入される、
エピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１２】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーを時間によって段階的に増加するように設定する段階を含む、
請求項１１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１３】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、前記サセプタ上下部に水素ガスを流入する段階は同時に遂行される、
請求項１１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１４】
前記熱源のパワーは、３０ｋｗ以上９５ｋｗ以下の範囲を有するように設定される、
請求項１２に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１５】
前記熱源のパワーは、３０ｋｗ以上９５ｋｗ以下の範囲で時間によって１０ｋｗずつ増加するように設定される、
請求項１４に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１６】
前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部の温度は６００℃から１２００℃まで非線形的に昇温される、
請求項１１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１７】
前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階を数回繰り返して実施することを特徴とする、
請求項１１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１８】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバ内部をベーキングする段階で２〜５回遂行される、
請求項１７に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項１９】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による反応チャンバの温度変化幅が異なるように設定される、
請求項１１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【請求項２０】
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による熱源のパワー値の増加幅が異なるように設定される、
請求項１９に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバ内部の再稼動準備工程に関するものであって、より詳細にはエピタキシャルウェーハの成長が完了した後、チャンバ内部に残存する水分及び不純物を除去して後続的なエピタキシャルウェーハを製造するためのエピタキシャル成長工程を実施する準備方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、シリコンウェーハは、単結晶成長工程、スライシング工程、グラインディング（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程、ラッピング工程、研磨（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程を経て、研磨工程後にウェーハに付着した研磨剤または異物を除去する洗浄工程を経て製作され得る。このような方法で製造されたウェーハをポリッシュドウェーハ（Ｐｏｌｉｓｈｅｄ  ｗａｆｅｒ）と言い、ポリッシュドウェーハの表面にまた他の単結晶膜（エピ層）を成長させたウェーハをエピタキシャルウェーハ（ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｗａｆｅｒ）と言う。
【０００３】
エピタキシャルウェーハは、ポリッシュドウェーハより欠陥が少なく、不純物の濃度や種類の制御が可能な特性を有する。また、エピ層は、純度が高くて結晶特性に優れ、高集積化されている半導体装置の歩留まり及び素子特性向上に有利な長所を有する。化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）は、半導体ウェーハのような対象に薄い層の物質を成長させる処理であり、これによって異なる伝導性を有する層がウェーハに蒸着されて望む電気的特性を有するように製造され得る。
【０００４】
ウェーハ表面にエピ層を蒸着する化学気相蒸着装置は、エピ層の蒸着が成り立つ工程チャンバと、内部に装着されるサセプタ、前記工程チャンバ上下部に具備された加熱ランプ、ウェーハ上にソースガスを噴射するガス噴射ユニットとを含んで構成される。ガス噴射ユニットから噴射されたソースガスは、サセプタ上に載せられたウェーハ上にエピ層を形成することになる。
【０００５】
ウェーハ上にエピ層を成長させるエピリアクターのチャンバ内には、高温で成り立つエピタキシャル工程が完了すると、メタル不純物を含んだ水分などが多く含まれている。このように、不純物がチャンバ内に存在すれば高品質のエピタキシャルウェーハの製造が不可能であるためエピタキシャルウェーハの製造工程が完了すると、チャンバ内部に残存する不純物を除去して再びエピタキシャル工程が遂行され得る雰囲気を形成しなければならない。
【０００６】
これに、エピリアクターの再稼動のために常温状態にあるチャンバ内部に窒素ガスを約３時間の間注入することによってチャンバ内部の不純物粒子を換気させる。続いて、チャンバ内部を昇温させた後に、高温状態で一定時間の間維持させながら水素ガスを用いたベーキング工程を遂行して残留する水分または不純物を除去する。
【０００７】
しかし、チャンバ内部を昇温させた後に遂行されるベーキング工程が一定な温度で遂行されるため、エピリアクター内部に残存する水分と各種汚染源が熱的に安定化されていて汚染源に対する除去が容易ではない。したがって、水素ガスを注入して水分及び汚染源を除去する過程を経た後でも、エピリアクターの内部には依然として残留水分または金属汚染物質が存在する可能性があり、このような条件で生産されるエピタキシャルウェーハの品質を確保しにくい問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前述した問題点を解決するためのものであって、エピタキシャルウェーハを製造するためのリアクターの再稼動準備過程において、高温で進行されるベーキング工程時、温度を段階的に変化させて停滞した汚染物質の流動を活性させることによって、水分及び汚染源を工程チャンバ外部に排出させてリアクターの再稼動時間を短縮させる方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施例は、ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行されるエピタキシャルリアクターの再稼動準備過程で反応チャンバ内部をベーキングする段階として、前記反応チャンバの内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階と、を含む。
【００１０】
実施例において、前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーを時間によって段階的に増加するように設定する段階を含むことができ、前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と前記サセプタ上下部に水素ガスを流入する段階とは同時に遂行され得る。
【発明の効果】
【００１１】
実施例によるエピタキシャルウェーハ製造のためのリアクターの準備方法は、ＰＭ工程完了後に反応チャンバ内部をベーキングする段階において、反応チャンバ内部に熱を伝達する熱源のパワーを段階的に上昇させることによって、反応チャンバ内に停滞した水分及び汚染物質が不安定な流動を起こして水素ガスの流れによって効果的に排出され得る。
【００１２】
実施例によれば、反応チャンバ内部に停滞した水分及び汚染物質が迅速に除去されることによって、エピタキシャルリアクターの再稼動を遂行するためのＭＣＬＴの最小値に到逹する時間が減少し、これによってリアクターの再稼動を遂行するための準備時間も減少するため、エピタキシャルウェーハの生産歩留まりも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例によるエピタキシャルリアクターを示した図面である。
【図２】エピタキシャル成長装置において、サセプタを上から眺めた図面である。
【図３】実施例においてエピタキシャルリアクターを昇温させる熱源のパワー値を示したグラフである。
【図４】エピタキシャルリアクターの準備方法において、従来と実施例による反応チャンバ内部のＭＣＬＴ水準を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明の実施例によって制限されたり限定されたりするものではない。本発明を説明するにおいて、公知の機能あるいは構成に対しての具体的な説明は本発明の要旨を明瞭にさせるために省略され得る。
【００１５】
実施例は、エピタキシャルリアクター(反応チャンバ) 内部の工程条件を変更し、 エピタキシャルリアクター内に停滞した水分及び汚染物質が安定化された状態を、不安定な状態になるように反応チャンバ内部の状態を変更することを目的とする。
【００１６】
図１は、エピタキシャル成長装置を示した図面であり、本発明においてサセプタの初期位置を示した断面図である。
【００１７】
図１を参照すれば、エピタキシャル成長装置１００は、上部ライナー１０５と下部ライナー１０２、上部カバー１０６、下部カバー１０１、サセプタ１０７、予熱リング１０８、サセプタ支持台１０９、ガス供給部１０３、ガス排出部１０４及びメインシャフト１１０を含んで構成され得る。
【００１８】
エピタキシャル成長装置１００の一側には、ガス供給ラインと連結されるガス供給部１０３が形成され、他側にガス排出ラインと連結されるガス排出部１０４が形成され得、下部カバー１０１と上部カバー１０６とを含むことができる。
【００１９】
下部ライナー１０２は、サセプタ１０７を囲むように配置され、上部ライナー１０５は下部ライナー１０２と上部で対向するように設けられ得る。予熱リング１０８は、サセプタ１０７に隣接する下部ライナー１０２の内面に沿ってリング形状に形成されて下部ライナー１０２上に安着され、サセプタ１０７を囲むように配置されてウェーハに伝わるガスの温度が均一になるようにする。
【００２０】
サセプタ１０７は、エピタキシャル反応時にウェーハが装着される部分であって、カーボングラファイト、炭化珪素などの材質からなるプレートで構成され得る。前記サセプタ１０７の下部に位置したメインシャフト１１０と、メインシャフト１１０からサセプタ１０）のエッジ方向に多岐に形成されたサセプタ支持台１０９によって支持される。図１のようにサセプタ１０７は、予熱リング１０８の高さと同一の高さである第１位置に固定されたままエピタキシャル工程が遂行され得る。
【００２１】
エピタキシャルウェーハを製造するためには、反応チャンバ内部を高温にしてエピタキシャル膜を気相成長させる。したがって、エピタキシャル膜を成長させる時、反応チャンバ内部に金属不純物または残余水分が存在すれば、製造されたエピタキシャルウェーハに金属不純物によって汚染が発生してエピタキシャルウェーハの品質を保障することができなくなる。
【００２２】
そこで、反応チャンバは、各種工程の実行後に予防整備（Ｐｒｅｖｅｎｔｉｖｅ  Ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ、ＰＭ）の遂行を実施することになるが、ＰＭ後には反応チャンバ内部に残留水分が発生する。これを解決するためにエピタキシャル成長装置に対する再稼動準備段階が遂行され得る。前記再稼動準備段階は、常温状態にあるチャンバ内部に窒素ガスを約３時間の間注入して反応チャンバ内部の不純物粒子を換気させる段階、反応チャンバ内部を所定の温度に昇温させる段階、昇温された反応チャンバを高温状態で一定時間の間維持させながら水素ガスを用いたベーキング工程を遂行する段階、反応チャンバ内部のドーパントの有無を確認する段階、反応チャンバ内部に残存するメタル汚染ソースを除去する段階を含むことができる。
【００２３】
実施例は、前述した段階の中で昇温された反応チャンバにおけるベーキング工程を遂行する段階で実施され得る。
【００２４】
図２は、エピタキシャル成長装置においてサセプタを上から眺めた図面である。
【００２５】
図２を参照すれば、反応ガスが流入されるガス導入口方向にはサセプタ１０７より上部にメインバルブ１１１が設けられ、前記メインバルブ１１１においては、反応ガスの移動及び工程中に発生する不純物を移動させるためのキャリアガスである水素ガスを流入させ、流入された水素ガスは前記サセプタの上面からガス排出口方向であるＡ方向に流れることになる。
【００２６】
そして、前記メインバルブ１１１と直交する方向には、前記サセプタ１０７より下部にスリットバルブ１１２が設けられ、反応ガスの移動及び工程中に発生する不純物を移動させるためにキャリアガスである水素ガスが流入される。 前記スリットバルブ１１２から流入される水素ガスは、サセプタ１０７の下方向からＢ方向に流れることになるが、実質的にはガス排出口の吸入力によってＡ方向に偏向させられて流れが形成される。
【００２７】
すなわち、メインバルブから流入される水素ガスは、サセプタ１０７の上面と上部カバー１０６の間の空間からガス排出口の方向に移動し、スリットバルブから流入される水素ガスは、サセプタの下部からガス排出口の方に移動する。具体的には、エピタキシャル成長装置１００の再稼動準備段階においてサセプタ１０７は予熱リング１０８と同一の高さに位置し、このときメインバルブからは９０ｓｌｍ、スリットバルブからは２０ｓｌｍの流量で水素ガスが流入される。
【００２８】
前述したような条件でエピタキシャル成長装置に対する再稼動手順が成り立ち、反応チャンバ内部を昇温させた後に遂行されるベーキング工程のためには、反応チャンバ内部の温度が一定の温度まで上昇することになるが、このとき温度の上昇が線形的に成り立つ場合エピリアクター内部に残存する水分と各種汚染源が熱的に安定化状態になる。
【００２９】
実施例は、リアクターの再稼動手順の中でベーキング工程の実施段階で反応チャンバ内部の熱的状態を不安定にさせるために、反応チャンバ内部の温度を非線形的に、例えば段階的に昇温させる方法を適用した。実施例は時間による反応チャンバの温度変化が区間ごとに異なるように設定され得る。これに、反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーは、時間によってその増加幅が異なるように設定され得る。
【００３０】
実施例は、反応チャンバ内部に熱を印加する熱源のパワーを段階的に増加させることによって反応チャンバ内部の温度を変更し、このときサセプタの上下部に水素ガスを流入する過程が遂行され得る。
【００３１】
反応チャンバ内部の温度を昇温させる過程において、反応チャンバ内部は熱的に不安定な状態になり、メインバルブ及びスリットバルブを通じて水素ガスが反応チャンバ内部に投入されることによって、反応チャンバ内部の水分及び汚染物質は水素ガスの移動によってさらに効果的に排出され得る。
【００３２】
図３は、実施例によってエピタキシャルリアクターを昇温させる熱源のパワー値を示したグラフである。図３を参照すれば、時間によって反応チャンバを昇温させる熱源のパワー値を示したものであって、実施例は反応チャンバ内部のベーキング工程の実施段階で時間によって反応チャンバに印加されるパワー値が段階的に増加するように設定される。
【００３３】
具体的には、熱源のパワーは３０ｋｗから９５ｋｗまで順次に増加するように設定され得、各段階の増加幅は１０ｋｗに設定され得る。例えば、３０ｋｗのパワーで一定時間だけ反応チャンバに熱が加えられ、続いて４０ｋｗのパワーで一定時間の間反応チャンバに熱が加えられ、順次９５ｋｗまでパワー値を増加させることができる。実施例に適用された反応チャンバは、９５ｋｗで昇温時、反射体が融解される危険があるため、９５ｋｗまで昇温するように設定した。
【００３４】
前記熱源のパワーが段階的に昇温されることによって反応チャンバ内部の温度は、６００℃から１２００℃まで上昇させることができる。前記熱源のパワーが一定の場合には反応チャンバ内部の温度の変化が線形的に変化するが、実施例のように熱源のパワーを段階的に昇温させれば反応チャンバ内部の温度変化が非線形的に変化する。
【００３５】
前記のように熱源のパワーが時間によって徐々に増加して段階ごとに互いに異なる値に設定されることによって、反応チャンバ内部の熱的状態は不安定な状態になり、反応チャンバ内部に含まれている水分及び汚染物質を含んだ粒子の運動エネルギーが増加することになる。実施例は、エピタキシャルリアクターの準備過程中で、反応チャンバ内部をベーキングする段階において、反応チャンバ内部を昇温させる熱源のパワーを時間によって段階的に増加させる過程を数回繰り返して実施することができ、望ましくはベーキング工程の効率性にしたがって２回〜５回実施され得る。
【００３６】
実施例は、前記のように、反応チャンバ内部を昇温させる熱源のパワーを時間によって段階的に設定する段階と、前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階が同時に遂行され得る。
【００３７】
したがって、メインバルブ及びスリットバルブから流入されてサセプタ上下部を流れるキャリアガスである水素ガスによって、反応チャンバ内部に残存する水分及び汚染物が水素ガスの移動によって反応チャンバ外部で排出される可能性がさらに高くなることになる。
【００３８】
図４は、エピタキシャルリアクターの準備方法において、従来と実施例による反応チャンバ内部のＭＣＬＴ水準を示したグラフである。
【００３９】
ＭＣＬＴ（Ｍｉｎｏｒｉｔｙ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｌｉｆｅ  ｔｉｍｅ）は、エピタキシャル成長装置において再稼動準備完了を判断する一つの尺度となることができる。ＭＣＬＴは、過剰となった少数の電子が再結合にかかる平均時間を意味し、反応チャンバ内部に不純物が多いほどＭＣＬＴは減少することになる。一般に、エピタキシャル成長装置の再稼動準備段階においては前記ＭＣＬＴが一定な値に至るまで再稼動準備段階の多くの過程を遂行することができる。
【００４０】
図４のグラフを調べると、横軸はエピタキシャルウェーハのＤｕｍｍｙ  Ｒｕｎの回数であり、縦軸はＭＣＬＴ数値を示している。従来の反応チャンバ内部を昇温させる熱源のパワーを時間によって線形的に変化させる方法では、Ｄｕｍｍｙ  Ｒｕｎ 数が５０であるときＭＣＬＴが５０ｍｓを示したが、実施例の方法を適用した反応チャンバでは、Ｒｕｎ数が５０であるとき４４６ｍｓを示し、Ｒｕｎ数が３００に増加した時には従来と実施例のＭＣＬＴが９００ｍｓ以上の差が現れることを確認することができる。
【００４１】
すなわち、Ｄｕｍｍｙ  Ｒｕｎ数が増加するほど本発明によるエピタキシャル成長装置の再稼動方法においてはＭＣＬＴが著しく増加し、エピタキシャル成長装置を再稼動するための要求条件により早く到逹できることが分かる。
【００４２】
前述したように実施例によるエピタキシャルウェーハ製造のためのリアクターの準備方法は、ＰＭ工程完了後に反応チャンバ内部をベーキングする段階において、反応チャンバ内部に熱を伝達する熱源のパワーを段階的に上昇させることによって、反応チャンバ内部の状態が不安定となり停滞した水分及び汚染物質が流動されて水素ガスの流れによって効果的に排出され得る。
【００４３】
また、反応チャンバ内部に停滞した水分及び汚染物質が迅速に除去されることによって、エピタキシャルリアクターの再稼動を遂行するためのＭＣＬＴの最小値に到逹する時間が減少し、これによってリアクターの再稼動を遂行するための準備時間も減少するためエピタキシャルウェーハの生産歩留まりも向上させることができる。
【００４４】
以上、本発明に対してその望ましい実施例を中心に説明したがこれは単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有した者であれば本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるだろう。例えば、本発明の実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【００４５】
［付記］
［付記１］
ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行されるエピタキシャルリアクターの再稼動準備過程において反応チャンバ内部をベーキングする段階として、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、
前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階と、
を含むエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００４６】
［付記２］
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーを時間によって段階的に増加するように設定する段階を含む、
付記１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００４７】
［付記３］
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、前記サセプタ上下部に水素ガスを流入する段階は同時に遂行される、
付記１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００４８】
［付記４］
前記熱源のパワーは、３０ｋｗ以上９５ｋｗ以下の範囲を有するように設定される、
付記２に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００４９】
［付記５］
前記熱源のパワーは、３０ｋｗ以上９５ｋｗ以下の範囲で時間によって１０ｋｗずつ増加するように設定される、
付記４に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００５０】
［付記６］
前記反応チャンバ内部のベーキング段階において、前記反応チャンバ内部の温度は６００℃から１２００℃まで非線形的に昇温される、
付記１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００５１】
［付記７］
前記メインバルブにおいては、水素ガスが９０ｓｌｍで流入され、前記スリットバルブでは２０ｓｌｍで流入される、
付記１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００５２】
［付記８］
前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階を数回繰り返して実施することを特徴とする、
付記１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００５３】
［付記９］
前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバ内部をベーキングする段階で２〜５回遂行される、
付記８に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００５４】
［付記１０］
前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による反応チャンバの温度変化幅が異なるように設定される、
付記１に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【００５５】
［付記１１］
前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による熱源のパワー値の増加幅が異なるように設定される、
付記１０に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明はウェーハにエピタキシャル膜を成長させるエピタキシャル成長装置に適用され得るので産業的にその利用可能性がある。
【図１】
0006450851.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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