(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に凹凸パターンが形成され、前記基板における前記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、
前記ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の前記保護膜および前記ハードマスク層を部分的に除去し、前記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部から露出した前記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、
残存する前記保護膜および前記ハードマスク層を除去する保護膜除去工程と、
を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法。
【請求項２】
基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、
前記ナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の前記保護膜を部分的に除去し、前記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部から露出した複数の前記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることで、一括して修正する欠陥部修正工程と、
残存する前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法。
【請求項３】
請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成され、前記基板における前記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの欠陥修正に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリントリソグラフィは、表面に予め所望のパターンを有するナノインプリントリソグラフィ用マスクを、被転写体の硬化性樹脂と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写体の表面にパターンを転写する方法である。ナノインプリントリソグラフィは、単純な方法によってパターンを形成することができ、近年、数十ｎｍ〜数ｎｍの超微細なパターンを転写することが可能であることが示されている。そのため、ナノインプリントリソグラフィは、次世代リソグラフィ技術の候補として期待されている。
【０００３】
ナノインプリントリソグラフィの中でも、光ナノインプリントリソグラフィは、熱ナノインプリントリソグラフィに比べて、スループットが高い、温度による寸法変化が生じない、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの位置合わせが容易である等の利点を有する。そのため、近年、光ナノインプリントリソグラフィ用マスクの開発が進められている。なお、以下、ナノインプリントリソグラフィ用マスクをＮＩＬ用マスクと称する場合がある。
【０００４】
ＮＩＬ用マスクの欠陥には、従来のフォトマスクと同様に、不要な余剰パターンや異物がある。不要な余剰パターンや異物が欠陥として存在している場合には、余剰部分や異物を除去することにより正常なパターンを得ることができる。不要な余剰パターンや異物の欠陥の修正方法としては、アシストガスを供給しながら電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを照射してエッチングする方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
このような欠陥の修正の際には、正常なパターンまでエッチングするのを防止するため、荷電ビームの照射領域は不要な余剰パターンや異物が存在する領域に限定される。しかしながら、荷電ビームはある程度の広がりを持つため、不要な余剰パターンや異物だけでなくそれらの周辺の正常なパターンもエッチングされたりするおそれがある。このため、不要な余剰パターンや異物の欠陥を、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法によって修正するときには、パターンの寸法や形状が変化するおそれがある。
【０００６】
一方、ＮＩＬ用マスクでは、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンを被転写体に押し付けて転写するため、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの寸法や形状が変化すると、被転写体にそのまま転写されてしまい、不良パターンが形成されてしまう。また、フォトマスクを用いた縮小露光では、通常、４倍体のパターンを１／４に縮小露光するため、わずかなエッチングや修正膜の堆積であれば被転写体には解像せず転写されないのに対し、ＮＩＬ用マスクでは、１倍体のパターンを原寸で転写するため、わずかなエッチングや修正膜の堆積といえども被転写体に転写されてしまう。このため、ＮＩＬ用マスクでは、他のマスクと比較して、パターンの寸法や形状の変化が転写特性に大きく影響し易いといった固有の問題がある。
【０００７】
このような問題から、ＮＩＬ用マスクでは他のマスクと比較して高い精度が要求される。そして、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンが微細なパターンである場合には、さらに高い精度が要求される。しかしながら、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンが微細なパターンである場合には、上述の通り、不要な余剰パターンや異物の欠陥を従来の方法によって修正するときに、パターンの寸法や形状が変化することによる影響が顕著となる。このため、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンが微細なパターンである場合には、不要な余剰パターンや異物の欠陥を修正した後のＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの断面の形状が、凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２９４６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、不要な余剰パターンや異物の欠陥を修正した後のＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの断面の形状を、凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができるＮＩＬ用マスクの修正方法およびＮＩＬ用マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法を提供する。
【００１１】
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。また、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いるので、欠陥部を修正した後に残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去することができる。
【００１２】
また、本発明は、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。
【００１４】
また、本発明は、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法を提供する。
【００１５】
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。また、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いるので、欠陥部を修正した後に残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去することができる。
【００１６】
また、本発明は、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法を提供する。
【００１７】
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明においては、不要な余剰パターンや異物の欠陥を修正した後のＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの断面の形状を、凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によって、欠陥部が修正されるハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを示す平面図である。
【図２】第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。
【図４】第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。
【図５】第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によって、欠陥部が修正されるＮＩＬ用マスクを示す平面図である。
【図６】第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示すフローチャートである。
【図７】第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。
【図８】第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明のＮＩＬ用マスクの修正方法およびＮＩＬ用マスクの製造方法について詳細に説明する。
【００２１】
Ａ．ＮＩＬ用マスクの修正方法
本発明のＮＩＬ用マスクの修正方法は、２つの実施態様に大別することができる。以下、本発明のＮＩＬ用マスクの修正方法について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。
【００２２】
Ａ−１．第一実施態様
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とする。
【００２３】
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について図面を参照しながら説明する。図１は、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によって、欠陥部が修正されるハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを示す平面図である。また、図２は第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示すフローチャートであり、図３（ａ）〜図３（ｆ）および図４（ａ）〜図４（ｃ）は第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。なお、以下、ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクをハードマスク層付きＮＩＬ用マスクと称する場合がある。
【００２４】
まず、図２に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程Ｓ１を行う。具体的には、図３（ａ）に示すように、図１に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを光検査により抽出する。図３（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図であり、図１および図３（ａ）に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａは、基板２および基板２上に形成されたハードマスク層３を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
【００２５】
そして、基板２は、合成石英ガラスから構成される光透過性基板であり、ハードマスク層３は、Ｃｒを含む材料から構成される。基板２の主面に、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが形成されている。凹凸パターンの凸部上にハードマスク層３が形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。なお、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａに対して欠陥部１０の光検査を行う際には、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存しておく。
【００２６】
次に、図２に示すように、保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２を行う。具体的には、スパッタ装置を用いて、図３（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａ上において全面に保護膜４を形成する。本例の場合、保護膜４は、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおける凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂに形成される。保護膜４は、凹凸パターンの凸部の上面１ｔにおいてはハードマスク層３上に形成され、凹部の底面１ｂにおいては基板２上に形成される。また、本例の場合、保護膜４は、Ｃｒを含む材料から構成される。
【００２７】
次に、図２に示すように、欠陥部を観察する欠陥部観察工程Ｓ３を行う。具体的には、後述の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図３（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定する。
【００２８】
次に、図２に示すように、欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程Ｓ４を行う。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｄ）および図３（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３に対して、保護膜用アシストガス１３を供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４およびハードマスク層３を部分的にエッチングする。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成する。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気する。なお、本発明においては、便宜上、保護膜をエッチングする際に使用されるアシストガスを保護膜用アシストガスと称する場合がある。
【００２９】
次に、図２に示すように、開口部を観察する開口部観察工程Ｓ５を行う。具体的には、上記の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図３（ｆ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたか否かを確認する。そして、開口部観察工程Ｓ５において、開口部１２を精度良く形成することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記の開口部形成工程Ｓ４および開口部観察工程Ｓ５を繰り返し実施する。
【００３０】
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図２に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５は、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行われる。
【００３１】
次に、図２に示すように、欠陥部を修正する欠陥部修正工程Ｓ６を行う。具体的には、異方性ドライエッチング装置内で、図４（ａ）に示すように、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を異方性ドライエッチングによりエッチングする。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正する。
【００３２】
次に、図２に示すように、修正後の欠陥部を観察する修正確認工程Ｓ７を行う。具体的には、図４（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察する。これにより、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを平面視して正確な領域が修正されたか否かを確認する。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測する。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっているか否かを確認する。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたか否かを確認する。そして、修正確認工程Ｓ７において、欠陥部１０を精度良く修正することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記の欠陥部修正工程Ｓ６および修正確認工程Ｓ７を繰り返し実施する。
【００３３】
次に、図２に示すように、残存する保護膜およびハードマスク層を除去する保護膜除去工程Ｓ８を行う。具体的には、図４（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４およびハードマスク層３を一緒に除去する。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造する。
【００３４】
第一実施態様によれば、図４（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。
【００３５】
また、第一実施態様によれば、図４（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部が複数個存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクにおいて、上記複数個の欠陥部を一括して修正することができる。これにより、効率良く欠陥部を修正することができる。例えば、多数の欠陥部を異方性ドライエッチングにより一回エッチングすることにより修正することができる。
【００３６】
また、第一実施態様によれば、図４（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正する時に、上記欠陥領域に隣接する領域において上記保護膜の下側の上記基板がエッチングされることを回避することができる。すなわち、上記基板のアンダーカットが生じることを回避することができる。これにより、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンが転写された被転写体に不良パターンが形成されることを回避することができる。
【００３７】
また、第一実施態様においては、図３（ａ）に示すように、欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクとして、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いるので、図４（ｃ）に示すように、欠陥部を修正した後に残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去することができる。このため、ＮＩＬ用マスクを製造する工程を短縮することができる。
【００３８】
また、第一実施態様においては、図３（ａ）に示すように、欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクとして、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いる。このため、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行うことができるので、ＮＩＬ用マスクから反射する反射光として、上記ハードマスク層から反射する反射光を用いた光検査を行うことができる。したがって、ハードマスク層が既に除去されたＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行う場合と比較して、反射光量が多くなるので、ＮＩＬ用マスクから反射する反射光を用いた光検査をより高い感度で行うことができる。
【００３９】
また、第一実施態様においては、図３（ｂ）および図４（ａ）に示すように、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスク上において上記保護膜を形成して、上記保護膜および上記ハードマスク層に形成された開口部から露出する上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正する。このため、上記凹凸パターンの凸部上においては、上記保護膜にピンホールがあったとしても、上記ハードマスク層の存在により、当該ピンホールから露出する上記基板がエッチングされることは回避される。一方、上記凹凸パターンの凹部上においては、上記保護膜にピンホールがあることにより、上記基板がさらに異方性ドライエッチングによりエッチングされて、不良パターンが形成されたとしても、不良パターンのサイズがハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）のサイズ以下であれば、インプリントでは問題にならないと予想されるので、小さいピンホールは許容されることになる。したがって、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンが転写された被転写体に不良パターンが形成されることを回避することができる。
【００４０】
以下、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について、工程ごとに説明する。
【００４１】
１．保護膜形成工程
第一実施態様における保護膜形成工程は、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。
【００４２】
（１）ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク
上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクは、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたものである。
【００４３】
ｉ．基板
上記基板は、主面に凹凸パターンが形成されたものである。上記基板は、特に限定されるものではないが、光透過性基板であることが好ましい。光透過性基板を構成する材料としては、合成石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等が挙げられる。中でも、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、凹凸パターンを形成することにより一体化した構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるため、合成石英ガラスが好適に用いられる。
【００４４】
上記凹凸パターンの形状および寸法等は、一般的なＮＩＬ用マスクと同様であれば特に限定されるものではないが、本発明においては、図１および図３（ａ）に示されるラインアンドスペースパターンのように、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが好ましい。上記凹凸パターンが、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンである場合には、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の修正方法を用いると、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状が、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られない問題がさらに顕著となる。このため、この場合には、上記欠陥部を修正した後の断面の形状を、本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる効果が顕著に得られるからである。
【００４５】
また、上記凹凸パターンの形成方法としては、一般的なＮＩＬ用マスクの作製方法と同様とすることができ、例えば、基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法等が挙げられる。
【００４６】
ｉｉ．ハードマスク層
上記ハードマスク層は、上記基板上に形成されたものである。具体的には、上記ハードマスク層は、上記基板における凹凸パターンの凸部上に形成されたものである。
【００４７】
上記ハードマスク層に用いられる材料は、エッチングされた上記ハードマスク層をマスクとして上記基板をエッチングする時に上記基板を保護することが可能であり、かつ、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および後述の保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記ハードマスク層に用いられる材料としては、例えば、Ｃｒを含む材料等が挙げられる。
【００４８】
さらに、上記ハードマスク層の厚さは、エッチングされた上記ハードマスク層をマスクとして上記基板をエッチングする時に上記基板表面を保護することが可能であり、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記ハードマスク層の厚さは、２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内が好ましく、特に２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲に満たないと、エッチングされた上記ハードマスク層をマスクとして上記基板をエッチングする時に上記基板表面を保護することができないからである。また、上記範囲を超えると、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜の除去に時間がかかるからである。
【００４９】
（２）保護膜
上記保護膜に用いられる材料は、後述の欠陥部修正工程時に上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能であり、かつ、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記保護膜に用いられる材料としては、例えば、Ｃｒを含む材料等が挙げられる。
【００５０】
また、上記保護膜に用いられる材料は、上記ハードマスク層に用いられる材料と同一種類が好ましい。後述の保護膜除去工程において、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層の両方を、例えば、単一種類のエッチング液を用いたウェットエッチングまたは単一種類のエッチングガスもしくはプラズマを用いた異方性ドライエッチングによりエッチングによって一緒に除去できるからである。これにより、ＮＩＬ用マスクを製造する工程をさらに短縮することができるからである。
【００５１】
また、上記保護膜に用いられる材料は、エッチングレートが上記ハードマスク層に用いられる材料よりも低いものが好ましい。後述の開口部形成工程において上記保護膜および上記ハードマスク層をエッチングすることにより形成される上記開口部の底面の形状および大きさを、上記欠陥部を修正するのに適したものにすることができるからである。
【００５２】
さらに、上記保護膜の厚さは、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンを埋めない程度であり、後述の欠陥部修正工程時に上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能な程度であり、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜のみを除去することが可能な程度であれば特に限定されるものではない。上記保護膜の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内が好ましく、特に１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲に満たないと、後述の欠陥部修正工程時に上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することができないからである。また、上記範囲を超えると、後述の開口部形成工程において形成される開口部の底面の形状および大きさを、上記欠陥部を修正するのに適したものにすることができないからである。
【００５３】
（３）保護膜形成工程
上記保護膜形成工程は、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。ここで、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成するとは、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターン側から平面視して視える全面に保護膜を形成することを意味する。そして、当該凹凸パターン側から平面視して視える当該全面に保護膜を形成する時には、当該凹凸パターンにおいて、図３（ｂ）に例示するように、凸部の上面および凹部の底面のみに上記保護膜を形成してもよいし、図示しないが、当該凹凸パターンの凸部の上面および凹部の底面に加えて、当該凹凸パターンの側面にも上記保護膜を形成してもよい。上記保護膜が当該凹凸パターンの凸部の上面および凹部の底面のみに形成される場合でも、後述の欠陥部修正工程において、上記欠陥部は異方性ドライエッチングによりエッチングされるので、当該凹凸パターンの側面がエッチングされない場合もあるからである。
【００５４】
上記保護膜を、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に形成することによって、後述の観察工程および修正確認工程時にも上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することができるといった効果が得られる。これについて以下に説明する。後述の開口部形成工程後、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクの表面には保護膜用アシストガスが付着した状態となっている。このため、後述の観察工程および修正確認工程時に、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに荷電ビームを照射すると、正常なパターンがエッチングされてしまうことが懸念される。しかしながら、上記保護膜が、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に形成される場合には、上記保護膜によって、後述の観察工程および修正確認工程時にも上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することができる。なお、後述の観察工程および修正確認工程での観察領域は、通常、同一領域である。
【００５５】
また、上記保護膜の形成方法は、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を均一に形成可能な方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理気相堆積法（ＰＶＤ）、電子ビームＣＶＤ等の化学気相堆積法（ＣＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）が挙げられる。
【００５６】
また、上記保護膜の形成に際しては、例えば、スパッタ装置等のような保護膜形成装置を用いて上記保護膜を形成する。
【００５７】
２．開口部形成工程
第一実施態様における開口部形成工程は、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する工程である。
【００５８】
上記欠陥部は、上記基板に存在するものである。具体的には、上記欠陥部は、上記基板における凹凸パターンに存在するものである。上記欠陥部は、特に限定されるものではないが、本発明においては、図１および図３（ａ）に示されるショート欠陥１０ａまたはエッジ欠陥１０ｂのように、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンに存在するショート欠陥またはエッジ欠陥であることが好ましい。上記欠陥部を修正した後の断面の形状を、本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる効果がさらに顕著に得られるからである。ここで、ショート欠陥とは、図１および図３（ａ）に示されるショート欠陥１０ａのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、隣接するライン間を接続して短絡するように、ライン間のスペースの凹部を埋める欠陥部のことをいう。また、エッジ欠陥とは、図１および図３（ａ）に示されるエッジ欠陥１０ｂのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、ラインを構成する凸部の一部がスペース側に突出した欠陥部のことをいう。なお、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法によって修正するときには、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状が、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られないという問題が顕著になる。しかしながら、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によれば、エッジ欠陥でもショート欠陥と同様に、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることができる。このため、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、必要な精度を得ることができる効果が顕著に得られるので、好ましい。
【００５９】
また、上記欠陥部は、特に限定されるものではないが、上記基板に複数個存在することが好ましい。上記複数個の欠陥部を一括して修正することができるので、効率良く欠陥部を修正することができるからである。
【００６０】
上記開口部は、後述の欠陥部修正工程において、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることできるものであれば特に限定されるものではない。上記開口部としては、上記開口部の底面の形状が平面視して上記欠陥部の形状と一致するものが好ましい。後述の欠陥部修正工程において上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることできるからである。
【００６１】
また、上記開口部としては、上記複数個の欠陥部をそれぞれが露出させる複数個の開口部であることが好ましい。上記複数個の欠陥部を一括して修正することができるので、効率良く欠陥部を修正することができるからである。
【００６２】
また、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法が用いられる。荷電ビームとしては、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層のみを局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではなく、例えば電子ビームおよびイオンビームを挙げることができる。
【００６３】
また、アシストガスとしては、上記保護膜および上記ハードマスク層をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではなく、上記保護膜の材料および上記ハードマスク層の材料の種類等に応じて適宜選択される。アシストガスは、単一成分のガスであってもよく、複数種の成分を含む混合ガスであってもよい。例えば、上記保護膜および上記ハードマスク層にＣｒを含む材料が用いられる場合には、アシストガスとして、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および酸素（Ｏ２）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガス等が好ましく用いられる。
【００６４】
また、アシストガスの供給方法としては、例えば、上記保護膜および上記ハードマスク層にアシストガスを局所的に吹き付ける方法、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクをアシストガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。
【００６５】
また、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層をエッチングする際には、荷電ビームの照射により生じる上記保護膜および上記ハードマスク層に含まれる材料の二次電子信号を確認しながらエッチングを進め、上記保護膜および上記ハードマスク層に含まれる材料の二次電子信号がなくなる時点でエッチングを止めることにより、上記基板表面がエッチングされることを抑制しつつ、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を高い選択比でエッチングすることができる。
【００６６】
さらに、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する際には、例えば、荷電ビーム修正装置等のような開口部形成装置を用いて、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射して、上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、上記開口部を形成する。
【００６７】
３．欠陥部修正工程
第一実施態様における欠陥部修正工程は、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする工程である。
【００６８】
上記異方性ドライエッチングの方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。ここで、上記異方性ドライエッチングの方法として用いられる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）では、反応室内でエッチングガスに電磁波などを与えプラズマ化するとともに、上記基板を置く陰極に高周波電圧を印加する事により、プラズマ中のイオン種を上記基板方向に加速させ上記基板に衝突させる。この事により物理的、化学的エッチング作用で、異方性を達成する方法である。
【００６９】
また、上記欠陥部修正工程では、例えば、上記欠陥部を上記異方性ドライエッチングによりエッチングする異方性ドライエッチング装置等のような欠陥部修正装置が用いられる。
【００７０】
また、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられるプラズマを発生させる方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、高周波誘導結合方式（ＩＣＰ）、電子サイクロトロン共鳴方式（ＥＣＲ）等が挙げられる。
【００７１】
また、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられるエッチングガスとしては、特に限定されるものではないが、例えば、フッ素系ガス等が挙げられる。中でも、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８等が好ましい。なお、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられるエッチングガスは、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられる装置およびプラズマを発生させる方法によって変わるものである。
【００７２】
さらに、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、上記基板の主面に上記凹凸パターンを形成する時に上記基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法と同一であることが好ましい。上記欠陥部を修正した後の上記凹凸パターンの断面の形状を、より高い精度で、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることができるからである。
ここで、上記基板の主面に上記凹凸パターンを形成する時に上記基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法と同一であるとは、上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の上記異方性ドライエッチングの方法が同一であることのみならず、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられる装置、プラズマを発生させる方法、およびエッチングガス等を含む上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする上でのあらゆる条件が同一であることを意味する。
【００７３】
４．保護膜除去工程
第一実施態様における保護膜除去工程は、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する工程である。
【００７４】
残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する方法は、上記保護膜および上記ハードマスク層のみを除去することが可能な方法であれば特に限定されるものではない。上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが挙げられる。中でもウェットエッチングが好ましい。上記保護膜および上記ハードマスク層を容易に除去することができるからである。
【００７５】
ウェットエッチングの場合、例えば、上記保護膜または上記ハードマスク層にＣｒを含む材料が用いられる場合には、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液が用いられる。ドライエッチングの場合、例えば、上記保護膜または上記ハードマスク層にＣｒを含む材料が用いられる場合には、塩素および酸素の混合ガスが用いられる。
【００７６】
上記保護膜除去工程は、特に限定されるものではないが、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去する工程が好ましい。具体的には、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層の両方を、例えば、単一種類のエッチング液を用いたウェットエッチングまたは単一種類のエッチングガスもしくはプラズマを用いたドライエッチングによって一緒に除去する工程が好ましい。これにより、ＮＩＬ用マスクを製造する工程をさらに短縮することができるからである。
【００７７】
５．その他の工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。
【００７８】
（１）観察工程
ｉ．欠陥部観察工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上記保護膜形成工程後、上記開口部形成工程前に、上記欠陥部を観察する欠陥部観察工程を有するものが好ましい。上記開口部形成工程において使用される荷電ビーム修正装置等のような開口部形成装置内の座標系は、後述する検査工程において光検査で検出される欠陥部の位置および形状を表す座標系と、長さは一致するが、ステージ加工精度、ステージ移動精度等を原因として、完全には一致しない。そこで、上記欠陥部観察工程は、上記開口部形成工程に先立ち、上記開口部形成工程において使用される荷電ビーム修正装置等のような欠陥部観察装置内で、上記欠陥部を観察することによって、上記欠陥部の大きさ、位置等を改めて測定する。これにより、上記開口部形成工程において形成する開口部の大きさ、位置等を精度良く把握することができるからである。
【００７９】
ｉｉ．開口部観察工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上記開口部形成工程後、上記欠陥部修正工程前に、上記開口部を観察する開口部観察工程を有するものが好ましい。上記保護膜を形成することにより、上記開口部観察工程時の荷電ビームの照射によるエッチングを抑制することができるからである。また、上記開口部観察工程は、上記開口部形成工程において使用される荷電ビーム修正装置等のような開口部観察装置内で、上記開口部を観察することによって、上記開口部の大きさ、位置等を測定する。これにより、上記開口部形成工程において上記開口部を精度良く形成することができたか否かを確認することができるからである。
【００８０】
ｉｉｉ．観察工程
これらの観察工程では、例えば荷電ビームを照射して上記欠陥部または上記開口部を観察することができる。荷電ビームとしては、上記欠陥部または上記開口部を検査することができるものであれば特に限定されるものではなく、電子ビームの場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡により検査することができる。
【００８１】
（２）修正確認工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上記欠陥部修正工程後、上記保護膜除去工程前に、荷電ビームを照射して修正後の上記欠陥部を観察する修正確認工程を有するものが好ましい。上記保護膜を形成することにより、上記修正確認工程時の荷電ビームの照射によるエッチングを抑制することができるからである。また、上記ＮＩＬ用マスクを平面視して正確な領域が修正されたか否かを確認することができるからである。これにより、上記欠陥部を精度良く修正することができたか否かを確認することができるからである。荷電ビームとしては、修正後の上記欠陥部を検査することができるものであれば特に限定されるものではなく、電子ビームの場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡により検査することができる。
【００８２】
また、上記修正確認工程では、荷電ビームを照射して修正後の上記欠陥部を観察するとともに、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）により、上記基板における上記欠陥領域の上記欠陥部修正後の深さを計測してもよい。これにより、上記基板における上記欠陥領域の上記欠陥部修正後の深さが所望の深さになっているか否かを確認することによって、上記欠陥部を精度良く修正することができたか否かを確認することができるからである。
【００８３】
なお、上記修正確認工程は省略可能である。また、上記修正確認工程は、上記欠陥部修正工程において、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法が、上記基板の主面に上記凹凸パターンを形成する時に上記基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法と同一である場合には、省略可能である。
【００８４】
６．その他
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに対して予め欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程が通常行われる。
【００８５】
また、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法においては、上記開口部観察工程において、上記開口部を精度良く形成することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記開口部形成工程および開口部観察工程を繰り返し実施してもよい。
【００８６】
また、上記基板において上記欠陥部が複数個存在する場合等には、図２に示すように、上記欠陥部観察工程、開口部形成工程、および開口部観察工程は、複数個の欠陥部のそれぞれに対して、繰り返し行ってもよい。
【００８７】
さらに、上記修正確認工程において、上記欠陥部を精度良く修正することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記欠陥部修正工程および修正確認工程を繰り返し実施してもよい。
【００８８】
Ａ−２．第二実施態様
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とする。
【００８９】
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について図面を参照しながら説明する。図５は、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によって、欠陥部が修正されるＮＩＬ用マスクを示す平面図である。また、図６は第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示すフローチャートであり、図７（ａ）〜図７（ｆ）および図８（ａ）〜図８（ｃ）は第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。
【００９０】
まず、図６に示すように、ＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程Ｓ１を行う。具体的には、図７（ａ）に示すように、図５に示されるＮＩＬ用マスク１を光検査により抽出する。図７（ａ）は図５のＡ−Ａ断面図であり、図５および図７（ａ）に示されるＮＩＬ用マスク１は、基板２を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
【００９１】
そして、基板２は、合成石英ガラスから構成される透過性基板である。基板２の主面に、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。なお、ＮＩＬ用マスク１に対して欠陥部１０の光検査を行い、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存しておく。
【００９２】
次に、図６に示すように、保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２を行う。具体的には、スパッタ装置を用いて、図７（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１上において全面に保護膜４を形成する。本例の場合、保護膜４は、ＮＩＬ用マスク１における凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂに形成される。また、本例の場合、保護膜４は、Ｃｒを含む材料から構成される。
【００９３】
次に、図６に示すように、欠陥部を観察する欠陥部観察工程Ｓ３を行う。具体的には、後述の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図７（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定する。
【００９４】
次に、図６に示すように、欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程Ｓ４を行う。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｄ）および図７（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４に対して、保護膜用アシストガス１３を供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４を部分的にエッチングする。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成する。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気する。
【００９５】
次に、図６に示すように、開口部を観察する開口部観察工程Ｓ５を行う。具体的には、上記の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図７（ｆ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたか否かを確認する。そして、開口部観察工程Ｓ５において、開口部１２を精度良く形成することができていないと判断された場合には、図６に示すように、上記の開口部形成工程Ｓ４および開口部観察工程Ｓ５を繰り返し実施する。
【００９６】
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図６に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５は、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行われる。
【００９７】
次に、図６に示すように、欠陥部を修正する欠陥部修正工程Ｓ６を行う。具体的には、異方性ドライエッチング装置内で、図８（ａ）に示すように、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を異方性ドライエッチングによりエッチングする。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正する。
【００９８】
次に、図６に示すように、修正後の欠陥部を観察する修正確認工程Ｓ７を行う。具体的には、図８（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察する。これにより、ＮＩＬ用マスク１を平面視して正確な領域が修正されたか否かを確認する。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測する。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっているか否かを確認する。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたか否かを確認する。そして、修正確認工程Ｓ７において、欠陥部１０を精度良く修正することができていないと判断された場合には、図６に示すように、上記の欠陥部修正工程Ｓ６および修正確認工程Ｓ７を繰り返し実施する。
【００９９】
次に、図６に示すように、残存する保護膜を除去する保護膜除去工程Ｓ８を行う。具体的には、図８（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４を除去する。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造する。
【０１００】
第二実施態様によれば、図８（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。
【０１０１】
また、第二実施態様によれば、図８（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部が複数個存在するＮＩＬ用マスクにおいて、上記複数個の欠陥部を一括して修正することができる。これにより、効率良く欠陥部を修正することができる。例えば、多数の欠陥部を異方性ドライエッチングにより一回エッチングすることにより修正することができる。
【０１０２】
また、第二実施態様によれば、図８（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正する時に、上記欠陥領域に隣接する領域において上記保護膜の下側の上記基板がエッチングされることを回避することができる。すなわち、上記基板のアンダーカットが生じることを回避することができる。これにより、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンが転写された被転写体に不良パターンが形成されることを回避することができる。
【０１０３】
また、第二実施態様においては、図７（ａ）に示すように、欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクとして、ハードマスク層が既に除去されたＮＩＬ用マスクを用いて、当該ＮＩＬ用マスクに存在する欠陥部を修正する。これにより、図８（ｃ）に示すように、欠陥部を修正した後に、上記保護膜のみを除去すれば、ＮＩＬ用マスクを製造することができる。このため、製造されるＮＩＬ用マスクの膜残りが少なくなる。
【０１０４】
以下、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について、工程ごとに説明する。
【０１０５】
１．保護膜形成工程
第二実施態様における保護膜形成工程は、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。
【０１０６】
（１）ＮＩＬ用マスク
上記ＮＩＬ用マスクは、基板の主面に凹凸パターンが形成されたものである。
【０１０７】
上記基板は、「Ａ−１．第一実施態様  １．保護膜形成工程  （１）ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク  ｉ．基板」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１０８】
（２）保護膜
上記保護膜に用いられる材料は、後述の欠陥部修正工程時に上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能であり、かつ、後述の保護膜除去工程において上記保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記保護膜に用いられる材料としては、例えば、Ｃｒを含む材料等が挙げられる。
【０１０９】
さらに、上記保護膜の厚さは、上記ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンを埋めない程度であり、後述の欠陥部修正工程時に上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能な程度であり、後述の保護膜除去工程において上記保護膜のみを除去することが可能な程度であれば特に限定されるものではない。上記保護膜の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内が好ましく、特に１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲に満たないと、後述の欠陥部修正工程時に上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することができないからである。また、上記範囲を超えると、後述の開口部形成工程において形成される開口部の底面の形状および大きさを、上記欠陥部を修正するのに適したものにすることができないからであるからである。
【０１１０】
（３）保護膜形成工程
上記保護膜形成工程は、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。ここで、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成するとは、上記ＮＩＬ用マスクに上記ハードマスク層が形成されていない点を除いて、第一実施態様と同様のことを意味する。そして、上記凹凸パターン側から平面視して視える上記全面に保護膜を形成する時には、上記ＮＩＬ用マスクに上記ハードマスク層が形成されていない点を除いて、第一実施態様と同様に、上記凹凸パターンの凸部の上面および凹部の底面のみに上記保護膜を形成してもよいし、上記凹凸パターンの側面にも上記保護膜を形成してもよい。
【０１１１】
上記保護膜を、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に形成することによって、上記ＮＩＬ用マスクに上記ハードマスク層が形成されていない点を除いて、第一実施態様と同様に、後述の観察工程および修正確認工程時にも上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することができるといった効果が得られる。
【０１１２】
また、上記保護膜の形成方法は、「Ａ−１．第一実施態様  １．保護膜形成工程  （３）保護膜形成工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１１３】
また、上記保護膜の形成に際しては、例えば、スパッタ装置等のような保護膜形成装置を用いて上記保護膜を形成する。
【０１１４】
２．開口部形成工程
第二実施態様における開口部形成工程は、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する工程である。
【０１１５】
上記欠陥部は、上記基板に存在するものである。具体的には、上記欠陥部は、上記基板における凹凸パターンに存在するものである。上記欠陥部は、特に限定されるものではないが、本発明においては、図５および図７（ａ）に示されるショート欠陥１０ａまたはエッジ欠陥１０ｂのように、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンに存在するショート欠陥またはエッジ欠陥であることが好ましい。上記欠陥部を修正した後の断面の形状を、本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる効果がさらに顕著に得られるからである。ここで、ショート欠陥とは、図５および図７（ａ）に示されるショート欠陥１０ａのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、隣接するライン間を接続して短絡するように、ライン間のスペースの凹部を埋める欠陥部のことをいう。また、エッジ欠陥とは、図５および図７（ａ）に示されるエッジ欠陥１０ｂのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、ラインを構成する凸部の一部がスペース側に突出した欠陥部のことをいう。なお、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法によって修正するときには、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状が、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られないという問題が顕著になる。しかしながら、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によれば、エッジ欠陥でもショート欠陥と同様に、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることができる。このため、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、必要な精度を得ることができる効果が顕著に得られるので、好ましい。
【０１１６】
上記欠陥部は、ここで記載した点を除いて、「Ａ−１．第一実施態様  ２．開口部形成工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１１７】
上記開口部は、「Ａ−１．第一実施態様  ２．開口部形成工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１１８】
また、上記欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法が用いられる。荷電ビームとしては、上記欠陥領域の上記保護膜のみを局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではなく、例えば電子ビームおよびイオンビームを挙げることができる。
【０１１９】
また、アシストガスとしては、上記保護膜をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではなく、上記保護膜の材料の種類等に応じて適宜選択される。アシストガスは、単一成分のガスであってもよく、複数種の成分を含む混合ガスであってもよい。例えば、上記保護膜にＣｒを含む材料が用いられる場合には、アシストガスとして、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および酸素（Ｏ２）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガスが好ましく用いられる。
【０１２０】
また、アシストガスの供給方法としては、例えば、上記保護膜にアシストガスを局所的に吹き付ける方法、上記ＮＩＬ用マスクをアシストガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。
【０１２１】
また、上記欠陥領域の上記保護膜をエッチングする際には、荷電ビームの照射により生じる上記保護膜に含まれる材料の二次電子信号を確認しながらエッチングを進め、上記保護膜に含まれる材料の二次電子信号がなくなる時点でエッチングを止めることにより、上記ＮＩＬ用マスク表面がエッチングされることを抑制しつつ、上記欠陥領域の上記保護膜を高い選択比でエッチングすることができる。
【０１２２】
さらに、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する際には、例えば、荷電ビーム修正装置等のような開口部形成装置を用いて、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射して、上記保護膜を部分的に除去し、上記開口部を形成する。
【０１２３】
３．欠陥部修正工程
第二実施態様における欠陥部修正工程は、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする工程である。
【０１２４】
上記欠陥部修正工程は、特に限定されるものではないが、「Ａ−１．第一実施態様  ３．欠陥部修正工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１２５】
４．保護膜除去工程
第二実施態様における保護膜除去工程は、残存する上記保護膜を除去する工程である。
【０１２６】
残存する上記保護膜を除去する方法は、上記保護膜のみを除去することが可能な方法であれば特に限定されるものではない。上記保護膜を除去する方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが挙げられる。中でもウェットエッチングが好ましい。上記保護膜を容易に除去することができるからである。
【０１２７】
ウェットエッチングの場合、例えば、上記保護膜にＣｒを含む材料が用いられる場合には、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液が用いられる。ドライエッチングの場合、例えば、上記保護膜にＣｒを含む材料が用いられる場合には、塩素および酸素の混合ガスが用いられる。
【０１２８】
５．その他の工程
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。
【０１２９】
（１）観察工程
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （１）観察工程  ｉ．欠陥部観察工程」の項目で説明したものと同様の欠陥部観察工程を有するものが好ましい。「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （１）観察工程  ｉ．欠陥部観察工程」の項目で説明したのと同様の理由からである。また、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （１）観察工程  ｉｉ．開口部観察工程」の項目で説明したものと同様の開口部観察工程を有するものが好ましい。「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （１）観察工程  ｉｉ．開口部観察工程」の項目で説明したのと同様の理由からである。これらの観察工程は、「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （１）観察工程  ｉｉｉ．観察工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１３０】
（２）修正確認工程
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （２）修正確認工程」の項目で説明したものと同様の修正確認工程を有するものが好ましい。「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （２）修正確認工程」の項目で説明したのと同様の理由からである。この修正確認工程は、「Ａ−１．第一実施態様  ５．その他の工程  （２）修正確認工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１３１】
６．その他
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、ＮＩＬ用マスクに対して予め欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程が通常行われる。
【０１３２】
また、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法においては、第一実施態様と同様に、図６に示すように、上記開口部形成工程および開口部観察工程を繰り返し実施してもよい。また、第一実施態様と同様に、図６に示すように、上記欠陥部観察工程、開口部形成工程、および開口部観察工程は、複数個の欠陥部のそれぞれに対して、繰り返し行ってもよい。さらに、第一実施態様と同様に、図６に示すように、上記欠陥部修正工程および修正確認工程を繰り返し実施してもよい。
【０１３３】
Ｂ．ＮＩＬ用マスクの製造方法
本発明のＮＩＬ用マスクの製造方法は、２つの実施態様に大別することができる。以下、本発明のＮＩＬ用マスクの製造方法について、第三実施態様および第四実施態様に分けて説明する。
【０１３４】
Ｂ−１．第三実施態様
第三実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、第一実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とする。
【０１３５】
第三実施態様によれば、第一実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを修正するので、第一実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法と同様の効果が得られる。
【０１３６】
上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクは、「Ａ．ＮＩＬ用マスクの修正方法  Ａ−１．第一実施態様  １．保護膜形成工程  （１）ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１３７】
第三実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。例えば、上記修正工程前に、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを作製するＮＩＬ用マスク作製工程、上記ＮＩＬ用マスク作製工程後上記修正工程前に、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程等をさらに有するものでもよい。
【０１３８】
上記ＮＩＬ用マスク作製工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする工程等が挙げられる。
【０１３９】
上記検査工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記欠陥部の検査として光検査を行う工程等が挙げられる。中でも、上記欠陥部の検査として光検査を行う工程が好ましい。上記検査工程では、上記ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の検査を行うため、上記欠陥部の検査として光検査を行う場合には、上記ハードマスク層から反射する反射光を用いて光検査を行うことができる。これにより、上記欠陥部の光検査を容易に行うことができるからである。
【０１４０】
Ｂ−２．第四実施態様
第四実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、第二実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とする。
【０１４１】
第四実施態様によれば、第二実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、上記ＮＩＬ用マスクを修正するので、第二実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法と同様の効果が得られる。
【０１４２】
上記ＮＩＬ用マスクは、「Ａ．ＮＩＬ用マスクの修正方法  Ａ−２．第二実施態様  １．保護膜形成工程  （１）ＮＩＬ用マスク」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
【０１４３】
第四実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。例えば、上記修正工程前に、上記ＮＩＬ用マスクを作製するＮＩＬ用マスク作製工程、上記ＮＩＬ用マスク作製工程後上記修正工程前に、上記ＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程等をさらに有するものでもよい。
【０１４４】
上記ＮＩＬ用マスク作製工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして基板を異方性ドライエッチングによりエッチングしてハードマスク層を除去する工程等が挙げられる。
【０１４５】
上記検査工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記欠陥部の検査として光検査を行う工程等が挙げられる。
【０１４６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１４７】
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１４８】
［実施例１］
まず、図２に示すように、検査工程Ｓ１を行った。具体的には、図３（ａ）に示すように、図１に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを光検査により抽出した。図１および図３（ａ）に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａは、基板２および基板２上に形成されたハードマスク層３を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
【０１４９】
そして、基板２は、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英ガラスから構成される光透過性基板であり、ハードマスク層３は、厚さが２ｎｍであり、Ｃｒを含む材料から構成される。基板２の主面には、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有し、凹部の深さが５０ｎｍ、ハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンが形成されている。凹凸パターンの凸部上にハードマスク層３が形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。
【０１５０】
なお、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａに対して欠陥部１０の光検査を行う際には、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存した。また、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａに複数個存在する欠陥部１０（２個存在するショート欠陥１０ａおよび１個存在するエッジ欠陥１０ｂ）の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、それぞれ、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍであったために、複数個の欠陥領域Ａ１の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍとなった。
【０１５１】
次に、図２に示すように、保護膜形成工程Ｓ２を行った。なお、本実施例では保護膜の形成はスパッタ装置のスパッタリング機能を用い、スパッタ装置内にて行った。具体的には、図３（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａ上において全面に保護膜４を形成した。本実施例の場合、保護膜４は、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおける凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂのみに形成した。保護膜４の厚さは２ｎｍとした。この際、保護膜形成用アシストガスとしてＣｒ（ＣＯ）６を供給し、欠陥領域Ａ１を含む全面に電子ビームを照射することによりＣｒを含む材料から構成される保護膜を形成した。
【０１５２】
次に、図２に示すように、欠陥部観察工程Ｓ３を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定した。その際の観察領域Ａ２はＸ方向：１０００ｎｍ、Ｙ方向：１０００ｎｍとした。以後の開口部観察工程および修正確認工程における観察領域Ａ３および観察領域Ａ４も同様とした。
【０１５３】
次に、図２に示すように、開口部形成工程Ｓ４を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｄ）および図３（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３に対して、保護膜用アシストガス１３としてフッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガスを供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４およびハードマスク層３を部分的にエッチングした。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成した。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気した。
【０１５４】
次に、図２に示すように、開口部観察工程Ｓ５を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｆ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたことを確認した。
【０１５５】
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図２に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５を、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行った。
【０１５６】
次に、図２に示すように、欠陥部修正工程Ｓ６を行った。具体的には、ＡＭＡＴ社製Ｔｅｔｒａ‐ＩＩ（異方性ドライエッチング装置）内で、高周波誘導結合方式（ＩＣＰ）によりプラズマを発生させて、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングした。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正した。
【０１５７】
次に、図２に示すように、修正確認工程Ｓ７を行った。具体的には、図４（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察した。これにより、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを平面視して正確な領域が修正されたことを確認した。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測した。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっていることを確認した。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたことを確認した。
【０１５８】
次に、図２に示すように、保護膜除去工程Ｓ８を行った。具体的には、修正後のハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａをウェトエッチング装置にセットし、図４（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４およびハードマスク層３を一緒に除去した。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造した。
【０１５９】
［実施例２］
まず、図６に示すように、検査工程Ｓ１を行った。具体的には、図７（ａ）に示すように、図５に示されるＮＩＬ用マスク１を光検査により抽出した。図５および図７（ａ）に示されるＮＩＬ用マスク１は、基板２を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
【０１６０】
そして、基板２は、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英ガラスから構成される透過性基板である。基板２の主面には、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有し、凹部の深さが５０ｎｍ、ハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンが形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。
【０１６１】
なお、ＮＩＬ用マスク１に対して欠陥部１０の光検査を行う際には、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存した。また、ＮＩＬ用マスク１に複数個存在する欠陥部１０（２個存在するショート欠陥１０ａおよび１個存在するエッジ欠陥１０ｂ）の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、それぞれ、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍであったために、複数個の欠陥領域Ａ１の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍとなった。
【０１６２】
次に、図６に示すように、保護膜形成工程Ｓ２を行った。なお、本実施例では保護膜の形成はスパッタ装置のスパッタリング機能を用い、スパッタ装置内にて行った。具体的には、図７（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１上において全面に保護膜４を形成した。本実施例の場合、保護膜４は、ＮＩＬ用マスク１における凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂのみに形成した。保護膜４の厚さは２ｎｍとした。この際、保護膜形成用アシストガスとしてＣｒ（ＣＯ）６を供給し、欠陥領域Ａ１を含む全面に電子ビームを照射することによりＣｒを含む材料から構成される保護膜を形成した。
【０１６３】
次に、図６に示すように、欠陥部観察工程Ｓ３を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定した。その際の観察領域Ａ２はＸ方向：１０００ｎｍ、Ｙ方向：１０００ｎｍとした。以後の開口部観察工程および修正確認工程における観察領域Ａ３および観察領域Ａ４も同様とした。
【０１６４】
次に、図６に示すように、開口部形成工程Ｓ４を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｄ）および図７（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４に対して、保護膜用アシストガス１３としてフッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガスを供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４を部分的にエッチングした。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成した。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気した。
【０１６５】
次に、図６に示すように、開口部観察工程Ｓ５を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｆ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたことを確認した。
【０１６６】
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図６に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５を、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行った。
【０１６７】
次に、図６に示すように、欠陥部修正工程Ｓ６を行った。具体的には、ＡＭＡＴ社製Ｔｅｔｒａ‐ＩＩ（異方性ドライエッチング装置）内で、高周波誘導結合方式（ＩＣＰ）によりプラズマを発生させて、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングした。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正した。
【０１６８】
次に、図６に示すように、修正確認工程Ｓ７を行った。具体的には、図８（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察した。これにより、ＮＩＬ用マスク１を平面視して正確な領域が修正されたことを確認した。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測した。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっていることを確認した。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたことを確認した。
【０１６９】
次に、図６に示すように、保護膜除去工程Ｓ８を行った。具体的には、修正後のＮＩＬ用マスク１をウェトエッチング装置にセットし、図８（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４を除去した。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造した。
【符号の説明】
【０１７０】
１…ＮＩＬ用マスク
１Ａ…ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク
２…基板
３…ハードマスク層
４…保護膜
１０…欠陥部
【図１】
0006467862.tif 000002
【図２】
0006467862.tif 000003
【図３】
0006467862.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006467862.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
0006467862.tif 000009