(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素製ベースプレート（１０）を有する湿度センサー（１）であって、
このベースプレート（１０）には、いくつかの金属間誘電体層（１６）と、及び金属層とが配置されており、前記金属間誘電体層（１６）のそれぞれには、金属性の領域（１８）があり、
前記金属層（２０）は、２つの電極（２２）を形成するようにエッチングされており、
前記電極（２２）はそれぞれ、複数のアームを備えるアーマチャーを有し、
これらのアーマチャーは、各アーマチャーのアームが互いに対向するように位置するようにインターレース構成となるようにマウントされており、
当該湿度センサーは、さらに、前記ベースプレート上に直接堆積されて前記ベースプレートと第１の金属間誘電体層（１６）の間に配置される活性層（１２）を有し、
前記第１の金属間誘電体層（１６）には、温度モジュール（２００）が配置され、
この温度モジュール（２００）は、温度を表す信号を供給し、
前記温度モジュール（２００）は、温度検出器（２１０）を有し、
この温度検出器（２１０）は、
ベースとコレクターがアースに接続されているバイポーラートランジスター（Ｔ３）と、
１つの端子が電源に接続され別の端子が前記トランジスター（Ｔ３）のエミッターに接続されている電流源（Ｉ３）と、
禁制帯電圧に等しい基準電圧（ＶBG）を供給する電圧源（Ｕｒｅｆ）と、及び
前記トランジスター（Ｔ３）と前記電流源（Ｉ３）との接続点におけるベース−エミッター電圧（ＶBE3）が引き出されて導かれ、前記ベース−エミッター電圧と前記基準電圧（ＶBG）の間の差を得て温度を表す電圧（ＶTEMP2）を供給する差動増幅器（２２０）と
を有すること
を特徴とする湿度センサー。
【請求項２】
前記トランジスター（Ｔ３）は、
ｐ型ケイ素基材（１２０）と、
前記ｐ型ケイ素基材上に形成されるｎ型領域（１２２）と、及び
前記ｐ型ケイ素基材上に堆積され局所的にエッチングされた二酸化ケイ素の層（１２４）とを有し、
このエッチングによって、この二酸化ケイ素の層に、前記トランジスターのベース、エミッター及びコレクター用の金属パッド（１２６）を形成する金属を堆積させることができ、
前記コレクターと前記エミッターを形成する金属パッドの下には、ｐ＋型の領域（１２８）が配置されており、
前記ベースの金属パッドの下には、ｎ＋アンカー（１３０）が配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の湿度センサー。
【請求項３】
前記差動増幅器（２２０）は、デジタルインタフェース（２４０）を介してマイクロコントローラー（３００）に信号を供給するアナログ／デジタル変換器（２３０）に接続されるように構成している
ことを特徴とする請求項１に記載の湿度センサー。
【請求項４】
さらに、加熱要素（３０）を有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の湿度センサー。
【請求項５】
前記加熱要素（３０）は、前記活性層（１２）と前記第１の金属間誘電体層（１６）の間に位置する層（１４）のレベルに配置されている
ことを特徴とする請求項４に記載の湿度センサー。
【請求項６】
前記加熱要素（３０）は、接続パッド（３４）を介して少なくとも１つの前記金属間誘電体層の金属性の領域に接続される抵抗を形成する多結晶ケイ素の層（３２）を有することを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の湿度センサー。
【請求項７】
前記加熱要素（３０）は、並列に構成している複数の抵抗（３２）を有し、
各抵抗は、端子の１つがアースに、別の端子が制御トランジスター（ＴＣ）に接続され、
前記制御トランジスター（ＴＣ）自身は、供給電圧に接続されており、
前記制御トランジスターは、前記抵抗への電流の流入を許可又は防止する信号（Ｓｃ）
を受ける
ことを特徴とする請求項６に記載の湿度センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケイ素製ベースプレートを有する湿度センサーに関し、このベースプレートには、複数の金属間誘電体層と、及び金属層とが少なくとも配置されており、前記金属間誘電体層のそれぞれには、金属性の領域があり、前記金属層は、２つの電極を形成するようにエッチングされており、前記電極はそれぞれ、複数のアームを備えるアーマチャーを有し、これらのアーマチャーは、各アーマチャーのアームが互いに対向するように位置するようにインターレース構成となるようにマウントされている。
【背景技術】
【０００２】
電子回路用の湿度センサーが知られている。このような湿度センサーは、噛み合う櫛体を備えた湿度センサーである。
【０００３】
このようなセンサーは、ケイ素ウェハーベースを有し、このケイ素ウェハーベース上に、少なくとも１つのレベル間誘電体（ＩＬＤ）層が配置され、このレベル間誘電体層上に、複数の金属間誘電体（ＩＭＤ）層が配置される。これらの金属間誘電体層の数は、好ましくは３であり、これらの層どうしは重なり合っており、それぞれが電気伝導のために金属性の領域を有する。
【０００４】
これらの金属間誘電体層の上に、噛み合う櫛体のためにはたらく導電層が形成され、この導電層をアルミニウムで作ることができる。その後、このアルミニウム層はエッチングされて前記櫛体を形成する。櫛体が形成された後、アセンブリー全体をパッシベーション層で被覆する。
【０００５】
その後、このエッチングされたプレートは、格納され、製造の第２の段階で用いられる。この製造の第２の段階の間に、使用のために準備される。この製造の第２の段階は、開くステップによって構成している。この開くステップの間に、パッシベーション層は、櫛体のレベル及び接触領域のレベルにてエッチングされる。このパッシベーションのエッチングステップによって、櫛体の異なるブランチの間に位置するパッシベーション層をエッチングできるようになる。
【０００６】
このステップが終わると、腐食からアルミニウムを保護するように保護層を堆積させる。この層は、オキシナイトライド層であることかできる。
【０００７】
最後のステップは、アセンブリー全体を保護するようにポリイミド層を堆積させることを伴う。
【０００８】
しかし、この構成には短所がある。第１の短所は、このセンサーが２つの段階で製造されることに起因する。センサーを製造するために２つの別個の段階を有することは、実際に、付加的な熱サイクルが発生することになる。この付加的な熱サイクルは、プレート及び噛み合う櫛体に付加的な熱的応力を発生させ、このような付加的な熱的応力によって、前記湿度センサー及び／又は同じ基材上で実装された他の任意の回路を損傷してしまう可能性がある。
【０００９】
第２の短所は、第２の段階におけるエッチングに起因している。実際に、パッシベーション層がエッチングされるこの第２の段階において、寄生容量が発生する。この寄生容量は、完全でないエッチング、すなわち、側面が真っ直ぐではないエッチング、に起因している。結果的に、パッシベーション層の残留物があり、このような寄生容量が発生する。
【００１０】
また、湿度センサーが温度に敏感であることに留意しなけれはならない。このように温度に敏感であることによって、温度に応じて測定におけるドリフト現象が発生し、これによって、一定の湿度において、センサーが供給する出力信号に温度変動が影響を与える。
【００１１】
また、文献ＵＳ２００５／０２１８４６５も知られている。これは、ケイ素製ベースプレートを有するセンシング回路であって、このベースプレート上にそのレベルにてセンサーが配置されているものについて記載している。このベースプレート上には、誘電率が低い多孔質二酸化ケイ素の３つの相互接続層が堆積している。そして、他の２つの相互接続レベルが形成され、これらの２つのレベルは非多孔質の二酸化ケイ素で作られている。最後のレベルに、金属層を堆積させ、その後でエッチングして、２つの電極を形成する。各電極は、複数のアームを備えるアーマチャーによって構成している。これらのアーマチャーは、各アーマチャーのアームがインターレース構成にされアームが互いに対向するように配置されるようにマウントされ、アセンブリー全体が湿度センサーを形成する。
【００１２】
この構成において、最後の相互接続層のレベルに、すなわち、湿度センサーの下に、加熱要素を配置することが知られている。この構成には、センサーの直下に位置しており、したがって、熱を最適に伝達することができないという短所がある。
【００１３】
また、このセンシング回路には、ＭＩＭキャパシタの形成を可能とする最後の２つの相互接続レベルの間に位置する薄い酸化層に関連づけられた薄い金属層を付加するという他と区別される特徴がある。これらの薄い層の構成要素には、別の技術を用いることが必要である。この技術には、標準ＣＭＯＳプロセスの変形態様であるの製造プロセスが必要であり、このことによって、センシング回路の製造が複雑となり高コストになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的の１つは、信頼性が高い湿度センサーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このために、本発明は、ケイ素製ベースプレートを有する湿度センサーによって構成している。このベースプレートには、いくつかの金属間誘電体層と、及び金属層とが配置されており、前記金属間誘電体層のそれぞれには、金属性の領域があり、前記金属層は、２つの電極を形成するようにエッチングされており、前記電極はそれぞれ、複数のアームを備えるアーマチャーを有し、これらのアーマチャーは、各アーマチャーのアームが互いに対向するように位置するようにインターレース構成となるようにマウントされており、当該湿度センサーは、さらに、前記ベースプレート上に直接堆積されて前記ベースプレートと第１の金属間誘電体層の間に配置される活性層を有し、前記第１の金属間誘電体層には、温度検出器が配置され、この温度検出器は、温度を表す信号を供給する。
【００１６】
第１の好ましい実施形態において、前記温度モジュールは、並列の２つのバイポーラートランジスターを有する温度検出器を有し、各トランジスターは、ベースとコレクターがアースに、エミッターが電源に接続される電流源に接続している。
【００１７】
第２の好ましい実施形態において、前記温度モジュールは、並列に１つのバイポーラートランジスターを有する温度検出器を有し、このバイポーラートランジスターは、ベースとコレクターがアースに、エミッターが、電源に接続された電流源及び基準電圧を供給する電圧源に接続している。
【００１８】
第３の好ましい実施形態において、前記トランジスターは、ｐ型ケイ素基材と、前記ｐ型ケイ素基材上に形成されるｎ型領域と、及び前記ｐ型ケイ素基材上に堆積され局所的にエッチングされた二酸化ケイ素の層とを有し、このエッチングによって、この二酸化ケイ素の層に、前記トランジスターのベース、エミッター及びコレクター用の金属パッドを形成する金属を堆積させることができ、前記コレクターと前記エミッターを形成する金属パッドの下には、ｐ＋型の領域が配置されており、前記ベース用の金属パッドの下には、ｎ＋領域が配置されている。
【００１９】
第４の好ましい実施形態において、各バイポーラートランジスターに対して、トランジスターと電流源との接続点のベース−エミッター電圧が引き出されて差動増幅器に導かれ、前記差動増幅器は、２つのトランジスターのベース−エミッター電圧の差を得て、温度を表す電圧を供給する。
【００２０】
別の好ましい実施形態において、トランジスターと電流源との接続点におけるベース−エミッター電圧が引き出されて差動増幅器に導かれ、前記差動増幅器は、ベース−エミッター電圧と基準電圧の間の差を得て、温度を表す電圧を供給する。
【００２１】
別の好ましい実施形態において、前記差動増幅器は、デジタルインタフェースを介してマイクロコントローラーに信号を供給するアナログ／デジタル変換器に接続されるように構成している。
【００２２】
別の好ましい実施形態において、当該センサーは、さらに、加熱要素を有する。
【００２３】
別の好ましい実施形態において、前記加熱要素は、前記活性層と前記第１の金属間誘電体層の間に位置する層のレベルに配置されている。
【００２４】
本発明は、さらに、ケイ素製ベースプレートを有する湿度センサーに関し、このベースプレートには、複数の金属間誘電体層と、及び金属層とが少なくとも配置されており、前記金属間誘電体層のそれぞれには、金属性の領域があり、前記金属層は、２つの電極を形成するようにエッチングされており、前記電極はそれぞれ、複数のアームを備えるアーマチャーを有し、これらのアーマチャーは、各アーマチャーのアームが互いに対向するように位置するようにインターレース構成となるようにマウントされており、当該湿度センサーは、さらに、前記ベースプレートと第１の金属間誘電体層の間に配置される活性層と、及び前記活性層と前記第１の金属間誘電体層の間に配置された層とを有し、前記第１の金属間誘電体層には、加熱要素が配置される。
【００２５】
別の好ましい実施形態において、前記加熱要素は、接続パッドを介して少なくとも１つの金属間誘電体層の金属性の領域に接続される抵抗を形成する多結晶ケイ素の層を有する。
【００２６】
別の好ましい実施形態において、前記加熱要素は、並列に構成している複数の抵抗を有し、各抵抗は、端子の１つがアースに、別の端子が制御トランジスターに接続され、前記制御トランジスター自身は、供給電圧に接続されており、前記制御トランジスターは、前記抵抗への電流の流入を許可又は防止する信号を受ける。
【００２７】
別の好ましい実施形態において、トランジスターはすべて、同じ制御信号によって制御される。
【００２８】
別の好ましい実施形態において、トランジスターはすべて、互いに異なる形態で制御される。
【００２９】
添付の図面において示されたもっぱら非限定的な例として与えられる本発明の少なくとも１つの実施形態についての下記の詳細な説明を読むことで、本発明の目的、利点及び特徴が明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る湿度センサーの実施形態の１つを概略的に示している。
【図２】本発明に係る湿度センサーの実施形態の１つを概略的に示している。
【図３】図３ａは、本発明に係る湿度センサーの温度検出器の実施形態を示している。図３ｂは、本発明に係る湿度センサーの温度検出器の実施形態についての電圧の図である。
【図４】図４ａは、本発明に係る湿度センサーの温度検出器の実施形態を示している。図４ｂは、本発明に係る湿度センサーの温度検出器の実施形態についての電圧の図である。
【図５】本発明に係る湿度センサーの温度モジュールを示している。
【図６】本発明に係る湿度センサーの加熱要素を示している。
【図７】本発明に係る湿度センサーの加熱要素を示している。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
図１は、本発明の実施形態に係る湿度センサー１を示している。このようなセンサーは、ウェハーと呼ばれるケイ素製ベースプレート１０を有する。このベースプレート１０は、前記センサー用の基材としてはたらき、第１のステップは、このベースプレート１０を用意することを伴う。
【００３２】
第２のステップにおいて、この基材に異なる層を順次的に堆積させる。第１の層１２を堆積させる。この層は、いわゆる活性領域及び二酸化ケイ素領域を有する。
【００３３】
この第１の層の上に、レベル間誘電体（ＩＬＤ）層１４を堆積させる。
【００３４】
そして、複数の金属間誘電体（ＩＭＤ）層１６を堆積させる。この層１６の数は、好ましくは、３であり（ＩＭＤ１、ＩＭＤ２及びＩＭＤ３）、これらの層１６どうしは重なり合い、それぞれが、電気伝導のために金属性の領域１８を有する。これらの金属性の領域１８どうしは、ＶＩＡタイプのコネクター１８ａによって互いに接続することができる。
【００３５】
これらの金属間誘電体層の上に、噛み合う櫛体としてはたらく導電層２０が形成され、図１に示したように、この層は、第２のステップの間に堆積され、アルミニウムによって作ることができる。この第２のステップは、当業者に知られたステップである。
【００３６】
このアルミニウム層は、第３のステップの間にエッチングされて前記櫛体を形成する。噛み合う櫛体は、一般的には、２つの電極２２によって形成され、この電極２２のそれぞれには、複数のアームを備えるアーマチャーがある。これらのアーマチャーは、各アーマチャーのアームがインターレース構成となるようにマウントされる。
【００３７】
第４のステップは、櫛体が形成された後に、パッシベーション層２４でアセンブリー全体を覆うことを伴う。
【００３８】
このパッシベーション層がエッチングされた後に、開くステップ、すなわち、第５のステップ、が行われる。この開くステップは、同じ段階にて行われる。すなわち、前のステップから続いて行われる。
【００３９】
この開くステップは、まず、エッチングによってセンサーを形成する噛み合う櫛体のレベルにてパッシベーション層を取り除くことを伴う。
【００４０】
この第５のステップを行うと、保護層２６（キャッピング層又はカバー層、湿度障壁など）を堆積させることを伴う第６のステップが行われる。実際に、この後に堆積される保護層であるポリイミドに接している電極のアルミニウムが腐食して、アルミニウムがポリイミド内に拡散してしまうリスクがある。我々の手法の場合には、この保護層は、厚みが２０ｎｍ±２ｎｍのオキシナイトライド（ＳｉＯＮx）によって作られる。
【００４１】
第７のステップにおいて、最後の金属間誘電体層１６上に堆積された金属層２０上に形成されるコンタクト領域のレベルにおけるパッシベーション層が開かれる。このようにして開けられたコンタクト領域によって、そこにコンタクト手段を配置させることができる。
【００４２】
下記のいくつかのステップにおいて、ポリイミド層２８が堆積され、コンタクト手段が設けられる。
【００４３】
好ましいことに、本発明によると、湿度センサーは、さらに、温度モジュール２００を有する。このような温度モジュール２００は、まず、温度検出器２１０を有する。実際に、湿度センサーは、温度を感じ、このセンサーによって提供される情報が温度に応じて変わる。用いられる温度検出器２１０によって、温度を測定して温度情報を供給することができる。この情報を、同じベースプレート又は別のベースプレート上に配置されたマイクロコントローラーに送ることができる。この情報は、マイクロコントローラー３００によって用いられる。
【００４４】
実際に、マイクロコントローラー３００は、対応テーブルを格納したり所定の伝達関数を管理したりする記憶領域を有することができる。この対応テーブルによって、所定温度に対して湿度センサーのドリフトを知ることができ、したがって、供給される湿度情報を修正することができる。
【００４５】
便宜的に、温度検出器２１０は、湿度センサー１と同じベースプレート上に配置される。より詳細には、この温度検出器２１０は、複数のバイポーラートランジスターによって構成している。１つのバイポーラートランジスターは、２つのｐｎ接合によって構成しており、これによって、１つのｎｐｎ又はｐｎｐの構造を形成している。１つのｐｎｐ型バイポーラートランジスターにおいて、ベースはｎ領域に接続しており、エミッターとコレクターはｐ領域に接続している。
【００４６】
上記のような湿度センサーのレベルにおいて、バイポーラートランジスターは、いわゆる活性領域及び二酸化ケイ素領域を有する第１の層１２のレベルに配置されている。
【００４７】
活性領域は、図２に示したように、バイポーラートランジスターを構成しているｐ型ケイ素基材１２０の形態にて設けられるように構成している。これらのトランジスターは、ｐ型ケイ素基材に構成されるｎ型領域１２２を有する。このｐ型ケイ素基材上に二酸化ケイ素の層１２４が堆積され、この層は、局所的にエッチングされ、これによって、そこに金属が堆積され、ベース、エミッター及びコレクター用の金属パッド１２６を形成する。コレクター及びエミッターにおいて、各金属パッドの下でｐ＋型の拡散部分が配置され、ｎ＋アンカー１３０が前記ベース用の金属パッドの下に設けられる。
【００４８】
このような温度検出器２１０をいくつかの異なる方法によって形成することができる。
【００４９】
図３ａ及び４ａに示した第１の実施形態においては、並列にセットされた２つのｐｎｐ型のバイポーラートランジスターＴ１及びＴ２によって構成しており、トランジスターＴ１及びＴ２はそれぞれ、ベースとコレクターがアースに接続され、エミッターは、電流源Ｉ１、Ｉ２に接続されている。各ブランチに対して、電流源とエミッターとの接続点における電圧Ｖｂｅが引き出されて差動増幅器２２０に導かれる。トランジスターＴ１は、ベース−エミッター電圧ＶBE1を有し、トランジスターＴ２は、ベース−エミッター電圧ＶBE2を有する。
【００５０】
実際に、このようなｐｎｐ型トランジスターのベース−エミッター電圧ＶBEは、絶対温度の温度に応じた電圧特性があり、この電圧ＶBEは、温度Ｔ＝０Ｋにおいて禁制帯電圧ＶBGの大きさとなり、この電圧ＶBEの値は、温度が大きくなるにしたがって減少する。
【００５１】
この例の場合、２つの電圧ＶBE1及びＶBE2は、以下のように異なるように構成している。電流が同じであれば、トランジスターは異なる寸法構成（エミッター表面）を有するが、寸法構成（エミッター表面）が同じ場合、電流は異なる。実際上、うまく定められた関係を有する異なる表面を形成するために、同じトランジスターが並列に用いられる。２つの電圧ＶBE1及びＶBE2は、差動増幅器２２０のようなこれらの電圧の間の差を得る回路に渡され、これによって、結果として得られる電圧ＶTEMP1＝ＶBE1−ＶBE2を得る。この電圧ＶTEMP1は、電圧−温度図において温度が大きくなるにしたがって線形的に増加する特徴を有する。
【００５２】
この図を摂氏の温度に変換すると、Ｔ＝０℃においてオフセットを設けて、温度の関数として結果として得られる電圧ＶTEMP1を得ることができる。
【００５３】
図３ｂ及び４ｂに示した第２の実施形態において、温度検出器２１０は、ベースとコレクターがアースに接続されエミッターが電流源Ｉ３に接続されているｐｎｐ型バイポーラートランジスターＴ３を有する。電流源Ｉ３とエミッターとの接続点の電圧ＶBE3が引き出されて差動増幅器２２０に導かれる。差動増幅器２２０の他方の端子は、基準電圧Ｕｒｅｆの電圧源に接続される。この基準電圧Ｕｒｅｆの値は、禁制帯電圧ＶBGの値であり、大きさは約１．２８５Ｖである。このようにして、電圧ＶBG及び電圧ＶBE3は、差動増幅器２２０に導かれ、この差動増幅器２２０は、結果として得られる電圧ＶTEMP2＝ＶBG−ＶBE3を供給する。
【００５４】
この電圧ＶTEMP2には、電圧−温度図において温度が大きくなるにしたがって線形的に増加する特徴がある。この図を摂氏の温度に変換すると、Ｔ＝０℃においてオフセットが設定され、温度の関数として結果として得られる電圧ＶTEMP2を得ることができる。
【００５５】
なお、この第２の手順は、精度の点から有利である。実際に、電圧ＶBE3と基準電圧ＶBGとを比較することによって、結果として得られる電圧ＶTEMP2の傾きが、結果として得られる電圧ＶTEMP1よりも急になる。この傾きの差は、Ｔ＝０℃におけるＶTEMP2とＶTEMP1の間のオフセット差を示しており、ＶTEMP2のオフセットは、ＶTEMP1のオフセットよりもはるかに大きい。
【００５６】
このようなオフセット及び傾きにおける差によって、アセンブリーの第２の形態がより正確になる。なぜなら、傾き（単位：ｍＶ／℃）がより大きいために、各温度上昇は、より高い電圧の上昇に対応する。このような高い電圧の上昇であれば、容易に検出できるようになる。アセンブリーの第１の形態で、傾きが低いと、温度が上昇しても電圧の上昇が小さいことを示している。したがって、この小さい上昇を検出することは難しく、上昇が小さいと、電圧変動、よって、温度変動、を検出するために利得段を使用することになる。利得段は、実際に、雑音レベルを高くしたり、信号を劣化させる飽和を発生させたりすることがある。
【００５７】
結果として得られる電圧ＶTEMP1又はＶTEMP2は、図５に示した処理回路に導かれる。この処理回路は、アナログ／デジタル変換器２３０、ＳＰＩ又はＩ2Ｃタイプのデジタルインタフェース２４０を有し、これによって、温度を表す電気信号を得る。この電気信号は、マイクロプロセッサー３００に供給され、このマイクロプロセッサー３００は、前記湿度センサーを熱補償するために前記電気信号を用いる。これによって、温度に起因して発生するドリフトが補正される。この補正は、伝達関数を用いて行われる。
【００５８】
もちろん、差動増幅器２２０をアナログ／デジタル変換器２３０と直接一体化することができる。
【００５９】
好ましい変形態様では、本発明に係る湿度センサーに、加熱要素３０が設けられる。このような加熱要素は、リコンディショニング、すなわち、製造プロセス時に発生する湿度を取り除いたり、凝結をなくしたり、湿度センサーのヒステリシス及び回復時間を改善したりすること、を確実にするために用いられる。
【００６０】
この加熱要素３０を用いる第２の方法においては、過度の湿度に露出することになった後に加熱要素３０を用いる。実際に、極端な湿度にポリイミド層を露出すると、湿度センサー１の適切な動作を害することがある。なぜなら、ポリイミド層が前記センサーを形成する金属性の構造を覆うからである。このようにして、この過度な湿度をポリイミド層から排出させることを加速するように加熱要素３０を用いる。このために、加熱要素３０は、センサーの温度を上昇させポリイミド層を乾かすように活性化される。
【００６１】
図６に示したように、用いられている加熱要素３０は、抵抗であり、より詳細には、多結晶の抵抗３２である。このような多結晶の抵抗３２は、多結晶ケイ素の層によって構成している。この多結晶ケイ素の層は、第１のいわゆる活性層１２上に堆積されたレベル間誘電体（ＩＬＤ）層１４のレベルにて配置される。多結晶の抵抗が発生する熱を拡散させることを可能にするために、レベル間誘電体（ＩＬＤ）層１４には、金属接続３４が設けられる。この金属接続は、金属間誘電体（ＩＭＤ）層１６の少なくとも１つにおいて延在しており、これによって、この金属間誘電体（ＩＭＤ）層１６の金属性の領域に接続される。多結晶ケイ素の層に、４０ｍＡのオーダーの電流が導かれ、これによって、加熱機能を活性化する。
【００６２】
図７に示したこの加熱要素３０は、複数のモジュールの形態によって構成することができ、その各モジュールは抵抗を有し、各抵抗は、制御信号Ｓｃを受ける制御トランジスターＴＣに接続されており、モジュールどうしは並列に接続されている。この構成によって、センサー全体にわたって熱を良好に分布させることが可能になる。
【００６３】
さらに、湿度センサー１が温度モジュール２００なしの加熱要素３０を有していたり、その逆であったりすることも想到することができる。
【００６４】
なお、添付の請求の範囲において定められる本発明のフレームワークから逸脱せずに、当業者に明らかな様々な改変及び／又は改善及び／又は組み合わせを、上で概説した本発明の異なる実施形態に適用することができることを理解できるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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