(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接触により電気的接続を行う接点部（２０）を備えた電気部品であって、
前記接点部が、
金属を構成材料とする基材（２１）と、
前記基材の表面に形成された薄膜（２２，２３ａ）と、を有し、
前記薄膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性分子（２３）を含み、
前記π受容性分子は、１，１０−フェナントロリンにおいて、２〜９位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されてなり、
前記薄膜（２２）はめっき膜であり、
前記π受容性分子は、前記めっき膜中に分散されていることを特徴とする電気部品。
【請求項２】
接触により電気的接続を行う接点部（２０）を備えた電気部品であって、
前記接点部が、
金属を構成材料とする基材（２１）と、
前記基材の表面に形成された薄膜（２２，２３ａ）と、を有し、
前記薄膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性分子（２３）を含み、
前記π受容性分子は、２，２’−ビピリジルにおいて、３〜６位及び３’〜６’位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されてなり、
前記薄膜（２２）はめっき膜であり、
前記π受容性分子は、前記めっき膜中に分散されていることを特徴とする電気部品。
【請求項３】
前記めっき膜の主成分は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏのいずれかであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気部品。
【請求項４】
第１接点部を有する第１部品（１１）と、
前記第１接点部に接触して前記第１接点部と電気的に接続される第２接点部を有する第２部品（１２）と、を備え、
前記第１部品及び前記第２部品の少なくとも一方が、請求項１〜３いずれか１項に記載の前記電気部品とされることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触により電気的接続を行う接点部を備えた電気部品及び該電気部品を備える電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ばね性を有する端子、該端子を備えるコネクタ、ランドを備える基板など、接触により電気的接続を行う接点部を備えた電気部品が知られている。この電気部品では、接点部において、金属表面の酸化による接触抵抗増大が問題となっている。金属表面には、半導体表面のダングリングボンド（未結合手）のように、電子が局在化している。一方、酸素分子は、不対電子を２つ有している。このため、酸素分子と金属とが互いに電子を共有し、酸素分子が金属表面に吸着して酸化に至るものと推測される。換言すれば、電子の局在化により金属表面に表面準位が形成されるため、不対電子を有する酸素分子が表面準位にトラップされて酸化に至るものと推測される。
【０００３】
上記問題を解決するために、接点部の最表面に金めっきを施した構成が知られている。しかしながら、接点部同士の相対的な変位、すなわち摺動によって金が摩耗すると、下地の金属が露出し、下地金属が酸化してしまう。このため、金めっきを厚くしなければならず、コストが高くなる。
【０００４】
一方、特許文献１には、金を用いずに上記問題を解決するための構成が開示されている。開示された電気的接触エレメント（電気部品）は、接点部として、芯体（基材）の表面に形成された被覆層を有している。被覆層には化学的還元剤（以下、還元剤と示す）が含まれている。還元剤は、摺動にともなって被覆層から放出され、被覆層表面の金属酸化物を還元する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１４−５１９１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の構成では、被覆層表面に存在する還元剤の還元能がなくなると、被覆層表面の金属が酸化してしまう。このため、長期にわたって酸化による接触抵抗増大を抑制することが困難である。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、長期にわたって酸化による接触抵抗の増大を抑制でき、安価な電気部品及び電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【０００９】
開示された発明のひとつは、接触により電気的接続を行う接点部（２０）を備えた電気部品であって、
接点部が、金属を構成材料とする基材（２１）と、基材の表面に形成された薄膜（２２，２３ａ）と、を有し、
薄膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性分子（２３）を含み、
π受容性分子は、１，１０−フェナントロリンにおいて、２〜９位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されてなり、
薄膜（２２）はめっき膜であり、
π受容性分子は、めっき膜中に分散されていることを特徴とする。
【００１０】
以下においては、金属表面における電子の局在化を、金属表面のダングリングボンドと示す。本発明によれば、π受容性分子が、ダングリングボンドを有する金属との間に逆供与π結合を形成する。これにより、接点部において、金属表面のダングリングボンドの数を従来よりも低減若しくは無くすことができる。したがって、接点部において、金属表面の酸化を抑制することができる。
【００１１】
また、逆供与π結合により金属表面の酸化を抑制する。したがって、従来よりも長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができる。
【００１２】
また、金を用いないため、安価に金属表面の酸化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】ランドと端子の接点部との電気接点周辺を拡大した断面図である。
【図３】π受容性分子の分子構造を示す図である。
【図４】π受容性分子の分子構造を示す図である。
【図５】第１参考例を示す図である。
【図６】第２参考例を示す図である。
【図７】第１実施形態の効果を示す図である。
【図８】実施例１についてのＸＰＳの測定結果を示す図である。
【図９】比較例１についてのＸＰＳの測定結果を示す図である。
【図１０】実施例２の試験方法を説明する図である。
【図１１】実施例２について、室温での摺動回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１２】実施例２について、高温での摺動回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１３】実施例２と比較例２との比較結果を示す図である。
【図１４】第２実施形態に係る電子装置において、ランドと端子の接点部との電気接点周辺を拡大した断面図である。
【図１５】第２実施形態の効果を示す図である。
【図１６】第３実施形態に係る電子装置において、ランドと端子の接点部との電気接点周辺を拡大した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。なお、各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。以下において、基板の厚み方向をＺ方向とし、Ｚ方向に直交する方向であって、回路基板が挿入されるカードエッジコネクタの差込空間の深さ方向をＹ方向と示す。また、Ｚ方向及びＹ方向の両方向に直交する方向であって、差込空間の幅方向をＸ方向と示す。
【００１５】
（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、電子装置１０の概略構成について説明する。
【００１６】
図１に示す電子装置１０は、たとえば車両に搭載される。電子装置１０は、車両を制御する電子制御装置として構成されている。電子装置１０は、たとえば車両に搭載されたエンジンを制御するエンジンＥＣＵ（Electronic Control Unit）として構成されている。
【００１７】
電子装置１０は、基板１１と、カードエッジコネクタ１２と、を備えている。基板１１が特許請求の範囲に記載の第１部品に相当し、カードエッジコネクタ１２が第２部品に相当する。また、基板１１が、電気部品に相当する。
【００１８】
基板１１は、所謂プリント基板である。基板１１には、図示しない電子部品が実装されている。基板１１は、カードエッジコネクタ１２と電気的に接続するための電極として、複数のランド２０を有している。このランド２０が、特許請求の範囲に記載の第１接点部、及び、接点部に相当する。ランド２０は、基板１１において、Ｙ方向における一端側に形成されている。ランド２０は、基板１１において、カードエッジコネクタ１２への挿入先端側に形成されている。複数のランド２０は、Ｚ方向における基板１１の表面において、Ｘ方向に並んで配置されている。本実施形態では、基板１１の両表面にランド２０が配置されている。
【００１９】
カードエッジコネクタ１２は、外部機器と基板１１とを電気的に接続する中継部材である。カードエッジコネクタ１２は、電気絶縁材料からなるハウジング３０と、ハウジング３０に保持された端子３１と、を有している。
【００２０】
ハウジング３０は、たとえば樹脂を射出成形してなる。ハウジング３０は、基板１１が挿入配置される差込空間３２を有している。差込空間３２は、ハウジング３０の先端面３０ａに開口している。ハウジング３０は、外部機器との接続のためのハーネス１３を収納する収納空間３３を有している。収納空間３３にハーネス１３が挿入されると、端子３１とハーネス１３が電気的に接続されるようになっている。
【００２１】
なお、ハウジング３０の外周面には、例えばシリコンゴムからなるシール部材３４が外周面に沿って環状に設けられている。このため、ハウジング３０が図示しない筐体に嵌め込まれると、シール部材３４により、筐体の内面とハウジング３０の外面との隙間から、筐体の内部空間に水分等が侵入するのを防ぐことができる。この場合、基板１１は、筐体内に収容される。筐体も電子装置１０の構成要素である。
【００２２】
端子３１は、導電性が良好な金属材料を用いて形成されている。端子３１の一部である保持部３５は、ハウジング３０に保持されている。端子３１は、保持部３５から延びて、差込空間３２内に突出する突出部３６を有している。この突出部３６は、ランド２に接触する部分である接点部３７を有している。この接点部３７が、特許請求の範囲に記載の第２接点部に相当する。接点部３７は、突出部３６のうち、Ｚ方向において基板１１に最も近い部分となっている。
【００２３】
接点部３７は、端子３１における少なくとも突出部３６が弾性変形した状態でランド２０と接触する。したがって、基板１１のランド２０との間で安定した接触圧を確保することができる。本実施形態では、差込空間３２のＺ方向において相対する側壁から、差込空間３２内に突出部３６が突出しており、基板１１の両表面に位置する突出部３６の弾性変形による反力（付勢力）により、基板１１が固定されるようになっている。
【００２４】
次に、図２に基づき、基板１１のランド２０と端子３１の接点部３７との電気接点周辺の構成について、説明する。図２では、後述するπ受容性分子２３の分散状態を模式化して示している。
【００２５】
ランド２０は、基板１１を構成する図示しない電気絶縁性基材、たとえばガラスエポキシ樹脂、の表面に形成されている。ランド２０は、電気絶縁性基材の表面に形成された下地金属部２１と、めっき膜２２と、を有している。この下地金属部２１が特許請求の範囲に記載の基材に相当し、めっき膜２２が薄膜に相当する。ランド２０は電極であるため、下地金属部２１は電極基材とも称される。また、ランド２０は基板１１の接点部であり、接点部３７と電気接点を形成するため、下地金属部２１は電気接点基材とも称される。
【００２６】
下地金属部２１は、導電性の良好な金属材料を用いて形成されている。本実施形態では、下地金属部２１が銅を用いて形成されている。下地金属部２１は、電気絶縁性基材の表面に貼着された銅箔をパターニングすることで形成されている。
【００２７】
めっき膜２２は、下地金属部２１の表面に形成されている。めっき膜２２は、後述するπ受容性分子２３との間に逆供与π結合を形成でき、且つ、下地金属部２１上に成膜できる金属材料を主成分として形成されている。めっき膜２２は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏのいずれかを主成分として構成されている。上記した金属のうち、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏは、遷移元素である。本実施形態では、銅を構成材料としてめっき膜２２が形成されている。めっき膜２２は、たとえば無電解銅めっき後、電解銅めっきを施すことで形成されている。めっき膜２２の厚みは、０．１μｍ〜１００μｍの範囲内にある。
【００２８】
このめっき膜２２中には、π受容性分子２３が分散されている。π受容性分子２３が分散されためっき膜２２は、めっき浴中にπ受容性分子を投入し、混合撹拌した状態で、下地金属部２１上にめっきを施すことで形成することができる。
【００２９】
π受容性分子２３は、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上の分子である。π受容性分子２３は、π受容性が高い分子である。π受容性は、π酸性とも称される。配位子場分裂の大きさとは、ｄ軌道分裂のエネルギー差である。π受容性分子２３は、空のπ軌道に電子密度を受け入れて、金属との間に逆供与π結合を形成することができる分子である。このため、π受容性分子２３は、π受容性配位子とも称され、金属に配位して錯体を形成する。π受容性は、配位子場分裂の大きさに比例する。以下に、周知の分光化学系列を示す。例示において、配位子場分裂が最も大きい分子はＣＯである。
【００３０】
Ｉ−＜Ｂｒ−＜Ｃｌ−＜ＯＨ−＜Ｈ２Ｏ＜ｐｙ＜ＮＨ３＜ｅｎ＜ｂｐｙ＜ｐｈｅｎ＜ＮＯ２−＜ＰＰｈ３＜ＣＮ−＜ＣＯ
なお、ｐｙはピリジン、ｅｎはエチレンジアミン、ｂｐｙは２，２’−ビピリジル、ｐｈｅｎは１，１０−フェナントロリン、ＰＰｈ３はトリフェニルフォスフィンである。以下において、２，２’−ビピリジルをｂｐｙ、１，１０−フェナントロリンをｐｈｅｎと示す。
【００３１】
π受容性分子２３としては、たとえばｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体を用いることができる。π受容性分子２３として、ｂｐｙ及びｂｐｙ類縁体の少なくともひとつを含む構成を採用することができる。たとえば、めっき膜２２が、２種類のｂｐｙ類縁体を含んでもよいし、ｂｐｙとｂｐｙ類縁体を含んでもよい。ｂｐｙのみを含んでもよい。また、π受容性分子２３として、ｐｈｅｎ及びｐｈｅｎ類縁体の少なくともひとつを含む構成を採用することができる。たとえば、めっき膜２２が、２種類のｐｈｅｎ類縁体を含んでもよいし、ｐｈｅｎとｐｈｅｎ類縁体を含んでもよい。ｐｈｅｎのみを含んでもよい。
【００３２】
ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、孤立電子対を有する窒素を有している。ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、孤立電子対を有する窒素を２つ有した多座配位子である。ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、π共役系分子である。これら例示したπ受容性分子２３については、後述する実施例に示すように、本発明者によって、金属表面の酸化の抑制が確認されている。
【００３３】
なお、図３にｂｐｙの分子構造を示し、図４にｐｈｅｎの分子構造を示す。図３及び図４では、位置番号を示している。ｂｐｙは、３，３’，４，４’，５，５’，６，６’位の炭素に水素が結合している。ｂｐｙ類縁体は、ｂｐｙに構造が類似するもの、たとえばｂｐｙの４，４’，５，５’，６，６’位の炭素に、水素の代わりにアルキル基が結合したものが含まれる。すなわち、ｂｐｙの水素が他の官能基に置換されたものである。ｐｈｅｎの場合、２〜９位の炭素に水素が結合している。ｐｈｅｎ類縁体についても同様である。
【００３４】
次に、図５〜図７に基づき、上記した基板１１（電気部品）及び電子装置１０の効果について説明する。図５は第１参考例を示し、図６は第２参考例を示している。図５及び図６では、本実施形態の要素と共通乃至関連する要素に対し、本実施形態の要素の符号に１００を加算した符号を付与している。図５〜図７では、金属原子、ダングリングボンド、酸素分子、不対電子を模式化して示している。金属の結晶構造は特に限定されるものではない。
【００３５】
図５に示す第１参考例では、接点部であるランド１２０が下地金属部１２１のみを有しており、めっき膜１２２を有していない。このため、ランド１２０における金属表面である下地金属部１２１の表面に、半導体表面のダングリングボンド（未結合手）のように、電子が局在化している。以下においては、金属表面における電子の局在化を、金属表面のダングリングボンドと示す。図５に示すように、下地金属部１２１の表面に位置する金属原子１２４は、ダングリングボンド１２４ａを有している。
【００３６】
一方、酸素分子１００は、図５に示すように不対電子１００ａを２つ有している。このため、酸素分子１００とダングリングボンド１２４ａを有する金属とが互いに電子を共有し、酸素分子１００が金属表面に吸着して酸化に至るものと推測される。換言すれば、電子の局在化により金属表面に表面準位が形成されるため、不対電子１００ａを有する酸素分子１００が表面準位にトラップされて酸化に至るものと推測される。
【００３７】
図６に示す第２参考例では、接点部であるランド１２０が、下地金属部１２１とともにめっき膜１２２を有している。この構成では、めっき膜１２２の表面が、ランド１２０における金属表面となっている。そして、めっき膜１２２の表面に位置する金属原子１２４が、ダングリングボンド１２４ａを有している。このため、酸素分子１００とダングリングボンド１２４ａを有する金属とが互いに電子を共有し、酸素分子１００が金属表面に吸着して酸化に至るものと推測される。
【００３８】
このように、従来構成を示す第１参考例及び第２参考例のいずれの場合も、ランド１２０の金属表面において酸化が進行する。
【００３９】
本実施形態では、図７に示すように、接点部であるランド２０が、下地金属部２１とともにめっき膜２２を有している。このため、第２参考例で示したように、めっき膜２２の表面が、ランド２０における金属表面となっている。また、上記したように、めっき膜２２中に、π受容性分子２３が分散されている。図７では、π受容性分子２３としてｐｈｅｎが分散されている。
【００４０】
上記したように、π受容性分子２３は、空のπ軌道に電子密度を受け入れて、金属との間に逆供与π結合を形成することができる。π受容性分子２３は、分光化学系列において配位子場分裂の大きさがｂｐｙ以上の分子であり、π受容性が高い。このため、π受容性分子２３の空のπ軌道のエネルギーが、金属の占有されたｄ軌道のエネルギーと近接しており、π軌道がｄ軌道と相互作用して、金属からπ受容性分子２３に向けて電子の非局在化が生じる。すなわち、π受容性分子２３は、めっき膜２２を構成する金属原子２４と間に、逆供与π結合を形成する。なお、π受容性分子２３の配位原子は孤立電子対を有しており、配位原子のσ軌道が金属の空の軌道（たとえばｄ軌道）と相互作用して、σ結合を形成する。
【００４１】
このように、本実施形態では、π受容性分子２３が、ダングリングボンドを有する金属原子２４との間に逆供与π結合を形成する。これにより、接点部であるランド２０において、金属表面のダングリングボンドの数を従来よりも低減する、若しくは、無くすことができる。したがって、ランド２０において、金属表面の酸化を抑制することができる。
【００４２】
ところで、還元剤の場合、還元能がなくなると酸化が進行する。これに対し、π受容性分子２３は、ダングリングボンドを有する金属原子２４に結合することで、金属表面の酸化を抑制する。結合状態が維持される限り、酸化を抑制することができる。上記したように、π受容性分子２３は、σ結合に加えて逆供与π結合により、金属原子２４に配位している。したがって、従来よりも長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができる。
【００４３】
また、金を用いないため、安価に金属表面の酸化を抑制することができる。
【００４４】
また、π受容性分子２３として、ｐｈｅｎの２〜９位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が結合されたｐｈｅｎ類縁体を用いるとよい。水素の代わりに電子吸引性基を導入すると、電子吸引性によってπ受容性がより高くなる。換言すれば金属のダングリングボンドをｐｈｅｎ側に引きやすくなる。これにより、結合強度を向上することができる。したがって、高温においても長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができる。すなわち、耐熱性を向上し、広い温度範囲での使用が可能となる。なお、電子吸引性基として、ニトロ基、アルデヒド基、カルボキシ基、シアノ基などを用いることができる。
【００４５】
耐熱性向上については、ｂｐｙについても同様である。具体的には、π受容性分子２３として、ｂｐｙの３〜６位及び３’〜６’位のうち、少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されたｂｐｙ類縁体を用いるとよい。これにより、π受容性がより高まり、耐熱性を向上することができる。
【００４６】
次に、本発明者によって確認された具体的な実施例について説明する。
【００４７】
（実施例１）
本発明者は、π受容性分子２３の有無と金属表面との酸化との関係について確認した。具体的には、先ず、リン青銅を構成材料とする平板状の基材を準備した。基材の大きさは、２０ｍｍ×２０ｍｍとした。そして、銅を主成分とするめっき浴中に、π受容性分子２３であるｐｈｅｎと、添加剤とを加えて撹拌し、基材の表面にめっき膜を成膜して試験片を作成した。この試験片を、室温（２５℃）でＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）により分析した。また、ホットプレートにより試験片を加熱して、試験片の温度を９０℃で３時間維持し、３時間加熱後の試験片をＸＰＳにより分析した。その分析結果を、図８に示す。図８において、破線が室温、実線が９０℃を示している。
【００４８】
また、比較例１として、めっき膜中にπ受容性分子２３（ｐｈｅｎ）を含まない試験片を作成し、これについても、室温と８０℃とでＸＰＳにより分析した。その分析結果を、図９に示す。図９において、破線が室温、実線が８０℃を示している。
【００４９】
ここで、酸化第二銅（ＣｕＯ）のピークは５２９．５ｅＶに現れ、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）のピークは５３０．５ｅＶに現れる。実施例１の場合、図８に示すように、室温と９０℃とで、５２９．５ｅＶにおける強度にほとんど変化は見られなかった。また、５３０．５ｅＶにおける強度にもほとんど変化は見られなかった。このことから、実施例１では、金属表面の酸化が抑制されたことがわかる。
【００５０】
一方、比較例１の場合、加熱温度を実施例よりも低い８０℃としながらも、図９に示すように、室温に対して、５２９．５ｅＶをピークとする帯域の面積の増加が確認できた。また、８０℃において、５３０．５ｅＶにショルダーが確認できた。このことから、めっき膜中にπ受容性分子２３を含まない比較例１では、金属表面の酸化が進行したことがわかる。なお、ｂｐｙについても、同様の結果が得られた。
【００５１】
（実施例２）
本発明者は、置換基の効果及び耐熱性について確認した。
【００５２】
先ず、図１０に示すように、第１部材５０及び第２部材５１を準備した。具体的には、リン青銅を構成材料とする２０ｍｍ×２０ｍｍの平板を、銅を主成分とするめっき浴中に、π受容性分子２３と添加剤とを加えて撹拌し、平板の表面にめっき膜を成膜して第１部材５０とした。また、リン青銅を構成材料とする２０ｍｍ×２０ｍｍの平板部５２と、平板部５２における第１部材５０との対向面の中央付近に形成された半球状の凸部５３を有する金属部材を準備した。なお、凸部５３をＲ１（半径１ｍｍ）とした。そして、金属部材の表面に、第１部材５０と同様にめっき膜を成膜して第２部材５１とした。
【００５３】
図１０に示すように、板厚方向からの投影視において、第１部材５０と平板部５２がほぼ一致するように、平板部５２における凸部５３の形成面上に第１部材５０を積層配置した。そして、第１部材５０側から積層方向に所定の荷重（たとえば３Ｎ）を印加した状態で、積層方向と直交する方向（図１０の矢印方向）に第１部材５０と第２部材５１とを相対的に微摺動させた。摺動の往復距離、すなわち摺動１回当たりの距離については、複数水準設定した。後述する図１１〜図１３は、摺動１回当たりの距離を５０μｍとしたときの結果を示している。なお、距離を変えても、傾向は同じであった。
【００５４】
また、１回の摺動ごとに、接触抵抗を測定した。その際、第１部材５０の相対する２辺の一方である端部５０ａ、他方である端部５０ｂのそれぞれに測定用の端子を取り付けた。また、第２部材５１の平板部５２における相対する２辺の一方である端部５１ａ、他方である端部５１ｂのそれぞれに測定用の端子を取り付けた。なお、端部５０ａ，５０ｂが設けられた２辺の対向方向を第１方向とすると、第２部材５１において、端部５１ａ，５１ｂが設けられた２辺の対向方向も、第１方向となるようにした。また、第１方向において、端部５０ａ，５１ａを互いに同じ側、端部５０ｂ，５１ｂを互いに同じ側とした。そして、間に凸部５３を挟むように、第１部材５０の端部５０ａと第２部材５１の端部５１ｂ間の通電経路における接触抵抗、又は、第１部材５０の端部５０ｂと第２部材５１の端部５１ａ間の通電経路における接触抵抗を測定した。
【００５５】
π受容性分子２３としては、ｐｈｅｎ、５位にニトロ基（ＮＯ２）が導入されたｐｈｅｎ類縁体、２位にアルデヒド基（ＣＨＯ）が導入されたｐｈｅｎ類縁体、をそれぞれ用いた。そして、それぞれについて室温（２５℃）と１２５℃の両方で接触抵抗を測定した。
【００５６】
また、比較例２として、π受容性分子２３を含むめっき膜の代わりに、金めっきを施してなる第１部材及び第２部材を準備し、同様の摺動試験を行った。
【００５７】
図１１は、室温での摺動試験の結果を示している。図１２は、１２５℃での摺動試験の結果を示している。図１３は、実施例２のうちｐｈｅｎ、ｐｈｅｎの５位にニトロ基（ＮＯ２）が導入されｐｈｅｎ類縁体、比較例２、の結果をまとめて示している。図１１では、ｐｈｅｎを実線、ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を破線、アルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を一点鎖線で示している。図１２では、ｐｈｅｎを実線、ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を破線、アルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を一点鎖線で示している。図１３では、ｐｈｅｎを実線、ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を破線、比較例２である金（Ａｕ）を一点鎖線で示している。なお、図１３では、室温を細線、１２５℃を室温よりも太い太線で示している。
【００５８】
図１１に示すように、室温において、ｐｈｅｎ、５位に電子吸引性のニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体、２位に電子吸引性のアルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体のいずれも、５万回の摺動回数でも安定した接触抵抗を示した。
【００５９】
図１２に示すように、１２５℃において、ｐｈｅｎ、５位に電子吸引性のニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体、２位に電子吸引性のアルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体のいずれも、２千回の摺動回数でも安定した接触抵抗を示した。具体的には、ｐｈｅｎの場合、２千回程度まで安定した接触抵抗を示した。ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の場合、１万回程度まで安定した接触抵抗を示した。アルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の場合、７千回程度まで安定した接触抵抗を示した。すなわち、電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の方が、ｐｈｅｎよりも、長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。また、置換基の種類は違うものの、５位に電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の方が、２位に電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎよりも、長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。
【００６０】
図１３に示すように、室温では、ｐｈｅｎのほうが、比較例２の金よりも、長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。また、１２５℃では、ｐｈｅｎのほうが金よりも、若干早く接触抵抗が増大した。一方、５位に電子吸引性のニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の場合、室温、１２５℃のいずれにおいても、金より長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。
【００６１】
以上より、π受容性分子２３を含むことで、長期にわたって接触抵抗増大を抑制できることが明らかとなった。特に、π受容性分子２３として、ｐｈｅｎ及びｐｈｅｎ類縁体の少なくともひとつを含むと良いことが明らかとなった。さらに、電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を用いることで、耐熱性を向上し、より広い温度域で長期にわたり接触抵抗増大を抑制できることが明らかとなった。
【００６２】
なお、実施例２では、π受容性分子２３として、ｐｈｅｎ及び電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を用いたが、ｂｐｙ及び電子吸引性基が導入されたｂｐｙ類縁体についても同様の結果が得られるものと考えられる。すなわち、π受容性分子２３として、ｂｐｙ及びｂｐｙ類縁体の少なくともひとつを含むと良い。さらに、２〜９位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されたｂｐｙ類縁体を用いるとよい。
【００６３】
（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。
【００６４】
図１４に示すように、本実施形態においては、接点部であるランド２０が、基材である下地金属部２１の表面に形成された薄膜として、上記しためっき膜２２の代わりに、π受容性分子２３を構成材料とする浸漬膜２３ａを有している。
【００６５】
浸漬膜２３ａは、π受容性分子２３を主成分とする浸漬液（溶液）中に、電気部品の接点部を浸すことで形成される。浸漬膜２３ａの膜厚は、１００Å（０．０１μｍ）以下と非常に薄いため、ランド２０と接点部３７は接触により電気的に接続される。浸漬膜２３ａの膜厚を１００Å以下とすると、トンネル効果によって、ランド２０と接点部３７とを適切に導通させることができる。
【００６６】
図１５は、第１実施形態の図７に対応している。図１５に示すように、本実施形態では、接点部であるランド２０が、下地金属部２１とともに浸漬膜２３ａを有している。このため、下地金属部２１の表面が、ランド２０における金属表面となっている。また、浸漬膜２３ａは、π受容性分子２３により構成されている。
【００６７】
したがって、本実施形態においても、第１実施形態同様、π受容性分子２３が、ダングリングボンドを有する金属原子２４との間に逆供与π結合を形成する。これにより、接点部であるランド２０において、金属表面のダングリングボンドの数を従来よりも低減する、若しくは、無くすことができる。したがって、ランド２０において、金属表面の酸化を抑制することができる。また、従来よりも長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができる。また、金を用いないため、安価に金属表面の酸化を抑制することができる。
【００６８】
（第３実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。
【００６９】
図１６に示すように、本実施形態のランド２０は、第１実施形態同様、下地金属部２１とめっき膜２２とを有している。π受容性分子２３は、カプセル２５に内包（封入）されている。すなわち、カプセル２５の芯体として、π受容性分子２３が閉じ込められている。そして、カプセル２５が、めっき膜２２中に分散されている。
【００７０】
カプセル２５は、ナノカプセル又はマイクロカプセルとして知られたものである。カプセルは、たとえば樹脂材料を用いて形成されている。カプセル２５は、めっき膜２２中に分散されるように、めっき膜２２の膜厚よりも小さい大きさを有している。カプセル２５は、たとえば数十μｍ以下の大きさ（直径）を有している。
【００７１】
たとえば端子３１の接点部３７とランド２０とを接触させて電気的に接続する際、接点部３７の接触による摩擦でカプセル２５が破裂し、π受容性分子２３が放出される。そして、放出されたπ受容性分子２３により、電気接点に薄膜２６が形成される。薄膜２６は、電気接点を構成するランド２０の表面と接点部３７の表面との間に介在する。薄膜２６は、電気接点を構成するランド２０の表面及び接点部３７の表面の少なくとも一方に形成されているとも言える。薄膜２６の厚みは非常に薄い。たとえば上記した浸漬膜２３ａ同様、１００Å（０．０１μｍ）以下である。このため、薄膜２６を介しても、ランド２０と接点部３７は接触により電気的に接続される。膜厚が１００Å以下であるため、トンネル効果によって、ランド２０と接点部３７とを適切に導通させることができる。
【００７２】
本実施形態においても、先行実施形態同様、薄膜２６を構成するπ受容性分子２３が、ダングリングボンドを有する金属原子２４との間に逆供与π結合を形成する。これにより、接点部であるランド２０において、金属表面のダングリングボンドの数を従来よりも低減する、若しくは、無くすことができる。したがって、ランド２０において、金属表面の酸化を抑制することができる。また、従来よりも長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができる。なお、薄膜２６を構成するπ受容性分子２３が、端子３１を構成する金属原子との間に逆供与π結合を形成し、これにより、端子３１において接点部表面の酸化を抑制することもできる。
【００７３】
上記実施形態の構造は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの記載の範囲に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むものである。
【００７４】
接点部は、上記したランド２０に限定されない。カードエッジコネクタ１２の少なくとも接点部３７が、π受容性分子２３を含む薄膜を有してもよい。また、ランド２０と接点部３７の両方が、π受容性分子２３を含む薄膜を有してもよい。すなわち、電気接点を構成する２つの部品（電気部品）のうち、少なくとも一方の部品の接点部が、π受容性分子２３を含む薄膜を有すればよい。
【００７５】
電気部品としては、上記した例に限定されない。端子やリードなど電気的な中継部材自体を電気部品とすることもできる。また、中継部材を備える電子部品を電気部品とすることもできる。たとえば、２つの基板間を電気的に接続するプレスフィット端子の接点部が、π受容性分子２３を含む薄膜を有してもよい。また、電子部品の端子の接点部が、π受容性分子２３を含む薄膜を有してもよい。電気部品が中継部材を含む場合、中継部材の少なくとも接点部に、π受容性分子２３を含む薄膜が設けられる。
【００７６】
また、基板１１のランド２０は、基板１１の表面に形成されるものに限定されない。スルーホールランドを有する基板１１を電気部品とすることもできる。この場合、スルーホールめっきを基材とし、スルーホールめっき上に、π受容性分子２３を含む薄膜が形成される。
【符号の説明】
【００７７】
１０…電子装置、１１…基板、１２…カードエッジコネクタ、１３…ハーネス、２０…ランド、２１…下地金属部、２２…めっき膜、２３…π受容性分子、２４…金属原子、２５…カプセル、２６…薄膜、３０…ハウジング、３０ａ…先端面、３１…端子、３２…差込空間、３３…収納空間、３４…シール部材、３５…保持部、３６…突出部、３７…接点部、５０…第１部材、５０ａ，５０ｂ…端部、５１…第２部材、５１ａ，５１ｂ…端部、５２…平板部、５３…凸部、１００…酸素分子、１００ａ…不対電子、１２０…ランド、１２１…下地金属部、１２２…めっき膜、１２４…金属原子、１２４ａ…ダングリングボンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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