(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の入出力端子となる電極パッドと、該電極パッド上にバンプ電極を備えた半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドにテストプローブを接触させ、半導体装置の電気特性検査を行うテスト工程と、
前記テストプローブの接触により前記電極パッドを構成する金属の一部が凹凸状に変形したプローブ痕が形成された電極パッド上に電解メッキを施すバンプ電極形成工程とを含み、
該バンプ電極形成工程は、前記プローブ痕の突出した金属先端がその太さを増すメッキ層を析出させ、前記電極パッド上および前記プローブ痕上に均一な膜厚のメッキ層を析出させる第１の電流密度で電解メッキを行い、第１のメッキ層を形成する第１のメッキ工程と、前記第１のメッキ層上に、前記第１の電流密度より高い第２の電流密度で電解メッキを行い、前記第１のメッキ層より厚い第２のメッキ層を形成する第２のメッキ工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に製造工程中に電気特性検査工程を含み、その際形成されるプローブ痕を有する電極パッド上に電解メッキ法によりバンプ電極が形成される半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体装置の電気特性検査がおこなわれる。この電気特性検査は、半導体装置の入出力端子となる電極パッドにテストプローブを接触させて行われる。ところで一般的に電極パッドは、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の金属で構成され、一方テストプローブは、先鋭な先端形状を有し、電極パッドを構成する金属より堅い材料で構成されている。そのため、テストプローブが接触した電極パッドの表面には、凹凸状に変形したプローブ痕が形成される。
【０００３】
図３は一般的な半導体装置の電極パッドにテストプローブを接触させた場合の断面図を示す。図３において、１は半導体装置が形成されている半導体基板、２は絶縁膜、３は半導体装置の入出力端子となる電極パッド、４は電極バッド３表面の一部を露出するように形成された表面保護膜、５は半導体装置の電気特性検査を行うために電極パッド３に接触させるテストプローブ、６はテストプローブ５の接触により電極パッド３表面の金属が凹凸状に変形したプローブ痕である。
【０００４】
半導体装置の電気特性検査を行う際には、テストプローブ５と電極パッド３とを電気的に確実に接触させるため、テストプローブ５が電極パッド３に接触した状態より荷重を加えた状態となるため、電極パッド３上でテストプローブ５が矢印で示すように接触した状態で移動し、電極パッド３表面の金属が削られるように変形する。この変形は、図３に示すように、電極パッド３の表面の一部が削り取られて凹み、削り取られた金属がテストプローブ５先端部分に集まり突出することになる。この突出した金属の高さは、５μｍ以下程度である。
【０００５】
一方半導体装置を実装基板に接続するため、電極パッド３上にバンプ電極を形成する場合がある。バンプ電極を備える半導体装置では、バンプ電極にテストプローブを接触させて電気特性検査が行われてきた。
【０００６】
しかし近年、微細化が進み、バンプ電極の径が小さくなった半導体装置等では、バンプ電極にテストプローブ５を接触させて電気特性検査を行うことができず、バンプ電極形成前に電極パッド３にテストプローブ５を接触させて電気特性検査を行い、その後バンプ電極を形成するようになってきている。これは、図３に示すようなプローブ痕６が形成された電極パッド３上にバンプ電極を形成することになる。
【０００７】
一方、バンプ電極を形成する簡便な方法の一つに電解メッキ法がある。ところで、プローブ痕６のある電極パッド３上に電解メッキ法によりバンプ電極を形成する場合、種々な問題が発生することが知られている。
【０００８】
例えば、図４に電解メッキ法によりバンプ電極を形成する製造工程を示す。まず、電気特性検査が終了した半導体装置を用意する。この半導体装置は、図３で説明したように、電極パッド３表面にはプローブ痕６が形成されている。全面に電解メッキのための析出電極となる金属膜７を形成し、バンプ電極形成予定領域を開口するようにフォトレジスト８をパターニングする。その後、電解メッキを開始する。ここで厚いバンプ電極を形成する通常の条件でメッキを行うと、図４（ａ）に示すように、メッキ工程の初期段階でプローブ痕６の突出した金属先端付近に厚いメッキ層９が析出する。
【０００９】
このような状態で引き続いてメッキを続けて厚いメッキ層を形成すると、図４（ｂ）に示すようにコブのような大きな突起のあるバンプ電極１０となってしまう。またメッキ工程の初期段階の厚いメッキ層９は、プローブ痕６の突出した金属先端に電流が集中した結果生じるため、金属先端の形状によりこの部分への電流集中の度合いが変わると、形成される厚いメッキ層９の高さがばらついてしまう。その結果、最終的に出来上がるバンプ電極の高さがばらつくという問題があった。例えば、バンプ電極１０の高さ（電極パッド３上のメッキ層の厚さ）が３０μｍ弱まで電解メッキを行うと、メッキ工程に入る前の電極パッド３のプローブ痕６の金属の突出高さが、５μｍ以下程度であっても、最終的にバンプ電極上に１０〜２０μｍの高さのコブのような大きな突起が形成されてしまう。このような問題を解決するため、電極パッドの表面に予め溝を形成する加工を施すことで、電極パッドに大きな凹凸を形成しない技術が提案されている（例えば特許文献１、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２４３０１３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２２１６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら従来提案されている方法は、電極パッドに溝を形成するための製造工程が増加し、好ましくない。本発明は、このような問題点を解消し、追加の製造工程なしで、コブのような大きな突起のないバンプ電極を備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、半導体装置の入出力端子となる電極パッドと、該電極パッド上にバンプ電極を備えた半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドにテストプローブを接触させ、半導体装置の電気特性検査を行うテスト工程と、前記テストプローブの接触により前記電極パッドを構成する金属の一部が凹凸状に変形したプローブ痕が形成された電極パッド上に電解メッキを施すバンプ電極形成工程とを含み、該バンプ電極形成工程は、前記プローブ痕の突出した金属先端がその太さを増すメッキ層を析出させ、前記電極パッド上および前記プローブ痕上に均一な膜厚のメッキ層を析出させる第１の電流密度で電解メッキを行い、第１のメッキ層を形成する第１のメッキ工程と、前記第１のメッキ層上に、前記第１の電流密度より高い第２の電流密度で電解メッキを行い、前記第１のメッキ層より厚い第２のメッキ層を形成する第２のメッキ工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置は、電極パッド３上にプローブ痕６のような金属突起が存在しても、電解メッキ工程の初期段階で積層形成される第１のメッキ層は、その形状に沿ってほぼ均一に析出するため、異常メッキを防止することができ、その後に厚いメッキ層を施して形成するバンプ電極１０の表面に残る凹凸は、プローブ痕６の金属突起の高さ、即ち５μｍ弱程度のばらつきに留まり、大幅なばらつきの低減を計ることができる。
【００１５】
また本発明の半導体装置の製造方法は、メッキ工程の初期段階の電流密度を調整し、プローブ痕６の金属突起上にほぼ均一な厚さのメッキ層が析出する条件に設定するのみでよく、電極パッド３に特別な加工を施す必要がなく、非常に簡便な方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の半導体装置の説明図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の説明図である。
【図３】一般的な半導体装置の電極パッドにテストプローブを接触させた場合の断面図である。
【図４】図３に示す電極パッドに電解メッキ法によりバンプ電極を形成する製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の半導体装置は、図１に示すように、プローブ痕６の残る電極パッド３上に形成されるバンプ電極１０が、第１のメッキ層９ａと第２のメッキ層９ｂを含む構成となっている。この第１のメッキ層９ａは、メッキを行う際の電流密度を調整することで、プローブ痕６の残る電極パッド３上にほぼ均一な膜厚で形成され、第２のメッキ層９ｂは、第１のメッキ層９ａ上に電流密度を高くした条件で厚く形成されている。以下、本発明を実施例について、製造工程に従い詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
本発明の半導体装置は、図３で説明したように、電極パッド３表面の金属の一部が削り取られて凹み、削り取られた金属がテストプローブ先端部分に集まり突出するプローブ痕６が形成されている。突出した金属の高さは、５μｍ以下程度である。電極パッド３は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム銅（ＡｌＣｕ）、銅（Ｃｕ）等半導体装置の製造工程で一般的に用いられる金属で構成されている。
【００１９】
従来例同様、全面に電解メッキのための析出電極となる金属膜７を形成し、バンプ電極形成予定領域を開口するようにフォトレジスト８をパターニングする。バンプ電極は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、銀スズ（ＳｎＡｇ）、金スズ（ＳｎＡｕ）などから適宜選択される。
【００２０】
本発明のバンプ電極形成のためのメッキ工程は、少なくとも第１のメッキ工程と第２のメッキ工程を含んでいる。まず第１のメッキ工程は、通常の電解メッキ工程の条件と比べて電流密度の低い条件とする。具体的には、０．１３５Ａ／ｄｍ2とする。１０分程度の電解メッキを行うと、厚さ１〜２μｍ程度の均一な厚さの第１のメッキ層９ａを形成することができる（図２ａ）。
【００２１】
図２（ａ）に示すようにこの第１のメッキ工程では、電流密度を低くして電解メッキを行うことで、プローブ痕６の突出した金属先端に電流が集中することがなく、電極パッド３表面全体にほぼ均一なメッキ層（第１のメッキ層９）が形成される。ここで第１のメッキ工程は、第１メッキ層９ａにより被覆されたプローブ痕６の突出した金属先端が、その太さを増し、第１のメッキ工程のメッキ条件より電流密度を増して行う後述する第２のメッキ工程でもプローブ痕の先端部に電流密度の集中が生じない程度の厚さの第１のめっき層９ａが形成されるまで行うことになる。従って、第２のメッキ工程のメッキ条件に応じ、あるいはプローブ痕６の形状に応じ、第１のメッキ層の厚さやメッキ条件（電流密度）は適宜設定されることになる。
【００２２】
次に、第１のメッキ層９ａ上に第２のメッキ層９ｂを析出させる。この第２のメッキ工程は、バンプ電極１０のように厚いメッキ層を形成するため、先に説明したメッキ条件より成長速度の早い条件を選択するのが好ましい。具体的には、０．２７Ａ／ｄｍ2で３時間程度の電解メッキを行うと、厚さ２７μｍ程度の厚さの第２のメッキ層９ｂを形成することができる（図２ｂ）。
【００２３】
この第２のメッキ工程とのバンプ電極１０の表面は、プローブ痕６の突出した金属の高さ（５μｍ以下程度）より低い突起はあるものの、従来例で説明したようなコブにような大きな突起が生じることはない。
【００２４】
その後、フォトレジスト８を除去するとともに露出する析出電極として使用した金属膜７を除去することで、バンプ電極１０を備えた半導体装置を完成することができる（図１）。
【００２５】
このように本発明は、バンプ電極を形成する際のメッキ条件を変更することのみで、プローブ痕のある電極パッド上にバンプ電極を形成することができ、非常に簡便な方法である。なお本発明では、第２のメッキ工程は電流密度の異なる条件のメッキ工程を繰り返したり、複数の金属膜の積層構造としても良い。
【符号の説明】
【００２６】
１：半導体基板、２：絶縁膜、３：電極パッド、４：表面保護膜、５：テストプローブ、６プローブ痕、７：金属膜、８：フォトレジスト、９：メッキ層、９ａ：第１のメッキ層、第２のメッキ層、１０：バンプ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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