(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子の複数のビームレットの軌道を操作するための荷電粒子光学装置であって、当該荷電粒子光学装置は、平坦な基板の上方の側におけるもしくはその近傍の第１の面と、前記平坦な基板の下方の側におけるもしくはその近傍の第２の面と、更に均一な厚さとを有する前記平坦な基板を含む第１の電磁偏向器を備えており、
前記平坦な基板は、
前記複数のビームレットをそこを通って通過させるための貫通開口部を備え、当該貫通開口部は前記平坦な基板の上方側及び下方側に進出し、当該貫通開口部は２つの縦方向の側と２つの横方向の側を有する矩形状のウインドウを画定しており、
第１及び第２のコイルを更に備え、前記第１及び第２のコイルの各々は前記第１の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な上方のリードと、前記第２の面に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な下方のリードと、前記平坦な基板を貫通して延在する１個もしくはそれ以上のビアとを備え、前記ビアの各々は前記コイルを形成するために前記上方のリードの１つを前記下方のリードの１つに導電的に接続するために配置され、
前記第１及び第２のコイルは前記貫通開口部の両側に配置されており、前記第１及び第２のコイルは前記縦方向の側に隣接して配置されている、
荷電粒子光学装置。
【請求項２】
前記第１及び第２のコイルは直列に接続され、実質的に同じ電流が前記第１及び第２のコイルに供給される
請求項１に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項３】
前記矩形状のウインドウは細長く延長されたウインドウである
請求項１もしくは２に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項４】
前記上方のリードと前記下方のリードは、細長く延長された前記矩形状ウインドウの前記縦方向の側に平行な方向に延在している
請求項３に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項５】
前記貫通開口部は複数のビームレットをそこを通って通過させるための第１の貫通開口部であり、前記平坦な基板はさらに、
複数のビームレットの第２の組をそこを通って通過させるための第２の貫通開口部を備え、前記第２の貫通開口部は前記平坦な基板の前記上方側及び下方側内に進出し、前記第２の貫通開口部は２つの縦方向の側と２つの横方向の側を有する矩形状のウインドウを画定しており、そして前記第２の貫通開口部は前記第１の貫通開口部から離隔した対向する第２のコイル側に配置されており、
第３のコイルを更に備え、当該第３のコイルは前記第１の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な上方のリードと、前記第２の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な下方リードと、前記平坦な基板を貫通して延在する１個もしくはそれ以上のビアとを備え、前記ビアの各々は前記コイルを形成するために前記上方のリードの１つを前記下方リードの１つに導電的に接続するために配置され、
前記第３のコイルは前記第２のコイルから離隔して対向する前記第２の開口部の側に配置されており、前記第２及び第３のコイルは前記縦方向の側に隣接して配置されている
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項６】
前記平坦な基板は前記第１と第２の貫通開口部間に配置されている１個もしくはそれ以上の更なる貫通開口部を具備しており、前記第１、第２及び更なる貫通開口部はお互いからの一定の距離に配置され、そして前記貫通開口部の二つの間のある領域において、コイルが配置されている
請求項５に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項７】
前記貫通開口部から離隔して対向する側における前記コイルの周りに配置される磁束閉じ込め部材を更に備えている
請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項８】
磁束閉じ込め部材は前記平坦な基板を取り囲むように配置されている
請求項７に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項９】
前記磁束閉じ込め部材は前記第１及び第３のコイルに隣接して配置されている
請求項５に従属する請求項７もしくは８に記載の荷電粒子光学装置
【請求項１０】
前記第２のコイルのコイルターンの数は、前記第１のコイルコイルターンの数＋（プラス）前記第３のコイルのコイルターンの数に等しい
請求項５，請求項６もしくは請求項９か，請求項５に従属する請求項７か請求項８のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１１】
前記貫通開口部を除く前記平坦な基板の少なくとも第１及び第２の面は電気的に絶縁物質の第１の層と導電物質の第２の層とによって被覆され、前記第１の層は前記第２の層と前記平面的な基板との間に挟まれている
請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１２】
前記貫通開口部は内周縁部を備え、当該内周縁部は導電物質の層で被覆されている、及び／もしくは、前記平坦な基板は外周縁部を備えており、当該外周縁部は導電物質の層で被覆されている
請求項１１に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１３】
前記荷電粒子光学装置は前記第１の電磁偏向器の複製である第２の電磁偏向器を備えており、そして前記第１の電磁偏向器から一定の距離に配置されている
請求項１から請求項１２のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１４】
前記第２の電磁偏向器は、前記第２の電磁偏向器の少なくとも前記第１及び前記第２のコイルが前記第１の電磁偏向器の前記第１及び第２のコイルに平行に延びるように前記第１の電磁偏向器に対して配置されている
請求項１３に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１５】
前記第２の電磁偏向器は前記第１の電磁偏向器の偏向に対向した方向へ１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向させるために配置されおよび／もしくは制御される
請求項１３もしくは請求項１４に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１６】
前記荷電粒子光学装置は、均一な厚さを有する第２の平坦な基板を含む第１の静電偏向器を備えており、
前記第２の基板は複数のビームレットをそこを通って通過させるための１個もしくはそれ以上の貫通開口部を備えており、前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部は前記第２の基板の上方側及び下方側に進出し、貫通開口部において前記第２の基板は前記貫通開口部内の電場を提供するために前記貫通開口部のいずれかの側に配置されている第１及び第２の電極を備えており、
前記第１の静電偏向器は前記第１の電磁偏向器からの一定の距離において配置されている
請求項１から請求項１５のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１７】
前記第１の静電偏向器は、前記第１の静電偏向器の少なくとも前記第１及び第２の電極が前記第１の電磁偏向器の前記第及び第２のコイルに平行に延在するように前記第１の電磁偏向器に対して配置されている
請求項１６に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１８】
前記荷電粒子光学装置は前記第１の静電偏向器の複製である第２の静電偏向器を備え、そして前記第１の静電偏向器からの一定の距離に配置されている
請求項１６もしくは請求項１７に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１９】
前記第２の静電偏向器は、前記第２の静電偏向器の少なくとも前記第１及び第２の電極が前記第１の静電偏向器の前記第１及び第２の電極に平行に延びるように前記第１の静電偏向器に対して配置されている
請求項１８に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項２０】
前記第２の静電偏向器は、前記第１の静電偏向器の偏向に対向した方向に前記１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向するために配置されおよび／もしくは制御される
請求項１８もしくは請求項１９に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項２１】
複数の荷電粒子ビームレットを用いてターゲットを露光するための荷電粒子マルチービームレット露光システムであって、当該システムは、
前記複数の荷電粒子ビームレットを発生するためのビームレット発生器と、
前記複数の荷電粒子ビームレットの１個もしくはそれ以上を前記ターゲットのある面の上に投影するためのビームレット投影器とを備え、当該ビームレット投影器は、請求項１から請求項２０にいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置を備えている
荷電粒子マルチービームレット露光システム。
【請求項２２】
前記システムはリソグラフィックシステムであるかもしくは顕微鏡システムである
請求項２１に記載の荷電粒子マルチービームレット露光システム。
【請求項２３】
請求項２１もしくは請求項２２に記載の荷電粒子マルチービームレット露光システムにおける荷電粒子の複数のビームレットの軌道を操作する方法であって、
前記磁場を横断する方向の前記貫通開口部を通過する前記複数のビームレットを偏向させる前記貫通開口部内側の一定の磁場を提供するために前記第１及び第２のコイルを通って電流を方向づける工程を備えている
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は特に複数の荷電粒子ビームレットを用いてターゲットを露光するための荷電粒子マルチビームレット露光システムにおける使用のために荷電粒子の１個もしくはそれ以上のビームレットの軌道を操作ための荷電粒子光学装置に関する。また、本発明はそのようなデバイスを備えている荷電粒子光学装置に関する。更に、本発明は荷電粒子マルチビームレット露光システムにおける荷電粒子の１個もしくはそれ以上のビームレットの軌道を操作するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＷＯ２０１０／１２５５２６は荷電粒子光学装置を記載している。この荷電粒子光学装置は前記複数のビームレットをそこを通って通過させるためのアパチャすなわち開口部を備えている略平坦な基板を含んでいる。この平坦な基板は前記荷電粒子の前記複数のビームレットを偏光させるための静電偏光器の各電極を支持しており、これらの電極は前記基板内のアパチャの上に少なくとも部分的に且つ適切に全体的に横たわっている。前記静電偏光器は延長された通過ウィンドウの縦方向の各側部に沿って配置されている第１及び第２の真っ直ぐで延長された電極を備えており、前記静電偏光器は前記第１と第２の電極との間の電場の操作によって前記ウィンドウを通過する前記複数のビームレットを偏光する。
【０００３】
ＷＯ２０１０／１２５５２６に記載されているように、前記静電偏向器は平行に配置されている複数のウインドウを備えている。前記ウィンドウの各々は、最大の均一度を得るために比較的長い。又、十分な偏向角を確保しつつ、前記各電極に亘る電位差がかなり減少できる可能性があるように前記各ウィンドウの各々は好ましくは比較的に小さい幅を有する。このような設計の各利点はＷＯ２０１０／１２５５２６に詳細に記載されている。
【０００４】
前記公知の静電偏光器において、前記延長された通過ウィンドウは多数の緊密に詰め込まれたビームレットをそこを通って通過させるために配置されることができ、そして前記多数のビームレットは同時に偏光され得る。
【０００５】
前記公知の静電偏光器の不利な点は前記数多くの同時に偏光されるビームレットが前記各電極に略垂直な方向に偏光され得るだけである。かくして、前記各ビームレットは前記延長された一又は複数のウインドウの縦方向に略垂直な方向に偏光され得るのみである。
【０００６】
本発明の目的は延長された一又は複数のウインドウの縦方向に略平行な方向に多数のビームレットを同時に偏光できる荷電粒子光学装置を提供することである。
【発明の概要】
【０００７】
第１の態様によれば、本発明は荷電粒子の１個もしくはそれ以上のビームレットの軌道を操作するための荷電粒子光学装置を提供するものであって、この荷電粒子光学装置は略平坦な基板の上方側におけるもしくはその近傍の第１の面と、前記略平坦な基板の下方側におけるもしくはその近傍の第２の面と、更に略均一な厚さとを有する前記略平坦な基板を含む第１の電磁偏光器を備えており、前記基板は
【０００８】
前記１個もしくはそれ以上のビームレットをそこを通って通過させるための貫通開口部を備え、この貫通開口部は前記略平坦な基板の上方側及び下方側に進出し、
【０００９】
第１及び第２のコイルを更に備え、前記第１及び第２のコイル各々は前記第１の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電性の上方の各リードと、前記第２の面に配置された１個もしくはそれ以上の導電性の下方の各リードと、前記基板を貫通して延在する１個もしくはそれ以上のビアを更に備え、前記コイルを形成するためにこれらのビアの各々は前記上方の各リードの１つを前記下方の各リードに導電的に接続するために配置され、
【００１０】
前記第１及び第２のコイルは前記貫通開口部のいずれかの側に配置されている。
【００１１】
電流が前記第１及び第２のコイルを通って、特に前記第１及び第２のコイルを通って同じ方向に向けられると、磁場が確立される。この磁場は前記第１のコイルを介して延びており、前記貫通開口部を横切り、そして前記第２のコイルを介して延びる各磁場線を有する。前記貫通開口部を介して通過する前記１個もしくはそれ以上のビームレットは、その方向が前記各磁場線に垂直な方向である、かくして各螺旋状コイルの前記上方及び下方の各リードに略平行な方向に、前記磁場によって偏向される。
【００１２】
比較のために、従来技術の静電偏向器において、前記貫通開口部を通過する前記１個もしくはそれ以上ビームレットは、前記第１及び第２の電極を略横切る方向の電場によって偏向される。これらの第１及び第２の各電極はある延長された通過ウィンドウの前記縦方向に沿って配置される。
【００１３】
本発明の電磁偏向器の更なる利点は、前記電磁偏向器がまったく従来の電磁偏向器のように略平坦な基板上に配置されていることにある。少なくとも荷電粒子ビームレットの軌道に平行な方向に本発明の電磁偏向器に要求されるビルドインスペースは小さく、特に１０ｍｍ未満であり、好ましくは５ｍｍ未満であり、更により好ましくは３ｍｍ未満である。
【００１４】
実施の形態において、前記第１及び／もしくは前記第２のコイルは略螺旋状コイルを備えている。前記第１の面上に配置されている１個もしくはそれ以上の導電性の上方のリードと、前記第２の面に配置されている１個もしくはそれ以上導電性の下方リードと、更に前記基板を貫通して延在する１個もしくはそれ以上のビアが各コイルの巻線を構成している。
【００１５】
前記各コイルのへリックスは、ハンデッドネスとして公知である２つの可能な方向に捩ることができる。好ましくは、前記第１及び第２のコイルは同じハンデッドネスを有している。
【００１６】
ある実施の形態において、前記第１及び第２のコイルは略同じリードを有している。このリードは巻回の完全な回転（３６０°）によってカバーされる前記コイルの中心軸に沿った距離である。
【００１７】
ある実施の形態において、前記貫通開口部は２個の縦方向の側及び２個の横方向の側を有する略矩形状のウインドウを画定しており、第１及び第２のコイルは前記縦方向の側に隣接して配置されている。
【００１８】
実施の形態において、前記荷電粒子光学装置は、一又は複数の貫通開口部から離隔して対向する側における前記各コイルの周りに配置される磁束閉じ込め部材を更に備えている。実施の形態において、前記磁束閉じ込め部材は前記略平坦な基板を取り囲むように配置されている。このような磁束閉じ込め部材は前記基板の貫通開口部におけるもしくはその中で所望の偏向を提供するために前記平坦な基板の平面内の磁場を実質的に閉じ込める。当該磁束閉じ込め部材無しでは、前記所望の偏向方向に対向する前記１個もしくはそれ以上のビームレットの偏向を引き起こすであろう前記基板の上方及び下方の各戻り磁場線が存在する。
【００１９】
実施の形態において、前記磁束閉じ込め部材は、磁化可能物質、好ましくはフェライトを備えている。
【００２０】
実施の形態において、前記貫通開口部は１個もしくはそれ以上のビームレットの第１の組をそこを通って通過させるための第１の貫通開口部であり、前記基板は
【００２１】
１個もしくはそれ以上のビームレットの第２の組をそこを通って通過させるための第２の貫通開口部を備え、当該第２の貫通開口部は前記略平坦な基板の前記上方側及び下方側に進出しており、そして前記第２の貫通開口部は前記第１の貫通開口部から離隔して対向する前記第２のコイルの側において配置されており、
【００２２】
更に第３のコイルを備え、当該第３のコイルは前記第１の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な上方のリードと、前記第２の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な下方のリードと、及び前記基板を貫通して延在する１個もしくはそれ以上のビアとを備え、当該各ビアの各々は前記コイルを形成するために前記各上方のリードの１つを前記各下方リードの１つに導電的に接続するために配置されており、
【００２３】
前記第３のコイルは前記第２のコイルから離隔して対向する前記第２の貫通開口部の側の上に配置されている。
【００２４】
少なくとも２個の貫通開口部を備えたこの実施の形態は、例えば１０、０００もしくはそれ以上の非常に多数のビームレットを有するマルチビームレット露光システムにおける使用のために適切である。この多数のビームレットは今や２個もしくはそれ以上のビームレットの組に分割され、各組は前記各貫通開口部の相当する一つを横切り、前記各貫通開口部の各々は前記貫通開口部内の略均一な磁場を得るために前記各コイル間の少なくともある方向に限定されたサイズを有している。
【００２５】
実施の形態において、前記第３のコイルは略螺旋状のコイルを備えている。前記第１の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電性の上方のリードと、前記第２の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電性の下方のリードと、更に前記基板を貫通して延在する１個もしくはそれ以上のビアが前記各コイルの夫々の巻線を構成する。好ましくは、前記第３のコイルは前記第１及び第２のコイルと同じハンデッドネスを有する。好ましくは、前記第３のコイルは前記第１及び第２のコイルと略同じリードを有している。
【００２６】
実施の形態において、前記略平坦な基板は、前記第１及び第２の貫通開口部間に配置されている１個もしくはそれ以上の更なる貫通開口部を具備しており、前記第１、第２及び更なる貫通開口部は互いにある距離をおいて配置されており、そして前記各貫通開口部の２個の間の領域において、コイルが配置されている。前記２個もしくはそれ以上の貫通開口部は前記略平坦な基板の表面に亘って分割されている。
【００２７】
前記各貫通開口部が延長された矩形状のウィンドウである場合に、前記２個もしくはそれ以上の貫通開口部は前記各延長されたウインドウの前記縦方向に垂直な方向に、互いに隣接して好ましく配置されている。
【００２８】
実施の形態において、前記磁束閉じ込め部材は前記２個の最も外側のコイル、特に前記２個の最も外側のコイルが存在する時、第１と第３のコイルに隣接して配置される。前記各最も外側のコイルに隣接した前記磁束閉じ込め部材を配置することによって、前記各戻り磁場は前記磁束閉じ込め部材内に効果的に閉じ込められ、そして磁気的な浮遊磁場の効果は少なくとも減少して、好ましくは略零になる。
【００２９】
実施の形態において、前記第２のコイルのコイルターンの数は、前記第１のコイルのコイルターンの数と前記第３のコイルのコイルターンの数の和に等しい。前記磁束閉じ込め部材が前記第１と第３のコイルに直接隣接して配置されている時に、前記第１のコイルによって発生させられた略磁束の全体は、前記閉じ込め部材によって閉じ込められ、そして前記第３のコイルに向けられており、その逆も言える。かくして、前記第１のコイルの磁束は前記第３のコイルの磁束によって補充され、逆もまた言える。前記第１のコイルにおける前記磁束は、前記第１のコイルのコイルターンの数＋（プラス）前記第３のコイルのコイルターンの数に等しいコイルターンの数を有する仮想コイルによって発生された磁束に略等しい。前記仮想コイルと同じコイルターンの数を備えた前記第２のコイルを提供することは、前記各コイルを駆動するために略同じ電流を用いる際、前記磁気偏向器のすべての貫通開口部に亘って略均一な磁場を生成させる。
【００３０】
実施の形態において、前記一又は複数の貫通開口部を除いて、略平坦な基板の前記少なくとも第１及び第２の面は電気絶縁物質の第１の層と導電的な第２の層で略被覆され、前記第１の層は前記第２の層と前記略平坦な基板との間に挟まれている。前記導電物質の第２の層は前記偏向器の熱負荷を減少させるヒートシンクへのより良い熱伝導を提供することができる。加えて、この第２の層は前記第１及び第２の各面の上に、使用に際して、蓄積される可能性がある電荷の除去のための接地電位に接続されることができる。前記第１の層は前記各コイルの前記各リード及び前記各ビアを保護すると共に、前記各リードと前記各ビアを前記第１の層から電気的に絶縁すべく配置されている。
【００３１】
実施の形態において、前記各貫通開口部は内周縁部を備え、この内周縁部は導電物質の層で略被覆されている。実施の形態において、前記平坦な基板は外周縁部を備えており、前記外周縁部は導電物質の層で略被覆されている。このことは前記略平坦な基板の前記第１及び第２の面上の前記各導電層間でより良い電気的および／もしくは熱的な接続を提供する。
【００３２】
実施の形態において、前記第２の層はモリブデンの層を備え、このモリブデンの層は前記略平坦な基板から離隔して対向した前記第２の層の側において配置されている。かくして、このモリブデンは前記基板の最も外側の面に配置されている。このモリブデン外側層を用いる利点は、この外側の層が酸化する時でさえ、結果として得られる各酸化物はなお導電的である。
【００３３】
実施の形態において、前記荷電粒子光学装置は前記第１の電磁偏向器の実質的に複製である第２の電磁偏向器を備えており、そして前記第１の電磁偏向器から一定の距離に特にその軌道に沿った方向に配置されており、前記第２の電磁偏向器の１個もしくはそれ以上の貫通開口部の１つは、前記第１の電磁偏向器の前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部の１つに一列に並んでいる。
【００３４】
実施の形態において、前記第２の電磁偏向器は、前記第２の電磁偏向器の少なくとも前記第１及び前記第２のコイルが、前記第１の電磁偏向器の前記第１及び第２のコイルに略平行に延びるように前記第１の電磁偏向器に対して配置されている。
【００３５】
実施の形態において、前記第２の電磁偏向器は前記第１の電磁偏向器の偏向に略対向した方向へ１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向するために配置されおよび／もしくは制御される。
【００３６】
実施の形態において、少なくとも第１の電磁偏向器を備えた前記荷電粒子光学装置は、略均一な厚さを有する第２の略平坦な基板を含む第１の静電偏向器を更に備えており、
【００３７】
前記第２の基板は前記１個もしくはそれ以上のビームレットをそこを通って通過させるための１個もしくはそれ以上の貫通開口部を備えており、前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部は前記第２の基板の上方側及び下方側に進出し、各貫通開口部において前記第２の基板は前記貫通開口部における電場を提供するために前記貫通開口部のいずれかの側に配置されている第１及び第２の電極を備えており、
【００３８】
前記第１の静電偏向器はこの第１の電磁偏向器からの距離において、特に前記軌道に沿った一定の方向に配置されており、前記第１の静電偏向器の前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部の少なくとも１個は前記第１の電磁偏向器の１個もしくはそれ以上の貫通開口部の１つに一列に配置されている。
【００３９】
かくして、本発明の電磁偏向器は、静電偏向器に隣接もしくは接触してでも配置することができ、前記電磁偏向器によって提供される偏向は前記静電偏向器によって提供される偏向に略直交しており、このことが前記電磁偏向器及び静電偏向器の略直交する各偏向範囲内での任意の方向において前記１個もしくはそれ以上のビームレットを方向づけることを可能にする。
【００４０】
実施の態様において、前記第１の静電偏向器は、前記第１の静電偏向器の少なくとも第１及び第２の電極が前記第１の電磁偏向器の前記第１及び第２のコイルに略平行に延びるように前記第１の電磁偏向器に対して配置されている。
【００４１】
実施の形態において、前記第１の静電偏向器を含む前記荷電粒子光学装置はまた前記第１の静電偏向器の実質的に複製である第２の静電偏向器を備え、そして前記第１の静電偏向器からの一定の距離に特に前記軌道に沿って一定の方向に配置されており、前記第２の静電偏向器の１個もしくはそれ以上の貫通開口部の少なくとも１つが前記第１の静電偏向器の前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部の１つに一列に並んでいる。
【００４２】
実施の態様において、前記第２の静電偏向器は、前記第２の静電偏向器の少なくとも第１及び第２の電極が前記第１の静電偏向器の前記第１及び第２の電極に略平行に延びるように前記第１の静電偏向器に対して配置されている。
【００４３】
実施の態様において、前記第２の静電偏向器は、前記第１の静電偏向器の偏向に略対向した方向に前記１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向させるために配置されおよび／もしくは制御される。
【００４４】
実施の態様において、前記帯電粒子光学装置は冷却部を備えており、もしくは冷却部の上に実装されている。当該冷却部はヒートシンクとして作用し、そして使用に際して前記偏向器の熱負荷を減少させることになる。
【００４５】
実施の形態において、前記冷却部は実質的に均一な厚さを有する第３の略平坦な基板を備えており、
前記第３の基板は前記１個もしくはそれ以上のビームレットをそこを通って通過させるための１個もしくはそれ以上の貫通開口部を備えており、前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部は前記第３の基板の上方の側及び下方の側に進出しており、
前記第３の基板は各フローチャンネルが前記各貫通開口部に隣接して配置されている冷却流体のための前記フローチャンネルを具備しており、
【００４６】
前記冷却部の１個もしくはそれ以上の貫通開口部の少なくとも１つが前記第１の電磁偏向器の１個もしくはそれ以上の貫通開口部の１つに一列に配置されている。そのような平坦な冷却部は本発明の平坦な一又は複数の電磁偏向器と、もしくは一又は複数の静電偏向器とも容易に組み合わせ可能である。多数のそのような一又は複数の電磁偏向器及び一又は複数の静電偏向器は前記平坦な冷却部の上に積層され得る。
【００４７】
第２の態様によれば、本発明は複数の帯電粒子ビームレットを用いてターゲットを露光するための帯電粒子マルチービームレット露光システムを提供し、当該システムは、
前記複数の帯電粒子ビームレットを発生するためのビームレット発生器と；
前記複数の帯電粒子ビームレットを前記ターゲットのある面の上に投影するためのビームレット投影器とを備え、当該ビームレット投影器は、上記において記載したようなもしくは前記既に記載した各実施の形態の何れか一つに係る帯電粒子光学装置を備えている。
【００４８】
実施の形態において、前記システムは前記各ビームレットをパターニングして変調ビームレットを形成するためのビームレット変調器を更に備えており、そして前記ビームレット投影器は前記変調ビームレットを前記ターゲットの前記面の上に投影するために配置されている。
【００４９】
実施の形態において、前記システムはリソグラフィシステムであるかもしくは顕微鏡システムである。
【００５０】
第３の態様によれば、本発明は上記に述べたような荷電粒子マルチービームレット露光システムにおける荷電粒子の１個もしくはそれ以上のビームレットの軌道を操作するための方法を提供するもので、この方法は
【００５１】
前記磁場を略横断する方向の前記貫通開口部を通過する前記１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向する前記貫通開口部内側の磁場を提供するために前記第１及び第２のコイルを通って電流を方向づける工程を備えている。
【００５２】
本明細書に記載され且つ例示されている様々な態様及び特徴は、可能ならば個別に適用できる。これらの個別の態様、特に添付された独立した特許請求の範囲の請求項に記載された各態様及び各特徴は分割した各特許出願の主題にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
本発明は添付された図面に示される例示的な実施の形態に基づいて理解されるであろう。
【図１】図１は本発明の電磁偏向器を備えた荷電粒子光学装置の第１の実施例の概略図を示す。
【図２】図２は図１の実施例の基板の第１及び第２の側の上の各リードとこれらのリードを接続する各ビアを概略的に示す。
【図３】図３は図１の電磁偏向器において発生する磁場を概略的に示す。
【図４】図４Ａは本発明の電磁偏向器を備えた荷電粒子光学装置の第２の実施例の概略的な断面図を示し、図４Ｂは図４Ａの前記第２の実施例の概略的な分解組立図を示す。
【図５】図５は本発明の電磁偏向器を備えた荷電粒子光学装置の第３の実施例の概略図を示す。
【図６】図６は本発明の電磁偏向器及び静電偏向器を含む偏向器アセンブリを備えた荷電粒子光学装置の第１の実施例の概略図を示す。
【図７】図７は本発明の２個の電磁偏向器を含む偏向器アセンブリ備えた荷電粒子光学装置の第２の実施例の断面における概略図を示す。
【図８】図８は本発明の荷電粒子マルチービームレット露光システムの一実施例の断面における簡易化された概略図を示す。
【図９】図９は荷電粒子マルチービームレット露光システムにおける使用のための投影アセンブリの断面における簡易化された概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
これらの図面において、同一の参照番号は同一もしくは少なくとも匹敵する技術的な特徴に関連している。これらの図面は一定の尺度で描かれておらず、そして例示的目的のためにのみ意図されている。これらの図面はいかなる意味合いでも特許請求の範囲を限定すべく意図されていない各実施例を示す。
【００５５】
図１は本発明の電磁偏向器１を備えた荷電粒子光学装置の第１の実施例の上面図を示す。当該電磁偏向器１はこの電磁偏向器１の各コイル用の略平坦な基板として作用する略矩形状の印刷回路基板（ＰＣＢ）２を備える。このＰＣＢ２は多数の荷電粒子ビームレットをそこを通って通過させるための５個の貫通開口部３を具備している。前記ＰＣＢの前記各個別の貫通開口部３間及び前記各貫通開口部３と前記各縦方向の縁部間の各領域の上に、各銅の上方リード５が前記上面の上に配置されている。更に、各銅の下方リード６は前記上面に対向した下方面の上に配置されている。前記各上方リード５及び前記下方リード６は各銅パッド７を具備している。これらの銅パッド７の少なくともいくつかが各ビア８を提供するために使用され、コイルターンを形成するために前記各ビア８の各１つは前記各上方リード５の１つを図２に示されるように前記各下方のリード６の一つに導電的に接続するために配置されている。
【００５６】
図１の実施例において概略的に示されるように、２個の貫通開口部３間の前記各領域の各々は６個のコイルターンを有するコイル１０を備えており、そして前記ＰＣＢの１個の貫通開口部３と縦方向の縁部４との間の前記各領域の各々は３個のコイルターンを有するコイル１１，１２を備えている。これらのコイル１０、１１、１２のすべては直列に接続され、そして前記直列の前記第１のコイル１１と（添付された特許請求の範囲の請求項３において第３のコイルとしても示される）最後に言及されたコイル１２は、前記電磁偏向器のすべてのコイル１０、１１，１２を通って略同じ電流Ｉを提供するために前記ＰＣＢの縁部の上の接続パッド９に接続されている。図２に概略的に示されるように、電流Ｉを前記コイルターン通って方向づける際、磁場Ｂが前記コイルターンの内側で発生する。
【００５７】
尚、本発明の電磁偏向器において使用される前記コイル１０、１１，１２は平坦で且つ幅が広いことに注目すべきである。これらのコイルの高さは、例えば１．５ｍｍの前記ＰＣＢ２の厚さに略等しい。これらのコイルの幅は５から６ｃｍ、例えば３．０ｃｍ以上の大きさであることが可能である前記各貫通開口部３の長さを超えて延長している。
【００５８】
図１に概略的に示されるように、前記ＰＣＢ２は四角形状の閉じたフェライトコア１３によって取り囲まれている。このＰＣＢ２は前記四角形状の閉鎖フェライトコア１３の内部の前記矩形状開口部内部に実装される。前記第１のコイル１１及び前記最後のコイル１２はフェライトコア１３に隣接して配置されており、このフェライトコア１３は使用に際して磁束閉じ込め部材として作用する。図３に概略的に示されるように、前記電磁偏向器１の前記各コイルを通って一定の電流Ｉを方向づける際、前記ＰＣＢ内のすべての前記各コイル及び前記各貫通開口部３を横切る磁束Ｂ１が発生する。前記第１のコイル１１におけるこのＰＣＢ２を離れる磁束Ｂ１は前記フェライトコア１３によって捉えられ且つ閉じ込められる。このフェライトコア１３は前記ＰＣＢ２の周りの磁束を前記最後のコイル１２に向けて閉じ込め且つ戻す、そこでこの磁束は前記ＰＣＢ２内に入る。前記戻り磁束Ｂ２は前記フェライトコア１３内で且つ前記電磁偏向器１の略平面内で効果的に閉じ込められる。前記電磁偏向器１の上方およびそれより下方における各磁気浮遊磁場の効果は少なくとも減少し、そして実際には略零になる。
【００５９】
図４Ａは本発明の電磁偏向器を備えた荷電粒子光学装置の第２の実施例の略平坦な基板の概略的断面図を示す。図４Ｂは分解した図でこの基板を示す。
【００６０】
この第２の実施例の前記平坦な基板は多層ＰＣＢ２０を備えている。この多層ＰＣＢ２０は多数の荷電粒子ビームレットをそこを通って通過させるための５個の貫通開口部３を具備している。前記ＰＣＢ２０の前記各貫通開口部３間及び前記各貫通開口部３と前記各縦方向の縁部との間の領域の上に、各コイルが以下で説明するように各銅の上方リード２２、各銅の下方リード２３及び各ビア２４よって配置されている。
【００６１】
前記多層ＰＣＢ２０は前記各上方リード２２及び前記下方リード２３を支える中央ＰＣＢ層２１を備えている。この中央ＰＣＢは各ビア２４を具備しており、前記各ビア２４の各々は図２に示されるような前記第１の実施例におけると同じやり方でコイルターンを形成するために前記各上方リード２２の１つを前記各下方リード２３の１つに導電的に接続するために配置されている。
【００６２】
前記中央のＰＣＢ層２１はより厚さが薄い頂部ＰＣＢ層２５とより厚さが薄い底部ＰＣＢ層２６との間に挟まっている。当該頂部ＰＣＢ層２５及び前記底部ＰＣＢ層２６は夫々前記各上方リード２２及び前記各下方リード２３、更に前記各ビア２４を保護する。このような多層ＰＣＢ２０の厚さは例えば２ｍｍである。
【００６３】
図４Ａ及び４Ｂに概略的に示されるように、この第２の実施の形態の各接続パッド９は前記頂部ＰＣＢ層２５の頂部に設けられ、これらのパッド９は前記頂部ＰＣＢ層２５における各ビア２４’によって前記中央ＰＣＢ層２１の前記各リード２２，２３に電気的に接続される。
【００６４】
前記中央ＰＣＢ層２１から離隔して対向する前記頂部ＰＣＢ層２５の側は銅層２７によって略完全に被覆される。また前記中央ＰＣＢ層２１から離隔して対向する前記底部ＰＣＢ層の側は銅層２８によって略完全に被覆される。更に、前記多層ＰＣＢの外方の円周縁部は図４Ａの断面図に示されるように銅層２９によって略完全に被覆される。また、前記各貫通開口部３の内周縁部は銅層（図示せず）によって略完全に被覆される。かくして、前記多層ＰＣＢ２０の略完全な外方側は銅層２７，２８、２９によって被覆され。そして前記銅層の外方側はモリブデン被覆を具備している。
【００６５】
通常前記多層ＰＣＢ２０は図１において示されるような前記第１の実施例と同じようなやり方で前記四角形状の閉鎖フェライトコア（図４Ａ及び図４Ｂに示されていない）の内側において前記矩形状開口部の内側に実装される。
【００６６】
図５は本発明の電磁偏向器３０を備えた荷電粒子光学装置の第３の実施例の上面図である。この第３の実施例の前記平坦な基板はＰＣＢ３１を備えている。このＰＣＢ３１は多数の荷電粒子ビームレットをそこを通って通過させるために３個の貫通開口部３２を具備している。前記ＰＣＢ３１の前記各個別の貫通開口部３２間及び前記貫通開口部３２と前記各縦方向の縁部間の各領域の上に、各一次コイル３３，３４，３５，３６が前記第１もしくは前記第２の実施例におけると同じやり方で各銅の上方リード、各銅の下方リード及び各ビアによって配置されている。
【００６７】
図５において概略的に示されているように、前記各貫通開口部３２及び前記各一次コイル３３，３４，３５，３６を備えた前記ＰＣＢ３１の領域は戻りコイル３７，３８、３９、３７’、３８’、３９’によって取り囲まれている。使用に際して、前記各戻りコイルは磁束閉じ込め部材として作用する。前記第１及び第２の実施例におけるようにフェライトコアを用いる代わりに、前記第３の実施例は各コイルターンを形成するために前記各上方リードの１つを前記各下方リードの１つに導電的に接続するために配置された銅の各上方リード、銅の各下方リード及び各ビアを用いて前記一次コイル３３、３４、３５、３６と同じようになされる前記各戻コイルを具備している。
【００６８】
実施の形態において、前記各リターンコイル３７、３８、３９、３７’、３８’、３９’は前記各一次コイル３３、３４、３５、３６に直列に接続される。使用に際して、略同じ電流が前記各一次及びリターンコイルのすべてを通って方向づけられている。
【００６９】
他の実施の形態において、前記各リターンコイル３７，３８，３９、３７’、３８’、３９’は前記各一次コイル３３，３４，３５、３６から分離して接続される。使用に際して、前記各リターンコイル３７，３８，３９、３７’、３８’、３９’を通る電流は、前記一次コイル３３、３４、３５、３６を通る電流として異なったレベルで設定でき所望の磁束閉じ込めを達成する。
【００７０】
前記電磁偏向器３０の各一次及び各リターンコイルを通る電流Ｉを方向づけると、前記各コイル及び前記ＰＣＢ３１内の前記各貫通開口部３２をすべて横切る磁束が発生する。前記ＰＣＢ３１上の前記各一次及び各リターンコイルは、前記各一次及び各リターンコイルによって発生する磁束が閉じ込められる略閉鎖磁路を提供する。かくして、前記磁束は前記ＰＣＢ３１内に実質的に閉じ込められる。
【００７１】
図６は本発明の電磁偏向器４１及び静電偏向器４２を含む偏向器アセンブリ４０を備えた荷電粒子光学装置の第１の実施例の概略図を示す。荷電粒子ビームのアライメントもしくはスキャンにングのために、例えば、電子ビーム４３のうちのある領域に亘る電子ビーム４３は本実施例では、Ｘ−方向及びＹ−方向として示される二つの略直交する方向に偏向される必要がある。
【００７２】
図６に示すように、電子ビーム４３は前記電磁偏向器４１の前記各貫通開口部４４の１つを横断する。ある電流Ｉが前記各コイルを通って方向づけられると、方向ｄｘにおける前記電子ビーム４３の軌道を偏向する磁場Ｂが発生する。このことは前記電子ビーム４３によって露光されるべきサンプルの位置におけるΔｘの偏位を提供する。
【００７３】
前記電子ビーム４３はまた前記静電偏向器４２の前記各貫通開口部４５の１つを横断する。電位差が前記貫通開口部４５のいずれかの側において前記各電極４６に印加されると、方向ｄｙの前記電子ビーム４３の軌道を偏向させる電場Ｅが発生する。このことは前記電子ビーム４３により露光されるべきサンプルの位置におけるΔｙの偏位を提供する。
【００７４】
尚、前記電磁偏向器４１と前記静電偏向器４２のサイズについての偏向の量は、前記偏向器アセンブリ４０の組み合わせの効果を説明するために、図６において大きく誇張されていることに注目すべきである。例えば、マルチビームレットマスクレス荷電粒子リソグラフィシステムにおいて、ウエファが必要とされる範囲は、例えば約＋／−１００ナノメータと非常に限定されている。
【００７５】
概略的な図６においては示されていないけれども、前記電磁偏向器４１はこの電磁偏向器４１の周りに配置されている前記第１もしくは第３の実施例におけるような磁束閉じ込め部材を具備し、より詳しく上記で記載したように前記電磁偏向器４１の略平面内の戻り磁場を閉じ込める。
【００７６】
図７は本発明の２個の電磁偏向器５１，５２を含む偏向器アセンブリ５０を備えた荷電粒子光学装置の第２の実施例の断面における概略図を示し、第２の電磁偏向器５２は前記各ビームレット５７の軌道、特に前記各偏向器５１，５２の偏向を持たない軌道に沿った方向の第１の電磁偏向器５１からの一定距離において配置されている。
【００７７】
図７の断面図において概略的に描かれているように、前記第２の電磁偏向器５２の前記各貫通開口部５５は前記第１の電磁偏向器５１の前記各貫通開口部５４と一列に配置されている。前記第２の電磁偏向器５２はこの第２の電磁偏向器５２の少なくとも前記各コイル５８が前記第１の電磁偏向器５１の前記各コイル５９に略平行に延びているように前記第１の電磁偏向器５１に対して配置されている。これらのコイル５８、５９は前記各ビアによって図７の断面図において表現されている。
【００７８】
前記第１の電磁偏向器５１は、この第１の電磁偏向器５１の前記各コイル５９を通る電流を駆動すると共に前記磁場Ｂ５１を確立することによって、図７に概略的に示される＋ｄｙ１方向に前記各ビームレット５７を偏向するために配置されている。（＋ｄｙ１は図面の平面内に実際向けられていることに注目されたい。）前記第２の電磁偏向器５２は、前記第２の電磁偏向器５２の前記各コイル５８を通る電流を駆動すると共に前記磁場Ｂ５２を確立することによって、図７に概略的に示されるーｄｙ２方向に前記各ビームレット５７を偏向させるために配置されている（−ｄｙ２は図面の平面から実際に向けられていることに注目されたい）。かくして、前記第２の電磁偏向器５２は前記第１の電磁偏向器５１の偏向と略対向した方向へ前記各ビームレット５７を偏向させるために配置されおよび／もしくは制御される。
【００７９】
２個の電磁偏向器５１，５２を備えた前記アセンブリ５０は前記各ビームレット５７の軌道を操作するための種々のやり方を提供すべく使用できる。例えば、前記第２の電磁偏向器５２の偏向が対向した方向において前記第１の電磁偏向器の偏向と同じ大きさを有している時に、前記アセンブリ５０から生ずる前記各ビームレット５７は前記各入射ビームレットに略平行であるが、図７の図面の平面内へもしくはそれから一定の方向へ偏位する。
【００８０】
図７に示されるような実施例において、前記各ビームレット５７は偏向される時でさえ、あるビームストップアレイもしくはレンズアレイ５３の貫通開口部５６の中心部を通過することが達成される。かくして、前記ビームストップアレイもしくはレンズアレイ５３に亘る前記各ビームレットの動きは阻止される。
【００８１】
尚あるビームストップアレイに亘る前記ビームレット５７の動きが少なくとも部分的に前記各ビームレット５７を阻止して、これがドーズ誤差になってしまうであろうことに注目すべきである。あるレンズアレイに亘る前記ビームレット５７の動きはそれらの中心における前記レンズアレイの前記各レンズを通過するであろう、このことは前記各ビームレット５７の収差、例えば前記各ビームレット５７の球面収差となるであろう。
【００８２】
前記第１及び第２の電磁偏向器５１，５２間の相互距離及び磁場の強度は前記ビームレット５７を前記ビームストップもしくはレンズの中心部を通るように方向づけるために調整される。磁場Ｂ５１，Ｂ５２の強度は好ましくは相互に結合される。それらの磁場は前記各ビームレット５７のピボットセンターが前記ビームストップアレイもしくはレンズアレイ５３の平面内で且つ前記各ビームストップ即ち各レンズの中心に位置しているように変化され得る。
【００８３】
２個の静電偏向器を用いても荷電粒子ビームレットを操作する同じやり方を実行できることが、本発明の所有者に譲渡されたその全体が本明細書によって参照ために援用されているＷＯ２０１０／１２５５２６に記載されている。
【００８４】
図７には示されていないけれども、双方の電磁偏向器５１，５２は、相当する電磁偏向器５１，５２の周りに配置されてより詳しくは上記に記載したように前記電磁偏向器５１、５２の略平面に前記戻り磁場を閉じ込める第１もしくは第３の実施例におけるような磁束閉じ込め部材を具備している。
【００８５】
図８は本発明の荷電粒子マルチビームレット露光システム６０の一実施例の断面における簡易化された概略図を示す。このような露光システム６０は発散する荷電粒子ビーム６２を放出するためのソース６１と、前記荷電粒子ビーム６２を平行ビーム６４にするためのコリメータ６３と、複数の略平行な荷電粒子ビームレット６６を発生するためのアパチャアレイ６５とを含むビーム発生器を適切に備えている。
【００８６】
更に、前記アパチャアレイ６５は各荷電粒子ビームレット６６用のブランキング偏向器を備えている。前記アパチャアレイ６５からの一定の距離において、ビームストップアレイ６７が配置されている。前記荷電粒子ビームレット６６は前記ブランキング偏向器によって偏向されない場合には、前記各荷電粒子ビームレット６６は前記ビームストップアレイ６７内の各貫通開口部を通過して、そして前記ビームストップアレイ６７直下に配置された投影レンズシステムを経由してサンプル６８の上に向けられる。前記荷電粒子ビームレット６６の１つのための前記ブランキング偏向器が活性化されると、相当する荷電粒子ビームレットは偏向され、そして前記ビームストップアレイ６７により阻止される。前記ブランキング偏向器を活性化させることによって、もしくはさせないことによって、前記各ビームレット６６は変調できる。
【００８７】
前記ビームストップアレイ６７の上の前記各荷電粒子ビームレット６６を精確に一列に配置するために、２個の電磁偏向器７１、７２及び２個の静電偏向器７３、７４は図８に概略的に示されるように前記アパチャアレイ６５における前記ブランキング偏向器と前記ビームストップアレイ６７との間に配置されている。これらの２個の電磁偏向器７１，７２は以前に記載した実施例の任意の一つ、もしくは添付された特許請求の範囲の請求項に記載されるような発明性のある各特徴を有する任意の他の電磁偏向器であってもよい。
【００８８】
より詳細な提示は図９において示される。図９は荷電粒子マルチビームレット露光システムにおける使用のための投影アセンブリの断面における簡易化された概略図を示す。図９の実施例において示すように、前記２個の電磁偏向器７１，７１、及び２個の静電偏向器７３、７４が互いに頂部に実装されて冷却部８０の頂部に実装される偏向器スタックを形成する。このような冷却部８０の一実施例は本発明の所有者に譲渡されたその明細書によって全体として参照のため援用されるＰＣＴ／ＥＰ２０１３／０５９９４８に記載されている。
【００８９】
前記冷却部８０はこの冷却部８０の直下に配置されている前記ビームストップアレイ６７を冷却するために主として設けられている。しかしながら、前記冷却部８０の頂部に前記各偏向器スタック７１、７２、７３、７４を配置することによって、前記冷却部８０はヒートシンクとして作用し、そしてスタック内の前記各偏向器７１、７２、７３、７４の熱負荷を使用に際して減少させることになる。
【００９０】
前記ビームストップアレイ６７の下方に、投影レンズアセンブリ８３が配置されている。一方前記投影レンズアセンブリ８３はスペーサ８１を経由して前記ビームストップアレイ６７に接続されており、また他方前記投影レンズアセンブリ８３は例えば接着剤接続８６を用いてスペーサ８２を経由してキャリアリング８４に接続される。更に、前記冷却部８０は例えば接着剤接続８６を用いて前記キャリアリング８４にも接続される。
【００９１】
前記キャリアリング８４はフレクチャ８５によって前記露光システム６０のハウジング内に実装されている。
【００９２】
上記の記載は好ましい各実施の形態の動作を例示すべく含まれており、そして本発明の範囲を限定することを意味しないことを理解すべきである。上記の議論から、多くの変化例は本発明の精神及び範囲によってなお包含されるであろう従来技術に精通した人、すなわち当業者にとって明らかになる。
【００９３】
まとめとして、本発明は荷電粒子の多数のビームレットの軌道を操作するための荷電粒子光学装置に関している。当該荷電粒子光学装置はその上方の側及び下方の側と、そして均一な厚さとを有する平面的な基板を含む電磁偏向器を備えている。
【００９４】
前記基板は
前記各ビームレットをそこを通って通過させる貫通開口部を備え、当該貫通開口部は前記基板の前記上方側及び下方側内に進出し；
第１及び第２のコイルとを更に備え、前記各コイルの各々は好ましくは略螺旋状コイルであり、そして前記上方側において配置された導電的な上方リードと、前記下方側において配置された導電的な下方リードと、更に前記基板を貫通して延在すると共に前記コイルを形成するために前記各上方リードの１つを前記各下方リードの１つに接続する各ビアとを備えており、
前記第１及び第２のコイルは前記貫通開口部の何れかの側に配置されている。
【００９５】
参照番号のリスト
１…電磁偏向器
２…印刷回路基板（ＰＣＢ）
３…貫通開口部
４…縦方向縁部
５…上方リード
６…下方リード
７…パッド
８…ビア
９…接続パッド
１０…コイル
１１…第１のコイル
１２…最後のコイル
１３…フェライトコア
２０…多層ＰＣＢ
２１…中央ＰＣＢ層
２２…上方リード
２３…下方リード
２４、２４’…ビア
２５…頂部ＰＣＢ層
２６…底部ＰＣＢ層
２７、２８、２９…銅層
３０…電磁偏向器
３１…ＰＣＢ
３２…貫通開口部
３３、３４、３５、３６…一次コイル
３７、３８、３９…リターンコイル
３７’、３８’、３９’ …リターンコイル
４０…偏向器アセンブリ
４１…電磁偏向器
４２…静電偏向器
４３…電子ビーム
４４、４５…貫通開口部
４６…電極
５０…偏向器アセンブリ
５１…第１の電磁偏向器
５２…第２の電磁偏向器
５３…ビームストップアレイもしくはレンズアレイ
５４、５５、５６…貫通開口部
５７…ビームレット
５８、５９…コイル
６０…マルチビームレット露光システム
６１…ソース
６２…発散荷電粒子ビーム
６３…コリメータ
６４…平行ビーム
６５…アパチャアレイ
６６…荷電粒子ビームレット
６７…ビームストップアレイ
７１、７２…電磁偏向器
７３、７４…静電偏向器
８０…冷却部
８１、８２…スペーサ
８３…投影レンズアセンブリ
８４…キャリアリング
８５…フレクチャ
８６…接着剤接続
Ｂ…磁場
Ｂ１…磁束
Ｂ２…戻り磁場
ｄ…ＰＣＢの厚さ
ｄｘ、ｄｙ…偏向方向
Δｘ、Δｙ…サンプルの位置における偏位
Ｅ…電場
＋ｄｙ１…第１の電磁偏向器の偏向方向
−ｄｙ１…第２の電磁偏向器の偏向方向
Ｂ５１，Ｂ５２…磁場
Ｉ…電流
【図１】
0006469699.tif 000002
【図２】
0006469699.tif 000003
【図３】
0006469699.tif 000004
【図４】
0006469699.tif 000005
【図５】
0006469699.tif 000006
【図６】
0006469699.tif 000007
【図７】
0006469699.tif 000008
【図８】
0006469699.tif 000009
【図９】
0006469699.tif 000010