(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物。
［Ｉｒ（Ｌ）ｎ（Ｌ’）ｍ］  式（１）
（式中、前記一般式（１）で表される化合物は、式（６ａ）、（６ｂ）、（６ｃ）、（６ｄ）、（９ａ）、（９ｂ）、（９ｆ）、（１１ａ）、（１１ｂ）、または（１１ｃ）で表される部分構造Ｉｒ（Ｌ）ｎを含み：
【化１】
0006469701.tif 000127
ここで、使用される記号および添え字は次の通りである：
Ｙは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、但し、１つ以下の記号ＹがＮであり；
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲであり；
Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｎ（Ｒ１）２、ＣＮ、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、または２〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルケニル基、または３〜４０個の炭素原子を有する、分枝もしくは環状の、アルキル、アルケニルもしくはアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ１により置換されていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、それぞれの場合に１つ以上のＲ１で置換されていてもよい）であり；同時に、２つ以上の隣接するＲは共に、単環状もしくは多環状、脂肪族環系を形成していてもよく；
Ｒ１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、または２〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルケニル基、または３〜４０個の炭素原子を有する、分枝もしくは環状の、アルキル、アルケニルもしくはアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２により置換されていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子は、Ｄ、ＦもしくはＣＮで置き替えられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、それぞれの場合に１つ以上のＲ２で置換されていてもよい）であり；
Ｒ２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個の炭素原子を有する、脂肪族または芳香族有機基（ここで、１個以上の水素原子はＤまたはＦで置き替えられていてもよい）であり；
Ｌ’は、出現毎に同一であるかまたは異なり、二座モノアニオン性配位子であり；
ｎは、１、２または３であり；
ｍは、０、１、または２であり；
＊は、その位置における２つの隣接する基ＹがＣＲであり、かつ各々のＲは、炭素原子と共に、次の式（４）または式（５）で表される環を形成することを特徴とし：
【化２】
0006469701.tif 000128
ここで、Ｒ１およびＲ２は、上記の意味を有し、破線の結合は配位子中の２つの炭素原子の結合を示しており、また、さらに：
Ａ１、Ａ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｃ（Ｒ３）２、Ｏ、またはＮＲ３であり；
Ａ２は，Ｃ（Ｒ１）２またはＣ（＝０）であり；
Ｇは、１、２もしくは３個の炭素原子を有するアルキレン基（これは、１つ以上のＲ２で置換されていてもよい）であり、
Ｒ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキルもしくはアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２により置換されていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、それぞれの場合に１つ以上のＲ２で置換されていてもよい）であり；同時に、同じ炭素原子に結合している２つのＲ３は共に、脂肪族環系を形成し、その結果スピロ系を形成していてもよく；
但し、Ａ１−Ａ２−Ａ３中で、２つのヘテロ原子は、互いに直接結合されることはない）
【請求項２】
ｎ＝３およびｍ＝０である、もしくはｎ＝２およびｍ＝１であること（ここで、Ｌ’は、１つの炭素原子と１つの窒素原子、１つの炭素原子と１つの酸素原子、２つの酸素原子、２つの窒素原子、または１つの酸素原子と１つの窒素原子を介してイリジウムに配位する二座モノアニオン配位子である）、または、ｎ＝１およびｍ＝２であること（ここで、Ｌ’は、１つの炭素原子と１つの窒素もしくは酸素原子を介してイリジウムに配位するオルトメタル化配位子である）を特徴とする、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
部分構造Ｉｒ（Ｌ）ｎが、式（６−１）〜（６−７）、（９−１）〜（９−５）、および（１１−１）〜（１１−６）で表される構造から選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
【化３−１】
0006469701.tif 000129
【化３−２】
0006469701.tif 000130
【化３−３】
0006469701.tif 000131
（式中、使用された記号および添え字は、請求項１に記載される通りである）
【請求項４】
１つの原子ＹがＮであり、且つ、この原子Ｎに隣接して結合した置換基Ｒが、ＣＦ３、ＯＣＦ３、１〜１０個の炭素原子を有する、アルキルもしくはアルコキシ基、２〜１０個の炭素原子を有するジアルキルアミノ基、１つ以上の置換基Ｒ１で置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または１つ以上の置換基Ｒ１で置換されていてもよい、アラルキルもしくはヘテロアラルキル基からなる群から選択されること、または、このＲが式（４）または（５）で表される構造に組み込まれていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
式（４）で表される構造が、式（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（４−Ｃ）、（４−Ｄ）および（４−Ｅ）：
【化４】
0006469701.tif 000132
（式中、Ｒ１およびＲ３は、請求項１に記載される通りであり、Ａ１、Ａ２およびＡ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯまたはＮＲ３である）
から選択されること、および式（５）で表される構造が、式（５−Ａ）、（５−Ｂ）および（５−Ｃ）：
【化５】
0006469701.tif 000133
（式中、使用された記号は、請求項１に記載される通りである）
から選択されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、または３〜２０個の炭素原子を有する分枝状もしくは環状のアルキル基（ここで、各々の場合において、１つ以上の非隣接ＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２で置き替えられていてもよく、また、１個以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または５〜１４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香環系（これらは、各々の場合において、１つ以上のＲ２で置換されていてもよい）であり；同時に、同じ炭素原子に結合している２つのＲ３は共に、脂肪族または芳香族環系を形成し、その結果スピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ３は、隣接するＲまたはＲ１と共に、脂肪族環系を形成していてもよいことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
配位子を、式（４４）で表されるイリジウムアルコキシド、式（４５）で表されるイリジウムケトケトナート、式（４６）で表されるハロゲン化イリジウム、または式（４７）もしくは式（４８）で表される二量体イリジウム錯体：
【化６】
0006469701.tif 000134
（式中、記号および添え字Ｌ’、ｍ、ｎおよびＲ１は、請求項１に記載の通りであり、また、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである）
と反応させることにより、または、
配位子Ｌを、式［Ｉｒ（Ｌ’）２（ＨＯＭｅ）２］Ａもしくは［Ｉｒ（Ｌ’）２（ＮＣＭｅ）２］Ａで表されるイリジウム錯体と反応させることにより、または、配位子Ｌ’を、式［Ｉｒ（Ｌ）２（ＨＯＭｅ）２］Ａもしくは［Ｉｒ（Ｌ）２（ＮＣＭｅ）２］Ａで表されるイリジウム錯体と反応させることにより（ここで、Ａは、各々の場合において、非配位性アニオンである）、または、アルコキシドおよび／またはハロゲン化物および／またはヒドロキシおよびケトケトナートの両方を有するイリジウム化合物を出発物質として使用することにより、請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物を調製する方法。
【請求項８】
少なくとも１つの、請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物、および少なくとも１つのさらなる化合物を含んでなる配合物。
【請求項９】
有機エレクトロルミネッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機太陽電池、有機光検出器、有機光受容器、有機フィールドクエンチ素子、発光電気化学電池、および有機レーザーダイオードからなる群から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の少なくとも１つの化合物を含んでなる、電子素子。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物が、１つ以上の発光層中の発光性化合物として使用されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である、請求項９に記載の電子素子。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物のために使用されるマトリックス材料が、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、トリアリールアミン、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、アザカルバゾール、双極性マトリックス材料、アザボロール、ボロン酸エステル、ジアザシロール、ジアザホスホール、トリアジン、亜鉛錯体、ベリリウム錯体、ジベンゾフランおよび／または架橋カルバゾール誘導体を含んでなること特徴とする、請求項９に記載の電子素子。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、金属錯体に関し、およびそれらの金属錯体を含んでなる電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【０００２】
有機半導体が機能性材料として使用された有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）の構造は、例えば、ＵＳ４５３９５０７、ＵＳ５１５１６２９、ＥＰ０６７６４６１およびＷＯ９８／２７１３６に記載されている。これらには、発光材料として、蛍光よりも燐光を示す有機金属錯体が使用されることが増えている（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ等、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５巻、４−６頁）。量子力学的な理由で、燐光発光性発光体として有機金属化合物を使用すると、最大４倍のエネルギー効率と出力効率が可能である。しかしながら、一般的にはまだ、三重項発光を示すＯＬＥＤにおける、特に効率、動作電圧および寿命に関する改善が必要とされている。
【０００３】
従来技術によれば、燐光発光性ＯＬＥＤにおいて使用される三重項発光体は、特にイリジウム錯体であり、例えば、配位子としてベンゾ［ｈ］キノリン誘導体を含むイリジウム錯体である。一般的には、燐光発光性発光体における、特に効率、動作電圧および寿命に関するさらなる改善が望まれている。
【０００４】
従って、本発明の目的は、ＯＬＥＤで使用する発光体として適しており、また、同時に、特に効率、動作電圧および／または寿命に関する、改善されたＯＬＥＤの特性をもたらす、新規な金属錯体を提供することにある。
【０００５】
驚くべきことに、以下に述べる、融合した脂肪族５員環を配位子中に有する、特別な金属キレート錯体が、この目的を達成し、また、有機エレクトロルミネッセンス素子における改善された特性を示すことが見出された。とりわけ、これらの金属錯体は、この融合した脂肪族５員環を含まない類似の金属錯体に比べ、改善された効率と寿命を示す。本発明は、従って、これらの金属錯体およびその金属錯体を含む電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【０００６】
従って、本発明は、式（１）で表される化合物を提供する。
［Ｉｒ（Ｌ）ｎ（Ｌ’）ｍ］  式（１）
式中、前記一般式（１）で表される化合物は、式（２）で表される部分構造Ｉｒ（Ｌ）ｎを含み：
【化１】
0006469701.tif 000002
ここで、使用される記号および添え字は次の通りである：
【０００７】
Ｙは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、但し、環当たり１つ以下の記号ＹがＮであるか、または２つの隣接する記号Ｙが共に次の式（３）で表される基であり：
【化２】
0006469701.tif 000003
ここで、破線の結合は、配位子中でのこの基の連結部を表し；
【０００８】
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、但し、配位子当たり２以下の記号ＸがＮであり；
【０００９】
Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ１）２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ１）３、Ｂ（ＯＲ１）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個の炭素原子を有する、分枝もしくは環状の、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ１により置換されていてもよく、ここで１つ以上の非隣接ＣＨ２基は、Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１、Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ１で置き替えられていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子は、Ｄ、ＦもしくはＣＮで置き替えられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、それぞれの場合に１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有する、ジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい）であり；同時に、２つ以上の隣接するラジカルＲは共に、単環状もしくは多環状、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく；
【００１０】
Ｒ１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜４０個の炭素原子を有する直鎖の、アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個の炭素原子を有する、分枝もしくは環状の、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ２により置換されていてもよく、ここで１つ以上の非隣接ＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２で置き替えられていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子は、Ｄ、ＦもしくはＣＮで置き替えられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、それぞれの場合に１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有する、ジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）であり；同時に、２つ以上の隣接するラジカルＲ１は共に、単環状もしくは多環状、脂肪族環系を形成していてもよく；
【００１１】
Ｒ２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個の炭素原子を有する、脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族有機ラジカル（ここで、１個以上の水素原子はＤまたはＦで置き替えられていてもよい）であり；同時に、２つ以上のラジカルＲ２は共に、単環状もしくは多環状、脂肪族、または芳香族環系を形成していてもよく；
【００１２】
Ｌ’は、出現毎に同一であるかまたは異なり、一座−もしくは二座−配位子であり；
【００１３】
ｎは、１，２または３であり；
【００１４】
ｍは、０、１、２、３または４であり；
【００１５】
式（２）で表される部分構造において、２つの隣接する基ＹはＣＲであり、また、各々のラジカルＲは、炭素原子と共に、次の式（４）または式の（５）で表される環を形成することを特徴とする、および／または２つの隣接する基Ｙは、式（３）で表される基であり、また、式（３）で表されるこの基の中の２つの隣接する基ＸはＣＲであり、また、各々のラジカセＲは、炭素原子と共に、次の式（４）または式（５）で表される環を形成し：
【化３】
0006469701.tif 000004
ここで、Ｒ１およびＲ２は、上記の意味を有し、破線の結合は配位子中の２つの炭素原子の結合を示しており、また、さらに：
【００１６】
Ａ１、Ａ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｃ（Ｒ３）２、Ｏ、Ｓ、ＮＲ３またはＣ（＝Ｏ）であり；
【００１７】
Ａ２は，Ｃ（Ｒ１）２、Ｏ、Ｓ、ＮＲ３またはＣ（＝０）であり；
【００１８】
Ｇは、１、２もしくは３個の炭素原子を有するアルキレン基（これは、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、−ＣＲ２＝ＣＲ２−、または５〜１４個の芳香族環原子を有する、オルト結合した、アリーレンもしくはヘテロアリーレン基（これらは、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）であり、
【００１９】
Ｒ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキルもしくはアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ２により置換されていてもよく、ここで１つ以上の非隣接ＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２で置き替えられていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、それぞれの場合に１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、アラルキルもしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）；同時に、同じ炭素原子に結合している２つのラジカルＲ３は共に、脂肪族または芳香族環系を形成し、その結果スピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ３は、隣接するラジカルＲまたはＲ１と共に、脂肪族環系を形成していてもよい；
【００２０】
但し、Ａ１−Ａ２−Ａ３中で、２つのヘテロ原子は、互いに直接結合されることはなく、また、２つのＣ＝０基が互いに直接結合されることはないことを特徴とする。
【００２１】
これらの式中、添え字ｎおよびｍは、イリジウム上の配位数が合計６に一致するように選択される。これは、特に、配位子Ｌがいくつ存在するか、および配位子Ｌ’が一座−もしくは二座−配位子であるかに依存する。
【００２２】
以下の記載中、「隣接する基Ｙ」および「隣接する基Ｘ」は、基ＹおよびＸが構造中で互いに直接結合していることを意味する。
【００２３】
さらに、ラジカルの定義における「隣接する」は、これらのラジカルが同じ炭素原子に、もしくは互いに直接結合された炭素原子に結合されていることを意味し、または、それらが直接結合された炭素原子に結合されていないときは、置換基が結合される、可能な最も近接した位置を意味する。このことは、隣接するラジカルの以下の略図に特定の配位子に関して、隣接するラジカルに対して再度説明されている：
【化４】
0006469701.tif 000005
【００２４】
本発明の意味において、アリール基は、６〜４０個の炭素原子を含む；本発明の意味において、ヘテロアリール基は、２〜４０個の炭素原子および少なくとも１つのヘテロ原子を含み、但し、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここでは、アリール基またはヘテロアリール基は、単一の芳香族環、すなわちベンゼン、または単一のヘテロ芳香族環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合した、アリールもしくはヘテロアリール基、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等のいずれかを意味するものと理解される。
【００２５】
本発明の意味において、芳香族環系はその環系中に６〜６０個の炭素原子を含む。ヘテロ芳香族環系は、本発明の意味において、２〜６０個の炭素原子とその環系中に少なくとも１つのヘテロ原子を含み、但し、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、本発明の意味において、必ずしもアリールもしくはヘテロアリール基を含む系だけではなく、２つ以上のアリールもしくはヘテロアリール基が非芳香族単位（好ましくは、１０％未満の、Ｈ以外の原子）、例えば、ｓｐ３−ハイブリッド炭素、窒素、もしくは酸素原子、またはカルボニル基、により結合されていることのできる系をも意味するものと理解される。例えば、９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系も、本発明の意味においては、芳香族環系とみなされ、また、２つ以上のアリール基が、例えば、直鎖状もしくは環状のアルキレン基によって、またはシリレン基によって結合されている系も同様である。
【００２６】
環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基は、本発明の意味において、単環状、二環状もしくは多環状の基を意味するものと理解される。
【００２７】
本発明の意味において、１〜４０個の炭素原子を有するアルキル基（ここで、個々の水素原子もしくはＣＨ２基は上記の基で置き替えられていてもよい）は、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、２−メチルペンチル、ネオヘキシル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、または２，２，２−トリフルオロエチルを意味するものと理解される。本発明の意味において、アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、またはシクロオクタジエニルを意味するものと理解される。本発明の意味において、アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、またはオクチニルを意味するものと理解される。本発明の意味において、１〜４０個の炭素原子を有するアルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、または２−メチルブトキシを意味するものと理解される。本発明の意味において、５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これらは、各々の場合において、上記のラジカルＲで置換されていてもよく、また、任意の位置を介して芳香族もしくはヘテロ芳香族環系に結合していてもよい）は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−インデノフルオレン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−モノベンゾインデノフルオレン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントレイミダゾール、ピリジムイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン、およびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと理解される。
【００２８】
本発明に係る錯体は、フェイシャル体（ｆａｃｉａｌ）もしくは疑似フェイシャル体（ｐｓｅｕｄｏｆａｃｉａｌ）であることができる、または、それらは、メリジオナル体（ｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ）もしくは疑似メリジオナル体（ｐｓｅｕｄｏｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ）であることができる。
【００２９】
好ましい態様では、添え字ｎは３である、すなわち、その錯体はホモレプティック金属錯体であり、添え字ｍは０である。
【００３０】
さらに好ましい態様では、添え字ｎが２であり、ｍが１である；本発明に係る錯体は、２つの配位子Ｌと１つの二座配位子Ｌ’を含む。ここで、配位子Ｌ’は、１つの炭素原子と１つの窒素原子、１つの炭素原子と１つの酸素原子、２つの酸素原子、２つの窒素原子、または１つの酸素原子と１つの窒素原子を介してイリジウムに配位する配位子であることが好ましい。
【００３１】
さらに好ましい態様では、添え字ｎが１であり、ｍが２である；本発明に係る錯体は、１つの配位子Ｌと２つの二座配位子Ｌ’を含む。ここで、Ｌ’は、１つの炭素原子と１つの窒素もしくは酸素原子を介してイリジウムに配位するオルトメタル化配位子であることが特に好ましい。
【００３２】
本発明のさらに好ましい態様では、本発明に係る化合物中に式（３）で表される基は、存在しないか、１つもしくは２つ存在する。従って、部分構造Ｉｒ（Ｌ）ｎは、好ましくは、式（６）〜（１５）で表される構造から選択される。
【化５】
0006469701.tif 000006
式中、Ｙは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮを表し、他の記号および添え字は、上記の通りである。
【００３３】
本発明の好ましい態様では、配位子Ｌ中の、記号Ｙおよび存在する場合Ｘの総数である０、１または２個がＮである。より好ましくは、配位子Ｌ中の、記号Ｙおよび存在する場合Ｘの総数である０または１個がＮである。最も好ましくは、記号ＸおよびＹのすべてがＣＲである。
【００３４】
本発明の好ましい態様では、イリジウムへの配位に対してオルト位にある基ＹはＣＲである。このラジカルでは、イリジウムへの配位に対してオルト位に結合されるＲは、好ましくはＨ、Ｄ、Ｆ、ＣＮおよびメチルからなる群から選択される。
【００３５】
式（６）〜（１２）の好ましい態様は、次の式（６−１）〜（６−７）、（７−１）〜（７−６）、（８−１）〜（８−５）、（９−１）〜（９−５）、（１０−１）〜（１０−５）、（１１−１）〜（１１−６）、（１２−１）〜（１２−４）、（１３−１）〜（１３−３）、（１４−１）〜（１４−４）および（１５−１）〜（１５−３）で表される構造である。
【化６−１】
0006469701.tif 000007
【化６−２】
0006469701.tif 000008
【化６−３】
0006469701.tif 000009
【化６−４】
0006469701.tif 000010
【化６−５】
0006469701.tif 000011
式中、使用された記号および添え字は、上記された定義を有する。
【００３６】
本発明の一態様では、原子ＹまたはＸ（存在する場合）の１つがＮである場合、その窒素原子に隣接して結合した置換基が、水素もしくは重水素以外の基Ｒであることが好ましい。
【００３７】
この場合、この置換基Ｒは、好ましくは、ＣＦ３、ＯＣＦ３、１〜１０個の炭素原子を有する、アルキルもしくはアルコキシ基、特に３〜１０個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキルもしくはアルコキシ基、２〜１０個の炭素原子を有するジアルキルアミノ基、１つ以上の置換基Ｒ１で置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または１つ以上の置換基Ｒ１で置換されていてもよい、アラルキルもしくはヘテロアラルキル基から選択される基である。これらの基は、立体的に嵩高い基である。さらに好ましくは、このラジカルＲは、隣接するラジカルＲと共に環を形成することもできる。その場合、その構造は好ましくは、本発明に従い、本発明に係る化合物において存在するような、式（４）または（５）で表されるものである。
【００３８】
窒素原子に隣接するラジカルＲがアルキル基である場合、このアルキル基は、好ましくは、３〜１０個の炭素原子を有している。さらに好ましくは、第二級もしくは第三級炭素原子が、直接配位子に結合しているか、ＣＨ２基を介して配位子に結合しているかのいずれかである、第二級もしくは第三級アルキル基である。さらに好ましくは、このアルキル基は、次の式（Ｒ−１）〜（Ｒ−３３）（それぞれの場合において、これらの基の配位子への結合も図示されている）で表される構造から選択される：
【化７】
0006469701.tif 000012
式中、Ｌｉｇは、アルキル基の配位子への結合を示している。
【００３９】
窒素原子に隣接するラジカルＲがアルコキシ基である場合、このアルコキシ基は、好ましくは、３〜１０個の炭素原子を有している。このアルコキシ基は好ましくは、次の式（Ｒ−３４）〜（Ｒ−４７）（それぞれの場合において、これらの基の配位子への結合も図示されている）で表される構造から選択される：
【化８】
0006469701.tif 000013
式中、Ｌｉｇは、アルコキシ基の配位子への結合を示している。
【００４０】
窒素原子に隣接するラジカルＲがジアルキルアミノ基である場合、これらのアルキル基の各々は、好ましくは、１〜８個の炭素原子、好ましくは、１〜６個炭素原子を有している。適当なアルキル基の例は、メチル、エチルまたは基（Ｒ−１）〜（Ｒ−３３）として上記された構造である。より好ましくは、ジアルキルアミノ基は、次の式（Ｒ−４８）〜（Ｒ−５５）（それぞれの場合において、これらの基の配位子への結合も図示されている）で表される構造から選択される：
【化９】
0006469701.tif 000014
式中、Ｌｉｇは、ジアルキルアミノ基の配位子への結合を示している。
【００４１】
窒素原子に隣接するラジカルＲがアラルキル基である場合、このアラルキル基は、好ましくは、次の式（Ｒ−５６）〜（Ｒ−６９）（それぞれの場合において、これらの基の配位子への結合も図示されている）で表される構造から選択される：
【化１０】
0006469701.tif 000015
式中、Ｌｉｇは、アラルキル基の配位子への結合を示し、また、フェニル基は、それぞれ１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい。
【００４２】
窒素原子に隣接するラジカルＲが芳香族もしくはヘテロ芳香族環系である場合、この芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、好ましくは、５〜３０個の芳香族環原子、より好ましくは、５〜２４個の炭素原子を有している。さらに、この芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、好ましくは、２より多くの芳香族６員環が直接互いに融合したアリールもしくはヘテロアリール基を含まず、また、より好ましくは、その芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、融合したアリールもしくはヘテロアリール基を全く含まず、さらに、最も好ましくは、フェニル基のみを含む。この場合、芳香族環系は、好ましくは、次の式（Ｒ−７０）〜（Ｒ−８４）（それぞれの場合において、これらの基の配位子への結合も図示されている）で表される構造から選択される：
【化１１】
0006469701.tif 000016
式中、Ｌｉｇは、芳香族環系の配位子への結合を示し、また、フェニル基は、それぞれ１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい。
【００４３】
さらに、ヘテロ芳香族環系は、好ましくは、次の式（Ｒ−８５）〜（Ｒ−１２３）（それぞれの場合において、これらの基の配位子への結合も図示されている）で表される構造から選択される：
【化１２−１】
0006469701.tif 000017
【化１２−２】
0006469701.tif 000018
式中、Ｌｉｇは、ヘテロ芳香族環系の配位子への結合を示し、また、芳香族もしくはヘテロ芳香族基は、それぞれ１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい。
【００４４】
本発明の特徴とするところは、上述したように、式（２）で表される部分構造において、２つの隣接する基Ｙおよび／または２つの隣接する基Ｘ（存在する場合）がＣＲであり、また、それぞれのラジカルＲが炭素原子と共に式（４）または式（５）で表される環を形成していることにある。
【００４５】
式（４）または式（５）で表される基は、２つの基Ｙまたは２つの隣接する基Ｘ（存在する場合）が互いに直接結合されている、式（２）で表される部分構造中のいかなる位置に存在していてもよい。式（４）または式（５）で表される基が存在する好ましい位置は、次の式（６ａ）〜（１５ｈ）で表される部分構造である。
【化１３−１】
0006469701.tif 000019
【化１３−２】
0006469701.tif 000020
【化１３−３】
0006469701.tif 000021
【化１３−４】
0006469701.tif 000022
【化１３−５】
0006469701.tif 000023
【化１３−６】
0006469701.tif 000024
式中、使用された記号および添え字は、上記の通りであり、また、＊は、それぞれの場合において、２つの隣接する基ＹまたはＸがＣＲであり、且つ各々のラジカルＲが炭素原子と共に、式（４）または（５）で表される環を形成する位置を示している。
【００４６】
式（４）および（５）で表される、上記の構造およびさらに好ましいとして特定されたこれらの構造の態様において、形式的には２つの炭素原子間に二重結合が形成されている。これらの２個の炭素原子は芳香族もしくはヘテロ芳香族系に組み込まれており、従って、これら２つの炭素原子間の結合は、形式的には単結合の結合準位と二重結合の結合準位との間にあるので、これは、化学構造を単純化しているものである。従って、形式的な二重結合の図示は、構造を限定しているように解釈されるべきではなく、これが芳香族結合であることは、当業者には明らかであろう。
【００４７】
式（４）および（５）で表される基における本質的な特徴は、それらが酸性ベンジルプロトンを有していないことである。ベンジルプロトンは、配位子に直接結合している炭素原子に結合するプロトンを意味するものと理解される。式（４）に酸性ベンジルプロトンが存在しないことは、Ａ１およびＡ３によって、それらがＣ（Ｒ３）２（Ｒ３は、水素ではないと定義される）である場合に達成される。酸性ベンジルプロトンが存在しないことは、これは、構造が二環状構造である式（５）において達成される。剛性の空間構成により、Ｒ１は、それがＨである場合、二環状構造の対応する陰イオンがメソメリー的に安定化されていないため、ベンジルプロトンよりも酸性が一層弱い。従って、式（５）中のＲ１がＨである場合であっても、これは、本発明の意味においては、非酸性プロトンである。
【００４８】
式（４）で表される構造の好ましい態様では、１つ以下のＡ１、Ａ２およびＡ３がヘテロ原子、特にＯもしくはＮＲ３であり、且つ、その他の２つの基がＣ（Ｒ３）２もしくはＣ（Ｒ１）２であるか、またはＡ１およびＡ３が、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯもしくはＮＲ３であり、且つＡ２がＣ（Ｒ１）２である。本発明の特に好ましい態様では、Ａ１およびＡ３が、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｃ（Ｒ３）２であり、且つＡ２がＣ（Ｒ１）２、より好ましくは、Ｃ（Ｒ３）２である。従って、式（４）の好ましい態様は、式（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（４−Ｃ）および（４−Ｄ）で表される構造であり、式（４−Ａ）の特に好ましい態様は、式（４−Ｅ）で表される構造である。
【化１４】
0006469701.tif 000025
式中、Ｒ１およびＲ３は、上記の通りであり、Ａ１、Ａ２およびＡ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯまたはＮＲ３である。
【００４９】
式（５）で表される構造の好ましい態様では、橋頭に結合したラジカルＲ１が、Ｈ、Ｄ、ＦもしくはＣＨ３である。さらに好ましくは、Ａ２がＣ（Ｒ１）２もしくはＯ、より好ましくは、Ｃ（Ｒ３）２である。従って、式（５）の好ましい態様は、式（５−Ａ）および（５−Ｂ）で表される構造であり、式（５−Ａ）の特に好ましい態様は、式（５−Ｃ）で表される構造である。
【化１５】
0006469701.tif 000026
式中、使用された記号は、上記の通りである。
【００５０】
さらに好ましくは、式（５）、（５−Ａ）、（５−Ｂ）および（５−Ｃ）中の基Ｇは、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい１，２−エチレン基（ここで、Ｒ２は、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈもしくは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基である）であるか、または６〜１０個の炭素原子を有するオルト−アリーレン基（これは、１個以上のラジカルＲ２で置換されていてもよいが、好ましくは、非置換である）であり、特に、１個以上のラジカルＲ２で置換されていてもよいが、好ましくは非置換である、オルト−フェニレン基である。
【００５１】
本発明のさらに好ましい態様では、式（４）および（５）で表される基における、および好ましい態様におけるＲ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、または３〜２０個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状のアルキル基（ここで、各々の場合において、１つ以上の非隣接ＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２で置き替えられていてもよく、また、１個以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または５〜１４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香環系（これらは、各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）であり；同時に、同じ炭素原子に結合している２つのラジカルＲ３は共に、脂肪族または芳香族環系を形成し、その結果スピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ３は、隣接するラジカルＲまたはＲ１と共に、脂肪族環系を形成していてもよい。
【００５２】
本発明の特に好ましい態様では、式（４）および（５）で表される基における、および好ましい態様におけるＲ３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜３個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、特にメチル、または５〜１２個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香環系（これらは、各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ２で置換されていてもよいが、好ましくは、非置換である）であり；同時に、同じ炭素原子に結合している２つのラジカルＲ３は共に、脂肪族または芳香族環系を形成し、その結果スピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ３は、隣接するラジカルＲまたはＲ１と共に、脂肪族環系を形成していてもよい。
【００５３】
式（４）で表される基の特に好適な例は、以下に記載される基（４−１）〜（４−６９）である。
【化１６−１】
0006469701.tif 000027
【化１６−２】
0006469701.tif 000028
【００５４】
式（５）で表される基の特に好適な例は、以下に記載される基（５−１）〜（５−２２）である。
【化１７】
0006469701.tif 000029
【００５５】
更なるもしくは他のラジカルＲが、式（２）で表される部分構造内で結合されている場合、これらのラジカルＲは、出現毎に同一であるかまたは異なり、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ１）２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ１）３、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルケニル基、または３〜１０個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状のアルキル基（これらの各々は、１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよく、ここで、１個以上の水素原子はＤもしくはＦによって置換されていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい）であり；同時に、２つの隣接するラジカルＲは、Ｒ１と共に、単環状もしくは多環状の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよい。より好ましくは、これらのラジカルＲは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、または３〜１０個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状のアルキル基（１つ以上の水素原子はＦで置換されていてもよい）、または５〜１８個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各々の場合において１つ以上のラジカルＲ１で置換されていてもよい）であり；同時に、２つの隣接するラジカルＲが共に、もしくはＲがＲ１と共に、単環状もしくは多環状の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよい。その系が芳香族もしくはヘテロ芳香族環系である場合、その系が２より多い、互いに直接融合された芳香族６員環を含まないことが好ましく、また特に、互いに直接融合された芳香族６員環を全く含まないことが好ましい。
【００５６】
以下、式（１）で表される化合物を生じさせる、好ましい配位子Ｌ’について記載する。定義によれば、配位子Ｌ’は、一座もしくは二座配位子である。配位子Ｌ’は、好ましくは非荷電性、モノアニオン性、ジアニオン性、もしくはトリアニオン性の配位子であり、より好ましくは、非荷電性、もしくはモノアニオン性の配位子である。好ましいのは、二座配位子Ｌ’である。
【００５７】
好ましい非荷電性一座配位子Ｌ’は、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル（例えば、アセトニトリル）、アリールシアニド（例えば、ベンゾニトリル）、アルキルイソシアニド（例えば、メチルイソニトリル）、アリールイソシアニド（例えば、ベンゾイソニトリル）、アミン（例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン）、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンもしくはアルキルアリールホスフィン（例えば、トリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン）、亜リン酸エステル（例えば、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル）、アルシン（例えば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシン）、スチビン（例えば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビン）、含窒素複素環（例えば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン）、およびカルベン、特にアルジュンゴ（Ａｒｄｕｅｎｇｏ）カルベンから選択される。
【００５８】
好ましいモノアニオン性一座配位子Ｌ’は、水素化物、重水素化物、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−およびＩ−ハロゲン化物、アルキルアセチリド（例えば、メチル−Ｃ≡Ｃ−、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ−）、アリールアセチリド（例えば、フェニル−Ｃ≡Ｃ−）、シアニド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族もしくは芳香族アルコキシド（例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ｉｓｏ−プロポキシド、ｔｅｒｔ−ブトキシド、フェノキシド）、脂肪族もしくは芳香族チオアルコキシド（例えば、メタンチオラート、エタンチオラート、プロパンチオラート、ｉｓｏ−プロパンチオラート、ｔｅｒｔ−チオブトキシド、チオフェノキシド）、アミド（例えば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミド、モルホリド）、カルボン酸エステル（例えば、酢酸エステル、トリフルオロ酢酸エステル、プロピオン酸エステル、安息香酸エステル）、アリール基（例えば、フェニル、ナフチル）、およびアニオン性の窒素含有複素環（例えば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリド等）から選択される。同時に、これらの基中のアルキル基は、好ましくは１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、より好ましくは１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、最も好ましくは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基である。アリール基はまた、ヘテロアリール基を意味するものと理解される。これらの基は上記で定義された通りである。
【００５９】
好ましいジ−もしくはトリアニオン性の配位子は、Ｏ２−、Ｓ２−、Ｒ−Ｃ≡Ｍ型の配位に導くカーバイドおよびＲ−Ｎ＝Ｍ型の配位に導くニトレン（ここで、Ｒは、一般に置換基である）、並びにＮ３−である。
【００６０】
好ましい非荷電性またはモノ−もしくはジアニオン性の、二座以上の多座配位子Ｌ’は、ジアミン（例えば、エチレンジアミン、Ν，Ν，Ν’，Ν’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ν，Ν，Ν’，Ν’−テトラメチルプロピレンジアミン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−ジアミノシクロヘキサン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−Ν，Ν，Ν’，Ν’−テトラメチルジアミノシクロヘキサン）、イミン（例えば、２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｉｓｏ−プロピルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジン）、ジイミン（例えば１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｉｓｏ−プロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス−（ｉｓｏ−プロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタン）、２つの窒素原子を含む複素環（例えば、２，２−ビピリジン、ｏ−フェナントロリン）、ジホスフィン（例えば、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン）、１，３−ジケトンから誘導される１，３−ジケトナート（例えば、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）、３−ケトエステルから誘導される３−ケトナート（例えば、アセト酢酸エチル）、アミノカルボン酸から誘導されるカルボン酸エステル（例えば、ピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸）、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ν，Ν−ジメチルアミノアラニン、サリチルイミンから誘導されるサリチルイミナート（例えば、メチルサリチルイ��ン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン）、ジアルコールから誘導されるジアルコキシド（例えば、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコール）、ジチオールから誘導されるジチオレート（例えば、１，２−エチレンジチオール１，３−プロピレンジチオール）から選択される。
【００６１】
本発明のさらに好ましい態様では、配位子Ｌ’は、イリジウムと共に、少なくとも１つのイリジウム−炭素結合を有する、シクロメタル化５員環もしくはシクロメタル化６員環を有する、特に、シクロメタル化５員環を有する、モノアニオン性の二座配位子である。これらは、有機エレクトロルミネッセンス素子用の燐光発光性の金属錯体の分野で一般に使用されているような特定の配位子、すなわち、１つ以上のラジカルＲで置換されていてもよい、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン系等の配位子である。燐光発光性のエレクトロルミネッセンス素子の分野の当業者は、このような配位子の多くを知っており、発明的工夫を凝らすことなく、式（１）で表される化合物のための配位子Ｌ’としてこの種の更なる配位子を選択することができるであろう。目的に対する特に適した組み合わせは一般的に、下記の式（１６）〜（４３）で示されるような２つの基（ここでは、１つの基が非荷電性原子を介して結合し、他の基が負に荷電した原子を介して結合している）の組合せである。この場合、非荷電性原子は、特に、非荷電性窒素原子もしくはカルベン炭素原子であり、また、負に荷電した原子は、特に、負に荷電した炭素原子、負に荷電した窒素原子もしくは負に荷電した酸素原子である。配位子Ｌ’は、式（１６）〜（４３）で表される基から、＃で示された位置で互いに結合されたこれらの基によって、形成される。これらの基が金属に配位する位置は、＊で示されている。さらに、ここで、２つの隣接するラジカルＲは、式（１６）〜（４３）で表される２つの基にそれぞれ結合して、互いに脂肪族もしくは芳香族の環系を形成することもできる。
【化１８】
0006469701.tif 000030
【００６２】
これらの式中、使用される記号は上記と同じ意味を有し、ＥがＯ、ＳまたはＣＲ２であり、また、好ましくは、各基中の最大で２つの記号ＸがＮであり、より好ましくは、各基中の最大で１つの記号ＸがＮである。最も好ましくは、すべての記号ＸがＣＲである。
【００６３】
本発明の非常に好ましい態様では、配位子Ｌ’は、式（１６）〜（４３）で表される２つの基から形成されるモノアニオン性の配位子であり、ここで、これらの基の１つは、負に荷電した炭素原子を介して、また、これらの基のもう１つは非荷電性窒素原子を介して、イリジウムに配位する。
【００６４】
これらの配位子における２つの隣接する記号Ｘが上記の式（４）または（５）で表される基である場合が同様に好ましいということができる。
【００６５】
上で詳述した構造中の、更に好ましいラジカルＲは、配位子ＬのラジカルＲとして定義された通りである。
【００６６】
配位子ＬおよびＬ’は、構造によってはキラル体であることもできる。これは、特に、それらが式（５）で表される二環状基を含むか、またはそれらが１つ以上のキラル中心を有する置換基、例えば、アルキル、アルコキシ、ジアルキルアミノまたはアラルキル基、を含む場合である。錯体の基本構造はキラル構造であることもできるため、ジアステレオマーおよび鏡像異性体の複数対の形成が可能である。この場合、本発明に係る錯体は、種々のジアステレオマーもしくは対応するラセミ体と、個々に単離したジアステレオマーもしくは鏡像異性体の両方を含む。
【００６７】
本発明に係る化合物は、例えば、比較的長鎖のアルキル基（約４〜２０個の炭素原子）、特に分枝状のアルキル基、または、必要に応じて置換されたアリール基（例えば、キシリル、メシチル、または分枝状の、テルフェニルもしくはクォーターフェニル基）による適当な置換によって可溶化することもできる。このような化合物は、室温で標準的な有機溶媒中に十分な濃度で可溶であり、例えば、印刷法により、溶液から錯体を処理することができる。
【００６８】
上記の好ましい態様は、必要に応じて互いに結合されうる。本発明の特に好ましい態様では、上記の好ましい態様が同時に適用される。
【００６９】
本発明に係る金属錯体は、原則として、種々の方法で調製される。しかし、以下に説明する工程は、特に好適であることが見出された。
【００７０】
従って、本発明はさらに、対応する遊離した配位子を、式（４４）で表されるイリジウムアルコキシドと、式（４５）で表されるイリジウムケトケトナートと、式（４６）で表されるハロゲン化イリジウムと、または式（４７）もしくは式（４８）で表される二量体イリジウム錯体と反応させることにより、式（１）で表される本発明の化合物を調製する方法を提供する。
【化１９】
0006469701.tif 000031
式中、記号および添え字Ｌ’、ｍ、ｎおよびＲ１は、上記の通りであり、また、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００７１】
その合成はまた、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等の双極性プロトン性溶媒中で、配位子Ｌを、式［Ｉｒ（Ｌ’）２（ＨＯＭｅ）２］Ａもしくは［Ｉｒ（Ｌ’）２（ＮＣＭｅ）２］Ａで表されるイリジウム錯体と反応させることにより、または、配位子Ｌ’を、式［Ｉｒ（Ｌ）２（ＨＯＭｅ）２］Ａもしくは［Ｉｒ（Ｌ）２（ＮＣＭｅ）２］Ａで表されるイリジウム錯体と反応させることによって行うこともでき、ここで、Ａは、各々の場合において、非配位性アニオンであり、例えば、トリフレート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート等である。
【００７２】
同様に、アルコキシドおよび／またはハロゲン化物および／またはヒドロキシラジカルおよびケトケトナートラジカルの両方を有するイリジウム化合物を使用することもできる。これらの化合物はまた、荷電されていてもよい。反応物質として特に適している、対応するイリジウム化合物は、ＷＯ２００４／０８５４４９に開示されている。［ＩｒＣｌ２（ａｃａｃ）２］−が特に適しており、例えばＮａ［ＩｒＣｌ２（ａｃａｃ）２］である。さらに特に好適なイリジウム反応物質は、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（アセチルアセトナート）およびイリジウム（ＩＩＩ）トリス（２,２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）である。
【００７３】
錯体の合成は、好ましくは、ＷＯ２００２／０６０９１０およびＷＯ２００４／０８５４４９に記載のように行なわれる。ヘテロレプティック錯体は、例えば、ＷＯ０５／０４２５４８によっても合成することができる。この場合、合成は、例えば、熱的もしくは光化学的手段により、および／またはマイクロ波放射により活性化させることもできる。さらに、合成は、オートクレーブ中で、高圧および／または高温にて行うこともできる。
【００７４】
反応は、原則として、対応のｏ−メタル化される配位子の溶融物中で、溶媒もしくは溶融助剤を加えずに行うことができる。必要に応じて、溶媒もしくは溶融助剤を加えることもできる。適当な溶媒は、脂肪族および／または芳香族アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔ‐ブタノール等）、オリゴアルコールおよびポリアルコール（例えば、エチレングリコール、１，２−プロパンジオールまたはグリセロール）、アルコールエーテル（例えば、エトキシエタノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール等）、エーテル（例えば、ジ−およびトリエチレングリコールジメチルエーテル、ジフェニルエーテル等）、芳香族、ヘテロ芳香族および／または脂肪族炭化水素（例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、トリデカン、ヘキサデカン等）、アミド（例えば、ＤＭＦ、ＤＭＡＣ等）、ラクタム（例えば、ＮＭＰ等）、スルホキシド（例えば、ＤＭＳＯ）、またはスルホン（例えば、ジメチルスルホン、スルホラン等）のようなプロトン性または非プロトン性溶媒である。適当な溶融助剤は、室温で固体であるが、均質な溶融を形成するために反応混合物が過熱され反応物質を溶解する時に溶融される化合物である。特に適当な溶融助剤は、ビフェニル、ｍ−ターフェニル、トリフェニル、１，２−、１，３−もしくは１，４−ビスフェノキシベンゼン、トリフェニルホスフィンオキシド、１８−クラウン−６、フェノール、１−ナフトール、ヒドロキノン等である。
【００７５】
液相から、例えば、スピンコーティングもしくは印刷法によって、本発明の化合物を処理するためには、本発明の化合物の配合物が必要とされる。これらの配合物は、例えば、溶液、分散液またはエマルジョンであることができる。この目的のために、２つ以上の溶媒の混合物を使用することが好ましい。適当で好ましい溶媒は、例えば、トルエン、アニソール、ｏ−、ｍ−またはｐ−キシレン、メチル安息香酸、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル−ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に３−フェノキシトルエン、（−）−フェンコン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、１−メチルナフタレン、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェノキシエタノール、２−ピロリジノン、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール、アセトフェノン、α−テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾエート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、安息香酸メチル、ＮＭＰ、ｐ−シメン、フェネトール、１，４−ジ−イソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、２−イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，１−ビス（３，４−ジメチルフェニル）エタン、またはこれらの溶媒の混合物である。
【００７６】
従って、本発明はさらに、本発明に係る化合物および少なくとも１つのさらなる化合物を含んでなる配合物を提供する。さらなる化合物は、例えば、溶媒であり、特に上記の溶媒の１つか、またはこれらの溶媒の混合物である。あるいは、さらなる化合物はさらに、電子素子に同様に使用される、有機もしくは無機化合物、例えばマトリックス材料であってもよい。このさらなる化合物は、また、ポリマーであってもよい。
【００７７】
式（１）で表される上述の錯体および上記で詳述した好ましい態様は、電子素子中の活性成分として用いることができる。本発明は、従って、電子素子における、式（１）で表される化合物の、または好ましい態様の１つに従う使用を提供する。さらに、本発明に係る化合物は、光触媒における、もしくは酸素センサにおける、一重項酸素の製造に使用することができる。
【００７８】
また、本発明はさらに、式（１）で表される、もしくは好ましい態様の１つに従う、少なくとも１つの化合物を含んでなる電子素子を提供する。
【００７９】
電子素子は、アノード、カソードおよび少なくとも１つの層を含んでなり、その層が、少なくとも１つの、有機もしくは有機金属化合物を含んでなる、任意の素子を意味するものと理解される。従って、本発明に係る電子素子は、アノード、カソード、および式（１）で表される化合物の少なくとも１つを含んでなる少なくとも１つの層を含んでなる。好ましい電子素子は、少なくとも１つの層に、上記の式（１）で表される、少なくとも１つの化合物を含んでなる、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光検出器、有機光受容器、有機フィールドクエンチ素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）、および有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）からなる群から選択される。特に好ましいのは、有機エレクトロルミネッセンス素子である。活性成分は、一般に、アノードとカソードとの間に導入される有機または無機材料であり、例えば電荷注入、電荷輸送もしくは電荷遮断材料であるが、特には発光材料とマトリックス材料である。本発明に係る化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光材料として特に優れた特性を示す。従って、本発明の好ましい態様は、有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００８０】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、カソード、アノードおよび少なくとも１つの発光層を含んでなる。これらの層とは別に、それは追加の層を含むことができ、例えば、それぞれの場合において１つ以上の、正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、励起子遮断層、電子遮断層、電荷発生層および／または有機もしくは無機のｐ／ｎ−接合である。同様に、２つの発光層の間に中間層を導入することができ、これらは、例えば、励起子遮断機能を有し、および／または有機エレクトロルミネッセンス素子における電荷バランスを制御する。しかしながら、これらの層はどれも、存在することが、必ずしも必要とはされないということに注意すべきである。
【００８１】
この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つの発光層を含むか、または複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは、好ましくは、３８０ｎｍ乃至７５０ｎｍ全体で複数の発光極大を有し、その結果、全体として白色発光を生じる、すなわち、蛍光または燐光を発することができる様々な発光化合物が、発光層中に用いられる。好ましい態様は、３つの層が青色、緑色および橙色発光を示す３層系（例えば、ＷＯ２００５／０１１０１３参照）、または３つより多い発光層を有する系である。別の好ましい態様は、２つの層が青色と黄色の発光または青緑色と橙色の発光のいずれかを示す２層系である。２層系は、照明用途に特に興味深いものである。本発明に従う化合物は、多くの場合黄色もしくは橙色発光を示すので、このような態様は特に好ましい。白色発光の有機エレクトロルミネッセンス素子は、照明用途に、またはディスプレイのバックライトとして、あるいはカラーフィルターと共にディスプレイとして使用することができる。
【００８２】
本発明の好ましい態様では、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つ以上の発光層中の発光性の化合物として、式（１）で表される、または上で詳述した好ましい態様の化合物を含んでなる。
【００８３】
式（１）で表される化合物が１つの発光層中の発光性化合物として使用される場合、それは好ましくは１つ以上のマトリックス材料と組み合わせて使用される。式（１）で表される化合物とマトリックス材料との混合物は、発光体とマトリックス材料との混合物全体に対して、１〜９９体積％、好ましくは２〜９０体積％、より好ましくは３〜４０体積％、そして特に５〜１５体積％の、式（１）で表される化合物を含む。
これに対応して、混合物は、発光体とマトリックス材料との混合物全体に対して、９９〜１体積％、好ましくは９８〜１０体積％、より好ましくは９７〜６０体積％、そして特に９５〜８５体積％の、マトリックス材料を含む。
【００８４】
マトリックス材料には、一般的に、従来技術に従って前記の目的に対して既知の任意の材料を使用できる。マトリックス材料の三重項準位が発光体の三重項準位よりも高いことが好ましい。
【００８５】
本発明に係る化合物のために適したマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（例えば、ＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７もしくはＷＯ２０１０／００６６８０による）；トリアリールアミン；カルバゾール誘導体（例えば、ＣＢＰ（Ｎ、Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）、ｍ−ＣＢＰ、またはＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、ＷＯ２００８／０８６８５１もしくはＵＳ２００９／０１３４７８４に開示されるカルバゾール誘導体）；インドロカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６による）；インデノカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／１３６１０９もしくはＷＯ２０１１／０００４５５による）；アザカルバゾール誘導体（例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０による）；バイポーラーマトリックス材料（例えば、ＷＯ２００７／１３７７２５による）；シラン（例えばＷＯ２００５／１１１１７２による）；アザカルバゾールもしくはボロン酸エステル（例えば、ＷＯ２００６／１１７０５２よる）；ジアザシロール誘導体（例えばＷＯ２０１０／０５４７２９による）；ジアザホスホール誘導体（例えばＷＯ２０１０／０５４７３０による）；トリアジン誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６による）；亜鉛錯体（例えば、ＥＰ６５２２７３もしくはＷＯ２００９／０６２５７８による）；ジベンゾフラン誘導体（例えばＷＯ２００９／１４８０１５による）；架橋カルバゾール誘導体（例えば、ＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８、ＷＯ２０１１／０４２１０７もしくはＷＯ２０１１／０８８８７７による）である。
【００８６】
複数の異なるマトリックス材料を混合物として使用することもまた、好ましい。この目的のために特に好ましいのは、少なくとも１つの電子輸送マトリックス材料と正孔輸送マトリックス材料との混合物、または少なくとも２つの電子輸送マトリックス材料の混合物、または少なくとも１つの正孔−もしくは電子輸送マトリックス材料と、例えば、ＷＯ２０１０／１０８５７９に記載されているような、大きなバンドギャップを有し、このため実質的に電気的に不活性であり、電荷輸送には、あるとしても実質的には関与しない、少なくとも１つの更なる材料との混合物である。好ましい組み合わせは、例えば、芳香族ケトンもしくはトリアジン誘導体をトリアリールアミン誘導体もしくはカルバゾール誘導体と共に、本発明に係る金属錯体のための混合マトリックスとして使用することである。
【００８７】
さらに、マトリックスと共に２つ以上の三重項発光体の混合物を使用することが好ましい。この場合、より短い波長の発光スペクトルを持つ三重項発光体は、より長い波長の発光スペクトルを持つ三重項発光体のための共マトリックス（ｃｏ−ｍａｔｒｉｘ）として働く。例えば、青色もしくは緑色発光性三重項発光体を、式（１）で表される本発明に係る錯体のために、共マトリックスとして使用することができる。
【００８８】
好ましいカソードは、低い仕事関数を有する金属、金属合金もしくは様々な金属からなる、多層構造体であり、例えばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族の金属もしくはランタノイド（例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）である。さらに、適しているのは、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属および銀を含む合金（例えば、マグネシウムと銀を含む合金）である。多層構造体の場合には、比較的高い仕事関数を有する更なる金属（例えば、Ａｇ）もまた、前記金属に加えて用いられてもよく、この場合、例えば、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇのような金属の組合せが、一般に用いられる。また、高い誘電率を有する材料からなる薄い中間層を、金属カソードと有機半導体の間に導入することも、好ましいことがある。この目的のために有用な材料の例は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のフッ化物であるが、また、対応する酸化物もしくは炭酸塩（例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３等）も有用である。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
【００８９】
好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。アノードは、好ましくは、真空に対して４．５ｅＶを超える仕事関数を有する。第一に、この目的に適するのは、高い酸化還元電位を有する金属、例えばＡｇ、ＰｔまたはＡｕである。次いで、金属／金属酸化物の電極（例えば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ、Ａｌ／ＰｔＯｘ）もまた好ましいことがある。いくつかの用途では、有機材料の照射（Ｏ−ＳＣ）、または光の放射（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−ＬＡＳＥＲ）を可能にするために、少なくとも一つの電極が透明でなければならない。好ましい構造は、透明アノードを使用する。
【００９０】
ここで、好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。特に好ましいのは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）である。さらに好ましいのは、ドーピングされた導電性有機材料、特に、ドーピングされた導電性ポリマーである。
【００９１】
更なる層においては、これらの層に対して従来技術に従って使用される任意の材料を使用することが一般的に可能であり、また、当業者は、発明的工夫をすることなしに、電子素子において任意のこれらの材料を本発明に係る材料と組み合わせることができる。
【００９２】
このような素子の寿命は、水および／または空気が存在すると著しく短くなるので、素子は、（用途に応じて）相応して構造化され、接点が備えられ、最後に密閉される。
【００９３】
さらに、好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つ以上の層を、昇華法により塗布することを特徴とする。この場合、材料は、一般的には１０−５ｍｂａｒ未満、好ましくは１０−６ｍｂａｒ未満の初期圧力で、真空昇華ユニット中で真空蒸着される。初期圧力は、さらに低く、例えば１０−７ｍｂａｒ未満にすることも可能である。
【００９４】
ＯＶＰＤ（有機気相蒸着）法により、またはキャリヤガスの昇華を用いて１つ以上の層を塗布することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子も好ましい。この場合、１０−５ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で材料を塗布する。この方法の特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、この方法では、材料を、ノズルを通して直接塗布し、構造化する（例えば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【００９５】
さらに、好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つ以上の層を、例えば、スピンコーティングにより、または、印刷法（例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷）、好ましくは、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷により、溶液から作製することを特徴とするものである。
【００９６】
この目的のためには、可溶性の化合物が必要であり、これは、例えば適当な置換により得られる。
【００９７】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、ハイブリッド系として、１つ以上の層を溶液から塗布し、さらに１つ以上の他の層を真空蒸着で塗布することにより作製することもできる。例えば、式（１）で表される化合物とマトリックス材料を含んでなる発光層を溶液から塗布し、そして、それに正孔遮断層および／または電子輸送層を減圧下、真空蒸着により塗布することができる。
【００９８】
これらの方法は、当業者に一般的に知られており、式（１）で表される、または上で詳述した好ましい態様の化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に容易に適用することができる。
【００９９】
本発明に係る電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子は、従来技術に優る以下の驚くべき利点により注目に値する。
【０１００】
１．発光材料として式（１）で表される化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子は、非常に良好な寿命を有している。特に、それらは、類似化合物を含むが式（４）または（５）で表される融合した脂肪族５員環を含まないエレクトロルミネッセンス素子よりも良好な寿命を有している。
【０１０１】
２．発光材料として式（１）で表される化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子は、非常に良好な効率を有している。特に、それらは、類似化合物を含むが式（４）または（５）で表される融合した脂肪族５員環を含まないエレクトロルミネッセンス素子よりも良好な効率を有している。
【０１０２】
３．発光材料として式（１）で表される化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子は、非常に低い動作電圧を有している。
【０１０３】
これらの上記の利点は、他の電子的な特性の劣化を伴わない。
【０１０４】
以下の実施例により本発明を詳細に説明するが、それらによって本発明を限定すること意図しない。当業者は、記載される詳細を用いて、発明的工夫をなさずして、本発明に係る更なる化合物を調製し、それらを電子素子に使用し、かつそのことにより請求された範囲の全体にわたり本発明を実施することができるであろう。
【０１０５】
実施例：
以下の合成は、特に断りのない限り、乾燥溶媒中で、保護ガス雰囲気下で行われる。金属錯体は、光を遮って、または黄色の光の下で、追加的に取り扱われる。溶媒および試薬は、例えば、ＶＷＲ社、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社またはＡＢＣＲ社から購入できる。文献から知られている化合物に対する数字は、その一部は角括弧内に記載もされているが、化合物に対するＣＡＳ番号である。
【０１０６】
２，３−置換ベンゾ［ｈ］キノリン類−合成法
一般的方法：
芳香族ｏ−アミノカルバルデヒド（４００ミリモル）を、６０℃で１．１Ｌの乾燥した１，４−ジオキサンに溶解し、装置全体を不活性ガスで慎重にパージする。（二）環状メチレンケトン（６００ミリモル、１．５当量）およびカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（４００ミリモル、１当量）を添加し、反応物質が完全に使い果たされるまで反応混合物を９０℃に加熱する。冷却後、出発物質を水で希釈し、酢酸エチルで抽出する。有機相を合わせ、水および飽和ＮａＣｌ溶液で洗浄し、減圧下で溶媒を除去する。残留物を１Ｌのジクロロメタンに取り、シリカゲルでろ過する。副生物の更なる除去のためにメタノールから再結晶化し、酢酸エチル／ヘプタンを用いるシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーにより精製する。
【０１０７】
実施例：配位子１（Ｌ１）
【化２０】
0006469701.tif 000032
１−アミノナフタレン−２−カルバルデヒド（４０７ミリモル、６９．７ｇ）、ノルカンファー（６１１ミリモル、６７．３ｇ、１．５当量）および塩基としてのカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（４０７ミリモル、４５．７ｇ）を、一般的方法により転換させる。副生物の分離のためにメタノールから再結晶化し、酢酸エチル／ヘプタン（１：５）を用いるシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーにより精製する。６３．７ｇ（２５９ミリモル、６４％）の無色の固体が得られる。
【０１０８】
一般的方法により互いに反応させる反応物質は、以下の表に明示される、ｏ−アミノカルバルデヒドおよび二環状α−メチレンケトンであってもよい。
【化２１−１】
0006469701.tif 000033
【化２１−２】
0006469701.tif 000034
【化２１−３】
0006469701.tif 000035
【化２１−４】
0006469701.tif 000036
【化２１−５】
0006469701.tif 000037
【化２１−６】
0006469701.tif 000038
【化２１−７】
0006469701.tif 000039
【０１０９】
３，４−置換ベンゾ［ｈ］キノリン類
反応スキーム
【化２２】
0006469701.tif 000040
【０１１０】
合成方法
工程１に対する一般的方法：α−メチレンケトンのブロモアルケンカルバルデヒドへの転換
ＤＭＦ（２５ｍＬ）およびクロロホルム（８０ｍＬ）の混合物を０℃に冷却し、不活性化させる。１０ｍＬクロロホルム中のＰＢｒ３５．８ｍＬ（６０ミリモル）をゆっくり滴下し、反応混合物を室温で２時間撹拌する。懸濁液を加熱して還流させ、クロロホルム１５ｍＬ中のケトン（５０ミリモル）をゆっくり滴下する。反応を、還流下でさらに１２時間沸騰させ、冷却し、１ＭのＮａＯＨ溶液に徐々に加える。混合物をジエチルエーテルで数回抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。
【０１１１】
Ｓ２に対する実施例：
【化２３】
0006469701.tif 000041
ＤＭＦ（２５ｍＬ）およびクロロホルム（８０ｍＬ）の混合物を０℃に冷却し、不活性化させる。１０ｍＬクロロホルム中のＰＢｒ３５．８ｍＬ（６０ミリモル）をゆっくり滴下し、反応混合物を室温で２時間撹拌する。懸濁液を加熱して還流させ、１５ｍＬクロロホルム中の（＋）−カンファー（５０ミリモル、７．６ｇ）を徐々に滴下させる。混合物を、還流下でさらに１２時間沸騰させ、冷却し、１ＭのＮａＯＨ溶液に徐々に加える。混合物をジエチルエーテルで数回抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。得られた油状物を真空蒸留によりさらに精製する。淡黄色油状物が収率２４％（２．９２ｇ、１２ミリモル）で得られる。
一般的方法により、以下の（二）環状α−メチレンケトンを、報告されている収率でブロモアルケンカルバルデヒドに転換することができる。
【化２４−１】
0006469701.tif 000042
【化２４−２】
0006469701.tif 000043
【０１１２】
工程２に対する一般的方法：ｏ−アミノブロモナフタレンのＮ−アセチル化
１−アミノ−２−ブロモ芳香族（１００ミリモル）を数度に分けて、よく撹拌しながら、最初に導入され、０℃に冷却された無水酢酸（２．１ｍＬ、２０ミリモル）に加える。氷浴を取除き、反応混合物を加熱し３０分間還流させる。冷却後、酢酸および過剰の無水酢酸を減圧下で留去する。残留物をジクロロメタンまたは酢酸エチルに溶解し、シリカゲルカラムを通してろ過し、１−（Ｎ−アセチルアミノ）−２−ブロモ芳香族が収率８０％〜９５％で得られる。
【０１１３】
Ｓ１００に対する実施例
【化２５】
0006469701.tif 000044
無水酢酸８．５ｍＬ（９０ミリモル、２当量）を最初に導入し、０℃に冷却する。１０ｇ（４５ミリモル）の２−ブロモアミノナフタレンを少量ずつ添加する。反応混合物を室温まで徐々に温め、次いで、還流下で１時間加熱する。混合物を冷却し、酢酸または過剰の無水酢酸を減圧下で留去する。残留物を酢酸エチルに溶解し、シリカゲルカラムを通してろ過する。１０．５ｇ（８８％、３９．８ミリモル）の白色固体が得られる。
【０１１４】
一般的方法により、以下のＮ−アセチルブロモ芳香族が、報告されている収率で得られる。
【化２６】
0006469701.tif 000045
【０１１５】
工程３に対する一般的方法：ブロモアルケンカルバルデヒドと１−（Ｎ−アセチルアミノ）−２−ブロモナフタレンとのカップリングおよびその後の環化
ブロモアルケンカルバルデヒド（５ミリモル）、工程２からの１−（Ｎ−アセチルアミノ）−２−ブロモ芳香族（５ミリモル）、銅粉末（２．６ｇ、４１ミリモル）およびＰｄ（ＰＰｈ３）４（５７７ｍｇ、０．５ミリモル）の混合物を乾燥ＤＭＳＯ１５ｍＬに溶解し、慎重に不活性化させる。反応混合物を１２時間、８５℃に加熱し、次いで、無水Ｋ２ＣＯ３を加え、混合物をさらに６時間加熱する。反応混合物を冷却し、１００ｍＬの酢酸エチルで希釈する。混合物をろ過し、ろ液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、無色粉末が収率３５〜６５％で得られる。
【０１１６】
Ｌ５０１に対する実施例
【化２７】
0006469701.tif 000046
ブロモアルケンカルバルデヒド（Ｓ２、１．２２ｇ、５ミリモル）、１−（Ｎ−アセチルアミノ）−２−ブロモナフタレン（Ｓ１００、１．３２ｇ、５ミリモル）、銅粉末（２．６ｇ、４１ミリモル）およびＰｄ（ＰＰｈ３）４（５７７ｍｇ、０．５ミリモル）の混合物を乾燥ＤＭＳＯ１５ｍＬに溶解し、慎重に不活性化させる。反応混合物を１２時間、８５℃に加熱し、次いで、無水Ｋ２ＣＯ３を加え、混合物をさらに６時間加熱する。反応混合物を冷却し、１００ｍＬの酢酸エチルで希釈する。混合物をろ過し、ろ液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。残留物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶離液：ヘプタン／ＥＡ  ３：１）で精製し、無色粉末が収率６５％（１．１３ｇ、３．２ミリモル）で得られる。
【０１１７】
シントンＳ１〜Ｓ１５は、一般的方法による下記の配位子の作製に使用することができる。
【化２８−１】
0006469701.tif 000047
【化２８−２】
0006469701.tif 000048
【化２８−３】
0006469701.tif 000049
【化２８−４】
0006469701.tif 000050
【化２８−５】
0006469701.tif 000051
【化２８−６】
0006469701.tif 000052
【化２８−７】
0006469701.tif 000053
【化２８−８】
0006469701.tif 000054
【化２８−９】
0006469701.tif 000055
【化２８−１０】
0006469701.tif 000056
【化２８−１１】
0006469701.tif 000057
【化２８−１２】
0006469701.tif 000058
【化２８−１３】
0006469701.tif 000059
【化２８−１４】
0006469701.tif 000060
【化２８−１５】
0006469701.tif 000061
【化２８−１６】
0006469701.tif 000062
【０１１８】
５，６−置換ベンゾ［ｈ］キノリン類
反応スキーム
【化２９】
0006469701.tif 000063
【０１１９】
一般的方法：
工程１：脂肪族ケトンとマロンニトリルとのカップリング
ケトン（５０ミリモル）、マロンニトリル（５０ミリモル、１当量）、酢酸アンモニウム（０．７５ｇ、１０ミリモル、０．２当量）および酢酸（２．３ｍＬ、４０ミリモル、０．８当量）を最初に導入し、無水ベンゼン４５ｍＬを加える。反応物質が全く検出されなくなるまで反応混合物を水分離器上、還流下で沸騰させる。冷却後、混合物を水および飽和ＮａＨＣ０３溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させる。ベンゼンを減圧下で除去し、残留物をヘプタンから再結晶させる。
【０１２０】
実施例：フェニルケトンとマロンニトリルとのカップリング
【化３０】
0006469701.tif 000064
（１Ｓ，４Ｒ）−３−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−オン（９．３ｇ、５０ミリモル）、マロンニトリリル（３．３ｇ、５０ミリモル）、酢酸アンモニウム（０．７５ｇ、１０ミリモル）および酢酸（２．３ｍＬ、４０ミリモル）を最初に導入し、無水ベンゼン４５ｍＬを加える。反応混合物を水分離器上、還流下で４時間沸騰させる。冷却後、混合物を水および飽和ＮａＨＣ０３溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させる。ベンゼンを減圧下で除去し、残留物をヘプタンから再結晶させる。５．８ｇ（４０ミリモル、８１％）の無色の固体が得られる。
【０１２１】
工程２：環化
反応物質（３５ミリモル）を、５℃で濃硫酸（２５ｍＬ）中に徐々に溶解し、室温で一晩撹拌する。反応混合物を氷に注ぎ、沈殿した固体をろ過し、水で洗浄し、乾燥させる。生成物をメタノールから数回再結晶する。
【０１２２】
実施例：環化
【化３１】
0006469701.tif 000065
反応物質（５ｇ、３５ミリモル）を、５℃で濃硫酸（２５ｍＬ）中に徐々に溶解し、室温で一晩撹拌する。反応混合物を氷に注ぎ、沈殿した固体をろ過し、水で洗浄し、乾燥させる。生成物をメタノールから数回再結晶する。３．５ｇ（１４ミリモル、４０％）の生成物が得られる。
【０１２３】
工程３：о−アミノニトリルのｏ−アミノカルバルデヒドへの還元
オルト−アミノニトリル（１０ミリモル）を無水ジクロロメタン２５ｍＬに溶解し、０℃に冷却する。トルエン（１５ミリモル、１．５当量）中ＤＩＢＡＬ−Ｈの１Ｍ溶液をゆっくりと滴下し、溶液を２４時間、室温で撹拌する。反応混合物を無水ジエチルエーテルで希釈し、０℃に冷却する。水０．６ｍＬ、次いで１５％ＮａＯＨ水溶液０．６ｍＬ、次いで別の水１．５ｍＬを徐々に且つ慎重に滴下し、溶液を１５分間攪拌する。無水硫酸マグネシウムを加え、混合物をさらに１５分間撹拌し、ろ過する。溶媒を減圧下除去し、粗生成物をジクロロメタン／ヘプタンの混合物を用いてカラムクロマトグラフィーにより精製する。
【０１２４】
実施例：加水分解
【化３２】
0006469701.tif 000066
オルト−アミノニトリル（２．３４ｇ、１０ミリモル）を無水ジクロロメタン２５ｍＬに溶解し、０℃に冷却する。トルエン（１５ｍＬ、１５ミリモル、１．５当量）中ＤＩＢＡＬ−Ｈの１Ｍ溶液をゆっくりと滴下し、溶液を２４時間、室温で撹拌する。反応混合物を無水ジエチルエーテルで希釈し、０℃に冷却する。水０．６ｍＬ、次いで１５％ＮａＯＨ水溶液０．６ｍＬ、次いで別の水１．５ｍＬを徐々に且つ慎重に滴下し、溶液を１５分間攪拌する。無水硫酸マグネシウムを加え、混合物をさらに１５分間撹拌し、ろ過する。溶媒を減圧下除去し、粗生成物をジクロロメタン／ヘプタン（１：１）の混合物を用いてカラムクロマトグラフィーにより精製する。無色の固体が６７％の収率（１．６９ｇ、６．７ミリモル）で得られる。
【０１２５】
工程４：５，６−置換オルト−アミノカルバルデヒドの５，６−置換ベンゾ［ｈ］キノリンへの転換
最初に導入されたо−アミノカルバルデヒド（４ミリモル）およびアセトアルデヒド（４ミリモル、１当量）に、乾燥エタノール１５ｍＬを加える。粉末状の水酸化カリウム（４．８ミリモル、１．２当量）を徐々に加え、反応混合物を還流下で２４時間撹拌する。転換が完了した後、溶液を冷却し、ジクロロメタンを加え、混合物をセライトを通してろ過する。有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。生成物をカラムクロマトグラフィーで精製する。
【０１２６】
実施例：Ｌ１０００を得るための環化
【化３３】
0006469701.tif 000067
最初に導入されたо−アミノカルバルデヒド（１ｇ、４ミリモル）およびアセトアルデヒド（１７７ｍｇ、０．２２５ｍＬ、４ミリモル）に、乾燥エタノール１５ｍＬを加える。粉末状の水酸化カリウム（０．２７ｇ、４．８ミリモル、１．２当量）を徐々に加え、反応混合物を還流下で２４時間撹拌する。転換が完了した後、溶液を冷却し、ジクロロメタンを加え、混合物をセライトを通してろ過する。有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、０．７１ｇ（２．９ミリモル、７４％）の無色の固体が得られる。
【０１２７】
一般的方法を行うことにより、以下の配位子を作製することができる：
【化３４】
0006469701.tif 000068
【０１２８】
７，８−置換ベンゾ［ｈ］キノリン類
反応スキーム
【化３５】
0006469701.tif 000069
【０１２９】
合成法：
一般的方法：о−フェノールカルバルデヒドのо−トリフルオロメタンスルホン酸カルバルデヒドへの転換
ヒドロキシキノリンカルバルデヒド（５０ミリモル）を、２５ｍＬのジクロロメタンに溶解し、０℃に冷却する。０℃に冷却したピリジン（１２．６ｍＬ、７５ミリモル、１．５当量）とトリフルオロメタンスルホン酸無水物（８．１ｍＬ、１００ミリモル、２当量）との溶液をゆっくりと１５分以内に滴下し、反応混合物を室温で１２〜２４時間撹拌する。水６０ｍＬを添加することによって反応を停止させ、有機相を除去する。水相をジエチルエーテルで数回抽出し、合わせた有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥する。溶媒を減圧下で除去し、残留物をカラムクロマトグラフィーにより精製する。
【０１３０】
実施例：
【化３６】
0006469701.tif 000070
２−ヒドロキシナフタレンカルバルデヒド（８．６１ｇ、５０ミリモル）を、２５ｍＬのジクロロメタンに溶解し、０℃に冷却する。０℃に冷却した、ピリジン（１２．６ｍＬ、７５ミリモル、１．５当量）とトリフルオロメタンスルホン酸無水物（８．１ｍＬ、１００ミリモル、２当量）との溶液をゆっくりと１５分以内に滴下し、反応混合物を室温で２４時間撹拌する。水６０ｍＬを添加することによって反応を停止させ、有機相を除去する。水相をジエチルエーテルで数回抽出し、合わせた有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥する。溶媒を減圧下で除去し、残留物をカラムクロマトグラフィーにより精製する。１１．４ｇ（７５％、３７．５ミリモル）の無色の油状物が得られる。
【０１３１】
工程２：о−トリフルオロメタンスルホン酸カルバルデヒドのピナコールボランカルバルデヒドへの転換
ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）２（２２０ｍｇ、０．３ミリモル、０．０３当量）、トリフルオロメタンスルホン酸カルバルデヒド（１０ミリモル）、トリエチルアミン（４．２ｍＬ、３０ミリモル）およびピナコールボラン（２．２ｍＬ、１５ミリモル）の混合物を慎重に不活性化させ、４０ｍＬのジオキサンに溶解する。反応混合物を３〜１２時間、８０℃に加熱し、冷却し、水で希釈し、トルエンで抽出する。有機相を水および飽和ＮａＣｌ溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。残留物をカラムクロマトグラフィーにより精製する。
【０１３２】
実施例：
【化３７】
0006469701.tif 000071
ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）２（２２０ｍｇ、０．３ミリモル、０．０３当量）、２−トリフルオロメタンスルホニルナフタレンカルバルデヒド（２．４８ｇ、１０ミリモル）、トリエチルアミン（４．２ｍＬ、３０ミリモル）およびピナコールボラン（２．２ｍＬ、１５ミリモル）の混合物を慎重に不活性化させ、４０ｍＬのジオキサンに溶解する。反応混合物を１２時間、８０℃に加熱し、冷却し、水で希釈し、トルエンで抽出する。有機相を水および飽和ＮａＣｌ溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、減圧下で溶媒を除去する。残留物をカラムクロマトグラフィー（ＥＡ／ヘプタン１：１０）により精製し、１．８４ｇ（６５％、６．５ミリモル）の無色の油状物が得られる。
【０１３３】
工程３：ピナコールボランカルバルデヒドとブロモアルケンカルバルデヒドとのカップリング
５．５ミリモルのブロモアルケンカルバルデヒド、５．５ミリモル（１当量）のピナコールボランカルバルデヒドおよび１０．５ミリモル（１．９当量）のリン酸カリウムを最初に導入し、２５ｍＬのトルエン、２５ｍＬのジオキサンおよび２５ｍＬの水の中に懸濁させ、不活性化させる。この懸濁液に、４５ｍｇ（０．１５ミリモル）のトリ−ｏ−トリルホスフィン、次いで６ｍｇ（０．０２５ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、反応混合物を２４時間加熱還流する。冷却後、反応混合物をトルエンで希釈し、有機相を分離し、水で洗浄し、シリカゲルを通してろ過し、硫酸マグネシウム上で乾燥させる。溶媒を減圧下で除去する。残留物をカラムクロマトグラフィーにより精製する。
【０１３４】
実施例：
【化３８】
0006469701.tif 000072
１，２７ｇ（５．５ミリモル）のブロモアルケンカルバルデヒドＳ６、１．５５ｇ（５．５ミリモル、１当量）のピナコールボランカルバルデヒドおよび２．２３ｇ（１０．５ミリモル、１．９当量）のリン酸カリウムを最初に導入し、２５ｍＬのトルエン、２５ｍＬのジオキサンおよび２５ｍＬの水の中に懸濁させ、不活性化させる。この懸濁液に、４５ｍｇ（０．１５ミリモル）のトリ−ｏ−トリルホスフィン、次いで６ｍｇ（０．０２５ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、反応混合物を２４時間加熱還流する。冷却後、反応混合物をトルエンで希釈し、有機相を分離し、水で洗浄し、シリカゲルを通してろ過し、硫酸マグネシウム上で乾燥させる。トルエンを減圧下で除去する。残留物をカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘプタン１：９）により分離すると、１．５２ｇ（４．９５ミリモル、９５％）の無色の固体が得られる。
【０１３５】
工程４：ビスカルバルデヒドのマクマリーカップリング
０℃に冷却して不活性化させた、活性亜鉛末（３．２ｇ、４９ミリモル）のＴＨＦ６０ｍＬ懸濁液に、３ｍＬ（２７．４ミリモル）のＴｉＣｌ４をゆっくり滴下する。懸濁液を、還流下で２時間加熱し、０℃に冷却し、２０ｍＬのＴＨＦ中のビスアルデヒド（５．３ミリモル）の溶液を３０分以内に滴下する。反応混合物を徐々に室温まで温め、次いで還流下で２時間加熱する。冷却後、０℃に冷却された飽和炭酸カリウム溶液中に溶液を注ぎ、ジクロロメタンで抽出する。有機相を合わせ、水および飽和ＮａＣｌ溶液で洗浄する。混合物を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、溶媒を減圧下で除去し、精製をカラムクロマトグラフィーにより行なう。
【０１３６】
Ｌ１５００の実施例：
【化３９】
0006469701.tif 000073
０℃に冷却して不活性化させた、活性亜鉛末（３．２ｇ、４９ミリモル）のＴＨＦ６０ｍＬ懸濁液に、３ｍＬ（２７．４ミリモル）のＴｉＣｌ４をゆっくり滴下する。懸濁液を、還流下で２時間加熱し、０℃に冷却し、２０ｍＬのＴＨＦ中のビスアルデヒド（１．６３ｇ、５．３ミリモル）の溶液を３０分以内に滴下する。反応混合物を徐々に室温まで温め、次いで還流下で２時間沸騰させる。冷却後、０℃に冷却された飽和炭酸カリウム溶液中に溶液を注ぎ、ジクロロメタンで抽出する。有機相を合わせ、水および飽和ＮａＣｌ溶液で洗浄する。混合物を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、溶媒を減圧下で除去し、精製をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル／ヘプタン１：５）により行なうと、１．１３ｇ（４．０９ミリモル、７３％）の無色の固体が得られる。
【０１３７】
シントンＳ１〜Ｓ１５と７−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）キノリン−８−カルバルデヒドとのカップリングにより、以下の配位子を得ることができる：
【化４０−１】
0006469701.tif 000074
【化４０−２】
0006469701.tif 000075
【０１３８】
金属錯体類の合成
１）ホモレプティップトリス−フェイシャルイリジウム錯体類：
変形体Ａ：イリジウム反応物質としてのトリアセチルアセトナトイリジウム（ＩＩＩ）
１０ミリモルのトリスアセチルアセトナトイリジウム（ＩＩＩ）［１５６３５−８７−７］、４０〜６０ミリモルの配位子Ｌ、必要に応じて、１ｇの、融解助剤としての不活性高沸点添加剤または溶剤（例えば、ヘキサデカン、ｍ−ターフェニル、トリフェニレン、ジフェニルエーテル、３−フェノキシトルエン、１，２−、１，３−、１，４−ビスフェノキシベンゼン、トリフェニルホスフィンオキシド、スルホラン、１８−クラウン−６、トリエチレングリコール、グリセロール、ポリエチレングリコール、フェノール、１−ナフトール等）およびガラスで被覆された磁気スターラーの混合物を、減圧下（１０−５ｍｂａｒ）で５０ｍＬの厚肉なガラスアンプル中に溶融導入する。アンプルを特定の温度で特定の時間、加熱し、その間、磁気スターラーを用いて溶融混合物を撹拌する。アンプル中のより冷たい箇所での配位子の昇華を防ぐために、アンプル全体が特定の温度を有している必要がある。あるいは、その合成は、ガラスインサート付きの攪拌オートクレーブ中で行うことができる。冷却した後（注意：アンプルは、通常加圧されている！）、アンプルを開き、焼結ケーキを１００ｍＬの懸濁媒体（懸濁媒体は、配位子は良好な溶解性を有するが、金属錯体はその中に難溶性であるように選択される。典型的な懸濁媒体は、メタノール、エタノール、ジクロロメタン、アセトン、ＴＨＦ、酢酸エチル、トルエン等である。）中で１００ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）を用いて３時間撹拌させ、それによってこの工程で機械的に温浸させる。微細懸濁液をガラスビーズから注ぎ出し、固体を吸引ろ過し、５０ｍＬの懸濁媒体で洗浄し、減圧下で乾燥させる。乾燥固体を高さ３〜５ｃｍのアロックス（Ａｌｏｘ）床（アロックス、ベーシック、活性レベル１）上の連続式高温抽出器内に載置され、次いで抽出剤（最初の導入量は約５００ｍＬである。抽出剤は、錯体が高温抽出剤には良好な可溶性を有し、低温抽出剤には難溶性であるように選択される。特に好適な抽出剤は、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素のような炭化水素である。）で抽出する。抽出終了後、抽出剤を減圧下、約１００ｍＬまで濃縮する。抽出剤への溶解性が高すぎる金属錯体を、２００ｍＬのメタノールを滴下することにより結晶化させる。このようにして得られた固体を懸濁液から吸引ろ過し、５０ｍＬのメタノールで一回洗浄し、乾燥させる。乾燥後、ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣにより金属錯体の純度を測定する。純度が９９．５％未満であれば、二度目以降の抽出からはアロックス床を省略して、高温抽出工程を繰り返す。９９．５％〜９９．９％の純度が得られたら、金属錯体を、加熱処理するか、または昇華させる。加熱処理は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約２００〜３００℃の温度範囲で行なう。昇華は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約２３０〜４００℃の温度範囲で行ない、好ましくは、分別昇華の形で行なう。あるいは、有機溶媒に対して良好な溶解性を有する錯体は、シリカゲル上でクロマトグラフィー処理することもできる。
【０１３９】
点群Ｃ１の配位子がラセミ体で用いられると、誘導されるｆａｃ−金属錯体は、ジアステレオマー混合物として得られる。点群Ｃ３のエナンチオマー対は、一般に、点群Ｃ１のそれより抽出剤中で非常に低い溶解度を有し、これは結果的に母液中に蓄積する。このようにジアステレオマーの分離がしばしば可能である。また、ジアステレオマーは、クロマトグラフィーによっても分離することができる。点群Ｃ１の配位子を、エナンチオー的に純粋な形で用いると、点群Ｃ３のΔ−，Λ−ジアステレオマー対が生じる。
【０１４０】
変形体Ｂ：イリジウム反応物質としてのトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）イリジウム（ＩＩＩ）
１０ミリモルのトリスアセチルアセトナトイリジウム（ＩＩＩ）［１５６３５−８７−７］の代わりに１０ミリモルのトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）イリジウム［９９５８１−８６−９］を使用することを除いては変形体Ａと同様に行なう。得られた粗生成物の純度は、多くの場合、変形体Ａよりも良好なので、この反応物質の使用が有利である。また、アンプル内の圧力上昇は、しばしば顕著ではない。
【０１４１】
変形体Ｃ：イリジウム反応物質としての［シス，トランス−ジクロロ（ビスアセチルアセトナト］イリジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム
［シス，トランス−ジクロロ（ビスアセチルアセトナト］イリジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム［８７６２９６−２１−８］１０ミリモルおよび５０ｍＬの、エチレングリコール、プロピレングリコールもしくはジエチレングリコール中のその配位子６０ミリモルの混合物を、穏やかなアルゴン気流下で、特定の時間、加熱し、穏やかに還流させる。６０℃に冷却した後、混合物を撹拌しながら、５０ｍＬのエタノールと５０ｍＬの２Ｎ塩酸との混合物で希釈し、さらに１時間撹拌し、沈殿した固体を濾別し、各３０ｍＬのエタノールを用いて３回洗浄し、次いで減圧下で乾燥させる。高温抽出剤もしくはクロマトグラフィーによる精製および分別昇華は、Ａで記載の通り。
【化４１−１】
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【化４１−２】
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【化４１−３】
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【化４１−４】
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【化４１−５】
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【化４１−６】
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【化４１−７】
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【化４１−８】
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【化４１−９】
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【化４１−１０】
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【化４１−１１】
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【化４１−１２】
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【化４１−１３】
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【化４１−１４】
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【化４１−１５】
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【化４１−１６】
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【化４１−１７】
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【化４１−１８】
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【化４１−１９】
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【化４１−２０】
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【化４１−２１】
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【化４１−２２】
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【化４１−２３】
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【化４１−２４】
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【化４１−２５】
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【０１４２】
２）ヘテロレプティックイリジウム錯体類：
変形体Ａ：
ステップ１：
１０ミリモルのビスアセチルアセトナトジクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム［７７０７２０−５０−８］と２４ミリモルの配位子Ｌおよびガラスで被覆された磁気スターラーの混合物を、減圧下（１０−５ｍｂａｒ）で５０ｍＬの肉厚なガラスアンプル中に溶融導入する。アンプルを特定の温度で特定の時間、加熱し、その間、磁気スターラーを用いて溶融混合物を撹拌する。冷却した後（注意：アンプルは、通常加圧されている！）、アンプルを開き、焼結ケーキを１００ｍＬの懸濁媒体（懸濁媒体は、配位子は良好な溶解性を有するが、式［Ｉｒ（Ｌ）２Ｃｌ］２で表されるクロロ二量体はその中に難溶性であるように選択される。典型的な懸濁媒体は、ＤＣＭ、アセトン、酢酸エチル、トルエン等である。）中で１００ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）を用いて３時間撹拌させ、それによってこの工程で機械的に温浸させる。微細懸濁液をガラスビーズから注ぎ出し、固体（［Ｉｒ（Ｌ）２Ｃｌ］２、これはまだ約２当量のＮａＣｌを含んでおり、以下、粗クロロ二量体という。）を吸引ろ過し、減圧下で乾燥させる。
【０１４３】
ステップ２：
このようにして得られた式［Ｉｒ（Ｌ）２Ｃｌ］２で表される粗クロロ二量体を、７５ｍＬの２−エトキシエタノールおよび２５ｍＬの水の混合物に懸濁し、そこに１３ミリモルの、共配位子ＣＬもしくは共配位子化合物ＣＬおよび１５ミリモルの炭酸ナトリウムを添加する。還流下で２０時間後、７５ｍＬの水をさらに滴下し、混合物を冷却し、次いで固体を吸引ろ過し、各５０ｍＬの水を用いて３回、および各５０ｍＬのエタノールを用いて３回洗浄し、次いで減圧下で乾燥させる。乾燥固体を高さ３〜５ｃｍのアロックス（Ａｌｏｘ）床（アロックス、ベーシック、活性レベル１）上の連続式高温抽出器内に載置し、次いで特定の抽出剤（最初の導入量は約５００ｍＬである。抽出剤は、錯体が高温抽出剤には良好な可溶性を有し、低温抽出剤には難溶性であるように選択される。好適な抽出剤は、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素のような炭化水素である。）で抽出する。抽出終了後、抽出剤を減圧下、約１００ｍＬまで濃縮する。抽出剤への溶解性が高すぎる金属錯体を、２００ｍＬのメタノールを滴下することにより結晶化させる。このようにして得られた固体を、懸濁液から吸引ろ過し、５０ｍＬのメタノールで一回洗浄し、乾燥させる。乾燥後、ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣにより金属錯体の純度を測定する。純度が９９．５％未満であれば、高温抽出工程を繰り返す。９９．５％〜９９．９％の純度が得られたら、金属錯体を、加熱処理するか、または昇華させる。精製のための高温抽出工程だけでなく、シリカゲルまたはアロックス上でのクロマトグラフィーによっても精製を行うことができる。加熱処理は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約２００〜３００℃の温度範囲で行なう。昇華は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約３００〜４００℃の温度範囲で行ない、好ましくは、分別昇華の形で行なう。
【化４２−１】
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【化４２−２】
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【化４２−３】
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【化４２−４】
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【化４２−５】
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【化４２−６】
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【化４２−７】
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【０１４４】
変形体Ｂ：
ステップ１：
変形体Ａ、ステップ１を参照。
ステップ２：
式［Ｉｒ（Ｌ）２Ｃｌ］２で表される粗クロロ二量体を、２００ｍＬのＴＨＦに懸濁し、懸濁液に２０ミリモルの共配位子ＣＬ、２０ミリモルのトリフルオロ酢酸銀（Ｉ）および３０ミリモルの炭酸カリウムを添加し、混合物を還流下で２４時間加熱する。冷却後、ＴＨＦを減圧下で除去する。残留物をエタノールおよび濃アンモニア溶液の混合物（容積比１：１）２００ｍＬに取る。懸濁液を室温で１時間撹拌し、固体を吸引ろ過し、各回５０ｍＬの、エタノールおよび濃アンモニア溶液の混合物（容積比１：１）を用いて２回、および各５０ｍＬのエタノールを用いて２回洗浄し、次いで減圧下で乾燥させる。高温抽出と昇華は変形体Ａの通り。
【化４３】
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【０１４５】
変形体Ｃ：
ステップ１：
変形体Ａ、ステップ１を参照。
ステップ２：
式［Ｉｒ（Ｌ）２Ｃｌ］２で表される粗クロロ二量体を、１０００ｍＬのジクロロメタンと１５０ｍＬのエタノールに懸濁し、懸濁液に２０ミリモルのトリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）を添加し、混合物を室温で２４時間撹拌する。沈殿した固体（ＡｇＣｌ）を短いセライトベッドを用いて吸引ろ過し、ろ液を濃縮して乾燥させる。このようにして得られた固体を１００ｍＬのエチレングリコールに取り、２０ミリモルの共配位子ＣＬをそれに添加し、次いで混合物を１３０℃で３０時間撹拌する。冷却後、固体を吸引ろ過し、各５０ｍＬのエタノールを用いて２回洗浄し、さらに減圧下で乾燥させる。高温抽出と昇華は変形体Ａの通り。
【化４４】
0006469701.tif 000109
【０１４６】
変形体Ｅ：
１０ミリモルのＩｒ錯体Ｉｒ（Ｌ）２（ＣＬ１またはＣＬ２）、２０ミリモルの配位子Ｌおよびガラスで被覆された磁気スターラーの混合物を減圧下（１０−５ｍｂａｒ）で５０ｍＬのガラスアンプル中に溶融導入する。アンプルを特定の温度で特定の時間、加熱し、その間、磁気スターラーを用いて溶融混合物を撹拌する。その後の処理、精製および昇華は、１）ホモレプティップトリス−フェイシャルイリジウム錯体類に記載の通り。
【化４５−１】
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【化４５−２】
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【０１４７】
Ｅ：金属錯体類の誘導体化
１）イリジウム錯体類のハロゲン化：
ジクロロメタン３０００ｍＬ中、イリジウムに対してパラ位にＡ個のＣＨ基（ここで、Ａ＝１、２または３）を有する錯体１０ミリモルの溶液もしくは懸濁液に、光と空気の排除下、３０℃でＡ×１１ミリモルのＮ−ハロコハク酸イミド（ハロゲン：Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等）を添加し、混合物を２０時間撹拌する。ＤＣＭに難溶性の錯体は、他の溶媒（ＴＣＥ、ＴＨＦ、ＤＭＦ等）中、高温で転換させることもできる。その後、減圧下で溶媒を実質的に除去する。１００ｍＬのＭｅＯＨで沸騰させることにより残留物を抽出し、固体を吸引ろ過し、３０ｍＬのメタノールで３回洗浄し、次いで減圧下で乾燥させる。
【０１４８】
Ｉｒ（Ｌ５００−Ｂｒ）３の合成：
【化４６】
0006469701.tif 000112
３０００ｍＬのＤＣＭ中、１１．３ｇ（１０ミリモル）のＩｒ（Ｌ５００）３の、３０℃で攪拌した懸濁液に、５．９ｇ（３３ミリモル）のＮ−ブロモコハク酸イミドを一度に添加し、混合物を２０時間撹拌する。減圧下で約２９００ｍＬのＤＣＭを除去した後、１００ｍＬのメタノールを黄色の懸濁液に加え、固体を吸引ろ過し、約３０ｍＬのメタノールで３回洗浄し、次いで減圧下で乾燥させる。収量：１３．８ｇ（９．５ミリモル）、９５％。純度：ＮＭＲにより、約９９．６％。
【０１４９】
類似の方法で、以下の化合物を作製することができる：
【化４７】
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【０１５０】
２）イリジウム錯体類との鈴木カップリング：
変形体Ａ，二相性の反応混合物：
トルエン３００ｍＬ、ジオキサン１００ｍＬおよび水３００ｍＬの混合物中、１０ミリモルのブロム化された錯体、４０〜８０ミリモルの、ボロン酸もしくはボロン酸エステルおよび８０ミリモルのリン酸三カリウムの懸濁液に、０．６ミリモルのトリ−ｏ−トリルホスフィンおよび０．１ミリモルの酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、混合物を１６時間加熱還流する。冷却後、水５００ｍＬおよびトルエン２００ｍＬを加え、水相を分離し、有機相を、２００ｍＬの水で３回、および２００ｍＬの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させる。混合物をセライトベッドでろ過し、トルエンで洗浄し、トルエンを減圧下でほぼ完全に除去し、エタノール３００ｍＬを加え、沈殿した粗生成物を吸引ろ過し、各１００ｍＬのエタノールを用いて３回洗浄し、減圧下で乾燥させる。粗生成物を、トルエンを用いてシリカゲル上で２回カラムにかける。金属錯体を最終的に、加熱処理するか昇華させる。加熱処理は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約２００〜３００℃の温度範囲で行なう。昇華は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約３００〜４００℃の温度範囲で行ない、好ましくは、分別昇華の形態で行なう。
【０１５１】
変形体Ｂ、単相性の反応混合物：
１００〜５００ｍＬの非プロトン性溶媒（ＴＨＦ、ジオキサン、キシレン、メシチレン、ジメチルアセトアミド、ＮＭＰ、ＤＭＳＯなど）中、１０ミリモルのブロム化された錯体、４０〜８０ミリモルの、ボロン酸もしくはボロン酸エステルおよび６０〜１００ミリモルの塩基（フッ化カリウム、リン酸三カリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等、夫々無水物の形で）およびガラスビーズ（直径３ｍｍ）の懸濁液に、０．６ミリモルのトリ−ｏ−トリルホスフィンおよび０．１ミリモルの酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、混合物を１〜２４時間加熱還流する。あるいは、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、Ｓ−ホス（Ｓ−Ｐｈｏｓ）、キサントホス等のその他のホスフィンを使用することができ、これらのホスフィンの場合、好ましいホスフィン：パラジウムの比は２：１〜１．２：１である。溶媒を減圧下で除去し、生成物を適当な溶媒（トルエン、ジクロロメタン、酢酸エチル等）中に取り、精製をＡに記載したように行なう。
【０１５２】
Ｉｒ（Ｌ２０００）３の合成：
【化４８】
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変形体Ｂ：
１１．６ｇ（１０ミリモル）のＩｒ（Ｌ５００−Ｂｒ）３および１４．０ｇ（４０ミリモル）のクウォーターフェニルボロン酸［１２３３２００−５９−３］、炭酸セシウム、トリ−ｏ−トリルホスフィン、ＮＭＰ、１８０℃、２時間の使用。収量：１２．７ｇ（６．９ミリモル）、６９％。純度：ＨＰＬＣにより約９９．８％。
【０１５３】
類似の方法で、以下の化合物を作製することができる：
【化４９−１】
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【化４９−２】
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【０１５４】
３）イリジウム錯体類とのブッフバルトカップリング：
１０ミリモルのブロム化された錯体、４０ミリモルのジアリールアミンもしくはカルバゾール、アミンの場合に４５ミリモルのナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドもしくはカルバゾールの場合に８０ミリモルのリン酸三カリウム（無水）、１００ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）および３００〜５００ｍＬのｏ−キシレンもしくはメシチレンの混合物に、０．４ミリモルのトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを、次いで０．３ミリモルの酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、混合物をよく撹拌しながら還流下に１６時間加熱する。冷却後、水相を２００ｍＬの水で２回および２００ｍＬの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させる。混合物をセライトベッドでろ過し、ｏ−キシレンもしくはメシチレンで洗浄し、溶媒を減圧下でほぼ完全に除去し、３００ｍＬのエタノールを加え、沈殿した粗生成物を吸引ろ過し、各１００ｍＬのエタノールで３回洗浄し、減圧下で乾燥させる。粗生成物をシリカゲル上でトルエンを用いて２回カラムにかける。金属錯体を最終的に、加熱処理するか昇華させる。加熱処理は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約２００〜３００℃の温度範囲で行なう。昇華は、高真空下（圧力：約１０−６ｍｂａｒ）、約３００〜４００℃の温度範囲で行ない、好ましくは、分別昇華の形態で行なう。
【０１５５】
Ｉｒ（Ｌ２５００）３の合成：
【化５０】
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１１．６ｇ（１０ミリモル）のＩｒ（Ｌ５００−Ｂｒ）３および１２．９ｇ（４０ミリモル）のｐ−ビフェニル−ｏ−ビフェニルアミン［１３７２７７５−５２−４］、メシチレンの使用。収量：１１．１ｇ（５．３ミリモル）、５３％。純度：ＨＰＬＣにより約９９．８％。
【０１５６】
類似の方法で、以下の化合物を作製することができる：
【化５１】
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【０１５７】
ＯＬＥＤの製造
１）真空処理した素子：
本発明に係るＯＬＥＤおよび従来技術によるＯＬＥＤを、ここに記載する状況（層厚範囲、使用材料）に適応する、ＷＯ２００４／０５８９１１に記載の一般的方法によって製造する。以下の例では、種々のＯＬＥＤについての結果を示す。構造化ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を有するガラス板は、ＯＬＥＤが適用される基板を形成する。ＯＬＥＤは、基本的に以下の層構造を有する：基板／３％ＮＤＰ−９（Ｎｏｖａｌｅｄ社から市販されている）でドープされたＨＴＭからなる正孔輸送層１（ＨＴＬ１）／正孔輸送層２（ＨＴＬ２）／任意の電子遮断層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／任意の正孔遮断層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／任意の電子注入層（ＥＩＬ）／および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍの厚さのアルミニウム層によって形成される。
【０１５８】
最初に、真空処理したＯＬＥＤについて記載する。この目的では、すべての材料を真空チャンバにおける熱蒸着によって塗布する。ここで、発光層は、常に、少なくとも１つのマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸着によって特定の体積比でマトリックス材料に混合される発光ドーパント（発光体）とからなる。ここで、Ｍ２：Ｍ１：Ｉｒ（Ｌ１）３（５５％：３５％：１０％）のような形で示される詳細は、材料Ｍ２が５５％の体積比でその層に存在し、Ｍ１が３５％の割合でその層に存在し、Ｉｒ（Ｌ１）３が１０％の割合でその層に存在することを意味する。同様に、電子輸送層も２つの材料の混合物からなっていてもよい。ＯＬＥＤの正確な構造は表１に見ることができる。ＯＬＥＤの製造に使用される材料は表６に示されている。
【０１５９】
ＯＬＥＤは、標準的な方法によって特徴づけられる。この目的では、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率（ｃｄ／Ａで測定）および電圧（Ｖ単位の１０００ｃｄ／ｍ２で測定）を電流−電圧−輝度特性（ＩＵＬ特性）から求める。選択した実験では、寿命を求める。寿命は、輝度が特定の初期輝度から、その後に特定の割合まで低下する時間で定義される。ＬＤ５０という数字は、与えられた寿命が、輝度が初期輝度の５０％まで、すなわち、例えば１０００ｃｄ／ｍ２から５００ｃｄ／ｍ２まで低下する時間であることを意味する。発光色に応じて、異なる初期輝度を選択する。当業者に既知の変換式を利用して、寿命に対する値を他の初期輝度に対する値に変換することができる。ここでは、１０００ｃｄ／ｍ２の初期輝度に対する寿命が通常の値である。
【０１６０】
燐光性ＯＬＥＤにおける発光材料としての本発明に係る化合物の使用
本発明に係る化合物の１つの使い方は、ＯＬＥＤ中の発光層における燐光性発光材料として使うことである。従来技術による比較として化合物Ｉｒ（Ｒｅｆ１）３を使用する。ＯＬＥＤについての結果を表２に要約する。
【表１−１】
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【表１−２】
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【表２】
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【０１６１】
２）溶液処理した素子
Ａ：可溶性の機能性材料から
本発明に係るイリジウム錯体類は、溶液から処理することもでき、この場合、良好な特性を有しながら、真空処理したＯＬＥＤと比較して処理技術の点で非常に単純なＯＬＥＤをもたらす。このような成分の製造は、既に文献（例えばＷＯ２００４／０３７８８７）に幾度も記載されているポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づくものである。その構造は、基板／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ（８０ｎｍ）／中間層（８０ｎｍ）／発光層（８０ｎｍ）／カソードで構成される。この目的のために、Ｔｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ社製の基板（ソーダ石灰ガラス）を使用し、それにはＩＴＯ構造（酸化インジウムスズ、透明導電性アノード）を塗布する。基板は、クリーンルーム内でＤＩ水と洗剤（デコネックス１５ＰＦ）を用いて洗浄し、次いでＵＶ／オゾンプラズマ処理により活性化させる。その後、同じくクリーンルーム内で、バッファ層として、ＰＥＤＯＴ（ＰＥＤＯＴは、Ｓ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ  Ｇｏｓｌａｒ社から水性分散液として供給されているポリチオフェン誘導体（バイトロンＰ  ＶＡＩ  ４０８３ｓｐ）である）の８０ｎｍの層を、スピンコート法により塗布する。必要なスピン速度は、希釈度と特定のスピンコーターの形状に依存する（８０ｎｍに対する典型的な値：４５００ｒｐｍ）。層から残留水を除去するために、基板をホットプレート上で１８０℃で１０分間焼成する。使用される中間層は、正孔注入のために機能する。この場合、Ｍｅｒｃｋ社製のＨＩＬ−０１２を使用する。あるいは、中間層は、引き続いての、溶液からのＥＭＬ堆積の処理工程によって再び脱離しないという条件を満たすだけでよい、１つ以上の層で置き替えることができる。発光層の製造のため、本発明に係る発光体をマトリックスとともにトルエンに溶解させる。ここで、素子に対する典型的層厚である８０ｎｍがスピンコーティングによって達成される場合、その溶液の典型的な固体含有量は１６〜２５ｇ／Ｌである。溶液処理した素子は、（ポリスチレン）：Ｍ４：Ｍ５：Ｉｒ（Ｌ）３（２５％：２５％：４０％：１０％）で構成される発光層を含む。発光層を不活性ガス雰囲気、前記の場合はアルゴン中で回転塗布させ、１３０℃で３０分間焼成する。最後に、バリウム（５ｎｍ）、次いでアルミニウム（１００ｎｍ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製の高純度金属、特にバリウムは９９．９９％（ｃａｔ．ｎｏ．４７４７１１）；Ｌｅｓｋｅｒ社製の蒸着装置等、典型的な蒸着圧力５ｘ１０−６ｍｂａｒ）からなるカソードを、真空蒸着によって塗布する。必要に応じて、最初に正孔遮断層を、次いで電子輸送層を、その後にのみカソード（例えば、ＡｌまたはＬｉＦ／Ａｌ）を減圧下で蒸着させて塗布することもできる。装置を空気と湿気から保護するために、素子を最終的にカプセル化し、その後特徴付ける。示されたＯＬＥＤ例は、まだ最適化されていない。表３は、得られたデータを要約したものである。
【表３】
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【０１６２】
３）白色発光ＯＬＥＤ
１）の一般的方法に従って、以下の層構造を有する白色発光ＯＬＥＤを製造する。
【表４】
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【表５】
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【表６−１】
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【表６−２】
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