(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板と、
前記第２回路基板の第３面上に積層されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記実装エリアを露出するための開口を有する第１回路基板と、からなるプリント配線板であって、
前記第１回路基板の前記第１面と前記第２回路基板の前記第３面が対向し、
前記第２回路基板は、上面と前記上面と反対側の下面とを有し、前記下面から前記上面に至る第１ビア導体用の開口を有する第１の樹脂絶縁層と、前記第１の樹脂絶縁層の前記下面に形成されている第２回路基板内の第１導体層と、前記第１ビア導体用の開口に形成されていて前記第２回路基板内の第１導体層に繋がっている第１ビア導体とを有し、
前記第３面と前記上面は同じ面であって、前記開口から露出する前記第１ビア導体のボトムは電子部品を搭載するためのパッドを形成し、
前記第１回路基板は、さらに、前記第１面と前記第２面とを貫通する複数の導体ポストを含み、
前記導体ポストは、２段構造に形成され、前記２段構造の第１面側の段を構成する第２導体ポスト部に対して第２面側の段を構成する第１導体ポスト部が複数接続されて形成されている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１の樹脂絶縁層には、前記導体ポストの第１面側の表面に接続されるビア導体が設けられている。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記導体ポストは、前記第２導体ポスト部の径が前記第１導体ポスト部の径よりも大きい。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記導体ポストは、前記第２導体ポスト部の貫通方向の長さが前記第１導体ポスト部の貫通方向の長さよりも長い。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１の樹脂絶縁層には、前記開口の底部を構成する凹部が形成されている。
【請求項６】
支持板上に第１導体ポスト部を形成することと、
前記支持板上に前記第１導体ポスト部が貫通する第１絶縁層を形成することと、
前記第１絶縁層上に前記第１導体ポスト部に接続する第２導体ポスト部を形成することと、
前記第１絶縁層上に前記第２導体ポスト部が貫通する第２絶縁層を形成することと、
前記第１導体ポスト部及び前記第２導体ポスト部を有する導体ポストが前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を有する絶縁層を貫通する第１回路基板を形成することと、
前記第１回路基板となる絶縁層に枠状の溝を形成することと、
前記枠状の溝を被覆するように剥離膜を形成することと、
前記第１回路基板となる絶縁層上及び前記剥離膜上に第２回路基板となる第１の樹脂絶縁層を形成することと、
前記支持板を除去することと、
前記絶縁層の前記支持板から剥離された面側に前記枠状の溝を露出させることと、
前記第１回路基板となる絶縁層の内の前記枠状の溝で囲まれた部分を剥離することで開口を形成することと、
前記剥離膜を除去し、前記第１の樹脂絶縁層の一部を実装エリアとして開口内に露出させることと、
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
さらに、前記第１の樹脂絶縁層に、前記導体ポストの表面に接続されるビア導体を形成することを含む。
【請求項８】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２導体ポスト部を形成する前に、研磨により前記第１導体ポスト部を前記第１絶縁層から露出させる。
【請求項９】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の樹脂絶縁層を形成する前に、研磨により前記第２導体ポスト部を前記第２絶縁層から露出させる。
【請求項１０】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１導体ポスト部と前記第２導体ポスト部とが軸中心が一致するように接続される。
【請求項１１】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１導体ポスト部と前記第２導体ポスト部とが軸中心がずれるように接続される。
【請求項１２】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２導体ポスト部に対して前記第１導体ポスト部が複数接続される。
【請求項１３】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２導体ポスト部の径が前記第１導体ポスト部の径よりも大きい。
【請求項１４】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２導体ポスト部の貫通方向の長さが前記第１導体ポスト部の貫通方向の長さよりも長い。
【請求項１５】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
さらに、前記剥離膜を除去することにより、前記第１の樹脂絶縁層に前記開口の底部を構成する凹部を形成することを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装エリアを有する第２回路基板と実装エリアを露出するための開口を有する第１回路基板とからなるプリント配線板及びプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、電子部品の実装領域を備える多層のベース基板と実装領域を露出させるキャビティを備えるキャビティ基板とから成る半導体素子搭載用のパッケージ基板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−０６０９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されているパッケージ基板では、ベース基板に対するキャビティ基板の構造が非対称構造となるため、パッケージ基板が反りやすいと考えられる。また、反りに起因する応力によってキャビティ直下のベース基板にクラックが発生しやすいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板は、実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板と、前記第２回路基板の第３面上に積層されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記実装エリアを露出するための開口を有する第１回路基板と、からなる。そして、前記第１回路基板の前記第１面と前記第２回路基板の前記第３面が対向し、前記第２回路基板は、上面と前記上面と反対側の下面とを有し、前記下面から前記上面に至る第１ビア導体用の開口を有する第１の樹脂絶縁層と、前記第１の樹脂絶縁層の前記下面に形成されている第２回路基板内の第１導体層と、前記第１ビア導体用の開口に形成されていて前記第２回路基板内の第１導体層に繋がっている第１ビア導体とを有し、前記第３面と前記上面は同じ面であって、前記開口から露出する前記第１ビア導体のボトムは電子部品を搭載するためのパッドを形成し、前記第１回路基板は、さらに、前記第１面と前記第２面とを貫通する複数の導体ポストを含み、前記導体ポストは、２段構造に形成され、前記２段構造の第１面側の段を構成する第２導体ポスト部に対して第２面側の段を構成する第１導体ポスト部が複数接続されて形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のプリント配線板では、第１回路基板に形成される開口から露出する第１ビア導体のボトムは電子部品を搭載するためのパッドを形成し、第１回路基板は、さらに、第１面と第２面とを貫通する複数の導体ポストを含み、導体ポストは、多段構造に形成されている。第１回路基板に複数個所多段の導体ポストを形成することで、多段構造の各段を構成する導体ポスト部の貫通方向の長さが短くなり、各導体ポスト部を短時間で形成することができる。そして、導体ポストを多段構造に形成することで各導体ポスト部を第１回路基板内に分散配置でき、プリント配線板に作用する応力を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は第１回路基板と第１回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図である。
【図２】図２（Ａ）第１実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図２（Ｂ）は半導体装置の応用例の断面図である。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図１０】図１０（Ａ）は第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図であり、図１０（Ｂ）は第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１１（Ｂ）は第１回路基板と第１回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は第２実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図であり、図１２（Ｂ）は第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１３】図１３（Ａ）は本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１３（Ｂ）は第１回路基板と第１回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は第３実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図であり、図１４（Ｂ）は第３実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板１０を示す。第１実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する第１回路基板１３０と第３面Ｖと第３面Ｖと反対側の第４面Ｗとを有する第２回路基板１５５を有する。
【０００９】
図１（Ａ）に示されている第２回路基板１５５は、交互に積層されている導体層５８、１５８、２５８、３５８と第１の樹脂絶縁層５０、第２の樹脂絶縁層１５０、第３樹脂絶縁層２５０、第４の樹脂絶縁層３５０とから成るビルドアップ層５５で形成されている。第２回路基板１５５は第１回路基板１３０の第１面Ｆ上に積層されている。第２回路基板１５５の第３面Ｖと第１回路基板１３０の第１面Ｆは接している。第２回路基板１５５のビルドアップ層５５を構成する第１の樹脂絶縁層５０は補強材とエポキシなどの樹脂とシリカやアルミナなどの無機フィラー（無機粒子）で形成されている。例えば、第１の樹脂絶縁層５０は、ガラスクロスにエポキシ系樹脂や無機フィラーを含浸させることで芯材を備えるプリプレグからなる。補強材の例はガラス繊維やガラスクロスやアラミド繊維である。第２回路基板１５５のビルドアップ層５５を構成する第２の樹脂絶縁層１５０、第３の樹脂絶縁層２５０、第４の樹脂絶縁層３５０は樹脂と無機フィラーで形成され、補強材を備えない。各樹脂絶縁層５０、１５０、２５０、３５０には、それぞれの樹脂絶縁層を貫通するビア導体６０、１６０、２６０、３６０が形成されている。ビア導体６０、１６０、２６０、３６０は、第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かって径が小さくなるようにテーパーしている。ビア導体６０、１６０、２６０、３６０により隣接する導体層が接続されている。
【００１０】
第２回路基板１５５は第３面Ｖの略中央部分に図１（Ｂ）に示される実装エリアＳＭＦを有する。図１（Ｂ）のＸ１−Ｘ１断面が図１（Ａ）に対応する。実装エリアＳＭＦは第１回路基板１３０の開口２６により露出されている。第１の樹脂絶縁層５０には、開口２６の底部を構成する凹部５１が形成されている。実装エリアＳＭＦ上にＩＣチップ等の電子部品が実装される。
【００１１】
図１（Ａ）に示されている第１回路基板１３０は、補強材を備えずに無機フィラーを含むモールド樹脂から構成される絶縁層３０と、導体ポスト３２を有するスルーホール導体３６とスルーホール導体３６の第１端子３６Ｆと第２端子３６Ｓとで形成されている。絶縁層３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。第１端子３６Ｆは第１面Ｆ上に形成されていて、第２端子３６Ｓは第２面Ｓ上に形成されている。第１回路基板１３０は、さらに、第２回路基板１５５の実装エリアＳＭＦを露出するための開口２６を有している。
【００１２】
図１（Ａ）に示されるように、第１回路基板１３０の第１面Ｆと第１端子３６Ｆ上に第１の樹脂絶縁層５０が形成されている。第１の樹脂絶縁層５０に第１の樹脂絶縁層５０を貫通するビア導体６０（６０ｉ、６０ｏ）用の開口６８（６８ｉ、６８ｏ）が形成されている。第１の樹脂絶縁層５０上に第２回路基板１５５内の導体層５８が形成されている。ビア導体６０用の開口６８にビア導体６０が形成されている。ビア導体６０は、導体層（第２回路基板内の第１導体層）５８と第１端子３６Ｆを接続している接続用ビア導体６０ｏと電子部品を実装するための実装用ビア導体（第１ビア導体）６０ｉを有する。接続用ビア導体６０ｏは第１回路基板１３０内のスルーホール導体３６の第１端子３６Ｆに直接接続されることが好ましい。
【００１３】
実装用ビア導体６０ｉは実装エリアＳＭＦ内に形成されている。実装用ビア導体６０ｉは、第１の樹脂絶縁層５０のビア導体用の開口６８ｉ内に形成されている。実装用ビア導体６０ｉのボトム（Ｃ４パッド）７３ＳＩは開口６８ｉにより露出される。また、Ｃ４パッド７３ＳＩは、第１回路基板１３０の開口２６により露出される。実装用ビア導体６０ｉのボトム（Ｃ４パッド）７３ＳＩは、開口２６と開口６８ｉにより露出される。接続用ビア導体６０ｏは、第１の樹脂絶縁層５０の開口６８ｏ内に形成されている。接続用ビア導体６０ｏのボトム６０Ｂはスルーホール導体３６の第１端子３６Ｆに直接接続している。
【００１４】
プリント配線板１０は第２回路基板１５５の最外の第４の樹脂絶縁層３５０と最外の導体層３５８上にビルドアップ層５５上のソルダーレジスト層７０Ｆを有することができる。ビルドアップ層５５上のソルダーレジスト層７０Ｆに導体層（最上の導体層）３５８を露出する開口７１Ｆが形成されている。開口７１Ｆにより露出される導体層３５８はマザーボードと接続するパッド７３Ｆとして機能する。パッド７３Ｆ上に保護膜７２を形成することができる。保護膜７２は、パッド７３Ｆの酸化を防止するための膜である。保護膜７２は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜で形成される。
【００１５】
第１回路基板１３０のスルーホール導体３６は、第２面Ｓ側に形成された埋め込み配線１８と、導体ポスト３２と、絶縁層３０内に形成された埋め込み配線１８ｂとから構成される。導体ポスト３２は、第２面Ｓ側の円柱状の第１導体ポスト部３２ａと第１面Ｆ側の円柱状の第２導体ポスト部３２ｂとが埋め込み配線１８ｂを介して接続されることで構成される。第１導体ポスト部３２ａは絶縁層３０の第１絶縁層３０ａを貫通するように形成され、第２導体ポスト部３２ｂは絶縁層３０の第２絶縁層３０ｂを貫通するように形成される。第１導体ポスト部３２ａの貫通方向の長さＬ１と第２導体ポスト部３２ｂの貫通方向の長さＬ２とが同じであって径寸法もＤで同じであり、軸中心が一致するように埋め込み配線１８ｂを介して接続されて形成されている。但し、第２面Ｓ側の埋め込み配線１８、絶縁層３０内に形成された埋め込み配線１８ｂは有っても無くても良い。両方とも無くても良いし、いずれか一方だけしか無くても良い。
【００１６】
スルーホール導体３６の第１面Ｆ側の第１端子３６Ｆは、第２導体ポスト部３２ｂの第１面Ｆ側の端部により構成される。第１端子３６Ｆは、第１回路基板１３０の第１面Ｆと略同一面上に形成されている。スルーホール導体３６の第２面Ｓ側の第２端子３６Ｓは、埋め込み配線１８の第２面Ｓ側の露出面により構成される。第２端子３６Ｓは、第１回路基板１３０の第２面Ｓより凹んでいる。第１回路基板１３０は、第２面Ｓより凹んだ第２端子３６Ｓを露出させる開口３１Ｓを有する。第２端子３６Ｓ上およびＣ４パッド７３ＳＩ上には保護膜７２を形成することができる。
【００１７】
図２（Ａ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の第１応用例（半導体装置）２２０を示す。第１応用例２２０は、パッケージ基板（第１のパッケージ基板）である。
半導体装置２２０では、第１回路基板１３０の開口２６内にＩＣチップなどの電子部品９０が収容されている。ＩＣチップ９０は、開口２６から露出するＣ４パッド７３ＳＩに半田バンプ７６ＳＩにより実装される。開口２６内にはＩＣチップを封止する充填樹脂１０２が充填されている。
【００１８】
図２（Ｂ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の第２応用例（ＰＯＰモジュール）３００を示す。第２応用例では、半導体装置２２０に接続体７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板３３０が搭載されている。第２のパッケージ基板３３０は上基板３１０と上基板３１０上に実装されているメモリ等の電子部品２９０を有する。接続体７６ＳＯは、上側の開口３１Ｓにより露出される第２端子３６Ｓ上に形成されている。図２（Ｂ）では、接続体７６ＳＯは、半田バンプ７６ＳＯである。半田バンプ以外の接続体の例はめっきポストやピンなどの導体ポスト（図示せず）である。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。上基板３１０上に電子部品２９０を封止するモールド樹脂３０２が形成されている。
【００１９】
プリント配線板１０は、ビルドアップ層５５上のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出されるパッド７３Ｆに、マザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｆを有しても良い。
【００２０】
ＩＣチップ９０を封止する充填樹脂１０２、及び、第１回路基板１３０を構成する絶縁層３０は、補強材を備えず、無機フィラーを含有するモールド樹脂から成る。モールド樹脂の例は、エポキシ系樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を主としてなる樹脂である。無機フィラーとしては、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物及びケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。更に、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられる。第１実施形態で、充填樹脂１０２と絶縁層３０とは成分組成が同一であることが好ましい。少なくとも、絶縁層３０の熱膨張係数と充填樹脂１０２の熱膨張係数との差は、１０ｐｐｍ／℃より小さいことが望ましい。また、絶縁層３０に含まれる無機フィラーの含有率と充填樹脂１０２に含まれる無機フィラーの含有率との差は、１０重量％より小さいことが好ましい。充填樹脂１０２及び絶縁層３０と、第１の樹脂絶縁層５０とは異なる材料（成分組成）から成る。充填樹脂１０２と絶縁層３０は、無機フィラーを７０〜８５重量％含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は１０ｐｐｍ／℃程度である。第１の樹脂絶縁層５０は、無機フィラーを３０〜４５重量％含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は３９ｐｐｍ／℃程度である。絶縁層３０と充填樹脂１０２との熱膨張係数の差は、絶縁層３０と第１の樹脂絶縁層５０の熱膨張係数の差より小さいことが好ましい。
【００２１】
充填樹脂１０２と絶縁層３０に含まれる無機フィラーの含有量（重量）％は、第１の樹脂絶縁層５０に含まれる無機フィラーの含有量（重量）％の１．５倍以上であり、充填樹脂１０２と絶縁層３０の熱膨張係数は、第１の樹脂絶縁層５０の熱膨張係数の半分以下であることが望ましい。充填樹脂１０２と絶縁層３０との成分組成を同一にすることで、第１の樹脂絶縁層５０でクラックを発生し難くできる。
【００２２】
第１実施形態のプリント配線板１０では、第１回路基板１３０は、第１面Ｆと第２面Ｓとを貫通する複数の導体ポスト３２を含み、導体ポスト３２は、第１導体ポスト部３２ａ及び第２導体ポスト部３２ｂを有する２段構造に形成されている。第１回路基板１３０に複数個所２段の導体ポスト３２を形成することで、２段構造の各段を構成する導体ポスト部３２ａ，３２ｂの貫通方向の長さが短くなり、各導体ポスト部３２ａ，３２ｂを短時間で形成することができる。そして、導体ポスト３２を２段構造に形成することで各導体ポスト部３２ａ，３２ｂを第１回路基板１３０内に分散配置でき、プリント配線板１０に作用する応力を緩和することができる。
【００２３】
第１実施形態のプリント配線板１０では、電子部品９０を実装するためのパッド７３ＳＩは実装用ビア導体６０ｉのボトムである。パッド７３ＳＩは、電子部品を搭載するためのランドを有していない。これにより、電子部品を実装するためのパッド７３ＳＩのサイズを小さくすることが出来る。そのため、パッド７３ＳＩのピッチが狭くなり、プリント配線板１０のサイズが小さくなる。プリント配線板１０の反りが小さくなる。プリント配線板１０と電子部品間の接続信頼性が高くなる。電子部品を実装しやすいプリント配線板１０を提供することが出来る。
【００２４】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図９に示される。
支持板２０ｚと金属箔２４が準備される（図３（Ａ））。図３（Ａ）では、支持板２０ｚ上に金属箔２４が積層されている。支持板２０ｚの例は金属板や両面銅張積層板である。金属箔２４の例は銅箔やニッケル箔である。金属箔２４上に電解銅めっきにより埋め込み配線１８が形成される（図３（Ｂ））。第１導体ポスト部３２ａを形成するための開口２２ａを備えるめっきレジスト２２が形成される（図３（Ｃ））。めっきレジスト２２の開口２２ａ内に電解めっき膜２８が形成される（図３（Ｄ））。めっきレジスト２２が除去される。電解めっき膜２８から成る第１導体ポスト部３２ａが形成される（図３（Ｅ））。但し、埋め込み配線１８は形成されなくても良い。その場合、金属箔２４上に直接第１導体ポスト３２ａが形成されても良い。
【００２５】
第１導体ポスト部３２ａと金属箔２４上にモールド樹脂用のフィルムが積層され、熱硬化されて第１絶縁層３０ａが形成される（図４（Ａ））。第１絶縁層３０ａの表面及び第１導体ポスト部３２ａが研磨されて平坦化される（図４（Ｂ））。第１導体ポスト部３２ａ上に埋め込み配線１８ｂが形成される（図４（Ｃ））。第２導体ポスト部３２ｂを形成するための開口２２ｂａを備えるめっきレジスト２２ｂが形成される（図５（Ａ））。めっきレジスト２２ｂの開口２２ｂａ内に電解めっき膜２８ｂが形成される（図５（Ｂ））。めっきレジスト２２ｂが除去される。電解めっき膜２８ｂから成る第２導体ポスト部３２ｂが形成される。埋め込み配線１８、第１導体ポスト部３２ａ、埋め込み配線１８ｂ及び第２導体ポスト部３２ｂから成るスルーホール導体３６が完成する（図５（Ｃ））。但し、埋め込み配線１８ｂは形成されなくても良い。その場合、第１導体ポスト部３２ａ上に直接導第２導体ポスト部３２ｂが形成されても良い。
【００２６】
第２導体ポスト部３２ｂと第１絶縁層３０ａ上にモールド樹脂用のフィルムが積層され、熱硬化されて第２絶縁層３０ｂが形成され、金属箔２４、絶縁層３０（第１絶縁層３０ａ及び第２絶縁層３０ｂ）、導体ポスト３２（第１導体ポスト部３２ａ及び第２導体ポスト部３２ｂ）から成る第１中間体３０αが完成する（図６（Ａ））。第２絶縁層３０ｂの表面及び第２導体ポスト部３２ｂが研磨されて平坦化される（図６（Ｂ））。
【００２７】
絶縁層３０の中央部分にレーザで、支持板２０ｚの金属箔２４に至る電子部品収容用の開口形成用の枠状の溝３０βが形成される（図６（Ｃ））。このとき、枠状の溝３０βに囲まれる部分にもスルーホール導体３６を形成してもよい。これにより、導体の偏在による局所的な応力集中や反りを抑制できると考えられる。また、枠状の溝３０βに囲まれる部分を剥離しやすくできると考えられる。枠状の溝３０βを覆うように剥離層４０が設けられる。剥離層４０は、離型膜４２の上に銅箔４４が積層されて成る（図７（Ａ））。絶縁層３０上及び剥離層４０上に樹脂絶縁層用のフィルムが積層され、熱硬化されて第１の樹脂絶縁層５０が形成される（図７（Ｂ））。第１の樹脂絶縁層５０を貫通するビア導体６０が形成され、第１の樹脂絶縁層５０上に導体層５８が形成される。ビア導体６０は、スルーホール導体３６の第１端子３６Ｆに直接接続される（図８（Ａ））。
【００２８】
第１の樹脂絶縁層５０及び導体層５８上に第２の樹脂絶縁層１５０が形成され、第２の樹脂絶縁層１５０を貫通するビア導体１６０、導体層１５８が形成される。第２の樹脂絶縁層１５０及び導体層１５８上に第３の樹脂絶縁層２５０が形成され、第３の樹脂絶縁層２５０を貫通するビア導体２６０、導体層２５８が形成される。第３の樹脂絶縁層２５０及び導体層２５８上に第４の樹脂絶縁層３５０が形成され、第４の樹脂絶縁層３５０を貫通するビア導体３６０、導体層３５８が形成される。これにより、第１の樹脂絶縁層５０、第２の樹脂絶縁層１５０、第３の樹脂絶縁層２５０、第４の樹脂絶縁層３５０、ビア導体６０、１６０、２６０、３６０、導体層５８、１５８、２５８、３５８から成るビルドアップ層５５が完成する。ビルドアップ層５５上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。レーザにより、ソルダーレジスト層７０Ｆに、パッド７３Ｆを露出する開口７１Ｆが形成される。これにより、第２中間体３００αが形成される（図８（Ｂ））。
【００２９】
支持板２０ｚから第２中間体３００αが分離される（図８（Ｃ））。エッチングで、金属箔２４を除去することで、枠状の溝３０βが露出される（図９（Ａ））。絶縁層３０の内の枠状の溝３０βで囲まれた部分３０ｄを剥離層４０の離型膜４２と共に剥離することで開口２６が形成される（図９（Ｂ））。エッチングで、銅箔４４が除去されると共に、埋め込み配線１８の上面１８Ｕが絶縁層３０の第２面Ｓから凹まされる。銅箔４４の除去により、第１の樹脂絶縁層５０の凹部５１が実装エリアＳＭＦとして開口２６内に露出される（図９（Ｃ））。そして、Ｎｉめっき、Ａｕめっきにより、埋め込み配線１８の上面１８Ｕ上、パッド７３Ｆ上、Ｃ４パッド７３ＳＩ上に保護膜７２が形成される。第１回路基板１３０及び第２回路基板１５５を有するプリント配線板１０が完成する（図９（Ｄ））。
【００３０】
Ｃ４パッド７３ＳＩ上の半田バンプ７６ＳＩを介してプリント配線板１０上にＩＣチップ９０が実装され、ＩＣチップ９０が充填樹脂（モールド樹脂）１０２で封止される。但し、半田バンプ７６ＳＩは、Ｃ４パッド７３ＳＩ上ではなく、ＩＣチップの側のパッド上に形成されても良い。第１のパッケージ基板（半導体装置）２２０が完成する（図２（Ａ））。ＩＣチップ９０は開口２６内に収容されている。ＩＣチップ９０は開口２６から外にでていない。半田バンプ７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板３３０が第１のパッケージ基板２２０に搭載される（図２（Ｂ））。ＰＯＰモジュール（応用例）３００が完成する。
【００３１】
[第１実施形態の第１改変例]
図１０（Ａ）は第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０の断面図を示す。
第１実施形態の第１改変例として、図１０（Ａ）に示すように、第２導体ポスト部３２ｂの径Ｄ２を第１導体ポスト部３２ａの径Ｄ１よりも大きく形成することができる。また、第２導体ポスト部３２ｂの貫通方向の長さＬ２を第１導体ポスト部３２ａの貫通方向の長さＬ１よりも長く形成することができる。
【００３２】
[第１実施形態の第２改変例]
図１０（Ｂ）は第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０の断面図を示す。
第１実施形態の第２改変例として、図１０（Ｂ）に示すように、第１導体ポスト部３２ａの径Ｄ１を第２導体ポスト部３２ｂの径Ｄ２よりも大きく形成することができる。また、第１導体ポスト部３２ａの貫通方向の長さＬ１を第２導体ポスト部３２ｂの貫通方向の長さＬ２よりも長く形成することができる。
【００３３】
[第１実施形態の第３改変例]
第１実施形態の第３改変例として、導体ポスト３２は、軸中心が一致した状態で３段以上の多段構造に形成することができる（図示省略）。この多段構成では、多段構造の第２面側の段を構成する導体ポスト部の径寸法を第１面側の段を構成する導体ポスト部よりも大きく形成することができる。また、多段構造の第２面側の段を構成する導体ポスト部の貫通方向の長さを第１面側の段を構成する導体ポスト部よりも長く形成することができる。
【００３４】
また、上記多段構成では、多段構造の第１面側の段を構成する導体ポスト部の径寸法を第２面側の段を構成する導体ポスト部よりも大きく形成することができる。また、多段構造の第１面側の段を構成する導体ポスト部の貫通方向の長さを第２面側の段を構成する導体ポスト部よりも長く形成することができる。
【００３５】
[第２実施形態]
図１１（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板１０を示す。
第２実施形態では、プリント配線板１０の絶縁層３０の導体ポスト３２の一部は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すように、第１導体ポスト部３２ａと第２導体ポスト部３２ｂとが軸中心がずれるように埋め込み配線１８ｂを介して接続されて形成されている。
【００３６】
第１導体ポスト部３２ａと第２導体ポスト部３２ｂとの軸中心がずれているため、各導体ポスト部３２ａ，３２ｂが第１回路基板１３０内にさらに分散配置され、プリント配線板１０に作用する応力を好適に緩和することができる。
【００３７】
[第２実施形態の第１改変例]
図１２（Ａ）は第２実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０の断面図を示す。
第２実施形態の第１改変例として、図１２（Ａ）に示すように、第２導体ポスト部３２ｂの径Ｄ２を第１導体ポスト部３２ａの径Ｄ１よりも大きく形成することができる。また、第２導体ポスト部３２ｂの貫通方向の長さＬ２を第１導体ポスト部３２ａの貫通方向の長さＬ１よりも長く形成することができる。
【００３８】
[第２実施形態の第２改変例]
図１２（Ｂ）は第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０の断面図を示す。
第２実施形態の第２改変例として、図１２（Ｂ）に示すように、第１導体ポスト部３２ａの径Ｄ１を第２導体ポスト部３２ｂの径Ｄ２よりも大きく形成することができる。また、第１導体ポスト部３２ａの貫通方向の長さＬ１を第２導体ポスト部３２ｂの貫通方向の長さＬ２よりも長く形成することができる。
【００３９】
[第２実施形態の第３改変例]
第２実施形態の第３改変例として、導体ポスト３２は、軸中心がずれた状態で３段以上の多段構造に形成することができる（図示省略）。この多段構成では、多段構造の第２面側の段を構成する導体ポスト部の径寸法を第１面側の段を構成する導体ポスト部よりも大きく形成することができる。また、多段構造の第２面側の段を構成する導体ポスト部の貫通方向の長さを第１面側の段を構成する導体ポスト部よりも長く形成することができる。
【００４０】
また、上記多段構成では、多段構造の第１面側の段を構成する導体ポスト部の径寸法を第２面側の段を構成する導体ポスト部よりも大きく形成することができる。また、多段構造の第１面側の段を構成する導体ポスト部の貫通方向の長さを第２面側の段を構成する導体ポスト部よりも長く形成することができる。
【００４１】
[第３実施形態]
図１３（Ａ）は第３実施形態のプリント配線板１０を示す。
第３実施形態では、プリント配線板１０の絶縁層３０の導体ポスト３２の一部は、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、第２導体ポスト部３２ｂに対して第１導体ポスト部３２ａが複数接続されて形成されている。
【００４２】
第２導体ポスト部３２ｂに対して複数の第１導体ポスト部３２ａが接続されるため、各導体ポスト部３２ａ，３２ｂが第１回路基板１３０内にさらに分散配置され、プリント配線板１０に作用する応力を好適に緩和することができる。
【００４３】
[第３実施形態の第１改変例]
図１４（Ａ）は第３実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０の断面図を示す。
第３実施形態の第１改変例として、図１４（Ａ）に示すように、第２導体ポスト部３２ｂの径Ｄ２を各第１導体ポスト部３２ａの径Ｄ１よりも大きく形成することができる。また、第２導体ポスト部３２ｂの貫通方向の長さＬ２を各第１導体ポスト部３２ａの貫通方向の長さＬ１よりも長く形成することができる。
【００４４】
[第３実施形態の第２改変例]
図１４（Ｂ）は第３実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０の断面図を示す。
第３実施形態の第２改変例として、図１４（Ｂ）に示すように、各第１導体ポスト部３２ａの径Ｄ１を第２導体ポスト部３２ｂの径Ｄ２よりも大きく形成することができる。また、各第１導体ポスト部３２ａの貫通方向の長さＬ１を第２導体ポスト部３２ｂの貫通方向の長さＬ２よりも長く形成することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１０  プリント配線板
２６  開口
３０  絶縁層
３０ａ  第１絶縁層
３０ｂ  第２絶縁層
３２  導体ポスト
３２ａ  第１導体ポスト部
３２ｂ  第２導体ポスト部
５０  第１の樹脂絶縁層
１３０  第１回路基板
１５５  第２回路基板
ＳＭＦ  実装エリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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