(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基礎部と、
前記基礎部に対して所定の第１傾動軸回りに傾動する第１傾動部と、
複数の電極指を有し、前記基礎部に設けられた第１固定櫛歯電極と、
前記第１固定櫛歯電極の電極指と交互に配置される複数の電極指を有し、前記第１傾動部に設けられた第１可動櫛歯電極と、
前記第１傾動部に対して、前記第１傾動軸と交差する第２傾動軸回りに傾動する第２傾動部と、
複数の電極指を有し、前記第１傾動部に設けられた第２固定櫛歯電極と、
前記第２固定櫛歯電極の電極指と交互に配置される複数の電極指を有し、前記第２傾動部に設けられた第２可動櫛歯電極と、
前記第１傾動部を前記基礎部に対して傾動可能に連結する第１連結部と、
前記第２傾動部を前記第１傾動部に対して傾動可能に連結する第２連結部と、を備え、
前記第１連結部は前記基礎部の厚さ方向に酸化膜層を介して第１シリコン層及び第２シリコン層を有し、
前記第２固定櫛歯電極は前記第１連結部の前記第２シリコン層を通じて前記基礎部に設けられた駆動電極と電気的に導通される一方、前記第１可動櫛歯電極は前記第１連結部の前記第１シリコン層を通じて前記基礎部に設けられた共通電極と電気的に導通されており、
前記第１傾動部は、前記第１傾動軸の方向に沿って延びる第１延長部を有し、
前記第１可動櫛歯電極は、前記第１延長部に設けられている半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２連結部は少なくとも２つ設けられており、
少なくとも２つの前記第２連結部は、前記第２傾動部を挟んで、前記第２傾動軸上に配置され、
前記第１延長部は、前記第２傾動軸の方向において、少なくとも２つの前記第２連結部の一方が前記第１傾動部に接続される部分と、少なくとも２つの前記第２連結部の他方が前記第１傾動部に接続される部分との間に配置されている半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１傾動部は、対向する１対の辺部を少なくとも２組有し、前記第２傾動部を囲む枠体である半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
少なくとも２組の前記辺部のうち一方の組の辺部は、前記第２傾動軸の方向に沿って延びており、
前記第１延長部は、前記一方の組の辺部のそれぞれに少なくとも２つずつ設けられ、
前記一方の組の各辺に設けられた少なくとも２つの前記第１延長部は、前記第１傾動軸を挟んで両側に配置されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１つに記載の半導体装置において、
前記第２傾動部は、本体部と、該本体部から延びる第２延長部とを有し、
前記第２可動櫛歯電極の電極指の一部は、前記本体部に設けられ、前記第２可動櫛歯電極の電極指の別の一部は、前記第２延長部に設けられ、
前記本体部のうち前記第２可動櫛歯電極の電極指が設けられた部分は、外方に膨らむように湾曲又は屈曲しており、
前記本体部に設けられた前記第２可動櫛歯電極の電極指は、前記第２延長部に設けられた前記第２可動櫛歯電極の電極指よりも短い半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第２延長部に設けられた前記第２可動櫛歯電極の電極指は、前記本体部に設けられた前記第２可動櫛歯電極の電極指よりも太い半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１つに記載の半導体装置において、
前記第１傾動軸は、前記第２傾動軸と直交しており、
前記第１傾動軸から、前記第１可動櫛歯電極の電極指のうち前記第１傾動軸から最も離れた部分までの距離と、前記第２傾動軸から、前記第２可動櫛歯電極の電極指のうち前記第２傾動軸から最も離れた部分までの距離は、等しくなっている半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１つに記載の半導体装置において、
前記第１可動櫛歯電極は、前記第２傾動軸の方向に沿って前記第１延長部から両側に延びる電極指、をさらに備えている半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１つに記載の半導体装置において、
前記第１可動櫛歯電極及び第２可動櫛歯電極は前記第２シリコン層が除去され、かつ前記第１連結部の前記第１シリコン層を通じて前記共通電極と電気的に導通され、
前記第１固定櫛歯電極及び第２固定櫛歯電極は前記第１シリコン層が除去され、
前記第２固定櫛歯電極は前記第１連結部の前記第２シリコン層を通じて前記駆動電極と電気的に導通されている半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示された技術は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＭＥＭＳミラーが開示されている。このＭＥＭＳミラーは、ミラー、バネ、可動櫛歯電極、固定櫛歯電極等を備えており、複数のシリコン層を含む基板から形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１０７６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記ＭＥＭＳミラーにおいては、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極との間に発生する静電力により、ミラーが駆動される。このようなＭＥＭＳミラーにおいては、駆動力を大きくするためには、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極との対向し得る総面積を大きくすることが求められる。可動櫛歯電極と固定櫛歯電極との対向し得る全面積を大きくするためには、可動櫛歯電極及び固定櫛歯電極の各面積を大きくすることや、可動櫛歯電極及び固定櫛歯電極の個数を増やすこと等が考えられる。しかしながら、可動櫛歯電極及び固定櫛歯電極を大きくしたり、個数を増やしたりすることは、様々な制約があり、容易ではない。【０００５】
一方、半導体装置においては、可動櫛歯電極及び固定櫛歯電極を、移動する部材の移動量を検出するための検出電極として用いる構成も存在する。詳しくは、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極との間の静電容量の変化によって、移動する部材の移動量が検出される。この場合、移動量の検出精度を高めるためにも、可動櫛歯電極及び固定櫛歯電極の各面積を大きくすることや、可動櫛歯電極及び固定櫛歯電極の個数を増やすこと等が考えられる。しかしながら、前述のように、可動櫛歯電極及び固定櫛歯電極を大きくしたり、個数を増やしたりすることは、様々な制約があり、容易ではない。【０００６】
ここに開示された技術は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極との対向し得る総面積を大きくすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ここに開示された半導体装置は、基礎部と、前記基礎部に対して所定の第１傾動軸回りに傾動する第１傾動部と、複数の電極指を有し、前記基礎部に設けられた第１固定櫛歯電極と、前記第１固定櫛歯電極の電極指と交互に配置される複数の電極指を有し、前記第１傾動部に設けられた第１可動櫛歯電極と、前記第１傾動部に対して、前記第１傾動軸と交差する第２傾動軸回りに傾動する第２傾動部と、複数の電極指を有し、前記第１傾動部に設けられた第２固定櫛歯電極と、前記第２固定櫛歯電極の電極指と交互に配置される複数の電極指を有し、前記第２傾動部に設けられた第２可動櫛歯電極と、前記第１傾動部を前記基礎部に対して傾動可能に連結する第１連結部と、前記第２傾動部を前記第１傾動部に対して傾動可能に連結する第２連結部と、を備え、前記第１連結部は前記基礎部の厚さ方向に酸化膜層を介して第１シリコン層及び第２シリコン層を有し、前記第２固定櫛歯電極は前記第１連結部の前記第２シリコン層を通じて前記基礎部に設けられた駆動電極と電気的に導通される一方、前記第１可動櫛歯電極は前記第１連結部の前記第１シリコン層を通じて前記基礎部に設けられた共通電極と電気的に導通されており、前記第１傾動部は、前記第１傾動軸の方向に沿って延びる第１延長部を有し、前記第１可動櫛歯電極は、前記第１延長部に設けられている。
【発明の効果】
【０００８】
前記半導体装置によれば、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極との対向し得る総面積を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、ミラーデバイスの平面図である。
【図２】図２は、ミラーデバイスの模式的な断面図である。
【図３】図３は、ＳＯＩ基板の断面図である。
【図４】図４は、第１エッチング工程を示す図であり、（Ａ）は、第１レジストマスクを形成する工程、（Ｂ）は、第１シリコン層をエッチングする工程、（Ｃ）は、第１シリコン側から酸化膜層をエッチングする工程を示す。
【図５】図５は、ミラープレ構造に鏡面層を形成する工程を示す図である。
【図６】図６は、ＳＯＩ基板にガラス基板を接合する工程を示す図である。
【図７】図７は、第２シリコン層にＳｉＯ２膜を形成する工程を示す図である。
【図８】図８は、第２シリコン層に第２アライメントマークを形成する工程を示す図である。
【図９】図９は、酸化膜マスクを形成する工程を示す図であり、（Ａ）は、第３レジストマスクを形成する工程、（Ｂ）は、ＳｉＯ２膜をエッチングする工程を示す。
【図１０】図１０は、第４レジストマスクを形成する工程を示す図であり、（Ａ）は、フォトマスクを配置する工程、（Ｂ）は、第４レジストマスクを形成する工程、（Ｃ）は、酸化膜マスク３７０を成形する工程を示す。
【図１１】図１１は、最終マスクを用いてエッチングする工程を示す図であり、（Ａ）は、第２シリコン層をエッチングする工程、（Ｂ）は、酸化膜層をエッチングする工程を示す。
【図１２】図１２は、プレ構造を最終形状に形成する工程を示す図であり、（Ａ）は、第４レジストマスクを剥離する工程、（Ｂ）は、第１シリコン層及び第２シリコン層の不要な部分をエッチングする工程を示す。
【図１３】図１３は、酸化膜層の不要な部分と酸化膜マスクとを除去する工程を示す図である。
【図１４】図１４は、ベース部を加工する工程を示す図である。
【図１５】図１５は、ワイヤボンディングを行う工程を示す図であり、（Ａ）は、電極を形成する工程、（Ｂ）は、ミラー本体に鏡面層を形成する工程を示す。
【図１６】図１６は、最終マスクの位置がずれて形成される様子を説明する図であり、（Ａ）フォトマスクがずれて配置された状態、（Ｂ）は、第４レジストマスクがずれて形成された状態、（Ｃ）は、最終マスクがずれて形成された状態を示す。
【図１７】図１７は、ずれた最終マスクを用いてエッチングされる様子を示す図であり、（Ａ）は、第２シリコン層及び酸化膜層をエッチングした状態、（Ｂ）第１シリコン層及び第２シリコン層の不要な部分がエッチングされた状態を示す。
【図１８】図１８は、変形例に係るミラーデバイスの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１は、ミラーデバイス１００の平面図を、図２は、ミラーデバイス１００の模式的な断面図を示す。尚、図２では、ミラーデバイス１００の一部の構造体を断面図として模式的に例示している。そのため、図２では、構造体の形状、位置関係は正確には図示されていない。
【００１２】
［ミラーデバイスの構成］
ミラーデバイス１００は、枠状のベース部１と、ミラー２と、枠体３と、ミラー２と枠体３とを連結する第１ヒンジ４，４と、枠体３とベース部１とを連結する第２ヒンジ５，５と、枠体３に対してミラー２を駆動する第１及び第２内側駆動電極６Ａ，６Ｂと、ベース部１に対して枠体３を駆動する第１〜第４外側駆動電極７Ａ〜７Ｄと、ミラー２の傾動を制御する制御部（図示省略）とを備えている。ミラーデバイス１００は、ミラー２を互いに直交する主軸Ｘ及び副軸Ｙ回りに傾動させる。ミラーデバイス１００は、電子部品の一例である。
【００１３】
このミラーデバイス１００は、図２に示すように、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板２００を用いて製造されている。ＳＯＩ基板２００は、シリコンで形成された第１シリコン層２１０と、ＳｉＯ２で形成された酸化膜層２２０と、シリコンで形成された第２シリコン層２３０とがこの順で積層されて構成されている。尚、図１においては、第２シリコン層２３０で構成されて、平面視で視認できる部分にハッチングを付している。尚、ミラー２の表面には後述する鏡面層２２が設けられているが、図１ではハッチングを付している。
【００１４】
ベース部１は、概略長方形の枠状に形成されている。ベース部１の略中央には、概略正方形の開口が形成されている。ベース部１の長辺と平行に延び且つミラー２の重心Ｇを通る軸をＸ軸とし、ベース部１の短辺と平行に延び且つミラー２の重心Ｇを通る軸をＹ軸とする。ベース部１の大部分は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。
【００１５】
枠体３は、略正方形の枠状に形成されている。枠体３は、ベース部１の略中央の開口内に配置されている。枠体３の略中央には、概略正方形の開口が形成されている。枠体３は、Ｘ軸に平行に延びる第１辺部３１及び第３辺部３３と、Ｙ軸に平行に延びる第２辺部３２及び第４辺部３４とを有している。第１辺部３１及び第３辺部３３のうち両端部以外の部分（以下、「中間部分」ともいう）は、第１シリコン層２１０で形成されている。第１辺部３１及び第３辺部３３のうち両端部、並びに第２辺部３２及び第４辺部３４は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。枠体３は、基礎部の一例である。
【００１６】
ミラー２は、概略円形状をした板状に形成されている。ミラー２は、枠体３に対してＹ軸回りに傾動する。ミラー２は、図２に示すように、ミラー本体２１と、ミラー本体２１の表面に積層された鏡面層２２と、ミラー本体２１の裏面に積層された鏡面層２３と、ミラー本体２１からＹ軸と平行に延びる延長部６５とを有している。ミラー本体２１は、第１シリコン層２１０で形成されている。鏡面層２２，２３は、Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜で形成されている。鏡面層２３は、ミラー本体２１の表面において生じる、鏡面層２２に起因する膜応力をバランスさせる機能を有する。これにより、ミラー本体２１、ひいては、鏡面層２２の平面度を向上させることができる。ミラー２は、傾動部の一例であり、Ｙ軸は、傾動軸の一例であり、ミラー本体２１は、本体部の一例である。
【００１７】
第１ヒンジ４は、ミラー２の重心Ｇを挟んで対向する位置に設けられている。具体的には、第１ヒンジ４は、ミラー２の周縁部のうちＹ軸上に配置されている。２つの第１ヒンジ４で、ミラー２を挟む状態になっている。第１ヒンジ４は、一端がミラー２に連結され、他端が枠体３に連結されている。一方の第１ヒンジ４は、枠体３の第１辺部３１の長手方向略中央に連結されている。他方の第１ヒンジ４は、枠体３の第３辺部３３の長手方向略中央に連結されている。第１ヒンジ４は、ミラー２と枠体３の第１辺部３１又は第３辺部３３との間を蛇行するように延びている。これにより、第１ヒンジ４は、容易に変形できるように構成されている。第１ヒンジ４は、第１シリコン層２１０で形成されている。第１ヒンジ４は、連結部の一例である。
【００１８】
第２ヒンジ５は、ミラー２の重心Ｇを挟んで対向する位置に設けられている。具体的には、第２ヒンジ５は、枠体３の周縁部のうちＸ軸上に配置されている。すなわち、ミラー２の重心Ｇ回りにおいては、第１ヒンジ４と第２ヒンジ５とが９０度ごとに交互に配置されている。第２ヒンジ５は、一端が枠体３に連結され、他端がベース部１に連結されている。一方の第２ヒンジ５は、枠体３の第２辺部３２の長手方向略中央に連結されている。他方の第２ヒンジ５は、枠体３の第４辺部３４の長手方向略中央に連結されている。第２ヒンジ５は、枠体３の第２辺部３２又は第４辺部３４とベース部１との間を蛇行するように延びている。これにより、第２ヒンジ５は、容易に変形できるように構成されている。第２ヒンジ５は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。
【００１９】
第１及び第２内側駆動電極６Ａ，６Ｂは、枠体３の内側において２カ所に設けられている。具体的には、第１内側駆動電極６Ａは、枠体３の第２辺部３２とミラー２のうち第２辺部３２と対向する部分に設けられている。第２内側駆動電極６Ｂは、枠体３の第４辺部３４とミラー２のうち第４辺部３４と対向する部分に設けられている。以下、各内側駆動電極６を区別しないときには、単に「内側駆動電極６」と称する。第１内側駆動電極６Ａと第２内側駆動電極６Ｂの構成は同じなので、以下では第１内側駆動電極６Ａの構成を説明する。
【００２０】
第１内側駆動電極６Ａは、内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２とを有している。内側固定櫛歯電極６１は、枠体３の第２辺部３２に設けられている。内側可動櫛歯電極６２は、ミラー２のうち第２辺部３２と対向する部分に設けられている。
【００２１】
内側固定櫛歯電極６１は、第２辺部３２からミラー２の方へ延びる複数の電極指６３を有している。複数の電極指６３は、Ｘ軸方向に平行に延び且つ、Ｙ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。電極指６３は、第２シリコン層２３０で形成されている。すなわち、Ｙ軸方向が電極指６３の配列方向である。
【００２２】
内側可動櫛歯電極６２は、ミラー２から外側へ延びる複数の電極指６４を有している。複数の電極指６４は、Ｘ軸方向に平行に延び且つ、Ｙ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。すなわち、Ｙ軸方向が電極指６４の配列方向である。一部の電極指６４は、ミラー本体２１に設けられ、別の一部の電極指６４は、延長部６５に設けられている。また、電極指６４は、電極指６３と交互に配置される。平面視において、各電極指６４は、隣り合う２つの電極指６３，６３の間に入り込んでいる。つまり、平面視において、各電極指６３は、隣り合う２つの電極指６４，６４の間に入り込んでいる。ただし、電極指６４は、第１シリコン層２１０で形成されている。そのため、第１内側駆動電極６Ａに電圧が印加されていない状態においては、電極指６３と電極指６４とはミラーデバイス１００の厚み方向（Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向）にずれており、互いに対向していない。
【００２３】
ミラー本体２１の外周縁は、円形状であり、ミラー本体２１のうち電極指６４が設けられた部分は、外方に膨らむように湾曲している。ミラー本体２１に設けられた電極指６４は、延長部６５に設けられた電極指６４よりも短くなっている。そして、電極指６４の先端同士を結ぶ直線は、Ｙ軸と平行になっている。すなわち、各電極指６４の先端からＹ軸までの距離は、全て等しくなっている。また、延長部６５に設けられた電極指６４は、ミラー本体２１に設けられた電極指６４よりも太くなっている。具体的には、電極指６４が長くなるほど、電極指６４のＹ軸方向の幅が太くなっている。尚、ミラー本体２１のうち電極指６４が設けられた部分は、外方に膨らむように屈曲していてもよい。
【００２４】
また、延長部６５は、枠体３の第１辺部３１又は第３辺部３３の近傍まで延びている。ミラー本体２１のＹ軸方向の両側には、２つの第１ヒンジ４がそれぞれ配置され、第１ヒンジ４よりもＹ軸方向外側に第１辺部３１及び第３辺部３３が配置されている。つまり、ミラー本体２１と第１辺部３１及び第３辺部３３との間には、第１ヒンジ４を配設するためのスペースが存在する。延長部６５は、このスペースをＹ軸方向に延びている。つまり、ミラー本体２１と第１辺部３１及び第３辺部３３との間の第１ヒンジ４を配設するためのスペースを利用して、電極指６４は配設することができる。
【００２５】
延長部６５に設けられた電極指６４のうち延長部６５の最も先端側に設けられた電極指６４（以下、「端部の電極指６４」と称する）は、平面視において、電極指６３のうちＹ軸方向の最も端部に設けられた電極指６３と枠体３（詳しくは、第１辺部３１又は第３辺部３３）との間に位置している。つまり、端部の電極指６４は、枠体３と対向している。そして、枠体３のうち端部の電極指６４と対向する部分は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。枠体３のうち第２シリコン層２３０で形成された部分は、電極指６３と電気的に導通している。そのため、枠体３のうち端部の電極指６４と対向する部分は、電極指６３として機能する。
【００２６】
また、電極指６４は、第１シリコン層２１０で形成されているため、ミラー２及び第１ヒンジ４，４を介して枠体３と電気的に導通している。一方、電極指６３は枠体３に設けられているので、電極指６３も枠体３と電気的に導通している。しかし、枠体３のうち第１ヒンジ４，４が連結されている部分（即ち、第１辺部３１及び第３辺部３３の中間部分）は、第１シリコン層２１０で形成されている一方、電極指６３は、枠体３の第２辺部３２及び第４辺部３４のうち第２シリコン層２３０のみから延びている。つまり、電極指６３と電極指６４とは、枠体３の酸化膜層２２０を介して絶縁されている。
【００２７】
第１〜第４外側駆動電極７Ａ〜７Ｄは、枠体３の外側において４カ所に設けられている。具体的には、第１及び第２外側駆動電極７Ａ，７Ｂは、枠体３の第２辺部３２の両端部に設けられている。第３及び第４外側駆動電極７Ｃ，７Ｄは、枠体３の第４辺部３４の両端部に設けられている。以下、各外側駆動電極７を区別しないときには、単に「外側駆動電極７」と称する。第１〜第４外側駆動電極７Ａ〜７Ｄの構成は同じなので、以下では第１外側駆動電極７Ａの構成を説明する。
【００２８】
第１外側駆動電極７Ａは、外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２とを有している。外側固定櫛歯電極７１は、ベース部１のうち第２辺部３２の端部と対向する位置に設けられた凹部に設けられている。外側可動櫛歯電極７２は、枠体３の第２辺部３２に設けられている。
【００２９】
外側固定櫛歯電極７１は、複数の電極指７３を有している。ベース部１の凹部は、長方形状に形成されている。複数の電極指７３は、凹部のうちＸ軸と平行に延びる２つの辺部から凹部の内方に向かってＹ軸と平行に延びている。各辺部における複数の電極指７３は、Ｘ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。電極指７３は、第２シリコン層２３０で形成されている。尚、電極指７３のうち最も枠体３に近い電極指７３（以下、「端部の電極指７３ｚ」と称する。）は、他の電極指７３よりも幅（Ｘ軸方向の寸法）が太く形成されている。これにより、端部の電極指７３ｚが曲がることが抑制される。つまり、他の電極指７３は、平面視で、対応する２つの電極指７４，７４の間に配置されている。それに対し、端部の電極指７３ｚは、平面視で、１つの電極指７４と隣り合うだけで、２つの電極指７４，７４に挟まれていない。そのため、電極指７３と電極指７４との間に静電引力が発生したときに（詳しくは後述する）、他の電極指７３は、その両側において静電引力が発生するのに対し、端部の電極指７３ｚは、電極指７４が存在する一方の側だけでしか静電引力が発生しない。つまり、他の電極指７３は、２つの電極指７４，７４に互いに引っ張られて、何れの電極指７４の方へも曲がらないが、端部の電極指７３ｚは、電極指７４が存在する一方の側へだけ引っ張られる。そこで、端部の電極指７３ｚを他の電極指７３に比べて太くすることによって、端部の電極指７３ｚの曲がりを抑制している。
【００３０】
外側可動櫛歯電極７２は、複数の電極指７４を有している。枠体３の第２辺部３２には、枠体３の外方へ向かってＸ軸と平行に延びる延長部７５が設けられている。複数の電極指７４は、延長部７５からＹ軸と平行に両側へ延び且つ、Ｘ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。平面視において、各電極指７４は、隣り合う２つの電極指７３，７３の間に入り込んでいる。つまり、平面視において、各電極指７３は、隣り合う２つの電極指７４，７４の間に入り込んでいる。ただし、電極指７４は、第１シリコン層２１０で形成されている。そのため、第１外側駆動電極７Ａに電圧が印加されていない状態においては、電極指７３と電極指７４とはミラーデバイス１００の厚み方向にずれており、互いに対向していない。
【００３１】
ここで、電極指７３は、ベース部１の第２シリコン層２３０で形成されている一方、電極指７４は、枠体３の第１シリコン層２１０で形成されている。そのため、電極指７３と電極指７４とは、酸化膜層２２０を介して絶縁されている。
【００３２】
また、枠体３の第２辺部３２及び第４辺部３４には、内側固定櫛歯電極６１と外側可動櫛歯電極７２とが設けられている。しかし、内側固定櫛歯電極６１は、第２シリコン層２３０で形成されている一方、外側可動櫛歯電極７２は、第１シリコン層２１０で形成されているので、内側固定櫛歯電極６１と外側可動櫛歯電極７２とは、枠体３の酸化膜層２２０を介して絶縁されている。
【００３３】
ここで、延長部７５から同じ側に延びる電極指７４の先端同士を結ぶ直線は、Ｘ軸と平行になっている。そして、延長部７５からＸ軸とは反対側へ延びる各電極指７４の先端からＸ軸までの距離は、内側可動櫛歯電極６２の各電極指６４の先端からＹ軸までの距離と略等しくなっている。これにより、ミラー２が傾動する際の（詳しくは後述する）、Ｘ軸回りの傾動範囲とＹ軸回りの傾動範囲を略等しくさせることができる。
【００３４】
ベース部１の第２シリコン層２３０で構成される部分は、電気的に絶縁された、いくつかの領域に絶縁溝２４０によって分割されている。具体的には、一方の第２ヒンジ５を介して第１内側駆動電極６Ａの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している第１領域２４１と、他方の第２ヒンジ５を介して第２内側駆動電極６Ｂの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している第２領域２４２と、第１外側駆動電極７Ａの外側固定櫛歯電極７１及び第４外側駆動電極７Ｄの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している第３領域２４３と、第２外側駆動電極７Ｂの外側固定櫛歯電極７１及び第３外側駆動電極７Ｃの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している第４領域２４４と、最も外側に位置する枠状の第５領域２４５とを有している。
【００３５】
第１領域２４１には、第１駆動電極２５１が設けられている。第１駆動電極２５１は、第２ヒンジ５を介して第１内側駆動電極６Ａの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している。また、第２領域２４２には、第２駆動電極２５２が設けられている。第２駆動電極２５２は、第２ヒンジ５を介して第２内側駆動電極６Ｂの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している。
【００３６】
第３領域２４３には、第３駆動電極２５３が設けられている。第３駆動電極２５３は、第１外側駆動電極７Ａの外側固定櫛歯電極７１及び第４外側駆動電極７Ｄの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している。また、第４領域２４４には、第４駆動電極２５４が設けられている。第４駆動電極２５４は、第２外側駆動電極７Ｂの外側固定櫛歯電極７１及び第３外側駆動電極７Ｃの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している。
【００３７】
第５領域２４５の四隅のうち対角線上に位置する２つの隅部には、開口部２４５ａ，２４５ａが形成されている。開口部２４５ａは、第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０を貫通している。開口部２４５ａを介して露出する第１シリコン層２１０には、共通電極２５５が設けられている。また、第５領域２４５の四隅のうち開口部２４５ａ，２４５ａが設けられていない２つの隅部には、ダミー電極２５６，２５６が設けられている。ダミー電極２５６は、第２シリコン層２３０の表面に設けられている。
【００３８】
尚、絶縁溝２４０は、ベース部１の外周縁に突き抜けてはいない。すなわち、絶縁溝２４０は、ベース部１の外周縁に開口していない。ミラーデバイス１００を製造する際には、１つの基板から複数のミラーデバイス１００を作成し、最終的に、ミラーデバイス１００を１つずつダイシングにより切り離す。前述のように、絶縁溝２４０をベース部１の外周縁に開口しない構成とすることによって、ダイシングの際に絶縁溝２４０内に水が浸入することを防止することができる。
【００３９】
［ミラーデバイスの動作］
次に、このように構成されたミラーデバイス１００の動作について説明する。
【００４０】
制御部は、第１〜第４駆動電極２５１〜２５４に駆動電圧を印加することによって、ミラー２を傾動させる。制御部は、第１駆動電極２５１又は第２駆動電極２５２に駆動電圧を印加することによって、ミラー２をＹ軸回りに傾動させる。一方、制御部は、第３駆動電極２５３又は第４駆動電極２５４に駆動電圧を印加することによって、ミラー２をＸ軸回りに傾動させる。
【００４１】
詳しくは、駆動電圧の印加前においては、内側駆動電極６の内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２とはミラーデバイス１００の厚み方向にずれており、外側駆動電極７の外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２とはミラーデバイス１００の厚み方向にずれている。この状態において、第１駆動電極２５１に駆動電圧が印加されると、第１内側駆動電極６Ａの内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、内側可動櫛歯電極６２が内側固定櫛歯電極６１に引き寄せられる。その結果、第１内側駆動電極６Ａの内側可動櫛歯電極６２が上昇するようにミラー２がＹ軸回りに傾動する。一方、第２駆動電極２５２に駆動電圧が印加されると、第２内側駆動電極６Ｂの内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、内側可動櫛歯電極６２が内側固定櫛歯電極６１に引き寄せられる。その結果、第２内側駆動電極６Ｂの内側可動櫛歯電極６２が上昇するようにミラー２がＹ軸回りに傾動する。また、第３駆動電極２５３に駆動電圧が印加されると、第１外側駆動電極７Ａの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間、及び、第４外側駆動電極７Ｄの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、外側可動櫛歯電極７２が外側固定櫛歯電極７１に引き寄せられる。その結果、第１外側駆動電極７Ａの外側可動櫛歯電極７２及び第４外側駆動電極７Ｄの外側可動櫛歯電極７２が上昇するようにミラー２がＸ軸回りに傾動する。一方、第４駆動電極２５４に駆動電圧が印加されると、第２外側駆動電極７Ｂの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間、及び、第３外側駆動電極７Ｃの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、外側可動櫛歯電極７２が外側固定櫛歯電極７１に引き寄せられる。その結果、第２外側駆動電極７Ｂの外側可動櫛歯電極７２及び第３外側駆動電極７Ｃの外側可動櫛歯電極７２が上昇するようにミラー２がＸ軸回りに傾動する。
【００４２】
ミラー２の傾動量は、ミラー２に光を照射し、その反射光をフォトディテクタ等で検出することによって検出することができる。制御部は、こうして検出されるミラー２の傾動量をフィードバックして、第１〜第４駆動電極２５１〜２５４への駆動電圧を調整することによって、ミラー２の傾動を制御する。
【００４３】
［ミラーデバイスの製造方法］
続いて、ミラーデバイス１００の製造方法について説明する。
【００４４】
ミラーデバイス１００には、第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０で形成される第１構造体と、第１シリコン層２１０を含まず、第２シリコン層２３０で形成される第２構造体と、第２シリコン層２３０を含まず、第１シリコン層２１０で形成される第３構造体とが含まれる。尚、ここでは、各構造体を第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０の観点から分類しているため、各構造体は、酸化膜層２２０を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。例えば、本実施形態の第１構造体は、酸化膜層２２０を含んでいる。本実施形態では、ベース部１、枠体３の一部（第１辺部３１の両端部、第３辺部３３の両端部、第２辺部３２及び第４辺部３４）及び第２ヒンジ５が第１構造体である。内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１が第２構造体である。ミラー２、枠体３の一部（第１辺部３１の中間部分及び第３辺部３３の中間部分）、第１ヒンジ４、内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２が第３構造体である。
【００４５】
尚、図２では、第１構造体の例としてベース部１及び第２ヒンジ５を、第２構造体の例として内側固定櫛歯電極６１を、第３構造体の例としてミラー２及び内側可動櫛歯電極６２を図示している。以下では、図２に例示された各構造体について説明するが、例示されていない構造体も同じ分類の構造体と同じように形成される。
【００４６】
まず、図３に示すように、ＳＯＩ基板２００を準備する。図３は、ＳＯＩ基板２００の断面図を示している。図３では、ＳＯＩ基板２００に形成が予定される、ミラーデバイス１００の各構造体を破線で示し、ハッチングを付している。ＳＯＩ基板２００は、前述の如く、シリコンで形成された第１シリコン層２１０と、ＳｉＯ２で形成された酸化膜層２２０と、シリコンで形成された第２シリコン層２３０とがこの順で積層されて構成されている。ＳＯＩ基板２００は、基板の一例である。第１シリコン層２１０は、第１層の一例であり、第２シリコン層２３０は、第２層の一例であり、酸化膜層２２０は、第３層の一例である。
【００４７】
次に、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側からエッチングする（第１エッチング工程）。この工程では、第１シリコン層２１０のうち、少なくとも内側固定櫛歯電極６１に対向する部分をエッチングして除去する。それに加えて、第１シリコン層２１０のうちベース部１、ミラー２、第２ヒンジ５及び内側可動櫛歯電極６２を構成する部分を形成するように、それ以外の部分をエッチングする。
【００４８】
詳しくはまず、図４に示すように、ＳＯＩ基板２００の両面に熱酸化によってＳｉＯ２膜２６０を形成する。
【００４９】
次に、ミラー本体２１の裏面の鏡面層２３を成膜する。
【００５０】
まず、図５（Ａ）に示すように、第１レジストマスク３１０をＳＯＩ基板２００の第１シリコン層２１０側のＳｉＯ２膜２６０上に形成して、ＳｉＯ２膜２６０の一部をエッチングする。第１レジストマスク３１０は、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分のＳｉＯ２膜２６０を露出させている。この第１レジストマスク３１０を用いてＳｉＯ２膜２６０をエッチングすることによって、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分のＳｉＯ２膜２６０を除去する。
【００５１】
続いて、第１レジストマスク３１０を剥離し、図５（Ｂ）に示すように、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分の表面にＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０をスパッタリングにより成膜する。このとき、ＳｉＯ２膜２６０の表面にもＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０が成膜される。
【００５２】
そして、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分のＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０の上にレジストマスク（図示省略）を形成し、ＳｉＯ２膜２６０上のＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０をエッチングにより除去する。こうして、図５（Ｃ）に示すように、Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０により鏡面層２３が形成される。尚、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分以外の部分にはＳｉＯ２膜２６０が残存する。
【００５３】
その後、図示は省略するが、第１シリコン層２１０のうち、後述するガラス基板６００を接合する部分のＳｉＯ２膜２６０をエッチングにより除去する。
【００５４】
次に、第１シリコン層２１０の表面に第２レジストマスク３２０を形成する。第２レジストマスク３２０は、第１シリコン層２１０のうち、第１構造体及び第３構造体を構成する部分を覆う形状をしている。図６（Ａ）の例では、第１シリコン層２１０のうちベース部１を構成する部分、ミラー２を構成する部分、第２ヒンジ５を構成する部分及び内側可動櫛歯電極６２を構成する部分が第２レジストマスク３２０で覆われている。第２レジストマスク３２０は、対応する構造体の最終形状よりも大きな形状を有している。以下、特別の断りがない限り、最終形状及び形状は、構造体をミラーデバイス１００の厚み方向に見た場合の形状、即ち、ミラーデバイス１００の厚み方向に投影した形状を意味する。
【００５５】
その後、第２レジストマスク３２０を用いて酸化膜層２６０をエッチングして、酸化膜層２６０のうち第２レジストマスク３２０から露出している部分を除去する。酸化膜層２６０のエッチングは、高密度プラズマ源ＡＰＳ（Advanced Physical Source）を用いたエッチング（以下、「ＡＰＳエッチング」と称する）により行う。
【００５６】
次に、図６（Ｂ）に示すように、第２レジストマスク３２０を用いて第１シリコン層２１０をエッチングする。シリコン層のエッチングは、誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）を用いたエッチング（以下、「ＩＣＰエッチング」と称する）により行う。これにより、第１シリコン層２１０には、ベース部１の第１シリコン層２１０で構成される部分のプレ構造４１、第２ヒンジ５の第１シリコン層２１０で構成される部分のプレ構造４２、ミラー２のプレ構造４３、及び内側可動櫛歯電極６２のプレ構造４４が形成される。ここで、プレ構造とは、最終形状よりも大きな形状を有する構造であり、最終的にはエッチングされて、対応する最終形状に形成される構造である。また、第１シリコン層２１０のうち内側固定櫛歯電極６１に対向する部分がエッチングされ、凹部Ｒが形成される。さらに、第１シリコン層２１０には、第１アライメントマーク２１１が形成される。
【００５７】
以下、プレ構造４１をベース部プレ構造４１と、プレ構造４２を第２ヒンジプレ構造４２と、プレ構造４３をミラープレ構造４３と、プレ構造４４を可動櫛歯プレ構造４４と称する。ただし、各プレ構造を区別しないときには、単にプレ構造と称する場合もある。ベース部プレ構造４１及び第２ヒンジプレ構造４２が第１プレ構造の一例である。ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４が第３プレ構造の一例である。
【００５８】
続いて、図６（Ｃ）に示すように、第２レジストマスク３２０を用いて酸化膜層２２０をＡＰＳエッチングして、酸化膜層２２０のうち第２レジストマスク３２０から露出している部分を薄くする。このとき、酸化膜層２２０を完全にエッチングするのではなく、酸化膜層２２０を薄く残存させる。この酸化膜層２２０のエッチング終了後、第２レジストマスク３２０を剥離する。
【００５９】
次に、図７に示すように、第１シリコン層２１０の表面にガラス基板６００を陽極接合する。ガラス基板６００は、第１シリコン層２１０のうちＳｉＯ２膜２６０が設けられていない部分に接合される。
【００６０】
次に、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングするための最終マスク３９０を形成する（マスク形成工程）。最終マスク３９０は、マスクの一例である。まず、図８に示すように、第２シリコン層２３０の表面にＳｉＯ２膜６２０を成膜する。具体的には、まず、第２シリコン層２３０をバックグラインドにより所望の厚みまで薄く加工する。続いて、第２シリコン層２３０の表面にＳｉＯ２膜６２０を蒸着（例えば減圧ＣＶＤ）により成膜する。
【００６１】
続いて、図９に示すように、ＳｉＯ２膜６２０及び第２シリコン層２３０に第２アライメントマーク２３１を形成する。詳しくは、ＳｉＯ２膜６２０の表面に第３レジストマスク３３０を形成する。この第３レジストマスク３３０を用いてＳｉＯ２膜６２０及び第２シリコン層２３０を順次エッチングすることにより、ＳｉＯ２膜６２０及び第２シリコン層２３０に第２アライメントマーク２３１を形成する。その後、第３レジストマスク３３０を剥離する。
【００６２】
次に、ＳｉＯ２膜６２０をエッチングして酸化膜マスク３７０を形成し、その後、第５レジストマスク３５０を形成する。
【００６３】
まず、図１０（Ａ）に示すように、ＳｉＯ２膜６２０の表面に第４レジストマスク３４０を形成する。後述の第５レジストマスク３５０において詳しく説明するが、第４レジストマスク３４０は、ＳｉＯ２膜６２０の表面にレジストを塗布した後、第２アライメントマーク２３１を利用して所定のフォトマスク（例えば、ステンシルマスク）を配置して該レジストを露光し、現像することによって形成される。フォトマスクは、開口が形成された遮蔽部材であって、ＳＯＩ基板２００とは物理的に分離可能な部材である。フォトマスクには、レジストマスクの位置関係が規定されている。
【００６４】
続いて、第４レジストマスク３４０を用いてＳｉＯ２膜６２０をＡＰＳエッチングすることによって、図１０（Ｂ）に示すように、酸化膜マスク３７０を形成する。その後、第４レジストマスク３４０を剥離する。
【００６５】
酸化膜マスク３７０は、第２シリコン層２３０のうち、第１構造体及び第２構造体を構成する部分を覆う形状をしている。図１０（Ｂ）の例では、第２シリコン層２３０のうちベース部１を構成する部分、第２ヒンジ５を構成する部分及び内側固定櫛歯電極６１を構成する部分が酸化膜マスク３７０で覆われている。酸化膜マスク３７０は、対応する構造体の最終形状よりも大きな形状を有している。
【００６６】
尚、ベース部１のうち絶縁溝２４０に対応する部分及び共通電極２５５が設けられる開口部２４５ａに対応する部分には、酸化膜マスク３７０が設けられていない。
【００６７】
続いて、第２シリコン層２３０及び酸化膜マスク３７０の上に第５レジストマスク３５０を形成する。まず、第２シリコン層２３０及び酸化膜マスク３７０の上からレジスト３５１を塗布する。その後、図１１（Ａ）に示すように、レジスト３５１上にフォトマスク３５２を配置する。フォトマスク３５２を用いてレジスト３５１を露光し、現像することにより、図１１（Ｂ）に示すように、第５レジストマスク３５０が形成される。
【００６８】
第５レジストマスク３５０は、第１構造体、第２構造体及び第３構造体に対応する位置に設けられている。つまり、第１構造体及び第２構造体を構成する部分は、前記酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０とで二重に覆われている。図１１（Ｂ）の例では、第２シリコン層２３０の上であって、ベース部１に対応する部分、第２ヒンジ５に対応する部分及び内側固定櫛歯電極６１に対応する部分には、酸化膜マスク３７０及び第５レジストマスク３５０が設けられている。第２シリコン層２３０の上であって、ミラー２に対応する部分及び内側可動櫛歯電極６２に対応する部分には第５レジストマスク３５０のみが設けられている。ここで、第５レジストマスク３５０は、対応する構造の最終形状と同じ形状を有している。そのため、第５レジストマスク３５０と酸化膜マスク３７０とが重なっている部分においては、酸化膜マスク３７０が第５レジストマスク３５０からはみ出している。
【００６９】
続いて、図１１（Ｃ）に示すように、ＡＰＳエッチングにより第５レジストマスク３５０からはみ出している酸化膜マスク３７０をエッチングにより除去する。これにより、酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０とが重なっている部分においては、酸化膜マスク３７０が第５レジストマスク３５０と同じ形状に形成される。
【００７０】
こうして、酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０とを含む最終マスク３９０が形成される。最終マスク３９０は、第１構造体の最終形状に対応した第１マスク３９１と、第２構造体の最終形状に対応した第２マスク３９２と、第３構造体の最終形状に対応した第３マスク３９３とを有している。第１マスク３９１は、第２シリコン層２３０の表面であってベース部１に対応する部分及び第２ヒンジ５に対応する部分に形成されている。第２マスク３９２は、第２シリコン層２３０の表面であって内側固定櫛歯電極６１に対応する部分に形成されている。第３マスク３９３は、第２シリコン層２３０の表面であってミラー２に対応する部分及び内側可動櫛歯電極６２に対応する部分に形成されている。また、第１マスク３９１及び第２マスク３９２は、第２シリコン層２３０の上に形成された酸化膜マスク３７０と、該酸化膜マスク３７０の上に形成された第５レジストマスク３５０を有している。酸化膜マスク３７０が下段マスクの一例であり、第５レジストマスク３５０が上段マスクの一例である。一方、第３マスク３９３は、酸化膜マスク３７０を含まず、第５レジストマスク３５０のみを有している。尚、ベース部１のうち絶縁溝２４０に対応する部分及び共通電極２５５が設けられる開口部２４５ａに対応する部分には、酸化膜マスク３７０が設けられておらず、第５レジストマスク３５０のみが設けられている。
【００７１】
次に、最終マスク３９０を用いて第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０をエッチングする（第２エッチング工程）。具体的には、まず、図１２（Ａ）に示すように、第２シリコン層２３０をＩＣＰエッチングする。その結果、ベース部１及び第２ヒンジ５のうち第２シリコン層２３０で構成される部分が形成される。また、内側固定櫛歯電極６１が形成される。さらに、第２シリコン層２３０のうちミラー２及び内側可動櫛歯電極６２に対向する部分が残存する。
【００７２】
ここで、最終マスク３９０は各構造体の最終形状に対応した形状をしているので、この工程で形成されたベース部１及び第２ヒンジ５のうち第２シリコン層２３０で構成される部分、及び内側固定櫛歯電極６１は、最終形状に形成される。
【００７３】
続いて、図１２（Ｂ）に示すように、酸化膜層２２０をＡＰＳエッチングする。その結果、酸化膜層２２０のうち最終マスク３９０から露出している部分が除去される。これにより、第１シリコン層２１０で形成されているプレ構造４１〜４４のうち最終マスク３９０からはみ出している部分が露出するようになる。その後、最終マスク３９０のうち第５レジストマスク３５０を剥離する。
【００７４】
次に、酸化膜マスク３７０を用いて第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０をエッチングする。詳しくは、第５レジストマスク３５０を剥離することにより、図１３（Ａ）に示すように、残存する第２シリコン層２３０のうち酸化膜マスク３７０に覆われていない部分、即ち、ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４に対向する部分が露出するようになる。このとき、ベース部１のうち絶縁溝２４０に対応する部分及び共通電極２５５が設けられる開口部２４５ａに対応する部分も露出する。さらに、前述の如く、プレ構造４１〜４４のうち酸化膜層２２０からはみ出している部分も露出している。この状態で、ＩＣＰエッチングを行うことにより、図１３（Ｂ）に示すように、第２シリコン層２３０のうちミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４に対向する部分と、ベース部１の絶縁溝２４０及び開口部２４５ａに対応する部分と、プレ構造４１〜４４のうち酸化膜層２２０からはみ出している部分とがエッチングされる。このとき、酸化膜層２２０はプレ構造４１〜４４をエッチングするためのマスクとして機能する。
【００７５】
ここで、酸化膜層２２０は、図１２（Ｂ）の工程において最終マスク３９０を用いてエッチングされることにより、最終マスク３９０と同様の形状に形成されている。つまり、酸化膜層２２０は各構造体の最終形状に対応した形状をしているので、この工程でエッチングされたプレ構造４１〜４４は、対応する構造体の最終形状に形成される。具体的には、ベース部プレ構造４１は、ベース部１のうち第１シリコン層２１０で構成される部分の最終形状に形成される。第２ヒンジプレ構造４２は、第２ヒンジ５のうち第１シリコン層２１０で構成される部分の最終形状に形成される。ミラープレ構造４３は、ミラー２（ミラー本体２１）の最終形状に形成される。可動櫛歯プレ構造４４は、内側可動櫛歯電極６２の最終形状に形成される。
【００７６】
尚、第２ヒンジ５、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２のＳｉＯ２膜２６０は、プレ構造に対応した形状で残存し、最終形状には形成されていない。
【００７７】
次に、図１４に示すように、ＡＰＳエッチングにより酸化膜マスク３７０と、絶縁溝２４０及び開口部２４５ａの底に位置する酸化膜層２２０と、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の上の酸化膜層２２０とを除去する。
【００７８】
このとき、第２ヒンジ５、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２のＳｉＯ２膜２６０も、除去され、最終形状に形成される。
【００７９】
尚、絶縁溝２４０が形成されることによって、ベース部１には、第１〜第５領域２４１〜２４５が形成される（図１４では、第１領域２４１、第３領域２４３及び第５領域２４５のみ図示）。
【００８０】
続いて、電極及び鏡面層を形成すると共に、ワイヤボンディングにより該電極にワイヤを接続する。具体的には、図１５に示すように、フォトマスク（図示省略）を用いて、所定の箇所にＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜をスパッタリングにより成膜し、電極及び鏡面層２２を形成する。図１５の例では、第１駆動電極２５１、第３駆動電極２５３及び共通電極２５５が形成される。また、ミラー本体２１の第２シリコン層２３０側の表面には、Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜が成膜され、鏡面層２２が形成される。その後、第１駆動電極２５１、第３駆動電極２５３及び共通電極２５５にワイヤボンディングを行う（図２参照）。
【００８１】
こうして、ミラーデバイス１００が製造される。
【００８２】
以上のようにＳＯＩ基板２００の両面から加工する製造方法においては、ＳＯＩ基板２００の一方の面から加工するときとＳＯＩ基板２００の他方の面から加工するときとの位置合わせが重要となる。例えば、前記製造方法においては、ＳＯＩ基板２００の両面に形成された第１及び第２アライメントマーク２１１，２３１を利用することによって、ＳＯＩ基板２００の一方の面から加工するときとＳＯＩ基板２００の他方の面から加工するときとの位置合わせを行っている。それでも尚、ＳＯＩ基板２００の一方の面から加工するときとＳＯＩ基板２００の他方の面から加工するときとの位置合わせに誤差を生じる場合がある。例えば、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から加工した後、第２シリコン層２３０側から加工する際に最終マスク３９０の位置がずれる場合がある。このような場合、従来の製造方法では、第１シリコン層２１０側から加工した構造体と、第２シリコン層２３０側から加工した構造体との位置がずれてしまう。しかしながら、前記製造方法によれば、最終マスク３９０の位置がずれたとしても構造体を正確に形成することができる。
【００８３】
詳しくは、図１６（Ａ）に示すように、フォトマスク３５２の位置がずれると、図１６（Ｂ）に示すように、第５レジストマスク３５０の位置がずれてしまう。第５レジストマスク３５０の位置がずれると、図１６（Ｃ）に示すように、最終的に形成される最終マスク３９０の位置もずれてしまう。その結果、最終マスク３９０を用いて形成される部分も本来の位置からずれてしまう。
【００８４】
特に、第１構造体であるベース部１及び第２ヒンジ５においては、第１シリコン層２１０で構成される部分が先に形成されているので、第１シリコン層２１０で構成される部分と第２シリコン層２３０で構成される部分との位置ずれが問題となる。
【００８５】
しかしながら、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分は、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から加工したときに、最終形状よりも大きなプレ構造に形成されている。そして、最終マスク３９０の第１マスク３９１が、図１６（Ｃ）に示すように、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときにプレ構造内に形成される。つまり、プレ構造の大きさは、最終マスク３９０の想定される最大限の位置ずれを考慮して設定されている。つまり、最終マスク３９０に想定される最大限の位置ずれが生じたとしても、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときに第１マスク３９１はプレ構造内に配置される。
【００８６】
尚、フォトマスク３５２を配置する前に形成されている酸化膜マスク３７０も、フォトマスク３５２の想定される最大限の位置ずれを考慮して、酸化膜マスク３７０の最終形状、即ち、最終マスク３９０の最終形状よりも大きな形状に形成されている。そのため、フォトマスク３５２の位置がずれたとしても、酸化膜マスク３７０上に形成される第５レジストマスク３５０が酸化膜マスク３７０からはみ出すことが防止される。
【００８７】
そして、この第１マスク３９１を利用して第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０を順次エッチングすることによって、図１７（Ａ）に示すように、第１構造体のうち第２シリコン層２３０で構成される部分を最終形状に形成すると共に、酸化膜層２２０を最終形状に対応した形状に形成する。続いて、酸化膜層２２０及び第１マスク３９１の酸化膜マスク３７０を利用してプレ構造をエッチングすることによって、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状に形成する。
【００８８】
このように、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分も第２シリコン層２３０で構成される部分も、位置がずれた最終マスク３９０によって最終形状に形成される。その結果、ミラーデバイス１００の全体における第１構造体の位置が最終マスク３９０の位置がずれた分だけずれるものの、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分に対する第２シリコン層２３０で構成される部分の位置ずれが防止されるので、第１構造体を正確に形成することができる。
【００８９】
例えば、第１構造体である第２ヒンジ５の形状が不正確になると、第２ヒンジ５のばね定数が変わることになり、ミラー２の駆動性能が悪化してしまう。つまり、第２ヒンジ５を正確に形成することによって、ミラー２を支持する第２ヒンジ５のばね定数の精度を高めることができ、ミラー２の駆動性能を確保することができる。
【００９０】
ここで、最終マスク３９０の位置がずれる主要な原因の１つは、フォトマスク３５２の位置ずれである。フォトマスク３５２の位置がずれるということは、最終マスク３９０のうち第１マスク３９１だけでなく、第２マスク３９２の位置もずれることになる。
【００９１】
第２構造体は第１シリコン層２１０を含まないので、第２マスク３９２を用いて第２シリコン層２３０をエッチングする際には、第１シリコン層２１０のうち第２構造体に対向する部分は予め除去され、凹部Ｒが形成されている。ところが、第２マスク３９２が第１シリコン層２１０が除去されていない部分までずれると、第２マスク３９２を用いて第２シリコン層２３０をエッチングした結果、第１シリコン層２１０が残存した第２構造体が形成されてしまう。
【００９２】
それに対し、前記製造方法では、第２マスク３９２は、図１６（Ｃ）に示すように、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときに、予め第１シリコン層２１０に形成された凹部Ｒ内に形成される。つまり、凹部Ｒは、最終マスク３９０の想定される最大限の位置ずれを考慮して設定されており、最終マスク３９０に想定される最大限の位置ずれが生じたとしても、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときに第２マスク３９２は凹部Ｒ内に配置される。
【００９３】
そのため、この第２マスク３９２を利用して第２シリコン層２３０をエッチングすることによって、第１シリコン層２１０が残存していない第２構造体を形成することができる。つまり、第２構造体を正確に形成することができる。
【００９４】
例えば、第２構造体である内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１の形状が不正確になると、内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２との位置関係、及び、外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との位置関係がばらつくことになる。その結果、ミラー２の駆動性能が悪化することになる。それに対し、内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１を正確に形成することによって、ミラー２の駆動性能を確保することができる。
【００９５】
さらに、前記の製造方法によれば、第２シリコン層２３０を含まず、第１シリコン層２１０で形成される第３構造体も、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側から加工するときに最終形状に形成される。これにより、最終マスク３９０の位置ずれによりミラーデバイス１００の全体における第１構造体及び第２構造体の位置がずれたとしても、第３構造体と第１構造体との位置関係及び第３構造体と第２構造体との位置関係を維持することができる。つまり、第３構造体は、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側から加工するときに最終マスク３９０を用いて最終形状に形成される。最終マスク３９０の位置がずれると、第１〜第３マスク３９１〜３６３の位置も一律にずれる。そのため、第１及び第２構造体がずれた位置に形成された場合、第３構造体も同様にずれた位置に形成される。その結果、第３構造体と第１構造体との位置関係及び第３構造体と第２構造体との位置関係は維持される。それに加えて、第３構造体も第１構造体と同様に、第１エッチング工程では、第１シリコン層２１０を第３構造体の最終形状よりも大きなプレ構造に形成し、マスク形成工程では、第３マスク３９３をミラーデバイス１００の厚み方向に見たときにプレ構造内に形成することによって、第３構造体を正確に形成することができる。
【００９６】
例えば、第１構造体及び第３構造体の両方である枠体３は、第３構造体と第１構造体との位置関係が維持されるので、正確な形状に形成することができる。また、第１構造体である第２ヒンジ５と第３構造体であるミラー２との位置関係が維持されるので、ミラー２の傾動軸のずれを防止することができる。さらに、第２構造体である内側固定櫛歯電極６１と第３構造体である内側可動櫛歯電極６２との位置関係が維持されるので、ミラー２の駆動性能の悪化を防止することができる。同様に、第２構造体である内側固定櫛歯電極６１と第３構造体である内側可動櫛歯電極６２との位置関係が維持されるので、ミラー２の駆動性能の悪化を防止することができる。
【００９７】
［効果］
したがって、前記電子部品の製造方法は、前記ＳＯＩ基板２００を前記第１シリコン層２１０側からエッチングする第１エッチング工程と、前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側に最終マスク３９０を形成するマスク形成工程と、前記最終マスク３９０を利用して前記ＳＯＩ基板２００を前記第２シリコン層２３０側からエッチングする第２エッチング工程とを含み、前記構造体は、前記第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０で形成された第１構造体、例えば、第２ヒンジ５を有し、前記第１エッチング工程では、前記第２ヒンジ５のうち前記第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第２ヒンジプレ構造４２として形成し、前記マスク形成工程では、前記第２ヒンジ５の最終形状に対応した第１マスク３９１を前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側であって前記ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに前記第２ヒンジプレ構造４２内に形成し、前記第２エッチング工程では、前記第１マスク３９１を利用して、前記第２シリコン層２３０及び前記第２ヒンジプレ構造４２をエッチングすることによって前記第２ヒンジ５の最終形状を形成する。
【００９８】
前記の構成によれば、ＳＯＩ基板２００を両面から加工する場合において、第１シリコン層２１０側から加工するときには、第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状には加工せず、最終形状よりも大きなプレ構造に形成しておき、第２シリコン層２３０側から加工するときに、第２シリコン層２３０と共にプレ構造を加工することによって第１構造体を形成する。第１構造体の形状が最終的に決まるのは第２エッチング工程なので、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から加工するときと第２シリコン層２３０側から加工するときとで位置ずれが生じたとしても、第１構造体を正確に形成することができる。さらに、ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに第１マスク３９１をプレ構造内に配置することによって、第１構造体をより正確に形成することができる。
【００９９】
また、前記構造体は、前記第１シリコン層２１０を含まず、前記第２シリコン層２３０で形成された第２構造体、例えば、内側固定櫛歯電極６１を有し、前記第１エッチング工程では、前記第１シリコン層２１０のうち、前記内側固定櫛歯電極６１と対向する部分をエッチングして、該第１シリコン層２１０に凹部Ｒを形成し、前記マスク形成工程では、前記内側固定櫛歯電極６１の最終形状に対応した第２マスク３９２を前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側であって前記ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに前記凹部Ｒ内に形成し、前記第２エッチング工程では、前記第２マスク３９２を利用して、前記第２シリコン層２３０をエッチングすることによって前記内側固定櫛歯電極６１の最終形状を形成する。
【０１００】
この構成によれば、第２シリコン層２３０のうち対向する位置の第１シリコン層２１０が除去された部分で第２構造体を形成することができる。そのため、第１シリコン層２１０が残存していない第２構造体を形成することができる。
【０１０１】
前記マスク形成工程では、前記第１マスク３９１及び第２マスク３９２を、該第１マスク３９１及び該第２マスク３９２の位置関係が規定されたフォトマスク３５２を用いて形成する。
【０１０２】
前記の構成によれば、フォトマスク３５２の位置がずれた場合には、第１マスク３９１と共に第２マスク３９２の位置もずれる。その結果、第１構造体と第２構造体との位置関係を維持することができる。
【０１０３】
また、前記ＳＯＩ基板２００は、前記第１シリコン層２１０と前記第２シリコン層２３０との間に設けられた酸化膜層２２０を含み、前記構造体は、前記第２シリコン層２３０を含まず、前記第１シリコン層２１０で形成された第３構造体、例えば、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２を有し、前記第１エッチング工程では、前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２のうち前記第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４として形成し、前記マスク形成工程では、前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の最終形状に対応した第３マスク３９３を前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側であって前記ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４内に形成し、前記第２エッチング工程では、前記第３マスク３９３を利用して前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０をエッチングすることによって、該酸化膜層２２０のうち前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４の上の部分を前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の最終形状に対応した形状に形成した後、前記第３マスク３９３を剥離して、前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４の上に残存している前記酸化膜層２２０を利用して前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４をエッチングすることによって、前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の最終形状を形成する。
【０１０４】
この構成によれば、第２シリコン層２３０を含まない第３構造体であっても、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側から加工する第２エッチング工程によって最終形状が決まる。第３構造体も第１構造体と同様に、第１エッチング工程では、第１シリコン層２１０を第３構造体の最終形状よりも大きなプレ構造に形成し、マスク形成工程では、第３マスク３９３をミラーデバイス１００の厚み方向に見たときにプレ構造内に形成することによって、第３構造体を正確に形成することができる。
【０１０５】
また、このように、第１シリコン層２１０と第２シリコン層２３０との間に別の層（酸化膜層２２０）が介在する基板については、該基板の両方の面からそれぞれ加工することが必要な場合もある。そのような場合には前述の製造方法が有効であり、構造体を正確に形成することができる。
【０１０６】
また、前記第１及び第２マスク３９１，３６２は、前記第２シリコン層２３０の上に形成された酸化膜マスク３７０と、該酸化膜マスク３７０の上に形成された第５レジストマスク３５０とを有し、前記第２エッチング工程では、前記第１及び第２マスク３９１，３６２の前記第５レジストマスク３５０並びに前記第３マスク３９３を利用して前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０をエッチングすることによって、前記第１構造体のうち前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０で構成される部分の最終形状及び第２構造体の最終形状を形成すると共に、前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０のうち前記第３構造体の上の部分を前記第３構造体の最終形状に対応した形状に形成した後、前記第１及び第２マスク３９１，３６２の前記第５レジストマスク３５０並びに前記第３マスク３９３を剥離して、前記第１及び第２マスク３９１，３６２の前記酸化膜マスク３７０並びに前記第３構造体の上に残存している前記酸化膜層２２０を利用して前記第２シリコン層２３０のうち前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４の上の部分及び該ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４をエッチングすることによって、前記第１構造体の最終形状及び前記第３構造体の最終形状を形成する。
【０１０７】
前記の構成によれば、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０を含む基板の場合には、第２エッチング工程において、酸化膜層２２０をマスクとして利用して第３構造体を形成する。そして、第１及び第２マスク３９１，３６２を酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０との二重構造とすることによって、酸化膜層２２０を所望の形状に形成し、マスクとして利用することができる。
【０１０８】
前記マスク形成工程では、前記第１マスク３９１、第２マスク３９２及び第３マスク３９３を、該第１マスク３９１、該第２マスク３９２及び該第３マスク３９３の位置関係が規定されたフォトマスク３５２を用いて形成する。
【０１０９】
この構成によれば、フォトマスク３５２の位置がずれた場合には、第１マスク３９１と共に第２マスク３９２及び第３マスク３９３の位置もずれる。その結果、第１構造体と第３構造体との位置関係を維持することができると共に、第２構造体と第３構造体との位置関係を維持することができる。
【０１１０】
また、ミラーデバイス１００は、枠体３と、枠体３に対して所定のＹ軸回りに傾動するミラー２と、Ｙ軸に沿った配列方向に配列された複数の電極指６３を有し、枠体３に設けられた内側固定櫛歯電極６１と、前記配列方向に配列され、内側固定櫛歯電極６１の電極指６３と交互に配置される複数の電極指６４を有し、ミラー２に設けられた内側可動櫛歯電極６２とを備え、ミラー２は、ミラー本体２１と、ミラー本体２１から延びる延長部６５とを有し、内側可動櫛歯電極６２の電極指６４の一部は、ミラー本体２１に設けられ、内側可動櫛歯電極６２の電極指６４の別の一部は、延長部６５に設けられている。
【０１１１】
この構成によれば、内側固定櫛歯電極６１及び内側可動櫛歯電極６２の対向し得る総面積を拡大することができる。例えば、電極指６３及び電極指６４の長さを長くすることによっても、内側固定櫛歯電極６１及び内側可動櫛歯電極６２の対向し得る総面積を拡大することができる。しかしながら、電極指６３及び電極指６４の長さが長くなると、ミラー２の傾動角が小さくなってしまう。すなわち、静電引力が最も大きいときは、電極指６３と電極指６４の対向面積（Ｙ軸方向に見たときに重なり合う面積）が最も大きくなるときであり、このときにミラー２の傾動角が最も大きくなる。そして、電極指６３及び電極指６４がＺ軸方向にずれた状態から電極指６３と電極指６４の対向面積が最も大きくなる状態まで電極指６４が傾動する角度は、電極指６３及び電極指６４が長くなるほど小さくなる。つまり、ミラー２の傾動範囲が電極指６３及び電極指６４が長くなるほど小さくなってしまう。また、電極指６３及び電極指６４は細長いので、電極指６３及び電極指６４が長くなるほど、その強度も問題となる。それに対し、ミラー本体２１から延長部６５を延ばし、電極指６４をミラー本体２１だけでなく延長部６５にも設けることによって、電極指６４の個数を増やしている。この構成によれば、ミラー２の傾動範囲を小さくすることなく、内側固定櫛歯電極６１及び内側可動櫛歯電極６２の対向し得る総面積を拡大することができる。さらに、電極指６４の長さを長くする必要がないので、電極指６４が延びる方向、即ち、Ｘ軸方向へミラーデバイス１００の寸法が拡大することを防止することができる。特に、ミラーデバイス１００は、枠体３のＸ軸方向外側には、外側駆動電極７が設けられており、Ｘ軸方向に比較的長い形状をしている。つまり、前記の構成により、ミラーデバイス１００がＸ軸方向へさらに長くなることを防止することができる。
【０１１２】
また、ミラー本体２１のうち電極指６４が設けられる部分が小さくても、延長部６５を設けることによって電極指６４を増やすことができる。すなわち、ミラー本体２１は円形状なので、ミラー本体２１のうち電極指６４が設けられる部分は、円弧状である。そのため、電極指６４をＹ軸に近づけてもよければ、ミラー本体２１のうち電極指６４が設けられる部分を大きくすることができる。しかしながら、駆動力を確保するためには、Ｙ軸と電極指６４との距離を或る程度確保する必要があり、ミラー本体２１のうち電極指６４が設けられる部分をあまり大きくすることはできない。そのように、ミラー本体２１において電極指６４を設ける部分が制約を受ける場合であっても、延長部６５を設けることによって、電極指６４を増やすことができる。
【０１１３】
さらに、ミラーデバイス１００は、ミラー２を挟む状態でＹ軸上に並んで配置され、ミラー２を枠体３に連結する２つの第１ヒンジ４，４をさらに備え、延長部６５は、電極指６４の配列方向に延びている。
【０１１４】
この構成によれば、Ｙ軸方向に見た場合に、ミラー２の外側に第１ヒンジ４，４が配置され、第１ヒンジ４，４の外側に枠体３が配置されている。つまり、ミラー２と枠体３との間には、第１ヒンジ４を配置するためのスペースが存在する。そして、延長部６５は、ミラー本体２１から、電極指６４の配列方向、即ち、Ｙ軸方向に延びている。つまり、延長部は、ミラー２と枠体３との間の、第１ヒンジ４を配置するためのスペースを利用して延びている。そのため、延長部６５を設けたとしても、ミラーデバイス１００の寸法がＹ軸方向へ拡大することを抑制することができる。
【０１１５】
また、延長部６５が長すぎると、第２ヒンジ５の剛性を高くする必要があり、ひいては、外側駆動電極７の駆動力を大きくする必要がある。外側駆動電極７の駆動力を大きくするためには、電極指７３，７４の個数を増やす必要があり、ミラーデバイス１００の寸法がＸ軸方向へ拡大してしまう。それに対し、Ｙ軸方向において、延長部６５の長さを、第１ヒンジ４のうち枠体３側の端部を超えない程度とすることによって、枠体３の拡大を抑制し、ひいては、ミラーデバイス１００の寸法のＸ軸方向への拡大を抑制することができる。
【０１１６】
また、全ての電極指６４を延長部６５に設けるのではなく、一部の電極指６４をミラー本体２１に設けることによって、内側駆動電極６の駆動力をミラー２に効率良く伝えることができる。つまり、延長部６５に設けられた電極指６４により発生する駆動力は、延長部６５を介してミラー本体２１に伝達する間に多少なりとも延長部６５に吸収され得る。それに対し、ミラー本体２１に設けられた電極指６４により発生する駆動力は、ミラー本体２１に直接作用するので、延長部６５を伝達する際のロスは存在しない。さらに、延長部６５を、ミラー本体２１の接線となる位置（図１において、ミラー本体２１の外周縁とＸ軸とが交わる位置）に設けると、ミラーデバイス１００の寸法がＸ軸方向に拡大してしまう。ミラーデバイス１００は、枠体の第２辺部３２及び第４辺部３４のうち電極指６３とは反対側の部分に外側駆動電極７が設けられている。そのため、電極指６３，６４の延びる方向へのミラーデバイス１００の寸法が比較的大きい。前述のように、ミラー本体２１の接線となる位置ではなく、ミラー本体２１の外周縁のうちＸ軸との交点からＹ軸との交点の方へ少し入った位置に延長部６５を設けることによって、ミラーデバイス１００の寸法のＸ軸方向への拡大を抑制することができる。
【０１１７】
また、ミラー本体２１のうち内側可動櫛歯電極６２の電極指６４が設けられた部分は、外方に膨らむように湾曲又は屈曲しており、ミラー本体２１に設けられた電極指６４は、延長部６５に設けられた電極指６４よりも短い。
【０１１８】
つまり、ミラー本体２１のうち内側可動櫛歯電極６２の電極指６４が設けられた部分は外方に膨らむように湾曲又は屈曲しているので、ミラー本体２１に設けられた電極指６４の長さと延長部６５に設けられた電極指６４の長さが同じであれば、ミラー本体２１に設けられた電極指６４の方が外方へ突出することになる。それに対し、ミラー本体２１に設けられた電極指６４を延長部６５に設けられた電極指６４よりも短くすることによって、ミラー本体２１に設けられた電極指６４の外方への突出を抑制することができる。
【０１１９】
さらには、内側可動櫛歯電極６２の電極指６４の先端同士を結ぶ直線は、Ｙ軸と平行になっている。
【０１２０】
つまり、ミラー本体２１に設けられた電極指６４の先端も、延長部６５に設けられた電極指６４の先端も、Ｙ軸に平行な直線上に位置している。
【０１２１】
また、延長部６５に設けられた電極指６４は、ミラー本体２１に設けられた電極指６４よりも太い。
【０１２２】
前述の如く、延長部６５に設けられた電極指６４は、ミラー本体２１に設けられた電極指６４よりも長い。そのため、延長部６５に設けられた電極指６４を太くすることによって補強している。
【０１２３】
また、延長部６５に設けられた電極指６４のうち延長部６５の最も先端側に設けられた電極指６４は、枠体３と対向しており、枠体３のうち、延長部６５の最も先端側の電極指６４と対向する部分は、内側固定櫛歯電極６１の電極指６３として機能する。
【０１２４】
つまり、枠体３のうち、延長部６５の最も先端側の電極指６４と対向する部分は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。枠体３のうち第２シリコン層２３０で形成された部分は、電極指６３と電気的に導通している。そのため、内側固定櫛歯電極６１に駆動電圧が印加されたときには、枠体３のうち、延長部６５の最も先端側の電極指６４と対向する部分の第２シリコン層２３０にも駆動電圧が印加される。そして、当該部分は、電極指６３として機能し、延長部６５の最も先端側の電極指６４との間で静電引力を発生させる。
【０１２５】
《その他の実施形態》
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、前記実施形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０１２６】
前記実施形態について、以下のような構成としてもよい。
【０１２７】
前記ミラーデバイス１００は、電子部品の一例であり、前記製造方法を適用できる電子部品はこれに限られるものではない。また、ミラーデバイス１００の構成も例示に過ぎず、これに限られるものではない。さらに、第１構造体、第２構造体及び第３構造体も例示に過ぎない。
【０１２８】
また、前記製造方法では、エッチングや成膜が具体的に特定されている場合もあるが、これらに限られるものではない。つまり、前記製造方法を実現できる限り、エッチングの種類が特に限定されるわけではなく、成膜の方法が限定されるわけではない。また、レジストマスクは、ポジ型のレジストであっても、ネガ型のレジストであってもよい。さらに、前記実施形態で説明した材質及び形状は、一例に過ぎず、これらに限定されるものではない。
【０１２９】
また、前記製造方法では、基板としてＳＯＩ基板を用いているが、これに限られるものではない。２以上の層を有する基板であれば、前記製造方法を適用することができる。
【０１３０】
さらに、前記製造方法は、電子部品を製造できる限り、各工程の順番を入れ替えたり、何れかの工程を省略したりしてもよい。
【０１３１】
また、前記実施形態では、第２アライメントマーク２３１を用いてフォトマスク３５２を配置するときの位置ずれに起因して最終マスク３９０に位置ずれが生じた場合の電子部品の製造について説明しているが、位置ずれの発生メカニズムはこれに限られるものではない。例えば、最終マスク３９０の形成方法が変われば、最終マスク３９０の位置ずれの発生メカニズムも変わる。前記製造方法は、最終マスク３９０の形成方法や最終マスク３９０の位置ずれの発生メカニズムに限定されるものではない。基板を一方の面から加工するときと他方の面から加工するときとでの位置ずれに対して広く有効である。
【０１３２】
また、ミラーデバイス１００では、枠体３は略正方形状をしているが、これに限られるものではない。例えば、図１８に示すように、枠体３は、第１ヒンジ４を囲み、且つミラー２の外形に沿った形状をしていてもよい。具体的には、枠体３１の第１辺部３１は、第１ヒンジ４を囲む矩形部分３１ａと、ミラー２の外形に沿った円弧部分３１ｂ，３１ｂと、延長部６５及び電極指６４に沿ったＬ字部分３１ｃ，３１ｃとを有している。同様に、第３辺部３３は、第１ヒンジ４を囲む矩形部分３３ａと、ミラー２の外形に沿った円弧部分３３ｂ，３３ｂと、延長部６５及び電極指６４に沿ったＬ字部分３３ｃ，３３ｃとを有している。図１に示すミラーデバイス１００では、第１ヒンジ４の回りには大きなスペースが形成されているのに対し、図１８のミラーデバイス２１００では、第１ヒンジ４を囲む矩形部分３１ａ，３３ａを設けることによって、第１ヒンジ４の回りのスペースが小さくなり、第１ヒンジ４に枠体３が接近している。このように、第１ヒンジ４の近くに構造物を配置することによって、第１ヒンジ４をエッチングする際に、第１ヒンジ４を正確に形成することができる。つまり、第１ヒンジ４の近くに構造物がなく、大きなスペースが存在すると、第１ヒンジ４がエッチングにより削られ易く、第１ヒンジ４が設計値以上に細く形成される傾向にある。それに対し、第１ヒンジ４の近くに矩形部分３１ａ，３３ａを配置することによって、第１ヒンジ４が細くなり過ぎることを抑制することができる。
【０１３３】
尚、ミラーデバイス２１００では、第１辺部３１及び第３辺部３３の一部（詳しくは、円弧部分３１ｂ）が内側に凹んだ形状に応じて、ベース部１の一部が内側に突出している。詳しくは、ベース部１のうち、円弧部分３１ｂに対応する部分には、ミラー２の方へ突出した突出部１１が設けられている。ベース部１は、基本的には、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０により形成されているが、突出部１１は、第１シリコン層２１０のみで形成されている。つまり、突出部１１は、ベース部１の他の部分に比べて厚み方向に凹んでいる。ミラー本体２１にＡｕ/Ｔｉ／Ｐｔ膜を成膜する際にベース部１のうちミラー本体２１に近接する部分にもＡｕ/Ｔｉ／Ｐｔ膜が成膜されてしまう可能性がある。そのため、突出部１１には、Ａｕ/Ｔｉ／Ｐｔ膜が成膜される可能性がある。ベース部１には第３駆動電極２５３が設けられており、ベース部１にＡｕ/Ｔｉ／Ｐｔ膜が成膜されることにより、第３駆動電極２５３が必要ない部分と電気的に導通することは好ましくない。そこで、突出部１１を第１シリコン層２１０のみで形成することによって、突出部１１を、ベース部１のうち第３駆動電極２５３が設けられた部分と電気的に絶縁している。これにより、突出部１１にＡｕ/Ｔｉ／Ｐｔ膜が成膜されたとしても、第３駆動電極２５３が不必要な部分と電気的に導通することを防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３４】
以上説明したように、ここに開示された技術は、半導体装置について有用である。
【符号の説明】
【０１３５】
１００      ミラーデバイス（電子部品）
１          ベース部（第１構造体）
２          ミラー（第３構造体、傾動部）
２１        ミラー本体（本体部）
３          枠体（第１構造体、第３構造体、基礎部）
４          第１ヒンジ（第３構造体、連結部）
５          第２ヒンジ（第１構造体）
６１        内側固定櫛歯電極（第２構造体）
６２        内側可動櫛歯電極（第３構造体）
６３        電極指
６４        電極指
６５        延長部
７１        外側固定櫛歯電極（第２構造体）
７２        外側可動櫛歯電極（第３構造体）
４１        ベース部プレ構造（第１プレ構造）
４２        第２ヒンジプレ構造（第１プレ構造）
４３        ミラープレ構造（第３プレ構造）
４４        可動櫛歯プレ構造（第３プレ構造）
２００      ＳＯＩ基板（基板）
２１０      第１シリコン層（第１層）
２２０      酸化膜層（第３層）
２３０      第２シリコン層（第２層）
３４０      酸化膜マスク（下段マスク）
３５０      第４レジストマスク（上段マスク）
３９０      最終マスク（マスク）
３９１      第１マスク
３９２      第２マスク
３９３      第３マスク
３７２      フォトマスク
Ｒ          凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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