(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
水平状態で基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部により保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、
前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板および前記対向部材を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、
前記基板保持部の下方にて前記基板回転機構を収容する回転機構収容部と、
前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部と、
パージガス供給部と、
を備え、
前記基板保持部は、
ベース支持部と、
前記ベース支持部により下方から支持されるとともに前記ベース支持部よりも径方向外方に広がる円板状の保持ベース部と、
前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、
前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部と、
を備え、
前記カップ部は、
円筒状の第１ガード側壁部および前記第１ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第１ガード天蓋部を有する第１ガードと、
前記第１ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第２ガード側壁部および前記第１ガード天蓋部よりも上方にて前記第２ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第２ガード天蓋部を有する第２ガードと、
前記第１ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第１ガードと前記第２ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、
前記第１ガード内および前記第２ガード内のガスが排出される排出ポートと、
を備え、
前記第１ガード天蓋部の内径および前記第２ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、
前記保持ベース部よりも下方において前記ベース支持部または前記回転機構収容部から径方向外方に広がり、前記第１ガードが前記待避位置に位置する状態では前記第１ガード天蓋部の内周縁へと向かう円環状の下部突出部が設けられ、
前記パージガス供給部は、前記基板保持部の前記ベース支持部と前記回転機構収容部との間の空間にパージガスを供給し、中央部から径方向外方へと向かう気流を形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記下部突出部が前記ベース支持部に設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記対向部材の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、
前記下部突出部の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、かつ、前記対向部材の外径以下であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記対向部材は、
前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、
前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部と、
を備え、
前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板を処理する基板処理装置であって、
水平状態で基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、
前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、
前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部と、
パージガス供給部と、
を備え、
前記基板保持部は、
保持ベース部と、
前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、
前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部と、
を備え、
前記カップ部は、
円筒状の第１ガード側壁部および前記第１ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第１ガード天蓋部を有する第１ガードと、
前記第１ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第２ガード側壁部および前記第１ガード天蓋部よりも上方にて前記第２ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第２ガード天蓋部を有する第２ガードと、
前記第１ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第１ガードと前記第２ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、
前記第１ガード内および前記第２ガード内のガスが排出される排出ポートと、
を備え、
前記対向部材は、
前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、
前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部と、
を備え、
前記第１ガード天蓋部の内径および前記第２ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、
前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置し、
前記第１ガードが前記待避位置に位置する状態では、前記第１ガード天蓋部の内周縁が、前記保持ベース部の外側面と径方向に対向し、
前記パージガス供給部は、前記基板保持部の前記ベース支持部と前記回転機構収容部との間の空間にパージガスを供給し、中央部から径方向外方へと向かう気流を形成することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板上に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の薬液処理が行われる。また、薬液処理の終了後、基板上に洗浄液が供給されて洗浄処理が行われ、その後、基板の乾燥処理が行われる。
【０００３】
例えば、特許文献１の基板洗浄装置では、ウエハを水平に保持するスピンチャック上に蓋部材が載置され、ウエハと共に回転する。基板の洗浄処理の際には、まず、蓋部材の上方に離間して配置された上ノズルから、蓋部材の回転中心に設けられた開口を介して、回転中の基板上に洗浄液が供給される。洗浄液としては、フッ酸、塩酸、硫酸、リン酸、アンモニア、過酸化水素水等が利用される。続いて、当該上ノズルから回転中の基板上に純水が供給されることにより、基板に付着している洗浄液が洗い流される。その後、基板の乾燥処理の際には、上記上ノズルから窒素（Ｎ２）ガスが吐出され、蓋部材の開口を介してウエハ上に供給される。これにより、蓋部材とウエハとの間の空間における酸素濃度を低下させ、基板の乾燥を促進することができる。
【０００４】
特許文献２の基板処理装置では、基板を保持する載置台の周囲に、回転する基板から飛散する液体を受ける液体案内上部カップ、液体案内中央カップおよび液体案内下部カップを備える。これらのカップはそれぞれ、上下方向に移動可能である。各カップは、円筒状の鉛直部と、当該鉛直部の上端から径方向内方に広がる傾斜部とを備える。また、載置台の下部には、載置台と一体的に固定されて基板の外周縁よりも径方向外方に広がる支持突部が設けられる。当該基板処理装置では、基板から飛散する液体の種類が変化すると、基板からの液体を受けるカップが、液体案内上部カップ、液体案内中央カップおよび液体案内下部カップの間で切り替えられる。基板からの液体を液体案内上部カップまたは液体案内中央カップにより受ける場合、液体案内下部カップの傾斜部の内周縁部は、載置台の下部の支持突部に接する。これにより、液体案内下部カップの内側の雰囲気が上昇し、液体案内上部カップおよび液体案内中央カップの内側へと侵入することが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３６２１５６８号公報
【特許文献２】特開２０１１−２５４０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１の基板処理装置では、スピンチャックが、基板の外周縁部を支持するチャックよりも径方向外方まで広がり、当該チャックよりも径方向外側にて蓋部材を支持する。このため、スピンチャックが径方向に大型化し、スピンチャックを回転する回転機構にかかる負荷が増大する。
【０００７】
そこで、回転機構にかかる負荷を軽減するために、スピンチャックの上部（すなわち、上面近傍の部位）の形状は維持し、スピンチャックの下部の外径を小さくすることが考えられる。しかしながら、特許文献２の基板処理装置において、載置台の下部の外径を小さくすると、基板からの液体を液体案内上部カップまたは液体案内中央カップにより受ける場合、液体案内下部カップの傾斜部の内周縁が、載置台の下部の支持突部から径方向外方に離間する。これにより、液体案内下部カップの内側の雰囲気が上昇し、液体案内上部カップまたは液体案内中央カップの内側へと侵入し、異なる種類の処理液の雰囲気が混合することになる。また、液体案内下部カップの内側の雰囲気が上昇しないように、液体案内上部カップまたは液体案内中央カップ内の雰囲気の吸引を抑制すると、各カップにおける吸引の強さの均一性が低下する。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、複数のガードを備えるカップ部において、ガード間のガスの流れを抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部により保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板および前記対向部材を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、前記基板保持部の下方にて前記基板回転機構を収容する回転機構収容部と、前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部と、パージガス供給部とを備え、前記基板保持部は、ベース支持部と、前記ベース支持部により下方から支持されるとともに前記ベース支持部よりも径方向外方に広がる円板状の保持ベース部と、前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部とを備え、前記カップ部は、円筒状の第１ガード側壁部および前記第１ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第１ガード天蓋部を有する第１ガードと、前記第１ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第２ガード側壁部および前記第１ガード天蓋部よりも上方にて前記第２ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第２ガード天蓋部を有する第２ガードと、前記第１ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第１ガードと前記第２ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、前記第１ガード内および前記第２ガード内のガスが排出される排出ポートとを備え、前記第１ガード天蓋部の内径および前記第２ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、前記保持ベース部よりも下方において前記ベース支持部または前記回転機構収容部から径方向外方に広がり、前記第１ガードが前記待避位置に位置する状態では前記第１ガード天蓋部の内周縁へと向かう円環状の下部突出部が設けられ、前記パージガス供給部は、前記基板保持部の前記ベース支持部と前記回転機構収容部との間の空間にパージガスを供給し、中央部から径方向外方へと向かう気流を形成する。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記下部突出部が前記ベース支持部に設けられる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記対向部材の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、前記下部突出部の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、かつ、前記対向部材の外径以下である。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記対向部材は、前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部とを備え、前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置する。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部と、パージガス供給部とを備え、前記基板保持部は、保持ベース部と、前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部とを備え、前記カップ部は、円筒状の第１ガード側壁部および前記第１ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第１ガード天蓋部を有する第１ガードと、前記第１ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第２ガード側壁部および前記第１ガード天蓋部よりも上方にて前記第２ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第２ガード天蓋部を有する第２ガードと、前記第１ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第１ガードと前記第２ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、前記第１ガード内および前記第２ガード内のガスが排出される排出ポートとを備え、前記対向部材は、前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部とを備え、前記第１ガード天蓋部の内径および前記第２ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置し、前記第１ガードが前記待避位置に位置する状態では、前記第１ガード天蓋部の内周縁が、前記保持ベース部の外側面と径方向に対向し、前記パージガス供給部は、前記基板保持部の前記ベース支持部と前記回転機構収容部との間の空間にパージガスを供給し、中央部から径方向外方へと向かう気流を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、複数のガードを備えるカップ部において、ガード間のガスの流れを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。
【図２】基板処理装置の断面図である。
【図３】気液供給部を示すブロック図である。
【図４】処理液ノズルの一部を拡大して示す断面図である。
【図５】基板の処理の流れを示す図である。
【図６】基板処理装置の断面図である。
【図７】第２の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。
【図８】第３の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す断面図である。基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、カップ部４と、トッププレート５と、対向部材移動機構６と、処理液ノズル７１とを備え、これらの構成はハウジング１１の内部に収容される。
【００１７】
基板保持部３１は、水平状態で基板９を保持する。基板保持部３１は、保持ベース部３１１と、複数のチャック３１２と、複数の係合部３１３と、ベース支持部３１４と、下部突出部３１５とを備える。基板９は、保持ベース部３１１の上方に配置される。保持ベース部３１１およびベース支持部３１４はそれぞれ、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材である。保持ベース部３１１は、ベース支持部３１４の上方に配置され、ベース支持部３１４により下方から支持される。保持ベース部３１１の外径は、ベース支持部３１４の外径よりも大きい。保持ベース部３１１は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向の全周に亘って、ベース支持部３１４よりも径方向外方に広がる。保持ベース部３１１は、例えば、比較的高い耐薬品性を有するフッ素樹脂により形成される。ベース支持部３１４は、例えば、比較的軽量かつ高強度の塩化ビニルにより形成される。
【００１８】
下部突出部３１５は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状の部材であり、ベース支持部３１４の側面から径方向外方に広がる。下部突出部３１５は、保持ベース部３１１よりも下方において、保持ベース部３１１から離間して設けられる。下部突出部３１５の外径は、保持ベース部３１１の外径よりも大きく、かつ、トッププレート５の外径以下である。図１に示す例では、下部突出部３１５は、ベース支持部３１４の下端部から径方向外方に広がる。下部突出部３１５の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
【００１９】
複数のチャック３１２は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部３１１の上面の外周部に周方向に配置される。基板保持部３１では、複数のチャック３１２により、基板９の外縁部が支持される。各チャック３１２を駆動する構造は、ベース支持部３１４の内部に設けられる。複数の係合部３１３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部３１１の上面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部３１３は、複数のチャック３１２よりも径方向外側に配置される。
【００２０】
基板回転機構３３は、回転機構収容部３４の内部に収容される。基板回転機構３３および回転機構収容部３４は、基板保持部３１の下方に配置される。基板回転機構３３は、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部３１と共に回転する。
【００２１】
回転機構収容部３４は、基板回転機構３３の上方を覆う略円環板状の上面３４１と、基板回転機構３３の側方を覆う略円筒状の側面３４２とを備える。回転機構収容部３４の上面３４１の中央部には、基板回転機構３３の回転軸３３１が挿入される開口が設けられる。回転軸３３１は、ベース支持部３１４の下面に接続される。回転機構収容部３４の上面３４１は、回転軸３３１から径方向に離間して径方向外方へと広がる。回転機構収容部３４の上面３４１は、間隙を介してベース支持部３１４の下面と上下方向に対向する。以下の説明では、当該間隙、すなわち、回転機構収容部３４の上面３４１とベース支持部３１４の下面との間の空間を、「保持部下方間隙３１０」という。
【００２２】
カップ部４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状の部材であり、基板９および基板保持部３１の径方向外側に配置される。カップ部４は、基板９および基板保持部３１の周囲の全周に亘って配置され、基板９から周囲に向かって飛散する処理液等を受ける。カップ部４は、第１ガード４１と、第２ガード４２と、ガード移動機構４３と、排出ポート４４とを備える。
【００２３】
第１ガード４１は、第１ガード側壁部４１１と、第１ガード天蓋部４１２とを有する。第１ガード側壁部４１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。第１ガード天蓋部４１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、第１ガード側壁部４１１の上端部から径方向内方に広がる。第２ガード４２は、第２ガード側壁部４２１と、第２ガード天蓋部４２２とを有する。第２ガード側壁部４２１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、第１ガード側壁部４１１よりも径方向外側に位置する。第２ガード天蓋部４２２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、第１ガード天蓋部４１２よりも上方にて第２ガード側壁部４２１の上端部から径方向内方に広がる。
【００２４】
第１ガード天蓋部４１２の内径および第２ガード天蓋部４２２の内径は、基板保持部３１の保持ベース部３１１の外径およびトッププレート５の外径よりも僅かに大きい。第１ガード天蓋部４１２の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。第２ガード天蓋部４２２の上面および下面もそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
【００２５】
ガード移動機構４３は、第１ガード４１を上下方向に移動することにより、基板９からの処理液等を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替える。カップ部４の第１ガード４１および第２ガード４２にて受けられた処理液等は、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。また、第１ガード４１内および第２ガード４２内のガスも排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。
【００２６】
トッププレート５は、平面視において略円形の部材である。トッププレート５は、基板９の上面９１に対向する対向部材であり、基板９の上方を遮蔽する遮蔽板である。トッププレート５の外径は、基板９の外径、および、保持ベース部３１１の外径よりも大きい。トッププレート５は、対向部材本体５１と、被保持部５２と、複数の係合部５３とを備える。対向部材本体５１は、対向部材天蓋部５１１と、対向部材側壁部５１２とを備える。対向部材天蓋部５１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の部材であり、基板９の上面９１に対向する。対向部材天蓋部５１１の中央部には、対向部材開口５４が設けられる。対向部材開口５４は、例えば、平面視において略円形である。対向部材開口５４の直径は、基板９の直径に比べて十分に小さい。対向部材側壁部５１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材であり、対向部材天蓋部５１１の外周部から下方に広がる。
【００２７】
複数の係合部５３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、対向部材天蓋部５１１の下面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部５３は、対向部材側壁部５１２の径方向内側に配置される。
【００２８】
被保持部５２は、対向部材本体５１の上面に接続される。被保持部５２は、対向部材筒部５２１と、対向部材フランジ部５２２とを備える。対向部材筒部５２１は、対向部材本体５１の対向部材開口５４の周囲から上方に突出する略筒状の部位である。対向部材筒部５２１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。対向部材フランジ部５２２は、対向部材筒部５２１の上端部から径方向外方に環状に広がる。対向部材フランジ部５２２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。
【００２９】
対向部材移動機構６は、対向部材保持部６１と、対向部材昇降機構６２とを備える。対向部材保持部６１は、トッププレート５の被保持部５２を保持する。対向部材保持部６１は、保持部本体６１１と、本体支持部６１２と、フランジ支持部６１３と、支持部接続部６１４とを備える。保持部本体６１１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状である。保持部本体６１１は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の上方を覆う。本体支持部６１２は、略水平に延びる棒状のアームである。本体支持部６１２の一方の端部は保持部本体６１１に接続され、他方の端部は対向部材昇降機構６２に接続される。
【００３０】
保持部本体６１１の中央部からは処理液ノズル７１が下方に突出する。処理液ノズル７１は、対向部材筒部５２１に非接触状態で挿入される。以下の説明では、処理液ノズル７１と対向部材筒部５２１との間の空間を「ノズル間隙５６」と呼ぶ。
【００３１】
フランジ支持部６１３は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。フランジ支持部６１３は、対向部材フランジ部５２２の下方に位置する。フランジ支持部６１３の内径は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外径よりも小さい。フランジ支持部６１３の外径は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外径よりも大きい。支持部接続部６１４は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。支持部接続部６１４は、フランジ支持部６１３と保持部本体６１１とを対向部材フランジ部５２２の周囲にて接続する。対向部材保持部６１では、保持部本体６１１は対向部材フランジ部５２２の上面と上下方向に対向する保持部上部であり、フランジ支持部６１３は対向部材フランジ部５２２の下面と上下方向に対向する保持部下部である。
【００３２】
図１に示す位置にトッププレート５が位置する状態では、フランジ支持部６１３は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外周部に下側から接して支持する。換言すれば、対向部材フランジ部５２２が、対向部材移動機構６の対向部材保持部６１により保持される。これにより、トッププレート５が、基板９および基板保持部３１の上方にて、対向部材保持部６１により吊り下げられる。以下の説明では、図１に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第１の位置」という。トッププレート５は、第１の位置にて、対向部材移動機構６により保持されて基板保持部３１から上方に離間する。
【００３３】
フランジ支持部６１３には、トッププレート５の位置ずれ（すなわち、トッププレート５の移動および回転）を制限する移動制限部６１６が設けられる。図１に示す例では、移動制限部６１６は、フランジ支持部６１３の上面から上方に突出する突起部である。移動制限部６１６が、対向部材フランジ部５２２に設けられた孔部に挿入されることにより、トッププレート５の位置ずれが制限される。
【００３４】
対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を対向部材保持部６１と共に上下方向に移動させる。図２は、トッププレート５が図１に示す第１の位置から下降した状態を示す断面図である。以下の説明では、図２に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第２の位置」という。すなわち、対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を第１の位置と第２の位置との間で基板保持部３１に対して相対的に上下方向に移動する。第２の位置は、第１の位置よりも下方の位置である。換言すれば、第２の位置は、トッププレート５が第１の位置よりも上下方向において基板保持部３１に近接する位置である。
【００３５】
トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、トッププレート５の複数の係合部５３がそれぞれ、基板保持部３１の複数の係合部３１３と係合する。複数の係合部５３は、複数の係合部３１３により下方から支持される。換言すれば、複数の係合部３１３はトッププレート５を支持する対向部材支持部である。例えば、係合部３１３は、上下方向に略平行なピンであり、係合部３１３の上端部が、係合部５３の下端部に上向きに形成された凹部に嵌合する。また、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２は、対向部材保持部６１のフランジ支持部６１３から上方に離間する。これにより、トッププレート５は、第２の位置にて、基板保持部３１により保持されて対向部材移動機構６から離間する（すなわち、対向部材移動機構６と非接触状態となる。）。
【００３６】
トッププレート５が基板保持部３１により保持された状態では、トッププレート５の対向部材側壁部５１２の下端が、基板保持部３１の保持ベース部３１１の上面よりも下方、または、保持ベース部３１１の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。トッププレート５が第２の位置に位置する状態で基板回転機構３３が駆動されると、トッププレート５は、基板９および基板保持部３１と共に回転する。換言すれば、トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、トッププレート５は、基板回転機構３３により基板９および基板保持部３１と共に中心軸Ｊ１を中心として回転可能となる。
【００３７】
図３は、基板処理装置１におけるガスおよび処理液の供給に係る気液供給部７を示すブロック図である。気液供給部７は、処理液ノズル７１と、処理液供給部７２と、ガス供給部７３とを備える。処理液供給部７２は、処理液ノズル７１に接続され、処理液ノズル７１に処理液を供給する。ガス供給部７３は、処理液ノズル７１に接続され、処理液ノズル７１にガスを供給する。ガス供給部７３は、また、回転機構収容部３４にも接続され、回転機構収容部３４を介して保持部下方間隙３１０にガスを供給する。
【００３８】
基板処理装置１では、処理液として、様々な種類の液体が利用される。処理液は、例えば、基板９の薬液処理に用いられる薬液（ポリマー除去液、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液等）であってもよい。処理液は、例えば、基板９の洗浄処理に用いられる純水（ＤＩＷ：deionized water）や炭酸水等の洗浄液であってもよい。処理液は、例えば、基板９上の液体を置換するために供給されるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等であってもよい。ガス供給部７３から供給されるガスは、例えば、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスである。ガス供給部７３からは、不活性ガス以外の様々なガスが供給されてもよい。
【００３９】
図４は、処理液ノズル７１の一部を拡大して示す断面図である。処理液ノズル７１は、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）により形成される。処理液ノズル７１の内部には、処理液流路７１６と、２つのガス流路７１７とが設けられる。処理液流路７１６は、図３に示す処理液供給部７２に接続される。２つのガス流路７１７は、図３に示すガス供給部７３に接続される。
【００４０】
処理液供給部７２から図４に示す処理液流路７１６に供給された処理液は、処理液ノズル７１の下端面に設けられた吐出口７１６ａから下方へと吐出される。処理液ノズル７１から複数種類の処理液が吐出される場合、処理液ノズル７１には、複数種類の処理液にそれぞれ対応する複数の処理液流路７１６が設けられ、複数種類の処理液はそれぞれ複数の吐出口７１６ａから吐出されてもよい。
【００４１】
ガス供給部７３から中央のガス流路７１７（図中の右側のガス流路７１７）に供給された不活性ガスは、処理液ノズル７１の下端面に設けられた下面噴射口７１７ａから下方に向けて供給（例えば、噴射）される。ガス供給部７３から外周部のガス流路７１７に供給された不活性ガスは、処理液ノズル７１の側面に設けられた複数の側面噴射口７１７ｂから周囲に供給される。
【００４２】
複数の側面噴射口７１７ｂは周方向に略等角度間隔にて配列される。複数の側面噴射口７１７ｂは、外周部のガス流路７１７の下端部から周方向に延びる周状流路に接続される。ガス供給部７３から供給された不活性ガスは、複数の側面噴射口７１７ｂから、斜め下方に向けて供給（例えば、噴射）される。なお、側面噴射口７１７ｂは１つだけ設けられてもよい。
【００４３】
処理液供給部７２（図３参照）から供給された処理液は、処理液ノズル７１の吐出口７１６ａから、図２に示す対向部材開口５４を介して基板９の上面９１に向けて吐出される。換言すれば、処理液ノズル７１は、処理液供給部７２から供給された処理液を、対向部材開口５４を介して基板９の上面９１に供給する。基板処理装置１では、処理液ノズル７１は、対向部材本体５１の対向部材開口５４から下方に突出してもよい。換言すれば、処理液ノズル７１の先端が、対向部材開口５４の下端縁よりも下方に位置してもよい。処理液供給部７２から供給された処理液は、処理液ノズル７１内にて対向部材開口５４を介して下方に流れ、処理液ノズル７１の吐出口７１６ａ（図４参照）から基板９の上面９１に向けて吐出される。処理液が対向部材開口５４を介して供給されるという場合、対向部材開口５４よりも上方にて処理液ノズル７１から吐出された処理液が対向部材開口５４を通過する状態のみならず、対向部材開口５４に挿入された処理液ノズル７１を介して処理液が吐出される状態も含む。
【００４４】
ガス供給部７３（図３参照）から処理液ノズル７１に供給された不活性ガスの一部は、処理液ノズル７１の下面噴射口７１７ａ（図４参照）から、対向部材開口５４を介してトッププレート５と基板９との間の空間（以下、「処理空間９０」という。）に供給される。また、ガス供給部７３から処理液ノズル７１に供給された不活性ガスの一部は、処理液ノズル７１の複数の側面噴射口７１７ｂ（図４参照）からノズル間隙５６へと供給される。ノズル間隙５６では、ガス供給部７３からの不活性ガスが、処理液ノズル７１の側面から斜め下方に向かって供給されて下方に向かって流れ、処理空間９０へと供給される。
【００４５】
基板処理装置１では、基板９の処理は、好ましくは処理空間９０に処理液ノズル７１から不活性ガスが供給されて処理空間９０が不活性ガス雰囲気となっている状態で行われる。換言すれば、ガス供給部７３から処理空間９０に供給されるガスは、処理雰囲気用ガスである。処理雰囲気用ガスには、処理液ノズル７１からノズル間隙５６へと供給され、ノズル間隙５６を介して処理空間９０に供給されるガスも含まれる。
【００４６】
ガス供給部７３から回転機構収容部３４に供給された不活性ガスは、回転軸３３１に沿って保持部下方間隙３１０へと下方から供給され、保持部下方間隙３１０において径方向外方へと拡がる。これにより、保持部下方間隙３１０の中央部から径方向外方へと向かう不活性ガスの気流が形成され、回転軸３３１の周囲、および、保持部下方間隙３１０が不活性ガスによりパージされる。すなわち、保持部下方間隙３１０に供給されるガスは、回転軸３３１を封止するためのパージガスである。保持部下方間隙３１０の外周部へと達した当該パージガスは、下部突出部３１５の下面に沿って径方向外方へと流れる。図３に示す例では、ガス供給部７３は、パージガスの供給源であるパージガス供給部であり、かつ、処理雰囲気用ガスの供給源である処理雰囲気用ガス供給部でもある。そして、処理雰囲気用ガスとパージガスとが同じ種類のガスである。なお、処理雰囲気用ガスとパージガスとは、異なる種類のガスであってもよい。
【００４７】
次に、基板処理装置１における基板９の処理の流れの一例について、図５を参照しつつ説明する。まず、トッププレート５が図１に示す第１の位置に位置する状態で、基板９がハウジング１１内に搬入され、基板保持部３１により保持される（ステップＳ１１）。このとき、トッププレート５は対向部材移動機構６の対向部材保持部６１により保持されている。
【００４８】
続いて、対向部材昇降機構６２により対向部材保持部６１が下方へと移動される。これにより、トッププレート５が第１の位置から第２の位置へと下方に移動し、図２に示すように、トッププレート５が基板保持部３１により保持される（ステップＳ１２）。そして、ガス供給部７３から処理液ノズル７１を介して、ノズル間隙５６および処理空間９０に不活性ガス（すなわち、処理雰囲気用ガス）の供給が開始される。また、ガス供給部７３から回転機構収容部３４を介して、保持部下方間隙３１０に不活性ガス（すなわち、パージガス）の供給が開始される。
【００４９】
次に、基板回転機構３３により、基板保持部３１、基板９およびトッププレート５の回転が開始される（ステップＳ１３）。処理液ノズル７１からの不活性ガスの供給、および、保持部下方間隙３１０への不活性ガスの供給は、ステップＳ１３以降も継続される。そして、処理液供給部７２から処理液ノズル７１へと第１処理液が供給され、第２の位置に位置するトッププレート５の対向部材開口５４を介して、回転中の基板９の上面９１の中央部に供給される（ステップＳ１４）。
【００５０】
処理液ノズル７１から基板９の中央部に供給された第１処理液は、基板９の回転により、基板９の中央部から径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１全体に付与される。第１処理液は、基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部４の第１ガード４１により受けられる。図２に示す第１ガード４１の上下方向の位置は、基板９からの処理液を受ける位置であり、以下の説明では「受液位置」という。
【００５１】
第１ガード４１が受液位置に位置する状態では、第１ガード４１の内側の空間（以下、「第１ガード内空間４１０」という。）の雰囲気が、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。また、処理空間９０の雰囲気が第１ガード内空間４１０および排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。処理空間９０および第１ガード内空間４１０の雰囲気には、第１処理液のミスト等が含まれる。第１ガード内空間４１０は、第１ガード４１と基板保持部３１とに囲まれる環状の空間である。具体的には、第１ガード内空間４１０は、第１ガード天蓋部４１２よりも下方の空間であって、第１ガード側壁部４１１よりも径方向内側、かつ、第１ガード天蓋部４１２の内周縁よりも径方向外側の空間を意味する。第１ガード４１が受液位置に位置する状態では、保持部下方間隙３１０から径方向外方に流れるパージガスは、下部突出部３１５の下面に沿って第１ガード内空間４１０へと流入し、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。基板処理装置１では、第１処理液が基板９に対して所定時間付与されることにより、第１処理液による基板９の処理が終了する。
【００５２】
第１処理液は、例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液であり、ステップＳ１４において、基板９に対する薬液処理が行われる。なお、第１処理液の供給（ステップＳ１４）は、基板９の回転開始（ステップＳ１３）よりも前に行われてもよい。この場合、静止状態の基板９の上面９１全体に第１処理液がパドル（液盛り）され、第１処理液によるパドル処理が行われる。
【００５３】
第１処理液による基板９の処理が終了すると、処理液ノズル７１からの第１処理液の供給が停止される。そして、ガード移動機構４３により第１ガード４１が下方に移動され、図６に示すように、上述の受液位置よりも下方の待避位置へと位置する。これにより、基板９からの処理液を受けるガードが、第１ガード４１から第２ガード４２に切り替えられる。すなわち、ガード移動機構４３は、第１ガード４１を受液位置と待避位置との間で上下方向に移動することにより、基板９からの処理液を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替えるガード切替機構である。
【００５４】
第１ガード４１が待避位置に位置する状態では、ベース支持部３１４から径方向外方へと広がる下部突出部３１５が、第１ガード天蓋部４１２の内周縁へと向かう。下部突出部３１５の外周縁と第１ガード天蓋部４１２の内周縁とは、上下方向のおよそ同じ位置に位置し、僅かな間隙を介して径方向に対向する。
【００５５】
続いて、処理液供給部７２から処理液ノズル７１へと第２処理液が供給され、第２の位置に位置するトッププレート５の対向部材開口５４を介して、回転中の基板９の上面９１の中央部に供給される（ステップＳ１５）。処理液ノズル７１から基板９の中央部に供給された第２処理液は、基板９の回転により、基板９の中央部から径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１全体に付与される。第２処理液は、基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部４の第２ガード４２により受けられる。
【００５６】
第１ガード４１が待避位置に位置する状態では、第２ガード４２の内側の空間（以下、「第２ガード内空間４２０」という。）の雰囲気が、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。また、処理空間９０の雰囲気が第２ガード内空間４２０および排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。処理空間９０および第２ガード内空間４２０の雰囲気には、第２処理液のミスト等が含まれる。第２ガード内空間４２０は、第２ガード４２と基板保持部３１とに囲まれる環状の空間である。具体的には、第２ガード内空間４２０は、第２ガード天蓋部４２２よりも下方の空間であって、第２ガード側壁部４２１よりも径方向内側、かつ、第２ガード天蓋部４２２の内周縁よりも径方向外側の空間を意味する。
【００５７】
第１ガード４１が待避位置に位置する状態においても、保持部下方間隙３１０から径方向外方に流れるパージガスは、下部突出部３１５の下面に沿って第１ガード内空間４１０へと流入し、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。基板処理装置１では、第２処理液が基板９に対して所定時間付与されることにより、第２処理液による基板９の処理が終了する。第２処理液は、例えば、純水や炭酸水等の洗浄液であり、ステップＳ１５において、基板９に対する洗浄処理が行われる。
【００５８】
第２処理液による基板９の処理が終了すると、処理液ノズル７１からの第２処理液の供給が停止される。そして、ガス供給部７３により処理液ノズル７１の側面からノズル間隙５６に向けて噴射される不活性ガスの流量が増大する。また、処理液ノズル７１の下端面から処理空間９０に向けて噴射される不活性ガスの流量も増大する。さらに、基板回転機構３３による基板９の回転速度が増大する。これにより、基板９の上面９１上に残っている第２処理液等が径方向外方へと移動して基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部４の第２ガード４２により受けられる。基板９の回転が所定の時間だけ継続されることにより、基板９の上面９１上から処理液を除去する乾燥処理が行われる（ステップＳ１６）。
【００５９】
基板９の乾燥処理が終了すると、基板回転機構３３による基板保持部３１、基板９およびトッププレート５の回転が停止される（ステップＳ１７）。また、ガス供給部７３からノズル間隙５６、処理空間９０および保持部下方間隙３１０への不活性ガスの供給が停止される。次に、対向部材昇降機構６２により対向部材保持部６１が上方に移動することにより、トッププレート５が、第２の位置から図１に示す第１の位置へと上方に移動する（ステップＳ１８）。トッププレート５は、基板保持部３１から上方に離間して対向部材保持部６１により保持される。その後、基板９がハウジング１１から搬出される（ステップＳ１９）。基板処理装置１では、複数の基板９に対して、上述のステップＳ１１〜Ｓ１９が順次行われ、複数の基板９が順次処理される。
【００６０】
以上に説明したように、基板処理装置１では、第２の位置に位置するトッププレート５が基板保持部３１により保持され、基板回転機構３３により基板９および基板保持部３１と共に回転する。ガス供給部７３は、トッププレート５と基板９との間の処理空間９０に処理雰囲気用ガスを供給する。これにより、処理空間９０を所望のガス雰囲気として、基板９の処理を当該ガス雰囲気にて行うことができる。例えば、処理空間９０に不活性ガスを供給する場合、基板９を不活性ガス雰囲気（すなわち、低酸素雰囲気）にて処理することができる。
【００６１】
上述のように、基板保持部３１は、保持ベース部３１１と、複数のチャック３１２と、複数の係合部３１３と、ベース支持部３１４とを備える。複数のチャック３１２および複数の係合部３１３は、保持ベース部３１１の上面に配置され、複数の係合部３１３は複数のチャック３１２よりも径方向外側に位置する。保持ベース部３１１は、ベース支持部３１４により下方から支持されるとともにベース支持部３１４よりも径方向外方に広がる。これにより、複数のチャック３１２および複数の係合部３１３を保持ベース部３１１上に容易に配置することができるとともに、ベース支持部３１４の小径化による基板保持部３１の質量低減を実現することができる。その結果、基板保持部３１を回転させる基板回転機構３３にかかる負荷を軽減することができる。
【００６２】
基板処理装置１では、上述のように、カップ部４は、第１ガード４１と、第２ガード４２と、ガード移動機構４３と、排出ポート４４とを備える。ガード移動機構４３は、第１ガード４１を受液位置と待避位置との間で上下方向に移動することにより、基板９からの処理液を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替える。第１ガード４１内および第２ガード４２内のガスは、排出ポート４４を介して排出される。また、保持ベース部３１１よりも下方においてベース支持部３１４から径方向外方に広がる略円環状の下部突出部３１５が設けられる。下部突出部３１５は、第１ガード４１が待避位置に位置する状態では、第１ガード天蓋部４１２の内周縁へと向かう。
【００６３】
下部突出部３１５が設けられることにより、第１ガード４１が待避位置に位置する状態において、第１ガード内空間４１０が第２ガード内空間４２０から実質的に隔離され、第１ガード４１と第２ガード４２との間のガスの流れを抑制することができる。これにより、第１処理液（例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液）のミスト等を含む第１ガード内空間４１０内の雰囲気が、第２ガード内空間４２０へと流入することを抑制することができる。その結果、第２処理液（例えば、基板９の洗浄処理に利用される洗浄液）を受ける第２ガード４２の内面に第１処理液のミスト等が付着して第２ガード４２が汚染されることを抑制し、第２処理液による基板９の処理を好適に行うことができる。
【００６４】
上述のように、トッププレート５の外径は、保持ベース部３１１の外径よりも大きい。これにより、処理空間９０が所望の処理雰囲気用ガスに満たされている状態を容易に維持することができる。また、下部突出部３１５の外径は、保持ベース部３１１の外径よりも大きく、かつ、トッププレート５の外径以下である。これにより、第１ガード４１が待避位置に位置する状態において、第１ガード４１と第２ガード４２との間のガスの流れを、より一層抑制することができる。
【００６５】
さらに、トッププレート５は、基板９の上面９１に対向する略円環板状の対向部材天蓋部５１１と、対向部材天蓋部５１１の外周部から下方に広がる略円筒状の対向部材側壁部５１２とを備える。対向部材側壁部５１２の下端は、保持ベース部３１１の上面よりも下方、または、保持ベース部３１１の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。これにより、所望の処理雰囲気用ガスに満たされている処理空間９０に、処理空間９０の周囲の空間（すなわち、処理空間９０の径方向外側の空間）の雰囲気が侵入することを抑制することができる。
【００６６】
上述のように、ガス供給部７３は、保持部下方間隙３１０にパージガスを供給し、保持部下方間隙３１０の中央部から径方向外方へと向かうパージガスの気流を形成するパージガス供給部である。また、下部突出部３１５は、ベース支持部３１４に設けられる。これにより、第１ガード４１が受液位置に位置する状態、および、待避位置に位置する状態の双方において、保持部下方間隙３１０から径方向外方に流れるパージガスは、下部突出部３１５の下面に沿って第１ガード内空間４１０へと導かれる。したがって、回転軸３３１を封止するためのパージガスが、比較的清浄な第２ガード内空間４２０へと流入することを抑制することができる。その結果、第２処理液（例えば、基板９の洗浄処理に利用される洗浄液）を受ける第２ガード４２がパージガスにより汚染されることを抑制し、第２処理液による基板９の処理を好適に行うことができる。
【００６７】
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａを示す断面図である。基板処理装置１ａは、図１に示す下部突出部３１５とは異なる位置に下部突出部３１５ａが設けられる点を除き、図１に示す基板処理装置１とおよそ同様の構成を備える。以下の説明では、基板処理装置１ａの構成のうち基板処理装置１と同様の構成に同符号を付す。図７では、トッププレート５が上述の第２の位置に位置し、第１ガード４１が待避位置に位置する状態を示す。
【００６８】
基板処理装置１ａでは、下部突出部３１５ａは、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状の部材であり、回転機構収容部３４の側面から径方向外方に広がる。下部突出部３１５ａは、保持ベース部３１１よりも下方において、保持ベース部３１１から離間して設けられる。下部突出部３１５ａの外径は、保持ベース部３１１の外径よりも大きく、かつ、トッププレート５の外径以下である。図７に示す例では、下部突出部３１５ａは、回転機構収容部３４の上端部から径方向外方に広がる。下部突出部３１５ａの上面は、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
【００６９】
図７に示すように、第１ガード４１が待避位置に位置する状態では、回転機構収容部３４から径方向外方へと広がる下部突出部３１５ａが、第１ガード天蓋部４１２の内周縁へと向かう。下部突出部３１５ａの外周縁と第１ガード天蓋部４１２の内周縁とは、上下方向のおよそ同じ位置に位置し、僅かな間隙を介して径方向に対向する。基板処理装置１ａにおける基板９の処理の流れは、基板処理装置１における基板９の処理の流れと同様である。
【００７０】
基板処理装置１ａでは、下部突出部３１５ａが設けられることにより、第１ガード４１が待避位置に位置する状態において、第１ガード内空間４１０が第２ガード内空間４２０から実質的に隔離され、第１ガード４１と第２ガード４２との間のガスの流れを抑制することができる。これにより、第１処理液（例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液）のミスト等を含む第１ガード内空間４１０内の雰囲気が、第２ガード内空間４２０へと流入することを抑制することができる。その結果、第２処理液（例えば、基板９の洗浄処理に利用される洗浄液）を受ける第２ガード４２の内面に第１処理液のミスト等が付着して第２ガード４２が汚染されることを抑制し、第２処理液による基板９の処理を好適に行うことができる。
【００７１】
上述のように、トッププレート５の外径は、保持ベース部３１１の外径よりも大きい。これにより、処理空間９０が所望の処理雰囲気用ガスに満たされている状態を容易に維持することができる。また、下部突出部３１５ａの外径は、保持ベース部３１１の外径よりも大きく、かつ、トッププレート５の外径以下である。これにより、第１ガード４１が待避位置に位置する状態において、第１ガード４１と第２ガード４２との間のガスの流れを、より一層抑制することができる。
【００７２】
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置１ｂを示す断面図である。基板処理装置１ｂは、図１に示す基板保持部３１に代えて基板保持部３１とは異なる構造を有する基板保持部３１ａを備える点を除き、図１に示す基板処理装置１とおよそ同様の構成を備える。以下の説明では、基板処理装置１ｂの構成のうち基板処理装置１と同様の構成に同符号を付す。図８では、トッププレート５が上述の第２の位置に位置し、第１ガード４１が待避位置に位置する状態を示す。
【００７３】
図８に示すように、基板保持部３１ａは、保持ベース部３１１ａと、複数のチャック３１２と、複数の係合部３１３と、ベース支持部３１４とを備える。保持ベース部３１１ａは、ベース本体部３１６と、ベース側壁部３１７とを備える。ベース本体部３１６は、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材であり、上面上に複数のチャック３１２および複数の係合部３１３が設けられる。ベース側壁部３１７は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材であり、ベース本体部３１６の外周部から下方に広がる。ベース側壁部３１７は、ベース支持部３１４の周囲においてベース支持部３１４から径方向外側に離間して配置される。
【００７４】
基板処理装置１ｂでは、ベース本体部３１６が周方向の全周に亘ってベース支持部３１４よりも径方向外方に広がることにより、複数のチャック３１２および複数の係合部３１３を保持ベース部３１１ａ上に容易に配置することができるとともに、ベース支持部３１４の小径化による基板保持部３１ａの質量低減を実現することができる。その結果、基板保持部３１ａを回転させる基板回転機構３３にかかる負荷を軽減することができる。
【００７５】
図８に示すように、トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、対向部材側壁部５１２の下端が、基板保持部３１ａの保持ベース部３１１ａの上面よりも下方、または、保持ベース部３１１ａの上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。第１ガード４１が待避位置に位置する状態では、第１ガード天蓋部４１２の内周縁が、ベース側壁部３１７の外側面（すなわち、保持ベース部３１１ａの外側面）と径方向に対向する。基板処理装置１ｂにおける基板９の処理の流れは、基板処理装置１における基板９の処理の流れと同様である。
【００７６】
基板処理装置１ｂでは、第１ガード天蓋部４１２の内周縁が保持ベース部３１１ａの外側面と径方向に対向することにより、第１ガード４１が待避位置に位置する状態において、第１ガード内空間４１０が第２ガード内空間４２０から実質的に隔離され、第１ガード４１と第２ガード４２との間のガスの流れを抑制することができる。これにより、第１処理液（例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液）のミスト等を含む第１ガード内空間４１０内の雰囲気が、第２ガード内空間４２０へと流入することを抑制することができる。その結果、第２処理液（例えば、基板９の洗浄処理に利用される洗浄液）を受ける第２ガード４２の内面に第１処理液のミスト等が付着して第２ガード４２が汚染されることを抑制し、第２処理液による基板９の処理を好適に行うことができる。
【００７７】
上述の基板処理装置１，１ａ，１ｂは、様々な変更が可能である。
【００７８】
例えば、カップ部４は、第１ガード４１および第２ガード４２に加えて、第２ガード４２の周囲に配置される１つまたは複数のガードが設けられてもよい。この場合も、上記と同様に、基板９からの処理液を受けるガードが、第１ガード４１および第２ガード４２を含む複数のガードの間で切り替えられる。
【００７９】
図１および図７に示す基板処理装置１，１ａでは、トッププレート５の対向部材本体５１は、必ずしも対向部材側壁部５１２を備える必要はなく、対向部材天蓋部５１１が対向部材本体５１であってもよい。また、下部突出部３１５，３１５ａの外径は、保持ベース部３１１の外径以下であってもよく、あるいは、トッププレート５の外径よりも大きくてもよい。
【００８０】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
【符号の説明】
【００８１】
１，１ａ，１ｂ    基板処理装置
４    カップ部
５    トッププレート
９    基板
３１，３１ａ    基板保持部
３３    基板回転機構
３４    回転機構収容部
４１    第１ガード
４２    第２ガード
４３    ガード移動機構
４４    排出ポート
５４    対向部材開口
７２    処理液供給部
７３    ガス供給部
９１    （基板の）上面
３１０    保持部下方間隙
３１１，３１１ａ    保持ベース部
３１２    チャック
３１３    係合部
３１４    ベース支持部
３１５，３１５ａ    下部突出部
４１１    第１ガード側壁部
４１２    第１ガード天蓋部
４２１    第２ガード側壁部
４２２    第２ガード天蓋部
５１１    対向部材天蓋部
５１２    対向部材側壁部
Ｊ１    中心軸
Ｓ１１〜Ｓ１９    ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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