(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、前記基板をその中心軸を中心に回転しつつ、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の形成時において、前記基板回転速度を略一定に保持し、かつ、
前記低屈折率層の単層の形成時、または、前記高屈折率層の単層の形成時、のいずれか一方のみにおける前記基板の回転数が整数になるように、前記低屈折率層形成時および前記高屈折率層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で制御する、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項２】
前記低屈折率層がＭｏ層であり、前記高屈折率層がＳｉ層であり、
前記Ｍｏ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を制御する、請求項１に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項３】
前記低屈折率層がモリブデン（Ｍｏ）層であり、前記高屈折率層がケイ素（Ｓｉ）層であり、
前記Ｓｉ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を制御する、請求項１に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項４】
前記反射層上に、該反射層の保護層を設ける、請求項１〜３のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項５】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、前記基板をその中心軸を中心に回転しつつ、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の形成時において、前記基板回転速度を略一定に保持し、かつ、
前記低屈折率層の単層の形成時、または、前記高屈折率層の単層の形成時、のいずれか一方のみにおける前記基板の回転数が整数になるように、前記低屈折率層形成時および前記高屈折率層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で制御する、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項６】
前記低屈折率層がＭｏ層であり、前記高屈折率層がＳｉ層であり、
前記Ｍｏ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で制御する、前記Ｍｏ層の成膜条件を制御する、請求項５に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項７】
前記低屈折率層がモリブデン（Ｍｏ）層であり、前記高屈折率層がケイ素（Ｓｉ）層であり、
前記Ｓｉ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で制御する、請求項５に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項８】
前記反射層と、前記吸収体層と、の間に、前記反射層の保護層を設ける、請求項５〜７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項９】
前記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層をさらに形成する、請求項５〜８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用マスクブランク」という。）の製造方法に関する。
また、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法に関する。なお、ＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの前駆体として用いられる。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（波長：１９３ｎｍ）の液浸法を用いても、その露光波長は４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍよりも短い波長を用いる次世代の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度（１３．２〜１３．８ｎｍ程度）の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶＬ用マスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。
上記反射層と吸収層の間には、通常、保護層が形成される。該保護層は、吸収層にパターン形成する目的で実施されるエッチングプロセスによって反射層がダメージを受けないように、該反射層を保護する目的で設けられる。
【０００５】
反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる高屈折率層と、を交互に積層することで、ＥＵＶ光をその表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。このような多層反射膜としては、具体的にはたとえば、低屈折率層であるモリブデン（Ｍｏ）層と高屈折率層であるケイ素（Ｓｉ）層とで構成されるｂｉｌａｙｅｒを複数積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜がある。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【０００６】
近年、ＥＵＶＬマスクブランクの光学的な仕様として、高反射率であることだけでなく、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長（例えば１３．５ｎｍ）の面内分布が小さいことが年々求められている。例えば、中心波長の面内分布に関しては０．０４ｎｍ以下を満たすことが求められている。中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以下を満たすためには、多層反射膜の膜厚の高い面内均一性が必要となる。
従って、近年のＥＵＶＬマスクブランクにおいては、高反射率であることだけでなく、中心波長の面内分布特性に影響する多層反射膜の膜厚の面内均一性（面内分布が小さいこと）も求められている。
【０００７】
特許文献１では、多層反射膜の膜厚の面内均一性が低下する要因の一つとして、低屈折率層と高屈折率層の成膜開始時と成膜終了時の基板回転の方位角のずれによる多層反射膜の面内膜厚分布を挙げており、低屈折率層と高屈折率層の成膜開始時と成膜終了時の基板回転の方位角のずれによる多層反射膜の面内膜厚分布を抑制するため、低屈折率層と高屈折率層の各成膜レートの経時変化を想定して該低屈折率層と該高屈折率層の成膜条件を設定する、としている。
特許文献１において、低屈折率層と高屈折率層の各成膜レートの経時変化を想定した低屈折率層と該高屈折率層の成膜条件の設定の一態様では、多層反射膜を構成する各低屈折率層と高屈折率層の成膜時の基板回転数を１ｒｐｍ以上８０ｒｐｍ以下とし、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層と高屈折率層）毎に基板回転数を制御することにより、基板回転数を除々に低下させる。
特許文献１において、低屈折率層と高屈折率層の各成膜レートの経時変化を想定した低屈折率層と該高屈折率層の成膜条件の設定の別の一態様では、多層反射膜を構成する各低屈折率層と高屈折率層の成膜時の基板回転数を８０ｒｐｍ以上３００ｒｐｍ以下とし、当該基板回転数で一定または略一定とする。
なお、上記した“基板回転数”は、その単位がｒｐｍで示されているので、“基板回転速度”を指していると考えられる。
【０００８】
しかしながら、上記した特許文献１における低屈折率層と該高屈折率層の成膜条件の設定の一態様では、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層と高屈折率層）毎に基板回転数（基板回転速度）を制御する、としているが、特許文献１の図６に示すように、多層反射膜を構成する８０層以上について、１層毎に基板回転数（基板回転速度）を制御することは現実的には困難であり、仮に実施可能であったとしても、各層毎の基板回転数（基板回転速度）が安定するまでの制御に長時間を要するため、スループットが低下する。また、各層毎に基板回転数（基板回転速度）を変えた場合、回転速度の変動に伴う力学的作用で欠点が発生するおそれが増加する。
一方、上記した特許文献１における低屈折率層と該高屈折率層の成膜条件の設定の別の一態様では、多層反射膜を構成する各層成膜時の基板回転数（基板回転速度）を８０ｒｐｍ以上３００ｒｐｍ以下に制御する、としているが、このような高速で基板の回転を制御するのは現実的には困難であり、また、仮に実施可能であったとしても、欠点が発生するおそれが増加する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１４−１３０９７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、成膜条件の制御が容易であり、スループットの低下や、成膜時における欠点の発生のリスクを伴うことなしに、多層反射膜の露光光の中心波長の面内分布を抑制できるＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法、ならびに該ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造に使用されるＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記した目的を達成するため、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、前記基板をその中心軸を中心に回転しつつ、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の形成時において、前記基板回転速度を略一定に保持し、かつ、
前記低屈折率層の単層の形成時、または、前記高屈折率層の単層の形成時、のいずれか一方のみにおける前記基板の回転数が整数になるように、前記低屈折率層形成時および前記高屈折率層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で制御する、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法において、
前記低屈折率層がＭｏ層であり、前記高屈折率層がＳｉ層であり、
前記Ｍｏ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を制御することができる。
【００１３】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法において、
前記低屈折率層がモリブデン（Ｍｏ）層であり、前記高屈折率層がケイ素（Ｓｉ）層であり、
前記Ｓｉ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を制御することが好ましい。
【００１４】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法において、前記反射層上に、該反射層の保護層を設けてもよい。
【００１５】
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、前記基板をその中心軸を中心に回転しつつ、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の形成時において、前記基板の回転速度を略一定に保持し、かつ、
前記低屈折率層の単層の形成時、または、前記高屈折率層の単層の形成時、のいずれか一方のみにおける前記基板の回転数が整数になるように、前記低屈折率層形成時および前記高屈折率層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で制御する、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【００１６】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、
前記低屈折率層がＭｏ層であり、前記高屈折率層がＳｉ層であり、
前記Ｍｏ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で制御することができる。
【００１７】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、
前記低屈折率層がモリブデン（Ｍｏ）層であり、前記高屈折率層がケイ素（Ｓｉ）層であり、
前記Ｓｉ層の単層の形成時における前記基板の回転数が整数になるように、前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で前記Ｍｏ層形成時および前記Ｓｉ層形成時の基板回転速度を制御することが好ましい。
基前記Ｓｉ層の成膜条件を制御することが好ましい。
【００１８】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記反射層と、前記吸収体層と、の間に、前記反射層の保護層を設けてもよい。
【００１９】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層をさらに形成してもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、多層反射膜の形成時における基板の回転速度を略一定に保持し、かつ、低屈折率層の単層の形成時、または、高屈折率層の単層の形成時、における基板の回転数が整数になるように、低屈折率層または高屈折率層の成膜条件を制御することにより、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布を抑制できる。
本発明では、多層反射膜の形成時における基板の回転速度を略一定に保持するため、基板回転速度の制御といった成膜条件の制御が容易である。また、回転速度の変更に伴うスループットの低下がない。また、成膜時に欠点が発生するおそれが低減されている。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの実施形態を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの別の実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク」という。）の１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４とがこの順に形成されている。反射層１２と吸収層１４との間には、吸収層１４へのパターン形成時に反射層１２を保護するための保護層１３が形成されている。
なお、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクにおいて、図１に示す構成中、基板１１、反射層１２、および、吸収層１４のみが必須であり、保護層１３は任意の構成要素である。
以下、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１の個々の構成要素について説明する。
【００２３】
基板１１は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、基板１１は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えば、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。また、基板１１上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板１１は、０．１５ｎｍ  ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１１の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では、外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１１の成膜面、つまり、反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅は、６０ｎｍ以下が好ましい。
【００２４】
ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層１２表面に入射角度６度で照射した際の、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率（すなわち、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の極大値。以下、本明細書において、「ＥＵＶ光のピーク反射率」という。）は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。また、反射層１２の上に保護層１３を設けた場合であっても、ＥＵＶ光のピーク反射率は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
【００２５】
また、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層１２は、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以下を満たすことが求められている。
なお、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長とは、ＥＵＶ波長域の反射率スペクトルにおいて、ピーク反射率の半値幅（ＦＷＨＭ（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ））に対応する波長をλ1およびλ2とするとき、これらの波長の中央値（（λ1＋λ2）／２）となる波長である。
【００２６】
ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる層である低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる層である高屈折率層と、を交互に多層反射膜が広く用いられている。このような多層反射膜としては、低屈折率層としてのモリブデン（Ｍｏ）層と、高屈折率層としてのケイ素（Ｓｉ）層と、を交互に複数積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常用いられる。多層反射膜の他の具体例としては、低屈折率層としてのルテニウム（Ｒｕ）層と、高屈折率層としてのケイ素（Ｓｉ）層と、を交互に複数積層させたＲｕ／Ｓｉ多層反射膜、低屈折率層としてのモリブデン（Ｍｏ）層と、高屈折率層としてのベリリウム（Ｂｅ）層と、を交互に複数積層させたＭｏ／Ｂｅ多層反射膜、低屈折率層としてのモリブデン（Ｍｏ）化合物層と、高屈折率層としてのケイ素（Ｓｉ）化合物層と、を交互に複数積層させたＭｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜等が挙げられる。
【００２７】
多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）の膜厚、および、各層の積層の繰り返し数は、各層の構成材料や、達成するＥＵＶ光線反射率によって異なるが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光のピーク反射率が６０％以上の反射層１２とするには、例えば、膜厚２．５ｎｍのＭｏ層（低屈折率層）と、膜厚４．５ｎｍのＳｉ層（高屈折率層）と、を交互に繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させることになる。
【００２８】
なお、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）は、基板をその中心軸を中心に回転しつつ、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法により、所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、基板をその中心軸を中心に回転しつつ、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、成膜速度１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ２．５ｎｍとなるようにＭｏ層（低屈折率層）を成膜する。次に、基板をその中心軸を中心に回転しつつ、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、成膜速度１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層（高屈折率層）を成膜する。上記の手順でＭｏ層およびＳｉ層を３０〜６０組積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
【００２９】
本発明では、多層反射膜の形成時において、基板回転速度を１０ｒｐｍ以上７５ｒｐｍ以下の範囲で略一定に保持する。具体的には、多層反射膜を構成する全ての層の形成時において、基板回転速度を略一定に保持する。そのため、基板回転速度の変更に伴うスループットの低下や、欠点が発生するおそれが解消されている。
本明細書において、略一定に保持するとは、設定した基板回転速度に対して各層の成膜時間の平均基板回転速度が±１％の範囲の変動を許容することを意味する。
上記の範囲の基板回転速度の変動であれば、後述するＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布を抑制する作用が阻害されないためである。
【００３０】
基板回転速度を１０ｒｐｍ以上とする理由は、一回転当りの膜厚を薄くできるため、回転毎の膜厚にバラツキがあったとしても、１層の膜に成長した際の膜厚均質性に優れるからである。
また、基板回転速度を７５ｒｐｍ以下とする理由は、７５ｒｐｍより高速で回転させると、欠点が発生するおそれが増加するからである。
基板回転速度は１５ｒｐｍ以上６０ｒｐｍ以下の範囲で略一定に保持することが好ましく、２０ｒｐｍ以上４５ｒｐｍ以下の範囲で略一定に保持することがより好ましい。
【００３１】
上述したように、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）は、基板をその中心軸を中心に回転しつつ、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法により、所望の厚さになるように成膜することにより形成される。本発明では、低屈折率層の単層の形成時、または、高屈折率層の単層の形成時、における基板の回転数が整数になるように、基板回転速度を上記の範囲内で制御する。
低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成時における基板の回転数が整数とは、以下を意味する。
これは低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の成膜時間と基板回転速度の積が整数となることと同義であり、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の成膜開始時と終了時の基板回転角度が一致することを意味する。
上述したように、多層反射膜を構成する全ての層の形成時において、基板回転速度を略一定に保持する。そのため、低屈折率層の単層の形成時、または、高屈折率層の単層の形成時のいずれか一方についてのみ基板の回転数が整数になる。すなわち、低屈折率層の単層の形成時に基板の回転数が整数になる場合は、高屈折率層の単層の形成時は基板の回転数が整数にならない。また、高屈折率層の単層の形成時に基板の回転数が整数になる場合は、低屈折率層の単層の形成時は基板の回転数が整数にならない。
但し、多層反射膜を構成する全ての低屈折率層について、単層の形成時における基板回転数が整数になる、または、多層反射膜を構成する全ての高屈折率層について、単層の形成時における基板回転数が整数になる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する全てのＭｏ層の形成時における基板回転数が整数になる。または、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する全てのＳｉ層の形成時における基板回転数が整数になる。
本発明では、低屈折率層の単層の形成時、または、高屈折率層の単層の形成時、における基板の回転数が整数となることで、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布が抑制される。この理由は、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の成膜開始時と終了時の基板回転角度が一致することで、基板回転方向の全周にわたって膜厚の均質性が高く、したがって中心波長の面内分布が抑制されるためである。
なお、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布を抑制するためには、多層反射膜を構成する低屈折率層、高屈折率層のうち、成膜速度が大きいほうについて、単層の形成時の基板の回転数が整数になるように、基板回転速度を上記の範囲内で制御することが好ましい。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、成膜速度が大きいＳｉ層について、単層の形成時の基板の回転数が整数になるように、基板回転速度を上記の範囲内で制御することが好ましい。
【００３２】
低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成時における基板の回転数は、基板回転速度と、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成に要する成膜時間と、の積（下記式）で示される。
基板の回転数（回／層）  ＝  基板回転速度（ｒｐｍ）  ×  成膜時間（ｍｉｎ／層）
したがって、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成時における基板の回転数を整数にするためには、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成時における基板回転速度、および、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成に要する成膜時間のうちいずれか一方、または、これら両方を制御すればよい。
通常は、目標とする中心波長となる膜厚に合うような成膜時間が決まるため、基板回転速度によって制御する方が好ましい。
上述したように、多層反射膜を構成する全ての層の形成時において、基板回転速度を略一定に保持するため、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成時における基板回転速度を特定の基板回転速度に制御する場合、多層反射膜を構成する全ての低屈折率層および高屈折率層の形成時における基板回転速度をこの特定の基板回転速度に保持することになる。
一方、低屈折率層（または、高屈折率層）の単層の形成に要する成膜時間は、低屈折率層（または、高屈折率層）の形成時における成膜速度により制御できる。低屈折率層（または、高屈折率層）の形成時における成膜速度の制御は、低屈折率層（または、高屈折率層）の形成に使用するスパッタリング法により異なるが、イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合は、Ｍｏ層成膜時、または、Ｓｉ層成膜時におけるイオンビーム電流等によって制御できる。
【００３３】
なお、上述した低屈折率層または高屈折率層の成膜条件の制御によるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布を抑制する作用は、多層反射膜が上述した低屈折率層および高屈折率層以外の構成要素、例えば、特開２００３−３０３７５６号公報に記載された増反射層（Ｒｕ層、Ｐｄ層、Ｒｈ層）や、特表２０１０−５１８５９４号公報に記載された第１付加層（増反射層）、第２付加層（拡散防止層）を含む場合にも好ましく発揮される。
【００３４】
保護層１３は、エッチングプロセス、具体的には、エッチングガスとして塩素系ガスを用いたドライエッチングプロセスにより吸収層１４にパターン形成する際に、反射層１２がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう反射層１２を保護する目的で設けられる。したがって保護層１３の材質としては、吸収層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。
また、保護層１３は、保護層１３を形成した後であっても反射層１２でのＥＵＶ光線反射率を損なうことがないように、保護層１３自体もＥＵＶ光線反射率が高いことが好ましい。
本発明では、上記の条件を満足するため、保護層１３として、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層が形成される。Ｒｕ化合物層としては、ＲｕＢ、ＲｕＮｂ、および、ＲｕＺｒからなる少なくとも１種で構成されることが好ましい。保護層１４がＲｕ化合物層である場合、Ｒｕの含有率は５０ａｔ％以上、８０ａｔ％以上、特に９０ａｔ％以上であることが好ましい。但し、保護層１３がＲｕＮｂ層の場合、保護層１３中のＮｂの含有率が５〜４０ａｔ％、特に５〜３０ａｔ％が好ましい。
【００３５】
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３表面の表面粗さは、０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下が好ましい。保護層１３表面の表面粗さが大きいと、該保護層１３上に形成される吸収層１４の表面粗さが大きくなり、該吸収層１４に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層１４表面は平滑であることが要求される。
保護層１３表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、該保護層１３上に形成される吸収層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。保護層１３表面の表面粗さは、０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
【００３６】
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３の厚さは、ＥＵＶ光線反射率を高め、かつ耐エッチング特性を得られるという理由から、１〜１０ｎｍが好ましい。保護層１３の厚さは、１〜５ｎｍがより好ましく、２〜４ｎｍがさらに好ましい。
【００３７】
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いる。
ここで、イオンビームスパッタリング法を用いて、保護層１３としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガス雰囲気中で放電させればよい。具体的には、以下の条件でイオンビームスパッタリングを実施すればよい。
スパッタリングガス：Ａｒ（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
成膜速度：１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合も上記のガス圧とする。
【００３８】
なお、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層を形成する前の状態、すなわち、図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１の吸収層１４を除いた構造が本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板である。本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの前駆体をなすものである。なお、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの前駆体に限らず、全般的にＥＵＶ光を反射する機能を有する光学基板を含めて考えてもよい。
【００３９】
吸収層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層１４表面に照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率は、０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料での構成が好ましく、少なくともＴａおよびＮを含有する層が好ましい。
なお、少なくともＴａおよびＮを含有する層であれば、結晶状態がアモルファスの膜を形成しやすい点でも好ましい。
ＴａおよびＮを含有する層としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＢＮ、ＴａＧａＮ、ＴａＧｅＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＳｉＮ、および、ＰｄＴａＮからなる群から選択されるいずれか１つを用いることが好ましい。これらの吸収層の好適組成の一例を挙げると以下のとおりである。
【００４０】
ＴａＮ層
Ｔａの含有率：好ましくは３０〜９０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％、さらに好ましくは４０〜７０ａｔ％、特に好ましくは５０〜７０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは１０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜６０ａｔ％、特に好ましくは３０〜５０ａｔ％
【００４１】
ＴａＮＨ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは５０〜９９．９ａｔ％、より好ましくは９０〜９８ａｔ％、さらに好ましくは９５〜９８ａｔ％
Ｈの含有率：好ましくは０．１〜５０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％、さらに好ましくは２〜５ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
【００４２】
ＴａＢＮ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは７５〜９５ａｔ％、より好ましくは８５〜９５ａｔ％、さらに好ましくは９０〜９５ａｔ％
Ｂの含有率：好ましくは５〜２５ａｔ％、より好ましくは５〜１５ａｔ％、さらに好ましくは５〜１０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
【００４３】
ＴａＢＳｉＮ層
Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率：１〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：８：１〜１：１
Ｔａの含有率：好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
【００４４】
ＰｄＴａＮ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは３０〜７５ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
Ｐｄの含有率：好ましくは２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２５〜７０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは１：７〜３：１、より好ましくは１：３〜３：１、さらに好ましくは３：５〜３：１
【００４５】
吸収層１４表面は、上述のとおり、その表面粗さが大きいと、吸収層１４に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層１４表面は平滑性が要求される。
吸収層１４として、少なくともＴａおよびＮを含有する層を形成した場合、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。具体的には、吸収層１４としてＴａＮ層を形成した場合、吸収層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下になる。
吸収層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、吸収層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層１４表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
【００４６】
吸収層１４は、少なくともＴａおよびＮを含有する層であることにより、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際のエッチング速度が速く、保護層１３とのエッチング選択比は１０以上を示す。本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。
エッチング選択比
＝（吸収層１４のエッチング速度）／（保護層１３のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上がさらに好ましく、１２以上が特に好ましい。
【００４７】
吸収層１４の膜厚は、５ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましく、３０ｎｍ以上がさらに好ましく、５０ｎｍ以上が特に好ましい。
一方、吸収層１４の膜厚が大きすぎると、該吸収層１４に形成するパターンの精度が低下するおそれがあるため、１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【００４８】
吸収層１４は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を使用できる。
吸収層１４としてＴａＮ層を形成する場合、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合には、Ｔａターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でターゲットを放電させることによって、ＴａＮ層を形成できる。
【００４９】
上記例示した方法で吸収層１４としてのＴａＮ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧０．５×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
【００５０】
なお、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクは、図１に示した構成（すなわち、基板１１、反射層１２、保護層１３および吸収層１４）以外の構成要素を有していてもよい。
図２は、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの別の実施形態を示す概略断面図である。
図２に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´では、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層１５が形成されている。
【００５１】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクからＥＵＶＬ用反射型マスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計どおりに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍの光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層１４がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層１４表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は保護層１３表面であり、反射層１２上に保護層１３が形成しない場合は反射層１２表面（具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜表面）である。
したがって、２５７ｎｍ程度の検査光の波長に対する保護層１３表面（または反射層１２表面）と吸収層１４表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査ができない場合がある。
【００５２】
上記した構成の吸収層１４は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長についてみた場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収層１４表面の反射率と反射層１２表面（または保護層１３表面）の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られないおそれがある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えない場合がある。
図２に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´のように、吸収層１４上に低反射層１５を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層１５は、検査光の波長領域（２５７ｎｍ近傍）の光線を照射した際の、該検査光の波長の最大光線反射率は、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
低反射層１５における検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層１３表面（または反射層１２表面）における検査光の波長の反射光と、低反射層１５表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、４０％以上となる。
【００５３】
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求められる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層１３表面（または反射層１２表面）での反射率であり、Ｒ1は低反射層１５表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図２に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´の吸収層１４および低反射層１５にパターンを形成した状態で測定する。上記Ｒ2は、パターン形成によって吸収層１４および低反射層１５が除去され、外部に露出した保護層１３表面（または反射層１２表面）で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１５表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストは、４５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、７０％以上が特に好ましい。
【００５４】
低反射層１５は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層１４よりも低い材料で構成され、その結晶状態はアモルファスが好ましい。
このような低反射層１５の具体例としては、Ｔａ、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を以下に述べる原子比率で含有するもの（低反射層（ＴａＯＮ））が挙げられる。
Ｔａの含有率  ２０〜８０ａｔ％、好ましくは、２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％
ＯおよびＮの合計含有率  ２０〜８０ａｔ％、好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％
ＯとＮとの組成（Ｏ：Ｎ）  ２０：１〜１：２０、好ましくは１８：１〜１：１８、より好ましくは１５：１〜１：１５
【００５５】
低反射層（ＴａＯＮ）は、上記の構成により、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、低反射層（ＴａＯＮ）表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化を防止するため、吸収層１４表面は平滑であることが要求される。低反射層１５は、吸収層１４上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
低反射層１５表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、低反射層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層１５表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
【００５６】
吸収層１４上に低反射層１５を形成する場合、吸収層１４と低反射層１５との合計厚さは、２０〜１３０ｎｍが好ましい。また、低反射層１５の厚さが吸収層１４の厚さよりも大きいと、吸収層１４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１５の厚さは吸収層１４の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層１５の厚さは１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。
【００５７】
上記の構成の低反射層（ＴａＯＮ）は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）および窒素（Ｎ2）雰囲気中で、Ｔａターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法により形成できる。または、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａターゲットを放電させてＴａおよびＮを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、上記の構成の低反射層（ＴａＯＮ）としてもよい。
【００５８】
上記した方法で低反射層（ＴａＯＮ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜８０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜７０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％。Ａｒガス濃度５〜９０ｖｏｌ％、好ましくは１０〜８８ｖｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．２〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．２〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５９】
図２に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´のように、吸収層１４上に低反射層１５を形成する構成が好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。また、検査光の波長が１９３ｎｍである場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はない場合がある。さらに、検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。
【００６０】
また、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクは、反射層１２、保護層１３、吸収層１４、低反射層１５以外に、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載のように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される導電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、反射層１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す導電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択できる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の導電性（高誘電率）のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用できる。導電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍである。
導電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
【００６１】
本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）を少なくともパターニングすることで、ＥＵＶＬ用反射型マスクが得られる。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）のエッチング方法としては、エッチングガスとして塩素系ガスを用いたドライエッチングを用いる。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより、ＥＵＶＬ用反射型マスクが得られる。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（比較例１）
本実施例では、ＥＵＶＬ用反射層付基板を作製した。このＥＵＶＬ用反射層付基板は、図１に示すマスクブランク１の吸収層１４および保護層１３を除いた構造である。
成膜用の基板１１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３５ｍｍ）を使用する。このガラス基板の熱膨張率は０．０５×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、ｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
【００６３】
基板１１の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の導電性コーティング（図示していない）を施した。
平板形状をした通常の静電チャックに、上記の手順で形成されるＣｒ膜を用いて基板１１（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３５ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いて、膜厚２．５ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５ｎｍのＳｉ層と、で構成されるｂｉｌａｙｅｒを、繰り返し単位数が４０となるように積層させて、合計膜厚２８０ｎｍ（（２．５ｎｍ＋４．５ｎｍ）×４０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）を形成した。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜は、基板１１表面の１５２ｍｍ角の領域に形成した。
【００６４】
Ｍｏ層およびＳｉ層の成膜条件は以下のとおりである。
Ｍｏ層の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（Ａｒガス濃度１００ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ
Ｓｉ層の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：Ａｒガス（Ａｒガス濃度１００ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ
Ｍｏ層形成時およびＳｉ層形成時の基板回転速度は２９．０００ｒｐｍに保持した。
Ｍｏ層単層の成膜時間は、３９．０６３ｓｅｃ／層となる。Ｍｏ層単層形成時における基板回転数は１８．８８０回／層となる。
Ｓｉ層単層の成膜時間は、５８．４４２ｓｅｃ／層となる。Ｓｉ層単層形成時における基板回転数は２８．２４７回／層となる。
【００６５】
上記の手順で形成したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面に、ＥＵＶ光を入射角６度で照射した。この時のＥＵＶ波長域の反射光を、ＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ）を用いて測定し、同波長域のピーク反射率と、同波長域の反射光の中心波長の面内分布を評価した。ピーク反射率は６４．５％であり、中心波長の面内分布０．０５０ｎｍであった。
【００６６】
（実施例１）
本実施例では、Ｍｏ層形成時およびＳｉ層形成時の基板回転速度は２９．７７３ｒｐｍに保持した。
Ｍｏ層単層の成膜時間は、３９．０６３ｓｅｃ／層となる。Ｍｏ層単層形成時における基板回転数は１９．３８４回／層となる。
Ｓｉ層単層の成膜時間は、５８．４４２ｓｅｃ／層となる。Ｓｉ層単層形成時における基板回転数は２９．０００回／層となる。
上記と同様の手順でＥＵＶ波長域のピーク反射率と、同波長域の反射光の中心波長の面内分布を評価した。ピーク反射率は６５％であり、中心波長の面内分布０．０３０ｎｍであった。
【００６７】
（実施例２）
本実施例では、Ｍｏ層形成時およびＳｉ層形成時の基板回転速度は２９．１８４ｒｐｍに保持した。
Ｍｏ層単層の成膜時間は、３９．０６３ｓｅｃ／層となる。Ｍｏ層単層形成時における基板回転数は１９．０００回／層となる。
Ｓｉ層単層の成膜時間は、５８．４４２ｓｅｃ／層となる。Ｓｉ層単層形成時における基板回転数は２８．４２６回／層となる。
上記と同様の手順でＥＵＶ波長域のピーク反射率と、同波長域の反射光の中心波長の面内分布を評価した。ピーク反射率は６５％であり、中心波長の面内分布０．０３２ｎｍであった。
【００６８】
（実施例３）
上述したように、特許文献１では、多層反射膜の膜厚の面内均一性の低下の要因の一つとして、低屈折率層と高屈折率層の成膜開始時と成膜終了時の基板回転の方位角のずれによる多層反射膜の面内膜厚分布を挙げている。実施例３では、成膜開始時の回転角度のずれによる影響を評価するため、Ｓｉ層成膜開始時の回転角度を連続するＳｉ層間で３°以内に揃えた以外は実施例１と同様の手順を実施した。
上記と同様の手順でＥＵＶ波長域のピーク反射率と、同波長域の反射光の中心波長の面内分布を評価した。ピーク反射率は６５％であり、中心波長の面内分布０．０３０ｎｍであった。
【００６９】
比較例１は中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以下を満たさなかったのに対し、実施例１〜３はいずれも中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以下を満たしていた。
【符号の説明】
【００７０】
１，１´：ＥＵＶマスクブランク
１１：基板
１２：反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）
１２ａ：低屈折率層
１２ｂ：高屈折率層
１３：保護層
１４：吸収層
１５：低反射層
【図１】
0006485070.tif 000002
【図２】
0006485070.tif 000003