(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア材と、
前記コア材の前記第１面の直上に形成されている第１の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面の直下に形成されている第１の下側の導体層と、
前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている最上の上側の樹脂絶縁層と、
前記最上の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されていて電子部品を搭載するための上側のパッドを含む最上の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている最下の下側の樹脂絶縁層と、
前記最下の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されていて回路基板と接続するための下側のパッドを含む最下の下側の導体層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１の下側の導体層の厚みと前記最下の下側の導体層の厚みの和ＳＡ２は前記第１の上側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの和ＳＦ２より大きく、前記和ＳＡ２と前記和ＳＦ２の差は１μｍより大きく、
前記第１の下側の導体層の厚みは前記第１の上側の導体層の厚みより厚く、前記第１の下側の導体層の厚みと前記第１の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍであり、前記最下の下側の導体層の厚みは前記最上の上側の導体層の厚みより厚く、前記最下の下側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍである。
【請求項２】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア材と、
前記コア材の前記第１面の直上に形成されている第１の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面の直下に形成されている第１の下側の導体層と、
前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている最上の上側の樹脂絶縁層と、
前記最上の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されていて電子部品を搭載するための上側のパッドを含む最上の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている最下の下側の樹脂絶縁層と、
前記最下の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されていて回路基板と接続するための下側のパッドを含む最下の下側の導体層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１の下側の導体層の厚みと前記最下の下側の導体層の厚みの和ＳＡ２は前記第１の上側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの和ＳＦ２より大きく、前記和ＳＡ２と前記和ＳＦ２の差は１μｍより大きく、
さらに、前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている第１の上側の樹脂絶縁層と、前記第１の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されている第２の上側の導体層と、前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている第１の下側の樹脂絶縁層と、前記第１の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されている第２の下側の導体層と、を有し、前記和ＳＡ２と前記第２の下側の導体層の厚みの和ＳＡ３は、前記和ＳＦ2と前記第２の上側の導体層の厚みの和ＳＦ３より大きく、前記和ＳＡ３と前記和ＳＦ３の差は１μｍより大きく、
前記第１の下側の導体層の厚みは前記第１の上側の導体層の厚みより厚く、前記第１の下側の導体層の厚みと前記第１の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍであり、前記第２の下側の導体層の厚みは前記第２の上側の導体層の厚みより厚く、前記第２の下側の導体層の厚みと前記第２の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍであり、前記最下の下側の導体層の厚みは前記最上の上側の導体層の厚みより厚く、前記最下の下側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍである。
【請求項３】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア材と、
前記コア材の前記第１面の直上に形成されている第１の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面の直下に形成されている第１の下側の導体層と、
前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている最上の上側の樹脂絶縁層と、
前記最上の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されていて電子部品を搭載するための上側のパッドを含む最上の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている最下の下側の樹脂絶縁層と、
前記最下の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されていて回路基板と接続するための下側のパッドを含む最下の下側の導体層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１の下側の導体層の厚みと前記最下の下側の導体層の厚みの和ＳＡ２は前記第１の上側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの和ＳＦ２より大きく、前記和ＳＡ２と前記和ＳＦ２の差は１μｍより大きく、
さらに、前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている第１の上側の樹脂絶縁層と、前記第１の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されている第２の上側の導体層と、前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている第１の下側の樹脂絶縁層と、前記第１の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されている第２の下側の導体層と、を有し、前記和ＳＡ２と前記第２の下側の導体層の厚みの和ＳＡ３は、前記和ＳＦ2と前記第２の上側の導体層の厚みの和ＳＦ３より大きく、前記和ＳＡ３と前記和ＳＦ３の差は１μｍより大きく、
さらに、前記第１の上側の樹脂絶縁層と前記第２の上側の導体層上に形成されている第２の上側の樹脂絶縁層と、前記第２の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されている第３の上側の導体層と、前記第１の下側の樹脂絶縁層と前記第２の下側の導体層下に形成されている第２の下側の樹脂絶縁層と、前記第２の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されている第３の下側の導体層と、を有し、前記和ＳＡ３と前記第３の下側の導体層の厚みの和ＳＡ４は、前記和ＳＦ３と前記第３の上側の導体層の厚みの和ＳＦ４より大きく、前記和ＳＡ４と前記和ＳＦ４の差は１μｍより大きく、
前記第１の下側の導体層の厚みは前記第１の上側の導体層の厚みより厚く、前記第１の下側の導体層の厚みと前記第１の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍであり、前記第２の下側の導体層の厚みは前記第２の上側の導体層の厚みより厚く、前記第２の下側の導体層の厚みと前記第２の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍであり、前記第３の下側の導体層の厚みは前記第３の上側の導体層の厚みより厚く、前記第３の下側の導体層の厚みと前記第３の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍであり、前記最下の下側の導体層の厚みは前記最上の上側の導体層の厚みより厚く、前記最下の下側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍである。
【請求項４】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア材と、
前記コア材の前記第１面の直上に形成されている第１の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面の直下に形成されている第１の下側の導体層と、
前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている最上の上側の樹脂絶縁層と、
前記最上の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されていて電子部品を搭載するための上側のパッドを含む最上の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている最下の下側の樹脂絶縁層と、
前記最下の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されていて回路基板と接続するための下側のパッドを含む最下の下側の導体層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１の下側の導体層の厚みと前記最下の下側の導体層の厚みの和ＳＡ２は前記第１の上側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの和ＳＦ２より大きく、前記和ＳＡ２と前記和ＳＦ２の差は１μｍより大きく、
前記第１の下側の導体層の面積は前記第１の上側の導体層の面積より大きく、前記最下の下側の導体層の面積は前記最上の上側の導体層の面積より大きい。
【請求項５】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア材と、
前記コア材の前記第１面の直上に形成されている第１の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面の直下に形成されている第１の下側の導体層と、
前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている最上の上側の樹脂絶縁層と、
前記最上の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されていて電子部品を搭載するための上側のパッドを含む最上の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている最下の下側の樹脂絶縁層と、
前記最下の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されていて回路基板と接続するための下側のパッドを含む最下の下側の導体層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１の下側の導体層の厚みと前記最下の下側の導体層の厚みの和ＳＡ２は前記第１の上側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの和ＳＦ２より大きく、前記和ＳＡ２と前記和ＳＦ２の差は１μｍより大きく、
さらに、前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている第１の上側の樹脂絶縁層と、前記第１の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されている第２の上側の導体層と、前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている第１の下側の樹脂絶縁層と、前記第１の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されている第２の下側の導体層と、を有し、前記和ＳＡ２と前記第２の下側の導体層の厚みの和ＳＡ３は、前記和ＳＦ2と前記第２の上側の導体層の厚みの和ＳＦ３より大きく、前記和ＳＡ３と前記和ＳＦ３の差は１μｍより大きく、
前記第１の下側の導体層の面積は前記第１の上側の導体層の面積より大きく、前記第２の下側の導体層の面積は前記第２の上側の導体層の面積より大きく、前記最下の下側の導体層の面積は前記最上の上側の導体層の面積より大きい。
【請求項６】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア材と、
前記コア材の前記第１面の直上に形成されている第１の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面の直下に形成されている第１の下側の導体層と、
前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている最上の上側の樹脂絶縁層と、
前記最上の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されていて電子部品を搭載するための上側のパッドを含む最上の上側の導体層と、
前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている最下の下側の樹脂絶縁層と、
前記最下の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されていて回路基板と接続するための下側のパッドを含む最下の下側の導体層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１の下側の導体層の厚みと前記最下の下側の導体層の厚みの和ＳＡ２は前記第１の上側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの和ＳＦ２より大きく、前記和ＳＡ２と前記和ＳＦ２の差は１μｍより大きく、
さらに、前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている第１の上側の樹脂絶縁層と、前記第１の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されている第２の上側の導体層と、前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている第１の下側の樹脂絶縁層と、前記第１の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されている第２の下側の導体層と、を有し、前記和ＳＡ２と前記第２の下側の導体層の厚みの和ＳＡ３は、前記和ＳＦ2と前記第２の上側の導体層の厚みの和ＳＦ３より大きく、前記和ＳＡ３と前記和ＳＦ３の差は１μｍより大きく、
さらに、前記第１の上側の樹脂絶縁層と前記第２の上側の導体層上に形成されている第２の上側の樹脂絶縁層と、前記第２の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されている第３の上側の導体層と、前記第１の下側の樹脂絶縁層と前記第２の下側の導体層下に形成されている第２の下側の樹脂絶縁層と、前記第２の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されている第３の下側の導体層と、を有し、前記和ＳＡ３と前記第３の下側の導体層の厚みの和ＳＡ４は、前記和ＳＦ３と前記第３の上側の導体層の厚みの和ＳＦ４より大きく、前記和ＳＡ４と前記和ＳＦ４の差は１μｍより大きく、
前記第１の下側の導体層の面積は前記第１の上側の導体層の面積より大きく、前記第２の下側の導体層の面積は前記第２の上側の導体層の面積より大きく、前記第３の下側の導体層の面積は前記第３の上側の導体層の面積より大きく、前記最下の下側の導体層の面積は前記最上の上側の導体層の面積より大きい。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１の下側の導体層の面積は前記第１の上側の導体層の面積より大きく、前記最下の下側の導体層の面積は前記最上の上側の導体層の面積より大きい。
【請求項８】
請求項２のプリント配線板であって、前記第１の下側の導体層の面積は前記第１の上側の導体層の面積より大きく、前記第２の下側の導体層の面積は前記第２の上側の導体層の面積より大きく、前記最下の下側の導体層の面積は前記最上の上側の導体層の面積より大きい。
【請求項９】
請求項３のプリント配線板であって、前記第１の下側の導体層の面積は前記第１の上側の導体層の面積より大きく、前記第２の下側の導体層の面積は前記第２の上側の導体層の面積より大きく、前記第３の下側の導体層の面積は前記第３の上側の導体層の面積より大きく、前記最下の下側の導体層の面積は前記最上の上側の導体層の面積より大きい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア材とコア材の両面に形成されているビルドアップ層とを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、コア基板と上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層を有するプリント配線板を開示している。特許文献１のコア基板は第１面と第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板と第１面上の第１導体層と第２面上の第２導体層で形成されている。特許文献１の上側のビルドアップ層は絶縁基板の第１面上に形成されていて、ＩＣチップを搭載するためのパッドを含む最上の導体層を有する。特許文献１の下側のビルドアップ層は絶縁基板の第２面上に形成されていて、マザーボードと接続するためのパッドを含む最下の導体層を有する。そして、第１導体層の厚みと最上の導体層の厚みの和は第２導体層の厚みと最下の導体層の厚みの和より大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−４５０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のプリント配線板では、第１導体層の厚みと最上の導体層の厚みの和は第２導体層の厚みと最下の導体層の厚みの和より大きい。そのため、特許文献１のプリント配線板は非対称な構造である。従って、熱により、特許文献１のプリント配線板は反ると考えられる。そして、特許文献１の１９段落に示されているように、特許文献１では、２次実装時の半導体装置の反りが検討されている。しかしながら、特許文献１では、プリント配線板に電子部品を実装することが十分に考慮されていないと考えられる。従って、特許文献１のプリント配線板では、プリント配線板とＩＣチップ等の電子部品との間の接続信頼性が低いと予想される。
【０００５】
本発明の目的は、薄くて反りの小さいプリント配線板を提供することである。別の目的は、電子部品とプリント配線板との間の接続信頼性や回路基板と半導体装置との間の接続信頼性を高くすることである。別の観点の目的は、反りの小さい半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア材と、前記コア材の前記第１面の直上に形成されている第１の上側の導体層と、前記コア材の前記第２面の直下に形成されている第１の下側の導体層と、前記コア材の前記第１面と前記第１の上側の導体層上に形成されている最上の上側の樹脂絶縁層と、前記最上の上側の樹脂絶縁層の直上に形成されていて電子部品を搭載するための上側のパッドを含む最上の上側の導体層と、前記コア材の前記第２面と前記第１の下側の導体層下に形成されている最下の下側の樹脂絶縁層と、前記最下の下側の樹脂絶縁層の直下に形成されていて回路基板と接続するための下側のパッドを含む最下の下側の導体層、とを有する。そして、前記第１の下側の導体層の厚みと前記最下の下側の導体層の厚みの和ＳＡ２は前記第１の上側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの和ＳＦ２より大きく、前記和ＳＡ２と前記和ＳＦ２の差は１μｍより大きく、
前記第１の下側の導体層の厚みは前記第１の上側の導体層の厚みより厚く、前記第１の下側の導体層の厚みと前記第１の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍであり、前記最下の下側の導体層の厚みは前記最上の上側の導体層の厚みより厚く、前記最下の下側の導体層の厚みと前記最上の上側の導体層の厚みの差は２μｍから８μｍである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）はプリント配線板の反りの模式図である。
【図２】実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】実施形態の改変例のプリント配線板の断面図
【図６】実施形態と参考例のプリント配線板の反りの予想図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[実施形態]
図１（Ａ）は実施形態のプリント配線板１０の断面図である。プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア材（絶縁基板）２０ｚとコア材２０ｚの両面に形成されているビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓを有する。ビルドアップ層５５Ｆは、上側のビルドアップ層であり、コア材の第１面上に形成されている。ビルドアップ層５５Ｓは下側のビルドアップ層であり、コア材の第２面下に形成されている。
【０００９】
図１（Ａ）に示されている上側のビルドアップ層５５Ｆは、コア材の第１面Ｆの直上に形成されている第１の上側の導体層５８Ｆとコア材の第１面Ｆと第１の上側の導体層５８Ｆ上に形成されている第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの直上に形成されている第２の上側の導体層１５８Ｆと第２の上側の導体層１５８Ｆと第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの直上に形成されている第３の上側の導体層２５８Ｆとで形成される。そして、上側の樹脂絶縁層の内、最上に位置する上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは最上の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆである。上側の導体層の内、最上に位置する上側の導体層２５８Ｆは最上の上側の導体層２５８Ｆである。最上の上側の導体層２５８Ｆは、ＩＣチップ等の電子部品を搭載するための上側のパッド７３Ｆを有する。
図１に示されるように、第１の上側の導体層５８Ｆは厚みｆ１を有し、第２の上側の導体層１５８Ｆは厚みｆ２を有し、最上の上側の導体層２５８Ｆは厚みｆ３を有する。
【００１０】
図１に示されている下側のビルドアップ層５５Ｓは、コア材の第２面Ｓの直下に形成されている第１の下側の導体層５８Ｓとコア材の第２面Ｓと第１の下側の導体層５８Ｓ下に形成されている第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓと第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの直下に形成されている第２の下側の導体層１５８Ｓと第２の下側の導体層１５８Ｓと第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓ下に形成されている第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓと第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓの直下に形成されている第３の下側の導体層２５８Ｓとで形成される。そして、下側の樹脂絶縁層の内、最下に位置する下側の樹脂絶縁層１５０Ｓは最下の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓである。下側の導体層の内、最下に位置する下側の導体層２５８Ｓは最下の下側の導体層２５８Ｓである。最下の下側の導体層２５８Ｓは、マザーボード等の回路基板と接続するための下側のパッド７３Ｓを有する。
図１に示されるように、第１の下側の導体層５８Ｓは厚みｓ１を有し、第２の下側の導体層１５８Ｓは厚みｓ２を有し、最下の下側の導体層２５８Ｓは厚みｓ３を有する。
【００１１】
図１に直線ＳＬが描かれている。直線ＳＬは、コア材２０ｚの厚み方向の中心を通り、第１面Ｆに平行な直線である。直線ＳＬと第１面Ｆとの間の距離と直線ＳＬと第２面Ｓとの間の距離は等しい。そして、第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓは直線ＳＬに対し、略対称に形成されている。第２の上側の導体層１５８Ｆと第２の下側の導体層１５８Ｓは直線ＳＬに対し、略対称に形成されている。第３の上側の導体層２５８Ｆと第３の下側の導体層２５８Ｓは直線ＳＬに対し、略対称に形成されている。
【００１２】
第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓはコア材２０ｚを貫通する貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６で接続される。貫通孔２８は、第１面側に形成されている第１開口部２８Ｆと第２面側に形成されている第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。
【００１３】
第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓとスルーホール導体３６は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。
【００１４】
上側のビルドアップ層５５Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。開口７１Ｆにより上側のパッド７３Ｆが露出される。上側のパッド７３Ｆ上にＩＣチップ実装用の半田バンプ７６Ｆが形成されている。パッド７３Ｆ上にパッドの酸化を防止するための保護膜７２が形成されている。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００１５】
下側のビルドアップ層５５Ｓ下に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。開口７１Ｓにより下側のパッド７３Ｓが露出される。下側のパッド７３Ｓ上にマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓが形成されている。パッド７３Ｓ上にパッドの酸化を防止するための保護膜７２が形成されている。
【００１６】
図２は実施形態のプリント配線板１０の応用例の断面図である。上側のパッド７３Ｆ上の半田バンプ７６Ｆを介してＩＣチップ等の電子部品９０がプリント配線板１０に実装される。半田バンプ７６Ｆは、電子部品９０の電極９２に接続される。電子部品９０とプリント配線板１０とからなる半導体装置１０Ｓが形成される。下側のパッド７３Ｓ上の半田バンプ７６Ｓを介して、半導体装置１０Ｓはマザーボード等の回路基板９６に搭載される。半田バンプ７６Ｓは回路基板９６の外部端子９４に接続される。
【００１７】
電子部品９０はリフローでプリント配線板１０に実装される。半導体装置１０Ｓはリフローでマザーボード９６に搭載される。リフローでプリント配線板は高温になる。電子部品や半導体装置を搭載するリフロー温度は約２２０度から約２８０度である。プリント配線板や半導体装置の温度が変化すると、プリント配線板や半導体装置の反りが変化しやすい。例えば、図１（Ｂ）に示される凹の反りから図１（Ｃ）に示される凸の反りに変化する。図１（Ｂ）と図１（Ｃ）では、上側のビルドアップ層が上を向いている。下側のビルドアップ層５５Ｓが平らな板５００の表面ＳＡＦと対向するように、プリント配線板や半導体装置が板５００上に置かれる。図１（Ｂ）では、プリント配線板や半導体装置の外周が板５００から離れている。図１（Ｃ）では、プリント配線板や半導体装置の中央部分が板５００から離れている。
【００１８】
下側のビルドアップ層に属する下側の導体層の厚みの和ＳＡは上側のビルドアップ層に属する上側の導体層の厚みの和ＳＦより厚い。図１のプリント配線板では、和ＳＡは厚みｓ１と厚みｓ２と厚みｓ３の和ＳＡ３であり、和ＳＦは厚みｆ１と厚みｆ２と厚みｆ３の和ＳＦ３である。和ＳＡと和ＳＦの差は１μｍより大きい。実施形態のプリント配線板は、直線ＳＬに対し非対称な構造である。和ＳＡが和ＳＦより大きいので、プリント配線板の温度が上昇すると、下側のビルドアップ層に属する導体の伸びが上側のビルドアップ層に属する導体の伸びより大きい。そのため、図６（Ｂ２）に示されるように、リフロー温度でプリント配線板は凹の反りを有しやすい。プリント配線板が凹の反りを有すると、図６（Ｂ３）に示されるように、電子部品９０の外周の電極と半田バンプ間の接続面積やプリント配線板の上側のパッドと半田バンプ間の接続面積が大きくなる。外周の接続箇所は大きな応力を受ける。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、接続面積が大きいので、プリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。
和ＳＡと和ＳＦの差は３０μｍ以下である。差が大きいと、凹の反りの量が大きくなる。電子部品の中央の電極とプリント配線板の上側のパッドが繋がらない。電子部品の外周の電極とプリント配線板の外周の上側のパッド間の距離が短くなる。隣接する外周の上側のパッドが半田バンプを介し短絡する。
【００１９】
第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍである。第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１は２１μｍである。第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１が第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１より厚い。厚みｓ１と厚みｆ１の差は２〜８μｍある。プリント配線板に電子部品９０が実装される時、プリント配線板は凹の反りを有する。厚みｓ１と厚みｆ１の差は、４〜６μｍあることがより好ましい。電子部品がプリント配線板に実装される時、プリント配線板は凹の反りを有し、プリント配線板と電子部品間の距離が適切である。プリント配線板に電子部品を実装する歩留まりが高い。半田バンプを介する電子部品とプリント配線板間の接合強度が高いので、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。
【００２０】
第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍである。第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍである。第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２が第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２より厚い。厚みｓ２と厚みｆ２の差は２〜８μｍある。厚みｓ２と厚みｆ２の差は、４〜６μｍあることがより好ましい。電子部品がプリント配線板に実装される時、プリント配線板は凹の反りを有し、プリント配線板と電子部品間の距離が適切である。プリント配線板に電子部品を実装する歩留まりが高い。半田バンプを介する電子部品とプリント配線板間の接合強度が高いので、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。
【００２１】
最上の上側の導体層２５８Ｆの厚みｆ３は１６μｍである。最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３は２１μｍである。最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３が最上の導体層２５８Ｆの厚みｆ３より厚い。厚みｓ３と厚みｆ３の差は２〜８μｍある。厚みｓ３と厚みｆ３の差は、４〜６μｍあることがより好ましい。電子部品がプリント配線板に実装される時、プリント配線板は凹の反りを有し、プリント配線板と電子部品間の距離が適切である。プリント配線板に電子部品を実装する歩留まりが高い。半田バンプを介する電子部品とプリント配線板間の接合強度が高いので、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。
【００２２】
このように、プリント配線板１０では、直線ＳＬに対し対称な位置に形成されている導体層の厚みの差が制御されている。例えば、厚みｓ１と厚みｆ１の差と厚みｓ２と厚みｆ２の差と厚みｓ３と厚みｆ３の差がほぼ等しい。そのため、プリント配線板１０によれば、リフロー温度でのプリント配線板の反りの方向と反りの量を容易に制御することができる。従って、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。また、半導体装置の反りの方向や反りの量が制御される。
【００２３】
第１の上側の導体層５８Ｆの面積の占有率ＯＦ１（第１の上側の導体層５８Ｆの面積／コア材２０ｚの第１面Ｆの面積×１００）は６７．５３％である。第１の下側の導体層５８Ｓの面積の占有率ＯＳ１（第１の下側の導体層５８Ｓの面積／コア材２０ｚの第２面Ｓの面積×１００）は８３．３０％である。占有率ＯＳ１は占有率ＯＦ１より大きい。第１面Ｆの面積と第２面Ｓの面積はほぼ等しいので、第１の下側の導体層５８Ｓの面積が、第１の上側の導体層５８Ｆの面積より大きい。
第２の上側の導体層１５８Ｆの面積の占有率ＯＦ２（第２の上側の導体層１５８Ｆの面積／第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの面積×１００）は５２．５５％である。第２の下側の導体層１５８Ｓの面積の占有率ＯＳ２（第２の下側の導体層１５８Ｓの面積／第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの面積×１００）は７９．４６％である。占有率ＯＳ２は占有率ＯＦ２より大きい。第１の上側の樹脂絶縁層の面積と第１の下側の樹脂絶縁層の面積はほぼ等しいので、第２の下側の導体層１５８Ｓの面積が、第２の上側の導体層１５８Ｆの面積より大きい。
最上の上側の導体層２５８Ｆの面積の占有率ＯＦ３（最上の上側の導体層２５８Ｆの面積／最上の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの面積×１００）は６７．６６％である。最下の下側の導体層２５８Ｓの面積の占有率ＯＳ３（最下の下側の導体層２５８Ｓの面積／最下の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓの面積×１００）は８０．５８％である。占有率ＯＳ３は占有率ＯＦ３より大きい。最上の上側の樹脂絶縁層の面積と最下の下側の樹脂絶縁層の面積はほぼ等しいので、最下の下側の導体層２５８Ｓの面積が、最上の上側の導体層２５８Ｆの面積より大きい。
プリント配線板１０では、直線ＳＬに対し対称な位置に形成されている導体層の占有率が制御されている。そして、下側のビルドアップ層に属する導体層の占有率が上側のビルドアップ層に属する導体層の占有率より大きい。そのため、電子部品が実装される時、プリント配線板１０は凹の反りを有しやすい。
占有率ＯＳ１と占有率ＯＦ１の差と占有率ＯＳ２と占有率ＯＦ２の差と占有率ＯＳ３と占有率ＯＦ３の差は１０％から３０％の間である。リフロー温度でのプリント配線板の反りの方向と反りの量を容易に制御することができる。従って、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。また、半導体装置の反りの方向や反りの量が制御される。
各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆの面積と各下側の樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓの面積と第１面Ｆの面積と第２面Ｓの面積はほぼ等しい。
【００２４】
コア材の厚みＫは１００μｍから２００μｍである。図１のコア材の厚みＫは１５５μｍである。第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの厚みＦ１と第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの厚みＦ２と第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの厚みＳ１と第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓの厚みＳ２は１５μｍから３５μｍである。図１では、厚みＦ１、Ｆ２、Ｓ１、Ｓ２は２０μｍである。上側のソルダーレジスト層７０Ｆの厚みＦ３と下側のソルダーレジスト層７０Ｓの厚みさＳ３は１５μｍから２５μである。図１では、厚みＦ３、Ｓ３は１５μｍである。厚みＦ１、Ｆ２、Ｓ１、Ｓ２は、図１に示されるように、隣接する導体層間の距離である。厚みＦ３、Ｓ３は導体層２５８Ｆ、２５８Ｓの上面とソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの上面との間の距離である。
【００２５】
図６は、プリント配線板の温度が変化する時、予想される実施形態のプリント配線板１０の反りと参考例のプリント配線板１１０の反りを示している。図６（Ａ）は参考例のプリント配線板１１０の反りを示し、図６（Ｂ）は実施形態のプリント配線板１０の反りを示す。図６に示される参考例と実施形態のプリント配線板１０，１１０は、コア材２０ｚと、上側のビルドアップ層５５Ｆと下側のビルドアップ層５５Ｓと上側のソルダーレジスト層７０Ｆと下側のソルダーレジスト層７０Ｓを有する。上側のビルドアップ層５５Ｆは、３つの導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆと２つの樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆを有し、下側のビルドアップ層５５Ｓは、３つの導体層５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓと２つの樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓを有する。
図６（Ａ）に示される参考例のプリント配線板１１０は、以下の関係１を満たす。
関係１：和ＳＡと和ＳＦが等しい。厚みｆ１と厚みｓ１は等しく、厚みｆ２と厚みｓ２は等しく、厚みｆ３と厚みｓ３は等しい。
図６（Ｂ）に示される実施形態のプリント配線板１０は、以下の関係２を満たす。
関係２：和ＳＡは和ＳＦより大きく、和ＳＡと和ＳＦの差は１５μｍである。厚みｓ１は厚みｆ１より厚く、厚みｓ１と厚みｆ１の差は５μｍである。厚みｓ２は厚みｆ２より厚く、厚みｓ２と厚みｆ２の差は５μｍである。厚みｓ３は厚みｆ３より厚く、厚みｓ３と厚みｆ３の差は５μｍである。プリント配線板１０では、各差は等しい。
和ＳＡ、ＳＦと厚みｆ１、ｆ２、ｆ３、ｓ１、ｓ２、ｓ３に関わる構成以外、実施形態のプリント配線板１０と参考例のプリント配線板１１０は同様である。
【００２６】
図６（Ａ１）は、常温での参考例のプリント配線板１１０の反りの状態を示す。続いて、プリント配線板１１０は電子部品を実装する温度（約２４０℃）下に置かれる。その時のプリント配線板１１０の反りの状態が図６（Ａ２）に示される。参考例は関係１を満足するので、直線ＳＬより上に位置する部分のプリント配線板（上側のプリント配線板）１０Ｕの伸びと直線ＳＬより下に位置する部分のプリント配線板（下側のプリント配線板）１０Ｂの伸びがほぼ等しい。そのため、図６（Ａ２）に示されるように、プリント配線板１１０は電子部品の実装温度でほぼ平坦である。尚、符号１０Ｕ、１０Ｂは図１に示されている。そして、図６（Ａ３）に示されるように、プリント配線板１１０に電子部品が実装される。電子部品９０とプリント配線板１１０とからなる参考例の半導体装置１１０Ｓが完成する。その後、半導体装置１１０Ｓは常温に戻る。その時の半導体装置１１０Ｓの反りの状態が図６（Ａ４）に示されている。電子部品９０の熱膨張係数はプリント配線板１１０の熱膨張係数より小さい。そのため、電子部品は半導体装置の伸縮に影響を与える。電子部品の近くに位置するプリント配線板の伸縮量は小さい。それに対し、電子部品から離れている部分では、プリント配線板の伸縮量は大きい。従って、半導体装置１１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、上側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は小さく、下側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は大きい。そのため、図６（Ａ４）に示されるように、半導体装置１１０Ｓは凸の反りを有する。反りの量ｔ１が図６（Ａ４）に示されている。
【００２７】
図６（Ｂ１）は、常温での実施形態のプリント配線板１０の反りの状態を示す。続いて、プリント配線板１０は電子部品を実装する温度（約２４０℃）下に置かれる。その時のプリント配線板１１０の反りの状態が図６（Ｂ２）に示される。実施形態は関係２を満足するので、下側のプリント配線板１０Ｂの伸びが上側のプリント配線板１０Ｕの伸びより大きい。そのため、図６（Ｂ２）に示されるように、プリント配線板１０は電子部品の実装温度で凹の反りを有する。尚、符号１０Ｕ、１０Ｂは図１に示されている。そして、図６（Ｂ３）に示されるように、プリント配線板１０に電子部品が実装される。電子部品９０とプリント配線板１０とからなる実施形態の半導体装置１０Ｓが完成する。その後、半導体装置１０Ｓは常温に戻る。その時の半導体装置１０Ｓの反りの状態が図６（Ｂ４）に示されている。電子部品９０の熱膨張係数はプリント配線板１０の熱膨張係数より小さい。実施形態では、半導体装置１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、上側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は小さく、下側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は大きい。そのため、図６（Ｂ４）に示されるように、半導体装置１１０Ｓは凸の反りを有する。反りの量ｔ３が図６（Ｂ４）に示されている。しかしながら、半導体装置１０Ｓ、１１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、参考例では、反りの方向が平坦から凸の反りに変化する。それに対し、実施形態では、反りの方向が凹の反りから凸の反りに変化する。そのため、参考例の反りの量ｔ１と実施形態の反りの量ｔ３が比較されると、反りの量ｔ３は反りの量ｔ１より小さい。
【００２８】
特許文献１を参照することで製造されるプリント配線板は参考例２のプリント配線板である。参考例２のプリント配線板では、和ＳＦは和ＳＡより大きい。そのため、実装温度での参考例２の半導体装置は凸の反りを有する。そして、参考例２の半導体装置が実装温度から常温に戻る時、下側のプリント配線板の縮み量は上側のプリント配線板の縮み量より大きい。従って、常温時の参考例２の半導体装置の凸の反りは大きくなる。参考例２の半導体装置では、凸の反りが維持され、反りの量が大きくなる。従って、常温時の参考例２の半導体装置の反りの量は、図６（Ａ４）に示される常温時の参考例の半導体装置１１０Ｓの反りの量より大きい。
【００２９】
コア材の体積は上側のプリント配線板１０Ｕと下側のプリント配線板１０Ｂでほぼ等しい。上側のビルドアップ層に属する各樹脂絶縁層の厚みと下側のビルドアップ層に属する各樹脂絶縁層の厚みがほぼ等しい。上側のソルダーレジスト層の厚みと下側のソルダーレジスト層の厚みはほぼ等しい。導体層の剛性は樹脂の剛性より高い。そのため、プリント配線板や半導体装置の反りは導体層の厚みや面積、体積に関連する。
【００３０】
電子部品９０とプリント配線板１０の間に封止樹脂が入れられる。その後、図６（Ｂ４）に示される半導体装置１０Ｓを回路基板９６に搭載するため、半導体装置１０Ｓは半導体装置１０Ｓを回路基板に搭載する温度下に置かれる。半導体装置が高温になっても、電子部品と封止樹脂により、半導体装置の反りは抑制される。従って、半導体装置が回路基板に搭載される時、図６（Ｂ４）に示される反りとほぼ同様な反りが維持される。従って、回路基板に搭載しやすい半導体装置を提供することができる。半導体装置が凸の反りを有する。そのため、プリント配線板１０の下側のパッド７３Ｓと半田バンプ７６Ｓ間の接続面積が大きくなる。回路基板の外周の外部端子９４と半田バンプ７６Ｓ間の接続面積が大きくなる。半導体装置と回路基板間の接続信頼性が高い。
【００３１】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図４に示される。
第１面Ｆと第２面Ｓとを有する絶縁基板（コア材）２０ｚが準備される。絶縁基板２０ｚは補強材と樹脂とからなる。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図３（Ａ））。補強材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維等である。樹脂は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などである。銅箔２２Ｆは第１銅箔であり、銅箔２２Ｓは第２銅箔である。
【００３２】
第１面Ｆ上の銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。更に、第２面Ｓ上の銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される（図３（Ｂ））。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部２８Ｓは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。
【００３３】
第１銅箔２２Ｆと第２銅箔２２Ｓ、貫通孔２８の側壁上に無電解銅めっき膜２４が形成される。その後、無電解銅めっき膜上にめっきレジストが形成される。電解めっき処理が行われ、電解銅めっき膜２５で貫通孔２８が充填されスルーホール導体３６が形成される。同時に、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜２５（２５Ｆ、２５Ｓ）が形成される。この際、第２面上の電解銅めっき膜２５Ｓを形成するための電流密度は第１面上の電解銅めっき膜２５Ｆを形成するための電流密度より大きい。そのため、電解銅めっき膜２５Ｓの厚みは電解銅めっき膜２５Ｆの厚みより厚い。めっきレジストが除去され、電解銅めっき膜２５Ｆ、２５Ｓから露出する無電解銅めっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓが形成される。貫通孔２８に導体層５８Ｆと導体層５８Ｓを接続するスルーホール導体３６が形成される（図３（Ｃ））。第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍであって、第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１は２１μｍである。厚みｓ１は厚みｆ１より大きい。厚みｓ１と厚みｆ１の差は６μｍである。第１の上側の導体層５８Ｆの占有率ＯＦ１は６７．５３％である。第１の下側の導体層５８Ｓの占有率ＯＳ１は８３．３０％である。占有率ＯＳ１は占有率ＯＦ１より大きい。占有率ＯＳ１と占有率ＯＦ１の差は１５．７７％である。
【００３４】
コア材２０ｚの第１面Ｆと導体層５８Ｆ上に第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆが形成される。コア材２０ｚの第２面Ｓと導体層５８Ｓ下に第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓが形成される。上側の樹脂絶縁層５０Ｆは厚みＦ１を有し、下側の樹脂絶縁層５０Ｓは厚みＳ１を有する。厚みＦ１と厚みＳ１は等しい。
【００３５】
ＣＯ２ガスレーザで第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成される。第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓにビア導体用の開口５１Ｓが形成される。開口５１Ｆは導体層５８Ｆに至り、開口５１Ｓは導体層５８Ｓに至る。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき膜５２Ｆが形成される。下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上と開口５１Ｓの内壁に無電解銅めっき膜５２Ｓが形成される。無電解銅めっき膜５２Ｆ、５２Ｓ上にめっきレジストが形成される。電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５２Ｆに電解銅めっき膜５６Ｆが形成される。めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５２Ｓ上に電解銅めっき膜５６Ｓが形成される。この際、電解銅めっき膜５６Ｓを形成するための電流密度は電解銅めっき膜５６Ｆを形成するための電流密度より大きい。そのため、電解銅めっき膜５６Ｓの厚みは電解銅めっき膜５６Ｆの厚みより厚い。
【００３６】
めっきレジストが除去される、電解銅めっき膜５６Ｆ、５６Ｓから露出する無電解銅めっき膜５２Ｆ、５２Ｓが除去される。第２の上側の導体層１５８Ｆと第２の下側の導体層１５８Ｓが形成される。同時に第１の上側のビア導体６０Ｆと第１の下側のビア導体６０Ｓが形成される（図３（Ｄ））。第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍであって、第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍである。厚みｓ２は厚みｆ２より大きい。厚みｓ２と厚みｆ２の差は４μｍである。第２の上側の導体層１５８Ｆの占有率ＯＦ２は５２．５５％である。第２の下側の導体層１５８Ｓの占有率ＯＳ２は７９．４６％である。占有率ＯＳ２は占有率ＯＦ２より大きい。占有率ＯＳ２と占有率ＯＦ２の差は２６．９１％である。
【００３７】
上側の樹脂絶縁層５０Ｆと上側の導体層１５８Ｆ上に第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、下側の樹脂絶縁層５０Ｓと下側の導体層１５８Ｓ下に第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓが形成される。第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆに第２の上側のビア導体用の開口１５１Ｆが形成され、第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓに第２の下側のビア導体用の開口１５１Ｓが形成される。第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に最上の上側の導体層２５８Ｆが形成され、第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓ下に最下の下側の導体層２５８Ｓが形成される。最上の上側の導体層２５８Ｆの形成方法は、第２の上側の導体層１５８Ｆの形成方法と同様である。最下の下側の導体層２５８Ｓの形成方法は、第２の下側の導体層１５８Ｓの形成方法と同様である。第２の上側のビア導体用の開口１５１Ｆに第２の上側のビア導体１６０Ｆが形成され、第２の下側のビア導体用の開口１５１Ｓに第２の下側のビア導体１６０Ｓが形成される。ビア導体１６０Ｆ、１６０Ｓの形成方法は、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓの形成方法と同様である（図４（Ａ））。最上の上側の導体層２５８Ｆの厚みｆ３は１６μｍであって、最下の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ３は２１μｍである。厚みｓ３は厚みｆ３より大きい。厚みｓ３と厚みｆ３の差は５μｍである。
最上の上側の導体層２５８Ｆの占有率ＯＦ３は６７．６６％である。最下の下側の導体層２５８Ｓの占有率ＯＳ３は８０．５８％である。占有率ＯＳ３は占有率ＯＦ３より大きい。占有率ＯＳ３と占有率ＯＦ３の差は１２．９２％である。
【００３８】
最上の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと最上の上側の導体層２５８Ｆ上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。最下の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓと最下の下側の導体層２５８Ｓ下に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。露光処理と現像処理により、上側のソルダーレジスト層７０Ｆに開口７１Ｆが形成され、下側のソルダーレジスト層７０Ｓに開口７１Ｓが形成される（図４（Ｂ））。開口７１Ｆにより上側のパッド７３Ｆが露出され、開口７１Ｓにより下側のパッド７３Ｓが露出される。
【００３９】
上側のパッド７３Ｆと下側のパッド７３Ｓ上に保護膜７２が形成される（図４（Ｃ））。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００４０】
上側のパッド７３Ｆ上に半田バンプ７６Ｆが形成され、下側のパッド７３Ｓ上に半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプを有するプリント配線板が完成する（図１）。
【００４１】
プリント配線板の半田バンプ７６Ｆを介して電子部品（ＩＣチップ）９０が実装される。半導体装置１０Ｓが完成する。半田バンプ７６Ｓを介して、半導体装置１０Ｓが回路基板９６に搭載される（図２）。
図１のプリント配線板１０では、上側の樹脂絶縁層５０Ｆはコア材２０ｚの第１面Ｆと導体層５８Ｆの直上に形成されている。導体層１５８Ｆは上側の樹脂絶縁層５０Ｆの直上に形成されている。上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは導体層１５８Ｆと上側の樹脂絶縁層５０Ｆの直上に形成されている。導体層２５８Ｆは上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの直上に形成されている。上側のソルダーレジスト層７０Ｆは導体層２５８Ｆと上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの直上に形成されている。
図１のプリント配線板１０では、下側の樹脂絶縁層５０Ｓはコア材２０ｚの第２面Ｓと導体層５８Ｓの直下に形成されている。導体層１５８Ｓは下側の樹脂絶縁層５０Ｓの直下に形成されている。下側の樹脂絶縁層１５０Ｓは導体層１５８Ｓと下側の樹脂絶縁層５０Ｓの直下に形成されている。導体層２５８Ｓは下側の樹脂絶縁層１５０Ｓの直下に形成されている。下側のソルダーレジスト層７０Ｓは導体層２５８Ｓと下側の樹脂絶縁層１５０Ｓの直下に形成されている。
【００４２】
[実施形態の第１改変例]
図５（Ａ）は実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０Ｍ１の断面図である。第１改変例では、図１に示されるプリント配線板１０の第３の上側の導体層２５８Ｆと第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆが形成されている。さらに、第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆ上に第４の上側の導体層３５８Ｆが形成されている。第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する第３の上側のビア導体２６０Ｆが形成されている。そして、第４の上側の導体層３５８Ｆと第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆ上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは第１改変例の最上の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆであり、第４の上側の導体層３５８Ｆは第１改変例の最上の上側の導体層３５８Ｆである。最上の上側の導体層３５８Ｆは上側のソルダーレジスト層の開口７１Ｆにより露出される上側のパッド７３Ｆを有する。上側の導体層３５８Ｆは厚みｆ４を有する。
【００４３】
第１改変例では、図１に示されるプリント配線板１０の第３の下側の導体層２５８Ｓと第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓ下に第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓが形成されている。さらに、第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓ下に第４の下側の導体層３５８Ｓが形成されている。第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通する第３の下側のビア導体２６０Ｓが形成されている。そして、第４の下側の導体層３５８Ｓと第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓ下に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓは第１改変例の最下の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓであり、第４の下側の導体層３５８Ｓは第１改変例の最下の下側の導体層３５８Ｓである。最下の下側の導体層３５８Ｓは下側のソルダーレジスト層の開口７１Ｓにより露出される下側のパッド７３Ｓを有する。下側の導体層３５８Ｓは厚みｓ４を有する。
【００４４】
厚みｆ４は１６μｍであって、厚みｓ４は２１μｍである。厚みｓ４は厚みｆ４より大きい。厚みｓ４と厚みｆ４の差は５μｍである。最上の上側の導体層の厚みと最下の下側の導体層の厚みとの差は２〜８μｍある。厚みの差は４〜６μｍあることがより好ましい。
【００４５】
下側のビルドアップ層５５Ｓに属する下側の導体層５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓ、３５８Ｓの和ＳＡ（ＳＡ４）は、上側のビルドアップ層５５Ｆに属する上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆ、３５８Ｆの和ＳＦ（ＳＦ４）より大きい。和ＳＡ４と和ＳＦ４の差は、図１のプリント配線板と同様に１μｍより大きい。和ＳＡ４と和ＳＦ４の差は、図１のプリント配線板と同様に３０μｍ以下である。
【００４６】
第１改変例の最上の上側の導体層３５８Ｓの占有率ＯＦ４は６７．６６％である。第１改変例の最下の下側の導体層３５８Ｓの占有率ＯＳ４は８０．５８％である。占有率ＯＳ４は占有率ＯＦ４より大きい。占有率ＯＳ４と占有率ＯＦ４の差は１０％から３０％の間である。
【００４７】
実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０Ｍ１は、図１に示される実施形態のプリント配線板１０と同様な効果を有する。
【００４８】
[実施形態の第２改変例]
図５（Ｂ）は実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０Ｍ２の断面図である。第２改変例のプリント配線板１０Ｍ２は、図１に示されるプリント配線板１０の第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと第２の上側のビア導体１６０Ｆと第３の上側の導体層２５８Ｆと第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓと第２の下側のビア導体１６０Ｓと第３の下側の導体層２５８Ｓを有していない。それ以外、第２の改変例のプリント配線板１０Ｍ２は実施形態のプリント配線板１０と同じである。第２の上側の導体層１５８Ｆが最上の上側の導体層であり、第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆが最上の上側の樹脂絶縁層である。また、第２の下側の導体層１５８Ｓが最下の下側の導体層であり、第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓが最下の下側の樹脂絶縁層である。
【００４９】
第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍであって、第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１は２１μｍである。厚みｓ１は厚みｆ１より厚い。厚みｓ１と厚みｆ１の差は６μｍである。厚みｓ１と厚みｆ１の差は２〜８μｍある。厚みの差は４〜６μｍあることがより好ましい。
【００５０】
最上の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍであって、最下の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍである。厚みｓ２は厚みｆ２より厚い。厚みｓ２と厚みｆ２の差は４μｍである。厚みｓ２と厚みｆ２の差は２〜８μｍあるの。厚みの差は４〜６μｍあることがより好ましい。
【００５１】
厚みｓ１と厚みｓ２の和ＳＡ（ＳＡ２）は厚みｆ１と厚みｆ２の和ＳＦ（ＳＦ２）より大きい。和ＳＡ２と和ＳＦ２の差は１μｍより大きい。和ＳＡ２と和ＳＦ２の差は３０μｍ以下である。
【００５２】
第１の上側の導体層５８Ｆの占有率ＯＦ１は６７．５３％である。第１の下側の導体層５８Ｓの占有率ＯＳ１は８３．３０％である。占有率ＯＳ１は占有率ＯＦ１より大きい。占有率ＯＳ１と占有率ＯＦ１の差は１０％から３０％であり、図５（Ｂ）のプリント配線板では、差は１５．７７％である。
最上の上側の導体層１５８Ｆの占有率ＯＦ２は５２．５５％である。最下の下側の導体層１５８Ｓの占有率ＯＳ２は７９．４６％である。占有率ＯＳ２は占有率ＯＦ２より大きい。占有率ＯＳ２と占有率ＯＦ２の差は１０％から３０％であり、図５（Ｂ）のプリント配線板では、差は２６．９１％である。
【００５３】
実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０Ｍ２は、図１に示される実施形態のプリント配線板１０と同様な効果を有する。
【符号の説明】
【００５４】
１０  プリント配線板
２０ｚ  絶縁基板
２８  貫通孔
３０  コア基板
５８Ｆ  第１の上側の導体層
５８Ｓ  第１の下側の導体層
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  第１の上側の樹脂絶縁層
５０Ｓ  第１の下側の樹脂絶縁層
１５８Ｆ  第２の上側の導体層
１５８Ｓ  第２の下側の導体層
２５８Ｆ  最上の上側の導体層
２５８Ｓ  最下の下側の導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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