(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に輻射熱を付与するように構成された加熱光源と、
前記基板を冷却可能に構成された冷却板と、
前記基板を前記冷却板に対して近接及び離間可能に構成された駆動部と、
前記基板を出し入れ可能であると共に前記駆動部に保持された前記基板を収容可能に構成された収容筐体と、
前記収容筐体内に不活性ガスを供給可能に構成された供給部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記駆動部を制御して前記基板が前記冷却板から離れた離間位置において前記基板を保持させる第１の処理と、
前記供給部を制御して前記収容筐体内に不活性ガスを供給させる第２の処理と、
前記第１及び第２の処理の後に、前記加熱光源を制御して前記基板を加熱させる第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記加熱光源を制御して前記基板の加熱を停止させる第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記駆動部を制御して前記基板が前記冷却板に近づく近接位置において前記基板を保持させて、前記基板を前記冷却板により冷却する第５の処理とを実行し、
前記冷却板は、前記加熱光源から放射される光に対して透過性を有する材料で構成され、
前記加熱光源は、
前記冷却板のうちの一方の主面側に位置しており、
前記冷却板のうちの他方の主面側において前記駆動部によって保持される前記基板に輻射熱を付与するように構成されている、熱処理装置。
【請求項２】
基板に輻射熱を付与するように構成された加熱光源と、
前記基板を冷却可能に構成された冷却板と、
前記基板を前記冷却板に対して近接及び離間可能に構成された駆動部と、
前記基板を出し入れ可能とされた開放状態と、前記駆動部に保持された前記基板を収容して前記基板を処理する処理空間が構成される非開放状態とを切り替え可能に構成された収容筐体と、
前記収容筐体内に不活性ガスを供給可能に構成された供給部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記駆動部を制御して前記基板が前記冷却板から離れた離間位置において前記基板を保持させる第１の処理と、
前記供給部を制御して前記収容筐体内に不活性ガスを供給させる第２の処理と、
前記第１及び第２の処理の後に、前記加熱光源を制御して前記基板を加熱させる第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記加熱光源を制御して前記基板の加熱を停止させる第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記駆動部を制御して前記基板が前記冷却板に近づく近接位置において前記基板を保持させて、前記基板を前記冷却板により冷却する第５の処理と、
少なくとも前記第３〜第５の処理の間において前記収容筐体を前記非開放状態とすることで、前記収容筐体内が不活性ガスで満たされた状態を継続させる第６の処理とを実行する、熱処理装置。
【請求項３】
前記収容筐体の外側に位置し、前記収容筐体に対して前記基板を搬入出可能に構成された搬送アームをさらに備える、請求項１又は２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記冷却板の内部には、冷媒が流通する複数の流路が設けられており、
前記複数の流路のうち前記冷却板の中央部寄りに位置する流路における冷媒の流量は、前記複数の流路のうち前記冷却板の周縁部寄りに位置する流路における冷媒の流量よりも大きくなるように設定されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱処理装置。
【請求項５】
基板が冷却板から離れた離間位置で、前記基板を出し入れ可能な収容筐体内に搬入された前記基板を保持する第１の工程と、
前記収容筐体内に不活性ガスを供給する第２の工程と、
前記第１及び第２の工程の後に、前記基板に輻射熱を付与するように構成された加熱光源により前記基板を加熱する第３の工程と、
前記第３の工程の後に前記加熱光源を停止する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板が前記冷却板に近づく近接位置において前記基板を保持し、前記基板を冷却板により冷却する第５の工程とを含み、
前記冷却板は、前記加熱光源から放射される光に対して透過性を有する材料で構成され、
前記加熱光源は、前記第３の工程において、前記冷却板を間において前記基板とは反対側から前記基板を加熱する、熱処理方法。
【請求項６】
基板が冷却板から離れた離間位置で、前記基板を出し入れ可能とされた開放状態にある収容筐体内に搬入された前記基板を保持する第１の工程と、
前記収容筐体内に不活性ガスを供給する第２の工程と、
前記第１及び第２の工程の後に、前記基板に輻射熱を付与するように構成された加熱光源により前記基板を加熱する第３の工程と、
前記第３の工程の後に前記加熱光源を停止する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板が前記冷却板に近づく近接位置において前記基板を保持し、前記基板を冷却板により冷却する第５の工程とを含み、
少なくとも前記第３〜第５の工程の間において、前記基板を処理する処理空間が構成される非開放状態となるように前記収容筐体の状態を切り替えて、前記収容筐体内が不活性ガスで満たされた状態を継続させる、熱処理方法。
【請求項７】
前記冷却板の内部には、冷媒が流通する複数の流路が設けられており、
前記第５の工程では、前記複数の流路のうち前記冷却板の中央部寄りに位置する流路における冷媒の流量は、前記複数の流路のうち前記冷却板の周縁部寄りに位置する流路における冷媒の流量よりも大きくなるように、前記複数の流路に冷媒を流通させる、請求項５又は６に記載の熱処理方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の熱処理方法を熱処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、熱処理室内において基板を加熱する熱板と、熱処理室外において基板を冷却すると共に熱処理室に対して基板を搬入出可能に構成された冷却板とを備える熱処理装置を開示している。当該熱処理装置は、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて基板を微細加工する際に、基板の表面に形成された塗布膜に含まれる溶剤を蒸発させる熱処理、当該塗布膜の化学反応を促進させる熱処理、当該塗布膜を硬化させて硬化膜とする熱処理等を実施する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９４７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板の表面には、例えば、ＳＯＣ（SpinOn Carbon）膜、アモルファスカーボン膜等の、酸化しやすい膜が形成されることがある。このような膜を基板の表面に形成する際には、膜の酸化を防ぐために、熱処理室内に不活性ガスを供給しながら熱板による基板の加熱を行う。このときの基板の加熱温度は例えば２００℃〜６００℃程度の高温であるので、基板の加熱後すぐに基板が熱処理室から搬出されると、高温の基板が大気と接触するのでやはり膜が酸化してしまう。そのため、熱処理室内に基板を収容したまま、膜が酸化しない温度に基板の温度が下がるまで待たなければならない。しかも、基板の加熱に伴い、熱処理室を構成する部材も高温となっているので、図１３において破線で示されるように、基板の温度が下がり難く（処理時間ｔ１）、冷却後の基板の温度（温度Ｔ１）も依然として高い傾向にある。
【０００５】
これに対し、冷却板をも収容する大型の熱処理室を採用して、冷却板の周囲も不活性ガス雰囲気とすることも考えられる。この場合、冷却板の周囲も不活性ガス雰囲気であるので、基板の温度が下がるのを待つことなく、基板を熱板から冷却板に移送できる。しかしながら、熱処理室が熱板及び冷却板の双方を収容するために大型化するので、熱処理室内を不活性ガスで満たすのに時間がかかると共に、多量の不活性ガスを消費してしまいコストが増加する。
【０００６】
そこで、本開示は、酸化しやすい膜を基板の表面に形成するにあたり、基板の熱処理時間の短縮化と熱処理の低コスト化との両立を図ることが可能な熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一つの観点に係る熱処理装置は、基板に輻射熱を付与するように構成された加熱光源と、基板を冷却可能に構成された冷却板と、基板を冷却板に対して近接及び離間可能に構成された駆動部と、基板を出し入れ可能であると共に駆動部に保持された基板を収容可能に構成された収容筐体と、収容筐体内に不活性ガスを供給可能に構成された供給部と、制御部とを備え、制御部は、駆動部を制御して基板が冷却板から離れた離間位置において基板を保持させる第１の処理と、供給部を制御して収容筐体内に不活性ガスを供給させる第２の処理と、第１及び第２の処理の後に、加熱光源を制御して基板を加熱させる第３の処理と、第３の処理の後に、加熱光源を制御して基板の加熱を停止させる第４の処理と、第４の処理の後に、駆動部を制御して基板が冷却板に近づく近接位置において基板を保持させることにより、基板を冷却板で冷却する第５の処理とを実行する。
【０００８】
本開示の一つの観点に係る熱処理装置では、加熱光源が基板に輻射熱を付与しているので、冷却板が加熱光源によってほとんど加熱されない。そのため、制御部が、駆動部を制御して基板が冷却板から離れた離間位置において基板を保持させる第１の処理と、供給部を制御して収容筐体内に不活性ガスを供給させる第２の処理と、第１及び第２の処理の後に、加熱光源を制御して基板を加熱させる第３の処理とを実行することで、基板は、冷却板から熱をほとんど奪われることなく、不活性ガス雰囲気で加熱される。一方、制御部が、第３の処理の後に、加熱光源を制御して基板の加熱を停止させる第４の処理と、第４の処理の後に、駆動部を制御して基板が冷却板に近づく近接位置において基板を保持させて、基板を冷却板により冷却する第５の処理とを実行することで、基板は、不活性ガス雰囲気で効果的に冷却される。従って、基板の表面に形成されている塗布膜の酸化を抑制しつつ、基板の熱処理時間を短縮化できる。また、加熱光源によって基板を輻射熱によって加熱しているので、収容筐体が高温になり難く、基板を冷却板によって特に効果的に冷却できる。加えて、少なくとも基板を収容可能な大きさの収容筐体内に不活性ガスを満たせばよいので、不活性ガスの使用量を低減できる。以上により、酸化しやすい膜を基板の表面に形成するにあたり、基板の熱処理時間の短縮化と熱処理の低コスト化との両立を図ることが可能となる。
【０００９】
本開示の一つの観点に係る熱処理装置は、収容筐体の外側に位置し、収容筐体に対して基板を搬入出可能に構成された搬送アームをさらに備えてもよい。この場合、比較的大きな部材である搬送アームが収容筐体の外側に位置するので、収容筐体の大きさが小さくてすむ。そのため、不活性ガスの使用量をより低減することが可能となる。
【００１０】
冷却板は、加熱光源から放射される光に対して透過性を有する材料で構成され、加熱光源は、冷却板のうちの一方の主面側に位置しており、冷却板のうちの他方の主面側において駆動部によって保持される基板に輻射熱を付与するように構成されていてもよい。この場合、基板と加熱光源とが冷却板によって隔てられているので、基板の加熱によって生ずる異物等が加熱光源に付着し難い。従って、加熱光源の清掃を省力化することが可能となる。
【００１１】
冷却板の内部には、冷媒が流通する複数の流路が設けられており、複数の流路のうち冷却板の中央部寄りに位置する流路における冷媒の流量は、複数の流路のうち冷却板の周縁部寄りに位置する流路における冷媒の流量よりも大きくなるように設定されていてもよい。冷却板の中央部ほど熱が逃げにくく外部との熱交換により温度が高くなりやすいので、上記の場合、冷却板の面内における温度分布を均一化することが可能となる。
【００１２】
本開示の他の観点に係る熱処理方法は、基板が冷却板から離れた離間位置で、基板を出し入れ可能な収容筐体内に搬入された基板を保持する第１の工程と、収容筐体内に不活性ガスを供給する第２の工程と、第１及び第２の工程の後に、基板に輻射熱を付与するように構成された加熱光源により基板を加熱する第３の工程と、第３の工程の後に加熱光源を停止する第４の工程と、第４の工程の後に、基板が冷却板に近づく近接位置において基板を保持し、基板を冷却板により冷却する第５の工程とを含む。
【００１３】
本開示の他の観点に係る熱処理方法では、加熱光源が基板に輻射熱を付与しているので、冷却板が加熱光源によってほとんど加熱されない。そのため、第１の工程において、基板が冷却板から離れた離間位置で、基板を出し入れ可能な収容筐体内に搬入された基板を保持し、第２の工程において、収容筐体内に不活性ガスを供給し、第１及び第２の工程の後の第３の工程において、基板に輻射熱を付与するように構成された加熱光源により基板を加熱することで、基板は、冷却板から熱をほとんど奪われることなく、不活性ガス雰囲気で加熱される。一方、第３の工程の後の第４の工程において加熱光源を停止し、第４の工程の後の第５の工程において、板が冷却板に近づく近接位置において基板を保持し、基板を冷却板により冷却することで、基板は、不活性ガス雰囲気で効果的に冷却される。従って、基板の表面に形成されている塗布膜の酸化を抑制しつつ、基板の熱処理時間を短縮化できる。また、少なくとも基板を収容可能な大きさの収容筐体内に不活性ガスを満たせばよいので、不活性ガスの使用量を低減できる。以上により、酸化しやすい膜を基板の表面に形成するにあたり、基板の熱処理時間の短縮化と熱処理の低コスト化との両立を図ることが可能となる。
【００１４】
冷却板は、加熱光源から放射される光に対して透過性を有する材料で構成され、加熱光源は、第３の工程において、冷却板を間において基板とは反対側から基板を加熱してもよい。この場合、基板と加熱光源とが冷却板によって隔てられているので、基板の加熱によって生ずる異物等が加熱光源に付着し難い。従って、加熱光源の清掃を省力化することが可能となる。
【００１５】
冷却板の内部には、冷媒が流通する複数の流路が設けられており、第５の工程では、複数の流路のうち冷却板の中央部寄りに位置する流路における冷媒の流量は、複数の流路のうち冷却板の周縁部寄りに位置する流路における冷媒の流量よりも大きくなるように、複数の流路に冷媒を流通させてもよい。冷却板の中央部ほど熱が逃げにくく外部との熱交換により温度が高くなりやすいので、上記の場合、冷却板の面内における温度分布を均一化することが可能となる。
【００１６】
本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上述の方法を熱処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体では、上記の熱処理方法と同様に、酸化しやすい膜を基板の表面に形成するにあたり、基板の熱処理時間の短縮化と熱処理の低コスト化との両立を図ることが可能となる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。
【発明の効果】
【００１７】
本開示に係る熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、基板の処理時間の短縮化と基板処理の低コスト化との両立を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、基板処理システムを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】図４は、熱処理ユニットを側方から見た断面図である。
【図５】図５は、熱処理ユニットを上方から見た断面図である。
【図６】図６（ａ）は冷却板を上方から見た図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】図７は、熱処理ユニット及びコントローラを示すブロック図である。
【図８】図８は、コントローラのハードウェア構成を示す概略図である。
【図９】図９は、ウエハの加熱処理を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、ウエハの加熱処理の一過程を示す図である。
【図１１】図１１は、ウエハの加熱処理の一過程を示す図である。
【図１２】図１２は、ウエハの加熱処理の一過程を示す図である。
【図１３】図１３は、熱処理時間とウエハ温度との関係の一例を示すグラフである。
【図１４】図１４は、シリコンの光吸収特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に説明される本開示に係る実施形態は本発明を説明するための例示であるので、本発明は以下の内容に限定されるべきではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２０】
［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板処理装置）は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、コントローラ１０（制御部；熱処理装置）とを備える。露光装置３は、ウエハＷ（基板）の表面に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理（パターン露光）を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。
【００２１】
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷの表面にレジスト膜等の塗布膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、円形の一部が切り欠かれていてもよいし、多角形など円形以外の形状を呈していてもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。ウエハＷの材料は、例えばシリコンであってもよい。なお、シリコンは、図１４に示されるように、幅広い温度域において１．２μｍ程度以下の波長の光に対して０．５〜０．６程度の光吸収率を有する。
【００２２】
図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。
【００２３】
キャリアブロック４は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。
【００２４】
搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２５】
処理ブロック５は、図１及び図２に示されるように、ＢＣＴモジュール１４と、ＨＭＣＴモジュール１５と、ＣＯＴモジュール１６と、ＤＥＶモジュール１７とを有する。ＢＣＴモジュール１４は下層膜形成モジュールである。ＨＭＣＴモジュール１５は中間膜（ハードマスク）形成モジュールである。ＣＯＴモジュール１６はレジスト膜形成モジュールである。ＤＥＶモジュール１７は現像処理モジュールである。これらのモジュールは、床面側からＤＥＶモジュール１７、ＢＣＴモジュール１４、ＨＭＣＴモジュール１５、ＣＯＴモジュール１６の順に並んでいる。
【００２６】
ＢＣＴモジュール１４は、ウエハＷの表面上に下層膜を形成するように構成されている。ＢＣＴモジュール１４は、複数の塗布ユニット（図示せず）と、複数の熱処理ユニット（図示せず）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ２（図２参照）とを内蔵している。塗布ユニットは、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＢＣＴモジュール１４において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。
【００２７】
ＨＭＣＴモジュール１５は、下層膜上に中間膜Ｒ（図４参照）を形成するように構成されている。ＨＭＣＴモジュール１５は、図２及び図３に示されるように、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２（熱処理装置）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。塗布ユニットＵ１は、中間膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＨＭＣＴモジュール１５において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜Ｒとするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。熱処理ユニットＵ２の詳細については後述する。
【００２８】
ＣＯＴモジュール１６は、中間膜Ｒ上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されている。ＣＯＴモジュール１６は、複数の塗布ユニット（図示せず）と、複数の熱処理ユニット（図示せず）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している。塗布ユニットは、レジスト膜形成用の処理液（レジスト剤）を中間膜Ｒの上に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＣＯＴモジュール１６において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。
【００２９】
ＤＥＶモジュール１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。ＤＥＶモジュール１７は、複数の現像ユニット（図示せず）と、複数の熱処理ユニット（図示せず）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウエハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している。現像ユニットは、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＤＥＶモジュール１７において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
【００３０】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２及び図３に示されるように、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面からＨＭＣＴモジュール１５にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。
【００３１】
処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面からＤＥＶモジュール１７の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００３２】
インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。
【００３３】
コントローラ１０は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラ１０の詳細については後述する。
【００３４】
［熱処理ユニットの構成］
次に、熱処理ユニットＵ２の構成について、図４〜図６を参照してさらに詳しく説明する。なお、本明細書ではＨＭＣＴモジュール１５の熱処理ユニットＵ２の構成を説明しているが、ＢＣＴモジュール１４、ＣＯＴモジュール１６及びＤＥＶモジュール１７の熱処理ユニットの構成も熱処理ユニットＵ２と同等である。
【００３５】
熱処理ユニットＵ２は、図４及び図５に示されるように、筐体１００内に、ウエハＷを加熱する加熱部１１０と、ウエハＷを冷却する冷却部１２０とを有する。筐体１００のうち冷却部１２０に対応する部分の両側壁には、ウエハＷを筐体１００の内部に搬入すると共にウエハＷを筐体１００外へと搬出するための搬入出口１０１が形成されている。
【００３６】
加熱部１１０は、収容筐体１１１と、冷却板１１２と、加熱光源１１３と、昇降機構１１４（駆動部）と、昇降機構１１５と、ガス供給部１１６（供給部）とを有する。収容筐体１１１は、ウエハＷを出し入れ可能に構成されている。収容筐体１１１は、基部１１１ａと、蓋部１１１ｂとを有する。基部１１１ａは、例えば円筒状を呈しており、筐体１００の底壁上に立設されている。基部１１１ａの側壁には、収容筐体１１１内にガスを供給するための供給孔１１１ｃが設けられている。供給孔１１１ｃには収容筐体１１１外に延びる配管Ｄ１が接続されており、配管Ｄ１には上流側から順にガス源１１６ａ、ポンプＰ及びバルブＶ１が配置されている（詳しくは後述する。）。
【００３７】
蓋部１１１ｂは、例えば有底円筒状を呈している。蓋部１１１ｂは、その開放端側が基部１１１ａの上端側と対向するように配置されている。蓋部１１１ｂの天壁には、蓋部１１１ｂ内のガスを排気するための排気孔１１１ｄが設けられている。排気孔１１１ｄには収容筐体１１１外に延びる配管Ｄ２が接続されており、配管Ｄ２上にはバルブＶ２が配置されている。
【００３８】
冷却板１１２は、図６に示されるように、円形状を呈する平板である。冷却板１１２は、基部１１１ａの上端部において保持されている。冷却板１１２の外形は、ウエハＷの外形よりも大きい。冷却板１１２は、本実施形態において、後述する加熱光源１１３から放射される光に対して透過性を有する材料で構成されている。冷却板１１２は、例えば、石英ガラス、サファイア等で構成されていてもよい。石英ガラスは、０．１６μｍ〜３μｍ程度の波長の光を透過可能な性質を有する。サファイアは、０．１７μｍ〜６．５μｍ程度の波長の光を透過可能な性質を有する。
【００３９】
冷却板１１２には、複数の貫通孔１１２ａ，１１２ｂと、複数の流路１１２ｃとが形成されている。貫通孔１１２ａ，１１２ｂはいずれも、冷却板１１２の厚さ方向に貫通して延びている。複数の貫通孔１１２ａはそれぞれ、後述する昇降ピン１１４ｂに対応する位置に設けられており、昇降ピン１１４ｂの外形よりもやや大きい。
【００４０】
複数の貫通孔１１２ｂは、所定の第１の方向（図６（ａ）において左右方向）に沿って複数の列を形成するよう、第１の方向と交差する第２の方向（図６（ａ）において上下方向）に沿って並んでいる。換言すれば、一つの列を構成する複数の貫通孔１１２ｂは、第２の方向（図６（ａ）において上下方向）に沿って並んでいる。各列は、第１の方向（図６（ａ）において左右方向）に沿って並んでいる。貫通孔１１２ｂは、ガスが流通可能な大きさであればよく、貫通孔１１２ａよりも小さくてもよい。
【００４１】
複数の流路１１２ｃ内には冷媒が流通可能である。すなわち、冷却板１１２は、複数の流路１１２ｃ内に冷媒が流れることにより、冷却板１１２の近傍に位置するウエハＷを冷却可能に構成されている。複数の流路１１２ｃはそれぞれ、第２の方向に沿って延びている。複数の流路１１２ｃは、第１の方向に沿って並んでいる。複数の流路１１２ｃは、複数の貫通孔１１２ｂが構成する各列の間に位置している。
【００４２】
各流路１１２ｃの断面積は、本実施形態において、第１の方向において冷却板１１２の中央部寄りに位置する流路１１２ｃほど大きく、第１の方向において冷却板１１２の周縁部寄りに位置する流路１１２ｃほど小さくなるように設定されている。すなわち、複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の中央部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流量は、複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の周縁部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流量よりも大きくなるように設定されている。各流路１１２ｃにおける冷媒の流通方向は、図６（ａ）に示されるように、隣り合う流路１１２ｃにおいて逆向きであってもよい。冷媒は、冷却板１１２を冷却することができれば特に限定されず、例えば、水、空気等であってもよい。冷却板１１２の設定温度は、ウエハＷの表面に形成される塗布膜が酸素雰囲気下で酸化しないか酸化がほとんど進行しない温度以下であってもよい。
【００４３】
加熱光源１１３は、基部１１１ａ及び冷却板１１２で囲まれる空間内に配置されている。すなわち、本実施形態において、加熱光源１１３は、冷却板１１２の一方の主面側（冷却板１１２の下方）に位置している。加熱光源１１３は、ウエハＷに輻射熱を付与するように構成されている。具体的には、加熱光源１１３は、輻射熱により対象物を例えば４００℃〜１０００℃程度に加熱可能な光源である。
【００４４】
加熱光源１１３としては、例えば、ＬＥＤ素子、レーザ光素子、ハロゲンランプ等が挙げられる。ＬＥＤ素子としては、例えば、ＧａＮ（放射波長３６０ｎｍ〜５２０ｎｍ程度）、ＧａＡｓ（放射波長９５０ｎｍ〜９７０ｎｍ程度）、ＧａＡｌＡｓ（放射波長８８０ｎｍ程度）等を用いてもよい。図１４に示されるように、これらのＬＥＤ素子からの出射光に対してシリコンは０．５〜０．６程度の吸収率を有するので、ウエハＷがシリコン製の場合にはウエハＷを効率よく加熱することができる。また、冷却板１１２が石英ガラス又はサファイアで構成されている場合には、これらのＬＥＤ素子からの出射光は、冷却板１１２を透過可能である。
【００４５】
昇降機構１１４は、モータ１１４ａと、３つの昇降ピン１１４ｂとを有する。モータ１１４ａは、筐体１００外に配置されており、昇降ピン１１４ｂを上下動させる。昇降ピン１１４ｂは、基部１１１ａ及び冷却板１１２で囲まれる空間内に配置されている。すなわち、本実施形態において、昇降ピン１１４ｂは、冷却板１１２の一方の主面側（冷却板１１２の下方）に位置している。昇降ピン１１４ｂはそれぞれ、対応する貫通孔１１２ｂ内に挿通可能である。昇降ピン１１４ｂの先端が冷却板１１２よりも上方に突出している場合、昇降ピン１１４ｂの先端上にウエハＷを載置可能である。昇降ピン１１４ｂの先端上に載置されたウエハＷは、昇降ピン１１４ｂの上下動に伴い昇降する。すなわち、昇降機構１１４は、ウエハＷを冷却板１１２に対して近接及び離間可能に構成されている。換言すれば、昇降機構１１４は、ウエハＷが冷却板１１２から離間した離間位置とウエハＷが冷却板１１２に近接した近接位置との間でウエハＷを昇降可能に構成されている。
【００４６】
昇降機構１１５は、モータ１１５ａと、昇降ピン１１５ｂとを有する。モータ１１５ａは、筐体１００外に配置されており、昇降ピン１１５ｂを上下動させる。昇降ピン１１５ｂは、筐体１００内においてモータ１１５ａと蓋部１１１ｂとを接続している。そのため、昇降機構１１５は、蓋部１１１ｂを基部１１１ａに対して近接及び離間可能に構成されている。換言すれば、昇降機構１１５は、蓋部１１１ｂが基部１１１ａから離間した離間位置と蓋部１１１ｂが基部１１１ａに載置された載置位置との間で蓋部１１１ｂを昇降可能に構成されている。蓋部１１１ｂが離間位置にある場合、ウエハＷを収容筐体１１１内に出し入れ可能である。蓋部１１１ｂが載置位置にある場合、蓋部１１１ｂと冷却板１１２とは、これらによって囲まれた処理空間１１７を構成する。
【００４７】
ガス供給部１１６は、収容筐体１１１内に不活性ガスを供給可能に構成されている。具体的には、ガス供給部１１６は、ガス源１１６ａと、ポンプＰと、バルブＶ１と、配管Ｄ１とを有する。ガス源１１６ａは、不活性ガス（例えば、窒素）の供給源として機能する。ポンプＰは、ガス源１１６ａから不活性ガスを吸引し、配管Ｄ１及びバルブＶ１を介して収容筐体１１１内（基部１１１ａ内）に送り出す。
【００４８】
冷却部１２０は、図４及び図５に示されるように、加熱部１１０に隣接して収容筐体１１１の外側に位置している。冷却部１２０は、載置されたウエハＷを冷却する冷却板１２１（搬送アーム）を有する。冷却板１２１は、図５に示されるように、略円形状を呈する平板であり、ウエハＷを移送可能に構成されている。冷却板１２１内には図示しない冷却機構（例えばペルチェ素子）が設けられており、冷却機構によって冷却板１２１の温度が所定温度（例えば室温程度）に保たれる。
【００４９】
冷却板１２１は、加熱部１１０側に向かって延伸するレール１２２に取付けられている。冷却板１２１は、移動機構１２３により駆動され、レール１２２上を水平移動可能である。加熱部１１０側まで移動した冷却板１２１は、冷却板１１２の上方に位置する。そのため、冷却板１２１は、冷却板１１２に近づいた近接位置と冷却板１１２から離れた離間位置との間で移動可能である。
【００５０】
冷却板１２１には、図５に示されるように、レール１２２の延在方向に沿って延びる２本のスリット１２１ａが形成されている。スリット１２１ａは、冷却板１２１における加熱部１１０側の端部から冷却板１２１の中央部付近まで延びるように形成されている。スリット１２１ａにより、加熱部１１０側に移動した冷却板１２１と冷却板１１２上に突出した昇降ピン１１４ｂとの干渉が防止される。そのため、冷却板１２１は、ウエハＷを冷却板１１２に受け渡し且つウエハＷを冷却板１１２から受け取ることが可能である。換言すれば、冷却板１２１は、収容筐体１１１に対してウエハＷを搬入出可能に構成されている。
【００５１】
図４に示されるように、冷却板１２１の下方には昇降機構１２５が配置されている。昇降機構１２５は、筐体１００外に配置されたモータ１２５ａと、モータ１２５ａによって上下動する３つの昇降ピン１２５ｂとを有する。昇降ピン１２５ｂはそれぞれ、スリット１２１ａを通過可能に構成されている。昇降ピン１２５ｂの先端が冷却板１２１よりも上方に突出している場合、昇降ピン１２５ｂの先端上にウエハＷを載置可能である。昇降ピン１２５ｂの先端上に載置されたウエハＷは、昇降ピン１２５ｂの上下動に伴い昇降する。
【００５２】
［コントローラの構成］
コントローラ１０は、図７に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ１０の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ１０を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
【００５３】
読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。
【００５４】
記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み取られたプログラム、加熱光源１１３によってウエハＷを加熱する際の加熱設定温度、冷却板１１２，１２１によってウエハＷを冷却する際の冷却設定温度等を記憶する。
【００５５】
処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、基板処理システム１の各部（例えば、ポンプＰ、バルブＶ１，Ｖ２、加熱光源１１３、昇降機構１１４，１１５，１２５、移動機構１２３）を動作させるための信号を生成する。
【００５６】
指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された信号を基板処理システム１の各部（例えば、ポンプＰ、バルブＶ１，Ｖ２、加熱光源１１３、昇降機構１１４，１１５，１２５、移動機構１２３）に送信する。具体的には、指示部Ｍ４は、ポンプＰにＯＮ／ＯＦＦ信号を送信し、ガス源１１６ａからの不活性ガスの供給及び停止を切り替える。指示部Ｍ４は、バルブＶ１，Ｖ２にＯＮ／ＯＦＦ信号を送信し、バルブＶ１，Ｖ２の開放及び閉鎖を切り替える。指示部Ｍ４は、加熱光源１１３にＯＮ／ＯＦＦ信号を送信し、加熱光源１１３の点灯及び消灯を切り替える。指示部Ｍ４は、昇降機構１１４に上昇信号又は下降信号を送信し、昇降ピン１２４ｂを昇降させる。指示部Ｍ４は、昇降機構１１５に上昇信号又は下降信号を送信し、蓋部１１１ｂを昇降させる。指示部Ｍ４は、昇降機構１２５に上昇信号又は下降信号を送信し、昇降ピン１２５ｂを昇降させる。指示部Ｍ４は、移動機構１２３に駆動信号を送信し、上方位置と離間位置との間で冷却板１２１をレール１２２に沿って水平移動させる。
【００５７】
コントローラ１０のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、例えば図８に示される回路１０Ａを有する。回路１０Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１０Ａは、具体的には、プロセッサ１０Ｂと、メモリ１０Ｃと、ストレージ１０Ｄと、ドライバ１０Ｅと、入出力ポート１０Ｆとを有する。プロセッサ１０Ｂは、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１０Ｆを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。ドライバ１０Ｅは、基板処理システム１の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポート１０Ｆは、ドライバ１０Ｅと基板処理システム１の各種装置（例えば、ポンプＰ、バルブＶ１，Ｖ２、加熱光源１１３、昇降機構１１４，１１５，１２５、移動機構１２３）との間で、信号の入出力を行う。
【００５８】
本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラ１０を備えているが、複数のコントローラ１０で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ１０によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラ１０の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０が複数のコンピュータ（回路１０Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路１０Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路１０Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０は、複数のプロセッサ１０Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ１０Ｂによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ１０Ｂの組み合わせによって実現されていてもよい。
【００５９】
［ウエハの熱処理方法］
続いて、図９〜図１２を参照して、熱処理ユニットＵ２におけるウエハＷの熱処理方法について説明する。なお、本明細書では、中間膜Ｒが表面に形成されたウエハＷをＨＭＣＴモジュール１５の熱処理ユニットＵ２により熱処理する方法を説明しているが、各種膜が表面に形成されたウエハＷをＢＣＴモジュール１４、ＣＯＴモジュール１６及びＤＥＶモジュール１７において熱処理する方法も下記と同様である。
【００６０】
まず、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、表面に中間膜Ｒが形成されたウエハＷを冷却板１２１に載置させる。次に、コントローラ１０は、蓋部１１１ｂが離間位置に位置した状態で移動機構１２３を制御して、冷却板１１２に対する離間位置から近接位置へと冷却板１２１を移動させる（図１０（ａ）参照）。次に、コントローラ１０は、昇降機構１１４を制御して、昇降ピン１１４ｂを上昇させる。これにより、昇降ピン１１４ｂは、貫通孔１１２ａ及びスリット１２１ａを通ってウエハＷを保持し、その状態で冷却板１１２に対する離間位置にウエハＷを位置させる。換言すれば、ウエハＷは、冷却板１１２のうち他方の主面側（冷却板１１２の上方）において昇降ピン１１４ｂに保持される（第１の処理；第１の工程）。こうして、ウエハＷが冷却板１２１から収容筐体１１１内に搬送される（ステップＳ１１；図１０（ｂ）参照）。次に、コントローラ１０は、移動機構１２３を制御して、冷却板１１２に対する近接位置から離間位置へと冷却板１２１を移動させる（同参照）。
【００６１】
次に、コントローラ１０は、昇降機構１１５を制御して、昇降ピン１１５ｂを下降させる。これにより、昇降ピン１１５ｂは、基部１１１ａに対する離間位置から近接位置へと蓋部１１１ｂを移動させる（図１１（ａ）参照）。そのため、蓋部１１１ｂが基部１１１ａに載置され、処理空間１１７が構成される。すなわち、収容筐体１１１は、昇降ピン１１４ｂによって保持されたウエハＷを収容可能に構成されている。
【００６２】
次に、コントローラ１０は、ポンプＰ及びバルブＶ１，Ｖ２を制御して、ポンプＰを駆動させると共に、バルブＶ１，Ｖ２を開放させる。これにより、ガス源１１６ａから不活性ガスが収容筐体１１１内（基部１１１ａ内）に供給される（ステップＳ１２；第２の処理；第２の工程）。不活性ガスは、基部１１１ａ内に供給された後、貫通孔１１２ｂを介して処理空間１１７に供給され、配管Ｄ２を通じて排気される。従って、収容筐体１１１内は、不活性ガスによって満たされた状態となる。
【００６３】
次に、コントローラ１０は、収容筐体１１１内が不活性ガスによって満たされた状態で加熱光源１１３を制御して、加熱光源１１３を点灯させる。これにより、加熱光源１１３によるウエハＷの加熱が行われる（ステップＳ１３；第３の処理；第３の工程）。加熱光源１１３によるウエハＷの加熱時間は、中間膜Ｒの材料によって適切な時間に設定しうるが、例えば６０秒〜６００秒程度であってもよい。次に、ウエハＷが所定温度に達したと判断すると、コントローラ１０は、加熱光源１１３を制御して、加熱光源１１３を消灯させる（第４の処理；第４の工程）。
【００６４】
次に、コントローラ１０は、昇降機構１１４を制御して、昇降ピン１１４ｂを下降させる。これにより、昇降ピン１１４ｂは、ウエハＷを保持した状態でその状態で冷却板１１２に対する近接位置にウエハＷを位置させる。これにより、冷却板１１２によるウエハＷの冷却が行われる（図１１（ｂ）；ステップＳ１４；第５の処理；第５の工程）。冷却板１２１によるウエハＷの冷却時間は、中間膜Ｒの材料によって適切な時間に設定しうるが、例えば１０秒〜２００秒程度であってもよい。
【００６５】
次に、コントローラ１０は、ポンプＰ及びバルブＶ１，Ｖ２を制御して、ポンプＰを停止させると共に、バルブＶ１，Ｖ２を閉鎖させる。これにより、不活性ガスの収容筐体１１１内（基部１１１ａ内）への供給が停止する（ステップＳ１５）。次に、コントローラ１０は、昇降機構１１５を制御して、昇降ピン１１５ｂを上昇させる。これにより、昇降ピン１１５ｂは、基部１１１ａに対する近接位置から離間位置へと蓋部１１１ｂを移動させる（図１２（ａ）参照）。次に、コントローラ１０は、昇降機構１１４を制御して、昇降ピン１１４ｂを上昇させる（同参照）。次に、コントローラ１０は、移動機構１２３を制御して、冷却板１１２に対する離間位置から近接位置へと冷却板１２１を移動させる（同参照）。
【００６６】
次に、コントローラ１０は、昇降機構１１４を制御して、昇降ピン１１４ｂを下降させる。これにより、昇降ピン１１４ｂは、貫通孔１１２ａ及びスリット１２１ａを通って冷却板１１２の下方に移動し、ウエハＷを冷却板１２１に載置する（図１２（ｂ）参照）。次に、コントローラ１０は、移動機構１２３を制御して、冷却板１１２に対する近接位置から離間位置へと冷却板１２１を移動させる（同参照）。こうして、ウエハＷが冷却板１２１から収容筐体１１１外に搬出される（ステップＳ１６；同参照）。
【００６７】
［作用］
以上のような本実施形態では、加熱光源１１３がウエハＷに輻射熱を付与しているので、冷却板１１２が加熱光源１１３によってほとんど加熱されない。そのため、コントローラ１０が、ガス供給部１１６を制御して収容筐体１１１内に不活性ガスを供給させる第１の処理と、昇降機構１１４を制御してウエハＷが冷却板１１２から離れた離間位置においてウエハＷを保持させる第２の処理と、第１及び第２の処理の後に、加熱光源１１３を制御してウエハＷを加熱させる第３の処理とを実行することで、ウエハＷは、冷却板１１２から熱をほとんど奪われることなく、不活性ガス雰囲気で加熱される。一方、コントローラ１０が、第３の処理の後に、加熱光源１１３を制御してウエハＷの加熱を停止させる第４の処理と、第４の処理の後に、昇降機構１１４を制御してウエハＷが冷却板１１２に近づく近接位置においてウエハＷを保持させて、ウエハＷを冷却板１１２により冷却する第５の処理とを実行することで、ウエハＷは、不活性ガス雰囲気で効果的に冷却される。従って、ウエハＷの表面に形成されている中間膜Ｒの酸化を抑制しつつ、ウエハＷの熱処理時間を短縮化できる。また、加熱光源１１３によってウエハＷを輻射熱によって加熱しているので、収容筐体１１１が高温になり難く、ウエハＷを冷却板１１２によって特に効果的に冷却できる。具体的には、図１３において実線で示されるように、ウエハＷの処理時間ｔ２が従来の処理時間ｔ１よりも短く、冷却後のウエハＷの温度Ｔ２も従来の温度Ｔ１よりも低くなる。加えて、少なくともウエハＷを収容可能な大きさの収容筐体１１１内に不活性ガスを満たせばよいので、不活性ガスの使用量を低減できる。以上により、酸化しやすい膜をウエハＷの表面に形成するにあたり、ウエハＷの熱処理時間の短縮化と熱処理の低コスト化との両立を図ることが可能となる。
【００６８】
本実施形態では、冷却板１２１が、収容筐体１１１の外側に位置し、収容筐体１１１に対してウエハＷを搬入出可能に構成されている。そのため、比較的大きな部材である冷却板１２１が収容筐体１１１を含む空間を不活性ガスで満たす必要がない。従って、不活性ガスの使用量をより低減することが可能となる。
【００６９】
本実施形態では、冷却板１１２が、加熱光源１１３から放射される光に対して透過性を有する材料で構成されている。また、加熱光源１１３は、冷却板１１２のうちの一方の主面側（冷却板１１２の下方）に位置しており、冷却板１１２のうちの他方の主面側（冷却板１１２の上方）において昇降機構１１４によって保持されるウエハＷに輻射熱を付与するように構成されている。そのため、ウエハＷと加熱光源１１３とが冷却板１１２によって隔てられている。加えて、不活性ガスは、基部１１１ａ側から貫通孔１１２ｂを通って蓋部１１１ｂ側（処理空間１１７内）に流れるようになっている。従って、ウエハＷの加熱によって生ずる異物等が加熱光源１１３に極めて付着し難い。従って、加熱光源１１３の清掃を省力化することが可能となる。
【００７０】
本実施形態では、冷却板１１２の内部に、冷媒が流通する複数の流路１１２ｃが設けられており、複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の中央部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流量は、複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の周縁部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流量よりも大きくなるように設定されている。冷却板１１２の中央部ほど熱が逃げにくく外部との熱交換により温度が高くなりやすいので、上記の場合、冷却板１１２の面内における温度分布を均一化することが可能となる。
【００７１】
［他の実施形態］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、加熱光源１１３は、蓋部１１１ｂ側（処理空間１１７内）に配置されていてもよい。この場合、冷却板１１２は、加熱光源１１３から放射される光に対して透過性を有する材料で構成されていなくてもよい。
【００７２】
複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の中央部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流量を、複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の周縁部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流量よりも大きくなるように設定するための構成は、上記の実施形態の構成に限られない。例えば、複数の流路１１２ｃは同心円状に並んでおり、各流路１１２ｃの断面積が冷却板１１２の中心部寄りほど大きく周縁部寄りほど小さくなるように設定されていてもよい。あるいは、各流路１１２ｃの断面積がいずれも略一定の場合には、複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の中央部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流速を、複数の流路１１２ｃのうち冷却板１１２の周縁部寄りに位置する流路１１２ｃにおける冷媒の流速よりも大きくなるように設定されていてもよい。流路１１２ｃの形状は、管状のみならず、溝状であってもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１…基板処理システム（基板処理装置）、２…塗布現像装置（基板処理装置）、１０…コントローラ（制御部）、１１０…加熱部、１１１…収容筐体、１１２…冷却板、１１２ｃ…流路、１１３…加熱光源、１１４…昇降機構（駆動部）、１１６…ガス供給部（供給部）、１２１…冷却板（搬送アーム）、Ｒ…中間膜、ＲＭ…記録媒体、Ｕ２…熱処理ユニット（熱処理装置）、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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