(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方にマルチチャンネルで変換するための光サブアセンブリと、
前記光サブアセンブリに電気的に接続するフレキシブル配線基板と、
を有する光モジュールであって、
前記フレキシブル配線基板は、
相互に反対側の第１面及び第２面を有する絶縁層と、
異なるチャンネルの伝送線路が相互に隣り合うように前記絶縁層の前記第１面に配列された複数の伝送線路と、
前記絶縁層の前記第２面に配置された導電層と、
前記絶縁層とは反対側で前記導電層に重なる電波吸収層と、
を有し、
前記複数の伝送線路は、前記導電層と対向することでインピーダンス調整され、
前記導電層は、前記異なるチャンネルの隣り合う前記伝送線路の間に前記伝送線路との重畳を避けて開口を有し、
前記開口の周の長さをＬ、光速をλc、前記フレキシブル配線基板の実効比誘電率をＥｒ、前記電気信号の伝送に使用される最大の駆動周波数をＦとしたとき、
Ｌ＜λc÷√（Ｅｒ）÷Ｆが成立し、
前記電波吸収層は、前記開口を覆うように設けられて前記開口から入った電波を吸収することを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載された光モジュールであって、
前記導電層と前記電波吸収層の間に介在する第２絶縁層をさらに有することを特徴とする光モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載された光モジュールであって、
前記導電層と前記電波吸収層が接触していることを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記開口は、複数箇所のそれぞれに形成されることを特徴とする光モジュール。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記開口は、隣同士の前記伝送線路の間に形成されることを特徴とする光モジュール。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
チャンネルごとに、一対の前記伝送線路が差動信号を伝送することを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記電波吸収層は、前記電波によって発生する電流を抵抗によって吸収する導電性電波吸収材料と、誘電損失によって前記電波を吸収する誘電性電波吸収材料と、磁気損失によって前記電波を吸収する磁性電波吸収材料と、からなる群より選ばれる材料から形成され、電磁波のエネルギーを熱に変換することで吸収することを特徴とする光モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載された光モジュールであって、
前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、１０〜５００Ω／□のシート抵抗を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項９】
請求項７に記載された光モジュールであって、
前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、１０〜１００Ω／□のシート抵抗を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記開口の周の長さは、０．１ｍｍ以上、６ｍｍ以下であることを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在の光通信市場で使われる光受信モジュールまたは光送信モジュールは、一般に同軸型パッケージ、または、箱型パッケージの形状を有する。これらのパッケージには、受光素子又は／及び発光素子、並びに、必要に応じて変調素子及びアンプＩＣ等が内包される。また、外部との光信号の入出力用に、パッケージには、レンズやファイバなどが格納される。例えば、光受信モジュールでは、光ファイバを通って入力された光信号は、レンズでビームスポットが絞り込まれた後、受光素子の吸収層（受光部）にて光電気変換により電気信号に変換される。この電気信号は、一般に、数マイクロアンペア乃至数ミリアンペア程度と微弱なため、トランスインピーダンスアンプＩＣにおいて増幅され、電圧信号として光受信モジュールより出力される。光送信モジュールは、逆に電気信号を入力すると、変調された光信号が光ファイバ等を介して出力される。
【０００３】
近年、通信速度の増大に伴って、１個当たりの光モジュールに要求される通信容量が上がっており、４０Ｇｂｐｓ，１００Ｇｂｐｓ程度の伝送速度を有する光送信・受信モジュールが必要となってきている。それらでは、多チャンネル方式が使われることがあり、例えば、１０Ｇｂｐｓ×４ｃｈ、２５Ｇｂｐｓ×４ｃｈ等、変調された４波長の光信号を入出力する多チャンネル光モジュールなどが知られている。
【０００４】
それらの光モジュールでは、複数のチャンネル数に応じた受発光部を有した光素子または、複数のチャンネル数に応じたアンプを有したドライバＩＣ，トランスインピーダンスＩＣ等が搭載される。
【０００５】
そのため、入出力電気信号は複数チャンネル分必要となる。それらの光モジュールでは、パッケージ内部と外部の電気的な接続は、パッケージに取り付けられたセラミック基板に配線された伝送線路パターンと、これに半田等で接続されたフレキシブル基板によってなされるのが一般的であるが、このような光モジュールの一例が、下記特許文献１に開示されている。
【０００６】
特許文献１に示された光モジュールでは、１枚のフレキシブル基板をほぼ中央部付近でコの字状に折り曲げ、第１パターンと第２パターンとが対向するフレキシブル基板にパターニングされるように構成されている。
【０００７】
このようなフレキシブル基板を用いた光モジュールは、近年の市場よりニーズが高い多チャンネル光モジュールに最適な構成の一つである。なぜならば、電気の配線を光モジュールに対して上下２枚のフレキシブル基板に分けることで、狭幅化を実現することができるからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−０１８２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
例えば、このような狭幅化された２５Ｇｂｐｓ×４ｃｈの多チャンネル光モジュールの適用先として、ＣＦＰ４やＱＳＦＰ２８などの規格が知られており、開発がすすめられている。ＣＦＰ４やＱＳＦＰ２８の筺体に収められる光モジュールは、幅６ｍｍ程度と狭幅化されたＰＫＧが必要とされる。
【００１０】
狭幅化の要求の高い６ｍｍ程度の光モジュールに適用されるフレキシブル基板の幅もせいぜい、６ｍｍ程度である。４チャンネル光モジュールであれば、伝送線路間の中心間ピッチは、１．５ｍｍ程度である。伝送線路の幅が１００μｍ程度とすると、伝送線路間のギャップＧは１．４ｍｍ程度である。
【００１１】
一般に、高速な多チャンネル光モジュールにおいては、例えば、誤動作の原因となるチャンネル間クロストークを抑制することが望まれる。チャンネル間クロストークは、隣接したチャンネルの伝送線路がおおよそ平行に配線された箇所で起きやすく、光モジュールにおいてはフレキシブル基板上でしばしば起きる。
【００１２】
このようなチャンネル間クロストークを防ぐために、隣接した伝送線路の間に電波吸収体や電波損失媒質が置かれることがある。電波吸収体は、その幅を５００μｍ以内に収める必要があるが、５００μｍ程度ほどの狭い幅で電波吸収体を加工するのは至難である。微細加工が可能であるとしても、電波吸収体と伝送線路間のギャップを少なくとも０．４ｍｍ程度にすることが要求される。しかし、電波吸収体を接着材によって貼り付ける精度は、３００μｍ程度が現在の工業的に一般的であり、ギャップが１００μｍ程度まで近接してしまう可能性がある。そのため、電波吸収体によって、クロストークノイズだけでなく、正規の伝送信号まで損失を受けてしまうことが懸念される。
【００１３】
したがって、伝送線路間のピッチが狭くパターニングされたフレキシブル基板を有する光モジュールにおいて、クロストークを抑制するのは大変至難である。
【００１４】
本発明は、伝送線路間のクロストークを軽減し、誤動作を減らして、高品質な伝送特性可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
（１）本発明に係る光モジュールは、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方にマルチチャンネルで変換するための光サブアセンブリと、前記光サブアセンブリに電気的に接続するフレキシブル配線基板と、を有する光モジュールであって、前記フレキシブル配線基板は、相互に反対側の第１面及び第２面を有する絶縁層と、異なるチャンネルの伝送線路が相互に隣り合うように前記絶縁層の前記第１面に配列された複数の伝送線路と、前記絶縁層の前記第２面に配置された導電層と、前記絶縁層とは反対側で前記導電層に重なる電波吸収層と、を有し、前記導電層は、前記異なるチャンネルの隣り合う前記伝送線路の間に開口を有し、前記電波吸収層は、前記開口を覆うように設けられることを特徴とする。本発明によれば、導電層の開口から入った電波を電波吸収層で吸収して、伝送線路間のクロストークを軽減することができる。ここで、開口を公知のエッチング技術などで微細に形成すれば、電波吸収層は微細に形成しなくても、狭ピッチの伝送線路の間に電波吸収機能を設けることができる。
【００１６】
（２）（１）に記載された光モジュールであって、前記導電層と前記電波吸収層の間に介在する第２絶縁層をさらに有することを特徴としてもよい。
【００１７】
（３）（１）に記載された光モジュールであって、前記導電層と前記電波吸収層が接触していることを特徴としてもよい。
【００１８】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記開口は、複数箇所のそれぞれに形成されることを特徴としてもよい。
【００１９】
（５）（１）から（４）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記開口は、隣同士の前記伝送線路の間に形成されることを特徴としてもよい。
【００２０】
（６）（１）から（４）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、チャンネルごとに、一対の前記伝送線路が差動信号を伝送することを特徴としてもよい。
【００２１】
（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記電波吸収層は、電波によって発生する電流を抵抗によって吸収する導電性電波吸収材料と、誘電損失によって電波を吸収する誘電性電波吸収材料と、磁気損失によって電波を吸収する磁性電波吸収材料と、からなる群より選ばれる材料から形成され、電磁波のエネルギーを熱に変換することで吸収することを特徴としてもよい。
【００２２】
（８）（７）に記載された光モジュールであって、前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、１０〜５００Ω／□のシート抵抗を有することを特徴としてもよい。
【００２３】
（９）（７）に記載された光モジュールであって、前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、１０〜１００Ω／□のシート抵抗を有することを特徴としてもよい。
【００２４】
（１０）（１）から（９）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記開口の周の長さをＬ、光速をλc、前記フレキシブル配線基板の実効比誘電率をＥｒ、前記電気信号の伝送に使用される最大の駆動周波数をＦとしたとき、Ｌ＜λc÷√（Ｅｒ）÷Ｆが成立することを特徴としてもよい。
【００２５】
（１１）（１）から（９）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記開口の周の長さは、０．１ｍｍ以上、６ｍｍ以下であることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施形態の光モジュールを示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。
【図３】図１に示すフレキシブル配線基板の一点鎖線で囲む部分を切り出して拡大した斜視図である。
【図４】図３に示すフレキシブル配線基板のIV−IV線断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、フレキシブル配線基板の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の光モジュールを示す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板の一部を示す斜視図である。
【図１０】図９に示すフレキシブル配線基板のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】図１０に示すフレキシブル配線基板の変形例１を示す断面図である。
【図１２】図１０に示すフレキシブル配線基板の変形例２を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２８】
[第１の実施形態]
図１は、本発明の第１の実施形態の光モジュールを示す図である。光モジュール１００は、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方にマルチチャンネルで変換するための光サブアセンブリ１０を有する。光サブアセンブリ１０は、レーザなどの発光素子を内部に有し、電気信号を光信号に変換して送信する光送信モジュール（TOSA; Transmitter Optical SubAssembly）や、内部にフォトダイオードに代表される受光素子を有し、受信した光信号を電気信号に変換する光受信モジュール（ROSA; Receiver Optical SubAssembly）、およびその両方の機能を内包したＢＯＳＡ (Bidirectional Optical Subassembly)などがある。
【００２９】
光サブアセンブリ１０の一方の端部には、光信号の入出力用の光ファイバ１２が接続されている。光サブアセンブリ１０の他方の端部には、電気信号の入出力用のフィードスルー１４が設けられている。例えば、光受信モジュールであれば、光ファイバ１２を介して入力される光信号は、レンズホルダ１６に固着されたレンズにより集光またはコリメート光にされ、パッケージ１８内に内包された光学部材を経て、フォトダイオードにて光信号から電気信号に変換される。この電気信号はアンプＩＣなどにより増幅され、セラミックなどの無機材質で構成されたフィードスルー１４を介してパッケージ１８外に出力される。なお、パッケージ１８に内包された光素子や集積回路チップなどの電気素子は、リッド２０によって気密封止されている。
【００３０】
フィードスルー１４上のパターンにはリードピン２２が搭載され、半田２４などを用いて、フレキシブル配線基板２６に電気的に接続されている。フレキシブル配線基板２６は、光サブアセンブリ１０とは反対側では、プリント基板２８に半田等によって電気的に接続するとともに固着されている。なお、プリント基板２８には、ＣＤＲ（クロック・アンド・データリカバリ）や波形成形用のデジタルＩＣや、アンプやドライバなどのアナログＩＣや、その他の制御素子などが搭載されることがある。
【００３１】
図２は、本発明の第１の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。図３は、図１に示すフレキシブル配線基板の一点鎖線で囲む部分を切り出して拡大した斜視図である。図４は、図３に示すフレキシブル配線基板のIV−IV線断面図である。
【００３２】
フレキシブル配線基板２６は、絶縁層３０（ベース基板）を有する。絶縁層３０は、例えば、ポリイミド樹脂、液晶ポリマなどの有機の誘電体で構成される。絶縁層３０は、相互に反対側の第１面３２及び第２面３４を有する。
【００３３】
絶縁層３０の第１面３２には、複数の伝送線路３６が設けられている。複数の伝送線路３６には、マルチチャンネルの信号を送信するようになっており、それぞれのチャンネルに少なくとも１つの伝送線路３６が割り当てられている。異なるチャンネルの伝送線路３６が相互に隣り合うように配列されている。
【００３４】
絶縁層３０の第２面３４には、導電層３８が設けられている。導電層３８は、基準電位（例えばグランド）に接続されている。これにより、伝送線路３６は、高周波伝送用のインピーダンス線路になっており、例えば２５オーム又は５０オームなど、用途によって、そのインピーダンスが調整設計されている。例えば、ポリイミド樹脂の比誘電率が３程度であり、絶縁層３０の厚みが５０μｍ程度であれば、伝送線路３６の幅が約１００μｍのときに、５０オーム系の伝送線路３６が構成される。
【００３５】
導電層３８は、開口４０を有する。開口４０は、隣同士の伝送線路３６（異なるチャンネルの隣り合う伝送線路３６）の間に形成される。開口４０は、複数箇所のそれぞれに形成される。複数の開口４０は、その両側にある伝送線路３６の延びる方向に沿って少なくとも一列で並んでいる。
【００３６】
フレキシブル配線基板２６は、電波吸収層４２を有する。電波吸収層４２は、電磁波のエネルギーを、熱に変換することで吸収する。電波吸収層４２は、例えば、電波によって発生する電流を抵抗によって吸収する導電性電波吸収材料、誘電損失によって電波を吸収する誘電性電波吸収材料、又は磁気損失によって電波を吸収する磁性電波吸収材料などからなる。電波吸収層４２が導電性電波吸収材料から形成されるのであれば、１０〜５００Ω／□（例えば１０〜１００Ω／□）のシート抵抗を有することが一例として挙げられる。電波吸収層４２は、絶縁層３０とは反対側で導電層３８に重なる。図４に示すように、導電層３８と電波吸収層４２の間に第２絶縁層３１が介在する。第２絶縁層３１は接着層を含む。電波吸収層４２が電磁波を損失する性能は、絶縁層３０又は第２絶縁層３１の３倍以上大きい。あるいは、電波吸収層４２は、絶縁層３０に材料を塗布することで設けてもよい。
【００３７】
電波吸収層４２は、開口４０を覆うように設けられる。したがって、導電層３８の開口４０から入った電波を電波吸収層４２で吸収して、開口４０の両側にある伝送線路３６間のクロストークを軽減することができる。開口４０を公知のエッチング技術などで微細に形成すれば、電波吸収層４２を微細に形成しなくても、狭ピッチの伝送線路３６の間に電波吸収機能を設けることができる。
【００３８】
フレキシブル配線基板２６は、図２に示すように、光サブアセンブリ１０との接続側の端部に、伝送線路３６に接続するパッド４４ａと、導電層３８に接続するパッド４４ｂを有する。絶縁層３０の第１面３２及び第２面３４の両方にパッド４４が設けられ、両者を貫通するスルーホール４６ａが形成されている。スルーホール４６ａに、図１に示すリードピン２２が挿入されて半田２４で固定される。
【００３９】
フレキシブル配線基板２６は、プリント基板２８（図１参照）との接続側の端部に、図２に示すように、伝送線路３６に接続するパッド４４ｃと、導電層３８に接続するパッド４４ｄを有する。絶縁層３０の第１面３２及び第２面３４の両方にパッド４４が設けられ、両者を貫通するスルーホール４６ｂが形成されているので、第１面３２及び第２面３４の一方から他方に熱を伝えやすくなっている。プリント基板２８と対向するパッド４４ｃ，４４ｄは、電気的及び物理的な接続のため、幅広の形状であり、半田２４による接続強度が十分とられる形状となっている（図１参照）。
【００４０】
図４に示すカバー層４８は、伝送線路３６を覆って、伝送線路３６が傷ついたりさびたりすることから保護する。導電層３８を覆うカバー層４８も同じ目的で設けられる。カバー層４８の形成には、ポリイミド、液晶ポリマなどの有機材質が使われることがある。カバー層４８は、絶縁層３０に接着剤４９を介して接着されている。電波吸収層４２は、接着剤５２によってカバー層４８に接着されている。第２絶縁層３１は、カバー層４８、接着剤４９からなる層及び接着剤５２からなる層を含む。カバー層４８は、パッド４４を避けるように設けられている。パッド４４には金メッキや半田メッキなどがなされることが多い。
【００４１】
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、フレキシブル配線基板の製造方法を説明する図である。図５（ａ）に示すように、絶縁層３０を、その両面に銅などの金属箔５０を貼り付けて用意する。両面からのエッチングなどにより、金属箔５０をパターニングして、第１面３２に伝送線路３６を形成し、第２面３４に開口４０を有する導電層３８を形成する。公知のエッチング技術では、導電層３８に形成される開口４０は、形状と位置が±約５０μｍの高精度となるようにパターニングすることが可能である。
【００４２】
図５（ｂ）に示すように、伝送線路３６及び導電層３８を保護するために、これらを覆うように、絶縁層３０の両面にカバー層４８を接着剤４９で固着する。カバー層４８の固着に代えて、レジストなどの有機材質を塗布してもよい。
【００４３】
図５（ｃ）に示すように、開口４０を覆うように、電波吸収層４２を接着剤５２によって導電層３８に固着する。接着剤５２による貼り合わせは一般的に精度を高くすることができず、たとえば３００μｍ程度のずれが生じる。しかし、開口４０の加工精度が±５０μｍ程度と高い。電波吸収層４２によって電波を吸収または損失させる作用は、開口４０を介してのみ、伝送線路３６に作用する。したがって、電波吸収層４２の位置精度が低くても、開口４０の加工精度が高いので、伝送線路３６に過度な電気的伝送ロスを生じさせることなく、クロストークのみを抑制することが可能となる。
【００４４】
[第２の実施形態]
図６は、本発明の第２の実施形態の光モジュールを示す図である。図７は、本発明の第２の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。
【００４５】
本実施形態では、光モジュール２００のフィードスルー２１４には、第１の実施形態で説明したリードピン２２の代わりに、図示しないパッドが設けられる。フレキシブル配線基板２２６のパッドもこれに対応した形状になっており、半田や導電性接着材等によって導通固着される。
【００４６】
また、導電層２３８には、複数の四角形状の開口２４０が形成されている。複数の開口２４０が形成された領域では、導電層２３８はメッシュ状になっている。開口２４０の形状や数は、フレキシブル配線基板２２６の強度や用途に応じて、適宜設計することができる。本実施形態のその他の詳細には、第１の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００４７】
[第３の実施形態]
図８は、本発明の第３の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。
【００４８】
導電層３３８に形成する開口３４０は、共振の原因となるのでその対策が必要である。例えば２５Ｇｂｐｓの信号伝送を実現するためには、誤動作の原因となる２５ＧＨｚまで共振等が抑制される必要がある。
【００４９】
そこで、開口３４０の周の長さをＬ（mm）、光速をλc（3.0×108 (m)）、フレキシブル配線基板３２６の実効比誘電率をＥｒ、電気信号の伝送に使用される最大の駆動周波数をＦ（Hz）としたとき、
Ｌ＜λc÷√（Ｅｒ）÷Ｆ
が成立することが好ましい。
【００５０】
実効比誘電率は、絶縁層、カバー層及び電波吸収層の材質と、その寸法によって決まる。実効比誘電率が２だとすると、
Ｌ≦８．４８ｍｍ、
実効比誘電率が３だとすると、
Ｌ≦６．９３ｍｍ、
実効比誘電率が４だとすると、
Ｌ≦６ｍｍである。
【００５１】
例えば、絶縁層及びカバー層の材料が、誘電率３程度のポリイミド系の樹脂であれば、Ｌを６．９ｍｍ以下にすればよいが、実効比誘電率を計算することは難しいため、余裕を見てＬを６ｍｍ以下にすることが好ましい。
【００５２】
例えば、開口３４０の周の長さは、０．１ｍｍ以上、６ｍｍ以下であることが好ましい。開口３４０が長方形状であれば、フレキシブル配線基板３２６の幅方向の短辺Ｌ１及び長さ方向の長辺Ｌ２について、
Ｌ＝２×Ｌ１＋２×Ｌ２
であり、
Ｌ１＝０．２ｍｍ
であれば、
Ｌ２≦２．８ｍｍ
が適当である。
【００５３】
[第４の実施形態]
図９は、本発明の第４の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板２６の一部を示す斜視図である。図１０は、図９に示すフレキシブル配線基板のＸ−Ｘ線断面図である。
【００５４】
本実施形態では、チャンネルごとに、一対の伝送線路４３６が割り当てられている。それぞれのチャンネルの一対の伝送線路４３６には差動信号が伝達される。異なるチャンネルの伝送線路４３６が相互に隣り合うように配列されている。本実施形態のその他の詳細には、第１の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００５５】
[変形例１]
図１１は、図１０に示すフレキシブル配線基板の変形例１を示す断面図である。この例では、カバー層４４８に電波吸収層４４２が直接的に設けられている。電波吸収層４４２は、カバー層４４８の、導電層４３８を向く面に設けられている。カバー層４４８又は電波吸収層４４２と絶縁層４３０又は導電層４３８との間には接着剤４４９が介在する。変形例として、電波吸収層４４２を、カバー層４４８の、導電層４３８とは反対を向く面に設けてもよい。
【００５６】
電波吸収層４４２は、予め、カバー層４４８に、貼り合わせ、塗布又は描画などによって設ける。そして、電波吸収層４４２が設けられたカバー層４４８を、絶縁層４３０に接着層４４９を介して固定する。この製造プロセスは、電波吸収層４４２が薄い場合に好適である。カバー層４４８の上に、抵抗体を数μｍ〜数オングストローム程度の膜厚で描画すれば、１平方ｍｍ当たり、数Ω〜数千Ω程度の薄い電波吸収層４４２を形成することができる。
【００５７】
いずれかのチャンネルの伝送線路４３６から生じた電気力線の一部は、開口４４０を通り抜け、抵抗薄膜で構成された電波吸収層４４２を貫入する。その場合、電波吸収層４４２に誘起電流が流れるが、その電流は電波吸収層４４２ですぐさま損失を受ける。これにより、電気力線は、他チャンネルの伝送線路４３６に届かなくなり、クロストークが発生しなくなることが期待される。
【００５８】
[変形例２]
図１２は、図１０に示すフレキシブル配線基板の変形例２を示す断面図である。この例では、導電層５３８と電波吸収層５４２が接触している。電波吸収層５４２は、電波損失物質をレジストなどの有機物に溶かし、塗布するなどの方法によって設ける。この場合、電波吸収層５４２は、電波損失や吸収の役割に加えて、導電層５３８を保護する。
【００５９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０  光サブアセンブリ、１２  光ファイバ、１４  フィードスルー、１６  レンズホルダ、１８  パッケージ、２０  リッド、２２  リードピン、２４  半田、２６  フレキシブル配線基板、２８  プリント基板、３０  絶縁層、３１  第２絶縁層、３２  第１面、３４  第２面、３６  伝送線路、３８  導電層、４０  開口、４２  電波吸収層、４４  パッド、４４ａ  パッド、４４ｂ  パッド、４４ｃ  パッド、４４ｄ  パッド、４６ａ  スルーホール、４６ｂ  スルーホール、４８  カバー層、４９  接着剤、５０  金属箔、５２  接着剤、１００  光モジュール、２００  光モジュール、２１４  フィードスルー、２２６  フレキシブル配線基板、２３８  導電層、２４０  開口、３２６  フレキシブル配線基板、３４０  開口、４３０  絶縁層、４３６  伝送線路、４３６  伝送線路、４３８  導電層、４４０  開口、４４２  電波吸収層、４４８  カバー層、４４９  接着剤、５３８  導電層、５４２  電波吸収層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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