(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に積層された炭化ケイ素下地膜と、
前記炭化ケイ素下地膜を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に対応して前記シリコン基板と前記炭化ケイ素下地膜との間に位置する空孔と、
前記空孔の前記シリコン基板面を覆う厚さ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化膜と、
を有することを特徴とする炭化ケイ素基板。
【請求項２】
前記炭化ケイ素下地膜の厚さは、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の炭化ケイ素基板。
【請求項３】
更に、前記炭化ケイ素下地膜上に炭化ケイ素成長層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の炭化ケイ素基板。
【請求項４】
シリコン基板の一方の面側に炭化ケイ素下地膜を形成し、第１の炭化ケイ素基板を形成する第１の工程と、
前記第１の炭化ケイ素基板に酸化処理を施し、第２の炭化ケイ素基板を形成する第２の工程と、
を有し、
前記第２の炭化ケイ素基板は、前記第１の炭化ケイ素基板における前記シリコン基板と前記炭化ケイ素下地膜との間の空孔に酸化膜が形成された基板であることを特徴とする炭化ケイ素基板の製造方法。
【請求項５】
前記酸化処理は、前記第１の炭化ケイ素基板を、酸素系ガス雰囲気中で加熱する処理であることを特徴とする請求項４に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
【請求項６】
更に、前記第２の炭化ケイ素基板にフッ酸を含む溶液を用いたエッチング処理を施し、第３の炭化ケイ素基板を形成する第３の工程を有することを特徴とする請求項４または５に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程は、炭素系ガス雰囲気中で前記シリコン基板を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程から前記第２の工程への移行に際し、前記第１の炭化ケイ素基板の温度を常温以上に保つことを特徴とする請求項４ないし７のいずれか１項に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
【請求項９】
更に、前記第３の炭化ケイ素基板に炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる第４の工程を有することを特徴とする請求項６に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程における加熱温度は、前記第１の工程における加熱温度より低い温度であることを特徴とする請求項４ないし９のいずれか１項に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化ケイ素基板および炭化ケイ素基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、Ｓｉに比べ２倍以上のバンドギャップ（２．３６〜３．２３ｅＶ）を有するワイドバンドギャップ半導体であり、高耐圧デバイス用材料として注目されている。
【０００３】
ところが、ＳｉＣは、Ｓｉとは異なり、結晶化温度が高温であるため、Ｓｉ基板と同様の液相からの引上げ法による単結晶インゴット作成が困難である。そのため、昇華法によりＳｉＣの単結晶インゴットを形成する方法が提案されているが、かかる昇華法においては、大口径で結晶欠陥の少ない基板を形成することが非常に難しい。一方、ＳｉＣ結晶の中でも立方晶ＳｉＣ（３Ｃ−ＳｉＣ）は、比較的低温で形成可能であるため、基板上にエピタキシャル成長を行う方法が提案されている。
【０００４】
このエピタキシャル成長を用いたＳｉＣ基板の製造方法の１つとして、気相中において、Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣを成長させるヘテロエピタキシャル技術が検討されている。３Ｃ−ＳｉＣを成長させるヘテロエピタキシャル技術では、Ｓｉ基板を１０００℃以上の高温に曝す場合がある。ところが、このような加熱の過程でＳｉ基板からＳｉ原子が昇華し、Ｓｉ基板の平坦性が低下したり、３Ｃ−ＳｉＣの成長が阻害されたりするという問題が生じる。
【０００５】
そこで、Ｓｉ基板の表面を炭化してＳｉＣ膜（炭化膜）を形成することにより、Ｓｉ原子の昇華を抑制する方法が検討されている。ところが、ＳｉＣ膜中に欠損部（ピンホール）が存在している場合、この欠損部を介してＳｉ基板からＳｉ原子が昇華する。その結果、ＳｉＣ膜上にヘテロエピタキシャル技術で３Ｃ−ＳｉＣを成長させる際、３Ｃ−ＳｉＣの結晶性の劣化を招く。
【０００６】
このような課題に対し、非特許文献１には、炭化処理の際に用いる処理ガス（アセチレン）の圧力を高めることにより、欠損部を塞ぐことができる旨、記載されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Journal of Crystal Growth 115 (1991) 612-616.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、本発明者の詳細な検討の結果、炭化処理において一旦は塞がれた欠損部が、その後のプロセスにおいて再び開口することがわかってきた。このようにして欠損部が開口すると、ＳｉＣ膜上に３Ｃ−ＳｉＣを成長させたとき、欠損部の影響を受けて３Ｃ−ＳｉＣの結晶性の低下を招く。
【０００９】
本発明の目的の一つは、高品質な炭化ケイ素基板、および、高品質な炭化ケイ素基板を効率よく製造可能な炭化ケイ素基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的、課題および問題点の少なくともひとつを解決するために、本願発明は以下の形態をとることができる。
【００１１】
本発明の炭化ケイ素基板は、シリコン基板と、
前記シリコン基板上に積層された炭化ケイ素下地膜と、
前記炭化ケイ素下地膜を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に対応して前記シリコン基板と前記炭化ケイ素下地膜との間に位置する空孔と、
前記空孔の前記シリコン基板面を覆う厚さ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化膜と、
を有することを特徴とする。
【００１２】
これにより、空孔の内面からのＳｉ原子の昇華が酸化被膜によって抑制されるため、昇華したＳｉ原子による炭化ケイ素の結晶成長への影響が抑えられ、高品質な炭化ケイ素の単結晶を成長可能な炭化ケイ素基板が得られる。
また、これにより、エピタキシャル成長のような熱履歴を経てもＳｉ原子の昇華を十分に抑制するとともに、酸化被膜が厚くなり過ぎて炭化ケイ素下地膜に干渉してしまうのを防止することができる。
【００１３】
本発明の炭化ケイ素基板では、前記炭化ケイ素下地膜の厚さは、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
これにより、エピタキシャル成長におけるシリコン基板からのＳｉ原子の昇華を十分に抑制するとともに、炭化ケイ素下地膜の表面の平坦性が低下し難くなる。その結果、高品質な炭化ケイ素の単結晶を成長可能な炭化ケイ素基板が得られる。
【００１７】
本発明の炭化ケイ素基板では、更に、前記炭化ケイ素下地膜上に炭化ケイ素成長層を有することが好ましい。
これにより、高品質な炭化ケイ素成長層を有する炭化ケイ素基板が得られる。
【００１８】
本発明の炭化ケイ素基板の製造方法は、シリコン基板の一方の面側に炭化ケイ素下地膜を形成し、第１の炭化ケイ素基板を形成する第１の工程と、
前記第１の炭化ケイ素基板に酸化処理を施し、第２の炭化ケイ素基板を形成する第２の工程と、
を有し、
前記第２の炭化ケイ素基板は、前記第１の炭化ケイ素基板における前記シリコン基板と前記炭化ケイ素下地膜との間の空孔に酸化膜が形成された基板であることを特徴とする。
【００１９】
これにより、高品質な炭化ケイ素の単結晶を成長可能な炭化ケイ素基板を効率よく製造することができる。
【００２０】
本発明の炭化ケイ素基板の製造方法では、前記酸化処理は、前記第１の炭化ケイ素基板を、酸素系ガス雰囲気中で加熱する処理であることが好ましい。
【００２１】
これにより、空孔の内面においてＳｉ原子と酸素とが反応し、酸化ケイ素が生成されるため、酸化被膜を効率よく形成することができる。
【００２２】
本発明の炭化ケイ素基板の製造方法では、更に、前記第２の炭化ケイ素基板にフッ酸を含む溶液を用いたエッチング処理を施し、第３の炭化ケイ素基板を形成する第３の工程を有することが好ましい。
【００２３】
これにより、炭化ケイ素下地膜の清浄な表面が露出し、その上に成長される炭化ケイ素の単結晶の品質をより高めることができる。
【００２４】
本発明の炭化ケイ素基板の製造方法では、前記第１の工程は、炭素系ガス雰囲気中で前記シリコン基板を加熱する工程を含むことが好ましい。
【００２５】
これにより、シリコン基板の一部を炭化ケイ素に転化させることによって炭化ケイ素下地膜を形成するため、結晶性が高く表面の平坦性が良好な炭化ケイ素下地膜を形成することができる。
【００２６】
本発明の炭化ケイ素基板の製造方法では、前記第１の工程から前記第２の工程への移行に際し、前記第１の炭化ケイ素基板の温度を常温以上に保つことが好ましい。
【００２７】
これにより、下地膜形成工程および酸化工程の簡素化および短時間化を図ることができる。また、２つの工程を連続して行うことができるので、汚染や熱衝撃から第１の炭化ケイ素基板を保護することができる。
【００２８】
本発明の炭化ケイ素基板の製造方法では、更に、前記第３の炭化ケイ素基板に炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる第４の工程を有することが好ましい。
【００２９】
これにより、高品質な炭化ケイ素の単結晶を有する炭化ケイ素基板を効率よく製造することができる。
【００３０】
本発明の炭化ケイ素基板の製造方法では、前記第２の工程における加熱温度は、前記第１の工程における加熱温度より低い温度であることが好ましい。
【００３１】
これにより、シリコン基板と炭化ケイ素下地膜との間に位置する空孔が酸化処理において拡大し難くなる。その結果、空孔の内面から昇華するＳｉ原子の量を少なく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の炭化ケイ素基板の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の炭化ケイ素基板の製造方法の実施形態により製造される炭化ケイ素基板の一例を示す縦断面図であって、Ｓｉ基板の（０１１）面に垂直な方向から見た図である。
【図３】図１に示す炭化ケイ素基板を製造する方法を説明するための図である。
【図４】図２に示す炭化ケイ素基板を製造する方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、炭化ケイ素基板および炭化ケイ素基板の製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上方を「上」、下方を「下」という。
【００３４】
（第１実施形態）
本実施形態は、シリコン基板とシリコン基板上に積層された炭化ケイ素下地膜との間の空孔に酸化膜が形成された炭化ケイ素基板について説明をするものである。
【００３５】
図１は、本実施形態に係る炭化ケイ素基板１の縦断面図である。
炭化ケイ素基板１は、Ｓｉ基板２（シリコン基板）と、Ｓｉ基板２上に積層されたＳｉＣ下地膜３（炭化ケイ素下地膜）と、を有している。このような炭化ケイ素基板１は、ＳｉＣ下地膜３をシード層として立方晶炭化ケイ素をエピタキシャル成長させるための下地として用いられる。
【００３６】
Ｓｉ基板２は、例えば、ＣＺ法（チョコラルスキー法）により引き上げられたシリコン単結晶インゴットをスライスし、研磨することによって得られる。このＳｉ基板２は、いかなる面方位を有する基板であってもよいが、例えば、その主面が（１００）面、あるいは、（１００）面の結晶軸が数度傾いたオフセットされた面になっている基板を用いることでよい。
【００３７】
なお、本実施形態では、Ｓｉ基板２がシリコン結晶基板である場合について説明しているが、Ｓｉ基板２はこれに限定されず、例えば、石英、サファイア、多結晶ＳｉＣ等の基板上に結晶シリコン膜を成膜した複合基板であってもよい。
【００３８】
また、Ｓｉ基板２がシリコン結晶基板である場合、その全体が単結晶であることが好ましいが、多結晶であってもよい。
【００３９】
Ｓｉ基板２の厚さは、Ｓｉ基板２がＳｉＣ下地膜３を支持し得る程度の機械的強度を有するように適宜設定されるが、一例として、１００μｍ以上２ｍｍ以下程度が好ましい。
【００４０】
ＳｉＣ下地膜３は、Ｓｉ基板２の上面に積層されている。このＳｉＣ下地膜３は、シリコン単結晶基板の表面に炭化処理を施して形成された炭化膜であってもよく、シリコン単結晶基板の表面にＳｉＣを成膜して得られたものであってもよい。
【００４１】
ＳｉＣ下地膜３の結晶構造は、特に限定されないが、例えば、立方晶ＳｉＣ（３Ｃ−ＳｉＣ）とされる。なお、３Ｃ−ＳｉＣ以外の結晶、例えば、４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣであってもよい。
【００４２】
また、ＳｉＣ下地膜３の厚さは、特に限定されないが、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのがより好ましく、４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるのがさらに好ましい。ＳｉＣ下地膜３の厚さを前記範囲内に設定することにより、その後の製造工程において、エピタキシャル成長のような熱履歴を経てもＳｉ基板２からのＳｉ原子の昇華を十分に抑制するとともに、上面の平坦性が低下し難いＳｉＣ下地膜３が得られる。
【００４３】
すなわち、ＳｉＣ下地膜３の厚さが前記下限値を下回ると、ＳｉＣ下地膜３によるＳｉ基板２の被覆が不十分になるおそれがあり、エピタキシャル成長の条件によっては、エピタキシャル成長のプロセス初期においてＳｉ原子の著しい昇華を招き、成長させるＳｉＣ成長層の品質を低下させるおそれがある。一方、ＳｉＣ下地膜３の厚さが前記上限値を上回ると、ＳｉＣ下地膜３の成膜条件によっては、ＳｉＣ下地膜３の上面の平坦性が低下し、その上に成長させるＳｉＣ成長層の品質を低下させるおそれがある。
【００４４】
なお、ＳｉＣ下地膜３の厚さは、例えば、エリプソメトリ法等の光学的手法を用いた測定法により計測する、あるいは炭化ケイ素基板１の断面を電子顕微鏡や光学顕微鏡等で観察し、観察像上においてＳｉＣ下地膜３の厚さを計測すること等の方法によって求められる。
【００４５】
また、ＳｉＣ下地膜３は、その全体が単結晶であることが好ましいが、必ずしもそれに限定されず、多結晶であってもよい。
【００４６】
ＳｉＣ下地膜３は、例えばシリコンの格子定数と炭化ケイ素の格子定数との違い等から生じる複数の欠損部３１（貫通孔）が生じ、当該欠損部３１に対応したＳｉ基板２の表面には空孔３２が存在する。当該空孔３２のＳｉ基板２の面には酸化膜３３が形成されている。
【００４７】
酸化膜３３が形成されていることで、炭化ケイ素基板１に対する加熱を行っても空孔３２の表面からのＳｉ原子の昇華がない。Ｓｉ原子の昇華がないことから、欠損部３１を介してＳｉＣ下地膜３の表面に昇華したＳｉ原子が出ることがなく、炭化ケイ素基板１を用いた後続の製造工程におけるＳｉ原子昇華がもたらす悪影響を排除することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
本実施形態は、第１実施形態で説明した炭化ケイ素基板１の上に、更に、ＳｉＣ下地膜３をシード層として立方晶炭化ケイ素をエピタキシャル成長させた炭化ケイ素基板１０について説明をするものである。
【００４９】
図２は、本実施形態における炭化ケイ素基板１０の縦断面図であって、Ｓｉ基板の（０１１）面に垂直な方向から見た図である。炭化ケイ素基板１０は、炭化ケイ素基板１と、その上に積層されたＳｉＣ成長層４と、を有している。
【００５０】
本実施形態に係るＳｉＣ成長層４は、立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）で構成された半導体層である。立方晶炭化ケイ素は、バンドギャップ値が２．３６ｅＶ以上と広く、熱伝導率や絶縁破壊電界が高いため、例えばパワーデバイス用のワイドバンドギャップ半導体として好適に用いられる。
【００５１】
なお、ＳｉＣ成長層４は、３Ｃ−ＳｉＣで構成された半導体層に限定されず、例えば、４Ｈ−ＳｉＣや６Ｈ−ＳｉＣで構成された半導体層であってもよい。
【００５２】
第１実施形態の説明で記載したが炭化ケイ素基板１は、後の加熱される工程においてＳｉ基板２からのＳｉ原子の昇華がもたらす悪影響を生じさせない。すなわち、ＳｉＣ成長層４の成長を阻害することがない。これにより、炭化ケイ素基板１０は、結晶欠陥が少ない高品質のＳｉＣ成長層４を備えることができる。
【００５３】
このような炭化ケイ素基板１０は、例えばワイドバンドギャップを特長としたパワーデバイス用の半導体基板として好適に用いられる。かかるパワーデバイスとしては、例えば昇圧コンバーター用のトランジスターやダイオード等が挙げられる。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）、絶縁ゲート型バイポーラー・トランジスター（ＩＧＢＴ）、ショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）等が挙げられる。
【００５４】
炭化ケイ素基板１のＳｉＣ下地膜３は、ＳｉＣ下地膜３の上にＳｉＣ層を形成する場合にその品質を向上させる機能がそもそもある。シリコンの格子定数と炭化ケイ素の格子定数との違いからくる結晶欠損を緩和する機能である。しかしながら、同様の理由からＳｉ基板２の上に形成されたＳｉＣ下地膜３にも欠損部３１が存在する。当該欠損部３１からのＳｉ原子の昇華はＳｉＣ成長層４の品質を低下させる。しかしながら、炭化ケイ素基板１は、この問題による品質低下を抑えることができる。
【００５５】
なお、酸化膜３３は、酸化ケイ素を含んでいる。酸化ケイ素としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２等が挙げられる。
【００５６】
酸化膜３３中の酸化ケイ素の含有率は、特に限定されないが、５０質量％以上であるのが好ましく、９０質量％以上であるのがより好ましく、熱処理により形成されたほぼ１００質量％の酸化ケイ素であるのがさらに好ましい。このような酸化膜３３は、特にＳｉ原子の昇華を抑制し得るものとなる。
【００５７】
酸化膜３３の厚さは、特に限定されないが、３ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるのがより好ましく、７ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるのがさらに好ましい。酸化膜３３の厚さを前記範囲内に設定することにより、例えばエピタキシャル成長のような熱履歴を経てもＳｉ基板２からのＳｉ原子の昇華を十分に抑制するとともに、酸化膜３３が厚くなり過ぎてＳｉＣ下地膜３に干渉してしまうのを防止することができる。
【００５８】
すなわち、酸化膜３３の厚さが前記下限値を下回ると、酸化膜３３の厚さが不十分になり、酸化膜３３が途切れた部分ができ易くなるため、Ｓｉ原子の昇華を十分に抑制することができないおそれがある。一方、酸化膜３３の厚さが前記上限値を上回ると、酸化膜３３の厚さが厚くなり過ぎるため、酸化膜３３が空孔３２からはみ出してＳｉＣ下地膜３に干渉してしまうおそれがある。また、酸化膜３３を熱酸化法により形成する場合、酸化膜３３の厚さが前記上限値を上回ると、ＳｉＣ下地膜３が酸化されてしまうおそれがある。
【００５９】
なお、酸化膜３３の厚さは、例えば、炭化ケイ素基板１の断面を電子顕微鏡や光学顕微鏡等で観察し、観察像上において酸化膜３３の厚さを計測することによって求められる。
【００６０】
（第３実施形態）
本実施形態は、第１実施形態で示した炭化ケイ素基板１を製造する方法（本発明の炭化ケイ素基板の製造方法の実施形態）について説明するものである。
【００６１】
図３は、炭化ケイ素基板１を製造する方法を説明するための図である。
本実施形態に係る炭化ケイ素基板１の製造方法は、［１］Ｓｉ基板２の上面にＳｉＣ下地膜３を形成する下地膜形成工程（第１の工程）と、［２］ＳｉＣ下地膜３に酸化処理を施し、Ｓｉ基板２とＳｉＣ下地膜３との間に酸化膜３３を形成する酸化工程（第２の工程）と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
【００６２】
［１］まず、図３（ａ）に示すＳｉ基板２を用意する。なお、Ｓｉ基板２には、必要に応じて、エッチング等を利用した清浄化処理が施されていてもよい。
【００６３】
次いで、図３（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板２の上面にＳｉＣ下地膜３を形成する（下地膜形成工程）。
【００６４】
ＳｉＣ下地膜３の形成方法は、特に限定されず、例えばＣＶＤ法、蒸着法のような気相成膜法等によってＳｉ基板２上に成膜する方法であってもよいが、好ましくはＳｉ基板２の上面を炭化させる炭化処理が用いられる。このような炭化処理によれば、Ｓｉ基板２の一部を炭化ケイ素に転化させるため、他の方法と比較して結晶性の高いＳｉＣ下地膜３を形成することができる。
【００６５】
炭化処理は、炭素系ガス雰囲気中でＳｉ基板２を加熱することにより行われる。炭素系ガス雰囲気は、炭素系ガスを含む処理ガスで構成される。炭素系ガスとしては、炭素を含むガスであれば限定されないものの、例えば、エチレン（Ｃ２Ｈ４）の他、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、ノルマルブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、イソブタン（ｉ−Ｃ４Ｈ１０）、ネオペンタン（ｎｅｏ−Ｃ５Ｈ１２）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、処理ガスには、必要に応じて、キャリアガス等の任意のガスが混合されていてもよい。
【００６６】
キャリアガスとしては、例えば、水素、窒素、ヘリウム、アルゴン等が挙げられる。キャリアガスが用いられる場合、処理ガス中の炭素系ガスの濃度は、炭化処理の速度等に応じて適宜設定されるものの、一例として０．１体積％以上３０体積％以下であるのが好ましく、０．３体積％以上５体積％以下であるのがより好ましい。
【００６７】
炭化処理におけるＳｉ基板２の加熱温度は、５００℃以上１４００℃以下であるのが好ましく、８００℃以上１３００℃以下であるのがより好ましく、９５０℃以上１２００℃以下であるのがさらに好ましい。また、炭化処理におけるＳｉ基板２の加熱時間は、前記加熱温度に曝される時間が０．５分以上であるのが好ましく、１分以上６０分以下であるのがより好ましく、３分以上３０分以下であるのがさらに好ましい。
【００６８】
加熱条件を前記範囲内に設定することにより、前述したような厚さのＳｉＣ下地膜３を形成することができる。また、付加される熱エネルギーを最適化することによって、炭化ケイ素への転化速度が最適化されるため、欠損部３１の少ないＳｉＣ下地膜３を形成することができる。
【００６９】
また、炭化処理は、常圧雰囲気、加圧雰囲気および減圧雰囲気のいずれで行われてもよいが、好ましくはＳｉ基板２を納めた処理室内を排気しつつ、処理ガスを導入した状態で行うようにすればよい。一例として、処理ガス中の炭素系ガスの導入量は、１０ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下とされる。
【００７０】
以上のようにして、Ｓｉ基板２と、その上に形成されたＳｉＣ下地膜３と、を有する炭化ケイ素基板１ａ（第１の炭化ケイ素基板）が得られる。
【００７１】
ＳｉＣ下地膜３の表面についても良好な平坦性を有するものが得られる。しかしながら、シリコンの格子定数と炭化ケイ素の格子定数との違いなどが要因となって複数の欠損部３１が発生し、欠損部３１を介してＳｉ基板２からＳｉ原子が昇華することで、炭化ケイ素基板１ａは複数の欠損部３１のそれぞれに対応する位置に空孔３２が形成されている。
【００７２】
［２］次に、炭化ケイ素基板１ａに酸化処理を施す。これにより、空孔３２におけるＳｉ基板２の表面に酸化膜３３を形成する（酸化工程）。これにより、炭化ケイ素基板１（第２の炭化ケイ素基板）が得られる。
【００７３】
酸化処理は、いかなる方法で行われてもよいが、本実施形態では、酸素ガスを用いたドライ酸化法、あるいは水蒸気によるウェット酸化法により、酸素系ガス雰囲気中で炭化ケイ素基板１ａを加熱することにより行う。これにより、欠損部３１を介して空孔３２に酸素が供給される。その結果、空孔３２の内面においてＳｉ原子と酸素とが反応し、酸化ケイ素が効率よく生成される。この酸化ケイ素は、空孔３２の内面を覆うように生じるため、これにより、空孔３２の内面の蓋として機能する酸化膜３３が得られる（図３（ｃ）参照）。
【００７４】
なお、酸化膜３３が形成されるのは、空孔３２の内面に限定されていなくてもよく、例えば、Ｓｉ基板２とＳｉＣ下地膜３との界面の一部にも酸化膜３３が形成される場合がある。さらに、ＳｉＣ下地膜３の上面にも酸化膜３３よりも薄い酸化被膜５が形成される。酸化膜３３と酸化被膜５の厚さの違いは、ＳｉとＳｉＣの酸化速度の差により生じる。酸化処理温度など条件により異なるが、酸化被膜５の厚さは酸化膜３３に比べ１／３から１／５の厚さとなる。
【００７５】
酸素系ガス雰囲気は、酸素系ガスを含む処理ガスで構成される。酸素系ガスとしては、酸素を含むガスであれば特に限定されないものの、例えば、酸素、オゾン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７６】
酸化処理における炭化ケイ素基板１ａの加熱温度は、炭化処理におけるＳｉ基板２の加熱温度より低いのが好ましい。これにより、空孔３２がより拡大することを抑えることができる。本酸化処理は、空孔３２の表面に酸化膜３３を形成する処理であるが、形成が完了するまでの間は空孔３２の拡大も並行して生じるおそれがある。このため、酸化処理における加熱温度を炭化処理における加熱温度より低くすることによって、空孔３２の内面から昇華するＳｉ原子の量を少なく抑えることができる。その結果、空孔３２の拡大を抑制することができる。
【００７７】
酸化処理における加熱温度は、炭化処理における加熱温度よりも１０℃以上３００℃以下の幅で低いのが好ましく、２０℃以上２５０℃以下の幅で低いのがより好ましい。
【００７８】
一方、酸化処理における加熱温度は、Ｓｉが酸化し得る温度以上であればよいが、１２００℃以下であるのがより好ましく、１１００℃以下であるのがさらに好ましい。また、酸化処理における炭化ケイ素基板１ａの加熱時間は、前記加熱温度に曝される時間が０．５分以上であるのが好ましく、１分以上３００分以下であるのがより好ましく、５分以上１２０分以下であるのがさらに好ましい。
【００７９】
加熱条件を前記範囲内に設定することにより、空孔３２の拡大を最小限に抑えつつ、前述したような厚さの酸化膜３３を形成することができる。また、付加される熱エネルギーを最適化することによって、酸化ケイ素への転化速度が最適化されるため、酸化膜３３に生じる欠損部を最小限に抑えることができる。すなわち、酸化膜３３に欠損部が生じてしまい、それを介してＳｉの昇華が生じるのを抑制することができる。
【００８０】
また、酸化処理は、常圧雰囲気、加圧雰囲気および減圧雰囲気のいずれで行われてもよいが、好ましくは炭化ケイ素基板１ａを納めた処理室内を排気しつつ、処理ガスを導入した状態で行うようにすればよい。
【００８１】
なお、欠損部３１は、ＳｉＣ下地膜３の形成途中で塞がれてしまうものがある。しかしながら、このように塞がれた欠損部３１も、上記のような加熱条件で加熱されることにより、再び開口させることができる。これにより、開口した欠損部３１を介して酸素を供給し、Ｓｉ基板２とＳｉＣ下地膜３との界面に酸化膜３３を形成することができる。
【００８２】
酸化反応は、ＳｉＣ下地膜３の表面（上面や欠損部３１の内面等）にも生じる場合がある。この場合、図３（ｃ）に示すようにＳｉＣ下地膜３の表面にも酸化被膜５が形成される。ＳｉＣの酸化速度は、Ｓｉの酸化速度よりも遅いため、酸化被膜５の厚さは、酸化膜３３の厚さよりも薄い。
【００８３】
このような酸化被膜５が形成された場合には、必要に応じて、酸化被膜５を除去する処理を施すようにすればよい。
【００８４】
酸化被膜５を除去する処理は、特に限定されず、物理的に除去する方法であってもよいが、酸化被膜５をエッチング可能な処理液を用いたエッチング処理のような化学的に除去する方法であるのが好ましい（第３の工程）。例えば、フッ酸を含む水溶液（以下、「処理液」ともいう。）を作用させることでもよい。これにより、酸化被膜５が溶解され、除去される。その結果、ＳｉＣ下地膜３の清浄な上面が露出する。なお、酸化被膜５は、欠損部３１の上にも形成されるため、エッチング処理は酸化被膜５を除去するのに十分な時間だけ行えばよく、これより酸化膜３３がすべて除去されることはない。
【００８５】
なお、処理液におけるフッ酸の濃度は、例えば、０．１質量％以上５０質量％以下程度であるのが好ましい。また、エッチング処理の後、必要に応じて、純水等を用いた洗浄を行うようにしてもよい。
【００８６】
以上のようにして、Ｓｉ基板２と、ＳｉＣ下地膜３と、酸化膜３３と、を有する炭化ケイ素基板１（第３の炭化ケイ素基板）が得られる。
【００８７】
このようにして形成された炭化ケイ素基板１は、空孔３２の内面を覆う酸化膜３３により、それ以降、空孔３２からＳｉ原子が昇華するのを抑制することができる。このため、ＳｉＣ下地膜３に欠損部３１が含まれている場合であっても、炭化ケイ素基板１を用いた後続の処理に対するＳｉ原子昇華による悪影響が最小限に抑えられる。したがって、例えば、炭化ケイ素基板１の上に更にＳｉＣの層を成長させる場合には、高品質なＳｉＣの層を得ることができる。
【００８８】
なお、下地膜形成工程の終了後、炭化ケイ素基板１ａの温度を常温以上に保つ（好ましくは常温まで下げることなく）酸化工程を行うのが好ましい。これにより、２つの工程を連続して行うことができるので、本製造プロセスの簡素化および短時間化を図ることができる。
【００８９】
また、処理室内において炭化処理を施した（下地膜形成工程を行った）後、処理室内の雰囲気を変えるだけで本工程を連続して行うことができるので、炭化ケイ素基板１ａが外気に触れ難くなり、汚染や熱衝撃から炭化ケイ素基板１ａを保護することができる。
【００９０】
なお、常温とは、処理室が置かれた環境の温度のことをいい、一般的には５℃以上３５℃以下とされる。
【００９１】
また、下地膜形成工程において処理ガスを導入している場合、酸化工程に移行する際に処理ガスの種類を変更するようにすればよい。これにより、２つの工程を非常に簡単に切り替えることができる。
【００９２】
なお、空孔３２の内面を構成する結晶面は、Ｓｉの（１１１）面になるようにＳｉ基板２が構成されているのが好ましい。これにより、空孔３２の内面は、酸化処理に供されたときに、酸化反応が速く進む面となる。このため、短時間の酸化処理によって十分な厚さの酸化膜３３を形成することができるので、ＳｉＣ下地膜３の上面に形成される酸化被膜５の厚さを最小限に留めることができる。その結果、エッチング処理に要する時間の短縮化を図ることができる。
【００９３】
（第４実施形態）
本実施形態は、第２実施形態で説明した炭化ケイ素基板１０の製造方法を説明するものである。図４は、炭化ケイ素基板１０を製造する方法を説明するための図である。
【００９４】
炭化ケイ素基板１０は、第３実施形態で説明した炭化ケイ素基板１の製造工程の後に、更にＳｉＣ下地膜３上にＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させる結晶成長工程（第４の工程）を施すことで製造される。ＳｉＣ下地膜３は、ＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させるためのシード層として機能する。
【００９５】
まず、酸化被膜５が除去された炭化ケイ素基板１を用意する。当該炭化ケイ素基板１を図４（ａ）に示す。
【００９６】
図４（ａ）に示した炭化ケイ素基板１は、その上面（ＳｉＣ下地膜３の上面）には炭化ケイ素が露出している一方、空孔３２の内面には酸化膜３３が形成されているため、後続の加熱を行う工程においてＳｉ原子の昇華が抑えられるものである。このため、欠損部３１の影響は、ＳｉＣ成長層４が成長するにしたがって徐々になくなり、これによって高品質なＳｉＣ成長層４を効率よく成長させることができる。
【００９７】
ＳｉＣ成長層４は、例えば、処理室内に炭化ケイ素基板１を収納し、原料ガスを導入しつつ炭化ケイ素基板１を加熱することにより、ＳｉＣ下地膜３上に立方晶炭化ケイ素が堆積することで形成される。ＳｉＣ成長層４が形成された状態を図４（ｂ）に示す。
【００９８】
原料ガスとしては、炭素を含むガスとケイ素を含むガスとを所定の割合にて混合してなる混合ガス、炭素とケイ素とを所定の割合で含む炭素およびケイ素を含むガス、炭素を含むガスとケイ素を含むガスと炭素およびケイ素を含むガスとを所定の割合にて混合してなる複数種混合ガスが挙げられる。
【００９９】
このうち、炭素を含むガスとしては、例えば、エチレン（Ｃ２Ｈ４）の他、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、ノルマルブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、イソブタン（ｉ−Ｃ４Ｈ１０）、ネオペンタン（ｎｅｏ−Ｃ５Ｈ１２）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
また、ケイ素を含むガスとしては、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０１】
さらに、炭素およびケイ素を含むガスとしては、メチルシラン（ＳｉＨ３ＣＨ３）、ジメチルシラン（ＳｉＨ２（ＣＨ３）２）、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ３）３）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０２】
なお、原料ガスの組成は、立方晶炭化ケイ素の組成に応じて適宜設定される。これにより、化学量論的組成の立方晶炭化ケイ素で構成されたＳｉＣ成長層４を成長させることができる。
【０１０３】
また、エピタキシャル成長における加熱温度、すなわち、エピタキシャル成長時のＳｉ基板２の温度は、６００℃以上１４００℃以下であるのが好ましく、８００℃以上１３５０℃以下であるのがより好ましく、９５０℃以上１１００℃以下であるのがさらに好ましい。なお、エピタキシャル成長における加熱時間は、ＳｉＣ成長層４の目的とする厚さに応じて適宜設定される。
【０１０４】
また、エピタキシャル成長における処理室内の圧力は、特に限定されないが、１×１０−４Ｐａ以上大気圧（１００ｋＰａ）以下であるのが好ましく、１×１０−３Ｐａ以上１０ｋＰａ以下であるのがより好ましい。
【０１０５】
以上のようにしてＳｉＣ下地膜３上にＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることにより、高品質なＳｉＣ成長層４を有する炭化ケイ素基板１０（図２参照）を効率よく得ることができる。
【０１０６】
このような高品質なＳｉＣ成長層４を備える炭化ケイ素基板１０は、例えば高性能のパワーデバイスを高い製造効率で製造可能な半導体基板として好適に用いられる。
【０１０７】
以上、本発明に係る炭化ケイ素基板および炭化ケイ素基板の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明に係る炭化ケイ素基板および炭化ケイ素基板の製造方法は、それぞれ、上述した実施形態に任意の工程を追加したものであってもよい。本発明は、本発明の主旨を逸脱しない範囲において広く適用が可能である。
【符号の説明】
【０１０８】
１        炭化ケイ素基板
１ａ      炭化ケイ素基板
２        Ｓｉ基板
３        ＳｉＣ下地膜
４        ＳｉＣ成長層
５        酸化被膜
１０      炭化ケイ素基板
３１      欠損部
３２      空孔
３３      酸化膜
【図１】
0006592961.tif 000002
【図２】
0006592961.tif 000003
【図３】
0006592961.tif 000004
【図４】
0006592961.tif 000005