(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板第１主面及び基板第２主面を有し、前記基板第１主面に被処理物を支持するセラミック基板と、
該セラミック基板の前記基板第２主面に形成された端子凹部と、
該端子凹部の底面に設けられた端子パッドと、
前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための吸着用電極と、
前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を加熱するためのヒータ電極と、
前記吸着用電極及び前記ヒータ電極のいずれか一方に電気的に接続され、前記端子パッドにろう材を介して接合された柱状の電極端子と、
ベース第１主面及びベース第２主面を有し、前記ベース第１主面を前記セラミック基板の前記基板第２主面側に向けて配置された金属ベースと、を備え、
前記電極端子の接合側端部は、本体部と、該本体部よりも先端側であって前記端子パッド上に配置される鍔部と、を有し、
前記本体部は、少なくとも、前記鍔部に隣接する位置に、該鍔部よりも小径の本体小径部を有し、
前記ろう材は、少なくとも、前記鍔部の露出面を覆うように存在し、
前記鍔部は、先端側に向かって徐々に拡径していることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記本体部は、前記本体小径部よりも大径の本体大径部と、該本体大径部よりも先端側に配置された前記本体小径部と、を有することを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記鍔部は、前記本体部の前記本体大径部よりも小径であることを特徴とする請求項２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記ろう材は、前記鍔部の前記露出面と前記端子パッド上とを跨ぐように存在することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記ろう材は、前記鍔部の前記露出面と前記本体小径部の外周面とを跨ぐように存在することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハの製造に用いられる半導体製造装置では、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）に対してドライエッチング（例えばプラズマエッチング）等の処理が行われている。このドライエッチング等の加工精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に支持しておく必要がある。半導体ウェハを支持する手段としては、静電引力によって半導体ウェハを支持する静電チャックが知られている。
【０００３】
静電チャックは、セラミック基板と、セラミック基板に設けられた吸着用電極及びヒータ電極と、吸着用電極及びヒータ電極に電気的に接続された複数の電極端子と、金属ベースとを備えている。セラミック基板には、複数の端子凹部が形成され、各端子凹部には、端子パッドが設けられている。各端子パッドには、ろう材を介して電極端子が接合されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、セラミック基板において支持する半導体ウェハの温度分布をより均一にするため、セラミック基板を複数の領域に区分し、各領域にそれぞれヒータ電極を配置した静電チャックが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３１７７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記特許文献１の静電チャックは、複数のヒータ電極を有する。そのため、ヒータ電極の数が増えると、ヒータ電極に給電するための電極端子の数が増え、電極端子を収容する内部空間（端子収容穴）をその電極端子の数だけ静電チャック内部に設ける必要がある。
【０００７】
例えば、金属ベースに多数の端子収容穴が形成されると、端子収容穴が形成された部分はセラミック基板との接触が十分に得られない。よって、端子収容穴が形成された部分ではセラミック基板から金属ベースへの放熱性が低下し、局所的に温度が高くなる熱の特異点がセラミック基板上に多数発生する。これにより、半導体ウェハの温度分布の均一化が困難となる。
【０００８】
この対策として、静電チャック内部に設ける端子収容穴の内径を小さくすることが考えられる。端子収容穴の内径を小さくしようとすると、端子収容穴に収容される電極端子を小径化すると同時に、電極端子を接合する端子パッドも小径化しなければならない。ところが、単純に電極端子及び端子パッドを小径化すると、ろう材を介した電極端子と端子パッドとの接合強度が低下し、その接合強度を十分に確保できない。
【０００９】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、電極端子と端子パッドとの接合強度を向上させ、端子パッドの小径化が可能となり、さらには性能向上を図ることができる静電チャックを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の静電チャックは、基板第１主面及び基板第２主面を有し、前記基板第１主面に被処理物を支持するセラミック基板と、該セラミック基板の前記基板第２主面に形成された端子凹部と、該端子凹部の底面に設けられた端子パッドと、前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための吸着用電極と、前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を加熱するためのヒータ電極と、前記吸着用電極及び前記ヒータ電極のいずれか一方に電気的に接続され、前記端子パッドにろう材を介して接合された柱状の電極端子と、ベース第１主面及びベース第２主面を有し、前記ベース第１主面を前記セラミック基板の前記基板第２主面側に向けて配置された金属ベースと、を備え、前記電極端子の接合側端部は、本体部と、該本体部よりも先端側であって前記端子パッド上に配置される鍔部と、を有し、前記本体部は、少なくとも、前記鍔部に隣接する位置に、該鍔部よりも小径の本体小径部を有し、前記ろう材は、少なくとも、前記鍔部の露出面を覆うように存在している。
【００１１】
前記静電チャックにおいて、電極端子の接合側端部は、本体部と鍔部とを有する。本体部は、少なくとも、鍔部に隣接する位置に、鍔部よりも小径の本体小径部を有する。ろう材は、少なくとも、鍔部の露出面を覆うように存在している。すなわち、電極端子の接合側端部の先端である鍔部をその鍔部の手前にある本体小径部よりも太くし、かつ、ろう材の一部が鍔部に乗り上げるような形で存在している。そのため、電極端子と端子パッドとの接合強度を向上させることができる。これにより、端子パッドを小径化しても、つまり電極端子を小径化しても、電極端子と端子パッドとの接合強度を十分に確保できる。
【００１２】
また、端子パッド（電極端子）の小径化を図ることができるため、例えば、静電チャック（特に金属ベース）内部に形成され、電極端子を収容する内部空間（端子穴）の内径を小さくすることができる。これにより、静電チャックの構造を簡素化できると共に、セラミック基板（基板第１主面）上の特異点の面積を低減できる。その結果、半導体ウェハ等の被吸着物の温度分布をより均一化させることができる。このような効果は、吸着用電極及びヒータ電極の数（特にヒータ電極の数）が多くなればなるほど、つまり電極端子の数が多くなればなるほど有効となる。
【００１３】
このように、本発明の静電チャックによれば、電極端子と端子パッドとの接合強度を向上させ、端子パッドの小径化が可能となる。さらには、被処理物の温度分布の均一化といった性能向上を図ることができる。
【００１４】
前記静電チャックにおいて、前記本体部は、前記本体小径部よりも大径の本体大径部と、該本体大径部よりも先端側に配置された前記本体小径部と、を有していてもよい。この場合には、前述のとおり、電極端子と端子パッドとの接合強度を向上させ、端子パッドの小径化が可能となり、さらには性能向上を図ることができる。
【００１５】
また、前記鍔部は、前記本体部の前記本体大径部よりも小径であってもよい。この場合には、前述のとおり、電極端子と端子パッドとの接合強度を向上させ、端子パッドの小径化が可能となり、さらには性能向上を図ることができる。この構成は、電極端子の径に対して端子パッドの径を十分に大きくすることができない場合に特に有効である。
【００１６】
また、前記鍔部は、先端側に向かって徐々に拡径していてもよい。この場合には、ろう材を鍔部に乗り上げるような形で存在させることが容易となる。これにより、電極端子と端子パッドとの接合強度をさらに向上させることができる。
【００１７】
また、前記ろう材は、前記鍔部の前記露出面と前記端子パッド上とを跨ぐように存在していてもよい。この場合には、電極端子と端子パッドとの接合強度をさらに向上させることができる。
【００１８】
また、前記ろう材は、前記鍔部の前記露出面と前記本体小径部の外周面とを跨ぐように存在していてもよい。この場合には、電極端子と端子パッドとの接合強度をさらに向上させることができる。
【００１９】
前記セラミック基板は、該セラミック基板に設けた吸着用電極に対して電圧を印加した際に生じる静電引力を用いて、被吸着物を吸着できるよう構成されている。被吸着物としては、半導体ウェハ、ガラス基板等が挙げられる。
【００２０】
前記セラミック基板は、例えば、積層した複数のセラミック層により構成することができる。このような構成にすると、セラミック基板の内部に各種の構造（例えば、吸着用電極、ヒータ電極等）を容易に形成することができる。
【００２１】
前記セラミック基板を構成するセラミック材料としては、例えば、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウム、炭化ケイ素等を主成分とする焼結体を用いることができる。
前記金属ベースを構成する金属材料としては、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの合金等を用いることができる。また、前記金属ベースの内部には、冷却用流体を流通させる冷却流路が設けられていてもよい。
【００２２】
前記吸着用電極、前記ヒータ電極、前記端子パッド、及び、前記電極端子を構成する導電性材料としては、特に限定されるものではなく、一般的な導電性を有する金属等を用いることができる。ただし、吸着用電極、ヒータ電極、及び、端子パッドは、同時焼成法によってこれらの導体及びセラミック基板を形成する場合、導体中の金属粉末をセラミック基板の焼成温度よりも高融点とする必要がある。導体中の金属粉末としては、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、これらの合金等を用いることができる。
【００２３】
前記セラミック基板と前記金属ベースとは、例えば、両者の間に接着層等を介して接合（接着）することができる。接着層を構成する材料としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の樹脂材料、インジウム等の金属材料等を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態１における、静電チャックの構造を示す断面説明図である。
【図２】実施形態１における、ヒータ電極を示す平面図である。
【図３】実施形態１における、電極端子の接合構造を示す断面図である。
【図４】実施形態１における、ろう材の存在状態を示す断面図である。
【図５】実施形態２における、電極端子の接合構造を示す断面図である。
【図６】実施形態２における、ろう材の存在状態を示す断面図である。
【図７】実施形態３における、電極端子の接合構造を示す断面図である。
【図８】実施形態３における、電極端子の接合構造を示す断面図である。
【図９】その他の実施形態における、電極端子の接合構造を示す断面図である。
【図１０】その他の実施形態における、電極端子の接合構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面と共に説明する。
（実施形態１）
図１、図２に示すように、本実施形態の静電チャック１は、基板第１主面１１１及び基板第２主面１１２を有し、基板第１主面１１１に被処理物を支持するセラミック基板１１と、セラミック基板１１の基板第２主面１１２に形成された端子凹部１１４と、端子凹部１１４の底面に設けられた端子パッド４と、セラミック基板１１に設けられ、被処理物を吸着するための吸着用電極２１と、セラミック基板１１に設けられ、被処理物を加熱するためのヒータ電極３１（３１ａ、３１ｂ）と、吸着用電極２１及びヒータ電極３１のいずれか一方に電気的に接続され、端子パッド４にろう材５を介して接合された柱状の電極端子６（６ａ〜６ｃ）と、ベース第１主面１２１及びベース第２主面１２２を有し、ベース第１主面１２１をセラミック基板１１の基板第２主面１１２側に向けて配置された金属ベース１２と、を備えている。
【００２６】
図３、図４に示すように、電極端子６の接合側端部６０は、本体部６１と、本体部６１よりも先端側であって端子パッド４上に配置される鍔部６２と、を有する。本体部６１は、少なくとも、鍔部６２に隣接する位置に、鍔部６２よりも小径の本体小径部６１１を有する。ろう材５は、少なくとも、鍔部６２の露出面６２０を覆うように存在している。以下、この静電チャック１について詳細に説明する。
【００２７】
図１に示すように、静電チャック１は、被処理物である半導体ウェハ８を吸着支持する装置である。静電チャック１は、セラミック基板１１、金属ベース１２、接着層１３等を備えている。セラミック基板１１と金属ベース１２とは、両者の間に配置された接着層１３を介して接合されている。
【００２８】
本実施形態では、セラミック基板１１側を上側、金属ベース１２側を下側とする。上下方向とは、セラミック基板１１と金属ベース１２との積層方向であり、セラミック基板１１及び金属ベース１２の厚み方向である。
【００２９】
同図に示すように、セラミック基板１１は、半導体ウェハ８を吸着支持する部材である。セラミック基板１１は、基板第１主面１１１及び基板第２主面１１２を有し、円板状に形成されている。セラミック基板１１の基板第１主面１１１は、半導体ウェハ８を吸着する吸着面である。セラミック基板１１は、複数のセラミック層（図示略）を積層して構成されている。各セラミック層は、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなる。
【００３０】
セラミック基板１１の内部には、吸着用電極２１及びヒータ電極（発熱体）３１が配置されている。吸着用電極２１は、セラミック基板１１の内部において、略同一平面上に配置されている。吸着用電極２１は、直流高電圧を印加することにより静電引力を発生する。この静電引力により、半導体ウェハ８をセラミック基板１１の基板第１主面（吸着面）１１１に吸着して支持する。吸着用電極２１は、タングステンからなる。
【００３１】
ヒータ電極３１は、セラミック基板１１の内部において、吸着用電極２１よりも下方側（金属ベース１２側）に配置されている。ヒータ電極３１は、セラミック基板１１の内部において、略同一平面上に配置されている。ヒータ電極３１は、タングステンからなる。吸着用電極２１及びヒータ電極３１を構成する材料としては、前述のタングステンの他、モリブデン、これらの合金等を用いることができる。
【００３２】
図２に示すように、セラミック基板１１は、２つの加熱領域を有する。具体的に、セラミック基板１１は、その中心軸を含む内側領域である第１加熱領域１１３ａと、その第１加熱領域１１３ａの外側領域である第２加熱領域１１３ｂとを有する。
【００３３】
ヒータ電極３１は、セラミック基板１１の第１加熱領域１１３ａに配置された第１ヒータ電極３１ａと、セラミック基板１１の第２加熱領域１１３ｂに配置された第２ヒータ電極３１ｂとを有する。長尺状の第１ヒータ電極３１ａ及び第２ヒータ電極３１ｂは、第１加熱領域１１３ａ及び第２加熱領域１１３ｂにおいて、複数回折り返して略同心円状に配置されている。
【００３４】
第１加熱領域１１３ａ及び第２加熱領域１１３ｂは、それぞれ独立して温度制御が可能に構成されている。すなわち、第１加熱領域１１３ａに配置された第１ヒータ電極３１ａ及び第２加熱領域１１３ｂに配置された第２加熱領域１１３ｂは、それぞれ独立して温度制御が可能に構成されている。
【００３５】
図１に示すように、金属ベース１２は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製の冷却用部材（クーリングプレート）である。金属ベース１２は、ベース第１主面１２１及びベース第２主面１２２を有し、円板状に形成されている。金属ベース１２は、セラミック基板１１の下方側に配置されている。金属ベース１２の内部には、冷却用流体（例えば、フッ素化液、純水等の冷却媒体）を流通させる冷却流路１２３が設けられている。
【００３６】
同図に示すように、接着層１３は、セラミック基板１１と金属ベース１２との間に配置されている。接着層１３は、シリコーン樹脂からなる接着剤により構成されている。セラミック基板１１と金属ベース１２とは、接着層１３を介して接合されている。
【００３７】
同図に示すように、セラミック基板１１の基板第２主面１１２には、凹状の３つの端子凹部１１４が形成されている。金属ベース１２には、ベース第１主面１２１とベース第２主面１２２との間を貫通する３つの貫通孔１２４が形成されている。各貫通孔１２４は、それぞれセラミック基板１１の端子凹部１１４に連通している。連通する端子凹部１１４及び貫通孔１２４により、後述する電極端子６を収容する端子穴１４が構成されている。
【００３８】
セラミック基板１１の各端子凹部１１４の底面には、それぞれ端子パッド４が設けられている。各端子パッド４は、タングステン等からなる導電層（金属層）により構成されている。端子パッド４の表面には、Ｎｉめっきが施されている。
【００３９】
各端子パッド４には、それぞれ円柱状の電極端子６（６ａ〜６ｃ）がろう材５を介して（ろう付けにより）接合されている。ろう材５としては、例えば、銀ろう等を用いることができる。
【００４０】
電極端子６ａは、第１ヒータ電極３１ａに電気的に接続されている。すわなち、第１ヒータ電極３１ａは、セラミック基板１１の内部に設けられたビア３２ａ、ドライバー層３３ａ、ビア３４ａ、端子凹部１１４の端子パッド４を介して、電極端子６ａに電気的に接続されている。
【００４１】
電極端子６ｂは、第２ヒータ電極３１ｂに電気的に接続されている。すわなち、第２ヒータ電極３１ｂは、セラミック基板１１の内部に設けられたビア３２ｂ、ドライバー層３３ｂ、ビア３４ｂ、端子凹部１１４の端子パッド４を介して、電極端子６ｂに電気的に接続されている。
【００４２】
電極端子６ｃは、吸着用電極２１に電気的に接続されている。すわなち、吸着用電極２１は、セラミック基板１１の内部に設けられたビア２２、端子凹部１１４の端子パッド４を介して、電極端子６ｃに電気的に接続されている。
【００４３】
電極端子６（６ａ〜６ｃ）は、電源回路（図示略）に電気的に接続されている。第１ヒータ電極３１ａ、第２ヒータ電極３１ｂ、吸着用電極２１には、電極端子６（６ａ〜６ｃ）等を介して電力が供給される。
【００４４】
図示を省略したが、静電チャック１（セラミック基板１１、金属ベース１２、接着層１３）の内部には、半導体ウェハ８を冷却するヘリウム等の冷却用ガスの供給通路となる冷却用ガス供給路が設けられている。セラミック基板１１の基板第１主面（吸着面）１１１には、冷却用ガス供給路が開口して形成された複数の冷却用開口部（図示略）及びその冷却用開口部から供給された冷却用ガスがセラミック基板１１の基板第１主面（吸着面）１１１全体に広がるように形成された環状の冷却用溝部（図示略）が設けられている。
【００４５】
次に、端子パッド４に対する電極端子６の接合構造について説明する。本実施形態では、第１ヒータ電極３１ａに電気的に接続された電極端子６ａの接合構造について説明し、電極端子６ａと同様の接合構造の電極端子６ｂ、６ｃについては説明を省略する。
【００４６】
図３、図４に示すように、電極端子６の接合側端部６０は、本体部６１と、鍔部６２とを有する。本体部６１は、本体小径部６１１と、本体小径部６１１よりも大径の本体大径部６１２とを有する。本体小径部６１１は、本体大径部６１２よりも先端側に配置されている。本体小径部６１１は、鍔部６２に隣接する位置に設けられている。本体小径部６１１及び本体大径部６１２は、それぞれ軸方向に沿って略同径に形成されている。
【００４７】
鍔部６２は、電極端子６の接合側端部６０の先端部分に設けられている。鍔部６２は、本体部６１（本体小径部６１１、本体大径部６１２）よりも先端側に配置されている。鍔部６２は、端子パッド４の接合面４００上に配置されている。
【００４８】
鍔部６２は、本体小径部６１１よりも大径であり、本体大径部６１２よりも小径である。鍔部６２は、先端側に向かって徐々に拡径している。鍔部６２の外周面は、先端側に向かって徐々に拡径するように傾斜した傾斜面６２１となっている。
【００４９】
ろう材５は、少なくとも鍔部６２の露出面６２０を覆うように存在している。本実施形態において、鍔部６２の露出面６２０は、鍔部６２の外周面（傾斜面６２１）である。ろう材５は、鍔部６２の傾斜面６２１に乗り上げるように、その傾斜面６２１を斜め上方から覆っている。
【００５０】
ろう材５は、鍔部６２の傾斜面６２１（露出面６２０）と端子パッド４の接合面４００上とを跨ぐように存在している。ろう材５は、鍔部６２の傾斜面６２１（露出面６２０）と本体小径部６１１の外周面とを跨ぐように存在している。
【００５１】
次に、本実施形態の静電チャック１の製造方法について説明する。
まず、セラミック基板１１を作製する。具体的に、吸着用電極２１、ヒータ電極３１、端子パッド４等となる導電材料をスクリーン印刷等の方法によって塗布した複数のセラミックグリーンシートを積層、熱圧着し、積層体を得る。そして、所定の形状にカットした積層体を還元雰囲気中、所定の温度で焼成する。これにより、図１に示すセラミック基板１１を得る。
【００５２】
次いで、セラミック基板１１の各端子凹部１１４に設けられた端子パッド４に、それぞれ電極端子６（６ａ〜６ｃ）をろう付けにより接合する。具体的に、端子パッド４の接合面４００上に、ろう材５を用いて電極端子６をろう付けにより接合する。
【００５３】
また、金属ベース１２を作製する。具体的に、金属ベース１２の内部に３つの貫通孔１２４を形成する。さらに、金属ベース１２の内部に冷却流路１２３を形成する。これにより、図１に示す金属ベース１２を得る。
【００５４】
次いで、シリコーン樹脂製の接着剤を用いて、セラミック基板１１と金属ベース１２とを接合する。このとき、セラミック基板１１の端子凹部１１４の端子パッド４に接合された電極端子６が金属ベース１２の貫通孔１２４内に収容されるように、セラミック基板１１と金属ベース１２とを位置合わせする。これにより、セラミック基板１１と金属ベース１２とが接着層１３により接合された静電チャック１を得る。
【００５５】
次に、本実施形態の静電チャック１の作用効果について説明する。
本実施形態の静電チャック１において、電極端子６の接合側端部６０は、本体部６１と鍔部６２とを有する。本体部６１は、少なくとも、鍔部６２に隣接する位置に、鍔部６２よりも小径の本体小径部６１１を有する。ろう材５は、少なくとも、鍔部６２の露出面６２０を覆うように存在している。すなわち、電極端子６の接合側端部６０の先端である鍔部６２をその鍔部６２の手前にある本体小径部６１１よりも太くし、かつ、ろう材５の一部が鍔部６２に乗り上げるような形で存在している。そのため、電極端子６と端子パッド４との接合強度を向上させることができる。これにより、端子パッド４を小径化しても、つまり電極端子６を小径化しても、電極端子６と端子パッド４との接合強度を十分に確保できる。なお、電極端子６の接合側端部６０に鍔部６２がない形態の場合、電極端子６の小径化は可能であるが、電極端子６と端子パッド４との接合強度が本実施形態に劣る。
【００５６】
また、端子パッド４（電極端子６）の小径化を図ることができるため、例えば、静電チャック１（特に金属ベース１２）内部に形成され、電極端子６を収容する内部空間（端子穴１４）の内径を小さくすることができる。これにより、静電チャック１の構造を簡素化できると共に、セラミック基板１１（基板第１主面１１１）上の特異点の面積を低減できる。その結果、半導体ウェハ８等の被吸着物の温度分布をより均一化させることができる。このような効果は、吸着用電極２１及びヒータ電極３１の数（特にヒータ電極３１の数）が多くなればなるほど、つまり電極端子６の数が多くなればなるほど有効となる。
【００５７】
また、本実施形態において、本体部６１は、本体小径部６１１よりも大径の本体大径部６１２と、本体大径部６１２よりも先端側に配置された本体小径部６１１と、を有する。そのため、前述のとおり、電極端子６と端子パッド４との接合強度を向上させ、端子パッド４の小径化が可能となり、さらには性能向上を図ることができる。
【００５８】
また、鍔部６２は、本体部６１の本体大径部６１２よりも小径である。そのため、前述のとおり、電極端子６と端子パッド４との接合強度を向上させ、端子パッド４の小径化が可能となり、さらには性能向上を図ることができる。この構成は、電極端子６の径に対して端子パッド４の径を十分に大きくすることができない場合に特に有効である。
【００５９】
なお、電極端子６の径に対して端子パッド４の径を十分に大きくすることができない場合とは、例えば、端子パッド４の径Ａ（図３参照）が電極端子６の本体大径部６１２の径Ｂ（図３参照）＋２ｍｍ以下であるとき、端子パッド４の径が電極端子６の鍔部６２の径以上であり、本体大径部６１２の径以下であるとき等をいう。
【００６０】
また、鍔部６２は、先端側に向かって徐々に拡径している。そのため、ろう材５を鍔部６２に乗り上げるような形で存在させることが容易となる。これにより、電極端子６と端子パッド４との接合強度をさらに向上させることができる。
【００６１】
また、ろう材５は、鍔部６２の露出面６２０と端子パッド４上とを跨ぐように存在している。そのため、電極端子６と端子パッド４との接合強度をさらに向上させることができる。
【００６２】
また、ろう材５は、鍔部６２の露出面６２０と本体小径部６１１の外周面とを跨ぐように存在している。そのため、電極端子６と端子パッド４との接合強度をさらに向上させることができる。
【００６３】
このように、本実施形態の静電チャック１によれば、電極端子６と端子パッド４との接合強度を向上させ、端子パッド４の小径化が可能となる。さらには、被処理物（半導体ウェハ８）の温度分布の均一化といった性能向上を図ることができる。
【００６４】
（実施形態２）
本実施形態は、図５、図６に示すように、電極端子６の鍔部６２の構成を変更した例である。なお、実施形態１と同様の構成及び作用効果については説明を省略する。
【００６５】
同図に示すように、鍔部６２は、本体部６１の本体小径部６１１及び本体大径部６１２と同様に、軸方向に沿って略同径に形成されている。鍔部６２の露出面６２０は、鍔部６２の外周面６２２及び上面６２３である。
【００６６】
ろう材５は、少なくとも鍔部６２の露出面６２０（外周面６２２及び上面６２３）を覆うように存在している。ろう材５は、鍔部６２の上面６２３に乗り上げるように、その上面６２３を上方から覆っている。
【００６７】
ろう材５は、鍔部６２の外周面６２２（露出面６２０）と端子パッド４の接合面４００上とを跨ぐように存在している。ろう材５は、鍔部６２の上面６２３（露出面６２０）と本体小径部６１１の外周面とを跨ぐように存在している。
【００６８】
本実施形態の静電チャック１の場合にも、電極端子６と端子パッド４との接合強度を向上させ、端子パッド４の小径化が可能となる。さらには、被処理物（半導体ウェハ８）の温度分布の均一化といった性能向上を図ることができる。
【００６９】
（実施形態３）
本実施形態は、図７、図８に示すように、電極端子６の接合側端部６０の構成を変更した例である。なお、実施形態１、２と同様の構成及び作用効果については説明を省略する。
【００７０】
同図に示すように、電極端子６の接合側端部６０は、本体部６１と、鍔部６２とを有する。本体部６１は、鍔部６２よりも小径の本体小径部６１１である。すなわち、本体部６１は、本体小径部６１１のみで構成されている。
【００７１】
なお、図７に示す例では、鍔部６２の形状やろう材５の存在状態等のその他の構成は、実施形態１と同様である（図３、図４参照）。また、図８に示す例では、鍔部６２の形状やろう材５の存在状態等のその他の構成は、実施形態２と同様である（図５、図６参照）。
【００７２】
電極端子６の接合側端部６０に鍔部６２がなく、本体部６１のみである形態と比較すると、本実施形態の静電チャック１の場合は、ろう材５の一部が鍔部６２に乗り上げるような形で存在している。そのため、電極端子６と端子パッド４との接合強度を向上させ、端子パッド４の小径化が可能となる。さらには、被処理物（半導体ウェハ８）の温度分布の均一化といった性能向上を図ることができる。
【００７３】
（その他の実施形態）
本発明は、前述の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００７４】
（１）前述の実施形態１、２では、電極端子６の鍔部６２が本体部６１の本体大径部６１２よりも小径であるが、例えば、鍔部６２が本体部６１の本体大径部６１２よりも大径であったり、本体部６１の本体大径部６１２よりも大径の部分を有していたりしてもよい。
【００７５】
（２）前述の実施形態では、電極端子６の鍔部６２は、先端側に向かって徐々に拡径していたり、軸方向に沿って略同径に形成されていたりするが、鍔部６２の形状はこれに限定されるものではなく、他の種々様々な形状を採用することもできる。例えば、図９に示すように、鍔部６２は、上面６２４と、先端側に向かって徐々に拡径するように傾斜した傾斜面６２５とを有し、断面が略台形状に形成されていてもよい。
【００７６】
（３）前述の実施形態では、鍔部６２の径が端子パッド４の径よりも小さく、ろう材５は、鍔部６２の露出面６２０と端子パッド４上とを跨ぐように存在しているが、これに限定されるものではない。つまり、鍔部６２の径と端子パッド４の径とが等しい場合も含む。ただし、鍔部６２の径が端子パッド４の径よりも小さい形態のほうが、鍔部６２の径と端子パッド４の径とが等しい形態よりも、電極端子６に応力がかかった場合、端子パッド４ごと剥がれる可能性がより低くなる。そのため、鍔部６２の径が端子パッド４の径よりも小さいほうが好ましい。また、ろう材５は、鍔部６２の露出面６２０と本体小径部６１１の外周面とを跨ぐように存在しているが、これに限定されるものではない。
【００７７】
また、図１０に示すように、端子パッド４１とろう材５との組み合わせによる濡れ性、ろう材量、ろう付け条件等によって、ろう材５が本体部６１の本体小径部６１１と本体大径部６１２とを跨ぐように（本体小径部６１１よりも上側まで）存在していてもよいし、ろう材５が端子パッド４の接合面４００だけでなく、端子パッド４の側面４０１も覆うように存在していてもよい。
【００７８】
（４）前述の実施形態では、複数の電極端子６のうち、すべての電極端子６について、本発明（端子パッドに対する電極端子の接合構造）を採用したが、これに限定されるものではなく、一部の電極端子６について、本発明を採用してもよい。例えば、ヒータ電極３１に電気的に接続される電極端子６に本発明を採用し、吸着用電極２１に電気的に接続される電極端子６に本発明を採用しない構成としてもよい。
【００７９】
（５）前述の実施形態では、セラミック基板１１は、２つの加熱領域（第１加熱領域１１３ａ、第２加熱領域１１３ｂ）を有するが、これに限定されるものではなく、例えば、３つ以上の加熱領域を有していてもよい。この場合、加熱領域の数が増えるとヒータ電極３１の数も増え、それに伴って電極端子６の数も増えるため、本発明を採用することによる効果（特に端子パッドの小径化）が大きくなる。
【符号の説明】
【００８０】
１…静電チャック
１１…セラミック基板
１１１…基板第１主面
１１２…基板第２主面
１１４…端子凹部
１２…金属ベース
１２１…ベース第１主面
１２２…ベース第２主面
２１…吸着用電極
３１…ヒータ電極
４…端子パッド
５…ろう材
６…電極端子
６１…本体部
６１１…本体小径部
６２…鍔部
８…半導体ウェハ（被処理物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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