(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
増感剤前駆体である試剤と、
光酸発生剤と、
酸との反応により分解する保護基を含む樹脂と、を含み、下記（１）〜（３）工程を有する化学増幅フォトレジスト方法に用いる化学増幅フォトレジスト組成物であって、
前記試剤が式（Ｉ）で示される、化学増幅フォトレジスト組成物。
（１）前記化学増幅フォトレジスト組成物の溶液を基材に塗布し塗布膜を形成する工程
（２）前記塗布膜の第１部分が電磁波及び粒子線のうちの少なくとも１つで照射され、前記塗布膜の第２部分が前記電磁波及び前記粒子線のうちの少なくとも１つで照射されないように前記塗布膜を第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つで第１照射する工程
（３）前記塗布膜をＵＶ光及び可視光のうちの少なくとも１つで第２照射する工程
【化１】
0006537118.tif 000009
（式中、Ｒ1は芳香族基であり、
Ｒ2は炭素原子及び水素原子以外の原子を少なくとも１つ含む置換基を有するフェニル基であり、
Ｒ3及びＲ4はそれぞれ、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アルキニル基、及び、環状若しくは多環状部分を含むアルキル基からなる群より選択されるいずれかであり、
Ｙは酸素原子又は硫黄原子である。）
【請求項２】
Ｒ1が、少なくとも１つの結合を介してＲ2に結合している請求項１に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項３】
Ｒ3が、少なくとも１つの結合を介してＲ4に結合している請求項１又は２に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記試剤が、非環状又は環状アセタール基、非環状又は環状ジチオアセタール基、非環状又は環状モノチオアセタール基を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記芳香族基が少なくとも１つの電子供与性基に結合している請求項１〜４のいずれか一項に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項６】
前記試剤が、ポリマー鎖に結合されたポリマーである請求項１〜５のいずれか一項に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項７】
前記電磁波が波長５０ｎｍ以下である請求項１〜６のいずれか一項に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項８】
前記式（Ｉ）において、Ｒ1の前記芳香族基がフェニル基である請求項１〜７のいずれか一項に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項９】
前記式（Ｉ）において、Ｒ2が電子供与性基を有するフェニル基である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の化学増幅フォトレジスト組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の化学増幅フォトレジスト組成物の溶液を、前記化学増幅フォトレジスト組成物を含む塗布膜が基材上に形成されるように前記基材に塗布する工程と、
前記塗布膜の第１部分が電磁波及び粒子線のうちの少なくとも１つで照射され、前記塗布膜の第２部分が前記電磁波及び前記粒子線のうちの少なくとも１つで照射されないように前記塗布膜を第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つで第１照射する工程と、
前記塗布膜をＵＶ光及び可視光のうちの少なくとも１つで第２照射する工程と、
前記第１部分を除去する工程と、
前記第１部分が上に存在した前記基材の第３部分がエッチングされるように前記基材をエッチングする工程と、を含む装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電磁波が波長５０ｎｍ以下である請求項１０に記載の装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願に関係する相互参照
本出願の特許請求の範囲は、米国特許法３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．Ｓ１１９（ｅ）に基づいて２０１３年８月７日に出願された米国仮出願第６１／８６３，３５４号の利益を主張するものであり、その内容がここに援用される。
【０００２】
本発明のいくつかの態様は、酸及び塩基等の化学種の発生を向上させる試剤の分野に関する。試剤から生成される即時は、光増感剤として機能する。
【背景技術】
【０００３】
現在の高解像度のリソグラフィ工程は、化学増幅レジスト（ＣＡＲ）に基づき１００ｎｍ未満の寸法のパターン形成に使用される。
【０００４】
１００ｎｍ未満の寸法の形状をパターン形成する方法は、ＵＳ７８５１２５２（２００９年２月１７日出願）に開示されており、その内容がここに援用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７８５１２５２号明細書
【発明の概要】
【０００６】
酸等の化学種の発生を向上させる試剤及び組成物が本発明において開示される。典型的に、かかる試剤は前駆体からのブレンステッド酸又は塩基の生成を助ける。さらに、かかる試剤は、ルイス酸及び塩基の発生に適用し得る。典型的に、かかる試剤は、酸等の化学種との反応によりケトン又はアルデヒド化合物を発生させる。より典型的には、かかる試剤は、ケトン又はアルデヒド化合物のカルボニル基のための保護基を有する。ケトン又はアルデヒド化合物は、酸又は塩基による試剤の脱保護反応によって発生する。発生したケトン又はアルデヒド化合物は、その励起状態がそのエネルギー又は電子を前駆体に移動し得るケトン又はアルデヒド化合物の照射によって、前駆体からの酸又は塩基の生成を向上させる増感剤として作用する。前駆体は、ケトン又はアルデヒド化合物の励起状態からエネルギー又は電子を受容した後に化学種を発生させる。いくつかの増感剤が、前駆体への電子移動を向上させる高い電子供与性を有する必要があるため、かかる増感剤は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ及びヒドロキシル基、アルキルチオ基等の少なくとも１つの電子供与性基を芳香環上に有する。
【０００７】
例えば、かかる増感剤を生成する試剤を含む組成物、化学種を生成する前駆体、及び化学種と反応する化合物は、フォトレジストとして、半導体装置及び電子光学装置等の電子装置の製造に適用され得る。例えば、第１ステップにおいて組成物の塗布膜をエキシマーレーザー、極紫外線（ＥＵＶ）光及び電子ビーム（ＥＢ）に露光させた後。第１ステップにおいて塗布膜内で発生する化学種は、試剤と反応してかかる増感剤を生成する。第２ステップにおいて、塗布膜を、波長がＥＵＶ光よりも長い光、波長が２００ｎｍよりも長いＵＶ光又は可視光に露光させることができる。第２ステップにおいて、発生した増感剤は、前駆体からの反応を向上させて化学種を生成する。典型的に、試剤と反応して増感剤を生成する化学種は、前駆体から生成される化学種と同一である。したがって、増感剤は第２ステップにおいても発生する。言い換えれば、増感剤の生成は化学的に増幅される。組成物は、光酸発生剤（ＰＡＧ）と、ＰＡＧから発生する酸との反応により分解するエステル基及びエーテル基等の保護基を含む樹脂と、を含む化学増幅フォトレジストとして使用され得る。さらに、フォトレジストは、ＰＡＧから発生する酸と反応して対応するケトン又はアルデヒド化合物を生成するカルボニル基の保護基を有する試剤を含む。ケトン又はアルデヒド化合物は、ＰＡＧからの酸の生成を向上させる増感剤として作用する。試剤と発生した酸の反応は、ケトン化合物又はアルデヒド化合物の化学的に増幅された生成につながる。
【０００８】
三重項増感剤、電子受容性増感剤及びエネルギー受容性増感剤も酸及び塩基等の化学種の発生を向上させるために利用される。
【０００９】
酸解離基によって保護されている試剤は、第２ステップにおいて照射される光によって励起されないことが好ましい。或いは、増感剤の高解像度のリソグラフィ性を得るために、第１ステップの非露光領域は、第２ステップにおいて試剤が照射される光に対して不活性であることが好ましい。したがって、試剤は、非環状又は環状アセタール基、非環状又は環状ジチオアセタール基、非環状又は環状モノチオアセタール基等の保護基によって保護されることが好ましい。基本的には、かかる基は、波長が３００ｎｍ以上の光の吸収に寄与しない。
【００１０】
本発明の１つの態様に関する試剤は、生成物が上記試剤から発生し、上記生成物が前駆体の第１反応による前駆体からの第１化学種の発生を向上させることを特徴とする。
【００１１】
本発明の１つの態様に関する試剤は、保護基を含む第１部分と、π共役系を含む第２部分と、を含む。かかる試剤に関し、第１部分の脱保護反応が、第１部分と第１化学種の反応によって起こり、波長が２００ｎｍ以上の光を吸収する生成物、第１部分を生成することが好ましい。
【００１２】
かかる試剤に関し、生成物が、前駆体からの第１化学種の発生を向上させることが好ましい。
【００１３】
かかる試剤に関し、第１化学種が酸であることが好ましい。
【００１４】
かかる試剤に関し、生成物が、波長が第１波長である第１光を吸収し、増感剤として作用することによって、前駆体からの第１化学種の発生を向上させることが好ましい。
【００１５】
かかる試剤に関し、試剤と第２化学種の第２反応が生成物を生じることが好ましい。
【００１６】
かかる試剤に関し、第２光又は粒子線を用いる前駆体の照射が第２化学種を生じることが好ましい。
【００１７】
かかる試剤に関し、試剤自体は、前駆体からの第１化学種の発生を向上させないことが好ましい。
【００１８】
かかる試剤に関し、第２光の第２波長が５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
かかる試剤に関し、粒子線が電子ビームであることが好ましい。
【００２０】
かかる試剤に関し、第２化学種が第１化学種と同一であることが好ましい。
【００２１】
かかる試剤に関し、第１光の第１波長が第２光の第２波長よりも長いことが好ましい。
【００２２】
かかる試剤に関し、試剤がポリマーであることが好ましい。
【００２３】
かかる試剤に関し、生成物が電子供与性増感剤として作用することが好ましい。
【００２４】
本発明の１つの態様に関する組成物は、上述の試剤のいずれか１つと、前駆体と、を含む。
【００２５】
かかる組成物に関し、組成物が、樹脂、又は分子量が２０００を超える化合物をさらに含むことが好ましい。
【００２６】
かかる組成物に関し、前駆体が、生成物の光増感によって第１化学種を発生させることが好ましい。
【００２７】
かかる組成物に関し、生成物が、第１光を吸収することによって増感剤として作用することが好ましい。
【００２８】
かかる組成物に関し、第１光の第１波長が３００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
かかる組成物に関し、前駆体が、第２光又は粒子線を吸収することによって第１化学種を発生させることが好ましい。本発明の１つの態様に関する組成物は、式（Ｉ）のうちの１つにより示される試剤と、酸又は塩基の発生源として機能する前駆体と、を含む。
【００３０】
【化１】
0006537118.tif 000002
【００３１】
かかる試剤に関し、Ｒ１はπ共役系であり、Ｒ２は水素原子、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アルキニル基、環状若しくは多環状部分を含むアルキル基、又は炭素原子及び水素原子以外の原子を少なくとも１つ含む置換基であり、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アルキニル基、環状若しくは多環状部分を含むアルキル基、又は炭素原子及び水素原子以外の原子を少なくとも１つ含む置換基であり、Ｙは酸素原子又は硫黄原子であることが好ましい。
【００３２】
かかる組成物に関し、Ｒ１が少なくとも１つの結合を介してＲ２に結合していることが好ましい。
【００３３】
かかる組成物に関し、Ｒ３が少なくとも１つの結合を介してＲ４に結合していることが好ましい。
【００３４】
かかる組成物に関し、生成物が試剤の脱保護反応により生成されることが好ましい。
【００３５】
かかる組成物に関し、試剤が、非環状又は環状アセタール基、非環状又は環状ジチオアセタール基、及び非環状又は環状モノチオアセタール基を含むことが好ましい。
【００３６】
かかる組成物に関し、π共役系が芳香族基であることが好ましい。
【００３７】
かかる組成物に関し、芳香族基が少なくとも１つの電子供与性基に結合していることが好ましい。
【００３８】
本発明の１つの態様に関する装置の製造方法は、組成物を含む塗布膜が基材上に形成されるように上述の組成物のいずれか１つの溶液を基材に塗布する工程と、塗布膜の第２部分が電磁波及び粒子線のうちの少なくとも１つで照射されずに、塗布膜の第１部分が電磁波及び粒子線のうちの少なくとも１つで照射されるように塗布膜を第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つで第１照射する工程と、塗布膜をＵＶ光及び可視光のうちの少なくとも１つで第２照射する工程と、第１部分を除去する工程と、第１部分が上に存在した基材の第３部分がエッチングされるように基材をエッチングする工程とを含む。
【００３９】
かかる試剤に関し、第２反応が、試剤のアセタールの脱保護反応であることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
図面において、本発明を実施するための現在考えられる最良の形態を示す。
【００４１】
【図１】酸発生向上剤を含むフォトレジストを用いる集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
実験手順
【００４３】
ビス（４−メトキシフェニル）ジメトキシメタンの合成（実施例１）
【００４４】
２．０ｇの４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、０．０５ｇのビスマス（ＩＩＩ）トリフルオロメタンスルホネート及び５．７ｇのオルトギ酸トリメチルを５．０ｇのメタノールに溶解する。混合物を還流温度で４２時間撹拌する。そして、混合物を２５℃で冷却し、５％ＮａＨＣＯ３水溶液を加えた後、さらに撹拌する。次いで、３０ｇの酢酸エチルで抽出し、有機相を水で洗う。その後、酢酸エチルを蒸留して除き、得られたものをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製する（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）。それによって、１．７１ｇのビス（４−メトキシフェニル）ジメトキシメタンを得る。
【００４５】
【化２】
0006537118.tif 000003
【００４６】
２，４−ジメトキシ−４’−（２−ビニルオキシエトキシ）−ベンゾフェノンの合成
【００４７】
２．００ｇの２，４−ジメトキシ−４’−ヒドロキシベンゾフェノン、２．４８ｇの２−クロロエチルビニルエーテル及び３．２１ｇの炭酸カリウムを１２．０ｇのＤＭＦに溶解する。混合物を１１０℃で１５時間撹拌する。そして、混合物を２５℃まで冷却し、６０．０ｇの水を加えた後、さらに撹拌する。次いで、２４．０ｇのトルエンで抽出し、有機相を水で洗う。その後、トルエンを留去する。それによって、３．５９ｇの２，４−ジメトキシ−４’−（２−ビニルオキシエトキシ）−ベンゾフェノンを得る。
【００４８】
２，４−ジメトキシ−４’−（２−ヒドロキシエトキシ）−ベンゾフェノンの合成
【００４９】
３．５９ｇの２，４−ジメトキシ−４’−（２−ビニルオキシエトキシ）−ベンゾフェノン、０．２８ｇのピリジニウム・ｐ−トルエンスルホネート及び２．１ｇの水を１８．０ｇのアセトンに溶解する。混合物を３５℃で１２時間撹拌する。そして、３％炭酸ナトリウム水溶液を加えた後、混合物をさらに撹拌する。次いで、２８．０ｇの酢酸エチルで抽出し、有機相を水で洗う。その後、酢酸エチルを留去する。それによって、３．０４ｇの２，４−ジメトキシ−４’−（２−ヒドロキシエトキシ）−ベンゾフェノンを得る。
【００５０】
２，４−ジメトキシ−４’−（２−メタクリロキシエトキシ）−ベンゾフェノンの合成
【００５１】
２．８ｇの２，４−ジメトキシ−４’−（２−ヒドロキシエトキシ）−ベンゾフェノン及び１．４ｇのメタクリル酸無水物を２０ｇのテトラヒドロフランに溶解する。３．０ｇのテトラヒドロフランに溶解した１．０ｇのトリエチルアミンを混合物に１０分にわたって滴加し、その後、混合物を２５℃で３時間撹拌する。そして、水を加えた後、混合物をさらに撹拌する。次いで、２８ｇの酢酸エチルで抽出し、有機相を水で洗う。その後、酢酸エチルを留去し、得られたものをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製する（酢酸エチル：ヘキサン＝２：８）。それによって、２．９６ｇの２，４−ジメトキシ−４’−（２−メタクリロキシエトキシ）−ベンゾフェノンを得る。
【００５２】
（２，４−ジメトキシフェニル）−［４−（２−メタクリロキシエトキシル）フェニル］−ジメトキシメタンの合成（実施例２）
【００５３】
２．８ｇの２，４−ジメトキシ−４’−（２−メタクリロキシエトキシ）−ベンゾフェノン、０．０５ｇのビスマス（ＩＩＩ）トリフルオロメタンスルホネート及び５．２ｇのオルトギ酸トリメチルを７．０ｇのメタノールに溶解する。混合物を還流温度で７２時間撹拌する。そして、混合物を２５℃で冷却し、５％ＮａＨＣＯ３水溶液を加えた後、さらに撹拌する。次いで、３０ｇの酢酸エチルで抽出し、有機相を水で洗う。その後、酢酸エチルを留去し、得られたものをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製する（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）。それによって、１．９２ｇの（２，４−ジメトキシフェニル）−［４−（２−メタクリロキシエトキシ）フェニル］−ジメトキシメタンを得る。
【００５４】
【化３】
0006537118.tif 000004
【００５５】
５．０ｇのα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、６．０３ｇの２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート、及び４．３４ｇの３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート、０．５１ｇのジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート、及び２６．１ｇのテトラヒドロフランを含む溶液を調製する。調製した溶液を、フラスコに入れて撹拌及び沸騰させた２０．０ｇのテトラヒドロフランに４時間かけて加える。調製した溶液を加えた後、混合物を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。激しく撹拌しながら混合物を１６０ｇのヘキサン及び１８ｇのテトラヒドロフランを含む混合液体に滴加して共重合体を沈殿させる。共重合体を濾過により単離する。共重合体の精製を真空乾燥により行い、それによって、７０ｇのヘキサンで２回洗浄して、８．５ｇの白粉の共重合体を得る。
【００５６】
【化４】
0006537118.tif 000005
【００５７】
０．８２ｇの（２，４−ジメトキシフェニル）−［４−（２−メタクリロキシ−エトキシ）フェニル］−ジメトキシメタン、３．０ｇのα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、２．６ｇの２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート、３．１ｇの３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート、０．５１ｇのジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）及び１１．２ｇのテトラヒドロフランを含む溶液を調製する。０．２ｇのブチルメルカプタンを溶液に加える。その理由は、溶液の反応中にブチルメルカプタンから発生する対応するラジカルによって、生成されるポリマー鎖長さが調整されるためである。上記の調製した溶液を、フラスコに入れて撹拌及び沸騰させた８．０ｇのテトラヒドロフランに４時間かけて滴下する。上記の調製した溶液を加えた後、混合物を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。激しく撹拌しながら混合物を１１０ｇのヘキサン及び１１ｇのテトラヒドロフランを含む混合液体に滴加して共重合体を沈殿物させる。共重合体を濾過により単離する。共重合体の精製を真空乾燥により行い、続いて、４０ｇのヘキサンで２回洗浄して、６．９ｇの白粉の共重合体（樹脂Ｂ）を得る。
【００５８】
【化５】
0006537118.tif 000006
【００５９】
評価（「評価サンプル」）のためのサンプル調製
【００６０】
評価サンプル１は、２３．５ｍｇの（２，４−ジメトキシフェニル）−（４’−メトキシフェニル）−メタノール、６００ｍｇの樹脂Ａ、及び光酸発生剤（ＰＡＧ）として２４．９ｍｇのジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネートを８０００ｍｇのシクロヘキサンに溶解して調製し、評価サンプル２は、６００ｍｇの樹脂Ｂ及び２４．９ｍｇのジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネートを８０００ｍｇのシクロヘキサノンに溶解して調製する。
【００６１】
感度評価
【００６２】
評価サンプルをＳｉウェハに塗布する前に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ、東京化成工業）をＳｉウェハ表面に２０００ｒｐｍで２０秒間スピンコートし、１１０℃で１分間ベークする。その後、評価サンプルを２０００ｒｐｍで２０秒間ＨＭＤＳで処理したＳｉウェハ表面にスピンコートし、塗布膜を形成する。塗布膜のプリベークを１１０℃で６０秒間行う。次いで、評価サンプルの塗布膜をＥＢ線源から出力される電子ビーム（ＥＢ）で露光する。ＥＢ露光後、ＵＶ光で塗布膜の照射を周囲条件で行う。ＵＶ光露光後、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）を１００℃で６０秒間行う。塗布膜をＮＭＤ−３（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８％、東京応化工業）を用いて２５℃で６０秒間現像し、脱イオン水で１０秒間洗う。膜厚測定ツールで測定した塗布膜の厚さはおおよそ１５０ｎｍである。
感度（Ｅ０感度）は、ＥＢ線源及びＵＶ光源（輝線波長は主に３２０ｎｍ〜３８０ｎｍである）を用いて、塗布膜の厚みがゼロでない２μｍのラインと塗布膜の厚みがゼロである２μｍのスペースからなるパターンを形成するための総ドーズを測定することにより評価する。たとえＵＶ光源を用いるＵＶ露光がマスクなしで行われたとしても、２μｍのスペースはＥＢで露光された塗布膜の一部に形成される。これは、アセタール化合物と塗布膜の照射によってＰＡＧから発生する酸との反応の結果生じるケトン化合物が、ＵＶ露光の光増感剤として機能することを示す。
【００６３】
表１は、評価サンプル１〜４を測定したＥ０感度に対応する総ドーズを示す。表１は、Ｅ０感度に関するＵＶ露光のドーズが、ＥＢ露光のドーズの増加により減少することを示している。
【００６４】
【表１】
0006537118.tif 000007
【００６５】
また、実施例３、４及び５はそれぞれ、好ましくは、ＥＵＶ又はＥＢ露光後の光露光の光増感剤の前駆体として用いられる。各実施例は、光露光の光増感剤として機能し得る対応するケトンに転換される。
【００６６】
【化６】
0006537118.tif 000008
【００６７】
実施例１、３〜５は、光増感による酸発生を向上させる酸発生向上剤（ＡＧＥ）の前駆体である。また、実施例３〜５の、アセタール部及びπ共役系を含む主要な部分を有するポリマーは、光増感による酸発生を向上させるＡＧＥの前駆体に利用される。増感剤の前駆体として実施例１、３〜５を含むフォトレジストは、集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程に適用され得る。
【００６８】
ＡＧＥの前駆体、樹脂Ａ及びＰＡＧを含む化学増幅組成物（ＣＡＲ）の溶液を、スピンコーティングによりＳｉウェハ表面に塗布し、塗布膜を形成する。塗布膜をプリベークする。
【００６９】
Ｓｉウェハのプリベーク後に、マスクを介したＥＵＶ光での塗布膜の照射、又は塗布膜のＥＢ露光を行う。ＡＧＥの前駆体の脱保護反応は、ＰＡＧの光化学反応により発生する酸によって誘導され、ＡＧＥを生成する。
【００７０】
塗布膜のＥＵＶ又はＥＢ露光の後、波長が２００ｎｍ以上の光で塗布膜の照射を行う。典型的に、波長が３００ｎｍ以上の光である。ＡＧＥは、ＰＡＧからの酸の発生のための光増感剤として作用する。
【００７１】
ＥＵＶ又はＥＢ露光の後に光露光で照射された塗布膜の現像を、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）の後に実施する。
【００７２】
塗布膜及びシリコンウェハをプラズマで露光する。その後、残りの膜を除去する。このようにして、装置を製造するためのパターニングを行い、装置を製造する。また、光増感剤として作用するケトン化合物は、非環状又は環状アセタール基、非環状又は環状ジチオアセタール、非環状又は環状モノチオアセタール基等の保護基によって保護される。
【００７３】
ＡＧＥの前駆体はポリマー鎖に結合され得る。具体的には、前駆体の少なくとも各母部分は、既述の実施例２のようなエーテル基又はエステル基を介するポリマー鎖であり得る。
【００７４】
図１は、上述の手順による工程により得られる酸発生向上剤（ＡＧＥ）を含むフォトレジストを用いる集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程を示す。
【００７５】
シリコンウェハを準備する。シリコンウェハの表面を、酸素ガス存在下シリコンウェハを加熱することによって酸化する。
【００７６】
ＡＧＥ、樹脂Ａ及びＰＡＧを含む化学増幅組成物（ＣＡＲ）の溶液を、スピンコーティングによりＳｉウェハ表面に塗布し、塗布膜を形成する。塗布膜をプリベークする。
【００７７】
Ｓｉウェハのプリベーク後に、マスクを介したＥＵＶ光での塗布膜の照射を行う。樹脂Ａの脱保護反応は、光酸発生剤の光化学反応及びＡＧＥによる補助により発生する酸によって誘導される。
【００７８】
塗布膜のＥＵＶ照射後、波長が３００ｎｍ以上の光での塗布膜の照射が行われる。
【００７９】
ＥＵＶ光、及び波長が３００ｎｍ以上の光で照射された塗布膜の現像をプリベークの後に実施する。
【００８０】
塗布膜及びシリコンウェハをプラズマで露光する。その後、残りの膜を除去する。
【００８１】
集積回路等の電子装置を図１に示される工程を用いて製造する。塗布膜の照射時間が短くなるので、光照射による装置の劣化は既存のフォトレジストと比べて抑制される。
【図１】
0006537118.tif 000010