(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンが表面に形成された基板から、前記凹凸パターンの凹部内に充填された固形物を除去する処理部と、前記処理部の動作を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記処理部は、前記基板が配置される処理室と、前記処理室内に配置された前記基板を加熱する基板加熱部とを備え、
前記固形物は、第１温度以上の温度で昇華する固体状態の昇華性物質と、前記第１温度よりも高い第２温度以上の温度で蒸発する不純物とを含有し、
前記制御部は、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度まで加熱されるように、前記基板加熱部を制御する、前記基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理装置は、前記昇華性物質と前記不純物とを含有する昇華性物質溶液を前記凹部内に供給するノズルをさらに備え、
前記制御部は、前記凹部内に供給された前記昇華性物質溶液中の溶媒の蒸発により前記固形物が形成された後、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度まで加熱されるように、前記基板加熱部を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記処理室内の雰囲気を排出する排気部をさらに備え、
前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度まで加熱されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱され、次いで、前記第２温度以上の温度で加熱されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記処理室内に配置された前記基板が前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱されるときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量よりも、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度で加熱されるときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量が増加するように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度で加熱されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板の温度が、所定時間、前記第２温度以上の温度に維持されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、請求項３〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記処理室の壁面を加熱する壁面加熱部をさらに備え、
前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が加熱されるときに、前記処理室の壁面が前記第２温度以上の温度まで加熱されるように、前記基板加熱部、前記排気部及び前記壁面加熱部を制御する、請求項３〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
凹凸パターンが表面に形成された基板から、前記凹凸パターンの凹部内に充填された固形物を除去する基板処理方法であって、
前記基板処理方法は、前記処理室内に配置された前記基板を加熱する加熱工程を含み、
前記固形物は、第１温度以上の温度で昇華する固体状態の昇華性物質と、前記第１温度よりも高い第２温度以上の温度で蒸発する不純物とを含有し、
前記加熱工程において、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度まで加熱する、前記基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板処理方法は、前記昇華性物質と前記不純物とを含有する昇華性物質溶液を前記凹部内に供給する工程をさらに含み、
前記凹部に供給された前記昇華性物質溶液中の溶媒の蒸発により前記固形物が形成された後、前記加熱工程において、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度まで加熱する、請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度まで加熱する、請求項９又は１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱し、次いで、前記第２温度以上の温度で加熱する、請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記加熱工程において、前記処理室内に配置された前記基板を前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱するときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量よりも、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度で加熱するときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量を増加させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度で加熱する、請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板の温度を、所定時間、前記第２温度以上の温度に維持する、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を加熱するときに、前記処理室の壁面を前記第２温度以上の温度まで加熱する、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項９〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンが表面に形成された基板から、該凹凸パターンの凹部内に充填された固形物を除去するための基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウエハ等の基板を液処理し、液処理後の基板を、昇華性物質を利用して乾燥する方法が提案されており、その一例が特許文献１に記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の方法では、凹凸パターンが表面に形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる際、まず、基板に昇華性物質溶液を供給して、基板の凹凸パターンの凹部内に昇華性物質溶液を充填する。次いで、昇華性物質溶液中の溶媒を乾燥させて、基板の凹凸パターンの凹部内を固体状態の昇華性物質で満たす。次いで、基板を昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、昇華性物質を基板から除去する。特許文献１に記載の方法によれば、基板の凹凸パターンの凹部内を固体状態の昇華性物質で満たした後、昇華性物質を昇華させて凹部内から除去するため、基板の凹凸パターンの凸部に、基板上に存在する液体の表面張力に起因する応力が作用しない。したがって、凸部の倒れ、すなわち、凹凸パターン倒壊を防止することができる。
【０００４】
特許文献１の段落００３０には、基板を昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して昇華性物質を基板から除去する際、基板を１００〜３００℃の温度に加熱することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２４３８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、昇華性物質溶液は、昇華性物質及び溶媒に加えて、不純物、例えば、昇華性物質の製造の際に昇華性物質に混入した物質、溶媒の製造の際に溶媒に混入した物質等を含有する。このため、昇華性物質溶液中の溶媒を乾燥させて得られる固形物は、固体状態の昇華性物質に加えて、不純物を含有する。出願人は、不純物には、基板を１００〜３００℃の温度に加熱しても、蒸発せずに基板上に残存する物質、例えば、有機不純物、フッ素原子を有する高分子等が含まれることを特定した。
【０００７】
そこで、本発明は、凹凸パターンが表面に形成された基板から、凹凸パターンの凹部内に充填された固形物に含有される、昇華性物質のみでなく不純物も除去できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、以下の基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
（１）凹凸パターンが表面に形成された基板から、前記凹凸パターンの凹部内に充填された固形物を除去する処理部と、前記処理部の動作を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、前記処理部は、前記基板が配置される処理室と、前記処理室内に配置された前記基板を加熱する基板加熱部とを備え、前記固形物は、第１温度以上の温度で昇華する固体状態の昇華性物質と、前記第１温度よりも高い第２温度以上の温度で蒸発する不純物とを含有し、前記制御部は、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度まで加熱されるように、前記基板加熱部を制御する、前記基板処理装置。
（２）前記処理部は、前記処理室内の雰囲気を排出する排気部をさらに備え、前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度まで加熱されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱され、次いで、前記第２温度以上の温度で加熱されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記制御部は、前記処理室内に配置された前記基板が前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱されるときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量よりも、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度で加熱されるときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量が増加するように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、（３）に記載の基板処理装置。
（５）前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が前記第２温度以上の温度で加熱されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、（２）に記載の基板処理装置。
（６）前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板の温度が、所定時間、前記第２温度以上の温度に維持されるように、前記基板加熱部及び前記排気部を制御する、（２）〜（５）のいずれかに記載の基板処理装置。
（７）前記処理部は、前記処理室の壁面を加熱する壁面加熱部をさらに備え、前記制御部は、前記処理室内の雰囲気が排出されながら、前記処理室内に配置された前記基板が加熱されるときに、前記処理室の壁面が前記第２温度以上の温度まで加熱されるように、前記基板加熱部、前記排気部及び前記壁面加熱部を制御する、（２）〜（６）のいずれかに記載の基板処理装置。
（８）凹凸パターンが表面に形成された基板から、前記凹凸パターンの凹部内に充填された固形物を除去する基板処理方法であって、前記基板処理方法は、前記処理室内に配置された前記基板を加熱する加熱工程を含み、前記固形物は、第１温度以上の温度で昇華する固体状態の昇華性物質と、前記第１温度よりも高い第２温度以上の温度で蒸発する不純物とを含有し、前記加熱工程において、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度まで加熱する、前記基板処理方法。
（９）前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度まで加熱する、（８）に記載の基板処理方法。
（１０）前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱し、次いで、前記第２温度以上の温度で加熱する、（９）に記載の基板処理方法。
（１１）前記加熱工程において、前記処理室内に配置された前記基板を前記第１温度以上前記第２温度未満の温度で加熱するときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量よりも、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度で加熱するときの、前記処理室から排出される単位時間あたりの排気量を増加させる、（１０）に記載の基板処理方法。
（１２）前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を前記第２温度以上の温度で加熱する、（９）に記載の基板処理方法。
（１３）前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板の温度を、所定時間、前記第２温度以上の温度に維持する、（９）〜（１２）のいずれかに記載の基板処理方法。
（１４）前記加熱工程において、前記処理室内の雰囲気を排出しながら、前記処理室内に配置された前記基板を加熱するときに、前記処理室の壁面を前記第２温度以上の温度まで加熱する、（９）〜（１３）のいずれかに記載の基板処理方法。
（１５）基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して（８）〜（１４）のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、凹凸パターンが表面に形成された基板から、凹凸パターンの凹部内に充填された固形物に含有される、昇華性物質のみでなく不純物も除去できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。
【図２】図２は、図１に示す基板処理装置が備える液処理ユニットの構成を示す概略図である。
【図３】図３は、図１に示す基板処理装置が備える固形物除去処理ユニットの構成を示す概略図である。
【図４】図４は、図１に示す基板処理装置が実施する基板処理方法の工程を説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、液処理後の基板を昇華性物質の昇華を利用して乾燥する基板乾燥方法を実施するための装置である。
【００１２】
基板処理装置１によって実施される基板乾燥方法は、基板に対する液処理（薬液洗浄工程、リンス工程、溶剤置換工程、昇華性物質溶液充填工程及び固形物析出工程）と、液処理後の基板に対する固形物除去処理とを含む。すなわち、基板処理装置１は、基板乾燥方法の一工程として、固形物除去処理を実施する。
【００１３】
基板処理装置１によって基板乾燥方法が施される基板は、図４（ａ）に示すように、凸部１０１及び凹部１０２から構成された凹凸パターン１００が表面に形成された基板Ｗである。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハである。なお、後述するように、基板Ｗに対する液処理において、基板Ｗの凹凸パターン１００の凹部１０２内に固形物ＳＳが充填され、基板Ｗと、基板Ｗの凹凸パターン１００の凹部１０２内に充填された固形物ＳＳとから構成される固形物充填基板（図４（ｃ）参照）が形成される。そして、液処理後の基板（すなわち、固形物充填基板）に対する固形物除去処理において、基板Ｗから、基板Ｗの凹凸パターン１００の凹部１０２内に充填された固形物ＳＳを除去される。
【００１４】
図１に示すように、基板処理装置１は、液処理を実施する液処理ユニット３と、固形物除去処理を実施する固形物除去処理ユニット５と、液処理ユニット３及び固形物除去処理ユニット５の動作を制御する制御部７とを備える。
【００１５】
図２に示すように、液処理ユニット３は、基板Ｗを概ね水平に保持して回転するスピンチャック３１を有する。スピンチャック３１は、基板Ｗの周縁部を保持する複数の保持部材３３によって基板Ｗを水平姿勢で保持する基板保持部３２と、基板保持部３２を鉛直方向軸線周りに回転させる回転駆動部３４とを有する。基板保持部３２の周囲には、基板Ｗから飛散した薬液、リンス液、昇華性物質溶液等の各種処理液を受け止めるカップ３５が設けられている。なお、図示されたスピンチャック３１の基板保持部３２は、可動の保持部材３３によって基板Ｗの周縁部を把持するいわゆるメカニカルチャックタイプのものであるが、これに限定されるものではなく、基板Ｗの裏面中央部を真空吸着するいわゆるバキュームチャックタイプのものであってもよい。
【００１６】
図２に示すように、液処理ユニット３は、基板Ｗに薬液（ＣＨＭ）を供給するための薬液ノズル４１と、基板Ｗに純水（ＤＩＷ）等のリンス液を供給するためのリンス液ノズル４２と、基板Ｗにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶剤を供給するための溶剤ノズル４３と、基板Ｗに窒素ガス、ドライエア等の乾燥用ガスを供給するための乾燥ガスノズル４４と、基板Ｗに昇華性物質溶液を供給するための昇華性物質溶液ノズル４５とを有する。
【００１７】
ノズル４１〜４５には、それぞれ、薬液供給源、リンス液供給源、溶剤供給源、乾燥ガス供給源及び昇華性物質溶液供給源から、適当な流量調整器、例えば流量調整弁と開閉弁とが介設された処理流体ラインを介して、処理流体（薬液、リンス液、溶剤、乾燥ガス、昇華性物質溶液）が供給されるようになっている。
【００１８】
図２に示すように、液処理ユニット３は、ノズル４１〜４５を駆動するノズル移動機構４６を有する。ノズル移動機構４６は、ガイドレール４６１と、ガイドレール４６１に沿って移動可能な駆動機構内蔵型の移動体４６２とを有する。ノズル４１〜４５は、図示しないノズルアームに保持された状態で移動体４６２に取り付けられている。ノズル移動機構４６は、ノズル４１〜４５を、基板保持部３２に保持された基板Ｗの中心の上方の位置と基板Ｗの周縁の上方の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視でカップ３５の外側にある待機位置まで移動させることができる。
【００１９】
昇華性物質溶液ノズル４５から供給される昇華性物質溶液は、昇華性物質を溶媒に溶解して得られた溶液である。昇華性物質は、固形物除去処理ユニット５の加熱処理室５２内の雰囲気圧力下、第１温度Ｔ１以上の温度で昇華する物質である。第１温度Ｔ１は、加熱処理室５２内の雰囲気圧力下における昇華性物質の昇華点に相当し、昇華性物質の種類に応じて適宜決定される。昇華点が第１温度Ｔ１である昇華性物質は、第１温度Ｔ１以上の温度に加熱されると昇華する。第１温度Ｔ１は、例えば１００℃以上３００℃以下の温度である。本実施形態で使用される昇華性物質は、例えば、ケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）、ショウノウ、ナフタレン等である。昇華性物質としてケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）を使用する場合、溶媒として、例えば、純水（ＤＩＷ）、ＤＩＷとイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）との混合液等を使用することができる。昇華性物質としてショウノウ又はナフタレンを使用する場合、溶媒として、例えば、アルコール類（例えばＩＰＡ）等を使用することができる。昇華性物質は上記の例に限らず、加熱処理の開始前において固形物の状態が保たれるものであれば良い。したがって、第１温度Ｔ１は、加熱開始前の加熱処理室５２の室温（例えば２０℃）以上とすることもできる。
【００２０】
昇華性物質溶液ノズル４５から供給される昇華性物質溶液は、昇華性物質及び溶媒に加えて、不純物を含有する。不純物は、例えば、昇華性物質の製造の際に昇華性物質に混入した物質、溶媒の製造の際に溶媒に混入した物質等である。出願人は、不純物の具体例が、有機不純物（例えば、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、メチルアミン、１−ブロモオクタデカン）、フッ素原子を有する高分子（例えば、ポリビニリデンフルオライド）等であると特定した。昇華性物質溶液の原料として使用される昇華性物質及び／又は溶媒は不純物を含有するため、昇華性物質溶液は、昇華性物質及び溶媒に加えて、不純物を含有することになる。不純物には、固形物除去処理ユニット５の加熱処理室５２内の雰囲気圧力下、第１温度Ｔ１よりも高い第２温度Ｔ２以上の温度で蒸発する物質が含まれる。第２温度Ｔ２以上の温度で蒸発する不純物は、第２温度Ｔ２以上の温度に加熱される間に熱分解を生じず、第２温度Ｔ２以上の温度で蒸発する物質、又は、第２温度Ｔ２以上の温度に加熱される間に熱分解を生じ、熱分解によって生じた分解物が第２温度Ｔ２以上の温度で蒸発する物質のいずれかである。第２温度Ｔ２は、加熱処理室５２内の雰囲気圧力下における不純物又はその分解物の沸点に相当し、不純物の種類に応じて適宜決定される。沸点が第２温度Ｔ２である不純物又はその分解物は、第２温度Ｔ２以上の温度に加熱されると蒸発する。第２温度Ｔ２は、例えば３００℃超５００℃以下の温度である。
【００２１】
第２温度Ｔ２は、第１温度Ｔ１よりも高い温度である。第１温度Ｔ１及び第２温度Ｔ２は、雰囲気圧力の影響を受けるので、第１温度Ｔ１及び第２温度Ｔ２は、同じ雰囲気圧力下、すなわち、固形物除去処理ユニット５の加熱処理室５２内の雰囲気圧力下で比較され、第１温度Ｔ１及び第２温度Ｔ２の高低が決定される。加熱処理室５２内の雰囲気圧力は、例えば０．０１〜１０１３２５Ｐａ、好ましくは０．１〜１０Ｐａである。加熱処理室５２内の雰囲気圧力下における昇華性物質の融点及び沸点をそれぞれＴｍ及びＴｂとすると、一般的に、Ｔ１＜Ｔｍ＜Ｔｂ＜Ｔ２という関係が成り立つ。
【００２２】
図３に示すように、固形物除去処理ユニット５は、ロードロック室５１と、ロードロック室５１にゲートバルブ等の気密シャッター５３を介して接続された加熱処理室５２とを有する。
【００２３】
図３に示すように、ロードロック室５１には、気密シャッター５３の反対側の位置に、気密シャッター５４１を有する大気側搬出入口５４が設けられている。図３に示すように、ロードロック室５１内には、少なくとも１つの基板載置台５５と、真空搬送アーム５６とが設けられている。基板載置台５５には、ロードロック室５１の外側の大気雰囲気の搬送空間内で基板Ｗを搬送する図示しない大気搬送アーム（つまり、液処理ユニット３と固形物除去処理ユニット５との間での基板Ｗの搬送に関与する基板搬送機）と、真空搬送アーム５６とがアクセス可能である。
【００２４】
図３に示すように、ロードロック室５１の底部には、ロードロック室５１内の雰囲気を排気する排気部６１が設けられている。図３に示すように、排気部６１は、ロードロック室５１の底部に設けられた１つ又は複数の排気口６１１と、排気口６１１に排気ダクト（排気ライン）６１２を介して接続された真空ポンプ６１３とを有する。ロードロック室５１内の雰囲気が、真空ポンプ６１３により吸引されている排気口６１１及び排気ダクト６１２を介してロードロック室５１から排出されることにより、ロードロック室５１内の雰囲気圧力が、加熱処理室５２内の雰囲気圧力と概ね同じ雰囲気圧力となるように、ロードロック室５１内を減圧することができる。
【００２５】
図３に示すように、加熱処理室５２内には、基板加熱部５７が設けられている。基板加熱部５７は、金属ブロック５７１と、金属ブロック５７１に内蔵された抵抗加熱部、ランプヒーター（例えばＬＥＤランプヒーター）等のヒーター５７２とを有する。基板加熱部５７は、例えば、熱板である。金属ブロック５７１上面からは、複数の基板保持部材５８が突出している。基板保持部材５８が基板Ｗの下面周縁部を支持することにより、基板Ｗの下面と金属ブロック５７１の上面との間には小さな隙間が形成される。ロードロック室５１内に設置された真空搬送アーム５６は、基板加熱部５７にもアクセス可能である。
【００２６】
基板加熱部５７は、基板保持部材５８によって基板加熱部５７上に保持された基板Ｗを初期温度から第２温度Ｔ２以上の温度まで加熱することができる。基板Ｗの初期温度は加熱前の温度であり、例えば、第１温度Ｔ１よりも低い温度である。金属ブロック５７２は、第２温度Ｔ２以上の温度に対する耐熱性を有する。ヒーター５７２は、設定された温度及び時間で加熱を実施することができる。したがって、基板加熱部５７は、加熱温度を段階的に変化させながら基板Ｗを加熱することもできるし、加熱温度を一定に維持しながら基板Ｗを加熱することもできる。例えば、基板加熱部５７は、基板Ｗを第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度（例えば、第１温度Ｔ１以上昇華性物質の融点Ｔｍ未満の温度、昇華性物質の融点Ｔｍ以上昇華性物質の沸点Ｔｂ未満の温度、昇華性物質の沸点Ｔｂ以上第２温度Ｔ２未満の温度等）で所定時間（例えば、昇華性物質の昇華が生じるのに十分な時間）加熱し、次いで、基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度で所定時間（例えば、不純物の蒸発が生じるのに十分な時間）加熱することができる。また、基板加熱部５７は、基板Ｗを最初から第２温度Ｔ２以上の温度で所定時間（昇華性物質の昇華及び不純物の蒸発が生じるのに十分な時間）加熱することができる。
【００２７】
図３に示すように、加熱処理室５２の壁部には、抵抗加熱部、ランプヒーター（例えばＬＥＤランプヒーター）等のヒーターを有する壁面加熱部５９が設けられている。壁面加熱部５９は、例えば、熱板である。壁面加熱部５９は、加熱処理室５２の側壁部に加えて、加熱処理室５２の天井壁部、底壁部等にも設けることができる。壁面加熱部５９は、加熱処理室５２の壁面を第２温度Ｔ２以上の温度まで加熱することができる。加熱処理室５２の壁部は、第２温度Ｔ２以上の温度に対する耐熱性を有する。壁面加熱部５９は、加熱温度を段階的に変化させながら加熱処理室５２の壁面を加熱することもできるし、加熱温度を一定に維持しながら加熱処理室５２の壁面を加熱することもできる。
【００２８】
図３に示すように、加熱処理室５２の底部には、加熱処理室５２内の雰囲気を排気する排気部６２が設けられている。図３に示すように、排気部６２は、加熱処理室５２の底部に設けられた１つ又は複数の排気口６２１と、排気ダクト（排気ライン）６２２を介して排気口６２１に接続されたコールドトラップ６２３と、排気ダクト（排気ライン）６２２を介してコールドトラップ６２３に接続された真空ポンプ６２４とを有する。加熱処理室５２内の雰囲気が、真空ポンプ６２４により吸引されている排気口６２１及び排気ダクト６２２を介して加熱処理室５２から排出されることにより、加熱処理室５２内を減圧することができる。
【００２９】
図３に示すように、加熱処理室５２の上部には、加熱処理室５２内の雰囲気を排気する排気部６３が設けられている。図３に示すように、排気部６３は、加熱処理室５２の上部に設けられた１つ又は複数の排気口６３１と、排気ダクト（排気ライン）６３２を介して排気口６３１に接続されたコールドトラップ６３３と、排気ダクト（排気ライン）６３２を介してコールドトラップ６３３に接続された真空ポンプ６３４とを有する。加熱処理室５２内の雰囲気が、真空ポンプ６３４により吸引されている排気口６３１及び排気ダクト６３２を介して加熱処理室５２から排出されることにより、加熱処理室５２内を減圧することができる。
【００３０】
制御部７は、例えば、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等を備えたコンピュータで構成され、ＲＡＭ、ＲＯＭ等の記憶部には、基板処理装置１によって実行される各種処理を制御するプログラムが格納される。ＣＰＵ、ＭＰＵ等の主制御部は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等の記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されたものであってもよいし、その記憶媒体から制御部７の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体には、例えば、基板処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータが基板処理装置１を制御して後述する基板処理方法を実行させるプログラムが記録される。
【００３１】
次に、基板処理装置１により実施される基板乾燥方法について説明する。基板処理装置１によって実施される基板乾燥方法は、基板Ｗに対する液処理（薬液洗浄工程、リンス工程、溶剤置換工程、昇華性物質溶液充填工程、固形物析出工程）と、液処理後の基板Ｗに対する固形物除去処理とを含む。液処理は、基板処理装置１の液処理ユニット３により実施され、固形物除去処理は、基板処理装置１の固形物除去処理ユニット５によって実施される。液処理における液処理ユニット３の動作及び固形物除去処理における固形物除去処理ユニット５の動作は、制御部７によって制御される。
【００３２】
まず、半導体装置を形成する膜、例えば表面のＳｉＮ膜にパターンを付与するためにドライエッチングが施された基板Ｗ（図４（ａ）参照）を、図示しない基板搬送機により液処理ユニット３に搬入し、スピンチャック３１により水平に保持して所定速度で回転させる。
【００３３】
次に、引き続き基板Ｗを所定速度で回転させたまま、薬液ノズル４１を基板Ｗの中心の上方に位置させ、薬液ノズル４１により薬液を基板Ｗに供給する。これにより、基板Ｗの表面から、エッチング残渣、パーティクル等が除去される（薬液洗浄工程）。薬液洗浄工程で使用される薬液としては、例えば、ＤＨＦ、ＢＨＦ、ＳＣ−１、ＳＣ−２、ＡＰＭ、ＨＰＭ、ＳＰＭ等が挙げられる。
【００３４】
次に、引き続き基板Ｗを所定速度で回転させたまま、リンス液ノズル４２を基板Ｗの中心の上方に位置させ、リンス液ノズル４２によりＤＩＷ等のリンス液を基板Ｗに供給する。これにより、基板Ｗの表面から、薬液、薬液洗浄工程後も残留するエッチング残渣、パーティクル等が除去される（リンス工程）。
【００３５】
次に、引き続き基板Ｗを所定速度で回転させたまま、溶剤ノズル４３を基板Ｗの中心の上方に位置させ、溶剤ノズル４３によりＩＰＡ等の溶剤を基板Ｗに供給する。これにより、基板Ｗ上のＤＩＷ等のリンス液がＩＰＡ等の溶剤で置換される（溶剤置換工程）。なお、溶剤置換工程は省略可能である。
【００３６】
次に、引き続き基板Ｗを所定速度で回転させたまま、昇華性物質溶液ノズル４５を基板Ｗの中心の上方に位置させ、昇華性物質溶液ノズル４５により昇華性物質溶液を基板Ｗに供給する。これにより、基板Ｗ上のＩＰＡ等の溶剤が昇華性物質溶液で置換される（昇華性物質溶液充填工程）。昇華性物質溶液充填工程では、図４（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面全体が昇華性物質溶液ＳＬの液膜に覆われ、基板Ｗ表面上に形成された凹凸パターン１００の凹部１０２内に昇華性物質溶液ＳＬが充填される。昇華性物質溶液充填工程では、基板Ｗの回転数を制御することにより、昇華性物質溶液ＳＬの液膜の厚さ、ひいては、乾燥後に得られる固形物ＳＳの膜の厚さを制御することができる。
【００３７】
次に、昇華性物質溶液中の溶媒を蒸発させて、固形物を析出させる（固形物析出工程）。これにより、図４（ｃ）に示すように、基板Ｗの凹凸パターン１００の凹部１０２内に充填された固形物ＳＳが形成される。固形物ＳＳは、膜状（薄層状）であり、第１温度Ｔ１以上の温度で昇華する固体状態の昇華性物質と、第１温度Ｔ１よりも高い第２温度Ｔ２以上の温度で蒸発する不純物とを含有する。固形物析出工程は、自然乾燥により行ってもよく、基板Ｗを回転させること、あるいは、乾燥ガスノズル４４から乾燥用ガスを基板Ｗに吹き付けることにより、乾燥を促進してもよい。こうして、基板Ｗと、基板Ｗの凹凸パターン１００の凹部１０２内に充填された固形物ＳＳとから構成される固形物充填基板（図４（ｃ）参照）が形成される。そして、後述するように、この固形物充填基板が固形物除去処理ユニット５による固形物除去処理を受けることにより、基板Ｗから凹凸パターン１００の凹部１０２内に充填された固形物ＳＳが除去される。
【００３８】
固形物析出工程が終了したら、図示しない基板搬送機により、液処理ユニット３から基板Ｗを搬出し、固形物除去処理ユニット５に搬入する。固形物除去処理ユニット５に基板Ｗを搬入する際には、加熱処理室５２側の気密シャッター５３を閉じ、ロードロック室５１内を図示しないベント機構により大気圧雰囲気とした状態で、大気側搬出入口５４の気密シャッター５４１を開く。この状態で、図示しない基板搬送機がロードロック室５１内に進入し、基板載置台５５に基板Ｗを配置する。その後、気密シャッター５４１が閉じられ、排気部６１の真空ポンプ６１３が作動し、ロードロック室５１内の雰囲気圧力が、加熱処理室５２内の雰囲気圧力と概ね同じとなるように減圧される。
【００３９】
次に、気密シャッター５３が開かれる。真空搬送アーム５６が、基板載置台５５から基板Ｗを取り、加熱処理室５２内に配置する。基板Ｗは、保持部材５８によって保持された状態で、基板加熱部５７上に配置される。真空搬送アーム５６は、基板Ｗの配置後、加熱処理室５２から退出する。その後、気密シャッター５３が閉じられる。加熱処理室５２内の雰囲気圧力は、例えば０．０１〜１０１３２５Ｐａ、好ましくは０．１〜１０Ｐａの減圧状態に維持される。
【００４０】
次に、排気部６２及び排気部６３のうち一方又は両方により加熱処理室５２内の雰囲気を排出しながら、基板加熱部５７により加熱処理室５２内に配置された基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度まで加熱する。第２温度Ｔ２以上の温度は、例えば、３００℃超５００℃以下の温度である。第２温度Ｔ２以上の温度は、５００℃超の温度であってもよい。この場合、温度の上限は、例えば、１０００℃である。基板加熱部５７により加熱処理室５２内に配置された基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度まで加熱する際、基板Ｗの最終的な温度が第２温度Ｔ２以上の温度となればよい。したがって、基板加熱部５７は、加熱温度を段階的に変化させながら基板Ｗを加熱してもよいし、加熱温度を一定に維持しながら基板Ｗを加熱してもよい。基板加熱部５７による加熱時間は、昇華性物質の昇華及び不純物の蒸発が生じるのに十分な時間に適宜調節される。基板加熱部５７により加熱処理室５２内に配置された基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度まで加熱すると、図４（ｄ）に示すように、昇華性物質が昇華して基板Ｗから除去されるとともに、不純物が蒸発して基板Ｗから除去される（固形物除去工程）。固形物除去工程において、基板Ｗの最終的な温度は第２温度Ｔ２以上の温度であるので、基板Ｗから一旦除去された昇華性物質及び不純物の基板Ｗへの再付着が防止される。
【００４１】
加熱処理室５２内の雰囲気中に存在する、昇華した気体状態の昇華性物質及び蒸発した気体状態の不純物は、排気部６２及び排気部６３のうち一方又は両方により、加熱処理室５２から排出される。昇華した気体状態の昇華性物質及び蒸発した気体状態の不純物は、加熱処理室５２内の雰囲気中、上方に流れやすいので、加熱処理室５２の上部に設けられた排気部６３は、加熱処理室５２内の雰囲気中に存在する、昇華した気体状態の昇華性物質及び蒸発した気体状態の不純物を、加熱処理室５２から効果的に排出することができる。このような効果的な排出は、基板Ｗから一旦除去された昇華性物質及び不純物の基板Ｗへの再付着を防止する上で有利である。加熱処理室５から排出されたガスは、コールドトラップ６２３及び／又は６３３を通過するときに冷却され、ガスに含まれる昇華性物質及び／又は不純物は、コールドトラップ内で、例えばコールドトラップ６２３及び／又は６３３の内壁面上に、析出する。このため、真空ポンプ６２４及び／又は６３４に流入するガス中に含まれる昇華性物質及び不純物の濃度は非常に低い。
【００４２】
固形物除去工程の一実施形態（以下「第１実施形態」という。）では、排気部６２及び排気部６３のうち一方又は両方により加熱処理室５２内の雰囲気を排出しながら、基板加熱部５７により加熱処理室５２内に配置された基板Ｗを第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度（例えば、第１温度Ｔ１以上昇華性物質の融点Ｔｍ未満の温度、昇華性物質の融点Ｔｍ以上昇華性物質の融点Ｔｍ未満の温度、昇華性物質の融点Ｔｍ以上昇華性物質の沸点Ｔｂ未満の温度、昇華性物質の沸点Ｔｂ以上第２温度Ｔ２未満の温度等）で加熱し、次いで、第２温度Ｔ２以上の温度で加熱する。基板Ｗが第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度で加熱されると、昇華性物質が昇華して基板Ｗから除去され、基板Ｗが第２温度Ｔ２以上の温度で加熱されると、不純物が蒸発して基板Ｗから除去される。また、基板Ｗの最終的な温度は第２温度Ｔ２以上の温度であるので、基板Ｗから一旦除去された昇華性物質及び不純物の基板Ｗへの再付着が防止される。基板Ｗを第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度で加熱する際、基板加熱部５７の加熱温度は第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度に設定され、基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度で加熱する際、基板加熱部５７の加熱温度は第２温度Ｔ２以上の温度に設定される。第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度は、例えば、１００℃以上３００℃以下の温度である。第２温度Ｔ２以上の温度は、例えば、３００℃超５００℃以下の温度である。第２温度Ｔ２以上の温度は、５００℃超の温度であってもよい。この場合、温度の上限は、例えば、１０００℃である。基板Ｗを第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度で加熱する時間は、昇華性物質の昇華が生じるのに十分な時間であり、例えば１０秒〜３０分、好ましくは３０秒〜３分である。基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度で加熱する時間は、不純物の蒸発が生じるのに十分な時間であり、例えば１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜３分である。
【００４３】
固形物除去工程の第１実施形態において、基板加熱部５７が基板Ｗを第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度で加熱するときの、加熱処理室５２から排出される単位時間あたりの排気量（排気部６２及び排気部６３の一方が作動する場合は、当該一方の単位時間あたりの排気量であり、排気部６２及び排気部６３の両方が作動する場合は、当該両方の単位時間あたりの合計排気量である）よりも、基板加熱部５７が基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度で加熱するときの、加熱処理室５２から排出される単位時間あたりの排気量（排気部６２及び排気部６３の一方が作動する場合は、当該一方の単位時間あたりの排気量であり、排気部６２及び排気部６３の両方が作動する場合は、当該両方の単位時間あたりの合計排気量である）を増加させることが好ましい。これにより、基板Ｗから昇華性物質及び不純物を効果的に除去することができるとともに、基板Ｗから一旦除去された昇華性物質及び不純物の基板Ｗへの再付着を効果的に防止することができる。排気部６２及び排気部６３の両方が作動する場合、両方の単位時間あたりの排気量を増加させてもよいし、一方の単位時間あたりの排出量を増加させてもよい。また、基板加熱部５７が基板Ｗを第１温度Ｔ１以上第２温度Ｔ２未満の温度で加熱するときには、排気部６２及び排気部６３の一方を作動させ、基板加熱部５７が基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度で加熱するときには、排気部６２及び排気部６３の両方を作動させることにより、加熱処理室５２から排出される単位時間あたりの排気量を増加させてもよい。
【００４４】
固形物除去工程の別の実施形態（以下「第２実施形態」という。）では、排気部６２及び排気部６３のうち一方又は両方により加熱処理室５２内の雰囲気を排出しながら、基板加熱部５７により加熱処理室５２内に配置された基板Ｗを最初から第２温度Ｔ２以上の温度で加熱する。基板Ｗが最初から第２温度Ｔ２以上の温度で加熱されると、昇華性物質が昇華して基板Ｗから除去されるとともに、不純物が蒸発して基板Ｗから除去される。基板Ｗを最初から第２温度Ｔ２以上の温度で加熱する際、基板加熱部５７の加熱温度は最初から第２温度Ｔ２以上の温度に設定される。第２温度Ｔ２以上の温度は、例えば、３００℃超５００℃以下の温度である。第２温度Ｔ２以上の温度は、５００℃超の温度であってもよい。この場合、温度の上限は、例えば、１０００℃である。基板Ｗを第２温度Ｔ２以上の温度で加熱する時間は、昇華性物質の昇華及び不純物の蒸発が生じるのに十分な時間であり、例えば１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜３分である。
【００４５】
固形物除去工程のさらに別の実施形態（以下「第３実施形態」という。）では、排気部６２及び排気部６３のうち一方又は両方により加熱処理室５２内の雰囲気を排出しながら、基板加熱部５７により加熱処理室５２内に配置された基板Ｗの温度を、所定時間、第２温度Ｔ２以上の温度に維持する。これにより、基板Ｗから昇華性物質及び不純物を効果的に除去することができるとともに、基板Ｗから一旦除去された昇華性物質及び不純物の基板Ｗへの再付着を効果的に防止することができる。基板Ｗの温度を第２温度Ｔ２以上の温度に維持する時間は、例えば１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜３分である。
【００４６】
固形物除去工程のさらに別の実施形態（以下「第４実施形態」という。）では、排気部６２及び排気部６３のうち一方又は両方により加熱処理室５２内の雰囲気を排出しながら、基板加熱部５７により加熱処理室５２内に配置された基板Ｗを加熱するときに、壁面加熱部５９により加熱処理室５２の壁面を第２温度Ｔ２以上の温度まで加熱する。加熱処理室５２の壁面を第２温度Ｔ２以上の温度に加熱することにより、昇華した気体状態の昇華性物質及び蒸発した気体状態の不純物が加熱処理室５２の壁面で冷却されて加熱処理室５２の壁面に付着することを防止することができる。このため、昇華した気体状態の昇華性物質及び蒸発した気体状態の不純物は加熱処理室５２内の雰囲気に維持される。したがって、昇華した気体状態の昇華性物質及び蒸発した気体状態の不純物を加熱処理室５２から効果的に排気することができるとともに、基板Ｗから一旦除去された昇華性物質及び不純物の基板Ｗへの再付着を効果的に防止することができる。
【００４７】
固形物除去工程において、第１実施形態〜第４実施形態のうち２以上の実施形態を組み合わせることができる。
【００４８】
昇華性物質及び不純物が除去された基板Ｗは、上記と逆の手順により固形物除去処理ユニット５から搬出される。
【００４９】
上記実施形態で使用される昇華性物質に代えて又はそれとともに、以下の式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉｃ）、（Ｉｄ）、（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）、（ＩＩｅ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）で表される昇華性物質を使用することができる（特開２０１５−１０６６４５号公報参照）。これらの昇華性物質は、室温での蒸気圧が５Ｐａ以下の有機物であり、減圧及び／又は加熱条件下で昇華性を示す。
【００５０】
【化１】
0006502206.tif 000002
【００５１】
式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉｃ）及び（Ｉｄ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、アミド基（−ＣＯＮＨ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）又はメチルエステル基（−ＣＯＯ−ＣＨ３）を表す。
【００５２】
【化２】
0006502206.tif 000003
【００５３】
式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）及び（ＩＩｅ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、アミド基（−ＣＯＮＨ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、メチルエステル基（−ＣＯＯ−ＣＨ３）、メトキシ基（−ＯＣＨ３）、エトキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ３）又はプロポキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）を表す。
【００５４】
【化３】
0006502206.tif 000004
【００５５】
式（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、アミド基（−ＣＯＮＨ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、メチルエステル基（−ＣＯＯ−ＣＨ３）、メトキシ基（−ＯＣＨ３）、エトキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ３）又はプロポキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）を表す。
【００５６】
【化４】
0006502206.tif 000005
【００５７】
式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、アミド基（−ＣＯＮＨ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、メチルエステル基（−ＣＯＯ−ＣＨ３）、メトキシ基（−ＯＣＨ３）、エトキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ３）又はプロポキシ基（−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）を表し、Ｒは、カルボニル基（−ＣＯ−）、ペプチド結合（−ＣＯＮＨ−）、エステル結合（−ＣＯＯ−）、エーテル結合（−Ｏ−）、（−ＮＨＮＨＯ−）結合、（−ＣＯＣＯＯ−）結合又は（−ＣＨＣＨ−）結合を表す。
【００５８】
式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で表される昇華性物質としては、例えば、シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸、シクロヘキサン−１，３−ジカルボン酸、シクロヘキサン−１，４−ジカルボン酸、シクロヘキサン−１，２，４−トリカルボン酸等が挙げられる。
【００５９】
式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）で表される昇華性物質としては、例えば、フタル酸、アミノアセトフェノン等が挙げられる。
【００６０】
式（ＩＩｃ）で表される昇華性物質としては、例えば、バニリン、４−ヒドロキシフタル酸、トリメリット酸、無水トリメリット酸、ジメトキシアセトフェノン等が挙げられる。
【００６１】
式（ＩＩｄ）で表される昇華性物質としては、例えば、５−ヒドロキシイソフタル酸等が挙げられる。
【００６２】
式（ＩＩｅ）で表される昇華性物質としては、例えば、没食子酸、没食子酸メチル等が挙げられる。
【００６３】
式（ＩＩＩａ）又は（ＩＩＩｂ）で表される昇華性物質としては、１，７−ジヒドロナフタレン等が挙げられる。
【００６４】
式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）で表される昇華性物質としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【符号の説明】
【００６５】
１  基板処理装置
３  液処理ユニット
５  固形物除去処理ユニット
５２  加熱処理室
５７  基板加熱部
５９  壁面加熱部
６２，６３  排気部
７  制御部
Ｗ  基板
１００  凹凸パターン
１０２  凹部
【図１】
0006502206.tif 000006
【図２】
0006502206.tif 000007
【図３】
0006502206.tif 000008
【図４】
0006502206.tif 000009