(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズ素子と、
前記ヒューズ素子を含む領域上に形成され、かつ前記ヒューズ素子に流れる電流の方向に沿った第１方向に延びた一対の第１側壁、及び前記第１方向と交差する第２方向に延びた一対の第２側壁を有し、前記第１側壁及び前記第２側壁の少なくとも一方の内壁に側壁側から内側に突出し、かつ側壁側の幅を突出側の幅より狭くした突起が形成されているヒューズウインドウと、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記突起は、側壁側に形成された幅狭部分と、前記幅狭部分の先端に形成された幅広部分とを有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起は、Ｔ字形状である、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突出側の幅は、前記側壁側の幅の２倍以上である、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
ヒューズ素子と、
前記ヒューズ素子を含む領域上に形成され、かつ前記ヒューズ素子に流れる電流の方向に沿った第１方向に延びた一対の第１側壁、及び前記第１方向と交差する第２方向に延びた一対の第２側壁を有し、前記第１側壁及び前記第２側壁の少なくとも一方の内壁に側壁側から内側に突出し、かつ側壁側の幅を側壁端部から突起までの側壁の長さよりも短くかつ内側の幅と同一とした突起が形成されているヒューズウインドウと、
を備える半導体装置。
【請求項６】
前記側壁端部から前記突起までの側壁の長さは、前記側壁側の幅の２倍以上である、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記突起は、一対の前記第１側壁の両方の側壁及び一対の前記第２側壁の両方の側壁少なくとも一方に、複数備えられている、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ヒューズ素子を含む領域上の前記ヒューズウインドウを除く領域上に形成された第１保護膜と、
前記第１保護膜上及び前記ヒューズウインドウの内部の領域上に形成された第２保護膜と、
を備える請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
ヒューズ素子を含む領域を覆う領域に第１保護膜を形成する工程と、
前記ヒューズ素子を含む領域上の前記第１保護膜を除去して、前記ヒューズ素子を含む領域上に形成され、かつ前記ヒューズ素子に流れる電流の方向に沿った第１方向に延びた一対の第１側壁、及び前記第１方向と交差する第２方向に延びた一対の第２側壁を有し、前記第１側壁及び前記第２側壁の少なくとも一方の内壁に側壁側から内側に突出し、かつ側壁側の幅を突出側の幅より狭くした突起が形成されているヒューズウインドウを形成する工程と、
前記第１保護膜及び前記ヒューズウインドウ内を覆う領域に第２保護膜を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ヒューズウインドウ内の前記ヒューズ素子を溶断する工程をさらに備えた、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ヒューズ素子が設けられた半導体装置がある。当該半導体装置では、保護膜により、ヒューズ素子を含む領域が覆われる。保護膜上から、保護膜を貫通してヒューズ素子を切断することは困難である。そのため、当該半導体装置では、ヒューズ素子上にヒューズウインドウが形成されている。
【０００３】
図１３に示した従来の半導体装置１００の一例では、ヒューズ素子１１４Ｃ上に矩形状のヒューズウインドウ１２０が形成されている。メタル層１１４上には、シリコン酸化膜１１６及びシリコン窒化膜１１８が保護膜として積層されている。
【０００４】
図１３に示した状態では、ヒューズ素子１１４Ｃが切断されていないため、メタル層１１４Ａからメタル層１１４Ｂに電流Ｉが流れる。
【０００５】
ヒューズ素子１１４Ｃを切断する場合は、ヒューズウインドウ１２０内のヒューズ素子１１４Ｃをレーザ等を用いて切断する。
【０００６】
一方、特許文献１には、内部に突出した突起部（凸部）をヒューズウインドウに設けておき、当該突起部を、ヒューズ素子を切断するレーザビームの位置決めに用いる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−２３２１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１３に示した従来の半導体装置１００では、ヒューズ素子１１４Ｃを切断する際に発生した昇華物が、図１４に示すようにヒューズウインドウ１２０の側壁の内側に付着物１１５として付着する。図１４に示すように従来の半導体装置１００では、ヒューズウインドウ１２０の側壁の内側全体に付着物１１５が付着しているため、当該付着物１１５により電流Ｉが流れる電流経路（いわゆる、リークパス）が形成される。そのため、ヒューズ素子１４Ｃを切断したにもかかわらず、メタル層１１４Ａとメタル層１１４Ｂとが電気的に導通して、ショートしてしまうことがあるという問題があった。
【０００９】
上記問題に対して、例えば、特許文献１に記載の技術を適用したとしても特許文献１に記載の技術では突起部を設ける目的が異なり、レーザビームの位置決めに用いるためには、突起部の形状を大きくしなくてはならず、そのため、ヒューズウインドウの形状も大きくなる。また、特許文献１に記載の技術では、レーザビームの位置決めとして突起を用いることのみしか記載されておらず、上記問題を解決するには不十分であった。
【００１０】
本発明は、上述した問題を解決するために提案されたものであり、ヒューズ素子を切断したにもかかわらずショートしてしまうことを抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、ヒューズ素子と、前記ヒューズ素子を含む領域上に形成され、かつ前記ヒューズ素子に流れる電流の方向に沿った第１方向に延びた一対の第１側壁、及び前記第１方向と交差する第２方向に延びた一対の第２側壁を有し、前記第１側壁及び前記第２側壁の少なくとも一方の内壁に側壁側から内側に突出し、かつ側壁側の幅を突出側の幅より狭くした突起が形成されているヒューズウインドウと、を備える。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、ヒューズ素子と、前記ヒューズ素子を含む領域上に形成され、かつ前記ヒューズ素子に流れる電流の方向に沿った第１方向に延びた一対の第１側壁、及び前記第１方向と交差する第２方向に延びた一対の第２側壁を有し、前記第１側壁及び前記第２側壁の少なくとも一方の内壁に側壁側から内側に突出し、かつ側壁側の幅を側壁端部から突起までの側壁の長さよりも短くかつ内側の幅と同一とした突起が形成されているヒューズウインドウと、を備える。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、ヒューズ素子を含む領域を覆う領域に第１保護膜を形成する工程と、前記ヒューズ素子を含む領域上の前記第１保護膜を除去して、前記ヒューズ素子を含む領域上に形成され、かつ前記ヒューズ素子に流れる電流の方向に沿った第１方向に延びた一対の第１側壁、及び前記第１方向と交差する第２方向に延びた一対の第２側壁を有し、前記第１側壁及び前記第２側壁の少なくとも一方の内壁に側壁側から内側に突出し、かつ側壁側の幅を突出側の幅より狭くした突起が形成されているヒューズウインドウを形成する工程と、前記第１保護膜素子及び前記ヒューズウインドウ内を覆う領域に第２保護膜を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ヒューズ素子を切断したにもかかわらずショートしてしまうことを抑制できる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態の半導体装置の一例の平面図及び当該平面図のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】第１実施形態の半導体装置のヒューズウインドウの一部分を示す斜視図である。
【図３】図１に示した半導体装置におけるヒューズ素子の切断を説明するための平面図及び当該平面図のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示した半導体装置における電流経路の遮断効果を説明するための平面図である。
【図５】第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】第２実施形態の半導体装置の一例の平面図及び当該平面図のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】図６に示した半導体装置における電流経路の遮断効果を説明するための平面図である。
【図８】第３実施形態の半導体装置の一例の平面図及び当該平面図のＡ−Ａ線断面図である。
【図９】図８に示した半導体装置における電流経路の遮断効果を説明するための平面図である。
【図１０】第１実施形態の半導体装置において１つの側壁に複数の突起を形成した場合の一例の平面図である。
【図１１】第１実施形態の半導体装置において異なる方向の側壁に突起を形成した場合の一例の平面図である。
【図１２】第１実施形態の半導体装置においてヒューズウインドウの形状が異なる場合の一例の平面図である。
【図１３】従来の半導体装置の一例の平面図及び当該平面図のＡ−Ａ線断面図である。
【図１４】図１３に示した従来の半導体装置における電流経路（リークパス）を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、各図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、図面において同一機能を有する部分には同一符号が付されており、重複する説明は、適宜省略する。
[第１実施形態]
図１には、本実施形態の半導体装置１０の平面図及び当該平面図のＡ−Ａ線断面図を示す。図１に示すように、本実施形態の半導体装置１０は、絶縁層１２上に形成されたメタル層１４を備える。
【００１７】
メタル層１４は、メタル層１４Ａ、メタル層１４Ｂ、及びヒューズ素子１４Ｃを含む。メタル層１４の材質の具体例としては、ＡｌＣｕ及びＡｌＳｉＣｕ等のアルミ（Ａｌ）系の金属が挙げられる。
【００１８】
ヒューズ素子１４Ｃが切断されていない状態では、図１に示したように電流Ｉは、メタル層１４Ａからメタル層１４Ｂへ向かう方向（若しくはその逆方向）に流れる。
【００１９】
図１のＡ−Ａ線断面図に示すように、メタル層１４上には、シリコン酸化膜１６及びシリコン窒化膜１８が積層されている。なお、図１の平面図では、シリコン酸化膜１６及びシリコン窒化膜１８の記載を省略している。シリコン酸化膜１６及びシリコン窒化膜１８は、いわゆるパッシベーション膜であり、保護膜として機能する。シリコン酸化膜１６の具体例としては、ＨＤＰ（High Density Plasma)−ＳｉＯ２膜が挙げられる。また、シリコン窒化膜１８の具体例としては、Ｐｌａｓｍａ−ＳｉＮ４が挙げられる。なお、シリコン酸化膜１６が本発明の第１保護膜の一例であり、シリコン窒化膜１８が本発明の第２保護膜の一例である。
【００２０】
ヒューズ素子１４Ｃ上には、シリコン酸化膜１６が除去されたヒューズウインドウ２０が形成されている。そのため、図１のＡ−Ａ線断面図に示すように、ヒューズウインドウ２０の内部のヒューズ素子１４Ｃ上及び絶縁層１２上には、シリコン窒化膜１８のみが形成されている。
【００２１】
図１及び図２に示すように本実施形態のヒューズウインドウ２０は、ヒューズ素子１４Ｃに流れる電流Ｉの方向に沿った第１方向に延びた一対の側壁２０Ａと、第１方向と交差する第２方向に延びた一対の側壁２０Ｂと、を有する。側壁２０Ａが本発明の第１側壁の一例であり、側壁２０Ｂが本発明の第２側壁の一例である。
【００２２】
本実施形態では、図１に示すように、側壁２０Ａの長さは、側壁２０Ｂの長さよりも短い。一対の側壁２０Ａの各々には突起２２が形成されている。図１及び図２の斜視図に示すように、突起２２は、側壁２０Ａの内壁に、側壁側からヒューズ素子１４Ｃが形成されている内側に向けて突出している。
【００２３】
本実施形態の突起２２は、側壁側の幅Ｌ１と、突出側の幅Ｌ２とを同一にしている。なお、「同一」とは、完全に同一でなくてもよく、予め誤差として定めた範囲内であれば、相違している場合でも同一とみなす。
【００２４】
また、側壁２０Ａの端部から突起２２までの長さＬ３は、突起２２の側壁側の幅Ｌ１よりも長い。具体的には、側壁２０Ａの端部から突起２２までの長さＬ３は、側壁側の幅Ｌ１の２倍以上であることが好ましい。側壁側の幅Ｌ１は、製造方法、レーザリペア部３０（図３参照）の大きさ、及びヒューズウインドウ２０の面積等に応じて定めればよい。本実施形態では、具体例として側壁側の幅Ｌ１を０．５μｍとしている。
【００２５】
なお、側壁２０Ａから突起２２の内側の辺２０Ｃに至る突起２２の辺２０Ｄの長さは、詳細は後述するが、長い方がメタル層１４の昇華物が付着し辛くなるため好ましい。辺２０Ｄの長さは、ヒューズウインドウ２０として許容される大きさ、レーザリペア部３０（図３参照）の大きさ、及び昇華物等に応じて定めればよい。なお、レーザリペアの際に、パターンが熱で崩れることを考慮してレーザリペア部３０から辺２０Ｃまでの距離を定めることが好ましく、本実施形態では、具体例として２．０μｍ以上としている。
【００２６】
ヒューズ素子１４Ｃを切断する場合、図３に示すようにヒューズウインドウ２０内部のヒューズ素子１４Ｃを切断する。例えば、レーザにより溶断する、いわゆるレーザリペアによりヒューズ素子１４Ｃを切断する。図３に示すように、電流Ｉは、レーザリペア部３０で遮断されて、メタル層１４Ａからメタル層１４Ｂへ流れなくなる。
【００２７】
ヒューズ素子１４Ｃでレーザリペアする際に、昇華したメタルが付着物としてヒューズウインドウ２０の内壁に付着することがある。昇華物は、切断個所（レーザリペア部３０）から放射状に広がる特性を持っている。
【００２８】
図４に示すように本実施形態の半導体装置１０では、付着物１５は、ヒューズウインドウ２０の側壁２０Ｂの内側に付着する。また、付着物１５は、側壁２０Ａの端部から突起までに至る部分の内側と、突起２２の内側の辺２０Ｃのヒューズ素子１４Ｃ側にも付着する。一方、側壁２０Ａから辺２０Ｃに至る突起２２の辺２０Ｄは、辺２０Ｃにより遮蔽されるため付着物１５が付着しない。
【００２９】
そのため、図４に示すように、電流Ｉが流れる経路が辺２０Ｄで遮断されるため、電流Ｉはメタル層１４Ｂには至らず、電気的に導通することがない。
【００３０】
従って、本実施形態の半導体装置１０によれば、ヒューズ素子１４Ｃを切断したにもかかわらず、ショートしてしまうのを抑制することができる。
【００３１】
なお、上述したように、側壁２０Ａの端部から突起２２までの長さＬ３は、側壁側の幅Ｌ１よりも長い。長さＬ３が側壁側の幅Ｌ１よりも短い場合、ヒューズウインドウ２０を形成する際に不具合が生じ、突出側の幅Ｌ２と側壁側の幅Ｌ１とが同一とならず、また、突出側の幅Ｌ２の方が、側壁側の幅Ｌ１よりも広くなる場合がある。このような場合、ヒューズ素子１４Ｃを切断した際に辺２０Ｄにも昇華物が付着する可能性が高くなるため、上述したように、電流Ｉが流れる経路を遮断する効果が低減される。当該効果を高めるためには、側壁２０Ａの端部から突起２２までの長さＬ３は、側壁側の幅Ｌ１の２倍以上であることが好ましく、より好ましくは４倍以上である。
【００３２】
なお、本実施形態の半導体装置１０は、例えば、以下の工程により製造できる。
【００３３】
図５に示すように、まず、第１工程では、絶縁層１２上の、メタル層１４を含む領域を覆う領域にシリコン酸化膜１６をＨＤＰ法により成膜する。
【００３４】
次の第２工程では、ヒューズ素子１４Ｃ上の領域のシリコン酸化膜１６を除去してヒューズウインドウ２０を形成する。フォトリソパターンにより、上記突起２２が形成されたヒューズウインドウ２０部分のみ開口するマスクを形成し、マスクを用いてエッチングを行うことによりヒューズウインドウ２０部分のシリコン酸化膜１６を除去する。
【００３５】
次の第３工程では、シリコン酸化膜１６及びヒューズウインドウ２０の内部を覆うように、シリコン窒化膜１８をプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で成膜する。
【００３６】
このように、本実施形態では、図５に示した第１工程〜第３工程により、突起２２が形成されたヒューズウインドウ２０を備えた半導体装置１０が製造される。
【００３７】
[第２実施形態]
本実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の半導体装置１０とヒューズウインドウ２０の突起２２が異なっている。第１実施形態では、ヒューズウインドウ２０の突起２２の形状は矩形状であったが、本実施形態では、図６に示すように半導体装置１０における突起２２の形状は、ヒューズウインドウ２０の内部に向かって幅が広がる台形状である。
【００３８】
具体的には、ヒューズウインドウ２０の側壁２０Ａに形成された突起２２の側壁側の幅Ｌ１は、突出側の幅Ｌ２よりも狭い。突出側の幅Ｌ２は、側壁側の幅Ｌ１の４倍以上であることが好ましい。本実施形態では、具体例として側壁側の幅Ｌ１の長さを０．５μｍとしている。
【００３９】
ヒューズ素子１４Ｃを切断する場合は、第１実施形態と同様に、図３に示すようにヒューズウインドウ２０内部のヒューズ素子１４Ｃを例えば、レーザリペア等により切断する。
【００４０】
本実施形態の半導体装置１０においても、ヒューズ素子１４Ｃでレーザリペアする際に、昇華したメタルが付着物としてヒューズウインドウ２０の内壁に付着することがある。図７に示すように本実施形態の半導体装置１０では、付着物１５は、ヒューズウインドウ２０の側壁２０Ｂの内側に付着する。また、付着物１５は、突起２２の内側の辺２０Ｃのヒューズ素子１４Ｃ側にも付着する。さらに、側壁２０Ａにも付着するが、この際、辺２０Ｃにより遮蔽される部分には付着しないため、図７に示すように側壁２０Ａの突起２２近辺には付着物１５が付着しない。また、突起２２の側壁２０Ａから辺２０Ｃに至る辺２０Ｄも、辺２０Ｃにより遮蔽されるため付着物１５が付着しない。
【００４１】
そのため、図７に示すように、電流Ｉが流れる経路が辺２０Ｄ及び突起２２の近辺の側壁２０Ａで遮断されるため、電流Ｉはメタル層１４Ｂには至らず、電気的に導通することがない。
【００４２】
従って、本実施形態の半導体装置１０によれば、ヒューズ素子１４Ｃを切断したにもかかわらず、ショートしてしまうのを抑制することがきる。
【００４３】
なお、本実施形態の半導体装置１０の製造方法は、ヒューズウインドウ２０を形成する際のマスクの形状が異なる他は、同一なため、説明を省略する。
[第３実施形態]
本実施形態の半導体装置１０は、上記各実施形態の半導体装置１０とヒューズウインドウ２０の突起２２が異なっている。
【００４４】
本実施形態では、突起２２は側壁２０Ａ側に形成された幅狭部分と、当該幅狭部分の先端に形成された幅広部分とを有する。本実施形態では、具体例として突起２２の形状を、図８に示すように幅狭部分をＴ字の横棒、及び幅広部分をＴ字の縦棒とした、いわゆるＴ字形状としている
図８に示すように本実施形態においても、第２実施形態と同様に、ヒューズウインドウ２０の側壁２０Ａに形成された突起２２の突出側の幅Ｌ２は、側壁側の幅Ｌ１よりも広い。上述したように昇華物を付着し辛くする観点から、側壁側の幅Ｌ１は、突出側の幅Ｌ２よりも狭く、突出側の幅Ｌ２は、側壁側の幅Ｌ１の４倍以上であることが好ましい。
【００４５】
なお、側壁側の幅Ｌ１は長い方が好ましいが、突起２２全体としては、小さい方が好ましく、突起２２を形成する際に用いる露光機の精度に応じて大きさを定めればよい。
【００４６】
また、本実施形態の半導体装置１０では、突起２２の突出側の幅Ｌ２は、幅狭部分の長さＬ４よりも長い方が好ましい。また、突起２２の突出側の幅Ｌ２は、幅狭部分の長さＬ４と幅広部分の長さＬ５とを加算した長さよりも長い方が好ましい。さらに、幅狭部分の長さＬ４と幅広部分の長さＬ５とを加算した長さは、辺２０Ｃからヒューズ素子１４Ｃまでの距離よりも短いことが好ましい。
【００４７】
本実施形態では、具体例として、側壁側の幅Ｌ１を０．５μｍ、突出側の幅Ｌ２を２．０μｍ、幅狭部分の長さＬ４を０．５μｍ、及び幅広部分の長さＬ５を０．５μｍとしている。
【００４８】
本実施形態の半導体装置１０においても、ヒューズ素子１４Ｃでレーザリペアする際に、昇華したメタルが付着物としてヒューズウインドウ２０の内壁に付着することがある。図９に示すように本実施形態の半導体装置１０では、付着物１５は、ヒューズウインドウ２０の側壁２０Ｂの内側に付着する。また、付着物１５は、突起２２の内側の辺２０Ｃのヒューズ素子１４Ｃ側にも付着する。さらに、側壁２０Ａにも付着するが、この際、辺２０Ｃにより遮蔽される部分には付着しないため、図９に示すように側壁２０Ａの突起２２近辺には付着物１５が付着しない。また、幅広部分の辺２０Ｃに対向する辺２０Ｅ及び幅狭部分にも付着物１５が付着しない。
【００４９】
そのため、図９に示すように、電流Ｉが流れる経路が遮断されるため、電流Ｉはメタル層１４Ｂには至らず、電気的に導通することがない。
【００５０】
従って、本実施形態の半導体装置１０によれば、ヒューズ素子１４Ｃを切断したにもかかわらず、ショートしてしまうのを抑制することがきる。
【００５１】
また、本実施形態の半導体装置１０では、ヒューズウインドウ２０の突起２２をＴ字形状としたことにより、第２実施形態のヒューズウインドウ２０の突起２２に比べて、辺２０Ｃにより遮蔽される部分の面積を大きくすることができる。また、本実施形態の半導体装置１０では、突起２２の周辺において、付着物１５が付着しない領域を長くすることができる。
【００５２】
従って、本実施形態の半導体装置１０によれば、より、メタル層１４の昇華物が付着物１５としてヒューズウインドウ２０内の側壁に付着し辛くなるため、電流Ｉが流れる経路を遮断する効果が高くなる。
【００５３】
また、上述したように、本実施形態の半導体装置１０では、突起２２の突出側の幅Ｌ２が広ければよく、幅狭部分の長さＬ４を短くすることができるため、上記各実施形態に比べて、突起２２の大きさを小さくすることができる。従って、ヒューズウインドウ２０の大きさを小さくすることができる。ヒューズウインドウ２０の大きさを小さくすることにより、半導体装置１０が、複数のヒューズ素子１４Ｃを備える場合に、半導体装置１０の面積が大きくなることを抑制することができる。
【００５４】
なお、本実施形態の半導体装置１０の製造方法は、ヒューズウインドウ２０を形成する際のマスクの形状が異なる他は、同一なため、説明を省略する。
【００５５】
なお、上記各実施形態では、一対の側壁２０Ａの各々に１つずつ突起２２を形成する場合について説明したが、突起２２の数はこれに限定されない。例えば、図１０に示すように、突起２２を２つずつ形成してもよく、その数は限定されない。また、一対の側壁２０Ａの両側で突起２２の数が異なっていてもよい。このように、突起２２を複数形成することにより、電流Ｉを遮断する効果は高くなるが、ヒューズウインドウ２０の面積が大きくなるため、ヒューズウインドウ２０に許容される面積等に応じて、形成する突起２２の数を定めてもよい。なお、図１０では、第１実施形態における突起２２について図示したが、第２及び第３実施形態における突起２２についても同様であることはいうまでもない。
【００５６】
また上記各実施形態では、側壁２０Ａに突起２２が形成されている場合について説明したが、突起２２を形成するヒューズウインドウ２０の側壁はこれに限定されない。例えば、図１１に示すように、側壁２０Ｂに突起２２を形成してもよい。なお、この場合、レーザリペア部３０の位置、及び側壁２０Ｂの端部から突起２２までの長さ及び辺２０Ｃの長さに応じて側壁２０Ｂの長さが決定するため、側壁２０Ａに突起２２を設けた場合に比べて、ヒューズウインドウ２０の面積が大きくなる傾向がある。なお、図１１では、第１実施形態における突起２２について図示したが、第２及び第３実施形態における突起２２についても同様であることはいうまでもない。
【００５７】
また、上記各実施形態では、ヒューズウインドウ２０の形状が、側壁２０Ａが側壁２０Ｂよりも短い長方形状の場合について説明したが、ヒューズウインドウ２０の全体の形状は長方形状に限定されない。例えば、側壁２０Ａと側壁２０Ｂとの長さが同一の正方形状であってもよい。また矩形状に限らず、例えば、図１２に示したヒューズウインドウ２０のように楕円形状であってもよいし、円形状であってもよい。なお、図１２では、第１実施形態における突起２２について図示したが、第２及び第３実施形態における突起２２についても同様であることはいうまでもない。
【００５８】
また、上記各実施形態では、ヒューズ素子１４Ｃの材質が金属（メタル）である場合について説明したがヒューズ素子１４Ｃの材質はこれに限らない。例えば、金属以外でもよく、金属以外の例としてはポリシリコン等が挙げられる。
【００５９】
また、その他の上記各実施の形態で説明した半導体装置１０及びヒューズウインドウ２０等の構成及び半導体装置１０の製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００６０】
１０  半導体装置１０
１４  メタル層
１４Ｃ  ヒューズ素子
２０  ヒューズウインドウ
２２  突起部
１６  シリコン酸化膜
１８  シリコン窒化膜
【図１】
0006549466.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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