(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたパターン領域を有するモールドを用いて、基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記パターン領域および前記ショット領域の形状を示す情報に基づいて、前記パターン領域の形状と前記ショット領域の形状とが互いに近づくように、前記パターン領域および前記ショット領域の少なくともいずれかの領域の変形を行う変形工程と、
前記変形工程において前記変形がなされた状態で前記パターン領域と前記ショット領域とを重ね合わせた場合に生じる、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの位置ずれを推定する推定工程と、
前記変形工程において前記変形がなされた状態で、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの相対位置の検出結果および前記推定工程で推定された前記位置ずれに基づいて、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの間に前記位置ずれが生じるように、前記パターン領域と前記ショット領域との位置合わせを行う位置合わせ工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記位置合わせ工程では、前記推定工程で推定された前記位置ずれによって前記相対位置の検出結果を補正して得られた値に基づいて、前記パターン領域と前記ショット領域との位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記位置合わせ工程は、前記モールドと前記基板とを並進シフトさせることによって前記パターン領域と前記ショット領域との相対位置の調整を行う工程を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記位置合わせ工程は、前記パターン領域と前記ショット領域との間における倍率補正および台形補正の少なくとも一方を行う工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記推定工程では、前記位置合わせ工程において検出されるマークの各々について前記位置ずれを推定する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記情報は、前記パターン領域および前記ショット領域にそれぞれ設けられた複数のマークのうち第１の数のマークの位置を検出することによって求められ、
前記重ね合わせ工程では、前記パターン領域および前記ショット領域にそれぞれ設けられた前記複数のマークのうち前記第１の数より少ない第２の数のマークの位置の検出結果を用いて前記位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記情報を得るために検出される前記第１の数のマークは、前記位置合わせ工程で検出される前記第２の数のマークを含む、ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記パターン領域および前記ショット領域はそれぞれ矩形形状を有し、
前記位置合わせ工程では、前記パターン領域の四隅および前記ショット領域の四隅にそれぞれ配置されたマークの位置の検出結果を用いて前記位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記位置合わせ工程では、前記モールドと前記インプリント材とが接触している状態で前記位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記変形工程では、前記モールドと前記インプリント材とが接触している状態で前記パターン領域および前記ショット領域の少なくともいずれかの領域を変形させる、ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
前記変形工程では、前記パターン領域の形状と前記ショット領域の形状とが互いに近づくように前記変形を行う際、前記パターン領域の形状と前記ショット領域の形状とに部分的な誤差を生じさせる、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記変形工程で補正可能な前記パターン領域と前記ショット領域との形状差は、前記位置合わせ工程で補正可能な前記パターン領域と前記ショット領域との形状差より高次の成分を含む、ことを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
パターンが形成されたパターン領域を有するモールドを用いて、基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記パターン領域および前記ショット領域の少なくともいずれかの領域を変形させる変形部と、
制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記パターン領域および前記ショット領域の形状を示す情報に基づいて、前記パターン領域の形状と前記ショット領域の形状とが互いに近づくように、前記パターン領域および前記ショット領域の少なくともいずれかの領域の変形を前記変形部に行わせ、
前記変形部によって前記変形がなされた状態で前記パターン領域と前記ショット領域とを重ね合わせた場合に生じる、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの位置ずれを推定し、
前記変形部によって前記変形がなされた状態で、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの相対位置の検出結果および推定した前記位置ずれに基づいて、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの間に前記位置ずれが生じるように、前記パターン領域と前記ショット領域との位置合わせを制御する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に供給されたインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置が、半導体デバイスや磁気記憶媒体などの量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。インプリント装置では、モールド上のパターン領域と基板上のショット領域とを高精度に重ね合わせることが求められている。特許文献１には、モールドに力を加えてパターン領域を変形させることと、基板を加熱してショット領域を変形させることとを併用することによって、パターン領域とショット領域とを高精度に重ね合わせる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１０２１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インプリント装置では、例えば、パターン領域の形状やショット領域の形状を示す情報に基づいてそれらの変形を行った後、パターン領域のマークおよびショット領域のマークの位置の検出結果に基づいてパターン領域とショット領域との重ね合わせを行う。このようなインプリント装置では、パターン領域およびショット領域の変形を行ったときに、当該変形によるパターン領域のマークの位置の移動量とショット領域のマークの位置の移動量とが互いに異なる場合がある。この場合において、それらの移動量を考慮せずに、パターン領域のマークとショット領域のマークとが一致するように重ね合わせを行ってしまうと、パターン領域とショット領域とを高精度に重ね合わせることが困難になりうる。
【０００５】
そこで、本発明は、モールド上のパターン領域と基板上のショット領域とを高精度に重ね合わせるために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント方法は、パターンが形成されたパターン領域を有するモールドを用いて、基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、前記パターン領域および前記ショット領域の形状を示す情報に基づいて、前記パターン領域の形状と前記ショット領域の形状とが互いに近づくように、前記パターン領域および前記ショット領域の少なくともいずれかの領域の変形を行う変形工程と、前記変形工程において前記変形がなされた状態で前記パターン領域と前記ショット領域とを重ね合わせた場合に生じる、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの位置ずれを推定する推定工程と、前記変形工程において前記変形がなされた状態で、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの相対位置の検出結果および前記推定工程で推定された前記位置ずれに基づいて、前記パターン領域のマークと前記ショット領域のマークとの間に前記位置ずれが生じるように、前記パターン領域と前記ショット領域との位置合わせを行う位置合わせ工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、モールド上のパターン領域と基板上のショット領域とを高精度に重ね合わせるために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示す図である。
【図２】第１実施形態のインプリント装置におけるアライメントの流れを示すフローチャートである。
【図３】パターン領域の形状とショット領域の形状とを示す図である。
【図４】パターン領域とショット領域との重ね合わせを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１について、図１を参照しながら説明する。インプリント装置１は、半導体デバイスなどの製造に使用され、パターンが形成されたパターン領域を有するモールド７を用いて基板上のインプリント材１４を成形するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置１は、モールド７と基板上のインプリント材１４（樹脂）とを接触させた状態でインプリント材１４を硬化させる。そして、インプリント装置１は、モールド７と基板１１との間隔を広げ、硬化したインプリント材１４からモールド７を剥離（離型）することにより、インプリント材１４で構成されたパターンを基板上に形成することができる。インプリント材を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、第１実施形態では、光硬化法を採用した例について説明する。光硬化法とは、インプリント材として未硬化の紫外線硬化樹脂を基板上に供給し、モールドとインプリント材とを接触させた状態でインプリント材に紫外線を照射することにより当該インプリント材を硬化させる方法である。
【００１２】
［装置構成について］
図１は、第１実施形態のインプリント装置１を示す図である。インプリント装置１は、例えば、モールド７を保持するモールド保持部３と、基板１１を保持する基板ステージ４と、照射部２と、検出部２２と、供給部５とを含みうる。モールド保持部３は、ベース定盤２４により支柱２６を介して支持されたブリッジ定盤２５に固定されており、基板ステージ４は、ベース定盤２４に固定されている。また、インプリント装置１には、ＣＰＵやメモリを有し、インプリント処理を制御する（インプリント装置１の各部を制御する）制御部６が含まれる。インプリント処理は、制御部６のメモリに格納されているプログラムを実行することで実施される。
【００１３】
モールド７は、通常、石英など紫外線を通過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域７ａ）には、基板１１上のインプリント材１４を成形するための凹凸のパターンが形成されている。また、基板１１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが用いられる。基板１１の上面（被処理面）には、供給部５によってインプリント材１４（紫外線硬化樹脂）が供給される。
【００１４】
モールド保持部３は、例えば真空吸着力や静電力などの保持力によりモールド７を保持するモールドチャック１５と、モールドチャック１５をＺ方向に駆動するモールド駆動部１６とを含む。モールドチャック１５およびモールド駆動部１６は、それぞれの中心部（内側）に開口領域１７を有しており、照射部２から射出された光がモールド７を通過して基板１１に照射されるように構成されている。ここで、モールド上のパターン領域７ａは、例えば矩形形状を有するが、製造誤差や熱変形などにより、例えば倍率成分や台形成分などの変形成分を有する場合がある。そのため、モールド保持部３は、パターン領域７ａが変形するようにモールド７の側面における複数の箇所に力を加える加圧部１８を備えている。このように加圧部１８によってモールド７の側面における複数の箇所に力を加えることで、パターン領域７ａにおける変形成分を補正し、モールド７のパターン領域７ａを所望の形状にすることができる。加圧部１８は、例えばピエゾ素子などのアクチュエータを複数含みうる。
【００１５】
モールド駆動部１６は、例えば、リニアモータやエアシリンダなどのアクチュエータを含み、モールド７と基板上のインプリント材１４とを接触させたり剥離させたりするようにモールドチャック１５（モールド７）をＺ方向に駆動する。モールド駆動部１６は、モールド７と基板上のインプリント材１４とを接触させる際には高精度な位置決めが要求されるため、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系によって構成されてもよい。また、モールド駆動部１６は、Ｚ方向の駆動だけではなく、ＸＹ方向およびθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）にモールド７の位置を調整する位置調整機能や、モールド７の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。ここで、第１実施形態のインプリント装置１では、モールド７と基板１１との間の距離を変える動作はモールド駆動部１６で行っているが、基板ステージ４のステージ駆動部２０で行ってもよいし、双方で相対的に行ってもよい。
【００１６】
基板ステージ４は、基板保持部１９とステージ駆動部２０とを含み、基板１１をＸ方向およびＹ方向に駆動する。基板保持部１９は、例えば、真空吸着力や静電力などの保持力によって基板１１を保持する。ステージ駆動部２０は、基板保持部１９を機械的に保持するとともに、基板保持部１９（基板１１）をＸ方向およびＹ方向に駆動する。ステージ駆動部２０は、例えば、リニアモータなどが用いられ、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系によって構成されてもよい。また、ステージ駆動部２０は、基板１１をＺ方向に駆動する駆動機能や、基板１１をθ方向に回転駆動して基板１１の位置を調整する位置調整機能、基板１１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。
【００１７】
また、基板ステージ４の位置は、位置計測部４０によって計測される。位置計測部４０は、例えば、レーザ干渉計やエンコーダなどを含み、基板ステージ４の位置を計測する。ここでは、位置計測部４０がレーザ干渉計を含む例について説明する。レーザ干渉計は、レーザ光を基板ステージ４（例えば基板チャック１９）の側面に供えられた反射板に向けて照射し、反射板で反射されたレーザ光によって基板ステージ４の基準位置からの変位を検出する。これにより、位置計測部４０は、レーザ干渉計によって検出された変位に基づいて基板ステージ４の現在位置を計測することができる。
【００１８】
検出部２２は、パターン領域７ａに設けられたマーク（アライメントマーク）およびショット領域１２に設けられたマーク（アライメントマーク）の位置を検出する。パターン領域７ａとショット領域１２とを高精度に重ね合わせるには、パターン領域７ａおよびショット領域１２にそれぞれ設けられたマークをできるだけ多く検出することが好ましい。そのため、インプリント装置１においてスループットを低下させないように多数のマークを同時に検出するためには、パターン領域７ａおよびショット領域１２に設けられたマークを検出する多数の検出部２２を設ける必要がある。しかしながら、インプリント装置１に多数の検出部２２を設けてしまうと装置構成が複雑化するとともに装置コストも増加しうることとなる。そのため、インプリント装置１では、パターン領域７ａおよびショット領域１２にそれぞれ設けられた複数のマークのうち幾つかのマークだけを同時に検出することができるような数（第２の数）の検出部２２が設けられている。第１実施形態では、例えば、パターン領域７ａの四隅およびショット領域１２の四隅にそれぞれ設けられたマークを同時に検出することができるように、４つの検出部２２がインプリント装置１に設けられている。
【００１９】
ここで、基板上のショット領域１２は、例えば矩形形状を有するが、一連の半導体デバイスの製造工程などの影響により、例えば倍率成分や台形成分などの変形成分を有する場合がある。この場合、モールド上のパターン領域７ａと基板上のショット領域１２とを高精度に重ね合わせるためには、加圧部１８によってパターン領域７ａを変形することに加えて、ショット領域１２も変形させることが好ましい。そのため、第１実施形態のインプリント装置１は、後述するように、基板１１を加熱することによってショット領域１２を変形させる加熱部５０を含みうる。つまり、第１実施形態では、加圧部１８および加熱部５０の少なくともいずれかが、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域を変形させる変形部として用いられうる。
【００２０】
照射部２は、基板上のインプリント材１４に光を照射することにより当該インプリント材１４を硬化させる硬化部９と、基板１１に光を照射することによりショット領域１２を変形させる加熱部５０とを含みうる。また、照射部２は、硬化部９から射出された光と加熱部５０から射出された光とを基板上に導く光学部材１０とを含みうる。第１実施形態のインプリント装置１では、図１に示すように、硬化部９と加熱部５０とが１つのユニットとして構成されているが、それに限られるものではなく、別々のユニットとして構成されてもよい。硬化部９は、基板上のインプリント材１４を硬化させる光（紫外線）を射出する光源と、当該光源から射出された光をインプリント処理において適切な光に整形する光学系とを含みうる。また、加熱部５０は、基板上に供給されたインプリント材１４を硬化させず、かつ基板１１の加熱に適した特定の波長を有する光を射出する光源と、当該光源から射出された光の強度を調整するための光調整器とを含みうる。加熱部５０の光調整器は、ショット領域１２における温度分布が所望の温度分布になるように、基板１１に照射される光の強度を調整する。加熱部５０の光調整器としては、例えば、液晶装置やデジタル・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）などが採用されうる。
【００２１】
［インプリント処理について］
次に、第１実施形態のインプリント装置１におけるインプリント処理について説明する。制御部６は、モールド７のパターンを転写すべき基板上のショット領域１２が供給部５の下に配置されるように基板ステージ４を制御する。ショット領域１２が供給部５の下に配置されると、制御部６は、ショット領域１２にインプリント材１４を供給するように供給部５を制御する。そして、制御部６は、ショット領域１２にインプリント材１４が供給された後、モールド上のパターン領域７ａの下にショット領域１２が配置されるように基板ステージ４を制御する。制御部６は、モールド上のパターン領域７ａの下にショット領域１２が配置されると、モールド７を−Ｚ方向に駆動させるようにモールド駆動部１６を制御し、モールド７と基板上のインプリント材１４とを接触させる（押型工程）。そして、制御部６は、モールド７と基板上のインプリント材１４とを接触させた状態で所定の時間を経過させる。これにより、基板上のインプリント材１４をモールド７のパターンの隅々まで充填することができる。
【００２２】
制御部６は、モールド７と基板上のインプリント材１４とを接触させた状態において、モールド７のパターン領域７ａとショット領域１２とのＸＹ方向におけるアライメントを行う。アライメントは、パターン領域７ａの形状とショット領域１２の形状とが互いに近づくようにパターン領域やショット領域の変形を行う「変形工程」と、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせを行う「重ね合わせ工程」とを含みうる。パターン領域７ａとショット領域１２とのアライメントの詳細については後述する。制御部６は、パターン領域７ａとショット領域１２とのアライメントを行った後、基板上のインプリント材１４にモールド７を介して光（紫外線）を照射するように硬化部９を制御する。そして、制御部６は、モールド７を＋Ｚ方向に駆動させるようにモールド駆動部１６を制御し、光の照射によって硬化した基板上のインプリント材１４からモールド７を剥離する（剥離工程）。これにより、基板上のインプリント材１４をモールド７を用いて成形し、インプリント材１４で構成されたパターンを基板上に形成することができる。このようなインプリント処理は、基板上における複数のショット領域１２の各々について行われる。
【００２３】
［アライメントについて］
次に、第１実施形態のインプリント装置１におけるアライメントについて説明する。インプリント装置１では、例えば、事前に取得されたパターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域の形状を示す情報に基づいて、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域の変形が行われる。このように当該情報に基づいてパターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域の変形を行うと、パターン領域７ａとショット領域１２との間で相対的な位置ずれが生じていることがある。そのため、第１実施形態のインプリント装置１におけるアライメントでは、当該情報に基づいてパターン領域７ａおよびショット領域の少なくともいずれかの領域の変形を行う「変形工程」に加えて、「重ね合わせ工程」が行われる。重ね合わせ工程では、変形工程においてパターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域の変形がなされた状態で、各検出部２２による検出結果に基づいて、パターン領域７ａとショット領域１２との相対的な位置および形状が補正される。
【００２４】
変形工程は、パターン領域７ａやショット領域１２に含まれる弓型成分や樽型成分などの高次の成分が補正されるように、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域を変形させる工程のことである。そのため、変形工程は、パターン領域７ａおよびショット領域１２にそれぞれ設けられた複数のマークのうちできるだけ多くのマークを検出することによって得られた当該情報に基づいて行われることが好ましい。第１実施形態において当該情報は、パターン領域７ａおよびショット領域１２にそれぞれ設けられた複数のマークのうち第１の数（例えば９個）のマークを検出することによって得られる。
【００２５】
一方で、重ね合わせ工程は、各検出部２２による検出結果に基づいて、パターン領域７ａとショット領域１２とのシフト補正や倍率補正などの低次の成分が補正されるように、それらの重ね合わせを行う工程のことである。そして、当該重ね合わせ工程は、変形工程においてパターン領域７ａおよびショット領域１２の変形がなされた状態で行われうる。つまり、重ね合わせ工程は、低次の成分を補正するだけであるため、変形工程で用いられる情報を得るために検出されるマークの数より少ない数のマークを用いて行われうる。第１実施形態では、重ね合わせ工程において、矩形形状を有するパターン領域の四隅および矩形形状を有するショット領域の四隅にそれぞれ配置された、第１の数より少ない第２の数（４つ）のマークが４つの検出部２２によって検出される。このように、重ね合わせ工程では低次の成分を補正するだけであるため、検出部２２の数を低減し、装置構成の複雑化や、スループットの低下を抑制することができる。
【００２６】
以下に、第１実施形態のインプリント装置１におけるアライメントについて、図２を参照しながら説明する。図２は、第１実施形態のインプリント装置１におけるアライメントの流れを示すフローチャートである。
【００２７】
Ｓ１０１では、制御部６は、モールド上のパターン領域７ａおよび基板上のショット領域１２の少なくともいずれかの領域の形状を示す情報（以下、形状情報）を取得する。形状情報を得るためには、上述したように、パターン領域７ａおよびショット領域１２に設けられた複数のマークのうち第１の数（９個）のマークを検出する必要がある。しかしながら、第１実施形態のインプリント装置１では、装置構成の複雑化やスループットの低下を抑制するため、検出部２２の数を第１の数より少ない４つ（第２の数）にしている。そのため、インプリント処理を開始する前に、インプリント装置１の外部の計測装置において第１の数のマークを検出し、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域の形状を形状情報として求めておくことが好ましい。これにより、制御部６は、当該外部の計測装置から形状情報を取得し、パターン領域７ａとショット領域１２の形状差を高次の成分が含まれるように求めることができる。
【００２８】
図３（ａ）は、パターン領域７ａの形状とショット領域１２の形状とを示す図である。図３（ａ）において実線３０はショット領域１２の形状を、破線３１はパターン領域７ａの形状をそれぞれ表している。そして、それらの形状はショット領域１２に設けられた９個のマーク３０ａおよびパターン領域７ａに設けられた９個のマーク３１ａによってそれぞれ得られる。図３（ａ）では、説明を簡単にするために、実線３０で示すショット領域１２の形状を理想形状（矩形形状）としているが、実際にはショット領域１２にも高次の成分や低次の成分を含む変形が生じていることがある。つまり、図３（ａ）は、例えば、実線３０をパターン領域７ａとショット領域１２との目標形状差、および破線３１をパターン領域７ａとショット領域１２との実際の形状差と考えることもできる。
【００２９】
ここで、第１実施形態では、形状情報としてのパターン領域７ａの形状およびショット領域１２の形状を、インプリント装置の外部の計測装置において求めたが、それに限られるものではない。例えば、インプリント装置１内において、４つの検出部２２によるマークの位置の検出と基板ステージ４の移動とを繰り返すことによって第１の数のマークの位置を検出し、形状情報としてのパターン領域７ａの形状およびショット領域１２の形状を求めてもよい。
【００３０】
Ｓ１０２では、制御部６は、Ｓ１０１で取得した形状情報に基づいて、パターン領域７ａの形状およびショット領域１２の形状が互いに近づくように、変形部（加圧部および加熱部）を駆動するための駆動量を決定する。即ち、制御部６は、パターン領域７ａとショット領域１２との形状差が目標形状差に近づくように、変形部の駆動量を決定する。決定した駆動量は、後の変形工程（Ｓ１０５）において用いられる。変形工程では、高次の成分を補正するため、基板１１を加熱してショット領域１２を変形する加熱部５０と、モールド７に力を加えてパターン領域７ａを変形する加圧部１８とを併用することが好ましい。この場合、制御部６は、パターン領域７ａとショット領域１２との形状差が目標形状差に近づくように、加圧部１８を駆動するための駆動量と、加熱部５０を駆動するための駆動量とをそれぞれ決定しうる。ここで、パターン領域７ａおよびショット領域１２のいずれかの領域を変形させる場合では、制御部６は、加圧部１８を駆動するための駆動量、または加熱部５０を駆動するための駆動量を決定しうる。
【００３１】
Ｓ１０３では、制御部６は、Ｓ１０２で決定した駆動量に従ってパターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域の変形を行うことによって、当該変形が行われた領域のマークが移動する量（マークの移動量）を推定する。当該移動量は、後の重ね合わせ工程（Ｓ１０７）において検出される複数のマークの各々について推定されることが好ましい。図３（ｂ）は、Ｓ１０２で決定した駆動量に従って加圧部１８および加熱部５０を駆動し、パターン領域７ａの形状とショット領域１２の形状とを互いに近づけたときの、パターン領域７ａの形状およびショット領域１２の形状を示す図である。加圧部１８によってモールド７に力を加えると、ポアソン比に起因する意図しない変形がパターン領域７ａに生じうる。一方で、加熱部５０によって基板１１を加熱すると、等方的な変形がショット領域１２に生じうる。そのため、加圧部１８と加熱部５０を併用すると、ポアソン比に起因するパターン領域７ａの変形をショット領域１２の等方的な変形によって相殺させることができ、パターン領域７ａの形状とショット領域１２の形状と互いに近づけることが容易となる。このように加圧部１８と加熱部５０とを併用する場合、パターン領域７ａの形状とショット領域１２の形状とを互いに近づける際、図３（ｂ）に示すように、パターン領域７ａの四隅およびショット領域１２の四隅などにマークの位置ずれを生じさせる場合がある。
【００３２】
この場合、後の重ね合わせ工程において、当該マークの位置ずれを考慮せずに、パターン領域７ａのマークとショット領域１２のマークとをＸＹ方向で一致させてしまうと、パターン領域７ａとショット領域１２とを高精度に重ね合わせることが困難になりうる。そのため、重ね合わせ工程では、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせを行う際、当該マークの位置ずれを考慮することが好ましい。即ち、重ね合わせ工程では、Ｓ１０２で決定した駆動量に従ってパターン領域７ａおよびショット領域１２の変形を行った場合のパターン領域７ａの四隅のマークの移動量およびショット領域１２の四隅のマークの移動量を考慮することが好ましい。したがって、第１実施形態のインプリント装置１では、制御部６は、Ｓ１０２で決定した駆動量に基づいて、パターン領域７ａの四隅のマークの移動量およびショット領域１２の四隅のマークの移動量を求める。求めた移動量は、後の重ね合わせ工程（Ｓ１０７）において用いられうる。
【００３３】
このような移動量は、例えば、加圧部１８の駆動量とパターン領域７ａの変形量との関係、および加熱部５０の駆動量とショット領域の変形量との関係を示す情報（以下、変形量情報）に基づいて算出されうる。変形量情報は、データベースや関数などによって表される。そして、加圧部１８の駆動量とパターン領域７ａの変形量との関係は、例えば、シミュレーションやダミー基板を用いた実験などで、加圧部１８を駆動させたときのモールド７の変形解析を行うことによって取得されうる。同様に、加熱部５０の駆動量とショット領域１２の変形量との関係は、例えば、シミュレーションやダミー基板を用いた実験などで、加熱部５０を駆動させたときの基板１１の熱変形解析を行うことによって取得されうる。ここで、ダミー基板は、インプリント処理を行わない基板であってもよいし、インプリント処理を行うべき複数の基板のうち、最初にインプリント処理が行われる基板（例えば、ロット先頭の基板）であってもよい。
【００３４】
Ｓ１０４では、制御部６は、モールド保持部３を制御して、ショット領域上に供給されたインプリント材１４とモールド７とを接触させる。Ｓ１０５では、制御部６は、Ｓ１０２で決定した駆動量に従って加圧部１８や加熱部５０を制御し、パターン領域７ａの形状およびショット領域１２の形状が互いに近づくように、パターン領域７ａおよびショット領域１２を変形させる（変形工程）。加熱部５０によりショット領域１２を変形させる場合、基板１１が所望の温度分布を有するまで相応の時間を要する。そのため、インプリント材１４とモールド７とを接触させ、モールド７に形成された凹凸パターンにインプリント材１４を充填させる期間において、加熱部５０によるショット領域１２の変形を行うことが好ましい。また、Ｓ１０５では、高次の成分を補正するように加圧部１８および加熱部５０の両方を制御し、パターン領域７ａおよびショット領域１２の両方を変形させているが、それに限られるものではない。例えば、加圧部１８および加熱部５０の少なくとも一方を制御して、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域を変形させてもよい。
【００３５】
Ｓ１０６では、制御部６は、パターン領域７ａおよびショット領域１２にそれぞれ設けられた第２の数のマークの位置を複数の検出部２２に検出させる。上述したように、第１実施形態のインプリント装置１には、パターン領域７ａの四隅およびショット領域１２の四隅にそれぞれ配置されたマークの位置を同時に検出するように４つの検出部２２が設けられている。制御部６は、４つの検出部２２に、パターン領域７ａおよびショット領域１２にそれぞれ配置されたマークの位置を同時に検出させる。
【００３６】
Ｓ１０７では、制御部６は、変形工程（Ｓ１０５）においてパターン領域７ａおよびショット領域１２の変形がなされた状態で、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせを行う（重ね合わせ工程）。重ね合わせ工程は、各検出部２２による位置の検出結果とＳ１０３で推定したマークの移動量とに基づいて行われうる。例えば、重ね合わせ工程は、各検出部２２によるマークの位置の検出結果を、Ｓ１０３において推定したマークの移動量で補正することによって得られたパターン領域７ａのマークおよびショット領域１２のマークのそれぞれの位置に基づいて行われうる。ここで、重ね合わせ工程は、各検出部２２による検出結果の補正によって得られたマークの位置に基づいて行われることに限られるものではない。例えば、パターン領域７ａとショット領域１２との目標形状差をマークの移動量で補正することによって得られたパターン領域７ａとショット領域１２との形状差に基づいて行われてもよい。
【００３７】
重ね合わせ工程では、パターン領域７ａおよびショット領域の相対位置の調整（例えば、並進シフト補正や回転補正）と、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくとも一方の変形（例えば、倍率補正や台形補正）が行われる。「調整」では、変形工程において変形が行われた領域の形状が、当該変形がなされた状態で維持されるように、パターン領域７ａとショット領域１２との並進シフト補正や回転補正が行われる。「調整」は、例えば、基板ステージ４のステージ駆動部２０を制御することによって行われうる。また、「変形」では、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域を変形することにより、パターン領域７ａとショット領域１２との間における倍率補正や台形補正が行われる。
【００３８】
ここで、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせについて説明する。図４は、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせを説明するための図である。上述したように、Ｓ１０１で決定した駆動量に従ったパターン領域７ａおよびショット領域１２の変形では、パターン領域７ａの四隅のマークとショット領域１２の四隅のマークとに位置ずれを生じさせる場合がある。図４（ａ）は、パターン領域７ａの四隅のマークとショット領域１２の四隅のマークとに位置ずれを生じさせている状態を示す図である。図４（ａ）において実線３０はショット領域１２の形状を、破線３１はパターン領域７ａの形状をそれぞれ表している。このとき、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせ精度が所望の精度であるとする。
【００３９】
この状態において、パターン領域７ａの四隅およびショット領域１２の四隅に設けられたマークの位置のみを各検出部２２に検出させてしまうと、制御部６は、パターン領域７ａの形状を、図４（ａ）の二点破線３２で示すような線形形状として認識しうる。ここで、パターン領域７ａの四隅のマークとショット領域１２の四隅のマークとがＸＹ方向において一致するように、パターン領域７ａおよびショット領域１２の少なくともいずれかの領域を変形させる場合を想定する。この場合、図４（ｂ）に示すように、検出結果に基づいて認識したパターン領域７ａの形状（二点破線３２）とショット領域１２の形状（実線３０）とが重なり合う。しかしながら、実際のパターン領域７ａの形状（破線３１）とショット領域１２の形状（実線３０）とは重なり合わず、パターン領域７ａとショット領域１２と重ね合わせ精度が低下しうることとなる。したがって、重ね合わせ工程では、パターン領域７ａの四隅のマークおよびショット領域１２の四隅のマークが、Ｓ１０３で推定した移動量を考慮した位置にそれぞれ配置されるように、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせが行われる。移動量を考慮した位置とは、上述したように、各検出部２２によるマークの位置の検出結果を、Ｓ１０３において推定した移動量で補正することによって得られたパターン領域７ａのマークおよびショット領域１２のマークのそれぞれの位置のことである。これにより、変形工程においてパターン領域７ａおよびショット領域１２の変形がなされた状態でのパターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせ精度が、重ね合わせ工程を行うことによって低下することを抑制することができる。
【００４０】
上述したように、第１実施形態のインプリント装置１は、形状情報に基づいてパターン領域７ａやショット領域１２を変形させる変形工程の後、各検出部２２による検出結果に基づいてパターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせを行う。そして、インプリント装置１は、変形工程において変形が行われた領域（パターン領域７ａやショット領域１２）におけるマークの移動量を考慮して、パターン領域７ａとショット領域１２との重ね合わせを行う。これにより、第１実施形態のインプリント装置１は、モールド上のパターン領域７ａと基板上のショット領域１２とを高精度に重ね合わせることができる。
【００４１】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント方法を用いてパターンを形成する工程（インプリント処理を基板に行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板（インプリント処理を行われた基板）を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１：インプリント装置、３：モールド保持部、４：基板ステージ、７：モールド、７ａ：パターン領域、１１：基板、１２：ショット領域、１８：加圧部、５０：加熱部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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