(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂と金属磁性粒子で構成される磁性体中に空芯のコイルが埋め込まれ、該コイルの端部に電気的に接続される端子電極を有するコイル部品であって、
前記コイルの端部が、前記磁性体の表面に露出しており、
前記端子電極は、前記磁性体の表面と前記コイルの端部に跨って形成され、かつ、金属材料で形成される下地層と該下地層の外側に配置されるカバー層により構成され、
前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分を露出させるとともに、前記下地層が、前記コイルの端部と、前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分とに、それぞれ接しており、
前記端子電極を形成する面の磁性体表面は、前記端子電極が形成されない面の磁性体表面よりも樹脂量が少ないことを特徴とするコイル部品。
【請求項２】
前記下地層が前記磁性体と接する部分において、
前記下地層が前記金属磁性粒子と接する部分の割合が、該下地層と金属磁性粒子が接していない部分の割合よりも多いことを特徴とする請求項１記載のコイル部品。
【請求項３】
前記磁性体の金属磁性粒子は、粒径の異なる２種以上の金属磁性粒子を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のコイル部品。
【請求項４】
前記下地層を形成する金属材料は、
Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｔｉのいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項５】
前記下地層を形成する金属材料は、
Ａｇ又はＣｕの少なくも一方を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項６】
前記カバー層は、Ａｇ又はＡｇを含む導電性樹脂により形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項７】
前記カバー層の外側を覆う保護層を設けたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項８】
前記保護層を、ＮｉとＳｎにより形成したことを特徴とする請求項７記載のコイル部品。
【請求項９】
前記端子電極が形成されていない磁性体表面において、少なくともその表面の一部がリンを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項１０】
前記端子電極が形成されていない磁性体表面において、少なくともその表面の一部が前記金属磁性粒子よりも小さな粒径の酸化物フィラーを含む樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のコイル部品を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル部品及び電子機器に関し、更に具体的には、磁性体に端子電極が直付けされるコイル部品及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器をはじめとする電子機器の高性能化に伴い、電子機器に使用される部品も高い性能が要求されている。このため、フェライト材料より電流特性を得やすい点から金属材料が検討され、金属材料の特徴を生かすため、金属材料を樹脂で固め空芯コイルを磁性体の中に埋め込むタイプのコイル部品が増えてきている。
【０００３】
金属材料に空芯コイルを埋め込むタイプのコイル部品として、比較的大型の部品では、下記特許文献１の第１図に示すように、コイルの導線をそのまま端子電極とする方法がとられている。また、他の方法としては、例えば、下記特許文献２の第１図に示すように、導線に金属板を取り付けてフレーム端子とする方法があり、寸法の自由度や端子強度の点から、この方法がこれまで主流となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４５８６６号公報（第１図）
【特許文献２】特開２０１０−０８７２４０号公報（第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したいずれの方法でも、曲げ加工や接合などから導線の太さは制約され、またこのために多くのスペースを要することから小型化を進めることが難しかった。更に、セラミックス部品に使われる導電性ペーストを焼き付けることで形成される端子電極は、樹脂で形成されている磁性体に用いることはできなかった。更に、導電性ペーストを熱硬化する端子電極では、樹脂の存在により抵抗値が高くなってしまうことから、高電流特性と合わせて要求される低抵抗化を進めることが困難であった。
【０００６】
本発明は、以上のような点に着目したもので、磁性体表面に端子電極が直付けされるコイル部品において、コイルを形成する導体太さの制約を受けることなく、端子電極との密着性が良好であり、実装強度も高く、低抵抗で小型化も可能なコイル部品を提供することをその目的とする。他の目的は、前記コイル部品を用いた電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のコイル部品は、樹脂と金属磁性粒子で構成される磁性体中に空芯のコイルが埋め込まれ、該コイルの端部に電気的に接続される端子電極を有するコイル部品であって、前記コイルの端部が、前記磁性体の表面に露出しており、前記端子電極は、前記磁性体の表面と前記コイルの端部に跨って形成され、かつ、金属材料で形成される下地層と該下地層の外側に配置されるカバー層により構成され、前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分を露出させるとともに、前記下地層が、前記コイルの端部と、前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分とに、それぞれ接しており、前記端子電極を形成する面の磁性体表面は、前記端子電極が形成されない面の磁性体表面よりも樹脂量が少ないことを特徴とする。
【０００８】
主要な形態の一つは、前記下地層が前記磁性体と接している部分において、前記下地層が前記金属磁性粒子と接する部分の割合が、該下地層と金属磁性粒子が接していない部分の割合よりも多いことを特徴とする。他の形態は、前記磁性体の金属磁性粒子は、粒径の異なる２種以上の金属磁性粒子を含むことを特徴とする。
【０００９】
更に他の形態の一つは、前記下地層を形成する金属材料は、(1)Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｔｉのいずれかを含むこと，あるいは、(2)Ａｇ又はＣｕの少なくとも一方を含むことを特徴とする。更に他の形態は、前記カバー層は、Ａｇ又はＡｇを含む導電性樹脂により形成されることを特徴とする。
【００１０】
更に他の形態の一つは、前記カバー層の外側を覆う保護層を設けたことを特徴とする。更に他の形態は、前記保護層を、ＮｉとＳｎにより形成したことを特徴とする。更に他の形態は、前記端子電極が形成されていない磁性体表面において、少なくともその表面の一部がリンを有することを特徴とする。更に他の形態は、前記端子電極が形成されていない磁性体表面において、少なくともその表面の一部が前記金属磁性粒子よりも小さな粒径の酸化物フィラーを含む樹脂で覆われていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電子機器は、前記いずれかに記載のコイル部品を備えたことを特徴とする。本発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、樹脂と金属磁性粒子で構成される磁性体中に空芯のコイルが埋め込まれており、その端部が前記磁性体の表面に露出している。また、前記磁性体の表面と前記コイルの端部に跨って端子電極が形成されており、該端子電極が、金属材料で形成される下地層と該下地層の外側に配置されるカバー層により構成されている。そして、前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分を露出させるとともに、この露出した表面に前記下地層を形成することで、前記下地層が、前記コイルの端部と、前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分とに、それぞれ接するようにしたので、磁性体と端子電極との密着性が良好であり、実装強度の高い直付けの端子電極を得ることができる。また、下地層を、樹脂を含まない金属材料とすることで、下地層の抵抗値を低くすることができる。よって、導体太さの制約を受けることなく、コイル端部の面積が小さくなるような細い導線を用いることで小型の部品を作ることができ、低抵抗化及び小型化が可能となる。更に、前記端子電極を形成する面の磁性体表面を、前記端子電極が形成されない面の磁性体表面よりも樹脂量を少なくすることで、樹脂量が多い面の絶縁性を良くし、錆に対しても強くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例１のコイル部品を示す図であり、(A)はコイル部品を端子電極が形成された面から見た平面図，(B)は前記(A)を矢印Ｆ１方向から見た側面図である。
【図２】前記実施例１を示す図であり、前記図１(B)の一部を拡大して示す模式図である。
【図３】前記実施例１を示す図であり、前記磁性体と端子電極の界面の一例を拡大して示す模式図である。
【図４】前記実施例１を示す図であり、前記磁性体と端子電極の界面の他の例を拡大して示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１７】
最初に、図１及び図２を参照しながら本発明の実施例１を説明する。図１は、本実施例のコイル部品を示す図であり、(A)はコイル部品を端子電極が形成された面から見た平面図，(B)は前記(A)を矢印Ｆ１方向から見た側面図である。図２は前記図１(B)の一部を拡大して示す模式図である。図３及び図４は、磁性体と端子電極の界面部分を拡大して示す模式図である。図１(A)に示すように、本実施例のコイル部品１０は、直方体の磁性体１２中に空芯コイル２０が埋め込まれた構成となっている。前記磁性体１２は、樹脂１４と金属磁性粒子１６で構成される。または滑剤を含んでも良い。前記磁性体１２の底面には、前記空芯コイル２０の両方の引出部２４Ａ，２４Ｂの端部２６Ａ，２６Ｂが露出しており、該露出した端部２６Ａ，２６Ｂに、端子電極３０Ａ，３０Ｂが電気的に接続されている。本発明では、前記端子電極３０Ａ，３０Ｂは、磁性体１２の端面（図示の例では底面）に直付けされる。
【００１８】
前記端子電極３０Ａ，３０Ｂは、前記空芯コイル２０の端部２６Ａ，２６Ｂの各々と、前記磁性体１２のひとつの面の一部の表面に跨って形成され、かつ、金属材料で形成される下地層３２と、該下地層３２の外側に配置されるカバー層３４により構成される（図４参照）。また、必要に応じて、前記カバー層３４の上に、保護層３６を形成してもよい（図２及び図３参照）。そして、図２に示すように、前記下地層３２が、前記空芯コイル２０の端部２６Ａ，２６Ｂと接し、前記磁性体１２を構成する樹脂１４と、該磁性体１２を構成する金属磁性粒子１６のそれぞれと接している。
【００１９】
前記各部を構成する材料としては、例えば、前記磁性体１２を構成する樹脂１４としては、エポキシ樹脂が用いられる。前記金属磁性粒子１６としては、例えば、ＦｅＳｉＣｒＢＣが用いられる。また、ＦｅＳｉＣｒＢＣとＦｅのように、粒径の異なる粒子を用いるようにしてもよい。前記空芯コイル２０を形成する導線としては、絶縁被覆導線を用いる。絶縁被覆はポリエステルイミド、ウレタンなどがあるが、耐熱性の高いポリアミドイミド、ポリイミドでも良い。更に、前記端子電極３０Ａ，３０Ｂのうち、前記下地層３２は、例えば、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｔｉのいずれか、もしくはこれらの組み合わせにより形成される。また、前記カバー層３４としては、Ａｇ又はＡｇを含む導電性樹脂が用いられ、前記保護層３６としては、例えば、ＮｉとＳｎが用いられる。
【００２０】
次に、本実施例のコイル部品１０の製造方法について説明する。以上のような材料によって形成された空芯コイル２０を、樹脂１４と金属磁性粒子１６を混合した複合磁性材料に埋め込み、該空芯コイル２０の両端部２６Ａ，２６Ｂが表面に露出するように成形する。前記空芯コイル２０としては、例えば、導線を巻線して形成されたものを用いるが、巻線以外には、平面コイルとしてもよく、特にコイルを制限するものではない。そして、前記成形体中の樹脂１４を硬化することで、前記空芯コイル２０が埋め込まれた磁性体１２が得られる。次に、前記空芯コイル２０の端部２６Ａ，２６Ｂが露出した表面を研磨、エッチングする。エッチングは、磁性体１２の表面の酸化物を除去することができる方法であればよい。
【００２１】
次に、端子電極３０Ａ，３０Ｂを形成する。上述したエッチングが施された面に、金属材料をスパッタリングして、前記磁性体１２の表面と前記コイルの端部２６Ａ，２６Ｂに跨る下地層３２を形成し、更にその外側を覆うカバー層３４を形成して端子電極３０Ａ，３０Ｂを形成する。すなわち、本実施例では、端子電極３０Ａ，３０Ｂが、磁性体１２に直付けされた構成となっている。より具体的には、スパッタリング装置を用い、磁性体１２のエッチング面をターゲット側に向けて並べ、アルゴン雰囲気中で下地層３２を形成する。このとき、下地層３２の酸化を抑えることが望ましい。このため、次に、スパッタリング法によってカバー層３４を形成する場合には、下地層３２の形成後に続けてスパッタリングすることで、下地層３２の酸化を抑えることができる。また、カバー層３４は、別の方法として、導電性ペーストを塗布し、ペースト中の樹脂を硬化させる方法を採用してもよい。
【００２２】
また、前記カバー層３４の外側に、更に保護層３６を形成するようにしてもよい。前記保護層３６は、カバー層３４の上に、例えば、めっきによりＮｉとＳｎを形成することで、半田濡れ性の良い部品を得ることができる。更に、前記めっきの前に、カバー層３４を除く磁性体１２の表面を絶縁処理することで、めっきをより安定的に形成することが可能となる。その方法としては、リン酸処理や、樹脂コーティング処理などがある。
【００２３】
なお、前記端子電極３０Ａ，３０Ｂとしては、具体的には、いくつかの組み合わせが可能である。例えば、図４に示すように、磁性体１２のエッチング面の平滑性がよい場合、下地層３２及びカバー層３４を薄く形成しても欠陥を生じることなく、実装性の良い薄い端子電極３０Ａ，３０Ｂを得ることができる。すなわち、図４に示すように、下地層３２のうち、金属接触部３２Ａと樹脂接触部３２Ｂが連続しており、途切れがなく、端子電極を薄くできる点が特徴となる。一方、図３に示すように、磁性体１２のエッチング面の平滑性が悪い場合、下地層３２は、磁性体１４のくぼみ部分には形成されず（同図の非接触部３２Ｃ参照）、途切れてしまう部分も存在する。このような場合には、カバー層３４として樹脂１４を硬化させる導電性ペーストを用いることで、実装性のよい、しかも、実装強度の強い端子電極３０Ａ，３０Ｂを得ることができる。
【００２４】
すなわち、従来の樹脂から形成される磁性体では、磁性体表面は樹脂で覆われていたが、本発明では、磁性体１２を樹脂１４と金属磁性粒子１６により構成し、端子電極を形成する磁性体表面の金属磁性粒子１６の金属部分を露出させ、この表面に端子電極の下地層（金属層）を形成することで、端子電極の下地層３２と金属磁性粒子１６の金属部分が接するようになる。これにより、下地層３２は、樹脂１４と接する部分（樹脂接触部３２Ｂ）で絶縁を確保し、金属磁性粒子１６の金属部分と接する部分（金属接触部３２Ａ）で密着性を確保している。その結果、実装強度の高い直付けの端子電極３０Ａ，３０Ｂを得ることができる。特に、下地層３２を、樹脂を含まない金属材料により形成することで、抵抗値を低くでき、空芯コイル２０の端部２６Ａ，２６Ｂとの接続面積が小さくても、確実に接続することができ、空芯コイル２０を形成する導体太さの制約を受けることなく、小型の部品を作ることができる。
【００２５】
＜実験例＞・・・次に、本発明のコイル部品を構成する各部の条件の変化が、コイル部品の抵抗値や実装強度に与える影響を確認するために行った実験例と比較例について説明する。下記の表１に示した条件に基づき、実験例１〜８と比較例のコイル部品を製作し、抵抗値と実装強度を測定した。各コイル部品の製品サイズは、図１に示すＬ×Ｗ×Ｈが、３．２×２．５×１．４ｍｍとなるようにした。また、複合磁性材料は、ＦｅＳｉＣｒＢＣ又はＦｅＳｉＣｒＢＣとＦｅの金属磁性粒子とエポキシ樹脂の混合により得た。また、空芯コイル２０は、断面寸法が０．４×０．１５ｍｍであって、ポリアミドイミド皮膜付きの平角線を用い、周回部２２の周回数は１０．５とした。
【００２６】
また、端子電極３０Ａ，３０Ｂのうち、スパッタリングにより形成する下地層３２は、Ａｇ，Ｔｉ，ＴｉＣｒ，ＡｇＣｕ合金のいずれかを用い、カバー層３４は、Ａｇ，Ａｇ入り樹脂，ＡｇＣｕ入り樹脂のいずれかを用いた。更に、保護層３６を形成する場合は、ＮｉとＳｎを用いた。そして、前記端子電極３０Ａ，３０Ｂを、磁性体１２の底面の両端に、それぞれ０．８×２．５ｍｍの寸法で形成した。
【００２７】
なお、複合磁性材料の成形はモールドにより、１５０℃の温度下で行い、成形体を金型から取り出し２００℃で硬化して磁性体１２を得た。また、磁性体１２のエッチングは、磁性体表面を、研磨剤（２５μｍ）を用いて研磨してから、エッチング処理を行った。ここでは、ドライエッチングのような方法として、イオンミリングを用いた。なお、磁性体１２及び線材断面の表面汚れを落とし、表面の酸化物を少なくすることができればよく、プラズマエッチングであってもよい。
【表１】
0006502627.tif 000002
【００２８】
実験例１では、スパッタリング法により下地層３２としてＴｉを０．０５μｍの厚みで形成し、続けてカバー層３４としてＡｇを１μｍの厚みで形成した。次に、めっき法により、保護層３６として、Ｎｉを２μｍ、Ｓｕを５μｍの厚みで形成した。実験例２は下地層３２をＴｉとＣｒとし、実験例３は下地層の厚みを０．１μｍとし、これ以外は実験例１と同様に行った。また、比較例１は、磁性体１２の研磨を行うことなく、実験例１と同様の端子電極を形成した。
【００２９】
実験例４〜８は、粒径の大きい磁性粒子Ａ（ＦｅＳｉＣｒＢＣ）と、粒径の小さい磁性粒子Ｂ（Ｆｅ）の２種類を使用したもので、下地層３２とカバー層３４の材質及び厚さが異なるものである。また、実験例７は、下地層３２とカバー層３４の材質が異なり、スパッタリング法によりＡｇＣｕ合金を１μｍの厚みで形成し、磁性体１２の窪み（図３の非接触部３２Ｃ参照）の影響をなくすため導電ペーストを塗布し、熱硬化して５０μｍの厚みとなるようにした。ここでは、ＡｇＣｕの金属粒子入りの導電性ペーストを用いることとしたので、めっきは行っていない。更に、実施例８は、下地層３２としてＡｇを１μｍの厚みで形成し、カバー層を設けず、保護層３６としてＮｉを２μｍ、Ｓｎを５μｍの厚みで形成した。
【００３０】
なお、前記表１中、Ａ／Ｂ比とは、磁性粒子の割合になり、それぞれの体積比率を示している。樹脂量とは磁性粒子に対する重量比率を示している。また、面精度は表面粗さＲａで表し、磁性粒子（金属磁性粒子）の露出度については、粒子／磁性体［％］で表した。なお、この磁性粒子の露出度の算出にあたっては、下地層３２と磁性体１２の界面観察を行い、試料断面の下地層３２と磁性体１２の界面部分を、１０００倍のＥＤＳマッピングにより、酸素または炭素の検出の有無を調べ、酸素または炭素の存在しない部分は磁性粒子と接している部分とし、酸素または炭素のいずれかが存在する部分は樹脂と接している部分とした。このようにして分けられた磁性粒子と接する部分（図４のｍ１，ｍ２，・・・，Ｍｎ）のそれぞれを直線に置き換え長さを求め、同様に樹脂と接する部分（図４のｎ１，ｎ２，・・・，Ｎｎ）のそれぞれを直線に置き換え長さを求め、それぞれの合計を求めた。表１中の磁性粒子露出割合は磁性粒子と接する部分の長さの合計の占める割合を求めている。以上のようにして製作したコイル部品の実験例１〜８と比較例について測定した抵抗値と実装強度の結果が、下記の表２に表されている。抵抗は、両端の端子電極３０Ａ，３０Ｂ間の直流抵抗を測定し、実装強度は、基板に半田実装し、剥離するときの強度を測定した。
【表２】
0006502627.tif 000003
【００３１】
表２の結果から、磁性体１２を形成した後、研磨をすることなく端子電極３０Ａ，３０Ｂを形成した比較例に比べ、研磨を行った実験例１では、実装強度が格段に向上していることが確認できた。また、下地層３２を形成する金属材料について検討すると、ＴｉとＣｒを含む場合（実験例２）でも、実装強度が確保できる。更に下地層３２の厚みを厚くすれば（実験例３）では実装強度は高くできる。
【００３２】
また、粒径の大きな磁性粒子Ａと粒径の小さい磁性粒子Ｂを用いた実験例４〜７は、粒径の大きな磁性粒子Ａのみを用いた場合と比べて、更に実装強度が強くなっている。これは、異なる粒径の磁性粒子を用いることにより、下地層３２と金属磁性粒子１６の接する割合がより高くなったことによると考えられ、下地層３２を薄くできる。
【００３３】
次に、下地層３２を形成する金属材料としてＡｇ又はＣｕの少なくとも一方を含むと（実験例６〜８）、含まない場合（実験例２〜５）と比べて、抵抗値を低くし、密着性を確保することができる。カバー層３４の材質についてみると、Ａｇを含む導電性樹脂により形成することで（実験例５〜７）、実装強度をより強くすることができた。特に、カバー層を設けない（実施例８）場合は、実装強度を維持しつつ、厚みが薄く、抵抗値を低くできる。
【００３４】
このように、実施例によれば、次のような効果がある。
(1)空芯コイル２０を埋め込む磁性体１２を、樹脂１４と金属磁性粒子１６により構成し、端子電極３０Ａ，３０Ｂを形成する磁性体表面の金属磁性粒子１６の金属部分を露出させる。そして、前記磁性体表面に端子電極３０Ａ，３０Ｂの下地層３２を金属材料により形成することとしたので、前記下地層３２と金属磁性粒子の１６の露出面が接触するようになる。これにより、下地層３２は樹脂１４と接する部分で絶縁を確保し、金属磁性粒子１６の露出したところと接する部分で密着性を確保し、その結果、実装強度の強い直付けの端子電極３０Ａ，３０Ｂが得られる。
(2)前記下地層３２を、樹脂を含まない金属材料により形成することで抵抗値を低くでき、コイル２０の端部２６Ａ，２６Ｂとの接続面積が小さくても確実に接続し、コイル２０を形成する導体太さの制約を受けることなく、小型のコイル部品１０を作ることができる。
【００３５】
(3)前記カバー層３４を覆う保護層３６を、ＮｉとＳｎで形成することとしたので、半田濡れ性が良好になる。
(4)下地層３２が金属磁性粒子１６と接する部分の割合を、下地層３２が金属磁性粒子１６と接していない部分（樹脂１４と接している部分）よりも多くすることで、実装強度を強くできる。
(5)粒径の異なる金属磁性粒子１６を用いることで、下地層３２と金属磁性粒子の接する部分の割合が多くなり、更に実装強度を強くすることができる。
(6)下地層３２やカバー層３４を形成する材料の選択により、実装強度を確保しつつ端子電極３０Ａ，３０Ｂの厚みを薄くする，抵抗値を低くする，密着性を確保する，などが可能となる。
【００３６】
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、以下のものも含まれる。
(1)前記実施例で示した形状，寸法，材質は一例であり、必要に応じて適宜変更してよい。
(2)前記実施例では、コイル部品１０の底面に端子電極３０Ａ，３０Ｂを形成することとしたが、これも一例であり、必要に応じて適宜変更可能である。
(3)前記実施例では、平角線を用いた空芯コイル２０を示したが、これも一例であり、コイルを形成する導体の断面形状や、コイル自体の形状、あるいは、コイルの周回部の巻き数も必要に応じて適宜変更可能である。
【００３７】
(4)前記端子電極３０Ａ，３０Ｂを形成する面の磁性体表面を、前記端子電極３０Ａ，３０Ｂが形成されない面の磁性体表面よりも樹脂量を少なくすることで、樹脂量が多い面の絶縁性を良くし、錆に対しても強くすることができる。
(5)前記端子電極３０Ａ，３０Ｂが形成されていない磁性体表面において、少なくとも一部がリンを有することで、更に絶縁性を高くし、めっき付きを安定的にでき、端子電極３０Ａ，３０Ｂの寸法精度を上げることができる。
(6)前記端子電極３０Ａ，３０Ｂが形成されない磁性体表面において、少なくとも一部を前記金属磁性粒子１６よりも小さな粒径の酸化物フィラーを含む樹脂で覆うことで、更に磁性体表面の平滑性を良くしつつ、絶縁性を高くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明によれば、樹脂と金属磁性粒子で構成される磁性体中に空芯のコイルが埋め込まれており、その端部が前記磁性体の表面に露出している。また、前記磁性体の表面と前記コイルの端部に跨って端子電極が形成されており、該端子電極が、金属材料で形成される下地層と該下地層の外側に配置されるカバー層により構成されている。そして、前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分を露出させるとともに、この露出した表面に前記下地層を形成することで、前記下地層が、前記コイルの端部と、前記コイルの端部が露出した磁性体の表面を構成する樹脂及び金属磁性粒子の金属部分とに、それぞれ接するようにしたので、磁性体と端子電極との密着性が良好であり、実装強度の高い直付けの端子電極を得ることができる。また、下地層を、樹脂を含まない金属材料とすることで、下地層の抵抗値を低くすることができる。よって、導体太さの制約を受けることなく、コイル端部の面積が小さくなるような細い導線を用いることで小型の部品を作ることができ低抵抗化及び小型化が可能となる。更に、前記端子電極を形成する面の磁性体表面を、前記端子電極が形成されない面の磁性体表面よりも樹脂量を少なくすることで、樹脂量が多い面の絶縁性を良くし、錆に対しても強くすることができ、磁性体表面に端子電極が直付けされるコイル部品及びそれを利用した電子機器の用途に適用できる。
【符号の説明】
【００３９】
１０：コイル部品
１２：磁性体
１４：樹脂
１６：金属磁性粒子
２０：空芯コイル
２２：周回部
２４Ａ，２４Ｂ：引出部
２６Ａ，２６Ｂ：端部
３０Ａ，３０Ｂ：端子電極
３２：下地層
３２Ａ：金属接触部
３２Ｂ：樹脂接触部
３２Ｃ：非接触部
３４：カバー層
３６：保護層
【図１】
0006502627.tif 000004
【図２】
0006502627.tif 000005
【図３】
0006502627.tif 000006
【図４】
0006502627.tif 000007