(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに分離した複数の発光ダイスを含む半導体構造を提供するステップにおいて、各前記発光ダイスが、発光素子と、第１電極と、第２電極とを含み、前記第１電極および前記第２電極が、前記発光素子の同じ側に配置され、前記第１電極と前記第２電極の間に間隙を有するステップと、
成形コンパウンドを形成して、前記発光ダイスをカプセル化するステップにおいて、前記成形コンパウンドが、各前記発光ダイスの前記発光素子をカプセル化し、各前記発光ダイスの前記第１電極および前記第２電極を露出するステップと、
前記発光ダイスの前記第１電極および前記第２電極にパターン化金属層を形成するステップにおいて、前記パターン化金属層が、前記発光ダイスの前記第１電極および前記第２電極に結合し、前記第１電極および前記第２電極から前記成形コンパウンドの上方に延伸するステップと、
半透明の基板を提供するステップにおいて、前記成形コンパウンドが、前記発光ダイスの前記半透明の基板と前記発光素子の間に設置されるステップと、
分離プロセスを行って、前記半導体構造、前記パターン化金属層、前記成形コンパウンドおよび前記半透明の基板を分離し、直列接続ループ、並列接続ループまたは直並列接続ループで発光ユニットを定義するステップと、
を含む発光ユニットの製造方法。
【請求項２】
前記成形コンパウンドが、蛍光体材料と混合され、前記蛍光体材料が、黄色蛍光体粉末、赤色蛍光体粉末、緑色蛍光体粉末、青色蛍光体粉末、イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体粉末、または上述した材料の組み合わせを含む請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項３】
前記発光ユニットが、少なくとも２つの前記発光ダイスを含み、１つの前記発光ダイスの前記第１電極が、前記パターン化金属層を介して別の前記発光ダイスの前記第２電極に電気接続され、前記直列接続ループを有する前記発光ユニットを形成する請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項４】
前記発光ユニットが、少なくとも２つの前記発光ダイスを含み、１つの前記発光ダイスの前記第１電極が、前記パターン化金属層を介して別の前記発光ダイスの前記第１電極に電気接続され、１つの前記発光ダイスの前記第２電極が、前記パターン化金属層を介して別の前記発光ダイスの前記第２電極に電気接続され、前記並列接続ループを有する前記発光ユニットを形成する請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項５】
前記発光ユニットが、少なくとも４つの前記発光ダイスを含み、１つの前記発光ダイスの前記第１電極が、前記パターン化金属層を介して別の前記発光ダイスの前記第１電極に電気接続され、１つの前記発光ダイスの前記第２電極および別の前記発光ダイスの前記第２電極が、前記パターン化金属層を介してさらに別の前記発光ダイスの前記第１電極および又別の前記発光ダイスの前記第１電極に電気接続され、さらに別の前記発光ダイスの前記第２電極が、前記パターン化金属層を介して又別の前記発光ダイスの前記第２電極に電気接続され、前記直並列接続ループを有する前記発光ユニットを形成する請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項６】
前記パターン化金属層の材料が、各前記発光ダイスの前記第１電極および前記第２電極の材料と同じである請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項７】
前記パターン化金属層の材料が、各前記発光ダイスの前記第１電極および前記第２電極の材料と異なる請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項８】
前記発光ユニットの下に配置された外部回路を提供するステップをさらに含み、前記発光ユニットが、前記パターン化金属層を介して前記外部回路に電気接続される請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項９】
前記外部回路が、キャリアボードと、前記キャリアボードの上に配置された第１外部接点と、前記キャリアボードの上に配置された第２外部接点とを含み、前記発光ユニットが、前記パターン化金属層を介して前記第１外部接点および前記第２外部接点に電気接続された請求項８に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項１０】
前記外部回路が、キャリアボードと、前記キャリアボードの上に配置され、且つ前記パターン化金属層に対応するパターン化回路層とを含み、前記発光ユニットが、前記パターン化金属層を介して前記パターン化回路層に電気接続された請求項８に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項１１】
前記発光ユニットと前記外部回路の間に配置された放熱素子を提供するステップをさらに含む請求項８に記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項１２】
前記半透明の基板の材料が、樹脂、ガラス、セラミックまたはサファイアを含む請求項１に記載の発光ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ユニット（light emitting unit）に関するものであり、特に、発光ユニットの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、複数の発光ダイオード（light emitting diode, LED）チップで構成された発光ユニットの回路基板上での直並列制御は、回路基板の回路レイアウト設計時に電源供給器によって提供される電圧値と電流値の直並列接続方法に基づいて実施される。しかしながら、ＬＥＤチップの種類は多数あり、各ＬＥＤチップに必要な電圧値と電流値は異なるため、発光ユニットを回路基板に配置する時に、最適な発光効果を達成するのが困難なだけでなく、回路レイアウトの変更により回路基板の外観やコストにも影響を与える。
【０００３】
例えば、回路基板の回路レイアウトの初期設計が４Ｓ１Ｐの回路設計である場合、変換効率試験を行って初期設計を２Ｓ２Ｐの回路設計に変更する時、直並列変更は、回路設計が完了した後に実施することができないため、ジャンパー（jumper）、回路断線、または回路レイアウトの再製造や再計画により必要な直並列設計を達成する必要があり、製造コストが上がるだけでなく、製造時間も増加する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、切断プロセスにより異なる直列接続ループ、並列接続ループまたは直並列接続ループを選択的に形成することのできる発光ユニットの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下のステップを含む発光ユニットの製造方法を提供する。互いに分離した複数の発光ダイスを含む半導体構造を提供する。各発光ダイスは、発光素子と、第１電極と、第２電極とを含み、第１電極および第２電極は、発光素子の同じ側に配置され、第１電極と第２電極の間に間隙を有する。成形コンパウンドを形成して、且つ発光ダイスをカプセル化する。成形コンパウンドは、各発光ダイスの発光素子をカプセル化し、各発光ダイスの第１電極および第２電極を露出する。発光ダイスの第１電極および第２電極にパターン化金属層を形成する。パターン化金属層は、発光ダイスの第１電極および第２電極に直接接触し、且つ第１電極および第２電極から成形コンパウンドに延伸する。基板を提供する。成形コンパウンドは、発光ダイスの基板と発光素子の間に設置される。切断プロセスを行って、半導体構造、パターン化金属層、成形コンパウンドおよび基板を切断し、直列接続ループ、並列接続ループまたは直並列接続ループで発光ユニットを定義する。
【０００６】
本発明の１つの実施形態において、成形コンパウンドは、蛍光体材料と混合され、蛍光体材料は、黄色蛍光体粉末、赤色蛍光体粉末、緑色蛍光体粉末、青色蛍光体粉末、イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体粉末、または上述した材料の組み合わせを含む。
【０００７】
本発明の１つの実施形態において、発光ユニットは、少なくとも２つの発光ダイスを含み、１つの発光ダイスの第１電極は、パターン化金属層を介して別の発光ダイスの第２電極に電気接続され、直列接続ループを有する発光ユニットを形成する。
【０００８】
本発明の１つの実施形態において、発光ユニットは、少なくとも２つの発光ダイスを含み、１つの発光ダイスの第１電極は、パターン化金属層を介して別の発光ダイスの第１電極に電気接続され、１つの発光ダイスの第２電極は、パターン化金属層を介して別の発光ダイスの第２電極に電気接続され、並列接続ループを有する発光ユニットを形成する。
【０００９】
本発明の１つの実施形態において、発光ユニットは、少なくとも４つの発光ダイスを含み、１つの発光ダイスの第１電極は、パターン化金属層を介して別の発光ダイスの第１電極に電気接続され、１つの発光ダイスの第２電極および別の発光ダイスの第２電極は、パターン化金属層を介してさらに別の発光ダイスの第１電極および又別の発光ダイスの第１電極に電気接続され、さらに別の発光ダイスの第２電極は、パターン化金属層を介して又別の発光ダイスの第２電極に電気接続され、直並列接続ループを有する発光ユニットを形成する。
【００１０】
本発明の１つの実施形態において、パターン化金属層の材料は、各発光ダイスの第１電極および第２電極の材料と同じである。
【００１１】
本発明の１つの実施形態において、パターン化金属層の材料は、各発光ダイスの第１電極および第２電極の材料と異なる。
【００１２】
本発明の１つの実施形態において、方法は、さらに、発光ユニットの下に配置された外部回路を提供するステップを含む。発光ユニットは、パターン化金属層を介して外部回路に電気接続される。
【００１３】
本発明の１つの実施形態において、外部回路は、キャリアボードと、キャリアボードの上に配置された第１外部接点と、キャリアボードの上に配置された第２外部接点とを含む。発光ユニットは、パターン化金属層を介して第１外部接点および第２外部接点に電気接続される。
【００１４】
本発明の１つの実施形態において、外部回路は、キャリアボードと、キャリアボードの上に配置され、且つパターン化金属層に対応するパターン化回路層とを含む。発光ユニットは、パターン化金属層を介してパターン化回路層に電気接続される。
【００１５】
本発明の１つの実施形態において、パターン化金属層とパターン化回路層は、コンフォーマルに（conformally）配置される。
【００１６】
本発明の１つの実施形態において、方法は、さらに、発光ユニットと外部回路の間に配置された放熱素子を提供するステップを含む。
【００１７】
本発明の１つの実施形態において、基板の材料は、ガラス、セラミックまたはサファイアを含む。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、本発明は、切断プロセスを行って半導体構造、パターン化金属層、成形コンパウンドおよび基板を切断することにより、直列接続ループ、並列接続ループまたは直並列接続ループで発光ユニットを定義する。そのため、使用者は、使用条件に基づいて自ら切断領域を選択することにより、異なる回路ループ設計を形成することができる。このように、本発明の発光ユニットの製造方法により、使用者は、より優れた製造の柔軟性を有し、複数のパターンの回路ループ設計を有する発光ユニットを製造することができる。
【００１９】
本発明の上記および他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る発光ユニットの製造方法の概略図である。
【図２】本発明の１つの実施形態に係る発光ユニットの製造方法の概略図である。
【図３】本発明の１つの実施形態に係る発光ユニットの製造方法の概略図である。
【図４】本発明の１つの実施形態に係る発光ユニットの製造方法の概略図である。
【図５】本発明の１つの実施形態に係る発光ユニットの製造方法の概略図である。
【図６】本発明の別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの異なる断面の断面図である。
【図８】本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。
【図９】本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。
【図１０】本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。
【図１１】本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１〜図５は、本発明の１つの実施形態に係る発光ユニットの製造方法の概略図である。簡潔にするため、図１および図３は、本発明の１つの実施形態に係る半導体構造１１０の上面図であり、図２は、線Ａ−Ａに沿った図１の断面図であり、図４は、線Ｂ−Ｂに沿った図３の断面図であり、図５は、半導体１１０を切断領域Ｃに沿って切断した後に得られる線Ｃ’−Ｃ’に沿った図３の断面図である。
【００２２】
図１および図２を参照すると、本実施形態の発光ユニットの製造方法に基づき、まず、互いに分離した複数の発光ダイス１２０を含む半導体構造１１０を提供する。各発光ダイス１２０は、発光素子１２２と、第１電極１２４と、第２電極１２６とを含み、第１電極１２４および第２電極１２６は、発光素子１２２の同じ側に配置され、第１電極１２４と第２電極１２６の間に間隙を有する。図２に示すように、本実施形態の第１電極１２４および第２電極１２６は、実質的に同一平面上に設計されるが、本発明はこれに限定されない。各発光ダイス１２０の発光素子１２２は、基板（図示せず）と、発光層（図示せず）と、第２型半導体層（図示せず）とを含むことができるが、本発明はこれに限定されない。各発光ダイス１２０の光の色は、同じであっても、異なっていてもよく、実際の設計要求に基づいて決定される。第１電極１２４と第１型半導体層（図示せず）は、互いに直接接触し、且つ電気接続される。第２電極１２６と第２型半導体層（図示せず）は、互いに直接接触し、且つ電気接続される。
【００２３】
そして、図１および図２を参照すると、成形コンパウンド１３０を形成して、発光ダイス１２０をカプセル化する。成形コンパウンド１３０は、各発光ダイス１２０の発光素子１２２をカプセル化し、且つ発光ダイス１２０の少なくとも一部の第１電極１２４および第２電極１２６を露出する。
【００２４】
そして、図３を参照すると、発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６にパターン化金属層１４０を形成する。パターン化金属層１４０は、発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６に直接接触し、且つ第１電極１２４および第２電極１２６から成形コンパウンド１３０に延伸する。注意すべきこととして、本実施形態のパターン化金属層１４０の材料は、各発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６の材料と同じであってもよく、パターン化金属層１４０の材料および各発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６の材料は、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、上述した材料の合金、または上述した材料の組み合わせである。あるいは、パターン化金属層１４０の材料は、各発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６の材料と異なってもよく、パターン化金属層１４０の材料は、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、上述した材料の合金、または上述した材料の組み合わせであり、各発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６の材料は、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、上述した材料の合金、または上述した材料の組み合わせである。
【００２５】
そして、図４を参照すると、基板１５０を提供する。成形コンパウンド１３０は、発光ダイス１２０の基板１５０と発光素子１２２の間に設置される。本実施形態の基板１５０は、ガラス、アクリル、セラミックまたはサファイアの材料、あるいは他の透明材料を有し、半導体構造１１０を支持するために使用され、発光ダイス１２０の発光および導光効果に役立つ。好ましくは、基板１５０の材料は、切断が容易で、製造プロセスを簡易化できる特性を有するガラスである。
【００２６】
最後に、図３および図５を参照すると、切断プロセスを行って、半導体構造１１０、パターン化金属層１４０、成形コンパウンド１３０および基板１５０を切断し、直列接続ループ、並列接続ループまたは直並列接続ループで発光ユニット１００ａを定義する。詳しく説明すると、本実施形態の切断プロセスは、図３の切断領域Ｃに沿って切断するものであり、形成される発光ユニット１００ａは、少なくとも２つの発光ダイスを含む（図５において４つの発光ダイスを概略的に示し、簡潔にするため、それぞれ１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃおよび１２０ｄで表示する）。発光ダイス１２０ａの第１電極１２４は、パターン化金属層１４０を介して発光ダイス１２０ｂの第２電極１２６に電気接続され、発光ダイス１２０ｂの第１電極１２４は、パターン化金属層１４０を介して発光ダイス１２０ｃの第２電極１２６に電気接続され、発光ダイス１２０ｃの第１電極１２４は、パターン化金属層１４０を介して発光ダイス１２０ｄの第２電極１２６に電気接続され、直列接続ループ（すなわち、４Ｓ）を有する発光ユニット１００ａを形成する。
【００２７】
直列接続ループ（すなわち、４Ｓ）を有する発光ユニット１００ａは、切断プロセスの後に形成されるが、別の実施形態において、切断領域を使用者の実際の要求に基づいて変更し、異なる回路ループの発光ユニットを形成してもよい。
【００２８】
例えば、図３および図６を参照すると。図６は、半導体構造１１０を切断領域Ｄに沿って切断した後に得られる線Ｄ’−Ｄ’に沿った図３の断面図である。本実施形態の切断プロセスは、図３の切断領域Ｄに沿って切断するものであり、形成される発光ユニット１００ｂは、少なくとも２つの発光ダイスを含む（図６において３つの発光ダイスを概略的に示し、簡潔にするため、それぞれ１２０ｅ、１２０ｆおよび１２０ｇで表示する）。発光ダイス１２０ｅの第１電極１２４、発光ダイス１２０ｆの第１電極１２４および発光ダイス１２０ｇの第１電極１２４は、パターン化金属層１４０を介して互いに電気接続され、発光ダイス１２０ｅの第２電極１２６、発光ダイス１２０ｆの第２電極１２６および発光ダイス１２０ｇの第２電極１２６は、パターン化金属層１４０を介して互いに電気接続され、並列接続ループ（すなわち、３Ｐ）を有する発光ユニット１００ｂを形成する。
【００２９】
あるいは、図３、図７（ａ）および図７（ｂ）を参照すると、図７（ａ）および図７（ｂ）は、切断領域Ｅに沿って切断した後に得られる図３の断面図であり、図７（ａ）は、線I−Iに沿った図３の断面図であり、図７（ｂ）は、線II−IIに沿った図３の断面図である。本実施形態の切断プロセスは、図３の切断領域Ｅに沿って切断するものであり、形成される発光ユニット１００ｃは、少なくとも４つの発光ダイスを含む（図３において４つの発光ダイスを概略的に示し、簡潔にするため、それぞれ１２０ｈ、１２０ｉ、１２０ｊおよび１２０ｋで表示する）。発光ダイス１２０ｈの第２電極１２６は、パターン化金属層１４０を介して発光ダイス１２０ｋの第２電極１２６に電気接続され（図３および図７（ｂ）を参照）、発光ダイス１２０ｈの第１電極１２４および発光ダイス１２０ｋの第１電極１２４は、パターン化金属層１４０を介して発光ダイス１２０ｉの第２電極１２６および発光ダイス１２０ｊの第２電極１２６に電気接続され（図３および図７（ａ）を参照）、発光ダイス１２０ｉの第１電極１２４は、パターン化金属層１４０を介して発光ダイス１２０ｊの第１電極１２４に電気接続され、直並列接続ループ（すなわち、２Ｓ２Ｐ）を有する発光ユニット１００ｃを形成する。
【００３０】
図示していない別の実施形態において、本分野の技術者であれば、上述した実施形態の説明を参照することにより、実際の要求に基づいて半導体構造１１０の切断領域を選択し、必要な回路ループ（例えば、２Ｓ３Ｐ、４Ｓ１Ｐ等）を有する発光ユニットを形成することができる。
【００３１】
さらに、注意すべきこととして、本実施形態のパターン化金属層１４０は、発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６を覆い、成形コンパウンド１３０の一部に延伸する。すなわち、パターン化金属層１４０は、発光ダイス１２０の第１電極１２４および第２電極１２６の接触領域を増やすことができるため、切断プロセスの後に形成される発光ユニット１００ａ、１００ｂおよび１００ｃと外部回路との組み立てに役立ち、アライメント精度と組立効果を効果的に向上させることができる。
【００３２】
さらに、図８を参照すると、図８は、本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。本実施形態の発光ユニット１００ｄは、図５の発光ユニット１００ａと類似しており、相違点は、発光ユニットの発光色を変えるため、成形コンパウンド１３０に蛍光材料１３２を混合することである。蛍光材料１３２は、例えば、黄色蛍光体粉末、赤色蛍光体粉末、緑色蛍光体粉末、青色蛍光体粉末、イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体粉末、または上述した材料の組み合わせを含む。
【００３３】
図９は、本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。図９を参照すると、発光ユニット１００ｅの製造方法は、さらに、外部回路１６０を提供するステップを含む。外部回路１６０は、発光ユニット１００ｅの下に配置され、発光ユニット１００ｅは、パターン化金属層１４０を介して外部回路１６０に電気接続される。例えば、本実施形態の外部回路１６０は、回路基板であり、キャリアボード１６２と、第１外部接点１６４ａと、第２外部接点１６４ｂとを含む。詳しく説明すると、発光ユニット１００ｅは、パターン化金属層１４０を介して第１外部接点１６４ａおよび第２外部接点１６４ｂに電気接続される。発光ダイス１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃおよび１２０ｄは、パターン化金属層１４０を介して電気接続されるため、外部回路１６０の第１外部接点１６４ａおよび第２外部接点１６４ｂにそれぞれ正電気および負電気を通すことにより、発光ユニット１００ｅを駆動して光を出射することができ、外部回路１６０の回路レイアウトを追加で変更する必要がないため、より優れた使用の柔軟性を達成することができる。
【００３４】
特に、図１０に示すように、別の実施形態において、発光ユニット１００ｆは、さらに、放熱素子１６６を含んでもよい。放熱素子１６６は、放熱効果を効果的に上げるため、発光ユニット１００ｆと外部回路１６０の間に配置されるが、本発明はこれに限定されない。
【００３５】
図１１は、本発明のさらに別の実施形態に係る発光ユニットの断面図である。図９および図１１を参照すると、本実施形態の発光ユニット１００ｇと図９の実施形態の発光ユニット１００ｅの間の相違点は、本実施形態の外部回路１６０’が、キャリアボード１６２と、キャリアボード１６２に配置され、且つパターン化金属層１４０に対応するパターン化回路層１６８とを含むことであり、発光ユニット１００ｇは、パターン化金属層１４０を介してパターン化回路層１６８に電気接続される。好ましくは、パターン化金属層１４０とパターン化回路層１６８は、より大きな放熱領域とアライメント領域を達成するため、キャリアボード１６２の上にコンフォーマルに配置されるが、本発明はこれに限定されない。
【００３６】
以上のように、本発明は、切断プロセスを行って半導体構造、パターン化金属層、成形コンパウンドおよび基板を切断することにより、直列接続ループ、並列接続ループまたは直並列接続ループで発光ユニットを定義する。そのため、使用者は、使用条件に基づいて自ら切断領域を選択することにより、異なる回路ループ設計を形成することができる。このように、本発明の発光ユニットの製造方法により、使用者は、より優れた製造の柔軟性を有し、複数のパターンの回路ループ設計を有する発光ユニットを製造することができる。
【００３７】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、複数のパターンの回路ループ設計を有する発光ユニットを製造することのできる発光ユニットの製造方法に関するものである。
【符号の説明】
【００３９】
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ、１００ｆ、１００ｇ  発光ユニット
１１０  半導体構造
１２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ、１２０ｅ、１２０ｆ、１２０ｇ、１２０ｈ、１２０ｉ、１２０ｊ、１２０ｋ  発光ダイス
１２２  発光素子
１２４  第１電極
１２６  第２電極
１３０  成形コンパウンド
１３２  蛍光体材料
１４０  パターン化金属層
１５０  基板
１６０、１６０’  外部回路
１６２  キャリアボード
１６４ａ  第１外部接点
１６４ｂ  第２外部接点
１６６  放熱素子
１６８  パターン化回路層
Ｃ、Ｄ、Ｅ  切断領域
Ｇ  ギャップ
【図１】
0006452562.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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