(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板からなる第１の基板とガラス基板からなる第２の基板とが樹脂層を介して接合された貼り合せ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割する貼り合せ基板の加工方法であって、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をシリコン基板からなる第１の基板側から集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、樹脂層とガラス基板からなる第２の基板とに細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程と、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第１の基板の内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第１の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する改質層形成工程と、
該シールドトンネル形成工程および該改質層形成工程が実施された貼り合せ基板に外力を付与し、貼り合わせ基板を分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする貼り合せ基板の加工方法。
【請求項２】
シリコン基板からなる第１の基板とシリコン基板からなる第２の基板とが樹脂層を介して接合された貼り合せ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割する貼り合せ基板の加工方法であって、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を内部に位置付けて樹脂層に分割予定ラインに沿って照射し、樹脂層に細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程と、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第１の基板側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第１の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する第１の改質層形成工程と、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第２の基板側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第２の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する第２の改質層形成工程と、
該シールドトンネル工程および該第１の改質層形成工程と該第２の改質層形成工程が実施された貼り合せ基板に外力を付与し、貼り合わせ基板を分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする貼り合せ基板の加工方法。
【請求項３】
該シールドトンネル形成工程においてはレーザー光線を集光する集光レンズの開口数（ＮＡ）が０．１〜０．４に設定され、該第１の改質層形成工程および該第２の改質層形成工程においてはレーザー光線を集光する集光レンズの開口数（ＮＡ）が０．６〜０．９に設定される、請求項１又は２記載の貼り合せ基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスが形成された２枚の半導体基板や半導体基板とガラス基板とが樹脂層を介して結合された貼り合せ基板を分割予定ラインに沿って分割する貼り合せ基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
半導体ウエーハ等のウエーハを分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を位置付けてパルスレーザー光線を照射する内部加工と呼ばれるレーザー加工方法が実用化されている。この内部加工と呼ばれるレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射することにより、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、ウエーハに外力を付与することにより、ウエーハを改質層が形成され強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する技術である（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
近年、イメージセンサー（ＣＭＯＳ）等のデバイスを製造する際に、デバイスが形成された２枚の半導体基板を樹脂層を介して結合した貼り合せ基板または半導体基板とガラス基板を樹脂層を介して結合した貼り合せ基板が用いられている。
【０００５】
上述したデバイスが形成された貼り合せ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割する際には、樹脂層に改質層を形成することが困難なことから、樹脂層を介して対向する両基板の内部にそれぞれ分割予定ラインに沿って改質層を形成した後、外力を付与して樹脂層を介して対向する両基板を改質層が形成された分割予定ラインに沿って破断するとともに、樹脂層を引きちぎって個々のデバイスに分割している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかるに、上述した貼り合せ基板の加工方法においては、樹脂層が引きちぎられるため、樹脂層のバリがデバイスの側面に露出して見栄えが悪くデバイスの商品価値を低下させるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、２枚の基板を接合する樹脂層をバリが発生することなく２枚の基板とともに破断することができる貼り合せ基板の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、シリコン基板からなる第１の基板とガラス基板からなる第２の基板とが樹脂層を介して接合された貼り合せ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割する貼り合せ基板の加工方法であって、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をシリコン基板からなる第１の基板側から集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、樹脂層とガラス基板からなる第２の基板とに細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程と、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第１の基板の内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第１の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する改質層形成工程と、
該シールドトンネル形成工程および該改質層形成工程が実施された貼り合せ基板に外力を付与し、貼り合わせ基板を分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする貼り合せ基板の加工方法が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、シリコン基板からなる第１の基板とシリコン基板からなる第２の基板とが樹脂層を介して接合された貼り合せ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割する貼り合せ基板の加工方法であって、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を内部に位置付けて樹脂層に分割予定ラインに沿って照射し、樹脂層に細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程と、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第１の基板側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第１の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する第１の改質層形成工程と、
シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第２の基板側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第２の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する第２の改質層形成工程と、
該シールドトンネル工程および該第１の改質層形成工程と該第２の改質層形成工程が実施された貼り合せ基板に外力を付与し、貼り合わせ基板を分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする貼り合せ基板の加工方法が提供される。
【００１１】
上記シールドトンネル形成工程においてはレーザー光線を集光する集光レンズの開口数（ＮＡ）が０．１〜０．４に設定され、上記第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程においてはレーザー光線を集光する集光レンズの開口数（ＮＡ）が０．６〜０．９に設定される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるシリコン基板からなる第１の基板とガラス基板からなる第２の基板とが樹脂層を介して接合された貼り合せ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割する貼り合せ基板の加工方法の第１の発明は、シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をシリコン基板からなる第１の基板側から集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、樹脂層とガラス基板からなる第２の基板とに細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程と、シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第１の基板の内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第１の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する改質層形成工程と、シールドトンネル形成工程および改質層形成工程が実施された貼り合せ基板に外力を付与し、貼り合わせ基板を分割予定ラインに沿って分割する分割工程とを含んでいるので、分割工程によって貼り合せ基板を分割予定ラインに沿って分割する際に、シリコン基板とガラス基板との間に介在され両者を結合する樹脂層には分割予定ラインに沿って変質体からなるシールドトンネルが形成されているため、シリコン基板とガラス基板とともに容易に破断することができ、樹脂層のバリが発生することはない。従って、樹脂層のバリがデバイスの側面に露出して見栄えが悪くデバイスの商品価値を低下させるという問題が解消される。
【００１３】
また、本発明によるシリコン基板からなる第１の基板とシリコン基板からなる第２の基板とが樹脂層を介して接合された貼り合せ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割する貼り合せ基板の加工方法の第２の発明は、シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を内部に位置付けて樹脂層に分割予定ラインに沿って照射し、樹脂層に細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程と、シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第１の基板側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第１の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する第１の改質層形成工程と、シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第２の基板側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、シリコン基板からなる第２の基板に改質層を分割予定ラインに沿って連続して形成する第２の改質層形成工程と、シールドトンネル工程および第１の改質層形成工程と第２の改質層形成工程が実施された貼り合せ基板に外力を付与し、貼り合わせ基板を分割予定ラインに沿って分割する分割工程とを含んでいるので、分割工程によって貼り合せ基板を分割予定ラインに沿って分割する際に、第１の基板と第２の基板との間に介在され両者を結合する樹脂層には分割予定ラインに沿って変質体からなるシールドトンネルが形成されているため、第１の基板と第２の基板とともに容易に破断することができ、樹脂層のバリが発生することはない。従って、樹脂層のバリがデバイスの側面に露出して見栄えが悪くデバイスの商品価値を低下させるという問題が解消される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による貼り合せ基板の加工方法によって加工される貼り合せ基板の第１の実施形態の斜視図。
【図２】図１に示す貼り合せ基板を環状のフレームに装着したダイシングテープに貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明による貼り合せ基板の加工方法におけるシールドトンネル形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図４】本発明による貼り合せ基板の加工方法におけるシールドトンネル形成工程の第１の実施形態を示す説明図。
【図５】本発明による貼り合せ基板の加工方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図６】本発明による貼り合せ基板の加工方法における改質層形成工程の説明図。
【図７】本発明による貼り合せ基板の加工方法における分割工程を実施するための分割装置の斜視図。
【図８】本発明による貼り合せ基板の加工方法における分割工程の説明図。
【図９】本発明による貼り合せ基板の加工方法の第１の実施形態個々によって分割されてデバイスの斜視図。
【図１０】本発明による貼り合せ基板の加工方法によって加工される貼り合せ基板の第２の実施形態の斜視図。
【図１１】本発明による貼り合せ基板の加工方法におけるシールドトンネル形成工程の第２の実施形態を示す説明図。
【図１２】本発明による貼り合せ基板の加工方法における第１の改質層形成工程の説明図。
【図１３】図９に示す貼り合せ基板を環状のフレームに装着したダイシングテープに貼着した状態を示す斜視図。
【図１４】本発明による貼り合せ基板の加工方法における第２の改質層形成工程の説明図。
【図１５】本発明による貼り合せ基板の加工方法の第２の実施形態個々によって分割されてデバイスの斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明による貼り合わせ基板の加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１６】
図１には、本発明による貼り合わせ基板の加工方法によって加工される貼り合せ基板の第１の実施形態の斜視図が示されている。図１に示す貼り合せ基板２は、第１の基板３と第２の基板４とが樹脂層５によって接合された構成となっている。この貼り合せ基板２を構成する第１の基板３は、図示の実施形態においては厚みが１００μｍのシリコン基板によって形成されており、表面３ａにはイメージセンサー（ＣＭＯＳ）等のデバイス３１がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス３１は、格子状に形成された分割予定ライン３２によって区画されている。貼り合せ基板２を構成する第２の基板４は、図示の実施形態においては厚みが３００μｍのガラス基板によって形成されている。また、貼り合せ基板２を構成する樹脂層５は、図示の実施形態においては厚みが５０μｍのエポキシ系樹脂シートからなっており、第１の基板３と第２の基板４との間に介在され、適宜加熱することによって第１の基板３と第２の基板４とを接合する。
【００１７】
次に、シリコン基板からなる第１の基板３とガラス基板からなる第２の基板４とが樹脂層５によって接合された貼り合せ基板２を分割予定ライン３２に沿って個々のデバイスに分割する貼り合せ基板の加工方法の第１の実施形態について、図２乃至図９を参照して説明する。
先ず、貼り合せ基板２を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図２に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープＴの表面に貼り合せ基板２のガラス基板からなる第２の基板４を貼着する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された貼り合せ基板２は、シリコン基板からなる第１の基板３の表面３ａが上側となる。
【００１８】
次に、シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をシリコン基板からなる第１の基板３側から集光点を内部に位置付けて分割予定ライン３２に沿って照射し、樹脂層５とガラス基板からなる第２の基板４とに細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ライン３２に沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程を実施する。このシールドトンネル形成工程は、図示の実施形態においては図３に示すレーザー加工装置６を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置６は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２と、チャックテーブル６１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段６３を具備している。チャックテーブル６１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図３において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１９】
上記レーザー光線照射手段６２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６２１を含んでいる。ケーシング６２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング６２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光レンズ６２２ａを備えた集光器６２２が装着されている。この集光器６２２の集光レンズ６２２ａの開口数（ＮＡ）は、図示の実施形態においては０．１〜０．４の範囲に設定される（開口数設定工程）。なお、レーザー光線照射手段６２は、集光器６２２の集光レンズ６２２ａによって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。
【００２０】
上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の先端部に装着された撮像手段６３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２１】
上述したレーザー加工装置６を用いて、シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をシリコン基板からなる第１の基板３側から集光点を内部に位置付けて分割予定ライン３２に沿って照射し、樹脂層５とガラス基板からなる第２の基板４とに細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ライン３２に沿って連続して形成するレーザー加工を施すには、先ず上述した図３に示すレーザー加工装置６のチャックテーブル６１上に貼り合せ基板２が貼着されたダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープＴを介して貼り合せ基板２をチャックテーブル６１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１に保持された貼り合せ基板２は、シリコン基板からなる第１の基板３の表面３ａが上側となる。なお、図３においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、貼り合せ基板２を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。
【００２２】
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって貼り合せ基板２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、貼り合せ基板２を構成するシリコン基板からなる第１の基板３の表面３ａに所定方向に形成されている分割予定ライン３２と、分割予定ライン３２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、貼り合せ基板２を構成するシリコン基板からなる第１の基板３に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン２２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００２３】
上述したアライメント工程を実施したならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン３２を集光器６２２の直下に位置付ける。このとき、図４の（ａ）で示すように貼り合せ基板２は、シリコン基板からなる第１の基板３に形成された分割予定ライン３２の一端（図４の（ａ）において左端）が集光器６２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器６２２の集光レンズ６２２ａによって集光されるパルスレーザー光線ＬＢの集光点Ｐがシリコン基板からなる第１の基板３とガラス基板からなる第２の基板４との間に介在された樹脂層５の上面から１０μｍ程度内部に位置付けられるように図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器６２２を光軸方向に移動する（位置付け工程）。
【００２４】
上述したように位置付け工程を実施したならば、レーザー光線照射手段６２を作動して集光器６２２からパルスレーザー光線ＬＢを照射して樹脂層５とガラス基板からなる第２の基板４とに細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ライン３２に沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程を実施する。即ち、集光器６２２からシリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを照射しつつチャックテーブル６１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（シールドトンネル形成工程）。そして、図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置に分割予定ライン３２の他端（図４の（ａ）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。
【００２５】
上述したシールドトンネル形成工程を実施することにより、樹脂層５およびガラス基板からなる第２の基板４の内部には、図４の（ｃ）に示すようにパルスレーザー光線ＬＢの集光点Ｐ付近からガラス基板からなる第２の基板４の裏面４ｂに向けて細孔５１１および４１１と該細孔５１１および４１１の周囲に形成された変質体５１２および４１２が成長し、分割予定ライン３２に沿って所定の間隔（図示の実施形態においては１０μｍの間隔（加工送り速度：１００ｍｍ／秒）／（繰り返し周波数：１０ｋＨｚ））で変質体のシールドトンネル５１および４１が形成される。このシールドトンネル５１および４１は、図４の（ｃ）および図４の（ｄ）に示すように中心に形成された直径がφ１μｍ程度の細孔５１１および４１１と該細孔５１１および４１１の周囲に形成された直径がφ１０μｍの変質体５１２および４１２とからなり、図示の実施形態においては互いに隣接する変質体５１２および４１２同士がつながるように形成される形態となっている。
【００２６】
上述したように所定の分割予定ライン３２に沿って上記シールドトンネル形成工程を実施したら、チャックテーブル６１を矢印Ｙで示す方向に貼り合せ基板２を構成するシリコン基板からなる第１の基板３の表面３ａに形成された分割予定ライン３２の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記シールドトンネル形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン３２に沿って上記シールドトンネル形成工程を実施したならば、チャックテーブル６１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン３２に対して直交する方向に延びる分割予定ライン３２に沿って上記シールドトンネル形成工程を遂行する。
【００２７】
なお、上記シールドトンネル形成工程の加工条件は、次の通り設定されている。
加工条件
波長                            ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数                  ：１０ｋＨｚ
開口数（ＮＡ）                  ：０．１〜０．４
スポット径                      ：１０μｍ
平均出力                        ：０．１５〜０．５Ｗ
加工送り速度                    ：１００ｍｍ／秒
【００２８】
上述したシールドトンネル形成工程において、良好なシールドトンネル５１および４１を形成するには、上述したように集光レンズ６２２ａの開口数（ＮＡ）が０．１〜０．４の範囲に設定されていることが重要である。
以下、集光レンズ６２２ａの開口数（ＮＡ）が０．１〜０．４の範囲に設定された理由について説明する。
【００２９】
［実験１］
厚みが５００μｍのシリコン基板と厚みが５００μｍのガラス基板と厚みが５０μｍのエポキシ樹脂シートにそれぞれ次の加工条件でシールドトンネル形成工程を実施し、シールドトンネルが形成されたか否かを判定した。
加工条件
波長                            ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数                  ：１０ｋＨｚ
スポット径                      ：１０μｍ
平均出力                        ：０．３Ｗ
加工送り速度                    ：１００ｍｍ／秒
上記加工条件にて集光レンズ６２２ａの開口数（ＮＡ）を変化させながらシリコン基板とガラス基板とエポキシ樹脂シートにシールドトンネルが形成されるか否かを実験し、下記の結果が得られた。
集光レンズの開口数（ＮＡ）    シリコン基板        樹脂シート      ガラス基板
０．０５                ＮＧ（透過）        ＮＧ（透過）    ＮＧ（透過）
０．１                  ＮＧ                形成            形成
０．１５                ＮＧ                形成            形成
０．２                  ＮＧ                形成            形成
０．２５                ＮＧ                形成            形成
０．３                  ＮＧ                形成            形成
０．３５                ＮＧ                形成            形成
０．４                  ＮＧ                形成            形成
０．４５                ＮＧ                ＮＧ（溶融）    形成
０．５                  ＮＧ                ＮＧ            ＮＧ（溶融）
０．５５                ＮＧ                ＮＧ            ＮＧ
以上のようにパルスレーザー光線を集光する集光レンズ６２２ａの開口数（ＮＡ）が０．１〜０．４の範囲においては、ガラス基板とエポキシ樹脂シートにシールドトンネルが形成された。従って、上記シールドトンネル形成工程を実施する際には、パルスレーザー光線を集光する集光レンズ４２２ａの開口数（ＮＡ）を０．１〜０．４に設定することが重要である。なお、シリコン基板にはシールドトンネルが形成されないことが判った。
【００３０】
上述したようにシールドトンネル形成工程を実施したならば、シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をシリコン基板からなる第１の基板３の内部に位置付けて分割予定ライン３２に沿って照射し、シリコン基板からなる第１の基板３に改質層を分割予定ライン３２に沿って連続して形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図示の実施形態においては図５に示すレーザー加工装置６０を用いて実施する。なお、図５に示すレーザー加工装置６０は上記図３に示すレーザー加工装置６と集光器６２２の集光レンズ以外は同様に構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明を省略する。図５に示すレーザー加工装置６０の集光器６２２の集光レンズ６２２ｂは、開口数（ＮＡ）が０．６〜０．９の範囲に設定される（開口数設定工程）。
【００３１】
上記図５に示すレーザー加工装置６０を用いて、上記改質層形成工程を実施すには、先ず図５に示すようにレーザー加工装置６０のチャックテーブル６１上に上記シールドトンネル形成工程が実施された貼り合せ基板２が貼着されたダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープＴを介して貼り合せ基板２をチャックテーブル６１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１に保持された貼り合せ基板２は、シリコン基板からなる第１の基板３の表面３ａが上側となる。なお、図５においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、貼り合せ基板２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。このようにして、貼り合せ基板２を吸引保持したチャックテーブル６１は、上述した第１の実施形態と同様に撮像手段６３の直下に位置付けられる。そして、上述したアライメント工程が遂行される。
【００３２】
次に、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン３２の一端（図６の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。そして、集光器６２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを貼り合せ基板２を構成するシリコン基板からなる第１の基板３の厚み方向中間部に位置付ける。次に、集光器６２２からシリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザーを照射しつつチャックテーブル６１を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（改質層形成工程）。そして、図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置に分割予定ライン３２の他端（図６の（ｂ）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。この結果、貼り合せ基板２を構成するシリコン基板からなる第１の基板３の内部には、図６の（ｂ）および（ｃ）に示すように分割予定ライン３２に沿って改質層３３が形成される。
【００３３】
上述したように所定の分割予定ライン３２に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル６１を矢印Ｙで示す方向に貼り合せ基板２を構成するシリコン基板からなる第１の基板３の表面３ａに形成された分割予定ライン３２の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン３２に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル６１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン３２に対して直交する方向に延びる分割予定ライン３２に沿って上記改質層形成工程を遂行する。
【００３４】
なお、上記改質層形成工程の加工条件は、次の通り設定されている。
加工条件
波長                            ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数                  ：１０ｋＨｚ
開口数（ＮＡ）                  ：０．６〜０．９
スポット径                      ：１０μｍ
平均出力                        ：０．３Ｗ
加工送り速度                    ：１００ｍｍ／秒
【００３５】
上述した改質層形成工程において、良好な改質層３３を形成するには、上述したように集光レンズ６２２ｂの開口数（ＮＡ）が０．６〜０．９の範囲に設定されていることが重要である。
以下、集光レンズ６２２ｂの開口数（ＮＡ）が０．６〜０．９の範囲に設定された理由について説明する。
【００３６】
［実験２］
厚みが５００μｍのシリコン基板と厚みが５００μｍのガラス基板と厚みが５０μｍのエポキシ樹脂層にそれぞれ次の加工条件で改質層形成工程を実施し、改質層が形成されたか否かを判定した。
加工条件
波長                            ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数                  ：１０ｋＨｚ
スポット径                      ：１０μｍ
平均出力                        ：０．３Ｗ
加工送り速度                    ：１００ｍｍ／秒
上記加工条件にて集光レンズの開口数（ＮＡ）を変化させながらシリコン基板とエポキシ樹脂シートおよびガラス基板に改質層が形成されるか否かを実験し、下記の結果が得られた。
集光レンズの開口数（ＮＡ）  シリコン基板            樹脂シート    ガラス基板
０．４                      ＮＧ                    形成          形成
０．４５                    ＮＧ                    ＮＧ（溶融）  形成
０．５                      ＮＧ                    ＮＧ          ＮＧ（溶融）
０．５５                    ＮＧ                    ＮＧ          ＮＧ
０．６                      形成                    ＮＧ          ＮＧ
０．６５                    形成                    ＮＧ          ＮＧ
０．７                      形成                    ＮＧ          形成
０．７５                    形成                    ＮＧ          形成
０．８                      形成                    ＮＧ          形成
０．８５                    形成                    ＮＧ（溶融）  形成
０．９                      形成                    ＮＧ          ＮＧ（アブレー
ション）
０．９５                    ＮＧ（アブレーション）  ＮＧ          ＮＧ
以上のようにパルスレーザー光線を集光する集光レンズ６２２ｂの開口数（ＮＡ）が０．６〜０．９の範囲においては、シリコン基板に改質層が形成された。従って、上記改質層形成工程を実施する際には、パルスレーザー光線を集光する集光レンズ４２２ｂの開口数（ＮＡ）を０．６〜０．７に設定することが重要である。なお、エポキシ樹脂シートには改質層が形成されないことが判った。
【００３７】
次に、上記シールドトンネル形成工程および改質層形成工程が形成された貼り合せ基板２に外力を付与し、貼り合わせ基板２を分割予定ラインに沿って分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図７に示す分割装置７を用いて実施する。図７に示す分割装置７は、上記環状のフレームＦを保持するフレーム保持手段７１と、該フレーム保持手段７１に保持された環状のフレームＦに装着された貼り合せ基板２を拡張するテープ拡張手段７２と、ピックアップコレット７３を具備している。フレーム保持手段７１は、環状のフレーム保持部材７１１と、該フレーム保持部材７１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ７１２とからなっている。フレーム保持部材７１１の上面は環状のフレームＦを載置する載置面７１１ａを形成しており、この載置面７１１ａ上に環状のフレームＦが載置される。そして、載置面７１１ａ上に載置された環状のフレームＦは、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段７１は、テープ拡張手段７２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００３８】
テープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１の内側に配設される拡張ドラム７２１を具備している。この拡張ドラム７２１は、環状のフレームＦの内径より小さく該環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着される貼り合せ基板２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７２１は、下端に支持フランジ７２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１を上下方向に進退可能な支持手段７２３を具備している。この支持手段７２３は、上記支持フランジ７２２上に配設された複数のエアシリンダ７２３ａからなっており、そのピストンロッド７２３ｂが上記環状のフレーム保持部材７１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７２３ａからなる支持手段７２３は、図８の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材７１１を載置面７１１ａが拡張ドラム７２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図８の（ｂ）に示すように拡張ドラム７２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
【００３９】
以上のように構成された分割装置７を用いて実施する分割工程について図８（ａ）乃至（ｃ）を参照して説明する。即ち、貼り合せ基板２が貼着されているダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを、図８の（ａ）に示すようにフレーム保持手段７１を構成するフレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に載置し、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材７１１は図８の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段７２を構成する支持手段７２３としての複数のエアシリンダ７２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材７１１を図８の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に固定されている環状のフレームＦも下降するため、図８の（ｂ）に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム７２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープＴに貼着されている貼り合せ基板２には放射状に引張力が作用せしめられる。このように貼り合せ基板２に放射状に引張力が作用すると、貼り合せ基板２を構成するシリコン基板からなる第１の基板３には分割予定ライン３２に沿って改質層３３が形成されているとともにガラス基板からなる第２の基板４と樹脂層５には分割予定ライン３２に沿ってシールドトンネル４１と５１が形成されているので、貼り合せ基板２は改質層３３およびシールドトンネル４１と５１が形成され強度が低下せしめられた分割予定ライン３２に沿って個々のデバイス３１に分割されるとともにデバイス３１間に間隔Ｓが形成される。このように貼り合せ基板２を分割予定ライン３２に沿って分割する際に、シリコン基板からなる第１の基板３とガラス基板からなる第２の基板４との間に介在され両者を結合する樹脂層５には分割予定ライン３２に沿って変質体からなるシールドトンネル５１が形成されているので、シリコン基板からなる第１の基板３とガラス基板からなる第２の基板４とともに容易に破断することができ、樹脂層のバリが発生することはない。
【００４０】
次に、図８の（ｃ）に示すようにピックアップコレット７３を作動してデバイス３１を吸着し、ダイシングテープＴから剥離してピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。なお、ピックアップ工程においては、上述したようにダイシングテープＴに貼着されている個々のデバイス３１間の隙間Ｓが広げられているので、隣接するデバイス３１と接触することなく容易にピックアップすることができる。このようにして、ピックアップされたデバイス３１は、貼り合せ基板２を分割予定ライン３２に沿って分割する際に、上述したようにシリコン基板からなる第１の基板３とガラス基板からなる第２の基板４との間に介在され両者を結合する樹脂層５のバリが発生することはないので、図９に示すように樹脂層５のバリがデバイス３１の側面に露出することはない。従って、樹脂層のバリがデバイスの側面に露出して見栄えが悪くデバイスの商品価値を低下させるという問題が解消される。
【００４１】
次に、上記貼り合せ基板２と構成が異なる貼り合せ基板の加工方法について説明する。
図１０には、本発明による貼り合わせ基板の加工方法によって加工される貼り合せ基板の第２の実施形態の斜視図が示されている。図１０に示す貼り合せ基板２０は、第１の基板３−１と第２の基板３−２とが樹脂層５によって接合された構成となっている。この貼り合せ基板２０を構成する第１の基板３−１は、上記貼り合せ基板２を構成する第１の基板３と同様に厚みが１００μｍのシリコン基板によって形成されており、表面３ａにはイメージセンサー（ＣＭＯＳ）等のデバイス３１がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス３１は、格子状に形成された分割予定ライン３２によって区画されている。貼り合せ基板２０を構成する第２の基板３−２は、図示の実施形態においては上記第１の基板３−１と同様に厚みが１００μｍのシリコン基板によって形成されており、表面にはイメージセンサー（ＣＭＯＳ）等のデバイスがマトリックス状に形成されている。そして、各デバイスは、上記第１の基板３−１と同様に格子状に形成された分割予定ラインによって区画されている。貼り合せ基板２０を構成する樹脂層５は、図示の実施形態においては上記貼り合せ基板２を構成する樹脂層５と同様に厚みが５０μｍのエポキシ系樹脂シートからなっており、第１の基板３−１と第２の基板３−２の裏面間に介在され、適宜加熱することによって第１の基板３−１と第２の基板３−２とを接合する。
【００４２】
次に、シリコン基板からなる第１の基板３−１とシリコン基板からなる第２の基板３−２とが樹脂層５によって接合された貼り合せ基板２０を分割予定ライン３２に沿って分割する貼り合せ基板の加工方法の第２の実施形態について、図１１乃至図１５を参照して説明する。
先ず、シリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を内部に位置付けて樹脂層に分割予定ラインに沿って照射し、樹脂層に細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程を実施する。このシールドトンネル形成工程は、上記図３に示すレーザー加工装置６を用いて実施する。
【００４３】
上記図３に示すレーザー加工装置６を用いて、上記シールドトンネル形成工程を実施すには、先ず図１１の（ａ）に示すようにレーザー加工装置６のチャックテーブル６１上に貼り合せ基板２０を構成する第２の基板３−２または第１の基板３−１の一方を載置する。なお、図示の実施形態においては第２の基板３−２をチャックテーブル６１上に載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、貼り合せ基板２０をチャックテーブル６１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１に保持された貼り合せ基板２０は、第１の基板３−１の表面３ａが上側となる。なお、ウエーハ保持工程を実施する際には、第２の基板３−２の表面（チャックテーブル６１上に載置する側の面）にデバイスを保護するための保護テープを貼着することが望ましい。このようにして、貼り合せ基板２０を吸引保持したチャックテーブル６１は、上述した第１の実施形態と同様に撮像手段６３の直下に位置付けられる。そして、上述したアライメント工程が遂行される。
【００４４】
次に、図１１の（ａ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン３２の一端（図１１の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。そして、集光器６２２の集光レンズ６２２ａによって集光されるパルスレーザー光線ＬＢの集光点Ｐがシリコン基板からなる第１の基板３−１とシリコン基板からなる第２の基板３−２との間に介在された樹脂層５の上面から１０μｍ程度内部に位置付けられるように図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器６２２を光軸方向に移動する（位置付け工程）。
【００４５】
上述したように位置付け工程を実施したならば、レーザー光線照射手段６２を作動して集光器６２２からパルスレーザー光線ＬＢを照射して樹脂層５に細孔と該細孔を囲繞する変質体からなるシールドトンネルを分割予定ライン３２に沿って連続して形成するシールドトンネル形成工程を実施する。即ち、集光器６２２からシリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを照射しつつチャックテーブル６１を図１１の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（シールドトンネル形成工程）。そして、図１１の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置に分割予定ライン３２の他端（図１１の（ａ）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。なお、このシールドトンネル形成工程の加工条件は、上述した第１の実施形態におけるシールドトンネル形成工程の加工条件と同様に設定されている。
【００４６】
上述したシールドトンネル形成工程を実施することにより、貼り合せ基板２０を構成する樹脂層５には、図１１（ｃ）に示すように細孔５１１と該細孔５１１の周囲に形成された変質体５１２が成長し、上述した第１の実施形態におけるシールドトンネル形成工程と同様に分割予定ライン３２に沿って所定の間隔（図示の実施形態においては１０μｍの間隔（加工送り速度：１００ｍｍ／秒）／（繰り返し周波数：１０ｋＨｚ））で変質体のシールドトンネル５１が形成される。
【００４７】
上述したように所定の分割予定ライン３２に沿って上記シールドトンネル形成工程を実施したら、チャックテーブル６１を矢印Ｙで示す方向に貼り合せ基板２０を構成するシリコン基板からなる第１の基板３−１に形成された分割予定ライン３２の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記シールドトンネル形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン３２に沿って上記シールドトンネル形成工程を実施したならば、チャックテーブル６１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン３２に対して直交する方向に延びる分割予定ライン３２に沿って上記シールドトンネル形成工程を遂行する。
【００４８】
次に、シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を第１の基板３−１側からの内部に位置付けて分割予定ライン３２に沿って照射し、第１の基板３−１に改質層を分割予定ライン３２に沿って連続して形成する第１の改質層形成工程を実施する。この第１の改質層形成工程は、図示の実施形態においては上記図５に示すレーザー加工装置６０を用いて実施する。
【００４９】
上記図５に示すレーザー加工装置６０を用いて、上記第１の改質層形成工程を実施すには、先ず、図１２の（ａに示すようにレーザー加工装置６０のチャックテーブル６１上に上記シールドトンネル形成工程が実施された貼り合せ基板２０の第２の基板３−２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、貼り合せ基板２０をチャックテーブル６１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１に保持された貼り合せ基板２０は、シリコン基板からなる第１の基板３の表面３ａが上側となる。このようにして、貼り合せ基板２０を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。このようにして、貼り合せ基板２を吸引保持したチャックテーブル６１は、上述した第１の実施形態と同様に撮像手段６３の直下に位置付けられる。そして、上述したアライメント工程が遂行される。
【００５０】
次に、図１２の（ａ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン３２の一端（図１２の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。そして、集光器６２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを貼り合せ基板２０を構成するシリコン基板からなる第１の基板３−１の厚み方向中間部に位置付ける。次に、集光器６２２からシリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザーを照射しつつチャックテーブル６１を図１２の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（第１の改質層形成工程）。そして、図１２の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置に分割予定ライン３２の他端（図１２の（ｂ）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。なお、この第１の改質層形成工程の加工条件は、上述した第１の実施形態における改質層形成工程の加工条件と同様に設定されている。この結果、貼り合せ基板２０を構成するシリコン基板からなる第１の基板３−１の内部には、図１２の（ｂ）および（ｃ）に示すように分割予定ライン３２に沿って改質層３３が形成される。
【００５１】
上述したように所定の分割予定ライン３２に沿って上記第１の改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル６１を矢印Ｙで示す方向に貼り合せ基板２０を構成するシリコン基板からなる第１の基板３−１に形成された分割予定ライン３２の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記第１の改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン３２に沿って上記第１の改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル６１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン３２に対して直交する方向に延びる分割予定ライン３２に沿って上記第１の改質層形成工程を遂行する。
【００５２】
次に、シリコン基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を第２の基板３−２側から内部に位置付けて分割予定ライン３２に沿って照射し、第２の基板３−２に改質層を分割予定ライン３２に沿って連続して形成する第２の改質層形成工程を実施する。この第２の改質層形成工程は、図示の実施形態においては上記図５に示すレーザー加工装置６０を用いて実施する。
【００５３】
上記図５に示すレーザー加工装置６０を用いて上記第２の改質層形成工程を実施する前に、図示の実施形態においては上記第１の改質層形成工程が実施された貼り合せ基板２０を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図１３に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープＴの表面に上記第１の改質層形成工程が実施された貼り合せ基板２０の第１の基板３−１を貼着する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された貼り合せ基板２０は、シリコン基板からなる第２の基板３−２の表面３ａが上側となる。なお、上記シールドトンネル形成工程および上記第１の改質層形成工程を実施する際に貼り合せ基板２０の第２の基板３−２の表面に保護テープを貼着している場合には、この保護テープを剥離する。
【００５４】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、図１４の（ａ）に示すようにレーザー加工装置６０のチャックテーブル６１上に貼り合せ基板２０が貼着されたダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープＴを介して貼り合せ基板２をチャックテーブル６１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１に保持された貼り合せ基板２０は、シリコン基板からなる第２の基板３−２の表面３ａが上側となる。なお、図１４の（ａ）においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、貼り合せ基板２０を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。このようにして、貼り合せ基板２を吸引保持したチャックテーブル６１は、上述した第１の実施形態と同様に撮像手段６３の直下に位置付けられる。そして、上述したアライメント工程が遂行される。
【００５５】
次に、図１４の（ａ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン３２の一端（図１４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。そして、集光器６２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを貼り合せ基板２０を構成するシリコン基板からなる第２の基板３−２の厚み方向中間部に位置付ける。次に、集光器６２２からシリコン基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザーを照射しつつチャックテーブル６１を図１４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（第２の改質層形成工程）。そして、図１４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置に分割予定ライン３２の他端（図１４の（ｂ）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。なお、この第２の改質層形成工程の加工条件は、上述した第１の実施形態における改質層形成工程の加工条件と同様に設定されている。この結果、貼り合せ基板２０を構成するシリコン基板からなる第２の基板３−２の内部には、図１４の（ｂ）および（ｃ）に示すように分割予定ライン３２に沿って改質層３３が形成される。
【００５６】
上述したように所定の分割予定ライン３２に沿って上記第２の改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル６１を矢印Ｙで示す方向に貼り合せ基板２０を構成するシリコン基板からなる第２の基板３−２に形成された分割予定ライン３２の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記第２の改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン３２に沿って上記第２の改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル６１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン３２に対して直交する方向に延びる分割予定ライン３２に沿って上記第２の改質層形成工程を遂行する。
【００５７】
次に、上記シールドトンネル形成工程および第１の改質層形成工程と第２の改質層形成工程が実施された貼り合せ基板２０に外力を付与し、貼り合わせ基板２０を分割予定ライン３２に沿って分割する分割工程を実施する。この分割工程は、上記図７に示す分割装置７を用いて上記図８に示す分割工程と同様に実施する。この分割工程によって貼り合せ基板２を分割予定ライン３２に沿って分割する際に、上述したようにシリコン基板からなる第１の基板３と第２の基板３−２との間に介在され両者を結合する樹脂層５には変質体からなるシールドトンネル５１が形成されているので、シリコン基板からなる第１の基板３―１とシリコン基板からなる第２の基板３−２とともに容易に破断することができ、図１５に示すように分割されたデバイス３１を構成する第１の基板３と第２の基板３−２とを接合する樹脂層５のバリが発生することはない。従って、樹脂層のバリがデバイスの側面に露出して見栄えが悪くデバイスの商品価値を低下させるという問題が解消される。
【符号の説明】
【００５８】
２、２０：貼り合せ基板
３：シリコン基板からなる第１の基板
３−１：シリコン基板からなる第１の基板
３−２：シリコン基板からなる第２の基板
３３：改質層
４：ガラス基板からなる第２の基板
４１：シールドトンネル
５：樹脂層
５１：シールドトンネル
６，６０：レーザー加工装置
６１：レーザー加工装置のチャックテーブル
６２：レーザー光線照射手段
６２２：集光器
７：分割装置
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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