(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面と接する基板クランプ面と、
前記基板クランプ面から後退したキャビティ部と、
前記基板クランプ面から後退した吸引部と、
前記キャビティ部と前記吸引部との間の経路上に設けられ前記キャビティ部と連結され前記キャビティ部内の気体の排出経路となり前記基板クランプ面からベント部深さで後退したベント部と、
前記経路上において前記ベント部と前記吸引部との間に設けられ前記ベント部と連結され前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第１幅を有する第１中間キャビティと、
前記経路上において前記第１中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ、前記第１中間キャビティと連結され前記ベント部深さよりも深い第２中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第２幅を有し、前記第２幅は前記第１幅よりも狭い、第２中間キャビティと、
前記経路上において前記第２中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ前記経路を開閉する開閉部と、
を備え、
前記第１中間キャビティは、前記ベント部深さよりも深い第１中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退した、金型。
【請求項２】
前記ベント部は、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第３幅を有し、
前記第３幅は、前記第２幅よりも広い、請求項１記載の金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、金型に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば積層された複数の半導体素子を樹脂などにより封止した半導体装置などがある。このような半導体装置は、例えば、金型を用いたトランスファ成型装置により製造される。例えば、樹脂が適正に充填されないと、成型不良が生じる。成型性が良好な金型が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７２２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、成型性が良好な金型を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、金型は、基板クランプ面と、キャビティ部と、吸引部と、ベント部と、第１中間キャビティと、第２中間キャビティと、開閉部と、を含む。前記基板クラン面は、被処理基板の表面と接する。前記キャビティ部は、前記基板クランプ面から後退している。前記吸引部は、前記基板クランプ面から後退している。前記ベント部は、前記キャビティ部と前記吸引部との間の経路上に設けられ前記キャビティ部と連結され前記キャビティ部内の気体の排出経路となり前記基板クランプ面からベント部深さで後退している。前記第１中間キャビティは、前記経路上において前記ベント部と前記吸引部との間に設けられ前記ベント部と連結され前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第１幅を有する。前記第２中間キャビティは、前記経路上において前記第１中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ、前記第１中間キャビティと連結され前記ベント部深さよりも深い第２中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第２幅を有する。前記第２幅は前記第１幅よりも狭い。前記開閉部は、前記経路上において前記第２中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ前記経路を開閉する。前記第１中間キャビティは、前記ベント部深さよりも深い第１中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る金型及びトランスファ成型装置を例示する模式的断面図である。
【図３】実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図４】実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図５】実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図６】実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図７】実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図８】実施形態に係る別の金型を例示する模式的平面図である。
【図９】実施形態に係る別の金型を例示する模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
図１は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。  
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る金型及びトランスファ成型装置を例示する模式的断面図である。  
図１は、図２（ａ）の矢印ＡＡからみた平面図である。図２（ａ）は、図１のＡ１−Ａ２線断面に対応する断面図である。図２（ｂ）は、図１のＢ１−Ｂ２線断面に対応する断面図である。
【０００９】
図２（ａ）に示すように、実施形態に係る金型１０Ｍは、第１金型１０と、第２金型２０と、を含む。第１金型１０の主面１０ａは、第２金型２０の主面２０ａに対向するように配置される。図２（ａ）は、２つの金型が互いに離れている状態の例を示している。
【００１０】
この例では、第２金型２０の主面２０ａの上に、被処理物７０の被処理基板７１が配置される。被処理基板７１の上には、例えば、半導体チップ７２が設けられている。被処理基板７１及び半導体チップ７２は、製造される半導体装置の一部となる。
【００１１】
実施形態において、第１金型１０の上に被処理基板７１が配置され、その上に第２金型２０が配置されても良い。実施形態において、第１金型１０の位置と第２金型２０の位置とは、互いに入れ換えが可能である。
【００１２】
第２金型２０から第１金型１０に向かう方向をＺ軸方向とするＺ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１３】
２つの金型の間に被処理基板７１が配置され、２つの金型が閉じられた状態において、基板クランプ部の表面は、例えば、被処理基板７１に接する。
【００１４】
図２（ｂ）は、２つの金型が閉じられている状態を示している。  
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、第１金型１０は、基板クランプ面１１（基板クランプ部の表面）を有する。図２（ｂ）に示すように、第１金型１０と第２金型２０との間に被処理基板７１（被処理物７０）を配置したときに、基板クランプ面１１は、被処理基板７１の表面７１ａと接する。基板クランプ面１１と、第２金型２０の表面（主面２０ａ）と、により、被処理基板７１がクランプされる。
【００１５】
図２（ａ）に示すように、第１金型１０の主面１０ａに凹部が設けられる。凹部に樹脂４０が導入される。樹脂４０は、凹部の形状に応じた形状に加工されて、半導体装置が作製される。
【００１６】
この例では、第１金型１０の主面１０ａには、凹部として、カル部１０ｕと、ランナ１０ｒと、ゲート部１０ｇと、キャビティ部１０ｃと、ベント部１０ｖと、第１中間キャビティ１０ｄと、第２中間キャビティ１０ｆと、吸引部１０ｅと、が設けられている。これらの各部は、第１金型１０の主面１０ａの平坦部（基板クランプ面１１）から後退した領域である。これらの各部は、繋がっている。
【００１７】
この例では、第１金型１０には、開閉部１２が設けられている。開閉部１２は、例えば、シャットオフピンである。開閉部１２を動作させる駆動部１２ｄが設けられている。駆動部１２ｄによる開閉部１２の動作により、例えば、凹部が外部と繋がっている状態と、繋がっていない状態と、が形成される。
【００１８】
吸引部１０ｅは、吸引経路２０ｐの一端と繋がっている。吸引経路２０ｐの他端は、減圧装置（例えば排気ポンプなど、図示しない）に繋がっている。
【００１９】
２つの金型の間に被処理物７０が配置されて、これらの金型が近づけられ、２つの金型の一部どうしが接するようにセットされる。例えば、開閉部１２が開状態において、キャビティ部１０ｃ内の気体（例えば空気や樹脂４０からのアウトガス）が、ベント部１０ｖ、第１中間キャビティ１０ｄ、第２中間キャビティ１０ｆ、吸引部１０ｅ及び吸引経路２０ｐを介して、排出される。吸引部１０ｅは、例えば気体吸引部である。内部の気体が排出されたキャビティ部１０ｃに樹脂４０が導入される。この例では、吸引経路２０ｐは、第２金型２０に設けられている。実施形態において、吸引経路２０ｐは、第１金型１０に設けられても良い。
【００２０】
樹脂４０は、金型１０Ｍに設けられたポット部２３を介して導入される。この例では、ポット部２３は、第２金型２０に設けられている。実施形態において、ポット部２３は、第１金型１０に設けられても良い。ポット部２３から樹脂４０が充填される。
【００２１】
実施形態において、トランスファ成型装置１１０は、金型１０Ｍと、トランスファ部３１と、を含む。この例では、プランジャ３２が設けられている。この他、図示しない制御部が設けられても良い。制御部は、例えば、吸引部１０ｅを介しての金型１０Ｍ内の空間からの気体の排出の制御、及び、トランスファ部３１の動作に基づく樹脂４０の金型１０Ｍ内の空間への導入の制御を行う。
【００２２】
ポット部２３の少なくとも一部は、例えば、筒状である。ポット部２３の内部にプランジャ３２が配置される。プランジャ３２の端部に樹脂４０が配置される。トランスファ部３１は例えば、上下に（Ｚ軸方向に沿って）可動である。トランスファ部３１の動きにより、プランジャ３２が移動し、樹脂４０が金型１０Ｍ内（すなわち、第１金型１０と第２金型２０との間）に供給される。
【００２３】
例えば、開閉部１２が開状態において、樹脂４０は、カル部１０ｕに導入される。カル部１０ｕを通過した樹脂４０はランナ１０ｒを通過してゲート部１０ｇに到達する。その後、樹脂４０は、キャビティ部１０ｃに導入される。例えば、樹脂４０がベント部１０ｖを通過して、第１中間キャビティ１０ｄ及び第２中間キャビティ１０ｆに到達したときに、開閉部１２が、閉状態とされる。キャビティ部１０ｃ、ベント部１０ｖ、第１中間キャビティ１０ｄ及び第２中間キャビティ１０ｆは、略密閉空間となり、これらの各部内に、高い圧力により樹脂４０が充填される。ここで、略密閉空間とは、開閉部１２が可動となるために必要な開閉部１２と第１金型１０との間隙等、金型１０Ｍの構成部品間の微小な隙間を許容することを意味する。
【００２４】
このように、実施形態に係る金型１０Ｍ（この例では、第１金型１０）は、基板クランプ面１１と、キャビティ部１０ｃと、吸引部１０ｅと、ベント部１０ｖと、第１中間キャビティ１０ｄと、第２中間キャビティ１０ｆと、開閉部１２と、を含む。基板クランプ面１１は、被処理基板７１の表面７１ａと接する（図２（ｂ）参照）。キャビティ部１０ｃは、基板クランプ面１１から後退している（図２（ａ）参照）。吸引部１０ｅは、基板クランプ面１１から後退している（図２（ａ）参照）。
【００２５】
ベント部１０ｖは、キャビティ部１０ｃと吸引部１０ｅとの間の経路１０ｐ上に設けられる（図１及び図２（ａ）参照）。ベント部１０ｖは、キャビティ部１０ｃと連結され、キャビティ部１０ｃ内の気体の排出経路となる。キャビティ部１０ｃは、基板クランプ面１１からベント部深さＤｃで後退している（図２（ａ）参照）。
【００２６】
第１中間キャビティ１０ｄは、経路１０ｐ上において、ベント部１０ｖと吸引部１０ｅとの間に設けられる（図１及び図２（ａ）参照）。第１中間キャビティ１０ｄは、ベント部１０ｖと連結されている、第１中間キャビティ１０ｄは、基板クランプ面１１から後退している。第１中間キャビティ１０ｄは、第１幅Ｗ１（図１参照）を有する。第１幅Ｗ１は、吸引部１０ｅとキャビティ部１０ｃとを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で、基板クランプ面１１に沿う方向（Ｘ−Ｙ平面内の１つの方向）の幅である。この例では、第１幅Ｗ１は、Ｘ軸方向の長さである。第１中間キャビティ１０ｄは、第１中間キャビティ深さＤｄで、基板クランプ面１１から後退している（図２（ａ）参照）。この例では、第１中間キャビティ深さＤｄは、ベント部深さＤｖよりも深い。
【００２７】
第２中間キャビティ１０ｆは、経路１０ｐ上において、第１中間キャビティ１０ｄと吸引部１０ｅとの間に設けられる（図１及び図２（ａ）参照）。第２中間キャビティ１０ｆは、第１中間キャビティ１０ｄと連結される。第２中間キャビティ１０ｆは、基板クランプ面１１から後退している。第２中間キャビティ１０ｆは、第２幅Ｗ２（図１参照）を有する。第２幅Ｗ２は、吸引部１０ｅとキャビティ部１０ｃとを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で、基板クランプ面１１に沿う方向（Ｘ−Ｙ平面内の１つの方向）の幅である。この例では、第２幅Ｗ２は、Ｘ軸方向の長さである。実施形態において、第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１よりも狭い。第２中間キャビティ１０ｆは、第２中間キャビティ深さＤｆで、基板クランプ面１１から後退している。第２中間キャビティ深さＤｆは、ベント部深さＤｖよりも深い（図２（ａ）参照））。
【００２８】
開閉部１２（例えばシャットオフピン）は、経路１０ｐ上において、第２中間キャビティ１０ｆと吸引部１０ｅとの間に設けられる。開閉部１２は、例えば、上下動作及び回転動作の少なくともいずれかを行う。これにより、開閉部１２は、第２中間キャビティ１０ｆと吸引部１０ｅとの間の連通部分を開閉可能である。
【００２９】
例えば、浅いベント部１０ｖを設け、上記の深い中間キャビティを設けない第１参考例がある。第１参考例において、開閉部１２を開状態として、樹脂４０を金型１０Ｍのキャビティ部１０ｃに導入し、ベント部１０ｖを通過した後に開閉部１２を閉状態として、樹脂４０に高い圧力を印加する。開閉部１２において開状態から閉状態への切り替えのタイミングが不適切な場合は、例えば、樹脂４０の未充填、または、樹脂４０の漏れが生じる。この参考例においては、成型性が不十分な場合がある。
【００３０】
これに対して、実施形態においては、中間キャビティ（第１中間キャビティ１０ｄ及び第２中間キャビティ１０ｆ）が設けられる。例えば、第２中間キャビティ深さＤｆは、ベント部深さＤｖよりも深くされる。これにより、例えば、ベント部１０ｖを通過した樹脂４０の速度が、第２中間キャビティ１０ｆにおいては、遅くなる。これにより、適正な成型状態が得るための開閉部１２の切り替えのタイミングのマージンが拡大する。例えば、樹脂４０の未充填、または、樹脂４０の漏れが抑制できる。実施形態によれば、成型性が良好な金型を提供できる。
【００３１】
浅いベント部１０ｖを設け、上記のような第１中間キャビティ１０ｄ及び第２中間キャビティ１０ｆを設けない第１参考例において、浅いベント部１０ｖにおいては、経路の断面積が小さいため、ベント部１０ｖを介してのキャビティ部１０ｃ内の減圧が不十分になる場合がある。例えば、キャビティ部１０ｃにおいて、排気が局所的となりやすい。例えば、キャビティ部１０ｃ内の位置によって脱気が不十分になる場合がある。このため、キャビティ部１０ｃへの樹脂４０の充填性が部分的に悪くなる場合がある。
【００３２】
一方、浅いベント部１０ｖを設け、１種類の中間キャビティ（例えば幅が狭い第２中間キャビティ１０ｆ）を設けない第２参考例がある。中間キャビティの幅が狭いので、例えば、排気が局所的となりやすく、キャビティ部１０ｃ内の位置によって脱気が不十分になる場合がある。このため、キャビティ部１０ｃへの樹脂４０の充填性が部分的に悪くなる場合がある。
【００３３】
実施形態においては、浅いベント部１０ｖに加えて、幅が広い第１中間キャビティ１０ｄと、幅が狭い第２中間キャビティ１０ｆと、が設けられる。幅が広い第１中間キャビティ１０ｄにおいて、内部の気圧が面内で均一になり易い。これにより、キャビティ部１０ｃの内部の均一な脱気が容易になる。これにより、面内で充填性が均一に良好にできる。実施形態によれば、成型性が良好な金型を提供できる。
【００３４】
実施形態において、例えば、第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１の１／１００倍以上１／５倍以下が好ましい。１／１００倍未満の場合、第２幅Ｗ２が過度に狭くなり、例えば脱気が困難になる。１／５倍を超えると、第２幅Ｗ２が過度に広くなり、例えば、樹脂の漏れが生じやすくなる。
【００３５】
実施形態において、第１中間キャビティ１０ｄの第１中間キャビティ深さＤｄは、ベント部深さＤｖよりも深いことが好ましい。これにより、例えば、ベント部１０ｖを通過した樹脂４０の速度が、第２中間キャビティ１０ｆにおいては、遅くなる。これにより、適正な成型状態が得るための開閉部１２の切り替えのタイミングのマージンが拡大する。例えば、樹脂４０の未充填、または、樹脂４０の漏れが抑制できる。
【００３６】
実施形態において、ベント部１０ｖの第３幅Ｗ３（図２（ａ）参照）は、第２中間キャビティ１０ｆの第２幅Ｗ２よりも広いことが好ましい。第３幅Ｗ３は、吸引部１０ｅとキャビティ部１０ｃとを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で、基板クランプ面１１に沿う方向（Ｘ−Ｙ平面内の１つの方向）の幅である。この例では、第３幅Ｗ３は、Ｘ軸方向の長さである。第３幅Ｗ３が第２幅Ｗ２よりも広いことで、キャビティ部１０ｃからの脱気が効率的に行われる。例えば、第３幅Ｗ３は、第１幅Ｗ１と実質的に同じでも良い。
【００３７】
実施形態において、例えば、第２幅Ｗ２は、第３幅Ｗ３の１／１００倍以上１／５倍以下が好ましい。１／１００倍未満の場合、第２幅Ｗ２が過度に狭くなり、例えば脱気が困難になる。１／５倍を超えると、第２幅Ｗ２が過度に広くなり、例えば、樹脂の漏れが生じやすくなる。
【００３８】
実施形態において、ゲート部１０ｇが設けられる場合、ゲート部１０ｇは、ベント部１０ｖの深さよりも深くされる。すなわち、金型１０Ｍ（第１金型１０）は、基板クランプ面１１からゲート部深さＤｇで後退したゲート部１０ｇをさらに含む（図２（ａ）参照）。ゲート部１０ｇとベント部１０ｖとの間の少なくとも一部にキャビティ部１０ｃが設けられる。ベント部深さＤｖは、ゲート部深さＤｇよりも浅い。
【００３９】
以下、トランスファ成型装置１１０の動作の例について説明する。  
図３〜図７は、実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。  
図３に示すように、第１金型１０と第２金型２０との間に、被処理物７０を配置して、これらの金型を閉じる。そして、これらの金型の間の空間を減圧する。
【００４０】
図４に示すように、トランスファ部３１の駆動により、プランジャ３２が上方に移動する。これにより、樹脂４０は、キャビティ部１０ｃ内に供給される。
【００４１】
図５に示すように、樹脂４０がキャビティ部１０ｃ及びベント部１０ｖを通過して、第１中間キャビティ１０ｄに到達する。さらに、樹脂４０は、第２中間キャビティ１０ｆに到達する。
【００４２】
図６に示すように、この状態を検出し、開閉部１２（シャットオフピン）を閉状態とする。
【００４３】
図７に示すように、開閉部１２が閉状態において、樹脂４０をさらに供給する。樹脂４０は、第２中間キャビティ１０ｆに充填される。高い充填圧力を加えながら、樹脂４０を熱硬化させる。
【００４４】
例えば、コストダウンを目的として、ＴＳＶを含むチップ積層間のギャップに充填しているアンダーフィル樹脂を廃止し、モールド樹脂で一括充填することが考えられる。例えば、金型のキャビティ内を減圧しながら樹脂を充填し、充填完了の直前でシャットオフピンを作動させる方法がある。しかしながら、狭いギャップを充填するために樹脂の粘度を低下させた場合には、このような方法を用いても、樹脂漏れまたは未充填が発生し易い。  実施形態においては、シャットオフピン手前で、樹脂をせき止める部分（ベント部１０ｖ）を設けることで、シャットオフピンが作動するのを遅延させることができる。そして、ベント部１０ｖとシャットオフピンとの間に、第１中間キャビティ１０ｄ及び第２中間キャビティ１０ｆを設けることで、チャットオフピンの動作のタイミングのマージンを広げることができる。そして、幅が広い第１中間キャビティ１０ｄと、幅が狭い第２中間キャビティ１０ｆを設けることで、キャビティ部１０ｃの内部の均一な脱気が容易になる。これにより、面内で充填性が均一に良好にできる。
【００４５】
図８は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。  
図８に示すように、実施形態に別の金型１０Ｍａにおいても、第１中間キャビティ１０ｄ、第２中間キャビティ１０ｆ、吸引部１０ｅ及び開閉部１２が設けられている。金型１０Ｍａにおいては、第３幅Ｗ３は、第１幅Ｗ１よりも広い。これ以外は、金型１０Ｍと同様である。金型１０Ｍａにおいても、第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１よりも狭い。金型１０Ｍａにおいても、良好な成型性が得られる。
【００４６】
図９は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。  
図９に示すように、実施形態に別の金型１０Ｍｂにおいても、第１中間キャビティ１０ｄ、第２中間キャビティ１０ｆ、吸引部１０ｅ及び開閉部１２が設けられている。金型１０Ｍｂにおいては、１つのキャビティ部１０ｃに対して、複数の吸引部１０ｅ及び複数の第２中間キャビティ１０ｆが設けられている。そして、第１中間キャビティ１０ｄ、複数の第２中間キャビティ１０ｆのそれぞれに設けられている。金型１０Ｍｂにおいても、第３幅Ｗ３は、第１幅Ｗ１よりも広い。これ以外は、金型１０Ｍと同様である。金型１０Ｍｂにおいても、第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１よりも狭い。金型１０Ｍｂにおいても、良好な成型性が得られる。
【００４７】
上記の金型１０Ｍ、１０Ｍａ及び１０Ｍｂにおいて、第２中間キャビティ１０ｆから第１中間キャビティ１０ｄに向けた方向において、幅が拡大しても良い。幅は、連続的に拡大しても良い。
【００４８】
実施形態によれば、成型性が良好な金型を提供できる。
【００４９】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、金型に含まれるキャビティ部、ベント部、中間キャビティ、吸引部、基板クランプ部及び開閉部、並びに、トランスファ成型装置に含まれるトランスファ部、センサ部及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００５０】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００５１】
その他、本発明の実施の形態として上述した金型を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての金型も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００５２】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００５３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１０…第１金型、  １０Ｍ、１０Ｍａ、１０Ｍｂ…金型、  １０ａ…主面、  １０ｃ…キャビティ部、  １０ｄ…第１中間キャビティ、  １０ｅ…吸引部、  １０ｆ…第２中間キャビティ、  １０ｇ…ゲート部、  １０ｐ…経路、  １０ｒ…ランナ、  １０ｕ…カル部、  １０ｖ…ベント部、  １０ｘ…中間ベント部、  １１…基板クランプ面、  １２…開閉部、  １２ｄ…駆動部、  ２０…第２金型、  ２０ａ…主面、  ２０ｐ…吸引経路、  ２３…ポット部、  ３１…トランスファ部、  ３２…プランジャ、  ４０…樹脂、  ７０…被処理物、  ７１…被処理基板、  ７１ａ…表面、  ７２…半導体チップ、  １１０…トランスファ成型装置、  ＡＡ…矢印、  Ｄｃ…ベント部深さ、  Ｄｄ…第１中間キャビティ深さ、  Ｄｆ…第２中間キャビティ深さ、  Ｄｇ…ゲート部深さ、  Ｄｖ…ベント部深さ、  ＰＡ…一部、  Ｗ１〜Ｗ３…第１〜第３深さ
【図１】
0006499105.tif 000002
【図２】
0006499105.tif 000003
【図３】
0006499105.tif 000004
【図４】
0006499105.tif 000005
【図５】
0006499105.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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