(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体配線と、第一の主面と、前記第一の主面の下方に位置する第二の主面と、を有する支持体を準備する工程と、
前記支持体の前記第一の主面上に発光素子をフリップチップ実装し、前記第二の主面上に基板を備えた保護素子をフリップチップ実装する工程と、
前記保護素子の基板の少なくとも一部を除去する除去工程と、
をこの順に有し、
前記フリップチップ実装する工程において、前記基板を備えた前記保護素子の上面は前記第一の主面の上方に位置し、
前記除去工程後の前記基板の少なくとも一部を除去した前記保護素子の上面は前記第一の主面の下方に位置し、
前記除去工程後の保護素子は前記発光素子の厚みよりも薄いことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記発光装置の製造方法は、前記除去工程後、前記保護素子に光反射部材を塗布する工程を有する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記発光装置の製造方法は、前記除去工程後、前記保護素子に光反射部材を印刷する工程を有する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記発光装置の製造方法は、前記除去工程後、前記保護素子に光反射部材を電着する工程を有する請求項１に記載の発光装置の製造方法
【請求項５】
前記除去工程は、レーザーリフトオフ法を用いる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体発光素子（以下、単に発光素子とも言う）を用いた照明装置等が種々開発されており、高信頼性の要求が高まっている。高信頼性の１つである異常電流や異常電圧に対する耐性を高めるために、保護素子を発光素子とともに発光装置内に設けた発光装置が提案されている。保護素子を設けることで大過電圧、サージ電流等から発光素子の破壊を防止することができる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、発光素子と保護素子の電極が金線などのワイヤを介することなく、接触または導電性接着剤により支持体と電気接続することで、異常電流や異常電圧に対して破壊しにくい発光装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−５４８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された発光装置では、保護素子が発光素子からの光を吸収してしまうので、出力が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、保護素子による光吸収を抑制可能な発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光装置は、導体配線を有する支持体と、支持体上に載置された発光素子と、支持体上に載置された、基板の少なくとも一部が除去され、発光素子よりも厚みの薄い保護素子とを有する。
または、発光装置は、導体配線を有する支持体と、支持体上に載置された発光素子と、支持体上に載置された保護素子とを有し、発光素子と保護素子は両方とも基板の少なくとも一部が除去される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、保護素子による光吸収を抑制可能な発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る発光装置の概略図である。（a）実施の形態１に係る発光装置１００の概略平面図である。（b）発光装置１００の概略側面図である。（c）発光装置１００の保護素子３０の基板除去前の概略側面図である。
【図２】実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する概略図である。（a）発光装置１００の概略平面図である。（b）支持体準備工程後のA-A断面における概略断面図である。（c）発光素子、保護素子載置工程後のA-A断面における概略断面図である。（d）保護素子の基板除去工程後のA-A断面における概略断面図である。
【図３】実施の形態２に係る発光装置の概略図である。（a）発光装置２００の概略平面図である。（b）発光装置２００のB-B断面における概略断面図である。（c）発光装置２００の保護素子３０の基板除去前のB-B断面における概略断面図である。
【図４】実施の形態３に係る発光装置３００の概略図である。（a）発光装置３００の概略平面図である。（b）発光装置３００のC-C断面における概略断面図である。
【図５】実施の形態４に係る発光装置の概略図である。（a）発光装置４００の概略平面図である。（b）発光装置４００のD-D断面における概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本願においては、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。以下の説明において、同一の名称、符号については同一又は同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。一実施例及び一実施形態において説明された内容は、他の実施例及び実施形態等に利用可能である。
【００１１】
実施の形態１に係る発光装置は、支持体と、発光素子と、保護素子とを備える。この発光装置は、サイドビュータイプ及びトップビュータイプのいずれでもよいが、特にトップビュータイプの発光装置とすることが好ましい。
【００１２】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。各図面は概略図であり、そこに示された配置、寸法、比率、形状等は実際と異なる場合がある。
【００１３】
＜実施の形態１＞
図１（a）は、実施の形態１に係る発光装置１００の概略平面図である。図１（b）は発光装置１００の概略側面図である。図１（c）は発光装置１００の保護素子３０の基板除去前の概略側面図である。
本実施形態に係る発光装置１００は、導体配線４０ａ、４０ｂが配された支持体１０と、支持体１０上に電気的に接続されるように載置された発光素子２０と保護素子３０を有し、保護素子３０は基板の一部が除去されて、発光素子２０よりも厚みが薄くされている。
【００１４】
保護素子３０の基板の一部が除去されていることから、基板の除去前と比較して保護素子３０の体積は小さくなっている。これにより、発光素子２０から横方向に出射される光が保護素子３０によって吸収されることを抑制することができる。
【００１５】
さらに保護素子３０の厚みは発光素子２０よりも薄いことを特徴としているので、配光特性への影響も低減されている。
【００１６】
また、支持体１０の同一平面上に発光素子２０と保護素子３０を載置することができるため、薄型の発光装置を作製することができる。  
【００１７】
以下、発光装置の構成材料について詳述する。
【００１８】
（支持体１０）
発光装置は、発光素子を載置するための支持体を備えている。
支持体は、通常、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス（ＨＴＣＣ、ＬＴＣＣ）などの絶縁性材料、絶縁性材料と金属部材との複合材料等によって形成される。支持体は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックス又は熱硬化性樹脂を利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられる。これらのセラミックス材料に、例えば、ＢＴレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせて形成された支持体でもよい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、トリアジン誘導体エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステルなどを利用することができる。なかでも、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を用いることがより好ましい。
【００１９】
支持体の形状は、特に限定されるものではなく、平板、凹凸部を有したもの、発光素子から横方向に出射される光を上方に効率的に取り出すためのリフレクタを有したもの等いずれでもよい。なお保護素子の光吸収を更に低減させたい場合は、後述する実施の形態２である図３（ａは平面図、ｂは断面図、ｃは保護素子の基板除去前の断面図）に示すような発光素子を載置する第一の主面と、保護素子を載置する第二の主面とを有し、第一の主面が第二の主面より上方に位置することが好ましい。これにより発光素子から横方向に出射される光が保護素子に吸収されることを抑制させることができる。また保護素子の厚みが、基板を除去した分薄いので第一の主面と第二の主面の高さの差が小さくても発光素子から横方向に出射された光が保護素子の側面に当たらないようにすることができる。
【００２０】
（導体配線４０ａ、４０ｂ）
支持体は、その表面及び／又は内部に発光素子と接続される導体配線を有する。導体配線としては、支持体に配置される配線パターン及びリードフレームなどが挙げられる。配線パターンは、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等によって形成することができる。また、配線パターンが表面に配置される場合には、載置される発光素子からの光を効率よく取り出すために、その表面が銀又は金などの反射率の高い材料で覆われているのが好ましい。また、配線パターンは、支持体表面又は内部において、屈曲、変形していてもよい。配線パターンの厚みは、例えば、１μｍ〜５００μｍが挙げられる。
【００２１】
リードフレームは、例えば、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、銅合金、ステンレス鋼、インバー合金等によって形成することができる。異種の金属をクラッドしたクラッド材であってもよい。これらのリードフレームは、表面を金、銀、ニッケル、パラジウム又はそれらの合金などでメッキすることが好ましい。リードフレームの厚みは、例えば、１０μｍ〜１０００μｍが挙げられる。
【００２２】
なお、導体配線は、発光素子及び保護素子を電気的に接続されるもののみならず、発光素子又は保護素子を載置する、放熱性を向上させるなど、他の機能を付与するためにも利用することができる。従って、支持体は、正負一対の導体配線のみならず、複数の正極側配線、負極側配線を有していてもよい。
【００２３】
（発光素子２０）
本実施形態で用いられる発光素子は、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子を意味する。なかでも、基板上に、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体による発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。なお発光装置を更に薄型にさせたい場合は、後述する実施の形態３である図４に示すように発光素子の基板も少なくとも一部を除去させることが好ましい。これにより、発光素子と保護素子の両方の厚みが薄くなるので、発光装置を更に薄型化させることができる。この場合は発光素子の厚みが、保護素子の厚みより薄くなることがある。ただし、基板を除去していない保護素子を載置した場合と比較すると、保護素子による光吸収は抑制されている。
【００２４】
発光素子は、対向する面に正負電極がそれぞれ形成されたものであってもよく、同一面側に正負電極がともに形成されていてもよい。正負電極は、１つずつ形成されていてもよいし、それぞれ２つ以上形成されていてもよい。
【００２５】
電極は、その材料、膜厚、構造において、特に限定されず、金、銅、鉛、アルミニウム又はこれらの合金を含む単層構造又は積層構造のいずれでもよい。また、各電極の表面には、パッド電極として、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ等の金属又は合金の単層膜又は積層膜を形成してもよい。電極の膜厚は特に限定されないが、なかでも、最終層（最も表面側）にＡｕが配置され、その膜厚が１００ｎｍ程度以上であることが好ましい。
【００２６】
同一面側に正負の電極を有する発光素子を用いる場合は、フェイスアップ実装及びフリップチップ実装のいずれの形態でもよいが、フリップチップ実装されていることが好ましい。この場合、ワイヤーボンドが不要となったり、レーザーリフトオフ法等により発光素子の基板を除去できたりするので、より薄型の発光装置とすることができる。
【００２７】
対向する面にそれぞれ正負電極を有する発光素子を用いる場合は、一方の電極が形成された面を支持体の導体配線に載置し、もう一方の電極をワイヤを介して支持体と極性が反対の導体配線と電気的に接続する。
発光素子の基板には成長用基板と貼り合わせ用基板とがあり、安価に製造することができることから成長用基板を用いることが好ましい。成長用基板とは半導体層を成長させる時に下地になる基板のことである。貼り合わせ用基板とは成長用基板に半導体層を成長させた後、成長用基板から切り離した半導体層を貼り付ける別の基板のことである。
発光素子の厚みは特に限定されないが、１０μｍ〜１０００μｍのものを使用することが好ましく、薄型化の観点から１０μｍ〜５００μｍが特に好ましい。また、発光素子の厚みとは半導体層の厚みと基板の厚みの合計のことであり、発光素子上に形成される電極部は含んでいない。
【００２８】
本実施形態の発光装置では、発光素子は、１つの発光装置において１つのみ載置されているが、複数載置されていてもよい。発光素子が複数載置されている場合には、並列、直列又はこれらの組み合わせなど、接続形態は特に限定されない。複数載置することによって発光面積を大きくすることができ、光束を向上させることができる。
【００２９】
（保護素子３０）
本実施形態の保護素子は発光素子に対して逆並列に電気接続されており、基板の少なくとも一部が除去されてなる。保護素子の基板とは、発光素子の基板と同様に成長用基板と貼り合わせ用基板とがある。成長用基板とは半導体層を作製する時に下地になる基板のことである。例えば、サファイア上にＧａＮをエピタキシャル成長した場合は、サファイアが成長用基板である。また熱拡散法やイオン注入によりシリコン内にｐｎ接合を形成すれば、シリコンが成長用基板である。また、発光素子と同様に成長用基板に半導体層を成長させた後、成長用基板から切り離した半導体層を貼り付ける別の基板のことが貼り合わせ用基板である。
【００３０】
保護素子は特に限定されず、基板を有するものであればどんなものでもよい。同一面側に正負の電極を有する場合は、発光素子同様にフリップチップ実装されていることが好ましい。この場合、レーザーリフトオフ法、ケミカルリフトオフ法等により保護素子の基板を除去するのが容易になる。ただし、基板を除去する方法も特に限定されず、研磨、レーザーリフトオフ法等基板の少なくとも一部を除去できるのであればどのような手法でもよい。対向する面に正負電極がそれぞれ形成された保護素子の場合は、基板除去後に電極を形成し、発光素子と同様にワイヤを介して電気的に接続する。また、保護素子の体積が小さくなればなるほど光吸収を抑制することができるので、基板の全てが除去されたものが好ましい。ここでの基板の除去とは、保護素子を支持体に載置後に除去することであり、載置前の基板の研磨等は含んでいない。
【００３１】
例えば、保護素子がサファイア上に形成された窒化物半導体である場合、保護素子の厚みは１０〜２３０μm程度である。保護素子の厚みとは、半導体層の厚みと基板の厚みの合計であり、保護素子上に形成される電極は含んでいない。半導体層の厚みは通常１〜３０μｍ程度である。基板の厚みが、例えば、５０〜２００μｍとすると基板を除去することで、保護素子の厚みを約１０分の１まで小さくすることができる。これにより、保護素子による発光素子の光吸収を抑制できる。
【００３２】
なお、ここでいう保護素子とは、大過電圧、サージ電流等から発光素子の破壊を防止するものである。具体的には、過熱、過電圧、過電流、保護回路、静電保護素子等が挙げられる。搭載される保護素子は、１つでもよいし、２つ以上の複数個でもよい。
【００３３】
（光反射部材５０）
保護素子は、任意に光反射部材で埋設されていてもよい。光反射部材が保護素子を被覆することにより、発光素子からの光が保護素子に吸収されることを抑制することができる。埋設する手法は塗布、印刷、電着等どのような手法を用いてもよい。
光反射部材は、少なくとも保護素子の一部を被覆していればよい。本実施形態の保護素子は基板を除去した分薄くなっているので、基板を除去していない保護素子を被膜する場合と比較して少ない量の光反射部材で埋設することができる。また、基板を除去していない保護素子を埋設した場合よりも、光反射部材の高さが保護素子の基板分低くなるので、配光特性に与える影響を小さくすることができる。
【００３４】
光反射部材は、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上である反射性材料、さらに、７０％、８０％又は９０％以上の反射性材料で形成されているものが好ましい。
反射性材料は、例えば、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等により形成することができる。なかでも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。
【００３５】
樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。具体的には、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変成エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。
【００３６】
また、これら材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）などの光反射部材、光散乱材又は着色剤等を含有させることが好ましい。ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボンブラック等の無機フィラー、放熱性の高い材料（例えば、窒化アルミ等）を含有させてもよい。これらの光反射部材等は、例えば、透光層の全重量に対して５〜６０％程度で含有することができる。
【００３７】
（透光層６０）
発光素子と保護素子は、任意に透光層で被覆されていてもよい。透光層は、発光素子から出射される光を通過させる層であり、発光素子から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような層は、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変成樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、あるいはガラス等により形成することができる。また、透光層にレンズ機能をもたせる場合は、透光層の表面を盛り上がらせて砲弾形状や凸レンズ形状としてもよい。
【００３８】
透光層には、蛍光体や拡散材などが含有されていてもよい。
（蛍光体）
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系やＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる場合、青色光によって励起され、赤色発光する蛍光体（例えば、ＫＳＦ系蛍光体）と、緑色発光する蛍光体（例えば、βサイアロン蛍光体）を用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げることができる。また、照明等に用いられる場合、青緑色に発光する素子と赤色蛍光体とを組み合わせて用いることができる。
【００３９】
蛍光体は、例えば、中心粒径が５０μｍ以下であるものが好ましい。中心粒径は、市販の粒子測定器又は粒度分布測定器等によって測定及び算出することができる。特に、蛍光体としてＹＡＧ等を用いる場合には、これらの超微粒子を極めて均一に分散して焼結されたバルク体（例えば、板状体）であることが好ましい。このような形態によって、単結晶構造及び／又は多結晶構造として、ボイド、不純物層を低減することによって高度な透明性を確保することができる。
【００４０】
また、蛍光体は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。これらの材料としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳｘＳｅ１−ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。このような蛍光体は、例えば、粒径１〜２０ｎｍ程度（原子１０〜５０個）程度が挙げられる。このような蛍光体を用いることにより、内部散乱を抑制することができ、光の透過率をより一層向上させることができる。なお、量子ドット蛍光体は、不安定であるため、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの樹脂で表面修飾又は安定化してもよい。これらは透明樹脂（例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）に混合され成形されたバルク体（例えば、板状体）であってもよいし、ガラス板の間に透明樹脂とともに封止された板状体であってもよい。
【００４１】
（製造方法）
本実施形態の発光装置１００の製造方法について図２を用いて説明する。
【００４２】
（支持体準備）
まず、図２（b）のように、支持体上に正負一対の導体配線４０ａ、４０ｂを有する支持体１０を準備する。導体配線４０ａ、４０ｂは、公知の方法で支持体の表面や支持体の内部に公知の方法で形成することができる。
（発光素子、保護素子載置工程）
次に、図２（c）のように発光素子２０と保護素子３０を導体配線４０ａ、４０ｂ上に載置し電気接続させる。この時、発光素子２０と保護素子３０は逆並列に電気接続する。載置方法は、フェイスアップ実装やフリップチップ実装がある。図２（c）に示すように、発光素子２０、保護素子３０ともにフリップチップ実装することにより、導体配線４０ａ、４０ｂと電気接続を取ることができるため好ましい。
（保護素子の基板除去工程）
続いて、図２（d）のように保護素子３０の基板を除去する。除去方法は研磨、レーザーリフトオフ法、ケミカルリフトオフ法等がある。載置時にフリップチップ実装されているとレーザーリフトオフ法、ケミカルリフトオフ法により保護素子の基板を除去できる。除去工程により保護素子３０の体積が小さくなるので、発光素子からの光吸収を抑制することができる。
（保護素子を光反射部材で埋設する工程）
除去工程後に、後述する実施の形態４である図５のように保護素子３０を光反射部材５０で埋設させてもよい。埋設方法は、塗布、印刷、電着等がある。例えば塗布や印刷の場合は、光反射部材５０として樹脂で埋設するのが好ましい。ノズルを用いて光反射部材５０を塗布して保護素子３０を埋設してもよいし、保護素子３０の位置に開口部を有するマスクを用いて光反射部材５０を印刷して保護素子３０を埋設してもよい。他にも電着により光反射部材５０で保護素子３０を埋設してもよい。具体的には電気泳動技術を用いて保護素子３０の周りに光反射部材５０を配置させることで埋設できる。また、電着によって埋設することで光反射部材５０の厚みを均一にすることができる。光反射部材５０には二酸化チタン、ジルコニア、アルミナなど光反射率が高いものが好ましい。
【００４３】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係る発光装置２００について説明する。なお、実施の形態１に係る発光装置と重複する構成については説明を省略する。実施の形態２は、図３（ａは平面図、ｂは断面図、cは保護素子の基板除去前の断面図）に示すように支持体１０が発光素子２０を載置する第一の主面と、保護素子３０を載置する第二の主面とを有し、第一の主面が第二の主面より上方に位置することを特徴としている。これにより、より保護素子３０の光吸収を抑制した発光装置２００を提供することができる。第一の主面と第二の主面の高さの差が、保護素子の基板を除去した厚み分小さくても同等の効果が得られるので、発光装置の薄型化も可能である。また、発光素子からの横方向の光吸収を抑制するためには、第一の主面と第二の主面の高さの差は保護素子３０の高さ以上が好ましい。このため、実施の形態２では第一の主面と第二の主面の高さの差が除去した保護素子の基板分厚みが薄くなっているので、発光装置を薄型化できる。また、透光層６０については任意であり、実施の形態２のように発光素子２０と保護素子３０を被覆していてもよい。
【００４４】
（実施の形態３）
実施の形態３に係る発光装置３００について説明する。なお、実施の形態１、２に係る発光装置と重複する構成については説明を省略する。実施の形態３では、図４（ａは平面図、ｂは断面図）に示すように発光素子２０の基板の少なくとも一部が除去されていることを特徴としている。これにより、より薄型化が可能な発光装置３００を提供することができる。発光素子２０の載置方法はフリップチップ実装が好ましく、発光素子２０の基板除去も保護素子３０の基板除去同様にレーザーリフトオフ法、ケミカルリフトオフ法等がある。発光素子、保護素子の両方とも基板を除去しているので、発光素子が保護素子より厚みが薄くなることがある。ただし、保護素子の体積は除去した基板分小さくなっているので、従来の基板を除去していない保護素子の場合と比較すると光吸収は少なくなっている。また、発光素子の基板も保護素子の基板と同様に全てが除去されているのが好ましい。
【００４５】
（実施の形態４）
実施の形態４に係る発光装置について説明する。なお、実施の形態１〜３に係る発光装置と重複する構成については説明を省略する。実施の形態４では、図５（ａは平面図、ｂは断面図）に示すように保護素子３０が光反射部材５０で埋設されていることを特徴としている。これにより、より保護素子３０による光吸収を抑えた発光装置４００を提供することができる。実施の形態４と基板を除去していない保護素子３０を光反射部材５０で埋設する場合とを比較すると、基板の分だけ厚みが薄くなるので、配光特性への影響も低減されたり、保護素子３０を埋設するために必要な光反射部材５０も少なくなったりする。保護素子３０を埋設する方法は、塗布、印刷、電着等公知の方法を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１０…支持体
２０…発光素子
３０…保護素子
４０ａ，４０ｂ…導体配線
５０…光反射部材
６０…透光層
１００，２００，３００，４００…発光装置
【図１】
0006592886.tif 000002
【図２】
0006592886.tif 000003
【図３】
0006592886.tif 000004
【図４】
0006592886.tif 000005
【図５】
0006592886.tif 000006