(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状のセラミックプレートに静電電極が埋設された構造を有し、前記セラミックプレートに載置される前記セラミックプレートよりも小径のウエハをジョンソン・ラーベック力により吸着する静電チャックであって、
少なくとも前記セラミックプレートの表面のうち前記静電電極の外周縁に対応する位置から前記セラミックプレートに載置される前記ウエハの外周縁の内側までの環状領域に、前記セラミックプレートよりも電気抵抗の大きい絶縁膜を有する、
静電チャック。
【請求項２】
前記環状領域は、前記セラミックプレートの表面のうち前記セラミックプレートの外周縁から前記セラミックプレートに載置される前記ウエハの外周縁の内側までの領域である、
請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の静電チャックであって、
前記セラミックプレートの表面に前記ウエハを載置するための円形凸部を有し、
前記円形凸部は、前記円形凸部に前記ウエハが載置されたときに前記ウエハの外周縁が前記円形凸部から外側にはみ出すように設けられ、
前記絶縁膜は、前記セラミックプレートの表面のうち前記円形凸部の外側に設けられている、
静電チャック。
【請求項４】
請求項３に記載の静電チャックであって、
前記円形凸部の外周に沿って円周溝を有し、
前記円周溝は、前記円形凸部に載置された前記ウエハの外周縁が前記円周溝の上方空間に位置するように設けられている、
静電チャック。
【請求項５】
請求項４に記載の静電チャックであって、
前記セラミックプレートの表面のうち前記円周溝の外側に円周バンクを有する、
静電チャック。
【請求項６】
前記絶縁膜は、前記セラミックプレートの側面にも設けられている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ウエハをジョンソン・ラーベック力により吸着して保持する静電チャックが知られている。こうした静電チャックは、通常、ＡｌＮセラミックプレートに静電電極が埋設されており、静電電極に電圧を印加すると、ＡｌＮセラミックプレートで発生した電荷がＡｌＮセラミックプレートの最表面に移動し、その最表面の電荷に対してウエハの裏面に反対の極性の電荷が生じ、その結果、ウエハがＡｌＮセラミックプレートに強く吸着される。こうした静電チャックは、例えば特許文献１に示されている。特許文献１の静電チャックは、静電電極が埋設されたＡｌＮセラミックプレートの表面の最外周に円周バンクを有している。セラミックプレートの表面のうち円周バンクの内側には、ウエハを載置するための円形凸部が設けられている。円形凸部の直径はウエハの直径より小さい。円周バンクの内周縁はウエハよりも僅かに大きく形成されているため、円形凸部にウエハを載置する際、ウエハは円周バンクにガイドされるため、円周バンクの内周縁とウエハとの隙間が所定のクリアランスの範囲内に収まる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２５６７８９号公報（図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
こうした静電チャックを用いてウエハの表面に導電膜を堆積させると、セラミックプレートの表面のうちウエハに覆われていない部分（露出面）にも導電膜が堆積する。ウエハが導電膜を介してＡｌＮセラミックプレートと繋がってしまうと、ウエハとセラミックプレートの表面とが同電位となるため十分なジョンソン・ラーベック力が発現しなくなり吸着力が低下する。【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、ジョンソン・ラーベック力の発現を維持し続けることを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の静電チャックは、
円板状のセラミックプレートに静電電極が埋設された構造を有し、前記セラミックプレートに載置される前記セラミックプレートよりも小径のウエハをジョンソン・ラーベック力により吸着する静電チャックであって、
少なくとも前記セラミックプレートの表面のうち前記静電電極の外周縁に対応する位置から前記セラミックプレートに載置される前記ウエハの外周縁の内側までの環状領域に、前記セラミックプレートよりも電気抵抗の大きい絶縁膜を有する、
ものである。【０００７】
この静電チャックを用いてウエハの表面に導電膜を堆積させると、セラミックプレートの表面のうちウエハの外側の領域にも導電膜が堆積する。その場合、ウエハの表面に堆積した導電膜とセラミックプレートの表面に堆積した導電膜とが電気的に繋がったとしても、セラミックプレートの表面に堆積した導電膜のうち少なくとも静電電極の直上部分は絶縁膜によってセラミックプレートから電気的に絶縁されている。そのため、ウエハとセラミックプレートの表面のうち静電電極の直上部分とは同電位にならない。また、導電膜を堆積させたウエハを新たなウエハと交換したときに、セラミックプレートの絶縁膜上に堆積した導電膜にウエハの外周縁が載ることがある。静電電極に電圧を印加したとき、もし絶縁膜がなければウエハとセラミックプレートの表面のうち静電電極の直上部分とが導電膜を介して同電位になってしまうが、ここでは絶縁膜が存在しているためウエハとセラミックプレートの表面のうち静電電極の直上部分とは同電位にならない。したがって、静電チャックはジョンソン・ラーベック力を発現し続けることができる。なお、ウエハとセラミックプレートの表面のうち静電電極の直上部分よりも外側の部分とが導電膜を介して同電位になったとしても、ウエハとセラミックプレートの表面のうち静電電極の直上部分とは電位差が生じるため、ジョンソン・ラーベック力を発現し続けることができる。【０００８】
本発明の静電チャックにおいて、前記環状領域は、前記セラミックプレートの表面のうち前記セラミックプレートの外周縁から前記セラミックプレートに載置される前記ウエハの外周縁の内側までの領域としてもよい。こうすれば、絶縁膜はセラミックプレートの表面のうちセラミックプレートの外周縁からセラミックプレートに載置されるウエハの外周縁の内側まで設けられているため、ウエハとセラミックプレートの表面とは同電位にならない。したがって、静電チャックはジョンソン・ラーベック力をより確実に発現し続けることができる。【０００９】
本発明の静電チャックは、前記セラミックプレートの表面に前記ウエハを載置するための円形凸部を有し、前記円形凸部は、前記円形凸部に前記ウエハが載置されたときに前記ウエハの外周縁が前記円形凸部から外側にはみ出すように設けられ、前記絶縁膜は、前記セラミックプレートの表面のうち前記円形凸部の外側に設けられていてもよい。このとき、絶縁膜の表面よりも円形凸部の表面（ウエハ載置面）の方が高くなっていてもよい。こうすれば、ウエハの表面に堆積した導電膜とセラミックプレートの絶縁膜表面に堆積した導電膜とは、ウエハ載置面と絶縁膜表面との段差によって電気的に独立した状態が維持されやすい。そのため、静電チャックはより確実にジョンソン・ラーベック力を発現し続けることができる。【００１０】
前記円形凸部を備えた本発明の静電チャックは、前記円形凸部の外周に沿って円周溝を有し、前記円周溝は、前記円形凸部に載置された前記ウエハの外周縁が前記円周溝の上方空間に位置するように設けられていてもよい。こうすれば、ウエハの表面に堆積した導電膜とセラミックプレートの絶縁膜表面に堆積した導電膜とは、円周溝の存在によって電気的に独立した状態がより維持されやすくなる。そのため、静電チャックはより確実にジョンソン・ラーベック力を発現し続けることができる。【００１１】
円周溝を備えた本発明の静電チャックは、前記セラミックプレートの表面のうち前記円周溝の外側に円周バンクを有していてもよい。こうすれば、円形凸部に載置されたウエハが大きくズレたり円形凸部から落ちたりするのを防止することができる。【００１２】
本発明の静電チャックにおいて、前記絶縁膜は、セラミックプレートの側面にも設けられていてもよい。こうすれば、セラミックプレートの側面に導電膜が付いたとしても、ウエハとセラミックプレートとがその導電膜を介して同電位になるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】静電チャック１０の斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】ウエハＷに導電膜Ｆ１を堆積させた様子を示す断面図。
【図４】絶縁膜１４上の導電膜Ｆ２にウエハＷが載った様子を示す断面図。
【図５】静電チャック２０の斜視図。
【図６】図５のＢ−Ｂ断面図。
【図７】ウエハＷに導電膜Ｆ１を堆積させた様子を示す断面図。
【図８】絶縁膜１４上の導電膜Ｆ２にウエハＷが載った様子を示す断面図。
【図９】第１実施形態の変形例の断面図。
【図１０】第１実施形態の変形例の断面図。
【図１１】第１実施形態の変形例の断面図。
【図１２】第１実施形態の変形例の断面図。
【図１３】第１実施形態の変形例の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１実施形態］
静電チャック１０は、本発明の好適な実施形態について以下に説明する。図１は静電チャック１０の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１５】
静電チャック１０は、セラミックプレート１２に静電電極１６が内蔵されたものである。セラミックプレート１２は、ＡｌＮセラミック製の円板である。セラミックプレート１２の表面には、セラミックプレート１２と同心円となる背の低い円形凸部１２ａが設けられている。円形凸部１２ａの表面は、ウエハ載置面１２ｃとなっている。環状領域１２ｂは、セラミックプレート１２の表面のうちセラミックプレート１２の外周縁からウエハ載置面１２ｃに載置されるウエハＷの外周縁の内側までの領域（円形凸部１２ａの外側の領域）である。環状領域１２ｂは、ウエハ載置面１２ｃよりも一段低くなっており、ＡｌＮよりも電気抵抗の大きい絶縁膜１４で覆われている。絶縁膜１４の高さは、ウエハ載置面１２ｃの高さと略一致している。絶縁膜１４の材質としては、例えばアルミナセラミック材料や高抵抗有機材料（樹脂など）が挙げられる。ウエハＷの直径は、ウエハ載置面１２ｃの直径よりも大きく、セラミックプレート１２の直径よりも小さい。静電電極１６は、セラミックプレート１２よりもやや小径でセラミックプレート１２と同心円の円形平板である。静電電極１６は、ウエハ載置面１２ｃと平行になっている。静電電極１６の材質としては、例えばＭｏ，Ｗ，Ｍｏ系合金、Ｗ系合金などが挙げられる。静電電極１６には、セラミックプレート１２の裏面から図示しない給電棒を介して直流電圧が印加される。
【００１６】
次に、こうして構成された静電チャック１０の使用例について説明する。まず、図示しない真空チャンバー内に静電チャック１０を設置した状態で、ウエハＷを静電チャック１０のウエハ載置面１２ｃに載置する。このとき、ウエハＷの外周縁は、ウエハ載置面１２ｃから外側にはみ出して絶縁膜１４上に載る。そして、真空チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、静電チャック１０の静電電極１６に直流電圧をかけてジョンソン・ラーベック力（ＪＲ力）を発現させ、ウエハＷをウエハ載置面１２ｃに吸着固定する。次に、真空チャンバー内を所定圧力（例えば数１０〜数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、図示しない上部電極と静電チャック１０の静電電極１６との間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させる。本実施形態では、発生したプラズマによってウエハＷの表面に導電膜Ｆ１を堆積させる。
【００１７】
このとき、セラミックプレート１２の表面のうちウエハＷの外側の領域にも導電膜Ｆ２が堆積する。図３はそのときの様子を示す断面図である。図３において、ウエハＷの表面に堆積した導電膜Ｆ１とセラミックプレート１２の表面に堆積した導電膜Ｆ２とが電気的に繋がったとしても、導電膜Ｆ２は絶縁膜１４によってセラミックプレート１２から電気的に絶縁されている。そのため、ウエハＷとセラミックプレート１２の表面とは同電位にならず、静電チャック１０は十分なＪＲ力を発現し続けることができる。
【００１８】
静電チャック１０を用いてウエハＷの表面に導電膜Ｆ１を堆積させる場合、ウエハＷの表面に所定の厚みの導電膜Ｆ１が堆積したら、そのウエハＷをウエハ載置面１２ｃから取り外し、新たなウエハＷをウエハ載置面１２ｃに載置し、そのウエハＷの表面に所定の厚みの導電膜Ｆ１を堆積させる。この処理を繰り返し行うと、ウエハＷの位置が微妙にずれたときに、絶縁膜１４上の導電膜Ｆ２にウエハＷの外周縁が載ることがある。図４はそのときの様子を示す説明図である。このとき、もし絶縁膜１４の部分がＡｌＮセラミックだったとすると、ウエハＷとセラミックプレート１２の表面とが導電膜Ｆ２を介して同電位になるため、静電電極１６に電圧を印加したとしても十分なＪＲ力が得られない。しかし、本実施形態では、絶縁膜１４が存在しているため、ウエハＷとセラミックプレート１２の表面とが導電膜Ｆ２を介して同電位になることはない。そのため、静電電極１６に電圧を印加したときに、静電チャック１０は十分なＪＲ力を発現し続けることができる。
【００１９】
以上説明した静電チャック１０によれば、静電チャック１０を用いてウエハＷ上に導電膜Ｆ１を堆積させる処理を繰り返し行ったとしても、十分なＪＲ力を発現し続けることができる。また、セラミックプレート１２はＡｌＮセラミック製であるため、ＪＲ力を発現するのに適した体積抵抗率（例えば１０8〜１０12Ω・ｃｍ程度）を備えている。
【００２０】
［第２実施形態］
静電チャック２０は、本発明の好適な実施形態について以下に説明する。図５は静電チャック２０の斜視図、図６は図５のＢ−Ｂ断面図である。
【００２１】
静電チャック２０は、セラミックプレート２２に静電電極２６が内蔵されたものである。セラミックプレート２２は、ＡｌＮセラミック製の円板である。セラミックプレート２２の表面には、セラミックプレート２２と同心円となる背の低い円形凸部２２ａが設けられ、円形凸部２２ａの外周に沿って円周溝２２ｄが設けられ、円周溝２２ｄの外側に円周バンク２２ｅが設けられている。円形凸部２２ａの表面は、ウエハ載置面２２ｃとなっている。円周溝２２ｄの底面は、ウエハ載置面２２ｃより低くなっている。円周バンク２２ｅは、外側から内側に向かって斜め下向きに傾斜するすり鉢状の面である。円周バンク２２ｅの外側には、ウエハ載置面２２ｃよりも高い位置に環状平面２２ｆが設けられている。セラミックプレート２２の外周縁からウエハ載置面２２ｃに載置されるウエハＷの外周縁の内側までの領域（すなわち環状平面２２ｆ、円周バンク２２ｅ及び円周溝２２ｄの底面）は、ＡｌＮよりも電気抵抗の大きい絶縁膜２４で覆われている。絶縁膜２４の材質としては、例えばアルミナセラミック材料や高抵抗有機材料（樹脂など）が挙げられる。円周溝２２ｄの底面を覆う絶縁膜２４の高さは、ウエハ載置面２２ｃよりも低い。ウエハＷの直径は、ウエハ載置面２２ｃの直径よりも大きく、円周バンク２２ｅの内周縁の直径よりも小さい。そのため、ウエハ載置面２２ｃにウエハＷを同心円となるように配置したとき、ウエハＷの外周縁は円周溝２２ｄの上方空間に位置する。静電電極２６は、第１実施形態の静電電極１６と同じであるため、ここではその説明を省略する。
【００２２】
次に、こうして構成された静電チャック２０の使用例について説明する。まず、図示しない真空チャンバー内に静電チャック２０を設置した状態で、ウエハＷを静電チャック２０のウエハ載置面２２ｃに載置する。このとき、ウエハＷは、円周バンク２２ｅにガイドされて円周バンク２２ｅの内周縁とウエハＷとの隙間が所定のクリアランスの範囲内に収まるように載置される。そのため、ウエハＷは、ウエハ載置面２２ｃと同心円となる位置から大きくずれることがなく概ね決まった位置で載置される。また、ウエハＷの外周縁は、円周溝２２ｄの上方空間に位置する。そして、真空チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、静電チャック２０の静電電極２６に直流電圧をかけてＪＲ力を発現させ、ウエハＷをウエハ載置面２２ｃに吸着固定する。次に、真空チャンバー内を所定圧力（例えば数１０〜数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、図示しない上部電極と静電チャック２０の静電電極２６との間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させる。本実施形態では、発生したプラズマによってウエハＷの表面に導電膜Ｆ１を堆積させる。
【００２３】
このとき、セラミックプレート２２の表面のうちウエハＷの外側の領域にも導電膜Ｆ２が堆積する。図５はそのときの様子を示す断面図である。図５において、ウエハＷの外周縁は円周溝２２ｄの上方空間に位置するため、ウエハＷの表面に堆積した導電膜Ｆ１とセラミックプレート１２の表面に堆積した導電膜Ｆ２とが電気的に繋がることはほとんどない。仮に繋がったとしても、導電膜Ｆ２は絶縁膜２４によってセラミックプレート２２から電気的に絶縁されている。そのため、ウエハＷとセラミックプレート２２の表面とは同電位にならず、静電チャック２０は十分なＪＲ力を発現し続けることができる。
【００２４】
静電チャック２０を用いてウエハＷの表面に導電膜Ｆ１を堆積させる場合、ウエハＷの表面に所定の厚みの導電膜Ｆ１が堆積したら、そのウエハＷをウエハ載置面２２ｃから取り外し、新たなウエハＷをウエハ載置面２２ｃに載置し、そのウエハＷの表面に所定の厚みの導電膜Ｆ１を堆積させる。この処理を繰り返し行うと、ウエハＷの位置が微妙にずれたときに、絶縁膜２４上の導電膜Ｆ２の上にウエハＷの外周縁が接触することがある。図６はそのときの様子を示す説明図である。このとき、もし絶縁膜２４の部分がＡｌＮセラミックだったとすると、ウエハＷとセラミックプレート２２の表面とが導電膜Ｆ２を介してセラミックプレート２２と同電位になるため、静電電極２６に電圧を印加したとしても十分なＪＲ力が得られない。しかし、本実施形態では、絶縁膜２４が存在しているため、ウエハＷとセラミックプレート２２の表面とが導電膜Ｆ２を介して同電位になることはい。そのため、静電電極２６に電圧を印加したときに、静電チャック２０は十分なＪＲ力を発現し続けることができる。
【００２５】
以上説明した静電チャック２０によれば、静電チャック２０を用いてウエハＷ上に導電膜Ｆ１を堆積させる処理を繰り返し行ったとしても、十分なＪＲ力を発現し続けることができる。また、セラミックプレート１２はＡｌＮセラミック製であるため、ＪＲ力を発現するのに適した体積抵抗率（例えば１０8〜１０12Ω・ｃｍ程度）を備えている。
【００２６】
また、ウエハＷの表面に堆積した導電膜Ｆ１とセラミックプレート２２の絶縁膜２４に堆積した導電膜Ｆ２とは、円周溝２２ｄの存在によって電気的に独立した状態がより維持されやすい。そのため、静電チャック２０はより確実にＪＲ力を発現し続けることができる。
【００２７】
更に、ウエハＷは円周バンク２２ｅにガイドされてウエハ載置面２２ｃに載置されるため、ウエハ載置面２２ｃに載置されたウエハＷが大きくズレたりウエハ載置面２２ｃから落ちたりするのを防止することができる。
【００２８】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【００２９】
例えば、上述した第１実施形態では、円形凸部１２ａの表面（ウエハ載置面１２ｃ）を絶縁膜１４の表面と同じ高さになるようにしたが、図９に示すように、ウエハ載置面１２ｃを絶縁膜１４の表面より高くなるようにしてもよい。こうすれば、ウエハＷの表面に堆積した導電膜と絶縁膜１４の表面に堆積した導電膜とは、ウエハ載置面１２ｃと絶縁膜１４の表面との段差によって電気的に独立した状態が維持されやすい。そのため、より確実にＪＲ力を発現し続けることができる。
【００３０】
上述した第１実施形態において、図１０に示すように、セラミックプレート１２の側面にも絶縁膜１４を設けてもよい。こうすれば、セラミックプレート１２の側面に導電膜が付いたとしても、ウエハＷとセラミックプレート１２とが同電位になるのを防止することができる。この点は第２実施形態も同様である。
【００３１】
上述した第１実施形態では、セラミックプレート１２に静電電極１６を内蔵したが、これに加えて、ヒータ電極を内蔵したりＲＦ電極を内蔵したりしてもよい。ヒータ電極には、セラミックプレート１２の裏面から図示しない給電棒を介して電圧が印加される。こうしたヒータ電極によりウエハＷの温度を調節することが可能となる。ＲＦ電極には、セラミックプレート１２の裏面から図示しない給電棒を介して高周波電圧が印加される。この点は第２実施形態も同様である。
【００３２】
上述した第１実施形態のセラミックプレート１２の裏面に円板状の冷却板を接合してもよい。冷却板は、アルミニウム製またはアルミ合金製としてもよく、内部に冷媒通路を有していてもよい。この点は第２実施形態も同様である。
【００３３】
上述した第１実施形態のセラミックプレート１２の裏面に円筒状のセラミックシャフトを接合してもよい。セラミックシャフトは、セラミックプレート１２と同じ材料で作製されていることが好ましい。この点は第２実施形態も同様である。
【００３４】
上述した第１実施形態では、単極タイプの静電電極１６を例示したが、双極タイプの静電電極を採用してもよい。この点は第２実施形態も同様である。
【００３５】
上述した第１実施形態では、絶縁膜１４で覆われる環状領域１２ｂを、セラミックプレート１２の表面のうちセラミックプレート１２の外周縁からウエハ載置面１２ｃに載置されるウエハＷの外周縁の内側までの領域としたが、図１１に示す領域としてもよい。すなわち、図１１の環状領域１２ｂは、セラミックプレート１２の表面のうち静電電極１６の外周縁に対応する位置Ｐからウエハ載置面１２ｃに載置されるウエハＷの外周縁の内側までの領域である。この環状領域１２ｂは絶縁膜１４で覆われているが、環状領域１２ｂの外側の領域１２ｄは絶縁膜１４で覆われていない。このとき、図１２に示すように、セラミックプレート１２の表面のうちウエハＷの外側の領域にも導電膜Ｆ２が堆積して、導電膜Ｆ２とウエハＷの表面に堆積した導電膜Ｆ１とが電気的に繋がったとしても、導電膜Ｆ２のうち少なくとも静電電極１６の直上部分は絶縁膜１４によってセラミックプレート１２から電気的に絶縁されている。そのため、ウエハＷとセラミックプレート１２の表面のうち静電電極１６の直上部分とは同電位にならない。また、ウエハＷを交換したときに、図１３に示すように、導電膜Ｆ２にウエハＷの外周縁が載ることがある。この状態で静電電極１６に電圧を印加したとしても、絶縁膜１４が存在しているためウエハＷとセラミックプレート１２の表面のうち静電電極１６の直上部分とは同電位にならない。したがって、静電チャックはジョンソン・ラーベック力を発現し続けることができる。なお、ウエハＷとセラミックプレート１２の表面のうち静電電極１６の直上部分よりも外側の領域１２ｄとが導電膜Ｆ２を介して同電位になったとしても、ウエハＷとセラミックプレート１２の表面のうち静電電極１６の直上部分とは電位差が生じるため、ジョンソン・ラーベック力を発現し続けることができる。この点は第２実施形態も同様である。
【００３６】
本出願は、２０１７年１０月１６日に出願された米国仮出願第６２／５７２６９７号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、ウエハに導電膜を形成する産業において利用可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  静電チャック、１２  セラミックプレート、１２ａ  円形凸部、１２ｂ  環状領域、１２ｃ  ウエハ載置面、１４  絶縁膜、１６  静電電極、２０  静電チャック、２２  セラミックプレート、２２ａ  円形凸部、２２ｃ  ウエハ載置面、２２ｄ  円周溝、２２ｅ  円周バンク、２２ｆ  環状平面、２４  絶縁膜、２６  静電電極、Ｆ１，Ｆ２  導電膜、Ｗ  ウエハ。
【要約】
静電チャック１０は、円板状のセラミックプレート１２に静電電極１６が埋設された構造を有し、セラミックプレート１２に載置されるセラミックプレート１２よりも小径のウエハＷをジョンソン・ラーベック力により吸着する。この静電チャック１０は、セラミックプレート１２の表面のうちセラミックプレート１２の外周縁からセラミックプレート１２に載置されるウエハＷの外周縁の内側までの環状領域に、セラミックプレート１２よりも電気抵抗の大きい絶縁膜１４を有する。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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