(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、
前記基板上に備えられた遮光マスクパターンと、
前記基板のうち前記遮光マスクパターンの備えられた面上に位置した透明平坦層と
を含み、
前記遮光マスクパターンは金属パターンであり、
前記透明平坦層の厚さは３０μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記透明平坦層の厚さが前記遮光マスクパターンの厚さより大きく、
前記透明平坦層の表面粗さ（Ｒａ）は０．１ｎｍ〜２０ｎｍである
フォトマスクであって、
前記フォトマスクは、ロールツーロール工程に使用できるようにロールに巻かれて保持されるものである、
フォトマスク。
【請求項２】
前記透明平坦層の前記基板と接触する一点から前記透明平坦層のうち前記遮光マスクパターンの備えられた前記基板と接する面の反対面までの距離は、
前記遮光マスクパターンの高さより高いものである、
請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記透明平坦層は、
シリコーン系樹脂を含むものである、
請求項１または２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記基板は、
フレキシブル基板である、
請求項１から３のいずれか１項に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記遮光マスクパターンの厚さは２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、
請求項１から４のいずれか１項に記載のフォトマスク。
【請求項６】
基材（ｂａｓｅ  ｐｌａｔｅ）、および前記基材上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物と、
請求項１から５のいずれか１項に記載のフォトマスクとを含み、
前記露光対象物のフォトレジスト層は、
前記フォトマスクの透明平坦層と接触するものである
積層体。
【請求項７】
前記フォトレジスト層は、
ポジティブフォトレジスト層である、
請求項６に記載の積層体。
【請求項８】
前記露光対象物は、
前記基材と前記フォトレジスト層との間に備えられた金属層をさらに含むものである、
請求項６または７に記載の積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１５年７月２８日付で韓国特許庁に出願された韓国特許出願第１０−２０１５−０１０６８３８号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本明細書は、フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法、前記フォトマスクを用いるパターン形成装置および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
ディスプレイ装置のパターンを形成する場合に、基板にパターンを形成する方法のうち、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法が多く使用されている。
【０００４】
前記フォトリソグラフィ法は、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を基材上に均一に塗布し、露光（ｅｘｐｏｓｉｎｇ）装備とフォトマスクを用いてフォトマスク上のパターンを露光させた後、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）、ポストベーク過程を経て所望のパターンを形成させるすべての工程をいう。
【０００５】
前記フォトレジスト層がポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）レジスト層であれば、露光した領域でレジスト層材料の化学的変化が生じ、前記材料は現像時にレジスト層から離れていく。これに対し、フォトレジスト層がネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）レジスト層であれば、現像時に露光していない材料が離れていく。
【０００６】
この時、フォトリソグラフィ法は、マスクパターンが形成された透過性基板をフォトマスクとして配置し、前記フォトマスク上に光を照射してレジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本明細書は、フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法、前記フォトマスクを用いるパターン形成装置および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書は、基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、前記基板上に備えられた遮光マスクパターンと、前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置した透明平坦層とを含み、前記透明平坦層の厚さは１μｍ以上５００μｍ以下であり、前記透明平坦層の厚さが前記遮光マスクパターンの厚さより大きく、前記透明平坦層の表面粗さ（Ｒａ）は０．１ｎｍ〜２０ｎｍであるフォトマスクを提供する。
【０００９】
また、本明細書は、基材（ｂａｓｅ  ｐｌａｔｅ）、および前記基材上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物と、基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、および前記基板上に備えられた遮光マスクパターンと前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクとを含み、前記露光対象物のフォトレジスト層は、フォトマスクの透明平坦層と接触するものである積層体を提供する。
【００１０】
また、本明細書は、基材巻出部および露光対象物巻取部と、基材巻出部から供給された基材上にフォトレジストを塗布するコーティング部と、フォトレジストが塗布された露光対象物を乾燥する乾燥部と、基板上に備えられた遮光マスクパターンと前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクを供給するフォトマスク供給部と、前記フォトマスクを回収するフォトマスク回収部と、前記露光対象物のフォトレジストとフォトマスクの透明平坦層とが接触するように加圧するラミネート部と、前記フォトマスクの基板側から光を照射する露光部とを含むパターン形成装置を提供する。
【００１１】
さらに、本明細書は、基板上に遮光マスクパターンを形成するステップと、前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層を形成するステップとを含むフォトマスクの製造方法を提供する。
【００１２】
また、本明細書は、基材（ｂａｓｅ  ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物を準備するステップと、基板上に備えられた遮光マスクパターンと前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクの透明平坦層と、前記露光対象物のフォトレジスト層とを接触するようにラミネートするステップと、前記フォトマスクの基板側から光を照射する露光ステップと、露光後、前記露光対象物から前記フォトマスクを分離するステップとを含むものであるパターン形成方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本明細書に係るフォトマスクを用いる場合、ロールツーロール方式に適用して、短時間に露光工程を連続的に行うことができるという利点がある。
【００１４】
本明細書に係るフォトマスクは、透明平坦層の適用により、露光対象物のフォトレジスト層と遮光パターン層との接触で発生する汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本明細書の一実施態様に係るフォトマスクの垂直断面図である。
【図２】本明細書の一実施態様に係るフォトマスクを用いたパターン形成方法を示すフローチャートである。
【図３】本明細書の一実施態様に係るフォトマスクとこれを用いて形成されたパターンのイメージである。
【図４】本明細書の一実施態様に係るパターン形成装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本明細書について詳細に説明する。
【００１７】
本明細書は、基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、前記基板上に備えられた遮光マスクパターンと、前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置した透明平坦層とを含み、前記透明平坦層の厚さは１μｍ以上５００μｍ以下であり、前記透明平坦層の厚さが前記遮光マスクパターンの厚さより大きく、前記透明平坦層の表面粗さ（Ｒａ）は０．１ｎｍ〜２０ｎｍであるフォトマスクを提供する。
【００１８】
前記透明平坦層の厚さが前記遮光マスクパターンの厚さより大きい場合、露光対象物のフォトレジスト層と遮光パターンとの接触で発生する汚染を防止することができる。
【００１９】
前記フォトマスクは、ロールツーロール工程に使用できるようにロールに巻かれて保持することができる。
【００２０】
前記基板の材質は特に限定はないが、遮光マスクパターンおよび透明平坦層との接着性が良く、フォトマスクの基板としてフォトマスクを透過する光に最小限の影響を及ぼすものが好ましい。
【００２１】
前記基板は、剛性基板またはフレキシブル基板であってもよい。具体的には、フレキシブル基板は、プラスチック基板またはプラスチックフィルムであってもよい。前記プラスチック基板またはプラスチックフィルムは特に限定はないが、例えば、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ、ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンエーテルフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリブチレンフタレート（ｐｏｌｙｂｕｔｈｙｌｅｎｅ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ、ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリスチレン（ＰＳ、ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ  ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ、ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ、Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）、およびポリイミド（ＰＩ、ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のうちのいずれか１つ以上を含んでもよい。
【００２２】
前記基板がフレキシブル基板の場合、フォトマスクがロールツーロール工程に使用できるようにロールに巻かれて保持することができるという利点がある。
【００２３】
前記基板は、透明度が高い基板を用いることができ、前記基板の光透過度は５０％以上であってもよい。
【００２４】
前記基板の屈折率は、透明平坦層の屈折率と差が少ないことが好ましく、前記基板の屈折率は１．４５以上１．６５以下であってもよい。
【００２５】
前記遮光マスクパターンは、光を遮断可能な材質で形成されたものであり、光を遮断可能でパターン形成に容易な材質であれば特に限定はなく、当技術分野で一般的に使用する材質で形成することができる。例えば、前記遮光マスクパターンは、金属パターンであってもよいし、具体的には、前記金属パターンは、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、および銀（Ａｇ）のうちの少なくとも１つからなってもよい。
【００２６】
前記遮光マスクパターンの形成方法は、遮光パターンを基板上に形成できれば特に限定はなく、例えば、ロールプリンティング、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法などであってもよい。
【００２７】
前記遮光マスクパターンの形状は、金属パターンまたはフォトレジストパターンが必要な分野のパターン形状であってもよい。
【００２８】
前記遮光マスクパターンの形状は、タッチパネルの金属パターンの形状であってもよいし、同一のパターンが繰り返された形状であるか、互いに異なる２以上のパターンが離隔または連結された形状であってもよい。例えば、図３に示されているように、前記遮光マスクパターンの形状は、格子状の画面部パターン、画面部パターンに連結され、外部の軟性印刷回路基板に連結されるルーターパターン、および前記画面部パターンとルーターパターンとの連結時の抵抗を低下させる連結パターンのうちの少なくとも１つであってもよい。
【００２９】
前記遮光マスクパターンの厚さは２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００３０】
前記透明平坦層は、基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面の全体を覆い、前記透明平坦層のうち遮光マスクパターンの備えられた基板と接する面の反対面は、平坦な層である。前記透明平坦層のうち遮光マスクパターンの備えられた基板と接する面の反対面の平坦化度を示す表面粗さ（Ｒａ）は０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さが前記範囲を満足する場合、表面の屈曲によって陥没された部分に空気が閉じ込められ、突出した部分に比べて相対的に空気が多く分布することによって発生する空気の屈折率の差による入射光の散乱または屈折現象を防止して、パターンの実現性が向上する効果がある。
【００３１】
前記透明平坦層は、遮光マスクパターンによって遮断されず、フォトマスクを透過する光に最小限の影響を及ぼすものが好ましい。前記透明平坦層は、透明度が高い材料を用いることができ、前記透明平坦層の光透過度は５０％以上であってもよい。
【００３２】
前記透明平坦層の屈折率は、基板の屈折率と差が少ないことが好ましく、前記透明平坦層の屈折率は１．４３以上１．４９以下であってもよい。
【００３３】
前記透明平坦層の前記基板と接触する一点から前記透明平坦層のうち遮光マスクパターンの備えられた基板と接する面の反対面までの距離は、前記遮光マスクパターンの高さより高くてよい。
【００３４】
前記透明平坦層の厚さは１μｍ以上５００μｍ以下である。具体的には、前記透明平坦層の前記基板と接触する一点から前記透明平坦層のうち遮光マスクパターンの備えられた基板と接する面の反対面までの距離が１μｍ以上５００μｍ以下である。より具体的には、前記透明平坦層の前記基板と接触する一点から前記透明平坦層のうち遮光マスクパターンの備えられた基板と接する面の反対面までの距離は１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。透明平坦層の厚さが前記範囲を満足する場合、照射された光の一部が遮光マスクパターンを通過しながら回折現象によって光経路が変更されても、フォトレジスト面までの距離が十分に近接して、パターンの実現性が向上する効果がある。
【００３５】
前記透明平坦層は、平坦層を形成できるように塗布特性に優れ、光透過度が高く、他の物体の表面に付着し分離できるように粘着性と離型性を有することが好ましい。
【００３６】
前記透明平坦層は、シリコーン系樹脂を含んでもよいし、具体的には、シロキサン系樹脂を含んでもよく、さらに具体的には、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含んでもよい。
【００３７】
本明細書は、基材（ｂａｓｅ  ｐｌａｔｅ）、および前記基材上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物と、基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、および前記基板上に備えられた遮光マスクパターンと前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクとを含み、前記露光対象物のフォトレジスト層は、フォトマスクの透明平坦層と接触するものである積層体を提供する。
【００３８】
前記基材の材質は特に限定はないが、前記基材は、剛性材質または軟性材質であってもよい。
【００３９】
前記剛性材質は、ガラス、金属、剛性プラスチック、または厚いプラスチックを含んでもよい。
【００４０】
前記軟性材質は、軟性プラスチックまたは薄いプラスチックを含んでもよい。
【００４１】
前記基材の厚さは１５μｍ以上２ｍｍ以下であってもよいが、これに限定されない。
【００４２】
前記フォトレジスト層（ＰＲ、Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）は、光に露出することによって現像液に対する耐性が変化する高分子を含む層を意味し、前記フォトレジスト層は、ポジティブフォトレジスト層またはネガティブフォトレジスト層であってもよい。具体的には、前記フォトレジスト層は、ポジティブフォトレジスト層であることが好ましい。
【００４３】
前記フォトレジスト層の厚さは１００ｎｍ以上１０μｍ以下であってもよいが、これに限定されない。
【００４４】
前記露光対象物は、前記基材と前記フォトレジスト層との間に備えられた金属層をさらに含んでもよい。
【００４５】
前記金属層の材質は特に限定はないが、前記金属層は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、および銀（Ａｇ）のうちの少なくとも１つからなってもよい。
【００４６】
前記積層体におけるフォトマスクに関する説明は、上述したフォトマスクに関する説明を引用することができる。
【００４７】
本明細書は、基材巻出部および露光対象物巻取部と、基材巻出部から供給された基材上にフォトレジストを塗布するコーティング部と、フォトレジストが塗布された露光対象物を乾燥する乾燥部と、基板上に備えられた遮光マスクパターンと前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクを供給するフォトマスク供給部と、前記フォトマスクを回収するフォトマスク回収部と、前記露光対象物のフォトレジストとフォトマスクの透明平坦層とが接触するように加圧するラミネート部と、前記フォトマスクの基板側から光を照射する露光部とを含むパターン形成装置を提供する。
【００４８】
前記基材巻出部および露光対象物巻取部は、基材を供給し、一連の工程を経た露光対象物を回収し、基材巻出部および露光対象物巻取部の速度を調節して基材に付与される張力を調節することができる。
【００４９】
前記基材巻出部および露光対象物巻取部は、ロール形状であってもよいし、それぞれ基材がロールに巻かれた基材巻出ロールと一連の工程を経た露光対象物をロールに巻く露光対象物巻取ロールであってもよい。
【００５０】
前記基材巻出部から供給された基材は、一面に金属層が備えられた基材であってもよい。
【００５１】
前記コーティング部は、基材巻出部および露光対象物巻取部の間に位置し、基材巻出部から供給された基材上にフォトレジストを塗布することができ、具体的には、基材巻出部から供給された基材上にポジティブフォトレジストを塗布することができる。
【００５２】
この時、コーティング部によって塗布されるフォトレジストは、光に露出することによって現像液に対する耐性が変化する高分子を含む組成物を意味し、前記フォトレジスト組成物は、光開始剤、架橋剤、添加剤、および溶媒のうちの少なくとも１つをさらに含んでもよい。
【００５３】
前記基材巻出部から供給された基材が一面に金属層が備えられた基材の場合、前記コーティング部は、前記金属層上にフォトレジストを塗布することができる。
【００５４】
前記乾燥部は、コーティング部によって塗布されたフォトレジストを乾燥し、前記乾燥部の乾燥方法は、熱風乾燥方法または赤外線乾燥方法であってもよい。具体的には、前記乾燥部の乾燥方法は、赤外線乾燥方法であることが好ましい。すなわち、前記乾燥部は、赤外線乾燥部であってもよい。前記乾燥部が赤外線乾燥部の場合、フォトレジスト膜の深部まで均一に乾燥できる。
【００５５】
前記パターン形成装置におけるフォトマスクに関する説明は、上述したフォトマスクに関する説明を引用することができる。
【００５６】
前記フォトマスク供給部およびフォトマスク回収部は、フォトマスクを供給し、一連の工程を経たフォトマスクを回収し、フォトマスク供給部およびフォトマスク回収部の速度を調節してフォトマスクに付与される張力を調節することができる。
【００５７】
前記フォトマスク供給部およびフォトマスク回収部は、ロール形状であってもよいし、それぞれフォトマスクがロールに巻かれたフォトマスク供給ロールと一連の工程を経たフォトマスクをロールに巻くフォトマスク回収ロールであってもよい。
【００５８】
前記ラミネート部は、露光対象物のフォトレジストとフォトマスクの透明平坦層とが接触するように加圧して粘着させることができる。
【００５９】
前記ラミネート部は、二対の加圧ロールを含んでもよい。具体的には、前記ラミネート部は、いずれか１つはフォトマスクの基板側に位置し、それに対応する他の１つは露光対象物の基材側に位置する一対の第１加圧ロールと、いずれか１つはフォトマスクの基板側に位置し、それに対応する他の１つは露光対象物の基材側に位置し、前記第１加圧ロールと離隔配置された他の一対の第２加圧ロールとを含んでもよい。この時、一対の加圧ロールは、フォトマスクと露光対象物との粘着された積層体を基準として面対称となってもよい。つまり、面対称となる一対の加圧ロールは、フォトマスクと露光対象物との粘着された積層体を中心として、いずれか１つは積層体の一面に、他の１つは積層体の他面に位置するが、積層体越しに互いに対向するように備えられる。
【００６０】
前記露光部は、フォトマスクの基板側から光を照射することができる。
【００６１】
前記ラミネート部が二対の加圧ロールを含む場合、前記露光部は、前記二対の加圧ロールの間に備えられる。
【００６２】
前記露光部の露光条件は、塗布されたフォトレジストの性質によって調節可能であり、特に限定はない。
【００６３】
前記パターン形成装置は、露光部によって露光した露光対象物を現像する現像ユニットをさらに含んでもよい。
【００６４】
前記現像ユニットは、現像方法によって必要な装置を備えることができ、特に限定はない。
【００６５】
本明細書は、基板上に遮光マスクパターンを形成するステップと、前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層を形成するステップとを含むフォトマスクの製造方法を提供する。
【００６６】
前記基板上に遮光マスクパターンを形成する方法は、インクジェットプリンティング、グラビアプリンティング、グラビアオフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、リバースオフセットプリンティング、およびフォトリソグラフィであってもよい。具体的には、前記基板上に遮光マスクパターンを形成する方法は、フォトリソグラフィであってもよいし、基板上に遮光マスク金属を蒸着しエッチングレジストパターンを形成した後、エッチング工程によりエッチングレジストパターンが備えられていない領域の金属を選択的に除去し、最終的に遮光マスクパターン上のエッチングレジストパターンを剥離して遮光マスクパターンを形成することができる。
【００６７】
前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に透明平坦層を形成することができる。
【００６８】
前記透明平坦層を形成する方法は、基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に透明平坦層を形成するための組成物を塗布するステップと、塗布された組成物を乾燥するステップと、乾燥した組成物を硬化するステップとを含んでもよい。
【００６９】
前記透明平坦層を形成するための組成物は、シリコーン系樹脂を含んでもよいし、具体的には、シロキサン系樹脂を含んでもよく、さらに具体的には、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含んでもよい。
【００７０】
前記透明平坦層を形成するための組成物は、硬化剤をさらに含んでもよい。前記硬化剤は特に限定はなく、当技術分野で一般的に使用する材質を選択することができる。
【００７１】
前記透明平坦層を形成するための組成物を塗布する方法は特に限定はないが、例えば、バー（ｂａｒ）コーティング、スロットダイ（ｓｌｏｔ  ｄｉｅ）コーティング、スピン（ｓｐｉｎ）コーティング、コンマ（ｃｏｍｍａ）コーティング、マイクログラビア（ｍｉｃｒｏｇｒａｖｕｒｅ）コーティング、またはディップ（ｄｉｐ）コーティングであってもよい。
【００７２】
本明細書は、基材（ｂａｓｅ  ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物を準備するステップと、基板上に備えられた遮光マスクパターンと前記基板のうち遮光マスクパターンの備えられた面上に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクの透明平坦層と、前記露光対象物のフォトレジスト層とを接触するようにラミネートするステップと、前記フォトマスクの基板側から光を照射する露光ステップと、露光後、前記露光対象物から前記フォトマスクを分離するステップとを含むものであるパターン形成方法を提供する。
【００７３】
前記パターン形成方法において上述した説明と重複する説明は省略し、上述した説明を引用することができる。
【００７４】
前記パターン形成方法は、前記フォトマスクを分離した後、露光した露光対象物を現像してフォトレジストパターンを形成するステップをさらに含んでもよい。
【００７５】
前記露光した露光対象物を現像する方法は、現像液を露光した露光対象物に塗布する方式でフォトレジストパターンを形成したり、露光した露光対象物を現像液に浸漬する方式でフォトレジストパターンを形成することができる。
【００７６】
前記露光対象物が前記基材と前記フォトレジスト層との間に備えられた金属層をさらに含む場合、前記フォトマスクを分離した後、露光した露光対象物を現像してフォトレジストパターンを形成するステップと、前記金属層のフォトレジストパターンの形成されていない部分をエッチングして金属パターンを形成するステップとをさらに含んでもよい。
【００７７】
前記金属パターンを形成するステップは、前記金属層のフォトレジストパターンの形成されていない部分をエッチングするステップと、金属層をエッチングした後、フォトレジストパターンを除去するステップとを含んでもよい。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例によって本明細書をより詳細に説明する。しかし、以下の実施例は本明細書を例示するためのものに過ぎず、本明細書を限定するためのものではない。
【００７９】
実験例１．透明平坦層コーティング液の製造
液状シリコーンレジン（信越シリコーン社、ＫＥ−１６０６）１００重量部、シリコーン硬化剤（信越シリコーン社、ＣＡＴ−ＲＧ）１５重量部、およびシクロヘキサン１１５重量部を混合して、透明平坦層コーティング液を製造した。
【００８０】
実験例２．フォトマスクの作製
アルミニウム（Ａｌ）層が１００ｎｍの厚さに蒸着されているポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上に、リバースオフセット印刷工程を活用して３〜２０μｍの線幅を有するレジストパターンを形成した後、アルミニウム（Ａｌ）エッチングおよびレジスト剥離工程によりポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上に遮光マスクパターンを形成した。前記製造された透明平坦層コーティング液をスピンコーティングまたはスリットコーティング方法を活用して遮光マスクパターンの上部に塗布した後、１００℃で２０分間硬化してフォトマスクを作製した。
【００８１】
実験例３．フォトレジストコーティング基板の作製
アルミニウム（Ａｌ）層が１００ｎｍの厚さに蒸着されているポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材の上面に、スピンコーティングまたはスリットコーティング方法を活用してノボラック樹脂ベースのポジティブフォトレジスト（ＬＧ化学のＬＧＰＲ−４１２ＤＦ）を塗布した後、１２０℃で３分間乾燥して、１．５μｍの厚さのフォトレジスト塗膜を形成した。
【００８２】
実験例４．フォトマスクの粘着特性評価
前記作製完了したフォトマスクとフォトレジストコーティング基板とをロールラミネータを活用して貼合した。貼合された積層体を２４時間常温放置した後、貼合前後の付着状態を確認した。下記表１では、付着状態が維持されている場合にＯ、２つの基板の間に浮き上がり現象が発生する場合にＸと区分した。
【００８３】
実験例５．フォトマスクの離型特性評価
前記作製完了したフォトマスクとフォトレジストコーティング基板とをロールラミネータを活用して貼合した。貼合された積層体を２４時間常温放置した後、フォトレジストコーティング基板からフォトマスクを脱着した。脱着したフォトマスクの表面を顕微鏡で観察して、汚染の有無を判定した。下記表１では、フォトマスクの表面に異物が存在しない場合にＯ、異物が存在する場合にＸと区分した。
【００８４】
実験例６．パターンの実現性評価
前記作製完了したフォトマスクとフォトレジストコーティング基板とをロールラミネータを活用して貼合した。貼合された積層体を水平の維持されている定盤上に固定した後、平行光露光器（Ｋａｒｌ  Ｓｕｓｓ  ＭＡ８）を活用して１秒間露光した。露光が完了した積層体からフォトマスクを除去した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＭＡＨ）２．３８ｗｔ％の現像液に６０秒間担持および流水洗浄によりフォトレジストパターンを形成した。
【００８５】
下記表１では、フォトレジストパターンの実現特性を下記のように区分した。
Ａ：フォトマスクの遮光マスクパターン対比の線幅変化率およびＬＥＲ（ｌｉｎｅ  ｅｄｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）増加率が３０％以下の場合
Ｂ：フォトマスクの遮光マスクパターン対比の線幅変化率が３０％以上であるか、またはＬＥＲ（ｌｉｎｅ  ｅｄｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）増加率が３０％以上の場合
Ｃ：パターンが実現されず
【００８６】
実施例１〜３
前記実験例１〜６の方法でフォトレジストの製造および特性評価を進行させるが、透明平坦層の厚さおよび表面粗さを変更した。それによる結果を下記表１に示した。
【００８７】
比較例１〜４
透明平坦層の製造工程中、表面粗さが高い基材をインプリンティングして表面粗さを増加させたり、透明平坦層を適用しないことを除けば、前記実施例１〜３と同様の方法でフォトレジストの製造および特性評価を進行させた。それによる結果を下記表１に示した。
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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