(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に接触される薬液または前記基板と前記薬液が接触される界面での放射率が入力される放射率設定部；
前記薬液または前記界面から放射される輻射エネルギーが入力される輻射エネルギー入力部；および
前記放射率と前記輻射エネルギーに基づいて前記薬液または前記界面の算出温度を計算する算出部；を含み、
回転可能に配置されるテーブルと、前記テーブルで前記基板を離隔支持するサポートと、前記基板に前記薬液を供給するノズルが含まれるチャンバーと；をさらに含み、
前記ノズルは、
前記基板の下側に離隔配置されることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記算出部は、下記の［数学式３］によって計算される絶対温度を利用して前記算出温度を算出することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置：
【数１】
0006452799.tif 000016
ここで、
【数２】
0006452799.tif 000017
であり、
【数３】
0006452799.tif 000018
であり、
Ｅ（λ、Ｔ）は前記輻射エネルギー入力部に入力される輻射エネルギーであり、
λは前記輻射エネルギー入力部によって既設定された赤外線波長であり、
εは前記薬液または前記界面での放射率であり、
Ｔは絶対温度であり、
ｈはプランク定数（Ｐｌａｎｋ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）であり、
ｃは光速であり、
ｋはボルツマン定数（Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）である。
【請求項３】
前記輻射エネルギー入力部と前記放射率設定部と前記算出部とを含んで、前記算出温度を測定するように放射温度計（Ｐｙｒｏｍｅｔｅｒ）で構成され、前記放射温度計は、前記基板の上側に離隔配置された設置部に設置されることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記輻射エネルギー入力部を囲んで保護する保護部；をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記輻射エネルギー入力部は、
前記基板を基準として前記界面が位置した反対側で前記基板と離隔されて具備されることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板を食刻または洗浄するために既設定された工程温度と前記算出温度を比較する制御部；をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板の上側に離隔配置されて前記制御部の信号によって前記基板または前記基板に接触された前記薬液を加熱するヒーター；をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板は、
前記テーブルの回転中心部分に対応する中心領域と、前記テーブルの回転による縁部分に対応するエッジ領域と、前記中心領域と前記エッジ領域との間を区画する変動領域とに区分され、
前記輻射エネルギー入力部と前記ヒーターは、
前記中心領域と前記エッジ領域と前記変動領域にそれぞれ配置され、
前記制御部は、
前記中心領域と前記エッジ領域と前記変動領域で個別的に前記ヒーターを動作させることを特徴とする、請求項７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置と基板処理方法に関するものであり、より詳細には薬液または薬液と基板が接触される界面の算出温度を直接測定することによって、薬液による基板の処理温度を最適化させることができる基板処理装置と基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、湿式工程はシリコンウェハーなどのような基板に薬液（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ）を接触させて、基板の表面を食刻または洗浄などの処理を遂行する工程に該当する。
【０００３】
具体的に、湿式工程は、基板に薬液を接触させて基板に薄膜（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ）または層（ｌａｙｅｒ）を形成する食刻工程を含むことができる。また、湿式工程は、基板に薬液を接触させて基板に形成された薄膜（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ）または基板に形成された層（ｌａｙｅｒ）を洗浄したり基板に形成される汚染物質（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）などを除去する洗浄工程を含むことができる。
【０００４】
一方、半導体分野で半導体素子の集積度が高度化されるにつれ、基板に形成されるパターンは数十ｎｍ水準に微細化され、これに伴い、食刻工程と洗浄工程の重要度が高まっている。
【０００５】
したがって、生産性が高いため数十年間維持してきたバッチ式（ｂａｔｃｈ  ｔｙｐｅ）湿式工程のうち一部を枚葉式湿式工程に変えているのが実情である。ただし、従来の湿式工程は薬液または基板の温度を設定温度を正確に測定したり維持することが難しいため、基板処理の均一性を確保し難い問題点がある。したがって、これを改善する必要性が要請される。
【０００６】
本発明の背景技術は大韓民国登録特許公報第１０−１０３７１７９号（２０１１年０５月１９日登録、発明の名称：基板処理装置での温度制御器の誤作動検出装置および方法）に掲載されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記のような問題点を改善するために案出されたもので、薬液を利用して基板の表面を処理する枚葉式湿式食刻または洗浄などの基板処理工程で、基板に接触された薬液の算出温度または基板と薬液が接触される界面の算出温度を直接測定することによって、薬液による基板の処理温度を最適化させることができる基板処理装置と基板処理方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は：基板に接触される薬液または基板と薬液が接触される界面での放射率が入力される放射率設定部；薬液または界面から放射される輻射エネルギーが入力される輻射エネルギー入力部；および放射率と輻射エネルギーに基づいて薬液または界面の算出温度を計算する算出部；を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る基板処理装置は、回転可能に配置されるテーブルと、テーブルで基板を離隔支持するサポートと、基板に薬液を供給するノズルが含まれるチャンバーと；をさらに含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明でノズルは、基板の下側に離隔配置されることを特徴とする。
【００１１】
本発明で算出部は、下記の［数学式３］により計算される絶対温度を利用して算出温度を算出することを特徴とする。
【００１２】
【数１】
0006452799.tif 000002
【００１３】
ここで、
【００１４】
【数２】
0006452799.tif 000003
【００１５】
であり、
【００１６】
【数３】
0006452799.tif 000004
【００１７】
である。
【００１８】
ただし、Ｅ（λ、Ｔ）は輻射エネルギー入力部に入力される輻射エネルギーであり、
λは輻射エネルギー入力部によって既設定された赤外線波長であり、
εは薬液または界面での放射率であり、
Ｔは絶対温度であり、
ｈはプランク定数（Ｐｌａｎｋ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）であり、
ｃは光速であり、
ｋはボルツマン定数（Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）である。
【００１９】
本発明で、輻射エネルギー入力部と放射率設定部と算出部とを含んで算出温度を測定するように、放射温度計（Ｐｙｒｏｍｅｔｅｒ）で構成され、放射温度計は基板の上側に離隔配置された設置部に設置されることを特徴とする。
【００２０】
本発明で、基板処理装置は輻射エネルギー入力部を囲んで保護する保護部；をさらに含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明で、輻射エネルギー入力部は、基板を基準として界面が位置した反対側で基板と離隔されて具備されることを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る基板処理装置は、基板を食刻または洗浄するために既設定された工程温度と算出温度とを比較する制御部；をさらに含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る基板処理装置は、基板の上側に離隔配置されて制御部の信号によって基板または基板に接触された薬液を加熱するヒーター；をさらに含むことを特徴とする。
【００２４】
本発明で、基板は、テーブルの回転中心部分に対応する中心領域と、テーブルの回転による縁部分に対応するエッジ領域と、中心領域とエッジ領域の間を区画する変動領域とに区分され、輻射エネルギー入力部とヒーターは、中心領域とエッジ領域と変動領域とにそれぞれ配置され、制御部は、中心領域とエッジ領域と変動領域とで個別的にヒーターを動作させることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る基板処理方法は、基板に接触される薬液または基板と薬液が接触される界面から放射される輻射エネルギーを測定する測定段階；および測定段階を経て測定された輻射エネルギーと、薬液または界面での放射率に基づいて基板に接触された薬液または界面の算出温度とを算出する算出段階；を含むことを特徴とする。
【００２６】
本発明で算出段階は、下記の［数学式４］によって計算される絶対温度（Ｔ）を利用して算出温度を算出することを特徴とする。
【００２７】
【数４】
0006452799.tif 000005
【００２８】
ここで、
【００２９】
【数５】
0006452799.tif 000006
【００３０】
であり、
【００３１】
【数６】
0006452799.tif 000007
【００３２】
である。
【００３３】
ただし、Ｅ（λ、Ｔ）は測定段階を通じて測定される輻射エネルギーであり、
λは輻射エネルギーが入力される輻射エネルギー入力部によって既設定された赤外線波長であり、
εは薬液または界面での放射率であり、
Ｔは絶対温度であり、
ｈはプランク定数（Ｐｌａｎｋ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）であり、
ｃは光速であり、
ｋはボルツマン定数（Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）である。
【００３４】
本発明に係る基板処理方法は、基板を食刻または洗浄するために既設定された工程温度と算出段階を経て算出された算出温度とを比較する比較段階；をさらに含むことを特徴とする。
【００３５】
本発明で、比較段階を経て算出温度が既設定された工程温度に含まれる場合、測定段階を実施することを特徴とする。
【００３６】
本発明に係る基板処理方法は、比較段階を経て算出温度が既設定された工程温度に含まれない場合、算出温度と既設定された工程温度との差の値によって基板または基板に接触される薬液を加熱する補正段階；をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３７】
本発明に係る基板処理装置と基板処理方法は、枚葉式湿式食刻または洗浄工程で基板に接触された薬液の算出温度または基板と薬液が接触される界面の算出温度を直接測定することによって、薬液による基板の処理温度を最適化させることができる。
【００３８】
また、本発明は、基板に接触された薬液または界面の温度を直接測定することによって、基板の処理温度を正確かつ効率的に管理して基板の過熱（基板または薬液を加熱することによる基板の過熱）による基板の処理不均衡などを解消することができる。
【００３９】
また、本発明は、枚葉式湿式食刻工程で大きな割合を占める基板の処理温度変化を精密に制御して、基板の処理温度を正確かつ効率的に管理することができる。
【００４０】
また、本発明は、パターンの集積度が高くなるにつれて、湿式工程設備、特に枚葉式湿式食刻または洗浄工程設備で高い工程再現性と精密性を実現することができる。
【００４１】
また、本発明は基板内の温度分布変化をリアルタイムで把握することができるため、食刻工程または洗浄工程で不良が発生するのを直ちに認知することができ、歩留まり低下の原因を把握する根拠に活用することができ、さらには工程不良を予測することができる。
【００４２】
また、本発明は加熱した状態の薬液が基板に供給されるとき、発生する薬液の冷却を十分に補償することができ、枚葉式湿式食刻または洗浄工程で正確な工程条件を確保することができ、枚葉式湿式食刻または洗浄工程の標準化を実現することができる。
【００４３】
また、本発明は、大面積の基板に適用されて基板全体の処理温度を実質的に均一に維持することができる。
【００４４】
また、本発明は、基板と薬液が接触される界面の反対面で算出温度を測定することによって、薬液に対する光の散乱および干渉を抑制または防止することができる。
【００４５】
また、本発明は、薬液が接触される界面の反対面で基板または薬液を加熱することによって、基板上に薬液が接触される過程で蒸発されたり薬液の濃度が変わることを抑制または防止することができる。
【００４６】
また、本発明は、常温の薬液を基板に供給した後で基板または薬液を加熱することによって、薬液の濃度または薬液の組成の変化を防止または抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置を図示した図面である。
【図２】本発明の一実施例に係る枚葉式湿式食刻または洗浄工程での基板を図示した図面である。
【図３】本発明の一実施例に係る基板処理装置を図示した第１構成図である。
【図４】本発明の一実施例に係る基板処理装置を図示した第２構成図である。
【図５】本発明の一実施例に係る基板処理装置で温度変化によって輻射エネルギーが測定される赤外線波長範囲を図示したグラフである。
【図６】本発明の他の実施例に係る基板処理装置を図示した図面である。
【図７】本発明の一実施例に係る基板処理方法を図示したフローチャートである。
【図８】本発明の一実施例に係る基板処理方法で薬液に対する放射温度計の特性を検出するための実験装置を図示した構造図である。
【図９】本発明の一実施例に係る基板処理方法で薬液に浸漬された基板に対する放射温度計の特性を検出するための実験装置を図示した構造図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る基板処理方法で基板と薬液の界面に対する放射温度計の特性を検出するための実験装置を図示した構造図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る基板処理方法で放射温度計の特性を確認するための実験装置を図示した構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、添付された図面を参照して、本発明に係る基板処理装置と基板処理方法の一実施例を説明する。この過程で、図面に図示された線の厚さや構成要素の大きさなどは説明の明瞭性と便宜上誇張して図示されることがある。
【００４９】
また、後述される用語は本発明での機能を考慮して定義された用語であって、これは使用者、運用者の意図または慣例によって変更され得る。したがって、このような用語に対する定義は本明細書の全般にわたった内容に基づいて下されるべきである。
【００５０】
図１は本発明の一実施例に係る基板処理装置を図示した図面であり、図２は本発明の一実施例に係る枚葉式湿式食刻または洗浄工程での基板を図示した図面であり、図３は本発明の一実施例に係る基板処理装置を図示した第１構成図であり、図４は本発明の一実施例に係る基板処理装置を図示した第２構成図であり、図５は本発明の一実施例に係る基板処理装置で温度変化によって輻射エネルギーが測定される赤外線波長範囲を図示したグラフである。
【００５１】
図１〜図５を参照すると、本発明の一実施例に係る基板処理装置は、放射率設定部１１と、輻射エネルギー入力部１５と、算出部１７と、チャンバー５０とを含むことによって、薬液（Ｃ）による基板（Ｗ）の処理温度を最適化させることができる。
【００５２】
ここで、枚葉式湿式工程を詳察すると、枚葉の基板（Ｗ）がサポート５４に装着され、拡散部５７を通じて基板（Ｗ）を回転させる。一個以上の薬液槽５９から薬液ライン５８を経て移動した薬液（Ｃ）は既設定された順序によって薬液槽５９に対応するノズル５５から基板（Ｗ）の表面に供給される。
【００５３】
このような枚葉式湿式工程では、薬液（Ｃ）の接触時間、薬液（Ｃ）の量、薬液（Ｃ）の温度によって工程結果が変わり得る。一例として、工程時間を短縮したり工程の特性によって常温以上の温度を必要とする場合において、薬液槽５９で薬液（Ｃ）を加熱し、加熱した薬液（Ｃ）を基板（Ｗ）に供給することができる。他の例として、薬液（Ｃ）が混合液を使用する場合には化学反応熱を利用することができる。
【００５４】
本発明の一実施例に係る基板処理装置は、ノズル５５から供給される薬液（Ｃ）を利用して枚葉の基板（Ｗ）を食刻または洗浄する枚葉式湿式食刻または洗浄工程で回転する基板（Ｗ）に薬液（Ｃ）が接触されるとき、基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）とが接触される界面の算出温度を測定することができる。
【００５５】
放射率設定部１１は、薬液（Ｃ）または基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）とが接触される界面での放射率が入力される。ここで、放射率は薬液（Ｃ）の種類によって既設定される。
【００５６】
一例として、基板（Ｗ）に供給されて基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）とが接触される界面での放射率を別途測定し、測定された放射率が放射率設定部１１に入力され得る。本発明の一実施例で、放射率は、基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）とが接触される界面で輻射されたエネルギーが基板（Ｗ）を通過した複合的な放射率であり得る。
【００５７】
輻射エネルギー入力部１５は、基板（Ｗ）の上側に離隔配置された設置部（Ｂ）に具備される。輻射エネルギー入力部１５は、基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）とが接触される界面から放射される輻射エネルギーが入力される。
【００５８】
一例として、輻射エネルギー入力部１５は、薬液（Ｃ）を基板（Ｗ）に接触された状態で薬液（Ｃ）または界面から放射されて基板（Ｗ）を通過した輻射エネルギーが入力され得る。
【００５９】
算出部１７は、放射率設定部１１に入力される放射率と、輻射エネルギー入力部１５に入力される輻射エネルギーに基づいて基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または界面の算出温度を算出する。
【００６０】
算出部１７は下記の［数学式１］によって計算される絶対温度（Ｔ）を利用して算出温度を計算することができる。
【００６１】
【数７】
0006452799.tif 000008
【００６２】
ここで、
【００６３】
【数８】
0006452799.tif 000009
【００６４】
であり、
【００６５】
【数９】
0006452799.tif 000010
【００６６】
である。
【００６７】
ただし、Ｅ（λ、Ｔ）は輻射エネルギー入力部１５に入力される輻射エネルギーであり、
λは既設定された赤外線波長であり、
εは薬液（Ｃ）の放射率であり、
Ｔは絶対温度であり、
ｈはプランク定数（Ｐｌａｎｋ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）であり、
ｃは光速であり、
ｋはボルツマン定数（Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）である。
【００６８】
ここで、算出された絶対温度（Ｔ）を摂氏温度または華氏温度に換算することによって、算出温度を正確に測定することができる。
【００６９】
既設定された赤外線波長は輻射エネルギー入力部１５によって既設定される定数である。
【００７０】
図５を参照すると、黒体を含むすべての物質は輻射エネルギーを放出するが、温度によってピーク波長が互いに異なる。
【００７１】
物体から放出される輻射エネルギーはプランクの法則（ｐｌａｎｋ’ｓ  ｌａｗ）に従い、温度が低いほどピーク波長は長波長に移動する。
【００７２】
薬液（Ｃ）の温度が摂氏２５度であるとき、１Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定できる波長は４μｍ超過３０μｍ以下の範囲にあり、ピーク波長は１０μｍである。
【００７３】
ここで、波長が４μｍ以下であるか３０μｍを超過する波長では輻射エネルギーを測定することが難しいため、波長は４μｍ超過３０μｍ以下の赤外線波長に既設定される。
【００７４】
さらに詳しくは、赤外線波長は５μｍ以上２５μｍ未満で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は２Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００７５】
また、赤外線波長は６μｍ以上２３μｍ未満で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は３Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００７６】
また、赤外線波長は６μｍ以上１９μｍ未満で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は４Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００７７】
また、赤外線波長は６μｍ超過１８μｍ未満で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は５Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００７８】
また、赤外線波長は７μｍ以上１７μｍ以下で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は６Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００７９】
また、赤外線波長は７μｍ以上１６μｍ以下で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は７Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００８０】
また、赤外線波長は８μｍ以上１４μｍ未満で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は８Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００８１】
また、赤外線波長は９μｍ以上１１μｍ以下で既設定され得る。このとき、輻射エネルギー入力部１５は９Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーが入力され得る。
【００８２】
このとき、放射率設定部１１と輻射エネルギー入力部１５と算出部１７を含んで算出温度を測定するように、設置部（Ｂ）に設置される放射温度計（１０、Ｐｙｒｏｍｅｔｅｒ）で構成され得る。放射温度計１０は算出温度を測定するための放射率設定部１１と輻射エネルギー入力部１５と算出部１７がモジュール化されることによって、算出温度を簡便に算出することができる。放射温度計１０は目的に合う放射率値と赤外線波長などが既設定され得る。
【００８３】
前述した放射温度計１０は、基板（Ｗ）を基準として界面で基板（Ｗ）と離隔されて具備され得る。この場合、薬液（Ｃ）に対する光の散乱および光の干渉によって発生する算出温度の誤差を補正することができる。
【００８４】
また、前述した放射温度計１０は、基板（Ｗ）を基準として界面の反対面で基板（Ｗ）と離隔されて具備され得る。この場合、薬液（Ｃ）に対する光の散乱および光の干渉に影響を最小化することによって、算出される算出温度の誤差を抑制または防止することによって、算出温度の誤差範囲を最小化させることができる。
【００８５】
前述した輻射エネルギー入力部１５または放射温度計１０は、保護部１９によって囲まれて保護される。保護部１９が具備されることによって、薬液（Ｃ）の加熱による蒸気（ｆｕｍｅ）によって輻射エネルギー入力部１５または放射温度計１０が誤動作されることを防止することができる。
【００８６】
保護部１９は、赤外線波長が安定的に透過され、入力される輻射エネルギーの誤差を防止し、周辺温度に干渉されないように、ウインドウまたはビームパイプなどのような透過性の材質からなることが有利である。
【００８７】
本発明の一実施例に係る基板処理装置は、制御部３０とヒーター２０とをさらに含むことができる。
【００８８】
制御部３０は、基板（Ｗ）を食刻または洗浄するために既設定された工程温度と、算出部１７を通じて計算された算出温度とを比較する。
【００８９】
ここで、制御部３０は、算出部１７で計算された算出温度をアナログまたはデジタル信号に変換する信号変換部３１と、信号変換部３１の信号と既設定された工程温度による信号を比較して二つの信号の差を転送するコントローラ３３とを含むことができる。ここで、信号変換部３１は放射温度計１０に含まれ得る。
【００９０】
また、制御部３０は基板処理装置全体の動作を制御することができる。
【００９１】
コントローラ３３は信号変換部３１から伝達を受けた信号を作業者が認知できるように、数字で表示するか比較のためのデータで保存することができる。また、コントローラ３３は、二つの信号の差によって工程の異常可否を判断して作業者に通知することができる。
【００９２】
ヒーター２０は、基板（Ｗ）から離隔配置されて制御部３０の信号によって基板（Ｗ）または基板（Ｗ）に接触される薬液（Ｃ）を加熱する。ヒーター２０は設置部（Ｂ）に具備され得る。
【００９３】
また、ヒーター２０は、輻射エネルギー入力部１５または放射温度計１０と一体形成され得る。ヒーター２０は、赤外線ヒーターで構成されて基板（Ｗ）を加熱することができる。
【００９４】
ヒーター２０は、基板（Ｗ）または基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）を加熱することによって、常温の薬液（Ｃ）を基板（Ｗ）に供給することができ、薬液（Ｃ）の温度調節が容易であり、加熱による薬液（Ｃ）の濃度と薬液（Ｃ）の組成の変化を抑制または防止することができる。
【００９５】
制御部３０は、放射温度計１０で測定される算出温度に対応してヒーター２０を動作させる。制御部３０は、算出温度と基板（Ｗ）を処理するために既設定された工程温度とを比較して、算出温度と既設定された工程温度との差の値でヒーター２０の加熱動作を制御することができる。
【００９６】
一例として、制御部３０の信号で算出温度が既設定された工程温度に含まれる場合、引き続き放射温度計１０を通じて、基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または界面の算出温度を測定することができる。
【００９７】
また、制御部３０の信号で算出温度が既設定された工程温度に含まれないと、算出温度が既設定された工程温度に到達するように制御部３０は算出温度と既設定された工程温度の差の値による制御信号をヒーター２０に転送して、ヒーター２０の出力を上昇または下降させることによって、基板（Ｗ）または基板（Ｗ）に接触される薬液（Ｃ）の温度を調節することができる。
【００９８】
そうすると、枚葉式湿式食刻または洗浄工程に必要な処理温度を安定的に維持させることができ、枚葉式湿式食刻または洗浄工程の精密度を向上させることができる。
【００９９】
特に、本発明の一実施例によって選択的または全体基板（Ｗ）に対する湿式食刻工程で工程温度が一定に維持されることによって、基板（Ｗ）の微細パターンによるパターン幅と、パターン間隔と、パターン厚さと、食刻深さの正確度とを向上させて基板（Ｗ）を食刻することができる。
【０１００】
また、湿式洗浄工程で工程温度が一定に維持されることによって、基板（Ｗ）に接触された薬液によって表面張力を安定的に低くして基板（Ｗ）の微細パターンの間に薬液の浸透を容易にし、表面張力による隣接したパターン間の接触を防止し、表面張力でパターンが変形されたりパターンが崩れることを防止することができる。
【０１０１】
つまり、パターンの間に残存する食刻液または異物を安定的に除去することはもちろん、湿式食刻または洗浄工程での歩留まりを向上させることができる。
【０１０２】
また、薬液（Ｃ）が常温の状態で供給されても基板（Ｗ）に接触された常温の薬液（Ｃ）を加熱して食刻または洗浄することができる。特に、薬液（Ｃ）としてリン酸を使用する場合、リン酸の沸点以上でリン酸で枚葉式湿式食刻または洗浄工程を実施することができる。
【０１０３】
ここで、基板（Ｗ）はテーブル５３の回転中心部分に対応する中心領域（ｗ１）と、テーブル５３の回転による縁部分に対応するエッジ領域（ｗ２）と、中心領域（ｗ１）とエッジ領域（ｗ２）の間を区画する変動領域（ｗ３）とに区分することができる。変動領域（ｗ３）は複数個で形成され得る。そうすると、輻射エネルギー入力部１５とヒーター２０は中心領域（ｗ１）とエッジ領域（ｗ２）と変動領域（ｗ３）にそれぞれ配置され、制御部３０は中心領域（ｗ１）とエッジ領域（ｗ２）と変動領域（ｗ３）で個別的にヒーター２０を動作させることができる。
【０１０４】
本発明の一実施例に係る基板処理装置は、チャンバー５０をさらに含むことができる。
【０１０５】
チャンバー５０は基板（Ｗ）を安定的に装着支持し、薬液（Ｃ）を基板（Ｗ）に供給する。チャンバー５０にはテーブル５３と、サポート５４と、ノズル５５が含まれる。
【０１０６】
チャンバー５０は枚葉式で湿式食刻または洗浄工程がなされるもので、基板（Ｗ）を処理する際に、薬液（Ｃ）の供給、食刻、洗浄、乾燥などを基板（Ｗ）を移動することなく実施することができるため、インライン化を実現し、湿式食刻または洗浄工程を自動化することができる。
【０１０７】
このような枚葉式チャンバー５０は、バッチ式チャンバーに比べて個別基板（Ｗ）の処理状態と基板（Ｗ）の管理が容易であり、基板（Ｗ）間の汚染物質移動を防止し、薬液（Ｃ）の消費量を最小化することができる。
【０１０８】
また、枚葉式チャンバー５０は、バッチ式チャンバーに比べて枚葉式湿式食刻または洗浄工程を進行する際に、薬液（Ｃ）の取り替えが便利であり、個別の基板（Ｗ）に毎度新しい薬液（Ｃ）が供給されて薬液（Ｃ）の濃度管理が容易である。
【０１０９】
また、枚葉式チャンバー５０は、バッチ式チャンバーに比べて基板（Ｗ）の大型化に対応して基板（Ｗ）の処理均一性を確保し、チャンバー５０の製造費用を節減することができる。
【０１１０】
ここで、バッチ式チャンバーは、基板（Ｗ）を薬液（Ｃ）に沈殿させて湿式食刻または洗浄工程がなされるようにする。一例として、バッチ式チャンバーは複数の基板（Ｗ）が配置されたカセット（図示されず）を薬液（Ｃ）に沈殿させて湿式食刻または洗浄工程がなされるようにすることができる。
【０１１１】
テーブル５３はチャンバー５０に回転可能に配置される。テーブル５３は拡散部５７を通じて回転する。拡散部５７を通じて基板（Ｗ）が回転することによって、薬液（Ｃ）が基板（Ｗ）に接触されて均一な厚さで塗布され得る。拡散部５７は、ノズル５５から薬液（Ｃ）が基板（Ｗ）に供給されるように、ノズル５５に噴射圧を提供することができる。
【０１１２】
サポート５４はテーブル５３に具備され、テーブル５３から基板（Ｗ）を離隔支持する。サポート５４は、基板（Ｗ）の縁を支持することによって、基板（Ｗ）の表面にスクラッチのような損傷が発生することを防止することができる。
【０１１３】
ノズル５５は基板（Ｗ）に薬液（Ｃ）を供給する。ノズル５５は基板（Ｗ）の下側に離隔配置される。ノズル５５はテーブル５３の回転中心に配置されて基板（Ｗ）に薬液（Ｃ）を供給することができる。図示していないが、ノズル５５は基板（Ｗ）の上側に離隔配置され、別途のスイング手段によってスイング運動して基板（Ｗ）に薬液（Ｃ）を供給することができる。
【０１１４】
ただし、基板（Ｗ）の下側にノズル５５が具備される場合、基板（Ｗ）の上側にノズル５５を具備するより枚葉式湿式食刻または洗浄工程で発生する汚染物の除去が容易であり、薬液（Ｃ）の飛散による汚染を抑制し、薬液（Ｃ）の消耗量を低減させることができる。
【０１１５】
このとき、基板（Ｗ）に供給された薬液（Ｃ）は、チャンバー５０に具備された排出部５１を通じて回収することができる。排出部５１は、基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）の接触によって枚葉式湿式食刻または洗浄工程で発生する薬液の加熱による蒸気（ｆｕｍｅ）または異物などのような汚染物の排出経路を形成する。
【０１１６】
排出部５１には別途の吸入力が提供されて、汚染物を吸入して排出することができる。排出部５１は、チャンバー５０に装着される基板（Ｗ）の縁に沿って形成され得る。
【０１１７】
ここで、基板（Ｗ）の上側に輻射エネルギー入力部１５が離隔配置され、基板（Ｗ）の下側にノズル５５が離隔配置されることによって、薬液（Ｃ）に対する光の散乱および光の干渉に影響を最小化することによって、算出される算出温度の誤差を抑制または防止することによって、算出温度の誤差範囲を最小化させることができる。
【０１１８】
また、輻射エネルギー入力部１５とノズル５５の配置構造によって基板（Ｗ）の下面に常温の薬液（Ｃ）をミスト形態で供給でき、薬液（Ｃ）の沸点以上となる高温でも枚葉式湿式食刻または洗浄工程を進行することができる。
【０１１９】
また、薬液（Ｃ）が投入される状態においても枚葉式湿式食刻または洗浄工程の進行による熱損失がなく、枚葉式湿式食刻または洗浄工程に必要な温度を簡便に調節して最適化された温度条件を維持することができる。
【０１２０】
薬液（Ｃ）の種類に対応してノズル５５と薬液ライン５８と薬液槽５９とを一つ以上具備することができる。このとき、薬液槽５９の薬液（Ｃ）は加熱されて工程温度と同じであるか小さい温度となり得る。
【０１２１】
つまり、本発明の一実施例に係る基板処理装置は、基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）の温度を調節することはもちろん、モニタリング機能を通じて薬液（Ｃ）が基板（Ｗ）に接触された状態で薬液（Ｃ）の温度変化をモニタリングすることによって、薬液（Ｃ）の温度変化による枚葉式湿式食刻または洗浄工程での問題点を捜し出し、基板（Ｗ）の食刻または洗浄状態をチェックすることができる。
【０１２２】
また、本発明の一実施例に係る基板処理装置は、基板（Ｗ）の表面から離隔されてヒーター２０を通じて基板（Ｗ）または基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）の温度を調節することによって、基板（Ｗ）の下面に常温の薬液（Ｃ）をミスト形態で供給でき、薬液（Ｃ）の沸点以上となる高温でも枚葉式湿式食刻または洗浄工程を進行することができる。
【０１２３】
また、本発明の一実施例に係る基板処理装置は、薬液（Ｃ）が投入される状態においても枚葉式湿式食刻または洗浄工程の進行による熱損失がなく、枚葉式湿式食刻または洗浄工程に必要な温度を簡便に調節して最適化された温度条件を維持することができる。
【０１２４】
ここからは本発明の他の実施例に係る基板処理装置について説明する。
【０１２５】
本発明の他の実施例に係る基板処理装置において、本発明の一実施例に係る基板処理装置と同じ構成に対しては同じ図面番号を付与し、これに対する説明は省略する。
【０１２６】
図６は本発明の他の実施例に係る基板処理装置を図示した図面である。
【０１２７】
図６を参照すると、本発明の他の実施例に係る基板処理装置はノズル５５の位置が変更される。
【０１２８】
さらに詳しくは、基板（Ｗ）の上側に輻射エネルギー入力部１５とノズル５５が離隔配置されることによって、基板（Ｗ）の上側にノズル５５が具備されるより枚葉式湿式食刻または洗浄工程で発生する汚染物の除去が容易であり、薬液（Ｃ）の飛散による汚染を抑制し、薬液（Ｃ）の消耗量を抑制することができる。
【０１２９】
また、輻射エネルギー入力部１５とノズル５５の配置構造によって、基板（Ｗ）の表面に常温の薬液（Ｃ）を液体形態で供給でき、薬液（Ｃ）の沸点以上となる高温でも枚葉式湿式食刻または洗浄工程を進行することができる。
【０１３０】
また、薬液（Ｃ）が投入される状態においても枚葉式湿式食刻または洗浄工程の進行による熱損失がなく、枚葉式湿式食刻または洗浄工程に必要な温度を簡便に調節して最適化された温度条件を維持することができる。
【０１３１】
ここからは本発明の一実施例に係る基板処理方法について説明する。
【０１３２】
図７は本発明の一実施例に係る基板処理方法を図示したフローチャートであり、図８は本発明の一実施例に係る基板処理方法で薬液に対する放射温度計の特性を検出するための実験装置を図示した構造図であり、図９は本発明の一実施例に係る基板処理方法で薬液に浸漬された基板に対する放射温度計の特性を検出するための実験装置を図示した構造図であり、図１０は本発明の一実施例に係る基板処理方法で基板と薬液の界面に対する放射温度計の特性を検出するための実験装置を図示した構造図であり、図１１は本発明の一実施例に係る基板処理方法で放射温度計の特性を確認するための実験装置を図示した構造図である。
【０１３３】
図７〜１１を参照すると、薬液（Ｃ）または薬液（Ｃ）と基板（Ｗ）が接触される界面から放射される輻射エネルギーを測定することができる。
【０１３４】
まず、基板（Ｗ）に対する放射温度計１０の特性を導き出すための実験を実施する。
【０１３５】
本実験で、基板（Ｗ）はシリコンウェハーを使用した。その他にも基板（Ｗ）は炭化ケイ素（ＳｉＣ）、サファイアウェハー、石英などを使用することができる。
【０１３６】
本実験のために、実験群は基板（Ｗ）の一側に放射温度計１０を離隔配置させ、基板（Ｗ）の他側に黒体と加熱ヒーター６３を順に離隔配置させた後、加熱ヒーター６３を通じて黒体を加熱して加熱温度によって輻射エネルギーを測定する。
【０１３７】
そして、これに対する対照群は黒体の一側に放射温度計１０を離隔配置させ、黒体の他側に加熱ヒーター６３を離隔配置させた後、実験群と同一に加熱ヒーター６３を通じて黒体を加熱して加熱温度によって輻射エネルギーを測定する。
【０１３８】
実験結果、実験群と対照群は実質的に同じ輻射エネルギーが測定されることにより、基板（Ｗ）は赤外線波長を透過する特性が表れる。
【０１３９】
また、放射温度計１０と加熱ヒーター６３の間に基板（Ｗ）の種類を変更して配置し、透過特性を詳察した結果、基板（Ｗ）の膜質または膜厚が違っても赤外線波長が透過される特性が表れる。
【０１４０】
また、薬液（Ｃ）に対する放射温度計１０の特性を導き出すための実験を実施する。
【０１４１】
本実験で、薬液（Ｃ）は８５重量％のリン酸を使用した。
【０１４２】
本実験のためにテスト水槽６０に薬液（Ｃ）を満たし、薬液（Ｃ）の表面から放射温度計１０を離隔配置させる。そして、加熱ヒーター６３を通じて薬液（Ｃ）を加熱し、薬液（Ｃ）の温度を変更して薬液（Ｃ）の放射率を測定する。このとき、薬液（Ｃ）には熱電対６１を浸漬させて薬液（Ｃ）の温度を測定することができる。
【０１４３】
実験結果、温度にかかわらず薬液（Ｃ）の放射率が実質的に一定に維持されることを確認した。
【０１４４】
あわせて、フォトレジスト除去工程に使用される薬液（Ｃ）に対する放射温度計１０の特性も、温度にかかわらず薬液（Ｃ）の放射率が実質的に一定に維持される特性が表れる。
【０１４５】
また、薬液（Ｃ）に浸漬された基板（Ｗ）に対する放射温度計１０の特性を導き出すための実験を実施する。
【０１４６】
本実験のためにテスト水槽６０に薬液（Ｃ）を満たし、薬液（Ｃ）の表面から放射温度計１０を離隔配置させる。
【０１４７】
そして、加熱ヒーター６３を通じて薬液（Ｃ）を加熱し、薬液（Ｃ）の表面から薬液（Ｃ）に浸漬された基板（Ｗ）を深さ別に移動させながら、薬液（Ｃ）の設定温度による基板（Ｗ）の温度と薬液（Ｃ）の放射率を測定し、下記の［表１］に表示する。
【０１４８】
このとき、基板（Ｗ）には熱電対６１を連結させて基板（Ｗ）の温度を測定することができる。
【０１４９】
実験結果、薬液（Ｃ）だけを測定した結果とは値の差があるが、基板（Ｗ）の温度と、薬液（Ｃ）の放射率は実質的に一定に維持される特性が表れる。
【０１５０】
【表１】
0006452799.tif 000011
【０１５１】
また、基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）の界面に対する放射温度計１０の特性を導き出すための実験を実施する。
【０１５２】
ここで、薬液（Ｃ）は８５重量％のリン酸を使用し、薬液（Ｃ）：純水の比が１：２である場合、リン酸は約３９重量％が含まれ、薬液（Ｃ）：純水の比が１：１である場合、リン酸は約５３重量％が含まれる。
【０１５３】
本実験のためにテスト水槽６０に薬液（Ｃ）を満たし、薬液（Ｃ）の表面から放射温度計１０を離隔配置させる。
【０１５４】
そして、加熱ヒーター６３を通じて薬液（Ｃ）を加熱し、薬液（Ｃ）の表面に基板（Ｗ）を接触させた状態で薬液（Ｃ）の種類を変更して薬液（Ｃ）の設定温度による基板（Ｗ）の温度と薬液（Ｃ）の放射率を測定し、下記の［表２］に表示する。
【０１５５】
このとき、基板（Ｗ）には熱電対６１を連結させて基板（Ｗ）の温度を測定することができる。
【０１５６】
実験結果、薬液（Ｃ）の濃度が変化して放射率が変化するが、同一濃度に対しては放射率が実質的に一定に維持される特性が現れる。
【０１５７】
【表２】
0006452799.tif 000012
【０１５８】
また、膜の変更に放射温度計１０の特性を導き出すための実験を実施する。
【０１５９】
本実験のためにテストハウジング７０内で基板（Ｗ）に薬液（Ｃ）を微量（０．５ｍｍ未満の厚さ）接触させ、基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）が接触される界面側にテストブロック８０を離隔配置させ、界面の反対面に放射温度計１０を離隔配置する。
【０１６０】
そして、テストブロック８０の配置の有無と薬液（Ｃ）の接触の有無に対する温度を測定する。このとき、基板（Ｗ）には熱電対６１を連結させて基板（Ｗ）の温度を測定することができる。
【０１６１】
実験結果、薬液（Ｃ）が接触された状態にはテストブロック８０の配置の有無とかかわらず実質的に一定に温度が維持される特性が現れる。そして、薬液（Ｃ）を除去した状態にはテストブロック８０の配置の有無によって温度が変わる特性が現れる。
【０１６２】
実験結果をまとめると、
第１に、常温領域で基板（Ｗ）は赤外線波長が透過される特性が現れる。
【０１６３】
第２に、基板（Ｗ）に他の物質が蒸着されても赤外線波長が透過される特性が現れる。
【０１６４】
第３に、同じ濃度の薬液（Ｃ）に対して薬液（Ｃ）の温度と薬液（Ｃ）の量にかかわらず実質的に同じ放射率を有する。
【０１６５】
第４に、薬液（Ｃ）の量は測定地点に微量が存在しても赤外線波長が放射される特性を現わす。
【０１６６】
前述した実験結果に基づいて、本発明の一実施例に係る基板処理方法は測定段階（Ｓ１）と、算出段階（Ｓ２）を含む。
【０１６７】
測定段階（Ｓ１）は基板（Ｗ）に接触される薬液（Ｃ）または基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）が接触される界面から放射される輻射エネルギーを測定する。ここで、測定段階（Ｓ１）は放射温度計１０を通じて薬液（Ｃ）または界面から放射される輻射エネルギーを測定、輻射エネルギー入力部１５に入力する。
【０１６８】
測定段階（Ｓ１）は基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）が接触される界面での放射率を別途測定し、測定された放射率を放射率設定部１１に入力することができる。
【０１６９】
算出段階（Ｓ２）は測定段階（Ｓ１）を経て測定された輻射エネルギーと薬液（Ｃ）の放射率を利用して基板に接触された薬液（Ｃ）または界面の算出温度を算出する。
【０１７０】
ここで、算出段階（Ｓ２）は下記の［数学式２］によって計算される絶対温度（Ｔ）を利用して算出温度を算出することができる。
【０１７１】
【数１０】
0006452799.tif 000013
【０１７２】
ここで、
【０１７３】
【数１１】
0006452799.tif 000014
【０１７４】
であり、
【０１７５】
【数１２】
0006452799.tif 000015
【０１７６】
である。
【０１７７】
ただし、Ｅ（λ、Ｔ）は測定段階（Ｓ１）を通じて測定される輻射エネルギーであり、
λは既設定された赤外線波長であり、
εは薬液（Ｃ）の放射率であり、
Ｔは絶対温度であり、
ｈはプランク定数（Ｐｌａｎｋ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）であり、
ｃは光速であり、
ｋはボルツマン定数（Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）である。
【０１７８】
これに伴い、算出された絶対温度（Ｔ）を摂氏温度または華氏温度に換算することによって、算出温度を正確に測定することができる。
【０１７９】
このとき、赤外線波長は４μｍ超過３０μｍ以下で既設定され得る。
【０１８０】
物体から放出される輻射エネルギーはプランクの法則（ｐｌａｎｋ’ｓ  ｌａｗ）に従い、温度が低いほどピーク波長は長波長に移動する。
【０１８１】
薬液（Ｃ）の温度が摂氏２５度（常温領域）のとき、１Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定できる波長は４μｍ超過３０μｍ以下の範囲にあり、ピーク波長は１０μｍである。
【０１８２】
ここで、波長が４μｍ以下であるか３０μｍを超過する波長では輻射エネルギーを測定することが難しいため、赤外線波長は４μｍ超過３０μｍ以下で既設定され得る。
【０１８３】
さらに詳しくは、赤外線波長は５μｍ以上２５μｍ未満で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は２Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１８４】
また、赤外線波長は６μｍ以上２３μｍ未満で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は３Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１８５】
また、赤外線波長は６μｍ以上１９μｍ未満で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は４Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１８６】
また、赤外線波長は６μｍ超過１８μｍ未満で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は５Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１８７】
また、赤外線波長は７μｍ以上１７μｍ以下で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は６Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１８８】
また、赤外線波長は７μｍ以上１６μｍ以下で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は７Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１８９】
また、赤外線波長は８μｍ以上１４μｍ未満で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は８Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１９０】
また、赤外線波長は９μｍ以上１１μｍ以下で既設定され得る。このとき、測定段階（Ｓ１）は９Ｗ／（ｍ２）（ｓｒ）（μｍ）以上の輻射エネルギーを測定することができる。
【０１９１】
本発明の一実施例に係る基板処理方法は比較段階（Ｓ３）をさらに含むことができる。
【０１９２】
比較段階（Ｓ３）は基板（Ｗ）を食刻または洗浄などの処理をするために既設定された工程温度と算出温度とを比較する。比較段階（Ｓ３）は制御部３０のコントローラ３３によって工程温度と算出温度とを比較することができる。比較段階（Ｓ３）と補正段階（Ｓ４）はヒーター２０と制御部３０を通じてなされる。
【０１９３】
既設定された工程温度は、枚葉式湿式食刻または洗浄工程の処理条件によって温度値で設定されることもあり、温度範囲で設定されることもある。
【０１９４】
比較段階（Ｓ３）は、コントローラ３３によって信号変換部３１から伝達を受けた信号を作業者が認知できるように、数字で表示するか比較のためのデータで保存することができる。
【０１９５】
比較段階（Ｓ３）を経た結果によって、基板（Ｗ）または基板（Ｗ）に接触される薬液（Ｃ）の温度を調節することができる。
【０１９６】
さらに具体的には、比較段階（Ｓ３）を経ながら算出温度が既設定された工程温度に含まれる場合、測定段階（Ｓ１）を再実施する。
【０１９７】
また、比較段階（Ｓ３）を経ながら算出温度が既設定された工程温度に含まれない場合、補正段階（Ｓ４）をさらに含む。
【０１９８】
補正段階（Ｓ４）は、算出温度と既設定された工程温度の差の値によって、基板（Ｗ）または基板（Ｗ）に接触される薬液（Ｃ）を加熱する。補正段階（Ｓ４）では、制御部３０に転送される制御信号によってヒーター２０の出力を調節して、基板（Ｗ）または基板（Ｗ）に接触される薬液（Ｃ）を加熱する程度を調節することができる。
【０１９９】
前述した算出温度は算出部１７で計算される温度で、工程温度は薬液（Ｃ）の種類によって基板（Ｗ）を食刻または洗浄するために計算された理論的な温度であり、処理温度は基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）の実際の温度である。
【０２００】
比較段階（Ｓ３）と補正段階（Ｓ４）では、コントローラ３３によって信号変換部３１から伝達を受けた信号を作業者が認知できるように、数字で表示することができる。また、比較段階（Ｓ３）と補正段階（Ｓ４）では、比較のためのデータを保存することができる。
【０２０１】
また、比較段階（Ｓ３）と補正段階（Ｓ４）では、二つの信号の差によって工程の異常可否を判断して作業者に通知することができる。
【０２０２】
総合的に本発明の一実施例に係る基板処理方法を詳察すると、次のとおりである。チャンバー５０で基板（Ｗ）が回転され、基板（Ｗ）に薬液（Ｃ）を供給する。ここで薬液（Ｃ）の種類と、薬液（Ｃ）の量と、薬液（Ｃ）の噴射時間などの工程条件は作業者によって既設定され得る。
【０２０３】
基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または基板（Ｗ）と薬液（Ｃ）が接触される界面から放出される輻射エネルギーは、輻射エネルギー入力部１５に入射される。本発明の一実施例では赤外線領域の輻射エネルギーを利用して、入射された輻射エネルギーは時間の流れによって強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が連続的に変わるアナログ形態の信号である。
【０２０４】
そして、算出部１７では、輻射エネルギー入力部１５に入射された輻射エネルギーと、放射率設定部１１に既設定された放射率を通じて算出温度を算出する。このとき、算出された算出温度はデジタル信号であり、信号変換部３１を通じてアナログ信号に変換されてコントローラ３３に伝達される。
【０２０５】
コントローラ３３では既設定された工程温度と伝達された算出温度を比較して工程の異常可否を判断して作業者に通知することができる。
【０２０６】
前述した基板処理装置と基板処理方法によれば、基板（Ｗ）に接触された薬液（Ｃ）または界面の温度を直接測定することによって、処理温度を正確かつ効率的に管理することができる。
【０２０７】
また、本発明は基板（Ｗ）内の温度分布変化を把握できるようになるため、食刻工程または洗浄工程で歩留まり低下の原因を把握する根拠に活用することができ、さらには工程不良を予測することができる。
【０２０８】
本発明は図面に図示された実施例を参照して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術が属する分野で通常の知識を有した者であればこれから多様な変形および均等な他の実施例が可能であることを理解できるはずである。
【０２０９】
したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲によって定められるべきである。
【符号の説明】
【０２１０】
１０  放射温度計
１１  放射率設定部
１５  輻射エネルギー入力部
１７  算出部
１９  保護部
２０  ヒーター
３０  制御部
３１  信号変換部
３３  コントローラ
５０  チャンバー
５１  排出部
５３  テーブル
５４  サポート
５５  ノズル
５７  拡散部
５８  薬液ライン
５９  薬液層
６０  テスト水槽
６１  熱電対
６３  加熱ヒーター
７０  テストハウジング
８０  テストブロック
Ｂ  接地部
Ｃ  薬液
Ｗ  基板
【図１】
0006452799.tif 000019
【図２】
0006452799.tif 000020
【図３】
0006452799.tif 000021
【図４】
0006452799.tif 000022
【図５】
0006452799.tif 000023
【図６】
0006452799.tif 000024
【図７】
0006452799.tif 000025
【図８】
0006452799.tif 000026
【図９】
0006452799.tif 000027
【図１０】
0006452799.tif 000028
【図１１】
0006452799.tif 000029