(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂層を積層してなり、表面および裏面を有すると共に、かかる表面に複数の電極が形成された樹脂基板部と、
セラミックからなり、上記樹脂基板部の裏面側に積層される表面と、該表面に対向する裏面とを有すると共に、かかる裏面に形成され、且つ上記複数の電極の何れかと導通する複数の外部接続端子を有するセラミック基板部と、を備えた多層配線基板であって、
上記樹脂基板部を構成する複数の樹脂層のうち、上記セラミック基板部の表面に隣接する裏面側の樹脂層の厚みは、他の樹脂層の厚みよりも大である、
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記セラミック基板部は、複数のセラミック層を積層してなり、かかるセラミック層間には、上下のビア導体と両面で個別に接続する配線層が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記樹脂基板部を構成する複数の樹脂層は、それらの両面の全面に溶融接着層を有している、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の多層配線基板の製造方法であって、
セラミックからなり、表面および裏面を有する前記セラミック基板部を準備する工程と、
上記セラミック基板部の表面側に、前記複数の樹脂層をそれらの厚み方向に沿って配置した状態で熱プレスする工程と、を含み、
上記熱プレスする工程において、上記複数の樹脂層のうち、上記セラミック基板部の表面に隣接して配置される樹脂層の厚みは、他の樹脂層の厚みよりも大である、
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂層からなる樹脂基板部とセラミック基板部とを積層してなる多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電子部品検査装置用として、対向する一対の主面を有するセラミック配線基板と、該セラミック配線基板における一方の主面上に積層され、且つ複数の樹脂絶縁層および該樹脂絶縁層間に形成された配線層を有する配線構造体と、からなる多層配線基板およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記複数の樹脂絶縁層は、互いに同じ厚みであり、個々の樹脂絶縁層は、例えば、ポリイミド系の熱硬化性樹脂からなり、且つ厚みが約２０μｍである第１樹脂層と、該第１樹脂層の両面に積層され、ポリイミド系の熱可塑性樹脂からなり、且つ厚みが約２〜３μｍである第２樹脂層と、から構成されている。
【０００３】
前記多層配線基板を製造するには、前記セラミック配線基板における一方の主面上に配線構造体を積層した状態で、両者の厚み方向に沿って、該配線構造体に対して約３５０℃の熱プレスを施している。係る熱プレス工程において、上記セラミック配線基板がアルミナのように比較的強度が高い高温焼成セラミックからなる場合には、比較的高い圧力で熱プレスしても割れたりしにくい。しかし、例えば、ガラス−セラミックのような比較的強度が低い低温焼成セラミックからなる場合には、熱プレス工程において、割れるおそれがある。
しかも、前記樹脂絶縁層の第２樹脂層が２〜３μｍと薄いため、比較的低い圧力（約２０ｋｇ／ｃｍ2）により上記熱プレスを行うと、セラミック配線基板における一方の主面との間で密着不良（デラミネーション）を生じてしまう場合があった。一方、上記熱プレスを比較的高い圧力（約８５ｋｇ／ｃｍ2）で行うと、前記セラミック配線基板に割れが生じる場合もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２２２６号公報（第１〜１４頁、図１〜１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、複数の樹脂層を積層してなる樹脂基板部と、セラミックからなるセラミック基板部とを強固に密着して形成された多層配線基板と、上記セラミック基板部を割れにくくした該多層配線基板が得られる製造方法とを提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、前記樹脂基板部を構成する複数の樹脂層のうち、前記セラミック基板部の表面に隣接する樹脂層の厚みを他の樹脂層の厚みよりも厚くする、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多層配線基板（請求項１）は、複数の樹脂層を積層してなり、表面および裏面を有すると共に、かかる表面に複数の電極が形成された樹脂基板部と、セラミックからなり、上記樹脂基板部の裏面側に積層される表面と、該表面に対向する裏面とを有すると共に、かかる裏面に形成され、且つ上記複数の電極の何れかと導通する複数の外部接続端子を有するセラミック基板部と、を備えた多層配線基板であって、上記樹脂基板部を構成する複数の樹脂層のうち、上記セラミック基板部の表面に隣接する裏面側の樹脂層の厚みは、他の樹脂層の厚みよりも大である、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記樹脂基板部を構成する複数の樹脂層のうち、前記セラミック基板部の表面に隣接する裏面側の樹脂層の厚みは、他の樹脂層の厚みよりも大とされているので、以下の効果（１）〜（３）を奏することが可能である。
（１）前記樹脂基板部とセラミック基板部との間における密着不良のない多層配線基板となっている。
（２）前記セラミック基板部に割れのない多層配線基板となっている。
（３）前記セラミック基板部の表面に隣接する比較的厚みの大きい樹脂層によって、電極と外部接続端子とを導通する導通経路におけるシグナルインピーダンスを所望の値に合わせることができる。更に、その他の比較的厚みの小さい樹脂層によって、電極と外部接続端子とを導通する導通経路におけるパワーインピーダンスを所望の値に合わせることもできる。従って、互いに厚みの異なる樹脂層ごとを、要求される電気的特性ごとに使い分けることが可能となる。
【０００８】
尚、前記樹脂層を構成する樹脂は、約１５０℃程度でも軟化および溶融しない耐熱性を有する樹脂が望ましく、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、エポキシ系樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）などが用いられる。
また、前記樹脂基板部は、複数の樹脂層間に配線層が形成され、該配線層は、上下の樹脂層を個別に貫通するビア導体の少なくとも一方と接続されている。
更に、前記セラミック基板部を構成するセラミックは、熱膨張率の低いセラミックが望ましく、例えば、線熱膨張率が３．０〜４．５×１０6／℃であるガラス−セラミック、ムライト、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢＮなどが用いられる。
また、前記セラミック基板部には、比較的低熱膨張率である単層のセラミック層からなる形態のほか、複数のセラミック層を積層してなる形態も含まれる。
加えて、本発明の多層配線基板は、例えば、電子部品検査装置用に用いられるが、かかる用途以外についても、適用することが可能である。
【０００９】
また、本発明には、前記セラミック基板部は、複数のセラミック層を積層してなり、かかるセラミック層間には、上下のビア導体と両面で個別に接続する配線層が形成されている、多層配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、上記セラミック基板部の配線層とビア導体とを介して、前記樹脂基板部の電極の何れかと外部接続端子とが導通するので、該セラミック基板部の裏面において、外部接続端子を任意の位置に形成することが可能となる。その結果、セラミック基板部の外部接続端子を、例えば、プリント基板などのマザーボード側の外部接続端子に対して、容易に導通させることができる（効果４）。
【００１０】
更に、本発明には、前記樹脂基板部を構成する複数の樹脂層は、それらの両面の全面に溶融接着層を有している、多層配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、隣接する樹脂層同士の密着は基より、前記樹脂基板部の裏面側に位置する比較的厚みの大きな樹脂層とセラミック基板部の表面との間も確実に密着した多層配線基板となっている（効果５）。
尚、前記溶融接着層は、樹脂層を構成する熱硬化性樹脂と同種または異種の熱可塑性樹脂に限らず、加熱された際に接着性を発揮し得る樹脂であれば良い。
【００１１】
一方、本発明による多層配線基板の製造方法（請求項４）は、多層配線基板の製造方法であって、セラミックからなり、表面および裏面を有する前記セラミック基板部を準備する工程と、該セラミック基板部の表面側に、前記複数の樹脂層をそれらの厚み方向に沿って配置した状態で熱プレスする工程と、を含み、前記熱プレスする工程において、上記複数の樹脂層のうち、上記セラミック基板部の表面に隣接して配置される樹脂層の厚みは、他の樹脂層の厚みよりも大である、ことを特徴とする。
【００１２】
これによれば、以下のような効果（６）〜（８）を奏することが可能となる。
（６）樹脂基板部とセラミック基板部とを密着不良（デラミネーション）を生じることなる強固に接着することができる。
（７）比較的小さな圧力の熱プレス工程によって、セラミック基板部に割れを生じることを防止できると共に、省エネルギーを図ることも可能となる。
（８）上記効果（６），（７）が相まって、前記のような多層配線基板を確実に製造することができる。
尚、前記セラミック基板部が単層のセラミック層からなる形態の場合、ビア導体を平面視でその表面から裏面側に向って斜め外側向きに傾斜して拡がる形態としても良い。係る形態とするには、複数の傾斜したビア導体に倣ったロウ模型を囲むようにセラミックスラリを所定の密閉型内に充填し、加熱して上記ロウ模型を溶出した跡に、導電性ペーストを充填して、焼成する方法や、３Ｄプリンタを用いて上記セラミックスラリを順次充填して、焼成する方法により準備される。
また、前記樹脂基板部は、前記樹脂層となる樹脂フィルム（樹脂シート）を貫通するビア導体や、該樹脂フィルムの表面に配線層を形成し、これらの樹脂フィルムを積層するなどの技術によって製作することが可能である。
更に、前記各工程は、多数個取りの形態によって行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による一形態の多層配線基板を示す断面図。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は樹脂基板部の準備工程を示す断面図。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は図２に続く樹脂基板部の準備工程を示す断面図。
【図４】上記樹脂基板部とセラミック基板部との熱プレス工程を示す概略図。
【図５】上記樹脂基板部と異なる形態のセラミック基板部との熱プレス工程を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の多層配線基板１を示す断面図である。
かかる多層配線基板１は、図１に示すように、図示で上方に位置し、表面３および裏面４を有する樹脂基板部２と、該樹脂基板部２の裏面４側に積層され、表面１３および裏面１４を有するセラミック基板部１２と、を備えている。
上記樹脂基板部２は、複数の樹脂層Ｊ１〜Ｊ３を積層したものであり、かかる樹脂層Ｊ１〜Ｊ３間には、所定パターンの配線層８，９が形成され、その表面３には複数の電極（パッド）７が形成されていると共に、該電極７と配線層８，９との間、および配線層９と裏面４との間は、ビア導体１０，１１によって接続されている。上記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３は、比較的耐熱性を有する熱硬化性のポリイミドからなるベース層５と、該ベース層５の両面の全面に配置され、且つ上記同様の耐熱性を有する熱可塑性のポリイミドからなる一対の溶融接着層６とからなる。
【００１５】
更に、表面３側の樹脂層Ｊ１，Ｊ２は、全体の厚みが約２５μｍで且つ両面の溶融接着層６ごとの厚みは、２〜３μｍである。一方、裏面４側の樹脂層Ｊ３は、全体の厚みが約５０μｍで且つ両面の溶融接着層６ごとの厚みは、それぞれ約５〜６μｍである。かかる樹脂層Ｊ３の厚みを、他の樹脂層Ｊ１，Ｊ２の厚みよりも大としたのは、後述する製造時において、樹脂基板部２の裏面４と、セラミック基板部１２の表面１３との密着不良（デラミネーション）を防ぐためである。
図１に示すように、前記複数の電極７は、樹脂基板部２の表面３における比較的中央側に配置され、追ってＳｉウェハ（図示せず）に形成された複数の電子部品の電気的特性を検査するためのフローブ２０が個別に接続される。かかる電極７に対し、該樹脂基板部２の裏面４側に一端面が露出するビア導体１１は、上記複数の電極７に比べ、平面視で該裏面４の中央側から周辺側にわたる広範囲に位置しており、かかる配置パターンとなるように、上記ビア導体１０と配線層８，９とが形成されている。
因みに、上記電極７、配線層８，９、およびビア導体１０，１１は、ＣｕまたはＡｇ、あるいは、これらの何れか一方をベースとする合金からなる。
【００１６】
一方、前記セラミック基板部１２は、図１に示すように、複数のセラミック層Ｃ１〜Ｃ３を積層してなり、その表面１３には、前記ビア導体１１と接続する配線層（接続端子）１５が形成され、上記セラミック層Ｃ１〜Ｃ３間には、所定パターンの配線層１６，１７が形成され、その裏面１４には、複数の外部接続端子１８が形成されている。上記配線層１５，１６，１７、および外部接続端子１８の間は、上下３層のビア導体１９を介して導通可能とされている。即ち、前記樹脂基板部２の表面３に位置する複数の電極の電極７と、上記外部接続端子１８との間も、電気的に導通可能とされている。
上記セラミック層Ｃ１〜Ｃ３は、互いにほぼ同じ厚みであり、且つ比較的熱膨張率の低いガラス−セラミック、ムライト、ＢＮ、ＡｌＮなどからなる。
また、上記配線層１５，１６，１７、および外部接続端子１８は、上記セラミック層Ｃ１〜Ｃ３がガラス−セラミックのような低温焼成セラミックからなる場合には、ＣｕまたはＡｇ、あるいは、これらの何れか一方をベースとする合金などが用いられ、上記セラミック層Ｃ１〜Ｃ３がムライト、ＢＮ、またはＡｌＮのような高温焼成セラミックからなる場合には、ＷまたはＭｏ、あるいは、これらの何れか一方をベースとする合金などが用いられる。
【００１７】
更に、図１に示すように、前記セラミック基板部１２の表面１３に位置する配線層（接続端子）１５は、平面視で該表面１３の中心部側に配設されているのに対し、該セラミック基板部１２の裏面１４に位置する外部接続端子１８は、該裏面１４の全体にほぼ均一に分散して配設されている。かかる配置関係になるように、前記配線層１６，１７、およびビア導体１９が、上記セラミック層Ｃ１〜Ｃ３間、あるいは該セラミック層Ｃ１〜Ｃ３内に形成されている。
【００１８】
以上のような多層配線基板１によれば、前記樹脂基板部２を構成する複数の樹脂層Ｊ１〜Ｊ３のうち、前記セラミック基板部１２の表面１３に隣接する裏面４側の樹脂層Ｊ３の厚みが、他の樹脂層Ｊ１，Ｊ２の厚みよりも大とされているので、前記効果（１）〜（５）を奏することが可能である。
尚、前記樹脂層Ｊ３の厚みは、他の樹脂層Ｊ１，Ｊ２の厚みよりも少なくとも２０％以上大きいことが望ましい。例えば、厚みと積層構造とが前記同様で全体の厚みが２５μｍの前記樹脂層Ｊ１，Ｊ２に対し、前記ベース層５の厚みが２０μｍで且つ両面の溶融接着層６の厚みがそれぞれ５μｍであると共に、全体の厚みが３０μｍとした樹脂層Ｊ３を例示することができる。
【００１９】
以下において、前記多層配線基板１の製造方法について説明する。
予め、図２（Ａ）に示すように、一方の溶融接着層６ごとの全面に厚みが５μｍのＣｕ箔２１が貼り付けられた３層の前記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３を用意した。
次いで、上記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３ごとのＣｕ箔２１の表面全体に感光性樹脂フィルム（図示せず）を貼り付け、該樹脂フィルムの上面に予め所定の配線パターンが形成された露光用マスク（図示せず）を配置した。次に、かかる露光用マスクを介して、上記樹脂フィルムに対し紫外線などを露光し、且つ前記露光用マスクを除去した後、上記樹脂フィルムごとに現像（エッチング）を施して、上記配線パターンに倣ったエッチングレジスト層（図示せず）を個別に形成した。
【００２０】
更に、前記エッチングレジスト層ごとを介して、前記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３ごとのＣｕ箔２１のうち、該レジスト層ごとのパターンから外部に露出する部分をエッチングして除去した後、上記レジスト層を剥離液との接触によって除去した。
その結果、図２（Ｂ）に示すように、前記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３ごとの片面には、所定パターンの電極７、配線層８，９が個別に形成された。
次いで、図２（Ｂ）中の右側で例示するように、上記電極７、配線層８，９ごとにおける所定の位置に対し、上記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３ごとの厚み方向に沿ったレーザ加工を施して、複数のビアホールｖｈを上記所定の位置ごとに形成した。尚、上記レーザ加工に替えて、公知の打ち抜き加工を行っても良い。
次に、上記ビアホールｖｈ内ごとにＣｕ粉末を主成分とする導電性ペーストを、図示しないペースト印刷充填装置を用いて充填した後、約１５０℃で１時間程度加熱する脱脂処理を行った。
【００２１】
その結果、図３（Ａ）に示すように、前記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３における所定の位置ごとに、前記電極７、配線層８，９を含めて貫通する複数のビア導体１０，１１が形成された。尚、前記ビアホールｖｈおよび上記ビア導体１０，１１を形成する工程は、前記電極７、配線層８，９を形成する工程の前における前記Ｃｕ箔２１を有する状態の樹脂層Ｊ１〜Ｊ３に対して行っても良い。
そして、以上のような電極７、配線層８，９およびビア導体１０，１１を有する記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３を、それらの溶融接着層６同士を介して積層した。
その結果、図３（Ｂ）に示すように、３層の樹脂層Ｊ１〜Ｊ３を積層してなり、表面３および裏面４を有し、該表面３の中央側に複数の電極７が形成され、且つ上記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３間に、配線層８，９が形成されていると共に、電極７、配線層８，９間がビア導体１０を介して導通可能とされ、一端側で配線層９と導通するビア導体１１の他端側が樹脂層Ｊ３の裏面４側に露出する樹脂基板部２が得られた。尚、上記樹脂基板部２を形成する工程は省略し、次述する熱プレス工程において、上記樹脂層Ｊ１〜Ｊ３をセラミック基板部（１２）の表面（１３）側に順次積層するようにしても良い。
【００２２】
前記樹脂基板部２の製造工程とは並行して、セラミック基板部１２を準備する工程を行った。
予め、ガラスおよびアルミナ（セラミック）を主成分とする３層のグリーンシート（図示せず）を用意し、該グリーンシートごとにおける所定の位置ごとに公知の打ち抜き加工を行って、複数のビアホール（図示せず）を形成した後、該ビアホール内ごとにＣｕ粉末を含む導電性ペースト（図示せず）を吸引・充填して、未焼成のビア導体１９を個別に形成した。尚、上記打ち抜き加工に替えて、レーザ加工を行っても良い。
次に、上記グリーンシートごとの表面および裏面の少なくとも一方に、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷により所定パターンにして印刷して、未焼成の配線層１５，１６，１７、および外部接続端子１８を所定の位置ごとに形成した。次いで、上記３層のグリーンシートを積層および圧着した後、焼成した。
【００２３】
その結果、図４の下方に示すように、３層のセラミック層Ｃ１〜Ｃ３を積層してなり、配線層１５が形成された表面１３および外部接続端子１８が形成された裏面１４を有し、セラミック層Ｃ１〜Ｃ３間に配線層１６，１７を有すると共に、上記配線層１５と外部接続端子１８との間が、配線層１６，１７およびビア導体１９を介して、導通可能とされたセラミック基板部１２を得ることができた。
更に、図４中の白抜き矢印で示すように、セラミック基板部１２の表面１３上に、樹脂基板部２の裏面４側に位置する前記樹脂層Ｊ３の溶融接着層６を接着させた状態で、かかるセラミック基板部１２と樹脂基板部２との厚み方向に沿って、約３００℃で且つ約２０ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加える熱プレス工程を行った。
【００２４】
この際、前記樹脂層Ｊ３の溶融接着層６の厚みが約５〜６μｍと比較的厚いことに起因して、前記のような比較的小さな圧力であっても、樹脂基板部２の裏面４とセラミック基板部１２の表面１３との間を強固に接着できると共に、セラミック基板部１２のセラミック層Ｃ１〜Ｃ３には、割れなど不具合が生じなかった。
最後に、外部に露出する樹脂基板部２の表面３に位置する複数の電極７の表面と、セラミック基板部１２の裏面１４に位置する複数の外部接続端子１８の表面とに対し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを順次施して、所要の厚みのＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を２層にして被覆した。
その結果、前記図１に示した多層配線基板１を得ることができた。
以上のような多層配線基板１の製造方法によれば、前記効果（６）〜（８）を奏することが確認された。
【００２５】
図５は、前記樹脂基板部２を、異なる形態のセラミック基板部２２の表面２３上に熱プレスして密着する工程を示す。
上記セラミック基板部２２は、図５の下方に示すように、単一のセラミック層Ｃｂからなり、前記同様の複数の配線層１５が位置する表面２３と、複数の外部接続端子１８が位置する裏面２４とを有している。更に、上記配線層１５と外部接続端子１８との間には、平面視の中央付近でセラミック層Ｃｂを垂直に貫通する前記同様のビア導体１９と、表面２３の周辺側に位置するほど、平面視で裏面２４の周辺側に一層達するように傾斜したビア導体２５とが配置されている。
【００２６】
前記セラミック基板部２２は、垂直の前記ビア導体１９および複数の傾斜したビア導体２５の外形に倣ったロウ模型あるいはハンダなどからなる低融点合金の模型を、密閉したキャビティ（何れも図示せず）内にセットし、該キャビティ内にセラミックスラリを充填し、加熱して上記ロウ模型などを溶出した跡に、導電性ペーストを充填した後、表面２３および裏面２４に導電性ペーストをスクリーン印刷してから、焼成する方法によって得られる。
あるいは、３Ｄプリンタを用いて上記セラミックスラリを順次積層して、得られた立体スラリの表面と裏面との間に形成されたビアホール内に導電性ペーストを充填し、更に上記同様のスクリーン印刷した後、焼成する方法によって得ることも可能である。
【００２７】
前記のようなセラミック基板部２２の表面２３上に、図５中の白抜き矢印で示すように、前記樹脂基板部２における裏面４側の溶融接着層６を接着し、前記同様の熱プレス工程を行うことで、上記セラミック基板部２２を含む多層配線基板１を得ることができる。上記多層配線基板１によれば、前記効果（１）〜（３），（５）を奏することができる。また、上記セラミック基板部２２を含む多層配線基板１を製造する方法においても、前記効果（６）〜（８）が得られる。
【００２８】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記樹脂基板部２を構成する樹脂層は、前記ポリイミドと同様の耐熱性を有するエポキシ系樹脂や、ポリカーボネートなどからなり、これらの熱硬化性樹脂を前記ベース層５に用い、これらの熱可塑性樹脂を前記溶融接着層６に用いた形態としても良い。更に、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂からなるベース層５の両面に、ポリイミドの熱可塑性樹脂からなる溶融接着層６を積層するように、種類の異なる樹脂をベース層５とその両面の溶融接着層６としても良い。
また、前記樹脂基板部２を構成する樹脂層は、少なくとも２層以上を積層したものであり、且つその裏面４側に位置する樹脂層の厚みが、他の樹脂層の厚みよりも大であれば、特に限定されない。例えば、上記他の樹脂層同士の厚みが互いに相違していても良い。
加えて、前記樹脂基板部２を構成する複数の樹脂層のうち、裏面４側に位置する樹脂層の厚みは、他の樹脂層のうち、少なくとも１つの樹脂層の厚みよりも大であっても良い。即ち、裏面４側に位置する樹脂層の厚みよりも、厚みが大きな樹脂層が前記樹脂基板部２に含まれていても良い。
【００２９】
更に、前記樹脂基板部２の表面３に形成された複数の電極７は、例えば、半導体素子や発光素子などの電子部品の表面実装用に活用しても良い。
また、前記セラミック基板部１２，２２を構成するセラミックは、前記ガラス−セラミックと同様に熱膨張率の低いムライト、ＢＮ、あるいはＡｌＮなどとしても良い。これらの高温焼成セラミックを用いた場合、前記配線層１５〜１７、外部接続端子１８、ビア導体１９，２５は、主にＷあるいはＭｏからなるものとされる。
加えて、前記樹脂基板部２およびセラミック基板部１２，２２からなる多層配線基板１の平面視における外形は、矩形（長方形または正方形）状のほか、五角形以上の正多角形状あるいは変形多角形を呈するものであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明によれば、複数の樹脂層を積層してなる樹脂基板部と、セラミックからなるセラミック基板部とを強固に密着して形成された多層配線基板と、上記セラミック基板部を割れにくくして該多層配線基板が得られる製造方法とを確実に提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００３１】
１……………………多層配線基板
２……………………樹脂基板部
３……………………樹脂基板部の表面
４……………………樹脂基板部の裏面
６……………………溶融接着層
７……………………電極
１２，２２…………セラミック基板部
１３，２３…………セラミック基板部の表面
１４，２４…………セラミック基板部の裏面
１６，１７…………配線層
１８…………………外部接続端子
１９…………………ビア導体
Ｊ１〜Ｊ３…………樹脂層
Ｃ１〜Ｃ３，Ｃｂ…セラミック層
【図１】
0006502205.tif 000002
【図２】
0006502205.tif 000003
【図３】
0006502205.tif 000004
【図４】
0006502205.tif 000005
【図５】
0006502205.tif 000006