(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子（ＯＥ）デバイスにおいて、
有機半導体（ＯＳＣ）と、１つ以上の反応性側基を含むポリシクロオレフィンポリマーとを含有する配合物の使用によって得られる有機半導体（ＯＳＣ）層であって、
前記ポリシクロオレフィンポリマーが、少なくとも式Ｉ
【化１】
0006499966.tif 000020
（式中、Ｚが、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−から選択され、ｍが、０〜５の整数であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれが、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ２５ヒドロカルビル、Ｃ１〜Ｃ２５ハロヒドロカルビル又はＣ１〜Ｃ２５パーハロカルビル基から選択され、少なくとも１つの繰返し単位中、Ｒ１〜４のうちの１つ以上が、反応性基であり、又は反応性基を含んでなる）で示される、１つ以上のタイプの繰返し単位を有するノルボルネン型ポリマーである、有機半導体層と、
前記有機半導体（ＯＳＣ）層上へのｐ−キシリレンの蒸着によって得られる誘電体層又はパッシベーション層とを有し、
前記ポリシクロオレフィンポリマーの反応性側基と、前記誘電体層又はパッシベーション層のポリ（ｐ−キシリレン）とは、前記有機半導体（ＯＳＣ）層と、前記誘電体層又はパッシベーション層との界面において化学結合している、有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項２】
前記反応性基が、ヒドロキシル部分又はオレフィン部分を含む、請求項１に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項３】
前記ポリシクロオレフィンポリマーは、１つ以上の式Ｉの繰り返し単位を含んでなり、Ｒ１は水素とは異なり、Ｒ１〜４のうちの他のものは水素である、請求項１又は２に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項４】
前記ポリシクロオレフィンポリマーが、下式
【化２】
0006499966.tif 000021
（式中、Ｙが、１〜２０個のＣ原子を有するアルキルもしくはアルコキシ又は２〜２０個のＣ原子を有するアルキルカルボニルであり、ｎが、０〜８の整数であり、ａ及びｂが、互いに独立して、０〜７の整数であり、ａ＋ｂ≦７であり、ｃ及びｄが、互いに独立して、０又は１である）から選択される１つ以上の繰返し単位を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項５】
前記ポリシクロオレフィンポリマーが、下式
【化３】
0006499966.tif 000022
（式中、ｎ１が、０、１、２、３、４又は５であり、ａ及びｂが、互いに独立して、０〜７の整数であり、ａ＋ｂ≦７である）から選択される１つ以上の繰返し単位を含む、請求項４に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項６】
前記ポリシクロオレフィンポリマーが、下式
【化４】
0006499966.tif 000023
から選択される１つ以上の繰返し単位を含む、請求項３〜５のいずれか一項に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項７】
前記ポリシクロオレフィンポリマーが、請求項４及び５に記載の式Ｐ１〜Ｐ５又は式Ｐ１ａ〜Ｐ４ａから選択される１つ以上の第１のタイプの繰返し単位と、請求項６に記載の式１〜１０から選択される式Ｉの１つ以上の第２のタイプの繰返し単位とを含む、請求項４、５又は６に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項８】
前記有機半導体（ＯＳＣ）が、小分子を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項９】
前記有機半導体（ＯＳＣ）が、２つ以上のアルキルシリルエチニル基で任意選択的に置換されるオリゴアセンを含む、請求項８に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項１０】
有機半導体（ＯＳＣ）と、１つ以上の反応性側基を含むポリシクロオレフィンポリマーとを含有する配合物の使用によって前記有機半導体（ＯＳＣ）層を提供する工程と、前記有機半導体（ＯＳＣ）層上へのｐ−キシリレンの蒸着によって前記誘電体層又はパッシベーション層を提供する工程とを備える、請求項１に記載の有機電子（ＯＥ）デバイスを作製するための方法。
【請求項１１】
１つ以上の有機溶媒をさらに含む、請求項１０に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項１２】
前記有機溶媒が、シクロへキシレン、メシチレン、キシレン、ジエチルベンゼン、インダン及びテトラリンから選択される、請求項１１に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項１３】
ａ）前記配合物を基板に付着させて、前記有機半導体（ＯＳＣ）層を形成する工程と、
ｂ）前記配合物が溶媒を含む場合、前記溶媒を除去する工程と、
ｃ）任意選択的に、前記有機半導体（ＯＳＣ）層をアニーリングする工程と、
ｄ）蒸着によって、ｐ−キシリレンの層を前記有機半導体（ＯＳＣ）層上に付着させる工程と
を備える、請求項１に記載の有機電子（ＯＥ）デバイスを作製するための方法。
【請求項１４】
前記有機電子（ＯＥ）デバイスは、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）又は有機光起電（ＯＰＶ）デバイス又は有機光検出器（ＯＰＤ）である、請求項１に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項１５】
前記有機電子（ＯＥ）デバイスは、トップゲート型ＯＦＥＴ又はボトムゲート型ＯＦＥＴである、請求項１４に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項１６】
基板（１）と、ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）と、前記有機半導体（ＯＳＣ）層（３）と、ポリ（ｐ−キシリレン）を含み、かつゲート絶縁体として働く前記誘電体層（４）と、ゲート電極（５）とを含んでなるトップゲート型ＯＦＥＴである、請求項１５に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項１７】
Ａ）基板（１）上にソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）を形成する工程と、
Ｂ）前記ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）上に前記配合物から前記有機半導体（ＯＳＣ）層（３）を形成する工程と、
Ｃ）前記有機半導体（ＯＳＣ）層（３）におけるｐ−キシリレンの蒸着によって前記誘電体層（４）を形成する工程と、
Ｄ）前記誘電体層（４）上にゲート電極（５）を形成する工程と
を備える、請求項１６に記載の有機電子（ＯＥ）デバイスを作製する方法。
【請求項１８】
基板（１）と、ゲート電極（５）と、ゲート絶縁体として働く前記誘電体層（４）と、ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）と、前記配合物の使用によって得られる前記有機半導体（ＯＳＣ）層（３）と、ポリ（ｐ−キシリレン）を含むパッシベーション層（６）とを含んでなるボトムゲート型ＯＦＥＴである、請求項１５に記載の有機電子（ＯＥ）デバイス。
【請求項１９】
Ａ）基板（１）上にゲート電極（５）を形成する工程と、
Ｂ）前記基板（１）及び前記ゲート電極（５）上に前記誘電体層（４）を形成する工程と、
Ｃ）前記誘電体層（４）上にソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）を形成する工程と、
Ｄ）前記ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）及び前記誘電体層（４）上に前記配合物から有機半導体（ＯＳＣ）層（３）を形成する工程と、
Ｅ）前記有機半導体（ＯＳＣ）層（３）におけるｐ−キシリレンの蒸着によって前記パッシベーション層（６）を形成する工程と
を備える、請求項１８に記載の有機電子（ＯＥ）デバイスを作製する方法。
【請求項２０】
請求項１、１４〜１６、１８のいずれか一項に記載の有機電子（ＯＥ）デバイスを含む製品又はアセンブリであって、前記製品又はアセンブリは、集積回路（ＩＣ）、無線自動識別（ＲＦＩＤ）タグ、ＲＦＩＤタグを含有するセキュリティマーキングもしくはセキュリティデバイス、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、ＦＰＤのバックプレーン、ＦＰＤのバックライト、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、圧力センサ、光学センサ、化学センサ、バイオセンサ又はバイオチップである、製品又はアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電子デバイス一般に関する。より詳細には、本発明は有機電界効果トランジスタの有機半導体層に使用するための配合物、このような配合物から作製される有機半導体層、ならびにこのような有機半導体層を含む有機電子デバイス及び有機電界効果トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機電子（ＯＥ）デバイス、例えば、表示装置又は論理有効回路用のバックプレーンに使用するための有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、及び有機光起電（ＯＰＶ）デバイスへの関心が高まっている。従来のＯＦＥＴは、ゲート電極、誘電体材料で作製されたゲート絶縁体層（「誘電体」又は「ゲート誘電体」とも呼ばれる）、ソース及びドレイン電極、有機半導体（ＯＳＣ）材料で作製された半導体層、及び典型的に、環境の影響から又はその後のデバイス製造工程による損傷からの保護を提供するための、上記の層の上部におけるパッシベーション層を有する。
【０００３】
ＯＥデバイスのために、溶液処理可能なＯＳＣ層が特に望ましい。ＯＳＣ材料は、溶液ベースであるべきであり、スピンコーティング、スロットダイコーティング及びドクターブレードコーティングなどの溶液に基づく付着方法、又はフレキソ印刷、グラビア印刷、及びスクリーン印刷などの広域印刷方法に好適であるべきである。このような溶液処理される層に使用されるＯＳＣ材料の重要な要件は、下部のデバイス層に対するＯＳＣ溶媒の直交性（ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌｉｔｙ）、及びゲート誘電体層又はパッシベーション層などの、ＯＳＣ層の上及び下に設けられるデバイス層へのＯＳＣの良好な接着性である。
【０００４】
パリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）（ポリ（ｐ−キシリレン）は、ＯＦＥＴなどのＯＥデバイスの誘電体層又はパッシベーション層に一般的に使用される誘電体材料である。パリレンは、蒸発したｐ−キシリレンモノマーから基板に付着されているときに重合する市販の誘電体である。パリレンの利点は、その比較的簡単な処理であり、それにより、熱的に安定でかつ紫外線安定性である優れた化学的バリアである高純度で均一な薄膜が得られる。
【０００５】
しかしながら、一般的に使用される溶液処理可能なＯＳＣ組成物へのパリレンの接着性は、非常に低いことが多い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、ＯＥデバイスの誘電体層又はパッシベーション層に使用される際にパリレン層への向上した接着性を示す、ＯＥデバイスのＯＳＣ層の作製のための溶液処理可能なＯＳＣ配合物を提供することが望ましいであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る実施形態は、有機半導体（ＯＳＣ）と、１つ以上の反応性側基を有するポリシクロオレフィンポリマーとを含む配合物であって、任意選択的に溶媒を含む配合物を包含する。
【０００８】
本発明に係る、ある実施形態は、上記の配合物の使用によって得られるＯＳＣ層を包含する。
本発明に係る、ある実施形態は、上記の配合物からＯＳＣ層を作製する方法を包含する。
【０００９】
本発明に係る、ある実施形態は、溶媒、ＯＳＣ及び１つ以上の反応性側基を有するポリシクロオレフィンポリマーを含む配合物の使用によって得られるＯＳＣ層を含む有機電子（ＯＥ）デバイスであって、前記ＯＳＣ層へのｐ−キシリレンの蒸着によって得られる誘電体層又はパッシベーション層をさらに含むＯＥデバイスを包含する。
【００１０】
本発明に係る、ある実施形態は、ＯＥデバイスを作製する方法であって、上記のＯＳＣ配合物の使用によってＯＳＣ層を提供する工程と、前記ＯＳＣ層へのｐ−キシリレンの蒸着によって得られる誘電体層又はパッシベーション層を提供する工程とを含む方法にも関する。
【００１１】
上記のＯＥデバイスは、例えば、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を含む有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光検出器（ＯＰＤ）又は有機光起電（ＯＰＶ）デバイスである。ＯＦＥＴに関して、このようなデバイスは、トップゲート型及びボトムゲート型ＯＦＥＴの両方を含む。
【００１２】
本発明の実施形態は、上及び以下に記載されるＯＥデバイスを含む製品又はアセンブリも含む。このような製品又はアセンブリは、集積回路（ＩＣ）、無線自動識別（ＲＦＩＤ）タグ、ＲＦＩＤタグを含有するセキュリティマーキングもしくはセキュリティデバイス、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、ＦＰＤのバックプレーン、ＦＰＤのバックライト、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、圧力センサ、光学センサ、化学センサ、バイオセンサ又はバイオチップである。
【００１３】
本発明の実施形態は、以下の図面を参照して以下に記載する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係るトップゲート型ＯＦＥＴデバイスの実施形態の概略を示す断面図。
【図２】本発明に係るボトムゲート型ＯＦＥＴデバイスの実施形態の概略を示す断面図。
【図３ａ】実施例１のトップゲート型ＯＦＥＴデバイスの伝達曲線。
【図３ｂ】電気的ストレスの前及び後の実施例１のトップゲート型ＯＦＥＴデバイスの伝達特性を示すグラフ。
【図４ａ】実施例２のトップゲート型ＯＦＥＴデバイスの伝達曲線。
【図４ｂ】電気的ストレスの前及び後の実施例２のトップゲート型ＯＦＥＴデバイスの伝達特性を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本明細書において使用される際、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）という用語は、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）として公知のこのようなデバイスのサブクラスを含むことが理解されよう。
【００１６】
さらに、「誘電体」及び「絶縁」という用語が、本明細書において同義に使用されることが理解されよう。したがって、絶縁材料又は絶縁層への言及は、誘電体材料又は誘電体層を含む。さらに、本明細書において使用される際、「有機電子デバイス」という用語は、「有機半導体デバイス」という用語を含むことが理解され、ＯＦＥＴなどのこのようなデバイスのいくつかの特定の実装例は、上に定義されるとおりである。
【００１７】
「パリレン」及び「ポリ（ｐ−キシリレン）」という用語が、本明細書において同義に使用されることが理解されよう。したがって、パリレンへの言及は、ポリ（ｐ−キシリレ
ン）を含み、逆もまた同様である。パリレンは、一連の化学蒸着ポリ（ｐ−キシリレン）の一般名である。パリレンは、通常、以下に記載するように任意選択的に置換される、以下の構造
【００１８】
【化１】
0006499966.tif 000002
【００１９】
のｐ−キシリレン中間体の化学蒸着によって調製される。ｐ−キシリレン中間体は、以下の構造
【００２０】
【化２】
0006499966.tif 000003
【００２１】
の［２．２］パラシクロファンから誘導され得る。
ｐ−キシリレンのフェニレン環及び／又はメチレン基も、置換され得る。ポリマーは、２つ以上の異なるタイプの非置換及び／又は置換ｐ−キシリレン繰返し単位も含み得る。例えば、パリレンＮは、以下の構造
【００２２】
【化３】
0006499966.tif 000004
【００２３】
の非置換ポリ（ｐ−キシリレン）を示す一方、パリレンＣ及びパリレン（Ｐａｒｌｙｅｎｅ）Ｄは、それぞれ以下の構造
【００２４】
【化４】
0006499966.tif 000005
【００２５】
の一塩素化又は二塩素化ポリ（ｐ−キシリレン）を示す。
他のパリレン型としては、例えば、パリレンＡＦ−４、パリレンＳＦ、又はパリレンＨＴ（それらは全て二フッ素化メチレン基を含む）、又はフッ素化フェニレン基を含むパリレンＶＴのような、フェニレン又はメチレン基がフッ素化されたものが挙げられる。さらなるパリレン型としては、非置換ｐ−キシリレン単位（パリレンＮにあるような）、及びｐ−キシリレン単位を含む反応性コポリマーが挙げられ、ここで、フェニレン環は、反応性基、例えば、アミン基（パリレンＡ）、メチルアミン基（パリレンＡＭ）、又はエチニル基（パリレンＸ）で置換される。
【００２６】
特に記載されない限り、以下に使用される「パリレン」及び「ポリ（ｐ−キシリレン）」という用語は、例えば、パリレンＮ、Ｃ、Ｄ、ＡＦ−４、ＳＦ、ＨＴ、ＶＴ、Ａ、ＡＭ、及びＸを含むがこれらに限定されない、非置換及び置換パリレン型の両方を含むことが理解されよう。
【００２７】
本明細書において使用される際、「直交」及び「直交性」という用語は、化学的直交性を意味することが理解されよう。例えば、直交溶媒は、予め付着された層における溶解された材料の層の付着に使用されるとき、前記予め付着された層を溶解しない溶媒を意味する。
【００２８】
本明細書において使用される際、「ポリマー」という用語は、１つ以上の異なるタイプの繰返し単位（分子の最小構成単位）の主鎖を含む分子を意味することが理解され、一般的に知られている「オリゴマー」、「コポリマー」、「ホモポリマー」などの用語を含む。さらに、ポリマーという用語が、ポリマー自体に加えて、開始剤、触媒及びこのようなポリマーの合成に伴う他の要素からの少量の残渣を含むことが理解され、このような残渣は、ポリマーに共有結合的に組み込まれていないことが理解される。さらに、このような残渣、及び他の要素が、一般に、重合後の精製プロセス中に除去される一方、微量のこのような材料が、容器間又は溶媒もしくは分散媒間で移されるときにポリマーとともに一般に残るように、ポリマーと混合すなわち混じり合っていることが分かる。
【００２９】
本明細書において使用される際、「小分子」という用語は、それがポリマーを形成するように反応され得る反応性基を典型的に保有せず、かつモノマー形態で使用されることが示されるモノマー化合物を意味することが理解されよう。それに対し、「モノマー」という用語は、特に記載されない限り、それがオリゴマー又はポリマーを形成するように反応され得る１つ以上の反応性官能基を保有するモノマー化合物を意味することが理解されよう。
【００３０】
本明細書において使用される際、簡潔に「配合物」とも呼ばれる「有機半導体（ＯＳＣ）配合物」という用語は、少なくとも１つの有機半導体（ＯＳＣ）化合物、ならびにＯＳＣ配合物及び／又はその中の少なくとも１つのＯＳＣ化合物の特定の特性を与えるか又は
調節するために、少なくとも１つのＯＳＣ化合物に加えられる１つ以上の他の材料を意味する。ＯＳＣ配合物が、基板の上に層又は構造を形成するのを可能にするために基板にＯＳＣを運ぶための媒体でもあることが理解されよう。例示的な材料としては、以下に限定はされないが、溶媒、揮発性界面活性剤及び接着促進剤が挙げられる。
【００３１】
本明細書において定義される際、「ポリシクロオレフィン」、「多環式オレフィン」、及び「ノルボルネン型」という用語は、同義に使用され、付加重合性モノマー、又は以下の構造Ａ１もしくはＡ２のいずれかによって示されるものなどの少なくとも１つのノルボルネン部分を含む得られる繰返し単位を指す。最も単純なノルボルネン型又は多環式オレフィンモノマービシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン（Ａ１）は、一般的に、ノルボルネンと呼ばれる。
【００３２】
【化５】
0006499966.tif 000006
【００３３】
しかしながら、本明細書において使用される際の「ノルボルネン型の繰返し単位」又は「ノルボルネン型のモノマー」という用語は、ノルボルネン自体を意味するだけでなく、任意の置換ノルボルネン、又は、例えば、以下にそれぞれ示される構造Ｂ１もしくはＢ２（ここで、ｍが、０以上の整数である）の、その置換及び非置換のより高次の環状誘導体も指すことが理解される。
【００３４】
【化６】
0006499966.tif 000007
【００３５】
以下に記載するように、本発明のポリマーの実施形態を形成するための置換ノルボルネン型モノマーの使用により、このような実施形態の特性を、個別の用途の必要性を満たすように合わせることが可能になる。以下に記載するものなどの様々な官能性置換基を有するノルボルネン型モノマーを重合するために開発された手順及び方法は、モノマーの様々な部分及び基に対する優れたフレキシビリティ及び許容性を示す。特定の側基を有するモノマーの重合に加えて、様々な異なる官能基を有するモノマーが、最終的な材料を形成するようにランダムに重合可能であり、ここで、使用されるモノマーのタイプ及び比率により、得られるポリマーの全体的なバルク特性が決定される。
【００３６】
本明細書において使用する際、用語「ヒドロカルビル」は、炭素主鎖を含有するラジカル又は基を指し、ここで、各炭素が、１つ以上の水素原子で適切に置換される。「ハロヒドロカルビル」という用語は、水素原子の全てではないが１つ以上がハロゲン（Ｆ、Ｃｌ
、Ｂｒ、又はＩ）で置換されたヒドロカルビル基を指す。パーハロカルビルという用語は、各水素がハロゲンで置換されたヒドロカルビル基を指す。ヒドロカルビルの非限定的な例としては、以下に限定はされないが、Ｃ１〜Ｃ２５アルキル、Ｃ２〜Ｃ２４アルケニル、Ｃ２〜Ｃ２４アルキニル、Ｃ５〜Ｃ２５シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ２４アリール又はＣ７〜Ｃ２４アラルキルが挙げられる。代表的なアルキル基としては、以下に限定はされないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル及びドデシルが挙げられる。代表的なアルケニル基としては、以下に限定はされないが、ビニル、プロペニル、ブテニル及びヘキセニルが挙げられる。代表的なアルキニル基としては、以下に限定はされないが、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１ブチニル、及び２−ブチニルが挙げられる。代表的なシクロアルキル基としては、以下に限定はされないが、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びシクロオクチル置換基が挙げられる。代表的なアリール基としては、以下に限定はされないが、フェニル、ビフェニル、ナフチル、及びアントラセニルが挙げられる。代表的なアラルキル基としては、以下に限定はされないが、ベンジル、フェネチル及びフェンブチル（ｐｈｅｎｂｕｔｙｌ）が挙げられる。
【００３７】
本明細書において使用する際の「ハロヒドロカルビル」という用語は、上記のヒドロカルビル部分を含むが、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換される場合（例えば、フルオロメチル基）から、過ハロゲン化とも呼ばれる、ヒドロカルビル基における全ての水素原子がハロゲン原子で置換されている場合（例えば、トリフルオロメチル又はパーフルオロメチル）の範囲であり得るハロゲン化度が存在する。例えば、本発明の実施形態に有用であり得るハロゲン化アルキル基は、式ＣｅＸ２ｅ＋１（式中、Ｘが、独立して、ハロゲン又は水素であり、ｅが、１〜２５の整数から選択される）の部分的に又は完全にハロゲン化されたアルキル基であり得る。ある実施形態において、各Ｘが、独立して、水素、塩素、フッ素、臭素及び／又はヨウ素から選択される。他の実施形態において、各Ｘが、独立して、水素又はフッ素のいずれかである。したがって、代表的なハロヒドロカルビル及びパーハロカルビルは、上記の例示的なヒドロカルビルによって例示され、ここで、適切な数の水素原子がそれぞれ、ハロゲン原子で置換される。
【００３８】
さらに、「ヒドロカルビル」、「ハロヒドロカルビル」、及び「パーハロヒドロカルビル」という用語の定義は、炭素原子の１つ以上が、Ｏ、Ｎ、Ｐ、又はＳｉから独立して選択されるヘテロ原子で置換される部分を含む。このようなヘテロ原子含有部分は、特に、エーテル、エポキシ、グリシジルエーテル、アルコール、カルボン酸、エステル、マレイミド、アミン、イミン、アミド、フェノール、アミド−フェノール、シラン、シロキサン、ホスフィン、ホスフィンオキシド、ホスフィニット、ホスホニット、ホスフィット、ホスホネート、ホスフィネート、及びホスフェートを含む、例えば、「ヘテロ原子−ヒドロカルビル」又は「ヘテロヒドロカルビル」のいずれかで呼ぶことができる。
【００３９】
ヘテロ原子を含むさらなる例示的なヒドロカルビル、ハロヒドロカルビル、及びパーハロカルビルとしては、以下に限定はされないが、−（ＣＨ２）ｎ−Ａｒ−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−Ａｒ−（ＣＨ２）ｎ−ＯＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ、−（（ＣＨ２）ｉ−Ｏ−）ｋ−（ＣＨ２）−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（ＣＦ３）（ＣＨ３）−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）ＮＨＲ＊、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）Ｃｌ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）ＯＲ＊、−（ＣＨ２）ｎ−ＯＲ＊、−（ＣＨ２）ｎ−ＯＣ（Ｏ）Ｒ＊及び−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）Ｒ＊が挙げられ、ここで、ｎが、独立して、０〜１２の整数を表し、ｉが、２、３又は４であり、ｋが、１、２又は３であり、Ａｒが、アリール、例えば、フェニルであり、Ｒ＊が、独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ１１アルキル、Ｃ１〜Ｃ１１ハロゲン化又は過ハロゲン化アルキル、Ｃ２〜Ｃ１０アルケニル、Ｃ２〜Ｃ１０アルキニル、Ｃ５〜Ｃ１
２シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ６〜Ｃ１４ハロゲン化又は過ハロゲン化アリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル又はハロゲン化又は過ハロゲン化Ｃ７〜Ｃ１４アラルキルを表す。
【００４０】
例示的な過ハロゲン化アルキル基としては、以下に限定はされないが、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、−Ｃ２Ｆ５、−Ｃ３Ｆ７、−Ｃ４Ｆ９、Ｃ６Ｆ１３、−Ｃ７Ｆ１５、及び−Ｃ１１Ｆ２３が挙げられる。例示的なハロゲン化又は過ハロゲン化アリール及びアラルキル基としては、以下に限定はされないが、式−（ＣＨ２）ｏ−Ｃ６ＦｐＨ５−ｏ、及び−（ＣＨ２）ｏ−Ｃ６ＦｐＨ４−ｐ−ｐＣｑＦｒＨ２ｑ＋１−ｒで表される基が挙げられ、ここで、ｏ、ｐ、ｒ及びｑが、独立して、それぞれ０〜５、０〜５、０〜９及び１〜４の整数から選択される。特に、このような例示的なハロゲン化又は過ハロゲン化アリール基としては、以下に限定はされないが、ペンタクロロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロベンジル、４−トリフルオロメチルベンジル、ペンタフルオロフェネチル、ペンタフルオロフェンプロピル、及びペンタフルオロフェンブチルが挙げられる。
【００４１】
本発明のある好適な実施形態は、ＯＳＣ及びポリマー添加剤を含むＯＳＣ配合物を含み、ここで、前記ＯＳＣ配合物は、ＯＥデバイスのＯＳＣ層を作製するのに使用され得る。ＯＳＣ配合物は、ＯＥデバイスに使用するのに特に好適であり、ここで、誘電体層又はパッシベーション層が、ＯＳＣ層の上部に設けられ、前記誘電体層又はパッシベーション層は、ｐ−キシリレンの蒸着によって形成されるパリレンとしても知られているポリ（ｐ−キシリレン）を含む。ポリマー添加剤は、１つ以上の反応性側基を有するポリシクロオレフィンポリマーを含み、ＯＳＣ層の性能に悪影響を与えずに、パリレン層へのＯＳＣ層の接着性を向上させるための接着促進剤として働き得る。
【００４２】
特定の理論に制約されるのを望むものではないが、ＯＳＣ層に含まれる、ポリマー添加剤の反応性基のうちの１つ以上が、ｐ−キシリレンの蒸着中にＯＳＣ層と誘電体層又はパッシベーション層との間の境界で、誘電体層又はパッシベーション層を形成するのに使用される、ｐ−キシリレンの不飽和基と反応することが考えられる。これにより、ＯＳＣ層のポリマー添加剤と、誘電体層又はパッシベーション層のポリ（ｐ−キシリレン）との間の化学結合が、これらの２つの層の間の境界に生じ、それによって、２つの層の間の接着性が向上されることがさらに考えられる。
【００４３】
接着促進剤として働くのに加えて、ポリマー添加剤は、ＯＳＣのための結合剤としても働き得る。したがって、ポリマー添加剤は、ＯＳＣの加工性及びデバイスにおけるＯＳＣ層の構造的完全性を向上させるために、小分子ＯＳＣと組み合わせて一般的に使用される、例えば、ポリスチレン、ポリ（４−メチルスチレン）、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（４−ビニルビフェニル）、又はポリ（トリアリールアミン）などの従来のポリマー結合剤の代わりに用いることができる。
【００４４】
本発明のＯＳＣ配合物中のポリマー添加剤として使用されるポリシクロオレフィンポリマーは、例えば、ノルボルネン型ポリマーから選択される。
本発明に係る、ある好適なポリマーの実施形態において、ノルボルネン型ポリマーは、２つ以上の異なるタイプの繰返し単位を組み込んでいる。
【００４５】
本発明に係る他の好適なポリマーの実施形態は、式Ｉ
【００４６】
【化７】
0006499966.tif 000008
【００４７】
（式中、Ｚが、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−から選択され、ｍが、０〜５の整数であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれが、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ２５ヒドロカルビル、Ｃ１〜Ｃ２５ハロヒドロカルビル又はＣ１〜Ｃ２５パーハロカルビル基から選択され、少なくとも１つの繰返し単位中、Ｒ１〜４のうちの１つ以上が、反応性基であり、又は反応性基を含んでなる）の１つ以上の異なるタイプの繰返し単位を有する１つ以上のノルボルネン型ポリマーを含む。
【００４８】
式Ｉの繰返し単位は、式Ｉａ：
【００４９】
【化８】
0006499966.tif 000009
【００５０】
（式中、Ｚ、ｍ及びＲ１〜４が上に定義されるとおりである）の対応するノルボルネン型モノマーから形成される。
本発明に係る、ある好適なポリマーの実施形態では、式Ｉ及びＩａの繰返し単位及びモノマーについて、Ｚが−ＣＨ２−であり、ｍが、０、１又は２である。他のこのような実施形態では、Ｚが−ＣＨ２−であり、ｍが、０又は１であり、さらに他の実施形態では、Ｚが−ＣＨ２−であり、ｍが０である。
【００５１】
本発明の他の好適なポリマーの実施形態は、Ｒ１〜４のうちの１つ以上がＨと異なり、より詳細には、Ｒ１〜４のうちの１つのみ、例えば、Ｒ１がＨと異なり、Ｒ１〜４の他のものがＨである繰返し単位を含む式Ｉのポリマーを含む。
【００５２】
本発明に係るポリマーの実施形態は、単一のノルボルネン型ポリマー又は２つ以上の異なるノルボルネン型ポリマーのブレンドのいずれかを含む。このようなポリマー実施形態が、単一のノルボルネン型ポリマーを含む場合、このようなポリマーは、ホモポリマー、すなわち、１つのみのタイプの繰返し単位を含むポリマー、又はコポリマー、すなわち、
２つ以上の異なるタイプの繰返し単位を含むポリマーであり得る。このようなポリマーの実施形態が、異なるポリマーのブレンドを含む場合、「異なる」は、混合されるポリマーのそれぞれが、他の混合されるポリマーのいずれとも異なる、少なくとも１つのタイプの繰返し単位、又は繰返し単位の組合せを含むことを意味することが理解される。
【００５３】
本発明に係る他の好適なポリマーの実施形態は、２つ以上の異なるノルボルネン型ポリマーのブレンドを含み、ここで、各ポリマーが、式Ｉ
【００５４】
【化９】
0006499966.tif 000010
【００５５】
（式中、Ｚが、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−から選択され、ｍが、０〜５の整数であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれが、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ２５ヒドロカルビル、Ｃ１〜Ｃ２５ハロヒドロカルビル又はＣ１〜Ｃ２５パーハロカルビル基から選択され、少なくとも１つのポリマーの少なくとも１つの繰返し単位中、Ｒ１〜４のうちの１つ以上が、反応性基であり、又は反応性基を含んでなる）の１つ以上の異なるタイプの繰返し単位を含む。
【００５６】
本発明のポリマーの実施形態は、多くの特定の用途のそれぞれに異なる組の特性を与えるように有利に調整され得る。すなわち、ノルボルネン型モノマーと、いくつかの異なるタイプの側基との異なる組合せが、特に、フレキシビリティ、接着性、誘電率、及び有機溶媒への溶解性などの特性に対する制御を得ることを可能にする特性を有するノルボルネン型ポリマーを提供するように重合され得る。例えば、アルキル側基の長さを変更すると、ポリマーの弾性率及びガラス転移温度（Ｔｇ）の制御が可能になり得る。また、マレイミド、シンナメート、クマリン、無水物、アルコール、エステル、及びエポキシ官能基から選択される側基が、架橋を促進し、溶解特性を調節するのに使用され得る。極性官能基、エポキシ及びトリエトキシシリル基が、隣接するデバイス層中の金属、ケイ素、及び酸化物への接着性を与えるのに使用され得る。フッ素化基、例えば、表面エネルギー、誘電率を有効に調節し、他の材料に対する溶液の直交性に影響を与えるのに使用され得る。
【００５７】
本発明に係る、ある好適なポリマーの実施形態において、ノルボルネン型ポリマーは、１つ以上の異なるタイプの繰返し単位を組み込み、ここで、少なくとも１つのこのようなタイプの繰返し単位が、１つ以上の反応性側基を含む。好適な反応性基としては、ヒドロキシル部分を含む基又はオレフィン部分を含む基が挙げられる。
【００５８】
本発明に係る他の好適なポリマーの実施形態において、特に、Ｒ１〜４のうちの１つ以上がＨと異なり、より詳細には、Ｒ１〜４のうちの１つのみがＨと異なるこのような実施形態では、Ｒ１〜４のうちの１つ以上が、反応性基である基を示す。このタイプの好適な反応性基は、連結部分Ｌ及び官能性部分Ｆを含む。Ｌは好適には、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、アラルキル、アリール又はヘテロ原子類似体から選択される基であり、又はこれらを含んでなる。さらに好適には、Ｆが、ヒドロキシル部分又はビニル部分のうちの１つ以上で
あり、又はこれらを含んでなる。
【００５９】
本明細書において使用される際、「反応性」という用語は、特定の側基を表すのに使用される場合、誘電体層又はパッシベーション層のｐ−キシリレンとの重合又は架橋反応に関与することが可能な基を意味することが理解されよう。
【００６０】
オレフィン部分と反応性の側基を含み、かつ式Ｉを表す好適な例示的な繰返し単位は、式Ｍ１
【００６１】
【化１０】
0006499966.tif 000011
【００６２】
（式中、ｎが、０〜８の整数である）から選択されるものを含むがこれらに限定されないノルボルネン型モノマーからの重合中に形成される。式Ｍ１のノルボルネン型モノマーの例は、部分式Ｍ１ａ（「ヘキセニルＮＢ」）のモノマーである。
【００６３】
【化１１】
0006499966.tif 000012
【００６４】
ノルボルネン型モノマーの重合の際、オレフィン部分の少なくとも一部が、異性化を行うことができ、その結果、Ｃ＝Ｃ二重結合が、オレフィン鎖の末端位置から非末端位置へと移され得る。したがって、ノルボルネン型ポリマーは、異性化されたオレフィン基を有する繰返し単位及び異性化されていないオレフィン基を有する繰返し単位の両方を含み得る。
【００６５】
オレフィン部分と反応性の側基を含み、かつ式Ｉを表す好適な例示的な繰返し単位は、式Ｐ１（異性化の前又は後）及び式Ｐ２（異性化の後）
【００６６】
【化１２】
0006499966.tif 000013
【００６７】
（式中、ｎが、０〜８の整数であり、ａ及びｂが、互いに独立して、０〜７の整数であり、ａ＋ｂ≦７である）の繰返し単位である。
式Ｐ１及びＰ２のノルボルネン型繰返し単位の好適な例は、以下の部分式
【００６８】
【化１３】
0006499966.tif 000014
【００６９】
から選択される。
ノルボルネン型ポリマーは、式Ｐ１又はその部分式の繰返し単位、及び式Ｐ２又はその部分式の繰返し単位の両方を含み得る。
【００７０】
ヒドロキシル部分と反応性の側基を含み、かつ式Ｉを表す好適な例示的な繰返し単位は、下式
【００７１】
【化１４】
0006499966.tif 000015
【００７２】
（式中、Ｙが、１〜２０個のＣ原子を有するアルキルもしくはアルコキシ又は２〜２０個のＣ原子を有するアルキルカルボニルであり、ｎが、０〜８の整数であり、ｃ及びｄが、互いに独立して、０又は１である）から選択されるものである。
【００７３】
式Ｐ３〜Ｐ５のノルボルネン型繰返し単位の好適な例は、以下の部分式
【００７４】
【化１５】
0006499966.tif 000016
【００７５】
（式中、ｎ１が、０、１、２、３、４又は５である）の繰返し単位である。
本発明に係る他の好適なポリマーの実施形態において、特に、ポリマーが、Ｒ１〜４のうちの１つ以上がＨと異なるか、又はＲ１〜４のうちの１つのみがＨと異なる式Ｉの繰返し単位を含む場合、Ｒ１〜４のうちの１つ以上がヒドロカルビル基を示す。これらのポリマーの実施形態において、Ｒ１〜４のうちの１つ以上が、例えば、ヒドロカルビル基を示し、これは、Ｃ１〜Ｃ２５アルキル、Ｃ２〜Ｃ２４アルケニル、Ｃ２〜Ｃ２４アルキニル、Ｃ５〜Ｃ２５シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ２４アリール又はＣ７〜Ｃ２４アラルキルである。他のポリマーの実施形態において、アルキル基としては、以下に限定はされないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル及びドデシルが挙げられる。さらに他のポリマーの実施形態において、アルケニル基としては、以下に限定はされないが、ビニル、プロペニル、ブテニル及びヘキセニルが挙げられる。さらに他のポリマーの実施形態において、アルキニル基としては、以下に限定はされないが、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１ブチニル、及び２−ブチニルが挙げられる。さらに他のポリマーの実施形態において、シクロアルキル基としては、以下に限定はされないが、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びシクロオクチル置換基が挙げられる。さらに他のポリマーの実施形態において、アリール基としては、以下に限定はされないが、フェニル、ビフェニル、ナフチル、及びアントラセニルが挙げられる。
さらに他のポリマーの実施形態において、アラルキル基としては、以下に限定はされないが、ベンジル、フェネチル及びフェンブチルが挙げられる。
【００７６】
式Ｉを表し、かつヒドロカルビル基を含む好適な繰返し単位の例としては、以下に限定はされないが、下式：
【００７７】
【化１６】
0006499966.tif 000017
【００７８】
から選択されるものが挙げられる。
本発明に係る他の好適なポリマーの実施形態は、式Ｉ（式中、Ｒ１〜４のうちの１つ以上がＨと異なり、より詳細には、Ｒ１〜４のうちの１つのみがＨと異なり、反応性基を示
す）の１つ以上の第１の異なるタイプの繰返し単位、及び式Ｉ（式中、Ｒ１〜４のうちの１つ以上がＨと異なり、より詳細には、Ｒ１〜４のうちの１つのみがＨと異なり、ヒドロカルビル基を示す）の１つ以上の第２の異なるタイプの繰返し単位を含むポリマーを含む。この実施形態のポリマーとしては、上記の部分式Ｐ１、Ｐ１ａ、Ｐ２、Ｐ２ａ、Ｐ２ｂ、Ｐ２ｃ、Ｐ２ｄ、Ｐ３、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂ、Ｐ３ｃ、Ｐ４、Ｐ４ａ及びＰ５から選択される第１のタイプの繰返し単位、及び上記の部分式１〜１０（それぞれ、ＮＢ、ＭｅＮＢ、ＢｕＮＢ、ＨｅｘＮＢ、ＯｃｔＮＢ、ＤｅｃＮＢ、ＣＮＢ、ＰＮＢ、ＰＥＮＢ、ＰＢＮＢ）のうちの１つから選択される第２のタイプの繰返し単位を有するものが挙げられる。
【００７９】
式Ｉで表される第１及び第２の異なるタイプの繰返し単位を有するポリマーを含む、ある好適なポリマーの実施形態において、このような第１及び第２のタイプの繰返し単位の比率は、９５：５〜５：９５である。他の好適な実施形態において、このような第１及び第２のタイプの繰返し単位の比率は、８０：２０〜２０：８０である。さらに他の好適な実施形態において、このような第１及び第２のタイプの繰返し単位の比率は、６０：４０〜４０：６０である。さらに他の好適な実施形態において、このような第１及び第２のタイプの繰返し単位の比率は、５５：４５〜４５：５５である。
【００８０】
式Ｉ及びＩａ、ならびに上に提供される部分式及び一般式のそれぞれは、立体化学を表示せずに示されるが、一般に、モノマーのそれぞれが、特に示されない限り、繰返し単位へと転化されたときにそれらの形態を保つジアステレオマー混合物として得られることに留意されたい。このようなジアステレオマー混合物のエキソ異性体及びエンド異性体は、若干異なる特性を有し得るため、本発明の好適な実施形態が、エキソ異性体又はエンド異性体のいずれかに富む異性体の混合物であるか、又は実質的に純粋な有利な異性体であるかのいずれかのモノマーを使用することによって、このような違いを利用するようにされることがさらに理解されるべきである。
【００８１】
好適なノルボルネンモノマー、ポリマー及びそれらの合成方法の例が、本明細書に提供され、参照により本出願に援用される、米国特許第６，４５５，６５０号明細書、米国特許出願公開第２０１１／０１０４６１４Ａ１号明細書、米国特許出願公開第２００７／００６６７７５Ａ１号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１９４７４０Ａ１号明細書、米国特許出願公開第２０１２／００５６２４９Ａ１号明細書及び米国特許出願公開第２０１２／００５６１８３Ａ１号明細書にも見られる。例えば、第ＶＩＩＩ族遷移金属触媒を用いる例示的な重合方法が、上記の米国特許出願公開第２００６／００２００６８Ａ１号明細書に記載されている。
【００８２】
本発明のポリマーの実施形態は、それらの使用に適した重量平均分子量（Ｍｗ）を有するように形成される。一般に、５，０００〜５００，０００のＭｗが、ある実施形態に適していることが分かっている一方、他の実施形態では、他のＭｗ範囲が有利であり得る。例えば、ある好適な実施形態において、ポリマーが、少なくとも３０，０００のＭｗを有する一方、他の好適な実施形態において、ポリマーは、少なくとも６０，０００のＭｗを有する。他の好適な実施形態において、ポリマーのＭｗの上限が４００，０００までである一方、他の好適な実施形態において、ポリマーのＭｗの上限は２５０，０００までである。適切なＭｗが、硬化されたポリマー、それから得られるフィルム、層又は構造の所望の物理的特性に応じて決まるため、それは設計上の選択であり、したがって、上に提供される範囲内のいずれのＭｗも本発明の範囲内であることが理解されよう。
【００８３】
本発明に係る他の好適な実施形態は、ＯＳＣ及びポリシクロオレフィンポリマーのそれぞれに加えて、流延（ｃａｓｔｉｎｇ）流延溶媒又は印刷溶媒を含むＯＳＣ配合物に関する。
【００８４】
本発明に係る、ある好適な配合物の実施形態において、溶媒は、有機溶媒から選択される。他の実施形態において、溶媒としては、以下に限定はされないが、シクロヘキシルベンゼン、メシチレン、インダン、キシレン、テトラリン、ジエチルベンゼン又は上記のものの組合せが挙げられる。
【００８５】
本発明の実施形態に係る他の好適な配合物の実施形態において、配合物中のＯＳＣの濃度は、０．５〜５％である。
本発明に係る他の好適な配合物の実施形態において、配合物中のポリシクロオレフィンポリマーの濃度は、０．０５〜１％である。
【００８６】
上記の濃度値は、溶媒ならびにＯＳＣ及びポリシクロオレフィンポリマーなどの全ての固体成分を含むＯＳＣ配合物を意味する。
本発明に係る他の好適な配合物の実施形態において、配合物中のＯＳＣに対するポリシクロオレフィンポリマーの割合は、１：４０〜１：１である。
【００８７】
本発明に係る、ある好適な配合物の実施形態において、ＯＳＣは、ｎ型又はｐ型ＯＳＣであり得る。有効なＯＳＣは、１×１０−５ｃｍ２Ｖ−１秒−１を超えるＦＥＴ移動度を示す。
【００８８】
本発明に係るデバイスの実施形態に用いられるＯＳＣ材料は、任意の共役分子、例えば、２つ以上、より詳細には、少なくとも３つの芳香環を含有する芳香族分子であり得る。本発明のある好適なＯＳＣの実施形態において、ＯＳＣは、５員、６員又は７員芳香環から選択される芳香環を含有する一方、他の好適な実施形態において、ＯＳＣは、５員又は６員芳香環から選択される芳香環を含有する。ＯＳＣ材料は、モノマー、オリゴマー又はポリマーの１つ以上の混合物、分散体及びブレンドを含む、モノマー、オリゴマー又はポリマーであり得る。
【００８９】
ＯＳＣの芳香環のそれぞれは、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、Ｏ又はＳから、一般に、Ｎ、Ｏ又はＳから選択される１つ以上のヘテロ原子を任意選択的に含有する。さらに、芳香環は、フルオロ、シアノ、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、シリル、エチニルシリル、任意選択的に置換される第二級又は第三級アルキルアミン又はアリールアミン、アリール又は置換アリール基で任意選択的に置換され得、ここで、エチニルシリル基は、−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＲ’Ｒ”Ｒ”’によって表され、置換第二級又は第三級アルキルアミン又はアリールアミンは、−Ｎ（Ｒ’）（Ｒ”）によって表され、ここで、Ｒ’及びＲ”がそれぞれ、独立して、Ｈ、任意選択的にフッ素化されたＣ１〜１２アルキル又は任意選択的にフッ素化されたＣ６〜１０アリールである。
【００９０】
上記の芳香環は、縮合環であっても又は−Ｃ（Ｔ’）＝Ｃ（Ｔ”）−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ””）−、−Ｎ＝Ｎ−、（Ｒ””）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ””）−などの共役連結基と連結されていてもよく、ここで、Ｔ’及びＴ”がそれぞれ、独立して、Ｈ、Ｃｌ、Ｆ、−Ｃ≡Ｎ又はＣ１〜４アルキル基などの低級アルキル基を表し、Ｒ””が上に定義されるとおりである。
【００９１】
本発明に係る他の好適な配合物の実施形態において、使用され得るＯＳＣ材料としては、テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネンなどの縮合芳香族炭化水素からなる群から選択される化合物、オリゴマー及び化合物の誘導体、又は上記のものの可溶性の置換誘導体及び／又は複素環式誘導体；ｐ−クアテルフェニル（ｐ−４Ｐ）、ｐ−キンクエフェニル（ｐ−５Ｐ）、ｐ−セキシフェニル（ｐ−６Ｐ）などのオリゴマーパラ置換フェニレン又はこれらの可溶性の置換誘導体；ベンジジン化合物；スチルベン化合物；トリアジン；置換されたメタロ又は金属を含まないポルフィン、フタロシアニン
、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニン又はフルオロナフタロシアニン；Ｃ６０及びＣ７０フラーレン；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリール又は置換ジアリール−１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸ジイミド及びフルオロ誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリール又は置換ジアリール３，４，９、１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド；バト−フェナントロリン；ジフェノキノン；１，３，４−オキサジアゾール；１１，１１，１２，１２−テトラシアノ−ナフト−２，６−キノジメタン：α，α’−ビス（ジチエノ［３，２−ｂ２’，３’−ｄ］チオフェン）；２，８−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリール又は置換ジアリールアントラジチオフェン；２，２’−ビベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェンが挙げられる。ＯＳＣの液相成長法（ｌｉｑｕｉｄ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）が所望される場合、上記のリストからの化合物及びそれらの誘導体は、適切な溶媒又は適切な溶媒の混合物に可溶性であるものに限定される。
【００９２】
本発明に係る他の好適な配合物の実施形態において、ＯＳＣ材料は、例えば、米国特許第６，６９０，０２９号明細書、国際公開第２００５／０５５２４８Ａ１号パンフレット又は米国特許第７，３８５，２２１号明細書に開示されているように、ペンタセン、テトラセン又はアントラセンなどの置換オリゴアセン、又はそれらの複素環式誘導体、より詳細には、ビス（トリアルキルシリルエチニル）オリゴアセンなどのアルキルシリルエチニル基で置換されるオリゴアセン又はビス（トリアルキルシリルエチニル）ヘテロアセン、例えば、任意選択的にフッ素化されたビス（トリアルキルシリルエチニル）アントラジチオフェンである。
【００９３】
必要に応じて、及び例えば、国際公開第２００５／０５５２４８号パンフレットに記載されているように、ＯＳＣ配合物のレオロジー特性を調整する必要がある場合、本発明のある実施形態は、ポリシクロオレフィンポリマーに加えて、１つ以上の有機結合剤を含むＯＳＣ配合物を用いる。他の実施形態において、ＯＳＣ配合物は、ポリシクロオレフィンポリマーに加えて、有機結合剤を含まない。
【００９４】
本発明に係る他の好適な実施形態は、本発明に係るＯＳＣ配合物の使用によって得られるＯＳＣ層に関する。
本発明に係る他の好適な実施形態は、ＯＳＣ層を作製する方法であって、本発明に係るＯＳＣ配合物を基板に付着させる工程と、ＯＳＣ配合物が溶媒を含む場合、溶媒を除去する工程とを含む方法に関する。
【００９５】
本発明に係る、ある好適なＯＳＣ層実施形態において、ＯＳＣ層の付着及び／又は形成は、溶液処理技術を用いて行われる。例えば、ＯＳＣ及びポリシクロオレフィンポリマーの配合物、典型的に、１つ以上の有機溶媒を含む溶液は、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、活版印刷、スクリーン印刷、ドクターブレードコーティング、ローラ印刷、リバースローラ印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、ブラシコーティング、又はパッド印刷を含むがこれらに限定されない好適な技術、続いて、このような溶液を形成するのに用いられる溶媒の蒸発を用いて付着又は形成され得る。例えば、ＯＳＣ材料、バンク構造材料及び有機誘電体材料はそれぞれ、形成されるデバイスに適した順序で、スピンコーティング、フレキソ印刷、及びインクジェット印刷技術によって付着又は形成され得る。
【００９６】
本発明に係る他の好適なＯＳＣ層の実施形態において、付着及び溶媒除去の後のＯＳＣ層中のポリシクロオレフィンポリマーの濃度は、２．５〜２５％、より詳細には、１０〜１５％である。
【００９７】
本発明に係る他の好適な実施形態は、ＯＳＣ層と、誘電体層又はパッシベーション層とを含むＯＥデバイスに関し、ここで、ＯＳＣ層は、本発明に係るＯＳＣ配合物の使用によって得られ、誘電体層又はパッシベーション層は、ｐ−キシリレンの蒸着、ひいては、ポリ（ｐ−キシリレン）の層の形成によって得られる。
【００９８】
本発明に係る、ある好適なＯＥデバイスの実施形態において、ポリ（ｐ−キシリレン）は、パリレンＣである。
ｐ−キシリレンの蒸着プロセスに好適なプロセス条件は、当業者に公知であり、例えば、Ｐ．クラマー（Ｐ．Ｋｒａｍｅｒ）ら著、ジャーナル・オブ・ポリマー・サイエンス：ポリマー・ケミストリー・エディション（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｅｄｉｔｉｏｎ）、第２２巻（１９８４年）、ｐ．４７５〜４９１といった文献に記載されている。
【００９９】
本発明に係る、ある好適なＯＥデバイスの実施形態において、ＯＥデバイスは、ＯＳＣ層と、誘電体層又はパッシベーション層とを含み、ここで、ＯＳＣ層は、ＯＳＣと、１つ以上の反応性基を有するポリシクロオレフィンポリマーとを含むＯＳＣ配合物の使用によって得られ、誘電体層又はパッシベーション層は、ＯＳＣ層におけるｐ−キシリレンの蒸着、ひいてはＯＳＣ層におけるポリ（ｐ−キシリレン）の層の形成によって得られ、ポリシクロオレフィンポリマーの反応性基は、ｐ−キシリレンの蒸着中にＯＳＣ層と誘電体層又はパッシベーション層との間の境界で、ｐ−キシリレンの不飽和基と反応し、ＯＳＣ層と誘電体層又はパッシベーション層との境界で、ＯＳＣ層のポリシクロオレフィンポリマーと、誘電体層又はパッシベーション層のポリ（ｐ−キシリレン）との化学結合が得られる。
【０１００】
本発明に係る好適なＯＥデバイスの実施形態としては、以下に限定はされないが、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、トップゲート型もしくはボトムゲート型トランジスタであり得る有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光検出（ＯＰＤ）デバイス又は有機光起電（ＯＰＶ）デバイスが挙げられる。
【０１０１】
本発明に係る、ある好適なＯＥデバイスの実施形態は、例えば、ＯＳＣがアクティブチャネル材料として使用されるＯＦＥＴ、ＯＳＣが電荷キャリア材料として使用されるＯＰＶデバイス、又はＯＳＣがダイオードの層要素である有機整流ダイオード（ＯＲＤ）であり得る。このような実施形態のＯＳＣは、上述される付着方法のいずれかによって付着され得るが、それらは、一般に、ブランケット層として付着又は形成される際、スプレーコーティング、浸漬コーティング、ウェブコーティングもしくはスピンコーティングなどの溶媒塗布方法、又はインクジェット印刷、フレキソ印刷もしくはグラビア印刷などの印刷方法が、周囲温度処理を可能にするために典型的に用いられる。
【０１０２】
ある好適なＯＥデバイスの実施形態において、ＯＥデバイスは、ポリ（ｐ−キシリレン）を含むゲート誘電体層を含むトップゲート型ＯＦＥＴである。
他の好適なＯＥデバイスの実施形態において、ＯＥデバイスは、ポリ（ｐ−キシリレン）を含むパッシベーション層を含むボトムゲート型ＯＦＥＴである。
【０１０３】
本発明に係る他の好適な実施形態は、ｐ−キシリレンの蒸着によって得られる誘電体層又はパッシベーション層を含むＯＥデバイスを作製する方法であって、前記ＯＥデバイスが、本発明に係るＯＳＣ配合物の使用によって得られるＯＳＣ層をさらに含む方法に関する。
【０１０４】
本発明の他の好適な実施形態は、ＯＥデバイスを作製する方法であって、
ａ）上及び以下に記載されるＯＳＣ配合物を基板に付着させて、ＯＳＣ層を形成する工程
と、
ｂ）ＯＳＣ配合物が溶媒を含む場合、溶媒を除去する工程と、
ｃ）任意選択的に、ＯＳＣ層をアニーリングする工程と、
ｄ）蒸着によって、ｐ−キシリレンの層をＯＳＣ層に付着させる工程と
を含む方法に関する。
【０１０５】
本発明の好適な一実施形態に係るトップゲート型ＯＦＥＴが、図１に概略的に示され、本発明の別の実施形態に係るボトムゲート型ＯＦＥＴが、図２に概略的に示される。
ここで、図１を参照すると、本発明の好適な実施形態に係るトップゲート型ＯＦＥＴデバイスの概略的な簡略図が提供される。このようなＯＦＥＴデバイスは、基板（１）と、ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）と、上及び以下に記載される配合物の使用によって得られるＯＳＣ層（３）と、ポリ（ｐ−キシリレン）を含み、かつゲート絶縁体として働く誘電体層（４）と、ゲート電極（５）とを含む。
【０１０６】
本発明に係る他の好適な実施形態は、
ａ）基板（１）上にソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）を形成する工程と、
ｂ）ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）上に、上及び以下に記載されるＯＳＣ配合物からＯＳＣ層（３）を形成する工程と、
ｃ）ＯＳＣ層（３）におけるｐ−キシリレンの蒸着によって誘電体層（４）を形成する工程と、
ｄ）誘電体層（４）上にゲート電極（５）を形成する工程と
を含む方法によって、例えば、図１に示されるように、トップゲート型ＯＦＥＴデバイスを作製するための方法に関する。
【０１０７】
ここで、図２を参照すると、本発明の別の好適な実施形態に係るボトムゲート型ＯＦＥＴデバイスの概略的な簡略図が提供される。このようなＯＦＥＴデバイスは、基板（１）と、ゲート電極（５）と、ゲート絶縁体として働く誘電体層（４）と、ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）と、上及び以下に記載される配合物の使用によって得られるＯＳＣ層（３）と、ポリ（ｐ−キシリレン）を含むパッシベーション層（６）とを含む。
【０１０８】
本発明に係る他の好適な実施形態は、
ａ）基板（１）上にゲート電極（５）を形成する工程と、
ｂ）基板（１）及びゲート電極（５）上に誘電体層（４）を形成する工程と、
ｃ）誘電体層（４）上にソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）を形成する工程と、
ｄ）ソース及びドレイン電極（２ａ、２ｂ）及び誘電体層（４）上に本発明に係る配合物からＯＳＣ層（３）を形成する工程と、
ｅ）ＯＳＣ層（３）におけるｐ−キシリレンの蒸着によってパッシベーション層（６）を形成する工程と
を含む方法によって、例えば、図２に示されるように、ボトムゲート型ＯＦＥＴデバイスを作製するための方法に関する。
【０１０９】
上記の方法において、電極（２ａ、２ｂ、５）は、例えば、スパッタリング法によって、基板（１）又は誘電体層（４）に適用され、エッチング及び／又はリソグラフィーパターニングによってパターニングされ得る。ＯＳＣ層（３）及び誘電体層（４）は、上記のコーティング又は印刷方法によって適用され得る。
【０１１０】
基板ならびにゲート、ソース及びドレイン電極のような、ＯＥ及びＯＦＥＴデバイスの他の構成要素又は機能層は、標準的な材料から選択され得、標準的な方法によって、製造され、デバイスに適用され得る。これらの構成要素及び層に好適な材料及び製造方法は、当業者に公知であり、文献に記載されている。例示的な付着方法としては、上述される液
体コーティング方法ならびに化学蒸着（ＣＶＤ）又は物理蒸着方法が挙げられる。
【０１１１】
本発明に係るＯＦＥＴデバイスの実施形態におけるゲート、ソース及びドレイン電極は、スプレーコーティング、浸漬コーティング、ウェブコーティングもしくはスピンコーティングなどの液体コーティングによって、又は物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）もしくは熱蒸着方法を含むがこれらに限定されない真空蒸着方法によって、付着又は形成され得る。好適な電極材料及び付着方法は、当業者に公知である。好適な電極材料としては、以下に限定はされないが、無機もしくは有機材料、又は両者の複合物が挙げられる。例示的な電極材料としては、ポリアニリン、ポリピロール、ポリ（３，４−エチレンジオキシ−チオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙ−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））又はドープされた共役ポリマー、黒鉛又はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉなどの金属の粒子又はそれらの混合物のさらなる分散体又はペーストならびにＣｕ、Ｃｒ、Ｐｔ／Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕなどのスパッタコーティング又は蒸発された金属又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）ＦがドープされたＩＴＯもしくはＡｌがドープされたＺｎＯなどの金属酸化物が挙げられる。有機金属前駆体も使用され、液相から付着され得る。
【０１１２】
一般に、機能層、例えば、ゲート誘電体層又はＯＳＣ層の厚さは、本発明に係る、ある好適なＯＥ及びＯＦＥＴデバイスの実施形態において、０．００１（単層の場合）〜１０μｍであり；他の好適な実施形態において、このような厚さは、０．００１〜１μｍの範囲であり、さらに他の好適な実施形態において、５ｎｍ〜５００ｎｍであるが、他の厚さ又は厚さの範囲が考えられ、したがって、本発明の範囲内である。
【０１１３】
様々な基板が、本発明のＯＥデバイスの実施形態の作製に使用され得る。例えば、ガラス又はポリマー材料が最もよく使用される。好適なポリマー材料としては、以下に限定はされないが、アルキド樹脂、アリルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエン−スチレン、セルロース、酢酸セルロース、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー、エチレン−テトラ−フルオロエチレンコポリマー、ガラス繊維強化プラスチック、フッ化炭素ポリマー、ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデンコポリマー、高密度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリシクロオレフィン、シリコーンゴム、及びシリコーンが挙げられ、ここで、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン及びポリエチレンナフタレート材料が、最も適切であることが分かっている。さらに、本発明のある好適な実施形態では、基板は、上に列挙される材料のうちの１つ以上で被覆された任意の好適な材料、例えば、プラスチック、金属又はガラス材料であり得る。このような基板を形成する際、押出し、延伸、研摩（ｒｕｂｂｉｎｇ）又は光化学的技術などの方法が、デバイス作製のための均一な表面を提供するため、ならびにキャリア移動度を向上させるために有機半導体材料のプリアライメントを提供するために用いられ得ることが理解されよう。
【０１１４】
文脈上明らかに他の意味に解すべき場合を除き、本明細書において使用される際、本明細書の用語の複数形は、単数形を含むものと解釈されるべきであり、逆もまた同様である。
【０１１５】
本発明の上記の実施形態に変更を加えることができるが、それらは依然として本発明の範囲内に含まれることが理解されよう。本明細書に開示される各特徴は、特に記載されない限り、同じか、同等又は同様の目的を果たす代替的な特徴で置き換えることができる。したがって、特に記載されない限り、開示される各特徴は、一般的な一連の同等又は同様
の特徴の一例に過ぎない。
【０１１６】
本明細書に開示される特徴の全ては、このような特徴及び／又は工程の少なくともいくつかが互いに矛盾する組合せを除き、任意の組合せで組み合わされ得る。特に、本発明の特徴は、本発明の全ての態様に当てはまり、任意の組合せで使用され得る。同様に、非本質的な組合せで記載される特徴は、別々に（組み合わされずに）使用され得る。
【０１１７】
ここで、本発明は、以下の実施例を参照してより詳細に説明され、これらの実施例は、あくまでも例示であり、本発明の範囲を限定するものではない。
上記及び以下で、特に記載されない限り、パーセンテージは、重量パーセントであり、温度は、セ氏温度（℃）で示される。誘電率ε（「絶対誘電率（ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ）」）の値は、２０℃及び１，０００Ｈｚで取った値を意味する。
【実施例】
【０１１８】
実施例１
ポリマー１（ポリ（フェネチルノルボルネン［９４％］−コ−ヘキセニルノルボルネン［６％］））を以下のように調製した。
【０１１９】
トルエン中のＬｉＦＡＢＡ（［Ｌｉ（Ｅｔ２Ｏ）２．５］［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］、２０ｍｇ）及びフェネチルノルボルネン（ｐｈｅｎｅｔｈｙｌｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ）（ＰＥＮＢ、２７．６ｇ、１３９ｍｍｏｌ）及び式Ｍ１ａのヘキセニルノルボルネン（ｈｅｘｅｎｙｌｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ）（「ヘキセニルＮＢ」、２．７３ｇ、１６．０ｍｍｏｌ）の溶液（全溶液体積１１０ｍＬ）を８０℃に加熱した。次に、１ｍＬのトルエン中の［（アリル）パラジウム（トリナフチルホスフィン）（トリフルオロアセテート）］（５．５ｍｇ）の溶液を、反応混合物に加えた。反応混合物を８０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を室温に冷ました。反応混合物を、アセトン（約１０倍過剰）に注いだ。沈殿したポリマーをろ過し、次に、真空オーブン中５０℃で一晩乾燥させたところ、白色の粉末が得られた。収量：３０．１ｇ（９９％）。ＧＰＣ：Ｍｗ＝９８，０００、Ｍｎ＝１７，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝５．８４。ポリマーを１Ｈ  ＮＭＲ方法によって測定したところ、９４％のＰＥＮＢ及び６％のヘキセニルＮＢを含有していた。ヘキセニルＮＢ側基を伴う異性化オレフィンに対する末端オレフィンの比率を、１Ｈ  ＮＭＲ方法によって測定したところ、１．５／１であった。
実施例２
ポリマー２（ポリ（フェネチルノルボルネン［７１％］−コ−ヘキセニルノルボルネン［２９％］））を以下のように調製した。
【０１２０】
トルエン中のＬｉＦＡＢＡ（［Ｌｉ（Ｅｔ２Ｏ）２．５］［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］、２１ｍｇ）及びフェネチルノルボルネン（ＰＥＮＢ、２１．９ｇ、１１１ｍｍｏｌ）及び式Ｍ１ａのヘキセニルノルボルネン（「ヘキセニルＮＢ」、８．３４ｇ、４７．０ｍｍｏｌ）の溶液（全溶液体積１０９ｍＬ）を８０℃に加熱した。次に、１ｍＬのトルエン中の［（アリル）パラジウム（トリナフチルホスフィン）（トリフルオロアセテート）］（５．６ｍｇ）の溶液を、反応混合物に加えた。反応混合物を８０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を室温に冷ました。反応混合物を、アセトン（約１０倍過剰）に注いだ。沈殿したポリマーをろ過し、次に、真空オーブン中５０℃で一晩乾燥させたところ、白色の粉末が得られた。収量：２９．９ｇ（９９％）。ＧＰＣ：Ｍｗ＝１３１，０００、Ｍｎ＝２２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝５．９９。ポリマーを１Ｈ  ＮＭＲ方法によって測定したところ、７１％のＰＥＮＢ及び２９％のヘキセニルＮＢを含有していた。ヘキセニルＮＢ側基を伴う異性化オレフィンの共鳴は、１Ｈ  ＮＭＲ方法によって検出不可能であった。
実施例３
ポリマー３（ポリ（フェニルエチルノルボルネン［８２％］−コ−ヘキセニルノルボル
ネン［１８％］））を以下のように調製した。
【０１２１】
トルエン中のＬｉＦＡＢＡ（［Ｌｉ（Ｅｔ２Ｏ）２．５］［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］、２０ｍｇ）及びフェネチルノルボルネン（ＰＥＮＢ、２４．６ｇ、１２４ｍｍｏｌ）及び式Ｍ１ａのヘキセニルノルボルネン（「ヘキセニルＮＢ」、５．４６ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）の溶液（全溶液体積１０８ｍＬ）を８０℃に加熱した。次に、１ｍＬのトルエン中の［（アリル）パラジウム（トリナフチルホスフィン）（トリフルオロアセテート）］（５．３ｍｇ）の溶液を、反応混合物に加えた。反応混合物を８０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を室温に冷ました。反応混合物を、アセトン（約１０倍過剰）に注いだ。沈殿したポリマーをろ過し、次に、真空オーブン中５０℃で一晩乾燥させたところ、白色の粉末が得られた。収量：２８．５ｇ（９５％）。ＧＰＣ：Ｍｗ＝１０８，０００、Ｍｎ＝１３，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝８．２９。ポリマーを１Ｈ  ＮＭＲ方法によって測定したところ、８２％のＰＥＮＢ及び１８％のヘキセニルＮＢを含有していた。ヘキセニルＮＢ側基を伴う異性化オレフィンに対する末端オレフィンの比率を、１Ｈ  ＮＭＲ方法によって測定したところ、２／１であった。
実施例４
ポリマー４（ポリ（フェニルノルボルネン［７８％］−コ−ヘキセニルノルボルネン［２２％］））を以下のように調製した。
【０１２２】
トルエン中のＬｉＦＡＢＡ（［Ｌｉ（Ｅｔ２Ｏ）２．５］［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］、９２ｍｇ）及びフェニルノルボルネン（ｐｈｅｎｙｌｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ）（ＰＮＢ、２３．８ｇ、１４０ｍｍｏｌ）及び式Ｍ１ａのヘキセニルノルボルネン（「ヘキセニルＮＢ」、６．１８ｇ、３５．１ｍｍｏｌ）の溶液（全溶液体積１１０ｍＬ）を８０℃に加熱した。次に、１ｍＬのトルエン中の［（アリル）パラジウム（トリナフチルホスフィン）（トリフルオロアセテート）］（２５ｍｇ）の溶液を、反応混合物に加えた。反応混合物を８０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を室温に冷ました。反応混合物を、アセトン（約１０倍過剰）に注いだ。沈殿したポリマーをろ過し、次に、真空オーブン中５０℃で一晩乾燥させたところ、白色の粉末が得られた。収量：２８．３ｇ（９４％）。ＧＰＣ：Ｍｗ＝６５，０００、Ｍｎ＝１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝６．２４。ポリマーを１Ｈ  ＮＭＲ方法によって測定したところ、７８％のＰＮＢ及び２２％のヘキセニルＮＢを含有していた。ヘキセニルＮＢ側基を伴う異性化オレフィンの共鳴は、１Ｈ  ＮＭＲ方法によって検出不可能であった。
実施例５〜７
表１に示される様々な比率の２つのモノマーを含むポリマー５〜７（ポリ（フェネチルノルボルネン−コ−ヘキセニルノルボルネン）を以下のように調製した。
【０１２３】
トルエン中のＬｉＦＡＢＡ（［Ｌｉ（Ｅｔ２Ｏ）２．５］［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］、表１を参照）及びフェネチルノルボルネン（ＰＥＮＢ、２４．６ｇ、１２４ｍｍｏｌ）及び式Ｍ１ａのヘキセニルノルボルネン（「ヘキセニルＮＢ」、５．４６ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）及び１−ヘキセン（表１を参照）の溶液（全溶液体積、表１を参照）を８０℃に加熱した。次に、トルエン中の［（アリル）パラジウム（トリナフチルホスフィン）（トリフルオロアセテート）］（表１を参照）の溶液を、反応混合物に加えた。反応混合物を、８０℃で所望の時間（表を参照）にわたって撹拌した。反応混合物を室温に冷ました。反応混合物を、２００ｍＬの総体積になるまでＴＨＦで希釈し、アセトン（約１０倍過剰）に注いだ。沈殿したポリマーをろ過し、次に、真空オーブン中５０℃で一晩乾燥させたところ、白色の粉末が得られた。収量：表１を参照。ＧＰＣ：表２１を参照。ポリマーの組成を１Ｈ  ＮＭＲＴ方法によって測定した（表１を参照）。ヘキセニルＮＢ側基を伴う異性化オレフィンに対する末端オレフィンの比率を、１Ｈ  ＮＭＲ方法によって測定した（表１を参照）。
【０１２４】
【表１】
0006499966.tif 000018
【０１２５】
【表２】
0006499966.tif 000019
【０１２６】
使用実施例１：ヘキセニル（反応性）側基及びフェニルエチル（非反応性）側基とともにポリノルボルネン結合剤を含有するＯＳＣを含むトップゲート型ＯＦＥＴ
テオネックスＱ６５ＦＡ（登録商標）フィルム（帝人デュポンフィルム（商標）から入手可能）をメタノールで洗浄した。
【０１２７】
リシコン（Ｌｉｓｉｃｏｎ）（登録商標）Ｐ０１４−ＭＡＫ−１７５平坦化材料の１μｍの層を、スピンコーティング（２５ｓ−１（１５００ｒｐｍ）、３０秒間）によってテオネックスフィルムに付着させた後、７０℃で８分間焼成し、４分間紫外線に暴露した（ＵＶＡ０．０１１Ｗ／ｃｍ２、３６５ｎｍにおけるピーク）。
【０１２８】
約６０ｎｍの厚さの金ソースドレイン電極を、幅２０μｍ×長さ１ｍｍの平行なプレート形状を有するリシコン（Ｌｉｓｉｃｏｎ）（登録商標）Ｐ０１４−ＭＡＫ−１７５層上に蒸着した。
【０１２９】
電極を、リシコン（Ｌｉｓｉｃｏｎ）（登録商標）Ｍ００１自己組織化電荷注入材料で
１分間処理し、乾燥させ、ホットプレート上で、７０℃で２分間アニーリングした。
次に、（ｗ／ｗ）１．６０％の２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン、０．２０％のポリマー１（実施例１から）、７８．５６％のシクロヘキシルベンゼン及び１９．６４％のメシチレンを含むＯＳＣ配合物を、６ｃｍ３／ｍ２の装備されたアニロックス（ａｎｉｌｏｘ）及び７０ｍ／分の速度で動作するサイレルＨｉＱＳフレキソマットとともにＲＫフレキシプルーフ（ＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ）１００フレキソ印刷を用いて、上述されるようにフィルム上の一連のソース／ドレイン電極における５×５ｃｍ幅のエリアブロックとして印刷した。次に、印刷されたＯＳＣ層を、７０℃で５分間アニーリングした。
【０１３０】
次に、パリレンＣの８００ｎｍの層を、スペシャルティ・コーティング・システムズによって製造されるＰＤＳ  ２０１０ラブコータ（Ｌａｂｃｏｔｅｒ）（登録商標）を用いて、ＯＳＣ層上に化学蒸着した。
【０１３１】
最後に、４０ｎｍの厚さの金ゲート電極アレイを、それがデバイスのアクティブチャネル−ソース電極とドレイン電極との間の領域を完全に覆うように、パリレンＣ誘電体層の上に蒸着した。
【０１３２】
伝達特性を、−５Ｖ（線形領域）及び−６０Ｖ（飽和領域）のバイアス電圧で記録した。伝達特性が図３ａに示される。
次に、デバイスを、３０Ｖのソース／ゲート電圧を用いて１２時間電気的ストレスにかけ、−５Ｖ（線形領域）のバイアス電圧における別の伝達特性を、ストレスの前の−５Ｖのバイアス電圧における以前の特性と比較するために、ストレスの直後に記録した。ストレスの前及び後に記録された伝達特性の比較が、図３ｂに示される。
【０１３３】
図３ａに示されるトランジスタの伝達特性は、０．５ｃｍ２／Ｖｓを超える正孔移動度を有する良好なトランジスタ性能を示す。図３ｂから、実施例１のＯＦＥＴデバイスが電気的に安定しており、ごくわずかな閾値電圧変化が観察され得ることが分かる。
【０１３４】
ＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着性を、メクメシンマルチテスト−ｉ（Ｍｅｃｍｅｓｉｎ  ＭｕｌｔｉＴｅｓｔ−ｉ）接着性試験システムを用いて測定した。そのために、接着テープ（好適な粘着性及び所定の幅を有する：テサ（Ｔｅｓａ）（登録商標）４９６５）を、パリレンフィルムの上面に適用し、ロードセルに連結された留め具によって９０°の角度に保持した。測定中、テープを基板から剥がしながら、試験台を予め設定した速度で移動させた。台の移動により、テープを試験試料に対して垂直に保った。上層を剥がすのに必要とされる合力を、１０Ｎのロードセルによって記録し、それを用いて、２つのフィルム間の接着性を定量化した。
【０１３５】
結果として、その実施例に記載されるＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着力は、０．３〜０．５Ｎの範囲であった一方、５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェンならびにその材料とポリスチレン、ポリ（４−メチルスチレン）、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（４−ビニルビフェニル）、及びポリ（トリアリールアミン）のような一般的に使用される結合剤とのブレンドの接着性は、０Ｎに近い（典型的に、検出限界未満）。これは、ＯＳＣフィルム中のポリマー１の存在により、ＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着性が著しく向上されたことを示す。
使用実施例２：ヘキセニル（反応性）側基及びフェニルエチル（非反応性）側基とともにポリノルボルネン結合剤を含有するＱＳＣを含むトップゲート型ＯＦＥＴ
テオネックスＱ６５ＦＡ（登録商標）フィルム（帝人デュポンフィルム（商標）から入手可能）をメタノールで洗浄した。
【０１３６】
リシコン（Ｌｉｓｉｃｏｎ）（登録商標）Ｐ０１４−ＭＡＫ−１７５平坦化材料の１μｍの層を、スピンコーティング（２５ｓ−１（１５００ｒｐｍ）、３０秒間）によってテオネックスフィルムに付着させた後、７０℃で８分間焼成し、４分間紫外線に暴露した（ＵＶＡ０．０１１Ｗ／ｃｍ２、３６５ｎｍにおけるピーク）。
【０１３７】
約６０ｎｍの厚さの金ソースドレイン電極を、幅２０μｍ×長さ１ｍｍの平行なプレート形状を有するリシコン（Ｌｉｓｉｃｏｎ）（登録商標）Ｐ０１４−ＭＡＫ−１７５層上に蒸着した。
【０１３８】
電極を、リシコン（Ｌｉｓｉｃｏｎ）（登録商標）Ｍ００１自己組織化電荷注入材料で１分間処理し、乾燥させ、ホットプレート上で、７０℃で２分間アニーリングした。
次に、（ｗ／ｗ）１．６０％の２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン、０．２０％のポリマー２（実施例２から）、７８．５６％のシクロヘキシルベンゼン及び１９．６４％のメシチレンを含むＯＳＣ配合物を、６ｃｍ３／ｍ２の装備されたアニロックス及び７０ｍ／分の速度で動作するサイレルＨｉＱＳフレキソマットとともにＲＫフレキシプルーフ（ＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ）１００フレキソ印刷を用いて、上述されるようにフィルム上の一連のソース／ドレイン電極における５×５ｃｍ幅のエリアブロックとして印刷した。次に、印刷されたＯＳＣ層を、７０℃で５分間アニーリングした。
【０１３９】
次に、パリレンＣの８００ｎｍの層を、スペシャルティ・コーティング・システムズによって製造されるＰＤＳ  ２０１０ラブコータ（Ｌａｂｃｏｔｅｒ）（登録商標）を用いて、ＯＳＣ層上に化学蒸着した。
【０１４０】
最後に、４０ｎｍの厚さの金ゲート電極アレイを、それがデバイスのアクティブチャネル−ソース電極とドレイン電極との間の領域を完全に覆うように、誘電体パリレンＣ層の上に蒸着した。
【０１４１】
伝達特性を、−５Ｖ（線形領域）及び−６０Ｖ（飽和領域）のバイアス電圧で記録した。伝達特性が図４ａに示される。
次に、デバイスを、３０Ｖのソース／ゲート電圧を用いて１２時間電気的ストレスにかけ、−５Ｖ（線形領域）のバイアス電圧における別の伝達特性を、ストレスの前の−５Ｖのバイアス電圧における以前の特性と比較するために、ストレスの直後に記録した。ストレスの前及び後に記録された伝達特性の比較が、図４ｂに示される。
【０１４２】
図４ａに示されるトランジスタの伝達特性は、０．５ｃｍ２／Ｖｓを超える正孔移動度を有する良好なトランジスタ性能を示す。図４ｂから、実施例１のＯＦＥＴデバイスが電気的に安定しており、ごくわずかな閾値電圧変化が観察され得ることが分かる。
【０１４３】
ＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着性を、メクメシンマルチテスト−ｉ（Ｍｅｃｍｅｓｉｎ  ＭｕｌｔｉＴｅｓｔ−ｉ）接着性試験システムを用いて測定した。そのために、接着テープ（好適な粘着性及び所定の幅を有する：テサ（Ｔｅｓａ）（登録商標）４９６５）を、パリレンフィルムの上面に適用し、ロードセルに連結された留め具によって９０°の角度に保持した。測定中、テープを基板から剥がしながら、試験台を予め設定した速度で移動させた。台の移動により、テープを試験試料に対して垂直に保った。上層を剥がすのに必要とされる合力を、１０Ｎのロードセルによって記録し、それを用いて、２つのフィルム間の接着性を定量化した。
【０１４４】
結果として、その実施例に記載されるＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着力は、０．４〜０．６Ｎの範囲であった一方、５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アント
ラジチオフェンならびにその材料とポリスチレン、ポリ（４−メチルスチレン）、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（４−ビニルビフェニル）、及びポリ（トリアリールアミン）のような一般的に使用される結合剤とのブレンドの接着性は、０Ｎに近い（典型的に、検出限界未満）。これは、ＯＳＣフィルム中のポリマー２の存在により、ＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着性が著しく向上されたことを示す。
使用実施例３：
ＯＳＣフィルムを、実施例５〜７のポリマー５〜７を用いて、使用実施例１に記載されるように作製した。ＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着性を、メクメシンマルチテスト−ｉ（Ｍｅｃｍｅｓｉｎ  ＭｕｌｔｉＴｅｓｔ−ｉ）接着性試験システムを用いて測定した。そのために、接着テープ（好適な粘着性及び所定の幅を有する：テサ（Ｔｅｓａ）（登録商標）４９６５）を、パリレンフィルムの上面に適用し、ロードセルに連結された留め具によって９０°の角度に保持した。測定中、テープを基板から剥がしながら、試験台を予め設定した速度で移動させた。台の移動により、テープを試験試料に対して垂直に保った。上層を剥がすのに必要とされる合力を、１０Ｎのロードセルによって記録し、それを用いて、２つのフィルム間の接着性を定量化した。
【０１４５】
結果として、その実施例に記載されるＯＳＣフィルムへのパリレンＣの接着力は、０．４〜０．６Ｎの範囲であった。
【図１】
0006499966.tif 000024
【図２】
0006499966.tif 000025
【図３ａ】
0006499966.tif 000026
【図３ｂ】
0006499966.tif 000027
【図４ａ】
0006499966.tif 000028
【図４ｂ】
0006499966.tif 000029