(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側体積を密閉するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体の上部部分に取外し可能に結合されたチャンバリッドであって、第１の流れチャネルを含み、前記第１の流れチャネルが、前記内側体積に流体結合され、前記内側体積を第１の出口へ選択的に開放しまたは前記内側体積を前記第１の出口から密封するように適合される、チャンバリッドと、
前記チャンバ本体の下部部分に結合されたチャンバ床面であって、第２の流れチャネルを含み、前記第２の流れチャネルが、前記内側体積に流体結合され、前記内側体積を第１の入口へ選択的に開放しまたは前記内側体積を前記第１の入口から密封するように適合される、チャンバ床面と、
前記内側体積内に配置され、前記内側体積と流体連通するポンプリングであって、下部チャンバに流体結合された上部チャンバおよび前記下部チャンバに流体結合された第２の出口を備え、前記第２の出口が、前記内側体積を前記第２の出口へ選択的に開放しまたは前記内側体積を前記第２の出口から密封するように適合される、ポンプリングとを備え、前記第２の流れチャネル、前記内側体積、前記ポンプリング、および前記第２の出口が第１の流路を構成し、前記第２の流れチャネル、前記内側体積、前記第１の流れチャネル、および前記第１の出口が第２の流路を構成する、
基板処理チャンバ。
【請求項２】
前記第１の流れチャネルが、前記内側体積を第２の入口へ選択的に開放しまたは前記内側体積を前記第２の入口から密封するようにさらに適合される、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３】
プロセスガスまたは洗浄ガスの少なくとも１つを提供するために、前記第２の入口に結合された第２のガス供給をさらに備える、
請求項２に記載のチャンバ。
【請求項４】
前記内側体積内に配置された基板支持体をさらに備え、前記基板支持体が、頂面を有するプレートを備え、前記プレートが、シャフトによって支持され、前記プレートが、前記内側体積を、前記頂面と前記チャンバリッドとの間の処理領域と、前記頂面と前記チャンバ床面との間の非処理領域とに分離する、
請求項１に記載のチャンバ。
【請求項５】
前記第１の流路の一部分が、前記非処理領域の一部分を構成する、請求項４に記載のチャンバ。
【請求項６】
前記第２の流路の一部分が前記非処理領域の一部分を構成し、または
前記第２の流路の一部分が前記処理領域を含む、
請求項４に記載のチャンバ。
【請求項７】
前記内側体積を前記第１のガス供給へ選択的に開放しかつ前記第１の出口に対して閉じることができ、前記第１の出口へ開放しかつ前記第１のガス供給に対して閉じることができ、または前記第１のガス供給と前記第１の出口の両方に対して閉じることができるように、バルブを通って前記第１の流れチャネルに流体結合された第１のガス供給をさらに備える、請求項１から６までのいずれか１項に記載のチャンバ。
【請求項８】
前記第１の流路および前記第２の流路が、同時に開放するように、順次開放するように、または閉じるように選択可能である、請求項１から６までのいずれか１項に記載のチャンバ。
【請求項９】
前記内側体積を前記第１の出口または第１のガス入口へ選択的に開放するように適合された前記第１の流れチャネルに流体結合されたバルブをさらに備える、
請求項１から６までのいずれか１項に記載のチャンバ。
【請求項１０】
第３の流路が、処理領域、前記ポンプリング、前記バルブ、および前記第２の出口を含む、請求項９に記載のチャンバ。
【請求項１１】
前記チャンバリッドの内面を約１００℃〜約３００℃の洗浄温度まで加熱するように前記チャンバリッド内に配置されたヒータ、または
前記チャンバ床面および前記ポンプリングの内側向きの表面を約１００℃〜約３００℃の洗浄温度まで加熱するように前記チャンバ床面上に配置されたヒータプレート
の少なくとも１つをさらに備える、請求項１から６までのいずれか１項に記載のチャンバ。
【請求項１２】
前記チャンバを通る流れを容易にするために前記第１の出口および前記第２の出口の１つまたは複数に流体結合された１つまたは複数のポンプをさらに備える、請求項１から６までのいずれか１項に記載のチャンバ。
【請求項１３】
プロセスチャンバの洗浄方法であって、
流れチャネルを通ってチャンバ床面からチャンバ本体の内側体積へ洗浄ガスを導入するステップと、
前記流れチャネル、前記チャンバの内側体積、前記チャンバ内のポンプリング、および第２の出口を備える前記洗浄ガスのための選択可能な第１の流路を提供するステップと、
前記流れチャネル、前記チャンバの前記内側体積、およびチャンバリッドを通る第１の出口を備える前記洗浄ガスのための選択可能な第２の流路を提供するステップと、
洗浄ガス流路を提供するための流路を選択するステップとを含む方法。
【請求項１４】
流路を選択するステップが、
第１の洗浄ガス流路を提供するために前記第１の流路を選択するステップ、または
第２の洗浄ガス流路を提供するために前記第２の流路を選択するステップの一方または両方を含み、
前記第１の流路と前記第２の流路の両方が選択される場合、前記第１の洗浄ガス流路は、順次または前記第２の洗浄ガス流路と同時に提供される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記チャンバ床面および前記ポンプリングの内側向きの表面を約１００℃〜約３００℃の洗浄温度まで加熱するステップ、または
前記チャンバリッドの内面を約１００℃〜約３００℃の洗浄温度まで加熱するステップ  の少なくとも１つをさらに含む、請求項１３または１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、概して基板処理機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマリアクタなどの基板処理システムは、処理チャンバ内に支持される基板上に層の堆積、エッチング、または形成を行うために使用することができる。これらのプロセスは、処理チャンバの部分上に望ましくない堆積物を生じさせることがある。処理チャンバの洗浄プロセスは、チャンバ内に蓄積することがある望ましくない堆積物および廃棄物を除去するために周期的に実行される。インシトゥ洗浄と呼ばれることがあるいくつかの洗浄プロセスでは、チャンバに洗浄ガスが導入されて、チャンバおよび内部構成要素を洗浄し、次いで適切な取扱い機器へ排気される。
本発明者らは、いくつかのインシトゥ洗浄プロセスで、洗浄ガスがチャンバ表面を十分に洗浄せず、一部の表面にはまったく接触しないことがあることを観察した。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、本発明者らは、インシトゥ洗浄プロセスの性能を改善することができる装置および方法を本明細書に提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
基板処理チャンバのインシトゥ洗浄のための方法および装置が本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、基板処理チャンバは、内側体積を密閉するチャンバ本体と、チャンバ本体の上部部分に取外し可能に結合されたチャンバリッドであって、第１の流れチャネルを含み、第１の流れチャネルが、内側体積に流体結合され、内側体積を第１の出口へ選択的に開放しまたは内側体積を第１の出口から密封するように適合される、チャンバリッドと、チャンバ本体の下部部分に結合されたチャンバ床面であって、第２の流れチャネルを含み、第２の流れチャネルが、内側体積に流体結合され、内側体積を第１の入口へ選択的に開放しまたは内側体積を第１の入口から密封するように適合される、チャンバ床面と、内側体積内に配置され、内側体積と流体連通するポンプリングであって、下部チャンバに流体結合された上部チャンバおよび下部チャンバに流体結合された第２の出口を備え、第２の出口が、内側体積を第２の出口へ選択的に開放しまたは内側体積を第２の出口から密封するように適合される、ポンプリングとを含み、第２の流れチャネル、内側体積、ポンプリング、および第２の出口は第１の流路を構成し、第２の流れチャネル、内側体積、第１の流れチャネル、および第１の出口は第２の流路を構成する。
いくつかの実施形態では、プロセスチャンバの洗浄方法は、第１の流れチャネルを通ってチャンバ床面を通ってチャンバ本体の内側体積へ洗浄ガスを導入するステップと、第１の流れチャネル、チャンバの内側体積、チャンバ内のポンプリング、および第１の出口を備える洗浄ガスのための選択可能な第１の流路を提供するステップと、第１の流れチャネル、チャンバの内側体積、およびチャンバリッドを通る第２の出口を備える洗浄ガスのための選択可能な第２の流路を提供するステップと、洗浄ガス流路を提供するための流路を選択するステップとを含む。いくつかの実施形態では、この方法は、第１の洗浄ガス流路を提供するために第１の流路を選択するステップおよび第２の洗浄ガス流路を提供するために第２の流路を選択するステップのいずれか一方または両方をさらに含むことができる。
本開示の他のさらなる実施形態は後述する。
上記で簡単に要約し、以下でさらに詳細に論じる本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容することができるため、添付の図面は本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本開示の実施形態による処理チャンバの概略的な側面断面図である。
【図２】本開示のいくつかの実施形態によるプロセスチャンバのインシトゥ洗浄のための方法の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
理解を容易にするために、可能な場合、図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。これらの図は、原寸に比例して描かれたものではなく、見やすいように簡略化されていることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記載がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができることが企図される。
基板処理チャンバおよび内部構成要素のインシトゥ洗浄のための装置および方法が本明細書に開示される。本発明の装置は、有利には、チャンバ内で洗浄ガスの改善された流れを提供することによって、インシトゥ洗浄プロセスの性能を高めることができる。
本開示の目的のため、基板処理チャンバのインシトゥ洗浄は、チャンバを開放することなく、たとえばリッドを開放することによって、チャンバの内側体積内に位置する構成要素を含むチャンバの内側体積を洗浄することを意味するために使用される。インシトゥ洗浄は、チャンバ体積および構成要素への物理的アクセスを得るためにチャンバを開放する必要がある湿式洗浄などの他の洗浄プロセスとは区別することができる。
【０００７】
図１は、本開示のいくつかの実施形態による基板処理チャンバ、チャンバ１００の概略的な側面断面図を示す。チャンバ１００は、１つまたは複数の基板プロセス、たとえばそれだけに限定されるものではないが、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）などの堆積プロセスを実行するのに適した任意のチャンバとすることができる。リアクタは、独立型のリアクタ、またはカリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）、もしくはＥＮＤＵＲＡ（登録商標）というクラスタツールの１つなど、クラスタツールの一部とすることができる。
いくつかの実施形態では、チャンバ１００は、概して、内側体積１０８を密閉するチャンバ壁１０２、チャンバ床面１０４、およびチャンバリッド１０６を含むことができる。チャンバ壁１０２、チャンバ床面１０４、およびチャンバリッド１０６を含むチャンバ１００の構成要素は、任意のプロセス適合材料、たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼から形成することができる。
【０００８】
チャンバリッド１０６は、任意の１つまたは複数の結合要素（図示せず）を使用して、チャンバ壁１０２の上部部分に取外し可能に結合される。いくつかの実施形態では、チャンバリッド１０６は、チャンバリッド１０６の温度制御を容易にするために、１つまたは複数のヒータ１１０を含むことができる。本発明者らは、加熱されたチャンバリッド１０６がいくつかのインシトゥ洗浄動作において洗浄を容易にすることができることに注目した。ヒータ１１０は、チャンバリッド１０６の内面を約１００℃〜約３００℃、たとえば約２００℃の洗浄温度まで加熱することを容易にすることができる。
チャンバリッド１０６は、流れチャネル、第１の流れチャネル１１２を含み、第１の流れチャネル１１２は、チャンバリッド１０６を通って延び、内側体積１０８に流体結合される。第１の流れチャネル１１２は、内側体積１０８を第１の出口１２５へ選択的に開放するように、たとえば導管１１６によってバルブ１１４に流体結合される。
バルブ１１４は、第１の出口１２５を介してチャンバ１００の内側体積１０８を第１の排気１２０へ選択的に開放する。いくつかの実施形態では、バルブ１１４はまた、任意選択で、第１のガス供給１１８（１つを図示する）などの１つまたは複数のガス源を内側体積１０８へ供給するように、第１のガス入口１１７に流体結合することができる。ガス供給は、内側体積１０８へのプロセスガスの流れを提供することができる。いくつかの実施形態では、バルブ１１４は、第１のガス入口１１７を介して第１のガス供給１１８、たとえば洗浄ガスもしくはプロセスガスへ、または第１の出口１２５を介して第１の排気１２０へ、内側体積１０８を開放するように構成される。
【０００９】
バルブ１１４は、内側体積１０８を第１のガス入口１１７（提供される場合）へ選択的に開放しかつ内側体積１０８を第１の出口１２５から密封するように、もしくは内側体積１０８を第１の出口１２５へ開放しかつ内側体積１０８を第１のガス入口１１７から密封するように機能し、または内側体積１０８を第１のガス入口１１７および第１の出口１２５から密封することができる。
第１の排気１２０は、第１の排気ポンプ、第１のポンプ１２２を含むことができ、第１のポンプ１２２は、吸引側１２４で第１の出口１２５を介してバルブ１１４に結合され、圧力側１２７でバルブ１２９を介して適当な排気取扱い機器（図示せず）に結合される。
【００１０】
チャンバ壁１０２は、チャンバ１００の内側体積１０８の横方向の境界を定めており、内側体積へのアクセスを可能にするため、たとえば内側体積１０８へ基板を提供しまた内側体積１０８から基板を取り外すために、開口１２６を含むことができる。開口１２６を通って内側体積１０８へおよび内側体積１０から基板を移送するために、ロボットなどの基板輸送機構（図示せず）を設けることができる。開口１２６は、開口１２６を通ってチャンバ１００の内側体積１０８へのアクセスを選択的に提供するために、スリットバルブ１２８または他の機構を介して選択的に密封することができる。
【００１１】
チャンバ壁１０２の下部部分は、チャンバ床面１０４によって支持されており、チャンバ床面１０４に結合される。任意選択で、チャンバ床面１０４の温度制御を容易にするために、チャンバ１００内にヒータプレート１３０を含むことができ、チャンバ床面１０４によって支持することができる。内側体積１０８と流体結合するように、チャンバ床面１０４およびヒータプレート１３０を通って１つまたは複数の第２の流れチャネル１３２（１つを図示する）を提供することができる。いくつかの実施形態では、第２の流れチャネル１３２は、バルブ１３６を通って内側体積１０８を第２のガス供給１３４に流体結合させる。２つ以上の第２の流れチャネル１３２を含む実施形態では、別個のバルブ１３６によって各流れチャネルを制御することができ、または第２の流れチャネル１３２のすべてに対して１つのバルブ１３６を設けることができる。第２の流れチャネル１３２は、内側体積１０８内への１つまたは複数の洗浄ガスの第２の入口を提供するように適合することができる。２つ以上の流れチャネルを有する実施形態では、２つ以上の第２の流れチャネル１３２は、内側体積１０８内への洗浄ガスの所望の流れを提供するように、チャンバ床面１０４を通って任意の位置に位置決めすることができる。
【００１２】
内側体積１０８向きのチャンバ壁１０２に隣接して、ポンプリング１３８が設けられる。ポンプリング１３８は、たとえば孔または通路（図示せず）を通って下部チャンバ１４２に流体結合された上部チャンバ１４０を備える。上部チャンバ１４０は、上部チャンバ壁１４６の内側体積向きの表面を通って通路１４４を通って内側体積１０８に流体結合される。下部チャンバ１４２は、第２の出口１５４を介して第２の排気１４８に流体結合され、第２の排気１４８は、ポンプリング１３８からの排気経路を提供することができる。第２の出口１５４は、第２の排気ポンプ、第２のポンプ１５０の吸引側１５２に結合することができ、第２のポンプ１５０は、圧力側１５６で適当な排気取扱い機器（図示せず）に結合することができる。いくつかの実施形態では、第２の出口１５４は、内側体積１０８からのプロセスガスの排気に使用される共通の出口とすることができる。
いくつかの実施形態では、ヒータプレート１３０は、ポンプリング１３８の内側向きの壁１４３の加熱を容易にすることができる。本発明者らは、加熱された内側向きの壁１４３およびチャンバ床面１０４がいくつかのインシトゥ洗浄動作において洗浄を容易にすることができることに注目した。ヒータプレート１３０は、内側向きの壁１４３およびチャンバ床面１０４を約１００℃〜約３００℃、たとえば約２００℃の洗浄温度まで加熱するのを容易にすることができる。
【００１３】
いくつかの実施形態では、第１のポンプ１２２および第２のポンプ１５０は同じポンプである。たとえば、いくつかの実施形態では、第１の出口１２５を第２のポンプ１５０に、もしくは第２の出口１５４を第２のポンプ１５０に、または第１の出口１２５と第２の出口１５４の両方を第２のポンプ１５０に選択的に流体結合させるように、バルブ（図示せず）を介して第１の出口１２５を第２のポンプ１５０の吸引側１５２に流体結合することができる。
いくつかの実施形態では、内側体積１０８内に基板支持体１５８が配置され、基板支持体１５８は、少なくとも持ち上げられた処理位置（図示のとおり）と、たとえばプレート１６０の頂面１６８上で基板をロードまたはアンロードするためのより低い位置との間の変位のために、底面１７０に結合されたシャフト１６２によって支持されたプレート１６０を備える。プレート１６０は、プレート１６０の温度制御を容易にするために、ヒータ要素１６６を備えることができる。シャフト１６２を収容するために、チャンバ床面１０４およびヒータプレート１３０を通って通路１６４を形成することができる。
【００１４】
プレート１６０は、内側体積１０８を、プレート１６０の頂面１６８とチャンバリッド１０６との間の処理領域１７２と、頂面１６８とチャンバ床面１０４との間の非処理領域１７４とに分離する。プレート１６０は、内側体積１０８内で任意の垂直位置に配置することができる。
いくつかの実施形態では、第２の流れチャネル１３２、内側体積１０８、ポンプリング１３８、および第２の出口１５４を備える第１の流路を形成することができる。第１の流路は、上部チャンバ壁１４６の領域内に位置する通路１４４を通って非処理領域１７４からポンプリング１３８へ流れ、ヒータプレート１３０およびチャンバ床面１０４を通って第２の出口１５４およびバルブ１５１を介してチャンバ１００から出る。
いくつかの実施形態では、第２の流れチャネル１３２、内側体積１０８、第１の流れチャネル１１２、バルブ１１４、および第１の出口１２５を備える第２の流路を形成することができる。
【００１５】
本発明者らは、内部チャンバ構成要素（すなわち、たとえば、基板支持体、ポンプリング、およびチャンバ壁を含むことができる内側体積１０８内の構成要素）のインシトゥ洗浄のために構成されたいくつかの従来のチャンバが、チャンバリッドを通って１つまたは複数の洗浄ガスを提供することを観察した。これらの洗浄ガスは、プロセスガスと同じまたは類似の流路をたどることが観察された。いくつかの場合、その流路は処理領域、基板支持プレートの頂面、およびポンプリングを含む。しかし、いくつかのプロセスガスまたはプロセス副生成物は非処理領域へ移動し、複数のプロセス周期にわたって蓄積する。プロセスガスおよびプロセス副生成物は、いくつかの条件下で処理領域に入り、処理領域および処理を受けている基板の汚染を引き起こす可能性がある。したがって、本発明者らは、処理領域の洗浄と同様に非処理領域を洗浄することができるチャンバ構成要素のより徹底的なインシトゥ洗浄を提供することができる装置および方法を本明細書に提示する。
【００１６】
図２は、本開示の実施形態によるプロセスチャンバのインシトゥ洗浄の方法２００を概説する流れ図である。この方法は、概して２０２で始まり、チャンバ床面１０４を通って流れチャネル（第２の流れチャネル１３２）を通ってチャンバ１００の内側体積１０８に洗浄ガスが導入される。チャンバ床面１０４およびヒータプレート１３０（存在する場合）を通って１つまたは複数の流れチャネルを提供することができ、内側体積１０８を通って１つまたは複数の洗浄ガスの所望の流路を提供するように位置決めすることができる。いくつかの実施形態では、３つの第２の流れチャネル１３２を、チャンバの中心から径方向に外し、角度的に約１２０度離れてずれるように提供することができる。第２の流れチャネル１３２の他の構成も予想される。
【００１７】
２０４で、洗浄ガスのための選択可能な第１の流路１７６が提供される。第１の流路１７６は、第２の流れチャネル１３２、チャンバ１００の内側体積１０８、ポンプリング１３８、および第２の出口１５４を備える。第１の流路１７６は、内側体積１０８のうちプレート１６０の頂面１６８より下の部分を含み、ポンプリング１３８およびチャンバ床面１０４（または、存在する場合はヒータプレート１３０）によって境界が定められる。内側体積１０８のこの部分内では基板処理が実施されないため、この領域を適切には非処理領域と呼ぶことができる。しかし、非処理領域内へのプロセスガスまたはプロセス副生成物の移動によって引き起こされると考えられる汚染物質が、非処理領域内に形成されることがある。チャンバのインシトゥ洗浄は、非処理領域内の汚染を除去するのに有効ではなかった。チャンバ１００の非処理領域内へ洗浄ガスを意図的に流すことで、有利には、効果的なインシトゥ洗浄プロセスを提供するのに十分な洗浄ガスを提供することができる。
【００１８】
２０６で、洗浄ガスのための選択可能な第２の流路１７８が提供される。第２の流路１７８は、第２の流れチャネル１３２、内側体積１０８、第１の流れチャネル１１２、および第１の出口１２５を備える。第２の流路１７８は、チャンバの非処理領域、ならびにプレート１６０の頂面１６８、チャンバリッド１０６、およびポンプリング１３８によって境界が定められた処理領域を含む。処理領域はプレート１６０の頂面１６８によって支持される基板が処理される区域を含むため、処理領域は適切な名で呼ばれている。
２０８で、ガス、たとえば第１のガス供給１１８からの洗浄ガスのための任意選択の選択可能な第３の流路１８０が提供される。
２１０で、洗浄ガス流路、すなわち洗浄ガス供給からチャンバ１００の内側体積１０８を通って洗浄ガスを流すために利用可能な流路を提供するために、第１の流路１７６、第２の流路１７８、および第３の流路１８０の１つまたは複数の間で選択が行われる。選択される流路は、内側体積１０８を通ってガスまたは洗浄ガスを流すために、任意の順序で順次選択することができる。以下でより詳細に論じるように、特定の条件下では、流路のいくつかを同時に選択することができる。
【００１９】
図１に示して上述したように、チャンバリッド１０６を通ってチャンバ１００の内側体積１０８へ第１のガス供給１１８からのガスを供給することができ、またはチャンバ床面１０４を通って内側体積１０８内へ第２のガス供給１３４を供給することができる。
第３の流路１８０は、チャンバリッド１０６を通って内側体積１０８に提供されるガスのために提供される。第３の流路は、処理領域１７２、ポンプリング１３８、バルブ１５１、および第２の出口１５４を含む。
チャンバ床面１０４を通って内側体積１０８へ供給されるガスのために、２つの流路が提供される。第１の流路１７６は、内側体積１０８の非処理領域１７４、ポンプリング１３８、バルブ１５１、および第２の出口１５４を含む。バルブ１５１を開放することで、第１の流路が利用可能になり、チャンバ構成要素を通ってガス、たとえば第２のガス供給１３４から供給される洗浄ガスを流し、たとえば第２の出口１５４を通ってチャンバから出すことができる。この流れを容易にするために、ポンプ、第２のポンプ１５０を設けて、チャンバを通る流れを促進することができる。
【００２０】
第２の流路１７８は、非処理領域１７４、処理領域１７２、第１の流れチャネル１１２、バルブ１１４、および第１の出口１２５を含む。内側体積１０８を第１の出口１２５に開放するための位置にバルブ１１４を位置決めすることで、第２の流路１７８が利用可能になり、チャンバ構成要素を通ってガス、たとえば第２のガス供給１３４から供給される洗浄ガスを流し、たとえば第１の出口１２５を通ってチャンバから出す。この流れを容易にするために、ポンプ、第１のポンプ１２２を設けて、チャンバ１００を通る流れを促進することができる。
【００２１】
第１の流路１７６または第２の流路１７８の選択は、他の流路の状態（利用可能または利用不能）とは独立しており、すなわち、他方の流路の利用可能性にかかわらず、一方の流路を選択して利用可能にすることができる。たとえば、第２の流路１７８が利用可能または利用不能である一方で、第１の流路１７６を利用可能にすることができる。第２の流路１７８が利用可能にされている場合、第１の流路にも同じことが当てはまる。
提供されている場合、第３の流路１８０の選択を行うことができ、第１の流路１７６と別個または同時に利用可能とすることができる。第１の流路１７６および第３の流路１８０が同時に利用可能である場合、これらの２つの流路は、内側体積１０８内へ流されるガスを取り除くために、ポンプリング１３８および第２の出口１５４を利用するはずである。
【００２２】
２１２で、ガス、たとえば洗浄ガスが、１つまたは複数の選択された流路へ導入されて、チャンバ１００の内側体積１０８のインシトゥ洗浄を提供する。第１の流路１７６は、非処理領域１７４の境界表面の少なくとも一部を、第１の流路１７６内で流されるガスに露出させる。第２の流路１７８は、非処理領域１７４の境界表面の少なくとも一部および処理領域１７２の少なくとも一部を、第２の流路１７８内で流されるガスへ露出させる。
【００２３】
本発明者らは、開示されるインシトゥ洗浄方法の複数の利益に注目した。チャンバ１００の非処理領域１７４に洗浄ガスを提供することによって、プロセスガスまたはプロセス副生成物で汚染される可能性がある表面は、洗浄ガスによって接触され、少なくとも部分的に洗浄することができる。これにより、汚染物質が非処理領域１７４から逃れて処理領域１７２に入り、場合によっては処理されている基板を汚染する可能性が低減される。開示の方法は、洗浄のためにチャンバ１００が非稼働中になる期間（ダウンタイムと呼ばれることもある）を低減させることができる。開示のインシトゥ洗浄プロセスは、チャンバの処理温度またはその付近で行うことができ、チャンバ１００を洗浄するための冷却時間およびチャンバ１００を再び稼働させるための再加熱時間を低減させまたはなくすことができる。上記その他の利益は、開示の発明の方法を実行する際に実現することができる。
【００２４】
上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができる。
【図１】
0006506757.tif 000002
【図２】
0006506757.tif 000003