(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像パラメータについて、それぞれ撮像条件の入力を受け付ける受け付け部と、
前記複数の撮像パラメータのうち少なくとも一つの撮像パラメータに入力可能な複数の前記撮像条件と、予め定めた優先順位が付与された複数のレイヤーとの関係を記憶するレイヤー記憶部と、
シーケンスレイアウト計算部とを有し、
前記複数のレイヤーには、１以上の高周波磁場または傾斜磁場のパルスが、所定の印加タイミングおよび所定の印加軸を示す位置に予め配置され、
前記シーケンスレイアウト計算部は、前記受け付け部が受け付けた前記撮像条件に対応する１以上の前記レイヤーを前記レイヤー記憶部の前記関係に基づいて選択し、選択した前記レイヤーを、前記優先順位に従って重畳し、複数の前記レイヤーで前記印加タイミングおよび前記印加軸が重なる複数の前記パルスがある場合、前記優先順位の高い方の前記レイヤーに配置されている前記パルスを選択することにより、複数の前記印加軸について前記印加タイミングにおける前記パルスの配置を示すパルスシーケンスを生成することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記複数のレイヤーにはそれぞれ、縦軸および横軸の一方が時間方向の区間、他方が印加軸の種類を示す２次元マトリクスが所定の行数および列数により搭載され、前記２次元マトリクスを構成する複数のセルのうち１以上には、前記パルスが予め配置され、
前記シーケンスレイアウト計算部は、前記選択したレイヤーを重畳する際に、前記２次元マトリクスが重なり合うように重畳し、重なり合う前記セルに複数の前記パルスがある場合、前記優先順位の高い方の前記レイヤーのセルの前記パルスを選択することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記シーケンスレイアウト計算部は、前記レイヤーに配置される前記パルスの波形を、前記受け付け部が受け付けた前記撮像条件を用いて設定することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記シーケンスレイアウト計算部は、前記受け付け部を介して、使用者によって前記パルスが配置された新規レイヤーの追加を受け付け、受け付けた前記新規レイヤーを最も優先順位が高いレイヤーとすることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記シーケンスレイアウト計算部は、前記受け付け部を介して、前記レイヤーに予め配置された前記パルスの変更または追加を使用者から受け付け、前記レイヤー記憶部に記憶された前記レイヤーを更新することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記シーケンスレイアウト計算部は、前記受け付け部を介して、前記パルスの波形の変更を使用者から受け付け、前記レイヤー記憶部に記憶された前記レイヤーの波形を更新することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、生成した前記パルスシーケンスの前記パルスの時間幅を、前記撮像パラメータとして入力された繰り返し時間TRに応じて設定するシーケンスパターン計算部をさらに有することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、生成した前記パルスシーケンスの前記パルスの一部の波形を、立ち上がり勾配を低下させる最適化処理を行う最適化シーケンス計算部をさらに有することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記２次元マトリクスの行数および列数は、前記撮像パラメータに設定されたシーケンスに応じて定められていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
複数の撮像パラメータについて、それぞれ撮像条件の入力を使用者から受け付ける受け付け部と、
前記複数の撮像パラメータのうち少なくとも一つの撮像パラメータに入力可能な複数の前記撮像条件と、予め定めた優先順位が付与され搭載した複数のレイヤーとの関係を記憶するレイヤー記憶部とを有し、
前記複数のレイヤーには、１以上の高周波磁場または傾斜磁場のパルスが、所定の印加タイミングおよび所定の印加軸を示す位置に予め配置された、磁気共鳴イメージング装置のパルスシーケンスを生成するプログラムであって、
コンピュータに、
前記受け付け部が受け付けた前記撮像条件に対応する１以上の前記レイヤーを前記レイヤー記憶部の前記関係に基づいて選択するステップと、
選択した前記レイヤーを、前記優先順位に従って重畳し、複数の前記レイヤーで前記印加タイミングおよび前記印加軸が重なる複数の前記パルスがある場合、前記優先順位の高い方の前記レイヤーに配置されている前記パルスを選択することにより、複数の前記印加軸について前記印加タイミングにおける前記パルスの配置を示すパルスシーケンスを生成するステップとを実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
複数の撮像パラメータについて、それぞれ撮像条件の入力を使用者から受け付ける受け付け部と、
前記複数の撮像パラメータのうち少なくとも一つの撮像パラメータに入力可能な複数の前記撮像条件と、予め定めた優先順位が付与され搭載した複数のレイヤーとの関係を記憶するレイヤー記憶部とを有し、
前記複数のレイヤーには、１以上の高周波磁場または傾斜磁場のパルスが、所定の印加タイミングおよび所定の印加軸を示す位置に予め配置された、磁気共鳴イメージング装置のパルスシーケンスを生成する方法であって、
前記受け付け部が受け付けた前記撮像条件に対応する１以上の前記レイヤーを前記レイヤー記憶部の前記関係に基づいて選択するステップと、
選択した前記レイヤーを、前記優先順位に従って重畳し、複数の前記レイヤーで前記印加タイミングおよび前記印加軸が重なる複数の前記パルスがある場合、前記優先順位の高い方の前記レイヤーに配置されている前記パルスを選択することにより、複数の前記印加軸について前記印加タイミングにおける前記パルスの配置を示すパルスシーケンスを生成するステップとを有することを特徴とするパルスシーケンス生成方法。
【請求項１２】
複数の撮像パラメータについて、それぞれ撮像条件の入力を受け付ける受け付け部と、
前記複数の撮像パラメータのうち少なくとも一つの撮像パラメータに入力可能な複数の前記撮像条件と、予め定めた優先順位が付与された複数のレイヤーとの関係を記憶するレイヤー記憶部と、
シーケンスレイアウト計算部とを有し、
前記複数のレイヤーには、１以上の高周波磁場または傾斜磁場のパルスが、所定の印加タイミングおよび所定の印加軸を示す位置に予め配置され、
前記シーケンスレイアウト計算部は、前記受け付け部が受け付けた前記撮像条件に対応する１以上の前記レイヤーを前記レイヤー記憶部の前記関係に基づいて選択し、選択した前記レイヤーを、前記優先順位に従って重畳し、複数の前記レイヤーで前記印加タイミングおよび前記印加軸が重なる前記パルスがある場合、前記優先順位の高い方の前記レイヤーに配置されている前記パルスを選択することにより、複数の前記印加軸および複数の前記印加タイミングにおける前記パルスの配置を示すパルスシーケンスを生成することを特徴とするパルスシーケンス生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気共鳴イメージング（以下、「ＭＲＩ」という）装置に関し、特にパルスシーケンスを編集する機能を備えた装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＲＩ装置は、被検体、特に人体の組織を構成する原子核スピンが発生するＮＭＲ（核磁気共鳴）信号を計測し、その頭部、腹部、四肢等の形態や機能を２次元的に或いは３次元的に画像化する装置である。撮影時には、被検体に、所望の領域の原子核スピンを励起するため高周波磁場パルスが照射されると同時に領域選択のための傾斜磁場が印加され、発生されたＮＭＲ信号に位相エンコードおよび周波数エンコードを付与するために、異なる方向の傾斜磁場パルスが所定のタイミングで繰り返し印加される等し、時系列データとしてＮＭＲ信号が計測される。この他にも、撮影方法によって種々の傾斜磁場が所定のタイミングで印加される。高周波磁場パルスと傾斜磁場パルスを印加する方向、タイミング、波形は、撮像方法および撮像条件ごとに、所定のパルスシーケンスで表される。ＭＲＩ装置は、パルスシーケンスにしたがって、高周波磁場パルスおよび傾斜磁場パルスを被検体に印加する。パルスシーケンスを実行することにより計測されたＮＭＲ信号は、２次元又は３次元フーリエ変換されることにより画像に再構成される。
【０００３】
一般的に、ＭＲＩ装置の記憶部には、スピンエコー法等の代表的な複数種類のシーケンスが予め格納されており、使用者がその中の１つを選択することにより、撮影に用いるパルスシーケンスが設定される。また、特許文献１、２および非特許文献１には、パルスシーケンスを使用者が任意に変更する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１２８０７６号
【特許文献２】特開昭６２−３８１４５号
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｔｈｉｅｓ  Ｈ．  Ｊｏｃｈｉｍｓｅｎ、Ｍｉｃｈａｅｌ  ｖｏｎ  Ｍｅｎｇｅｒｓｈａμsｅｎ著、「ＯＤＩＮ-パルスｏｒｉｅｎｔｅｄ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  ｆｏｒ  ＮＭＲ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、Ｖｏｌｕｍｅ  １７０、Ｉｓｓｕｅ  １、Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  ２００４、Ｐａｇｅｓ  ６７-７８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
パルスシーケンスは、高周波磁場パルスおよび傾斜磁場パルスの印加タイミングや印加量を厳密に制御する必要があり、例えば以下のような条件がある。(1)スライス（Ｓｌｉｃｅ）選択用傾斜磁場パルス印加中は、位相エンコード（Ｐｈａｓｅ）用および周波数エンコード（Ｆｒｅｑ）用に傾斜磁場パルスを印加しないなど、ＭＲＩ理論にそった制約がある。(2)繰り返し時間（ＴＲ）やエコー時間（ＴＥ）といった撮像条件によって、高周波磁場パルスおよび傾斜磁場パルスの印加タイミングが変化する。(3)リフェーズ（Ｒｅｐｈａｓｅ）機能やＥＰＩ（エコプラナー）機能を併用すると高周波磁場パルスおよび傾斜磁場パルスが複雑に変化する。(4)傾斜磁場パルスを発生する傾斜磁場コイルや電源のハードウェア規模の低減、ならびに、ｄＢ／ｄｔ（単位時間あたりの傾斜磁場の変動）の低減のために、傾斜磁場パルスは、低強度かつ低スリューレート（ｓｌｅｗ  ｒａｔｅ：最大傾斜磁場強度/立ち上がり時間）で作成することが望ましい。
【０００７】
そのため、新たなパルスシーケンスを作成しようとすると、上記条件を含めて種々の条件を考慮する必要があるために、パルスシーケンスの技術を深く理解することが必要であり、使用者がパルスシーケンスを生成することは困難である。
【０００８】
上述の先行技術文献に記載されている技術は、ある特定の撮像条件に特化したパルスシーケンスを変更する技術であり、撮像条件によるパルスの複雑な変化や、低スリューレートでの実行に関して、配慮がされていなかった。
【０００９】
本発明の目的は、撮像条件を設定することによって、容易にパルスシーケンスを生成することのできるパルスシーケンス生成装置を備えたＭＲＩ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のＭＲＩ装置は、複数の撮像パラメータについてそれぞれ撮像条件の入力を受け付ける受け付け部と、レイヤー記憶部と、シーケンスレイアウト計算部とを有する。レイヤー記憶部は、複数の撮像パラメータのうち少なくとも一つの撮像パラメータに入力可能な複数の撮像条件と、予め定めた優先順位が付与された複数のレイヤーとの関係を記憶する。複数のレイヤーには、１以上の高周波磁場または傾斜磁場のパルスが、所定の印加タイミングおよび所定の印加軸を示す位置に予め配置されている。シーケンスレイアウト計算部は、受け付け部が受け付けた撮像条件に対応する１以上のレイヤーをレイヤー記憶部の前述の関係に基づいて選択し、選択したレイヤーを、優先順位に従って重畳する。複数のレイヤーで印加タイミングおよび印加軸が重なる複数のパルスがある場合、優先順位の高い方のレイヤーに配置されているパルスを選択する。これにより、複数の印加軸について印加タイミングにおけるパルスの配置を示すパルスシーケンスを生成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、撮像条件を設定することによって、容易にパルスシーケンスを生成することの可能なＭＲＩ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態のパルスシーケンス生成装置の全体構成を示すブロック図。
【図２】実施形態の動作例１のスキャンパラメータ入力画面を示す説明図。
【図３】実施形態の動作例１のシーケンス編集画面を示す説明図。
【図４】実施形態の動作例２のシーケンス編集画面を示す説明図。
【図５】実施形態のレイヤーテーブルの表示画面を示す説明図。
【図６】実施形態のレイヤーテーブルの表示画面を示す説明図。
【図７】実施形態のパルスリストの表示画面を示す説明図。
【図８】実施形態のパルスリストの表示画面を示す説明図。
【図９】実施形態のＭＲＩ装置の全体構成を示すブロック図。
【図１０】図１のパルスシーケンス生成装置の動作を示すフローチャート。
【図１１】図１のパルスシーケンス生成装置の動作を示すフローチャート。
【図１２】実施形態のシーケンスパターン確認画面を示す説明図。
【図１３】実施形態の最適化シーケンスを示す画面。
【図１４】図１のパルスシーケンス生成装置の動作を示すフローチャート。
【図１５】実施形態の動作例２のスキャンパラメータ入力画面を示す説明図。
【図１６】実施形態の動作例３のスキャンパラメータ入力画面を示す説明図。
【図１７】実施形態の動作例３のシーケンス編集画面を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。
【００１４】
本発明のＭＲＩ装置は、図１に示す構成のパルスシーケンス生成装置２１０を内蔵している。パルスシーケンス生成装置２１０は、図２に示すような複数の撮像パラメータについて、それぞれ撮像条件の入力を使用者から操作部２５等を介して受け付ける受け付け部２０２と、レイヤー記憶部３１と、シーケンスレイアウト計算部３４とを備えて構成される。
【００１５】
レイヤー記憶部３１には、図３、図４のようなレイヤー２１２、２１３等が複数格納されている。複数のレイヤー２１２、２１３等には、予め定めた優先順位が付与されている。また、レイヤー記憶部３１には、図５、図６のように複数の撮像パラメータのうち少なくとも一つの撮像パラメータ（例えばシーケンスの種類)に入力可能な複数の撮像条件（例えば、GE（グラディエントエコー）、EPI（エコプラナー）、SE（スピンエコー）等）と、複数の撮像条件に対応する１以上のレイヤーとの関係（レイヤーテーブル５３）が記憶されている。
【００１６】
複数のレイヤー２１２，２１３等には、図３、図４のように１以上の高周波磁場パルス９４または傾斜磁場パルス９５，９７、９９、１０１、１０３、１０５、１０７、１４３，１４４が、所定の印加タイミングおよび所定の印加軸を示す位置に予め配置されている。
【００１７】
シーケンスレイアウト計算部３１は、受け付け部２０２が受け付けた撮像条件（例えば、GE、EPI、SE等）に対応する１以上のレイヤー２１２，２１３等を上述の関係（レイヤーテーブル５３）に基づいて選択する。そして、選択したレイヤー２１２，２１３を、優先順位に従って重畳する。複数のレイヤー２１２，２１３で印加タイミングおよび印加軸が重なるパルス（例えば傾斜磁場パルス１０６と１４４）がある場合、優先順位の高い方のレイヤー（例えば２１３）に配置されているパルス（例えばパルス１４４）を選択する。これにより、複数の印加軸および複数の印加タイミングにおけるパルスの配置を示すパルスシーケンスを生成することができる。
【００１８】
本発明の構成では、予め複数のレイヤー２１２、２１３等にそれぞれ１以上のパルス（高周波磁場パルス９４や傾斜磁場パルス９５，９７、９９、１０１、１０３、１０５、１０６、１０７、１４２、１４３，１４４）を配置した状態で用意し、それぞれのレイヤーと、撮像条件（例えば、シーケンス、GE,EPI等）との関係（テーブル５３）を定めておくことにより、使用者は、パルスシーケンスの設計に必要とされる複雑な条件を知らなくても、撮像条件を選択するだけで、必要なレイヤーが選択され、選択したレイヤーが重畳されることにより、パルスシーケンスを容易に生成することができる。
【００１９】
また、複数のレイヤー２１２，２１３等には、それぞれ、縦軸および横軸の一方（例えば横軸）が時間方向の区間（例えば、区間名：励起（Excitation）、リフォーカス（Refocus）、位相エンコード（P.Encode）、周波数エンコード（F.Encode)、クラッシャー（Crusher)）を、他方（例えば縦軸）が印加軸の種類（例えば、励起／読み出し（RF/AD)、スライス方向（Gｓ）、位相エンコード方向（Gｐ）、周波数エンコード方向（Gｆ））を示す２次元マトリクスが所定の行数および列数により搭載されている構成とすることが望ましい。２次元マトリクスを構成する複数のセルのうち１以上には、上述した高周波磁場パルス９４または傾斜磁場パルス９５，９７、９９、１０１、１０３、１０５、１０６、１０７、１４２、１４３、１４４等が予め配置されている。
【００２０】
シーケンスレイアウト計算部３４は、撮像条件に応じて、上記関係（レイヤーテーブル５３）に基づいて選択したレイヤー２１２，２１３を重畳する際に、２次元マトリクスが重なり合うように重畳する。重なり合うセルに複数のパルスがある場合（例えば、セル２１４）、優先順位の高い方のレイヤー２１３のセル２１４のパルス１４４を選択する。
【００２１】
また、シーケンスレイアウト計算部３４は、レイヤー２１２、２１３に配置される高周波磁場パルス９４や傾斜磁場パルス９５等の波形を、受け付け部２０２が受け付けた撮像条件を用いて設定することも可能である。例えば、パルス９４、９５等の波形を、図７および図８のように、予め定めておいたパルスリスト内の予め定めておいた波形と中心位置の設定方法により、受け付けた撮像条件の値等に基づいて設定することも可能である。
【００２２】
また、シーケンスレイアウト計算部３４は、受け付け部２０２を介して、使用者によってパルスが配置された新規レイヤーの追加を受け付けることも可能である。この場合、受け付けた新規レイヤーを最も優先順位が高いレイヤーとすることにより、使用者が追加したパルスを採用したパルスシーケンスを生成できる。
【００２３】
また、シーケンスレイアウト計算部３４は、受け付け部２０２を介して、レイヤー２１２，２１３等に予め配置されたパルス９４，９５等の変更または追加を使用者から受け付けることも可能である。この場合、レイヤー記憶部３１に記憶されたレイヤー２１２，２１３を、パルスを変更または追加後のレイヤーに更新する。
【００２４】
さらに、シーケンスレイアウト計算部３４は、受け付け部２０２を介して、パルス９４，９５等の波形の変更を使用者から受け付けることも可能である。この場合、レイヤー記憶部３１に記憶されたレイヤー２１２，２１３等の波形は、変更された波形に更新する。
【００２５】
レイヤーに搭載する２次元マトリクスの行数および列数は、撮像パラメータに設定されたシーケンスに応じて予め定めておくように構成することも可能である。
【００２６】
また、シーケンスレイアウト計算部３４が生成したパルスシーケンスのパルスの時間幅を、撮像パラメータとして入力された繰り返し時間TRに応じて設定するシーケンスパターン計算部３５をさらに有する構成とすることも可能である。
【００２７】
また、生成したパルスシーケンスのパルスの一部の波形を、立ち上がり勾配を低下させる最適化処理を行う最適化シーケンス計算部３６をさらに有する構成とすることも可能である。
【００２８】
以下、添付図面に従って本実施形態のＭＲＩ装置についてさらに詳しく説明する。なお、発明の実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２９】
最初に、本発明に係るＭＲＩ装置の一例の全体構成の概要を図９に基づいて説明する。このＭＲＩ装置は、ＮＭＲ現象を利用して被検体の断層画像を得るもので、図９に示すように、静磁場発生系２と、傾斜磁場発生系３と、送信系５と、受信系６と、信号処理系７と、シーケンサ４と、中央処理装置（ＣＰＵ）８とを備えて構成される。
【００３０】
静磁場発生系２は、垂直磁場方式であれば、被検体１の周りの空間にその体軸と直交する方向に、水平磁場方式であれば、体軸方向に均一な静磁場を発生させる。静磁場発生系は、永久磁石方式、常電導方式あるいは超電導方式の静磁場発生源を備え、静磁場発生源により、上記均一磁場を発生させる。
【００３１】
傾斜磁場発生系３は、ＭＲＩ装置の座標系（静止座標系）であるＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向に傾斜磁場を印加する傾斜磁場コイル９と、それぞれの傾斜磁場コイルを駆動する傾斜磁場電源１０とを有し、後述のシ−ケンサ４からの命令に従ってそれぞれのコイルの傾斜磁場電源１０を駆動することにより、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸方向に傾斜磁場Ｇｘ，Ｇｙ，Ｇｚを印加する。撮影時には、スライス面（撮影断面）に直交する方向にスライス方向傾斜磁場パルス（Ｇｓ）を印加して被検体１に対するスライス面を設定し、そのスライス面に直交して且つ互いに直交する残りの２つの方向に位相エンコード方向傾斜磁場パルス（Ｇｐ）と周波数エンコード方向傾斜磁場パルス（Ｇｆ）を印加して、エコー信号にそれぞれの方向の位置情報をエンコードする。
【００３２】
シーケンサ４は、高周波磁場パルス（以下、「ＲＦパルス」という）と傾斜磁場パルスをある所定のパルスシーケンスで被検体１に繰り返し印加する制御を行う。シーケンサ４は、ＣＰＵ８の制御で動作し、被検体１の断層画像のデータ収集に必要な種々の命令を送信系５、傾斜磁場発生系３、および受信系６に送ることにより、パルスシーケンスを実行させる制御を行う。
【００３３】
送信系５は、被検体１の生体組織を構成する原子の原子核スピンに核磁気共鳴を起こさせるために、被検体１にＲＦパルスを照射する。送信系５は、高周波発振器１１と変調器１２と高周波増幅器１３と送信側の高周波コイル（送信コイル）１４ａとを備えている。高周波発振器１１は、シーケンサ４からの指令によるタイミングでＲＦパルス信号を発生する。ＲＦパルス信号は、変調器１２により振幅変調され、この振幅変調されたＲＦパルス信号を高周波増幅器１３で増幅した後に被検体１に近接して配置された高周波コイル１４ａに供給することにより、ＲＦパルスが被検体１に照射される。
【００３４】
受信系６は、被検体１の生体組織を構成する原子核スピンの核磁気共鳴により放出されるエコー信号（ＮＭＲ信号）を検出するものあり、受信側の高周波コイル（受信コイル）１４ｂと信号増幅器１５と直交位相検波器１６と、Ａ／Ｄ変換器１７とを備えている。送信側の高周波コイル１４ａから照射されたＲＦパルスによって励起された被検体１が発するＮＭＲ信号は、被検体１に近接して配置された高周波コイル１４ｂによって検出され、信号増幅器１５で増幅された後、シーケンサ４からの指令によるタイミングで直交位相検波器１６により直交する二系統の信号に分割され、それぞれがＡ／Ｄ変換器１７でディジタル量に変換されて、信号処理系７に送られる。
【００３５】
信号処理系７は、各種データ処理と処理結果の表示及び保存等を行うものであり、光ディスク１９、磁気ディスク１８等の外部記憶装置と、ＣＲＴ等からなるディスプレイ２０とを有する。受信系６からのデータがＣＰＵ８に入力されると、ＣＰＵ８が信号処理、画像再構成等の処理を実行し、その結果である被検体１の断層画像をディスプレイ２０に表示すると共に、外部記憶装置の磁気ディスク１８等に記録する。
【００３６】
操作部２５は、ＭＲＩ装置の各種制御情報や上記信号処理系７で行う処理の制御情報を入力するものであり、トラックボール又はマウス２３、及び、キーボード２４等を備えて構成される。この操作部２５はディスプレイ２０に近接して配置され、使用者はディスプレイ２０を見ながら操作部２５を通してインタラクティブにＭＲＩ装置の各種処理を制御する。
【００３７】
なお、図９において、送信側の高周波コイル１４ａと傾斜磁場コイル９は、被検体１が挿入される静磁場発生系２の静磁場空間内に、垂直磁場方式であれば被検体１に対向して、水平磁場方式であれば被検体１を取り囲むようにして設置されている。また、受信側の高周波コイル１４ｂは、被検体１に対向して、或いは取り囲むように設置されている。
【００３８】
現在ＭＲＩ装置の撮像対象核種は、臨床で普及しているものとしては、被検体の主たる構成物質である水素原子核（プロトン）である。プロトン密度の空間分布や、励起状態の緩和時間の空間分布に関する情報を画像化することで、人体頭部、腹部、四肢等の形態または、機能を２次元もしくは３次元的に撮像する。
【００３９】
本発明のＭＲＩ装置は、図９のように、図１のパルスシーケンス生成装置２１０を内蔵している。具体的には、パルスシーケンス生成装置２１０は、ＲＯＭ２１に配置された、レイヤー記憶部３１と、パルス記憶部３２と、スキャンパラメータ記憶部３３と、パルスシーケンス演算部２０１とを備えて構成される。パルスシーケンス演算部２０１は、図１のように、シーケンスレイアウト計算部３４と、シーケンスパターン計算部３５と、最適化シーケンス計算部３６と、表示制御部３７とを含む。パルスシーケンス演算部２０１の各部の機能は、ＣＰＵ８がＲＯＭ２１に予め格納されたプログラムを読み込んで実行することによりソフトウエアによって実現される。また、シーケンスパターン計算部３５と、最適化シーケンス計算部３６と、表示制御部３７の動作の一部または全部は、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）やＦＰＧＡ（field-programmable gate array）等のハードウエアにより実現することも可能である。
【００４０】
なお、以下の説明において、「撮像」を「スキャン」とも呼ぶ。
【００４１】
スキャンパラメータ記憶部３３は撮像パラメータ（以下、スキャンパラメータと呼ぶ）の名称と値により構成されるテーブル（以下スキャンパラメータテーブル）４１を記憶する。図２は、表示制御部３７が、使用者からスキャンパラメータテーブルの値の入力を受け付けるためのスキャンパラメータ入力画面であり、領域４１には、入力を受け付けるべきスキャンパラメータのパラメータ項目４１ａと、値入力のための領域４１ｂとが各スキャンパラメータについて表示される。図２の例では、パラメータ項目として、撮像（スキャン）シーケンス（Sequence)、２次元撮像／３次元撮像の選択（２Ｄ／３Ｄ）、繰り返し時間（ＴＲ），エコー時間（ＴＥ），フリップ角（ＦＡ）、スライス枚数（スライス＃）、周波数方向のサンプル数（Ｆｒｅｑ＃）、エンコード方向のサンプル数（Ｐｈａｓｅ＃）、スライス厚（Thickness)が入力される。
【００４２】
また、スキャンパラメータ入力画面には、パラメータ追加ボタン４２と、シーケンス編集ボタン４３と、スタートボタン４４と、クローズボタン４５が表示される。ボタン４２を押下することによって、領域４１のスキャンパラメータ項目４１ａの最後尾に新たなスキャンパラメータ項目が追加できる。また、ボタン４３によって新たな画面（図３のシーケンス編集画面）を表示することができる。また、スタートボタン４４によって撮像が開始され、ボタン４５によって画面が閉じられる。
【００４３】
また、図２は、スキャンパラメータ項目の一つのスキャンシーケンス（Sequence)として、グラディエントエコー（ＧＥ）シーケンスがパラメータとして入力され、２次元（２Ｄ）が選択され、ＴＲ＝３００msec、ＴＥ＝１６msec、ＦＡ＝９０度、スライス数（スライス＃）が１０、周波数方向のサンプル数（Ｆｒｅｑ＃）およびエンコード方向のサンプル数（Ｐｈａｓｅ＃）は、それぞれ２５６であり、スライス厚（Thickness)が５ｍｍである例を示す。以下の説明は、図２に示すスキャンパラメータテーブルに基づいて行う。
【００４４】
レイヤー記憶部３１は、レイヤーを特定するレイヤー名称（Ｌａｙｅｒ）と、スキャンパラメータ（Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）との関係を示すテーブル（以下レイヤーテーブル）を記憶する。図５および図６は、表示制御部３７がディスプレイ２０に表示させた画面であり、領域５３には、レイヤーテーブルが表示されている。図６のレイヤーテーブルは、図５のレイヤーテーブルの下側の続きである。レイヤーは、レイヤーテーブルによって優先順位が付与され、下側にあるレイヤーほど優先順位が高い。レイヤーテーブルのスキャンパラメータとしては、スキャンパラメータ項目の一つ（例えば、スキャンシーケンス）または、２以上を組み合わせた条件が用いられる。レイヤーテーブルには、そのレイヤーに配置されるパルス（Ｏｂｊｅｃｔ）の名称も記載されている。さらに、そのレイヤーおよびそのレイヤー以下のレイヤーに搭載されるマトリクスの行および列の数、名称ならびにそのレイヤーに記載されるシーケンスを実行する時間幅（Duration＝ＴＲ／スライス数）の計算方法（Ｐｒｏｐｅｒｔｙ）もレイヤーテーブルには記載されている。図５および図６のＧＥ BasicレイヤーからEPI Rewindレイヤーまでの各レイヤーのマトリクスには、行方向には、励起／読み出し（RF/AD)、スライス方向（Gｓ）、位相エンコード方向（Gｐ）、周波数エンコード方向（Gｆ）の４行が、列方向には、励起（Excitation）、リフォーカス（Refocus）、位相エンコード（P.Encode）、周波数エンコード（F.Encode)、クラッシャー（Crusher)の５列が設定される。図６のＦＳＥ Basicレイヤー以下のレイヤーのマトリクスは、行方向は、上記と同様であるが、列方向は、リフォーカスと位相エンコードの間に、プリクラッシャー（Pre Crusher)および反転（Inversion)の列が挿入されている。
【００４５】
図５、図６の画面には、レイヤーテーブルを表示する領域５３の他、ボタン５１〜５７が表示されている。ボタン５１を押下することにより、レイヤーテーブルが表示される。ボタン５２によって、後述の図５のパルスリスト画面に切り替わる。領域５３のレイヤーテーブルの各要素は、使用者が編集できる。ボタン５４によって、テーブルにおけるレイヤーの順序の繰り上げ（すなわち、優先順位の繰り下げ）、またはボタン５５によってレイヤーの順序の繰り下げ（優先順位の繰り上げ）が可能である。また、ボタン５６によって、使用者は、新規レイヤーをテーブルの最下段に追加することができる。ボタン５７によって、変更や追加したテーブルのレイヤー記憶部３１への保存が実施される。
【００４６】
パルス記憶部３２には、図５，図６のレイヤーテーブルのパルスの欄に記載された各パルスのマトリクス上の位置、ならびに、波形と中心位置の計算方法を示すテーブル（パルスリスト）が記憶されている。波形と中心位置は、スキャンパラメータの１以上の項目を用いて設定される。図７および図８は表示制御部３７がディスプレイ２０にパルスリストを表示させた画面であり、領域６１にパルスリストが表示されている。パルスの位置は、行および列の組み合わせにより示されている。パルス波形は、予め格納されている複数の波形を設定する事項（高周波（RF）、台形（Trapezoid）、Sinc波形、振幅（Amp)、バンド幅（BW)、左右非対称比率（Asymmetry)等のうち１以上）と、パルスの中心時間等の印加タイミングを定める事項（パルスの中心時間（Center Time）等）とによって設定されている。パルスの中心時間は、ここでは、励起用のＲＦパルスの中心印加時間を時間０とする。なお、パルス波形を設定する事項の一部は、スキャンパラメータ（例えば、ＴＥ等）を用いて計算により定めることも可能である。
【００４７】
図７および図８の画面には、パルスリストの領域の他に、図５、図６の画面と同様のボタン５１、５２、ならびに、ボタン６２〜６５が表示されている。ボタン５２によって、パルスリストが表示され、ボタン５１を押下することにより、前述の図５および図６のレイヤーテーブルに切り替わる。領域６１のパルスリストの各要素は、使用者が編集できる。ボタン６２によってパルスの順序の繰り上げ、またはボタン６３によってパルスの順序の繰り下げが可能である。ボタン６４によって新規パルスを最下段に追加して作成することができる。また、ボタン６５によって追加や変更されたパルスリストのパルス記憶部３２への保存が実施される。
【００４８】
レイヤー記憶部３１およびパルス記憶部３２のレイヤーテーブルおよびパルスリストは、パルスシーケンスを作成する上で必要な種々の条件（例えば、(1)スライス（Ｓｌｉｃｅ）選択用傾斜磁場パルス印加中は、位相エンコード（Ｐｈａｓｅ）および周波数エンコード（Ｆｒｅｑ）用の傾斜磁場パルスを印加しない、(2)繰り返し時間（ＴＲ）やエコー時間（ＴＥ）に応じて、高周波磁場パルスおよび傾斜磁場パルスの印加タイミングが変化させる、(3)リフェーズ（Ｒｅｐｈａｓｅ）機能やＥＰＩ（エコプラナー）機能を併用した場合、高周波磁場パルスおよび傾斜磁場パルスを変化させる等）を、一般的に使用されるシーケンスパターン（グラディエントエコー（ＧＥ）シーケンス、ＥＰＩなど）で実現されるように、複数のレイヤーに分けて搭載されるパルスおよびパルス波形や中心位置が予め設定されている。
【００４９】
次に、パルスシーケンス生成装置２１０の動作について、図１０、図１１のフローチャートを用いて説明する。
【００５０】
＜動作例１＞
まず、シーケンスレイアウト計算部３４は、図２に示すスキャンパラメータ入力画面を表示制御部３７を介してディスプレイ２０に表示させ、使用者から、スキャンパラメータの各項目の値の入力を操作部２５および受け付け部２０２を介して、入力画面上で受け付ける（ステップ６７）。
【００５１】
使用者が、スキャンパラメータ入力画面の「シーケンス編集」ボタン４３を押下すると、ＣＰＵ８は、シーケンスレイアウト計算部３４を起動する（ステップ６８）。
【００５２】
シーケンスレイアウト計算部３４は、図５および図６のレイヤーテーブルを参照し、使用者から受け付けたスキャンパラメータの各項目の入力値の少なくとも一つと、レイヤーテーブルの「スキャンパラメータ（Condition)」の欄の記載内容とが一致する（満たす）レイヤーを、レイヤーテーブルに設定された順（優先順位の順）に抽出する（ステップ６９）。
【００５３】
抽出したレイヤーに対して、「レイヤーテーブルの行と列の名称・間隔（Property）」の欄に記載された内容の行と列のマトリクスを作成し、搭載する（ステップ７０）。また、抽出したレイヤーごとにレイヤーテーブルの「パルス（Objects)」の欄に記載されているパルスを読み出し、読み出したパルスの波形と搭載位置（行と列）を図７および図８のパルスリストの各欄から読み出す。読み出したパルスの波形に対応する抽象的な波形の図形を予め定めた形状から選択し、マトリクス上の、読み出した行と列のセルにパルスを配置する（ステップ７１）。これを抽出した各レイヤーについて繰り返す。これにより、マトリクス上の所定の位置に１以上のパルスが搭載された複数のレイヤーが、優先順位の順に積層された多層構造（以下シーケンスレイアウト）が作成される。
【００５４】
図２のスキャンパラメータ入力画面の入力値、および、図５、図６のレイヤーテーブルの場合について、さらに具体的に説明する。ステップ６７において図２の入力画面のスキャンパラメータ入力値は、シーケンスがGE、2D/3Dが2D、TR=300msec、TE=16msec、FA=90°、Slice枚数=10、周波数エンコード方向サンプル数＝256、位相エンコード方向サンプル数=256、スライス厚Tickness=5mmであり、このいずれかに図５および図６のスキャンパラメータテーブルのスキャンパラメータの欄の記載内容が一致する（満たす）のは、シーケンス「GE」が一致するGE Basicレイヤーのみであるので、シーケンスレイアウト計算部３４は、このレイヤーを抽出する。
【００５５】
図５のスキャンパラメータテーブルの「GE Basicレイヤー」の行の「行と列の名称・間隔（Property）」の欄に記載されている行は、RF/AD、Gs、Gp、Gfの4行であり、列はExcitation、Refocus、P.Encode、F.Encode、Crusherの５列であるので、シーケンスレイアウト計算部３４は、４行×５列のマトリクスを作成し、GE Basicレイヤーに搭載する。
【００５６】
図５のスキャンパラメータテーブルの「GE Basicレイヤー」の行の「パルス」の欄に記載されているパルスは、RF Pulse、Slice Select、Spacer Excite Gp、Spacer Excite Gf、Freq Encode、Acq Command、Spacer Acq Gs、Spacer Acq Gp、Slice Refocus、Phase Encode、Freq Dephase、Slice Crusher、Phase Crusher、Freq Crusherの１４個である。シーケンスレイアウト計算部３４は、それぞれのパルス名称に対応するパルス波形および行と列を図７，図８のパルスリストの各欄から読み出し、それぞれパルス波形を選択し、読み出した行と列の位置のマトリクス上のセルに配置する。例えば、RF Pulseは、RF/ADの行、Excitationの列であり、マトリクスの１行目、１列目のセルに配置される。なお、本実施形態では、パルスを印加しない時間をspacerパルスとして、パルスリストに記載し、他のパルスの処理と同様に処理する。
【００５７】
表示制御部３７は、図３のシーケンス編集画面をディスプレイ２０に表示する（ステップ７２）。シーケンス編集画面の領域８４は、ステップ６９で抽出したレイヤーを示す領域であり、GE Basicレイヤー２１２を表示する。ペンのマーク８５はGE Basicレイヤー２１２が編集されることを示す。文字列８１は、編集対象となっているレイヤー名称を、領域８２は、そのレイヤーのスキャンパラメータを表示する。ボタン８６によって、そのレイヤー２１２の優先順位（順序）の繰り上げ、またはボタン８７によってレイヤー２１２の順序の繰り下げ、ボタン８８によって新規レイヤーを最下段（最優先位置）に作成、またはボタン８９によって、編集結果（変更）の保存、ボタン９０によって図５、図６のレイヤーテーブル画面を表示する。
【００５８】
また、表示制御部３７は、図３のレイヤー２１２の行タイトル９２にマトリクスの各行の名称を表示し、列タイトル９３に各列の名称を表示する。表示制御部３７は、マトリクスのセルに、ステップ７１で生成したパルスの抽象的なパルス形状を、パルスが配置されたセルに表示する。例えばパルス９４は、高周波磁場パルス（RF Pulse）であり、図７のパルスリストの「パルス波形と中心位置」の欄に高周波（Type=RF）、波形はSinc波形（Wave=Sinc）と設定されているので、Sinc波形のRF波を図３のセルに表示する。同様にしてパルス９５は、Acq Command、Type=Acquisitionであるので、受信系の駆動時間を示す矩形波を表示する。同様に、パルス96は、スライス選択（Slice Select）、パルス97はスライス方向リフォーカス（Slice Refocus）、パルス99は、スライス方向クラッシャー（Slice Cruhser）、パルス103は、位相方向クラッシャー（Phase Crusher）、パルス105は、周波数エンコード方向ディフェイズ（Freq Dephase）、パルス106は、周波数エンコード（Freq Encode）、パルス107は、周波数エンコード方向クラッシャー（Freq Crusher）であり、それぞれ波形は台形（Type=Trapezoid）で印加領域面積（Area）または振幅（Amp）が、図７のパルスリストにおいて設定されているので、表示制御部３７は傾斜磁場の印加方向の正負に合わせて、傾斜磁場の台形波をマトリクスのセルに表示する。パルス１０１は、位相エンコード（Phase Encode）であり、波形は台形（Type=Trapezoid）、印加領域面積は、Area = (Phase#[i] - Phase#/2) / (γ*FOV)である。Phase#[i] は、パルスシーケンスの位相エンコードにおける繰り返し回数Phase#のｉ回目のインデックスを示し、０からPhase#までインクリメントされる値であり、γは磁気回転比である。Areaは- Phase#/2 / (γ*FOV)からPhase#/2 / (γ*FOV)に変化する。よって、表示制御部３７は、パルス１０１として正負の方向に傾斜磁場の台形波を示し、段階的に変化することを示す矢印を表示する。パルス９８は、Spacer Acq Gs、パルス100はSpacer Excite Gp、パルス102はSpacer Acq Gf、パルス104はSpacer Excite Gfであり、Type=Spacerであり、傾斜磁場を印加しないことを示す×印を表示制御部３７は表示する。
【００５９】
図３の画面に表示されているレイヤーのマトリクスにおいて、太線の枠で囲まれたセル２１４は、選択されているパルスであることを示す。領域１０８は、選択されているパルスのプロパティ（「パルス波形と中心位置」）の内容を表示する領域である。すなわち、領域１０８には、パルスの名称、波形、振幅、印加領域面積、のそれぞれの値を表示制御部３７は表示し、領域１０９およびレイヤー２１２内のセルにはパルスの抽象的なパルス形状を表示する。また、図３の画面において、レイヤー２１２のマトリクスの外側の領域を使用者が選択した場合、選択されているレイヤー２１２のプロパティを表示制御部３７は表示する。
【００６０】
このように、図３のシーケンス編集画面がディスプレイ２０に表示されることにより、使用者は、入力したスキャンパラメータで実行されるシーケンスのレイアウトを確認できる。また、ＴＲやＴＥによらず時間方向に一定間隔にマトリクス状に配置されたレイアウトを確認することで、シーケンスの全体像を直感的に把握できる。
【００６１】
使用者は、シーケンスを編集する場合、シーケンス編集画面の領域８４において編集したいレイヤーを選択する（ステップ７３）。ただし、図３の例では選択するレイヤーはGE Basicレイヤー２１２の１つしかない。
【００６２】
使用者は、シーケンス編集画面のパルスの編集、追加、削除を行った後、ボタン８３を押下する。ボタン８３によりＣＰＵ８は、シーケンスパターン計算部３５を起動する。シーケンスパターン計算部３５は、図１１のフローのように動作する（ステップ７４）。
【００６３】
まず、シーケンスパターン計算部３５は、図１２に示すシーケンスパターン確認画面を生成し、表示制御部３７にこれを表示するよう命令する（ステップ１１０）。そして、シーケンスパターン計算部３５は、最下層のレイヤーの時間幅を、図５のレイヤーテーブルの「行と列の名称・間隔」の欄に記載されたレイヤー時間幅に基づいて算出する（ステップ１１１）。図３の例では、最下層のレイヤーはGE Basicレイヤー２１２であり、図５のレイヤーテーブルの「行と列の名称・間隔」の欄に記載されているレイヤー時間幅（Duration）はDuration = TR / Slice#であるから、この式と、図２のスキャンパラメータのTR＝３００msec、スライス数１０枚とを用いて計算すると、Duration = TR / Slice#=300[ms] / 10 = 30[ms]となる。シーケンスパターン計算部３５は、これをレイヤーの時間幅に設定する。
【００６４】
つぎに、シーケンスパターン計算部３５は、セルごとに、パルスが搭載されているレイヤーのうちの最下層レイヤーにあるパルスを取得する（ステップ１１２）。例えば、図３の例では、レイヤーがGE Basicレイヤー２１２のみであるため、GE Basicレイヤーに設定された、RF Pulse、Slice Select、Spacer Excite Gp、Spacer Excite Gf、Freq Encode、Acq Command、Spacer Acq Gs、Spacer Acq Gp、Slice Refocus、Phase Encode、Freq Dephase、Slice Crusher、Phase Crusher、Freq Crusherがそれぞれのセルにおいて取得される。
【００６５】
シーケンスパターン計算部３５は、取得したパルスに対して、図７および図８のパルスリストの上から順に、「パルス波形と中心位置」の欄に時間設定の有るパルスを選択し、図２のスキャンパラメータの値を用いてパルスの各要素を計算する（ステップ１１３）。パルスの要素は、波形Typeと、時間幅Durationと、左右非対称比率Asymmetryと、中心時間Center Timeと、開始時間StartTimeと、終了時間EndTimeと、で構成され、以下の式（１）から（８）により求められる。ただし、Rise Durationは、立ち上がり時間であり、Down Durationは、立ち下がり時間であり、Ampは、振幅であり、Slew Rateは、最大傾斜磁場強度/立ち上がり時間であり、Plat Durationは、パルス強度の平坦な領域の時間幅であり、Left Areaは、中心時間より左側の面積であり、Right Areaは、中心時間より右側の面積である。
ただし、以下の式を用いる。
Rise Duration=Amp/Slew Rate                                   式（1-1）
Down Duration=Amp/Slew Rate                                   式（1-2）
Duration=PlatDuration+RiseDuration×2                         式（2）
StartTime=CenterTime-Duration×Asymmetry                      式（3）
EndTime=CenterTime+Duration×Asymmetry                        式（4）
Area=Amp×(PlatDuration+RiseDuration)                         式（5）
LeftArea=Amp×(RiseDuration/2+CenterTime-StartTime)           式（6）
RightArea=Amp×(RiseDuration/2+EndTime-CenterTime)            式（7）
【数８】
0006592353.tif 000002
【００６６】
図７の例では、パルスリストの最上段に位置するRFPulseでは、「パルス波形と中心位置」の欄にCenterTimeが設定されているため、以下のように要素を計算する。「パルス波形と中心位置」の欄に設定されたWave=Sinc、BW=3000[Hz]から3000Hzの周波数帯域を持つSinc波形を、Duration=3000[μs]から時間幅に3000[μs]を、Asymmetry=0.5から左右非対称比率に0.5を、CenterTime=0[μs]から中心時間に0[μs]を、開始時間StartTimeに上記式(3）より-1500[μs]を、終了時間EndTimeに式(4）より1500[μs]を設定する。
【００６７】
図７のパルスリストの次の段に設定されたSlice Select（スライス選択）パルスでは、「パルス波形と中心位置」の欄にPlatDurationおよびCenterTimeが設定されているため、要素を計算する。Type=Trapezoidから台形波であり、Amp = RFPulse.BW / (γ* thickness)=3000[Hz] / (42570[Hz/mT]×0.005[m])=14.1[mT/m]である。ただし、RFPulse.BWは、RF Pulseのバンド幅BWであり、γは磁気回転比、thicknessは、スキャンパラメータのスライス厚であり、被検体１に対するスライス面を設定する。また、PlatDuration=RFPulse.Duration=3000[μs]である。RFPulse.Durationは、RFPulseの時間幅Durationである。立ち上がり時間Rise Durationは式（１）より93[μs]が得られる。よって、振幅が14.1[mT/m]、上底が3000[μs]、立ち上がりおよび立下り時間が94[μs]の台形波を設定する。時間幅は、式（２）から3188[μs]、Asymmetry=RFPulse.Asymmetry=0.5から左右非対称比率は0.5、CenterTime=RFPulse.CenterTime=0[μs]から中心時間は0、開始時間は式(3）より-1594[μs]、終了時間は式(4）より1594[μs]がそれぞれ設定される。ただし、RFPulse.Asymmetryは、RFPulseのAsymmetryであり、RFPulse.CenterTimeは、RFPulseのCenterTimeである。
【００６８】
次に図７のパルスリストのさらに次の段に設定されたSpacer Excite Gpパルスでは、「パルス波形と中心位置」の欄にDurationおよびCenter Timeが設定されているため、要素を計算する。Type=Spacerから傾斜磁場を印加しない時間を示す矩形波であり、Duration=RFPulse.Duration=3000[μs]、CenterTime=RFPulse.CenterTime=0から、時間幅は3000[μs]、中心時間は0[μs]、開始時間は-1500[μs]、終了時間は1500[μs]を設定する。
【００６９】
さらに次の段のSpacer Excita Gfパルスは、上記Spacer Excite Gpパルスと同様に設定する。
【００７０】
次の段のFreq Encode（周波数エンコード）パルスは、「パルス波形と中心位置」の欄にDurationおよびCenter Timeが設定されているため、要素を計算する。SliceSelectパルスと同様にして、振幅が3.29[mT/m]、上底が7314[μs]、立ち上がりおよび立下り時間が22[μs]の台形波を、時間幅に7358[μs]を、左右非対称比率に0.5を、中心時間に16000[μs]を、開始時間に12321[μs]を、終了時間に19679[μs]を設定する。
【００７１】
次の段のAcq Commandパルスでは「パルス波形と中心位置」の欄にDurationおよびCenter Timeが設定されているため、要素を計算する。Type=Acquisitionから受信系の駆動時間を示す矩形波であり、Duration=FreqEncode.PlatDuration=7314[μs]から時間幅に7314[μs]を、Assymetry=0.5から左右非対称比率に0.5を、CenterTime=TE=16[ms]から中心時間に16000[μs]を、開始時間に式(3）から12343[μs]を、終了時間に式(4）から19657[μs]を設定する。ただし、FreqEncode.PlatDurationは、Freq EncodeパルスのPlat Durationである。
【００７２】
次の段のSpacer Acq Gs パルスは、「パルス波形と中心位置」の欄にDurationおよびCenter Timeが設定されているため、要素を計算する。Spacer Exite Gfパルスと同様にして、矩形波、時間幅に7314[μs]、左右非対称比率に0.5を、中心時間に16000[μs]を、開始時間に12343[μs]を、終了時間に19657[μs]を設定する。
【００７３】
次の段のSpacer Acq Gpパルスは、上記Spacer Acq Gs パルスと同様に設定する。
【００７４】
図３のパルスのうち時間設定のあるパルスは以上である。
【００７５】
つぎに、シーケンスパターン計算部３５は、上記ステップ１１３で設定された各パルスを列ごとに比較し、その列のパルスの時間幅のうち最長時間幅をその列の時間幅に、開始時間が最小のパルスの開始時間をその列の開始時間に、終了時間が最大のパルスの終了時間をその列の終了時間に設定する（ステップ１１４）。また、時間設定のパルスが無い列については、左隣の列の終了時間を開始時間に、右隣の列の開始時間を終了時間に設定する。また、隣接する列にも時間設定のパルスがない場合は、時間が設定された列までの幅（時間）を均等に分割し、時間設定のパルスのないそれぞれの列に設定する。
【００７６】
例えば、図３のレイヤー２１２の例では、Excitationの列ではSlice Selectパルス９６が最長時間幅と、最小開始時間と、最大開始時間を有するため、シーケンスパターン計算部３５は、図１２のようにExcitationの列の時間幅１１０１に3188[μs]、開始時間に-1594[μs]、終了時間に1594[μs]を設定する。次にRefocusの列およびP.Encodeの列では、時間設定のあるパルスがない。F.Encodeの列では、Freq Encodeパルス１０６が最長時間幅と、最小開始時間と、最大開始時間を有するので、シーケンスパターン計算部３５は、列の時間幅１１０４に7358[μs]、開始時間に12321[μs]、終了時間に19679[μs]を設定する。次のCrusherの列では、時間設定のあるパルスが無い。つぎに、シーケンスパターン計算部３５は、時間設定のあるパルスが無いRefocusとP.Encodeの列は、Exicitationの列とF.Encodeの列の間の時間を2分割して、Refocusの列の時間幅１１０２に5364[μs]、開始時間には1594[μs]、終了時間には6958[μs]を設定し、P.Encodeの列の時間幅１１０３に5363[μs]、開始時間には6958[μs]、終了時間には12321[μs]を設定する。次にCrusherの列の時間幅１１０５は、他の列の時間幅１１０１〜１１０４とレイヤーの時間幅から計算する。シーケンスパターン計算部３５は、設定した列の時間幅１１０１〜１１０４を、レイヤーの時間幅から減算し、Crusherの列の時間幅１１０５に8727[μs]、開始時間に19679[μs]、終了時間に28406[μs]を設定する。
【００７７】
つぎにシーケンスパターン計算部３５は、パルスリストの「パルス波形と中心位置」の欄に時間設定の無いパルスに対して、図２のスキャンパラメータの値と、ステップ１１４で計算した列の時間設定からパルスの各要素を計算する（ステップ１１５）。
【００７８】
図３のパルスの例では、図７および図８のパルスリストの時間設定の無いパルスの最上段になるのは、Slice Refocusパルス９７である。Refocusの列の時間幅１１０２は、ステップ１１４より5364[μs]であるので、シーケンスパターン計算部３５は、Slice Refocusパルス９７の時間幅に5364[μs]を設定する。また、図７の「パルス波形と中心位置」の欄の記載から印加領域面積Area = SliceSelect.LeftAreaであるから、式(6）よりArea=23129[mT・μs/m]であり、振幅(Amp)は式(8）より4.34[mT/m]、立ち上がり時間は式(1）より29[μs]、上底は式(2）より5305[μs]であり、左右非対称比率は設定されていないため0.5、開始時間は、Refocusの列の開始時間1594[μs]、中心時間は式(3）より4276[μs]、終了時間は6958[μs]である。
【００７９】
次にPhase Encodeパルス１０１はSlice Refocus９７と同様にして設定する。ただし、印加領域面積AreaにPhase#によるイタレーションがあるため、Area、振幅の計算が異なる。Area=(Phase#[i] - Phase#/2) / (γ*FOV)[mT・μs/m]であり、-12028から11934まで94ずつインクリメントする。ここでAreaのインクリメントに対し立ち上がり時間を固定とし、振幅のゲインをインクリメントするシステムとし、P.Encodeの列の時間幅１１０３が5363[μs]であるから時間幅に5363[μs]を、振幅が2.236、ケ゛インを-1.000から0.992まで0.008ずつインクリメントする。立ち上がり時間は、最大の振幅強度から式(1）より15[μs]、上底は式(2)より5333[μs]であり、左右非対称比率は0.5、開始時間は6958[μs]、中心時間は9640[μs]、終了時間は12321[μs]である。
【００８０】
次にFreq Dephaseパルス１０５はSlice Refocusパルス１０１と同様にして設定する。時間幅5363[μs]、Area=12063[mT・μs/m]、振幅2.25[mT/m]、立ち上がり時間15[μs]、上底5333[μs]、左右非対称比率0.5、開始時間6958[μs]、中心時間は9640[μs]、終了時間[μs]12321である。
【００８１】
次にSlice Crusherパルス９９はSlic eRefocusパルス１０１と同様にして設定する。時間幅8727、Area=14000[mT・μs/m]、振幅16.25[mT/m]、立ち上がり時間109[μs]、上底8509[μs]、左右非対称比率0.5、開始時間は19679[μs]、中心時間は24043[μs]、終了時間は28406[μs]である。Phase Crusherパルス１０３およびFreq Crusher１０７はSlice Crusherパルス９９と同様に設定する。
【００８２】
シーケンスパターン計算部３５は、表示制御部３７を介して、ステップ７４で生成した図１２に示すシーケンスパターンをシーケンスパターン確認画面上でディスプレイ２０に表示させる。図１２の画面において、シーケンス編集ボタン１２１は、シーケンス編集画面に切り替えるボタンであり、ボタン１２２は、シーケンスパターン確認画面を開いていることを色付きで示すボタンであり、シーケンス最適化ボタン１２３は、図１３に示す最適化シーケンスを示す画面に切り替える。なお、領域１２４は、シーケンスパターンの表示領域である。矢印１２５はレイヤーの時間幅に３０ｍｓが設定されていることを示し、他パルスはこの時間幅３０ｍｓを時間方向の大きさの基準としてそれぞれの時間幅で表示する。また矢印１２６は、Ｔｉｍｅ＝０からＴｉｍｅ＝ＴＥまでを示す。
【００８３】
使用者は、図１２のシーケンスパターン確認画面にて、シーケンスパターンを確認し、ボタン１２３を押下する（ステップ７５）。ＣＰＵ８は、最適化シーケンス計算部３６を起動する。最適化シーケンス計算部３６は、表示制御部３７を介して図１３に示す画面をディスプレイ２０に表示させ、最適化パターンを生成する（ステップ７６）。
【００８４】
具体的には図１４のフローのように、最適化シーケンス計算部３６は、マトリクスの列幅を無視し、パルスリストの「パルス波形と中心位置」の欄に時間設定の無いパルスを、パルスリストの上から順に選択する（ステップ１２１）。選択したパルスについて、以下の２つの手順で低スリューレート（ｓｌｅｗ  ｒａｔｅ：最大傾斜磁場強度/立ち上がり時間）のパルス波形に変更する処理を施し、最適化したシーケンスパターンを作成する。
【００８５】
まず、第１の手順として、最適化シーケンス計算部３６は、選択した時間設定のないパルスが、シーケンスパターンの同じ行で左または右隣のパルスが時間設定の無いパルスである場合、そのパルスの面積（Ａｒｅａ）を加算して１つのパルスに統合する（ステップ１２２）。
【００８６】
次に、第２の手順として、最適化シーケンス計算部３６は、選択した時間設定のないパルスを、左右隣のパルスと接する時間まで低スリューレート化する。具体的は、最適化シーケンス計算部３６は、時間設定のないパルスの面積（Ａｒｅａ）を保ちながら時間幅を引き伸ばし、かつ隣の時間設定の有るパルスのPlat Durationに接続し、かつスリューレートは立下りと立ち上がりで同じ大きさとする（ステップ１２３）。ただし、隣のパルスがType=Spacerの場合、振幅０に接続する。上記を満たす三角形波のスリューレートおよび立ち上がり時間、立下り時間および振幅は下式（９）から（１５）で求める。尚、左隣のパルスの振幅をy1、終了時間をt1とし、右隣のパルスの振幅をy2、終了時間をt2とする。
【００８７】
【数９】
0006592353.tif 000003
【数１２】
0006592353.tif 000004
【数１３】
0006592353.tif 000005
【００８８】
上記式（１５）で求めた振幅（Amp)が、本MRI装置で発生できる傾斜磁場の最大強度を超える場合は、下式（１６）から（１８）により台形波を求める。尚、Ｇは振幅が正の場合、正の最大強度、振幅が負の場合、負の最大強度とする。
【００８９】
【数１６】
0006592353.tif 000006
【数１８】
0006592353.tif 000007
【数１９】
0006592353.tif 000008
【数２０】
0006592353.tif 000009
【００９０】
具体的には、図３および図１２のパルスシーケンスの例では、パルスリストの時間設定の無いパルスの最上段にあるのは、Slice Refocusパルス９７である。Slice Refocusパルス９７の両隣にあるパルスはSlice Selectパルス９６とSpace Acq Gsパルスであり、いずれも時間設定の有るパルスであり、y1を14.1[mT/m]、t1を1500[μs]、y2を0、t2を12343[μs]、Areaを23129とする。式(12）よりSlew Rateに-0.00383、式(13）より立ち上がり時間に7263[μs]、式(14）より立下り時間に3580[μs]、式(15）より振幅に-13.71[mT/m]を求め、三角波形を作成する。左右非対称比率は0.5、開始時間は1500[μs]、中心時間は6969[μs]、終了時間は12343[μs]である。
【００９１】
次にPhase Encodeパルス１０１はSlice Refocusパルス９７と同様にして設定する。ただし、印加領域面積AreaにPhase#によるイタレーションがあるため、Area、振幅の計算が異なる。Slice Refocusパルス９７の両隣にあるパルスはSpace Excite Gpパルス９６とSpace Acq Gsパルスであり、いずれも時間設定の有るパルスであり、y1を0、t1を1500[μs]、y2を0、t2を12343[μs]、Areaを-12028から11934まで９４ずつインクリメントする。ゲインで制御するため、最大のAreaに対して要素を計算する。式(12）よりSlew Rateに-0.000418、式(13）より立ち上がり時間に5422[μs]、式(14）より立下り時間に5421[μs]、式(15）より振幅に-2.22[mT/m]を求め、三角形波を作成する。作成した三角形波からインクリメントされるAreaを用いて、ケ゛インを-1.000から0.992まで0.008ずつインクリメントする。左右非対称比率は0.5、開始時間は1500[μs]、中心時間は5922[μs]、終了時間は12343[μs]である。
【００９２】
次にFreq Dephaseパルス１０５はSlice Refocusパルス９７と同様にして設定する。振幅が-4.33[mT/m]、立ち上がり時間は3928[μs]、立下り時間は6915[μs]の三角形波であり、左右非対称比率は0.5、開始時間は1500[μs]、中心時間は5922[μs]、終了時間は12343[μs]である。
【００９３】
次にSlice Crusherパルス９９はSlice Refocusパルス９７と同様にして設定する。振幅が32.01[mT/m]、立ち上がり時間は4375[μs] 立下り時間は4375[μs]の三角形波であるが、振幅が装置傾斜磁場の最大強度30.0を超過するため、台形波を求める。振幅が正であるためG=30.0とし、式(18）より、Slew Rateに0.00735、式(19）より立ち上がり時間に4083[μs]、式(20より立下り時間に4083[μs]、式(21）より上底に583、振幅30.0の台形波となる。左右非対称比率は0.5、開始時間は19657[μs]、中心時間は24032[μs]、終了時間は28406[μs]である。次にPhase Crusherパルス１０３はSlice Crusherと同様である。
【００９４】
次にFreq Crusherパルス１０７は、Slice Crusherパルス９９と同様にして設定する。Slew Rateに0.00659、立ち上がり時間に4055[μs]、立下り時間に4555[μs]、上底に139、振幅30.0の台形波となる。左右非対称比率は0.5、開始時間は19657[μs]、中心時間は24032[μs]、終了時間は28406[μs]である。
【００９５】
最適化シーケンス計算部３６は、表示制御部３７を介して、最適化シーケンスパターンを図１３のようにディスプレイに表示する（ステップ１２５）。図１３の最適化シーケンス確認画面において、領域１３１はシーケンスパターンを表示する領域である。
【００９６】
ここで、ステップ１２１〜１２４で生成した最適化シーケンスパターンでは、撮像条件によってＭＲＩ装置の生成可能な傾斜磁場の最大スリューレートを超過する場合がある。その場合、使用者に撮像条件の変更を促すか、撮像できないことをディスプレイ２０に表示してもよい。また、最適化シーケンスパターンから、印加時に発生するＲＦ波および傾斜磁場からＳＡＲ（specific absorption rate）値やｄＢ／ｄｔ（単位時間あたりの傾斜磁場の変動）値といった、被検者の安全に関する数値を計算し、撮像の可否を制限してもよい。また、傾斜磁場印加による電流値などの装置仕様の制限に関する数値を計算し、撮像の可否を制限してもよい。また、スキャンパラメータ入力画面にて、パラメータが入力されるたびに最適化シーケンスパターンを計算し、上記の制限を実行してもよい。
【００９７】
使用者は、最適化シーケンス確認画面を見て、最適化パターンを確認し、シーケンスの変更を終了する場合、ボタン１３４により画面を閉じて（ステップ７７）、図２のスキャンパラメータ入力画面に戻る。そして、ボタン４４を押下して、撮像開始する（ステップ７８）。
【００９８】
＜動作例２＞
つぎに、本実施形態のパルスシーケンス生成装置２１０の動作について、図１５のようにスキャンパラメータテーブルのシーケンスの欄にＲＳＳＧ  ＥＰＩ（Rf-Spoiled Steady state Gradient echo ：T1強調3D 撮像シーケンス（Rf-Spoiled Steady state Gradient echo）のＥＰＩ（エコープラナー））が入力され、他のパラメータの値として図１５に示す値が入力された場合について説明する。なお、図５、図６のレイヤーテーブル、図７、図８のパルスリストは、上述の説明と同様に用いる。図１０、図１１および図１４を用いてすでに説明した動作と共通する動作については詳細を省略する。
【００９９】
使用者が、図１０のステップ６７において図１５の入力画面でスキャンパラメータ入力を行った後、ステップ６８において、シーケンスの変更を行うために、ボタン４３を押下した場合、ＣＰＵ８はシーケンスレイアウト計算部３４を起動する。シーケンスレイアウト計算部３４は、表示制御部３７を介してシーケンス編集画面を表示するよう命令する。
【０１００】
シーケンスレイアウト計算部３４は、図１５の入力画面の各スキャンパラメータの値と、図５および図６のレイヤーテーブルのスキャンパラメータの欄の記載内容が一致（満たす）レイヤーを抽出する。その結果、「ＲＳＳＧ  ＥＰＩ」シーケンスまたは「３Ｄ」が記載されているGE Basicレイヤーと、P.Rewindレイヤーと、RF Spoiledレイヤーと、S.Encodeレイヤーと、EPIレイヤーと、EPI Rewindレイヤーの６枚が抽出される（図４参照）。これらを図５，図６のレイヤーテーブルの行の順番（優先順位）に従って積層する。
【０１０１】
シーケンスレイアウト計算部３４は、GE Basicレイヤーについては、上述のステップ７０と同様に、「行と列の名称・間隔」の欄に記載に従って４行×５列のマトリクスを生成して搭載する。GE Basicレイヤー以降のレイヤーは、「行と列の名称・間隔」の欄に記載が省略され、GE Basicレイヤーの「行と列の名称・間隔」の欄に記載が有効であるので、P.Rewindレイヤー以降の選択したレイヤーにもGE Basicレイヤーと同様のマトリクスを生成し搭載する。
【０１０２】
シーケンスレイアウト計算部３４が、GE Basicレイヤーはレイヤーテーブルのパルスの欄に記載のパルスを読み出し、上述のステップ７１と同様に、パルスリストに記載されている波形を、マトリクス上の各パルスの行、列のセルに配置する。次にレイヤーテーブルにおいて、P.Rewindレイヤーに設定されたパルスはPhaseReiwndパルスのみであり、RF Spoliedレイヤーに設定されたパルスはSpoiledRFパルスのみであり、S.Encodeレイヤーに設定されたパルスはSliceEncodeパルスのみであり、S.Rewindレイヤーに設定されたパルスはSliceRewindのみである。EPIレイヤーに設定されたパルスはEPIFreqEncode、EPIBlip、EPIPhaseEncodeの３つであり、EPI Rewindレイヤーに設定されたパルスはEPIPhaseRewindeのみである。各レイヤーにおいて、各パルスをパルスリストにおいて指定されている行、列に配置し、ディスプレイ２０に表示する（ステップ７１、７２）。
【０１０３】
使用者は、図４のシーケンス編集画面にて編集したいレイヤーを選択する（ステップ７３）。ここでは、使用者がEPIレイヤーを選択した例を図４に示す。表示制御部３７は、図５の領域８４には、抽出されたレイヤー（GE Basicレイヤーと、P.Rewindレイヤーと、RF Spoiledレイヤーと、S.Encodeレイヤーと、EPIレイヤーと、EPI Rewindレイヤー）が表示されている。ペンのマーク１４１によりEPIレイヤーが選択されている。
【０１０４】
表示制御部３７は、シーケンス編集画面のマトリクスにおいて、選択されていないレイヤーに搭載されているパルスを破線で表示する。EPIレイヤーに設定されているパルスはEPIFreqEncodeパルス１４４、EPIBlipパルス１４３、EPIPhaseEncodeパルス１４２の３つである。
【０１０５】
図４のシーケンス編集画面によって、使用者は領域８４で編集したいレイヤーを選択することで、シーケンスレイアウトがスキャンパラメータによってどのように変化するかを直感的に把握できる。
【０１０６】
以降の動作は、ステップ７４から７８において既に説明した通りであり、使用者は図４のシーケンス編集画面にてステップ７４のオブジェクト編集、追加、削除を実施し、ステップ７５においてパターンの確認を行い、ステップ７６において最適化パターンを生成して、それを確認を行い、ステップ７７において変更終了の場合、画面を閉じスキャンパラメータ入力画面に戻り、ステップ７８において撮像開始する。
【０１０７】
＜動作例３＞
つぎに、本実施形態のパルスシーケンス生成装置２１０の動作について、図１５のようにスキャンパラメータテーブルのシーケンスの欄にＦＳＥ（ファストスピンエコー）シーケンスが入力され、他のパラメータの値として図１６に示す値が入力された場合について説明する。なお、図５、図６のレイヤーテーブル、図７、図８のパルスリストは、上述の説明と同様に用いる。図１０、図１１および図１４を用いてすでに説明した動作と共通する動作については詳細を省略する。
【０１０８】
使用者が、図１０のステップ６７において図１５の入力画面でスキャンパラメータ入力を行った後、ステップ６８において、シーケンスの変更を行うために、ボタン４３を押下した場合、ＣＰＵ８はシーケンスレイアウト計算部３４を起動する。シーケンスレイアウト計算部３４は、表示制御部３７を介してシーケンス編集画面を表示するよう命令する。
【０１０９】
シーケンスレイアウト計算部３４は、図１６の入力画面の各スキャンパラメータの値と、図５および図６のレイヤーテーブルのスキャンパラメータの欄の記載内容が一致（満たす）レイヤーを抽出する。その結果、「ＦＳＥ」シーケンスが記載されているFSE Basicレイヤーのみが抽出される（図４参照）。
【０１１０】
シーケンスレイアウト計算部３４は、図６のレイヤーテーブルのFSE Basicレイヤーの「行と列の名称・間隔」の欄に記載に従ってマトリクスを生成し、搭載する。すなわち、行は、RF/AD、Gs、Gp、Gfの４行であり、列はExcitation、Refocus、PreCrusher、Inversion、P.Ecnode、F.Encode、Crusherの７列である、４行×７列のマトリクスを作成して搭載する（ステップ７０）。
【０１１１】
シーケンスレイアウト計算部３４が、図６のレイヤーテーブルのFSE Basicレイヤーの行のパルスの欄に記載されているパルスを読み出し、図８のパルスリストの「パルス波形と中心位置」の欄に記載されている波形を、マトリクス上のセルのうち、パルスリストの「行」および「列」の欄のセルに配置する。具体的には、図６のレイヤーテーブルからETL Loop、FSERF Pulse、Slice Select、Spacer Excite Gp、Spacer Excite Gf、FSERF Inversion、Slice Select Inv、Spacer Inv Gp、Spacer Inv Gf、Freq Encode、Acq Command、Spacer Acq Gs、Spacer Acq Gp、Slice Refocus、Freq Dephase、Slice Crusher Pre Inv、Freq Crusher Pre Inv、FSE Phase Encode、Slice Crusher Post Inv、Freq Crusher Post Inv、FSE Phase Rewind、Slice Crusher ETL、Fre qCrusher ETLの各パルスを抽出し、パルスリストに示されるマトリクスの行、列に配置する。ただし、パルスリストの「パルス波形と中心位置」の欄にType=Loopと記載されているETL Loopパルスについては、実際は、イタレーションにおけるループ構造を示すものであり、パルスリストの「パルス波形と中心位置」の欄に記載された開始列Startから終了列Endまでを回数Countの分だけ繰り返すことを示しているので、マトリクス上には配置しない。
【０１１２】
表示制御部３７は、図１７に示すシーケンス編集画面を表示する。矢印１５１はETLLoopのパルスを示し、開始列Startに設定されたInversion列から終了列Endに設定されたCrusher列までを繰り返すことを示す。
【０１１３】
上記シーケンス編集画面により使用者はレイヤー内での繰り返し構造を直感的に把握できる。
【０１１４】
以降の動作は、ステップ７４から７８において既に説明した通りであり、使用者は図４のシーケンス編集画面にてステップ７４のオブジェクト編集、追加、削除を実施し、ステップ７５７５においてパターンの確認を行い、ステップ７６において最適化パターンを生成して、それを確認を行い、ステップ７７において変更終了の場合、画面を閉じスキャンパラメータ入力画面に戻り、ステップ７８において撮像開始する。
【０１１５】
なお、上述してきた本実施形態ではインバージョンリカバリーパルスや脂肪抑制パルスといった、プリパルスについては記載していないが、レイヤーの上位に上部レベルを設けて、本計測部分とプリパルスごとに異なるレイヤーを設定しても良い。
【０１１６】
また、パルスの「パルス波形と中心位置」の欄にいて、計算式に条件分岐やループ構造といった複雑な設定を行う場合に、Ｊａｖａ（登録商標）言語などを用いたＣＰＵ８内で編集およびコンパイル可能なものを利用してもよい。また、パルスの「パルス波形と中心位置」の欄に限らず最適化シーケンスパターンのステップ１２１〜１２４の計算方法などを変更する構成にしてもよい。
【０１１７】
上述してきたように、本実施形態では、あらかじめパルスが搭載された複数のレイヤーから、１以上のレイヤーをシーケンス等のスキャンパラメータに基づいて選択することにより、使用者が容易にパルスシーケンスを生成することができる。あらかじめ用意しておく複数のレイヤーには、優先順位を付与し、優先順位の低いレイヤーには、基本的なシーケンスを実現するために必要なパルスを搭載し、優先順位の高いレイヤーには優先順位に応じて付加的なパルスを搭載する。
【０１１８】
また、レイヤーテーブルに使用者がレイヤーを追加することにより、容易にパルスを追加することができる。
【０１１９】
また、パルスリストの「パルス波形と中心位置」の欄には、スキャンパラメータに基づいて波形や中心位置が計算されるように記載しておくことにより、スキャンパラメータに応じて、パルス波形を計算により求めることができる。
【０１２０】
さらに、予め定めておいた最適化処理を行うことにより、スリューレートの低い、低騒音化を図ったパルスシーケンスが生成できる。
【符号の説明】
【０１２１】
１：被検体、２：静磁場発生系、３：傾斜磁場発生系、４：シーケンサ、５：送信系、６：受信系、７：信号処理系、８：中央処理装置（ＣＰＵ）、９：傾斜磁場コイル、１０：傾斜磁場電源、１１：高周波発信器、１２：変調器、１３：高周波増幅器、１４ａ：高周波コイル（送信コイル）、１４ｂ：高周波コイル（受信コイル）、１５：信号増幅器、１６：直交位相検波器、１７：Ａ／Ｄ変換器、１８：磁気ディスク、１９：光ディスク、２０：ディスプレイ、２１：ＲＯＭ、２２：ＲＡＭ、２３：トラックボール又はマウス、２４：キーボード
【図１】
0006592353.tif 000010
【図２】
0006592353.tif 000011
【図３】
0006592353.tif 000012
【図４】
0006592353.tif 000013
【図５】
0006592353.tif 000014
【図６】
0006592353.tif 000015
【図７】
0006592353.tif 000016
【図８】
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【図９】
0006592353.tif 000018
【図１０】
0006592353.tif 000019
【図１１】
0006592353.tif 000020
【図１２】
0006592353.tif 000021
【図１３】
0006592353.tif 000022
【図１４】
0006592353.tif 000023
【図１５】
0006592353.tif 000024
【図１６】
0006592353.tif 000025
【図１７】
0006592353.tif 000026