(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と電子部品との間に中間接続層が介在され、前記配線基板と前記電子部品とが電気的に接続された電子装置において、
前記中間接続層は、剛性材料を主体とするリジッド基板と、屈曲性材料を主体とするフレキシブル基板とを備え、
前記フレキシブル基板及び前記リジッド基板のそれぞれの両主面には互いに電気的に絶縁された複数の導体部が形成されると共に、
前記リジッド基板は、該リジッド基板に設けられた導体部間に開口部が設けられ、
前記フレキシブル基板は、前記リジッド基板の対向面側に形成された前記導体部のうちのいずれか一の導体部は、狭窄状のヒューズ部を有すると共に、該ヒューズ部は前記開口部に対向する位置に配され、かつ前記フレキシブル基板に形成された前記導体部の内部に貫通孔が設けられると共に、導電性接合剤が前記貫通孔に充填され、
前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とが、前記導電性接合剤を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記電子部品は、前記フレキシブル基板上に実装され、前記リジッド基板は、前記配線基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記フレキシブル基板は、前記ヒューズ部の両隣に窓部が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子装置。    
【請求項４】
前記リジッド基板は、一方の主面に形成された前記導体部と他方の主面に形成された前記導体部とが互いに直交状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項５】
前記電子部品の対向面に形成された前記フレキシブル基板上の一対の前記導体部は、導体部間隔Ａを有し、
前記リジッド基板が前記配線基板に接合されると共に、前記リジッド基板と前記配線基板との側面方向における接合距離Ｂが、前記導体部間隔Ａよりも小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
前記フレキシブル基板は、薄層化されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子装置。
【請求項７】
金属皮膜が、前記中間接続層の側面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子装置。
【請求項８】
前記フレキシブル基板は、耐熱性樹脂材料を主体としていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子装置。  
【請求項９】
前記導電性接合剤は、はんだ系材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１０】
配線基板と電子部品との間に中間接続層を介在させた電子装置の製造方法において、
剛性材料を主体とするリジッド母体と、屈曲性材料を主体とするフレキシブル母体とを準備する母体準備工程と、
前記フレキシブル母体の両主面に互いに電気的に絶縁された複数の導体部を形成すると共に、前記複数の導体部のうちのいずれか一の導体部がヒューズ部を有するように形成し、前記導体部の内部に貫通孔を形成するフレキシブル基板作製工程と、
前記リジッド母体の両主面に互いに電気的に絶縁された複数の導体部を形成し、さらに前記導体部間に開口部を形成するリジッド基板作製工程と、
前記リジッド基板上に導電性接合剤を塗布する塗布工程と、
前記ヒューズ部が前記開口部と対向するように前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とを配し、前記導電性接合剤を前記貫通孔に充填しかつ前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とを前記導電性接合剤を介して接合し、前記中間接続層を形成する中間接続層形成工程とを含んでいることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電子部品を前記フレキシブル基板上に実装し、前記リジッド基板を前記配線基板に電気的に接続することを特徴とする請求項１０記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記フレキシブル基板作製工程は、前記ヒューズ部の両隣に窓部を形成することを特徴とする請求項１０又は請求項１１記載の電子装置の製造方法。
【請求項１３】
前記塗布工程は、印刷法を使用して前記導電性接合剤を前記リジッド基板に塗布することを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項１４】
前記リジッド基板作製工程は、前記リジッド母体の側面に金属皮膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０乃至又は請求項１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項１５】
前記導電性接合剤は、はんだ系材料であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１４のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、及び電子装置の製造方法に関し、より詳しくはチップ型積層セラミックコンデンサ等の電子部品が基板実装された電子装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、チップ型積層セラミックコンデンサ等の電子部品を基板実装する表面実装技術が広く知られている。また、この種の表面実装技術では、実装された電子部品に大電流が流れても実装基板の焼損や発火等を未然に防止すべく、電子部品と配線基板との間にヒューズ機能を備えた中間接続層を介在させた電子装置も盛んに研究・開発されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、図１９に示すような電子装置が提案されている。
【０００４】
この電子装置は、ランド電極１０１ａ、１０１ｂを備えた配線基板１０２と、配線基板１０２上に実装された電子部品１０３とを有し、中間接続層１０４が、配線基板１０２と電子部品１０３との間に介在されている。また、中間接続層１０４は、屈曲性材料を主体とするフレキシブル部１０５と、剛性材料を主体とする一対のリジッド部１０６ａ、１０６ｂとを備え、フレキシブル部１０５はリジッド部１０６ａ、１０６ｂに狭持されている。すなわち、中間接続層１０４は、フレキシブル部１０５とリジッド部１０６ａ、１０６ｂとが一体化されたリジッドフレキシブル基板で構成されている。
【０００５】
そして、この特許文献１では、電子部品１０３と中間接続層１０４及び中間接続層１０４と配線基板１０２とはそれぞれはんだ１０７、１０８を介して接続されている。
【０００６】
図２０は、図１９のＸ−Ｘ矢視断面図である。
【０００７】
中間接続層１０４は、上述したようにフレキシブル部１０５がリジッド部１０６ａ、１０６ｂに狭持されている。そして、リジッド部１０６ａ、１０６ｂの主面には、ランド電極１０１ａ、１０１ｂや電子部品１０３と電気的に接続される複数の接続電極１０９ａ〜１０９ｄが形成され、さらに、このリジッド部１０６ａ、１０６ｂには開口部１１０が形成されている。また、フレキシブル部１０５は、導体部１１１が電子部品１０３との対向面に形成されている。この導体部１１１は、狭窄状に形成されたヒューズ部１１２を有し、かつ該ヒューズ部１１２は開口部１１０の内部に配されている。
【０００８】
さらに、中間接続層１０４は、該中間接続層１０４を貫通する第１の導通ビア１１３と、リジッド部１０６ａとフレキシブル部１０５とを導通する第２の導通ビア１１４と、リジッド部１０６ｂとフレキシブル部１０５とを導通する第３の導通ビア１１５とを有しており、これにより接続電極１０９ｂと接続電極１０９ｂが電気的に接続され、中間接続層１０４を介して電子部品１０３と配線基板１０２とが電気的に接続されている。尚、リジッド部１０６ａ、１０６ｂの主面適所にはソルダーレジスト等からなる保護膜１１６が形成されている。
【０００９】
この特許文献１では、ヒューズ部１１２をフレキシブル部１０５上に形成しているので、実装された電子部品１０３に定格以上の大電流が流れて該電子部品１０３が破損しても、ヒューズ部１１２はオープン状態となる。そして、該ヒューズ部１１２が開口部１１０の内部に配されていることから、フレキシブル部１０５からリジッド部１０６ａ、１０６ｂへの熱拡散を抑制しつつ、ヒューズ部１１２を容易に溶断することが可能となる。
【００１０】
また、上述したようにヒューズ部１１２をフレキシブル部１０５上に形成しているので、はんだ等を介してヒューズを取り付ける必要もなく、したがってはんだの濡れ具合等の影響を受けることもなく、溶断特性のバラツキを抑制することが可能と考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開第２０１６／０３９２６０号（請求項１、８、段落〔００３４〕〜〔００３６〕、図１、図２等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１では、上述したように中間接続層１０４が、フレキシブル部１０５及びリジッド部１０６ａ、１０６ｂを一体化したリジッドフレキシブル基板で構成され、中間接続層１０４に第１〜第３の導通ビア１１３〜１１５を設けて電子部品１０３と配線基板１０２との間の導通性を確保している。
【００１３】
しかしながら、第１〜第３の導通ビア１１３〜１１５は、通常、孔径が小さく、このため電子部品１０３を実装した場合、中間接続層１０４の等価直列抵抗（以下、「ＥＳＲ」という。）が大きくなる。そして、ＥＳＲが大きくなると発熱量が大きくなり、電子部品の劣化やエネルギー損失を招くおそれがある。
【００１４】
また、上述した一体構造のリジッドフレキシブル基板は、リジッド部１０６ａ、１０６ｂとフレキシブル部１０５とを接着させるための接着工程等が必要となり高価である。さらに、このリジッドフレキシブル基板を使用して中間接続層１０４を形成しようとすると、上述したように第１〜第３の導通ビア１１３〜１１５を設ける必要があり、そのためにはビア加工やめっき処理等が必要となる。すなわち、特許文献１では、ＥＳＲの増加を招く上に製造工程が煩雑であり、製造コストの高騰化を招くおそれがある。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、ＥＳＲが低く溶断特性の良好なヒューズ機能を有する信頼性の良好な電子装置、及びこの電子装置を低コストで効率良く製造することができる電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために本発明に係る電子装置は、配線基板と電子部品との間に中間接続層が介在され、前記配線基板と前記電子部品とが電気的に接続された電子装置において、前記中間接続層は、剛性材料を主体とするリジッド基板と、屈曲性材料を主体とするフレキシブル基板とを備え、前記フレキシブル基板及び前記リジッド基板のそれぞれの両主面には互いに電気的に絶縁された複数の導体部が形成されると共に、前記リジッド基板は、該リジッド基板に形成された前記導体部間に開口部が形成され、前記フレキシブル基板は、前記リジッド基板の対向面側に形成された前記導体部のうちのいずれか一の導体部は、狭窄状のヒューズ部を有すると共に、該ヒューズ部は前記開口部に対向する位置に配され、  かつ前記フレキシブル基板に形成された前記導体部の内部に貫通孔が設けられると共に、導電性接合剤が前記貫通孔に充填され、前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とが、前記導電性接合剤を介して電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１７】
このようにヒューズ部をリジッド基板の対向面側に開口部と対向するように配し、前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とを導電性接合剤を介して電気的に接続することにより、電流の経路を太くすることができる。また、電流はフレキシブル基板上を通過せずにリジッド基板とフレキシブル基板との間を通過することから、特許文献１のように導通ビアを設ける必要はなくなり、電流経路も太く短くなり、ＥＳＲを低減させることが可能となる。
【００１８】
しかも、ヒューズ部はリジッド基板の開口部に対向していることから、ヒューズ部はリジッド基板に直接接触することはなく、ヒューズ部が瞬間的に溶断しないような電流が回路に流れても、ヒューズ部からの発熱が周囲に熱伝達されるのを抑制しつつ、ヒューズ部を短時間で溶断することが可能となり、中間接続層や配線基板の発火を未然に防止することが可能となる。
さらに、フレキシブル基板とリジッド基板とは導電性接合剤を介して接合することができることから、別途仮止め用の接着剤を要することなくリジッド基板とフレキシブル基板とを所定位置に容易に固定することが可能となる。
【００１９】
また、本発明の電子装置は、前記電子部品が、前記フレキシブル基板上に実装され、前記リジッド基板は、前記配線基板に電気的に接続されているのが好ましい。
【００２０】
すなわち、ヒューズ部は、リジッド基板の開口部と対面するように配されていることから、電子部品をフレキシブル基板上に実装した後でも、開口部を介して導電性接合剤のヒューズ部への付着状態を目視で確認することができ、外観検査の容易化が可能となる。
【００２３】
また、本発明の電子装置では、前記フレキシブル基板は、前記ヒューズ部の両隣に窓部が形成されているのも好ましい。
【００２４】
これにより回路に大電流が流れてヒューズ部が発熱しても周囲に熱伝達されるのを抑制しつつ、該ヒューズ部をより短時間で溶断することが可能となる。
【００２５】
また、本発明の電子装置では、前記リジッド基板は、一方の主面に形成された前記導体部と他方の主面に形成された前記導体部とが互いに直交状に形成されているのが好ましい。
【００２６】
これにより中間接続層を配線基板に実装した後、後加工等で配線基板が撓んでも、中間接続層の変形量を抑制することができ、電子装置の撓み強度を向上させることが可能となる。
【００２７】
また、本発明の電子装置では、前記電子部品の対向面に形成された前記フレキシブル基板上の一対の前記導体部は、導体部間隔Ａを有し、前記リジッド基板が前記配線基板に接合されると共に、前記リジッド基板と前記配線基板との側面方向における接合距離Ｂが、前記導体部間隔Ａよりも小さいのが好ましい。
【００２８】
これにより繰り返し熱負荷が加えられても、リジッド基板と電子部品の線膨張係数の差異に起因する局所的な応力集中を緩和することができ、電子部品と中間接続層との接合個所にクラック等の構造欠陥が発生するのを抑制することが可能となる。
【００２９】
また、本発明の電子装置は、前記フレキシブル基板が、薄層化されているのが好ましい。
【００３０】
この場合は、フレキシブル基板の熱容量が小さいことから、ヒューズ部が発熱しても熱伝達がより抑制され、ヒューズ部を、より短時間で効果的に溶断することができる。
【００３１】
本発明の電子装置は、金属皮膜が、前記中間接続層の側面に形成されているのが好ましい。
【００３２】
これにより、リジッド基板の両主面はビアに比べて導体太さの太い金属皮膜で電気的に接続されることから、更なるＥＳＲの低減が可能となる。しかも、このような金属皮膜を形成することにより、配線基板と中間接続層とを接合した場合に接合状態が裾広がり状態となって、良好なフィレットを容易に形成することができ、良好な仕上がり状態を得ることができる。
【００３３】
また、本発明の電子装置は、前記フレキシブル基板が、耐熱性樹脂材料を主体としているのが好ましい。  
【００３４】
この場合は、フレキシブル基板が耐熱性を有することから、中間接続層や配線基板の発火や発煙、焼損等を効果的に回避することが可能となる。
【００３５】
また、本発明の電子装置は、前記導電性接合剤が、はんだ系材料で形成されているのが好ましい。
【００３６】
また、本発明に係る電子装置の製造方法は、配線基板と電子部品との間に中間接続層を介在させた電子装置の製造方法において、剛性材料を主体とするリジッド母体と、屈曲性材料を主体とするフレキシブル母体とを準備する母体準備工程と、前記フレキシブル母体の両主面に互いに電気的に絶縁された複数の導体部を形成すると共に、前記複数の導体部のうちのいずれか一の導体部がヒューズ部を有するように形成し、前記導体部の内部に貫通孔を形成するフレキシブル基板作製工程と、前記リジッド母体の両主面に互いに電気的に絶縁された複数の導体部を形成し、さらに前記導体部間に開口部を形成するリジッド基板作製工程と、前記リジッド基板上に導電性接合剤を塗布する塗布工程と、前記ヒューズ部が前記開口部と対向するように前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とを配し、前記導電性接合剤を前記貫通孔に充填しかつ前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とを前記導電性接合剤を介して接合し、前記中間接続層を形成する中間接続層形成工程とを含んでいることを特徴としている。
【００３７】
このようにフレキシブル基板とリジッド基板とを別々に作製し、両者を導電性接合剤を介して接合することにより、高価なリジッドフレキシブル基板を使用して中間接続層を作製する必要がなくなり、簡単かつ低コストでＥＳＲが低減された所望のヒューズ機能を有する電子装置を製造することができる。
【００３８】
また、本発明の電子装置の製造方法は、前記電子部品を前記フレキシブル基板上に実装し、前記リジッド基板を前記配線基板に電気的に接続するのが好ましい。
【００３９】
さらに、本発明の電子装置の製造方法は、前記フレキシブル基板作製工程が、前記ヒューズ部の両隣に窓部を形成するのが好ましい。
【００４０】
また、本発明の電子装置の製造方法は、前記塗布工程が、印刷法を使用して前記導電性接合剤を前記リジッド基板に塗布するのが好ましい。
【００４１】
このようにスクリーン印刷等の印刷法を使用することにより、より均一かつ万遍なく導電性接合剤をリジッド基板に塗布することができる。
【００４２】
さらに、本発明の電子装置の製造方法は、前記リジッド基板作製工程が、前記リジッド母体の側面に金属皮膜を形成する工程を含むのが好ましい。
【００４３】
また、本発明の電子装置の製造方法は、前記導電性接合剤が、はんだ系材料であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の電子装置によれば、中間接続層は、剛性材料を主体とするリジッド基板と、屈曲性材料を主体とするフレキシブル基板とを備え、前記フレキシブル基板及び前記リジッド基板のそれぞれの両主面には互いに電気的に絶縁された複数の導体部が形成されると共に、前記リジッド基板は、該リジッド基板の前記導体部間に開口部が形成され、前記フレキシブル基板は、前記リジッド基板の対向面側に形成された前記導体部のうちのいずれか一の導体部は、狭窄状のヒューズ部を有すると共に、該ヒューズ部は前記開口部に対向する位置に配され、かつ前記フレキシブル基板に形成された前記導体部の内部に貫通孔が設けられると共に、導電性接合剤が前記貫通孔に充填され、前記フレキシブル基板と前記リジッド基板とが、前記導電性接合剤を介して電気的に接続されているので、電流の経路を太くすることができる。また、電流はフレキシブル基板上を流れずにリジッド基板とフレキシブル基板との間を通過することから、特許文献１のように導通ビアを設ける必要はなくなり、電流経路も太く短くなり、ＥＳＲを低減させることが可能となる。
【００４５】
そして、ヒューズ部はリジッド基板の開口部の対向位置に形成されかつフレキシブル基板とリジッド基板とは導電性接合剤を介して接合しており直接接合されていないことから、ヒューズ部に瞬間的に溶断しないような電流が回路に流れても、ヒューズ部からの発熱が周囲に熱伝導されるのを抑制しつつ、ヒューズ部を短時間で溶断することが可能となり、中間接続層や配線基板の発火等を未然に防止することが可能となる。さらに、フレキシブル基板とリジッド基板とは導電性接合剤を介して接合することができることから、別途仮止め用の接着剤を要することなくリジッド基板とフレキシブル基板とを所定位置に容易に固定することが可能となる。
【００４６】
また、本発明の電子装置の製造方法によれば、上述した母体準備工程、フレキシブル基板作製工程、リジッド基板作製工程、塗布工程、及び中間接続層形成工程を含んでいるので、フレキシブル基板とリジッド基板とを別々に作製し、両者を導電性接合剤で接合していることから、高価な一体構造のリジッドフレキシブル基板を使用して中間接続層を作製する必要がなくなり、簡単かつ低コストでＥＳＲが低減された所望のヒューズ機能を有する電子装置を製造することができる。また、フレキシブル基板とリジッド基板とを導電性接合剤で接合するので、リジッド基板とフレキシブル基板とを仮止め用の接着剤で接着する必要もなくなり、製造工程の簡素化が可能となる。しかも、導電性接合剤をリジッド基板に塗布し、該導電性接合剤を介して中間接続層内の電気的導通を確保していることから、導通ビアを作製するためのビア加工やめっき処理が不要となる。さらに、一定のサイクルで繰り返し熱負荷が加えられても断線不良の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る電子装置の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】フレキシブル基板の一実施の形態を示す平面図である。
【図４】フレキシブル基板の一実施の形態を示す底面図である。
【図５】リジッド基板の一実施の形態を示す平面図である。
【図６】リジッド基板の一実施の形態を示す底面図である。
【図７】中間接続層の平面図である。
【図８】比較形態の電流経路を示す中間接続層の断面図である。
【図９】本実施形態の電流経路を示す中間接続層の断面図である。
【図１０】本発明に係る電子装置の製造方法の一実施の形態を示すフロー図である。
【図１１】フレキシブル集合基板の一実施の形態を示す平面図である。
【図１２】リジッド集合基板の一実施の形態を示す平面図である。
【図１３】本製造方法の製造工程の一実施の形態を示す斜視図（１／４）である。
【図１４】本製造方法の製造工程の一実施の形態を示す斜視図（２／４）である。
【図１５】本製造方法の製造工程の一実施の形態を示す斜視図（３／４）である。
【図１６】上記製造方法の製造工程の一実施の形態を示す斜視図（４／４）である。
【図１７】クラック進展率χを説明するための図である。
【図１８】試料番号１〜３の各試料のクラック進展率の分布を示す図である。
【図１９】特許文献１に記載された電子装置の断面図である。
【図２０】図１９のＸ−Ｘ矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
次に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳説する。
【００４９】
図１は、本発明に係る電子装置の一実施の形態を模式的に示す断面図であり、図２は図１の平面図である。
【００５０】
この電子装置は、第１及び第２のランド電極１ａ、１ｂが表面に形成された配線基板２と、チップ型積層セラミックコンデンサ等のセラミック材料を主体として形成された電子部品３とを有している。そして、配線基板２と電子部品３との間に中間接続層４が介在され、電子部品３ははんだ（導電性接合剤）５ａ、５ｂを介して中間接続層４に実装され、電子部品３を実装した中間接続層４が配線基板２に電気的に接続されている。
【００５１】
電子部品３は、セラミック材料からなる部品素体６の両端部には第１及び第２の外部電極７ａ、７ｂがそれぞれ形成されている。これら第１及び第２の外部電極７ａ、７ｂは、中間接続層４の表面に形成された第１及び第２の導体部８ａ、８ｂにはんだ５ａ、５ｂを介して電気的に接続されている。また、配線基板２の表面に形成された第１及び第２のランド電極１ａ、１ｂは、はんだ１０ａ、１０ｂを介して中間接続層４に電気的に接続されている。
【００５２】
中間接続層４は、剛性材料を主体とするリジッド基板１１と、屈曲性材料を主体とするフレキシブル基板１２とを備え、これらリジッド基板１１とフレキシブル基板１２とははんだ１３を介して接合されている。
【００５３】
図３はフレキシブル基板１２の平面図である。
【００５４】
このフレキシブル基板１２は、上述したように、フレキシブル母体１４の表面（一方の主面）に第１及び第２の導体部８ａ、８ｂが形成されている。この第１及び第２の導体部８ａ、８ｂは、電子部品３の外部電極７ａ、７ｂと電気的に接続され、かつ互いに電気的に絶縁されるように導体部間隔Ａを有している。そして、第１及び第２の導体部８ａ、８ｂの内部には、第１及び第２の貫通孔１５ａ、１５ｂがそれぞれ形成されている。さらに、このフレキシブル基板１２は、後述するヒューズ部の両隣に対応する位置に一対の窓部１６ａ、１６ｂが形成されている。
【００５５】
図４はフレキシブル基板１２の底面図である。
【００５６】
フレキシブル基板１２は、フレキシブル母体１４の裏面（他方の主面）に第３及び第４の導体部１７ａ、１７ｂが形成されている。
【００５７】
第３の導体部１７ａは、略Ｌ字状に形成された主導体部１８と、フレキシブル母体１４の一方の側面に沿うような形態で該フレキシブル母体１４の略中央部に形成された副導体部１９と、主導体部１８と副導体部１９とを接続するヒューズ部２０とを有し、該ヒューズ部２０は、第１及び第２の窓部１６ａ、１６ｂ間に位置するように狭窄状に形成されている。
【００５８】
また、第４の導体部１７ｂは、第２の導体部８ｂと略同様の形状に形成されている。
【００５９】
そして、第３の導体部１７ａと第４の導体部１７ｂとがはんだ１３を介して電気的に接触をしないようにソルダーレジスト等からなる保護膜２１ａ、２１ｂが形成されている。
【００６０】
フレキシブル基板１２に使用される基板材料、すなわちフレキシブル母体１４としては、屈曲性を有する材料を主体としていれば特に限定されるものではないが、通常は良好な耐熱性を有するポリイミド樹脂を主体としたものが好んで使用される。
【００６１】
このようにフレキシブル基板１２が耐熱性を有することにより、たとえヒューズ部２０が瞬間的に溶断しない程度の電流が流れて該ヒューズ部２０が発熱しても、中間接続層４や配線基板２が発火、発煙したり焼損したりするのを回避することが可能となる。
【００６２】
フレキシブル母体１４の厚みは、特に限定されるものではないが極力薄層であるのが好ましく、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは１２．５〜２５μｍである。
【００６３】
このようにフレキシブル母体１４を薄層化することにより、フレキシブル母体１４を含むフレキシブル基板１２も薄層化することができる。そして、このように薄層化されたフレキシブル基板１２は熱容量が小さいことから、ヒューズ部２０が発熱しても、周囲への熱伝達はより一層し難くなり、より短時間でヒューズ部２０を溶断することが可能となる。
【００６４】
図５は、リジッド基板１１の平面図である。
【００６５】
このリジッド基板１１は、リジッド母体２２の表面（一方の主面）に第５〜第７の導体部２３ａ〜２３ｃが形成されている。具体的には、第５及び第６の導体部２３ａ、２３ｂは、リジッド母体２２の両端部近傍に矩形状に形成され、第７の導体部２３ｃは、上述した第３の導体部１７ａの副導体部１９と同様、リジッド母体２２の一方の側面に沿うような形態で該リジッド母体２２の略中央部に形成されている。そして、このリジッド母体２２の略中央、すなわち第５の導体部２３ａと第６の導体部２３ｂとの間には開口部２４が貫設されている。さらに、リジッド母体２２の両側面には金属皮膜２５ａ、２５ｂが形成されている。
【００６６】
金属皮膜２５ａ、２５ｂに使用される金属材料は、特に限定されるものではないが、通常は第１〜第７の導体部８ａ、８ｂ、１７ａ、１７ｂ、２３ａ〜２３ｃや後述する第８及び第９の導体部と同一の金属材料で形成される。例えば、これらの各導体部がＣｕで形成されている場合は、通常、金属皮膜２５ａ、２５ｂもＣｕで形成される。
【００６７】
このように中間接続層４を形成するリジッド基板１１の側面に金属皮膜２５ａ、２５ｂが形成されているので、はんだ付けした場合に配線基板２と中間接続層４との接続状態が裾広がりとなり、良好なフィレットを容易に形成することができ、良好な仕上がり状態を得ることができる。
【００６８】
尚、このリジッド基板１１は、金属皮膜２５ａを介して第５の導体部２３ａと第６の導体部２３ｂとが電気的に接触しないようにソルダーレジスト等からなる保護膜２６が形成されている。
【００６９】
図６は、リジッド基板１１の底面図である。
【００７０】
リジッド母体２２の裏面（他方の主面）は、第８及び第９の導体部２７ａ、２７ｂが、上記第５及び第６の導体部２３ａ、２３ｂと直交状に前記リジッド母体２２の側面に沿うように形成されている。そしてこれにより電子部品３が実装されるフレキシブル基板１２の第１及び第２の導体部８ａ、８ｂと配線基板２に接続されるリジッド基板１１の第８及び第９の導体部２７ａ、２７ｂとは接合方向が直交状となることから、第１及び第２の導体部８ａ、８ｂと第８及び第９の導体部２７ａ、２７ｂとが同一方向に形成された場合に比べ、配線基板に実装された後、後加工等で配線基板２が撓んでも、中間接続層４の変形量を抑制することができ、電子装置の撓み強度を向上させることが可能となる。
【００７１】
さらに、このリジッド母体２２の裏面には、はんだ１０ａ、１０ｂの接合距離Ｂが導体部間隔Ａよりも小さくなるようにソルダーレジスト等からなる保護膜２８ａ、２８ｂが形成されており、これにより電子装置の機械的強度を向上させている。
【００７２】
すなわち、リジッド基板１１を形成する基板材料、すなわちリジッド母体２２は、剛性を有する材料を主体としていれば特に限定されるものではないが、通常はガラスエポキシ樹脂が好んで使用される。この場合、部品素体６の主成分であるセラミック材料と配線基板２を形成するガラスエポキシ樹脂とでは線膨張係数が異なる。したがって、繰り返し熱負荷が加えられると、電子部品３と中間接続層４とを接続するはんだ５ａ、５ｂに応力が集中し、該はんだ５ａ、５ｂにクラック等の構造欠陥が発生するおそれがある。
【００７３】
ところが、接合距離Ｂを導体部間隔Ａより小さく設定すると（Ｂ＜Ａ）、繰り返し熱負荷が加えられても、接合距離Ｂが短いことから中間接続層４が変形しやすくなるため、応力が緩和される。その結果、はんだ５ａ、５ｂに発生する応力を緩和することができ、これによりクラック等の構造欠陥を抑制することが可能となり、電子装置の機械的強度の向上を図ることができる。
【００７４】
尚、リジッド母体２２の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば０．２〜１．０ｍｍ程度の厚みを有するものを使用することができる。
【００７５】
図７は、中間接続層４の平面図である。
【００７６】
すなわち、中間接続層４は、フレキシブル基板１２とリジッド基板１１とがはんだ１３を介して接合されており、フレキシブル基板１２の第１及び第２の貫通孔１５ａ、１５ｂにははんだ１３が充填されている。そして、電子部品３の第１の外部電極７ａは、第１の導体部８ａ、はんだ１３、第３の導体部１７ａ、はんだ１３、第５及び第７の導体部２３ａ、２３ｃ、金属皮膜２５ｂ、第９の導体部２７ｂ、はんだ１０ａを介して配線基板２のランド電極１ａに接合距離Ｂでもって接合される。一方、電子部品３の第２の外部電極７ｂは、第２の導体部８ｂ、はんだ１３、第４の導体部１７ｂ、はんだ１３、第６の導体部２３ｂ、金属皮膜２５ａ、第８の導体部２７ａ、はんだ１０ｂを介して配線基板２のランド電極１ｂに接合距離Ｂでもって接合される。
【００７７】
このようにして電子部品３は中間接続層４のフレキシブル基板１２に実装され、中間接続層４のリジッド基板１１は配線基板２に電気的に接続される。    
【００７８】
このように形成された電子装置では、従来の一体構造のリジッドフレキシブル基板で中間接続層を形成した場合のように、孔径が小さい複数の導通ビアを中間接続層に設けて電子部品と配線基板との間の導通性を確保する必要はなく、はんだ接合により導通性を確保しているので、ＥＳＲを低減することができる。
【００７９】
さらに、リジッド基板１１では、第７の導体部２３ｃと第９の導体部２７ｂとが金属皮膜２５ｂを介して電気的に接続され、第６の導体部２３ｂと第８の導体部２７ａとが金属皮膜２５ａを介して電気的に接続されている。すなわち、本実施の形態では、導通ビアで導通性を確保する場合とは異なり、導体太さの太い金属皮膜２５ａ、２５ｂでリジッド基板１１の両主面間の導通性が確保しているので、より一層のＥＳＲの低減が可能となる。
【００８０】
また、電子部品３をはんだ５ａ、５ｂでフレキシブル基板１２に実装しても、ヒューズ部２０は、リジッド基板１１の開口部に対向していることから、はんだ５ａ、５ｂのヒューズ部２０への付着状態を目視で確認することができ、外観検査の容易化が可能となる。
【００８１】
また、本実施の形態では、リジッド基板１１とフレキシブル基板１２とをはんだ１３で接合しているので、別途仮止め用の接着剤を要することなくリジッド基板１１とフレキシブル基板１２とを所定位置に容易に固定することが可能となる。
【００８２】
さらに、ヒューズ部２０は、はんだ１３と直接的に接触することなく、フレキシブル基板１２の裏面側にリジッド基板１１と対向するように形成されているので、ヒューズ部２０が瞬間的に溶断しない程度の電流が流れて該ヒューズ部２０が発熱しても、周囲に熱伝達されるのを抑制しつつ、ヒューズ部２０を短時間で溶断することができ、中間接続層４や配線基板２が発火するのを未然に防止することが可能となる。
【００８３】
そして、本実施の形態では、上述のようにヒューズ部２０をリジッド基板１１と対面するようにフレキシブル基板１２の裏面側に設けているので、ヒューズ部をフレキシブル基板１２の表面側に設けた場合に比べ、より効果的にＥＳＲを低減することが可能である。
【００８４】
すなわち、図８は比較形態の中間接続層を模式的に示す要部断面図であり、図９は本実施の形態の中間接続層を模式的に示す要部断面図である。
【００８５】
図８の比較形態では、リジッド基板１１′は、リジッド母体２２′の表面に導体部２３′が形成され、リジッド基板１１′の表面にフレキシブル基板１２′が形成されている。そして、フレキシブル基板１１′はフレキシブル母体１４′の表面にヒューズ部を含む導体部８′が形成され、フレキシブル母体１４′には貫通孔が設けられ、該貫通孔には導体部８′の一部を覆うようにはんだ１３′が形成されている。
【００８６】
そして、この比較形態では、電子装置に電圧が印加されると、電流は矢印Ｂに示すように、導体部２３′からはんだ１３′を経てフレキシブル基板１２′上のヒューズ部を有する導体部８′を通過する。
【００８７】
これに対し図９の本実施の形態では、リジッド基板１１は、リジッド母体２２の表面に導体部２３が形成され、フレキシブル基板１２は、フレキシブル母体１４の裏面側にヒューズ部を含む導体部８が形成され、リジッド基板１１とフレキシブル基板１２とははんだ１３を介して接合されている。
【００８８】
そして、本実施の形態では、電子装置に電圧が印加されると、電流は矢印Ｃに示すように、導体部２３からはんだ１３を介してフレキシブル基板１２の裏面側の導体部８を通過する。
【００８９】
すなわち、本実施の形態では、電流は比較形態のようにフレキシブル基板１２′の表面側を通過することなく、フレキシブル基板１２の裏面側を通過することから電流経路が短く、ＥＳＲの低下が可能となる。
【００９０】
そして、本電子装置では、ヒューズ部２０が瞬間的には溶断しないような電流が回路に流れても、ヒューズ部２０からの発熱が周囲に熱伝導するのを抑制しつつ、短時間で溶断することができ、中間接続層４や配線基板２の発火を未然に防止することが可能となる。
【００９１】
次に、上記電子装置の製造方法を詳述する。
【００９２】
この種の電子装置は、生産性等の観点から多数の電子部品を大判の基板上に実装し、斯かる大判の基板を縦横に切断して個片化し、電子装置を効率良く取得する多数個取り方式が採用されるのが一般的である。
【００９３】
したがって、本実施の形態でも多数個取り方式で電子装置を取得する方法を説明する。
【００９４】
図１０は、本電子装置の製造方法の製造工程を示すフロー図である。
【００９５】
まず、ステップＳ１では、フレキシブル基板の集合体であるフレキ集合基板及び、リジッド基板の集合体であるリジッド集合基板をそれぞれ別々に作製する。
【００９６】
図１１は、フレキ集合基板３１の製造方法を説明するための図である。
【００９７】
まず、ポリイミド樹脂等からなる大判のフレキシブル母体３２を用意する。このフレキシブル母体３２の厚みは、特に限定されるものではないが、上述したように個片化されたフレキシブル基板１２の熱拡散を抑制してヒューズ部２０の溶断を容易にする観点からは、極力薄層であるのが好ましく、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１２．５〜２５μｍである。
【００９８】
そして、この大判のフレキシブル母体３２に対し、周知のフォトリソグラフィ技術を適用し、フレキシブル母体３２の表面に第１及び第２の導体部８ａ、８ｂを一組とした導体部群をマトリックス状に複数作製する。同様に、フレキシブル母体３２の裏面にも第３及び第４の導体部１７ａ、１７ｂを一組とした導体部群をマトリックス状に複数作製し、さらに第３及び第４の導体部１７ａ、１７ｂが互いに電気的に接触しないように、所定箇所にソルダーレジスト等を塗布して乾燥させ、保護層２１ａ、２１ｂを形成する（図３、図４参照）。次いで、ドリル等の穿孔機を使用し、これら第１及び第２の導体部８ａ、８ｂ又は第３及び第４の導体部１７ａ、１７ｂの内部に第１及び第２の貫通孔１５ａ、１５ｂを貫設し、さらに裏面のヒューズ部の両隣の所定箇所にレーザ光を照射して一対の窓部１６ａ、１６ｂを作製する。そして、グラインダ等の研削具を使用し、長手方向の所定箇所にスリット状開口部３３ａ〜３３ｄを形成し、これによりフレキ集合基板３１が作製される。
【００９９】
図１２は、リジッド集合基板３４の製造方法を説明するための図である。
【０１００】
まず、Ｃｕ等の金属薄膜が表裏両面に形成されたガラスエポキシ樹脂等の樹脂材料を主体とした大判のリジッド母体３５を用意する。リジッド母体３５の厚みは、上述したように、例えば０．２〜１．０ｍｍ程度のものを使用することができる。
【０１０１】
そして、この大判のリジッド母体３５に対し、フレキシブル母体３２のスリット状開口部３３ａ〜３３ｄに対応する位置をグラインダ等の研削具で加工し、リジッド母体３５にもスリット状開口部を形成する。その後、このスリット状開口部に電解めっきや無電解めっき等のめっき処理を施し、金属皮膜２５ａ、２５ｂとなるＣｕ等の金属材料３６ａ〜３６ｄを前記スリット状開口部の内壁に形成する。次に、周知のフォトリソグラフィ技術を適用し、リジッド母体３５の表面に第５〜第７の導体部２３ａ〜２３ｃを一組とした導体部群をマトリックス状に複数作製し、さらにリジッド母体３５の裏面に第８及び第９の導体部２７ａ、２７ｂを一組とした導体部群をマトリックス状に複数作製する。次いで、ドリル等の穿孔機を使用し、大判のリジッド母体３５の所定箇所に開口部２４を貫設する。また、第５の導体部２３ａと第６の導体部２３ｂ、及び第８の導体部２７ａと第９の導体部２７ｂとが接触しないようにリジッド母体３５の表裏両面の所定箇所にソルダーレジスト等を塗布して乾燥させ、保護層２６、２８ａ、２８ｂを形成する（図５、図６参照）。これによりリジッド集合基板３４が作製される。
【０１０２】
このようにステップＳ１では、フレキ集合基板３１とリジッド集合基板３４とを別々に作製する（図１３（ａ）参照）。
【０１０３】
次いで、ステップＳ２（図１０）に進み、リジッド集合基板３４の所定箇所にはんだペーストを印刷する。すなわち、図１３（ｂ）に示すように、所定パターンのメタルマスク３７を使用し、スキージ３９を矢印Ｄ方向に稼働させてスクリーン印刷し、リジッド集合基板３４上の所定箇所にはんだペースト４０ａ、４０ｂを塗布する。      
【０１０４】
次に、ステップＳ３に進み、図１４（ｃ）に示すように、第１及び第２の貫通孔１５ａ、１５ｂ内にはんだペースト４０ａ、４０ｂが充填されるように、フレキ集合基板３１をリジッド集合基板３４上に重ね合わせ、続くステップＳ４では、図１４（ｄ）に示すように、リフロー炉４２を通過させてリフロー加熱を行い、はんだペースト４０を加熱硬化させる。そしてこれによりフレキ集合基板３１とリジッド集合基板３４とがはんだ１３を介して接合された中間接続層集合体４３を得る。
【０１０５】
次に、ステップＳ５に進み、図１５（ｅ）に示すように、所定パターンのメタルマスク４４を使用し、スキージ４５を矢印Ｅ方向に稼働させてスクリーン印刷し、第１及び第２の導体部８ａ、８ｂ上にはんだペースト４６ａ、４６ｂを塗布する。
【０１０６】
次に、ステップＳ６に進み、図１５（ｆ）に示すように、電子部品３をフレキ集合基板３１に載置し、続くステップＳ７では、図１６（ｇ）に示すように、リフロー炉４７を通過させてリフロー加熱を行い、これにより電子部品３ははんだ５ａ、５ｂを介してフレキ集合基板３１上に実装される。
【０１０７】
次に、ステップ８では、図１６（ｈ）に示すように、ダイシングソー等の切断機４８で縦横に切断し、個片化する。
【０１０８】
次いで、ステップＳ９に進み、配線基板２のランド電極１ａ、１ｂ上に、所定の接合距離Ｂでもってはんだペーストを塗布し、再度リフロー炉を通過させて加熱硬化させ、これにより、中間接続層４がはんだ１０ａ、１０ｂを介して配線基板２に電気的に接続され、電子装置が製造される。
【０１０９】
このように本製造方法では、剛性材料を主体とするリジッド母体２２と、屈曲性材料を主体とするフレキシブル母体１４とを準備する母体準備工程と、フレキシブル母体１４の両主面に互いに電気的に絶縁された第１〜第４の導体部８ａ、８ｂ、１７ａ、１７ｂを形成すると共に、第３の導体部１７ａがヒューズ部２０を有するように形成し、第１及び第２の導体部８ａ、８ｂ（又は第３及び第４の導体部１７ａ、１７ｂ）の内部に第１及び第２の貫通孔１５ａ、１５ｂを形成するフレキシブル基板作製工程と、リジッド母体２２の両主面に互いに電気的に絶縁された第５〜第９の導体部２３ａ〜２３ｃ、２７ａ、２７ｂを形成し、さらに前記リジッド母体２２の中央部位に開口部２４を形成するリジッド基板作製工程と、第５の導体部２３ａと第６の導体部２３ｂが互いに接触しないようにはんだ１３をリジッド基板１１に塗布する塗布工程と、ヒューズ部２０が開口部２４と対向するようにフレキシブル基板１２とリジッド基板１１とを配し、はんだ１３を第１及び第２の貫通孔１５ａ、１５ｂに充填しかつフレキシブル基板１２とリジッド基板１１とをはんだ１３を介して接合し、中間接続層４を形成する中間接続層形成工程とを含んでいるので、フレキシブル基板１２とリジッド基板１１とを別々に作製し、両者をはんだで接合していることから、高価な一体構造のリジッドフレキシブル基板を使用して中間接続層を作製する必要がなくなり、簡単かつ低コストでＥＳＲが低減された所望のヒューズ機能を有する電子装置を製造することができる。
【０１１０】
また、リジッド基板１１とフレキシブル基板１２とをはんだ１３で接合して中間接続層４を形成していることから、リジッド基板１１とフレキシブル基板１２とを別途仮止め用の接着剤を要することもなく、製造工程の簡素化が可能となる。
【０１１１】
さらに、はんだ１３を第１及び第２の貫通孔１５ａ、１５ｂの内部に塗布し、該はんだ１３を介して中間接続層４内の電気的導通を確保していることから、導通ビアを作製するためのビア加工やめっき処理が不要であり、さらに一定のサイクルで繰り返し熱負荷が加えられても断線不良の発生を抑制することができる。
【０１１２】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのはいうまでもない。例えば、上記実施の形態では、導電性接合剤にはんだを使用しているが、その他の導電性接着剤であってもよいのはいうまでもない。
【０１１３】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例】
【０１１４】
中間接続層に積層セラミックコンデンサを実装し、ヒートサイクル試験を行った。
【０１１５】
〔フレキシブル基板の作製〕
厚み２５μｍのポリイミド樹脂の表裏両面に厚みが１８μｍの銅箔が貼着された長さ８．０ｍｍ、幅６．２ｍｍのフレキシブル母体を用意した。
【０１１６】
次いで、このフレキシブル母体にフォトリソグラフィ技術を適用し、該フレキシブル母体の表面所定箇所に縦４．８ｍｍ、横２．１ｍｍの第１及び第２の導体部を形成した。尚、導体部間隔Ａは３．５ｍｍとした。
【０１１７】
同様にフレキシブル母体の裏面側にも、矩形部が縦４．８ｍｍ、横２．０５ｍｍであって該矩形部と連なる部分が縦１．６ｍｍ、横２．５ｍｍの主導体部と、縦２．０ｍｍ、横１．６ｍｍの副導体部と、これら主導体部と副導体部とを接続する縦１．０ｍｍ、横０．３ｍｍの狭窄状のヒューズ部とからなる第３の導体部を作製した。さらに、縦４．８ｍｍ、横２．０５ｍｍの第４の導体部を作製した。
【０１１８】
次に、ドリルを使用し、第１及び第２の導体部の内部に、縦方向に連なるように直径１．３５ｍｍの貫通孔３個を穿設し、さらにレーザ光を照射し、ヒューズ部の両隣に縦１．１５ｍｍ、横０．７ｍｍの窓部を設けた。そして、最後にフレキシブル母体の表面所定箇所にソルダーレジストを塗布して乾燥させ、これにより図３及び図４に示すようなフレキシブル基板を作製した。
【０１１９】
〔リジッド基板の作製〕
厚み１８μｍの銅箔が両主面全域に形成された長さ８．０ｍｍ、幅６．２ｍｍ、厚み０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂を主体としたリジッド母体を用意した。
【０１２０】
次に、フォトリソグラフィ技術を適用し、リジッド母体表面の端面近傍に縦４．２ｍｍ、横２．０５ｍｍの第５及び第６の導体部を作製し、さらに、略中央には側面に沿うように縦１．８５ｍｍ、横２．０ｍｍの第７の導体部を形成した。また、リジッド母体の裏面には第５及び第６の導体部と直交状となるように縦１．５ｍｍ、横３．０ｍｍの第８及び第９の導体部を作製した。また、リジッド母体の両側面にめっき処理を施し、厚みが２０μｍのＣｕ皮膜を形成した。
【０１２１】
そして、最後にリジッド基体の裏面所定箇所にソルダーレジストを塗布して乾燥させ、これにより図５及び図６に示すようなリジッド基板を作製した。
【０１２２】
〔中間接続層の形成〕
Ａｇ含有量が３．０ｗｔ％、Ｃｕ含有量が０．５ｗｔ％のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだペーストを使用し、該はんだペーストをスクリーン印刷によりリジッド基板の所定箇所に塗布した後、最高温度２３５〜２５０℃に調整されたリフロー炉を通過させてリフロー加熱を行い、これによりはんだペーストを加熱硬化させ、中間接続層を作製した。
【０１２３】
〔試料の作製〕
長さ５．７ｍｍ、幅５．０ｍｍ、高さ２．７ｍｍの積層セラミックコンデンサを用意した。
【０１２４】
次いで、スクリーン印刷を使用し、フレキシブル基板の第１及び第２の導体部に上記はんだペーストを塗布し、その後、積層セラミックコンデンサをフレキシブル基板上に載置した。そして、これを再び上記リフロー炉に通過させてはんだペーストを加熱硬化させ、これにより積層セラミックコンデンサを中間接続層に実装した。
【０１２５】
次いで、リジッド基板との接合距離Ｂがそれぞれ３ｍｍ、３．６ｍｍ及び４ｍｍとなるように配線基板上にはんだペーストをスクリーン印刷し、該配線基板上に中間接続層を載置し、リフロー炉を通過させてはんだペーストを加熱硬化させ、これにより試料番号１〜３の試料を作製した。
【０１２６】
〔試料の評価〕
上述のようにして作製された試料番号１〜３の各試料１０個について、ヒートサイクル試験を行い、光学顕微鏡で試験後の試料を観察し、信頼性を評価した。
【０１２７】
ここで、ヒートサイクル試験は、液槽冷熱衝撃試験装置を用い、−５５℃の低温液槽に５分間浸漬、＋１２５℃の高温液槽に５分間浸漬するプロファイルを１サイクルとし、１０００サイクル行った。
【０１２８】
図１７は測定試料の要部を模式的に示す断面図である。
【０１２９】
すなわち、中間接続層５１は、リジッド基板５２とフレキシブル基板５３の間にはんだ５４が介在されている。そして積層セラミックコンデンサ５５は、セラミック材料を主成分とした部品素体５６の端部に外部電極５７が形成されており、積層セラミックコンデンサ５５ははんだ５８を介して中間接続層５１に実装されている。図中、黒色部分はクラックが生じたクラック長さＬを示し、白色部分はクラックが生じなかった残存部長さＲを示している。
【０１３０】
そして、本実施例では、クラック進展率χを数式（１）で定義し、信頼性を評価した。
【０１３１】
χ＝（Ｌ／（Ｌ＋Ｒ））×１００  …（１）
ここで、Ｌは、上述したクラック長さ（ｍｍ）、Ｒは、残存部長さ（ｍｍ）である。
【０１３２】
すなわち〔発明を実施するための形態〕の項でも述べたように、部品素体５６の主成分であるセラミック材料とリジッド基板５２の主体となるガラスエポキシ樹脂では線膨張係数が異なることから、繰り返し熱負荷が加えられると、積層セラミックコンデンサ５５と中間接続層５１との間に介在するはんだ５８に応力が集中する傾向にある。
【０１３３】
そこで、本実施例では、上記数式（１）に基づいてクラック進展率χを求め、信頼性を評価した。
【０１３４】
表１はその測定結果を示しており、各試料１０個中の最大値、最小値、及び各クラック進展率χから求めた平均値を示している。
【０１３５】
また、図１８は試料番号１〜３の各試料のクラック進展率の分布を示している。横軸が接合距離Ｂ（ｍｍ）、縦軸がクラック進展率χ（％）であり、図中、◆印は各１０個の平均値を示している。
【０１３６】
【表１】
0006452001.tif 000002
【０１３７】
この表１及び図１８から明らかなように、試料番号２及び３は、接合距離Ｂが３．６ｍｍ、４．０ｍｍであり、導体部間隔Ａ（＝３．５ｍｍ）よりも大きいことから、クラック進展率χのバラツキも大きく、平均値も２６％、３１％と大きくなった。
【０１３８】
これに対し試料番号１は、接合距離Ｂが．３．０ｍｍであり導体部間隔Ａよりも小さいことから、クラック進展率χのバラツキを小さくすることができ、平均値も１６％に低減できることが分かった。
【０１３９】
以上より信頼性向上という観点からは接合距離Ｂは導体部間隔Ａよりも小さいのが好ましいことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１４０】
装置自体の大型化を招くこともなく、溶断特性の良好な所望のヒューズ機能を低コストで確保することができ、かつ良好な信頼性を有する電子装置を実現する。
【符号の説明】
【０１４１】
２  配線基板
３  電子部品
４  中間接続層
５ａ、５ｂ  はんだ（導電性接合剤）
８ａ、８ｂ  第１及び第２の導体部（導体部）
１０ａ、１０ｂ  はんだ（導電性接合剤）
１１  リジッド基板
１２  フレキシブル基板
１３  はんだ（導電性接合剤）
１４  フレキシブル母体
１５ａ、１５ｂ  第１及び第２の貫通孔（貫通孔）
１６ａ、１６ｂ  窓部
１７ａ、１７ｂ  第３及び第４の導体部（導体部）
２０  ヒューズ部
２２  リジッド母体
２３ａ〜２３ｃ  第５〜第７の導体部（導体部）
２４  開口部
２５ａ、２５ｂ  金属皮膜
２７ａ、２７ｂ  第８及び第９の導体部（導体部）
【図１】
0006452001.tif 000003
【図２】
0006452001.tif 000004
【図３】
0006452001.tif 000005
【図４】
0006452001.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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