(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１〜式１５のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む有機半導体材料と、フェノール性還元剤と、重量平均分子量が５０万以上の高分子化合物と、界面活性剤と、標準沸点が１５０℃以上の有機溶剤と、を含有し、
前記高分子化合物の含有量に対する、前記有機半導体材料の含有量の割合が、質量基準で０．０２〜１０であり、
前記高分子化合物の含有量に対する、前記フェノール性還元剤の含有量の割合が、質量基準で０．１〜５である、有機半導体膜形成用組成物。
【化１】
0006484700.tif 000046
【化２】
0006484700.tif 000047
【化３】
0006484700.tif 000048
【化４】
0006484700.tif 000049
式１中、Ａ１ａ及びＡ１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
−ＬＷ−ＲＷ      （Ｗ）
式Ｗ中、ＬＷは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、ＲＷはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。
【化５】
0006484700.tif 000050
式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲＷとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲＮは水素原子又は置換基を表し、Ｒｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式２中、Ｘ２ａ及びＸ２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ２ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ２ａはＣＲ２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ２ｂはＣＲ２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ２ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式３中、Ｘ３ａ及びＸ３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ３ｇを表し、Ａ３ａ及びＡ３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ３ｈ又はＮ原子を表す。Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式４中、Ｘ４ａ及びＸ４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｊ、Ｒ４ｋ及びＲ４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｊ、Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆのうち少なくとも一方が前記式Ｗで表される基である場合はＲ４ｅ及びＲ４ｆが表す前記式ＷにおいてＬＷは前記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。
式５中、Ｘ５ａ及びＸ５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ５ａはＣＲ５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ５ｂはＣＲ５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ５ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式６中、Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式７中、Ｘ７ａ及びＸ７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ７ｉを表し、Ｘ７ｂ及びＸ７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式８中、Ｘ８ａ及びＸ８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ８ｉを表し、Ｘ８ｂ及びＸ８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式９中、Ｘ９ａ及びＸ９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ９ｃ、Ｒ９ｄ及びＲ９ｇ〜Ｒ９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、Ｒ９ａ、Ｒ９ｂ、Ｒ９ｅ及びＲ９ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
式１０中、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ１０ａ及びＸ１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１０ｉを表し、Ｒ１０ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は前記式Ｗで表される基を表す。
式１１中、Ｘ１１ａ及びＸ１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１１ｎを表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１２中、Ｘ１２ａ及びＸ１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１２ｎを表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１３中、Ｘ１３ａ及びＸ１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１３ｎを表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１４中、Ｘ１４ａ〜Ｘ１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１４ｉを表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１５中、Ｘ１５ａ〜Ｘ１５ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１５ｇを表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
【請求項２】
前記界面活性剤の含有量に対する、前記高分子化合物の含有量の割合が、質量基準で０．０１〜２００である、請求項１に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【請求項３】
有機半導体材料と、フェノール性還元剤と、重量平均分子量が５０万以上の高分子化合物と、界面活性剤と、標準沸点が１５０℃以上の有機溶剤と、を含有し、
前記高分子化合物の含有量に対する、前記有機半導体材料の含有量の割合が、質量基準で０．０２〜１０であり、
前記高分子化合物の含有量に対する、前記フェノール性還元剤の含有量の割合が、質量基準で０．１〜５であり、
前記界面活性剤の含有量に対する、前記高分子化合物の含有量の割合が、質量基準で３〜２００である、有機半導体膜形成用組成物。
【請求項４】
前記有機半導体材料が、縮合多環芳香族基を有し、前記縮合多環芳香族基中の環数が４つ以上であり、前記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子および酸素原子よりなる群から選択される少なくとも１つの原子を含み、前記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環、および、フェナントレン環よりなる群から選択される少なくともいずれか１つの構造を含む、請求項３に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【請求項５】
前記有機半導体材料における前記縮合多環芳香族基中の環数が、５または６である、請求項４に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【請求項６】
前記有機半導体材料の前記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、前記複素環がそれぞれ、ヘテロ原子を１つのみ有する複素環である、請求項４または５に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【請求項７】
前記有機半導体材料が、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、請求項３〜６のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【化６】
0006484700.tif 000051
【化７】
0006484700.tif 000052
【化８】
0006484700.tif 000053
【化９】
0006484700.tif 000054
式１中、Ａ１ａ及びＡ１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
−ＬＷ−ＲＷ      （Ｗ）
式Ｗ中、ＬＷは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、ＲＷはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。
【化１０】
0006484700.tif 000055
式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲＷとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲＮは水素原子又は置換基を表し、Ｒｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式２中、Ｘ２ａ及びＸ２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ２ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ２ａはＣＲ２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ２ｂはＣＲ２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ２ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式３中、Ｘ３ａ及びＸ３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ３ｇを表し、Ａ３ａ及びＡ３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ３ｈ又はＮ原子を表す。Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式４中、Ｘ４ａ及びＸ４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｊ、Ｒ４ｋ及びＲ４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｊ、Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆのうち少なくとも一方が前記式Ｗで表される基である場合はＲ４ｅ及びＲ４ｆが表す前記式ＷにおいてＬＷは前記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。
式５中、Ｘ５ａ及びＸ５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ５ａはＣＲ５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ５ｂはＣＲ５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ５ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式６中、Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式７中、Ｘ７ａ及びＸ７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ７ｉを表し、Ｘ７ｂ及びＸ７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式８中、Ｘ８ａ及びＸ８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ８ｉを表し、Ｘ８ｂ及びＸ８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
式９中、Ｘ９ａ及びＸ９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ９ｃ、Ｒ９ｄ及びＲ９ｇ〜Ｒ９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、Ｒ９ａ、Ｒ９ｂ、Ｒ９ｅ及びＲ９ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
式１０中、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ１０ａ及びＸ１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１０ｉを表し、Ｒ１０ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は前記式Ｗで表される基を表す。
式１１中、Ｘ１１ａ及びＸ１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１１ｎを表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１２中、Ｘ１２ａ及びＸ１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１２ｎを表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１３中、Ｘ１３ａ及びＸ１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１３ｎを表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１４中、Ｘ１４ａ〜Ｘ１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１４ｉを表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１５中、Ｘ１５ａ〜Ｘ１５ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１５ｇを表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
式１６中、Ｘ１６ａ〜Ｘ１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１６ｇを表し、Ｒ１６ａ〜Ｒ１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１６ａ〜Ｒ１６ｇのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
【請求項８】
前記有機半導体材料が、前記式１〜式９または式１５で表される化合物を少なくとも１種含む、請求項１または７に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【請求項９】
前記フェノール性還元剤が、一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基からなる群より選択される基を２つ以上含む化合物Ｘ、ならびに、一般式（Ｃ）で表される化合物Ｙ、の少なくとも一方を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【化１１】
0006484700.tif 000056
一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は結合位置を示す。ただし、Ｒ1とＲ2とが両方とも水素原子になることはない。
一般式（Ｂ）中、Ｒ4は置換基を表す。Ｒ5〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｘは、２価の連結基を表す。＊は結合位置を示す。
一般式（Ｃ）中、Ｒ8およびＲ12は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ9〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｚは、−ＣＲ16Ｒ17−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−ＰＲ−、−ＰＯＲ−、−ＣＯＣＯ−、―ＮＨ−ＮＨ−または−Ｓ−Ｓ−を表す。Ｒは、水素原子または置換基を表す。Ｒ16およびＲ17は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
【請求項１０】
前記界面活性剤が、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【請求項１１】
インクジェット印刷用またはフレキソ印刷用である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物を使用して作製された有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
さらに、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極のうち、少なくとも一つの電極が、銀を含む材料で構成される、請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、電子ペーパー。
【請求項１５】
請求項１２または１３に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、ディスプレイデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identifier、ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。【０００３】
昨今、有機薄膜トランジスタへの期待が高まるなか、有機薄膜トランジスタには、移動度（特に電界効果移動度）の向上や安定性（絶縁信頼性の向上）などが求められている。
このようななか、特許文献１には、有機半導体層の酸化劣化を低減するために、酸化防止剤を含有する組成物で有機半導体層を形成した有機薄膜トランジスタが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年、有機薄膜トランジスタなどの生産コストの削減や、生産性の向上などの観点から、有機半導体膜を真空成膜などのプロセスに代えて、印刷プロセス（例えば、フレキソ印刷方式、インクジェット印刷方式）を用いることが検討されている。
しかしながら、特許文献１に記載されているような組成物（有機半導体膜形成用組成物）を印刷プロセスに適用して有機半導体膜を形成した場合、得られる有機半導体膜において固形分（有機半導体材料に由来する成分）の片寄り等が発生してしまうことがある（印刷性の低下）。【０００６】
そこで、本発明は、印刷性に優れ、移動度および絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製することができる有機半導体膜形成用組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスを提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、特定の分子量をもつ高分子化合物に対して、有機半導体材料の含有割合とフェノール性還元剤の含有割合とをそれぞれ規定することで、上記課題を解決できることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。【０００８】
［１］
有機半導体材料と、フェノール性還元剤と、重量平均分子量が５０万以上の高分子化合物と、界面活性剤と、標準沸点が１５０℃以上の有機溶剤と、を含有し、
上記高分子化合物の含有量に対する、上記有機半導体材料の含有量の割合が、質量基準で０．０２〜１０であり、
上記高分子化合物の含有量に対する、上記フェノール性還元剤の含有量の割合が、質量基準で０．１〜５である、有機半導体膜形成用組成物。
［２］
上記フェノール性還元剤が、後述する一般式（Ａ）で表される基および後述する一般式（Ｂ）で表される基からなる群より選択される基を２つ以上含む化合物Ｘ、ならびに、後述する一般式（Ｃ）で表される化合物Ｙ、の少なくとも一方を含む、上記［１］に記載の有機半導体膜形成用組成物。
［３］
上記有機半導体材料が、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４つ以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子および酸素原子よりなる群から選択される少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環、および、フェナントレン環よりなる群から選択される少なくともいずれか１つの構造を含む、上記［１］または［２］に記載の有機半導体膜形成用組成物。
［４］
上記有機半導体材料における上記縮合多環芳香族基中の環数が、５または６である、上記［３］に記載の有機半導体膜形成用組成物。
［５］
上記有機半導体材料の上記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環がそれぞれ、ヘテロ原子を１つのみ有する複素環である、上記［３］または［４］に記載の有機半導体膜形成用組成物。
［６］
上記界面活性剤が、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含む、上記［１］〜［５］のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物。
［７］
上記界面活性剤の含有量に対する、上記高分子化合物の含有量の割合が、質量基準で０．０１〜２００である、上記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
［８］
上記有機半導体材料が、後述する式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、上記［１］〜［７］のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物。
［９］
上記有機半導体材料が、後述する式１〜式９または式１５で表される化合物を少なくとも１種含む、上記［８］に記載の有機半導体膜形成用組成物。
［１０］
インクジェット印刷用またはフレキソ印刷用である、上記［１］〜［９］のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物。
［１１］
上記［１］〜［１０］のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物を使用して作製された有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
［１２］
さらに、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有し、
上記ソース電極、上記ドレイン電極および上記ゲート電極のうち、少なくとも一つの電極が、銀を含む材料で構成される、上記［１１］に記載の有機薄膜トランジスタ。
［１３］
上記［１１］または［１２］に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、電子ペーパー。
［１４］
上記［１１］または［１２］に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、ディスプレイデバイス。
【発明の効果】
【０００９】
以下に示すように、本発明によれば、印刷性に優れ、移動度および絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製できる有機半導体膜形成用組成物を提供することができる。また、本発明によれば、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスを提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図。
【図２】本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の有機半導体膜形成用組成物（以下、単に「有機半導体組成物」ともいう。）について説明する。
なお、本発明において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書の基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
また、本発明において「印刷性」とは、有機半導体組成物を用いた印刷プロセスによって有機半導体膜を作製した場合において、作製された有機半導体膜の固形分（例えば、有機半導体材料に由来する成分）の片寄り度合いのことをいう。具体的には、印刷性に優れるとは、印刷により作製された有機半導体膜中、固形分の片寄りが少なく、固形分が膜全体にわたって略均一に存在している状態のことをいう。
【００１２】
［有機半導体組成物］
本発明の有機半導体組成物は、有機半導体材料と、フェノール性還元剤と、重量平均分子量が５０万以上の高分子化合物（以下、単に「特定高分子化合物」ともいう。）と、界面活性剤と、標準沸点が１５０℃以上の有機溶剤（以下、単に「特定有機溶剤」ともいう。）を含有する。また、上記特定高分子化合物の含有量に対する、上記有機半導体材料の含有量の割合ＭＡ／Ｃが、質量基準で０．０２〜１０である。さらに、上記特定高分子化合物の含有量に対する、上記フェノール性還元剤の含有量の割合ＭＢ／Ｃが、質量基準で０．１〜５である。
本発明の有機半導体組成物は、印刷用に好適である。印刷用とは、インクジェット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷などの公知の印刷方式に用いられることをいう。これらの印刷方式の中でも、本発明の有機半導体組成物は、インクジェット印刷またはフレキソ印刷に特に好適に用いられる。
【００１３】
このように、特定高分子化合物に対する有機半導体材料の含有割合と、特定高分子化合物に対するフェノール性還元剤の含有割合と、をそれぞれ特定範囲にすることで、上述した所望の効果が得られる。この理由の詳細は明らかになっていないが、およそ以下の理由によるものと推測される。
【００１４】
有機薄膜トランジスタの移動度を向上させるためには、これの作製に用いる有機半導体組成物中に含まれる有機半導体材料の含有量を多くする必要がある。しかしながら、有機半導体材料は、有機溶剤に対する溶解性が低いことから、その含有量によっては、印刷プロセスに適用することが困難になったり、印刷性が低下したりする場合がある。
一方、有機半導体組成物を印刷に適した範囲の粘度に調整して、印刷プロセスへの適用性を向上できるという点から、特定高分子化合物を添加することがある。このような特定高分子化合物は、有機溶剤に対する溶解性に優れるなどの観点から好適に使用される。
ここで、各種印刷方式を用いて有機半導体組成物の成膜を行なった際に、有機半導体膜の表面から乾燥が進むため、有機溶剤に対する溶解性の低い有機半導体材料が表面に集まりやすくなる。そうすると、有機半導体材料と、特定高分子化合物と、の層方向における分離が顕著になりすぎて、特定高分子化合物を多く含む層が有機半導体材料と電極とのコンタクトを妨げてしまうことがある。これにより、作製される有機薄膜トランジスタの移動度が低下してしまう場合がある。
このような問題に対して、本発明者は、鋭意検討の結果、特定高分子化合物に対する有機半導体材料の含有割合を特定範囲とした有機半導体組成物を用いることで、有機半導体組成物の印刷性と、これを用いて作製される有機薄膜トランジスタの移動度と、の両性能を優れたものにできることを見出した。
【００１５】
一方、有機薄膜トランジスタのマイグレーションの発生を抑制して絶縁信頼性を向上するなどの観点から、フェノール性還元剤を用いる場合がある。
しかしながら、特定高分子化合物に対するフェノール性還元剤の含有割合によっては、上記機能（絶縁信頼性の向上）が十分に発揮されなかったり、有機半導体材料の結晶成長が阻害されて、作製された有機薄膜トランジスタの移動度が低下したりする場合がある。
このような問題に対して、本発明者は、特定高分子化合物に対するフェノール性還元剤の含有量が特定範囲である有機半導体組成物を用いることで、作製される有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性および移動度を優れたものにできることを見出した。
以上の理由から、本発明によれば、印刷性に優れ、作製される有機薄膜トランジスタの移動度および絶縁信頼性を優れたものにできる有機半導体組成物が得られたものと推測される。
【００１６】
以下、本発明の有機半導体組成物に含まれる成分および含まれ得る成分について詳述する。
【００１７】
＜有機半導体材料＞
本発明の有機半導体組成物は、有機半導体材料を含有する。有機半導体材料は、半導体としての性質を示す材料である。
【００１８】
特定高分子化合物（後述）の含有量に対する、有機半導体材料の含有量の割合ＭＡ／Ｃ（有機半導体材料／特定高分子化合物）は、質量基準で０．０２〜１０であり、０．１〜８であることが好ましく、０．２５〜７であることがより好ましい。上記割合ＭＡ／Ｃが上記範囲内にあることで、各成分の特性が良好に発揮されるので、有機半導用体組成物の印刷性に優れ、かつ、作製される有機薄膜トランジスタの移動度が優れたものとなる。
一方、上記割合ＭＡ／Ｃが０．０２未満であると、特定高分子化合物が有機半導体材料と電極とのコンタクトを妨げるなどの理由により、作製される有機薄膜トランジスタの移動度が低下してしまう。また、上記割合ＭＡ／Ｃが１０を超えると、印刷性が低下してしまう。このように、上記割合ＭＡ／Ｃが上記範囲外であると、各成分の特性が十分に発揮されない。
【００１９】
有機半導体材料の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．３〜８質量％であることがより好ましく、０．５〜５質量％であることがさらに好ましい。有機半導体材料の含有量が上記範囲内にあることで、有機薄膜トランジスタの移動度がより優れたものとなる。
【００２０】
有機半導体材料としては、例えば、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、および、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＴＥＳ−ＡＤＴ）、および、２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ）等のアントラジチオフェン類、ジフェニルベンゾチエノベンゾチオフェン（ＤＰｈ−ＢＴＢＴ）、および、アルキルベンゾチエノベンゾチオフェン（Ｃｎ−ＢＴＢＴ）等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、アルキルジナフトチエノチオフェン（Ｃｎ−ＤＮＴＴ）等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、フェニルＣ６１酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）等のフラーレン類、銅フタロシアニン、および、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、ポリ（３−アルキルチオフェン）（Ｐ３ＲＴ）、ポリクアテルチオフェン（ＰＱＴ）、および、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類、ならびに、後述する特定有機半導体材料などが挙げられる。
これらの中でも、作製される有機半導体膜の移動度などの性能がより向上する等の観点から、以下の特定有機半導体材料（以下、「成分Ａ」ともいう。）を用いることが好ましい。
本発明において、特定有機半導体材料（成分Ａ）とは、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４つ以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択される少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環、および、フェナントレン環よりなる群から選択される少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体材料のことをいう。
ただし、特定有機半導体材料における縮合多環芳香族基中の部分構造には、アントラセン環は含まれない。上記部分構造にアントラセン環を含んだ場合、理由は不明であるが、得られる有機薄膜トランジスタの移動度及び熱安定性が共に劣化する。
なお、縮合多環芳香族基とは、芳香族環が複数縮合して得られる基である。
芳香族環としては、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）及び芳香族複素環（例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環およびイミダゾール環）が挙げられる。
【００２１】
成分Ａ中には、縮合多環芳香族基（縮合多環芳香族構造）が含まれるが、この基が主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、縮合多環芳香族基の分子量の含有量が、成分Ａの全分子量に対して、３０％以上であることを意図し、４０％以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが、溶解性の点から、８０％以下であることが好ましい。
縮合多環芳香族基は、複数の環が縮合して形成される環構造であり、芳香族性を示す。
成分Ａにおける縮合多環芳香族基中の環数は４以上であり、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、４〜９が好ましく、４〜７がより好ましく、５又は６が更に好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基中、少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含み、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、２〜６つの環が上記原子を含むことが好ましく、２〜４つの環が上記原子を含むことがより好ましい。
また、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子を有することが好ましい。ヘテロ原子の種類は特に制限されず、Ｏ原子（酸素原子）、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｎ原子（窒素原子）およびＳｅ原子（セレン原子）などが挙げられる。
成分Ａにおける縮合多環芳香族基中には、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造が含まれる。なお、上記部分構造としては、アントラセン環は含まれない。
また、成分Ａは、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、チオフェン環構造及び／又はセレノフェン環構造を少なくとも有することが好ましく、チオフェン環構造を少なくとも有することがより好ましく、成分Ａが有する複素環構造が全てチオフェン環構造であることが更に好ましい。
【００２２】
上記縮合多環芳香族基としては、有機薄膜トランジスタ移動度の観点から、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択されたいずれか少なくとも１つの構造を含み、２つ以上のチオフェン環を含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基が好ましい。中でも、部分構造として、ベンゼン環を含み、２つ以上のチオフェン環とを含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基がより好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基としては、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中のチオフェン環の数は、３つ以上が好ましく、３〜５つがより好ましく、３〜４つが更に好ましく、３つが特に好ましい。
また、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中の環数は、４〜６つが好ましく、５〜６つがより好ましく、５つが更に好ましい。上記縮合多環芳香族基としては、２つのベンゼン環と、３つのチオフェン環とを含み、かつ、環数が５つである縮合多環芳香族基であることが特に好ましい。
【００２３】
更に、縮合多環芳香族基としては、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含む環（複素環。好ましくは、チオフェン環）と、ベンゼン環とが交互に縮合（縮環）した基（縮合してなる基）が好ましく挙げられる。
【００２４】
成分Ａとしては、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式１〜式１６のいずれかで表される１種以上の化合物であることがより好ましい。
本発明の組成物中には、１種のみの成分Ａが含まれていても、２種以上の成分Ａが含まれていてもよい。
【００２５】
【化１】
0006484700.tif 000002
【００２６】
【化２】
0006484700.tif 000003
【００２７】
【化３】
0006484700.tif 000004
【００２８】
【化４】
0006484700.tif 000005
【００２９】
式１中、Ａ１ａ及びＡ１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
−ＬＷ−ＲＷ      （Ｗ）
式Ｗ中、ＬＷは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、ＲＷはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。
【００３０】
【化５】
0006484700.tif 000006
【００３１】
式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲＷとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲＮは水素原子又は置換基を表し、Ｒｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式２中、Ｘ２ａ及びＸ２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ２ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ２ａはＣＲ２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ２ｂはＣＲ２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ２ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式３中、Ｘ３ａ及びＸ３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ３ｇを表し、Ａ３ａ及びＡ３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ３ｈ又はＮ原子を表す。Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式４中、Ｘ４ａ及びＸ４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｊ、Ｒ４ｋ及びＲ４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｊ、Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆのうち少なくとも一方が上記式Ｗで表される基である場合はＲ４ｅ及びＲ４ｆが表す上記式ＷにおいてＬＷは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。
【００３２】
式５中、Ｘ５ａ及びＸ５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ５ａはＣＲ５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ５ｂはＣＲ５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ５ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式６中、Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式７中、Ｘ７ａ及びＸ７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ７ｉを表し、Ｘ７ｂ及びＸ７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式８中、Ｘ８ａ及びＸ８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ８ｉを表し、Ｘ８ｂ及びＸ８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
【００３３】
式９中、Ｘ９ａ及びＸ９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ９ｃ、Ｒ９ｄ及びＲ９ｇ〜Ｒ９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、Ｒ９ａ、Ｒ９ｂ、Ｒ９ｅ及びＲ９ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
式１０中、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ１０ａ及びＸ１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１０ｉを表し、Ｒ１０ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式Ｗで表される基を表す。
式１１中、Ｘ１１ａ及びＸ１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１１ｎを表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１２中、Ｘ１２ａ及びＸ１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１２ｎを表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
【００３４】
式１３中、Ｘ１３ａ及びＸ１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１３ｎを表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１４中、Ｘ１４ａ〜Ｘ１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１４ｉを表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１５中、Ｘ１５ａ〜Ｘ１５ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１５ｇを表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１６中、Ｘ１６ａ〜Ｘ１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１６ｇを表し、Ｒ１６ａ〜Ｒ１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１６ａ〜Ｒ１６ｇのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
【００３５】
−式１で表される化合物−
【００３６】
【化６】
0006484700.tif 000007
【００３７】
式１において、Ａ１ａ及びＡ１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｏ原子（酸素原子）又はＳｅ原子（セレン原子）を表す。Ａ１ａ及びＡ１ｂはＳ原子又はＯ原子が好ましい。また、Ａ１ａ及びＡ１ｂは互いに同一であっても異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。
式１において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆのうち少なくとも１つが後述する式Ｗで表される基である。
【００３８】
式１で表される化合物は、後述する式Ｗで表される基以外のその他の置換基を有していてもよい。
式１のＲ１ａ〜Ｒ１ｆが採りうる置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Ｘが挙げられる。置換基Ｘとしては、後述する式Ｗで表される基、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）２）、スルファト基（−ＯＳＯ３Ｈ）、その他の公知の置換基が挙げられる。なお、本明細書の式１〜式１６においては、「置換基」としては、上記置換基Ｘが好ましく挙げられる。
これらの中でも、後述する式Ｗで表される基以外の基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキニル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基、フェニル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基が特に好ましい。
【００３９】
式１で表される化合物中において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆのうち、式Ｗで表される基以外のその他の置換基の個数は０〜４であることが好ましく、０〜２であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。
また、これら置換基は、更に上記置換基Ｘを有していてもよい。
中でも、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｆはそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。
【００４０】
次に、式Ｗで表される基について説明する。
−ＬＷ−ＲＷ      （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基、又は、二以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。
【００４１】
【化７】
0006484700.tif 000008
【００４２】
式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲＷとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。より具体的には、例えば、式１で表される化合物においては、波線部分は式１で表される骨格を形成する環と結合する。なお、後述するように、式Ｗが他の化合物に含まれる場合、波線部分は各化合物の骨格を形成する環と結合する。
なお、ＬＷが式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が２つ以上結合した二価の連結基を表す場合、一方の連結基の＊が、他方の連結基の波線部分と結合する。
式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’の結合位置及びＲＷとの結合位置＊は、芳香環又は複素芳香環上の任意の位置をとることができる。
式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ＲＮは水素原子又は置換基を表す。Ｒｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式Ｌ−１及び式Ｌ−２中のＲ’はそれぞれＬＷに隣接するＲＷと結合して縮合環を形成してもよい。
【００４３】
これらの中でも、式Ｌ−１７〜式Ｌ−２１、式Ｌ−２３及び式Ｌ−２４のいずれかで表される二価の連結基は、下記式Ｌ−１７Ａ〜式Ｌ−２１Ａ、式Ｌ−２３Ａ及び式Ｌ−２４Ａで表される二価の連結基であることがより好ましい。
【００４４】
【化８】
0006484700.tif 000009
【００４５】
ここで、置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、式Ｗにおける−ＲＷ単独と解釈することもでき、式Ｗにおける−ＬＷ−ＲＷと解釈することもできる。
本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換又は無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で式Ｗにおける−ＬＷ−ＲＷと解釈することとし、具体的には「式ＷにおけるＬＷに相当する式Ｌ−１で表される基１個」と「式ＷにおけるＲＷに相当する主鎖が炭素数Ｎ−１個の置換又は無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ−オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である式Ｌ−１で表される基１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、式ＷにおけるＲＷ単独と解釈する。例えば、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−ＯＣＨ３基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが３のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。
【００４６】
ＬＷが式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した連結基を形成する場合、式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される２価の連結基の結合数は、２〜４であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。
【００４７】
式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４中の置換基Ｒ’としては、上記の式１のＲ１ａ〜Ｒ１ｆが採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、式Ｌ−６中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、式Ｌ−６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基の炭素数は１〜９であることが好ましく、４〜９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５〜９であることがさらに好ましい。式Ｌ−６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基は直鎖アルキル基であることが、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
ＲＮは水素原子又は置換基を表し、ＲＮとしては、上記の式１のＲ１ａ〜Ｒ１ｆが採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、ＲＮとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。
Ｒｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒｓｉがとり得るアルキル基としては、特に制限はないが、Ｒｓｉがとり得るアルキル基の好ましい範囲は、Ｒがトリアルキルシリル基である場合にトリアルキルシリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒｓｉがとり得るアルケニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。Ｒｓｉがとり得るアルキニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。
【００４８】
ＬＷは、式Ｌ−１〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−１〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることが好ましく、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることがより好ましく、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基とを結合した二価の連結基であることが特に好ましい。
式Ｌ−３、式Ｌ−１３又は式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基は、式Ｌ−１で表される二価の連結基がＲＷ側に結合することが好ましい。
また、ＬＷは、化学的安定性、キャリア輸送性の観点から式Ｌ−１で表される二価の連結基を含む二価の連結基であることが特に好ましく、式Ｌ−１で表される二価の連結基であることがより特に好ましく、ＬＷが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、ＲＷが置換又は無置換のアルキル基であることが最も好ましい。
【００４９】
式Ｗにおいて、ＲＷは置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。
式Ｗにおいて、ＲＷに隣接するＬＷが式Ｌ−１で表される二価の連結基である場合は、ＲＷは置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式Ｗにおいて、ＲＷに隣接するＬＷが式Ｌ−２又は式Ｌ−４〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基である場合は、ＲＷは置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式Ｗにおいて、ＲＷに隣接するＬＷが式Ｌ−３で表される二価の連結基である場合は、ＲＷは置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましい。
【００５０】
ＲＷが置換又は無置換のアルキル基の場合、炭素数は４〜１７であることが好ましく、６〜１４であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６〜１２であることが更に好ましい。Ｒが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
ＲＷがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
これらの中でも、式ＷにおけるＲＷとＬＷの組み合わせとしては、式１中、ＬＷが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基であるか、あるいは、ＬＷが式Ｌ−３、式Ｌ−１３又は式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖のアルキル基であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
ＬＷが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基である場合、ＲＷが直鎖の炭素数７〜１４のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数７〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
ＬＷが式Ｌ−３、式Ｌ−１３又は式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖のアルキル基である場合、ＲＷが直鎖の炭素数４〜１７のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６〜１４のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数６〜１２のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点から特に好ましい。
一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、ＲＷが分枝アルキル基であることが好ましい。
ＲＷが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、ＲＷがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、ＲＷは無置換のアルキル基であることが好ましい。
【００５１】
ＲＷがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｖ−ＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは、水素原子又は置換基を表す。）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましい。
オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１〜３のアルキル基で封止されること、すなわち、Ｙが炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
【００５２】
ＲＷが、シロキサン基、又は、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２〜４であることが好ましく、２〜３であることがさらに好ましい。また、ケイ素原子（Ｓｉ原子）には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。ケイ素原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基又は水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。
【００５３】
ＲＷに隣接するＬＷが式Ｌ−３で表される二価の連結基である場合、ＲＷが置換又は無置換のトリアルキルシリル基であることも好ましい。ＲＷが置換又は無置換のトリアルキルシリル基である場合はその中でも、シリル基の置換基としては、置換又は無置換のアルキル基であれば特に制限はないが、分枝アルキル基であることがより好ましい。ケイ素原子に結合するアルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。ＲＷがアルキル基上に更に置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の置換基としては、特に制限はない。
【００５４】
式Ｗにおいて、ＬＷ及びＲＷに含まれる炭素数の合計は５〜１８であることが好ましい。ＬＷ及びＲＷに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、キャリア移動度が高くなり、駆動電圧が低くなる。ＬＷ及びＲＷに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、有機溶媒に対する溶解性が高くなる。
ＬＷ及びＲＷに含まれる炭素数の合計は、５〜１４であることが好ましく、６〜１４であることがより好ましく、６〜１２であることが更に好ましく、８〜１２であることが特に好ましい。
【００５５】
式１で表される化合物中において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｆのうち、式Ｗで表される基の個数は１〜４個であることが好ましく、１〜２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
【００５６】
本発明では、式１において、Ｒ１ａ及びＲ１ｂのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基であることが好ましい。式１における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、式１において、Ｒ１ａ及びＲ１ｂの２箇所を置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
また、式１において、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｆがそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。
【００５７】
−式２で表される化合物−
【００５８】
【化９】
0006484700.tif 000010
【００５９】
式２中、Ｘ２ａ及びＸ２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ２ｉ（＞Ｎ−Ｒ２ｉ）、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ２ａ及びＸ２ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ２ａ及びＸ２ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Ｘ２ａ及びＸ２ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ２ａ及びＸ２ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ２ｉは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ２ｉがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
【００６０】
式２中、Ａ２ａは、ＣＲ２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ２ｂは、ＣＲ２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ２ｇ及びＲ２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ２ａがＣＲ２ｇであるか、Ａ２ｂがＣＲ２ｈであることが好ましく、Ａ２ａがＣＲ２ｇであり、かつＡ２ｂがＣＲ２ｈであることがより好ましい。Ａ２ａ及びＡ２ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。
式２において、Ｒ２ｅとＲ２ｇとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式２において、Ｒ２ｆとＲ２ｈとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
【００６１】
式２中、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される置換基を表す。
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈがそれぞれ独立に、とりうる置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈがそれぞれ独立に、とりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基及び式Ｗで表される基が特に好ましく、式Ｗで表される基がより特に好ましい。
【００６２】
式２で表される化合物中、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈのうち、式Ｗで表される基は１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ２ｅ又はＲ２ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
【００６３】
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
【００６４】
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å（＝０．３７ｎｍ）以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。
ここで、連結基鎖長とはＣ（炭素原子）−Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６−３１Ｇ＊、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。
【００６５】
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ２ａ〜Ｒ２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
【００６６】
−式３で表される化合物−
【００６７】
【化１０】
0006484700.tif 000011
【００６８】
式３において、Ｒ３ａ〜Ｒ３ｆ並びに後述するＲ３ｇ及びＲ３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。
Ｒ３ａ〜Ｒ３ｈで表される置換基としては、上記置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ３ａ〜Ｒ３ｆがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、又は、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましい。
【００６９】
式３において、Ｘ３ａ及びＸ３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ３ｇ（＞Ｎ−Ｒ３ｇ）を表し、Ｒ３ｇは水素原子又は置換基を表す。Ｘは、Ｓ原子、Ｏ原子が好ましい。式３において、Ｘ３ａ及びＸ３ｂは、同じであることが好ましい。
Ｒ３ｇは、水素原子、アルキル基、又は、アリール基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数４〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。Ｒ３ｇが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ３ｇがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
【００７０】
式３において、Ａ３ａ及びＡ３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ３ｈ又はＮ原子を表し、ＣＲ３ｈを表すことが好ましい。式３において、Ａ３ａ及びＡ３ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。
Ｒ３ｈは連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ３ｈは、水素原子、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
Ｒ３ｈが炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。Ｒ３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ３ｈが炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ３ｈが炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、又は、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ３ｈが炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。Ｒ３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
【００７１】
−式４で表される化合物−
【００７２】
【化１１】
0006484700.tif 000012
【００７３】
式４中、Ｘ４ａ及びＸ４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。
Ｘ４ａ及びＸ４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが好ましく、Ｘ４ａ及びＸ４ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点からより好ましい。Ｘ４ａ及びＸ４ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ４ａ及びＸ４ｂはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。
【００７４】
式４中、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表す。４ｐ及び４ｑがそれぞれ独立に、０又は１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、４ｐ＝４ｑ＝０又は４ｐ＝４ｑ＝１であることがより好ましい。
【００７５】
式４中、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち少なくとも一つは式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、Ｒ４ｅとＲ４ｆとが表す式Ｗにおいて、ＬＷは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。なお、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
【００７６】
Ｒ４ｅ及びＲ４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、すなわちＲ４ｅ及びＲ４ｆのうちいずれか一方でも水素原子でもなくハロゲン原子でもない場合に相当する。
Ｒ４ｅ及びＲ４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆが表す式Ｗにおいて、ＬＷは上記式Ｌ−３で表される二価の連結基であることが好ましい。
Ｒ４ｅ及びＲ４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆは、いずれも式Ｗで表される基であることが好ましい。
なお、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆがともに水素原子又はハロゲン原子の場合、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｄ、Ｒ４ｇ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｄ、Ｒ４ｇ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち少なくとも１つ以上は式Ｗで表される基となる。
【００７７】
式４中、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、フッ素原子又は塩素原子であることがより好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。
【００７８】
式４で表される化合物中、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち、ハロゲン原子は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
【００７９】
式４で表される化合物中、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ４ａ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、式４中、Ｒ４ａ、Ｒ４ｄ〜Ｒ４ｇ、Ｒ４ｊ、Ｒ４ｋ及びＲ４ｍがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ４ｂ、Ｒ４ｃ、Ｒ４ｈ及びＲ４ｉがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ４ｂ、Ｒ４ｃ、Ｒ４ｈ及びＲ４ｉのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、Ｒ４ａ、Ｒ４ｃ〜Ｒ４ｈ及びＲ４ｊがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ４ｂ及びＲ４ｉがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基であることがより好ましい。
本発明では、Ｒ４ｂ及びＲ４ｉがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ４ｃ及びＲ４ｈがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ４ｃ及びＲ４ｈがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ４ｂ及びＲ４ｉがともに水素原子又はハロゲン原子であることが更に好ましい。
本発明では、Ｒ４ｂ及びＲ４ｉがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ４ｃ及びＲ４ｈがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ４ｃ及びＲ４ｈがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ４ｂ及びＲ４ｉがともに水素原子又はハロゲン原子であることが特に好ましい。
式４において、２以上のＲ４ａ〜Ｒ４ｋ及びＲ４ｍは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
【００８０】
−式５で表される化合物−
【００８１】
【化１２】
0006484700.tif 000013
【００８２】
式５中、Ｘ５ａ及びＸ５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ５ａ及びＸ５ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ５ａ及びＸ５ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ５ａ及びＸ５ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ５ａ及びＸ５ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ５ｉは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ５ｉがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
【００８３】
式５中、Ａ５ａはＣＲ５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ５ｂはＣＲ５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ５ｇ及びＲ５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ５ａがＣＲ５ｇであるか、Ａ５ｂがＣＲ５ｈであることが好ましく、Ａ５ａがＣＲ５ｇかつＡ５ｂがＣＲ５ｈであることがより好ましい。Ａ５ａ及びＡ５ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。
【００８４】
式５において、Ｒ５ｅとＲ５ｇとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。
式５において、Ｒ５ｅとＲ５ｉとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。
式５において、Ｒ５ｆとＲ５ｈとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。
式５において、Ｒ５ｆとＲ５ｉは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。
【００８５】
式５中、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
【００８６】
式５で表される化合物中、Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ５ｅ又はＲ５ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
【００８７】
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ５ａ〜Ｒ５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
【００８８】
−式６で表される化合物−
【００８９】
【化１３】
0006484700.tif 000014
【００９０】
式６中、Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ６ａ〜Ｘ６ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ６ｇがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
【００９１】
式６中、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。
なお、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
これらの中でも、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、又は、アルキルチオ基、式Ｗで表される基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基、又は、式Ｗで表される基が更に好ましく、式Ｗで表される基が特に好ましい。
【００９２】
式６で表される化合物中、Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ６ｃ〜Ｒ６ｆであることが好ましく、Ｒ６ｅ又はＲ６ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。
【００９３】
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ６ａ〜Ｒ６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
【００９４】
−式７で表される化合物−
【００９５】
【化１４】
0006484700.tif 000015
【００９６】
式７中、Ｘ７ａ及びＸ７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ７ｉ（＞Ｎ−Ｒ７ｉ）を表し、Ｘ７ｂ及びＸ７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ７ａ〜Ｘ７ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ７ａ〜Ｘ７ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ７ａ〜Ｘ７ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ７ａ〜Ｘ７ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
【００９７】
式７中、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ７ｉは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ７ｉがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。
【００９８】
式７で表される化合物中、Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ７ｄ又はＲ７ｈであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ７ｄ及びＲ７ｈがより好ましい。
式７のＲ７ａ〜Ｒ７ｉのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ７ａ〜Ｒ７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
【００９９】
−式８で表される化合物−
【０１００】
【化１５】
0006484700.tif 000016
【０１０１】
式８中、Ｘ８ａ及びＸ８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ８ｉを表し、Ｘ８ｂ及びＸ８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ８ａ〜Ｘ８ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ８ａ〜Ｘ８ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ８ａ〜Ｘ８ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ８ａ〜Ｘ８ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
【０１０２】
式８中、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ８ｉは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ８ｉがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。
【０１０３】
式８で表される化合物中、Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ８ｃ又はＲ８ｇであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ８ｃ及びＲ８ｇがより好ましい。
また、式８のＲ８ａ〜Ｒ８ｉのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
【０１０４】
Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ８ａ〜Ｒ８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
【０１０５】
−式９で表される化合物−
【０１０６】
【化１６】
0006484700.tif 000017
【０１０７】
式９中、Ｘ９ａ及びＸ９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。中でも、Ｓ原子が好ましい。
Ｒ９ｃ、Ｒ９ｄ及びＲ９ｇ〜Ｒ９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される置換基を表す。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ９ａ、Ｒ９ｂ、Ｒ９ｅ及びＲ９ｆは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒ９ａ、Ｒ９ｂ、Ｒ９ｅ及びＲ９ｆで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。
なお、Ｒ９ｃ、Ｒ９ｄ及びＲ９ｇ〜Ｒ９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、ＬＷは式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基である。）を表すことが好ましい。中でも、Ｒ９ｃ、Ｒ９ｄ及びＲ９ｇ〜Ｒ９ｊは、水素原子がより好ましい。
なお、ＬＷとしては、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７又は式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることが好ましい。
Ｒ９ａ〜Ｒ９ｉのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表すことが好ましい。
【０１０８】
式９で表される化合物中、Ｒ９ａ〜Ｒ９ｉのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ９ａ〜Ｒ９ｉのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ９ｂ又はＲ９ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ９ｂ及びＲ９ｆがより好ましい。
また、式９のＲ９ａ〜Ｒ９ｉのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。
【０１０９】
−式１０で表される化合物−
【０１１０】
【化１７】
0006484700.tif 000018
【０１１１】
式１０中、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。なお、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
中でも、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を表し、Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈのうち少なくとも１つは、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
式１０のＲ１０ａ〜Ｒ１０ｈは、Ｒ１０ｂ及びＲ１０ｆのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることがより好ましく、Ｒ１０ｂ及びＲ１０ｆのいずれもが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることが更に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記群Ａから選ばれるヘテロアリールチオ基であることが特に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記式Ａ−１７、式Ａ−１８、式Ａ−２０で表されるヘテロアリールチオ基であることが最も好ましい。
【０１１２】
アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基又はフェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
ヘテロアリールチオ基としては、３〜１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５又は６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群Ａ（式Ａ−１４〜式Ａ−２７のいずれかで表される基）が特に好ましい。
【０１１３】
【化１８】
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【０１１４】
群Ａ中、Ｒ”及びＲ”Ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
群Ａ中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。
群Ａ中、Ｒ”Ｎは、置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、又は、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、又は、炭素数１〜４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基が特に好ましい。
【０１１５】
アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。
【０１１６】
アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６〜２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜１５がより好ましく、８〜１２が特に好ましい。
【０１１７】
アルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。
Ｒ１０ａ〜Ｒ１０ｈのうち、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう。）は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
【０１１８】
Ｘ１０ａ及びＸ１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲｘ（＞Ｎ−Ｒｘ）を表す。Ｘ１０ａ及びＸ１０ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１０ａ及びＸ１０ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ１０ａ及びＸ１０ｂは、いずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒｘはそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表す。式Ｗで表される基の定義は上述の通りである。
【０１１９】
−式１１で表される化合物−
【０１２０】
【化１９】
0006484700.tif 000020
【０１２１】
式１１中、Ｘ１１ａ及びＸ１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１１ｎを表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｋ、Ｒ１１ｍ及びＲ１１ｎのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
【０１２２】
式１１中、Ｘ１１ａ及びＸ１１ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１１ａ及びＸ１１ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ１１ａ及びＸ１１ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１１のＲ１１ａ〜Ｒ１１ｋ及びＲ１１ｍは、Ｒ１１ｃ及びＲ１１ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ１１ｃ及びＲ１１ｉのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。
【０１２３】
−式１２で表される化合物−
【０１２４】
【化２０】
0006484700.tif 000021
【０１２５】
式１２中、Ｘ１２ａ及びＸ１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１２ｎを表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｋ、Ｒ１２ｍ及びＲ１２ｎのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
【０１２６】
式１２中、Ｘ１２ａ及びＸ１２ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１２ａ及びＸ１２ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ１２ａ及びＸ１２ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１２のＲ１２ａ〜Ｒ１２ｋ及びＲ１２ｍは、Ｒ１２ｃ及びＲ１２ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ１２ｃ及びＲ１２ｉのいずれもが、置換又は無置換のアルキル基であることが更に好ましい。
【０１２７】
−式１３で表される化合物−
【０１２８】
【化２１】
0006484700.tif 000022
【０１２９】
式１３中、Ｘ１３ａ及びＸ１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１３ｎを表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１３ａ〜Ｒ１３ｋ、Ｒ１３ｍ及びＲ１３ｎのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
【０１３０】
式１３中、Ｘ１３ａ及びＸ１３ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１３ａ及びＸ１３ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ１３ａ及びＸ１３ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１３のＲ１３ａ〜Ｒ１３ｋ及びＲ１３ｍは、Ｒ１３ｃ及びＲ１３ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ１３ｃ及びＲ１３ｉのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。
【０１３１】
−式１４で表される化合物−
【０１３２】
【化２２】
0006484700.tif 000023
【０１３３】
式１４中、Ｘ１４ａ〜Ｘ１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１４ｉを表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｉのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ１４ａ〜Ｒ１４ｈの少なくとも１つが式Ｗで表される基であり、ＲＷがアルキル基である場合には、ＬＷは式Ｌ−２〜式Ｌ−２５のいずれかで表される基であることが好ましい。
【０１３４】
式１４中、Ｘ１４ａ〜Ｘ１４ｃのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１４ａ〜Ｘ１４ｃは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ１４ａ〜Ｘ１４ｃはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
ＲＷがアルキル基である場合のＬＷとしては、式Ｌ−２〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７、又は、式Ｌ−１８のいずれかで表される基が好ましく、式Ｌ−３、式Ｌ−１３、又は、式Ｌ−１８のいずれかで表される基がより好ましい。
式１４のＲ１４ａ〜Ｒ１４ｈは、Ｒ１４ｂ及びＲ１４ｇのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ１４ｂ及びＲ１４ｇのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
【０１３５】
−式１５で表される化合物−
【０１３６】
【化２３】
0006484700.tif 000024
【０１３７】
式１５中、Ｘ１５ａ〜Ｘ１５ｄはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１５ｇを表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１５ａ〜Ｒ１５ｇのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
【０１３８】
式１５中、Ｘ１５ａ〜Ｘ１５ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１５ａ〜Ｘ１５ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ１５ａ〜Ｘ１５ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１５のＲ１５ａ〜Ｒ１５ｆは、Ｒ１５ｂ及びＲ１５ｅのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ１５ｂ及びＲ１５ｅのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
【０１３９】
−式１６で表される化合物−
【０１４０】
【化２４】
0006484700.tif 000025
【０１４１】
式１６中、Ｘ１６ａ〜Ｘ１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ１６ｇを表す。Ｒ１６ａ〜Ｒ１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ１６ａ〜Ｒ１６ｇのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ１６ｃ及びＲ１６ｆは、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、ＬＷは、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基である。）であることが好ましい。Ｒ１６ａ、Ｒ１６ｂ、Ｒ１６ｄ、Ｒ１６ｅ及びＲ１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表すことが好ましい。
なお、式１６において、ＬＷは、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基であり、Ｒ１６ｃ及びＲ１６ｆが式Ｗで表される基の場合、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７、式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることが好ましい。
【０１４２】
式１６中、Ｘ１６ａ〜Ｘ１６ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１６ａ〜Ｘ１６ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ１６ａ〜Ｘ１６ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１６のＲ１６ａ〜Ｒ１６ｆは、Ｒ１６ａ及びＲ１６ｄのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ１６ａ及びＲ１６ｄのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
また、Ｒ１６ｃ及びＲ１６ｆは、水素原子であることが好ましい。
【０１４３】
成分Ａは、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、アルキル基を有することが好ましく、炭素数６〜２０のアルキル基を有することがより好ましく、炭素数７〜１４のアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機薄膜トランジスタの移動度及び熱安定性により優れる。
また、成分Ａは、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、１つ以上のアルキル基を有することが好ましく、２〜４つのアルキル基を有することがより好ましく、２つのアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機薄膜トランジスタの移動度及び熱安定性により優れる。
【０１４４】
成分Ａの分子量は、特に制限されないが、分子量が３，０００以下であることが好ましく、２，０００以下であることがより好ましく、１，０００以下であることが更に好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができる。一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることが更に好ましい。
【０１４５】
成分Ａの合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。上記式１〜式１６で表される化合物の合成方法としては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，１１６，  ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  ２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０などが挙げられる。
【０１４６】
なお、有機薄膜トランジスタの移動度の観点から、成分Ａは、式１〜式９、式１４または式１５のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式１〜式９または式１５のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことがより好ましい。
【０１４７】
以下に成分Ａの好ましい具体例を示すが、これらに限定されないことは言うまでもない。
【０１４８】
【化２５】
0006484700.tif 000026
【０１４９】
【化２６】
0006484700.tif 000027
【０１５０】
【化２７】
0006484700.tif 000028
【０１５１】
【化２８】
0006484700.tif 000029
【０１５２】
【化２９】
0006484700.tif 000030
【０１５３】
【化３０】
0006484700.tif 000031
【０１５４】
【化３１】
0006484700.tif 000032
【０１５５】
【化３２】
0006484700.tif 000033
【０１５６】
【化３３】
0006484700.tif 000034
【０１５７】
【化３４】
0006484700.tif 000035
【０１５８】
＜フェノール性還元剤＞
本発明の有機半導体組成物は、フェノール性還元剤を含有する。フェノール性還元剤は、マイグレーションを抑制する機能を有することから、「マイグレーション抑制剤」や「フェノール性防止剤」と呼ばれる場合がある。
本発明においてマイグレーション（エレクトロマイグレーション）とは、金属などの導電性物質がイオン化して、イオンが移動（マイグレーション）することを表す。
【０１５９】
特定高分子化合物（後述）の含有量に対する、フェノール性還元剤の含有量の割合ＭＢ／Ｃ（フェノール性還元剤／高分子化合物）は、質量基準で０．１〜５であり、０．２〜４であることが好ましく、０．３〜３．３であることがより好ましい。上記割合ＭＢ／Ｃが上記範囲内にあることで、各成分の特性が良好に発揮されるので、作製される有機薄膜トランジスタの移動度および絶縁信頼性が優れたものとなる。
一方、上記割合ＭＢ／Ｃが０．１未満であると、フェノール性還元剤の機能が十分に発揮されなくなり、作製される有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性が低下してしまう。また、上記割合ＭＢ／Ｃが５を超えると、有機半導体材料の結晶成長が阻害されるなどの理由により、作製される有機薄膜トランジスタの移動度が低下してしまう。このように、上記割合ＭＢ／Ｃが上記範囲外であると、各成分の特性が十分に発揮されない。
【０１６０】
フェノール性還元剤の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、０．０１〜５質量％であることが好ましく、０．０５〜３質量％であることがより好ましく、０．２〜２質量％であることがさらに好ましい。フェノール性還元剤の含有量が上記範囲内にあることで、有機薄膜トランジスタの移動度および絶縁信頼性がより優れたものとなる。
【０１６１】
本発明において、フェノール性還元剤としては、マイグレーションを抑制する機能がより向上するという観点から、以下の化合物Ｘおよび化合物Ｙの少なくとも一方を含むことが好ましい。
化合物Ｘ：一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基からなる群より選択される基を２つ以上含む化合物
化合物Ｙ：一般式（Ｃ）で表される化合物
以下、式中の各基について説明する。
【０１６２】
【化３５】
0006484700.tif 000036
【０１６３】
一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
【０１６４】
さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
【０１６５】
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
【０１６６】
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
【０１６７】
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【０１６８】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【０１６９】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
【０１７０】
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
【０１７１】
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【０１７２】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
【０１７３】
なお、本明細書のフェノール性還元剤の説明において、「置換基」とは上記の意味を表す。
【０１７４】
なかでも、得られる有機薄膜トランジスタの移動度および／または絶縁信頼性がより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、または、アルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ3は水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
なお、Ｒ1とＲ2とが両方とも水素原子であることはない。
また、式中、＊は結合位置を示す。
【０１７５】
一般式（Ｂ）中、Ｒ4は置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ4はアルキル基、または、アルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基がより好ましい。
Ｒ5〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ5およびＲ7は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
Ｒ6は水素原子、アルキル基、またはアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基がより好ましい。
【０１７６】
Ｘは、２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、炭素数１〜１２のアルキレン基。より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基など）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ20−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ20−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ２ＮＲ20−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、またはこれらを複数組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ20は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
＊は結合位置を示す。
【０１７７】
一般式（Ｃ）中、Ｒ8およびＲ12は、それぞれ独立に、置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ8およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基、またはアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基がより好ましい。
Ｒ9〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ9〜Ｒ11およびＲ13〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
Ｒ9、Ｒ11、Ｒ13およびＲ15は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。Ｒ10およびＲ14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、またはアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基がより好ましい。
【０１７８】
Ｚは、−ＣＯＲ16Ｒ17−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−ＰＲ−、−ＰＯＲ−、−ＣＯＣＯ−、−ＮＨＮＨ−または−Ｓ−Ｓ−を表す。
なお、Ｒは、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。Ｒとしては、水素原子またはアルキル基が好ましい。
また、Ｒ16およびＲ17は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
【０１７９】
化合物Ｘは、上述した一般式（Ａ）で表される基および一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基を少なくとも２つ以上を含み、本発明の効果がより優れる点で、３つ以上含むことが好ましく、４つ以上含むことがより好ましい。上限は特に制限されないが、合成上の点から、１２つ以下含むことが好ましく、６つ以下含むことがより好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、化合物Ｘには一般式（Ａ）で表される基が少なくとも含まれることが好ましく、特に、一般式（Ａ）で表される基が上記好適範囲の数含まれることがより好ましい。
【０１８０】
化合物Ｘは、高分子化合物であっても低分子化合物であってもよい。例えば、高分子化合物としては、多分岐高分子（ハイパーブランチポリマー、デンドリマーなど）であってもよい。
化合物Ｘおよび化合物Ｙの分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、有機半導体材料の結晶性の点からは、３３０以上が好ましく、５００以上がより好ましい。
【０１８１】
上記化合物（Ｘ）の好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式（Ｄ）で表される化合物が挙げられる。
一般式（Ｄ）      （Ｒｘ）ｎ−Ｌ−（Ｒｙ）ｍ
一般式（Ｄ）中、Ｒｘは、一般式（Ｅ）で表される基、および、一般式（Ｂ）で表される基からなる群から選択される基である。一般式（Ｂ）で表される基の定義は、上述の通りである。
一般式（Ｅ）で表される基中のＲ1〜Ｒ3の定義は、一般式（Ａ）で表される基中の各基の定義と同義である。
【０１８２】
【化３６】
0006484700.tif 000037
【０１８３】
一般式（Ｅ）中、Ｙは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、上述したＸで表される２価の連結基の定義と同義である。なお、Ｙの好適態様としては、アルキレン基、−Ｌ10−Ｌ11−Ｌ10−（Ｌ10：アルキレン基、Ｌ11：エステル基またはアミド基）が挙げられ、アルキレン基には−Ｏ−が含まれていてもよい。
＊は結合位置を示す。ただし、Ｒ1とＲ2が両方とも水素原子ではない。
また、ｎが２以上の場合、複数のＲｘは同一でも異なっていてもよい。
【０１８４】
Ｒｙは、水素原子または置換基を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｙは、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。ｍが２以上の場合、複数のＲｙは同一でも異なっていてもよい。
【０１８５】
Ｌは、ｎ＋ｍ価の連結基を表す。例えば、ｎ＋ｍ＝２の場合は２価の連結基を、ｎ＋ｍ＝３の場合は３価の連結基を、ｎ＋ｍ＝４の場合は４価の連結基、ｎ＋ｍ＝５の場合は５価の連結基、および、ｎ＋ｍ＝６の場合は６価の連結基を表す。
Ｌの好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式（１）〜一般式（１０）で表される基からなる群から選択される基が挙げられる。＊は、結合位置を示す。
なお、一般式（１）、（２）、（８）および（９）の場合はｎ＋ｍ＝２であり、一般式（３）〜（５）の場合はｎ＋ｍ＝３であり、一般式（６）の場合はｎ＋ｍ＝４であり、一般式（７）および（１０）の場合はｎ＋ｍ＝６である。
なお、一般式（１０）中、Ｌ1は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、Ｘで表される２価の連結基の定義と同義である。
【０１８６】
【化３７】
0006484700.tif 000038
【０１８７】
ｎは２〜６の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎ＋ｍ≦６を満たす。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ｎは２〜４の整数を表すことが好ましい。また、ｍは０〜２の整数を表すことが好ましく、ｍは０が好ましい。
ｎとｍとの関係の好適態様は、ｎは２〜４の整数を表し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎ＋ｍ≦４を満たす態様が挙げられる。
【０１８８】
一般式（Ｄ）で表される化合物の分子量の好適態様は、上述した化合物Ｘの分子量の範囲が挙げられる。
【０１８９】
上記フェノール性還元剤としては、例えば、以下が例示される。
【０１９０】
【化３８】
0006484700.tif 000039
【０１９１】
【化３９】
0006484700.tif 000040
【０１９２】
【化４０】
0006484700.tif 000041
【０１９３】
＜特定高分子化合物＞
本発明の有機半導体組成物は、特定高分子化合物を含有する。本発明において特定高分子化合物とは、上述した通り、重量平均分子量が５０万以上の高分子化合物のことをいう。
特定高分子化合物の機能の一つとしては、上述したように、有機半導体組成物の粘度を調整することが挙げられる。これにより、有機半導体組成物を印刷に適した粘度とすることが容易になる。
特定高分子化合物の重量平均分子量は、５０万以上であり、有機半導体組成物が印刷により適したものになるという点から、８０万〜２０００万が好ましく、１５０万〜８００万がより好ましく、２００万〜６００万がさらに好ましい。
【０１９４】
本発明における各成分の重量平均分子量は、ポリスチレン換算によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定により求めた値である。
より具体的には、重量平均分子量の測定は、下記条件で、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いて行う。
各成分をテトラヒドロフランに溶解し、東ソー（株）製８０２０ＧＰＣシステムで、ＴＳＫ−ＧＥＬ  ＳｕｐｅｒＨ１０００、ＳｕｐｅｒＨ２０００、ＳｕｐｅｒＨ３０００、ＳｕｐｅｒＨ４０００を直列につなぎ、溶出液としてテトラヒドロフランを用い、紫外線検出器（波長２５４ｎｍ）で測定するものとする。分子量の較正には、ポリスチレンスタンダードを用いる。
【０１９５】
特定高分子化合物としては、絶縁性であるものが好ましく用いられ、具体的には電導度が１０-10Ｓ／ｃｍ以下のものがより好ましく用いられる。
特定高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ゴム、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
特定高分子化合物の具体例としては、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ（α−メチルスチレン）（ＰαＭＳ）、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリ（ビニルアルコール）（ＰＶＡ）、ポリ（ビニルアセテート）（ＰＶＡｃ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、シアノエチルプルラン（ＣＹＰＥＬ）、ポリ（ジビニルテトラメチルジシロキサン−ビス（ベンゾシクロブテン））（ＢＣＢ）、エチレン−プロピレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴムなどが挙げられるが、これらに限定されない。
これらの中でも、特定高分子化合物としては、ベンゼン環を有する高分子化合物（ベンゼン環基を有する単量体単位を有する高分子）が好ましい。ベンゼン環基を有する単量体単位の含有量は特に制限されないが、特定高分子化合物を構成する全単量体単位中、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％が挙げられる。
特定高分子化合物は、１種単独で含有してもよいし、２種以上を含有してもよい。
【０１９６】
特定高分子化合物の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、０．１〜３質量％であることが好ましく、０．１５〜２質量％であることがより好ましく、０．２〜１．５質量％であることが更に好ましい。
【０１９７】
＜界面活性剤＞
本発明の有機半導体組成物は、界面活性剤を含有する。
有機半導体膜は、疎水性の高い基板上に形成されることが多い。また、本発明の有機半導体組成物は印刷に用いられることから、その粘度を低くする必要があるため、基板上でさらに弾かれやすくなる。
そのため、界面活性剤を含有する本発明の有機半導体組成物を用いることで、有機半導体膜の濡れ広がり性が向上して、有機半導体組成物の印刷性が向上する。
【０１９８】
界面活性剤の含有量に対する、特定高分子化合物の含有量の割合ＭＣ／Ｄ（特定高分子化合物／界面活性剤）は、質量基準で０．０１〜２００であることが好ましく、０．５〜１５０であることがより好ましく、１〜１００であることがさらに好ましく、３〜８０であることが特に好ましい。上記割合ＭＣ／Ｄが上記範囲内にあることで、有機半導体組成物の粘度と濡れ広がり性とのバランスが良好になるので、印刷性がより向上する。
界面活性剤の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、０．００５〜２質量％であることが好ましく、０．０１〜１質量％であることがより好ましく、０．０５〜０．５質量％であることがさらに好ましい。界面活性剤の含有量が上記範囲内にあることで、有機半導体組成物の濡れ広がり性が良好になるので、印刷性がより向上する。
【０１９９】
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。この中でも、印刷性がより優れたものとなるという点から、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を用いることが好ましく、有機薄膜トランジスタの移動度がより優れたものとなるという点から、フッ素系界面活性剤を用いることがより好ましい。これらの界面活性剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２００】
フッ素系界面活性剤には、市販品を使用でき、例えば、Ｗ−ＡＨＥ、Ｗ−ＡＨＩ（以上、富士フイルム（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、同Ｆ７８１、同Ｆ７８１Ｆ（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。
【０２０１】
シリコーン系界面活性剤としては、印刷性をより向上するという点から、変性シリコーン系界面活性剤を用いることが好ましい。
変性シリコーン界面活性剤としては、例えば、アルキル基、アラルキル基、ポリエーテル基および高級脂肪酸エステルからなる群より選択される少なくとも１種の基で変性されたシリコーン界面活性剤を用いることができ、これらの中でも、アルキル基およびアラルキル基の少なくとも一方で変性されたシリコーン系界面活性剤を用いることが好ましい。
上記のシリコーン系界面活性剤には、市販品を用いることができ、例えば、トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、同ＳＨ７ＰＡ、同ＤＣ１１ＰＡ、同ＳＨ２１ＰＡ、同ＳＨ２８ＰＡ、同ＳＨ２９ＰＡ、同ＳＨ３０ＰＡ、同ＳＨ８４００（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、ＴＳＦ−４４４０、ＴＳＦ−４３００、ＴＳＦ−４４４５、ＴＳＦ−４４６０、ＴＳＦ−４４５２（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）、ＫＰ３４１、ＫＦ６００１、ＫＦ６００２（以上、信越シリコーン（株）製）、ＢＹＫ３００、ＢＹＫ３０２、ＢＹＫ３０６、ＢＹＫ３０７、ＢＹＫ３１０、ＢＹＫ３２２、ＢＹＫ３２３、ＢＹＫ３３０、ＢＹＫ３３１、ＢＹＫ３３３、ＢＹＫ３３７、ＢＹＫ３４４、ＢＹＫ３５２、ＢＹＫ３５４、ＢＹＫ３５６、ＢＹＫ３７７、ＢＹＫ３７８（以上、ビックケミー社製）等が挙げられる。
【０２０２】
＜特定有機溶剤＞
本発明の有機半導体組成物は、特定有機溶剤を含有する。特定有機溶剤とは、上述したように標準沸点が１５０℃以上の有機溶剤のことをいう。
特定有機溶剤は、有機半導体組成物中において、各成分を溶解や分散させる溶媒として機能する。
特定有機溶剤の標準沸点（すなわち、１気圧下での沸点）は、１５０℃以上であり、１６０〜２８０℃であることが好ましく、１８０〜２５０℃であることがより好ましい。特定有機溶剤の標準沸点が１５０℃以上であることで、印刷装置に付着した有機半導体組成物の蒸発（揮発）にともなう増粘を抑制できる等の理由から、印刷プロセスに良好に適用できる。また、２５０℃以下であることで、乾燥時間を短縮し、製造時のスループットを確保でき、また有機半導体膜内の残留溶剤を少なくできることから性能も維持しやすい。
これに対して、特定有機溶剤の標準沸点が１５０℃未満であると、印刷装置に付着した有機半導体組成物の増粘や固化などが促進されて、印刷プロセスへの適用性が低下する。
【０２０３】
特定有機溶剤の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、９０〜９９質量％であることが好ましく、９５〜９８．５質量％であることがより好ましく、９６〜９８質量％であることがさらに好ましい。特定有機溶剤の含有量が上記範囲内にあることで、有機半導体組成物の印刷プロセスへの適用性がより良好になったり、上述した各成分の溶解性（もしくは分散性）がより向上する傾向にある。
【０２０４】
特定有機溶剤としては、沸点が１５０℃以上であるものであれば特に限定されず、例えば、アニソール、乳酸エチル、シクロヘキサノン、グリコールエーテル系溶剤、ブチルチオフェン、２，４−ルチジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、フェネトール、メトキシトルエン、１，２−メチレンジオキシベンゼン、ベンゾフラン、ベンジルメチルエーテル、１、８−シネオール、メチルベンゾオキサゾール、ジクロロベンゼン、２，２−ジメチル−１，３−ベンゾジオキソール、ジメチルアニソール、ベンゾオキサゾール、エチルベンジルエーテル、エチルアニソール、チオアニソール、２，３−ジヒドロベンゾフラン、ジメチルスルホキシド、ベンゾニトリル、エチレンジオキシチオフェン、アリルフェニルエーテル、酢酸フェニル、デカリン、メチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−２−メチルベンゾフラン、安息香酸エステル、アセトフェノン、クレゾール、１−メチル−２−ピロリジノン、γ―ブチロラクトン、４−エチルフェネトール、アミルベンゼン、テトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）、ジメトキシベンゼン、ブトキシベンゼン、ジブロモチオフェン、ニトロベンゼン、１−フルオロナフタレン、アセチルチオフェン、イソホロン、酢酸ベンジル、ベンゾジオキサン、ジメトキシトルエン、４−tert−ブチルアニソール、p−プロペニルアニソール、キノリン、エチレンカーボネート、メチルベンゾチアゾール、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン、グリシジルフェニルエーテル、ジメチルテトラリン、トリメトキシベンゼン、チオフェンカルボン酸ブチル、ジプロポキシベンゼン、ｐ−アニスアルデヒドジメチルアセタール、ビフェニル、ジフェニルエーテル、ジメチルナフタレン、フェノキシトルエン、テトラヒドロ−２−フェノキシ−２Ｈ−ピラン、ジベンジルエーテル、シクロヘキシルフェニルエーテルなどが挙げられる。これらの中でも、上述した各成分の溶解性（あるいは分散性）がより良好になるという観点から、テトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）、１−フルオロナフタレン、デカリン、ジブロモチオフェンが好ましい。
特定有機溶剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２０５】
本発明の有機半導体組成物は、上記以外の有機溶剤、すなわち沸点が１５０℃未満の有機溶剤を含んでもよい。この場合には、印刷プロセスへの適用性を低下させない程度に使用することができる。
【０２０６】
＜その他の成分＞
本発明の有機半導体組成物は、上述した各成分の機能が発揮できるのであれば、通常の有機半導体組成物に含まれる各種成分を含有してもよい。
【０２０７】
＜物性など＞
本発明の有機半導体組成物の粘度は、印刷プロセスへの適用性により優れるという観点から、印刷時の温度における粘度が５〜１０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０〜５００ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、２０〜１００ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましい。
粘度の測定方法としては、ＪＩＳ  Ｚ８８０３に準拠した測定方法であることが好ましい。具体的には、本発明における粘度の測定は、東機産業社製Ｅ型粘度計（ＴＶＥ−２２）を用いて行うことができる。
【０２０８】
＜有機半導体組成物の調製方法＞
有機半導体組成物の調製方法（製造方法）は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、特定有機溶媒中に所定量の上記の各種成分を添加して、適宜攪拌処理を施すことにより、本発明の有機半導体組成物を得ることができる。
【０２０９】
［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、上記有機半導体組成物を使用して作製された有機半導体膜を有する。このような有機半導体膜の製造方法としては、例えば、所定の基板（基材）上に有機半導体組成物を印刷により付与して、必要に応じて乾燥処理を施す方法が挙げられる。
基板上に組成物を付与する方法は、印刷法を用いるのであれば特に制限されず、例えば、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などを用いることができ、これらの中でもインクジェット印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。この場合、上述した有機半導体組成物は、インクジェット印刷用の有機半導体組成物や、フレキソ印刷用の有機半導体組成物とも呼ばれる。
乾燥処理は、必要に応じて実施される処理であり、有機半導体組成物に含まれる各成分の種類により適宜最適な条件が選択される。なかでも、本発明の効果がより優れ、生産性に優れる点で、加熱温度としては３０〜１５０℃が好ましく、４０〜１２０℃がより好ましく、加熱時間としては１０〜３００分が好ましく、２０〜１８０分がより好ましい。
形成される有機半導体膜の膜厚は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０〜５００ｎｍが好ましく、３０〜２００ｎｍがより好ましい。
【０２１０】
上述した有機半導体組成物は、有機薄膜トランジスタ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）および有機薄膜太陽電池などの有機半導体膜（有機半導体層）を形成する組成物として好適であり、なかでも、有機薄膜トランジスタの有機半導体層（有機半導体層）を形成する組成物として特に好適である。
以下、上述した有機半導体組成物を用いて作製される有機薄膜トランジスタ（有機電界効果トランジスタ）について説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した有機半導体組成物を使用して作製される有機半導体膜（有機半導体層）を有し、さらに、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有することができる。本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した有機半導体組成物を用いて形成された有機半導体層を有しているため、移動度および絶縁信頼性を高いレベルで満たすものである。
【０２１１】
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、その構造は特に限定されるものでなく、例えばボトムコンタクト型やトップコンタクト型など、いずれの構造であってもよい。
以下、本発明の機薄膜トランジスタの一例について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１００の断面模式図である。
図１の例では、有機薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層（有機半導体膜）５０と、封止層６０を有する。ここで、有機半導体層５０は、上述した有機半導体組成物を使用して形成されたものである。
【０２１２】
以下、基板（基材）、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層（有機半導体膜）および封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。
【０２１３】
＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）およびＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、および、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、および、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、および、鉛ガラスなどが挙げられる。
【０２１４】
＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウムおよびナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2およびＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、および、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、および、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、および、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀またはアルミニウムであることがより好ましい。
【０２１５】
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【０２１６】
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、および、凸版印刷（フレキソ印刷）等の印刷法；ならびにマスク蒸着法などが挙げられる。
【０２１７】
＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、および、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、および、酸化チタン等の酸化物；ならびに窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
【０２１８】
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
【０２１９】
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（例えば、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、および、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。ゲート絶縁膜を形成する際の加熱条件としては、特に制限されないが、通常、３０〜２５０℃（好ましくは、８０〜２００℃）にて５〜１２０分間（好ましくは、５〜６０分間）実施することが好ましい。
【０２２０】
＜ソース電極、ドレイン電極＞
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜３０μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、１０〜２００μｍであることが好ましい。
【０２２１】
本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極のうち、少なくとも一つの電極が銀であることができる。電極材料の中でも、銀はイオン化しやすく、マイグレーションの発生原因になりやすい。しかしながら、上述した有機半導体組成物を用いて半導体層を形成すれば、十分にマイグレーションの発生を抑制できる。したがって、電極材料として銀を用いる場合には、本発明の効果が特に顕著に表れる。
【０２２２】
＜有機半導体層＞
有機半導体層（有機半導体膜）は、上述した有機半導体組成物を用いて形成した層である。
有機半導体層の製造方法は、上述した通りであるので、その説明を省略する。
【０２２３】
＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤（封止層形成用組成物）を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
【０２２４】
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して封止層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
封止層を形成する際の加熱条件としては、特に制限されないが、通常、３０〜２５０℃（好ましくは、８０〜２００℃）にて５〜１２０分間（好ましくは、５〜６０分間）実施することが好ましい。
【０２２５】
＜その他の有機薄膜トランジスタ＞
図２は、本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ２００を表す断面模式図である。
図２の例では、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層（有機半導体膜）５０と、封止層６０を有する。ここで、有機半導体層５０は、上述した本発明の有機半導体組成物を用いて形成されたものである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層については上述の通りであるので、その説明を省略する。
【０２２６】
［電子ペーパー、ディスプレイデバイス］
本発明の一実施形態に係る電子ペーパーおよびディスプレイデバイスは、画像を表示する表示部に上述の有機薄膜トランジスタが用いられる以外は、公知の構造を有することができるので、その説明を省略する。
上述した有機薄膜トランジスタは、上述の通り、移動度および絶縁信頼性に優れていることから、電子ペーパーやディスプレイデバイス等の各種の電子デバイスに好適に用いられる。
【実施例】
【０２２７】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。【０２２８】
［有機半導体組成物の調製］
下記第１表に示す各成分を第１表に示す割合となるように混合、攪拌して、実施例および比較例の各有機半導体組成物を調製した。
なお、有機半導体材料および特定高分子化合物などが溶解しくにい場合には、必要に応じて５０℃程度の加熱をしながら攪拌して、各成分を溶解させた。【０２２９】
（Ａ）有機半導体材料
Ａ−１：ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
Ａ−２：ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
Ａ−３：ＯＳＣ−１５（特開２００９−１９０９９９号公報に記載された方法に準じて合成を行った。）
Ａ−４：ＯＳＣ−５（公知文献（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１）を参考にして合成した。）
Ａ−５：ＯＳＣ−９（文献Ａ（Ｋ．Ｍｕｅｌｌｅｎ，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２００８，１５４８−１５５０．）、文献Ｂ（Ｋ．Ｔａｋｉｍｉｙａ，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００７，９，４４９９‐４５０２．）、文献Ｃ（Ｒａｏ；Ｔｉｌａｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  ａｎｄ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５８，ｖｏｌ．１７  Ｂ，ｐ．２６０−２６５．）、文献Ｄ（Ｇｈａｉｓａｓ；Ｔｉｌａｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  ａｎｄ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５５，ｖｏｌ．１４  Ｂ，ｐ．１１．）を参考にして合成した。）【０２３０】
【化４１】
0006484700.tif 000042
【０２３１】
【化４２】
0006484700.tif 000043
【０２３２】
（Ｂ）フェノール性還元剤
・Ｂ−１：ＩＲＧＡＮＯＸ−２４５（商品名、下記式参照、ＢＡＳＦ社製）
・Ｂ−２：ＩＲＧＡＮＯＸ−１０３５（商品名、下記式参照、ＢＡＳＦ社製）
・Ｂ−３：ＩＲＧＡＮＯＸ−１０１０（商品名、下記式参照、ＢＡＳＦ社製）
・Ｂ−４：スミライザーＭＤＰ−Ｓ（商品名、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、下記式参照、住友化学社製)【０２３３】
【化４３】
0006484700.tif 000044
【０２３４】
（Ｃ）高分子化合物
Ｃ−１：ポリスチレン（重量平均分子量（Ｍｗ）：５５万、Polysciences社製）
Ｃ−２：ポリスチレン（重量平均分子量（Ｍｗ）：２１１万、Sigma-Aldrich社製）
Ｃ−３：ポリα−メチルスチレン（重量平均分子量（Ｍｗ）：８５万、Polysciences社製）
Ｃ−４：ポリスチレン（重量平均分子量（Ｍｗ）：１６万、Sigma-Aldrich社製）【０２３５】
（Ｄ）界面活性剤
Ｄ−１：ＢＹＫ−３２３（商品名、アラルキル変性シリコーン系界面活性剤、ＢＹＫ社製）
Ｄ−２：メガファックＦ−７８１Ｆ（商品名、フッ素系界面活性剤、ＤＩＣ社製）
Ｄ−３：フローレンＡＣ−２７７（商品名、アクリル系界面活性剤、共栄社化学社製）【０２３６】
（Ｅ）特定有機溶剤
Ｅ−１：テトラリン（Sigma-Aldrich社製、標準沸点：２０７℃）
Ｅ−２：１−フルオロナフタレン（東京化成社製、標準沸点：２１２℃）【０２３７】
［評価試験］【０２３８】
＜印刷性の評価＞
表面エネルギーが３５ｍＮ／ｍの有機絶縁膜基板に対して、フレキソ印刷機（IGT社製、製品名「F-1」）を用い、上記のようにして得られた実施例および比較例の有機半導体組成物をＷｅｔ膜厚（湿潤時の膜厚）５μｍになる様に全面印刷を行った。その後、基板をホットプレート上で５０℃にて乾燥させた際に、固形分が残存している面積から下記Ａ〜Ｄの評価を行った。実用上Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。結果を第１表に示す。
「Ａ」：固形分が残存している面積が基板全面に対して９５％以上
「Ｂ」：固形分が残存している面積が基板全面に対して９０％以上９５％未満
「Ｃ」：固形分が残存している面積が基板全面に対して８０％以上９０％未満
「Ｄ」：固形分が残存している面積が基板全面に対して８０％未満【０２３９】
＜有機薄膜トランジスタの作製＞
上記のようにして得られた実施例および比較例の各有機半導体組成物を用いて、有機薄膜トランジスタを以下の手順にて作製した後、移動度および絶縁信頼性の評価を行った。
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１／１（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２５μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。フレキソ印刷機（IGT社製、製品名「F-1」）を用い、上記のようにして得られた実施例および比較例の有機半導体組成物をＷｅｔ膜厚（湿潤時の膜厚）５μｍになる様に電極を形成した基板上へ全面印刷を行った。次にグローブボックス内で８０℃、３０分間ベークを行い、厚み１５０ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、１２０℃で２０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、実施例および比較例の有機半導体トランジスタ（ボトムコンタクト型）を得た。【０２４０】
（移動度の評価）
上記のようにして得られた実施例および比較例の有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行った。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ−Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。同様に作製した５素子の平均値を、電界効果移動度μ１とする。
また、上記と同様の手順に従って、実施例および比較例の各有機半導体組成物のそれぞれについて、フェノール性還元剤を含有しない有機半導体組成物（比較組成物）を調製した。例えば、実施例１に対応する比較組成物は、実施例１の有機半導体組成物の組成においてフェノール性還元剤Ｂ−１を含有しないものである。また、実施例６に対応する比較組成物は、実施例６の有機半導体組成物の組成においてフェノール性還元剤Ｂ−２を含有しないものである。
次に、各比較組成物を用いた以外は、実施例１の有機薄膜トランジスタの作製と同様の手順に従って、比較用の有機薄膜トランジスタを作製した。得られた比較用の有機薄膜トランジスタについて、上記μ１と同様の手順に従って、電界効果移動度を算出した。算出した電界効果移動度をμ２とする。
算出したμ１とμ２からμ１／μ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を第１表に示す。実用上、移動度の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：μ１／μ２≧０．８
「Ｂ」：０．８＞μ１／μ２≧０．５
「Ｃ」：０．５＞μ１／μ２≧０．１
「Ｄ」：０．１＞μ１／μ２【０２４１】
（絶縁信頼性の評価）
上記のようにして得られた実施例および比較例の有機薄膜トランジスタの耐久性試験を、以下の方法にしたがって実施して、絶縁信頼性の評価を行った。
まず、得られた有機薄膜トランジスタを温度：６０℃、湿度６０％の恒温恒湿槽内に設置し、Ｖｓ＝−２０Ｖ、Ｖｄ＝０Ｖ、Ｖｇ＝−２０Ｖの電圧をかけた。その間、１０分毎にトランジスタ特性の測定を行い、閾値電圧Ｖｔｈが初期値に対して１０Ｖ以上のシフトが観測された時間をそのトランジスタの寿命時間（Ｔ１）として算出した
また、上述した移動度の評価と同様の手順に従って、フェノール性還元剤を含有しない、有機半導体組成物を使用した比較用の有機薄膜トランジスタを作製した。得られた比較用の有機薄膜トランジスタについて、閾値電圧Ｖｔｈが初期値に対して１０Ｖ以上のシフトが観測された時間をそのトランジスタの寿命時間（Ｔ２）として算出した。
算出したＴ１とＴ２からＴ１／Ｔ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を第１表に示す。絶縁信頼性の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：Ｔ１／Ｔ２≧１０
「Ｂ」：１０＞Ｔ１／Ｔ２≧５
「Ｃ」：５＞Ｔ１／Ｔ２≧１．５
「Ｄ」：１．５＞Ｔ１／Ｔ２【０２４２】
［評価結果］
以上の評価試験の結果を第１表に示す。なお、表中のｗｔ％は、質量％を示す。【０２４３】
【表１】
0006484700.tif 000045
【０２４４】
第１表の評価結果に示す通り、特定高分子化合物に対して、有機半導体材料の含有割合が０．０２〜１０の範囲内にあり、かつ、フェノール性還元剤の含有割合が０．１〜５の範囲内にあることで、印刷性に優れた有機半導体組成物が得られ、これを用いて作製された有機薄膜トランジスタの移動度および絶縁信頼性が優れていた（実施例１〜２０）。
実施例１５〜１７の対比により、シリコーン系界面活性剤またはフッ素系界面活性剤を含有する有機半導体組成物を用いることで（実施例１５、１６）、印刷性がより優れることが示された。特に、フッ素系界面活性剤を用いると（実施例１５）、有機薄膜トランジスタの移動度がより優れることがわかった。フッ素系界面活性剤を用いると、有機半導体組成物を用いて形成される有機半導体膜の濡れ広がり性がより向上して、より均一な膜を形成できたためと推測される。
実施例１１と実施例１３との対比により、界面活性剤に対して、特定高分子化合物の含有割合が２００以下であることで（実施例１１）、印刷性がより向上することが示された。また、実施例１１と実施例１９との対比により、界面活性剤に対して、特定高分子化合物の含有割合が３以上であることで（実施例１１）、作製された有機薄膜トランジスタの移動度および絶縁信頼性がより向上することが示された。【０２４５】
特定高分子化合物および界面活性剤の少なくとも一方を含有しない比較例１および２の有機半導体組成物を用いると、印刷性が低下することが示された。
特定高分子化合物に対する有機半導体材料の含有割合が０．０２〜１０の範囲外（０．０２未満）である比較例３の有機半導体組成物を用いると、作製された有機薄膜トランジスタの移動度が低下することが示された。
特定高分子化合物に対する有機半導体材料の含有割合が０．０２〜１０の範囲外（１０超）であり、かつ、特定高分子化合物に対するフェノール性還元剤の含有割合が０．１〜５の範囲外（５超）である比較例４の有機半導体組成物を用いると、印刷性が低下することが示された。
特定高分子化合物に対するフェノール性還元剤の含有割合が０．１〜５の範囲外（０．１未満）である比較例５の有機半導体組成物を用いると、作製された有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性が低下することが示された。
特定高分子化合物に対するフェノール性還元剤の含有割合が０．１〜５の範囲外（５超）である比較例６の有機半導体組成物を用いると、作製された有機薄膜トランジスタの移動度が低下することが示された。
５０万未満の高分子化合物を含む比較例７の有機半導体組成物を用いると、印刷性が低下することが示された。
【符号の説明】
【０２４６】
１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
１００，２００：有機薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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