(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーアンプに係る電力管の接続構造であって、
基板と、前記基板の上面をカバーしているプリント回路基板と、電力管と、を含み、
前記電力管が通り抜けられるようにしている通し溝が、前記プリント回路基板の中に刻まれており、
設置溝が、前記通し溝に対応している場所における前記基板の上面の中に刻まれており、
前記電力管の一方の端部は、前記通し溝を通じて延びており、かつ、前記設置溝の底面の上に溶接されており、
前記設置溝の中へ延びている電力管の端部は、前記パワーアンプの出力端に近い前記設置溝の側壁の上へ隣接しており、
半田フラックス逃げチャネルが、前記パワーアンプの前記出力端に近い前記設置溝の側壁の中に形成されており、
前記半田フラックス逃げチャネルは、前記パワーアンプの前記出力端に近い前記設置溝の側壁の中に形成された第１の開口であり、
前記プリント回路基板における前記通し溝の内壁と前記電力管の外壁との間には隙間が残されており、かつ、
前記第１の開口は、前記設置溝の底面に対して垂直な半円形の開口である、
パワーアンプに係る電力管の接続構造。
【請求項２】
第２の開口が、前記第１の開口に対応している場所において前記プリント回路基板の中に形成されている、
請求項１に記載のパワーアンプに係る電力管の接続構造。
【請求項３】
前記電力管は、前記プリント回路基板の上面にわたり敷設されたピンを含み、かつ、
貫通穴が、前記第１の開口に対応する場所において前記ピンの中に形成されている、
請求項１または２に記載のパワーアンプに係る電力管の接続構造。
【請求項４】
前記設置溝の底面に対して垂直な側面押し穴が、入力端に近い前記設置溝の側壁の中に形成されている、
請求項１乃至３いずれか一項に記載のパワーアンプに係る電力管の接続構造。
【請求項５】
複数の突出支持部が、前記設置溝の底面において一つの平面に敷設されており、かつ、
前記突出支持部と前記設置溝の底面との間の高さの差が0.1-0.2mmである、
請求項１乃至４いずれか一項に記載のパワーアンプに係る電力管の接続構造。
【請求項６】
４つの突出支持部が存在しており、
２つの突出支持部は、前記パワーアンプの前記出力端の近くに敷設されており、かつ、
残り２つの突出支持部は、前記パワーアンプの入力端の近くに敷設されている、
請求項５に記載のパワーアンプに係る電力管の接続構造。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか一項に記載のパワーアンプに係る電力管の接続構造を含む、パワーアンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーアンプ技術の分野に関し、そして、特定的には、パワーアンプの電力管の接続構造およびパワーアンプに関する。
【０００２】
本特許出願は、２０１５年２月１５日付で中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１５２０１１２２９３．２号に基づく優先権を主張するものである。タイトルは"POWER  TUBE  CONNECTION  STRUCTURE  OF  POWER  AMPLIFIER  AND  POWER  AMPLIFIER"であり、その全体が、ここにおいて参照として包含されている。
【背景技術】
【０００３】
従来のパワーアンプは、２つのタイプを含んでいる。ドロップインパワーアンプ（drop-in  power  amplifier）と表面実装パワーアンプ（surface  mount  power  amplifier）である。図１は、従来技術におけるドロップインパワーアンプの概略構成図であり、基板01、基板01の上面をカバーしているプリント回路基板02、および、電力管（power  tube）03を含んでいる。電力管03が通り抜けられるようにしている通し溝（through  groove）04が、プリント回路基板02の中に刻まれている。通し溝04に対応している場所における基板01の上面の中に、設置溝（mounting  groove）05が刻まれている。電力管03の一方の端は、通し溝04を通じて延びており、そして、設置溝05の底面の上に溶接されている。
【０００４】
電力管03が通し溝04を通り抜け、設置溝05の中に入る（drop-in）のを容易にするために、設置溝05のサイズは、一方の側の電力管03のサイズよりも0.25mm大きい。電力増幅の一貫性を改善するために、パワーアンプの組立て設計では、電力管03がパワーアンプの出力端に近い設置溝の一つの側に向かって押し付けられることを要する。パワーアンプの出力端と、パワーアンプの出力端に近い設置の側壁との間に隙間がないことを保証するためである。しかしながら、その結果として、リフロー半田付け（reflow  soldering）の最中にガス半田フラックス（gas  solder  flux）のための逃げチャネル（escape  channel）が存在せず、そして、半田ボイド（solder  void）が電力管03の底部において形成されてしまう。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の実施例は、パワーアンプの電力管の接続構造およびパワーアンプを提供し、電力管の底部における半田ボイドを防ぐ。
【０００６】
前述の目的を達成するために、第１の態様に従って、本発明の一つの実施例は、基板、基板の上面をカバーしているプリント回路基板、および電力管を含む、パワーアンプに係る電力管の接続構造を提供する。電力管が通り抜けられるようにしている通し溝がプリント回路基板の中に刻まれており、設置溝が通し溝に対応している場所における基板の上面の中に刻まれている。電力管の一方の端部は通し溝を通じて延びており、かつ、設置溝の底面の上に溶接されている。設置溝の中へ延びている電力管の端部はパワーアンプの出力端に近い設置溝の側壁の上へ隣接しており、かつ、半田フラックス逃げチャネルがパワーアンプの出力端に近い設置溝の側壁の中に形成されている。
【０００７】
第１の可能な実施方法において、第１の態様に関して、半田フラックス逃げチャネルは、パワーアンプの出力端に近い設置溝の側壁の中に形成された第１の開口であり、かつ、プリント回路基板における通し溝の内壁と電力管の外壁との間には隙間が残されている。
【０００８】
第２の可能な実施方法において、第１の態様に関して、半田フラックス逃げチャネルは、パワーアンプの出力端に近い設置溝の側壁の中に形成された第１の開口であり、かつ、第２の開口が、第１の開口に対応している場所においてプリント回路基板の中に形成されている。
【０００９】
第３の可能な実施方法において、第１または第２の態様に関して、電力管は、プリント回路基板の上面にわたり敷設されたピンを含み、かつ、貫通穴が、第１の開口に対応する場所においてピンの中に形成されている。
【００１０】
第４の可能な実施方法において、第１または第２の態様に関して、第１の開口は、設置溝の底面に対して垂直な半円形の開口である。
【００１１】
第５の可能な実施方法において、第１の態様に関して、設置溝の底面に対して垂直な側面押し穴が、入力端に近い前記設置溝の側壁の中に形成されている。
【００１２】
第６の可能な実施方法において、第１の態様に関して、複数の突出支持部が、設置溝の底面において一つの平面に敷設されており、かつ、突出支持部と設置溝の底面との間の高さの差が0.1-0.2mmである。
【００１３】
第７の可能な実施方法において、第６の可能な実施方法に従って、４つの突出支持部が存在している。２つの突出支持部は、パワーアンプの出力端の近くに敷設されており、かつ、残り２つの突出支持部は、パワーアンプの入力端の近くに敷設されている。
【００１４】
本発明に係るこの実施例において提供されるパワーアンプに係る電力管の接続構造に従って、半田フラックス逃げチャネルが、パワーアンプの出力端に近い設置溝の側壁の中に形成されており、かつ、溶接の最中に、ガス半田フラックスは、半田フラックス逃げチャネルを通じてパワーアンプから流れ出すことができ、電力管の底部において半田ボイドが形成されるのを防止している。
【００１５】
第２の態様に従って、本発明の一つの実施例は、前述の技術的ソリューションのうちいずれか一つに従ったパワーアンプに係る電力管の接続構造を含んでいる。
【００１６】
本発明に係るこの実施例において提供されるパワーアンプに従って、半田フラックス逃げチャネルが、パワーアンプの出力端に近い設置溝の側壁の中に形成される。溶接の最中に、ガス半田フラックスは、半田フラックス逃げチャネルを通じてパワーアンプから流れ出すことができ、電力管の底部において半田ボイドが形成されるのを防止している。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
本発明の実施例または従来技術における技術的ソリューションをより明確に説明するために、以下に、実施例または従来技術を説明するために必要とされる添付図面を簡単に説明する。明らかに、以下の説明における添付の図面は、本発明のいくつかの実施例を示しているだけであり、そして、当業者は、創造的な努力なしに、これらの添付図面から他の図面さえも引き出すことできる。
【図１】図１は、従来技術におけるドロップインパワーアンプの概略構成図である。
【図２】図２は、本発明の一つの実施例に従った、パワーアンプの電力管の接続構造の概略図である。
【図３】図３は、本発明の一つの実施例に従った、パワーアンプの電力管の接続構造における基板の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施例における添付図面を参照して、本発明の実施例における技術的ソリューションを明確かつ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は、本発明の実施例の単にいくつかであるにすぎないが、全てではない。創造的な努力なしに、本発明の実施例に基づいて、当業者によって獲得される他の全ての実施例は、本発明の保護範囲内に入るものである。
【００１９】
本発明の説明において、用語「中心（"center"）」、「上方（"upper"）」、「下方（"lower"）」、「前方（"ahead"）」、「後方（"behind"）」、「左側（"left"）」、「右側（"right"）」、「垂直（"perpendicular"）」、「水平（"horizontal"）」、「上（"top"）」、「下（"bottom"）」、「内側（"inner"）」、「外側（"outer"）」等によって示される位置または場所の関係性は、添付の図面に基づく位置または場所の関係性である。そして、言及される装置またはコンポーネントが、特定の位置において提供される必要があり、または、特定の位置において構築され、かつ、操作される必要があることを示し、又は、意味する代わりに、本発明の説明の容易および説明の簡素化のために単に意図されているにすぎないものである。そして、従って、本発明における限定として理解されるべきではない。
【００２０】
用語「第１（"first"）」および「第２（"second"）」は、説明の目的のために単に意図されているにすぎないものであり、そして、相対的な重要性の指示または含蓄、または、指示される技術的特徴に係る量の暗黙の指示として理解されるべきではない。従って、「第１」または「第２」によって変更された特徴は、一つまたはそれ以上のそうした特徴を明示的または暗示的に含み得るものである。本発明の説明においては、そうでないものと示されていなければ、「複数（"multiple"）」の意味は２以上である。
【００２１】
図２を参照すると、図２は、本発明の一つの実施例に従った、パワーアンプの電力管の接続構造の概略図を示している。パワーアンプの電力管の接続構造は、基板1、基板1の上面をカバーしているプリント基板2、および電力管3を含んでいる。電力管3が通り抜けできるようにしている通し溝21が、プリント回路基板2の中に刻まれている。設置溝11が、通し溝21に対応している場所において基板1の上面の中に刻まれている。電力管3の一つの端は、通し溝21を通じて延びており、そして、設置溝11の底面の上に溶接されている。設置溝11の中へ延びている電力管3の端部は、パワーアンプの出力端に近い設置溝11の側壁の上へ隣接している。パワーアンプの出力端に近い設置溝11の側壁の中に、半田フラックス逃げチャネル（solder  flux  escape  channel）12が形成されている。
【００２２】
本発明のこの実施例において提供されるパワーアンプの電力管の接続構造に従って、パワーアンプの出力端に近い設置溝11の側壁の中に半田フラックス逃げチャネル12が形成されている。溶着の最中に、ガス半田フラックスは、半田フラックス逃げチャネル12を通ってパワーアンプから流れ出ることができ、電力管3の底部において半田ボイドが形成されるのを防止している。
【００２３】
本発明の実施例において、半田フラックス逃げチャネル12は、パワーアンプの出力端に近い設置溝11の側壁の中に形成された第１の開口である。ガス半田フラックスの排出の便宜のために、電力管3の外壁とプリント回路基板2における通し溝21の内壁との間には隙間（gap）（図面には示されていない）が残されている。ガス半田フラックスは、電力管3の底部から第１の開口の中へと流れ、底部から第１の開口において上方へ流れ、そして、第１の開口の上部から流出する。そして、プリント回路基板2における電力管3の外壁と通し溝21の内壁との間に残された隙間を通じてパワーアンプの外へ排出される。このことは、ガス半田フラックスの排出のために便利である。
【００２４】
本発明の別の実施例において、図２を参照すると、半田フラックス逃げチャネル12は、パワーアンプの出力端に近い設置溝11の側壁の中に形成された第１の開口である。プリント回路基板2において、電力管3の外壁と通し溝21の内壁との間には、残された隙間が存在しない。しかし、第２の開口22が、第１の開口に対応している場所においてプリント回路基板2の中に形成されている。この場合に、ガス半田フラックスは、底部から第１の開口および第２の開口22を通じて上方へ連続して流れ、第２の開口22の上部からパワーアンプ外へ排出される。
【００２５】
図２を参照すると、電力管3は、たいてい、プリント回路基板2の上面にわたり敷設されたピン31を含んでおり、一方で、ピン31は、ガス半田フラックスの排出をある程度防止する。ガス半田フラックスがよりスムーズに排出されるために、貫通穴311が、第１の開口に対応する場所においてピン31の中に形成される。このようにして、ガス半田フラックスについてピン31の防止効果が低減され、そして、従って、ガス半田フラックスの排出がよりスムーズになる。
【００２６】
処理（processing）の困難性を低減するために、第１の開口は、設置溝11の底面に対して垂直な半円形の開口である。基板1については、ミリング技術を使用して、たいてい半円形の面取り（semi-circular  chamfer）が施され、そして、従って、半円形の開口は、同じ技術を使用して処理され得る。このことは、処理ステップを削減し、そして、従って、処理の困難性を低減している。
【００２７】
図３を参照すると、電力管3をパワーアンプの出力端に近い側の設置溝11の側面に向かって押すことを容易にするために、設置溝11の底面に対して垂直な側面押し穴（side  push  hole）13が、入力端に近い設置溝11の側壁の中に形成されている。円柱状のピンが側面押し穴13の中に挿入され得る。円柱状のピンが挿入されると、電力管3がパワーアンプの出力端に近い設置溝11の側面に向かって移動するように、円柱状のピンが電力管3の端部を圧搾することができる。パワーアンプの出力端とパワーアンプの出力端に近い設置溝11の側壁との間に隙間が存在しなくなるまで、である。
【００２８】
基板1および電力管3については、異なる材料が使用され、その熱膨張率もまた大きく変動する。その結果として、溶接の最中には断裂（tearing）が発生しやすく、材料を損傷する。従って、図３に示されるように、複数の突出支持部（protruding  support）14が、設置溝11の底面において一つの平面に敷設されている。突出支持部14と設置溝11の底面との間の高さの差は0.1-0.2mmである。突出支持部14は、電力管3のための支持を提供し、基板1と電力管3との間に歪みバッファ（distortion  buffer）のための空間を形成している。このことは、断裂の発生を低減する。
【００２９】
基板1と電力管3との間の溶接精度を改善するために、４つの突出支持部14が存在している。２つの突出支持部14が、パワーアンプの出力端の近くに敷設されている。残り２つの突出支持部14は、パワーアンプの入力端の近くに敷設されている。このようにして、電力管3と基板1は相互に平行であり、溶接の最中に半田がより均等に供給される。従って、基板1と電力管3との間の溶接精度が改善される。
【００３０】
本発明の一つの実施例は、さらなるパワーアンプを提供する。上記の実施例のうちいずれか一つに従った、パワーアンプに係る電力管の接続構造を含んでいるものである。
【００３１】
本実施例に係るパワーアンプに従って、半田フラックス逃げチャネル12が、パワーアンプの出力端に近い設置溝11の側壁の中に形成されている。溶接の最中に、ガス半田フラックスは、半田フラックス逃げチャネル12を通じてパワーアンプから流れ出すことができ、電力管3の底部において半田ボイドが形成されるのを防止している。
【００３２】
本発明のこの実施例におけるパワーアンプに係る他のコンポーネント、等は、当業者にとって周知であり、そして、ここにおいては詳細が説明されない。
【００３３】
前述の説明は、単に本発明に係る特定の実施方法に過ないものであるが、本発明の保護範囲を限定するように意図されたものではない。本発明において開示された技術的範囲内で当業者によって容易に理解されるあらゆる変形または置換は、本発明の保護範囲の中に入るものである。従って、本発明の保護範囲は、請求項の保護範囲の対象となる。
【図１】
0006537622.tif 000002
【図２】
0006537622.tif 000003
【図３】
0006537622.tif 000004