(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
周縁部を互いに離間して対向配置した一対の円盤状の放電電極と、前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、前記放電電極の曲面上の前記原料にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、を備える極端紫外光光源装置における放電電極であって、
前記一対の放電電極の少なくとも一方の電極には、円形表面の周縁部に、当該放電電極の半径方向外側に向かうにつれて当該放電電極の厚さが薄くなる方向に傾斜する傾斜面が当該電極の両面に設けられ、
一方の前記円形表面に設けられた前記傾斜面の傾斜角度は、対面する他方の前記円形表面に設けられた前記傾斜面の傾斜角度とは異なる角度に設定されていることを特徴とする放電電極。
【請求項２】
周縁部を互いに離間して対向配置した一対の円盤状の放電電極と、前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、前記放電電極の曲面上の前記原料にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、を備える極端紫外光光源装置における放電電極であって、
前記一対の放電電極の両方の電極には、円形表面の周縁部に、当該放電電極の半径方向外側に向かうにつれて当該放電電極の厚さが薄くなる方向に傾斜する傾斜面が当該両方の電極の少なくとも一方の面に設けられ、
一方の前記放電電極に設けられた前記傾斜面の傾斜角度は、他方の前記放電電極に設けられた前記傾斜面の傾斜角度とは異なる角度に設定されていることを特徴とする放電電極。
【請求項３】
前記放電電極から前記極端紫外光を取り出す側に位置する前記円形表面の周縁部に、前記放電電極からの前記極端紫外光の取出角度に応じた傾斜角度を有する前記傾斜面が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の放電電極。
【請求項４】
前記エネルギービームの放出源が設置された側に位置する前記円形表面の周縁部に、前記放電電極の曲面への前記エネルギービームの入射角度に応じた傾斜角度を有する前記傾斜面が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の放電電極。
【請求項５】
前記請求項１または２に記載の放電電極を備える極端紫外光光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電により光を放射する光源装置に用いられる放電電極、及びその放電電極を備える極端紫外光光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう）を放射する極端紫外光光源装置（以下、「ＥＵＶ光源装置」ともいう）の開発が進められている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つに極端紫外光放射種（ＥＵＶ放射種）を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、高温プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。
【０００３】
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、極端紫外光放射源を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。ＤＰＰ方式において、放電を発生させる電極表面にＳｎ（スズ）やＬｉ（リチウム）等の原料を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）方式と称されることもある。ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。この特許文献１では、上記電極として一対の円盤状の回転電極を用い、当該一対の回転電極を、周縁部のエッジ部同士が対向するように配置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５０５４６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＥＵＶ光の出力効率は、上記電極の形状に応じて変化する。しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、所望のＥＵＶ出力を得るための電極形状について全く考慮されていない。電極間で発生するプラズマから放射されるＥＵＶ光を電極から取り出す際、電極の形状によってはＥＵＶ光の一部が電極端部によって遮光され、ＥＵＶ光の取出角度が所望の角度とならない場合がある。また、電極上の原料に対してエネルギービームを照射する際、電極の形状によっては当該エネルギービームの入射角度が規制され、所望の角度でエネルギービームを照射できない場合がある。
したがって、上記特許文献１に記載の技術にあっては、所望のＥＵＶ光の取出し効率を実現できなかったり、所望のプラズマを生成できなかったりするおそれがある。
そこで、本発明は、所望のＥＵＶ出力を得るための形状を有する放電電極、及びその放電電極を備える極端紫外光光源装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る放電電極の一態様は、周縁部を互いに離間して対向配置した一対の円盤状の放電電極と、前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、前記放電電極の曲面上の前記原料にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段とを備える極端紫外光光源装置における放電電極であって、前記一対の放電電極の少なくとも一方の電極には、円形表面の周縁部に、当該放電電極の半径方向外側に向かうにつれて当該放電電極の厚さが薄くなる方向に傾斜する傾斜面が当該電極の両面に設けられ、一方の前記円形表面に設けられた前記傾斜面の傾斜角度は、対面する他方の前記円形表面に設けられた前記傾斜面の傾斜角度とは異なる角度に設定されている。
また、本発明に係る放電電極の一態様は、周縁部を互いに離間して対向配置した一対の円盤状の放電電極と、前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、前記放電電極の曲面上の前記原料にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、を備える極端紫外光光源装置における放電電極であって、前記一対の放電電極の両方の電極には、円形表面の周縁部に、当該放電電極の半径方向外側に向かうにつれて当該放電電極の厚さが薄くなる方向に傾斜する傾斜面が当該両方の電極の少なくとも一方の面に設けられ、一方の前記放電電極に設けられた前記傾斜面の傾斜角度は、他方の前記放電電極に設けられた前記傾斜面の傾斜角度とは異なる角度に設定されている。
【０００７】
これにより、例えば、ＥＵＶ光を取り出す側に位置する円形表面に傾斜面を設ければ、プラズマから放射されるＥＵＶ光が電極端部によって遮光されるのを抑制し、ＥＵＶ光の取出角を大きくすることができる。また、エネルギービームが入射される側に位置する円形表面に傾斜面を設ければ、放電電極へのエネルギービームの入射角度を大きくし、電極上での単位面積あたりのエネルギービーム強度を強めることができる。なお、ここでのエネルギービームの入射角度とは、エネルギービームの入射面と前記エネルギービームの入射方向とのなす角度とする（図３に示す角度γ）。このように、所望のＥＵＶ出力を得るための電極形状とすることができる。また、当該傾斜面は、切削加工等により容易に形成することができるため、複雑な製造工程を必要とすることなく所望のＥＵＶ出力を得ることができる。
また、放電電極の各円形表面において傾斜面の傾斜角度を異ならせるので、ＥＵＶ光の取出角度の設定やエネルギービームの入射角度の設定の自由度を高めることができる。
さらにまた、各放電電極において傾斜面の傾斜角度を異ならせるので、必要な箇所にのみ傾斜面を設けることができる。したがって、不必要な加工工程を削減することができる。
【０００８】
また、上記の放電電極において、前記放電電極から前記極端紫外光を取り出す側に位置する前記円形表面の周縁部に、前記放電電極からの前記極端紫外光の取出角度に応じた傾斜角度を有する前記傾斜面が設けられていてもよい。これにより、所望の取出角度で放電電極からＥＵＶ光を取り出すことができる。したがって、所望のＥＵＶ光の取出効率を実現することができる。
さらに、上記の放電電極において、前記エネルギービームの放出源が設置された側に位置する前記円形表面の周縁部に、前記放電電極の曲面への前記エネルギービームの入射角度に応じた傾斜角度を有する前記傾斜面が設けられていてもよい。これにより、所望の入射角度でエネルギービームを放電電極に入射することができる。したがって、所望のプラズマを発生することができ、安定したＥＵＶ光の出力が可能となる。
【００１０】
また、本発明に係る極端紫外光光源装置の一態様は、上記のいずれかの放電電極を備える。これにより、所望のＥＵＶ出力が得られる光源装置とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電極間の放電によって発生するプラズマから放射されるＥＵＶ光の取出角を所望の角度としたり、所望のプラズマを生成したりするなど、所望のＥＵＶ出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態の極端紫外光光源装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】放電電極の形状を示す図である。
【図３】傾斜面の傾斜角度やレーザ光の入射角度について説明する図である。
【図４】電極上ビーム形状を示す図である。
【図５】放電電極の形状の別の例を示す図である。
【図６】放電電極の形状の別の例を示す図である。
【図７】放電電極の形状の別の例を示す図である。
【図８】ＥＵＶ放射側からレーザ光を入射する例である。
【図９】放電電極を同一平面上に配置した例である。
【図１０】傾斜面の無い放電電極を、周縁部を対向させて配置した例である。
【図１１】図９及び図１０の電極上ビーム形状を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の極端紫外光光源装置を示す概略構成図である。
極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１００は、半導体露光用光源として使用可能な、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する装置である。
本実施形態のＥＵＶ光源装置１００は、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置であり、より具体的には、放電を発生させる電極表面に供給された高温プラズマ原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該高温プラズマ原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを発生するＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置である。
ＥＵＶ光源装置１００は、図１に示すように、放電容器であるチャンバ１１を有する。チャンバ１１は、開口を有する隔壁１１ａによって、大きく２つの空間に分割されている。一方の空間は放電空間１１ｂであり、他方の空間は集光空間１１ｃである。
【００１４】
放電空間１１ｂには、各々独立して回転可能な一対の放電電極２１ａ，２１ｂが互いに離間して対向配置されている。放電電極２１ａ，２１ｂは、ＥＵＶ放射種を含む高温プラズマ原料を加熱して励起するための放電部材である。
放電空間１１ｂの圧力は、高温プラズマ原料を加熱励起するための放電が良好に発生するように、真空雰囲気に維持されている。
集光空間１１ｃには、ＥＵＶ集光鏡（集光ミラー）１２と、デブリトラップ１３とが配置されている。
ＥＵＶ集光鏡１２は、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるＥＵＶ光を集光し、チャンバ１１に設けられたＥＵＶ取出部１１ｄから、例えば露光装置の照射光学系（不図示）へ導くものである。
【００１５】
ＥＵＶ集光鏡１２は、例えば、斜入射型の集光鏡であり、複数枚の薄い凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置した構造を有する。各凹面ミラーの反射面の形状は、例えば、回転楕円面形状、回転放物面形状、ウォルター型形状であり、各凹面ミラーは回転体形状である。ここで、ウォルター型形状とは、光入射面が、光入射側から順に回転双曲面と回転楕円面、もしくは、回転双曲面と回転放物面からなる凹面形状である。
ＥＵＶ集光鏡１２は、反射面形状が回転楕円面形状、ウォルター型形状等いずれかの形状であって、径が互いに異なる回転体形状の凹面ミラーを複数枚備える。ＥＵＶ集光鏡を構成するこれらの凹面ミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このように凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置することにより、ＥＵＶ集光鏡１２は、２５°程度以下の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射し、且つ一点に集光することが可能となる。
【００１６】
また、上記した各凹面ミラーの基体材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等である。波長が非常に短いＥＵＶ光を反射させるため、凹面ミラーの反射面は、非常に良好な平滑面として構成される。この平滑面に施される反射材は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属膜である。各凹面ミラーの反射面には、このような金属膜が緻密にコーティングされている。
デブリトラップ１３は、放電によるプラズマ生成の結果生じるデブリを捕捉し、当該デブリがＥＵＶ光の集光部へ移動するのを抑制する。当該デブリトラップ１３は、デブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させる働きをする。
【００１７】
放電空間１１ｂに配置された一対の放電電極２１ａ，２１ｂは、金属製の円盤状部材である。放電電極２１ａ，２１ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。ここで、２つの放電電極２１ａ，２１ｂのうち、一方の放電電極２１ａがカソードであり、他方の放電電極２１ｂがアノードである。
放電電極２１ａは、その一部が高温プラズマ原料２２ａを収容するコンテナ２３ａの中に浸されるように配置される。放電電極２１ａの略中心部には、モータ２４ａの回転軸２５ａが取り付けられている。すなわち、モータ２４ａが回転軸２５ａを回転させることにより、放電電極２１ａは回転する。モータ２４ａは、制御部４０によって駆動制御される。
【００１８】
また、回転軸２５ａは、例えば、メカニカルシール２６ａを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ａは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ａの回転を許容する。
放電電極２１ｂも、放電電極２１ａと同様に、その一部が高温プラズマ原料２２ｂを収容するコンテナ２３ｂの中に浸されるように配置される。放電電極２１ｂの略中心部には、モータ２４ｂの回転軸２５ｂが取り付けられている。すなわち、モータ２４ｂが回転軸２５ｂを回転させることにより、放電電極２１ｂは回転する。モータ２４ｂは、制御部４０によって駆動制御される。
【００１９】
また、回転軸２５ｂは、例えば、メカニカルシール２６ｂを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ｂの回転を許容する。
放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂが回転することで放電領域に輸送される。
ここで、放電領域とは、両電極２１ａ，２１ｂ間の放電が発生する空間であり、両電極２１ａ，２１ｂが最も近接した部分である。本実施形態では、放電電極２１ａ，２１ｂは、周縁部のエッジ部分を互いに一定距離離間して対向配置されている。したがって、上記放電領域は、放電電極２１ａ，２１ｂの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分となる。
【００２０】
高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂとしては、溶融金属、例えば液体状のスズ（Ｓｎ）を用いる。この高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂに電力を供給する給電用の導電体としても働く。
コンテナ２３ａ，２３ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持可能な絶縁性の電力導入部１１ｅ，１１ｆを介して、パルス電力供給部２７に接続されている。コンテナ２３ａ及び２３ｂ、並びに高温プラズマ原料であるスズ２２ａ及び２２ｂは導電性である。放電電極２１ａの一部及び放電電極２１ｂの一部はそれぞれスズ２２ａ，２２ｂに浸漬しているので、コンテナ２３ａ，２３ｂ間にパルス電力供給部２７からパルス電力を供給することで、放電電極２１ａ，２１ｂ間にパルス電力を供給することができる。
なお、特に図示しないが、コンテナ２３ａ及び２３ｂには、スズ２２ａ，２２ｂを溶融状態に維持する温度調節機構が設けられている。
【００２１】
パルス電力供給部２７は、コンテナ２３ａ及び２３ｂ間、すなわち放電電極２１ａ及び２１ｂ間にパルス幅の短いパルス電力を供給する。パルス電力供給部２７は、制御部４０によって駆動制御される。
レーザ源２８は、放電領域に輸送された放電電極２１ａ上のスズ２２ａに対してレーザ光（エネルギービーム）を照射するエネルギービーム照射部である。レーザ源２８は、例えばＮｄ：ＹＶＯ４レーザ装置（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate  レーザ装置）である。このレーザ源２８が放出するレーザ光Ｌは、レーザ光集光部等を介してチャンバ１１の窓部１１ｇに入射し、放電電極２１ａ上に導かれる。レーザ源２８によるレーザ光の照射タイミングは、制御部４０が制御する。
【００２２】
パルス電力供給部２７により放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電力を供給した状態で、放電領域に輸送された高温プラズマ原料２２ａに対してレーザ光が照射されると、当該高温プラズマ原料が気化し、両電極２１ａ，２１ｂ間でパルス放電が開始される。その結果、高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂによるプラズマＰが形成される。そして、放電時に流れる大電流によりプラズマＰが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
なお、上述したように放電電極２１ａ，２１ｂ間にはパルス電力を供給するため、上記放電はパルス放電となり、放射されるＥＵＶ光はパルス状に放射されるパルス光となる。
【００２３】
本実施形態では、所望のＥＵＶ出力を得るために、放電電極２１ａ，２１ｂの円形表面の周縁部に、円盤の半径方向外側に向かうにつれて円盤の厚さが薄くなる方向に傾斜する傾斜面を形成する。以下、放電電極２１ａ，２１ｂの形状について具体的に説明する。
図２は、放電電極２１ａ及び２１ｂの形状を示す図である。
放電電極２１ａは、レーザ光Ｌの入射側に傾斜面２１１ａを有し、ＥＵＶ光の放射側に傾斜面２１２ａを有する。ここで、レーザ光Ｌの入射側とは、カソード（放電電極２１ａ）の曲面上に照射するレーザ光Ｌが入射してくる側であり、レーザ光Ｌの放出源であるレーザ源２８が設置された側である。また、ＥＵＶ光の放射側とは、放電電極２１ａ，２１ｂからＥＵＶ光を取り出す側である。また、放電電極２１ｂは、入射側に傾斜面２１１ｂを有し、放射側に傾斜面２１２ｂを有する。この図２に示す例では、放電電極２１ａと放電電極２１ｂとは同一形状を有するものとしている。
【００２４】
入射側の傾斜面２１１ａ，２１１ｂの傾斜角度は、放電電極２１ａへのレーザ光Ｌの入射角度が所望の角度となるように決定する。また、放射側の傾斜面２１２ａ，２１２ｂの傾斜角度は、ＥＵＶ光の放射角（取出角）θが所望の角度となるように決定する。ここで、入射側の傾斜面２１１ａの傾斜角度とは、図３に示す角度αであり、放射側の傾斜面２１２ａの傾斜角度とは、図３に示す角度βである。傾斜面２１１ｂ，２１２ｂについても同様である。また、レーザ光Ｌの入射角度とは、図３に示す角度γである。
なお、入射側の傾斜面２１１ａ，２１１ｂの傾斜角度と放射側の傾斜面２１２ａ，２１２ｂの傾斜角度とは、同一角度（α＝β）であってもよいし、異なる角度（α≠β）であってもよい。
【００２５】
図９は、円盤状の放電電極１２１ａ及び１２１ｂを、略同一平面上に配置した例である。この図９に示す放電電極１２１ａ及び１２１ｂは、本実施形態の放電電極２１ａ及び２１ｂのような傾斜面を有していない。この場合、電極間の放電によって発生するプラズマＰから放射されるＥＵＶ光の一部は、放電電極１２１ａ，１２１ｂにおける放射側端部（図９における上側端部）により遮光されやすくなる。そのため、その分ＥＵＶの放射角が小さくなり、ＥＵＶ光の取り出し効率が低下してしまう。
【００２６】
また、放電は、上述したように、両電極が最も近接した位置で発生しやすい。図９に示す配置の場合、放電電極１２１ａの回転軸と放電電極１２１ｂの回転軸とが平行であるため、アノードとカソードとは端部側面同士が対向した配置となる。したがって、図９に示す配置の場合、放電が発生し得る領域は線状となる。すなわち、線状領域の任意の場所で放電が発生し、放電する場所が安定しない。そのため、ＥＵＶ出力が安定しない。
【００２７】
図１０は、図９に示す放電電極１２１ａ及び１２１ｂを、各回転軸が所定の角度で交差するように傾けて配置した例である。ここでは、ＥＵＶ光の放射側（図１０の上側）の端部側面間距離が、レーザ光Ｌの入射側（図１０の下側）の端部側面間距離に比べて広くなるように、放電電極１２１ａ及び１２１ｂのエッジ部分を対向配置している。この場合、図９に示す例と比較して、プラズマＰから放射されるＥＵＶ光が電極の放射側端部により遮光される量が少なくなり、より多くのＥＵＶ光を取り出すことができる。すなわち、プラズマＰからのＥＵＶ光の取り出し効率を向上させることができる。
【００２８】
さらに、図１０に示す配置の場合、アノードとカソードとは周縁部のエッジ部同士が対向した配置である。そのため、この場合、放電が発生し得る領域は上記エッジ部の一点となる。すなわち、放電は、両電極の所定の点状領域で発生することになる。このように、放電が発生する場所が安定するので、結果的にＥＵＶ出力が安定する。
しかしながら、この図１０に示す配置では、カソード（放電電極１２１ａ）へ照射するレーザ光Ｌがアノード（放電電極１２１ｂ）の入射側端部（図１０の下側端部）によって遮光されないように、図９に示す配置と比較して、カソード（放電電極１２１ａ）へのレーザ光Ｌの入射角度を小さくする必要がある。すなわち、放電電極１２１ａ上でのレーザ光Ｌの照射領域は、図１０に示す配置の方が図９に示す配置と比較して大きくなる。
【００２９】
図９に示す配置の場合、図１１（ａ）に示すように、放電電極１２１ａ上のビーム形状Ｂは円形状に近い楕円形状となるのに対し、図１０に示す配置の場合、図１１（ｂ）に示すように、放電電極１２１ａ上のビーム形状Ｂは、より長軸が長い楕円形状となる。そのため、図１０に示す配置の方が、単位面積当たりのレーザ光強度が弱くなる。したがって、高温プラズマ原料の気化量が不十分となってプラズマが生成できなかったり、気化した高温プラズマ原料が空間的に広がりすぎ、プラズマが大きくなってしまったりすることがある。このように、所望のＥＵＶ出力が得られないおそれがある。
【００３０】
これに対して、本実施形態では、放電電極２１ａ，２１ｂの入射側端部に傾斜面２１１ａ，２１１ｂを形成する。
アノード（放電電極２１ｂ）の入射側端部に傾斜面２１１ｂを形成することで、その分、カソード（放電電極２１ａ）へのレーザ光Ｌの入射角度γを大きくすることができる。すなわち、放電電極２１ａ，２１ｂの回転軸の配置角度が、図１０に示す放電電極１２１ａ，１２１ｂの回転軸の配置角度と同等である場合、図１０に示す構成と比較して、レーザ光Ｌの入射角度γを大きくすることができる。
【００３１】
これにより、本実施形態では、図４に示すように、放電電極２１ａ上のビーム形状Ｂを円形状に近い楕円形状（より長軸が短い楕円形状）とすることができる。したがって、単位面積当たりのレーザ光強度を、図１０に示す構成と比較して強めることができる。そのため、高温プラズマ原料の気化量を十分に確保し、適切にプラズマを生成することができる。また、気化した高温プラズマ原料の空間的な広がりを抑制し、プラズマが大きくなるのを抑制することができる。
レーザ光Ｌをアノード（放電電極２１ｂ）によって遮光されることなくカソード（放電電極２１ａ）に照射することが可能なレーザ光Ｌの入射角度γの最大値は、アノード（放電電極２１ｂ）に形成した傾斜面２１１ｂの傾斜角度（傾斜の深さを含む）によって決まる。したがって、傾斜面２１１ｂの傾斜角度を調整することで、レーザ光Ｌの入射角度γを所望の角度に設定することができる。
【００３２】
また、カソード（放電電極２１ａ）の入射側端部にも、アノード（放電電極２１ｂ）と同様に傾斜面２１１ａを形成することで、電極端部のエッジ部同士を対称的に配置することができる。そのため、放電が発生する場所を安定させることができる。したがって、ＥＵＶ光の発光点の揺れを抑制することができ、安定したＥＵＶ出力を得ることができる。
さらに、放電電極２１ａ，２１ｂの放射側端部に傾斜面２１２ａ，２１２ｂを形成することで、放電電極２１ａ，２１ｂの回転軸の配置角度が、図１０に示す放電電極１２１ａ，１２１ｂの回転軸の配置角度と同等である場合、図１０に示す構成と比較して、電極の放射側端部によって遮光されるＥＵＶ放射量が少なくなる。すなわち、より多くのＥＵＶ光を取り出すことができ、プラズマＰからのＥＵＶ光の取り出し効率をより向上させることができる。
ＥＵＶ放射角θは、放電電極２１ａ，２１ｂの放射側の傾斜面２１２ａ，２１２ｂの傾斜角度（傾斜の深さを含む）によって決まる。したがって、傾斜面２１２ａ，２１２ｂの傾斜角度を調整することで、ＥＵＶ放射角θを所望の角度に設定することができる。
【００３３】
また、入射側の傾斜面の傾斜角度αと放射側の傾斜面の傾斜角度βとを等しい角度とすれば、各放電電極２１ａ，２１ｂの傾斜面を切削により加工する際の切削工具の傾斜設定が１回でよい。そのため、放電電極２１ａ，２１ｂの製造を容易にすることができる。
一方、入射側の傾斜面の傾斜角度αと放射側の傾斜面の傾斜角度βとが異なる場合には、切削工具の傾斜設定が２回必要となり、両者が等しい場合と比較して、製造工程が若干複雑になる。ただし、ＥＵＶ放射角θの設定、及びレーザ光Ｌの入射角度γの設定の自由度は増加するという利点がある。
【００３４】
（変形例）
上記実施形態においては、放電電極２１ａ及び２１ｂの入射側及び放射側にそれぞれ傾斜面を形成する場合について説明したが、放電電極２１ａ，２１ｂの少なくとも一方の電極の入射側及び放射側の少なくとも一方に、傾斜面を形成するようにしてもよい。
例えば、図５に示すように、放電電極２１ａ，２１ｂの入射側のみに傾斜面２１１ａ，２１１ｂを形成するようにしてもよい。この場合、ＥＵＶ放射角θについては、図１０に示す構成と同等であるが、カソード（放電電極２１ａ）へのレーザ光Ｌの入射角度γは、図１０に示す構成と比較して大きくすることができる。このように、図１０に示す構成と比較して、放電電極２１ａ上の単位面積当たりのレーザ光強度を強めることができ、所望のプラズマＰを発生させることができる。
【００３５】
また、例えば図６に示すように、放電電極２１ａ，２１ｂの放射側のみに傾斜面２１２ａ，２１２ｂを形成するようにしてもよい。この場合、カソード（放電電極２１ａ）へのレーザ光Ｌの入射角度γについては、１０に示す構成と同等であるが、ＥＵＶ放射角θは図１０に示す構成と比較して大きくすることができる。このように、図１０に示す構成と比較して、ＥＵＶ光の取り出し効率を向上させることができる。
【００３６】
さらに、例えば図７に示すように、入射側については、アノード（放電電極２１ｂ）のみに傾斜面２１１ｂを形成するようにしてもよい。この場合にも、上述した図５に示す例と同様に、カソード（放電電極２１ａ）へのレーザ光Ｌの入射角度γは、図１０に示す構成と比較して大きくすることができる。また、放電電極２１ａの入射側の傾斜面を形成するための切削加工等の処理が不要となるため、その分、製造工程を削減することができる。なお、入射側において、片方の放電電極のみに傾斜面を形成した場合、アノードとカソードとは電極端部のエッジ部同士が対称的な配置とはならない。しかしながら、図９のように端部側面同士を対向配置する構成ではないため、放電が発生する場所をある程度固定することができ、プラズマＰの位置が不安定となるのを抑制することができる。
【００３７】
さらに、上記実施形態においては、放電電極２１ａ，２１ｂを挟んでＥＵＶ光の放射側とは反対側をレーザ光Ｌの入射側としているが、例えば図８に示すように、ＥＵＶ光の放射側とレーザ光Ｌの入射側とを同じ側としてもよい。そして、この場合にも、放電電極２１ａ，２１ｂの端部にそれぞれ傾斜面を形成してもよい。この場合、放射側の傾斜面２１２ａ，２１２ｂにより、上述したようにＥＵＶ放射角θを大きくすることができ、ＥＵＶ光の取り出し効率を向上させることができる。
【００３８】
また、ＥＵＶ光の放射側（レーザ光Ｌの入射側）とは反対側の傾斜面２１１ａ，２１１ｂにより、高温プラズマ原料（スズ）２２ａ，２２ｂを効率的に電極端部へ付着させることができる。放電電極２１ａ，２１ｂが回転すると、放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に付着しているスズ２２ａ，２２ｂにも遠心力が作用し、スズ２２ａ，２２ｂが放電電極２１ａ，２１ｂの周縁部側に移動しようとする。このとき、周縁部に傾斜面が形成されていれば、スズ２２ａ，２２ｂが電極端部側面に流れ込みやすくなる。したがって、プラズマＰの発生に必要な領域に、適切にスズ２２ａ，２２ｂを付着させることができる。
【００３９】
（応用例）
上記実施形態においては、高温プラズマ原料に照射するエネルギービームとしてレーザを用いる場合について説明したが、レーザに代えてイオンビームや電子ビーム等を用いることもできる。
さらに、上記実施形態においては、ＥＵＶ光源装置を半導体露光用光源として用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、露光用マスクの検査装置等の光源として用いることもできる。
【符号の説明】
【００４０】
１１…チャンバ、１２…ＥＵＶ集光鏡、１３…ホイルトラップ、２１ａ，２１ｂ…放電電極、２２ａ，２２ｂ…高温プラズマ原料、２３ａ，２３ｂ…コンテナ、２４ａ，２４ｂ…モータ、２７…パルス電力供給部、２８…レーザ源、１００…極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）、２１１ａ，２１１ｂ…傾斜面（入射側）、２１２ａ，２１２ｂ…傾斜面（放射側）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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