(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを搭載したタブと、
前記タブの周囲に配置されたインナーリードと、
前記インナーリードから延在するアウターリードと、
前記インナーリードの先端に下向きに設けられた鋭角の突起部である抜きバリと、
前記半導体チップの表面に設けられたパッドと前記インナーリードとを電気的に接続する導電性ワイヤーと、
前記半導体チップ、前記インナーリードおよび前記導電性ワイヤーを封止している樹脂と、を有し、
前記タブにおける前記半導体チップが搭載された面の裏面が平坦であり、前記樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームを有する半導体装置と、リードフレームおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームを用いた従来の半導体装置の例を図３に示す。半導体装置２は、半導体チップ１を搭載する所定の形状のタブ３ａと、インナーリード３ｂとインナーリード３ｂから延在するアウターリード３ｃとを有するリード３ｅと、半導体チップ１上のパッド１ａとリード３ｅのインナーリード３ｂとを接続する導電性ワイヤー４と、半導体チップ１とインナーリード３ｂと導電性ワイヤー４とを外的要因から保護するために封止している樹脂５を有する構成である。
【０００３】
この半導体装置２では、アウターリード３ｃやタブ３ａの裏面は樹脂５から露出しているので放熱性が良好であるが、その反面、リード３やタブ３ａが樹脂５から剥離しやすいという課題もある。
【０００４】
図３から明らかなように、半導体装置から、半導体装置が実装される配線基板への電気的接続は、導電性ワイヤー４による半導体チップ１の所定の端子部を構成するパッド１ａとリード３ｅのインナーリード３ｂとの接続、および、アウターリード３ｃと実装基板上の配線との接続、を介してなされる。電気的接続の信頼性を確保するには、リード３ｅと樹脂５との密着性、導電性ワイヤー４による接続の信頼性が重要である。特に、タブ３ａおよびリード３ｅと樹脂５との密着性は接続の信頼性を確保するうえで重要な項目であり、剥離やクラックを抑制することは重要な技術である。
【０００５】
そこで、特許文献１においては、半導体装置パッケージを基板に実装する際にクラックが発生しないような半導体パッケージを形成するのに適したリードフレーム並びにリードフレームの製造方法が記載されている。具体的には、リードフレームの半導体チップを搭載するタブ主面の端部に形成された鋭角の突起、並びに、半導体チップを搭載するタブ裏面の端縁部周辺に設けられたテーパー状構成部を有することを特徴としたものである。
【０００６】
また、特許文献２においては、半導体チップの所定の端子部を構成するパッドとリードのインナーリードとを電極を取り出す導電性ワイヤーの接続信頼性を向上させるリードフレーム及びその製造方法が記載されている。具体的には、インナーリード先端が相互に連結されるように形状加工を行う工程と、めっき工程または焼鈍工程またはテーピング工程の少なくともいずれか一つの工程を経由した後、インナーリードの連結状態を開放する工程と、インナーリード先端を押しつぶす工程を有することを特徴としたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−８２７０４号公報
【特許文献２】特開平７−１４２６６１号公報
【特許文献３】特開２００６−２０２９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載されたリードフレームによれば、リードフレーム製造時、半導体チップを搭載するタブにおける半導体チップを搭載する面の端部に鋭角の突起部を形成し、タブにおける半導体チップを搭載する面の反対面の端縁部周辺にテーパーを形成できるように金型を加工する必要がある。さらに、リードフレームのタブを起点に発生するクラックのみへの対策となっている。
また、特許文献２に記載されたインナーリード製造方法においては、インナーリード製造のために、少なくとも２つの金型を用意する必要がある。
【０００９】
そこで、本発明は、金型を加工することなく、インナーリードを起点に発生するクラックを低減できるリードフレームおよびその製造方法とリードフレームを用いた半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題解決のために本発明では以下の手法を用いた。
まず、半導体チップを搭載するタブと、前記タブの周囲に配置されたインナーリードと、前記インナーリードから延在するアウターリードと、を有するリードフレームにおいて、前記インナーリードの先端に抜きバリが成形されていることを特徴とするリードフレームとした。
【００１１】
また、所定の材料からなる金属平板を準備する工程と、金型を用いて前記金属平板からタブとリードとが組み合わされたリードフレームを打ち抜くとともに前記リードフレームのインナーリードの先端部に所定の角度を有する鋭角の突起部を形成する工程と、からなることを特徴とするリードフレームの製造方法を用いた。
【発明の効果】
【００１２】
上記手段を用いることで、工程数を増やすことなく、インナーリードを起点に発生するクラックを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例であるプレス加工時に発生するインナーリード先端の抜きバリを有するリードフレームを有する半導体装置を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例におけるインナーリード先端の抜きバリ成形するプレス加工の一例を説明するための図である。
【図３】従来の半導体装置の一例の主要構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施例となる半導体装置のリードフレーム並びにリードフレーム製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して記している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
また、以下の説明において例示される寸法などは一例であり、本発明はそれに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１５】
図１は、本発明の実施例である、プレス加工時に発生するインナーリード先端の抜きバリを有するリードフレームを有する半導体装置２を説明するための図である。
同図に示すように、本発明の実施例となるリードフレーム３は、半導体チップ１を搭載する所定の形状のタブ３ａと、基板への電気的接続を取り出す役割を担う、タブの周囲に離間して配置されたリード３ｅとからなり、リード３ｅは、インナーリード３ｂと、インナーリード３ｂから下方向に折曲げて延在されたアウターリード３ｃとからなっている。そして、リード３ｅはインナーリード３ｂの先端にプレス加工により成形した抜きバリ３ｄを有している。半導体装置２は、半導体チップ１を搭載したタブ３ａを有するリードフレーム３と、半導体チップ１の表面に設けられた所定の端子部を構成するパッド１ａとリード３のインナーリード３ａとを電気的に接続する導電性ワイヤー４と、半導体チップ１、インナーリード３ｂ、導電性ワイヤー４を外的要因からの保護するために設けられた樹脂５で概略構成されている。樹脂５は半導体チップ１、インナーリード３ｂ、導電性ワイヤー４を隙間なく覆い、封止している。
【００１６】
半導体装置２の底面９方向に向かってインナーリード３ｂの先端に下向きに形成された抜きバリ３ｄは樹脂５に対するアンカーとして働き、リード３ｅの樹脂からの抜けを防止するとともに、樹脂クラックも防止するものである。なお、インナーリード３ｂの先端に設けられた抜きバリ３ｄは、所定の材料で構成された金属平板をプレス加工によりインナーリード３ｂに成形する際に形成される。
【００１７】
半導体装置の製造方法を考慮すると、組立工程において、半導体チップ１の所定の端子部を構成するパッド１ａとインナーリード３ａとを導電性ワイヤー４により接続する時に、プレス加工により成形したインナーリード先端の抜きバリ３ｄによってインナーリード先端付近がヒートブロック上面から持ち上げられてしまい、インナーリード３ｂのボンディング領域が十分に加熱されずにボンディング不良が起こることが無いようにすることが必要である。そこで、プレス加工により成形したインナーリード先端の抜きバリ３ｄを逃がすワイヤーボンダー装置を用い、プレス加工により成形したインナーリード先端の抜きバリ３ｄよりもインナーリード３ｂから延在するアウターリード３ｃ側に導電性ワイヤー４を接続することにより、ボンディング不良は回避することが可能である。
なお、上記のプレス加工により成形したインナーリード先端の抜きバリ３ｄを逃がすワイヤーボンダー装置の構成については、例えば、特許文献３に開示されている。
【００１８】
次に、本発明のリード３の製造方法について説明する。
図２は、本発明のプレス加工時に形成されるインナーリード先端の抜きバリ３ｄを有するリードフレームの製造方法を説明するための図である。
【００１９】
同図に示すように、本発明のリードフレームの製造方法においては、所定の材料（例えば、銅、パーマロイ）で構成された金属平板（インナーリード）６をリードフレーム３に打ち抜いて成形するための金型７の上金型７ａ、下金型７ｂの形状により、プレス加工時にインナーリード先端の抜きバリ３ｄを発生させている。
【００２０】
加工の順に説明すると、まず、図２（ａ）に示すように、金属平板６の底面に下金型７ｂを置いて金属平板６を固定する。折曲げの起点８は下金型７ｂの上端部の上方近傍に位置するが、この起点８から下金型７ｂから離れる方向に僅かにずれた位置の上方に上金型７ａを配置する。つぎに図２（ｂ）に示すように、上金型７ａを降下させる。そして、図２（ｃ）のように金属平板６の先端を押し下げ、先端に下向きの抜きバリ３ｄを形成する。抜きバリ３ｄの外側面は上金型７ａと接し、この外側面はインナーリードの側面の一部を構成している先端の端面を形成している。なお、抜きバリ３ｄの長さは図１に示したアウターリードの底面９より突出することなく、アウターリードの厚みの半分以下であることが望ましい。このようにすることで抜きバリとアウターリードとの間の樹脂がタブ近傍の樹脂と？がり強固な形状となる。
【００２１】
リード３に成形するために必要な金型７を構成している上金型７ａの先端角度と互いの水平方向の距離により、インナーリード先端の抜きバリ３ｄの長さや、抜きバリの断面から確認した際の抜きバリの厚みを規定することが可能である。
【００２２】
また、インナーリード３ｂから延在するアウターリード３ｃ側に半導体チップ１の所定の端子部を構成するパッド１ａとリードフレーム３のインナーリード３ａとを電極を取り出す導電性ワイヤー４を接続するのに重要な、抜きバリ３ｄの起点８の位置も金型７の上金型７ａ、下金型７ｂの上下の位置関係により規定することが可能である。
【００２３】
このように、インナーリード先端の抜きバリ３ｄの長さや厚み、また起点８を管理することにより、組立工程における半導体チップ１のパッド１ａとインナーリード３ａとを結ぶ導電性ワイヤー４の接続時に抜きバリ３ｄによってインナーリード先端付近がヒートブロック上面から持ち上げられ、インナーリード３ｂのボンディング領域が十分に加熱されずに発生するボンディング不良や、インナーリード先端の抜きバリ３ｄが半導体装置の底面９より露出してしまうことを防ぐことが可能である。
【００２４】
さらに、本発明は、インナーリード３ｂを起点に発生するクラックに対しインナーリード３ｂの樹脂５からの引き抜き強度を向上させることにより、工程数を増やすことなく半導体集積回路２自身の強度を確保できる。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明の半導体装置のリードフレーム並びにリードフレームの製造方法は、リードフレームをプレス加工により製造するリードフレームを適用している半導体装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００２６】
１  半導体チップ
１ａ  パッド
２  半導体装置
３  リードフレーム
３ａ  タブ
３ｂ  インナーリード
３ｃ  アウターリード
３ｄ  インナーリード先端の抜きバリ
３ｅ  リード
４  導電性ワイヤー
５  樹脂
６  金属平板（インナーリード）
７  金型
７ａ  上金型
７ｂ  下金型
８  インナーリード先端の抜きバリの起点
９  半導体装置の底面
【図１】
0006549003.tif 000002
【図２】
0006549003.tif 000003
【図３】
0006549003.tif 000004