(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインを備えるウエーハの一方の面にテープを貼着し、該分割予定ラインに沿って分割され溝が形成されたウエーハを搬送パッドが保持して保持テーブルに搬入し、該保持テーブルが該テープを介してウエーハを保持するウエーハの保持方法であって、該搬送パッドが、該テープが貼着されたウエーハを保持し、該テープを加温し軟化させて該テープの分割されたウエーハが貼着されていない該溝の部分を下方に突出させて垂下部を形成し、該テープが貼着されたウエーハを該保持テーブルの保持面に該垂下部が最初に接触するように搬入する搬入工程と、軟化した状態の該テープを該保持テーブルが保持する保持工程と、からなるウエーハの保持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送パッド及び保持テーブルを用いたウエーハの保持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、個々のデバイスに分割され、携帯電話やパソコン等の各種電子機器等に利用されている。そして、ウエーハを分割する方法としては、例えば、ウエーハの表面からウエーハに対してウエーハの厚みの半分程度の深さまで切溝を入れるハーフカットを行い、次いでウエーハの表面（ウエーハの被切削面）に対して保護テープを貼着し、さらに、ウエーハの裏面を研削して裏面から切溝を表出させることにより個々のチップに分割するＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ  Ｂｅｆｏｒｅ  Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と呼ばれる方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１７６７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＤＢＧでは、研削ホイールに備える研削砥石をウエーハに接触させて研削することで形成される研削痕による研削ダメージや、ウエーハに形成されている回路パターンによって、ウエーハを分割して作製されたチップに反りが形成される。そして、その反りは、チップの被研削面側が凸面となるように形成される。
【０００５】
ここで、上記研削加工に用いられる研削装置は、研削装置に備えるチャックテーブルが保護テープを介してウエーハの表面全面を吸引保持しているため、研削中は、各チップには反りが現れずに平坦な状態となっている。しかし、チャックテーブルの吸引保持を解除すると、チップの反りが現れて個々のチップが反った状態となる。そして、保護テープが貼着された状態の研削加工後のウエーハを次工程で用いる装置に備える保持テーブルに保護テープを介して保持すると、このチップの反りにより、保護テープのチップとチップとの間に位置する部分に皺が形成されることがある。
【０００６】
例えば、上記研削加工後の次工程で用いる装置が、プラズマエッチング加工を行うプラズマエッチング装置であるとする。この場合に、プラズマエッチング装置に備えられ静電吸着することでウエーハを保持する保持テーブルに、ウエーハに貼着された保護テープに皺が入った状態でウエーハが搬送され、そのまま保持テーブルで静電吸着をしてしまうと、保持テーブルの保持面と保護テープとの間に隙間が形成された状態で保護テープが保持されることとなる。この状態で、反応ガスをプラズマ化してプラズマエッチングを行うと、保持テーブルの保持面と保護テープとの隙間で放電が発生し保護テープが燃えてしまう事態が生じえる。
【０００７】
また、例えば、上記研削加工後の次工程で用いる装置が、回転する研磨パッドをウエーハ（分割された各チップ）に接触させて研磨する研磨加工装置であるとする。この場合に、研磨加工装置に備えられ吸引によりウエーハを保持する保持テーブルに、ウエーハに貼着された保護テープに皺が入った状態でウエーハが搬送され、そのまま保持テーブルで吸引保持をしてしまうと、保護テープの皺によって保護テープの貼着面である糊面が各チップ間から浮き上がった状態で保護テープが吸引保持されている状態となる。そのため、研磨パッドを回転させて分割されたウエーハを研磨する際に、保護テープの糊面が研磨パッドに接触して研磨パッド及びチップに糊が付着することで、チップの研磨ができなくなる。
【０００８】
そして、このような問題は、ＤＢＧによりウエーハを分割しチップを作製する場合にのみ生じるものではなく、通常のダイシングによりウエーハを分割しチップを作製する場合にも生じる。すなわち、例えば、ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに成形した後にウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し、ウエーハの表面から切削ブレードを分割予定ラインに位置付けて切削しウエーハをフルカットして個々のチップに分割した後、分割された個々のチップの各側面をプラズマエッチングする場合に、個々のチップに分割されたウエーハをダイシングテープに貼着したまま、次工程の装置であるプラズマエッチング装置に備える保持テーブルに搬入し保持テーブルで保持する際にも、同様の問題は生じる。
【０００９】
よって、保護テープが貼着され分割されたウエーハを次工程の装置に備える保持テーブルに搬入し保持テーブルで保持する際に、個々のチップとチップとの間の保護テープに皺が発生しないようにするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための本発明は、分割予定ラインを備えるウエーハの一方の面にテープを貼着し、該分割予定ラインに沿って分割され溝が形成されたウエーハを搬送パッドが保持して保持テーブルに搬入し、該保持テーブルが該テープを介してウエーハを保持するウエーハの保持方法であって、該搬送パッドが、該テープが貼着されたウエーハを保持し、該テープを加温し軟化させて該テープの分割されたウエーハが貼着されていない該溝の部分を下方に突出させて垂下部を形成し、該テープが貼着されたウエーハを該保持テーブルの保持面に該垂下部が最初に接触するように搬入する搬入工程と、軟化した状態の該テープを該保持テーブルが保持する保持工程と、からなるウエーハの保持方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るウエーハの保持方法においては、搬送パッドが、テープが貼着され分割予定ラインに沿って分割され溝が形成されたウエーハを保持してテープを加温し軟化させて保持テーブルに搬入し、軟化した状態のテープを保持テーブルが保持するため、テープに皺が発生していない状態でテープを介してウエーハを保持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】切削装置及びウエーハの一例を示す斜視図である。
【図２】分割起点であるハーフカット溝が形成されたウエーハの断面図である。
【図３】保護テープが貼着されたウエーハの側面図である。
【図４】保持テーブルに保持されたウエーハを研削して、個々のチップに分割する状態を示す側面図である。
【図５】研削装置に備える保持テーブルから、搬送パッドによりウエーハを搬出している状態を示す断面図である。
【図６】プラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図７】プラズマエッチング装置に備える保持テーブルに、搬送パッドがウエーハを搬入している状態を示す断面図である。
【図８】プラズマエッチング装置に備える保持テーブルが、搬送パッドによって搬入されたウエーハを保持する状態を示す断面図である。
【図９】プラズマエッチング装置に備える保持テーブルがウエーハを保持した状態で、ウエーハにプラズマエッチング加工を施す状態を示す断面図である。
【図１０】研磨加工装置に備える保持テーブルに、搬送パッドがウエーハを搬入している状態を示す断面図である。
【図１１】研磨加工装置に備える保持テーブルが、搬送パッドによって搬入されたウエーハを保持する状態を示す断面図である。
【図１２】研磨加工装置に備える保持テーブルがウエーハを保持した状態で、研磨パッドがウエーハに研磨加工を施す状態を示す断面図である。
【図１３】保持テーブルに保持されたウエーハをウエーハの裏面側から研削して、所定の厚みになるように成形している状態を示す側面図である。
【図１４】保持テーブルに保持されたウエーハが切削され、個々のチップに分割された状態を示す断面図である。
【図１５】切削装置に備えるチャックテーブルから、搬送パッドによりウエーハを搬出している状態を示す断面図である。
【図１６】プラズマエッチング装置に備える保持テーブルに、搬送パッドがウエーハを搬入している状態を示す断面図である。
【図１７】プラズマエッチング装置に備える保持テーブルがウエーハを保持した状態で、ウエーハにプラズマエッチング加工を施す状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
１  実施形態１
図１に示すウエーハＷは、例えば、外形が円形状の半導体ウエーハであり、ウエーハの表面Ｗａ上には、分割予定ラインＳによって区画された格子状の領域に多数のデバイスＤが形成されている。なお、ウエーハＷの形状及び種類は、本実施形態に限定されるものではない。
【００１４】
最初に、分割予定ラインＳに沿って分割起点を形成する。分割起点の形成には、例えば図１に示す切削装置１を用いる。この切削装置１は、ウエーハＷを保持するチャックテーブル１１と、チャックテーブル１１上に保持されたウエーハＷを切削する切削ブレード１００を備えた切削手段１０と、チャックテーブル１１上に保持されたウエーハの切削すべき分割予定ラインＳを検出するアライメント手段１０１とを少なくとも備える。アライメント手段１０１は、ウエーハＷの表面Ｗａを撮像する撮像手段１０１ａを備えており、撮像手段１０１ａにより取得した画像に基づき切削すべき分割予定ラインＳを検出することができる。チャックテーブル１１は、ウエーハＷを保持面１１ａで吸引保持するように構成されており、回転可能に支持されている。また、チャックテーブル１１は、Ｘ軸方向に往復移動可能が可能となっている。
【００１５】
ウエーハＷは、ウエーハＷの裏面Ｗｂに貼着されたダイシングテープＴ１を介して環状フレームＦに支持された状態で、チャックテーブル１１の保持面１１ａ上に吸引保持される。ダイシングテープＴ１は、例えば、ウエーハＷと同等の外径を有する円盤状のフィルムであり、基材面Ｔ１ａ（図１には不図示）と、粘着糊層からなる粘着面Ｔ１ｂとを備える。そして、チャックテーブル１１に保持されたウエーハＷが−Ｘ方向に送られるとともに、撮像手段１０１ａによってウエーハの表面Ｗａが撮像されて切削すべき分割予定ラインＳの位置が検出される。分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、切削手段１０がＹ軸方向に駆動され、切削すべき分割予定ラインＳと切削ブレード１００とのＹ軸方向における位置付けがなされる。
【００１６】
さらに、ウエーハＷを保持するチャックテーブル１１をさらに−Ｘ方向に送り出すとともに、切削ブレード１００を高速回転させながら切削手段１０を−Ｚ方向に降下させていく。そして、高速回転する切削ブレード１００がウエーハＷに切込み、分割予定ラインＳを切削していく。
【００１７】
例えば、切削時は、ウエーハＷの厚みの半分程度の位置に達する程度まで切削ブレード１００をウエーハＷに切込ませることで、図２に示すように、ウエーハＷに、後に分割起点となるハーフカット溝Ｍが形成される。同方向の分割予定ラインＳについて同様のハーフカット溝Ｍを形成し、さらに、ウエーハＷを９０度回転させてから同様の切削を行うことで、ウエーハの表面Ｗａの全ての分割予定ラインＳに沿って、ハーフカット溝Ｍが縦横に形成される。
【００１８】
なお、切削装置１を用いてウエーハＷにハーフカット溝を形成する代わりに、レーザー光線を分割予定ラインＳに沿って照射してウエーハＷの表面Ｗａにアブレーション溝を形成し、そのアブレーション溝を分割起点としてもよいし、ウエーハＷの内部に分割予定ラインＳに沿ってレーザー光線を集光して改質層を形成し、その改質層を分割起点としてもよい。
【００１９】
次に、ハーフカット溝Ｍが形成されたウエーハＷの表面Ｗａに保護テープＴ２を貼着するとともに、ウエーハＷの裏面ＷｂからダイシングテープＴ１を剥離する。保護テープＴ２は、例えば、ウエーハＷと同等の外径を有する円盤状のフィルムであり、基材面Ｔ２ａと、粘着糊層からなる粘着面Ｔ２ｂとを備え、粘着面Ｔ２ｂ側がウエーハＷの表面Ｗａに貼着される。
【００２０】
次に、保護テープＴ２が貼着されたウエーハＷを、図４に示す研削装置２へと搬送し、研削装置２においてウエーハＷの裏面ＷｂからウエーハＷを研削して、ウエーハＷを分割予定ラインＳに沿って分割する。図４に示す研削装置２は、保持テーブル２０上に保持されたウエーハＷを、研削手段２１によって研削する装置である。
【００２１】
保持テーブル２０は、ウエーハＷを吸引保持する保持面２０ａを備え、保持面２０ａ上でウエーハＷを吸引保持する。また、保持テーブル２０は、回転可能となっている。
【００２２】
研削手段２１は、例えば、軸方向が鉛直方向（Ｚ軸方向）であるスピンドル２１ａと、スピンドル２１ａの下端に配設された円形状のマウント２１ｂと、マウント２１ｂの下面に着脱可能に接続された研削ホイール２１ｃとを備える。研削ホイール２１ｃは、ホイール基台２１ｄと、ホイール基台２１ｄの底面に環状に複数配設された研削砥石２１ｅとを備える。
【００２３】
保護テープＴ２が貼着されたウエーハＷが保持テーブル２０上に搬送されると、ウエーハの裏面Ｗｂが上側になるように保持面２０ａ上に載置され、保持面２０ａ上で保護テープＴ２を介してウエーハＷが吸引保持される。
【００２４】
次いで、スピンドル２１ａが回転駆動されるのに伴って研削ホイール２１ｃが回転し、研削手段２１が−Ｚ方向へと送られ、研削ホイール２１ｃに備える研削砥石２１ｅがウエーハＷの裏面Ｗｂに当接することで研削加工が行われる。研削中は、保持テーブル２０も回転し、研削ホイール２１ｃがウエーハＷの裏面Ｗｂの全面の研削加工を行う。
【００２５】
研削ホイール２１ｃが−Ｚ方向へと下降し、ウエーハＷに形成されたハーフカット溝Ｍの先端位置である位置Ｚ１に研削砥石２１ｅの研削面が到達することで、ウエーハＷは個々のチップＣに分割される。
【００２６】
（１）搬入工程
ウエーハＷが分割された後、図５に示す搬送パッド６０を用いて、チップＣに分割されたウエーハＷを、表面Ｗａに保護テープＴ２が貼着された状態のままの状態で保持して保護テープＴ２を加温して軟化させ、図６に示すプラズマエッチング装置７に備える保持テーブル７５に搬入する搬入工程を行う。
【００２７】
図５に示す搬送パッド６０は、ポーラス部材からなりウエーハＷを吸着する吸着部６０ａと、吸着部６０ａを支持する枠体６０ｂとを備える。吸着部６０ａの上部には、連通路６０ｃの一端が接続され、連通路６０ｃのもう一端が、吸引源６１に接続されており、連通路６０ｃは、吸着部６０ａの露出面である保持面６０ｄと吸引源６１とを連通させている。そして、吸引源６１が吸引を行うことで生み出された吸引力が、連通路６０ｃを介して、保持面６０ｄに伝達されることで、搬送パッド６０が保持面６０ｄでウエーハＷを吸引保持する。搬送パッド６０は、例えば、移動手段６３に接続されたアーム部６４の先端の下面に配設されており、移動手段６３によって移動可能となっている。
【００２８】
図５に示すように、例えば、搬送パッド６０の枠体６０ｂの内部には、発熱体に電流を流すことで発熱するヒータ６２が配設され、このヒータ６２は、枠体６０ｂを介して吸着部６０ａを加温する。
【００２９】
ヒータ６２には、電源６２ａを備える回路６２ｂが接続されている。電源６２ａからヒータ６２に所定の電圧が印加されることで、ヒータ６２が吸着部６０ａを加温する。
【００３０】
図６に示すプラズマエッチング装置７は、ガス供給部７１と、チャンバ７３を備えたエッチング処理部７２とを備えている。ガス供給部７１は、チャンバ７３の上部に連通しており、ガス供給部７１には、例えば六フッ化イオウ（SF6）等のフッ素系安定ガスを主体とするプラズマ発生用のエッチングガスが蓄えられる。
【００３１】
エッチング処理部７２は、チャンバ７３の上部側に上部電極７４を収容すると共に、エッチングしようとするウエーハを保持する保持テーブル７５をチャンバ７３の下部側に収容した構成となっている。
【００３２】
保持テーブル７５は、例えば、静電チャックテーブルであり、保持テーブル７５の内部には下部電極７５ａを備えており、下部電極７５ａには、直流電源７５ｃが接続されている。保持テーブル７５は、直流電源７５ｃが下部電極７５ａに直流電圧を印加することで生じる静電吸着力によって、ウエーハを保持面７５ｂ上に静電吸着する。また、保持テーブル７５には、高周波電源７７が接続され、高周波電源７７は、上部電極７４と保持テーブル７５との間に高周波電圧を印加することができる。
【００３３】
上部電極７４は、円柱状の軸部７４ａがチャンバ７３に対して昇降自在に挿通しており、Ｚ軸方向に昇降可能となっている。また、軸部７４ａの下端には、内部に電極を備える板状部７４ｂが備えられており、板状部７４ｂは、保持テーブル７５の保持面７５ｂに対面するよう配置されている。また、上部電極７４はアースに接続されている。
【００３４】
チャンバ７３の側部には、エッチングするウエーハの搬入出口となる開口部７３ａが形成されており、開口部７３ａの外側には開口部７３ａを開閉するシャッター７３ｂが配設されている。また、チャンバ７３の下部にはガス排気部７６に連通する排気口７３ｃが形成されており、排気口７３ｃから使用済みのガスを排出してチャンバ７３の内部を減圧することができる。
【００３５】
搬入工程では、図５に示すように、電源６２ａにより回路６２ｂに電流が流れ、ヒータ６２により吸着部６０ａの加温を開始する。次いで、搬送パッド６０が−Ｚ方向へと降下し、保持面６０ｄとウエーハの裏面Ｗｂとが接触する。さらに、吸引源６１が吸引することで生み出された吸引力が、保持面６０ｄと吸引源６１とを連通する連通路６０ｃを通して保持面６０ｄへと伝達され、搬送パッド６０は保持面６０ｄでウエーハの裏面Ｗｂ（各チップＣの被研削面Ｃａ）を吸引保持する。次いで、個々のチップＣに分割されたウエーハＷの保持テーブル２０による吸引保持を解除する。
【００３６】
保持面６０ｄは、ウエーハＷの裏面Ｗｂを吸引保持すると同時に、ヒータ６２により生み出された熱を保護テープＴ２へと伝達し、保護テープＴ２を加温する。さらに、移動手段６３によって、搬送パッド６０が保持したウエーハＷを研削装置２から搬出する。
【００３７】
次いで、図７に示すように、搬送パッド６０は、ヒータ６２により保護テープＴ２を継続して加温しながら、開口部７３ａ（図７には不図示）を通りチャンバ７３（図７には不図示）内の保持テーブル７５上へと移動する。ここで、図８に示すように、保護テープＴ２は、ヒータ６２により継続して加温されていることで軟化していることから、ハーフカット溝Ｍが形成されチップＣが貼着されていない部分が重力により−Ｚ方向に垂下し、下方に突出した垂下部Ｔ２ｃが形成される。
【００３８】
図８に示すように、搬送パッド６０を降下させ、ウエーハＷの表面Ｗａに貼着された保護テープＴ２と保持テーブル７５の保持面７５ｂとを接触させ、ウエーハＷを保持テーブル７５に載置する。このとき、保護テープＴ２に形成された垂下部Ｔ２ｃが、保持テーブル７５の保持面７５ｂに最初に接触する。このようにしてウエーハＷを保持テーブル７５に載置することで、保護テープＴ２に皺が形成されずに、保護テープＴ２の基材面Ｔ２ａが保持テーブル７５の保持面７５ｂに密着し、基材面Ｔ２ａと保持面７５ｂとの間に隙間がない状態で、保護テープＴ２が保持テーブル７５に載置される。
【００３９】
（２）保持工程
搬入工程を完了させた後、保持工程においては、図９に示すように、まず、保持テーブル７５の内部に備える下部電極７５ａに直流電源７５ｃから直流電圧を印加して、保持面７５ｂ上に静電吸着力を発生させる。ここで、保護テープＴ２は皺が形成されずに保持テーブル７５に載置されているため、保護テープＴ２の基材面Ｔ２ａが保持テーブル７５の保持面７５ｂに密着している状態で、保持テーブル７５が保護テープＴ２を静電吸着保持する。また、保持テーブル７５による静電吸着保持が開始されると、チップＣの反りもなくなる。そして、吸引源６１による吸引を停止し、ウエーハＷを搬送パッド６０の保持面６０ｄから離間させ、搬送パッド６０は、チャンバ７３内から退避する。
【００４０】
保持工程を完了させた後、チャンバ７３に備える開口部７３ａを閉め、チャンバ７３の内部を減圧排気し真空状態とする。そして、図９に示す上部電極７４を下降させ、その状態で、ガス供給部７１から、例えばＳＦ６を主体とするエッチングガスをチャンバ７３内に供給する。さらに、高周波電源７７から上部電極７４と保持テーブル７５との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。
【００４１】
プラズマ化したエッチングガスは、チップＣの被研削面Ｃａ等をエッチングしていく。ここで、保護テープＴ２の基材面Ｔ２ａが保持テーブル７５の保持面７５ｂに密着している状態で保護テープＴ２が保持テーブル７５に保持されていることから、保持面７５ｂと保護テープＴ２との間ではプラズマ放電が発生せず、保護テープＴ２が燃えてしまうことがない。また、プラズマエッチング加工中は、保持テーブル７５も加熱されるため、保護テープＴ２に皺が形成されることもない。
【００４２】
２  実施形態２
実施形態２においては、図１に示すウエーハＷに対する（１）分割起点の形成、（２）保護テープの貼着、及び（３）ウエーハの分割を、実施形態１と同様に行う。
【００４３】
（１）搬入工程
ウエーハの分割を完了させた後、図５に示す搬送パッド６０が、チップＣに分割されたウエーハＷを保護テープＴ２が貼着された状態のまま保持して、保護テープＴ２を加温して軟化させ、図１０に示す研磨加工装置９に備える保持テーブル９０に搬入する搬入工程を行う。図１０に示す研磨加工装置９は、保持テーブル９０上に保持されたウエーハＷを、研磨手段９１によって研削する装置である。
【００４４】
保持テーブル９０は、ポーラス部材等からなりウエーハＷを吸着する吸着部９００と、吸着部９００を支持する枠体９０１とを備える。吸着部９００は、吸引源９２に連通し、吸引源９２が吸引することで生み出された吸引力が、吸着部９００の露出面である保持面９００ａに伝達されることで、保持面９００ａ上でウエーハＷを吸引保持する。また、保持テーブル９０は、回転可能となっている。
【００４５】
研磨手段９１は、例えば、軸方向が鉛直方向（Ｚ軸方向）である回転可能なスピンドル９１ａと、スピンドル９１ａの下端に接続されたマウント９１ｂと、マウント９１ｂに固定された研磨パッド９１ｃとを備える。例えば、研磨パッド９１ｃの直径はウエーハＷの直径よりも大きい。研磨加工の方式は、ウエーハＷに対してスラリーを供給しながら研磨を行う化学機械研磨（ＣＭＰ）であってもよいし、スラリーを使用しない研磨であるドライポリッシュであってもよい。研磨パッド９１ｃは、例えば不織布や樹脂で形成されている。研磨手段９１は、Ｚ軸方向に往復移動可能となっている。
【００４６】
搬入工程においては、まず、実施形態１における場合と同様に、図５に示す搬送パッド６０がウエーハＷを保持して研削装置２からウエーハＷを搬出する。
【００４７】
次いで、図１０に示すように、搬送パッド６０が、ヒータ６２により、保持面６０ｄにおいて吸引保持したウエーハＷを通して保護テープＴ２を継続して加温しながら、研磨加工装置９に備える保持テーブル９０上へとウエーハＷを移動する。さらに、図１０に示すように、ウエーハＷの表面Ｗａに貼着された保護テープＴ２と保持テーブル９０の保持面９００ａとが接触する所定の高さまで、搬送パッド６０が−Ｚ方向へと降下する。ここで、図１１に示すように、保護テープＴ２は、ヒータ６２により継続して加温されているために軟化しており、粘着面Ｔ２ｂのうちハーフカット溝Ｍが形成されているために、チップＣが貼着されていない部分が重力により−Ｚ方向に垂下して、保護テープＴ２に、下方に突出した垂下部Ｔ２ｃが形成される。
【００４８】
そして、搬送パッド６０が降下することにより保護テープＴ２に形成された垂下部Ｔ２ｃが保持テーブル９０の保持面９００ａに最初に接触し、ウエーハＷが保持テーブル９００ａに載置される。ウエーハＷをこのように載置することで、保護テープＴ２に皺が形成されずに、保護テープＴ２の粘着面Ｔ２ｂのうちハーフカット溝Ｍに対して露出している面が＋Ｚ方向に浮き上がることなく、保護テープＴ２は保持テーブル９０に載置される。
【００４９】
（２）保持工程
搬入工程を完了させた後、保持工程においては、図１２に示すように、吸引源９２によって生み出された吸引力を保持面９００ａへと伝達させる。ここで、保護テープＴ２は皺が形成されずに保持テーブル９０に載置されているため、保護テープＴ２の粘着面Ｔ２ｂのうちハーフカット溝Ｍに対して露出している面が＋Ｚ方向に浮き上がっていない状態で、発生させた吸引力により保持テーブル９０が保護テープＴ２を吸引保持する。そして、搬送パッド６０は、吸引源６１による吸引を停止し、ウエーハＷを搬送パッド６０の保持面６０ｄから離間させ、移動手段６３により保持テーブル９０上から離間する。
【００５０】
保持工程を完了させた後、スピンドル９１ａが回転駆動されるのに伴って研磨パッド９１ｃが回転し、研磨手段９が−Ｚ方向へと送られ、回転する研磨パッド９１ｃがウエーハＷの裏面Ｗｂ（各チップＣの被研削面Ｃａ）に当接することで研磨加工が行われる。
【００５１】
例えば、研磨パッド９１ｃの直径はウエーハＷの直径より大きく、研磨加工中は、常に、各チップＣの被研磨面Ｃａ全体に研磨パッド９１ｃが接触している。そして、保護テープＴ２には皺が形成されず、保護テープＴ２の粘着面Ｔ２ｂのうちハーフカット溝Ｍに対して露出している面が＋Ｚ方向に浮き上がっていない状態で、保護テープＴ２が保持テーブル９０に吸引保持されているため、研磨パッド９１ｃが保護テープＴ２の粘着面Ｔ２ｂに接触することなく、研磨パッド９１ｃによるチップＣの研磨が可能となる。
【００５２】
３  実施形態３
実施形態３においては、図１３に示すように、まず、ウエーハＷの表面Ｗａに保護テープＴ２を貼着する。次いで、保護テープＴ２が貼着されたウエーハＷが研削装置２の保持テーブル２０へと搬送されると、ウエーハの裏面Ｗｂが上側になるようにチャックテーブル２０の保持面２０ａ上に載置され、保持面２０ａ上で保護テープＴ２を介してウエーハＷが吸引保持される。なお、例えば、ウエーハＷが研削装置２に搬送される前に、スピンコータ等においてウエーハＷの表面Ｗａにレジスト液が滴下されレベリングされることで、ほぼ一様な厚さの図示しないレジスト膜がウエーハＷの表面Ｗａ上に形成されている。
【００５３】
次いで、保持テーブル２０が回転するとともに、スピンドル２１ａが回転駆動されるのに伴って研削ホイール２１ｃが回転し、研削手段２１が−Ｚ方向へと送られ、研削ホイール２１ｃに備える研削砥石２１ｅがウエーハＷの裏面Ｗｂに当接することで研削加工が行われ、ウエーハＷが所定の厚みになるまで研削されていく。
【００５４】
ウエーハＷが所定の厚みになるまで研削された後、図１に示すように、ウエーハＷの裏面ＷｂにダイシングテープＴ１の粘着面Ｔ１ｂが貼着される。また、ダイシングテープＴ１の粘着面Ｔ１ｂの外周部を環状フレームＦに貼着することで、ウエーハＷはダイシングテープＴ１を介して環状フレームＦに支持される。
【００５５】
次いで、図１に示す切削装置１により、ウエーハＷを分割予定ラインＳに沿ってフルカットして個々のチップに分割する。ウエーハＷは、ウエーハＷの裏面Ｗｂに貼着されたダイシングテープＴ１を介して環状フレームＦに支持された状態で、ウエーハの表面Ｗａが上側になるようにしてチャックテーブル１１の保持面１１ａ上に吸引保持される。そして、チャックテーブル１１に保持されたウエーハＷが−Ｘ方向に送られるとともに、撮像手段１０１ａによってウエーハの表面Ｗａが撮像されて切削すべき分割予定ラインＳの位置が検出される。分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、切削手段１０がＹ軸方向に駆動され、切削すべき分割予定ラインＳと切削ブレード１００とのＹ軸方向における位置付けがなされる。
【００５６】
さらに、ウエーハＷを保持するチャックテーブル１１をさらに−Ｘ方向に送り出すとともに、切削ブレード１００を高速回転させながら切削手段１０を−Ｚ方向に降下させていく。そして、高速回転する切削ブレード１００がウエーハＷに切込み、分割予定ラインＳを切削しウエーハＷをフルカットしていく。Ｙ方向に分割予定ラインＳの間隔ずつ割出し送りしながら順次切削を行うことにより、同方向の全ての分割予定ラインＳを切削する。さらに、ウエーハＷを９０度回転させてから同様の切削を行い全ての分割予定ラインＳを縦横に全てフルカットすることで、図１４に示すように、ウエーハＷは個々のチップＣに分割される。
【００５７】
（１）搬入工程
ウエーハＷがチップＣに分割された後、図１５に示す搬送パッド６５を用いて、チップＣに分割されたウエーハＷを、裏面ＷａにダイシングテープＴ１が貼着された状態のままの状態で保持してダイシングテープＴ１を加温して軟化させ、図６に示すプラズマエッチング装置７に備える保持テーブル７５に搬入する搬入工程を行う。
【００５８】
図１５に示す搬送パッド６５は、例えば、テープを加温し軟化させる加温部６５Ａと、環状フレームＦを介してウエーハＷを保持する保持部６５Ｂとから構成されている。
【００５９】
加温部６５Ａは、ポーラス部材からなるエア噴出部６５ａと、エア噴出部６５ａを支持する枠体６５ｂとを備える。エア噴出部６５ａの上部には、連通路６５ｃの一端が接続され、連通路６５ｃのもう一端が、エア供給源６６に接続されており、連通路６５ｃは、エア噴出部６５ａの露出面６５ｄとエア供給源６６とを連通させている。
【００６０】
枠体６５ｂの内部には、発熱体に電流を流すことで発熱するヒータ６２が配設されており、ヒータ６２には、電源６２ａを備える回路６２ｂが接続されている。このヒータ６２は、枠体６５ｂを介してエア噴出部６５ａを加温する。
【００６１】
搬送パッド６５は、保持部６５Ｂにより環状フレームＦを保持する。保持部６５Ｂは、例えば、枠体６５ａに連結された連結柱６５０と、連結柱６５０に固定される円盤部材６５１と、円盤部材６５１の外周部に周方向に一定の間隔をおいて複数（例えば４つ、図１５〜１７においては、２つのみ図示）配設されるフレーム吸引ユニット６５２とを備える。アーム部６８ａの先端の下面に連結柱６５０が連結されることにより、搬送パッド６５は、移動手段６８によって移動可能となっている。なお、フレーム吸引ユニット６５２の径方向の配設位置は吸引する環状フレームＦの大きさに応じて調整される。
【００６２】
例えば、円盤部材６５１の中央部には連結柱６５０が嵌通する貫通孔６５１ｏが設けられており、円盤部材６５１は、連結柱６５０を貫通孔６５１ｏに通した状態で連結柱６５０に固定される。また、円盤部材６５１の外周部には、厚み方向（Ｚ軸方向）に貫通して形成される貫通孔６５１ａが設けられている。
【００６３】
各フレーム吸引ユニット６５２は、例えば、貫通孔６５１ａを貫通した状態で配置される軸部６５２ａと、軸部６５２ａの上部に位置する抜け止め部６５２ｂと、軸部６５２ａの下部に位置する吸引盤６５２ｃとから構成されている。
【００６４】
軸部６５２ａは、貫通孔６５１ａに遊嵌しており、円盤部材６５１に対して上下動可能となっている。また、軸部６５２ａは内部が中空のパイプ状に形成されている。抜け止め部６５２ｂは、円盤部材６５１に形成された貫通孔６５１ａを貫通しないように、軸部６５２ａより大径に形成されている。吸引盤６５２ｃ、環状フレームＦの表面に対して平行に接するように軸部６５２ａの下部に配設されている。そして、吸引盤６５２ｃの上部には、軸部６５２ａを介して連通路６９ａの一端が接続され、連通路６９ａのもう一端が、吸引源６９に接続されている。そして、吸引源６９で生み出された吸引力が、連通路６９ａを通り、軸部６５２ａを介して吸引盤６５２ｃに伝達されることで、吸引盤６５２ｃが環状フレームＦを吸引し、搬送パッド６５が、ウエーハＷを支持する環状フレームＦを保持部６５Ｂにより保持する。
【００６５】
搬入工程では、図１５に示すように、搬送パッド６５が−Ｚ方向へと降下し、吸引盤６５２ｃと環状フレームＦの上面Ｆａとが接触する。さらに、吸引源６９が吸引することで生み出された吸引力が吸引盤６５２ｃへと伝達されることで、保持部６５Ｂで環状フレームＦの上面Ｆａを吸引保持する。保持部６５Ｂが環状フレームＦを保持することで、搬送パッド６５がダイシングテープＴ１を介して環状フレームＦに支持されたウエーハＷを保持する。次いで、ウエーハＷの保持テーブル１１による吸引保持を解除する。
【００６６】
保持部６５Ｂが環状フレームＦを保持した後、電源６２ａからヒータ６２に所定の電圧が印加されてヒータ６２が発熱する。ヒータ６２は、枠体６５ｂを介してエア噴出部６５ａを加温する。さらに、エア供給源６６からエアが供給され、供給されたエアが連通路６５ｃを介してエア噴出部６５ａに到達し、エア噴出部６５ａで加温され温風となる。そして、保持部６５Ｂにより環状フレームＦを介して保持されたウエーハＷに対して、この温風が露出面６５ｄから噴射されることで、ウエーハＷからダイシングテープＴ１に熱が伝わりダイシングテープＴ１が加温され軟化する。さらに、移動手段６８が駆動され、搬送パッド６５が、環状フレームＦを介して保持したウエーハＷを切削装置１から搬出する。なお、エア供給源６６からのエア供給量は、保持部６５Ｂによる吸引保持が安定して行われるように適宜調節される量となる。
【００６７】
次いで、図１６に示すように、搬送パッド６５は、温風によりダイシングテープＴ１を継続して加温しながら、プラズマエッチング装置７の図６に示した開口部７３ａを通りチャンバ７３内の保持テーブル７５上へと移動する。図１６に示すように、ダイシングテープＴ１は、温風により継続して加温されていることで軟化していることから、各チップＣとチップＣとの間のチップＣが貼着されていない部分が重力により−Ｚ方向に垂下し、下方に突出した垂下部Ｔ１ｃが形成される。
【００６８】
図１６に示すように、搬送パッド６５を降下させ、ウエーハＷの裏面Ｗｂに貼着されたダイシングテープＴ１と保持テーブル７５の保持面７５ｂとを接触させ、環状フレームＦを介して支持されたウエーハＷを保持テーブル７５に載置する。このとき、ダイシングテープＴ１に形成された垂下部Ｔ１ｃが、保持テーブル７５の保持面７５ｂに最初に接触する。このようにしてウエーハＷを保持テーブル７５に載置することで、ダイシングテープＴ１に皺が形成されずに、ダイシングテープＴ１の基材面Ｔ１ａが保持テーブル７５の保持面７５ｂに密着し、基材面Ｔ１ａと保持面７５ｂとの間に隙間がない状態で、ダイシングテープＴ１が保持テーブル７５に載置される。
【００６９】
（２）保持工程
搬入工程を完了させた後、保持工程においては、図１７に示すように、まず、保持テーブル７５の内部に備える下部電極７５ａに直流電源７５ｃから直流電圧を印加して、保持面７５ｂ上に静電吸着力を発生させる。ここで、ダイシングテープＴ１は皺が形成されずに保持テーブル７５に載置されているため、ダイシングテープＴ１の基材面Ｔ１ａが保持テーブル７５の保持面７５ｂに密着している状態で、保持テーブル７５がダイシングテープＴ１を静電吸着保持する。そして、図１６に示す吸引源６９による吸引を停止し、ウエーハＷを搬送パッド６５の保持面６０ｄから離間させ、搬送パッド６５は、チャンバ７３内から退避する。その後、チャンバ７３に備える開口部７３ａを閉め、チャンバ７３の内部を減圧排気し真空状態とする。
【００７０】
保持工程を完了させた後、図１７に示す上部電極７４を下降させ、その状態で、ガス供給部７１から、例えばＳＦ６を主体とするエッチングガスをチャンバ７３内に供給する。さらに、高周波電源７７から上部電極７４と保持テーブル７５との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。
【００７１】
プラズマ化したエッチングガスは、レジスト膜が被覆されたウエーハの表面Ｗａ（チップＣの上面）をエッチングせず、各チップＣの側面をエッチングし、当該側面を滑らかにしてチップＣの本質を向上させる。ここで、ダイシングテープＴ１の基材面Ｔ１ａが保持テーブル７５の保持面７５ｂに密着している状態でダイシングテープＴ１が保持テーブル７５に保持されていることから、保持面７５ｂとダイシングテープＴ１との間ではプラズマ放電が発生せず、ダイシングテープＴ１が燃えてしまうことがない。また、プラズマエッチング加工中は、保持テーブル７５も加熱されるため、ダイシングテープＴ１に皺が形成されることもない。
【符号の説明】
【００７２】
１：切削装置  
１０：切削手段  
１００：切削ブレード  １０１：アライメント手段  １０１ａ：撮像手段  
１１：チャックテーブル  １１ａ：保持面
２：研削装置  ２０：保持テーブル  ２０ａ：保持面  
２１：研削手段  ２１ａ：スピンドル  ２１ｂ：マウント  
２１ｃ：研削ホイール  ２１ｄ：ホイール基台  ２１ｅ：研削砥石
６０：搬送パッド  ６０ａ：吸着部  ６０ｂ：枠体  ６０ｃ：連通路  ６０ｄ：保持面
６１：吸引源  ６２：ヒータ  ６２ａ：電源  ６２ｂ：回路  ６３：移動手段  
６４：アーム部
６５：搬送パッド  
６５Ａ：加温部  ６５ａ：エア噴出部  ６５ｂ：枠体  ６５ｃ：連通路  ６５ｄ：露出面
６５Ｂ：保持部  ６５０：連結柱  
６５１：円盤部材  ６５１ｏ：貫通孔  ６５１ａ：貫通孔  
６５２：フレーム吸引ユニット  ６５２ａ：軸部  ６５２ｂ：抜け止め部  
６５２ｃ：吸引盤  ６９：吸引源  ６９ａ：連通路
７：プラズマエッチング装置
７１：ガス供給部  
７２：エッチング処理部  ７３：チャンバ  
７４：上部電極  ７４ａ：軸部  ７４ｂ：板状部
７５：保持テーブル  ７５ａ：下部電極  ７５ｂ：保持面  ７５ｃ：直流電源
７７：高周波電源
９：研磨加工装置  
９０：保持テーブル  ９００：吸着部  ９００ａ：保持面  ９０１：枠体  
９１：研磨手段  ９１ａ：スピンドル  ９１ｂ：研磨パッド  ９１ｃ：研磨面
９２：吸引源
Ｗ：ウエーハ  Ｗａ：ウエーハの表面  Ｗｂ：ウエーハの裏面  Ｓ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス  Ｆ：環状フレーム  Ｆａ：環状フレームの上面  Ｔ１：ダイシングテープ  Ｔ１ａ：基材面  Ｔ１ｂ：粘着面
Ｔ２：保護テープ  Ｔ２ａ：基材面  Ｔ２ｂ：粘着面
Ｚ１：位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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