(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両におけるばね上部材とばね下部材との間に介装されるダンパの減衰力を制御するダンパ制御装置であって、
前記ダンパのダンパ速度の時間的変化量を把握可能な情報を取得し前記時間的変化量を得る変化量取得部と、
前記ダンパの減衰力特性の大きさである減衰力特性レベルを把握可能なレベル情報を取得するレベル情報取得部と、
前記ダンパ速度の時間的変化量と前記レベル情報とに基づいて前記ダンパの減衰力を補正する補正部とを備え、
前記補正部は、前記ダンパの減衰力を低減する補正を行い、前記ダンパが伸長から収縮へ移行する圧側移行行程における減衰力の低減量を、前記ダンパが収縮から伸長へ移行する伸側移行行程における減衰力の低減量よりも小さくする
ことを特徴とするダンパ制御装置。
【請求項２】
車両におけるばね上部材とばね下部材との間に介装されるダンパの減衰力を制御するダンパ制御装置であって、
前記ダンパのダンパ速度の時間的変化量を把握可能な情報を取得し前記時間的変化量を得る変化量取得部と、
前記ダンパの減衰力特性の大きさである減衰力特性レベルを把握可能なレベル情報を取得するレベル情報取得部と、
前記ダンパ速度の時間的変化量と前記レベル情報とに基づいて前記ダンパの減衰力を補正する補正部とを備え、
前記補正部は、前記ダンパの減衰力を低減する補正を行い、前記時間的変化量の絶対値が大きい程、または、前記レベル情報から把握される減衰力特性レベルが大きい程、前記ダンパの減衰力の低減量を大きくする補正を行う
ことを特徴とするダンパ制御装置。
【請求項３】
車両におけるばね上部材とばね下部材との間に介装されるダンパの減衰力を制御するダンパ制御装置であって、
前記ダンパのダンパ速度の時間的変化量を把握可能な情報を取得し前記時間的変化量を得る変化量取得部と、
前記ダンパの減衰力特性の大きさである減衰力特性レベルを把握可能なレベル情報を取得するレベル情報取得部と、
前記ダンパ速度の時間的変化量と前記レベル情報とに基づいて前記ダンパの減衰力を補正する補正部とを備え、
前記補正部は、
前記ダンパの減衰力を低減する補正を行い、
圧側移行行程において、前記時間的変化量が第一圧側閾値を超え第二圧側閾値以下の範囲で前記ダンパの減衰力を前記時間的変化量に応じて前記減衰力の低減量を大きくし、伸側移行行程において、前記時間的変化量が第一伸側閾値を超え第二伸側閾値以下の範囲で前記ダンパの減衰力を前記時間的変化量に応じて前記減衰力の低減量を大きくし、
前記第一圧側閾値と前記第二圧側閾値の一方または両方と、前記第一伸側閾値と前記第二伸側閾値の一方または両方を前記レベル情報に基づいて変更する
ことを特徴とするダンパ制御装置。
【請求項４】
前記ダンパ内に前記ダンパの減衰力を調整する減衰力調整部を設け、
前記補正部は、前記減衰力調整部へ与える制御指令或いは前記制御指令を生成する過程で生成される制御指令に前記ダンパ速度の時間的変化量から求めた補正ゲインを乗じて前記ダンパの減衰力を補正する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のダンパ制御装置。
【請求項５】
前記補正部は、
前記時間的変化量から前記補正ゲインを得るマップを複数保有し、前記レベル情報に基づいて複数の前記マップから一つ以上のマップを選択し、選択した前記マップを利用して前記時間的変化量から前記補正ゲインを求める
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のダンパ制御装置。
【請求項６】
前記レベル情報が、前記減衰力調整部への制御指令、または、前記制御指令により前記ダンパが発生する減衰力特性レベルである
ことを特徴とする請求項４または請求項４に従属する請求項５に記載のダンパ制御装置。
【請求項７】
前記減衰力調整部を電流フィードバックによって制御する電流制御部を備え、
前記レベル情報は、前記電流制御部が出力する電流指令或いは前記減衰力調整部に流れる実電流である
ことを特徴とする請求項４、請求項４に従属する請求項５または請求項７に記載のダンパ制御装置。
【請求項８】
前記変化量取得部は、前記ばね上部材の加速度、前記ばね下部材の加速度、または、前記ばね上部材と前記ばね下部材の相対変位であるサスペンション変位の微分に基づいて前記ダンパ速度の時間的変化量を得る
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のダンパ制御装置。
【請求項９】
前記補正部は、前記時間的変化量の位相を変化させる位相変更部を備え、前記位相変更部で位相を変化させた前記時間的変化量に基づいて前記ダンパの減衰力を補正する
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のダンパ制御装置。
【請求項１０】
上記ダンパは、
シリンダと、
上記シリンダ内に摺動自在に挿入されるピストンと、
上記シリンダ内に上記ピストンで区画した伸側室および圧側室と、
リザーバと、
上記リザーバから上記圧側室へ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁を有する吸込通路と、
上記圧側室から上記伸側室へ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁を有する整流通路と、
上記伸側室と上記リザーバとを連通する減衰通路と、
上記減衰通路に設けられて上記伸側室から上記リザーバへ向かう流体の流れ抵抗を与える減衰力調整部とを備え、
上記減衰力調整部へ与える最終指令値を補正することで上記ダンパの減衰力を補正することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のダンパ制御装置。
【請求項１１】
上記減衰力調整部は、上記ダンパ内に設けられて当該ダンパ内に設けた流路の流路面積を変更するソレノイドバルブであることを特徴とする請求項１０に記載のダンパ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダンパ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両のばね上部材とばね下部材との間に介装されるダンパの減衰力を制御するダンパ制御装置にあっては、たとえば、ダンパ内に設けたソレノイドバルブへ供給する電流量を調整してダンパの減衰力を調整するものがある。
【０００３】
そして、このようなダンパ制御装置にあっては、ダンパの減衰力特性に応じた電流量をソレノイドへ供給すれば、ダンパの減衰力特性をソフトからハードまで調整でき、たとえば、ダンパの減衰力特性をソフトに設定する場合には、ソフト減衰力特性に対応した一定の電流量をソレノイドへ供給するようにし、ハードな減衰力特性に設定したい場合にハード減衰力特性に対応した一定の電流量をソレノイドへ供給する（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２８７２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなダンパ制御装置では、車両におけるばね上部材が大きく振動したりしない限り、減衰力特性に応じた一定の電流をソレノイドへ供給する。
【０００６】
転じて、ダンパは、ゴム製のマウントを介してばね上部材とばね下部材に取り付けられている。そして、マウントのばね特性が伸縮量に対して非線形な特性を有しており、ダンパ内のバルブの開応答に或る程度時間がかかる等の影響により、図１３の破線に示すように、車両が路面の突起を乗り越える際、ダンパが発生する減衰力がマウントや上側ブッシュを介して車体に伝わる力（以下、単に「伝達減衰力」という）が図１３中の実線で示した理想的な減衰力波形に対して歪みが生じて減衰力が急変するポイントが出現し、車両における乗り心地を悪化させてしまう場合がある。
【０００７】
このような波形の歪みは、歪みが見込まれる場合に、ダンパの減衰力を予め小さくすれば低減ができなくはないが、歪み量がダンパの減衰力特性の大きさである減衰力特性レベルに依存して変化する。ダンパは、ダンパの伸縮速度であるダンパ速度が高くなるほど大きな減衰力を発揮するが、その伸縮速度に対してダンパが発揮する減衰力の特性である減衰力特性を大きくすると減衰係数が大きくなり、減衰力特性が小さい場合に比較すると、ダンパ速度が同じでもダンパは大きな減衰力を発揮するようになる。そして、図１４、１５に示すように、減衰力特性レベルが小さい場合におけるダンパの伝達減衰力の特性（図１４中実線および破線）が理想的な減衰力特性（図１４中一点鎖線）に対して歪む量に比較して、減衰力特性レベルが大きい場合におけるダンパの伝達減衰力の特性（図１５中実線および破線）が理想的な減衰力特性（図１５中一点鎖線）に対して歪む量は大きくなる傾向を示す。
【０００８】
よって、波形歪みを低減しようと一律に減衰力を小さくするのでは、波形歪みの発生が極めて少ない場合にも、必要以上に減衰力を小さくしてしまい、減衰力不足を招いて却って乗り心地を悪化させてしまう場合もある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記不具合を改善するために創案されたものであって、その目的とするところは、路面の突起を乗り越える際にも適切な減衰力を発揮して車両における乗り心地を向上させるダンパ制御装置の提供である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の課題解決手段におけるダンパ制御装置は、ダンパのダンパ速度の時間的変化量を把握可能な情報と、ダンパの減衰力特性の大きさである減衰力特性レベルを把握可能なレベル情報に基づいてダンパの減衰力を補正する補正部を備える。よって、ダンパ制御装置は、減衰力特性レベルの大小に関わらず、伝達減衰力の特性における歪みの発生を抑制できる。また、ダンパ制御装置は、減衰力特性レベルに応じて減衰力を補正するので、減衰力特性レベルが小さい場合に、必要以上に減衰力を低減してしまって減衰力不足を招かない。
【００１１】
また、補正部がダンパの減衰力を低減する補正を行うと、ダンパ制御装置は、伝達減衰力の特性における歪みの発生を抑制できる。
【００１２】
さらに、補正部がダンパが伸長から圧縮へ移行する圧側移行行程における減衰力の低減量を、前記ダンパが収縮から伸長へ移行する伸側移行行程における減衰力の低減量よりも大きくするように設定する。すると、ダンパ制御装置は、圧側移行行程と伸側移行行程のそれぞれの歪みが生じるタイミングに合わせて減衰力を補正できる。よって、ダンパ制御装置は、圧側移行行程と伸側移行行程のいずれでも車両における乗り心地を向上できる。
【００１３】
補正部がダンパ速度の時間的変化量の絶対値とレベル情報から把握される減衰力特性レベルが大きい程、ダンパの減衰力の低減量を大きくする補正を行うように設定する。すると、減衰力特性レベルが大きい程、伝達減衰力の特性に歪みが生じやすく、ダンパ速度の時間的変化量の絶対値が大きい程、伝達減衰力の特性に歪みが生じやすいので、前述のように設定することで、ダンパ制御装置は、伝達減衰力の特性の歪みを効果的に抑制でき、車両走行状況によらず減衰力の急変を低減できる。
【００１４】
さらに、補正部が、圧側移行行程において、ダンパ速度の時間的変化量が第一圧側閾値を超え第二圧側閾値以下の範囲で前記ダンパの減衰力を前記時間的変化量に応じて減衰力の低減量を大きくし、圧側移行行程において、前記時間的変化量が第一圧側閾値を超え第二圧側閾値以下の範囲で前記ダンパの減衰力を前記時間的変化量に応じて前記減衰力の低減量を大きくし、前記第一圧側閾値と前記第二圧側閾値の一方または両方と、前記第一伸側閾値と前記第二閾値の一方または両方を前記レベル情報に基づいて変更する場合は、以下のような利点がある。ダンパ制御装置は、レベル情報に応じてリアルタイムに第一伸側閾値、第二伸側閾値、第一圧側閾値、第二圧側閾値、伸側最下限値および圧側最下限値を変化させて、伝達減衰力の特性の歪みの低減と減衰力不足の回避の両立を高度に実現できる。
【００１５】
ダンパ内にダンパの減衰力を調整する減衰力調整部を設けて、減衰力調整部へ与える制御指令或いはこの制御指令を生成する過程で生成される制御指令にダンパ速度の時間的変化量から求めた補正ゲインを乗じてダンパの減衰力を補正するようにすると、ダンパ制御装置は、補正ゲインを乗じるだけで制御指令を補正できるので、補正演算が容易である。
【００１６】
さらに、補正部が前記時間的変化量から補正ゲインを得るマップを複数保有し、レベル情報に基づいて複数の前記マップからマップを選択する選択し、選択したマップを利用して前記時間的変化量から補正ゲインを求める場合には、ダンパ制御装置は、リアルタイムに第一伸側閾値、第二伸側閾値、第一圧側閾値、第二圧側閾値、伸側最下限値および圧側最下限値を変更可能となり、歪みの低減と減衰力不足の回避の両立を高度に実現でき、さらには、減衰力変更アルゴリズムを簡略化できる。
【００１７】
レベル情報が、減衰力調整部への制御指令、または、制御指令によりダンパが発生する減衰力特性値である場合には、ダンパ制御装置は、減衰力の大きさを容易に推定でき、減衰力特性レベルへの変換が不要となって、そのまま加工せずに、ダンパの減衰力の補正処理に使用できるから、減衰力の補正処理が簡単となる。
【００１８】
減衰力調整部を電流フィードバックによって制御する電流制御部を備え、レベル情報を電流制御部への制御指令或いは前記減衰力調整部に流れる実電流とする場合、ダンパ制御装置は、実際の減衰力特性レベルを精度よく把握でき、減衰力を適切に補正でき、精度良く伝達減衰力の特性に生じる歪みを低減できる。
【００１９】
また、変化量取得部は、ばね上部材の加速度、ばね下部材の加速度、または、ばね上部材とばね下部材の相対変位であるサスペンション変位の微分に基づいてダンパ速度の時間的変化量を得てもよい。
【００２０】
さらに、補正部がダンパ速度の時間的変化量の位相を変化させる位相変更部を備え、位相変更部で位相を変化させた時間的変化量に基づいてダンパの減衰力を補正するようにしてもよい。そして、位相変更部は、時間的変化量の位相量をレベル情報に基づいて変更するようにしてもよい。この場合、位相変更部を可変ローパスフィルタとして、レベル情報が大きい程カットオフ周波数を低くすれば、時間的変化量の位相をレベル情報に応じて遅らせうる。よって、そのときの減衰力特性レベルに最適となるタイミングで減衰力が補正され、ダンパ制御装置は、伝達減衰力の特性に歪みが生じるタイミングでタイムリーに減衰力を低減でき、歪みの発生をより効果的に抑制できる。また、位相変更部が時間的変化量の位相を進ませる場合には、伝達減衰力の特性に生じる歪みを取り除きつつ、ヒステリシスを低減して、車両における乗り心地を向上できる。
【００２１】
ダンパは、シリンダと、シリンダ内に摺動自在に挿入されるピストンと、シリンダ内に上記ピストンで区画した伸側室および圧側室と、リザーバと、リザーバから圧側室へ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁を備えた吸込通路と、圧側室から伸側室へ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁を備えた整流通路と、伸側室とリザーバとを連通する減衰通路と、減衰通路に設けられて上記伸側室からリザーバへ向かう流体の流れ抵抗を与える減衰力調整部とを備え、ダンパ制御装置が減衰力調整部へ与える最終指令値を補正することでダンパの減衰力を補正するように構成されてもよい。この場合、ダンパ制御装置は、ダンパの伝達減衰力の特性の歪みを是正することができ、歪みを効果的に解消することができる。
【００２２】
ダンパ制御装置は、減衰力調整部がダンパ内に設けられてダンパ内に設けた流路の流路面積を変更するソレノイドバルブであるダンパへの利用に最適である。
【発明の効果】
【００２３】
以上より、本発明のダンパ制御装置によれば、路面の突起を乗り越える際にも車両における乗り心地を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第一の実施の形態におけるダンパ制御装置の構成図である。
【図２】ダンパの概略縦断面図である。
【図３】減衰力調整部によって調整されるダンパの減衰力特性を示した図である。
【図４】時間的変化量と補正ゲインの関係を示すマップの一例である。
【図５】電流指令と、伸側最下限値および圧側最下限値の関係を示す図である。
【図６】第一の実施の形態におけるダンパ制御装置における減衰力の補正の処理手順を示すフローチャートである。
【図７】第一の実施の形態のダンパ制御装置で減衰力レベルを最大として制御されたダンパのマウントを介して伝達される伝達減衰力の特性の一例を示した図である。
【図８】第一の実施の形態のダンパ制御装置で減衰力レベルを最小として制御されたダンパのマウントを介して伝達される伝達減衰力の特性の一例を示した図である。
【図９】レベル情報に対応して用意される時間的変化量と補正ゲインの関係を示すマップ群の第一例である。
【図１０】レベル情報に対応して用意される時間的変化量と補正ゲインの関係を示すマップ群の第二例である。
【図１１】レベル情報に対応して用意される時間的変化量と補正ゲインの関係を示すマップ群の第三例である。
【図１２】第二の実施の形態におけるダンパ制御装置の構成図である。
【図１３】従来のダンパ制御装置で制御されたダンパの伝達減衰力の時間変化を示した図である。
【図１４】従来のダンパ制御装置で制御され、減衰力特性を小さくした場合のダンパの伝達減衰力の特性を示した図である。
【図１５】従来のダンパ制御装置で制御され、減衰力特性を大きくした場合のダンパの伝達減衰力の特性を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
＜第一の実施の形態＞
以下、図に示した実施の形態に基づき、本発明を説明する。図１に示すように、第一の実施の形態におけるダンパ制御装置Ｅ１は、この例では、車両におけるばね上部材Ｂとばね下部材Ｗとの間に介装されるダンパＤにおける減衰力を制御するようになっており、ダンパＤのダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを把握可能な情報を取得して当該時間的変化量εｖを得る変化量取得部１と、ダンパＤの減衰力特性の大きさである減衰力特性レベルを把握可能なレベル情報を取得するレベル情報取得部２と、当該変化量取得部１で求めたダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖとレベル情報とに基づいてダンパＤの減衰力を補正する補正部３と、電流制御部４とを備えている。
【００２６】
以下、各部について説明する。ダンパＤは、たとえば、図２に示すように、シリンダ１２と、シリンダ１２内に摺動自在に挿入されるピストン１３と、シリンダ１２内に移動自在に挿入されてピストン１３に連結されるピストンロッド１４と、シリンダ１２内にピストンで区画した伸側室１５および圧側室１６と、リザーバ１７と、リザーバ１７から圧側室１６へ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁１８ａを備えた吸込通路１８と、圧側室１６から伸側室１５へ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁１９ａを備えた整流通路１９と、伸側室１５とリザーバ１７とを連通する減衰通路２０と、減衰通路２０に設けられて伸側室１５からリザーバ１７へ向かう流体の流れ抵抗を与える減衰力調整部５とを備えて構成されており、所謂、ユニフロー型の流体圧ダンパとされており、マウントＭを介して車両におけるばね上部材Ｂとばね下部材Ｗとの間に並列に介装されている。そして、このダンパＤは、伸縮作動を呈すると、シリンダ１２内から流体が減衰通路２０を通じてリザーバ１７へ押し出され、シリンダ１２内に充填された流体が減衰通路２０を通過する際に減衰力調整部５にて抵抗を与えて当該伸縮作動を抑制する減衰力を発揮し、ばね上部材Ｂとばね下部材Ｗの相対移動を抑制するようになっている。
【００２７】
なお、流体には、作動油のほか、水、水溶液、気体を利用できる。流体が液体であって、ダンパＤが片ロッド型ダンパである場合、ダンパＤは、シリンダ１２内にピストンロッド１４が出入りする体積を補償するためにリザーバ１７を備える。なお、ダンパＤをユニフロー型としない場合には、図示はしないが、シリンダ１２内に気体室を設けて、当該気体室の容積変化によってシリンダ１２内に出入りするピストンロッド１４の体積を補償するようにしてもよい。この場合、ピストン１３に伸側室１５と圧側室１６を連通する通路を設けて、当該通路の途中に減衰力調整部５を設けるようにすればよい。
【００２８】
減衰力調整部５は、たとえば、上記ダンパＤの減衰通路２０の流路面積を可変にする弁体Ｖと、当該弁体Ｖを駆動して上記減衰通路２０の流路面積を調整するソレノイドＳｏｌとで構成されたソレノイドバルブ６と、当該ソレノイドバルブ６におけるソレノイドＳｏｌへ電圧を供給するドライバ７とを備えて構成されている。ドライバ７は、たとえば、ＰＷＭ回路を備えており、電圧指令の入力を受けると、ソレノイドＳｏｌへ電圧指令に応じたデューティ比で電圧を印加でき、ソレノイドＳｏｌに流れる電流を制御できるようになっている。そして、ダンパ制御装置Ｅ１がソレノイドＳｏｌに流れる電流を増減させると減衰通路２０の流路面積を調整でき、図３に示すように、ダンパＤの減衰力特性を大小調整できる。詳しくは、ダンパ制御装置Ｅ１は、ソレノイドＳｏｌへ与えるべき電流値を電圧指令Ｌとしてドライバ７へ与える。すると、ドライバ７は、ダンパ制御装置Ｅ１から指示される電流値に等しい電流をソレノイドＳｏｌへ与えるべく、ソレノイドＳｏｌの図示しないコイルへ電圧を印加する。そして、この場合、ダンパＤのストローク速度が変わらなければ減衰力調整部５におけるソレノイドＳｏｌへ与える電流量を大きくすると、減衰通路２０を流れる流体に与える抵抗が大きくなり、ダンパＤの減衰力特性が大きくなって、発生される減衰力も大きくなるようになっている。なお、圧側減衰力については、減衰力特性を大きくすると、減衰力特性線が図３に示すように上方側へシフトされて、ダンパ速度Ｖｄに対してダンパＤが発揮する減衰力が大きくなる。反対に、減衰力特性を小さくすると、減衰力特性線が図３に示すように下方側へシフトされて、ダンパ速度に対してダンパＤが発揮する減衰力が小さくなる。また、伸側減衰力については、減衰力特性を大きくすると、減衰力特性線が図３に示すように下方側へシフトされて、ダンパ速度Ｖｄに対してダンパＤが発揮する減衰力が大きくなる。反対に、減衰力特性を小さくすると、減衰力特性線が図３に示すように上方側へシフトされて、ダンパ速度に対してダンパＤが発揮する減衰力が小さくなる。よって、減衰力特性を調整すると、ダンパＤのダンパ速度が同じでもダンパＤが発揮する減衰力を大小調整できる。つまり、減衰力調整部５は減衰力特性を調整してダンパＤが発生する減衰力を調整する。
【００２９】
なお、減衰力調整部５の上記した構成は、一例であって、たとえば、ダンパＤが電気粘性流体や磁気粘性流体を伸側室１５、圧側室１６およびリザーバ１７内に充填している場合、上記減衰通路２０に減衰弁の代わりに電界或いは磁界を作用できる装置を組み込み、これを減衰力調整部５とし、ダンパ制御装置Ｅ１から与えられる電流或いは電圧によって電界或いは磁界の大きさを調整して、減衰通路２０を流れる流体に与える抵抗を変化させ、ダンパＤの発生減衰力を可変にしてもよい。
【００３０】
電流制御部４は、この実施の形態では、減衰力調整部５がソレノイドバルブ６を備えて電流によって減衰力を調節するようになっているので、ソレノイドＳｏｌに流れる実電流を検知し、電流フィードバック制御を行って、減衰力調整部５を制御するようになっている。具体的には、電流制御部４は、補正部３が出力する電流指令Ｉ＊＊の入力を受けると、ソレノイドバルブ６のソレノイドＳｏｌに流れる実電流と電流指令Ｉ＊＊との偏差を求めて、偏差に基づいて、ＰＩ制御或いはＰＩＤ制御によって、ソレノイドＳｏｌに流れる電流を制御するようになっている。よって、電流制御部４は、ドライバ７へ最終的な電圧指令Ｌを出力し、ドライバ７が電圧指令Ｌに指示される電圧をソレノイドＳｏｌのコイルへ印加して、ソレノイドＳｏｌに供給される電流が制御される。
【００３１】
変化量取得部１は、図１に示すように、所定周期でダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを検出するようになっており、ダンパＤのストロークであるダンパ変位Ｘを検出するストロークセンサ２１と、ストロークセンサ２１で検出したダンパＤのダンパ変位Ｘを微分してダンパＤのダンパ速度Ｖｄを演算する微分器２２と、今周期において微分器２２で演算したダンパ速度Ｖｄから１周期前に検出したダンパ速度Ｖｄｐｒｅを差し引きしてダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを求める変化量演算部２３とを備えており、検知したダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを補正部３へ入力する。なお、本書では、ダンパ速度Ｖｄの概念に、ばね上部材Ｂとばね下部材Ｗの相対速度であるサスペンション速度が含まれる。マウントＭは伸縮するので、一般にサスペンション速度は、ダンパＤとマウントＭの全体の伸縮速度となるが、このサスペンション速度はダンパ速度Ｖｄと大きく値が異ならないので、実用上、サスペンション速度をダンパ速度Ｖｄと看做してもよい。よって、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを得るのに、サスペンション変位を微分して得たサスペンション速度の時間的変化量をダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖとして差し支えない。
【００３２】
レベル情報取得部２は、ダンパＤの減衰力特性の大きさである減衰力特性レベルを把握可能なレベル情報を取得する。この実施の形態では、減衰力調整部５がソレノイドＳｏｌを備えており、印可される電圧によってソレノイドＳｏｌに流れる電流が調整されてダンパＤの減衰力特性が制御されるようになっている。よって、レベル情報取得部２は、この場合、レベル情報として電流制御部４へ入力される電流指令Ｉ＊＊を取得するようになっている。つまり、ソレノイドＳｏｌに流れる電流によってダンパＤの減衰力特性が制御されるため、ソレノイドＳｏｌに流すべき電流を指示する制御指令として電流指令Ｉ＊＊を取得すれば、現在のダンパＤの減衰力特性レベルがどのレベルにあるのかを把握できる。また、レベル情報としては、図示しない上位の制御装置で決定された減衰力特性を実現するために、ダンパ制御装置Ｅ１に入力される制御指令としての電流指令Ｉ＊であってもよい。また、レベル情報としては、実際にソレノイドＳｏｌに流れている実電流の値でもよいので、レベル情報取得部２は、ソレノイドＳｏｌの実電流を電流センサで検知してこれをレベル情報としてもよい。電流制御部４が電流をフィードバックして前記実電流を制御するためソレノイドＳｏｌの実電流を監視しているので、レベル情報取得部２は、電流制御部４から実電流の値を取得してもよい。さらに、レベル情報は、減衰力特性レベルを把握可能であればよいから、電流制御部４がドライバ７へ出力する制御指令としての電圧指令Ｌ、ソレノイドＳｏｌへ供給されている実電圧でもよいし、また、減衰力特性を調整するために生成される制御指令が電流指令ではなく電圧指令である場合には電圧指令、ソレノイドＳｏｌの弁体Ｖを駆動する可動鉄心の位置、或いは、弁体Ｖの弁開度といった減衰力特性の状況が把握可能な情報であればよい。なお、ダンパＤが電気粘性流体や磁気粘性流体を作動流体とし、減衰力調整部５が減衰弁の代わりに電界或いは磁界を作用できる装置である場合、前記装置へ与える電流指令或いは電流指令といった制御指令、前記装置に流れる実電流或いは印可されている実電圧をレベル情報としてもよい。
【００３３】
補正部３は、時間的変化量εｖとレベル情報である電流指令Ｉ＊＊とに基づいてダンパＤの減衰力を補正する。具体的には、補正部３は、この実施の形態では、上記時間的変化量εｖと補正ゲインαの関係を予めマップとして保有しており、入力される時間的変化量εｖから補正ゲインαを求める。さらに、補正部３は、電流制御部４へ入力される電流指令Ｉ＊＊に基づいて補正ゲイン下限値αｍｉｎを求める。今回の周期で補正処理を行う際に、必要な電流指令Ｉ＊＊は前回の周期タイミングで求められた電流指令Ｉ＊＊を用いればよい。そして、補正部３は、補正ゲインαと補正ゲイン下限値αｍｉｎと比較し、大きな値をとる方を最終的な補正ゲインαｌとして採用する。さらに、補正部３は、図示しない上位の制御装置から入力される電流指令Ｉ＊に補正ゲインαｌを乗じて、ダンパＤの減衰力を補正するようになっている。なお、上位の制御装置で求められる制御指令である電流指令Ｉ＊については、ダンパ制御装置Ｅ１が生成するようにしてもよい。
【００３４】
具体的には、補正部３は、時間的変化量εｖから補正ゲインαを求めるマップ演算部３１と、制御指令としての電流指令Ｉ＊＊から補正ゲイン下限値αｍｉｎを求める下限値演算部３２と、マップ演算部３１で求めた補正ゲインαと下限値演算部３２で求めた補正ゲイン下限値αｍｉｎとを比較して大きな値を採用して補正ゲインαｌとするゲイン選択部３３と、図示しない上位の制御装置から入力される電流指令Ｉ＊に補正ゲインαｌを乗じて当該電流指令Ｉ＊を補正し、当該補正後の電流指令Ｉ＊＊を求める補正演算部３４とを備えている。
【００３５】
ダンパＤを圧縮する方向の減衰力を正として、伸長側を負とすると、補正ゲインαは、図４に示すように、時間的変化量εｖが負の値をもつ第一伸側閾値ａ１以上であって正の値をもつ第一圧側閾値ｂ１以下の範囲では、値が１となり、時間的変化量εｖが第一伸側閾値ａ１未満の範囲では、時間的変化量εｖが小さくなるにつれて徐々に低下して最終的には第二伸側閾値ａ２以下となると伸側最下限値βを採るようになっている。また、時間的変化量εｖが第一圧側閾値ｂ１を超える範囲では、時間的変化量εｖが大きくなるにつれて徐々に低下して、最終的には第二圧側閾値ｂ２を以上となると圧側最下限値γを採るようになっている。したがって、時間的変化量εｖの絶対値が大きくなると、補正ゲインαの値は、１から低下し、最終的には伸側最下限値β或いは圧側最下限値γになるようになっている。圧側最下限値γおよび伸側最下限値βは、０以上１未満の値に設定される。このマップは、減衰力特性レベルを最大とした際の電流指令Ｉ＊に乗じて電流指令Ｉ＊を補正すると伝達減衰力の特性に歪みを生じない補正ゲインαを、時間的変化量εｖとの関係でマップ化したものである。図４のマップを見れば理解できるように、時間的変化量εｖの絶対値が大きくなると補正ゲインαの値は、１から小さな値に変化するようになっている。よって、時間的変化量εｖが第一伸側閾値ａ１未満の範囲、および、時間的変化量εｖが第一圧側閾値ｂ１を超える範囲では、補正ゲインαを電流指令Ｉ＊に乗じると、補正後の電流指令Ｉ＊＊は低減されて補正前の電流指令Ｉ＊より低い値となり、前記の補正なしにダンパＤが発揮する減衰力に対して前記補正を行ってダンパＤが発揮する減衰力は低減される。なお、補正部３は、マップ演算を行うようになっているが、補正ゲインαが時間的変化量εｖに対して複雑に変化するものでなければ、時間的変化量εｖから補正ゲインαを求める関数を利用して補正ゲインαの値を決定するようにしてもよい。
【００３６】
このように、補正部３は、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖの絶対値が大きくなると、電流指令Ｉ＊を低下させるよう補正する。ダンパ速度Ｖｄは、ダンパＤが収縮する際に正の値を採るようになっており、伸側最下限値βは、ダンパＤの伸長時における補正ゲインαの最下限値であり、他方の圧側最下限値γは、ダンパＤの収縮時における補正ゲインαの最下限値であり、これら伸側最下限値βおよび圧側最下限値γは、車両における乗り心地を向上させる限りにおいて任意に決定できる。また、第一伸側閾値ａ１、第二伸側閾値ａ２、第一圧側閾値ｂ１および第二圧側閾値ｂ２についても、同様に任意に決定できる。
【００３７】
従来のダンパ制御装置で制御されたダンパにおける伸長時と収縮時の伝達減衰力の特性の歪み量について説明する。図１４の一点鎖線で示すように、減衰力特性を小さくしたダンパでは、ダンパ速度が０の時に減衰力も０となり、ダンパ速度に対して減衰力調整部によって設定される減衰力特性通りに減衰力が発生されるのが理想である。これに対して、従来のダンパ制御装置で制御され、減衰力特性を小さくした実際のダンパの伝達減衰力の特性は、図１４中実線で示すように、伸縮方向が伸長から収縮へ切換わる圧側移行行程で、グラフの原点を通らずに理想的な減衰力特性に対して減衰力変化に時間的に遅れを伴いながら平行するように推移し、その後、理想的な減衰力特性に沿うように推移する。従来のダンパ制御装置が電流指令を一定として減衰力特性を小さくしたダンパの伝達減衰力の特性は、圧側移行行程において、理想的な減衰力特性に対して歪む量はごく小さい。同じ条件で従来のダンパ制御装置で制御された実際のダンパでは、図１４中破線で示すように、伸縮方向が収縮から伸長へ切換わる伸側移行行程では、その伝達減衰力の特性は、やはり、グラフの原点を通らずに理想的な減衰力特性に対して減衰力変化に時間的に遅れを伴いながら平行するように推移し、続いて、理想的な減衰力特性に対して振動的に歪み、その後、理想的な減衰力特性に沿うように推移する。従来のダンパ制御装置が電流指令を一定として減衰力特性を小さくしたダンパの伝達減衰力の特性が、理想的な減衰力特性に対して歪む量は、伸側移行行程の方が圧側移行行程よりも大きくなる傾向を示す。また、圧側移行行程と伸側移行行程の伝達減衰力の特性を見ると、図１４中のグラフの原点を通らないので、減衰力特性にヒステリシスが生じているのが分かる。
【００３８】
図１５の一点鎖線で示すように、減衰力特性を大きくしたダンパにあっても、ダンパ速度が０の時に減衰力も０となり、ダンパ速度に対して減衰力調整部によって設定される減衰力特性通りに減衰力が発生されるのが理想である。これに対して、従来のダンパ制御装置で制御され、減衰力特性を大きくした実際のダンパにおける伝達減衰力の特性は、図１５中実線で示すように、伸縮方向が伸長から収縮へ切換わる圧側移行行程において、グラフの原点を通らずに理想的な減衰力特性に対して減衰力変化に時間的に遅れを伴いながら平行するように推移し、続いて、理想的な減衰力特性に対して大きく歪み、その後に、この理想的な減衰力特性に沿うように推移する。従来のダンパ制御装置が電流指令を一定として減衰力特性を大きくしたダンパの伝達減衰力の特性は、減衰力特性を小さくした場合に比較して、圧側移行行程で理想的な減衰力特性に対する歪み量が大きくなり、その歪みが生じるタイミングも減衰力特性を小さくした場合に比較して時間的に遅れる。同じ条件で従来のダンパ制御装置で制御された実際のダンパの伝達減衰力の特性は、図１５中破線で示すように、伸縮方向が収縮から伸長へ切換わる伸側移行行程で、やはり、グラフの原点を通らずに理想的な減衰力特性に対して減衰力変化に時間的に遅れを伴いながら平行するように推移し、続いて、理想的な減衰力特性に対して振動的に歪み、その後、理想的な減衰力特性に沿うように推移する。従来のダンパ制御装置で電流指令を一定のまま減衰力特性を大きくしたダンパでは、伸側移行行程にあっても、減衰力特性を小さくした場合に比較して、伝達減衰力の特性が理想的な減衰力特性に対して歪む量が大きくなり、その歪みが生じるタイミングも減衰力特性を小さくした場合に比較して時間的に遅れる。また、圧側移行行程と伸側移行行程の伝達減衰力の特性を見ると、図１５中のグラフの原点を通らないので、減衰力特性にヒステリシスが生じているのが分かる。
【００３９】
このように、以上から、ダンパＤの圧側移行行程と伸側移行行程では、歪み量が異なり、両者では伸側移行行程時の方が、歪み量が大きくなる傾向にある。また、減衰力特性を大きくする場合は、減衰力特性を小さくする場合に比較して、ダンパＤの伝達減衰力の特性が理想的な減衰力特性に対して歪む量が大きくなり、また、歪みが生じるタイミングが時間的に遅れる傾向にあるのを理解できる。また、伝達減衰力の特性の歪みは、ダンパの伸縮方向が切換わった直後で発生しているのが分かる。
【００４０】
そのため、減衰力特性を最大とした場合に、減衰力特性の歪みを抑制する補正ゲインαのマップでは、圧側移行行程と伸側移行行程とでマップの形状が異なっている。具体的には、圧側移行行程の方が、伸側移行行程よりも歪み量が小さいので、圧側最下限値γを伸側最下限値βよりも大きくしている。また、圧側移行行程では、歪みが生じるタイミングが伸側移行行程時よりも早いので、第一圧側閾値ｂ１の値は、第一伸側閾値ａ１の絶対値よりも小さな値に設定し、第二圧側閾値ｂ２の値についても、同様に、第二伸側閾値ａ２の絶対値よりも小さな値に設定してある。これにより、補正ゲインαで電流指令Ｉ＊を補正すると、圧側移行行程の方が、伸側移行行程よりも早いタイミングで減衰力を低減する補正が行われ、歪み量が小さいので補正量である低減量は伸側移行行程時に比較すると小さくなる。以上から、第一伸側閾値ａ１は、伸側移行行程において減衰力を補正しない範囲を決める値であり、第二伸側閾値ａ２は、伸側移行行程において時間的変化量εｖの絶対値の増加に対して減衰力の低減量をこれ以上増やさないようにする範囲を画定するものである。同様に、第一圧側閾値ｂ１は、圧側移行行程において減衰力を補正しない範囲を決める値であり、第二圧側閾値ｂ２は、圧側移行行程において時間的変化量εｖの増加に対して減衰力の低減量をこれ以上増やさないようにする範囲を画定するものである。
【００４１】
なお、時間的変化量εｖは、ダンパ速度Ｖｄを微分した加速度に相当する量であるから、ダンパ速度Ｖｄの位相より９０度位相が進んでいる。したがって、時間的変化量εｖが正の値をとる場合は、ダンパＤは、伸長から収縮へ切換わる圧側移行行程にあるのを示しており、反対に、時間的変化量εｖが負の値をとる場合は、ダンパＤは、収縮から伸長へ切換わる伸側移行行程にあるのを示している。よって、時間的変化量εｖの符号でダンパＤが圧側移行行程にあるのか、伸側移行行程にあるのかが判断でき、時間的変化量εｖをパラメータとして補正ゲインαのマップを作成すれば、或いは、時間的変化量εｖをパラメータとして補正ゲインαを求めるようにすれば、ダンパＤの圧側移行行程にあるのか伸側移行行程にあるのかといった判断を行わずに適切な補正ゲインαを得られるのである。
【００４２】
補正ゲインαは、ダンパＤの減衰力特性を最大とした際に、補正後の電流指令Ｉ＊＊によって発揮される伝達減衰力の特性が理想的な減衰力特性に対して歪まないようになるゲインであるが、前述したように、減衰力特性の大きさによって歪み量が変化する。したがって、補正ゲインαのみで電流指令Ｉ＊を補正する場合、減衰力低減量が過剰となって、車両における乗り心地を損なう場合がある。そこで、本実施の形態では、補正ゲインαを求めるだけではなく、減衰力特性の大きさによって補正ゲインの調整を行うべく、制御指令としての電流指令Ｉ＊＊から補正ゲイン下限値αｍｉｎを求める下限値演算部３２を備えている。
【００４３】
下限値演算部３２は、電流指令Ｉ＊＊に値に応じて、補正ゲイン下限値αｍｉｎを求める。電流指令Ｉ＊＊の値は、減衰力特性に比例する関係にあり、歪み量が減衰力特性に比例して大きくなるから、電流指令Ｉ＊＊の値が大きい程、補正後の電流指令Ｉ＊＊の値を大きく低減する必要がある。また、補正ゲイン下限値αｍｉｎは、電流指令Ｉ＊に乗じるゲインであるから、電流指令Ｉ＊＊の値が大きい程、値が小さくなるようになっている。そして、補正ゲイン下限値αｍｉｎは、この場合、圧側移行行程と伸側移行行程の両方で、電流指令Ｉ＊＊が指定する減衰力特性レベルにおいて、伝達減衰力の特性の歪みを適切に抑制するためにこれ以上値を下げると不必要に減衰力低下を招く下限値を示している。
【００４４】
より詳細には、図５に示すように、電流指令Ｉ＊＊が指示する電流値が、たとえば、０．０Ａから１．０Ａまでの範囲で変化する場合、０．２Ａ刻みで圧側移行行程と伸側移行行程のそれぞれで補正ゲイン下限値αｍｉｎの値を設定しておく。圧側移行行程の方が、伸側移行行程よりも歪み量が小さいので、圧側移行行程の補正ゲイン下限値αｍｉｎを伸側移行行程の補正ゲイン下限値αｍｉｎよりも大きくする。そして、たとえば、電流指令Ｉが０．７Ａを指示し、伸側移行行程である場合、下限値演算部３２は、０．７Ａの両側で伸側移行行程の補正ゲイン下限値αｍｉｎの設定がある０．６Ａに対応する補正ゲイン下限値αｍｉｎの値と０．８Ａに対応する補正ゲイン下限値αｍｉｎの値を利用して線形補間によって、補正ゲイン下限値αｍｉｎの値を算出する。この場合、下限値演算部３２は、時間的変化量εｖの符号でダンパＤの行程が伸側移行行程であると把握できるので、時間的変化量εｖが負の値の領域、図５中の縦軸よりも左方の領域に設定されている補正ゲイン下限値αｍｉｎの値を参照し、この行程で必要となる補正ゲイン下限値αｍｉｎを電流指令Ｉ＊＊に基づいて選択或いは線形補間によって求めるようにすればよい。なお、圧側移行行程における補正ゲイン下限値αｍｉｎは、電流指令Ｉ＊＊が最大である場合には、圧側最下限値γに等しい値をとり、伸側移行行程における補正ゲイン下限値αｍｉｎは、電流指令Ｉ＊＊が最大である場合には、伸側最下限値βに等しい値をとる。
【００４５】
ゲイン選択部３３は、マップ演算部３１で求めた補正ゲインαと下限値演算部３２で求めた補正ゲイン下限値αｍｉｎとを比較して大きな値を採用して補正ゲインαｌとする。補正ゲインαを求めるマップは、電流指令Ｉ＊＊が最大であり減衰力特性が最大である時に最適化されているマップであるので、このマップを利用して求めた補正ゲインαは、補正ゲイン下限値αｍｉｎよりも小さな値をとる。そして、電流指令Ｉ＊から求められる補正ゲイン下限値αｍｉｎは、その電流指令Ｉ＊＊で採りうる最小値であるから、ゲイン選択部３３は、補正ゲインαと補正ゲイン下限値αｍｉｎとを比較して大きな値のゲインを最終的な補正ゲインαｌとして採用する。
【００４６】
補正演算部３４は、ゲイン選択部３３が出力する補正ゲインαｌに電流指令Ｉ＊を乗じて、電流指令Ｉ＊を補正して電流指令Ｉ＊＊を出力する。したがって、補正部３は、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖの絶対値が大きくなると、電流指令Ｉ＊の低減量を大きくして補正し、制御指令である電流指令Ｉ＊＊が大きくなる、つまり、減衰力特性レベルが大きくなると、電流指令Ｉ＊の低減量を大きくして補正する。
【００４７】
このように補正部３によって補正された電流指令Ｉ＊＊は、電流制御部４へ入力される。電流制御部４は、電流指令Ｉ＊＊の入力を受けると、減衰力調整部５におけるドライバ７へ制御指令として最終的な電圧指令Ｌを出力する。そして、ドライバ７は、電圧指令Ｌに従って減衰力調整部５へ電圧を供給し、ダンパＤの減衰力が制御される。この例では減衰力調整部５がソレノイドＳｏｌに流れる電流量によってダンパＤの減衰係数が調整されるので、電圧指令Ｌは、減衰力調整部５へ与える制御指令としてドライバ７へ入力されるようになっている。なお、ドライバ７は、たとえば、ＰＷＭ回路などを備えていて、電圧指令Ｌの入力を受けると、電圧指令Ｌに対応した電圧をソレノイドＳｏｌへ印加するようになっている。ダンパＤにおける減衰力調整部５は、ドライバ７から電圧の供給を受けてダンパＤにおける減衰係数を調整する。
【００４８】
補正部３における補正とドライバ７への指令出力までの処理は、たとえば、図６のフローチャートで示した手順で行われる。最初に、補正部３は、電流指令Ｉ＊＊とダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを読み込む（ステップＦ１）。つづいて、補正部３は、図４を用いて説明したように、時間的変化量εｖから補正ゲインαをマップ演算により算出する（ステップＦ２）。さらに、補正部３は、図５を用いて説明したように、電流指令Ｉ＊＊から補正ゲイン下限値αｍｉｎを算出する（ステップＦ３）。そして、補正部３は、補正ゲインαと補正ゲイン下限値αｍｉｎのうち大きな値を補正ゲインαｌとする（ステップＦ４）。補正部３は、補正ゲインαｌと電流指令Ｉ＊とを乗じて補正し、電流指令Ｉ＊＊を得る（ステップＦ５）。最後に、補正部３は、電流指令Ｉ＊＊を電流制御部４へ出力する（ステップＦ６）。ダンパ制御装置Ｅ１は、以上の一連の処理を連続して行い、電流指令Ｉ＊を補正して電流指令Ｉ＊＊を出力して、ダンパＤを制御する。
【００４９】
ここで、車両が路面の突起を乗り越える場合について考えると、このような場面では、突起乗り上げ時にはダンパＤが急激に圧縮され、突起を乗り越す時にはダンパＤが急激に伸長され、また、突起を乗り越える場合には、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖが大きくなる。従来のダンパ制御装置では、減衰力特性レベルを最大としたダンパＤが発生する減衰力がマウントＭを介してばね上部材Ｂに伝達する力（伝達減衰力）の特性が理想的な減衰力特性（図７中一点鎖線）に対して、図７中破線で示すように、歪みが生じて減衰力が急変するポイントが出現する。また、従来のダンパ制御装置では、減衰力特性レベルを最小としたダンパＤが発生する減衰力がマウントＭを介してばね上部材Ｂに伝達する力（伝達減衰力）の特性が理想的な減衰力特性（図８中一点鎖線）に対して、図８中破線で示すように、僅かではあるが歪んで減衰力が急変するポイントが出現する。
【００５０】
これに対して、本発明のダンパ制御装置Ｅ１は、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖと減衰力特性レベルに基づいてダンパＤの減衰力を低下させるように補正する。すると、従来では上記伝達減衰力が理想的な減衰力特性に対して歪みが生じる部分において、図７中実線および図８中実線で示すように、減衰力特性レベルの大小に関わらず、ダンパ制御装置Ｅ１は、伝達減衰力の特性の歪みの発生を抑制できる。また、減衰力特性レベルに応じて減衰力の低減量を調節するので、ダンパ制御装置Ｅ１は、減衰力特性レベルが小さい場合に、必要以上に減衰力を低減してしまって減衰力不足を招かないから、減衰力特性レベルの大小に関わらず、車両における乗り心地を向上できる。よって、本発明のダンパ制御装置Ｅ１によれば、路面の突起を乗り越える際にも車両における乗り心地を向上できるのである。
【００５１】
また、この場合、補正ゲインαは、時間的変化量εｖが第一伸側閾値ａ１未満である場合、時間的変化量εｖの絶対値が大きくなると徐々に低下するようになっており、時間的変化量εｖが第一圧側閾値ｂ１を超える場合、時間的変化量εｖの絶対値が大きくなると徐々に低下するようになっている。このように、補正ゲインαｌが徐々に小さくなるから、補正時にあっても、電流指令Ｉ＊＊の急変も緩和されてダンパＤの急峻な減衰力を抑制できる。図７、図８に示すように、圧側移行行程の伝達減衰力の特性が理想的な減衰力特性に対して歪みが生じるタイミングは、伸側移行行程の伝達減衰力の特性が理想的な減衰力特性に対して歪みが生じるタイミングより早い。これに対して、第一の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ１にあっては、第一圧側閾値ｂ１の値を第一伸側閾値ａ１の絶対値よりも小さな値に設定しているので、圧側移行行程と伸側移行行程のそれぞれの歪みが生じるタイミングに合わせて電流指令Ｉ＊を補正できる。つまり、圧側移行行程と伸側移行行程のそれぞれの歪みが生じるタイミングに合わせてダンパＤの減衰力を補正できる。よって、第一の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ１は、圧側移行行程と伸側移行行程のいずれでも車両における乗り心地を向上できる。また、ダンパＤの構造によって、伸長時と収縮時とでは伝達減衰力が歪んでしまう原因となるバルブが異なる。よって、ダンパＤの構造が異なれば、伸長時と収縮時とで、伝達減衰力の特性の歪み時の形状が異なるので、前記した設定に限定されず、第一圧側閾値ｂ１と第一伸側閾値ａ１をダンパＤに適するように設計できる。
【００５２】
このダンパ制御装置Ｅ１では、補正部３がダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖの絶対値とレベル情報から把握される減衰力特性レベルが大きい程、ダンパＤの減衰力の低減量を大きくする補正を行うようになっている。減衰力特性レベルが大きい程、また、ダンパ速度の時間的変化量の絶対値が大きい程、伝達減衰力の特性に歪みが生じやすいので、前述のように設定することで、ダンパ制御装置Ｅ１は、伝達減衰力の特性の歪みを効果的に抑制でき、車両走行状況によらず減衰力の急変を低減できる。
【００５３】
このように、電流制御部４へ与える制御指令としての電流指令Ｉ＊にダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖから求めた補正ゲインαｌを乗じてダンパＤの減衰力を補正するようにしているので、補正ゲインαｌを乗じるだけで制御指令を補正でき、補正演算が容易である。なお、補正部３は、減衰力調整部５へ与える制御指令、この例では、電圧指令Ｌを生成する過程で生成される制御指令である電流指令Ｉ＊に補正ゲインαｌを乗じてダンパＤの減衰力を補正するようになっているが、電流指令Ｉ＊にも減衰力調整部５へ与える制御指令或いはこの制御指令を生成する過程で生成される制御指令に補正ゲインを乗じてダンパＤの減衰力を補正してもよい。
【００５４】
レベル情報が、電流制御部４への制御指令、または、制御指令によりダンパＤが発生する減衰力特性レベルである場合には、減衰力の大きさを容易に推定でき、減衰力特性レベルへの変換が不要となって、そのまま加工せずに、ダンパＤの減衰力の補正処理に使用できるから、減衰力の補正処理が簡単となる。
【００５５】
この実施の形態の場合、レベル情報として電流制御部４へ入力される電流指令Ｉ＊＊を取得するようになっている。電流制御部４は、減衰力調整部５を電流フィードバック制御するので、減衰力調整部５のソレノイドＳｏｌに流れる電流は電流指令Ｉ＊＊に精度良く追従する。よって、電流指令Ｉ＊＊をレベル情報とすると、実際の減衰力特性レベルを精度よく把握でき、減衰力を適切に補正できるため、精度良く伝達減衰力の特性に生じる歪みを低減できる。このような利点は、レベル情報を減衰力調整部５のソレノイドＳｏｌに実際に流れる実電流とすることでも享受できる。
【００５６】
なお、補正部３が時間的変化量εｖから求める補正ゲインαと、レベル情報としての電流指令Ｉ＊＊から求める補正ゲイン下限値αｍｉｎとを求めて、補正ゲインαと補正ゲイン下限値αｍｉｎのうち大きな値を補正ゲインαｌとして採用するようにしている。対して、電流指令Ｉ＊＊によって補正ゲインαを求めるマップを複数用意しておき、電流指令Ｉ＊＊に応じてマップを選択し、選択されたマップと時間的変化量εｖに基づいて補正ゲインαｌを求めるのも可能である。複数のマップを用意しておき、電流指令Ｉ＊＊に基づいてマップを選択して、補正ゲインαｌを求める場合に比較して、単一のマップで補正ゲインαを求め、電流指令Ｉ＊＊から補正ゲイン下限値αｍｉｎを求め、両者から一方を選択して補正ゲインαｌを求める方がダンパ制御装置Ｅ１の補正部３の処理を実行するためのプログラムが簡素となるという利点がある。
【００５７】
前述したように、補正部３は、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖから求めた補正ゲインαと、電流指令Ｉ＊＊から求めた補正ゲイン下限値αｍｉｎとを求め、両者から大きな値を持つ方を最終的な補正ゲインαｌと求めるようにしているが、いくつかの減衰力特性レベルに対応して補正ゲインαを求めるマップを複数用意しておき、レベル情報からマップを選択し、選択されたマップと時間的変化量εｖに基づいて補正ゲインαｌを求めるのも可能である。
【００５８】
したがって、補正部３は、マップ演算部３１で補正ゲインαｌを求め、補正演算部３４で電流指令Ｉ＊に補正ゲインαｌを乗じて当該電流指令Ｉ＊を補正すればよいので、下限値演算部３２とゲイン選択部３３を廃止できる。
【００５９】
具体的には、図９に示すように、たとえば、時間的変化量εｖから補正ゲインαｌを求めるマップをいくつかの電流指令Ｉ＊＊に対応して複数用意しておく。この図９に示した第一例におけるマップ群は、第一伸側閾値ａ１、第二伸側閾値ａ２、第一圧側閾値ｂ１および第二圧側閾値ｂ２を予め決まった値に設定し、伸側最下限値βと圧側最下限値γの値と、時間的変化量εｖが第二伸側閾値ａ２以上第一伸側閾値ａ１未満の範囲の補正ゲインの傾き、および、時間的変化量εｖが第一圧側閾値ｂ１を超え第二圧側閾値ｂ２以下の範囲の補正ゲインの傾きが電流指令Ｉ＊＊によって変化する複数のマップで構成されている。たとえば、電流指令Ｉ＊＊が指示する電流値が、たとえば、０．０Ａから１．０Ａまでの範囲で変化する場合、０．２Ａ刻みで圧側移行行程と伸側移行行程のそれぞれで補正ゲインαｌを求めるマップを用意しておく。
【００６０】
そして、補正ゲインαｌを求めるには、マップ演算部３１に入力される電流指令Ｉ＊＊に対応するマップがあらかじめ用意されている場合には、対応するマップを選択し、選択されたマップとダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖとからマップ演算して、補正ゲインαｌを求めればよい。マップ演算部３１に入力される電流指令Ｉ＊＊に対応するマップがない場合、たとえば、電流指令Ｉ＊＊が０．７Ａを指示し、伸側移行行程である場合、マップ演算部３１は、０．７Ａの両側で伸側移行行程のマップの設定がある０．６Ａに対応するマップと０．８Ａに対応するマップを利用して、それぞれのマップから二つの補正ゲインαｌを求め、これら補正ゲインαｌを線形補間して、電流指令Ｉ＊＊に対応する補正ゲインαｌを求めればよい。
【００６１】
図９に示したマップを使用して補正ゲインαｌと求めると、減衰力特性が低く、減衰力の低減量が少なくて済む場合に、時間的変化量εｖが第二伸側閾値ａ２以上第一伸側閾値ａ１未満の範囲にあるときの補正ゲインの傾き、時間的変化量εｖが第一圧側閾値ｂ１を超え第二圧側閾値ｂ２以下の範囲にあるときの補正ゲインの傾きは、前述した補正ゲインαと補正ゲイン下限値αｍｉｎを求めて補正ゲインαｌを求める場合に比較して緩やかになる。そのため、補正後の電流指令Ｉ＊＊の変化が緩やかになり、ダンパＤの減衰力変化が緩やかになって、車両における乗り心地をより一層効果的に向上できる。
【００６２】
また、マップ群は、図１０に示す第二例のように、第一伸側閾値ａ１、第二伸側閾値ａ２、第一圧側閾値ｂ１および第二圧側閾値ｂ２もレベル情報に応じて変化するように構成されてもよい。この図１０に示すマップ群では、レベル情報である電流指令Ｉ＊＊が小さい場合には、前述したように、歪みが生じにくいので、電流指令Ｉ＊が小さいほど、第一伸側閾値ａ１を負側へシフトし、第一圧側閾値ｂ１を正側へシフトするように変化させる。また、電流指令Ｉ＊＊が小さい程、減衰力の低減量は小さくてよいので、伸側最下限値βと圧側最下限値γの値は、電流指令Ｉ＊＊が小さい程、１に近い値をとるようになっている。電流指令Ｉ＊＊が小さい程、伸側最下限値βと圧側最下限値γの値が１に近づき、第一伸側閾値ａ１が負側へシフトし、第一圧側閾値ｂ１が正側へシフトするように変化するから、第二伸側閾値ａ２もそれに伴って第一伸側閾値ａ１と同方向へシフトし、第二圧側閾値ｂ２もそれに伴って第一圧側閾値ｂ１と同方向へシフトする。
【００６３】
このようなマップ群を用いて補正ゲインαｌを求めるには、図９の第一例におけるマップ群から補正ゲインαｌを得る場合と同様である。つまり、予め、いくつかの電流指令Ｉ＊＊に対応するマップを複数用意してマップ群を構成し、マップ演算部３１は、入力される電流指令Ｉ＊＊に対応するマップがある場合には、そのマップを選択して補正ゲインαｌを求め、そのようなマップがない場合には、電流指令Ｉ＊＊に近い値を持つ電流指令に対応するマップを二つ選択して線形補間によって補正ゲインαｌを求めればよい。
【００６４】
図１０に示したマップでは、電流指令Ｉ＊＊が小さいほど、第一伸側閾値ａ１がリアルタイムに負側へシフトし、第一圧側閾値ｂ１がリアルタイムに正側へシフトするように変化するため、減衰力の低減が不要な場合に、不必要に減衰力を低減しなくて済むようになる。したがって、ダンパ制御装置Ｅ１が図１０に示すマップを利用して補正ゲインαｌを求めると、伝達減衰力の特性の歪みの回避と減衰力不足の回避を高度に両立でき、車両における乗り心地をより一層効果的に向上できる。また、補正ゲインαｌの調整幅を広げることができる。
【００６５】
また、マップ群は、図１１に示す第三例のように、第一伸側閾値ａ１および第一圧側閾値ｂ１がレベル情報に応じて時間的変化量軸に平行にシフトするように変化する構成されてもよい。この図１１に示すマップ群では、レベル情報である電流指令Ｉ＊＊が小さい場合には、前述したように、伝達減衰力の特性の歪みが生じにくいので、電流指令Ｉ＊＊が小さいほど、第一伸側閾値ａ１が負側へシフトし、第一圧側閾値ｂ１が正側へシフトするように変化させる。このマップ群では、伸側最下限値βと圧側最下限値γを設けず、補正ゲインαｌは最小値が０となる。時間的変化量εｖが第一伸側閾値ａ１未満となると補正ゲインが０にまで減少する傾きは、電流指令Ｉ＊＊によって変化せず一定となっており、伸側移行行程では第一伸側閾値ａ１がシフトするだけである。圧側移行行程においても同じで、時間的変化量εｖが第一圧側閾値ｂ１を超える補正ゲインが０にまで減少する傾きは、電流指令Ｉ＊＊によって変化せず一定となっており、第一圧側閾値ｂ１がシフトするだけである。
【００６６】
このようなマップ群を用いて補正ゲインαｌを求めるには、図９の第一例におけるマップ群から補正ゲインαｌを得る場合と同様である。繰り返しになるが、予め、いくつかの電流指令Ｉ＊＊に対応するマップを複数用意してマップ群を構成し、マップ演算部３１は、入力される電流指令Ｉ＊＊に対応するマップがある場合には、そのマップを選択して補正ゲインαｌを求め、そのようなマップがない場合には、電流指令Ｉ＊＊に近い値を持つ電流指令に対応するマップを二つ選択して線形補間によって補正ゲインαｌを求めればよい。
【００６７】
図１１に示したマップでは、電流指令Ｉ＊＊が小さいほど、第一伸側閾値ａ１がリアルタイムに負側へシフトし、第一圧側閾値ｂ１がリアルタイムに正側へシフトするように変化するため、減衰力の低減が不要な場合に、不必要に減衰力を低減しなくて済むようになる。したがって、ダンパ制御装置Ｅ１が図１１に示すマップを利用して補正ゲインαｌを求めると、歪みの発生を回避と減衰力不足の回避を高度に両立でき、車両における乗り心地をより一層効果的に向上できる。
【００６８】
以上、図９から図１１に示したマップ群を用いるとレベル情報に応じてリアルタイムに第一伸側閾値ａ１、第二伸側閾値ａ２、第一圧側閾値ｂ１、第二圧側閾値ｂ２、伸側最下限値βおよび圧側最下限値γを変化させて、歪みの低減と減衰力不足の回避の両立を高度に実現でき、さらには、減衰力変更アルゴリズムを簡略化できる利点があるが、図９から図１１に示したマップ群は一例であって、これに限らず、車両に適切となるようにマップ群を設計変更できる。
【００６９】
また、前述したところでは、補正ゲインαｌをマップから求めているが、時間的変化量εｖから補正ゲインαｌを求める関数をレベル情報に応じて複数用意しておき、レベル情報によって関数を選択し、選択された関数を用いて補正ゲインαｌを求めてもよい。さらに、補正部３は、補正ゲインαｌを求めて、補正ゲインαｌに電流指令Ｉ＊を乗じて補正するようにしているが、補正ゲインαｌを求めるのではなく、電流指令Ｉ＊から差し引く低減量を求めて、電流指令Ｉ＊から低減量を差し引くことで電流指令Ｉ＊＊を求めるようにしてもよい。その場合も、たとえば、時間的変化量εｖと低減量とをマップ化しておき、低減量を求めればよく、レベル情報に対応して複数のマップで構成されるマップ群を保有しておけばよい。
【００７０】
さらに、本発明のダンパ制御装置Ｅ１にあっては、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖに基づいてダンパＤの減衰力を補正するために、路面の突起を乗り越える際の急峻なダンパ速度Ｖｄの変化に対応して車両における乗り心地を向上させるだけでなく、ダンパＤの伸縮の切換時におけるダンパＤの減衰力の急峻な変化も緩和することができる。
【００７１】
また、上記したところでは、変化量取得部１が、前回周期において得られたダンパ速度Ｖｄｐｒｅと今周期において得られたダンパ速度Ｖｄとの差を求めて、当該差をダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖとしていたが、ダンパ速度Ｖｄを微分してダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを得てもよい。さらには、ダンパＤは、車両のばね上部材Ｂとばね下部材Ｗとの間に介装されていて、ばね上部材ＢはダンパＤとこれに並列される懸架ばね以外には何ら拘束されておらず、ばね下部材Ｗが激しく振動する場合、ばね下部材Ｗの振動の振幅は小さく、懸架ばねがばね上部材Ｂへばね下部材Ｗの振動を伝達する力は小さいため、ばね上部材Ｂへの振動伝達は殆どダンパＤの減衰力に起因することになり、ばね上部材Ｂに作用する力は、ダンパＤが発生する減衰力にほぼ等しくなる。ダンパＤは、ダンパ速度Ｖｄに応じて減衰力を発生するため、ばね上部材Ｂの上下方向の加速度を得ればダンパＤのダンパ速度Ｖｄを得ることができ、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを求めることができる。つまり、この場合、車両における各輪のばね上質量にばね上部材Ｂの上下方向の加速度であるばね上加速度を乗じて得られる力が減衰力にほぼ等しくなり、他方、減衰力はダンパＤのダンパ速度Ｖｄにほぼ比例するので、ダンパＤの減衰力とダンパ速度Ｖｄとの関係と各輪のばね上質量を予め承知しておくことで、ばね上加速度からダンパ速度Ｖｄを得ることができ、得たダンパ速度Ｖｄからダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを演算すればよい。また、ばね下部材Ｗが激しく振動する場合、ばね上部材Ｂの共振周波数がばね下部材Ｗの共振周波数よりも低く、ダンパ速度Ｖｄにばね上部材Ｂの振動が与える影響は少ないため、ばね下部材Ｗの上下方向の速度は、ダンパ速度Ｖｄにほぼ等しくなる。よって、ばね下部材Ｗの上下方向の加速度であるばね下加速度を積分してばね下部材Ｗの上下方向の速度を得て、このばね下部材Ｗの上下方向の速度を利用してダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを得ることができる。また、ばね下部材Ｗの上下方向の加速度は、上記ばね下部材Ｗの上下方向の速度を微分した値に相当し、ばね下部材Ｗの上下方向の速度の時間的変化量に相当するので、ばね下部材Ｗの上下方向の加速度をそのままダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖとして用いることもできる。つまり、ばね下部材Ｗの上下方向の加速度に基づいてダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを得ることができる。よって、変化量取得部１にて、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖを把握するために取得する情報は、ダンパ速度Ｖｄそのもの以外にも、ばね上部材Ｂあるいはばね下部材Ｗの上下方向加速度であってもよく、ばね上部材Ｂあるいはばね下部材Ｗの上下方向加速度を情報として取得する場合には設置の容易な加速度センサを用いて、加速度センサに比して設置にコストがかかるストロークセンサを廃止することができる。
【００７２】
また、本発明のダンパ制御装置Ｅ１にあっては、電流制御部４へ入力される電流指令Ｉ＊を補正するので、電流指令Ｉ＊を生成する過程において補正する場合に比較して、制御が単純になる。
【００７３】
さらに、ユニフローに設定されてシリンダ１２からリザーバ１７へ通じる減衰通路２０に設けたソレノイドＳｏｌで弁体を駆動する減衰力調整部５と、吸込通路１８と整流通路１９にそれぞれに逆止弁１８ａ，１９ａを備えるダンパＤにあっては、逆止弁１８ａ，１９ａは、伸長行程と収縮行程において必ずいずれかが開く必要が生じるとともに開応答に遅れが生じるが、本発明のダンパ制御装置Ｅ１と用いることで、ダンパＤの伝達減衰力の特性の歪みを是正することができ、前記歪みも効果的に解消することができる。よって、特に、このダンパ制御装置Ｅ１は、本実施の形態のユニフローに設定されてシリンダ１２からリザーバ１７へ通じる減衰通路２０に設けたソレノイドＳｏｌで弁体を駆動する減衰力調整部５と、吸込通路１８と整流通路１９にそれぞれに逆止弁１８ａ，１９ａを備えるダンパＤに最適となる。
【００７４】
なお、本発明のダンパ制御装置Ｅ１は、ソレノイドＳｏｌで弁体を駆動する減衰力調整部５を備えたダンパＤのみならず、ソレノイド以外のアクチュエータで弁体を駆動するダンパＤや、電気粘性流体や磁気粘性流体を利用したダンパＤに対しても適用することができる。そしてさらに、上記したところでは、減衰力調整部５にソレノイドＳｏｌを用いているので、電流指令Ｉ＊を補正するようにしているが、電流指令Ｉ＊を補正する以外にも制御指令値が電流指令Ｉ＊ではなく目標減衰力指令値として与えられる場合には、目標減衰力指令値を補正するようにしてもよい。
【００７５】
さらに、上記したところでは、電流指令Ｉ＊＊が大きくなると、ダンパＤの減衰力も大きくなるために、時間的変化量εｖの絶対値が大きくなるにつれて補正ゲインαが徐々に低下するようになっているが、減衰力調整部５が電流指令Ｉ＊＊が大きくなるとダンパＤの減衰力を小さくする設定であれば、時間的変化量εｖの絶対値が大きくなるにつれて補正ゲインαが徐々に増大するように設定することも可能である。要するに、伝達減衰力の特性における歪みの発生を抑制するために行う補正を行った結果、補正後の減衰力が補正前の減衰力に比較して低減されるように補正を行えばよい。
【００７６】
＜第二の実施の形態＞
つづいて、第二の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ２について説明する。この第二の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ２は、図１２に示すように、第一の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ２の補正部３のマップ演算部３１の前段に、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖの位相を変化させる位相変更部３５を設けた構成となっている。そのほかの構成は、第一の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ２と同様であるので、説明の重複を避けるため、同じ構成については同じ符号を付すのみとして詳しい説明を省略する。
【００７７】
この第二の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ２では、前述のように、補正部３が位相変更部３５を備えている。位相変更部３５は、この実施の形態では、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖの位相を遅らせるようになっており、具体的には、レベル情報でカットオフ周波数を変更可能な可変ローパスフィルタで構成されている。
【００７８】
位相変更部３５には、レベル情報として電流指令Ｉ＊＊が入力され、電流指令Ｉ＊＊に応じてカットオフ周波数を変化させる。電流指令Ｉ＊＊が大きい場合、減衰力特性レベルも大きくなるが、伸側移行行程および圧側移行行程のいずれでも、ダンパの歪みが生じるタイミングは、減衰力特性レベルが大きい方が減衰力特性レベルが小さい時より遅くなる。よって、位相変更部３５は、電流指令Ｉ＊＊が大きくなればなるほど、カットオフ周波数を低くするように変更する。
【００７９】
このように位相変更部３５を設けると、減衰力特性レベルに応じて時間的変化量εｖの位相を遅らせて、補正ゲインαｌも第一の実施の形態のダンパ制御装置Ｅ１の補正ゲインαｌに対して時間遅れが生じる。伸側移行行程および圧側移行行程において、ダンパの歪みが生じるタイミングは、理想的な減衰力特性に対して時間的に遅れるため、減衰力特性レベルに応じて補正ゲインαｌを時間的に遅らせることで、そのときの減衰力特性レベルに最適となるタイミングで電流指令Ｉ＊が補正され、伝達減衰力の特性に歪みが生じるタイミングでタイムリーに減衰力を低減でき、歪みの発生をより効果的に抑制できる。この効果は、補正ゲインαｌを図９から図１１に示したマップ群を用いて、マップから直接求める場合に、歪み発生抑止効果が高い。というのは、ゲイン選択部３３が補正ゲイン下限値αｍｉｎを選んでしまうと、時間的変化量εｖの位相を遅らせる効果が表れにくくなる。これに対して、図９から図１１に示したマップ群を用いて補正ゲインαｌをマップから直接求める場合には、時間的変化量εｖの位相を遅らせれば、補正ゲインαｌが確実に時間的に遅延するので、歪み発生抑止効果が高くなる。
【００８０】
また、前記したところでは、位相変更部３５は、レベル情報に応じてカットオフ周波数を変更可能なローパスフィルタとされているが、前述したように、伝達減衰力の特性は、理想的な減衰力特性に対してヒステリシスが生じる特性となっている。したがって、位相変更部３５をハイパスフィルタとして、ダンパ速度Ｖｄの時間的変化量εｖの位相を進ませれば、伝達減衰力の特性の持つヒステリシスを低減できる。このようにすることで、伝達減衰力の特性に生じる歪みを取り除きつつ、ヒステリシスを低減して、車両における乗り心地を向上できる。また、位相変更部３５は、バンドフィルタで構成されてもよく、その場合、時間的変化量εｖの位相を或る周波数以下では進ませ、ある周波数以上では遅延させる。周波数を適切に設定すれば、ヒステリシスの低減とタイムリーな減衰力補正を行える。
【００８１】
以上で、本発明の実施の形態についての説明を終えるが、本発明の範囲は図示されまたは説明された詳細そのものには限定されないことは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の車両用ダンパは、車両の制振用途に利用することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１・・・変化量取得部、２・・・レベル情報取得部、３・・・補正部、４・・・電流制御部、５・・・減衰力調整部、１２・・・シリンダ、１３・・・ピストン、１５・・・伸側室、１６・・・圧側室、１７・・・リザーバ、１８・・・吸込通路、１８ａ，１９ａ・・・逆止弁、１９・・・整流通路、２０・・・減衰通路、３５・・・位相変更部、Ｂ・・・ばね上部材、Ｄ・・・ダンパ、Ｅ・・・ダンパ制御装置、Ｗ・・・ばね下部材
【図１】
0006499417.tif 000002
【図２】
0006499417.tif 000003
【図３】
0006499417.tif 000004
【図４】
0006499417.tif 000005
【図５】
0006499417.tif 000006
【図６】
0006499417.tif 000007
【図７】
0006499417.tif 000008
【図８】
0006499417.tif 000009
【図９】
0006499417.tif 000010
【図１０】
0006499417.tif 000011
【図１１】
0006499417.tif 000012
【図１２】
0006499417.tif 000013
【図１３】
0006499417.tif 000014
【図１４】
0006499417.tif 000015
【図１５】
0006499417.tif 000016