(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板の一方の面にアルミニウム回路層が接合されるとともに、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウム金属層が接合されてなるパワーモジュール用基板の前記アルミニウム回路層にめっきを施して、めっき付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、
無電解めっき液に対する耐薬品性を有する枠状の弾性カバー部材の開口孔に、前記アルミニウム回路層を嵌め込むことにより、前記開口孔から前記アルミニウム回路層の上面を露出させた状態で、該開口孔の内周面と前記アルミニウム回路層の側面とを密着させておき、
前記弾性カバー部材を装着した前記パワーモジュール用基板の前記アルミニウム金属層に正電位を印加した状態で、前記パワーモジュール用基板をめっき液中に浸漬して、前記アルミニウム回路層の上面に無電解めっき被膜を形成するめっき処理工程を有することを特徴とするめっき付パワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項２】
前記正電位の印加電圧は、０．１Ｖ以上５Ｖ以下とされることを特徴とする請求項１に記載のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項３】
前記パワーモジュール用基板には、前記アルミニウム金属層に銅又はアルミニウムからなるヒートシンクが接合されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項４】
前記弾性カバー部材は、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、塩素化ポリエチレン、シリコンゴム又はフッ素系ゴムのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板であって、回路層に無電解めっきを施しためっき付パワーモジュール用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のパワーモジュール用基板として、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム又は銅からなる回路層が積層されるとともに、他方の面にアルミニウムからなる金属層が積層されたものが知られている。また、このパワーモジュール用基板の金属層に放熱板が接合され、回路層の上に半導体チップ等の電子部品がはんだ付けされ、パワーモジュールが製造される。
【０００３】
この種のパワーモジュール用基板においては、はんだ濡れ性を向上させて電子部品との接合性を高めるために、回路層の表面にめっき処理が施される。この場合、セラミックス基板を挟んで配置される回路層と金属層のうちの一方の層だけにめっきを行うために、めっきを形成したくない部分には部分的にマスキング処理を行い、マスキング部分へのめっきの形成を防止して部分的にめっきをすることが行われている。
【０００４】
このようなマスキング技術としては、めっきの形成を防止する部分にめっきレジストやマスキングテープ等のマスキング材を形成しておく方法が一般的であるが、特許文献１及び特許文献２に記載されているように、マスキング材を使用せずに通電を利用した方法が知られている。
特許文献１には、金属板（Ｉ）の主面の少なくとも片面に、絶縁層を介して別の金属板（ＩＩ）が配置された板状金属に、めっき液と逆極性の電流を流し、金属板（ＩＩ）に
部分的に無電解めっきを施すことが記載されている。
また、特許文献２には、絶縁層を挟む第１、第２アルミニウム電極層のうち、第１アルミニウム電極板にのみ部分的にめっきを行うために、第２アルミニウム電極層に亜鉛析出防止用の電位を印加した状態でジンケート処理を行うことにより、第１アルミニウム電極層のみに亜鉛置換膜を形成することが記載されており、その後に無電解めっき処理を施すことによって、第１アルミニウム電極層のみに無電解ニッケル被膜を形成することとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３‐１８３８４２号公報
【特許文献２】特開２０１２‐２３７０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１又は特許文献２に記載されるように、めっき処理時に被処理物に電位をかける方法では、めっきが施される回路層の表面全体にめっきが析出することから、回路層の電子部品の搭載面である上面以外の側面等の不要な部分にも、めっきが形成されることとなる。回路層側面へのめっき析出を防止するために、回路層側面にめっきレジストやマスキングテープ等のマスキング材を形成することが考えられるが、回路層の厚さが比較的薄いため、手作業でマスキング作業をしなければならず手間が掛かってしまう問題があった。また、パワーモジュールには、耐久性を上げるために樹脂モールド封止が施されるが、パワーモジュール用基板の不要な部分にめっきが形成されていると、そのめっき部分によりモールド樹脂とパワーモジュール用基板との密着性が阻害され、樹脂モールドの剥離を生じさせるおそれがある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、回路層の側面等の不要な部分へのめっき析出を抑制しつつ、容易にめっき処理を施すことができるめっき付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム回路層が接合されるとともに、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウム金属層が接合されてなるパワーモジュール用基板の前記アルミニウム回路層にめっきを施して、めっき付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、無電解めっき液に対する耐薬品性を有する枠状の弾性カバー部材の開口孔に、前記アルミニウム回路層を嵌め込むことにより、前記開口孔から前記アルミニウム回路層の上面を露出させた状態で、該開口孔の内周面と前記アルミニウム回路層の側面とを密着させておき、前記弾性カバー部材を装着した前記パワーモジュール用基板の前記アルミニウム金属層に正電位を印加した状態で、前記パワーモジュール用基板を無電解めっき液中に浸漬して、前記アルミニウム回路層の上面に無電解めっき被膜を形成するめっき処理工程を有することを特徴とする。
【０００９】
弾性カバー部材の開口孔にアルミニウム回路層を嵌め込んで密着させることで、アルミニウム回路層の上面を開口孔から露出させた状態で、アルミニウム回路層の側面のみを弾性カバー部材で覆った状態とすることができる。そして、このように弾性カバー部材をパワーモジュール用基板に装着した状態で無電解めっき液に浸漬させることで、弾性カバー部材で覆われたアルミニウム回路層の側面へのめっき反応を抑制することができ、アルミニウム回路層の上面のみに無電解めっきを施すことができる。なお、弾性カバー部材は、その弾性を利用してパワーモジュール用基板に装着しているので、めっき処理工程後に容易に取り外すことができる。
一方、アルミニウム金属層には正電位が印加されていることから、パワーモジュール用基板を無電解めっき液中に浸漬させた際に、アルミニウム金属層へのめっき反応を抑制することができる。
したがって、アルミニウム回路層側面へのめっきレジスト塗布工程や、マスキングテープによるマスキング工程等の複雑なマスキング作業を必要とせずに、アルミニウム回路層の側面及びアルミニウム金属層へのめっきの形成を防止でき、簡素化された工程により、アルミニウム回路層の上面のみに無電解めっき被膜を形成することができる。
この場合、アルミニウム金属層に電位を印加する方法は、定電流、定電圧のどちらでも構わないが、定電圧で行うことが好ましい。定電流で行う場合は、電流密度を一定にするために、アルミニウム金属層のサイズごとに、その表面積を考慮して電位を印加する必要があり、作業が複雑になるからである。
また、アルミニウム回路層上面に部分的にめっきをする場合には、めっきレジストの印刷を併用することで、部分めっきを行うことができる。
【００１０】
本発明のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法において、前記正電位の印加電圧は、０．１Ｖ以上５Ｖ以下とされているとよい。
アルミニウム金属層への印加電圧が０．１Ｖ未満では、アルミニウム金属層への無電解めっきの析出を完全に防止することが難しくなる。一方、アルミニウム金属層の印加電圧が５Ｖを超えると、アルミニウムの酸化膜が脆くなり無電解めっき液に溶出するおそれがある。
また、ヒートシンク材として銅を使用する場合には、０．１Ｖ以上１．５Ｖ以下とするとよい。
１．５Ｖを超えると、銅が無電解めっき液に溶出するおそれがある。
【００１１】
本発明のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法において、前記パワーモジュール用基板には、前記アルミニウム金属層に銅又はアルミニウムからなるヒートシンクが接合されている。
アルミニウム金属層とヒートシンクとは導通がとれているので、アルミニウム金属層及びヒートシンクのいずれかに正電位を印加しても、ヒートシンクとアルミニウム金属層とを同電圧とすることができる。したがって、アルミニウム金属層とヒートシンクとの局部的な電池反応も防止でき、アルミニウム回路層の上面のみに無電解めっき被膜を形成することができる。
【００１２】
本発明のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法において、前記弾性カバー部材は、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、塩素化ポリエチレン、シリコンゴム又はフッ素系ゴムのいずれかにより形成されているとよい。
特に、シリコンゴム及びフッ素系ゴムは優れた耐薬品性を有するので、本発明のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法に、好適に用いることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、弾性カバー部材を用いた物理的なマスキングと、正電位を印加することによる通電マスキングとを組み合わせることで、アルミニウム回路層の側面等不要な部分にめっきを析出させることなく、容易にアルミニウム回路層の上面のみに部分的な無電解めっき被膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の製造方法におけるめっき処理工程を説明する模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態の製造方法を説明する模式図であり、パワーモジュール用基板の断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態の製造方法を説明する模式図であり、パワーモジュール用基板の断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態の製造方法を説明する模式図であり、パワーモジュール用基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図２（ｂ）は、本発明の第１実施形態のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法により製造されるめっき付パワーモジュール用基板１００Ａを示しており、このめっき付パワーモジュール用基板１００Ａは、セラミックス基板１１の一方の面に複数のアルミニウム回路層１２が接合され、他方の面にアルミニウム金属層１３が接合されており、アルミニウム回路層１２の上面１２ａに無電解めっき被膜１５が形成されている。
【００１６】
セラミックス基板１１は、アルミニウム回路層１２とアルミニウム金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等のセラミックス材料により矩形状に形成され、例えば０．２ｍｍ〜１ｍｍの厚みとされている。
【００１７】
アルミニウム回路層１２とアルミニウム金属層１３は、純度９９．００質量％以上の純アルミニウム又はアルミニウム合金により形成され、例えば０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚みとされ、通常はセラミックス基板１１より小さい矩形状に形成される。そして、これらアルミニウム回路層１２とアルミニウム金属層１３とは、セラミックス基板１１に、Ａｌ‐Ｓｉ系、Ａｌ‐Ｇｅ系、Ａｌ‐Ｃｕ系、Ａｌ‐Ｍｇ系、又はＡｌ‐Ｍｎ系等の合金のろう材により接合される。また、アルミニウム回路層１２とアルミニウム金属層１３は、それぞれプレス加工により所望の外形に打ち抜いたものをセラミックス基板１１に接合するか、あるいは平板状のものをセラミックス基板１１に接合した後に、エッチング加工により所望の外形に形成するか、いずれかの方法を採用することができる。
【００１８】
なお、各部材の好ましい組み合わせ例としては、セラミックス基板１１が厚み０．６３５ｍｍのＡｌＮ、アルミニウム回路層１２が厚み０．４ｍｍの純アルミニウム板（純度９９．９９質量％以上の４Ｎ‐Ａｌ）、アルミニウム金属層１３が厚み０．４ｍｍの純アルミニウム板（純度９９．９９質量％以上の４Ｎ‐Ａｌ）で構成される。そして、このめっき付パワーモジュール用基板１００Ａのアルミニウム回路層１２には、所望の回路パターンが形成されており、そのアルミニウム回路層１２の上面１２ａに無電解めっき被膜１５が形成されている。この無電解めっき被膜１５は、例えばＮｉＰめっきにより、例えば厚み１μｍ〜９μｍに形成される。
【００１９】
次に、本実施形態のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法について説明する。
（パワーモジュール用基板形成工程）
セラミックス基板１１の各面にろう材を介してアルミニウム回路層１２及びアルミニウム金属層１３となるアルミニウム板を積層し、これらの積層構造体を積層方向に加圧した状態で加熱し、ろう材を溶融させることによってアルミニウム回路層１２及びアルミニウム金属層１３となるアルミニウム板をそれぞれセラミックス基板１１に接合し、アルミニウム回路層１２とアルミニウム金属層１３とを有するパワーモジュール用基板１０を形成する。具体的には、ろう材としてＡｌ‐７質量％Ｓｉろう材を用い、真空雰囲気中で６１０℃以上６５０℃以下の温度で１分〜６０分加熱することにより、セラミックス基板１１にアルミニウム回路層１２及びアルミニウム金属層１３となるアルミニウム板を接合する。
【００２０】
（めっき前処理工程）
パワーモジュール用基板１０のアルミニウム回路層１２の表面に存在する油分やアルミニウム酸化物等の不純物を除去するために、脱脂及びアルカリエッチング処理を行う。
【００２１】
（ジンケート処理工程）
無電解めっき被膜１５とアルミニウム回路層１２との密着性を確保するため、めっき処理工程の前に、アルミニウム回路層１２の表面を亜鉛（Ｚｎ）で被覆するジンケート処理を施す。この際、パワーモジュール用基板１０をジンケート液に浸漬させる前に、図２（ａ）に示すように、ジンケート液や無電解めっき液に対する耐薬品性を有する枠状の弾性カバー部材２０Ａを、パワーモジュール用基板１０に装着しておく。弾性カバー部材２０Ａは、その開口孔２１にアルミニウム回路層１２を嵌め込むことにより、開口孔２１からアルミニウム回路層１２の上面１２ａを露出させた状態で、開口孔２１の内周面とアルミニウム回路層１２の側面１２ｂとを密着させて取り付けられる。また、アルミニウム回路層１２に隣接するセラミックス基板１１の周縁部に、弾性カバー部材２０Ａの爪部２２を引っ掛けることで、セラミックス基板１１の周縁部と弾性カバー部材２０Ａの爪部２２とが密着した状態で取り付けられる。これにより、アルミニウム回路層１２の側面１２ｂが弾性カバー部材２０Ａにより覆われた状態となり、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみを開口孔２１から露出させた状態とすることができる。
【００２２】
弾性カバー部材２０Ａの材料としては、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、塩素化ポリエチレン、シリコンゴム又はフッ素系ゴムを好適に用いることができる。これらのシリコンゴム及びフッ素系ゴムは、耐薬品性を有することから、ジンケート処理工程だけでなく、ジンケート処理後のめっき処理工程においても、好適に用いることができる。
【００２３】
そして、弾性カバー部材２０Ａをパワーモジュール用基板１０に装着した状態で、パワーモジュール用基板をジンケート液に浸漬させる。この際、アルミニウム金属層１３のアルミニウムにジンケート液中の亜鉛が反応することを抑制するために、アルミニウム金属層１３に０．１Ｖ以上５Ｖ以下の正電位を印加した状態で、パワーモジュール用基板１０をジンケート液に浸漬する。これにより、ジンケート液に曝されるアルミニウム回路層１２の上面１２ａのアルミニウムにジンケート液中の亜鉛が反応し、アルミニウムが溶解して表面に亜鉛が置換析出され、アルミニウム回路層１２の上面１２ａに亜鉛被膜が形成される。一方、アルミニウム回路層１２の側面１２ｂは弾性カバー部材２０Ａにより覆われており、アルミニウム金属層１３には正電位が印加されていることから、アルミニウム回路層１２の側面１２ｂ及びアルミニウム金属層１３の表面への亜鉛の置換析出を抑制することができる。
このジンケート処理は、具体的には、パワーモジュール用基板１０をジンケート液に３０秒〜６０秒浸漬させることにより行われる。
【００２４】
なお、ジンケート処理は、２回以上に分けて行ってもよい。１回目のジンケート処理で被覆される亜鉛被膜は粒子が大きい状態であるので、一度、亜鉛被膜を剥離するジンケート剥離処理を施した後に、２回目のジンケート処理を行うことにより、亜鉛粒子が微細な状態で亜鉛被膜が形成される。亜鉛粒子が微細な状態で亜鉛被膜が形成されることにより、アルミニウム回路層１２とニッケルめっきとの密着性をより向上させることができる。なお、ジンケート剥離処理には、１０ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％硝酸を用いることができる。
【００２５】
（めっき処理工程）
そして、ジンケート処理後のパワーモジュール用基板１０を水洗した後、図１に示すように、無電解めっき液６０（ＮｉＰめっき液）に浸漬することによって、ＮｉＰめっき液６０中で亜鉛被膜（Ｚｎ）をニッケル（Ｎｉ）に置換させ、置換されたニッケルを触媒としてめっき反応を進行させることにより、アルミニウム回路層１２上に無電解めっき被膜１５を形成する。この際、弾性カバー部材２０Ａをパワーモジュール用基板１０から取り外すことなく、一連の作業中、すなわちジンケート処理、水洗処理及びめっき処理において、弾性カバー部材２０Ａはパワーモジュール用基板１０に装着した状態とされる。そして、めっき処理工程では、アルミニウム金属層１３へのめっき反応を抑制するために、アルミニウム金属層１３に０．１Ｖ以上５Ｖ以下の正電位を印加した状態で、パワーモジュール用基板１０をＮｉＰめっき液６０中に浸漬する。
【００２６】
具体的には、図１に示すように、電源６５の正極にパワーモジュール用基板１０のアルミニウム金属層１３を接続するとともに、電源６５の負極に電極６３を接続してアルミニウム金属層１３を通電状態とする。電極６３は、あらかじめめっき槽６１に貯留されたＮｉＰめっき液６０に浸漬しておき、アルミニウム金属層１３がＮｉＰめっき液６０に浸漬されると同時に正電位を印加した状態とする。これにより、正電位が印加されたアルミニウム金属層１３へのめっき反応を抑制することができる。また、アルミニウム回路層１２の側面１２ｂは、弾性カバー部材２０Ａで覆われた状態であるので、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみに無電解めっき被膜１５を形成することができる。
【００２７】
この場合、アルミニウム金属層１３への印加電圧が０．１Ｖ未満では、アルミニウム金属層１３へのめっきの析出を完全に防止することが難しくなる。一方、アルミニウム金属層１３の印加電圧が５Ｖを超えると、アルミニウム金属層１３が無電解めっき液に溶出するおそれがある。
なお、アルミニウム金属層１３に電位を印加する方法は、定電流、定電圧のどちらでも構わないが、定電圧で行うことが好ましい。定電流で行う場合は、電流密度を一定にするために、アルミニウム金属層１３のサイズごとに、その表面積を考慮して行う必要があり、作業が煩雑となるからである。
【００２８】
なお、弾性カバー部材２０Ａ、その弾性を利用してパワーモジュール用基板１０に装着されているので、めっき処理工程後に容易に取り外すことができる。
そして、アルミニウム回路層１２の上面１２ａに無電解めっき被膜１５が形成されためっき付パワーモジュール用基板１００Ａには、図２（ｂ）に示すように、その上面１２ａに電子部品５０がはんだ付けされ、電子部品５０とアルミニウム回路層１２との間がボンディングワイヤ等（図示略）で接続されて、パワーモジュールが製造される。
【００２９】
このように、本実施形態のめっき付パワーモジュール用基板の製造方法においては、弾性カバー部材２０Ａの開口孔２１にアルミニウム回路層１２を嵌め込んで密着させることで、アルミニウム回路層１２の上面１２ａを開口孔２１から露出させた状態で、アルミニウム回路層１２の側面１２ｂのみを弾性カバー部材２０Ａで覆った状態とすることができる。そして、このように弾性カバー部材２０Ａをパワーモジュール用基板１０に装着した状態で無電解めっき液６０に浸漬させることで、弾性カバー部材２０Ａで覆われたアルミニウム回路層１２の側面１２ｂへのめっき反応を抑制することができ、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみにめっき処理を施すことができる。
【００３０】
一方、アルミニウム金属層１３には正電位が印加されていることから、パワーモジュール用基板１０を無電解めっき液６０中に浸漬させた際に、アルミニウム金属層１３へのめっき反応を抑制することができる。
したがって、アルミニウム回路層側面へのめっきレジスト塗布工程や、マスキングテープによるマスキング工程等の複雑なマスキング作業を必要とせずに、アルミニウム回路層１２の側面１２ｂ及びアルミニウム金属層１３へのめっきの形成を防止でき、簡素化された工程により、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみに無電解めっき被膜１５を形成することができる。
【００３１】
また、上記の第１実施形態では、セラミックス基板１１の両面にアルミニウム回路層１２とアルミニウム金属層１３とを接合した後に、パワーモジュール用基板１０にめっき処理を施すこととしていたが、図３に示すように、アルミニウム金属層１２に銅又はアルミニウムからなるヒートシンク３０Ｂを接合した後に、アルミニウム回路層１２の上面１２ａにめっき処理を施すことで、めっき付パワーモジュール用基板１００Ｂを製造することもできる。
【００３２】
なお、ヒートシンク３０Ｂは、図示例では平板状に形成されているが、ヒートシンクの形状は特に限定されるものではなく、平板状や、平板の表面にフィンが立設されたもの等の適宜の形状のものが含まれる。
また、ヒートシンク３０Ｂを、例えばＡ３００３アルミニウム合金等のアルミニウムにより形成した場合には、アルミニウム合金層１３とヒートシンク３０Ｂとは、Ａｌ‐Ｓｉ系等のろう合金のろう材により、ろう付け接合できる。一方、ヒートシンク３０Ｂを、例えば無酸素銅等の銅により形成した場合には、アルミニウム合金層１３とヒートシンク３０Ｂとは固相拡散接合により接合できる。
【００３３】
この場合、図３（ａ）に示すように、ヒートシンク３０Ｂに複数のパワーモジュール用基板１０が接合されているが、第１実施形態と同様に、弾性カバー部材２０Ｂの開口孔２１に各パワーモジュール用基板１０のアルミニウム回路層１２を嵌め込むことにより、開口孔２１の内周面とアルミニウム回路層１２の側面１２ｂとを密着させることができる。さらに各パワーモジュール用基板１０のセラミックス基板１１どうしの間に弾性カバー部材２０Ｂの突条部２３を嵌め込むとともに、セラミックス基板１１の周縁部に弾性カバー部材２０Ｂの爪部２２を引っ掛けることで、各パワーモジュール用基板１０の周縁部と弾性カバー部材２０Ｂとが密着した状態で取り付けられる。これにより、アルミニウム回路層１２の側面１２ｂが弾性カバー部材２０Ｂにより覆われた状態を維持でき、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみを開口孔２１から露出させた状態とすることができる。
【００３４】
そして、このように弾性カバー部材２０Ｂをパワーモジュール用基板１０に装着した状態で、第１実施形態と同様に、ジンケート処理、水洗処理及びめっき処理を行うことにより、図３（ｂ）に示すように、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみに無電解めっき被膜１５を形成することができる。この際、アルミニウム金属層１３とヒートシンク３０Ｂとは導通がとれているので、めっき処理工程では、アルミニウム金属層１３及びヒートシンク３０Ｂのいずれかに正電位を印加しても、ヒートシンク３０Ｂとアルミニウム金属層１３とを同電圧とすることができる。したがって、アルミニウム金属層１３とヒートシンク３０Ｂとの局部的な電池反応も防止でき、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみに無電解めっき被膜１５を形成することができる。
【００３５】
なお、ジンケート剥離処理を伴う場合には、上述したように、１０ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％硝酸を用いて亜鉛被膜を剥離するが、ジンケート剥離処理は処理時間が短いので、銅の溶解量は微量に抑えられる。銅の溶出量の低減が必要な場合は、１０ｖｏｌ％硝酸を用いてジンケート剥離処理を行うとよい。
【００３６】
また、図４は第３実施形態を示しているが、図４（ｂ）に示すパワーモジュール用基板１００Ｃのように、ヒートシンク３０Ｃのアルミニウム金属層１３との接合面が一様な平面状ではなく、立壁部３１を有している場合には、弾性カバー部材２０Ｃの開口孔２１にアルミニウム回路層１２を嵌め込むとともに、弾性カバー部材２０Ｃの周縁枠部２４をアルミニウム回路層１２と立壁部３１との間に嵌め込むことにより、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみを開口孔２１から露出させた状態で、弾性カバー部材２０Ｃをパワーモジュール用基板１０に装着することができる。
【００３７】
この場合も、弾性カバー部材２０Ｃをパワーモジュール用基板１０に装着した状態で、第１実施形態と同様に、ジンケート処理、水洗処理及びめっき処理を行うことにより、図４（ｂ）に示すように、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみに無電解めっき被膜１５を形成することができる。また、アルミニウム金属層１３とヒートシンク３０Ｃとは導通がとれているので、めっき処理工程では、ヒートシンク３０Ｃに正電位を印加することで、ヒートシンク３０Ｃとアルミニウム金属層１３とを同電圧とすることができる。したがって、アルミニウム回路層１２の上面１２ａのみに無電解めっき被膜１５を形成することができる。
【００３８】
なお、本発明は、上記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では無電解めっき液としてＮｉＰめっき液を用いたが、これに限らず、ＮｉＢめっき液や、他の無電解めっき液を用いることが可能である。
また、上記実施形態の製造方法に加えて、ジンケート処理工程の前にデスマット処理を行うこととしてもよい。デスマット処理は、アルミニウム回路層をアルカリエッチングした場合に発生するアルミニウム以外の合金金属や酸化物などの不溶物を除去する処理である。デスマット処理は、１０ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％硝酸に、室温で１０秒〜１２０秒浸漬することにより行うことができる。なお、デスマット処理は処理時間が短いため、銅の溶解量は微量に抑えられる、銅の溶出量の低減が必要な場合は、１０ｖｏｌ％硝酸を用いてデスマット処理を行うとよい。
【実施例】
【００３９】
本発明の効果を確認するために、めっき付パワーモジュール用基板を作製してめっき試験を行った。
まず、ＡｌＮからなるセラミックス基板（６０ｍｍ×６０ｍｍ×０．６３５ｍｍｔ）の両面に、純度９９．９９質量％以上のアルミニウム（４Ｎ‐Ａｌ）からなるアルミニウム回路層及びアルミニウム金属層（いずれも５８ｍｍ×５８ｍｍ×０．４ｍｍｔ）をＡｌ‐Ｓｉ系ろう材により接合することにより、各試料のパワーモジュール用基板を作製した。また、一部の試料には、Ａ３００３アルミニウム合金からなるヒートシンク（２００ｍｍ×８０ｍｍ×３ｍｍｔ）、又は無酸素銅からなるヒートシンク（２００ｍｍ×８０ｍｍ×３ｍｍｔ）を接合した。アルミニウム製のヒートシンクはＡｌ‐Ｓｉ系ろう材によりろう接合した。また、銅製のヒートシンクは固相拡散接合により接合した。
以下、ヒートシンクを有しないパワーモジュール用基板を試料１、アルミニウム製のヒートシンクを接合したパワーモジュール用基板を試料２、銅製のヒートシンクを接合したパワーモジュール用基板を試料３として説明する。
【００４０】
各試料への無電解めっき被膜は、以下に示す手順で作製した。
まず、アルミニウム回路層の表面に付着している油分を除去するための脱脂を行った。そして、アルミニウム回路層のアルミニウムの酸化膜を除去するため、アルカリエッチング処理を施した。
次に、アルカリエッチング処理後の各試料について、デスマット処理を行った。デスマット処理は、各試料に弾性カバー部材を装着した状態で、５０ｖｏｌ％硝酸（室温）に３０秒浸漬させることにより行った。
【００４１】
そして、デスマット処理を終えた各試料に、アルミニウム金属層にアルミニウム線で作られたラックを接触させて定電圧電源の正極に接続した。また、定電圧電源の負極には、ＳＵＳ３０４製の直径５ｍｍの棒を接続して陰極として、あらかじめジンケート液に浸漬した。そして、アルミニウム金属層に通電した状態で、定電圧電源に接続された試料をジンケート液（上村工業製：ＡＺ‐３０１‐３Ｘ、２５℃）に浸漬させることによりジンケート処理を行った。なお、ジンケート処理は２回行った。１回目のジンケート処理は、各試料を１分間ジンケート処理を行い、次に、定電圧電源を切ってからジンケート剥離処理を行った後、２回目のジンケート処理を行った。２回目のジンケート処理は、各試料を１回目のジンケート処理と同じジンケート液に３０秒間浸漬させることにより行った。
【００４２】
ジンケート処理後、陰極を無電解めっき液に浸漬し、アルミニウム金属層に通電した状態で、定電圧電源に接続された試料を無電解めっき液に浸漬することにより、アルミニウム回路層の上面に無電解めっき被膜を形成した。
【００４３】
無電解めっき液は、低リンタイプ（メルテックス製エンプレート：ＮＩ‐２４６、Ｎｉ５．７ｇ／Ｌ、ｐＨ６．７、８０℃）、中リンタイプ（上村工業製ニムデン：ＮＰＲ‐４、Ｎｉ５．０ｇ／Ｌ、ｐＨ４．６、８０℃）、ＮｉＢタイプ（上村工業製ベルニッケル：Ｎｉ６．７ｇ／Ｌ、ｐＨ６．６、６０℃）を用いて、めっき処理を行った。また、めっき膜厚はいずれも５μｍを目途にめっき時間を設定し、低リンタイプでは１６分、中リンタイプでは２６分、ＮｉＢタイプでは６０分とした。
【００４４】
そして、このようにして作製した各試料について、「アルミニウム及び銅の溶出」と、「アルミニウム金属層及びヒートシンクへのめっき析出」と、「アルミニウム回路層側面へのめっき析出」とを評価した。
「アルミニウム及び銅の溶出」の評価は、各試料へのめっき処理工程後の無電解めっき液中のＡｌ濃度又はＣｕ濃度を測定して行った。試料１及び試料２では無電解めっき液中のＡｌ濃度を、試料３では無電解めっき液中のＣｕ濃度を、それぞれ誘導結合プラズマ発光分光分析装置（Ｐｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ社製のＯｐｔｉｍａ  ３０００ＸＬ）により測定して行った。そして、試料１及び試料２では、無電解めっき液中のＡｌ濃度が０．１ｍｇ／Ｌ以下とされるものについては、アルミニウム金属層及びヒートシンクからのアルミニウムの溶出がないものとして「◎」と評価し、Ａｌ濃度が０．１ｍｇ／Ｌを超えるものについては、アルミニウムの溶出があるものとして「○」と評価した。
一方、試料３では、無電解めっき液中のＣｕ濃度が０．１ｍｇ／Ｌ以下とされるものについては、ヒートシンクからの銅の溶出がないものとして「◎」と評価し、Ｃｕ濃度が０．１ｍｇ／Ｌを超えるものについては、銅の溶出があるものとして「○」と評価した。
【００４５】
「アルミニウム金属層及びヒートシンクへのめっき析出」と「アルミニウム回路層側面へのめっき析出」の評価は、走査電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製Ｓ‐３４００Ｎ、１５ｋＶ）により６０μｍ×４５μｍの視野でＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ‐Ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）観察することにより行った。そして、ＥＤＳでニッケル（Ｎｉ）量が０．２ａｔ％未満であったものをめっき析出がないものとして「◎」と評価し、ニッケル量が０．２ａｔ％以上であったものを「○」と評価した。なお、「アルミニウム金属層及びヒートシンクへのめっき析出」の評価は、試料１においてはアルミニウム金属層表面を、試料２及び試料３においてはヒートシンク表面を評価した。
表１に結果を示す。
【００４６】
【表１】
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【００４７】
表１からわかるように、試料１では、印加電圧が０．１Ｖ以上の範囲では、アルミニウム金属層へのめっき析出が発生しなかった。また、印加電圧が５．０Ｖ以下の範囲の場合、アルミニウムの溶出が発生しないことを確認できた。
また、試料２も同様に、印加電圧が０．１Ｖ以上の範囲では、アルミニウムヒートシンクへのめっき析出が発生しなかった。印加電圧が５．０Ｖ以下の範囲の場合、アルミニウムの溶出が発生しないことを確認できた。
試料３では、印加電圧が０．１Ｖ以上の範囲では、銅ヒートシンクへのめっき析出が発生しなかった。また、印加電圧が１．５Ｖ以下の範囲の場合、銅の溶出が発生しないことを確認できた。
試料１〜３において、弾性カバー部材を装着したアルミニウム回路層の側面にはめっき析出が発生しないことを確認できた。
【符号の説明】
【００４８】
１０  パワーモジュール用基板
１１  セラミックス基板
１２  アルミニウム回路層
１２ａ  上面
１２ｂ  側面
１３  アルミニウム金属層
１５  無電解めっき被膜
２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ  弾性カバー部材
２１  開口孔
２２  爪部
２３  突条部
２４  周縁枠部
３０Ｂ，３０Ｃ  ヒートシンク
３１  立壁部
５０  電子部品
６０  無電解めっき液（ＮｉＰめっき液）
６１  めっき槽
６３  電極
６５  電源
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ  めっき付パワーモジュール用基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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