(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の一方の主面側から第１所定深さを飛程としてプロトンを照射し、プロトンを含み、かつ前記第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する第１導電型の第１半導体層を形成する第１照射工程と、
熱処理によりプロトンを活性化させる第１熱処理工程と、
前記半導体基板の一方の主面側から前記第１所定深さよりも深い第２所定深さを飛程としてヘリウムを照射し、前記半導体基板に格子欠陥を導入する第２照射工程と、
熱処理により、前記半導体基板中の前記格子欠陥の量を調整する第２熱処理工程と、
を含み、
前記第２熱処理工程では、前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に、プロトンおよびヘリウムを含み、かつ前記第１半導体層に接する第１導電型の第２半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２熱処理工程では、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の他方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する前記第２半導体層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１照射工程の前に、前記半導体基板の他方の主面側に第２導電型半導体領域を形成する工程をさらに含み、
前記第２導電型半導体領域と前記半導体基板との間のｐｎ接合から前記半導体基板の一方の主面側に伸びる空乏層の伸びを抑制するフィールドストップ層として、前記第１半導体層および前記第２半導体層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１照射工程では、
異なる飛程でプロトンを複数回照射し、前記半導体基板の一方の主面からの深さの異なる複数の前記第１半導体層を形成し、
複数の前記第１半導体層のうち、前記半導体基板の一方の主面から最も深い位置に形成する前記第１半導体層を、前記第１所定深さを飛程とするプロトン照射により形成することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２熱処理工程では、さらに、前記第１半導体層よりも前記半導体基板の一方の主面側に、前記第１半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第３半導体層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２熱処理工程では、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の一方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する前記第３半導体層を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
第１導電型の半導体基板の内部に設けられ、前記半導体基板の一方の主面から第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する、プロトンを含む第１導電型の第１半導体層と、
前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に設けられ、前記第１半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第２半導体層と、
前記半導体基板の一方の主面から前記第２半導体層よりも深い第２所定深さに設けられ、ヘリウムおよび空孔を含む格子欠陥からなる欠陥層と、
前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１導電型の半導体基板の内部に設けられ、前記半導体基板の一方の主面から第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する、プロトンを含む第１導電型の第１半導体層と、
前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に設けられ、前記第１半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第２半導体層と、
前記半導体基板の一方の主面から前記第２半導体層よりも深い第２所定深さに含まれる、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムにより導入された格子欠陥からなる欠陥層と、
前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１導電型の半導体基板の内部に設けられ、前記半導体基板の一方の主面から第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する、プロトンを含む第１導電型の第１半導体層と、
前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に設けられ、前記第１半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第２半導体層と、
前記半導体基板の一方の主面から前記第１所定深さよりも深い第２所定深さに設けられ、ヘリウムおよび空孔を含む格子欠陥からなる欠陥層と、
前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域と、
を備え、
前記半導体基板のキャリア濃度は、前記欠陥層を設けた部分で他の部分より低くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記第２半導体層は、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の他方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有することを特徴とする請求項７〜９のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第２導電型半導体領域をさらに備え、
前記第１半導体層および前記第２半導体層は、前記第２導電型半導体領域と前記半導体基板との間のｐｎ接合から前記半導体基板の一方の主面側に伸びる空乏層の伸びを抑制するフィールドストップ層であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体基板の一方の主面からの深さの異なる複数の前記第１半導体層を備え、
複数の前記第１半導体層のうち、前記半導体基板の一方の主面から最も深い位置に設けられた前記第１半導体層は、前記第１所定深さにキャリア濃度のピークを有することを特徴とする請求項７〜９のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１半導体層よりも前記半導体基板の一方の主面側に設けられ、前記第１半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第３半導体層を備えることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第３半導体層は、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の一方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記半導体基板のキャリア濃度は、前記欠陥層を設けた部分で他の部分より低くなっていることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１半導体層のキャリア濃度のピークは、照射された前記プロトンの到達位置であり、
前記第２半導体層はキャリア濃度のピークを有し、前記第２半導体層のキャリア濃度のピークは、前記到達位置よりも前記他方の主面側に位置することを特徴とする請求項７〜１５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第２半導体層の厚さは、前記第１半導体層の厚さより厚いことを特徴とする請求項７〜１６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第２導電型半導体領域と、前記第２導電型半導体領域の内部に選択的に設けられた第１導電型エミッタ領域と、前記第２導電型半導体領域および前記第１導電型エミッタ領域を貫通して前記半導体基板に達する第１トレンチと、前記第１トレンチの内部に第１ゲート絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、前記半導体基板の一方の主面側に設けられた第２導電型コレクタ領域と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、
前記第２導電型半導体領域と、前記第２導電型半導体領域を貫通して前記半導体基板に達する第２トレンチと、前記第２トレンチの内部に第２ゲート絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、前記半導体基板の一方の主面側に設けられた第１導電型カソード領域と、を有するダイオードが設けられた第２素子領域と、
前記第２導電型半導体領域および前記エミッタ領域に接する第１電極と、
前記第２導電型コレクタ領域および第１導電型カソード領域に接する第２電極と、
をさらに備え、
前記第１半導体層は、前記第１素子領域と前記第２素子領域とに設けられ、
前記第２半導体層は、前記第２素子領域に設けられ、前記第１素子領域の一部まで延在することを特徴とする請求項７〜１７のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記半導体基板は、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により作製したインゴットから切断された半導体基板であることを特徴とする請求項７〜１８のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第２導電型半導体領域と、前記第２導電型半導体領域の内部に選択的に設けられた第１導電型エミッタ領域と、前記第２導電型半導体領域および前記第１導電型エミッタ領域を貫通して前記半導体基板に達する第１トレンチと、前記第１トレンチの内部に第１ゲート絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、を有するＭＯＳゲートをさらに備え、
前記第２所定深さは、前記半導体基板の他方の主面側に設けられた前記ＭＯＳゲートに達しない深さであることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と、このＩＧＢＴに逆並列に接続した還流ダイオード（ＦＷＤ：Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）とを同一半導体基板上に一体化した逆導通型ＩＧＢＴ（ＲＣ（Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）−ＩＧＢＴ）が公知である。ＲＣ−ＩＧＢＴなどのパワー半導体装置では、ｎ-型ドリフト層のキャリアライフタイムを制御したり、ｎ-型ドリフト層の内部にｎ型フィールドストップ（ＦＳ：Ｆｉｅｌｄ  Ｓｔｏｐ）層を形成したり、することが一般的である。【０００３】
従来のＦＳ型ＲＣ−ＩＧＢＴの製造方法について説明する。図１６は、従来のＦＳ型ＲＣ−ＩＧＢＴの製造方法の概要を示すフローチャートである。まず、通常採用される厚い状態の半導体ウエハのおもて面側に、一般的な方法により、ＭＯＳゲート（金属−酸化膜−半導体からなる絶縁ゲート）、層間絶縁膜およびおもて面電極（電極パッド）などのおもて面素子構造を形成する（ステップＳ１０１）。次に、半導体ウエハを裏面側から研削していき、半導体装置として用いる製品厚さの位置まで研削する（ステップＳ１０２）。次に、半導体ウエハの研削後の裏面からリン（Ｐ）やセレン（Ｓｅ）をイオン注入し、半導体ウエハの裏面の表面層に、ＩＧＢＴ領域からダイオード領域にわたってｎ型ＦＳ層を形成する（ステップＳ１０３）。【０００４】
次に、半導体ウエハの裏面からボロン（Ｂ）をイオン注入し、半導体ウエハの裏面の表面層の、ｎ型ＦＳ層よりも浅い位置に、ＩＧＢＴ領域からダイオード領域にわたってｐ+型コレクタ領域を形成する（ステップＳ１０４）。次に、フォトリソグラフィにより、半導体ウエハの裏面に、ダイオード領域に対応する部分を開口したレジストマスクを形成する（ステップＳ１０５）。次に、このレジストマスクをマスクとして半導体ウエハの裏面からリンをイオン注入し、半導体ウエハの裏面の表面層の、ダイオード領域におけるｐ+型コレクタ領域をｎ型に反転させてｎ+型カソード領域を形成する（ステップＳ１０６）。次に、灰化（アッシング）処理によりレジストマスクを除去する（ステップＳ１０７）。【０００５】
次に、半導体ウエハにイオン注入した不純物を熱処理により拡散させる（ステップＳ１０８）。次に、半導体ウエハのおもて面に、ポリイミド表面保護膜を形成する（ステップＳ１０９）。次に、半導体ウエハにヘリウム（Ｈｅ）または電子線を照射して、ｎ-型ドリフト層にライフタイムキラーとなる格子欠陥（結晶欠陥）を導入する（ステップＳ１１０）。次に、熱処理（アニール）によりヘリウムまたは電子線による格子欠陥を回復させて半導体ウエハ中の格子欠陥量を調整する。これにより、キャリアライフタイムを調整する（ステップＳ１１１）。次に、半導体ウエハの裏面に、ｐ+型コレクタ領域およびｎ+型カソード領域に接する裏面電極を形成する（ステップＳ１１２）。その後、半導体ウエハを切断（ダイシング）して個々のチップ状に個片化することで、従来のＲＣ−ＩＧＢＴが完成する。【０００６】
ＲＣ−ＩＧＢＴのキャリアライフタイムを制御する方法として、ダイオード側のｎ-型層中のｐｎ接合近傍のキャリアライフタイム制御と、ｎ-ｎ+接合近傍のキャリアライフタイム制御とを、それぞれプロトン（Ｈ+）を両主面から照射することによって制御する方法が提案されている（例えば、下記特許文献１（第０００７，００１４段落、第１図）参照。）。下記特許文献１では、ｎ-型層中のｐｎ接合およびｎ-ｎ+接合にそれぞれ近い側の主面からプロトンを照射している。また、ｎ-型層中のｐｎ接合近傍およびｎ-ｎ+接合近傍のキャリアライフタイムを、プロトンと電子線とを二重に照射することにより制御することが提案されている。【０００７】
また、別の方法として、Ｈｅ線マスクで基板裏面のうちのダイオード領域を覆い、ＩＧＢＴ領域にヘリウムを打ち込み、その後、基板裏面のうちのＩＧＢＴ領域の活性領域をＨｅ線マスクで覆い、ダイオード領域およびＩＧＢＴ領域の外縁部にヘリウムを打ち込むことでキャリアライフタイムを制御する方法が提案されている（例えば、下記特許文献２（第００５３，００５６〜００５７段落、第４，５図）参照。）。下記特許文献２では、Ｈｅ線マスクによってヘリウムの飛程を調整し、ＩＧＢＴ領域のコレクタ層全域と、ダイオード領域のドリフト層、ＦＳ層およびカソード層の全域とに低ライフタイム領域を形成している。【０００８】
また、ＲＣ−ＩＧＢＴのキャリアライフタイムを制御する別の方法として、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域の両方に亘り、おもて面のｐ型アノード層およびＭＯＳゲート領域のトレンチゲートより少し深い位置に第１の低ライフタイム領域と、裏面のｎ型カソード層およびｐ型コレクタ層から少し基板内側の深い位置に第２の低ライフタイム領域と、を形成する方法が提案されている（例えば下記特許文献３、第００２６，００３５〜００４０段落、第６図等を参照）。下記特許文献３では、第１の低ライフタイム領域は表面または裏面からヘリウム（Ｈｅ）を照射し、第２の低ライフタイム領域は裏面からヘリウム（Ｈｅ）を照射してそれぞれ所定の深さに結晶欠陥密度がピークとなるよう形成する方法が記載されている。また、第２の低ライフタイム領域がダイオード領域にも設けられていると、ＩＧＢＴ領域のスイッチング速度をさらに改善することができるとの記載がある。【０００９】
さらに、ダイオードのキャリアライフタイムを制御する方法として、プロトン照射やヘリウム照射などの粒子線照射によりｎ+型カソード層内に第１の低キャリアライフタイム領域を形成し、プロトン照射などの粒子線照射によりｐ型アノード層のｎ-型カソード層内に第２の低キャリアライフタイム領域を形成する方法が提案されている（例えば下記特許文献４、第００４７〜００５２、第４図等を参照）。下記特許文献４には、粒子線照射は半導体基板のどちらの面から行ってもよいとの記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平０８−１０２５４５号公報
【特許文献２】特開２０１２−０４３８９１号公報
【特許文献３】特開２０１１−２３８８７２号公報
【特許文献４】特開平１０−０７４９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述したようにリンやセレンのイオン注入でｎ型ＦＳ層を形成する場合は、ウエハ裏面から深い位置にｎ型ＦＳ層を制御性良く形成することが難しく、ＩＧＢＴのターンオフ振動やダイオードの逆回復振動を抑制することができない。一方、プロトン照射であればｎ型ＦＳ層を制御性良く形成することができる。しかしながら、プロトンの照射深さは製造装置の能力に依存するため、ウエハ裏面から深い位置にまで達するｎ型ＦＳ層を形成するためには、高加速度でプロトンを照射可能な高価な製造装置を必要とし、コストが増大するという問題がある。【００１２】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ドリフト層の内部に、ドリフト層と同導電型で、かつドリフト層よりもキャリア濃度の高い半導体層を有する半導体装置において、信頼性を向上させることができ、かつ低コスト化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。まず、第１導電型の半導体基板の一方の主面側から第１所定深さを飛程としてプロトンを照射し、プロトンを含み、前記第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する第１導電型の第１半導体層を形成する第１照射工程を行う。次に、熱処理によりプロトンを活性化させる第１熱処理工程を行う。次に、前記半導体基板の一方の主面側から前記第１所定深さよりも深い第２所定深さを飛程としてヘリウムを照射し、前記半導体基板に格子欠陥を導入する第２照射工程を行う。次に、熱処理により、前記半導体基板中の前記格子欠陥の量を調整する第２熱処理工程を行う。前記第２熱処理工程では、前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に、プロトンおよびヘリウムを含み、前記第１半導体層に接する第１導電型の第２半導体層を形成する。【００１４】
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２熱処理工程では、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の他方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する前記第２半導体層を形成することを特徴とする。【００１５】
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１照射工程の前に、前記半導体基板の他方の主面側に第２導電型半導体領域を形成する工程をさらに含む。前記第２導電型半導体領域と前記半導体基板との間のｐｎ接合から前記半導体基板の一方の主面側に伸びる空乏層の伸びを抑制するフィールドストップ層として、前記第１半導体層および前記第２半導体層を形成することを特徴とする。【００１６】
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第１照射工程では、異なる飛程でプロトンを複数回照射し、前記半導体基板の一方の主面からの深さの異なる複数の前記第１半導体層を形成する。複数の前記第１半導体層のうち、前記半導体基板の一方の主面から最も深い位置に形成する前記第１半導体層を、前記第１所定深さを飛程とするプロトン照射により形成することを特徴とする。【００１７】
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２熱処理工程では、さらに、前記第１半導体層よりも前記半導体基板の一方の主面側に、前記第１半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第３半導体層を形成することを特徴とする。【００１８】
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２熱処理工程では、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の一方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する前記第３半導体層を形成することを特徴とする。【００１９】
また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。第１導電型の半導体基板の内部に、プロトンを含む第１導電型の第１半導体層が設けられている。前記第１半導体層は、前記半導体基板の一方の主面から第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する。前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第２半導体層が設けられている。前記第２半導体層は、前記第１半導体層に接する。前記半導体基板の一方の主面から前記第２半導体層よりも深い第２所定深さに設けられ、ヘリウムおよび空孔を含む格子欠陥からなる欠陥層、前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域を備える。また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。第１導電型の半導体基板の内部に、プロトンを含む第１導電型の第１半導体層が設けられている。前記第１半導体層は、前記半導体基板の一方の主面から第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する。前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第２半導体層が設けられている。前記第２半導体層は、前記第１半導体層に接する。前記半導体基板の一方の主面から前記第２半導体層よりも深い第２所定深さに含まれる、前記半導体基板の裏面から照射されたヘリウムにより導入された格子欠陥からなる欠陥層、前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域を備える。また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。第１導電型の半導体基板の内部に、プロトンを含む第１導電型の第１半導体層が設けられている。前記第１半導体層は、前記半導体基板の一方の主面から第１所定深さにキャリア濃度のピークを有する。前記第１半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第２半導体層が設けられている。前記第２半導体層は、前記第１半導体層に接する。前記半導体基板の一方の主面から前記第１所定深さよりも深い第２所定深さに設けられ、ヘリウムおよび空孔を含む格子欠陥からなる欠陥層、前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域を備える。前記半導体基板のキャリア濃度は、前記欠陥層を設けた部分で他の部分より低くなっている。
【００２０】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第２半導体層は、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の他方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有することを特徴とする。【００２１】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第２導電型半導体領域をさらに備える。前記第１半導体層および前記第２半導体層は、前記第２導電型半導体領域と前記半導体基板との間のｐｎ接合から前記半導体基板の一方の主面側に伸びる空乏層の伸びを抑制するフィールドストップ層であることを特徴とする。【００２２】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記半導体基板の一方の主面からの深さの異なる複数の前記第１半導体層を備える。複数の前記第１半導体層のうち、前記半導体基板の一方の主面から最も深い位置に設けられた前記第１半導体層は、前記第１所定深さにキャリア濃度のピークを有することを特徴とする。【００２３】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第１半導体層よりも前記半導体基板の一方の主面側に設けられ、前記第１半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第１導電型の第３半導体層を備えることを特徴とする。【００２４】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第３半導体層は、前記第１半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の一方の主面側に向うにしたがって前記第１半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有することを特徴とする。【００２５】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記半導体基板のキャリア濃度は、前記欠陥層を設けた部分で他の部分より低くなっていることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第１半導体層のキャリア濃度のピークは、照射された前記プロトンの到達位置であり、前記第２半導体層はキャリア濃度のピークを有し、前記第２半導体層のキャリア濃度のピークは、前記到達位置よりも前記他方の主面側に位置する。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第２半導体層の厚さは、前記第１半導体層の厚さより厚いことを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第２導電型半導体領域と、前記第２導電型半導体領域の内部に選択的に設けられた第１導電型エミッタ領域と、前記第２導電型半導体領域および前記第１導電型エミッタ領域を貫通して前記半導体基板に達する第１トレンチと、前記第１トレンチの内部に第１ゲート絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、前記半導体基板の一方の主面側に設けられた第２導電型コレクタ領域と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、前記第２導電型半導体領域と、前記第２導電型半導体領域を貫通して前記半導体基板に達する第２トレンチと、前記第２トレンチの内部に第２ゲート絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、前記半導体基板の一方の主面側に設けられた第１導電型カソード領域と、を有するダイオードが設けられた第２素子領域と、前記第２導電型半導体領域および前記エミッタ領域に接する第１電極と、前記第２導電型コレクタ領域および第１導電型カソード領域に接する第２電極と、をさらに備え、前記第１半導体層は、前記第１素子領域と前記第２素子領域とに設けられ、前記第２半導体層は、前記第２素子領域に設けられ、前記第１素子領域の一部まで延在することを特徴とする。また、前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第２導電型半導体領域と、前記第２導電型半導体領域の内部に選択的に設けられた第１導電型エミッタ領域と、前記第２導電型半導体領域および前記第１導電型エミッタ領域を貫通して前記半導体基板に達する第１トレンチと、前記第１トレンチの内部に第１ゲート絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、を有するＭＯＳゲートをさらに備え、前記第２所定深さは、前記半導体基板の他方の主面側に設けられた前記ＭＯＳゲートに達しない深さであることを特徴とする。
【００２６】
上述した発明によれば、第２熱処理工程により第１半導体層中の活性化されていないプロトンが拡散されることで、この拡散されたプロトンと、当該第１半導体層付近にヘリウム照射により導入されたヘリウムと、を含む第２半導体層を、第１半導体層に接するように形成することができる。このため、例えばフィールドストップ層やブロードバッファ層として、第１，２半導体層からなる厚さの厚い半導体層をプロトン照射装置の性能によらず制御性よく形成することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、ドリフト層の内部に、ドリフト層と同導電型で、かつドリフト層よりもキャリア濃度の高いフィールドストップ層やブロードバッファ層などの半導体層を有する半導体装置において、信頼性を向上させることができ、かつ低コスト化を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである（その１）。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである（その２）。
【図３】図３は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図４】図４は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図５】図５は、実施例１にかかる半導体装置のＦＳ層のキャリア濃度分布を示す特性図である。
【図６】図６は、比較例となる半導体装置のＦＳ層のキャリア濃度分布を示す特性図である。
【図７】図７は、ヘリウム照射によるキャリア濃度分布を示す特性図である。
【図８】図８は、実施の形態２にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。
【図９】図８は、実施の形態３にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。
【図１０】図１０は、実施の形態３にかかる半導体装置の別の一例のキャリア濃度分布を示す説明図である。
【図１１】図１１は、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。
【図１２】図１２は、実施の形態５にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。
【図１３】図１３は、実施の形態５にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図１４】図１４は、実施の形態５にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図１５】図１５は、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、従来のＦＳ型ＲＣ−ＩＧＢＴの製造方法の概要を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施の形態では第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型とする。
【００３０】
（実施の形態１）
実施の形態１にかかる半導体装置の構造について、ＲＣ−ＩＧＢＴを例に説明する。図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図１（ａ）には断面構造を示し、図１（ｂ）には図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ'における基板裏面（半導体基板と裏面電極との境界）から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。図１に示す実施の形態１にかかる半導体装置は、トレンチゲート構造のＩＧＢＴと、このＩＧＢＴに逆並列に接続したダイオードとを同一の半導体基板（半導体チップ）上に一体化したＲＣ−ＩＧＢＴである。具体的には、同一の半導体基板上に、ＩＧＢＴの動作領域となるＩＧＢＴ領域２１と、ダイオードの動作領域となるダイオード領域２２と、が並列に設けられている。
【００３１】
ｎ-型ドリフト層１となる半導体基板のおもて面の表面層には、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２にわたってｐ型ベース層（第２導電型半導体領域）２が設けられている。ｐ型ベース層２は、ダイオード領域２２においてｐ型アノード領域として機能する。ｐ型ベース層２を貫通してｎ-型ドリフト層１に達するトレンチ３が設けられている。トレンチ３は、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２に向う方向に所定の間隔で例えばストライプ状の平面レイアウトに配置され、ｐ型ベース層２を複数の領域（メサ部）に分離する。トレンチ３の内部には、トレンチ３の内壁に沿ってゲート絶縁膜４が設けられ、ゲート絶縁膜４の内側にゲート電極５が設けられている。
【００３２】
ＩＧＢＴ領域２１において、ｐ型ベース層２の内部には、各メサ部にそれぞれｎ+型エミッタ領域６およびｐ+型コンタクト領域７がそれぞれ選択的に設けられている。ｎ+型エミッタ領域６は、トレンチ３の内壁に設けられたゲート絶縁膜４を挟んでゲート電極５に対向する。ダイオード領域２２において、ｐ型ベース層２の内部には、ｎ+型エミッタ領域６は設けられていない。おもて面電極９は、コンタクトホールを介してｎ+型エミッタ領域６およびｐ+型コンタクト領域７に接するとともに、層間絶縁膜８によってゲート電極５と電気的に絶縁されている。おもて面電極９は、ＩＧＢＴ領域２１においてエミッタ電極として機能し、ダイオード領域２２においてアノード電極として機能する。
【００３３】
ｎ-型ドリフト層１の内部には、基板裏面側に、ｎ型フィールドストップ（ＦＳ）層１０が設けられている。ｎ型ＦＳ層１０は、オフ時にｐ型ベース層２とｎ-型ドリフト層１との間のｐｎ接合からｐ+型コレクタ領域１２側に伸びる空乏層の伸びを抑制する機能を有する。ｎ型ＦＳ層１０は、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２にわたって、基板裏面からの深さの異なる複数段（ここでは４段とする）のｎ型層（第１半導体層）１０ａ〜１０ｄを有する。図１では、基板裏面に最も近い第１ｎ型層１０ａから順に、基板裏面から深さ方向に符号１０ａ〜１０ｄを付す。これら複数段のｎ型層（以下、第１〜４ｎ型層とする）１０ａ〜１０ｄは、飛程（射影飛程（入射角に沿った投影長））Ｒｐの異なる複数回のプロトン（Ｈ+）照射により形成された、プロトンを含む拡散層である。
【００３４】
プロトンを含む拡散層とは、プロトンすなわち水素（Ｈ）と、主にプロトン照射時に形成された空孔（Ｖ）と、半導体基板に含まれている酸素（Ｏ）との複合欠陥（ＶＯＨ）を含むドナー層である。ＶＯＨ複合欠陥は、水素関連ドナーまたは水素ドナーと呼ばれるドナーで、シリコンあるいはシリコンを含む半導体においてドナーを示す欠陥である。以下、単に水素ドナーと呼ぶことにする。
【００３５】
第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄは、それぞれ、プロトン照射のプロトンの到達位置（基板裏面から飛程Ｒｐ分の深さ位置）をピーク（極大値）とし、当該ピーク位置から基板両主面側（アノード側およびカソード側）にそれぞれ向うにしたがって急峻に減少するキャリア濃度分布を有する。基板裏面に最も近い第１ｎ型層１０ａのキャリア濃度のピークは、後述するｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３のキャリア濃度よりも低く、かつ他の第２〜４ｎ型層１０ｂ〜１０ｄのキャリア濃度のピークよりも高い。第１ｎ型層１０ａは、ｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３に接していてもよい。第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄは、基板裏面から深い位置に配置されるほど、キャリア濃度のピークが低くなっている。第２〜４ｎ型層１０ｂ〜１０ｄのキャリア濃度のピークはほぼ同程度であってもよい。プロトンを用いることで、制御性良く基板裏面から所定の深さに第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄを形成することができる。
【００３６】
さらに、ｎ型ＦＳ層１０は、基板裏面から第４ｎ型層１０ｄよりも深い位置にｎ型層（以下、第５ｎ型層（第２半導体層）とする）１０ｅを有する。第５ｎ型層１０ｅは、ダイオード領域２２に設けられている。第５ｎ型層１０ｅは、ＩＧＢＴ領域２１の、ダイオード領域２２との境界付近にまで延在していてもよい。また、第５ｎ型層１０ｅは、第４ｎ型層１０ｄを形成するためのプロトン照射と、例えばｎ-型ドリフト層１のキャリアライフタイムを制御するためのヘリウム（Ｈｅ）照射とにより形成された、プロトンおよびヘリウムを含む拡散層である。第５ｎ型層１０ｅは、第４ｎ型層１０ｄのアノード側に接し、基板裏面から第４ｎ型層１０ｄよりも深い位置にキャリア濃度のピークを有する。また、第５ｎ型層１０ｅは、プロトン照射による第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄよりもキャリア濃度のピークが低く、かつ当該ピーク位置からアノード側に向うにしたがって第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄよりもなだらかな傾斜で減少するほぼ平坦なキャリア濃度分布を有する。第５ｎ型層１０ｅの厚さｔ１は、第４ｎ型層１０ｄの厚さｔ２よりも厚い（ｔ１＞ｔ２）。すなわち、基板裏面から最も深い位置には、ｎ型ＦＳ層１０として、第４，５ｎ型層１０ｄ，１０ｅからなる厚さ（＝ｔ１＋ｔ２）の厚いｎ型層が配置されている。
【００３７】
また、ｎ-型ドリフト層１の内部には、ダイオード領域２２において、基板裏面から第５ｎ型層１０ｅよりも深い位置に、ヘリウム（Ｈｅ）照射によりライフタイムキラーとなる空孔（Ｖ）などの格子欠陥（×印で示す）を導入してなる欠陥層（以下、第１欠陥層とする）１１ａが設けられている。第１欠陥層１１ａは、ＩＧＢＴ領域２１の、ダイオード領域２２との境界付近にまで延在していてもよい。ｎ-型ドリフト層１のキャリア濃度は、第１欠陥層１１ａを設けた部分で他の部分より低くなっている。このため、ダイオード領域２２においてｎ-型ドリフト層１のキャリアライフタイムが短くなり、ダイオードの逆回復時のキャリアの消滅を早めて逆回復損失を低減させることができる。
【００３８】
また、ｎ-型ドリフト層１のキャリア濃度は、第１欠陥層１１ａを設けた部分で半導体基板のキャリア濃度（インゴットのキャリア濃度）より低く、かつｎ型ＦＳ層１０を設けた部分で半導体基板のキャリア濃度よりも高くなっている。これにより、ダイオード領域２２においてｎ-型ドリフト層１のアノード側よりもカソード側でキャリアライフタイムが長くなる。このため、ダイオードの逆回復時の電流・電圧波形Ｉｒｐ，Ｖｒｐの発振や、電圧波形Ｖｒｐの発振によるサージ（過渡的な異常電圧ｄＶ／ｄｔ）が生じにくい。そして、第５ｎ型層１０ｅが設けられることで、ｎ型ＦＳ層１０は従来よりも基板裏面から深い位置まで達する幅の広いキャリア濃度分布を有するため、従来よりもソフトリカバリーな逆回復電流・電圧波形Ｉｒｐ，Ｖｒｐが得られる。
【００３９】
さらに、ヘリウム照射による欠陥層（以下、第２欠陥層とする）１１ｂを、ｎ-型ドリフト層１の、ｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３との境界付近に形成してもよい。ｎ-型ドリフト層１の、第２欠陥層１１ｂを設けた部分付近のキャリア濃度を低減させて所定のキャリア濃度に調整することができるため、ＲＣ−ＩＧＢＴのスイッチング特性を調整することができる。図１には、第２ｎ型層１０ｂ付近に第２欠陥層１１ｂを形成した状態を示す。この場合、第２ｎ型層１０ｂ付近のキャリア濃度を低減させて調整することができる。
【００４０】
半導体基板の裏面の表面層の、ｎ型ＦＳ層１０よりも浅い位置には、ＩＧＢＴ領域２１にｐ+型コレクタ領域１２が設けられ、ダイオード領域２２にｎ+型カソード領域１３が設けられている。ｎ+型カソード領域１３は、ｐ+型コレクタ領域１２に隣接する。ｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３は、ｎ型ＦＳ層１０の最も基板裏面側の第１ｎ型層１０ａに接していてもよい。裏面電極１４は、ｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３の表面（ｎ-型半導体基板の裏面全体）に設けられている。裏面電極１４は、ＩＧＢＴ領域２１においてコレクタ電極として機能し、ダイオード領域２２においてカソード電極として機能する。
【００４１】
次に、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図２Ａ，２Ｂは、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図３，４は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。まず、ｎ-型ドリフト層１となるｎ-型の半導体基板（半導体ウエハ）のおもて面側に、一般的な方法により、トレンチ３、ゲート絶縁膜４およびゲート電極５を順に形成してＭＯＳゲートを形成する（ステップＳ１）。次に、ボロン（Ｂ）などのｐ型不純物のイオン注入により、基板おもて面全体の表面層に、トレンチ３よりも浅い深さでｐ型ベース層２を形成する（ステップＳ２）。
【００４２】
次に、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などのｎ型不純物のイオン注入により、ＩＧＢＴ領域２１のｐ型ベース層２の内部にｎ+型エミッタ領域６を選択的に形成する（ステップＳ３）。次に、ボロンなどのｐ型不純物のイオン注入により、ＩＧＢＴ領域２１のｐ型ベース層２の内部にｐ+型コンタクト領域７を選択的に形成する（ステップＳ４）。このとき、ダイオード領域２２のｐ型ベース層２の内部にｐ+型コンタクト領域７を選択的に形成してもよい。ｎ+型エミッタ領域６とｐ+型コンタクト領域７とを形成する順番を入れ替えてもよい。次に、ゲート電極５を覆うように例えばＢＰＳＧ膜などの層間絶縁膜８を堆積（形成）する（ステップＳ５）。
【００４３】
次に、層間絶縁膜８をパターニングしてコンタクトホールを形成し、ＩＧＢＴ領域２１においてｎ+型エミッタ領域６およびｐ+型コンタクト領域７を露出させ、ダイオード領域２２のｐ型ベース層２を露出させる（ステップＳ６）。次に、コンタクトホールの内部に、バリアメタル（不図示）を介してプラグ電極（不図示）を形成する（ステップＳ７）。次に、例えばスパッタリング法により、コンタクトホールの内部のプラグ電極に接するように、層間絶縁膜８の表面全体におもて面電極９を形成する（ステップＳ８）。次に、半導体基板を裏面側から研削していき、半導体装置として用いる製品厚さの位置まで研削する（ステップＳ９）。次に、基板裏面全体に例えばボロンなどのｐ型不純物をイオン注入し、基板裏面全体の表面層にｐ+型コレクタ領域１２を形成する（ステップＳ１０）。
【００４４】
次に、フォトリソグラフィにより、基板裏面上に、ダイオード領域に対応する部分を開口したレジストマスク（不図示）を形成する（ステップＳ１１）。次に、このレジストマスクをマスクとして例えばリンなどのｎ型不純物をイオン注入し、基板裏面の表面層の、ダイオード領域２２におけるｐ+型コレクタ領域１２をｎ型に反転させてｎ+型カソード領域１３を形成する（ステップＳ１２）。次に、灰化（アッシング）処理によりレジストマスクを除去する（ステップＳ１３）。次に、レーザーアニールによりｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３を活性化させる（ステップＳ１４）。次に、基板おもて面全体を例えばポリイミド膜などの表面保護膜（不図示）で覆った後、表面保護膜をパターニングしておもて面電極９や各電極パッドを露出させる（ステップＳ１５）。
【００４５】
次に、基板裏面側からプロトンを照射してｎ型ＦＳ層１０を形成する（ステップＳ１６）。ステップＳ１６においては、例えば、基板裏面からの飛程Ｒｐが異なる複数回（例えば、ここでは４回）のプロトン照射を行い、ｎ型ＦＳ層１０として基板裏面からの深さの異なる複数段のｎ型層を形成する。このとき、基板裏面から異なる加速電圧で直接プロトンを照射することで各プロトン照射の飛程Ｒｐを調整してもよい。例えば、プロトン照射の加速電圧を３ＭｅＶ程度とすることで、照射面から６０μｍ程度の深さにキャリア濃度のピークを有する半値幅３μｍ程度のｎ型層が形成される。また、プロトン照射の加速電圧を８ＭｅＶ程度とした場合、照射面から６０μｍ程度の深さにキャリア濃度のピークを有する半値幅１０μｍ程度のｎ型層が形成される。
【００４６】
また、ステップＳ１６においては、例えば、加速電圧を一定とし、それぞれ異なる厚さのアブソーバーを介してプロトンを照射することで各プロトン照射の飛程Ｒｐを調整してもよい。例えば、プロトン照射の加速電圧を４．３ＭｅＶ程度で一定とし、アブソーバーの厚さを９５μｍ程度とすることで、照射面から６０μｍ程度の深さにキャリア濃度のピークを有する半値幅１０μｍ程度のｎ型層が形成される。アブソーバーは、例えばアルミニウム（Ａｌ）など半導体基板と同程度の阻止能を有する材料でできた部材である。また、複数回のプロトン照射は、基板裏面からの飛程Ｒｐが長くなるほど、ドーズ量を低く設定する。
【００４７】
なお、ステップＳ１６においては、基板裏面に近い第１ｎ型層１０ａを形成するためのプロトン照射のドーズ量が、他の第２〜４ｎ型層１０ｂ〜１０ｄを形成するためのプロトン照射のドーズ量よりも高ければよく、他の第２〜４ｎ型層１０ｂ〜１０ｄを形成するためのプロトン照射のドーズ量はほぼ同程度であってもよい。複数段のｎ型層を形成する順序は種々変更可能である。次に、熱処理（アニール）により、半導体基板中のプロトンを活性化させる（ステップＳ１７）。
【００４８】
次に、図３に示すように、基板裏面からステップＳ１６のプロトン照射の飛程Ｒｐよりも深い位置を飛程とするヘリウム照射（以下、第１ヘリウム照射とする）３１を行い、ダイオード領域２２からＩＧＢＴ領域２１の、ダイオード領域２２との境界付近にわたってｎ-型ドリフト層１にライフタイムキラーとなる格子欠陥を導入する（ステップＳ１８）。例えば、第１ヘリウム照射３１の飛程は、第４ｎ型層１０ｄのアノード側の端部よりも基板裏面から深い。このとき、ヘリウムが基板おもて面側のＭＯＳゲートに達しないように、アブソーバー３２を用いて第１ヘリウム照射３１の飛程を調整することが好ましい。
【００４９】
また、ステップＳ１８においては、ＩＧＢＴ領域２１の格子欠陥を導入しない部分に格子欠陥が導入されないように、半導体基板とアブソーバー３２との間に、例えばアルミニウムなど半導体基板と同程度の阻止能を有する材料でできた厚い金属板３３を配置する。金属板３３は、例えば、基板裏面全体を覆うことができる略円形状の平面形状を有する部材であり、基板裏面の第１ヘリウム照射３１の照射領域を露出する開口部３３ａを有する。この第１ヘリウム照射３１により、ヘリウムの到達位置（第１ヘリウム照射３１の飛程Ｒｐ分の深さ位置（以下、第１ヘリウム到達位置とする））３１ａに格子欠陥が多く導入され、キャリア濃度が大幅に低下する。かつ、ヘリウムが通過した領域（基板裏面から第１ヘリウム到達位置３１ａまでの領域（以下、第１ヘリウム通過領域）とする）３１ｂ全体に格子欠陥が形成される。すなわち、第１ヘリウム到達位置３１ａに第１欠陥層１１ａが形成される。かつ、第１ヘリウム到達位置３１ａから離れた部分のキャリア濃度も若干低下する。ヘリウム到達位置から離れた部分とは、ヘリウム通過領域のうち、キャリア濃度が極小値となるヘリウム到達位置を中心とするキャリア濃度分布の凹みを示す部分よりも基板裏面側の部分である。
【００５０】
さらに、図４に示すように、ステップＳ１８の処理において、基板裏面からヘリウムを照射（以下、第２ヘリウム照射とする）３４し、ｎ-型ドリフト層１の、ｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３との境界付近に格子欠陥を導入してＲＣ−ＩＧＢＴのスイッチング特性を調整してもよい。このとき、第２ヘリウム照射３４の飛程Ｒｐは、例えばアブソーバー３５を用いて調整する。この第２ヘリウム照射３４により、さらに、ヘリウムの到達位置（第２ヘリウム照射３４の飛程Ｒｐ分の深さ位置（以下、第２ヘリウム到達位置とする））３４ａに格子欠陥が多く導入され、キャリア濃度が大幅に低下する。すなわち、第２ヘリウム到達位置３４ａに第２欠陥層１１ｂが形成される。かつ、ヘリウムが通過した領域（基板裏面から第２ヘリウム到達位置３４ａまでの領域（以下、第２ヘリウム通過領域）とする）３４ｂ全体に格子欠陥が導入され、第２ヘリウム到達位置３４ａから離れた部分のキャリア濃度も若干低下する。図４において、斜線のハッチング部分は第１ヘリウム照射３１による第１ヘリウム通過領域３１ｂである。
【００５１】
次に、熱処理（アニール）により、第１，２ヘリウム照射３１，３４による格子欠陥を回復させて半導体基板中の格子欠陥量を調整することにより、キャリアライフタイムを調整する（ステップＳ１９）。このとき、第４ｎ型層１０ｄ中の活性化されていないプロトンが拡散され、第４ｎ型層１０ｄのアノード側に、第４ｎ型層１０ｄに接し、かつアノード側に向うにしたがって第４ｎ型層１０ｄよりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する第５ｎ型層１０ｅが形成される（図１参照）。
【００５２】
この第５ｎ型層１０ｅは第１ヘリウム通過領域３１ｂに形成され、第５ｎ型層１０ｅの内部にはプロトンとヘリウムとが共存する。また、第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄ中の活性化されていないプロトンが拡散され、このプロトンの拡散により第１，２ヘリウム通過領域３１ｂ，３４ｂの格子欠陥が回復される。かつ、第１，２ヘリウム到達位置３１ａ，３４ａには格子欠陥が残り、キャリア濃度が大幅に低下した状態が維持される。これにより、ダイオード領域２２においてアノード側でキャリアライフタイムが短く、かつカソード側の広い範囲でキャリアライフタイムが長くなるキャリア濃度分布を形成することができる。
【００５３】
次に、半導体基板の裏面全体に、ｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３に接する裏面電極１４を形成する（ステップＳ２０）。その後、半導体ウエハを切断（ダイシング）して個々のチップ状に個片化することで、図１に示すトレンチゲート構造のＲＣ−ＩＧＢＴが完成する。
【００５４】
（実施例１）
ｎ型ＦＳ層１０のキャリア濃度分布について検証した。図５は、実施例１にかかる半導体装置のＦＳ層のキャリア濃度分布を示す特性図である。図６は、比較例となる半導体装置のＦＳ層のキャリア濃度分布を示す特性図である。まず、上述した実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法にしたがい、上記諸条件でトレンチゲート構造のＲＣ−ＩＧＢＴを作製（製造）した（以下、実施例１とする）。具体的には、実施例１においては、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により作製したインゴットから切断（スライシング）したシリコンウエハ（半導体基板）を用いてＲＣ−ＩＧＢＴを作製した。シリコンウエハの比抵抗を３８Ωｃｍ（換算したキャリア濃度（インゴットのキャリア濃度）は１．１３×１０14／ｃｍ3）であり、厚さを７０μｍとした。
【００５５】
ステップＳ１６において、ｎ型ＦＳ層１０として、加速電圧の異なる４回のプロトン照射により第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄを形成した。第１ｎ型層１０ａを形成するためのプロトン照射は、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが４μｍ程度となるように加速電圧を０．４０ＭｅＶとして、ドーズ量を３．０×１０14／ｃｍ2とした。第２ｎ型層１０ｂを形成するためのプロトン照射は、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが１０μｍ程度となるように加速電圧を０．８２ＭｅＶとして、ドーズ量を１．０×１０13／ｃｍ2とした。第３ｎ型層１０ｃを形成するためのプロトン照射は、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが１８μｍ程度となるように加速電圧を１．１０ＭｅＶとして、ドーズ量を７．０×１０12／ｃｍ2とした。
【００５６】
第４ｎ型層１０ｄを形成するためのプロトン照射は、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが２８μｍ程度となるように加速電圧を１．４５ＭｅＶとして、ドーズ量を１．０×１０13／ｃｍ2とした。ステップＳ１７において、プロトンを活性化させるためのアニールを３８０℃の温度で５時間行った。ステップＳ１８において、第１，２ヘリウム照射３１，３４を行った。第１ヘリウム照射３１は、ドーズ量を９．０×１０10／ｃｍ2とし、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが５８μｍ程度となるようにアブソーバーで調整した。第２ヘリウム照射３４は、ドーズ量を５．０×１０10／ｃｍ2とし、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが１０μｍ程度となるようにアブソーバーで調整した。ステップＳ１９において、第１，２ヘリウム照射３１，３４による格子欠陥を回復させるためのアニールを３６０℃の温度で１時間行った。
【００５７】
また、比較例となるトレンチゲート構造のＲＣ−ＩＧＢＴを作製した。比較例が実施例１と異なる点は、ステップＳ１８の第１，２ヘリウム照射３１，３４およびステップＳ１９のヘリウムによる格子欠陥を回復させる熱処理を行っていない点である。比較例の、ステップＳ１８，Ｓ１９の処理を行わない以外の条件は、実施例１と同様である。そして、これら実施例１および比較例について、拡がり抵抗測定（ＳＲ：Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）法によりキャリア濃度分布を測定した。その結果をそれぞれ図５，６に示す。図５には、第１，２ヘリウム照射３１，３４の第１，２ヘリウム通過領域３１ｂ，３４ｂをウエハ裏面（深さ０μｍの位置）から第１，２ヘリウム到達位置３１ａ，３４ａに達する矢印で示す（図７においても同様）。
【００５８】
図６に示すように、比較例では、ｎ型ＦＳ層として４つのｎ型層１００ａ〜１００ｄしか形成されず、ウエハ裏面から最も深い位置に配置された第４ｎ型層１００ｄよりも深い部分のキャリア濃度はシリコンウエハのキャリア濃度（ｎ-型ドリフト層１０１のキャリア濃度）と同じであることが確認された。符号１１３はｎ+型カソード領域である。
【００５９】
一方、図５に示すように、実施例１では、ウエハ裏面から最も深い位置に配置された第４ｎ型層１０ｄよりもアノード側に深い位置に１０μｍの厚さ（幅）ｔ１で、シリコンウエハのキャリア濃度（ｎ-型ドリフト層１０１のキャリア濃度）よりもキャリア濃度の高い領域（第５ｎ型層１０ｅ）が形成されていることが確認された。この第５ｎ型層１０ｅは、ウエハ裏面から最も深い位置に配置された第４ｎ型層１０ｄよりも深い位置（ウエハ裏面から３５．１μｍの深さ）にキャリア濃度のピークをもつことが確認された。また、第５ｎ型層１０ｅのキャリア濃度のピークは１．８１×１０14／ｃｍ3であり、第１〜４ｎ型層１０ａ〜１０ｄのキャリア濃度のピークよりも低いことが確認された。また、第５ｎ型層１０ｅは、第４ｎ型層１０ｄの厚さ（半値幅）ｔ２より厚く（広い幅）で、アノード側に向うにしたがって第４ｎ型層１０ｄよりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有することが確認された。
【００６０】
（実施例２）
次に、第１ヘリウム照射３１によるキャリア濃度変化について検証した。図７は、ヘリウム照射によるキャリア濃度分布を示す特性図である。まず、上述した実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法のステップＳ１８の第１，２ヘリウム照射３１，３４のみを行ったモニターウエハ（半導体基板）を用意した（以下、実施例２とする）。実施例２においては、モニターウエハとして、ＭＣＺ法により作製したインゴットから切断したシリコンウエハ（半導体基板）を用いた。シリコンウエハの比抵抗は５４．６Ωｃｍ（換算したキャリア濃度は７．９×１０13／ｃｍ3）である。第１ヘリウム照射３１は、ドーズ量を９．０×１０10／ｃｍ2とし、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが１１０μｍ程度となるようにアブソーバーで調整した。第２ヘリウム照射３４は、ドーズ量を１．１×１０11／ｃｍ2とし、ウエハ裏面からの飛程Ｒｐが１０μｍ程度となるようにアブソーバーで調整した。第１，２ヘリウム照射３１，３４ともにヘリウム３（3Ｈｅ）を用い、それぞれ半値幅７μｍの第１，２欠陥層１１ａ，１１ｂを形成した。ステップＳ１９のアニールは行っていない。そして、この実施例２についてＳＲ法によりウエハ中心付近のキャリア濃度分布を測定した。その結果を図７に示す。
【００６１】
図７に示す結果より、第１ヘリウム照射３１により第１欠陥層１１ａが形成される第１ヘリウム到達位置３１ａでキャリア濃度が大幅に低下することが確認された。かつ、第１ヘリウム照射３１による第１ヘリウム通過領域３１ｂ全体に格子欠陥が形成され、第１ヘリウム到達位置３１ａから離れた部分のキャリア濃度が若干低下することが確認された。第１ヘリウム照射３１による第１ヘリウム通過領域３１ｂのうち、第１ヘリウム到達位置３１ａから離れた部分４１のキャリア濃度分布は、ウエハ裏面側から第１ヘリウム到達位置３１ａ側に向うにしたがってなだらかに減少していることが確認された。その第１ヘリウム到達位置３１ａからウエハ裏面側に向う方向の濃度傾斜は６．２３×１０13／ｃｍ3〜７．２７×１０13／ｃｍ3であった。実施例２においては、後述するように第２ヘリウム照射３４により第１ヘリウム通過領域３１ｂのウエハ裏面側の部分（第２ヘリウム到達位置３４ａ）でキャリア濃度が大幅に低下している。第２ヘリウム照射３４を行わない場合には、第１ヘリウム通過領域３１ｂはウエハ裏面から第１ヘリウム到達位置３１ａに向うにしたがってなだらかに減少するキャリア濃度分布となる。
【００６２】
このように、例えばキャリアライフタイムを制御するために第１ヘリウム照射３１を行うことで、第１ヘリウム到達位置３１ａのキャリア濃度を大幅に低下させることができるとともに、第１ヘリウム通過領域３１ｂのうち、第１ヘリウム到達位置３１ａから離れた部分のキャリア濃度を若干低下させることができることが確認された。そして、ウエハ裏面から第１ヘリウム到達位置３１ａよりも深い部分４２のキャリア濃度は、シリコンウエハのキャリア濃度（ｎ-型ドリフト層１のキャリア濃度に相当）と同じであり、第１，２ヘリウム照射３１，３４による影響を受けないことが確認された。第２ヘリウム照射３４により第２欠陥層１１ｂが形成される第２ヘリウム到達位置３４ａにおいてもキャリア濃度が大幅に低下することが確認された。第２ヘリウム照射３４による第２ヘリウム通過領域３４ｂ全体にも格子欠陥が形成され、第２ヘリウム到達位置３４ａから離れた部分のキャリア濃度が若干低下することが確認された。第２ヘリウム到達位置３４ａよりもウエハ裏面側の部分４３のキャリア濃度は、５．０×１０13／ｃｍ3であった。
【００６３】
以上、説明したように、実施の形態１によれば、基板裏面からプロトンを照射し、かつ当該プロトン照射よりも深い飛程でヘリウムを照射してアニールすることで、プロトン照射により形成したプロトンを含むｎ型層よりも基板裏面から深い位置に、ｎ型ＦＳ層として、プロトンおよびヘリウムを含むｎ型層を形成することができる。このプロトンおよびヘリウムを含むｎ型層は、プロトン照射によるｎ型層に接し、かつ基板おもて面側に向うにしたがってプロトン照射によるｎ型層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する。すなわち、ｎ-型ドリフト層の内部の基板裏面から深い位置に、プロトンを含むｎ型層と、プロトンおよびヘリウムを含むｎ型層と、からなる厚さの厚いｎ型ＦＳ層を形成することができる。
【００６４】
また、実施の形態１によれば、基板裏面から深い位置にまで達する厚いｎ型ＦＳ層を形成すること、および、ヘリウム照射による格子欠陥がプロトン照射により回復されること、により、ｄＶ／ｄｔやサージ電圧を抑制することができ、ソフトリカバリーな電流・電圧波形とすることができる。また、実施の形態１によれば、プロトン照射およびヘリウム照射により基板裏面から深い位置にまで達するｎ型ＦＳ層を制御性良く形成することができるため、ＲＣ−ＩＧＢＴの信頼性を向上させることができる。また、実施の形態１によれば、プロトン照射およびヘリウム照射により、一般的なプロトン照射装置の照射限界（プロトン照射装置によるプロトンの飛程の限界）よりも基板裏面から深い位置にまで達する厚いｎ型ＦＳ層を形成することができる。このため、一般的なプロトン照射装置よりもプロトンを高加速度で照射可能な高価な製造装置を用いる必要がなく、コストの増大を防止することができる。
【００６５】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２にかかる半導体装置の構造について説明する。図８は、実施の形態２にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図８（ａ）には断面構造を示し、図８（ｂ）には図８（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ'における基板裏面から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。実施の形態２にかかる半導体装置は、プロトン照射により形成するｎ型層（以下、第１ｎ型層とする）５０ａを１段としたＲＣ−ＩＧＢＴに実施の形態１を適用したものである。実施の形態２においては、ｎ型ＦＳ層５０は、プロトン照射による１段の第１ｎ型層５０ａと、プロトン照射およびヘリウム照射によるｎ型層（以下、第２ｎ型層とする）５０ｂと、を有する。
【００６６】
第１ｎ型層５０ａは、ｎ-型ドリフト層１の内部の基板裏面に近い位置、すなわちｐ+型コレクタ領域１２およびｎ+型カソード領域１３付近に設けられている。第１ｎ型層５０ａは、実施の形態１においてｎ型ＦＳ層を構成する複数のｎ型層のうち、基板裏面に最も近いｎ型層と同様の条件で設けられていてもよい。第２ｎ型層５０ｂは、第１ｎ型層５０ａを形成するためのプロトン照射と、第１ヘリウム照射３１（または第２ヘリウム照射３４、もしくはその両方）とにより形成された、プロトンおよびヘリウムを含む拡散層である。第２ｎ型層５０ｂの形成において、第１ヘリウム照射３１の飛程（または第２ヘリウム照射３４、もしくはその両方）はプロトン照射の飛程Ｒｐよりも基板裏面から深い。
【００６７】
第２ｎ型層５０ｂは、基板裏面から第１ｎ型層５０ａよりも深い位置に設けられている。また、第２ｎ型層５０ｂは、第１ｎ型層５０ａのアノード側に接し、基板裏面から第１ｎ型層５０ａよりも深い位置にキャリア濃度のピークを有する。また、第２ｎ型層５０ｂは、第１ｎ型層５０ａよりもキャリア濃度のピークが低く、かつ当該ピーク位置からアノード側に向うにしたがって第１ｎ型層５０ａよりもなだらかな傾斜で減少するほぼ平坦なキャリア濃度分布を有する。第２ｎ型層５０ｂの厚さｔ３は、第１ｎ型層５０ａの厚さｔ４よりも厚くてもよい（ｔ３＞ｔ４）。
【００６８】
実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法においてステップＳ１６のプロトン照射を１回のみ行えばよい（図２Ｂ参照）。
【００６９】
以上、説明したように、実施の形態２によれば、ｎ-型ドリフト層の、ｐ+型コレクタ領域およびｎ+型カソード領域付近においてｎ型ＦＳ層のアノード側のキャリア濃度分布を深さ方向に比較的広い幅（厚さ）でなだらかな不純物濃度分布にすることができる。このため、ＲＣ−ＩＧＢＴのスイッチング特性を調整することができる。
【００７０】
（実施の形態３）
次に、実施の形態３にかかる半導体装置の構造について説明する。図９は、実施の形態３にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図９（ａ）には断面構造を示し、図９（ｂ）には図９（ａ）の切断線Ｃ−Ｃ'における基板裏面から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。実施の形態３にかかる半導体装置が実施の形態２にかかる半導体装置と異なる点は、ｎ-型ドリフト層１の内部の基板裏面から深い所定位置（例えば基板裏面から例えば３０μｍ〜６０μｍ程度の深さ、または６０μｍ以上程度の深さ）にブロードバッファ層として１つのｎ型ＦＳ層５１を設けたブロードバッファ構造としている点である。ブロードバッファ構造とは、ピークを深さ方向の中心とし、当該ピーク位置から基板両主面側にそれぞれ向うにしたがって減少するキャリア濃度分布を有するブロードバッファ層を備えた構造である。
【００７１】
すなわち、実施の形態３においては、ｎ型ＦＳ層５１は、プロトン照射による第１ｎ型層５１ａと、プロトン照射およびヘリウム照射によるｎ型層（以下、第２，３ｎ型層（第２，３半導体層）とする）５１ｂ，５１ｃと、を有する。具体的には、第１ｎ型層５１ａは、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２にわたって、ｎ-型ドリフト層１の内部の基板裏面から深い位置に設けられている。第１ｎ型層５１ａは、１回のプロトン照射により形成された、プロトンを含む拡散層である。さらに、ｎ型ＦＳ層５１は、第１ｎ型層５１ａの基板両主面側にそれぞれ第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃを有する。第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃは、プロトン照射および第１ヘリウム照射３１により形成された、プロトンおよびヘリウムを含む拡散層である。すなわち、第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃは、第１ヘリウム照射３１の飛程は実施の形態１と同様にプロトン照射の飛程Ｒｐよりも基板裏面から深い位置に設けられる。
【００７２】
また、第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃは、ダイオード領域２２に設けられる。第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃは、ＩＧＢＴ領域２１の、ダイオード領域２２との境界付近にまで延在していてもよい。第２ｎ型層５１ｂは、第１ｎ型層５１ａのアノード側に接し、基板裏面から第１ｎ型層５１ａよりも深い位置にキャリア濃度のピークを有する。また、第２ｎ型層５１ｂは、プロトン照射による第１ｎ型層５１ａよりもキャリア濃度のピークが低く、かつ当該ピーク位置からアノード側に向うにしたがって第１ｎ型層５１ａよりもなだらかな傾斜で減少するほぼ平坦なキャリア濃度分布を有する。
【００７３】
第３ｎ型層５１ｃは、第１ｎ型層５１ａのカソード側に接し、基板裏面から第１ｎ型層５１ａよりも浅い位置にキャリア濃度のピークを有する。また、第３ｎ型層５１ｃは、プロトン照射による第１ｎ型層５１ａよりもキャリア濃度のピークが低く、かつ当該ピーク位置からカソード側に向うにしたがって第１ｎ型層５１ａよりもなだらかな傾斜で減少するほぼ平坦なキャリア濃度分布を有する。第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃの厚さｔ５，ｔ６は、第１ｎ型層５１ａの厚さｔ７よりも厚くてもよい（ｔ５＞ｔ７、ｔ６＞ｔ７）。また、ｎ型ＦＳ層５１は第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃを有することで、その厚さｔ８は比較的厚くなっている。
【００７４】
実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法において、実施の形態２よりも基板裏面から深い飛程ＲｐでステップＳ１６のプロトン照射を行えばよい。実施の形態３においては、ステップＳ１９のアニールにより第１ｎ型層５１ａ中の活性化されていないプロトンがダイオード領域２２において第１ｎ型層５１ａの基板両主面側にそれぞれ拡散される。これにより、第１ｎ型層５１ａの基板両主面側にそれぞれピークを有し、当該ピーク位置から基板両主面側にそれぞれ向うにしたがって第１ｎ型層５１ａよりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する２つのｎ型層がダイオード領域２２に形成される。この２つのｎ型層が第２，３ｎ型層５１ｂ，５１ｃである。
【００７５】
次に、実施の形態３にかかる半導体装置の別の一例の構造について説明する。図１０は、実施の形態３にかかる半導体装置の別の一例のキャリア濃度分布を示す説明図である。図１０では、欠陥層１１ｂを図示省略する。図１０（ａ），１０（ｂ）ともに、ダイオード領域２２における基板裏面から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。図１０（ａ），１０（ｂ）ともに、横軸は基板裏面からの深さであり、縦軸はキャリア濃度である。図１０（ａ）に示すように、第１ヘリウム照射３１の飛程（第１ヘリウム照射３１の第１ヘリウム通過領域３１ｄ）を、プロトン照射の飛程Ｒｐ付近で、かつプロトン照射の飛程Ｒｐよりも基板裏面から浅くてもよい。この場合、第１ｎ型層５１ａのカソード側にのみプロトンおよびヘリウムを含む第３ｎ型層５１ｃが形成される。第３ｎ型層５１ｃの構成は、例えば図９に示す実施の形態３にかかる半導体装置の第３ｎ型層５１ｃと同様である。
【００７６】
また、図１０（ｂ）に示すように、第１ヘリウム照射３１の飛程（第１ヘリウム照射３１の第１ヘリウム通過領域３１ｅ）を、プロトン照射の飛程Ｒｐ付近で、かつプロトン照射の飛程Ｒｐよりも基板裏面から深くてもよい。この場合、第１ｎ型層５１ａのアノード側およびカソード側にそれぞれプロトンおよびヘリウムを含む第２，３ｎ型層５１ｄ，５１ｃが形成される。アノード側の第２ｎ型層５１ｄは、第１ヘリウム照射３１により形成される欠陥層のピークの半値幅の範囲内に位置し格子欠陥を多く含む。このため、第２ｎ型層５１ｄは、カソード側の第３ｎ型層５１ｃよりもキャリア濃度のピークが高く、かつ第３ｎ型層５１ｃよりも急峻で、アノード側に向うにしたがって第１ｎ型層５１ａよりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する。第３ｎ型層５１ｃの構成は、例えば図９に示す実施の形態３にかかる半導体装置の第３ｎ型層５１ｃと同様である。
【００７７】
以上、説明したように、実施の形態３によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態３によれば、従来と同様にピーク位置から急峻な傾斜でキャリア濃度が減少するプロトン照射による第１ｎ型層と、当該第１ｎ型層に接し、かつ第１ｎ型層よりもなだらかにキャリア濃度が減少する第２，３ｎ型層と、を有するブロードバッファ層を形成することができる。ブロードバッファ構造の半導体装置は、高速動作においてソフトリカバリーな逆回復電流・電圧波形が得られ、かつ逆回復電流・電圧波形の発振を抑制する効果が高い。このため、高速・低損失で、かつソフトリカバリー特性を備えたＩＧＢＴ等によるパワー半導体装置を提供することができ、電力制御装置等に有用である。
【００７８】
また、従来、ブロードバッファ構造の半導体装置の製造方法として、エピタキシャル成長により複数の半導体層を積層して半導体基板を作製する際に、基板裏面から深い所定位置にブロードバッファ層となる相対的にリン濃度の高い半導体層をエピタキシャル成長させる方法が提案されている（以下、従来例１とする）。別の方法として、半導体基板に照射したプロトンを、熱処理によりプロトン照射面から飛程Ｒｐの深さ位置付近でドナー化させることでブロードバッファ層を形成する方法が提案されている（以下、従来例２とする）。従来例１では、従来例２に比べてコストが高く、従来例２では、ブロードバッファ層の深さ位置であるプロトン照射の飛程がプロトン照射装置の性能に依存する。それに対して、実施の形態３によれば、プロトン照射およびヘリウム照射により、プロトン照射装置の照射限界よりも基板裏面から深い位置にまで達する厚いブロードバッファ層を形成することができる。このため、従来例１に比べてコストが低く、かつ従来例２に比べて基板裏面から深い位置にまで達する厚いブロードバッファ層を形成することができる。
【００７９】
（実施の形態４）
次に、実施の形態４にかかる半導体装置の構造について説明する。図１１は、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図１１（ａ）には断面構造を示し、図１１（ｂ）には図１１（ａ）の切断線Ｄ−Ｄ'における基板裏面から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。実施の形態４にかかる半導体装置が実施の形態３にかかる半導体装置と異なる点は、基板裏面からの深さが異なる２つのｎ型ＦＳ層（以下、第１，２ｎ型ＦＳ層とする）５１，５２を設けている点である。
【００８０】
第１ｎ型ＦＳ層５１の構成は、例えば、実施の形態３のｎ型ＦＳ層と同様である。第２ｎ型ＦＳ層５２は、基板裏面からの深さの異なる複数段（ここでは４段とする）のｎ型層５２ａ〜５２ｄを有する。これら第２ｎ型ＦＳ層５２の複数段のｎ型層（以下、第１〜４ｎ型層とする）５２ａ〜５２ｄは、飛程Ｒｐの異なる複数回のプロトン照射により形成された拡散層である。第２ｎ型ＦＳ層５２の構成は、例えば、実施の形態１のｎ型ＦＳ層を構成する複数段のｎ型層のうち、プロトン照射により形成された第１〜４ｎ型層と同様であってもよい。図１１においては、第２ｎ型ＦＳ層５２について、基板裏面に最も近い第１ｎ型層５２ａから順に、基板裏面から深さ方向に符号５２ａ〜５２ｄを付す。
【００８１】
実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法において、ステップＳ１６のプロトン照射（複数回のプロトン照射）で、第１ｎ型ＦＳ層５１の第１ｎ型層５１ａを形成するとともに、第２ｎ型ＦＳ層５２の第１〜４ｎ型層５２ａ〜５２ｄを形成すればよい。図１１には、ステップＳ１８の第２ヘリウム照射３４による第２欠陥層１１ｂを、第２ｎ型層５２ｂ付近に形成した状態を示す（図１２，１４においても同様である）。
【００８２】
以上、説明したように、実施の形態４によれば、実施の形態１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
（実施の形態５）
次に、実施の形態５にかかる半導体装置の構造について説明する。図１２は、実施の形態５にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図１３，１４は、実施の形態５にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。実施の形態５にかかる半導体装置が実施の形態４にかかる半導体装置と異なる点は、第１ｎ型ＦＳ層５１を構成する第２，３ｎ型層（プロトン照射およびヘリウム照射によるｎ型層）５１ｅ、５１ｆを、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２にわたって設けている点である。すなわち、第１ｎ型ＦＳ層５１の第１ｎ型層（プロトン照射による）５１ａは、基板両主面側にそれぞれ配置された第２，３ｎ型層５１ｅ、５１ｆに挟まれた状態となっている。第１欠陥層１１ａは、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２にわたって設けられている。
【００８４】
実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態４にかかる半導体装置の方法において、ステップＳ１８の第１ヘリウム照射３１を、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２にわたって行えばよい。すなわち、図１３に示すように、ステップＳ１８の第１ヘリウム照射３１において、半導体基板とアブソーバー３２との間に厚い金属板（図３参照）を配置しない。これにより、図１４に示すように、ＩＧＢＴ領域２１およびダイオード領域２２全体が第１ヘリウム通過領域３１ｂ（斜線のハッチング部分）となる。図１４には、ステップＳ１８において第２ヘリウム照射３４を行っている状態を示す。このため、その後のステップＳ１９のアニールで、第１ｎ型層５１ａの基板両主面側にそれぞれ、ダイオード領域２２からＩＧＢＴ領域２１にわたって第２，３ｎ型層５１ｅ、５１ｆが形成される。
【００８５】
実施の形態５を実施の形態１〜３に適用し、各実施の形態１〜３において形成されるプロトン照射およびヘリウム照射によるｎ型層を、ＩＧＢＴ領域２１からダイオード領域２２にわたって形成してもよい。
【００８６】
以上、説明したように、実施の形態５によれば、実施の形態１〜４と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
（実施の形態６）
次に、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法について、図１，２Ａ，１５を参照しながら説明する。図１５は、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法を異なる点は、プロトン照射とヘリウム照射との順序を入れ換えて行っている点である。すなわち、ヘリウム照射の後にプロトン照射を行っている。
【００８８】
具体的には、図２Ａ，１５に示すように、実施の形態１と同様に、ＭＯＳゲートの形成（ステップＳ１）から表面保護膜の形成（ステップＳ１５）までの工程を順に行う。次に、ヘリウム照射を行う（ステップＳ２１）。ステップＳ２１のヘリウム照射の方法および条件は実施の形態１のヘリウム照射と同様である。次に、プロトン照射を行う（ステップＳ２２）。ステップＳ２２のプロトン照射の方法および条件は実施の形態１のプロトン照射と同様である。次に、熱処理（アニール）により、半導体基板中のプロトンを活性化させるとともに、ヘリウム照射による格子欠陥を回復させる（ステップＳ２３）。
【００８９】
このように実施の形態６においては、ステップＳ２１のヘリウム照射の後、ステップＳ２２のプロトン照射の前に、ヘリウム照射による格子欠陥を回復させるための熱処理を行わない。これにより、プロトンと結合してドナー化される格子欠陥がステップＳ２２のプロトン照射の前に回復され消滅することを回避することができ、実施の形態１と同様にプロトン照射による水素ドナーを形成することができる。ステップＳ２３のアニール条件は、例えば実施の形態１のプロトンを活性化させるためのアニール条件と同様である。その後、実施の形態１と同様に、裏面電極１４の形成（ステップＳ２０）以降の工程を順に行い、図１に示すトレンチゲート構造のＲＣ−ＩＧＢＴが完成する。
【００９０】
実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法を実施の形態２〜５にかかる半導体装置を製造する際に適用してもよい。
【００９１】
以上、説明したように、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法によれば、実施の形態１〜５にかかる半導体装置の構造による効果を得ることができる。
【００９２】
以上において本発明は、上述した各実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述した各実施の形態では、トレンチゲート構造のＲＣ−ＩＧＢＴを例に説明しているが、例えばＩＧＢＴ単体やダイオード単体などｎ型ＦＳ層を備えた様々な半導体装置に適用可能である。また、上述した各実施の形態１，２では、キャリアライフタイムを制御するために第１ヘリウム照射を行う場合を例に説明しているが、ｎ型ＦＳ層となるプロトンおよびヘリウムを含むｎ型層を形成することを目的として第１ヘリウム照射を行ってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
以上のように、本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法は、インバータなどの電力変換装置や種々の産業用機械などの電源装置などに使用されるパワー半導体装置に有用である。
【符号の説明】
【００９４】
１  ｎ-型ドリフト層
２  ｐ型ベース層（ｐ型アノード層）
３  トレンチ
４  ゲート絶縁膜
５  ゲート電極
６  ｎ+型エミッタ領域
７  ｐ+型コンタクト領域
８  層間絶縁膜
９  おもて面電極
１０，５０，５１，５２  ｎ型ＦＳ層
１０ａ〜１０ｅ，５０ａ，５０ｂ，５１ａ〜５１ｄ，５２ａ〜５２ｄ  ｎ型ＦＳ層を構成するｎ型層
１１ａ，１１ｂ  欠陥層
１２  ｐ+型コレクタ領域
１３  ｎ+型カソード領域
１４  裏面電極
２１  ＩＧＢＴ領域
２２  ダイオード領域
３１，３４  ヘリウム照射
３１ａ，３４ａ  ヘリウム到達位置
３１ｂ，３４ｂ  ヘリウム通過領域
３２，３５  アブソーバー
３３  金属板
３３ａ  金属板の開口部
【図１】
0006477897.tif 000002
【図２Ａ】
0006477897.tif 000003
【図２Ｂ】
0006477897.tif 000004
【図３】
0006477897.tif 000005
【図４】
0006477897.tif 000006
【図５】
0006477897.tif 000007
【図６】
0006477897.tif 000008
【図７】
0006477897.tif 000009
【図８】
0006477897.tif 000010
【図９】
0006477897.tif 000011
【図１０】
0006477897.tif 000012
【図１１】
0006477897.tif 000013
【図１２】
0006477897.tif 000014
【図１３】
0006477897.tif 000015
【図１４】
0006477897.tif 000016
【図１５】
0006477897.tif 000017
【図１６】
0006477897.tif 000018