(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を処理する画像処理装置であって、
画素値が複数の階調値で表現されている階調画像を取得する画像取得部と、
複数種の色を、前記階調値毎に対応付けられた各々の濃度配分で混合することによって、前記階調値に対応する疑似色を示す対応擬似色情報を生成する対応疑似色情報生成部と、
前記複数種の色のうち少なくとも１つの色の前記濃度配分について、特定の濃度となる階調値を連続的に変更可能とする変更命令を受け付け、当該変更命令に従って前記濃度配分を変更する濃度配分変更部と、
前記対応擬似色情報に基づき、前記階調画像における前記階調値を対応する疑似色に変換して、疑似色画像を生成する疑似色画像生成部と、
を備え、
前記濃度配分変更部は、前記複数種の色のうち、１つの色の濃度配分について前記特定の濃度となる階調値が変更されるのに連動して、他の色の濃度配分を変更する、画像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置であって、
前記濃度配分変更部は、前記少なくとも１つの色の濃度が最大または最小となる階調値を連続的に変更可能とする変更命令を受け付ける、画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の画像処理装置であって、
前記複数種の色が、赤色、緑色及び青色を含む、画像処理装置。
【請求項４】
画像を出力する画像出力装置であって、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の画像処理装置と、
前記疑似色画像を出力する出力部と、
を備える、画像出力装置。
【請求項５】
半導体試料を検査する検査装置であって、
半導体試料を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記半導体試料に検査光を照射する照射部と、
前記検査光の照射に応じて前記半導体試料から放射される放射光の強度を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づき、前記半導体試料における位置を示す位置情報、及び、当該位置において発生した放射光の強度を示す階調値が記録されている画像データを取得する画像取得部と、
複数種の色を、前記階調値に対応付けられた各々の濃度配分で混合することによって、前記階調値に対応する疑似色を示す対応擬似色情報を生成する対応疑似色情報生成部と、
前記複数種の色のうち少なくとも１つの色の前記濃度配分について、特定の濃度となる特定階調値を連続的に変更することによって、前記濃度配分を変更する濃度配分変更部と、
前記対応擬似色情報に基づき、前記画像データにおける前記階調値を対応する疑似色に変換して、疑似色画像データを生成する疑似色画像生成部と、
前記疑似色画像を出力する画像出力部と、
を備え、
前記濃度配分変更部は、前記複数種の色のうち、１つの色の濃度配分について前記特定の濃度となる階調値が変更されるのに連動して、他の色の濃度配分を変更する、検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画像を処理する技術に関し、特に、複数の階調値を持つ画像を疑似カラー化する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
イメージング技術は、試料を何らかの方法で測定して、それを画像化、視覚化する技術である。例えば、特許文献１では、半導体試料をパルス光で走査して、パルス光の照射によって発生したテラヘルツ波を測定している。そして、その強度分布を画像化してモニタに表示することが記載されている。また、測定値の濃淡を疑似カラーで表現した疑似色画像を生成し、その測定値（階調）の違いを視覚的にわかりやすくすることが行われている。
【０００３】
また、特許文献２では、ＣＣＤカメラからのアナログ画像信号を電磁たる信号に変換し、このデジタル画像信号に対して疑似カラー化する処理を行うことが行われている。この際、画像のピクセル毎の輝度値に、予め用意された輝度値と濃度の対応関係を示す、Ｒプレーン、Ｇプレーン、Ｂプレーンをそれぞれ割り当てて、疑似カラー化された画像を生成している。
【０００４】
また、特許文献３では、レーザ走査型顕微鏡の出力画像に対する色調整方法が開示されている。具体的には、明度が一定で色相および彩度を種々変化させたカラーチャートをＣＲＴモニタに出力する。続いて、このカラーチャート上で目視観察による所定の蛍光波長に一致する表示色を指定する。そして、この時の表示色に対する色相、彩度を色変換パラメータとしてデータ処理装置に保存しておく。その後、測定された観察試料の蛍光像の測定データのうち所定の蛍光波長を色変換パラメータにより色調補正してＣＲＴモニタ（またはカラープリンタ）に出力する。これによって、出力装置毎の特性に合わせて、目視観察した場合と同じ色調を出力装置で再現するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１９８６１号公報
【特許文献２】特開２００２−２３０６２号公報
【特許文献３】特開平１１−０９８３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の技術によると、各色のプレーンが予め用意されているものに限定される。このため、必ずしも観察したい箇所を視覚的にわかりやすくできるとは限らない。例えば、観察したい箇所の測定値が比較的似通っている場合に、プレーンの設定が不適切であると、色の変化が少ないのっぺりとした画像となってしまう。これを避けるためには、何パターンものプレーンを用意する必要があり、非常に手間がかかってしまう。
【０００７】
また、特許文献３の技術は、出力装置毎に適したカラー画像を得るものであって、撮影対象物の観察したい箇所に適した擬似色画像を生成することはできない。
【０００８】
本発明は、観察したい箇所が視覚的に分かりやすい疑似色画像を得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、第１の態様は、画像を処理する画像処理装置であって、画素値が複数の階調値で表現されている階調画像を取得する画像取得部と、複数種の色を、前記階調値毎に対応付けられた各々の濃度配分で混合することによって、前記階調値に対応する疑似色を示す対応擬似色情報を生成する対応疑似色情報生成部と、前記複数種の色のうち少なくとも１つの色の前記濃度配分について、特定の濃度となる階調値を連続的に変更可能とする変更命令を受け付け、当該変更命令に従って前記濃度配分を変更する濃度配分変更部と、前記対応擬似色情報に基づき、前記階調画像における前記階調値を対応する疑似色に変換して、疑似色画像を生成する疑似色画像生成部とを備え、前記濃度配分変更部は、前記複数種の色のうち、１つの色の濃度配分について前記特定の濃度となる階調値が変更されるのに連動して、他の色の濃度配分を変更する。
【００１０】
また、第２の態様は、第１の態様に係る画像処理装置であって、前記濃度配分変更部は、前記少なくとも１つの色の濃度が最大または最小となる階調値を連続的に変更可能とする変更命令を受け付ける。
【００１２】
また、第３の態様は、第１または第２の態様のいずれか１態様に係る画像処理装置であって、前記複数種の色が、赤色、緑色及び青色を含む。
【００１３】
また、第４の態様は、画像を出力する画像出力装置であって、第１から第３の態様のいずれか１態様に係る画像処理装置と、前記疑似色画像を出力する出力部とを備える。
【００１４】
また、第５の態様は、半導体試料を検査する検査装置であって、半導体試料を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記半導体試料に検査光を照射する照射部と、前記検査光の照射に応じて前記半導体試料から放射される放射光の強度を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づき、前記半導体試料における位置を示す位置情報、及び、当該位置において発生した放射光の強度を示す階調値が記録されている画像データを取得する画像取得部と、複数種の色を、前記階調値に対応付けられた各々の濃度配分で混合することによって、前記階調値に対応する疑似色を示す対応擬似色情報を生成する対応疑似色情報生成部と、前記複数種の色のうち少なくとも１つの色の前記濃度配分について、特定の濃度となる特定階調値を連続的に変更することによって、前記濃度配分を変更する濃度配分変更部と、前記対応擬似色情報に基づき、前記画像データにおける前記階調値を対応する疑似色に変換して、疑似色画像データを生成する疑似色画像生成部と、前記疑似色画像を出力する画像出力部とを備え、前記濃度配分変更部は、前記複数種の色のうち、１つの色の濃度配分について前記特定の濃度となる階調値が変更されるのに連動して、他の色の濃度配分を変更する。
【発明の効果】
【００１５】
第１の態様に係る画像処理装置によると、各色の濃度配分を連続的に変更することができるため、画像に含まれる階調値の大きさに適した対応疑似色情報を生成することができる。このため、観察したい箇所のコントラストを高め、視覚的に分かりやすい画像を得ることができる。
また、１つの色の濃度配分の変更に連動して他の色の濃度配分を変更できる。このため、変更操作を簡略化できる。
【００１６】
また、第２の態様に係る画像処理装置によると、少なくとも１つの色の最大濃度または最小濃度に対応付けされる階調値を変更することによって、当該色の濃度配分をダイナミックに変更できる。
【００１８】
また、第３の態様に係る画像処理装置によると、赤色、緑色及び青色を混合することによって、ほぼ全ての色が使われた疑似色画像を生成できる。
【００１９】
また、第４の態様に係る画像出力装置によると、画像処理装置によって生成された疑似色画像を出力部によって出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態に係る検査装置の概略側面図である。
【図２】テラヘルツ波測定系の概略構成図である。
【図３】太陽電池の概略断面図である。
【図４】テラヘルツ波の時間波形を示す図である。
【図５】検査装置における制御部と他の要素との電気的な接続を示すブロック図である。
【図６】検査装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】疑似色画像の生成処理及び出力処理の詳細を示すフローチャートである。
【図８】各色の濃度配分及び対応疑似色情報を示す図である。
【図９】値Ｓ，Ｔ，Ｕの関係を示す図である。
【図１０】変更後の各色の濃度配分を及び対応疑似色情報を示す図である。
【図１１】変更後の各色の濃度配分を及び対応疑似色情報を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【００２２】
＜検査装置の構成＞
図１は、実施形態に係る検査装置１００の概略側面図である。検査装置１００は、装置架台１、テラヘルツ波測定系２、移動ステージ３、試料台４、ルミネッセンス測定系５、カメラ６および制御部７を備えている。検査装置１００は、各種の光の照射に応じて半導体試料から放射される放射光を検出し、その放射光の強度分布を画像化するように構成されている。具体的に、放射光は、ＥＬ（Electro-Luminescence）光、ＰＬ（Photo-Luminescence）光およびテラヘルツ波を含む。
【００２３】
なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とする右手系のＸＹＺ直交座標系を適宜付している。移動ステージ３の表面に平行な面を水平面（ＸＹ平面）とし、それに垂直な上下方向を鉛直方向（Ｚ軸方向）としている。また、ルミネッセンス測定系５から見て、テラヘルツ波測定系２が配置されている側を＋Ｙ側とし、その反対側を−Ｙ側とする。また、ルミネッセンス測定系５の側からテラヘルツ波測定系２の側を見たとき、右手側は＋Ｘ側とし、左手側は−Ｘ側としている。さらに、Ｚ軸方向の上側を＋Ｚ側とし、下側を−Ｚ側とする。
【００２４】
テラヘルツ波測定系２は、テラヘルツ波測定系２は、半導体試料に対して検査光（後述する検査光ＬＰ１１）を照射し、該検査光の照射に応じて発生するテラヘルツ波を検出する。また、検査装置１００は、検出されたテラヘルツ波（０．１ＴＨｚ〜３０ＴＨｚの電磁波）の強度を画像化する。テラヘルツ波測定系２の構成については、後に詳述する。
【００２５】
ここで、半導体試料とは、半導体によりトランジスタ、集積回路（ＩＣやＬＳＩ）、抵抗またはコンデンサなどにより構成される電子デバイス（半導体デバイス）の他、フォトダイオード、ＣＭＯＳセンサ若しくはＣＣＤセンサなどのイメージセンサ、太陽電池またはＬＥＤ等、半導体の光電効果を利用する電子デバイス（フォトデバイス）を含む。半導体試料の表面は、平面状に形成されているものとするが、曲面状などに形成されていてもよい。
【００２６】
本実施形態では、半導体試料として太陽電池９を検査する場合について説明するが、その他の半導体試料についても、同様に検査可能である。
【００２７】
移動ステージ３は、ステージ駆動機構３１によって、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向の各方向に移動する。ステージ駆動機構３１は、移動ステージ３をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動機構、移動ステージ３をＹ軸方向に移動するＹ軸方向移動機構、移動ステージ３をＺ軸方向に昇降させる昇降機構を備えている。さらに、ステージ駆動機構３１は、Ｚ軸周りの回転方向（θ軸方向）に移動させる回転機構を備えている。
【００２８】
試料台４は、移動ステージ３の上面に取り付けられている。試料台４は、電圧印加テーブル４１と、電極ピンユニット４３を備えている。
【００２９】
電圧印加テーブル４１は、例えば銅などの電気伝導性の高い素材で構成されており、さらにその表面が金メッキされている。また、電圧印加テーブル４１の表面には、複数の吸着孔が形成されている。吸着孔は吸引ポンプに接続されており、当該吸引ポンプを駆動することによって、太陽電池９の裏面が電圧印加テーブル４１に吸着される。これによって、太陽電池９が試料台４に固定される。なお、電圧印加テーブル４１の表面に、複数の吸着溝を設け、当該各吸着溝内に、上記複数の吸着孔を形成してもよい。この場合、複数の吸着溝に沿って太陽電池９が吸着されるため、太陽電池９を強固に固定できる。試料台４の電圧印加テーブル４１は、保持部の一例である。
【００３０】
移動ステージ３がＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に移動することよって、移動ステージ３上の試料台４に保持された太陽電池９が、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向のそれぞれに移動する。
【００３１】
図１に示すように、ステージ駆動機構３１のＹ軸方向移動機構は、移動ステージ３を位置Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれに移動させる。位置Ｌ１は、太陽電池９を電圧印加テーブル４１に設置するための移動ステージ３の位置である。位置Ｌ２は、位置Ｌ１より＋Ｙ側の位置であって、ルミネッセンス測定系５（第一検査部）において太陽電池９のＥＬ測定またはＰＬ測定を行う位置である。さらに、位置Ｌ３は、位置Ｌ２より＋Ｙ側の位置であって、太陽電池９のテラヘルツ波測定を行う位置である。
【００３２】
電極ピンユニット４３は、導電性の複数の電極ピン４３１と、当該複数の電極ピン４３１を支持する導電性の電極バー４３２を備えている。
【００３３】
電極バー４３２は、複数の棒状の電極ピン４３１を、Ｙ軸方向に所定の間隔をあけて、かつ、各々がＺ方向に沿って起立するように保持する。本実施形態では、電極バー４３２は、試料台４に保持された太陽電池９の表面側電極９６に沿うように複数の電極ピン４３１を保持している。
【００３４】
試料台４は、電圧印加テーブル４１を太陽電池９の裏面側電極９２に接触させ、かつ、複数の電極ピン４３１を、太陽電池９の表面側電極（ここでは、後述する表面側電極９６）に接触させる。電圧印加テーブル４１および電極ピンユニット４３は、電気的に接続されており、太陽電池９の表面側電極および裏面側電極９２の間で電圧を印加する。
【００３５】
ルミネッセンス測定系５は、ＥＬ測定またはＰＬ測定を行う。以下の説明では、ＥＬ測定およびＰＬ測定のそれぞれを、特に区別しない場合には、単に「ルミネッセンス測定」と称する場合がある。ルミネッセンス測定系５では、カバー部材５１によって太陽電池９が覆われ、その状態でルミネッセンス測定が行われる。
【００３６】
より具体的には、ルミネッセンス測定系５は、ＥＬ測定を行うためのイメージセンサ５３を備えている。ＥＬ測定を行う場合には、ルミネッセンス測定系５において、電圧印加テーブル４１および電極ピンユニット４３を介して、太陽電池９に順方向バイアスの電圧が印加される。これによって、ルミネッセンス測定系５は、太陽電池９をＥＬ発光させ、当該ＥＬ発光をイメージセンサ５３によって検出する。そして、イメージセンサ５３から出力された信号を、制御部７が画像処理することによって、ルミネッセンス画像であるＥＬ画像が生成される。イメージセンサ５３は、例えば波長が約８００ｎｍ〜１６００ｎｍの光を検出可能であることが好ましく、波長が約１０００ｎｍ〜１４００ｎｍの光を検出可能であることがより好ましい。
【００３７】
また、ルミネッセンス測定系５は、ＰＬ検査光源５５を備えている。ルミネッセンス測定系５は、ＰＬ検査光源５５から照射されたＰＬ検査光によって、太陽電池９をＰＬ発光させ、当該ＰＬ発光をイメージセンサ５３によって検出する。そして、イメージセンサ５３が出力した信号を、制御部７が画像処理することによって、ルミネッセンス画像であるＰＬ画像が生成される。
【００３８】
以下の説明では、ＥＬ画像およびＰＬ画像のそれぞれを、特に区別しない場合には、単に「ルミネッセンス画像」と称する場合がある。
【００３９】
ルミネッセンス測定系５は、必ずしもＥＬ測定およびＰＬ測定の双方を行うための構成を備えていなくてもよく、いずれか一方のみの測定を行うように構成されていてもよい。また、検査装置１００は、必ずしもテラヘルツ波測定系２のルミネッセンス測定系５の双方を備えている必要はなく、どちらか一方が省略されていてもよい。
【００４０】
図２は、テラヘルツ波測定系２の概略構成図である。テラヘルツ波測定系２は、検査光照射部２２、テラヘルツ波検出部２３および遅延部２４を備えている。
【００４１】
検査光照射部２２は、フェムト秒レーザ２２１を備えている。フェムト秒レーザ２２１は、例えば、３６０ｎｍ（ナノメートル）以上１．５μｍ（マイクロメートル）以下の可視光領域を含む波長のパルス光（パルス光ＬＰ１）を放射する。具体例としては、中心波長が８００ｎｍ付近であり、周期が数ｋＨｚ〜数百ＭＨｚ、パルス幅が１０〜１５０フェムト秒程度の直線偏光のパルス光が、フェムト秒レーザ２２１から放射される。もちろん、その他の波長領域（例えば、青色波長（４５０〜４９５ｎｍ）、緑色波長（４９５〜５７０ｎｍ）などの可視光波長）のパルス光が出射されるようにしてもよい。
【００４２】
フェムト秒レーザ２２１から出射されたパルス光ＬＰ１は、ビームスプリッタＢＥ１により２つに分割される。分割された一方のパルス光（検査光ＬＰ１１）は、太陽電池９に照射される。このとき、検査光照射部２２は、検査光ＬＰ１１の照射を、受光面９１側から行う。また、検査光ＬＰ１１の光軸が、太陽電池９の受光面９１に対して斜めに入射するように、検査光ＬＰ１１が太陽電池９に対して照射される。本実施形態では、入射角度が４５度となるように照射角度が設定されている。ただし、入射角度はこのような角度に限定されるものではなく、０度から９０度の範囲内で適宜変更することができる。
【００４３】
図３は、太陽電池９の概略断面図である。太陽電池９は、例えば、結晶シリコン系である太陽電池として構成されている。太陽電池９は、下から順にアルミニウムなどで形成された平板状の裏面側電極９２と、ｐ型半導体層９３と、ｎ型半導体層９４と、反射防止膜９５と、格子状の表面側電極９６と、ｐｎ接合部９７とで構成される積層構造を有する。反射防止膜９５は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸化チタンなどで形成されている。
【００４４】
太陽電池９における両側の主面のうち、表面側電極９６が設けられている側の主面が、受光面となっている。つまり、太陽電池９は、受光面側から光を受けることで好適に発電するように設計されている。表面側電極９６には、透明電極が用いられていてもよい。
【００４５】
なお、検査装置１００は、結晶シリコン系以外の太陽電池（アモルファスシリコン系など）の検査に適用されてもよい。アモルファスシリコン系太陽電池の場合、一般的に、エネルギーギャップが１．７５ｅＶ〜１．８ｅＶといったように、結晶シリコン系太陽電池のエネルギーギャップ１．２ｅＶに比べて大きい。このような場合、フェムト秒レーザ２２１の波長を、例えば７００μｍ以下とすることで、アモルファスシリコン系太陽電池において、テラヘルツ波を良好に発生させることができる。同様の考え方で、他の半導体太陽電池（ＣＩＧＳ系、ＧａＡＳ系など）にも適用可能である。
【００４６】
太陽電池９の内部電界が存在する部位に、禁制帯幅を超えるエネルギーを持つ検査光ＬＰ１１が照射されると、光キャリア（自由電子および正孔）が発生し、内部電界によって加速される。これにより、パルス状の電流が発生することとなり、それに応じて電磁波が発生することとなる。内部電界は、例えばｐｎ接合部９７やショットキー接合部などに発生していることが知られている。
【００４７】
マクスウェルの方程式によると、電流に変化が生じたとき、その電流の時間微分に比例した強度の電磁波が発生する。すなわち、空乏層などの光励起キャリア発生領域にパルス光が照射されることで、瞬間的に光電流の発生および消滅が起こる。この瞬間的に発生する光電流の時間微分に比例して、電磁波パルス（テラヘルツ波ＬＴ１）が発生する。
【００４８】
図２に示すように、ビームスプリッタＢＥ１によって分割された他方のパルス光は、検出光ＬＰ１２として遅延部２４を経由し、テラヘルツ波検出部２３のテラヘルツ波検出器２３１に入射する。また、検査光ＬＰ１１の照射に応じて発生したテラヘルツ波ＬＴ１は、放物面鏡などによって適宜集光され、テラヘルツ波検出器２３１に入射する。
【００４９】
なお、図１に示すように、検査光ＬＰ１１は、Ｙ軸方向沿って（図１の例では、＋Ｙ側から−Ｙ側に向けて）太陽電池９に照射される。また、Ｙ軸方向に沿って（図１の例では、＋Ｙ側から−Ｙ側に向けて）放射されるテラヘルツ波ＬＴ１が、テラヘルツ波検出器２３１によって検出される。このように、本実施形態では、検査光ＬＰ１１の照射方向、および、検出されるテラヘルツ波ＬＴ１の放射方向が、複数の電極ピン４３１が所定間隔をあけて配列される方向（すなわち、Ｙ軸方向）に一致している。このため、複数の電極ピン４３１によって、検査光である検査光ＬＰ１１が遮られたり、あるいは、発生したテラヘルツ波ＬＴ１が複数の電極ピン４３１によって遮られたりすることを抑制できる。
【００５０】
テラヘルツ波検出器２３１は、電磁波検出素子として、例えば、光伝導スイッチ（光伝導アンテナ）を備えている。テラヘルツ波ＬＴ１がテラヘルツ波検出器２３１に入射する状態で、検出光ＬＰ１２がテラヘルツ波検出器２３１に照射されると、光伝導スイッチに瞬間的にテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度に応じた電流が発生する。この電界強度に応じた電流は、不図示のロックインアンプ、Ｉ／Ｖ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路などを介してデジタル量に変換される。このようにして、テラヘルツ波検出部２３は、検出光ＬＰ１２の照射に応じて、太陽電池９を透過したテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度を検出する。なお、光伝導スイッチとは異なる他の素子、例えばショットキーバリアダイオードまたは非線形光学結晶が、検出素子として採用されてもよい。
【００５１】
遅延部２４は、検出光ＬＰ１２のテラヘルツ波検出器２３１への到達時間を連続的に変更する光学装置である。遅延部２４は、検出光ＬＰ１２の入射方向に沿って直線移動する遅延ステージ２４１と遅延ステージ２４１を移動させる遅延ステージ駆動機構２４２とを備えている。遅延ステージ２４１は、検出光ＬＰ１２をその入射方向に折り返させる折り返しミラー１０Ｍを備えている。また、遅延ステージ駆動機構２４２は、制御部７の制御に基づいて、検出光ＬＰ１２の入射方向に沿って遅延ステージ２４１を平行移動させる。遅延ステージ２４１が平行移動することによって、ビームスプリッタＢＥ１からテラヘルツ波検出器２３１までの検出光ＬＰ１２の光路長が連続的に変更される。
【００５２】
遅延ステージ２４１は、テラヘルツ波ＬＴ１がテラヘルツ波検出器２３１に到達する時間と、検出光ＬＰ１２がテラヘルツ波検出器２３１へ到達する時間との差（位相差）を変更する。具体的には、遅延ステージ２４１によって、検出光ＬＰ１２の光路長を変化することによって、テラヘルツ波検出器２３１においてテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度を検出するタイミング（検出タイミングまたはサンプリングタイミング）が遅延される。
【００５３】
なお、遅延ステージ２４１とは異なる構成によって、検出光ＬＰ１２のテラヘルツ波検出器２３１への到達時間を変更することも可能である。具体的には、電気光学効果を利用することが考えられる。すなわち、印加する電圧を変化させることで屈折率が変化する電気光学素子を、遅延素子として用いてもよい。
【００５４】
また、検出光ＬＰ１２の光路長を変更する代わりに、太陽電池９に向かう検査光ＬＰ１１の光路長、もしくは、太陽電池９から放射されたテラヘルツ波ＬＴ１の光路長を変更してもよい。いずれの場合においても、テラヘルツ波検出器２３１に検出光ＬＰ１２が到達する時間に対して、テラヘルツ波検出器２３１にテラヘルツ波ＬＴ１が到達する時間をずらすことができる。つまり、テラヘルツ波検出器２３１におけるテラヘルツ波ＬＴ１の検出タイミングを遅延させることができる。
【００５５】
ステージ駆動機構３１は、移動ステージ３に取り付けられた試料台４に保持されている太陽電池９を、検査光照射部２２に対して、ＸＹ平面内で相対的に移動させる。つまり、検査装置１００は、太陽電池９の受光面９１を検査光ＬＰ１１で走査可能に構成されている。したがって、本実施形態では、ステージ駆動機構３１は、走査機構を構成している。ただし、太陽電池９を移動させる代わりに、または、太陽電池９を移動させると共に、検査光照射部２２およびテラヘルツ波検出部２３をＸＹ平面内で移動させる移動手段を設けてもよい。
【００５６】
また、検査光ＬＰ１１自体の光路を変更する走査機構を採用してもよい。具体的には、往復揺動するガルバノミラーによって、検査光ＬＰ１１の光路を、太陽電池９の受光面９１に平行なＸＹ平面に沿って変更することが考えられる。また、ガルバノミラーの代わりに、ポリゴンミラー、ピエゾミラーまたは音響光学素子などを採用してもよい。
【００５７】
太陽電池９について、テラヘルツ波測定を行う場合には、試料台４の電圧印加テーブル４１および電極ピンユニット４３を介して、太陽電池９に逆バイアス電圧を印加してもよい。これによって、太陽電池９から放射されるテラヘルツ波ＬＴ１の強度を高めることができる。また、電圧印加テーブル４１および電極バー４３２間を短絡接続して、太陽電池９の表面側電極と裏面側電極９２とを短絡することも考えられる。この場合においても、太陽電池９から放射されるテラヘルツ波ＬＴ１の強度を高めることができる。
【００５８】
図４は、テラヘルツ波ＬＴ１の時間波形８０を示す図である。図４において、横軸は時間を示しており、縦軸は電界強度を示している。また、図４において、時間波形８０を示すグラフの下側には、遅延ステージ２４１によって、テラヘルツ波検出器２３１に到達するタイミング（時間ｔ１〜ｔ８）が相互に異なる、複数の検出光ＬＰ１２が概念的に示されている。
【００５９】
テラヘルツ波検出器２３１に対して、例えば時間ｔ１に検出光ＬＰ１２が到達するよう、遅延ステージ２４１が調整された場合、テラヘルツ波検出器２３１によって値Ｅ１の電界強度が検出されることとなる。つまり、時間ｔ１は、テラヘルツ波ＬＴ１が値Ｅ１となる位相に対応する。同様に、検出タイミングが時間ｔ２〜ｔ８に遅延されることで、それぞれに対応する位相の電界強度（値Ｅ２〜Ｅ８）が検出されることとなる。
【００６０】
遅延ステージ２４１が制御されることで検出タイミングが細かく変更されることによって、テラヘルツ波ＬＴ１の各位相の電界強度が取得される。取得された電界強度を時間軸に沿ってグラフ上にプロットされることで、テラヘルツ波ＬＴ１の時間波形８０が復元される。
【００６１】
また、テラヘルツ波ＬＴ１の時間波形を復元することによって、例えばテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度が最大となる検出タイミング（この場合は時間ｔ２）が判る。検出タイミングを固定してテラヘルツ波ＬＴ１を検出する場合に、電界強度が最大となる検出タイミングに合わせて遅延ステージ２４１を制御することによって、テラヘルツ波を検出しやすくなる。
【００６２】
なお、遅延ステージ２４１とは異なる他の構成によって、検出光ＬＰ１２のテラヘルツ波検出器２３１への到達時間を変更することも可能である。具体的には、電気光学効果を利用することが考えられる。すなわち、印加する電圧を変化させることで屈折率が変化する電気光学素子を、遅延素子として用いてもよい。例えば、特許文献である特開２００９−１７５１２７号公報に開示された電気光学素子を利用することができる。
【００６３】
また、検査光ＬＰ１１の光路長、もしくは、太陽電池９から放射されたテラヘルツ波ＬＴ１の光路長を変更するようにしてもよい。この場合においても、テラヘルツ波検出器２３１にテラヘルツ波ＬＴ１が到達する時間を、テラヘルツ波検出器２３１に検出光ＬＰ１２が到達する時間に対して、相対的にずらすことができる。つまり、テラヘルツ波検出器２３１におけるテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度の検出タイミングを遅延させることができる。
【００６４】
制御部７は、検査装置１００が備える各部と電気的に接続されており、各種の演算処理を実行しつつ検査装置１００の各部の動作を制御する。
【００６５】
図５は、検査装置１００における制御部７と他の要素との電気的な接続を示すブロック図である。制御部７は、ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３および不揮発性の記録媒体である記憶部７４を備えている。このように、制御部７は、一般的なコンピュータとして構成されている。
【００６６】
ＲＯＭ７２は、基本プログラムなどを格納している。ＲＡＭ７３は、ＣＰＵ７１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶部７４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置などの不揮発性の記憶装置によって構成されている。記憶部７４にはプログラムＰＧ１がインストールされている。該プログラムＰＧ１に記述された手順に従って、主制御部としてのＣＰＵ７１が演算処理を行うことによって、各種機能（例えば、画像取得部７１１、対応疑似色情報生成部７１２、濃度配分変更部７１３、疑似色画像生成部７１４など）が実現される。
【００６７】
画像取得部７１１は、画素値が複数の階調値で表現されている階調画像データを取得する。具体的には、当該階調画像データは、太陽電池９における位置を示す情報と、テラヘルツ波の強度を示す情報（階調値）とが対応づけされた状態で記録されている。
【００６８】
対応疑似色情報生成部７１２は、階調値に対応する疑似色を示す対応疑似色情報ＥＤ１を生成する。該対応疑似色情報ＥＤ１は、複数種の色が、階調値に対応づけられた各々の濃度配分で混合されることによって生成される。本実施形態では、複数種の色は、光の三原色であって、赤色、緑色及び青色である。この三原色を混合することによって、ほぼ全ての色が使われたフルカラーの疑似色画像を生成することが可能となる。
【００６９】
濃度配分変更部７１３は、複数種の色のうち少なくとも１つの色について、特定の濃度となる特定階調値を連続的に変更可能とする変更命令を受け付ける。そして、濃度配分変更部７１３は、その命令の内容にしたがって、その色の濃度配分を変更する。
【００７０】
疑似色画像生成部７１４は、対応疑似色情報ＥＤ１に基づき、画像データにおける階調値を、対応する疑似色に変換して、疑似色画像データを生成する。
【００７１】
プログラムＰＧ１は、通常、予め記憶部７４などのメモリに格納されて使用されるものであるが、ＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭ、外部のフラッシュメモリなどの記録媒体に記録された形態（プログラムプロダクト）で提供され（あるいは、ネットワークを介した外部サーバからのダウンロードなどにより提供され）、追加的または交換的に記憶部７４などのメモリに格納されるものであってもよい。なお、制御部７において実現される一部あるいは全部の機能は、専用の論理回路などでハードウェア的に実現されてもよい。
【００７２】
また、制御部７は、表示部６１、操作部６２、ステージ駆動機構３１、遅延ステージ駆動機構２４２、ルミネッセンス測定系５、イメージセンサ５３およびカメラ６といった検査装置１００の各要素とバス配線、ネットワーク回線またはシリアル通信回線などを介して接続されている。制御部７は、これらの要素の動作制御を行ったり、これらの要素からデータを受け取ったりする。
【００７３】
表示部６１は、液晶ディスプレイなどの画像を表示する表示装置を構成する。表示部６１は、疑似色画像生成部７１４によって生成された疑似色画像を出力する装置である。なお、出力装置として、疑似色画像を紙等の印刷媒体に印刷する印刷装置が設けられていてもよい。
【００７４】
なお、制御部７を構成するコンピュータは、階調画像から疑似色画像を生成する画像処理装置である。また、当該画像処理装置に表示部６１等の出力部を付加したものが、画像出力装置である。
【００７５】
操作部６２は、例えば、キーボードおよびマウスによって構成される入力デバイスであり、オペレータからの各種の操作（コマンドや各種データの入力といった操作）を受け付ける。なお、操作部６２は、各種スイッチ、タッチパネルなどにより構成されてもよい。
【００７６】
＜太陽電池の検査＞
図６は、検査装置１００の動作を示すフローチャートである。図６に示すフローチャートは、検査装置１００のテラヘルツ波測定系２において、テラヘルツ波測定に基づいた検査を行うものである。以下の説明においては、特に断らない限り、検査装置１００の各動作が制御部７による制御下のもとに行われるものとする。また、各工程の内容に応じて、複数の工程が並列に実行されたり、複数の工程の実行順序が適宜変更されたりしてもよい。
【００７７】
まず、電圧印加テーブル４１に検査対象となる太陽電池９が設置される（ステップＳ１）。このとき、上述したように、受光面９１（すなわち、太陽電池９が使用される状態において、太陽光を受光する側の主面）に向けて、検査光ＬＰ１１が照射されるように、太陽電池９が設置される。そして、ステージ駆動機構３１によって、移動ステージ３が位置Ｌ３に移動し、太陽電池９がテラヘルツ波測定系２において検査可能な状態とされる。
【００７８】
続いて、電極ピンユニット４３が表面側電極９６に当接され、太陽電池９の裏面側電極９２および表面側電極９６間に、逆バイアス電圧が印加される（ステップＳ２）。なお、逆バイアス電圧を印加しない場合は、ステップＳ２を省略することも可能である。
【００７９】
次に、テラヘルツ波検出部２３によるテラヘルツ波ＬＴ１の検出タイミングが設定される（ステップＳ３）。具体的には、制御部７が遅延ステージ２４１を制御することによって、検出光ＬＰ１２がテラヘルツ波検出器２３１に到達するタイミングが所要の検出タイミングに固定されるように、折り返しミラー１０Ｍの位置が調整される。なお、検出されるテラヘルツ波強度ができるだけ大きくなるように検出タイミングが設定することで、Ｓ／Ｎ比を高めることができる。例えば、図４に示す時間波形８０の場合、検出タイミングが時間ｔ３に設定されることによって、テラヘルツ波ＬＴ１を最大の強度にて検出できる。
【００８０】
続いて、ステージ駆動機構３１が駆動されることによって、太陽電池９を２次元平面内で移動させる。これによって、検査対象領域が検査光ＬＰ１１で走査される（ステップＳ４）。そして、検査光ＬＰ１１の各照射位置で放射されるテラヘルツ波ＬＴ１がテラヘルツ波検出器２３１によって検出される。検出されたテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度を示す情報は、そのテラヘルツ波ＬＴ１の発生位置（照射位置）を示す情報に関連づけされて、記憶部７４またはＲＡＭ７３等に適宜保存される。
【００８１】
ステップＳ４にて得られるデータは、画素値が複数の階調値で表現されている階調画像データとなっている。すなわち、テラヘルツ波ＬＴ１の発生位置を示す情報が、各画素の位置情報を示しており、多値情報であるテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度が画素値を示している。この階調画像データに基づき、テラヘルツ波強度分布を疑似的にカラー（ここでは、赤、緑及び青色）で表現した疑似色画像が生成され、当該疑似色画像が出力装置である表示部６１等によって外部に出力される（ステップＳ５）。ここで、ステップＳ５の処理（疑似色画像の生成処理及び出力処理）について、図７を参照しつつ詳細に説明する。
【００８２】
＜疑似色画像の生成処理及び出力処理＞
図７は、疑似色画像の生成処理及び出力処理の詳細を示すフローチャートである。まず各色（赤、緑及び青）について、テラヘルツ波強度（階調値）に対応付けされた濃度配分が決定される（ステップＳ５１）。なお、このステップＳ５１では、濃度配分変更部７１３が、各色の濃度配分の変更命令を受け付け、該変更命令に基づいて、該当色の濃度配分を変更する。
【００８３】
続いて、ステップＳ５１で決定された濃度配分に応じて、各色を混合することによって、対応疑似色情報ＥＤ１を生成する（ステップＳ５２）。生成された対応疑似色情報ＥＤ１は、記憶部７４またはＲＡＭ７３に保存される。
【００８４】
次に、疑似色画像生成部７１４によって、疑似色画像が生成される（ステップＳ５３）。詳細には、疑似色画像生成部７１４は、対応疑似色情報ＥＤ１を参照して、テラヘルツ波強度画像に対して、テラヘルツ波強度を対応する色（疑似色）に変換する変換処理を行う。これによって、テラヘルツ波強度画像から、疑似色画像が生成される。そして、疑似色画像の出力が行われる（ステップＳ５４）。
【００８５】
続いて、疑似色画像の生成及び出力の処理を終了するか否かが判定される（ステップＳ５５）。この判定は、具体的には、オペレータによって、色の濃度配分を変更する変更命令が入力されたか否か、あるいは、規定の終了処理命令が入力されたか否かに基づいて行われる。
【００８６】
変更命令が入力された場合（ステップＳ５５においてＮｏ）、ステップＳ５１に戻って、ステップＳ５１〜Ｓ５４が再び実行される。また、終了処理命令が入力された場合（ステップＳ５５においてＹｅｓ）、疑似色画像の生成及び出力処理が終了する。
【００８７】
次に、ステップＳ５１の処理（色の濃度配分の決定処理）及びステップＳ５２の処理（対応疑似色情報ＥＤ１の生成処理）について、具体的に説明する。
【００８８】
図８は、各色の濃度配分及び対応疑似色情報ＥＤ１を示す図である。図８において、グラフＲ１，Ｇ１，Ｂ１の横軸はテラヘルツ波強度（以下、単に「強度」とも称する。）を示しており、縦軸は各色の濃度を示している。ここでは、強度は、０から１までの範囲の相対値としている。なお、８ビット画像の場合は、この０から１までの範囲が、０〜２５５の２５６階調に置き換えられる。グラフＲ１，Ｇ１，Ｂ１は、原色である赤色、緑色及び青色についての、強度に対応づけられた濃度配分を示している。つまり、グラフＲ１，Ｇ１，Ｂ１は、各強度（階調値）に対する各色の濃度の割り当てを示している。
【００８９】
また、図８に示されるカラーチャートＣＣ１は、対応疑似色情報ＥＤ１を模式的に表したものである。当該カラーチャートＣＣ１においては、横軸が強度を示しており、強度に応じた疑似色が示されている。
【００９０】
本例では、赤色については、図８の上段に示すように強度０で最小濃度（＝０％）、強度１．０で最大濃度（＝１００％）となるように設定されている。また、緑色については、図８の中段に示すように強度０及び１．０で最小濃度（＝０％）となるように設定されている。さらに、青色については、図８の下段に示すように強度０で最大濃度（＝１００％）、強度１．０で最小濃度（＝０％）となるように設定されている。
【００９１】
また、本例では、各色の最大濃度となる強度（階調値）及び最小濃度となるテラヘルツ波強度（階調値）を指定することによって、各色の濃度配分を変更するように設定されている。具体的には、３つの強度の値Ｓ，Ｔ，Ｕを指定することによって、各色の濃度配分を変更できるように設定されている。
【００９２】
値Ｓは、赤色及び青色が最小濃度（＝０％）となる強度に設定されている。また、値Ｔは、緑色及び青色が最大濃度（＝１００％）となる強度に設定されている。さらに、値Ｕは、赤色及び緑色が最大濃度（＝１００％）となる強度に設定されている。値Ｓ，Ｔ，Ｕがそれぞれ変更されることによって、各色が最大濃度または最小濃度となる強度が変更されることとなる。つまり、値Ｓ，Ｔ，Ｕは、濃度配分を変更する制御パラメータとなっている。このように、各色の濃度配分における最大濃度または最小濃度となる階調値を変更できるようにすることで、各色の濃度配分をダイナミックに変更できる。したがって、各色の濃度配分を適切かつ迅速に設定できる。
【００９３】
なお、値Ｓ，Ｔ，Ｕは、例えば数値を直接入力することによって指定されるようにしてもよい。また、図８に示すようなグラフＲ１，Ｇ１，Ｂ１のうちの少なくも１つとともに、値Ｓ，Ｔ，Ｕの位置を示す線分（例えば、図８に示す一点破線）を表示部６１に表示する。そして、当該線分を強度に関する軸（ここでは、横軸）に沿って左右に移動させる操作が受け付けられることによって、各値を指定できるようにしてもよい。
【００９４】
例えば、図８に示す例では、値Ｓ，Ｔ，Ｕが、それぞれ「０．５」「０．２５」「０．７５」に設定されている。このため、赤色の濃度配分については、グラフＲ１で示されるように、強度０〜０．５で最小濃度（＝０％）、強度０．５〜０．７５で濃度が増加、強度０．７５〜１．０で最大濃度（＝１００％）となっている。
【００９５】
また、緑色の濃度配分については、強度０で最小濃度（＝０％）であり、強度０〜０．２５で濃度が増加、強度０．２５〜０．７５で最大濃度（＝１００％）となっている。そして、強度０．７５〜１．０で濃度が減少し、強度１．０で最小濃度となっている。
【００９６】
さらに、青色の濃度配分については、強度０〜０．２５で最大濃度（＝１００％）であり、強度０．２５〜０．５で濃度が減少、強度０．５〜１．０で最小濃度（＝０％）となっている。
【００９７】
各色がこのような濃度配分に設定されることで、対応疑似色情報ＥＤ１を示すカラーチャートＣＣ１上では、強度０で青色（Ｂｌｕｅ）、強度０．２５で水色（Ａｑｕａ）、強度０．５で緑色（Ｇｒｅｅｎ）、強度０．７５で黄色（Ｙｅｌｌｏｗ）、強度１．０で赤色（Ｒｅｄ）となっている。この場合、強度の全域にわたって、比較的均一に疑似色が変化するグラデーションを示す。
【００９８】
なお、例えば、図８に示すグラフＲ１は、強度０．５〜０．７５において曲線状に変化している。この部分を、図８中破線で示すように直線化してもよい。他のグラフＧ１，Ｂ１の、濃度が増減する部分においても、同様に直線化してもよい。
【００９９】
本例では、値Ｓ，Ｔ，Ｕのそれぞれは、濃度が最大または最小となる強度を、２種の色について同時に指定する制御パラメータとなっている。例えば、赤色の最小濃度となる階調値である値Ｓを指定すると、自動的に、青色の最小濃度となる階調値が定まることとなる。すなわち、１つの色について濃度配分が変更されると、これに連動して、他の色の濃度配分も変更される。このため、少ない変更操作でも、対応疑似色情報ＥＤ１をダイナミックに変更することができる。ただし、最大濃度または最小濃度となる強度を、各色について独立に指定できるようにすることも可能である。
【０１００】
各値Ｓ，Ｔ，Ｕを個々に指定することも考えられるが、各値Ｓ，Ｔ，Ｕのうち１つを決めることによって、他の値が自動的に定まるようにしてもよい。具体的には、例えば下記の条件（１）〜条件（４）を予め設定することが考えられる。
【０１０１】
（１）Ｔ＜Ｓ＜Ｕ
（２）Ｓ＝（Ｔ＋Ｕ）／２
（３）Ｓ＜０．５の時、Ｕ−Ｔ＝Ｓ
（４）Ｓ≧０．５の時、Ｕ−Ｔ＝１−Ｓ
【０１０２】
図９は、値Ｓ，Ｔ，Ｕの関係を示す図である。図９は、上記条件（３）、（４）をグラフ化したものであって、横軸は値Ｓを示しており、縦軸は値Ｕと値Ｔの差分を示している。オペレータが、例えば値Ｓを指定すると、条件（２）によってＴの大きさが自動的に決まる。さらに条件（３）または条件（４）にしたがって、値Ｕも自動的に決まる。
【０１０３】
図１０及び図１１は、変更後の各色の濃度配分を及び対応疑似色情報を示す図である。図１０に示される例では、値Ｓが０．２に設定されており、条件（１）〜条件（４）にしたがって、値Ｔ，Ｕがそれぞれ０．１，０．３に設定されている。このため、対応疑似色情報ＥＤ１を示すカラーチャートＣＣ１は、強度が比較的小さい範囲（０〜０．３）において、疑似色が急峻に変化するグラデーションを示す。これに対して、図１１に示される例では、値Ｓが０．８に設定されており、条件（１）〜条件（４）にしたがって、値Ｔ，Ｕがそれぞれ０．７，０．９に設定されている。このため、対応疑似色情報ＥＤ１を示すカラーチャートＣＣ１は、強度が比較的大きい範囲（０．７〜１）において、疑似色が急峻に変化するグラデーションを示す。このように、値Ｓを決定することで、他の値Ｔ，Ｕも自動的に決まるため、各色の濃度配分の変更操作を簡略化できる。したがって、対応疑似色情報ＥＤ１を迅速に生成できる。また、値Ｓを変更することで、カラーチャートＣＣ１における疑似色のグラデーションを連続的に変更できる。
【０１０４】
例えば、ステップＳ４にて取得されたデータにおいて、テラヘルツ波強度の分布が、比較的小さい強度に集まっている場合、値Ｓをその小さい強度に近い値に設定するとよい。これによって、図１０で説明したように、比較的小さい強度において、疑似色を急峻に変化させることができるため、オペレータが観察したい部分のコントラストを高めることができる。
【０１０５】
一方、テラヘルツ波強度の分布が、比較的大きい強度に集まっている場合には、値Ｓをその大きい強度に近い値に設定するとよい。これによって、図１１に示すように、比較的大きい強度において、疑似色を急峻に変化させることができるため、オペレータが観察したい部分のコントラストを高めることができる。
【０１０６】
さらに、オペレータが観察したい部分のテラヘルツ波強度の分布が、比較的均一に分散している場合、図８に示すように、疑似色のグラデーションが均一になるようにすれば、疑似色画像におけるコントラストを高めることができる。
【０１０７】
なお、上記説明では、値Ｕと値Ｔの差分が、値Ｓによって変更されるものとしているが、一定の値（例えば、０．２）に固定することなども妨げられない。
【０１０８】
また、上記説明では、値Ｓ，Ｔ，Ｕを指定することによって、各色が最大濃度または最小濃度となる強度が設定されている。しかしながら、最大濃度及び最小濃度の間の特定の中間濃度となる強度を指定できるようにしてもよい。特定の中間濃度となる強度を指定し、それに基づいて、各色の濃度配分が決定されるようにしてもよい。
【０１０９】
また、図８に示すように、例えばグラフＲ１上に、横軸（強度軸）の双方に縦軸（濃度軸）に沿って移動可能とされた複数の制御点Ｐ１，Ｐ２を予め設定しておき、これらの移動を受け付けるようにしてもよい。そして、移動後の制御点Ｐ１，Ｐ２を通るように、グラフＲ１を変形することによって、濃度配分が変更されるようにしてもよい。また、グラフＲ１の形状を決定する制御点の数を、任意に増減できるようにしてもよい。
【０１１０】
また、本実施形態では、３種の色の濃度配分を変更できるように設定されているが、３種の色のうち１または２種の色の濃度配分のみが変更できるように設定されてもよい。
【０１１１】
また、本実施形態では、３種の色の濃度配分を変更できるように設定されているが、２種の色または４種以上の色を混合することによって、対応疑似色情報が生成されるようにしてもよい。
【０１１２】
また、対応疑似色情報を生成するために混合される色は、赤色、緑色及び青色に限定されるものではなく、他の色であってもよい。例えばシアン、マゼンタ及びイエローを含んでいてもよい。
【０１１３】
また、ルミネッセンス測定系５におけるＥＬ測定またはＰＬ測定によって得られるＥＬ画像またはＰＬ画像は、太陽電池９上における位置毎にＥＬ光強度またはＰＬ光強度が記録された画像である。そこで、ＥＬ光強度またはＰＬ光強度を多階調で表現された階調画像に適宜変換し、これをカラーチャートＣＣ１を用いて、疑似色画像化することも可能である。その際、複数の色の濃度配分を適宜設定してカラーチャートＣＣ１を変更することによって、ＥＬ画像またはＰＬ画像を好適に疑似色画像化することができる。
【０１１４】
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【０１１５】
１００  検査装置
２２  検査光照射部（照射部）
２３  テラヘルツ波検出部
２４  遅延部
３  移動ステージ
３１  ステージ駆動機構
４  試料台
４１  電圧印加テーブル（保持部）
４３  電極ピンユニット
５  ルミネッセンス測定系
５３  イメージセンサ
５５  ＰＬプローブ光源（照射部）
６１  表示部（出力部）
６２  操作部
７  制御部
７１  ＣＰＵ
７１１  画像取得部
７１２  対応疑似色情報生成部
７１３  濃度配分変更部
７１４  疑似色画像生成部
７４  記憶部
９  太陽電池（半導体試料）
ＣＣ１  カラーチャート（対応疑似色情報）
ＥＤ１  対応疑似色情報
ＬＰ１１  検査光
ＬＴ１  テラヘルツ波
Ｐ１，Ｐ２  制御点
ＰＧ１  プログラム
Ｒ１，Ｇ１，Ｂ１  グラフ（濃度配分）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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