(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に仮接着材層が形成され、かつ該仮接着材層上に、表面に回路面を有し裏面を加工すべきウエハが積層されたウエハ加工体であって、
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に積層された、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層された、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層の３層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体。
【請求項２】
前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に前記重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ’）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力よりも強いことを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工体。
【請求項３】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％含有し（但し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００で、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工体。
【請求項４】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）が、Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ４／２単位を含有し、前記Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位／ＳｉＯ４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとが部分的に脱水縮合したものであり、該脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が９９：１〜５０：５０であり、重量平均分子量が４００，０００〜１，５００，０００であり、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である、非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工体。
【化１】
0006502824.tif 000021
（式中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）
【請求項５】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）の膜厚が１〜８０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【請求項６】
前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【化２】
0006502824.tif 000022
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
【化３】
0006502824.tif 000023
（式中、Ｚは
【化４】
0006502824.tif 000024
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、Ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
【請求項７】
前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（４）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【化５】
0006502824.tif 000025
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。更に、Ｙは下記一般式（５）で示される２価の有機基である。
【化６】
0006502824.tif 000026
（式中、Ｖは
【化７】
0006502824.tif 000027
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
【請求項８】
前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で１ｇｆ以上５００ｇｆ以下であり、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に前記重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ’）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で０．５ｇｆ以上５０ｇｆ以下であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【請求項９】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が、前記ウエハの表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【請求項１０】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が、前記支持体の表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【請求項１１】
（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）と、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記支持体上に前記重合体層（Ａ’）が積層され、該重合体層（Ａ’）の上に前記重合体層（Ｂ）が積層された支持体と、前記重合体層（Ａ）が積層された前記ウエハとを真空下で貼り合わせる工程と、
（ｂ）前記重合体層（Ｂ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層（Ａ’）を一体で剥離する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）を行った後の前記ウエハから前記重合体層（Ｂ）を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
【請求項１２】
（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）と、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記回路形成面上に前記重合体層（Ａ）が積層され、該重合体層（Ａ）上に前記重合体層（Ｂ）が積層された前記ウエハと、前記重合体層（Ａ’）が積層された前記支持体とを真空下で貼り合わせる工程と、
（ｂ）前記重合体層（Ｂ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層（Ａ’）を一体で剥離する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）を行った後の前記ウエハから前記重合体層（Ｂ）を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
【請求項１３】
表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、
前記ウエハの表面に剥離可能に積層可能な、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層可能な、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層の３層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
【請求項１４】
前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に前記重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ’）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力よりも強いことを特徴とする請求項１３に記載のウエハ加工用仮接着材。
【請求項１５】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％含有し（但し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００で、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のウエハ加工用仮接着材。
【請求項１６】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）が、Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ４／２単位を含有し、前記Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位／ＳｉＯ４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとが部分的に脱水縮合したものであり、該脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が９９：１〜５０：５０であり、重量平均分子量が４００，０００〜１，５００，０００であり、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である、非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項１３又は請求項１４のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【化８】
0006502824.tif 000028
（式中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）
【請求項１７】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）の膜厚が１〜８０ｎｍであることを特徴とする請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【請求項１８】
前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【化９】
0006502824.tif 000029
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
【化１０】
0006502824.tif 000030
（式中、Ｚは
【化１１】
0006502824.tif 000031
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、Ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
【請求項１９】
前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（４）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【化１２】
0006502824.tif 000032
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。更に、Ｙは下記一般式（５）で示される２価の有機基である。
【化１３】
0006502824.tif 000033
（式中、Ｖは
【化１４】
0006502824.tif 000034
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
【請求項２０】
前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で１ｇｆ以上５００ｇｆ以下であり、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に前記重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ’）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で０．５ｇｆ以上５０ｇｆ以下であることを特徴とする請求項１３から請求項１９のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【請求項２１】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）は、周辺部が一部除去されているものであることを特徴とする請求項１３から請求項２０のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【請求項２２】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）、（Ａ’）の膜厚が１〜８０ｎｍであり、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）の膜厚が１５〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【請求項２３】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）、（Ａ’）の膜厚が２〜６０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のウエハ加工体。
【請求項２４】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）、（Ａ’）の膜厚が１〜８０ｎｍであり、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）の膜厚が１５〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１３から請求項２１のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【請求項２５】
前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）、（Ａ’）の膜厚が２〜６０ｎｍであることを特徴とする請求項１３から請求項２１のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄型ウエハを効果的に得ることを可能にするウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（「裏面」ともいう）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に裏面保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。
【０００３】
そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層（又は仮接着材層）と呼ぶことにする。
【０００４】
これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザ等の高価な装置が必要であり、かつ基板１枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。
【０００５】
また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いる技術が提案されている（特許文献３）。これは基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難である。
【０００６】
上記問題を鑑みて、熱可塑性オルガノポリシロキサン仮接着層と熱硬化性変性シロキサン重合体仮接着層を用いた技術が提案されている（特許文献４）。この方法であれば、ある程度の熱プロセス耐性があり、高段差基板への均一な膜厚での形成も可能であるため、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、剥離も容易ではあるが、３００℃を超えるような高温耐熱性に問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−６４０４０号公報
【特許文献２】特開２００６−３２８１０４号公報
【特許文献３】米国特許第７５４１２６４号公報
【特許文献４】特開２０１３−４８２１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、ＣＶＤ（化学的気相成長）、レーザーアニールといったウエハ熱プロセス耐性に優れ、特に３００℃を超えるような高温熱プロセスにも耐性があり、剥離前の薄型ウエハが切断された状態であっても容易に剥離可能で、薄型ウエハの生産性を高めることができるウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明では、支持体上に仮接着材層が形成され、かつ該仮接着材層上に、表面に回路面を有し裏面を加工すべきウエハが積層されたウエハ加工体であって、
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に積層された、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層された、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層の３層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体を提供する。
【００１０】
このようなウエハ加工体であれば、高段差基板の均一な膜厚での形成が可能であり、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、熱プロセス耐性も良好である。特に、第一仮接着層として熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）を膜厚１００ｎｍ未満で形成し、第三仮接着層として熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）を膜厚１００ｎｍ未満で形成し、両者の薄膜で第二仮接着層を挟みこむことによって、３００℃を超えるような高温熱プロセスにも、具体的には仮接着材温度で４００℃程度まで良好な耐性を示す。これにより、薄型ウエハの生産性を高めることができる。
【００１１】
また、本発明では、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、
前記ウエハの表面に剥離可能に積層可能な、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層可能な、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層の３層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材を提供する。
【００１２】
このような、ウエハ加工用仮接着材であれば、ウエハと支持体との仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、熱プロセス耐性も良好である。特に、第一仮接着層として熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）を膜厚１００ｎｍ未満で形成し、第三仮接着層として熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）を膜厚１００ｎｍ未満で形成し、両者の薄膜で第二仮接着層を挟みこむことによって、３００℃を超えるような高温熱プロセスに対しても良好な耐性を示す。これにより、薄型ウエハの生産性を高めることができる。
【００１３】
これらの場合、前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に前記重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ’）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力よりも強いことが好ましい。
【００１４】
このような剥離力を有するものであれば、重合体層（Ｂ）をウエハ側に残した状態で支持体を剥離することができる。
【００１５】
また、これらの場合、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％含有し（但し、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００で、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることが好ましい。
【００１６】
また、これらの場合、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）が、Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ４／２単位を含有し、前記Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位／ＳｉＯ４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとが部分的に脱水縮合したものであり、該脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が９９：１〜５０：５０であり、重量平均分子量が４００，０００〜１，５００，０００であり、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である、非反応性オルガノポリシロキサン層であることが好ましい。
【化１】
0006502824.tif 000002
（式中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）
【００１７】
このような熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び（Ａ’）であれば、接着性、耐熱性に優れるため好ましい。
【００１８】
更に、これらの場合、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）の膜厚が１〜８０ｎｍであることが好ましい。
【００１９】
このような膜厚であれば、３００℃を超えるような高温熱プロセスに対して、更に良好な耐性を示す。
【００２０】
更に、これらの場合、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることが好ましい。
【化２】
0006502824.tif 000003
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
【化３】
0006502824.tif 000004
（式中、Ｚは
【化４】
0006502824.tif 000005
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、Ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
【００２１】
更に、これらの場合、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が、下記一般式（４）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体１００質量部に対して、架橋剤として１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることが好ましい。
【化５】
0006502824.tif 000006
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。更に、Ｙは下記一般式（５）で示される２価の有機基である。
【化６】
0006502824.tif 000007
（式中、Ｖは
【化７】
0006502824.tif 000008
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
【００２２】
このような熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）であれば、耐熱性により一層優れるため好ましい。
【００２３】
更に、これらの場合、前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で１ｇｆ以上５００ｇｆ以下であり、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に前記重合体層（Ｂ）が積層された状態で、前記重合体層（Ａ’）から熱硬化後の前記重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で０．５ｇｆ以上５０ｇｆ以下であることが好ましい。
【００２４】
このようなピール剥離力を有する熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び（Ａ’）であれば、ウエハ研削時にウエハのズレが生じる恐れがなく、剥離が容易なため好ましい。
【００２５】
また、本発明のウエハ加工体における前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が、前記ウエハの表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであってもよい。
【００２６】
また、本発明のウエハ加工体における前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）が、前記支持体の表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであってもよい。
【００２７】
また、本発明のウエハ加工用仮接着材における前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）は、周辺部が一部除去されているものであってもよい。
【００２８】
このような形状の重合体層（Ａ）及び（Ａ’）であれば、重合体層（Ｂ）と表面に回路面を有し裏面を加工すべきウエハ（回路付きウエハ）とが部分的に直接積層し、重合体層（Ｂ）と支持体とが部分的に直接積層することになり、回路付きウエハの加工中に剥離が生じるリスクを軽減することができる。
【００２９】
更に本発明では、（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、上記本発明のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）と、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記支持体上に前記重合体層（Ａ’）が積層され、該重合体層（Ａ’）の上に前記重合体層（Ｂ）が積層された支持体と、前記重合体層（Ａ）が積層された前記ウエハとを真空下（減圧下）で貼り合わせる工程と、
（ｂ）前記重合体層（Ｂ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層（Ａ’）を一体で剥離する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）を行った後の前記ウエハから前記重合体層（Ｂ）を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
【００３０】
このような薄型ウエハの製造方法であれば、本発明における３層系を有する仮接着材層を、ウエハと支持体の接合に使用することで、この仮接着材層を使用して貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、容易に製造することができる。また、このような剥離工程によれば、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができる。更に、重合体層（Ａ’）と（Ｂ）が積層された支持体と、重合体層（Ａ）が積層された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせることによって、回路付きウエハの表面状態に拠らず、例えばスピンコート法で重合体層（Ｂ）が形成でき、貼り合わせが実施できる。
【００３１】
更に本発明では、（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、上記本発明のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）と、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記回路形成面上に前記重合体層（Ａ）が積層され、該重合体層（Ａ）上に前記重合体層（Ｂ）が積層された前記ウエハと、前記重合体層（Ａ’）が積層された前記支持体とを真空下（減圧下）で貼り合わせる工程と、
（ｂ）前記重合体層（Ｂ）を熱硬化させる工程と、
（ｃ）前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層（Ａ’）を一体で剥離する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）を行った後の前記ウエハから前記重合体層（Ｂ）を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
【００３２】
このような薄型ウエハの製造方法であれば、本発明における３層系を有する仮接着材層を、ウエハと支持体の接合に使用することで、この仮接着材層を使用して貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、容易に製造することができる。また、このような剥離工程によれば、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができる。更に、重合体層（Ａ）と（Ｂ）が積層された回路付きウエハと、重合体層（Ａ’）が積層された支持体とを真空下で貼り合わせることによって、スピンコート法で重合体層（Ｂ）を形成する場合に支持体側面に重合体層（Ｂ）の残渣無く処理ができるため、その後の工程中に残渣が剥落する恐れが無い。
【発明の効果】
【００３３】
本発明における仮接着材層は、３層構造を有し、特に３層構造において、中間層として熱硬化性シロキサン変性樹脂（重合体層（Ｂ））を基板接合用支持層として使用することで、樹脂の熱分解が生じないことはもとより、高温時での樹脂の流動も生じず、耐熱性が高いために、幅広い半導体成膜プロセスに適用でき、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い接着材層を形成でき、この膜厚均一性のため容易に５０μｍ以下の均一な薄型ウエハを得ることが可能となる。更には、熱可塑性オルガノポリシロキサン樹脂（重合体層（Ａ）及び（Ａ’））をともに膜厚１００ｎｍ未満で形成することで、３００℃を超えるような高温プロセスにも良好な耐熱性を示すようになり、薄型ウエハ製作時のプロセス選択性を高めることができ、生産性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のウエハ加工体の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００３６】
上記のように、仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、ウエハ熱プロセス耐性に優れ、特に３００℃を超えるような高温熱プロセスにも耐性があり、薄型ウエハの生産性を高めることができるウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材が求められている。
【００３７】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、
（Ａ）の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層からなる膜厚１００ｎｍ未満の熱可塑性仮接着層と、
（Ｂ）の熱硬化性シロキサン変性重合体層からなる熱硬化性仮接着層と、
（Ａ’）の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体からなる膜厚１００ｎｍ未満の熱可塑性仮接着層
との３層系を有する仮接着材層を、ウエハと支持体の接合にウエハ側から（Ａ）、（Ｂ）、（Ａ’）の順で形成した構造として使用することで、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、簡単に製造する方法を見出した。
【００３８】
図１は、本発明のウエハ加工体の一例を示す断面図である。図１に示すように、本発明のウエハ加工体は、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハ１と、ウエハ１の加工時にウエハ１を支持する支持体３と、これらウエハ１と支持体３との間に介在する仮接着材層２を備え、この仮接着材層２が、膜厚１００ｎｍ未満の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）（第一仮接着層）と、熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）（第二仮接着層）と、膜厚１００ｎｍ未満の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）（第三仮接着層）の３層構造を有し、第一仮接着層がウエハ１の表面に剥離可能に積層され、第三仮接着層が支持体３に剥離可能に積層されているものである。
【００３９】
また、本発明のウエハ加工用仮接着材は、上記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ａ’）の積層体からなり、それぞれの層が剥離可能に積層されたものである。
【００４０】
以下、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
［仮接着材層］
−第一仮接着層（Ａ）及び第三仮接着層（Ａ’）／熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層−
第一仮接着層及び第三仮接着層は、熱可塑性のオルガノポリシロキサン重合体から構成される。本発明において重合体層（Ａ）と（Ａ’）は、同じであっても良く、違っていても良い。
【００４１】
第一仮接着層及び第三仮接着層に用いられる熱可塑性のオルガノポリシロキサン重合体としては、例えば、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を９９．０００〜９９．９９９モル％、好ましくは９９．５００〜９９．９９９モル％、Ｒ１３Ｒ１４Ｒ１５ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１．０００〜０．００１モル％、好ましくは０．５００〜０．００１モル％、Ｒ１６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を０．０００〜０．５００モル％、好ましくは０．０００〜０．１００モル％含有し、かつ重量平均分子量が２００，０００〜１，０００，０００、好ましくは４００，０００〜９００，０００で、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である非反応性オルガノポリシロキサンが挙げられる。
【００４２】
上記において、有機置換基Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、非置換又は置換の１価炭化水素基、好ましくは非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられ、好ましくはメチル基及びフェニル基である。
【００４３】
該オルガノポリシロキサンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）にて、ポリスチレン標準物質によって作成した検量線に則って得られる重量平均分子量（本明細書では、「重量平均分子量」とはこれを意味する。）の値で、重量平均分子量が２００，０００以上、より好ましくは３５０，０００以上であり、かつ、１，０００，０００以下、より好ましく８００，０００以下で、更には分子量７４０以下の低分子量成分含有量が０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下である。
【００４４】
該オルガノポリシロキサンにおいて、重量平均分子量が２００，０００以上であれば、ウエハを薄型化するための研削工程に十分耐えられるため好ましい。一方、重量平均分子量が１，０００，０００以下の場合は、工程終了後の洗浄工程で洗浄できるため好ましい。一方、分子量が７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下であれば、貫通電極形成中の熱処理やウエハ裏面に形成されるバンプ電極の熱処理に対して、十分な耐熱性が得られるため好ましい。
【００４５】
更に、Ｄ単位は樹脂中の９９．０００〜９９．９９９モル％を構成することが好ましく、９９．０００モル％以上であれば、ウエハ薄型化のための研削工程に耐えることができるため好ましく、９９．９９９モル％以下であれば、工程終了後の重合体層（Ｂ）との剥離が行いやすい。
【００４６】
Ｍ単位は、Ｄ単位を主成分とする樹脂の末端の活性基の封止のために加えられ、その分子量を調整するために使用される。
【００４７】
第一仮接着層及び第三仮接着層に用いられる熱可塑性のオルガノポリシロキサン重合体の他の例としては、Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ４／２単位を含有し、Ｒ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位／ＳｉＯ４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとが部分的に脱水縮合したものであり、該脱水縮合させるオルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサンレジンとの比率（質量比）が９９：１〜５０：５０であり、重量平均分子量が４００，０００〜１，５００，０００であり、更には分子量７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下である、非反応性オルガノポリシロキサン（熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサン重合体）が挙げられる。
【化８】
0006502824.tif 000009
（式中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）
【００４８】
上記の部分縮合物を含む層は、離型層として働くため、ウエハと支持体との剥離力を調整することができる。ここで、上記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンの重合度が５０００〜１００００であるので、この部分縮合物を含む重合体層（Ａ）及び（Ａ’）は、熱可塑性高重合度レジン変性オルガノポリシロキサン重合体層であるといえる。
【００４９】
上記において、Ｒ３１及びＲ３２は、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの１価炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられ、好ましくはメチル基及びフェニル基である。
【００５０】
また、Ｒ２１、Ｒ２２及びＲ２３は非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの１価炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基、水酸基等が挙げられ、好ましくはメチル基である。
【００５１】
上記のＲ２１Ｒ２２Ｒ２３ＳｉＯ１／２単位（Ｍ単位）及びＳｉＯ４／２単位（Ｑ単位）を含有するオルガノポリシロキサンレジン（以下、ＭＱレジンともいう。）は、ケイ素原子に結合した水酸基を有するものであってもよい。この場合、ＭＱレジン１００ｇに対して水酸基の含有量は、０〜４．０質量％程度であり、好ましくは０．５〜１．５質量％である。更に、このＭＱレジンは、Ｒ２４ＳｉＯ３／２単位（Ｔ単位）、及びＲ２５Ｒ２６ＳｉＯ２／２（Ｄ単位）の比較的少量を有するものであってもよい（Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６は、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基であり、具体例としては上記Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３の例示と同様の基が挙げられる。）。
【００５２】
上記脱水縮合反応に用いる有機溶剤としては、ペンタン、へキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、オクタン、イソオクタン、デカン、ウンデカン、イソドデカン、リモネン、ピネン、トルエン等があり、トルエンが好ましい。また、上記脱水縮合反応に用いるアミン系触媒としては、アンモニア水、トリエチルアミン、ピリジン等があり、アンモニア水を用いることが好ましい。更に、上記脱水縮合反応の反応時間としては、１２〜１００時間、好ましくは１８〜３６時間である。
【００５３】
また、反応終了後に得られたオルガノポリシロキサンをトルエン等の溶剤に溶解させ、オルガノポリシロキサン１００質量部に対して５〜２０質量部のヘキサメチルジシラザンを加えて、３〜５時間還流させ、残存する水酸基をトリメチルシロキシ基としても良い。更に、得られたレジン変性オルガノポリシロキサンをヘキサン等の富溶媒に溶解させ、その総重量に対して１．５〜３倍量のアセトン等の貧溶媒と混合し、下層に析出したレジン変性オルガノポリシロキサンを用いても良い。
【００５４】
得られたレジン変性オルガノポリシロキサンの重量平均分子量は、４００，０００以上、好ましくは５５０，０００以上であり、かつ、１，５００，０００以下、好ましくは１，２００，０００以下である。
【００５５】
得られたレジン変性オルガノポリシロキサンにおいて、重量平均分子量が４００，０００以上の場合、ウエハを薄型化するための研削工程に十分に耐えることができるため好ましい。一方、重量平均分子量が１，５００，０００以下の場合には、工程終了後の洗浄工程で洗浄しやすいため好ましい。一方、分子量が７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下であれば、貫通電極形成中の熱処理やウエハ裏面に形成されるバンプ電極の熱処理に対して、十分な耐熱性が得られるため好ましい。
【００５６】
更に、Ｄ単位は樹脂中の９５．０００〜９９．９９９モル％を構成することが好ましく、９５．０００モル％以上であれば、ウエハ薄型化のための研削工程に耐えることができるため好ましく、９９．９９９モル％以下の場合には、工程終了後の重合体層（Ｂ）との剥離が行いやすいため好ましい。
【００５７】
なお、反応前のオルガノポリシロキサン及びオルガノポリシロキサンレジンは、それぞれ１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができ、得られるレジン変性オルガノポリシロキサンも、１種単独でも２種以上であってもよい。
【００５８】
この熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層は、その溶液をスピンコート、ロールコータなどの方法によってウエハ上に形成して使用してもよい。スピンコートなどの方法によってウエハ上にこの重合体層（Ａ）を形成する、又は支持体上に重合体層（Ａ’）を形成する場合には、樹脂を溶液としてコートすることが好ましいが、このときには、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、イソノナン、デカン、イソドデカン、リモネン、ｐ−メンタンなどの炭化水素系溶剤が好適に使用される。
【００５９】
また、本発明のウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材における重合体層（Ａ）及び（Ａ’）の膜厚は、１００ｎｍ未満である。重合体層（Ａ）、（Ａ’）の膜厚は、それぞれ、好ましくは１〜８０ｎｍ、更に好ましくは２〜６０ｎｍ、特に好ましくは３〜５０ｎｍである。特に重合体層（Ａ）及び（Ａ’）の膜厚が１〜８０ｎｍであれば、容易にウエハと支持体を剥離することができる。一方で、重合体層（Ａ）又は（Ａ’）の膜厚が１００ｎｍ以上の場合、３００℃を超えるような高温プロセスに耐えることができない。その結果、積層されたウエハに、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生してしまう。
【００６０】
また、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）は、回路付きウエハの表面に重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に重合体層（Ｂ）が積層された状態で、重合体層（Ａ）から熱硬化後の重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で通常１ｇｆ以上かつ５００ｇｆ以下であり、好ましくは３ｇｆ以上３００ｇｆ以下であり、更に好ましくは５ｇｆ以上２５０ｇｆ以下である。１ｇｆ以上であればウエハ研削時にウエハのズレが生じる恐れがなく、５００ｇｆ以下であれば重合体層（Ｂ）のピール剥離が容易となるため好ましい。
【００６１】
更に、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）は、支持体上に重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に重合体層（Ｂ）が積層された状態で、重合体層（Ａ’）から熱硬化後の重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力で通常０．５ｇｆ以上５０ｇｆ以下であり、好ましくは１ｇｆ以上４０ｇｆ以下であり、更に好ましくは３ｇｆ以上３０ｇｆ以下である。０．５ｇｆ以上であればウエハ加工中に剥離が発生してしまう恐れがなく、５０ｇｆ以下であればウエハの剥離が容易となるため好ましい。
【００６２】
また、回路付きウエハの表面に重合体層（Ａ）が積層され、更に該重合体層（Ａ）に重合体層（Ｂ）が積層された状態で、重合体層（Ａ）から熱硬化後の重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力が、支持体上に重合体層（Ａ’）が積層され、更に該重合体層（Ａ’）に重合体層（Ｂ）が積層された状態で、重合体層（Ａ’）から熱硬化後の重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力よりも強いことが、重合体層（Ｂ）をウエハ側に残した状態で支持体を剥離する製造工程の点から好ましい。
【００６３】
なお、重合体層（Ａ）から熱硬化後の重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力及び重合体層（Ａ’）から熱硬化後の重合体層（Ｂ）を剥離するのに必要な剥離力は、重合体層（Ａ）及び（Ａ’）の構造及び膜厚と、ウエハ表面状態及び支持体表面状態から決定される。一般的に、より平坦で平滑な面であるほど接着力は弱く、凹凸のある形状であるほど接着力は高く出る。一般的に支持体表面は凹凸の少ない平坦な面であることが多く、回路付きウエハは凹凸の多い面であることが多いため、重合体層（Ａ）と（Ａ’）の構造と膜厚が同一でも、接着力には違いが出ることがある。支持体とウエハで表面状態による接着力差が出やすい場合には重合体層（Ａ）及び（Ａ’）に同一の材料を使用しても良く、接着力差が出にくい場合には重合体層（Ａ）及び（Ａ’）の構造や膜厚を変えることで接着力差を出すことが好ましい。
【００６４】
また、本発明のウエハ加工体における重合体層（Ａ）が、回路付きウエハの表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであってもよい。同様に、重合体層（Ａ’）が、支持体の表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであってもよい。すなわち、本発明のウエハ加工用仮接着材における重合体層（Ａ）及び／又は（Ａ’）は、周辺部が一部除去されているものであってもよい。これにより、重合体層（Ｂ）と回路付きウエハとが部分的に直接積層し、重合体層（Ｂ）と支持体とが部分的に直接積層することになり、回路付きウエハの加工中に剥離が生じるリスクを軽減することができる。
【００６５】
−第二仮接着層（Ｂ）／熱硬化性シロキサン変性重合体層−
本発明のウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材の構成要素である熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）は、熱硬化性シロキサン変性重合体層であれば特に限定されないが、下記一般式（２）あるいは（４）で示される熱硬化性シロキサン変性重合体を主成分とする熱硬化性組成物の硬化物の層が好ましい。なお、重合体層（Ｂ）には、下記一般式（２）で示される重合体と、下記一般式（４）で示される重合体を併用することができる。その場合の割合（重合比）は、好ましくは（２）：（４）＝０．１：９９．９〜９９．９：０．１、より好ましくは（２）：（４）＝１：９９〜９９：１である。
【００６６】
一般式（２）の重合体（フェノール性シロキサン重合体）：
下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００、好ましくは１０，０００〜１００，０００のシロキサン結合含有重合体（フェノール基含有オルガノシロキサン結合含有高分子化合物）。
【化９】
0006502824.tif 000010
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
【化１０】
0006502824.tif 000011
（式中、Ｚは
【化１１】
0006502824.tif 000012
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、Ｎは０又は１である。また、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
【００６７】
この場合、Ｒ１〜Ｒ４の具体例としては、メチル基、エチル基等のアルキル基、フェニル基等が挙げられ、ｍは、好ましくは３〜６０、より好ましくは８〜４０の整数である。また、Ｂ／Ａは０〜２０、特に０．５〜５である。
【００６８】
一般式（４）の重合体（エポキシ変性シロキサン重合体）：
下記一般式（４）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシロキサン結合含有重合体（エポキシ基含有シリコーン高分子化合物）。
【化１２】
0006502824.tif 000013
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正数、Ａは０又は正数である。更に、Ｙは下記一般式（５）で示される２価の有機基である。
【化１３】
0006502824.tif 000014
（式中、Ｖは
【化１４】
0006502824.tif 000015
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
【００６９】
この場合、Ｒ１〜Ｒ４、ｍの具体例は上記一般式（２）と同様である。
【００７０】
上記一般式（２）及び／又は（４）の熱硬化性シロキサン変性重合体を主成分とする熱硬化性組成物は、その熱硬化のために、一般式（２）のフェノール性シロキサン重合体の場合には、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上の架橋剤を含有する。
【００７１】
ここで、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂としては、以下のものを挙げることができる。例えば、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたメラミン樹脂（縮合物）は、変性メラミンモノマー（例えばトリメトキシメチルモノメチロールメラミン）、又はこの多量体（例えば二量体、三量体等のオリゴマー体）を公知の方法に従ってホルムアルデヒドと所望の分子量になるまで付加縮合重合させて得ることができる。なお、これらは１種又は２種以上を、混合して使用することができる。
【００７２】
また、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性された尿素樹脂（縮合物）の調製は、例えば公知の方法に従って所望の分子量の尿素縮合物をホルマリンでメチロール化して変性し、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性して行ってよい。ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性された尿素樹脂の具体例としては、例えばメトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。なお、これらは１種又は２種以上を、混合して使用することができる。
【００７３】
また、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物としては、例えば（２−ヒドロキシ−５−メチル）−１，３−ベンゼンジメタノール、２，２’，６，６’−テトラメトキシメチルビスフェノールＡ等を挙げることができる。なお、これらフェノール化合物は１種又は２種以上を、混合して使用することができる。
【００７４】
一方、一般式（４）のエポキシ変性シロキサン重合体の場合には、１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物あるいは、１分子中に平均して２個以上のフェノール基を有するフェノール化合物のいずれか１種以上を架橋剤として含有する。
【００７５】
ここで、一般式（２）及び（４）に用いられる多官能エポキシ基を有するエポキシ化合物としては、特にその制約はないが、特に、２官能、３官能、４官能以上の多官能エポキシ樹脂、例えば、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＸＤ−１０００、ＮＣ−２０００−Ｌ、ＥＰＰＮ−２０１、ＧＡＮ、ＮＣ６０００や下記式のような架橋剤を含有することができる。
【００７６】
【化１５】
0006502824.tif 000016
【００７７】
熱硬化性シロキサン変性重合体が、上記一般式（４）のエポキシ変性シロキサン重合体の場合には、その架橋剤として、ｍ、ｐ−系クレゾールノボラック樹脂、例えば、旭有機材工業製ＥＰ−６０３０Ｇや、３官能フェノール化合物、例えば、本州化学製Ｔｒｉｓ−Ｐ−ＰＡや、４官能性フェノール化合物、例えば、旭有機材工業製ＴＥＰ−ＴＰＡなどが挙げられる。
【００７８】
架橋剤の配合量は、上記熱硬化性シロキサン変性重合体１００質量部に対して０．１〜５０質量部、好ましくは０．１〜３０質量部、更に好ましくは１〜２０質量部であり、２種類又は３種類以上を混合して配合してもよい。
【００７９】
また、熱硬化性シロキサン変性重合体１００質量部に対して、酸無水物のような硬化触媒を１０質量部以下含有させてもよい。
【００８０】
また、熱硬化性シロキサン変性重合体等を含む組成物を溶液に溶解し、塗布、具体的にはスピンコート、ロールコータ、ダイコータなどの方法によって重合体層（Ａ）又は（Ａ’）上に形成してもよい。その場合には、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類；３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用することができる。
【００８１】
なお、耐熱性を更に高めるため、熱硬化性シロキサン変性重合体１００質量部に対して、公知の酸化防止剤、シリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。更に、塗布均一性を向上させるため、界面活性剤を添加してもよい。
【００８２】
重合体層（Ｂ）中に添加することができる酸化防止剤の具体例としては、テトラキス［メチレン−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメート）］メタン（商品名：アデカスタブ  ＡＯ−６０）等のヒンダードフェノール系化合物を挙げることができる。
【００８３】
本発明のウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材における熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）は、ウエハ側の段差に応じて、膜厚が１５〜１５０μｍであることが好ましく、２０〜１２０μｍであることが更に好ましい。膜厚が１５μｍ以上であれば、ウエハ薄型化の研削工程に十分耐えることができ、１５０μｍ以下であれば、ＴＳＶ形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。
【００８４】
−任意成分−
本発明のウエハ加工用仮接着材には、上記各成分以外に任意成分を添加することができる。例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリジメチルジフェニルシロキサンなどの非反応性のポリオルガノシロキサン；フェノール系、キノン系、アミン系、リン系、ホスファイト系、イオウ系、チオエーテル系などの酸化防止剤；トリアゾール系、ベンゾフェノン系などの光安定剤；リン酸エステル系、ハロゲン系、リン系、アンチモン系などの難燃剤；カチオン活性剤、アニオン活性剤、非イオン系活性剤などの帯電防止剤；塗工の際の粘度を下げるための溶剤として、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、オクタン、イソパラフィンなどの脂肪族系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸イソブチルなどのエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤などが使用される。
【００８５】
［薄型ウエハの製造方法］
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）と、膜厚１００ｎｍ未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）の３層からなる複合仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には５〜３００μｍ、より典型的には１０〜１００μｍである。
【００８６】
本発明の薄型ウエハの製造方法は（ａ）〜（ｆ）の工程を有する。また、必要に応じて、（ｇ）〜（ｊ）の工程を有する。
【００８７】
［工程（ａ）］
工程（ａ）は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハ（回路付きウエハ）の前記回路形成面を、上記本発明のウエハ加工体に用いられる熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）と、熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）と、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）とからなる複合仮接着材層を介して、支持体に接合する際に、前記支持体上に前記重合体層（Ａ’）が積層され、該重合体層（Ａ’）の上に前記重合体層（Ｂ）が積層された支持体と、前記重合体層（Ａ）が積層された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせる工程、又は、前記回路形成面上に前記重合体層（Ａ）が積層され、該重合体層（Ａ）上に前記重合体層（Ｂ）が積層された回路付きウエハと、前記重合体層（Ａ’）が積層された前記支持体とを真空下で貼り合わせる工程である。
【００８８】
なお、上記３層の仮接着材層において、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層である第一仮接着層及び第三仮接着層の周辺部を一部、溶解可能な溶剤により除去することで、接着層を部分的に基板及び支持体上に形成することができる。接着層の一部を除去するときは、上記のように第一仮接着層と第三仮接着層の両方を選んでもよいし、第一仮接着層のみ、又は第三仮接着層のみ、を選んでもよい。
【００８９】
回路形成面及び回路非形成面を有するウエハは、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面であるウエハである。本発明が適用できるウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には６００〜８００μｍ、より典型的には６２５〜７７５μｍである。
【００９０】
支持体としては、シリコンウエハやガラス板、石英ウエハ等の基板が使用可能であるがなんら制約はない。本発明においては、支持体を通して仮接着材層に放射エネルギー線を照射する必要はなく、支持体は、光線透過性を有さないものであってもよい。
【００９１】
重合体層（Ｂ）はフィルムで、ウエハや支持体に形成することもでき、あるいは、重合体層（Ａ）、（Ｂ）及び（Ａ’）は、それぞれの溶液をスピンコートなどの方法によりウエハや支持体に形成することができる。この場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じ、８０〜２００℃の温度で、予めプリベークを行ったのち、使用に供される。
【００９２】
重合体層（Ａ）、（Ｂ）及び（Ａ’）が形成されたウエハ及び支持体は、重合体層（Ｂ）を介して重合体層（Ａ）及び重合体層（Ａ’）が積層され、それぞれを貼り合せることにより接合された基板として形成される。このとき、好ましくは４０〜２００℃、より好ましくは６０〜１８０℃の温度領域で、この温度にて減圧下、この基板を均一に圧着することで、ウエハが支持体と接合したウエハ加工体（積層体基板）が形成される。上述のように、このウエハ加工体における重合体層（Ａ）、（Ａ’）の膜厚は、それぞれ１００ｎｍ未満である。
【００９３】
ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００等が挙げられる。
【００９４】
［工程（ｂ）］
工程（ｂ）は、前記重合体層（Ｂ）を熱硬化させる工程である。上記ウエハ加工体（積層体基板）が形成された後、１２０〜２２０℃、好ましくは１５０〜２００℃で１０分〜４時間、好ましくは３０分〜２時間加熱することによって、前記重合体層（Ｂ）の硬化を行う。
【００９５】
［工程（ｃ）］
工程（ｃ）は、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、即ち、工程（ａ）にて貼り合わせて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削又は研磨して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ−８１０（商品名）等が挙げられる。また、ウエハ裏面側をＣＭＰ研磨してもよい。
【００９６】
［工程（ｄ）］
工程（ｄ）は、回路非形成面を研削したウエハ、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハの回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、ウエハ表面処理、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、ウエハ表面処理のためのＣＶＤ、レーザーアニール、電極等の形成のための金属スパッタリング、蒸着、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、表面保護用の有機膜形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。このようなプロセスにおいては、４００℃程度までの高温領域で広い範囲にウエハ加工体として耐性を有することが望ましく、特に３００℃以上の温度でも強度、寿命のあるウエハ加工体であることがよい。
【００９７】
［工程（ｅ）］
工程（ｅ）は、工程（ｄ）で加工を施したウエハから支持体及びこの支持体に積層された前記重合体層（Ａ’）を一体に剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ウエハ加工体から、支持体及び重合体層（Ａ’）を一体で剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から６０℃程度の比較的低温の条件で実施され、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる機械剥離方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをウエハ加工体から剥離するピール剥離方法等が挙げられる。
【００９８】
本発明には、これらの剥離方法のいずれも適用可能である。もちろん上記の方法には限定されない。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。
【００９９】
また、上記（ｅ）加工を施したウエハから支持体及び重合体層（Ａ’）を一体で剥離する工程は、
（ｇ）加工を施したウエハの加工面（裏面）にダイシングテープを接着する工程と、
（ｈ）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
（ｉ）吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、支持体及び重合体層（Ａ’）を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体及び重合体層（Ａ’）を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。なお、ダイシングテープはポリエステル、ポリエチレンフィルム等を使用した公知のものを使用することができる。
【０１００】
［工程（ｆ）］
工程（ｆ）は、工程（ｅ）で前記支持体及び重合体層（Ａ’）を剥離した後、加工を施したウエハから前記重合体層（Ｂ）をテープピール等により剥離する工程である。
【０１０１】
この剥離工程は、一般に室温から６０℃程度の比較的低温の条件で実施される。工程（ｆ）における剥離方法としては、工程（ｅ）を行った後のウエハを水平に固定しておき、露出している重合体層（Ｂ）に剥離用のテープ材を貼り合わせ、このテープ材をピール方式により引き剥がすことで、重合体層（Ｂ）を加工を施したウエハから剥離する方法が挙げられる。
【０１０２】
テープ材としては剥離可能であればどのようなテープ材でも使用可能であるが、特にシリコーン粘着材を使用したテープが好ましく、例えば（株）寺岡製作所製ポリエステルフィルム粘着テープＮｏ．６４６Ｓ、Ｎｏ．６４８などが好適に用いられる。
【０１０３】
また工程（ｆ）が行われたのち、（ｊ）剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことが好ましい。前記工程（ｆ）により剥離されたウエハの回路形成面には、仮接着層（Ａ）が一部残存している場合があり、該仮接着層（Ａ）の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
【０１０４】
前記工程（ｊ）は、仮接着材層中の（Ａ）層である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層を溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、ｐ−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、必要があれば、これらの溶解液で（Ａ）層を溶解したのち、最終的に水洗又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型ウエハを得ることも可能である。
【実施例】
【０１０５】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【０１０６】
［樹脂合成例１］
４つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン１，０００ｇ（３．３８モル）及びヘキサメチルジシロキサン０．２４ｇ（０．００１５モル）を仕込み、温度を１１０℃に保った。次いで、これに１０質量％テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート４ｇを加え、４時間かけて重合した後、１６０℃で２時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを２９Ｓｉ−ＮＭＲ法でＤ単位とＭ単位の割合を調べたところ、Ｄ単位９９．９７８％、Ｍ単位０．０２２％で、おおよそ重合度９，０００の下記構造のジメチルポリシロキサンと同定された。
【化１６】
0006502824.tif 000017
【０１０７】
このジメチルポリシロキサン５００ｇをヘキサン５００ｇに溶解したのち、これを２Ｌのアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量が７００，０００のジメチルポリシロキサン重合体（ａ１）を得た。
【０１０８】
［樹脂合成例２］
４つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン１，０００ｇ（３．３８モル）及びトリス（トリメチルシロキシ）メチルシラン０．９３ｇ（０．００３モル）を仕込み、温度を１１０℃に保った。次いで、これに１０質量％テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート４ｇを加え、４時間かけて重合した後、１６０℃で２時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを２９Ｓｉ−ＮＭＲ法でＤ単位、Ｍ単位、Ｔ単位のそれぞれの割合を調べたところ、Ｄ単位９９．９１１％、Ｍ単位０．０６７％、Ｔ単位０．０２２％であり、下記構造の分岐状ジメチルポリシロキサンと同定された。
【化１７】
0006502824.tif 000018
【０１０９】
この分岐状ジメチルポリシロキサン５００ｇをヘキサン５００ｇに溶解したのち、これを２Ｌのアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０７質量％である、重量平均分子量が４００，０００のジメチルポリシロキサン重合体（ａ２）を得た。
【０１１０】
［樹脂合成例３］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン８０部と、（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位０．７５モルとＳｉＯ４／２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン２０部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。上記で得られた部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量９５０，０００のジメチルポリシロキサン重合体（ａ３）を得た。
【０１１１】
［樹脂合成例４］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン９０部と、（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位０．７５モルとＳｉＯ４／２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン１０部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量９００，０００のジメチルポリシロキサン重合体（ａ４）を得た。
【０１１２】
［樹脂合成例５］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン９５部と、（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位０．７５モルとＳｉＯ４／２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン５部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量８００，０００のジメチルポリシロキサン重合体（ａ５）を得た。
【０１１３】
［樹脂合成例６］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に９，９’−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（Ｍ−１）４３．１ｇ、平均構造式（Ｍ−３）で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン２９．５ｇ、トルエン１３５ｇ、塩化白金酸０．０４ｇを仕込み、８０℃に昇温した。その後、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（Ｍ−５）１７．５ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、８５℃まで上昇した。滴下終了後、更に８０℃で２時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを８０ｇ添加して、樹脂固形分濃度５０質量％のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液（ｂ１）を得た。この溶液の樹脂分の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量４５，０００であった。
【０１１４】
［樹脂合成例７］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した５Ｌフラスコ内にエポキシ化合物（Ｍ−２）８４．１ｇをトルエン６００ｇに溶解後、化合物（Ｍ−３）２９４．６ｇ、化合物（Ｍ−４）２５．５ｇを加え、６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）１ｇを投入し、内部反応温度が６５〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、９０℃まで加温し、３時間熟成した。次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）６００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）２７０ｇを添加して、固形分濃度６０質量％のＰＧＭＥＡを溶剤とする樹脂溶液（ｂ２）を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量２８，０００であった。
【化１８】
0006502824.tif 000019
【０１１５】
［溶液調製例１］
重合体（ａ１）０．５ｇをイソドデカン１００ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−１）を得た。
【０１１６】
［溶液調製例２］
重合体（ａ２）０．３ｇをイソドデカン１００ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−２）を得た。
【０１１７】
［溶液調製例３］
重合体（ａ３）０．１ｇをイソドデカン１００ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−３）を得た。
【０１１８】
［溶液調製例４］
重合体（ａ４）１．０ｇをイソドデカン１００ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−４）を得た。
【０１１９】
［溶液調製例５］
重合体（ａ５）０．３ｇをイソドデカン１００ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−５）を得た。
【０１２０】
［溶液調製例６］
重合体（ａ４）１．５ｇをイソドデカン１００ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−６）を得た。
【０１２１】
［溶液調製例７］
樹脂溶液（ｂ１）５０ｇに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるＥＯＣＮ−１０２０（日本化薬（株）製）を７．５ｇ、硬化触媒として、和光純薬工業（株）製、ＢＳＤＭ（ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン）を０．２ｇ、更に、酸化防止剤として、テトラキス［メチレン−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメート）］メタン（商品名：アデカスタブ  ＡＯ−６０）を０．１ｇ添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−１）を得た。
【０１２２】
［溶液調製例８］
樹脂溶液（ｂ２）１００ｇに４官能フェノール化合物であるＴＥＰ−ＴＰＡ（旭有機材工業製）を９ｇ、テトラヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製、リカシッドＨＨ−Ａ）０．２ｇを添加して、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−２）を得た。
【０１２３】
［比較調製例１］
重合体（ａ１）２．５ｇをイソドデカン１００ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−７）を得た。
【０１２４】
［実施例１〜７及び比較例１〜５］
表面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）に上記の樹脂溶液（Ａ−１）〜（Ａ−７）をスピンコート後、ホットプレートにて、１８０℃で５分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を、ウエハバンプ形成面に成膜した。なお実施例６については、スピンコート後に、イソドデカンを用いて、ウエハ外周部の（Ａ）層を表１に示す幅でエッジカット処理した。一方、直径２００ｍｍ（厚さ：５００μｍ）のガラス板を支持体とし、この支持体に（Ａ’）層に相当する重合体溶液を、ガラス支持体上に、やはりスピンコートした。更にその後、１８０℃で５分間、ホットプレート上で加熱した。この支持体上の（Ａ’）層上に（Ｂ）層に相当する重合体溶液を、やはりスピンコートした。更にその後、１５０℃で３分間、ホットプレート上で加熱し、（Ｂ）層を仮硬化させた。このようにして作製されたシリコンウエハ及びガラス板をそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で表１に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した（圧着条件）。表１に、この積層体（ウエハ加工体）における（Ａ）層、（Ｂ）層及び（Ａ’）層の膜厚を示した。なお（Ａ）層、（Ｂ）層及び（Ａ’）層の膜厚は、２００ｍｍベアＳｉウエハ上に同条件でスピンコートした際の膜厚を、光干渉式膜厚計（大日本スクリーン製、ＶＭ−１２１０）にて測定した値を用いている。
【０１２５】
なおここでは、基板接着後の異常を目視で判別するために支持体としてガラス板を使用したが、シリコンウエハなどの可視光を透過しない基板も使用可能である。
【０１２６】
その後、この接合された基板に対し、下記試験を行い、実施例及び比較例の結果を表１に示した。また、下記の順で評価を実施したが、途中で、異常（判定が「×」又は「△」）となった時点で、それ以後の評価を中止し、−で記載した。
【０１２７】
−接着性試験−
２００ｍｍのウエハ接合は、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて行った。接合温度は表１に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は１０−３ｍｂａｒ以下、荷重は５ｋＮで実施した。接合後、一旦、１８０℃で１時間オーブンを用いて基板を加熱し、（Ｂ）層の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
【０１２８】
−裏面研削耐性試験−
グラインダー（ＤＩＳＣＯ製、ＤＡＧ８１０）でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
【０１２９】
なお、実施例３及び６については、裏面研削を行った後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ製）で裏面研削されたウエハのダイシング処理を行った。ダイシングは、チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、深さが裏面研削ウエハ及び（Ａ）層と、（Ｂ）層の中間までが切断され、（Ａ’）層及び支持体は切れないような設定で行った。ダイシング処理を行ったものに関しては、表１中にダイシング有り無しで記載した。
【０１３０】
−耐熱性試験−
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の２００℃オーブンに２時間入れた後、３２０℃のホットプレート上で１０分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ等の外観異常が発生した場合を「×」で示した。
【０１３１】
−支持体剥離性試験−
耐熱性試験終了後の５０μｍまで薄型化したウエハの加工面（回路非形成面）側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく支持体を剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。なお、エッジカット処理を行った実施例６のみ、エッジカット部分をダイサーでトリミング処理してから試験を行った。
【０１３２】
−テープピール剥離性試験−
支持体剥離性試験まで終えたウエハを、引き続きダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、（株）寺岡製作所製ポリエステルフィルム粘着テープＮｏ．６４８を表面に露出した重合体層（Ｂ）に貼り、テープピール剥離を行うことでウエハから重合体層（Ｂ）を剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。なお、外周部のエッジカット処理を行った実施例６に関しては、エッジカット処理を行っていない部分のみ剥離できていれば、「○」と評価した。
【０１３３】
−洗浄除去性試験−
上記テープピール剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された２００ｍｍウエハ（耐熱性試験条件に晒されたもの）を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソノナンを３分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
【０１３４】
−ピール剥離力試験−
上記洗浄除去性試験までで使用したのと同じ銅ポストが形成されたシリコンウエハ上に、上記実施例及び比較例で作製したのと同じ条件で重合体層（Ａ）を形成し、その上に重合体層（Ｂ）を形成し、重合体層（Ｂ）の硬化を実施した後、１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが張られていない部分の（Ｂ）層を除去した。島津製作所社のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ（ＡＧ−１）を用いてテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、（Ａ）層のピール剥離力とした。
【０１３５】
同様に、ベアシリコンウエハ上に上記実施例及び比較例で作製したのと同じ条件で重合体層（Ａ’）を形成し、その上に重合体層（Ｂ）を形成し、重合体層（Ｂ）の硬化を実施した後、１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが張られていない部分の（Ｂ）層を除去した。島津製作所社のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ（ＡＧ−１）を用いてテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、（Ａ’）層のピール剥離力とした。
【０１３６】
【表１】
0006502824.tif 000020
【０１３７】
表１に示されるように、本発明の要件を満たす実施例１〜７では、仮接着及び剥離が容易であることがわかる。更に実施例３及び６ではデボンド前のダイシング処理を行っているが、それでも問題無く剥離できていることがわかる。また、薄化したウエハに３２０℃という高温の耐熱試験を実施しても、ボイド発生やウエハ破損といった問題が発生しなかった。一方、比較例１は実施例２で（Ａ）層を塗布しなかった場合だが、（Ｂ）層をテープピール剥離することができなかった。また比較例２は（Ｂ）層を塗布しなかった場合だが、接着させることができなかった。また比較例３は（Ａ’）層を塗布しなかった場合だが、支持体を剥離できなかった。このように、３層のうちどれか１層がなくても、最後まで処理できないことがわかる。更に、比較例４は（Ａ）層が１５０ｎｍである場合だが、３２０℃耐熱試験においてボイドの発生が確認された。また比較例５は（Ａ’）層が１５０ｎｍである場合だが、３２０℃耐熱試験においてボイドの発生が確認された。このように、（Ａ）層又は（Ａ’）層を１００ｎｍ以上で形成すると、３００℃を超えるような高温状態でエラーが発生することがわかる。
【０１３８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１３９】
１…ウエハ、
２…仮接着材層、
（Ａ）…熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（第一仮接着層）、
（Ｂ）…熱硬化性シロキサン変性重合体層（第二仮接着層）、
（Ａ’）…熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（第三仮接着層）、
３…支持体。
【図１】
0006502824.tif 000035