(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、第１電極、有機層、及び第２電極を含む発光部と、
前記基板上に位置する第１端子及び第２端子と、
前記基板上に位置し、前記第１端子を前記第１電極に接続する第１引出配線と、
前記基板上に位置し、前記第２端子を前記第２電極に接続する第２引出配線と、
前記基板に形成され、互いに積層された複数の無機層を含み、前記発光部を封止する封止膜と、
を備え、
前記基板のうち前記第１引出配線と前記第２引出配線の間に位置する第１部分は、前記封止膜が形成されていない領域を有し、
前記第１部分に位置する前記封止膜の縁は、前記封止膜の縁のうち前記第１引出配線または前記第２引出配線と重なる部分よりも、前記発光部の近くに位置する発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記発光部を画定する絶縁層を備え、
前記第１部分に位置する前記封止膜の縁は、前記封止膜の縁のうち前記第１引出配線と重なる部分よりも、前記絶縁層の近くに位置する発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置において、
複数の前記発光部を備え、
前記複数の発光部のそれぞれに対して、前記第１端子、前記第２端子、前記第１引出配線、及び前記第２引出配線が設けられており、
前記第１部分は、前記複数の第２引出配線に最も近い前記第１引出配線と、前記複数の第１引出配線に最も近い前記第２引出配線との間に位置している発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記基板は矩形であり、
前記複数の第１端子及び前記複数の第２端子は、前記矩形の第１辺に沿って配置されている発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第１部分の少なくとも一部において、前記基板は露出している発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極と、第２電極とで挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、有機ＥＬ素子は封止される必要がある。有機ＥＬ素子を封止する方法の一つに、封止膜を用いる方法がある。例えば特許文献１及び２には、封止膜として複数の封止層を積層した積層膜を用いることが記載されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、下側の封止層の材料に、酸化カルシウム、アルミナ、シリカ、チタニア、酸化インジウム、酸化スズ、酸化シリコン、窒化シリコン、又は窒化アルミニウムを用いること、及び、上側の封止層に有機層を用いることが記載されている。
【０００４】
また特許文献２には、封止膜を４層構造にすることが記載されている。そして最も下の封止層の材料にＳｉＮ，ＳｉＯＮ、又はＳｉＯを用い、その上の封止層にアモルファスシリコン、ＳｉＯ２、又はＳｉＯを用い、その上の封止層に有機物を用い、一番上の封止層にＳｉＮ，ＳｉＯＮ、又はＳｉＯを用いることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２３８６１１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７９２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
封止膜を用いて有機ＥＬ素子を封止する場合、この封止膜は第１電極と第２電極の双方に接する。本発明者が検討した結果、封止膜を、薄い封止層を複数積層した構造にすると、この封止膜が抵抗性を持つ容量素子として機能することが判明した。このような容量素子が存在すると、発光装置の発光品質や発光装置の検査に影響がでる。ここで有機ＥＬ素子を動作させるために第１電極及び第２電極の間に電圧を印加した場合、封止膜に電荷が蓄積されることにより有機ＥＬ素子が発光するタイミングが遅れてしまう。そして有機ＥＬ素子を停止させるため第１電極及び第２電極の間に電圧を印加しなくなった場合、封止膜に蓄積された電荷が有機ＥＬ素子に向けて流れ、有機ＥＬ素子の発光が停止するタイミングが遅れてしまう。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、封止膜が抵抗性を持つ容量素子として機能しにくくすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に位置し、第１電極、有機層、及び第２電極を含む発光部と、
前記基板上に位置する第１端子及び第２端子と、
前記基板上に位置し、前記第１端子を前記第１電極に接続する第１引出配線と、
前記基板上に位置し、前記第２端子を前記第２電極に接続する第２引出配線と、
前記基板に形成され、互いに積層された複数の無機層を含み、前記発光部を封止する封止膜と、
を備え、
前記基板のうち前記第１引出配線と前記第２引出配線の間に位置する第１部分は、前記封止膜が形成されていない領域を有する発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る発光装置の平面図である。
【図２】図１から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図１のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。
【図７】発光装置の等価回路図である。
【図８】図１の変形例を示す図である。
【図９】図１の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図３は図１のＡ−Ａ断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ断面図であり、図５は図１のＣ−Ｃ断面図である。図１及び図２において、説明のため封止膜１６０は点線で示されている。
【００１２】
実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、第２引出配線１３４、及び封止膜１６０を備えている。発光部１４０は基板１００に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００に形成されている。第１引出配線１１４は基板１００に形成されており、第１端子１１２と第１電極１１０を電気的に接続している。第２引出配線１３４は基板１００に形成されており、第２端子１３２と第２電極１３０を電気的に接続している。封止膜１６０は基板１００に形成されており、発光部１４０を封止している。封止膜１６０は、後述するように、複数の無機層を積層した積層膜である。そして、基板１００のうち第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に位置する領域（第１部分１０２）は、封止膜１６０が形成されていない領域を有している。この領域は、封止膜１６０に設けられた開口であってもよい。以下、詳細に説明する。
【００１３】
本図に示す例において、発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２、複数の第２端子１３２、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の第１引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の第２引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。ただし、発光装置１０は照明装置であってもよい。この場合、発光装置１０は、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４を一つずつ有している場合もある。
【００１４】
発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１５】
発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光部１４０は、表示装置の画素ごとに設けられている。
【００１６】
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。
【００１７】
有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
【００１８】
第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
【００１９】
なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、発光装置１０がボトムエミッション型の場合である。発光装置１０がトップエミッション型である場合、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料は逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。
【００２０】
また、第１電極１１０は、第１方向（図１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、第１引出配線１１４に接続している。第１引出配線１１４は、第１電極１１０と同様の材料からなる導電層を有している。この導電層は、第１電極１１０と一体になっている。本図に示す例において、第１引出配線１１４の端部が第１端子１１２になっている。また、第１端子１１２は複数設けられているため、第１引出配線１１４も複数設けられている。
【００２１】
第１引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は、第１引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１８０は多層構造を有していてもよい。この場合、導体層１８０は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１８０は第１端子１１２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。
【００２２】
絶縁層１５０は、図１、及び図３〜図５に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
【００２３】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、第２引出配線１３４の一部分が露出している。そして、第２引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００２４】
第２引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる導電層を有している。この導電層は第１電極１１０から分離している。第２引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、第２引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、第２引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして第２引出配線１３４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は第２端子１３２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。なお、本図に示す例において、第２端子１３２は複数設けられている。このため、第２引出配線１３４も複数設けられている。
【００２５】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
【００２６】
なお、図３及び図４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００２７】
第２電極１３０は、図１〜図４に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００２８】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００２９】
また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの導通部材が接続される。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺（第１辺）に沿って配置されている。このため、導通部材としてＦＰＣを用いた場合、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣに接続することができる。
【００３０】
発光装置１０は、さらに封止膜１６０を有している。封止膜１６０は発光部１４０を封止するために設けられている。封止膜１６０は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。封止膜１６０は、例えば絶縁材料、さらに具体的には無機材料によって形成されている。また、封止膜１６０の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜１６０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止膜１６０は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法を用いることにより、封止膜１６０の段差被覆性は高くなる。
【００３１】
基板１００のうち第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に位置する領域（第１部分１０２）の少なくとも一部において、封止膜１６０は取り除かれている。一方、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は封止膜１６０によって覆われている。このため、封止膜１６０の縁のうち第１部分１０２に位置する部分は、封止膜１６０の縁のうち第１引出配線１１４と重なる部分及び第２引出配線１３４と重なる部分よりも、発光部１４０及び絶縁層１５０の近くに位置している。
【００３２】
なお、本図に示す例では、第１引出配線１１４は複数設けられており、また、第２引出配線１３４も複数設けられている。そして基板１００の第１部分１０２は、最も第２引出配線１３４の近くに位置する第１引出配線１１４と、最も第１引出配線１１４の近くに位置する第２引出配線１３４の間に位置している。
【００３３】
また、第１部分１０２のうち封止膜１６０が取り除かれている部分において、基板１００は露出していてもよい。ただし、この部分、及び封止膜１６０上に、発光装置１０を保護するための樹脂層が形成されていてもよい。
【００３４】
図６は、図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。本図に示すように、封止膜１６０は複数の膜を積層した積層構造を有している。このようにすることで、一つの膜で封止膜１６０を形成する場合と比較して、封止膜１６０に生じる膜応力を小さくすることができる。なお、封止膜１６０を構成するいずれの膜も、無機膜で形成されている。そしてこれら無機膜は、例えばＡＬＤ法を用いて形成される。
【００３５】
封止膜１６０は、少なくとも３つの膜を積層した構成を有している。これらの膜の厚さは、いずれも例えば３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、図６に示した例において、封止膜１６０を構成する封止層の層数は、４つである。ただし封止膜１６０を構成する封止層の層数は、これ以上（例えば１０層以上）であってもよい。
【００３６】
本図に示す例において、封止膜１６０は、第１の材料からなる第１封止膜１６２と、第２の材料からなる第２封止膜１６４とをこの順に繰り返し積層した構成を有している。第１の材料は絶縁材料である。第２の材料も絶縁材料であるのが好ましい。第１の絶縁材料は、例えば酸化アルミニウムであり、第２の絶縁材料は、例えば窒化チタンである。発光部１４０に接する封止層を酸化アルミニウムで形成することにより、封止膜１６０の常温における防湿性を高めることができる。また、第１封止膜１６２を覆う第２封止膜１６４を窒化チタンで形成することにより、封止膜１６０の高温での防湿性を高めることができる。
【００３７】
次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４を形成する。
【００３８】
次いで、第１引出配線１１４上及び第２引出配線１３４上を含む領域に、導体層１８０となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１８０が形成される。
【００３９】
次いで、第１電極１１０上に、絶縁層１５０を形成し、さらに絶縁層１５０の上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０の形成方法も、絶縁層１５０の形成方法と同様である。ただし、露光及び現像を行った後、熱処理を行う前に、隔壁１７０に光を照射しなくてもよい。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。
【００４０】
次いで、例えばＡＬＤ法を用いて、第１封止膜１６２及び第２封止膜１６４を、この順に繰り返し形成する。これにより、封止膜１６０が形成される。その後、封止膜１６０のうち、第１端子１１２上に位置する部分、第２端子１３２上に位置する部分、及び第１部分１０２に位置する部分の少なくとも一部を除去する。封止膜１６０の除去は、例えばリフトオフ法を用いて行われる。この場合、封止膜１６０を形成する前に、封止膜１６０を除去すべき領域にはリフトオフ層が形成される。
【００４１】
図７は、発光装置１０の等価回路図である。発光装置１０の発光部１４０を発光させるとき、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間には電圧が印加される。また、封止膜１６０は第１引出配線１１４と第２引出配線１３４に接している。また、封止膜１６０は絶縁膜により形成されているが、薄い封止層を多数積層した構成を有している。このため、等価回路で見た場合、封止膜１６０は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に、容量と抵抗とを直列に接続した構成となる。このため、封止膜１６０にある程度電流が流れ、その結果、発光部１４０が発光するときに封止膜１６０に電荷が蓄積されてしまう。この電荷は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に電圧が印加されなくなったとき、発光部１４０に流れる。これにより、発光部１４０のオフにするときの応答速度は低下してしまう。また、発光部１４０を点灯させるとき、電流の一部は封止膜１６０に流れてしまう。このため、発光部１４０を点灯させるときの応答速度も低下してしまう。
【００４２】
これに対して本実施形態によれば、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間において、封止膜１６０の少なくとも一部は除去されている。このため、図７の等価回路図における抵抗の大きさは、大きくなる。従って、封止膜１６０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。
【００４３】
なお、図８の平面図に示すように、第１部分１０２のうち封止膜１６０が除去されている部分は、絶縁層１５０と重なっていてもよい。言い換えると、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に位置する領域において、絶縁層１５０の縁は封止膜１６０で覆われていない。このようにしても、封止膜１６０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。
【００４４】
さらに、図９の平面図に示すように、封止膜１６０のうち第１部分１０２に位置する部分のみではなく、第１引出配線１１４の上に位置する部分及び第２引出配線１３４の上に位置する部分も除去されていてもよい。この場合、封止膜１６０は、絶縁層１５０の縁のうち第１引出配線１１４と重なる部分及び第２引出配線１３４と重なる部分を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。
【００４５】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００４６】
１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１部分
１１０ 第１電極
１１２ 第１端子
１１４ 第１引出配線
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１３２ 第２端子
１３４ 第２引出配線
１４０ 発光部
１５０ 絶縁層
１６０ 封止膜
１６２ 第１封止膜
１６４ 第２封止膜
【図１】
0006499876.tif 000002
【図２】
0006499876.tif 000003
【図３】
0006499876.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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