(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン化合物からなる基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスおよび該表面に金属電極が形成されたウエーハを前記ストリートに沿ってレーザー加工するウエーハの加工方法であって、
前記ウエーハを保持する工程と、
前記ウエーハの表面に水溶性の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後に、前記ストリートに沿って前記ウエーハにレーザー光を照射するレーザー光照射工程と、
前記ウエーハにアミノ基を有する薬液を供給する工程と、を備え、
前記薬液の供給により該ウエーハ上に生成したリンを含む化合物を洗浄除去する除去工程をさらに備えるウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記ウエーハにアミノ基を有する薬液を供給する工程は、前記レーザー光照射工程の前に行われ、水溶性の保護膜にアミノ基を有する薬液を混入させ、前記ウエーハの表面に供給する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光線を照射して複数のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、デバイスの製造においては、ウエーハの表面に格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって複数のチップ領域を区画し、これらのチップ領域にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスを形成している。これらのデバイスの分割には、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射してウエーハ表面に溝を形成するレーザー加工が利用されている。
【０００３】
この種のレーザー加工では、レーザー光線が照射された際にデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生・飛散してデバイスの表面に堆積し、デバイスの品質を低下させる。このため、ウエーハの表面に保護膜を予め塗布してからレーザー加工を施し、保護膜上に付着したデブリを保護膜とともに洗浄して除去する加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４０３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板をリン化合物で形成するとともに、デバイスの表面にバンプなどの金属電極を設けたウエーハでは、レーザー加工によりウエーハを構成する元素（例えばリン）が遊離・拡散する。この拡散された元素は、保護膜を洗浄除去した後に、空気中の窒素、酸素や水分と反応して金属電極上に異物が生成することが判明した。この異物は、電気特性等のデバイス特性を低下させるため、速やかに除去することが好ましい。しかし、異物の発生速度は遅いため、保護膜を洗浄する際に保護膜と同時に異物を除去するのは困難であった。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、効果的に異物の発生を抑制できるウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、リン化合物からなる基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスおよび該表面に金属電極が形成されたウエーハをストリートに沿ってレーザー加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハを保持する工程と、ウエーハの表面に水溶性の保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後に、ストリートに沿ってウエーハにレーザー光を照射するレーザー光照射工程と、ウエーハにアミノ基を有する薬液を供給する工程と、を備え、薬液の供給により該ウエーハ上に生成したリンを含む化合物を洗浄除去する除去工程をさらに備える。
【０００８】
また、ウエーハにアミノ基を有する薬液を供給する工程は、レーザー光照射工程の前に行われ、水溶性の保護膜にアミノ基を有する薬液を混入させ、ウエーハの表面に供給しても良い。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、アミノ基を有する薬液を用いてウエーハの表面を処理することにより、ウエーハの表面に異物が発生しにくい状態となり、デバイス特性を良好に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハの斜視図である。
【図２】図２は、図１に示されたウエーハの要部の側面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係るウエーハの加工方法に用いられるレーザー加工装置の構成例を示す図である。
【図４】図４は、レーザー加工装置の保護膜形成兼洗浄部の構成例を示す斜視図である。
【図５】図５は、第１実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図６】図６は、保護膜形成工程を説明する工程図である。
【図７】図７は、保護膜が形成されたウエーハの要部の断面図である。
【図８】図８は、レーザー光線照射工程を説明する工程図である。
【図９】図９は、アミノ基を有する薬液を供給する工程を説明する工程図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、アミノ基を有する薬液を含む保護膜形成工程を説明する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態に係るウエーハの加工方法を説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
図１は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハの斜視図であり、図２は、図１に示されたウエーハの要部の側面図である。ウエーハ（被加工物）Ｗは、図１に示すように、円板状の基板ＷＳを有する半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。また、ウエーハＷは、基板ＷＳがインジウムリン（ＩｎＰ；リン化合物）で形成されたインジウムリンウエーハである。ウエーハＷは、図１及び図２に示すように、基板ＷＳ（ウエーハＷ）の表面に複数のストリート（加工予定ライン）Ｌが格子状に形成されているとともに、複数のストリートＬによって区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。また、ウエーハＷのデバイスＤは、該デバイスＤの表面からそれぞれ突出して形成された複数の金属電極としてのバンプＢＰを備える。これらのバンプＢＰは、金属電極の一例であり、例えば、金（Ａｕ）もしくは白金（Ｐｔ）などの貴金属、またはＳｎ−Ｃｕ等の合金により形成されている。なお、本実施形態では、金属電極の一例としてバンプＢＰを設けた構成としたが、デバイスＤの表面に露出して配置されていれば、金属電極の形状、位置及び大きさいは適宜に変更することができる。
【００１３】
図３は、本実施形態に係るウエーハの加工方法に用いられるレーザー加工装置の構成例を示す図である。なお、レーザー加工装置１は、図３に示す構成例に限定されるものではない。レーザー加工装置１は、ウエーハＷの表面に水溶性の保護膜を形成するとともに、ウエーハＷのストリートＬに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する（レーザー加工という）。そして、レーザー加工後に、ウエーハＷの表面から保護膜を除去する。
【００１４】
レーザー加工装置１は、図３に示すように、チャックテーブル１０と、レーザー光線照射部２０と、を備えている。レーザー加工装置１は、更に、レーザー加工前後のウエーハＷを収容するカセット３０が載置されるカセットエレベータ（図示せず）と、レーザー加工前後のウエーハＷを一時的に載置する仮置き部４０と、レーザー加工前のウエーハＷに保護膜を形成し、かつ、レーザー加工後のウエーハＷから保護膜を除去する保護膜形成兼洗浄部５０とを備えている。更に、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０とレーザー光線照射部２０とをＸ軸方向に相対移動させる図示しないＸ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射部２０とをＹ軸方向に相対移動させる図示しないＹ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射部２０とをＺ軸方向に相対移動させる図示しないＺ軸移動手段とを備えている。
【００１５】
チャックテーブル１０は、保護膜が形成されたウエーハＷにレーザー加工を施す際に該ウエーハＷを保持する。チャックテーブル１０は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハＷを吸引することで該ウエーハＷを保持する。チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動手段により、カセット３０近傍の搬出入領域ＴＲとレーザー光線照射部２０近傍の加工領域ＰＲとに亘ってＸ軸方向に移動自在に設けられ、かつＹ軸移動手段によりＹ軸方向に移動自在に設けられている。
【００１６】
レーザー光線照射部２０は、装置本体２に設けられた加工領域ＰＲに設けられ、かつチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面にレーザー光線を照射して、レーザー加工溝を形成するものである。レーザー光線は、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線である。レーザー光線照射部２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｚ軸移動手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。レーザー光線照射部２０は、レーザー光線を発振する発振器２１と、この発振器２１により発振されたレーザー光線を集光する集光器２２とを備えている。発振器２１は、ウエーハＷの種類、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線の周波数が適宜調整される。発振器２１として、例えば、ＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯレーザー発振器などを用いることができる。集光器２２は、発振器２１により発振されたレーザー光線の進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線を集光する集光レンズなどを含んで構成される。
【００１７】
カセット３０は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着されたウエーハＷを複数枚収容するものである。カセットエレベータは、レーザー加工装置１の装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００１８】
仮置き部４０は、カセット３０からレーザー加工前のウエーハＷを一枚取り出すとともに、レーザー加工後のウエーハＷをカセット３０内に収容する。仮置き部４０は、レーザー加工前のウエーハＷをカセット３０から取り出すとともにレーザー加工後のウエーハＷをカセット３０内に挿入する搬出入手段４１と、レーザー加工前後のウエーハＷを一時的に載置する一対のレール４２とを含んで構成されている。
【００１９】
保護膜形成兼洗浄部５０は、一対のレール４２上のレーザー加工前のウエーハＷが第１の搬送手段６１により搬送されてきて、このレーザー加工前のウエーハＷに保護膜を形成するものである。また、保護膜形成兼洗浄部５０は、レーザー加工後のウエーハＷが第２の搬送手段６２により搬送されてきて、このレーザー加工後のウエーハＷの保護膜を除去するものである。これら第１及び第２の搬送手段６１，６２は、それぞれ、例えば、ウエーハＷの表面を吸着して持ち上げることが可能に構成されており、ウエーハＷを持ち上げて所望の位置に搬送する。
【００２０】
保護膜形成兼洗浄部５０は、図４に示すように、レーザー加工前後のウエーハＷを保持するスピンナテーブル５１と、このスピンナテーブル５１をＺ軸方向（図３参照）と平行な軸心回りに回転する電動モータ５２と、スピンナテーブル５１の周囲に配置される水受け部５３とを備える。スピンナテーブル５１は、円板状に形成されて表面（上面）の中央部にポーラスセラミック等から形成された吸着チャック５１ａを備え、この吸着チャック５１ａが図示しない吸引手段に連通されている。これにより、スピンナテーブル５１は、吸着チャック５１ａに載置されたウエーハＷを吸引することで該ウエーハＷを保持する。
【００２１】
電動モータ５２は、その駆動軸５２ａの上端にスピンナテーブル５１を連結し、このスピンナテーブル５１を回転自在に支持する。水受け部５３は、円筒状の外側壁５３ａ及び内側壁５３ｂと、これら外側壁５３ａ及び内側壁５３ｂを連結する底壁５３ｃを備えて環状に形成されている。水受け部５３は、ウエーハＷの表面に保護膜を形成する際に該表面に供給される液状樹脂や、表面の保護膜を洗浄、除去する際に該表面に供給される洗浄水などの余剰量を受けるものである。底壁５３ｃには、排液口５３ｃ１が設けられ、この排液口５３ｃ１にドレンホース５３ｄが接続されている。
【００２２】
また、保護膜形成兼洗浄部５０は、スピンナテーブル５１上に保持されたウエーハＷに保護膜を構成する水溶性の液状樹脂、もしくは、アミノ基を有する液状の薬液を供給する樹脂液・薬液供給ノズル５５と、スピンナテーブル５１上の液状樹脂が供給されたウエーハＷにエアーを供給するエアーノズル５６と、スピンナテーブル５１上のレーザー加工後のウエーハＷに洗浄水を供給する洗浄水ノズル５７とを備えている。各ノズル５５〜５７は、それぞれ、ノズル開口がスピンナテーブル５１の中央上方に位置する作動位置と、スピンナテーブル５１から外れた退避位置とに移動自在に構成される。
【００２３】
樹脂液・薬液供給ノズル５５は、図示は省略するが、液状樹脂供給源及び薬液供給源に切替弁を介して、それぞれ接続されており、この切換弁を切り替えることにより、ウエーハＷに供給される液体の種類を変更することができる。また、水溶性の液状樹脂とアミノ基を有する液状の薬液とを混在させて供給することもできる。液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）やＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）などの水溶性の樹脂材が用いられる。これらの液状樹脂は、乾燥により固化してウエーハＷの表面に該表面を保護する保護膜を形成する。一方、アミノ基を有する薬液としては、例えば、ＰＡＡ（（登録商標）ポリアリルアミン）、ＰＥＩ（ポリエチレンイミン）などの高分子の薬液や、ＭＥＡ（モノエタノールアミン）、ＴＥＴＡ（トリエチルテトラミン）などの、いわゆる低分子の薬液が用いられる。また、薬液の他の例示として、モノエチルアミン、ジエチルアミン、ＤＩＰＡ（ジイソプロピルアミン）、２-アミノエタノール、ＤＥＡ（ジエタノールアミン）、ＴＥＡ（トリエタノールアミン）、ピリジン、Ｎ-Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ-２-メチルピロリドン、またはこれら２種以上の混合液、またはこれらを水で希釈したものを用いることもできる。
【００２４】
また、エアーノズル５６は、洗浄後のウエーハＷに乾燥空気を吹き付けて、ウエーハＷを乾燥させるものであり、図示を省略した乾燥空気供給源に接続されている。また、洗浄水ノズル５７は、図示を省略した洗浄水（例えば純水）供給源に接続されている。
【００２５】
ところで、上述したように、本実施形態のウエーハＷは、基板ＷＳがインジウムリン（ＩｎＰ；リン化合物）で形成されており、さらに、デバイスＤの表面には、それぞれ複数のバンプＢＰ（金属電極）を備えている。この種のウエーハＷをレーザー加工した場合、発明者の実験などにより、レーザー加工によって露出したウエーハＷの加工面から該ウエーハＷを構成する元素（本実施形態ではＰ（リン））が遊離（気化）して拡散する。この拡散されたリンは、空気中の窒素、酸素や水分と反応してバンプＢＰ上に異物（リン酸（Ｈ３ＰＯ４）を、保護膜を洗浄除去した後にも、生成することが判明した。この異物は、電気特性等のデバイス特性を低下させるため、速やかに除去することが好ましいが、異物の発生速度は遅い（例えば２、３日かけて発生する）ため、保護膜を洗浄する際に保護膜と同時に異物を除去するのは困難であった。また、レーザー加工条件や、レーザー加工時にデバイスの表面を覆う保護膜の組成等を変化させても異物の発生を十分に抑えることはできなかった。
【００２６】
本実施形態に係るウエーハの加工方法では、デバイスＤ（特にはバンプＢＰ）の表面に生じうるリンを含む異物の発生を抑制する点に特徴を有している。次に、ウエーハの加工方法について説明する。
【００２７】
［第１実施形態］
図５は、第１実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。まず、加工手順としては、未加工のウエーハＷをスピンナテーブル５１に保持する（ステップＳ１）。具体的には、レーザー加工装置１のカセット３０に収容されたレーザー加工前のウエーハＷを、搬出入手段４１を用いてカセット３０から一枚取り出し、このウエーハＷを一対のレール４２上に載置する。この一対のレール４２上に載置されたウエーハＷは、第１の搬送手段６１により、保護膜形成兼洗浄部５０のスピンナテーブル５１に搬送される。スピンナテーブル５１では、吸着チャック５１ａに載置されたウエーハＷを吸引することで該ウエーハＷが保持される。
【００２８】
次に、ウエーハＷの表面に保護膜を形成する（ステップＳ２；保護膜形成工程）。具体的には、図６に示すように、樹脂液・薬液供給ノズル５５をウエーハＷの上方に配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、樹脂液・薬液供給ノズル５５から水溶性の液状樹脂（例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール））７０をウエーハＷに供給する。この場合、切替弁は、樹脂液・薬液供給ノズル５５と樹脂液供給源とが連通するように操作される。また、樹脂液・薬液供給ノズル５５の供給口は、スピンナテーブル５１の回転軸上に位置することが好ましい。これによれば、供給された液状樹脂７０は、スピンナテーブル５１の回転に伴う遠心力により、ウエーハＷの中心から径方向外側に広がる。このため、この状態で液状樹脂７０を固化させることにより、図７に示すように、ウエーハＷの表面に保護膜Ｐが形成される。
【００２９】
次に、レーザー加工を行う（ステップＳ３：レーザー光線照射工程）。この場合、ウエーハＷは、第２の搬送手段６２によって、保護膜形成兼洗浄部５０のスピンナテーブル５１の上からチャックテーブル１０の上に搬送される。チャックテーブル１０では、表面に載置されたウエーハＷは、吸引されることで保持される。そして、レーザー光線照射部２０は、集光器２２からウエーハＷの保護膜Ｐを通して所定のストリートＬに向けてレーザー光線を照射する。ここで、レーザー光線を照射しつつ、チャックテーブル１０を、Ｘ軸移動手段またはＹ軸移動手段により、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に所定の送り速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で移動させる。これにより、図８に示すように、所定のストリートＬに沿って、アブレーション加工によりレーザー加工溝１００が形成される。
【００３０】
次に、保護膜を洗浄により除去する（ステップＳ４）。この場合、第２の搬送手段６２によって、レーザー加工後のウエーハＷは、チャックテーブル１０の上から再び、保護膜形成兼洗浄部５０のスピンナテーブル５１の上に搬送される。そして、スピンナテーブル５１の吸着チャック５１ａに保持される。図示を省略するが、洗浄水ノズル５７をウエーハＷの上方に配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、洗浄水ノズル５７から洗浄水をウエーハＷに供給する。保護膜Ｐ（図７）は、水溶性の液状樹脂を乾燥させて形成されているため、この保護膜に向けて洗浄水を供給することにより、保護膜は洗浄水に溶解してウエーハＷの表面から除去される。この場合、レーザー加工によって生じたデブリは、保護膜とともに、ウエーハＷの表面から除去される。
【００３１】
次に、ウエーハＷにアミノ基を有する薬液を供給する（ステップＳ５）。具体的には、図９に示すように、樹脂液・薬液供給ノズル５５をウエーハＷの上方に配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、樹脂液・薬液供給ノズル５５から水溶性のアミノ基を有する薬液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））７１をウエーハＷに供給する。この場合、切替弁は、樹脂液・薬液供給ノズル５５と薬液供給源とが連通するように操作される。これにより、モノエタノールアミンが有するアミノ基と、レーザー加工溝１００から拡散されるリンとが反応して、リンを含む化合物（例えば、リン酸アンモニウム（ＮＨ４）３ＰＯ４）が生成される。この化合物（リン酸アンモニウム）は、水溶性を示し、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）と比較して反応（生成）時間が短い。このため、ウエーハＷにアミノ基を有する薬液を供給することにより、リンを含む化合物（リン酸アンモニウム）が生成されることにより、異物としてのリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の生成が抑制される。
【００３２】
次に、リンを含む化合物を洗浄により除去する（ステップＳ６：除去工程）。具体的には、図示は省略するが、洗浄水ノズル５７をウエーハＷの上方に再び配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、洗浄水ノズル５７から洗浄水をウエーハＷに供給する。上述のように、化合物（リン酸アンモニウム）は、水溶性を示すため、洗浄水に溶解して、ウエーハＷの表面から除去される。これにより、ウエーハＷの表面（特には、バンプＢＰの表面）への、リンを含む異物（リン酸）の発生を抑制することができるため、デバイス特性を良好に保つことができる。洗浄後、エアーノズル５６から乾燥空気を所定時間供給することで、ウエーハＷの表面を乾燥する。最後に、レーザー加工溝１００に沿って、デバイスＤを分割して（ステップＳ７）、処理を終了する。
【００３３】
この第１実施形態によれば、リン化合物からなる基板ＷＳの表面に格子状に形成された複数のストリートＬによって区画された複数の領域にデバイスＤおよび該表面にバンプＢＰが形成されたウエーハＷをストリートＬに沿ってレーザー加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハＷを保持する工程（ステップＳ１）と、ウエーハＷの表面に水溶性の保護膜を形成する保護膜形成工程（ステップＳ２）と、保護膜形成工程の後に、ストリートＬに沿ってウエーハＷにレーザー光を照射するレーザー光照射工程（ステップＳ３）と、ウエーハＷにアミノ基を有する薬液を供給する工程（ステップＳ５）と、を備え、アミノ基を有する薬液の供給により生成したリンを含む化合物を洗浄除去する除去工程（ステップＳ６）を備えるため、ウエーハＷの表面に異物としてのリン酸（Ｈ３ＰＯ４）が発生することを効果的に抑制することができる、デバイス特性を良好に保つことができる。
【００３４】
この第１実施形態では、レーザー光照射工程（ステップＳ３）と、アミノ基を有する薬液を供給する工程（ステップＳ５）との間に、保護膜を洗浄により除去する洗浄工程（ステップＳ４）を備えているため、アミノ基を有する薬液を供給する工程（ステップＳ５）の前に、ウエーハＷの表面が洗浄されることにより、保護膜やデブリが、アミノ基とリンとの反応に及ぼす影響を抑えることができる。
【００３５】
なお、レーザー光照射工程（ステップＳ３）と、アミノ基を有する薬液を供給する工程（ステップＳ５）との間に行われる洗浄工程（ステップＳ４）は、省略することも可能であり、この場合には、工程数を減少して加工時間の短縮とともに、洗浄水の利用量の低減を実現できる。
【００３６】
［第２実施形態］
図１０は、第２実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。第１実施形態で説明した手順と同一の手順については説明を省略する。まず、未加工のウエーハＷをスピンナテーブル５１に保持する（ステップＳ１）。次に、ウエーハＷの表面にアミノ基を有する薬液を含む保護膜を形成する（ステップＳａ２：保護膜形成工程、アミノ基を有する薬液を供給する工程）。このアミノ基を有する薬液を供給する工程は、レーザー光線照射工程（ステップＳ３）の前に行われる。この第２実施形態では、保護膜を形成する際に、水溶性の液状樹脂とアミノ基を有する薬液とを供給している。具体的には、図１１に示すように、樹脂液・薬液供給ノズル５５をウエーハＷの上方に配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、樹脂液・薬液供給ノズル５５から水溶性の液状樹脂（例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール））７０とアミノ基を有する薬液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））７１とをウエーハＷに供給する。この場合、液状樹脂７０とアミノ基を有する薬液７１とが所定量の比率で混合するように、切替弁を調整しても良いし、予め液状樹脂７０とアミノ基を有する薬液７１とを混合した混合液を樹脂液・薬液供給ノズル５５から供給しても良い。この構成では、液状樹脂７０が乾燥により固化することにより、アミノ基を有する薬液７１を含む保護膜Ｐ（図７）がウエーハＷの表面に形成される。
【００３７】
次に、レーザー加工を行う（ステップＳ３：レーザー光線照射工程）。このレーザー加工により、レーザー加工溝１００（図８参照）が形成される。この際に、モノエタノールアミンが有するアミノ基と、レーザー加工溝１００から拡散されるリンとが反応して、リンを含む化合物（例えば、リン酸アンモニウム（ＮＨ４）３ＰＯ４）が生成される。このため、リンを含む化合物（リン酸アンモニウム）が生成されることにより、異物としてのリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の生成が抑制される。
【００３８】
次に、アミノ基を有する薬液７１を含む保護膜を洗浄により除去する（ステップＳａ４）。この場合、図示を省略するが、洗浄水ノズル５７をウエーハＷの上方に配置し、スピンナテーブル５１を所定の回転数で回転させた状態で、洗浄水ノズル５７から洗浄水をウエーハＷに供給する。保護膜及びリンを含む化合物（リン酸アンモニウム）は、それぞれ水溶性を示す。このため、アミノ基を有する薬液７１を含む保護膜に向けて洗浄水を供給することにより、保護膜及びリンを含む化合物（リン酸アンモニウム）は、洗浄水に溶解してウエーハＷの表面から除去される。この場合、レーザー加工によって生じたデブリについても保護膜とともに、ウエーハＷの表面から除去される。これにより、ウエーハＷの表面（特には、バンプＢＰの表面）への、リンを含む異物（リン酸）の発生を抑制することができるため、デバイス特性を良好に保つことができる。最後に、レーザー加工溝１００に沿って、デバイスＤを分割して（ステップＳ７）、処理を終了する。
【００３９】
この第２実施形態では、ウエーハＷにアミノ基を有する薬液を供給する工程（ステップＳａ２）は、レーザー光照射工程（ステップＳ３）の前に行われ、保護膜を構成する水溶性の液状樹脂７０にアミノ基を有する薬液７１を混入させ、ウエーハＷの表面に供給するため、ウエーハＷの表面（特には、バンプＢＰの表面）への、リンを含む異物（リン酸）の発生を抑制しつつも、第１実施形態に比べて工程数を低減することができる。
【００４０】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。本実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。本実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【００４１】
［比較例］
発明者は、上記したアミノ基を有する薬液の他にも、比較例として他の薬品を用いて実験している。具体的には、薬品として（１）ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）と（２）液体窒素（Ｎ２）を用いて、上記した第１実施形態のステップＳ５において、水溶性のアミノ基を有する薬液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））に替えて、上記した（１）、（２）の薬品をそれぞれウエーハＷに供給した。その他の手順は、ステップＳ５を除いて、ステップＳ１〜ステップＳ７と同一である。これらの比較例では、（１）ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、（２）液体窒素（Ｎ２）を用いたいずれの手順によってもリンを含む異物（リン酸（Ｈ３ＰＯ４））の生成が認められた。これは、（１）ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、（２）液体窒素（Ｎ２）がいずれもリンと水溶性の化合物を生成しないため、時間経過とともにリンを含む異物（リン酸（Ｈ３ＰＯ４））が生成されたものと考えられる。このように、アミノ基を有する薬液を用いてウエーハの表面を処理することは、ウエーハの表面への異物の発生を効果的に抑制するために非常に有効である。
【符号の説明】
【００４２】
１  レーザー加工装置
１０  チャックテーブル
２０  レーザー光線照射部
２１  発振器
２２  集光器
３０  カセット
４０  仮置き部
５０  保護膜形成兼洗浄部
５１  スピンナテーブル
５１ａ  吸着チャック
５３  水受け部
５５  樹脂液・薬液供給ノズル
５６  エアーノズル
５７  洗浄水ノズル
６１  第１の搬送手段
６２  第２の搬送手段
７０  液状樹脂
７１  薬液
１００  レーザー加工溝
ＢＰ  バンプ（金属電極）
Ｄ  デバイス
Ｆ  環状フレーム
Ｌ  ストリート
Ｐ  保護膜
Ｔ  粘着テープ
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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