(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極及び第２の電極と、当該第１の電極と前記第２の電極との間に形成される圧電膜と、を有する振動部と、
前記振動部を囲むように設けられた、保持部と、
前記振動部と前記保持部とを接続する、互いに対向して設けられた１対の保持ユニットと、
前記保持部から前記保持ユニットに亘って形成された引き出し電極と、
を備え、
前記第１の電極または前記第２の電極は、前記保持ユニットへ亘って形成され、前記保持ユニット上で前記引き出し電極と接続されており、
前記引き出し電極の単位面積あたりの電気抵抗値は、前記保持ユニットへ亘って形成された前記第１の電極または前記第２の電極の単位面積当たりの電気抵抗値よりも小さい、共振子。
【請求項２】
前記保持ユニットは、
前記保持ユニットへ亘って形成された前記第１の電極または前記第２の電極の上に、絶縁体の保護膜をさらに有し、
前記引き出し電極は、
前記保護膜を貫通するビアを介して、前記保持ユニットへ亘って形成された前記第１の電極または前記第２の電極と接続することを特徴とする請求項１に記載の共振子。
【請求項３】
前記第１の電極及び前記第２の電極の双方とも、前記保持ユニットへ亘って形成され、
前記引き出し電極は、前記第１の電極または前記第２の電極と接続することを特徴とする請求項２に記載の共振子。
【請求項４】
前記保持ユニットは、
前記振動部の１辺と略平行な方向に設けられる第１腕と、
前記第１腕と略垂直な方向に設けられ、前記第１腕と振動部とを接続する第２腕と、
を有し、
前記引き出し電極は、
前記第１腕と前記第２腕との接続点において、ビアを介して前記第１の電極または前記第２の電極と接続することを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の共振子。
【請求項５】
前記保持ユニットは、
前記振動部の１辺と略平行な方向に設けられる１対の第１腕と、前記１対の第１腕と略垂直な方向に設けられ、その両端で当該１対の第１腕の両端と接続する、１対の第２腕と、から形成される振動緩衝部
を備え、
前記引き出し電極は、
前記振動緩衝部の、前記第１腕と１対の第２腕との接続点において、ビアを介して第１の電極または第２の電極と接続されることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の共振子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器において計時機能を実現するためのデバイスとして、圧電振動子が用いられている。電子機器の小型化に伴い、圧電振動子も小型化が要求されており、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて製造される共振子が注目されている。【０００３】
従来の共振子は、たとえば特許文献１に開示されているように、矩形の振動部と、振動部上に分割形成された電極と、振動部と保持部とを連結する保持腕と、保持腕上に設けられた電極を保持部へ引き出す配線から構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７６３９１０５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
保持腕は振動部の振動を阻害しないように、細長い形状であることが望ましい。しかし、特許文献１に開示されているような従来の共振子では、保持腕を細長く形成することによって、保持腕における共振抵抗が高くなってしまい、かえって振動部の振動を阻害してしまうという課題がある。【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、振動部を保持する保持ユニットにおける共振抵抗を小さくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る共振子は、第１の電極及び第２の電極と、当該第１の電極と第２の電極との間に形成される圧電膜と、を有する振動部と、振動部を囲むように設けられた、保持部と、振動部と保持部とを接続する、互いに対向して設けられた１対の保持ユニットと、保持部から保持ユニットに亘って形成された引き出し電極と、を備え、第１の電極または第２の電極は、保持ユニットへ亘って形成され、保持ユニット上で引き出し電極と接続されており、引き出し電極の単位面積あたりの電気抵抗値は、保持ユニットへ亘って形成された第１の電極または第２の電極の単位面積当たりの電気抵抗値よりも小さい。【０００８】
かかる共振子によれば、保持ユニット上の上部電極を、当該上部電極よりも単位面積当たりの電気抵抗値が小さい引き出し電極によって引き出す構成となっている。これによって、保持ユニットにおける共振抵抗を小さくすることができる。【０００９】
また保持ユニットは、保持ユニットへ亘って形成された第１の電極または第２の電極の上に、絶縁体の保護膜をさらに有し、引き出し電極は、保護膜を貫通するビアを介して、保持ユニットへ亘って形成された第１の電極または第２の電極と接続することが好ましい。【００１０】
この好ましい態様によれば、共振周波数を調整するための保護膜を有した共振子であっても、保持ユニット上において、引き出し電極と電極とを接続することができる。【００１１】
また、第１の電極及び第２の電極の双方とも、保持ユニットへ亘って形成され、引き出し電極は、第１の電極または第２の電極と接続することが好ましい。【００１２】
この好ましい態様によれば、上部電極と下部電極とのいずれも引き出し電極によって接続することができる。【００１３】
また、保持ユニットは、振動部の１辺と略平行な方向に設けられる第１腕と、第１腕と略垂直な方向に設けられ、第１腕と振動部とを接続する第２腕と、を有し、引き出し電極は、第１腕と第２腕との接続点において、ビアを介して第１の電極または第２の電極と接続することが好ましい。【００１４】
この好ましい態様によれば、保持ユニットの屈曲部にビアを設けることによって、屈曲部の剛性や質量を増大させることができる。これによって屈曲部における音響反射効果を高め、振動の閉じ込め性を向上させることができる。【００１５】
また、保持ユニットは、振動部の１辺と略平行な方向に設けられる１対の第１腕と、１対の第１腕と略垂直な方向に設けられ、その両端で当該１対の第１腕の両端と接続する、１対の第２腕と、から形成される振動緩衝部を備え、引き出し電極は、振動緩衝部の、第１腕と１対の第２腕との接続点において、ビアを介して第１の電極または第２の電極と接続されることが好ましい。【００１６】
この好ましい態様によれば、振動緩衝部の両端にビアを設けることにより、振動緩衝部の両端の剛性や質量が増大する。これによって、振動緩衝部において、より効果的に保持ユニットへの振動の伝搬を抑えることが可能になり、振動部から伝搬される輪郭振動の高調波の振動を効率的に閉じ込めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、振動部を保持する保持ユニットにおける共振抵抗が小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態に係る共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。
【図４】第１の実施形態に係る共振子の断面の構造の一例を概略的に示す図である。
【図５】第１の実施形態に係る共振子の断面の構造の一例を概略的に示す図である。
【図６】第２の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。
【図７】第３の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。
【図８】第４の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。
【図９】第５の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［第１の実施形態］
以下、添付の図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の外観を概略的に示す斜視図である。この共振装置１は、下側基板１４と、下側基板１４との間に振動空間を形成する上側基板１３と、下側基板１４及び上側基板１３の間に挟み込まれて保持される共振子１０と、を備えている。共振子１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ振動子である。
【００２０】
図２は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の構造を概略的に示す分解斜視図である。下側基板１４はＸＹ平面に沿って平板状に広がっており、その上面に例えば平たい直方体形状の凹部１７が形成されている。凹部１７は共振子１０の振動空間の一部を形成する。その一方で、上側基板１３はＸＹ平面に沿って平板状に広がっており、その下面に例えば平たい直方体形状の凹部１８が形成されている。凹部１８は共振子１０の振動空間の一部を形成する。この振動空間では真空状態が維持されている。下側基板１４及び上側基板１３は例えばシリコン（Ｓｉ）から形成されている。
【００２１】
図３は、本実施形態に係る、共振子１０の構造を概略的に示す平面図である。図３を用いて本実施形態に係る共振子１０の各構成について説明する。共振子１０は、振動部１２０と、保持部１１と、保持ユニット１１１、１１２と、引き出し電極Ｗ１１１、Ｗ１１２とを備えている。
【００２２】
（１．振動部１２０）
（１−１．詳細構成）
振動部１２０は、図３の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って平板状に広がる略直方体の輪郭を有している。振動部１２０上には、長さ方向と幅方向とを有する矩形板状の上部電極１２１が設けられている。図３において、振動部１２０と上部電極１２１は、Ｘ軸方向に長辺、Ｙ軸方向に短辺を有している。
【００２３】
上部電極１２１の全面を覆うように、保護膜２３５が形成されている。さらに、保護膜２３５の表面には、振動部１２０の長辺と平行に２つの調整膜２３６が積層されている。保護膜２３５及び調整膜２３６は、振動部１２０の共振周波数を調整するための膜である。
【００２４】
調整膜２３６は、振動部１２０における変位の比較的大きい領域において、その表面が露出するように形成されている。具体的には、調整膜２３６は、振動部１２０の短辺方向の両端付近に対応する領域において露出するように形成される。また、保護膜２３５は、その他の領域において、その表面が露出している。
【００２５】
振動部１２０と保持部１１との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図３の例では、振動部１２０は、１対の短辺において、それぞれ後述する保持ユニット１１１、１１２によって保持部１１に接続され、保持されている。他方で、振動部１２０は、１対の長辺において、保持部１１によって保持されていない。
【００２６】
（１−２．積層構造）
図４は、図３のＡＡ´断面図である。図４を用いて振動部１２０の積層構造について説明する。
【００２７】
図４に示すように、振動部１２０は、縮退ＳｉからなるＳｉ基板１３０上に、下部電極１２９（第１の電極の一例である。）が積層されている。Ｓｉ基板１３０は、たとえば、長さ１４０μｍ程度、幅４００μｍ程度、厚さ１０μｍ程度である。下部電極１２９は、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属を用いて形成され、厚さ０．１μｍ程度である。なお、下部電極１２９を形成せずに、縮退ＳｉからなるＳｉ基板１３０を下部電極として用いてもよい。
【００２８】
また、下部電極１２９の上には、下部電極１２９を覆うように圧電薄膜１２８が積層されており、さらに、圧電薄膜１２８上には、上部電極１２１（第２の電極の一例である。）が積層されている。他の例として、上部電極１２１は、複数に分割されてもよい。
圧電薄膜１２８は、印加された電圧を振動に変換する圧電体の薄膜であり、たとえば、窒化アルミニウム等の窒化物や酸化物を主成分とすることができる。具体的には、圧電薄膜１２８は、窒化スカンジウムアルミニウム（ＳｃＡｌＮ）により形成することができる。ＳｃＡｌＮは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）におけるアルミニウム（Ａｌ）の一部をスカンジウム（Ｓｃ）に置換したものである。また、圧電薄膜１２８は、たとえば、０．８μｍの厚さを有する。
また、上部電極１２１は、下部電極１２９と同様、たとえばモリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属を用いて形成され、厚さ０．１μｍ程度である。
【００２９】
上部電極１２１の上には、上部電極１２１を覆うように、保護膜２３５が積層されており、さらに、保護膜２３５上には、調整膜２３６が積層されている。調整膜２３６は、振動部１２０の略全面に形成された後、エッチング等の加工により所定の領域のみに形成される。
【００３０】
保護膜２３５は、エッチングによる質量低減の速度が調整膜２３６より遅い材料により形成される。たとえば、保護膜２３５は、ＡｌＮ等の窒化膜やＳｉＯ2等の酸化膜により形成される。なお、質量低減速度は、エッチング速度（単位時間あたりに除去される厚み）と密度との積により表される。
【００３１】
調整膜２３６は、エッチングによる質量低減の速度が保護膜２３５より速い材料により形成される。たとえば、調整膜２３６は、モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）や金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属により形成される。
なお、保護膜２３５と調整膜２３６とは、質量低減速度の関係が上述のとおりであれば、エッチング速度の大小関係は任意である。
【００３２】
保護膜２３５及び調整膜２３６に対するエッチングは、たとえば保護膜２３５及び調整膜２３６に同時にイオンビーム（たとえば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射することによって行われる。イオンビームは共振子１０よりも広い範囲に照射することが可能である。なお、本実施形態では、イオンビームによりエッチングを行う例を示すが、エッチング方法は、イオンビームによるものに限られない。
【００３３】
（１−３．機能）
次に、振動部１２０の各層の機能について説明する。振動部１２０は、交番電界が印加されることによって、ＸＹ平面内において輪郭振動する。
具体的には、圧電薄膜１２８はｃ軸方向（図４におけるＺ軸方向）に配向しており、そのため、上部電極１２１と下部電極１２９に所定の電界を印加して、下部電極１２９と上部電極１２１との間に所定の電位差を形成すると、この電位差に応じて圧電薄膜１２８がＸＹ面内方向において伸縮することにより、振動部１２０が輪郭振動する。
【００３４】
振動部１２０の共振周波数を決定する主な要素として、質量とバネ定数がある。保護膜２３５及び調整膜２３６のエッチングにより、質量の低減とバネ定数の低下が同時に発生する。質量の低減は共振周波数を上昇させ、バネ定数の低下は共振周波数を低下させる。ただし、変位の大きな領域では相対的に質量の影響が強く、変位の小さな領域では相対的にバネ定数の影響が強くなる。
【００３５】
振動部１２０においては、変位の比較的大きい領域において露出するように調整膜２３６が形成されている。上述のとおり、イオンビームによる質量低減速度は、保護膜２３５よりも調整膜２３６の方が速い。そのため、変位の比較的大きい領域の質量が速く低減する。これにより、共振周波数を上昇させることができる。なお、調整膜２３６と同時に保護膜２３５もエッチングされるが、質量の低減速度が調整膜２３６よりも遅いため、バネ定数の変化量は小さい。従って、バネ定数の変化に伴う共振周波数の低下の影響は小さい。従って、振動部１２０においては、保護膜２３５及び調整膜２３６に同時にイオンビームを照射することにより、効率的に共振周波数を調整することが可能になる。
【００３６】
また、共振周波数の温度特性はバネ定数の変化による影響を受ける。しかしながら、振動部１２０においては、上述のとおり、バネ定数の変化量が小さいため、共振周波数の温度特性の変化を低減することが可能となる。
【００３７】
図３に戻り、共振子１０の他の構成について説明する。
【００３８】
（２．保持部１１）
（２−１．詳細構成）
保持部１１は、本実施形態では、ＸＹ平面に沿って矩形の枠状に形成される。なお、保持部１１は、振動部１２０の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されない。保持部１１は、振動部１２０と、ＸＹ平面に沿って振動部１２０の外側を囲むように設けられる。保持部１１は、より具体的には、Ｙ軸方向に平行に、振動部１２０の短辺に対向して延びる１対の長辺板状の枠体１１ａ、１１ｂと、振動部１２０の長辺に対向してＸ軸方向に平行に延び、その両端で枠体１１ａ、１１ｂの両端にそれぞれ接続される１対の短辺の枠体１１ｃ、１１ｄと、を備えている。
以下の説明では、枠体１１ｃ側を共振子１０の上側、枠体１１ｄ側を共振子１０の下側として説明する。
【００３９】
（２−２．積層構造）
図４に示すように、保持部１１は、Ｓｉ基板１３０上に、振動部１２０の下部電極１２９と同一のプロセスで一体形成された下部配線Ｗ１２９が形成されている。さらに下部配線Ｗ１２９を覆うように、圧電薄膜１２８が積層され、圧電薄膜１２８の上には、保護膜２３５が積層されている。保持部１１は、Ｓｉ基板１３０上に下部配線Ｗ１２９、圧電薄膜１２８、後述する上部配線Ｗ１２１の順に、振動部１２０のＳｉ基板１３０、下部電極１２９、圧電薄膜１２８、及び上部電極１２１と一体形成される。その後、エッチング等の加工により望ましい形状となるように上部配線Ｗ１２１が除去された上に、保護膜２３５が積層されて形成される。
【００４０】
（３．保持ユニット１１１、１１２）
（３−１．詳細構成）
保持ユニット１１１は、ＸＹ平面に沿って保持部１１の内側であって、振動部１２０の短辺と枠体１１ａとの間の空間に設けられ、振動部１２０の短辺と枠体１１ａとを接続する。また、保持ユニット１１２は、振動部１２０の短辺と枠体１１ｂとの間の空間に設けられ、振動部１２０の短辺と枠体１１ｂとを接続する。
【００４１】
（３−２．積層構造）
図５（Ａ）は図３のＢＢ´断面図、図５（Ｂ）は図３のＣＣ´断面図である。図５（Ａ）及び（Ｂ）を用いて保持ユニット１１１、１１２の積層構造について説明する。
【００４２】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、保持ユニット１１１、１１２は、縮退半導体からなるＳｉ基板１３０上に、振動部１２０の下部電極１２９と同一のプロセスで一体形成された下部配線Ｗ１２９が積層されている。下部電極１２９と下部配線Ｗ１２９とは、振動部１２０から保持ユニット１１１、１１２へと亘って連続して形成されている。
下部配線Ｗ１２９の上には、下部配線Ｗ１２９を覆うように圧電薄膜１２８が積層されている。さらに、圧電薄膜１２８上には、振動部１２０の上部電極１２１と同一のプロセスで一体形成された上部配線Ｗ１２１が設けられている。上部電極１２１と上部配線Ｗ１２１とは、振動部１２０から保持ユニット１１１、１１２へと亘って連続して形成されている。
保持ユニット１１１、１１２のＳｉ基板１３０、下部配線Ｗ１２９、圧電薄膜１２８、上部配線Ｗ１２１は、振動部１２０のＳｉ基板１３０、下部電極１２９、圧電薄膜１２８、上部電極１２１と一体形成され、エッチング等の加工により望ましい形状となるように上部配線Ｗ１２１が除去されて形成された上に、保護膜２３５が積層されて形成される。
【００４３】
（４．引き出し電極Ｗ１１１）
（４−１．詳細構成）
引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ａから保持ユニット１１１に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、保持ユニット１１１上で上部配線Ｗ１２１と接続する。上部配線Ｗ１２１は、振動部１２０の上部電極１２１が連続して保持ユニット１１１へと形成された配線である。具体的には、上部配線Ｗ１２１は、振動部１２０の上部電極１２１と保持ユニット１１１との接続箇所から、保持ユニット１１１の途中または保持ユニット１１１と枠体１１ａとの接続箇所までを、連続して覆うように形成されている。
引き出し電極Ｗ１１１は、上部配線Ｗ１２１との接続箇所から枠体１１ａに亘って連続して形成されている。
【００４４】
引き出し電極Ｗ１１１は、単位面積あたりの電気抵抗値が上部配線Ｗ１２１よりも小さくなるように形成される。本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１は、上部配線Ｗ１２１よりも厚く形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、たとえばアルミニウム等の導電性が高い金属である。さらに、引き出し電極Ｗ１１１は、軽い金属であることが望ましい。これにより、引き出し電極Ｗ１１１によって振動部１２０の振動が阻害されることを低減させることができる。なお、引き出し電極Ｗ１１１は、調整膜２３６と同じ材質で同時に形成されてもよい。
【００４５】
（４−２．断面構造）
図５（Ａ）を参照して、引き出し電極Ｗ１１１の断面の構造について説明する。引き出し電極Ｗ１１１は、保持ユニット１１１の保護膜２３５の表面から、枠体１１ａの保護膜２３５の表面に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、上部配線Ｗ１２１と、保持ユニット１１１上に保護膜２３５を貫通して形成されたビアＶ１１１を介して接続される。
【００４６】
ビアＶ１１１は、たとえば、共振子１０に保護膜２３５が形成された後に、その一部をエッチング等によって除去して形成される。ビアＶ１１１が形成された後、アルミニウム等の導通性が高く軽い金属を、保護膜２３５及びビアＶ１１１に積層させ、その一部をエッチング等で除去することにより、引き出し電極Ｗ１１１が形成される。なお、先にビアＶ１１１に金属を充填した後に、引き出し電極Ｗ１１１を積層して形成してもよい。
【００４７】
本実施形態に係る共振子１０は、ＸＹ平面における単位面積当たりの電気抵抗値が上部電極１２１よりも小さい引き出し電極Ｗ１１１を用いて、上部配線Ｗ１２１を引き出すことによって、保持ユニット１１１における経路抵抗を低減させ、振動特性を向上させることができる。
【００４８】
（５．引き出し電極Ｗ１１２）
（５−１．詳細構成）
引き出し電極Ｗ１１２は、枠体１１ｂから保持ユニット１１２に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１２は、保持ユニット１１２上で下部配線Ｗ１２９と接続する。下部配線Ｗ１２９は、振動部１２０の下部電極１２９が連続して保持ユニット１１２へと形成された配線である。具体的には、下部配線Ｗ１２９は、振動部１２０の下部電極１２９と保持ユニット１１２との接続箇所から、保持ユニット１１２の途中または保持ユニット１１２と枠体１１ｂとの接続箇所までを、連続して覆うように形成されている。
引き出し電極Ｗ１１２は、下部配線Ｗ１２９との接続箇所から枠体１１ｂに亘って連続して形成されている。
【００４９】
引き出し電極Ｗ１１２は、単位面積あたりの電気抵抗値が下部配線Ｗ１２９よりも小さくなるように形成される。本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２は、下部配線Ｗ１２９よりも厚さが大きくなるように形成される。引き出し電極Ｗ１１２は、たとえばアルミニウム等の導通性が高い金属である。引き出し電極Ｗ１１２は、軽い金属であることが望ましい。これにより、引き出し電極Ｗ１１２によって振動部１２０の振動が阻害されることを低減させることができる。なお、引き出し電極Ｗ１１２は、調整膜２３６と同じ材質で同時に形成されるとしてもよい。
【００５０】
（５−２．断面構造）
図５（Ｂ）は、図３のＣＣ´断面図である。図５（Ｂ）を参照して、引き出し電極Ｗ１１２の断面の構造について説明する。引き出し電極Ｗ１１２は、保持ユニット１１２の保護膜２３５の表面から、枠体１１ｂの保護膜２３５の表面に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１２は、下部配線Ｗ１２９と、保持ユニット１１２上に、保護膜２３５、上部配線Ｗ１２１及び圧電薄膜１２８を貫通するように形成されたビアＶ１１２を介して接続される。なお、ビアＶ１１２と、上部配線Ｗ１２１とは、圧電薄膜１２８によって隔てられている。
【００５１】
ビアＶ１１２は、たとえば、共振子１０に上部配線Ｗ１２１が形成された後に、上部配線Ｗ１２１の一部をエッチング等によって除去して形成した孔に、保護膜２３５が充填された後に、当該孔に積層されている保護膜２３５、及び圧電薄膜１２８の一部をエッチング等によって除去して形成される。ビアＶ１１２が形成された後、アルミニウム等の導電性が高く軽い金属を、保護膜２３５及びビアＶ１１２に積層させ、その一部をエッチング等で除去することにより、引き出し電極Ｗ１１２が形成される。なお、先にビアＶ１１２に金属を充填した後に、引き出し電極Ｗ１１２を積層して形成するとしてもよい。
【００５２】
本実施形態に係る共振子１０は、下部電極１２９よりも単位面積当たりの電気抵抗値の小さい引き出し電極Ｗ１１２を用いて、下部電極１２９を引き出すことによって、保持ユニット１１２における経路抵抗を低減させ、振動特性を向上させることができる。
【００５３】
［第２の実施形態］
第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００５４】
図６は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の詳細構成のうち、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１、Ｂ１２２、及び配線Ｗ１２１ａ、Ｗ１２１ｂ、Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂを備えている。
【００５５】
（１．振動部１２０）
本実施形態では、振動部１２０は、４つの上部電極１２１〜１２４を有している。上部電極１２１と１２３とは後述するバスバーＢ１２１によって接続されている。
また、上部電極１２２と１２４とは後述するバスバーＢ１２２によって接続されている。
【００５６】
また、調整膜２３６は、上部電極１２１〜１２４の四隅に対応する領域において露出するように形成され、保護膜２３５は、その他の領域において露出するように形成されている。なお、保護膜２３５は、振動部１２０上において、例えば上部電極１２１〜１２４を覆う領域にのみ形成される構成でもよい。
【００５７】
さらに、振動部１２０の上部電極１２１〜１２４は、隣り合う電極同士が逆位相となるように電界が印加される。下部電極１２９は、本実施形態では、フローティング状態になっている。その他の振動部１２０の構成は第１の実施形態と同様である。
【００５８】
（２．保持部１１）
保持部１１は、枠体１１ｃと枠体１１ｄとにおいて、保持ユニット１１１、１１２と接続している。その他の保持部１１の構成は第１の実施形態と同様である。
【００５９】
（３．保持ユニット１１１、１１２）
本実施形態では、保持ユニット１１１は、枠体１１ｃと振動部１２０とを接続する。
保持ユニット１１１は腕１１１ａ（第２腕の一例である。）、１１１ｂ（第２腕の一例である。）、１１１ｍ（第１腕の一例である。）及び１１１ｎを有している。
【００６０】
腕１１１ｍは、振動部１２０の長辺と対向して、Ｘ軸方向に平行に延びている。
保持ユニット１１１は、２本の腕１１１ａ、１１１ｂによって振動部１２０と接続する。腕１１１ａは、一端が上部電極１２２の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１１ｍの一方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１１ａ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。腕１１１ｂは、一端が上部電極１２３の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１１ｍの他方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１１ｂ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。
腕１１１ｎは、一端が腕１１１ｍの中央付近と略垂直に接続し、他端が枠体１１ｃと接続している。すなわち、保持ユニット１１１は、腕１１１ａと腕１１１ｍ、及び腕１１１ｂと腕１１１ｍの接続箇所において屈曲し、途中で１本の腕１１１ｎに連結している。
【００６１】
このように、本実施形態に係る保持ユニット１１１は、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにおいて屈曲して、途中で１本に連結することで、保持部１１と保持ユニット１１１との接続点の数を減らすことができる。ひいては、保持部１１と保持ユニット１１１との接続点が多くなることにより生じる、振動部１２０の振動の減衰を低減させることができる。
【００６２】
次に、保持ユニット１１１の各構成の長さと振動部１２０が振動する波長との関係について説明する。
保持ユニット１１１における、腕１１１ｎと腕１１１ｍの中心との接続点から、屈曲部Ｃ１１１ａ又はＣ１１１ｂまでの長さをＬ、振動部１２０の振動の波長をλとする。本実施形態では、保持ユニット１１１は、Ｌ＝λ／４という関係式が成立するように、長さＬが調整されている。これによって、振動部１２０の振動特性を向上させることができる。
具体的には、保持ユニット１１１の腕１１１ｍは、振動部１２０と同じ波長λで振動する。そのため、長さＬをλ／４とすることで、振動波の節に相当する箇所に、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂを設けることができる。これによって、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性を向上させることができる。
【００６３】
他方で、保持ユニット１１２は、枠体１１ｄと振動部１２０とを接続する。
保持ユニット１１２は腕１１２ａ（第２腕の一例である。）、１１２ｂ（第２腕の一例である。）、１１２ｍ（第１腕の一例である。）及び１１２ｎを有している。
腕１１２ｍは、振動部１２０の長辺と対向して、Ｘ軸方向に平行に延びている。
保持ユニット１１２は、２本の腕１１２ａ、１１２ｂによって振動部１２０と接続する。腕１１２ａは、一端が上部電極１２２の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１２ｍの一方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１２ａ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。腕１１２ｂは、一端が上部電極１２３の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１２ｍの他方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１２ｂ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。
腕１１２ｎは、一端が腕１１２ｍの中央付近と略垂直に接続し、他端が枠体１１ｄと接続している。すなわち、保持ユニット１１２は、腕１１２ａと腕１１２ｍ、及び腕１１２ｂと腕１１２ｍの接続箇所において屈曲し、途中で１本の腕１１２ｎに連結している。
【００６４】
このように、本実施形態に係る保持ユニット１１２は、屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂにおいて屈曲して、途中で１本に連結することで、保持部１１と保持ユニット１１２との接続点の数を減らすことができる。ひいては、保持部１１と保持ユニット１１２との接続点が多くなることにより生じる、振動部１２０の振動の減衰を低減させることができる。
【００６５】
保持ユニット１１２の、腕１１２ｎと腕１１２ｍの中心との接続点から、屈曲部Ｃ１１２ａ又はＣ１１２ｂまでの長さも、長さＬとなるように調整されている。これによって、屈曲部Ｃ１１２ａ又はＣ１１２ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性を向上させることができる。
【００６６】
（４．バスバーＢ１２１、Ｂ１２２）
バスバーＢ１２１は、上部電極１２２に対向して、振動部１２０における枠体１１ｃ側の端部に設けられている。バスバーＢ１２１は、上部電極１２１における上部電極１２２と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）と、上部電極１２３における上部電極１２２と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）とに接続される。
【００６７】
また、バスバーＢ１２２は、上部電極１２３に対向して、振動部１２０における枠体１１ｄ側の端部に設けられている。バスバーＢ１２２は、上部電極１２２における上部電極１２３と対向する長辺の下端（枠体１１ｄ側の端部）と、上部電極１２４における上部電極１２３と対向する長辺の下端（枠体１１ｄ側の端部）とに接続される。
【００６８】
（５．配線Ｗ１２１ａ、Ｗ１２１ｂ、Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂ）
配線Ｗ１２１ａは、バスバーＢ１２１の中央付近に接続され、そこからバスバーＢ１２１に対して略垂直な方向に延び、腕１１１ａの表面（腕１１１ａにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）から腕１１１ｍの一端（屈曲部Ｃ１１１ａ）における表面（腕１１１ｍにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に亘って設けられる。配Ｗ線１２１ｂは、上部電極１２３における枠体１１ｃ側の短辺の中央付近に接続され、そこから当該短辺に略垂直な方向に延び、腕１１１ｂの表面から腕１１１ｍの他端（屈曲部Ｃ１１１ｂ）における表面（腕１１１ｍにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に亘って設けられる。
【００６９】
なお、配線Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂはそれぞれ配線Ｗ１２１ｂ、Ｗ１２１ａと同等の構成である。
【００７０】
（６．引き出し電極Ｗ１１１）
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから保持ユニット１１１へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１１は、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１１の屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂまで延びている。
【００７１】
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１は、屈曲部Ｃ１１１ａにおいて、配線Ｗ１２１ａに接続され、屈曲部Ｃ１１１ｂにおいて、配線Ｗ１２１ｂに接続される。引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ａ、Ｗ１２１ｂとは、保持ユニット１１１の屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂに保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを介して接続される。
【００７２】
上述のように、長さＬがλ／４となる位置に設けられた屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを形成することによって、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂの剛性及び質量を増大させることができる。これによって、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性をより一層向上させることができる。その他の引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
【００７３】
（７．引き出し電極Ｗ１１２）
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２は、枠体１１ｄから保持ユニット１１２へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１２は、枠体１１ｄと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１２は、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１２の屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂまで延びている。
【００７４】
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２は、屈曲部Ｃ１１２ａにおいて、配線Ｗ１２２ａに接続され、屈曲部Ｃ１１２ｂにおいて、配線Ｗ１２２ｂに接続される。引き出し電極Ｗ１１２と配線Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂとは、保持ユニット１１２の屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂに保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを介して接続される。
【００７５】
上述のように、長さＬがλ／４となる位置に設けられた屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂにビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを形成することによって、屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂの剛性及び質量を増大させることができる。これによって、屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性をより一層向上させることができる。その他の引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
【００７６】
その他の構成、効果は第１の実施形態と同様である。
【００７７】
［第３の実施形態］
図７は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の各構成のうち、第１の実施形態との差異点について説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１ａ、Ｂ１２１ｂ、Ｂ１２２、配線Ｗ１２１ｃ、Ｗ１２１ｄ、Ｗ１２２ｃ、Ｗ１２２ｄ、及び引き出し電極Ｗ１１１Ａ、Ｗ１１１Ｂ、Ｗ１１２Ａ、Ｗ１１２Ｂを備えている。
【００７８】
（１．振動部１２０）
本実施形態では、振動部１２０は、５つの上部電極１２１〜１２５を有している。
調整膜２３６は、上部電極１２１〜１２５の四隅に対応する領域において露出するように形成され、保護膜２３５は、その他の領域において露出するように形成されている。なお、保護膜２３５は、振動部１２０上において、例えば上部電極１２１〜１２５を覆う領域にのみ形成される構成でもよい。
振動部１２０の上部電極１２１〜１２５は、隣り合う電極同士が逆位相となるように電界が印加される。下部電極１２９は、本実施形態では、フローティング状態になっている。その他の振動部１２０の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
【００７９】
（２．保持部１１）
本実施形態では、保持部１１は、保持ユニット１１１、１１２との接続箇所に４つの屈曲振動部５ａ、５ｂを有している。屈曲振動部５ａ、５ｂとは、保持部１１にスリット３ａ、３ｂを設けることにより、スリット３ａ、３ｂと保持ユニット１１１、１１２との間に設けられている部分である。すなわち、保持部１１には、保持ユニット１１１、１１２の延びる方向と直交する方向に延びるスリット３ａ、３ｂが設けられている。屈曲振動部５ａ、５ｂの外側の一方の縁は、スリット３ａ、３ｂに臨んでおり、他方の縁は保持部１１と振動部１２０との間の空間に臨んでいる。
【００８０】
屈曲振動部５ａ、５ｂは、屈曲振動部５ａ、５ｂの端部から、保持ユニット１１１、１１２の中点との接続点までの距離が、λ／４となるように形成されている。これによって、屈曲振動部５ａ、５ｂの端部における、音高反射効果が高められ、振動の閉じ込め性の効果が上昇する。
【００８１】
（３．保持ユニット１１１、１１２）
本実施形態では、共振子１０は、２対の保持ユニット１１１、１１２を有している。保持ユニット１１１、１１２はいずれも保持ユニット１１１、１１２に直交する方向に突出している振動緩衝部４ａ、４ｂを有している。振動緩衝部４ａ、４ｂは、それぞれ互いに対向する２対の腕４１、４２から形成される。腕４１（１対の第１腕の一例である。）は、振動部１２０の長辺と略平行な方向に延びている。腕４２（１対の第２腕の一例である。）は、腕４１と略垂直な方向に設けられ、その両端で、腕４１のそれぞれの両端と接続している。
【００８２】
本実施形態では、保持ユニット１１１、１１２が振動緩衝部４ａ、４ｂを有することにより、屈曲振動部５ａ、５ｂへの振動の伝搬を抑えることができ、振動部１２０から伝搬してきた輪郭振動の高調波の振動を、効率的に閉じ込めることができる。
その他の保持ユニット１１１、１１２の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
【００８３】
（４．バスバーＢ１２１ａ、Ｂ１２１ｂ、Ｂ１２２）
バスバーＢ１２１ａは、第２の実施形態におけるバスバーＢ１２１と同等の構成を有している。また、バスバーＢ１２２は、第２の実施形態におけるバスバーＢ１２２と同等の構成を有している。
【００８４】
バスバーＢ１２１ｂは、上部電極１２４に対向して、振動部１２０における枠体１１ｃ側の端部に設けられている。バスバーＢ１２１ｂは、上部電極１２３における上部電極１２４と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）と、上部電極１２５における上部電極１２４と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）とに接続される。
【００８５】
（５．配線Ｗ１２１ｃ、Ｗ１２１ｄ、Ｗ１２２ｃ、Ｗ１２２ｄ）
配線Ｗ１２１ｃは、バスバーＢ１２１ａの中央付近に接続される。配線Ｗ１２１ｃは、バスバーＢ１２１ａとの接続箇所からバスバーＢ１２１ａに対して略垂直に延び、振動緩衝部４ａ上における、腕４１（振動部１２０側）の中央付近において二股に分岐して、腕４１に沿って延びている。二股に分岐した配線Ｗ１２１ｃは、腕４１と腕４２との接続箇所（振動部１２０側）において、腕４１と略垂直な方向に屈曲して腕４２に沿って、当該腕４２の上端（枠体１１ｃ側）まで延びている。
【００８６】
配線Ｗ１２１ｄは、バスバーＢ１２１ｂの中央付近に接続される。配線Ｗ１２１ｄのその他の構成・機能は、配線Ｗ１２１ｃの構成・機能と同様である。
【００８７】
配線Ｗ１２２ｃは、上部電極１２２における下側（枠体１１ｄ側）の短辺の中央付近に接続される。その他の配線Ｗ１２２ｃの構成・機能は、配線Ｗ１２１ａの構成・機能と同様である。
【００８８】
配線Ｗ１２２ｄは、上部電極１２４における下側（枠体１１ｄ側）の短辺の中央付近に接続される。その他の配線Ｗ１２２ｄの構成・機能は、配線Ｗ１２１ａの構成・機能と同様である。
【００８９】
（６．引き出し電極Ｗ１１１Ａ、Ｗ１１１Ｂ）
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１Ａは、枠体１１ｃから保持ユニット１１１へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１１Ａは、枠体１１ｃと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１１Ａは、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１１の振動緩衝部４ａにおける腕４１（枠体１１ｃ側）の両端まで延びている。
【００９０】
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１Ａは、振動緩衝部４ａにおける枠体１１ｃ側の腕４１の両端において、配線Ｗ１２１ｃに接続される。引き出し電極Ｗ１１１Ａと配線Ｗ１２１ｃとは、振動緩衝部４ａにおける枠体１１ｃ側の腕４１の両端に保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを介して接続される。
なお、引き出し電極Ｗ１１１Ｂの構成・機能は、引き出し電極Ｗ１１１Ａの構成・機能と同様である。
【００９１】
ビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを振動緩衝部４ａの両端に設けることにより、振動緩衝部４ａの両端の剛性や質量が増大する。この結果、振動緩衝部４ａにおいて、より効果的に保持ユニット１１１への振動の伝搬を抑えることが可能になり、振動部１２０から伝搬される輪郭振動の高調波の振動をより一層確実に閉じ込めることができる。
その他の引き出し電極Ｗ１１１Ａ、Ｗ１１１Ｂの構成・機能は第１の実施形態における引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能と同様である。
【００９２】
（５．引き出し電極Ｗ１１２Ａ、１１２Ｂ）
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２Ａは、枠体１１ｄから保持ユニット１１２へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１２Ａは、枠体１１ｄと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１２Ａは、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１２の振動緩衝部４ｂの両端まで延びている。
【００９３】
本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２Ａは、振動緩衝部４ｂにおける枠体１１ｄ側の腕４１の両端において、配線Ｗ１２２ｃに接続される。引き出し電極Ｗ１１２Ａと配線Ｗ１２２ｃとは、振動緩衝部４ｂにおける枠体１１ｄ側の腕４１の両端に保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを介して接続される。
なお、引き出し電極Ｗ１１２Ｂの構成・機能は、引き出し電極Ｗ１１２Ａの構成・機能と同様である。
【００９４】
ビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを振動緩衝部４ｂの両端に設けることにより、振動緩衝部４ｂの両端の剛性や質量が増大する。この結果、振動緩衝部４ｂにおいて、より効果的に保持ユニット１１２への振動の伝搬を抑えることが可能になり、振動部１２０から伝搬される輪郭振動の高調波の振動をより一層効率的に閉じ込めることができる。
その他の引き出し電極Ｗ１１２Ａ、Ｗ１１２Ｂの構成・機能は、第１の実施形態における引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能と同様である。
【００９５】
［第４の実施形態］
図８は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の各構成のうち、第１の実施形態との差異点について説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ、及び配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｎ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｎを備えている。
【００９６】
（１．振動部１２０）
本実施形態では、振動部１２０は、４つの上部電極１２１〜１２４を有している。また、調整膜２３６は、上部電極１２１〜１２４の四隅に対応する領域において露出するように形成され、保護膜２３５は、その他の領域において露出するように形成されている。なお、保護膜２３５は、上部電極１２１〜１２４を覆う領域のみに形成される構成でもよい。
【００９７】
さらに、振動部１２０の上部電極１２１〜１２４は、隣り合う電極同士が逆位相となるように電界が印加される。具体的には、上部電極１２１と上部電極１２３とには同位相の電界が印加され、上部電極１２２と上部電極１２４とには上部電極１２１，１２３とは逆位相の電界が印加される。下部電極１２９は、本実施形態では、フローティング状態になっている。
【００９８】
上部電極１２１と１２３とは保持ユニット１１１上に設けられた後述するバスバーＢ１２１ｍによって接続している。また、上部電極１２２と１２４とは保持ユニット１１２上に設けられたバスバーＢ１２２ｍによって接続している。
その他の振動部１２０の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
【００９９】
（２．保持部１１）
本実施形態における保持部１１の構成・機能は、第３の実施形態における保持部１１の構成・機能と同様である。
【０１００】
（３．保持ユニット１１１、１１２）
本実施形態では、保持ユニット１１１は、枠体１１ｃと振動部１２０とを接続する。
保持ユニット１１１は腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍ、及び１１１ｎを有している。
【０１０１】
腕１１１ｍは、振動部１２０と枠体１１ｃとの間の空間において、Ｘ軸方向に平行に、上部電極１２１〜１２４に亘って、振動部１２０の長辺に対向して設けられている。
腕１１１ｎは、振動緩衝部４を有している。腕１１１ｎは、Ｙ軸方向に平行に設けられ、腕１１１ｍと枠体１１ｃとを接続する。なお、振動緩衝部４の構成・機能については、第３の実施形態における振動緩衝部４ａ、４ｂと同様である。
【０１０２】
腕１１１ａ〜１１１ｄは、振動部１２０と枠体１１ｃとの間の空間において、Ｙ軸方向に平行に、振動部１２０の長辺に対向して設けられている。腕１１１ａは、下端が上部電極１２１の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍの一方の端部に接続している。腕１１１ｄは、下端が上部電極１２４の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍの他方の端部に接続している。また、腕１１１ｂは、下端が上部電極１２２の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍに接続している。腕１１１ｃは、下端が上部電極１２３の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍに接続している。
【０１０３】
腕１１１ｍ、腕１１１ｎ、腕１１１ａ〜１１１ｄは、いずれも、幅５μｍ程度の長辺の矩形の板である。本実施形態においては、保持ユニット１１１は、振動部１２０の電極の数と同じ数の腕を有しており、Ｘ軸方向において腕１１１ｎを中心に左右対称となる構成をしている。これによって、不要な振動モードが高次輪郭振動に結合することにより発生する振動障害を抑制することが可能になる。
【０１０４】
なお、保持ユニット１１２の構成・機能は、保持ユニット１１１の構成・機能と同様である。
【０１０５】
（４．バスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ）
バスバーＢ１２１ｍは、振動部１２０の長辺と枠体１１ｃとの間の空間に設けられている。具体的には、バスバーＢ１２１ｍは、腕１１１ｍの表面（腕１１１ｍにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、Ｘ軸方向に平行に、上部電極１２１〜１２４に亘って、振動部１２０の長辺と対向して延びている。なお、バスバーＢ１２２ｍの構成・機能は、バスバーＢ１２１ｍの構成・機能と同様である。
【０１０６】
このように、本実施形態に係る共振子１０は、振動部１２０に設けられた同位相の上部電極１２１、１２３を接続するバスバーＢ１２１ｍ、及び同位相の上部電極１２２、１２４を接続するバスバーＢ１２２ｍが、振動部１２０の外部に設けられる構成となっている。そのため、バスバーＢ１２１ｍと上部電極１２２との間、及びバスバーＢ１２２ｍと上部電極１２３との間に隙間ができるため、寄生容量の影響を低減することができる。また、振動部１２０上にバスバーを設ける必要がなくなるため、振動部１２０の端部まで上部電極１２２、１２３を設けることが可能となる。
【０１０７】
さらに、バスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍが保持ユニット１１１、１１２上に設けられていることにより、保持ユニット１１１、１１２と保持部１１との接続点である腕（本実施形態における腕１１１ｎ、１１２ｎ）の数を減らすことができ、振動部１２０の振動の減衰を低減できる。
【０１０８】
（５．配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｎ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｎ）
配線Ｗ１２１ｅは、腕１１１ａの表面（腕１１１ａにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２１を腕１１１ａ上に引き出し、バスバーＢ１２１ｍに接続させる。配線Ｗ１２１ｆは、腕１１１ｃの表面（腕１１１ｃにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２１の電界と同位相の電界が印加される上部電極１２３を腕１１１ｃ上に引き出し、バスバーＢ１２１ｍに接続させる。
【０１０９】
配線Ｗ１２１ｎは、バスバーＢ１２１ｍに接続される。配線Ｗ１２１ｎは、バスバーＢ１２１、との接続箇所からバスバーＢ１２１ｍに対して略垂直に延び、振動緩衝部４上における、腕４１（振動部１２０側）の中央付近において二股に分岐して、腕４１に沿って延びている。二股に分岐した配線Ｗ１２１ｎは、腕４１と腕４２との接続箇所（振動部１２０側）において、腕４１と略垂直な方向に屈曲して腕４２に沿って、当該腕４２の上端（枠体１１ｃ側）まで延びている。
【０１１０】
配線Ｗ１２２ｅは、腕１１２ａの表面（腕１１２ａにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２２を腕１１２ｂ上に引き出し、バスバーＢ１２２ｍに接続させる。配線Ｗ１２２ｆは、腕１１２ｄの表面（腕１１２ｄにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２２の電界と同位相の電界が印加される上部電極１２４を腕１１２ｄ上に引き出し、バスバーＢ１２２ｍに接続させる。
【０１１１】
配線Ｗ１２２ｎは、バスバーＢ１２２ｍに接続される。その他の配線Ｗ１２２ｎの構成・機能は、配線Ｗ１２１ｎの構成・機能と同様である。
【０１１２】
（６．引き出し電極Ｗ１１１）
本実施形態における引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能は、第３の実施形態における引き出し電極Ｗ１１１Ａの構成・機能と同様である。
【０１１３】
（７．引き出し電極Ｗ１１２）
本実施形態における引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能は、第３の実施形態における引き出し電極Ｗ１１２Ａの構成・機能と同様である。
【０１１４】
［第５の実施形態］
図９は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の各構成のうち、第１の実施形態との差異点について説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ、及び配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｋ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｋを備えている。
【０１１５】
（１．振動部１２０）
本実施形態における振動部１２０の構成・機能は、第４の実施形態における振動部１２０の構成・機能と同様である。
【０１１６】
（２．保持部１１）
本実施形態における保持部１１の構成・機能は、第２実施形態における保持部１１の構成・機能と同様である。
【０１１７】
（３．保持ユニット１１１、１１２）
本実施形態では、保持ユニット１１１は、枠体１１ｃと振動部１２０とを接続する。
保持ユニット１１１は腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍ、１１１ｇ、１１１ｆ及びノード生成部１３０Ａを有している。
【０１１８】
ノード生成部１３０Ａは、振動部１２０における長辺（枠体１１ｃ側）と、保持部１１における枠体１１ｃとの間の領域に設けられる。ノード生成部１３０Ａは、腕１１１ｍの長辺と対向する辺１３１ａを有し、当該辺１３１ａにおいて、腕１１１ｆに接続されている。また、辺１３１ａは、腕１１１ｍの長辺に対して一定間隔で、略平行に設けられる。ノード生成部１３０Ａは、腕１１１ｆによって腕１１１ｍに接続され、腕１１１ｇによって保持部１１に接続されている。
【０１１９】
ノード生成部１３０Ａは、Ｘ軸方向に沿った幅が、腕１１１ｆから腕１１１ｇへと向かうにつれて狭まる形状を有する。また、ノード生成部１３０Ａは、辺１３１ａの垂直二等分線に対して、線対称の形状を有する。ノード生成部１３０Ａは、Ｘ軸方向に沿った幅が最大となる箇所を、Ｙ軸方向における中心よりも腕１１１ｆ側に有している。本実施形態においては、ノード生成部１３０ＡのＸ軸方向に沿った幅は、辺１３１ａにおいて最大であり、腕１１１ｆから腕１１１ｇへと向かうにつれて、徐々に狭くなり、ノード生成部１３０Ａの頂点と腕１１１ｇとの接続箇所において、最も狭くなる。なお、ノード生成部１３０ＡのＸ軸方向に沿った幅は、連続的に狭まる必要はなく、例えば、段階的に狭まったり、一部に広がる部分を有していたりしても、全体として徐々に狭まっていればよい。また、ノード生成部１３０Ａの周縁は、滑らかな形状に限らず、凹凸を有しても良い。
【０１２０】
本実施形態において、ノード生成部１３０Ａは、辺１３１ａを直径とする半径３０μｍ程度の半円の形状をしている。この場合、ノード生成部１３０Ａの円弧を形成する円の中心は、辺１３１ａの中心に位置する。なお、ノード生成部１３０Ａの円弧を形成する円の中心は、腕１１１ｍの中心に位置しても良い。
【０１２１】
また、辺１３１ａは、直線形状に限らず円弧形状でもよい。この場合、腕１１１ｆは、辺１３１ａの頂点と接続される。さらにこの場合、辺１３１ａの円弧を形成する円の中心は、腕１１１ｆ側に位置しても良いし、腕１１１ｇ側に位置しても良い。辺１３１ａの長さは、腕１１１ｆのＸ軸方向に沿った幅よりも大きく、振動部１２０の長辺よりも小さいことが好ましい。
【０１２２】
本実施形態における腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍの構成・機能は、第４の実施形態における腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍの構成・機能と同様である。
【０１２３】
腕１１１ｆは、本実施形態において、略矩形の形状をしている。腕１１１ｆは、一端が腕１１１ｍの長辺における中央付近に接続されており、そこからノード生成部１３０Ａに向かって、腕１１１ｍの長辺に対して略垂直に延びている。腕１１１ｆの他端は、ノード生成部１３０Ａの辺１３１ａに接続している。本実施形態においては、腕１１１ｆのＸ軸方向に沿った幅は１０μｍ程度である。
【０１２４】
腕１１１ｇは、略矩形の形状をしている。腕１１１ｇは、一端がノード生成部１３０ＡにおけるＸ軸方向に沿った幅が最も狭まる箇所に接続されている。腕１１１ｇの他端は、保持部１１における、ノード生成部１３０Ａに対向する領域に接続している。腕１１１ｇのＸ軸方向に沿った幅は、腕１１１ｆの幅以下であることが好ましい。腕１１１ｇの幅を腕１１１ｆの幅よりも小さくすることで、ノード生成部１３０Ａから保持部１１へと振動が伝搬されることを抑制することができる。なお、本実施形態においては、腕１１１ｇのＸ軸方向に沿った幅は、腕１１１ｆの幅よりも小さく、５μｍ程度である。
【０１２５】
本実施形態における保持ユニット１１１のノード生成部１３０Ａは、Ｘ軸方向に沿った幅が、腕１１１ｆから腕１１１ｇへ向かうにつれて徐々に狭まっている構造である。このため、振動部１２０から伝搬される振動の伝搬状態が変化した場合であっても、ノード生成部１３０Ａには、振動による変位が大きい部位に隣接して変位が小さい部位が形成される。これによって、ノード生成部１３０Ａは、振動部１２０から漏えいした振動に対し、変位部位を調整して、ノード生成部１３０Ａ上に振動のノードを形成することができる。ノード生成部１３０Ａは、この形成されたノードにおいて、腕１１１ｇに接続されることによって、振動部１２０から保持部１１への振動の伝搬を抑制することができる。この結果、共振子１０のアンカーロスを低減させることができ、Ｑ値を向上させることができる。
【０１２６】
他方、本実施形態では、保持ユニット１１２は、枠体１１ｄと振動部１２０とを接続する。保持ユニット１１２は腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｍ、１１２ｇ、１１２ｆ及びノード生成部１３０Ｂを有している。
腕１１２ｆの構成・機能は、腕１１１ｆの構成・機能と同様であり、腕１１２ｇの構成・機能は腕１１１ｇの構成・機能と同様であり、さらに、ノード生成部１３０Ｂの構成・機能はノード生成部１３０Ｂの構成・機能と同様である。
【０１２７】
また、本実施形態におけるは腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｍの構成・機能は、第４の実施形態におけるは腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｍの構成・機能と同様である。
【０１２８】
（４．バスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ）
本実施形態におけるバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍの構成・機能は、第４の実施形態におけるバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍの構成・機能と同様である。
【０１２９】
（５．配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｋ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｋ）
本実施形態における配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆの構成・機能は、第４の実施形態における配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆの構成・機能と同様である。
【０１３０】
配線Ｗ１２１ｋは、バスバーＢ１２１ｍに接続され、そこからノード生成部１３０Ａの辺１３１ａにおける垂直二等分線に沿って、腕１１１ｆから腕１１１ｇに亘って形成される。なお、配線Ｗ１２２ｋの構成は、配線Ｗ１２１ｋの構成と同様である。
【０１３１】
（６．引き出し電極Ｗ１１１）
本実施形態における引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから当該枠体１１ｃに対して略垂直な方向に延び、そこから腕１１１ｇからノード生成部１３０Ａにおける辺１３１ａに亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、ノード生成部１３０Ａにおける、辺１３１ａと腕１１１ｆとの接続箇所付近において、配線Ｗ１２１ｋに接続される。引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ｋとは、辺１３１ａと腕１１１ｆとの接続箇所付近に、保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１を介して接続される。
【０１３２】
なお、引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから、ノード生成部１３０Ａと腕１１１ｇとの接続箇所付近に亘って形成される構成でもよい。この場合、引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ｋとは、ノード生成部１３０Ａと腕１１１ｇとの接続箇所付近に、保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１を介して接続される。
【０１３３】
また、引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから、腕１１１ｆと腕１１１ｍの接続箇所付近に亘って形成される構成でもよい。この場合、引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ｋとは、腕１１１ｆと腕１１１ｍの接続箇所付近に、保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａを介して接続される。
その他の引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
【０１３４】
（７．引き出し電極Ｗ１１２）
本実施形態における引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能は、本実施形態における引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能と同様である。
【０１３５】
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１３６】
１０                            共振子
１１                            保持部
１１ａ〜ｄ                      枠体
１１１                          保持ユニット
１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｎ      腕
１１２                            保持ユニット
１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｎ      腕
１２０                            振動部
１２１〜１２５                    上部電極
１２８                            圧電薄膜
１２９                            下部電極
１３０                            Ｓｉ基板
２３５                            保護膜
２３６                            調整膜
Ｂ１２１、Ｂ１２２                バスバー
Ｗ１１１、Ｗ１１２                引き出し電極
Ｖ１１１、Ｖ１１１ａ、Ｖ１１１ｂ  ビア
Ｖ１１２、Ｖ１１２ａ、Ｖ１１２ｂ  ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0006452081.tif 000007
【図７】
0006452081.tif 000008
【図８】
0006452081.tif 000009
【図９】
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