(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の載置面を有する多孔質セラミック体からなる載置部と、
前記載置部の外周面を囲んだ、前記外周面と対向する内周面を備える外壁部、および前記載置部の前記載置面と反対側の面と当接するベース面を有する緻密質セラミック体からなる支持部とを備え、
前記載置面に載置した対象体を前記載置部を介して真空吸着するための真空チャック部材であって、
前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って連続して前記外周面と直接当接する第１領域と、前記第１領域よりも前記ベース面に近い側に、前記内周面の周方向に沿って連続して配置された、前記外周面から離れている第２領域とを備えてなり、
前記外周面は、前記第２領域に対向する部分に、前記反対側の面に接続した傾斜面部を備え、
前記傾斜面部は前記反対側の面に近づくにつれて前記載置部の中心軸に近づくように傾斜していることを特徴とする真空チャック部材。
【請求項２】
平面状の載置面を有する多孔質セラミック体からなる載置部と、
前記載置部の外周面を囲んだ、前記外周面と対向する内周面を備える外壁部、および前記載置部の前記載置面と反対側の面と当接するベース面を有する緻密質セラミック体からなる支持部とを備え、
前記載置面に載置した対象体を前記載置部を介して真空吸着するための真空チャック部材であって、
前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って連続して前記外周面と直接当接する第１領域と、前記第１領域よりも前記ベース面に近い側に、前記内周面の周方向に沿って連続して配置された、前記外周面から離れている第２領域とを備えてなり、
前記載置部は、前記支持部と当接する前記外周面の近傍における密度が、前記載置面の重心位置近傍の密度に比べて大きいことを特徴とする真空チャック部材。
【請求項３】
前記第１領域は、前記内周面の周方向に沿って連続して前記載置面の周縁線と直接当接することを特徴とする請求項１または２記載の真空チャック部材。
【請求項４】
前記第２領域の前記厚さ方向に沿った長さに比べて、前記第１領域の前記厚さ方向に沿った長さの方が大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の真空チャック部材。
【請求項５】
前記内周面の前記第２領域は、前記ベース面に接続した曲面部を備え、
前記曲面部は前記ベース面に近づくにつれて前記載置部の中心軸に近づくように曲がっていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の真空チャック部材。
【請求項６】
平面状の載置面を有する多孔質セラミック体からなる載置部と、
前記載置部の外周面を囲んだ、前記外周面と対向する内周面を備える外壁部、および前記載置部の前記載置面と反対側の面と当接するベース面を有する緻密質セラミック体からなる支持部とを備え、
前記載置面に載置した対象体を前記載置部を介して真空吸着するための真空チャック部材であって、
前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って連続して前記外周面と直接当接する第１領域と、前記第１領域よりも前記ベース面に近い側に配置された、前記外周面から離れて前記外周面に対向する第２領域とを備える真空チャック部材の製造方法であって、
前記内周面または前記外周面の少なくともいずれか一方の前記ベース面に近い側に凹状部を形成する工程と、
前記支持部を加熱して熱膨張させる工程と、
熱膨張した状態の前記支持部の、前記内周面と前記ベース面とで囲まれた領域に、前記支持部よりも低温度の前記載置部を配置する工程と、
前記支持部の温度を降温させて前記支持部と前記載置部の温度を均一化させることで前記支持部の膨張を緩和させて、前記凹状部に対応する部分で前記内周面と前記外周面とが離れるとともに、前記凹状部に対応する部分以外の部分で前記内周面と前記外周面とが直接当接している真空チャック部材を得る工程とを有することを特徴とする真空チャック部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空チャック部材および真空チャック部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造装置等で用いる、半導体ウエハを固定する治具として、緻密質セラミック体からなる支持部の凹部に半導体ウエハを載置する載置部が設けられた真空チャック部材がある（例えば、特許文献１参照）。この載置部は、例えば多孔質セラミック体を主成分とし、この載置部を介して半導体ウエハを吸引することにより、載置部上に半導体ウエハを吸着させて固定することができる。このような真空チャック部材は、例えば緻密質セラミック体からなる支持部の凹部にガラスペーストを塗布し、その後に予め作製した多孔質体からなる載置部を凹部にはめ込み、ガラスペーストを溶融させた後に冷却して固化したガラス層を接合層として、緻密質セラミック体からなる支持部と多孔質体からなる載置部とが接合されて形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２０５７８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来の真空チャック部材では、ガラスペーストを一旦溶融させるので、溶融したガラスペーストの厚さ分布等を高精度に制御することが難しい。例えば半導体製造装置では、半導体ウエハの位置をナノメートル（ｎｍ）レベルの精度で制御することが求められており、半導体ウエハを載置する載置部の形状精度も高い精度が求められている。固化したガラスペーストからなる接合層に厚さ分布が存在したり、局所的な凹凸が存在する場合は、この接合層を介して載置部にかかる圧力に大きさの分布が生じたり、局所的に強い力がかかる場合がある。この場合、載置部にかかる力の分布が大きくなったり、局所的に大きな力がかかり、載置部の変形の大きさの分布が大きくなったり、局所的に大きく変形し、載置部の形状精度の制御が難しくなる場合がある。このような変形の大きさの分布に起因して載置部の形状が制御し難い場合、載置部に吸着した半導体ウエハの表面の位置精度を例えばナノメートルレベルの高精度に制御することが難しいといった課題があった。
【０００５】
また、例えば半導体製造装置では、載置部ひいては載置部に載置した半導体ウエハの温度や温度分布を高精度に制御する必要があるが、厚さ分布等を正確に把握することができない接合層が支持部と載置部との間に介在することで、載置部ひいては載置部に載置した半導体ウエハの温度や温度分布を高精度に制御することが難しいといった課題もあった。
【０００６】
また、真空チャック部材は、繰り返し使用することで、多孔質体からなる載置部の孔が目詰りする場合も多い。しかし従来の真空チャック部材は、ガラスペースト等からなる接合層によって支持部に載置部が強固に接合されており、多孔質体からなる載置部を取り外して充分に洗浄することが難しかった。結果、真空チャック部材を継続的に使用した場合、載置部の孔の目詰りによって真空チャック部材の吸着力（ウエハの保持力）が徐々に低下していっても、吸着力が低下していく真空チャック部材を使い続ける必要があるといった問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の一実施形態は、平面状の載置面を有する多孔質セラミック体からなる載置部と、前記載置部の外周面を囲んだ、前記外周面と対向する内周面を備える外壁部、および前記載置部の前記載置面と反対側の面と当接するベース面を有する緻密質セラミック体からなる支持部とを備え、前記載置面に載置した対象体を前記載置部を介して真空吸着するための真空チャック部材であって、前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って連続して前記外周面と直接当接する第１領域と、前記第１領域よりも前記ベース面に近い側に、前記内周面の周方向に沿って連続して配置された、前記外周面から離れている第２領域とを備えてなり、前記外周面は、前記第２領域に対向する部分に、前記反対側の面に接続した傾斜面部を備え、前記傾斜面部は前記反対側の面に近づくにつれて前記載置部の中心軸に近づくように傾斜していることを特徴とする真空チャック部材を提供する。
また、本発明の他の実施形態は、平面状の載置面を有する多孔質セラミック体からなる載置部と、前記載置部の外周面を囲んだ、前記外周面と対向する内周面を備える外壁部、および前記載置部の前記載置面と反対側の面と当接するベース面を有する緻密質セラミック体からなる支持部とを備え、前記載置面に載置した対象体を前記載置部を介して真空吸着するための真空チャック部材であって、前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って連続して前記外周面と直接当接する第１領域と、前記第１領域よりも前記ベース面に近い側に、前記内周面の周方向に沿って連続して配置された、前記外周面から離れている第２領域とを備えてなり、前記載置部は、前記支持部と当接する前記外周面の近傍における密度が、前記載置面の重心位置近傍の密度に比べて大きいことを特徴とする真空チャック部材
を提供する。
【０００８】
また、平面状の載置面を有する多孔質セラミック体からなる載置部と、前記載置部の外周面を囲んだ、前記外周面と対向する内周面を備える外壁部、および前記載置部の前記載置面と反対側の面と当接するベース面を有する緻密質セラミック体からなる支持部とを備え、前記載置面に載置した対象体を前記載置部を介して真空吸着するための真空チャック部材であって、前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って連続して前記外周面と直接当接する第１領域と、前記第１領域よりも前記ベース面に近い側に配置された、前記外周面から離れて前記外周面に対向する第２領域とを備える真空チャック部材の製造方法であって、前記内周面または前記外周面の少なくともいずれか一方の前記ベース面に近い側に凹状部を形成する工程と、前記支持部を加熱して熱膨張させる工程と、熱膨張した状態の前記支持部の、前記内周面と前記ベース面とで囲まれた領域に、前記支持部よりも低温度の前記載置部を配置する工程と、前記支持部の温度を降温させて前記支持部と前記載置部の温度を均一化させることで前記支持部の膨張を緩和させて、前記凹状部に対応する部分で前記内周面と前記外周面とが離れるとともに、前記凹状部に対応する部分以外の部分で前記内周面と前記外周面とが直接当接している真空チャック部材を得る工程とを有することを特徴とする真空チャック部材の製造方法を併せて提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の真空チャック部材によれば、載置部の載置面の変形を抑制し、載置部に吸着した半導体ウエハの表面の位置精度を比較的高精度に制御することができる。また、本発明の真空チャック部材の製造方法によれば、真空チャック部材から載置部を比較的容易に取り外して洗浄することができ、載置部の孔の目詰りによる吸着力の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る真空チャック部材を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１の真空チャック部材を示す上面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図２（ｂ）のＢ部の拡大図である。
【図４】図１の真空チャック部材に対象体を吸着させた状態を示す断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の真空チャック部材の他の実施形態について説明する概略断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、図１の真空チャック用部材の製造方法を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の真空チャック部材の一実施形態である真空チャック部材１の概略斜視図であり、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、図３は図２（ｂ）のＢ部の拡大図である。また図４は、図１の真空チャック部材に対象体Ｗを吸着させた状態を示す断面図である。真空チャック部材１は、平面状の載置面２αを有する多孔質セラミック体２（以降、載置部２ともいう）と、載置部２の外周面２ａを囲んだ、外周面２ａと対向する内周面４ａを備える外壁部４１、および載置部２の載置面２αと反対側の面２β（下面２βともいう）と当接するベース面４αを有する緻密質セラミック体４（以降、支持部４ともいう）とを備えている。
【００１２】
支持部４は、中央に円形の凹部を備え、例えば、外壁部４１の外径が８５〜１００ｍｍ、厚さが２０〜６０ｍｍである略円板状の枠体である。載置部２は、例えば、直径が７０〜９０ｍｍ、厚さが１０〜２０ｍｍの円板状体である。
【００１３】
支持部４は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、炭窒化珪素（ＳｉＣｘＮｙ（ｘおよびｙは、それぞれ０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜４／３の範囲で、４ｘ＋３ｙ＝４を満たす数値である。））、酸化珪素（ＳｉＯ２）、サイアロン（Ｓｉ６−ＺＡｌＺＯＺＮ８−Ｚ（ｚは０．１≦ｚ≦１を満たす数値である。））等の緻密質セラミック体からなる。これら組成は定比であっても不定比であってもよい。支持部４の気孔率は、５体積％以下、特に、０．１体積％以下が好ましい。
【００１４】
支持部４には、複数の吸引孔６が設けられている。吸引孔６の開口はベース面４αに設けられている。吸引孔６から空気を吸引すると、載置部２の内部の空気が吸引されて、載置部２の載置面２αに載置された対象体Ｗが、載置面２αに吸着される。支持部材４にはまた、純水などの液体や気体などの冷却用流体が流れる流路９が設けられている。流路９は真空チャック部材１の温度ひいては載置面２αに載置させた対象体Ｗの温度を制御するものである。この流路９は、図示しない流体供給手段と図示しない流体回収手段とに接続している。真空チャック部材１は、対象体Ｗの温度制御の自由度と精度とを上げる観点で流路９を備えておくことが好ましいが、流路９を必ずしも備えている必要はない。
【００１５】
なお、支持部４の下方には、真空チャック部材１を支持して固定するための固定ベース（不図示）が備えられる。支持部４と固定ベース（不図示）とは、例えば、円周方向に沿って等間隔に設置された取り付け穴７に挿入されたボルト等を介して連結、固定される。
【００１６】
載置部２は、支持部４を構成する成分を主成分とする多孔質セラミック体からなり、図示しない複数の連通孔を備えている。これら組成は定比であっても不定比であってもよい。載置部２の気孔率は２５〜５０体積％の範囲内であることが好ましい。気孔率がこの範囲であると、機械的強度および熱伝導率を維持することができるとともに、圧力損失の増加を抑制することができる。支持部４および載置部２のそれぞれの気孔率は、アルキメデス法に準拠して求めることができる。
【００１７】
また、載置部２の平均気孔径は、２０〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。平均気孔径がこの範囲であると、低い圧力損失を維持することができるとともに、対象体Ｗの表面の平面度を小さくすることができる。載置部２の平均気孔径は、ＪＩＳ  Ｒ  １６５５−２００３に準拠した水銀圧入法により求めることができる。
【００１８】
真空チャック部材１では、後述するように、例えば載置部２の外周面２ａが内周面４ａの第１領域４１ａによって押圧されるような力を受けた状態で、載置部２が支持部４に固定（支持）されている。
【００１９】
真空チャック部材１は、図３に示すように、載置部２の載置面２αに載置した対象体Ｗを載置部２を介して真空吸着するための部材であって、緻密質セラミック体４の内周面４ａは、内周面４ａの周方向に沿って連続して外周面２ａと直接当接する第１領域４１ａと、第１領域４１ａよりもベース面４αに近い側に内周面２ａの周方向に沿って連続して(
ｏｒ第１領域４１ａに沿って)配置された、載置部２の外周面２ａから離れている第２領
域４２ａとを備えている。
【００２０】
真空チャック部材１では、第１領域４１ａが内周面４ａの周方向に沿って連続して外周面２ａと直接当接しており、第１領域４１ａと外周面２ａとの間に例えばガラスペースト等の接合部材が存在していない。すなわち、載置部２にかかる圧力の大きさの分布の原因となる接合層の厚さのばらつきがない。このため、制御できない圧力分布や局所的な圧力に起因した、載置部２の変形等が抑制されている。
【００２１】
さらに真空チャック部材１は、第１領域４１ａよりもベース面４αに近い側に配置された、外周面２ａから離れて外周面２ａに対向する第２領域４２ａとを備えている。この第２領域４２ａに対応する部分では、第２領域４２ａから載置部２に対して圧力がかかることがない。第２領域４２ａは、内周面４ａまたは外周面２ａの少なくともいずれか一方のベース面４αに近い側に凹状部を設けることで形成すればよい。凹状部は、図に示しているような内周面４ａまたは外周面２ａに部分的に設けられた段差をもった凹部であってもよいし、内周面４ａや外周面２ａのベース面４α側に設けられた面取り部であってもよい。なお面取り部は、直線状のいわゆるＣ面でもよいし、曲面（Ｒ面）であってもよい。凹状部の形状については特に限定されない。真空チャック部材２では、内周面４ａに凹部を有するとともに、外周面２ａにも面取り部（傾斜面部２２ａ）を有している。
【００２２】
真空チャック部材１のように、支持部４の内周面２ａに凹部を有し、この凹部が第２領域４２ａに対応する場合は、この第２領域４２ａに対応する部分に、載置部２の一部をはみ出させて配置することができる。例えば載置部２が内周面４ａの第１領域４１ａから強い圧力を受けた場合、この圧力に応じて載置部２が変形しようとするが、真空チャック部材１では、第２領域４２ａに対応する部分が部分的にはみ出すように変形し易い。すなわち真空チャック部材１では、第１領域４１ａから載置部２に強い圧力がかかる状態でも、この圧力は、載置部２の第２領域４２ａに対応する領域の変形によって解放され易いので、第２領域４２ａに対応する部分以外の部分の余分な変形が抑制される。特に、載置部２の載置面２αにおける変形を抑制することで、載置部２の載置面２αの平面度を良好に保って、載置部２に吸着した対象体Ｗの表面の位置精度を高精度に制御することができる。真空チャック部材１では、第２領域４２ａと外周面２ａとの間隔Ｌは、例えば、０．０８ｍｍ以上０．３２ｍｍ以下である。
【００２３】
また、真空チャック部材１は、第１領域４１ａが内周面４ａの周方向に沿って連続して載置面２αの周縁線２１ａと直接当接している。すなわち、載置面２αの周縁線２１ａが内周面４ａと当接しており、載置面２αと内周面４ａとは隙間（間隙）なく当接している。このような構成であると、パーティクル等が載置面２αの周縁線２１ａと第１領域４１ａとの間に侵入し難く、侵入したパーティクルの一部が突出することで生じる局所的な凸部や、侵入したパーティクル部分に支持部４からの圧力が集中することで発生する載置部２への局所的な応力集中が抑制されるので、対象体Ｗを載置面２ａに精度よく吸着することができる。
【００２４】
また真空チャック部材１は、ベース面４αから載置面２αに向かう厚さ方向において、第２領域４２ａの厚さ方向に沿った長さに比べて、第１領域４１ａの厚さ方向に沿った長さの方が大きい。このような構成であると、載置部２の外周面２ａに対する内周面４ａによる押圧力が比較的強い。このため、接着剤などの接合層を介して接合していなくても、載置部２を支持部４で比較的強固に支持することができる。
【００２５】
また真空チャック部材１では、真空チャック部材１の載置部２の外周面２ａが、第２領域４２ａに対向する部分に、下面２βに接続した傾斜面部２２ａを備え、傾斜面部２２ａは下面２βに近づくにつれて載置部２の中心軸ＣＬに近づくように傾斜している。言い換えれば、載置部２のベース面の外縁部（ベース面と外周面との角部）は面取り部を有して
いる。面取り部はベース面に垂直な断面視で直線状の、いわゆるＣ面でもよいし、同じ断面視で曲線状の曲面（Ｒ面）であってもよい。なお、載置部２の中心軸ＣＬとは、載置面２αの重心位置を通る、載置面２αに垂直な仮想直線である。
【００２６】
図３に示す実施形態の真空チャック部材１の場合、傾斜面部２２ａと支持部４（より詳しくは内周面４ａの第２領域４２ａとが離れ、載置部２の角に対応する領域（内周面４ａとベース面４αとが接続する部分の近傍の領域）に空間を形成することができる。例えば図５（ｂ）に示す実施形態では、載置部２の角部に対応する領域が、内周面４ａの第１領域４１ａに平行な面とベース面４αに平行な面とが接続した稜線を有する角状であり、この稜線を有する角状部には応力等が集中し易く、角状部が破損し易い。図３に示す真空チャック部材１では、載置部２の角に対応する領域（内周面４ａとベース面４αとが接続する部分の近傍の領域）に空間を形成しているので、圧力が局所的に集中し難く、載置部２や支持部４の破損が抑制されている。これにより真空チャック部材１では、載置面２αの平面度を良好に保って、載置部に吸着した対象体Ｗの表面の位置精度を高精度に制御することができる。
【００２７】
また真空チャック部材１では、内周面４ａの第２領域４２ａは、ベース面４αに接続した曲面部４２ｂを備え、曲面部４２ｂはベース面４に近づくにつれて載置部２の中心軸に近づくように曲がっている。いいかえれば、内周面４ａとベース面４αとの接続部分の角部は凹曲面となっている。このように内周面４ａとベース面４αとの接続部分が曲面状であることで、支持部４における応力の集中も抑制され、支持部４の破損も抑制されている。ここで、曲面部４２ｂの曲率半径は、例えば１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。
【００２８】
また、載置部２は支持部４と当接する外周面２ａの近傍における密度が、載置面２αの重心位置近傍Ｇの密度に比べて大きい。これは、例えば載置部２の外周面２ａが内周面４ａによって押圧されることで、載置部２の外周面２ａの近傍のセラミック粒子同士の距離が近づくことで起きる。外周面２ａ近傍における密度が、載置面２αの重心位置（中心軸ＣＬが通過する部分）近傍の密度に比べて大きいことで、衝撃等が加わりやすい外周面２ａ近傍の機械的強度が強くなり、この外周面２ａ近傍からのパーティクル脱落等が抑制されている。
【００２９】
図５（ａ）および（ｂ）は、本発明の真空チャック部材の他の実施形態の拡大断面図である。本発明では、図５（ａ）のように、支持部４の内周面４ａに凹状部を設けずに、載置部２のベース面の外縁部のみに面取り部（図５（ａ）では傾斜面部２２ａ）を設け、内周面４の面取り部に対向する領域を、外周面２ａから離れている第２領域としてもよい。また逆に、載置部２に面取り部を設けずに、支持部４の内周面４ａのみに凹状部を設け、この凹状部に対応する部分を第２領域としてもよい。
【００３０】
本実施形態の真空チャック部材１では、載置面２αに載置した対象体Ｗの表面位置の精度を高精度に制御することができる。また、ガラスペースト等の接合層やこの接合層の厚さ分布等が存在していないので、載置面２αに載置した対象体Ｗの温度分布を高精度に制御することもできる。
【００３１】
次に、本発明の真空チャック部材の製造方法の一実施形態について、真空チャック部材１の製造方法を例として説明する。
【００３２】
本実施形態の真空チャック部材の製造方法は、内周面４ａまたは外周面２ａの少なくともいずれか一方のベース面４αに近い側に凹状部を形成する工程と、支持部４を加熱して熱膨張させる工程と、熱膨張した状態の支持部４の内周面４ａとベース面４ａとで囲まれた領域に、支持部４よりも低温度の載置部２を配置する工程と、支持部４の温度を降温さ
せて支持部４と載置部２の温度を均一化させることで支持部４の膨張を緩和させて、凹状部または面取り部の少なくともいずれか一方に対応する部分で内周面４ａと外周面２ａとが離れるとともに、対応する部分以外の部分で内周面４ａと外周面２ａとが直接当接している真空チャック部材を得る工程とを有する。
【００３３】
図６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の真空チャック部材の製造方法の一実施形態について説明する概略断面図である。まず、図６（ａ）に示すように、緻密質セラミック体４（支持部４）と多孔質セラミック体２（載置部２）とを準備する。この際、内周面４ａまたは外周面２ａの少なくともいずれか一方のベース面４αに近い側に凹状部を形成しておく。本実施形態では、支持部４の内周面４ａのベース面４αに近い側に凹部を形成するとともに、外周面２ａのベース面４αの外縁部に面取り部を形成する。これら凹部や面取り部の形成手法は特に限定されず、例えば生成形体の加圧成形によって形成してもよいし、生成形体を研削して形成してもよいし、焼成後の焼成体に研削加工等を施して形成してもよい。支持部４には、予め吸引孔６が設けられている。吸引孔６の開口はベース面４αに設けられている。なお、図６（ｂ）以降の図では、吸引孔６の符号を省略する。吸引孔６には、この時点で、高温になると蒸発する有機物が充填されている。この有機物は、後述する熱処理時に蒸発し、その結果、吸引孔６が空洞になる。
【００３４】
次に、図６（ｂ）に示すように、支持部４を加熱炉等に導入して支持部４を昇温させて支持部４を熱膨張させる。例えば、支持部４を加熱して１００℃〜２００℃程度まで昇温させる。この加熱によって支持部４は熱膨張し、内周面４ａの直径は加熱前に比べて大きくなる。
【００３５】
次に、図６（ｃ）に示すように、熱膨張した状態の支持部４を加熱炉から取り出し、内周面４ａとベース面４αとで囲まれた領域に、支持部４よりも低温度の載置部２を配置する。載置部２の外径２ａの直径の大きさは、支持部４が熱膨張した状態では、支持４の内周面４ａの直径の大きさよりも小さくなるように設定されている。
【００３６】
次に、支持部４の温度を降温させて支持部４と載置部２の温度を均一化させることで支持部４の膨張を緩和させる。この降温させる処理は、特に冷却装置等を用いずに、例えば室温環境下に置いておくだけでもよい。この結果、図６（ｄ）に示すように、内周面４ａの直径は降温前に比べて小さくなり、内周面４ａと外周面２ａとが当接し、さらに外周面２ａによって内周面４ａが締め付けられるように、外周面２ａから内周面４ａに圧力がかかって物理的に強固に締結される。このように外周面２ａから内周面４ａに圧力がかかると、載置部２はその圧力によって変形しようとするが、真空チャック部材１では、第２領域４２ａに対応する部分が部分的にはみ出すように変形することでこの圧力が解放され易いので、第２領域４２ａに対応する部分以外の部分の余分な変形が抑制される。
【００３７】
この後、載置面２αが所定の平面度となるように、研磨加工する。研磨の際に用いる砥石は、例えばダイヤモンド砥石でダイヤモンドの粒径の番手は、例えば＃２３０（粒径６８μｍ）である。研磨しろは、０．５〜２ｍｍ程度である。研磨によって、図５（ｅ）に示すように、支持部４の上面と載置部２の載置面２αは面一になる。このような工程を経て、真空チャック部材１を製造することができる。
【００３８】
上述した各実施形態の製造方法で製造した真空チャック部材は、ガラスペースト等の接合層を用いずに支持部４と載置部２とが接合されているので、例えば支持部４を集中的に加熱して載置部２に比べて支持部４の温度を高くし、内周面４ａの直径を選択的に大きくすることで、載置部２を支持部４から比較的容易に取外すことができる。このような製造方法で製造された真空チャック部材１は、載置面２αを有する多孔質セラミック体２（載置部２）のみを取り外して洗浄することができるので、比較的長期間にわたって高い吸着
力を維持したまま真空チャック部材１を継続して使用することができる。
【００３９】
また真空チャック部材１では、載置部２を洗浄した後、昇温および降温によって、載置部２を支持部４に取り付けた際、洗浄後の残留パーティクルや脱粒した粒子などは、第２領域４２ａに配置されることで、残留パーティクルや脱粒した粒子などによって載置部２に局所的に余分な圧力がかかることが抑制されている。
【００４０】
以上、本発明の実施形態および実施例について説明したが、本発明は上述の実施形態や実施例に限定されるものでない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行なってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００４１】
１  真空チャック部材
２  多孔質セラミック体（載置部）
２α  載置面
２β  反対側の面（下面）
２ａ  外周面
４  緻密質セラミック体（支持部）
４ａ  内周面
４α  ベース面
４１  外壁部
２２  傾斜面部
４１ａ  第１領域
４２ａ  第２領域
４２ｂ  曲面部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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