(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、
前記本体から延出し、第１の上端を有する複数のバールと、
第２の上端を有する複数の支持ピンと、を備えた、基板を支持する基板テーブルであって、
前記第１の上端は、前記基板を支持する支持面を画定し、
前記複数の支持ピンは、前記第２の上端が前記支持面より下に配置される収縮位置と、前記第２の上端が前記支持面より上に伸長する伸長位置の間を移動可能であり、
前記複数の支持ピンは、前記基板を前記伸長位置において支持し、
前記複数の支持ピンは、第１の剛性モード及び第２の剛性モードに切り替えられ、
前記複数の支持ピンは、前記第１の剛性モードにおいて、前記支持面に平行な方向の第１の剛性を有し、
前記複数の支持ピンは、前記第２の剛性モードにおいて、前記支持面に平行な方向の第２の剛性を有し、
前記第１の剛性は前記第２の剛性より大きく、
前記複数の支持ピンは、前記基板を前記基板テーブル上にロードするときは前記第１の剛性モードにあり、前記基板を前記基板テーブルからアンロードするときは前記第２の剛性モードにある、
基板テーブル。
【請求項２】
前記複数の支持ピンは、前記支持面に平行な方向の前記第１の剛性を有する複数の支持ピンの第１のサブセットと、前記支持面に平行な方向の前記第２の剛性を有する複数の支持ピンの第２のサブセットとを含む、請求項１に記載の基板テーブル。
【請求項３】
前記基板テーブルは、前記基板を前記複数のバール上にロードするときに、前記複数の支持ピンの第２のサブセットが前記収縮位置にある状態で、前記複数の支持ピンの第１のサブセットを前記伸長位置に移動させ、前記基板テーブルは、前記基板を前記複数のバールからアンロードするときに、前記複数の支持ピンの第１のサブセットが前記収縮位置にある状態で、前記複数の支持ピンの第２のサブセットを前記伸長位置に移動させる、請求項２に記載の基板テーブル。
【請求項４】
前記複数の支持ピンの少なくとも１つは、前記第１の剛性モードと前記第２の剛性モードを切り替えるピエゾ素子を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板テーブル。
【請求項５】
前記第１の上端と、前記第１の上端に支持される前記基板との摩擦は、前記複数の支持ピンの前記第２の上端と、前記第２の上端に支持される前記基板との摩擦よりも大きい、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板テーブル。
【請求項６】
第３の上端を有するローディングピンを備え、
前記ローディングピンは、前記第３の上端が前記支持面より下にある別の収縮位置と、前記第３の上端が前記支持面より上に伸長する別の伸長位置の間を移動可能であり、
前記支持面は、基板の中心を受ける中心を有し、
前記ローディングピンは、前記基板を前記別の伸長位置において支持し、
前記ローディングピンは、前記支持面の１本の線に沿って、前記複数の支持ピンより前記中心に近い、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板テーブル。
【請求項７】
前記第３の上端と、前記第３の上端に支持される前記基板との摩擦は、前記第２の上端と、前記第２の上端に支持される前記基板との摩擦よりも大きい、請求項６に記載の基板テーブル。
【請求項８】
前記ローディングピンの１つに隣接配置された複数の追加の支持ピンを備える、請求項６又は７に記載の基板テーブル。
【請求項９】
前記ローディングピンの剛性は、前記第１の剛性及び前記第２の剛性より大きい、請求項６から８のいずれか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１０】
前記複数の支持ピンは、前記本体に取り付けられたキャリアデバイス上に配置される、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１１】
前記複数のバールの剛性は、前記第１の剛性及び前記第２の剛性より大きい、請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１２】
前記複数の支持ピンは、前記基板を前記基板のエッジ付近又は前記基板のエッジにおいて支持する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１３】
放射ビームを調節する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与して、パターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体と、
請求項１から１２のいずれか一項に記載の前記基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えたリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記複数の支持ピンは、前記パターン付き放射ビームの前記基板のターゲット部分への投影中に前記基板を支持する、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１５年１０月９日出願の欧州特許出願第１５１８９１７７．７号及び２０１６年３月１７日出願の欧州特許出願第１６１６０９９２．０号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、基板テーブル及びリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
リソグラフィ装置の既知の実施形態では、基板は、基板の底部側で基板を保持するロボットによって基板テーブルの支持面上にロードされる。実質的に水平の支持面上への基板のローディングを可能にするために、ｅピンとも呼ばれる３つのローディングピンが基板テーブルに設けられる。ローディングピンは、ローディングピンの上端が基板テーブルより上に伸長する伸長位置と、ローディングピンの上端が基板テーブル内に収縮された収縮位置の間を移動可能である。    
【０００５】
基板の基板テーブルへのローディング中、ロボットは伸長位置にある３つのローディングピン上に基板をロードする。基板は支持面より上に伸長するローディングピンで受けられるため、基板をローディングピン上に残してロボットを引き抜くことができる。
【０００６】
その後、ローディングピンを収縮位置に移動させて基板を支持面上に置くことができる。支持面は、基板テーブルの本体に設けられ、基板テーブルの本体から延出する複数のバールの上端によって画定される。
【０００７】
ローディングシーケンス中の基板の形状は、とりわけ基板の重力たわみによって画定される。基板が基板テーブルに接触している間は最終基板形状を操作する自由が限られている。
【０００８】
その結果、通常は基板の異なる部分が、ローディング中の異なる時点において支持面のバールの異なる部分に接触することになる。
【０００９】
基板が１つ以上のバールに初めて接触したときから、バールによって完全に支持されるまでの期間に、基板の形状は、基板が重力下で３つのローディングピンだけで支持される初期形状から、複数のバールによって支持されたときの最終形状に変化する。一般に、この期間の間に、基板の外縁は外側に移動し、支持面の外側部分にあるバール上をスライドする。このように基板がバール上をスライドすることによって、バールの上端が摩耗する可能性がある。このスライドによって基板の底部から粒子が分離される可能性もある。そして、このような粒子は、上述の結像を妨げるおそれがある汚染を形成する。
【００１０】
また、基板をローディングピンによって支持面から持ち上げることによって、基板のバール上でのスライド運動が生じ、同様に、バールの摩耗及び汚染が生じることになる。一般に、バールの摩耗は支持面の外側領域で生じる。
【００１１】
バールの摩耗によって、支持面が非平面になる可能性がある。結果として、リソグラフィ装置は、パターン付きビームを基板のターゲット部分に投影する際に正確な焦点合わせができない可能性がある。    
【００１２】
更に、バールの上端によって画定される支持面への基板のローディングが、例えば基板とバールの間の大きな摩擦に起因して、バール上での基板のスライドをもたらさない場合、支持体によって支持されたときに基板に内部応力／内力が生じる可能性があることに留意されたい。このような内部応力は、パターン付きビームを基板に投影する際の基板の位置及び／又は形状に影響を及ぼす可能性があるため望ましくない。このような位置及び／又は形状は、基板が同じでも投影ごとに異なる可能性があるため、内部応力はリソグラフィ装置のオーバーレイ性能に悪影響を及ぼす可能性がある。
【発明の概要】
【００１３】
基板支持体の支持面を画定するバールの摩耗及び基板の摩耗を低減する基板支持体を提供することが望ましい。更に、内部応力を全く又はほとんど発生させずに、基板を支持面上にローディングすることを可能にする基板支持体を提供することが望ましい。
【００１４】
本発明のある実施形態によれば、本体と、本体から延出し、第１の上端を有するバールと、第２の上端を有する支持ピンとを備える、基板を支持する基板テーブルが提供される。第１の上端は、基板を支持する支持面を画定する。支持ピンは、第２の上端が支持面より下に配置される収縮位置と、第２の上端が支持面より上に伸長する伸長位置の間を移動可能である。支持ピンは、基板を伸長位置に支持するように配置される。支持ピンは、第１の剛性モード及び第２の剛性モードに切り替えられるように構成される。支持ピンは、第１の剛性モードにおいて、支持面に平行な方向の第１の剛性を有する。支持ピンは、第２の剛性モードにおいて、支持面に平行な方向の第２の剛性を有する。第１の剛性は第２の剛性と異なる。
【００１５】
本発明のある実施形態によれば、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築されたパターニングデバイス支持体と、上述の基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、を備えたリソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１７】
【図１】本発明のある実施形態に係る基板テーブルを備えたリソグラフィ装置を示す。
【図２】リソグラフィ装置の基板テーブルのある実施形態の断面（ＩＩ−ＩＩ）を示す。
【図３】図２の基板テーブルの上面図を示す。
【図４】図２の実施形態の細部Ａを示す。
【図５】本発明に係る基板テーブルの第１の代替的な実施形態を示す。
【図６】本発明に係る基板テーブルの別の実施形態を示す。
【図７】本発明に係る基板テーブルの更に別の実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイス支持体（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」を含む。更に、この装置は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを備える。
【００１９】
本明細書で使用する「放射ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００２０】
照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２１】
パターニングデバイスＭＴ支持体は、パターニングデバイスＭＡを支持、すなわちその重量を支えている。パターニングデバイス支持体ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持体ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイス支持体ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイス支持体ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２２】
本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃにおける所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路等のターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２３】
パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
【００２４】
本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２５】
本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２６】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板支持体」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスク支持体」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、１つ以上の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に１つ以上のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。
【００２７】
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００２８】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２９】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３０】
放射ビームＢは、パターニングデバイス支持体ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、パターニングデバイス支持体ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持体ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３１】
図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、パターニングデバイス支持体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、パターニングデバイス支持体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイス支持体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、パターニングデバイス支持体ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスＭＡを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源ＳＯを使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスＭＡを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３２】
上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３３】
リソグラフィ装置は基板テーブルＷＴを備える。基板テーブルＷＴの上部を、図２及び図３にそれぞれ断面図及び上面図としてより詳細に示す。図４は、基板Ｗを支持する図２の基板テーブルＷＴの細部Ａを示す。
【００３４】
基板テーブルＷＴは、本体ＭＢと、本体ＭＢから支持面Ｓを画定する支持高さまで延出する複数のバールとを備える。支持面Ｓは、基板テーブルＷＴ上に基板Ｗを支持するように構成される。基板テーブルＷＴの製造において、バールＢを高精度で加工及び研磨して平坦な支持面Ｓを得る。一般的に支持面Ｓは水平面である。バールＢは、基板が支持面Ｓに支持されるときに基板Ｗに影響を及ぼす基板テーブルＷＴ上又は基板Ｗの底面の汚染を防止するように、基板テーブルＷＴと基板Ｗの接触表面積を制限する。
【００３５】
更に、基板テーブルＷＴの外側領域にあるバールＢ間の空間は、基板Ｗを支持面Ｓ、特にバールＢの上端にクランプする負圧を生成するのに使用され得る封止リングＳＲによって区切られる。他の実施形態では、例えば基板Ｗを基板支持体ＷＴにクランプするのに静電クランプを使用するリソグラフィ装置では、そのような封止リングＳＲが存在しない可能性がある。基板Ｗを支持面Ｓで支持するとき、封止リングＳＲと基板Ｗの間にギャップが存在してもよい。代替的には、ギャップが存在せず、封止リングＳＲは、基板Ｗを支持面Ｓで支持するときに基板Ｗと接触している。封止リングＳＲの上面は、支持面Ｓの一部を形成してよい。
【００３６】
基板テーブルＷＴは、支持面Ｓ上の所定エリアにおいて基板Ｗを受けるように構成される。この所定エリアを図３の破線の円によって示す。この所定エリアは中心ＣＥを有する。この中心ＣＥは、基板テーブルＷＴに配置される基板Ｗの中心を受けることになる。
【００３７】
基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴ上に基板をロードするため、及び基板テーブルＷＴから基板Ｗをアンロードするために、基板Ｗを受けて支持するように構成された一セットのローディングピンＬＰを備える。
【００３８】
図に示す例では、一セットのローディングピンＬＰは、実質的に垂直に伸長し、中心ＣＥを中心とする正三角形の頂点を形成するように配置された３つのピンを含む。各ローディングピンＬＰは、第１の収縮位置と第１の伸長位置の間を移動可能である。第１の収縮位置では、ローディングピンＬＰの上端は支持面Ｓより下に配置される。第１の伸長位置では、ローディングピンＬＰの上端は支持面Ｓより上に伸長する。図２には、伸長位置にあるローディングピンＬＰが示されている。
【００３９】
基板テーブルＷＴは、基板Ｗを支持するように構成された一セットの支持ピンＳＰを備える。各支持ピンＳＰ、又は少なくともその上端は、第２の収縮位置と第２の伸長位置の間を移動可能である。第２の収縮位置では、支持ピンＳＰの上端は支持面Ｓより下に配置される。第２の伸長位置では、支持ピンＳＰの上端は支持面Ｓより上に伸長する。図２には、伸長位置にある支持ピンＳＰが示されている。
【００４０】
支持ピンＳＰの上端は、第２の収縮位置と第２の伸長位置の間に小さな変位を有してよい。支持ピンＳＰの上端の第２の伸長位置と第２の収縮位置の間の変位は小さくてよい。例えば、第２の伸長位置と第２の収縮位置の間の距離は、第１の伸長位置と第１の収縮位置の間の距離よりも短い。図示された実施形態では、支持ピンＳＰは、印加される電圧に依存して高さが変化し得るピエゾ素子を備える。
【００４１】
支持ピンＳＰを支持面Ｓの外縁に沿って分布させ、支持面Ｓ上に配置される基板Ｗのエッジエリアを支持する。支持ピンＳＰは、支持面Ｓを画定するバールＢの周りに配置される。
【００４２】
支持ピンＳＰは、中心ＣＥに対して一定半径を有する円形にバールＢの周りに配置されてよい。
【００４３】
図３は、複数の支持ピンＳＰを概略的に示しているが、実際には、配置される支持ピンＳＰの数はかなり多くてよい。好ましくは、バールＢの周りに配置される支持ピンＳＰの数は少なくとも５０個、例えば２５０〜５００個の支持ピンＳＰである。個々の支持ピンＳＰ間のピッチは１〜５ｍｍの範囲内、例えば１．５ｍｍ又は２．５ｍｍであってよい。
【００４４】
支持ピンＳＰの寸法は、バールＢの寸法と実質的に対応してよい。支持ピンＳＰは、ＰＺＴ材料（チタン酸ジルコン酸鉛）又は任意の他の適切なピエゾ材料から作られることが好ましい。
【００４５】
支持ピンＳＰは、キャリアデバイス上に配置されてよい。例えば、支持ピンＳＰは、基板ステージＷＴの本体ＭＢに解放可能に取り付けられた環状のキャリアリングＣＲ上に配置される。キャリアリングＣＲを解放可能に取り付けることによって、支持ピンＳＰを含むキャリアリングＣＲの製造を本体ＢＤの製造から分離することができる。これは例えば、本体ＭＢが支持ピンＳＰに適していない、高温での焼結が必要なセラミック材料から作られている場合に有利である。更に、支持ピンＳＰが故障した場合、支持ピンＳＰを備えたキャリアリングＣＲを、完全に新しい基板テーブルＷＴを提供する必要なしに交換することができる。
【００４６】
キャリアリングＣＲは、例えば圧着又は光学的接着によって基板テーブルＷＴに取り付けることができる。キャリアリングＣＲを基板テーブルＷＴに解放可能に取り付ける任意の他の適切な方法を使用してもよい。
【００４７】
更に、キャリアリングＣＲは、複数のリングセグメント、例えばそれぞれ支持面Ｓの外周の４分の１に延在する４つのリングセグメントを組んで作ることができることに留意されたい。代替的に、キャリアデバイスは、キャリアリングＣＲとして形成されず、別の適切な形状を有する。例えば、キャリアデバイスは正方形又は長方形であってもよい。
【００４８】
支持ピンＳＰは、ＭＥＭＳデバイス、特にＭＥＭＳ  ＰＺＴデバイスとして製造することができる。ＭＥＭＳ技術を用いて支持ピンＳＰを製造することの利点は、支持ピンＳＰをバッチ製造で製造できる点である。そのようなバッチ製造は、個々の支持ピンＳＰをキャリアリングＣＲ上に組み付ける必要性をなくすことができる。
【００４９】
例えば、支持ピンＳＰは、基板Ｗの外側エッジエリアにリング構成で作製することができる。作製が終わると、基板Ｗの外側エッジエリアを基板Ｗから切断し、複数の支持ピンＳＰを有する環状のキャリアリングＣＲを形成することができる。この環状のキャリアリングＣＲは、光学的接触、陽極接合又は共晶接合のいずれかによって基板テーブルＷＴに取り付けることができる。
【００５０】
支持ピンＳＰ、又は少なくともその上端と、これが支持する基板Ｗとの摩擦が、バールＢの上端と同じ基板Ｗとの摩擦と比較して低くなるように設計することができる。基板Ｗと支持ピンＳＰの上端との摩擦が小さくなるため、基板Ｗは、バールＢの上端上よりも、支持ピンＳＰの上端上をスライドしやすくなる。
【００５１】
支持ピンＳＰの重要な利点は、バールＢ、特に支持面Ｓの外周付近のバールＢの摩耗を低減するために、それぞれ基板Ｗを基板テーブルＷＴ上にロードする間及び基板テーブルＷＴからアンロードする間に支持ピンＳＰを使用できる点である。
【００５２】
支持面Ｓ上に基板Ｗをロードしようとするとき、ローディングピンＬＰは、図２に示すように伸長位置に配置されている。ローディングピンＬＰが基板ローディングデバイス、例えばローディングロボットから基板Ｗを受け取ると、ローディングピンＬＰは、基板Ｗを支持面Ｓに近づけるように下降することができる。
【００５３】
基板テーブルＷＴ上に支持ピンＳＰがない場合、ローディングピンＬＰが基板Ｗを支持面Ｓ上に配置するように下降するとき、基板ＷはバールＢ上に直接配置される。これは特に、外側のバールＢは、基板Ｗの重力たわみによって初めて基板Ｗと接触することを意味する。
【００５４】
しかし、基板テーブルＷＴの図示した実施形態には支持ピンＳＰが存在するため、基板Ｗを支持面Ｓ上にロードする前に、支持ピンＳＰを伸長位置に配置することができる。そして、基板Ｗを支持しているローディングピンＬＰが支持面Ｓに向かって下降すると、基板Ｗの外側エッジは支持ピンＳＰで初めて静止する。
【００５５】
支持ピンＳＰの上端と基板Ｗとの摩擦が比較的低いため、基板Ｗは、支持ピンＳＰの上端上をスライドしやすくなり、その結果、支持面Ｓ上に配置されたときに基板Ｗに内部応力が全く又はほとんど発生しなくなる。基板ＷがバールＢの上端付近に又はバールＢの上端に接触して配置されると、支持ピンＳＰは収縮位置に移動することができる。そして基板ＷはバールＢによって支持されることになる。バールＢと基板Ｗとの摩擦は比較的大きいため、バールＢは、例えば真空クランプ及び／又は静電クランプなどのクランプデバイスとともに、基板Ｗを支持面Ｓ上にしっかりと保持することができる。
【００５６】
更に、基板ＷはバールＢの上端上をスライドしないため、バールＢの摩耗が避けられる。したがって、支持ピンＳＰの上端の高さは、必要に応じて、支持ピンＳＰのピエゾ素子の作動によって調整できることに留意されたい。したがって、支持ピンＳＰの上端のいかなる摩耗も、各ピエゾ素子の作動電圧を調整することによって調整することができる。このように、支持ピンＳＰが摩耗した後に基板Ｗが再度バールＢに最初に接触すること、及び／又はキャリアリングＣＲを交換しなければならないことが避けられる。
【００５７】
支持ピンＳＰの少なくとも上端の摩耗を最小限に抑えるため、支持ピンＳＰは、ダイヤモンド状炭素又はＳｉＣコーティングなどの耐摩耗性コーティングでコーティングされてよい。支持ピンＳＰは、バールＢの材料よりも摩耗耐性が高い材料から製造することもできる。
【００５８】
支持ピンＳＰの上端の高さを、ピエゾ素子に適切な電圧を印加することによって適合させるように制御デバイスＣＤを構成してよい。制御デバイスＣＤは、基板テーブルＷＴに配置されても、別の場所に配置されてもよい。制御デバイスＣＤは、例えばリソグラフィ装置の中央処理装置の一部であってよい。
【００５９】
制御デバイスＣＤは、支持ピンＳＰの上端の高さを個別に、又はまとめて制御するように構成されてよい。
【００６０】
基板テーブル上に基板Ｗをロードする際、支持ピンＳＰは、支持面Ｓの半径方向、又はより一般に支持面Ｓの平面内で比較的剛性が高いことが、基板ＷのバールＢ上でのスライドを容易にするという理由で有利である。以上で説明したように、このスライドによって、基板Ｗのロード中の基板Ｗにおける内部応力及び／又は内力の発生が抑えられる。
【００６１】
しかし、基板テーブルＷＴから基板Ｗをアンロードするときは、支持ピンＳＰは支持面Ｓの平面内で比較的可撓性が高いことが有利である。基板Ｗをアンロードする際、真空クランプから解放し、ローディングピンＬＰにより基板Ｗを持ち上げることによって、基板Ｗは元の形状、すなわち基板Ｗを支持面Ｓ上にクランプする前の形状に戻る。支持ピンＳＰが支持面Ｓの平面内で比較的剛性が高い場合、基板Ｗが支持ピン上をスライドすることによって、基板Ｗとの摩耗が発生し、場合によって汚染が発生する可能性もある。
【００６２】
このような基板Ｗの底面の摩耗及び／又は汚染を防ぐために、支持ピンＳＰの剛性を第１の剛性モード及び第２の剛性モードに切り替えることができる。第１の剛性モードでは、支持ピンＳＰは、支持面Ｓに平行な方向の第１の剛性を有し、第２の剛性モードでは、支持ピンＳＰは、支持面Ｓに平行な方向の第２の剛性を有する。第１の剛性は第２の剛性と異なる。ある実施形態では、第１の剛性は第２の剛性よりも大きい。別の実施形態では、第１の剛性は第２の剛性よりも小さい。
【００６３】
第１の剛性モードでは、支持ピンＳＰは、支持面Ｓに平行な方向の第１の剛性で基板Ｗを支持することができる。第２の剛性モードでは、支持ピンＳＰは、支持面Ｓに平行な方向の第２の剛性で基板Ｗを支持することができる。
【００６４】
支持ピンＳＰは、第１の剛性モード及び第２の剛性モードにおいてそれぞれに異なる電圧を印加することによって、第１の剛性モードと第２の剛性モードを切り替えるように構成されたピエゾ素子を備えてよい。
【００６５】
第１の剛性が第２の剛性よりも大きい場合、基板のロード中、支持ピンＳＰは、比較的高い剛性を有する第１の剛性モードに配置されるように構成される。基板Ｗは、支持ピンＳＰの上端上を比較的スライドしやすくなる。基板のアンロード中、支持ピンＳＰは、比較的低い剛性を有する第２の剛性モードに配置される。第２の剛性モードでは、支持ピンＳＰの上端は可撓性が高く、図４に両矢印で示す支持面Ｓの平面内で移動する。
【００６６】
基板Ｗがクランプデバイスから解放され、ローディングピンＬＰによって持ち上げられると、支持面Ｓの平面内での基板Ｗの形状変化に、可撓性のある支持ピンＳＰは少なくとも部分的に追随することができる。結果的に、基板Ｗの底面及び／又は支持ピンＳＰの上端の摩耗を低減する、あるいは防ぐことができる。
【００６７】
第１の剛性モードと第２の剛性モードの切り替えは、例えば制御デバイスＣＤによって制御することができる。制御デバイスＣＤは、ピエゾ素子を制御して第１の剛性モードと第２の剛性モードを切り替えることができる。
【００６８】
代替的な実施形態では、基板テーブルＷＴの一セットの支持ピンＳＰは、ロード及びアンロード中に基板Ｗのエッジエリアを支持するように、支持面Ｓの外側エッジエリアに沿って交互に配置された支持ピンＳＰの第１のサブセット及び支持ピンＳＰの第２のサブセットに細分される。
【００６９】
支持ピンＳＰの第１のサブセットは、支持面Ｓの平面内で比較的高い剛性を有するのに対し、支持ピンＳＰの第２のサブセットは、支持面Ｓの平面内で比較的低い剛性を有する。したがって、支持ピンＳＰの第１のサブセットは、基板Ｗを支持面Ｓ上にロードする際に基板Ｗのエッジを支持するのにより適しているのに対し、支持ピンＳＰの第２のサブセットは、基板Ｗを支持面Ｓからアンロードする際に基板Ｗのエッジを支持するのにより適している。
【００７０】
この実施形態では、制御デバイスＣＤは、基板Ｗを支持面Ｓ上にロードする前に、支持ピンＳＰの第１のサブセットを第２の伸長位置に移動させるように構成される。支持ピンＳＰの第２のサブセットは、第２の収縮位置にとどまるか又は第２の収縮位置に移動される。基板Ｗを支持面Ｓからアンロードする前に、支持ピンＳＰの第２のサブセットは、第２の伸長位置に移動されるのに対し、支持ピンＳＰの第１のサブセットは、第２の収縮位置にとどまるか又は第２の収縮位置に移動される。
【００７１】
ある実施形態では、基板Ｗを支持面Ｓ上にロードする際、支持ピンＳＰの第１のサブセットと支持ピンＳＰの第２のサブセットの両方を使用して基板Ｗを支持する。基板Ｗを支持面Ｓからアンロードする際、支持ピンＳＰの第１のサブセットと支持ピンＳＰの第２のサブセットの一方のみを使用して基板Ｗを支持する。基板Ｗをアンロードするときよりも基板Ｗをロードするときに多くの支持ピンＳＰが使用されるため、支持ピンＳＰは、アンロード時よりもロード時に高い剛性を示す。
【００７２】
図４は、基板Ｗが支持面Ｓで支持されている、図２の基板テーブルＷＴの細部Ａを示す。基板Ｗは、バールＢだけでなく、支持ピンＳＰによっても支持されていることが分かる。このような実際の投影ステップ中の基板Ｗのエッジの追加的な支持を用いて、投影中の基板Ｗの形状を改良する、特に基板の基板エッジの巻き上がり又は基板エッジの巻き下がりを補正することができる。
【００７３】
各支持ピンＳＰの所望の高さを決定するために、基板テーブルＷＴ上にロードされた後の基板Ｗの上面を、いわゆるレベルセンサによってスキャンすることができる。このレベルセンサは、クランプされた基板Ｗの高さマップを提供する。このスキャンステップの間、基板Ｗは既に支持ピンＳＰによって支持されていてよい。このような高さマップが知られると、支持ピンＳＰの高さを基板Ｗの各エッジ部分の所望の補正に対応させることによって、基板Ｗのエッジの巻き上がり又は巻き下がりを補正することができる。
【００７４】
支持ピンＳＰの高さは、各ピエゾ素子又は一群のピエゾ素子に印加される電圧を調整し得る制御デバイスＣＤによって変えることができる。支持ピンＳＰの高さを高さマップに基づいて調整することによって、基板Ｗのエッジが所望の高さに適合された後、パターン付き投影ビームの基板Ｗへの実際の投影が開始されてよい。
【００７５】
代替的な実施形態では、支持ピンの高さの調整は、各支持ピンＳＰによって支持された位置における基板Ｗの高さレベルが、その位置における基板の所望の高さレベルと異なると制御デバイスＣＤが判定した直後に実行することができる。基板の高さレベルは、レベル／高さセンサによって決定することができ、制御デバイスＣＤは、レベル／高さセンサから信号を受信すると、所望の高さレベル及び測定された高さレベル間の差を直接確定するように構成することができる。
【００７６】
図５は、基板テーブルＷＴの代替的な実施形態を示している。この実施形態では、支持ピンＳＰは、支持面Ｓの外周に配置され、ウェーハＷを支持する。支持ピンＳＰは封止リングＳＲを支える。封止リングＳＲは、基板Ｗを基板テーブルＷＴ上にクランプする真空クランプの真空空間を区切るために設けられる。
【００７７】
図２及び図３の実施形態では、封止リングＳＲは、基板テーブルＷＴの本体ＭＢに取り付けられ、投影中の基板Ｗの形状に悪影響を及ぼす可能性がある、投影ステップ中の封止リングＳＲと基板Ｗの接触を防ぐために、バールＢよりも低い高さまで延びる。代替的には、封止リングＳＲは投影ステップ中に基板Ｗと接触する。
【００７８】
図６の実施形態の封止リングＳＲの高さは、支持ピンＳＰのピエゾ素子の高さを調整することによって調整することができるため、封止リングＳＲは、パターン付きビームの基板Ｗのターゲット部分Ｃへの投影中に基板Ｗと極めて接近して、あるいは基板Ｗと接触して配置することができる。これによって、封止リングＳＲ及び基板Ｗ間の真空クランプの圧力漏れが減る。更に、支持ピンＳＰ及び封止リングＳＲは、支持面Ｓの１つの直径のところに組み合わせて設けられるため、真空クランプの真空クランプ空間を増やすことができる。
【００７９】
この実施形態では、支持ピンＳＰのそれぞれの所望の高さは、基板Ｗに対して所望の高さに封止リングＳＲを位置決めするために、レベルセンサによって得られる高さマップに基づいて決定することができる。代替的な実施形態では、支持ピンＳＰの高さのリアルタイム補正を、レベルセンサによって測定した高さレベルに基づいて行うことができる。
【００８０】
封止リングＳＲの基板Ｗのエッジに対する位置を用いて、パターン付きビームの基板Ｗへの投影中に基板Ｗのエッジの巻き上がり又は巻き下がりを補正することもできる。
【００８１】
図６は、本発明に係る基板テーブルＷＴの別の実施形態を示している。この実施形態では、支持ピンＳＰを備えたキャリアリングＣＲをローディングピンＬＰの周りに配置する。この支持ピンＳＰは、図２の実施形態の支持ピンＳＰと同様に、基板Ｗの支持面Ｓ上へのロード中及び基板Ｗの支持面Ｓからのアンロード中に少なくとも基板Ｗを支持するのに使用することができる。
【００８２】
キャリアリングＣＲ及び支持ピンＳＰの組み合わせを使用して、図５に示す封止リングを支持面の外側エッジにおいて支持することもできる。
【００８３】
支持ピンＳＰは、ローディングピンＬＰに隣接し、他の適切な位置にある支持ピンＳＰ、特に図２及び図３に示す支持面Ｓのエッジにある支持ピンＳＰと併用される複数の追加の支持ピンＳＰとして使用されて、基板Ｗの支持面Ｓ上へのローディング及び／又は支持面Ｓからのアンローディングを改善する、及び／又は投影ステップ中に基板を支持することできる。
【００８４】
支持面Ｓの１本の線に沿って、支持ピンＳＰは、バールＢよりも中心ＣＥから大きい半径のところに配置されてよい。支持面Ｓの１本の線に沿って、ローディングピンＬＰは、支持ピンＳＰよりも中心ＣＥに近くてよい。支持ピンＳＰは、基板Ｗのエッジにおいて基板Ｗを支持できるように、基板Ｗのエッジに配置されてよい。代替的には、図７の実施形態に示すように、支持ピンＳＰは支持面Ｓのエッジに近く、一部のバールＢが支持ピンＳＰよりも中心Ｃから大きい半径のところにある。半径に沿って、支持面Ｓのエッジと支持ピンＳＰの間に１０個未満のバール、又は５個未満のバール、例えば１、２又は３個のバールＢがあってよい。
【００８５】
支持ピンＳＰはカバーを使用して覆われてよい。支持ピンＳＰをカバーで覆うことで、支持ピンＳＰを汚染、及び／又は液浸液などの液体から保護することを支援することができる。カバーは個々の支持ピンＳＰに付けられてよい。単一のカバーが複数の支持ピンＳＰに付けられてよい。例えば、カバーは、支持ピンＳＰをキャリアリングＣＲとカバーの間に封じ込む表面を備えてよい。カバーは、支持面Ｓの全体に、又は支持面Ｓの一部分にのみ付けられてよい。カバーは、セラミック、ポリマー、酸化アルミニウム、ガラスなどの任意の適切な材料を含んでよい。カバーは、薄膜コーティングなどのコーティングを含んでよい。
【００８６】
支持ピンＳＰは、ピエゾ素子に加えて又はピエゾ素子の代替手段として、別のタイプのアクチュエータを備えてもよい。例えば、支持ピンＳＰは、油圧アクチュエータ又は空圧アクチュエータを備えてよい。油圧アクチュエータ又は空圧アクチュエータは、加圧流体を用いて支持ピンＳＰの上端を第２の収縮位置と第２の伸長位置の間で移動させることができる。加圧流体は、気体、液体又は気体と液体の組み合わせを含んでよい。
【００８７】
基板テーブルＷＴは、追加のローディングピンが、支持面Ｓの１本の線に沿ってローディングピンＬＰと支持ピンＳＰの間に配置されるように構成されてよい。追加のローディングピンは支持ピンＳＰよりも広い移動範囲を有してよい。追加のローディングピンの可動範囲は、約１ｍｍ、０．５ｍｍ、又は０．１ｍｍであってよい。３〜１２個、例えば５、９、又は１０個のローディングピンがあってよい。基板Ｗを基板テーブルＷＴ上にロードするとき、基板ＷはまずローディングピンＬＰによって支持される。ローディングピンＬＰが基板Ｗを支持面Ｓに向かって下降させると、基板Ｗは追加のローディングピンと接触する。追加のローディングピンは、ローディングピンＬＰよりも基板Ｗのエッジの近くで基板Ｗを支持してよい。基板Ｗは、ローディングピンＬＰ及び追加のローディングピンによって支持されると、ローディングピンＬＰ及び追加のローディングピンの移動、例えば垂直方向の移動によって平坦化されてよい。基板Ｗが平坦化された後、基板Ｗを支持ピンＳＰと接触するように支持面Ｓに向かって更に下降させる。追加のローディングピンを使用することで、平坦でない形状を有する基板Ｗをロードすることを支援することができる。
【００８８】
図７に開示される実施形態は、以上で説明した全ての特徴を有してよい。付加的又は代替的に、バールＢの剛性は、支持ピンＳＰよりも大きい剛性を有してよい。これはボウル形の基板Ｗをロードするときに特に有利な場合がある。図７に示すように、基板Ｗのエッジは、ボウル形状に起因して反りあがっている。基板Ｗを基板支持体ＷＴ上にロードするとき、基板Ｗを平坦化するために力のモーメントＭが必要となる。実験によれば、力のモーメントＭは、支持面Ｓのエッジから半径方向内側にいくつかのバールＢがある位置Ｘに大きな反力を生じさせる。位置ＸにバールＢがある場合、高い反力は高い摩擦力を生じさせ、基板ＷがバールＢにおいてスライドするのを防止する。このスライドの防止によって、基板Ｗに大きな面内変形が生じる。しかし、図７の実施形態では、高い反力が生じ得る位置に支持ピンＳＰが位置している。支持ピンＳＰはバールＢの面内剛性よりも低い面内剛性を有するため、支持ピンＳＰは半径方向に変形可能であり、基板Ｗは応力を低下させることができる。支持ピンＳＰの剛性は、バールＢの剛性の２分の１、４分の１、５分の１、１０分の１又は２０分の１であってよい。
【００８９】
支持ピンＳＰは、バールＢよりも低い軸方向剛性、すなわち垂直方向の剛性を有してよい。支持ピンＳＰは、基板Ｗがロードされていないときに支持面Ｓより上に延びてよい。基板Ｗがロードされると、基板Ｗは支持ピンＳＰと接触し、支持ピンＳＰを押し込む。支持ピンＳＰを押し込むことによって、位置Ｘにおける摩擦力は次第に大きくなり、基板Ｗは支持ピンＳＰ上をスライド可能になる。支持ピンＳＰが完全に押し込まれると、基板ＷはバールＢと接触する。支持ピンＳＰが完全に押し込まれると、位置Ｘにおける反力は、バールＢにおける反力と同じになる可能性がある。ある実施形態では、支持ピンＳＰの面内剛性及び軸方向剛性はどちらもバールＢよりも低い。
【００９０】
支持面Ｓのエッジ付近のバールＢは、中心ＣＥ付近のバールＢよりも低い面内剛性を有してよい。例えば、支持ピンＳＰを直接取り囲むバールＢは、他のバールＢよりも低い面内剛性を有してよい。
【００９１】
ローディングピンＬＰの剛性は、支持ピンＳＰの剛性より大きくてよい。    
【００９２】
本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００９３】
光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００９４】
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。
【００９５】
上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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