(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハの面取り方法であって、
前記シリコンウェーハの周縁部が前記シリコンウェーハの主面に垂直な端面と該端面と前記シリコンウェーハの主面とを接続する曲面のみからなる面取り部とを有し、前記面取り部の曲率半径を３０μｍ以上１００μｍ以下に調整し、
前記シリコンウェーハは円盤状であり、
前記シリコンウェーハの両主面が鏡面であることを特徴とするシリコンウェーハの面取り方法。
【請求項２】
前記面取り部のウェーハ径方向の幅を３０μｍ以上１００μｍ以下に調整する、請求項１に記載のシリコンウェーハの面取り方法。
【請求項３】
所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施し、得られたシリコンウェーハに対して、請求項１または２に記載の面取り方法による面取り処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
シリコンウェーハであって、
前記シリコンウェーハの周縁部が前記シリコンウェーハの主面に垂直な端面と該端面と前記シリコンウェーハの主面とを接続する曲面のみからなる面取り部とを有し、
前記面取り部の曲率半径が３０μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記シリコンウェーハは円盤状であり、
前記シリコンウェーハの両主面が鏡面であることを特徴とするシリコンウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハに関し、特に、ウェーハ周縁部の平坦性を高めることができるシリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法および周縁部の平坦性の高いシリコンウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの基板として、シリコンウェーハが広く使用されている。このシリコンウェーハは、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ、ＣＺ）等により単結晶シリコンインゴットを育成し、得られたインゴットをブロックに切断した後に、薄くスライスし、面取り処理、平坦化（ラッピング）処理、両面研磨処理、仕上げ研磨処理等を施した後、最終洗浄し、各種品質検査を行って異常が確認されなければ製品として完成し、出荷される。
【０００３】
近年、半導体デバイスの微細化・高集積化が益々進行し、シリコンウェーハには極めて高い平坦性が要求されている。また、デバイス形成領域についてもウェーハ径方向外側に年々拡大しており、ウェーハ周縁部に対しても高い平坦性が要求されている。
【０００４】
こうした背景の下、シリコンウェーハの周縁部の平坦性を高める技術が提案されている。例えば、特許文献１には、有砥粒のアルカリ性水溶液に、水溶性高分子が添加された研磨液を研磨布に供給しながら、シリコンウェーハの被研磨面に対して粗研磨処理を施すことにより、被研磨面を高い研磨レートで研磨しつつ、ウェーハ周縁部の平坦性を制御することができる技術が記載されている。
【０００５】
また、特許文献２には、粗研磨処理を２つのステップに分割し、第１のステップにおける研磨速度を第２のステップよりも高くし、かつ第２のステップにおいて高分子添加剤を含む研磨スラリーを用いることにより、ウェーハ外周部のロールオフを改善する技術について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１２／００５２８９号
【特許文献２】特開２０１４−１０３３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１および２に記載された技術により、ウェーハ周縁部の平坦性をある程度高めることはできるものの、年々厳しさを増すウェーハ周縁部の平坦性に対する要求に応えるために、ウェーハ周縁部の平坦性をさらに高めることのできる方途の提案が希求されている。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、ウェーハ周縁部の平坦性を高めることができるシリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法および周縁部の平坦性の高いシリコンウェーハを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決する方途について鋭意検討した結果、面取り処理において、シリコンウェーハの周縁部がシリコンウェーハの主面に垂直な端面と該端面とシリコンウェーハの主面とを接続する曲面のみからなる面取り部とを有し、上記曲面の曲率半径が３０μｍ以上１００μｍ以下に調整することが極めて有効であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）シリコンウェーハの面取り方法であって、前記シリコンウェーハの周縁部が前記シリコンウェーハの主面に垂直な端面と該端面と前記シリコンウェーハの主面とを接続する曲面のみからなる面取り部とを有し、前記面取り部の曲率半径を３０μｍ以上１００μｍ以下に調整し、前記シリコンウェーハは円盤状であり、前記シリコンウェーハの両主面が鏡面であることを特徴とするシリコンウェーハの面取り方法。
【００１１】
（２）前記面取り部のウェーハ径方向の幅を３０μｍ以上１００μｍ以下に調整する、前記（１）に記載のシリコンウェーハの面取り方法。
【００１２】
（３）所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施し、得られたシリコンウェーハに対して、前記（１）または（２）に記載の面取り方法による面取り処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【００１３】
（４）シリコンウェーハであって、前記シリコンウェーハの周縁部が前記シリコンウェーハの主面に垂直な端面と該端面と前記シリコンウェーハの主面とを接続する曲面のみからなる面取り部とを有し、前記面取り部の曲率半径が３０μｍ以上１００μｍ以下であり、前記シリコンウェーハは円盤状であり、前記シリコンウェーハの両主面が鏡面であることを特徴とするシリコンウェーハ。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、シリコンウェーハの周縁部の平坦性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】シリコンウェーハ周縁部の一般的な面取り形状を示す模式断面図である。
【図２】シリコンウェーハ周縁部の平坦性が低下する理由を説明する図である。
【図３】本発明による面取り処理が施されたシリコンウェーハを示す図である。
【図４】コンタリング加工による面取り処理を説明する図である。
【図５】本発明によるシリコンウェーハの製造方法の一例のフローチャートである。
【図６】実施例１〜３、比較例１、２に対するシリコンウェーハの製造方法のフローチャートである。
【図７】実施例４〜６、比較例３、４に対するシリコンウェーハの製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（シリコンウェーハの面取り方法）
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明によるシリコンウェーハの面取り方法は、シリコンウェーハの周縁部が前記シリコンウェーハの主面に垂直な端面と該端面と前記シリコンウェーハの主面とを接続する曲面のみからなる面取り部とを有し、面取り部の曲率半径を３０μｍ以上１００μｍ以下に調整することを特徴とする。
【００１７】
本発明者らは、ウェーハ周縁部の平坦性を高める方途について鋭意検討した。特許文献１および２をはじめとする従来法の多くは、シリコンウェーハの主面に対する研磨条件を適正化することにより、ウェーハ周縁部の平坦性の向上を図っている。本発明者らは、ウェーハ周縁部の平坦性をより高めるべく、ウェーハに対して施す研磨条件の見直しを行った。その結果、ウェーハ周縁部の平坦性を高めるためには、ウェーハの端面近傍領域の形状制御、すなわち、面取り処理の条件の適正化が肝要であるとの知見を得るに至った。
【００１８】
シリコンウェーハの周縁部に対しては、ウェーハ搬送時や取り扱い時におけるウェーハの割れや欠けを防止するために、面取り処理が施される。図１は、シリコンウェーハの周縁部の一般的な面取り形状を示している。図１に示した２つの面取り形状において、ウェーハ周縁部は、ウェーハの主面に垂直な端面と、主面と端面とを接続する取り部とを有する。
【００１９】
図１において、ｔはウェーハ周縁部の厚み、θ１、θ２、Ａは、それぞれ上面取り角度、下面取り角度、面取り幅である。また、Ｂ１、Ｂ２は、それぞれ上面取り厚み、下面取り厚みであり、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ端面の先端曲率半径、上面取り部の曲率半径、下面取り部の曲率半径である。ＢＣは端面のウェーハ厚み方向の長さを示している。シリコンウェーハの周縁部の目標形状は、これらのパラメータを設定することにより決定される。なお、図１（ａ）に示した面取り形状において、端面のウェーハ厚み方向長さＢＣはゼロである。
【００２０】
上記面取り形状において、面取り部の曲率半径は、ウェーハの割れや欠けが発生することのないよう、余裕を持たせた大きな値（例えば、３００μｍ程度）に設定されるのが一般的である。しかしながら、本発明者らによる検討の結果、面取り部の曲率半径が大きな値に設定された条件の下で面取り処理を行うと、その後の両面研磨処理等のウェーハ主面に対する研削・研磨条件を適正化したところで、ウェーハ周縁部の平坦性をさらに高めることは困難であるとの結論に至った。
【００２１】
この原因は必ずしも明らかではないが、本発明者らは、以下のように考えている。すなわち、図２に模式的に示すように、シリコンウェーハの主面に対する研磨処理は、研磨布をウェーハの主面に押し当てた状態で、ウェーハを研磨布上で摺動させることにより行う。ここで、面取り部の曲率半径が大きい場合、ウェーハ周縁部におけるウェーハと研磨布との隙間が大きい。そのため、研磨スラリーが研磨布とウェーハとの間に過剰に入り込み、ウェーハの周縁部が過剰に研磨されてウェーハ周縁部の平坦性が低下するのではないかと推察される。
【００２２】
そこで、本発明者らは、上記推察に基づいて、ウェーハ周縁部の平坦性を向上させる方途について鋭意検討した結果、面取り処理において、シリコンウェーハの周縁部がシリコンウェーハの主面に垂直な端面と該端面とシリコンウェーハの主面とを接続する曲面のみからなる面取り部とを有し、上記面取り部の曲率半径が３０μｍ以上１００μｍ以下に調整することが極めて有効であることを見出したのである。
【００２３】
図３は、本発明により面取り処理が施されたシリコンウェーハを示している。この図に示したシリコンウェーハ１の周縁部は、主面Ｍに対して垂直な端面Ｅと、該端面Ｅと主面Ｍとを接続する曲面のみからなる面取り部Ｃとを有しており、面取り部Ｃの曲率半径Ｒは３０μｍ以上１００μｍ以下に調整されている。この曲率半径Ｒの範囲は、従来よりも小さく、その結果、シリコンウェーハ１は、従来のものよりも寸胴型に近い形状を有している。
【００２４】
シリコンウェーハ１は、周縁部の形状が上記のように制御されていることにより、後の主面に対する両面研磨処理において、ウェーハ周縁部におけるウェーハと研磨布との間の隙間が小さくなり、その結果、過剰な研磨スラリーがウェーハと研磨布との間に供給されてウェーハの周縁部が過剰に研磨されるのを防止して、ウェーハ周縁部の平坦性を高めることができるのである。
【００２５】
上述のように、面取り処理は、ウェーハの搬送時や取り扱い時におけるウェーハの割れや欠けを防止するために施すものであり、従来、曲率半径は余裕を持たせた大きな値に設定されてきた。しかし、本発明者らによる検討の結果、本発明において規定された、従来よりも小さな曲率半径でも、ウェーハの割れや欠けを防止できることが判明した。
【００２６】
すなわち、近年の半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、シリコンウェーハの両主面、さらには端面に対しても鏡面研磨処理が施されている。そのため、搬送時等において、ウェーハは従来に比べて非常にデリケートに取り扱われており、本発明において規定した範囲の曲率半径であれば、ウェーハの割れや欠けを防止することができる。
【００２７】
このように、シリコンウェーハの端面近傍領域の形状を本発明において規定した形状とすることにより、シリコンウェーハの周縁部の平坦性を高めることができる。
【００２８】
本発明における具体的な面取り処理は、面取り後のシリコンウェーハの端面近傍領域の形状が本発明において規定した形状となっていれば、特に限定されない。例えば、面取り処理を３つの処理に分けて行うことができる。以下、面取り処理を、一次面取り処理、二次面取り処理および鏡面面取り処理の３つの処理に分けて行う場合について説明する。
【００２９】
まず、単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施し、得られたシリコンウェーハに対して一次面取り処理を行う。この一次面取り処理は、ツルーアーを用いてツルーイングした精研砥石を用いる方法や、コンタリング加工により行うことができる。以下、図４を参照して、二軸タイプの面取り部を有するコンタリング面取り装置を用いた場合を例に、一次面取り処理について説明する。
【００３０】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェーハをウェーハ周方向に回転させ、かつ砥石をウェーハ周方向と直交する方向に回転させながら、ウェーハを砥石に当接させ、ウェーハの端面領域の面取りを行う。次いで、図４（ｂ）に示すように、２個の砥石を回転させた状態でシリコンウェーハの周縁部を砥石の間に配置して当接させる。そして、図４（ｃ）に示すように、シリコンウェーハを砥石間に挿入することにより、ウェーハ周縁部を所望の形状に加工する。ここで、一次面取り用の砥石としては、例えば＃６００のメタルボンド円柱砥石を使用することができる。
【００３１】
次に、二次面取り処理を施す。この二次面取り処理は、一次面取り処理後にシリコンウェーハの主面に対して平坦化処理を施したウェーハに対して行うのが一般的である。二次面取り処理は、一次面取り処理と同様に、ツルーアーを用いてツルーイングした精研砥石を用いる方法や、コンタリング加工により行うことができる。二次面取り用の砥石としては、一次面取り処理よりも細かい、例えば＃２０００のメタルボンド面取り用砥石を用いることができる。
【００３２】
最後に、鏡面面取り処理を施す。この鏡面面取り処理は、両面研磨処理が施されたシリコンウェーハに対して行うのが一般的である。この鏡面面取り処理は、ウェーハ端面研磨装置等により行うことができ、回転ドラムにウレタンバフを貼り付けてウレタンバフを回転させ、回転中のバフの外周面にシリコンウェーハの周縁部を接触させて研磨する。これにより、ウェーハ周縁部を鏡面仕上げすることができる。
【００３３】
上記３つの面取り処理のうち、鏡面面取り処理における面取り量は極めて少なく、ウェーハの端面近傍領域の形状変化は誤差と見なせる程度のものである。従って、ウェーハの端面近傍領域の形状は、実質的には二次面取り処理により決定される。よって、面取り処理を上記３つの処理に分けて行う場合には、二次面取り処理後の形状が本発明において規定した形状となるように、一次面取り処理および二次面取り処理を行うようにする。
【００３４】
なお、上記二次面取り処理により、主面と面取り部とは連続的に接続するように形成されている。その後、ウェーハの主面に対して施される研磨処理により、主面と面取り部とが不連続に接続されるようになるが、鏡面面取りにより、主面と面取り部とが連続的に接続されるように面取り処理が施される。鏡面面取り処理の後、仕上げの研磨処理（片面研磨処理）が施されるが、研磨量が微少であるため、面取り部の形状には影響しない。
【００３５】
このように処理することにより、ウェーハ周縁部の平坦性を高めることができる。具体的には、後述する実施例に示すように、ＥＳＦＱＲ（Ｅｄｇｅ  Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）の最大値を２６ｎｍ以下にすることができる。ＥＳＦＱＲは、値が小さいほど平坦度が高いことを意味し、ウェーハ全周の外周領域に形成した扇形の領域（セクター）内のＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）を測定したものである。
【００３６】
ＳＦＱＲは、ＳＥＭＩ規格にかかるウェーハの外周部の平坦度を示す指標である。このＳＦＱＲは、具体的にはウェーハから所定寸法の矩形状のサンプルを複数取得し、取得した各サンプルについて最小二乗法により求められた基準面からの最大変位量の絶対値の和を算出することにより求めた値である。
【００３７】
また、面取り部Ｃのウェーハ径方向の幅、すなわち面取り幅を３０μｍ以上１００μｍ以下に調整することが好ましい。これにより、ウェーハ周縁部の平坦性をさらに高めることができる。
【００３８】
（シリコンウェーハの製造方法）
次に、本発明によるシリコンウェーハの製造方法について説明する。本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施し、得られたシリコンウェーハに対して、上述の本発明によるシリコンウェーハの面取り方法による面取り処理を施すことを特徴とする。
【００３９】
本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、上で詳述した面取り処理に特徴を有しており、その他の処理は何ら限定されない。以下、図５に示すシリコンウェーハの製造方法の一例のフローチャートを参照して、各工程について説明する。
【００４０】
まず、ステップＳ１にて、例えばＣＺ法により、石英るつぼに投入された多結晶シリコンを１４００℃程度に溶融し、次いで種結晶を液面に漬けて回転させながら引き上げることにより単結晶シリコンインゴットを育成する。ここで、所望の抵抗率を得るために、例えばホウ素やリン等をドープする。また、インゴットの育成の際に磁場を印加する磁場印加チョクラルスキー（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ＣＺｏｃｈｒａｌｓｋｉ、ＭＣＺ）法を用いることにより、シリコンインゴット中の酸素濃度を制御することができる。
【００４１】
次いで、ステップＳ２において、得られた単結晶シリコンインゴットの外周部に対して研削処理を施し、インゴットの径を均一にする。
【００４２】
続いて、ステップＳ３において、ワイヤーソーや内周刃切断機を用いて、単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施し、例えば１ｍｍ程度の厚さにスライスしてシリコンウェーハを得る。
【００４３】
その後、ステップＳ４において、コンタリング加工等により、ウェーハの周縁部に対して一次面取り処理を施す。この一次面取り処理は、シリコンウェーハの周縁部に対して一次面取り砥石を押し当て、最終の面取り形状に向けて粗く面取りする。この一次面取り用の砥石としては、例えば＃８００のメタルボンド円柱砥石を使用することができる。
【００４４】
続いて、ステップＳ５において、シリコンウェーハの主面に対して一次平坦化処理（ラップ処理）を施す。この一次平坦化処理は、シリコンウェーハを互いに平行な一対のラップ定盤間に配置し、ラップ定盤間に、例えばアルミナ砥粒と分散剤と水の混合物からなるラップ液を供給しつつ、所定の加圧下で回転および摺動させることにより、シリコンウェーハの表裏面を機械的にラッピングして、ウェーハの平行度を高める。
【００４５】
次いで、ステップＳ６において、コンタリング加工等により、上記一次平坦化処理が施されたシリコンウェーハの周縁部に対して二次面取り処理を施す。この二次面取り処理では、一次面取り処理よりも細かい、例えば＃３０００のレジンボンド面取り用砥石を用いて面取り処理を施す。面取り形状は、最終目標の形状である。
【００４６】
続いて、ステップＳ７において、両面研磨処理装置を用いて、二次面取り処理が施されたシリコンウェーハに対して両面研磨処理を施す。この両面研磨処理は、キャリアプレートの凹部にシリコンウェーハを嵌め込んだ後、キャリアプレートを研磨布を貼りつけた上定盤および下定盤で挟み、上下定盤とウェーハとの間に、例えばコロイダルシリカ等のスラリーを流し込み、上下定盤およびキャリアを互いに反対方向に回転させて行う。これにより、ウェーハ表面の凹凸を低減して平坦度の高いウェーハを得ることができる。
【００４７】
その後、ステップＳ８において、シリコンウェーハの周縁部に対して鏡面面取り処理を施す。この鏡面面取り処理は、例えば円筒形状のドラムにウレタンバフを貼り付けてモータ回転させる鏡面面取り装置を用いて行うことができる。鏡面面取り処理は、モータによりウレタンバフを回転させ、この回転中のバフの外周面にシリコンウェーハの周縁部を接触させ研磨する。これにより、ウェーハ周縁部が鏡面仕上げされる。
【００４８】
続いて、ステップＳ９において、片面研磨装置を用いて、両面研磨処理が施されたシリコンウェーハに対して片面研磨処理を施す。この片面研磨処理は、スウェード素材の研磨布を用い、研磨液として、例えばコロイダルシリカを含むアルカリ性の研磨液を用いて行うことができる。
【００４９】
最後に、片面研磨処理が施されたシリコンウェーハを最終洗浄した後、ステップＳ１０において、各種品質検査を行う。この検査では、ウェーハの平坦度、ウェーハ表面のＬＰＤの数、ダメージ、ウェーハ表面の汚染等を検査し、所定の製品品質を満足するウェーハのみが製品として出荷される。
【００５０】
こうして、周縁部の平坦性が高いシリコンウェーハを製造することができる。
【００５１】
（シリコンウェーハ）
続いて、本発明によるシリコンウェーハについて説明する。本発明によるシリコンウェーハは、図３に示したように、周縁部にシリコンウェーハ１の主面Ｍに垂直な端面Ｅと該端面Ｅと主面Ｍとを接続する曲面のみからなる面取り部Ｃとを有し、面取り部Ｃの曲率半径Ｒが３０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする。
【実施例】
【００５２】
次に、本発明の効果をさらに明確にするため、以下の実施例を挙げるが、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではない。
【００５３】
（発明例１〜３、比較例１および２）
図６に示したフローチャートに従ってシリコンウェーハを製造した。この図に示した製造フローと、図５に示したものとの違いは、二次面取り処理（ステップＳ１６）の後に平面研削処理を施すことである。その他は図５に示した処理と全て同じである。また、面取り処理については、二次面取り処理後に、面取り部の曲率半径Ｒおよび面取り幅Ａが表１に示した値となるように行った。
【００５４】
【表１】
0006471686.tif 000002
【００５５】
具体的には、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成し（ステップＳ１１）、育成した単結晶インゴットの外周部に対して研削処理を施して直径に調整した後（ステップＳ１２）、インゴットに対してウェーハ加工処理を施し（ステップＳ１３）、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを得た。
【００５６】
得られたシリコンウェーハに対して、コンタリング方式の面取り装置（ダイトエレクトロン社製：ＣＶＰ−３２０）を用いて、シリコンウェーハに対して一次面取り処理を行った（ステップＳ１４）。この面取り処理は、＃８００メタルボンド砥石にて行った。
【００５７】
続いて、一次面取り処理を行ったシリコンウェーハを、ラップ装置に搬送し、一次平坦化処理を施した（ステップＳ１５）。
【００５８】
その後、一次平坦化処理を施したシリコンウェーハに対して、ステップＳ１４で用いた面取り装置を用いて、二次面取り処理を行った（ステップＳ１６）。この処理は、＃３０００レジンボンド砥石を用いて行い、二次面取り処理後に、表１に示した面取り部の曲率半径Ｒおよび面取り幅Ａとなるように行った。
【００５９】
次いで、二次面取り処理を施したシリコンウェーハを平面研削装置に搬送し、シリコンウェーハの主面に対して研削処理を施し、厚さを約８００μｍに調整した（ステップＳ１７）。
【００６０】
続いて、平面研削処理が施されたシリコンウェーハに対して両面研磨処理を施した（ステップＳ１８）。その際、遊星運動式両面研磨装置を使用し、キャリアプレートとして、ステンレス製、厚さ約７５０μｍのものを用いた。また、研磨パッドとしては、ニッタ・ハース社製研磨布：ＬＰ５７を用い、研磨スラリーにはニッタ・ハース社製スラリー：Ｎａｌｃｏ２３５０を用いた。両面研磨処理は、昇降機により３００ｇ／ｃｍ２の加工面圧でキャリアプレートを上下定盤間で挟持しながら、上定盤および下定盤を互いに逆方向に回転させた。キャリアプレートはギア機構により上定盤と同方向に２０〜３０ｒｐｍで回転させて、キャリアプレート内に装填したシリコンウェーハの表裏面を研磨した。
【００６１】
次に、両面研磨処理を施したシリコンウェーハに対して、鏡面面取り処理を施した（ステップＳ１９）。
【００６２】
続いて、鏡面面取り処理を施したシリコンウェーハを、片面研磨装置に搬送し、シリコンウェーハの主面に対して仕上げ研磨処理を施した（ステップＳ２０）。
【００６３】
その後、仕上げ研磨処理を施したシリコンウェーハを最終洗浄した後、各種品質検査を行った（ステップＳ２１）。
【００６４】
（発明例４〜６、比較例３および４）
図７に示したフローチャートに従ってシリコンウェーハを製造した。この図に示した製造フローと、図６に示したフローチャートとの違いは、一次平坦化処理（ステップＳ４５）の後にエッチング処理（ステップＳ４６）を施すこと、および二次面取り処理（ステップＳ４６）の後に平面研削処理を施さないことである。その他は図６に示したフローチャートの処理と全て同じである。また、面取り処理については、二次面取り処理後に、面取り部の曲率半径Ｒおよび面取り幅Ａが表１に示した値となるように行った。上記エッチング処理は、水酸化ナトリウム水溶液を用いて行った。
【００６５】
＜ＥＳＦＱＲの測定＞
実施例１〜６および比較例１〜４について、ウェーハ周縁部のＥＳＦＱＲの最大値を測定した。この測定は、平坦度測定装置（ＫＬＡ-Ｔｅｎｃｏｒ社製：ＷａｆｅｒＳｉｇｈｔ２）を用いて行い、ウェーハの外周１ｍｍの部分を除外した２９８ｍｍを測定範囲とし、測定範囲の外周部を、セクター幅５°、セクター長３０ｍｍの７２個のセクターに分割して各セクターに対して行った。そして得られた７２個の測定値の最大値を、ＥＳＦＱＲの最大値とした。得られた結果を表１に示す。また、面取り部の曲率半径Ｒおよび面取り幅Ａは、エッジプロファイルモニター（株式会社コベルコ科研製：ＬＥＰ−２２００）を用いて、二次面取り処理後および片面研磨処理後に測定した。得られた曲率半径Ｒおよび面取り幅Ａについても表１に示す。
【００６６】
表１に示すように、比較例１〜４のＥＳＦＱＲの値は５７ｎｍ以上であるのに対して、発明例１〜６のＥＳＦＱＲは２６ｎｍ以下であり、ウェーハ周縁部の平坦性が大きく高められたことが分かる。また、二次面取り処理後に平面研削処理を施した発明例１〜３と、一次平坦化処理後にエッチング処理を施した発明例１〜３とでは、同程度のＥＳＦＱＲが得られており、プロセスに依存せずに、周縁部の平坦性が高いシリコンウェーハが得られることが分かる。
【００６７】
さらに、表１から、二次面取り処理後の面取り部の曲率半径が片面研磨処理後にも維持されていることが分かり、よって、面取り処理後に面取り部の曲率半径が３０μｍ以上１００μｍ以下に調整されていれば、周縁部の平坦性が高いシリコンウェーハが得られることも分かる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明によれば、シリコンウェーハの周縁部の平坦性を高めることができるため、半導体産業において有用である。
【符号の説明】
【００６９】
１  シリコンウェーハ
Ｍ  主面
Ｅ  端面
Ｃ  面取り部
Ｒ  曲率半径
【図１】
0006471686.tif 000003
【図２】
0006471686.tif 000004
【図３】
0006471686.tif 000005
【図４】
0006471686.tif 000006
【図５】
0006471686.tif 000007
【図６】
0006471686.tif 000008
【図７】
0006471686.tif 000009