(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般式（１）で示されるアミン誘導体を含むことを特徴とする有機電界発光素子用材料。
【化１】
0006549374.tif 000016
上記一般式（１）において、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のヘテロアリール基であり、
Ａｒ４及びＡｒ５は、互いに独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜２０の直鎖状または分岐状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のヘテロアリール基であり、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリーレン基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１５のヘテロアリーレン基であり、
ｎ、ｍは０〜４の整数である。
【請求項２】
前記Ａｒ１〜前記Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１８のヘテロアリール基である、請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項３】
前記Ａｒ１〜前記Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換のフェニル基、またはビフェニル基である、請求項２に記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項４】
前記Ｌ１及び前記Ｌ２は、フェニレン基である、請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を発光層中に含むことを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を陽極と発光層との間に配置された少なくともいずれか１つ以上の層中に含むことを特徴とする、有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の開発が盛んに行われており、また、有機電界発光表示装置に使用される自発光型の発光素子である有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）についても盛んに開発が行われている。
【０００３】
有機電界発光素子としては、例えば、陽極、陽極上に配置された正孔輸送層、正孔輸送層上に配置された発光層、発光層上に配置された電子輸送層、および電子輸送層上に配置された陰極からなる構造が知られている。
【０００４】
このような有機電界発光素子では、陽極および陰極から注入された正孔および電子が発光層中において再結合することで励起子を生成し、生成された励起子が基底状態に遷移することによって発光を行う。特許文献１〜３は、正孔輸送層又は正孔注入層に使用可能な正孔輸送材料又は正孔注入材料として、カルバゾリル（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）基を含むアミン（ａｍｉｎｅ）誘導体を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０２３１５０３号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１２／０９１４７１号
【特許文献３】国際公開第２０１０／１１０５５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１〜３に開示されたアミン誘導体を正孔輸送材料とした有機電界発光素子は、発光効率について満足できる値を得ることができなかった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、有機電界発光素子の発光効率を改善することが可能な、新規かつ改良された有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、下記の一般式（１）で示されるアミン誘導体を含むことを特徴とする有機電界発光素子用材料が提供される。
【０００９】
【化１】
0006549374.tif 000002
【００１０】
上記一般式（１）において、Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール（ａｒｙｌ）基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のヘテロアリール（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）基であり、
Ａｒ４及びＡｒ５は、互いに独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜２０の直鎖状または分岐状のアルキル（ａｌｋｙｌ）基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のヘテロアリール基、または任意の隣接した置換基を縮環して形成されたアリール基もしくはヘテロアリール基であり、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリーレン（ａｒｙｌｅｎｅ）基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１５のヘテロアリーレン（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌｅｎｅ）基であり、
ｎ、ｍは０〜４の整数である。
【００１１】
この観点によれば、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。
【００１２】
前記Ａｒ１〜前記Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１８のヘテロアリール基であってもよい。
【００１３】
この観点によれば、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。
【００１４】
前記Ａｒ１〜前記Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換のフェニル基（ｐｈｅｎｙｌ）、またはビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基であってもよい。
【００１５】
この観点によれば、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。
【００１６】
前記Ｌ１及び前記Ｌ２は、フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）基であってもよい。
【００１７】
この観点によれば、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。
【００１８】
本発明の他の観点によれば、上記有機電界発光素子用材料を発光層中に含むことを特徴とする、有機電界発光素子が提供される。
【００１９】
この観点によれば、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。
【００２０】
さらに、上記課題を解決するために、本発明のさらに別の観点によれば、上記有機電界発光素子用材料を陽極と発光層との間に配置された少なくともいずれか１つ以上の層中に含むことを特徴とする、有機電界発光素子が提供される。
【００２１】
この観点によれば、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように本発明によれば、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２５】
＜１．有機電界発光素子用材料の構成＞
本発明者は、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる有機電界発光素子用材料について鋭意検討した結果、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料に想到した。この有機電界発光素子用材料は、特に正孔輸送材料として用いた場合に、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる。そこで、まず、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料の構成について説明する。本実施形態に係る有機電界発光素子用材料は、以下の一般式（１）で示されるアミン誘導体を含む。
【００２６】
【化２】
0006549374.tif 000003
【００２７】
上記一般式（１）で表されるアミン誘導体は、２つのカルバゾリル基を有し、アミンの窒素原子は、各カルバゾリル基の４位の位置の炭素原子とＬ１またはＬ２を介して各カルバゾリル基の４位の位置の炭素原子と結合している。
【００２８】
さらに、上記アミン誘導体においては、２つのカルバゾリル基が同じ置換位置でアミンの窒素原子とＬ１、Ｌ２を介してアミンの窒素原子と結合しているため、アミンの窒素原子の周辺の分子構造が高い対称性を有している。このような構造上の特徴によって、発光効率が向上する。
【００２９】
上記一般式（１）において、Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のヘテロアリール基である。
【００３０】
Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１８のヘテロアリール基であることが好ましい。さらに、Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換のフェニル基、またはビフェニル基であることがより好ましい。
【００３１】
上記一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ３としては、置換もしくは無置換のフェニル（ｐｈｅｎｙｌ）基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、ターフェニル（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）基、ナフチル（ｎａｐｈｔｈｙｌ）基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントレニル（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、インデニル（ｉｎｄｅｎｙｌ）基、ピレニル（ｐｙｒｅｎｙｌ）基、フルオランテニル（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｙｌ）基、トリフェニレニル（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｙｌ）基、ペリレニル（ｐｅｒｙｌｅｎｙｌ）基、ナフチルフェニル（ｎａｐｈｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）基、またはビフェニレニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｙｌ）基等を挙げることができる。
【００３２】
さらに、上記一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ３としては、置換もしくは無置換のピリジル（ｐｙｒｉｄｙｌ）基、キノリル（ｑｕｉｎｏｌｙｌ）基、イソキノリル（ｉｓｏｑｕｉｎｏｌｙｌ）基、インドリル（ｉｎｄｏｌｙｌ）基、ベンゾオキサゾリル（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌ）基、ベンゾチアゾリル（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌ）基、キノキサリル（ｑｕｉｎｏｘａｌｙｌ）基、ベンゾイミダゾリル（ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）基、インダゾリル（ｉｎｄａｚｏｌｙｌ）基、ベンゾフラニル（ｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、イソベンゾフラニル（ｉｓｏｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、ジベンゾフラニル（ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、フェノキサジニル（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｙｌ）基、ベンゾチオフェニル（ｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌ）基、またはジベンゾチオフェニル（ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌ）基等を挙げることができる。
【００３３】
上記一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ３を構成するアリール基及びヘテロアリール基の置換基としては、上述したアリール基の他、アルキル基（例えばメチル（ｍｅｔｈｙｌ）基、エチル（ｅｔｈｙｌ）基等）、アルケニル（ａｌｋｅｎｙｌ）基（例えばビニル（ｖｉｎｙｌ）基等）、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子等）、シリル（ｓｉｌｙｌ）基（例えばトリメチルシリル（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）基等）、シアノ（ｃｙａｎｏ）基、アルコキシ（ａｌｋｏｘｙ）基（例えばメトキシ（ｍｅｔｈｏｘｙ）基、ブトキシ（ｂｕｔｏｘｙ）基等）、ニトロ（ｎｉｔｒｏ）基、ヒドロキシ(ｈｙｄｒｏｘｙｌ)基、チオール(ｔｈｉｏｌ)基等が挙げられる。ただし、熱安定性の観点からは、置換基は、ビニル基、インドリル基、及びトリフェニレニル基以外の官能基であることが好ましい。また、これらの置換基は、同様の置換基でさらに置換されていてもよい。
【００３４】
上記一般式（１）におけるＡｒ４及びＡｒ５は、互いに独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の直鎖状または分岐状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のヘテロアリール基であり、隣り合うＡｒ４同士、Ａｒ５同士は互いに結合して環を形成してもよい。
【００３５】
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子等を挙げることができる。
【００３６】
上記の炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル（ｐｒｏｐｙｌ）基、ブチル（ｂｕｔｙｌ）基、オクチル（ｏｃｔｙｌ）基、デシル（ｄｅｃｙｌ）基、ペンタデシル（ｐｅｎｔａｄｅｃｙｌ）基等）であっても、または分岐状アルキル基（例えば、ｔ−ブチル基等）であってもよい。
【００３７】
上記の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のヘテロアリール基としては、具体的には、Ａｒ１〜Ａｒ３を構成する置換もしくは無置換のアリール基及びヘテロアリール基を挙げることができる。また、アリール基及びヘテロアリール基の置換基についても、Ａｒ１〜Ａｒ３を構成するアリール基及びヘテロアリール基の置換基と同様のものを挙げることができる。
【００３８】
上記一般式（１）において、Ｌ１及びＬ２は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１５のヘテロアリーレン基である。さらに、Ｌ１及びＬ２は、フェニレン基であることが好ましい。なお、上記一般式（１）において、Ｌ１及びＬ２が単結合であるということは、アミンの窒素原子とアルバゾリル基が直接結合している状態のことを意味する。
【００３９】
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１５のヘテロアリーレン基としては、Ａｒ１〜Ａｒ３を構成するアリール基及びヘテロアリール基として列挙したアリール基及びヘテロアリール基の例のうちの環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数５〜１５のヘテロアリール基から、さらに１個の水素原子を除去して生成される二価基を挙げることができる。
【００４０】
ｎ、ｍは０〜４の整数である。ｎ、ｍが２以上となる場合、複数のＡｒ４は互いに同一であっても、異なっていてもよく、同様に、複数のＡｒ５は互いに同一であっても、異なっていてもよい。
【００４１】
特に、本実施形態に係る一般式（１）で表されるアミン誘導体は、発光層が青色発光材料または緑色発光材料を含む場合に、より好適に有機電界発光素子の発光効率を向上させることができる。
【００４２】
また、本実施形態に係る一般式（１）で表されるアミン誘導体を含む有機電界発光素子用材料は、有機電界発光素子において、有機電界発光素子の発光層と陽極との間に配置された少なくともいずれか１つ以上の層に好適に含まれる。具体的には、一般式（１）で表されるアミン誘導体を含む有機電界発光素子用材料は、有機電界発光素子の正孔輸送層層および正孔注入層に好適に含まれる。ただし、有機電界発光素子において、一般式（１）で表されるアミン誘導体が含まれる層は、上記例示に限定されない。例えば、一般式（１）で表されるアミン誘導体は、有機電界発光素子の陽極および陰極に挟まれた有機層のいずれに含まれていてもよく、具体的には、発光層中に含まれていてもよい。
【００４３】
上記の構成を有する有機電界発光素子用材料を用いた有機電界発光素子は、後述する実施例に示されるように、発光効率を大きく改善することができる。有機電界発光素子用材料に含まれるアミン誘導体の具体的な構成の例を以下に列挙する。しかしながら、本発明の一実施形態に係るアミン誘導体は、下記の化合物に限定されるものではない。
【００４４】
【化３】
0006549374.tif 000004
【化４】
0006549374.tif 000005
【化５】
0006549374.tif 000006
【００４５】
＜２．有機電界発光素子用材料を用いた有機電界発光素子について＞
次に、図１を参照しながら、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料を利用した有機電界発光素子について、簡単に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の一例を示す概略断面図である。
【００４６】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０と、を備える。
【００４７】
ここで、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料は、正孔輸送層及び発光層のうち、少なくとも一方に含まれる。有機電界発光素子用材料は、これらの層の両方に含まれていてもよい。有機電界発光素子用材料は、正孔輸送層１４０に含まれることが好ましい。
【００４８】
有機電界発光素子の第１電極１２０及び第２電極１８０の間に配置された各有機薄膜層は、公知の様々な方法、例えば蒸着法等で形成することができる。
【００４９】
基板１１０は、一般的な有機電界発光素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、半導体基板、又は、透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。
【００５０】
第１電極１２０は、例えば、陽極であり、蒸着法又はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法などを用いて基板１１０上に形成される。具体的には、第１電極１２０は、仕事関数が大きい金属、合金、導電性化合物等によって透過型電極として形成される。第１電極１２０は、例えば、透明であり、導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ：ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で形成されてもよい。また、第１電極１２０は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いて反射型電極として形成されてもよい。
【００５１】
第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする機能を備えた層であり、例えば第１電極１２０上に約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚さにて形成される。正孔注入層１３０は、公知の材料を用いて形成することができる。かかる公知の材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、又は、ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）等を挙げることができる。
【００５２】
正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は複数積層してもよい。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料を含む層であり、例えば正孔注入層１３０上に約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚さにて形成される。正孔輸送層１４０は、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料で形成されることが好ましい。なお、発光層１５０のホスト材料に本実施形態に係る有機電界発光素子用材料を用いた場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料を用いて形成されてもよい。公知の正孔輸送材料として、例えば、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ  ｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）等を挙げることができる。
【００５３】
正孔輸送層１４０には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光によって光を発する層であり、例えば、約１０ｎｍ〜約６０ｎｍの厚さで形成される。発光層１５０の材料としては、既知の発光材料を用いることができ、特に限定されるわけではないが、フルオランテン（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅ）誘導体、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）誘導体、アリールアセチレン（ａｒｙｌａｃｅｔｙｌｅｎｅ）誘導体、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）誘導体等から選ばれる。好ましくは、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、アントラセン誘導体が挙げられる。例えば、発光層１５０の材料として、以下の一般式（２）で表わされるアントラセン誘導体を用いてもよい。
【００５４】
【化６】
0006549374.tif 000007
【００５５】
上記一般式（２）中、Ａｒ６はそれぞれ独立的に、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３以上５０以下のシクロアルキル（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌ）基、置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルコキシ（ａｌｋｏｘｙ）基、置換もしくは無置換の炭素数７以上５０以下のアラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールオキシ（ａｒｙｌｏｘｙ）基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールチオ（ａｒｙｌｔｈｉｏ）基、置換もしくは無置換の炭素数２以上５０以下のアルコキシカルボニル（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のシリル（ｓｉｌｙｌ）基、カルボキシル（ｃａｒｂｏｘｙｌ）基、ハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）原子、シアノ（ｃｙａｎｏ）基、ニトロ（ｎｉｔｒｏ）基、又はヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙ）基であり、ｐは１以上１０以下の整数である。
【００５６】
上記一般式（２）中、Ａｒ６として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、およびジベンゾチエニル基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などを挙げることができる。
【００５７】
上記一般式（２）で表される化合物は、一例として、以下の構造式により示された化合物である。但し、上記一般式（２）で表される化合物は以下に限定されるわけではない。
【００５８】
【化７】
0006549374.tif 000008
【００５９】
発光層１５０は、例えば、スチリル誘導体（例えば、１，４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＣｚＶＢ）、４−（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）−４‘−［（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ］ｓｔｉｌｂｅｎｅ（ＤＰＡＶＢ）、Ｎ−（４−（（Ｅ）−２−（６−（（Ｅ）−４−（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ）ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ｖｉｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ（Ｎ−ＢＤＡＶＢｉ））、ペリレンおよびその誘導体（例えば、２，５，８，１１−ｔｅｔｒａ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｙｌｅｎｅ（ＴＢＰｅ））、ピレンおよびその誘導体（例えば、１，１−ｄｉｐｙｒｅｎｅ、１，４−ｄｉｐｙｒｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ、１，４−Ｂｉｓ（Ｎ，Ｎ−Ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｙｒｅｎｅ）等のドーパントを含み、本発明においては特に限定されない。
【００６０】
発光層１５０上には、例えば、Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（Ａｌｑ３）や含窒素芳香環を有する材料（例えば、１，３，５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅのようなピリジン環を含む材料や、２，４，６−ｔｒｉｓ（３‘−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎｅのようなトリアジン環を含む材料、２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−９，１０−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅのようなイミダゾール誘導体を含む材料）を含む、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を有する電子輸送材料を含む層であり、例えば発光層１５０上に約１５ｎｍ〜約５０ｎｍの厚さにて形成される。電子輸送層１６０上には、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、リチウム−８−キノリナート（Ｌｉｑ）等を含む材料を用いて、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、約０．３ｎｍ〜約９ｎｍの厚さにて形成される。
【００６１】
また、電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、例えば、陰極である。具体的には、第２電極１８０は、仕事関数が小さい金属、合金、導電性化合物等で反射型電極として形成される。第２電極１８０は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等で形成されてもよい。また、第２電極１８０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いて透過型電極として形成されてもよい。以上の各層は、真空蒸着、スパッタ、各種塗布など材料に応じた適切な成膜方法を選択することにより、形成することができる。
【００６２】
以上、本実施形態に係る有機電界発光素子１００の構造の一例について説明した。本実施形態に係る有機電界発光素子用材料を含む有機電界発光素子１００では、発光効率が改善される。
【００６３】
なお、本実施形態に係る有機電界発光素子１００の構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る有機電界発光素子１００は、公知の他の様々な有機電界発光素子の構造を用いて形成されてもよい。例えば、有機電界発光素子１００は、正孔注入層１３０、電子輸送層１６０及び電子注入層１７０のうち１層以上を備えていなくともよい。また、有機電界発光素子１００の各層は、単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
【００６４】
また、有機電界発光素子１００は、三重項励起子又は正孔が電子輸送層１６０に拡散する現象を防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層を備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、又は、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体等によって形成することができる。
【実施例】
【００６５】
以下では、実施例及び比較例を示しながら、本発明の実施形態に係る有機発光素子について、具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、本発明の実施形態に係る有機発光素子のあくまでも一例であって、本発明の実施形態に係る有機発光素子が下記の例に限定されるものではない。
【００６６】
（合成例１：実施例化合物１の合成）
本実施形態に係る実施例化合物１を、以下の合成スキームに沿って合成した。
【００６７】
【化８】
0006549374.tif 000009
【００６８】
反応容器に、化合物Ａ  １５０ｇ（３．７２ｍｍｏｌ）、化合物Ｂ  ３．０２ｇ（８．１９ｍｍｏｌ）、トルエン  １５ｍＬ、エタノール  ７．５ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液  ３．７ｍＬ  加え、容器内をアルゴン置換した。次に、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．２６ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）を加えた。その後還流下で１．５時間撹拌した。放冷後、有機層を抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をトルエン／ヘキサンで再結晶したところ、実施例化合物１の白色粉末状固体２．１７ｇ（収率８０％）を得た。得られた実施例化合物１の分子量をＦＡＢ−ＭＳ測定したところ、７２７．３０（Ｃ５４Ｈ３７Ｎ３）という値を得た。また、１Ｈ−ＮＭＲ測定（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）で測定された実施例化合物１のケミカルシフト量は、７．７７（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、７．６６−７．５７（ｍ，１２Ｈ）、７．５３−７．４７（ｍ，２Ｈ）、７．４２−７．３５（ｍ，１６Ｈ）、７．２２−７．２０（ｍ，２Ｈ）、７．１３−７．１０（ｍ，３Ｈ）であった。
【００６９】
（合成例２：実施例化合物８の合成）
本実施形態に係る実施例化合物８を、以下の合成スキームに沿って合成した。
【００７０】
【化９】
0006549374.tif 000010
【００７１】
反応容器に、化合物Ｃ  １．００ｇ（３．００ｍｍｏｌ）、化合物Ｄ  ２．６８ｇ（７．２１ｍｍｏｌ）、トルエン  １２ｍＬ、エタノール  ６．０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液  ３．０ｍＬ  加え、容器内をアルゴン置換した。次に、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．２１ｇ（０．１８ｍｍｏｌ）を加えた。その後還流下で１．５時間撹拌した。放冷後、有機層を抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をトルエン／エタノールで再結晶したところ、実施例化合物８の白色粉末状固体２．５０ｇ（収率９０％）を得た。得られた実施例化合物８の分子量をＦＡＢ−ＭＳ測定したところ、８２８．０１（Ｃ６２Ｈ４１Ｎ３）という値を得た。
【００７２】
（合成例３：実施例化合物１８の合成）
本実施形態に係る実施例化合物１８を、以下の合成スキームに沿って合成した。
【００７３】
【化１０】
0006549374.tif 000011
【化１１】
0006549374.tif 000012
【００７４】
（化合物Ｇの合成）
反応容器に、化合物Ｅ  ３．００ｇ（６．２７ｍｍｏｌ）、化合物Ｆ  １．２４ｇ（６．２７ｍｍｏｌ）、トルエン  ２５ｍＬ、エタノール  １２．５ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液  ６．３ｍＬ  加え、容器内をアルゴン置換した。次に、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．４３ｇ（０．３８ｍｍｏｌ）を加えた。その後還流下で１．５時間撹拌した。放冷後、有機層を抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製したところ、化合物Ｇの白色粉末状固体２．９４ｇ（収率８５％）を得た。得られた化合物Ｇの分子量をＦＡＢ−ＭＳ測定したところ、５５３．００（Ｃ３０Ｈ２１Ｂｒ２Ｎ）という値を得た。
【００７５】
つづいて、反応容器に、化合物Ｇ  ２．５０ｇ（４．５０ｍｍｏｌ）、化合物Ｈ  ４．００ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）、トルエン  １８ｍＬ、エタノール  ９．０ｍＬ、２Ｍリン酸三カリウム水溶液  ４．５ｍＬ  加え、容器内をアルゴン置換した。次に、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．３１ｇ（０．２７ｍｍｏｌ）を加えた。その後還流下で１．５時間撹拌した。放冷後、有機層を抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をトルエン／エタノールで再結晶したところ、実施例化合物１８の白色粉末状固体３．６４ｇ（収率９２％）を得た。得られた実施例化合物１８の分子量をＦＡＢ−ＭＳ測定したところ、８７９．３６（Ｃ６６Ｈ４５Ｎ３）という値を得た。
【００７６】
（有機電界発光素子の作製）
つぎに、有機電界発光素子を以下の製法により作製した。まず、予めパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）して洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板に、紫外線オゾン（Ｏ３）による表面処理を行った。なお、かかるＩＴＯ膜（第１電極）の膜厚は、１５０ｎｍであった。オゾン処理後、基板を洗浄した。洗浄済基板を有機層成膜用ガラスベルジャー型蒸着機にセットし、真空度１０−４〜１０−５Ｐａ下で、正孔注入層、ＨＴＬ（正孔輸送層）、発光層、電子輸送層の順に蒸着を行った。正孔注入層の材料は２−ＴＮＡＴＡとし、厚さは６０ｎｍとした。ＨＴＬの材料は表１に示されるものとし、厚さは３０ｎｍとした。
【００７７】
また、発光層の厚さは、２５ｎｍとした。発光材料のホストは９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）とした。ドーパントは、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）とした。ドーパントのドープ量は、ホストの質量に対して３質量％とした。電子輸送層の材料は、Ａｌｑ３とし、厚さは２５ｎｍとした。つづいて、金属成膜用ガラスベルジャー型蒸着機に基板を移し、真空度１０−４〜１０−５Ｐａ下で電子注入層、陰極材料を蒸着した。電子注入層の材料はＬｉＦとし、厚さは１．０ｎｍとした。第２電極の材料はＡｌとし、厚さは１００ｎｍとした。
【００７８】
【表１】
0006549374.tif 000013
【００７９】
表１における比較例化合物Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は、以下の構造式で示される。比較例化合物Ｃ１は、１つのカルバゾリル基を含むアミン誘導体の例である。比較例化合物Ｃ２は、２つのカルバゾリル基ずるナフタレン誘導体であり、各カルバゾリル基の４位の位置の炭素原子がナフタレンの１位と４位の炭素原子と結合した化合物の例である。さらに、比較例化合物Ｃ３は、２つのカルバソリル基を含むアミン誘導体であって、カルバゾリル基の３位の炭素原子がアミンの窒素原子と結合している例である。
【００８０】
【化１２】
0006549374.tif 000014
【００８１】
（特性評価）
次に、作成された有機電界発光素子の駆動電圧、発光効率について測定した。なお、作製した有機電界発光素子の発光特性の評価には、浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１１輝度配向特性測定装置を用いた。また、電流密度は１０ｍＡ／ｃｍ２にて測定した。結果を表１に示す。
【００８２】
表１を参照すると、本実施形態に係るアミン誘導体で正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成した実施例１〜３は、比較例１〜３に対して、発光効率が向上していることがわかる。
【００８３】
具体的には、本実施形態に係るアミン誘導体でＨＴＬを形成した実施例１〜３は、アミンの窒素原子の周辺の分子構造に対称性を有していないアミン誘導体を用いた比較例１に対して、発光効率が向上していることがわかる。また、実施形態に係るモノアミン誘導体でＨＴＬを形成した実施例１〜３は、２つのカルバゾリル基ずるナフタレン誘導体を用いた比較例２に対して、発光効率が向上していることがわかる。
【００８４】
さらに、実施例１〜３と比較例３とを比較する。実施例化合物１８、１０においては、各カルバゾリル基の４位の位置にある炭素原子が、フェニレンを介してアミンの窒素原子と結合している。比較例化合物Ｃ３においては、各カルバゾリル基の３位の位置にある炭素原子が、フェニレンを介してアミンの窒素原子と結合している。このような分子構造の違いから、実施例１〜３は比較例３と比較して発光効率が高くなったと推察される。
【００８５】
詳細には、下記の構造式（３−１）からわかるように、実施例化合物１８、１０においては、カルバゾリル基の４位の位置にある炭素原子がフェニレンを介してアミンの窒素原子と結合することにより、立体反発が発生し、カルバゾリル基とフェニレン基との間でねじれが生じる。これによりπ電子共役が狭くなるため、三重項エネルギー準位（Ｔ１）が高まり、正孔輸送層としての電子障壁性が高まると推察される。従って、電子を閉じ込めることができるため、有機電界発光素子の発光効率の向上を実現する事ができる。
【００８６】
一方、下記の構造式（３−２）で示されるように、比較例化合物Ｃ３においては、カルバゾリル基の２位（３位）の位置にある炭素原子がフェニレンを介してアミンの窒素原子と結合しているため、立体反発が発生せず、カルバゾリル基とフェニレン基との間でねじれが生じることはない。したがって、比較例化合物Ｃ３においては、ねじれが生じないためπ電子共役が狭まることはなく、実施例化合物１８、１０と比較して三重項エネルギー準位が高くなることはない。このような分子構造の違いに起因する三重項エネルギー準位の違いにより、実施例１〜３は比較例３と比較して発光効率が高くなったと推察される。なお、比較例化合物１（カルバゾリル基の４位の位置にある炭素原子がアミンの窒素原子と結合した場合）の三重項エネルギー準位は２．３２ｅＶであるのに対して、比較例化合物３（カルバゾリル基の３位の位置にある炭素原子がアミンの窒素原子と結合した場合）の三重項エネルギー準位は２．２４ｅＶ、また、比較例化合物３においてカルバゾリル基の２位の位置にある炭素原子が窒素原子と結合した構造を有する化合物の三重項エネルギー準位は２．１３ｅＶである。カルバゾリル基の４位の位置にある炭素原子がアミンの窒素原子と結合した場合は、３位又は２位の位置にある炭素原子が結合した場合に比べて、高い値となっている。
【００８７】
【化１３】
0006549374.tif 000015
【００８８】
このように、本実施例では、青色〜青緑色領域において、有機電界発光素子の発光効率が大きく改善した。
【００８９】
以上により、本実施形態では、有機電界発光素子用材料は、一般式（１）に示すアミン誘導体を含むので、これを用いた有機電界発光素子は、発光効率が大きく改善する。したがって、本実施形態の有機電界発光素子用材料は、様々な用途の実用化に有用である。
【００９０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００９１】
１００    有機電界発光素子
１１０    基板
１２０    第１電極
１３０    正孔注入層
１４０    正孔輸送層
１５０    発光層
１６０    電子輸送層
１７０    電子注入層
１８０    第２電極
【図１】
0006549374.tif 000017