(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持具を用いて基材を支持した後、前記基材の表面にＣＶＤ法によりセラミック被膜を形成するセラミック部材の製造方法において、
前記支持具は、頂面を有する、円柱形状又は四角柱状の本体と、前記頂面よりも上方に突出した支持部とを有し、前記頂面は前記支持部を除く領域が平面であり、
前記頂面により前記支持部へのセラミック被膜の原料ガスの侵入を防止することにより、前記基材の表面に、前記支持部に向かって漸次膜厚が薄くなる傾斜部を形成することを特徴とするセラミック部材の製造方法。
【請求項２】
前記支持部の支持面における最外縁と前記頂面の外形線との距離は、前記基材と前記頂面との隙間の４〜２０倍であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック部材の製造方法。
【請求項３】
前記支持部は、前記頂面の中心にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック部材の製造方法。
【請求項４】
前記セラミック被膜は、ＳｉＣであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちのいずれか１項に記載のセラミック部材の製造方法。
【請求項５】
前記基材は黒鉛の芯材を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちのいずれか１項に記載のセラミック部材の製造方法。
【請求項６】
前記セラミック被膜を形成する工程は、前記基材に対する前記支持具の位置を変え複数回にわたって繰り返されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のうちのいずれか１項に記載のセラミック部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材にセラミック被膜を形成したセラミック部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ法によって基材にセラミック被膜が形成されたセラミック部材は、基材をセラミック被膜で保護できるため様々な分野で使用されている。加工性に優れた黒鉛を基材として用い、表面をセラミック被膜で保護したセラミック部材は、セラミック被膜による基材の反応の防止、耐消耗性の向上などを目的として、半導体製造装置、単結晶引き上げ装置、構造用セラミック部品など様々な分野で使用されている。
しかしながら、ＣＶＤ法では、基材を支持する必要があり、支持点にセラミック被膜が形成できないため、基材が露出する部分ができてしまう。基材が露出し反応性環境下で使用されると、支持点部分から消耗、劣化してしまう問題があった。このような問題を解決するため、様々な工夫が行われている。
【０００３】
特許文献１には、基材の露出した支持点を形成しないよう、先端部にセラミック基材を支持して反応炉内でセラミック基材にセラミック部材被膜を形成してセラミック部材を製造する。この際に、黒鉛からなる芯材と、少なくとも先端部を含む表面に、熱分解炭素層を介在させた支持具被膜とを有することを特徴とするセラミック基材支持具を用いることが記載されている。
このセラミック基材支持具によれば、セラミック基材支持具が、黒鉛の芯材を有し、その黒鉛の表面に熱分解炭素が被覆され、さらにその表面が支持具被膜にて被覆されている。熱分解炭素は気孔がないため、支持具被膜を被覆した際に、支持具被膜は熱分解炭素層内部に浸透して形成されないので、支持具被膜と熱分解炭素層との接着力を小さくすることができる。
【０００４】
従って、セラミック基板にセラミック部材被膜を形成したセラミック部材およびセラミック基材支持具からセラミック基材支持具を取り除く際に、セラミック基材支持具の熱分解炭素層と支持具被膜との間（すなわち決まった箇所）で容易に切り離される。そのためセラミック部材からセラミック基材が露出したり、セラミック基板に形成されたセラミック部材被膜の表面に、セラミック基材支持具の支持具被膜の残る量が多くなりすぎることによるセラミック基板のセラミック被膜の凹凸ができにくくなることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１８４１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の発明においては、支持具と基材とを切り離す際にセラミック被膜のバリが発生し、傷、パーティクルの原因となる有害な突起となって残留しやすくなる。また、支持具と基材とを切り離す際に微少なクラックが発生する。微少なクラックは、まれにセラミック部材の基材に到達し、セラミック部材の寿命を短くする原因となる。このため、支持点の周囲にバリあるいは微少なクラックの無いセラミック部材が望まれる。
【０００７】
本発明は、前記課題を鑑み、セラミック部材製造時における支持点の周囲に、バリあるいは微少なクラックが発生するのを防止できるセラミック部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための本発明のセラミック部材の製造方法は、支持具を用いて基材を支持した後、前記基材の表面にＣＶＤ法によりセラミック被膜を形成するセラミック部材の製造方法において、前記支持具は、外形線に囲まれた頂面を有するとともに、前記頂面の内側に前記外形線よりも高い支持部を有する。
【０００９】
本発明のセラミック部材の製造方法によれば、支持具を用いて基材を支持し、この状態でＣＶＤ法により基材の表面にセラミック被膜を形成する。このとき、支持具は、外形線に囲まれた頂面を有するとともに、前記頂面の内側に外形線よりも高い支持部を有する。
【００１０】
支持具の頂面が基材に面し、頂面の内側に外形線より高い支持部を有しているので、頂面の内側が基材に接触し、外側が基材と離れている。このため、頂面の外形線は、支持部より低くなっているので、頂面の外側部分によって支持部へのＣＶＤの原料ガスの侵入を防止することができ、支持部と基材とが形成されたセラミック被膜によって固着することを防止することができる。
このため、支持具に載置された基材をＣＶＤ後に、セラミック被膜によって固着されていないので、取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。
【００１１】
さらに、本発明のセラミック部材の製造方法は、以下の態様であることが望ましい。
（１）前記支持部は、前記頂面の中心にある。
支持部が頂面の中心にあると、支持具の頂面が面するセラミック被膜の薄い支持領域の中心で基材を支持することになる。このため、非製膜領域の面積を少なくすることができる。
【００１２】
（２）前記頂面は前記外形線から盛り上がる凸面である。
頂面の形状が、前記外形線から盛り上がる凸面であると、外側部分から支持部に向かって頂面と基材との間隔が急速に狭くなっていくので、支持領域への原料ガスの回り込みを効率よく抑制でき、基材の支持領域に形成される非製膜領域の面積をさらに少なくすることができる。
【００１３】
（３）前記支持具は、内部に突起を有する。
支持具に突起を有していると、基材と頂面との間隔を十分に確保することができるので、厚くセラミック被膜を製膜しても、基材と支持具とが固着することを防止することができる。
【００１４】
（４）前記セラミック被膜は、ＳｉＣである。
セラミック被膜が、ＳｉＣであると以下のメリットがある。すなわち、ＳｉＣは、化学的に安定であるため、基材の消耗を防止することができる。また、ＳｉＣは、硬く、耐摩耗性のあるセラミック材料であるので、基材の摩耗、損傷を防止することができる。
【００１５】
（５）前記基材は黒鉛からなる芯材を有する。
黒鉛は、結晶に劈開面を有するので、芯材が黒鉛で構成されると、容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材を得ることができる。基材が黒鉛の芯材を有するとは、基材そのものが黒鉛からなる、あるいは黒鉛にセラミック被膜が形成されている基材を含む。
【００１６】
（６）前記セラミック被膜を形成する工程は、前記基材に対する支持具の位置を変え複数回にわたって繰り返される。
本発明のセラミック部材の製造方法は、基材に対する支持具の位置を変えてセラミック被膜を形成する工程を複数回にわたって繰り返すことにより、基材の芯材をセラミック被膜で完全に覆うことができる。例えば、基材が黒鉛である場合、１回目のセラミック被膜の形成では、支持部が当接する近傍は、黒鉛からなる基材が露出する。しかしながら、支持具の位置を変えて、セラミック被膜の形成された基材であるセラミック部材を、新たな基材として２回目のセラミック被膜の形成を行うことにより、露出した黒鉛の基材を２層目のセラミック被膜で覆い隠すことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のセラミック部材の製造方法によれば、支持具を用いて基材を支持し、この状態でＣＶＤ法により基材の表面にセラミック被膜を形成する。このとき、支持具は、前記支持具は、外形線に囲まれた頂面を有するとともに、前記頂面の内側に外形線よりも高い支持部を有する。
【００１８】
支持具の頂面が基材に面し、頂面の内側に外形線より高い支持部を有しているので、頂面の内側が基材に接触し、外側が基材と離れている。このため、頂面の外形線は、支持部より低くなっているので、頂面の外側部分によって支持部へのＣＶＤの原料ガスの侵入を防止することができ、支持部と基材とが形成されたセラミック被膜によって固着することを防止することができる。
このため、支持具に載置された基材をＣＶＤ後に、セラミック被膜によって固着されていないので、取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（Ａ）ないし（Ｃ）は本発明の実施の形態に係るセラミック部材の製造方法を示す工程図である。
【図２】（Ａ）は支持具の斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）中Ｂ−Ｂ位置の断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は支持具の変形例を示す斜視図および断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は第２のセラミック被膜を形成する際に支持具で支持された部位の断面図および底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明のセラミック部材の製造方法について説明する。
【００２１】
本発明のセラミック部材の製造方法は、支持具を用いて基材を支持した後、前記基材の表面にＣＶＤ法によりセラミック被膜を形成するセラミック部材の製造方法において、前記支持具は、外形線に囲まれた頂面を有するとともに、前記頂面の内側に前記外形線よりも高い支持部を有する。
【００２２】
支持具の頂面が基材に面し、頂面の内側に外形線より高い支持部を有しているので、頂面の内側が基材に接触し、外側が基材と離れている。このため、頂面の外形線は、支持部より低くなっているので、頂面の外側部分によって支持部へのＣＶＤの原料ガスの侵入を防止することができ、支持部と基材とが形成されたセラミック被膜によって固着することを防止することができる。
このため、支持具に載置された基材をＣＶＤ後に、セラミック被膜によって固着されていないので、取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。
【００２３】
さらに、本発明のセラミック部材の製造方法は、以下の態様であることが望ましい。
（１）前記支持部は、前記頂面の中心にある。
支持部が頂面の中心にあると、支持具の頂面が面するセラミック被膜の薄い支持領域の中心で基材を支持することになる。このため、非製膜領域の面積を少なくすることができる。
【００２４】
（２）前記頂面は前記外形線から盛り上がる凸面である。
頂面の形状が、外形線から盛り上がる凸面であると、外側部分から支持部に向かって頂面と基材との間隔が急速に狭くなっていくので、支持領域への原料ガスの回り込みを効率よく抑制でき、非製膜領域をより少なくすることができる。
【００２５】
（３）前記支持具は、内部に突起を有する。
支持具に突起を有していると、基材と頂面との間隔を十分に確保することができるので、厚くセラミック被膜を製膜しても、基材と支持具が固着することを防止することができる。
【００２６】
（４）前記セラミック被膜は、ＳｉＣである。
セラミック被膜が、ＳｉＣであると以下のメリットがある。すなわち、ＳｉＣは、化学的に安定であるため、基材の消耗を防止することができる。また、ＳｉＣは、硬く、耐摩耗性のあるセラミック材料であるので、基材の摩耗、損傷を防止することができる。
【００２７】
（５）前記基材は黒鉛の芯材を有する。
黒鉛は、結晶に劈開面を有するので、基材の芯材が黒鉛で構成されると、容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材を得ることができる。基材が黒鉛の芯材を有するとは、基材そのものが黒鉛からなる、あるいは黒鉛にセラミック被膜が形成されている基材を含む。
【００２８】
（６）前記セラミック被膜を形成する工程は、前記基材に対する支持具の位置を変え複数回にわたって繰り返される。
本発明のセラミック部材の製造方法は、基材に対する支持具の位置を変えてセラミック被膜を形成する工程を複数回にわたって繰り返すことにより、基材の芯材をセラミック被膜で完全に覆うことができる。例えば、基材が黒鉛である場合、１回目のセラミック被膜の形成では、支持部が当接する近傍は、黒鉛からなる基材が露出する。しかしながら、支持具の位置を変えて、セラミック被膜の形成された基材であるセラミック部材を、新たな基材として２回目のセラミック被膜の形成を行うことにより、露出した黒鉛の基材を２層目のセラミック被膜で覆い隠すことができる。
【００２９】
（実施形態）
本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法について説明する。本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法では、支持具３０を用いて基材２０にセラミック被膜２１を形成することによってセラミック部材１０Ａを製造する。
まず、図１（Ａ）に示すように、基材２０を支持具３０で支持する。支持具３０の数は特に限定されない。基材２０の重心を支持部３２の先端の支持面３２２より下にできれば、支持具３０は１個でも安定してＣＶＤ法によってセラミック被膜２１（第１のセラミック被膜２２、第２のセラミック被膜２３）を形成することができる。また、後述する支持部３２の面積が充分に大きく、支持部３２の支持面３２２の上に基材２０の重心が入るように配置することによって、ＣＶＤ法によってセラミック被膜２１を形成することができる。
ここでは、複数個（３個以上）の支持具３０の上に基材２０を略水平に載置する場合について説明する。
【００３０】
基材２０は、特に限定されない。たとえば、金属、セラミックなどどのようなものでも利用することができる。セラミックは耐熱性を有しているので適している。中でも、セラミックとしては、ＡＬＮ、Ａｌ２Ｏ３、黒鉛、ＢＮ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などが利用でき、なかでも黒鉛は、加工性に優れているので好適に利用できる。
基材２０の形状は特に限定されない。基材２０にセラミック被膜２１を形成することによってセラミック部材１０Ａを製造するので、基材２０は目的のセラミック部材１０Ａの形状に加工しておく。セラミック部材１０Ａは、用途に合わせて様々な形状に製造される。例えば、円盤、リング、筒、板、箱などどのようなものでもよく特に限定されない。
【００３１】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、支持具３０は、例えば円柱形状の支持具本体３１を有しており、本体上面３１１に、頂面を有し、基材２０の表面２０１に接触するとともに頂面の外形線３１２より高い支持部３２を有する。支持部３２は全体円錐台形状を呈しており、側面３２１と、支持面３２２とを有する。支持面３２２は、ある程度の面積を有する平面状になっているが、先端が尖る形状（円錐形状）とすることも可能である。
本体上面３１１の頂面は、支持部３２を除く領域が平面である。
【００３２】
すなわち、図２（Ｂ）に示すように、支持部３２は、本体上面３１１の頂面の大部分を構成する平面から上方に突出しており、支持部３２の支持面３２２が基材２０を支持した際に、基材２０と本体上面３１１の頂面との間に、隙間Ｓが形成される。
また、支持部３２の支持面３２２における最外縁３２３と、頂面の外形線３１２との距離Ｌは、隙間Ｓの４〜２０倍である。
【００３３】
支持具３０は、支持具本体３１、および支持部３２が一体的に形成される。例えば、支持具本体３１、および支持部３２を削り出しや金型により一体成形で形成することができる。また、支持具本体３１、および支持部３２を接着剤等で接着して一体化することもできる。
なお、支持具３０としては、以下の形状を採用することも可能である。
図３（Ａ）に示す支持具３０Ａは、支持具本体３１の頂面に、外形線３１２から中心に向かって曲面状に盛り上がる凸面を有し、この凸面の最上部が支持部に相当する。
図３（Ｂ）に示す支持具３０Ｂは、支持具本体３１の平面である頂面の中心に部分的に形成された半球状の凸面の支持部３２を有する。
図３（Ｃ）に示す支持具３０Ｃは、支持具本体３１の平面である頂面の中心に部分的に円錐の支持部３２を有する。
図３（Ｄ）に示す支持具３０Ｄは、支持具本体３１を四角柱状に形成して、四角形の頂面に全体円錐台形状の支持部３２を有する。
以上のように、支持具３０Ａ〜３０Ｄは、いずれの場合にも、支持部３２の形状や、支持部３２が支持具本体３１の外形線よりも上方に突出していることは同様である。
【００３４】
図１（Ｂ）に示すように、支持具３０により支持された基材２０の表面に、ＣＶＤ法により第１のセラミック被膜２２（セラミック被膜２１）を形成する。このとき、支持具３０の頂面の外側領域が、被膜の原料ガスの内側領域への流入を制限し、外形線３１２と基材２０との間の隙間Ｓから僅かの原料ガスのみが流入する。
その結果、第１のセラミック被膜２２は、支持具３０の頂面が対向する支持領域において、支持部３２側に向かって基材２０側に傾斜する傾斜部２２１が形成される。そして、傾斜部２２１の内側には、第１のセラミック被膜２２が形成されない非製膜領域である開口部２２２が形成される。
なお、支持具の頂面の外形線と支持部３２とを平面視同心円状とすることにより、頂面の中心部に支持部を配置することができる。このようにして原料ガスが到達する距離に偏りを小さく、基材２０との固着を方向によらず、等しく防止することができ、非製膜領域の面積を少なくすることができる。
【００３５】
なお、セラミック被膜２１（第１のセラミック被膜２２および後述する第２のセラミック被膜２３）は、特に限定されない。例えば、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＮなどが利用できる。ＳｉＣは加工性に優れた黒鉛と熱膨張係数も同等であるので剥離しにくく、黒鉛よりも硬く、耐蝕性を有しているので、黒鉛の基材と組み合わせて使用することが望ましい。
【００３６】
続いて、図１（Ｃ）に示すように、基材２０における支持具３０により支持される部位を変更して再び支持具３０に載置して、ＣＶＤ法により第２のセラミック被膜２３（セラミック被膜２１）を形成する。ここでは、例えば基材２０の上下面を反転させて支持具３０に載置した場合が示されている。この他、上下面はそのままで基材２０を回転させ、下面における支持具３０による支持部位を変えることもできる。
【００３７】
次に、以上のようにして製造されたセラミック部材１０Ａについて説明する。セラミック部材１０Ａは、２回にわたってＣＶＤが行われ、２つのセラミック被膜２１（第１のセラミック被膜２２、第２のセラミック被膜２３）を有している。
図１（Ｃ）において製造されたセラミック部材１０Ａは、基材２０が第１のセラミック被膜２２および第２のセラミック被膜２３により覆われている。
ここで、１回目のＣＶＤにおいて、基材２０が、本発明の「基材」に相当し、第１のセラミック被膜２２は、本発明の「セラミック被膜」に相当する。２回目（最後）のＣＶＤにおいて、基材２０と第１のセラミック被膜２２とが、本発明の「基材」に相当し、第２のセラミック被膜２３は、本発明の「セラミック被膜」に相当する。なお、１回目の２回目のＣＶＤにおいて、基材に対する支持具の位置は変えられており、基材２０は、第１のセラミック被膜及び／または第２のセラミック被膜で覆われている。なお、いずれのＣＶＤにおいても基材は黒鉛の芯材を有している。
【００３８】
第１のセラミック被膜２２には、第１のセラミック被膜２２を形成する際に支持した支持具３０により、傾斜部２２１および開口部２２２よりなる支持領域２２０が形成されている（図１（Ｂ）参照）。なお、支持領域は、支持具の頂面に対向して形成される。
第１のセラミック被膜２２を形成する際に生じた開口部２２２および傾斜部２２１は、図１（Ｃ）に示すように２回目（最後）のＣＶＤにより第２のセラミック被膜２３で覆われる。すなわち、１回目のＣＶＤにより形成された開口部２２２および傾斜部２２１は、２回目（最後）のＣＶＤにより開口部であった部分２２２’および傾斜部であった部分２２１’となり、支持領域２２０は第２のセラミック被膜２３で覆われて支持領域であった部分２２０’となる。
【００３９】
また、図４（Ａ）および図４（Ｂ）にも示すように、２回目のＣＶＤにおいて第２のセラミック被膜２３を形成する際に支持具３０で支持された部位には、第２のセラミック被膜２３が形成されずに第１のセラミック被膜２２が露出する開口部２２２を有する。開口部２２２の周囲には、第２のセラミック被膜２３の表面から第１のセラミック被膜２２との界面２３２まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部２２１が形成される。なお、開口部２２２と、傾斜部２２１とは支持領域２２０を構成する。
開口部２２２の面積は、支持領域２２０の面積の１０％〜６０％である。
【００４０】
次に、本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法の作用、効果について説明する。
本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法によれば、支持具３０を用いて基材２０を支持し、この状態でＣＶＤ法により基材２０の表面にセラミック被膜２１を形成する。このとき、支持具３０は、基材２０の表面２０１に接触する支持部３２と、基材２０の表面２０１に対して隙間Ｓを有するように支持部３２は頂面の外形線３１２に囲まれる。
【００４１】
このため、外形線に囲まれた頂面の外側領域によって支持部３２へのＣＶＤの原料ガスの侵入を防止することができ、支持部３２と基材２０とが形成されたセラミック被膜２１によって固着することを防止することができる。
このため、支持具３０に載置された基材２０をＣＶＤ後に、セラミック被膜２１によって固着することがなく、取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。
【００４２】
本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法によれば、支持具３０は支持部３２が一体的に構成されているので、基材２０を支持具３０に載置する際に、基材２０を傾けて載置しようとすると、基材２０は頂面の外形線３１２である端部から先に接触する。例えば基材２０が平面である場合、複数（例えば３点）の支持部３２の先端が形成する載置面と、基材２０とが平行となった時にはじめて支持部３２が基材２０と接触できるようになる。
このため、支持部３２の先端を損傷しにくくことができる。また、基材２０と頂面との隙間Ｓの間隔を、確保することができる。
【００４３】
本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法によれば、支持具３０における支持部３２の最外縁３２３と頂面の端部である外形線３１２との距離Ｌが、隙間Ｓの間隔の４倍以上であると、隙間Ｓから侵入した原料ガスが、支持部３２と基材２０との接触点に到達しにくくすることができる。このため、支持具３０と基材２０との固着が起きにくくすることができる。
また、支持具３０における支持部３２の最外縁３２３と頂面の端部である外形線３１２との距離Ｌが、隙間Ｓの間隔の２０倍以下であると、基材２０にセラミック被膜２１の形成されていない開口部２２２を小さく、すなわち、セラミック被膜２１に覆われる面積を大きくすることができるので、基材２０を保護しやすくすることができる。
【００４４】
本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法によれば、セラミック被膜２１が、ＳｉＣであると以下のメリットがある。すなわち、ＳｉＣは、化学的に安定であるため、基材２０の消耗を防止することができる。また、ＳｉＣは、硬く、耐摩耗性のあるセラミック材料であるので、基材２０の摩耗、損傷を防止することができる。
【００４５】
本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法によれば、１回目のＣＶＤにおいて、基材２０は黒鉛で構成される。黒鉛は、結晶に劈開面を有するので、基材２０の中心部が黒鉛で構成されると、容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材１０Ａを得ることができる。また、２回目のＣＶＤにおいては、セラミック被膜２１（第１のセラミック被膜２２）に覆われた黒鉛を芯材とする基材が用いられる。黒鉛が芯材であるので、同様に容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材１０Ａを得ることができる。
【００４６】
本発明の実施の形態のセラミック部材の製造方法によれば、基材２０に対する支持具３０の位置を変えて複数回にわたって繰り返すことにより、基材２０の芯材をセラミック被膜で完全に覆うことができる。例えば、基材２０が黒鉛である場合、１回目のセラミック被膜２１（第１のセラミック被膜２２）の形成では、支持部３２が当接する近傍は、黒鉛からなる基材２０が露出する。しかしながら、支持具３０の位置を変えて、セラミック被膜２１の形成された基材２０であるセラミック部材１０Ａを、新たな基材２０として２回目のセラミック被膜２１（第２のセラミック被膜２３）の形成を行う。これにより、露出した黒鉛の基材２０を２層目のセラミック被膜２１（第２のセラミック被膜２３）で覆い隠すことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明のセラミック部材の製造方法は、基材にセラミック被膜を形成したセラミック部材を製造するのに用いることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０Ａ、１０Ｂ  セラミック部材
２０  基材
２０１  表面
２１  セラミック被膜
３０、３０Ａ、３０Ｂ、４０  支持具
３１２  外形線
３２、４２  支持部
３２３  最外縁
Ｓ  隙間
【図１】
0006506056.tif 000002
【図２】
0006506056.tif 000003
【図３】
0006506056.tif 000004
【図４】
0006506056.tif 000005