(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク組成物を充填するための第１パターン及び第２パターンを有し、
前記第２パターンの深さの平均値は、前記第１パターンの深さの平均値よりも小さく、
前記第１パターン及び第２パターンが、互いに近傍に存在する、印刷版を用いた印刷パターンの形成方法であって、
前記印刷版の前記第１パターン及び第２パターンにインク組成物を充填する工程と、
前記第２パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写することなく、前記第１パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写する工程と、
前記第１パターンから転写されたインク組成物より、前記印刷対象物上で印刷パターンを形成する工程と、を有する、印刷パターンの形成方法。
【請求項２】
前記第２パターンの深さの平均値が、前記第１パターンの深さの平均値の０．５倍以下の値である、請求項１に記載の印刷パターンの形成方法。
【請求項３】
隣り合う前記第１パターンと前記第２パターンとの間の距離が２００μｍ以下である、請求項１又は２に記載の印刷パターンの形成方法。
【請求項４】
前記第１パターンの幅が２０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の印刷パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インク組成物を用いて印刷パターンを形成するための印刷版、及び前記印刷版を用いた印刷パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材上に印刷パターンが形成されてなる積層体は、印刷パターンを単に視覚的に認識するための用途だけでなく、様々な用途で広く利用されている。例えば、導電性の印刷パターンは、回路を構成するための配線として有用であり、このような配線が基材上に形成されてなる積層体は、回路基板として利用可能である。そして、近年では、各種の表示素子や通信機器等の電子機器の分野において、導電性インク組成物を用いた印刷技術により、導電性の印刷パターンを形成する技術が種々報告されている。
【０００３】
導電性パターンの形成方法としは、従来より、フォトリソグラフィー法が主流である。しかし、フォトリソグラフィー法では、レジスト組成物の使用が必要であり、現像や洗浄等の付帯工程も多く、工程が煩雑でコストの低減も難しいという問題点があった。これに対して、印刷技術による導電性パターンの形成方法は、工程が簡略化されており、特に、大面積のパターンの形成に有利であって、コストの低減余地も大きい。そして、例えば、オフセット印刷法による、微細な導電性パターンの形成も可能になってきている。このように、印刷技術によるパターンの形成は、様々な分野で利用価値の高いものとなってきている。
【０００４】
このような中、印刷技術によるパターンの形成方法においては、特有の問題点が指摘されるようになってきている。例えば、オフセット印刷法においては、周知のように、インク組成物を充填するためのパターニングされた凹部を有する印刷版を用い、この印刷版上にインク組成物を供給した後、ドクターブレードによって前記凹部にインク組成物を充填し、この充填されたインク組成物をブランケット上に転写し、さらにこの転写後のインク組成物を印刷対象物上に転写することで、印刷パターンが形成される。このとき、形成された印刷パターンは、印刷対象物上のふち（へり）に近い領域では、変形したり、擦れたり、欠損したりすることが頻繁にあり、目的とする形状が精度よく得られないことがあるという問題点があった。このような現象は、特に印刷面が大面積である場合、印刷パターンが微細である場合に生じ易い。
【０００５】
上述の印刷パターンの乱れは、インク組成物が充填された印刷版では、充填当初、インク組成物中の溶媒の揮発量が、中央部よりも外周部近傍において相対的に少ないことが原因で生じていると推測される。印刷版においては、通常、外周部に近いほど、互いに近傍に存在する、印刷パターンを形成するための凹部の数が少なくなる。したがって、印刷版の外周部近傍では、揮発した溶媒の蒸気圧が、中央部よりも相対的に低いため、経時とともに外周部近傍では中央部よりも、充填されているインク組成物の乾燥が速く進行する。その結果、外周部近傍では中央部よりも、充填されているインク組成物はより固化した状態となっているために、ブランケットや印刷対象物に対して、転写され難くなっており、これが上述の印刷パターンの乱れの原因であると推測される。
【０００６】
このような問題点を解決する手法としては、目的とする印刷パターンを形成するための凹部に相当する実パターンを所定の領域に有するとともに、目的外の印刷パターンを形成するための凹部に相当するダミーパターンを外周部近傍に有する印刷版を用いて、オフセット印刷法により、印刷パターンを形成する方法が開示されている（特許文献１参照）。この方法では、ダミーパターンに充填されたインク組成物によって、充填当初から、印刷版の外周部近傍でも中央部のように、揮発した溶媒の蒸気圧が高くなるため、経時に伴うインク組成物の乾燥（固化）が抑制される。したがって、印刷版の外周部近傍でも中央部と同様に、充填されているインク組成物は、ブランケットや印刷対象物に対して、転写され易い状態が維持され、印刷パターンの乱れが抑制されると推測される。また、この方法では、ダミーパターンによって目的外の印刷パターンが印刷対象物上に形成されてしまうが、この目的外の印刷パターン上には、さらに印刷パターンを重ねて形成して、最終的には全体として目的とする印刷パターンを印刷対象物上に形成する様になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３５３９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１で開示されている方法では、印刷パターンを重ねて形成することで、見かけ上痕跡が消されるとしても、目的外の印刷パターンが印刷対象物上に形成されてしまうのであり、本来であれば不必要な印刷パターンの形成を伴うという問題点があった。そして、このような不必要な印刷パターンは、配置位置が限定されるという問題点もあった。さらに、特許文献１で開示されている方法は、印刷版の外周部近傍に対応した、印刷対象物上のふち（へり）に近い領域における印刷パターンの乱れを抑制するものであるが、同様の印刷パターンの乱れは、印刷版においてインク組成物を充填するための凹部の密度が低く、充填されたインク組成物が乾燥し易い部位に対応した、印刷対象物上の領域、換言すると、印刷対象物上の印刷パターンの密度が低い領域であれば、ふちに近い領域以外でも生じ得る。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、不必要な印刷パターンの形成を伴うことなく、印刷パターンの密度が低い領域における印刷パターンの乱れを抑制できる印刷版、及び前記印刷版を用いた、高精度な印刷パターンの形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は、インク組成物を充填するための第１パターン及び第２パターンを有し、前記第２パターンの深さの平均値は、前記第１パターンの深さの平均値よりも小さく、前記第１パターン及び第２パターンが、互いに近傍に存在する、印刷版を用いた印刷パターンの形成方法であって、前記印刷版の前記第１パターン及び第２パターンにインク組成物を充填する工程と、前記第２パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写することなく、前記第１パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写する工程と、前記第１パターンから転写されたインク組成物より、前記印刷対象物上で印刷パターンを形成する工程と、を有する、印刷パターンの形成方法を提供する。
【００１１】
本発明の印刷パターンの形成方法においては、前記第２パターンの深さの平均値が、前記第１パターンの深さの平均値の０．５倍以下の値であることが好ましい。
本発明の印刷パターンの形成方法においては、隣り合う前記第１パターンと前記第２パターンとの間の距離が２００μｍ以下であることが好ましい。
本発明の印刷パターンの形成方法においては、前記第１パターンの幅が２０μｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、不必要な印刷パターンの形成を伴うことなく、印刷パターンの密度が低い領域における印刷パターンの乱れを抑制できる印刷版、及び前記印刷版を用いた、高精度な印刷パターンの形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る印刷版の一実施形態を模式的に拡大して示す平面図である。
【図２】図１に示す印刷版のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図３】図１及び２に示すものとは異なる第１パターン又は第２パターンの断面形状を模式的に拡大して示す図である。
【図４】本発明に係る印刷版の他の実施形態を模式的に拡大して示す平面図である。
【図５】本発明に係る印刷版のさらに他の実施形態を模式的に拡大して示す平面図である。
【図６】本発明に係る印刷パターンの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
【図７】本発明に係る印刷版を用いたときに、溶媒の蒸気圧が高くなっている状態を説明するための断面図である。
【図８】本発明に係る印刷パターンの形成方法の他の実施形態を説明するための断面図である。
【図９】本発明に係る印刷パターンの形成方法のさらに他の実施形態を説明するための断面図である。
【図１０】従来の印刷版を用いて印刷パターンを形成するときの、ブランケットの状態を模式的に示す断面図である。
【図１１】図１及び２に示す印刷版を用いて、印刷パターンを形成するときの、ブランケットの状態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜＜印刷版＞＞
本発明に係る印刷版は、インク組成物を充填するための第１パターン及び第２パターンを有し、前記第２パターンの深さの平均値は、前記第１パターンの深さの平均値よりも小さく、前記第１パターン及び第２パターンが、互いに近傍に存在するものである。
前記印刷版は、第１パターン及び第２パターンが上記のような特定の関係にあることで、不必要な印刷パターンの形成を伴うことなく、印刷パターンの密度が低い領域においても、印刷パターンの乱れを抑制して、目的とする印刷パターンを高精度に形成できる。
前記印刷版は、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法等、充填されたインク組成物を印刷対象物に転写する工程を有する印刷法での利用に好適なものである。
【００１５】
図１は、本発明に係る印刷版の一実施形態を模式的に拡大して示す平面図である。また、図２は、図１に示す印刷版のＩ−Ｉ線における断面図である。
ここに示す印刷版１は、その印刷面である一方の表面１ａ上に、第１パターン１１及び第２パターン１２を有する。
【００１６】
第１パターン１１は、インク組成物を充填して、このインク組成物から、印刷対象物上に目的とする印刷パターンを形成するためのものであり、実パターンに相当する。
【００１７】
第１パターン１１は、図１に示すように、印刷版１の表面１ａの上方から見下ろして平面視したときの形状が直線状の溝であり、図２に示すように、幅ＷＸ１、深さＤＸ１の凹部からなる。
そして、第１パターン１１は、その長手方向（線長方向）に対して直交する方向の断面において、図２に示すように、四角形の一辺が取り除かれた形状を有している。
【００１８】
第１パターン１１は、その長手方向（線長方向）のすべての部位において、幅ＷＸ１及び深さＤＸ１がいずれも同じとなっている。ただし、本発明はこれに限定されず、第１パターン１１は、その長手方向（線長方向）の一部又はすべての部位において、幅ＷＸ１及び深さＤＸ１のいずれか一方又は両方が、異なっていてもよい。
【００１９】
第２パターン１２も、第１パターン１１と同様に、インク組成物を充填する対象である。しかし、第２パターン１２は、第１パターン１１に充填されたインク組成物から、印刷対象物上に目的とする印刷パターンを形成するときに、この印刷パターンの変形、擦れ、欠損等の乱れを抑制するためのものである。そして、第２パターン１２に充填されたインク組成物は、印刷対象物上に目的外の印刷パターンを形成せず、第２パターン１２は、ダミーパターンに相当する。
【００２０】
印刷版１において、１本の第１パターン１１と、２本の第２パターン１２とは、これらの長手方向が一致する様に、ほぼ又は完全に平行して交互に形成されている。すなわち、第１パターン１１の幅方向において、第１パターン１１の両側には、第１パターン１１に沿う様に、第２パターン１２が１本ずつ形成されている。そして、２本の第２パターン１２は、互いに同じ形状を有している。
【００２１】
第２パターン１２は、図１に示すように、第１パターン１１と同様に、印刷版１の表面１ａの上方から見下ろして平面視したときの形状が直線状の溝であり、図２に示すように、幅ＷＹ１、深さＤＹ１の凹部からなる。
そして、第２パターン１２は、その長手方向（線長方向）に対して直交する方向の断面において、図２に示すように、四角形の一辺が取り除かれた形状を有している。すなわち、第２パターン１２は、第１パターン１１と同様の形状を有している。
【００２２】
第１パターン１１と同様に、第２パターン１２は、その長手方向（線長方向）のすべての部位において、幅ＷＹ１及び深さＤＹ１がいずれも同じとなっている。ただし、本発明はこれに限定されず、第２パターン１２は、その長手方向（線長方向）の一部又はすべての部位において、幅ＷＸ１及び深さＤＸ１のいずれか一方又は両方が、異なっていてもよい。
【００２３】
印刷版１において、第２パターン１２の深さＤＹ１の平均値は、第１パターン１１の深さＤＸ１の平均値よりも小さくなっている（［ＤＹ１の平均値］＜［ＤＸ１の平均値］となっている）。なお、本明細書において、「第１パターンの深さの平均値」とは、ここで示すように、第１パターンが線（ライン）状である場合には、「第１パターンの線長方向における第１パターンの深さの平均値」を意味する。同様に、「第２パターンの深さの平均値」とは、ここで示すように、第２パターンが線（ライン）状である場合には、「第２パターンの線長方向における第２パターンの深さの平均値」を意味する。
【００２４】
印刷版１において、第２パターン１２の深さＤＹ１の平均値は、第１パターン１１の深さＤＸ１の平均値の０．５倍以下の値（［ＤＹ１の平均値］≦０．５×［ＤＸ１の平均値］）であることが好ましく、第１パターン１１の深さＤＸ１の平均値の０．３倍以下の値（［ＤＹ１の平均値］≦０．３×［ＤＸ１の平均値］）であることがより好ましく、第１パターン１１の深さＤＸ１の平均値の０．１倍以下の値（［ＤＹ１の平均値］≦０．１×［ＤＸ１の平均値］）であることがさらに好ましく、第１パターン１１の深さＤＸ１の平均値の０．０８倍以下の値（［ＤＹ１の平均値］≦０．０８×［ＤＸ１の平均値］）であることが特に好ましい。第２パターン１２の深さＤＹ１が、第１パターン１１の深さＤＸ１に対してこのような関係にあることで、印刷版１は、印刷パターンの乱れを抑制して、目的とする印刷パターンをより高精度に形成できる。
【００２５】
第１パターン１１の深さＤＸ１は、第２パターン１２の深さＤＹ１との間で上述の条件を満たす限り特に限定されないが、５〜２０μｍであることが好ましく、６〜１７μｍであることがより好ましく、７〜１４μｍであることが特に好ましい。印刷版１は、印刷パターンとして微細な線状パターンの形成に特に好適である。
【００２６】
第１パターン１１の幅ＷＸ１は、例えば、第１パターン１１の深さＤＸ１等を考慮して、目的に応じて適宜設定すればよいが、２０μｍ以下であることが好ましく、０．１〜２０μｍであることがより好ましく、０．５〜１５μｍであることがさらに好ましく、１〜１０μｍであることが特に好ましい。
【００２７】
印刷版１は、印刷パターンの乱れを抑制する効果がより高くなる点から、第１パターン１１の深さＤＸ１と、第１パターン１１の幅ＷＸ１とが、いずれも上述の数値範囲内であることが特に好ましい。
【００２８】
第２パターン１２の深さＤＹ１は、第１パターン１１の深さＤＸ１との間で上述の条件を満たす限り特に限定されないが、０．０５〜４μｍであることが好ましく、０．０５〜２μｍであることがより好ましく、０．１〜１μｍであることが特に好ましい。
【００２９】
第２パターン１２の幅ＷＹ１は、例えば、第２パターン１２の深さＤＹ１や、近傍に存在する第１パターン１１の数等を考慮して、目的に応じて適宜設定すればよいが、１〜１０００μｍであることが好ましく、１〜５００μｍであることがより好ましく、１〜１００μｍであることが特に好ましい。
【００３０】
印刷版１は、印刷パターンの乱れを抑制する効果がより高くなる点から、第２パターン１２の深さＤＹ１と、第２パターン１２の幅ＷＹ１とが、いずれも上述の数値範囲内であることが特に好ましい。
【００３１】
印刷版１において、第１パターン１１及び第２パターン１２は、互いに近傍に存在する。本明細書において、「第１パターン及び第２パターンが互いに近傍に存在する」とは、第２パターンに充填されているインク組成物の存在によって、第１パターンに充填されているインク組成物の経時に伴う乾燥が明確に抑制される程度に、第１パターン及び第２パターンが互いに近接して形成されていることを意味する。
【００３２】
印刷版１において、隣り合う第１パターン１１と第２パターン１２との間の一方の距離Ｌ１は、上述の第１パターン１１及び第２パターン１２の配置関係を満たす限り、特に限定されない。ただし、印刷版１の印刷パターンの乱れを抑制する効果がより高くなる点から、前記距離Ｌ１は、２００μｍ以下であることが好ましく、例えば、１５０μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下等とすることができる。
前記距離Ｌ１の下限値は、特に限定されないが、１０μｍであることが好ましい。前記距離Ｌ１の下限値がこのような値であることで、第１パターン１１又は第２パターン１２の形成がより容易となる。
【００３３】
なお、本明細書において「第１パターンと第２パターンとの間の距離」とは、印刷版の第１パターン及び第２パターンの形成面（図１及び２においては印刷版１の表面１ａ）における、第１パターンの開口部（ふち）と、第２パターンの開口部（ふち）との間の距離を意味する。
【００３４】
印刷版１において、隣り合う第１パターン１１と第２パターン１２との間の他方の距離Ｌ２も、前記距離Ｌ１と同様に特に限定されず、前記距離Ｌ１と同様の数値範囲であることが好ましく、前記距離Ｌ１と同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
【００３５】
印刷版１は、印刷パターンの乱れを抑制する効果がより高くなる点から、第１パターン１１の深さＤＸ１と、第１パターン１１の幅ＷＸ１と、第２パターン１２の深さＤＹ１と、第２パターン１２の幅ＷＹ１と、前記距離Ｌ１と、前記距離Ｌ２とが、すべて上述の数値範囲内であることが特に好ましい。
【００３６】
印刷版１の、第１パターン１１及び第２パターン１２が形成されていない領域の厚さは、特に限定されないが、０．１〜０．５ｍｍであることが好ましく、０．２〜０．４ｍｍであることがより好ましい。
【００３７】
印刷版１の材質は、公知の印刷版の材質と同様でよく、例えば、鉄、ニッケル等の金属、及びガラスが挙げられる。そして、印刷版１は、このような材質のプレートに対して、例えば、エッチング、電鋳等の手法により、目的とする形状の第１パターン１１及び第２パターン１２を形成することで、製造できる。
【００３８】
図１及び２においては、第１パターンを１本のみ示しているが、本発明に係る印刷版は第１パターンを２本以上有していてもよい。
このように、本発明に係る印刷版が２本以上の第１パターンを有している場合、これら第１パターンは互いに近傍に存在しないことが好ましく、隣り合う第１パターン同士の間の距離は、２００μｍ以上であることが好ましく、５００μｍ以上であることがより好ましく、８００μｍ以上であることがさらに好ましく、１０００μｍ以上であることが特に好ましい。
第１パターンの数が１のみであるか、又は第１パターンの数が２以上であり、隣り合う第１パターン同士の間の距離が２００μｍ以上である印刷版は、第１パターンの密度が特に低いものであるが、このような印刷版では、印刷パターンの密度が低い領域における印刷パターンの乱れを抑制するという本発明の効果が、より顕著に得られる。
【００３９】
また、ここまでは上述の様に、第１パターンの数が１のみであるか、又は第１パターンの数が２以上であり、隣り合う第１パターン同士の間の距離が遠く離れていて、第１パターン同士が近傍にない場合について説明した。しかし、本発明に係る印刷版は、第１パターンの数が２以上であり、隣り合う第１パターン同士が極めて近傍に存在し、これら第１パターンがより微細でインク組成物の充填量がより少ないものであってもよい。このような印刷版においては、極めて近傍に存在する２以上の第１パターンを一纏めに疑似的に１つの第１パターンとみなすことができ、これら第１パターンがより微細であれば、このような疑似的な１つの第１パターン（第１パーターン群）も、印刷版での密度が特に低いものであるといえる。そして、このような印刷版も、印刷パターンの密度が低い領域における印刷パターンの乱れを抑制するという本発明の効果が、より顕著に得られる。
【００４０】
このように極めて近傍に存在する、隣り合う第１パターン同士の間の距離は、１０μｍ以下であることが好ましく、６μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることが特に好ましい。前記距離が前記上限値以下であることで、本発明の効果が、より顕著に得られる。一方、前記距離の下限値は特に限定されないが、これら第１パターンが形成可能であるという点を考慮すると、１μｍであることが好ましい。
また、このときの第１パターンの深さＤＸ１は７〜１０μｍであることが好ましく、幅ＷＸ１は１〜５μｍであることが好ましい。
【００４１】
なお、本発明においては、印刷版が第１パターン又は第２パターンに相当する、深さの平均値が互いに異なる３本以上のパターンを有している場合には、深さの平均値が最大であるパターンを第１パターンとし、それ以外のパターンをすべて第２パターンとする。
【００４２】
本発明に係る印刷版は、上述の実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更を加えることが可能である。
例えば、図１及び２では、第１パターン及び第２パターンとして、前記断面における形状が、四角形の一辺が取り除かれた形状であるもの、すなわち、側面２面及び底面１面がすべて平面であるものを有する印刷版について説明した。しかし、本発明に係る印刷版は、第１パターン及び第２パターンのいずれか一方又は両方において、側面及び底面のうち少なくとも１面が、曲面、凹凸面、並びに平面、曲面及び凹凸面のいずれにも該当しない非定形面のいずれかの面を有していてもよい。また、本発明に係る印刷版は、第１パターン及び第２パターンのいずれか一方又は両方が、側面及び底面の区別が困難な面を有していてもよいし、このような側面及び底面の区別が困難な面で全面が構成されていてもよい。また、本発明に係る印刷版は、第１パターン及び第２パターンのいずれか一方又は両方が、面状の底部を有していなくてもよい。
【００４３】
図３は、図１及び２に示すものとは異なる第１パターン又は第２パターンの前記断面における形状を模式的に拡大して示す図である。
図３（ａ）は、側面２面及び底面１面がすべて平面である第１パターン又は第２パターンを示しているが、このパターンは側面２面が平行ではない点で、図１及び２に示す第１パターン又は第２パターンとは異なる。
図３（ｂ）は、側面及び底面として平面部を有するものの、側面及び底面が非平面（曲面）を介して繋がっており、側面及び底面の境界が不明りょうな形状の第１パターン又は第２パターンを示している。
図３（ｃ）は、側面及び底面の区別が困難な曲面で全面が構成されている第１パターン又は第２パターンを示している。前記曲面は、パターンの開口部側（上側）に向けて凸状である曲面部と、パターンの底部側（下側）に向けて凸状である曲面部と、で構成されている。
図３（ｄ）は、図３（ｃ）と同様に、側面及び底面の区別が困難な曲面で構成されている第１パターン又は第２パターンを示しているが、曲面の形状が図３（ｃ）とは異なっている。ここでの前記曲面は、パターンの底部側（下側）に向けて凸状である曲面のみで構成されている。
図３（ｅ）は、側面が平面であり、面状の底部を有しない第１パターン又は第２パターンを示している。
図３（ｆ）は、側面が、パターンの開口部側（上側）に向けて凸状である曲面であり、面状の底部を有しない第１パターン又は第２パターンを示している。
【００４４】
図１〜３では、第１パターン及び第２パターンとして、前記断面における形状が、これらパターンの幅方向（長手方向に対して直交する方向）において対称であるものについて示しているが、本発明においては、第１パターン及び第２パターンの前記断面における形状が、前記幅方向において非対称であってもよい。
また、図１〜３で示す第１パターン及び第２パターンは本発明における一例に過ぎず、例えば、図１〜３で示す第１パターン及び第２パターンにおいて、一部又はすべての面の表面が平滑面ではなく不規則な形状となった非定形面であるものも、本発明における第１パターン及び第２パターンとして好適である。
【００４５】
なお、例えば、図３（ｃ）〜（ｆ）に示すように、第１パターン又は第２パターンの深さがこれらパターンの幅方向（長手方向に対して直交する方向）において変化する場合には、パターンの深さとしては、最大の値を採用する（最も深い箇所の深さをこれらパターンの深さとして採用する）ものとする。
【００４６】
また、図１及び２では、第１パターン及び第２パターンとして、印刷版の上方から平面視したときの形状が直線状の溝であるものについて示しているが、第１パターン及び第２パターンの全体の形状はこれに限定されず、目的とする印刷パターンの形状にあわせて、適宜設定できる。
第１パターン及び第２パターンは、印刷版の上方から平面視したときの形状が、例えば、図４に示すように、曲線状の溝であってもよい。ここに示す印刷版２において、第１パターン２１及び第２パターン２２はいずれも、平面視したときの形状が曲線状の溝となっている。
また、第１パターン及び第２パターンは、印刷版の上方から平面視したときの形状が、例えば、図５に示すように、非線状の凹部であってもよい。ここに示す印刷版３において、第１パターン３１及び第２パターン３２はいずれも、平面視したときの形状が楕円形状の凹部となっている。
印刷版２及び３はいずれも、上記の点以外は、図１及び２に示す印刷版１と同様の構成とすることができる。
【００４７】
＜＜印刷パターンの形成方法＞＞
本発明に係る印刷パターンの形成方法は、前記印刷版を用いた印刷パターンの形成方法であって、前記印刷版の前記第１パターン及び第２パターンにインク組成物を充填する工程（以下、「充填工程」と略記することがある）と、前記第２パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写することなく、前記第１パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写する工程（以下、「転写工程」と略記することがある）と、前記第１パターンから転写されたインク組成物より、前記印刷対象物上で印刷パターンを形成する工程（以下、「印刷パターン形成工程」と略記することがある）と、を有するものである。
本発明に係る印刷パターンの形成方法は、上述の本発明に係る印刷版を用いる点以外は、オフセット印刷法等、充填されたインク組成物を印刷対象物に転写する工程を有する、公知の印刷法と同じとすることができる。
【００４８】
図６は、本発明に係る印刷パターンの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。ここでは、図１及び２に示す印刷版１を用いた場合の印刷パターンの形成方法について説明するが、本発明に係る印刷版であれば、図１及び２に示す印刷版１以外のものを用いても、同様に印刷パターンを形成できる。なお、以降の図において、図１及び２に示す要素と同じものには、図１及び２で用いたものと同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００４９】
＜充填工程＞
前記形成方法では、まず、図６（ａ）に示すように、印刷版１の第１パターン１１及び第２パターン１２に、それぞれインク組成物９を充填する、充填工程を行う。
インク組成物９の充填は、公知の方法で行えばよい。例えば、ディスペンサー等の液状物を供給する手段を用いて、インク組成物９を印刷版１の表面１ａ上の所定の箇所に供給した後、ドクターブレード等の、液状物を塗広げる手段を用いて、供給したインク組成物９を印刷版１の表面１ａ上で塗広げることにより、第１パターン１１及び第２パターン１２にインク組成物９を充填できる。
本工程で用いるインク組成物については、後ほど詳細に説明する。
【００５０】
＜転写工程＞
前記形成方法では、前記充填工程後に、第２パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写することなく、第１パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に転写する、転写工程を行う。ここでは、前記転写工程として、第１パターンに充填されたインク組成物をブランケット上に転写した後、このブランケット上のインク組成物を、さらに印刷対象物に転写する工程について説明する。
【００５１】
ブランケットは、当該分野で公知のものでよく、例えば、その材質としては、シリコーン樹脂等のゴム系材料が挙げられる。
【００５２】
本工程では、まず、図６（ｂ）に示すように、第１パターン１１に充填されたインク組成物９及び第２パターン１２に充填されたインク組成物９を、ともにブランケット８上に転写する。本発明においては、このとき、少なくとも第１パターン１１に充填されたインク組成物９は、変形、擦れ、欠損等の異常を伴うことなく、ブランケット８上に転写される。その理由は、以下のように推測される。
【００５３】
すなわち、印刷版１において、第１パターン１１及び第２パターン１２が、互いに近傍に存在することにより、インク組成物９が充填された状態において、これらパターンが存在する領域は、これらパターンに充填されているインク組成物９から揮発した溶媒の蒸気圧が比較的高くなっており、第１パターン１１に充填されているインク組成物９の経時に伴う乾燥が抑制される。このときの、第１パターン１１及び第２パターン１２が存在する領域において、溶媒の蒸気圧が高くなっている状態を説明するための断面図を図７に示す。図７中、符号９０で示すものが揮発した溶媒である。
このように、第１パターン１１に充填されているインク組成物９は、固化が抑制され、溶媒の含有量が多く、転写に適した状態が維持されるため、上述のように、変形、擦れ、欠損等の異常を伴うことなく、ブランケット８上に転写されると推測される。
なお、本明細書においては、溶媒の一部が揮発したものなど、印刷版に充填後から組成が変化したインク組成物も、印刷パターン形成前のものはインク組成物と称する。
【００５４】
なお、ここでは、第２パターン１２に充填されたインク組成物９も同様に、変形、擦れ、欠損等の異常を伴うことなく、ブランケット８上に転写されている場合について示しているが、本発明においては、第２パターン１２に充填されたインク組成物９は、ブランケット８上に全く転写されないこともある。これは、例えば、図５からも明らかなように、第２パターン１２の直上は第１パターン１１の直上よりも、インク組成物９から揮発した溶媒の蒸気圧が低いため、第２パターン１２に充填されっているインク組成物９においては、第１パターン１１に充填されているインク組成物９の場合よりも、経時に伴う乾燥の抑制効果が低くなるためである。第２パターン１２に充填されたインク組成物９の、ブランケット８への転写の有無は、第２パターン１２の状態に依存して決定される。
【００５５】
本工程では、次いで、図６（ｃ）に示すように、転写されたブランケット８上のインク組成物９を、さらに印刷対象物７に転写する。本発明においては、このとき、第１パターン１１から転写されたインク組成物９は、印刷対象物７に転写されるが、第２パターン１２から転写されたインク組成物９は、印刷対象物７に転写されずに、ブランケット８上に残存する。その理由は、以下のように推測される。
【００５６】
すなわち、第１パターン１１からブランケット８上に転写されたインク組成物９は、上述のように、溶媒の蒸気圧が高いことで乾燥が抑制され、その結果、溶媒の含有量が多い。さらに、インク組成物９が厚い層（膜）を形成していること自体によっても、乾燥が抑制されることがある。これは、インク組成物９の厚い層（膜）は、その露出面から乾燥が進行するが、このように乾燥が進行した露出面とその近傍領域では、層（膜）の組成が変化することによって、これよりも内部にある溶媒の通過が抑制され、溶媒の含有量が多い状態を維持できることがあるためである。この場合、インク組成物９の層（膜）全体としての乾燥がさらに抑制される。
ブランケット８の材質によっては、インク組成物９中の溶媒がブランケット８に吸収されるが、上述のようなインク組成物９の乾燥を抑制する効果の方が極めて大きい。
【００５７】
このように、第１パターン１１からブランケット８上に転写されたインク組成物９は、溶媒の含有量が多く、乾燥、すなわち固化が抑制されて、転写に適した状態が維持されているために、転写を阻害される要因がない。したがって、ブランケット８上に転写されたこのインク組成物９は、第１パターン１１からブランケット８上への転写時と同様に、変形、擦れ、欠損等の異常を伴うことなく、ブランケット８上から印刷対象物７に転写されると推測される。
【００５８】
一方、第２パターン１２から転写されたインク組成物９は、図６（ｂ）でも明らかなように、第１パターン１１から転写されたインク組成物９よりも、厚さが薄くなっている。このようにインク組成物９の薄い層（膜）からは、含有されている溶媒が揮発し易く、さらに、ブランケット８の材質によっては、インク組成物９中の溶媒がブランケット８に吸収される。そのため、このインク組成物９はブランケット８上において固化し易い。このように、第２パターン１２から転写されたインク組成物９は、ブランケット８上において容易に固化することで、ブランケット８との接着強度が大きくなり、印刷対象物７に転写されずに、ブランケット８上に残存すると推測される。
【００５９】
本工程において、ブランケット８上に残存したインク組成物９は、例えば、粘着テープに貼り付けて除去する方法など、公知の方法でブランケット８上から除去できる。
【００６０】
＜印刷パターン形成工程＞
前記形成方法では、前記転写工程後に、図６（ｄ）に示すように、第１パターン１１から転写されたインク組成物９より、前記印刷対象物７上で印刷パターン９’を形成する、印刷パターン形成工程を行う。印刷パターン９’は、例えば、インク組成物９を乾燥させることで形成でき、乾燥条件は適宜任意に調節できる。形成された印刷パターン９’は、変形、擦れ、欠損等の乱れが抑制されており、目的とするパターンを高精度に実現する。また、本実施形態によれば、上述のように、第２パターン１２から転写されたインク組成物９が、印刷対象物７に転写されずに、ブランケット８上に残存するなど、印刷対象物７に目的外の不必要な印刷パターンは形成されない。
【００６１】
なお、図６では、前記転写工程において、第２パターン１２に充填されたインク組成物９もブランケット８上に転写される場合の、印刷パターンの形成方法について示しているが、上述のように、第２パターン１２に充填されたインク組成物９は、ブランケット８上に全く転写されないこともある。このような場合の本発明に係る印刷パターンの形成方法  を説明するための断面図を図８に示す。第２パターン１２に充填されたインク組成物９が、ブランケット８上に全く転写されない様子は、図８（ｂ）で示している。
【００６２】
図８で示す印刷パターンの形成方法は、第２パターン１２に充填されたインク組成物９を、ブランケット８上に転写しない点以外は、図６で示す印刷パターンの形成方法と同じである。第２パターン１２に充填されたインク組成物９を、ブランケット８上に転写しないようにするためには、例えば、第２パターン１２に充填するインク組成物９として、溶媒の含有量が低めのもの、沸点が低めの溶媒を含有するもの、増粘剤等を含有して粘度が高めのもの等、厚さが薄い場合にその転写が抑制されるものを用いればよい。
本実施形態でも、形成された印刷パターン９’は、変形、擦れ、欠損等の乱れが抑制されており、目的とするパターンを高精度に実現する。また、上述のように、第２パターン１２に充填されたインク組成物９が、ブランケット８上に転写されずに、第２パターン１２に残存するなど、印刷対象物７に目的外の不必要な印刷パターンは形成されない。
【００６３】
図８で示す印刷パターンの形成方法では、前記転写工程が、第１パターンに充填されたインク組成物をブランケット上に転写した後、このブランケット上のインク組成物を、さらに印刷対象物に転写する工程である。このような本発明に係る印刷パターンの形成方法においては、前記転写工程が、第１パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に直接転写する工程であってもよい。図９は、このような本発明に係る印刷パターンの形成方法のさらに他の実施形態を説明するための断面図である。転写工程で、第１パターンに充填されたインク組成物を印刷対象物に直接転写する様子は、図９（ｂ）で示している。
【００６４】
図９で示す印刷パターンの形成方法は、第１パターン１１に充填されたインク組成物９をブランケット８上に転写した後、このブランケット８上のインク組成物９を、さらに印刷対象物７に転写するという一連の工程を行わず、その代わりに、第１パターン１１に充填されたインク組成物９を印刷対象物７に直接転写する点以外は、図８で示す印刷パターンの形成方法と同じである。
本実施形態でも、形成された印刷パターン９’は、変形、擦れ、欠損等の乱れが抑制されており、目的とするパターンを高精度に実現する。また、上述のように、第２パターン１２に充填されたインク組成物９が、印刷対象物７に転写されずに、第２パターン１２に残存するなど、印刷対象物７に目的外の不必要な印刷パターンは形成されない。
【００６５】
本発明に係る印刷パターンの形成方法では、上述のように、特定の印刷版を用いることで、不必要な印刷パターンの形成を伴うことなく、印刷パターンの密度が低い領域においても、印刷パターンの乱れを抑制して、目的とする印刷パターンを高精度に形成できる。例えば、先に説明した「特開２００１−３５３９７３号公報」（特許文献１）に記載の方法では、印刷版の外周部近傍に対応した、印刷対象物上のふち（へり）に近い領域における印刷パターンの乱れは抑制できるが、それ以外の、印刷パターンの密度が低い領域においては、印刷パターンの乱れを抑制できるかは定かではない。このように、本発明に係る印刷パターンの形成方法は、印刷パターンの密度が低い領域全般で確実に印刷パターンの乱れを抑制できるという利点を有する。
【００６６】
本発明に係る印刷パターンの形成方法では、ブランケットを用いる場合に、このブランケットの繰返し使用時における耐久性を向上させることができるという利点を有する。この点について、以下、詳細に説明する。
【００６７】
図１０は、インク組成物を充填するための凹部（パターン）として、深さが同じであるものを複数有する従来の印刷版を用いて、印刷パターンを形成するときの、ブランケットの状態を模式的に示す断面図である。ここでは、パターンの深さがすべて同じである点以外は、図１及び２に示すものと同じである印刷版を用いた場合について、示している。
このような従来の印刷版の凹部に充填されたインク組成物９は、図１０（ａ）に示すように、いずれも同じ厚さの層（膜）を、ブランケット８上に形成する。
【００６８】
次いで、ブランケット８上のこれらインク組成物９は、さらに印刷対象物（図示略）に転写され、図１０（ｂ）に示すように、ブランケット８上からはインク組成物９が無くなる。ただし、インク組成物９中の溶媒の一部は、ブランケット８に吸収され、ブランケット８のこの吸収部位は、溶媒によって膨潤する。図１０（ｂ）においては、ブランケット８の溶媒の吸収部位を、符号８ａを付して強調して示している。ブランケット８における、この３箇所の溶媒吸収部位８ａは、転写されていたインク組成物９の厚さを反映して、いずれもほぼ同じ厚さを有する。なお、溶媒の吸収に伴うこの膨潤は、ブランケット８を劣化させて、耐久性を低下させる要因となる。
【００６９】
次に、再度このブランケット８を用いて、インク組成物９を印刷対象物（図示略）に転写する場合を考える。このとき、例えば、図１０（ｃ）に示すように、ブランケット８における印刷版からのインク組成物９の転写位置が、前回の転写位置（すなわち、ブランケット８の溶媒の吸収部位８ａ）と重なるようにした場合には、ブランケット８の同じ部位で再度溶媒が吸収され、さらに膨潤する。このように、ブランケット８の同じ部位で繰り返し溶媒が吸収され、膨潤すると、ブランケット８の耐久性が顕著に低下してしまう。なお、図１０（ｃ）に示すように、ブランケット８における印刷版からのインク組成物９の転写位置が、前回の転写位置と重なる場合とは、例えば、印刷版の複数本の凹部がすべて同じパターンで同じ向きに配置されている場合であれば、印刷版からブランケット８へのインク組成物９の転写を前回と同じ条件で行うことで、インク組成物９の転写位置がすべて前回の転写位置と全く同じになる場合と、印刷版からブランケット８へのインク組成物９の転写を、ブランケット８の表面に沿って、前回の転写位置と重なるようにずらして行うことで、一部の転写位置が前回の転写位置と重なる場合と、が挙げられる。
【００７０】
従来の印刷版を用いた場合に、このようなブランケット８の耐久性の低下を抑制する方法としては、例えば、図１０（ｄ）に示すように、印刷版からブランケット８へインク組成物９の転写を繰り返して行う場合に、ブランケット８の表面に沿って、前回までの転写位置（すなわち、ブランケット８の溶媒の吸収部位８ａ）と全く重ならないように位置をずらして、転写を行う方法が挙げられる。しかし、この方法は、図１０（ｄ）からも明らかなように、ブランケット８において転写位置をずらす距離が、溶媒吸収部位８ａの３個分に相当して大きいために、ブランケット８の使用回数が少なくなってしまうという問題点がある。
【００７１】
これに対して、本発明に係る印刷版を用いた場合には、このような問題点を解決できる。図１及び２に示す印刷版１を用いた場合を例に挙げて、以下、この点について説明する。  図１１は、図１及び２に示す印刷版１を用いて、印刷パターンを形成するときの、ブランケットの状態を模式的に示す断面図である。
印刷版１の第１パターン１１及び第２パターン１２に充填されたインク組成物９は、図１１（ａ）に示すように、これらのパターンの深さに応じて、異なる厚さの層（膜）を、ブランケット８上に形成する。これは、図６（ｂ）でも示すとおりである。
【００７２】
次いで、ブランケット８上のこれらインク組成物９は、さらに印刷対象物（図示略）に転写され、図１１（ｂ）に示すように、ブランケット８上からはインク組成物９が無くなる。ただし、インク組成物９中の溶媒の一部は、ブランケット８に吸収され、ブランケット８のこの吸収部位は、溶媒によって膨潤する。図１１（ｂ）においても、ブランケット８の溶媒の吸収部位を、符号８ａを付して強調して示している。ブランケット８における、この３箇所の溶媒吸収部位８ａは、転写されていたインク組成物９の厚さを反映して、厚さが互いに異なる。具体的には、第２パターン１２から転写されたインク組成物９に由来する溶媒吸収部位８ａ（以下、別途「溶媒吸収部位８２ａ」と記載することがある）では、第１パターン１１から転写されたインク組成物９に由来する溶媒吸収部位８ａ（以下、別途「溶媒吸収部位８１ａ」と記載することがある）よりも、厚さが薄い。すなわち、溶媒吸収部位８２ａは、溶媒吸収部位８１ａよりも、膨潤度が低い。
【００７３】
次に、再度このブランケット８を用いて、インク組成物９を印刷対象物（図示略）に転写する場合を考える。このとき、例えば、図１１（ｃ）に示すように、印刷版１からブランケット８へのインク組成物９の転写を、ブランケット８の表面に沿って、溶媒吸収部位８ａの１個分だけずらして行うことで、一部の転写位置が前回の転写位置と重なり、図１０（ｃ）で示した場合と同様に、ブランケット８の同じ部位で再度溶媒が吸収される。ただしこの場合には、図１１（ｃ）に示すように、膨潤度が高い転写位置に対応する溶媒吸収部位８１ａに重なるのは、第２パターン１２から転写された、溶媒含有量が少ないインク組成物９であり、この部位で再度溶媒が吸収されても、図１０（ｃ）で示した場合とは異なり、溶媒の合計吸収量が少なく、膨潤度も依然低い。一方、膨潤度が低い転写位置に対応する溶媒吸収部位８２ａに重なるのは、第１パターン１１から転写された、溶媒含有量が多いインク組成物９であるが、この部位で再度溶媒が吸収されても、図１０（ｃ）で示した場合とは異なり、溶媒の合計吸収量が少なく、膨潤度も依然低い。そして、転写位置が重ならない部位も当然に、膨潤度が低い。このように、ブランケット８の表面に沿って、溶媒吸収部位８ａの１個分だけずらしてインク組成物９の転写を行うことで、ブランケット８において低い膨潤度を維持でき、ブランケット８の耐久性の低下を抑制できる。しかも、転写位置をずらす距離が、溶媒吸収部位８ａの１個分に過ぎないために、図１０で示す場合よりも、ブランケット８の使用回数を多くできる。このように、本発明に係る印刷版を用いた印刷パターンの形成方法は、顕著に優れた効果を奏する。
【００７４】
本発明の適用対象となる印刷パターンは、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
前記印刷パターンで好ましいものとしては、例えば、顔料又は染料等の着色剤を含有する、視認を目的とするパターンや、導電性成分を含有し、導電体として用いることを目的とするパターン等が挙げられる。
本発明に係る印刷パターンの形成方法は、上述のように、印刷パターンの密度が低い領域における印刷パターンの乱れを抑制する効果が高く、特に、印刷パターンとして微細な線状パターンの形成に特に好適である。このような観点から、本発明に係る印刷パターンの形成方法は、導電体のパターン（導電性パターン）の形成に特に好適である。
【００７５】
本発明により形成された前記導電性パターンは、体積抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、１５μΩ・ｃｍ以下であることがより好ましく、１０μΩ・ｃｍ以下であることがさらに好ましく、７μΩ・ｃｍ以下であることが特に好ましい。導電性パターンの体積抵抗率は、導電性パターンの材質及び厚さ等により調節できる。
ここで、導電性パターンの体積抵抗率は、例えば、導電性パターンの線抵抗値Ｒ（Ω）、導電性パターンの断面積Ａ（ｃｍ２）、及び導電性パターンの線長Ｌ（ｃｍ）を測定し、式「ρ＝Ｒ×Ａ／Ｌ」により、体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）として算出できる。
また、導電性パターンの体積抵抗率は、例えば、導電性パターンの表面抵抗率及び厚さを測定し、これらの値を乗じることでも算出できる。なお、導電性パターンの厚さは、例えば、レーザー顕微鏡を用いる方法等、公知の方法で求めることができる。
【００７６】
印刷対象物として各種の基材を用い、この基材上に前記印刷パターンとして導電性パターンを形成してなる積層体は、例えば、データ受送信体、通信機器、透明導電膜等の電子機器として利用可能である。このような電子機器は、導電性パターンが高精度に形成されていることにより、長期に渡って高い性能を維持することが可能である。
【００７７】
例えば、前記導電性パターンをアンテナとして備えた前記積層体は、この点以外は公知のデータ受送信体と同様の構成を採用することで、データ受送信体とすることができる。例えば、このような積層体において、基材上に、前記導電性パターンと電気的に接続されたＩＣチップを設けてアンテナ部とすることにより、非接触型データ受送信体を構成できる。
【００７８】
また、前記基材で筐体（外装材）の少なくとも一部を構成し、アンテナ部とした前記積層体は、この点以外は公知の通信機器と同様の構成を採用することで、通信機器とすることができる。例えば、携帯電話機等の通信機器における外装材の平面又は曲面部分を前記基材とし、この外装材（基材）上に直接前記導電性パターンからなる細線が形成され、この細線を回路とすることで、前記積層体を回路基板として用いることができる。そして、例えば、前記積層体に加え、音声入力部、音声出力部、操作スイッチ、表示部等を組み合わせることにより、携帯電話機を構成できる。
【００７９】
また、前記導電性パターンを極微細配線又は極薄配線として備えた前記積層体は、この点以外は公知のデータ透明導電膜と同様の構成を採用することで、透明導電膜とすることができる。例えば、前記積層体を透明基材等と組合せることにより、タッチパネルや光学ディスプレイを構成できる。適切な線幅又は厚さとした前記導電性パターンは、目視によってその存在が認識困難となる。
【００８０】
データ受送信体、通信機器、透明導電膜等の各積層体においては、例えば、アンテナ、回路、透明導電膜等を構成している導電性パターン同士を電気的に接続することが必要になることがあるが、このような接続部を構成する導電性パターンは、他の領域における導電性パターンとは異なり、基材上での密度が低くなりがちである。本発明は、このような導電性パターンの密度が低い領域での導電性パターンの形成に特に好適である。
また、タッチパネルに用いる透明導電膜では、例えば、光の透過率を向上させる場合には、導電性パターン同士の間隔を広げることが考えられるが、本発明は、このような導電性パターンの密度が低い領域での導電性パターンの形成にも、特に好適である。
【００８１】
前記積層体において、前記基材の厚さは、１２〜５０００μｍであることが好ましく、１２〜２０００μｍであることがより好ましい。
【００８２】
前記積層体における前記基材の材質は、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリシクロオレフィン、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ−ＰＰＥ）、ポリアリレート、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂等の合成樹脂が例示できる。
また、前記基材の材質としては、上記以外にも、ガラス、シリコン等のセラミックスや、紙が例示できる。
また、前記基材は、ガラスエポキシ樹脂、ポリマーアロイ等の、２種以上の材質を併用したものでもよい。
【００８３】
前記基材は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材の厚さとなるようにするとよい。
【００８４】
＜インク組成物＞
本発明に係る印刷パターンの形成方法で用いるインク組成物は、目的とする印刷パターンを構成するための成分と、溶媒と、を含有するものであれば、特に限定されない。
【００８５】
前記インク組成物が含有する溶媒は、常温常圧下で液状のものであれば、特に限定されない。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５〜２５℃の温度等が挙げられる。また、「常圧」とは、特に減圧も加圧もしないときの圧力を意味し、通常、大気圧に等しい圧力であり、約１気圧である。
【００８６】
前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン等の脂肪族炭化水素；エタノール、２−プロパノール等の飽和脂肪族アルコール；不飽和アルコール；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；酢酸エチル、グルタル酸モノメチル、グルタル酸ジメチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）等のエーテル；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００８７】
前記脂肪族炭化水素は、炭素数が１５以下であることが好ましい。
【００８８】
前記不飽和アルコールとしては、例えば、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）が挙げられる。
【００８９】
【化１】
0006552095.tif 000002
（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
【００９０】
式中、Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。
【００９１】
Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、例えば、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が挙げられる。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００９２】
Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【００９３】
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。
【００９４】
前記インク組成物が含有す前記溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００９５】
前記溶媒の沸点は、１８０℃以下であることが好ましく、例えば、沸点が１６０℃以下、１３０℃以下、１１０℃以下、又は８０℃以下等である種々の溶媒を用いることができる。このような沸点の溶媒を用いることで、印刷パターンの乱れを抑制する効果がより高くなる。
【００９６】
前記インク組成物の溶媒の含有量は、２０〜７０質量％であることが好ましく、３０〜６０質量％であることがより好ましく、３５〜５５質量％であることが特に好ましい。前記インク組成物の溶媒の含有量が前記下限値以上であることで、印刷パターンの乱れを抑制する効果がより高くなる。また、前記インク組成物の溶媒の含有量が前記上限値以下であることで、目的とする印刷パターンの形成がより容易となる。
【００９７】
前記印刷パターンとして導電性パターンを形成する場合には、前記インク組成物として導電体の形成成分が配合されてなる導電性組成物を用いればよい。配合される前記導電体の形成成分は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００９８】
前記導電性組成物は、形成する導電性パターンの材質に応じて適宜選択すればよいが、前記導電体の形成成分として金属又は金属の形成材料が配合されてなる金属インク組成物であることが好ましい。このような金属インク組成物を用いることで、抵抗値が低い導電性パターンを容易に形成できる。
【００９９】
配合される前記金属は、単体金属及び合金のいずれでもよく、好ましいものとしては、例えば、単体金属であれば、銀、銅等が挙げられる。
配合される前記金属（単体金属又は合金）は、粒子状又は繊維状（チューブ状、ワイヤー状等）であることが好ましく、ナノ粒子又はナノワイヤーであることがより好ましく、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤー、銅ナノ粒子又は銅ナノワイヤーであることが特に好ましい。
なお、本明細書において、「ナノ粒子」とは、粒径が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１〜１００ｎｍである粒子を意味し、「ナノワイヤー」とは、幅が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１〜１００ｎｍであるワイヤーを意味する。
【０１００】
配合される前記金属の形成材料は、該当する金属原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属を生じるものであればよく、金属塩、金属錯体、有機金属化合物（金属−炭素結合を有する化合物）等が例示できる。前記金属塩及び金属錯体は、有機基を有する金属化合物及び有機基を有しない金属化合物のいずれでもよい。なかでも金属の形成材料は、金属塩であることが好ましく、銀塩又は銅塩であることがより好ましい。
金属の形成材料を用いることで、前記材料から金属が生じ、この金属を含む導電性パターンが形成される。この場合の導電性パターンは、前記金属を主成分とするものであり、前記金属の比率が、見かけ上金属だけからなるとみなし得る程度に十分に高く、導電性パターン中の金属の比率は、好ましくは９９質量％以上である。導電性パターン中の金属の比率の上限値は、例えば、９９．９質量％、９９．８質量％、９９．７質量％、９９．６質量％、９９．５質量％、９９．４質量％、９９．３質量％、９９．２質量％及び９９．１質量％のいずれかとすることができる。
【０１０１】
配合される金属及び金属の形成材料は、いずれも１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１０２】
前記導電性パターンは、例えば、前記金属インク組成物を前記基材等の印刷対象物上に付着させて、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理を適宜選択して行うことで、形成することが好ましい。
【０１０３】
前記金属インク組成物は、液状のものが好ましく、金属又は金属の形成材料が均一に分散されたものが好ましい。
【０１０４】
前記金属インク組成物における金属種は、銀（金属銀）であることが特に好ましい。すなわち、前記金属インク組成物は、金属銀又は金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物であることが好ましく、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物であることがより好ましい。
【０１０５】
［カルボン酸銀］
前記金属銀の形成材料としては、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀が例示できる。
本発明において、カルボン酸銀は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【０１０６】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【０１０７】
【化２】
0006552095.tif 000003
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基であり；
Ｙ１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【０１０８】
【化３】
0006552095.tif 000004
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【０１０９】
（β−ケトカルボン酸銀（１））
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。
【０１１０】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【０１１１】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【０１１２】
Ｘ１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１１３】
一般式（１）において、２個のＸ１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基が例示できる。
【０１１４】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。
【０１１５】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【０１１６】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、例えば、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。還元剤については後ほど説明する。
【０１１７】
本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１１８】
（カルボン酸銀（４））
式中、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものである。ただし、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【０１１９】
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ２−）を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ２−」で表される基も含むものとする。
【０１２０】
カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）３−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）５−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。
【０１２１】
カルボン酸銀（４）も、β−ケトカルボン酸銀（１）と同様に、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【０１２２】
本発明において、カルボン酸銀（４）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１２３】
前記カルボン酸銀は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２−エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀及びアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。
【０１２４】
［含窒素化合物］
銀インク組成物は、特に前記金属銀の形成材料が前記カルボン酸銀である場合、前記金属銀の形成材料以外に、さらに含窒素化合物が配合されてなるものが好ましい。
前記含窒素化合物は、炭素数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、及びアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１２５】
（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４〜２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
【０１２６】
前記第１級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。
【０１２７】
前記第２級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。
【０１２８】
前記第３級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。
【０１２９】
本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミドが例示できる。
【０１３０】
ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。
【０１３１】
前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【０１３２】
前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【０１３３】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。
【０１３４】
（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が例示できるが、これらに限定されない。
【０１３５】
（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが例示できる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、塩化アンモニウム等が例示できるが、これに限定されない。
【０１３６】
本発明においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１３７】
銀インク組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．３〜１５モルであることが好ましく、０．３〜５モルであることがより好ましい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は安定性がより向上し、導電体（金属銀）の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電体を形成できる。
【０１３８】
［還元剤］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらに還元剤が配合されてなるものが好ましい。還元剤を配合することで、前記銀インク組成物は、金属銀をより形成し易くなり、例えば、低温での加熱処理でも十分な導電性を有する導電体（金属銀）を形成できる。
【０１３９】
前記還元剤は、シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上の還元性化合物（以下、単に「還元性化合物」と略記することがある）であることが好ましい。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
【０１４０】
（還元性化合物）
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものである。
【０１４１】
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルコキシ基は、炭素数が１〜２０であり、Ｒ２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基が例示できる。
【０１４２】
Ｒ２１における炭素数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、該アルキル基はそれぞれ炭素数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、炭素数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものである。
【０１４３】
前記還元性化合物として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
【０１４４】
前記還元性化合物は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１４５】
前記還元性化合物で好ましいものとしては、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）；ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３）等のギ酸エステル；プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）２ＣＨ３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）４ＣＨ３）等のアルデヒド；ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ３）２）等のホルムアミド類（式「Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（−）−」で表される基を有する化合物）；シュウ酸が例示できる。
【０１４６】
銀インク組成物において、還元剤の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０４〜３．５モルであることが好ましく、０．０６〜２．５モルであることがより好ましい。還元剤の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は、より容易に、より安定して導電体（金属銀）を形成できる。
【０１４７】
［アルコール］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらにアルコールが配合されてなるものが好ましい。
【０１４８】
前記アルコールは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１４９】
前記アルコールは、上述のアセチレンアルコール（２）であることが好ましい。
【０１５０】
銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０４〜０．３モルであることがより好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。
【０１５１】
［その他の成分］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物、還元剤及びアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
銀インク組成物における前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されず、好ましいものとしては、常温常圧条件下で液状の飽和脂肪族炭化水素が例示できる。
【０１５２】
前記飽和脂肪族炭化水素は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。前記飽和脂肪族炭化水素は、炭素数が１５以下であることが好ましく、より好ましいものとしては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン等が例示できる。
【０１５３】
銀インク組成物における前記その他の成分は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１５４】
銀インク組成物における前記その他の成分の配合量は、前記その他の成分の種類に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、前記その他の成分が飽和脂肪族炭化水素である場合、その配合量は、銀インク組成物の粘度等、目的に応じて選択すればよいが、通常は、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記飽和脂肪族炭化水素の配合量の割合は、２５質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることが特に好ましい。
また、前記その他の成分が前記飽和脂肪族炭化水素以外の成分である場合、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合が０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【０１５５】
銀インク組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１５６】
前記銀インク組成物においては、上記で例示した含窒素化合物、還元剤、アルコール及び飽和脂肪族炭化水素等の、金属銀の形成材料以外の成分で、かつ常温常圧下で液状のものは、いずれも溶媒となり得るが、配合後の前記銀インク組成物において、他の成分と反応して構造を同定可能な、溶媒成分として機能しない反応物を生成するものは、溶媒としては取り扱わないものとする。
【０１５７】
＜インク組成物の製造方法＞
前記インク組成物は、目的とする印刷パターンを構成するための成分と、溶媒と、必要に応じてこれら以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのままインク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものをインク組成物としてもよい。インク組成物のうち、特に前記金属銀の形成材料としてβ−ケトカルボン酸銀（１）を用いた銀インク組成物の場合、上記の各成分の配合時において、導電性を阻害する不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できるため、精製操作を行っていない銀インク組成物を用いても、十分な導電性を有する導電体（金属銀）が得られる。
【０１５８】
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。ただし、前記銀インク組成物においては、前記還元剤は滴下により配合することが好ましく、さらに滴下速度の変動を抑制することで、金属銀の表面粗さをより低減できる傾向にある。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。
【０１５９】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されない。例えば、前記銀インク組成物において、配合時の温度は、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されない。前記銀インク組成物において、配合時間は１０分〜３６時間であることが好ましい。
【０１６０】
［二酸化炭素］
前記インク組成物のうち、前記銀インク組成物は、さらに二酸化炭素が供給されてなるものでもよい。このような銀インク組成物は高粘度となり、印刷時にインク組成物を厚盛りすることが必要な場合に好適である。
【０１６１】
二酸化炭素は、銀インク組成物製造時のいずれの時期に供給してもよい。
そして、本発明においては、例えば、前記金属銀の形成材料及び含窒素化合物が配合されてなる第一の混合物に、二酸化炭素を供給して第二の混合物とし、必要に応じて前記第二の混合物に、さらに、前記還元剤を配合して、銀インク組成物を製造することが好ましい。また、前記アルコール又はその他の成分を配合する場合、これらは、第一の混合物及び第二の混合物のいずれか一方又は両方の製造時に配合でき、目的に応じて任意に選択できる。
【０１６２】
二酸化炭素ガスの供給は、液体中にガスを吹き込む公知の各種方法で行えばよく、適した供給方法を適宜選択すればよい。例えば、配管の一端を第一の混合物中に浸漬し、他端を二酸化炭素ガスの供給源に接続して、この配管を通じて二酸化炭素ガスを第一の混合物に供給する方法が例示できる。この時、配管の端部から直接二酸化炭素ガスを供給してもよいが、例えば、多孔質性のものなど、ガスの流路となり得る空隙部が多数設けられ、導入されたガスを拡散させて微小な気泡として放出することが可能なガス拡散部材を配管の端部に接続し、このガス拡散部材を介して二酸化炭素ガスを供給してもよい。また、第一の混合物の製造時と同様の方法で、第一の混合物を撹拌しながら二酸化炭素ガスを供給してもよい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
【０１６３】
ドライアイス（固形状二酸化炭素）の供給は、第一の混合物中にドライアイスを添加することで行えばよい。ドライアイスは、全量を一括して添加してもよいし、分割して段階的に（添加を行わない時間帯を挟んで連続的に）添加してもよい。
【０１６４】
二酸化炭素が供給されてなる銀インク組成物は、例えば、２０〜２５℃における粘度が、１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。なお、本明細書において、粘度の値は、特に断りのない限り、超音波方式粘度計による測定値を意味するものとする。
【０１６５】
また、本発明においては、前記金属銀の形成材料、アルコール及び含窒素化合物が配合されてなる混合物に、二酸化炭素を供給して、銀インク組成物を製造することも好ましい。この場合、二酸化炭素の供給方法としては、上記と同様の方法が採用できる。
【０１６６】
前記銀インク組成物を用いた場合、前記パターン形成工程における銀インク組成物の乾燥処理は、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、１８〜３０℃で大気下において乾燥させる方法が例示できる。
【０１６７】
前記銀インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０〜３７０℃であることが好ましく、７０〜２８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分〜２４時間であることが好ましく、１分〜１２時間であることがより好ましい。前記金属銀の形成材料の中でも前記カルボン酸銀、特にβ−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀の形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。
【０１６８】
銀インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、加熱温度は１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１６９】
銀インク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。
【０１７０】
本明細書において「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。
【０１７１】
銀インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行う場合の相対湿度は、１０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることが特に好ましく、９０％以上であってもよいし、１００％であってもよい。そして、加湿条件下での加熱処理は、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、短時間でより高純度の金属銀を形成できる。
【０１７２】
銀インク組成物の加熱処理は、二段階で行ってもよい。例えば、一段階目の加熱処理では、金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、金属銀の形成を最後まで行う方法が例示できる。
一段階目の加熱処理において、加熱温度は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、５秒〜１２時間であることが好ましく、３０秒〜２時間であることがより好ましい。
二段階目の加熱処理において、加熱温度は、金属銀が良好に形成されるように、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０〜２８０℃であることが好ましく、７０〜２６０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分〜１２時間であることが好ましく、１分〜１０時間であることがより好ましい。
後述するように、銀インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目及び二段階目の加熱処理における加熱温度は、１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１７３】
加湿条件下での加熱処理を採用する場合、銀インク組成物の加熱処理は、一段階目の加熱処理において、非加湿条件下で、上述のように金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理において、加湿条件下で、上述のように金属銀の形成を最後まで行う、二段階の方法で行うことが特に好ましい。
なお、本明細書において「非加湿」とは、上述の「加湿」を行わないこと、すなわち、湿度を人為的に増大させないことを意味し、好ましくは相対湿度を５％未満とすることである。
【０１７４】
上述の加熱処理を二段階の方法で行う場合、一段階目の非加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、５秒〜３時間であることが好ましく、３０秒〜２時間であることがより好ましく、３０秒〜１時間であることが特に好ましい。
上述の加熱処理を二段階の方法で行う場合、二段階目の加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０〜２３０℃であることが好ましく、７０〜２１０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、１分〜２時間であることが好ましく、１分〜１時間であることがより好ましく、１分〜３０分であることが特に好ましい。
後述するように、銀インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目の非加湿条件下での加熱処理及び二段階目の加湿条件下での加熱処理における加熱温度は、いずれも１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１７５】
インク組成物として、前記銀インク組成物を用いる場合には、前記積層体において、前記導電性パターンを低温で形成することが可能であり、前記基材等の材質を幅広く選択できるので、設計の自由度が飛躍的に向上し、前記データ受送信体、通信機器、透明導電膜等の電子機器をより合理的な構造とすることも可能である。
【実施例】
【０１７６】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【０１７７】
［実施例１］
＜印刷パターンの形成（積層体の製造）＞
（銀インク組成物の製造）
ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して、１．３倍モル量）と、イソブチルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して、０．２倍モル量）を混合し、メカニカルスターラーを用いて１分間撹拌した。ここに、液温が２５℃以下となるように、５２．９ｇの２−メチルアセト酢酸銀、ギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して、０．４倍モル量）、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」、以下、「ＤＭＨＯ」と略記することがある）（２−メチルアセト酢酸銀に対して、０．０４倍モル量）をこの順で添加して混合し、メカニカルスターラーを用いて２時間撹拌した。以上により、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と配合比を表１に示す。表１中、「含窒素化合物（モル比）」とは、金属銀の形成材料の配合量１モルあたりの含窒素化合物の配合量（モル数）（［含窒素化合物のモル数］／［金属銀の形成材料のモル数］）を意味する。「還元剤（モル比）」も同様に、金属銀の形成材料の配合量１モルあたりの還元剤の配合量（モル数）（［還元剤のモル数］／［金属銀の形成材料のモル数］）を意味する。「アルコール（モル比）」も同様に、金属銀の形成材料の配合量１モルあたりのアルコールの配合量（モル数）（［アルコールのモル数］／［金属銀の形成材料のモル数］）を意味する。
【０１７８】
（印刷パターンの形成）
上記で得られた銀インク組成物と、図１及び２に示す印刷版とを用いて、グラビアオフセット印刷法により、印刷パターンとして金属銀を主成分とする導電性パターンを形成した。より具体的には、以下のとおりである。
印刷版としては、材質がニッケルであり、第１パターンの深さ（ＤＸ１）が１０μｍで、幅（ＷＸ１）が５μｍであり、第２パターンの深さ（ＤＹ１）が０．２μｍで、幅（ＷＹ１）が５μｍであり、隣り合う第１パターンと第２パターンとの間の距離（Ｌ１、Ｌ２）がいずれも２００μｍであるものを用いた。なお、前記印刷版において、第１パターン及び第２パターンは、直線状のものとし、その長さをいずれも２５ｍｍとした。これら印刷版の各サイズを表２に示す。
【０１７９】
この印刷版を用いて、ガラス製基材（厚さ１．５ｍｍ）の一方の主面（表面）上に印刷を行い、この印刷後の基材をオーブン内で２００℃、１０分の条件で乾燥させることにより、基材表面に金属銀を主成分とする導電性パターンを形成した。なお、印刷版の第２パターンに対応した導電性パターンは、基材上に形成されなかった。
【０１８０】
＜印刷パターンの評価＞
（印刷パターンの形状の観察）
形成した導電性パターンについて、レーザ顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫ−Ｘ１００」）を用いて、形状を観察した。結果を表３に示す。
【０１８１】
（体積抵抗率の算出）
形成した導電性パターンについて、線抵抗値Ｒ（Ω）、断面積Ａ（ｃｍ２）、及び線長Ｌ（ｃｍ）を測定し、式「ρ＝Ｒ×Ａ／Ｌ」により、導電性パターンの体積抵抗率ρ（μΩ・ｃｍ）を算出した。なお、線抵抗値Ｒはデジタルマルチメータ（エーディーシー社製「７３５２」）を用いて２端子法で測定し、断面積Ａはレーザ顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫ−Ｘ１００」）を用いて測定した。また、導電性パターンについて、断面積Ａの測定時に、厚さを求めた。結果を表３に示す。
【０１８２】
＜印刷パターンの形成（積層体の製造）及び評価＞
［比較例１］
印刷版として、第２パターンが形成されていないものを用いた点以外は、実施例１と同じ方法で、導電性パターンを形成及び評価した。結果を表３に示す。
【０１８３】
【表１】
0006552095.tif 000005
【０１８４】
【表２】
0006552095.tif 000006
【０１８５】
【表３】
0006552095.tif 000007
【０１８６】
上記結果に示すように、実施例１の導電性パターンは、全長に渡って変形、擦れ及び欠損がいずれも抑制されており、幅及び厚さの均一性が高く、体積抵抗率も低かった。
これに対して、比較例１の導電性パターンは、変形、擦れ及び欠損がいずれも顕著であり、幅及び厚さの均一性が低く、断線が認められたため、体積抵抗率を測定できなかった。比較例１での導電性パターンの厚さは、測定可能な部位では、実施例１の場合とほぼ同等であった。
【符号の説明】
【０１８７】
１，２，３・・・印刷版、１１，２１，３１・・・第１パターン、１２，２２，３２・・・第２パターン、７・・・印刷対象物、８・・・ブランケット、９・・・インク組成物、９’・・・印刷パターン、ＤＸ１・・・第１パターンの深さ、ＤＹ１・・・第２パターンの深さ、Ｌ１，Ｌ２・・・隣り合う第１パターン１１と第２パターン１２との間の距離
【図１】
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【図２】
0006552095.tif 000009
【図３】
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【図４】
0006552095.tif 000011
【図５】
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【図６】
0006552095.tif 000013
【図７】
0006552095.tif 000014
【図８】
0006552095.tif 000015
【図９】
0006552095.tif 000016
【図１０】
0006552095.tif 000017
【図１１】
0006552095.tif 000018