(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板の複数のショット領域のそれぞれの形状を取得する取得部と、
前記基板のショット領域ごとに前記モールドのパターンと当該ショット領域との形状の差を、前記モールドを変形させることで補正する第１補正部と、
前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との位置ずれを計測する計測部と、
前記位置ずれを補正する第２補正部と、
前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
前記インプリント処理は、前記取得部によって取得された前記形状に基づいて前記第１補正部によって前記形状の差を補正する第１処理と、前記計測部によって計測された前記位置ずれに基づいて前記第２補正部によって前記位置ずれを補正する第２処理と、を含み、
前記制御部は、前記モールドのパターンと前記基板のインプリント対象のショット領域とが対面する前に前記第１処理が開始され、且つ、前記モールドのパターンと前記インプリント対象のショット領域とが対面した後に前記第２処理が開始されるように、前記インプリント処理を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板の複数のショット領域のそれぞれの形状を、前記モールドと前記基板のインプリント対象のショット領域とが対面する前に取得する取得部と、
前記基板のショット領域ごとに前記モールドのパターンと当該ショット領域との形状の差を補正する第１補正部と、
前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との位置ずれを計測する計測部と、
前記位置ずれを補正する第２補正部と、
前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
前記インプリント処理は、前記取得部によって予め取得された前記形状に基づいて前記第１補正部によって前記形状の差を補正する第１処理と、前記計測部によって前記位置ずれを計測しながら前記第２補正部によって前記位置ずれを補正する第２処理と、を含み、
前記制御部は、前記第１処理と前記第２処理との一部が並行して行われるように、前記インプリント処理を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記モールドのパターンと前記基板のインプリント対象のショット領域とを対面させるために前記モールドと前記基板とを相対的に移動させている間に前記第１処理が開始されるように、前記インプリント処理を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第２処理では、前記計測部によって計測された前記位置ずれ、及び、前記第１処理によって発生する前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との位置ずれに基づいて、前記第２補正部によって前記位置ずれを補正することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記取得部は、前記インプリント装置に搬入される基板ごとに前記形状を取得することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記取得部は、前記インプリント装置の外部の計測装置によって計測された前記形状を取得することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記計測部は、前記基板の複数のショット領域のそれぞれの形状も計測し、
前記取得部は、前記計測部によって計測された前記形状を取得することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記取得部は、前記基板の全てのショット領域について計測された形状を取得することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記取得部は、前記基板の全てのショット領域のうちの一部のショット領域について計測された形状を取得し、前記一部のショット領域の形状に基づいて、前記基板の全てのショット領域のうちの残りのショット領域の形状を求めることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記取得部は、前記一部のショット領域の形状を最小二乗近似することで前記残りのショット領域の形状を求めることを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記取得部は、前記一部のショット領域の形状を加重平均することで前記残りのショット領域の形状を求めることを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記計測装置は、前記基板に設けられたマークを検出することで前記形状を計測し、
前記制御部は、前記マークを検出して得られるマーク情報に基づいて、前記第２処理における前記計測部の計測条件を決定することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記計測部は、前記基板に設けられたマークを検出することで前記形状を計測し、
前記制御部は、前記マークを検出して得られるマーク情報に基づいて、前記第２処理における前記計測部の計測条件を決定することを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
前記マーク情報は、前記マークのコントラスト、前記マークの変形を示す情報及び前記マークの異常を示す情報の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１２又は１３に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
前記計測条件は、前記モールドに設けられたマーク及び前記基板に設けられたマークを照明する光の光量、波長及び計測対象とする前記基板に設けられたマークの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１２乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１６】
前記形状の差は、前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との倍率ずれ、台形ずれ及びねじれの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至１５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１７】
基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント処理をそれぞれ行う複数のインプリント装置と、前記基板の複数のショット領域のそれぞれの形状を計測する計測装置と、を有するインプリントシステムであって、
前記複数のインプリント装置のそれぞれは、
前記基板のショット領域ごとに前記モールドのパターンと当該ショット領域との形状の差を、前記モールドを変形させることで補正する第１補正部と、
前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との位置ずれを計測する計測部と、
前記位置ずれを補正する第２補正部と、を有し、
前記インプリントシステムは、前記計測装置及び前記複数のインプリント装置のそれぞれにおける前記インプリント処理を制御する制御部を有し、
前記インプリント処理は、前記計測装置によって計測された前記形状に基づいて前記第１補正部によって前記形状の差を補正する第１処理と、前記計測部によって計測された前記位置ずれに基づいて前記第２補正部によって前記位置ずれを補正する第２処理と、を含み、
前記制御部は、前記モールドのパターンと前記基板のインプリント対象のショット領域とが対面する前に前記第１処理が開始され、且つ、前記モールドのパターンと前記インプリント対象のショット領域とが対面した後に前記第２処理が開始されるように、前記インプリント処理を制御することを特徴とするインプリントシステム。
【請求項１８】
基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント処理をそれぞれ行う複数のインプリント装置と、前記基板の複数のショット領域のそれぞれの形状を計測する計測装置と、を有するインプリントシステムであって、
前記複数のインプリント装置のそれぞれは、
前記基板のショット領域ごとに前記モールドのパターンと当該ショット領域との形状の差を補正する第１補正部と、
前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との位置ずれを計測する計測部と、
前記位置ずれを補正する第２補正部と、を有し、
前記インプリントシステムは、前記計測装置及び前記複数のインプリント装置のそれぞれにおける前記インプリント処理を制御する制御部を有し、
前記インプリント処理は、前記計測装置によって計測された前記形状に基づいて前記第１補正部によって前記形状の差を補正する第１処理と、前記計測部によって計測された前記位置ずれに基づいて前記第２補正部によって前記位置ずれを補正する第２処理と、を含み、
前記制御部は、前記第１処理と前記第２処理との一部が並行して行われるように、前記インプリント処理を制御することを特徴とするインプリントシステム。
【請求項１９】
請求項１乃至１６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７又は１８に記載のインプリントシステムを用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリントシステム及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体などのデバイスの量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして提案されている（特許文献１参照）。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（型）と基板上の樹脂（インプリント材）とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。この際、樹脂硬化法として、一般に、紫外線などの光の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法が採用されている。
【０００３】
インプリント装置では、デバイスの性能を維持するために、基板上のパターン（基板のショット領域）に対して、モールドのパターンを高精度に転写する必要がある。この際、一般的には、モールドのパターンの形状を基板上のパターンの形状に合わせている。例えば、モールドの周辺からモールドを押し引きしてモールドのパターンを変形させる、即ち、パターンの形状を補正する補正機構が提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
また、インプリント装置では、モールドと基板とのアライメント（位置合わせ）方式として、一般的に、ダイバイダイアライメントが採用されている。ダイバイダイアライメントとは、基板のショット領域ごとに、モールドに設けられたマークと基板に設けられたマークとを検出してモールドと基板との位置ずれを補正するアライメント方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９８３１０号公報
【特許文献２】特表２００８−５０４１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のインプリント装置では、一般的に、ダイバイダイアライメントでのマークの検出結果を用いて、モールドのパターンの形状を補正している。しかしながら、基板のショット領域の形状を求めるためには多くのマークを検出することが必要となり、その検出に長時間を要してしまうため、インプリント装置の生産性を低下させてしまう。更に、パターンの形状を補正する補正機構の応答速度は低く、ダイバイダイアライメントを行っている間にモールドの形状を補正しきれない可能性もある。
【０００７】
また、基板のショット領域の形状を予め求めることも提案されているが、基板内でのショット領域の形状を固定値としている（即ち、各ショット領域の形状を１つの形状に固定している）。或いは、基板ごとにショット領域の位置による形状を固定値としている。そのため、基板内又は基板間の各ショット領域の形状のばらつきに対応することができず、モールドのパターンの形状を十分に補正することができない。近年では、デバイスの微細化が進んでおり、高い重ね合わせ精度が要求されているため、このような問題が特に顕著となる。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドと基板との重ね合わせ精度及び生産性の点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板の複数のショット領域のそれぞれの形状を取得する取得部と、前記基板のショット領域ごとに前記モールドのパターンと当該ショット領域との形状の差を、前記モールドを変形させることで補正する第１補正部と、前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との位置ずれを計測する計測部と、前記位置ずれを補正する第２補正部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記インプリント処理は、前記取得部によって取得された前記形状に基づいて前記第１補正部によって前記形状の差を補正する第１処理と、前記計測部によって計測された前記位置ずれに基づいて前記第２補正部によって前記位置ずれを補正する第２処理と、を含み、前記制御部は、前記モールドのパターンと前記基板のインプリント対象のショット領域とが対面する前に前記第１処理が開始され、且つ、前記モールドのパターンと前記インプリント対象のショット領域とが対面した後に前記第２処理が開始されるように、前記インプリント処理を制御することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、モールドと基板との重ね合わせ精度及び生産性の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置の形状補正部の構成の一例を示す図である。
【図３】モールドに設けられたモールド側マーク及び基板に設けられた基板側マークの一例を示す図である。
【図４】モールドのパターン面と基板のショット領域とのずれを示す図である。
【図５】一般的なインプリント処理のシーケンスを示す図である。
【図６】本実施形態におけるインプリント処理のシーケンスを示す図である。
【図７】本発明の一側面としてのインプリントシステムの構成を示す概略図である。
【図８】図７に示すインプリントシステムにおける計測装置の構成の一例を示す概略図である。
【図９】基板のショット領域のレイアウトの一例を示す図である。
【図１０】本発明の一側面としてのインプリントシステムの構成を示す概略図である。
【図１１】基板のエッジ近傍の欠けショット領域の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、基板上のインプリント材にモールド（型）を用いてパターンを形成する、即ち、基板上のインプリント材をモールドで成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。本実施形態では、インプリント材として、樹脂を使用し、樹脂硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。
【００１５】
インプリント装置１は、モールド１１を保持するモールド保持部１２と、基板１３を保持する基板保持部１４と、計測部１５と、形状補正部１６と、制御部１７とを有する。また、インプリント装置１は、基板上に樹脂を供給するためのディスペンサを含む樹脂供給部、モールド保持部１２を保持するためのブリッジ定盤、基板保持部１４を保持するためのベース定盤なども有する。
【００１６】
モールド１１は、矩形の外形形状を有し、基板１３（の上の樹脂）に転写すべきパターン（凹凸パターン）が形成されたパターン面１１ａを有する。モールド１１は、基板上の樹脂を硬化させるための紫外線を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。また、モールド１１のパターン面１１ａには、モールド側マーク１８が形成されている。
【００１７】
モールド保持部１２は、モールド１１を保持する保持機構である。モールド保持部１２は、例えば、モールド１１を真空吸着又は静電吸着するモールドチャックと、モールドチャックを載置するモールドステージと、モールドステージを駆動する（移動させる）駆動系とを含む。かかる駆動系は、モールドステージ（即ち、モールド１１）を少なくともｚ軸方向（基板上の樹脂にモールド１１を押印する際の押印方向）に駆動する。また、かかる駆動系は、ｚ軸方向だけではなく、ｘ軸方向、ｙ軸方向及びθ（ｚ軸周りの回転）方向にモールドステージを駆動する機能を備えていてもよい。
【００１８】
基板１３は、モールド１１のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。基板１３には、樹脂供給部から樹脂が供給（塗布）される。また、基板１３の複数のショット領域のそれぞれには、基板側マーク１９が形成されている。
【００１９】
基板保持部１４は、基板１３を保持する保持機構である。基板保持部１４は、例えば、基板１３を真空吸着又は静電吸着する基板チャックと、基板チャックを載置する基板ステージと、基板ステージを駆動する（移動させる）駆動系とを含む。かかる駆動系は、基板ステージ（即ち、基板１３）を少なくともｘ軸方向及びｙ軸方向（モールド１１の押印方向に直交する方向）に駆動する。また、かかる駆動系は、ｘ軸方向及びｙ軸方向だけではなく、ｚ軸方向及びθ（ｚ軸周りの回転）方向に基板ステージを駆動する機能を備えていてもよい。
【００２０】
計測部１５は、モールド１１に設けられたモールド側マーク１８と、基板１３の複数のショット領域のそれぞれに設けられた基板側マーク１９とを光学的に検出（観察）するスコープを含む。計測部１５は、かかるスコープの検出結果に基づいて、モールド１１と基板１３との相対的な位置（位置ずれ）を計測する。但し、計測部１５は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置関係を検出することができればよい。従って、計測部１５は、２つのマークを同時に撮像するための光学系を備えたスコープを含んでいてもよいし、２つのマークの干渉信号やモアレなどの相対位置関係を反映した信号を検知するスコープを含んでいてもよい。また、計測部１５は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９とを同時に検出できなくてもよい。例えば、計測部１５は、内部に配置された基準位置に対するモールド側マーク１８及び基板側マーク１９のそれぞれの位置を求めることで、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置関係を検出してもよい。
【００２１】
形状補正部１６は、基板１３のショット領域ごとに、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状の差を補正する第１補正部として機能する。形状補正部１６は、本実施形態では、モールド１１に対して、パターン面１１ａに平行な方向に力を与えてモールド１１（パターン面１１ａ）を変形させることで、パターン面１１ａの形状を補正する。例えば、形状補正部１６は、図２に示すように、モールド１１の側面を吸着する吸着部１６ａと、モールド１１の側面に向かう方向及びモールド１１の側面から遠ざかる方向に吸着部１６ａを駆動するアクチュエータ１６ｂとを含む。吸着部１６ａは、モールド１１の側面を吸着する機能を有していなくてもよく、モールド１１の側面に接触する接触部材であってもよい。但し、形状補正部１６は、モールド１１に熱を与えてモールド１１の温度を制御することでパターン面１１ａを変形させてもよい。また、モールド１１のパターン面１１ａを変形させるのではなく、基板上の所定の位置に一定強度の光を照射することで局所的に基板１３を熱膨張させ、基板１３のショット領域（基板１３に形成されたパターン）の形状を補正する場合もある。この場合、インプリント装置１は、形状補正部としてモールド１１又は基板１３に熱を供給するための熱供給部を備える。
【００２２】
制御部１７は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の全体（インプリント装置１の各部）を制御する。制御部１７は、本実施形態では、インプリント処理及びそれに関連する処理を制御する。例えば、制御部１７は、インプリント処理を行う際に、計測部１５の計測結果に基づいて、モールド１１と基板１３とのアライメント（位置合わせ）を行う。また、制御部１７は、インプリント処理を行う際に、形状補正部１６によるモールド１１のパターン面１１ａの変形量を制御する。
【００２３】
図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して、モールド１１と基板１３とのアライメントに用いられるアライメントマークとしてのモールド側マーク１８及び基板側マーク１９について説明する。本実施形態では、基板１３の１つのショット領域に６つのチップ領域が配置されているものとする。
【００２４】
図３（ａ）は、モールド１１のパターン面１１ａ、具体的には、パターン面１１ａの四隅に設けられたモールド側マーク１８ａ乃至１８ｈを示している。図３（ａ）を参照するに、横方向に長手方向を有するモールド側マーク１８ａ、１８ｂ、１８ｅ及び１８ｆは、ｘ軸方向に計測方向を有するマークである。一方、縦方向に長手方向を有するモールド側マーク１８ｃ、１８ｄ、１８ｇ及び１８ｈは、ｙ軸方向に計測方向を有するマークである。また、図３（ａ）において、点線で囲まれた領域は、基板上の６つのチップ領域のそれぞれに転写すべきパターンが形成されたパターン領域１１ｂを示している。
【００２５】
図３（ｂ）は、基板１３の１つのショット領域１３ａの周辺、具体的には、ショット領域１３ａの四隅に設けられた基板側マーク１９ａ乃至１９ｈを示している。図３（ｂ）を参照するに、横方向に長手方向を有する基板側マーク１９ａ、１９ｂ、１９ｅ及び１９ｆは、ｘ軸方向に計測方向を有するマークである。一方、縦方向に長手方向を有する基板側マーク１９ｃ、１９ｄ、１９ｇ及び１９ｈは、ｙ軸方向に計測方向を有するマークである。また、図３（ｂ）において、ショット領域１３ａの内側の実線で囲まれた領域は、チップ領域１３ｂを示している。
【００２６】
インプリント処理を行う際、即ち、モールド１１と基板上の樹脂とを接触させる際には、モールド１１に設けられたモールド側マーク１８ａ乃至１８ｈのそれぞれと基板１３に設けられた基板側マーク１９ｂ乃至１９ｈのそれぞれとが近接することになる。従って、計測部１５によってモールド側マーク１８と基板側マーク１９とを検出することで、モールド１１のパターン面１１ａの位置及び形状と基板１３のショット領域１３ａの位置及び形状とを比較することができる。モールド１１のパターン面１１ａの位置及び形状と基板１３のショット領域１３ａの位置及び形状との間に差（ずれ）が生じると、重ね合わせ精度が低下し、パターンの転写不良（製品不良）を招いてしまう。
【００２７】
図４（ａ）乃至図４（ｈ）は、モールド１１のパターン面１１ａの位置及び形状と基板１３のショット領域１３ａの位置及び形状との間に生じるずれ（以下、「モールド１１とショット領域１３ａとのずれ」と称する）を示す図である。モールド１１とショット領域１３ａとのずれには、シフト、倍率ずれ、回転などが含まれる。基板側マーク１９に対するモールド側マーク１８の相対的な位置ずれ（位置ずれ量）を検出することで、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが、シフト、倍率ずれ及び回転のどれであるのかを推定することができる。
【００２８】
図４（ａ）は、モールド１１とショット領域１３ａとのずれがシフトである場合を示している。モールド側マーク１８が基板側マーク１９から一方向にずれていることを検出した場合、モールド１１とショット領域１３ａとのずれがシフトであると推定することができる。
【００２９】
図４（ｂ）は、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが回転である場合を示している。モールド側マーク１８のずれる方向がショット領域１３ａの上下左右で異なり、ショット領域内のある点を中心として円を描くようにずれている場合、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが回転であると推定することができる。
【００３０】
図４（ｃ）は、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが倍率ずれである場合を示している。モールド側マーク１８がショット領域１３ａの中心に対して一様に外部又は内部に向かってずれていることを検出した場合、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが倍率ずれであると推定することができる。
【００３１】
図４（ｄ）は、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが台形ずれである場合を示している。モールド側マーク１８がショット領域１３ａの中心に対して外部又は内部に向かってずれ、その方向がショット領域１３ａの上下又は左右で異なっていることを検出した場合、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが台形ずれであると推定することができる。また、モールド側マーク１８がショット領域１３ａの中心に対して外部又は内部に向かってずれ、ずれ量がショット領域１３ａの上下又は左右で異なっていることを検出した場合、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが台形ずれであると推定することができる。
【００３２】
図４（ｅ）は、モールド１１とショット領域１３ａとのずれがねじれである場合を示している。モールド側マーク１８のずれる方向がショット領域１３ａの上下又は左右で異なっていることを検出した場合、モールド１１とショット領域１３ａとのずれがねじれであると推定することができる。
【００３３】
図４（ｃ）乃至図４（ｅ）に示したように、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが倍率ずれ、台形ずれ、ねじれなどである場合、制御部１７は、形状補正部１６によって、モールド１１のパターン面１１ａの形状を変形させる。また、図示はしていないが、モールド１１とショット領域１３ａとのずれが弓なり型、樽型、糸巻き型などである場合にも、制御部１７は、形状補正部１６によって、モールド１１のパターン面１１ａの形状を変形させる。具体的には、制御部１７は、モールド１１のパターン面１１ａの形状が基板１３のショット領域１３ａの形状となるように、形状補正部１６によるパターン面１１ａの変形量を制御する。モールド１１とショット領域１３ａとのずれの種類によっては、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したアライメントマークに加えて他のアライメントマークを検出する必要がある。計測部１５は、インプリント装置１に配置できる数に限りがあるため、多くのアライメントマークを検出するために移動することができる。制御部１７は、アクチュエータ１６ｂの駆動量（即ち、モールド１１に与える力）とパターン面１１ａの変形量との対応関係を表すデータを予め取得してメモリなどに格納している。制御部１７は、計測部１５の計測結果に基づいて、パターン面１１ａの形状をショット領域１３ａの形状に一致させるために必要となるパターン面１１ａの変形量（パターン面１１ａを変形させる度合い）を算出する。そして、制御部１７は、メモリに格納したデータから、算出したパターン面１１ａの変形量に対応するアクチュエータ１６ｂの駆動量を求め、アクチュエータ１６ｂを駆動する。
【００３４】
このように、インプリント装置１では、モールド１１と基板１３（ショット領域１３ａ）とのアライメントやモールド１１（パターン面１１ａ）の形状の補正を行いながら、基板上の樹脂にモールド１１のパターンを転写する。
【００３５】
図５は、モールド１１と基板１３のアライメント及びモールド１１の形状の補正を含む一般的なインプリント処理のシーケンスを示す図である。図５では、インプリント処理において、基板上にパターンを形成するための動作に関する主工程と、モールド１１と基板１３のアライメント及びモールド１１の形状の補正に関するアライメント工程とを分けて示している。なお、押印工程は、モールド１１と基板上の樹脂が接触すればよいため、基板１３を保持する基板保持部１４が上下駆動してもよい。
【００３６】
Ｓ５１において、モールド１１と基板１３のインプリント対象のショット領域１３ａとを対面させ、モールド１１を基板上の樹脂に接触させる押印工程を行う。Ｓ５２において、モールド１１と基板上の樹脂とが接触した状態を維持してモールド１１のパターンを樹脂で充填させる充填工程を開始する。充填工程では、モールド１１と基板１３との間に介在している樹脂が、両者に挟まれて広がると同時にモールド１１のパターンに充填される。
【００３７】
充填工程を開始したら、Ｓ５３において、計測部１５によるモールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれ及びモールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差の計測を開始する。モールド１１と基板１３のアライメントマークを同時に計測する場合、両者の距離が十分に縮まらなければならないため、充填工程が開始されてから計測する。なお、計測部１５がモールド１１と基板１３のアライメントマークを検出することができれば、充填工程が開始する前に、計測部１５による計測を開始してもよい。Ｓ５３では、モールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を計測しなければならないため、計測部１５は、多数のモールド側マーク１８及び基板側マーク１９を検出する必要がある。
【００３８】
Ｓ５４において、計測部１５の計測結果に基づいて、モールド１１と基板１３のアライメント及びモールド１１の形状の補正を開始する。具体的には、計測部１５によってモールド１１のパターン面１１ａと基板１３のショット領域１３ａとの位置ずれを計測しながら、モールドステージや基板ステージを駆動することでパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれを補正する。また、計測部１５によってモールド１１のパターン面１１ａと基板１３のショット領域１３ａとの形状の差を計測しながら、形状補正部１６によってパターン面１１ａを変形させることでパターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を補正する。
【００３９】
パターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差及びパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれは、計測部１５によって順次計測され、その計測結果が、モールド１１と基板１３のアライメント及びモールド１１の形状の補正に順次反映される。
【００４０】
パターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれ及びパターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差が許容範囲内に収まったら、Ｓ５５において、モールド１１と基板１３のアライメント及びモールド１１の形状の補正を終了する。また、Ｓ５６において、計測部１５によるパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれ及びパターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差の計測を終了する。
【００４１】
Ｓ５７において、モールド１１と基板上の樹脂とが接触した状態において、モールド１１を介して、インプリント対象のショット領域１３ａに供給された樹脂に紫外線を照射してかかる樹脂を硬化させる硬化工程を行う。
【００４２】
Ｓ５８において、モールドステージを駆動させて、基板１３のショット領域１３ａの上の硬化した樹脂からモールド１１を引き離す離型工程を行う。これにより、基板１３のショット領域１３ａの上の樹脂にモールド１１のパターンが転写され、ショット領域１３ａに樹脂のパターンが形成される。
【００４３】
図５に示すインプリント処理のシーケンスでは、一般的に、充填工程（Ｓ５２）に最も時間を要するため、充填工程が生産性を決定している。但し、モールド１１と基板１３との重ね合わせに高い精度が要求されると、モールド１１と基板１３のアライメント及びモールド１１の形状の補正（Ｓ５４）に多くの時間が必要となる。特に、形状補正部１６の応答速度は低いため、モールド１１の形状の補正には時間がかかる。一方、インプリント装置には、生産性の更なる向上が求められている。そこで、本実施形態では、モールド１１の形状の補正に時間をかけても生産性の低下が少ないインプリント処理を提供する。
【００４４】
モールド１１とショット領域１３ａとのずれのうち、図４（ａ）に示すシフト及び図４（ｂ）に示す回転は、モールド１１や基板１３を相対的に駆動させたり回転させたりすることで補正することができる。例えば、基板ステージの応答速度は高いため、シフトや回転の補正には時間がかからない。また、シフトや回転は、インプリント処理において、モールド１１と基板１３のインプリント対象のショット領域１３ａとを対面させたときに初めてわかるものであるため、予め計測することは難しい。
【００４５】
モールド１１とショット領域１３ａとのずれのうち、図４（ｃ）に示す倍率ずれ、図４（ｄ）に示す台形ずれ及び図４（ｅ）に示すねじれは、モールド１１と基板１３のインプリント対象のショット領域１３ａとを対面させる前に決まっているものである。従って、倍率ずれ、台形ずれ及びねじれは、予め計測することが可能である。上述したように、形状補正部１６の応答速度は低く、モールド１１の形状の補正には時間がかかる。そこで、モールド１１の形状の補正にかかわる倍率ずれ、台形ずれ及びねじれなどは予め計測（取得）し、予め計測された結果を用いてモールド１１の形状を補正する。また、かかるモールド１１の形状の補正と並行してモールド１１と基板１３とのアライメントを行う。
【００４６】
なお、本実施形態では、パターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を補正するための手法として、主として、モールド１１を変形させる手法について説明した。但し、上述したように、基板１３を変形させることで、パターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を補正する手法も提案されている。かかる手法は、応答速度が比較的速いが、パターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を正確に計測する（形状補正の精度を高める）ためには、十分な数のアライメントマークを計測する必要がある。
【００４７】
インプリント処理において、モールド１１と基板１３とを対面させた状態でパターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を高精度に計測するためには、より多くの数のアライメントマークを計測するための計測部が必要となる。また、生産性が求められるインプリント処理のシーケンス（押印、充填、硬化、離型をより短時間で行うこと）を考えると、インプリント処理のシーケンス内で多くの数のアライメントマークを計測することは困難である。
【００４８】
従って、形状補正の応答性も関係するが、形状補正の手法にかかわらず、その精度を高めるためには、パターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を十分な精度で計測するとよい。
【００４９】
図６は、本実施形態におけるインプリント処理のシーケンスを示す図である。図６では、インプリント処理において、基板上にパターンを形成するための主にモールド１１の動作に関する主工程と、モールド１１と基板１３のアライメント及びモールド１１の形状の補正に関するアライメント工程とを分けて示している。更に、本実施形態では、アライメント工程を、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域１３ａとの形状の差を補正する第１処理と、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域１３ａとの位置ずれを補正する第２処理とに分けている。なお、図６に示すＳ６１の押印工程、Ｓ６２の充填工程、Ｓ６７の硬化工程及びＳ６８の離型工程は、図５におけるＳ５１、Ｓ５２、Ｓ５７及びＳ５８と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５０】
まず、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域１３ａとの位置ずれを補正する第２処理について説明する。充填工程を開始したら、Ｓ６３において、計測部１５によるモールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれの計測を開始する。Ｓ６３では、モールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの形状の差を計測する必要がなく、パターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれのみを計測すればよい。従って、計測部１５は、Ｓ５３よりも少ない数のモールド側マーク１８及び基板側マーク１９を検出すればよい。これにより、Ｓ６３での計測部１５による計測を、Ｓ５３での計測部１５による計測よりも短い時間で行うことができる。本実施形態では、計測部１５は、モールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとして、主に、図４（ａ）に示すシフト及び図４（ｂ）に示す回転を計測する。
【００５１】
Ｓ６４において、計測部１５の計測結果に基づいて、モールド１１と基板１３のアライメントを開始する。具体的には、計測部１５によってモールド１１のパターン面１１ａと基板１３のショット領域１３ａとの位置ずれを計測しながら、モールドステージや基板ステージを駆動することでパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれを補正する。このように、モールドステージを含むモールド保持部１２や基板ステージを含む基板保持部１４は、モールド１１のパターン面１１ａと基板１３のショット領域１３ａとの位置ずれを補正する第２補正部として機能する。モールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれは、計測部１５によって順次計測され、その計測結果が、モールド１１と基板１３のアライメントに順次反映される。
【００５２】
パターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれが許容範囲内に収まったら、Ｓ６５において、モールド１１と基板１３のアライメントを終了する。また、Ｓ６６において、計測部１５によるモールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれの計測を終了する。
【００５３】
次いで、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域１３ａとの形状の差を補正する第１処理について説明する。上述したように、モールド１１のパターン面１１ａの形状や基板１３のショット領域１３ａの形状は予め計測することが可能であり、モールド１１と基板１３のショット領域１３ａとを対面させた状態で計測しなければならないものではない。そこで、本実施形態では、インプリント装置１に基板１３を搬入する前に、基板１３のショット領域１３ａの形状を、インプリント装置１の外部の計測装置によって予め計測するインプリントシステムを提供する。
【００５４】
図７は、本発明の一側面としてのインプリントシステム７の構成を示す概略図である。インプリントシステム７は、基板上の樹脂にモールド１１を用いてパターンを形成するインプリント処理をそれぞれ行う複数のインプリント装置１と、計測装置７００とを有する。従来技術では、インプリント装置１に基板１３を直接搬入するが、本実施形態では、インプリント装置１に基板１３を搬入する前に、計測装置７００に基板１３を搬入する。計測装置７００は、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を計測し、その計測結果を、ショット形状情報として、制御部１７に送る。また、計測装置７００によって各ショット領域１３ａの形状が計測された基板１３は、インプリント装置１に順次搬入される。なお、図７では、複数のインプリント装置１のそれぞれを制御する主制御部として、複数のインプリント装置１のそれぞれが有する制御部１７の１つを示している。但し、複数のインプリント装置１のそれぞれが有する制御部１７とは別に、複数のインプリント装置１のそれぞれを制御する主制御部を設けてもよい。
【００５５】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、インプリントシステム７における計測装置７００の構成の一例を示す概略図である。図８（ａ）に示す計測装置７００は、インプリント装置１における計測部１５と同様な計測方法、即ち、ダイバイダイアライメント計測を採用している。図８（ａ）に示す計測装置７００は、計測器７１５と、基準プレート７２０と、基準プレート７２０を保持する保持部７１２とを含む。基準プレート７２０は、基板１３のショット領域１３ａの形状の基準となる板部材であって、基板１３に設けられた基板側マーク１９に対応する位置に基準プレート側マーク７２１を有する。計測器７１５は、基準プレート側マーク７２１と基板側マーク１９とを光学的に検出（観察）し、図４（ａ）乃至図４（ｅ）に示すような基板１３の各ショット領域１３ａの形状を計測する。計測器７１５は、本実施形態では、基板１３のショット領域１３ａの四隅に設けられた基板側マーク１９を検出するが、計測対象となるショット領域１３ａの形状の成分に応じて、検出対象となる基板側マーク１９の数を増やしてもよい。例えば、基板１３のショット領域１３ａの形状が弓なり型、樽型、糸巻き型などである場合には、基板１３のショット領域１３ａの四隅に設けられた基板側マーク１９に加えて、他の基板側マーク１９も検出する必要がある。
【００５６】
図８（ｂ）に示す計測装置７００は、計測器７２２と、干渉計７２３とを含む。計測器７２２は、インプリント装置１における計測部１５の計測精度よりも高い計測精度を有する。計測器７２２は、撮像素子を含み、かかる撮像素子を基準とする絶対位置計測として基板１３に設けられた基板側マーク１９を順次検出する。インプリント装置１では、空間の制約などから計測部１５をコンパクトに構成する必要がある。一方、計測装置７００では、空間の制約が比較的緩くなるため、高い計測精度を有する計測器７２２を構成することができる。図８（ｂ）に示す計測装置７００では、図８（ａ）に示す計測装置７００のように、基板側マーク１９と相対比較する基準プレート７２０は必要ないが、基板保持部１４（基板ステージ）の位置精度が計測器７２２の計測精度に影響する。従って、図８（ｂ）に示す計測装置７００では、基板保持部１４の位置を高精度に計測する干渉計７２３が設けられている。図８（ｂ）に示す計測装置７００では、制限時間内において、必要数の基板側マーク１９を順次検出することで、ショット領域１３ａの形状の多様な成分を計測することができる。また、ショット領域１３ａの形状の計測に要する時間を短縮するために、計測器７２２を複数設けてもよいし、計測器７２２の検出視野を広げて複数の基板側マーク１９を同時に検出するようにしてもよい。
【００５７】
図６に戻って、Ｓ６９において、制御部１７によって、計測装置７００からショット形状情報を取得する。このように、制御部１７は、ショット形状情報、即ち、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を取得する取得部として機能する。
【００５８】
Ｓ７０において、制御部１７によって予め取得されたショット形状情報に基づいて、モールド１１の形状の補正を開始する。具体的には、制御部１７によって予め取得された基板１３の各ショット領域１３ａの形状に基づいて、形状補正部１６によってモールド１１のパターン面１１ａと基板１３のインプリント対象のショット領域１３ａとの形状の差を補正する。ここで、モールド１１のパターン面１１ａと基板１３のインプリント対象のショット領域１３ａとの形状の差は、図４（ｃ）に示す倍率ずれ、図４（ｄ）に示す台形ずれ及び図４（ｅ）に示すねじれの少なくとも１つを含む。
【００５９】
本実施形態では、予め取得されたショット形状情報に基づいてモールド１１の形状の補正を行うことが可能であるため、前のショット領域に対する離型工程が終了したらモールド１１の形状の補正を開始することができる。従って、モールド１１の形状の補正に十分な時間を確保することができる。
【００６０】
また、基板１３の面内の配列やショット領域ごとの回転のばらつきを予め計測（取得）することで、Ｓ６３において計測部１５による計測を開始する際のモールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれを低減することができる。モールド１１と基板上の樹脂とを接触させた状態でモールド１１や基板１３を移動させると、せん断力が作用してモールド１１の歪の原因となるため、モールド１１と基板１３のアライメントにおけるモールド１１や基板１３の移動量は少ないほどよい。
【００６１】
また、基板１３のショット領域１３ａの形状を計測する頻度は、必要とされる重ね合わせ精度に応じて決定される。例えば、ロット内の基板間のショット領域１３ａの形状の差が十分に小さければ、ロット内の先頭の基板のみに対してショット領域の形状を計測すればよい。一方、ロット内の基板間のショット領域１３ａの形状の差が無視できなければ、ロット内の全ての基板に対してショット領域の形状を計測する必要がある。
【００６２】
また、基板内では、生産性を考慮して、形状を計測するショット領域１３ａの数を調整すればよい。計測に十分な時間をかけてよい場合には、基板１３の全てのショット領域１３ａの形状を計測すればよい。これにより、基板１３の全てのショット領域１３ａについて、実際の形状を取得することができる。一方、計測に十分な時間をかけられない場合には、基板１３の全てのショット領域１３ａのうちの一部のショット領域の形状を（例えば、数ショット領域ごとに形状を）計測すればよい。この際、基板１３の全てのショット領域１３ａのうちの残りのショット領域については、計測した一部のショット領域の形状から求めることができる。例えば、基板１３の各ショット領域１３ａの形状が各ショット領域１３ａの位置に対して線形的に変化する場合には、計測した一部のショット領域の形状を最小二乗近似することで残りのショット領域の形状を求めればよい。また、基板１３の各ショット領域１３ａの形状が各ショット領域１３ａの位置に対して線形的に変化しない場合には、計測した一部のショット領域の形状を加重平均することで残りのショット領域の形状を求めればよい。
【００６３】
図９（ａ）は、基板１３のショット領域１３ａのレイアウトの一例を示す図である。図９（ａ）において、斜線で示すショット領域は、形状が計測されたショット領域を表し、白色で示すショット領域は、形状が計測されていないショット領域を表している。基板１３の各ショット領域１３ａの形状は、一般的に、連続的に変化する。従って、形状が計測されていないショット領域Ｓｂの形状は、かかるショット領域Ｓｂの周辺のショット領域Ｓｃ乃至Ｓｆの形状から連続的に変化していると考えられる。従って、計測されたショット領域Ｓｃ乃至Ｓｆの形状を平均化することで、計測されていないショット領域Ｓｂの形状を求める（予測する）ことができる。
【００６４】
図９（ｂ）は、基板１３のショット領域１３ａのレイアウトの一例を示す図である。図９（ｂ）において、斜線で示すショット領域は、形状が計測されたショット領域を表し、白色で示すショット領域は、形状が計測されていないショット領域を表している。図９（ｂ）においても、基板１３の各ショット領域１３ａの形状が連続的に変化すると考え、計測されたショット領域の形状から計測されていないショット領域の形状を求める。例えば、ショット領域Ｓｈの形状は、ショット領域Ｓｊの形状とショット領域Ｓｋの形状との平均であるが、ショット領域Ｓｊの形状により近くなる。具体的には、ショット領域Ｓｈに対するショット領域Ｓｋの影響は、ショット領域間の距離を考慮すると、ショット領域Ｓｈに対するショット領域Ｓｊの影響の１／２となる。このように、ショット領域間の距離の逆数に影響度が比例する。従って、ショット領域Ｓｈの形状は、加重平均によって、以下のように求めることができる。
【００６５】
【数１】
0006552329.tif 000002
【００６６】
同様に、ショット領域Ｓｉの形状は、以下のように求めることができる。
【００６７】
【数２】
0006552329.tif 000003
【００６８】
ショット領域Ｓｌの形状は、４つのショット領域Ｓｊ、Ｓｋ、Ｓｍ及びＳｎの加重平均で求めることができる。ショット領域Ｓｌに対するショット領域Ｓｊ、Ｓｋ、Ｓｍ及びＳｎのそれぞれの距離は、１．２、２、１及び１．２である。従って、ショット領域Ｓｌの形状は、以下のように求めることができる。
【００６９】
【数３】
0006552329.tif 000004
【００７０】
形状が計測されていないショット領域に対して、形状が計測されたショット領域をどこまで考慮するかは、実際の基板に応じて決めればよい。
【００７１】
本実施形態では、計測部１５によるモールド１１のパターン面１１ａとショット領域１３ａとの位置ずれの計測（Ｓ６３）として、ダイバイダイアライメント計測を想定しているが、これに限定されるものではない。基板１３のショット領域１３ａのうちの代表的なショット領域を計測して統計演算処理し、その結果に基づいてモールド１１と基板１３とのアライメントを行う、所謂、グローバルアライメント計測でも同様の効果を得ることができる。
【００７２】
このように、本実施形態では、モールド１１と基板１３のショット領域１３ａとが対面する前に第１処理が開始され、且つ、モールド１１とショット領域１３ａとが対面した後に第２処理が開始されるように、インプリント処理を制御している。従って、モールド１１の形状の補正に時間をかけることが可能となり、生産性の低下を抑えながら、モールド１１の形状を十分に補正することができ、高い重ね合わせ精度を実現することができる。
【００７３】
また、第１処理と第２処理との一部が並行して行われるように、又は、モールド１１と基板１３のショット領域１３ａとを対面させるためにモールド１１と基板１３とを相対的に移動させている間に第１処理が開始されるように、インプリント処理を制御するとよい。これにより、モールド１１の形状の補正に更に時間をかけることが可能となる。
【００７４】
また、第２処理では、第１処理によって発生するモールド１１のパターンと基板１３のショット領域１３ａとの位置ずれも考慮して、モールド１１のパターン面１１ａと基板１３のショット領域１３ａとの位置ずれを補正するとよい。これにより、第１処理と第２処理との一部を並行して行っても、モールド１１と基板１３とのアライメントに要する時間を短縮することができる。
【００７５】
また、ショット形状情報、即ち、基板１３のショット領域１３ａの形状は、インプリント装置１に搬入される基板ごとに取得するとよい。これにより、基板内の各ショット領域の形状のばらつきがある場合であっても、モールド１１の形状を十分に補正することができる。
【００７６】
また、本実施形態では、インプリント装置１の外部の計測装置７００によって、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を予め計測している。但し、インプリント処理を開始する前に、インプリント装置１における計測部１５によって、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を予め計測してもよい。
【００７７】
＜第２の実施形態＞
図１０は、本発明の一側面としてのインプリントシステム１０の構成を示す概略図である。インプリントシステム１０は、基板上の樹脂にモールド１１を用いてパターンを形成するインプリント処理をそれぞれ行う複数のインプリント装置１を有する。なお、図１０では、複数のインプリント装置１のそれぞれを制御する主制御部として、複数のインプリント装置１のそれぞれが有する制御部１７の１つを示している。但し、複数のインプリント装置１のそれぞれが有する制御部１７とは別に、複数のインプリント装置１のそれぞれを制御する主制御部を設けてもよい。
【００７８】
インプリント装置は、上述したように、充填工程に時間がかかるため、露光装置よりも生産性が低下することが指摘されている。そこで、複数のインプリント装置でクラスタを構成し、複数の基板に対して同時にインプリント処理を行う技術が提案されている。かかる技術では、インプリント装置間で共有できるユニットがあるため、トータルとしての装置占有面積を低減し、単位面積当たりの生産性を向上させることができる。
【００７９】
インプリントシステム１０は、例えば、図１０に示すように、４つのインプリント装置１を有する。４つのインプリント装置１のうち少なくとも１つのインプリント装置、本実施形態では、右下のインプリント装置１は、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を計測する機能を有している。かかる機能は、計測部１５で実現してもよいし、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す計測装置７００を有することで実現してもよい。
【００８０】
従来技術では、インプリントシステム１０に搬入された基板１３は、各インプリント装置１に直接搬入され、インプリント処理が行われる。一方、本実施形態では、まず、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を計測する機能を有するインプリント装置１に搬入される。かかるインプリント装置１では、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を計測し、その計測結果を、ショット形状情報として、制御部１７に送る。また、各ショット領域１３ａの形状が計測された基板１３は、他のインプリント装置１に順次搬入される。基板１３が搬入された他のインプリント装置１では、図６に示すシーケンスに従って、インプリント処理が行われる。
【００８１】
本実施形態では、１つのインプリント装置１のみが基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を計測する機能を有しているが、これに限定されるものではない。例えば、４つのインプリント装置１のそれぞれが基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を計測する機能を有し、レシピやインプリント処理の状況に応じて、各ショット領域１３ａの形状の計測に用いるインプリント装置１を増減（変更）してもよい。
【００８２】
具体的には、ロット内の先頭の基板のみに対してショット領域の形状を計測する場合には、ショット領域の形状を計測する機能はそれほど必要でない。従って、図１０に示すように、１つのインプリント装置１のみがショット領域の形状を計測する機能を有していればよい。また、かかるインプリント装置１では、ロット内の先頭の基板を計測した後、そのままインプリント処理を行ってもよい。一方、全ての基板に対してショット領域の形状を計測する場合には、インプリント装置の生産性やショット領域の形状を計測する機能の処理能力に応じて、ショット領域の形状の計測に用いるインプリント装置を割り振ればよい。
【００８３】
これまでは、基板１３のショット領域１３ａの形状（固有の量）について説明してきたが、例えば、基板ステージが基板１３を保持した際に発生する歪が大きい場合には、かかる歪も考慮する必要がある。本実施形態では、インプリトシステム１０の内部で基板１３を搬送することになるため、基板ステージで基板１３を保持した状態でショット領域１３ａの形状を計測し、その状態のまま各インプリント装置１に搬送（所謂、チャック搬送）することができる。従って、基板ステージが基板１３を保持した際に発生する歪を含めてショット領域１３ａの形状を計測することが可能であり、モールド１１の形状をより高精度に補正することができる。
【００８４】
＜第３の実施形態＞
インプリント装置１における計測部１５では、従来、計測条件を変えながらモールド側マーク１８や基板側マーク１９を検出し、その検出結果に基づいて最適な計測条件を決定する条件だしが行われている。この際、基板側マーク１９が異物やインプリント処理よりも前の処理での転写不良や処理不良によって検出できない場合があるため、検出可能な（即ち、計測対象とする）マークの探索も行われている。このように、計測条件は、例えば、モールド側マーク１８及び基板側マーク１９を照明する光の光量、波長及び計測対象とする基板側マーク１９の少なくとも１つを含む。
【００８５】
但し、上述したように、計測部１５による計測に時間をかけると、インプリント装置１の生産性が大きく低下してしまう。そこで、本実施形態では、基板１３の複数のショット領域１３ａのそれぞれの形状を予め計測する際に、最適な計測条件を導出することで、計測部１５による計測にかかる時間を更に短縮する。
【００８６】
図８（ａ）に示す計測装置７００は、インプリント装置１における計測部１５と同様な計測方法を採用している（即ち、同様な構成を有している）。従って、図８（ａ）に示す計測装置７００では、基板１３の各ショット領域１３ａの形状を計測する際に基板側マーク１９を検出して得られるマーク情報に基づいて、第２処理における計測部１５の計測条件を決定することができる。ここで、マーク情報は、例えば、コントラスト、マークの変形を示す情報及びマークの異常を示す情報の少なくとも１つを含む。
【００８７】
一方、図８（ｂ）に示す計測装置７００は、インプリント装置１における計測部１５と異なる計測方法を採用している。このような場合には、図８（ｂ）に示す計測装置７００の計測条件と計測部１５の計測条件との関係、即ち、図８（ｂ）に示す計測装置７００の計測条件を計測部１５の計測条件に換算するための関係を求めておけばよい。そして、かかる関係と、基板１３の各ショット領域１３ａの形状を計測する際に基板側マーク１９を検出して得られるマーク情報とに基づいて、第２処理における計測部１５の計測条件を決定すればよい。
【００８８】
また、上述したように、基板側マーク１９が計測部１５で検出可能であるかを予め判断することができる。例えば、インプリント装置１では、歩留まりを向上させるため、基板１３のエッジ近傍の欠けショット領域からも幾つかのチップを得られるように、かかる欠けショット領域に対してもインプリント処理を行う必要がある。図１１は、基板１３のエッジ近傍の欠けショット領域の一例を示す図である。図１１では、基板１３の１つのショット領域に９つのチップ領域が配置され、かかるチップ領域の四隅には、基板側マーク１９が設けられている。モールド１１と基板１３とのずれとして回転を求める場合には、その精度を高めるために、離れた複数の基板側マーク１９を検出する必要があるため、例えば、外周の基板側マーク１９を検出するとよい。但し、図１１に示すように、外周の基板側マーク１９を検出できない場合には、基板１３の各ショット領域１３ａの形状を計測する際に基板側マーク１９を検出して得られるマーク情報に基づいて、外周に近い他の基板側マーク１９を選択すればよい。このように、計測部１５で検出可能な基板側マーク１９を予め選択することで、インプリント装置１の生産性の低下を抑制することができる。
【００８９】
また、図８（ｂ）に示す計測装置７００では、途中工程で発生する基板側マーク１９のむらや歪に起因する計測騙され、所謂、ＷＩＳ（Ｗａｆｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｈｉｆｔ）を敏感に検知することができる。基板側マーク１９を検出して得られるマーク信号の非対称性と計測騙され（騙され量）との関係を予め求め、かかる関係に基づいて、計測結果にオフセットを加味することも可能である。ＷＩＳが著しく大きい場合には、上述したように、他の基板側マーク１９を検出するように、計測対象とする基板側マーク１９を選択（変更）してもよい。また、ＷＩＳは基板１３の面内で連続的に変化するため、第１の実施形態で説明したように、計測されたショット領域の形状から加重平均で予測することも可能である。
【００９０】
＜第４の実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１、インプリントシステム７又は１０を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００９１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１：インプリント装置    １１：モールド    １２：モールド保持部    １３：基板    １４：基板保持部    １５：計測部    １６：形状補正部
【図１】
0006552329.tif 000005
【図２】
0006552329.tif 000006
【図３】
0006552329.tif 000007
【図４】
0006552329.tif 000008
【図５】
0006552329.tif 000009
【図６】
0006552329.tif 000010
【図７】
0006552329.tif 000011
【図８】
0006552329.tif 000012
【図９】
0006552329.tif 000013
【図１０】
0006552329.tif 000014
【図１１】
0006552329.tif 000015