(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ酸０．５〜２０質量％と、硝酸５．０〜２５．０質量％と、フッ酸及び硝酸以外の無機酸０．５〜１０質量％とを含有する第一ガラスエッチング液を用いて、一対の主平面上に同一パターンのエッチングマスクを有するガラス基板をエッチングする第一ガラスエッチング工程と、
フッ酸０．５〜２０質量％と、硫酸１０．０〜５０．０質量％とを含有する第二ガラスエッチング液を用いて、前記第一ガラスエッチング工程でエッチングされた前記ガラス基板をエッチングする第二ガラスエッチング工程とを含むガラス加工方法。
【請求項２】
前記第一ガラスエッチング液及び／又は第二ガラスエッチング液が更にキレート剤を含有する請求項１に記載のガラス加工方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のガラス加工方法における前記第一ガラスエッチング工程に用いられるガラスエッチング液であって、フッ酸０．５〜２０質量％と、硝酸５．０〜２５．０質量％と、フッ酸及び硝酸以外の無機酸０．５〜１０質量％とを含有するガラスエッチング液。
【請求項４】
更にキレート剤を含有する請求項３に記載のガラスエッチング液。
【請求項５】
一対の主表面と、前記一対の主表面に対し、略垂直である端面とを有するガラス基板であって、
前記端面は、前記一対の主表面から前記ガラス基板の面方向外側へ向けて隆起する一対の隆起部と、前記一対の隆起部の間に位置し、前記ガラス基板の面方向内側へ向けて陥没する陥没部と、前記陥没部の中央に位置し、前記ガラス基板の面方向外側へ向けて突出する頂部とを有し、
前記一対の隆起部の共通接線と前記頂部の先端との距離が０ｍｍ以下であり、ただし、前記頂部の先端が前記共通接線よりも前記ガラス基板の面方向外側に位置するとき、前記距離の符号を正とし、前記頂部の先端が前記共通接線よりも前記ガラス基板の面方向内側に位置するとき、前記距離の符号を負とするガラス基板。
【請求項６】
前記ガラス基板は、板状のガラス基材がその両主表面からエッチングされることによって所望の形状に切り抜かれてなり、一対の主表面と、前記ガラス基材がエッチングされて切り抜かれたことにより形成され、前記一対の主表面に対し、略垂直である端面とを有するものである請求項５記載のガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス加工方法、ガラスエッチング液、及びガラス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン等の携帯型電子機器においては、タッチパネルの部材や、画像表示パネル保護用のカバーガラスとして、ガラス基板が用いられている。
【０００３】
従来、このようなガラス基板の加工方法としては物理的方法が一般的であったが、加工の際にクラックが入りやすく、強度が低下したり歩留まりが悪化したりするという問題があった。
【０００４】
そこで、近年、ガラス基板上に所望形状のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにしてガラス基板をエッチングすることにより、所望形状のガラス基板を得る方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。このような化学的方法によれば、加工の際に物理的な負荷がかからないため、クラックが入りにくい。また、物理的方法とは異なり、ガラス基板にマイクやスピーカ用の穴あけ加工を行うことも可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６７０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来のエッチングによるガラス加工方法では、図２に示すように、エッチングがガラス基板１０１の対向する主表面１１１及び１１２から等方的に進行するために、端面１１３は、ガラス基板１０１の面方向外側へ向けて突出する頂部を有し、かつ、上記頂部の先端がガラス基板１０１の面方向の最も外側に位置する形状となる。上記頂部の先端がガラス基板１０１の面方向の最も外側に位置すると、ガラス基板１０１の寸法安定性が向上しにくく、また、上記頂部における機械的強度が低下しやすい。
【０００７】
本発明は、上記の状況に鑑みてなされたものであり、ガラス基板の端部において、ガラス基板の面方向外側へ向けて突出する頂部の先端が、ガラス基板の面方向の最も外側には位置しないようにガラス基板を加工することのできるガラス加工方法、ガラスエッチング液、及びガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた。その結果、２つの工程に分けてガラス基板のエッチングを行い、各工程において特定のエッチング液を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。
【０００９】
本発明の第一の態様は、フッ酸０．５〜２０質量％と、硝酸５．０〜２５．０質量％と、フッ酸及び硝酸以外の無機酸０．５〜１０質量％とを含有する第一ガラスエッチング液を用いて、一対の主平面上に同一パターンのエッチングマスクを有するガラス基板をエッチングする第一ガラスエッチング工程と、フッ酸０．５〜２０質量％と、硫酸１０．０〜５０．０質量％とを含有する第二ガラスエッチング液を用いて、上記第一ガラスエッチング工程でエッチングされた上記ガラス基板をエッチングする第二ガラスエッチング工程とを含むガラス加工方法である。
【００１０】
本発明の第二の態様は、上記ガラス加工方法における上記第一ガラスエッチング工程に用いられるガラスエッチング液であって、フッ酸０．５〜２０質量％と、硝酸５．０〜２５．０質量％と、フッ酸及び硝酸以外の無機酸０．５〜１０質量％とを含有するガラスエッチング液である。
本発明の第三の態様は、上記ガラス加工方法により加工されたガラス基板である。
【００１１】
本発明の第四の態様は、一対の主表面と、上記一対の主表面に対し、略垂直である端面とを有するガラス基板であって、上記端面は、上記一対の主表面から上記ガラス基板の面方向外側へ向けて隆起する一対の隆起部と、上記一対の隆起部の間に位置し、上記ガラス基板の面方向内側へ向けて陥没する陥没部と、上記陥没部の中央に位置し、上記ガラス基板の面方向外側へ向けて突出する頂部とを有し、上記一対の隆起部の共通接線と上記頂部の先端との距離が０ｍｍ以下であり、ただし、上記頂部の先端が上記共通接線よりも上記ガラス基板の面方向外側に位置するとき、上記距離の符号を正とし、上記頂部の先端が上記共通接線よりも上記ガラス基板の面方向内側に位置するとき、上記距離の符号を負とするガラス基板である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ガラス基板の端部において、ガラス基板の面方向外側へ向けて突出する頂部の先端が、ガラス基板の面方向の最も外側には位置しないようにガラス基板を加工することのできるガラス加工方法、ガラスエッチング液、及びガラス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係るガラス基板の一部を示す図である。
【図２】従来のエッチングによるガラス加工方法で加工されたガラス基板の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜ガラス基板＞
本発明に係るガラス基板について、図１を参照して説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るガラス基板の一部を示す図である。図１に示すガラス基板１は、一対の主表面１１及び１２と、一対の主表面１１及び１２に対し、略垂直である端面１３とを有する。端面１３は、一対の主表面１１及び１２からガラス基板１の面方向外側へ向けて隆起する一対の隆起部１４及び１５と、一対の隆起部１４及び１５の間に位置し、ガラス基板１の面方向内側へ向けて陥没する陥没部１６と、陥没部１６の中央に位置し、ガラス基板１の面方向外側へ向けて突出する頂部１７とを有する。一対の隆起部１４及び１５の共通接線１８と頂部１７の先端との距離ｄは０ｍｍ以下である。ただし、頂部１７の先端が共通接線１８よりもガラス基板１の面方向外側に位置するとき、距離ｄの符号を正とし、頂部１７の先端が共通接線１８よりもガラス基板１の面方向内側に位置するとき、距離ｄの符号を負とする。図１では、頂部１７の先端が共通接線１８よりもガラス基板１の面方向内側に位置しているので、距離ｄの符号は負である。
【００１５】
ガラス基板１においては、一対の隆起部１４及び１５がガラス基板１の面方向の最も外側に位置しており、頂部１７の先端はガラス基板１の面方向の最も外側に位置していない。よって、ガラス基板１の寸法安定性は向上しやすく、また、頂部１７における機械的強度が低下しにくい。
【００１６】
隆起部１４と隆起部１５との間で、ガラス基板１の面方向への高さは、同一でも異なっていてもよい。なお、上記高さは図１では同一である。
【００１７】
「端面１３が一対の主表面１１及び１２に対し略垂直である」とは、共通接線１８と主表面１１又は１２との成す角が７０〜１１０°であることをいう。共通接線１８と主表面１１又は１２との成す角は、８０〜１００°であることが好ましく、８５〜９５°であることがより好ましい。
【００１８】
一対の隆起部１４及び１５の共通接線１８と頂部１７の先端との距離ｄは０ｍｍ以下である。距離ｄが０ｍｍ以下であれば距離ｄの下限は特に限定されないが、距離ｄの絶対値がガラス基板１の厚さ以下であることが好ましい。例えば、ガラス基板１の厚さが０．７ｍｍである場合、距離ｄは、−０．７ｍｍ〜０ｍｍであることが好ましく、−０．３ｍｍ〜０ｍｍであることがより好ましい。距離ｄの絶対値がガラス基板１の厚さ以下であると、端面１３における機械的強度が低下しにくい。
【００１９】
ガラス基板１は、板状のガラス基材がその両主表面からエッチングされることによって所望の形状に切り抜かれてなり、一対の主表面１１及び１２と、上記ガラス基材がエッチングされて切り抜かれたことにより形成され、一対の主表面１１及び１２に対し、略垂直である端面１３とを有するものであることが好ましい。
【００２０】
ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定したガラス基板１の端面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで３．８μｍ以下であることが好ましく、３．５μｍ以下であることがより好ましく、２．０μｍ以下であることが更により好ましい。算術平均粗さＲａで表される上記表面粗さが３．５μｍ以下であると、ガラス基板１の端面の平滑性は優れたものとなりやすい。なお、上記表面粗さの下限は、特に限定されるものではないが、実用上は算術平均粗さＲａで０．１ｎｍ以上である。
【００２１】
ガラス基板１は、図１に示す形状が得られる限り、いかなるガラス加工方法で製造してもよく、例えば、本発明に係るガラス加工方法で製造することができる。ガラス基板１は、本発明に係るガラス加工方法により加工されたものも、その他のガラス加工方法により加工されたものも包含する。本発明に係るガラス加工方法については後述する。
【００２２】
＜ガラス加工方法＞
本発明に係るガラス加工方法は、フッ酸０．５〜２０質量％と、硝酸５．０〜２５．０質量％と、フッ酸及び硝酸以外の無機酸０．５〜１０質量％とを含有する第一ガラスエッチング液を用いて、一対の主平面上に同一パターンのエッチングマスクを有するガラス基板をエッチングする第一ガラスエッチング工程と、フッ酸０．５〜２０質量％と、硫酸１０．０〜５０．０質量％とを含有する第二ガラスエッチング液を用いて、上記第一ガラスエッチング工程でエッチングされた上記ガラス基板をエッチングする第二ガラスエッチング工程とを含む。
【００２３】
本発明に係るガラス加工方法により、本発明に係るガラス基板を得ることができる。第一ガラスエッチング工程では、図２と同様に、ガラス基板の面方向外側へ向けて突出する頂部を有し、かつ、上記頂部の先端がガラス基板の面方向の最も外側に位置する形状を有しつつも、上記頂部の、ガラス基板の面方向への高さがより低く抑えられた端面が形成されると考えられる。第二ガラスエッチング工程では、上記頂部周辺のエッチングが特に進行すると考えられ、最終的に、図１に示す形状を有する端面が形成される。
【００２４】
なお、第一及び第二ガラスエッチング工程において、エッチングレートとしては、特に限定されず、適宜調整することができるが、例えば、１〜２０μｍ／分が挙げられる。また、第一及び第二ガラスエッチング工程において、エッチング温度としては、特に限定されず、適宜調整することができるが、例えば、１０〜６０℃が挙げられる。
【００２５】
［第一ガラスエッチング工程］
第一ガラスエッチング工程では、第一ガラスエッチング液を用いて、一対の主平面上に同一パターンのエッチングマスクを有するガラス基板をエッチングする。第一ガラスエッチング液には、所定量の硝酸が含まれるため、エッチングによりガラス基板の端面に形成される頂部の、ガラス基板の面方向への高さをより低く抑えることができると考えられる。
【００２６】
第一ガラスエッチング液によるエッチング処理は、従来公知の方法で行うことができ、例えば、ガラス基板をエッチング液に浸漬することにより行うことができる。第一ガラスエッチング液によるエッチング処理時間は、ガラス基板の厚さ、エッチングレート等により適宜調整することができ、エッチング処理時間の合計、特に、第一ガラスエッチング液によるエッチング処理時間と第二ガラスエッチング液によるエッチング処理時間との合計の好ましくは５０〜９０％、より好ましくは６０〜８０％である。
【００２７】
（第一ガラスエッチング液）
第一ガラスエッチング液は、フッ酸０．５〜２０質量％と、硝酸５．０〜２５．０質量％と、フッ酸及び硝酸以外の無機酸０．５〜１０質量％とを含有する。なお、第一ガラスエッチング液における溶剤は、通常、水であるが、グリセリン、ポリエチレングリコール等の水溶性有機溶剤と水との混合溶剤であってもよい。
【００２８】
・フッ酸  
フッ酸は、第一ガラスエッチング液がガラス基板中のＳｉＯ２を溶解するのに寄与する。第一ガラスエッチング液において、フッ酸の含有量は、０．５〜２０質量％であり、好ましくは１．０〜７．０質量％であり、より好ましくは１．５〜６．５質量％である。第一ガラスエッチング液におけるフッ酸の含有量が０．５〜２０質量％であると、第一ガラスエッチング液によるＳｉＯ２の溶解性を十分に確保しつつ、第一ガラスエッチング液におけるフッ酸の含有量を少なくすることができ、安全性や省資源性を向上させやすい。
【００２９】
・硝酸
硝酸は、エッチングによりガラス基板の端面に形成される頂部の、ガラス基板の面方向への高さを第一ガラスエッチング液がより低く抑えることに寄与する。第一ガラスエッチング液において、硝酸の含有量は、５．０〜２５．０質量％であり、好ましくは５．０〜２４．０質量％であり、より好ましくは５．０〜２０．０質量％であり、更により好ましくは９．０〜１９．５質量％である。第一ガラスエッチング液における硝酸の含有量が５．０〜２５．０質量％であると、上記高さを適切な範囲でより低く抑えることが容易である。
【００３０】
・フッ酸及び硝酸以外の無機酸
フッ酸及び硝酸以外の無機酸は、第一ガラスエッチング液がガラス基板中のケイ素以外の金属成分を溶解するのに寄与する。フッ酸及び硝酸以外の無機酸は、１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００３１】
フッ酸及び硝酸以外の無機酸としては、ガラス基板中に含まれるケイ素以外の金属成分の種類に応じて、適宜選択されるが、例えば、塩酸、硫酸、リン酸、スルファミン酸等が挙げられ、塩酸及び硫酸が好ましい。
【００３２】
第一ガラスエッチング液において、フッ酸及び硝酸以外の無機酸の含有量は、０．５〜１０質量％であり、好ましくは０．５〜４．５質量％であり、より好ましくは１．０〜４．０質量％である。第一ガラスエッチング液におけるフッ酸及び硝酸以外の無機酸の含有量が０．５〜１０質量％であると、フッ酸によるＳｉＯ２の溶解性とのバランスを保ちつつ、第一ガラスエッチング液によるケイ素以外の金属成分の溶解性を適切な範囲に調整しやすい。
【００３３】
・キレート剤
第一ガラスエッチング液は、キレート剤を含有してもよい。第一ガラスエッチング液がキレート剤を含有すると、ガラス基板のエッチングにより第一ガラスエッチング液中に溶解したガラス成分は、キレート剤によりキレートされるため、ガラス基板上で再結晶しにくくなり、特にガラス基板の端面の平滑性が向上しやすい（即ち、算術平均粗さＲａで表される表面粗さを低く抑えやすい）。キレート剤は、１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
キレート剤としては、例えば、２個以上のカルボキシル基又は２個以上の水酸基を有する化合物が挙げられ、具体的には、クエン酸、グルコン酸、コハク酸、シュウ酸、酒石酸、エチレンジアミン４酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチリデンジホスフィン酸（ＨＥＤＰ）、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸等が挙げられ、クエン酸及びシュウ酸が特に好ましい。
【００３５】
第一ガラスエッチング液において、キレート剤の含有量は、好ましくは０．０１〜１０質量％であり、より好ましくは０．０５〜３．５質量％であり、更により好ましくは０．１〜３．０質量％である。第一ガラスエッチング液におけるキレート剤の含有量が０．０１〜１０質量％であると、ガラス基板の端面の平滑性が向上しやすい。
【００３６】
・その他の成分
第一ガラスエッチング液は、必要に応じて、１個のカルボキシル基又は１個の水酸基を有する化合物（例えば、酢酸等のモノカルボン酸）、ジアミン化合物（例えば、エチレンジアミン）等のその他の成分を含有してもよい。その他の成分の含有量は、特に限定されず、適宜、調整すればよいが、第一ガラスエッチング液において、１個のカルボキシル基を有する化合物の含有量は、好ましくは０．０１〜１０質量％であり、より好ましくは０．１５〜２．５質量％であり、更により好ましくは０．２〜２．０質量％である。
【００３７】
（ガラス基板）
第一ガラスエッチング工程において第一ガラスエッチング液を用いてエッチングされるガラス基板は、一対の主平面上に同一パターンのエッチングマスクを有する。ガラス基板としては、特に限定されず、公知の方法で作製されたものを用いることができる。ガラス基板としては、例えば、アルミノシリケートガラスやソーダライムガラスを用いることができ、これらを化学強化等の表面処理により強化したガラスを用いることもできる。具体的には、市販品としては、例えば、ドラゴントレイル（旭硝子製）、ゴリラガラス（コーニング製）、アーマーレックス（セントラル硝子製）、センセーション（ショット製）等が挙げられる。
【００３８】
ガラス基板の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、０．０５〜２ｍｍが挙げられる。ガラス基板の厚さが薄ければ薄いほど、ガラス基板に物理的な加工を施した際、破損のリスクが高く、ガラス基板の加工が困難である。しかし、本発明に係るガラス加工方法では、エッチング加工を用いるため、薄いガラス基板であっても高い精度で加工でき、ガラス基板にかかるストレスが低く、破損のリスクが低いため、高歩留まりを達成することができる。
【００３９】
一対の主平面上に同一パターンのエッチングマスクを有するガラス基板は、上記エッチングマスクを形成する前のガラス基板にレジスト組成物を塗布又はラミネートし、露光及び現像することにより得ることができる。レジスト組成物としては、第一及び第二ガラスエッチング液に対して耐性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、フッ酸耐性に優れたレジスト組成物等を用いることができる。レジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。ここで、ポジ型レジスト組成物は、非化学増幅系、化学増幅系のいずれであってもよい。非化学増幅系ポジ型レジスト組成物としては、例えば、キノンジアジド基含有化合物及びアルカリ可溶性樹脂を少なくとも含有するものが挙げられる。一方、化学増幅系ポジ型レジスト組成物としては、例えば、酸解離性の脱離基を有し、当該脱離基が露光により光酸発生剤から発生する酸の作用で脱離することによりアルカリ可溶性が増大する樹脂、及び光酸発生剤を少なくとも含むものが挙げられる。また、ネガ型レジスト組成物としては、例えば、アルカリ可溶性樹脂、光重合性モノマー、及び光重合開始剤を少なくとも含有する重合型のネガ型レジスト組成物；アルカリ可溶性樹脂、架橋剤、及び酸発生剤を少なくとも含有する化学増幅型のネガ型レジスト組成物；酸解離性の脱離基を有し、当該脱離基が露光により光酸発生剤から発生する酸の作用で脱離することにより極性が増大する樹脂、及び光酸発生剤を少なくとも含む溶剤現像プロセス用の化学増幅型ネガ型レジスト組成物が挙げられる。また、レジスト組成物は、液状であってもよく、ドライフィルム（支持フィルム上に設けられたレジスト組成物からなる樹脂層）の形態であってもよい。
【００４０】
露光は、遮光パターンを介して紫外線等の活性エネルギー線を照射することにより、ガラス基板に塗布されたレジスト組成物に対して選択的に行われる。露光には、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、カーボンアーク灯等の紫外線を発する光源を用いることができる。照射するエネルギー線量は、レジスト組成物の組成によっても異なるが、例えば３０〜３０００ｍＪ／ｃｍ２程度が好ましい。なお、露光後には、適宜、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）を行ってもよい。
【００４１】
現像は、露光後の上記レジスト組成物に対して行われ、パターンが形成される。現像方法は、特に限定されず、浸漬法、スプレー法、シャワー法、パドル法等を用いることができる。現像液としては、例えば０．２５〜３質量％の水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、有機アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液等が挙げられる。現像時間は、特に限定されないが、例えば１〜１２０分間程度である。なお、現像液は、２５〜４０℃程度に加温してもよい。
【００４２】
なお、第一及び第二ガラスエッチング工程後には、上記パターンを剥離する。剥離方法は、特に限定されず、浸漬法、スプレー法、シャワー法、パドル法等を用いることができる。剥離液としては、例えば３〜１５質量％の水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、有機アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエタノールアミン、Ｎ―メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。剥離処理時間は、特に限定されないが、例えば１〜１２０分間程度である。なお、剥離液は、２５〜６０℃程度に加温してもよい。
【００４３】
［第二ガラスエッチング工程］
第二ガラスエッチング工程では、第二ガラスエッチング液を用いて、上記第一ガラスエッチング工程でエッチングされた上記ガラス基板をエッチングする。第二ガラスエッチング液には、所定量の硫酸が含まれるため、上記第一ガラスエッチング工程でガラス基板の面方向への高さがより低く抑えられた頂部周辺のエッチングが特に進行すると考えられる。
【００４４】
第二ガラスエッチング液によるエッチング処理は、従来公知の方法で行うことができ、例えば、ガラス基板をエッチング液に浸漬することにより行うことができる。第二ガラスエッチング液によるエッチング処理時間は、ガラス基板の厚さ、エッチングレート等により適宜調整することができ、エッチング処理時間の合計、特に、第一ガラスエッチング液によるエッチング処理時間と第二ガラスエッチング液によるエッチング処理時間との合計の好ましくは１０〜５０％、より好ましくは２０〜４０％である。
【００４５】
（第二ガラスエッチング液）
第二ガラスエッチング液は、フッ酸０．５〜２０質量％と、硫酸１０．０〜５０．０質量％とを含有する。なお、第二ガラスエッチング液における溶剤は、通常、水であるが、水溶性有機溶剤と水との混合溶剤であってもよい。水溶性有機溶剤としては、例えば、第一ガラスエッチング液の説明中で例示したものが挙げられる。
【００４６】
・フッ酸
フッ酸は、第二ガラスエッチング液がガラス基板中のＳｉＯ２を溶解するのに寄与する。第二ガラスエッチング液において、フッ酸の含有量は、０．５〜２０質量％であり、好ましくは０．５〜６．０質量％であり、より好ましくは１．０〜５．５質量％である。第二ガラスエッチング液におけるフッ酸の含有量が０．５〜２０質量％であると、第二ガラスエッチング液によるＳｉＯ２の溶解性を十分に確保しつつ、第二ガラスエッチング液におけるフッ酸の含有量を少なくすることができ、安全性や省資源性を向上させやすい。
【００４７】
・硫酸
硫酸は、上記第一ガラスエッチング工程でガラス基板の面方向への高さがより低く抑えられた頂部周辺のエッチングを特に進行させることに寄与する。第二ガラスエッチング液において、硫酸の含有量は、１０．０〜５０．０質量％であり、好ましくは１５．０〜５０．０質量％であり、より好ましくは１７．０〜４９．０質量％である。第二ガラスエッチング液における硫酸の含有量が１０．０〜５０．０質量％であると、上記第一ガラスエッチング工程でガラス基板の面方向への高さがより低く抑えられた頂部周辺のエッチングを特に進行させることが容易である。
【００４８】
・キレート剤
第二ガラスエッチング液は、キレート剤を含有してもよい。第二ガラスエッチング液がキレート剤を含有すると、ガラス基板のエッチングにより第二ガラスエッチング液中に溶解したガラス成分は、キレート剤によりキレートされるため、ガラス基板上で再結晶しにくくなり、特にガラス基板の端面の平滑性が向上しやすい（即ち、算術平均粗さＲａで表される表面粗さを低く抑えやすい）。キレート剤は、１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００４９】
キレート剤としては、例えば、第一ガラスエッチング液の説明中で例示したものが挙げられ、クエン酸が特に好ましい。
【００５０】
第二ガラスエッチング液において、キレート剤の含有量は、好ましくは０．０１〜１０質量％であり、より好ましくは０．０５〜３．５質量％であり、更により好ましくは０．１〜３．０質量％である。第二ガラスエッチング液におけるキレート剤の含有量が０．０１〜１０質量％であると、ガラス基板の端面の平滑性が向上しやすい。
【００５１】
・その他の成分
第二ガラスエッチング液は、必要に応じて、１個のカルボキシル基又は１個の水酸基を有する化合物（例えば、酢酸等のモノカルボン酸）、ジアミン化合物（例えば、エチレンジアミン）、界面活性剤等のその他の成分を含有してもよい。その他の成分の含有量は、特に限定されず、適宜、調整すればよい。
【００５２】
＜ガラスエッチング液＞
本発明に係るガラスエッチング液は、本発明に係るガラス加工方法における第一ガラスエッチング工程に用いられるガラスエッチング液であって、フッ酸０．５〜２０質量％と、硝酸５．０〜２５．０質量％と、フッ酸及び硝酸以外の無機酸０．５〜１０質量％とを含有するガラスエッチング液である。本発明に係るガラスエッチング液は、上記第一ガラスエッチング液と同様であるので、説明を省略する。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例を示し、本発明について更に詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００５４】
（ガラス基板のエッチング）
板状のガラス基材（商品名：ドラゴントレイル、旭硝子製、厚さ０．７ｍｍ）の両面にレジスト組成物（商品名：Ｇｌｉｂｅｓ、東京応化工業株式会社製）を塗布し、露光及び現像を行って、上記ガラス基材の一対の主平面上に同一パターンのエッチングマスクを形成した。上記エッチングマスクが形成された上記ガラス基材を、表１又は２に示す組成を有する第一ガラスエッチング液（３９℃）に９０分間浸漬してエッチングを行い、次いで、上記ガラス基材を取り出し、このガラス基材を、表１又は２に示す組成を有する第二ガラスエッチング液（４０℃）に３０分間浸漬してエッチングを行った。その後、上記エッチングマスクを剥離して、１２０ｍｍ×６０ｍｍ×０．７ｍｍの寸法を有するガラス基板を得た。ただし、比較例１では、第二ガラスエッチング液への浸漬は行わなかった。
なお、表１及び２における界面活性剤としては、酸性洗浄剤（商品名：ＤＳ−Ｓ、横浜油脂工業株式会社製）を用いた。
【００５５】
（距離ｄの測定）
ガラス基板の端面の形状を観察したところ、実施例１〜１０については、図１に示す形状であったが、比較例１〜３については、図２に示す形状であった。実施例及び比較例の各々で得られたガラス基板について、図１又は図２における距離ｄの値を測定した。結果を表１及び２に示す。
【００５６】
（端面の表面粗さの測定）
ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠し、表面粗さ計（商品名：サーフコム４８０Ａ、株式会社東京精密製）を用いて、ガラス基板の端面の表面粗さとして算術平均粗さＲａを測定した。結果を表１及び２に示す。
【００５７】
【表１】
0006535226.tif 000002
【００５８】
【表２】
0006535226.tif 000003
【００５９】
表１及び２の実施例から分かるように、本発明に係るガラス加工方法で加工されたガラス基板は、距離ｄが０ｍｍ以下であり、端面の表面粗さが算術平均粗さＲａで３．８μｍ以下であった。一方、表２の比較例から分かるように、本発明に係るガラス加工方法とは異なる加工方法で加工されたガラス基板は、距離ｄが０ｍｍ超であり、端面の表面粗さが算術平均粗さＲａで３．８μｍ超であった。
【符号の説明】
【００６０】
１  ガラス基板
１１、１２  主表面
１３  端面
１４、１５  隆起部
１６  陥没部
１７  頂部
１８  共通接線
１０１  ガラス基板
１１１、１１２  主表面
１１３  端面
【図１】
0006535226.tif 000004
【図２】
0006535226.tif 000005