(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の領域に、キーパターンを有するデバイスと該デバイスに接続された電極バンプとを備えるウェーハの加工方法であって、
回転可能な保持テーブルに表面側が露出する態様で保持されたウェーハのキーパターンを撮像して分割予定ラインの向きを割り出し、該保持テーブルを回転させてウェーハを加工する際の加工送り方向と分割予定ラインの向きとを平行にした後、所定のデバイスに対応する電極バンプと該デバイスを区画する分割予定ラインとの位置関係、及び該位置関係に係る該電極バンプの形状を登録する登録ステップと、
ウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの溝を、該保持テーブルに保持されたウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って形成する溝形成ステップと、
該登録ステップ及び該溝形成ステップを実施した後、該溝にモールド樹脂を充填するとともに、ウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆することで、該電極バンプがモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成するモールディングステップと、
該モールディングステップを実施した後、該保持テーブル又は該保持テーブルとは別の保持テーブルを用いてモールド樹脂層側が露出する態様でパッケージウェーハを保持し、該登録ステップで登録した該位置関係に係る該電極バンプを検出して、該位置関係に基づいて分割予定ラインの向きを割り出した後に、該位置関係に基づいて割り出した該分割予定ラインに沿って該モールド樹脂層側からパッケージウェーハを加工する加工ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キーパターンを有するデバイスと、デバイスに接続された電極バンプとを備えるウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ウェーハの状態でパッケージングまで行うＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）が注目されている。このＷＬ−ＣＳＰでは、ウェーハの表面側に形成された複数のデバイスをモールド樹脂で封止し、その後、ウェーハを分割予定ライン（ストリート）に沿って各デバイスに対応する複数のパッケージデバイスへと分割する。
【０００３】
ところで、表面側のみをモールド樹脂で被覆したウェーハを分割すると、形成されるパッケージデバイスの側面にウェーハの切断面が露出してしまう。そこで、分割予定ラインに沿って溝を形成し、表面側を被覆するためのモールド樹脂をこの溝にも充填することで、パッケージデバイスの周囲にウェーハを露出させない技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表面側をモールド樹脂で被覆した上述のようなウェーハでは、デバイスの特徴的なパターン（キーパターン）に基づいて分割予定ラインの位置や向きを特定できない。モールド樹脂から露出しているバンプ（電極バンプ）に基づいて分割予定ラインの位置や向きを特定することも考えられるが、この方法では、バンプの形状、位置等にばらつきがあるため、必ずしも分割予定ラインの位置や向きを高精度に特定できなかった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハの表面側をモールド樹脂で被覆する場合にも、分割予定ラインを高精度に特定して適切に加工できるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の領域に、キーパターンを有するデバイスと該デバイスに接続された電極バンプとを備えるウェーハの加工方法であって、回転可能な保持テーブルに表面側が露出する態様で保持されたウェーハのキーパターンを撮像して分割予定ラインの向きを割り出し、該保持テーブルを回転させてウェーハを加工する際の加工送り方向と分割予定ラインの向きとを平行にした後、所定のデバイスに対応する電極バンプと該デバイスを区画する分割予定ラインとの位置関係、及び該位置関係に係る該電極バンプの形状を登録する登録ステップと、ウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの溝を、該保持テーブルに保持されたウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って形成する溝形成ステップと、該登録ステップ及び該溝形成ステップを実施した後、該溝にモールド樹脂を充填するとともに、ウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆することで、該電極バンプがモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成するモールディングステップと、該モールディングステップを実施した後、該保持テーブル又は該保持テーブルとは別の保持テーブルを用いてモールド樹脂層側が露出する態様でパッケージウェーハを保持し、該登録ステップで登録した該位置関係に係る該電極バンプを検出して、該位置関係に基づいて分割予定ラインの向きを割り出した後に、該位置関係に基づいて割り出した該分割予定ラインに沿って該モールド樹脂層側からパッケージウェーハを加工する加工ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆する前に、加工送り方向と分割予定ラインの向きとを平行にして、所定のデバイスに対応する電極バンプと分割予定ラインとの位置関係、及びこの位置関係に係る電極バンプの形状を登録するので、ウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆した後にも、この位置関係に係る電極バンプに基づいて分割予定ラインの向きを高精度に特定できる。
【０００９】
すなわち、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法によれば、分割予定ラインの向きを特定する際に必要な電極バンプの形状が個別に登録されるので、電極バンプの一般的な形状に基づいて分割予定ラインの向きを特定する場合等に比べて、電極バンプの形状のばらつきが大きい場合にも分割予定ラインを高精度に特定して適切に加工できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハのデバイス部分を拡大した拡大図である。
【図２】切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は、登録ステップを説明するための側面図であり、図３（Ｂ）は、登録ステップを説明するための平面図である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）は、溝形成ステップを説明するための一部断面側面図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、溝形成ステップを説明するための断面図である。
【図６】溝形成ステップの後のウェーハを模式的に示す斜視図である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、モールディングステップ中の樹脂層形成ステップを説明するための側面図であり、図７（Ｃ）は、樹脂層形成ステップを説明するための断面図である。
【図８】樹脂層形成ステップの後のウェーハを模式的に示す斜視図である。
【図９】図９（Ａ）は、モールディングステップ中の樹脂層薄化ステップを説明するための側面図であり、図９（Ｂ）は、樹脂層薄化ステップを説明するための断面図である。
【図１０】完成したパッケージウェーハを模式的に示す斜視図である。
【図１１】図１１（Ａ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための側面図であり、図１１（Ｂ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、加工ステップ中の特定ステップを説明するための側面図であり、図１２（Ｂ）は、特定ステップを説明するための平面図である。
【図１３】図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、加工ステップ中の分割ステップを説明するための側面図である。
【図１４】図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、分割ステップを説明するための断面図であり、図１４（Ｃ）は、完成したパッケージデバイスを模式的に示す斜視図である。
【図１５】レーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、登録ステップ（図３（Ａ）、図３（Ｂ）参照）、溝形成ステップ（図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図６参照）、モールディングステップ（図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、図８、図９（Ａ）、図９（Ｂ）及び図１０参照）、ウェーハ薄化ステップ（図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）参照）及び加工ステップ（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）、図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）及び図１４（Ｃ）参照）を含む。
【００１２】
登録ステップでは、まず、キーパターンを有するデバイスと、デバイスに接続されたバンプ（電極バンプ）とを備えるウェーハのキーパターンを撮像して、分割予定ラインの向きを特定する。その後、ウェーハを加工する際の加工送り方向と、分割予定ラインの向きとを平行にした後、所定のデバイスに対応するバンプと、このデバイスを区画する分割予定ラインとの位置関係等を切削装置（加工装置）等に登録する。
【００１３】
溝形成ステップでは、ウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの溝を、ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿って形成する。モールディングステップでは、溝にモールド樹脂を充填するとともに、ウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆することで、バンプがモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成する。
【００１４】
ウェーハ薄化ステップでは、パッケージウェーハ中のウェーハを裏面側から薄化する。加工ステップでは、登録ステップで登録された位置関係に係る電極バンプを検出し、この位置関係に基づいて分割予定ラインの向きを特定した後に、分割予定ラインに沿ってパッケージウェーハを加工する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００１５】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハに設定された分割予定ラインを特定する際に必要な情報を登録する登録ステップを実施する。図１（Ａ）は、本実施形態で使用されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハのデバイス部分を拡大した拡大図である。
【００１６】
図１（Ａ）に示すように、本実施形態で使用されるウェーハ１１は、例えば、シリコン等の半導体材料で円盤状に形成されており、その表面１１ａ側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。デバイス領域は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１３で更に複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等の集積回路を含むデバイス１５が形成されている。
【００１７】
各デバイス１５には、特徴的な形状のキーパターン（不図示）が含まれている。また、図１（Ｂ）に示すように、各デバイス１５の表面１１ａ側には、電極として機能する複数のバンプ（電極バンプ）１７が配置されている。このバンプ１７は、例えば、半田等の金属材料で形成される。
【００１８】
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハ１１を例示しているが、ウェーハ１１の材質、形状等に制限はない。例えば、セラミックス、金属、樹脂等の材料でなる基板をウェーハ１１として用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類等にも制限はない。
【００１９】
登録ステップを実施する前には、例えば、このウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、ウェーハ１１よりも径の大きいダイシングテープ３１（図３（Ａ）等参照）を貼り付ける。また、ダイシングテープ３１の外周部分には、ステンレスやアルミニウム等の材料でなる環状のフレーム（不図示）を固定しておく。これにより、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３１を介して環状のフレームに支持される。
【００２０】
図２は、登録ステップ等が実施される切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図２に示すように、切削装置（加工装置）２は、各構造を支持する基台４を備えている。基台４の上面には、Ｘ軸方向（前後方向、加工送り方向）に長い矩形状の開口４ａが形成されている。
【００２１】
この開口４ａ内には、Ｘ軸移動テーブル６、Ｘ軸移動テーブル６をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構（加工送り機構）（不図示）、及びＸ軸移動機構を覆う防塵防滴カバー８が設けられている。Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール（不図示）を備えており、Ｘ軸ガイドレールには、Ｘ軸移動テーブル６がスライド可能に取り付けられている。
【００２２】
Ｘ軸移動テーブル６の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレールに平行なＸ軸ボールネジ（不図示）が螺合されている。Ｘ軸ボールネジの一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジを回転させることで、Ｘ軸移動テーブル６はＸ軸ガイドレールに沿ってＸ軸方向に移動する。
【００２３】
Ｘ軸移動テーブル６上には、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）１０が設けられている。保持テーブル１０は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル１０は、上述したＸ軸移動機構でＸ軸方向に加工送りされる。
【００２４】
保持テーブル１０の表面（上面）は、ウェーハ１１を吸引、保持する保持面１０ａとなっている。この保持面１０ａは、保持テーブル１０の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）に接続されている。保持テーブル１０の周囲には、ウェーハ１１を支持する環状のフレームを固定するためのクランプ１２が設けられている。
【００２５】
開口４ａに近接する位置には、上述したウェーハ１１を保持テーブル１０へと搬送する搬送ユニット（不図示）が設けられている。搬送ユニットで搬送されたウェーハ１１は、例えば、表面１１ａ側が上方に露出する態様で保持テーブル１０の保持面１０ａに載せられる。
【００２６】
基台４の上面には、ウェーハ１１を切削する切削ユニット（加工ユニット）１４を支持する門型の支持構造１６が、開口４ａを跨ぐように配置されている。支持構造１６の前面上部には、切削ユニット１４をＹ軸方向（割り出し送り方向）及びＺ軸方向に移動させる切削ユニット移動機構（割り出し送り機構）１８が設けられている。
【００２７】
切削ユニット移動機構１８は、支持構造１６の前面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２０を備えている。Ｙ軸ガイドレール２０には、切削ユニット移動機構１８を構成するＹ軸移動プレート２２がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動プレート２２の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２０に平行なＹ軸ボールネジ２４が螺合されている。
【００２８】
Ｙ軸ボールネジ２４の一端部には、Ｙ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｙ軸パルスモータでＹ軸ボールネジ２４を回転させれば、Ｙ軸移動プレート２２は、Ｙ軸ガイドレール２０に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸移動プレート２０の表面（前面）には、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール２６が設けられている。Ｚ軸ガイドレール２６には、Ｚ軸移動プレート２８がスライド可能に取り付けられている。
【００２９】
Ｚ軸移動プレート２８の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール２６に平行なＺ軸ボールネジ３０が螺合されている。Ｚ軸ボールネジ３０の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３２が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３２でＺ軸ボールネジ３０を回転させれば、Ｚ軸移動プレート２８は、Ｚ軸ガイドレール２６に沿ってＺ軸方向に移動する。
【００３０】
Ｚ軸移動プレート２８の下部には、ウェーハ１１を切削する切削ユニット１４が設けられている。また、切削ユニット１４に隣接する位置には、ウェーハ１１の表面１１ａ側を撮像するためのカメラ（撮像ユニット）３４が設置されている。切削ユニット移動機構１８で、Ｙ軸移動プレート２２をＹ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及びカメラ３４は割り出し送りされ、Ｚ軸移動プレート２８をＺ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及びカメラ３４は昇降する。
【００３１】
切削ユニット１４は、Ｙ軸方向に平行な回転軸を構成するスピンドル（不図示）の一端側に装着された円環状の切削ブレード３６を備えている。スピンドルの他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドルに装着された切削ブレード３６を回転させる。
【００３２】
Ｘ軸移動機構、保持テーブル１０、搬送ユニット、切削ユニット１４、切削ユニット移動機構１８等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット（不図示）に接続されている。この制御ユニットは、ウェーハ１１の加工条件等に合わせて、上述した各構成要素を制御する。
【００３３】
図３（Ａ）は、登録ステップを説明するための側面図であり、図３（Ｂ）は、登録ステップを説明するための平面図である。登録ステップでは、まず、表面１１ａ側が上方に露出する態様でウェーハ１１を保持テーブル１０の保持面１０ａに載せ、吸引源の負圧を作用させる。また、環状のフレームをクランプ１２で固定する。これにより、ウェーハ１１は、保持テーブル１０に保持される。
【００３４】
次に、カメラ３４を用いてウェーハ１１の表面１１ａ側を複数の位置で撮像し、デバイス１５中のキーパターンを複数の位置で探し出す。そして、この複数のキーパターンの座標情報に基づいて、分割予定ライン１３の向きを特定する（割り出す）。なお、切削装置２の制御ユニットには、カメラ３４で撮像すべき位置の情報や、キーパターンと分割予定ライン１３との位置関係に関する情報等が予め登録（記憶）されている。
【００３５】
よって、ウェーハ１１の表面１１ａ側を撮像して得られる複数のキーパターンの座標情報に基づいて、分割予定ライン１３の向きを特定できる。なお、キーパターンと分割予定ライン１３との位置関係に関する情報としては、例えば、キーパターンから分割予定ライン１３までの距離等を用いることができる。
【００３６】
分割予定ライン１３の向きを特定した後には、保持テーブル１０を回転させて、分割予定ライン１３の向きをＸ軸方向（加工送り方向）に対して平行にする。そして、例えば、図３（Ａ）に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａ側を複数の位置で撮像して、対象となる任意のデバイス１５をそれぞれ含む複数の撮像画像を得る。
【００３７】
その後、得られた複数の撮像画像に基づいて、対象となるデバイス１５に対応するバンプ１７と、対象となるデバイス１５を区画する分割予定ライン１３との位置関係に関する情報を、切削装置２の制御ユニットに登録する。具体的には、例えば、図３（Ｂ）に示すように、対象となるデバイス１５上に存在する１個のバンプ１７を含むミクロターゲット１９ａと、ミクロターゲット１９ａに近接する分割予定ライン１３との距離を、切削装置２の制御ユニットに登録する。
【００３８】
また、このミクロターゲット１９ａ（１個のバンプ１７）の位置や形状等に関する情報を、切削装置２の制御ユニットに個別に登録する。なお、この場合には、後にミクロターゲット１９ａを容易に検出できるように、対象となるデバイス１５上に存在する複数のバンプ１７を含むマクロターゲット１９ｂと、マクロターゲット１９ｂに近接する分割予定ライン１３との距離、及びマクロターゲット１９ｂ（複数のバンプ１７）の位置や形状等に関する情報を、併せて切削装置２の制御ユニットに登録しておくと良い。
【００３９】
登録ステップの後には、ウェーハ１１を分割して得られる仕上がり厚さ以上の深さの溝を、分割予定ライン１３に沿って形成する溝形成ステップを実施する。図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）は、溝形成ステップを説明するための一部断面側面図であり、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、溝形成ステップを説明するための断面図である。
【００４０】
なお、図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）では、溝が形成される分割予定ライン１３に対して平行な断面（分割予定ライン１３に沿った断面）を示し、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）では、溝が形成される分割予定ライン１３に対して垂直な断面を示す。図４（Ａ）等に示すように、溝形成ステップは、引き続き切削装置２で実施される。
【００４１】
具体的には、まず、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、対象となる分割予定ライン１３の延長線の上方に切削ブレード３６を合わせる。次に、図４（Ａ）に示すように、切削ブレード３６をウェーハ１１に切り込む高さまで下降させる。なお、ここでは、切削ブレード３６の下端部が表面１１ａからウェーハ１１の仕上がり厚さ（例えば、後述するウェーハ薄化ステップ後の厚さ）以上の深さの位置に達するまで切削ブレード３６を下降させる。
【００４２】
そして、この状態で、図４（Ｂ）及び図５（Ａ）に示すように、切削ブレード３６を回転させながら、対象の分割予定ライン１３に対して平行な方向に保持テーブル１０を移動（加工送り）させる。これにより、切削ブレード３６を対象の分割予定ライン１３に沿って切り込ませ、図４（Ｃ）及び図５（Ｂ）に示すように、仕上がり厚さ以上の深さの溝１１ｃを形成できる。
【００４３】
上述の手順を繰り返し、例えば、第１の方向に伸びる全ての分割予定ライン１３に沿って溝１１ｃを形成した後には、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、第１の方向とは異なる第２の方向に伸びる分割予定ライン１３に沿って同様の手順で溝１１ｃを形成する。全ての分割予定ライン１３に沿って溝１１ｃが形成されると、溝形成ステップは終了する。
【００４４】
図６は、溝形成ステップの後のウェーハ１１を模式的に示す斜視図である。溝形成ステップの後には、例えば、ウェーハ１１からダイシングテープ３１を剥離、除去する。なお、本実施形態では、ウェーハ１１に切削ブレード３６を切り込ませる方法で溝１１ｃを形成しているが、溝１１ｃの形成方法に制限はない。例えば、ウェーハ１１に吸収され易い波長のレーザー光線を照射するアブレーション加工等の方法で溝１１ｃを形成することもできる。
【００４５】
溝形成ステップの後には、溝１１ｃにモールド樹脂を充填し、更に、ウェーハ１１の表面１１ａ側をモールド樹脂で被覆することにより、バンプ１７がモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成するモールディングステップを実施する。このモールディングステップは、例えば、ウェーハ１１の表面１１ａ側にモールド樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、モールド樹脂層からバンプ１７を露出させる樹脂層薄化ステップとで構成される。
【００４６】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、モールディングステップ中の樹脂層形成ステップを説明するための側面図であり、図７（Ｃ）は、樹脂層形成ステップを説明するための断面図である。樹脂層形成ステップは、例えば、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すスピンコーター４２を用いて実施される。
【００４７】
スピンコーター４２は、ウェーハ１１を保持するための保持テーブル（スピンナテーブル）４４を備えている。保持テーブル４４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。保持テーブル４４の上面は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面４４ａとなっている。
【００４８】
保持面４４ａは、保持テーブル４４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、保持テーブル４４に吸引、保持される。保持テーブル４４の上方には、液状のモールド樹脂２１を噴出するノズル４６が配置されている。
【００４９】
樹脂層形成ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保持テーブル４４の保持面４４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル４４に保持される。なお、この樹脂層形成ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護部材を貼り付けておいても良い。
【００５０】
続いて、図７（Ａ）に示すように、ノズル４６から液状のモールド樹脂２１を滴下し、図７（Ｂ）に示すように、保持テーブル４４を回転させる。モールド樹脂２１としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂等を用いることができる。ただし、モールド樹脂２１の種類、材質等に制限はない。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａには、液状のモールド樹脂２１でなるモールド樹脂層２３が形成される。
【００５１】
本実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に溝１１ｃが形成されているので、モールド樹脂２１は、図７（Ｃ）に示すように、この溝１１ｃ内にも充填される。すなわち、モールド樹脂層２３（モールド樹脂２１）の一部（充填部）２３ａは溝１１ｃ内に充填された状態となり、モールド樹脂層２３（モールド樹脂２１）の他の一部（被覆部）２３ｂがウェーハ１１の表面１１ａ側を被覆する。
【００５２】
その後、加熱等の方法でモールド樹脂層２３を硬化等させれば、樹脂層形成ステップは終了する。図８は、樹脂層形成ステップの後のウェーハ１１を模式的に示す斜視図である。図８に示すように、樹脂層形成ステップが終了した段階では、バンプ１７の全体がモールド樹脂層２３によって覆われている。
【００５３】
なお、本実施形態では、スピンコーター４２を用いる方法でモールド樹脂層２３を形成しているが、他の方法でモールド樹脂層２３を形成しても良い。例えば、ウェーハ１１の表面１１ａ側に金型を被せ、ウェーハ１１の表面１１ａと金型との隙間にモールド樹脂２１を充填する方法でモールド樹脂層２３を形成することもできる。
【００５４】
樹脂層形成ステップの後には、モールド樹脂層２３を薄化してバンプ１７を露出させる樹脂層薄化ステップを実施する。図９（Ａ）は、樹脂層薄化ステップを説明するための側面図であり、図９（Ｂ）は、樹脂層薄化ステップを説明するための断面図である。樹脂層薄化ステップは、例えば、図９（Ａ）に示す研磨装置５２を用いて実施される。
【００５５】
研磨装置５２は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）５４を備えている。保持テーブル５４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル５４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル５４は、この移動機構で水平方向に移動する。
【００５６】
保持テーブル５４の上面は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面５４ａとなっている。保持面５４ａは、保持テーブル５４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面５４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、保持テーブル５４に吸引、保持される。
【００５７】
保持テーブル５４の上方には、研磨ユニット５６が配置されている。研磨ユニット５６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル５８が収容されており、スピンドル５８の下端部には、円盤状のマウント６０が固定されている。
【００５８】
マウント６０の下面には、マウント６０と概ね同径の研磨パッド６２が装着されている。この研磨パッド６２は、例えば、不織布や発泡ウレタン等でなる研磨布を含んでいる。スピンドル５８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研磨パッド６２は、この回転駆動源で発生する回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００５９】
樹脂層薄化ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保持テーブル５４の保持面５４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側に形成されたモールド樹脂層２３が上方に露出した状態で保持テーブル５４に保持される。なお、この樹脂層薄化ステップでも、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護部材を貼り付けておいて良い。
【００６０】
次に、保持テーブル５４を研磨ユニット５６の下方に移動させる。そして、図９（Ａ）に示すように、保持テーブル５４と研磨パッド６２とをそれぞれ回転させながら、スピンドルハウジング（スピンドル５８）を下降させる。スピンドルハウジングの下降量は、モールド樹脂層２３に研磨パッド６２の下面（研磨面）が押し当てられる程度に調整される。
【００６１】
これにより、モールド樹脂層２３（モールド樹脂層２３の一部（被覆部）２３ｂ）を研磨して、図９（Ｂ）に示すように、バンプ１７が露出したパッケージウェーハ１を完成させることができる。図１０は、完成したパッケージウェーハ１を模式的に示す斜視図である。なお、この樹脂層薄化ステップでは、研磨液を用いる湿式研磨及び研磨液を用いない乾式研磨のいずれを用いても良い。
【００６２】
モールディングステップ（樹脂層薄化ステップ）の後には、パッケージウェーハ１中のウェーハ１１を薄化して裏面１１ｂ側に溝１１ｃを露出させるウェーハ薄化ステップを実施する。図１１（Ａ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための側面図であり、図１１（Ｂ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための断面図である。なお、このウェーハ薄化ステップでは、予めパッケージウェーハ１のモールド樹脂層２３側に保護部材３３を貼り付けておく。
【００６３】
ウェーハ薄化ステップは、例えば、図１１（Ａ）に示す研削装置７２を用いて実施される。研削装置７２は、パッケージウェーハ１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）７４を備えている。保持テーブル７４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル７４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル７４は、この移動機構で水平方向に移動する。
【００６４】
保持テーブル７４の上面は、パッケージウェーハ１に貼り付けられている保護部材３３を吸引、保持する保持面７４ａとなっている。保持面７４ａは、保持テーブル７４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面７４ａに作用させることで、パッケージウェーハ１は、保護部材３３を介して保持テーブル７４に吸引、保持される。
【００６５】
保持テーブル７４の上方には、研削ユニット７６が配置されている。研削ユニット７６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル７８が収容されており、スピンドル７８の下端部には、円盤状のマウント８０が固定されている。
【００６６】
マウント８０の下面には、マウント８０と概ね同径の研削ホイール８２が装着されている。研削ホイール８２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台８４を備えている。ホイール基台８４の下面には、複数の研削砥石８６が環状に配列されている。スピンドル７８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール８２は、この回転駆動源で発生する回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００６７】
ウェーハ薄化ステップでは、まず、パッケージウェーハ１に貼り付けられている保護部材３３を保持テーブル７４の保持面７４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、パッケージウェーハ１は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル７４に保持される。なお、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護部材が貼り付けられている場合には、予めこの保護部材を剥離、除去しておく。
【００６８】
次に、保持テーブル７４を研削ユニット７６の下方に移動させる。そして、図１１（Ａ）に示すように、保持テーブル７４と研削ホイール８２とをそれぞれ回転させながら、スピンドルハウジング（スピンドル７８）を下降させる。スピンドルハウジングの下降量は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石８６の下面が押し当てられる程度に調整される。
【００６９】
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して、図１１（Ｂ）に示すように、溝１１ｃ（及びモールド樹脂層２３の一部（充填部）２３ａ）を裏面１１ｂ側に露出させることができる。ウェーハ１１が仕上がり厚さまで薄化されると、ウェーハ薄化ステップは終了する。
【００７０】
なお、本実施形態では、１組の研削ユニット７６を用いてウェーハ１１を研削しているが、２組以上の研削ユニットを用いてウェーハ１１を複数のステップで研削することもできる。また、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研磨等して、ウェーハ１１の平坦性を更に高めても良い。
【００７１】
ウェーハ薄化ステップの後には、バンプ１７に基づいて分割予定ライン１３の向きを特定した後に、特定された分割予定ライン１３に沿ってパッケージウェーハ１を加工する加工ステップを実施する。この加工ステップは、例えば、分割予定ライン１３の向きを特定する特定ステップと、分割予定ライン１３に沿ってパッケージウェーハ１を分割する分割ステップとで構成される。
【００７２】
なお、加工ステップを実施する前には、パッケージウェーハ１を構成するウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、パッケージウェーハ１よりも径の大きいダイシングテープ３５（図１２（Ａ）等参照）を貼り付ける。また、ダイシングテープ３５の外周部分には、ステンレスやアルミニウム等の材料でなる環状のフレーム（不図示）を固定しておく。これにより、パッケージウェーハ１は、ダイシングテープ３５を介して環状のフレームに支持される。
【００７３】
図１２（Ａ）は、加工ステップ中の特定ステップを説明するための側面図であり、図１２（Ｂ）は、特定ステップを説明するための平面図である。図１２（Ａ）に示すように、特定ステップは、例えば、上述した切削装置２を用いて実施される。
【００７４】
特定ステップでは、まず、モールド樹脂層２３側が上方に露出する態様でパッケージウェーハ１を保持テーブル１０の保持面１０ａに載せ、吸引源の負圧を作用させる。また、環状のフレームをクランプ１２で固定する。これにより、パッケージウェーハ１は、保持テーブル１０に保持される。
【００７５】
次に、図１２（Ａ）に示すように、切削装置２の制御ユニットに登録されている情報等に基づいてパッケージウェーハ１のモールド樹脂層２３側をカメラ３４で撮像し、図１２（Ｂ）に示すように、予め登録されている複数の位置でマクロターゲット１９ｂを探し出す。
【００７６】
切削装置２の制御ユニットには、対象となるデバイス１５に対応するバンプ１７と、対象となるデバイス１５を区画する分割予定ライン１３との位置関係に関する情報が登録されている。具体的には、マクロターゲット１９ｂと、マクロターゲット１９ｂに近接する分割予定ライン１３との距離が登録されている。
【００７７】
よって、検出された複数のマクロターゲット１９ｂに基づいて、分割予定ライン１３の大凡の向きを特定できる。分割予定ライン１３の大凡の向きを特定した後には、保持テーブル１０を回転させて、この分割予定ライン１３の向きをＸ軸方向（加工送り方向）に対して平行にする。
【００７８】
次に、ミクロターゲット１９ａを複数の位置で探し出す。切削装置２の制御ユニットには、対象となるデバイス１５に対応するバンプ１７と、対象となるデバイス１５を区画する分割予定ライン１３との位置関係に関する情報が登録されている。具体的には、例えば、ミクロターゲット１９ａと、ミクロターゲット１９ａに近接する分割予定ライン１３との距離が登録されている。
【００７９】
よって、検出された複数のミクロターゲット１９ａに基づいて、分割予定ライン１３の位置や向きを特定できる。分割予定ライン１３の位置や向きが特定されると、特定ステップは終了する。本実施形態では、例えば、ミクロターゲット１９ａを構成するバンプ１７の位置や形状等にばらつきがある場合にも、予め個別に登録されたミクロターゲット１９ａ（バンプ１７）を用いて分割予定ライン１３の向きや位置を高い精度で特定できる。
【００８０】
特定ステップの後には、分割予定ライン１３に沿ってパッケージウェーハ１を分割する分割ステップを実施する。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、加工ステップ中の分割ステップを説明するための側面図であり、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、分割ステップを説明するための断面図である。
【００８１】
分割ステップは、引き続き切削装置２で実施される。ただし、この分割ステップでは、溝形成ステップで使用した切削ブレード３６よりも幅の狭い（薄い）切削ブレード３８が使用される。
【００８２】
具体的には、まず、保持テーブル１０を回転させて、特定ステップで特定された分割予定ライン１３の向きをＸ軸方向（加工送り方向）に対して平行にする。次に、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動させて、対象となる溝１１ｃの延長線の上方に切削ブレード３８を合わせる。
【００８３】
そして、図１３（Ａ）に示すように、切削ブレード３８をダイシングテープ３５に接する高さまで下降させる。また、この状態で、図１３（Ｂ）及び図１４（Ａ）に示すように、切削ブレード３８を回転させながら、対象の溝１１ｃに対して平行な方向に保持テーブル１０を移動（加工送り）させる。
【００８４】
これにより、対象の溝１１ｃに沿って切削ブレード３８を切り込ませて、パッケージウェーハ１を分割できる。なお、ここでは、切削ブレード３６よりも幅の狭い切削ブレード３８を使用するとともに、図１４（Ａ）に示すように、溝１１ｃの幅方向の中央の位置に切削ブレード３８の幅方向の中央の位置を合わせている。よって、切削ブレード３８によるカーフ（切り口）１ａはモールド樹脂層２３にのみ形成され、溝１１ｃの壁面が露出することはない。
【００８５】
上述の手順を繰り返し、例えば、第１の方向に伸びる全ての溝１１ｃに沿ってパッケージウェーハ１を分割した後には、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、第２の方向に伸びる溝１１ｃに沿って同様の手順でパッケージウェーハ１を分割する。全ての溝１１ｃに沿ってパッケージウェーハ１が分割され、図１４（Ｂ）に示すように、複数のパッケージデバイス３が完成すると、分割ステップは終了する。
【００８６】
図１４（Ｃ）は、完成したパッケージデバイス３を模式的に示す斜視図である。本実施形態では、バンプ１７に基づいて分割予定ライン１３の向きを高精度に特定できるので、例えば、カーフ１ａが溝１１ｃからずれて、パッケージデバイス３の側面に溝１１ｃの壁面が露出することはない。これにより、パッケージデバイス３の信頼性を高めることができる。
【００８７】
なお、本実施形態では、パッケージウェーハ１に切削ブレード３８を切り込ませる方法でカーフ１ａを形成し、複数のパッケージデバイス３へと分割しているが、カーフ１ａの形成方法に制限はない。例えば、パッケージウェーハ１（モールド樹脂層２３）に吸収され易い波長のレーザー光線を照射するアブレーション加工等の方法でカーフ１ａを形成することもできる。
【００８８】
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の表面１１ａ側をモールド樹脂２１によって被覆する前に、加工送り方向と分割予定ライン１３の向きとを平行にして、所定のデバイス１５に対応するバンプ（電極バンプ）１７と分割予定ライン１３との位置関係、及びこの位置関係に係るバンプ１７の形状を登録するので、ウェーハ１１の表面１１ａ側をモールド樹脂２１によって被覆した後にも、この位置関係に係るバンプ１７に基づいて分割予定ライン１３の向きを高精度に特定できる。
【００８９】
すなわち、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法によれば、分割予定ライン１３の向きを特定する際に必要なバンプ１７の形状が個別に登録されるので、バンプ１７の一般的な形状に基づいて分割予定ライン１３の向きを特定する場合等に比べて、バンプ１７の形状のばらつきが大きい場合にも分割予定ライン１３を高精度に特定して適切に加工できる。
【００９０】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、登録ステップの後に溝形成ステップを実施しているが、溝形成ステップの後に登録ステップを実施しても良い。
【００９１】
また、上記実施形態では、モールド樹脂層２３を形成する樹脂層形成ステップと、モールド樹脂層２３からバンプ１７を露出させる樹脂層薄化ステップとで構成されたモールディングステップを実施しているが、モールディングステップの内容は任意に変更できる。例えば、供給されるモールド樹脂２１の量を適切に調節して、モールド樹脂層２３を薄化することなくバンプ１７を露出させても良い。
【００９２】
また、上記実施形態では、切削装置２を用いて登録ステップ、溝形成ステップ及び加工ステップを実施しているが、これらの一部又は全部をレーザー加工装置等の他の加工装置で実施することもできる。
【００９３】
図１５は、登録ステップ、溝形成ステップ、加工ステップ等に使用可能なレーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図１５に示すように、レーザー加工装置（加工装置）１０２は、各構造を支持する基台１０４を備えている。基台１０４の端部には、Ｚ軸方向（鉛直方向、高さ方向）に延在する支持構造１０６が設けられている。
【００９４】
支持構造１０６から離れた基台１０４の角部には、上方に突き出た突出部１０４ａが設けられている。突出部１０４ａの内部には空間が形成されており、この空間には、昇降可能なカセットエレベータ１０８が設置されている。カセットエレベータ１０８の上面には、複数のウェーハ１１（又は、パッケージウェーハ１）を収容可能なカセット１１０が載せられる。
【００９５】
突出部１０４ａに近接する位置には、上述したウェーハ１１を仮置きするための仮置き機構１１２が設けられている。仮置き機構１１２は、例えば、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）に平行な状態を維持しながら接近、離隔される一対のガイドレール１１２ａ，１１２ｂを含む。
【００９６】
各ガイドレール１１２ａ，１１２ｂは、ウェーハ１１（環状のフレーム）を支持する支持面と、支持面に概ね垂直な側面とを備え、搬送機構（搬送ユニット）１１４によってカセット１１０から引き出されたウェーハ１１（環状のフレーム）をＸ軸方向（加工送り方向）において挟み込んで所定の位置に合わせる。なお、搬送機構１１４の突出部１０４ａ側には、環状のフレームを把持するための把持部１１４ａが設けられている。
【００９７】
基台１０４の中央には、移動機構（加工送り機構、割り出し送り機構）１１６が設けられている。移動機構１１６は、基台１０４の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール１１８を備えている。Ｙ軸ガイドレール１１８には、Ｙ軸移動テーブル１２０がスライド可能に取り付けられている。
【００９８】
Ｙ軸移動テーブル１２０の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール１１８に平行なＹ軸ボールネジ１２２が螺合されている。Ｙ軸ボールネジ１２２の一端部には、Ｙ軸パルスモータ１２４が連結されている。Ｙ軸パルスモータ１２４でＹ軸ボールネジ１２２を回転させれば、Ｙ軸移動テーブル１２０は、Ｙ軸ガイドレール１１８に沿ってＹ軸方向に移動する。
【００９９】
Ｙ軸移動テーブル１２０の表面（上面）には、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール１２６が設けられている。Ｘ軸ガイドレール１２６には、Ｘ軸移動テーブル１２８がスライド可能に取り付けられている。
【０１００】
Ｘ軸移動テーブル１２８の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール１２６に平行なＸ軸ボールネジ１３０が螺合されている。Ｘ軸ボールネジ１３０の一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジ１３０を回転させれば、Ｘ軸移動テーブル１２８は、Ｘ軸ガイドレール１２６に沿ってＸ軸方向に移動する。
【０１０１】
Ｘ軸移動テーブル１２８の表面側（上面側）には、テーブルベース１３２が設けられている。テーブルベース１３２の上部には、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）１３４が配置されている。保持テーブル１３４の周囲には、ウェーハ１１を支持する環状のフレームを四方から固定する４個のクランプ１３６が設けられている。
【０１０２】
保持テーブル１３４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向、高さ方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。上述した移動機構１１６でＸ軸移動テーブル１２８をＸ軸方向に移動させれば、保持テーブル１３４はＸ軸方向に加工送りされる。また、移動機構１１６でＹ軸移動テーブル１２０をＹ軸方向に移動させれば、保持テーブル１３４はＹ軸方向に割り出し送りされる。
【０１０３】
保持テーブル１３４の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面１３４ａとなっている。この保持面１３４ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して概ね平行に形成されており、保持テーブル１３４やテーブルベース１３２の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。
【０１０４】
支持構造１０６には、基台１０４の中央側に向けて突出する支持アーム１０６ａが設けられており、この支持アーム１０６ａの先端部には、下方に向けてレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット（加工ユニット）１３８が配置されている。また、レーザー光線照射ユニット１３８に隣接する位置には、ウェーハ１１を撮像するカメラ（撮像ユニット）１４０が設置されている。
【０１０５】
レーザー光線照射ユニット１３８は、ウェーハ１１又はモールド樹脂層２３に対して吸収性を示す波長のレーザー光線をパルス発振するレーザー発振器（不図示）を備えている。例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハ１１をアブレーション加工したい場合には、波長が３５５ｎｍのレーザー光線をパルス発振するＮｄ：ＹＡＧ等のレーザー媒質を備えたレーザー発振器等を用いることができる。
【０１０６】
また、レーザー光線照射ユニット１３８は、レーザー発振器からパルス発振されたレーザー光線（パルスレーザー光線）を集光する集光器（不図示）を備えており、保持テーブル１３４に保持されたウェーハ１１等に対してこのレーザー光線を照射、集光する。レーザー光線照射ユニット１３８でレーザー光線を照射しながら、保持テーブル１３４をＸ軸方向に加工送りさせることで、ウェーハ１１をＸ軸方向に沿ってレーザー加工（アブレーション加工）できる。
【０１０７】
加工後のウェーハ１１は、例えば、搬送機構１１４によって保持テーブル１３４から洗浄ユニット１４２へと搬送される。洗浄ユニット１４２は、筒状の洗浄空間内でウェーハ１１を吸引、保持するスピンナテーブル１４４を備えている。スピンナテーブル１４４の下部には、スピンナテーブル１４４を所定の速さで回転させる回転駆動源（不図示）が連結されている。
【０１０８】
スピンナテーブル１４４の上方には、ウェーハ１１に向けて洗浄用の流体（代表的には、水とエアーとを混合した二流体）を噴射する噴射ノズル１４６が配置されている。ウェーハ１１を保持したスピンナテーブル１４４を回転させて、噴射ノズル１４６から洗浄用の流体を噴射することで、ウェーハ１１を洗浄できる。洗浄ユニット１４２で洗浄されたウェーハ１１は、例えば、搬送機構１１４で仮置き機構１１２に載せられ、カセット１１０に収容される。
【０１０９】
搬送機構１１４、移動機構１１６、保持テーブル１３４、レーザー光線照射ユニット１３８、カメラ１４０、洗浄ユニット１４２等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット（不図示）に接続されている。この制御ユニットは、ウェーハ１１の加工に必要な一連の工程に合わせて、上述した各構成要素を制御する。
【０１１０】
なお、登録ステップ、溝形成ステップ及び加工ステップの一部を切削装置２で実施し、登録ステップ、溝形成ステップ及び加工ステップの残りの一部をレーザー加工装置１０２で実施する場合等には、登録ステップで登録される情報を切削装置２及びレーザー加工装置１０２で共有する必要がある。
【０１１１】
この場合には、例えば、切削装置２及びレーザー加工装置１０２の一方に登録された情報を、他方に通知できるようにすれば良い。また、切削装置２及びレーザー加工装置１０２を含む加工システムを構築し、加工システム全体を制御するサーバ等に情報を登録するようにしても良い。
【０１１２】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【０１１３】
１  パッケージウェーハ
１ａ  カーフ（切り口）
３  パッケージデバイス
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  溝
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  デバイス
１７  バンプ（電極バンプ）
２１  モールド樹脂
２３  モールド樹脂層
２３ａ  一部（充填部）
２３ｂ  一部（被覆部）
３１，３５  ダイシングテープ
３３  保護部材
２  切削装置（加工装置）
４  基台
４ａ  開口
６  Ｘ軸移動テーブル
８  防塵防滴カバー
１０  保持テーブル（チャックテーブル）
１０ａ  保持面
１２  クランプ
１４  切削ユニット（加工ユニット）
１６  支持構造
１８  切削ユニット移動機構（割り出し送り機構）
２０  Ｙ軸ガイドレール
２２  Ｙ軸移動プレート
２４  Ｙ軸ボールネジ
２６  Ｚ軸ガイドレール
２８  Ｚ軸移動プレート
３０  Ｚ軸ボールネジ
３２  Ｚ軸パルスモータ
３４  カメラ（撮像ユニット）
３６，３８  切削ブレード
４２  スピンコーター
４４  保持テーブル（スピンナテーブル）
４４ａ  保持面
４６  ノズル
５２  研磨装置
５４  保持テーブル（チャックテーブル）
５４ａ  保持面
５６  研磨ユニット
５８  スピンドル
６０  マウント
６２  研磨パッド
７２  研削装置
７４  保持テーブル（チャックテーブル）
７４ａ  保持面
７６  研削ユニット
７８  スピンドル
８０  マウント
８２  研削ホイール
８４  ホイール基台
８６  研削砥石
１０２  レーザー加工装置（加工装置）
１０４  基台
１０４ａ  突出部
１０６  支持構造
１０６ａ  支持アーム
１０８  カセットエレベータ
１１０  カセット
１１２  仮置き機構
１１２ａ，１１２ｂ  ガイドレール
１１４  搬送機構（搬送ユニット）
１１４ａ  把持部
１１６  移動機構（加工送り機構、割り出し送り機構）
１１８  Ｙ軸ガイドレール
１２０  Ｙ軸移動テーブル
１２２  Ｙ軸ボールネジ
１２４  Ｙ軸パルスモータ
１２６  Ｘ軸ガイドレール
１２８  Ｘ軸移動テーブル
１３０  Ｘ軸ボールネジ
１３２  テーブルベース
１３４  保持テーブル（チャックテーブル）
１３４ａ  保持面
１３６  クランプ
１３８  レーザー光線照射ユニット（加工ユニット）
１４０  カメラ（撮像ユニット）
１４２  洗浄ユニット
１４４  スピンナテーブル
１４６  噴射ノズル
【図１】
0006594241.tif 000002
【図２】
0006594241.tif 000003
【図３】
0006594241.tif 000004
【図４】
0006594241.tif 000005
【図５】
0006594241.tif 000006
【図６】
0006594241.tif 000007
【図７】
0006594241.tif 000008
【図８】
0006594241.tif 000009
【図９】
0006594241.tif 000010
【図１０】
0006594241.tif 000011
【図１１】
0006594241.tif 000012
【図１２】
0006594241.tif 000013
【図１３】
0006594241.tif 000014
【図１４】
0006594241.tif 000015
【図１５】
0006594241.tif 000016