(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶材料からなる基板と前記基板の表面上に配列された複数の機能素子とを含む加工対象物を切断する加工対象物切断方法であって、
前記基板の結晶方位を特定する結晶方位特定工程と、
前記結晶方位特定工程の後、隣り合う機能素子の間に形成されたストリート領域を通る切断予定ラインを前記加工対象物に設定する切断予定ライン設定工程と、
前記切断予定ライン設定工程の後、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する切断工程と、を備え、
前記切断予定ライン設定工程では、
前記ストリート領域の延在方向が前記結晶方位と一致していない場合、前記結晶方位と平行で且つ前記ストリート領域の延在方向に対して傾斜する前記切断予定ラインを、前記加工対象物に設定する、加工対象物切断方法。
【請求項２】
前記切断予定ライン設定工程では、
前記ストリート領域の幅方向において前記切断予定ラインが前記ストリート領域内に収まる位置に、前記切断予定ラインを設定する、請求項１に記載の加工対象物切断方法。
【請求項３】
前記切断予定ライン設定工程では、
前記ストリート領域の幅方向において前記切断予定ラインが前記ストリート領域内に収まらない場合、前記ストリート領域からはみ出た前記切断予定ラインが交差する前記機能素子の数が所定数以下となる位置に、前記切断予定ラインを設定する、請求項１又は２に記載の加工対象物切断方法。
【請求項４】
前記結晶方位特定工程は、
前記加工対象物に対して互いに異なる方向に延在する複数の候補ラインを設定する第１工程と、
複数の前記候補ラインのそれぞれに沿って、前記基板の内部に改質領域が形成され、且つ前記改質領域から前記加工対象物の表面に亀裂が到達するように、レーザ光を前記加工対象物に集光する第２工程と、
前記亀裂の状態に基づいて前記結晶方位を特定する第３工程と、を有する、請求項１〜３の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
【請求項５】
前記結晶方位特定工程は、
前記加工対象物に形成され前記結晶方位を示す基準マークに基づいて、前記結晶方位を特定する、請求項１〜３の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
【請求項６】
前記切断工程では、
前記加工対象物の内部にレーザ光を集光させ、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、前記改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１〜５の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
【請求項７】
結晶材料からなる基板と前記基板の表面上に配列された複数の機能素子とを含む加工対象物を切断する加工対象物切断装置であって、
前記基板の結晶方位を特定する結晶方位特定部と、
隣り合う機能素子の間に形成されたストリート領域を通る切断予定ラインを前記加工対象物に設定する切断予定ライン設定部と、
前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する切断部と、を備え、
前記切断予定ライン設定部は、
前記ストリート領域の延在方向が前記結晶方位と一致していない場合、前記結晶方位と平行で且つ前記ストリート領域の延在方向に対して傾斜する前記切断予定ラインを、前記加工対象物に設定する、加工対象物切断装置。
【請求項８】
前記切断予定ライン設定部は、
前記ストリート領域の幅方向において前記切断予定ラインが前記ストリート領域内に収まる位置に、前記切断予定ラインを設定する、請求項７に記載の加工対象物切断装置。
【請求項９】
前記切断予定ライン設定部は、
前記ストリート領域の幅方向において前記切断予定ラインが前記ストリート領域内に収まらない場合、前記ストリート領域からはみ出た前記切断予定ラインが交差する前記機能素子の数が所定数以下となる位置に、前記切断予定ラインを設定する、請求項７又は８に記載の加工対象物切断装置。
【請求項１０】
前記結晶方位特定部は、
前記加工対象物を支持する支持台と、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を、前記支持台に支持された前記加工対象物に集光する集光光学系と、
前記支持台に支持された前記加工対象物の表面を撮像する撮像部と、
前記加工対象物に対して互いに異なる方向に延在する複数の候補ラインを設定する候補ライン設定部と、
複数の前記候補ラインのそれぞれに沿って、前記基板の内部に改質領域が形成され、且つ前記改質領域から前記加工対象物の前記表面に亀裂が到達するように、前記支持台、前記レーザ光源及び前記集光光学系の少なくとも１つの動作を制御する動作制御部と、
前記撮像部によって撮像された前記亀裂の画像に基づいて前記結晶方位を特定する特定部と、を有する、請求項７〜９の何れか一項に記載の加工対象物切断装置。
【請求項１１】
前記結晶方位特定部は、
前記加工対象物に形成され前記結晶方位を示す基準マークを撮像する撮像部と、
前記撮像部によって撮像された前記基準マークの画像に基づいて前記結晶方位を特定する特定部と、を有する、請求項７〜９の何れか一項に記載の加工対象物切断装置。
【請求項１２】
前記切断部は、
前記加工対象物を支持する支持台と、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を、前記支持台に支持された前記加工対象物に集光する集光光学系と、
前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に切断の起点となる改質領域が形成されるように、前記支持台、前記レーザ光源及び前記集光光学系の少なくとも１つの動作を制御する動作制御部と、を有する、請求項７〜１１の何れか一項に記載の加工対象物切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶材料からなる基板を含む加工対象物に対して格子状に設定された複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って切断起点領域を形成し、当該切断起点領域から加工対象物の表面及び裏面に亀裂を到達させることで、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断して複数のチップを得る技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。切断起点領域としては、例えば、基板の内部に形成された改質領域、加工対象物の表面に形成された溝等が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１０８４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したような技術で加工対象物を切断して複数のチップを得ると、チップの切断面に段差が出現し、チップの歩留まりが低下する場合がある。そのため、加工対象物切断方法では、切断面を平滑化することが求められている。
【０００５】
本発明は、切断面を平滑化することができる加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の加工対象物切断方法は、結晶材料からなる基板と基板の表面上に配列された複数の機能素子とを含む加工対象物を切断する加工対象物切断方法であって、基板の結晶方位を特定する結晶方位特定工程と、結晶方位特定工程の後、隣り合う機能素子の間に形成されたストリート領域を通る切断予定ラインを加工対象物に設定する切断予定ライン設定工程と、切断予定ライン設定工程の後、切断予定ラインに沿って加工対象物を切断する切断工程と、を備え、切断予定ライン設定工程では、ストリート領域の延在方向が結晶方位と一致していない場合、結晶方位と平行で且つストリート領域の延在方向に対して傾斜する切断予定ラインを、加工対象物に設定する。
【０００７】
本発明の加工対象物切断装置は、結晶材料からなる基板と基板の表面上に配列された複数の機能素子とを含む加工対象物を切断する加工対象物切断装置であって、基板の結晶方位を特定する結晶方位特定部と、隣り合う機能素子の間に形成されたストリート領域を通る切断予定ラインを加工対象物に設定する切断予定ライン設定部と、切断予定ラインに沿って加工対象物を切断する切断部と、を備え、切断予定ライン設定部は、ストリート領域の延在方向が結晶方位と一致していない場合、結晶方位と平行で且つストリート領域の延在方向に対して傾斜する切断予定ラインを、加工対象物に設定する。
【０００８】
本発明者らは、切断面おける段差の出現が、加工対象物の基板の結晶方位に対して切断予定ラインがずれて設定されたことに起因することを突き止めた。この知見の下、本発明の加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置では、ストリート領域の延在方向が結晶方位と一致していない場合、結晶方位と平行で且つストリート領域の延在方向に対して傾斜する切断予定ラインを加工対象物に設定する。これにより、ストリート領域の延在方向が結晶方位と一致していない場合でも、結晶方位に対して切断予定ラインがずれて設定されるのを抑制し、切断面おける段差の出現を抑制でき、切断面を平滑化することが可能となる。
【０００９】
本発明の加工対象物切断方法において、切断予定ライン設定工程では、ストリート領域の幅方向において切断予定ラインがストリート領域内に収まる位置に、切断予定ラインを設定してもよい。本発明の加工対象物切断装置において、切断予定ライン設定部は、ストリート領域の幅方向において切断予定ラインがストリート領域内に収まる位置に、切断予定ラインを設定してもよい。これにより、加工対象物を切断して複数のチップを得る場合に、不良となるチップの数を低減することができる。
【００１０】
本発明の加工対象物切断方法において、切断予定ライン設定工程では、ストリート領域の幅方向において切断予定ラインがストリート領域内に収まらない場合、ストリート領域からはみ出た切断予定ラインが交差する機能素子の数が所定数以下となる位置に、切断予定ラインを設定してもよい。本発明の加工対象物切断装置において、切断予定ライン設定部は、ストリート領域の幅方向において切断予定ラインがストリート領域内に収まらない場合、ストリート領域からはみ出た切断予定ラインが交差する機能素子の数が所定数以下となる位置に、切断予定ラインを設定してもよい。これにより、加工対象物を切断して複数のチップを得る場合において、切断予定ラインがストリート領域内に収まらないときでも、不良となるチップの数を低減することができる。
【００１１】
本発明の加工対象物切断方法において、結晶方位特定工程は、加工対象物に対して互いに異なる方向に延在する複数の候補ラインを設定する第１工程と、複数の候補ラインのそれぞれに沿って、基板の内部に改質領域が形成され、且つ改質領域から加工対象物の表面に亀裂が到達するように、レーザ光を加工対象物に集光する第２工程と、亀裂の状態に基づいて結晶方位を特定する第３工程と、を有していてもよい。本発明の加工対象物切断装置において、結晶方位特定部は、加工対象物を支持する支持台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光を、支持台に支持された加工対象物に集光する集光光学系と、支持台に支持された加工対象物の表面を撮像する撮像部と、加工対象物に対して互いに異なる方向に延在する複数の候補ラインを設定する候補ライン設定部と、複数の候補ラインのそれぞれに沿って、基板の内部に改質領域が形成され、且つ改質領域から加工対象物の表面に亀裂が到達するように、支持台、レーザ光源及び集光光学系の少なくとも１つの動作を制御する動作制御部と、撮像部によって撮像された亀裂の画像に基づいて結晶方位を特定する特定部と、を有していてもよい。
【００１２】
本発明者らは、候補ラインに沿って基板内に改質領域を形成し、改質領域から表面に到達する亀裂を形成する場合、この亀裂の振れの度合が小さいほど、当該候補ラインの方向と結晶方位との間の角度ずれが小さいことを見出した。この知見の下、本発明の加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置では、候補ラインに沿って基板内に形成した改質領域から表面に到達する亀裂の状態に基づき、結晶方位を特定する。この場合、結晶方位を精度よく特定することが可能となる。
【００１３】
本発明の加工対象物切断方法において、結晶方位特定工程は、加工対象物に形成され結晶方位を示す基準マークに基づいて、結晶方位を特定してもよい。本発明の加工対象物切断装置において、結晶方位特定部は、加工対象物に形成され結晶方位を示す基準マークを撮像する撮像部と、撮像部によって撮像された基準マークの画像に基づいて結晶方位を特定する特定部と、を有していてもよい。この場合、基準マークを利用して結晶方位を精度よく特定することが可能となる。
【００１４】
本発明の加工対象物切断方法において、切断工程では、加工対象物の内部にレーザ光を集光させ、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成し、改質領域を切断の起点として切断予定ラインに沿って加工対象物を切断してもよい。本発明の加工対象物切断装置において、切断部は、加工対象物を支持する支持台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光を、支持台に支持された加工対象物に集光する集光光学系と、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に切断の起点となる改質領域が形成されるように、支持台、レーザ光源及び集光光学系の少なくとも１つの動作を制御する動作制御部と、を有していてもよい。この場合、加工対象物の内部に形成した改質領域を切断の起点として、加工対象物を切断予定ラインに沿って精度よく切断することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、切断面を平滑化することができる加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。
【図２】改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。
【図３】図２の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。
【図４】レーザ加工後の加工対象物の平面図である。
【図５】図４の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。
【図６】図４の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。
【図７】候補ラインに沿ったレーザ加工を説明する加工対象物の断面図である。
【図８】（ａ）は、ハーフカットが形成された基板表面の第１例を示す平面図である。（ｂ）は、ハーフカットが形成された基板表面の第２例を示す平面図である。
【図９】（ａ）は、結晶方位に対して候補ラインが成す角度とクランク周期との関係の一例を示すグラフである。図９（ｂ）は、ハーフカットの長さとクランク形状の出現頻度との関係の一例を示すグラフである。
【図１０】（ａ）は、ハーフカットが形成された基板表面の第３例を示す平面図である。（ｂ）は、ハーフカットが形成された基板表面の第４例を示す平面図である。
【図１１】（ａ）は、ハーフカットが形成された基板表面を拡大して示す写真図である。（ｂ）は、ハーフカットが形成された基板表面を拡大して示す他の平面図である。
【図１２】第１実施形態に係るレーザ加工装置を示す概略構成図である。
【図１３】第１実施形態に係るレーザ加工方法を示すフローチャートである。
【図１４】第１実施形態に係るレーザ加工方法において基準ラインを設定する処理を示すフローチャートである。
【図１５】（ａ）は、図１４の処理で設定された候補ライン及び基準ラインの例を示す平面図である。（ｂ）は、図１４の処理における基準ラインの設定を説明するグラフである。
【図１６】マーキングが施された基板表面の例を示す平面図である。
【図１７】ストリート領域に設定された切断予定ラインの一例を拡大して示す平面図である。
【図１８】第２実施形態に係るレーザ加工方法において基準ラインを設定する処理を示すフローチャートである。
【図１９】（ａ）は、図１８の処理により設定された候補ライン及び基準ラインの例を示す平面図である。（ｂ）は、図１８の処理における基準ラインの設定を説明するグラフである。
【図２０】第３実施形態に係るレーザ加工方法を示すフローチャートである。
【図２１】（ａ）は、切断予定ライン設定工程を説明する図である。（ｂ）は、切断予定ライン設定工程を説明する他の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
実施形態に係る加工対象物切断装置であるレーザ加工装置、及び、実施形態に係る加工対象物切断方法であるレーザ加工方法では、加工対象物にレーザ光を集光することにより、加工ライン（候補ライン、基準ライン及び切断予定ラインを含む）に沿って加工対象物に改質領域を形成する。そこで、まず、改質領域の形成について、図１〜図６を参照して説明する。
【００１９】
図１に示されるように、レーザ加工装置（加工対象物切断装置）１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅、パルス波形等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。
【００２０】
レーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して加工ライン５に沿って相対移動させられる。これにより、加工ライン５に沿った改質領域が加工対象物１に形成される。なお、ここでは、レーザ光Ｌを相対的に移動させるためにステージ１１１を移動させたが、集光用レンズ１０５を移動させてもよいし、或いはこれらの両方を移動させてもよい。
【００２１】
加工対象物１としては、半導体材料で形成された半導体基板や圧電材料で形成された圧電基板等を含む板状の部材（例えば、基板、ウェハ等）が用いられる。図２に示されるように、加工対象物１には、加工ライン５として、加工対象物１を切断するための切断予定ラインが設定されている。加工ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示されるように、加工対象物１の内部に集光点（集光位置）Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを加工ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４、図５及び図６に示されるように、改質領域７が加工ライン５に沿って加工対象物１に形成される。加工ライン５が切断予定ラインの場合、加工ライン５に沿って形成された改質領域７が切断起点領域８となる。
【００２２】
集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。加工ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、これらが組み合わされた３次元状であってもよいし、座標指定されたものであってもよい。加工ライン５は、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。改質領域７は列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面３、裏面２１、若しくは外周面）に露出していてもよい。改質領域７を形成する際のレーザ光入射面は、加工対象物１の表面３に限定されるものではなく、加工対象物１の裏面２１であってもよい。
【００２３】
ちなみに、加工対象物１の内部に改質領域７を形成する場合には、レーザ光Ｌは、加工対象物１を透過すると共に、加工対象物１の内部に位置する集光点Ｐ近傍にて特に吸収される。これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。この場合、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一方、加工対象物１の表面３に改質領域７を形成する場合には、レーザ光Ｌは、表面３に位置する集光点Ｐ近傍にて特に吸収され、表面３から溶融され除去されて、穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）。
【００２４】
改質領域７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域７としては、例えば、溶融処理領域（一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも何れか一つを意味する）、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域７としては、加工対象物１の材料において改質領域７の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある（これらをまとめて高転位密度領域ともいう）。
【００２５】
溶融処理領域、屈折率変化領域、改質領域７の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、及び、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域７と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は、改質領域７の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物１は、結晶構造を有する結晶材料からなる基板を含む。例えば加工対象物１は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ＬｉＴａＯ３、及び、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも何れかで形成された基板を含む。換言すると、加工対象物１は、例えば、窒化ガリウム基板、シリコン基板、ＳｉＣ基板、ＬｉＴａＯ３基板、又はサファイア基板を含む。結晶材料は、異方性結晶及び等方性結晶の何れであってもよい。
【００２６】
実施形態では、加工ライン５に沿って改質スポット（加工痕）を複数形成することにより、改質領域７を形成することができる。この場合、複数の改質スポットが集まることによって改質領域７となる。改質スポットとは、パルスレーザ光の１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射：レーザショット）で形成される改質部分である。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも１つが混在するもの等が挙げられる。改質スポットについては、要求される切断精度、要求される切断面の平坦性、加工対象物１の厚さ、種類、結晶方位等を考慮して、その大きさや発生する亀裂の長さを適宜制御することができる。また、本実施形態では、加工ライン５に沿って、改質スポットを改質領域７として形成することができる。
【００２７】
実施形態においては、加工対象物１の内部に候補ラインに沿って改質領域７を形成し、当該改質領域７から表面３又は裏面２１に到達する亀裂（以下、「ハーフカット」という）を候補ラインに沿って形成する。ハーフカットの状態に基づいて、加工対象物１の結晶方位を特定し、結晶方位を示すラインである基準ラインを設定する。以下、加工対象物１の結晶方位の特定及び基準ラインの設定に係る原理について説明する。
【００２８】
図７に示されるように、結晶材料の基板１２を含む加工対象物１に、候補ライン５Ａを設定する。加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせ、候補ライン５Ａに沿って、基板１２の表面１２ａをレーザ光入射面としてレーザ光Ｌを照射する。これにより、候補ライン５Ａに沿って、厚さ方向に１又は複数列（図示する例では２列）の改質領域７を基板１２の内部に形成する。これと共に、候補ライン５Ａに沿って、当該改質領域７から表面１２ａに至る表面亀裂であるハーフカットを発生させる。なお、図示するＺ方向は加工対象物１の厚さ方向に対応する方向であり、Ｘ方向はＺ方向に直交する方向であり、Ｙ方向はＺ方向及びＹ方向の双方に直交する方向である（以下、同じ）。
【００２９】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、表面１２ａから見たハーフカットＨｃの例を示す図である。図８（ｂ）の例は、基板１２の結晶方位Ｋの方向に対し候補ライン５Ａの延在方向がずれている角度である角度ずれΔθが、図８（ａ）の例に比べて大きい場合を示している。例えば基板１２がＳｉＣ基板の場合には、結晶方位Ｋは、ｍ面の結晶方位Ｋが挙げられる。
【００３０】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示されるように、ハーフカットＨｃは、表面１２ａから見て、候補ライン５Ａの延在方向に対して当該延在方向に交差する一方向に振れるように延びる形状が、周期的に繰り返されて構成されている。ハーフカットＨｃは、振れの形状であるクランク形状、すなわち、候補ライン５Ａに対して傾斜して延びた後に候補ライン５Ａに対して交差する方向に屈曲する鋸波形状が、周期的に繰り返される形状を有している。
【００３１】
角度ずれΔθが大きい場合、角度ずれΔθが小さい場合に比べて、ハーフカットＨｃの振れの度合が小さいことが見出される。振れの度合は、振れの程度を表す指標値であり、例えば、振れの周期、振れの頻度、及び、振れの量を含む。具体的には、振れの度合は、１つのクランク形状における候補ライン５Ａに沿う方向の長さ（間隔）であるクランク周期（振れの周期）、及び、ハーフカットＨｃの所定長さ当たりにおけるクランク形状の出現頻度（振れの頻度）を含む。
【００３２】
角度ずれΔθが大きい場合、角度ずれΔθが小さい場合に比べて、クランク周期は小さく、ハーフカットＨｃの所定長さ当たりにおけるクランク形状の出現頻度は多い。これにより、角度ずれΔθの大きさとハーフカットＨｃとの度合は、一定の相関を有することが見出される。具体的には、角度ずれΔθが小さいほど（結晶方位Ｋに候補ライン５Ａの延在方向が近づくほど）、クランク周期が大きく、クランク形状の出現頻度は少ないことが見出される。
【００３３】
図９（ａ）は、結晶方位Ｋに対して候補ライン５Ａが成す角度と、ハーフカットＨｃの振れの度合であるクランク周期との関係の一例を示すグラフである。図９（ｂ）は、候補ライン５Ａの座標と、ハーフカットＨｃの振れの度合であるクランク形状の出現頻度との関係の一例を示すグラフである。クランク形状の出現頻度の差分に該当する座標間距離がクランク間の長さ、すなわちクランク周期に相当する。図中において、結晶方位Ｋに対して候補ライン５Ａが成す角度（以下、単に「候補ライン５Ａの角度」という）は、標準設定として定められる標準加工ラインの角度を０°としたときの角度である。標準加工ラインは、例えば、加工対象物１のオリエンテーションフラットに平行なラインである。ここでのクランク周期は、所定数のクランク周期の平均値である。また、クランク周期は、あるクランク周期を基準とした相対値として示されている。
【００３４】
図９（ａ）に示されるように、候補ライン５Ａの角度を変えることにより、クランク周期が変化する。これにより、クランク周期が大きいほど角度ずれΔθが小さくなって加工ライン５の方向が結晶方位Ｋの方向に近づくという上記知見を考慮すると、クランク周期が大きい候補ライン５Ａから結晶方位Ｋを求め得ることがわかる。図示する例においては、候補ライン５Ａの角度とクランク周期とは反比例の関係を有している。候補ライン５Ａの最適な角度が−０．０５°であり、この場合、標準加工ラインの方向から−０．０５°回転した方向を結晶方位Ｋとして特定することができ、標準加工ラインを−０．０５°回転した候補ライン５Ａを基準ライン５Ｂとして設定することができる。
【００３５】
図９（ｂ）に示されるように、角度ずれΔθが大きいほど、ハーフカットＨｃの所定長さ当たりにおいてクランク形状の出現頻度が多い（クランク周期が短い）。これにより、クランク形状の出現頻度が小さい候補ライン５Ａから結晶方位Ｋを求め得ることがわかる。
【００３６】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、表面１２ａから見たハーフカットＨｃの他の例を示す図である。図１０（ａ）の例と図１０（ｂ）の例とでは、候補ライン５Ａに対する角度ずれΔθの方向が互いに異なっている。候補ライン５Ａを境に一方側と他方側とに分けた場合において、図１０（ａ）に示されるように、ハーフカットＨｃのクランク形状が候補ライン５Ａの一方側に傾斜して延びる形状を有していると、結晶方位Ｋの方向は、候補ライン５Ａに対して当該一方側に傾いている。図１０（ｂ）に示されるように、ハーフカットＨｃのクランク形状が候補ライン５Ａの他方側に傾斜して延びる形状を有していると、結晶方位Ｋの方向は、候補ライン５Ａに対して当該他方側に傾いている。
【００３７】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、表面１２ａから見たハーフカットＨｃの例を拡大して示す写真図である。図中の例では、基板１２はＳｉＣ基板であり、後述のストリート領域１７が示されている。候補ライン５Ａは、ストリート領域１７上において当該ストリート領域１７の延在方向と平行に設定されている。図１１（ａ）に示されるハーフカットＨｃは、クランク形状が候補ライン５Ａに対して上振れして延びる形状となっている。この場合、結晶方位Ｋの方向は、表面１２ａから見て、候補ライン５Ａに対して反時計回りの角度ずれΔθを有する。図１１（ｂ）に示されるハーフカットＨｃは、クランク形状が候補ライン５Ａに対して下振れして延びる形状となっている。この場合、結晶方位Ｋの方向は、表面１２ａから見て、候補ライン５Ａに対して時計回りの角度ずれΔθを有する。
【００３８】
以上の説明により、実施形態においては、複数の候補ライン５Ａのうち、ハーフカットＨｃの振れの度合が最も小さい（例えば、クランク周期が最も大きい、又は、クランク形状の出現頻度が最も少ない）候補ライン５Ａの方向を、結晶方位Ｋとして特定できる。当該候補ライン５Ａを、結晶方位Ｋの方向を示す基準ライン５Ｂとして設定できる。
【００３９】
ハーフカットＨｃの振れの度合が所定範囲内に収まる（例えば、クランク周期が閾値以上となる、又は、クランク形状の出現頻度が一定以下となる）候補ライン５Ａを探索し、当該探索した候補ライン５Ａの方向を、結晶方位Ｋとして特定できる。当該候補ライン５Ａを基準ライン５Ｂとして設定することができる。ハーフカットＨｃの振れの方向（候補ライン５Ａに対するクランク形状の傾斜方向）から、候補ライン５Ａに対する結晶方位Ｋの角度の向きを特定できる。換言すると、ハーフカットＨｃが候補ライン５Ａに対して上振れ及び下振れの何れであるかに基づいて、候補ライン５Ａに対する結晶方位Ｋの角度ずれΔθが正方向及び負方向の何れであるかを特定できる。
【００４０】
次に、第１実施形態のレーザ加工装置（加工対象物切断装置）について、図１２の概略構成図を参照しつつ説明する。
【００４１】
レーザ加工装置（加工対象物切断装置）３００は、加工対象物１にレーザ光Ｌを集光することにより、加工ライン５（候補ライン５Ａ、基準ライン５Ｂ及び切断予定ライン５Ｃを含む）に沿って加工対象物１に改質領域７を形成する。また、レーザ加工装置３００は、加工対象物１における基板１２の表面１２ａにレーザ光Ｌを集光することにより、加工ライン５に沿った複数の打痕であるマークＭを形成するマーキングを行う（図１６参照）。加工ライン５に沿った複数のマークＭは、例えばパルスピッチ（パルスレーザ光の加工対象物１に対する相対速度／パルスレーザ光の繰返し周期）に対応する間隔を有して加工ライン５に沿って並設される。複数のマークＭは、結晶方位Ｋを示す基準マークである。ここでのマークＭは、表面１２ａにおいて露出するように形成された改質スポット（改質領域７）により構成される。
【００４２】
レーザ加工装置３００は、レーザ光源２０２と集光光学系２０４と表面観察ユニット（撮像部）２１１とを備え、これらが筐体２３１に設けられている。レーザ光源２０２は、加工対象物１に対して透過する波長のレーザ光Ｌを出射する。当該波長としては、例えば５３２ｎｍ〜１５００ｎｍが挙げられる。レーザ光源２０２は、例えばファイバレーザ又は固体レーザである。集光光学系２０４は、レーザ光源２０２により出射されたレーザ光Ｌを加工対象物１の内部に集光する。集光光学系２０４は、複数のレンズを含んで構成されており、圧電素子等を含んで構成された駆動ユニット２３２を介して筐体２３１の底板２３３に設置されている。
【００４３】
レーザ加工装置３００では、レーザ光源２０２から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー２１０，２３８を順次透過して集光光学系２０４に入射し、ステージ１１１上の支持台１０７に載置された加工対象物１内に集光光学系２０４によって集光される。
【００４４】
表面観察ユニット２１１は、加工対象物１のレーザ光入射面を観察する。表面観察ユニット２１１は、支持台１０７に支持された加工対象物１における基板１２の表面１２ａを撮像する。表面観察ユニット２１１は、観察用光源２１１ａと、検出器２１１ｂと、を有している。観察用光源２１１ａは、可視光ＶＬ１を出射する。観察用光源２１１ａとしては、特に限定されず、公知の光源を用いることができる。
【００４５】
検出器２１１ｂは、加工対象物１のレーザ光入射面で反射された可視光ＶＬ１の反射光ＶＬ２を検出し、表面１２ａの画像（以下、単に「表面画像」という）を取得する。検出器２１１ｂは、ハーフカットＨｃが含まれる表面画像を取得する。また、検出器２１１ｂは、複数のマークＭが含まれる表面画像を取得する。検出器２１１ｂとしては、特に限定されず、カメラ等の公知の撮像装置を用いることができる。
【００４６】
表面観察ユニット２１１では、観察用光源２１１ａから出射された可視光ＶＬ１が、ミラー２０８及びダイクロイックミラー２０９，２１０，２３８で反射又は透過され、集光光学系２０４で加工対象物１に向けて集光される。そして、加工対象物１のレーザ光入射面で反射された反射光ＶＬ２が、集光光学系２０４で集光されてダイクロイックミラー２３８，２１０で透過又は反射された後、ダイクロイックミラー２０９を透過して検出器２１１ｂにて受光される。
【００４７】
レーザ加工装置３００は、表面観察ユニット２１１で撮像された表面画像を表示する表示部２４０と、当該レーザ加工装置３００を制御する制御部２５０と、を備えている。表示部２４０としては、モニタ等を用いることができる。
【００４８】
制御部２５０は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等により構成されている。制御部２５０は、レーザ光源２０２を制御し、レーザ光源２０２から出射されるレーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節する。制御部２５０は、改質領域７を形成する際、筐体２３１、ステージ１１１（支持台１０７）の位置、及び駆動ユニット２３２の駆動の少なくとも１つを制御し、レーザ光Ｌの集光点Ｐを加工対象物１の表面３（表面１２ａ）に位置させる、又は、表面３（もしくは裏面２１）から所定距離内部の位置に位置させる。制御部２５０は、改質領域７を形成する際、筐体２３１、ステージ１１１の位置、及び駆動ユニット２３２の駆動の少なくとも１つを制御し、当該集光点Ｐを加工ライン５に沿って相対的に移動させる。
【００４９】
制御部２５０は、互いに異なる方向に延在する複数の候補ライン５Ａを加工対象物１に対して設定する。制御部２５０は、複数の候補ライン５Ａのそれぞれに沿って、基板１２の内部に改質領域７が形成され且つハーフカットＨｃが形成されるように、ステージ１１１（支持台１０７）、レーザ光源２０２及び駆動ユニット２３２（集光光学系２０４）の少なくとも１つの動作を制御する。
【００５０】
制御部２５０は、表面観察ユニット２１１の動作を制御し、表面画像を撮像させる。制御部２５０は、表面観察ユニット２１１によって撮像された表面画像に基づいて基準ライン５Ｂを決定し、基準ライン５Ｂを加工対象物１に対して設定する。具体的には、ハーフカットＨｃを含む複数の表面画像に画像認識処理を施し、所定本数の候補ライン５ＡのうちハーフカットＨｃの振れの度合が最も小さい候補ライン５Ａを、基板１２の結晶方位Ｋを示す基準ライン５Ｂとして加工対象物１に対して設定する。ここでは、複数のハーフカットＨｃそれぞれのクランク周期を表面画像から認識し、クランク周期が最も大きいハーフカットＨｃに対応する候補ライン５Ａを基準ライン５Ｂとして設定する。制御部２５０で実施する画像認識処理としては、特に限定されず、パターン認識等の公知の画像認識処理を採用することができる。
【００５１】
制御部２５０は、基準ライン５Ｂに沿って複数のマークＭ（図１６参照）が加工対象物１に形成されるように、ステージ１１１、レーザ光源２０２及び駆動ユニット２３２の少なくとも１つの動作を制御する。
【００５２】
制御部２５０は、複数のマークＭを含む表面画像に画像認識処理を施し、マークＭの並設方向を認識する。制御部２５０は、認識したマークＭの並設方向に基づいて、結晶方位Ｋを特定し、切断予定ライン５Ｃをアライメントする。例えば、制御部２５０は、マークＭの並設方向と平行になるように（結晶方位Ｋと平行となるように）、切断予定ライン５Ｃを設定、又は、既設の切断予定ライン５Ｃを変更する。
【００５３】
制御部２５０は、加工対象物１の後述のストリート領域１７を通る切断予定ライン５Ｃを設定する。制御部２５０は、ストリート領域１７の延在方向が結晶方位Ｋと一致していない場合、結晶方位Ｋと平行で且つストリート領域１７の延在方向に対して傾斜する切断予定ライン５Ｃを、加工対象物１に設定する。
【００５４】
次に、レーザ加工装置３００において実施されるレーザ加工方法（加工対象物切断方法）について、図１３及び図１４のフローチャートを参照しつつ説明する。
【００５５】
本実施形態のレーザ加工方法は、例えば、発光ダイオード等の半導体チップを製造する製造方法に用いられる。本実施形態に係る加工対象物切断方法では、まず、加工対象物１を用意する。この加工対象物１は、図１５（ａ）に示されるように、ベアウェハであって、基板１２を含んでいる。基板１２には、オリエンテーションフラットＯＦが設けられている。基板１２は、表面１２ａにおいて、外縁部に設けられた非有効領域１６ｘと、非有効領域１６ｘの内側に設けられた有効領域１６ｙと、を有している。有効領域１６ｙは、後述の機能素子層１５が設けられる領域であり、非有効領域１６ｘは、機能素子層１５が設けられない領域である。
【００５６】
続いて、加工対象物１に基準ライン５Ｂを設定する（Ｓ１０）。具体的には、まず、基板１２をステージ１１１の支持台１０７上に載置する。制御部２５０により、オリエンテーションフラットＯＦに対して平行な（又はθ方向に基準角度だけ傾く）候補ライン５Ａを、標準加工ラインとして設定とする（Ｓ１１）。制御部２５０により、標準加工ラインに対してθ方向に指定角度ずれるように、θ方向における候補ライン５Ａの角度を変更する（Ｓ１２）。θ方向は、Ｚ方向を軸方向とした回転方向である。基準角度及び指定角度は、予め設定された所定角度であり、特に限定されず、例えば基板１２の仕様又は状態等からから求めることができる。
【００５７】
続いて、非有効領域１６ｘにおける候補ライン５Ａに沿って、基板１２の内部にレーザ光Ｌを集光させつつ１又は複数回走査し、非有効領域１６ｘにおける基板１２の内部に１又は複数列の改質領域７を形成する。これにより、非有効領域１６ｘにおける基板１２の表面１２ａに到達するハーフカットＨｃを、当該候補ライン５Ａに沿って形成する（Ｓ１３）。複数回のレーザ光Ｌの走査では、同方向のレーザ光Ｌの走査（いわゆる片道加工）を複数回繰り返す。そして、ハーフカットＨｃを含む表面画像を表面観察ユニット２１１によって撮像し、制御部２５０の記憶部（ＲＯＭ又はＲＡＭ）に記憶する。なお、複数回のレーザ光Ｌの走査では、候補ライン５Ａに沿って往復するようにレーザ光Ｌを走査（いわゆる往復加工）してもよい。
【００５８】
続いて、上記Ｓ１２及び上記Ｓ１３に係るレーザ加工を、その加工回数が予め設定された所定回数（ここでは５回）となるまで繰り返し実行する（Ｓ１４）。複数回繰り返す上記Ｓ１２では、θ方向における候補ライン５Ａの角度が同じとならないように角度を変更し、結果として、互いに異なる所定方向に延在する所定本数の候補ライン５Ａを設定する。
【００５９】
続いて、制御部２５０により、記憶した複数の表面画像に画像認識処理を施し、複数のハーフカットＨｃそれぞれの状態を認識して評価する（Ｓ１５）。制御部２５０により、認識した複数のクランク周期のうち最も大きいクランク周期のハーフカットＨｃを選択する。制御部２５０により、クランク周期が最も大きいハーフカットＨｃが沿う候補ライン５Ａを、複数の候補ライン５Ａの中から選択する（Ｓ１６）。そして、制御部２５０により、選択した候補ライン５Ａを、基板１２の結晶方位Ｋを示す基準ライン５Ｂとして加工対象物１に設定する（Ｓ１７）。設定した基準ライン５Ｂの方向（結晶方位Ｋ）を、制御部２５０の記憶部に記憶する。
【００６０】
例えば上記Ｓ１６では、図１５（ｂ）に示されるように、非有効領域１６ｘに設定された５つの候補ライン５Ａのうち、クランク周期が最も大きい候補ライン５Ｇが選択される。この場合、上記Ｓ１７では、候補ライン５Ｇの方向が結晶方位Ｋとして決定され、当該候補ライン５Ｇに平行な基準ライン５Ｂが、非有効領域１６ｘに設定される。基準ライン５Ｂの方向は、オリエンテーションフラットＯＦの平行方向からのθ方向における角度（最適角度）として表すことができる。基準ライン５Ｂは、非有効領域１６ｘにおいて、オリエンテーションフラットＯＦの平行方向から最適角度だけθ方向にずれて延びるラインである。
【００６１】
続いて、基準ライン５Ｂに沿って並ぶ複数のマークＭを、基板１２の表面１２ａにマーキングする（Ｓ２０）。上記２０では、非有効領域１６ｘにおける基準ライン５Ｂに沿って基板１２の表面１２ａにレーザ光Ｌを集光させつつ走査し、非有効領域１６ｘにおける基板１２の表面１２ａに、基準ライン５Ｂに沿って複数のマークＭを形成する（図１６参照）。
【００６２】
続いて、基板１２をステージ１１１から外し、基板１２の表面１２ａ上に機能素子層１５を形成する（Ｓ３０）。機能素子層１５は、表面１２ａの有効領域１６ｙにおいてマトリックス状に配列された複数の機能素子１５ａ（例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、又は回路として形成された回路素子等）を含んでいる。隣り合う機能素子１５ａの間には、ストリート領域（ダイシングストリート）１７が形成されている。
【００６３】
上記Ｓ３０では、オリエンテーションフラットＯＦを基準に機能素子層１５を形成する。具体的には、オリエンテーションフラットＯＦの平行方向及び垂直方向に並ぶ複数の機能素子１５ａを、表面１２ａの有効領域１６ｙ上に配列する。オリエンテーションフラットＯＦの平行方向及び垂直方向に延びる格子状のストリート領域１７を、複数の機能素子１５ａ間に形成する。
【００６４】
続いて、基板１２及び機能素子層１５を含む加工対象物１の裏面２１にエキスパンドテープを貼り付け、当該加工対象物１をステージ１１１上に載置する。複数のマークＭを含む表面画像を表面観察ユニット２１１によって撮像し、制御部２５０により、当該表面画像から複数のマークＭの並設方向を認識する。制御部２５０により、複数のマークＭの並設方向を結晶方位Ｋとして特定する。制御部２５０により、マークＭの並設方向に対して平行で且つストリート領域１７を通る切断予定ライン５Ｃと、マークＭの並設方向に直交し且つストリート領域１７を通る切断予定ライン５Ｃと、を設定する（Ｓ４０）。つまり、複数の機能素子１５ａ間のストリート領域１７を通る格子状の切断予定ライン５Ｃを、特定した結晶方位Ｋの平行方向及び直交方向に沿って延びるように、θ方向における角度を調整して設定する。
【００６５】
図１７は、機能素子層１５を拡大して示す平面図である。図１７に示されるように、例えば上記Ｓ４０では、切断予定ライン５Ｃが加工対象物１のストリート領域１７を通るように設定される。加えて、この切断予定ライン５Ｃは、ストリート領域１７中において、結晶方位Ｋの平行方向及び直交方向に沿うように設定される。図示する例では、ストリート領域１７の延在方向（機能素子１５ａが並ぶ方向）が結晶方位Ｋと一致していない。この場合、上記Ｓ４０では、Ｚ方向から見てストリート領域１７の延在方向に対して傾斜し、且つ結晶方位Ｋと平行になるように、ストリート領域１７を通る切断予定ライン５Ｃが設定される。また、Ｚ方向から見てストリート領域１７の延在方向に対して傾斜し、且つ結晶方位Ｋと垂直になるように、ストリート領域１７を通る切断予定ライン５Ｃが設定される。
【００６６】
続いて、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断し、複数の半導体チップ（例えばメモリ、ＩＣ、発光素子、受光素子等）を形成する（Ｓ５０）。具体的には、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌを集光させつつ切断予定ライン５Ｃに沿って１又は複数回走査する。これにより、切断予定ライン５Ｃに沿って、加工対象物１の内部に１又は複数列の改質領域７を形成する。そして、エキスパンドテープを拡張することで、当該改質領域７を切断の起点として、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断し、複数の半導体チップとして互いに離間させる。
【００６７】
ここで、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断した場合の切断面おける段差の出現は、結晶方位Ｋに対して切断予定ライン５Ｃがずれて設定されたことに起因することが見出される。この知見の下、本実施形態では、ストリート領域１７の延在方向が結晶方位Ｋと一致していない場合に、結晶方位Ｋと平行で且つストリート領域１７の延在方向に対して傾斜する切断予定ライン５Ｃを加工対象物１に設定する。これにより、ストリート領域１７の延在方向が結晶方位Ｋと一致していない場合でも、結晶方位Ｋに対して切断予定ライン５Ｃがずれて設定されるのを抑制し、切断面おける段差の出現を抑制でき、切断面を平滑化ひいては鏡面化することが可能となる。
【００６８】
本実施形態では、加工対象物１の表面１２ａに形成され結晶方位Ｋを示す複数のマークＭに基づいて、結晶方位Ｋを特定する。これにより、表面１２ａに形成されたマークＭを利用して結晶方位Ｋを精度よく特定することが可能となる。
【００６９】
本実施形態では、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌを集光させ、切断予定ライン５Ｃに沿って加工対象物１の内部に改質領域７を形成する。この改質領域７を切断の起点として、切断予定ライン５Ｃに沿って加工対象物１を切断する。これにより、加工対象物１の内部に形成した改質領域７を切断の起点として、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って精度よく切断することが可能となる。
【００７０】
ところで、加工ライン５に沿って切断された加工対象物１の切断面に出現する段差の数は、加工ライン５に沿って改質領域７を形成した場合に生じるハーフカットＨｃの振れの度合が大きいほど多くなることが見出される。この知見の下、本実施形態では、互いに異なる方向に延在する複数の候補ライン５Ａのそれぞれに沿ったハーフカットＨｃを含む表面画像に基づいて、基準ライン５Ｂが加工対象物１に対して設定される。
【００７１】
これにより、基準ライン５Ｂに平行な方向に延在する切断予定ライン５Ｃを設定することが可能となる。その結果、基板１２の結晶方位Ｋに対して切断予定ライン５Ｃがずれて設定されるのを抑制することができる。加工対象物１を切断して得られたチップの切断面（端面）に段差が出現するのを抑制し、チップの切断面の平滑化ひいては鏡面化することができる。更にチップの歩留まりを向上させることができる。
【００７２】
ちなみに、一般的に、オリエンテーションフラットＯＦと結晶方位Ｋとは、その方向が最大約１°程度ずれていることがある。よって、オリエンテーションフラットＯＦと平行に切断予定ライン５Ｃを設定する場合に比べて、上記作用効果を有する本実施形態は特に効果的である。
【００７３】
本実施形態では、制御部２５０により、互いに異なる所定方向に延在する所定本数の候補ライン５Ａを設定し、所定本数の候補ライン５ＡのうちハーフカットＨｃの振れの度合が最も小さい候補ライン５Ａを基準ライン５Ｂとして設定する。これにより、所定本数の候補ライン５Ａについてのみ、レーザ光Ｌの照射、ハーフカットＨｃの状態の確認等を実施すればよいので、基準ライン５Ｂの設定を簡易に実施することができる。
【００７４】
本実施形態では、制御部２５０により、加工対象物１に設けられたオリエンテーションフラットＯＦを基準として、互いに異なる所定方向に延在する所定本数の候補ライン５Ａを基板１２に対して設定する。つまり、オリエンテーションフラットＯＦと平行な標準加工ラインを設定し、この標準加工ラインを基準に所定本数の候補ライン５Ａを設定する。これにより、加工対象物１ごとに候補ライン５Ａの設定がばらつくのを抑制することができる。特に、オリエンテーションフラットＯＦの方向と結晶方位Ｋの方向との一致精度が高い場合、複数の候補ライン５Ａの設定が標準加工ラインから微調整することで足りるために有効である。更に、加工対象物１からチップを量産する場合に有効である。
【００７５】
本実施形態は、表面観察ユニット２１１によって撮像された表面画像を表示する表示部２６０を備えている。これにより、オペレータがハーフカットＨｃの状態の確認等を実施することができる。
【００７６】
本実施形態では、基準ライン５Ｂに沿って複数のマークＭを加工対象物１に形成する。これにより、複数のマークＭを基準として、基準ライン５Ｂに平行な方向に延在する切断予定ライン５Ｃを加工対象物１に対して設定することができる。
【００７７】
本実施形態では、基準ライン５Ｂに平行な方向に延在する切断予定ライン５Ｃを加工対象物１に対して設定し、切断予定ライン５Ｃに沿って基板１２の内部に改質領域７を形成する。これにより、候補ライン５Ａに沿ってのレーザ光Ｌの照射、ハーフカットＨｃの状態の確認、基準ライン５Ｂの設定、切断予定ライン５Ｃの設定、切断予定ライン５Ｃに沿ってのレーザ光Ｌの照射等の一連の工程を、同一のレーザ加工装置３００上で実施することができる。
【００７８】
本実施形態では、基板１２の非有効領域１６ｘに候補ライン５Ａ及び基準ライン５Ｂを設定し、基板１２の非有効領域１６ｘにおける表面１２ａに複数のマークＭを形成している。これにより、加工対象物１を切断してチップを製造するに当たり、通常は除去されて廃棄される部分（非有効領域１６ｘ）を有効活用することができる。なお、候補ライン５Ａ及び基準ライン５Ｂは、非有効領域１６ｘに設定されてもよいし、複数のマークＭは、有効領域１６ｙに形成されてもよい。
【００７９】
本実施形態では、候補ライン５Ａに沿って複数列の改質領域７を形成してハーフカットＨｃを形成する際、候補ライン５Ａに沿って往復するようにレーザ光Ｌを走査するのではなく、同方向のレーザ光Ｌの走査を複数回繰り返す。これにより、改質領域７からのハーフカットＨｃを好適に表面１２ａに到達させ、ハーフカットＨｃの振れ（クランク形状）を顕著に生じさせることができる。
【００８０】
なお、本実施形態は、上記に限定されず、以下のように構成してもよい。
【００８１】
本実施形態では、基準マークとして、基準ライン５Ｂに沿って並ぶ複数のマークＭを形成したが、形成する基準マークは特に限定されない。例えば、オリエンテーションフラットＯＦとは別の新たなオリエンテーションフラット（基板１２の外周面の一部に形成された平面）を、基準マークとして基準ライン５Ｂと平行に設けてもよい。また、最適な候補ライン５ＡのハーフカットＨｃを利用して切断した面を、基準マークとしての新たなオリエンテーションフラットとしてもよい。また、レーザ光Ｌの照射によって基準ライン５Ｂに沿って加工対象物１の内部に改質領域７を形成し、その改質領域７を切断の起点として切断した面を、基準マークとしての新たなオリエンテーションフラットとしてもよい。なお、当該新たなオリエンテーションフラットの形成には、公知の種々の加工方法を採用できる。
【００８２】
基準マークは、基板１２内の改質領域７から表面１２ａに到達した亀裂であってもよい。基準マークは、結晶方位を示す形状（２次元形状及び３次元形状を含む）、模様、色彩、表示、１次元コード、２次元コード等、又はこれらの組み合わせにより構成されていてもよい。基準マークは、基準ライン５Ｂに沿って形成したケガキ線であってもよい。
【００８３】
本実施形態では、制御部２５０において基板１２の表面画像に画像認識処理を行い、ハーフカットＨｃの振れの度合を自動で認識したが、表示部２４０に表示された表面画像から又は目視でオペレータがハーフカットＨｃの振れの度合を認識してもよい。この場合、例えば制御部２５０に接続された操作部において、当該オペレータが、ハーフカットＨｃの振れの度合に基づき基準ライン５Ｂを設定する操作を行うことにより、基準ライン５Ｂを加工対象物１に設定してもよい。
【００８４】
本実施形態では、制御部２５０において基板１２の表面画像に画像認識処理を行い、複数のマークＭを自動で認識したが、表示部２４０に表示された表面画像から又は目視でオペレータが複数のマークＭを認識してもよい。この場合、例えば制御部２５０に接続された操作部において、当該オペレータが複数のマークＭの並設方向と平行な切断予定ライン５Ｃを設定する操作を行うことにより、切断予定ライン５Ｃを加工対象物１に設定してもよい。
【００８５】
本実施形態では、基板１２の表面１２ａ上に機能素子層１５を形成する上記Ｓ３０において、オリエンテーションフラットＯＦを基準に機能素子層１５を形成したが、複数のマークＭを基準に機能素子層１５を形成してもよい。具体的には、複数のマークＭの並設方向及びその垂直方向に並ぶ複数の機能素子１５ａを表面１２ａの有効領域１６ｙに配列し、複数のマークＭの並設方向及びその垂直方向に延びる格子状のストリート領域１７を複数の機能素子１５ａ間に形成してもよい。これにより、複数の機能素子１５ａ及びストリート領域１７を、結晶方位Ｋに沿って精度よく配置することができる。
【００８６】
本実施形態では、基板１２にマーキングを行う上記Ｓ２０の後に、機能素子層１５を形成する上記Ｓ３０を実施したが、これに限定されず、機能素子１５ａが基板１２に予め形成されている加工対象物１（いわゆる、デバイス形成済みウェハ）を用いてもよい。すなわち、機能素子１５ａが基板１２に予め形成されている加工対象物１に対して基準ライン５Ｂを設定する上記Ｓ１０の後、マーキングを行う上記Ｓ２０を実施し、そのまま切断予定ラインを設定する上記Ｓ４０を実施してもよい。この場合、マーキングを行う上記Ｓ２０を実施せず、上記Ｓ４０において、設定された基準ライン５Ｂと平行になるように切断予定ライン５Ｃを設定してもよい。
【００８７】
次に、第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態の説明では、上記第１実施形態と異なる点について説明する。
【００８８】
本実施形態において、制御部２５０は、表面観察ユニット２１１によって撮像された表面画像に基づいて、ハーフカットＨｃの振れの度合が所定範囲内に収まるまで、複数の候補ライン５Ａを加工対象物１に対して順次に設定する。制御部２５０は、ハーフカットＨｃの振れの度合が所定範囲内に収まった候補ライン５Ａを、基準ライン５Ｂとして加工対象物１に対して設定する。ここでは、クランク周期が閾値以上となるハーフカットＨｃが沿う候補ライン５Ａを、基準ライン５Ｂとして設定する。
【００８９】
図１８に示されるように、第２実施形態に係るレーザ加工方法（加工対象物切断方法）は、上記Ｓ１０において、以下のとおり基準ライン５Ｂを設定する。すなわち、まず、基板１２をステージ１１１の支持台１０７上に載置する。オリエンテーションフラットＯＦに対して平行な（又はθ方向に基準角度だけ傾く）候補ライン５Ａを、標準加工ラインとして設定とする（Ｓ６１）。
【００９０】
続いて、非有効領域１６ｘの候補ライン５Ａに沿って、基板１２の内部にレーザ光Ｌを集光させつつ１又は複数回走査し、非有効領域１６ｘにおける基板１２の内部に１又は複数列の改質領域７を形成する。これにより、非有効領域１６ｘにおける基板１２の表面１２ａに到達するハーフカットＨｃを、当該候補ライン５Ａに沿って形成する（Ｓ６２）。そして、ハーフカットＨｃを含む表面画像を表面観察ユニット２１１によって撮像し、制御部２５０の記憶部（ＲＯＭ又はＲＡＭ）に記憶する。
【００９１】
続いて、制御部２５０により、記憶した表面画像に画像認識処理を施し、そのハーフカットＨｃの状態を認識して評価する（Ｓ６３）。ハーフカットＨｃのクランク周期が閾値以上であるか否かを判定する（Ｓ６４）。上記Ｓ６４でＮＯの場合（クランク周期が閾値よりも小さい場合）、認識結果に応じて候補ライン５Ａのθ方向における角度を変更し、新たな候補ライン５Ａを設定する（Ｓ６５）。
【００９２】
上記Ｓ６５では、平面視において、ハーフカットＨｃの振れの方向に候補ライン５Ａが回転するθ方向の向き（正方向か又は負方向か）を、指定回転方向として求める。ハーフカットＨｃのクランク周期から、予め設定されたデータ関数又はデータテーブルを用い、指定回転角度を求める。指定回転方向に指定角度ずれるように、θ方向における候補ライン５Ａの角度を変更する。上記Ｓ６５の後、上記Ｓ６２へ戻る。
【００９３】
なお、閾値は、結晶方位Ｋの方向と候補ライン５Ａの方向との角度ずれΔθが十分に小さいときのクランク周期に基づいて設定できる。データ関数又はデータテーブルは、結晶方位Ｋに対して候補ライン５Ａが成す角度とクランク周期（ハーフカットＨｃの振れの度合）との相関関係６６（図１９（ｂ）参照）に関するデータである。閾値とデータ関数又はデータテーブルとは、制御部２５０の記憶部（ＲＯＭ）に記憶されている。ちなみに、θ方向におけるクランク形状の振れ側へ加工ライン５を回転することは、θ方向におけるクランク形状の振れ側と反対側へ加工対象物１を回転することと同義である。
【００９４】
上記Ｓ６４でＹＥＳの場合（クランク周期が閾値以上の場合）、現在の候補ライン５Ａを基準ライン５Ｂとして設定し、設定した基準ライン５Ｂの方向を結晶方位Ｋとして制御部２５０の記憶部に記憶する（Ｓ６６）。
【００９５】
図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示される例においては、まず、候補ライン５Ａ１に沿ってレーザ加工され、ハーフカットＨｃが形成される。当該ハーフカットＨｃのクランク周期Ｃ１は閾値αよりも小さいことから、候補ライン５Ａ２が新たに設定される。続いて、候補ライン５Ａ２に沿ってレーザ加工され、ハーフカットＨｃが形成される。当該ハーフカットＨｃのクランク周期Ｃ２は閾値αよりも未だ小さいことから、候補ライン５Ａ３が新たに設定される。続いて、候補ライン５Ａ３に沿ってレーザ加工され、ハーフカットＨｃが形成される。当該ハーフカットＨｃのクランク周期Ｃ３は閾値α以上であり、よって、当該候補ライン５Ａ３が基準ライン５Ｂと設定される。その後、上記２０では、基準ライン５Ｂに沿って複数のマークＭを形成される。
【００９６】
以上、本実施形態においても、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断して複数のチップを得た場合に、その切断面を平滑化ひいては鏡面化できるという上記効果が奏される。
【００９７】
本実施形態では、制御部２５０によりハーフカットＨｃの振れの度合が所定範囲内に収まる（ここでは、クランク周期が閾値αとなる）まで、複数の候補ライン５Ａを加工対象物１に対して順次に設定する。そして、ハーフカットＨｃの振れの度合が所定範囲内に収まった候補ライン５Ａを、基準ライン５Ｂとして設定する。これにより、加工対象物１に対する基準ライン５Ｂの設定を、所望の精度で実施することができる。例えば、閾値αを結晶方位Ｋと候補ライン５Ａの方向とが一致するときに対応する値とすることで、結晶方位Ｋと基準ライン５Ｂとの高い一致精度を実現できる。
【００９８】
本実施形態では、制御部２５０により、加工対象物１に設けられたオリエンテーションフラットＯＦを基準として、最初の候補ライン５Ａ１を加工対象物１に対して設定する。つまり、オリエンテーションフラットＯＦと平行な標準加工ラインを設定し、この標準加工ラインを基準に候補ライン５Ａ１を設定する。この場合、加工対象物１ごとに候補ライン５Ａの設定がばらつくのを抑制することができる。
【００９９】
本実施形態の制御部２５０は、結晶方位Ｋに対して候補ライン５Ａが成す角度とハーフカットＨｃの振れの度合との相関関係６６（データ関数又はデータテーブル）を記憶する記憶部を有している。これにより、上記Ｓ６５において新たな候補ライン５Ａを設定するときに、当該相関関係６６を指標とすることができる。その結果、基準ライン５Ｂが設定されるまでに順次に設定される候補ライン５Ａの本数を、減少させることができる。
【０１００】
次に、第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態の説明では、上記第１実施形態と異なる点について説明する。
【０１０１】
本実施形態において、制御部２５０は、ストリート領域１７の幅方向（ストリート領域１７の延在方向と直交する方向、以下、「ストリート幅方向」という）において切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まる位置に、切断予定ライン５Ｃを設定する。また、制御部２５０は、ストリート幅方向において切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まらない場合、ストリート領域１７からはみ出た切断予定ライン５Ｃが交差する機能素子１５ａ´（図２１（ｂ）参照）の数が所定数以下となる又は最も少なくなる位置に、切断予定ライン５Ｃを設定する。
【０１０２】
本実施形態に係るレーザ加工方法（加工対象物切断方法）について、図２０のフローチャートを参照しつつ説明する。まず、加工対象物１を用意する（図２１参照）。ここでの加工対象物１は、デバイス形成済みウェハであって、基板１２と、基板１２の表面１２ａ上に配列された複数の機能素子１５ａを含む機能素子層１５と、を有している。隣り合う機能素子１５ａの間には、ストリート領域１７が形成されている。複数の機能素子１５ａは、オリエンテーションフラットＯＦの平行方向及び垂直方向に並設されている。ストリート領域１７は、オリエンテーションフラットＯＦの平行方向及び垂直方向に延在している。
【０１０３】
続いて、基板１２の結晶方位Ｋを特定する（Ｓ７１）。上記Ｓ７１では、上記Ｓ１１〜上記Ｓ１７の処理と同様な処理を行い、結晶方位Ｋを特定することができる。すなわち、加工対象物１をステージ１１１の支持台１０７上に載置する。オリエンテーションフラットＯＦに対して平行な候補ライン５Ａを標準加工ラインとして設定する。標準加工ラインに対してθ方向に指定角度ずれるようにθ方向における候補ライン５Ａの角度を変更する。候補ライン５Ａに沿って、レーザ光Ｌを加工対象物１内に集光させつつ１又は複数回走査する。これにより、基板１２の内部に１又は複数列の改質領域７を形成し、ハーフカットＨｃを当該候補ライン５Ａに沿って形成する。ハーフカットＨｃを含む表面画像を表面観察ユニット２１１によって撮像し、制御部２５０の記憶部（ＲＯＭ又はＲＡＭ）に記憶する。
【０１０４】
このような候補ライン５Ａの角度の変更及びハーフカットＨｃの形成に係るレーザ加工を、予め設定された所定回数繰り返し実行する。記憶した複数の表面画像に画像認識処理を施し、複数のハーフカットＨｃそれぞれのクランク周期を認識する。クランク周期のうち最も大きいクランク周期のハーフカットＨｃを選択し、選択した当該ハーフカットＨｃに対応する候補ライン５Ａの方向を、結晶方位Ｋとして特定する。
【０１０５】
或いは、上記７１では、上記Ｓ６１〜上記Ｓ６６の処理と同様な処理を行い、結晶方位Ｋを特定することができる。すなわち、加工対象物１をステージ１１１の支持台１０７上に載置する。オリエンテーションフラットＯＦに対して平行な候補ライン５Ａを標準加工ラインとして設定する。候補ライン５Ａに沿って、レーザ光Ｌを加工対象物１内に集光させつつ１又は複数回走査する。これにより、基板１２の内部に１又は複数列の改質領域７を形成し、ハーフカットＨｃを当該候補ライン５Ａに沿って形成する。ハーフカットＨｃを含む表面画像を表面観察ユニット２１１によって撮像し、制御部２５０の記憶部（ＲＯＭ又はＲＡＭ）に記憶する。
【０１０６】
記憶した表面画像に画像認識処理を施し、そのハーフカットＨｃのクランク周期を認識する。認識したクランク周期が閾値以上となるまで、θ方向における角度を変更した新たな候補ライン５Ａの設定、上記ハーフカットＨｃの形成、上記表面画像の撮像、及び、上記クランク周期の認識を繰り返す。クランク周期が閾値α以上の場合、このクランク周期のハーフカットＨｃに対応する候補ライン５Ａの方向を、結晶方位Ｋとして特定する。
【０１０７】
続いて、結晶方位Ｋとストリート領域１７の延在方向とが一致するか否かを判定する（Ｓ７２）。上記Ｓ７２でＹＥＳの場合、標準加工ライン、つまり、オリエンテーションフラットＯＦに対して平行及び垂直な方向に延びる格子状の切断予定ライン５Ｃを設定する（Ｓ７３）。上記Ｓ７２でＮＯの場合、結晶方位Ｋと平行で且つストリート領域１７の延在方向に対して傾斜する切断予定ライン５Ｃを、加工対象物１に設定する（Ｓ７４）。上記Ｓ７３又は上記Ｓ７４の後、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断し、複数の半導体チップを形成する（Ｓ７５）。
【０１０８】
図２１（ａ）は、加工対象物１に設定された切断予定ライン５Ｃの例を示す図である。図中では、加工対象物１の表面３をＺ方向から見た状態が示されている。図２１（ａ）に示されるように、上記Ｓ７４では、ストリート幅方向において、切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まる位置に切断予定ライン５Ｃを設定する。
【０１０９】
例えば１つの切断予定ライン５Ｃに関する設定について詳説すると、まず、結晶方位Ｋと平行な切断予定ライン５Ｃをストリート幅方向に沿って移動させ、切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７からはみ出ない（機能素子１５ａと交差しない）ときの位置を、切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まる位置として決定する。決定した当該位置に切断予定ライン５Ｃを設定する。
【０１１０】
図２１（ｂ）は、加工対象物１に設定された切断予定ライン５Ｃの他の例を示す図である。図中では、加工対象物１の表面３をＺ方向から見た状態が示されている。図２１（ｂ）に示されるように、上記Ｓ７４では、ストリート幅方向において切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まらない場合、ストリート領域１７からはみ出た（ストリート領域１７外へ進出した）切断予定ライン５Ｃが交差する機能素子１５ａ´の数が、所定数以下又は最も少なくなる位置に、切断予定ライン５Ｃを設定する。
【０１１１】
例えば１つの切断予定ライン５Ｃに関する設定について詳説すると、まず、結晶方位Ｋと平行な切断予定ライン５Ｃをストリート幅方向に沿って移動させ、切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７からはみ出ないときの位置が存在しないとき、切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まらないと判定する。ここで、切断予定ライン５Ｃをストリート幅方向に移動させるに連れて、ストリート領域１７からはみ出た切断予定ライン５Ｃと交差する機能素子１５ａ´の数は変化する。よって、切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まらない場合には、切断予定ライン５Ｃのストリート幅方向における位置と切断予定ライン５Ｃと交差する機能素子１５ａ´との関係を演算する。そして、演算した関係に基づいて、切断予定ライン５Ｃと交差する機能素子１５ａ´の数が所定数以下又は最も少なくなる位置を決定する。決定した当該位置に切断予定ライン５Ｃを設定する。所定数は、予め設定された値であり、固定値又は変動値であってもよく、例えば経験、実験又は要求仕様等の観点から設定できる。
【０１１２】
以上、本実施形態においても、ストリート領域１７の延在方向が結晶方位Ｋと一致していない場合、結晶方位Ｋと平行で且つストリート領域１７の延在方向に対して傾斜する切断予定ライン５Ｃを加工対象物に設定する。よって、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断して複数のチップを得た場合に、その切断面を平滑化ひいては鏡面化できるという上記効果が奏される。
【０１１３】
候補ライン５Ａに沿って基板１２内に改質領域７を形成してハーフカットＨｃを形成する場合、このハーフカットＨｃにおける振れの度合が小さいほど、当該候補ライン５Ａの方向と結晶方位Ｋとの間の角度ずれΔθが小さいことが見出される。この知見の下、本実施形態では、候補ライン５Ａに沿うハーフカットＨｃの状態に基づき、結晶方位Ｋを特定する。これにより、結晶方位Ｋを精度よく特定することが可能となる。
【０１１４】
本実施形態では、ストリート領域１７の幅方向において切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まる位置に、切断予定ライン５Ｃを設定する。これにより、加工対象物１を切断して複数のチップを得る場合に、不良となるチップの数を低減することができる。
【０１１５】
本実施形態では、ストリート領域１７の幅方向において切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まらない場合、ストリート領域１７からはみ出た切断予定ライン５Ｃが交差する機能素子１５ａの数が所定数以下となる位置に、切断予定ライン５Ｃを設定する。これにより、加工対象物１を切断して複数のチップを得る場合において、切断予定ライン５Ｃがストリート領域１７内に収まらないときでも、不良となるチップの数を低減することができる。
【０１１６】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用してもよい。
【０１１７】
上記本実施形態では、切断予定ライン５Ｃに沿って加工対象物１の内部に改質領域７を形成することにより、加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断したが、加工対象物１の切断する工程及び構成は特に限定されない。例えば、切断予定ライン５Ｃに沿ってダイシングブレードによるブレードダイシングを行って加工対象物１を切断する工程及び構成を備えていてもよい。例えば、切断予定ライン５Ｃに沿ってアブレーション加工を行って加工対象物１を切断する工程及び構成を備えていてもよい。加工対象物１を切断予定ライン５Ｃに沿って切断できるものであれば、公知の工程及び構成（装置）を採用することができる。
【０１１８】
上記実施形態において、結晶方位Ｋの特定する工程及び構成は限定されない。例えば、基板１２を断面観察することにより結晶方位Ｋを特定する工程及び構成であってもよい。結晶方位Ｋの特定する工程及び構成としては、結晶方位Ｋの特定できるものであれば、公知の工程及び構成（装置）を採用することができる。
【０１１９】
上記実施形態では、加工対象物１の内部において厚さ方向の位置が互いに異なる改質領域７を１列のみ形成してもよいし、２列以上形成してもよい。また、上記実施形態では、「レーザ光入射面」を表面３（表面１２ａ）とし、「レーザ光入射面の反対面」を裏面２１としたが、裏面２１が「レーザ光入射面」とされる場合、表面３が「レーザ光入射面の反対面」となる。上記実施形態において、「一致」には、完全一致だけでなく、略一致が含まれる。また「一致」には、設計誤差、製造誤差及び計測誤差が含まれる。
【０１２０】
本発明は、上記加工対象物切断装置又は上記加工対象物切断方法により製造されたチップとして捉えることもできる。本発明は、オリエンテーションフラットＯＦと平行な方向に沿って加工ライン５を設定する場合にのみ適用されてもよいし、オリエンテーションフラットＯＦと垂直な方向に沿って加工ライン５を設定する場合にのみ適用されてもよい。更に、本発明は、オリエンテーションフラットＯＦと平行な方向及び垂直な方向に沿って加工ライン５を設定する場合に適用されてもよい。上記において、制御部２５０は、切断予定ライン設定部を構成する。また、制御部２５０は、結晶方位特定部における候補ライン設定部、動作制御部及び特定部を構成する。また、制御部２５０は、切断部における動作制御部を構成する。
【符号の説明】
【０１２１】
１…加工対象物、３，１２ａ…表面、５Ａ…候補ライン、５Ｃ…切断予定ライン、７…改質領域、１２…基板、１５ａ，１５ａ´…機能素子、１７…ストリート領域、１００，３００…レーザ加工装置（加工対象物切断装置）、１０７…支持台（結晶方位特定部）、２０２…レーザ光源（結晶方位特定部）、２０４…集光光学系（結晶方位特定部）、２１１…表面観察ユニット（撮像部，結晶方位特定部）、２４０…表示部、２５０…制御部（結晶方位特定部，切断予定ライン設定部，切断部，候補ライン設定部，動作制御部，特定部）、Ｈｃ…ハーフカット（亀裂）、Ｋ…結晶方位、Ｌ…レーザ光、Ｍ…マーク（基準マーク）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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