(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、
前記基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、
前記飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、
前記飛散防止部材を前記収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、
排気系とを備え、
前記飛散防止部材は、
前記基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、
前記第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、
前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材とを連結する連結部材と、
前記第１の環状空間の上部を覆うように前記第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、
前記第１の内壁部材と前記外側上部材との間に前記基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、
前記収容部材は、
前記内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、
前記第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、
前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、
前記飛散防止部材の前記第１の環状空間と前記第２の環状空間とが連通するように、前記飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に前記収容部材の前記第２の環状空間に収容され、
前記排気系は、前記環状開口が前記基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、前記環状開口、前記第１の環状空間および前記第２の環状空間を通して前記内部空間の気体を吸引して前記第２の環状空間から排出するように設けられ、
前記連結部材は、前記第１の内壁部材の下端と前記第１の外壁部材の下端とを連結する環状板部材を含み、
前記環状板部材は、前記第１の環状空間と前記第２の環状空間とを連通させる複数の連通開口を有し、
前記複数の連通開口は、周方向に分散的に配置された複数の連通孔を含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記排気系は、前記収容部材の一部分において前記第２の環状空間に連通するように設けられ、
前記複数の連通孔は、隣り合う連通孔の間隔が前記収容部材の前記一部分から遠ざかるにつれて小さくなるように配置される、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板処理装置であって、
基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、
前記基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、
前記飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、
前記飛散防止部材を前記収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、
排気系とを備え、
前記飛散防止部材は、
前記基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、
前記第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、
前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材とを連結する連結部材と、
前記第１の環状空間の上部を覆うように前記第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、
前記第１の内壁部材と前記外側上部材との間に前記基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、
前記収容部材は、
前記内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、
前記第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、
前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、
前記飛散防止部材の前記第１の環状空間と前記第２の環状空間とが連通するように、前記飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に前記収容部材の前記第２の環状空間に収容され、
前記排気系は、前記環状開口が前記基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、前記環状開口、前記第１の環状空間および前記第２の環状空間を通して前記内部空間の気体を吸引して前記第２の環状空間から排出するように設けられ、
前記基板処理装置は、
前記第２の外壁部材の外周面の一部領域に接する空間を排気空間として取り囲むように形成された排気空間形成部材と、
排液系とをさらに備え、
前記第２の外壁部材の前記一部領域に前記第２の環状空間と前記排気空間とを連通させる第１の開口が設けられ、
前記排気空間形成部材に前記排気空間と前記排気系とを連通させる第２の開口が設けられ、
前記第２の開口は前記第１の開口よりも高い位置にあり、
前記収容部材の前記底部材に前記第２の環状空間と前記排液系とを連通させる排液口が設けられる、基板処理装置。
【請求項４】
基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、
前記基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、
前記飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、
前記飛散防止部材を前記収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、
排気系とを備え、
前記飛散防止部材は、
前記基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、
前記第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、
前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材とを連結する連結部材と、
前記第１の環状空間の上部を覆うように前記第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、
前記第１の内壁部材と前記外側上部材との間に前記基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、
前記収容部材は、
前記内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、
前記第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、
前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、
前記飛散防止部材の前記第１の環状空間と前記第２の環状空間とが連通するように、前記飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に前記収容部材の前記第２の環状空間に収容され、
前記排気系は、前記環状開口が前記基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、前記環状開口、前記第１の環状空間および前記第２の環状空間を通して前記内部空間の気体を吸引して前記第２の環状空間から排出するように設けられ、
前記外側上部材は、前記第１の外壁部材の上端から、外方かつ上方に湾曲し、さらに内方に湾曲して前記第１の環状空間の上部を覆うとともに前記環状開口の上縁を形成する、基板処理装置。
【請求項５】
前記飛散防止部材は、前記第１の内壁部材から外方かつ上方に湾曲し、さらに内方に湾曲して前記環状開口の下縁を形成する内側上部材をさらに含む、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、
前記基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、
前記飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、
前記飛散防止部材を前記収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、
排気系とを備え、
前記飛散防止部材は、
前記基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、
前記第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、
前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材とを連結する連結部材と、
前記第１の環状空間の上部を覆うように前記第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、
前記第１の内壁部材と前記外側上部材との間に前記基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、
前記収容部材は、
前記内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、
前記第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、
前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、
前記飛散防止部材の前記第１の環状空間と前記第２の環状空間とが連通するように、前記飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に前記収容部材の前記第２の環状空間に収容され、
前記排気系は、前記環状開口が前記基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、前記環状開口、前記第１の環状空間および前記第２の環状空間を通して前記内部空間の気体を吸引して前記第２の環状空間から排出するように設けられ、
前記基板保持装置は、
前記鉛直軸の周りで回転可能に構成されるとともに、基板の下面中央部を吸着する吸着保持部と、
前記吸着保持部を回転させる第１の回転駆動部とを含む、基板処理装置。
【請求項７】
基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、
前記基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、
前記飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、
前記飛散防止部材を前記収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、
排気系とを備え、
前記飛散防止部材は、
前記基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、
前記第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、
前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように前記第１の内壁部材と前記第１の外壁部材とを連結する連結部材と、
前記第１の環状空間の上部を覆うように前記第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、
前記第１の内壁部材と前記外側上部材との間に前記基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、
前記収容部材は、
前記内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、
前記第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、
前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように前記第２の内壁部材と前記第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、
前記飛散防止部材の前記第１の環状空間と前記第２の環状空間とが連通するように、前記飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に前記収容部材の前記第２の環状空間に収容され、
前記排気系は、前記環状開口が前記基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、前記環状開口、前記第１の環状空間および前記第２の環状空間を通して前記内部空間の気体を吸引して前記第２の環状空間から排出するように設けられ、
前記基板保持装置は、
前記鉛直軸の周りで回転可能に構成された回転部材と、
前記回転部材を回転させる第２の回転駆動部と、
前記回転部材の下方に配置されるとともに基板の外周端部に当接することにより基板を保持する当接保持部とを含む、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板処理装置においては、例えばスピンチャックにより回転される基板の表面（上面）に処理液が供給される。スピンチャックにより保持される基板を取り囲むように飛散防止部材が設けられる。供給された処理液のうち基板から飛散する処理液は、飛散防止部材により受け止められる。このとき、基板から飛散する処理液の飛沫およびミストが基板の裏面（下面）に付着する可能性がある。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載された回転式表面処理装置においては、スピンチャックの下方に傾斜整流面を有する円形の整流部材が設けられる。また、飛散防止カップ（飛散防止部材）を取り囲むように外カップが設けられる。飛散防止カップと外カップとの間に上方からの気流を流通させる迂回経路が形成される。迂回経路は、スピンチャックにより保持される基板の裏面と整流部材の傾斜整流面との間の空間に連通する。
【０００５】
この場合、処理室内の下降気流により飛散防止カップと外カップとの間に流れ込む気体が、迂回経路を通して基板の裏面と整流部材の傾斜整流面との間に導かれる。導かれた気体は、基板の下方で基板の中心から周縁部に向かうように流れる。それにより、基板の裏面に処理液の飛沫およびミストが回りこむことが防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平３−１７５６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
処理室内に形成される下降気流の状態は、処理室の内部空間において均一かつ一定に保たれるとは限らない。飛散防止カップと外カップとの間に流れ込む気体の流量が小さいと、基板の下方に処理液の飛沫およびミストが回りこむことを防止するために十分な気流を発生させることができない。また、スピンチャックにより保持される基板上から飛散防止カップの内側に流れ込む気体の流量が大きいと、基板の外周端部周辺に乱流が発生する。発生された乱流により基板の外周端部から外方に飛散する処理液の飛沫およびミストが基板の下面側の空間に戻ると、基板の下面に処理液が再付着する。
【０００８】
本発明の目的は、基板の下面への処理液の再付着を防止することが可能な基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、飛散防止部材を収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、排気系とを備え、飛散防止部材は、基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結する連結部材と、第１の環状空間の上部を覆うように第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、収容部材は、内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、飛散防止部材の第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように、飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に収容部材の第２の環状空間に収容され、排気系は、環状開口が基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して内部空間の気体を吸引して第２の環状空間から排出するように設けられ、連結部材は、第１の内壁部材の下端と第１の外壁部材の下端とを連結する環状板部材を含み、環状板部材は、第１の環状空間と第２の環状空間とを連通させる複数の連通開口を有し、複数の連通開口は、周方向に分散的に配置された複数の連通孔を含む。
【００１０】
その基板処理装置の飛散防止部材においては、連結部材が第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結することにより、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成される。第１の環状空間の上部は、第１の外壁部材につながる環状の外側上部材により覆われる。第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成される。
【００１１】
また、収容部材においては、底部材が第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結することにより、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成される。第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に第２の環状空間に収容される。
【００１２】
基板の処理時には、飛散防止部材が収容部材に対して上下方向に移動されることにより、環状開口が基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向する。この状態で、鉛直軸の周りで回転される基板に処理液が供給される。このとき、内部空間の気体が、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して排気系により吸引される。それにより、回転される基板の外周端部から環状開口に向かう気体の流れが形成される。このとき、基板の外周端部と環状開口との間を通って基板の下方に向かう気体の流れが遮断されるので、内部空間に乱流が発生することが防止される。回転される基板の外周端部から外方に飛散する処理液の飛沫およびミストが気体とともに環状開口から第１の環状空間内に引き込まれ、第２の環状空間を通して排気系に導かれる。この場合、内部空間が第１の内壁部材および第２の内壁部材により取り囲まれているので、排気系に導かれる気体ならびに処理液の飛沫およびミストが基板の下面側の空間に戻ることが防止される。さらに、第１の環状空間を形成する飛散防止部材の下部が第２の環状空間を形成する収容部材に収容された状態で飛散防止部材が上下方向に移動することができるので、第１の環状空間と第２の環状空間との境界部分から内部空間に気体ならびに処理液の飛沫およびミストが漏れ出ることが防止される。その結果、基板から飛散する処理液が基板の下面に再付着することが防止される。
【００１３】
連結部材は、第１の内壁部材の下端と第１の外壁部材の下端とを連結する環状板部材を含み、環状板部材は、第１の環状空間と第２の環状空間とを連通させる複数の連通開口を有する。
【００１４】
この場合、簡単な構成で第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結するとともに、第１の環状空間と第２の環状空間とを連通させることができる。
【００１５】
複数の連通開口は、周方向に分散的に配置された複数の連通孔を含む。
【００１６】
この場合、第１の環状空間内の気体ならびに処理液の飛沫およびミストが第２の環状空間の全体にほぼ均一に導かれる。それにより、環状開口での気体の吸引力が周方向に分散される。その結果、基板の全周から飛散する処理液の飛沫およびミストが環状開口から第１の環状空間内に引き込まれる。
【００１７】
（２）排気系は、収容部材の一部分において第２の環状空間に連通するように設けられ、複数の連通孔は、隣り合う連通孔の間隔が収容部材の一部分から遠ざかるにつれて小さくなるように配置されてもよい。
【００１８】
この場合、第２の環状空間での排気系による吸引力は排気系から遠ざかるにつれて低下する。そこで、上記の構成では、排気系から遠ざかるにつれて隣り合う連通孔の間隔が小さくされる。それにより、排気系を複数個所に設けることなく、第１の環状空間から気体ならびに処理液の飛沫およびミストを第２の環状空間の全体にほぼ均一に導くことが可能となる。
【００１９】
（３）第２の発明に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、飛散防止部材を収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、排気系とを備え、飛散防止部材は、基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結する連結部材と、第１の環状空間の上部を覆うように第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、収容部材は、内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、飛散防止部材の第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように、飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に収容部材の第２の環状空間に収容され、排気系は、環状開口が基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して内部空間の気体を吸引して第２の環状空間から排出するように設けられ、基板処理装置は、第２の外壁部材の外周面の一部領域に接する空間を排気空間として取り囲むように形成された排気空間形成部材と、排液系とをさらに備え、第２の外壁部材の一部領域に第２の環状空間と排気空間とを連通させる第１の開口が設けられ、排気空間形成部材に排気空間と排気系とを連通させる第２の開口が設けられ、第２の開口は第１の開口よりも高い位置にあり、収容部材の底部材に第２の環状空間と排液系とを連通させる排液口が設けられる。
【００２０】
この場合、第２の環状空間に導かれた処理液の飛沫およびミストの大部分は、重力により収容部材の底部材の排液口に導かれる。一方、第２の環状空間に導かれた気体は、第１の開口を通して排気空間に導かれ、さらに第２の開口を通して排気系に導かれる。上記の構成では、第２の開口が第１の開口よりも高い位置にあるので、気体とともに排気系に導かれる処理液の飛沫およびミストの量が低減される。したがって、処理液を効率的に回収することができる。
【００２１】
（４）第３の発明に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、飛散防止部材を収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、排気系とを備え、飛散防止部材は、基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結する連結部材と、第１の環状空間の上部を覆うように第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、収容部材は、内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、飛散防止部材の第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように、飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に収容部材の第２の環状空間に収容され、排気系は、環状開口が基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して内部空間の気体を吸引して第２の環状空間から排出するように設けられ、外側上部材は、第１の外壁部材の上端から、外方かつ上方に湾曲し、さらに内方に湾曲して第１の環状空間の上部を覆うとともに環状開口の上縁を形成する。
【００２２】
この場合、環状開口から第１の環状空間に引き込まれる気体ならびに処理液の飛沫およびミストは、外側上部材の内周面に沿って下方に円滑に導かれる。また、環状開口に面する外側上部材の内周面が外方に膨らむように湾曲しているので、外側上部材の内周面に衝突した気体ならびに処理液の飛沫およびミストが環状開口に戻る方向に反射されることなく、湾曲した内周面で受け止められる。したがって、環状開口内に引き込まれた気体ならびに処理液の飛沫およびミストが環状開口から漏れ出ることが防止される。
【００２３】
（５）飛散防止部材は、第１の内壁部材から外方かつ上方に湾曲し、さらに内方に湾曲して環状開口の下縁を形成する内側上部材をさらに含んでもよい。
【００２４】
この場合、外側上部材および内側上部材により環状開口の上縁および下縁から基板と略平行に延びて第１の環状空間につながる通路が形成される。それにより、基板の外周端部から環状開口に向かうように基板に平行な気体の流れが容易に形成される。
【００２５】
（６）第４の発明に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、飛散防止部材を収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、排気系とを備え、飛散防止部材は、基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結する連結部材と、第１の環状空間の上部を覆うように第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、収容部材は、内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、飛散防止部材の第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように、飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に収容部材の第２の環状空間に収容され、排気系は、環状開口が基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して内部空間の気体を吸引して第２の環状空間から排出するように設けられ、基板保持装置は、鉛直軸の周りで回転可能に構成されるとともに、基板の下面中央部を吸着する吸着保持部と、吸着保持部を回転させる第１の回転駆動部とを含む。
【００２６】
その構成によれば、基板の下面中央部が吸着により保持された状態で基板の上面に処理液が供給される場合に、基板の下面に処理液が再付着することを防止することができる。
【００２７】
（７）第５の発明に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、飛散防止部材を収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、排気系とを備え、飛散防止部材は、基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結する連結部材と、第１の環状空間の上部を覆うように第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、収容部材は、内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、飛散防止部材の第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように、飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に収容部材の第２の環状空間に収容され、排気系は、環状開口が基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して内部空間の気体を吸引して第２の環状空間から排出するように設けられ、基板保持装置は、鉛直軸の周りで回転可能に構成された回転部材と、回転部材を回転させる第２の回転駆動部と、回転部材の下方に配置されるとともに基板の外周端部に当接することにより基板を保持する当接保持部とを含む。
【００２８】
その構成によれば、当接保持部が基板の外周端部に当接することにより回転部材の下方で基板が保持される状態で基板の下面に処理液が供給される場合に、基板の下面に処理液の飛沫が付着することを防止することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基板の下面への処理液の再付着を防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図５】洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図６】図５の洗浄乾燥処理ユニットに用いられる下部スピンチャックおよびその周辺部材の構成を説明するための概略平面図である。
【図７】図５の洗浄乾燥処理ユニットに用いられる上部スピンチャックの構成を説明するための概略平面図である。
【図８】飛散防止カップ、収容部材および排気空間形成部材の構造を示す一部切り欠き斜視図である。
【図９】飛散防止カップ、収容部材および排気空間形成部材の構造を示す一部切り欠き斜視図である。
【図１０】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１１】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１２】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１３】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１４】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１５】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１６】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１７】洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１８】下部スピンチャックにより基板が回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。
【図１９】第１の比較例に係る飛散防止カップを用いた場合に下部スピンチャックにより基板が回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。
【図２０】上部スピンチャックにより基板が回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。
【図２１】第２の比較例に係る飛散防止カップを用いた場合に上部スピンチャックにより基板が回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３２】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【００３３】
図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００３４】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。なお、露光装置１５においては、液体を用いずに基板Ｗの露光処理が行われてもよい。
【００３５】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【００３６】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００３７】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。
【００３８】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。
【００３９】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
【００４０】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。
【００４１】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００４２】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００４３】
（２）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００４４】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１，３３の各々には現像処理ユニット１３９が設けられ、塗布処理室３２，３４の各々には塗布処理ユニット１２９が設けられる。
【００４５】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびその処理液ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。
【００４６】
塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。
【００４７】
塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９においては、レジストカバー膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００４８】
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００４９】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００５０】
洗浄乾燥処理部１６１には、洗浄乾燥処理室８１，８２，８３，８４が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室８１〜８４の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の詳細は後述する。
【００５１】
塗布処理室２１〜２４，３２，３４、現像処理室３１，３３および洗浄乾燥処理室８１〜８４の各々には、給気ユニット９８および排気ユニット９９が設けられる。給気ユニット９８は、処理室の天井またはその近傍に設けられ、処理室内に温度および湿度が調整された清浄な空気を供給する。給気ユニット９８として、例えばファンフィルタユニットが用いられる。排気ユニット９９は、処理室の底部またはその近傍に設けられ、処理室内の雰囲気を工場内の排気設備に導く。給気ユニット９８から処理室内に供給された空気が排気ユニット９９から排気されることにより、処理室内に清浄な空気の下降流が形成される。
【００５２】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への処理液および現像液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等を含む。
【００５３】
（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００５４】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００５５】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
【００５６】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の周縁部の一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００５７】
洗浄乾燥処理部１６２には、洗浄乾燥処理室９１，９２，９３，９４，９５が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室９１〜９５の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１と同じ構成を有する。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。洗浄乾燥処理室９１〜９５の各々には、上記の洗浄乾燥処理室８１〜８４と同様に、給気ユニット９８および排気ユニット９９が設けられる。それにより、処理室内に清浄な空気の下降流が形成される。
【００５８】
（４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００５９】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００６０】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００６１】
搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６２】
搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６３】
搬送部１６３の搬送機構１４１（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２および洗浄乾燥処理部１６１（図２）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６４】
搬送部１６３の搬送機構１４２（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６２（図３）、上段熱処理部３０３（図３）および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６５】
（５）基板処理装置の動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００６６】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２１（図２）に順に搬送する。続いて、搬送機構１２７は、塗布処理室２１によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。
【００６７】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００６８】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。
【００６９】
搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２３（図２）に順に搬送する。続いて、搬送機構１２８は、塗布処理室２３によりレジスト膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。
【００７０】
また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００７１】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。この場合、塗布処理室３２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入される。続いて、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【００７２】
また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。
【００７３】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜が除去されるとともに基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００７４】
搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。
【００７５】
また、搬送機構１３８（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１、塗布処理室３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００７６】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）に搬送する。続いて、搬送機構１４１は、基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００７７】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送する。また、搬送機構１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【００７８】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。
【００７９】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【００８０】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２，３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４，３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【００８１】
（６）洗浄乾燥処理ユニットの構成
本発明において、基板Ｗの上面とは上方に向けられた基板Ｗの面をいい、基板Ｗの下面とは下方に向けられた基板Ｗの面をいう。また、基板Ｗの表面とは、反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜が形成される面（主面）をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。本実施の形態に係る基板処理装置１００の内部では、基板Ｗの表面が上方に向けられた状態で、基板Ｗに上記の各種処理が行われる。したがって、本実施の形態では、基板Ｗの表面が本発明の基板の上面に相当し、基板Ｗの裏面が本発明の基板の下面に相当する。
【００８２】
図５は洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図であり、図６は図５の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に用いられる下部スピンチャック４００およびその周辺部材の構成を説明するための概略平面図である。図５および図６では、下部スピンチャック４００により保持される基板Ｗが太い二点差線で示される。図７は、図５の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に用いられる上部スピンチャック６００の構成を説明するための概略平面図である。図７では、上部スピンチャック６００の一部の構成要素が模式的に示されるとともに、上部スピンチャック６００により保持される基板Ｗが太い二点差線で示される。
【００８３】
図５に示すように、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、給気ユニット９８の下方に設けられる。それにより、図５に白抜きの矢印で示すように、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１を取り囲む空間内には、清浄な空気の下降流が形成される。また、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、下部スピンチャック４００および上部スピンチャック６００を含む。上部スピンチャック６００は、下部スピンチャック４００の上方に設けられる。
【００８４】
下部スピンチャック４００は、スピンモータ４１０および吸着保持部４３０を含む。スピンモータ４１０は、例えば洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の底部に設けられる。スピンモータ４１０においては、上方に向かって延びるように回転軸４２０が設けられる。回転軸４２０の上端部に吸着保持部４３０が設けられる。吸着保持部４３０は、基板Ｗの裏面中央部を吸着可能に構成される。吸着保持部４３０が基板Ｗの裏面中央部を吸着することにより、基板Ｗが保持される。
【００８５】
図５および図６に示すように、下部スピンチャック４００の外方には、第１の裏面洗浄機構５１０、第２の裏面洗浄機構５２０、表面洗浄機構５４０および受渡機構７２０が設けられる。
【００８６】
下部スピンチャック４００に近接するように受渡機構７２０が設けられている。受渡機構７２０は、昇降駆動部７２１、ピン支持部材７２２および複数（本例では３つ）の昇降ピン７２３を含む。昇降駆動部７２１にピン支持部材７２２が取り付けられる。昇降駆動部７２１は、ピン支持部材７２２を鉛直方向に移動可能に支持する。ピン支持部材７２２に複数の昇降ピン７２３がそれぞれ鉛直方向に延びるように取り付けられる。複数の昇降ピン７２３は、等間隔で下部スピンチャック４００を取り囲むように配置される。複数の昇降ピン７２３の上端部が基板Ｗの裏面中央部と裏面周縁部との間の領域に当接することにより、基板Ｗが水平姿勢で支持される。
【００８７】
受渡機構７２０は、図１の制御部１１４により制御される。受渡機構７２０が動作することによりピン支持部材７２２が鉛直方向に移動する。それにより、複数の昇降ピン７２３の上端部が後述する３つの高さＬ１，Ｌ２，Ｌ３（図１０参照）の間で移動する。
【００８８】
第１の裏面洗浄機構５１０は、昇降駆動部５１１、昇降軸５１２、ブラシモータ５１３、ブラシ５１４およびノズル５１５を含む。昇降駆動部５１１に昇降軸５１２が鉛直方向に延びるように取り付けられる。昇降駆動部５１１は、昇降軸５１２を鉛直方向に移動可能に支持する。昇降軸５１２の上端部にブラシモータ５１３が設けられる。ブラシモータ５１３にブラシ５１４が取り付けられる。ブラシモータ５１３は、ブラシ５１４を鉛直軸の周りで回転可能に支持する。ブラシ５１４は、上方に向く洗浄面５１４Ｓを有する。
【００８９】
昇降駆動部５１１は、昇降軸５１２を鉛直方向に移動させる。それにより、ブラシ５１４の高さが変化する。また、ブラシモータ５１３は、ブラシ５１４を駆動する。それにより、ブラシ５１４が鉛直軸の周りで回転する。ノズル５１５には、図示しない洗浄液供給系が接続される。ノズル５１５は、洗浄液供給系から供給される洗浄液をブラシ５１４に向かって吐出可能に構成される。
【００９０】
図６に示すように、第１の裏面洗浄機構５１０は、下部スピンチャック４００を上方から見た場合に、ブラシ５１４の洗浄面５１４Ｓが下部スピンチャック４００により保持される基板Ｗの外周縁部および外周端部に重なるように配置される。第１の裏面洗浄機構５１０は、図１の制御部１１４により制御される。
【００９１】
図５および図６に示すように、第２の裏面洗浄機構５２０は、昇降回転駆動部５２１、昇降回転軸５２２、アーム５２３、ブラシ５２４およびノズル５２５を含む。昇降回転駆動部５２１に昇降回転軸５２２が鉛直方向に延びるように取り付けられる。昇降回転駆動部５２１は、昇降回転軸５２２を鉛直方向に移動可能かつ鉛直軸の周りで回転可能に支持する。昇降回転軸５２２の上端部に、アーム５２３が水平方向に延びるように連結される。アーム５２３の先端部にブラシ５２４が取り付けられる。ブラシ５２４は、上方に向く洗浄面５２４Ｓを有する。
【００９２】
昇降回転駆動部５２１は、昇降回転軸５２２を鉛直方向に移動させる。それにより、ブラシ５２４の高さが変化する。また、昇降回転駆動部５２１は、昇降回転軸５２２を回転させる。それにより、ブラシ５２４は、例えば吸着保持部４３０の回転中心ＷＣの上方位置と下部スピンチャック４００の外方位置との間を移動する。
【００９３】
アーム５２３の先端部近傍にノズル５２５が取り付けられる。ノズル５２５には、図示しない洗浄液供給系が接続される。ノズル５２５は、洗浄液供給系から供給される洗浄液をブラシ５２４に向かって吐出可能に構成される。第２の裏面洗浄機構５２０は、図１の制御部１１４により制御される。
【００９４】
上記のブラシ５１４，５２４としては、例えばポリビニルアルコールからなるスポンジブラシが用いられる。
【００９５】
図５および図６に示すように、表面洗浄機構５４０は、昇降回転駆動部５４１、昇降回転軸５４２、アーム５４３およびノズル５４４，５４５を含む。昇降回転駆動部５４１に昇降回転軸５４２が鉛直方向に延びるように取り付けられる。昇降回転駆動部５４１は、昇降回転軸５４２を鉛直方向に移動可能かつ鉛直軸の周りで回転可能に支持する。昇降回転軸５４２の上端部に、アーム５４３が水平方向に延びるように連結される。アーム５４３の先端部にノズル５４４，５４５が取り付けられる。
【００９６】
昇降回転駆動部５４１は、昇降回転軸５４２を鉛直方向に移動させる。それにより、ノズル５４４，５４５の高さが変化する。また、昇降回転駆動部５４１は、昇降回転軸５４２を回転させる。それにより、水平面内においてノズル５４４，５４５が吸着保持部４３０の回転中心ＷＣの上方位置と下部スピンチャック４００の外方位置との間を移動する。
【００９７】
ノズル５４４には、図示しない洗浄液供給系が接続される。ノズル５４４は、洗浄液供給系から供給される洗浄液を下方に向かって吐出可能に構成される。ノズル５４５には、図示しない気体供給系が接続される。ノズル５４５は、気体供給系から供給される気体を下方に向かって吐出可能に構成される。ここで、ノズル５４５に供給される気体としては、窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。表面洗浄機構５４０は、図１の制御部１１４により制御される。
【００９８】
図５および図７に示すように、上部スピンチャック６００は、スピンモータ６１１、円板状のスピンプレート６１２、プレート支持部材６１３、マグネットプレート６１４および複数のチャックピン６１５を含む。
【００９９】
スピンモータ６１１は、下部スピンチャック４００の上方の位置で図示しない支持部材によって支持されている。スピンモータ６１１においては、下方に延びるように回転軸６１１ａが設けられる。回転軸６１１ａの下端部にはプレート支持部材６１３が取り付けられている。プレート支持部材６１３によりスピンプレート６１２が水平に支持されている。スピンモータ６１１が回転軸６１１ａを回転させる。それにより、スピンプレート６１２が鉛直軸の周りで回転する。ここで、上部スピンチャック６００の回転軸６１１ａは、下部スピンチャック４００の回転軸４２０の延長線上に配置されている。
【０１００】
スピンモータ６１１、回転軸６１１ａおよびプレート支持部材６１３には、液供給管６１０ａが挿通されている。液供給管６１０ａを通して、上部スピンチャック６００により保持される基板Ｗの表面上に洗浄液を吐出することができる。
【０１０１】
スピンプレート６１２の周縁部に、複数（本例では５つ）のチャックピン６１５が回転軸６１１ａに関して等角度間隔で設けられている。チャックピン６１５の個数は、５つ以上であることが望ましい。
【０１０２】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート６１２を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート６１２の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
【０１０３】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
【０１０４】
スピンプレート６１２の上方に、回転軸６１１ａを中心とする周方向に沿って円環状のマグネットプレート６１４が配置される。マグネットプレート６１４は、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４は、マグネット昇降装置６１７によって昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
【０１０５】
マグネットプレート６１４の昇降により、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。具体的には、マグネットプレート６１４が上方位置にある場合、各チャックピン６１５は開状態となる。一方、マグネットプレート６１４が下方位置にある場合、各チャックピン６１５は閉状態となる。
【０１０６】
上記のノズル５１５，５２５，５４４および液供給管６１０ａから吐出される洗浄液としては、例えば純水、純水に錯体を溶かした液またはフッ素系薬液等が用いられる。また、洗浄液としては、露光装置１５において露光処理の際に用いられる液浸液を使用してもよい。
【０１０７】
図５および図６に示すように、下部スピンチャック４００、第１の裏面洗浄機構５１０、第２の裏面洗浄機構５２０および受渡機構７２０の外方に、飛散防止カップ８１０、収容部材８２０、カップ昇降装置８３０および排気空間形成部材８８０が設けられている。
【０１０８】
図６および図７に示すように、飛散防止カップ８１０は、下部スピンチャック４００または上部スピンチャック６００により保持される基板Ｗを含む空間を取り囲むように設けられる。以下の説明では、下部スピンチャック４００または上部スピンチャック６００により保持される基板Ｗおよびその基板Ｗよりも下方の空間を内部空間と呼ぶ。
【０１０９】
図５に示すように、飛散防止カップ８１０の下部は、上下方向に移動可能に収容部材８２０に収容される。カップ昇降装置８３０は、飛散防止カップ８１０を収容部材８２０に対して相対的に上下方向に移動させる。排気空間形成部材８８０は、収容部材８２０の側部に一体的に設けられている。飛散防止カップ８１０、収容部材８２０および排気空間形成部材８８０の詳細については後述する。
【０１１０】
収容部材８２０の底部に排液管８９１の一端が接続されている。排液管８９１の他端は、工場内の排液設備に接続されている。排気空間形成部材８８０に排気管８９２の一端が接続されている。排気管８９２の他端は、工場内の排気設備に接続されている。
【０１１１】
（７）飛散防止カップおよび収容部材の構造の詳細
図８および図９は、飛散防止カップ８１０、収容部材８２０および排気空間形成部材８８０の構造を示す一部切り欠き斜視図である。図８では、飛散防止カップ８１０および収容部材８２０が互いに分離された状態で示される。図９では、飛散防止カップ８１０の下部が収容部材８２０に収容された状態が示される。
【０１１２】
図８に示すように、飛散防止カップ８１０は、主として第１の内壁部材８１１ａ、内側上部材８１１ｂ、第１の外壁部材８１２ａ、外側上部材８１２ｂおよび環状板部材８１３から構成される。
【０１１３】
第１の内壁部材８１１ａは鉛直方向に延びる円筒形状を有する。第１の内壁部材８１１ａの内径は、基板Ｗの直径よりも大きい。第１の外壁部材８１２ａは、鉛直方向に延びる円筒形状を有し、第１の内壁部材８１１ａの外側を取り囲むように設けられる。
【０１１４】
環状板部材８１３は、第１の内壁部材８１１ａの内径と同じ内径を有するとともに第１の外壁部材８１２ａの外径と同じ外径を有する。環状板部材８１３には、複数の連通孔８１４が周方向に分散的に配置されている。環状板部材８１３は、第１の内壁部材８１１ａと第１の外壁部材８１２ａとの間に第１の環状空間８１０Ｓが形成されるように、第１の内壁部材８１１ａの下端と第１の外壁部材８１２ａの下端とを連結する。この状態で、第１の外壁部材８１２ａの上端は、第１の内壁部材８１１ａの上端よりも下方に位置する。
【０１１５】
第１の外壁部材８１２ａの内周面の一部に、環状の外側上部材８１２ｂの下部が接合される。外側上部材８１２ｂは、第１の外壁部材８１２ａの上端から、外方かつ上方に湾曲し、さらに内方に湾曲して第１の環状空間８１０Ｓの上部を覆うように形成されている。外側上部材８１２ｂの上端部内縁８１２ｅは、第１の内壁部材８１１ａの上方に位置する。
【０１１６】
第１の内壁部材８１１ａの外周面の一部に、環状の内側上部材８１１ｂの下部が接合される。内側上部材８１１ｂは、第１の内壁部材８１１ａの外周面のうち第１の外壁部材８１２ａの上端に対向する部分から、外方かつ上方に向かって湾曲し、さらに内方に向かって湾曲する。内側上部材８１１ｂの上端部内縁８１１ｅは、第１の内壁部材８１１ａの上端に接合される。
【０１１７】
飛散防止カップ８１０においては、外側上部材８１２ｂの上端部内縁８１２ｅと内側上部材８１１ｂの上端部内縁８１１ｅとの間に、環状開口８１０Ａが形成される。この場合、外側上部材８１２ｂの上端部内縁８１２ｅは環状開口８１０Ａの上縁を形成し、内側上部材８１１ｂの上端部内縁８１１ｅは環状開口８１０Ａの下縁を形成する。
【０１１８】
環状開口８１０Ａは、下部スピンチャック４００または上部スピンチャック６００により保持される基板Ｗの外周端部に対向可能に形成され、基板Ｗを含む内部空間と第１の環状空間８１０Ｓとを連通させる。
【０１１９】
なお、内側上部材８１１ｂは設けられなくてもよい。この場合、外側上部材８１２ｂの上端部内縁８１２ｅと第１の内壁部材８１１ａの上端との間に環状開口８１０Ａが形成される。
【０１２０】
収容部材８２０は、主として底板８２３の一部、第２の内壁部材８２１および第２の外壁部材８２２から構成される。第２の内壁部材８２１および第２の外壁部材８２２は鉛直方向に延びる円筒形状を有する。第２の内壁部材８２１の外径は、飛散防止カップ８１０の第１の内壁部材８１１ａの内径よりもわずかに小さい。第２の外壁部材８２２の内径は、飛散防止カップ８１０の第１の外壁部材８１２ａの外径よりもわずかに大きい。
【０１２１】
底板８２３の略中央部に下部スピンチャック４００（図５）のスピンモータ４１０（図５）を収容するためのモータカバー４９０が取り付けられる。そのモータカバー４９０を取り囲むように、底板８２３上に第２の内壁部材８２１の下端が接合される。第２の内壁部材８２１の外側を取り囲むように、底板８２３上に第２の外壁部材８２２の下端が接合される。この状態で、第２の内壁部材８２１と第２の外壁部材８２２との間に第２の環状空間８２０Ｓが形成される。
【０１２２】
底板８２３のうち第２の環状空間８２０Ｓに対向する領域の一部には、排液口８８１が形成されている。排液口８８１に図５の排液管８９１が接続される。
【０１２３】
第２の外壁部材８２２の下部には、第１の開口８２２Ｐが形成されている。開口８２２Ｐは、第２の外壁部材８２２の下縁に沿って一定長さ周方向に延びるように形成されている。
【０１２４】
排気空間形成部材８８０は、第２の外壁部材８２２の外周面の一部領域に接する空間を排気空間８８０Ｓとして取り囲むように形成されている。具体的には、排気空間形成部材８８０は、１枚の第１の板部材８８５、２枚の第２の板部材８８６および１枚の第３の板部材８８７を含む。第１の板部材８８５および第２の板部材８８６は、それぞれ矩形状を有する。なお、図８および図９では、２枚の第２の板部材８８６のうち一方のみが図示される。
【０１２５】
第１の板部材８８５は、第１の開口８２２Ｐに対向するとともに鉛直方向に平行となるように、第２の外壁部材８２２の外方の位置で底板８２３上に接合される。２枚の第２の板部材８８６は、第２の外壁部材８２２の外周面のうち周方向において第１の開口８２２Ｐを挟む２つの部分と第１の板部材８８５の両側部とをそれぞれつなぐように、底板８２３上に接合される。
【０１２６】
第１の板部材８８５、第２の板部材８８６および第２の外壁部材８２２の外周面で取り囲まれる排気空間８８０Ｓを上方から塞ぐように、第３の板部材８８７が、第１の板部材８８５、第２の板部材８８６および第２の外壁部材８２２に接合される。
【０１２７】
第１の板部材８８５のうち中央部よりもやや上方の部分に第２の開口８８２が形成されている。第２の開口８８２は、第１の開口８２２Ｐよりも高い位置にある。第２の開口８８２に図５の排気管８９２が接続される。
【０１２８】
図９に示すように、飛散防止カップ８１０の下部が収容部材８２０の第２の環状空間８２０Ｓに収容された状態で、飛散防止カップ８１０が図５のカップ昇降装置８３０により上下動可能に支持される。この状態で、飛散防止カップ８１０の第１の環状空間８１０Ｓは、環状板部材８１３の複数の連通孔８１４を通して収容部材８２０の第２の環状空間８２０Ｓに連通する。また、第２の環状空間８２０Ｓは、第２の外壁部材８２２の第１の開口８２２Ｐを通して排気空間形成部材８８０の排気空間８８０Ｓに連通する。
【０１２９】
基板Ｗの洗浄処理時には、環状開口８１０Ａが下部スピンチャック４００または上部スピンチャック６００により回転される基板Ｗの外周端部に対向する状態で、飛散防止カップ８１０が保持される。また、回転される基板Ｗに洗浄液が供給される。
【０１３０】
上記のように、図５の排気管８９２は、排気空間形成部材８８０の第２の開口８８２と工場内の排気設備とを接続する。この場合、図９に白抜きの矢印で示すように、内部空間の気体は、環状開口８１０Ａ、第１の環状空間８１０Ｓおよび第２の環状空間８２０Ｓを通して図５の排気管８９２により吸引される。それにより、回転される基板Ｗの外周端部から環状開口８１０Ａに向かう気体の流れが形成される。このとき、基板Ｗの外周端部と環状開口８１０Ａとの間を通って基板Ｗの下方に向かう気体の流れが遮断されるので、内部空間に乱流が発生することが防止される。
【０１３１】
回転される基板Ｗの外周端部から外方に飛散する洗浄液の飛沫およびミストは、気体とともに環状開口８１０Ａから第１の環状空間８１０Ｓに引き込まれ、第２の環状空間８２０Ｓおよび排気空間８８０Ｓを通して図５の排気管８９２に導かれる。この場合、内部空間が第１の内壁部材８１１ａおよび第２の内壁部材８２１により取り囲まれているので、第１の環状空間８１０Ｓに引き込まれた洗浄液の飛沫およびミストが、基板Ｗの裏面側の空間に戻ることが防止される。さらに飛散防止カップ８１０の下部が収容部材８２０に収容された状態で飛散防止カップ８１０が上下方向に移動するので、第１の環状空間８１０Ｓと第２の環状空間８２０Ｓとの境界部分から内部空間に、気体ならびに洗浄液の飛沫およびミストが漏れ出ることが防止される。その結果、基板Ｗから飛散する洗浄液が基板Ｗの裏面に再付着することが防止される。
【０１３２】
また、基板Ｗの洗浄処理時においては、第２の環状空間８２０Ｓに導かれた洗浄液の飛沫およびミストの大部分は、重力により底板８２３の排液口８８１から図５の排液管８９１に導かれる。一方、第２の環状空間８２０Ｓに導かれた気体は、第１の開口８２２Ｐおよび第２の開口８８２を通して図５の排気管８９２に導かれる。上記の構成では、第２の開口８８２が第１の開口８２２Ｐよりも高い位置にあるので、気体とともに排気管８９２に導かれる洗浄液の飛沫およびミストの量が低減される。したがって、洗浄液を効率的に回収することが可能である。
【０１３３】
（８）洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄処理および乾燥処理
基板Ｗの洗浄処理を行う際の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の一連の動作について説明する。図１０〜図１７は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１による基板Ｗの洗浄処理について説明するための側面図である。以下の説明では、下部スピンチャック４００の上端部よりも一定距離下方の高さを高さＬ１と呼ぶ。また、下部スピンチャック４００と上部スピンチャック６００との間の予め定められた高さを高さＬ２と呼ぶ。さらに、上部スピンチャック６００により基板Ｗを保持可能な高さを高さＬ３と呼ぶ。
【０１３４】
図１０に示すように、初期状態においては、飛散防止カップ８１０の上端部が上部スピンチャック６００よりも低くかつ下部スピンチャック４００よりも高い位置に保持される。また、上部スピンチャック６００のマグネットプレート６１４は上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４の磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。さらに、受渡機構７２０の複数の昇降ピン７２３の上端部が高さＬ１で保持される。
【０１３５】
洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に基板Ｗが搬入される際には、図１０に太い一点鎖線の矢印で示すように、複数の昇降ピン７２３が上方に移動される。それにより、図１１に示すように、複数の昇降ピン７２３の上端部が高さＬ２で保持される。この状態で、図１の搬送機構１４１により複数の昇降ピン７２３上に基板Ｗが載置される。
【０１３６】
次に、図１１に太い一点鎖線の矢印で示すように、複数の昇降ピン７２３が下方に移動される。それにより、図１２に示すように、基板Ｗが複数の昇降ピン７２３から吸着保持部４３０上に渡される。このとき、基板Ｗの中心は、水平面内において吸着保持部４３０の回転中心ＷＣ（図６）に一致するように位置決めされる。その後、基板Ｗの裏面中央部が下部スピンチャック４００により保持されるとともに、基板Ｗが回転される。受渡機構７２０の複数の昇降ピン７２３の上端部は高さＬ１で保持される。このとき、環状開口８１０Ａが基板Ｗの外周端部に対向する状態で、飛散防止カップ８１０が保持される。内部空間内の気体が環状開口８１０Ａに吸引されることにより、回転される基板Ｗの外周端部から環状開口８１０Ａに向かう気体の流れが形成される。
【０１３７】
次に、図１２に太い一点鎖線の矢印で示すように、第１の裏面洗浄機構５１０のブラシ５１４が上方に移動される。また、図１２に太い点線の矢印で示すように、表面洗浄機構５４０のノズル５４４，５４５が下部スピンチャック４００の外方位置から基板Ｗの上方の位置まで移動される。
【０１３８】
それにより、図１３に示すように、ブラシ５１４の洗浄面５１４Ｓが基板Ｗの裏面周縁部に接触される。このとき、予め定められた洗浄条件に基づく圧力で、ブラシ５１４が基板Ｗの裏面に押圧される。また、ブラシモータ５１３によりブラシ５１４が回転される。さらに、ノズル５１５からブラシ５１４に洗浄液が吐出される。それにより、基板Ｗの裏面周縁部の汚染物質がブラシ５１４により除去される。また、ブラシ５１４により除去される汚染物質が洗浄液により洗い流される。
【０１３９】
このとき、ブラシ５１４の洗浄面５１４Ｓの一部が基板Ｗの外周端部に接触する。それにより、追加のブラシを設けることなく基板Ｗの裏面周縁部と外周端部とが同時に洗浄される。
【０１４０】
また、表面洗浄機構５４０のノズル５４４が基板Ｗの中心の上方の位置で保持される。この状態で、回転される基板Ｗの表面にノズル５４４から洗浄液が吐出される。それにより、基板Ｗの表面が洗浄される。回転される基板Ｗから飛散する洗浄液は、内部空間内の気体とともに環状開口８１０Ａに吸引される。それにより、基板Ｗから飛散する洗浄液が基板Ｗの裏面に再付着することが防止される。
【０１４１】
基板Ｗの裏面周縁部、基板Ｗの外周端部および基板Ｗの表面の洗浄が終了すると、第１の裏面洗浄機構５１０が初期状態に戻される。具体的には、第１の裏面洗浄機構５１０においては、ブラシモータ５１３の回転が停止され、ノズル５１５からブラシ５１４への洗浄液の吐出が停止され、ブラシ５１４が下方に移動される。
【０１４２】
一方、表面洗浄機構５４０においては、ノズル５４４から基板Ｗへの洗浄液の吐出が停止され、ノズル５４５が基板Ｗの中心の上方の位置で保持される。この状態で、ノズル５４５から基板Ｗの表面に気体が吐出される。それにより、基板Ｗの表面が乾燥される。この乾燥時においても、回転される基板Ｗから飛散する洗浄液は、内部空間内の気体とともに環状開口８１０Ａに吸引される。それにより、基板Ｗから飛散する洗浄液が基板Ｗの裏面に再付着することが防止される。
【０１４３】
基板Ｗの裏面および表面が乾燥すると、図１３に太い点線の矢印で示すように、表面洗浄機構５４０のノズル５４４，５４５が基板Ｗの上方位置から下部スピンチャック４００の外方位置まで移動される。また、基板Ｗの回転が停止される。さらに、下部スピンチャック４００において基板Ｗの吸着が停止される。
【０１４４】
次に、図１３に太い一点鎖線の矢印で示すように、複数の昇降ピン７２３が上方に移動される。それにより、図１４に示すように、基板Ｗが下部スピンチャック４００の吸着保持部４３０から複数の昇降ピン７２３上に渡される。その後、複数の昇降ピン７２３の上端部が高さＬ３で保持される。このとき、基板Ｗが上部スピンチャック６００の複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に位置する。
【０１４５】
次に、図１４に太い一点鎖線の矢印で示すように、上部スピンチャック６００のマグネットプレート６１４が下方位置に移動する。この場合、複数のチャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する。それにより、図１５に示すように、複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。
【０１４６】
その後、図１５に太い一点鎖線の矢印で示すように、複数の昇降ピン７２３が下方に向かって移動される。また、図１５に太い点線の矢印で示すように、飛散防止カップ８１０が上方に向かって移動される。それにより、図１６に示すように、複数の昇降ピン７２３の上端部が高さＬ１で保持される。このとき、環状開口８１０Ａが基板Ｗの外周端部に対向する状態で、飛散防止カップ８１０が保持される。この状態で、基板Ｗが回転される。内部空間内の気体が環状開口８１０Ａに吸引されることにより、回転される基板Ｗの外周端部から環状開口８１０Ａに向かう気体の流れが形成される。
【０１４７】
次に、図１６に太い一点鎖線の矢印で示すように、第２の裏面洗浄機構５２０のブラシ５２４が上方に移動される。それにより、図１７に示すように、ブラシ５２４の洗浄面５２４Ｓが基板Ｗの裏面周縁部よりも内側の領域に接触される。このとき、予め定められた洗浄条件に基づく圧力で、ブラシ５２４が基板Ｗの裏面に押圧される。また、ノズル５２５からブラシ５２４に洗浄液が吐出される。さらに、図１７に太い一点鎖線の矢印で示すように、ブラシ５２４が基板Ｗの中心と基板Ｗの外周端部から一定距離内側の部分との間で移動される。それにより、基板Ｗの裏面周縁部よりも内側の領域の汚染物質がブラシ５２４により除去される。また、ブラシ５２４により除去される汚染物質が洗浄液により洗い流される。したがって、基板Ｗへの汚染物質の再付着が防止されるとともにブラシ５２４の清浄度の低下が抑制される。回転される基板Ｗから飛散する洗浄液は、内部空間内の気体とともに環状開口８１０Ａに吸引される。それにより、基板Ｗから飛散する洗浄液が基板Ｗの裏面に再付着することが防止される。
【０１４８】
このとき、ブラシ５２４により除去された汚染物質およびブラシ５２４に供給される洗浄液の一部は、下部スピンチャック４００の吸着保持部４３０上に落下する。そこで、本実施の形態では、第２の裏面洗浄機構５２０により基板Ｗの裏面が洗浄される間、吸着保持部４３０が回転される。それにより、吸着保持部４３０上に落下する汚染物質および洗浄液が遠心力により吸着保持部４３０から振り切られる。したがって、吸着保持部４３０への汚染物質の付着が抑制される。
【０１４９】
なお、第２の裏面洗浄機構５２０による基板Ｗの裏面洗浄時には、上部スピンチャック６００の液供給管６１０ａを通して基板Ｗ上に洗浄液が供給されてもよい。この場合、基板Ｗの裏面周縁部よりも内側の領域とともに基板Ｗの表面が洗浄される。
【０１５０】
第２の裏面洗浄機構５２０による基板Ｗの裏面洗浄が終了することにより、第２の裏面洗浄機構５２０が初期状態に戻る。その後、一定期間継続して基板Ｗが回転されることにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られる。この乾燥処理時においても、環状開口８１０Ａが基板Ｗの外周端部に対向する状態で、飛散防止カップ８１０が保持される。それにより、基板Ｗから飛散する洗浄液が基板Ｗの裏面に再付着することが防止される。基板Ｗの裏面が乾燥することにより、上部スピンチャック６００による基板Ｗの回転が停止される。また、上記と逆の手順で上部スピンチャック６００により保持された基板Ｗが受渡機構７２０の複数の昇降ピン７２３上に渡される。最後に、洗浄後の基板Ｗが図１の搬送機構１４１により受け取られ、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から搬出される。
【０１５１】
（９）基板周辺の気体の流れ
本発明者は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、下部スピンチャック４００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れをシミュレーションにより解析した。図１８は、下部スピンチャック４００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。図１８では、内部空間およびその近傍の空間のうち、それらの空間を流れる気体の速度が所定のしきい値よりも高い領域がドットパターンで示される。また、気体が流れる方向が太い実線の矢印で示される。
【０１５２】
飛散防止カップ８１０の環状開口８１０Ａが回転される基板Ｗの外周端部に対向する状態で、内部空間の気体が環状開口８１０Ａに吸引される。この場合、図１８に示すように、回転される基板Ｗの外周端部から環状開口８１０Ａに向かう気体の流れが形成される。基板Ｗの外周端部と環状開口８１０Ａとの間を通って基板Ｗの下方に向かう気体の流れが遮断されることにより、内部空間に乱流が発生することが防止されている。
【０１５３】
環状開口８１０Ａから第１の環状空間８１０Ｓに引き込まれる気体は、外側上部材８１２ｂの内周面に沿って下方に円滑に導かれる。また、上記の飛散防止カップ８１０においては、環状開口８１０Ａに面する外側上部材８１２ｂの内周面が外方に膨らむように湾曲しているので、外側上部材８１２ｂの内周面に衝突する気体は環状開口８１０Ａに戻る方向に反射することなく、湾曲した内周面で受け止められる。したがって、内部空間の気体が洗浄液の飛沫およびミストともに環状開口８１０Ａに吸引される場合に、環状開口８１０Ａ内に引き込まれた気体ならびに洗浄液の飛沫およびミストが環状開口８１０Ａから漏れ出ることが防止される。
【０１５４】
さらに、上記の飛散防止カップ８１０においては、内側上部材８１１ｂおよび外側上部材８１２ｂにより、環状開口８１０Ａの上縁および下縁から基板Ｗと略平行に延びて第１の環状空間８１０Ｓにつながる通路が形成されている。それにより、基板Ｗの外周端部から環状開口８１０Ａに向かうように、基板Ｗに平行な気体の流れが円滑に形成されている。したがって、基板Ｗから飛散する洗浄液の飛沫およびミストが、環状開口８１０Ａの上方または下方に流れることが防止されている。
【０１５５】
本発明者は、上記の飛散防止カップ８１０に代えて第１の比較例に係る従来の飛散防止カップが用いられる場合に、下部スピンチャック４００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れをシミュレーションにより解析した。図１９は、第１の比較例に係る飛散防止カップを用いた場合に下部スピンチャック４００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。図１９においても、図１８の例と同様に、内部空間およびその近傍の空間のうち、それらの空間を流れる気体の速度が所定のしきい値よりも高い領域がドットパターンで示される。また、気体が流れる方向が太い実線の矢印で示される。
【０１５６】
第１の比較例に係る飛散防止カップ９１０は、内壁部材９１１および外壁部材９１２を有する。内壁部材９１１は、基板Ｗの直径よりも小さい外径を有する円環状部材であり、下部スピンチャック４００により保持される基板Ｗの下方の位置で下部スピンチャック４００を取り囲む。
【０１５７】
外壁部材９１２は、内壁部材９１１の外側を取り囲むように設けられる。外壁部材９１２の上部は、内方に向かうように湾曲している。内壁部材９１１と外壁部材９１２との間には環状空間９１０Ｓが形成されている。内壁部材９１１の上端と外壁部材９１２の上端との間には、上方に向く環状開口９１０Ａが形成されている。
【０１５８】
基板Ｗの外周端部から一定幅の部分が飛散防止カップ９１０の環状開口９１０Ａの一部を上方から塞ぐ状態で、内部空間の気体が環状開口９１０Ａに吸引される。この場合、基板Ｗよりも上方の位置では、基板Ｗの表面上から基板Ｗの外周端部と外壁部材９１２の上端部内縁との間の隙間に向かうように気体の流れが形成される。一方、基板Ｗよりも下方の位置では、環状空間９１０Ｓのうち基板Ｗの周縁部近傍の領域で渦状の乱流が形成されている。この乱流は、基板Ｗの外周端部と外壁部材９１２の上端部内縁との間を通して環状空間９１０Ｓに流れ込む気体の流れ、および基板Ｗの裏面と内壁部材９１１の上端との間の隙間から環状空間９１０Ｓに流れ込む気体の流れに起因して発生される。
【０１５９】
したがって、内部空間の気体が洗浄液の飛沫およびミストともに環状開口９１０Ａに吸引されると、環状開口９１０Ａ内に引き込まれた洗浄液の飛沫およびミストが、基板Ｗの下方の空間で発生する乱流により基板Ｗの裏面に再付着する可能性が高くなる。
【０１６０】
このように、図１９のシミュレーション結果によれば、第１の比較例に係る飛散防止カップ９１０では、下部スピンチャック４００により回転される基板Ｗの洗浄および乾燥処理時に基板Ｗの裏面への洗浄液の再付着を防止できないことがわかる。
【０１６１】
本発明者は、さらに洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、上部スピンチャック６００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れをシミュレーションにより解析した。図２０は、上部スピンチャック６００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。図２０においても、図１８の例と同様に、内部空間およびその近傍の空間のうち、それらの空間を流れる気体の速度が所定のしきい値よりも高い領域がドットパターンで示される。また、気体が流れる方向が太い実線の矢印で示される。
【０１６２】
飛散防止カップ８１０の環状開口８１０Ａが回転される基板Ｗの外周端部に対向する状態で、内部空間の気体が環状開口８１０Ａに吸引される。図２０のシミュレーション結果によれば、上部スピンチャック６００により基板Ｗが回転される場合においても、内部空間およびその近傍の空間においては、図１８の例と同様の気体の流れが形成されている。したがって、内部空間の気体が洗浄液の飛沫およびミストともに環状開口８１０Ａに吸引される場合に、環状開口８１０Ａ内に引き込まれた気体ならびに洗浄液の飛沫およびミストが環状開口８１０Ａから漏れ出ることが防止されることがわかる。また、基板Ｗから飛散する洗浄液の飛沫およびミストが、環状開口８１０Ａの上方または下方に流れることが防止されることがわかる。
【０１６３】
本発明者は、上記の飛散防止カップ８１０に代えて第２の比較例に係る従来の飛散防止カップが用いられる場合に、上部スピンチャック６００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れをシミュレーションにより解析した。図２１は、第２の比較例に係る飛散防止カップを用いた場合に上部スピンチャック６００により基板Ｗが回転される際の内部空間の気体の流れを示す模式図である。図２１においても、図１８の例と同様に、内部空間およびその近傍の空間のうち、それらの空間を流れる気体の速度が所定のしきい値よりも高い領域がドットパターンで示される。また、気体が流れる方向が太い実線の矢印で示される。
【０１６４】
図２１に示すように、第２の比較例に係る飛散防止カップ９２０は、略円筒形状を有する一の外壁部材９２１のみで構成される。外壁部材９２１は、基板Ｗの直径およびスピンプレート６１２の直径よりも大きい内径を有する。外壁部材９２１の上部は、内方に向かうように湾曲している。
【０１６５】
外壁部材９２１は、スピンプレート６１２を取り囲むとともにその上端部が基板Ｗよりも上方に位置するように設けられる。スピンプレート６１２と外壁部材９２１との間には一定の隙間が形成される。
【０１６６】
内部空間を含む外壁部材９２１の内側の気体が下方に吸引されると、基板Ｗよりも上方の位置では、基板Ｗの表面上から外壁部材９２１の内周面に向かうように気体の流れが形成される。一方、基板Ｗよりも下方の位置では、基板Ｗの周縁部近傍の領域で渦状の乱流が形成されている。この乱流は、基板Ｗの外周端部と外壁部材９２１との間を通して基板Ｗの下方に流れ込む気体の流れに起因して発生される。
【０１６７】
したがって、図１９の例と同様に、内部空間の気体が洗浄液の飛沫およびミストともに環状開口９１０Ａに吸引されると、環状開口９１０Ａ内に引き込まれた洗浄液の飛沫およびミストが、基板Ｗの下方の空間で発生する乱流により基板Ｗの裏面に再付着する可能性が高くなる。
【０１６８】
このように、図２１のシミュレーション結果によれば、第２の比較例に係る飛散防止カップ９２０では、上部スピンチャック６００により回転される基板Ｗの洗浄および乾燥処理時に基板Ｗの裏面への洗浄液の再付着を防止できないことがわかる。
【０１６９】
（１０）飛散防止カップの環状板部材
上記のように、飛散防止カップ８１０の環状板部材８１３においては、複数の連通孔８１４が分散的に配置されている。それにより、簡単な構成で、第１の内壁部材８１１ａと第１の外壁部材８１２ａとが連結されるとともに第１の環状空間８１０Ｓと第２の環状空間８２０Ｓとが連通する。
【０１７０】
内部空間の気体が環状開口８１０Ａに吸引される際には、周方向に分散された複数の位置で第１の環状空間８１０Ｓ内の気体が第２の環状空間８２０Ｓに導かれる。それにより、第１の環状空間８１０Ｓ内の気体ならびに洗浄液の飛沫およびミストが第２の環状空間８２０Ｓの全体に導かれる。
【０１７１】
ここで、収容部材８２０の第２の環状空間８２０Ｓにおける気体の吸引力は第２の外壁部材８２２に形成された第１の開口８２２Ｐから遠ざかるにつれて小さくなる。そのため、飛散防止カップ８１０の環状板部材８１３においては、図８および図９に示すように、隣り合う連通孔８１４の間隔が第１の開口８２２Ｐから遠ざかるにつれて小さくなるように形成されることが好ましい。
【０１７２】
この場合、第２の外壁部材８２２に複数の吸引用開口を設けることなく、第１の環状空間８１０Ｓ内の気体ならびに洗浄液の飛沫およびミストを第２の環状空間８２０Ｓの全体にほぼ均一に導くことが可能になる。その結果、基板Ｗの全周から飛散する洗浄液の飛沫およびミストが環状開口８１０Ａにほぼ均一に吸引される。
【０１７３】
（１１）効果
基板Ｗの洗浄および乾燥処理時には、環状開口８１０Ａが基板Ｗの外周端部に対向するように、飛散防止カップ８１０がカップ昇降装置８３０により支持される。環状開口８１０Ａが基板Ｗの外周端部に対向する状態で、環状開口８１０Ａ、第１の環状空間８１０Ｓ、第２の環状空間８２０Ｓおよび排気空間形成部材８８０を通して、基板Ｗを含む内部空間の気体が排気管８９２により吸引される。それにより、回転される基板Ｗの外周端部から環状開口８１０Ａに向かう気体の流れが形成される。このとき、基板Ｗの外周端部と環状開口８１０Ａとの間を通って基板Ｗの下方に向かう気体の流れが遮断されるので、内部空間に乱流が発生することが防止される。
【０１７４】
回転される基板Ｗの外周端部から外方に飛散する洗浄液の飛沫およびミストが気体とともに環状開口８１０Ａから第１の環状空間８１０Ｓに引き込まれ、第２の環状空間８２０Ｓを通して排液管８９１に導かれる。
【０１７５】
この場合、内部空間が第１の内壁部材８１１ａおよび第２の内壁部材８２１により取り囲まれているので、第１の環状空間８１０Ｓに引き込まれた洗浄液の飛沫およびミストが、基板Ｗの裏面側の空間に戻ることが防止される。さらに飛散防止カップ８１０の下部が収容部材８２０に収容された状態で飛散防止カップ８１０が上下方向に移動するので、第１の環状空間８１０Ｓと第２の環状空間８２０Ｓとの境界部分から内部空間に、気体ならびに洗浄液の飛沫およびミストが漏れ出ることが防止される。その結果、基板Ｗから飛散する洗浄液が基板Ｗの裏面に再付着することが防止される。
【０１７６】
（１２）他の実施の形態
（１２−１）上記実施の形態においては、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、下部スピンチャック４００および上部スピンチャック６００を有するが、本発明はこれに限定されない。
【０１７７】
例えば、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、下部スピンチャック４００および上部スピンチャック６００のうち下部スピンチャック４００のみを有してもよい。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、第１の裏面洗浄機構５１０により基板Ｗの裏面周縁部と外周端部とが洗浄されるとともに、表面洗浄機構５４０により基板Ｗの表面が洗浄される。
【０１７８】
あるいは、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、下部スピンチャック４００および上部スピンチャック６００のうち上部スピンチャック６００のみを有してもよい。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、第２の裏面洗浄機構５２０により基板Ｗの裏面が洗浄される。
【０１７９】
（１２−２）上記実施の形態においては、飛散防止カップ８１０の環状板部材８１３に円形状を有する連通孔８１４が複数形成されるが、本発明はこれに限定されない。各連通孔８１４は、円形状に代えて矩形状または楕円形状に形成されてもよい。また、環状板部材８１３には、１つの連通孔８１４のみが形成されてもよい。
【０１８０】
（１２−３）上記実施の形態においては、基板Ｗの表面に処理液を供給する塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９のカップ２７，３７として、図８および図９の飛散防止カップ８１０が用いられてもよい。この場合、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９の各々に図８および図９の収容部材８２０および排気空間形成部材８８０を設けることにより、塗布処理時および現像処理時に基板Ｗの裏面に処理液が付着しない。したがって、基板Ｗの裏面に処理液が付着することに起因する処理不良の発生が防止される。
【０１８１】
（１２−４）上記実施の形態に係る飛散防止カップ８１０は、主として第１の内壁部材８１１ａ、内側上部材８１１ｂ、第１の外壁部材８１２ａ、外側上部材８１２ｂおよび環状板部材８１３が互いに接合された構成を有するが、本発明はこれに限定されない。
【０１８２】
飛散防止カップ８１０においては、第１の内壁部材８１１ａ、内側上部材８１１ｂ、第１の外壁部材８１２ａ、外側上部材８１２ｂおよび環状板部材８１３のうちの一部または全てが、一体成形により作製されてもよい。
【０１８３】
（１３）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１８４】
上記実施の形態においては、下部スピンチャック４００および上部スピンチャック６００が基板保持装置の例であり、第１の裏面洗浄機構５１０、第２の裏面洗浄機構５２０および表面洗浄機構５４０が処理液供給部の例であり、飛散防止カップ８１０が飛散防止部材の例であり、収容部材８２０が収容部材の例であり、カップ昇降装置８３０が駆動装置の例であり、排気管８９２が排気系の例である。
【０１８５】
また、第１の内壁部材８１１ａが第１の内壁部材の例であり、第１の外壁部材８１２ａが第１の外壁部材の例であり、第１の環状空間８１０Ｓが第１の環状空間の例であり、環状板部材８１３が連結部材および環状板部材の例であり、外側上部材８１２ｂが外側上部材の例であり、内側上部材８１１ｂが内側上部材の例であり、環状開口８１０Ａが環状開口の例である。
【０１８６】
また、第２の内壁部材８２１が第２の内壁部材の例であり、第２の外壁部材８２２が第２の外壁部材の例であり、第２の環状空間８２０Ｓが第２の環状空間の例であり、底板８２３が底部材の例であり、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２および基板処理装置１００が基板処理装置の例である。
【０１８７】
さらに、複数の連通孔８１４が一または複数の連通開口および複数の連通孔の例であり、排気空間形成部材８８０が排気空間形成部材の例であり、排液管８９１が排液系の例であり、第１の開口８２２Ｐが第１の開口の例であり、第２の開口８８２が第２の開口の例であり、排液口８８１が排液口の例である。
【０１８８】
また、吸着保持部４３０が吸着保持部の例であり、スピンモータ４１０が第１の回転駆動部の例であり、スピンプレート６１２およびプレート支持部材６１３が回転部材の例であり、スピンモータ６１１が第２の回転駆動部の例であり、複数のチャックピン６１５が当接保持部の例である。
【０１８９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の構成要素を用いることもできる。
（１４）参考形態
（１４−１）本参考形態に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ鉛直軸の周りで回転させる基板保持装置と、基板保持装置により保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、回転される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めるように構成された飛散防止部材と、飛散防止部材の下部を収容する収容部材と、飛散防止部材を収容部材に対して相対的に上下方向に移動させる駆動装置と、排気系とを備え、飛散防止部材は、基板保持装置により保持される基板および当該基板よりも下方の領域を含む内部空間を取り囲むように設けられる第１の内壁部材と、第１の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第１の外壁部材と、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成されるように第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結する連結部材と、第１の環状空間の上部を覆うように第１の外壁部材につながる環状の外側上部材とを含み、第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成され、収容部材は、内部空間を取り囲むように設けられる第２の内壁部材と、第２の内壁部材の外側を取り囲むように設けられる第２の外壁部材と、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成されるように第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結する底部材とを含み、飛散防止部材の第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように、飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に収容部材の第２の環状空間に収容され、排気系は、環状開口が基板保持装置により保持された基板の外周端部に対向する状態で、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して内部空間の気体を吸引して第２の環状空間から排出するように設けられる。
その基板処理装置の飛散防止部材においては、連結部材が第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結することにより、第１の内壁部材と第１の外壁部材との間に第１の環状空間が形成される。第１の環状空間の上部は、第１の外壁部材につながる環状の外側上部材により覆われる。第１の内壁部材と外側上部材との間に基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向可能な環状開口が形成される。
また、収容部材においては、底部材が第２の内壁部材と第２の外壁部材とを連結することにより、第２の内壁部材と第２の外壁部材との間に第２の環状空間が形成される。第１の環状空間と第２の環状空間とが連通するように飛散防止部材の下部が上下方向に移動可能に第２の環状空間に収容される。
基板の処理時には、飛散防止部材が収容部材に対して上下方向に移動されることにより、環状開口が基板保持装置により保持される基板の外周端部に対向する。この状態で、鉛直軸の周りで回転される基板に処理液が供給される。このとき、内部空間の気体が、環状開口、第１の環状空間および第２の環状空間を通して排気系により吸引される。それにより、回転される基板の外周端部から環状開口に向かう気体の流れが形成される。このとき、基板の外周端部と環状開口との間を通って基板の下方に向かう気体の流れが遮断されるので、内部空間に乱流が発生することが防止される。回転される基板の外周端部から外方に飛散する処理液の飛沫およびミストが気体とともに環状開口から第１の環状空間内に引き込まれ、第２の環状空間を通して排気系に導かれる。この場合、内部空間が第１の内壁部材および第２の内壁部材により取り囲まれているので、排気系に導かれる気体ならびに処理液の飛沫およびミストが基板の下面側の空間に戻ることが防止される。さらに、第１の環状空間を形成する飛散防止部材の下部が第２の環状空間を形成する収容部材に収容された状態で飛散防止部材が上下方向に移動することができるので、第１の環状空間と第２の環状空間との境界部分から内部空間に気体ならびに処理液の飛沫およびミストが漏れ出ることが防止される。その結果、基板から飛散する処理液が基板の下面に再付着することが防止される。
（１４−２）連結部材は、第１の内壁部材の下端と第１の外壁部材の下端とを連結する環状板部材を含み、環状板部材は、第１の環状空間と第２の環状空間とを連通させる一または複数の連通開口を有してもよい。
この場合、簡単な構成で第１の内壁部材と第１の外壁部材とを連結するとともに、第１の環状空間と第２の環状空間とを連通させることができる。
（１４−３）一または複数の連通開口は、周方向に分散的に配置された複数の連通孔を含んでもよい。
この場合、第１の環状空間内の気体ならびに処理液の飛沫およびミストが第２の環状空間の全体にほぼ均一に導かれる。それにより、環状開口での気体の吸引力が周方向に分散される。その結果、基板の全周から飛散する処理液の飛沫およびミストが環状開口から第１の環状空間内に引き込まれる。
（１４−４）排気系は、収容部材の一部分において第２の環状空間に連通するように設けられ、複数の連通孔は、隣り合う連通孔の間隔が収容部材の一部分から遠ざかるにつれて小さくなるように配置されてもよい。
この場合、第２の環状空間での排気系による吸引力は排気系から遠ざかるにつれて低下する。そこで、上記の構成では、排気系から遠ざかるにつれて隣り合う連通孔の間隔が小さくされる。それにより、排気系を複数個所に設けることなく、第１の環状空間から気体ならびに処理液の飛沫およびミストを第２の環状空間の全体にほぼ均一に導くことが可能となる。
（１４−５）基板処理装置は、第２の外壁部材の外周面の一部領域に接する空間を排気空間として取り囲むように形成された排気空間形成部材と、排液系とをさらに備え、第２の外壁部材の一部領域に第２の環状空間と排気空間とを連通させる第１の開口が設けられ、排気空間形成部材に排気空間と排気系とを連通させる第２の開口が設けられ、第２の開口は第１の開口よりも高い位置にあり、収容部材の底部材に第２の環状空間と排液系とを連通させる排液口が設けられてもよい。
この場合、第２の環状空間に導かれた処理液の飛沫およびミストの大部分は、重力により収容部材の底部材の排液口に導かれる。一方、第２の環状空間に導かれた気体は、第１の開口を通して排気空間に導かれ、さらに第２の開口を通して排気系に導かれる。上記の構成では、第２の開口が第１の開口よりも高い位置にあるので、気体とともに排気系に導かれる処理液の飛沫およびミストの量が低減される。したがって、処理液を効率的に回収することができる。
（１４−６）外側上部材は、第１の外壁部材の上端から、外方かつ上方に湾曲し、さらに内方に湾曲して第１の環状空間の上部を覆うとともに環状開口の上縁を形成してもよい。
この場合、環状開口から第１の環状空間に引き込まれる気体ならびに処理液の飛沫およびミストは、外側上部材の内周面に沿って下方に円滑に導かれる。また、環状開口に面する外側上部材の内周面が外方に膨らむように湾曲しているので、外側上部材の内周面に衝突した気体ならびに処理液の飛沫およびミストが環状開口に戻る方向に反射されることなく、湾曲した内周面で受け止められる。したがって、環状開口内に引き込まれた気体ならびに処理液の飛沫およびミストが環状開口から漏れ出ることが防止される。
（１４−７）飛散防止部材は、第１の内壁部材から外方かつ上方に湾曲し、さらに内方に湾曲して環状開口の下縁を形成する内側上部材をさらに含んでもよい。
この場合、外側上部材および内側上部材により環状開口の上縁および下縁から基板と略平行に延びて第１の環状空間につながる通路が形成される。それにより、基板の外周端部から環状開口に向かうように基板に平行な気体の流れが容易に形成される。
（１４−８）基板保持装置は、鉛直軸の周りで回転可能に構成されるとともに、基板の下面中央部を吸着する吸着保持部と、吸着保持部を回転させる第１の回転駆動部とを含んでもよい。
その構成によれば、基板の下面中央部が吸着により保持された状態で基板の上面に処理液が供給される場合に、基板の下面に処理液が再付着することを防止することができる。
（１４−９）基板保持装置は、鉛直軸の周りで回転可能に構成された回転部材と、回転部材を回転させる第２の回転駆動部と、回転部材の下方に配置されるとともに基板の外周端部に当接することにより基板を保持する当接保持部とを含んでもよい。
その構成によれば、当接保持部が基板の外周端部に当接することにより回転部材の下方で基板が保持される状態で基板の下面に処理液が供給される場合に、基板の下面に処理液の飛沫が付着することを防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１９０】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１９１】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
１５ａ  基板搬入部
１５ｂ  基板搬出部
２１，２２，２３，２４，３２，３４  塗布処理室
２５，３５  スピンチャック
２７，３７  カップ
２８  処理液ノズル
２９  ノズル搬送機構
３１，３３  現像処理室
３８  現像ノズル
３９  移動機構
５０，６０  流体ボックス部
８１，８２，８３，８４，９１，９２，９３，９４，９５  洗浄乾燥処理室
９８  給気ユニット
９９  排気ユニット
１００  基板処理装置
１１１  キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３  搬送部
１１３  キャリア
１１４  制御部
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送機構
１１６  ハンド
１２１  塗布処理部
１２３，１３３  熱処理部
１２５，１３５  上段搬送室
１２６，１３６  下段搬送室
１２９  塗布処理ユニット
１３１  塗布現像処理部
１３９  現像処理ユニット
１６１，１６２  洗浄乾燥処理部
３０１，３０３  上段熱処理部
３０２，３０４  下段熱処理部
４００  下部スピンチャック
４１０，６１１  スピンモータ
４２０，６１１ａ  回転軸
４３０  吸着保持部
４９０  モータカバー
５１０  第１の裏面洗浄機構
５１１，７２１  昇降駆動部
５１２  昇降軸
５１３  ブラシモータ
５１４，５２４  ブラシ
５１４Ｓ，５２４Ｓ  洗浄面
５１５，５２５，５４４，５４５  ノズル
５２０  第２の裏面洗浄機構
５２１，５４１  昇降回転駆動部
５２２，５４２  昇降回転軸
５２３，５４３  アーム
５４０  表面洗浄機構
６００  上部スピンチャック
６１０ａ  液供給管
６１２  スピンプレート
６１３  プレート支持部材
６１４  マグネットプレート
６１５  チャックピン
６１５ａ  軸部
６１５ｂ  ピン支持部
６１５ｃ  保持部
６１６  マグネット
６１７  マグネット昇降装置
７２０  受渡機構
７２２  ピン支持部材
７２３  昇降ピン
８１０，９１０，９２０  飛散防止カップ
８１０Ａ，９１０Ａ  環状開口
８１０Ｓ  第１の環状空間
８１１ａ  第１の内壁部材
８１１ｂ  内側上部材
８１１ｅ，８１２ｅ  上端部内縁
８１２ａ  第１の外壁部材
８１２ｂ  外側上部材
８１３  環状板部材
８１４  連通孔
８２０  収容部材
８２０Ｓ  第２の環状空間
８２１  第２の内壁部材
８２２  第２の外壁部材
８２２Ｐ  第１の開口
８２３  底板
８３０  カップ昇降装置
８８０  排気空間形成部材
８８０Ｓ  排気空間
８８１  排液口
８８２  第２の開口
８８５  第１の板部材
８８６  第２の板部材
８８７  第３の板部材
８９１  排液管
８９２  排気管
９１０Ｓ  環状空間
９１１  内壁部材
９１２，９２１  外壁部材
Ｂ  磁力線
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９  基板載置部
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
ＷＣ  回転中心
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0006543534.tif 000017
【図１７】
0006543534.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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