(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸緩衝食塩水の存在下でヒドロキシルアパタイトを生成するミネラル三酸化物集合体の層を含む埋め込み型歯科用デバイスを作製するための方法であって、
ミネラル三酸化物集合体のタイルを調製する工程と、
前記タイルの物理蒸着によって埋め込み型歯科用デバイスの表面上にミネラル三酸化物集合体の層を堆積させる工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記デバイスが充填ポイントである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記充填ポイントがガッタパーチャを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ポルトランドセメントおよび脱イオン水を約１０：１〜約１：１０の量で混合することによって混合物を形成することをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記混合物が型に入れられ、湿潤チャンバー内で硬化される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記湿潤チャンバーが、約５時間〜約１０日間にわたって約９０パーセントという相対湿度で３６摂氏度に設定される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記硬化された混合物が、約１５分間〜約２日間にわたって約５０〜約５００摂氏度に加熱することによる第２の加熱に供される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、前記硬化されたタイルを微粒子化することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記微粒子化が、約１〜約２００ミクロンの粒子サイズに前記タイルをボールミル粉砕することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記微粒子化が、約１０〜約１００ミクロンの粒子サイズに前記タイルをボールミル粉砕することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記微粒子化が、約５３ミクロンの粒子サイズに前記タイルをボールミル粉砕することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記微粒子化されたタイルが、約２５〜約４００摂氏度の温度にて約５分間〜約５時間にわたって焼結される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記焼結された、微粒子化されたタイルが、約５分間〜約１２時間にわたって約２７５〜約６５０摂氏度の第２の焼結温度に晒される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の焼結工程が、約５０００ｐｓｉ〜約５０，０００ｐｓｉの圧力にて実施される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記焼結された、微粒子化されたタイルが、約３０分間〜約２日間にわたって約５５０〜約１１００摂氏度の第３の焼結温度に晒される、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第３の焼結工程が、約１０００ｐｓｉ〜約５０，０００ｐｓｉの圧力にて実施される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記堆積させる工程が、前記微粒子化されたタイルの物理蒸着を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
前記方法が、前記タイルの熱間等方圧加圧を含む、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連する米国出願のデータ
本願は、２０１５年４月２９日に出願された係属中の米国仮特許出願第６２／１５４，２８２号に対する優先権を主張する非仮出願である。
【０００２】
発明の分野
本発明は、高密度タイルの状態の、改善された生物学的ミネラル三酸化物集合体（ＭＴＡ）、またはターゲット（Target）、を作製するプロセスに関する。ターゲットは、改善されたＭＴＡを埋め込み型医療用デバイス上にコーティングするプロセスを可能にするか、または従来の使用のために微粒子化してＭＴＡ材料にすることができる。
【背景技術】
【０００３】
ミネラル三酸化物集合体（ＭＴＡ）（グレーまたはホワイトのＰｒｏＲｏｏｔ  ＭＴＡという商品名で販売されている（Ｄｅｎｔｓｐｌｙ  Ｓｉｒｏｎａ  Ｉｎｃ．，  Ｙｏｒｋ，  Ｐａ．，  ＵＳ））は、アペキシフィケーション、パルプキャッピング、歯髄切断法、再生歯内療法、根管充填、根端充填、歯根穿孔修復、歯の修復等において天然の歯の材料を置き換えるために一般歯科および歯内療法で現在使用されている物質である。歯内療法用途に使用されるＭＴＡの例は米国特許第８，９７９，９９１号に開示されており、この米国特許は、そのような開示に関して参照により本明細書に組み込まれる。
【０００４】
改善された生物学的効果を有する、歯科用途（歯内療法用途、修復用途または他の用途を含む）のためのＭＴＡ材料を提供することが望ましいであろう。より具体的には、体液（またはリン酸緩衝食塩水などの疑似体液）の存在下でヒドロキシルアパタイト（ＨＡ）の生成を改善してセメント質の性質を有する材料を生成することが実証されているような材料を提供することは、歯科技術にとって有益であろう。
【０００５】
例えば、歯内療法用途において、材料または組成物は、歯の根管系において細菌および体液漏出に対する安定な障壁を提供するはずである。さらに、組成物は、根端領域を取り囲む新しい骨および組織の成長を促進するのに役立つはずである。
【発明の概要】
【０００６】
高密度ＭＴＡタイルは、物理蒸着（ＰＶＤ）に適しているターゲットを作り出す一連の工程段階によって作製される。得られたＭＴＡ材料は、改善された生物学的効果を有し、疑似体液が存在する場合に加速度的にＨＡを生成する。得られたターゲットは、その後、微粒子化することができるか、または、充填ポイント上などに、必要に応じて薄層を堆積させるために用いることができる。ガッタパーチャ材料から作製されたものなど、従来の充填ポイントが、本発明の用途において有用である。
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、硬化された、または硬化されていない、ＭＴＡ（ミネラル三酸化物集合体）の堆積薄層が、それ以外の点では従来通りであるガッタパーチャポイントの表面上に堆積される。材料は、リン酸緩衝食塩水の存在下でヒドロキシルアパタイト（ＨＡ）ミネラルを生成し、これは、歯根管の自然密封のためのセメント質様材料の形成において有利である。
【０００８】
別の実施形態では、硬化されたＭＴＡが、ＰＶＤ法を用いてガッタパーチャポイント上に堆積される。
【０００９】
別の実施形態は、圧縮成形技術を用いてガッタパーチャポイントの表面上に成形された、硬化されていないＭＴＡの使用を含む。
【００１０】
さらに別の本発明の実施形態は、圧縮成形技術を用いてガッタパーチャの表面上に押し付けられた、硬化されたＭＴＡの使用を含む。
【００１１】
本発明のさらなる実施形態は、射出成形技術を用いてガッタパーチャの表面上に成形された、硬化されたＭＴＡの使用を含む。
【００１２】
さらに別の実施形態は、射出成形技術を用いてガッタパーチャの表面上に成形された、硬化されていないＭＴＡの使用を含む。
【００１３】
別の好ましい実施形態は、硬化されたＭＴＡを埋め込み型補綴具上にＰＶＤ法を用いて配置させることである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ターゲット調製プロセスのフローチャート。
【図２】ターゲットの密度に対する焼結パラメータの影響。
【図３】ターゲットの密度に対するＨＩＰプロセスのパラメータおよびプレか焼の影響。
【図４】ターゲット上の機械的性質に対する焼結パラメータの影響。
【図５】ターゲットの元素組成に対する焼結パラメータの影響。
【図６】溶融プロセスの影響。
【図７】焼結されたターゲットの表面形態。
【図８】焼結されたセメントのヒドロキシアパタイト形成能。熱処理されたセメントは、ＰＢＳへの浸漬中にＨＡを１０倍多く生成する。
【図９】ＰＬＤプロセスのフローチャート。
【図１０】マグネトロンスパッタリングプロセスのフローチャート。
【図１１】以下のレーザーエネルギーでのＰＬＤプロセスによってシリコン基材上に堆積させた膜のＳＥＭ：（Ｔ１）−２００ｍＪ／パルス；（Ｔ２）−２５０ｍＪ／パルス；（Ｔ３）−３００ｍＪ／パルス；および（Ｔ４）−４００ｍＪ／パルス。
【図１２】ＰＬＤプロセスによるガッタパーチャポイント上の膜のＳＥＭ。
【図１３】ＰＬＤプロセスによって堆積させたチタンインプラント上の膜のＳＥＭ画像とプロセスのパラメータを伴う表。
【図１４】ラマン分析およびＸ線分析は、図１１で観察された膜のアモルファス構造を裏付ける。
【図１５】ＰＬＤプロセスを用いてチタンインプラント上に堆積させた膜のラマン分析。
【図１６】ＰＬＤプロセスを用いてチタンインプラント上に堆積させた膜の元素分析。
【図１７】ＨＡ形成調査のための簡易参照ガイド。
【図１８】ガッタパーチャ上に堆積させた膜の上におけるＨＡ形成のＳＥＭ観察。
【図１９】チタン上に堆積させた膜の上におけるＨＡ形成のＳＥＭ観察（最良の結果を赤で強調表示）。
【図２０】ガッタパーチャ上に堆積させたＭＴＡコーティングの上におけるＨＡ形成のＸＲＤ分析。
【図２１−１】チタン上に堆積させたＭＴＡコーティングの上におけるＨＡ形成のラマン分析。
【図２１−２】チタン上に堆積させたＭＴＡコーティングの上におけるＨＡ形成のラマン分析。
【図２２】２１日間のＳＢＦへの浸漬の後の、ガッタパーチャ上に堆積させたＭＴＡコーティングの上に形成されたＨＡのＥＤＳスペクトル。
【図２３】２１日間のＳＢＦへの浸漬の後の、チタン上に堆積させたＭＴＡコーティングの上に形成されたＨＡのＥＤＳマップ。
【図２４】付録Ｉ：ＨＡ調査−１日目。
【図２５】付録Ｉ：ＨＡ調査−３日目。
【図２６】付録Ｉ：ＨＡ調査−７日目。
【図２７】付録Ｉ：ＨＡ調査−１４日目。
【図２８】付録Ｉ：ＨＡ調査−２１日目。
【図２９】付録Ｉ：ＨＡ調査−２８日目。
【図３０−１】付録ＩＩ：ＨＡ形成調査のＥＤＳの結果。
【図３０−２】付録ＩＩ：ＨＡ形成調査のＥＤＳの結果。（続き）。
【図３１】付録ＩＩ：ＥＤＳマップ（浸漬前の膜、ＰＴｉ−５）。
【図３２】付録ＩＩ：ＥＤＳマップ（３日間の浸漬、ＰＴｉ−５）。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
発明の詳細な説明
改善された生物学的効果を有する高密度ＭＴＡは、特別な加工技術によって作製される。得られた高密度ＭＴＡ材料は、改善された生物学的効果を有し、疑似体液の存在下で、増加および加速された速度でＨＡを生成する。
【００１６】
歯科インプラント、歯内充填材料等などの埋め込み型デバイスの表面上にＭＴＡの薄層を提供するための物理蒸着（ＰＶＤ）における使用のために高密度ＭＴＡターゲットを作り出すことができる。ＰＶＤ技術には以下のものが包含される。
陰極アーク蒸着：これにおいては、ターゲット（ソース）材料に放電された高出力の電気アークが一部を放散させて、ワーク上に堆積されることになる高度に電離した蒸気にする。
電子ビーム物理蒸着：これにおいては、堆積される材料が、「高」真空での電子衝撃によって高蒸気圧まで加熱され、拡散によって運ばれて、（より低温の）ワーク上に凝縮によって堆積される。
蒸発による堆積：これにおいては、堆積される材料が、「低」真空での電気抵抗加熱によって高蒸気圧まで加熱される。
パルスレーザー堆積：これにおいては、高出力のレーザーがターゲットから材料をアブレーションさせ、蒸気にする。
スパッタ堆積：これにおいては、グロープラズマ放電（通常、磁石によって「ターゲット」の周りに局在化される）が材料に衝突して一部を、その後の堆積のための蒸気としてはじき出す。
【００１７】
硬化されたＭＴＡ（ミネラル三酸化物集合体）の薄層は、埋め込み型デバイスの表面上に堆積される。
【００１８】
改善されたＭＴＡは、歯根管の充填および密封に特に適している。改善されたＭＴＡは、根管において細菌および体液漏出に対する安定な障壁を提供する。加速されたＨＡ生成はまた、根端領域を取り囲む新しい骨および組織の成長を促進するのに役立つであろう。改善されたＭＴＡはまた、歯の根管系において細菌および体液漏出に対する安定な障壁を提供するはずである。
【００１９】
高密度ＭＴＡ材料（ターゲット）はまた、歯科用製品における使用または改善された生物学的効果を有するＭＴＡ粉末としての使用のための小さな粒子に粉砕されてもよい。
【００２０】
ターゲット作製プロセス
高密度ＭＴＡ材料（ターゲット）を形成するための方法は、以下で説明される、および図１にさらに示されている、工程／プロセスのうちの１つ以上を含んでよい。
【００２１】
混合プロセス
（ホワイト）ポルトランドセメント（ＷＰＣまたはＰＣ）を脱イオン水に約１０：１〜約１：１０、好ましくは約５：１〜約１：５、より好ましくは約５：１〜約１：１（例えば、約３部のＰＣ（ＷＰＣ）対約１部の脱イオン水など、約３：１）、の範囲内の比率で混ぜる。混合物を完全に混ぜ合わせ、真空を引いて、調和したケーキミックスを作り出した後、型に入れる。
【００２２】
硬化プロセス
混合したセメントを型に入れたら、型を湿潤チャンバー内に配置して硬化させる。湿潤チャンバーを、約５時間〜約１０日、好ましくは約１２時間〜約５日（例えば、約２日）、９０％という相対湿度（ＲＨ）で３６℃に設定する。
【００２３】
硬化後ベーキングプロセス
セメントを硬化させたら、固まったセメントを、約５０℃〜約５００℃、好ましくは約１００℃〜約２５０℃（例えば、約１６０℃）に設定した硬化後ベーキング用オーブン（Post cure bake oven）内に約１５分間〜約２日間、好ましくは約１時間〜約１２時間（例えば、約６時間）、配置する。
【００２４】
ボールミル加工と微粒子化のプロセス
ターゲット作製プロセスは微粒子化工程を含んでよい。セメントのベーキングが終わったら、次に、それを粉砕し、微粒子化し、ふるいにかけて約１ミクロン〜約２００ミクロン、好ましくは約１０ミクロン〜約１００ミクロン（例えば、約５３ミクロン（μ５３））、の粒子サイズにする。
【００２５】
焼結プロセス
ターゲット作製プロセスは焼結工程を含んでよい。粉末微粒子化ＭＴＡをターゲットにプレス加工し、次いで、ほとんど、または実質的に全く、圧力をかけずに約５分間〜約５時間、好ましくは約１５分間〜約２時間（例えば、約３０〜４０分間）、約２５℃〜約４００℃、好ましくは約５０℃〜約２５０摂氏度（例えば、約１２５℃）、の温度にて最初の熱処理のために焼結チャンバー内に配置する。任意選択で焼結プロセスは第２の熱処理を含んでもよいが、但し、これは必要というわけではない。含まれる場合、その温度は、第１の熱処理の温度よりも高い第３の熱処理の温度まで上昇させてよく、第２の熱処理の温度は、約５０００ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）〜約５０，０００ｐｓｉ、好ましくは約１０，０００ｐｓｉ〜約２５，０００ｐｓｉ（例えば、約１５，０００ｐｓｉ）、の圧力にて約５分間〜約１２時間、好ましくは約１５分間〜約５時間（例えば、約１〜２時間）、にわたって約２７５℃〜約６５０℃、好ましくは約３５０℃〜約５２５℃（例えば、約４５０℃）、である。任意選択で焼結プロセスは第３の熱処理を含んでもよいが、但し、これは必要というわけではない。含まれる場合、焼結プロセスの熱処理の温度は、第２の熱処理の温度よりも高い第３の熱処理の温度まで上昇させてよく、第３の熱処理の温度は、約１，０００ｐｓｉ〜約５０，０００ｐｓｉ、好ましくは約７，５００ｐｓｉ〜約３５，０００ｐｓｉ（例えば、約１５，０００ｐｓｉ〜２０，０００ｐｓｉ）、の圧力にて約３０分間〜約２日間、好ましくは約２時間〜約１日間（例えば、約４時間〜約１２時間）、にわたって約５５０℃〜約１１００℃、好ましくは約６５０℃〜約９７５℃（例えば、約７５０℃〜８５０℃）、である。
【００２６】
ＨＩＰプロセス
ターゲット作製プロセスは、熱間等方圧加圧（ＨＩＰ）工程／プロセスを含んでよい。固まった焼結されたターゲットを約１，０００ｐｓｉ〜約５０，０００ｐｓｉ、好ましくは約７，５００ｐｓｉ〜約３５，０００ｐｓｉ（例えば、約１５，０００ｐｓｉ〜２０，０００ｐｓｉ）、の圧力にて約３０分間〜約２日間、好ましくは約２時間〜約１日間（例えば、約４時間〜約１２時間）、約２５０℃〜約１５００℃、好ましくは約５００℃〜約１０００℃（例えば、約７５０℃〜約８５０℃）、の温度のＨＩＰチャンバー内に配置してよい。
【００２７】
ＨＩＰ後、ＮＧＭＴＡ  改善された生物学的効果  ＭＴＡ
ＨＩＰ加工されたターゲットを約１ミクロン〜約２００ミクロン、好ましくは約１０ミクロン〜約１００ミクロン（例えば、約５３ミクロン（μ５３））の粒子サイズまで微粒子化してよく、ここで、得られた粉末ＭＴＡは、改善された生物学的効果を有し、加速度的にＨＡを生成する。
【００２８】
パラメータの範囲
上記の工程および／またはプロセスのうちの１つ以上のための、実験されるパラメータは以下のような範囲であってよい。
温度（複数可）は、約２５℃〜約１５００℃、好ましくは約５００℃〜約１２００℃、であってよい。
圧力（複数可）は、約０ｐｓｉ〜約５０，０００ｐｓｉ、好ましくは約１５，０００ｐｓｉ〜約２０，０００ｐｓｉ、であってよい。
時間は、約５分〜約１０日、好ましくは約２時間〜約５時間、であってよい。
【００２９】
医療用デバイスをＭＴＡでコーティングする好ましい方法は、マグネトロンスパッタリングを用いた物理蒸着（ＰＶＤ）である。物理蒸着の代替的方法はまた、上記で説明されるようなパルスレーザー堆積（ＰＬＤ）、マグネトロンスパッタリング等を含んでもよい。
【００３０】
医療用デバイスをＭＴＡでコーティングするための他の有用な技術には以下のものが包含される。
圧縮成形プロセス中に基材上へのＭＴＡの散布を伴う圧縮成形；および
微粒子化粉末と噴霧：これは、ＭＴＡの高速噴霧による基材への吹き付けを伴う。
【００３１】
本発明の一例において、ＨＡ生成の増加（図８）をもたらす高密度ターゲットのための最適パラメータには、約１時間にわたる約０ｐｓｉにて約１２０℃という第１の熱処理、約２時間にわたる約１５，０００ｐｓｉにて約４５０℃という第２の熱処理および約４時間にわたる約２０，０００ｐｓｉにて約８５０℃という第３の熱処理を伴う熱処理プロファイルが包含される（図２〜図７）。
【００３２】
パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）
これは、高出力のパルスレーザービームを真空チャンバー内に集束させて、堆積される材料のターゲットに衝突させる、薄膜堆積技術である。この材料は（プラズマプルームの状態で）ターゲットから気化し、これにより、基材（この場合はＧＰポイント）上に材料が薄膜として堆積する。このプロセスは超高真空中で起こる。
【００３３】
基本的な仕組みは、他の多くの堆積技術に比べて単純であるが、レーザーとターゲットの相互作用および膜成長という物理現象は非常に複雑である。レーザーパルスがターゲットに吸収されると、エネルギーは、まず、電子励起に変換され、次いで、熱エネルギー、化学エネルギーおよび力学的エネルギーに変換され、その結果、蒸発、アブレーション、プラズマ形成、さらには剥離が生じる。放出された化学種は、基材上に堆積する前に、多くのエネルギー種（原子、分子、電子、イオン、クラスター、微粒子およびモルテングロビュールを含む）を含むプルームの形態で周囲の真空中に広がる。
【００３４】
マグネトロンスパッタリング
高出力インパルスマグネトロンスパッタリング（ＨＩＰＩＭＳまたはＨｉＰＩＭＳ；高出力パルスマグネトロンスパッタリング（ＨＰＰＭＳ）としても知られている）は、マグネトロンスパッタ堆積に基づいた薄膜の物理蒸着のための方法である。ＨＩＰＩＭＳは、１０％未満の低デューティサイクル（オン／オフ時間比）にて数十マイクロ秒の短パルス（インパルス）でｋＷ・ｃｍ−２のオーダーの極めて高い出力密度を利用する。
【００３５】
ＨＩＰＩＭＳの際立った特徴は、スパッタリングされた材料のイオン化が高度であること、および分子ガスの解離速度が大きいことであり、これらは、堆積した膜の密度を高くする。イオン化と解離の度合は、ピーク陰極電力に応じて増加する。限界は、グロー相からアーク相への放電の遷移によって決定される。ピーク電力およびデューティサイクルは、従来のスパッタリングと同様に平均陰極電力を維持するように選択される（１〜１０Ｗ・ｃｍ−２）。
【００３６】
陰極の後ろで磁石を用いてターゲット表面の真上の磁場中に自由電子を捕捉することで、これらの電子は、ダイオードスパッタリングの場合と同じ程度には基材に衝突することができない。同時に、磁場中に捕捉された際にこれらの同じ電子が作り出す広範囲の迂回経路は、それらの電子が中性ガス分子をイオン化する確率を数桁高める。利用可能なイオンのこの増加は、ターゲット材料が侵食された後に基材上に堆積される速度を著しく増加させる。
【００３７】
ＰＶＤを用いてＭＴＡの膜をシリコーン、ガッタパーチャおよびチタンの試料上に堆積させた。厚さおよび濃度は、持続時間および出力のレベルに基づいて変更することができる（図１１〜図１３）。パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）のためのターゲットの原材料焼結および試験基材（ガッタパーチャインプラントおよびチタンインプラント）上における薄膜の形態での材料の堆積の特性評価（図１３〜図１６）。物理蒸着（ＰＶＤ）が原材料の化学組成を確実に変化させないようにするために、ＷＰＣ（ホワイトポルトランドセメント）の完全な材料特性評価には、電子分散型分光法（ＥＤＳ；図１６）による元素分析、Ｘ線回折法（ＸＲＤ；図１４）による相分析、マイクロラマン（図１４、図１５）を用いた組成分析、密度測定および走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；図１１〜図１３）による形態調査が含まれた。
【００３８】
代替材料上における膜の堆積
ＰＶＤはまた、様々な表面の上にＭＴＡの薄層を堆積させるために用いることもできる。ポリイソプレンおよびセラミックの表面上におけるＭＴＡのＰＶＤについて実現可能性が確立されている。他の潜在的な用途には、ＮｉＴｉ、チタン、ステンレス鋼およびポーセレンなどの様々な金属またはセラミックの表面上におけるＭＴＡ膜の堆積が包含される。
【００３９】
供給されたＨＩＰ−焼結ＷＰＣターゲットから、パルスレーザー堆積ＰＬＤを実施し、埋め込み型補綴具上で、堆積された材料の厚さと組成の均一性を調査した。
【００４０】
ＨＡ（ヒドロキシアパタイト）形成の調査
ＭＴＡコーティングの生物学的活性を確認するために、シリコン、ガッタパーチャおよびチタンの上に堆積させた膜の上でＨＡ形成能を試験した。堆積させた膜を３７℃の疑似体液（ＳＢＦ）に１日、３日、７日、１４日および２１日にわたって浸した。１日後にＨＡ形成が観察されたが、典型的には、７日になって初めてＨＡ形成が観察された（図１７）。
【００４１】
ヒドロキシルアパタイト（ＨＡ）および他のホスフェートの形成は、ＳＥＭイメージング（図１８、図１９）によって確認し、ＸＲＤおよびマイクロラマン（図２０、図２１）によって分析した。生成したＨＡのＣａ／Ｐ比は、ＥＤＳおよび新たに得られた蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）によって調査した（図２２、図２３）。
【００４２】
従って、本明細書で開示される発明は、上述した本発明の目的のうちの１つ以上を実行し、そうでなければ当技術分野に対する有利な寄与を構成する、ということが明らかであろう。当業者には明らかなように、本発明の趣旨から逸脱することなく、本明細書に開示された好ましい実施形態に変更を加えることができるが、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図１】
0006517949.tif 000002
【図２】
0006517949.tif 000003
【図３】
0006517949.tif 000004
【図４】
0006517949.tif 000005
【図５】
0006517949.tif 000006
【図６】
0006517949.tif 000007
【図７】
0006517949.tif 000008
【図８】
0006517949.tif 000009
【図９】
0006517949.tif 000010
【図１０】
0006517949.tif 000011
【図１１】
0006517949.tif 000012
【図１２】
0006517949.tif 000013
【図１３】
0006517949.tif 000014
【図１４】
0006517949.tif 000015
【図１５】
0006517949.tif 000016
【図１６】
0006517949.tif 000017
【図１７】
0006517949.tif 000018
【図１８】
0006517949.tif 000019
【図１９】
0006517949.tif 000020
【図２０】
0006517949.tif 000021
【図２１−１】
0006517949.tif 000022
【図２１−２】
0006517949.tif 000023
【図２２】
0006517949.tif 000024
【図２３】
0006517949.tif 000025
【図２４】
0006517949.tif 000026
【図２５】
0006517949.tif 000027
【図２６】
0006517949.tif 000028
【図２７】
0006517949.tif 000029
【図２８】
0006517949.tif 000030
【図２９】
0006517949.tif 000031
【図３０−１】
0006517949.tif 000032
【図３０−２】
0006517949.tif 000033
【図３１】
0006517949.tif 000034
【図３２】
0006517949.tif 000035