(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の化学式１で表される化合物：
【化１】
0006575969.tif 000077
前記化学式１中、
Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、非置換のフェニレン基、非置換のビフェニレン基、または非置換のナフチレン基であり、
Ｒ１は、非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基または非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基であり、
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
Ｒ４〜Ｒ７は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基であり、
Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも一つは、下記の化学式２で表される；
【化２】
0006575969.tif 000078
前記化学式２中、
＊は、連結地点であり、
Ｘは、ＯまたはＳであり、
Ｒａ〜Ｒｃは、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基である。
【請求項２】
前記化学式１は、下記の化学式４〜８、１１および１２のうちのいずれか一つで表される、請求項１に記載の化合物：
【化３−１】
0006575969.tif 000079
【化３−２】
0006575969.tif 000080
前記化学式４〜８、１１および１２中、
Ｘ、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、ＯまたはＳであり、
Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、非置換のフェニレン基、非置換のビフェニレン基、または非置換のナフチレン基であり、
Ｒ１は、非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基または非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基であり、
Ｒ２は、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
Ｒ４〜Ｒ７、Ｒａ〜Ｒｇ、およびＲａ’〜Ｒｃ’は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基である。
【請求項３】
前記Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、下記グループＩに羅列された置換もしくは非置換の基から選択され、
Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも一つは、下記グループＩ−１に羅列された置換もしくは非置換の基から選択された一つである、請求項１に記載の化合物：
【化４−１】
0006575969.tif 000081
【化４−２】
0006575969.tif 000082
前記グループＩおよびＩ−１中、
ＸおよびＷは、それぞれ独立して、ＯまたはＳであり、
ＲおよびＲ’は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基であり、
＊は、連結地点である。
【請求項４】
前記Ｒ１は、メチル基、エチル基、非置換のフェニル基、非置換のビフェニル基、または非置換のナフチル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
前記Ｒ１は、メチル基、エチル基、または下記グループＩＩに羅列された基から選択された一つである、請求項１に記載の化合物：
【化５】
0006575969.tif 000083
前記グループＩＩ中、＊は、連結地点である。
【請求項６】
前記Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、または下記グループＩＩＩに羅列された置換もしくは非置換の基から選択された一つである、請求項１に記載の化合物：
【化６】
0006575969.tif 000084
前記グループＩＩＩ中、＊は、連結地点である。
【請求項７】
前記化学式１で表される化合物は、下記の化学式Ａ−５〜Ａ−３２、Ａ−４９〜Ａ−７６、Ａ−１３７〜Ａ−１６４、およびＢ−１〜Ｂ−２４から選択された一つである、請求項１に記載の化合物。
【化７−１】
0006575969.tif 000085
【化７−２】
0006575969.tif 000086
【化７−３】
0006575969.tif 000087
【化７−４】
0006575969.tif 000088
【化７−５】
0006575969.tif 000089
【化７−６】
0006575969.tif 000090
【請求項８】
前記化学式１で表される化合物は、下記の化学式Ｄ−１〜Ｄ−８およびＤ−１７〜Ｄ−２４から選択された一つである、請求項１に記載の化合物。
【化８−１】
0006575969.tif 000091
【化８−２】
0006575969.tif 000092
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物は、有機光電子素子用である化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物、有機光電子素子および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機光電子素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｄｉｏｄｅ）とは、電気エネルギーと光エネルギーとを相互変換することができる素子である。
【０００３】
有機光電子素子は、動作原理に応じて大きく２種類に分けることができる。一つは、光エネルギーにより形成されたエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が電子と正孔に分離され、前記電子と正孔がそれぞれ異なる電極に伝達されて電気エネルギーを発生する光電素子であり、他の一つは、電極に電圧または電流を供給して電気エネルギーから光エネルギーを発生する発光素子である。
【０００４】
有機光電子素子の例としては、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池および有機感光体ドラム（ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏ  ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｄｒｕｍ）などが挙げられる。
【０００５】
このうち、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）は、近年、平板表示装置（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）の需要増加に伴って大きく注目されている。前記有機発光素子は、有機発光材料に電流を加えて電気エネルギーを光に変換させる素子であって、通常、陽極（ａｎｏｄｅ）と陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）との間に有機層が挿入された構造からなる。ここで有機層は、発光層と選択的に補助層を含むことができ、前記補助層は、例えば有機発光素子の効率と安全性を高めるための正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、電子輸送層、電子注入層および正孔遮断層から選択された少なくとも１層を含むことができる。
【０００６】
有機発光素子の性能は、前記有機層の特性により影響を多く受け、その中でも前記有機層に含まれている有機材料により影響を多く受けている。
【０００７】
特に、前記有機発光素子が大型の平板表示装置に適用されるためには、正孔および電子の移動性を高めると同時に、電気化学的安全性を高めることができる有機材料の開発が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、高効率、長寿命などの特性を有する有機光電子素子を提供することができる化合物を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、前記化合物を含む有機光電子素子および前記有機光電子素子を含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態では、下記の化学式１で表される化合物を提供する。
【００１１】
【化１】
0006575969.tif 000002
【００１２】
Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレンアミン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシレン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アリールオキシレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールアミン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ３０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アシル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０ウレイド基、ハロゲン基、ハロゲン含有基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも一つは、下記の化学式２または下記の化学式３で表される。
【００１３】
【化２】
0006575969.tif 000003
【００１４】
前記化学式２および３中、
＊は、連結地点であり、
Ｘは、ＯまたはＳであり、
Ｒａ〜Ｒｇは、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールアミン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ３０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アシル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０ウレイド基、ハロゲン基、ハロゲン含有基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、またはこれらの組み合わせである。
【００１５】
本発明の一実施形態に係る化合物は、有機光電子素子用であってもよい。
【００１６】
本発明の他の一実施形態では、互いに向き合う陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する少なくとも一層の有機層と、を含み、前記有機層は、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、電子輸送層、電子注入層および正孔遮断層から選択された少なくとも一つの補助層と、を含み、前記補助層は、前記化合物を含む有機光電子素子を提供する。
【００１７】
本発明のまた他の一実施形態では、前述した有機光電子素子を含む表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高効率および長寿命の有機光電子素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る化合物のＰＬ波長測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、これは例示として提示されるものであり、本発明は、これによって制限されず、特許請求の範囲の範疇のみによって定義される。
【００２１】
本明細書で「置換」とは、別途の定義がない限り、置換基または化合物のうちの少なくとも一つの水素が重水素、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アミン基、ニトロ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４０シリル基、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルシリル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などのＣ１〜Ｃ１０トリフルオロアルキル基またはシアノ基で置換されたことを意味する。
【００２２】
本明細書で「ヘテロ」とは、別途の定義がない限り、一つの作用基内にＮ、Ｏ、Ｓ、ＰおよびＳｉからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。
【００２３】
本明細書で「アルキル（ａｌｋｙｌ）基」とは、別途の定義がない限り、脂肪族炭化水素基を意味する。アルキル基は、いかなる二重結合や三重結合を含んでいない「飽和アルキル（ｓａｔｕｒａｔｅｄ  ａｌｋｙｌ）基」であってもよい。
【００２４】
前記アルキル基は、Ｃ１〜Ｃ２０であるアルキル基であってもよい。より具体的に、アルキル基は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であってもよい。例えば、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は、アルキル鎖に１〜４個の炭素原子が含まれるものを意味し、メチル、エチル、プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｔ−ブチルからなる群より選択されるものを示す。
【００２５】
前記アルキル基は、具体的な例を挙げると、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを意味する。
【００２６】
本明細書で「アリール（ａｒｙｌ）基」とは、環状である置換基のすべての元素がｐ軌道を有しており、これらのｐ軌道が共役（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ）を形成している置換基を意味し、モノサイクリックまたは融合環ポリサイクリック（つまり、炭素原子の隣接した対を共有する環）作用基を含む。
【００２７】
本明細書で「ヘテロ環基（ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  ｇｒｏｕｐ）」とは、アリール基、シクロアルキル基、これらの融合環またはこれらの組み合わせのような環化合物内にＮ、Ｏ、Ｓ、ＰおよびＳｉからなる群より選択されるヘテロ原子を少なくとも一つを含有し、残りは炭素であるものを意味する。前記ヘテロ環基が融合環である場合、前記ヘテロ環基全体またはそれぞれの環ごとにヘテロ原子を１個以上含むことができる。したがって、ヘテロ環基は、ヘテロアリール基を包括する上位概念である。
【００２８】
より具体的に、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基および／または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントリレン基、置換もしくは非置換のナフタセニル基、置換もしくは非置換のピレニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のｐ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のｍ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のクリセニル基、置換もしくは非置換のトリフェニレニル基、置換もしくは非置換のペリレニル基、置換もしくは非置換のインデニル基、置換もしくは非置換のフラニル基、置換もしくは非置換のチオフェニル基、置換もしくは非置換のピロリル基、置換もしくは非置換のピラゾリル基、置換もしくは非置換のイミダゾリル基、置換もしくは非置換のトリアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサゾリル基、置換もしくは非置換のチアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサジアゾリル基、置換もしくは非置換のチアジアゾリル基、置換もしくは非置換のピリジル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のピラジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のベンズイミダゾリル基、置換もしくは非置換のインドリル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、置換もしくは非置換のキナゾリニル基、置換もしくは非置換のキノキサリニル基、置換もしくは非置換のナフチリジニル基、置換もしくは非置換のベンズオキサジニル基、置換もしくは非置換のベンズチアジニル基、置換もしくは非置換のアクリジニル基、置換もしくは非置換のフェナジニル基、置換もしくは非置換のフェノチアジニル基、置換もしくは非置換のフェノキサジニル基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のカルバゾリル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、これらの組み合わせまたはこれらの組み合わせが融合された形態であってもよいが、これに制限されない。
【００２９】
本明細書で、単結合とは、炭素または炭素以外のヘテロ原子を経由せずに直接連結される結合を意味するものであり、具体的に、Ｌが単結合であるという意味は、Ｌと連結される置換基が中心コアに直接連結されることを意味する。つまり、本明細書で「単結合」とは、炭素を経由するメチレンなどを意味するものではない。
【００３０】
本明細書で、正孔特性とは、電場（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）を加えた時、電子を供与して正孔を形成することができる特性をいい、ＨＯＭＯ準位に応じて伝導特性を有して陽極で形成された正孔の発光層への注入、発光層で形成された正孔の陽極への移動および発光層での移動を容易にする特性を意味する。
【００３１】
また電子特性とは、電場を加えた時、電子を受けることができる特性をいい、ＬＵＭＯ準位に応じて伝導特性を有して陰極で形成された電子の発光層への注入、発光層で形成された電子の陰極への移動および発光層での移動を容易にする特性を意味する。
【００３２】
以下、本発明の一実施形態に係る化合物を説明する。
【００３３】
本発明の一実施形態では、下記の化学式１で表される化合物を提供することができる。
【００３４】
【化３】
0006575969.tif 000004
【００３５】
前記化学式１中、
Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレンアミン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシレン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アリールオキシレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルキニレン基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールアミン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ３０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アシル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０ウレイド基、ハロゲン基、ハロゲン含有基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも一つは、下記の化学式２または下記の化学式３で表される。
【００３６】
【化４】
0006575969.tif 000005
【００３７】
前記化学式２および３中、
＊は、連結地点であり、
Ｘは、ＯまたはＳであり、
Ｒａ〜Ｒｇは、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールアミン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ３０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アシル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０ウレイド基、ハロゲン基、ハロゲン含有基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、またはこれらの組み合わせである。
【００３８】
前記本発明の一実施形態に係る化合物は、Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも一つが前記化学式２または化学式３で表されることによって、分子の正孔輸送性を増加させて有機光電子素子の正孔輸送層および正孔輸送性の発光ホストとして適用する場合、優れた効率を示すことができる。
【００３９】
特に、Ｒ２およびＲ３のすべてがアリール基である化合物に比べて正孔輸送性を向上させながらガラス化転移温度を増加させて有機光電子素子に薄膜適用する場合、熱的安定性が向上して長寿命、高効率特性を示すことができ、Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも一つがフルオレニル基である化合物に比べて熱分解に対する耐熱安定性に優れ、真空加熱蒸着法により薄膜形成する場合、より向上した加工性と素子安定性とを確保することができる。
【００４０】
これによって、前記化合物を適用した有機光電子素子の高効率、長寿命の長所および低電圧で駆動可能な特性を調節することができる。
【００４１】
前記化学式１は、具体的に、下記の化学式４〜１２のうちのいずれか一つで表されてもよい。
【００４２】
【化５−１】
0006575969.tif 000006
【００４３】
【化５−２】
0006575969.tif 000007
【００４４】
【化５−３】
0006575969.tif 000008
【００４５】
前記化学式４〜１２中、
Ｘ、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、ＯまたはＳであり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ７、Ｒａ〜Ｒｇ、およびＲａ’〜Ｒｇ’は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールアミン基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ３０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アシル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０ウレイド基、ハロゲン基、ハロゲン含有基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１〜Ｌ３は、前記化学式１の定義と同様である。
【００４６】
例えば、前記Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基から選択されてもよく、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフタレン基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、置換もしくは非置換のトリフェニレニル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のピレニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のチオフェニル基、置換もしくは非置換のフラニル基、置換または非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、置換もしくは非置換のベンゾキノリニル基、置換もしくは非置換のベンゾイソキノリニル基、置換もしくは非置換のピリジニル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のカルバゾリル基などから選択されたものであってもよい。
【００４７】
例えば、前記Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、下記グループＩに羅列された置換もしくは非置換の基から選択され、Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも一つは、下記グループＩ−１に羅列された置換もしくは非置換の基から選択されてもよい。
【００４８】
【化６−１】
0006575969.tif 000009
【００４９】
【化６−２】
0006575969.tif 000010
【００５０】
前記グループＩおよびＩ−１中、
ＸおよびＷは、それぞれ独立して、ＯまたはＳであり、ＲおよびＲ’は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０ヘテロ環基、またはこれらの組み合わせであり、＊は、連結地点である。
【００５１】
前記Ｒ１は、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、またはこれらの組み合わせであってもよい。
【００５２】
具体的に、前記Ｒ１は、メチル基、エチル基、置換もしくは非置換のシクロペンチル基、置換もしくは非置換のシクロヘキシル基、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のピリジル基、置換もしくは非置換のフラニル基、置換もしくは非置換のチオフェニル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、またはこれらの組み合わせであってもよく、例えば、メチル基、エチル基、または下記グループＩＩに羅列された基から選択された一つであってもよい。
【００５３】
【化７】
0006575969.tif 000011
【００５４】
前記グループＩＩ中、＊は、連結地点である。
【００５５】
本発明の一例において、前記化学式１、および化学式４〜１２のＲ４〜Ｒ７、Ｒａ〜Ｒｇ、およびＲａ’〜Ｒｇ’は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ１２シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１２ヘテロ環基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であってもよい。
【００５６】
また、前記化学式１、および化学式４〜１２のＲ４〜Ｒ７、Ｒａ〜Ｒｇ、およびＲａ’〜Ｒｇ’は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であってもよい。
【００５７】
本発明の一例において、前記化学式１、および化学式４〜１２のＬ１〜Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基であってもよい。
【００５８】
前記Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換のフェニレン基、置換もしくは非置換のビフェニレン基、置換もしくは非置換のナフチレン基、置換もしくは非置換のピリジレン基、置換もしくは非置換のピリミジレン基、置換もしくは非置換のベンゾフラニレン基、またはこれらの組み合わせであってもよく、例えば、単結合、または下記グループＩＩＩに羅列された置換もしくは非置換の基から選択されてもよい。
【００５９】
【化８】
0006575969.tif 000012
【００６０】
前記グループＩＩＩ中、＊は、連結地点である。
【００６１】
前記化学式１で表される化合物は、例えば、下記に羅列された化合物であってもよいが、これに限定されない。
【００６２】
【化９−１】
0006575969.tif 000013
【００６３】
【化９−２】
0006575969.tif 000014
【００６４】
【化９−３】
0006575969.tif 000015
【００６５】
【化９−４】
0006575969.tif 000016
【００６６】
【化９−５】
0006575969.tif 000017
【００６７】
【化９−６】
0006575969.tif 000018
【００６８】
【化９−７】
0006575969.tif 000019
【００６９】
【化９−８】
0006575969.tif 000020
【００７０】
【化９−９】
0006575969.tif 000021
【００７１】
【化９−１０】
0006575969.tif 000022
【００７２】
【化９−１１】
0006575969.tif 000023
【００７３】
【化９−１２】
0006575969.tif 000024
【００７４】
【化９−１３】
0006575969.tif 000025
【００７５】
【化９−１４】
0006575969.tif 000026
【００７６】
【化９−１５】
0006575969.tif 000027
【００７７】
【化９−１６】
0006575969.tif 000028
【００７８】
【化９−１７】
0006575969.tif 000029
【００７９】
【化９−１８】
0006575969.tif 000030
【００８０】
【化９−１９】
0006575969.tif 000031
【００８１】
【化９−２０】
0006575969.tif 000032
【００８２】
【化９−２１】
0006575969.tif 000033
【００８３】
【化９−２２】
0006575969.tif 000034
【００８４】
【化９−２３】
0006575969.tif 000035
【００８５】
前述した化合物は、有機光電子素子用であってもよい。
【００８６】
以下、前述した化合物を適用した有機光電子素子について説明する。
【００８７】
本発明の他の一実施形態では、互いに向き合う陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する少なくとも一層の有機層と、を含み、前記有機層は、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、電子輸送層、電子注入層および正孔遮断層から選択された少なくとも一つの補助層と、を含み、前記補助層は、前述した化合物を含む有機光電子素子を提供する。
【００８８】
具体的に、前記補助層は、正孔輸送層であってもよい。
【００８９】
前記有機光電子素子は、電気エネルギーと光エネルギーとを相互変換することができる素子であれば特に限定されず、例えば、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池および有機感光体ドラムなどが挙げられる。
【００９０】
ここでは有機光電子素子の一例である有機発光素子を図面を参照して説明する。
【００９１】
図１および図２は、本発明の一実施形態に係る有機発光素子を示す断面図である。
【００９２】
図１を参照すると、本発明の一実施形態に係る有機光電子素子１００は、互いに向き合う陽極１２０および陰極１１０と、陽極１２０と陰極１１０との間に位置する有機層１０５と、を含む。
【００９３】
陽極１２０は、例えば、正孔注入が円滑に行われるように仕事関数が高い導電体で作られ、例えば、金属、金属酸化物および／または導電性高分子で作られてもよい。陽極１２０は、例えば、ニッケル、白金、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金が挙げられ、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物が挙げられ、ＺｎＯおよびＡｌまたはＳｎＯ２およびＳｂのような金属および酸化物の組み合わせが挙げられ、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン）（ｐｏｌｙｅｈｔｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：ＰＥＤＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などが挙げられるが、これに限定されない。
【００９４】
陰極１１０は、例えば、電子注入が円滑に行われるように仕事関数が低い導電体で作られ、例えば、金属、金属酸化物および／または導電性高分子で作られてもよい。陰極１１０は、例えば、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、錫、鉛、セシウム、バリウムなどのような金属またはこれらの合金が挙げられ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＬｉＯ２／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／ＡｌおよびＢａＦ２／Ｃａのような多層構造物質が挙げられるが、これに限定されない。
【００９５】
有機層１０５は、発光層１３０を含む。
【００９６】
発光層１３０は、例えば、化合物を単独で含むこともでき、２種類を混合して含むこともできる。２種類を混合して含む場合、例えば、ホスト（ｈｏｓｔ）とドーパント（ｄｏｐａｎｔ）の形態で含まれ得る。前記ホストは、例えば、燐光ホストまたは蛍光ホストであってもよい。
【００９７】
ドーパントは、無機、有機、有無機化合物であってもよく、公知のドーパントの中で選択されてもよい。
【００９８】
図２を参照すると、有機発光素子２００は、発光層２３０以外に正孔補助層１４０をさらに含む。正孔補助層１４０は、陽極１２０と発光層２３０との間の正孔注入および／または正孔移動性をさらに高め、電子を遮断することができる。正孔補助層１４０は、例えば、正孔輸送層、正孔注入層および／または電子遮断層であってもよく、少なくとも１層を含むことができる。前述した化合物は、正孔補助層１４０に含まれてもよい。
【００９９】
図１または図２の有機層１０５は、図示してはいないが、電子注入層、電子輸送層、補助電子輸送層、正孔輸送層、補助正孔輸送層、正孔注入層またはこれらの組み合わせ層を追加的にさらに含むことができる。前述した化合物は、補助正孔輸送層に含まれてもよい。
【０１００】
前記発光層２３０と前記補助正孔輸送層とは、隣接して位置することができる。
【０１０１】
本発明の化合物は、これらの有機層に含まれてもよい。有機発光素子１００、２００は、基板上に陽極または陰極を形成した後、真空蒸着法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマメッキおよびイオンメッキのような乾式成膜法、またはスピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、浸漬法（ｄｉｐｐｉｎｇ）、流動コーティング法（ｆｌｏｗ  ｃｏａｔｉｎｇ）のような湿式成膜法などで有機層を形成した後、その上に陰極または陽極を形成して製造することができる。
【０１０２】
前述した化合物は、蛍光材料として含まれてもよい。
【０１０３】
前記蛍光材料は、最大発光波長が５５０ｎｍ以下であってもよく、具体的には４２０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲で最大発光波長が現れ得る。
【０１０４】
前記化学式１で表される化合物のＨＯＭＯ準位は、５．４ｅＶ以上５．８ｅＶ以下であってもよい。
【０１０５】
前記化学式１で表される化合物の三重項励起エネルギー（Ｔ１）は、２．４ｅＶ以上２．７ｅＶ以下であってもよい。
【０１０６】
前述した有機発光素子は、有機発光表示装置に適用され得る。
【実施例】
【０１０７】
以下、本発明の具体的な実施例を提示する。ただし、下記に記載された実施例は、本発明を具体的に例示または説明するためのものに過ぎず、これによって本発明が制限されてはならない。
【０１０８】
以下、実施例および合成例で用いられた出発物質および反応物質は、特別な言及がない限り、シグマアルドリッチ社（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社）、ＴＣＩ社または市販で購入して使用するか公知の方法により製造した。
【０１０９】
（化合物の製造）
本発明の化合物のより具体的な例として提示された化合物を下記の段階を通じて合成した。
【０１１０】
合成例１：中間体Ｍ−１の合成
【０１１１】
【化１０】
0006575969.tif 000036
【０１１２】
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１を白色固体で２７ｇ（収率８９％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３２２．００ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３２２．０９ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝３２４．０４ｇ／ｍｏｌ）。
【０１１３】
合成例２：中間体Ｍ−２の合成
【０１１４】
【化１１】
0006575969.tif 000037
【０１１５】
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２を白色固体で２９ｇ（収率９１％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３７．９８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３８．０４ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝３４０．１１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１１６】
合成例３：中間体Ｍ−３の合成
【０１１７】
【化１２】
0006575969.tif 000038
【０１１８】
丸底フラスコに４−クロロフェニルボロン酸１４．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモジベンゾフラン２３．３ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３を白色固体で２３．９ｇ（収率９１％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２７８．０５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２７８．１２ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝２８０．１３ｇ／ｍｏｌ）。
【０１１９】
合成例４：中間体Ｍ−４の合成
【０１２０】
【化１３】
0006575969.tif 000039
【０１２１】
丸底フラスコに４−クロロフェニルボロン酸１４．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモジベンゾチオフェン２４．８ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−４を白色固体で２５．６ｇ（収率９２％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２９４．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２９４．１６ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝２９６．１３ｇ／ｍｏｌ）。
【０１２２】
合成例５：中間体Ｍ−５の合成
【０１２３】
【化１４】
0006575969.tif 000040
【０１２４】
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、４−ブロモアニリン１６．２ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３００ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−５を白色固体で１７．４ｇ（収率７１％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２５９．１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２５９．２１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１２５】
合成例６：中間体Ｍ−６の合成
【０１２６】
【化１５】
0006575969.tif 000041
【０１２７】
丸底フラスコに４−ブロモビフェニル  ７．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−５  ９．６ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−６を白色固体で１１．１ｇ得た。
【０１２８】
合成例７：中間体Ｍ−７の合成
【０１２９】
【化１６】
0006575969.tif 000042
【０１３０】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１  １０ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−５  ９．６ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−７を白色固体で１１．２ｇ（収率７２％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５０１．１７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５０１．３１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１３１】
合成例８：中間体Ｍ−８の合成
【０１３２】
【化１７】
0006575969.tif 000043
【０１３３】
加熱減圧乾燥した丸底フラスコに１，４−ジブロモベンゼン５６．２ｇ（２３８．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（５００ｍｌ）を加えて溶解させ、−７８℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに２．５Ｍのｎ−ブチルリチウムノルマルヘキサン溶液１００ｍｌ（２５０ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、−７８℃、窒素雰囲気下で２時間攪拌した。ここに無水テトラヒドロフラン１００ｍｌに溶かした９−フルオレノン４１ｇ（２２６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で８時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、ここに１．０Ｍの塩化アンモニウム水溶液２５０ｍｌを加え、ジエチルエーテルで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。残留物を１０％酢酸エチル／ノルマル−ヘキサン溶液のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して目的化合物である中間体Ｍ−８を７０ｇ（収率９２％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３６．０１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３６．１７ｇ／ｍｏｌ）。
【０１３４】
合成例９：中間体Ｍ−９の合成
【０１３５】
【化１８】
0006575969.tif 000044
【０１３６】
丸底フラスコに中間体Ｍ−８  ６７．４ｇ（２００ｍｍｏｌ）を入れてベンゼン５３４ｍＬを加えて溶解させた。ここにトリフルオロメタンスルホン酸３０ｇ（２００ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、窒素雰囲気下で２４時間還流攪拌させた。反応終了後、反応液に１．０Ｍの炭酸水素ナトリウム水溶液２４０ｍｌを徐々に加え、酢酸エチルと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−９を２７．８ｇ（収率３５％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３９６．０５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３９６．１４ｇ／ｍｏｌ）。
【０１３７】
合成例１０：中間体Ｍ−１０の合成
【０１３８】
【化１９】
0006575969.tif 000045
【０１３９】
加熱減圧乾燥した丸底フラスコに１，３−ジブロモベンゼン５６．２ｇ（２３８．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（５００ｍｌ）を加えて溶解させ、−７８℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに２．５Ｍのｎ−ブチルリチウムノルマルヘキサン溶液１００ｍｌ（２５０ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、−７８℃、窒素雰囲気下で２時間攪拌した。ここに無水テトラヒドロフラン１００ｍｌに溶かした９−フルオレノン４１ｇ（２２６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で８時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、ここに１．０Ｍの塩化アンモニウム水溶液２５０ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。残留物を１０％酢酸エチル／ノルマル−ヘキサン溶液のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離して目的化合物である中間体Ｍ−１０を６５ｇ（収率８５％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３６．０１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３６．２１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１４０】
合成例１１：中間体Ｍ−１１の合成
【０１４１】
【化２０】
0006575969.tif 000046
【０１４２】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１０  ６０ｇ（１７８ｍｍｏｌ）を入れてベンゼン４７６ｍＬを加えて溶解させた。ここにトリフルオロメタンスルホン酸２６．７ｇ（２００ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、窒素雰囲気下で２４時間還流攪拌させた。反応終了後、反応液に１．０Ｍの炭酸水素ナトリウム水溶液２１４ｍｌを徐々に加え、酢酸エチルと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−１１を３０．４ｇ（収率４３％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３９６．０５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３９６．１９ｇ／ｍｏｌ）。
【０１４３】
合成例１２：中間体Ｍ−１２の合成
【０１４４】
【化２１】
0006575969.tif 000047
【０１４５】
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）と、４−ブロモアニリン１６．２ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン（３００ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１２を白色固体で１９．２ｇ（収率７４％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２７５．０８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２７５．１４ｇ／ｍｏｌ）。
【０１４６】
合成例１３：中間体Ｍ−１３の合成
【０１４７】
【化２２】
0006575969.tif 000048
【０１４８】
丸底フラスコに２−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）と、４−ブロモアニリン１６．２ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン（３００ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１３を白色固体で１７．９ｇ（収率６９％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２７５．０８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２７５．２１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１４９】
合成例１４：中間体Ｍ−１４の合成
【０１５０】
【化２３】
0006575969.tif 000049
【０１５１】
丸底フラスコに２−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）と、４−ブロモアニリン１６．２ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン（３００ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１４を白色固体で１７．４ｇ（収率７１％）を得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２５９．１／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２５９．１２ｇ／ｍｏｌ）。
【０１５２】
合成例１５：中間体Ｍ−１５の合成
【０１５３】
【化２４】
0006575969.tif 000050
【０１５４】
丸底フラスコに４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニルボロン酸２７．１ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、４−ブロモアニリン１６．２ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３００ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１５を白色固体で２３．３ｇ（収率７４％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３４．１５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３４．２３ｇ／ｍｏｌ）。
【０１５５】
合成例１６：中間体Ｍ−１６の合成
【０１５６】
【化２５】
0006575969.tif 000051
【０１５７】
丸底フラスコに４−ブロモビフェニル７．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１２  １０．２ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で８時間かけて７０℃で攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１６を白色固体で１０ｇ（収率：７６％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４２７．１４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４２７．２５ｇ／ｍｏｌ）。
【０１５８】
合成例１７：中間体Ｍ−１７の合成
【０１５９】
【化２６】
0006575969.tif 000052
【０１６０】
丸底フラスコに３−ブロモビフェニル７．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−５  ９．６ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で８時間かけて７０℃で攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１７を白色固体で９．７ｇ（収率：７６％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４１１．１６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４１１．２４ｇ／ｍｏｌ）。
【０１６１】
合成例１８：中間体Ｍ−１８の合成
【０１６２】
【化２７】
0006575969.tif 000053
【０１６３】
丸底フラスコに４−ブロモビフェニル７．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１３  １０．２ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で８時間かけて７０℃で攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１８を白色固体で９．８ｇ（収率：７４％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４２７．１４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４２７．２１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１６４】
合成例１９：中間体Ｍ−１９の合成
【０１６５】
【化２８】
0006575969.tif 000054
【０１６６】
丸底フラスコに１−ブロモナフタレン６．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１４  ９．６ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で８時間かけて７０℃で攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１９を白色固体で９．２ｇ（収率：７７％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３８５．１５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３８５．２８ｇ／ｍｏｌ）。
【０１６７】
合成例２０：中間体Ｍ−２０の合成
【０１６８】
【化２９】
0006575969.tif 000055
【０１６９】
丸底フラスコに４−ブロモビフェニル７．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１５  １２．４ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で８時間かけて７０℃で攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２０を白色固体で１０．５ｇ（収率：７０％）を得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４８６．２１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４８６．２１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１７０】
合成例２１：中間体Ｍ−２１の合成
【０１７１】
【化３０】
0006575969.tif 000056
【０１７２】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１１  １２．３ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−５  ９．６ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で８時間かけて７０℃で攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２１を白色固体で１２．５ｇ（収率：７０％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５７５．２２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５７５．２４ｇ／ｍｏｌ）。
【０１７３】
合成例２２：中間体Ｍ−２２の合成
【０１７４】
【化３１】
0006575969.tif 000057
【０１７５】
丸底フラスコに中間体Ｍ−９  １２．３ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１２  １０．２ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で８時間かけて７０℃で攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２２を白色固体で１３．２ｇ（収率：７２％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５９１．２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５９１．３１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１７６】
実施例１：化合物Ａ−５の合成
【０１７７】
【化３２】
0006575969.tif 000058
【０１７８】
丸底フラスコに中間体Ｍ−９  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−６  ８．２３ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−５を１３．５ｇ（収率９３％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７２７．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７２７．３４ｇ／ｍｏｌ）。
【０１７９】
実施例２：化合物Ａ−１３７の合成
【０１８０】
【化３３】
0006575969.tif 000059
【０１８１】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１１  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−６  ８．２３ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−１３７を１３．２ｇ（収率９１％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７２７．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７２７．３１ｇ／ｍｏｌ）。
【０１８２】
実施例３：化合物Ｂ−１の合成
【０１８３】
【化３４】
0006575969.tif 000060
【０１８４】
丸底フラスコに中間体Ｍ−９  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−７  １０ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＢ−１を１５．１ｇ（収率９２％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：８１７．３０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８１７．３６ｇ／ｍｏｌ）。
【０１８５】
実施例４：化合物Ｂ−１３の合成
【０１８６】
【化３５】
0006575969.tif 000061
【０１８７】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１１  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−７  １０ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＢ−１３を１４．７ｇ（収率９０％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：８１７．３０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８１７．３８ｇ／ｍｏｌ）。
【０１８８】
実施例ａｄ−１：化合物Ａ−６の合成
【０１８９】
【化３６】
0006575969.tif 000062
【０１９０】
丸底フラスコに中間体Ｍ−９  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１６  ８．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−６を１３．８ｇ（収率９３％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７４３．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７４３．１２ｇ／ｍｏｌ）。
【０１９１】
実施例ａｄ−２：化合物Ａ−１３８の合成
【０１９２】
【化３７】
0006575969.tif 000063
【０１９３】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１１  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１６  ８．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−１３８を１４ｇ（収率９４％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７４３．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７４３．２９ｇ／ｍｏｌ）。
【０１９４】
実施例ａｄ−３：化合物Ａ−１４７の合成
【０１９５】
【化３８】
0006575969.tif 000064
【０１９６】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１１  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１７  ８．２２ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−１４７を１３．２ｇ（収率９１％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７２７．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７２７．３４ｇ／ｍｏｌ）。
【０１９７】
実施例ａｄ−４：化合物Ａ−５０の合成
【０１９８】
【化３９】
0006575969.tif 000065
【０１９９】
丸底フラスコに中間体Ｍ−９  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１８  ８．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−５０を１３．７ｇ（収率９２％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７４３．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７４３．１８ｇ／ｍｏｌ）。
【０２００】
実施例ａｄ−５：化合物Ａ−４７の合成
【０２０１】
【化４０】
0006575969.tif 000066
【０２０２】
丸底フラスコに中間体Ｍ−９  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−１９  ７．７ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−４７を１３．３ｇ（収率９５％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７０１．２７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７０１．１５ｇ／ｍｏｌ）。
【０２０３】
実施例ａｄ−６：化合物Ｃ−３７の合成
【０２０４】
【化４１】
0006575969.tif 000067
【０２０５】
丸底フラスコに中間体Ｍ−１１  ７．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体Ｍ−２０  ９．７ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−３７を１４．６ｇ（収率９１％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：８０２．２３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８０３ｇ／ｍｏｌ）。
【０２０６】
実施例ａｄ−７：化合物Ａ−１７３の合成
【０２０７】
【化４２】
0006575969.tif 000068
【０２０８】
丸底フラスコに中間体Ｍ−２１  １１．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、中間体２−クロロ−４，６−ジフェニルピリミジン５．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、炭酸セシウム９．８ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−１７３を１４．５ｇ（収率９０％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：８０５．３１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８０５．２３ｇ／ｍｏｌ）。
【０２０９】
実施例ａｄ−８：化合物Ａ−４０の合成
【０２１０】
【化４３】
0006575969.tif 000069
【０２１１】
丸底フラスコに中間体Ｍ−２２  １１．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、８−（４−ブロモフェニル）キノリン５．７ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）とを入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１１５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１０１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とを順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させた。反応終了後、トルエンと蒸留水とで抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）のシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−４０を１４．５ｇ（収率９１％）得た：
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７９４．２８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７９４．３５ｇ／ｍｏｌ）。
【０２１２】
（製造された化合物の分析および特性の測定）
１．蛍光特性の分析
前記実施例１〜４の蛍光特性を測定するために各化合物をＴＨＦに溶かした後、ＨＩＴＡＣＨＩ  Ｆ−４５００を用いてＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）波長を測定した。前記実施例２のＡ−１３７に対するＰＬ波長測定結果を図３に示した。
【０２１３】
２．電気化学的特性の分析
スーパーコンピュータＧＡＩＡ（ＩＢＭ  ｐｏｗｅｒ  ６）を用いてＧａｕｓｓｉａｎ  ０９方法で各材料のエネルギー準位を計算し、その結果を下記表１に示した。
【０２１４】
【表１】
0006575969.tif 000070
【０２１５】
前記表１から分かるように、実施例１〜４で合成された化合物である場合、比較例の化合物と比較してＨＯＭＯエネルギーレベルが０．１ｅＶ以上差があり、有機光電子素子の正孔輸送層として用いられる場合、素子効率に影響を与えることができる。
【０２１６】
（有機発光素子の製造）
実施例５：青色有機発光素子の製造
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さが薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水超音波で洗浄した。蒸留水洗浄が終わるとイソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄を行い、乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いてＩＴＯ基板上部に４，４'−ビス［Ｎ−［４−{Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ}−フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）を真空蒸着して６００Åの厚さの正孔注入層を形成した。次に、ＨＴ−１を真空蒸着により２５０Åの厚さの正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層の上部に実施例１で製造された化合物を用いて真空蒸着により５０Åの厚さの補助正孔輸送層を形成した。前記補助正孔輸送層の上部に９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）をホストとして用い、ドーパントとして２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（ＴＢＰｅ）を３重量％にドーピングして真空蒸着により２５０Åの厚さの発光層を形成した。
【０２１７】
その後、前記発光層の上部にＡｌｑ３を真空蒸着して２５０Åの厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって有機発光素子を製造した。
【０２１８】
前記有機発光素子は、５層の有機薄膜層を有する構造からなっており、具体的にＡｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／ＥＭＬ［ＡＤＮ：ＴＢＰｅ＝９７：３］（２５０Å）／補助正孔輸送層（５０Å）／ＨＴ−１（２５０Å）／ＤＮＴＰＤ（６００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で製造した。
【０２１９】
実施例６
前記実施例５で、実施例１の代わりに実施例２を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２０】
実施例７
前記実施例５で、実施例１の代わりに実施例３を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２１】
実施例８
前記実施例５で、実施例１の代わりに実施例４を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２２】
実施例ａｄ−９
前記実施例５で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−３を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２３】
実施例ａｄ−１０
前記実施例５で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−６を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２４】
比較例１
実施例１の化合物Ａ−５の代わりにＨＴ−１を用いた点を除いては実施例５と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２５】
比較例２
実施例１の化合物Ａ−５の代わりにＨＴ−２を用いた点を除いては実施例５と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２６】
前記有機発光素子の製造に用いられたＤＮＴＰＤ、ＨＴ−１、ＨＴ−２、Ａｌｑ３、ＡＤＮ、ＴＢＰｅの構造は以下のとおりである。
【０２２７】
【化４４】
0006575969.tif 000071
【０２２８】
（青色有機発光素子の性能測定）
実施例５〜８、実施例ａｄ−９およびａｄ−１０、そして比較例１〜２による有機発光素子の電圧に応じた電流密度の変化、輝度の変化、発光効率、および寿命を測定した。具体的な測定方法は、以下のとおりであり、その結果は表２に示した。
【０２２９】
１）電圧変化に応じた電流密度の変化測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら電流−電圧計（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ２４００）を用いて単位素子に流れる電流値を測定し、測定された電流値を面積で割って結果を得た。
【０２３０】
２）電圧変化に応じた輝度の変化測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ  Ｃｓ−１０００Ａ）を用いてその時の輝度を測定して結果を得た。
【０２３１】
３）発光効率の測定
前記（１）および（２）から測定された輝度と電流密度および電圧を用いて同一の電流密度（１０ｍＡ／ｃｍ２）の電流効率（ｃｄ／Ａ）を計算した。
【０２３２】
４）寿命測定
製造された有機発光素子に対してＰｏｌａｒＯｎｙｘ寿命測定システムを用いて、実施例５〜８、実施例ａｄ−９およびａｄ−１０、ならびに比較例１および２の青色有機発光素子について、初期輝度１，０００ｎｉｔに発光させ、時間経過に応じた輝度の減少を測定して初期輝度に比べて１／２に輝度が減少した時点を半減寿命として測定した。
【０２３３】
【表２】
0006575969.tif 000072
【０２３４】
前記表２から分かるように、実施例５〜８、実施例ａｄ−９およびａｄ−１０は、比較例１および２に比べて発光効率が大きく改善され、寿命も同等またはそれ以上に改善された特性を示すことが分かる。特に実施例５〜８、実施例ａｄ−９およびａｄ−１０は、補助ＨＴＬを用いない比較例１に比べて最低１３％以上の効率増加を示し、補助ＨＴＬとしてＨＴ−２を用いた比較例２に比べて最低２０％以上の半減寿命が増加する効果を示した。
【０２３５】
実施例ａｄ−１１：緑色有機発光素子の製造
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水超音波で洗浄した。蒸留水洗浄後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄を行い、乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として使用してＩＴＯ基板上部にＨＴ−１を真空蒸着して７００Åの厚さの正孔注入および輸送層を形成した。次に、実施例１で製造された化合物を使用して真空蒸着により１００Åの厚さの補助正孔輸送層を形成した。前記補助正孔輸送層の上部に（４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾール）ビフェニル［ＣＢＰ］をホストとして用い、ドーパントとしてトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］を５重量％にドーピングして真空蒸着により３００Åの厚さの発光層を形成した。
【０２３６】
その後、前記発光層の上部にビフェノキシ−ビス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ｂａｌｑ］を真空蒸着して５０Åの厚さの正孔阻止層を形成した。前記正孔阻止層の上部にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ａｌｑ３］を真空蒸着して２５０Åの厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層の上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって有機発光素子を製造した。
【０２３７】
前記有機発光素子は、５層の有機薄膜層を有する構造からなっており、具体的にＡｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／Ｂａｌｑ（５０Å）／ＥＭＬ［ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝９５：５］（３００Å）／補助ＨＴＬ（１００Å）／ＨＴ−１（７００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で製造した。
【０２３８】
実施例ａｄ−１２
前記実施例ａｄ−１１で、実施例１の代わりに実施例２を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２３９】
実施例ａｄ−１３
前記実施例ａｄ−１１で、実施例１の代わりに実施例３を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
【０２４０】
実施例ａｄ−１４
前記実施例ａｄ−１１で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−１を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
【０２４１】
実施例ａｄ−１５
前記実施例ａｄ−１１で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−２を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
【０２４２】
実施例ａｄ−１６
前記実施例ａｄ−１１で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−３を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２４３】
実施例ａｄ−１７
前記実施例ａｄ−１１で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−４を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２４４】
比較例３
前記実施例ａｄ−１１で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２４５】
比較例４
前記実施例ａｄ−１１で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例１の代わりにトリス（４，４'，４”−（９−カルバゾリル））−トリフェニルアミン［ＴＣＴＡ］を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２４６】
比較例５
前記実施例ａｄ−１１で、実施例１の代わりにＨＴ−１を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２４７】
前記有機発光素子の製造に用いられたＨＴ−１およびＡｌｑ３は、前述したとおりであり、ＮＰＢ、ＴＣＴＡ、ＣＢＰ、Ｂａｌｑ、Ｉｒ（ｐｐｙ）３の構造は以下のとおりである。
【０２４８】
【化４５】
0006575969.tif 000073
【０２４９】
（緑色有機発光素子の性能測定）
実施例ａｄ−１１〜ａｄ−１７、および比較例３〜５による有機発光素子の電圧に応じた電流密度の変化、輝度の変化、発光効率、および寿命を測定した。電圧に応じた電流密度の変化、輝度の変化、および発光効率の測定方法は、前記青色有機発光素子での方法と同様であり、寿命測定方法は以下のとおりであり、その結果は表３に示した。
【０２５０】
寿命測定
製造された有機発光素子に対してＰｏｌａｒＯｎｙｘ寿命測定システムを用いて、実施例ａｄ−１１〜ａｄ−１７および比較例３〜５の緑色有機発光素子について、初期輝度３，０００ｎｉｔに発光させ、時間経過に応じた輝度の減少を測定して初期輝度に比べて１／２に輝度が減少した時点を半減寿命として測定した。
【０２５１】
【表３】
0006575969.tif 000074
【０２５２】
前記表３から分かるように、実施例ａｄ−１１〜ａｄ−１７は、比較例３〜５に比べて発光効率、駆動電圧、寿命の側面から改善された特性を示すことが分かる。特に実施例ａｄ−１１〜ａｄ−１７は、補助ＨＴＬを用いない比較例３に比べて最低７０％以上の効率増加を示し、比較例５に比べて最低２０％以上の効率増加を示した。補助ＨＴＬとしてＴＣＴＡを用いた比較例４に比べてもより高い効率を示し、最低３０％以上の半減寿命が増加する効果を示した。
【０２５３】
実施例ａｄ−１８：赤色有機発光素子の製造
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水超音波で洗浄した。蒸留水洗浄後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄を行い、乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として使用してＩＴＯ基板上部に４，４'−ビス［Ｎ−［４−{Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ}−フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル［ＤＮＴＰＤ］を真空蒸着して６００Åの厚さの正孔注入層を形成した。次に、ＨＴ−１を真空蒸着により２００Åの厚さの正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層の上部に実施例１で製造された化合物を使用して真空蒸着により１００Åの厚さの補助正孔輸送層を形成した。前記補助正孔輸送層の上部に（４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾール）ビフェニル［ＣＢＰ］をホストとして用い、ドーパントとしてビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃ］を５重量％にドーピングして真空蒸着により３００Åの厚さの発光層を形成した。
【０２５４】
その後、前記発光層の上部にビフェノキシ−ビス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ｂａｌｑ］を真空蒸着して５０Åの厚さの正孔阻止層を形成した。前記正孔阻止層の上部にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ａｌｑ３］を真空蒸着して２５０Åの厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層の上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって有機発光素子を製造した。
【０２５５】
前記有機発光素子は、６層の有機薄膜層を有する構造からなっており、具体的にＡｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／Ｂａｌｑ（５０Å）／ＥＭＬ［ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃ＝９５：５］（３００Å）／補助ＨＴＬ（１００Å）／ＨＴ−１（７００Å）／ＤＮＴＰＤ（６００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で製造した。
【０２５６】
実施例ａｄ−１９
前記実施例ａｄ−１８で、実施例１の代わりに実施例２を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２５７】
実施例ａｄ−２０
前記実施例ａｄ−１８で、実施例１の代わりに実施例４を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２５８】
実施例ａｄ−２１
前記実施例ａｄ−１８で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−１を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２５９】
実施例ａｄ−２２
前記実施例ａｄ−１８で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−３を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６０】
実施例ａｄ−２３
前記実施例ａｄ−１８で、実施例１の代わりに実施例ａｄ−５を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６１】
比較例６
前記実施例ａｄ−１８で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６２】
比較例７
前記実施例ａｄ−１８で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例１の代わりにトリス（４，４'，４”−（９−カルバゾリル））−トリフェニルアミン［ＴＣＴＡ］を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６３】
比較例８
前記実施例ａｄ−１８で、実施例１の代わりにＨＴ−１を用いた点を除いては同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６４】
前記有機発光素子の製造に用いられたＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＨＴ−１、ＴＣＴＡ、ＣＢＰ、Ｂａｌｑ、およびＡｌｑ３の構造は前述したとおりであり、Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃの構造は以下のとおりである。
【０２６５】
【化４６】
0006575969.tif 000075
【０２６６】
（赤色有機発光素子の性能測定）
実施例ａｄ−１８〜ａｄ−２３、および比較例６〜８による有機発光素子の電圧に応じた電流密度の変化、輝度の変化、発光効率、および寿命を測定した。
【０２６７】
電圧に応じた電流密度の変化、輝度の変化、および発光効率の測定方法は、前記青色有機発光素子での方法と同様であり、寿命測定方法は以下のとおりであり、その結果は表４に示した。
【０２６８】
寿命測定
製造された有機発光素子に対してＰｏｌａｒＯｎｙｘ寿命測定システムを用いて、実施例ａｄ−１８〜ａｄ−２３と比較例６〜８の赤色有機発光素子について、初期輝度１，０００ｎｉｔに発光させ、時間経過に応じた輝度の減少を測定して初期輝度に比べて８０％に輝度が減少した時点をＴ８０寿命として測定した。
【０２６９】
【表４】
0006575969.tif 000076
【０２７０】
前記表４から分かるように、実施例ａｄ−１８〜ａｄ−２３は、比較例６〜８に比べて発光効率、駆動電圧、寿命の側面から改善された特性を示すことが分かる。特に実施例ａｄ−１８〜ａｄ−２３は、補助ＨＴＬを用いない比較例６に比べて最低１９％以上の効率増加を示し、比較例８に比べて最低８％以上の効率増加を示した。補助ＨＴＬとしてＴＣＴＡを用いた比較例７に比べてもより高い効率を示し、最低２８％以上のＴ８０寿命が増加する効果を示した。
本発明は、前記実施例に限定されず、互いに異なる多様な形態に製造されてもよく、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的な思想や必須の特徴を変更せずに他の具体的な形態に実施可能であることを理解できるはずである。したがって、前述した実施例はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないことを理解しなければならない。
【符号の説明】
【０２７１】
１００：有機発光素子
２００：有機発光素子
１０５：有機層
１１０：陰極
１２０：陽極
１３０：発光層
２３０：発光層
１４０：正孔補助層
【図１】
0006575969.tif 000093
【図２】
0006575969.tif 000094
【図３】
0006575969.tif 000095