(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた中間層と、
前記中間層上に設けられた反射膜と、
前記反射膜上に設けられたキャップ層と、
を備え、
前記中間層は、前記キャップ層に含有される主要元素の原子量よりも小さい原子量を有する主要元素を含有する第１の層と、前記第１の層と前記基板との間に設けられ且つ前記第１の層の導電率よりも高い導電率を有する第２の層と、を含み、
前記第１の層は、主要元素としてホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）を含有し、
前記第２の層は、主要元素としてルテニウム（Ｒｕ）を含有している
ことを特徴とするマスク基板。
【請求項２】
前記第１の層は、前記キャップ層の二次電子放出効率よりも低い二次電子放出効率を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のマスク基板。
【請求項３】
前記第１の層は、前記キャップ層の密度よりも小さい密度を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のマスク基板。
【請求項４】
前記キャップ層に含有される主要元素は、ルテニウム（Ｒｕ）である
ことを特徴とする請求項１に記載のマスク基板。
【請求項５】
前記反射膜及び前記キャップ層はパターニングされている
ことを特徴とする請求項１に記載のマスク基板。
【請求項６】
基板を用意することと、
前記基板上に中間層を形成することと、
前記中間層上に反射膜を形成することと、
前記反射膜上にキャップ層を形成することと、
を備え、
前記中間層は、第１の層と前記第１の層と前記基板との間に設けられた第２の層とを含み、
前記第１の層は、主要元素としてホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）を含有し、
前記第２の層は、主要元素としてルテニウム（Ｒｕ）を含有している
ことを特徴とするマスク基板の製造方法。
【請求項７】
前記キャップ層上にハードマスク層を形成することと、
前記ハードマスク層上にレジストパターンを形成することと、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記ハードマスク層をパターニングしてハードマスクパターンを形成することと、
前記ハードマスクパターンをマスクとして用いて前記反射膜をパターニングすることと、
をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載のマスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マスク基板及びマスク基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（半導体集積回路装置）のパターンの微細化に対応するため、露光光としてＥＵＶ（Extreme Ultra-Violet）光を用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。このＥＵＶリソグラフィでは、一般的に反射型の露光マスクが用いられる。
【０００３】
反射型の露光マスクは、ガラス基板上に形成された多層反射膜及び多層反射膜上に形成されたＥＵＶ光吸収膜によって構成され、ＥＵＶ光吸収膜をパターニングしている。また、多層反射膜をパターニングする方法や、多層反射膜とガラス基板との間に導電層を設ける方法も提案されている。
【０００４】
マスク基板（露光マスク、マスクブランク）においては、適正なパターン検査を行うことが可能なものが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１２２２０号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Proc. of SPIE Vol. 8880, 88802M “Patterning of EUVL binary etched multilayer mask”
【非特許文献２】Proc. of SPIE Vol. 8701 87010Y-1 “Improvement of EUVL mask structure with black border of etched multilayer”
【非特許文献３】Proc. of SPIE Vol. 9256 92560I “Ruthenium (Ru) Peeling and Predicting Robustness of the Capping Layer Using Finite Element Method (FEM) Modeling”
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
適正なパターン検査を行うことが可能なマスク基板及びマスク基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係るマスク基板は、基板と、前記基板上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられた反射膜と、前記反射膜上に設けられたキャップ層と、を備え、前記中間層は、前記キャップ層に含有される主要元素の原子量よりも小さい原子量を有する主要元素を含有する第１の層と、前記第１の層と前記基板との間に設けられ且つ前記第１の層の導電率よりも高い導電率を有する第２の層と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の構成を模式的に示した断面図である。
【図２】第１の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）におけるパターン領域及び周辺領域の構成を模式的に示した断面図である。
【図３】第１の実施形態に係るマスク基板（マスクブランク）の構成を模式的に示した断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図５】第１の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６】第１の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図７】第１の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図８】第１の実施形態に係り、各種材料の二次電子放出効率を示した図である。
【図９】第１の実施形態及び比較例の露光マスクの電子画像について、二次電子信号強度プロファイルを示した図である。
【図１０】第１の実施形態及び比較例の露光マスクについて、二次電子放出効率を示した図である。
【図１１】第２の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の構成を模式的に示した断面図である。
【図１２】第２の実施形態に係るマスク基板（露光マスク）におけるパターン領域及び周辺領域の構成を模式的に示した断面図である。
【図１３】第２の実施形態に係るマスク基板（マスクブランク）の構成を模式的に示した断面図である。
【図１４】第２の実施形態に係り、各種材料の抵抗率を示した図である。
【図１５】第２の実施形態に係り、入射電子ビーム電流に対する二次電子放出効率を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。なお、以下の説明において、マスク基板には、露光マスク（パターニングを行った後のマスク基板）及びマスクブランク（パターニングを行う前のマスク基板）のいずれも含まれる。
【００１１】
（実施形態１）
図１は、第１の実施形態に係るマスク基板の構成を模式的に示した断面図である。図１のマスク基板は、露光マスクである。具体的には、図１のマスク基板は、ＥＵＶ光を用いたＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型の露光マスクである。
【００１２】
図１に示した露光マスクは、ガラス基板（基板）１０と、ガラス基板１０上に設けられた中間層２０と、中間層２０上に設けられた多層反射膜（反射膜）３０と、多層反射膜３０上に設けられたキャップ層４０とを備えている。
【００１３】
中間層２０は、第１の層２１と第２の層２２とを含んでいる。第１の層２１は、キャップ層４０に含有される主要元素の原子量よりも小さい原子量を有する主要元素を含有している。本実施形態では、第１の層２１は、ホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）を主要元素として含有している。具体的には、第１の層２１は、炭化ホウ素層で形成されている。より具体的には、第１の層２１は、Ｂ4 Ｃ層で形成されている。第２の層２２は、第１の層２１と基板１０との間に設けられ且つ第１の層２１の導電率よりも高い導電率を有している。本実施形態では、第２の層２２は、導電層（例えば、金属層）で形成されている。具体的には、第２の層２２は、主要元素としてルテニウム（Ｒｕ）を含有している。本実施形態では、第２の層２２は、ルテニウム（Ｒｕ）層である。第１の層２１の厚さは、第２の層２２の厚さよりも薄い。例えば、第１の層２１の厚さは、５ｎｍ以下である。
【００１４】
多層反射膜３０は、複数のモリブデン（Ｍｏ）層と複数のシリコン（Ｓｉ）層とが交互に積層された反射膜である。
【００１５】
キャップ層４０は、導電層（例えば、金属層）で形成されている。具体的には、キャップ層４０は、主要元素としてルテニウム（Ｒｕ）を含有している。本実施形態では、キャップ層４０は、ルテニウム（Ｒｕ）層である。
【００１６】
なお、主要元素とは、層（第１の層２１やキャップ層４０等）の主要成分となる元素であり、微量の添加元素は含まれない。例えば、層（第１の層２１やキャップ層４０等）の構成材料に含有される元素の割合が１０原子％以上の元素が主要元素である。本実施形態では、第１の層２１の主要元素はホウ素及び炭素であり、キャップ層４０の主要元素はルテニウムである。
【００１７】
図１に示すように、多層反射膜３０及びキャップ層４０はパターニングされており、多層反射膜３０及びキャップ層４０によって所望の回路パターンが形成されている。多層反射膜３０及びキャップ層４０が除去された部分では、中間層２０の第１の層２１が露出している。
【００１８】
図２は、図１に示した露光マスクにおけるパターン領域及び周辺領域（周辺領域は、周辺領域またはその他の領域も含む）の構成を模式的に示した断面図である。パターン領域とは、回路パターン（集積回路パターン）を形成するための領域である。図２に示すように、本実施形態の露光マスクでは、パターン領域及び周辺領域のいずれにおいても、多層反射膜３０及びキャップ層４０が除去されて中間層２０の第１の層２１が露出している部分が設けられている。
【００１９】
図３は、図１に示した露光マスクを製造するためのマスクブランクの構成を模式的に示した断面図である。マスクブランクは、パターニングを行う前のマスク基板であるため、多層反射膜３０及びキャップ層４０はパターニングされておらず、第１の層２１及び第２の層２２を含む中間層２０は露出していない。なお、ガラス基板（基板）１０、中間層２０（第１の層２１及び第２の層２２）、多層反射膜（反射膜）３０及びキャップ層４０についてはすでに説明した通りである。
【００２０】
次に、本実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の製造方法を説明する。図４〜図７は、本実施形態に係るマスク基板（露光マスク）の製造方法を模式的に示した断面図である。
【００２１】
まず、図４に示すように、ガラス基板１０を用意し、ガラス基板１０上に中間層２０を形成する。すなわち、ガラス基板１０上に中間層２０の第２の層２２を形成し、第２の層２２上に第１の層２１を形成する。続いて、中間層２０上に多層反射膜３０を形成し、多層反射膜３０上にキャップ層４０を形成する。続いて、キャップ層４０上にハードマスク層５０を形成する。このハードマスク層５０には、キャップ層４０及び多層反射膜３０に対して選択的にエッチングを行うことが可能な無機膜を用いる。
【００２２】
次に、図５に示すように、ハードマスク層５０上にレジストパターン６０を形成する。レジストパターン６０は、例えば、開口部６０ａを有している。開口部６０ａは、上面視において、所定の回路パターン及び周辺パターン等を有している。レジストパターン６０には、例えば、化学増幅型のポジ型レジストが用いられる。開口部６０ａは、例えば、電子ビーム（ＥＢ）露光装置を用いてレジスト膜に描画を行った後、レジスト膜を現像することによって形成される。
【００２３】
次に、図６に示すように、レジストパターン６０をマスクとして用いてハードマスク層５０をパターニングしてハードマスクパターン５０を形成する。すなわち、レジストパターン６０がハードマスク層５０に転写され、開口部５０ａを有するハードマスクパターン５０が形成される。
【００２４】
次に、図７に示すように、ハードマスクパターン５０をマスクとして用いて多層反射膜３０をパターニングする。これにより、多層反射膜３０に凹部３０ａが形成される。本実施形態では、凹部３０ａにおいて多層反射膜３０が全て除去され、凹部３０ａの底面に中間層２０が露出する。さらに、ハードマスクパターン５０を除去することで、反射型の露光マスクが完成する。
【００２５】
上述したように、本実施形態では、中間層２０の第１の層２１は、キャップ層４０に含有される主要元素の原子量よりも小さい原子量を有する主要元素を含有している。一般に、主要元素の原子量が小さいと（原子番号が小さいと）、密度（重量密度）が小さくなり、二次電子放出効率が低くなる傾向がある。本実施形態では、第１の層２１は、キャップ層４０よりも密度（重量密度）が小さく、電子の散乱断面積が小さいため、第１の層２１は、キャップ層４０よりも二次電子放出効率が低くなる。その結果、電子線を照射したときに、第１の層２１の表面（中間層２０の表面）から放出される二次電子の量は、キャップ層４０の表面から放出される二次電子の量よりも少なくなる。したがって、電子線照射によって露光マスクの像を取得するときに、キャップ層４０及び多層反射膜３０が存在する部分と中間層２０が露出した部分とのコントラストを高くすることができる。その結果、本実施形態の露光マスクを用いることにより、適正なパターン検査を行うことが可能となる。
【００２６】
特に、第１の層２１に含有されている主要元素がホウ素（原子番号５）及び炭素（原子番号６）であり、キャップ層４０に含有される主要元素がルテニウム（原子番号４４）である場合には、ホウ素及び炭素の原子量がルテニウムの原子量より十分に小さいため、十分なコントラストを得ることが可能である。
【００２７】
図８は、各種材料（Ｂ4 Ｃ、Ｒｕ、ＣｒＮ、ＴｉＮ）の二次電子放出効率を示した図である。いずれの材料も、バルク（膜厚１００ｎｍ）の二次電子放出効率を示している。図に示すように、炭化ホウ素（Ｂ4 Ｃ）の二次電子放出効率は、他の材料（Ｒｕ、ＣｒＮ、ＴｉＮ）の二次電子放出効率に比べて小さい。したがって、第１の層２１として炭化ホウ素層を用いることで、高いコントラストを得ることが可能である。
【００２８】
また、本実施形態では、中間層２０が第１の層２１と第２の層２２との積層構造であり、第１の層２１とガラス基板１０との間に第２の層２２が設けられている。この第２の層２２は、第１の層２１よりも高い導電率を有している。そのため、第１の層２１の導電率が低い場合でも、第２の層２２によって確実に電荷を除去することができ、中間層２０の帯電を抑制することができる。
【００２９】
図９は、本実施形態及び比較例の露光マスクの電子画像について、二次電子信号強度プロファイルを示した図である。具体的には、露光マスク上に形成されたラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）の信号強度プロファイルを示している。ライン部は多層反射膜３０及びキャップ層４０が形成されている部分であり、スペース部は多層反射膜３０及びキャップ層４０が除去されている部分（中間層２０が露出している部分）である。本実施形態の露光マスクでは、キャップ層４０がルテニウム層で形成され、中間層２０の第１の層２１がＢ4 Ｃ層で、第２の層２２がルテニウム層で形成されている。比較例の露光マスクでは、キャップ層４０及び中間層２０ともにルテニウム層で形成されている。図９に示すように、本実施形態の場合には、ライン部とスペース部とで大きな信号強度差が得られている。
【００３０】
以上のように、本実施形態によれば、電子線照射によって露光マスクの像を取得するときに、多層反射膜３０及びキャップ層４０が形成されている部分の二次電子放出効率と、多層反射膜３０及びキャップ層４０が除去されている部分（中間層２０が露出している部分）の二次電子放出効率との差を大きくすることができ、且つ中間層２０の帯電を抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、露光マスクの検査感度を向上させることができ、適正なパターン検査を行うことが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態では、中間層２０の第１の層２１が炭化ホウ素層（Ｂ4 Ｃ層）で形成されている。炭化ホウ素は、化学的に非常に安定であるため、多層反射膜３０をエッチングする際のエッチングストップ層として非常に優れている。また、炭化ホウ素は、化学的に非常に安定であるため、自然酸化されにくく、十分な薄膜化が可能である。したがって、炭化ホウ素を用いることで、第１の層２１の厚さを電子の侵入深さよりも小さくすることができる。そのため、ＥＢＩＣ（Electron Beam Induced Current）に基づく第１の層２１の帯電量を非常に少なくすることができる。
【００３２】
なお、上述した実施形態では、中間層２０の第２の層２２をルテニウム（Ｒｕ）で形成したが、ルテニウム以外の金属を第２の層２２として用いてもよい。例えば、モリブデン（Ｍｏ）等の、ルテニウムの原子量よりも小さい原子量を有する金属を第２の層２２として用いてもよい。また、ルテニウムの原子量よりも小さい原子量を有する金属を含有する金属化合物を第２の層２２として用いてもよい。特に、窒化クロム（ＣｒＮ）或いは窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属窒化物を用いることが好ましい。これらの金属或いは金属化合物を第２の層２２として用いた場合には、ルテニウムを第２の層２２として用いた場合よりも、中間層２０の二次電子放出効率をさらに低くすることが可能である。その結果、検査感度をさらに向上させることが可能となる。
【００３３】
図１０は、本実施形態及び比較例の露光マスクについて、二次電子放出効率を示した図である。実施形態Ａの露光マスクでは、中間層２０の第１の層２１がＢ4 Ｃ層で形成され、中間層２０の第２の層２２がルテニウム層で形成されている。実施形態Ｂの露光マスクでは、中間層２０の第１の層２１がＢ4 Ｃ層で形成され、中間層２０の第２の層２２がＣｒＮ層で形成されている。比較例の露光マスクでは、中間層２０がルテニウム層のみで形成されている。図１０に示すように、実施形態Ａ及び実施形態Ｂの場合には、二次電子放出効率を低くすることができる。特に、第２の層２２として、ルテニウムの原子量よりも小さい原子量を有するクロムの窒化物（ＣｒＮ）を用いた場合には、二次電子放出効率をより低くすることができる。
【００３４】
また、上述した実施形態では、中間層２０の第２の層２２をルテニウムの単層膜で形成したが、中間層２０の第２の層２２を多層膜で形成してもよい。例えば、多層反射膜３０の多層膜の構成と同じ構成を有する多層膜で第２の層２２を形成するようにしてもよい。この場合には、マスクブランクを製造する際に、多層反射膜３０の形成方法と同様の方法によって第２の層２２を形成することが可能である。
【００３５】
また、上述した実施形態では、中間層２０の第１の層２１は、ホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）を主要元素として含有していたが、ホウ素及び炭素以外の元素を主要元素として含有していてもよい。例えば、第１の層２１は、カルシウム（Ｃａ）を主要元素として含有していてもよい。カルシウムの原子番号は２０である。したがって、キャップ層４０に含有される主要元素がルテニウム（原子番号４４）である場合には、カルシウムの原子量がルテニウムの原子量よりも十分に小さいため、十分なコントラストを得ることが可能である。具体的には、第１の層２１として、フッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）層やフッ素燐灰石（Ｃａ5（ＰＯ4 ）3 Ｆ）を用いることが可能である。これらの材料は、原子量の小さいフッ素（原子番号９）も主要元素として含有しているため、高コントラスト化に対してより有効である。特に、フッ素燐灰石（Ｃａ5（ＰＯ4 ）3 Ｆ）は、化学的にも機械的にも非常に安定であり、第１の層２１の材料として効果的である。
【００３６】
また、本実施形態において、中間層２０の第１の層２１は、キャップ層４０に含有される主要元素の原子量よりも小さい原子量を有する主要元素を含有していればよい。第１の層２１が複数の主要元素を含有している場合には、第１の層２１に含有されている少なくとも１つの主要元素が、キャップ層４０に含有されている主要元素の原子量よりも小さい原子量を有していればよい。したがって、第１の層２１に含有される主要元素の全てが、キャップ層４０に含有される主要元素の原子量よりも小さい原子量を有していてもよいし、第１の層２１に、キャップ層４０に含有される主要元素の原子量よりも大きい原子量を有する主要元素が含有されていてもよい。
【００３７】
（実施形態２）
次に、第２の実施形態について説明する。なお、基本的な事項は第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
【００３８】
図１１は、第２の実施形態に係るマスク基板の構成を模式的に示した断面図である。図１１のマスク基板は、露光マスクである。具体的には、図１１のマスク基板は、ＥＵＶ光を用いたＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型の露光マスクである。
【００３９】
図１２は、図１１に示した露光マスクにおけるパターン領域及び周辺領域の構成を模式的に示した断面図である。本実施形態の露光マスクも、第１の実施形態と同様に、パターン領域及び周辺領域のいずれにおいても、多層反射膜３０及びキャップ層４０が除去されて中間層２０の第１の層２１が露出している部分が設けられている。
【００４０】
図１３は、図１１に示した露光マスクを製造するためのマスクブランクの構成を模式的に示した断面図である。
【００４１】
なお、マスク基板（露光マスク）の基本的な製造方法は第１の実施形態と同様であるため、ここでは製造方法の説明は省略する。
【００４２】
本実施形態では、中間層２０がホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）を主要元素として含有する第１の層２１で形成されている。具体的には、第１の層２１は、炭化ホウ素層で形成されている。より具体的には、第１の層２１は、Ｂ4 Ｃ層で形成されている。中間層２０以外の基本的な構成は、第１の実施形態の構成と同様である。
【００４３】
炭化ホウ素は、ある程度高い導電率を有している。したがって、第１の層（炭化ホウ素層）２１の厚さをある程度大きくすれば、第２の層２２を設けなくても、ある程度の導電性を確保することは可能である。そこで、本実施形態では、第２の層２２を設けずに、第１の層２１のみで中間層２０を形成している。
【００４４】
上述したように、本実施形態では、中間層２０がホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）を主要元素として含有する第１の層２１で形成されている。ホウ素（原子番号５）及び炭素（原子番号６）の原子量は、キャップ層４０の主要元素（例えば、ルテニウム（原子番号４４））の原子量よりも十分に小さい。そのため、中間層２０（第１の層２１）の二次電子放出効率をキャップ層４０の二次電子放出効率よりも十分に低くすることができる。したがって、電子線照射によって露光マスクの像を取得するときに、十分なコントラストを得ることができる。その結果、本実施形態の露光マスクを用いることにより、適正なパターン検査を行うことが可能となる。
【００４５】
また、ホウ素及び炭素を主要元素として含有する第１の層２１は、ある程度高い導電率を有しているため、第２の層２２を設けなくても、ある程度の導電性を確保することは可能である。したがって、第２の層２２を設けなくても、第１の層２１によって中間層２０の帯電を抑制することが可能である。
【００４６】
以上のように、本実施形態においても、電子線照射によって露光マスクの像を取得するときに、多層反射膜３０及びキャップ層４０が形成されている部分の二次電子放出効率と、多層反射膜３０及びキャップ層４０が除去されている部分（中間層２０が露出している部分）の二次電子放出効率との差を大きくすることができ、且つ中間層２０の帯電を抑制することができる。したがって、本実施形態においても、露光マスクの検査感度を向上させることができ、適正なパターン検査を行うことが可能となる。
【００４７】
なお、第２の層２２を設けずに第１の層２１（ホウ素及び炭素を主要元素として含有する層）のみで中間層２０を構成する場合には、第１の層２１をできるだけ厚くすることが好ましい。
【００４８】
図１４は、各種材料の抵抗率の測定結果を示した図である。単位は「オーム・ｃｍ」である。炭化ホウ素層（Ｂ4 Ｃ層）の厚さが１００ｎｍである場合には、ある程度低い抵抗率（ある程度高い導電率）が得られている。また、図１４では、金属膜上に厚さ２．５ｎｍの薄い炭化ホウ素層（Ｂ4 Ｃ層）を形成した場合の抵抗率も示している。この場合には、金属膜を通して電流が流れるため、抵抗率が非常に小さくなっている。
【００４９】
図１５は、入射電子ビーム電流に対する二次電子放出効率を示した図である。厚さ１００ｎｍの炭化ホウ素層（Ｂ4 Ｃ層）の単層膜の場合、及び金属膜上に厚さ２．５ｎｍの炭化ホウ素層（Ｂ4 Ｃ層）が形成された積層膜の場合には、入射電子ビーム電流を増加させても、二次電子放出効率はほとんど変化していない。一方、厚さ５ｎｍの炭化ホウ素層（Ｂ4 Ｃ層）の単層膜の場合には、入射電子ビーム電流が増加するにしたがって二次電子放出効率が低下している。これは、Ｂ4 Ｃ層の厚さが５ｎｍ程度である場合には、高抵抗のＢ4 Ｃ層が電子ビームによって正に帯電し、発生した二次電子（負の電荷）がＢ4 Ｃ層に引き戻されるためである。
【００５０】
以上のことから、第２の層２２を設けずに第１の層２１（ホウ素及び炭素を主要元素として含有する層）のみで中間層２０を構成する場合には、第１の層２１の厚さをある程度厚くすることが好ましい（少なくとも５ｎｍよりも厚くすることが好ましい）。
【００５１】
なお、本実施形態において、中間層２０の第１の層２１は、ホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）を主要元素として含有していればよく、ホウ素（Ｂ）及び炭素（Ｃ）以外の元素を含有していてもよい。
【００５２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
１０…ガラス基板
２０…中間層      ２１…第１の層      ２２…第２の層
３０…多層反射膜
４０…キャップ層
５０…ハードマスク層（ハードマスクパターン）
６０…レジスト膜（レジストパターン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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