(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に配置される反射電極と、
前記反射電極の上方に配置される画素電極と、
前記画素電極の上方に配置される共通電極と、
前記画素電極及び前記共通電極の間に配置される発光層と、
前記共通電極の上方に配置され、緑又は赤である第１カラーフィルタと、
前記発光層よりも前記反射電極に近い側であって、平面視において前記第１カラーフィルタに重畳する位置に配置され、黄色である第２カラーフィルタとを含む表示装置。
【請求項２】
前記第１基板に対向して配置される第２基板と、
前記共通電極の上方に配置され、前記第１基板及び前記第２基板に挟持される充填材とを更に含み、
前記第１カラーフィルタは、前記充填材及び前記第２基板の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２カラーフィルタは、緑の前記第１カラーフィルタを有する第１副画素と、前記第１副画素に隣接し、赤の前記第１カラーフィルタを有する第２副画素とに配置され、青の前記第１カラーフィルタを有する第３副画素に配置されていないことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２カラーフィルタは、前記反射電極及び前記画素電極の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記反射電極は、前記第２基板に面する側に凹部を有し、
前記第２カラーフィルタは、前記凹部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２カラーフィルタは、凹凸状の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光層は、白色光を発する層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光層は、青色光を発する第１発光層、及び黄色光を発する第２発光層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
第１基板上に配置される反射電極と、
前記反射電極の上方に配置される画素電極と、
前記画素電極の上方に配置される共通電極と、
前記画素電極及び前記共通電極の間に配置される発光層と、
前記共通電極の上方に配置される第１カラーフィルタと、
前記画素電極及び前記反射電極の間に配置され、前記第１カラーフィルタとは異なる色である第２カラーフィルタとを具備する表示装置。
【請求項１０】
前記第１カラーフィルタは、緑又は赤のカラーフィルタであり、前記第２カラーフィルタは、黄色のカラーフィルタであることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光層は、白色光を発する層であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記発光層は、青色光を発する第１発光層、及び黄色光を発する第２発光層を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１基板に対向して配置される第２基板と、
前記共通電極の上方に配置され、前記第１基板及び前記第２基板に挟持される充填材とを更に含み、
前記第１カラーフィルタは、前記充填材及び前記第２基板の間に配置されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記反射電極は、前記第２基板側に凹部を有し、
前記第２カラーフィルタは、前記凹部に配置されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２カラーフィルタは、凹凸状の形状を有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１６】
平面視において前記第１カラーフィルタは、前記第２カラーフィルタと重畳する領域を有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記反射電極と前記画素電極と前記共通電極と前記発光層とを有する複数の副画素から成る画素を備え、
前記副画素は、
前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタを有する第１副画素と、
前記共通電極の上方に配置され、前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタとは異なる色である第３カラーフィルタを有する第２副画素と、を含み、
前記第２副画素には前記第２カラーフィルタが配置されていないことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１カラーフィルタは緑又は赤であり、
前記第２カラーフィルタは黄色であり、
前記第３カラーフィルタは青色であることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１カラーフィルタを透過する光の波長領域は、前記第２カラーフィルタを透過する光の波長領域と重なる波長領域を有し、
前記第３カラーフィルタを透過する光の波長領域は、前記第２カラーフィルタを透過する光の波長領域と重ならないことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置における画素の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方を画素電極、他方を共通電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）が挟持された構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素毎に画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００３】
特に、白色光を発する発光素子とカラーフィルタを組み合わせてフルカラーを実現する表示装置は、アレイ基板（ＴＦＴ基板とも呼ばれる。）と、対向基板（カラーフィルタ基板とも呼ばれる。）とを貼り合わせて構成されるのが一般的である。アレイ基板は、行列状に配列された複数の発光素子を有している。カラーフィルタ基板は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色が並ぶカラーフィルタと、各色のカラーフィルタを区画する遮光層とが設けられている。
【０００４】
特に、画素電極として反射率の高い金属材料等を用いる場合、カラーフィルタを介して表示装置に入射した外光が画素電極の界面で反射し、表示画像より反射光の方が明るくなり画像が認識されにくくなるといった表示劣化が発生する場合がある。このような表示劣化は、特に屋外での使用時において問題となっていた。
【０００５】
例えば特許文献１では、画素が微細となっても十分な輝度およびコントラストを得ると同時に混色を生じにくくするために、複数の画素の各々において、カラーフィルタ基板側に配置されたカラーフィルタと同色のカラーフィルタを、反射電極と画素電極との間に配置される表示装置の構成が開示されている。しかし、この構成では、表示装置に入射した外光は、２つの同色のカラーフィルタの通過を伴って、反射光として視認されるのみであり、外光反射を低減する構成は含まれず、上記のような表示劣化の問題は解決されない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−０８６２５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑み、外光反射による表示劣化を抑制することができる表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、第１基板上に配置される反射電極と、反射電極の上方に配置される画素電極と、画素電極の上方に配置される共通電極と、画素電極及び共通電極の間に配置される発光層と、共通電極の上方に配置され、緑又は赤である第１カラーフィルタと、平面視において第１カラーフィルタに重畳する位置に配置され、黄色である第２カラーフィルタとを含む表示装置である。
【０００９】
本発明の他の一態様は、第１基板上に配置される反射電極と、反射電極の上方に配置される画素電極と、画素電極の上方に配置される共通電極と、画素電極及び共通電極の間に配置される発光層と、共通電極の上方に配置される第１カラーフィルタと、画素電極及び反射電極の間に配置され、第１カラーフィルタとは異なる色である第２カラーフィルタとを具備する表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造プロセスの一部を説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の外光反射を低減するメカニズムを説明するための断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の内部及び外部における光のスペクトルを説明する図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造プロセスの一部を説明する図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造プロセスの一部を説明する図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の外光反射を低減するメカニズムを説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の内部及び外部における光のスペクトルを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１２】
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１３】
＜第１実施形態＞
本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す斜視図である。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子１２４の劣化を抑制している。
【００１４】
第１基板１０２は、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４の近傍には、ドライバＩＣ１１２が配置されている。端子領域１１４とドライバＩＣ１１２とは第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルとを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子１１６の接点は、外部に露出している。
【００１５】
本実施形態に係る表示装置１００の構成及び製造方法について、図面を参照しながら更に詳細に説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す断面図であり、図１におけるＡ−Ａ´の断面を示している。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の一画素の断面を示しており、図示したように、複数の画素１０８の各々は、少なくとも３色の、互いに異なる色の光を発生する複数の副画素を含む。図３は、本実施形態に係る表示装置１００の製造プロセスの一部を説明する図である。
【００１６】
本実施形態に係る表示装置１００は、薄膜トランジスタ１２２及び発光素子１２４が設けられたＴＦＴ基板１１８と、複数色のカラーフィルタ（ＣＦ）が設けられたカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）１２０とを貼り合わせた構成を有している。
【００１７】
ＴＦＴ基板１１８は、支持基板としての第１基板１０２を有し、第１基板１０２上に、薄膜トランジスタ１２２、発光素子１２４、封止膜１３６が設けられた構成を有している。
【００１８】
発光素子１２４は、画素１０８を構成する副画素毎に配置されている。発光素子１２４は、第１基板１０２側から、反射電極１２６、画素電極１２８、発光層１３０、共通電極１３２の順に積層された構成を含んでいる。また、発光素子１２４は、その周辺に設けられたバンク１３４によって、隣接する他の発光素子１２４と分離されている。
【００１９】
反射電極１２６は、発光層１３０で発生した光を共通電極１３２側に反射させるために設けられている。反射電極１２６の材料としては、例えば銀（Ａｇ）等の反射率の高い金属膜が好ましい。
【００２０】
尚、詳細は後述するが、本実施形態に係る表示装置１００は、ＣＦ基板１２０側に設けられるカラーフィルタ（第１カラーフィルタ１３８と呼ぶ。）に加え、他のカラーフィルタが配置される。当該他のカラーフィルタを、本明細書においては第２カラーフィルタ１３９と呼ぶことにする。本実施形態に係る表示装置１００は、平面視において、第１カラーフィルタ１３８（第１ＣＦ）に重畳する領域に第２カラーフィルタ１３９（第２ＣＦ）が配置される副画素を含む。尚、第１ＣＦ１３８の「第１」とは、ＣＦ基板１２０側に慣習的に設けられるカラーフィルタを意味するものであり、その色を意味するものではない。同様に、第２ＣＦ１３９の「第２」とは、第１ＣＦ１３８と区別するために用いるものであり、その色を意味するものではない。
【００２１】
画素電極１２８は、各発光素子１２４に個別に設けられ、薄膜トランジスタ１２２を介して発光素子１２４毎に異なる電位が供給される。画素電極１２８の材料としては、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。
【００２２】
発光層１３０は複数の画素１０８に共通して設けられ、画素電極１２８及び副画素間のバンク１３４を覆うように設けられる。
【００２３】
発光層１３０が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１３０は発光性の有機材料を含む層（これを発光層と呼ぶこともある）に加え、当該発光層を挟持するように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。
【００２４】
本実施形態においては、発光層１３０は、白色光を発するものを用い、第１カラーフィルタによってフルカラー発光を実現している。
【００２５】
尚、発光層１３０としては、複数の発光層（例えば有機ＥＬ層）を積層した所謂タンデム型の構造を用いても良い。例えば、青色光を発生させる発光層と、黄色光を発生させる発光層とを積層することによって、全体として白色光を発する発光層であってもよい。
【００２６】
共通電極１３２は、全ての発光素子１２４に共通して設けられる。共通電極１３２は、発光層１３０で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通電極１３２として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
【００２７】
共通電極１３２上には、封止膜１３６が設けられる。封止膜１３６は、水分の浸入を遮断できる絶縁膜が好ましい。絶縁膜として無機絶縁膜又は有機絶縁膜を用いることができる。
【００２８】
例えば、絶縁膜として無機絶縁膜を使用する場合、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化系ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。
【００２９】
絶縁膜として有機絶縁膜を使用する場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。
【００３０】
封止膜１３６としては更に、上記の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて積層した構造であってもよい。
【００３１】
次いでＣＦ基板１２０について説明する。ＣＦ基板１２０は、支持基板としての第２基板１０４上の、表示領域１０６に対応する領域に、少なくともＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色が並ぶ第１ＣＦ１３８と、各色の第１ＣＦ１３８を区画する遮光層１４０とが設けられている。遮光層１４０を設けることによって副画素間の光漏れを遮断し、各色の混色といった表示劣化を防止している。
【００３２】
ＴＦＴ基板１１８とＣＦ基板１２０は、シール材１１０によって貼り合わせられている。シール材１１０は、表示領域１０６に対応する領域を囲むように配置されている。シール材１１０に囲まれた領域には充填材１４２が配置される。表示領域１０６に形成された発光素子１２４は、充填材１４２とシール材１１０とによって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により発光素子１２４の劣化を抑制している。充填材１４２としては、例えば透明なエポキシ樹脂を含む材料を用いることができる。
【００３３】
以上説明した本実施形態に係る表示装置１００の、画素１０８の構成について更に詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置１００は、各画素１０８を構成する副画素において、ＣＦ基板１２０に第１ＣＦ１３８が配置されている。つまり、第１ＣＦ１３８は、充填材１４２と第２基板１０４との間に配置されている。そして、当該第１ＣＦ１３８とは異なる色の第２ＣＦ１３９が、平面視において当該第１ＣＦ１３８と重畳する領域に配置されている。つまり、当該第１ＣＦ１３８と当該第２ＣＦ１３９とは透過させる光の波長領域が互いに異なる。ここで、当該第１ＣＦ１３８と当該第２ＣＦ１３９がそれぞれ透過させる光の波長領域は、一部が重畳することが好ましい。第２ＣＦ１３９は全ての副画素に対して必須ではなく、第２ＣＦ１３９が配置されない副画素があってもよい。
【００３４】
図２に例示した本実施形態に係る表示装置１００は、各画素１０８を構成する副画素において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）のいずれかの第１ＣＦ１３８が配置され、黄色（Ｙ）の第２ＣＦ１３９が、平面視において赤（Ｒ）又は緑（Ｇ）の第１ＣＦ１３８の少なくとも一方と重畳する領域に配置されている。この例では、第２ＣＦ１３９は、緑の第１ＣＦ１３８を有する副画素と、それに隣接し、赤の第１ＣＦ１３８を有する副画素とに配置されている。青（Ｂ）の副画素には第２ＣＦ１３９が配置されていない。
【００３５】
図２に例示した本実施形態に係る表示装置１００の断面構造においては、黄色（Ｙ）の第２ＣＦ１３９は、反射電極１２６と画素電極１２８との間に配置されている。
【００３６】
尚、断面構造における黄色（Ｙ）の第２ＣＦ１３９の位置は、反射電極１２６よりもＣＦ基板１２０側に配置されていればよく、図示のように、反射電極１２６と画素電極１２８との間に限定されるものではない。
【００３７】
以上のような画素１０８の構成を有することによる作用及び効果について、図面を参照しながら詳細に説明する。図４は、本実施形態に係る表示装置１００が、外光反射を低減するメカニズムを説明するための断面図である。図５は、本実施形態に係る表示装置１００の内部及び外部における光のスペクトルを説明する図である。
【００３８】
図４において、ＡＬ１は、表示装置１００の外部から入射する外光である。外光ＡＬ１は自然光であり、幅広い波長領域の光を含む白色光である（図５（ａ）の実線）。
【００３９】
ＡＬ２は、外光ＡＬ１の内、赤の第１ＣＦ１３８を通過した光であり、赤色光である。赤の第１ＣＦ１３８を通過することによって、赤色光以外の光は減衰される（図５（ｂ）の実線）。
【００４０】
ＡＬ３は、赤色光ＡＬ２の内、黄色の第２ＣＦ１３９を通過し、反射電極１２６によって反射した光である。赤色として視認される光のスペクトルと、黄色として視認される光のスペクトルとは一部が重畳する。つまり、赤色として視認される光と、黄色として視認される光とは同じ波長領域の光を含む。赤色光ＡＬ２が黄色の第２ＣＦ１３９を通過することによって、当該同じ波長領域の光のみが残り、それ以外は減衰する（図５（ｃ）の実線）。つまり、赤の第１ＣＦ１３８と共に黄色の第２ＣＦ１３９を設けることによって、表示装置に入射した外光ＡＬ１の内、反射電極１２６によって反射する光を低減することができる。
【００４１】
黄色の第２ＣＦ１３９によって減衰したＡＬ３は、再び赤の第１ＣＦ１３８を通過することによって、更に減衰されたＡＬ４となる（図５（ｄ）の実線）。
【００４２】
以上のメカニズムによって、反射電極１２６での外光反射に起因する表示劣化を低減することができる。
【００４３】
尚、本実施形態においては、第１ＣＦ１３８及び第２ＣＦ１３９の色としてはそれぞれ赤及び黄色の場合を例示したが、これに限られるものではない。第１ＣＦ１３８及び第２ＣＦ１３９が異なる色であればよい。つまり、第１ＣＦ１３８を通過した光の内、少なくとも一部の波長領域の光を遮断することができる色の第２ＣＦ１３９を設ければよい。例えば白色の副画素に第２ＣＦ１３９を形成してもよい。このような構成を有することによって、上記のメカニズムによる外光反射の低減が可能となる。
【００４４】
一方、図４において、ＥＬ１は、発光層１３０で発生した白色光である（図５（ｅ）の実線）。ＥＬ２は、発光層１３０で発生した白色光の内、黄色の第２ＣＦ１３９を通過し、反射電極１２６によって反射した光である（図５（ｆ）の実線）。発光層１３０で発生する白色光は、青色光と黄色光とに分解することができる。この内、青色光のみが黄色の第２ＣＦ１３９によって遮断される（図５（ｇ）の実線）。青色光は赤色光に比べて波長が短く、両者のスペクトルの重畳は小さいため、ＥＬ２の内、赤の第１ＣＦ１３８を通過して表示装置１００の外に出射したＥＬ３は、黄色の第２ＣＦ１３９の有無による差は小さい。つまり、ＥＬ３は、黄色の第２ＣＦ１３９を設けない構造においてもほぼ同等である。
【００４５】
従って、本実施形態に係る表示装置１００の第２ＣＦ１３９は、外光反射を低減することのみに寄与する。一方、当該第２ＣＦ１３９は、発光層１３０で発生し、観測者に視認される光への影響は殆ど無い。
【００４６】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置１００は、反射電極１２６での外光反射に起因する表示劣化を低減することができる。
【００４７】
本実施形態に係る表示装置１００の製造プロセスの一部を、図３を用いて説明する。
【００４８】
製造方法の一例として、図３に示すように、先ず反射電極１２６を形成する（Ｓ１０１）。次いで、赤及び緑の副画素における反射電極１２６上に黄色の第２ＣＦ１３９を形成する（Ｓ１０２）。次いで、複数の副画素毎に画素電極１２８を形成する（Ｓ１０３）。次いで、画素電極１２８の各々を区画し、画素電極１２８の各々の端部を被覆するバンク１３４を形成する（Ｓ１０４）。次いで、表示領域１０６に配置された画素電極１２８及びバンク１３４を被覆するように発光層１３０を形成する（Ｓ１０５）。発光層１３０は、表示領域１０６を被覆するように形成してもよいが、副画素毎に配置されるようにパターニングする工程を追加しても構わない。次いで、複数の副画素を被覆するように、透明な共通電極を形成する（Ｓ１０６）。次いで、表示領域１０６に亘って封止膜１３６を形成する（Ｓ１０７）。
【００４９】
＜第２実施形態＞
本実施形態に係る表示装置２００の構成及び製造方法について、図面を参照しながら更に詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置２００の外観は、図１に示した表示装置１００と同様である。図６は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を示す断面図であり、図１におけるＡ−Ａ´の断面に対応している。図６は、本実施形態に係る表示装置２００の一画素の断面を示している。図７は、本実施形態に係る表示装置２００の製造プロセスの一部を説明する図である。
【００５０】
本実施形態に係る表示装置２００の構成は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、第２ＣＦ１３９及び反射電極１２６の構成が異なっている。具体的には、本実施形態に係る表示装置２００の反射電極１２６は、第２基板１０４側に複数の凹部を有している。換言すると、反射電極１２６の第２基板１０４側の表面は、凹凸状の形状を有している。
【００５１】
そして、第２ＣＦ１３９は、少なくとも当該凹部に埋め込まれるように配置されていればよい。この例では、第２ＣＦ１３９は、当該凹部のみに埋め込まれるように配置されているが、更に反射電極１２６の凸部上にも配置されていても構わない。
【００５２】
このような画素１０８の構成を有することによって、凹凸状の反射電極１２６と第２ＣＦ１３９との界面において光の散乱が活発になる。よって、発光層１３０で発生し反射電極１２６で反射する光の内、ＣＦ基板１２０側へ、即ち表示画面の側へ反射されない光を抑制することができる。従って、本実施形態は、光取出し効率を向上させることができる。
【００５３】
本実施形態に係る表示装置２００の製造プロセスの一部を、図７を用いて説明する。
【００５４】
製造方法の一例として、反射電極１２６となる金属層を成膜し、フォトリソグラフィ法によって、副画素毎に反射電極１２６を配置する（Ｓ２０１）。
【００５５】
次いで、フォトリソグラフィ法によって、赤及び緑の副画素の反射電極１２６上に凹凸パターンを形成する（Ｓ２０２）。ここで、反射電極１２６となる金属層として、少なくとも２層の金属層を積層してもよい。これによって、エッチングレートの差を利用して上層の金属層のみをパターニングすることができる。
【００５６】
次いで、黄色の第２ＣＦ１３９を、反射電極１２６の表面に、凹部を埋め込むように形成する（Ｓ２０３）。
【００５７】
次いで、複数の副画素毎に画素電極１２８を形成する（Ｓ２０４）。次いで、画素電極１２８の各々を区画し、画素電極１２８の各々の端部を被覆するバンク１３４を形成する（Ｓ２０５）。次いで、表示領域１０６に配置された画素電極１２８及びバンク１３０を被覆するように発光層１３０を形成する（Ｓ２０６）。発光層１３０は、表示領域１０６を被覆するように形成してもよいが、副画素毎に配置されるようにパターニングする工程を追加しても構わない。次いで、複数の副画素を被覆するように、透明な共通電極を形成する（Ｓ２０７）。次いで、表示領域１０６に亘って封止膜１３６を形成する（Ｓ２０８）。
【００５８】
以上、本実施形態に係る表示装置２００について説明した。本実施形態に係る表示装置２００は、第１ＣＦ１３８とは異なる色の第２ＣＦ１３９を設けたことによって、反射電極１２６での外光反射に起因する表示劣化を低減することができる。更に、反射電極１２６と第２ＣＦ１３９との界面における凹凸パターンにより光の散乱が活発になり、表示装置２００の光取出し効率が向上する。
【００５９】
＜第３実施形態＞
本実施形態に係る表示装置３００の構成及び製造方法について、図面を参照しながら更に詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置３００の外観は、図１に示した表示装置１００と同様である。図８は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を示す断面図であり、図１におけるＡ−Ａ´の断面に対応している。図８は、本実施形態に係る表示装置３００の一画素の断面を示している。図９は、本実施形態に係る表示装置２００の製造プロセスの一部を説明する図である。
【００６０】
本実施形態に係る表示装置３００の構成は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、第２ＣＦ１３９及び反射電極１２６の構成が異なっている。具体的には、本実施形態に係る表示装置３００の第２ＣＦ１３９は、凹凸状の形状を有している。凹部は反射電極を露出させてもよい。つまり、図示したように、第２ＣＦ１３９は一つの副画素において、離散的に配置しても構わない。また、凹部は反射電極を露出させなくても構わない。
【００６１】
そして、当該凹凸形状を有する第２ＣＦ１３９を被覆するように、透明平坦化膜１４４が形成されている。透明平坦化膜１４４としては、例えばポリイミド系、アクリル系等の有機樹脂を用いることができる。
【００６２】
透明平坦化膜１４４上には、透明な画素電極１２８が形成されている。
【００６３】
このような画素１０８の構成を有することによって、凹凸形状を有する第２ＣＦ１３９の界面において光の散乱が活発になり、光取出し効率を向上させることができる。
【００６４】
本実施形態に係る表示装置３００の製造プロセスの一部を、図９を用いて説明する。
【００６５】
製造方法の一例として、図９に示すように、先ず反射電極１２６を形成する（Ｓ３０１）。次いで、反射電極１２６上に黄色の第２ＣＦ１３９を形成し、赤及び緑の副画素における反射電極１２６上の第２ＣＦ１３９に複数の凹凸パターンを形成するようにパターニングを行う（Ｓ３０２）。
【００６６】
次いで、凹凸パターンを有する第２ＣＦ１３９を被覆し、当該凹凸パターンを平坦化するように、反射電極１２６及び第２ＣＦ１３９上に透明平坦化膜１４４を積層する（Ｓ３０３）。透明平坦化膜１４４としては、例えばポリイミド系、アクリル系等の有機樹脂を用いることができる。
【００６７】
次いで、複数の副画素毎に画素電極１２８を形成する（Ｓ３０４）。次いで、画素電極１２８の各々を区画し、画素電極１２８の各々の端部を被覆するバンク１３４を形成する（Ｓ３０５）。次いで、表示領域１０６に配置された画素電極１２８及びバンク１３０を被覆するように発光層１３０を形成する（Ｓ３０６）。発光層１３０は、表示領域１０６を被覆するように形成してもよいが、副画素毎に配置されるようにパターニングする工程を追加しても構わない。次いで、複数の副画素を被覆するように、透明な共通電極を形成する（Ｓ３０７）。次いで、表示領域１０６に亘って封止膜１３６を形成する（Ｓ３０８）。
【００６８】
以上、本実施形態に係る表示装置３００について説明した。本実施形態に係る表示装置３００は、第１ＣＦ１３８とは異なる色の第２ＣＦ１３９を設けたことによって、反射電極１２６での外光反射に起因する表示劣化を低減することができる。更に、第２ＣＦ１３９に設けられた凹凸パターンにより光の散乱が活発になり、光取出し効率が向上する。
【００６９】
＜第４実施形態＞
本実施形態に係る表示装置４００の構成について、図面を参照しながら更に詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置４００の外観は、図１に示した表示装置１００と同様である。図１０は、本実施形態に係る表示装置４００の構成を示す断面図であり、図１におけるＡ−Ａ´の断面に対応している。図１０は、本実施形態に係る表示装置４００の一画素の断面を示している。
【００７０】
本実施形態に係る表示装置４００の構成は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、第２ＣＦ１３９の配置が異なっている。具体的には、本実施形態に係る表示装置４００の第２ＣＦ１３９は、ＣＦ基板１２０側に配置されている。つまり、第２ＣＦ１３９は、充填材１４２と第２基板１０４との間に配置されている。
【００７１】
ここで、第２ＣＦ１３９は、赤の第１ＣＦ１３８を有する副画素と、赤の第１ＣＦ１３８に隣接する緑の第１ＣＦ１３８を有する副画素１１０とに跨って配置されている。
【００７２】
この例では、第２ＣＦ１３９は、第１ＣＦ１３８に接して配置されているが、これに限らず、平面視において、第１ＣＦ１３８と第２ＣＦ１３９とが重畳していればよい。
【００７３】
以上のような画素の構成を有することによる作用及び効果について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１１は、本実施形態に係る表示装置４００が、外光反射を低減するメカニズムを説明するための断面図である。図１２は、本実施形態に係る表示装置４００の内部及び外部における光のスペクトルを説明する図である。
【００７４】
図１１において、ＡＬ１は、表示装置４００の外部から入射する外光である。外光ＡＬ１は自然光であり、幅広い波長領域の光を含む白色光である（図１２（ａ）の実線）。
【００７５】
ＡＬ２は、外光ＡＬ１の内、赤の第１ＣＦ１３８及び黄色の第２ＣＦ１３９を通過した光である。
【００７６】
ここで、先ず赤の第１ＣＦ１３８を通過することによって、赤色光以外の光は減衰される。次いで、黄色の第２ＣＦ１３９を通過することによって、黄色光以外の光は減衰される。赤色として視認される光のスペクトルと、黄色として視認される光のスペクトルとは一部が重畳する。つまり、赤色として視認される光と、黄色として視認される光とは同じ波長領域の光を含む。赤色光が黄色の第２ＣＦ１３９を通過することによって、当該同じ波長領域の光のみが残り、それ以外は減衰する（図１２（ｂ）の実線）。つまり、赤の第１ＣＦ１３８と共に黄色の第２ＣＦ１３９を設けることによって、表示装置に入射した外光を大幅に減衰させることができる。
【００７７】
赤色の第１ＣＦ１３８及び黄色の第２ＣＦ１３９によって減衰したＡＬ２は、反射電極１２６によって反射し、ＡＬ３に示す反射光となる（図１２（ｃ）の実線）。
【００７８】
反射光ＡＬ３は、再び黄色の第２ＣＦ１３９及び赤の第１ＣＦ１３８を通過することによって、更に減衰されたＡＬ４となる（図１２（ｄ）の実線）。
【００７９】
以上のメカニズムによって、反射電極１２６での外光反射に起因する表示劣化を低減することができる。
【００８０】
尚、本実施形態においては、第１ＣＦ１３８及び第２ＣＦ１３９の色としてはそれぞれ赤及び黄色の場合を例示したが、これに限られるものではない。第１ＣＦ１３８及び第２ＣＦ１３９が異なる色であればよい。つまり、第１ＣＦ１３８を通過した光の内、少なくとも一部の波長領域の光を遮断することができる色の第２ＣＦ１３９を設ければよい。例えば白色の副画素に第２ＣＦ１３９を形成してもよい。このような構成を有することによって、上記のメカニズムによる外光反射の低減が可能となる。
【００８１】
一方、図１１において、ＥＬ１は、発光層１３０で発生した白色光である（図１２（ｅ）の実線）。ＥＬ２は、発光層１３０で発生した白色光ＥＬ１が、反射電極１２６によって反射した光である（図１２（ｆ）の実線）。
【００８２】
ＥＬ３は、ＥＬ１及びＥＬ２の内、黄色の第２ＣＦ１３９及び赤の第１ＣＦ１３８を通過した光である。発光層１３０で発生する白色光は、青色光と黄色光とに分解することができる。この内、青色光のみが黄色の第２ＣＦ１３９によって遮断される（図１２（ｇ）の実線）。青色光は赤色光に比べて波長が短く、両者のスペクトルの重畳は小さいため、ＥＬ２の内、黄色の第２ＣＦ１３９及び赤の第１ＣＦ１３８を通過して表示装置４００の外に出射したＥＬ３は、黄色の第２ＣＦ１３９の有無による差は小さい。つまり、ＥＬ３は、黄色の第２ＣＦ１３９を設けない構造においてもほぼ同等である。
【００８３】
従って、本実施形態に係る表示装置４００の第２ＣＦ１３９は、外光反射を低減することのみに寄与する。一方、当該第２ＣＦ１３９は、発光層１３０で発生し、観測者に視認される光への影響は殆ど無い。
【００８４】
以上、本実施形態に係る表示装置４００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置４００は、反射電極１２６での外光反射に起因する表示劣化を低減することができる。
【００８５】
以上、本発明の好ましい態様を第１実施形態乃至第４実施形態によって説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００８６】
１００、２００、３００、４００・・・表示装置
１０２、１０４・・・基板
１０６・・・表示領域
１０８・・・画素
１１０・・・シール材
１１２・・・ドライバＩＣ
１１４・・・端子領域
１１６・・・接続端子
１１８・・・ＴＦＴ基板
１２０・・・ＣＦ基板
１２２・・・薄膜トランジスタ
１２４・・・発光素子
１２６・・・反射電極
１２８・・・画素電極
１３０・・・発光層
１３２・・・共通電極
１３４・・・バンク
１３６・・・封止膜
１３８・・・第１ＣＦ
１３９・・・第２ＣＦ
１４０・・・遮光層
１４２・・・充填材
１４４・・・透明平坦化膜
【図１】
0006517597.tif 000002
【図２】
0006517597.tif 000003
【図３】
0006517597.tif 000004
【図４】
0006517597.tif 000005
【図５】
0006517597.tif 000006
【図６】
0006517597.tif 000007
【図７】
0006517597.tif 000008
【図８】
0006517597.tif 000009
【図９】
0006517597.tif 000010
【図１０】
0006517597.tif 000011
【図１１】
0006517597.tif 000012
【図１２】
0006517597.tif 000013