(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を処理する表面処理工程と、
前記表面処理工程後の前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成する被膜形成工程と、
前記被膜形成工程後の前記基板を搬送容器に収容する基板収容工程と、
を有し、
前記被膜形成工程は、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを用いて、前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記被膜形成工程は、前記基板の裏面が前記搬送容器の内部で保持される部分よりも内周側の範囲に前記被膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記被膜形成工程は、前記基板の表面にも前記被膜を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記被膜形成工程は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを同時に用いて、前記基板の表面に同時に被膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記被膜形成工程は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを先に用いて、前記基板の表面に先に被膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項６】
基板の表面を処理する表面処理部と、
前記表面処理部で処理した前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成する被膜形成部と、
前記被膜形成部で被膜を形成した前記基板を搬送容器に収容する基板収容部と、
前記基板収容部により収容された前記基板を前記搬送容器から取出す基板取出部と、
前記基板取出部で取出した前記基板から前記被膜とともに前記残渣物を除去する被膜除去部と、
を有し、
前記被膜形成部は、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルで前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することを特徴とする基板処理システム。
【請求項７】
基板の表面を処理する表面処理部と、
前記表面処理部で処理した前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成する被膜形成部と、
前記被膜形成部で被膜を形成した前記基板を搬送容器に収容する基板収容部と、
を有し、
前記被膜形成部は、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルで前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記被膜形成部は、前記基板の裏面が前記搬送容器の内部で保持される部分よりも内周側の範囲に前記被膜を形成することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記被膜形成部は、前記基板の表面にも前記被膜を形成することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記被膜形成部は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルを同時に用いて、前記基板の表面に同時に被膜を形成することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記被膜形成部は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルを先に用いて、前記基板の表面に先に被膜を形成することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板処理装置を用いて基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記基板の表面を処理させる表面処理ステップと、
前記表面処理ステップで処理された前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成させる被膜形成ステップと、
前記被膜形成ステップで被膜を形成させた前記基板を搬送容器に収容させる基板収容ステップと、
を有し、
前記被膜形成ステップは、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを用いて、前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１３】
前記被膜形成ステップは、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを同時又は先に用いて、前記基板の表面に同時又は先に被膜を形成することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面を処理した後に搬送容器に収容して搬送する基板処理方法、基板処理システム、基板処理装置、及び基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して基板処理装置を用いて洗浄やエッチングなどの各種処理を施す。処理された基板は、搬送容器（キャリア）に複数枚収容されて他の基板処理装置などに搬送される。
【０００３】
たとえば、特許文献１に開示された基板処理装置（エッチング装置）では、１枚の基板の表面にプラズマエッチング処理を施して配線パターンを形成し、その後、エッチング処理した複数枚の基板を搬送容器に収容し、その後の洗浄等の処理を行う他の基板処理装置に搬送する。
【０００４】
搬送容器には、上下に所定の間隔をあけて支持片が設けられている。そして、搬送容器は、上下に並設された支持片で基板の裏面外周縁部を１枚ずつ支持することで、複数枚の基板を上下に並べて保持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２７７８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板処理装置で基板の表面を処理すると、処理の残渣物（たとえば、ポリマーなど）が基板から完全に除去されずに基板の端縁部（特に、裏面外周縁部や外側端部など）に残存してしまうことがある。
【０００７】
基板の端縁部に残渣物が付着した状態のまま搬送容器に収容して基板の搬送を行うと、搬送容器の内部で基板の端縁部と支持片とが擦れ、上方の基板の端縁部から下方の基板の表面に残渣物が転着し、その後の基板の処理が良好に行えなくなるおそれがある。
【０００８】
たとえば、上記プラズマエッチング処理を施す場合、装置の特性上、基板の表面だけでなく基板の端縁部にもプラズマ状の処理気体が回り込み、基板の端縁部にエッチング残渣物が付着することがある。端縁部にエッチング残渣物が付着した状態の基板をそのまま搬送容器に収容して搬送すると、搬送途中において搬送容器の内部でエッチング残渣物が他の基板に転着するおそれがある。
【０００９】
そのため、上記プラズマエッチング処理においては、基板の表面へのエッチング性能を犠牲にして基板の端縁部へのエッチング残渣物の付着を低減させる方法や、特定のエッチング残渣物に対してレーザーを用いた高価な装置で除去する方法などが検討されている。しかしながら、エッチング性能の低下や除去できる残渣物の限定などの制約があり、汎用的な解決策とはなっていない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、本発明では、基板処理方法において、基板の表面を処理する表面処理工程と、前記表面処理工程後の前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成する被膜形成工程と、前記被膜形成工程後の前記基板を搬送容器に収容する基板収容工程とを有し、前記被膜形成工程は、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを用いて、前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することにした。
【００１１】
また、前記被膜形成工程は、前記基板の裏面が前記搬送容器の内部で保持される部分よりも内周側の範囲に前記被膜を形成することにした。
【００１２】
また、前記被膜形成工程は、前記基板の表面にも前記被膜を形成することにした。
【００１３】
また、前記被膜形成工程は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを同時に用いて、前記基板の表面に同時に被膜を形成することにした。
【００１４】
また、前記被膜形成工程は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを先に用いて、前記基板の表面に先に被膜を形成することにした。
【００１５】
また、本発明では、基板処理システムにおいて、基板の表面を処理する表面処理部と、前記表面処理部で処理した前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成する被膜形成部と、前記被膜形成部で被膜を形成した前記基板を搬送容器に収容する基板収容部と、前記基板収容部により収容された前記基板を前記搬送容器から取出す基板取出部と、前記基板取出部で取出した前記基板から前記被膜とともに前記残渣物を除去する被膜除去部とを有し、前記被膜形成部は、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルで前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することにした。
【００１６】
また、本発明では、基板処理装置において、基板の表面を処理する表面処理部と、前記表面処理部で処理した前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成する被膜形成部と、前記被膜形成部で被膜を形成した前記基板を搬送容器に収容する基板収容部とを有し、前記被膜形成部は、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルで前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することにした。
【００１７】
また、前記被膜形成部は、前記基板の裏面が前記搬送容器の内部で保持される部分よりも内周側の範囲に前記被膜を形成することにした。
【００１８】
また、前記被膜形成部は、前記基板の表面にも前記被膜を形成することにした。
【００１９】
また、前記被膜形成部は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルを同時に用いて、前記基板の表面に同時に被膜を形成することにした。
【００２０】
また、前記被膜形成部は、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを備え、前記ノズルを先に用いて、前記基板の表面に先に被膜を形成することにした。
【００２１】
また、本発明では、基板処理装置を用いて基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記基板の表面を処理させる表面処理ステップと、前記表面処理ステップで処理された前記基板の裏面の端縁部に前記表面処理で付着した残渣物を被うための被膜を形成させる被膜形成ステップと、前記被膜形成ステップで被膜を形成させた前記基板を搬送容器に収容させる基板収容ステップとを有し、前記被膜形成ステップは、前記基板の裏面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを用いて、前記基板の外周端とそれよりも内周側の平坦な外周縁部に前記被膜を形成することにした。
【００２２】
また、前記被膜形成ステップは、前記基板の表面へ向けて被膜形成液を吐出するノズルを同時又は先に用いて、前記基板の表面に同時又は先に被膜を形成することにした。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、基板の搬送時に基板に付着した残渣物が他の基板に転着するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】基板処理システムを示す説明図。
【図２】第１の基板処理装置を示す平面図。
【図３】表面処理部を示す側面図。
【図４】被膜形成部を示す側面図。
【図５】第２の基板処理装置を示す平面図。
【図６】被膜除去部を示す側面図。
【図７】基板処理部を示す側面図。
【図８】搬送容器を示す部分拡大正面図。
【図９】被膜の形成範囲を示す底面説明図。
【図１０】基板処理方法を示すフローチャート。
【図１１】被膜を示す断面説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明に係る基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図１に示すように、基板処理システム１は、処理するウエハ（基板）Ｗがキャリア（搬送容器）Ｃに収容されて搬送される第１の基板処理装置２と第２の基板処理装置３とを有する。第１の基板処理装置２は、キャリアＣで搬送される前のウエハＷに対して処理（前処理）を行った後に、ウエハＷの端縁部に被膜を形成する。第２の基板処理装置３は、キャリアＣで搬送された後のウエハＷの端縁部から被膜を除去した後に、ウエハＷに対して処理（後処理）を行う。これら第１及び第２の基板処理装置2,3には、それぞれ制御装置4,5が備えられている。制御装置4,5は、たとえばコンピュータであり、制御部6,7と記憶部8,9とを備える。記憶部8,9には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部6,7は、記憶部8,9に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4,5の記憶部8,9にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２７】
なお、基板処理システム１は、ウエハＷに対し処理を行う他の基板処理装置を有する構成としてもよい。また、キャリアＣの搬送は、搬送装置を設けて自動的に行うようにしてもよく、作業者によって手動的に行うようにしてもよい。さらに、制御装置4,5やそれに格納されるプログラムは、それぞれの第１及び第２の基板処理装置2,3にそれぞれ個別に設けた場合に限られず、基板処理システム１を全体的に制御する一体的な装置やプログラムを設けてもよい。
【００２８】
第１の基板処理装置２は、図２に示すように、搬入出ステーション10と処理ステーション11とを備える。搬入出ステーション10と処理ステーション11とは隣接して設けられる。
【００２９】
搬入出ステーション10は、キャリア載置部12と搬送部13とを備える。キャリア載置部12には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００３０】
搬送部13は、キャリア載置部12に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置14を備える。基板搬送装置14は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置14は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと処理ステーション11との間でウエハＷの搬送を行う。
【００３１】
処理ステーション11は、搬送部13に隣接して設けられる。処理ステーション11は、表面処理部15と被膜形成部16とを備える。表面処理部15と被膜形成部16は、搬送部13に隣接して並べて設けられる。表面処理部15では、ウエハＷに対してエッチング処理を施す。被膜形成部16では、表面処理部15でエッチング処理したウエハＷに対して被膜を形成する処理を施す。
【００３２】
表面処理部15は、図３に示すように、チャンバ17と基板保持機構18と処理流体供給機構19とを備える。
【００３３】
チャンバ17は、基板保持機構18と処理流体供給機構19とを収容する。チャンバ17には、排気装置20が接続される。排気装置20によってチャンバ17の内部は減圧される。
【００３４】
基板保持機構18は、チャンバ17の底部に載置台21を備える。載置台21には、ウエハＷの表面（上面：回路形成面）を上側にしてウエハＷの裏面が載置される。
【００３５】
処理流体供給機構19は、チャンバ17の天井部にシャワーヘッド22を備える。シャワーヘッド22には、処理流体供給源23が流量調整器24を介して接続される。
【００３６】
そして、表面処理部15では、排気装置20によってチャンバ17の内部を減圧状態にし、処理流体供給源23から供給されるエッチングガスを載置台21に載置されたウエハＷの表面に向けて吹き付けて、ウエハＷの表面をエッチング処理する。
【００３７】
被膜形成部16は、図４に示すように、チャンバ25と基板保持機構26と処理流体供給機構27と処理流体回収機構28とを備える。
【００３８】
チャンバ25は、基板保持機構26と処理流体供給機構27と処理流体回収機構28とを収容する。チャンバ25の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）29が設けられる。ＦＦＵ29は、チャンバ25の内部にダウンフローを形成する。
【００３９】
基板保持機構26は、チャンバ25の底部に回転軸30を備える。回転軸30の上端部には、吸引チャック31が設けられる。吸引チャック31は、吸引によってウエハＷの裏面を吸着させて、ウエハＷを水平に保持する。また、回転軸30には、回転駆動機構32が接続される。基板保持機構26は、吸引チャック31でウエハＷを保持した状態で回転駆動機構32によって回転軸30を回転させることによってウエハＷを水平に回転させる。
【００４０】
処理流体供給機構27は、基板保持機構26で保持されるウエハＷの上方側に上側ノズル33を備える。上側ノズル33には、処理流体供給源34が流量調整器35を介して接続される。また、上側ノズル33には、ノズル移動機構36が接続される。ノズル移動機構36は、ウエハＷの中央上方の処理位置とウエハＷの外周よりも外方の退避位置との間で上側ノズル33を水平に移動させる。処理流体供給機構27は、処理流体供給源34から供給される処理流体（ウエハＷに被膜を形成するための被膜形成液）を上側ノズル33からウエハＷの表面（上面：回路形成面）に向けて吐出して、ウエハＷの表面に被膜を形成する。その際に、ノズル移動機構36を用いて上側ノズル33をウエハＷの中央上方から外周部側へ処理流体を吐出しながら移動させることもできる。
【００４１】
また、処理流体供給機構27は、基板保持機構26で保持されるウエハＷの下方側に下側ノズル37を備える。下側ノズル37には、処理流体供給源38が流量調整器39を介して接続される。処理流体供給機構27は、処理流体供給源38から供給される処理流体（ウエハＷに被膜を形成するための被膜形成液）を下側ノズル37からウエハＷの端縁部に向けて吐出して、ウエハＷの端縁部に被膜を形成する。
【００４２】
処理流体回収機構28は、基板保持機構26で保持されるウエハＷの外周外方に回収カップ40を備える。回収カップ40は、ウエハＷの回転によってウエハＷから外周外方へ飛散する処理流体を捕集する。回収カップ40の底部には、排液口41が形成される。回収カップ40によって捕集された処理流体は、排液口41から外部へ排出される。また、回収カップ40の底部には、排気口42が形成される。ＦＦＵ29から供給された気体（ダウンフロー）は、排気口42から外部へ排出される。
【００４３】
そして、被膜形成部16では、基板保持機構26によって回転させたウエハＷの表面又は／及び端縁部に処理流体供給機構27から供給される被膜形成液を吐出し、ウエハＷの表面又は／及び端縁部に被膜を形成する。
【００４４】
上記のように構成された第１の基板処理装置２では、まず、搬入出ステーション10において搬送部13の基板搬送装置14がキャリア載置部12に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出す。取り出されたウエハＷは、基板搬送装置14によって処理ステーション11の表面処理部15に搬入される。表面処理部15に搬入されたウエハＷは、表面処理部15でエッチング処理される。その後、ウエハＷは、被膜形成部16に搬送され、被膜形成部16でウエハＷに被膜が形成される。その後、ウエハＷは、基板搬送装置14によって被膜形成部16から搬出され、キャリア載置部12に載置されたキャリアＣに収容される。そのため、搬入出ステーション10の搬送部13は、ウエハＷをキャリアＣに収容するための基板収容部として機能する。
【００４５】
第２の基板処理装置３は、図５に示すように、搬入出ステーション43と処理ステーション44とを備える。搬入出ステーション43と処理ステーション44とは隣接して設けられる。
【００４６】
搬入出ステーション43は、キャリア載置部45と搬送部46とを備える。キャリア載置部45には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００４７】
搬送部46は、キャリア載置部45に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置47と受渡部48とを備える。基板搬送装置47は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置47は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部48との間でウエハＷの搬送を行う。
【００４８】
処理ステーション44は、搬送部46に隣接して設けられる。処理ステーション44は、搬送部49と被膜除去部50と基板処理部51とを備える。被膜除去部50と基板処理部51は、搬送部49の両側に並べて設けられる。
【００４９】
搬送部49は、内部に基板搬送装置52を備える。基板搬送装置52は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置52は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部48と被膜除去部50又は基板処理部51との間や被膜除去部50と基板処理部51との間でウエハＷの搬送を行う。
【００５０】
被膜除去部50は、図６に示すように、チャンバ53と基板保持機構54と処理流体供給機構55と処理流体回収機構56とを備える。
【００５１】
チャンバ53は、基板保持機構54と処理流体供給機構55と処理流体回収機構56とを収容する。チャンバ53の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）57が設けられる。ＦＦＵ57は、チャンバ53の内部にダウンフローを形成する。
【００５２】
基板保持機構54は、チャンバ53の底部に回転軸58を備える。回転軸58の上端部には、吸引チャック59が設けられる。吸引チャック59は、吸引によってウエハＷの裏面を吸着させて、ウエハＷを水平に保持する。また、回転軸58には、回転駆動機構60が接続される。基板保持機構54は、吸引チャック59でウエハＷを保持した状態で回転駆動機構60によって回転軸58を回転させることによってウエハＷを水平に回転させる。
【００５３】
処理流体供給機構55は、基板保持機構54で保持されるウエハＷの上方側に上側ノズル61を備える。上側ノズル61には、処理流体供給源62が流量調整器63を介して接続される。また、上側ノズル61には、ノズル移動機構64が接続される。ノズル移動機構64は、ウエハＷの中央上方の処理位置とウエハＷの外周よりも外方の退避位置との間で上側ノズル61を水平に移動させる。処理流体供給機構55は、処理流体供給源62から供給される処理流体（ウエハＷから被膜を除去するための被膜除去液）を上側ノズル61からウエハＷの表面（上面：回路形成面）に向けて吐出して、ウエハＷの表面から被膜を除去する。その際に、ノズル移動機構64を用いて上側ノズル61をウエハＷの中央上方から外周部側へ処理流体を吐出しながら移動させることもできる。
【００５４】
また、処理流体供給機構55は、基板保持機構54で保持されるウエハＷの下方側に下側ノズル65を備える。下側ノズル65には、処理流体供給源66が流量調整器67を介して接続される。処理流体供給機構55は、処理流体供給源66から供給される処理流体（ウエハＷから被膜を除去するための被膜除去液）を下側ノズル65からウエハＷの端縁部に向けて吐出して、ウエハＷの端縁部から被膜を除去する。
【００５５】
処理流体回収機構56は、基板保持機構54で保持されるウエハＷの外周外方に回収カップ68を備える。回収カップ68は、ウエハＷの回転によってウエハＷから外周外方へ飛散する処理流体を捕集する。回収カップ68の底部には、排液口69が形成される。回収カップ68によって捕集された処理流体は、排液口69から外部へ排出される。また、回収カップ68の底部には、排気口70が形成される。ＦＦＵ57から供給された気体（ダウンフロー）は、排気口70から外部へ排出される。
【００５６】
そして、被膜除去部50では、基板保持機構54によって回転させたウエハＷの表面又は／及び端縁部に処理流体供給機構55から供給される被膜除去液を吐出し、ウエハＷの表面又は／及び端縁部から被膜を除去する。
【００５７】
基板処理部51は、図７に示すように、チャンバ71と基板保持機構72と処理流体供給機構73と処理流体回収機構74とを備える。
【００５８】
チャンバ71は、基板保持機構72と処理流体供給機構73と処理流体回収機構74とを収容する。チャンバ71の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）75が設けられる。ＦＦＵ75は、チャンバ71の内部にダウンフローを形成する。
【００５９】
基板保持機構72は、チャンバ71の底部に回転軸76を備える。回転軸76の上端部には、円板状のターンテーブル77が設けられる。ターンテーブル77の外周端縁上部には、基板保持体78が円周方向に間隔をあけて設けられる。基板保持体78は、上部にウエハＷの端縁部を載置させることで、ウエハＷを水平に保持する。また、回転軸76には、回転駆動機構79が接続される。基板保持機構72は、基板保持体78でウエハＷを保持した状態で回転駆動機構79によって回転軸76を回転させることによってウエハＷを水平に回転させる。
【００６０】
処理流体供給機構73は、基板保持機構72で保持されるウエハＷの上方側にノズル80を備える。ノズル80には、処理流体供給源81が流量調整器82を介して接続される。また、ノズル80には、ノズル移動機構83が接続される。ノズル移動機構83は、ウエハＷの中央上方の処理位置とウエハＷの外周よりも外方の退避位置との間でノズル80を水平に移動させる。処理流体供給機構73は、処理流体供給源81から供給される処理流体（洗浄液）をノズル80からウエハＷの表面（上面：回路形成面）に向けて吐出して、ウエハＷの表面を洗浄する。その際に、ノズル移動機構83を用いてノズル80をウエハＷの中央上方から外周部側へ処理流体を吐出しながら移動させることもできる。
【００６１】
処理流体回収機構74は、基板保持機構72で保持されるウエハＷの外周外方に回収カップ84を備える。回収カップ84は、ウエハＷの回転によってウエハＷから外周外方へ飛散する処理流体を捕集する。回収カップ84の底部には、排液口85が形成される。回収カップ84によって捕集された処理流体は、排液口85から外部へ排出される。また、回収カップ84の底部には、排気口86が形成される。ＦＦＵ75から供給された気体（ダウンフロー）は、排気口86から外部へ排出される。
【００６２】
そして、基板処理部51では、基板保持機構72によって回転させたウエハＷの表面に処理流体供給機構73から供給される洗浄液を吐出し、ウエハＷの表面を洗浄する。
【００６３】
上記のように構成された第２の基板処理装置３では、まず、搬入出ステーション43において搬送部46の基板搬送装置47がキャリア載置部45に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出す。そのため、搬入出ステーション43の搬送部46は、ウエハＷをキャリアＣから取り出す基板取出部として機能する。取り出されたウエハＷは、基板搬送装置47によって受渡部48に搬送される。その後、ウエハＷは、処理ステーション44の基板搬送装置52によって受渡部48から被膜除去部50に搬入され、被膜除去部50でウエハＷから被膜が除去される。その後、ウエハＷは、基板搬送装置52によって被膜除去部50から基板処理部51に搬入され、基板処理部51で処理される。その後、ウエハＷは、基板搬送装置52によって基板処理部51から搬入出ステーション43の受渡部48に搬出される。その後、ウエハＷは、基板搬送装置47によって受渡部48からキャリア載置部45に載置されたキャリアＣに収容される。
【００６４】
基板処理システム１は、以上に説明したように構成しており、第１の基板処理装置２で処理したウエハＷをキャリアＣに収容し、キャリアＣを第２の基板処理装置３に搬送し、第２の基板処理装置３でウエハＷの処理を行う。
【００６５】
キャリアＣは、図８及び図９に示すように、前方に開口を有し、左右及び後方の側壁87,88,89に支持片90が上下に所定の間隔をあけて水平に設けられる。キャリアＣは、支持片90の上部にウエハＷの端縁部が載置されることでウエハＷを水平に保持する。そのため、キャリアＣの搬送時には、キャリアＣの内部においてウエハＷの端縁部と支持片90とが擦れる。第１の基板処理装置２で処理したウエハＷの端縁部に残渣物などの汚染物質が付着していると、第１の基板処理装置２から第２の基板処理装置３に搬送する途中でウエハＷの端縁部と支持片90とが擦れることで、ウエハＷの端縁部に付着した汚染物質が他のウエハＷの表面に転着してしまい、第２の基板処理装置３での処理を良好に行えなくなる。そこで、上記基板処理システム１では、ウエハＷの端縁部を被膜で被覆した状態でキャリアＣに収容し搬送する。
【００６６】
以下に、上記基板処理システム１におけるウエハＷの処理方法について説明する（図１０参照。）。なお、以下に説明する基板処理システム１での基板処理方法は、制御装置4,5の記憶部8,9に記憶された基板処理プログラムにしたがって基板処理システム１（第１の基板処理装置２、第２の基板処理装置３）を制御することで実行される。
【００６７】
まず、第１の基板処理装置２は、搬入出ステーション10において搬送部13の基板搬送装置14がキャリア載置部12に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出した後に、処理ステーション11の表面処理部15に搬入する（基板取出工程：基板取出ステップＳ１）。
【００６８】
次に、第１の基板処理装置２は、表面処理部15でウエハＷの表面をエッチング処理する（表面処理工程：表面処理ステップＳ２）。
【００６９】
次に、第１の基板処理装置２は、ウエハＷを表面処理部15から被膜形成部16に移送する（基板移送工程：基板移送ステップＳ３）。
【００７０】
次に、第１の基板処理装置２は、被膜形成部16でウエハＷに被膜を形成する（被膜形成工程：被膜形成ステップＳ４）。
【００７１】
この被膜形成工程では、上側ノズル33から回転するウエハＷの表面中央部に被膜形成液を吐出するとともに、下側ノズル37からウエハＷの端縁部に被膜形成液を吐出して、ウエハＷの表面及び端縁部に被膜を形成する。なお、上側ノズル33及び下側ノズル37から同時に被膜形成液をウエハＷに吐出してウエハＷの表面と端縁部とに同時に被膜を形成してもよく、上側ノズル33又は下側ノズル37のいずれか一方から先に被膜形成液をウエハＷに吐出してウエハＷの表面又は端縁部のいずれか一方から先に被膜を形成してもよい。
【００７２】
図１１に示すように、被膜91は、ウエハＷの表面において、回路パターンが形成される領域92と、それよりも外周側の平坦な領域93と、ウエハＷの外周端近傍の傾斜した領域94に形成される。また、被膜91は、ウエハＷの外周端の垂直円周面状の領域95に形成される。さらに、被膜91は、ウエハＷの裏面において、ウエハＷの外周端近傍の傾斜した領域96と、それよりも内周側の平坦な外周縁部の領域97に形成される。ウエハＷの裏面においては、キャリアＣの内部でウエハＷの裏面が保持される部分（図９に示すように、ウエハＷの裏面外周端縁とキャリアＣの支持片90とが直接接触する領域98）よりも広い範囲（図９に示すように、ウエハＷの裏面外周部の領域99）に被膜91を形成する。被膜91は、少なくともウエハＷの裏面の端縁部（領域96,97で示す領域）に形成するのが望ましく、ウエハＷの表面（領域92,93で示す領域）に形成してもよい。
【００７３】
このようにウエハＷに被膜91を形成することで、図１１に示すように、第１の基板処理装置２の表面処理部15で処理した後のウエハＷに残渣物などの汚染物質100が付着していても、汚染物質100が被膜91で被覆されるために、ウエハＷの搬送時に汚染物質100が他のウエハＷに転着するのを防止できる。
【００７４】
なお、被膜91は、ウエハＷを被覆しウエハＷに悪影響を与えない薄膜であればよく、有機膜でもよく、酸化膜でもよく、ＳＯＧ（Spin On Glass）などであってもよい。また、被膜91を形成する方法も、ウエハＷに被膜形成液を塗布する方法に限られず、プラズマＣＶＤなどを用いた方法でもよい。たとえば、揮発成分が含有されるアクリル樹脂を被膜形成液として用い、ウエハＷへの塗布後に揮発成分が揮発して硬化することで被膜91を形成させることができる。この場合には、被膜91の形成時に揮発成分の揮発によって体積収縮が生じ、それに伴ってウエハＷから汚染物質100を剥離して被膜91に汚染物質100を取り込むことができる。
【００７５】
次に、第１の基板処理装置２は、被膜形成部16で被膜91を形成したウエハＷを基板搬送装置14によって被膜形成部16から搬出した後に、搬入出ステーション10のキャリア載置部12に載置されたキャリアＣに収容する（基板収容工程：基板収容ステップＳ５）。
【００７６】
キャリアＣに収容されたウエハＷは、キャリアＣごと第１の基板処理装置２から第２の基板処理装置３に搬送される（基板搬送工程：基板搬送ステップＳ６）。
【００７７】
その後、第２の基板処理装置３は、搬入出ステーション43において搬送部46の基板搬送装置47がキャリア載置部45に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出した後に、受渡部48に搬送する（基板取出工程：基板取出ステップＳ７）。
【００７８】
次に、第２の基板処理装置３は、処理ステーション44の基板搬送装置52によってウエハＷを受渡部48から被膜除去部50に搬入する（基板搬入工程：基板搬入ステップＳ８）。
【００７９】
次に、第２の基板処理装置３は、被膜除去部50でウエハＷから被膜を除去する（被膜除去工程：被膜除去ステップＳ９）。
【００８０】
この被膜除去工程では、まず、下側ノズル65から回転するウエハＷの端縁部に被膜除去液を吐出して、ウエハＷの端縁部の被膜を除去し、その後、上側ノズル61からウエハＷの表面中央部に被膜除去液を吐出して、ウエハＷの表面の被膜を除去する。なお、上側ノズル61及び下側ノズル65から同時に被膜除去液をウエハＷに吐出してウエハＷの表面と端縁部とから同時に被膜を除去してもよい。ウエハＷの端縁部の被膜を表面の被膜よりも先に除去した場合には、ウエハＷの端縁部の被膜を除去する際に生じた汚染物質がウエハＷの表面側に付着してしまっても、その汚染物質をウエハＷの表面から被膜を除去する際に取り除くことができる。
【００８１】
被膜除去工程では、被膜形成工程で形成した被膜をウエハＷから除去できればよい。被膜を除去する方法は、ウエハＷに被膜除去液を塗布する方法に限られず、ウエハＷを加熱して被膜を昇華させる方法やアッシングによって除去する方法などでもよい。たとえば、現像液等のアルカリ水溶液やシンナー・ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤や酸性水溶液を被膜除去液として用いることができる。なお、ウエハＷから被膜を剥離させることで被膜を除去する場合には、被膜がウエハＷから剥離させた際にウエハＷに付着した汚染物質も併せてウエハＷから引き剥がすことができる。
【００８２】
次に、第２の基板処理装置３は、基板搬送装置52によってウエハＷを被膜除去部50から基板処理部51に移送する（基板移送工程：基板移送ステップＳ10）。
【００８３】
次に、第２の基板処理装置３は、基板処理部51でウエハＷを洗浄処理する（基板処理工程：基板処理ステップＳ11）。
【００８４】
次に、第２の基板処理装置３は、基板搬送装置52によってウエハＷを基板処理部51から搬出し、搬入出ステーション43の受渡部48に搬送する（基板搬出工程：基板搬出ステップＳ12）。
【００８５】
次に、第２の基板処理装置３は、基板搬送装置47によってウエハＷを受渡部48からキャリア載置部45に載置されたキャリアＣに収容する（基板収容工程：基板収容ステップＳ13）。
【００８６】
キャリアＣに収容されたウエハＷは、キャリアＣごと第２の基板処理装置３から他の装置等に搬送される。
【００８７】
以上に説明したように、上記基板処理システム１（第１の基板処理装置２、第２の基板処理装置３）における基板処理方法では、表面を処理したウエハＷの端縁部に被膜を形成した後にキャリアＣに収容し、その後、ウエハＷの被膜を除去する。そのため、ウエハＷの表面を処理した際に生じた残渣物などの汚染物質がウエハＷの搬送時にキャリアＣの内部で他のウエハＷに転着するのを防止でき、その後のウエハＷの処理を良好に行うことができ、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００８８】
なお、上記基板処理システム１では、第１の基板処理装置２でウエハＷの表面に対してエッチング処理を行っているが、これに限られず、ウエハＷの表面に対する他の処理であってもよい。また、上記基板処理システム１では、第２の基板処理装置３でウエハＷに対して洗浄処理を行っているが、これに限られず、ウエハＷに対する他の処理であってもよい。
【符号の説明】
【００８９】
Ｗ  ウエハ（基板）
Ｃ  キャリア（搬送容器）
１  基板処理システム
２  第１の基板処理装置
３  第２の基板処理装置
13  搬送部（基板収容部）
15  表面処理部
16  被膜形成部
46  搬送部（基板取出部）
50  被膜除去部
51  基板処理部
91  被膜
【図１】
0006552404.tif 000002
【図２】
0006552404.tif 000003
【図３】
0006552404.tif 000004
【図４】
0006552404.tif 000005
【図５】
0006552404.tif 000006
【図６】
0006552404.tif 000007
【図７】
0006552404.tif 000008
【図８】
0006552404.tif 000009
【図９】
0006552404.tif 000010
【図１０】
0006552404.tif 000011
【図１１】
0006552404.tif 000012