(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板、犠牲樹脂層、金属層、透明金属酸化物層、基材樹脂層及び機能層の順で積層された構造体を用意する工程と、
キセノンフラッシュランプのパルス光を、前記ガラス基板及び前記犠牲樹脂層を通して、前記金属層に到達するように照射する工程と、
前記犠牲樹脂層を、前記金属層から剥離する工程と、
を含み、
前記機能層は、画像を表示するための輝度を制御する複数の画素回路が形成された画素回路構成層及びカラーフィルタ層のいずれか一方を含み、
前記パルス光を照射する工程で、前記パルス光の吸収によって前記金属層に生じた熱で、前記犠牲樹脂層と前記金属層との間における界面の密着力低下を生じさせることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
前記機能層には、前記カラーフィルタ層が含まれて、
前記構造体に、前記画素回路構成層を有する画素回路層構造体が貼り合わされる工程が含まれ、
前記画素回路層構造体が貼り合わされて、かつ、前記犠牲樹脂層を剥離した後に、前記透明金属酸化物層をストッパとして、前記金属層をエッチングして除去するとともに、前記画素回路層構造体における一部の層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
前記機能層は、前記画素回路構成層を含み、
前記犠牲樹脂層を剥離した後に、前記金属層の表面に保護フィルムを配置する工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載された表示装置の製造方法において、
前記構造体を用意する工程は、
前記ガラス基板に、前記犠牲樹脂層を積層する工程と、
前記犠牲樹脂層の表面をプラズマ処理する工程と、
前記プラズマ処理された前記表面に、前記金属層を密着形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
第１の保護フィルムと、
前記第１の保護フィルムに積層された金属層と、
前記金属層に積層された第１の透明金属酸化物層と、
前記第１の透明金属酸化物層に積層された第１の基材樹脂層と、
複数の画素回路が前記第１の基材樹脂層に積層された画素回路構成層と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置であって、
前記画素回路構成層上にある機能層と、
前記機能層上にある第２の基材樹脂層と、
前記第２の基材樹脂層上にある第２の透明金属酸化物層と、
前記第２の透明金属酸化物層上にある第２の保護フィルムと、をさらに有する、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法、および、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示画面を柔軟に変形することが出来るフレキシブルディスプレイが知られている。
【０００３】
このフレキシブルディスプレイを製造する際には、まず、ガラス等の支持基板上にポリイミド等の樹脂材料を成膜して、薄膜トランジスタやカラーフィルタが配列された機能層を樹脂材料上に形成する。そしてその後に、支持基板から樹脂材料を剥離する工程が設けられる。
【０００４】
なお特許文献１には、低コストで生産性の高い基板の剥離方法を提供する旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１４５８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで支持基板から樹脂材料を剥離する技術としては、レーザを透明樹脂の裏面に照射してアブレーションをすることが知られているが、レーザを使用すると装置コストが大きくなりスループットも低いので高い量産性を実現することが困難になる。
【０００７】
また、ガラス基板と樹脂層の間に熱交換膜としての金属層を形成し、ガラス基板側からフラッシュランプを照射して金属層の界面における樹脂において瞬間的に熱分解を生じさせて、フレキシブルディスプレイを構成する樹脂層をガラス基板から剥離することも考えられる。
【０００８】
しかしながら上記のフラッシュランプを用いる方法においては、ガラス基板と金属層の界面においては発熱が生じやすいものの、その発熱が樹脂層までは伝熱しにくく、金属層と樹脂層の界面において十分な熱分解が生じないことがある。また金属層を薄くすることで、金属層と樹脂層との界面に伝熱しやすくすることも考えられるが、金属層を薄くすることで、フラッシュランプによる発光がフレキシブルディスプレイの機能層に至って破壊されるおそれがある。
【０００９】
本発明は、上記のような課題に鑑みて、フレキシブルディスプレイを製造する際の、カラーフィルタ層や薄膜トランジスタ層といった機能層を有する樹脂層と、支持基材とを、高い量産性で剥離する方法を提供することを目的とする。また本発明は、フレキシブルディスプレイを製造する際における前記の剥離方法が効率化された表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る表示装置の製造方法は、上記のような課題に鑑みて、ガラス基板、犠牲樹脂層、金属層、透明金属酸化物層、基材樹脂層及び機能層の順で積層された構造体を用意する工程と、キセノンフラッシュランプのパルス光を、前記ガラス基板及び前記犠牲樹脂層を通して、前記金属層に到達するように照射する工程と、前記犠牲樹脂層を、前記金属層から剥離する工程とを含み、前記機能層は、画像を表示するための輝度を制御する複数の画素回路が形成された画素回路構成層及びカラーフィルタ層のいずれか一方を含み、前記パルス光を照射する工程で、前記パルス光の吸収によって前記金属層に生じた熱で、前記犠牲樹脂層と前記金属層との間における界面の密着力低下を生じさせることを特徴とする。
【００１１】
また本発明に係る表示装置は、上記のような課題に鑑みて、第１の保護フィルムと、前記第１の保護フィルムに積層された金属層と、前記金属層に積層された第１の透明金属酸化物層と、前記第１の透明金属酸化物層に積層された第１の基材樹脂層と、画像を表示するための輝度を制御する複数の画素回路が前記第１の基材樹脂層に積層された画素回路構成層と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の斜視図である。
【図２】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素回路の様子を示す概略図である。
【図３Ａ】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の、支持基板から樹脂層を剥離する前の状態の断面の様子を示す図である。
【図３Ｂ】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の、支持基板から樹脂層を剥離した後の状態の断面の様子を示す図である。
【図４】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図７】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図８Ａ】第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の、支持基板から樹脂層を剥離する前の状態の断面の様子を示す図である。
【図８Ｂ】第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の、支持基板から樹脂層を剥離した後の状態の断面の様子を示す図である。
【００１３】
以下、本発明の各実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の説明するための概略斜視図である。
【００１５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の自発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された第１の基材樹脂層Ｂ１に、第２の基材樹脂層Ｂ２が貼り合わされて構成され、第１の基材樹脂層Ｂ１において第２の基材樹脂層Ｂ２が露出した領域（露出領域ＥＸ）には、フレキシブルプリント基板Ｆ１が配置される。
【００１６】
図２は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰにおける画素回路の様子を示す図である。有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示領域ＤＰと、走査信号線駆動部ＧＤＲと、映像信号線駆動部ＤＤＲと、電源駆動部ＥＤＲとを備える。
【００１７】
表示領域ＤＰにおいては、画像を表示するための輝度を制御する複数の画素回路ＰＸがマトリクス状に配置されており、また画素のそれぞれに対応して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬ（自発光素子）が配置される。画素回路ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴ１、容量素子ＣＡＰ、および薄膜トランジスタＴＦＴ２で構成される。走査信号線駆動部ＧＤＲと映像信号線駆動部ＤＤＲ、電源駆動部ＥＤＲは、画素回路ＰＸを駆動して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの発光を制御する。
【００１８】
走査信号線駆動部ＧＤＲは、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線ＧＬに接続されて、順番に選択された走査信号線ＧＬに走査信号を出力する。
【００１９】
映像信号線駆動部ＤＤＲは、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線ＤＬに接続されて、走査信号線駆動部ＧＤＲによる走査信号線ＧＬの選択にあわせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線ＤＬに出力をする。当該電圧は、画素回路ＰＸ内の容量素子ＣＡＰに書き込まれて、書き込まれた電圧に応じた電流が有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに供給される。
【００２０】
電源駆動部ＥＤＲは、画素列ごとに設けられた駆動電源線ＳＬに接続されて、画素回路ＰＸ内の薄膜トランジスタＴＦＴ２を介して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに電流を供給する。
【００２１】
有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの陰極（カソード）は、接地電位に接続され、全画素の有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの陰極は、共通の電極で構成される。
【００２２】
図３Ａは、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の、プロセス用の支持基板（ガラス基板）ＳＢ１，ＳＢ２から基材樹脂層Ｂ１，Ｂ２を剥離する前の状態の断面の様子を示す模式図であり、図３Ｂは、支持基板ＳＢ１，ＳＢ２から基材樹脂層Ｂ１，Ｂ２を剥離後、最終的なフレキシブルディスプレイとなった状態を示す断面模式図である。
【００２３】
フレキシブルディスプレイにおいては、画素回路ＰＸがマトリクス状に形成された基材樹脂層Ｂ１や、カラーフィルタ層ＣＦが形成された基材樹脂層Ｂ２の剛性が小さいことから、ガラス等の材料で形成された支持基板ＳＢ１，ＳＢ２を土台として、これらの樹脂層上に機能層を形成する工程が実施される。
【００２４】
本実施形態においては、図３Ａで示されるように、第１の支持基板ＳＢ１上に、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１と、第１の金属層Ｍ１と、第１の透明金属酸化物層ＴＲ１と、画素回路ＰＸがマトリクス状に形成された第１の基材樹脂層Ｂ１が形成されて、第２の支持基板ＳＢ２上に、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２と、第２の金属層Ｍ２と、第２の透明金属酸化物層ＴＲ２と、カラーフィルタ層ＣＦやブラックマトリクスＢＭが形成された第２の基材樹脂層Ｂ２が形成され、これらが互いに貼り合わされる。また貼り合わされる際には、カラーフィルタ層ＣＦが形成された第２の支持基板ＳＢ２側には、露出領域ＥＸを設けるための切り欠き（溝）が予め形成された状態となっている。
【００２５】
カラーフィルタ層ＣＦが形成された第２の基材樹脂層Ｂ２や、複数の画素回路ＰＸを有する画素回路構成層ＣＬが形成された第１の基材樹脂層Ｂ１の表面には、第１の保護層ＰＲ１と第２の保護層ＰＲ２がそれぞれ形成されており、２つの樹脂層がシール材ＳＬおよび充填材ＦＬを介して貼り合わされるようになっている。なお図３Ａの段階では、第２の基材樹脂層Ｂ２から露出される、第１の基材樹脂層Ｂ１の一部となる露出領域ＥＸにおいて、透明導電膜ＴＲが表面に形成された端子ＴＥが第１の保護層ＰＲ１に覆われた状態で配置される。
【００２６】
また、第１の基材樹脂層Ｂ１、第２の基材樹脂層Ｂ２、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２のそれぞれは、ポリイミドを材料とする樹脂層となっている。また第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２は、融点が高いＴｉ、Ｍｏ、Ｗ（チタニウム、モリブデン、タングステン）といった金属で構成される。フレキシブルディスプレイの基材層となる第１の基材樹脂層Ｂ１、第２の基材樹脂層Ｂ２は、１０μｍ程度の厚み（具体的には５μｍ以上２０μｍ以下の厚み）で構成され、第１の金属層Ｍ１、Ｍ２は、後述のフラッシュランプによる閃光の機能層への透過を防止するべく、少なくとも１００ｎｍ程度の厚み（具体的には、７５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚み）を有して構成される。また第１の透明金属酸化物層ＴＲ１、第２の透明金属酸化物層ＴＲ２は、第１の金属層Ｍ１と第１の基材樹脂層Ｂ１の密着性を向上させるための層であって、５ｎｍ程度の厚み（具体的には３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚み）にて、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成される。また、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２は、１μｍ程度の厚みにて形成される。
【００２７】
そして本実施形態における最終的なフレキシブルディスプレイとしては、図３Ｂで示されるように、両側の支持基板ＳＢ１，ＳＢ２と、両側の犠牲樹脂層ＳＣ１，ＳＣ２と、カラーフィルタＣＦが存在する側となる第２の金属層Ｍ２とが取り除かれて、さらに、それぞれの最表面に保護フィルムＰＴ１，ＰＴ２が貼り付けられたものとなっている。
【００２８】
以下においては、図４〜図７を用いて、本実施形態におけるフレキシブルディスプレイの基材層となる樹脂層を、支持基板から剥離する方法をさらに詳細に説明をする。
【００２９】
まず図４は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１の製造工程を説明するための図であり、支持基板ＳＢ１，ＳＢ２と、犠牲樹脂層ＳＣ１，ＳＣ２と、金属層Ｍ１，Ｍ２と、透明金属酸化物層ＴＲ１，ＴＲ２と、基材樹脂層Ｂ１，Ｂ２と、機能層（カラーフィルタ層ＣＦまたは画素回路構成層ＣＬ）を有した構造体を用意する工程の様子を説明するための図となっている。
【００３０】
具体的には図４（ａ）で示されるように、まず第１の支持基板ＳＢ１上に、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１を積層した後、当該第１の犠牲樹脂層ＳＣ１の表面にプラズマ処理を施して改質をする。その後図４（ｂ）で示されるように、プラズマ処理をされた第１の犠牲樹脂層ＳＣ１上に第１の金属層Ｍ１を形成し、さらに図４（ｃ）で示されるように、第１の透明金属酸化物層ＴＲ１、第１の基材樹脂層Ｂ１、保護膜ＰＲ１で覆われた画素回路構成層ＣＬを順番に形成して、画素回路構成層を有する画素回路構造体を形成する。
【００３１】
図４（ａ）においてプラズマ処理が施されることで、ポリイミドを材料とする第１の犠牲樹脂層ＳＣ１と第１の金属層Ｍ１との密着性が向上し、その後の製造工程を支障なくすすめることができるようになる。なお、機能層としてカラーフィルタ層ＣＦを備えた構造体についても同様に、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２の表面にプラズマ処理を施して第２の金属層Ｍ２との密着性を向上させるため、その説明は省略する。
【００３２】
図５は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１の製造工程を説明するための図であり、カラーフィルタや画素回路がそれぞれ加工された２つのマザーガラスを貼り合わせて、表示装置の各片に裁断される様子を説明するための図となっている。
【００３３】
図５（ａ）において示されるように、本実施形態の製造工程では、まずサンドブラストにより画素回路側となる第１の支持基板ＳＢ１がそれぞれ裁断された後、図５（ｂ）のように、貼り合わされたマザーガラスが反転されて、カラーフィルタ側となる第２の支持基板ＳＢ２がそれぞれ裁断される。その後、図５（ｃ）のように、マザーガラスの貼り合わせ前に形成されたカラーフィルタ側の溝に相当する第２の支持基板ＳＢ２の裏面がスクライブされて、表示装置の各片のフレキシブルプリント基板Ｆ１が取り付けられる露出領域ＥＸに対応する領域の第２の支持基板ＳＢ２、第２の基材樹脂層Ｂ２が取り除かれる。
【００３４】
ここで特に、図６は、カラーフィルタ層ＣＦ側の、第２の支持基板ＳＢ２を第２の基材樹脂層Ｂ２から剥離する工程の様子を説明するための図である。
【００３５】
図６（ａ）で示されるように、まず、ポリイミドを材料とする第２の基材樹脂層Ｂ２から第２の支持基板ＳＢ２を剥離する工程では、まず、第２の支持基板ＳＢ２側から波長２００〜１１００ｎｍのキセノンフラッシュランプのパルス光が照射される。このキセノンフラッシュランプの照射時間としては、１μｓ〜数ｍｓ程度であり、強度としては数ｍＪ／ｃｍ２〜数十ｍＪ／ｃｍ２とされる。この際、露出領域ＥＸに対してフラッシュランプが照射されないようにするべく遮光マスクＳＨが配置される。
【００３６】
その後、図６（ｂ）で示されるように、フラッシュランプによるパルス光が、第２の支持基材ＳＢ２と第２の犠牲樹脂層ＳＣ２を介して第２の金属層Ｍ２に到達するように照射されると、第２の金属層Ｍ２に吸収されて発熱が生じる。このパルス光による発熱は、第２の金属層Ｍ２から第２の犠牲樹脂層ＳＣ２に瞬間的に伝熱して、図６（ｃ）で示されるように、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２の界面のポリイミドに熱分解が生じ、第２の支持基板ＳＢ２と第２の犠牲樹脂層ＳＣ２が剥がされることになる。フラッシュランプの照射時間や強度は、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２のポリイミドが熱分解される温度（６００〜１２００℃程度）に熱せられるように調整される。
【００３７】
次に、カラーフィルタ層ＣＦ側から画像が出力されるようにするため、図６（ｄ）で示されるように、カラーフィルタ層ＣＦの外側に形成されている第２の金属層Ｍ２を、フッ素ラジカルによりドライエッチングをして取り除く。この図６（ｄ）の工程においては、露出領域ＥＸにて窒化シリコン膜や酸化シリコン膜で形成された第１の保護層ＰＲ１も同時にエッチングされて、いわゆる端子出しが行われる。第２の透明金属酸化物層ＴＲ２や、透明導電膜ＴＲは、このドライエッチングにおけるエッチングストッパ膜として機能する。
【００３８】
その後、図６（ｅ）で示されるように、第２の透明金属酸化物層ＴＲ２の上に保護フィルムＰＴ２が配置され、図６（ｆ）で示されるように、露出領域ＥＸの端子ＴＥにて、フレキシブルプリント基板Ｆ１が接続される。
【００３９】
また、図７は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）の薄膜トランジスタによる画素回路ＰＸが形成された第１の基材樹脂層Ｂ１から、第１の支持基板ＳＢ１を剥離する工程の様子を説明するための図である。
【００４０】
図７（ａ）で示されるように、まず、ポリイミドを材料とする第１の基材樹脂層Ｂ１から第１の支持基板ＳＢ１を剥離する工程では、図６（ａ）の場合と同様に、キセノンフラッシュランプが照射されて、その後、図７（ｂ）及び図７（ｃ）で示されるように、第１の金属層Ｍ１から第１の犠牲樹脂層ＳＣ１に瞬間的に伝熱して界面のポリイミドが熱分解され、第１の支持基板ＳＢ１と第１の犠牲樹脂層ＳＣ１が剥がされることになる。
【００４１】
そして図７（ｃ）の工程の後、図７（ｄ）で示されるように、保護フィルムＰＴ１が第１の金属層Ｍ１の裏面に貼り付けられることとなる。
【００４２】
図７（ｄ）および図３Ｂで示されるように、画素回路構成層を備えた第１の基材樹脂層Ｂ１の裏側にて第１の金属層Ｍ１が残存することで、画素回路ＰＸを備えた機能層に影響を与えうる電磁波を遮断することができる。またこの第１の金属層Ｍ１と第１の基材樹脂層Ｂ１の間には、第１の透明金属酸化物層ＴＲ１が配置されており、ポリイミドによって形成された第１の基材樹脂層Ｂ１と第１の金属層Ｍ１との密着性を向上させている。このように第１の透明金属酸化物層ＴＲ１が形成されることで、基材樹脂層にて機能層が形成されるフレキシブルディスプレイにおいても、電磁波を遮断する構造を基材樹脂層上に安定的に形成することができるようになる。
【００４３】
なお上記の実施形態においては、表示装置として有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機ＥＬ表示装置１を例にして説明をしているが、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような自発光素子を各画素に備えた自発光表示装置であってもよい。また、自発光表示装置に限られず、例えば液晶表示装置のようなフレキシブルディスプレイであっても本発明は適用される。
【００４４】
なお上記の実施形態においては、カラーフィルタ層を備えた基材樹脂層と、画素回路構成層ＣＬを備えた基材樹脂層の双方において、金属層と犠牲樹脂層を配置することによるフラッシュランプの剥離方法が使用されているが、このような態様には限定されず、いずれか一方においてのみ当該剥離方法が使用されてもよい。また画素回路構成層を備えていない対向基板側の基材樹脂層においては、必ずしもカラーフィルタ層ＣＦを備えておらずともよく、例えば、ブラックマトリクスＢＭによって各画素が仕切られているだけであってもよく、カラーフィルタ層ＣＦの代わりに円偏光板やタッチパネルを備えてもよい。特に有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機ＥＬ表示装置において、赤黄青の３色の有機発光層を塗り分ける場合はカラーフィルタ層が必要ないので円偏光板やタッチパネルを対向基板として用いるのがよい。
【００４５】
［第２の実施形態］
図８Ａ及び図８Ｂは第２の実施形態を説明するための図である。本実施形態においては、第１の実施形態と違う箇所を説明する。第１の実施形態と対応する箇所には同じ符号が付与されている。図８Ｂに示す有機ＥＬ表示装置は、第１の実施形態と比べて、第１の金属層Ｍ１と第１の保護フィルムＰＴ１の間にさらに第３の透明金属酸化物層ＴＲ３が配置されている。
【００４６】
製造途中の図８Ａに示すように、第３の透明金属酸化物層ＴＲ３は、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１形成後、第１の金属層Ｍ１形成前に形成される。この第３の透明金属酸化物層ＴＲ３は第１の犠牲樹脂層ＳＣ１と第１の金属層Ｍ１との密着性を高める。このことで、製造工程中に第１の金属層Ｍ１と第１の犠牲樹脂層ＳＣ１とが剥がれるのを防ぐことができる。さらに、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２形成後、第２の金属層Ｍ２形成前に、第４の透明金属酸化物層ＴＲ４が形成される。その後、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２がはがされた後であり、第２の金属層Ｍ２が除去される前に第４の透明金属酸化物層ＴＲ４が除去される。詳しくは図６（ｃ）および（ｄ）に示すプロセスを適用する。この第４の透明金属酸化物層ＴＲ４は第２の犠牲樹脂層ＳＣ２と第２の金属層Ｍ２との密着性を高める。このことで、製造工程中に第２の金属層Ｍ２と第２の犠牲樹脂層ＳＣ２とが剥がれるのを防ぐことができる。
【００４７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。また例えば、上記の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４８】
１  有機ＥＬ表示装置、ＤＰ  表示領域、Ｂ１  第１の基材樹脂層、Ｂ２  第２の基材樹脂層、ＥＸ  露出領域、Ｆ１  フレキシブルプリント基板、ＧＤＲ  走査信号線駆動部、ＤＤＲ  映像信号線駆動部、ＥＤＲ  電源駆動部、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２  薄膜トランジスタ、ＣＡＰ  容量素子、ＧＬ  走査信号線、ＤＬ  映像信号線、ＰＸ  画素回路、ＯＬ  有機エレクトロルミネッセンス素子、ＣＦ  カラーフィルタ層、ＣＬ  画素回路構成層、ＢＭ  ブラックマトリクス、ＦＬ  充填層、ＳＬ  シール材、ＳＢ１  第１の支持基板、ＳＢ２  第２の支持基板、ＳＣ１  第１の犠牲樹脂層、ＳＣ２  第２の犠牲樹脂層、Ｍ１  第１の金属層、Ｍ２  第２の金属層、ＴＲ１  第１の透明金属酸化物層、ＴＲ２  第２の透明金属酸化物層、ＴＲ  透明導電膜、ＴＥ  端子、ＰＲ１  第１の保護層、ＰＲ２  第２の保護層、ＰＴ１  第１の保護フィルム、ＰＴ２  第２の保護フィルム、ＳＨ  遮光マスク。
【図１】
0006517643.tif 000002
【図２】
0006517643.tif 000003
【図３Ａ】
0006517643.tif 000004
【図３Ｂ】
0006517643.tif 000005
【図４】
0006517643.tif 000006
【図５】
0006517643.tif 000007
【図６】
0006517643.tif 000008
【図７】
0006517643.tif 000009
【図８Ａ】
0006517643.tif 000010
【図８Ｂ】
0006517643.tif 000011