(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝と該坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクターを備え、高周波加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶を接触させ、かつ、上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が４インチ以上のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも、上記リフレクターの内径を３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の育成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面弾性波素子等に用いられるタンタル酸リチウム単結晶の育成方法に係り、特に、結晶直径が４インチ以上の大型結晶育成時に発生し易いクラックを抑制してその生産性を改善したタンタル酸リチウム単結晶の育成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タンタル酸リチウム（以下、ＬＴと略称することがある）結晶は、融点が約１６５０℃、キュリー温度が約６００℃の強誘電体であり、この結晶を用いて製造されたタンタル酸リチウム基板の用途は、主に、携帯電話の送受信用デバイスに用いられる表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの材料である。
【０００３】
そして、タンタル酸リチウム単結晶は「チョクラルスキー法」で育成するのが一般的である。以下「チョクラルスキー法」による育成方法を説明すると、この方法に用いられる育成炉は、イリジウム等の貴金属製坩堝と、当該坩堝を囲むように設けられた耐火物（断熱材）と、坩堝上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクターと、当該リフレクター上に設けられかつ坩堝上部の温度勾配を適切に保つためのヒータ機能を持たせた円筒状のアフターヒーターを備えており、上記坩堝内に充填した原料となるタンタル酸リチウム結晶の塊を高周波加熱によって融解させ、この原料融液に種結晶を接触させた後、所定の回転数で種結晶を回転させつつ上方に引き上げることでタンタル酸リチウム単結晶の育成がなされている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００４】
ところで、結晶の引き上げ軸の方向は、表面弾性波の伝搬速度および伝搬損失の関係から、３６°〜５０°回転Ｙ軸（以降、オフ角と称す）方向に切り出された種結晶の方位と同一となるように設定される。このようにして結晶を成長させた場合、オフ角が大きくなると引き上げた単結晶にクラックが発生し易く、特に、結晶直径が４インチ以上の大型結晶育成時にクラックの発生が顕著となり、生産性を低下させる問題が存在した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３６１９３号公報
【特許文献２】特開平０９−２０５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、結晶直径が４インチ以上の大型結晶育成時においてもクラックの発生が抑制されたタンタル酸リチウム単結晶の育成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、上記課題を解決するためクラック発生の原因について本発明者が鋭意検討を行ったところ、タンタル酸リチウム単結晶の直胴部を育成しているとき、上記貴金属製リフレクターの開口縁近傍に位置する結晶直胴部の側面に大きな圧縮応力が生じており、圧縮応力により結晶直胴部の内部に転位が発生する結果、この転位の集積がクラックの起源（原因）になっていることを突き止めるに至った。
【０００８】
すなわち、直胴部育成の前工程である「結晶の種付け時」および「結晶肩部の育成時」において、坩堝上端に設置されるドーナツ板形状の貴金属製リフレクターは、結晶の急成長を抑制するため融液表面の動径方向に適度な温度勾配を持たせるように作用している。しかし、タンタル酸リチウム単結晶の直胴部を育成しているとき、高周波の作用によって貴金属製リフレクターの開口縁部が高温になっているため、リフレクターの開口縁近傍に位置することになる結晶直胴部の側面はリフレクターによって加熱される結果、結晶直胴部における中心部の温度より側面外周部の温度が高くなることから結晶側面に上記圧縮応力が生じる。
【０００９】
そこで、リフレクターの形状を最適化し、結晶側面に生ずる圧縮応力を低減させることで上記クラックが抑制されるとの予測の下、本発明者が鋭意検討を行なった結果、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、
坩堝と該坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクターを備え、高周波加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶を接触させ、かつ、上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が４インチ以上のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも、上記リフレクターの内径を３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るタンタル酸リチウム単結晶の育成方法によれば、
育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも、リフレクターの内径が３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定されているため、育成中における結晶直胴部の側面とリフレクターの上記開口縁部間に３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下の隙間が形成されることになる。
【００１２】
そして、高周波の作用で高温になる貴金属製リフレクターによる直胴部側面の加熱が上記隙間の存在により抑制され、上記直胴部における中心部の温度と側面外周部の温度との差が小さくなる結果、タンタル酸リチウム単結晶直胴部の側面に生ずる圧縮応力が低減されるため、タンタル酸リチウム単結晶に発生するクラックを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】タンタル酸リチウム単結晶の育成方法に用いられる育成装置の一例を示す概略構成断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
本発明に係るタンタル酸リチウム単結晶の育成方法は、坩堝内に収容された原料融液に種結晶を接触させて引き上げる「チョクラルスキー法」の常法に従って行うものであり、イリジウム等から成る貴金属製坩堝の上端に設置されるドーナツ板形状の貴金属製リフレクターの内径を、育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定することを特徴とするものである。
【００１６】
上記貴金属製リフレクターの内径が、育成する結晶直径よりも３５ｍｍ未満の大きさに設定された場合、直胴部育成中、高周波の作用で高温状態にあるリフレクター開口縁部近傍周辺の雰囲気温度が高く、結晶直胴部中心部と側面外周部の温度差が大きくなるため結晶側面に過度の圧縮応力が生じてしまう。他方、貴金属製リフレクターの内径が、育成する結晶直径よりも５０ｍｍを超える大きさに設定された場合、直胴部育成の前工程である「結晶の種付け時」および「結晶肩部の育成時」において、融液表面の動径方向に適度な温度勾配を持たせるようにリフレクターが作用しなくなることから結晶の急成長が起こり、結晶の直径制御が困難となる。このため、坩堝の上端に設置されるドーナツ板形状の貴金属製リフレクターの内径は、育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定されることを要する。
【実施例】
【００１７】
以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明は以下の実施例により何ら制限されるものではない。尚、実施例等においてタンタル酸リチウム単結晶を育成する装置としては、図１に示す以下の育成装置を使用した。
【００１８】
すなわち、この育成装置は、図１に示すようにセラミックス製の坩堝台２と、上記坩堝台２の底部に設置されかつイリジウム製の坩堝３が配置されるアルミナ台４と、上記坩堝３を囲むように設置された断熱材５と、上記坩堝３の開放縁上に沿って取り付けられたドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター９と、上記リフレクター９上に取り付けられた円筒状のイリジウム製アフターヒーター１３と、上記アフターヒーター１３の上方開放縁上に取り付けられかつ中央に引き上げ軸６を通すための開口部が設けられた蓋７と、上記引き上げ軸６の下方側に設けられかつ種結晶８を保持するための種結晶保持治具１２と、上記坩堝台２を囲むように設けられかつ坩堝３を誘導加熱して内部に充填された原料を融解させる加熱コイル（高周波コイル）１とでその主要部が構成されており、上記原料の融液１０に種結晶８を接触させると共に種結晶８を回転させつつ上方へ引き上げることで単結晶１１を育成するものである。
【００１９】
［実施例１］
内寸直径１７０ｍｍφ、内寸高さ１７０ｍｍ、肉厚２．５ｍｍであるイリジウム製坩堝３の開放縁上に、内径１４０ｍｍφ、外径１８０ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍであるドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター９を取り付け、更に、上記リフレクター９上に、直径１４７ｍｍφ、高さ１５０ｍｍ（肉厚１ｍｍ）である円筒状のイリジウム製アフターヒーター１３を取り付けた。
【００２０】
そして、上記坩堝３内にコングルエント組成、すなわち、組成ずれ（組成揺らぎ）がなく均一な組成の結晶を容易に得ることができる調和溶融（一致溶融）で調合したＬＴ仮焼粉を充填し、約１７００℃で融解させた。その後、融液温度をＬＴの融点（１６５０℃）付近に調整し、種結晶を１０ｒｐｍで回転させながら融液表面に接触させ、十分に馴染ませた後、引上げを開始した。この際、種結晶８の方位は４２°回転Ｙ軸とし、結晶直径が１０５ｍｍ、直胴部長が９０ｍｍである単結晶の引き上げを行った。
【００２１】
尚、実施例１に係るリフレクター９の内径（１４０ｍｍφ）は育成結晶の直径（１０５ｍｍ）よりも３５ｍｍ大きいことになる。
【００２２】
実施例１に係る条件での結晶引き上げを１０回実施したところ、クラックのないＬＴ単結晶が８回得られた。
【００２３】
［実施例２］
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター９の内径を１５５ｍｍφ、リフレクター９上には、直径１６２ｍｍφ、高さ１５０ｍｍ（肉厚１ｍｍ）である円筒状のイリジウム製アフターヒーター１３を取り付けたことを除き、実施例１と同等の条件で結晶直径が１０５ｍｍである単結晶の引き上げを行った。
【００２４】
尚、実施例２に係るリフレクター９の内径（１５５ｍｍφ）は育成結晶の直径（１０５ｍｍ）よりも５０ｍｍ大きいことになる。
【００２５】
その結果、１０回の結晶引き上げ実施において、クラックのないＬＴ単結晶が９回得られた。
【００２６】
［実施例３］
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター９の内径を１４５ｍｍφとした以外は、実施例１と同等の条件で結晶直径が１０５ｍｍである単結晶の引き上げを行った。
【００２７】
尚、実施例３に係るリフレクター９の内径（１４５ｍｍφ）は育成結晶の直径（１０５ｍｍ）よりも４０ｍｍ大きいことになる。
【００２８】
その結果、１０回の結晶引き上げ実施において、クラックのないＬＴ単結晶を９回得られた。
【００２９】
［比較例１］
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター９の内径を１３０ｍｍφとした以外は、実施例１と同等の条件で結晶直径が１０５ｍｍである単結晶の引き上げを行った。
【００３０】
尚、比較例１に係るリフレクター９の内径（１３０ｍｍφ）は育成結晶の直径（１０５ｍｍ）よりも２５ｍｍ大きいことになる。
【００３１】
その結果、１０回の結晶引き上げ実施において、クラックのないＬＴ単結晶を得ることができたのは５回であった。
【００３２】
［比較例２］
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター９の内径を１６０ｍｍφ、リフレクター９上には、直径１６２ｍｍφ、高さ１５０ｍｍ（肉厚１ｍｍ）である円筒状のイリジウム製アフターヒーター１３を取り付けたことを除き、実施例１と同等の条件で結晶直径が１０５ｍｍである単結晶の引き上げを行った。
【００３３】
尚、比較例２に係るリフレクター９の内径（１６０ｍｍφ）は育成結晶の直径（１０５ｍｍ）よりも５５ｍｍ大きいことになる。
【００３４】
５回の引き上げ試験を実施したが、「結晶の種付け」から「結晶肩部の育成」工程において結晶の急成長が起こってしまい、安定した結晶径の制御が困難となりＬＴ単結晶を得ることができなかった。
【００３５】
［確  認］
実施例１〜３および比較例１〜２の結果から、育成するＬＴ単結晶の直径よりもリフレクター９の内径を３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定することで、クラックのないＬＴ単結晶を高い収率で育成できることが確認される。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明によれば、タンタル酸リチウム単結晶のクラックが抑制されてウエハーの取得可能枚数を大幅に増大させることが可能となるため、表面弾性波素子等に用いられるタンタル酸リチウム単結晶の育成に利用される産業上の利用可能性を有している。
【符号の説明】
【００３７】
１  加熱コイル（高周波コイル）
２  セラミックス製の坩堝台
３  坩堝
４  アルミナ台
５  断熱材
６  引き上げ軸
７  蓋
８  種結晶
９  リフレクター
１０  融液
１１  単結晶
１２  種結晶保持治具
１３  アフターヒーター
【図１】
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