(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、
前記表示領域の外側に位置する周辺領域と、
前記表示領域に配置された複数の単位画素と、
前記複数の単位画素の各々に配置された画素電極と、
前記複数の単位画素を覆い、且つ前記表示領域から前記周辺領域にわたって配置された共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子層と、
前記共通電極よりも高い導電性を有し、前記共通電極と電気的に接続し、前記表示領域から前記周辺領域にわたって位置する複数の補助配線と、
前記周辺領域に配置され、前記共通電極及び前記複数の補助配線に電気的に接続するように接触する接続配線と、
を有し、
前記共通電極は、前記周辺領域で前記複数の補助配線と接触して重なる重複領域を有し、
前記共通電極は、前記重複領域の少なくとも一部に、前記重複領域以外の領域よりも厚さが大きい厚膜部を有し、
前記複数の補助配線は、前記周辺領域で相互に電気的に接続されており、
前記接続配線は、前記厚膜部と重なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
表示領域と、
前記表示領域の外側に位置する周辺領域と、
前記表示領域に配置された複数の単位画素と、
前記複数の単位画素の各々に配置された画素電極と、
前記複数の単位画素を覆い、且つ前記表示領域から前記周辺領域にわたって配置された共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子層と、
前記共通電極よりも高い導電性を有し、前記共通電極と電気的に接続し、前記表示領域から前記周辺領域にわたって位置する複数の補助配線と、
絶縁膜と、
メタル層と、
を有し、
前記共通電極は、前記周辺領域で前記複数の補助配線と接触して重なる重複領域を有し、
前記共通電極は、前記重複領域の少なくとも一部に、前記重複領域以外の領域よりも厚さが大きい厚膜部を有し、
前記絶縁膜は、前記自発光素子層とは反対側で前記複数の画素電極に積層し、かつ、前記厚膜部に積層し、
前記メタル層は、前記絶縁膜を介して前記複数の画素電極のそれぞれに積層し、かつ、前記絶縁膜を介して前記厚膜部に積層し、
前記複数の画素電極のそれぞれと前記絶縁膜と前記メタル層とによって容量が形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
表示領域と、
前記表示領域の外側に位置する周辺領域と、
前記表示領域に配置された複数の単位画素と、
前記複数の単位画素の各々に配置された画素電極と、
前記複数の単位画素を覆い、且つ前記表示領域から前記周辺領域にわたって配置された共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子層と、
前記共通電極よりも高い導電性を有し、前記共通電極と電気的に接続し、前記表示領域から前記周辺領域にわたって位置する複数の補助配線と、
基板と、
前記基板と前記画素電極との間に位置し、駆動回路を備えた回路層と、
前記回路層に積層された絶縁層と、
を有し、
前記共通電極は、前記周辺領域で前記複数の補助配線と接触して重なる重複領域を有し、
前記共通電極は、前記重複領域の少なくとも一部に、前記重複領域以外の領域よりも厚さが大きい厚膜部を有し、
前記絶縁層は、前記周辺領域に、前記絶縁層が除去された溝を有し、
前記厚膜部は、前記溝に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
表示領域と、
前記表示領域の外側に位置する周辺領域と、
前記表示領域に配置された複数の単位画素と、
前記複数の単位画素の各々に配置された画素電極と、
前記複数の単位画素を覆い、且つ前記表示領域から前記周辺領域にわたって配置された共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子層と、
前記共通電極よりも高い導電性を有し、前記共通電極と電気的に接続し、前記表示領域から前記周辺領域にわたって位置する複数の補助配線と、
前記周辺領域に配置され、前記共通電極及び前記複数の補助配線と電気的に接続するコンタクト配線と、
を有し、
前記共通電極は、前記周辺領域で前記複数の補助配線と接触して重なる重複領域を有し、
前記共通電極は、前記重複領域の少なくとも一部に、前記重複領域以外の領域よりも厚さが大きい厚膜部を有し、
前記厚膜部は、前記コンタクト配線の上に配置され、前記コンタクト配線と接触していることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
表示領域と、
前記表示領域の外側に位置する周辺領域と、
前記表示領域に配置された複数の単位画素と、
前記複数の単位画素の各々に配置された画素電極と、
前記複数の単位画素を覆い、且つ前記表示領域から前記周辺領域にわたって配置された共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子層と、
前記共通電極よりも高い導電性を有し、前記共通電極と電気的に接続し、前記表示領域から前記周辺領域にわたって位置する複数の補助配線と、
前記周辺領域に配置され、前記共通電極及び前記複数の補助配線と電気的に接続するコンタクト配線と、
を有し、
前記共通電極は、前記周辺領域で前記複数の補助配線と接触して重なる重複領域を有し、
前記共通電極は、前記重複領域の少なくとも一部に、前記重複領域以外の領域よりも厚さが大きい厚膜部を有し、
前記複数の補助配線は、前記コンタクト配線に接触して電気的に接続され、
前記共通電極は、平面的に見て、前記複数の補助配線と前記コンタクト配線とが接触する領域とは重畳していないことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
表示領域と、
前記表示領域の外側に位置する周辺領域と、
前記表示領域に配置された複数の単位画素と、
前記複数の単位画素の各々に配置された画素電極と、
前記複数の単位画素を覆い、且つ前記表示領域から前記周辺領域にわたって配置された共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子層と、
前記共通電極よりも高い導電性を有し、前記共通電極と電気的に接続し、前記表示領域から前記周辺領域にわたって位置する複数の補助配線と、
を有し、
前記共通電極は、前記周辺領域で前記複数の補助配線と接触して重なる重複領域を有し、
前記共通電極は、前記重複領域の少なくとも一部に、前記重複領域以外の領域よりも厚さが大きい厚膜部を有し、
前記厚膜部は、上面と前記上面と交差する側面とを有し、
前記複数の補助配線の各々は、前記表示領域から前記上面の前記表示領域とは反対側の端部まで延びており、
前記複数の補助配線の各々は、前記表示領域とは反対側の側面と接していることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の補助配線の各々は、線状に形成されると共に、両端部が前記周辺領域に位置し、
前記両端部の各々は、前記厚膜部と重なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の補助配線は、第１の方向に延びる補助配線と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる補助配線とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記共通電極は、前記厚膜部を、隣同士の前記補助配線との前記重複領域の間にさらに有し、
前記厚膜部は、前記複数の補助配線の並ぶ方向に連続して設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された表示装置において、
前記厚膜部は、前記表示領域を囲むように環状に設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の補助配線は、前記周辺領域で相互に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記接続配線は、前記表示領域を囲むように環状に設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項３に記載された表示装置において、
前記厚膜部は、前記溝を充填すると共に、前記絶縁層の上面と接する部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項３又は１３に記載された表示装置において、
前記周辺領域に、前記共通電極及び前記複数の補助配線と電気的に接続するコンタクト配線をさらに有し、
前記厚膜部は、前記コンタクト配線の上にも配置され、
前記コンタクト配線の上に配置された前記厚膜部は、前記コンタクト配線と接触していることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項５又は１４に記載された表示装置において、
前記コンタクト配線が前記厚膜部と前記複数の補助配線との何れかと接触する領域は、前記溝よりも前記表示領域の側に位置していることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項５又は１４に記載された表示装置において、
前記コンタクト配線が前記厚膜部と前記複数の補助配線との何れかと接触する領域は、前記溝よりも前記表示領域とは反対の側に位置していることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シート状、平面状の表示装置では、画素電極と共通電極との間に自発光素子層が介在し、画素電極と共通電極との間に電流が流れることで、自発光素子層が発光する。ここで、例えば複数の画素に跨って配置されている、共通電極の電気抵抗が大きいと、電圧降下により、画像を表示する表示領域にシェーディング（輝度傾斜）が生じてしまう。このため、共通電極の電気抵抗を低減させることが望まれている。
【０００３】
下記特許文献１には、単位画素間に配置されるバンク層（特許文献１では、画素定義膜１１７）の上にスペーサ１１８を設け、その上に共通電極（特許文献１では、カソード電極１１６Ｃ）、補助配線（特許文献１では、補助電極２１０）を積層することで、共通電極の電圧降下を防止する表示装置が開示されている。
【０００４】
また、下記特許文献２には、表示領域及び周辺領域にわたって線状に延びる複数の補助配線が、互いに平行となるように配置された表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９７９２５号公報
【特許文献２】特開２００６−３１８９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
共通電極と該共通電極に電気的に接続する補助配線とにより構成される層の全体的な合成抵抗（即ち、シート抵抗）は、補助配線の断面積に依存する。より具体的には、補助配線の断面積を大きくすることで、共通電極及び補助配線のシート抵抗は低減する。しかし、近年では表示装置の高精度化が求められており、補助配線を形成する領域を大きく確保することが難しい。即ち、補助配線の幅を大きく形成すること、補助配線の断面積を大きく設けることは難しい。
【０００７】
本発明の目的は、表示領域におけるシェーディングを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る表示装置は、表示領域と、前記表示領域の外側に位置する周辺領域と、前記表示領域に配置された複数の単位画素と、前記複数の単位画素の各々に配置された画素電極と、前記複数の単位画素を覆い、且つ前記表示領域から前記周辺領域にわたって配置された共通電極と、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子層と、前記共通電極よりも高い導電性を有し、前記共通電極と電気的に接続し、前記表示領域から前記周辺領域にわたって位置する複数の補助配線と、を有し、前記共通電極は、前記周辺領域で前記複数の補助配線と接触して重なる重複領域を有し、前記共通電極は、前記重複領域の少なくとも一部に、前記重複領域以外の領域よりも厚さが大きい厚膜部を有する。これによれば、表示領域におけるシェーディングを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置１ａの概略を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置１ａの構成の概略を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示装置１ａの構成の概略を示す断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る表示装置１ｂの概略を示す平面図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置１ｂの構成の概略を示す断面図である。
【図６】第３の実施形態に係る表示装置１ｃの概略を示す平面図である。
【図７】第３の実施形態に係る表示装置１ｃの構成の概略を示す断面図である。
【図８】第１の変形例に係る表示装置１ｄの構成の概略を示す断面図である。
【図９】第２の変形例に係る表示装置１ｅの構成の概略を示す断面図である。
【図１０】第３の変形例に係る表示装置１ｆの構成の概略を示す断面図である。
【図１１】第３の変形例に係る表示装置１ｆの構成の概略を示す断面図である。
【図１２】第４の変形例に係る表示装置１ｇの構成の概略を示す断面図である。
【図１３】第５の変形例に係る表示装置１ｈの構成の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための幾つかの形態（以下、実施形態と呼ぶ）について説明する。なお、本明細書の開示は本発明の一例にすぎず、本発明の主旨を保った適宜変更であって当業者が容易に想到し得るものは本発明の範囲に含まれる。また、図で示す各部の幅、厚さ及び形状等は模式的に表されており、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１１】
［１．第１の実施形態］
はじめに、第１の実施形態に係る表示装置１ａについて説明する。図１は、第１の実施形態に係る表示装置１ａの概略を示す平面図である。図１に示すように、表示装置１ａの一面には、画像を表示する表示領域３と、その外側において表示領域３の周囲を囲む周辺領域４とが形成されている。
【００１２】
表示装置１ａは、公知の種々のデバイスを介して画像信号を受信することにより、表示領域３に画像を表示する。より具体的には、表示装置１ａには、金属などの導電素材からなる複数の端子２が形成されており、表示装置１ａは複数の端子２のそれぞれを介して画像信号を受け付けることで、表示領域３に画像を表示する。
【００１３】
図２は、表示装置１ａの構成の概略を示す断面図であり、その切断面は、図１のＩＩ−ＩＩ線で示されている。図２に示すように、表示装置１ａには、第１基板１０が備えられている。第１基板１０は、ガラス基板や、ポリイミドなどの樹脂層を含み可撓性を有する基板（樹脂基板、フィルム基板）から成る。また、この第１基板１０の上には、複数の駆動回路（図示せず）が組み込まれた回路層２０が形成されている。
【００１４】
また、回路層２０の上には、樹脂などの絶縁材料により形成される絶縁層３０と、複数の画素電極４０とが積層されている。絶縁層３０は、例えば回路層２０に含まれる薄膜トランジスタ（図示せず）上に形成される有機平坦化膜、有機パッシベーション膜である。複数の画素電極４０のそれぞれは、金属（例えば、銀）などの光を反射する導電材料により形成される第１画素電極４１と、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明な導電材料により形成される第２画素電極４２とを含んで構成されている。
【００１５】
また、絶縁層３０の上には、樹脂などの絶縁材料により形成されるバンク層５０が積層されている。バンク層５０は、複数の画素電極４０のそれぞれと、後述する共通電極７０とのショートを防止している。また、バンク層５０は、表示領域３（図１参照）において、画像を構成する複数の単位画素のそれぞれの外周を囲うように配置されている。複数の画素電極４０のそれぞれは、表示領域３に設けられており、複数の単位画素のそれぞれに対応している。より具体的には、複数の画素電極４０のそれぞれは、バンク層５０により単位画素ごとに独立して配置され、且つ電気的にも分断されている。
【００１６】
また、複数の画素電極４０と、バンク層５０とが形成された表面を覆うように、自発光素子層６０と、共通電極７０が形成されている。共通電極７０は、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性及び導電性を有する材料により形成されている。また、共通電極７０は、複数の単位画素を覆うように配置されており、表示領域３から周辺領域４（図１参照）にわたって配置されている。自発光素子層６０は、複数の画素電極４０と共通電極７０の間に介在している。画素電極４０と共通電極７０との間に自発光素子層６０を介して電流が流れることで自発光素子層６０は発光し、その輝度は、それぞれの電極間に流れる電流の量によって制御される。自発光素子層６０としては、例えば有機化合物から成る有機層が用いられる。また、回路層２０は、複数の画素電極４０のそれぞれと共通電極７０との間を流れる電流を制御するための複数の駆動回路を含んでいる。複数の画素電極４０のそれぞれは、対応する駆動回路のそれぞれと電気的に繋がっている。本実施形態に係る表示装置１ａは、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を採用しており、自発光素子層６０が発する光を表示装置１ａの上側（図２においてＺ１側）に出射するようになっている。
【００１７】
また、共通電極７０と、バンク層５０とが形成された表面を覆うように、封止層８０が形成されている。封止層８０は、例えば、ＳｉＯｘやＳｉＮｙなどの無機材料により形成されるが、透光性を有する材料であればこれに限定されない。封止層８０は、自発光素子層６０への酸素や水分の侵入を防いでいる。
【００１８】
また、第１基板１０と対向して第２基板１２０が配置されている。第２基板１２０には、カラーフィルタ層が形成されている。カラーフィルタ層は、図２に示す様に、複数の単位画素ごとに、予め定められた色で光を透過するカラーフィルタ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂから成る。より具体的には、カラーフィルタ層は、赤色の光を透過するカラーフィルタ１１１Ｒと、緑色の光を透過するカラーフィルタ１１１Ｇと、青色の光を透過するカラーフィルタ１１１Ｂとから成る。カラーフィルタ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂの境界部、及びカラーフィルタ１１１Ｂの端部から周辺領域への領域には遮光膜１１０が配置されている。
【００１９】
また、封止層８０上で、且つ第１基板１０と第２基板１２０との間には、充填層９０が形成されている。充填層９０は、例えば、堰として機能するシール材１００に囲まれた箇所に、透明な充填材が流し込まれることで形成されている。
【００２０】
また、図２において、シール材１００は、封止層８０及び遮光膜１１０に接して配置されている。更に、絶縁層３０の端部は、シール材１００と重畳する領域に位置している。しかし、これらの構造に限定されない。例えば、絶縁層３０の端部がシール材１００の内側に配置さる構造でもよい。
【００２１】
また、図１に示すように、表示装置１ａには、複数の補助配線１３０が線状に配置されている。複数の補助配線１３０のそれぞれは、隣同士の単位画素の間を通って、表示領域３から周辺領域４にわたって配置されている。また、複数の補助配線１３０のそれぞれは、その両端部が周辺領域４に位置している。本実施形態では、複数の補助配線１３０のそれぞれは、縦方向（即ち、図１のＹ軸方向）に延びている。
【００２２】
図３は、表示装置１ａの構成の概略を示す断面図であり、その切断面は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線（即ち、補助配線１３０が伸びる方向に沿った線）で示されている。図３に示すように、補助配線１３０は、共通電極７０の上層に形成され、共通電極７０と電気的に接続するように接触している。ここで、補助配線１３０は、共通電極７０よりも高い導電性を有する材料から形成されている。補助配線１３０は、例えば、銀などの金属により形成されている。
【００２３】
このように共通電極７０と接続する補助配線１３０を設けることで、共通電極７０と補助配線１３０とにより構成される層の全体的な合成抵抗（即ち、シート抵抗）は、共通電極７０単体のシート抵抗よりも小さくなる。しかし、共通電極７０と補助配線１３０とが接触する界面（以降、接触界面とも呼ぶ）には、電気的な抵抗（即ち、接触抵抗）が生じてしまう。共通電極７０及び接補助配線１３０のシート抵抗をさらに低減し、表示領域３におけるシェーディングを防止するために、当該接触界面における接触抵抗を低減させることが望まれる。
【００２４】
共通電極７０と補助配線１３０との接触抵抗は、公知の伝送長法（ＴＬＭ／Ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌｅｎｇｅ  ｍｅｔｈｏｄ）により計測できる。より具体的には、共通電極７０と補助配線１３０との接触界面における共通電極７０の厚みを大きくすると、これらが接触する接触界面において電流が流れる領域が広くなるため、当該接触界面における接触抵抗は小さくなる。ただし、共通電極７０は、表示領域３の略全域を覆うように配置されているため、単に共通電極７０の全域にわたって厚みを大きくすると、表示領域３における光の透過率が下がり、画素の光を取り出す効率が低減してしまう。
【００２５】
そこで、本実施形態では、周辺領域４の共通電極７０と補助配線１３０とが重なる重複領域の少なくとも一部に、共通電極７０の厚みを他の領域よりも厚くしている部分を備えている。より具体的には、図１及び図３に示すように、厚膜部７１は、周辺領域４のうち、上記重複領域の少なくとも一部で、補助配線１３０の両端部のそれぞれに重なり、補助配線１３０と接触するように形成されている。また、図１及び図２に示すように、厚膜部７１は、複数の補助配線１３０の並ぶ方向（図１においてはＸ軸方向）に、延在して設けられている。即ち、厚膜部７１は、互いに隣接する複数の補助配線１３０と重なっている。尚、厚膜部７１と補助配線１３０とは、互いに接触する部分で電気的に接続されていることは言うまでもない。補助配線１３０と厚膜部７１とは、とは接触面積が大きい方が良いので、補助配線１３０は図１、図３に示すように、表示領域３から厚膜部７１の上面を経由し、該上面の表示領域とは反対側の端部まで延びていることが望ましい。更に、補助配線１３０は、後述の図９のように、厚膜部７１の表示領域とは反対側の側面と接するまで延びていてもよい。
【００２６】
このように周辺領域４に厚膜部７１を形成することで、表示領域３における光透過率を損なうことなく、共通電極７０と補助配線１３０との接触抵抗を下げることができる。そうすると、共通電極７０の厚膜部７１において電流が流れやすくなるため、共通電極７０及び補助配線１３０の全体のシート抵抗を下げることができる。即ち、表示領域３における光透過率を下げずに、シェーディングを防止することができるようになる。尚、厚膜部７１は、共通電極７０を形成した後、厚膜部７１を配置する所定の箇所に、透明な導電材料（共通電極７０と同じ材料でよい）を追加で成膜することで形成できる。
【００２７】
［２．第２の実施形態］
次に、第２の実施形態にかかる表示装置１ｂについて説明する。図４は、第２の実施形態に係る表示装置１ｂの概略を示す平面図である。本実施形態に係る表示装置１ｂにおいて、複数の補助配線１３０は、第１の実施形態に係る表示装置１ａと異なり、縦及び横の交差する方向（第１の方向と第１の方向に交差する第２の方向）にそれぞれ延びている。また、本実施形態に係る表示装置１ｂの厚膜部７１は、表示領域３を環状に囲むように連続して設けられている。
【００２８】
ここで、共通電極７０と補助配線１３０との接触界面を広くすることでも、これらの接触界面における接触抵抗は低減する。このため、本実施形態のように補助配線１３０を横方向にも伸ばし、共通電極７０と接触する接触界面を広げることで、共通電極７０と補助配線１３０との接触抵抗をさらに低減させることができる。また、補助配線１３０は、縦横の両方向に伸びているため、共通電極７０及び補助配線１３０のシート抵抗を、縦横の両方向で均一にすることができる。
【００２９】
図５は、表示装置１ｂの構成の概略を示す断面図であり、その切断面は、図４のＶ−Ｖ線で示されている。図５は、第１の実施形態における図３と対応する図である。図４及び図５に示すように、本実施形態に係る表示装置１ｂは、周辺領域４に、共通電極７０及び複数の補助配線１３０との電気的に接続するコンタクト配線１４０をさらに有している。コンタクト配線１４０は、例えば、銀などの金属材料により形成されている。本実施形態では、バンク層５０に形成されたコンタクトホールで、共通電極７０がコンタクト配線１４０と接しており、補助配線１３０は、共通電極７０を介してコンタクト配線１４０と電気的に接続している。ここで、コンタクト配線１４０を介して共通電極７０に所定の電位（例えば、基準電位）が供給される。
【００３０】
また、表示装置１ｂにおいて、絶縁層３０は、周辺領域４に溝３１を有している。溝３１が形成された部分では、バンク層５０及び絶縁層３０が、即ち有機層が除去されている。溝３１によって、絶縁層３０は、表示領域３を含む溝３１よりも内側の領域と溝３１よりも外側の領域とに分離される。また、図５に示す様に、溝３１は表示領域３を囲うように、環状に連続して設けられている。また、本実施形態では、この溝３１を充填するように、共通電極７０の厚膜部７１が位置している。また、本実施形態では、絶縁層３０の溝３１よりも外側の領域に、コンタクト配線１４０が設けられている。
【００３１】
このように絶縁層３０に溝３１を設けることで、表示装置１ｂの外部から絶縁層３０の中に侵入した水分を溝３１により遮断し、表示領域３に配置される画素電極４０や自発光素子層６０に水分が入り込むことを防ぐことができる。また、溝３１の部分に（即ち、絶縁層３０が形成されていない部分に）、溝３１を充填するように厚膜部７１を形成することで、絶縁層３０上に厚膜部７１を配置する必要がなくなる。製造上のばらつき等、量産性を考慮すると、第１基板１０側の対向面（封止層８０）と第２基板１２０側の対向面（遮光膜１１０）とのギャップは、際限なく小さくすることはできず、所定の大きさ以上が必要である。絶縁層３０上に厚膜部７１を配置すると、厚膜部７１上の封止層８０と絶縁層３０上面との距離が大きくなり、更に厚膜部７１上の封止層８０と第２基板１２０側の対向面とに該所定の大きさ以上のギャップが必要となる。よって、表示装置１ｂ全体の厚みが増大することになる。本実施形態では、溝３１を充填するように厚膜部７１を形成することで、絶縁層３０上に厚膜部７１を配置する必要がないので、表示装置１ｂ全体の厚みを増大させずに厚膜部７１を形成することができ、共通電極７０と補助配線１３０との接触抵抗を低減させることができる。
【００３２】
［３．第３の実施形態］
次に、第３の実施形態にかかる表示装置１ｃについて説明する。図６は、第３の実施形態に係る表示装置１ｃの概略を示す平面図である。また、図７は、表示装置１ｃの構成の概略を示す断面図であり、その切断面は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線で示されている。
【００３３】
図６及び図７に示すように、本実施形態に係る表示装置１ｃには、第２の実施形態に係る表示装置１ｂと同様に、溝３１及び厚膜部７１が、表示領域３を囲うように環状に設けられている。他方、表示装置１ｃには、表示装置１ｂと異なり、金属（例えば、銀）などの導電材料により形成される接続配線１３１が設けられている。接続配線１３１は、厚膜部７１の上に配置され、表示領域３を囲むように環状に設けられている。
【００３４】
また、図６及び図７に示すように、接続配線１３１は、厚膜部７１と重なって共通電極７０及び複数の補助配線１３０に電気的に接続するように接触している。即ち、複数の補助配線１３０は、周辺領域４で、接続配線１３１を介して相互に電気的に接続されている。なお、図７に示す例では、接続配線１３１は、厚膜部７１と補助配線１３０との間に設けられているが、これに限らず、接続配線１３１は、補助配線１３０の上に設けられてもよい。また、接続配線１３１は、補助配線１３０と同じ材料（例えば、銀）により形成されてもよい。即ち、補助配線１３０は、接続配線１３１と一体で形成されてもよい。
【００３５】
図６に示すように、複数の補助配線１３０の間の領域において、接続配線１３１と厚膜部７１とが接続している。即ち、接続配線１３１を設けることで、補助配線１３０（及び、接続配線１３１）と共通電極７０との接触界面が広くなっている。このため、共通電極７０全体にわたって、補助配線１３０との接触抵抗をさらに低減することができる。
【００３６】
［５．変形例］
本発明は以上説明した実施形態に限られず、種々の変更がなされてよい。以下では、本発明を実施するための他の形態の例（変形例）について説明する。
【００３７】
［５−１．第１の変形例］
第２の実施形態では、絶縁層３０に形成される溝３１の窪みの部分に、厚膜部７１が設けられる例（図４及び図５参照）について説明したが、厚膜部７１が設けられる箇所は、溝３１の窪みの部分のみに限定しなくてもよい。
【００３８】
図８は、第１の変形例に係る表示装置１ｄの概略を示す断面図であり、第２の実施形態における図５と対応する。図８に示すように、厚膜部７１は、溝３１の窪みの部分から絶縁層３０の上面に至るように設けられていてもよい。このようにすることで、厚膜部７１と補助配線１３０との接触界面を広くすることができ、厚膜部７１と補助配線１３０との接触抵抗をさらに低減させることができる。
【００３９】
［５−２．第２の変形例］
また、第２の実施形態では、周辺領域４に、コンタクト配線１４０が、共通電極７０と接するように設けられている例（図４及び図５参照）について説明したが、コンタクト配線１４０には、共通電極７０ではなく、補助配線１３０が直に接していてもよい。
【００４０】
図９は、第２の変形例に係る表示装置１ｅの概略を示す断面図であり、第２の実施形態における図５と対応する。図９に示すように、コンタクト配線１４０には、複数の補助配線１３０が直に接して電気的に接続していてもよい。この場合、共通電極７０は、コンタクト配線１４０を避けて設けられてもよい。共通電極７０は、複数の補助配線１３０と接しているため、このようにしても、共通電極７０とコンタクト配線１４０とを電気的に接続することが可能である。また、コンタクト配線１４０と補助配線１３０とが直に接している箇所を備えることで、共通電極７０と補助配線１３０とコンタクト配線１４０とを一体で捉えた場合の抵抗を低減することができる。
【００４１】
［５−３．第３の変形例］
図１０及び図１１は、第２の実施形態の変形例である第３の変形例に係る表示装置１ｆの概略を示す断面図である。図１０は、補助配線１３０と重ならない位置の断面図である。図１１は、第２の実施形態における図５と対応する。図１０及び図１１に示すように、画素電極４０の自発光素子層６０とは反対側（図１０及び図１１の例では下側（即ち、画素電極４０のＺ２方向の側））に積層するように、絶縁膜１５０と、メタル層１５１とが設けられてもよい。そして、このように複数の画素電極４０のそれぞれと絶縁膜１５０とメタル層１５１とを積層することで、保持容量を構成してもよい。このようにすることで、複数の画素電極４０のそれぞれと電気的に接続する複数の画像回路のそれぞれに対し、保持容量を提供することが可能である。
【００４２】
なお、絶縁膜１５０とメタル層１５１は、厚膜部７１の下側（即ち、溝３１が形成される箇所）にも積層されてよい。また、複数形成されるメタル層１５１の何れかをコンタクト配線１４０として用いてもよい。この場合、コンタクト配線１４０を覆う絶縁膜１４１（絶縁膜１５０と同層）に開口を設けることで、コンタクト配線１４０と共通電極７０（又は、補助配線１３０）とが互いに接触するようにしてもよい。
【００４３】
［５−４．第４の変形例］
第２の実施形態では、周辺領域４にて、絶縁層３０が溝３１を有しており、その外側にコンタクト配線１４０が形成される例（図５参照）について説明したが、溝３１とコンタクト配線１４０の位置関係はこれに限らない。
【００４４】
図１２は、第４の変形例に係る表示装置１ｇの概略を示す断面図であり、第２の実施形態における図５と対応する。図１２に示すように、コンタクト配線１４０は、表示領域３を内側に含み、溝３１により分離される領域、即ち溝３１よりも表示領域３側に設けられてもよい。
【００４５】
また、図１２に示すように、厚膜部７１は、コンタクト配線１４０の上に配置されてもよい。このようにすることで、コンタクト配線１４０と接触する共通電極７０の厚みを確保することができるため、共通電極７０と補助配線１３０との接触抵抗のみならず、共通電極７０とコンタクト配線１４０との接触抵抗を低減させることができる。さらに、絶縁層３０が形成されていない部分の上に厚膜部７１を形成することで、表示装置１ｇ全体の厚みを増大させずに厚膜部７１の厚みを増すことができる。なお、図示は省略するが、表示装置１ｇにおいて、絶縁層３０は必ずしも溝３１を有さなくてもよい。
【００４６】
また、第４の変形例に係る表示装置１ｇで溝３１を形成しない構造において、コンタクト配線１４０の絶縁層３０から露出した部分と補助配線１３０とが直接接する構造にしてもよい。
【００４７】
尚、図１２では、絶縁層３０、バンク層５０が平面的に見てシール材１００と重なっていない構造をしている。しかし、図２に示すような、絶縁層３０、バンク層５０がシール材１００と重畳する構造にしてもよい。また、図１２に示す縁層３０、バンク層５０が平面的に見てシール材１００と重なっていない構造を、他の実施形態、変形例に適用してもよい。
【００４８】
［５−５．第５の変形例］
図１３は、第５の変形例に係る表示装置１ｈの概略を示す断面図であり、第２の実施形態における図５と対応する。図１３に示すように、厚膜部７１は、絶縁層３０に形成される溝３１の内側と、コンタクト配線１４０の上と、の双方に形成されてもよい。このようにすることで、共通電極７０と補助配線１３０との接触抵抗と、共通電極７０とコンタクト配線１４０との接触抵抗との双方を低減することができる。即ち、共通電極７０、補助配線１３０、及びコンタクト配線１４０の全体のシート抵抗を低減することができ、表示領域３におけるシェーディングを防止することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈ  表示装置、２  端子、３  表示領域、４  周辺領域、１０  第１基板、２０  回路層、３０  絶縁層、３１  溝、４０  画素電極、４１  第１画素電極、４２  第２画素電極、５０  バンク層、６０  自発光素子層、７０  共通電極、７１  厚膜部、８０  封止層、９０  充填層、１００  シール材、１１０  遮光膜、１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂ  カラーフィルタ、１２０  第２基板、１３０  補助配線、１３１  接続配線、１４０  コンタクト配線、１４１，１５０  絶縁膜、１５１  メタル層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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