(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に成膜されたＡｇ合金膜であって、
Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有し、
前記Ａｇ合金膜表面の複数の箇所においてＳｂ濃度を分析した結果、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされていることを特徴とするＡｇ合金膜。
【請求項２】
成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、
スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とすることを特徴とするＡｇ合金膜の製造方法。
【請求項３】
成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、
スパッタ成膜する際に、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内とすることを特徴とするＡｇ合金膜の製造方法。
【請求項４】
成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、
スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とするとともに、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定することを特徴とするＡｇ合金膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等に用いられるＡｇ合金膜、及び、このＡｇ合金膜の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等には、比抵抗値の低いＡｇ膜が用いられている。
例えば、特許文献１には、半導体発光素子の電極の構成材料として、高効率で光を反射するＡｇ合金膜を用いることが開示されている。
また、特許文献２には、有機ＥＬ素子の反射電極の構成材料としてＡｇ合金を用いることが開示されている。
さらに、特許文献３には、タッチパネルの引き出し配線として、Ａｇ合金膜を用いることが開示されている。
【０００３】
また、特許文献４には、Ｉｎ及びＳｎ，Ｓｂを含有するＡｇ合金からなるＡｇ合金膜が提案されている。このＡｇ合金膜においては、高い耐硫化性及び耐熱性を有しており、製造時及び使用時に反射率及び電気抵抗等の各種特性が劣化することを抑制することができる。
これらのＡｇ合金膜は、Ａｇ合金からなるスパッタリングターゲットによってスパッタリングすることで成膜されている。
【０００４】
近年、有機ＥＬ素子、タッチパネル用配線等を製造する際のガラス基板の大型化（大面積化）が進められている。
ここで、大面積基板にＡｇ合金膜を成膜する場合には、大型のスパッタリングターゲットを用いて、対向型のスパッタ装置により成膜する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２４５２３０号公報
【特許文献２】特開２０１２−０５９５７６号公報
【特許文献３】特開２００９−０３１７０５号公報
【特許文献４】特開２０１３−１６５０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、最近では、ディスプレイ、ＬＥＤ、タッチパネル、有機ＥＬ素子等においては、電極パターン及び配線パターンの微細化が進められている。
ここで、大型のスパッタリングターゲットを用いて、対向型のスパッタ装置により大面積基板にＡｇ合金膜を形成する場合には、成膜されたＡｇ合金膜において添加元素の含有量が膜内でばらつくおそれがあった。このため、Ａｇ合金膜において、反射率及び電気抵抗等の各種特性がばらついてしまうといった問題があった。
【０００７】
特に、特許文献４に示したＡｇ合金膜に含有されたＳｂは、Ａｇに対する固溶限が低く、かつ、Ａｇよりもスパッタされやすい元素であることから、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜から弾き出されやすく、Ａｇ合金膜中に均一に分布させることが非常に困難であった。また、Ｓｂを歩留り良く添加することができず、スパッタリングターゲットにおけるＳｂ濃度と、成膜されたＡｇ合金膜におけるＳｂ濃度と、に大きな差が生じてしまうといった問題があった。
【０００８】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、大面積基板に成膜した場合であっても、Ｓｂを歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込ませることができ、Ｓｂ濃度が均一に含有され、膜内の特性が安定したＡｇ合金膜、及び、このＡｇ合金膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明のＡｇ合金膜は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に成膜されたＡｇ合金膜であって、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有し、前記Ａｇ合金膜表面の複数の箇所においてＳｂ濃度を分析した結果、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされていることを特徴としている。
【００１０】
このような構成とされた本発明のＡｇ合金膜においては、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有しているので、耐硫化性及び耐熱性に優れ、さらに低抵抗及び高反射率を有しており、反射電極膜及び配線膜等として特に適している。
そして、本発明のＡｇ合金膜においては、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされているので、Ｓｂ濃度がＡｇ合金膜内に比較的均一に存在しており、Ａｇ合金膜の面内の特性ばらつきを抑制することができる。よって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた大面積基板に成膜されたものであっても、特性が安定しており、大画面のディスプレイやタッチパネルの反射電極膜及び配線膜等に適用することができる。
【００１１】
本発明のＡｇ合金膜の製造方法は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とすることを特徴としている。
【００１２】
このような構成とされた本発明のＡｇ合金の製造方法によれば、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内としているので、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜内に取り込まれ、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込まれ、Ａｇ合金膜内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。具体的には、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００を２５％以下とすることができる。
【００１３】
また、本発明のＡｇ合金膜の製造方法は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、スパッタ成膜する際に、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内とすることを特徴としている。
【００１４】
このような構成とされた本発明のＡｇ合金の製造方法によれば、スパッタ成膜する際に、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内としているので、スパッタ粒子のエネルギーを比較的低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込まれ、Ａｇ合金膜内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。具体的には、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００を２５％以下とすることができる。
【００１５】
さらに、本発明のＡｇ合金膜の製造方法は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とするとともに、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定することを特徴としている。
【００１６】
このような構成とされた本発明のＡｇ合金の製造方法によれば、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内としているので、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜内に取り込まれ、スパッタによってＡｇ合金膜内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。また、スパッタガス圧力を、１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内としているので、スパッタ粒子のエネルギーを比較的低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込まれ、Ａｇ合金膜内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。具体的には、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００を２５％以下とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によれば、大面積基板に成膜した場合であっても、Ｓｂを歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込ませることができ、Ｓｂ濃度が均一に含有され、膜内の特性が安定したＡｇ合金膜、及び、このＡｇ合金膜の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係るＡｇ合金膜の模式図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の一実施形態であるＡｇ合金膜、及び、Ａｇ合金膜の製造方法について説明する。
本実施形態であるＡｇ合金膜１０は、例えばディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等として使用される。
【００２０】
本実施形態であるＡｇ合金膜１０は、対向型のスパッタ装置によって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板１上に成膜されたものである。本実施形態では、図１に示すように、矩形平板状をなす基板１の表面に成膜されたものとされており、基板１の成膜面のサイズは、Ｗ：３３５ｍｍ以上×Ｌ：４４７ｍｍ以上とされている。
また、本実施形態のＡｇ合金膜１０の膜厚ｔは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内とされている。
【００２１】
また、本実施形態であるＡｇ合金膜１０は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有する。
以下に、本実施形態であるＡｇ合金膜１０の組成を上述のように規定した理由について説明する。
【００２２】
（Ｉｎ及びＳｎ：いずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下）
Ｉｎ及びＳｎといった元素は、Ａｇ合金膜１０の耐硫化性を向上させる作用効果を有する。
ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量が０．１原子％未満の場合には、Ａｇ合金膜１０において耐硫化性の向上の効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量が１．５原子％を超える場合には、反射率及び透過率の低下や電気抵抗の上昇が生じ、各種特性が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量を０．１原子％以上１．５原子％以下の範囲内に設定している。
なお、Ａｇ合金膜１０において耐硫化性を確実に向上させるためには、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量の下限を０．３原子％以上とすることが好ましい。また、Ａｇ合金膜１０において反射率及び透過率の低下や電気抵抗の上昇等の特性の劣化を確実に抑制するためには、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量の上限を１．１原子％以下に設定することが好ましい。
【００２３】
（Ｓｂ：０．０１原子％以上３．５原子％以下）
Ｓｂは、Ａｇ合金の耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ａｇの凝集を抑制し、膜厚を薄くしても膜の平滑性を維持する作用効果を有する。
ここで、Ｓｂの含有量が０．０１原子％未満の場合、耐熱性向上及びＡｇの凝集を抑制する効果が得られなくなる。一方、Ｓｂの含有量が３．５原子％を超える場合、反射率及び透過率の低下及び電気抵抗の上昇等の特性が劣化するおそれがある。
このような理由から、Ｓｂの含有量を０．０１原子％以上３．５原子％以下の範囲内に設定している。
なお、Ａｇ合金膜１０における耐熱性を確実に向上させるため、あるいは、Ａｇの凝集を確実に抑制するためには、Ｓｂの含有量の下限を０．０５原子％以上に設定することが好ましい。また、Ａｇ合金膜１０における特性の劣化を確実に抑制するためには、Ｓｂの含有量の上限を３原子％以下に設定することが好ましい。
【００２４】
そして、本実施形態であるＡｇ合金膜１０においては、Ａｇ合金膜１０表面の複数の箇所においてＳｂ濃度を分析した結果、基板１の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、基板１の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされている。
【００２５】
本実施形態では、図１に示すように、基板１の中心位置Ｃ0と、矩形状をなす基板１の４つの角部Ｃ1〜Ｃ4の５箇所でＳｂ濃度を測定しており、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点Ｃ1〜Ｃ4におけるＳｂ濃度Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3、Ｍ4との最大差Ｄmaxが、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSに対して２５％以下とされている。
ここで、Ａｇ合金膜１０におけるＳｂ濃度の測定は、その膜厚やサイズにより、ＩＣＰ−ＭＳ、ＸＲＦ、ＥＭＰＭＡ、ＳＩＭＳ等の分析方法を適宜選択して適用すればよく、同一の測定方法及び測定条件で測定されたＳｂ濃度を用いてＳｂ濃度ばらつきＳを算出すればよい。
【００２６】
次に、本実施形態であるＡｇ合金膜１０の製造方法について説明する。
本実施形態であるＡｇ合金膜１０の製造方法においては、上述のように、対向型スパッタ装置によってＡｇ合金膜１０を成膜しており、大型のスパッタリングターゲットを用いている。
【００２７】
本実施形態であるＡｇ合金膜１０を形成するためのスパッタリングターゲットは、成膜するＡｇ合金膜１０に対応する組成を有しており、Ｉｎ及びＳｎは、スパッタリングターゲットにおける含有量とＡｇ合金膜１０における含有量が大きく変動しないことから、Ａｇ合金膜１０と同等の含有量とされている。
一方、Ｓｂは、上述したように、スパッタリングターゲットにおける含有量に対して、成膜されたＡｇ合金膜１０における含有量が少なくなる傾向にあることから、スパッタリングターゲットにおけるＳｂの含有量を、Ａｇ合金膜１０におけるＳｂの含有量よりも多く設定することが好ましい。
【００２８】
具体的には、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１０を成膜するスパッタリングターゲットは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．１原子％以上５．０原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有している。
【００２９】
そして、本実施形態では、上述のスパッタリングターゲットを用いて、対向型のスパッタ装置によって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板１上に、本実施形態であるＡｇ合金膜１０を成膜する。
このスパッタ成膜時においては、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用いており、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内に設定している。さらに、スパッタガス圧力を、１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定している。
なお、本実施形態では、スパッタ装置内におけるスパッタリングターゲットと基板１間の距離を１００ｍｍ以上と、従来よりも大きくすることが好ましい。さらに、スパッタ成膜時のパワー密度を０．１３Ｗ／ｃｍ2以下と従来よりも低くすることが好ましい。
以下に、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒ、及び、スパッタガス圧力を上述のように規定した理由を説明する。
【００３０】
（酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒ：１／２００以上１／１０以下）
スパッタ成膜時において、Ａｒガス中に少量の酸素を混入することにより、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜１０内に取り込まれることになり、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜１０内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。これにより、スパッタリングターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜１０中に含有されることになる。
ここで、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒが１／２００未満の場合には、酸素量が不足し、ＳｂをＡｇ合金膜１０中に歩留り良く含有させることができなくなるおそれがある。一方、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒが１／１０を超える場合には、酸素量が多すぎて酸化が進み、反射率等の特性が劣化するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、スパッタ成膜時における酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを、１／２００以上１／１０以下の範囲内に設定している。
なお、Ｓｂを確実にＡｇ合金膜１０内へ歩留り良く含有させるためには、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒの下限を１／１００以上とすることが好ましい。また、Ａｇ合金膜１０の特性の劣化を確実に抑制するためには、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒの上限を１／５０以下とすることが好ましい。
【００３１】
（スパッタガス圧力：１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下）
スパッタ成膜時において、スパッタガス圧力を比較的高く設定することにより、スパッタ粒子のエネルギーを抑えることができ、Ａｇ合金膜１０中に取り込まれたＳｂが弾き出されることを抑制できる。これにより、スパッタリングターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜１０中に含有されることになる。
ここで、スパッタガス圧力が１．３３Ｐａ未満の場合には、スパッタ粒子のエネルギーが十分に低くならず、ＳｂをＡｇ合金膜１０中に歩留り良く含有させることができなくなるおそれがある。一方、スパッタガス圧力が１．６０Ｐａを超える場合には、成膜された膜の密度が低下し、電気抵抗及び反射率等の特性に悪影響を与えるおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、スパッタ成膜時におけるスパッタガス圧力を、１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定している。
【００３２】
以上のような構成とされた本実施形態であるＡｇ合金膜１０によれば、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有しているので、耐硫化性及び耐熱性に優れ、さらに低抵抗及び高反射率を有しており、反射電極膜及び配線膜等として特に適している。
【００３３】
そして、本実施形態であるＡｇ合金膜１０においては、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点（４つの角部）Ｃ1〜Ｃ4におけるＳｂ濃度Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3、Ｍ14との最大差Ｄmaxと、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされているので、Ｓｂ濃度がＡｇ合金膜１０内に比較的均一となっており、Ａｇ合金膜１０の面内の特性ばらつきを抑制することができる。よって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた大面積の基板１上に成膜されたものであっても、特性が安定しており、大画面のディスプレイやタッチパネルの反射電極膜及び配線膜等にも適用することができる。
【００３４】
また、本実施形態であるＡｇ合金膜１０の製造方法によれば、対向型のスパッタ装置を用いてスパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内としているので、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜１０内に取り込まれ、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜１０内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。
また、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内としているので、スパッタ粒子のエネルギーを比較的低く抑えることができ、Ａｇ合金膜１０内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。
【００３５】
よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜１０中に取り込まれ、Ａｇ合金膜１０内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。よって、上述した本実施形態であるＡｇ合金膜１０を成膜することができる。
【００３６】
さらに、本実施形態において、スパッタ装置内におけるスパッタリングターゲットと基板１間の距離を１００ｍｍ以上と従来よりも大きくした場合には、スパッタ粒子の散乱によって、スパッタ粒子のエネルギーを低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。
また、本実施形態において、スパッタ成膜時のパワー密度を０．１３以下と従来よりも低くした場合には、スパッタ粒子のエネルギーを低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。
よって、ターゲット中のＳｂを歩留り良くＡｇ合金膜１０中に取り込ませることが可能となる。
【００３７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等として使用されるものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の用途に適用してもよい。
【００３８】
また、本実施形態では、スパッタ成膜時において、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、スパッタガス圧力を上述のように規定したものとして説明したが、これに限定されることなく、スパッタガスとして他のガスを用いて、スパッタ圧力を上述の範囲内に設定してもよい。
あるいは、スパッタガスとして酸素とＡｒの混合ガスを用いて、酸素とＡｒガスの体積比Ｏ2／Ａｒを上述の範囲にした場合には、スパッタ圧力を上述の範囲外としてもよい。
【実施例】
【００３９】
以下に、本発明に係るＡｇ合金膜及びＡｇ合金膜の製造方法について評価した評価試験の結果について説明する。
【００４０】
大型のスパッタ―リングターゲットを使用し、対向型のスパッタ装置を用いて、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた大面積基板に対してＡｇ合金膜を成膜し、成膜されたＡｇ合金膜の組成を分析した。
【００４１】
（スパッタリングターゲット）
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＳｂと、純度９９．９９質量％以上のＩｎ及び純度９９．９質量％以上のＳｎを準備し、表１に示すターゲット組成となるように秤量した。
まず、Ａｇ原料を高周波真空溶解炉で溶解してＡｇ溶湯を作製し、次いで、このＡｇ溶湯に、秤量したＩｎ、Ｓｎ，Ｓｂを添加して溶解し、鋳造することによりインゴットを作製した。得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を行った。その後、機械加工を施し、６３０ｍｍ×７１０ｍｍ、厚さ６ｍｍの矩形平板状のスパッタリングターゲットを得た。
【００４２】
上述のスパッタリングターゲットを、無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、対向型の直流マグネトロンスパッタ装置に装着した。また、基板としてガラス基板（サイズ：３７０ｍｍ×４７０ｍｍ）を準備し、スパッタリングターゲットと基板間距離を７０ｍｍとして対向配置した。
その後、真空排気装置によって、直流マグネトロンスパッタ装置内を５．３３×１０-4Ｐａ以下にまで排気した後、スパッタガスを導入して、表１に示すスパッタガス圧とした。なお、スパッタガスとして酸素とＡｒの混合ガスを用いる場合には、Ａｒガスを導入する前に酸素を導入し、表１に示す体積比になるように調整した。
そして、直流電源によってスパッタリングターゲットに１０００Ｗの直流電力を印加し、スパッタ成膜を実施した。
【００４３】
（Ａｇ合金膜の組成、Ａｇ合金膜の濃度ばらつき）
得られたＡｇ合金膜からサンプリングを行い、Ａｇ合金膜中のＩｎ、Ｓｎ及びＳｂの組成分析を、ＩＣＰ−ＭＳによって実施した。なお、サンプリング位置は、図１に示すように、基板の中心位置Ｃ0、矩形平板状をなす基板の４つの角部（角部から対角線に沿って中心方向に６０ｍｍの位置）Ｃ1〜Ｃ4とし、濃度のばらつきＳを以下の式で算出した。なお、濃度のばらつきは、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｓｎについて評価した。評価結果を表１に示す。
Ｓ（濃度のばらつき）＝Ｄmax／ＭS×１００
【００４４】
（Ａｇ合金膜の反射率と反射率ばらつき）
分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｕ−４１００）により、基板の中心位置Ｃ0、４つの角部Ｃ1〜Ｃ4での波長５５０ｎｍにおける反射率を測定した。
中心位置Ｃ0の反射率については、９５％を超える場合を○、９３％を超え９５％未満の場合を△、９３％未満の場合を×とした。
反射率ばらつきについては、中心位置Ｃ0と４つのＣ1〜Ｃ4それぞれと反射率の差を求め、最大の反射率差が３％未満の場合を○、３％以上５％未満の場合を△、５％以上の場合を×、とした。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
スパッタガスが酸素を含まず、スパッタガス圧力が低い比較例１〜３，７のＡｇ合金膜は、Ａｇ合金膜の濃度ばらつきが大きく、反射率も大きくばらついていた。なお、Ｉｎ及びＳｎを含まない比較例３のＡｇ合金膜は、表に記載していないが、耐硫化性が劣っていた。
また、Ｓｂ含有量の多い比較例４、スパッタガスが酸素を含まずスパッタガス圧力が高い比較例５、スパッタガス中の酸素が多い比較例６のＡｇ合金膜は、反射率が低かった。
【００４７】
これに対し、本願所定の条件で成膜し、所定の組成を有する本発明例のＡｇ合金膜は、濃度ばらつきが２５％以下であり、反射率が高く、反射率ばらつきが抑えられていることがわかる。
なお、他の本発明例と比べて濃度ばらつきが大きめの本発明例３のＡｇ合金膜は、反射率ばらつきが大きめであった。
他の本発明例と比べてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ濃度が高め、スパッタガス中の酸素が少なめ、又はスパッタガス圧力が高めになっている本発明例５，９，１２，１５〜１８のＡｇ合金膜は、反射率が低めであった。
【符号の説明】
【００４８】
１０  Ａｇ合金膜
【図１】
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