(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力半導体装置であって、
上面側（１４）および下面側（１６）を有し、前記上面側（１４）は前記下面側（１６）と対向して位置する電力半導体要素（１２）と、
第１の電極（１８）および第２の電極（２０）と、
ハウジングとを備え、
前記上面側（１４）は前記第１の電極（１８）と接続する第１の接続部（２２）および前記第１の電極（１８）と接続しない第１の自由部（２４）を備え、前記第１の自由部（２４）は前記上面側（１４）の周縁に位置し、前記下面側（１６）は少なくとも前記第２の電極（２０）と接続する第２の接続部（２６）を備えるよう、前記電力半導体要素（１２）は前記第１の電極（１８）および前記第２の電極（２０）の間に配置され、
前記電力半導体装置の使用中の障害モードにおいて発生したプラズマおよび／またはガスに起因する過圧を、前記第１の自由部（２４）から所定のガス抜きポイント（３８）にガイドするための、少なくとも第１の自由部（２４）の一部を前記所定のガス抜きポイント（３８）に流体接続するチャネル（３６）が提供され、
前記所定のガス抜きポイント（３８）は前記ハウジングの規定された弱化部によって実現され、
前記第１の電極（１８）は周縁に拡張部（４４）を備え、前記拡張部（４４）は前記第１の自由部（２４）の上方に位置して、前記電力半導体要素（１２）から離間しており、  前記チャネル（３６）は前記拡張部（４４）内に位置しており、
前記拡張部（４４）と前記第１の自由部（２４）との間に閉じられた内側スペース（４８）を形成するように前記第１の自由部（２４）を封入するエッジング（４０）が提供され、
前記チャネル（３６）は前記拡張部（４４）を貫通しており、前記閉じられた内側スペース（４８）と前記所定のガス抜きポイント（３８）とを接続する通路として前記チャネル（３６）が形成される、電力半導体装置。
【請求項２】
前記所定のガス抜きポイント（３８）はフランジ（３２）内に提供され、前記フランジ（３２）は前記第１の電極（１８）と前記ハウジングのさらなるパーツを接続する、請求項１に記載の電力半導体装置。
【請求項３】
前記所定のガス抜きポイント（３８）付近にガス誘導装置（４２）が提供される、請求項１または２に記載の電力半導体装置。
【請求項４】
前記ガス誘導装置がポリマーリングである、請求項３に記載の電力半導体装置。
【請求項５】
前記上面側（１４）の前記第１の自由部（２４）または前記下面側（１６）の前記第２の電極（２０）と接続しない第２の自由部（２８）と面する前記電極（１８、２０）の部分が二部形成で配置される、請求項１から４のいずれかに記載の電力半導体装置。
【請求項６】
前記電力半導体装置（１０）がサイリスタまたはダイオードである、請求項１から５のいずれかに記載の電力半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野
本発明は電力半導体装置に関する。本発明は特に操作中の改善された障害モードを有する電力半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景技術
高電力半導体装置のハウジングはたいてい陰極および陽極を備える。それぞれの電極は電極間に位置する半導体装置と接続し高半導体装置内の電流を可能とする。陰極および陽極はセラミックリングと接続してもよく、セラミックリングは陰極および陽極の電極を互いに電気的に遮蔽可能であり、半導体要素内への酸素の流入を防止するよう気密封止を行う。陰極および陽極の電極、セラミックリングおよび潜在的にさらなるフランジのようなパーツはこうして半導体要素が位置するハウジングの閉鎖スペースを創り出す。高電力半導体装置のハウジングの閉鎖スペースにはたいてい不活性ガスで満たされる。
【０００３】
ＪＰ０５３０４１７９の図８および[００４４]項において、輪形状の溝は接着のためのシリコンゴムやポリイミドなどの要素４１で満たされ、第１の自由部から所定のガス抜き部３１、３２、３３へ過圧を誘導するため、少なくとも第１の自由部（要素の縁部）の一部とハウジングの所定のガス抜きポイント３１、３２、３３との間に流体接続がない。ＪＰ０５３０４１７９の半導体装置の製造の最中、半導体基盤材料２を第１の電極プレート５１上に位置したとき、空気は穴３１、３２、３３の間に入り込み、これらの穴３１、３２、３３は排気を可能とする、図８との関係で[００７７]項を確認されたい。
【０００４】
ＵＳ５，５１９，２３１もまた図４において製造中（１１段落４６行から５７行を確認されたい）に空気またはガスを排気するための穴２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅを示す。追加的に、ＤＥ４３  ２１０  ５３  Ａ１もまた図２において製造中（段落６の６行から１１行、段落５の１９行から３１行、段落１９の５０行から段落２０の３行を確認されたい）に空気またはガスを排気するための穴３１ｃ、３１ｄを開示する。
【０００５】
電力半導体装置は、半導体要素内に故障ポイントが創り出され、その後この故障ポイントに高密度電流が流れたときに周辺事情により操作中に障害モードに陥るかもしれないことが知られている。それぞれに対抗策を講じることなく、これらの種類の障害は高電力半導体装置のハウジング内に高温プラズマおよび／またはガスの形成につながるかもしれず、プラズマはイオン化したガスと定義される。そのような障害はその後、電力半導体装置の損傷につながるかもしれない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明の開示
本発明の目的は電力半導体装置の操作中に改善された障害モードをもたらす電力半導体装置の提供にある。本発明の具体的な目的は電力半導体装置の操作中に障害によって生じる重要な破壊の危険を低減する電力半導体装置の提供にある。
【０００７】
これらの目的は独立請求項１による電力半導体装置によって少なくとも部分的に解決される。有利な実施形態は従属請求項に記載される。
【０００８】
特に、本発明は上面側と下面側を有し、上面側は下面側と対向して位置する電力半導体要素、第１の電極と第２の電極、およびハウジングを備える電力半導体装置を提供し、上面側が第１の電極と接続する第１の接続部および第１の電極と接続しない第１の自由部を備え、下面側が少なくとも第２の電極と接続する第２の接続部を備えるよう電力半導体要素は第１の電極および第２の電極の間に配置され、電力半導体装置の操作中に障害モードで生じるプラズマおよび／またはガスに起因する過圧を、第１の自由部から所定のガス抜き部に向けて誘導するために第１の自由部と所定のガス抜きポイントとの間を少なくとも部分的に流体接続するチャネル部が提供される。
【０００９】
上記のような電力半導体装置は電力半導体装置の操作中に改善された障害モードを提供する。特に、上記のような電力半導体装置は半導体装置の操作中に障害が発生した場合にハウジング内で形成される過圧によって生じる爆発の危険を著しく低減するかもしれない。
【００１０】
本発明による電力半導体装置は特に半導体要素を基礎とした装置でもよく、好ましくは電力電極内のスイッチまたは整流器として使用されてもよい。電力半導体装置の非限定的な例は、とりわけゲートターンオフサイリスタを備え、発明によれば特にダイオード、サイリスタおよびセラミックハウジング内に少なくとも部分的に密閉されたものが好ましい。
【００１１】
電力半導体装置は上面側および下面側を有する電力半導体要素を備え、上面側は下面側と対向して位置する。そのような電力半導体要素は技術上広く知られており具体的な利用のために適切に形成されてもよい。詳細にそして非限定的なＰＣＴの例として、半導体要素は交互の相（Ｐ−Ｎ−Ｐ−Ｎ）・・を備えるシリコンのような半導体で形成されてもよい。そのような構造またはそのような半導体装置はそれぞれ、概ね技術上知られているが詳細には説明されていない。
【００１２】
電力半導体装置はさらに第１の電極および第２の電極を備える。これらの電極は概ね技術上知られた素材で形成されてもよい。たとえば、電極は銅で形成されてもよい。第１の電極は半導体要素の上面側の近くに配置され、第２の電極は半導体要素の下面側の近くに配置される。詳細には、電力半導体要素は上面側が第１の電極と接続する第１の接続部および第１の電極と接続しない第１の自由部を備えるよう第１の電極および第２の電極の間に配置される。対応して、下面側は第２の電極と接続する第２の接続部および任意で第２の電極と接続しない第２の自由部を備える。
【００１３】
さらに、半導体要素を気密に封止するためにハウジングが提供される。これは電力半導体要素の適切な作動を保障するために有利である。ハウジングは少なくとも部分的に電極に隣接して位置するセラミック殻で形成されてもよい。さらに、ハウジングを閉鎖するために電極と絶縁体を接続するフランジが提供されてもよい。こうして、電極はハウジングの部分同様に形成されてもよい。
【００１４】
電力半導体装置の操作中に電力半導体要素が障害モードに陥った場合、自由部の上面特に半導体要素の上面にプラズマが形成される危険がある。これはＰＮ接合が自由部付近に位置する限り特に激しくなるかもしれない。この場合、以下に説明するように潜在的に半導体装置類の部分に負の影響をもたらす危険を有する過圧が生じるかもしれない。
【００１５】
プラズマが形成されることに基づく危険を低減するために、第１の自由部と少なくとも部分的に流体接続し、任意で自由部付近に直接形成される塊を通じてハウジングの所定のガス抜きポイントと流体接続するチャネルが提供される。以下では、発明を１つのチャネルを用いて説明する。しかしながら、当業者においては、１以上の溝がすべて同じまたは複数の所定のガス抜きポイントとそれぞれの位置で接続して存在してもよい。
【００１６】
流体接続は特にそれを通じてガスのような流体が誘導される接続を意味し、流体およびガスに対して透過性のある接続を意味する。
【００１７】
さらに、所定のガス抜きポイントは過圧が電力半導体装置、特に電力半導体装置のハウジングを抜ける区別された位置および／または区別された手段である。特に、予め定められたガス抜き部は通常動作／操作時は閉鎖され障害時に所定の状態が生じるとガス透過性を有する場所でもよい。そのような状態は障害時にプラズマおよび／またはガスが形成された場合に生じる過圧や温度上昇を備えてもよい。それぞれの所定のガス抜きポイントはたとえばハウジングを固く気密閉鎖するが、障害時に生じた状態により開くか部分的に損傷してガス透過性を有するよう設計されたフランジでもよい。
【００１８】
以上の結果、電力半導体要素が障害モードに陥るか電力半導体要素の操作中に障害を有した場合、プラズマおよび／またはガスの形成によって生じる過圧はチャネルを通じて所定のガス抜き部に誘導され、その後電力半導体装置の外側またはハウジングの外側にそれぞれ誘導される。危機的な障害モードは高電力半導体装置のハウジング内で半導体要素の周辺に限界ポイントが形成され、後にそのポイントに高密度電流が流れるたときに生じるかもしれない。
【００１９】
そのため、過圧がハウジングの外側に誘導され、上記の電力半導体装置は障害モードにおいて高電力半導体装置の爆発防止の特に有利な構想を提供する。よって障害モードにおいて潜在的に形成される高圧の高温プラズマおよび／またはガスの高電力半導体装置のハウジングからの退避を特によく制御できることによる。
【００２０】
爆発を確実に回避するよう、潜在的に電力半導体装置を損傷する高圧やエネルギーがハウジング内に留まらないことがこうして保障される。それとは別に過圧がハウジング内にとどまり電力半導体装置が後のステージで損傷する危険が回避される。それに応じて、たとえば作動中に電力半導体装置を扱う人または装置がたとえば怪我をしたり損傷することが回避されるかもしれない。それゆえ、電力半導体装置よりもたらされた危険は著しく低減される。
【００２１】
同時に、爆発が生じた場合、過圧はほとんどハウジングから所定でない位置に流れるので、熱シンクなどの周辺パーツへの危険または損傷が避けられない。本発明によれば、しかしながら、過圧をハウジングから誘導する所定の位置があってもよい。結果として、配列および所定のガス抜き部の位置は電力半導体装置によって危険が及ばないか著しく低減された危険のみもたらされるよう選択される。それゆえ、非常に大きな圧力を伴う障害モードの場合であっても、高温プラズマおよび／またはガスがハウジングの外に誘導され、たとえば熱シンクまたは高電力半導体装置が位置する装置の他のパーツのような配列のさらなるパーツの損傷を回避し、あるいは著しく低減することを保障できるかもしれない。
【００２２】
結果として、半導体装置の爆発が起こしうる装置の損傷または人の負傷による問題に効果的に取り組め、対照的にこれらの問題の回避または少なくとも著しい低減を保障される。
【００２３】
本発明による解決は従前技術による解決よりもさらに重要な利点を有する。詳細には、高電力半導体装置はたいてい高温プラズマおよび／またはガスがハウジングのセラミックリングまたはフランジに到達するのを防止するために、高電力半導体装置のハウジング内に金属またはプラスチックパーツを備えるか、さらに高電力半導体装置のハウジングをさらに内部の高圧への耐性を高めで作るかにより上記名称の問題を解決する。これらの手段はハウジング内のみに堆積した一定水準までのエネルギーおよび一定水準までの圧力による爆発防止に役立つかもしれない。そのため、過圧が所定値を超えた場合、これらの手段は極めて限定的な効果しかない。これは爆発の危機的エネルギーおよび危機的圧力の増加した状態では爆発のおそれが高く特に危険であるという事実により一定事情のもとでは特に防止されるべきである。
【００２４】
さらに、先行技術による上記手段を用いるとき、圧力はハウジング内にとどまるので障害装置を有する後の操作ステージで機能不全とガス抜きが規定されない危険がある。これらの不利益は上で説明されたような本発明による解決を使用することにより対処できる。
【００２５】
要約すると、本発明による電力半導体装置は危機的な障害モードで形成される高圧の高温プラズマおよび／またはガスのハウジングからの制御された退避を可能とし、同時に半導体装置が位置する装置の熱シンクまたはさらなるパーツが高温プラズマおよび／またはガスにより損傷するのを防止するかもしれない。電力半導体装置はこうして障害モードにおいて少なくとも部分的に爆発から防止され、障害装置を扱う人の安全を改善し、電力半導体装置周辺の損傷パーツの危険を低減する。
【００２６】
実施形態によれば、所定のガス抜きポイントは所定の限界点である。特に所定の限界点はハウジング内の非常によく規定された過圧においてガス抜きが行われるよう非常に好適な方法で適切である。さらに、上記名称の解決はガス抜きポイントあるいはガス抜きの規定値を望ましい値に設定して採用するのに非常に適切である。それゆえ、この実施形態によれば、特に広い適用範囲が提供される。それとは別に所定の限界点に関してこれは特に費用削減した解決を提供する。結果として、可能な限り最少の費用と損傷を伴う障害モードが保障される。
【００２７】
所定のガス抜き位置が所定の限界点である場合、フランジのような素材の弱化部たとえば規定されたそれぞれ細い部分または細い構造として設計された部によって後者は実現されてもよい。これは費用を削減する手段で重大な問題なく公知の製造プロセス内で実施されてもよい。
【００２８】
さらなる実施形態によれば、所定のガス抜きポイントはフランジ内に提供され、フランジは絶縁部のようなハウジングのさらなるパーツを有する第１の電極と接続する。この実施形態は特に製造の費用削減をする。詳細には、たとえばセラミック絶縁体あるいはセラミックリングである絶縁体のようなハウジングのさらなるパーツはそれぞれ、フランジのみが採用されなければならないとしても本質的に従来と同じ方法で設計されてもよい。それとは別に、フランジは特段の費用なく望ましい方法で製造されてもよいという事実により高適合性に達し得る。さらに、フランジは事前に所定のガス抜きポイントを有して容易に提供される。
【００２９】
さらなる実施形態によれば、自由部またはその後方上の容積をそれぞれ封入するためにエッジングが位置する。たとえば、エッジングは第１の電極と第２の電極の間に押し込まるように位置されてもよく、電極または電力半導体装置の作動方法にそれぞれ負の影響を与えないよう絶縁素材で提供されてもよい。実施形態は自由部上に一種の内側スペースを形成し、内側スペースはチャネルのみと接続されるよう自由部にそれぞれ封入または密閉をもたらす。言い換えれば、プラズマおよび／またはガスが障害により形成された場合、プラズマおよび／またはガスを広げる唯一の方法はチャネルおよびやがて所定のガス抜きポイントを通じることである。結果的に、過圧が損傷につながりかねないハウジングの望まれない部分に達するのを回避することができる。それゆえ、エッジングは事前に所定のガス抜きポイントと比較してより安定して形成されるか、たとえば弾性素材で形成されてもよい。形成された内側スペースは上記ＰＮジャンクション上のような特に障害の影響を受けやすい上記位置にあることが好適である。
【００３０】
さらなる実施形態によれば、上面側または下面側の自由部と向き合う電極部２部形態で配置される。実は２部形態はそれぞれの電極の小さい部分のみが別々に配置されるよう配置されてもよい。たとえば小さい部分はリング状に配置されてもよい。電極のメイン部分と比較して同じ素材で形成されてもよい。この実施形態によれば、電極のメインパートがまず提供され、電極によって制限された容積のクリーニング過程後に小さい部が導入される場合にクリーニング過程が顕著に促進されるという事実により製造プロセスが顕著に促進されてもよい。
【００３１】
さらなる実施形態によれば、ガス誘導装置が所定のガス抜きポイント付近に提供される。この実施形態によれば、高温プラズマおよび／またはガスのガス流はたとえば、さらなるパーツの損傷の危険が特に著しく低減される位置に誘導されてもよい。これはさらなるパーツを有する電力半導体装置の非常にコンパクトな配列をもたらし、さらに障害モードに基づくさらなるパーツの損傷の危険の特に効果的な低減をもたらす。ガス抜きポイント付近の位置は特に、ガスがガス抜きポイントを抜け、ハウジングがガス誘導装置を通じて特定方向に誘導されてもよいようにガス誘導装置が位置することを意味する。
【００３２】
ガス誘導装置はガス抜き装置付近に位置するポリマーリングでもよい。これは非常に費用を削減して安定した配列をもたらす。
【００３３】
さらなる実施形態によれば、チャネルは電極を通じる通路として形成される。この実施形態はチャネルを提供するための特に容易でコスト削減をもたらすかもしれない。実は、電極はドリル穴を有して提供されてもよく、たとえばこうして、それぞれのチャネルが提供されてもよい。それゆえ、電力半導体装置を製造するとき追加的なパーツはもたらされないが、チャネルはどの場合においてもパーツとして提供されなければならず、重大な問題なく１つの単純な追加ステップで本発明による配列が実現される。
【００３４】
図面の簡単な説明
これらおよびその他の発明の態様は以降で説明される実施形態を参照して明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明による電力半導体装置の例示的な実施形態を示す。
【図２】本発明による電力半導体装置のさらなる例示的な実施形態を示す。
【図３】本発明による電力半導体装置のさらなる例示的な実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
発明の詳細な説明
これから様々な実施形態を詳細に説明し、１またはそれ以上の例がそれぞれの図に示される。それぞれの例は説明の手段として示され、限定的であることを意味しない。たとえば、ある実施形態にパーツとして示されあるいは説明された特徴はさらなる実施形態を生み出すために他の実施形態にあるいは混合して用いることができる。現在の開示はそのような修正または変形を含むことが意図されている。
【００３７】
以下の図面の説明の中で、同一の参照番号は同一の要素を示す。概ね、個別の実施形態の相違点のみ説明される。いくつかの同一のアイテムまたはパーツが図に現れた場合、見た目の簡素化のためにすべてのパーツに参照番号が付されるわけではない。
【００３８】
図１では、本発明による電力半導体装置１０の実施形態の断面が示される。電力半導体装置１０は例えば電力ＧＴＯまたはＩＧＣＴ、ダイオードまたはサイリスタでもよい。
【００３９】
電力半導体装置１０は上面側１０および下面側１６を有する電力半導体要素１２を備え、上面側１４は下面側１６と対向して位置する。電力半導体要素１２は第１の電極１８および第２の電極２０の間に配置され、上面側１４は第１の電極１８と接続する第１の接続部２２および第１の電極と接続しない第１の自由部２４を備え、下面側１６は少なくとも第２の電極２０と接続した第２の接続部２６および第２の電極２０と接続した第２の自由部２８を備える。
【００４０】
さらに、電力半導体要素を気密に封入するハウジングが提供される。ハウジングは電極１８、２０、セラミックリング３０、さらに電極１８、２０とセラミックリング３０とを接続するフランジ３２、３４を備える。言い換えれば、ハウジングの電極１８、２０およびフランジ３２、３４およびセラミックリング３０は電力半導体要素１２が位置する高電力半導体装置１０のハウジングの閉鎖スペースを形成する。
【００４１】
少なくとも部分的に第１の自由部２４を所定のハウジングのガス抜きポイント３８と流体接続するチャネル３６が提供され、過圧を第１の自由部から所定のガス抜きポイント３８に誘導することがさらに見られる。チャネル３６は第１の電極１８を通じる通路として形成される。
【００４２】
所定のガス抜きポイント３８はフランジ３２でもよく、そのようにして、それはハウジングの特にフランジ３２の、規定された弱化部のような予め決定された所定の限界点でもよい。概ね、所定のガス抜きポイントは電力半導体装置の使用中の障害モード中に発生する過圧がこのポイントを通じて外に出られるよう設計されたハウジングの一部であってもよい。それゆえ、従前技術と比較して、ハウジングは可能な限り強いものではないが、少なくとも規定値および追加的に規定温度を超える過圧ハウジングから抜ける規定ポイントまたは規定部である。詳細には、所定のガス抜き部３８はフランジ３２内に提供され、フランジ３２は電極１８とハウジングのさらなるパーツ、特にセラミックリングと接続する。図１はさらに弾性絶縁素材たとえば輪形状のシリコンゴムが提供されるのが好ましいことを示す。絶縁素材はエッジング４０を形成し、自由部２４を封入する。縁部４０は第１および第２の電極の間に位置し電力半導体要素１２を取り囲んで包み込む。この実施形態は自由部２４上に一種の内側スペース４８が形成されるよう、それぞれ封入または密閉され、内側スペースはチャネル３６とのみ接続する。絶縁素材はそれぞれの電極１８、２０からの負の影響をもたらすのに十分強い絶縁力を有してもよい。
【００４３】
所定のガス抜きポイント３８からガス抜きされた気体を安全に誘導するために、ガス抜きポイント３８付近にガス誘導装置４２が提供され、図１によれば、ガス誘導装置４２はポリマーリングである。ＰＴＦＥ製のようなポリマー素材のリングのようなガス誘導装置４２は第１の電極内の溝内に固定されてもよい。
【００４４】
さらに詳細に、電極１８、２０は電力半導体装置１２と直接接続する部分を備え、半導体要素の自由部２４、２８の上部に位置し、離間されしたがって電力半導体装置１２または自由部２４、２８の後部とそれぞれ直接接続しない拡張部４４、４６をさらに備える。チャネル３６はこれらの拡張部４４、４６内に位置してもよい。
【００４５】
自由部２４の周辺でそれゆえ保護内側スペース４８内であり後にこの限界点を高電流密度が通過する爆発の危機的スポットにおいて半導体要素１２内に限界点が形成されたとき、電力半導体装置の操作中の障害モードにおいて、生じた高圧の高温プラズマおよび／またはガスは通路３６を通って保護内側スペースから退避し、フランジ３２を焼いて小さな穴を開けるなどして所定の限界点から退避し、ハウジングの閉鎖スペースから退避する。。保護ＰＴＦＥリング４２は高温プラズマ及び／またはガスがたとえば熱シンクに損傷を生じるのを防止する。高電力半導体装置に爆発を生じうるエネルギーはハウジング内に残っていない。
【００４６】
本発明による電力半導体装置１０のさらなる実施形態が図２に示される。図２の実施形態は図１に示された実施形態を基礎とするもので、同一の数字は同一の比較可能パーツを示す。これらに照らして、上記図１の説明が参照される。図２では、チャネル３６はそれる形態であり、傾いた様式で設計される。この実施形態はこうしてチャネル３６の形態および／または形状は本質的に自由であり問題なく望ましい応用に適合されることを示す。さらに、電極１８と接続していない自由部２４もまた電力半導体要素１２の片側のみにあってもよいことが見られる。
【００４７】
製造中には拡張部４４、４６およびセラミックリング３０の間の狭い開口部を通じる電極１８、２０の拡張部４４、４６の下のスペースは適切に清掃されることが要求される。この問題の解決は図３に示される。再び、図３の実施形態は図１および２に関して説明された実施形態を基礎とするもので、同一の数字は同一の比較可能パーツを示す。これらに照らして、上記図１の説明が参照される。
【００４８】
図３によれば、ハウジングの電極２０は２つのパーツ第１のパーツ４６１と第２のパーツ４６２でできた拡張部４６を備える。第２のパーツ４６２はその内側直径が電極２０の外側直径よりも小さい輪の形態を有する。小さい拡張部を有するハウジングが清掃された後そのパーツは予め熱せられ大きさを増してその位置に挿入される。発明は図および先の説明において図示および説明されたがそのような図示および説明は図示または例示として考えられ限定的に考えられるべきではなく、発明は開示された実施形態に限定されない。図面、開示および添付の請求項の研究により当業者が請求項の発明を実施にあたり、開示された実施形態の他の変形が理解され、影響される。請求項においては、「〜を備える」という語は他の要素やステップを除外するものではなく、不定冠詞「a」または「an」は複数であることを除外しない。特定の手段が相互に異なる独立した請求項に記載されているという単なる事実はこれらの手段を組み合わせて有利に使用できない事を示すものではない。請求項内の任意の参照符号は範囲を限定するものと解釈されるべきではない。
【符号の説明】
【００４９】
１０  電力半導体装置
１２  電力半導体要素
１４  上面側
１６  下面側
１８  第１の電極
２０  第２の電極
２２  接続部
２４  自由部
２６  接続部
２８  自由部
３０  セラミックリング
３２  フランジ
３４  フランジ
３６  チャネル
３８  所定のガス抜きポイント
４０  エッジング
４４  拡張部
４６  拡張部
４６１  第１の拡張部
４６２  第２の拡張部
４８  保護内側スペース
【図１】
0006535676.tif 000002
【図２】
0006535676.tif 000003
【図３】
0006535676.tif 000004