(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、前記パターニングデバイスは、パターン付与された放射ビームを形成するために、その断面において放射ビームにパターンを付与することが可能である、支持体と、
前記パターニングデバイスに結合された透明層と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン付与された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された、投影システムと、
を備え、前記リソグラフィ装置は、
前記リソグラフィ装置のスキャニング運動中に、前記透明層によって想定される変形プロファイルを表す量を決定するために構成された、プロファイリングシステムを、
更に備え、
前記プロファイリングシステムは、前記リソグラフィ装置の前記スキャニング運動中に前記量を感知するように構成されたセンサを備え、
前記センサは、前記透明層上に少なくとも１つのレーザビームを放射するように構成された少なくとも１つのレーザ源であって、前記少なくとも１つのレーザビームは、前記少なくとも１つのレーザビームのほとんどの光が反射されるように、前記透明層上でグレージング入射角を有する、少なくとも１つのレーザ源と、前記少なくとも１つのレーザビームの前記透明層での反射後に、前記少なくとも１つのレーザビームを検出するための検出器とを備え、
前記プロファイリングシステムは、前記リソグラフィ装置の前記スキャニング運動の運動プロファイルから、及び前記透明層の数学モデルから、前記量を決定するために構成され、前記数学モデルは有限要素モデルである、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのレーザ源は、平行に配置され、前記透明層上に複数セットのレーザビームを放射するように構成された複数セットのレーザ源であって、前記複数セットのレーザビームは、前記複数セットのレーザビームのほとんどの光が反射されるように、前記透明層上でグレージング入射角を有する、複数セットのレーザ源を備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記プロファイリングシステムは、前記リソグラフィ装置の前記スキャニング運動の運動プロファイルから、及び、ガスフローを受けている前記透明層の数学モデルから、前記量を決定するために構成される、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記プロファイリングシステムは、前記リソグラフィ装置のスキャニング運動中の、前記透明層の前記変形プロファイルにおける動的変化を示すデータが内部に記憶される、メモリを備え、前記データは予め決定されている、請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記リソグラフィ装置はアライメントセンサを更に備え、前記プロファイリングシステムは、前記リソグラフィ装置のスキャニング運動中、前記アライメントセンサによってアライメントプロファイルの測定から前記データを導出するように、及び、前記データを前記メモリ内に記憶するように構成される、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記メモリに記憶される前記データは、前記リソグラフィ装置のスキャニング運動中に前記リソグラフィ装置によってパターンのシーケンスを基板上に投影すること、及び、前記リソグラフィ装置の前記スキャニング運動中に取得された前記投影されたパターンにおける誤差を測定することから、導出されている、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記リソグラフィ装置の前記スキャニング運動は、アップスキャン運動及びダウンスキャン運動を含み、前記データは、前記アップスキャン運動中の投影と前記ダウンスキャン運動中の投影との比較から導出されている、請求項４、５、又は６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記プロファイリングシステムは、前記メモリに記憶された前記データから前記数学モデルを較正するように構成される、請求項４、５、６、又は７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記投影システム、前記基板テーブル、及び前記支持体のうちの少なくとも１つを、前記量の制御の下で制御するように構成された、制御システム、
を備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記制御システムは、先行基板のスキャン中に決定された前記量から、前記基板の前記スキャン中に、前記投影システム、前記基板テーブル、及び前記支持体のうちの前記少なくとも１つを制御するように構成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記制御システムは、前記投影システムの投影要素の第１位置、前記支持体の第２位置、及び前記基板テーブルの第３位置のうちの、少なくとも１つを、制御するように構成される、請求項９又は１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
リソグラフィ装置を動作させる方法であって、
パターニングデバイスを移動することであって、前記パターニングデバイスは、パターン付与された放射ビームを形成するために、その断面において放射ビームにパターンを付与することが可能であり、透明層が前記パターニングデバイスに結合されている、移動すること、
基板を移動すること、
前記パターン付与された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影すること、
前記リソグラフィ装置のスキャニング運動中に、前記透明層の変形プロファイルを表す量を決定すること、
を含み、
前記変形プロファイルは、前記透明層上に少なくとも１つのレーザビームを放射することであって、前記少なくとも１つのレーザビームは、前記少なくとも１つのレーザビームのほとんどの光が反射されるように、前記透明層上でグレージング入射角を有する、放射することによって、及び、前記少なくとも１つのレーザビームの前記透明層からの反射後に、前記少なくとも１つのレーザビームを検出することによって、決定され、
前記リソグラフィ装置の前記スキャニング運動の運動プロファイルから、及び前記透明層の数学モデルから、前記量は決定され、前記数学モデルは有限要素モデルである、
方法。
【請求項１３】
平行に配置された複数セットのレーザビームが、前記透明層上に放射され、前記複数セットのレーザビームは、前記複数セットのレーザビームのほとんどの光が反射されるように、前記透明層上でグレージング入射角を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記パターニングデバイスの前記移動、前記基板の前記移動、及び前記量の制御の下での前記投影のうちの、少なくとも１つを、前記量の制御の下で制御することを更に含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、２０１５年４月２３日出願の欧州特許出願第１５１６４９２３．３号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を動作させる方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行或いは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
リソグラフィ装置において、パターニングデバイスは、パターンをターゲット部分上に結像するために使用される放射に対して透明な層によって保護され得る。層は、パターニングデバイスから短い距離に維持される膜として実装可能である。こうした膜は「ペリクル」とも呼ばれる。透明層は、パターニングデバイスを損傷、汚染などから保護しながら、放射のビームを通過させることが可能である。実施形態において、ペリクルは、投影システムに対向するパターニングデバイスの側面で、フレームによってパターニングデバイスに取り付けられる薄い透明なフィルムである。ペリクル及びそのフレームは、ペリクルとパターニングデバイスとの間の空間を埃及び他の異物のない状態に保つ。このようにして、パターニングデバイス近くのいずれの粒子も対物面から遠ざけられ、したがって結像欠陥を削減又は防止するために焦点を外して結像されることになる。透明層は、投影システムに対向するパターニングデバイスに提供され、その側面に沿って延在することが可能である。公開された特許出願米国特許第２００５０１４０９４９号は、参照により本明細書に組み込まれ、投影システム、基板テーブル、及び／又は支持体の駆動による静的ペリクルの変形の検出及びその補償を開示する。
【発明の概要】
【０００５】
リソグラフィ装置におけるコンポーネントのいくつかは、リソグラフィ装置の動作中、運動を実行することができる。例えば、基板を保持する基板テーブル、及びパターニングデバイスを支持する支持体は、スキャン運動を実行することができる。これにより、支持体は、パターンのそれぞれの部分をパターニングデバイスから基板上に投影するように、基板テーブルの運動に従って移動することができる。支持体の運動に起因して、透明層は、加速／減速力、透明層を通過するエアフローなどの、ペリクルを変形させる可能性のある力を受ける可能性がある。透明層の変形の結果として、パターニングデバイスから基板上へのパターンの投影が影響を受け、オーバーレイエラーに変換され得る不正確さを生じさせる可能性がある。より具体的に、或る瞬間に、パターン付与された放射のビームがペリクル上に入射する、透明層のロケーションを考えてみる。そのロケーションでのペリクルの局部傾斜により、透明層を出るパターン付与された放射は、入射ビームに関して、及び入射ビームに対して直角な方向に、変換される可能性がある。透明層でのロケーションが異なることで、パターン付与された放射のビームが異なるロケーションのうちの関連する１つに当たるときの傾斜の大きさが異なるものと想定した場合、パターン付与された放射のビームは、位置の望ましくない不正確さで基板のターゲット部分に入射することになる。基板上へのパターンの正確な投影を提供することが望ましい。
【０００６】
本発明の実施形態に従い、請求項１に記載のリソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
本発明の別の実施形態に従い、請求項１４に記載のリソグラフィ装置を動作させる方法が提供される。
【０００８】
対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】内部で本発明の実施形態が実施可能なリソグラフィ装置を示す。
【図２】本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置の一部を示す概略図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態に従った、スキャン運動を表すグラフ表現である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態に従った、変形プロファイルを表すグラフ表現である。
【図４】本発明の実施形態に従った、センサを示す。
【図５】本発明の実施形態に従った、透明層変形決定デバイスの、非常に概略的なブロック概略図を示す。
【図６】本発明の別の実施形態に従った、透明層変形決定デバイスの、非常に概略的なブロック概略図を示す。
【図７】リソグラフィ装置のスキャン運動中に投影される基板上のパターンのシーケンスを示す。
【図８】本発明の更に別の実施形態に従った、透明層変形決定デバイスの、非常に概略的なブロック概略図を示す。
【図９】透明層の局部形状を決定する様式を示す図である。
【図１０】透明層の局部形状を決定する様式を示す図である。
【図１１】透明層の局部形状を決定する様式を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はその他の任意の好適な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」を含む。更に、この装置は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを備える。
【００１１】
照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１２】
マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。マスク支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。マスク支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置に来るようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１３】
本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１４】
パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１５】
本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００１６】
本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。或いは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００１７】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板支持体」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスク支持体」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、又は１つ以上の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に１つ以上のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。
【００１８】
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００１９】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２０】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２１】
放射ビームＢは、マスク支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２２】
図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２３】
上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２４】
図２は、パターニングデバイスＭＡを保持する支持体ＭＴを示す。支持体にはパターニングデバイスを保護するための透明層ＴＬが提供されるか、又は透明層は別の様式でパターニングデバイスＭＡに結合される。透明層ＴＬは例えばペリクルであってよい。透明層変形決定デバイスＴＬＤは、本文全体を通じて「プロファイリングシステム」とも呼ばれ、透明層の変形プロファイルを決定するために構成され、透明層の変形プロファイルは、リソグラフィ装置のスキャン運動中、透明層の（動的に変化する）変形を示している。本発明に従ったリソグラフィ装置の実施形態において、本文全体を通じて「コントロールシステム」とも呼ばれる補償器デバイスＣＤは、リソグラフィ装置のスキャン運動中、透明層の変形を少なくとも部分的に補償するように、リソグラフィ装置を制御するように構成される。それに加えて、補償器デバイスＣＤ（又は、コントロールシステム）は、透明層の変形プロファイルの制御下で、投影システムＰＳ、基板Ｗを保持する基板テーブルＷＴ、及びパターニングデバイスＭＡを保持する支持体ＭＴのうちの、少なくとも１つを駆動させる。透明層変形決定デバイスは、リソグラフィ装置の運転使用時、リソグラフィ装置の運動中に発生する、透明層の変形プロファイルに関する情報を取得することができる。透明層変形決定デバイスは、以下でより詳細に説明するように、運転使用時のリソグラフィ装置の運動中に発生する透明層の変形プロファイルに関する情報を、透明層の変形の測定から、又は数学モデルから、又は変形の結果として生じる誤差の測定から、又はそれらの任意の組み合わせから、取得することができる。基板テーブルＷＴは、投影システムＰＳに関して正確に基板Ｗを位置決めするために使用される、１つ以上のセンサＡＳを含むことができる。典型的には、こうしたセンサＡＳは、通常、透過イメージセンサ（ＴＩＳ）を含む。ＴＩＳは、パターニングデバイスＭＡで、マークパターンの投影された空中イメージの基板レベルでの位置を測定するために使用されるセンサである。典型的には、基板レベルでの投影イメージは、投影ビーム波長と同様のライン幅を備えるラインパターンである。ＴＩＳはこれらのマスクパターンを、その下に放射センサを備える伝送パターンを使用することによって測定する。センサデータを使用して、自由度６で基板テーブルＷＴの位置に関してパターニングデバイスＭＡの位置が測定される。本発明との関連におけるセンサＡＳの使用は、図６を参照しながら簡潔に説明する。
【００２５】
変形プロファイルの例は、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら説明する。図３Ａは、時間ｔにわたるリソグラフィ装置のスキャン運動ＳＣＭの非常に概略的な例を示す。例えば、何らかの基準に対する基板テーブルＷＴ又は支持体ＭＴの位置ＳＣＤが縦軸に沿って示され、時間「ｔ」が横軸に沿って示される。一部のスキャン運動中、基板テーブル及び／又は支持体は、例えば一定速度で移動する。支持体ＭＴのスキャン運動中に発生する透明層の変形プロファイルＤＥＰＲが図３Ｂに概略的に示され、横軸に沿った時間「ｔ」に対して縦軸に沿って提示される。「変形プロファイル」という表現は、リソグラフィ装置の運動（スキャン運動など）中の経時的な透明層の変形として理解されるべきである。変形プロファイルは、例えば時間、位置、又はその両方の関数として表すことができる。変形プロファイルは、凹状又は凸状の程度などの、単一スカラーによって表すことができる。代替として、変形プロファイルは、透明層の表面の異なるロケーションでの、変形の１次元アレイ又は２次元アレイに関して表すことができる。
【００２６】
例えば透明層は、力を受けていない場合、実質的に平面形状を有するものと想定する。ここでは、論証のために重力の影響は無視する。透明層に固定され、透明層に対して平行な、（架空の）基準面を考えてみる。（架空の）基準面内の位置を、２つの座標Ｘ及びＹによって指定してみる。次いで、透明層の変形は、値のセット（Ｘ，Ｙ，Ｚ）によって表すことが可能であり、ここでＺの大きさは、基準面内のロケーション（Ｘ，Ｙ）での透明層と基準面との間の距離を示す。パラメータＺは「偏向」とも呼ばれる。値のセット（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、１次元アレイで表すことができる。そこで、Ｘ及びＹのうちの一方の大きさは固定されたままである。Ｘ及びＹのうちの他方の特定の大きさは、１次元アレイの特定要素に関連付けられ、特定要素は大きさＺを有する。値のセット（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は２次元アレイで表すことが可能であり、ここでＸの特定の大きさは２次元アレイの特定の列に関連付けられ、Ｙの特定の大きさは２次元アレイの特定の行に関連付けられる。リソグラフィ装置の運動中、特定ロケーション（Ｘ，Ｙ）でのＺの大きさは、一般に、時間とともに変動する。したがって、値のセット（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は時間「ｔ」と共に変化し得る。すなわち、変形は、座標Ｘ、Ｙ、及びＺに加えて４番目の要素「ｔ」として時間依存性を含む、４タプルを形成する、値のセット（Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｔ）によって表すことが可能である。
【００２７】
図９を参照しながら更に以下で論じるように、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与された放射のビームは、プレートＰ内のスリットを介して投影システムに到達する。スリットの中心はＹ＝Ｙ０である。そこで、任意の時間「ｔ」で結像に影響を与えるのは、Ｙ０周辺のスリットでの偏向Ｚのみである。結果として、経時的な透明層の変形の関連部分は、値のセット（Ｘ，Ｙ０，Ｚ，ｔ）によって表すことができる。
【００２８】
値のセット（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、セット（Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｔ）及びセット（Ｘ，Ｙ０，Ｚ，ｔ）などのような離散セットである。ｙ方向の透明層の局部偏向∂ｚ／∂ｙ及びｘ方向の局部偏向∂ｚ／∂ｘは、どちらもスリットを介し、それぞれｙ方向及びｘ方向の関連付けられた隣接ロケーションでの、ｚ値における差から決定又は推定することができる。
【００２９】
リソグラフィ装置の異なる運動について、異なる変形プロファイルを提供することができる。異なる運動は、例えば異なるスキャン方向（上、下）又は異なるスキャンプロファイル（異なる一定のスキャン速度又は異なる加速）によって特徴付けることができる。典型的には、透明層の変形はスキャン方向に依存し、異なるスキャン速度について異なる。
【００３０】
前述のように、透明層の変形は、パターン付与された放射のビームの経路、したがって、「レジスト」とも呼ばれる感光性材料で覆われた基板上でのパターンの結像の品質に、影響を与える可能性がある。正確な近似のために、リソグラフィ装置の運転使用時の透明層の変形がわかっている場合、透明層を出るパターン付与された放射のビームの経路に与える影響、及び、基板上へのパターンの最終的な結像に与える影響を、決定することができる。
【００３１】
基板において、透明層の変形の影響は、パターン付与された放射のビームの基板上の望ましい位置からの変位である。その望ましくない変位について少なくとも部分的に補償するために、発明者等は、変形の制御下で、投影システム、基板テーブル、及びパターニングデバイスの支持体の、１つ以上の要素のうちの、少なくとも１つの位置及び／又は配向を制御することを提案する。
【００３２】
したがって、パターン付与された放射のビームの経路に与える透明層の変形の影響を決定すること、及び投影システム、基板テーブル、及び支持体のうちの、少なくとも１つを駆動させること、それによって投影システムのプロパティ（例えば、焦点）を改変すること、及び／又は基板テーブルの位置を改変すること、及び／又は支持体並びにパターニングデバイスの位置を改変することによって、（リソグラフィ装置のスキャン運動中に発生するような）基板上へのパターンの投影に与える透明層の変形の影響を、少なくとも部分的に補償することができる。決定することは、リアルタイムで、又は予め決定された数学モデルを介して達成可能である。
【００３３】
図４は、パターニングデバイスＭＡと、パターニングデバイスＭＡを保護する透明層ＴＬとが提供された、支持体ＭＴの概略図を示す。センサＰＳは、透明層上の或るロケーションでの透明層の位置、又は、或るロケーションでの透明層の位置を示す量を感知する。任意の好適なセンサＰＳが適用可能である。したがって、実施形態において、透明層変形決定デバイスは、リソグラフィ装置のスキャン運動中に、透明層の位置のプロファイルを測定するように構成されたセンサＰＳを備える。透明層の位置は、支持体ＭＴに対する透明層ＴＬの位置として理解することができる。したがって、支持体ＭＴが移動するにつれて、センサＰＳは支持体に対する透明層の位置を感知することができる。透明層の位置測定によって、リソグラフィ装置のスキャン運動中の透明層の変形を検出することが可能となる。変形は、１つ以上の原因の結果として発生し得る。例えば変形は、透明層の近傍での（例えば、リソグラフィ装置における空気又は窒素ガスの）ガスフローによって発生し得る。ガスフローは、ガス環境内でのコンポーネントの相対的な運動によって誘起され得る。例えばガスフローは、支持体の運動によって、及び／又は、リソグラフィ装置の他の部分に関する支持体の運動、例えば、投影システムに対する支持体の運動、又はリソグラフィ装置の任意の他の部分に対する支持体の運動によって、誘起され得る。リソグラフィ装置における或るコンポーネント、例えばパターニングデバイスを、熱的に条件付けるため、例えば冷却するために、他のガスフローを提示し、積極的に供給することができる。また、透明層の変形は、支持体自体の運動、例えば、透明層の慣性及び支持体の加速の結果としての透明層の変形が、原因となる可能性があり、透明層の縁部が支持体に（直接的又は間接的に）接続されている場合、加速の間、透明層の縁部は加速に追従する傾向があるが、一方で、透明層の中心は、こうした加速中にレイテンシ、弾性などに起因して変形する可能性がある。透明層の位置は、平面内の位置、すなわち、透明層の平面内、平面外位置、すなわち静止中、透明層の平面に対して垂直な位置などとして、測定可能である。
【００３４】
図４に示されるような実施形態において、センサＰＳは、スキャニングビームＰＳＳＢをグレージング入射角（ＧＡＯＩ）で透明層ＴＬ上に放射するように構成されたセンサレーザ源ＰＳＬＳと、透明層から反射された場合に反射ビームＰＳＲＢを検出するための検出器ＤＥＴとを備える。グレージング入射角に起因して、センサレーザ源及び検出器は、パターン付与されたビームの光伝搬経路の外側に位置決めすることができる。更に、グレージング入射角では、スキャニングビーム内の殆どの光は検出器ＤＥＴに反射されることになる。更にそれによって、スキャニングビームの、基板上に投影されるパターン付与されたビームとの相互作用を防ぐことができる。スキャニングビームは、透明層の表面上の様々なロケーションで透明層の位置を測定するために、透明層の表面をスキャンすることが可能であり、それによって、透明層における共振、進行波などの発生に関する情報を得ることができる。また更に、例えば、スキャニング運動を実行し、それによってパターニングデバイスの一部がスリット（図示せず）を介して基板上に反復的に投影される場合、センサＰＳは、その時点でパターン付与されたビームが通過する透明層の一部でスキャニングレーザビームを誘導することが可能であり、したがって、パターン付与されたビームが透明層を介して伝搬されるロケーションで透明層の位置を正確に検出することが可能となり、したがって、透明層の関連部分の正確な位置測定が可能となる。更に、レーザによる位置測定は迅速であり得るため、透明層の運動を追従し、以下で更に詳細に説明するように、それを考慮に入れることができる。
【００３５】
センサＰＳの他の実施形態が想定可能である。例えばセンサＰＳは、パターニングデバイスと透明層との間の空間内に配置され、その内部の圧力を測定する、空気圧センサ又は空気圧センサのアレイを備えることができる。透明層の変形は、結果として、透明層とパターニングデバイスとの間の空間内での圧力変化を生じさせる可能性がある。空気圧センサのアレイの場合、例えば、アレイは透明層に沿って延在し、変形の空間プロファイルを記録することができる。
【００３６】
図５は、透明層変形決定デバイスＴＬＤ（「プロファイリングシステム」とも呼ばれる）の非常に概略的な図を示す。この実施形態では、前述のセンサＰＳの代替又は追加として、透明層変形決定デバイスは透明層ＴＬの数学モデルＭＯＤを備え、リソグラフィ装置のスキャニング運動の運動プロファイルＭＰＳＭから、及び数学モデルから、透明層の変形プロファイルＤＥＰＲを計算するように構成される。数学モデルは、剛性、共振挙動、弾性などの、透明層のプロパティを考慮に入れることができるようにするための、有限要素モデル（ＦＥＭ）とすることができる。数値モデルなどの、任意の好適な数学モデルが適用可能である。
【００３７】
数学モデルＭＯＤは、リソグラフィ機械の外で予め決定してあるか、又は、リソグラフィ装置のプロファイリングシステムを使用して予め決定すること、例えば、リソグラフィ装置の運転使用前に較正モードで動作させること、或いは、順番に結像されることになる多数の基板のうちの先行基板上で実施される先行結像動作中に動作させることが可能である。
【００３８】
加えて、数学モデルは、支持体の加速及びガスフローの組み合わされた影響下で、透明層の変形プロファイルを計算又は推定するために、透明層でのガスフローＡＦの影響を考慮に入れるように構成することができる。ガスフローは透明層に大きな影響を与える可能性がある。すなわち、ガスフローの結果としての透明層上での圧力の空間分散は、透明層の変形全体に対して、関連するか又は主要な寄与を与える可能性がある。変形に与えるガスフローの影響のモデル化により、透明層の変形のモデル化における精度を大幅に向上させることができる。
【００３９】
図６は、本発明の実施形態に従った、透明層変形決定デバイスＴＬＤの非常に概略的な図を示す。この実施形態では、透明層変形決定デバイスＴＬＤは、内部に透明層変形プロファイルデータＴＬＤＰＤが記憶されるメモリＭＥＭを備え、透明層変形プロファイルデータは、リソグラフィ装置のスキャニング運動中及び予め測定された、透明層変形のプロファイルを表す。したがって、測定が実行可能であり、それによってリソグラフィ装置は、スキャニング運動、又は、動作時、すなわち結像中に実行されるような運動と同様の他の運動を実行する。透明層の変形又は透明層の変形の影響を測定し、測定結果ＭＥＡＳを透明層変形決定デバイスに提供することができる。例えば、透明層の変形は、リソグラフィ装置の運動中に、前述のようにセンサＰＳ（グレージング入射レーザスキャナなど）を使用して測定することができる。代替として、変形の影響が測定可能であり、その例を以下で説明する。相応して、テスト運動中に測定が実行され、そこから透明層の変形のプロファイルが導出される。複数のこうした（例えば、異なるか又は部分的に異なる）運動が実行可能であり、そこから対応する変形プロファイルを導出して記憶することができる。リソグラフィ装置の運転使用において、特定の運動が実行されている場合、実行される予定であるか又は実行されている運動に似た運動から取得される記憶された変形プロファイルは、こうした運動中に実際に発生する可能性のある変形プロファイルの密接な近似値を提供するために適用可能である。
【００４０】
測定は、多くの方法で実行可能である。例えば、リソグラフィ装置のアライメントセンサ（図２に示されるアライメントセンサＡＳなど）を使用することが可能であり、これは例えば基板テーブルＷＴ上に提供され、照射源からのビームが、パターニングデバイス及び投影システムを介して基板テーブル内のアライメントセンサ上へと誘導されるという点で、リソグラフィ装置のアライメントを測定するために使用される。こうしたアライメントセンサの例が、透過イメージセンサ（ＴＩＳセンサ）である。相応して、実施形態において、リソグラフィ装置はアライメントセンサＡＳを備え、透明層変形決定デバイスは、リソグラフィ装置のスキャニング運動中に、アライメントセンサによるアライメントプロファイルの測定から透明層変形プロファイルデータを導出するように、及び、導出された透明層変形プロファイルデータをメモリ内に記憶するように構成される。アライメントセンサに到達した放射ビームが透明層を通過するとき、アライメントセンサ上に実現されたイメージは、透明層の変形が存在することの指示を提供する。アライメントセンサを使用する測定は、定常又は運動中に実行可能であり、例えば、運動が、リソグラフィ装置の動作中の運動にかなりの程度まで似ている可能性がある（唯一の違いは、通常の動作において、ビームはアライメントセンサではなく基板のターゲットエリア上に誘導されるという点であり得る）、リソグラフィ装置のスキャニング運動は、透明層上に擾乱を生じさせ、結果として生じるその変形は、通常の動作中に生じる可能性のある擾乱及び変形に密接に関係することになる。アライメントセンサによって測定されたプロファイルを使用して、変形プロファイルを生成することが可能であり、次いでこの変形プロファイルをメモリ内に記憶し、アライメント測定の運動プロファイルに似ているその後の運動を補償することができる。リソグラフィ装置の複数の運動プロファイルについて決定されるような複数のプロファイルを決定し、メモリに記憶することができる。リソグラフィ装置の動作中、実行されることになる運動プロファイルとの最大の一致性を有する運動プロファイルに関係する、記憶されたパターンを選択することができる。
【００４１】
図７を参照しながら、測定に関する別の可能性を説明する。図７は、連続するアップスキャン及びダウンスキャンのシーケンスの投影パターンが提供された、基板Ｗを示す。「アップスキャン」及び「ダウンスキャン」という用語は、反対の（逆行性の）スキャニング方向を示し、それぞれ「スキャンアップ」（ＳＵ）及び「スキャンダウン」（ＳＤ）とも呼ばれる。より一般的に言えば、パターンには照射によって、例えば基板上のテストパターンのシーケンスを提供することができる。パターニングデバイスの変形に関する情報は、投影されたパターンから導出することができる。したがって、実施形態において、メモリに記憶される透明層変形プロファイルデータは、リソグラフィ装置のスキャニング運動中にリソグラフィ装置によってパターンのシーケンスを基板上に投影すること、及び、リソグラフィ装置のスキャニング運動中に取得された投影されたパターンにおける誤差を測定することから、導出されている。情報は、投影されたパターン自体（例えば、パターンにおける変形）から、並びに、互いのパターンの比較から、導出することができる。例えば、図７を参照すると、リソグラフィ装置のスキャニング運動がアップスキャン運動及びダウンスキャン運動を含む場合、透明層変形プロファイルデータは、アップスキャン運動中及びダウンスキャン運動中に投影されたパターン（図７におけるパターンＵＳＤＳ）の比較から導出されている。アップスキャン及びダウンスキャン中、透明層上への擾乱（例えば、加速プロファイル、ガスフローの影響）は互いに対向する可能性があり、アップスキャン及びダウンスキャンの比較から変形に関する影響を導出することができる。
【００４２】
図８は、本発明の別の実施形態に従った、透明層変形決定デバイスＴＬＤの非常に概略的な図を示す。透明層変形決定デバイスは、メモリＭＥＭ及びモデルＭＯＤの両方を備え、どちらも前述されている。メモリには、前述のように測定データＭＥＡＳが提供される。モデルＭＯＤには、前述のようにスキャニング運動ＭＰＳＭの運動プロファイルが提供される。前述のような数学モデルと、メモリに記憶された変形プロファイルデータの両方を使用することで、透明層変形決定デバイスが、メモリに記憶された透明層変形プロファイルデータからの数学モデルを較正するように構成されるという点において、推定の精度を更に向上させることができる。
【００４３】
例えば、リソグラフィ装置の動作中に発生する熱の結果としての透明層のウォーミングアップなどの、経年劣化又は温度の影響によって生じるような、例えば、弾性、屈折率などの、透明層の物理プロパティにおける緩やかな変動を補償するために、補償器デバイスＣＤは、続く基板のスキャニング中に、現在の基板のスキャニング中に測定される透明層の変形プロファイルから、投影システム、基板テーブル、及び支持体のうちの少なくとも１つを、制御するように構成される。したがって、検出されるような、及び透明層の変形の結果として生じるような偏差を処理し、その後のスキャンで考慮に入れることができる。また、透明層の経年劣化及び、反復的な照射の結果としてのその弾性プロパティにおける対応する変化も、考慮に入れることができる。測定データが各パターニングデバイスについて１回のみ決定され、特定のパターニングデバイスがシステム上にロードされるごとにデータを再使用する場合、上記が関連する。代替として、測定は、恐らくはシステムの生産性を犠牲にし、測定がどの程度迅速に実行できるかに依存して、レチクルがシステム上にロードされるごとに反復可能である。
【００４４】
補償器デバイスは、リソグラフィ装置において任意の好適なパラメータを制御することができる。特に、透明層の変形の結果としてパターン付与された放射のビームに与える影響の少なくとも一部を効果的に補償するために、補償器デバイスは、投影システムの投影要素の位置を訂正するために投影システムを駆動させるように、支持体の位置を訂正するために支持体を駆動させるように、及び／又は、基板テーブルの位置を訂正するために基板テーブルを駆動させるように、構成することができる。
【００４５】
したがって、本発明の態様は、透明層の変形の空間プロファイルの感知又はモデル化にある。プロファイルの空間的変形は、リソグラフィ装置の運転使用時の感知によって、又は本発明に従ったリソグラフィ装置において結像された基板上の部分の検査を介して、予め決定された数学モデルを介して、又は、それらの任意の組み合わせによって、決定することができる。別の態様は、感知及び／又はモデル化された透明層の変形の制御の下で、例えば、投影システムの、パターニングデバイスの支持体の、基板テーブルの、又はそれらの組み合わせの、制御を介して、パターン付与された放射のビームの光路を訂正することにある。
【００４６】
上記で説明したように、支持体が、透明層（ペリクル）が存在しているパターニングデバイスをスキャンしている場合、ペリクルは変形する。圧力パルス及びガスフローは、結果として、ペリクル上で作用する局部圧力差を生じさせる。変形は、スキャンアップ及びスキャンダウンの方向によって異なる場合があり、異なるスキャン速度によって異なる場合がある。変形は、ペリクルの厚み、レチクルとペリクルとの間の距離、ペリクルの材料などに依存する場合がある。変形は、同じペリクルタイプの複数のインスタンスによって異なる場合がある。変形は、各個別スキャンによって異なる場合がある。ペリクルの材料とペリクルを囲むガスとの間の屈折率の差に起因して、及び、ペリクルを保持するフレームの局部形状に起因して、ペリクルを通過するパターン付与された放射のビームが偏向されること（平行面効果）になり、この結果として最終的に基板での局部オーバーレイ誤差が生じることになる。
【００４７】
透明層ＴＬの形状（又はプロファイル）を数学的関係ｚ＝ｚ（ｘ，ｙ，ｔ）として記述することが可能であり、この式で、ｘ及びｙは、パターニングデバイスの平面におけるデカルト座標である。ｙ軸はスキャニング方向に対して平行であり、「ｔ」は時間であり、「ｚ」は、ｘ軸及びｙ軸にわたる仮想面とロケーションｘ、ｙの透明層との間の距離である。このプロファイルｚ＝ｚ（ｘ，ｙ，ｔ）から、パターン付与された放射のビームのシフトを計算することが可能であり、このシフトはｘ，ｙ面内にあり、結果として、基板レベルで誤差関数Ｔ＝Ｔ（ｘ，ｙ，ｔ）が生じる。パターニングデバイスがスキャンされている際、その特定部分、すなわち、透明層ＴＬと投影システムＰＳとの間のプレートにおけるスリットを通過する放射のビームにパターンを付与する部分のみが、特定の時間で関連する。
【００４８】
図９の略図は、本発明におけるリソグラフィ装置の更なる実施形態の一部、ここでは、液浸リソグラフィ装置などの大気リソグラフィ装置を示す。各々が複数のレーザＬＡＳ、例えば３つのレーザを備える１つ以上のセットが、透明層ＴＬと投影システムＰＳ（ここでは図示せず）との間のプレートＰの表面Ｓで収容される。プレートＰは、パターン付与された放射のビームがそれを介して投影システムＰＳに到達する、スリットを有する。代替として、スリットを形成するために２つ以上の個々のプレート（図示せず）を配置することができる。表面は、パターニングデバイスＭＡに対してほぼ平行に配置することができる。レーザの各セットは、投影システムＰＳへの途上でパターン付与された放射のビームによってトラバースされた透明層ＴＬのエリアを指す。好ましくは、複数のレーザＬＡＳによって生成されるレーザビームは、透明層ＴＬ上でグレージング入射角を有するため、レーザビーム内の殆どの光は反射される。透明層ＴＬで反射されるレーザビームＬＡＳからの光は、スリットの反対側の表面Ｓに位置するイメージセンサＩＭＳによって受け取られる。
【００４９】
ｘ＝ｘｉで位置決めされた３つのレーザのセットを想定し、この式で整数ｉ＝１、２、又は３である。次いで、イメージセンサＩＭＳは、スキャン中にレーザビームの反射光を受け取る。レーザビームの反射光を受け取るイメージセンサＩＭＳでのスポットの位置は、反射のロケーションでのｚ方向の透明層ＴＬの偏向を示す。スポットの３つの位置から、ｚ方向の平均偏向を決定し、スリット中心の中心での偏向ｙ＝ｙ０としてとることができる。
【００５０】
これを、図９及び図１０の略図を参照しながら説明する。
【００５１】
図９は、ｚ方向での（図９の略図では下方）透明層ＴＬの大きさＨの均一なシフト時の、イメージセンサＩＭＳでのレーザスポットの再位置決めを示すため、透明層ＴＬは水平を維持する。スキャニング方向はｙ方向に対して平行である。透明層ＴＬが下方にシフトする場合、イメージセンサＩＭＳでの３つのレーザＬＡＳのスポットは、距離Ｓにわたって右へシフトする。透明層ＴＬの下方シフトの大きさＨと距離Ｓとの間には、線形関係が存在する。３つのレーザのうちの隣接するレーザは、それらの間に距離Ｑを有するものと想定する。図示されたこの構成において、イメージセンサＩＭＳで３つのスポットのうちの隣接するスポットは、シフトの前後で距離Ｑである。すなわち、イメージセンサＩＭＳでの３つのスポットはすべて、同じ距離Ｓにわたってシフトする。
【００５２】
図１０は、ｙ方向及びｚ方向に対して垂直な軸周辺での大きさθの角度にわたる透明層ＴＬの傾斜時の、イメージセンサＩＭＳでのレーザスポットの再位置決めを示す。傾斜の結果として、イメージセンサＩＭＳでの３つのスポットの距離Ｓにわたるシフトが生じることになる。加えて、イメージセンサＩＭＳでのスポットのうちの隣接するスポット間の距離も、値δＱだけ変化することになる。Ｑ及びδＱの組み合わせを使用して、２つの未知数Ｈ及びθを決定することができる。
【００５３】
したがって、距離ｚ及びｙ方向の局部偏向（∂ｚ／∂ｙ）は、ロケーションｙ＝ｙ０での透明層ＴＬによって決定可能であり、この式で３つのレーザビームは透明層ＴＬによって反射される。測定ノイズを除去するために、３つのスポットのうちのペア間の距離を平均することができる。ここで、（∂ｚ／∂ｙ）は、３つのレーザビームが反射される透明層の領域内で一定であるものと想定可能であることが想定される。
【００５４】
ｘ方向に平行に配置された複数のレーザのセットが使用されている場合、ｘ方向の偏向（∂ｚ／∂ｘ）も決定することができる。図１１は、ｘ方向に平行に配置された複数のレーザのセット、例えば、第１のセットＬＡＳ１及び更なるセットＬＡＳｉを備える、こうした構成の略図である。スリットは、図１１の略図では省略形ＳＬＴで示されている。
【００５５】
本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００５６】
本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００５７】
「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ、又はその組み合わせを指すことができる。
【００５８】
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００５９】
上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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