(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に配列する第１主表面および第２主表面を含むフェライト板と、
前記第１主表面側に配置されたコイルと、
前記コイルと前記フェライト板との間に配置された絶縁部材と、
前記フェライト板の前記第２主表面側に設けられた支持板と、
を備え、
前記絶縁部材は、前記支持板に向けて突出する複数の支持部を含み、
前記フェライト板には、前記支持部が挿入される複数の穴部が形成され、
前記複数の穴部の少なくとも一部の穴部は、前記第１主表面のうち前記コイルと対向する対向部分から離れた位置に形成された、コイルユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
コイルユニットに関し、特に、非接触充電システムに適用されるコイルユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から送電装置から受電装置に非接触で電力を送電する非接触充電システムについて各種提案されており、送電装置および受電装置は、各々コイルユニットを含む（特許文献２〜６）。
【０００３】
特開２０１６−０７３０１８号公報に記載された送電装置は、コイルユニットを含み、このコイルユニットは、板状のフェライト板と、このフェライト板の上面上に配置された渦巻型の送電コイルとを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−０７３０１８号公報
【特許文献２】特開２０１３−１５４８１５号公報
【特許文献３】特開２０１３−１４６１５４号公報
【特許文献４】特開２０１３−１４６１４８号公報
【特許文献５】特開２０１３−１１０８２２号公報
【特許文献６】特開２０１３−１２６３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電力を送電装置から受電装置に送電する際には、送電コイルに交流電力が供給され、送電コイルに交流電流が流れる。この際、送電コイルをフェライト板の上面に直接配置したのでは、送電コイルに電流が流れた際に、フェライト板の表面を電流が流れるおそれがある。そのため、コイル溝が形成された板状の絶縁板がフェライト板と送電コイルとの間に配置される。
【０００６】
このようなコイルユニットにおいて、外部から大きな衝撃力が加えられた際に、コイルユニットが損傷することを抑制する必要がある。特に、フェライト板は衝撃力が加えられると割れやすく、フェライト板を特に保護する必要がある。そこで、絶縁板に加えられた衝撃力がフェライト板に伝えられることを抑制するために、本願発明者等は、下記のようなコイルユニットについて検討した。
【０００７】
検討したコイルユニットは、板状のフェライト板と、フェライト板の上面側に配置した板状の絶縁板と、絶縁板の上面に形成されたコイル溝に配置した渦巻型のコイルと、絶縁板の下面に形成された複数の突起部と、フェライト板に形成されると共に突起部が挿入される複数の穴部と、突起部の下端部を支持する支持板とを備える。
【０００８】
上記のコイルユニットによれば、絶縁板がフェライト板の上面側に配置されているため、外部からの衝撃力は、フェライト板よりも絶縁板にまず加えられる。
【０００９】
絶縁板は、突起部を通して支持板によって支持されているため、絶縁板に加えられた衝撃力を突起部および支持板で支持し、フェライト板に衝撃力が加えられることを抑制することができる。
【００１０】
しかし、発明者等は、上記のコイルユニットにおいて、電力送電を実施していると、フェライト板に割れやクラックが生じることを見出した。
【００１１】
本明細書に記載されたコイルユニットは、上記のような課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、外部からの衝撃力からフェライト板を保護することができると共に、電力送電または電力受電を実施しているときにおいて、フェライト板に割れなどが生じることを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本明細書に記載されたコイルユニットは、厚さ方向に配列する第１主表面および第２主表面を含むフェライト板と、第１主表面側に配置されたコイルと、コイルとフェライト板との間に配置された絶縁部材と、フェライトの第２主表面側に設けられた支持板とを備える。上記絶縁部材は、支持板に向けて突出する複数の支持部を含む。上記フェライト板には、支持部が挿入される複数の穴部が形成される。上記複数の穴部の少なくとも一部の穴部は、第１主表面のうちコイルと対向する対向部分から離れた位置に形成される。
【００１３】
フェライト板のうちコイルと対向する対向部分は、コイルに近いため多くの磁束が流れる。
【００１４】
仮に、この対向部分に穴部が形成されていると、穴部が形成されている部分において磁束が通る流路面積が小さくなり、磁束密度が高くなる。磁束密度の高い部分の温度は高くなり易く、磁束密度の低い部分の温度は相対的に低くなる。温度分布にばらつきが生じると、高温部分は熱膨張によって広がろうと変形しようとする一方で、温度の低い部分は変形しようとしない。
【００１５】
その結果、磁束密度の高い高温部分およびその周囲で大きな内部応力が発生しやすい。内部応力が高い部分を磁束が通ると、磁気損失が大ききなり、磁束密度の高い部分で生じる発熱量が増加する。このように、磁束密度の高い部分で温度が急激に高くなり易く、フェライト板内の温度分布のばらつきが大きくなり、内部応力が大きくなり、フェライト板に割れおよびクラックなどが生じやすくなる。
【００１６】
その一方で、本明細書のコイルユニットによれば、複数の穴部の少なくとも一部の穴部が対向部分に形成されておらず、磁束密度が高い部分が生じることを抑制することができる。その結果、温度分布のばらつきを抑制することができ、フェライト板に割れやクラックなどが生じることを抑制することができる。
【００１７】
さらに、上記のコイルユニットによれば、絶縁板は支持部を通して支持板によって支持されており、絶縁部材に衝撃力が加えられた際に、絶縁部材からフェライト板に加えられる荷重を低減することができる。これにより、フェライト板の保護が図られている。
【発明の効果】
【００１８】
本明細書に記載されたコイルユニットによれば、外部からの衝撃力からフェライト板を保護することができると共に、電力送電または電力受電を実施しているときにおいて、フェライト板に割れなどが生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】非接触充電システム１を模式的に示す模式図である。
【図２】非接触充電システム１を模式的に示す電気回路図である。
【図３】送電装置３を示す分解斜視図である。
【図４】下方から絶縁板１８およびフェライト板１５を視たときの分解斜視図である。
【図５】図３に示すＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】送電コイル１２およびフェライト板１５を示す平面図である。
【図７】フェライト板１５の一部を示す平面図である。
【図８】送電装置３から受電装置４に送電している状態を模式的に示す模式図である。
【図９】フェライト板１５および送電コイル１２の一部を示す斜視図である。
【図１０】本実施の形態に係る角部ピース４３の磁束密度分布を示す平面図である。
【図１１】比較例に係る角部ピース４３Ａの磁束密度分布を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１から図１１を用いて、実施の形態に係るコイルユニットについて説明する。なお、図１から図１１に示す構成のうち、同一の構成または実質的に同一の構成については、同一の符号を付して重複した説明を省略する場合がある。
【００２１】
図１は、非接触充電システム１を模式的に示す模式図であり、図２は、非接触充電システム１を模式的に示す電気回路図である。図１および図２に示すように、非接触充電システム１は、車両２と送電装置３とを含む。
【００２２】
車両２は、送電装置３から非接触で電力を受電する受電装置４と、受電装置４が受電した電力を蓄電するバッテリ７とを含む。受電装置４は、コイルユニット５と、コイルユニット５が受電した交流電力を直流電力に変換してバッテリ７に供給する整流器６とを含む。コイルユニット５は、受電コイル８およびコンデンサ９を含み、受電コイル８とコンデンサ９によってＬＣ共振器が形成されている。
【００２３】
送電装置３は、変換器１１と、変換器１１に接続されたコイルユニット１４とを含む。変換器１１は、電源１０に接続されており、変換器１１は、電源１０から供給される交流電力の周波数および電圧を調整してコイルユニット１４に供給する。
【００２４】
コイルユニット１４は、送電コイル１２およびコンデンサ１３を含み、送電コイル１２およびコンデンサ１３によってＬＣ共振器が形成されている。
【００２５】
送電コイル１２には変換器１１から供給される交流電流が流れ、送電コイル１２の周囲に電磁界が形成される。この電磁界が受電コイル８に達することで、コイルユニット５が電力を受電する。
【００２６】
図３は、送電装置３を示す分解斜視図である。この図３に示すように、送電装置３は、コイルユニット５と、コイルユニット５を内部に収容する収容ケース２０と、収容ケース２０内に設けられた変換器１１と、コンデンサ１３と、支持板２１とを含む。
【００２７】
収容ケース２０は、上方に向けて開口する金属製のケース本体２２と、ケース本体２２の開口部を覆うように設けられた樹脂蓋２３とを含む。
【００２８】
ケース本体２２の底板２７には複数の支持壁２４と、内側壁部２５と、外側壁部２６とが形成されている。内側壁部２５は、底板２７の中央部付近に形成されており、内側壁部２５は環状に形成されている。外側壁部２６は、底板２７の外周縁部の近傍に形成されており、外側壁部２６は、環状に形成されている。
【００２９】
支持壁２４は、底板２７の中央部側から底板２７の角部側に向けて延びるように形成されており、内側壁部２５および外側壁部２６の間の空間を複数の収容空間に区切るように形成されている。また、支持壁２４には、張出部２８が形成されている。変換器１１およびコンデンサ１３は、各収容空間に収容されている。
【００３０】
コイルユニット５は、板状に形成されたフェライト板１５と、送電コイル１２と、コンデンサ１３と、絶縁板１８とを含む。
【００３１】
フェライト板１５は、板状に形成されており、フェライト板１５は、フェライト板１５の厚さ方向ＴＤに配列する上面３０および下面３１を含む。
【００３２】
送電コイル１２は、フェライト板１５の上面３０側に配置されている。送電コイル１２は、厚さ方向ＴＤに延びる巻回軸線Ｏ１の周囲を取り囲むように形成されており、送電コイル１２としては、渦巻型コイルが採用されている。送電コイル１２の中央部には開口部３２が形成されている。なお、本実施の形態においては、巻回軸線Ｏ１が上下方向に延びるように送電コイル１２が配置されている。
【００３３】
絶縁板１８は、送電コイル１２とフェライト板１５との間に配置されている。絶縁板１８は、板状に形成されており、厚さ方向に配列する上面３３および下面３４を含む。上面３３には、送電コイル１２が嵌め込まれるコイル溝３５が形成されている。
【００３４】
図４は、下方から絶縁板１８およびフェライト板１５を視たときの分解斜視図である。この図４に示すように、絶縁板１８の下面３４には、内側壁部３６と、外側壁部３７と、複数の支持部３８とを含む。内側壁部３６は、下面３４の中央部付近に形成されている。外側壁部３７は、下面３４の外周縁部付近に形成されている。なお、図４に示す例においては、内側壁部３６および外側壁部３７は環状に形成されている。
【００３５】
支持部３８は、下面３４から下方に向けて突出するように形成されており、支持部３８は、内側壁部３６および外側壁部３７の間に形成されている。フェライト板１５には、複数の穴部３９が形成されている。穴部３９は、支持部３８に対応する位置に形成されており、支持部３８が穴部３９内に挿入されている。
【００３６】
図５は、図３に示すＶ−Ｖ線における断面図である。この図５に示すように、絶縁板１８とフェライト板１５との間には、隙間Ｇが形成されている。
【００３７】
支持板２１は、ケース本体２２の内側壁部２５、支持壁２４および外側壁部２６上に配置されており、支持板２１は、内側壁部２５、支持壁２４および外側壁部２６によって支持されている。
【００３８】
支持板２１の上面にフェライト板１５が配置されており、フェライト板１５の上面３０側に絶縁板１８が配置されている。そして、絶縁板１８の内側壁部３６および外側壁部３７は、支持板２１に向けて延びており、各内側壁部３６および外側壁部３７の下端部は、支持板２１の上面に位置している。
【００３９】
絶縁板１８の内側壁部３６は、支持板２１を間に挟んで、内側壁部２５上に配置されている。絶縁板１８の外側壁部３７は、支持板２１を間に挟んで、外側壁部２６上に配置されている。
【００４０】
絶縁板１８の各支持部３８は、穴部３９を通り、支持部３８の下端部は支持板２１の上面に達している。なお、この図５に示す断面においては、各支持部３８は、支持板２１を間に挟んで、支持壁２４上に位置している。なお、複数の支持部３８のうち、一部の支持部３８は、支持壁２４上に位置しており、他の支持部３８は、図３に示す張出部２８上に位置している。
【００４１】
このため、送電装置３の外部から樹脂蓋２３に衝撃力Ｆが加えられたとすると、当該衝撃力Ｆは、内側壁部３６、支持部３８および外側壁部３７と、内側壁部２５、支持壁２４および外側壁部２６とを通して、ケース本体２２の底板２７によって支持される。このため、樹脂蓋２３に加えられた衝撃力Ｆを絶縁板１８およびケース本体２２で支えることができるため、フェライト板１５に加えられる荷重を小さく抑えることができる。
【００４２】
支持部３８間の間隔が狭いため、絶縁板１８のうち、支持部３８の間に位置する部分が大きく変形することが抑制されている。絶縁板１８が衝撃力Ｆによって変形したとしても、絶縁板１８とフェライト板１５との間には、隙間Ｇがあるため、絶縁板１８とフェライト板１５とが接触することが抑制されている。そのため、絶縁板１８からフェライト板１５に衝撃力Ｆの荷重が伝達されることが抑制されており、フェライト板１５の保護が図られている。
【００４３】
図６は、送電コイル１２およびフェライト板１５を示す平面図である。なお、この図６においては、絶縁板１８は、省略されており、図６は、図３に示す巻回軸線Ｏ１上の観察位置Ｐ１から送電コイル１２およびフェライト板１５を平面視したときの平面図である。
【００４４】
図６に示すように、送電コイル１２は、角部が湾曲状とされた多角形形状とされており、この図６に示す例においては、長方形形状とされている。
【００４５】
送電コイル１２は、間隔をあけて形成された複数の角部４０と、一対の直線部４１Ａと、一対の直線部４１Ｂとを含む。各角部４０は湾曲状に曲げられている。各直線部４１Ａ，４１Ｂは、隣り合う角部４０を接続しており、直線部４１Ａの長さは、直線部４１Ｂの長さよりも長い。
【００４６】
送電コイル１２は中空状に形成されており、送電コイル１２の中央には開口部４２が形成されている。
【００４７】
フェライト板１５は、間隔をあけて設けられた複数の角部ピース４３と、複数の辺部ピース４４とを含む。各角部ピース４３は、送電コイル１２の角部４０の下側に配置されており、各辺部ピース４４は、直線部４１Ａの下側に配置されている。
【００４８】
直線部４１Ｂが延びる方向に隣り合う角部ピース４３によって、切欠部４６が形成されている。切欠部４６は、送電コイル１２の外側から開口部４２に向けて延びるように形成されており、切欠部４６の幅Ｗ１は、送電コイル１２の外側から開口部４２に向かうにつれて小さくなるように形成されている。
【００４９】
直線部４１Ａが延びる方向に隣り合う角部ピース４３の間に辺部ピース４４が配置されており、辺部ピース４４と角部ピース４３との間にも切欠部４７が形成されている。切欠部４７も、送電コイル１２の外側から開口部４２に向けて延びるように形成されている。切欠部４７の幅Ｗ２も、送電コイル１２の外側から開口部４２に向かうにつれて、小さくなるように形成されている。
【００５０】
辺部ピース４４は、直線部４１Ａに対して直交するように配置されている。辺部ピース４４の一端は、開口部４２内に位置しており、開口部４２の他端は送電コイル１２の外側に位置している。辺部ピース４４は、２つの分割フェライト板４５Ａ，４５Ｂを含み、分割フェライト板４５Ａ，４５Ｂ間の空隙も、直線部４１Ａに対して垂直な方向に延びる。
【００５１】
図６において、接線Ｌ１は、角部４０の頂点Ｐ２における接線である。角部ピース４３の一端は開口部４２内に位置しており、他端は送電コイル１２よりも外側に位置している。
【００５２】
角部ピース４３は、頂点Ｐ２の下側に配置された分割フェライト板４５Ｃと、分割フェライト板４５Ｃを挟むように配置された分割フェライト板４５Ｄ，４５Ｅとを含む。
【００５３】
ここで、分割フェライト板４５Ｃの一端から他端に向かう方向が接線Ｌ１に直交するように、分割フェライト板４５Ｃが配置されている。また、分割フェライト板４５Ｄ，４５Ｅも、分割フェライト板４５Ｃと同様に配置されている。
【００５４】
図７において、斜線で示された領域は、各分割フェライト板が送電コイル１２と対向する対向部分を示す。具体的には、対向部分５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｄ，５０Ｅは、分割フェライト板４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃ，４５Ｄ，４５Ｅが送電コイル１２と対向する部分を示す。
【００５５】
分割フェライト板４５Ａには、穴部３９Ａが形成されており、分割フェライト板４５Ｂにも穴部３９Ｂが形成されている。穴部３９Ａ，３９Ｂは、分割フェライト板４５Ａ，４５Ｂのうち、送電コイル１２と対向する対向部分５０Ａ，５０Ｂに形成されている。また、分割フェライト板４５Ｄ，４５Ｅには、穴部３９Ｄ，３９Ｅが形成されており、各穴部３９Ｄ，３９Ｅも、対向部分５０Ｄ，５０Ｅに形成されている。
【００５６】
分割フェライト板４５Ｃには、穴部３９Ｃ１，３９Ｃ２が形成されており、各穴部３９Ｃ１，３９Ｃ２は、対向部分５０Ｃから離れた位置に形成されている。
【００５７】
具体的には、分割フェライト板４５Ｃは、送電コイル１２の開口部４２内に位置する内側部分５１と、送電コイル１２よりも外側に位置する外側部分５２とを含み、穴部３９Ｃ１は、外側部分５２に形成されており、穴部３９Ｃ２は、内側部分５１に形成されている。なお、内側部分５１および外側部分５２は、対向部分５０Ｅと隣り合う部分である。
【００５８】
図８は、送電装置３から受電装置４に送電している状態を模式的に示す模式図である。この図８において、コイルユニット１４の送電コイル１２に交流電流が流れ、送電コイル１２の周囲に磁束ＭＦが発生し、各種の磁束経路を磁束ＭＦが通る。
【００５９】
この図８に示す例においては、磁束経路ＭＰ１は、分割フェライト板４５Ｃを通り、受電コイル８および送電コイル１２を通る鎖交経路である。同様に、磁束経路ＭＰ２は、分割フェライト板４５Ａ通り、受電コイル８および送電コイル１２のいずれも通る鎖交経路である。
【００６０】
その一方で、磁束経路ＭＰ３は、分割フェライト板４５Ｃ内を通ると共に、送電コイル１２の周囲のみを通り、受電コイル８を通らない経路である。磁束経路ＭＰ４も、分割フェライト板４５Ａ内を通ると共に、送電コイル１２の周囲のみを通り、受電コイル８を通らない経路である。磁束経路ＭＰ３，ＭＰ４の経路長は、磁束経路ＭＰ１，ＭＰ２の経路長よりも短く、磁束経路ＭＰ３，ＭＰ４の磁気抵抗は、磁束経路ＭＰ１，ＭＰの磁気抵抗よりも低い。そのため、磁束経路ＭＰ３，ＭＰ４を通る磁束ＭＦは比較的多い。
【００６１】
その一方で、磁束経路ＭＰ１，ＭＰ２を通る磁束によって、受電コイル８に受電電流が流れる。
【００６２】
図９は、フェライト板１５および送電コイル１２の一部を示す斜視図である。この図９において、磁束経路ＭＰ５は、分割フェライト板４５Ｄ、送電コイル１２の周囲および切欠部４６を通る経路である。ここで、磁束ＭＦが切欠部４６を通るときは、空気中を磁束ＭＦが流れることになる。空気の磁気抵抗はフェライトの磁気抵抗よりも遥かに高い。
【００６３】
その一方で、磁束経路ＭＰ３などは、切欠部４６を通らないため、磁束経路ＭＰ３の磁気抵抗は、磁束経路ＭＰ５の磁気抵抗よりも低い。その結果、磁束経路ＭＰ３を通る磁束量は、磁束経路ＭＰ５を通る磁束量よりも多くなる。同様に、磁束経路ＭＰ６も、切欠部４７を通る経路であり、磁束経路ＭＰ３よりも磁気抵抗が高い。
【００６４】
このため、分割フェライト板４５Ｃに多くの磁束ＭＦが流れる。分割フェライト板４５Ｃを通る磁束ＭＦは、たとえば、内側部分５１の様々な位置から分割フェライト板４５Ｃ内に入射する。そして、磁束ＭＦは、対向部分５０Ｃ内を通り、外側部分５２の様々な位置から外部に出射する。
【００６５】
このように、分割フェライト板４５Ｃに入射した磁束ＭＦの殆どは、対向部分５０Ｃを通るため、対向部分５０Ｃを通る磁束量は、内側部分５１および外側部分５２を通る磁束量よりも多くなる。
【００６６】
その一方で、穴部３９Ｃ１，３９Ｃ２は対向部分５０Ｃには形成されておらず、穴部によって、対向部分５０Ｃの断面積（分割フェライト板４５Ｃが延びる方向に対して垂直な方向の断面積）が狭くなる部分はない。そのため、多くの磁束ＭＦが対向部分５０Ｃ内を流れたとしても、対向部分５０Ｃ内で磁束密度が過度に高くなる部分が生じることを抑制することができる。
【００６７】
次に、フェライト板１５の角部ピース４３内の磁束密度分布と、比較例のフェライト板１５Ａの角部ピース４３Ａ内の磁束密度分布とを比較検討する。
【００６８】
図１０は、本実施の形態に係る角部ピース４３の磁束密度分布を示す平面図である。図１１は、比較例に係る角部ピース４３Ａの磁束密度分布を示す平面図である。なお、図１０および図１１は、シミュレーション結果であり、ＪＭＡＧ（登録商標）などの電磁界解析ソフトウェアを用いて解析した。
【００６９】
図１０および図１１において、各領域Ｒ１〜Ｒ７は磁束密度が同じ領域を示し、領域Ｒ１よりも領域Ｒ２の方が磁束密度は高いことを示し、順次領域Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６、Ｒ７に向かうにつれて、磁束密度は高くなることを示す。
【００７０】
図１１に示すように、比較例の分割フェライト板４５Ｃ内においては、穴部３９Ｃ１の周囲において磁束密度が高い領域Ｒ７が生じていることが分かる。磁束密度が高い領域Ｒ７の部分の温度は、領域Ｒ１〜領域Ｒ６の部分よりも温度が高くなる。そのため、領域Ｒ７の部分は、周囲の部分よりも熱膨張し、その結果、領域Ｒ７の部分およびその周囲に大きな内部応力が発生する。
【００７１】
内部応力が高い部分を磁束ＭＦが通ると、磁気損失が大きくなり、発熱量も増加する。その結果、領域Ｒ７の部分の温度が上昇する。その結果、フェライト板１５Ａの分割フェライト板４５Ｃ内で大きな温度ばらつきがさらに大きくなり、フェライト板１５Ａ内の内部応力が増々大きくなる。その結果として、分割フェライト板４５Ｃにおいて割れやクラックが発生しやすくなる。
【００７２】
その一方で、図１０に示すように、本実施の形態に係るフェライト板１５の分割フェライト板４５Ｃにおいては、領域Ｒ７は生じていないことが分かる。
【００７３】
そのため、フェライト板１５の分割フェライト板４５Ｃにおいては、過度に温度が高くなる部分がなく、分割フェライト板４５Ｃ内に大きな内部応力が発生することが抑制されている。その結果、本実施の形態に係るフェライト板１５の分割フェライト板４５Ｃにおいては、割れやクラックが発生することを抑制することができる。
【００７４】
ここで、図１０に示すように、分割フェライト板４５Ｃ内には、領域Ｒ６の部分がある一方で、分割フェライト板４５Ｄ，４５Ｅには、領域Ｒ６となる部分は生じていない。なお、図１０には示されていないが、分割フェライト板４５Ａ，４５Ｂにも領域Ｒ６となる部分はない。
【００７５】
すなわち、本実施の形態においては、分割フェライト板４５Ａ〜４５Ｅのうち、最も磁束密度が高くなる分割フェライト板４５Ｃにおいて、穴部３９Ｃ１，３９Ｃ２を対向部分５０Ｃから離れた位置に形成している。
【００７６】
その一方で、分割フェライト板４５Ｃ以外の分割フェライト板４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｄ，４５Ｅに形成された穴部３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｄ，３９Ｅにおいても、対向部分５０Ａ，５９Ｂ，５０Ｄ，５０Ｅから離した位置に形成するようにしてもよい。
【００７７】
いずれの分割フェライト板４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｄ，４５Ｅにおいても、対向部分５０Ａ，５９Ｂ，５０Ｄ，５０Ｅの磁束密度は、送電コイル１２と対向していない部分よりも比較的磁束密度が高くなり易い。そこで、各穴部３９Ａ〜３９Ｅを対向部分５０Ａ〜５０Ｅ以外の部分に形成することで、穴部によって対向部分５０Ａ〜５０Ｅの断面積が小さくなることを抑制し、対向部分５０Ａ〜５０Ｅにおいて、高温となる部分が生じることを抑制することができる。
【００７８】
また、上記の実施の形態においては、送電装置３のコイルユニット１４について説明したが、コイルユニット１４と同様の構成を受電装置４のコイルユニット５にも適用することができる。
【００７９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本明細書に記載されたコイルユニットは、非接触充電システムに適用することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１  非接触充電システム、２  車両、３  送電装置、４  受電装置、５，１４  コイルユニット、６  整流器、７  バッテリ、８  受電コイル、９，１３  コンデンサ、１０  電源、１１  変換器、１２  送電コイル、１５，１５Ａ  フェライト板、１６，１８  絶縁板、２０  収容ケース、２１  支持板、２２  ケース本体、２３  樹脂蓋、２４  支持壁、２５  内側壁部、２６，３７  外側壁部、２７  底板、２８  張出部、３０，３３  上面、３９，３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ１，３９Ｃ２，３９Ｄ，３９Ｅ  穴部、３１，３４  下面、３２，４２  開口部、３５  コイル溝、３６  内側壁部、３８  支持部、４０  角部、４１Ａ，４１Ｂ  直線部、４３，４３Ａ  角部ピース、４４  辺部ピース、４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃ，４５Ｄ，４５Ｅ  分割フェライト板、４６，４７  切欠部、５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５９Ｂ  対向部分、５１  内側部分、５２  外側部分、Ｆ  衝撃力、Ｇ  隙間、Ｌ１  接線、ＭＦ  磁束、ＭＰ，ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４，ＭＰ５，ＭＰ６  磁束経路、Ｏ１  巻回軸線、Ｐ１  観察位置、Ｐ２  頂点、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７  領域、ＴＤ  厚さ方向、Ｗ１，Ｗ２  幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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