(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域に電極バンプを有するデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面側に備えるウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿ってウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの第１の溝を形成する第１の溝形成ステップと、
該第１の溝にモールド樹脂を充填するとともにウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆することで、該電極バンプがモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成するモールディングステップと、
パッケージウェーハの該電極バンプを撮像し、該電極バンプに基づいて該第１の溝が形成された位置を推測した後に、該推測された該第１の溝の位置に基づいて該モールド樹脂層側から該第１の溝に至る深さの第２の溝を該外周余剰領域に形成することで、該第１の溝に充填されているモールド樹脂層とウェーハとの境界を該第２の溝を介して露出させる第２の溝形成ステップと、
該第２の溝を介して露出させた該境界に基づいて該第１の溝の位置を特定する第１の溝特定ステップと、
特定された該第１の溝に沿って該モールド樹脂層側から該パッケージウェーハを加工する加工ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該第２の溝は、該第１の溝の幅よりも広い幅で形成されることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの電極（端子）として機能するバンプ（電極バンプ）を表面側に備えたウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ウェーハの状態でパッケージングまで行うＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）が注目されている。このＷＬ−ＣＳＰでは、ウェーハの表面側に形成された複数のデバイスをモールド樹脂で封止し、その後、ウェーハを分割予定ライン（ストリート）に沿って各デバイスに対応する複数のパッケージデバイスへと分割する。
【０００３】
ところで、表面側のみをモールド樹脂で被覆したウェーハを分割すると、形成されるパッケージデバイスの側面にウェーハの切断面が露出してしまう。そこで、ウェーハの分割予定ラインに沿って溝を形成し、表面側を被覆するためのモールド樹脂を溝にも充填した上で、この溝に沿ってウェーハを分割することで、パッケージデバイスの周囲にウェーハを露出させない技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表面側をモールド樹脂で被覆した上述のようなウェーハでは、デバイス内の特徴的なパターンに基づいて溝の位置や向きを特定することができない。モールド樹脂から露出しているバンプ（電極バンプ）に基づいて溝の位置や向きを特定することも考えられるが、この方法では、バンプの位置や形状にばらつきがあるため、必ずしも溝の位置や向きを高精度に特定できなかった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、溝が形成されたウェーハの表面側をモールド樹脂で被覆する場合にも、溝の位置を高精度に特定して適切に加工できるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域に電極バンプを有するデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面側に備えるウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿ってウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの第１の溝を形成する第１の溝形成ステップと、該第１の溝にモールド樹脂を充填するとともにウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆することで、該電極バンプがモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成するモールディングステップと、パッケージウェーハの該電極バンプを撮像し、該電極バンプに基づいて該第１の溝が形成された位置を推測した後に、該推測された該第１の溝の位置に基づいて該モールド樹脂層側から該第１の溝に至る深さの第２の溝を該外周余剰領域に形成することで、該第１の溝に充填されているモールド樹脂層とウェーハとの境界を該第２の溝を介して露出させる第２の溝形成ステップと、該第２の溝を介して露出させた該境界に基づいて該第１の溝の位置を特定する第１の溝特定ステップと、特定された該第１の溝に沿って該モールド樹脂層側から該パッケージウェーハを加工する加工ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。
【０００８】
本発明の一態様において、該第２の溝は、該第１の溝の幅よりも広い幅で形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、第１の溝が形成されたウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆した後に、この第１の溝に至る深さの第２の溝を外周余剰領域に形成し、第１の溝に充填されているモールド樹脂層とウェーハとの境界を第２の溝を介して露出させるので、露出させた境界に基づいて第１の溝の位置を高精度に特定できる。
【００１０】
すなわち、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法によれば、溝が形成されているウェーハの表面側をモールド樹脂で被覆する場合にも、溝の位置を高精度に特定して適切に加工できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハのデバイス部分を拡大した拡大図である。
【図２】切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）は、第１の溝形成ステップを説明するための一部断面側面図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、第１の溝形成ステップを説明するための断面図である。
【図５】第１の溝形成ステップの後のウェーハを模式的に示す斜視図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、モールディングステップ中の樹脂層形成ステップを説明するための側面図であり、図６（Ｃ）は、樹脂層形成ステップを説明するための断面図である。
【図７】樹脂層形成ステップの後のウェーハを模式的に示す斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は、モールディングステップ中の樹脂層薄化ステップを説明するための側面図であり、図８（Ｂ）は、樹脂層薄化ステップを説明するための断面図である。
【図９】完成したパッケージウェーハを模式的に示す斜視図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための側面図であり、図１０（Ｂ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は、第２の溝形成ステップで第１の溝の位置が推測される様子を説明するための一部断面側面図であり、図１１（Ｂ）は、第１の溝の位置が推測される様子を説明するための平面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、第２の溝形成ステップで第２の溝が形成される様子を説明するための一部断面側面図であり、図１２（Ｂ）は、第２の溝が形成される様子を説明するための平面図である。
【図１３】第１の溝特定ステップを説明するための一部断面側面図である。
【図１４】図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、加工ステップを説明するための側面図である。
【図１５】図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、加工ステップを説明するための断面図でああり、図１５（Ｃ）は、完成したパッケージデバイスを模式的に示す斜視図である。
【図１６】図１６（Ａ）は、変形例に係る第２の溝形成ステップを説明するための斜視図であり、図１６（Ｂ）は、変形例に係る第２の溝形成ステップを説明するための平面図である。
【図１７】レーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、第１の溝形成ステップ（図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図５参照）、モールディングステップ（図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）、図７、図８（Ａ）、図８（Ｂ）及び図９参照）、ウェーハ薄化ステップ（図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）参照）、第２の溝形成ステップ（図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）参照）、第１の溝特定ステップ（図１３参照）及び加工ステップ（図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）及び図１５（Ｃ）参照）を含む。
【００１３】
第１の溝形成ステップでは、ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿ってウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの第１の溝を形成する。モールディングステップでは、第１の溝にモールド樹脂を充填するとともに、ウェーハの表面側をモールド樹脂によって被覆することで、バンプ（電極バンプ）がモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成する。
【００１４】
ウェーハ薄化ステップでは、パッケージウェーハ中のウェーハを裏面側から薄化する。第２の溝形成ステップでは、バンプに基づいて第１の溝が形成された位置を推測し、推測された第１の溝の位置に基づいてこの第１の溝に至る深さの第２の溝をモールド樹脂層側に形成する。これにより、第１の溝に充填されているモールド樹脂層とウェーハとの境界を露出させることができる。
【００１５】
第１の溝特定ステップでは、第２の溝を介して露出させた境界に基づいて第１の溝の位置を特定する。加工ステップでは、特定された第１の溝に沿ってモールド樹脂層側からパッケージウェーハを加工する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００１６】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハに第１の溝を形成する第１の溝形成ステップを実施する。図１（Ａ）は、本実施形態で使用されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハのデバイス部分を拡大した拡大図である。
【００１７】
図１（Ａ）に示すように、本実施形態で使用されるウェーハ１１は、例えば、シリコン等の半導体材料で円盤状に形成されており、その表面１１ａ側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。デバイス領域は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１３で更に複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等の集積回路を含むデバイス１５が形成されている。
【００１８】
図１（Ｂ）に示すように、各デバイス１５の表面１１ａ側には、電極として機能する複数のバンプ（電極バンプ）１７が配置されている。このバンプ１７は、例えば、半田等の金属材料で形成される。なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハ１１を例示しているが、ウェーハ１１の材質、形状等に制限はない。例えば、セラミックス、金属、樹脂等の材料でなる基板をウェーハ１１として用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類等にも制限はない。
【００１９】
第１の溝形成ステップを実施する前には、例えば、このウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、ウェーハ１１よりも径の大きいダイシングテープ３１（図３（Ａ）等参照）を貼り付ける。また、ダイシングテープ３１の外周部分には、ステンレスやアルミニウム等の材料でなる環状のフレーム（不図示）を固定しておく。これにより、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３１を介して環状のフレームに支持される。
【００２０】
図２は、第１の溝形成ステップ等が実施される切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図２に示すように、切削装置（加工装置）２は、各構造を支持する基台４を備えている。基台４の上面には、Ｘ軸方向（前後方向、加工送り方向）に長い矩形状の開口４ａが形成されている。
【００２１】
この開口４ａ内には、Ｘ軸移動テーブル６、Ｘ軸移動テーブル６をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構（加工送り機構）（不図示）、及びＸ軸移動機構を覆う防塵防滴カバー８が設けられている。Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール（不図示）を備えており、Ｘ軸ガイドレールには、Ｘ軸移動テーブル６がスライド可能に取り付けられている。
【００２２】
Ｘ軸移動テーブル６の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレールに平行なＸ軸ボールネジ（不図示）が螺合されている。Ｘ軸ボールネジの一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジを回転させることで、Ｘ軸移動テーブル６はＸ軸ガイドレールに沿ってＸ軸方向に移動する。
【００２３】
Ｘ軸移動テーブル６上には、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）１０が設けられている。保持テーブル１０は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル１０は、上述したＸ軸移動機構でＸ軸方向に加工送りされる。
【００２４】
保持テーブル１０の表面（上面）は、ウェーハ１１を吸引、保持する保持面１０ａとなっている。この保持面１０ａは、保持テーブル１０の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）に接続されている。保持テーブル１０の周囲には、ウェーハ１１を支持する環状のフレームを固定するためのクランプ１２が設けられている。
【００２５】
開口４ａに近接する位置には、上述したウェーハ１１を保持テーブル１０へと搬送する搬送ユニット（不図示）が設けられている。搬送ユニットで搬送されたウェーハ１１は、例えば、表面１１ａ側が上方に露出する態様で保持テーブル１０の保持面１０ａに載せられる。
【００２６】
基台４の上面には、ウェーハ１１を切削する切削ユニット（加工ユニット）１４を支持する門型の支持構造１６が、開口４ａを跨ぐように配置されている。支持構造１６の前面上部には、切削ユニット１４をＹ軸方向（割り出し送り方向）及びＺ軸方向に移動させる切削ユニット移動機構（割り出し送り機構）１８が設けられている。
【００２７】
切削ユニット移動機構１８は、支持構造１６の前面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２０を備えている。Ｙ軸ガイドレール２０には、切削ユニット移動機構１８を構成するＹ軸移動プレート２２がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動プレート２２の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２０に平行なＹ軸ボールネジ２４が螺合されている。
【００２８】
Ｙ軸ボールネジ２４の一端部には、Ｙ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｙ軸パルスモータでＹ軸ボールネジ２４を回転させれば、Ｙ軸移動プレート２２は、Ｙ軸ガイドレール２０に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸移動プレート２０の表面（前面）には、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール２６が設けられている。Ｚ軸ガイドレール２６には、Ｚ軸移動プレート２８がスライド可能に取り付けられている。
【００２９】
Ｚ軸移動プレート２８の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール２６に平行なＺ軸ボールネジ３０が螺合されている。Ｚ軸ボールネジ３０の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３２が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３２でＺ軸ボールネジ３０を回転させれば、Ｚ軸移動プレート２８は、Ｚ軸ガイドレール２６に沿ってＺ軸方向に移動する。
【００３０】
Ｚ軸移動プレート２８の下部には、ウェーハ１１を切削する切削ユニット１４が設けられている。また、切削ユニット１４に隣接する位置には、ウェーハ１１の表面１１ａ側を撮像するためのカメラ（撮像ユニット）３４が設置されている。切削ユニット移動機構１８で、Ｙ軸移動プレート２２をＹ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及びカメラ３４は割り出し送りされ、Ｚ軸移動プレート２８をＺ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及びカメラ３４は昇降する。
【００３１】
切削ユニット１４は、Ｙ軸方向に平行な回転軸を構成するスピンドル（不図示）の一端側に装着された円環状の切削ブレード３６を備えている。スピンドルの他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドルに装着された切削ブレード３６を回転させる。
【００３２】
Ｘ軸移動機構、保持テーブル１０、搬送ユニット、切削ユニット１４、切削ユニット移動機構１８等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット（不図示）に接続されている。この制御ユニットは、ウェーハ１１の加工条件等に合わせて、上述した各構成要素を制御する。
【００３３】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）は、第１の溝形成ステップを説明するための一部断面側面図であり、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、第１の溝形成ステップを説明するための断面図である。なお、図３（Ａ）、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）では、溝が形成される分割予定ライン１３に対して平行な断面（分割予定ライン１３に沿った断面）を示し、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）では、溝が形成される分割予定ライン１３に対して垂直な断面を示す。
【００３４】
第１の溝形成ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側（ダイシングテープ３１）を保持テーブル１０の保持面１０ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。また、環状のフレームをクランプ１２で固定する。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル１０に保持される。
【００３５】
次に、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、対象となる分割予定ライン１３の延長線の上方に切削ブレード３６を合わせる。また、図３（Ａ）に示すように、切削ブレード３６をウェーハ１１に切り込む高さまで下降させる。なお、ここでは、切削ブレード３６の下端部が表面１１ａからウェーハ１１の仕上がり厚さ（例えば、後述するウェーハ薄化ステップ後の厚さ）以上の深さの位置に達するまで切削ブレード３６を下降させる。
【００３６】
そして、この状態で、図３（Ｂ）及び図４（Ａ）に示すように、切削ブレード３６を回転させながら、対象の分割予定ライン１３に対して平行な方向に保持テーブル１０を移動（加工送り）させる。これにより、切削ブレード３６を対象の分割予定ライン１３に沿って切り込ませ、図３（Ｃ）及び図４（Ｂ）に示すように、仕上がり厚さ以上の深さの第１の溝１１ｃを形成できる。
【００３７】
上述の手順を繰り返し、例えば、第１の方向に伸びる全ての分割予定ライン１３に沿って第１の溝１１ｃを形成した後には、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、第１の方向とは異なる第２の方向に伸びる分割予定ライン１３に沿って同様の手順で第１の溝１１ｃを形成する。全ての分割予定ライン１３に沿って第１の溝１１ｃが形成されると、第１の溝形成ステップは終了する。
【００３８】
図５は、第１の溝形成ステップの後のウェーハ１１を模式的に示す斜視図である。第１の溝形成ステップの後には、例えば、ウェーハ１１からダイシングテープ３１を剥離、除去する。なお、本実施形態では、ウェーハ１１に切削ブレード３６を切り込ませる方法で第１の溝１１ｃを形成しているが、第１の溝１１ｃの形成方法に制限はない。例えば、ウェーハ１１に吸収され易い波長のレーザー光線を照射するアブレーション加工等の方法で第１の溝１１ｃを形成することもできる。
【００３９】
第１の溝形成ステップの後には、第１の溝１１ｃにモールド樹脂を充填し、更に、ウェーハ１１の表面１１ａ側をモールド樹脂で被覆することにより、バンプ１７がモールド樹脂層から露出したパッケージウェーハを形成するモールディングステップを実施する。このモールディングステップは、例えば、ウェーハ１１の表面１１ａ側にモールド樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、モールド樹脂層からバンプ１７を露出させる樹脂層薄化ステップとで構成される。
【００４０】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、モールディングステップ中の樹脂層形成ステップを説明するための側面図であり、図６（Ｃ）は、樹脂層形成ステップを説明するための断面図である。樹脂層形成ステップは、例えば、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すスピンコーター４２を用いて実施される。
【００４１】
スピンコーター４２は、ウェーハ１１を保持するための保持テーブル（スピンナテーブル）４４を備えている。保持テーブル４４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。保持テーブル４４の上面は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面４４ａとなっている。
【００４２】
保持面４４ａは、保持テーブル４４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、保持テーブル４４に吸引、保持される。保持テーブル４４の上方には、液状のモールド樹脂２１を噴出するノズル４６が配置されている。
【００４３】
樹脂層形成ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保持テーブル４４の保持面４４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル４４に保持される。なお、この樹脂層形成ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護部材を貼り付けておいても良い。
【００４４】
続いて、図６（Ａ）に示すように、ノズル４６から液状のモールド樹脂２１を滴下し、図６（Ｂ）に示すように、保持テーブル４４を回転させる。モールド樹脂２１としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂等を用いることができる。ただし、モールド樹脂２１の種類、材質等に制限はない。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａには、液状のモールド樹脂２１でなるモールド樹脂層２３が形成される。
【００４５】
本実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に第１の溝１１ｃが形成されているので、モールド樹脂２１は、図６（Ｃ）に示すように、この第１の溝１１ｃ内にも充填される。すなわち、モールド樹脂層２３（モールド樹脂２１）の一部（充填部）２３ａは第１の溝１１ｃ内に充填された状態となり、モールド樹脂層２３（モールド樹脂２１）の他の一部（被覆部）２３ｂがウェーハ１１の表面１１ａ側を被覆する。
【００４６】
その後、加熱等の方法でモールド樹脂層２３を硬化等させれば、樹脂層形成ステップは終了する。図７は、樹脂層形成ステップの後のウェーハ１１を模式的に示す斜視図である。図７に示すように、樹脂層形成ステップが終了した段階では、バンプ１７の全体がモールド樹脂層２３によって覆われている。
【００４７】
なお、本実施形態では、スピンコーター４２を用いる方法でモールド樹脂層２３を形成しているが、他の方法でモールド樹脂層２３を形成しても良い。例えば、ウェーハ１１の表面１１ａ側に金型を被せ、ウェーハ１１の表面１１ａと金型との隙間にモールド樹脂２１を充填する方法でモールド樹脂層２３を形成することもできる。
【００４８】
樹脂層形成ステップの後には、モールド樹脂層２３を薄化してバンプ１７を露出させる樹脂層薄化ステップを実施する。図８（Ａ）は、樹脂層薄化ステップを説明するための側面図であり、図８（Ｂ）は、樹脂層薄化ステップを説明するための断面図である。樹脂層薄化ステップは、例えば、図８（Ａ）に示す研磨装置５２を用いて実施される。
【００４９】
研磨装置５２は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）５４を備えている。保持テーブル５４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル５４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル５４は、この移動機構で水平方向に移動する。
【００５０】
保持テーブル５４の上面は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面５４ａとなっている。保持面５４ａは、保持テーブル５４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面５４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、保持テーブル５４に吸引、保持される。
【００５１】
保持テーブル５４の上方には、研磨ユニット５６が配置されている。研磨ユニット５６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル５８が収容されており、スピンドル５８の下端部には、円盤状のマウント６０が固定されている。
【００５２】
マウント６０の下面には、マウント６０と概ね同径の研磨パッド６２が装着されている。この研磨パッド６２は、例えば、不織布や発泡ウレタン等でなる研磨布を含んでいる。スピンドル５８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研磨パッド６２は、この回転駆動源で発生する回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００５３】
樹脂層薄化ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保持テーブル５４の保持面５４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側に形成されたモールド樹脂層２３が上方に露出した状態で保持テーブル５４に保持される。なお、この樹脂層薄化ステップでも、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護部材を貼り付けておいて良い。
【００５４】
次に、保持テーブル５４を研磨ユニット５６の下方に移動させる。そして、図８（Ａ）に示すように、保持テーブル５４と研磨パッド６２とをそれぞれ回転させながら、スピンドルハウジング（スピンドル５８）を下降させる。スピンドルハウジングの下降量は、モールド樹脂層２３に研磨パッド６２の下面（研磨面）が押し当てられる程度に調整される。
【００５５】
これにより、モールド樹脂層２３（モールド樹脂層２３の一部（被覆部）２３ｂ）を研磨して、図８（Ｂ）に示すように、バンプ１７が露出したパッケージウェーハ１を完成させることができる。図９は、完成したパッケージウェーハ１を模式的に示す斜視図である。なお、この樹脂層薄化ステップでは、研磨液を用いる湿式研磨及び研磨液を用いない乾式研磨のいずれを用いても良い。
【００５６】
モールディングステップ（樹脂層薄化ステップ）の後には、パッケージウェーハ１中のウェーハ１１を薄化して裏面１１ｂ側に第１の溝１１ｃを露出させるウェーハ薄化ステップを実施する。図１０（Ａ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための側面図であり、図１０（Ｂ）は、ウェーハ薄化ステップを説明するための断面図である。なお、このウェーハ薄化ステップでは、予めパッケージウェーハ１のモールド樹脂層２３側に保護部材３３を貼り付けておく。
【００５７】
ウェーハ薄化ステップは、例えば、図１０（Ａ）に示す研削装置７２を用いて実施される。研削装置７２は、パッケージウェーハ１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）７４を備えている。保持テーブル７４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル７４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル７４は、この移動機構で水平方向に移動する。
【００５８】
保持テーブル７４の上面は、パッケージウェーハ１のモールド樹脂層２３側に貼り付けられている保護部材３３を吸引、保持する保持面７４ａとなっている。保持面７４ａは、保持テーブル７４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面７４ａに作用させることで、パッケージウェーハ１は、保護部材３３を介して保持テーブル７４に吸引、保持される。
【００５９】
保持テーブル７４の上方には、研削ユニット７６が配置されている。研削ユニット７６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル７８が収容されており、スピンドル７８の下端部には、円盤状のマウント８０が固定されている。
【００６０】
マウント８０の下面には、マウント８０と概ね同径の研削ホイール８２が装着されている。研削ホイール８２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台８４を備えている。ホイール基台８４の下面には、複数の研削砥石８６が環状に配列されている。スピンドル７８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール８２は、この回転駆動源で発生する回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００６１】
ウェーハ薄化ステップでは、まず、パッケージウェーハ１のモールド樹脂層２３側に貼り付けられている保護部材３３を保持テーブル７４の保持面７４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、パッケージウェーハ１は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル７４に保持される。なお、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護部材が貼り付けられている場合には、予めこの保護部材を剥離、除去しておく。
【００６２】
次に、保持テーブル７４を研削ユニット７６の下方に移動させる。そして、図１０（Ａ）に示すように、保持テーブル７４と研削ホイール８２とをそれぞれ回転させながら、スピンドルハウジング（スピンドル７８）を下降させる。スピンドルハウジングの下降量は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石８６の下面が押し当てられる程度に調整される。
【００６３】
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して、図１０（Ｂ）に示すように、第１の溝１１ｃ（及びモールド樹脂層２３の一部（充填部）２３ａ）を裏面１１ｂ側に露出させることができる。ウェーハ１１が仕上がり厚さまで薄化されると、ウェーハ薄化ステップは終了する。
【００６４】
なお、本実施形態では、１組の研削ユニット７６を用いてウェーハ１１を研削しているが、２組以上の研削ユニットを用いてウェーハ１１を複数のステップで研削することもできる。また、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研磨等して、ウェーハ１１の平坦性を更に高めても良い。
【００６５】
ウェーハ薄化ステップの後には、バンプ１７から推測した第１の溝１１ｃの位置に基づいて第２の溝を形成する第２の溝形成ステップを実施する。図１１（Ａ）は、第２の溝形成ステップで第１の溝１１ｃの位置が推測される様子を説明するための一部断面側面図であり、図１１（Ｂ）は、第１の溝１１ｃの位置が推測される様子を説明するための平面図である。
【００６６】
なお、第２の溝形成ステップを実施する前には、パッケージウェーハ１を構成するウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、パッケージウェーハ１よりも径の大きいダイシングテープ３５（図１１（Ａ）等参照）を貼り付ける。また、ダイシングテープ３５の外周部分には、ステンレスやアルミニウム等の材料でなる環状のフレーム（不図示）を固定しておく。これにより、パッケージウェーハ１は、ダイシングテープ３５を介して環状のフレームに支持される。
【００６７】
図１１（Ａ）に示すように、第２の溝形成ステップは、例えば、上述した切削装置２を用いて実施される。ただし、この第２の溝形成ステップでは、第１の溝形成ステップで使用した切削ブレード３６よりも幅の広い（厚い）切削ブレード３８を使用することが望ましい。もちろん、上述した切削ブレード３６と同等以下の幅の切削ブレードを使用しても良い。
【００６８】
第２の溝形成ステップでは、まず、パッケージウェーハ１を構成するウェーハ１１の裏面１１ｂ側（ダイシングテープ３５）を保持テーブル１０の保持面１０ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、パッケージウェーハ１は、モールド樹脂層２３側が上方に露出した状態で保持テーブル１０に保持される。
【００６９】
次に、例えば、切削装置２の制御ユニットに予め登録されている位置情報等に基づいてパッケージウェーハ１のモールド樹脂層２３側をカメラ３４で撮像し、図１１（Ｂ）に示すように、第１の溝１１ｃ（分割予定ライン１３）の位置を推測するために必要な複数のバンプ１７でなるマクロターゲット１９ｂを複数の位置で探し出す。
【００７０】
切削装置２の制御ユニットには、マクロターゲット１９ｂに対する分割予定ライン１３の位置関係（例えば、マクロターゲット１９ｂと、マクロターゲット１９ｂに近接する分割予定ライン１３との距離等）が登録されている。よって、検出された複数のマクロターゲット１９ｂに基づいて、分割予定ライン１３の大凡の向きを特定できる。分割予定ライン１３の大凡の向きを特定した後には、保持テーブル１０を回転させて、この分割予定ライン１３の向きをＸ軸方向（加工送り方向）に対して平行にする。
【００７１】
次に、第１の溝１１ｃ（分割予定ライン１３）の位置を推測する際に基準となる１つのバンプ１７でなるミクロターゲット１９ａを複数の位置で探し出す。切削装置２の制御ユニットには、ミクロターゲット１９ａに対する分割予定ライン１３の位置関係（例えば、ミクロターゲット１９ａと、ミクロターゲット１９ａに近接する分割予定ライン１３との距離等）が登録されている。よって、ミクロターゲット１９ａを複数の位置で探し出すことにより、モールド樹脂層２３に覆われている第１の溝１１ｃ（分割予定ライン１３）の位置等を推測できる。
【００７２】
その後、推測された第１の溝１１ｃの位置に基づいて、この第１の溝１１ｃに至る深さの第２の溝を外周余剰領域に形成する。図１２（Ａ）は、第２の溝形成ステップで第２の溝が形成される様子を説明するための一部断面側面図であり、図１２（Ｂ）は、第２の溝が形成される様子を説明するための平面図である。
【００７３】
第２の溝を形成する際には、まず、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、例えば、デバイス領域と外周余剰領域との境界に位置する分割予定ライン１３の延長線の上方に切削ブレード３８を合わせる。より具体的には、例えば、この分割予定ライン１３に形成された第１の溝１１ｃの延長線に対し、第１の溝１１ｃの幅方向において外周余剰領域側に食み出るがデバイス領域側には食み出ない位置に切削ブレード３８を合わせる。
【００７４】
また、ウェーハ１１に対して僅かに切り込む高さまで切削ブレード３８を下降させる。そして、この状態で、図１２（Ａ）に示すように、切削ブレード３８を回転させながら、対象の第１の溝１１ｃ（分割予定ライン１３）に対して平行な方向に保持テーブル１０を移動（加工送り）させる。これにより、対象となる第１の溝１１ｃの外周余剰領域側に切削ブレード３８を切り込ませて、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示すように、第１の溝１１ｃに至る深さの第２の溝１ａを形成できる。
【００７５】
本実施形態では、切削ブレード３６よりも幅の広い切削ブレード３８を使用しているので、第２の溝１ａは、第１の溝１１ｃの幅よりも広い幅で形成される。また、この第２の溝１ａを介して、第１の溝１１ｃに充填されているモールド樹脂層２３の一部（充填部）２３ａとウェーハ１１との境界が露出するので、次の第１の溝特定ステップで第１の溝１１ｃの位置を高精度に特定できるようになる。
【００７６】
例えば、第１の方向に伸びる第２の溝１ａを形成した後には、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、第１の方向とは異なる第２の方向に伸びる第２の溝１ａを同様の手順で形成する。第１の方向に伸びる第２の溝１ａと第２の方向に伸びる第２の溝１ａとが形成されると、第２の溝形成ステップは終了する。
【００７７】
なお、本実施形態では、切削ブレード３６よりも幅の広い切削ブレード３８を用いて、第１の溝１１ｃよりも幅の広い第２の溝１ａを形成しているが、例えば、切削ブレード３６と同程度以下の幅を持つ切削ブレードを２回以上切り込まることで、第１の溝１１ｃよりも幅の広い第２の溝１ａを形成しても良い。
【００７８】
第２の溝形成ステップの後には、第２の溝１ａを介して露出させたモールド樹脂層２３とウェーハ１１との境界に基づいて第１の溝１１ｃの位置を特定する第１の溝特定ステップを実施する。図１３は、第１の溝特定ステップを説明するための一部断面側面図である。図１３に示すように、第１の溝特定ステップも、例えば、上述した切削装置２で実施される。
【００７９】
第１の溝特定ステップでは、まず、第２の溝形成ステップで第２の溝１ａが形成された位置をカメラ３４で撮像し、図１３に示すように、第２の溝１ａを介して露出するモールド樹脂層２３とウェーハ１１との境界を探し出す。ここで、第１の溝１１ｃを形成する際に使用された切削ブレード３６の厚み（すなわち、第１の溝１１ｃの幅）は既知である。よって、モールド樹脂層２３とウェーハ１１との境界に基づいて、例えば、第１の溝１１ｃの幅方向の中央の位置（幅方向に２等分する位置）を高精度に特定できる。
【００８０】
第１の溝特定ステップの後には、特定された第１の溝１１ｃに沿ってモールド樹脂層２３側からパッケージウェーハ１を加工する加工ステップを実施する。本実施形態では、この加工ステップでパッケージウェーハ１を複数のパッケージデバイスへと分割する。図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、加工ステップを説明するための側面図であり、図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、加工ステップを説明するための断面図である。
【００８１】
加工ステップは、引き続き切削装置２で実施される。ただし、この加工ステップでは、第１の溝形成ステップで使用した切削ブレード３６よりも幅の狭い（薄い）切削ブレード４０が使用される。
【００８２】
具体的には、まず、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、第１の溝形成ステップで特定された第１の溝１１ｃの延長線の上方に切削ブレード３８を合わせる。また、図１４（Ａ）に示すように、切削ブレード３０をダイシングテープ３５に接する高さまで下降させる。
【００８３】
そして、この状態で、図１４（Ｂ）及び図１５（Ａ）に示すように、切削ブレード４０を回転させながら、対象の第１の溝１１ｃ（分割予定ライン１３）に対して平行な方向に保持テーブル１０を移動（加工送り）させる。これにより、対象の第１の溝１１ｃに沿って切削ブレード４０を切り込ませて、パッケージウェーハ１を分割できる。
【００８４】
なお、ここでは、切削ブレード３６よりも幅の狭い切削ブレード４０を使用するとともに、図１５（Ａ）に示すように、第１の溝１１ｃの幅方向の中央の位置に切削ブレード４０の幅方向の中央の位置を合わせている。よって、切削ブレード３８によるカーフ（切り口）１ｂはモールド樹脂層２３にのみ形成され、第１の溝１１ｃの壁面が露出することはない。
【００８５】
上述のような手順を繰り返し、例えば、第１の方向に伸びる全ての第１の溝１１ｃに沿ってパッケージウェーハ１を分割した後には、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、第２の方向に伸びる第１の溝１１ｃに沿って同様の手順でパッケージウェーハ１を分割する。全ての第１の溝１１ｃに沿ってパッケージウェーハ１が分割され、図１５（Ｂ）に示すように、複数のパッケージデバイス３が完成すると、加工ステップは終了する。
【００８６】
図１５（Ｃ）は、完成したパッケージデバイス３を模式的に示す斜視図である。本実施形態では、第２の溝１ａを介して露出するモールド樹脂層２３とウェーハ１１との境界に基づいて第１の溝１１ｃの位置を高精度に特定できるので、例えば、カーフ１ｂが第１の溝１１ｃからずれて、パッケージデバイス３の側面に第１の溝１１ｃの壁面が露出することはない。これにより、パッケージデバイス３の信頼性を高めることができる。
【００８７】
なお、本実施形態では、パッケージウェーハ１に切削ブレード４０を切り込ませる方法でカーフ１ｂを形成し、複数のパッケージデバイス３へと分割しているが、カーフ１ｂの形成方法に制限はない。例えば、パッケージウェーハ１（モールド樹脂層２３）に吸収され易い波長のレーザー光線を照射するアブレーション加工等の方法でカーフ１ｂを形成することもできる。
【００８８】
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、第１の溝１１ｃが形成されたウェーハ１１の表面１１ａ側をモールド樹脂２１（モールド樹脂層２３）によって被覆した後に、この第１の溝１１ｃに至る深さの第２の溝１ａを外周余剰領域に形成し、第１の溝１１ｃに充填されているモールド樹脂層２３とウェーハ１１との境界を第２の溝１ａを介して露出させるので、露出させた境界に基づいて第１の溝１１ｃの位置を高精度に特定できる。すなわち、第１の溝１１ｃが形成されているウェーハ１１の表面１１ａ側をモールド樹脂２１（モールド樹脂層２３）で被覆する場合にも、第１の溝１１ｃの位置を高精度に特定して適切に加工できる。
【００８９】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、デバイス領域と外周余剰領域との境界に位置する第１の溝１１ｃと同等の長さの第２の溝１ａを形成しているが、第１の溝１１ｃより短い第２の溝１ａを形成しても良い。また、パッケージウェーハ１の外周縁に沿ってモールド樹脂層２３を除去することで、複数の第１の溝１１ｃと重なる環状の第２の溝１ａを形成することもできる。
【００９０】
図１６（Ａ）は、変形例に係る第２の溝形成ステップを説明するための斜視図であり、図１６（Ｂ）は、変形例に係る第２の溝形成ステップを説明するための平面図である。図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示すように、変形例に係る第２の溝形成ステップでは、任意の第１の溝１１ｃの端部に相当する位置（外周余剰領域に相当する位置）に第２の溝１ａを形成する。
【００９１】
より具体的には、第１の溝１１ｃの幅方向の中央の位置と第２の溝１ａの幅方向の中央の位置とが一致するように、第１の溝１１ｃよりも幅の広い第２の溝１ａを形成する。この場合にも、第２の溝１ａを介して、第１の溝１１ｃに充填されているモールド樹脂層２３の一部（充填部）２３ａとウェーハ１１との境界が露出するので、第１の溝特定ステップで第１の溝１１ｃの位置を高精度に特定できるようになる。
【００９２】
また、上記実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側にモールド樹脂層２３を形成する樹脂層形成ステップと、モールド樹脂層２３からバンプ１７を露出させる樹脂層薄化ステップとで構成されたモールディングステップを実施しているが、モールディングステップの内容は任意に変更できる。例えば、供給されるモールド樹脂２１の量を適切に調節して、モールド樹脂層２３を薄化することなくバンプ１７を露出させても良い。
【００９３】
また、上記実施形態では、切削装置２を用いて第１の溝形成ステップ、第２の溝形成ステップ、第１の溝特定ステップ及び加工ステップを実施しているが、これらの一部又は全部をレーザー加工装置等の他の加工装置で実施することもできる。
【００９４】
図１７は、第１の溝形成ステップ、第２の溝形成ステップ、第１の溝特定ステップ、加工ステップ等に使用可能なレーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図１７に示すように、レーザー加工装置（加工装置）１０２は、各構造を支持する基台１０４を備えている。基台１０４の端部には、Ｚ軸方向（鉛直方向、高さ方向）に延在する支持構造１０６が設けられている。
【００９５】
支持構造１０６から離れた基台１０４の角部には、上方に突き出た突出部１０４ａが設けられている。突出部１０４ａの内部には空間が形成されており、この空間には、昇降可能なカセットエレベータ１０８が設置されている。カセットエレベータ１０８の上面には、複数のウェーハ１１（又は、パッケージウェーハ１）を収容可能なカセット１１０が載せられる。
【００９６】
突出部１０４ａに近接する位置には、上述したウェーハ１１を仮置きするための仮置き機構１１２が設けられている。仮置き機構１１２は、例えば、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）に平行な状態を維持しながら接近、離隔される一対のガイドレール１１２ａ，１１２ｂを含む。
【００９７】
各ガイドレール１１２ａ，１１２ｂは、ウェーハ１１（環状のフレーム）を支持する支持面と、支持面に概ね垂直な側面とを備え、搬送機構（搬送ユニット）１１４によってカセット１１０から引き出されたウェーハ１１（環状のフレーム）をＸ軸方向（加工送り方向）において挟み込んで所定の位置に合わせる。なお、搬送機構１１４の突出部１０４ａ側には、環状のフレームを把持するための把持部１１４ａが設けられている。
【００９８】
基台１０４の中央には、移動機構（加工送り機構、割り出し送り機構）１１６が設けられている。移動機構１１６は、基台１０４の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール１１８を備えている。Ｙ軸ガイドレール１１８には、Ｙ軸移動テーブル１２０がスライド可能に取り付けられている。
【００９９】
Ｙ軸移動テーブル１２０の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール１１８に平行なＹ軸ボールネジ１２２が螺合されている。Ｙ軸ボールネジ１２２の一端部には、Ｙ軸パルスモータ１２４が連結されている。Ｙ軸パルスモータ１２４でＹ軸ボールネジ１２２を回転させれば、Ｙ軸移動テーブル１２０は、Ｙ軸ガイドレール１１８に沿ってＹ軸方向に移動する。
【０１００】
Ｙ軸移動テーブル１２０の表面（上面）には、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール１２６が設けられている。Ｘ軸ガイドレール１２６には、Ｘ軸移動テーブル１２８がスライド可能に取り付けられている。
【０１０１】
Ｘ軸移動テーブル１２８の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール１２６に平行なＸ軸ボールネジ１３０が螺合されている。Ｘ軸ボールネジ１３０の一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジ１３０を回転させれば、Ｘ軸移動テーブル１２８は、Ｘ軸ガイドレール１２６に沿ってＸ軸方向に移動する。
【０１０２】
Ｘ軸移動テーブル１２８の表面側（上面側）には、テーブルベース１３２が設けられている。テーブルベース１３２の上部には、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）１３４が配置されている。保持テーブル１３４の周囲には、ウェーハ１１を支持する環状のフレームを四方から固定する４個のクランプ１３６が設けられている。
【０１０３】
保持テーブル１３４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向、高さ方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。上述した移動機構１１６でＸ軸移動テーブル１２８をＸ軸方向に移動させれば、保持テーブル１３４はＸ軸方向に加工送りされる。また、移動機構１１６でＹ軸移動テーブル１２０をＹ軸方向に移動させれば、保持テーブル１３４はＹ軸方向に割り出し送りされる。
【０１０４】
保持テーブル１３４の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面１３４ａとなっている。この保持面１３４ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して概ね平行に形成されており、保持テーブル１３４やテーブルベース１３２の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。
【０１０５】
支持構造１０６には、基台１０４の中央側に向けて突出する支持アーム１０６ａが設けられており、この支持アーム１０６ａの先端部には、下方に向けてレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット（加工ユニット）１３８が配置されている。また、レーザー光線照射ユニット１３８に隣接する位置には、ウェーハ１１を撮像するカメラ（撮像ユニット）１４０が設置されている。
【０１０６】
レーザー光線照射ユニット１３８は、ウェーハ１１又はモールド樹脂層２３に対して吸収性を示す波長のレーザー光線をパルス発振するレーザー発振器（不図示）を備えている。例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハ１１をアブレーション加工したい場合には、波長が３５５ｎｍのレーザー光線をパルス発振するＮｄ：ＹＡＧ等のレーザー媒質を備えたレーザー発振器等を用いることができる。
【０１０７】
また、レーザー光線照射ユニット１３８は、レーザー発振器からパルス発振されたレーザー光線（パルスレーザー光線）を集光する集光器（不図示）を備えており、保持テーブル１３４に保持されたウェーハ１１等に対してこのレーザー光線を照射、集光する。レーザー光線照射ユニット１３８でレーザー光線を照射しながら、保持テーブル１３４をＸ軸方向に加工送りさせることで、ウェーハ１１をＸ軸方向に沿ってレーザー加工（アブレーション加工）できる。
【０１０８】
加工後のウェーハ１１は、例えば、搬送機構１１４によって保持テーブル１３４から洗浄ユニット１４２へと搬送される。洗浄ユニット１４２は、筒状の洗浄空間内でウェーハ１１を吸引、保持するスピンナテーブル１４４を備えている。スピンナテーブル１４４の下部には、スピンナテーブル１４４を所定の速さで回転させる回転駆動源（不図示）が連結されている。
【０１０９】
スピンナテーブル１４４の上方には、ウェーハ１１に向けて洗浄用の流体（代表的には、水とエアーとを混合した二流体）を噴射する噴射ノズル１４６が配置されている。ウェーハ１１を保持したスピンナテーブル１４４を回転させて、噴射ノズル１４６から洗浄用の流体を噴射することで、ウェーハ１１を洗浄できる。洗浄ユニット１４２で洗浄されたウェーハ１１は、例えば、搬送機構１１４で仮置き機構１１２に載せられ、カセット１１０に収容される。
【０１１０】
搬送機構１１４、移動機構１１６、保持テーブル１３４、レーザー光線照射ユニット１３８、カメラ１４０、洗浄ユニット１４２等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット（不図示）に接続されている。この制御ユニットは、ウェーハ１１の加工に必要な一連の工程に合わせて、上述した各構成要素を制御する。
【０１１１】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【０１１２】
１  パッケージウェーハ
１ａ  第２の溝
１ｂ  カーフ（切り口）
３  パッケージデバイス
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  第１の溝
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  デバイス
１７  バンプ（電極バンプ）
２１  モールド樹脂
２３  モールド樹脂層
２３ａ  一部（充填部）
２３ｂ  一部（被覆部）
３１，３５  ダイシングテープ
３３  保護部材
２  切削装置（加工装置）
４  基台
４ａ  開口
６  Ｘ軸移動テーブル
８  防塵防滴カバー
１０  保持テーブル（チャックテーブル）
１０ａ  保持面
１２  クランプ
１４  切削ユニット（加工ユニット）
１６  支持構造
１８  切削ユニット移動機構（割り出し送り機構）
２０  Ｙ軸ガイドレール
２２  Ｙ軸移動プレート
２４  Ｙ軸ボールネジ
２６  Ｚ軸ガイドレール
２８  Ｚ軸移動プレート
３０  Ｚ軸ボールネジ
３２  Ｚ軸パルスモータ
３４  カメラ（撮像ユニット）
３６，３８，４０  切削ブレード
４２  スピンコーター
４４  保持テーブル（スピンナテーブル）
４４ａ  保持面
４６  ノズル
５２  研磨装置
５４  保持テーブル（チャックテーブル）
５４ａ  保持面
５６  研磨ユニット
５８  スピンドル
６０  マウント
６２  研磨パッド
７２  研削装置
７４  保持テーブル（チャックテーブル）
７４ａ  保持面
７６  研削ユニット
７８  スピンドル
８０  マウント
８２  研削ホイール
８４  ホイール基台
８６  研削砥石
１０２  レーザー加工装置（加工装置）
１０４  基台
１０４ａ  突出部
１０６  支持構造
１０６ａ  支持アーム
１０８  カセットエレベータ
１１０  カセット
１１２  仮置き機構
１１２ａ，１１２ｂ  ガイドレール
１１４  搬送機構（搬送ユニット）
１１４ａ  把持部
１１６  移動機構（加工送り機構、割り出し送り機構）
１１８  Ｙ軸ガイドレール
１２０  Ｙ軸移動テーブル
１２２  Ｙ軸ボールネジ
１２４  Ｙ軸パルスモータ
１２６  Ｘ軸ガイドレール
１２８  Ｘ軸移動テーブル
１３０  Ｘ軸ボールネジ
１３２  テーブルベース
１３４  保持テーブル（チャックテーブル）
１３４ａ  保持面
１３６  クランプ
１３８  レーザー光線照射ユニット（加工ユニット）
１４０  カメラ（撮像ユニット）
１４２  洗浄ユニット
１４４  スピンナテーブル
１４６  噴射ノズル
【図１】
0006594243.tif 000002
【図２】
0006594243.tif 000003
【図３】
0006594243.tif 000004
【図４】
0006594243.tif 000005
【図５】
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【図６】
0006594243.tif 000007
【図７】
0006594243.tif 000008
【図８】
0006594243.tif 000009
【図９】
0006594243.tif 000010
【図１０】
0006594243.tif 000011
【図１１】
0006594243.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0006594243.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0006594243.tif 000016
【図１６】
0006594243.tif 000017
【図１７】
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