(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電子部品と、
前記第１電子部品に対向する第２電子部品と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接合する、第１融点を有する第１接合部及び第２融点を有する第２接合部と、
前記第１接合部と前記第２接合部との間に設けられ、前記第１電子部品から前記第２電子部品に延び、前記第１融点及び前記第２融点よりも高い第３融点を有する導体部と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を封止する封止材と
を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第１接合部を覆う第１絶縁部と、
前記第２接合部を覆う第２絶縁部と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１絶縁部は、第１内層と、前記第１内層を覆う第１外層とを含み、
前記第２絶縁部は、第２内層と、前記第２内層を覆う第２外層とを含むことを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記導体部は、前記第１電子部品に設けられた第１凸部から、前記第２電子部品に設けられた第２凸部に延びることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項５】
前記導体部は、前記第１電子部品に設けられた第１凹部から、前記第２電子部品に設けられた第２凹部に延びることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
第１電子部品と第２電子部品とを対向させる工程と、
前記第１電子部品の第１端子及び第２端子と、前記第２電子部品の第３端子及び第４端子とを、それぞれ接合し、前記第１端子と前記第３端子の、第１融点を有する第１接合部と、前記第２端子と前記第４端子の、第２融点を有する第２接合部とを形成する工程と、
形成された前記第１接合部と前記第２接合部との間に、前記第１融点及び前記第２融点よりも高い第３融点を有する導体材料を用いて、前記第１電子部品から前記第２電子部品に延びる導体部を形成する工程と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を封止材で封止する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させる工程前に、前記第１電子部品の、前記第１端子及び前記第２端子の側に、樹脂と前記樹脂に含有され前記導体材料が用いられた導電性の粒子群とを含む樹脂組成物を設ける工程を更に含み、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させる工程は、前記樹脂組成物が設けられた前記第１電子部品に、前記第２電子部品を対向させる工程を含み、
前記導体部を形成する工程は、第１温度での加熱により、前記第１接合部と前記第２接合部との間に、前記粒子群を凝集させて前記導体部を形成する工程を含み、
前記封止材で封止する工程は、前記第１温度よりも高い第２温度での加熱により、前記樹脂を硬化させて前記封止材を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１電子部品は、前記第１端子と前記第２端子との間に設けられた第１凸部を有し、
前記第２電子部品は、前記第３端子と前記第４端子との間に設けられた第２凸部を有し、
前記導体部を形成する工程は、前記第１凸部から前記第２凸部に延びる前記導体部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
対向させる前記第１電子部品は、前記第１端子を覆う第１絶縁層と、前記第２端子を覆う第２絶縁層とを有し、
対向させる前記第２電子部品は、前記第３端子を覆う第３絶縁層と、前記第４端子を覆う第４絶縁層とを有し、
前記第１端子及び前記第２端子と、前記第３端子及び前記第４端子とを、それぞれ接合する工程は、
前記第２電子部品を前記第１電子部品に向かって押圧し、前記第１端子と前記第３端子との間から前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層を流出させて前記第１端子と前記第３端子とを接触させ、且つ、前記第２端子と前記第４端子との間から前記第２絶縁層及び前記第４絶縁層を流出させて前記第２端子と前記第４端子とを接触させる工程と、
第３温度での加熱により、接触する前記第１端子と前記第３端子とを接合し、且つ、前記第２端子と前記第４端子とを接合する工程と、
所定温度での加熱により、前記第１絶縁層と前記第３絶縁層とを接合し、且つ、前記第２絶縁層と前記第４絶縁層とを接合する工程と
を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１端子及び前記第２端子と、前記第３端子及び前記第４端子とを、それぞれ接合する工程後に、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に、樹脂と前記樹脂に含有され前記導体材料が用いられた導電性の粒子群とを含む樹脂組成物を設ける工程を更に含み、
前記導体部を形成する工程は、第１温度での加熱により、前記第１接合部と前記第２接合部との間に、前記粒子群を凝集させて前記導体部を形成する工程を含み、
前記封止材で封止する工程は、前記第１温度よりも高い第２温度での加熱により、前記樹脂を硬化させて前記封止材を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や回路基板といった電子部品同士を対向させ、互いの端子を接合する技術が知られている。また、信頼性の向上等を目的として、対向させて互いの端子を接合した電子部品間を封止材（アンダーフィル等とも称される）で封止する技術が知られている。封止材としては、エポキシ等の樹脂や、そのような樹脂にシリカ等のフィラーを含有させたものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３１２０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように対向させて接合した電子部品間を封止材で封止する電子装置では、動作時に発熱する電子部品の熱が、電子部品間で伝熱され、各電子部品や、電子部品に熱的に接続された放熱部材から、電子装置の外部へと放熱され得る。この場合、封止材の熱伝導率が低く、電子部品間の熱伝導が不十分であると、電子部品の過熱、それによる電子部品或いは電子部品を含む電子装置の性能劣化や故障を招く恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１電子部品と、前記第１電子部品に対向する第２電子部品と、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接合する、第１融点を有する第１接合部及び第２融点を有する第２接合部と、前記第１接合部と前記第２接合部との間に設けられ、前記第１電子部品から前記第２電子部品に延び、前記第１融点及び前記第２融点よりも高い第３融点を有する導体部と、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を封止する封止材とを含む電子装置が提供される。
【０００６】
また、本発明の一観点によれば、第１電子部品と第２電子部品とを対向させる工程と、前記第１電子部品の第１端子及び第２端子と、前記第２電子部品の第３端子及び第４端子とを、それぞれ接合し、前記第１端子と前記第３端子の、第１融点を有する第１接合部と、前記第２端子と前記第４端子の、第２融点を有する第２接合部とを形成する工程と、形成された前記第１接合部と前記第２接合部との間に、前記第１融点及び前記第２融点よりも高い第３融点を有する導体材料を用いて、前記第１電子部品から前記第２電子部品に延びる導体部を形成する工程と、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を封止材で封止する工程とを含む電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、接合部間に設けられる導体部により、電子部品間の熱伝導性を高め、電子部品の過熱を抑制することが可能になり、性能、信頼性に優れた電子装置を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図２】別形態に係る電子装置の一例の説明図（その１）である。
【図３】第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図４】別形態に係る電子装置の一例の説明図（その２）である。
【図５】第３の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図６】第３の実施の形態に係る電子装置製造方法の一例の説明図（その１）である。
【図７】第３の実施の形態に係る電子装置製造方法の一例の説明図（その２）である。
【図８】第３の実施の形態に係る電子装置の別例を示す図である。
【図９】別形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図１０】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その１）である。
【図１１】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その２）である。
【図１２】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その３）である。
【図１３】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その４）である。
【図１４】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その５）である。
【図１５】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その６）である。
【図１６】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その７）である。
【図１７】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その８）である。
【図１８】第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その９）である。
【図１９】第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その１）である。
【図２０】第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その２）である。
【図２１】第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その３）である。
【図２２】第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その４）である。
【図２３】第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その５）である。
【図２４】第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図（その６）である。
【図２５】第６の実施の形態に係る凸部の第１構成例を示す図である。
【図２６】第６の実施の形態に係る凸部の第２構成例を示す図である。
【図２７】第７の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図２８】半導体チップの構成例を示す図である。
【図２９】半導体パッケージの構成例を示す図（その１）である。
【図３０】半導体パッケージの構成例を示す図（その２）である。
【図３１】回路基板の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１には、第１の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００１０】
図１に示す電子装置１は、電子部品１０、電子部品２０、接合部３０（接合部３１及び接合部３２）、導体部４０、並びに封止材５０を有している。
電子部品１０の上方に、電子部品１０に対向して、電子部品２０が配置される。電子部品１０及び電子部品２０は、例えば、半導体素子（半導体チップ）、半導体チップを備える半導体パッケージ（半導体装置）、又は回路基板である。尚、半導体チップ、半導体パッケージ、及び回路基板の構成例の詳細については後述する（図２８〜図３１）。電子部品１０及び電子部品２０は、内部に設けられた配線、ビア、或いはトランジスタ等の回路素子を含む。
【００１１】
接合部３０は、電子部品１０と電子部品２０との間に設けられる。電子部品１０と電子部品２０とは、接合部３０を通じて電気的に接続される。ここでは一例として、隣接する２つの接合部３１及び接合部３２を図示している。接合部３１及び接合部３２には、半田、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の各種導体材料が用いられる。
【００１２】
導体部４０は、電子部品１０と電子部品２０との間において隣接する接合部３１と接合部３２との間に設けられる。導体部４０は、一方の電子部品１０（又は電子部品２０）から他方の電子部品２０（又は電子部品１０）に延びるように、設けられる。導体部４０には、半田等、一定の熱伝導性を示す各種導体材料が用いられる。
【００１３】
封止材５０は、接合部３１及び接合部３２で接合された電子部品１０と電子部品２０との間に、設けられる。封止材５０には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド等の樹脂材料が用いられる。封止材５０によって、電子部品１０と電子部品２０との間の接合強度の向上が図られる。尚、封止材５０は、アンダーフィル材、アンダーフィル樹脂、或いは単にアンダーフィル等とも称される。
【００１４】
上記構成を有する電子装置１では、電子部品１０及び電子部品２０の少なくとも一方に、動作時に発熱するものが用いられ得る。この場合、発熱する電子部品１０又は電子部品２０の熱が、電子部品１０と電子部品２０との間で伝熱される。そして、電子部品１０及び電子部品２０から、或いは電子部品１０又は電子部品２０に熱的に接続された冷却プレート等の放熱部材（図示せず）から、熱が電子装置１の外部へと放熱される。
【００１５】
電子装置１では、電子部品１０と電子部品２０とを電気的、機械的に接合する接合部３１及び接合部３２によって、電子部品１０と電子部品２０との間の伝熱が行われる。接合部３１及び接合部３２には、導体材料が用いられ、比較的熱伝導性が良好である。更に、電子装置１では、隣接する接合部３１と接合部３２との間に設けられた導体部４０によって、電子部品１０と電子部品２０との間の伝熱が行われる。接合部３１及び接合部３２と同様に、この導体部４０にも、導体材料が用いられ、比較的熱伝導性が良好である。
【００１６】
電子装置１では、このように隣接する接合部３１及び接合部３２と、更にそれらの間に設けられた導体部４０とによって、電子部品１０と電子部品２０との間の伝熱が効率的に行われるようになっている。導体部４０を設けることで、導体部４０を設けなかった場合（電子部品１０と電子部品２０とが接合部３０のみで接合されている場合）に比べて、熱伝導パスが増え、より効率的に、電子部品１０と電子部品２０との間の伝熱が行われる。そのため、接合強度向上のために電子部品１０と電子部品２０との間に、接合部３０（３１，３２）や導体部４０に比べて熱伝導率の低いエポキシ樹脂等の封止材５０が設けられていても、電子部品１０と電子部品２０との間での効率的な熱伝導が可能になる。
【００１７】
電子部品１０と電子部品２０との間での効率的な熱伝導が可能になることで、外部への放熱性を高め、電子部品１０の過熱、電子部品２０の過熱を抑制することが可能になる。その結果、電子部品１０及び電子部品２０、或いはこれらを備える電子装置１の、熱に起因した性能劣化や故障の発生を抑制することが可能になる。
【００１８】
ところで、電子部品１０と電子部品２０との間には、シリカ等の絶縁性のフィラーを含有させた封止材を設ける技術がある。このような技術を用いた電子装置について、次の図２を参照して説明する。
【００１９】
図２は別形態に係る電子装置の一例の説明図である。図２（Ａ）には、別形態に係る電子装置の一例の製造工程の要部断面を模式的に図示し、図２（Ｂ）には、別形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００２０】
図２（Ａ）には、エポキシ樹脂等の樹脂５１Ａに絶縁性のフィラー５２Ａを含有させた封止材５０Ａを介在させて、電子部品１０と電子部品２０とを対向させ、互いの端子１１と端子２１、端子１２と端子２２を、熱圧着により接合する工程を例示している。
【００２１】
尚、近年のデバイスの小型化に伴い、接合する電子部品群の端子ピッチは狭くなってきており、それにより、端子同士の接合部のサイズは小さくなり、接合する電子部品間のギャップは狭くなる。ギャップの狭い電子部品間には、端子接合後の電子部品間に封止材となる液状樹脂を導入することが難しい場合がある。このような場合に、図２（Ａ）のような手法、即ち、封止材５０を介在させた状態から熱圧着により端子接合を行う手法を採用することができる。尚、互いの端子１１と端子２１、端子１２と端子２２を接合する前に予め電子部品１０と電子部品２０との間に介在させる封止材５０Ａには、液状やフィルム状のものを用いることができる。
【００２２】
図２（Ａ）に示すような状態から、例えば、加熱を行いながら電子部品２０を電子部品１０側に加圧し、電子部品１０と電子部品２０の、互いの端子１１と端子２１とを接合し、互いの端子１２と端子２２とを接合する。そして、封止材５０Ａの樹脂５１Ａを硬化する。これにより、図２（Ｂ）に示すような、電子部品１０と電子部品２０とが、端子１１と端子２１との接合部３１Ａ、端子１２と端子２２との接合部３２Ａによって電気的、機械的に接合された電子装置１Ａが得られる。
【００２３】
このような電子装置１Ａでは、主に、導体材料が用いられて比較的熱伝導性が良好な接合部３１Ａ及び接合部３２Ａによって、電子部品１０と電子部品２０との間の伝熱（図２（Ｂ）に点線矢印で図示）が行われる。封止材５０Ａを介しても電子部品１０と電子部品２０との間の伝熱は行われ得るが、その熱伝導率、特に樹脂５１Ａの熱伝導率が比較的低いため、伝熱効率は比較的低い。
【００２４】
封止材５０Ａの熱伝導率を高めるために、フィラー５２Ａの１種であるシリカの含有量を増加させたり、シリカよりも熱伝導率の高いアルミナや窒化ホウ素等をフィラー５２Ａに用いたり、或いはアルミナや窒化ホウ素等の含有量を増加させたりする方法もある。いずれの方法も一定の熱伝導率の向上は図れるものの、上記のような導体部４０に比べると、その熱伝導率は低く、フィラー５２Ａの含有量にも上限があるため、封止材５０Ａの更なる熱伝導率の向上は難しい。尚、フィラー５２Ａの含有量を増加させると、液状の封止材５０Ａはその粘度が上昇するため、従来のように端子接合後の電子部品間に封止材を導入する手法の場合、高粘度の液状の封止材５０Ａを狭ギャップの電子部品間に導入することは難しくなる。
【００２５】
これに対し、上記図１に示す電子装置１では、隣接する接合部３１と接合部３２との間に、接合部３１及び接合部３２と同様に導体材料が用いられ比較的熱伝導性が良好な導体部４０が設けられる。これにより、電子部品１０と電子部品２０との間に封止材５０を設けてそれらの接合強度の向上を図ると共に、電子部品１０と電子部品２０との間の熱伝導性の向上を図ることが可能になっている。
【００２６】
可能な限り狭ピッチで隣接させた接合部間には、もうそれ以上、電子部品間の熱伝導の目的で、電子部品間を電気的に接続する接合部、或いは電子部品間の電気的な接続には寄与しないダミーの接合部等、別の接合部を設けることができない。上記電子装置１では、このような狭ピッチで隣接する場合の接合部３１と接合部３２との間にも、導体部４０によって電子部品１０と電子部品２０との間の熱伝導パスを形成し、電子部品１０と電子部品２０との間の熱伝導性の向上を図ることが可能である。
【００２７】
尚、上記図１に示す電子装置１の導体部４０は、例えば、全体又は表面に導体を含むフィラーを所定の樹脂に含有する液状の封止材料を用い、これを電子部品１０と電子部品２０との間に介在させた状態で加熱を行うことで、形成することができる。その際は、封止材料の樹脂が硬化しない条件で、且つ、導体を含むフィラーの、その導体が溶融する温度で、加熱を行う。この加熱により、電子部品１０から電子部品２０に（或いは電子部品２０から電子部品１０に）延びるようにフィラーを凝集させ、その導体を溶融させて、導体部４０を形成する。この場合、ここでは図示を省略するが、電子部品１０及び電子部品２０には、導体を含むフィラーが、電子部品１０から電子部品２０に延びるように凝集し易くなるような構造、例えば、フィラーの導体が溶融時に濡れ性を示すような凸部や凹部が設けられ得る。
【００２８】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図３は第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図３には、第２の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００２９】
図３に示す電子装置２は、接合部３０（接合部３１及び接合部３２）を覆う絶縁部６０（絶縁部６１及び絶縁部６２）が設けられている点で、上記第１の実施の形態に係る電子装置１と相違する。
【００３０】
絶縁部６０には、例えば、樹脂材料が用いられる。電子部品１０と電子部品２０とを接合する接合部３１の外面を覆うように絶縁部６１が設けられ、電子部品１０と電子部品２０とを接合する接合部３２の外面を覆うように絶縁部６２が設けられる。このように絶縁部６１と絶縁部６２とによってそれぞれ覆われた隣接する接合部３１と接合部３２との間に、一方の電子部品１０（又は電子部品２０）から他方の電子部品２０（又は電子部品１０）に延びるように、導体部４０が設けられる。
【００３１】
上記構成を有する電子装置２では、導体部４０による電子部品１０と電子部品２０との間の熱伝導性の向上効果に加え、隣接する接合部３１と接合部３２との間の短絡を絶縁部６１と絶縁部６２とによって抑制することが可能になる。
【００３２】
ここで、図４は別形態に係る電子装置の一例の説明図である。図４（Ａ）には、別形態に係る電子装置の一例の製造工程の要部断面を模式的に図示し、図４（Ｂ）には、別形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００３３】
電子部品１０と電子部品２０との間に介在させる封止材として、エポキシ樹脂等の樹脂に導電性のフィラーを含有させたものを用いる技術がある。図４（Ａ）には、エポキシ樹脂等の樹脂５１Ｂに導電性のフィラー５２Ｂを含有させた封止材５０Ｂを介在させて、電子部品１０と電子部品２０とを対向させ、互いの端子１１と端子２１、端子１２と端子２２を、熱圧着により接合する工程を例示している。尚、互いの端子１１と端子２１、端子１２と端子２２を接合する前に予め電子部品１０と電子部品２０との間に介在させる封止材５０Ｂには、導電性のフィラー５２Ｂを含有する液状やフィルム状のもの、所謂異方導電性接着剤を用いることができる。
【００３４】
図４（Ａ）に示すような状態から、例えば、加熱を行いながら電子部品２０を電子部品１０側に加圧し、電子部品１０と電子部品２０の、互いの端子１１と端子２１とを接合し、互いの端子１２と端子２２とを接合する。そして、封止材５０Ｂの樹脂５１Ｂを硬化する。これにより、図４（Ｂ）に示すような、電子部品１０と電子部品２０とが、端子１１と端子２１との接合部３１Ｂ、端子１２と端子２２との接合部３２Ｂによって電気的、機械的に接合された電子装置１Ｂが得られる。
【００３５】
このような電子装置１Ｂでは、電子部品１０と電子部品２０との間の封止材５０Ｂに、上記電子装置１Ａ（図２）のような絶縁性のフィラー５２Ａに比べて熱伝導率の高い導電性のフィラー５２Ｂが含有されている。電子装置１Ｂでは、このように封止材５０Ｂに導電性のフィラー５２Ｂが含有されていることで、絶縁性のフィラー５２Ａを用いた上記電子装置１Ａに比べて、電子部品１０と電子部品２０との間の熱伝導性の向上を図ることが可能になる。
【００３６】
しかし、電子装置１Ｂでは、電子部品１０と電子部品２０とを接合する際、導電性のフィラー５２Ｂが凝集し得る。接合後には、このように凝集したフィラー５２Ｂによって、隣接する接合部３１Ｂと接合部３２Ｂとの間が短絡してしまう（図４（Ｂ）に点線矢印で図示）ことが起こり得る。
【００３７】
これに対し、上記図３に示す電子装置２では、接合部３１の外面が絶縁部６１で覆われ、接合部３１に隣接する接合部３２の外面が絶縁部６２で覆われる。これにより、隣接する接合部３１と接合部３２との間に、導電性の導体部４０が設けられる場合でも、そのような導体部４０を介した接合部３１と接合部３２との間の短絡を効果的に抑制することが可能になる。
【００３８】
尚、上記図３に示す電子装置２の導体部４０は、例えば、全体又は表面に導体を含むフィラーを所定の樹脂に含有する液状の封止材料を用い、これを電子部品１０と電子部品２０との間に介在させた状態で加熱を行うことで、形成することができる。その際は、封止材料の樹脂が硬化しない条件で、且つ、導体を含むフィラーの、その導体が溶融する温度で、加熱を行う。この加熱により、電子部品１０から電子部品２０に（或いは電子部品２０から電子部品１０に）延びるようにフィラーを凝集させ、その導体を溶融させて、導体部４０を形成する。この場合、ここでは図示を省略するが、電子部品１０及び電子部品２０には、導体を含むフィラーが、電子部品１０から電子部品２０に延びるように凝集し易くなるような構造、例えば、フィラーの導体が溶融時に濡れ性を示すような凸部や凹部が設けられ得る。
【００３９】
例えば、このようにして上記電子装置２を得る場合においても、隣接する接合部３１及び接合部３２をそれぞれ覆う絶縁部６１及び絶縁部６２が設けられていることで、接合部３１と接合部３２との間の短絡が効果的に抑制される。
【００４０】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図５は第３の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図５には、第３の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００４１】
図５に示す電子装置３は、接合部３１を覆う絶縁部６１として、接合部３１の側面を覆う内側の層（内層）６１ａと、それを覆う外側の層（外層）６１ｂとを有する。同様に、接合部３１に隣接する接合部３２を覆う絶縁部６２として、接合部３２の側面を覆う内側の層（内層）６２ａと、それを覆う外側の層（外層）６２ｂとを有する。
【００４２】
図５に示す電子装置３は更に、電子部品１０及び電子部品２０にそれぞれ設けられた凸部１３及び凸部２３を有し、凸部１３から凸部２３に（或いは凸部２３から凸部１３に）延びるように、導体部４０が設けられた構造を有する。電子部品１０の凸部１３は、隣接する接合部３１と接合部３２との間に少なくとも１つ配置され、電子部品２０の凸部２３は、隣接する接合部３１と接合部３２との間に少なくとも１つ配置される。凸部１３と凸部２３とは、例えば、互いに対応する位置に配置される。
【００４３】
上記構成を有する電子装置３では、電子部品１０の凸部１３から電子部品２０の凸部２３に延びる導体部４０によって、導体部４０を設けない場合に比べて、電子部品１０と電子部品２０との間で効率的に伝熱を行うことができる。また、隣接する接合部３１と接合部３２との間の短絡を、絶縁部６１（６１ａ，６１ｂ）と絶縁部６２（６２ａ，６２ｂ）とによって抑制することができる。
【００４４】
続いて、電子装置３の製造方法の一例を、次の図６及び図７を参照して説明する。
図６及び図７は第３の実施の形態に係る電子装置製造方法の一例の説明図である。図６には、第３の実施の形態に係る電子部品準備工程の一例の要部断面を模式的に図示している。図７には、第３の実施の形態に係る電子部品接合工程の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００４５】
ここでは便宜上、接合前の上記電子部品１０又は電子部品２０に相当するものを電子部品１００として説明する。
まず、図６（Ａ）に示すような電子部品１００を準備する。電子部品１００は、その本体部１００ａから突出する、所定のピッチで隣接して設けられた端子１１０を有する。端子１１０は、電子部品１００の本体部１００ａに設けられた回路素子（図示しない配線、ビア、トランジスタ等）に電気的に接続されている。
【００４６】
端子１１０には、半田、例えば、スズ（Ｓｎ）を含む半田を用いることができる。端子１１０には、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の膜状、柱状といった導体材料の上に、上記のような半田を設けたものが用いられてよい。端子１１０は、例えば、めっき技術を用いて本体部１００ａ上（図示しない電極パッド等）に形成することができる。
【００４７】
電子部品１００は、隣接する端子１１０の間に少なくとも１つの凸部１３０を有する。凸部１３０は、例えば、本体部１００ａから突出する高さが、端子１１０よりも低くなるように、設けられる。
【００４８】
凸部１３０には、後述する半田を用いた粒子のような導電性のフィラーが溶融した時に濡れ性を示す材料が用いられる。凸部１３０には、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の導体材料を用いることができる。このような導体材料を用いた凸部１３０は、例えば、めっき技術を用いて本体部１００ａ上に形成することができる。このほか凸部１３０には、例えば、突状の樹脂等の絶縁体表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の導体材料を設けたものを用いることもできる。このような凸部１３０は、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて本体部１００ａ上に突状の絶縁体を形成し、めっき技術を用いてその突状の絶縁体表面に導体材料を形成することで、形成することができる。
【００４９】
このような電子部品１００の表面に、図６（Ｂ）に示すように、絶縁膜１６０を形成する。絶縁膜１６０には、例えば、樹脂材料を用いることができる。絶縁膜１６０には、例えば、後述する絶縁膜１７０に用いる樹脂材料に比べて低温で硬化又は半硬化される樹脂材料を用いることができる。
【００５０】
絶縁膜１６０の材料には、例えば、主剤成分と、脂肪族アミン、芳香族アミン、ポリアミノアミド、ポリチオール、ケチミン等の硬化剤成分を含むものを用いることができる。
絶縁膜１６０の材料は、スピンコート法、スプレー法、ドクターブレード法等の技術を用いて、電子部品１００の表面に供給することができる。このような技術を用いて材料を供給した後、これを加熱によって硬化又は半硬化させ、絶縁膜１６０を形成する。
【００５１】
絶縁膜１６０の形成後は、図６（Ｃ）に示すように、端子１１０の側面以外の部分に形成された絶縁膜１６０を除去する。この絶縁膜１６０の除去には、エッチバック法、研磨法、プラズマ処理法等を用いることができる。例えば、エッチバック法を用い、端子１１０の側面以外の部分に形成された絶縁膜１６０を除去する。端子１１０の上面に絶縁膜１６０が残る場合は、研磨法やプラズマ処理法を用い、その上面に残る絶縁膜１６０を除去する。
【００５２】
このようにして端子１１０の側面に絶縁膜１６０を形成した後、図６（Ｄ）に示すように、端子１１０の上面と、その端子１１０の側面に形成した絶縁膜１６０とを覆うように、絶縁膜１７０を形成する。絶縁膜１７０には、例えば、樹脂材料を用いることができる。絶縁膜１７０には、例えば、前述した絶縁膜１６０に用いる樹脂材料に比べて高温で硬化又は半硬化される樹脂材料を用いることができる。更に、絶縁膜１７０には、例えば、前述した端子１１０の融点よりも高い温度で硬化される材料を用いることができる。絶縁膜１７０には、前述した端子１１０の融点よりも低い温度で硬化される材料を用いることもできる。
【００５３】
絶縁膜１７０の材料には、後述する接合工程において、端子１１０に用いられる半田等の導体材料の還元作用を示すフラックス成分が含有されてよい。絶縁膜１７０の材料には、例えば、エポキシ樹脂等の主剤成分、及び有機酸無水物等の硬化剤成分を含むものを用いることができる。
【００５４】
絶縁膜１７０の材料は、ディスペンス法、転写法等の技術を用いて、電子部品１００の表面に供給することができる。このような技術を用いて材料を供給した後、これを加熱によって半硬化させ、絶縁膜１７０を形成する。例えば、４０℃〜８０℃の加熱で絶縁膜１７０を半硬化させる。
【００５５】
このように端子１１０の側面に絶縁膜１６０を設け、端子１１０の上面及び絶縁膜１６０を覆うように絶縁膜１７０を設ける場合、絶縁膜１６０と絶縁膜１７０のうち、少なくとも絶縁膜１７０は、完全に硬化させずに半硬化（所謂Ｂステージ）の状態とする。
【００５６】
この図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に示すような方法により、本体部１００ａ上に凸部１３０、端子１１０、端子１１０の側面を覆う絶縁膜１６０、及び端子１１０の上面を覆う絶縁膜１７０を有する電子部品１００が得られる。
【００５７】
このような電子部品１００の準備工程の例に従い、図７（Ａ）に示すような、接合する電子部品１０及び電子部品２０が準備される。
図７（Ａ）に示すように、一方の電子部品１０は、本体部１０ａ（図６の本体部１００ａに相当）と、本体部１０ａ上に所定の高さで設けられた端子１１及び端子１２（図６の端子１１０に相当）と、凸部１３（図６の凸部１３０に相当）とを有する。更に、電子部品１０は、端子１１及び端子１２のそれぞれの側面を覆う内層６１ａ及び内層６２ａ（図６の絶縁膜１６０に相当）と、端子１１及び端子１２のそれぞれの上面並びに内層６１ａ及び内層６２ａを覆う外層６１ｂ及び外層６２ｂ（図６の絶縁膜１７０に相当）とを有する。
【００５８】
同様に、電子部品１０と接合されるもう一方の電子部品２０は、本体部２０ａ（図６の本体部１００ａに相当）と、本体部２０ａ上に所定の高さで設けられた端子２１及び端子２２（図６の端子１１０に相当）と、凸部２３（図６の凸部１３０に相当）とを有する。更に、電子部品２０は、端子２１及び端子２２のそれぞれの側面を覆う内層６１ａ及び内層６２ａ（図６の絶縁膜１６０に相当）と、端子２１及び端子２２のそれぞれの上面並びに内層６１ａ及び内層６２ａを覆う外層６１ｂ及び外層６２ｂ（図６の絶縁膜１７０に相当）とを有する。
【００５９】
このような構成を有する電子部品１０及び電子部品２０を、図７（Ａ）に示すように、封止材料５０ａを介在させ、互いの端子１１と端子２１、端子１２と端子２２の位置を合わせて、対向させて配置する。
【００６０】
封止材料５０ａには、全体又は表面に導体を含むフィラー５２ａを所定の樹脂５１ａに含有させたもの、所謂異方導電性接着剤が用いられる。
封止材料５０ａの樹脂５１ａは、主剤及び硬化剤の成分を含む。主剤には、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。硬化剤には、例えば、ジシアンジアミド、フェノールノボラック、イミダゾールのうちの１種又は２種以上が用いられる。このような硬化剤に更に、アミン、ポリアミン、ヒドラジン、酸無水物、オニウム塩、ポリチオール、フェノール、ケチミンのうちの１種又は２種以上が含まれてもよい。
【００６１】
樹脂５１ａには、例えば、内層６１ａ及び内層６２ａ並びに外層６１ｂ及び外層６２ｂの硬化温度よりも高い温度で硬化される材料が用いられる。
封止材料５０ａのフィラー５２ａに用いる導体には、例えば、半田が用いられる。フィラー５２ａに用いる半田としては、Ｓｎを含む半田を用いることができる。例えば、融点が２６０℃以下の半田を用いることができ、このような半田としては、Ｓｎ、Ａｇ及びＣｕを含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ半田（Ａｇ：３ｗｔ％，Ｃｕ：０．５ｗｔ％）を挙げることができる。
【００６２】
フィラー５２ａには、上記のような半田の粒子を含む半田粉末を用いることができる。このほかフィラー５２ａには、無機材料若しくは有機材料或いは金属材料を用いて形成されたコア粒子の表面の少なくとも一部に、上記のような半田を設けたものを含む粉末を用いることもできる。
【００６３】
樹脂５１ａには、フィラー５２ａに用いられる半田の融点よりも高い温度で硬化される材料が用いられる。
このようなフィラー５２ａを樹脂５１ａ中に含有する封止材料５０ａを、例えば、電子部品１０上に供給し、封止材料５０ａが供給された電子部品１０の上方に、電子部品２０を電子部品１０に対向させて配置することで、図７（Ａ）に示すような状態が得られる。
【００６４】
図７（Ａ）に示すような状態から、例えば、加熱（昇温）を行いながら、電子部品２０を電子部品１０側に加圧する。
この加熱及び加圧の際には、まず、外層６１ｂ及び外層６２ｂが硬化せず、端子１１と端子２１及び端子１２と端子２２が溶融しない温度での加熱時の加圧によって、半硬化状態の外層６１ｂ同士が接触し、半硬化状態の外層６２ｂ同士が接触する。更に加熱及び加圧が進むと、半硬化状態の外層６１ｂが端子１１と端子２１との間から押し出され、半硬化状態の外層６２ｂが端子１２と端子２２との間から押し出される。
【００６５】
そして、端子１１と端子２１とが接触し、端子１２と端子２２とが接触する状態で、加熱温度が、端子１１と端子２１及び端子１２と端子２２に用いられている半田の融点以上になると、端子１１と端子２１とが接合され、端子１２と端子２２とが接合される。例えば、１４０℃の加熱により、端子１１と端子２１とを接合し、端子１２と端子２２とを接合する。これにより、図７（Ｂ）に示すような、端子１１と端子２１との接合部３１、及び端子１２と端子２２との接合部３２が形成される。尚、この時点の接合部３１及び接合部３２は、溶融状態である。
【００６６】
更に加熱が進むと、端子１１と端子２１の内層６１ａ同士、端子１２と端子２２の内層６２ａ同士が接合され、それらよりも硬化温度の高い、端子１１と端子２１の外層６１ｂ同士、端子１２と端子２２の外層６２ｂ同士が接合される。例えば、１６０℃〜１８０℃の加熱により、内層６１ａ同士、内層６２ａ同士を接合し、外層６１ｂ同士、外層６２ｂ同士を接合する。これにより、図７（Ｂ）に示すような、接合された内層６１ａと、接合された外層６１ｂとを有する絶縁部６１、及び、接合された内層６２ａと、接合された外層６２ｂとを有する絶縁部６２が形成される。絶縁部６１及び絶縁部６２によって、接合部３１及び接合部３２の半田の流出が抑制される。
【００６７】
尚、端子１１の内層６１ａと端子２１の内層６１ａとは、端子１１と端子２１との間から押し出された外層６１ｂの一部を介して接合される場合もある。端子１２の内層６２ａと端子２２の内層６２ａとは、端子１２と端子２２との間から押し出された外層６２ｂの一部を介して接合される場合もある。このように上下に対向する内層６１ａ同士の間に外層６１ｂの一部が介在し、内層６２ａ同士の間に外層６２ｂの一部が介在する場合でも、これらと外層６１ｂ及び外層６２ｂの残りの部分で、接合部３１及び接合部３２の半田の流出を抑制することが可能である。
【００６８】
また、ここでは、内層６１ａ及び外層６１ｂ、内層６２ａ及び外層６２ｂに、端子１１及び端子２１、端子１２及び端子２２に用いられる半田の融点よりも高い温度で硬化される材料が用いられている場合について述べた。そのため、半田の溶融により、端子１１と端子２１とが接合され、端子１２と端子２２とが接合された後に、上記のように内層６１ａ同士、内層６２ａ同士が接合され、外層６１ｂ同士、外層６２ｂ同士が接合される。
【００６９】
このほか、内層６１ａ及び外層６１ｂ、内層６２ａ及び外層６２ｂには、端子１１及び端子２１、端子１２及び端子２２に用いられる半田の融点よりも低い温度で硬化される材料を用いることもできる。この場合は、加圧により外層６１ｂ及び外層６２ｂが押し出され、そして、内層６１ａ同士、内層６２ａ同士が接合され、外層６１ｂ同士、外層６２ｂ同士が接合された後に、半田の溶融により、端子１１と端子２１とが接合され、端子１２と端子２２とが接合される。このような方法でも、図７（Ｂ）に示すような接合構造を形成することが可能である。
【００７０】
上記のような接合部３１及び接合部３２並びに絶縁部６１及び絶縁部６２の形成後、又はそれらの形成と共に、封止材料５０ａ（図７（Ａ））の未硬化状態の樹脂５１ａ内では、加熱により、フィラー５２ａの凝集が起こる。加熱温度が、フィラー５２ａに用いられている半田の融点以上になると、フィラー５２ａ同士の接合が起こる。例えば、接合部３１及び接合部３２並びに絶縁部６１及び絶縁部６２の形成後にフィラー５２ａの凝集、接合を起こさせる場合には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ半田（Ａｇ：３ｗｔ％，Ｃｕ：０．５ｗｔ％）を用いたフィラー５２ａであれば、２２０℃以上に加熱することにより、フィラー５２ａの凝集、接合を起こさせる。
【００７１】
フィラー５２ａの凝集、接合の際には、電子部品１０及び電子部品２０にそれぞれ、フィラー５２ａの半田に濡れ性を示す凸部１３及び凸部２３が設けられていることで、凸部１３及び凸部２３にもフィラー５２ａの凝集、接合が起こる。これにより、凸部１３から凸部２３に延びるようなフィラー５２ａの凝集体が形成され、その半田の溶融によるフィラー５２ａ同士の接合によって、図７（Ｂ）に示すような、電子部品１０から電子部品２０に延びる導体部４０が効果的に形成される。
【００７２】
尚、凸部１３及び凸部２３を設けなかった場合でも、加熱により、電子部品１０から電子部品２０に延びるような高さのフィラー５２ａの凝集体を形成することが可能である。加熱条件（時間、温度等）、樹脂５１ａの材料、フィラー５２ａの含有量等を調整することで、そのような高さのフィラー５２ａの凝集体を形成し、電子部品１０から電子部品２０に延びる導体部４０を形成することも可能である。
【００７３】
接合部３１及び接合部３２、絶縁部６１及び絶縁部６２、並びに導体部４０の形成後、それらの周囲を覆っている樹脂５１ａの硬化温度まで加熱を行うことで、樹脂５１ａを硬化させ、封止材５０を形成する。例えば、２５０℃の加熱により、樹脂５１ａを硬化させ、封止材５０を形成する。これにより、図７（Ｂ）に示すような電子装置３が得られる。
【００７４】
電子部品１０と電子部品２０とを接合する工程では、上記のような接合部３１及び接合部３２、絶縁部６１及び絶縁部６２、導体部４０、並びに封止材５０が形成されるような温度プロファイルで昇温していくことで、電子装置３を得ることが可能である。
【００７５】
電子装置３には、それに含まれる電子部品１０及び電子部品２０の少なくとも一方に、放熱部材を設けることができる。
図８は第３の実施の形態に係る電子装置の別例を示す図である。図８には、第３の実施の形態に係る電子装置の別例の要部断面を模式的に図示している。
【００７６】
図８に示す電子装置３ａは、電子部品１０と電子部品２０とを接合する隣接した接合部３１及び接合部３２、それらをそれぞれ覆う絶縁部６１及び絶縁部６２、並びに、隣接する接合部３１と接合部３２との間に設けられた導体部４０を有している。導体部４０は、電子部品１０から電子部品２０に延びるように設けられている。電子部品１０と電子部品２０との間には、封止材５０が設けられている。そして、一方の電子部品２０の上に、放熱部材７０が設けられている。
【００７７】
放熱部材７０としては、例えば、Ｃｕやアルミニウム（Ａｌ）等の導体材料を用いて形成された冷却プレートやリッドを用いることができる。放熱部材７０は、針状や板状のフィンを備えてもよい。放熱部材７０は、電子部品２０の上に、直に、或いは熱界面材料（Thermal Interface Material；ＴＩＭ）等の材料（図示せず）を介して設けられ、電子部品２０と熱的に接続されている。
【００７８】
上記構成を有する電子装置３ａにおいて、例えば、電子部品２０が半導体チップのような発熱部品である場合、電子部品２０で発生した熱は、放熱部材７０に伝熱され、放熱部材７０から電子装置３ａの外部へと放熱される。更に、電子部品２０で発生した熱は、接合部３１及び接合部３２によって接合された電子部品１０にも伝熱され、電子部品１０から電子装置３ａの外部へと放熱される。
【００７９】
電子装置３ａでは、電子部品２０と電子部品１０との間に、接合部３１及び接合部３２のほか、導体部４０が設けられていることで、この導体部４０も、電子部品２０から電子部品１０への熱伝導パスとして機能する。これにより、電子部品２０から電子部品１０への熱伝導効率を高め、電子部品１０及び電子部品２０からの放熱効率、電子部品２０の冷却効率を高めて、電子部品２０の過熱を効果的に抑制することが可能になっている。導体部４０を設けることで、発熱する電子部品２０の過熱による性能劣化を抑制し、発熱する電子部品２０及びそのような電子部品２０を備える電子装置３ａの信頼性向上を図ることが可能になる。
【００８０】
図８のような構成を有する電子装置３ａ（実施例とする）について、隣接する接合部３１と接合部３２との間の絶縁性、及び、電子部品１０と電子部品２０との間の温度差を評価した結果を、以下の表１に示す。
【００８１】
表１には、比較のため、図９（Ａ）に例示するような電子装置３Ａ（比較例１とする）、及び図９（Ｂ）に例示するような電子装置３Ｂ（比較例２とする）について同様の評価をして得られた結果を、併せて示している。
【００８２】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）はそれぞれ、別形態（比較例１，２）に係る電子装置の一例を示す図であって、その要部断面を模式的に示す図である。図９（Ａ）の電子装置３Ａは、上記の絶縁部６１及び絶縁部６２並びに導体部４０を有しない点で、電子装置３ａと相違する。図９（Ｂ）の電子装置３Ｂは、上記の導体部４０を有しない点で、電子装置３ａと相違する。尚、電子装置３Ａ及び電子装置３Ｂの、電子部品１０と電子部品２０との間には、上記のような樹脂５１ａが硬化した封止材５０とその内部に含まれるフィラー５２ａとが設けられている。
【００８３】
ここでは、電子部品２０として、平面サイズが１０ｍｍ×１０ｍｍで、その周辺部に、Ｃｕ電極上に半田を有する端子が１０００個設けられた半導体チップを用いている。また、電子部品１０として、平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍで、電子部品２０の端子に対応する位置にＣｕ電極の端子が設けられた回路基板を用いている。
【００８４】
【表１】
0006520101.tif 000002
【００８５】
表１では、隣接する接合部３１と接合部３２との間で短絡が生じなかった場合を「○」で表し、短絡が生じた場合を「×」で表している。
表１より、図８のような構成を有する電子装置３ａ（実施例）では、全ての接合部３０で導通し、隣接する接合部３１と接合部３２との間で短絡は生じなかった。電子部品１０と電子部品２０との間の温度差を測定した結果、１．１℃であった。
【００８６】
また、図９（Ａ）のような構成を有する電子装置３Ａ（比較例１）では、全ての接合部３０で導通したが、隣接する接合部３１と接合部３２との間で短絡が生じていることを確認した。電子装置３Ａでは、導電性のフィラー５２ａを含有する樹脂５１ａを介在させた電子部品１０と電子部品２０との接合過程で、導電性のフィラー５２ａが、隣接する接合部３１と接合部３２との間を繋ぐように凝集、接合され、短絡が生じていると考えられる。電子部品１０と電子部品２０との間の温度差は、０．６℃であった。
【００８７】
また、図９（Ｂ）のような構成を有する電子装置３Ｂ（比較例２）では、全ての接合部３０で導通し、隣接する接合部３１と接合部３２との間で短絡は生じなかった。電子部品１０と電子部品２０との間の温度差は、０．６℃であった。電子装置３Ｂでは、電子部品１０と電子部品２０との間を繋ぐ熱伝導パスとなる導体部４０が形成されていないことで、十分な熱伝導性、外部への放熱性（電子部品１０からの放熱）が得られないと考えられる。
【００８８】
電子装置３ａでは、電子部品２０で発生した熱を、放熱部材７０から放熱するほか、効率的に電子部品１０に伝熱し、電子部品１０からも放熱することが可能になっている。
電子装置３ａでは、隣接する接合部３１と接合部３２との間の短絡を、絶縁部６１及び絶縁部６２によって抑制し、電子部品１０と電子部品２０との間の熱伝導性、外部への放熱性を、導体部４０によって高めることが可能になっている。
【００８９】
次に、第４の実施の形態について説明する。
ここでは、上記第３の実施の形態で述べた電子部品１０と電子部品２０との接合方法の一例について、第４の実施の形態として、より詳細に説明する。
【００９０】
図１０〜図１８は第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図である。図１０〜図１８にはそれぞれ、第４の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例における各工程の要部断面を模式的に図示している。以下、各工程について順に説明する。
【００９１】
図１０は第４の実施の形態に係る封止材料配置工程の一例の要部断面模式図である。
まず、上記図６の方法の例に従い、電子部品１０を準備する。図１０に示すように、電子部品１０は、本体部１０ａ上に端子１１及び端子１２並びに凸部１３を有する。電子部品１０は更に、端子１１及び端子１２のそれぞれの側面を覆う内層６１ａ及び内層６２ａと、端子１１及び端子１２のそれぞれの上面並びに内層６１ａ及び内層６２ａを覆う外層６１ｂ及び外層６２ｂとを有する。
【００９２】
図１０に示すように、準備した電子部品１０の上に、フィラー５２ａを含有する樹脂５１ａを含む封止材料５０ａを、塗布法等で供給し、封止材料５０ａを供給した電子部品１０を、ボンディングステージ２００の上に配置する。
【００９３】
図１１は第４の実施の形態に係る電子部品配置工程の一例の要部断面模式図である。
電子部品１０と同様に、上記図６の方法の例に従い、電子部品１０と接合する電子部品２０を準備する。図１１に示すように、電子部品２０は、本体部２０ａ上に端子２１及び端子２２並びに凸部２３を有する。電子部品２０は更に、端子２１及び端子２２のそれぞれの側面を覆う内層６１ａ及び内層６２ａと、端子２１及び端子２２のそれぞれの上面並びに内層６１ａ及び内層６２ａを覆う外層６１ｂ及び外層６２ｂとを有する。
【００９４】
図１１に示すように、準備した電子部品２０を、フリップチップボンダのボンディングヘッド２１０を用いて、電子部品１０の上方に、互いの端子１１と端子２１、端子１２と端子２２の位置を合わせ（図１１に鎖線で図示）、対向させて配置する。
【００９５】
図１２及び図１３は第４の実施の形態に係る第１加熱工程の一例の要部断面模式図である。
図１２に示すように、ボンディングヘッド２１０を用い、加熱２２０を行いながら電子部品２０を電子部品１０側に加圧する（図１２に太矢印で図示）。その際は、まず、半硬化状態の外層６１ｂ及び外層６２ｂが硬化せず、端子１１と端子２１及び端子１２と端子２２が溶融しない温度での加熱時（加熱２２０）の加圧によって、外層６１ｂ同士を接触させ、外層６２ｂ同士を接触させる。
【００９６】
更に加熱及び加圧が進むと、半硬化状態の外層６１ｂが間から押し出されて端子１１と端子２１とが接触し、半硬化状態の外層６２ｂが間から押し出されて端子１２と端子２２とが接触するようになる。端子１１と端子２１とが接触し、端子１２と端子２２とが接触する状態で、図１３に示すように、それらに用いられている半田の融点以上の温度、例えば１４０℃で加熱２２１を行い、端子１１と端子２１とを接合し、端子１２と端子２２とを接合する。これにより、端子１１と端子２１との接合部３１、及び端子１２と端子２２との接合部３２を形成する。
【００９７】
図１４は第４の実施の形態に係る第２加熱工程の一例の要部断面模式図、図１５は第４の実施の形態に係る第３加熱工程の一例の要部断面模式図である。
図１４に示すように、更に高温、例えば１６０℃〜１７０℃の加熱２２２を行い、端子１１と端子２１の側面に設けた内層６１ａ同士、端子１２と端子２２の側面に設けた内層６２ａ同士を接合する。電子部品１０及び電子部品２０の準備段階で、内層６１ａ及び内層６２ａが半硬化状態とされていると、上下に対向する内層６１ａ同士、内層６２ａ同士がそれぞれ、図１４のように切れ目なく一体化され易くなる。但し、上下に対向する内層６１ａ同士、内層６２ａ同士は、必ずしもこのように切れ目なく一体化されていることを要せず、上下に対向する内層６１ａ同士、内層６２ａ同士がそれぞれ接触することで一体化された構造であってもよい。上下に対向する内層６１ａ同士、内層６２ａ同士がそれぞれ一体化され、硬化されることで、以後、より高温で加熱が行われる際の接合部３１及び接合部３２の半田の流出が抑制される。
【００９８】
図１５に示すように、更に高温、例えば１７０〜１８０℃の加熱２２３を行うことで、内層６１ａ及び内層６２ａよりも硬化温度の高い、端子１１と端子２１の外層６１ｂ同士、端子１２と端子２２の外層６２ｂ同士を接合する。電子部品１０及び電子部品２０の準備段階で、外層６１ｂ及び外層６２ｂが半硬化状態とされていることで、上下に対向する外層６１ｂ同士、外層６２ｂ同士がそれぞれ、図１５のように切れ目なく一体化され易い。それぞれ一体化され、硬化された外層６１ｂ同士、外層６２ｂ同士と、先に硬化された内層６１ａ、内層６２ａとで、以後、より高温で加熱が行われる際の接合部３１及び接合部３２の半田の流出が効果的に抑制される。また、接合後の接合部３１及び接合部３２からの半田成分の拡散が抑制される。
【００９９】
図１４及び図１５の工程により、接合部３１を覆う絶縁部６１、接合部３２を覆う絶縁部６２を形成する。
図１６及び図１７は第４の実施の形態に係る第４加熱工程の一例の要部断面模式図である。
【０１００】
図１６に示すように、更に高温、例えばフィラー５２ａに含まれる半田の融点以上の温度である２２０℃の加熱２２４を行う。これにより、図１６に示すように、未硬化状態の樹脂５１ａ内において、フィラー５２ａを凝集させ、更に図１７に示すように、フィラー５２ａに含まれる半田を溶融させてフィラー５２ａ同士を接合する。
【０１０１】
フィラー５２ａの凝集、接合は、電子部品１０及び電子部品２０にそれぞれ設けられた、フィラー５２ａの半田に濡れ性を示す凸部１３及び凸部２３にも起こる。これにより、凸部１３から凸部２３に延びるようなフィラー５２ａの凝集体が形成され（図１６）、その半田の溶融によるフィラー５２ａ同士の接合によって（図１７）、電子部品１０から電子部品２０に延びる導体部４０が効果的に形成される。
【０１０２】
尚、フィラー５２ａとして、上記のような温度の加熱２２４で溶融しないコア粒子の表面に、その加熱２２４で溶融する半田を設けたものを用いている場合には、フィラー５２ａが図１６のような状態で凝集、接合した導体部４０が形成される。
【０１０３】
図１８は第４の実施の形態に係る第５加熱工程の一例の要部断面模式図である。
上記のようにして導体部４０の形成まで行った後、図１８に示すように、樹脂５１ａ（図１６、図１７等）が硬化する温度、例えば２５０℃の加熱２２５を行い、その樹脂５１ａを硬化させ、封止材５０を形成する。これにより、電子部品１０と電子部品２０とを接合する隣接した接合部３１及び接合部３２、それらをそれぞれ覆う絶縁部６１及び絶縁部６２、隣接する接合部３１と接合部３２との間に設けられた導体部４０、並びに封止材５０を含む電子装置３が得られる。
【０１０４】
このように電子装置３は、電子部品１０と電子部品２０との間に介在させる封止材５０の材料である樹脂５１ａを硬化させる温度までの加熱（昇温）、即ち上記の加熱２２１〜２２５で、接合部３０、絶縁部６０、導体部４０の形成を行い、得ることができる。温度条件としては、上記のような、加熱２２１の温度＜加熱２２２の温度＜加熱２２３の温度＜加熱２２４の温度＜加熱２２５の温度、といった温度条件を採用することができる。
【０１０５】
尚、最終的に図１８に示すような構成を有する電子装置３が得られれば、加熱２２１〜２２５を行う工程の順序は、必ずしもこの例に限定されない。
次に、第５の実施の形態について説明する。
【０１０６】
ここでは、電子部品１０と電子部品２０との接合方法の別例を、第５の実施の形態として説明する。
図１９〜図２４は第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例の説明図である。図１９〜図２４にはそれぞれ、第５の実施の形態に係る電子部品接合方法の一例における各工程の要部断面を模式的に図示している。以下、各工程について順に説明する。
【０１０７】
図１９は第５の実施の形態に係る電子部品配置工程の一例の要部断面模式図、図２０は第５の実施の形態に係る端子接合工程の一例の要部断面模式図である。
この方法では、まず、図１９に示すような電子部品１０及び電子部品２０を準備する。電子部品１０は、本体部１０ａ上に設けられた端子１１及び端子１２並びに凸部１３を有する。電子部品２０は、本体部２０ａ上に設けられた端子２１及び端子２２並びに凸部２３を有し、更に端子２１及び端子２２の表面にそれぞれ形成された半硬化状態の樹脂の外層６１ｂ及び外層６２ｂを有する。
【０１０８】
準備した電子部品１０を、図１９に示すように、ボンディングステージ２００の上に配置する。そして、準備した電子部品２０を、図１９に示すように、ボンディングヘッド２１０を用い、電子部品１０の上方に、互いの端子１１と端子２１、端子１２と端子２２の位置を合わせて対向させて配置し、電子部品１０側に加圧する（図１９に太矢印で図示）。
【０１０９】
電子部品２０を電子部品１０側に加圧することで、図２０に示すように、半硬化状態の外層６１ｂが間から押し出されて端子１１と端子２１とが接触し、半硬化状態の外層６２ｂが間から押し出されて端子１２と端子２２とが接触する。端子１１と端子２１との間から押し出された外層６１ｂの樹脂は、下方に流動し、下側の端子１１の側面を覆い、端子２１と端子２２との間から押し出された外層６２ｂの樹脂は、下方に流動し、下側の端子２１の側面を覆う（図２０に点線矢印で図示）。
【０１１０】
このような状態で、端子１１と端子２１及び端子１２と端子２２に用いられている半田の融点以上の温度で加熱２３０を行い、端子１１と端子２１との接合部３１、及び端子１２と端子２２との接合部３２を形成する。更に、外層６１ｂ及び外層６２ｂが硬化する温度で加熱２３０を行い、接合部３１を覆う単層の絶縁部６１、接合部３２を覆う単層の絶縁部６２を形成する。接合部３１及び接合部３２を形成する際の加熱温度と、絶縁部６１及び絶縁部６２を形成する際の加熱温度とは、同じでも異なってもよい。
【０１１１】
図２１は第５の実施の形態に係る封止材料供給工程の一例の要部断面模式図である。
接合部３１及び接合部３２並びに絶縁部６１及び絶縁部６２の形成後、図２１に示すように、電子部品１０と電子部品２０との間に、導電性のフィラー５２ａを含有する樹脂５１ａを含む封止材料５０ａを供給する。封止材料５０ａの供給は、ディスペンサ等を用いて行う。例えば、封止材料５０ａは、電子部品１０と電子部品２０との間のギャップに基づき、その粘度、フィラー５２ａの含有量等が調整される。
【０１１２】
図２２は第５の実施の形態に係るフィラー凝集工程の一例の要部断面模式図、図２３は第５の実施の形態に係るフィラー接合工程の一例の要部断面模式図である。
電子部品１０と電子部品２０との間に封止材料５０ａを供給した状態で、図２２に示すように、樹脂５１ａを硬化させない温度で、且つフィラー５２ａに含まれる半田の融点以上の温度で、加熱２３１を行う。これにより、図２２に示すように、未硬化状態の樹脂５１ａ内において、フィラー５２ａを凝集させ、更に図２３に示すように、フィラー５２ａに含まれる半田を溶融させてフィラー５２ａ同士を接合する。
【０１１３】
フィラー５２ａの凝集、接合は、電子部品１０及び電子部品２０の、フィラー５２ａの半田に濡れ性を示す凸部１３及び凸部２３にも起こる。これにより、凸部１３から凸部２３に延びるようなフィラー５２ａの凝集体が形成され（図２２）、その半田の溶融によるフィラー５２ａ同士の接合によって（図２３）、電子部品１０から電子部品２０に延びる導体部４０が効果的に形成される。
【０１１４】
尚、フィラー５２ａとして、上記のような温度の加熱２３１で溶融しないコア粒子の表面に、その加熱２３１で溶融する半田を設けたものを用いている場合には、フィラー５２ａが図２２のような状態で凝集、接合した導体部４０が形成される。
【０１１５】
図２４は第５の実施の形態に係る樹脂硬化工程の一例の要部断面模式図である。
上記のようにして導体部４０の形成まで行った後、図２４に示すように、樹脂５１ａが硬化する温度で加熱２３２を行い、その樹脂５１ａを硬化させ、封止材５０を形成する。これにより、電子部品１０と電子部品２０とを接合する隣接した接合部３１及び接合部３２、それらをそれぞれ覆う絶縁部６１及び絶縁部６２、隣接する接合部３１と接合部３２との間に設けられた導体部４０、並びに封止材５０を含む電子装置３ｂが得られる。
【０１１６】
尚、ここでは本体部１０ａから端子１１及び端子１２が突出する電子部品１０を例にして説明したが、第５の実施の形態で述べたような手法は、本体部１０ａから端子１１及び端子１２が突出しない電子部品１０にも同様に適用可能である。この場合は、電子部品２０を電子部品１０側に加圧する、上記図１９及び図２０に対応する工程において、外層６１ｂ及び外層６２ｂが、本体部１０ａから端子１１及び端子１２の側方（本体部１０ａ上）に流動する。以後は、図２１から図２４の例に従って行うことができる。
【０１１７】
次に、第６の実施の形態について説明する。
ここでは、電子部品１０及び電子部品２０に設ける凸部１３及び凸部２３の構成例について、第６に実施の形態として説明する。
【０１１８】
図２５は第６の実施の形態に係る凸部の第１構成例を示す図、図２６は第６の実施の形態に係る凸部の第２構成例を示す図である。図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）にはそれぞれ、第６の実施の形態に係る第１構成例の凸部を備える電子部品の要部平面を模式的に図示している。図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）にはそれぞれ、第６の実施の形態に係る第２構成例の凸部を備える電子部品の要部平面を模式的に図示している。
【０１１９】
ここでは便宜上、接合前の上記電子部品１０又は電子部品２０に相当するものを電子部品１００として説明する。
図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）並びに図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）に示す電子部品１００は、上記の電子部品１０又は電子部品２０に相当する。図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）並びに図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）に示す端子１１０は、上記の端子１１及び端子１２、又は上記の端子２１及び端子２２に相当する。図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）並びに図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）に示す凸部１３０は、上記の凸部１３又は凸部２３に相当する。
【０１２０】
電子部品１００には、例えば図２５（Ａ）に示すように、縦方向Ｐに配列された端子１１０群の、隣接する端子１１０間、及び、横方向Ｑに配列された端子１１０群の、隣接する端子１１０間に、それぞれ凸部１３０を設けることができる。また、電子部品１００には、例えば図２５（Ｂ）に示すように、斜方向Ｒに配列された端子１１０群の、隣接する端子１１０間に、それぞれ凸部１３０を設けることもできる。このように凸部１３０は、隣接する端子１１０間に点在させることができる。点在させる凸部１３０の平面形状は円形に限らず、楕円形、多角形、頂点が丸みを帯びた略多角形とすることができる。点在させる凸部１３０は、錐状に限らず、柱状、先端が丸みを帯びた略錐状や略柱状とすることもできる。また、隣接する端子１１０間にはそれぞれ、複数個の凸部１３０を点在させてもよい。
【０１２１】
このほか、電子部品１００には、例えば図２６（Ａ）に示すように、隣接する縦方向Ｐの端子１１０群の配列間に、縦方向Ｐに延びるライン状の凸部１３０を設けることができる。電子部品１００には、隣接する横方向Ｑの端子１１０群の配列間に、横方向Ｑに延びるライン状の凸部１３０が設けられてもよい。また、電子部品１００には、例えば図２６（Ｂ）に示すように、縦方向Ｐと横方向Ｑに延びる格子状の凸部１３０を設けることもできる。このように凸部１３０は、隣接する端子１１０間を通るように延在させることができる。延在させる凸部１３０は、電子部品１００の厚み方向（図２６の紙面奥行き方向）の断面形状が三角形となるものに限らず、多角形、頂点が丸みを帯びた略多角形とすることができる。また、隣接する端子１１０間にはそれぞれ、複数列の凸部１３０を延在させてもよい。
【０１２２】
このような凸部１３０を備える電子部品１００同士を接合した場合には、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）並びに図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）等のような端子１１０の位置に接合部３０が形成される。更に、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）並びに図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）等のような凸部１３０の位置に、導体部４０が形成される。
【０１２３】
導体部４０が形成されることで、接合される電子部品１００間の熱伝導性が高められる。凸部１３０の配置によって、接合される電子部品１００間での導体部４０の配置、接合される電子部品１００間のギャップに占める導体部４０の体積等を調整することが可能になる。
【０１２４】
次に、第７の実施の形態について説明する。
以上の説明では、電子部品１００の本体部１００ａから突出する凸部１３０、電子部品１０の本体部１０ａから突出する凸部１３、及び、電子部品２０の本体部２０ａから突出する凸部２３を例示した。このほか、電子部品１００、電子部品１０及び電子部品２０にはそれぞれ、凸部１３０、凸部１３及び凸部２３に替えて、本体部１００ａ、本体部１０ａ及び本体部２０ａの内部に向かって凹む凹部を設けることもできる。このような凹部を設けた電子装置を、第７の実施の形態として説明する。
【０１２５】
図２７は第７の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図２７には、第７の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
図２７に示す電子装置４は、接合部３０で接合された電子部品１０及び電子部品２０、接合部３０を覆う絶縁部６０、電子部品１０から電子部品２０に延びる導体部４０、及び、電子部品１０と電子部品２０との間に設けられた封止材５０を有している。この電子装置４において、電子部品１０及び電子部品２０にはそれぞれ、隣接する接合部３０の間に、凹部１４及び凹部２４が設けられている。導体部４０は、凹部１４から凹部２４に（或いは凹部２４から凹部１４に）延びるように設けられる。
【０１２６】
電子部品１０及び電子部品２０にそれぞれ、このような凹部１４及び凹部２４を設けた場合も、上記図１６等と同様に、接合時に介在させる封止材料５０ａの、半田を用いたフィラー５２ａを、凹部１４から凹部２４の間に凝集させることができる。凹部１４及び凹部２４の内面には、フィラー５２ａの半田が溶融した時に濡れる材料が用いられる。
【０１２７】
このような凹部１４及び凹部２４を設けた電子装置４でも、電子部品１０と電子部品２０との接合時に、それらの間に延びる導体部４０を形成し、熱伝導性の向上を図ることができる。
【０１２８】
以上述べた電子部品１０及び電子部品２０には、前述のように、半導体チップ、半導体チップを備える半導体パッケージ、又は回路基板を用いることができる。半導体チップ、半導体パッケージ、回路基板の構成例について、以下の図２８〜図３１を参照して説明する。
【０１２９】
図２８は半導体チップの構成例を示す図である。尚、図２８には、半導体チップの一例の要部断面を模式的に図示している。
図２８に示す半導体チップ３００は、トランジスタ等の回路素子が設けられた半導体基板３１０と、半導体基板３１０上に設けられた配線層３２０とを有する。
【０１３０】
半導体基板３１０には、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等の基板のほか、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）等の基板が用いられる。このような半導体基板３１０に、トランジスタ、容量、抵抗等の回路素子が設けられる。図２８には回路素子の一例として、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ３３０を図示している。
【０１３１】
ＭＯＳトランジスタ３３０は、半導体基板３１０に設けられた素子分離領域３１０ａにより画定された素子領域に設けられる。ＭＯＳトランジスタ３３０は、半導体基板３１０上にゲート絶縁膜３３１を介して形成されたゲート電極３３２と、ゲート電極３３２の両側の半導体基板３１０内に形成されたソース領域３３３及びドレイン領域３３４とを有する。ゲート電極３３２の側壁には、絶縁膜のスペーサ３３５（サイドウォール）が設けられる。
【０１３２】
このようなＭＯＳトランジスタ３３０等が設けられた半導体基板３１０上に、配線層３２０が設けられる。配線層３２０は、半導体基板３１０に設けられたＭＯＳトランジスタ３３０等に電気的に接続された導体３２１（配線及びビア）と、導体３２１を覆う絶縁体３２２とを有する。図２８には一例として、ＭＯＳトランジスタ３３０のソース領域３３３及びドレイン領域３３４に電気的に接続された導体３２１を図示している。導体３２１には、Ｃｕ等の各種導体材料が用いられる。絶縁体３２２には、酸化シリコン等の無機絶縁材料や、樹脂等の有機絶縁材料が用いられる。
【０１３３】
配線層３２０の導体３２１に電気的に接続されるように、端子３４０（上記の端子１１，１２，２１，２２に相当）が設けられる。
図２９は半導体パッケージの構成例を示す図である。尚、図２９（Ａ）及び図２９（Ｂ）にはそれぞれ、半導体パッケージの一例の要部断面を模式的に図示している。
【０１３４】
図２９（Ａ）に示す半導体パッケージ４００は、パッケージ基板４１０（回路基板）と、パッケージ基板４１０上に搭載された半導体チップ４２０と、半導体チップ４２０を封止する封止材４３０とを有する。
【０１３５】
パッケージ基板４１０には、例えば、プリント基板が用いられる。パッケージ基板４１０は、導体４１１（配線及びビア）と、導体４１１を覆う絶縁体４１２とを有する。導体４１１には、Ｃｕ等の各種導体材料が用いられる。絶縁体４１２には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料をガラス繊維や炭素繊維に含浸した複合樹脂材料等が用いられる。
【０１３６】
このようなパッケージ基板４１０上に、半導体チップ４２０が、樹脂や導電性ペースト等のダイアタッチ材４４０で接着、固定され、ワイヤ４５０でパッケージ基板４１０に電気的に接続（ワイヤボンディング）される。パッケージ基板４１０上の半導体チップ４２０及びワイヤ４５０は、封止材４３０で封止される。封止材４３０には、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料に絶縁性フィラーを含有させた材料等が用いられる。
【０１３７】
パッケージ基板４１０の、半導体チップ４２０の搭載面と反対側に、導体４１１に電気的に接続されるように、端子４６０（上記の端子１１，１２，２１，２２に相当）が設けられる。
【０１３８】
尚、パッケージ基板４１０上には、複数の半導体チップ４２０が搭載されてもよく、また、半導体チップ４２０のほか、チップコンデンサ等の他の電子部品が搭載されてもよい。
【０１３９】
図２９（Ｂ）に示す半導体パッケージ５００は、パッケージ基板５１０（回路基板）と、パッケージ基板５１０上に搭載された半導体チップ５２０と、半導体チップ５２０を覆う封止材５３０とを有する。
【０１４０】
パッケージ基板５１０には、例えば、プリント基板が用いられる。パッケージ基板５１０は、Ｃｕ等の導体５１１（配線及びビア）と、導体５１１を覆う樹脂材料等の絶縁体５１２とを有する。
【０１４１】
このようなパッケージ基板５１０に、半導体チップ５２０が、それに設けられた半田５４０（バンプ）で電気的に接続（フリップチップボンディング）される。パッケージ基板５１０と半導体チップ５２０の間には、封止材５４１が充填される。パッケージ基板５１０上の半導体チップ５２０は、封止材５３０で封止される。封止材５３０には、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料に絶縁性フィラーを含有させた材料等が用いられる。
【０１４２】
パッケージ基板５１０の、半導体チップ５２０の搭載面と反対側に、導体５１１に電気的に接続されるように、端子５５０（上記の端子１１，１２，２１，２２に相当）が設けられる。
【０１４３】
尚、パッケージ基板５１０上には、複数の半導体チップ５２０が搭載されてもよく、また、半導体チップ５２０のほか、チップコンデンサ等の他の電子部品が搭載されてもよい。
【０１４４】
また、半導体パッケージには、次の図３０に示すような所謂擬似ＳｏＣ（System on Chip）を用いることもできる。
図３０は半導体パッケージの構成例を示す図である。尚、図３０には、半導体パッケージの別例の要部断面を模式的に図示している。
【０１４５】
図３０に示す半導体パッケージ６００は、樹脂層６１０と、樹脂層６１０に埋設された複数（ここでは一例として２つ）の半導体チップ６２０と、樹脂層６１０上に設けられた配線層６３０（再配線層）とを有する。
【０１４６】
半導体チップ６２０は、その端子６２０ａの配設面が露出するように樹脂層６１０に埋設される。配線層６３０は、Ｃｕ等の導体６３１（再配線及びビア）と、導体６３１を覆う樹脂材料等の絶縁体６３２とを有する。
【０１４７】
配線層６３０の導体６３１に電気的に接続されるように、端子６４０（上記の端子１１，１２，２１，２２に相当）が設けられる。
尚、樹脂層６１０には、１つ又は３つ以上の半導体チップ６２０が埋設されてもよく、また、半導体チップ６２０のほか、チップコンデンサ等の他の電子部品が埋設されてもよい。
【０１４８】
図３１は回路基板の構成例を示す図である。尚、図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）にはそれぞれ、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
図３１（Ａ）には、回路基板７００として、複数の配線層を含む多層プリント基板を例示している。回路基板７００は、上記図２９（Ａ）に示したパッケージ基板４１０及び上記図２９（Ｂ）に示したパッケージ基板５１０と同様、Ｃｕ等の導体７１１（配線及びビア）と、導体７１１を覆う樹脂材料等の絶縁体７１２とを有する。
【０１４９】
回路基板７００の導体７１１に電気的に接続されるように、端子７２０（上記の端子１１，１２，２１，２２に相当）が設けられる。
図３１（Ｂ）には、回路基板８００として、ビルドアップ工法を用いて形成されるビルドアップ基板を例示している。回路基板８００は、コア基板８１０と、コア基板８１０上に設けられた絶縁層８２０と、絶縁層８２０に設けられた導体８３０と、異なる導体８３０間を接続するビア８４０とを有する。コア基板８１０には、セラミックス材料や有機材料等が用いられる。絶縁層８２０には、プリプレグ等の絶縁材料が用いられる。導体８３０及びビア８４０には、Ｃｕ等の導体材料が用いられる。
【０１５０】
回路基板８００の導体８３０に電気的に接続されるように、端子８５０（上記の端子１１，１２，２１，２２に相当）が設けられる。
例えば、図２８のような半導体チップ３００、図２９及び図３０のような半導体パッケージ４００，５００，６００、図３１のような回路基板７００，８００を、上記電子部品１０及び電子部品２０に用いることが可能である。
【０１５１】
尚、接合する電子部品の組合せとしては、例えば、半導体チップと回路基板の組合せ、半導体パッケージと回路基板の組合せ、半導体チップと半導体パッケージの組合せがある。このほか、接合する電子部品の組合せとしては、半導体チップ同士の組合せ、半導体パッケージ同士の組合せ、回路基板同士の組合せもある。
【０１５２】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  第１電子部品と、
前記第１電子部品に対向する第２電子部品と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接合する、隣接した第１接合部及び第２接合部と、
前記第１接合部と前記第２接合部との間に設けられ、前記第１電子部品から前記第２電子部品に延びる導体部と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を封止する封止材と
を含むことを特徴とする電子装置。
【０１５３】
（付記２）  前記第１接合部を覆う第１絶縁部と、
前記第２接合部を覆う第２絶縁部と
を更に含むことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０１５４】
（付記３）  前記第１絶縁部は、第１内層と、前記第１内層を覆う第１外層とを含み、
前記第２絶縁部は、第２内層と、前記第２内層を覆う第２外層とを含むことを特徴とする付記２に記載の電子装置。
【０１５５】
（付記４）  前記導体部は、前記第１電子部品に設けられた第１凸部から、前記第２電子部品に設けられた第２凸部に延びることを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の電子装置。
【０１５６】
（付記５）  前記導体部には、半田が用いられ、
前記第１凸部及び前記第２凸部には、溶融した前記半田が濡れる材料が用いられることを特徴とする付記４に記載の電子装置。
【０１５７】
（付記６）  前記導体部は、前記第１電子部品に設けられた第１凹部から、前記第２電子部品に設けられた第２凹部に延びることを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の電子装置。
【０１５８】
（付記７）  前記導体部には、半田が用いられ、
前記第１凹部及び前記第２凹部には、溶融した前記半田が濡れる材料が用いられることを特徴とする付記６に記載の電子装置。
【０１５９】
（付記８）  第１電子部品と第２電子部品とを対向させる工程と、
前記第１電子部品の、隣接する第１端子及び第２端子と、前記第２電子部品の、隣接する第３端子及び第４端子とを、それぞれ接合する工程と、
前記第１端子と前記第３端子の第１接合部と、前記第２端子と前記第４端子の第２接合部との間に、前記第１電子部品から前記第２電子部品に延びる導体部を形成する工程と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を封止材で封止する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１６０】
（付記９）  前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させる工程前に、前記第１電子部品の、前記第１端子及び前記第２端子の側に、樹脂と前記樹脂に含有された導電性の粒子群とを含む樹脂組成物を設ける工程を更に含み、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させる工程は、前記樹脂組成物が設けられた前記第１電子部品に、前記第２電子部品を対向させる工程を含み、
前記導体部を形成する工程は、第１温度での加熱により、前記第１接合部と前記第２接合部との間に、前記粒子群を凝集させて前記導体部を形成する工程を含み、
前記封止材で封止する工程は、前記第１温度よりも高い第２温度での加熱により、前記樹脂を硬化させて前記封止材を形成する工程を含むことを特徴とする付記８に記載の電子装置の製造方法。
【０１６１】
（付記１０）  前記第１電子部品は、前記第１端子と前記第２端子との間に設けられた第１凸部を有し、
前記第２電子部品は、前記第３端子と前記第４端子との間に設けられた第２凸部を有し、
前記導体部を形成する工程は、前記第１凸部から前記第２凸部に延びる前記導体部を形成する工程を含むことを特徴とする付記８又は９に記載の電子装置の製造方法。
【０１６２】
（付記１１）  対向させる前記第１電子部品は、前記第１端子を覆う第１絶縁層と、前記第２端子を覆う第２絶縁層とを有し、
対向させる前記第２電子部品は、前記第３端子を覆う第３絶縁層と、前記第４端子を覆う第４絶縁層とを有し、
前記第１端子及び前記第２端子と、前記第３端子及び前記第４端子とを、それぞれ接合する工程は、
前記第２電子部品を前記第１電子部品に向かって押圧し、前記第１端子と前記第３端子との間から前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層を流出させて前記第１端子と前記第３端子とを接触させ、且つ、前記第２端子と前記第４端子との間から前記第２絶縁層及び前記第４絶縁層を流出させて前記第２端子と前記第４端子とを接触させる工程と、
第３温度での加熱により、接触する前記第１端子と前記第３端子とを接合し、且つ、前記第２端子と前記第４端子とを接合する工程と、
所定温度での加熱により、前記第１絶縁層と前記第３絶縁層とを接合し、且つ、前記第２絶縁層と前記第４絶縁層とを接合する工程と
を含むことを特徴とする付記８乃至１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【０１６３】
（付記１２）  前記所定温度は、前記第３温度よりも高いことを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
（付記１３）  前記第１絶縁層は、前記第１端子の側面を覆う第１内層と、前記第１端子の上面と前記第１内層を覆う第１外層とを含み、
前記第２絶縁層は、前記第２端子の側面を覆う第２内層と、前記第２端子の上面と前記第２内層を覆う第２外層とを含み、
前記第３絶縁層は、前記第３端子の側面を覆う第３内層と、前記第３端子の上面と前記第３内層を覆う第３外層とを含み、
前記第４絶縁層は、前記第４端子の側面を覆う第４内層と、前記第４端子の上面と前記第４内層を覆う第４外層とを含み、
前記第１端子と前記第３端子とを接触させ、且つ、前記第２端子と前記第４端子とを接触させる工程は、
前記第１端子と前記第３端子との間から前記第１外層及び前記第３外層を流出させて前記第１端子と前記第３端子とを接触させ、且つ、前記第２端子と前記第４端子との間から前記第２外層及び前記第４外層を流出させて前記第２端子と前記第４端子とを接触させる工程を含み、
前記所定温度での加熱により、前記第１絶縁層と前記第３絶縁層とを接合し、且つ、前記第２絶縁層と前記第４絶縁層とを接合する工程は、
第４温度での加熱により、前記第１内層と前記第３内層とを接合し、且つ、前記第２内層と前記第４内層とを接合する工程と、
第５温度での加熱により、前記第１外層と前記第３外層とを接合し、且つ、前記第２外層と前記第４外層とを接合する工程と
を含むことを特徴とする付記１１又は１２に記載の電子装置の製造方法。
【０１６４】
（付記１４）  前記第１端子及び前記第２端子と、前記第３端子及び前記第４端子とを、それぞれ接合する工程後に、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に、樹脂と前記樹脂に含有された導電性の粒子群とを含む樹脂組成物を設ける工程を更に含み、
前記導体部を形成する工程は、第１温度での加熱により、前記第１接合部と前記第２接合部との間に、前記粒子群を凝集させて前記導体部を形成する工程を含み、
前記封止材で封止する工程は、前記第１温度よりも高い第２温度での加熱により、前記樹脂を硬化させて前記封止材を形成する工程を含むことを特徴とする付記８に記載の電子装置の製造方法。
【０１６５】
（付記１５）  対向させる前記第２電子部品は、前記第３端子を覆う第３絶縁層と、前記第４端子を覆う第４絶縁層とを有し、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させる工程は、
前記第１電子部品を、前記第１端子及び前記第２端子を上方に向けて配置する工程と、
前記第１電子部品の上方に、前記第２電子部品を、前記第３端子及び前記第４端子を前記第１電子部品の側に向けて配置する工程と
を含み、
前記第１端子及び前記第２端子と、前記第３端子及び前記第４端子とを、それぞれ接合する工程は、
前記第２電子部品を前記第１電子部品に向かって押圧し、前記第１端子と前記第３端子との間から前記第３絶縁層を流出させて前記第１端子と前記第３端子とを接触させると共に、流出させた前記第３絶縁層で前記第１端子の側面を覆い、且つ、前記第２端子と前記第４端子との間から前記第４絶縁層を流出させて前記第２端子と前記第４端子とを接触させると共に、流出させた前記第４絶縁層で前記第２端子の側面を覆う工程と、
第３温度での加熱により、接触する前記第１端子と前記第３端子とを接合し、且つ、前記第２端子と前記第４端子とを接合する工程と
を含むことを特徴とする付記１４に記載の電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１６６】
１，１Ａ，１Ｂ，２，３，３ａ，３ｂ，３Ａ，３Ｂ，４  電子装置
１０，２０，１００  電子部品
１０ａ，２０ａ，１００ａ  本体部
１１，１２，２１，２２，１１０，３４０，４６０，５５０，６２０ａ，６４０，７２０，８５０  端子
１３，２３，１３０  凸部
１４，２４  凹部
３０，３１，３１Ａ，３１Ｂ，３２，３２Ａ，３２Ｂ  接合部
４０  導体部
５０，５０Ａ，５０Ｂ，４３０，５３０，５４１  封止材
５０ａ  封止材料
５１ａ，５１Ａ，５１Ｂ  樹脂
５２ａ，５２Ａ，５２Ｂ  フィラー
６０，６１，６２  絶縁部
６１ａ，６２ａ  内層
６１ｂ，６２ｂ  外層
７０  放熱部材
１６０，１７０  絶縁膜
２００  ボンディングステージ
２１０  ボンディングヘッド
２２０，２２１，２２２，２２３，２２４，２２５，２３０，２３１，２３２  加熱
３００，４２０，５２０，６２０  半導体チップ
３１０  半導体基板
３１０ａ  素子分離領域
３２０，６３０  配線層
３２１，４１１，５１１，６３１，７１１，８３０  導体
３２２，４１２，５１２，６３２，７１２  絶縁体
３３０  ＭＯＳトランジスタ
３３１  ゲート絶縁膜
３３２  ゲート電極
３３３  ソース領域
３３４  ドレイン領域
３３５  スペーサ
４００，５００，６００  半導体パッケージ
４１０，５１０  パッケージ基板
４４０  ダイアタッチ材
４５０  ワイヤ
５４０  半田
６１０  樹脂層
７００，８００  回路基板
８１０  コア基板
８２０  絶縁層
８４０  ビア
【図１】
0006520101.tif 000003
【図２】
0006520101.tif 000004
【図３】
0006520101.tif 000005
【図４】
0006520101.tif 000006
【図５】
0006520101.tif 000007
【図６】
0006520101.tif 000008
【図７】
0006520101.tif 000009
【図８】
0006520101.tif 000010
【図９】
0006520101.tif 000011
【図１０】
0006520101.tif 000012
【図１１】
0006520101.tif 000013
【図１２】
0006520101.tif 000014
【図１３】
0006520101.tif 000015
【図１４】
0006520101.tif 000016
【図１５】
0006520101.tif 000017
【図１６】
0006520101.tif 000018
【図１７】
0006520101.tif 000019
【図１８】
0006520101.tif 000020
【図１９】
0006520101.tif 000021
【図２０】
0006520101.tif 000022
【図２１】
0006520101.tif 000023
【図２２】
0006520101.tif 000024
【図２３】
0006520101.tif 000025
【図２４】
0006520101.tif 000026
【図２５】
0006520101.tif 000027
【図２６】
0006520101.tif 000028
【図２７】
0006520101.tif 000029
【図２８】
0006520101.tif 000030
【図２９】
0006520101.tif 000031
【図３０】
0006520101.tif 000032
【図３１】
0006520101.tif 000033