(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクステージに保持されたマスクのパターンを基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持して前記投影光学系の光軸に平行な第１方向と該第１方向と直交する第２方向とに移動可能な基板ステージと、マスク側基準マーク、前記投影光学系、及び前記基板ステージの上に配置された基板側基準マークを透過した光量を計測する計測器と、前記計測器による計測の結果に基づいて前記投影光学系の焦点位置を決定する制御部と、を備えた露光装置であって、
前記基板ステージを前記第１方向に駆動したときに発生する、前記基板側基準マークの上に前記投影光学系により投影された前記マスク側基準マークの像の前記基板側基準マークに対する前記第２方向の位置ずれの量と、前記基板ステージの前記第１方向の移動量と、の関係の情報を取得する取得部をさらに備え、
前記制御部は、前記基板ステージを前記第１方向に駆動すると共に、前記情報を用いて前記基板ステージの前記第１方向の移動量に応じた前記第２方向の位置ずれの量だけ前記基板ステージを前記第２方向にも駆動しながら前記計測器に前記光量を計測させ、該計測の結果に基づいて前記焦点位置を決定することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記取得部は、ユーザーが前記情報を入力する入力部であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記取得部は、前記基板ステージおよび前記計測器を用いて予め求められた前記情報を格納する格納部であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記位置ずれは、前記投影光学系のテレセントリシティおよび前記基板ステージの駆動誤差の少なくとも１つに起因する位置ずれを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記マスクを照明する照明光学系を備え、
前記位置ずれは、前記照明光学系のテレセントリシティに起因する位置ずれをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記情報は、前記位置ずれの量と前記基板ステージの前記第１方向の移動量との関係式で表現されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記位置ずれの量と、前記基板ステージの前記第１方向の移動とは、比例関係にあることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記情報は、前記位置ずれの量のデータと前記基板ステージの前記第１方向の移動量のデータとが関係付けられた表で表現されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記マスク側基準マークは、前記マスクまたは前記マスクステージに配置されることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
複数の前記マスク側基準マークが前記マスクまたは前記マスクステージに配置され、
前記制御部は、前記複数のマスク側基準マークのそれぞれについて前記投影光学系の焦点位置を取得し、該取得された複数の焦点位置に基づいて前記焦点位置を決定することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記制御部は、該取得された複数の焦点位置の平均をとることによって前記焦点位置を決定することを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
マスクステージに保持されたマスクのパターンを基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持して前記投影光学系の光軸に平行な第１方向と該第１方向と直交する第２方向とに移動可能な基板ステージと、マスク側基準マーク、前記投影光学系、及び前記基板ステージの上に配置された基板側基準マークを透過した光量を計測する計測器と、前記計測器による計測の結果に基づいて前記投影光学系の焦点位置を決定する制御部と、を備えた露光装置であって、
前記制御部は、前記基板ステージを前記第１方向に駆動すると共に、前記投影光学系のテレセントリシティに基づいて前記基板ステージの前記第１方向の移動量に応じた前記第２方向の移動量だけ前記基板ステージを前記第２方向にも駆動しながら前記計測器に前記光量を計測させ、該計測の結果に基づいて前記焦点位置を決定することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
マスクステージに保持されたマスクのパターンを基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持して前記投影光学系の光軸に平行な第１方向と該第１方向と直交する第２方向とに移動可能な基板ステージと、マスク側基準マーク、前記投影光学系、及び前記基板ステージの上に配置された基板側基準マークを透過した光量を計測する計測器と、を備えた露光装置により前記基板を露光する露光方法であって、
前記基板ステージを前記第１方向に駆動したときに発生する、前記基板側基準マークの上に前記投影光学系により投影された前記マスク側基準マークの像の前記基板側基準マークに対する第２方向の位置ずれの量と、前記基板ステージの前記第１方向の移動量と、の関係の情報を取得する取得工程と、
前記基板ステージを前記第１方向に駆動すると共に、前記情報を用いて前記基板ステージの前記第１方向の移動量に応じた前記第２方向の位置ずれの量だけ前記基板ステージを前記第２方向にも駆動しながら前記計測器に前記光量を計測させ、該計測の結果に基づいて前記投影光学系の焦点位置を決定する決定工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項１４】
複数の前記マスク側基準マークが前記マスクまたは前記マスクステージに配置され、
前記決定工程は、前記複数のマスク側基準マークのそれぞれについて前記投影光学系の焦点位置を取得し、該取得された複数の焦点位置に基づいて前記焦点位置を決定することを特徴とする請求項１３に記載の露光方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の露光装置を使用して基板を露光する露光工程と、
前記露光工程で露光した基板を現像する現像工程と、
を含み、前記現像工程で現像した基板からデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロデバイス（半導体素子、液晶表示素子等）をフォトリソグラフィ工程で製造する際にマスクのパターンを基板に投影して基板を露光する露光装置が使用されている。マスクのパターンを基板に正確に投影するために、マスクと基板の焦点位置合わせ（フォーカスキャリブレーション）を高精度に行うことが露光装置に要求される。フォーカスキャリブレーションの方式の一つとして、マスクに対する基板の相対位置の計測及びマスクのパターンの焦点位置の計測を、投影光学系を介して行うＴＴＬ（Through The Lens）方式が挙げられる。
【０００３】
図８は、ＴＴＬ方式のフォーカスキャリブレーション機能を持つ従来の露光装置の一例の概略図である。図８に示される従来の露光装置におけるフォーカスキャリブレーションの一例を示す。マスク２又はマスクステージ３上に配置されているマスク側基準マークを照明光学系１で照明するために、主制御部７は、マスクステージ制御部８に指令を出しマスクステージ３を移動させる。主制御部７は、基板ステージ６上の基板側基準マーク９がマスク側基準マークに対応した配置とするように基板ステージ制御部１１に指令を出し基板ステージ６を移動させる。主制御部７は、基板ステージ６をＺ方向に微小駆動させ、処理部１２は、検出光量が最大となるＺ0の座標位置を算出する。このときの検出光量とＺ方向の座標位置との関係を示したものが図９である。検出光量が最大となる位置Ｚ0は、マスク側基準マークと基板側基準マーク９とが共役な位置関係である場合であり、その光量の最大値を探すことで焦点位置を算出する。処理部１２は、算出した焦点位置情報を主制御部７に送信する。主制御部７は、基板ステージ制御部１１に指令を出し、基板ステージ６を焦点位置のずれ分だけＺ方向に駆動することでマスク２のパターンの焦点位置を基板５に合わせることが可能となる。
【０００４】
特許文献１には、基板側基準マークを照明し、投影光学系によりマスク側基準マークの像の反射光を、投影光学系及び基板側基準マークを介して受光してその光量変化を検出することで焦点位置を算出する方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−３４８０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、焦点位置を計測する際に、マスクの計測パターン（マスク側基準マーク）のＸＹ方向の投影位置と基板側基準マーク９のＸＹ方向の位置との間の位置ずれと、投影光学系４の基板側のテレセントリシティの両方が存在するとする。テレセントリシティは、物体の奥行き方向に対する倍率誤差である。その場合には、焦点位置の計測値が騙されるという問題がある。図１０の（ａ）〜（ｃ）は、位置ずれおよびテレセントリシティの双方がない理想的な状態Ａを示す。図１０の（ｄ）〜（ｆ）は、位置ずれおよびテレセントリシティの双方が存在する状態Ｂを示す。図１０の（ａ）、（ｄ）は、マスク側基準マークの焦点位置（Ｚ）と基板側基準マーク９のＺ方向位置が合っている状態（Best Focus状態）を示す。図１０の（ｂ）、（ｅ）は、マスク側基準マークの焦点位置（Ｚ）に対して、基板側基準マーク９のＺ方向位置がプラス方向にずれている状態（＋Defocus状態）を示す。図１０の（ｃ）、（ｆ）は、マスク側基準マークの焦点位置（Ｚ）に対して、基板側基準マーク９のＺ方向位置がマイナス方向にずれている状態（-Defocus状態）を示す。状態Ｂでは、図１０の（ｄ）に示されるように、Best Focus状態における計測用パターンのＸ方向の投影位置が基板側基準マーク９のＸ方向の中心に対してずれている、つまり位置ずれが存在していることを示している。図１１は、図１０の状態Ａ、状態ＢにおけるＺ方向位置とセンサ１０で検出される光量の関係を比較した図である。図１１のＺ１、Ｚ２は、図１０の状態Ａ、状態Ｂでそれぞれ計測される焦点位置の計測値である。図１０の状態Ａと状態Ｂとでは、焦点位置が同じであるにも関わらず、図１１から算出される焦点位置の計測値はそれぞれＺ１、Ｚ２と異なる。すなわち、位置ずれおよびテレセントリシティの双方が存在する状態Ｂでは焦点位置の計測値が騙されることが分かる。位置ずれとテレセントリシティとの少なくともいずれかをゼロにできれば、計測値の騙されは発生しない。しかし、位置ずれとテレセントリシティとの片方でもゼロにすることは現実的に極めて困難である。また、テレセントリシティがゼロでも、基板ステージ６がＺ方向に駆動したときにＸ，Ｙ方向に駆動誤差が存在すれば、焦点位置の計測騙されは同様に発生する。
【０００７】
そこで、本発明は、焦点位置を高精度に計測する露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
その目的を達成するために、本発明の一側面は、マスクステージに保持されたマスクのパターンを基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持して前記投影光学系の光軸に平行な第１方向と該第１方向と直交する第２方向とに移動可能な基板ステージと、マスク側基準マーク、前記投影光学系、及び前記基板ステージの上に配置された基板側基準マークを透過した光量を計測する計測器と、前記計測器の計測結果に基づいて前記投影光学系の焦点位置を決定する制御部と、を備えた露光装置であって、前記基板ステージを前記第１方向に駆動したときに発生する、前記基板側基準マークの上に前記投影光学系により投影された前記マスク側基準マークの像の前記基板側基準マークに対する前記第２方向の位置ずれの量と、前記基板ステージの前記第１方向の移動量と、の関係の情報を取得する取得部をさらに備え、前記制御部は、前記基板ステージを前記第１方向に駆動すると共に、前記情報を用いて前記基板ステージの前記第１方向の移動量に応じた前記第２方向の位置ずれの量だけ前記基板ステージを前記第２方向にも駆動しながら前記計測器に前記光量を計測させ、該計測結果に基づいて前記焦点位置を決定することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、焦点位置を高精度に計測する露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の走査型露光装置を示した図である。
【図２】フォーカスキャリブレーションに用いるマスク側基準マークの例である。
【図３】検出光量からＸ方向の投影位置を算出する例である。
【図４】基板ステージのＺ位置とＸ方向の投影位置からＸ方向のテレセントリシティを算出する例である。
【図５】第１実施形態の焦点位置を決定する際の基板ステージの駆動方法を説明した図である。
【図６】理想的な状態と、第１実施形態の光軸方向の位置と検出光量の関係を比較した図である。
【図７】本発明の一実施形態の露光方法のフローチャートである。
【図８】ＴＴＬ方式のフォーカスキャリブレーション機能を持つ従来の露光装置を示した図である。
【図９】検出光量から焦点位置を決定する例である。
【図１０】理想的な状態と、位置ずれ及びテレセントリシティの両方が存在する状態との焦点位置を求める様子を示す図である。
【図１１】理想的な状態と、位置ずれとテレセントリシティの両方が存在する状態の光軸方向の位置と検出光量の関係を比較した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
〔露光装置〕
図１は、本発明のＴＴＬ方式のフォーカスキャリブレーション機能を持つ走査型の露光装置を示す。まず、走査露光を行う形態について説明する。図１に示すように、照明光学系１から射出された光は、マスクステージ３に保持され、実デバイスパターン（パターン）が描写されているマスク２を透過し、投影光学系４を介して基板５に到達する。マスク２のパターン面と基板５は投影光学系４により共役な位置関係になっている。そのため、マスク２のパターンは、投影光学系４によって基板５上に投影される。基板５は、投影光学系４の光軸に平行な第１方向（Ｚ方向）およびそれと直交する第２方向（Ｘ方向、Ｙ方向）とに移動可能な基板ステージ６に保持されている。マスクステージ３と基板ステージ６が図１のＹ方向に同期して走査されることでマスク２のパターンが基板５に投影されて露光される。
【００１３】
フォーカスキャリブレーションの一例を示す。本実施形態では、従来技術にはない、テレセントリシティの情報を取得する取得部１３と、テレセントリシティの情報から基板ステージ６のＸＹ方向の駆動量を算出する駆動量算出部１４が構成される。取得部１３は、露光装置の内部で計測することにより、または、外部からの入力により、テレセントリシティの情報を取得し得る。すなわち、取得部１３は、基板ステージ６およびセンサ１０を用いて予め求められたテレセントリシティの情報を格納する格納部であってもよい。もしくは、取得部１３は、ユーザーがテレセントリシティの情報を入力する入力部であってもよい。本実施形態では、露光装置内部でテレセントリシティの情報を予め求められて格納し、その格納されたテレセントリシティの情報を利用する形態を以下で説明する。マスク２上に配置されている計測用パターン（マスク側基準マーク）を照明光学系１で照明するために、主制御部７は、マスクステージ制御部８に指令を出し、不図示の干渉計等を用いてマスクステージ３をＸＹ方向に移動させる。計測用パターンは、マスク２ではなくマスクステージ３の上に配置されていてもよい。計測用パターンの例を図２に示す。計測用パターンは、光が透過する所定の線幅とピッチのパターン部と光を遮蔽する周辺部とで構成されている。
【００１４】
主制御部７は、基板ステージ制御部１１に指令を出し、基板ステージ６上の基板側基準マーク９がマスク２上の計測用パターンに対応した配置となるように不図示の干渉計等を用いて基板ステージ６をＸＹ方向に移動させる。基板側基準マーク９は、マスク２上の計測用パターンに対応した透過パターンである。基板側基準マーク９の下にはセンサ（計測器）１０が配置されている。センサ１０は、計測用パターンと基板側基準マーク９との双方を透過した光の光量を計測する。
【００１５】
主制御部７は、基板ステージ制御部１１に指令を出し、基板ステージ６を光軸と垂直な方向（例えばＸ方向）に微小駆動させ、検出光量が最大となる座標位置Ｘ0を処理部１２で算出する。主制御部７、処理部１２、マスクステージ制御部８、基板ステージ制御部１１、駆動量算出部１４は、制御部Ｃを構成している。図３に、基板ステージ６のＸ方向位置と検出光量との関係を示す。検出光量が最大となる位置Ｘ0は、計測用パターンのＸ方向の投影位置となる。主制御部７は、基板ステージ６を所定量だけ光軸方向（Ｚ方向）に駆動させ、同様に計測用パターンのＸ方向の投影位置を算出する。上記の手順を繰り返すことにより、基板ステージ６のＺ方向の移動量に対する計測用パターンの投影像のＸ方向の位置ずれの量（投影位置）の関係を取得することができる。基板ステージ６のＺ方向の移動量と計測用パターンの投影像のＸ方向の位置ずれの量との関係を示したものが図４である。基板ステージ６のＺ方向の移動量をＺs、投影像のＸ方向の位置ずれの量をＸmとすると、Ｘ方向のテレセントリシティＴxは以下の関係式１で表現できる。
Ｘm＝Ｔx×Ｚs・・・（１）
つまり、基板ステージ６のＺ方向の移動量に対する投影像のＸ方向の位置ずれの量の１次成分がＸ方向のテレセントリシティとなる。同様の手法で、Ｙ方向のテレセントリシティＴyも計測できる。本実施形態では、基板ステージ６のＺ方向の移動量と投影像の位置ずれの量との関係を比例関係で表現した。しかし、基板ステージ６のＺ方向の移動量と投影像の位置ずれの量とが単純な比例関係にない場合には、基板ステージ６のＺ方向の移動量と投影像の位置ずれの量との関係を、高次多項式、三角多項式、その他の関数系の関係式で表現しても良い。また、両者のデータを関係付けた表のようなマップ状に記憶しておいて、内挿などの手法によって投影像の位置ずれ計算する方法を採用しても良い。本実施形態のテレセントリシティは、基板ステージ６をＺ方向に駆動したときの、基板ステージ６の駆動誤差に起因したＸＹ方向の位置ずれをも含んでいる。また、本実施形態のテレセントリシティは、投影光学系４のテレセントリシティに加えて照明光学系１のテレセントリシティをも含み得る。さらに、本実施形態では、焦点位置を計測することによってテレセントリシティを計測したが、別の手法でテレセントリシティを計測してもよい。主制御部７から取得部１３に上記のＸ方向、Ｙ方向のテレセントリシティの情報を入力する。
【００１６】
次に、位置ずれとテレセントリシティの両方が存在する状態でフォーカスキャリブレーションを行う形態について説明する。テレセントリシティを計測する形態と同様に、マスクステージ３と基板ステージ６を焦点位置の計測が可能な位置に移動させる。基板ステージ６を光軸方向に微小駆動させ、基板側基準マーク９の下に配置されるセンサ１０で基板側基準マーク９を透過した光量を検出する。本実施形態では、基板ステージ６を光軸方向に微小駆動させると同時に、光軸と垂直な平面（Ｘ，Ｙ平面）内に駆動させて光量を検出する。基板ステージ６を微小駆動させたときのＺ方向の移動量をＺfとする。基板ステージをＺ方向にＺfだけ微小駆動させた際のＸ方向、Ｙ方向のシフト量（位置ずれの量）Ｓx、Ｓyは以下の関係式２、３から算出できる。ここで、Ｔx、Ｔyは、取得部１３に入力したＸ方向、Ｙ方向のテレセントリシティである。
Ｓx＝Ｔx×Ｚf・・・（２）
Ｓy＝Ｔy×Ｚf・・・（３）
図５は、本実施形態で焦点位置を計測する際の基板ステージ６の駆動方法を説明した図である。基板ステージ６の駆動方向は光軸（Ｚ軸）に対して傾いている。図５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１０と同様で、それぞれ（ａ）Best Focus状態、（ｂ）＋Defocus状態、（ｃ）−Defocus状態である。図６は、基板ステージ６のＺ位置とセンサ１０で検出される光量の関係を比較した図である。曲線Ａは、位置ずれとテレセントリシティがない理想状態で光量を検出した場合の基板ステージ６のＺ位置とセンサ１０で検出される光量の関係を示す。曲線Ｃは、位置ずれとテレセントリシティの両方が存在する状態で図５のように基板ステージ６を駆動させて光量を検出した場合（本実施形態）の基板ステージ６のＺ位置とセンサ１０で検出される光量の関係を示す。図６から検出光量が最大となるＺ位置を処理部１２で決定する。検出光量が最大となるＺ位置は、マスク２の計測用パターンと基板側基準マーク９とが共役な位置関係である場合であり、焦点位置である。図６の曲線Ａと曲線Ｃにおける焦点位置の計測値をそれぞれＺ１、Ｚ３とすると、Ｚ１＝Ｚ３である。曲線Ｃでは、曲線Ａとは異なり位置ずれが存在するので、曲線Ｃにおける基板ステージのＺ位置とセンサ１０で検出される光量の関係は、曲線Ａとは同じにはならないが、焦点位置の計測値としては同じになる。そのため、曲線Ｃを用いても、位置ずれとテレセントリシティによる焦点位置の計測値の騙されは発生しない。処理部１２は、決定した焦点位置Ｚ３の情報を主制御部７に送信し、主制御部７は、基板ステージ制御部１１に指令を出し、基板ステージ６を決定された焦点位置とのずれ分だけＺ方向に駆動することで焦点位置の調整を行う。本実施形態によると、位置ずれとテレセントリシティの両方が存在する場合でもセンサの計測結果に基づいて焦点位置を高精度に決定する露光装置を提供することが可能となる。
【００１７】
〔露光方法〕
図７に基づいて本発明の一実施形態の露光方法について説明する。図７は本発明の一実施形態の露光方法のフローチャートである。図７の露光方法では、第１実施形態の図１の露光装置を用いる。まず、主制御部７は、Ｓ１で、Ｘ方向、Ｙ方向のテレセントリシティの情報を取得部１３に入力する。ここで入力するテレセントリシティの情報は、焦点位置を計測する際の照明条件、投影光学系の開口数、計測点等の計測条件毎に入力してもよい。
【００１８】
主制御部７は、Ｓ２で、マスク２をマスクステージ３にロードする。主制御部７は、Ｓ３で、基板５を基板ステージ６にロードする。主制御部７は、Ｓ４で、焦点位置の補正を行うか否かを判断する。焦点位置を補正しない場合はＳ１１へ進み、主制御部７は、露光を行う。マスク２上に配置されている計測用パターンを照明光学系1で照明するために、主制御部７は、Ｓ５で、マスクステージ制御部８に指令を出し、不図示の干渉計等を用いてマスクステージ３を移動させる。また、主制御部７は、基板ステージ制御部１１に指令を出し、基板側基準マーク９がマスク２上の計測用パターンに対応した配置になるように不図示の干渉計等を用いて基板ステージ６をＸＹ方向に移動させる。
【００１９】
Ｓ６で、駆動量算出部１４は、Ｓ１で入力されたテレセントリシティの情報から、基板ステージ６をＺ方向に駆動させたときのＸ方向、Ｙ方向の位置ずれの量を計算する。なお、位置ずれの量に関しては、第１実施形態の関係式２、関係式３と同様に計算する。主制御部７は、Ｓ７で、焦点位置を取得する。基板ステージ６をＺ方向に微小駆動させると同時にＳ６で計算した位置ずれの量だけＸ方向、Ｙ方向にも微小駆動させ、基板側基準マーク９の下に配置されるセンサ１０で基板側基準マーク９を透過した光量を検出する。検出光量が最大となるＺ位置を処理部１２で取得する。
【００２０】
主制御部７は、Ｓ８で、全ての計測点の焦点位置の計測が終了しているか否かを判断する。なお、計測条件が、計測点以外に焦点位置を計測する際の照明条件、投影光学系の開口数を含む場合には、主制御部７は、Ｓ８で、全ての計測条件における焦点位置の計測が終了しているか否かを判断する。計測が終了していない場合はＳ５に戻り、次の計測点の焦点位置を計測する。計測が終了している場合はＳ９に進む。Ｓ９で、処理部１２は、焦点位置を決定する。本実施形態では焦点位置の計測点を複数の点、例えば２点とし、それぞれ計測点Ａ、Ｂとするが、計測点の数は限定されない。計測点Ａ、Ｂの焦点位置をそれぞれＦＡ、ＦＢとすると、処理部１２は、次式４に示されるように、計測点Ａ、Ｂの焦点位置ＦＡ、ＦＢの平均をとることにより焦点位置ＣＦを決定する。
ＣＦ＝（ＦＡ＋ＦＢ)／２・・・（４）
決定される焦点位置ＣＦは、ＦＡ、ＦＢの関数であれば、式４に限定されない。Ｓ１０で、処理部１２は、Ｓ９で決定した焦点位置ＣＦを主制御部７に送信し、主制御部７は、基板ステージ制御部１１に指令を出し、基板ステージ６を焦点位置ＣＦとの差分だけＺ方向に駆動して、焦点位置を調整する。本実施形態では、基板ステージ６を駆動して焦点位置を調整したが、焦点位置の調整方法は限定されない。
【００２１】
Ｓ１１で、主制御部７は、マスクステージ制御部８及び基板ステージ制御部１１に指令を出し、マスクステージ３及び基板ステージ６をＸＹ方向に駆動して露光位置まで移動する。Ｓ１２では、照明光学系１からの光によってマスク２が照明され、マスクステージ３と基板ステージ６がＹ方向に同期して走査することで、マスク２上のパターンが投影光学系４を介して基板５に１ショット分だけ投影され露光される。Ｓ１３で、主制御部７は、全てのショットの露光が終了しているか否かを判断する。露光が終了していない場合はＳ１１に戻り、次のショットを露光する。露光が終了している場合はＳ１４に進み、主制御部７は、基板をアンロードする。Ｓ１４で、主制御部７は、露光が完了した基板５を基板ステージ６からアンロードする。Ｓ１５で、主制御部７は、すべての基板５へのパターン形成が終了したか否かを判断する。終了していれば露光完了であり、終了していなければＳ３からＳ１４を繰り返す。本実施形態によると、位置ずれとテレセントリシティの両方が存在する場合でも、高精度にフォーカスキャリブレーションを行うことが可能となる。
【００２２】
〔デバイス製造方法〕
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２３】
１：照明光学系。２：マスク。３：マスクステージ。４：投影光学系。５：基板。６：基板ステージ。９：基板側基準マーク。１０：センサ（計測器）。１３：取得部。Ｃ：制御部。
【図１】
0006552312.tif 000002
【図２】
0006552312.tif 000003
【図３】
0006552312.tif 000004
【図４】
0006552312.tif 000005
【図５】
0006552312.tif 000006
【図６】
0006552312.tif 000007
【図７】
0006552312.tif 000008
【図８】
0006552312.tif 000009
【図９】
0006552312.tif 000010
【図１０】
0006552312.tif 000011
【図１１】
0006552312.tif 000012