(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅または銅合金からなる基材の表面に形成されたＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金からなる下地層の表面にＳｎを含む最表層が形成されたＳｎめっき材において、最表層が、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層と、このＣｕ−Ｓｎ合金層の最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層と、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下地層側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層とから構成され、Ｓｎ層の平均厚さが０．０１〜０．２０μｍであり、最表面においてＳｎ層が占める面積率が１０〜８０％であり、最表面の凹部間の平均間隔ｂに対する凹部の最大深さａの比（ａ／ｂ）が０．１〜１．５であり、Ｓｎ層を剥離した状態において最表面の算術平均うねりＷａが０．０６μｍ以下であることを特徴とする、Ｓｎめっき材。
【請求項２】
前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層がＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成され、前記凹部が前記最表面において隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のＳｎめっき材。
【請求項３】
前記Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が、互いに離間して配置された複数の層からなることを特徴とする、請求項１または２に記載のＳｎめっき材。
【請求項４】
前記Ｓｎ層の最大厚さが１．５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のＳｎめっき材。
【請求項５】
前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さが０．５〜１．５μｍであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のＳｎめっき材。
【請求項６】
前記下地層の平均厚さが０．０５〜０．５μｍであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載のＳｎめっき材。
【請求項７】
銅または銅合金からなる基材の表面を処理して表面粗さを低減させることにより、基材の表面の算術平均粗さＲａを０．０５〜０．１μｍ、最大高さＲｚを０．４〜１．０μｍ、算術平均うねりＷａを０．０５μｍ以下にした後、基材の表面に厚さ０．０５μｍ以上のＮｉめっき層と厚さ０．０５μｍ以上のＣｕめっき層と厚さ０．２〜０．９μｍのＳｎめっき層をこの順で形成し、その後、熱処理により、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層と、このＣｕ−Ｓｎ合金層の最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層と、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下地層側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層とから構成された最表層を形成し、この最表層のＳｎ層の平均厚さを０．０１〜０．２０μｍ、最表面においてＳｎ層が占める面積率を１０〜８０％、最表面の凹部間の平均間隔ｂに対する凹部の最大深さａの比（ａ／ｂ）を０．１〜１．５にすることを特徴とする、Ｓｎめっき材の製造方法。
【請求項８】
前記Ｃｕめっき層の厚さに対する前記Ｓｎめっき層の厚さの比を１．２〜３．５にし、前記Ｃｕめっき層の厚さと前記Ｎｉめっき層の厚さの和に対する前記Ｓｎめっき層の厚さの比を０．５〜３．０にすることを特徴とする、請求項７に記載のＳｎめっき材の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理が、温度５００〜８００℃の範囲内で２０秒以下保持する熱処理であり、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層と、このＣｕ−Ｓｎ合金層の最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層と、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下地層側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層とから構成された最表層を形成するように、温度と時間を設定して行われることを特徴とする、請求項７または８に記載のＳｎめっき材の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれかに記載のＳｎめっき材を材料として用いたことを特徴とする、電気素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｎめっき材およびその製造方法に関し、特に、挿抜可能な接続端子などの材料として使用されるＳｎめっき材およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、挿抜可能な接続端子の材料として、銅や銅合金などの導体素材の最外層にＳｎめっきを施したＳｎめっき材が使用されている。特に、Ｓｎめっき材は、接触抵抗が小さく、接触信頼性、耐食性、はんだ付け性、経済性などの観点から、自動車、携帯電話、パソコンなどの情報通信機器、ロボットなどの産業機器の制御基板、コネクタ、リードフレーム、リレー、スイッチなどの端子やバスバーの材料として使用されている。
【０００３】
このようなＳｎめっき材として、銅または銅合金の表面上に、ＮｉまたはＮｉ合金層が形成され、最表面側にＳｎまたはＳｎ合金層が形成され、ＮｉまたはＮｉ合金層とＳｎまたはＳｎ合金層の間にＣｕとＳｎを主成分とする中間層またはＣｕとＮｉとＳｎを主成分とする中間層が１層以上形成され、これらの中間層のうち少なくとも１つの中間層が、Ｃｕ含有量が５０重量％以下であり且つＮｉ含有量が２０重量％以下である層を含む、めっきを施した銅または銅合金が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、Ｃｕ板条からなる母材の表面に、Ｃｕ含有量が２０〜７０ａｔ％で平均の厚さが０．２〜３．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と平均の厚さが０．２〜５．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成され、その表面がリフロー処理され、少なくとも一方向における算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以上で全ての方向における算術平均粗さＲａが３．０μｍ以下であり、Ｓｎ被覆層の表面にＣｕ−Ｓｎ合金被覆層の一部が露出して形成され、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の材料表面露出面積率が３〜７５％である、接続部品用導電材料が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９３１８７号公報（段落番号００１６）
【特許文献２】特開２００６−１８３０６８号公報（段落番号００１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１のＳｎめっき材は、はんだ付け性、耐ウィスカ性および耐熱信頼性や、成形加工性が良好であるが、このＳｎめっき材を挿抜可能な接続端子などの材料として使用すると、接続端子の挿入時に挿入力が高くなるという問題がある。また、特許文献２のＳｎめっき材では、挿抜可能な接続端子などの材料として使用した際の挿入力を低くするために、基材の表面を粗面化した後にめっきを施すので、製造コストが高くなる。
【０００７】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、挿抜可能な接続端子などの電気素子の材料として使用した際の挿入力が低いＳｎめっき材およびそのＳｎめっき材を低コストで製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、銅または銅合金からなる基材の表面に形成されたＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金からなる下地層の表面にＳｎを含む最表層が形成されたＳｎめっき材において、最表層を、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層と、このＣｕ−Ｓｎ合金層の最表面の凹部内に形成されたＳｎからなる平均厚さ０．０１〜０．２０μｍのＳｎ層と、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下地層側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層とから構成することにより、挿抜可能な接続端子などの電気素子の材料として使用した際の挿入力が低いＳｎめっき材を低コストで製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明によるＳｎめっき材は、銅または銅合金からなる基材の表面に形成されたＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金からなる下地層の表面にＳｎを含む最表層が形成されたＳｎめっき材において、最表層が、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層と、このＣｕ−Ｓｎ合金層の最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層と、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下地層側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層とから構成され、Ｓｎ層の平均厚さが０．０１〜０．２０μｍであることを特徴とする。
【００１０】
このＳｎめっき材において、Ｃｕ−Ｓｎ合金層がＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成され、凹部が最表面において隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間に形成されているのが好ましく、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が、互いに離間して配置された複数の層からなるのが好ましい。Ｓｎめっき材の最表面においてＳｎ層が占める面積率は、１０〜８０％であるのが好ましい。Ｓｎ層の最大厚さは、１．５μｍ以下であるのが好ましく、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは、０．５〜１．５μｍであるのが好ましく、下地層の平均厚さは、０．０５〜０．５μｍであるのが好ましい。また、Ｓｎ層を剥離した状態において最表面の算術平均うねりＷａが０．０６μｍ以下であるのが好ましい。
【００１１】
本発明によるＳｎめっき材の製造方法は、銅または銅合金からなる基材の表面を処理した後、基材の表面に厚さ０．０５μｍ以上のＮｉめっき層と厚さ０．０５μｍ以上のＣｕめっき層と厚さ０．２〜０．９μｍのＳｎめっき層をこの順で形成し、その後、熱処理により、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層と、このＣｕ−Ｓｎ合金層の最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層と、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下地層側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層とから構成された最表層を形成することを特徴とする。
【００１２】
このＳｎめっき材の製造方法において、基材の表面の処理により、基材の表面の算術平均粗さＲａを０．０５〜０．１μｍ、最大高さＲｚを０．４〜１．０μｍ、算術平均うねりＷａを０．０５μｍ以下にするのが好ましい。また、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比を１．２〜３．５にし、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比を０．５〜３．０にするのが好ましい。さらに、熱処理が、温度５００〜８００℃の範囲内で２０秒以下保持する熱処理であり、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層と、このＣｕ−Ｓｎ合金層の最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層と、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下地層側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層とから構成された最表層を形成するように、温度と時間を設定して行われるのが好ましい。
【００１３】
また、本発明による電気素子は、上記のＳｎめっき材を材料として用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、挿抜可能な接続端子などの電気素子の材料として使用した際の挿入力が低いＳｎめっき材を低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明によるＳｎめっき材の実施の形態を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＳｎめっき材を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明によるＳｎめっき材の実施の形態は、図１および図２に示すように、銅または銅合金からなる基材１０の表面に形成されたＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金からなる下地層１２の表面にＳｎを含む最表層１４が形成されたＳｎめっき材において、最表層１４が、多数のＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒からなるＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａと、このＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａの最表面において隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間の凹部に形成されたＳｎからなるＳｎ層１４ｂと、Ｃｕ−Ｓｎ合金層１４ａ内の下地層１２側に互いに離間して配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層１４ｃとから構成されている。また、下地層１２と最表層１４との間に、中間層としてＣｕからなる層が存在しないのが好ましい。
【００１７】
このＳｎめっき材において、Ｃｕ−Ｓｎ合金は、Ｓｎ濃度が２０〜５０原子％で残部がＣｕからなるのが好ましく、Ｃｕ６Ｓｎ５やＣｕ３Ｓｎを含んでもよい。また、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金は、Ｓｎ濃度が２０〜３０原子％で残部がＣｕとＮｉからなるのが好ましく、Ｎｉ濃度が５〜２５原子％であるのがさらに好ましく、Ｃｕ３Ｓｎの一部のＣｕがＮｉに置換された（Ｃｕ，Ｎｉ）３Ｓｎを含んでもよい。
【００１８】
Ｓｎ層１４ｂは、Ｓｎ濃度が９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上の層であり、１０原子％以下、好ましくは５原子％以下のＣｕを含んでもよい。Ｓｎ層１４ｂの平均厚さは、０．０１〜０．２０μｍであり、０．０２〜０．１５μｍであるのが好ましく、０．０３〜０．１０μｍであるのがさらに好ましい。Ｓｎ層１４ｂの最大厚さは、１．５μｍ以下であるのが好ましく、０．０５〜１．２μｍであるのがさらに好ましい。Ｓｎめっき材の最表面においてＳｎ層１４ｂが占める面積率は、１０〜８０％であるのが好ましく、１０〜６０％であるのがさらに好ましい。
【００１９】
Ｃｕ−Ｓｎ合金層の１４ａの平均厚さは、０．５〜１．５μｍであるのが好ましく、０．７〜１．３μｍであるのがさらに好ましい。
【００２０】
下地層１２の平均厚さは、０．０５〜０．５μｍであるのが好ましく、０．０５〜０．３μｍであるのがさらに好ましい。
【００２１】
Ｓｎめっき材の（圧延方向に垂直な断面上の）最表面の凹部間（隣接するＳｎ層１４ｂ間）の平均間隔（断面上の各々のＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａの最表面に沿った長さの平均値）は、０．１〜３．０μｍであるのが好ましく、１．０〜２．５μｍであるのがさらに好ましい。最表面の凹部間の平均間隔（ｂ）に対する凹部の最大深さ（Ｓｎ層１４ｂの最大厚さ）（ａ）の比（ａ／ｂ）は、０．１〜１．５であるのが好ましく、０．２〜１．０であるのがさらに好ましい。また、Ｓｎ層１４を剥離した状態においてＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａの最表面の算術平均うねりＷａが０．０６μｍ以下であるのが好ましく、０．００５〜０．０５μｍであるのがさらに好ましい。Ｓｎ層１４が剥離した状態のＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａの最表面の算術平均うねりＷａが小さいほど、Ｓｎめっき材を挿抜可能な接続端子などの電気素子の材料として使用した際の摺動による抵抗を小さくすることにより挿入力を小さくすることができると考えられる。
【００２２】
本発明によるＳｎめっき材の製造方法の実施の形態では、銅または銅合金からなる基材の表面を処理した後、基材の表面に厚さ０．０５μｍ以上のＮｉめっき層と厚さ０．０５μｍ以上のＣｕめっき層と厚さ０．２〜０．９μｍのＳｎめっき層をこの順で形成し、その後、熱処理により、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａと、このＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａの最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層１４ｂと、Ｃｕ−Ｓｎ合金層１４ａ内の下地層１２側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層１４ｃとから構成された最表層１４を形成する。
【００２３】
このＳｎめっき材の製造方法において、基材の表面の処理により、基材の表面の算術平均粗さＲａを０．０５〜０．１μｍ、最大高さＲｚを０．４〜１．０μｍ、算術平均うねりＷａを０．０５μｍ以下にするのが好ましい。このように基材の表面粗さを（所望の値に）低減して表面の凹凸を小さくするために基材の表面を処理する方法として、電解研磨などの化学研磨、研磨などにより表面粗さを低減したワークロールを使用して基材を圧延、バフやブラストなどの機械研磨などの方法を利用することができる。
【００２４】
また、Ｎｉめっき層の厚さは、０．０５μｍ以上であり、０．０７〜０．３μｍにするのが好ましく、０．０７〜０．２μｍにするのがさらに好ましく、０．０７〜０．１５μｍにするのが最も好ましい。Ｃｕめっき層の厚さは、０．０５μｍ以上であり、０．２〜０．５μｍにするのが好ましく、０．２〜０．４μｍにするのがさらに好ましい。Ｓｎめっき層の厚さは、０．２〜０．９μｍであり、０．２５〜０．８μｍにするのが好ましく、０．３〜０．８μｍにするのがさらに好ましい。また、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比（Ｓｎ厚／Ｃｕ厚）を１．２〜３．５（好ましくは１．３〜２．０）にし、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比（Ｓｎ厚／（Ｃｕ厚＋Ｎｉ厚））を０．５〜３．０（好ましくは０．７〜２．０）にするのが好ましい。
【００２５】
また、熱処理は、大気雰囲気中において温度５００〜８００℃の範囲内で２０秒以下保持する熱処理であるのが好ましく、Ｃｕ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａと、このＣｕ−Ｓｎ合金層１４ａの最表面の凹部内に形成されたＳｎからなるＳｎ層１４ｂと、Ｃｕ−Ｓｎ合金層１４ａ内の下地層１２側に配置されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層１４ｃとから構成された最表層１４を形成するように、温度と時間を設定して行われるのが好ましい。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明によるＳｎめっき材およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。
【００２７】
［実施例１］
まず、厚さ０．２ｍｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金からなる平板状の導体基材（１．０質量％のＮｉと０．９質量％のＳｎと０．０５質量％のＰを含み、残部がＣｕである銅合金の基材）を用意し、この基材の表面を圧延ロール（表面を研磨して表面の算術平均粗さＲａを小さくした圧延ロール）により圧延処理して表面粗さを低減させた。このように表面を処理した後の基材の表面粗さについて、接触式表面粗さ測定器（株式会社小坂研究所製のサーフコーダＳＥ４０００）による圧延面の圧延方向に垂直な方向の測定結果から、ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１年）に基づいて表面粗さを表すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｚと算術平均うねりＷａを算出した。その結果、算術平均粗さＲａは０．０６μｍ、最大高さＲｚは０．５μｍ、算術平均うねりＷａは０．０３μｍであった。
【００２８】
次に、前処理として、表面処理後の基材（被めっき材）をアルカリ電解脱脂液により１０秒間電解脱脂を行った後に水洗し、その後、５質量％の硫酸に１０秒間浸漬して酸洗した後に水洗した。
【００２９】
次に、８０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケルと４５ｇ／Ｌのホウ酸を含むＮｉめっき液中において、表面処理後の基材（被めっき材）を陰極とし、Ｎｉ電極板を陽極として、電流密度８Ａ／ｄｍ２、液温５０℃で５秒間電気めっきを行うことにより、基材上に厚さ０．０８μｍのＮｉめっき層を形成した。
【００３０】
次に、１１０ｇ／Ｌの硫酸銅と１００ｇ／Ｌの硫酸を含むＣｕめっき液中において、Ｎｉめっき済の被めっき材を陰極とし、Ｃｕ電極板を陽極として、電流密度８Ａ／ｄｍ２、液温２０℃で１５秒間電気めっきを行うことにより、基材上に厚さ０．２８μｍのＣｕめっき層を形成した。
【００３１】
次に、６０ｇ／Ｌの硫酸第一錫と７５ｇ／Ｌの硫酸と３０ｇ／Ｌのクレゾールスルホン酸と１ｇ／Ｌのβナフトールを含むＳｎめっき液中において、Ｃｕめっき済の被めっき材を陰極とし、Ｓｎ電極板を陽極として、電流密度７Ａ／ｄｍ２、液温２０℃で１０秒間電気めっきを行うことにより、基材上に厚さ０．４５μｍのＳｎめっき層を形成した。
【００３２】
このＳｎめっき済の被めっき材では、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比は１．６であり、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比は１．３である。
【００３３】
次に、Ｓｎめっき済の被めっき材を洗浄して乾燥した後、光輝焼鈍炉（光洋リンドバーグ株式会社製）に入れ、大気雰囲気中において炉内温度７００℃で５秒間保持する熱処理を行った。
【００３４】
このようにして作製したＳｎめっき材を集束イオンビーム（ＦＩＢ）により切断して、Ｓｎめっき材の圧延方向に垂直な断面を露出させ、その断面をオージェ電子分光法（ＡＥＳ）により分析した。その結果、Ｓｎめっき材の最表面に形成された最表層の構成は、ＳｎとＣｕ−Ｓｎ合金とＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金とからなり、Ｃｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層の表面（の隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間）に凹部が形成され、この凹部内にＳｎからなるＳｎ層が形成されて、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層が存在するとともに、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が離間して存在していることが確認された。なお、Ｓｎを溶解することができる電解液（株式会社中央製作所製のＳ−１１０）などの薬液により、Ｓｎめっき材の最表層のＳｎ層を溶解させて、Ｃｕ−Ｓｎ合金層がＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成されていることを確認した。また、ＥＰＭＡにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の表面の隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間に形成された凹部内にＳｎからなるＳｎ層が形成されていることを確認した。
【００３５】
また、これらの層の厚さを電解液（株式会社中央製作所製のＳ−１１０）を使用して電解式膜厚計（株式会社中央製作所製のＴｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｔｅｓｔｅｒ  ＴＨ−１１）により測定したところ、Ｓｎ層の平均厚さは０．０４μｍであり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは０．８７μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａを算出したところ、０．０５μｍであった。なお、上記の電解液を使用すると、約０．２ＶでＳｎ層が溶解し、０．４〜０．６ＶでＣｕ−Ｓｎ合金層が溶解するので、Ｓｎ層とＣｕ−Ｓｎ合金層のそれぞれの厚さを測定することができる。
【００３６】
また、Ｓｎめっき材の最表層をＡｒイオンでエッチングしてＡＥＳにより元素分析したところ、Ｓｎめっき材の基材の表面に形成された下地層はＣｕ−Ｎｉ合金からなる層であり、Ｓｎめっき材の最表層と下地層の間の中間層の存在をＡＥＳにより分析したところ、中間層としてＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に最表層が形成されていた。また、最表層と中間層を薬液で除去して、下地層の平均厚さを蛍光Ｘ線膜厚計（セイコーインスツル株式会社製のＳＦＴ３３００）により（下地層をＮｉからなる層として）測定したところ、０．０６μｍであった。
【００３７】
また、Ｓｎめっき材の最表面にＡｕを約２００ｎｍの厚さに蒸着させ、集束イオンビーム（ＦＩＢ）により切断して、Ｓｎめっき材の圧延方向に垂直な断面を露出させ、その断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりＳｎめっき材の表面に平行な長さＬ（＝２０μｍ）の視野において５０００倍で１０点観察し、それぞれ観察領域においてＣｕ−Ｓｎ合金層がＡｕ蒸着層と接触する長さの合計（Ｌｍ）をその領域全体の長さＬ（＝２０μｍ）から差し引いてその領域全体の長さＬで除した値（その観察領域においてＳｎ層がＡｕ蒸着層と接触する長さの比率＝（Ｌ−Ｌｍ）／Ｌ）を得た後、１０点の観察領域におけるその値が最大値および最小値となる値を除いた８点の観察領域におけるその値の平均値に１００を乗じた値をＳｎの面積率（最表面においてＳｎ層が占める面積）として算出したところ、Ｓｎの面積率は２０．８％であった。
【００３８】
また、Ｓｎめっき材を集束イオンビーム（ＦＩＢ）により切断して、Ｓｎめっき材の圧延方向に垂直な断面を露出させ、その断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりＳｎめっき材の表面に平行な長さ約３０μｍの視野において５０００倍で３点観察し、最表面の凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ（純Ｓｎの存在深さ））（図２においてＤで示す深さ）を求めたところ、凹部の最大深さは０．３８μｍであり、最表面に形成された凹部の個数から（Ｓｎめっき材の圧延方向に垂直な断面上の）最表面の凹部間（隣接するＳｎ層間）の平均間隔（図２においてＬで示すＳｎ層の間隔の平均値）を算出したところ、１．３５μｍであった。なお、最表面の凹部間の平均間隔（ｂ）に対する凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）（ａ）の比（ａ／ｂ）を算出すると０．２８になる。
【００３９】
また、得られたＳｎめっき材から切り出した平板状の試験片を卓上プレス機によりインデント加工（Ｒ＝１．５ｍｍ）して雌端子とし、厚さ０．２ｍｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金からなる平板状の導体基材（１．０質量％のＮｉと０．９質量％のＳｎと０．０５質量％のＰを含み、残部がＣｕであり、算術平均粗さＲａ０．１５μｍ、最大高さＲｚ１．６５μｍ、算術平均うねりＷａ０．０８μｍの銅合金の基材）に厚さ３．０μｍのＳｎめっき層を形成した後に６５０℃で４．３秒間保持する熱処理（リフロー処理）したＳｎめっき材（最表層が厚さ０．６７μｍのＳｎ層からなり、最表面においてＳｎ層が占める面積率が１００％であり、最表層と基材の間に厚さ１．１５μｍのＣｕ−Ｓｎ合金層が形成されたＳｎめっき材）から切り出した平板状の試験片を雄端子とし、横型荷重測定器（株式会社山崎精機研究所製の電気接点シミュレータと、ステージコントローラと、ロードセルと、ロードセルアンプとを組み合わせた装置）の水平台上に固定した平板上の雄端子にインデント加工した雌端子を接触させた後、それぞれ荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎで雌端子を雄端子の表面に押し付けながら、雌端子を摺動速度８０ｍｍ／分で水平方向に摺動距離１０ｍｍ引っ張り、１ｍｍから４ｍｍまでの間（測定距離３ｍｍ）に水平方向にかかる力を測定してその平均値Ｆを算出し、試験片同士間の動摩擦係数（μ）をμ＝Ｆ／Ｎから算出した。その結果、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．３３、０．２６および０．１８であった。
【００４０】
［実施例２］
Ｎｉめっき層の厚さを０．０９μｍ、Ｃｕめっき層の厚さを０．３１μｍ、Ｓｎめっき層の厚さを０．５７μｍにした以外は、実施例１と同様の方法により、Ｓｎめっき材を作製した。なお、このＳｎめっき済の被めっき材（熱処理前のＳｎめっき材）では、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比は１．８であり、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比は１．４である。
【００４１】
このようにして作製したＳｎめっき材について、実施例１と同様の方法により、めっき層を分析し、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）を算出し、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）を求めるとともに、凹部間の平均間隔、摩擦係数を算出した。
【００４２】
その結果、最表層の構成は、ＳｎとＣｕ−Ｓｎ合金とＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金とからなり、Ｃｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層の表面（の隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間）に凹部が形成され、この凹部内にＳｎからなるＳｎ層が形成されて、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層が存在するとともに、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が離間して存在していることが確認された。Ｓｎ層の平均厚さは０．０７μｍであり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは０．８５μｍであった。また、下地層はＮｉからなり、中間層としてＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に最表層が形成されていた。また、下地層の平均厚さは０．０７μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａは０．０５μｍであった。
【００４３】
また、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）は１８．０％、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）は０．５１μｍ、最表面の凹部間の平均間隔は２．１０μｍであった。なお、最表面の凹部間の平均間隔（ｂ）に対する凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）（ａ）の比（ａ／ｂ）を算出すると０．２４になる。
【００４４】
また、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．２８、０．２２および０．１５であった。
【００４５】
［実施例３］
Ｎｉめっき層の厚さを０．０９μｍ、Ｃｕめっき層の厚さを０．４５μｍ、Ｓｎめっき層の厚さを０．７０μｍにし、熱処理の保持時間を４．７秒間とした以外は、実施例１と同様の方法により、Ｓｎめっき材を作製した。なお、このＳｎめっき済の被めっき材（熱処理前のＳｎめっき材）では、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比は１．６であり、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比は１．３である。
【００４６】
このようにして作製したＳｎめっき材について、実施例１と同様の方法により、めっき層を分析し、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）を算出し、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）を求めるとともに、凹部間の平均間隔、摩擦係数を算出した。
【００４７】
その結果、最表層の構成は、ＳｎとＣｕ−Ｓｎ合金とＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金とからなり、Ｃｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層の表面（の隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間）に凹部が形成され、この凹部内にＳｎからなるＳｎ層が形成されて、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層が存在するとともに、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が離間して存在していることが確認された。Ｓｎ層の平均厚さは０．０７μｍであり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは１．２６μｍであった。また、下地層はＮｉからなり、中間層としてＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に最表層が形成されていた。また、下地層の平均厚さは０．０５μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａは０．０３μｍであった。
【００４８】
また、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）は４２．９％、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）は１．００μｍ、最表面の凹部間の平均間隔は１．３３μｍであった。なお、最表面の凹部間の平均間隔（ｂ）に対する凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）（ａ）の比（ａ／ｂ）を算出すると０．７５になる。
【００４９】
また、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．３３、０．２５および０．１８であった。
【００５０】
また、本実施例のＳｎめっき材の（圧延方向に垂直な）断面をオージェ電子分光分析装置（ＦＥ−ＡＥＳ）により観察したところ、その走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）像のコントラストから、Ｃｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層とＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層を明確に区別することができた。また、これらの層にそれぞれ集束電子線を照射（Ｃｕ−Ｓｎ合金層とＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層では２か所に照射）して組成分析したところ、Ｓｎ層は、９５．９２原子％のＳｎと４．０８原子％のＣｕからなる層であった。また、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の一方の照射部分は、３９．４４原子％のＳｎと６０．５６原子％のＣｕからなる部分であり、他方の照射部分は、２７．０１原子％のＳｎと７２．９９原子％のＣｕからなる部分であった。また、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層の一方の照射部分は、２７．１７原子％のＳｎと６６．５３原子％のＣｕと６．３０原子％のＮｉからなる部分であり、他方の照射部分は、２６．２３原子％のＳｎと５２．３１原子％のＣｕと２１．４５原子％のＮｉからなる部分であった。
【００５１】
［実施例４］
表面を処理した後の基材の算術平均粗さＲａを０．０７μｍ、最大高さＲｚを０．５３μｍ、算術平均うねりＷａを０．０４μｍにし、Ｎｉめっき層の厚さを０．１１μｍ、Ｃｕめっき層の厚さを０．２９μｍ、Ｓｎめっき層の厚さを０．３８μｍにし、熱処理の保持時間を６．８秒間とした以外は、実施例１と同様の方法により、Ｓｎめっき材を作製した。なお、このＳｎめっき済の被めっき材（熱処理前のＳｎめっき材）では、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比は１．３であり、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比は１．０である。
【００５２】
このようにして作製したＳｎめっき材について、実施例１と同様の方法により、めっき層を分析し、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）を算出し、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）を求めるとともに、凹部間の平均間隔、摩擦係数を算出した。
【００５３】
その結果、最表層の構成は、ＳｎとＣｕ−Ｓｎ合金とＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金とからなり、Ｃｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層の表面（の隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間）に凹部が形成され、この凹部内にＳｎからなるＳｎ層が形成されて、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層が存在するとともに、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が離間して存在していることが確認された。Ｓｎ層の平均厚さは０．０４μｍであり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは０．７５μｍであった。また、下地層はＮｉからなり、中間層としてＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に最表層が形成されていた。また、下地層の平均厚さは０．０７μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａは０．０５μｍであった。
【００５４】
また、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）は１６．３％、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）は０．５２μｍ、最表面の凹部間の平均間隔は２．３８μｍであった。なお、最表面の凹部間の平均間隔（ｂ）に対する凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）（ａ）の比（ａ／ｂ）を算出すると０．２２になる。
【００５５】
また、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．１７、０．１３および０．１０であった。
【００５６】
［比較例１］
表面を処理した後の基材の算術平均粗さＲａを０．１５μｍ、最大高さＲｚを１．６５μｍ、  算術平均うねりＷａを０．０８μｍにし、ＮｉめっきとＣｕめっきを行わず、Ｓｎめっき層の厚さを１．０μｍにし、熱処理の温度を６５０℃として保持時間を４．３秒間とした以外は、実施例１と同様の方法により、Ｓｎめっき材を作製した。
【００５７】
このようにして作製したＳｎめっき材について、実施例１と同様の方法により、めっき層を分析し、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）を算出し、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）を求めるとともに、凹部間の平均間隔、摩擦係数を算出した。
【００５８】
その結果、最表層の構成は、Ｓｎからなり、Ｓｎ層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が存在していないことが確認された。Ｓｎ層の平均厚さは０．６７μｍであった。また、下地層はＣｕ−Ｓｎ合金からなり、下地層と最表層の間の中間層としてＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に最表層が形成されていた。また、下地層の平均厚さは１．１５μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａは０．１３μｍであった。
【００５９】
また、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）は１００％であり、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．４４、０．３５および０．２３であった。
【００６０】
［比較例２］
Ｎｉめっき層の厚さを０．０９μｍ、Ｃｕめっき層の厚さを０．４９μｍ、Ｓｎめっき層の厚さを０．９５μｍにし、熱処理の保持時間を４．７秒間とした以外は、実施例１と同様の方法により、Ｓｎめっき材を作製した。なお、このＳｎめっき済の被めっき材（熱処理前のＳｎめっき材）では、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比は１．９であり、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比は１．６である。
【００６１】
このようにして作製したＳｎめっき材について、実施例１と同様の方法により、めっき層を分析し、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）を算出し、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）を求めるとともに、凹部間の平均間隔、摩擦係数を算出した。
【００６２】
その結果、最表層の構成は、ＳｎとＣｕ−Ｓｎ合金とＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金とからなり、Ｃｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層の表面（の隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間）に凹部が形成され、この凹部内にＳｎからなるＳｎ層が形成されて、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層が存在するとともに、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が離間して存在していることが確認された。Ｓｎ層の平均厚さは０．２３μｍであり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは１．２７μｍであった。また、下地層はＮｉからなり、中間層としてＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に最表層が形成されていた。また、下地層の平均厚さは０．０６μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａは０．０３μｍであった。
【００６３】
また、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）は７３．８％、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）は３．１５μｍ、最表面の凹部間の平均間隔は１．３４μｍであった。なお、最表面の凹部間の平均間隔（ｂ）に対する凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）（ａ）の比（ａ／ｂ）を算出すると２．３５になる。
【００６４】
また、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．４３、０．３０および０．２０であった。
【００６５】
［比較例３］
表面を処理した後の基材の算術平均粗さＲａを０．０９μｍ、最大高さＲｚを０．６６μｍ、  算術平均うねりＷａを０．０８μｍにし、Ｎｉめっき層の厚さを０．３０μｍ、Ｃｕめっき層の厚さを０．３０μｍ、Ｓｎめっき層の厚さを０．７０μｍにし、熱処理の温度を６５０℃として保持時間を４．０秒間とした以外は、実施例１と同様の方法により、Ｓｎめっき材を作製した。なお、このＳｎめっき済の被めっき材（熱処理前のＳｎめっき材）では、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比は２．３であり、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比は１．２である。
【００６６】
このようにして作製したＳｎめっき材について、実施例１と同様の方法により、めっき層を分析し、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）を算出し、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）を求めるとともに、凹部間の平均間隔、摩擦係数を算出した。
【００６７】
その結果、最表層の構成は、Ｓｎからなり、Ｓｎ層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｓｎ合金層が中間層として存在していることが確認された。Ｓｎ層の平均厚さは０．３４μｍであり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは０．７７μｍであった。また、下地層はＮｉからなり、下地層と中間層の間にＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に中間層を介して最表層が形成されていた。また、下地層の平均厚さは０．３０μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａは０．０８μｍであった。
【００６８】
また、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）は１００％であり、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．４２、０．３２および０．２２であった。
【００６９】
［比較例４］
表面を処理した後の基材の算術平均粗さＲａを０．１３μｍ、最大高さＲｚを０．８６μｍ、算術平均うねりＷａを０．０８μｍにし、Ｎｉめっき層の厚さを０．０９μｍ、Ｃｕめっき層の厚さを０．２９μｍ、Ｓｎめっき層の厚さを０．５６μｍにし、熱処理の保持時間を６．０秒間とした以外は、実施例１と同様の方法により、Ｓｎめっき材を作製した。なお、このＳｎめっき済の被めっき材（熱処理前のＳｎめっき材）では、Ｃｕめっき層の厚さに対するＳｎめっき層の厚さの比は１．９であり、Ｃｕめっき層の厚さとＮｉめっき層の厚さの和に対するＳｎめっき層の厚さの比は１．５である。
【００７０】
このようにして作製したＳｎめっき材について、実施例１と同様の方法により、めっき層を分析し、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）を算出し、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）を求めるとともに、凹部間の平均間隔、摩擦係数を算出した。
【００７１】
その結果、最表層の構成は、ＳｎとＣｕ−Ｓｎ合金とからなり、Ｃｕ−Ｓｎ合金の結晶粒から形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層の表面（の隣接するＣｕ−Ｓｎ合金の結晶粒間）に凹部が形成され、この凹部内にＳｎからなるＳｎ層が形成されて、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層が存在するとともに、Ｃｕ−Ｓｎ合金層内の下側（下地層側）にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる複数のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が離間して存在していいないことが確認された。Ｓｎ層の平均厚さは０．０７μｍであり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さは０．９２μｍであった。また、下地層はＮｉからなり、中間層としてＣｕ層が存在しておらず、下地層の表面に最表層が形成されていた。また、下地層の平均厚さは０．０７μｍであった。また、Ｓｎ層剥離後の算術平均うねりＷａは０．１３μｍであった。
【００７２】
また、最表面においてＳｎ層が占める面積（Ｓｎの面積率）は１８．４％、凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）は０．９５μｍ、最表面の凹部間の平均間隔は４．１８μｍであった。なお、最表面の凹部間の平均間隔（ｂ）に対する凹部の最大深さ（Ｓｎ層の最大厚さ）（ａ）の比（ａ／ｂ）を算出すると０．２３になる。
【００７３】
また、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数は、それぞれ０．３８、０．２９および０．２０であった。
【００７４】
これらの実施例および比較例のＳｎめっき材の製造条件および特性を表１〜表４に示す。
【００７５】
【表１】
0006543141.tif 000002
【００７６】
【表２】
0006543141.tif 000003
【００７７】
【表３】
0006543141.tif 000004
【００７８】
【表４】
0006543141.tif 000005
【００７９】
［実施例５］
実施例１と同様の雌端子を使用し、厚さ０．２ｍｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金からなる平板状の導体基材（１．０質量％のＮｉと０．９質量％のＳｎと０．０５質量％のＰを含み、残部がＣｕであり、算術平均粗さＲａ０．０９μｍ、最大高さＲｚ０．６６μｍ、算術平均うねりＷａ０．０８μｍの銅合金の基材）に厚さ０．３μｍのＮｉめっき層を形成し、このＮｉめっき層上に厚さ０．３μｍのＣｕめっき層を形成し、このＣｕめっき層上に厚さ０．７μｍのＳｎめっき層を形成した後に６５０℃で４秒間保持する熱処理（リフロー処理）したＳｎめっき材（最表層が厚さ０．３４μｍのＳｎ層からなり、最表面においてＳｎ層が占める面積率が１００％であり、基材上に下地層として厚さ０．３μｍのＮｉ層が形成され、最表層と下地層の間に厚さ０．７７μｍのＣｕ−Ｓｎ合金およびＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金からなる中間層が形成されたＳｎめっき材）から切り出した平板状の試験片を雄端子とし、実施例１と同様の方法により、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数を算出したところ、それぞれ０．２６、０．１４および０．１４であった。
【００８０】
［実施例６］
実施例１と同様の雌端子を使用し、厚さ０．２ｍｍのＣ２６８０合金（黄銅）からなる平板状の導体基材（６５質量％のＣｕを含み、残部がＺｎであり、算術平均粗さＲａ０．０９μｍ、最大高さＲｚ０．７３μｍ、算術平均うねりＷａ０．０６μｍの銅合金の基材）に厚さ０．５μｍのＣｕめっき層を形成し、このＣｕめっき層上に厚さ１．２μｍのＳｎめっき層を形成した後に６５０℃で４秒間保持する熱処理（リフロー処理）したＳｎめっき材（最表層が厚さ０．９８μｍのＳｎ層からなり、最表面においてＳｎ層が占める面積率が１００％であり、基材上に下地層として厚さ０．８２μｍのＣｕ−Ｓｎ合金層が形成されたＳｎめっき材）から切り出した平板状の試験片を雄端子とし、実施例１と同様の方法により、荷重２Ｎ、５Ｎおよび８Ｎの場合の動摩擦係数を算出したところ、それぞれ０．３４、０．１７および０．１８であった。
【符号の説明】
【００８１】
１０  基材
１２  下地層
１４  最表層
１４ａ  Ｃｕ−Ｓｎ合金層
１４ｂ  Ｓｎ層
１４ｃ  Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層
【図１】
0006543141.tif 000006
【図２】
0006543141.tif 000007