(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン保持体が有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を物体上の複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光装置であって、
前記照明光を発する照明系と、
前記投影像を前記物体に投影する投影系と、
前記物体上に設けられたマークに対してマーク検出を行うマーク検出系と、
前記マーク検出系による、前記物体上の第１区画領域に設けられたマークの検出及び第２区画領域に設けられたマークの検出よって得られる第１検出結果に基づいて前記第１区画領域が走査露光されるよう、前記照明系と前記投影系とを、互いに対向する前記物体上の第１区画領域と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させる第１駆動系と、
前記パターン保持体と前記第２区画領域とが対向するように、前記第１区画領域が前記走査露光された前記物体と前記パターン保持体との一方を他方に対して相対移動させる第２駆動系と、を備え、
前記マーク検出系は、前記第２駆動系により相対移動された前記物体上の前記第２区画領域に設けられた前記マークに対する前記マーク検出を行い、
前記第１駆動系は、前記第１検出結果と前記第２区画領域に設けられた前記マークの検出によって得られる第２検出結果とに基づいて、前記第２区画領域が前記走査露光されるよう、前記照明系と前記投影系とを、前記物体と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させる露光装置。
【請求項２】
前記マーク検出系は、前記物体に対して前記投影系と前記照明系とが移動される走査方向に平行な方向に関して隣接して設けられた前記第１及び第２区画領域上の前記マークの検出を行う請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２駆動系は、前記マーク検出系による前記マーク検出を行うために、前記パターン保持体と前記物体とを、前記走査方向と交差する非走査方向へ移動させる請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記マーク検出系は、前記マーク検出後、前記物体と前記パターン保持体とに対する相対移動中の前記投影系に衝突しないように、前記物体と前記パターン保持体とに対して、前記非走査方向へ相対移動する請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記マーク検出系は、前記物体と前記パターン保持体とに対して、前記走査方向への相対移動中に前記マーク検出を行う請求項２に記載の露光装置。
【請求項６】
前記マーク検出系は、前記走査方向に関して、前記投影系の両側に設けられる請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記マーク検出系は、前記第１区画領域上のマークと、前記走査方向に直交する非走査方向に関して前記第１区画領域と隣接する第３区画領域上のマークと、を検出可能である請求項４又は５に記載の露光装置。
【請求項８】
前記照明光が物体に対して照射される方向は、水平面に平行であり、
前記物体は、露光面が前記水平面に対して直交した状態で配置される請求項１〜７の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第２駆動系は、前記パターン保持体と前記第２区画領域とが対向するように、前記第１区画領域に対向する前記パターン保持体を前記物体に対して相対移動させる請求項１〜８の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２駆動系は、前記パターン保持体に対する前記物体の位置を調整するように、前記パターン保持体に対して前記物体を移動させる請求項１〜９の何れか一項に露光装置。
【請求項１１】
前記第１駆動系は、前記照明系を駆動する第１駆動部と、前記投影系を駆動する第２駆動部と、を備え、
前記第１及び第２駆動部は、前記走査露光において、前記照明系と前記投影系とを同期して移動させる請求項１〜１０の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項１〜１１の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が５００ｍｍ以上である請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の露光装置を用いて前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１６】
パターン保持体が有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を前記物体上の複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光方法であって、
前記パターン保持体と前記物体上の第１区画領域とが対向した状態で、マーク検出系により、前記物体上の第１区画領域に設けられたマークの検出及び第２区画領域に設けられたマークの検出によって第１検出結果を得ることと、
前記第１検出結果に基づいて、前記照明光を発する照明系と前記投影像を前記物体に投影する投影系とを、互いに対向する前記物体上の第１区画領域と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させ、前記第１区画領域に対して前記走査露光を行うことと、
前記第１区画領域に対向する前記パターン保持体と前記第２区画領域とが対向するように、前記パターン保持体と前記物体との一方を他方に対して相対移動させることと、
相対移動された前記物体上の前記第２区画領域に設けられた前記マークの前記マーク検出系による検出によって第２検出結果を得ることと、
前記第１検出結果と前記第２検出結果とに基づいて、前記照明系と前記投影系とを、前記物体と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させ、前記第２区画領域に対する前記走査露光を行うことと、を含む露光方法。
【請求項１７】
前記第１検出結果を得ることは、マーク検出系により、前記物体上の前記第１区画領域に設けられた前記マークの検出、及び前記物体に対して前記投影系と前記照明系とが移動される走査方向に平行な方向に関して前記第１区画領域に隣接して前記物体上に設けられた前記第２区画領域に設けられた前記マークの検出を行うことを含む請求項１６に記載の露光方法。
【請求項１８】
前記第２検出結果を得ることでは、前記走査方向と交差する非走査方向へ移動された前記パターン保持体と前記物体とのマークを前記マーク検出系により検出する請求項１７に記載の露光方法。
【請求項１９】
前記第１検出結果を得ること及び前記第２検出結果を得ることでは、前記物体と前記パターン保持体とに対する相対移動中の前記投影系に衝突しないように、前記物体と前記パターン保持体とに対して、前記マーク検出系を前記非走査方向へ相対移動する請求項１８に記載の露光方法。
【請求項２０】
前記第１検出結果を得ること及び前記第２検出結果を得ることでは、前記物体と前記パターン保持体とに対する前記マーク検出系の前記走査方向への相対移動中に前記マークの検出を行う請求項１７に記載の露光方法。
【請求項２１】
前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項１６〜２０の何れか一項に記載の露光方法。
【請求項２２】
前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が５００ｍｍ以上である請求項２１に記載の露光方法。
【請求項２３】
請求項２１又は２２に記載の露光方法を用いて前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２４】
請求項１６〜２０の何れか一項に記載の露光方法を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、物体に対してエネルギビームを所定の走査方向に走査する走査露光により、所定のパターンを物体上に形成する露光装置及び方法、並びに前記露光装置又は露光方法を用いるフラットパネルディスプレイ又はデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示素子、半導体素子（集積回路等）等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下、「マスク」と総称する）に形成されたパターンをエネルギビームを用いてガラスプレート又はウエハ（以下、「基板」と総称する）上に転写する露光装置が用いられている。
【０００３】
この種の露光装置としては、マスクと基板とを実質的に静止させた状態で、露光用照明光（エネルギビーム）を所定の走査方向に走査することで基板上に所定のパターンを形成するビームスキャン式の走査露光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
上記特許文献１に記載の露光装置では、基板上の露光対象領域とマスクとの位置誤差を補正するために、投影光学系を露光時の走査方向と逆方向に移動させながら投影光学系を介してアライメント顕微鏡によって基板上及びマスク上のマークの計測（アライメント計測）を行い、該計測結果に基づいて基板とマスクとの位置誤差を補正している。ここで、基板上のアライメントマークが投影光学系を介して計測されるため、アライメント動作と露光動作とは順次（シリアルに）実行され、基板の全体の露光処理にかかる処理時間（タクトタイム）を抑制することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１２４２２号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、パターン保持体が有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を物体上の複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光装置であって、前記照明光を発する照明系と、前記投影像を前記物体に投影する投影系と、前記物体上に設けられたマークに対してマーク検出を行うマーク検出系と、前記マーク検出系による、前記物体上の第１区画領域に設けられたマークの検出及び第２区画領域に設けられたマークの検出よって得られる第１検出結果に基づいて前記第１区画領域が走査露光されるよう、前記照明系と前記投影系とを、互いに対向する前記物体上の第１区画領域と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させる第１駆動系と、前記パターン保持体と前記第２区画領域とが対向するように、前記第１区画領域が前記走査露光された前記物体と前記パターン保持体との一方を他方に対して相対移動させる第２駆動系と、を備え、前記マーク検出系は、前記第２駆動系により相対移動された前記物体上の前記第２区画領域に設けられた前記マークに対する前記マーク検出を行い、前記第１駆動系は、前記第１検出結果と前記第２区画領域に設けられた前記マークの検出によって得られる第２検出結果とに基づいて、前記第２区画領域が前記走査露光されるよう、前記照明系と前記投影系とを、前記物体と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させる露光装置が、提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、パターン保持体が有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を前記物体上の複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光方法であって、前記パターン保持体と前記物体上の第１区画領域とが対向した状態で、マーク検出系により、前記物体上の第１区画領域に設けられたマークの検出及び第２区画領域に設けられたマークの検出によって第１検出結果を得ることと、前記第１検出結果に基づいて、前記照明光を発する照明系と前記投影像を前記物体に投影する投影系とを、互いに対向する前記物体上の第１区画領域と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させ、前記第１区画領域に対して前記走査露光を行うことと、前記第１区画領域に対向する前記パターン保持体と前記第２区画領域とが対向するように、前記パターン保持体と前記物体との一方を他方に対して相対移動させることと、相対移動された前記物体上の前記第２区画領域に設けられた前記マークの前記マーク検出系による検出によって第２検出結果を得ることと、前記第１検出結果と前記第２検出結果とに基づいて、前記照明系と前記投影系とを、前記物体と前記パターン保持体とに対して相対的に移動させ、前記第２区画領域に対する前記走査露光を行うことと、を含む露光方法が、提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様によれば第１の態様に係る露光装置、又は第２の態様に係る露光方法を用いてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様によれば、第１の態様に係る露光装置、又は第２の態様に係る露光方法を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る液晶露光装置の概念図である。
【図２】図１の液晶露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、露光動作時における液晶露光装置の動作を説明するための図（その１〜その３）である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、露光動作時における液晶露光装置の動作を説明するための図（その４〜その６）である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の変形例に係るアライメント系の動作を説明するための図（その１及びその２）である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第２の変形例に係るアライメント系の動作を説明するための図（その１及びその２）である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２の実施形態に係る液晶露光装置の動作を説明するための図（その１〜その３）である。
【図８】第２の実施形態に係る投影系本体、及びアライメント顕微鏡の計測系の構成を説明するための図である。
【図９】第２の実施形態の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
《第１の実施形態》
以下、第１の実施形態について、図１〜図４（ｃ）を用いて説明する。
【００１２】
図１には、第１の実施形態に係る液晶露光装置１０の概念図が示されている。液晶露光装置１０は、例えば液晶表示装置（フラットパネルディスプレイ）などに用いられる矩形（角型）のガラス基板Ｐ（以下、単に基板Ｐと称する）を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。
【００１３】
液晶露光装置１０は、露光用のエネルギビームである照明光ＩＬを照射する照明系２０と、投影光学系４０とを有している。以下、照明系２０から投影光学系４０を介して基板Ｐに照射される照明光ＩＬの光軸と平行な方向をＺ軸方向と称するとともに、Ｚ軸に直交する平面内に互いに直交するＸ軸及びＹ軸を設定して説明を行う。また、本実施形態の座標系において、Ｙ軸は、重力方向に実質的に平行であるものとする。従って、ＸＺ平面は、水平面に実質的に平行である。また、Ｚ軸回りの回転（傾斜）方向をθｚ方向として説明する。
【００１４】
ここで、本実施形態では、１枚の基板Ｐ上に複数の露光対象領域（適宜、区画領域、又はショット領域と称して説明する）が設定され、これら複数のショット領域に順次マスクパターンが転写される。なお、本実施形態では、基板Ｐ上に４つの区画領域が設定されている場合（いわゆる４面取りの場合）について説明するが、区画領域の数は、これに限定されず、適宜変更が可能である。
【００１５】
また、液晶露光装置１０では、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われるが、スキャン露光動作時には、マスクＭ、及び基板Ｐが実質的に静止状態とされ、照明系２０及び投影光学系４０（照明光ＩＬ）がマスクＭ、及び基板Ｐに対してそれぞれＸ軸方向（適宜、走査方向と称する）に長ストロークで相対移動する（図１の白矢印参照）。これに対し、露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時には、マスクＭがＸ軸方向に所定のストロークでステップ移動し、基板ＰがＹ軸方向に所定のストロークでステップ移動する（それぞれ図１の黒矢印参照）。
【００１６】
照明系２０は、照明光ＩＬ（図１参照）の光源（例えば、水銀ランプ）などを含む照明系本体２２を備えている。スキャン露光動作時において、主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系２４を制御することにより、照明系本体２２をＸ軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置９０は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系２６を介して照明系本体２２のＸ軸方向の位置情報を求め、該位置情報に基づいて照明系本体２２の位置制御を行う。本実施形態において、照明光ＩＬとしては、例えばｇ線、ｈ線、ｉ線などが用いられる。
【００１７】
マスクステージ装置３０は、マスクＭを保持するステージ本体３２を備えている。ステージ本体３２は、例えばリニアモータなどを含む駆動系３４によってＸ軸方向及びＹ軸方向に適宜ステップ移動可能に構成されている。Ｘ軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置９０は、駆動系３４を制御することにより、ステージ本体３２をＸ軸方向にステップ駆動する。また、後述するように、露光対象の区画領域内でスキャン露光する領域（位置）をＹ軸方向に関して変更するためのステップ動作時には、主制御装置９０は、駆動系３４を制御することにより、ステージ本体３２をＹ軸方向にステップ駆動する。駆動系３４は、後述するアライメント動作時にマスクＭをＸＹ平面内の３自由度（Ｘ、Ｙ、θｚ）方向に適宜微小駆動することも可能である。マスクＭの位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系３６により求められる。
【００１８】
投影光学系４０は、等倍系で基板Ｐ（図１参照）上にマスクパターンの正立正像を形成する光学系などを含む投影系本体４２を備えている。投影系本体４２は、基板ＰとマスクＭとの間に形成される空間内に配置されている（図１参照）。スキャン露光動作時において、主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系４４を制御することにより、投影系本体４２を、照明系本体２２と同期するように、Ｘ軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置９０は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系４６を介して投影系本体４２のＸ軸方向に位置情報を求め、該位置情報に基づいて投影系本体４２の位置制御を行う。
【００１９】
図１に戻り、液晶露光装置１０では、照明系２０からの照明光ＩＬによってマスクＭ上の照明領域ＩＡＭが照明されると、マスクＭを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系４０を介してその照明領域ＩＡＭ内のマスクパターンの投影像（部分正立像）が、基板Ｐ上の照明領域ＩＡＭに共役な照明光ＩＬの照射領域（露光領域ＩＡ）に形成される。そして、マスクＭ、及び基板Ｐに対して、照明光ＩＬ（照明領域ＩＡＭ、及び露光領域ＩＡ）が走査方向に相対移動することで走査露光動作が行われる。すなわち、液晶露光装置１０では、照明系２０、及び投影光学系４０によって基板Ｐ上にマスクＭのパターンが生成され、照明光ＩＬによる基板Ｐ上の感応層（レジスト層）の露光によって基板Ｐ上にそのパターンが形成される。
【００２０】
ここで、本実施形態において、照明系２０によりマスクＭ上に生成される照明領域ＩＡＭは、Ｙ軸方向に離間する一対の矩形の領域を含む。ひとつの矩形の領域のＹ軸方向の長さは、マスクＭのパターン面のＹ軸方向の長さ（すなわち基板Ｐ上に設定される各区画領域のＹ軸方向の長さ）の、例えば１／４に設定されている。また、一対の矩形の領域間の間隔も、同様にマスクＭのパターン面のＹ軸方向の長さの、例えば１／４に設定されている。従って、基板Ｐ上に生成される露光領域ＩＡも、同様にＹ軸方向に離間する一対の矩形の領域を含む。本実施形態では、マスクＭのパターンを基板Ｐに完全に転写するためには、ひとつの区画領域について、２回の走査露光動作を行う必要があるが、照明系本体２２、及び投影系本体４２を小型化できるメリットがある。走査露光動作の具体例については、後述する。
【００２１】
基板ステージ装置５０は、基板Ｐの裏面（露光面とは反対の面）を保持するステージ本体５２を備えている。図２に戻り、Ｙ軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系５４を制御することにより、ステージ本体５２をＹ軸方向にステップ駆動する。駆動系５４は、後述する基板アライメント動作時に基板ＰをＸＹ平面内の３自由度（Ｘ、Ｙ、θｚ）方向に微小駆動することも可能である。基板Ｐ（ステージ本体５２）の位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系５６により求められる。
【００２２】
図１に戻り、アライメント系６０は、例えば２つのアライメント顕微鏡６２、６４を備えている。アライメント顕微鏡６２、６４は、基板ＰとマスクＭとの間に形成される空間内（Ｚ軸方向に関して基板ＰとマスクＭとの間の位置）に配置されており、基板Ｐに形成されたアライメントマークＭｋ（以下、単にマークＭｋと称する）、及びマスクＭに形成されたマーク（不図示）を検出する。本実施形態において、マークＭｋは、各区画領域の四隅部近傍それぞれに１つ（１つの区画領域につき、例えば４つ）形成されており、マスクＭのマークは、投影光学系４０を介してマークＭｋと対応する位置に形成されている。なお、マークＭｋ、及びマスクＭのマークの数、及び位置については、これに限定されず、適宜変更が可能である。また、各図面において、マークＭｋは、理解を容易にするため、実際よりも大きく図示されている。
【００２３】
アライメント顕微鏡６２は、Ｘ軸方向に離間した、例えば４つの検出視野（検出領域）を有している。例えば４つの検出視野のＸ軸方向の間隔は、基板Ｐに形成された、例えば合計で１６のマークＭｋのうち、Ｙ軸方向の位置が同じである、例えば４つのマークＭｋの検出を同時に行うことができるように設定されている。
【００２４】
また、アライメント顕微鏡６２は、マスクＭに形成されたマークと、基板Ｐに形成されたマークＭｋとを同時に（換言すると、アライメント顕微鏡６２の位置を変えずに）検出することが可能となっている。主制御装置９０は、例えばマスクＭがＸステップ動作、又は基板ＰがＹステップ動作を行う毎に、マスクＭに形成されたマークと基板Ｐに形成されたマークＭｋとの相対的な位置ずれ情報を求め、該位置ずれを補正する（打ち消す、又は低減する）ように基板ＰとマスクＭとのＸＹ平面に沿った方向の相対的な位置決めを行う。なお、アライメント顕微鏡６２は、マスクＭのマークを検出（観察）するマスク検出部と、基板ＰのマークＭｋを検出（観察）する基板検出部とが、共通の筐体等によって一体的に構成されており、その共通の筐体を介して駆動系６６により駆動される。あるいは、マスク検出部と基板検出部とが個別の筐体等によって構成されていても良く、その場合には、例えばマスク検出部と基板検出部とが実質的に共通の駆動系６６によって同等の動作特性をもって移動できるように構成することが好ましい。
【００２５】
また、主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系６６を制御することにより、アライメント顕微鏡６２をＹ軸方向に駆動する。アライメント顕微鏡６２の位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系６８により求められる。アライメント顕微鏡６２の動作については、後述する。
【００２６】
主制御装置９０（図２参照）は、アライメント顕微鏡６２を用いて基板Ｐ上に形成された複数のマークＭｋの検出し、該検出結果（複数のマークＭｋの位置情報）に基づいて、公知のエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）方式によって、検出対象のマークＭｋが形成された区画領域の配列情報（区画領域の位置（座標値）、形状等に関する情報を含む）を算出する。
【００２７】
具体的には、走査露光動作において、主制御装置９０（図２参照）は、該走査露光動作に先立って、アライメント顕微鏡６２を用いて、少なくとも露光対象の区画領域内に形成された複数のマークＭｋ、及び該露光対象の区画領域に対して走査方向（Ｘ軸方向）に隣接する区画領域内に形成された複数のマークＭｋの位置検出を行って上記露光対象の区画領域の配列情報を算出する。主制御装置９０は、算出した露光対象の区画領域の配列情報に基づいて、基板ＰのＸＹ平面内の３自由度方向の緻密な位置決め（基板アライメント動作）を行いつつ、照明系２０、及び投影光学系４０を適宜制御して、対象の区画領域に対する走査露光動作（マスクパターンの転写）を行う。
【００２８】
次に、走査露光動作時における液晶露光装置１０の動作の一例を、図３（ａ）〜図４（ｃ）を用いて説明する。以下の露光動作（アライメント計測動作を含む）は、主制御装置９０（図３（ａ）〜図４（ｃ）では不図示。図２参照）の管理下で行われる。
【００２９】
本実施形態において、露光順が最初である区画領域（以下第１ショット領域Ｓ１と称する）は、基板Ｐの−Ｘ側且つ−Ｙ側に設定されている。また、図３（ａ）〜図４（ｃ）において、符号Ａが付された矩形の領域は、走査露光動作時における投影系本体４２の移動範囲（移動経路）を示す。投影系本体４２の移動範囲Ａは、例えば機械的、及び／又は電気的に設定される。また、基板Ｐ上の区画領域に付されたＳ２〜Ｓ４の符号は、それぞれ露光順序が２〜４番目のショット領域であることを示す。
【００３０】
図３（ａ）に示されるように、露光開始前において、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２の検出視野内に、第１ショット領域Ｓ１内に形成された、例えば４つのマークＭｋのうち、−Ｙ側の２つのマークＭｋ、及び第２ショット領域Ｓ２（第１ショット領域Ｓ１の＋Ｘ側の区画領域）内に形成された例えば４つのマークＭｋのうち、−Ｙ側の２つのマークＭｋが位置するように、基板Ｐを位置決めする。この状態で、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２を用いて、例えば４つのマークＭｋ（第１マーク群）の位置検出（図３（ａ）における太線の丸印参照）を行う（１回目のマーク検出動作）。
【００３１】
次いで、図３（ｂ）に示されるように、主制御装置９０は、基板Ｐを−Ｙ方向にステップ移動させる（図３（ｂ）の黒矢印参照）。この際、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２の検出視野内に、第１ショット領域Ｓ１内に形成された、例えば４つのマークＭｋのうち、＋Ｙ側の２つのマークＭｋ、及び第２ショット領域Ｓ２内に形成された例えば４つのマークＭｋのうち、＋Ｙ側の２つのマークＭｋが位置するように、基板Ｐを位置決めする。この状態で、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２を用いて、例えば４つのマークＭｋ（第２マーク群）の位置検出（図３（ｂ）における太線の丸印参照）を行う（２回目のマーク検出動作）。これにより、主制御装置９０は、第１及び第２ショット領域Ｓ１、Ｓ２に形成された、合計で、例えば８のマークＭｋの全ての検出を行ったことになる。
【００３２】
主制御装置９０は、複数のマークＭｋの検出結果に基づいて、ＥＧＡ計算により、第１ショット領域Ｓ１の配列情報（区画領域の座標値、及び形状を含む）を算出し、この算出結果に基づいて第１ショット領域Ｓ１の走査露光動作を行う。
【００３３】
ここで、本実施形態において、投影系本体４２、及びアライメント顕微鏡６２は、それぞれ基板ＰとマスクＭとの間に形成される空間内に配置されることから、互いの移動可能範囲が一部重複している。そこで、主制御装置９０は、図３（ｃ）の白矢印で示されるように、投影系本体４２の走査方向への駆動に先立って、アライメント顕微鏡６２をＹ軸方向にステップ移動させ、投影系本体４２の移動経路Ａからアライメント顕微鏡６２を退避させる。
【００３４】
アライメント顕微鏡６２を退避させると、主制御装置９０は、図４（ａ）に示されるように、基板ＰのＸＹ平面内の３自由度方向の微小位置決め（基板アライメント動作）を行いつつ、照明系２０、及び投影光学系４０（それぞれ図１参照）を適宜制御して、投影系本体４２と照明系２０の照明系本体２２（図４（ａ）では不図示。図１参照）とを同期して＋Ｘ方向に駆動して、第１ショット領域Ｓ１に対する１回目の走査露光を行う。
【００３５】
上述したように、本実施形態において、マスクＭ上に生成される照明領域ＩＡＭ（図１参照）、及び基板Ｐ上に生成される露光領域ＩＡは、Ｙ軸方向に離間する一対の矩形の領域であるので、１回の走査露光動作により基板Ｐに転写されるマスクＭのパターン像は、Ｙ軸方向に離間した一対のＸ軸方向に延びる帯状の領域（ひとつの区画領域の全面積のうち半分の面積）内に形成される。
【００３６】
次いで、主制御装置９０は、図４（ｂ）に示されるように、第１ショット領域Ｓ１の２回目（復路）の走査露光動作のため、基板ＰおよびマスクＭを−Ｙ方向にステップ移動させる（図４（ｂ）の黒矢印参照）。このときの基板Ｐのステップ移動量は、ひとつの区画領域のＹ軸方向の長さの、例えば１／４の長さである。また、この場合、基板ＰとマスクＭの−Ｙ方向へのステップ移動において、基板ＰとマスクＭとの相対的な位置関係を変化させないように（あるいは、その相対位置関係を補正可能なように）ステップ移動させることが好ましい。
【００３７】
この後、主制御装置９０は、図４（ｃ）に示されるように、投影系本体４２と照明系２０の照明系本体２２（図４（ｃ）では不図示。図１参照）とを同期して−Ｘ方向に駆動する。主制御装置９０は、上記配列情報の算出結果に応じて基板Ｐの微小位置制御を行いつつ、照明系２０を制御して照明光ＩＬをマスクＭ（図４（ｃ）では不図示。図１参照）及び投影系本体４２を介して基板Ｐ上に照射し、該照明光ＩＬにより基板Ｐ上に生成される露光領域ＩＡ内にマスクパターンの一部を形成する。これにより、１回目の走査露光動作により転写されたマスクパターンと、２回目の走査露光動作でにより転写されたマスクパターン部とが第１ショット領域Ｓ１内で繋ぎ合わされ、マスクＭのパターンの全体が第１ショット領域Ｓ１に転写される。
【００３８】
以下、不図示であるが、主制御装置９０は、第２ショット領域Ｓ２に対して走査露光動作を行うために、マスクＭ（図１参照）を＋Ｘ方向にステップ移動させて第２ショット領域Ｓ２とマスクＭとを対向させる。また、これと併せて、基板Ｐを＋Ｘ方向にステップ移動させる（図３（ａ）の状態に戻す）。
【００３９】
第２ショット領域Ｓ２に対する走査露光動作は、上述した第１ショット領域Ｓ１に対する走査露光動作と同じであるので説明を省略する。ただし、第２ショット領域Ｓ２に対する走査露光動作に先だって行われるアライメント計測動作では、第２ショット領域Ｓ２内に形成された、例えば４つのマークＭｋのうち、−Ｙ側（あるいは＋Ｙ側）の２つのマークＭｋのみ検出し、この検出結果に応じて、主制御装置９０は、第２ショット領域Ｓ２の配列情報を更新する。これは、第１ショット領域Ｓ１の露光走査前に第２ショット領域Ｓ２の、例えば４つのマークＭｋを全て検出しているからである。
【００４０】
以下、主制御装置９０は、マスクＭのＸステップ動作と基板ＰのＹステップ動作の少なくとも一方を適宜行いつつ、第３、及び第４ショット領域Ｓ３、Ｓ４対する走査露光動作を行う。
【００４１】
なお、露光対象の区画領域を露光するために、当該区画領域の配列情報を求める際、当該区画領域内のマークＭｋのみに基づいて配列情報を算出しても良いが、露光対象の区画領域以外の区画領域に形成されたマークＭｋの位置情報を用いても良い。具体的には、例えば第１ショット領域Ｓ１の配列情報を求める際、主制御装置９０は、第２ショット領域Ｓ２内のマークＭｋの位置情報を用いても良い。これにより、基板Ｐの全体的な歪みを補正することができる。
【００４２】
以上説明した本第１の実施形態によれば、第１ショット領域Ｓ１に対する走査露光動作の前に、予め第２ショット領域Ｓ２のマークＭｋを検出するので、第２ショット領域Ｓ２に対する走査露光動作の前に、第２ショット領域Ｓ２内のマークＭｋをあらためて全点検出しなくても、第２ショット領域Ｓ２の配列情報を高精度で求めることが可能である。このように、第２ショット領域Ｓ２の走査露光動作前には、該第２ショット領域Ｓ２内の一部のマークＭｋしか検出しないので全体的なアライメント時間を短縮することができる。
【００４３】
また、アライメント顕微鏡６２がＸ軸方向に隣接する、例えば２つの区画領域（本実施形態では、例えば第１ショット領域Ｓ１と第２ショット領域Ｓ２、又は第３ショット領域Ｓ３と第４ショット領域Ｓ４）を跨いで設けられた複数（本実施形態では、例えば４つ）のマークＭｋを同時に計測できるので、複数の区画領域にまたがる基板Ｐの歪みを容易かつ迅速に（マークの数に対してより少ない回数で）計測できる。従って、アライメント動作と走査露光動作とを含む一連の動作にかかる時間、すなわち、基板Ｐの露光処理にかかる一連の処理時間（タクトタイム）の短縮化が可能となる。
【００４４】
また、基板ＰをＹ軸方向にステップ移動させることにより、Ｙ軸方向の位置が異なる複数のマークＭｋの検出が可能であるので容易かつ迅速に基板Ｐ全体の歪みを計測できる。
【００４５】
なお、本第１の実施形態では、第１ショット領域Ｓ１の走査露光の開始前に、例えば基板ＰのＹステップ動作を１回のみ行い、第１及び第２ショット領域Ｓ１、Ｓ２内のマークＭｋの全点検出を行ったが、これに限られず、合計で、例えば４回のマーク検出動作（３回の基板ＰのＹステップ動作）を行って、第１〜第４ショット領域Ｓ１〜Ｓ４に形成された、合計で、例えば１６個のマークＭｋの全点検出を最初に行っても良い。
【００４６】
なお、本第１の実施形態では、第１ショット領域Ｓ１の走査露光の開始前に、基板ＰのＹステップ動作を行ったが、アライメント顕微鏡６２のＹステップ動作を行うことで、基板Ｐ内のマークＭｋをアライメント顕微鏡６２により検出するようにしてもよい。主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系６６を制御することにより、アライメント顕微鏡６２をＹ軸方向にステップ駆動する。アライメント顕微鏡６２の位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系６８により求められる。
【００４７】
また、本第１の実施形態では、投影系本体４２の移動経路Ａ内に位置したアライメント顕微鏡６２によりマークＭｋの検出を行うとともに、露光開始前にアライメント顕微鏡６２を投影系本体４２の移動経路Ａから退避させたが（図３（ｃ）参照）、これに限られず、例えば図５（ａ）に示される第１の変形例のように、予め投影系本体４２の移動経路Ａ外にアライメント顕微鏡６２を配置し、図５（ｂ）に示されるように、基板ＰのＹ軸方向へのステップ移動のみによって、マークＭｋの検出動作を行っても良い。
【００４８】
また、本第１の実施形態におけるアライメント顕微鏡６２は、Ｙ軸方向の位置がほぼ同じで、且つＸ軸方向の位置が互いに異なる、例えば４つのマークＭｋの位置検出を同時に行う構成であったが、同時検出するマークＭｋの数は、これに限られず、例えば図６（ａ）に示される第２の変形例のように、例えば２つのアライメント顕微鏡６２を、Ｙ軸方向に離間して配置しても良い。この場合、１回の検出動作で、Ｘ軸方向に隣接する２つのショット領域（第１及び第２ショット領域Ｓ１、Ｓ２、又は第３及び第４ショット領域Ｓ３、Ｓ４）に形成された、例えば８つのマークＭｋの同時検出が可能となる。従って、図６（ｂ）に示されるように、基板Ｐの１回のＹステップ動作により、基板Ｐに形成された、例えば１６のマークＭｋの全点検出が可能となる。また、本第２の変形例の場合、走査露光動作時には、例えば２つのアライメント顕微鏡６２を、互いに反対の方向（＋Ｙ方向、及び−Ｙ方向）に駆動することにより、投影系本体４２の移動経路Ａ外に退避させると良い。
【００４９】
《第２の実施形態》
次に第２の実施形態に係る液晶露光装置について、図７（ａ）〜図８を用いて説明する。第２の実施形態に係る液晶露光装置の構成は、アライメント系の構成及び動作が異なる点を除き、上記第１の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第１の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第１の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
【００５０】
上記第１の実施形態において、アライメント顕微鏡６２は、走査方向に隣接するショット領域（例えば、第１ショット領域Ｓ１及び第２ショット領域Ｓ２）に形成されたマークＭｋを同時に検出可能なように、Ｘ軸方向に離間する、例えば４つの検出視野を有していたが、本第２の実施形態では、図７（ａ）に示されるように、Ｙ軸方向に離間した一対の検出視野を有する一対のアライメント顕微鏡１６２、１６４が、投影系本体４２の走査方向に関する前後（＋Ｘ側、及び−Ｘ側）に配置されている。アライメント顕微鏡１６２、１６４の一対の検出視野の間隔は、各区画領域に形成された、例えば４つのマークＭｋのうち、Ｙ軸方向に離間する一対のマークＭｋの間隔とほぼ同じに設定されている。
【００５１】
また、アライメント顕微鏡１６２、１６４は、例えばリニアモータなどを含む駆動系（不図示）によって、互いに独立に、且つ投影系本体４２とは独立に、主制御装置９０（図２参照）によって走査方向に所定のストロークで駆動される。
【００５２】
ここで、アライメント顕微鏡１６２、１６４と、上述した投影光学系４０の投影系本体４２とは、物理的（機械的）に独立（分離）した要素であり、主制御装置９０（図２参照）によって互いに独立して駆動（速度、及び位置）制御が行われるが、アライメント顕微鏡１６２、１６４を駆動する駆動系６６と、投影系本体４２を駆動する駆動系４４とは、Ｘ軸方向の駆動に関して、例えばリニアモータ、リニアガイドなどの一部を共用しており、アライメント顕微鏡１６２、１６４、及び投影系本体４２の駆動特性、あるいは主制御装置９０による制御特性が、実質的に同等になるように構成されている。
【００５３】
具体的に一例をあげると、例えばムービングコイル式のリニアモータによってアライメント顕微鏡１６２、１６４、投影系本体４２それぞれをＸ軸方向に駆動する場合には、固定子である磁性体（例えば、永久磁石など）ユニットが上記駆動系６６と駆動系４４とで共用される。これに対し、可動子であるコイルユニットは、アライメント顕微鏡１６２、１６４、投影系本体４２それぞれが独立に有しており、主制御装置９０（図２参照）は、該コイルユニットに対する電力供給を個別に行うことにより、アライメント顕微鏡１６２、１６４のＸ軸方向への駆動（速度、及び位置）と、投影系本体４２のＸ軸方向への駆動（速度、及び位置）とを、独立に制御する。従って、主制御装置９０は、Ｘ軸方向に関するアライメント顕微鏡１６２、１６４と投影系本体４２との各々の間隔（距離）を、可変とする（任意に変化させる）ことができる。また、主制御装置９０は、Ｘ軸方向に関して、アライメント顕微鏡１６２、１６４と投影系本体４２とを、各々異なるスピードで移動させることもできる。
【００５４】
ここで、投影光学系４０が有する投影系本体４２の位置情報を求めるための計測系４６（図２参照）、及びアライメント系６０が有するアライメント顕微鏡１６２の位置情報を求めるための計測系６８の具体的な構成について説明する。
【００５５】
図８に示されるように、液晶露光装置１０は、投影系本体４２を走査方向に案内するためのガイド８０を有している。ガイド８０は、走査方向に平行に延びる部材から成る。ガイド８０は、アライメント顕微鏡１６２の走査方向への移動を案内する機能も有する。また、図８では、ガイド８０がマスクＭと基板Ｐとの間に図示されているが、実際には、ガイド８０は、Ｙ軸方向に関して照明光ＩＬの光路を避けた位置に配置されている。
【００５６】
ガイド８０には、少なくとも走査方向に平行な方向（Ｘ軸方向）を周期方向とする反射型の回折格子を含むスケール８２が固定されている。また、投影系本体４２は、スケール８２に対向して配置されたヘッド８４を有している。本実施形態では、上記スケール８２とヘッド８４とにより、投影系本体４２の位置情報を求めるための計測系４６（図２参照）を構成するエンコーダシステムが形成されている。また、アライメント顕微鏡１６２、１６４は、スケール８２に対向して配置されたヘッド８６を各々有している（図８において、アライメント顕微鏡１６４は不図示）。本実施形態では、上記スケール８２とヘッド８６とにより、アライメント顕微鏡１６２、１６４の位置情報を求めるための計測系６８（図２参照）を構成するエンコーダシステムが形成されている。ここで、ヘッド８４、８６は、それぞれスケール８２に対してエンコーダ計測用のビームを照射し、スケール８２を介したビーム（スケール８２による反射ビーム）を受光して、その受光結果に基づいてスケール８２に対する相対的な位置情報を出力可能となっている。
【００５７】
このように、本実施形態において、スケール８２は、投影系本体４２の位置情報を求めるための計測系４６（図２参照）を構成し、アライメント顕微鏡１６２、１６４の位置情報を求めるための計測系６８（図２参照）を構成する。すなわち、投影系本体４２とアライメント顕微鏡１６２、１６４とは、スケール８２に形成された回折格子によって設定される共通の座標系（測長軸）に基づいて位置制御が行われる。なお、投影系本体４２を駆動するための駆動系４４（図２参照）、及びアライメント顕微鏡１６２、１６４を駆動するための駆動系６６（図２参照）は、要素が一部共通であっても良いし、完全に独立した要素により構成されていても良い。
【００５８】
なお、上記計測系４６、６８（それぞれ図２参照）を構成するエンコーダシステムは、測長軸が、例えばＸ軸方向（走査方向）のみであるリニア（１ＤＯＦ）エンコーダシステムであっても良いし、より多くの測長軸を有しても良い。例えば、ヘッド８４、８６をＹ軸方向に所定間隔で複数配置することにより、投影系本体４２、アライメント顕微鏡１６２、１６４のθｚ方向の回転量を求めても良い。また、スケール８２にＸＹ２次元回折格子を形成し、Ｘ、Ｙ、θｚ方向の３自由度方向に測長軸を有する３ＤＯＦエンコーダシステムとしても良い。さらに、ヘッド８４、８６として、回折格子の周期方向と併せてスケール面に直交する方向の測長が可能な公知の２次元ヘッドを複数用いることにより、投影系本体４２、アライメント顕微鏡１６２、１６４の６自由度方向の位置情報を求めても良い。
【００５９】
図７（ａ）に示されるように、露光開始前において、投影系本体４２、及びアライメント顕微鏡１６２、１６４それぞれは、平面視で第１ショット領域Ｓ１の−Ｘ側に設定された初期位置に配置される。このとき、アライメント顕微鏡１６２の検出視野のＹ位置と、第１及び第２ショット領域Ｓ１、Ｓ２内に形成されたマークＭｋのＹ位置とがほぼ一致している。また、不図示であるが、マスクＭ（図１参照）は、第１ショット領域Ｓ１に対向して配置されている。
【００６０】
次いで、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡１６２を＋Ｘ方向に駆動しつつ、第１ショット領域Ｓ１内に形成された、例えば４つのマークＭｋを検出する。主制御装置９０は、上記第１ショット領域Ｓ１内に形成された、例えば４つのマークＭｋの検出結果（位置情報）に基づいて、第１ショット領域Ｓ１の配列情報を求め、該配列情報に基づいて基板ＰのＸＹ平面内の３自由度方向の微小位置決め（基板アライメント動作）を行いつつ、投影系本体４２と照明系２０の照明系本体２２（図１参照）とを同期して＋Ｘ方向に駆動して、第１ショット領域Ｓ１に対する１回目の走査露光を行う。
【００６１】
また、主制御装置９０は、図７（ｂ）に示されるように、第１ショット領域Ｓ１に対する１回目の走査露光動作の開始と並行して、アライメント顕微鏡１６２を用いて第２ショット領域Ｓ２内に形成された、例えば４つのマークＭｋを検出する。図７（ｂ）は、アライメント顕微鏡１６２が、−Ｘ側の端部近傍に形成された、例えば２つのマークＭｋを検出している状態を示している。
【００６２】
このように、本実施形態では、走査露光動作と並行して、投影系本体４２に対して走査方向の前方に配置されたアライメント顕微鏡１６２を用いて、露光対象の区画領域（ここで第１ショット領域Ｓ１）よりも走査方向の前方に設定された区画領域（ここでは第２ショット領域Ｓ２）形成されたマークＭｋを検出する。
【００６３】
また、主制御装置９０は、走査露光動作のために投影系本体４２を＋Ｘ方向に駆動する際、投影系本体４２に対して走査方向の後方に配置されたアライメント顕微鏡１６４を、投影系本体４２に追従するように＋Ｘ方向に駆動する（図７（ｂ）参照）。
【００６４】
本第２の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、基板Ｐを−Ｙ方向にＹステップ移動させた後、第１ショット領域Ｓ１に対して２回の走査露光動作を行う（不図示）。第１ショット領域Ｓ１に対する走査露光が終了すると、主制御装置９０は、第２ショット領域Ｓ２に対する走査露光動作のために、マスクＭを＋Ｘ方向に移動させて、マスクＭと第２ショット領域Ｓ２とを対向させる。また、主制御装置９０は、基板Ｐを＋Ｙ方向にステップ移動させる（図７（ａ）の位置に戻す）。
【００６５】
本第２の実施形態において、第２ショット領域Ｓ２に対する１回目の走査露光動作は、投影系本体４２を−Ｘ方向に移動させて行うため、露光動作の開始前において、投影系本体４２、アライメント顕微鏡１６２、１６４は、それぞれ基板Ｐの＋Ｘ側に配置される。
【００６６】
この後、図７（ｃ）に示されるように、投影系本体４２の進行方向前側に配置されたアライメント顕微鏡１６４が、投影系本体４２に先行して第２ショット領域Ｓ２内に形成された、例えば４つのマークＭｋのうち、＋Ｘ側の２つのマークＭｋのみ検出し、この検出結果と、第１ショット領域Ｓ１の露光走査前に検出済みのその他のマーク（第２ショット領域Ｓ２内に形成された、例えば４つのマークＭｋのうち、−Ｘ側の端部近傍に形成された、例えば２つのマークＭｋ、及び第１ショット領域Ｓ１内に形成された、例えば４つのマーク）の検出結果に基づいて、第２ショット領域Ｓ２の配列情報を求める。主制御装置９０は、該配列情報に基づいて、第２ショット領域Ｓ２に対して走査露光動作を行う。
【００６７】
以下、不図示であるが、主制御装置９０は、マスクＭのＸステップ動作と基板ＰのＹステップ動作の少なくとも一方を適宜行いつつ、第３、及び第４ショット領域Ｓ３、Ｓ４に対する走査露光動作を行う。
【００６８】
本第２の実施形態でも、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
なお、上記２の実施形態のアライメント顕微鏡１６２、１６４は、Ｙ軸方向に離間する一対の検出視野を有していたが、これに限られず、図９に示される変形例のように、Ｙ軸方向に離間する、例えば４つの検出視野を有し、Ｙ軸方向に隣接する、例えば２つの区画領域（例えば第１ショット領域Ｓ１と第３ショット領域Ｓ３）とに跨って形成された、Ｘ位置が同じである、例えば４つのマークＭｋを同時に検出できるようにしても良い。
【００７０】
なお、以上説明した各実施形態の構成は、適宜変更が可能である。例えば、第１の実施形態では、アライメント顕微鏡６２の検出視野に対して基板ＰをＹ軸方向にステップ移動させることにより、Ｙ軸方向の位置が異なる複数のマークＭｋの検出を行ったが、これに限られず、アライメント顕微鏡６２を基板Ｐに対してＹ軸方向に移動させることにより（基板ＰのＹステップ動作を伴わずに）、Ｙ軸方向の位置が異なる複数のマークＭｋの検出をしても良い。
【００７１】
また、上記各実施形態では、マークＭｋは、各区画領域（第１〜第４ショット領域Ｓ１〜Ｓ４）内に形成されたが、これに限られず、マークＭｋは、隣接する区画領域間の領域（いわゆるスクライブライン）内に形成されていても良い。
【００７２】
また、上記各実施形態では、Ｙ軸方向に離間した一対の照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡをそれぞれマスクＭ、基板Ｐ上に生成したが（図１参照）、照明領域ＩＡＭ、及び露光領域ＩＡの形状、長さは、これに限られず適宜変更可能である。例えば、照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡのＹ軸方向の長さは、それぞれマスクＭのパターン面、基板Ｐ上のひとつの区画領域のＹ軸方向の長さと等しくても良い。この場合、各区画領域に対して１回の走査露光動作でマスクパターンの転写が終了する。あるいは、照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡは、Ｙ軸方向の長さがそれぞれマスクＭのパターン面、基板Ｐ上のひとつの区画領域のＹ軸方向の長さの半分であるひとつの領域であっても良い。この場合は、上記実施形態と同様に、ひとつの区画領域に対して２回の走査露光動作を行う必要がある。
【００７３】
また、上記第２実施形態のように、ひとつのマスクパターンを区画領域に形成するために、投影系本体４２を往復させて繋ぎ合わせ露光を行う場合、互いに異なる検出視野を有する往路用及び復路用のアライメント顕微鏡を走査方向（Ｘ方向）に関して投影系本体４２の前後に配置しても良い。この場合、例えば往路用（１回目の露光動作用）のアライメント顕微鏡により、区画領域の四隅のマークＭｋを検出し、復路用（２回目の露光動作用）のアライメント顕微鏡によって、継ぎ部近傍のマークＭｋを検出しても良い。ここで、継ぎ部とは、往路の走査露光で露光された領域（パターンが転写された領域）と復路の走査露光で露光された領域（パターンが転写された領域）との継ぎ合わせ部分を意味する。継ぎ部近傍のマークＭｋとしては、予め基板にマークＭｋを形成しても良いし、露光済みのパターンをマークＭｋとしても良い。
【００７４】
また、上記各実施形態では、照明系２０で用いられる光源、及び該光源から照射される照明光ＩＬの波長は、特に限定されず、例えばＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光や、Ｆ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。
【００７５】
また、上記実施形態では、光源を含む照明系本体２２が走査方向に駆動されたが、これに限られず、例えば特開２０００−１２４２２号公報に開示される露光装置と同様に、光源を固定とし、照明光ＩＬのみが走査方向に走査されるようにしても良い。
【００７６】
また、照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡは、上記実施形態ではＹ軸方向に延びる帯状に形成されたが、これに限られず、例えば米国特許第５，７２９，３３１号明細書に開示されるように、千鳥状に配置された複数の領域を組み合わせても良い。
【００７７】
また、上記各実施形態では、マスクＭ、及び基板Ｐが、水平面に直交するように配置（いわゆる縦置き配置）されたが、これに限られず、マスクＭ、及び基板Ｐは、水平面に平行に配置されても良い。この場合、照明光ＩＬの光軸は、重力方向とほぼ平行とされる。
【００７８】
また走査露光動作時にアライメント計測の結果に応じて基板ＰのＸＹ平面内の微小位置決めを行ったが、これと併せて、走査露光動作前に（あるいは走査露光動作と並行して）基板Ｐの面位置情報を求め、走査露光動作中に基板Ｐの面位置制御（いわゆるオートフォーカス制御）を行っても良い。
【００７９】
また、露光装置の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。
【００８０】
また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状（可撓性を有するシート状の部材）のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が５００ｍｍ以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。また、露光対象の基板が可撓性を有するシート状である場合には、該シートがロール状に形成されていても良い。この場合、ステージ装置のステップ動作によらず、ロールを回転させる（巻き取る）ことによって、容易に照明領域（照明光）に対して露光対象の区画領域を変更することができる。
【００８１】
液晶表示素子（あるいは半導体素子）などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク（あるいはレチクル）を製作するステップ、ガラス基板（あるいはウエハ）を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
以上説明したように、本発明の露光装置及び方法は、物体を走査露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの生産に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。
【符号の説明】
【００８３】
１０…液晶露光装置、２０…照明系、３０…マスクステージ装置、４０…投影光学系、５０…基板ステージ装置、６０…アライメント系、Ｍ…マスク、Ｐ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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