(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを反射させる反射面（１２ａ）を有する反射部（１）と、
前記反射面を球面状に屈曲させることで前記反射面による反射光の焦点位置を変化させる屈曲部（２）と、
前記反射部を中心として前記反射面の平面における一方向の両側に延設され、前記反射部を両持ち支持すると共に前記一方向に平行な第１回転軸（Ａｒ１）周りに揺動可能とする支持梁（３）と、
照射される光の入射角度に応じて変化する前記光の強度に対応した出力信号を発生させる第１受光素子（４）と、
球面状に屈曲する前記反射面の曲率を検出する制御部（５）と、
前記支持梁を共振振動させることにより、前記反射部を前記第１回転軸周りに揺動させる第１の駆動部（６）と、を備え、
前記第１受光素子は、前記反射部のうち前記反射面と共に屈曲する部分の一面側に配置され、
前記制御部は、前記第１受光素子に一定方向の光を照射し、前記第１受光素子からの出力信号を用いて、前記反射面の曲率を検出することを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記第１受光素子が、少なくとも２つ備えられており、
２つの前記第１受光素子が、前記反射面に対する法線方向から見て、前記反射面の中心を通る前記反射面に平行な第１軸（Ａ１）の上に、前記第１回転軸に対して線対称に配置され、
前記制御部が、前記第１軸の上に配置された２つの前記第１受光素子からの出力信号を用いて前記第１軸における前記反射面の曲率を検出することを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
前記第１受光素子は、少なくとも２つ備えられており、
前記反射面の中心を通り前記反射面に平行な第１軸（Ａ１）の方向、および、前記反射面の中心を通り前記反射面に平行でかつ前記第１軸に垂直な第２軸（Ａ２）の方向において、２つの前記第１受光素子の位置が互いに異なり、
前記制御部が、２つの前記第１受光素子からの出力信号を用いて、前記第１軸および前記第２軸における前記反射面の曲率を検出することを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記第１受光素子は、少なくとも３つ備えられており、
３つの前記第１受光素子のうち２つの前記第１受光素子が、前記反射面に対する法線方向から見て前記第２軸の上に、前記第１軸に対して線対称に配置され、
前記制御部が、前記第２軸の上に配置された２つの前記第１受光素子からの出力信号を用いて前記第２軸における前記反射面の曲率を検出することを特徴とする請求項３に記載の光走査装置。
【請求項５】
照射される前記光の入射角度に応じて変化する前記光の強度に対応した出力信号を発生させる第２受光素子（４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈ）を備え、
前記第２受光素子が、前記反射部のうち前記第１受光素子が形成された部分よりも剛性の高い部分の一面側に複数配置され、
前記制御部が、前記第２受光素子に一定方向の光を照射し、複数の前記第２受光素子からの出力信号を用いて、前記反射部の走査角を検出することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の光走査装置。
【請求項６】
前記第２受光素子が、前記第１回転軸に対して線対称に２つ配置され、
前記制御部が、前記第１回転軸に対して線対称に配置された２つの前記第２受光素子からの出力信号を用いて、前記反射部の前記第１回転軸周りの走査角を検出することを特徴とする請求項５に記載の光走査装置。
【請求項７】
前記反射面に平行で、かつ、前記第１回転軸に垂直な第２回転軸（Ａｒ２）周りに前記反射部を揺動する第２の駆動部（８）を備え、
前記第２受光素子は、前記第１軸回転軸に対して線対称に配置された２つに加えてさらに２つ備えられており、
当該さらに２つの前記第２受光素子が、前記第２回転軸に対して線対称に２つ配置され、
前記制御部が、前記第１軸回転軸に対して線対称に配置された２つの前記第２受光素子からの出力信号と、前記第２軸回転軸に対して線対称に配置された２つの前記第２受光素子からの出力信号とを用いて、前記反射部の前記第１回転軸周りの走査角と、前記反射部の前記第２回転軸周りの走査角とを検出することを特徴とする請求項６に記載の光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可変焦点型の光走査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）型光走査装置は、ミラーを有する反射部と、反射部を両持ち支持する支持梁とを備え、支持梁の軸周りに反射部を回転させることにより光ビームの走査を行うものである。
【０００３】
光走査装置の中には、屈曲することで反射光の焦点位置を変化させる遠近焦点ＭＥＭＳミラーを備えたものがある。例えば特許文献１では、圧電素子の上にミラーを積層し、圧電素子への電圧の印加により、圧電素子と共にミラーを屈曲させて反射光の焦点位置を変化させる光走査装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２１５３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような可変焦点型の光走査装置において精度の高い走査をするためには、出荷前の試験等において、圧電素子等の屈曲部を動作させ、屈曲するミラーの反射面の曲率を検出し、所望の曲率が得られているか否かを調べる必要がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、反射面の曲率を検出する光走査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、光ビームを反射させる反射面（１２ａ）を有する反射部（１）と、反射面を球面状に屈曲させることで反射面による反射光の焦点位置を変化させる屈曲部（２）と、反射部を中心として反射面の平面における一方向の両側に延設され、反射部を両持ち支持すると共に一方向に平行な第１回転軸（Ａｒ１）周りに揺動可能とする支持梁（３）と、照射される光の入射角度に応じて変化する光の強度に対応した出力信号を発生させる第１受光素子（４）と、球面状に屈曲する反射面の曲率を検出する制御部（５）と、支持梁を共振振動させることにより、反射部を第１回転軸周りに揺動させる第１の駆動部（６）と、を備え、第１受光素子は、反射部のうち反射面と共に屈曲する部分の一面側に配置され、制御部は、第１受光素子に一定方向の光を照射し、第１受光素子からの出力信号を用いて、反射面の曲率を検出することを特徴としている。
【０００８】
これによれば、第１受光素子が、反射部のうち反射面と共に屈曲する部分の一面側に配置されているため、反射部が停止した状態において、制御部が第１受光素子に一定方向の光を照射すると、第１受光素子からの出力信号は、反射面の曲率により変化する。そのため、第１受光素子からの出力信号を用いて、反射面の曲率を検出することができる。
【０００９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる光走査装置の平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面図である。
【図３】図１中の領域IIIの拡大図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図４中の領域Vの拡大図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる光走査装置の部分拡大図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかる光走査装置の部分拡大図である。
【図８】図７のVIII−VIII線における断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態にかかる光走査装置の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図１〜図５を用いて説明する。本実施形態の光走査装置１００は、可変焦点型の光走査装置であり、反射部１と、屈曲部２と、支持梁３と、受光素子４と、制御部５と、第１の駆動部６と、連結部７と、第２の駆動部８と、支持部９とを備える。
【００１３】
なお、図１は断面図ではないが、図を見やすくするために、後述するミラー１２、圧電素子６２、配線６３、パッド６４ａ、６４ｂ、圧電素子８２にハッチングを施してある。
【００１４】
光走査装置１００が備える上記の構成要素のうち、反射部１、屈曲部２、支持梁３、受光素子４（図３〜図５参照）、第１の駆動部６、連結部７、第２の駆動部８、支持部９は、板状の基板１０を用いて形成されている。
【００１５】
図２に示すように、本実施形態では、基板１０は、デバイス層１０ａ、ＢＯＸ層（埋め込み酸化層：Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）１０ｂ、ハンドル層１０ｃが順に積層された構造のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板にて構成されている。
【００１６】
デバイス層１０ａは例えばＳｉ等で構成され、ＢＯＸ層１０ｂはＳｉＯ２等で構成され、ハンドル層１０ｃはＳｉ等で構成される。デバイス層１０ａは、光走査装置１００が備える反射部１、屈曲部２、支持梁３、受光素子４、第１の駆動部６、連結部７、第２の駆動部８、支持部９にパターニングされている。
【００１７】
反射部１は、光走査装置１００に照射された光ビームを反射させるものであり、基部１１と、ミラー１２とを備える。基部１１は、デバイス層１０ａを円形にパターニングすることにより形成された部分である。図２に示すように、基部１１の上面には、屈曲部２、ミラー１２が順に積層されている。ミラー１２は、屈曲部２と反対側の表面である反射面１２ａにおいて光ビームを反射させる部分であり、例えばＡｌにより構成されている。
【００１８】
図２〜図４に示すように、基部１１の内周部１１ａでは、ハンドル層１０ｃおよびＢＯＸ層１０ｂが除去されている。また、基部１１の外周部１１ｂでは、ハンドル層１０ｃおよびＢＯＸ層１０ｂが残されている。
【００１９】
このように、内周部１１ａにおいてハンドル層１０ｃおよびＢＯＸ層１０ｂを除去し、内周部１１ａの厚みを小さくすることにより、内周部１１ａが屈曲変形しやすくなる。それとともに、外周部１１ｂにおいてハンドル層１０ｃおよびＢＯＸ層１０ｂを残し、外周部１１ｂの厚みを大きくして、剛性を内周部１１ａよりも高くすることにより、光走査装置１００の駆動中に基部１１およびミラー１２が振動により変形することが抑制される。
【００２０】
本実施形態では、図３、図４に示すように、屈曲部２およびミラー１２が、基部１１の内周部１１ａの上面に積層されており、内周部１１ａは、ミラー１２が屈曲する際、反射面１２ａと共に屈曲する。
【００２１】
屈曲部２は、上面形状が円形状とされ、反射面１２ａを球面状に屈曲させることで反射面１２ａによる反射光の焦点位置を変化させるものであり、下部電極２ａ、圧電膜２ｂ、上部電極２ｃが順に積層された構造の圧電素子により構成されている。下部電極２ａおよび上部電極２ｃは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ｐｔ等により構成されている。また、圧電膜２ｂは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料により構成されている。なお、下部電極２ａおよび上部電極２ｃを、Ｐｔ／Ｔｉ等の積層構造としてもよい。
【００２２】
下部電極２ａと上部電極２ｃは、それぞれ、図示しない配線を介して後述する制御装置５１の出力端子に接続されている。制御装置５１により下部電極２ａと上部電極２ｃとの間に電位差が発生させられると、圧電膜２ｂが変形する。また、これに伴い、圧電膜２ｂを含む屈曲部２と共に積層構造をなす基部１１およびミラー１２が屈曲し、反射面１２ａが屈曲して、反射光の焦点位置が変化する。
【００２３】
反射面１２ａの平面における一方向をｘ方向、反射面１２ａの平面におけるｘ方向に垂直な方向をｙ方向とする。図１、図３に示すように、反射部１は、反射部１を中心としてｘ方向の両側に延設された支持梁３により両持ち支持されている。支持梁３は、反射部１をｘ方向に平行な第１回転軸Ａｒ１周りに揺動可能とするものである。
【００２４】
反射部１のうち反射面１２ａと共に屈曲する部分、つまり内周部１１ａの一面側に、受光素子４が配置されている。受光素子４は、照射される光の強度に応じて出力信号を変化させるものである。
【００２５】
本実施形態では、反射面１２ａの中心からの距離が互いに等しくなるように、複数の受光素子４が配置されている。具体的には、図３、図４に示すように、受光素子４は、内周部１１ａのうちミラー１２の外側であって、反射面１２ａに対する法線方向から見て第１軸Ａ１の上に位置する部分に、第１回転軸Ａｒ１に対して線対称に２つ配置されている。第１軸Ａ１は、反射面１２ａの中心を通る反射面１２ａに平行な軸であり、本実施形態では、第１軸Ａ１はｙ方向に平行である。２つの受光素子４をそれぞれ受光素子４ａ、４ｂとする。受光素子４ａ、４ｂは、本発明の第１受光素子に相当する。
【００２６】
図５に示すように、デバイス層１０ａのうち基部１１を構成する部分の上面には、絶縁膜１１ｃ、遮光膜１１ｄが順に積層されている。絶縁膜１１ｃは、例えばＳｉＯ２で構成される。遮光膜１１ｄは、例えばＡｌで構成される。受光素子４は、デバイス層１０ａの上面に形成されたフォトダイオードで構成され、受光素子４の上部においては、絶縁膜１１ｃおよび遮光膜１１ｄが除去され、開口部１１ｅが形成されている。
【００２７】
図５に示すように、開口部１１ｅは、受光素子４の上面に対する法線方向に延設されている。そのため、基部１１に光が照射された場合、光が遮光膜１１ｄにより遮られずに開口部１１ｅを通じて受光素子４に照射される面積は、光の方向が受光素子４の上面に対して垂直のときに最大となる。また、この面積は、光の方向が受光素子４の上面に対する法線方向から離れるにつれて、光が遮光膜１１ｄに遮られることによって小さくなる。
【００２８】
後述する光源５２は一定方向の光を発生させるため、ミラー１２と共に内周部１１ａが屈曲すると、開口部１１ｅに対する光の入射角度が変化し、上記のように、光が受光素子４に照射される面積が変化する。これにより、受光素子４全体において照射される光の強度が変化して、受光素子４の出力信号が変化する。
【００２９】
このように、受光素子４の上部において絶縁膜１１ｃおよび遮光膜１１ｄを除去し、開口部１１ｅを形成した構成により、受光素子４は、照射される光の入射角度に応じて変化する光の強度に対応した出力信号を発生するものとなっている。
【００３０】
制御部５は、受光素子４に一定方向の光を照射し、受光素子４からの出力信号を用いて、球面状に屈曲する反射面１２ａの曲率を検出するものであり、図１に示すように、制御装置５１と、光源５２とを備える。
【００３１】
制御装置５１は、受光素子４からの出力信号を用いて反射面１２ａの曲率を検出するものであり、ＣＰＵ、ＲＯＭやＲＡＭ等の記憶部を含んで構成されるマイクロコンピュータ、およびその周辺回路から構成されている。
【００３２】
光源５２は、受光素子４に一定方向の光を照射する装置である。具体的には、光源５２は、反射部１が揺動せずに停止している状態において、光源５２から照射される光が反射面１２ａの中央部に対して垂直となるように配置されている。また、本実施形態では、光源５２が発生させる光の強度は一定である。本実施形態では、走査に用いる光ビームの発生装置を光源５２として用いる。
【００３３】
制御装置５１の入力端子は、図示しない配線により２つの受光素子４に接続されており、制御装置５１の出力端子は、図１に示すように、光源５２に接続されている。また、制御装置５１の出力端子は、図示しない配線により屈曲部２、第１の駆動部６、第２の駆動部８に接続されており、制御装置５１により光走査装置１００の走査動作、反射面１２ａの屈曲動作が行われる。
【００３４】
図１に示すように、反射部１は、支持梁３を介して第１の駆動部６により支持されている。第１の駆動部６は、支持梁３を共振振動させることにより、反射部１を第１回転軸Ａｒ１周りに揺動させるものであり、デバイス層１０ａをパターニングして形成された長方形状の枠体６１の上面に、４つの圧電素子６２と、配線６３とを形成することで構成されている。支持梁３は、枠体６１の対向する２つの辺のうち、それぞれの中央部と接続されている。
【００３５】
図２に示すように、圧電素子６２は、下部電極６２ａと、圧電膜６２ｂと、上部電極６２ｃとが順に積層された構造とされている。下部電極６２ａおよび上部電極６２ｃは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ｐｔ等により構成されている。また、圧電膜６２ｂは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料により構成されている。なお、下部電極６２ａおよび上部電極６２ｃを、Ｐｔ／Ｔｉ等の積層構造としてもよい。
【００３６】
４つの圧電素子６２をそれぞれ圧電素子６２１、６２２、６２３、６２４とすると、図１に示すように、第１回転軸Ａｒ１の一方側に圧電素子６２１、６２２が配置され、他方側に圧電素子６２３、６２４が配置されている。また、反射部１のｘ方向における一方側に圧電素子６２１、６２３が配置され、他方側に圧電素子６２２、６２４が配置されている。
【００３７】
配線６３は、図２に示すように、下部配線６３ａと、絶縁膜６３ｂと、上部配線６３ｃとが順に積層された構造とされており、図１に示すように、４つの配線６３１、６３２、６３３、６３４に分けられている。下部配線６３ａ、上部配線６３ｃは、下部電極６２ａ、上部電極６２ｃと同様に、例えばＡｌ、Ａｕ、Ｐｔ等により構成されている。また、絶縁膜６３ｂは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等により構成されている。なお、下部配線６３ａおよび上部配線６３ｃを、Ｐｔ／Ｔｉ等の積層構造としてもよい。
【００３８】
図１、図２に示すように、配線６３１は、枠体６１の上面に形成されており、圧電素子６２１と圧電素子６２２とを電気的に接続している。図１に示すように、配線６３２は、枠体６１の上面に形成されており、圧電素子６２３と圧電素子６２４とを電気的に接続している。枠体６１のうち上面に配線６３１、６３２が形成された部分は、図２に示すように、内周部１１ａ、後述する基部８１に比べて厚みが大きい。
【００３９】
配線６３３、６３４は、それぞれ、圧電素子６２１、６２３を支持部９の上面に形成されたパッド６４ａ、６４ｂに接続するものであり、デバイス層１０ａの上面のうち、枠体６１から連結部７、第２の駆動部８、支持部９に至る部分に形成されている。パッド６４ａ、６４ｂは、図示しない配線もしくはボンディングワイヤ等を介して制御装置５１に接続されている。
【００４０】
図１に示すように、枠体６１のうち、ｘ方向の一方の端部から、ｙ方向の外側へ向けて連結部７が延設されている。連結部７は、枠体６１と反対側の端部において、第２の駆動部８と接続されている。
【００４１】
第２の駆動部８は、連結部７を通して枠体６１をｙ方向に平行な軸周りに揺動させることにより、反射部１をｙ方向に平行な第２回転軸Ａｒ２周りに揺動させるものである。第２回転軸Ａｒ２は、反射面１２ａに平行で、かつ、第１回転軸Ａｒ１に垂直である。第２の駆動部８は、デバイス層１０ａをパターニングして形成された基部８１の上面に、２つの圧電素子８２を形成することで構成されている。
【００４２】
図１に示すように、基部８１は、反射部１のｙ方向における両側に配置され、ｘ方向に延設されており、ｘ方向の一方側の端部において連結部７と接続され、他方側の端部において支持部９と接続されている。基部８１のうち、反射部１に対して圧電素子６２１、６２２とｙ方向における同じ側に配置された部分を基部８１ａ、圧電素子６２３、６２４と同じ側に配置された部分を基部８１ｂとする。
【００４３】
図２に示すように、圧電素子８２は、下部電極８２ａと、圧電膜８２ｂと、上部電極８２ｃとが順に積層された構造とされている。下部電極８２ａおよび上部電極８２ｃは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ｐｔ等により構成されている。また、圧電膜８２ｂは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料により構成されている。なお、下部電極８２ａおよび上部電極８２ｃを、Ｐｔ／Ｔｉ等の積層構造としてもよい。
【００４４】
２つの圧電素子８２をそれぞれ圧電素子８２１、８２２とする。図１に示すように、圧電素子８２１、８２２は、それぞれ、基部８１ａ、８１ｂの上面に形成されており、また、基部８１ａ、８１ｂの上面のうち連結部７側の端部から、支持部９の上面に至って形成されている。
【００４５】
基部８１ａの上面のうちｙ方向において圧電素子８２１よりも反射部１に近い部分、基部８１ｂの上面のうちｙ方向において圧電素子８２２よりも反射部１に近い部分には、それぞれ、連結部７から支持部９に至る配線６３３、６３４が形成されている。
【００４６】
支持部９は、支持梁３、第１の駆動部６、連結部７、第２の駆動部８を介して反射部１を支持するものであり、反射部１、屈曲部２、支持梁３、受光素子４、第１の駆動部６、連結部７、第２の駆動部８を内部に配置した長方形状の枠体で構成されている。ただし、第１の駆動部６、第２の駆動部８のうち、配線６３３、６３４の一部と、パッド６４ａ、６４ｂと、圧電素子８２１、８２２の一部は、支持部９の上面に形成されている。図２に示すように、支持部９は、内周部１１ａ、基部８１に比べて厚みが大きい。
【００４７】
以上のようにして、本実施形態にかかる光走査装置１００が構成されている。このような光走査装置１００は、フォトリソグラフィおよびエッチングによりデバイス層１０ａの表面に各圧電素子、各配線、各パッド、ミラー１２、受光素子４等を形成し、基板１０をパターニングして反射部１等を上記のように形成することで製造できる。
【００４８】
このように構成された光走査装置１００では、第１の駆動部６の圧電素子６２が備える下部電極６２ａ、上部電極６２ｃに対して制御装置５１により共振走査用電圧を印加することで、圧電膜６２ｂを変形させ、支持梁３を共振振動させる。これにより、反射部１を第１回転軸Ａｒ１周りに揺動させる。このとき、基部１１の外周部１１ｂにおいてハンドル層１０ｃおよびＢＯＸ層１０ｂが残され、外周部１１ｂの剛性が高くなっているため、反射部１の揺動による変形が抑制される。
【００４９】
また、第２の駆動部８の圧電素子８２が備える下部電極８２ａ、上部電極８２ｃに対して制御装置５１により強制走査用電圧を印加することで、圧電膜８２ｂを変形させ、基部８１の連結部７側の端部、連結部７、枠体６１の連結部７側の端部をｘｙ平面に垂直な方向に変位させる。これにより、反射部１をｙ方向に平行な第２回転軸Ａｒ２周りに揺動させる。
【００５０】
このように、第１の駆動部６および第２の駆動部８により、反射部１がｘ方向に平行な第１回転軸Ａｒ１およびｙ方向に平行な第２回転軸Ａｒ２周りに揺動し、２次元での走査が可能となる。
【００５１】
また、光走査装置１００では、屈曲部２を構成する圧電素子が備える下部電極２ａ、上部電極２ｃに対して制御装置５１により電圧を印加することで、圧電膜２ｂを変形させ、反射面１２ａを屈曲させる。これにより、反射光の焦点位置を変化させる。
【００５２】
このような可変焦点型の光走査装置１００において精度の高い走査をするためには、出荷前の試験等において、屈曲部２を動作させた場合に所望の曲率が得られるか否かを調べる必要がある。また、これを調べるためには、屈曲部２を動作させたときの反射面１２ａの曲率を検出する必要がある。
【００５３】
本実施形態の光走査装置１００では、第１の駆動部６および第２の駆動部８が動作せず、反射部１が揺動せずに停止している状態において、光源５２により光ビームを発生させ、受光素子４に照射することにより、反射面１２ａの曲率を検出することができる。
【００５４】
具体的には、制御装置５１は、屈曲部２の圧電素子が備える下部電極２ａ、上部電極２ｃに電圧を印加し、屈曲部２を動作させ、反射面１２ａを屈曲させる。また、光源５２は、一定方向の光ビームを発生させ、２つの受光素子４に照射する。このとき、屈曲部２の動作により反射面１２ａと共に内周部１１ａも屈曲しているため、制御装置５１から屈曲部２に印加される電圧に応じて、内周部１１ａのうち受光素子４が配置された部分の光源５２に対する角度が変化する。
【００５５】
光源５２が発生させる光ビームの方向は一定であるが、このように内周部１１ａが屈曲し、内周部１１ａのうち受光素子４が配置された部分の光源５２に対する角度が変化すると、受光素子４に対する光ビームの入射角度が変化する。
【００５６】
前述したように、受光素子４は、照射される光の入射角度に応じて変化する光の強度に対応した出力信号を発生するものとなっているため、受光素子４からの出力信号は、反射面１２ａの曲率に応じて変化する。
【００５７】
制御装置５１の記憶部には、受光素子４からの出力と第１軸Ａ１における反射面１２ａの曲率との関係を示す測定データ等が記憶されている。制御装置５１は、記憶された測定データ等と受光素子４からの出力信号とを用いて、第１軸Ａ１における反射面１２ａの曲率を検出する。
【００５８】
このように、本実施形態の光走査装置１００では、内周部１１ａに受光素子４を配置することにより、これらの受光素子４からの出力信号を用いて反射面１２ａの曲率を検出することができる。また、これにより、出荷前の試験等において屈曲部２を動作させた場合に所望の曲率が得られるか否かを調べ、精度の高い走査を行うことができる。また、光走査装置１００の出荷後においても、第１の駆動部６および第２の駆動部８の動作を停止させることにより、受光素子４からの出力信号を用いて反射面１２ａの曲率を検出することができる。
【００５９】
なお、本実施形態では、光源５２は、反射部１が揺動せずに停止している状態において、光源５２から照射される光が反射面１２ａの中央部に対して垂直となるように配置されている。また、２つの受光素子４は、第１回転軸Ａｒ１に対して線対称に配置されている。
【００６０】
そのため、反射面１２ａの曲率にかかわらず、受光素子４ａ全体に照射される光の強度と、受光素子４ｂ全体に照射される光の強度は、互いに等しい。つまり、受光素子４ａの出力信号と受光素子４ｂの出力信号は互いに等しい。
【００６１】
したがって、制御装置５１に記憶された測定データ等と、２つの受光素子４の出力信号の平均値とを用いることにより、反射面１２ａの曲率の検出精度を向上させることができる。
【００６２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して受光素子４の数を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００６３】
図６に示すように、本実施形態の光走査装置１００は、受光素子４を４つ備えている。具体的には、光走査装置１００は、受光素子４ａ、４ｂに加え、受光素子４ｃ、４ｄを備えている。
【００６４】
受光素子４ｃ、４ｄは、内周部１１ａのうちミラー１２の外側であって、反射面１２ａに対する法線方向から見て第２軸Ａ２の上に位置する部分に、第１軸Ａ１に対して線対称に配置されている。第２軸Ａ２は、反射面１２ａの中心を通る反射面１２ａに平行な軸であり、本実施形態では、第２軸Ａ２はｘ方向に平行であり、第１軸Ａ１に垂直である。受光素子４ｃ、４ｄは、本発明の第１受光素子に相当する。
【００６５】
受光素子４ｃ、４ｄは、受光素子４ａ、４ｂと同様に、デバイス層１０ａの上面に形成されたフォトダイオードで構成され、受光素子４ｃ、４ｄの上部においては、絶縁膜１１ｃおよび遮光膜１１ｄが除去され、開口部１１ｅが形成されている。
【００６６】
受光素子４ｃ、４ｄは、図示しない配線により、制御装置５１の入力端子に接続されている。光源５２が発生させる光ビームは、受光素子４ｃ、４ｄにも照射される。制御装置５１は、第１実施形態と同様の方法により、受光素子４ｃ、４ｄからの出力信号を用いて第２軸Ａ２における反射面１２ａの曲率を検出する。
【００６７】
このような構成の本実施形態においても、第１実施形態と同様に、受光素子４ａ、４ｂからの出力信号を用いて反射面１２ａの第１軸Ａ１における曲率を検出できる。また、本実施形態では、受光素子４ｃ、４ｄが配置されているため、上記のように、受光素子４ｃ、４ｄからの出力信号を用いて第２軸Ａ２における反射面１２ａの曲率を検出できる。
【００６８】
このように、反射面１２ａの平面内に置かれた２つの軸それぞれにおける反射面１２ａの曲率を検出することにより、反射面１２ａの曲率の検出精度を向上させることができる。
【００６９】
なお、本実施形態においても、受光素子４ｃ、４ｄの出力信号の平均値を用いることにより、第１実施形態と同様に、反射面１２ａの曲率の検出精度を向上させることができる。
【００７０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して受光素子４の数を変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、第２実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００７１】
図７、図８に示すように、本実施形態の光走査装置１００は、受光素子４を６つ備えている。具体的には、光走査装置１００は、受光素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに加え、受光素子４ｅ、４ｆを備えている。
【００７２】
受光素子４ｅ、４ｆは、反射部１のうち受光素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが形成された部分よりも剛性の高い部分、つまり外周部１１ｂの一面側に、第１回転軸Ａｒ１に対して線対称に配置されている。本実施形態では、受光素子４ｅ、４ｆは、反射面１２ａに対する法線方向から見て第１軸Ａ１の上に位置する部分に配置されている。受光素子４ｅ、４ｆは、本発明の第２受光素子に相当する。
【００７３】
受光素子４ｅ、４ｆは、受光素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄと同様に、デバイス層１０ａの上面に形成されたフォトダイオードで構成され、受光素子４ｅ、４ｆの上部においては、絶縁膜１１ｃおよび遮光膜１１ｄが除去され、開口部１１ｅが形成されている。受光素子４ｅ、４ｆは、図示しない配線により、制御装置５１の入力端子に接続されている。光源５２が発生させる一定方向の光ビームは、受光素子４ｅ、４ｆにも照射される。
【００７４】
本実施形態の光走査装置１００では、光源５２により光ビームを発生させ、受光素子４ｅ、４ｆに照射することにより、反射部１の第１回転軸Ａｒ１周りの走査角を検出することができる。
【００７５】
具体的には、第１の駆動部６が動作しており、第２の駆動部８が動作していない状態において、光源５２は、一定方向の光ビームを発生させ、受光素子４ｅ、４ｆに照射する。このとき、第１の駆動部６の動作により反射部１が第１回転軸Ａｒ１周りに揺動しているため、反射部１の第１回転軸Ａｒ１周りの走査角に応じて、外周部１１ｂの光源５２に対する角度が変化する。
【００７６】
光源５２が発生させる光ビームの方向は一定であるが、このように反射部１が揺動し、外周部１１ｂの光源５２に対する角度が変化すると、受光素子４ｅ、４ｆに対する光ビームの入射角度が変化する。
【００７７】
前述したように、受光素子４は、照射される光の入射角度に応じて変化する光の強度に対応した出力信号を発生するものとなっている。また、光走査装置１００では、外周部１１ｂにおいてハンドル層１０ｃおよびＢＯＸ層１０ｂを残し、外周部１１ｂの厚みを大きくして、剛性を内周部１１ａよりも高くすることで、基部１１の振動または内周部１１ａの屈曲による外周部１１ｂの変形が抑制されている。そのため、受光素子４ｅ、４ｆからの出力信号は、反射部１の第１回転軸Ａｒ１周りの走査角に応じて変化する。
【００７８】
制御装置５１の記憶部には、受光素子４ｅ、４ｆからの出力と反射部１の第１回転軸Ａｒ１周りの走査角との関係を示す測定データ等が記憶されている。制御装置５１は、記憶された測定データ等と受光素子４ｅ、４ｆからの出力信号とを用いて、反射部１の第１回転軸Ａｒ１周りの走査角を検出する。
【００７９】
なお、本実施形態では、外周部１１ｂに受光素子４が２つ配置されているため、光源５２が発生させる光ビームの強度が変化した場合にも、外周部１１ｂに配置された２つの受光素子４からの出力を比較することにより、反射部１の第１回転軸Ａｒ１周りの走査角を検出することができる。この場合、光ビームの強度の変化に応じて２つの受光素子４からの出力の差が大きく変化するほど検出精度が向上する。そのため、本実施形態のように、受光素子４ｅ、４ｆを、反射面１２ａに対する法線方向から見て第１軸Ａ１の上に位置する部分に配置し、２つの受光素子４の間の距離を大きくして、２つの受光素子４からの出力の差を大きくすることが望ましい。
【００８０】
このように、本実施形態では、反射部１の第１回転軸Ａｒ１周りの走査角を検出することができる。これにより、さらに精度の高い走査を行うことができる。また、本実施形態においても第２実施形態と同様の効果が得られる。
【００８１】
なお、本実施形態のように、内周部１１ａおよび外周部１１ｂにそれぞれ複数の受光素子４を配置することで、反射面１２ａの曲率と反射部１の走査角とを同時に検出することができる。これにより、さらに精度の高い走査を行うことができる。
【００８２】
例えば、本実施形態のように、内周部１１ａに４つの受光素子４が配置され、外周部１１ｂに２つの受光素子が配置されている場合、制御装置５１の記憶部には、６つの受光素子４からの出力と、反射面１２ａの曲率との関係を示す測定データ等が記憶される。また、制御装置５１は、記憶された測定データ等と６つの受光素子４からの出力信号とを用いて、反射面１２ａの曲率を検出する。
【００８３】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対して受光素子４の数を変更したものであり、その他に関しては第３実施形態と同様であるため、第３実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００８４】
図９に示すように、本実施形態の光走査装置１００は、受光素子４を８つ備えている。具体的には、光走査装置１００は、受光素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆに加え、受光素子４ｇ、４ｈを備えている。
【００８５】
受光素子４ｇ、４ｈは、反射部１のうち受光素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが形成された部分よりも剛性の高い部分、つまり外周部１１ｂの一面側に、第２回転軸Ａｒ２に対して線対称に配置されている。本実施形態では、受光素子４ｇ、４ｈは、反射面１２ａに対する法線方向から見て第２軸Ａ２の上に位置する部分に配置されている。受光素子４ｇ、４ｈは、本発明の第２受光素子に相当する。
【００８６】
受光素子４ｇ、４ｈは、受光素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆと同様に、デバイス層１０ａの上面に形成されたフォトダイオードで構成され、受光素子４ｇ、４ｈの上部においては、絶縁膜１１ｃおよび遮光膜１１ｄが除去され、開口部１１ｅが形成されている。受光素子４ｇ、４ｈは、図示しない配線により、制御装置５１の入力端子に接続されている。光源５２が発生させる一定方向の光ビームは、受光素子４ｇ、４ｈにも照射される。
【００８７】
本実施形態の光走査装置１００では、光源５２により光ビームを発生させ、受光素子４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈに照射することにより、反射部１の第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りの走査角を検出することができる。
【００８８】
具体的には、第１の駆動部６および第２の駆動部８が動作している状態において、光源５２は、一定方向の光ビームを発生させ、受光素子４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈに照射する。このとき、第２の駆動部８の動作により反射部１が第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りに揺動しているため、反射部１の第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りの走査角に応じて、外周部１１ｂの光源５２に対する角度が変化する。
【００８９】
光源５２が発生させる光ビームの方向は一定であるが、このように反射部１が揺動し、外周部１１ｂの光源５２に対する角度が変化すると、受光素子４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈに対する光ビームの入射角度が変化する。
【００９０】
前述したように、受光素子４は、照射される光の入射角度に応じて変化する光の強度に対応した出力信号を発生するものとなっている。また、光走査装置１００では、外周部１１ｂにおいてハンドル層１０ｃおよびＢＯＸ層１０ｂを残し、外周部１１ｂの厚みを大きくして、剛性を内周部１１ａよりも高くすることで、基部１１の振動または内周部１１ａの屈曲による外周部１１ｂの変形が抑制されている。そのため、受光素子４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈからの出力信号は、反射部１の第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りの走査角に応じて変化する。
【００９１】
制御装置５１の記憶部には、受光素子４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈからの出力と反射部１の第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りの走査角との関係を示す測定データ等が記憶されている。制御装置５１は、記憶された測定データ等と受光素子４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈからの出力信号とを用いて、反射部１の第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りの走査角を検出する。
【００９２】
なお、光源５２が発生させる光ビームの強度が変化した場合にも、受光素子４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈからの出力を比較することにより、反射部１の第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りの走査角を検出することができる。
【００９３】
このように、本実施形態では、反射部１の第１回転軸Ａｒ１、第２回転軸Ａｒ２周りの走査角を検出することができる。これにより、さらに精度の高い走査を行うことができる。また、本実施形態においても第３実施形態と同様の効果が得られる。
【００９４】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。
【００９５】
例えば、上記第１実施形態では、受光素子４ａ、４ｂは反射面１２ａに対する法線方向から見て第１軸Ａ１の上に位置する部分に配置されているが、受光素子４ａ、４ｂがこの部分に配置されていなくてもよい。例えば、受光素子４ａ、４ｂが、反射面１２ａに対する法線方向から見て第１軸Ａ１から離れた部分に配置されていてもよい。
【００９６】
同様に、上記第２実施形態において、受光素子４ｃ、４ｄが、反射面１２ａに対する法線方向から見て第２軸Ａ２から離れた部分に配置されていてもよい。また、上記第３実施形態において、受光素子４ｅ、４ｆが、反射面１２ａに対する法線方向から見て第１軸Ａ１から離れた部分に配置されていてもよい。また、上記第４実施形態において、受光素子４ｇ、４ｈが、反射面１２ａに対する法線方向から見て第２軸Ａ２から離れた部分に配置されていてもよい。
【００９７】
また、上記第１実施形態では、受光素子４ａ、４ｂが、反射面１２ａの中心からの距離が互いに等しくなるように配置されているが、反射面１２ａの中心から受光素子４ａまでの距離と、反射面１２ａの中心から受光素子４ｂまでの距離とが、互いに異なっていてもよい。
【００９８】
また、上記第１実施形態では、第１軸Ａ１はｙ方向に平行であるが、第１軸Ａ１がｙ方向に平行でなくてもよい。例えば、反射面１２ａに対する法線方向から見て、第１軸Ａ１がｙ方向に対して４５度傾いていてもよい。
【００９９】
また、上記第１実施形態において、光走査装置１００が受光素子４を１つのみ備えていてもよい。また、光走査装置１００が３つ以上の受光素子４を備えていてもよい。
【０１００】
また、上記第２実施形態において、光走査装置１００が、受光素子４を２つのみ備えていてもよい。この場合、第１軸Ａ１方向および第２軸Ａ２方向において、２つの受光素子４の位置が互いに異なっていれば、２つの受光素子４からの出力信号を用いて、第１軸Ａ１、および、第２軸Ａ２における反射面１２ａの曲率を検出することができる。
【０１０１】
また、上記第２実施形態において、光走査装置１００が受光素子４を３つのみ備えていてもよい。この場合、３つの受光素子４のうち２つの受光素子４を、反射面１２ａに対する法線方向から見て第２軸Ａ２の上に、第１軸Ａ１に対して線対称に配置し、この２つの受光素子４の出力信号の平均値を用いることにより、反射面１２ａの曲率の検出精度を向上させることができる。また、光走査装置１００が５つ以上の受光素子４を備えていてもよい。
【０１０２】
また、上記第３、第４実施形態では、内周部１１ａの一面側においては、受光素子４は少なくとも１つ配置されていればよい。
【０１０３】
また、上記第１実施形態では、光走査装置１００は第２の駆動部８を備えているが、光走査装置１００が第２の駆動部８を備えていなくてもよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１  反射部
２  屈曲部
３  支持梁
４  受光素子
５  制御部
６  第１の駆動部
８  第２の駆動部
【図１】
0006520530.tif 000002
【図２】
0006520530.tif 000003
【図３】
0006520530.tif 000004
【図４】
0006520530.tif 000005
【図５】
0006520530.tif 000006
【図６】
0006520530.tif 000007
【図７】
0006520530.tif 000008
【図８】
0006520530.tif 000009
【図９】
0006520530.tif 000010