(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主表面上に形成され、Ｇａを含む窒化物半導体からなり、主表面を（０００１）面とした第１半導体層と、
前記第１半導体層の主表面上に接触して形成され、基板平面方向の格子定数が前記第１半導体層より小さいＧａを含む窒化物半導体からなり、主表面を（０００１）面とした第２半導体層と、
前記第２半導体層の主表面上にショットキー接合して形成された第１金属層と、
前記第２半導体層の主表面上に前記第１金属層とは分離してオーミック接合して形成され、前記第１半導体層と電気的に接続された第２金属層と
を備えることを特徴とする半導体光触媒。
【請求項２】
請求項１記載の半導体光触媒において、
前記第１半導体層は、ｎ型とされていることを特徴とする半導体光触媒。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体光触媒において、
前記第２半導体層、前記第１金属層、前記第２金属層、および前記第２半導体層と前記第１金属層との接触領域は、露出する部分を備えることを特徴とする半導体光触媒。
【請求項４】
請求項３記載の半導体光触媒において、
島状とされた複数の前記第１金属層および島状とされた複数の前記第２金属層が、前記第２半導体層の主表面上に形成されていることを特徴とする半導体光触媒。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体から構成されて光触媒機能を有する半導体光触媒に関する。
【背景技術】
【０００２】
光触媒を用いた技術が多数開発されている。例えば、酸化電極と還元電極とを用いる技術がある（非特許文献１参照）。例えば、図４に示すように、酸化槽３０１と還元槽３０２と、酸化槽３０１に収容された酸またはアルカリの水溶液３０３と、還元槽３０２に収容された塩の水溶液３０４と、水溶液３０３および水溶液３０４の間でプロトンを移動させるプロトン膜３０５と、水溶液３０３に浸漬された酸化電極３０６と、水溶液３０４に浸漬された還元電極３０７と、酸化電極３０６および還元電極３０７を接続する導線３０８とを用いて水の電気分解を行う。
【０００３】
水溶液３０３は、例えば、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、塩酸であり、水溶液３０４は、例えば、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、塩化カリウム水溶液、塩化ナトリウム水溶液である。酸化電極３０６は、例えば、窒化物半導体，酸化チタン、またはアモルファスシリコンから構成され、還元電極３０７は、例えば、ニッケル、鉄、金、白金、銀、銅、インジウム、チタン、またはこれらの合金や金属化合物から構成されている。
【０００４】
酸化槽３０１と還元槽３０２との間にプロトン膜３０５が配置され、水溶液３０３で生成したプロトンが、プロトン膜３０５を介して水溶液３０４へ拡散していく。プロトン膜３０５は例えば、ナフィオン（登録商標）である。ナフィオン（登録商標）は、炭素−フッ素からなる疎水性テトラフルオロエチレン骨格とスルホン酸基を持つパーフルオロ側鎖から構成されたパーフルオロカーボン材料である。
【０００５】
酸化電極３０６と還元電極３０７とは、導線３０８で電気的に接続されており、酸化電極３０６から還元電極３０７へ電子が移動可能とされている。光源３１０は、例えば、キセノンランプ、水銀ランプ、ハロゲンランプ、疑似太陽光源、太陽光またはこれらの組み合わせである。酸化電極３０６を構成する材料の吸収可能な波長の光が照射される。例えば、窒化ガリウムで構成される酸化電極３０６では、３６５ｎｍ以下の波長の光が吸収可能である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】S. Yotsuhashi et al. , "CO2 Conversion with Light and Water by GaN Photoelectrode", Japanese Journal of Applied Physics, vol.51, 02BP07, 2012.
【非特許文献２】S. Y. Reece et al. , "Wireless Solar Water Splitting Using Silicon-Based Semiconductors and Earth-Abundant Catalysts", Science, vol.334, pp.645-648, 2011.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した技術では、構成要素が多く、反応系が複雑なことから、より簡易な反応系および小型化が課題である。これに対し、より簡便な構成で小型が可能な技術として、配線構造を必要とせずに１つの光触媒で構成する技術がある（非特許文献２参照）。
【０００８】
例えば、図５に示すように、光触媒槽４０１に収容された酸やアルカリなどの水溶液４０２と、水溶液４０２に浸漬した光触媒４０３とを備える。光触媒４０３は、窒化物半導体、酸化チタン、またはアモルファスシリコンなどから構成されている。なお、光触媒４０３の表面には、例えば水の分解反応を促進する金属助触媒が担持されている。光源４１０からの光が光触媒４０３に照射されると、水素および酸素が生成される。
【０００９】
この構成は、前述した光触媒の反応系に比べて簡易であり、系の低コスト化および小型化が可能である点で期待されている。しかしながら、この反応系では、光エネルギー変換効率が低いという問題がある。
【００１０】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、簡素な構成で光触媒反応の効率をより向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体光触媒は、基板の主表面上に形成され、Ｇａを含む窒化物半導体からなり、主表面を（０００１）面とした第１半導体層と、第１半導体層の主表面上に接触して形成され、基板平面方向の格子定数が第１半導体層より小さいＧａを含む窒化物半導体からなり、主表面を（０００１）面とした第２半導体層と、第２半導体層の主表面上にショットキー接合して形成された第１金属層と、第２半導体層の主表面上に第１金属層とは分離してオーミック接合して形成され、第１半導体層と電気的に接続された第２金属層とを備える。
【００１２】
上記半導体光触媒において、第１半導体層は、ｎ型とされているとよい。
【００１３】
上記半導体光触媒において、第２半導体層、第１金属層、第２金属層、および第２半導体層と第１金属層との接触領域は、露出する部分を備える。
【００１４】
上記半導体光触媒において、島状とされた複数の第１金属層および島状とされた複数の第２金属層が、第２半導体層の主表面上に形成されているようにすればよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、化合物半導体からなる第１半導体層の主表面上に接触して化合物半導体からなる第２半導体層を形成し、第２半導体層は第１半導体層より小さい格子定数としたので、簡素な構成で光触媒反応の効率がより向上するという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における半導体光触媒の構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態における半導体光触媒の一部構成を示す平面図である。
【図３】図３は、半導体光電極が用いられる実験装置の構成を示す構成図である。
【図４】図４は、酸化電極と還元電極とを用いる光触媒技術の構成を示す構成図である。
【図５】図５は、１つの光触媒を用いる光触媒技術の構成を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図１および図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態における半導体光触媒の構成を示す断面図である。また、図２は、実施の形態における半導体光触媒の一部構成を示す平面図である。
【００１８】
この半導体光触媒は、第１半導体層１０１、および第１半導体層１０１の主表面上に接触して形成された第２半導体層１０２を備える。第１半導体層１０１および第２半導体層１０２は、化合物半導体から構成されている。また、第２半導体層１０２は、第１半導体層１０１より小さな格子定数とされている。
【００１９】
また、第２半導体層１０２の主表面上にショットキー接合（接触）して形成された第１金属層１０３、および第２半導体層１０２の主表面上にオーミック接合（接触）して形成され、第１半導体層１０１と電気的に接続された第２金属層１０４を備える。例えば、第２金属層１０４を構成する金属が拡散して形成された合金領域１４１により、第２金属層１０４が半導体層１０１に電気的に接続している。第１金属層１０３と第２金属層１０４とは、電気的に分離されている。なお、第２金属層１０４、第２半導体層１０２、第１金属層１０３、および第２半導体層１０２と第１金属層１０３との接触領域は、露出する部分を備えていることが重要となる。
【００２０】
例えば、第２半導体層１０２の主表面上に、島状とされた複数の第１金属層１０３が形成されている。同様に、第２半導体層１０２の主表面上に、島状とされた複数の第２金属層１０４が形成されている。例えば、図２の平面図に示すように、平面視で直径１０μｍの円形とされた複数の第１金属層１０３、および平面視で直径１０μｍの円形とされた複数の第２金属層１０４が、各々１つおきに正方配列された状態とすればよい。隣り合う島部分の中心間の距離は１１０μｍとすればよい。
【００２１】
このように構成することで、第２半導体層１０２、第１金属層１０３、および第２半導体層１０２と第１金属層１０３との接触領域を、より広い面積で露出させることができる。また、各々の島状の部分（第２金属層１０４）を規則的に配列させることで、局所的な正孔の捕集による、例えば材料を劣化させる目的外の反応が抑制できるようになる。
【００２２】
第１半導体層１０１および第２半導体層１０２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成すればよい。例えば、第１半導体層１０１は、ｎ型のＧａＮから構成し、第２半導体層１０２は、ＡｌＧａＮから構成すればよい。この場合、主表面の面方位を（０００１）面としたサファイアからなる基板１１１の上に、例えば公知の有機金属気相成長法により、シリコンをドープしてｎ型としたＧａＮをエピタキシャル成長させて第１半導体層１０１とすればよい。また、有機金属気相成長法によりＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎをエピタキシャル成長させて第２半導体層１０２とすればよい。
【００２３】
上述した実施の形態における半導体光触媒によれば、第２半導体層１０２を第１半導体層１０１より小さな格子定数としていることによるピエゾ電界により、光を受けたことにより発生した正孔は、第２半導体層１０２の主表面側に移動し、ショットキー接合する第１金属層１０３に到達して捕集される。また、光を受けたことによりで発生した電子は、第１半導体層１０１の側に移動し、第１半導体層１０１に電気的に接続する第２金属層１０４に到達して捕集される。
【００２４】
上述した状態において、図３に示すように、実施の形態における半導体光触媒１００が、光触媒槽２０１に収容された電解質の水溶液２０２中に配置（浸漬）されていれば、正孔が捕集された第１金属層１０３において、酸化反応が発生し、電子が捕集されている第２金属層１０４で還元反応が発生する。この結果、水が電気分解できる（水の酸化反応による酸素生成、水の酸化により生じたプロトンの還元による水素生成）。
【００２５】
第１金属層１０３、第２半導体層１０２、第２金属層１０４、および第２半導体層１０２と第１金属層１０３との接触領域は、露出する部分を備えているので、これらは水溶液２０２に接触することになり、上述した反応が起こる状態とされている。なお、光は、光が透過する光触媒槽２０１の外部に配置した光源２０４から照射すればよい。
【００２６】
また、第１金属層１０３の金属種や、光触媒槽２０１内部の雰囲気を変えることで、二酸化炭素の還元反応による一酸化炭素、ギ散、メタノール、メタンの炭化水素類の生成、または、窒素の還元反応によるアンモニアの生成も可能である。
【００２７】
実施の形態によれば、第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１より小さな格子定数の第２半導体層１０２とを積層することで、光反応により生成した電子および正孔を分離させ、ショットキー接合する第１金属層１０３で分離した正孔を捕集するようにした。電子は、第１半導体層１０１に電気的に接続する第２金属層１０４で捕集する。この結果、上述した触媒反応の効率をより向上させることができる。また、実施の形態によれば、１つの溶液、１つの半導体光触媒で構成できるので、複雑な構成とする必要がない。
【００２８】
また、第１半導体層１０１をｎ型とすることで、上述した電子および正孔の移動をより効率的に起こさせることができるようになる。また、主表面を（０００１）面とした窒化物半導体から各半導体層を構成することで、各半導体層において発生する自然分極により電界が発生した状態となり、上述した電子および正孔の移動を、更に効率的に起こさせることができる。
【００２９】
例えば、ｎ型のＧａＮなどの窒化物半導体から構成した第１半導体層１０１の主表面をＶ族極性（Ｎ極性）とし、ＡｌＧａＮなどの窒化物半導体から構成した第２半導体層１０２の主表面はＩＩＩ族極性（Ｇａ極性）とすることで、各半導体層において発生する自然分極による電界で、第１半導体層１０１と第２半導体層１０２との界面側に発生した電子を移動させ、第２半導体層１０２においては、主表面側に発生した正孔を移動させることができる。
【００３０】
次に、実施例を用いてより詳細に説明する。
【００３１】
［実施例１］
はじめに、実施例１における半導体光触媒の作製について説明する。まず、主表面を（０００１）面としたサファイア基板を用意する。次に、サファイア基板の上に、よく知られた有機金属気相成長法によりシリコンをドープしたＧａＮをエピタキシャル成長させ、引き続いて、Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎをエピタキシャル成長させる。例えば、アンモニアを窒素原料とし、トリエチルガリウムをＧａ原料とし、トリメチルアルミニウムをＡｌ原料とすればよい。また、ｎ型とするためのシリコンは、ＳｉＣｌ4を原料とすればよい。
【００３２】
以上のことにより、サファイア基板の上に、厚さ２μｍのｎ−ＧａＮからなる第１半導体層を形成し、第１半導体層の上に、厚さ１００ｎｍのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる第２半導体層を形成した。第１半導体層は、キャリア密度を３×１０18ｃｍ-3とした。第２半導体層の層厚１００ｎｍは、第２半導体層における主表面方向からの、第２半導体層で吸収される波長の光の侵入長さと同程度となる。なお、第２半導体層で吸収されない波長の光が第１半導体層で効率よく吸収されるように、第１半導体層の層厚を２μｍとしている。
【００３３】
なお、ｎ−ＧａＮからなる第１半導体層は、基板平面方向の格子定数が０．３１８９ｎｍである。また、Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる第２半導体層は、基板平面方向の格子定数が０．３１８５ｎｍである。この場合、第２半導体層は、第１半導体層より格子定数が小さいものとなる。
【００３４】
次に、第２半導体層の主表面上に、第２金属層を形成した。例えば、公知のフォトリソグラフィ技術により島部に開口部を有するレジストパターンを形成し、このレジストパターンの上から真空蒸着法により以下に示す各金属を堆積する。例えば、まず、厚さ２５ｎｍのチタン層を堆積し、続いて厚さ５０ｎｍのアルミニウム層を堆積し、続いて厚さ２５ｎｍのチタン層を堆積し、続いて厚さ１００ｎｍの白金層を堆積した。最表面は白金層となる。なお、白金の代わりに、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、タンタル、パラジウム、ルテニウムを用いてもよい。
【００３５】
この後、レジストパターンを除去（リフトオフ）することで、開口部に堆積された白金が残り、島状の第２金属層となる。各々の第２金属層は、直径１０μｍの平面視円形とし、また、基板平面方向における各々の第２金属層の中心間の距離は、２２０μｍとした。また、複数の第２金属層は、正方配列させた。
【００３６】
以上のようにして、第２半導体層の主表面上に島状とした複数の第２金属層を形成した後、窒素雰囲気において、８００℃・３０秒の条件で加熱処理を実施し、第２金属層と第２半導体層（第１半導体層）との間にオーミック接合を形成させた。加熱処理により、第２金属層を構成する金属が半導体層中に拡散して合金領域を形成する。この合金領域が第１半導体層に到達することで、第２金属層と第１半導体層とが電気的に接続した状態とすることができる。なお、この熱処理は、各半導体層の組成が変化しない条件であれば、大気，不活性ガス，酸素ガス，水素ガス，真空減圧下などの雰囲気で実施してもよい。
【００３７】
次に、第２半導体層の主表面上に、白金から構成した複数の島状の第１金属層を形成した。例えば、公知のフォトリソグラフィ技術により島部に開口部を有するレジストパターンを形成し、このレジストパターンの上から真空蒸着法により白金を堆積する。厚さ１００ｎｍ程度に形成する。この後、レジストパターンをリフトオフすることで、開口部に堆積された白金が残り、複数の島状の第１金属層となる。第１金属層は、第２半導体層にショットキー接合した状態となる。第１金属層は、直径１０μｍの平面視円形とした。また、基板平面方向における各第１金属層の中心間の距離は、２２０μｍとした。また、複数の島状の第１金属層は、複数の島状の第２金属層と、各々１つおきに配列されている状態とした。
【００３８】
次に、上述したことにより作製した積層構造を切断することで半導体光触媒チップ（試料１）を形成した。チップは、光触媒機能が発現される実効的な面積が１ｃｍ2となるサイズに形成した。
【００３９】
［実施例２］
次に、実施例２における半導体光触媒の作製について説明する。実施例２では、第１半導体層をインジウムの組成比を５％としたｎ型の窒化インジウムガリウム（Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ）から構成し、第２半導体層をＧａＮから構成した。Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎの成長では、トリエチルインジウムをＩｎ原料とすればよい。第１半導体層は厚さ２μｍとし、第２半導体層は厚さ１００ｎｍとした。なお、ｎ−Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる第１半導体層は、基板平面方向の格子定数が０．３２０７ｎｍである。この場合、第２半導体層は、第１半導体層より格子定数が小さいものとなる。
【００４０】
なお、各半導体層の形成（成長）および各金属層の形成は、実施例１と同様にした。また、上述したことにより作製した積層構造を実施例１と同様にしてチップとすることで、試料２とした。
【００４１】
［実施例３］
次に、実施例３における半導体光触媒の作製について説明する。実施例３では、第１半導体層をｎ型のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎから構成し、第２半導体層をアルミニウムの組成比を５％とした窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ）から構成した。第１半導体層は厚さ２μｍとし、第２半導体層は厚さ１００ｎｍとした。なお、Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる第２半導体層は、基板平面方向の格子定数が０．３１８５ｎｍである。この場合、第２半導体層は、第１半導体層より格子定数が小さいものとなる。
【００４２】
なお、各半導体層の形成（成長）および各金属層の形成は、実施例１，２と同様にした。また、上述したことにより作製した積層構造を実施例１と同様にしてチップとすることで、試料３とした。
【００４３】
［実施例４］
次に、実施例４における半導体光触媒の作製について説明する。実施例４では、第１半導体層をｎ型のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎから構成し、第２半導体層をインジウムの組成比を１％としたｎ型のＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎから構成した。第１半導体層は厚さ２μｍとし、第２半導体層は厚さ１００ｎｍとした。なお、Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎからなる第２半導体層は、基板平面方向の格子定数が０．３１９３ｎｍである。この場合、第２半導体層は、第１半導体層より格子定数が小さいものとなる。
【００４４】
なお、各半導体層の形成（成長）および各金属層の形成は、実施例１，２と同様にした。また、上述したことにより作製した積層構造を実施例１と同様にしてチップとすることで、試料４とした。
【００４５】
［実施例５］
次に、実施例５における半導体光触媒の作製について説明する。実施例５では、第１半導体層を、アルミニウムの組成比を５％としたｎ型のＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎから構成し、第２半導体層をアルミニウムの組成比を１０％としたｎ型のＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎから構成した。第１半導体層は厚さ２μｍとし、第２半導体層は厚さ１００ｎｍとした。なお、ｎ型のＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる第１半導体層は、基板平面方向の格子定数が０．３１８５ｎｍである。また、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる第２半導体層は、基板平面方向の格子定数が０．３１８３ｎｍである。この場合においても、第２半導体層は、第１半導体層より格子定数が小さいものとなる。
【００４６】
なお、各半導体層の形成（成長）および各金属層の形成は、実施例１と同様にした。また、上述したことにより作製した積層構造を実施例１と同様にしてチップとすることで、試料５とした。
【００４７】
［比較例１］
次に、比較例１における半導体光触媒の作製について説明する。比較例１では、実施例１における第２半導体層を形成しない構成とした。比較例１では、第１金属層および第２金属層を、第１半導体層の主表面上に形成した。各々島状とし、実施例１と同様に正方配列させた複数の第１金属層および複数の第２金属層を形成した。
【００４８】
なお、半導体層の形成（成長）および各金属層の形成は、実施例１と同様にした。また、上述したことにより作製した積層構造を実施例１と同様にしてチップとすることで、比較試料１とした。
【００４９】
［比較例２］
次に、比較例２における半導体光触媒の作製について説明する。比較例２では、実施例１における第２半導体層をアンドープのＧａＮから構成した。この構成は、第１半導体層と第２半導体層とが同じ格子定数となる。比較例２でも、実施例１と同様に、第１金属層および第２金属層を、第２半導体層の主表面上に形成した。
【００５０】
なお、半導体層の形成（成長）および各金属層の形成は、実施例１と同様にした。また、上述したことにより作製した積層構造を実施例１と同様にしてチップとすることで、比較試料２とした。
【００５１】
［酸化還元反応試験］
次に、試料１，試料２，試料３，試料４，試料５，比較試料１，比較試料２を用いた酸化還元反応試験の結果について説明する。この試験では、図３を用いて説明した光触媒槽２０１をセルとして用い、水溶液２０２として濃度１ｍｏｌ／リットルの水酸化カリウム水溶液（１２５ｍリットル）を用いた。半導体光触媒１００として試料１，試料２，試料３，試料４，試料５，比較試料１，比較試料２を用いた。
【００５２】
試験においては、水溶液２０２に窒素ガスを２００ｍリットル／ｍｉｎで３０分間バブリングして脱泡・置換した後、光触媒槽２０１を、シリコーンとフッ素樹脂との２層構造のセプタムで密閉した。光触媒槽２０１内の圧力は大気圧とした。また、光源２０４として、３００Ｗの高圧キセノンランプ（４００ｎｍ以上をカット、照度５ｍＷ／ｃｍ2）を用いた。光源２０４からの光は、光触媒槽２０１の外側から、半導体光触媒１００に均一に照射した。光源２０４からの光が、第１金属層、第２金属層の形成面に照射される状態とした。また、水溶液２０２の攪拌は、光触媒槽２０１の底部中心に配置した攪拌子２０５を、図示しないスターラを用いて２５０ｒｐｍの回転速度で回転させて実施した。
【００５３】
任意の時間が経過した時点で、光触媒槽２０１内のガスをセプタム部分からシリンジで採取し、ガスクロマトグラフ質量分析計にて反応生成物を分析した。この分析では、水素と酸素が生成していることが確認された。
【００５４】
また、試料１，試料２，試料３，試料４，試料５，比較試料１，比較試料２における、光照射時間に対する水素ガスの生成量を以下の表１に示す。水素ガスの生成量は、チップの面積で規格化して示した。
【００５５】
【表１】
0006483628.tif 000002
【００５６】
表１に示すように、いずれの試料も、光照射時間の経過とともにセル内の水素量が増加した。一方、実施例１〜５における試料１〜５は、比較試料１，２に比較して、水素生成量が多いことが確認された。第２半導体層を用いていない比較試料１、ならびに、第１半導体層と第２半導体層との格子定数が等しい比較試料２に比較し、試料１〜５は、約５〜６倍の生成量が示された。これらの結果は、半導体光触媒の半導体表面から光の侵入領域において生成した電子と正孔の分離が、格子定数の歪みに起因して生じるピエゾ電界によって促進され、近傍の第１金属層および第２金属層にて、還元反応および酸化反応が生じているためと考えられる。
【００５７】
以上に説明したように、本発明によれば、化合物半導体からなる第１半導体層の主表面上に接触して化合物半導体からなる第２半導体層を形成し、第２半導体層は第１半導体層より小さい格子定数としたので、簡素な構成で光触媒反応の効率をより向上させることができるようになる。
【００５８】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
【符号の説明】
【００５９】
１０１…第１半導体層、１０２…第２半導体層、１０３…第１金属層、１０４…第２金属層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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