(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面上にパターン状の金属めっき膜が形成されためっき品の製造方法であって、
Ａ１）基材表面上に、導電性高分子微粒子とバインダー樹脂とを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程、
Ａ２）めっき下地層の一部に、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去してパターン状のめっき下地層を形成する工程、
Ａ３）基材上に形成されたパターン状のめっき下地層について、該層に含まれる導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して還元性高分子微粒子に変える工程、
Ａ４）脱ドープ処理された前記めっき下地層の上に、無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程からなることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記Ａ２）の工程において、合成石英製のフォトマスクを介して、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射したことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
Ａ１）工程後であって、かつＡ２）工程前のめっき下地層における厚みは０．１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項１または２記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン状の金属めっき膜が形成されためっき品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
回路やアンテナ等の配線を製造する方法として、銅箔をエッチングすることで必要な部位のみを残す方法が一般的である。例えば、プリント配線板の用途では、銅箔と基材を接着させた銅張積層板に対して、フォトリソグラフィーの技術を採用し、銅箔の不要な部位を溶解して回路パターンを形成する方法が通常行われている。
【０００３】
具体的には、例えば特許文献１に記載されているように、銅箔上にフォトレジスト(感光性樹脂)を設け、フォトマスクを介して露光し、現像、エッチング、レジスト剥離という方法を経て、回路パターンを形成する方法が知られている。
ところが、この方法では回路パターンの面積が少なくなると、銅箔をエッチングして除去する部位が多くなるため、効率が悪いという問題があった。
【０００４】
そこで、めっき法により回路パターン等の配線を形成するアディティブ法が注目されてきた。そして、アディティブ法の一つとして、例えば特許文献２に記載されているように、基材フィルム上に導電率が０．０１Ｓ／ｃｍ未満の微粒子が分散された塗料をコーティングしてポリマー層を形成し、続いて、該ポリマー層にマスクパターンを介して紫外線を照射し、続いて、ポリマー層のうち、紫外線を照射されなかった部分について無電解めっき液から金属膜を化学めっきすることにより、パターン状の金属膜が形成されためっき品を製造する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０９−１３００１６号公報
【特許文献２】特開２００７−２７０１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献２記載の方法は、効率よく簡便にパターン状の金属めっき膜が形成されためっき品を得ることができるが、パターン状の金属めっき膜間(配線間)に、紫外線照射後であっても残存している導電性または還元性の高分子微粒子が多く存在しており、結果、例えば回路として使用した場合には絶縁性が劣る(短絡がある)問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、パターン状の金属めっき膜間(配線間)に、導電性または還元性の高分子微粒子が略存在せず、その結果、絶縁性に優れるパターン状の金属めっき膜が形成されためっき品を製造する方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定波長の紫外線を照射することで、その照射部における導電性または還元性の高分子微粒子とバインダー樹脂とを含むめっき下地層を略除去することができることを見出し、本発明の完成に至った。
【０００９】
即ち、本発明は、
１．基材表面上にパターン状の金属めっき膜が形成されためっき品の製造方法であって、
Ａ１）基材表面上に、導電性高分子微粒子とバインダー樹脂とを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程、
Ａ２）めっき下地層の一部に、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去してパターン状のめっき下地層を形成する工程、
Ａ３）基材上に形成されたパターン状のめっき下地層について、該層に含まれる導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して還元性高分子微粒子に変える工程、
Ａ４）脱ドープ処理された前記めっき下地層の上に、無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程からなることを特徴とする。
２．前記Ａ２）の工程において、合成石英製のフォトマスクを介して、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射したことを特徴とする。
３．Ａ１）工程後であって、かつＡ２）工程前のめっき下地層における厚みは０．１〜０．５μｍであることを特徴とする
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、パターン状の金属めっき膜間(配線間)に、導電性または還元性の高分子微粒子が略存在せず、絶縁性に優れるパターン状の金属めっき膜が形成されためっき品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】櫛型パターンの銅めっき膜を模式的に示したものであり、実施例や比較例におけるＬ／Ｓ＝２μｍ／１００μｍの櫛型パターンではなく、実施例における絶縁性の評価を行うにあたり、櫛型パターンの銅めっき膜におけるＡとＡ’部位を説明するための図である。
【００１２】
更に詳細に本発明を説明する。
基材表面上にパターン状の金属めっき膜が形成されためっき品の製造方法であって、
Ａ１）基材表面上に、導電性高分子微粒子とバインダー樹脂とを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程、
Ａ２）めっき下地層の一部に、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去してパターン状のめっき下地層を形成する工程、
Ａ３）基材上に形成されたパターン状のめっき下地層について、該層に含まれる導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して還元性高分子微粒子に変える工程、
Ａ４）脱ドープ処理された前記めっき下地層の上に、無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程からなることを特徴とする。
【００１３】
以下、Ａ１）〜Ａ４）の各工程について順次説明する。
[Ａ１）工程]
この工程は、基材表面上に、導電性高分子微粒子とバインダー樹脂とを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程である。
【００１４】
本発明に使用する基材としては、例えばポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス、金属等が挙げられる。また、基材の形状は特に限定されないが、例えば、板状、フィルム状が挙げられる。他にも、基材として、例えば、射出成形などにより樹脂を成形した樹脂成形品が挙げられる。
そして、例えば、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタレート樹脂からなるフィルム上に、本発明の製造方法によりパターン状の金属めっき膜を設けることにより、電気回路やアンテナ等の配線を作成することができる。  
基材の厚さは、５ないし５００μｍの範囲となるものが好ましく、１２ないし３００μｍの範囲となるものがより好ましい。
【００１５】
本発明に使用する塗料は、導電性高分子微粒子とバインダー樹脂とを含むものである。
【００１６】
先ず、導電性高分子微粒子は、導電性を有するπ−共役二重結合を有する高分子であれば特に限定されないが、例えば、ポリアセチレン、ポリアセン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン及びそれらの各種誘導体が挙げられ、好ましくは、黒色で光線反射率が低いポリピロールが挙げられる。導電性高分子微粒子は、π−共役二重結合を有するモノマーから合成して使用する事ができるが、市販で入手できる導電性高分子微粒子を使用することもできる。また、導電性高分子微粒子は、導電性を有する粒子であって、０．０１Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する粒子が好ましい。また、導電性高分子微粒子としては、球形の微粒子であるものが挙げられ、その平均粒径（レーザー回析／散乱法により求められる値）は、１０〜１００ｎｍとするのが好ましい。
【００１７】
上記導電性高分子微粒子は、通常、有機溶媒に分散された分散液として使用されるが、これらの微粒子は、分散液中における分散安定性を維持するために、固形分として該分散液の質量の１０質量％以下（固形分比）となるようにするのが好ましい。
前記の微粒子を分散する有機溶媒としては、例えば、酢酸ブチル等の脂肪族エステル類、トルエン等の芳香族溶媒、メチルエチルケトン等のケトン類、シクロヘキサン等の環状飽和炭化水素類、ｎ−オクタン等の鎖状飽和炭化水素類、メタノール、エタノール、ｎ−オクタノール等の鎖状飽和アルコール類、安息香酸メチル等の芳香族エステル類、ジエチルエーテル等の脂肪族エーテル類及びこれらの混合物等が挙げられる。
【００１８】
続いて、バインダー樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリメチルメタクリレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ポリ(N−ビニルカルバゾール)系樹脂、炭化水素系樹脂、ケトン系樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、エチルセルロース系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ABS系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、アクリル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、アルキド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂等が挙げられる。
導電性高分子微粒子とバインダー樹脂の固形分比（質量比）は、５：１ないし１：１０の範囲となる。上記固形分比において、５：１よりもバインダー樹脂の固形分比が小さくなると金属めっき膜の密着性が低下して剥離が生じ易くなり、１：１０よりもバインダー樹脂の固形分比が大きくなると、めっき析出性が低下してめっきが析出し難くなるため、好ましくない。
【００１９】
また、本発明で使用する塗料は、導電性高分子微粒子とバインダー樹脂に加えて無機フィラー、溶媒等を含み得る。更には、黒色インク又は暗色インクを加えることも可能であり、用途や塗布対象物等の必要に応じて、分散安定剤、増粘剤、インキバインダ等の樹脂を加えることも可能である。
無機フィラーとしては、カーボン粒子が挙げられ、カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック等が挙げられる。カーボン粒子としては、平均１次粒子径が１ないし１００ｎｍの範囲となるものが好ましい。
溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば酢酸ブチル等の脂肪族エステル類、トルエン等の芳香族溶媒、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類、シクロヘキサン等の環状飽和炭化水素類、ｎ−オクタン等の鎖状飽和炭化水素類、メタノール、エタノール、ｎ−オクタノール等の鎖状飽和アルコール類、安息香酸メチル等の芳香族エステル類、ジエチルエーテル等の脂肪族エーテル類及びこれらの混合物等が挙げられる。また、メチルセルソルブ等の多価アルコール誘導体溶媒、ミネラルスピリット等の炭化水素溶媒、ジヒドロターピネオール、Ｄ−リモネン等のテルペン類に分類される溶媒を用いることもできる。
【００２０】
本発明で使用する塗料を基材表面上に塗布してめっき下地層を形成する方法としては、基材表面上に塗料を印刷（全面印刷）する方法が挙げられる。
尚、基材の両面にめっき下地層を形成する場合は、上記の操作を繰り返すことにより達成され得る。
前記塗料を用いる印刷（全面印刷）としては、特に限定されるものではなく、例えば、スクリーン印刷法、スクリーンオフセット法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、フレキソ印刷法、インプリント印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等が挙げられ、また、印刷方法は、各印刷機を用いる通常の印刷法によって行うことができる。
【００２１】
形成するめっき下地層の厚さは、０．１ないし０．５μｍの範囲とするのが好ましい。めっき下地層の厚さが０．１μｍ未満になると、めっきの析出性が低下する場合がある。
めっき下地層の厚さが０．５μｍを超えると、めっきの密着性が悪くなる場合がある。
【００２２】
[Ａ２）工程]
この工程は、めっき下地層の一部に、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去してパターン状のめっき下地層を形成する工程である。具体的には、めっき下地層上にパターンが形成されたフォトマスクを設け、そのフォトマスクを介して、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去してパターン状のめっき下地層を形成する方法、或いは、フォトマスクを介さずに、めっき下地層の一部に直接、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去してパターン状のめっき下地層を形成する方法が挙げられる。
なお、ここでいう照射部におけるめっき下地層を「略除去」してパターン状のめっき下地層を形成するとは、１）照射部におけるめっき下地層を「完全に除去」してパターン状のめっき下地層を形成する場合と、２）照射部におけるめっき下地層の「一部が残存」してのパターン状のめっき下地層を形成する場合とが含まれるが、いずれの場合においても、次のように定義される。
（１）先ず、Ａ１）工程後、又はＢ１）工程後のめっき下地層の膜厚１を測定する。なお、めっき下地層の膜厚の測定方法は、めっき下地層を設けた基材フィルムにおける任意の断面５点について、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ：日本電子(株)製のＪＳＭ−６７００Ｆ)により観察し、各めっき下地層の膜厚を測定して平均値を算出し、その平均値をＡ１）工程後、又はＢ１）工程後のめっき下地層の膜厚１とする。
（２）続いて、Ａ２）工程後、又はＢ２）工程後のパターン状のめっき下地層を設けた基材フィルムにおいて、紫外線照射部におけるめっき下地層の膜厚２を測定する。なお、紫外線照射部におけるめっき下地層の膜厚の測定方法は、パターン状のめっき下地層を設けた基材フィルムにおける任意の断面５点(紫外線照射部を含む断面)について、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ：日本電子(株)製のＪＳＭ−６７００Ｆ)により観察し、各紫外線照射部におけるめっき下地層の膜厚を測定して平均値を算出し、その平均値をＡ２）工程後、又はＢ２）工程後の紫外線照射部におけるめっき下地層の膜厚２とする。
（３）続いて、めっき下地層の除去率について、以下の式１を用いて算出する。
［式１］{（膜厚１−膜厚２）／膜厚１}×１００［％］
結果、めっき下地層の除去率が９０％を超えたものが、紫外線照射部におけるめっき下地層を「略除去」してパターン状のめっき下地層を形成するに該当するものと定義される。そして、めっき下地層の除去率が９０％を超えたものであれば、例えば絶縁性に優れるため回路用途として好ましく使用することができ、また視認性にも優れるため透明電極用途としても好ましく使用することができるものである。
また、フォトマスクの材質としては、２００ｎｍ以下の紫外線を透過し易い理由から合成石英製のものが好ましく使用できる。
フォトマスクのパターンは、特に限定されるものではなく、例えば櫛型パターン、幾何学模様パターン、格子パターンなど何のパターンでも適用できる。
照射する紫外線の光源としては、波長が２００ｎｍ以下のものであれよい。
【００２３】
[Ａ３）工程]
この工程は、基材上に形成されたパターン状のめっき下地層について、該層に含まれる導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して還元性高分子微粒子に変える工程である。
脱ドープ処理としては、パターン状のめっき下地層が形成された基材を、還元剤、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等の水素化ホウ素化合物、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、トリエチルアミンボラン等のアルキルアミンボラン、及び、ヒドラジン等を含む溶液で処理して還元する方法、又は、アルカリ性溶液で処理する方法が挙げられる。
また、操作性及び経済性の観点からアルカリ性溶液で処理するのが好ましい。
特に、導電性高分子微粒子を含むめっき下地層は非常に薄いものであるため、緩和な条件下で短時間のアルカリ処理により脱ドープを達成することが可能である。例えば、１Ｍ  水酸化ナトリウム水溶液中で、２０ないし５０℃、好ましくは３０ないし４０℃の温度で、１ないし３０分間、好ましくは３ないし１０分間処理される。
上記脱ドープ処理により、めっき下地層中に存在する導電性高分子微粒子は、還元性高分子微粒子となる。
【００２４】
[Ａ４）工程]
この工程は、脱ドープ処理された前記めっき下地層の上に、無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程である。
無電解めっき法としては、通常知られた方法に従って行うことができる。即ち、Ａ３）工程で脱ドープ処理を施されたパターン状のめっき下地層が形成された基材を、塩化パラジウム等の触媒金属を付着させるための触媒液に浸漬した後、水洗等を行い、無電解めっき浴に浸漬することにより金属めっき膜を設けることができる。
触媒液は、無電解めっきに対する触媒活性を有する貴金属（触媒金属）を含む溶液であり、触媒金属としては、パラジウム、金、白金、ロジウム等が挙げられ、これら金属は単体でも化合物でもよく、触媒金属を含む安定性の点からパラジウム化合物が好ましく、その中でも塩化パラジウムが特に好ましい。
好ましい、具体的な触媒液としては、０．０５％塩化パラジウム−０．００５％塩酸水溶液（ｐＨ３）が挙げられる。
処理温度は、２０ないし５０℃、好ましくは３０ないし４０℃であり、処理時間は、０．１ないし２０分、好ましくは、１ないし１０分である。
上記の操作により、脱ドープ処理により還元性とされた微粒子は、該微粒子上に触媒金属が吸着され、結果的に、導電性高分子微粒子となる。
【００２５】
上記で処理された基材は、金属を析出させるためのめっき液に浸され、これによりパターン状の金属めっき膜が形成される。
めっき液としては、通常、無電解めっきに使用されるめっき液であれば、特に限定されない。即ち、無電解めっきに使用できる金属、銅、金、銀、ニッケル等、全て適用することができるが、銅が好ましい。
無電解銅めっき浴の具体例としては、例えば、ＡＴＳアドカッパーＩＷ浴（奥野製薬工業（株）社製）等が挙げられる。
処理温度は、２０ないし５０℃、好ましくは３０ないし４０℃であり、処理時間は、１ないし３０分、好ましくは、５ないし１５分である。
得られためっき品は、使用した基材のＴｇより低い温度範囲において、数時間以上、例えば、２時間以上養生するのが好ましい。
形成されるパターン状の金属めっき膜の厚さは、１００ないし２０００ｎｍの範囲とするのが好ましく、２００ないし５００ｎｍの範囲とするのがより好ましい。
【００２６】
本発明の基材表面上にパターン状の金属めっき膜が形成されためっき品の別の製造方法としては、
Ｂ１）基材表面上に、還元性高分子微粒子とバインダー樹脂とを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程、
Ｂ２）めっき下地層の一部を、波長が２００ｎｍ以下の紫外線で照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去してパターン状のめっき下地層を形成する工程、
Ｂ３）基材上に形成されたパターン状の前記めっき下地層の上に、無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程からなることを特徴とする。
【００２７】
Ｂ１）工程は、上述したＡ１）工程における導電性高分子微粒子に代えて還元性高分子微粒子を用いる以外は、全く同様の条件で行うことができる。
還元性高分子微粒子としては、０．０１Ｓ／ｃｍ未満の導電率を有するπ−共役二重結合を有する高分子であれば特に限定されないが、例えば、ポリアセチレン、ポリアセン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン及びそれらの各種誘導体が挙げられ、好ましくは、黒色で光線反射率が低いポリピロールが挙げられる。
また、還元性高分子微粒子としては、０．００５Ｓ／ｃｍ以下の導電率を有する高分子微粒子が好ましい。
還元性高分子微粒子は、π−共役二重結合を有するモノマーから合成して使用する事ができるが、市販で入手できる還元性高分子微粒子を使用することもできる。
還元性高分子微粒子は、有機溶媒に分散された分散液として使用されるが、該還元性高分子微粒子は、分散液中における分散安定性を維持するために、固形分として該分散液の質量の１０質量％以下（固形分比）となるようにするのが好ましい。
また、還元性高分子微粒子としては、球形の微粒子であるものが挙げられ、その平均粒径（レーザー回析／散乱法により求められる値）は、１０〜１００ｎｍとするのが好ましい。
【００２８】
次に、Ｂ２）工程は、上述したＡ２）工程と全く同様の条件で行うことができる。
また、このＢ１）〜Ｂ３）の製造方法では、還元性高分子微粒子を用いるものであるため、上述したＡ３）工程、即ち、導電性高分子微粒子を還元性高分子微粒子に変える脱ドープ処理の工程を必要としない。
そして、Ｂ３）工程は、上述したＡ４）工程と全く同様の条件で行うことができる。
【００２９】
また、上述したＡ１）〜Ａ４）或いはＢ１）〜Ｂ３）の製造方法で得られためっき品に対して、具体的には無電解めっき法により形成されたパターン状の金属めっき膜上に、必要に応じて電解めっき法による金属めっき膜を形成してもよく、また、黒化処理を行うこともできる。
なお、パターン状の金属めっき膜表面の黒化処理は、酸化処理（例えば、亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム及びリン酸三ナトリウムの水溶液を用いる酸化処理）等を行って、例えば、ＣｕＯ膜を形成することにより達成され得る。
【実施例】
【００３０】
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
製造例１：導電性ポリピロール塗料の調製
アニオン性界面活性剤ペレックスＯＴ−Ｐ（花王（株）製）１．５ｍｍｏｌ、トルエン１０ｍＬ、イオン交換水１００ｍＬを加えて２０℃に保持しつつ乳化するまで撹拌した。次に、得られた乳化液にピロールモノマー２１．２ｍｍｏｌを加え、１時間撹拌し、次いで過硫酸アンモニウム６ｍｍｏｌを加えて２時間重合反応を行った。反応終了後、有機相を回収し、イオン交換水で数回洗浄して、トルエンに分散した導電性ポリピロール微粒子を得た。ここで得られたトルエン分散液中の導電性ポリピロール微粒子の固形分は、約５．０％であった。
ここに、バインダー樹脂としてスーパーベッカミンＪ−８２０（ＤＩＣ（株）製）を、固形分比で導電性ポリピロール微粒子：バインダー樹脂＝１：３となるように加え、導電性ポリピロール塗料を調製した。
【００３１】
製造例２：還元性ポリピロール塗料の調製
アニオン性界面活性剤ペレックスＯＴ−Ｐ（花王(株)製）０．４２ｍｍｏｌ、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系ノニオン界面活性剤エマルゲン４０９Ｐ（花王(株)製）２．１２ｍｍｏｌ、トルエン５０ｍＬ、イオン交換水１００ｍＬを加えて２０℃に保持しつつ乳化するまで撹拌した。次に、得られた乳化液にピロールモノマー２１．２ｍｍｏｌを加え、１時間撹拌し、次いで過硫酸アンモニウム４ｍｍｏｌを加えて２時間重合反応を行った。反応終了後、有機層を回収し、イオン交換水で数回洗浄して、トルエンに分散した還元性能を有する還元性ポリピロール微粒子を得た。ここで得られたトルエン分散液中の還元性ポリピロール微粒子の固形分は、約５．０％であった。
ここに、バインダー樹脂としてスーパーベッカミンＪ−８２０（ＤＩＣ（株）製）を、固形分比で還元性ポリピロール微粒子：バインダー樹脂＝１：３となるように加え、還元性ポリピロール塗料を調製した。
【００３２】
（実施例１）
Ａ１）工程
製造例１で調製した導電性ポリピロール塗料を、ＰＥＴフィルム（東洋紡（株）製のコスモシャインＡ４１００）にバーコーターで薄く塗工し、１２０℃で５分乾燥して、厚みが０．５μｍのめっき下地層を得た。
【００３３】
Ａ２）工程
続いて、上記Ａ１）工程で得られためっき下地層に対して、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／１００μｍの櫛型パターンを持つフォトマスクを介して、ＭＥＩＲＨ−Ｍ−１−１５２−Ｈ((株)エム・ディ・エキシマ製)装置による紫外線（波長が１９１ｎｍ、強度が７０ｍＷ／ｃｍ２）を１０分間照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去して、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／１００μｍの櫛型パターンのめっき下地層を得た。なお、ここでいう照射部は、Ｌ／ＳにおけるＳの部分である。
【００３４】
Ａ３）工程
続いて、上記Ａ２）工程で得られためっき下地層を有するフィルムを、１Ｍ水酸化ナトリウム溶液に３５℃で５分間浸漬して表面処理（脱ドープ処理）を行った。
【００３５】
Ａ４）工程
続いて、上記Ａ３）工程で得られためっき下地層を有するフィルムを、０．０２％塩化パラジウム−０．０１％塩酸水溶液に３５℃で５分間浸漬後、イオン交換水で水洗した。
続いて、上記フィルムを無電解めっき浴ＡＴＳアドカッパーＩＷ浴（奥野製薬工業（株）製）に浸漬して、３５℃で１０分間浸漬し、基材表面上に櫛型パターン状の銅めっき膜が形成されためっき品を製造した。
【００３６】
（実施例２）
実施例１のＡ２）工程で照射した紫外線において、光源の波長を１６５ｎｍに変更した以外は、実施例１と同じ方法でめっき品を製造した。
【００３７】
（参考例）
Ｂ１）工程
製造例２で調製した還元性ポリピロール塗料を、ＰＥＴフィルム（東洋紡（株）製のコスモシャインＡ４１００）にバーコーターで薄く塗工し、１２０℃で５分乾燥して、厚みが０．５μｍのめっき下地層を得た。
【００３８】
Ｂ２）工程
続いて、上記Ｂ１）工程で得られためっき下地層に対して、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／１００μｍの櫛型パターンを持つフォトマスクを介して、ＭＥＩＲＨ−Ｍ−１−１５２−Ｈ((株)エム・ディ・エキシマ製)装置による紫外線（波長が１９１ｎｍ、強度が７０ｍＷ／ｃｍ２）を１０分間照射し、その照射部におけるめっき下地層を略除去して、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／１００μｍの櫛型パターンのめっき下地層を得た。なお、ここでいう照射部は、Ｌ／ＳにおけるＳの部分である。
【００３９】
Ｂ３）工程
続いて、上記Ｂ２）工程で得られためっき下地層を有するフィルムを、０．０２％塩化パラジウム−０．０１％塩酸水溶液に３５℃で５分間浸漬後、イオン交換水で水洗した。
続いて、上記フィルムを無電解めっき浴ＡＴＳアドカッパーＩＷ浴（奥野製薬工業（株）製）に浸漬して、３５℃で１０分間浸漬し、基材表面上に櫛型パターン状の銅めっき膜が形成されためっき品を製造した。
【００４０】
（比較例１）
実施例１のＡ２）工程で照射した紫外線において、光源の波長を３０８ｎｍに変更した以外は、実施例１と同じ方法でめっき品を製造した。
【００４１】
（比較例２）
実施例１のＡ２）工程で照射した紫外線において、光源の波長を２２２ｎｍに変更した以外は、実施例１と同じ方法でめっき品を製造した。
【００４２】
実施例１〜２、参考例、および比較例１〜２で得られた各めっき品について、（１）めっき析出性、(２)絶縁性をそれぞれ評価し、その結果を表１に示した。なお、評価方法や評価基準は以下の通りである。
【００４３】
(１)めっき析出性
得られた各めっき品について、Ａ２）工程或いはＢ２）工程において紫外線を照射した部位における銅めっき膜の存在を目視で評価した。
○：銅めっき膜の存在なし
×：銅めっき膜の存在あり
【００４４】
(２)絶縁性
得られた各めっき品を、温度６０℃×湿度９０％の環境下に１０００時間放置した後、図１に示すように、櫛型パターン状の銅めっき膜におけるＡとＡ’部位に端子をつけ、５０Ｖの電圧を印加し、短絡の有無を確認した。なお、図１は、櫛型パターンの銅めっき膜を模式的に示したものであり、実施例や比較例におけるＬ／Ｓ＝２μｍ／１００μｍの櫛型パターンではなく、ＡとＡ’部位を説明するための図である。
○：短絡無し
×：短絡有り
【００４５】
【表１】
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【００４６】
また、Ａ２）工程、又はＢ２工程において、紫外線照射部におけるめっき下地層がどのくらい除去されたかについて、以下のように評価を行い、その結果を表２に示した。
（１）先ず、Ａ１）工程後、又はＢ１）工程後のめっき下地層の膜厚１を測定した。なお、めっき下地層の膜厚１の測定方法は、Ａ１）工程後、又はＢ１）工程後のめっき下地層を設けた基材フィルムにおける任意の断面５点について、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ：日本電子(株)製のＪＳＭ−６７００Ｆ)により観察し、各めっき下地層の膜厚を測定して平均値を算出し、その平均値を膜厚１とした。
（２）続いて、Ａ２）工程後、又はＢ２）工程後のパターン状のめっき下地層を設けた基材フィルムにおいて、紫外線照射部におけるめっき下地層の膜厚２を測定した。なお、紫外線照射部におけるめっき下地層の膜厚の測定方法は、Ａ２）工程後、又はＢ２）工程後のパターン状のめっき下地層を設けた基材フィルムにおける任意の断面５点(紫外線照射部を含む断面)について、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ：日本電子(株)製のＪＳＭ−６７００Ｆ)により観察し、各紫外線照射部におけるめっき下地層の膜厚を測定して平均値を算出し、その平均値を膜厚２とした。
（３）続いて、めっき下地層の除去率について、以下の式１を用いて算出した。
［式１］{（膜厚１−膜厚２）／膜厚１}×１００［％］
【００４７】
【表２】
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【図１】
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