(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインを横断して所定の深さを有し、該分割予定ラインに直交する方向に延びる長穴形状の複数の凹部に電極が形成されるパッケージ基板を該分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削するパッケージ基板の切削方法であって、
パッケージ基板を保持テーブルで保持する保持工程と、
該保持テーブルが保持するパッケージ基板の該分割予定ラインに沿って該凹部を完全切断しパッケージ基板を完全切断しない深さで切削溝を形成する第１の切削工程と、
該第１の切削工程で形成された該切削溝によって分断され上面視半円状の各凹部の側面を結んだ直線上、又は、上面視半円状の該各凹部の重心を結んだ直線上に高圧水噴射ノズルの中心を位置付け、該高圧水噴射ノズルから高圧水を噴射させ、該高圧水噴射ノズルとパッケージ基板を保持する該保持テーブルとを相対的に該分割予定ラインの延在方向で該第１の切削工程時の切削送り方向とは反対方向に移動させ、該切削溝と該凹部とに形成されるバリを除去するバリ除去工程と、
該バリ除去工程の後、該切削ブレードで該第１の切削工程で形成した該切削溝に沿って切削しパッケージ基板を完全切断する第２の切削工程と、からなるパッケージ基板の切削方法。
【請求項２】
該バリ除去工程では、該切削溝を挟んで２つに分断された上面視半円状の該凹部に片側ずつ該高圧水噴射ノズルから高圧水を噴射してバリを除去する請求項１記載のパッケージ基板の切削方法。
【請求項３】
環状フレームに粘着テープを貼着し該環状フレームの中央の開口の該粘着テープにパッケージ基板を貼着させワークセットを形成するワークセット形成工程の後に、該粘着テープを介して該保持テーブルがパッケージ基板を保持する該保持工程を実施する請求項１または請求項２記載のパッケージ基板の切削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板の切削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
板状ワークの分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削加工して個々のチップに分割した場合、チップの切断面にはバリが形成される。このバリは、後の工程において不具合となるだけでなく、製品としての不良の原因となるため、除去されることが好ましい。そこで、このバリを除去するために、切削ブレードで切削加工した切削溝を再び切削ブレードでなぞるように加工する方法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。特許文献１及び特許文献２に記載の方法では、最初の切削加工時のブレードの回転方向とは反対方向に切削ブレードを回転させ、先に形成された切削溝が切削ブレードによってなぞられることでバリが除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４３９４２１０号公報
【特許文献２】特許第４５４０４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＱＦＮ（Quad  Flat  Non-leaded  package）基板等のパッケージ基板の上面には、分割予定ラインに交差するように凹部（キャビティ）が形成されている。このようなパッケージ基板が切削ブレードによって切削加工されると、凹部が分割予定ラインに沿って分断され、個々に分割されたチップの切断面（側面）に凹部が露出される。この結果、凹部のエッジ部分には、凹部の内側面に沿ってヒゲ状のバリが形成される。
【０００５】
ここで、上記したパッケージ基板において、特許文献１及び特許文献２に記載の切削方法を適用することも考えられる。しかしながら、同じ切削溝を切削ブレードでなぞることで切削溝上のバリは除去されるものの、凹部の内側面に沿って形成されるバリまでは適切に除去することができないという問題がある。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、凹部を備えたパッケージ基板において、凹部に形成されるバリを適切に除去することができるパッケージ基板の切削方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のパッケージ基板の切削方法は、分割予定ラインを横断して所定の深さを有し、分割予定ラインに直交する方向に延びる長穴形状の複数の凹部に電極が形成されるパッケージ基板を分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削するパッケージ基板の切削方法であって、パッケージ基板を保持テーブルで保持する保持工程と、保持テーブルが保持するパッケージ基板の分割予定ラインに沿って凹部を完全切断しパッケージ基板を完全切断しない深さで切削溝を形成する第１の切削工程と、第１の切削工程で形成された切削溝によって分断され上面視半円状の各凹部の側面を結んだ直線上、又は、上面視半円状の各凹部の重心を結んだ直線上に高圧水噴射ノズルの中心を位置付け、高圧水噴射ノズルから高圧水を噴射させ、高圧水噴射ノズルとパッケージ基板を保持する保持テーブルとを相対的に分割予定ラインの延在方向で第１の切削工程時の切削送り方向とは反対方向に移動させ、切削溝と凹部とに形成されるバリを除去するバリ除去工程と、バリ除去工程の後、切削ブレードで第１の切削工程で形成した切削溝に沿って切削しパッケージ基板を完全切断する第２の切削工程と、からなることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１の切削工程においてパッケージ基板が完全切断されない程度に切削溝が形成された後、バリ除去工程において切削溝に沿って高圧水が噴射されることにより、切削溝及び凹部に形成されるバリが除去される。そして、第２の切削工程においてパッケージ基板が切削溝に沿って完全切断されることにより、パッケージ基板が個々のチップに分割される。このように、切削溝に沿って高圧水が噴射されることにより、凹部にも高圧水が噴射される結果、凹部を備えたパッケージ基板であっても、凹部に形成されるバリを適切に除去することができる。また、パッケージ基板が完全切断されない状態で切削溝に高圧水が噴射されるため、高圧水によってチップが保持テーブルから脱落するのを気にする必要がなく、高圧水の圧力をより高めた状態でバリ除去工程を実施することができる。
【０００９】
また、本発明の上記パッケージ基板の切削方法において、バリ除去工程では、切削溝を挟んで２つに分断された上面視半円状の凹部に片側ずつ高圧水噴射ノズルから高圧水を噴射してバリを除去する。
【００１０】
また、本発明の上記パッケージ基板の切削方法においては、環状フレームに粘着テープを貼着し環状フレームの中央の開口の粘着テープにパッケージ基板を貼着させワークセットを形成するワークセット形成工程の後に、粘着テープを介して保持テーブルがパッケージ基板を保持する保持工程を実施する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、切削溝に沿って高圧水が噴射されることにより、凹部を備えたパッケージ基板において、凹部に形成されるバリを適切に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態に係る切削装置の模式図である。
【図２】本実施の形態に係るパッケージ基板のワークセット形成工程の一例を示す図である。
【図３】本実施の形態に係る保持工程の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態に係る第１の切削工程の一例を示す図である。
【図５】本実施の形態に係るバリ除去工程の一例を示す図である。
【図６】本実施の形態に係る第２の切削工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るパッケージ基板の切削方法に用いられる切削装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る切削装置の模式図である。図１Ａは本実施の形態に係る切削装置の斜視図を示し、図１Ｂは本実施の形態に係るパッケージ基板の部分拡大図である。なお、本実施の形態に係る切削装置は、図１に示す構成に限定されない。本発明は、パッケージ基板を切削可能な切削装置であれば、どのような切削装置にも適用可能である。
【００１４】
図１に示すように、切削装置１は、切削手段２に対して保持テーブル３を相対移動させることで、保持テーブル３に保持されたパッケージ基板Ｗ１を個々のチップＣ（図６参照）に分割するように構成されている。また、切削装置１は、パッケージ基板Ｗ１に形成される切削溝に向かって高圧水噴射ノズル４から高圧水を噴射することにより、切削溝の周辺に形成されたバリを除去するように構成されている。
【００１５】
本実施の形態に係るパッケージ基板Ｗ１は、ＣＳＰ（Chip  Size  Package）、ＱＦＮ（Quad  Flat  Non-leaded  Package）等のパッケージ基板Ｗ１であり、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路が作り込まれた複数の半導体チップを配列させ、モールド樹脂等で封止して略長方形の板状に形成されている。より具体的には、パッケージ基板Ｗ１は、ＰＣＢ基板等で形成される長方形の樹脂基板１０の表面に複数（図１では２つ）の樹脂製の凸部１１が長手方向に並んで設けて構成される。また、パッケージ基板Ｗ１は、凸部１１に形成される半導体デバイス用の複数のデバイス領域と、デバイス領域の周囲の余剰領域とに分けられている。
【００１６】
各デバイス領域は格子状の分割予定ラインＬによって複数の領域に区画され、各領域に半導体デバイス（不図示）が配設されている。また、図１Ｂに示すように、デバイス領域（凸部１１）の表面には、分割予定ラインＬを横断して所定の深さの凹部１２（キャビティ）が形成されている（図１Ａにおいては不図示）。凹部１２は、分割予定ラインＬに直交する方向に延びる長穴形状を有しており、凹部１２の短手方向の中心線と分割予定ラインＬとが直交している。凹部１２は、例えば、長手方向の幅が４００μｍで、短手方向の幅が１００μｍの寸法で所定の深さに形成される。
【００１７】
パッケージ基板Ｗ１は、円形状の粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着されて、１つのワークセットＷを形成する。このパッケージ基板Ｗ１（ワークセットＷ）は、余剰領域が端材として除去され、デバイス領域が分割予定ラインＬに沿って個々のチップに分割される。なお、パッケージ基板Ｗ１は、半導体デバイス用の基板に限らず、ＬＥＤデバイス用の金属基板でもよい。また、チップ搭載後の基板に限らず、チップ搭載前の基板でもよい。パッケージ基板Ｗ１の凸部１１は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂で形成されるが、樹脂基板１０に凸部１１を形成可能であれば、どのような樹脂でもよい。
【００１８】
保持テーブル３は、円形状に形成されており、表面にはポーラスセラミック材によって保持面が形成されている。パッケージ基板Ｗ１は、保持面に生じる負圧によって吸引保持される。保持テーブル３の周囲には、エアー駆動式の４つのクランプ部３０が設けられ、各クランプ部３０によってパッケージ基板Ｗ１の周囲の環状フレームＦが挟持固定される。また、保持テーブル３は、図示しない回転手段によって自転可能に構成されると共に、図示しないボールネジ式の移動手段によってＸ軸方向（切削送り方向）に移動可能に構成されている。
【００１９】
切削手段２は、保持テーブル３の上方に設けられており、スピンドル２０の先端に切削ブレード２１を装着して構成される。パッケージ基板Ｗ１の表面から切削ブレード２１を切り込ませてパッケージ基板Ｗ１を切削することにより、切削ブレード２１の厚みに応じた幅の切削溝がパッケージ基板Ｗ１に形成される。切削手段２は、図示しない割出し送り手段によってＹ軸方向に割出し送り可能に構成されると共に、図示しない昇降手段によってＺ軸方向に移動可能に構成される。
【００２０】
高圧水噴射ノズル４は、例えば、ウォータージェットソーに用いられるウォータージェットノズルで構成され、図示しない固定部によって切削手段２に固定されている。これにより、高圧水噴射ノズル４は、切削手段２と一体的に移動可能に構成される。高圧水噴射ノズル４は、鉛直方向に延びる円柱形状を有しており、下端には、パッケージ基板Ｗ１に向かって高圧水を噴射する噴射口（不図示）が形成されている。
【００２１】
噴射口は、高圧水噴射ノズル４の内部に形成される流路（不図示）に連通されており、当該流路には、配管４０を介して高圧水供給源（不図示）が接続されている。高圧水供給源は、コンプレッサ（不図示）によって圧力が高められた高圧水を高圧水噴射ノズル４に供給する。なお、噴射口は凹部１２の幅より大きく形成され、例えば、３００μｍの外径を有している。なお、高圧水噴射ノズル４から噴射される高圧水の圧力は、パッケージ基板Ｗ１の凹部１２を破壊しない程度に調整されることが好ましい。
【００２２】
ところで、上記したように、加工対象となるパッケージ基板Ｗ１の凸部１１の表面には、分割予定ラインＬ上で交差するように凹部１２（キャビティ）が形成されている。この凹部１２には、パッケージ基板Ｗ１が個々のチップに分割された後に電極が形成され、当該電極が、チップに形成される回路との接続端子となる凹部電極として機能する。分割予定ラインＬに沿ってパッケージ基板Ｗ１を切削して個々のチップに分割した場合、凹部１２が分割予定ラインＬに沿って分断され、チップの切断面（側面）には凹部１２が露出される。このとき、凹部１２のエッジ部分には、凹部１２の内側面に沿ってバリが形成される（図４参照）。上記したように凹部１２には、後の製造工程において電極が形成されるため、バリが形成されたまま製造工程が進んでしまうと、適切に電極を形成することができない。このため、凹部１２周辺のバリは除去されることが好ましい。
【００２３】
ここで、バリを除去するために、切削ブレード２１の回転方向を切削加工時とは反対にし、先に切削した切削溝を再度なぞることが考えられるが、凹部１２の内側面に沿って形成されるバリまでは適切に除去することができない。また、分割後にチップの上方から洗浄水を噴射してバリを洗い流すことも考えられるが、洗浄水の勢いによってチップが保持テーブル３（粘着テープＴ）から脱落してしまうおそれがあり、バリを十分に除去することができないという問題がある。
【００２４】
そこで、本実施の形態に係るパッケージ基板Ｗ１の切削方法は、第１の切削工程においてパッケージ基板Ｗ１が完全切断されない程度に切削溝を形成し、バリ除去工程において切削溝に沿って高圧水を噴射した後、第２の切削工程においてパッケージ基板Ｗ１を完全切断するように構成している。これにより、バリ除去工程では、パッケージ基板Ｗ１が完全切断されない状態で切削溝に高圧水が噴射されるため、高圧水によってチップが保持テーブル３（粘着テープＴ）から脱落するのを気にする必要がない。この結果、一般的に用いられる高圧水洗浄ノズル（例えば、水圧が１ＭＰａ）とは異なり更に高圧タイプのウォータージェットノズル（例えば、水圧が２０〜６０ＭＰａ）を用いることができ、高圧水の圧力をより高めた状態で切削溝及び凹部１２周辺のバリを適切に除去することが可能になる。
【００２５】
次に、図２から図６を参照して、本実施の形態に係るパッケージ基板の切削方法について説明する。図２は、本実施の形態に係るパッケージ基板のワークセット形成工程の一例を示す図である。図３は、本実施の形態に係る保持工程の一例を示す図である。図４は、本実施の形態に係る第１の切削工程の一例を示す図である。図４Ａは第１の切削工程の側面図であり、図４Ｂは第１の切削工程の上面図の部分拡大図であり、図４Ｃは図４ＢのＡ−Ａ線に沿う断面図である。図５は、本実施の形態に係るバリ除去工程の一例を示す図である。図５Ａはバリ除去工程の側面図であり、図５Ｂはバリ除去工程の上面図の部分拡大図であり、図５Ｃはバリ除去工程の部分斜視図である。図６は、本実施の形態に係る第２の切削工程の一例を示す図である。図６Ａは第２の切削工程の側面図であり、図６Ｂは分割後のパッケージ基板の部分斜視図及びチップの拡大図である。なお、本実施の形態に係るパッケージ基板の切削方法は、以下に示す構成に限定されず、適宜変更が可能である。
【００２６】
本実施の形態に係るパッケージ基板の切削方法は、ワークセット形成工程（図２参照）と、保持工程（図３参照）と、第１の切削工程（図４参照）と、バリ除去工程（図５参照）と、第２の切削工程（図６参照）とがこの順番に実施されることにより、パッケージ基板Ｗ１を個々のチップＣに分割するように構成されている。
【００２７】
ワークセット形成工程では、粘着テープＴを介して環状フレームＦにパッケージ基板Ｗ１が貼着されることにより、ワークセットＷが形成される。保持工程では、ワークセットＷ（パッケージ基板Ｗ１）が保持テーブル３に保持される。第１の切削工程では、パッケージ基板Ｗ１が分割予定ラインＬに沿って切削され、所定の深さで切削溝Ｇが形成される。バリ除去工程では、切削溝Ｇに沿って高圧水が噴射される。第２の切削工程では、切削溝Ｇに沿ってパッケージ基板Ｗ１が完全切断されるまで切削される。以下、パッケージ基板Ｗ１の切削方法の各工程について説明する。
【００２８】
先ず、ワークセット形成工程が実施される。図２に示すように、ワークセット形成工程では、環状フレームＦの下面に、粘着面を上方に向けた粘着テープＴが貼着される。そして、環状フレームＦの中央の開口の粘着テープＴの上にパッケージ基板Ｗ１が貼着される。これにより、環状フレームＦ、粘着テープＴ及びパッケージ基板Ｗ１が一体となった１つのワークセットＷが形成される。
【００２９】
次に、保持工程が実施される。図３に示すように、保持工程では、図示しない搬送手段により、パッケージ基板Ｗ１が保持テーブル３の中央に位置するように、ワークセットＷが保持テーブル３に載置される。そして、各クランプ部３０によってパッケージ基板Ｗ１の周囲の環状フレームＦが挟持固定されると共に、保持面に生じる負圧によってパッケージ基板Ｗ１が粘着テープＴを介して保持テーブル３に吸引保持される。
【００３０】
次に、第１の切削工程が実施される。図４Ａに示すように、第１の切削工程では、パッケージ基板Ｗ１が保持テーブル３に保持された状態で、保持テーブル３が回転され、パッケージ基板Ｗ１の分割予定ラインＬと保持テーブル３の切削送り方向（Ｘ軸方向）とが平行に合わせられる。そして、切削手段２がＹ軸方向に割出送りされ、パッケージ基板Ｗ１の分割予定ラインＬ上に切削ブレード２１が位置付けられるように切削手段２の位置調整がなされる。
【００３１】
次に、図示しない昇降手段によって切削手段２がＺ軸方向に移動され、凹部１２を完全切断可能であってパッケージ基板Ｗ１を完全切断しない高さまで切削ブレード２１が降下される。そして、切削ブレード２１や加工位置に切削水が供給されながら、高速回転する切削ブレード２１に対して保持テーブル３がＸ軸方向に移動（切削送り）される。これにより、パッケージ基板Ｗ１が分割予定ラインＬに沿って切削（ハーフカット）され、パッケージ基板Ｗ１には、分割予定ラインＬに沿う切削溝Ｇが所定のカーフ幅（例えば、３００μｍ）で形成される。このとき、切削溝Ｇは、凹部１２の深さＤ１より大きくかつパッケージ基板Ｗ１の厚みＴ１を越えない深さＤ２で形成される（図４Ｃ参照）。
【００３２】
切削溝Ｇが形成された結果、図４Ｂに示すように、凹部１２が切削溝Ｇによって上面視半円状に分断され、パッケージ基板Ｗ１の切断面１３ａ、１３ｂに凹部１２が露出される。このとき、切断面１３ａ、１３ｂ（特に凹部１２のエッジ部分）には、複数のバリＢが形成される。このバリＢは、保持テーブル３に対する切削ブレード２１の切削送り方向（切削ブレード２１の進行方向）に延びている。より具体的には、バリＢは、切削送り方向手前側の凹部１２のエッジ部分を基端として、凹部１２の内側面に沿って巻き込まれるように形成され、ヒゲ状に渦巻いた形状を有している。
【００３３】
なお、図４においては、凹部１２がパッケージ基板Ｗ１の厚みの約三分の一の深さを有しているが、この構成に限定されない。凹部１２の深さは、後の製造工程で形成される電極の形状に応じて適宜変更が可能である。また、第１の切削工程では、凹部１２が完全切断可能な深さＤ２でパッケージ基板Ｗ１をハーフカットする（切削溝Ｇを形成する）ことができればよい。
【００３４】
一列の分割予定ラインＬの切削が終了したら、切削手段２がＹ軸方向に割出し送りされ、隣接する分割予定ラインＬ上に切削ブレード２１が位置付けられる。そして、新たな分割予定ラインＬに沿って切削加工が実施される。この動作が一方向（長手方向）の全ての分割予定ラインＬに沿って実施され、この結果、長手方向の分割予定ラインＬに沿う所定深さの切削溝Ｇが形成される。
【００３５】
次に、バリ除去工程が実施される。図５に示すように、バリ除去工程では、第１の切削工程によって形成された切削溝Ｇの上方に高圧水噴射ノズル４の先端が位置付けられるように、切削手段２（図１参照）のＹ軸方向の位置合わせがなされる（図５Ａ参照）。より具体的には、図５Ｂに示すように、第１の切削工程において左右に分断された凹部１２のうち、一方の凹部１２側（右側）の上方に高圧水噴射ノズル４が位置付けられる。
【００３６】
このとき、図５Ｂに示すように、パッケージ基板Ｗ１の上面視において、凹部１２の長手方向（パッケージ基板Ｗ１の短手方向）の凹み量が最も大きい各凹部１２の側面位置を結んだ直線１４上（図５Ｂ中の二点鎖線参照）に高圧水噴射ノズル４の中心が位置付けられる。すなわち、切断面１３ａから距離Ｘ１（例えば、５０μｍ）だけ離れた各凹部１２の側面位置を結んだ直線１４上に高圧水噴射ノズル４の中心が位置付けられる。
【００３７】
そして、高圧水噴射ノズル４の先端からパッケージ基板Ｗ１の上面に向かって垂直に高圧水を噴射しながら保持テーブル３が切削送りされることにより、高圧水噴射ノズル４とパッケージ基板Ｗ１とが直線１４に沿って相対移動される。なお、バリ除去工程においては、高圧水噴射ノズル４の進行方向が、第１の切削工程時の切削ブレード２１の進行方向とは反対になるように切削送りされる。また、このとき、高圧水噴射ノズル４から噴出される高圧水は、パッケージ基板Ｗ１の上面を破損させない圧力でかつ、凹部１２に形成されるバリＢを除去できる圧力が必要である。
【００３８】
高圧水噴射ノズル４が凹部１２の真上に位置しない場合、高圧水はパッケージ基板Ｗ１（凸部１１）の上面に噴射される。一方、高圧水噴射ノズル４が凹部１２の真上に位置する場合、高圧水は凹部１２の上面視半円部分の頂点位置付近に向かって直線状に噴射される。凹部１２に噴射された高圧水は、凹部１２の底面や内側面衝突し、跳ね返りながら凹部１２の底面や内側面に沿って切削溝Ｇに向かって流れ込む。このとき、高圧水噴射ノズル４がバリＢの形成される方向（第１の切削工程時の切削ブレード２１の進行方向）とは反対に切削送りされるため、高圧水が凹部１２の内面に沿ってバリＢの先端から基端に向かって流れ込み易くなっている。これにより、高圧水でバリＢを除去しつつ、当該バリＢを凹部１２から切削溝Ｇに向かって移動させることができる。
【００３９】
高圧水噴射ノズル４がパッケージ基板Ｗ１の端まで相対的に切削送りされたら、高圧水噴射ノズル４（切削手段２）をＹ軸方向に割出し送りして、高圧水噴射ノズル４の中心が、上面視半円状の凹部１２の底面上を通る直線上に位置合わせされる。より具体的には、切断面１３ａと直線１４との間であって、切断面１３ａから距離Ｘ２だけ離れた直線１５上に高圧水噴射ノズル４の中心が位置付けられる（図５Ｂ参照）。直線１５は、例えば、上面視半円状の各凹部１２の重心を結んだ直線であることが好ましい。
【００４０】
そして、高圧水噴射ノズル４の先端からパッケージ基板Ｗ１の上面に向かって垂直に高圧水を噴射しながら、第１の切削工程時の切削ブレード２１の進行方向とは反対方向に保持テーブル３が切削送りされる。上記したように、高圧水噴射ノズル４が凹部１２の真上に位置する場合は、凹部１２の上面視半円部内に向かって高圧水が直線状に噴射される。凹部１２内に噴射された高圧水は、凹部１２の底面や内側面衝突し、跳ね返りながら凹部１２の底面や内側面に沿って切削溝Ｇに向かって流れ込む。
【００４１】
また、高圧水噴射ノズル４の中心を各凹部１２の重心を結んだ直線１５上に相対移動させることにより、らせん状に渦巻くバリＢの基端ではなくバリＢの先端部分に集中して高圧水を噴射することができる。バリＢの先端に高圧水が衝突することで、バリＢは基端部を支点とした梃子の力が作用し、バリＢが凹部１２から切り離され易くなる。また、凹部１２の内側面に沿って高圧水がバリＢの基端部に向かって上面視円弧状に流れ込むことによっても、バリＢが凹部１２から切り離され易くなる。このように、高圧水を切削溝Ｇの片側面（切断面１３ａ）ずつバリＢに向かって集中的に噴射（狙い撃ち）することにより、バリＢを破壊しながら効果的に除去することが可能になる。バリＢは、凹部１２から除去された後、高圧水と共に切削溝Ｇに流れ込みパッケージ基板Ｗ１から洗い流される。
【００４２】
切削溝Ｇの一方の側面（切断面１３ａ）に対して高圧水を噴射しながらパッケージ基板Ｗ１が切削送りされた後、およそ凹部１２の長手方向の長さ分だけ切削手段２（高圧水噴射ノズル４）が割出し送りされ、再び、切削溝Ｇに対して高圧水を噴射しながらパッケージ基板Ｗ１が切削送りされる。これにより、切削溝Ｇの他方の側面（切断面１３ｂ）においてもバリＢが除去される結果、一列の切削溝Ｇの両側面（両切断面１３ａ、１３ｂ）に対してバリ除去工程が実施される。そして、分割予定ラインＬのピッチ分だけ切削手段２（高圧水噴射ノズル４）が割出し送りされ、隣接する分割予定ラインＬに対しても高圧水噴射と切削送りとが繰り返される。この結果、パッケージ基板Ｗ１の長手方向における全ての分割予定ラインＬにおいてバリ除去工程が実施される。
【００４３】
次に、第２の切削工程が実施される。図６に示すように、第２の切削工程では、バリＢが除去された後の切削溝Ｇが再び切り込まれ、パッケージ基板Ｗ１が分割される深さまで切り込まれる。具体的には、上記した切削溝Ｇに対して切削ブレード２１がＹ軸方向に位置合わせされ、切削ブレード２１が、粘着テープＴの厚みの途中まで切込み可能な高さまで降下される。そして、保持テーブル３（パッケージ基板Ｗ１）が切削送りされることにより、パッケージ基板Ｗ１がさらに切り込まれ、切削溝Ｇの深さが拡大された結果、パッケージ基板Ｗ１が分割される。
【００４４】
上記したように、第１の切削工程において、切削溝Ｇが凹部１２の深さＤ１より大きい深さＤ２で形成され、凹部１２に形成されたバリＢはバリ除去工程において除去されている。このため、第２の切削工程において切削溝Ｇの再び切削されて深さが拡大されても、新たに凹部１２内にバリＢが形成されることはない。そして、分割予定ラインＬのピッチ分だけ切削手段２が割出し送りされ、隣接する分割予定ラインＬに対しても切削ブレード２１の対する保持テーブル３の切削送りが繰り返されることにより、パッケージ基板Ｗ１の長手方向における全ての分割予定ラインＬにおいてパッケージ基板Ｗ１が分割される。
【００４５】
第２の切削工程が終わった後、保持テーブル３を９０°回転させ、パッケージ基板Ｗ１の短手方向の全ての分割予定ラインＬについても、粘着テープＴの厚みの途中まで切込む深さでパッケージ基板Ｗ１を切削することにより、図６Ｂに示すように、パッケージ基板Ｗ１を個々のチップＣに分割することができる。
【００４６】
以上のように、本実施の形態に係るパッケージ基板Ｗ１の切削方法によれば、第１の切削工程においてパッケージ基板Ｗ１が完全切断されない程度に切削溝Ｇが形成された後、バリ除去工程において切削溝Ｇに沿って高圧水が噴射されることにより、切削溝Ｇ及び凹部１２に形成されるバリＢが除去される。そして、第２の切削工程においてパッケージ基板Ｗ１が切削溝Ｇに沿って完全切断されることにより、パッケージ基板Ｗ１が個々のチップＣに分割される。このように、切削溝Ｇに沿って高圧水が噴射されることにより、凹部１２にも高圧水が噴射される結果、凹部１２を備えたパッケージ基板Ｗ１であっても、凹部１２に形成されるバリＢを適切に除去することができる。また、パッケージ基板Ｗ１が完全切断されない状態で切削溝Ｇに高圧水が噴射されるため、高圧水によってチップが保持テーブル３から脱落するのを気にする必要がなく、高圧水の圧力をより高めた状態でバリ除去工程を実施することができる。
【００４７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４８】
例えば、上記した実施の形態において、凹部１２が上面視長穴形状に形成される構成としたが、この構成に限定されない。凹部１２は、例えば、上面視矩形状に形成されてもよい。
【００４９】
また、上記した実施の形態において、高圧水噴射ノズル４（噴射口）が凹部１２の短手方向の幅より大きい外径を有する構成としたが、この構成に限定されない。高圧水噴射ノズル４の外径は、凹部１２の短手方向の幅に等しくてもよく、又は、凹部１２の短手方向の幅より小さくしてもよい。
【００５０】
また、上記した実施の形態において、バリ除去工程では、高圧水ノズル４を直線１４に沿って相対的に切削送りした後、直線１５に沿って相対的に切削送りする構成としたが、この構成に限定されない。バリ除去工程では、高圧水ノズル４を直線１５に沿って相対的に切削送りした後、直線１４に沿って相対的に切削送りしてもよい。この場合、バリＢを効果的に破壊しながら除去した後に、バリＢを凹部１２の内側面から綺麗に洗い流すことが可能になる。
【００５１】
また、上記した実施の形態において、パッケージ基板Ｗ１の長手方向の分割予定ラインＬに沿って切削加工した後に、短手方向の分割予定ラインＬに沿って切削加工する構成としたが、この構成に限定されない。先に短手方向の分割予定ラインＬに沿って切削加工する構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
以上説明したように、本発明は、凹部を備えたパッケージ基板において、凹部に形成されるバリを適切に除去することができるという効果を有し、特に、ＱＦＮ（Quad  Flat  Non-leaded  package）基板等のパッケージ基板を切削する切削方法に有用である。
【符号の説明】
【００５３】
Ｗ  ワークセット
Ｗ１  パッケージ基板
Ｌ  分割予定ライン
Ｇ  切削溝
Ｂ  バリ
Ｆ  環状フレーム
Ｔ  粘着テープ
１２  凹部
１３ａ、１３ｂ  切断面（片側面）
２１  切削ブレード
３  保持テーブル
４  高圧水噴射ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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