(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の容積を画定する第１のリザーバを有する本体であって、前記第１のリザーバがキャリアガス入口およびキャリアガス出口を含む、本体と、
前記第１のリザーバの上方の前記本体に配置された、第２の容積を画定する第２のリザーバであって、前記第２のリザーバを前記第１のリザーバに流体結合する充填管を有する第２のリザーバと、
前記第１のリザーバの上部壁と前記第２のリザーバの底部壁との間に配置された環状間隙であって、前記環状間隙は前記第１のリザーバの側壁と前記第２のリザーバの側壁との間に間隙を画定する、環状間隙と、
前記第１のリザーバにキャリアガスを送出するガス入り口管であって、前記ガス入り口管は前記本体の上部を通って配置され、前記第２のリザーバを通って延在し、前記ガス入り口管の端部は前記キャリアガス入口を画定する、ガス入り口管と、
前記第１のリザーバの外に蒸気を運ぶガス出口管であって、前記ガス出口管は前記本体の上部を通って配置され、前記第２のリザーバを通って延在し、前記ガス出口管の端部は前記キャリアガス出口を画定する、ガス出口管と、
前記第２のリザーバから前記第１のリザーバへ延在する自動調整管であって、前記自動調整管の下端は前記充填管の下端よりも上に配置される、自動調整管と、
を備える、化学物質送出装置。
【請求項２】
前記第１の容積または前記第２の容積の少なくとも１つに含まれる流体のレベルを検出する流体レベルセンサをさらに備える、請求項１に記載の化学物質送出装置。
【請求項３】
前記第２の容積に接続されたバルク補充入り口管、および前記第１の容積または前記第２の容積の少なくとも１つに含まれる流体の検出されたレベルに基づいて前記バルク補充入り口管の開放を制御する流体入力バルブをさらに備える、請求項１に記載の化学物質送出装置。
【請求項４】
前記第１の容積または前記第２の容積の少なくとも１つに含まれる流体の温度を検出する温度センサをさらに備える、請求項１に記載の化学物質送出装置。
【請求項５】
前記第２のリザーバが閉じた容積のリザーバである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項６】
前記第１のリザーバおよび前記第２のリザーバが互いに分離可能である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項７】
前記第１のリザーバまたは前記第２のリザーバのうちの少なくとも１つの内部壁または底部のうちの少なくとも１つに配置された静止摩擦防止コーティングをさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項８】
前記第１のリザーバの側壁に沿って配置された第１のヒータと、
前記第２のリザーバの側壁に沿って配置された第２のヒータと、
をさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項９】
前記第１のヒータが前記第１のリザーバの底部に沿ってさらに配置される、請求項８に記載の化学物質送出装置。
【請求項１０】
前記第１のリザーバの底部に沿って配置された第３のヒータをさらに備える、請求項８に記載の化学物質送出装置。
【請求項１１】
前記第１および第２のヒータとは別個であり、前記第２のリザーバの底部と前記第１のリザーバの上部との間に配置されたさらなるヒータをさらに備える、請求項８に記載の化学物質送出装置。
【請求項１２】
前記キャリアガス入口が前記第１の容積の上部に隣接して、または前記第１の容積の底部に隣接して配置されている、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項１３】
前記第１のリザーバが前記キャリアガス入口を通って前記第１のリザーバに供給されるキャリアガスのクロスフローの経路を制御するバッフルを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項１４】
前記キャリアガス入口が前記キャリアガス入口を通って供給されるキャリアガスのクロスフローの経路を制御するノズルを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項１５】
前記第１のリザーバと前記第２のリザーバとの間に配置された熱バリアをさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に流体化学物質送出、より詳細には自動調整流体化学物質送出に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの処理において使用される化学物質は、流体収容アンプルを使用して、処理チャンバ内へ送出される。そのような公知のアンプルは、典型的にはアンプルによって供給されるキャリアガスを使用して入り口ポートおよび出口ポートと流体連結するキャニスタを含む。例えば、キャリアガスは、流体上方の空間に供給され、流体上を流れることができ、流体上方の空間から蒸気を運び去る。別の例として、キャリアガスは、バブラ管を使用して流体内に供給され、流体を飽和させ、流体の一部を運び去る。アンプルは、流体がすべて除去されるまで使用されてもよく、除去された時点でアンプルが補充され、または取り換えられる。あるいは、アンプルは、インサイチュ（ｉｎ  ｓｉｔｕ）レベルセンサを使用して得られる測定値に基づいて周期的に補充されてもよい。補充タンクは、アンプルを補充するための化学物質を保持し、アンプルを繰り返し補充することができるように典型的にはアンプルよりもはるかに大きな容積を有する。
【０００３】
例えば半導体デバイス処理において使用されるプロセスの一部は、プロセスに供給される１つまたは複数の化学物質を規定された温度および圧力領域で使用する。例えば、膜堆積プロセスは、再現可能な膜品質および一貫した膜厚を達成するために、温度および圧力を所定の範囲内に維持することがある。しかしながら、流体がアンプル内で消費されるにつれ、温度および圧力状態が変化し、したがって送出される化学物質の濃度を変化させることがあり、これによって実行されているプロセスの結果が影響を受ける。
【０００４】
したがって、本発明者は、流体化学物質の送出を調整するための改善された装置および方法を提供した。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
化学物質送出のための方法および装置が本明細書で提供される。一部の実施形態では、化学物質送出装置は、第１の容積を画定する第１のリザーバを有する本体であって、第１のリザーバがキャリアガス入口およびキャリアガス出口を含む、本体と、第１のリザーバの上方の本体に配置された、第２の容積を画定する第２のリザーバであって、第２のリザーバを第１のリザーバに流体結合する充填管を有する第２のリザーバと、第２のリザーバから第１のリザーバへ延在する自動調整管と、を含む。
【０００６】
一部の実施形態では、化学物質送出装置は、第１の容積を画定する第１のリザーバを有する本体であって、第１のリザーバがキャリアガス入口およびキャリアガス出口を含む、本体と、第１のリザーバの上方の本体に配置された、第２の容積を画定する第２のリザーバであって、第２のリザーバを第１のリザーバに流体結合する充填管を有する第２のリザーバと、第１の容積に含まれる第１の流体の第１の検出された温度に基づいて第１の容積に含まれる流体を加熱する、少なくとも第１のリザーバの側壁に沿って配置された第１のヒータ、および第２の容積に含まれる第２の流体の第２の検出された温度に基づいて第２の容積に含まれる流体を加熱する、第２のリザーバの側壁に沿って配置された第２のヒータと、を含む。
【０００７】
一部の実施形態では、化学物質送出装置は、第１の容積を画定する第１のリザーバを有する本体であって、第１のリザーバがキャリアガス入口およびキャリアガス出口を含む、本体と、第１のリザーバの上方の本体に配置された、第２の容積を画定する第２のリザーバであって、第２のリザーバを第１のリザーバに流体結合する充填管を有する第２のリザーバと、を含み、（ａ）第１のリザーバがキャリアガスのクロスフローの経路を制御するバッフルを含む、または（ｂ）キャリアガス入り口がキャリアガスのクロスフローの経路を制御するノズルを含む、のうちの少なくとも1つである。
【０００８】
一部の実施形態では、化学物質送出方法は、第１の流体を保持する第１の容積内にキャリアガスを受け取るステップと、キャリアガスを使用して、第１の流体から第１の容積内へ発散する蒸気を収集するステップと、キャリアガスおよび蒸気を第１の容積から送出するステップと、第１のリザーバから、第１の容積と流体結合された第２の容積に含まれる第２の流体上方の領域へ延在する自動調整管を設けるステップと、を含み、第１の容積に保持される第１の流体が自動調整管の下端よりも上に延在する場合は、第１の流体が自動調整管を密閉し、第１の容積に保持される第１の流体が自動調整管の下端よりも下にある場合は、キャリアガスおよび蒸気が自動調整管に入り、第１の容積の流体が自動調整管の底部よりも上に再び延在し自動調整管を密閉するまで、第２の流体を第２の容積から第１の容積内へ送出する。
【０００９】
本開示の他のおよびさらなる実施形態について以下に記載する。
【００１０】
上で簡単に要約され、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付図面に表された本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定していると考えられるべきではなく、その理由は本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置の例の概略図である。
【図２】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置の別の例の概略図である。
【図３】本開示の一部の実施形態により実行される化学物質送出方法の例を示す流れ図である。
【図４Ａ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置の例の側面図である。
【図４Ｂ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置のさらなる例の側面図である。
【図４Ｃ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置のさらなる例の側面図である。
【図５Ａ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置の例の側面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示される例の断面図である。
【図５Ｃ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置のさらなる例の側面図である。
【図５Ｄ】図５Ｃに示される例の断面図である。
【図５Ｅ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置のさらなる例の側面図である。
【図６Ａ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置のさらに別の例の側面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示される例の一部の拡大図である。
【図７Ａ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置のさらに別の例の側面図である。
【図７Ｂ】本開示の一部の実施形態による化学物質送出装置のさらに別の例の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
理解を容易にするために、各図に共通の同一の要素を指定するために、可能な場合は、同一の参照数字が使用されている。図は、原寸に比例して示されておらず、明瞭にするために簡略化されることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳説することなく他の実施形態において有益に組み込まれ得ることが企図されている。
【００１３】
本開示は、アンプル中の流体化学物質のレベルが有利には自動調整される化学物質送出装置および方法に関する。より詳細には、蒸気引き抜きまたはバブラ機能容積中の流体のレベルを自動調整することができ、大部分の貯蔵された流体を閉じた容積内部でキャリアガスから分離することができる。アンプルは、２つの機能容積、すなわち第１のリザーバ内部の第１の容積または下部の蒸気引き抜き／バブラ容積、および第２のリザーバ内部の第２の容積または上部の補充容積に分けることができる。第２の容積は、第１の容積に送出される流体を保持することができる。第１の容積内の流体は、キャリアガスの流れを絶え間なく受けることができるが、第２の容積内の流体は、キャリアガスの流れを絶え間なく受けなくてもよく、これによって化学分解を最小にすることができる。第２の容積の流体レベルは、化学物質が第１の容積に供給されるにつれ、変わることがある。
【００１４】
第２の容積は、補充管／分離バルブ、レベルセンサ、および自動調整管を含むことができる。補充管／分離バルブは、例えば、外部バルク送出システムを介して第２の容積内へさらなる流体を追加するために使用されてもよい。補充作業は、一体化されたレベルセンサまたは知られている消費割合のいずれかを利用してユーザによって決定されてもよい。自動調整管は、第１のリザーバを補充することができる制御機構であってもよい。流体が第１のリザーバで消費されるにつれ、自動調整管の底部は、第２の容積の流体レベルの上方の蒸気を追い出すことができ、補充管を介して第１のリザーバに等量の流体を供出することができる。上記のプロセスは、自動調整であってもよく、結果として第１のリザーバの流体が一定のレベルになり得る。
【００１５】
キャリアガスは、ガス入り口管を通って第１の容積に流入することができ、キャリアガスは、蒸気で飽和し、この蒸気を、ガス出口管を介して処理チャンバへ運ぶことができる。第１の容積は、蒸気引き抜き構成またはバブラ構成のいずれかであってもよい。
【００１６】
上記に加えて、さらなる特徴が含まれてもよい。一例として、１つまたは複数の空間が含まれてもよく、第１のリザーバと第２のリザーバとの間で最小の表面接触をもたらすことができ、例えば、図６Ａ〜図６Ｂに関して以下で論じるように、２つのリザーバを熱的に分離させることができる。アンプルのマルチゾーン加熱が、例えば、図４Ａ〜図４Ｃに関して以下で論じるように、２つ、３つまたは４つのゾーンヒータを使用して行われてもよい。アンプルの壁へのヒータの接着剤なし結合が、例えば、ポリイミドヒータを使用して行われてもよい。
【００１７】
流体レベル検知は、第１の容積および第２の容積の１つまたは両方に含まれてもよい。流体の温度をモニタする、および／または温度を制御するためのインサイチュ流体温度測定は、第１の容積および第２の容積の１つまたは両方に対して行われてもよい。流体レベルセンサは、流体温度測定センサと一体であっても、別々であってもよい。
【００１８】
例えば、図５Ｅに関して以下で論じるように、第１の容積内のキャリアガス流の均一性を改善し、流体濃度を向上させることができるノズルがガス入り口管の端部に設けられてもよい。例えば、図５Ａ〜図５Ｄに関して以下で論じるように、第１の容積内のキャリアガス流の均一性を改善し、流体濃度を向上させることができるバッフルが第１の容積に追加されてもよい。例えば、５つ、または９つ、あるいは他の数のバッフルが設けられてもよい。
【００１９】
第１のリザーバおよび第２のリザーバのうちの１つまたは両方の内部壁および／または底部に、リザーバの１つまたは両方の洗浄を容易にすることができる内部コーティングが使用されてもよい。内部コーティングは、静止摩擦防止（スティクション防止）コーティングであってもよい。第１および第２のリザーバは、互いに分離可能であってもよく、それによってリザーバの１つまたは両方の洗浄を容易にすることができる。
【００２０】
第１の容積および第２の容積のうちの１つまたは両方の流体中のプロセス前駆体の濃度を制御するために、アンプル圧力が測定されてもよく、使用されてもよい。
【００２１】
図１は、本開示の一部の実施形態によるアンプル１００の例を示す概略図である。アンプルは、２つの機能的なリザーバに分割される。下部の第１のリザーバ１０２は、蒸気引き抜きリザーバまたはバブラリザーバとして働くことができ、流体を含む第１の容積を画定する。上部の第２のリザーバ１０４は、流体を含む第２の容積を画定し、補充リザーバとして働くことができ、流体を第２のリザーバ１０４から第１のリザーバ１０２へ送出することができる。例えば、第１のリザーバ１０２の流体および第２のリザーバ１０４の流体は、同一の流体である。第１のリザーバ１０２および第２のリザーバ１０４は、アンプル１００の共通のハウジングまたは本体に配置されてもよい。
【００２２】
入り口バルブ１３０および出口バルブ１３２が開いているとき、キャリアガスは、ガス入り口管１０８を通って、例えば、経路１２０に沿って第１の流体上方の空間内へと第１のリザーバ１０２に入り、流体から蒸発した蒸気を収集する。次いで、蒸気を運ぶキャリアガスは、例えば、経路１２４に沿って、例えば、ガス出口管１１４および出口バルブ１３２を通って第１のリザーバ１０２を出る。一部の実施形態では、キャリアガスは、例えば、クロスフロー経路１２２に沿って進み、経路１２４に沿って出る前にクロスフロー経路に沿って蒸気を収集する。
【００２３】
自動調整管１０６は、例えば、第１のリザーバ１０２の補充を制御するための制御機構として働く（例えば、第１のリザーバ１０２の流体レベルの制御）。自動調整管１０６は、第２のリザーバ１０４内の第２のリザーバ１０４の流体の上方から第１のリザーバ１０２内へと下に延在する。初めに、第１のリザーバ１０２の流体は、自動調整管１０６の底部よりも上に延在し、自動調整管１０６を密閉する。第１のリザーバ１０２の流体が消費されるにつれ、第１のリザーバ１０２の流体は、自動調整管１０６の底部よりも下に下がり、その結果キャリアガスおよび蒸気が自動調整管１０６に入り、第２のリザーバ１０４へと上に進むことができる。自動調整管１０６から第２のリザーバ１０４内へ入るキャリアガスおよび蒸気は、第２のリザーバ１０４の流体を押し、例えば、経路１２８に沿って充填管１１６を通って第１のリザーバ１０２に流体を送出する。充填管１１６は、例えば、第２のリザーバの底部から、例えば、第１のリザーバの流体のレベルよりも下に（一部の実施形態では、例えば、第１のリザーバ１０２の底部に隣接して）延在する。流体は、第１のリザーバ１０２の流体が自動調整管１０６の底部よりも上に再び延在し、自動調整管１０６を密閉するまで、第１のリザーバ１０２に送出され続ける。このようにして、第１のリザーバ１０２の流体の容積が制御される。
【００２４】
第２のリザーバ１０４の例では、第２のリザーバ１０４は、補充されず、その結果、第２のリザーバ１０４の流体は、流体が第２のリザーバ１０４から第１のリザーバ１０２へ移されるにつれ、減少する。一部の実施形態では、化学物質レベルセンサ１１２を設け、第２のリザーバ１０４の流体のレベルを検出し、例えば、第２のリザーバ１０４が空、ほぼ空、または他のなんらかの所望のレベルであるかどうかを判定することができる。一部の実施形態では、検出された流体レベルを使用して、流体入力バルブ１３４を制御し、流体をバルク補充入り口管１１０に沿って第２のリザーバ１０４内へと、例えば、経路１２６に沿って送出し、第２のリザーバ１０４内で一定の流体レベルを維持する。一部の実施形態では、第２のリザーバ１０４の流体のレベルは、知られている化学物質の消費割合を使用して、決定され、いつ流体入力バルブ１３４を作動させるかを決める。
【００２５】
図２は、本開示の一部の実施形態によるアンプル２００の例を示す概略図である。本例では、同様の参照数字は、図１に記載されたものと同様の機能を提供する。図２は、第２のリザーバの補充機構が代替機構であることを示すために、バルク補充入り口管１１０および流体入力バルブ１３４を破線として示す。加えて、さらなる代替形態として、バブラ構成では、ガス入り口管１０８は、キャリアガスが第１のリザーバ１０２の流体を通り抜ける（例えば、第１のリザーバ１０２の流体を通って泡立つ）ように（破線１０８Ａによって表されるように）第１のリザーバ１０２の流体のレベルよりも下に延在する。別の代替形態として、充填管１１６は、（実線によって表されるように）流体駆動構成、または（破線１１６Ａによって表されるように）サイホンとして構成されてもよい。一部の実施形態では、追加の出口バルブ１３２が設けられ、第２のリザーバ１０４に結合されてもよい。一部の実施形態では、ガス入り口線は、線およびバルブ２４６によって表されるように、アンプル２００をすべてバイパスして、出口に直接、選択的に結合されてもよい。
【００２６】
図３は、本開示の一部の実施形態による方法の例を示す流れ図である。３０２で、第１および第２のリザーバならびに自動調整管が設けられる。３０４で、キャリアガスが第１のリザーバ１０２で受け取られ、３０６で、キャリアガスを使用して蒸気を収集する。３０８で、キャリアガスおよび蒸気が出力される。３０４、３０６、および３０８は、繰り返し実行されてもよい。
【００２７】
３１０で、流体レベルが低下し、もはや自動調整管の底部を密閉しない。３１２で、キャリアガスおよび蒸気は、自動調整管を通って第２のリザーバ１０４に入り、流体結合によって液体を第２のリザーバ１０４から第１のリザーバ１０２へ送出する。３１４で、流体レベルが上昇し、自動調整管の底部を密閉する。３１０、３１２、および３１４は、繰り返し実行されてもよい。
【００２８】
上で論じたように、アンプルのマルチゾーン加熱は、例えば、２つ、３つ、または４つのゾーンヒータを使用して行われてもよい。例えば、各ヒータは、アンプルの壁に結合されるか、さもなければ、接着剤なしの結合技法を使用して、アンプルの壁に熱的に結合されてもよい。一部の実施形態では、ヒータは、ポリイミドヒータ（例えば、可撓性のポリイミド膜上に配置された、またはポリイミド膜に包まれた抵抗加熱器）であってもよい。図４Ａ〜図４Ｃは、本開示によるヒータ配置の例示的な例を示す。図４Ａは、２つのヒータを設けることができる例を示す。第１のヒータ４０２は、第１のリザーバ１０２の壁および底部を取り囲み、第２のヒータ４０４は、第２のリザーバ１０４の壁を取り囲む。図４Ｂは、３つのヒータを設けることができる例を示す。第１のヒータ４１２は、第１のリザーバ１０２の壁を取り囲み、第２のヒータ４１４は、第２のリザーバ１０４の壁を取り囲み、第３のヒータ４１６は、第１のリザーバ１０２の底部に配置される。図４Ｃは、４つのヒータを設けることができる例を示す。第１のヒータ４１２、第２のヒータ４１４、および第３のヒータ４１６は、図４Ｂの同様の数字のヒータに相当する。さらなる、すなわち第４のヒータ４２０が第１のリザーバ１０２の上部と第２のリザーバ１０４の底部との間に位置する。また、第１のリザーバ１０２の上部と第２のリザーバ１０４の底部との間に位置する第４のヒータ４２０は、図４Ａに表された構成に追加されてもよい。また、他の構成を使用して第１のリザーバ１０２および第２のリザーバ１０４に熱エネルギーを提供することができる。
【００２９】
図５Ａ〜図５Ｄは、本開示による第１のリザーバ１０２に組み込まれたバッフルの例示的な例を示す。図５Ａは、５つのバッフル５０２が第１のリザーバ１０２にあってもよい例の側面図を示す。図５Ｂは、図５Ａの線Ｂ−Ｂに沿って取られた５つのバッフル５０２の断面上面図を示す。図５Ｃは、９つのバッフル５０４が第１のリザーバ１０２に含まれてもよい例の側面図を表す。図５Ｄは、図５Ｂの線Ｄ−Ｄに沿って取られた９つのバッフル５０４の断面上面図である。他の数のバッフルが設けられてもよい。図５Ｅは、ノズル５１０が、バッフル５０２もしくは５０４の代わりに、またはバッフル５０２もしくは５０４と組み合わせて（図１および図２にも示す）ガス入り口管１０８の端部に含まれてもよい例の側面図を示す。
【００３０】
図６Ａ〜図６Ｂは、本開示の一部の実施形態による第１のリザーバと第２のリザーバとの間に配置された例示的な熱バリアの例を示す。同様の熱バリアは、例えば、第２のリザーバと、第２のリザーバ上方に配置された構成要素、例えば、上で論じたバルブおよび他の構成要素との間に設けられてもよい。一部の実施形態では、第１のリザーバと第２のリザーバとの間の熱の伝達を最小化するために、第１のリザーバと第２のリザーバとの間の接触表面積が最小化され、第１のリザーバと第２のリザーバとの間に間隙が設けられてもよい。例えば、図６Ａ〜図６Ｂは、下部のまたは第１のリザーバ１０２の上面が、上部のまたは第２のリザーバ１０４と接触する、および上部のまたは第２のリザーバ１０４を支持する支持面６０６を低減させるように構成され得ることを示す。支持面６０６は、第１のリザーバ１０２の上面の残った部分の上方に、またはその部分を越えて延在し、第１のリザーバ１０２の上部壁と、または一部の実施形態では第１のリザーバ１０２の上部流体レベルと、第２のリザーバ１０４の底部壁との間に間隙６０２を画定する。一部の実施形態では、Oリングまたは他のガスケット材を受けるために溝６０４が設けられ、第１のリザーバ１０２と第２のリザーバ１０４との間の密閉の形成を容易にすることができる。
【００３１】
図６Ｂは、図６Ａの領域Ｂをより詳細に示す。図６Ｂに示すように、間隙６０２は、位置に応じて変わってもよい。例えば、支持面６０６の外側に配置された外部間隙６０２Ａは、第１のリザーバ１０２と第２のリザーバ１０４との間の厚さが、支持面６０６の内側に配置された内部間隙６０２Ｂよりも大きくてもよい。より大きな外部間隙６０２Ａは、例えば、約６〜約１０ミルであってもよく、間隙のサイズがより大きいためより大きな熱分離を提供することができる。例えば、より小さな内部間隙６０２Ｂは、例えば、約１〜約３ミルであってもよく、熱分離を提供することができ、一方で間隙のサイズがより小さいため、溝６０４のガスケット材からの粒子汚染の発生を低減させることができる。第１のリザーバ１０２の上部流体レベルと第２のリザーバ１０４との間の蒸気空間は、第１のリザーバ１０２と第２のリザーバ１０４との間にさらなる熱バリアを提供する。
【００３２】
図７Ａおよび図７Ｂは、第１のリザーバ１０２および第２のリザーバ１０４が本開示の一部の実施形態による別々の組立体に分割可能であってもよい例を示す。図７Ａは、互いに結合された、例えばＯリングを使用して密閉されてもよい２つのリザーバを示す。図７Ｂは、第１のリザーバ１０２および第２のリザーバ１０４が分離されていることを示す。また、図７Ａおよび図７Ｂは、自動調整管１０６が第１のリザーバ１０２の一部であってもよい第１の部分１０６Ａ、および第２のリザーバ１０４の一部であってもよい第２の部分１０６Ｂに分離可能であってもよいことを示す。
【００３３】
前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよい。
【図１】
0006560270.tif 000002
【図２】
0006560270.tif 000003
【図３】
0006560270.tif 000004
【図４Ａ】
0006560270.tif 000005
【図４Ｂ】
0006560270.tif 000006
【図４Ｃ】
0006560270.tif 000007
【図５Ａ】
0006560270.tif 000008
【図５Ｂ】
0006560270.tif 000009
【図５Ｃ】
0006560270.tif 000010
【図５Ｄ】
0006560270.tif 000011
【図５Ｅ】
0006560270.tif 000012
【図６Ａ】
0006560270.tif 000013
【図６Ｂ】
0006560270.tif 000014
【図７Ａ】
0006560270.tif 000015
【図７Ｂ】
0006560270.tif 000016