(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（５）で表される高分子化合物。
【化５】
0006558146.tif 000045
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基を表す。
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ４は、各々独立して、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
Ａｒ３は、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜６０の２価の芳香族基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
Ａｒ５は、各々独立して、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（該基は、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
ｎは０〜４を表す。ｎが２〜４のとき、Ａｒ３及びＡｒ４は同一であっても、異なっていてもよい。
ｍは２以上の整数を表す。）
【請求項２】
下記一般式（３）で表される繰返し構造が少なくとも２つ以上連結した骨格を有し、且つ末端が二級アミノ基、ハロゲン原子、または二級アミノ基とハロゲン原子の両方である高分子化合物に対し、パラジウム触媒及び塩基の存在下に、下記一般式（６）で表されるアリールハライド、下記一般式（７）で表されるアリールアミン、又は一般式（６）で表されるアリールハライドと一般式（７）で表されるアリールアミンの両方を反応させることを特徴とする請求項１に記載の高分子化合物の製造方法。
【化８】
0006558146.tif 000046
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基を表す。
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ４は、各々独立して、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
Ａｒ３は、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜６０の２価の芳香族基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
ｎは０〜４を表す。
ｎが２〜４のとき、Ａｒ３及びＡｒ４は同一であっても、異なっていてもよい。）
【化９】
0006558146.tif 000047
（式中、
Ａｒ５は炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（該基は、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。）
【化１０】
0006558146.tif 000048
（式中、Ａｒ５は、各々独立して、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（該基は、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。）
【請求項３】
請求項１に記載の高分子化合物を含むことを特徴とする導電性材料。
【請求項４】
請求項１に記載の高分子化合物を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子用導電性材料。
【請求項５】
請求項１に記載の高分子化合物を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子用正孔輸送材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い三重高準位を有する高分子化合物、その製造方法及びその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は通常複数からなる有機薄膜を１対の電極で挟んだ構造をしており、近年、携帯のディスプレイ及び照明器具等様々な用途での利用が始まっている。当該有機薄膜層に用いる材料としては低分子系の化合物が現在の主流であるが、当該低分子系化合物の有機薄膜層形成には真空蒸着が一般的に行われているため、製造コストが高いという課題があった。そのため、製造コストの安価な塗布製膜可能な高分子系の材料の開発が求められている。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子においては、発光効率に優れる燐光発光材料を用いることが産業上強く望まれている。このような燐光有機ＥＬ素子においては、励起三重項準位（Ｔ１）の高い周辺材料（正孔輸送材料及び電子輸送材料）を用いる必要があることが一般的に知られている。
【０００４】
高分子系の正孔注入材料、正孔輸送材料、及び発光ホスト材料としては、例えば、ポリ−（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン）等に代表されるアリールアミンポリマー（例えば、特許文献１〜４参照）や、ヘテロ芳香族基を主骨格に有するアリールアミンポリマー（例えば、特許文献５）等が提案されているが、これら従来公知の材料については、Ｔ１が十分高くないため燐光有機ＥＬ素子が十分な性能を発揮するに至っていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２９２８２９号公報
【特許文献２】特開平１３−９８０２３号公報
【特許文献３】特開２００４−２９２７８２号公報
【特許文献４】特表２００１−５２７１０２号公報
【特許文献５】特開２００４−９３７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記背景技術に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来公知のものより燐光発光素子を高発光効率化させるために不可欠な高いＴ１を有する高分子量化合物を提供することを目的とし、さらに、その製造方法及びそれを含有してなる有機電界発光素子用材料を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、下記一般式（１）で表される部分構造を繰返し構造に有する高分子化合物が従来公知の材料に比べてＴ１が高いことを見出し、さらに、従来公知の材料に比べて燐光発光素子の発光効率に優れるという顕著な効果及び、燐光発光素子を低電圧化できるという異質な効果を見出して、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される部分構造を繰返し構造に有する高分子化合物（以下、適宜「高分子化合物（１）」と称する）、その製造方法及び用途に関する。
【０００９】
【化１】
0006558146.tif 000002
【００１０】
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基を表す。
Ａｒ１は炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（該基は、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。）
なお、上記一般式（１）で表される部分構造を繰返し構造に有する高分子化合物は、下記一般式（２）で表される構造を繰返し構造として含むものであることが好ましい。
【００１１】
【化２】
0006558146.tif 000003
【００１２】
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基を表す。
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立して、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。）
なお、一般式（２）で表される構造を繰返し構造に含む高分子化合物については、以下、適宜「高分子化合物（２）」と称する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の高分子化合物（１）は、従来公知の高分子系化合物に比べて、励起三重項準位が高い。このため、本発明の高分子化合物（１）を用いた有機ＥＬ素子は発光効率、電流効率に優れることが期待される。したがって、本発明の高分子化合物は、輝度が高く、消費電力の少ない燐光発光性または蛍光発光性の有機ＥＬ素子を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に本発明を詳細に説明する。
【００１５】
本発明の高分子化合物（１）は、それぞれ上記一般式（１）で表される部分構造を繰返し構造に有するものである。なお、高分子化合物（１）は上記一般式（２）で表される構造を繰返し構造として含む高分子化合物（２）であることが好ましい。
【００１６】
高分子化合物（１）及び高分子化合物（２）において、Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基を表す。
【００１７】
炭素数１〜１８のアルキル基は、炭素数１〜１８の直鎖、分岐、または環状のアルキル基のことを意味し、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキサジエニル基、オクチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、又はフェネチル基等が挙げられる。
【００１８】
Ｒ１及びＲ２については、高分子化合物の製造効率に優れる点で、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、又はｔｅｒｔ−ブチル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
【００１９】
高分子化合物（１）及び（２）において、Ａｒ１は、各々独立して、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
【００２０】
高分子化合物（２）において、Ａｒ２は、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
【００２１】
なお、Ａｒ１及びＡｒ２において、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基は、炭素数６〜６０の連結若しくは縮環していてもよい芳香族炭化水素基又は炭素数４〜６０の連結若しくは縮環していてもよいヘテロ芳香族基の上位概念である。
【００２２】
前記の炭素数６〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族炭化水素基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、ナフタレニル基、フェニル−ナフタレニル基、ナフタレニル−フェニル基、アントラセニル基、フェニル−アントラセニル基、アントラセニル−フェニル基、ピレニル基、ターフェニレニル基、フェナントラセニル基、トリフェニレニル基等を挙げられる。
【００２３】
前記の炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよいヘテロ芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、フラニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、チエニレニル基、ベンゾチエニレニル基、ジベンゾチエニレニル基、カルバゾリル基、ピリジレニル−フェニル基、ジベンゾチエニレニル−フェニル基、ジベンゾフラニルーフェニル基、ビフェニル−カルバゾリル基、ジベンゾチエニル−カルバゾリル基、ピリジレニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、アクリジニル基、ベンゾチアゾリル基、キナゾリル基、キノキサリル基、１，６−ナフチリジニル基、１，８−ナフチリジニル基等を挙げられる。
【００２４】
Ａｒ１及びＡｒ２における炭素数１〜１８のアルキル基は、Ｒ１及びＲ２と同じ定義であり、特に限定するものではないが、Ｒ１及びＲ２で示したものと同じものを例示することができる。且つ好ましい範囲についても同様である。
【００２５】
Ａｒ１及びＡｒ２における炭素数１〜１８のアルコキシ基は、炭素数１〜１８の直鎖、分岐、または環状のアルコキシ基のことを意味し、特に限定するものではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘキサジエニルオキシ基、オクチルオキシ基、トリフルオロメチルオキシ基、ベンジルオキシ基、又はフェネチルオキシ基等が挙げられる。
【００２６】
Ａｒ１及びＡｒ２としては、高分子化合物の正孔輸送特性に優れる点で、各々独立して、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜６０の芳香族基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）であることが好ましい。該基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾチエニルフェニル基、カルバゾリル基、フェニル−カルバゾリル基、ビフェニル−カルバゾリル基、ジベンゾチエニル−カルバゾリル基等を例示できる。
【００２７】
これらのうち、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜４０の芳香族基（該基は、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）であることがより好ましい。
【００２８】
これらのうち、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜２０の芳香族基（該基は、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）であることがより好ましい。
【００２９】
さらに、Ａｒ１及びＡｒ２としては、高分子化合物の正孔輸送特性に優れる点で、各々独立して、フェニル基、ビフェニリル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾチエニルフェニル基、又はＮ−ジベンゾチエニルカルバゾリル基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を置換基として有してもよい）であることが好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾチエニルフェニル基、又はＮ−ジベンゾチエニルカルバゾリル基（これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、又はｔ−ブトキシ基を置換基として有してもよい）であることがより好ましい。
【００３０】
Ａｒ１及びＡｒ２としては、前記のうち、各々独立して、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾチエニルフェニル基、又はＮ−ジベンゾチエニルカルバゾリル基がより好ましい。
【００３１】
なお、本発明の高分子化合物（２）は下記一般式（３）で表される繰返し構造を有する高分子化合物（「高分子化合物（３）」とも称する）であることがより好ましい。
【００３２】
【化３】
0006558146.tif 000004
【００３３】
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、高分子化合物（２）と同じ定義である。
Ａｒ１、及びＡｒ２は、高分子化合物（２）と同じ定義である。
Ａｒ４は、炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
Ａｒ３は、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜６０の２価の芳香族基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。
ｎは０〜４を表す。
ｎが２〜４のとき、Ａｒ３及びＡｒ４は出現毎に同一であっても、異なっていてもよい。）
Ａｒ４における炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）については、Ａｒ１、及びＡｒ２で示した炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）と同じ置換基を例示することができ、且つ、好ましい範囲についてもＡｒ１、及びＡｒ２のときと同じである。
【００３４】
Ａｒ３におけるベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜６０の２価の芳香族基については、特に限定するものではないが、例えば、フェニレン基（ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基）、ビフェニルジイル基、フェニル−フェニレン基、ターフェニルジイル基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、ターフェニレン基、フェナントラセンジイル基、ペリレンジイル基、トリフェニレンジイル基、フランジイル基、ベンゾフランジイル基、ジベンゾフランジイル基、カルバゾリル基、チエニレン基、ベンゾチエニレン基、又はジベンゾチエニレン基等が挙げられる。
【００３５】
Ａｒ３は、高分子化合物の正孔輸送特性に優れる点で、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜４０の２価の芳香族基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）であることが好ましく、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、及びピロール環からなる群より選ばれる１つ以上の環構造が単独、連結及び／又は縮環して形成される炭素数４〜２０の２価の芳香族基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）であることがより好ましい。
【００３６】
さらに、Ａｒ３としては、高分子化合物の正孔輸送特性に優れる点で、フェニレン基（ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基）、ビフェニリレン基、フルオレニレン基、ジベンゾチエニレン基、又はジベンゾフランジイル基（これらは、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を置換基として有してもよい）であることが好ましく、フェニレン基（ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基）、ビフェニリレン基、フルオレニレン基、ジベンゾチエニレン基、又はジベンゾフランジイル基（これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、又はｔ−ブトキシ基を置換基として有してもよい）であることがより好ましい。
【００３７】
Ａｒ３は、前記のうち、フェニレン基、トリレン基、ジメチルフェニレン基、ジベンゾチエニレン基、又はジベンゾフランジイル基であることがさらに好ましい。
【００３８】
なお、一般式（３）において、ｎが２〜４のとき、Ａｒ３及びＡｒ４は、出現毎に同一であっても、異なっていてもよい。
【００３９】
また、高分子化合物（１）、（２）及び（３）については、有機電界発光素子としての発光特性、及び耐久性の点から、末端が下記一般式（４）で表される置換基であることが好ましい。
【００４０】
【化４】
0006558146.tif 000005
【００４１】
（式中、Ａｒ５は炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（該基は、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）を表す。）
Ａｒ５における炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）については、Ａｒ１、及びＡｒ２で示した炭素数４〜６０の連結又は縮環していてもよい芳香族基（これらの基は、各々独立して、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を有していてもよい）と同じ置換基を例示することができ、且つ、好ましい範囲についてもＡｒ１、及びＡｒ２のときと同じである。
【００４２】
なお、Ａｒ５については、上記の好ましい範囲の記載に拘わらず、高分子化合物（１）、（２）、又は（３）の製造効率に優れる点で、各々独立して、フェニル基（当基は、各々独立して、フェニル基、炭素数１〜１８のアルキル基、及び炭素数１〜１８のアルコキシ基からなる群より選ばれる１種以上の置換基を有していてもよい）であることがより好ましく、各々独立して、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、又はフェニル基であることがより好ましい。
【００４３】
すなわち、高分子化合物（３）は、下記一般式（５）で表される高分子化合物であることが好ましい。
【００４４】
【化５】
0006558146.tif 000006
【００４５】
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ｒ１、Ｒ２、及びｎは、各々独立して、前述の一般式（３）と同じ定義を示す。Ａｒ５は、各々独立して、前記一般式（４）と同じ定義を表す。なお、ｎが２〜４のとき、Ａｒ３及びＡｒ４は、出現ごとに同一であっても、異なっていてもよい。
ｍは２以上の整数を表す。）
本発明の高分子化合物としては、前述の定義に該当すれば特に限定するものではないが、有機電界発光素子の発光効率及び寿命等の物性の点で、下記一般式（９）〜（１５）のいずれかに表されるものを好ましいものとして例示することができる。
【００４６】
【化６】
0006558146.tif 000007
【００４７】
【化７】
0006558146.tif 000008
【００４８】
（上記一般式（９）〜（１２）、（１２−１）、（１２−２）、及び（１３）〜（１５）中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を表わす。
ｍは２以上の整数を表す。ｑは１から４の整数を表す。）
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０で示される炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基については、Ａｒ１で示した炭素数１〜１８のアルキル基及び炭素数１〜１８のアルコキシ基と同じ置換基を例示することができる。
【００４９】
なお、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、高分子化合物の製造効率に優れる点で、各々独立して、水素原子又は炭素数１〜８のアルキル基であることが好ましく、各々独立して、水素原子、メチル基、又はブチル基（例えば、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等）であることがより好ましい。
【００５０】
なお、Ｒ８、Ｒ９、及びＲ１０は、高分子化合物の製造効率に優れる点で、各々独立して、水素原子又はメチル基であることがさらに好ましい。
【００５１】
次に本発明の高分子化合物（３）の製造方法について説明する。
【００５２】
本発明の高分子化合物（３）は特に限定するものではないが、下記反応式で示されるように種々のアリーレンジハライドとアリーレンアミンまたはアリーレンジハライドとアリーレンジアミンを、トリアルキルホスフィン及び／又はパラジウム化合物からなる触媒並びに塩基の存在下、重合させることによって合成できる。
【００５３】
【化８】
0006558146.tif 000009
【００５４】
（反応式１〜３において、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ｒ１、Ｒ２及びｎは上記一般式（３）と同じ定義を表す。Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は各々独立して、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。ｍは２以上の整数を表す。）
高分子化合物（３）を製造するための原料としては下記一般式（８）で表されるジハロゲン化合物を用いることが出来る。
【００５５】
【化９】
0006558146.tif 000010
【００５６】
（式中、Ａｒ１、Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、前述の一般式（１）と同じ定義を示す。Ｘ１は、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。）
上記一般式（８）で表されるジハロゲン化合物は素子の発光効率が高くなる点で下記一般式（８−１）〜（８−５）のいずれかに表されるものであることが好ましい。
【００５７】
【化１０】
0006558146.tif 000011
【００５８】
（上記一般式（８−１）〜（８−５）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＸ１は上記一般式（８）と同じ定義を表す。Ｒ１１は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を表す。）
更に、合成が容易な点から上記一般式（８−１）又は（８−２）であることがより好ましい。
【００５９】
重合工程より得られる一般式（１６）で表される構造を有する化合物は、通常、末端が二級アミノ基又はハロゲン基、又は二級アミノ基とハロゲン基の両方である。
【００６０】
保護化工程は、パラジウム触媒及び塩基の存在下、重合工程で得られた一般式（１６）で表される構造を有する化合物と下記一般式（６）で表される芳香族ハロゲン化合物又は下記一般式（７）で表される芳香族アミン化合物、又はその両方との反応によって行われる。
【００６１】
【化１１】
0006558146.tif 000012
【００６２】
（式中、Ａｒ５は、上記一般式（４）におけるＡｒ５と同じ定義である。Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。）
【００６３】
【化１２】
0006558146.tif 000013
【００６４】
（式中、Ａｒ５は、各々独立して、上記一般式（４）におけるＡｒ５と同じ定義である。）
保護化工程の生成物として反応末端を保護した高分子化合物（３）、すなわち下記一般式（５）で表される高分子化合物を得ることが出来る。
【００６５】
【化１３】
0006558146.tif 000014
【００６６】
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ｒ１、Ｒ２、及びｎは、各々独立して、前述の一般式（３）と同じ定義を示す。Ａｒ５は、各々独立して、前記一般式（４）と同じ定義を表す。ｍは２以上の整数を表す。なお、ｎが１〜４のとき、Ａｒ３及びＡｒ４は、出現ごとに、同一であっても、異なっていてもよい。）
なお、保護化工程は、重合工程に引き続きワンポットで行なってもよいし、一旦、重合工程の生成物である一般式（１６）の高分子化合物を単離した後、別途、パラジウム触媒及び塩基の存在下行なってもよい。
【００６７】
保護化工程において、一般式（６）で表される芳香族ハロゲン化合物と一般式（７）で表される芳香族アミン化合物を同時に用いて反応を行うことも可能であるが、保護化工程の反応効率の点においては、芳香族ハロゲン化合物による反応と、芳香族アミン化合物による反応は、それぞれ別々に行うことが好ましい。また、別々に反応を行う場合、芳香族ハロゲン化合物を用いる反応と芳香族アミン化合物を用いる反応はどちらを先に行ってもよい。
【００６８】
なお、保護化工程において、芳香族ハロゲン化合物を用いる反応と芳香族アミン化合物を用いる反応は、ワンポットで連続的に行うこともできるし、一方の反応後、反応施生物を単離して別バッチで他方の反応を行うこともできる。
【００６９】
一般式（６）で表される芳香族ハロゲン化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、置換基を有してもよいブロモベンゼン類［具体的には、ブロモベンゼン、２−ブロモトルエン、３−ブロモトルエン、４−ブロモトルエン、２−ブロモ−ｍ−キシレン、２−ブロモ−ｐ−キシレン、３−ブロモ−ｏ−キシレン、４−ブロモ−ｏ−キシレン、４−ブロモ−ｍ−キシレン、５−ブロモ−ｍ−キシレン、１−ブロモ−２−エチルベンゼン、１−ブロモ−４−エチルベンゼン、１−ブロモ−４−プロピルベンゼン、１−ブロモ−４−ｎ−ブチルベンゼン、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、１−ブロモ−５−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、２−ブロモアニソール、３−ブロモアニソール、４−ブロモアニソール、１−ブロモナフタレン、２−ブロモナフタレン、２−ブロモビフェニル、３−ブロモビフェニル、４−ブロモビフェニル、９−ブロモアントラセン、９−ブロモフェナンスレン、Ｎ−メチル−３−ブロモカルバゾール、Ｎ−エチル−３−ブロモカルバゾール、Ｎ−プロピル−３−ブロモカルバゾール、Ｎ−ブチル−３−ブロモカルバゾール、２−ブロモフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジエチルフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジイソプロピルフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジ−ｎ−ブチルフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジ−ｓｅｃ−ブチルフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジ−ｎ−ヘキシルフルオレン、２−ブロモ−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、２−ブロモジベンゾチオフェン、２−ブロモジベンゾフラン等］、置換基を有してもよいクロロベンゼン類［具体的には、クロロベンゼン、２−クロロトルエン、３−クロロトルエン、４−クロロトルエン、２−クロロ−ｍ−キシレン、２−クロロ−ｐ−キシレン、３−クロロ−ｏ−キシレン、４−クロロ−ｏ−キシレン、４−クロロ−ｍ−キシレン、５−クロロ−ｍ−キシレン、１−クロロ−２−エチルベンゼン、１−クロロ−４−エチルベンゼン、１−クロロ−４−プロピルベンゼン、１−クロロ−４−ｎ−ブチルベンゼン、１−クロロ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、１−クロロ−５−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、２−クロロアニソール、３−クロロアニソール、４−クロロアニソール、１−クロロナフタレン、２−クロロナフタレン、２−クロロビフェニル、３−クロロビフェニル、４−クロロビフェニル、９−クロロアントラセン、９−クロロフェナンスレン、Ｎ−メチル−３−クロロカルバゾール、Ｎ−エチル−３−クロロカルバゾール、Ｎ−プロピル−３−クロロカルバゾール、Ｎ−ブチル−３−クロロカルバゾール、２−クロロフルオレン、２−クロロ−９，９−ジメチルフルオレン、２−クロロ−９，９−ジエチルフルオレン、２−クロロ−９，９−ジイソプロピルフルオレン、２−クロロ−９，９−ジ−ｎ−ブチルフルオレン、２−クロロ−９，９−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレン、２−クロロ−９，９−ジ−ｓｅｃ−ブチルフルオレン、２−クロロ−９，９−ジ−ｎ−ヘキシルフルオレン、２−クロロ−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、２−クロロジベンゾチオフェン、２−クロロジベンゾフラン等］、及び、置換基を有してもよいヨードベンゼン類［具体的には、ヨードベンゼン、２−ヨードトルエン、３−ヨードトルエン、４−ヨードトルエン、２−ヨード−ｍ−キシレン、２−ヨード−ｐ−キシレン、３−ヨード−ｏ−キシレン、４−ヨード−ｏ−キシレン、４−ヨード−ｍ−キシレン、５−ヨード−ｍ−キシレン、１−ヨード−２−エチルベンゼン、１−ヨード−４−エチルベンゼン、１−ヨード−４−プロピルベンゼン、１−ヨード−４−ｎ−ブチルベンゼン、１−ヨード−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、１−ヨード−５−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、２−ヨードアニソール、３−ヨードアニソール、４−ヨードアニソール、１−ヨードナフタレン、２−ヨードナフタレン、２−ヨードビフェニル、３−ヨードビフェニル、４−ヨードビフェニル、９−ヨードアントラセン、９−ヨードフェナンスレン、Ｎ−メチル−３−ヨードカルバゾール、Ｎ−エチル−３−ヨードカルバゾール、Ｎ−プロピル−３−ヨードカルバゾール、Ｎ−ブチル−３−ヨードカルバゾール、２−ヨードフルオレン、２−ヨード−９，９−ジメチルフルオレン、２−ヨード−９，９−ジエチルフルオレン、２−ヨード−９，９−ジイソプロピルフルオレン、２−ヨード−９，９−ジ−ｎ−ブチルフルオレン、２−ヨード−９，９−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレン、２−ヨード−９，９−ジ−ｓｅｃ−ブチルフルオレン、２−ヨード−９，９−ジ−ｎ−ヘキシルフルオレン、２−ヨード−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、２−ヨードジベンゾチオフェン、２−ヨードジベンゾフラン等］が挙げられる。
【００７０】
上記一般式（７）で表される芳香族アミン化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、ジフェニルアミン、ジ−ｐ−トリルアミン、ジ（ビフェニル）アミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）アミン等が挙げられる。
【００７１】
重合工程及び保護化工程は、いずれも、パラジウム触媒及び塩基存在下に行われることを特徴とし、それらの反応条件については、特に限定するものではないが、いずれも以下に示すものを用いることができる。なお、パラジウム触媒は、通常、パラジウム化合物及び配位子を含んでなる。
【００７２】
パラジウム触媒の構成成分であるパラジウム化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、４価のパラジウム化合物類［具体的には、ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、ヘキサクロロパラジウム（ＩＶ）酸カリウム等）、２価のパラジウム化合物類（例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）トリフルオロアセテート等］、及び０価のパラジウム化合物類［具体的には、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）クロロホルム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等］が挙げられる。
【００７３】
パラジウム触媒の構成成分である配位子としては、特に限定するものではないが、パラジウムに配位可能なものであればよく、例えば、トリアルキルホスフィン類、アリールホスフィン類、カルベン系配位子等が挙げられる。
【００７４】
トリアルキルホスフィン類としては、特に限定するものではないが、例えば、トリエチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン等が挙げられる。これらのうち触媒として特に高い反応活性を有することから、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを使用することが好ましい。
【００７５】
アリールホスフィン類としては、特に限定するものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｍ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、トリメシチルホスフィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノプロパン、ジフェニルホスフィノフェロセン等が挙げられる。
【００７６】
カルベン系配位子としては、例えば、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン塩酸塩等が挙げられる。
【００７７】
パラジウム触媒における配位子の使用量は、特に限定するものではないが、パラジウム化合物中のパラジウム原子１モルに対して通常０．０１〜１００００倍モルの範囲で使用すればよく、高価なトリアルキルホスフィン類、アリールホスフィン類、カルベン系配位子を使用することから、パラジウム化合物中のパラジウム原子１モルに対して０．１〜１０倍モルの範囲が好ましい。
【００７８】
重合工程におけるパラジウム触媒の使用量は、特に限定されるものではないが、例えば、反応式（１）、反応式（２）、及び反応式（３）の重合工程において、原料のハロゲン原子１モルに対し、パラジウム原子換算で通常０．００００００１〜０．２０倍モルの範囲であることが好ましい。このうち、触媒活性の点、及び高価なパラジウム化合物を使用する点から、通常０．００００１〜０．０５倍モルの範囲であることがより好ましい。
【００７９】
保護化工程におけるパラジウム触媒の使用量は、特に限定されるものではないが、一般式（６）で表される芳香族ハロゲン化合物、又は一般式（１６）で表される重合物のハロゲン原子１モルに対し、パラジウム原子換算で通常０．００００００１〜０．２０倍モルの範囲であることが好ましい。このうち、触媒活性の点、及び高価なパラジウム化合物を使用する点から、通常０．００００１〜０．１０倍モルの範囲であることがより好ましい。
【００８０】
重合工程及び保護化工程におけるパラジウム触媒の添加方法としては、特に限定するものではないが、重合工程又は保護化工程の反応系にパラジウム化合物及び配位子、並びにその他成分をそれぞれ単独に加えても良いし、予めこれら触媒構成成分を混合してパラジウム錯体の形態に調製したものを添加してもよい。
【００８１】
重合工程及び保護化工程に用いる塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、アルカリ金属（具体的には、ナトリウム、カリウム等）の水酸化物、炭酸塩、アルコキシド等の無機塩基、又は３級アミン等の有機塩基が挙げられる。これらのうち、好ましくはナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシドであり、それらは反応系にそのまま加えることもできるし、アルカリ金属、水素化アルカリ金属又は水酸化アルカリ金属とアルコールを反応系に供して、その場で調製することもできる。より好ましくは、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属３級アルコキシドを反応系にそのまま加える方法である。
【００８２】
重合工程における塩基の使用量は、特に限定するものではないが、特に限定されるものではないが、例えば、反応式（１）、反応式（２）及び反応式（３）の重合工程において、原料のハロゲン原子１モルに対して１〜１０００倍モルの範囲から選ばれる。このうち、反応終了後の後処理操作を考慮すれば、１〜２０倍モルの範囲がより好ましい。
【００８３】
保護化工程における塩基の使用量は、特に限定するものではないが、通常、一般式（６）で表される芳香族ハロゲン化合物のハロゲン原子１モルに対して１〜１０００倍モルの範囲、好ましくは１〜２０倍モルの範囲、又は一般式（１６）で表される構造を有する重合物のハロゲン原子１モルに対して１〜１０００００倍モルの範囲、好ましくは１〜１０００倍モルの範囲から選ばれる。
【００８４】
重合工程及び保護化工程は、いずれも通常は不活性溶媒存在下で実施することが好ましい。使用する溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等を挙げることができる。これらのうち、好ましくはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒である。
【００８５】
重合工程及び保護化工程は、いずれも好ましくは常圧下、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で実施するが、例え加圧条件であっても実施することは可能である。
【００８６】
重合工程及び保護化工程における反応温度は、いずれも経済的に許容できる速度で反応が進行する温度であれば特に限定するものではないが、通常２０〜３００℃、好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは１００〜１５０℃の範囲である。
【００８７】
重合工程及び保護化工程における反応時間は、いずれも製造する高分子化合物、パラジウム触媒、反応温度等により一定ではないため特に限定するものではないが、多くの場合、数分〜７２時間の範囲から選択すればよい。好ましくは２４時間未満である。
【００８８】
重合工程及び保護化工程によって製造された高分子化合物（５）は、再沈殿等により未反応の低分子量化合物等から分離し、精製することが好ましい。また、パラジウム触媒等の不純物の除去のためにシリカゲルや活性アルミナ等による吸着処理を行うことが好ましい。
【００８９】
本発明の高分子化合物（高分子化合物（１）乃至（５）のいずれか）は、電界効果トランジスタ、光機能素子、色素増感太陽電池、有機ＥＬ素子等の電子素子における導電性高分子材料として使用される。特に、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料、発光材料及びバッファー材料として極めて有用である。
【００９０】
また、本発明の高分子化合物は、更なる高分子化合物及び低分子化合物を混合して用いてもよい。また、溶剤、粘度調整剤、フィラー等を添加することによって、導電性インクを製造することができる。
【００９１】
本発明の有機ＥＬ素子は、本発明の高分子化合物を含有する有機層を備えていれば、素子構造は特に限定されない。
【００９２】
本発明の高分子化合物は、溶解性に優れることから、例えば、これら材料の溶液、混合液、または溶融液を使用して、スピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法等の従来公知の塗布方法によって、前記素子を簡便に作製することが出来る。また、インクジェット法、ラングミュアーブロジェット法等によっても容易に作製することが出来る。
【実施例】
【００９３】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれら実施例に限定して解釈されるものではない。
【００９４】
ポリマー分子量：ＴＨＦ系ＧＰＣ［ＨＬＣ−８２２０（東ソー社製）。カラムはＴＳＫｇｅｌ−ＳｕｐｅｒＨ４０００、ＴＳＫｇｅｌ−ＳｕｐｅｒＨ３０００、及びＴＳＫｇｅｌ−ＳｕｐｅｒＨ２０００（いずれも東ソー社製）を連結した。］にて、合成したポリマーの分子量測定を行った。分子量は標準ポリスチレン換算で示した。
【００９５】
ガラス転位温度：ＤＳＣ２００Ｆ３（ネッチ社製）を用いて測定した。
【００９６】
ＨＯＭＯ準位：大気中光電子分光装置測定装置ＡＣ−３（理研計器株式会社製）を用いて測定した。
【００９７】
ＬＵＭＯ準位：ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルの吸収端からエネルギーギャップ（Ｅｇ）を算出し、ＨＯＭＯから差し引くことで求めた。
【００９８】
元素分析：全自動元素分析装置２４００ＩＩ（パーキンエルマー社製）を用いて分析した。
【００９９】
実施例１
冷却管、温度計を装着した１Ｌ四つ口丸底フラスコに、室温下、ｐ−ブロモクロロベンゼン  ３６．８ｇ（１９２ｍｍｏｌ）、ｐ−トルイジン  １０．０ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ４６．２ｇ（４８１ｍｍｏｌ）及びｏ−キシレン  ４４０ｇを仕込んだ。この混合液に、予め窒素雰囲気下で調製した酢酸パラジウム（ＩＩ）  ０．８４ｇ（３．７３ｍｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ２．２７ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）のｏ−キシレン（１５．０ｇ）溶液を添加した。次いで、窒素雰囲気下、温度を１００℃まで昇温し、１００℃で加熱攪拌しながら２０時間熟成した。次いで、ｐ−トルイジン  ４１．２ｇを添加し、１２０℃で２０時間反応を行った。次いで、８０℃まで放冷したところで、反応液に純水  １００ｇを加えた後、攪拌しながら室温まで放冷した。次いで、トルエン  ２００ｍＬを加えて抽出操作を行った。抽出した有機層をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留によりトルエンを留去し、残渣を得た。トルエンを溶媒とした再結晶操作により精製し、５５．３ｇの化合物（１７ａ）を取得した。
【０１００】
【化１４】
0006558146.tif 000015
【０１０１】
冷却管、温度計を装着した１Ｌ三つ口丸底フラスコに、室温下、窒素雰囲気下で３−ニトロ−４−ブロモトルエン  ２０．０ｇ（９２．６ｍｍｏｌ）、４−メチルフェニルボロン酸  １３．８ｇ（１０２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム  １．０７ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）、２０％炭酸カリウム水溶液  １７５ｇ及びトルエン  ３００ｇを混合した。反応容器内部を窒素置換した後、温度１１０℃で１８時間攪拌した。室温まで放冷した後、反応液に純水  ３００ｇ及びトルエン  １００ｇを加えて抽出操作を行った。抽出した有機層をシリカゲルクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留によるトルエンを留去し、２１．８ｇの化合物（１７ｂ）を取得した。
【０１０２】
【化１５】
0006558146.tif 000016
【０１０３】
冷却管、温度計を装着した１Ｌ三つ口丸底フラスコに、化合物（１７ｂ）２１．０ｇ（９２．４ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン  ６０．６ｇ（２３１ｍｍｏｌ）及びｏ−ジクロロベンゼン  １０５ｇを混合し、温度１６０℃で２４時間攪拌した。室温まで放冷した後、反応液をシリカゲルクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留による溶媒留去し、残渣を得た。トルエンを溶媒とした再結晶操作により精製し、１０．３ｇの化合物（１７ｃ）を取得した。
【０１０４】
【化１６】
0006558146.tif 000017
【０１０５】
冷却管、温度計を装着した１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、窒素雰囲気下で化合物（１７ｃ）  ６．１６ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼン  ５．２０ｇ（３３．１ｍｍｏｌ）及びキシレン  ４１．６ｇを仕込んだ。この混合液に、予め窒素雰囲気下で調製した酢酸パラジウム  ７４．４ｍｇ（０．３３ｍｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ０．２０１ｇ（０．９９ｍｍｏｌ）のキシレン（５．０ｇ）溶液を添加した。その後、更に、炭酸カリウム  ９．１５ｇ（６６．２ｍｍｏｌ）及び１８−クラウン−６  ０．２６ｇ（０．９９ｍｍｏｌ）を追加した。その後、窒素雰囲気下、温度を１４０℃まで昇温し、１６時間攪拌した。次いで、８０℃まで放冷したところで、反応液に純水  １００ｇを加えた後、攪拌しながら室温まで放冷した。次いで、トルエン  １００ｍＬを加えて抽出操作を行った。抽出した有機層をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留により溶媒を留去し、残渣を得た。ヘキサンを溶媒とした再結晶操作により精製し、６．０６ｇの化合物（１７ｄ）を取得した。
【０１０６】
【化１７】
0006558146.tif 000018
【０１０７】
冷却管、温度計を装着した５００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、化合物（１７ｄ）  ６．００ｇ（２１．２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略す）  １２０ｇとを仕込み、０℃に冷却した。この混合液にＮ−ブロモスクシンイミド  ８．１０ｇ（４４．６ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（６５ｇ）溶液を２０分間かけて撹拌しながらゆっくり滴下した。次いで、０℃で１時間攪拌した後、徐々に室温まで昇温させ、さらに２時間攪拌した。次いで、１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液  ２００ｇを加え、３０分間攪拌した。次いで、トルエン  ５００ｍＬを加えて抽出操作を行った。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留によりトルエンを留去し、残渣を得た。トルエンを溶媒とした再結晶操作により精製し、５．１２ｇの化合物（１７ｅ）を取得した。
【０１０８】
【化１８】
0006558146.tif 000019
【０１０９】
冷却管、温度計を装着した１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、窒素雰囲気下で化合物（１７ａ）  ０．４４ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）、化合物（１７ｅ）  ０．４０ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．３６ｇ（３．７３ｍｍｏｌ）及びｏ−キシレン  ７．８ｇを混合した。反応容器内部に窒素を約２０分間流通させた後、この混合液に予め窒素雰囲気下で調製したトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム  ８．５ｍｇ（９．３２μｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ７．５４ｍｇ（３７．３μｍｏｌ）のｏ−キシレン（２．０ｍＬ）溶液を追加した。次いで、温度１３０℃で３時間攪拌した。次いで、ブロモベンゼン  ７３．２ｍｇ（０．４７ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃で更に３時間攪拌した。次いで、更にジフェニルアミン  ０．１６ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃で更に１７時間攪拌した。次いで、この反応混合物を約６０℃まで冷却した後、水  ２ｇを反応器に添加し、１時間攪拌した。次いで、９０％アセトン水溶液（１００ｍＬ）の攪拌溶液へゆっくり加えた。析出した固体をろ別回収し、アセトン、水、アセトンの順番で洗浄した後、減圧乾燥し淡黄色粉末状の高分子化合物（１７）  ０．４４ｇを得た。
【０１１０】
【化１９】
0006558146.tif 000020
【０１１１】
得られた高分子化合物（１７）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量１８，０００及び数平均分子量８，２０００（分散度２．２）であった。
【０１１２】
ガラス転移温度は２９８℃であった。
【０１１３】
ＨＯＭＯ準位は５．０６ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は１．９０ｅＶであった。
【０１１４】
元素分析の測定結果を表１に示す。
【０１１５】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１１６】
【表１】
0006558146.tif 000021
【０１１７】
実施例２
冷却管、温度計を装着した１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、窒素雰囲気下で化合物（１７ｃ）  ４．０１ｇ（２０．６ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ブチルブロモベンゼン  ４．６０ｇ（２１．６ｍｍｏｌ）及びキシレン  ３６．８ｇを仕込んだ。この混合液に、予め窒素雰囲気下で調製した酢酸パラジウム  ４８．５ｍｇ（０．２２ｍｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ８７．３ｍｇ（０．４３ｍｍｏｌ）のキシレン（２．０ｇ）溶液を添加した。次いで、更に、炭酸カリウム  ５．９７ｇ（４３．２ｍｍｏｌ）及び１８−クラウン−６  ０．１７ｇ（０．６５ｍｍｏｌ）を追加した。次いで、窒素雰囲気下、温度を１４０℃まで昇温し、１５時間攪拌した。次いで、８０℃まで放冷したところで、反応液に純水  １００ｇを加えた後、攪拌しながら室温まで放冷した。次いで、トルエン  １００ｍＬを加えて抽出操作を行った。抽出した有機層をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留により溶媒を留去し、化合物（１８ａ）を６．６０ｇ取得した。
【０１１８】
【化２０】
0006558146.tif 000022
【０１１９】
冷却管、温度計を装着した５００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、化合物（１８ａ）  ６．６０ｇ（１９．３ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略す）  １６０ｇとを仕込み、０℃に冷却した。この混合液にＮ−ブロモスクシンイミド  ７．３８ｇ（４０．６ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（６０ｇ）溶液を２０分間かけて撹拌しながらゆっくり滴下した。次いで、０℃で１時間攪拌した後、徐々に室温まで昇温させ、さらに２時間攪拌した。次いで、１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液  ２００ｇを加え、３０分間攪拌し、次いで、トルエン  ５００ｍＬを加えて抽出操作を行った。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留によりトルエンを留去し、残渣を得た。トルエンを溶媒とした再結晶操作により精製し、５．２６ｇの化合物（１８ｂ）を取得した。
【０１２０】
【化２１】
0006558146.tif 000023
【０１２１】
冷却管、温度計を装着した１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、窒素雰囲気下で化合物（１８ｂ）  １．００ｇ（２．０６ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ブチルアニリン  ０．３１ｇ（２．０６ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．７９ｇ（８．２４ｍｍｏｌ）及びｏ−キシレン  １２．０ｇを混合した。反応容器内部に窒素を約２０分間流通させた後、この混合液に予め窒素雰囲気下で調製したトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム  １８．９ｍｇ（２０．６μｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  １６．７ｍｇ（８２．４μｍｏｌ）のｏ−キシレン（２．０ｍＬ）溶液を追加した。次いで、温度１３０℃で３時間攪拌した。次いで、ブロモベンゼン  ０．１６ｇ（１．０３ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃で更に３時間攪拌した。次いで、更にジフェニルアミン  ０．３５ｇ（２．０６ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃更に１５時間攪拌した。次いで、この反応混合物を約６０℃まで冷却した後、水  ２ｇを反応器に添加し、１時間攪拌した。次いで、９０％アセトン水溶液（２００ｍＬ）の攪拌溶液へゆっくり加えた。析出した固体をろ別回収し、アセトン、水、アセトンの順番で洗浄した後、減圧乾燥し淡黄色粉末状の高分子化合物（１８）  ０．７４ｇを得た。
【０１２２】
【化２２】
0006558146.tif 000024
【０１２３】
得られた高分子化合物（１８）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量６，５００及び数平均分子量４，３００（分散度１．５）であった。
【０１２４】
ガラス転移温度は３５０℃まで未検出であった。
【０１２５】
ＨＯＭＯ準位は５．１９ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．１８ｅＶであった。
【０１２６】
元素分析の測定結果を表１に示す。
【０１２７】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１２８】
【表２】
0006558146.tif 000025
【０１２９】
実施例３
実施例２において４−ブチルアニリンの代わりにＮ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニレン）ジベンゾフラニレン−２，８−ジアミン  ０．９５ｇ（２．０６ｍｍｏｌ）を使用した以外は同様の操作を行ない１．０２ｇの高分子化合物（１９）を得た。
【０１３０】
【化２３】
0006558146.tif 000026
【０１３１】
得られた高分子化合物（１９）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量６５，０００及び数平均分子量９，３００（分散度７．０）であった。
【０１３２】
ガラス転移温度は３５０℃まで未検出であった。
【０１３３】
ＨＯＭＯ準位は５．３０ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．２８ｅＶであった。
【０１３４】
元素分析の測定結果を表３に示す。
【０１３５】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１３６】
【表３】
0006558146.tif 000027
【０１３７】
実施例４
冷却管、温度計を装着した２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、化合物（１７ｅ）  ４．４０ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、ｐ−トルイジン  ４．３９ｇ（４１．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ２．３６ｇ（２４．６ｍｍｏｌ）及びｏ−キシレン  ４９．４ｇを仕込んだ。この混合液に、予め窒素雰囲気下で調製した酢酸パラジウム（ＩＩ）  ４６．０ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ０．１２ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）のｏ−キシレン（２．０ｇ）溶液を添加した。次いで、窒素雰囲気下、温度を１４０℃で１７時間熟成した。次いで、６０℃まで放冷したところで、反応液に純水  ５０ｇを加えた後、攪拌しながら室温まで放冷した。次いで、トルエン  ２００ｍＬを加えて抽出操作を行った。抽出した有機層をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通液後、減圧蒸留によりトルエンを留去し、ヘキサン（３００ｍＬ）の攪拌溶液へゆっくり加えた。析出した個体をろ別回収し、４．４５ｇの化合物（２０ａ）を取得した。
【０１３８】
【化２４】
0006558146.tif 000028
【０１３９】
冷却管、温度計を装着した１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、窒素雰囲気下で化合物（２０ａ）  ０．６１ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）、ｍ−ジブロモベンゼン  ０．３０ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．４９ｇ（５．０９ｍｍｏｌ）及びｏ−キシレン  ８．１４ｇを混合した。反応容器内部に窒素を約２０分間流通させた後、この混合液に予め窒素雰囲気下で調製したトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム  １１．６ｍｇ（１２．７μｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  １０．３ｍｇ（５０．９μｍｏｌ）のｏ−キシレン（２．０ｍＬ）溶液を追加した。次いで、温度１３０℃で１９時間攪拌した。次いで、ブロモベンゼン  ０．１０ｇ（０．６４ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃で更に３時間攪拌した。次いで、更にジフェニルアミン  ０．２２ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃更に３時間攪拌した。次いで、この反応混合物を約６０℃まで冷却した後、水  １ｇを反応器に添加し、１時間攪拌した。次いで、９０％アセトン水溶液（１１０ｍＬ）の攪拌溶液へゆっくり加えた。析出した固体をろ別回収し、アセトン、水、アセトンの順番で洗浄した後、減圧乾燥し淡黄色粉末状の高分子化合物（２０）  ０．３３ｇを得た。
【０１４０】
【化２５】
0006558146.tif 000029
【０１４１】
得られた高分子化合物（２０）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量２４，０００及び数平均分子量１６，０００（分散度１．５）であった。
【０１４２】
ガラス転移温度は２６８℃であった。
【０１４３】
ＨＯＭＯ準位は５．３５ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．２５ｅＶであった。
【０１４４】
元素分析の測定結果を表４に示す。
【０１４５】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１４６】
【表４】
0006558146.tif 000030
【０１４７】
実施例５
実施例４においてｍ−ジブロモベンゼンの代わりに３，５−ジブロモトルエン  ０．３２ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）を使用した以外は同様の操作を行ない０．２９ｇの高分子化合物（２１）を得た。
【０１４８】
【化２６】
0006558146.tif 000031
【０１４９】
得られた高分子化合物（２１）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量３５，０００及び数平均分子量１８，０００（分散度１．９）であった。
【０１５０】
ガラス転移温度は２８１℃であった。
【０１５１】
ＨＯＭＯ準位は５．２４ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．０１ｅＶであった。
【０１５２】
元素分析の測定結果を表５に示す。
【０１５３】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１５４】
【表５】
0006558146.tif 000032
【０１５５】
実施例６
実施例４においてｐ−トルイジンの代わりにｐ−アニシジン  ５．０５ｇ（４１．０ｍｍｏｌ）を使用した以外は同様の操作を行ない、４．３２ｇの化合物（２２ａ）を得た。
【０１５６】
【化２７】
0006558146.tif 000033
【０１５７】
さらに、実施例４において化合物（２０ａ）の代わりに化合物（２２ａ）  ０．６５ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）を使用した以外は同様の操作を行ない０．３５ｇの高分子化合物（２２）を得た。
【０１５８】
【化２８】
0006558146.tif 000034
【０１５９】
得られた高分子化合物（２２）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量２２，０００及び数平均分子量１７，０００（分散度１．３）であった。
【０１６０】
ガラス転移温度は２６４℃であった。
【０１６１】
ＨＯＭＯ準位は５．２９ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．１０ｅＶであった。
【０１６２】
元素分析の測定結果を表６に示す。
【０１６３】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１６４】
【表６】
0006558146.tif 000035
【０１６５】
実施例７
実施例１において化合物（１７ａ）の代わりにＮ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）フェニレン−１，３−ジアミン  ０．３５ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）を使用した以外は同様の操作を行ない０．１０ｇの高分子化合物（２３）を得た。
【０１６６】
【化２９】
0006558146.tif 000036
【０１６７】
得られた高分子化合物（２３）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量２４，０００及び数平均分子量１９，０００（分散度１．３）であった。
【０１６８】
ガラス転移温度は２５８℃であった。
【０１６９】
ＨＯＭＯ準位は５．３６ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．２７ｅＶであった。
元素分析の測定結果を表７に示す。
【０１７０】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１７１】
【表７】
0006558146.tif 000037
【０１７２】
実施例８
実施例４においてｍ−ジブロモベンゼンの代わりに２，６−ジブロモトルエン  ０．３２ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）を使用した以外は同様の操作を行ない０．２３ｇの高分子化合物（２４）を得た。
【０１７３】
【化３０】
0006558146.tif 000038
【０１７４】
得られた高分子化合物（２４）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量９，７００及び数平均分子量７，１００（分散度１．４）であった。
【０１７５】
ガラス転移温度は２６０℃であった。
【０１７６】
ＨＯＭＯ準位は５．４０ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．１７ｅＶであった。
【０１７７】
元素分析の測定結果を表８に示す。
【０１７８】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１７９】
【表８】
0006558146.tif 000039
【０１８０】
実施例９
実施例１において化合物（１７ａ）の代わりにＮ，Ｎ’−ビス（４―トリル）−２，５−ジメチルフェニレン−１，４−ジアミン  ０．３０ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）を使用した以外は同様の操作を行ない０．１１ｇの高分子化合物（２５）を得た。
【０１８１】
【化３１】
0006558146.tif 000040
【０１８２】
得られた高分子化合物（２５）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量１７，０００及び数平均分子量８，９００（分散度１．９）であった。
【０１８３】
ガラス転移温度は２６０℃であった。
【０１８４】
ＨＯＭＯ準位は５．１７ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．０７ｅＶであった。
元素分析の測定結果を表９に示す。
【０１８５】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１８６】
【表９】
0006558146.tif 000041
【０１８７】
比較例１
冷却管、温度計を装着した５０ｍＬ四つ口丸底フラスコに、室温下、窒素雰囲気下で３，６−ジブロモ−９−（４−ｎ−ブチルフェニル）カルバゾール  １．３０ｇ（２．８４ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ブチルアニリン  ０．４２ｇ（２．８４ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  １．０９ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）及びｏ−キシレン  １５．２ｇを混合した。反応容器内部に窒素を約２０分間流通させた後、この混合液に予め窒素雰囲気下で調製したトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム  ２６．０ｍｇ（２８．４μｍｏｌ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ３４．５ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）のｏ−キシレン（３．０ｍＬ）溶液を追加した。次いで、温度１２０℃で１８時間攪拌した。次いで、ブロモベンゼン  ０．２７ｇ（１．７１ｍｍｏｌ）を添加し、１２０℃で更に３時間攪拌した。その後、更にジフェニルアミン  ０．５８ｇ（３．４１ｍｍｏｌ）を添加し、１２０℃更に３時間攪拌した。次いで、この反応混合物を約６０℃まで冷却した後、水  ３ｇを反応器に添加し、１時間攪拌した。次いで、９０％アセトン水溶液（２００ｍＬ）の攪拌溶液へゆっくり加えた。析出した固体をろ別回収し、アセトン、水、アセトンの順番で洗浄した後、減圧乾燥し淡黄色粉末状の高分子化合物（１００）  ０．５８ｇを得た。
【０１８８】
【化３２】
0006558146.tif 000042
【０１８９】
得られた高分子化合物（１００）は、ポリスチレン換算で重量平均分子量３７，０００及び数平均分子量１０，０００（分散度３．７）であった。
【０１９０】
ガラス転移温度は３００℃まで未検出であった。
【０１９１】
ＨＯＭＯ準位は４．９８ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は２．２７ｅＶであった。
【０１９２】
元素分析の測定結果を表１０に示す。
【０１９３】
理論値は、理論的にすべての原料が反応して得られるポリマー構造に基づいて算出した。
【０１９４】
【表１０】
0006558146.tif 000043
【０１９５】
実施例１０  高分子化合物（１７）の三重項準位の測定
高分子化合物（１７）  １ｍｇと２−メチルテトラヒドロフラン  １ｍＬとをサンプルチューブ内でよく混合し、均一な溶液を調製した。この溶液を窒素ガスで１０分間バブリングすることによって脱気した後、このサンプルチューブを密栓し、燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（１７）の三重項準位は、２．６０ｅＶであった。
【０１９６】
実施例１１  高分子化合物（１８）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（１８）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（１８）の三重項準位は、２．６８ｅＶであった。
【０１９７】
実施例１２  高分子化合物（１９）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（１９）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（１９）の三重項準位は、２．６８ｅＶであった。
【０１９８】
実施例１３  高分子化合物（２０）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（２０）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（２０）の三重項準位は、２．７６ｅＶであった。
【０１９９】
実施例１４  高分子化合物（２１）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（２１）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（２１）の三重項準位は、２．７４ｅＶであった。
【０２００】
実施例１５  高分子化合物（２２）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（２２）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（２２）の三重項準位は、２．７１ｅＶであった。
【０２０１】
実施例１６  高分子化合物（２３）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（２３）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（２３）の三重項準位は、２．７６ｅＶであった。
【０２０２】
実施例１７  高分子化合物（２４）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（２４）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（２４）の三重項準位は、２．７３ｅＶであった。
【０２０３】
実施例１８  高分子化合物（２５）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（２５）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定した。得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（２５）の三重項準位は、２．７０ｅＶであった。
【０２０４】
比較例２  高分子化合物（１００）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりに高分子化合物（１００）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定したところ、得られた燐光スペクトルから算出された高分子化合物（１００）の三重項準位は、２．４８ｅＶであった。
【０２０５】
比較例３  アリールアミンポリマー（１０１）の三重項準位の測定
実施例１０において高分子化合物（１７）の代わりにポリ−（Ｎ，Ｎ’ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン）（ＡＤＳ２５４ＢＥ：アメリカン・ダイ・ソース社製）（１０１）を用いた以外は実施例１０と同様の操作を行なって燐光スペクトルを測定したところ、得られた燐光スペクトルから算出されたアリールアミンポリマー（１０１）の三重項準位は、２．３５ｅＶであった。
【０２０６】
実施例１９（素子の作製と評価）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を積層したガラス基板をアセトンおよび純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行った。さらに紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２０７】
この基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＣＨ８０００）の懸濁液を、スピンコート法により塗布し、２００℃にて１時間乾燥した。その結果、８０ｎｍの厚みの正孔注入層が製膜
された。
【０２０８】
次に、実施例１で取得した高分子化合物（１７）の０．５ｗｔ％クロロベンゼン溶液をスピンコート法によって塗布し、１６０℃で３時間乾燥した。その結果、高分子化合物（１７）の２０ｎｍの正孔輸送層が製膜された。
【０２０９】
次いで、真空蒸着装置へ設置後、５×１０−４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。続いて、燐光ドーパント材料である２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’〕イリジウム（ＩＩＩ）ピコリネート（ＦＩｒｐｉｃ））とホスト材料である４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）を重量比が１：１０になるように蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で共蒸着し、３０ｎｍの発光層とした。
【０２１０】
次に、ＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム）を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で蒸着し、５ｎｍのエキシトンブロック層とした後、さらにＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム）を０．３ｎｍ／秒で蒸着し、４５ｎｍの電子輸送層とした。引続き、電子注入層として沸化リチウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で０．５ｎｍ蒸着し、さらにアルミニウムを蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で１００ｎｍ蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をＵＶ硬化樹脂で接着し、評価用の有機ＥＬ素子とした。  
このように作製した素子に２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、駆動電圧および電流効率を測定した。結果を表１１に示す。  
実施例２０（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例２で合成した高分子化合物（１８）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１１】
実施例２１（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例３で合成した高分子化合物（１９）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１２】
実施例２２（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例４で合成した高分子化合物（２０）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１３】
実施例２３（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例５で合成した高分子化合物（２１）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１４】
実施例２４（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例６で合成した高分子化合物（２２）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１５】
実施例２５（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例７で合成した高分子化合物（２３）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１６】
実施例２６（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例８で合成した高分子化合物（２４）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１７】
実施例２７（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに実施例９で合成した高分子化合物（２５）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１８】
比較例４（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりに比較例１で合成した高分子化合物（１００）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２１９】
比較例５（素子の作製と評価）
高分子化合物（１７）の代わりにポリ−（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン）（ＡＤＳ２５４ＢＥ：アメリカン・ダイ・ソース社製）（１０１）を用いた他は、実施例１９と同様に素子を作製して発光特性を測定した。結果を表１１に示す。
【０２２０】
なお、表１１には、実施例１９〜実施例２７、及び比較例４の測定結果を、比較例５の駆動電圧、発光効率の測定値を１００と規格化した相対値で示した。
【０２２１】
なお、駆動電圧（相対値）は低いほど好ましく、電流効率（相対値）は高いほど好ましい。
【０２２２】
【表１１】
0006558146.tif 000044
【０２２３】
したがって、本発明の高分子化合物は、従来の高分子用化合物より高い三重項準位を有し、その高い励起三重項準位に起因して、従来の高分子用化合物に比べて、輝度が高く、消費電力の少ない燐光発光性または蛍光発光性の有機ＥＬ素子を提供できる。  
【産業上の利用可能性】
【０２２４】
本発明の高分子化合物は、従来公知の高分子系化合物に比べて、励起三重項準位が高い。そのため、本発明の高分子化合物を用いれば、発光効率及び電流効率に優れる有機電界発光素子を提供することが可能となる。したがって、本発明の高分子化合物は、輝度が高く、消費電力の少ない燐光発光性または蛍光発光性の有機ＥＬ素子を提供できる。