(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールと、
前記半導体モジュールに電気的に接続されるプリント基板と、
前記半導体モジュールに設けられ、前記プリント基板を前記半導体モジュールに電気的に接続する接続基板と、
を備え、
前記プリント基板には、１つ以上の第１接続ランドが形成されており、
前記接続基板には、前記１つ以上の第１接続ランドに各々対応する１つ以上の第２接続ランドが形成されており、
前記１つ以上の第１接続ランドとこれに対応する前記１つ以上の第２接続ランドとの間には、各々隅部が形成されており、
前記接続基板は、前記半導体モジュールから延伸する延伸部と、前記延伸部に対して屈曲し前記プリント基板の面に沿って延びる平行部と、前記プリント基板の面に対して直角に立設した立設部とを備え、前記平行部と前記立設部との間に前記隅部が形成され、
前記第２接続ランドは、前記平行部及び前記立設部に設けられ、前記平行部の前記第２接続ランドが前記第１接続ランドの上に重ね合わされ、
各隅部において、当該隅部を形成する前記第１接続ランドと前記第２接続ランドとが電気的に接続されており、
前記接続基板は、折り曲げ変形に対する可塑性と、当該接続基板を自立した状態に保持可能な剛性とを備えたことを特徴とするモジュール−基板間接続構造。
【請求項２】
前記接続基板は、屈曲性を有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール−基板間接続構造。
【請求項３】
前記接続基板は、該接続基板を自立した状態に保持可能な剛性を備えた第１領域と、該第１領域よりも剛性が小さい第２領域とを有することを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール−基板間接続構造。
【請求項４】
前記接続基板及び前記プリント基板のうち一方に係合部が設けられ、他方に前記係合部が係合する被係合部が設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のモジュール−基板間接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールとプリント基板との間の接続構造（以下、モジュール−基板間接続構造と称する）に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体モジュールは、ＩＧＢＴ等の半導体素子、半導体素子等を実装する絶縁基板、半導体素子等を冷却する冷却器、入出力用の端子、半導体素子等の制御信号を授受するための制御信号端子（以下、信号端子と称する）等から構成される。また、プリント基板は、半導体モジュールを駆動するための制御回路、制御回路を駆動するための電源回路、半導体モジュールの信号端子が接続される電極等を備える。
【０００３】
半導体モジュールの信号端子は、一般には、真鍮など金属からなるリードピンから構成され、プリント基板の電極は、スルーホール（貫通孔）及び銅箔等からなる接続ランドから構成される。リードピンは、スルーホールに挿入されてハンダ付けで接続ランドに接合される。特許文献１には、このような接合方法を用いた技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６６３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の接続構造では、信号端子をプリント基板に接続するために、プリント基板の表面と裏面の両面にスルーホール等の接続領域を形成する必要があった。そのため、プリント基板の回路形成領域や電子部品の実装領域が制約され、それがプリント基板の小型化や部品実装の高密度化の障害となっていた。
【０００６】
本発明は、プリント基板の小型化や部品実装の高密度化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかるモジュール−基板間接続構造では、プリント基板に１つ以上の第１接続ランドが形成され、第１接続ランドに各々対応する１つ以上の第２接続ランドが接続基板に形成されている。第１接続ランドとこれに対応する第２接続ランドとの間には、各々隅部が形成されており、各隅部において、当該隅部を形成する第１接続ランドと第２接続ランドとが電気的に接続されている。
接続基板は、プリント基板に電気的に接続される半導体モジュールから延伸する延伸部と、延伸部に対して屈曲しプリント基板の面に沿って延びる平行部と、プリント基板の面に対して直角に立設した立設部とを備え、平行部と立設部との間に隅部が形成されている。第２接続ランドは、平行部及び立設部に設けられ、平行部の第２接続ランドが第１接続ランドの上に重ね合わされている。接続基板は、折り曲げ変形に対する可塑性と、当該接続基板を自立した状態に保持可能な剛性とを備えている。
【発明の効果】
【０００８】
上記接続構造では、隅部を形成する２つの面のうち一方が、プリント基板の第１接続ランドで構成されているから、当該隅部は、プリント基板の上に形成されることになる。すなわち、上記接続構造によれば、接続基板とプリント基板との電気的な接続を、プリント基板の一つの面において行うことができる。このため、リードピンをプリント基板に貫通させてその両面に接続領域を形成した場合と比較して、プリント基板の接続領域を小さくすることができ、プリント基板の小型化や部品実装の高密度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る接続構造を示す平面図である。
【図２】第１実施形態に係る接続構造を示す側面図である。
【図３】第１実施形態に係る接続構造を示す斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る接続構造を示す側方断面図である。
【図５】第１実施形態に係る接続構造を適用した半導体装置の組立工程を示す斜視図である。
【図６】図５に示す組立工程の続きを示す斜視図である。
【図７】図６に示す組立工程の続きを示す斜視図である。
【図８】図７に示す組立工程の続きを示す要部の斜視図である。
【図９】第２実施形態に係る接続構造を示す背面図である。
【図１０】第２実施形態に係る接続構造を示す平面図である。
【図１１】第２実施形態に係る接続構造を示す側面図である。
【図１２】第３実施形態に係る接続構造を示す平面図である。
【図１３】第３実施形態に係る接続構造を示す側面図である。
【図１４】第３実施形態に係る接続構造を示す要部の斜視図である。
【図１５】比較対象に係る接続構造を示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明における「上」「下」など方向を表す用語は、各部の位置関係を説明するために便宜上定めたものであり、実際の取り付け姿勢等を限定するものではない。また、同様の部材には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
図１〜図８を参照して、第１実施形態に係るモジュール−基板間接続構造Ｃ１（以下、単に接続構造Ｃ１ともいう）について説明する。
【００１２】
接続構造Ｃ１は、図示しない制御回路等を備えたプリント基板１と、図示しない半導体素子等を搭載したパワー半導体モジュール２（以下、半導体モジュール２ともいう）と、プリント基板１を半導体モジュール２に電気的に接続する薄型基板１００Ａ（接続基板）と、を備えている。
【００１３】
プリント基板１は、例えばガラス繊維をエポキシ樹脂で含浸した絶縁層を複数積層して構成されている。各絶縁層間には、銅箔の配線層が形成されている。プリント基板１の総厚は、例えば１．８ｍｍとし、銅箔の配線層数は、例えば４層とすることができる。プリント基板１の第一層、すなわちプリント基板１の上面（本実施形態では、半導体モジュール２と反対側の面）には、制御信号配線４が形成されている。制御信号配線４の線幅は、例えば０．５ｍｍとし、配線間距離は、例えば０．７ｍｍとすることができる。制御信号配線４の末端には、プリント基板１を半導体モジュール２に接続するための５個の接続ランド６（第１接続ランド）が設けられている。接続ランド６のランド幅は、例えば０．８ｍｍとし、ランド長は、例えば１．２ｍｍとすることができる。接続ランド６の領域以外の制御信号配線４は、ソルダレジストで被覆されている。また、接続ランド６の表面は、プリフラックス処理が施されている。
【００１４】
半導体モジュール２は、例えばＰＰＳからなる樹脂ケース２ａ内に、図示しないＩＧＢＴやダイオード等のパワー半導体、絶縁基板、強電伝達バスバー等を備えている。例えば、絶縁基板は、セラミック系の材質で構成され、パワー半導体と強電伝達バスバーの間に設置され、極薄いハンダ層を介して相互に接続されている。
【００１５】
薄型基板１００Ａは、樹脂ケース２ａと一括で成型され、一部が樹脂に埋め込まれた構成となっている。薄型基板１００Ａの一端は、樹脂ケース２ａ内のパワー半導体に隣接した位置に配置され、他端は、樹脂ケース２ａ上面から上方に延伸している（図３等参照）。
【００１６】
薄型基板１００Ａは、薄膜状の絶縁薄膜７と、金属箔８と、接続ランド６に各々対応する５個の接続ランド９（第２接続ランド）と、各接続ランド９から延設されて半導体素子等に接続される制御信号配線１６（図３参照）と、を備えている。
【００１７】
絶縁薄膜７の材質は、例えばポリイミドとし、厚さは、例えば２５．４μｍとすることができる。また、金属箔８の材質は、例えばステンレス鋼材（ＳＵＳ）とし、厚さは、例えば５０μｍとすることができる。
【００１８】
絶縁薄膜７と金属箔８は接着されて一体となっており、薄型基板１００Ａは、屈曲性を有している。絶縁薄膜７の金属箔８と反対側の表面（本実施形態ではプリント基板１側）には、制御信号配線１６が形成されている。各制御信号配線１６の末端には、接続ランド９が配置されている。信号配線１６の幅は、例えば０．５ｍｍとし、配線間の距離は、例えば０．７ｍｍとすることができる。また、接続ランド９の幅は、例えば０．８ｍｍとすることができる。制御信号配線１６及び接続ランド９の表面は、金メッキまたはプリフラックスの酸化防止処理が施されている。
【００１９】
薄型基板１００Ａの先端部は、折り曲げられており、プリント基板１の上面に沿って延びる平行部Ｐと、プリント基板１の上面に対して略直角に立設した立設部Ｖとを備えている。立設部Ｖの絶縁薄膜７の表面には、５個の接続ランド９が薄型基板１００Ａの幅方向に並列して設けられ、プリント基板１上に設けられた接続ランド６の各々に対応して隣接して配置されている。接続ランド６とこれに対応する接続ランド９との間には、各々隅部Ａが形成されており、各隅部Ａにおいて、当該隅部Ａを形成する接続ランド６と接続ランド９とがハンダ材Ｓにより接続されている。薄型基板１００Ａの平行部Ｐは、接続ランド９が設置された側の端面から例えば１．４ｍｍの位置で９０度折り曲げられている。
【００２０】
薄型基板１００Ａの材質、厚さ等は、薄型基板１００Ａが、折り曲げ変形に対する可塑性と、折り曲げ変形後の屈曲した形状を保持したり、半導体モジュール２に対して自立した状態を保持したりすることが可能な剛性とを備えるように選定されている。薄型基板１００Ａは、半導体モジュール２に対して自立した状態を保持できるので、プリント基板１を半導体モジュール２に搭載する際、半導体モジュール２に対する薄型基板１００Ａの位置が安定し、プリント基板１の搭載作業の効率を向上させることができる。
【００２１】
また、薄型基板１００Ａは、後述するように、プリント基板１の一方の面に配索され、接続ランド９がプリント基板１の接続ランド６と隣接するように配置されて、接続ランド９が接続ランド６とハンダ材Ｓで接続される。この際、薄型基板１００Ａは、可塑性を有するので、半導体モジュール２及びプリント基板１の上面に沿って折り曲げられた後、元の形状に戻らずに、折り曲げ変形後の屈曲した形状を維持し、接続ランド６が接続ランド９と位置合わせされた状態を保持する。これにより、薄型基板１００Ａの接続ランド９とプリント基板１の接続ランド６の位置関係を固定することができ、ハンダ付け等の接続作業の作業性を向上させることができる。
【００２２】
［組立工程について］
図５〜図８を参照して、第１実施形態に係る接続構造Ｃ１を適用した半導体装置の組立工程について説明する。
【００２３】
まず、図５に示す工程では、薄型基板１００Ａが、半導体モジュール２の上面から上方に延伸し、それ自身の剛性によって自立した状態に保持されている。薄型基板１００Ａの先端部は、接続ランド９の制御信号配線１６との接続部近傍域で略９０度折り曲げられている。
【００２４】
次いで、図６に示す工程では、半導体モジュール２の上部に、プリント基板１を略水平な状態で取付ける。この際、プリント基板１の一端面が、薄型基板１００Ａの制御信号配線１６側の面と水平方向に対向する。そして、プリント基板１の一端面の上側角部に沿って、薄型基板１００Ａの先端部を、略９０度、図中Ｄ１方向に折り曲げる。これにより、図７及び図４に示すように、薄型基板１００Ａの先端部に、プリント基板１の上面に沿って略平行に延びる平行部Ｐが形成されるとともに、立設部Ｖにおける接続ランド９が、プリント基板１の接続ランド６に隣接して配置される。そして、接続ランド６とこれに対応する接続ランド９との間には、各々隅部Ａが形成される。なお、薄型基板１００Ａの先端部の折り曲げ工程は、手作業あるいは所定の折り曲げ用工作機等を用いて行うことができる。このとき、薄型基板１００Ａは、上述のように可塑性を有するので、半導体モジュール２及びプリント基板１の上面に沿って折り曲げられた後、元に戻らずに、折り曲げ変形後の屈曲した形状を維持する。
【００２５】
次いで、図８に示す工程では、接続ランド６とこれに対応する接続ランド９との間に形成された各隅部Ａにおいて、当該隅部Ａを形成する接続ランド６と接続ランド９とをハンダ材Ｓにより接続する。
【００２６】
ハンダ付けの工法は、局所的に熱を加え、ハンダ材Ｓを適宜供給することによりハンダ接合を形成するものであり、例えばレーザ加熱またはコテ加熱による加熱方法を適用することができる。また、ペーストハンダまたは糸ハンダによる材料供給方法を組み合わせて適用するようにしてもよい。例えば、レーザ加熱・糸ハンダ供給による工法では、波長約９００ｎｍの半導体レーザ光をスポット径０．５で接続ランド６及び接続ランド９の当接部にコンマ数秒にわたって照射後、線径０．５ｍｍのヤニ入り糸ハンダをレーザ光照射部へ供給することができる。これにより、糸ハンダは、加熱された接続ランド６，９に当たり受熱して溶解する。溶け出したフラックス成分は、接続ランド６，９の表面の酸化物を還元し、同様に溶け出した錫を主成分とするハンダ材との間で金属拡散が進展することで、ハンダ材Ｓと接続ランド６，９の接合は完了する。
【００２７】
ここで、本実施形態に係る接続構造Ｃ１との対比のために、図１５を参照して比較対象に係るモジュール−基板間接続構造Ｃ５（以下、単に接続構造Ｃ５ともいう）について説明する。
【００２８】
図１５に示すように、接続構造Ｃ５では、半導体モジュール２０２に埋設されたリードピン２０３が、半導体モジュール２０２から上方に向けて延設され、プリント基板２０１に形成されたスルーホール２０５に挿入されている。スルーホール２０５の周縁には、制御信号配線２０４に連なる接続ランド２０６が、表面及び裏面に形成されている。そして、各リードピン２０３と接続ランド２０６とは、ハンダ材Ｓによるハンダ付けによって接合されている。
【００２９】
このように接続構造Ｃ５では、プリント基板２０１の両面にリードピン２０３の接続領域を必要とする。また、スルーホール２０５の内径は、プリント基板２０１を半導体モジュール２０２に搭載する際の作業性やハンダ材の溶接性などを勘案し、リードピン２０３の外径に対して相応のクリアランスを確保する必要がある。また、接続ランド２０６は、プリント基板２０１の両面にスルーホール２０５を取り囲むように形成される。従って、接続領域の大きさは、リードピン２０３の外径、スルーホール２０５の径、及び、それらから決定される接続ランド２０６の外形等に支配される。
【００３０】
例えば、リードピン２０３が、一辺の長さが０．６５ｍｍの正方形断面を有する場合に、スルーホール２０５の内径は、１．２ｍｍ、接続ランド２０６の外径は、１．８ｍｍとなる。接続ランド２０６間の必要絶縁距離が、例えば０．７ｍｍ、リードピン２０３の数が、例えば５本、接続工法が必要とする領域を、例えば２ｍｍとすると、リードピン２０３の接続領域の長さは、１５．８ｍｍとなる。リードピン２０３の並設方向と直交する方向の幅は、接続ランド２０６の周辺に２ｍｍの工法必要域をとると、５．８ｍｍとなる。そして、接続領域はプリント基板１の両面に必要であるから、リードピン２０３の接続領域の面積は、合計１８３．２８ｍｍ２となる。
【００３１】
このように、プリント基板２０１の表面と裏面の両面が、接続ランド２０６のサイズ、接続ランド２０６間の必要絶縁距離、リードピン２０３の数等に応じた面積を、リードピン２０３との接続のための接続領域として占有される。そのため、回路形成領域や電子部品の実装領域が制約されてしまい、それがプリント基板の小型化や部品実装の高密度化の障害となる。
【００３２】
また、接続構造Ｃ５では、半導体モジュール２０２とプリント基板２０１がリジッドな部材であるリードピン２０３で接続されている。そのため、製品の使用温度環境が変化し、半導体モジュール２０２とプリント基板２０１の線膨張係数及びヤング率の差に基づく熱歪みが生じると、その熱歪みは、比較的に強度の弱いハンダ材に集中する。そのため、接続構造Ｃ５は、温度変化の繰り返しサイクルが相当数に及んだときに、ハンダ材が疲労破壊するおそれがあり、車載用途には不向きであった。
【００３３】
さらに、接続構造Ｃ５では、リードピン２０３が相当数（数十本など）存在している。このため、組立時に全てのリードピン２０３がスルーホール２０５に正しく挿入されるように、リードピン２０３の位置、スルーホール２０５の寸法、プリント基板２０１の寸法等を高精度に管理する必要があり、接続構造Ｃ５では、低コスト化が困難であった。
【００３４】
これに対して、本実施形態に係るモジュール−基板間接続構造Ｃ１によれば、プリント基板１に１つ以上の接続ランド６が形成され、接続ランド６に各々対応する１つ以上の接続ランド９が薄型基板１００Ａに形成されている。接続ランド６とこれに対応する接続ランド９との間には、各々隅部Ａが形成されており、各隅部Ａにおいて、当該隅部Ａを形成する接続ランド６と接続ランド９とが電気的に接続されている。
【００３５】
接続構造Ｃ１では、隅部Ａを形成する２つの面のうち一方が、プリント基板１の接続ランド６で構成されているから、当該隅部Ａは、プリント基板１の上に形成されることになる。すなわち、接続構造Ｃ１によれば、薄型基板１００Ａとプリント基板１との電気的な接続を、プリント基板１の一つの面において行うことができる。このため、リードピン２０３をプリント基板２０１に貫通させてその両面に接続領域を形成した場合と比較して、プリント基板１の接続領域を小さくすることができ、プリント基板１の小型化や部品実装の高密度化を図ることができる。
【００３６】
また、屈曲性を有する薄型基板１００Ａをプリント基板１上に配索して、接続ランド９と接続ランド６とを接合しているので、リードピン２０３の外径やスルーホール２０５の径に影響されることなく、接続ランド６のサイズを小型化することができる。例えば、直径０．５ｍｍの糸ハンダ線でレーザ加熱接続する場合、接続ランド６の幅は、０．８ｍｍ程度で十分である。そして、接続ランド６間の必要絶縁距離を０．７ｍｍ、信号端子数を５個、接続工法必要領域を２．０ｍｍとすると、必要接続領域の面積は、合計５６．１６ｍｍ２となる。このように、接続構造Ｃ１によれば、必要接続領域の面積は、接続構造Ｃ５の工法で必要とする面積の１／３以下となる。従って、接続構造Ｃ１によれば、プリント基板１の半導体モジュール２との接続領域をより小さくして、一層の小型化や部品実装の高密度化を図ることができる。そして、必要接続領域の面積の減少分でプリント基板１の外形サイズを縮小させたり、余ったスペースで制御回路や電源回路をレイアウトしたりすることができ、設計自由度を向上させることができる。
【００３７】
また、薄型基板１００Ａは、屈曲性を有し、ＳＵＳなどで構成される金属箔８と、ポリイミド等で構成される絶縁薄膜７を備えているので、プリント基板１や半導体モジュール２に比べて剛性も小さい。従って、上述の熱歪みを薄型基板１００Ａが吸収して、歪みのハンダ材Ｓへの集中を低減することができ、車載された場合などの使用環境における繰り返し温度変化（熱疲労）に対して、耐久性や信頼性を向上させることができる。
【００３８】
さらに、プリント基板１の接続ランド６に接合される接続ランド９が、屈曲性を有する薄型基板１００Ａに設けられているので、リードピン２０３をスルーホール２０５に挿入する場合と比べ、接続ランド６，９の位置精度等を高度に管理する必要がない。そのため、製品の低コスト化を図ることができる。
【００３９】
＜第２実施形態＞
図９〜図１１を参照して、第２実施形態に係るモジュール−基板間接続構造Ｃ２（以下、単に接続構造Ｃ２ともいう）について説明する。以下、主に第１実施形態に係る接続構造Ｃ１と異なる点について説明し、接続構造Ｃ１と同様の構成については、同様の符号を付して重複した説明は省略する。
【００４０】
接続構造Ｃ２では、薄型基板１００Ｂは、薄型基板１００Ｂを自立した状態に保持可能な剛性を備えた第１領域１０，１２と、これらの第１領域１０，１２の間に挟まれた、第１領域１０、１２よりも剛性が小さい第２領域１１とを備えている。
【００４１】
第１領域１０は、半導体モジュール２の樹脂ケース２ａには固定されておらず、樹脂ケース２ａのスリット内に配置され、薄型基板１００Ｂの主面方向にスライドできる構造となっている。また、第２領域１１も同様に樹脂ケース２ａに固定されていないが、第２領域１１には、金属箔８がないため、第１領域１０，１２よりも剛性が小さくなっている。なお、第１領域１２は、第１領域１０と同様に金属箔８を備えているが、基端部が樹脂ケース２ａに固定されている。
【００４２】
接続構造Ｃ２によれば、上述の接続構造Ｃ１の効果に加え、次の効果を得ることができる。すなわち、接続構造Ｃ２によれば、薄型基板１００Ｂに相対的に剛性の小さい領域（第２領域１１）が設けられている。このため、薄型基板１００Ｂは、プリント基板１と半導体モジュール２の線膨張係数及びヤング率の差異に基づく熱歪みを、接続構造Ｃ１の薄型基板１００Ａよりも多く吸収することができる。これにより、ハンダ接続部が受ける熱歪みがより小さくなり、車載環境など、繰り返し温度が変化する環境下における耐久性や信頼性をより向上させることができる。
【００４３】
＜第３実施形態＞
図１２〜図１４を参照して、第３実施形態に係るモジュール−基板間接続構造Ｃ３（以下、単に接続構造Ｃ３ともいう）について説明する。以下、主に第１実施形態に係る接続構造Ｃ１と異なる点について説明し、接続構造Ｃ１と同様の構成については、同様の符号を付して重複した説明は省略する。
【００４４】
接続構造Ｃ３は、薄型基板１００Ｃに形成された位置決め突起１３（係合部）と、プリント基板１に形成され、位置決め突起１３に係止する位置決め穴１５（被係合部）とを備えている。位置決め突起１３は、薄型基板１００Ｃの平行部Ｐの幅方向両側端縁部における立設部Ｖ近傍部位（あるいは立設部Ｖの両端部近傍）に設けられ、薄型基板１００Ｃの金属箔８の一部をプリント基板１側に突出させて形成されている。突出長さは、プリント基板１の板厚の半分より大きいことが望ましく、特に限定されないが、例えば１．０ｍｍとすることができる。位置決め穴１５は、プリント基板１の位置決め突起１３に対応する位置に設けられ、穴径は、特に限定されないが、例えば０．３ｍｍとすることができる。
【００４５】
接続構造Ｃ３によれば、上述の接続構造Ｃ１の効果に加え、次の効果を得ることができる。すなわち、接続構造Ｃ３によれば、位置決め突起１３を位置決め穴１５に挿し込むように、薄型基板１００Ｃをプリント基板１に配置させることで、より高い精度で接続ランド９と接続ランド６の位置合わせを行うことができる。また、薄型基板１００Ｃに位置決め突起１３を設けているので、すべての接合箇所の位置決めを一括して行うことができる。特に、薄型基板１００Ｃの平行部Ｐの立設部Ｖ近傍部位に位置決め突起１３を設けているので、位置合わせの精度がより向上する。
【００４６】
また、図１５の接続構造Ｃ５では、複数のリードピン２０３をプリント基板１の各スルーホール２０５に位置合わせする必要があり、リードピン２０３の数の分だけ、寸法精度を調整する必要がある部位（以下、寸法精度調整部位と称する）が存在している。これに対して、接続構造Ｃ３によれば、薄型基板１００Ｃに２箇所の位置決め突起１３を設けるだけで足り、より少ない寸法精度調整部位で、多数の接続ランド６，９の位置合わせを行うことが可能となる。このように寸法精度調整部位の数が減少することで、位置決め精度の管理が容易になり、部品のコスト低減を実現する。
【００４７】
本実施形態では、薄型基板１００Ｃに位置決め突起１３を形成し、プリント基板１に位置決め穴１５を形成したが、プリント基板１に位置決め突起を形成し、薄型基板１００Ｃに位置決め穴を形成してもよい。
【００４８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの実施形態は本発明の理解を容易にするために記載された単なる例示に過ぎず、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲は、上記実施形態で開示した具体的な技術事項に限らず、そこから容易に導きうる様々な変形、変更、代替技術なども含むものである。
【００４９】
例えば、上記実施形態にかかる接続構造Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３では、プリント基板１に接続ランド６が５個ずつ設けられ、薄型基板１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに接続ランド９が５個ずつ設けられていた。しかしながら、接続ランド６，９の数は特に限定されず、４個以下であっても６個以上であってもよい。
【００５０】
また、接続構造Ｃ３の位置決め突起及び位置決め穴の構成を、接続構造Ｃ２の第１領域及び第２領域の構成に組合せて適用してもよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｃ１〜Ｃ３  モジュール−基板間接続構造
１  プリント基板
２  パワー半導体モジュール（半導体モジュール）
１００Ａ〜１００Ｃ  薄型基板（接続基板）
６  接続ランド（第１接続ランド）
９  接続ランド（第２接続ランド）
Ａ  隅部
１０，１２  第１領域
１１  第２領域
１３  位置決め突起（係合部）
１５  位置決め穴（被係合部）
【図１】
0006582635.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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