(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入力ポート及び光出力ポートのうち少なくとも一方の光ポートを有し、筐体内に光部品を有する光モジュールの製造方法であって、
前記少なくとも一方の光ポートが固定される前記筐体の一端面を模擬する標準ミラーを用意し、該標準ミラーの光軸方向にオートコリメータの光軸方向を合わせる工程と、
前記標準ミラーを前記筐体に置き換え、前記オートコリメータの光軸を利用して前記光部品の光軸方向を調整する工程と、
前記光部品を前記筐体に固定する工程と、
を含む、光モジュールの製造方法。
【請求項２】
当該光モジュールは光検出素子を前記筐体内に有しており、
試験光を出力する試験ポートの光軸方向を前記標準ミラーの光軸方向に合わせる工程と、
前記標準ミラーを前記筐体に置き換え、前記光検出素子において検出される前記試験光の強度を参照しながら前記試験ポートの調芯を行う工程と、
を更に含む、請求項１に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記光検出素子は、光９０°ハイブリッド素子に集積化されたフォトダイオードである、請求項２に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記試験ポートの調芯を行う工程の後、前記光部品とは別の光部品を前記試験ポートと前記光検出素子との間の光路上に配置し、前記光検出素子において検出される前記試験光の強度を参照しながら前記別の光部品の調芯を行う工程と、
前記別の光部品を前記筐体に固定する工程と、
を更に含む、請求項２または３に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記別の光部品を固定する工程の後、前記試験ポートを前記少なくとも一方の光ポートに置き換え、前記光検出素子において検出される光強度を参照しながら前記少なくとも一方の光ポートの調芯を行う工程と、
前記少なくとも一方の光ポートを前記筐体に固定する工程と、
を更に含む、請求項４に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記別の光部品の光結合トレランスは、前記光部品の光結合トレランスよりも小さい、請求項４または５に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記光部品は、ビームスプリッタ、偏光ビームスプリッタ、波長板、及び偏光子のうち少なくとも一つであり、
前記別の光部品は、キュービックミラー及びレンズのうち少なくとも一つである、請求項４〜６のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項８】
当該光モジュールは、
２つの光９０°ハイブリッド素子と、
前記光入力ポートとしての信号光入力ポート及び局発光入力ポートと、
前記信号光入力ポートと光結合する光入射面を有する前記光部品としての偏光ビームスプリッタと、
前記局発光入力ポートと光結合する光入射面を有する前記光部品としてのビームスプリッタと、
前記局発光入力ポートと前記ビームスプリッタとの光路上に配置された前記光部品としての偏光子と、
前記偏光ビームスプリッタの一方の光出力面と一方の前記光９０°ハイブリッド素子の信号光入力端との間の光路上に配置された前記別の光部品としての第１レンズ系と、
前記偏光ビームスプリッタの他方の光出力面と他方の前記光９０°ハイブリッド素子の信号光入力端との間の光路上に配置された、前記光部品としてのλ／２板及び第１ミラー、並びに前記別の光部品としての第２レンズ系と、
前記ビームスプリッタの一方の光出力面と前記他方の光９０°ハイブリッド素子の局発光入力端との間の光路上に配置された前記別の光部品としての第３レンズ系と、
前記ビームスプリッタの他方の光出力面と前記一方の光９０°ハイブリッド素子の局発光入力端との間の光路上に配置された、前記光部品としての第２ミラー及び前記別の光部品としての第４レンズ系と、
を備える、請求項７に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記オートコリメータの光軸は前記筐体の上方空間を通過する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、コヒーレント変調を施されたＸ偏波成分及びＹ偏波成分を重ね合わせて構成される偏波多重コヒーレント変調信号を受信するＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit）型復調器及びこれを用いた光伝送システムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０２７８９５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ミラーやビームスプリッタ等の光部品を内蔵する光モジュールを製造する際、光モジュールの用途によっては、筐体に対する光部品の角度調整を極めて精度良く行うことが求められる場合がある。例えば、特許文献１に記載されたようなコヒーレント光通信に用いられる光モジュールでは、外部から光入力ポートを介して入力される信号光及び局部発信光（局発光）を、光モジュールの筐体内部に固定される光９０°ハイブリッド素子の微小な光入力端に精度良く入射させることが求められる。光入力ポートと光９０°ハイブリッド素子との間の光路上にはミラーやビームスプリッタといった光部品が配置されるが、信号光及び局発光を光９０°ハイブリッド素子の光入力端に精度良く入射させる為には、これらの光部品の角度（光軸方向）を筐体に対して精度良く調整することが求められる。また、その一方で、製造コストを低減するため、厳密な調芯が必要ではない光部品に関しては、調整の容易さも求められる。
【０００５】
本発明は、筐体に対する光部品の角度調整を精度良く且つ容易に行うことができる光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る光モジュールの製造方法は、光入力ポート及び光出力ポートのうち少なくとも一方の光ポートを有し、筐体内に光部品を有する光モジュールの製造方法であって、少なくとも一方の光ポートが固定される筐体の一端面を模擬する標準ミラーを用意し、該標準ミラーの光軸方向にオートコリメータの光軸方向を合わせる工程と、標準ミラーを筐体に置き換え、オートコリメータの光軸を利用して光部品の光軸方向を調整する工程と、光部品を筐体に固定する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明による光モジュールの製造方法によれば、筐体に対する光部品の角度調整を精度良く且つ容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る光モジュールの構成を示す平面図である。
【図２】図２は、光モジュールを斜め上方から見た斜視図である。
【図３】図３は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、キャリアをベース上に搭載し、互いに固着させる様子を示している。
【図４】図４は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、２つの配線基板上に複数のダイキャパシタを実装する様子を示している。
【図５】図５は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、ベースをパッケージの底面上に搭載する様子を示している。
【図６】図６は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、（ａ）互いに垂直な光反射面及び底面を有する標準ミラーを設置する様子、及び（ｂ）標準ミラーを、ベース及びＶＯＡキャリアを搭載したパッケージに置き換える様子を示している。
【図７】図７は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、モニタ用ＰＤをＶＯＡキャリア上に搭載する様子を示している。
【図８】図８は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、試験ポートを筐体の一端面に配置する様子を示している。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、試験光を準備するための構成を示すブロック図である。
【図１０】図１０は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、第１ミラー及び第２ミラーをキャリア上に搭載する様子を示している。
【図１１】図１１は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、光９０°ハイブリッド素子寄りの集光レンズをキャリア上に搭載する様子を示している。
【図１２】図１２は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、光９０°ハイブリッド素子から遠い側の集光レンズをキャリア上に搭載する様子を示している。
【図１３】図１３は、２個の集光レンズが光軸方向に並んで配置された場合における、レンズ位置のずれと、微小な結合対象に対する結合効率の変化との関係の一例を示すグラフである。
【図１４】図１４は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、コリメートレンズをＶＯＡキャリア上に搭載する様子を示している。
【図１５】図１５は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、可変光減衰器をＶＯＡキャリア上に搭載する様子を示している。
【図１６】図１６は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、パッケージに蓋を取り付ける様子を示している。
【図１７】図１７は、光モジュールの製造方法を説明するための図であって、信号光入力ポート及び局発光入力ポートをパッケージに取り付ける様子を示している。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態に係る光モジュールの製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係る光モジュール１Ａの構成を示す平面図である。図２は、光モジュール１Ａを斜め上方から見た斜視図である。本実施形態の光モジュール１Ａは、略直方体状のパッケージ（筐体）２と、パッケージ２の一端面２ｂに固定された信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３とを備える。以下、パッケージ２の内部構造の説明において、一端面２ｂ側を前方側と称することがある。
【００１１】
信号光入力ポート１１はシングルモードファイバ（Single Mode Fiber：ＳＭＦ）１０に接続されており、ＳＭＦ１０から受信信号光（ＳｉＧｎａｌ；以下、信号光という）を受ける。局発光入力ポート１３は偏波保持ファイバ（Polarization Maintaining Fiber：ＰＭＦ）１２に接続されており、ＰＭＦ１２から局部発振光（Ｌｏｃａｌ；以下、局発光という）を受ける。これらの信号光及び局発光は、それぞれ信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３を介してパッケージ２の内部に入力される。
【００１２】
また、パッケージ２の４つの側面のうち、一端面２ｂを除く他の側面には、複数の端子３が設けられている。複数の端子３には、信号光から生成された電気的な受信信号を光モジュール１Ａの外部に取り出すための端子、パッケージ２の内部の電子回路に電源電圧やバイアスを供給するための端子、接地端子等が含まれる。
【００１３】
信号光入力ポート１１は、ＳＭＦ１０の先端に付属するフェルールを受け入れる円筒状のスリーブと、集光レンズを収容したレンズホルダとが一体化されて成り、該レンズホルダがパッケージ２の一端面２ｂに接合されることによってパッケージ２に固定されている。ＳＭＦ１０内を伝搬した信号光は、集光レンズによって集光されパッケージ２内に入射する。
【００１４】
局発光入力ポート１３は、ＰＭＦ１２の先端に付属するフェルールを受け入れる円筒状のスリーブと、コリメートレンズを収容したレンズホルダとが一体化されて成り、該レンズホルダがパッケージ２の一端面２ｂに接合されることによってパッケージ２に固定されている。ＰＭＦ１２内を伝搬した局発光は、コリメートレンズによってコリメートされたのちにパッケージ２内に入射する。
【００１５】
本実施形態の光モジュール１Ａは、上記の構成に加えて、２つの光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂ、並びに、入力ポート１１，１３と光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂとを光結合するための種々の光部品を備える。具体的には、光モジュール１Ａは、２つの光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの各信号光入力端と信号光入力ポート１１とを光結合するための光部品として、偏光ビームスプリッタ（Polarization Beam Splitter：ＰＢＳ）２６、スキュー調整素子２７、第１レンズ系２８、波長板（λ／２板）２９、第１ミラー３０、及び第２レンズ系３１を備える。更に、ＰＢＳ２６と信号光入力ポート１１との間の光路上には、ビームスプリッタ（Beam Splitter：ＢＳ）２２、可変光減衰器（ＶＯＡ）２３、及びコリメートレンズ２５が配置されている。信号光入力ポート１１と光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂとの間の光路上に配置されるこれらの光部品は、全てパッケージ２内に収容されている。
【００１６】
ＢＳ２２は、信号光入力ポート１１から入力された信号光を分離する。分離された信号光の一部は、パッケージ２内に配置された光検出素子の一つであるパワーモニタ用フォトダイオード（モニタ用ＰＤ）２４に入射する。モニタ用ＰＤ２４は、信号光の強度に応じた電気信号を生成する。なお、ＢＳ２２において分離された信号光の強度は、ＢＳ２２に入射する前の信号光強度の１０％未満である。
【００１７】
ＶＯＡ２３は、ＢＳ２２を通過した信号光を必要に応じて減衰する。減衰度は、光モジュール１Ａの外部からの電気信号によって制御される。例えば、上述したモニタ用ＰＤ２４からの電気信号に基づいて過入力状態が検知された場合には、ＶＯＡ２３の減衰度を大きくして、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに向かう信号光の強度を小さくする。
【００１８】
コリメートレンズ２５は、ＶＯＡ２３を通過した信号光を平行化する。なお、ＶＯＡ２３は、信号光入力ポート１１の集光レンズとコリメートレンズ２５との間に形成されるビームウェストに位置することが望ましい。これにより、ＶＯＡ２３の開口に対して十分に絞られたビーム径を確保できる。また、コリメートレンズ２５によって信号光がコリメート光となることにより、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの信号光入力端までの光路について高い結合効率を確保できる。
【００１９】
ＢＳ２２、ＶＯＡ２３、及びモニタ用ＰＤ２４は、パッケージ２の底面２ａに搭載されたＶＯＡキャリア２０上に固定される。ＶＯＡキャリア２０は、段差を形成する上下二つの面にこれらの光部品を搭載する。具体的には、一方の面にＢＳ２２及びモニタ用ＰＤ２４を搭載し、他方の面にＶＯＡ２３を搭載する。
【００２０】
ＰＢＳ２６は、ＢＳ２２及びＶＯＡ２３を介して信号光入力ポート１１と光結合する光入射面を有し、信号光の一部の偏波成分（例えばＸ偏波成分）と、残りの偏波成分（例えばＹ偏波成分）とを分岐する。このとき、分岐比は５０％である。スキュー調整素子２７及び第１レンズ系２８は、ＰＢＳ２６の一方の光出力面と光９０°ハイブリッド素子３２ｂの信号光入力端との間の光路上に配置されている。ＰＢＳ２６を直進した信号光は、スキュー調整素子２７を通過する。スキュー調整素子２７は、ＰＢＳ２６により分岐された他方の信号光との間の遅れ時間を補償する。その後、当該信号光は、第１レンズ系２８によって集光され、光９０°ハイブリッド素子３２ｂに到達する。なお、第１レンズ系２８は、光軸方向に並ぶ２つの集光レンズ２８ａ，２８ｂによって構成される。
【００２１】
また、λ／２板２９、第１ミラー３０、及び第２レンズ系３１は、ＰＢＳ２６の他方の光出力面と光９０°ハイブリッド素子３２ｂの信号光入力端との間の光路上に配置されている。ＰＢＳ２６において曲げられた（分岐した）信号光は、λ／２板２９を通過する。λ／２板２９は、当該信号光の偏光方向を９０°回転する。従って、λ／２板２９を通過した信号光の偏光方向は、ＰＢＳ２６を直進した信号光の偏光方向と一致することとなる。その後、当該信号光は、第１ミラー３０によってその進行方向が９０°曲げられたのち、第２レンズ系３１によって集光され、光９０°ハイブリッド素子３２ａに到達する。なお、第２レンズ系３１は、光軸方向に並ぶ２つの集光レンズ３１ａ，３１ｂによって構成される。また、第１ミラー３０は、例えばキュービックミラー（直方体または立方体のミラーであり、対向する一対の面の対角方向に反射面が延びているもの）によって構成される。
【００２２】
光モジュール１Ａは、２つの光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの各局発光入力端と局発光入力ポート１３とを光結合するための光部品として、ＢＳ３４、スキュー調整素子３５、第３レンズ系３６、第２ミラー３７、及び第４レンズ系３８を更に備える。更に、ＢＳ３４と局発光入力ポート１３との間の光路上には、偏光子３３が配置されている。局発光入力ポート１３と光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂとの間の光路上に配置されるこれらの光部品は、全てパッケージ２内に収容されている。
【００２３】
偏光子３３は、局発光入力ポート１３から入力された局発光の偏光方向を確定する。これにより、ＰＭＦ１２において維持されていた偏光方向がパッケージ２の組み立て時にずれたとしても、偏光方向が０°若しくは９０°の偏波成分のみを局発光として抽出できる。
【００２４】
ＢＳ３４は、偏光子３３を介して局発光入力ポート１３と光結合する光入射面を有し、偏光子３３を通過した局発光を２つに分岐する。このとき、分岐比は５０％である。スキュー調整素子３５及び第３レンズ系３６は、ＢＳ３４の一方の光出力面と光９０°ハイブリッド素子３２ａの局発光入力端との間の光路上に配置されている。ＢＳ３４を直進した局発光は、スキュー調整素子３５を通過する。スキュー調整素子３５は、ＢＳ３４により分岐された他方の局発光との間の遅れ時間を補償する。その後、当該局発光は、第３レンズ系３６によって集光されつつ、光９０°ハイブリッド素子３２ａに到達する。なお、第３レンズ系３６は、光軸方向に並ぶ２つの集光レンズ３６ａ，３６ｂによって構成される。
【００２５】
また、第２ミラー３７及び第４レンズ系３８は、ＢＳ３４の他方の光出力面と光９０°ハイブリッド素子３２ｂの局発光入力端との間の光路上に配置されている。ＢＳ３４において曲げられた（分岐した）局発光は、第２ミラー３７によってその進行方向が９０°曲げられたのち、第４レンズ系３８によって集光され、光９０°ハイブリッド素子３２ｂに到達する。なお、第４レンズ系３８は、光軸方向に並ぶ２つの集光レンズ３８ａ，３８ｂによって構成される。また、第２ミラー３７は、例えばキュービックミラーによって構成される。
【００２６】
上記のように、パッケージ２の内部に入力された信号光および局発光は、２個の光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに振り分けられる。光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂは、例えばインジウムリン（ＩｎＰ）製の半導体基板を用いたフォトダイオード（ＰＤ）集積型マルチモードハイブリッドであり、この光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに集積されたＰＤにおいて生成された光電流は、パッケージ２内に設けられたアンプ３９ａ，３９ｂによって電圧信号に変換され、複数の端子３の何れかから出力される。なお、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに集積されたＰＤは、本実施形態における光検出素子の一例である。
【００２７】
以上の構成を備える本実施形態の光モジュール１Ａの製造方法について説明する。図３〜図１７は、光モジュール１Ａの製造方法を説明するための図である。
【００２８】
まず、図３（斜視図）に示されるように、パッケージ２の外部において、キャリア４０をベース２１上に搭載し、互いに固着させる。ベース２１は、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）からなる矩形の板状部材である。キャリア４０は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる矩形の板状部材である。キャリア４０とベース２１との固着には、例えばＡｕＳｎ共晶半田を用いることができる。ベース２１上にはキャリア４０の搭載領域と光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの搭載領域とを区画する溝２１ａが予め形成されている。この溝２１ａの前縁にキャリア４０の後端を目視で合わせることにより、パッケージ２の前後方向におけるベース２１とキャリア４０との相対位置を決定する。なお、これに代えて、ベース２１の前縁とキャリア４０の前縁を合致させるアライメントを行ってもよい。
【００２９】
なお、後の工程においてベース２１をパッケージ２内に配置する際には、ベース２１の幅がパッケージ２の内壁の間隔にほぼ合致しているため、ベース２１の側面に形成された一対の括れ２１ｂを把持するとよい。そして、パッケージ２の前後方向と直交する方向におけるキャリア４０のアライメントは、ベース２１に形成された一対の括れ２１ｂを用いて行われてもよい。すなわち、括れ２１ｂによりベース２１の中央部分の間隔が狭くなっているので、その狭い部分の両端位置とキャリア４０の両端位置とを一致させるとよい。
【００３０】
次に、光９０°ハイブリッド素子３２ａをＭＭＩキャリア４１上に搭載し、互いに固着（ダイボンド）する。同様に、光９０°ハイブリッド素子３２ｂを別のＭＭＩキャリア４１上に搭載し、互いに固着する。ＭＭＩキャリア４１は、直方体状の部材であり、例えばＡｌＮ、あるいはアルミナ等のセラミックからなる。光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂとＭＭＩキャリア４１との固着には、例えばＡｕＳｎ共晶半田が用いられる。この固着には、通常の半導体デバイスを絶縁基板上にマウントする公知の方法と同様の技術を用いることができる。その後、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂをそれぞれ搭載した２つのＭＭＩキャリア４１を、ベース２１におけるキャリア４０の後端側に位置する領域に固定する。ベース２１上には予めＭＭＩキャリア４１の固定領域を囲むように溝２１ｃが形成されており、ＭＭＩキャリア４１は当該溝２１ｃを基準として目視アライメントにより配置される。
【００３１】
なお、ＭＭＩキャリア４１上には、ＭＭＩキャリア４１の前方側と後方側とを分離する溝４１ａが形成されている。ＭＭＩキャリア４１の前方側は、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに内蔵される光導波路部分に相当する。ＭＭＩキャリア４１の後方側は、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに内蔵されるＰＤ部分に相当する。光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの裏面電極もまた前方側と後方側とに分離されており、その結果、内蔵ＰＤのリーク電流の減少に寄与できる。
【００３２】
上述したＭＭＩキャリア４１と光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂとの固着と並行して、図４の斜視図に示される２つの配線基板４３上に複数のダイキャパシタ（平行平板コンデンサ）を実装する。配線基板４３は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる。複数のダイキャパシタの実装には、例えばＡｕＳｎペレットを使用でき、また、公知のソルダリング工程を採用してもよい。その後、複数のダイキャパシタがそれぞれ実装された２つの配線基板４３のうち一方を光９０°ハイブリッド素子３２ａの周囲に配置してベース２１に固定し、他方を光９０°ハイブリッド素子３２ｂの周囲に配置してベース２１に固定する。
【００３３】
続いて、図５の側壁の一部を切り欠いた斜視図に示されるように、ベース２１をパッケージ２の底面２ａ上に搭載する。このとき、例えば、パッケージ２の一端面２ｂを構成する側壁の内面にベース２１の前端を突き当て、ベース２１とパッケージ２とのアライメントを行った後、所定寸法だけベース２１を当該側壁から離し、その状態でベース２１をパッケージ２の底面２ａに配置するとよい。ここで、パッケージ２の各側壁の内面は図１に示されるように２段に構成されており、上段は金属製であり、下段は複数の端子３を互いに絶縁するためにセラミック製である。下段の内寸（壁間距離）はベース２１の幅とほぼ一致しているが、上段の内寸はベース２１の幅よりも広い。従って、上段の側壁の内面にベース２１を突き当てることができ、これにより、パッケージ２とベース２１（及び既にベース２１上に搭載されている各部品）とのアライメントを±０．５°以内で実現することが可能である。底面２ａへのベース２１の固定は、例えば半田を用いて行われる。
【００３４】
また、この工程では、ベース２１とともにＶＯＡキャリア２０をパッケージ２の底面２ａ上に搭載する。このとき、例えば、パッケージ２の一端面２ｂを構成する側壁の内面にＶＯＡキャリア２０の前端を突き当て、ＶＯＡキャリア２０とパッケージ２とのアライメントを行った後、所定寸法だけＶＯＡキャリア２０を当該側壁から離し、その状態でＶＯＡキャリア２０をパッケージ２の底面２ａに配置するとよい。これにより、前述のキャリア４０の前端と、ＶＯＡキャリア２０の後端とが互いに平行になる。底面２ａへのＶＯＡキャリア２０の固定は、例えば半田を用いて行われる。
【００３５】
ベース２１を底面２ａに固定したのち、アンプ３９ａ，３９ｂ（図１、図２を参照）を配線基板４３上に実装する。アンプ３９ａ，３９ｂの実装は、例えば銀ペースト等の導電性樹脂を使用して公知のマウント方法により行われる。アンプ３９ａ，３９ｂの搭載後、パッケージ２全体を昇温（〜１８０℃）することにより、導電性樹脂に含まれる溶剤を気化する。その後、アンプ３９ａ，３９ｂの上面の電極パッドと、パッケージ２の後方側の端子３（図１、図２を参照）とを電気的に接続するためのワイヤリングを行う。なお、このワイヤリングにより、次工程以降における光部品のアクティブ調芯、すなわち光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに試験光を入力し、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに内蔵されているＰＤの出力信号強度が最大となる位置に各光部品を配置することが可能となる。
【００３６】
続いて、図６（ａ）に示されるように、互いに垂直な光反射面１０４ａ及び底面１０４ｂを有する標準ミラー１０４を用意する。光反射面１０４ａはパッケージ２の一端面２ｂを模擬し、底面１０４ｂはパッケージ２の裏面を模擬する。標準ミラー１０４は、例えば直方体状のガラスブロックによって構成される。そして、この標準ミラー１０４を、支持台１０１上に固定された調芯台（ステージ）１０３上に設置する。このとき、底面１０４ｂと調芯台１０３とを接触させる。
【００３７】
続いて、標準ミラー１０４の光軸方向にオートコリメータ１０２の光軸方向を合わせる。具体的には、オートコリメータ１０２から可視レーザ光Ｌ１を出力し、該レーザ光Ｌ１を光反射面１０４ａに当てる。そして、光反射面１０４ａにおいて反射した可視レーザ光Ｌ１の光強度を、オートコリメータ１０２側で検出する。反射前の可視レーザ光Ｌ１と反射後の可視レーザ光Ｌ１とが互いに重なるとき、検出される光強度は最大となる。このことを利用して、光反射面１０４ａの法線方向、すなわち標準ミラー１０４の光軸方向にオートコリメータ１０２の光軸方向を合わせる。この時、標準ミラー１０４を載せるステージ１０３の煽り角及び回転角を調整することにより、標準ミラー１０４の光軸方向をオートコリメータ１０２の光軸方向に合わせても良い。
【００３８】
その後、標準ミラー１０４を調芯台１０３から取り外し、ベース２１及びＶＯＡキャリア２０を搭載したパッケージ２に置き換える（図６（ｂ））。このとき、パッケージ２の底面を調芯台１０３に接触させる。オートコリメータ１０２の光軸はパッケージ２の上方空間を通過するので、可視レーザ光Ｌ１はパッケージ２の上方を通過し、パッケージ２内には導入されない。
【００３９】
続いて、図７に示されるように、モニタ用ＰＤ２４をＶＯＡキャリア２０上に搭載する。また、ＰＢＳ２６、スキュー調整素子２７、λ／２板２９、偏光子３３、ＢＳ３４、及びスキュー調整素子３５をキャリア４０上の所定の搭載位置にそれぞれ搭載する。これらの光部品は、調芯作業を伴わない光部品であって、光軸方向のみ調整されたのちキャリア４０若しくはＶＯＡキャリア２０に固定される。
【００４０】
この工程では、オートコリメータ１０２（図６（ａ）参照）の光軸を利用して光部品の角度（光軸方向）を調整する。すなわち、これらの光部品の一側面をオートコリメータ１０２の可視レーザ光Ｌ１に対する反射面とし、反射前の可視レーザ光Ｌ１と反射後の可視レーザ光Ｌ１とが互いに重なるように、これらの光部品の角度（光軸方向）を調整する。なお、この作業はオートコリメータ１０２の光軸上すなわちパッケージ２の上方空間において行われる。そして、その光学部品の向きを保持したまま（或いは必要に応じて所定角度だけ回転させ）、キャリア４０上（若しくはＶＯＡキャリア２０上）の各搭載位置に設けられた接着樹脂上にこれらの光部品を移動させ、該接着樹脂を硬化させてこれらを固定する。
【００４１】
ＰＢＳ２６、スキュー調整素子２７、偏光子３３、及びスキュー調整素子３５については、パッケージ２に搭載された状態において光入射面が前方を向くので、該光入射面の法線方向とオートコリメータ１０２の光軸とが一致するようにこれらの光軸方向を調整し、その向きを維持しつつベース２１上に搭載するとよい。また、λ／２板２９およびモニタ用ＰＤ２４については、パッケージ２に搭載された状態において光入射面が側方を向くので、該光入射面の法線方向とオートコリメータ１０２の光軸とが一致するようにそれらの光軸方向を調整したのち、ベース２１上面の法線周りに９０°回転させてからベース２１上に搭載するとよい。なお、モニタ用ＰＤ２４については、更に所定の端子３との間のワイヤボンディングを行うことにより、該所定の端子３との電気的接続を行う。ＢＳ３４については、パッケージ２に搭載された状態において光入射面が側方を向くが、光出射面が後方を向くので、光出射面若しくは光出射面とは反対側の面の法線方向とオートコリメータ１０２の光軸とが一致するように光軸方向を調整したのち、その向きを維持しつつベース２１上に搭載するとよい。
【００４２】
続いて、上述の各光部品とは別の光部品、すなわち光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに対する光結合トレランスが上記の光部品（モニタ用ＰＤ２４、ＰＢＳ２６、スキュー調整素子２７、λ／２板２９、偏光子３３、ＢＳ３４、及びスキュー調整素子３５）よりも小さい故に調芯を必要とするコリメートレンズ２５、第１ミラー３０、第１レンズ系２８、第２レンズ系３１、第３レンズ系３６、第２ミラー３７、及び第４レンズ系３８をキャリア４０上に搭載する。その準備として、図８に示されるように、試験ポート（模擬コネクタ）５０ａ及び５０ｂをパッケージ２の一端面２ｂに配置する。試験ポート５０ａ，５０ｂは、信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３をそれぞれ模擬し、試験ポート５０ａ，５０ｂからは、当該別の光部品の調芯に用いられる試験光が出射される。以下、試験光を準備する工程の詳細について説明する。
【００４３】
図９（ａ）は、試験光を準備するための構成を示すブロック図である。この構成では、バイアス電源１１１からバイアス電圧を光源１１２（例えば半導体レーザ）に与えて、試験光を発生させる。この試験光は偏光制御素子１１３に導入され、その偏光面が制御される。その後、試験光は光カプラ１１４を通過してコネクタ１１６に達する。コネクタ１１６には、コネクタ１１７及び１１８のいずれか一方が選択的に接続される。コネクタ１１７には試験ポート５０ａが光結合されており、コネクタ１１８にはパワーメータ１１９が光結合されている。また、光カプラ１１４にはパワーメータ１１５が接続されている。なお、一つのパワーメータを、パワーメータ１１５及び１１９として併用してもよい。また、試験ポート５０ｂに対しても、上記と同様の構成が用意される。
【００４４】
まず、コネクタ１１６にコネクタ１１８を接続する。そして、光源１１２から出力される試験光の強度をパワーメータ１１９により検出し、バイアス電圧の大きさを調整することにより試験光の強度を所定強度に近づける。次に、パッケージ２を調芯台１０３から再び取り外し、標準ミラー１０４に置き換える。そして、コネクタ１１６にコネクタ１１７を接続するとともに、試験ポート５０ａ，５０ｂを、標準ミラー１０４の光反射面１０４ａと対向するように配置する。この状態で光源１１２から試験光が出力されると、試験光は試験ポート５０ａ，５０ｂから出射されたのち光反射面１０４ａにて反射し、再び試験ポート５０ａ，５０ｂに入射する。この試験光の強度は、光カプラ１１４を経由してパワーメータ１１５において検出される。その光検出強度が最大となるように試験ポート５０ａ，５０ｂの光軸方向を調整することにより、標準ミラー１０４の光軸方向に試験ポート５０ａ（もしくは５０ｂ）の光軸方向を合わせることができる。
【００４５】
上述のようにして試験ポート５０ａ及び５０ｂの光軸方向を調整したのち、図９（ｂ）に示されるように、標準ミラー１０４を調芯台１０３から再び取り外し、パッケージ２に置き換える。そして、試験ポート５０ａからパッケージ２内に入射する試験光の偏光面を調整するために、ＰＢＳ及び２つのモニタ用ＰＤを有する試験治具を、パッケージ２内部における試験ポート５０ａの後段に配置する。そして、ＰＢＳによって分岐した２つの試験光の強度を各モニタ用ＰＤにおいて検知しつつ、これらの強度が互いに等しくなるように、偏光制御素子１１３により試験光の偏光面を調整する。
【００４６】
なお、上述の偏光調整において、試験治具が有する２つのモニタ用ＰＤからの出力信号を、パッケージ２のいずれかの端子３から取り出してもよい。また、２つのモニタ用ＰＤからの出力信号を取り出すための端子を試験治具が備えている場合には、パッケージ２を調芯台１０３上に配置する前に、上述の偏光調整を行ってもよい。
【００４７】
続いて、試験ポート５０ａ，５０ｂの調芯を行う。まず、試験ポート５０ａからパッケージ２内に入射した試験光の強度を、光９０°ハイブリッド素子３２ａに内蔵されたＰＤにより検出する。そして、検出される試験光の強度を参照しながら、該強度が大きくなる方向に試験ポート５０ａを移動させることにより、試験ポート５０ａの光軸に垂直な面内での調芯を行う。これと同様に、試験ポート５０ｂからパッケージ２内に入射した試験光の強度を、光９０°ハイブリッド素子３２ｂに内蔵されたＰＤにより検出する。そして、検出される試験光の強度を参照しながら、該強度が大きくなる方向に試験ポート５０ｂを移動させることにより、試験ポート５０ｂの光軸に垂直な面内での調芯を行う。なお、試験光のモードフィールド径は例えば３００μｍといった大きさであり、一方、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの光入力端は小さく、例えば幅数μｍ、厚さ１μｍ以下といった程度である。従って、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに入力される試験光の強度は微弱となるが、試験光の光軸を決定する程度の検出信号を得ることは可能である。
【００４８】
試験ポート５０ａ，５０ｂの光軸方向の位置に関しては、試験ポート５０ａ，５０ｂの端面をパッケージ２の一端面２ｂに当接させることにより決定され得る。
【００４９】
続いて、調芯を要する各光部品を試験ポート５０ａ若しくは５０ｂと光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂとの間の光路上に配置し、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂに内蔵されるＰＤ（若しくはモニタ用ＰＤ２４）において検出される試験光の強度を参照しながら、これらの光部品の調芯を行う。更に、これらの光部品をパッケージ２のキャリア４０上に固定する。なお、これらの光部品の調芯及び固定の順序は以下の説明に限られるものではなく、任意の順序で行うことができる。
【００５０】
この工程では、図９（ｂ）に示されるように、ＶＯＡバイアス電源１２０、電圧モニタ１２１及び１２２をパッケージ２に接続する。ＶＯＡバイアス電源１２０は、後述するＶＯＡ２３の設置の際に、ＶＯＡ２３にバイアス電圧を与える。電圧モニタ１２１及び１２２は、アンプ３９ａ，３９ｂからの電圧信号をそれぞれモニタする。
【００５１】
まず、ＢＳ２２（図１，図２を参照）の調芯及び固定を行う。すなわち、ＢＳ２２の前面を反射面とし、パッケージ２の上方空間を通過しているオートコリメータ１０２の可視レーザ光を用いて、ＢＳ２２の角度（光軸方向）を調整する。そして、ＢＳ２２の向きを維持したまま、ＶＯＡキャリア２０上にＢＳ２２を移動させる。そして、ＶＯＡキャリア２０上においてＢＳ２２を前後方向に移動させながら、モニタ用ＰＤ２４での受光強度が最大となる搭載位置を決定する。搭載位置の決定後、接着樹脂を用いてＢＳ２２をＶＯＡキャリア２０に固定する。
【００５２】
次に、図１０に示されるように、第１ミラー３０及び第２ミラー３７の調芯及び固定を行う。まず、これらのミラー３０，３７の前面を反射面とし、パッケージ２の上方空間を通過しているオートコリメータ１０２の可視レーザ光を用いて、ミラー３０，３７の角度（光軸方向）を調整する。そして、ミラー３０，３７の向きを維持したまま、キャリア４０上にミラー３０，３７を移動させる。これらのミラー３０，３７に各試験ポート５０ａ，５０ｂからの試験光を入射させ、ミラー３０，３７において反射した試験光を光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの内蔵ＰＤにより検出する。そして、ミラー３０，３７の角度を僅かに変化させながら、内蔵ＰＤでの受光強度が最大となる角度を決定する。角度の決定後、接着樹脂を用いてミラー３０，３７をキャリア４０に固定する。
【００５３】
続いて、第１レンズ系２８、第２レンズ系３１、第３レンズ系３６、及び第４レンズ系３８の調芯及び固定を行う。まず、図１１に示されるように、集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａ（すなわち光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂ寄りの集光レンズ）の調芯及び固定を行う。まず、これらの集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａをキャリア４０上に配置し、各試験ポート５０ａ，５０ｂからの試験光を入射させ、集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａを通過した試験光を光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの内蔵ＰＤにより検出する。そして、集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａの位置及び角度を僅かに変化させながら、内蔵ＰＤでの受光強度が最大となる位置及び角度を決定する。位置及び角度の決定後、接着樹脂を用いて集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａをキャリア４０に固定する。続いて、図１２に示されるように、集光レンズ２８ｂ，３１ｂ，３６ｂ，及び３８ｂの調芯及び固定を行う。これらの調芯及び固定の方法は、上述した集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａの調芯及び固定の方法と同様である。
【００５４】
ここで、各レンズ系２８、３１、３６、及び３８において２個の集光レンズを光軸方向に並べて配置する理由について説明する。図１３は、２個の集光レンズが光軸方向に並んで配置された場合における、レンズ位置のずれと、微小な結合対象（本実施形態では光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂの光入力端）に対する結合効率の変化との関係の一例を示すグラフである。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、結合対象側の集光レンズの位置ずれ（（ａ）は光軸に直交する方向のずれ、（ｂ）は光軸方向のずれ）による結合効率の変化を示す。また、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）は、結合対象とは反対側の集光レンズの位置ずれ（（ｃ）は光軸に直交する方向のずれ、（ｄ）は光軸方向のずれ）による結合効率の変化を示す。なお、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）においては、結合対象側の集光レンズが予めその設計位置に配置されているものと仮定している。
【００５５】
まず、光軸に直交する方向のずれについて検討する。図１３（ａ）に示されるように、結合対象側の集光レンズでは、わずか数μｍの位置ずれであっても結合効率が劣化し、１μｍ程度の位置ずれによって結合効率が３０％も劣化する。これに対し、図１３（ｃ）に示されるように、結合対象とは反対側の集光レンズにおいては、数μｍの位置ずれであれば結合効率はほとんど劣化せず、結合効率の劣化には数十μｍの位置ずれを要する。また、光軸方向のずれについて検討すると、図１３（ｂ）に示されるように、結合対象側の集光レンズでは数十μｍの位置ずれであっても結合効率が劣化するが、図１３（ｄ）に示されるように、結合対象とは反対側の集光レンズでは数十μｍの位置ずれであれば結合効率はほとんど劣化しない。
【００５６】
各レンズ系２８、３１、３６、及び３８の各集光レンズは、例えば紫外線硬化樹脂などの樹脂によってキャリア４０に固定される。樹脂は固化時に数μｍの収縮を生じるので、集光レンズの位置は、樹脂の固化に伴って数μｍのずれを生じることがある。そして、上述したように、結合対象側の集光レンズでは数μｍの位置ずれであっても結合効率が劣化してしまう。
【００５７】
これに対し、結合対象とは反対側の集光レンズでは、数μｍの位置ずれであれば結合効率はほとんど劣化しないので、結合対象側の集光レンズと比較して格段に大きな尤度を確保できる。特に、光軸方向においては数十μｍの位置ずれであっても許容されるので、実質的に光軸方向のアライメントの精度は無視できる。従って、結合対象側の集光レンズ（本実施形態では集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａ）の調芯及び固定を行った後に、結合対象とは反対側の集光レンズ（本実施形態では集光レンズ２８ｂ，３１ｂ，３６ｂ，及び３８ｂ）の調芯及び固定を行うことにより、結合対象側の集光レンズにおいて生じる結合効率の劣化を十分に補償することができる。
【００５８】
なお、上記の方法では、光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂ寄りの４つの集光レンズ２８ａ，３１ａ，３６ａ，及び３８ａの調芯及び固定を行ったのち、別の４つの集光レンズ２８ｂ，３１ｂ，３６ｂ，及び３８ｂの調芯及び固定を行っている。これに対し、例えば２つの試験ポート５０ａ，５０ｂに対して図９（ｂ）に示された一組の光源１１２〜コネクタ１１６を共通して使用する場合には、一方の試験ポートからの試験光を利用して調芯を行う各集光レンズの調芯及び固定を行ったのち、他方の試験ポートからの試験光を利用して調芯を行う各集光レンズの調芯及び固定を行ってもよい。例えば、まず集光レンズ２８ａ，３１ａの調芯及び固定を行い、集光レンズ２８ｂ，３１ｂの調芯及び固定を行ったのちに、集光レンズ３６ａ，３８ａの調芯及び固定を行い、集光レンズ３６ｂ，３８ｂの調芯及び固定を行ってもよい。これにより、光源１１２等の接続替えの回数を低減することができる。
【００５９】
また、上記の方法では、結合対象側の集光レンズをその結合効率が最大となる位置で固定しているが、当該位置から所定距離だけ結合対象から遠ざかる（オフセットした）位置に結合対象側の集光レンズを固定し、結合対象とは反対側の集光レンズを、結合効率が最大となる位置で固定してもよい。結合対象側の集光レンズのみで結合効率が最大となる位置と、２つの集光レンズの組み合わせにより結合効率が最大となるときの結合対象側の集光レンズの位置とは異なり、後者の場合は前者と比較して結合対象から遠くなるからである。
【００６０】
以上のようにして各レンズ系２８，３１，３６，及び３８の調芯及び固定を行ったのち、図１４に示されるように、コリメートレンズ２５の調芯及び固定を行う。前述したように、図１、図２に示された信号光入力ポート１１には集光レンズが搭載されており、この集光レンズの焦点とコリメートレンズ２５の焦点とが一致するようにコリメートレンズ２５の光軸方向位置が決定される。そして、集光レンズとコリメートレンズ２５との間に形成されるビームウェストの位置にＶＯＡ２３を配置することにより、ＶＯＡ２３の狭い開口部に信号光を通過させることができ、ＶＯＡ２３における消光比を大きくすることができる。
【００６１】
このようなことから、コリメートレンズ２５の調芯には、試験ポート５０ａに代えて、信号光入力ポート１１に搭載されたものと同じ焦点距離を有する集光レンズを搭載する別の試験ポート５０ｃを用いるとよい。従って、本工程では、試験ポート５０ａを試験ポート５０ｃに置き換える。
【００６２】
具体的には、パッケージ２に代えて標準ミラー１０４を調芯台１０３上に再び設置するとともに、図９に示されたコネクタ１１６を試験ポート５０ａから試験ポート５０ｃに付け替える。そして、試験ポート５０ｃを、標準ミラー１０４の光反射面１０４ａと対向するように配置する。この状態で試験ポート５０ｃから試験光を出力し、パワーメータ１１５において検出される光強度が最大となるように試験ポート５０ｃの光軸方向を調整することにより、標準ミラー１０４の光軸方向に試験ポート５０ｃの光軸方向を合わせる。次に、試験ポート５０ｃからパッケージ２内に入射した試験光の強度を光９０°ハイブリッド素子３２ａに内蔵されたＰＤにより検出しながら、該強度が大きくなる方向に試験ポート５０ｃを移動させることにより、試験ポート５０ｃの光軸に垂直な面内での調芯を行う。なお、試験ポート５０ｃの光軸方向の位置に関しては、試験ポート５０ｃの端面をパッケージ２の一端面２ｂに当接させることにより決定され得る。
【００６３】
次に、コリメートレンズ２５をキャリア４０上に移動し、コリメートレンズ２５に試験ポート５０ｃからの試験光を入射させ、通過した試験光の強度を光９０°ハイブリッド素子３２ａの内蔵ＰＤにより検出する。そして、コリメートレンズ２５の位置を僅かに変化させながら、内蔵ＰＤでの受光強度が最大となる位置（前後方向、左右方向、及び上下方向）を決定する。決定後、接着樹脂を用いてコリメートレンズ２５をキャリア４０に固定する。
【００６４】
続いて、図１５に示されるように、ＶＯＡ２３をＶＯＡキャリア２０に導電性接着材を介して固定する。このとき、ＶＯＡ２３は、試験ポート５０ｃ内の集光レンズとコリメートレンズ２５とを結ぶ光軸に対して所定角度（例えば７°以下）だけ傾けて搭載される。反射光を信号光入力ポート１１に回帰させないためである。また、印加電圧に対して最大の消光比を得るために、図９（ｂ）に示されたＶＯＡバイアス電源１２０からＶＯＡ２３に制御電圧を印加しつつ、試験ポート５０ｃから試験光を入力し、ＶＯＡ２３を通過した試験光の強度を光９０°ハイブリッド素子３２ａの内蔵ＰＤにより検知してもよい。
【００６５】
続いて、図１６に示されるように、パッケージ２を塞ぐ蓋２ｃをシームシールにより取り付け、パッケージ２の内部を気密に封止する。そして、図１７に示されるように、試験ポートを本来の信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３に置き換え、信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３の調芯及び固定を行う。具体的には、信号光入力ポート１１から模擬の信号光を導入し、該信号光の強度を光９０°ハイブリッド素子３２ａの内蔵ＰＤにより検出する。そして、検出される信号光の強度を参照しながら信号光入力ポート１１の位置を僅かに変化させ、内蔵ＰＤでの受光強度が最大となる位置を決定する。局発光入力ポート１３についても同様に、実際に局発光を導入し、該局発光の強度を光９０°ハイブリッド素子３２ｂの内蔵ＰＤにより検出する。そして、検出される局発光の強度を参照しながら局発光入力ポート１３の位置を僅かに変化させ、内蔵ＰＤでの受光強度が最大となる位置を決定する。決定後、信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３をパッケージ２に固定する。
【００６６】
以上に説明した、本実施形態による光モジュール１Ａの製造方法によって得られる効果について説明する。本実施形態の製造方法は、信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３が固定されるパッケージ２の一端面２ｂを模擬する標準ミラー１０４を用意し、標準ミラー１０４の光軸方向にオートコリメータ１０２の光軸方向を合わせる工程と、標準ミラー１０４をパッケージ２に置き換え、オートコリメータ１０２の光軸を利用して光部品の光軸方向を調整する工程と、光部品をパッケージ２に固定する工程とを含む。標準ミラー１０４及びパッケージ２の位置は、例えば調芯台１０３上において高い精度で一致させることができる。従って、このように予め標準ミラー１０４を用いてオートコリメータ１０２の光軸方向を調整することにより、パッケージ２に対する各光部品の角度（光軸方向）を精度良く調整することができる。また、オートコリメータ１０２の光軸を利用することにより、各光部品の光軸方向を容易に調整できる。
【００６７】
また、本実施形態のように、光モジュール１ＡはＰＤをパッケージ２内（本実施形態では光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂ内）に有しており、この製造方法は、試験光を出力する試験ポート５０ａ，５０ｂの光軸方向を標準ミラー１０４の光軸方向に合わせる工程と、標準ミラー１０４をパッケージ２に置き換え、ＰＤにおいて検出される試験光の強度を参照しながら試験ポート５０ａ，５０ｂの調芯を行う工程とを含んでもよい。これにより、試験ポート５０ａ，５０ｂの位置及び角度の調整を精度良く行うことができるので、後の工程において、試験光を用いた光部品の位置及び角度の調整を精度良く行うことができる。
【００６８】
また、本実施形態の製造方法は、試験ポート５０ａ，５０ｂの調芯を行った後、光部品を試験ポート５０ａ，５０ｂとＰＤ（本実施形態では光９０°ハイブリッド素子３２ａ，３２ｂ）との間の光路上に配置し、ＰＤにおいて検出される試験光の強度を参照しながら光部品の調芯を行う工程と、該光部品をパッケージ２に固定する工程とを含んでもよい。これにより、光結合トレランスが小さい光部品についても、位置及び角度の調整を精度良く行うことができる。
【００６９】
また、本実施形態の製造方法は、試験ポート５０ａ，５０ｂを信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３に置き換え、ＰＤにおいて検出される光強度を参照しながら信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３の調芯を行い、これらのポート１１，１３をパッケージ２に固定する工程を含んでもよい。これにより、ポート１１，１３の位置及び角度の調整を精度良く行うことができる。
【００７０】
また、本実施形態のように、オートコリメータ１０２の光軸はパッケージ２の上方空間を通過してもよい。これにより、パッケージ２を調芯台１０３上に固定した後においても、オートコリメータ１０２を用いて光部品の角度（光軸方向）の調整を容易に行うことができる。
【００７１】
本発明による光モジュールの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では、試験ポート５０ａ，５０ｂ双方の光軸方向の調整をＢＳ２２の搭載前に行っているが、試験ポート５０ａの光軸方向の調整をＢＳ２２の搭載前に行い、試験ポート５０ｂの光軸方向の調整を第２ミラー３７の搭載前に行ってもよい。また、試験ポート５０ａ，５０ｂの光軸方向の調整を複数回行ってもよい。例えば試験ポート５０ａの調整をＢＳ２２の搭載前、第１ミラー３０の搭載前、並びに第１レンズ系２８及び第２レンズ系３１の搭載前に行い、試験ポート５０ｂの調整を第２ミラー３７の搭載前、並びに第３レンズ系３６及び第４レンズ系３８の搭載前に行うことにより、各光部品の調芯精度を向上させることが可能である。
【００７２】
また、上記実施形態では、試験ポート５０ａ，５０ｂを用いた調芯工程においてもオートコリメータ１０２からの可視レーザ光Ｌ１がパッケージ２の上方空間に提供され、この可視レーザ光Ｌ１を用いて光部品（ＢＳ２２、第１ミラー３０、第２ミラー３７など）の大凡の角度調整が行われている。その場合、これらの光部品の角度調整を行う前にパッケージ２を標準ミラー１０４に再び置き換え、オートコリメータ１０２の光軸調整を行ったのち、その状態でこれらの光部品の角度調整を行ってもよい。その場合、これらの光部品の角度を決定した後、これらの光部品を保持しつつ標準ミラー１０４をパッケージ２に再び置き換え、各試験ポート５０ａ，５０ｂの光軸方向および位置を調整した上で、これらの光部品をパッケージ２の所定位置に配置してもよい。このような方法により、工程数は増加するが、調芯精度は向上する。
【００７３】
また、上記実施形態では光モジュール１Ａが光入力ポート（信号光入力ポート１１及び局発光入力ポート１３）のみを備えているが、本発明に係る製造方法は、光出力ポートのみを備える（或いは、光入力ポート及び光出力ポートの双方を備える）光モジュールに光部品を搭載する際にも、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。その場合、上記実施形態の試験ポート５０ａ，５０ｂを光出力ポートに代えて設置するとよい。
【符号の説明】
【００７４】
１Ａ…光モジュール、２…パッケージ、２ａ…底面、２ｂ…一端面、２ｃ…蓋、３…端子、１０…シングルモードファイバ（ＳＭＦ）、１１…信号光入力ポート、１２…偏波保持ファイバ（ＰＭＦ）、１３…局発光入力ポート、２０…ＶＯＡキャリア、２１…ベース、２２…ビームスプリッタ（ＢＳ）、２３…可変光減衰器（ＶＯＡ）、２４…モニタ用ＰＤ、２５…コリメートレンズ、２６…偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、２７…スキュー調整素子、２８…第１レンズ系、２８ａ，２８ｂ…集光レンズ、２９…λ／２板、３０…第１ミラー、３１…第２レンズ系、３１ａ，３１ｂ…集光レンズ、３２ａ，３２ｂ…光９０°ハイブリッド素子、３３…偏光子、３４…ビームスプリッタ（ＢＳ）、３５…スキュー調整素子、３６…第３レンズ系、３６ａ，３６ｂ…集光レンズ、３７…第２ミラー、３８…第４レンズ系、３８ａ，３８ｂ…集光レンズ、３９ａ，３９ｂ…アンプ、４０…キャリア、４１…ＭＭＩキャリア、４３…配線基板、５０ａ，５０ｂ，５０ｃ…試験ポート、１０１…支持台、１０２…オートコリメータ、１０３…調芯台、１０４…標準ミラー、１１１…バイアス電源、１１２…光源、１１３…偏光制御素子、１１４…光カプラ、１１５…パワーメータ、１１６〜１１８…コネクタ、１１９…パワーメータ、１２０…バイアス電源、１２１…電圧モニタ、Ｌ１…可視レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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