(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記酸化膜除去工程は、
露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面にレジストガラス層を選択的に形成する第１工程と、
前記レジストガラス層を焼成して当該レジストガラス層を緻密化する第２工程と、
前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を部分的に除去する第３工程とを含み、
前記レジストガラス層は、少なくともＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３と、ＺｎＯと、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋとを実質的に含有せず、
ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり、
Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり、
Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり、
ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり、
アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラスからなり、
前記第３工程においては、バッファードフッ酸を用いて前記酸化膜を除去し、
前記酸化膜除去工程の前には、
主面に平行なｐｎ接合を有し、かつ、主面が酸化膜で覆われた半導体基板を準備する半導体基板準備工程と、
前記半導体基板の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程とをこの順で含み、
前記第１工程においては、電気泳動法によって、前記酸化膜の上面のうち前記溝の周囲の領域及び前記溝の内面にＰｂを実質的に含有しない前記レジストガラス層を前記溝の内面で前記ｐｎ接合露出部が被覆されるように形成し、
前記第３工程においては、前記レジストガラス層をマスクとしてバッファードフッ酸を用いて前記酸化膜を除去し、
前記酸化膜除去工程の後には、
前記酸化膜除去工程において酸化膜が除去されたＮｉめっきを形成する領域における前記半導体基板の表面の粗面化処理を、前記マスクとして用いた前記レジストガラス層が残存する状態で行って、Ｎｉめっき電極と前記半導体基板との密着性を高くするための粗面化領域を形成する粗面化領域形成工程と、
前記マスクとして用いた前記レジストガラス層が残存する状態で、前記半導体基板にＮｉめっきを行って、前記粗面化領域上にＮｉめっき電極を形成する電極形成工程と、を含み、
前記酸化膜除去工程の後には、前記マスクとして用いた前記レジストガラス層を除去する工程を含まないものであり、
前記半導体基板の前記粗面化領域の上面に形成された前記Ｎｉめっき電極に隣接し且つ前記半導体基板の上面と前記レジストガラス層の端部との間に位置し、前記第３工程において除去されずに残存する前記酸化膜の一部である、シリコン酸化膜の厚さは、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、
前記残存する前記酸化膜の一部は、前記溝の周囲の領域において、前記溝の内面に形成された前記レジストガラス層と前記粗面化領域上に形成された前記Ｎｉめっき電極とに、挟まれている、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及びレジストガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。【０００３】
従来の半導体装置の製造方法は、図９に示すように、主面に平行なｐｎ接合を有し、かつ、主面が酸化膜９１６で覆われた半導体基板９１０を準備する半導体基板準備工程（図示省略）と、半導体基板９１０の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝９２０を形成することにより、溝９２０の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程（図９（ａ）参照。）と、溝９２０の内部におけるｐｎ接合露出部を覆うようにガラス層９２２を形成するガラス層形成工程（図９（ｂ）参照。）と、ガラス層９２２を覆うように（有機レジストからなる）フォトレジスト層９２４を形成するフォトレジスト層形成工程（図９（ｃ）参照。）と、フォトレジスト層９２４をマスクとして、半導体基板９１０の表面に形成された酸化膜９１６をエッチングにより部分的に除去する酸化膜除去工程（図９（ｄ）参照。）と、フォトレジスト層９２４を除去するフォトレジスト層除去工程（図示省略）と、電極を形成する部位９３０に電極９３４を形成する電極形成工程（図９（ｅ）参照。）とをこの順序で含む。【０００４】
従来の半導体装置の製造方法によれば、溝９２０の内部にパッシベーション用のガラス層９２２を形成した後半導体基板を切断することにより、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−８７９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法においては、ガラス層９２２の表面が平坦ではないため、フォトレジスト層形成工程中にフォトレジスト層９２４の厚さにばらつきが生じやすい（図１０（ａ）参照。）。このため、フォトレジスト層９２４を薄く形成した場合には、酸化膜除去工程中にフォトレジスト層９２４の薄い部分（図１０（ａ）の破線枠Ａで囲まれた部分）からガラス層９２２にエッチング液が侵入することが考えられ、ガラス層９２２がエッチング液に侵食されてシリコン露出などの不具合が生じる場合（図１０（ｂ）及び（ｃ）参照。）があるという事情がある。
また、近年、半導体装置の技術の分野において、高い生産性を有する半導体装置の製造方法が求められているという事情もある。【０００７】
そこで、本発明は、上記した事情に鑑みてなされたもので、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくく、かつ、高い生産性で半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、そのような半導体装置の製造方法に用いるレジストガラスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記酸化膜除去工程は、露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面にレジストガラス層を選択的に形成する第１工程と、前記レジストガラス層を焼成して当該レジストガラス層を緻密化する第２工程と、前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を部分的に除去する第３工程とを含み、前記レジストガラス層は、少なくともＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３と、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋと、Ｚｎとを実質的に含有しないレジストガラスからなることを特徴とする。【０００９】
［２］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記レジストガラスは、ＳｉＯ２の含有量が５８ｍｏｌ％〜７２ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が７ｍｏｌ％〜１７ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が７ｍｏｌ％〜１７ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあることが好ましい。【００１０】
［３］本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記酸化膜除去工程は、露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面にレジストガラス層を選択的に形成する第１工程と、前記レジストガラス層を焼成して当該レジストガラス層を緻密化する第２工程と、前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を部分的に除去する第３工程とを含み、前記レジストガラス層は、少なくともＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３と、ＺｎＯと、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋとを実質的に含有せず、ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラスからなることを特徴とする。【００１１】
［４］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記酸化膜除去工程の後には、前記レジストガラス層を除去する工程を含まないことが好ましい。【００１２】
［５］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第３工程においては、フッ酸を含むエッチング液を用いて前記酸化膜を除去することが好ましい。【００１３】
［６］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記酸化膜除去工程の前には、主面に平行なｐｎ接合を有し、かつ、主面が酸化膜で覆われた半導体基板を準備する半導体基板準備工程と、前記半導体基板の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程とをこの順で含み、前記第１工程においては、電気泳動法によって、前記酸化膜の上面のうち前記溝の周囲の領域及び前記溝の内面に前記レジストガラス層を形成し、前記第３工程においては、前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を除去し、前記酸化膜除去工程の後には、前記第３工程において前記酸化膜が除去された領域に電極を形成する電極形成工程を含むことが好ましい。【００１４】
［７］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記酸化膜除去工程の前には、表面にｐｎ接合が露出するｐｎ接合露出部を有する半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程とをこの順序で含み、前記第１工程においては、スクリーン印刷法によって、前記酸化膜の上面のうち前記酸化膜を介して前記ｐｎ接合露出部を覆う領域に前記レジストガラス層を形成し、前記第３工程においては、前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を除去し、前記酸化膜除去工程の後には、前記第３工程において前記酸化膜が除去された領域に電極を形成する電極形成工程を含むことが好ましい。【００１５】
［８］本発明のレジストガラスは、少なくともＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３と、ＺｎＯと、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋとを実質的に含有しないことを特徴とする。【００１６】
［９］本発明のレジストガラスは、少なくともＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３と、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋと、Ｚｎとを実質的に含有しないレジストガラスあって、ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層が、上記［１］に記載のレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）又は上記［３］に記載のレジストガラス（すなわち、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラス）からなることから、後述する試験例１からも分かるように、エッチング液に対して高い耐性を有するレジストガラス層となる。その結果、本発明の半導体装置の製造方法は、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくい半導体装置の製造方法となる。【００１８】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層が、上記［１］に記載のレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）又は上記［３］に記載のレジストガラス（すなわち、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラス）からなることから、後述する試験例２からも分かるように、酸化膜除去工程でマスクとして用いたレジストガラス層をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができ、レジストガラス層を除去する工程が不要となる。その結果、高い生産性で半導体装置を製造することができる。【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１工程においては、露光工程を用いることなくレジストガラス層を形成することから露光工程が不要となる。その結果、本発明の半導体装置の製造方法は、この観点からも、高い生産性で半導体装置を製造することができる。【００２０】
その結果、本発明の半導体装置の製造方法によれば、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくく、かつ、高い生産性で半導体装置を製造することができる。【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層が、上記［１］又は上記［３］に記載のレジストガラス（すなわち、Ｐｂを実質的に含有しないレジストガラス）からなることから、酸化膜除去工程中にエッチング液によりレジストガラス層からＰｂが溶けだすことがない。従って、電極を形成する部位にＰｂが付着しなくなり、爾後の電極形成工程において電極を形成しやすくなる。【００２２】
本発明のレジストガラスは、上記［８］に記載のレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）又は上記［９］に記載のレジストガラス（すなわち、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラス）であることから、後述する試験例１からも分かるように、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、エッチング液に対して高い耐性を有するレジストガラス層を形成することができる。その結果、本発明のレジストガラスは、半導体装置を製造する過程でこれを用いたときに、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくいレジストガラスとなる。【００２３】
また、本発明のレジストガラスは、上記［８］に記載のレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）又は上記［９］に記載のレジストガラス（すなわち、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラス）であることから、後述する試験例２からも分かるように、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、レジストガラス層をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができ、レジストガラス層を除去する工程が不要となる。その結果、本発明のレジストガラスは、高い生産性で半導体装置を製造することができるレジストガラスとなる。【００２４】
また、本発明のレジストガラスによれば、半導体装置を製造する過程で本発明のレジストガラスを用いることにより、電気泳動法やスクリーン印刷法によって露光工程を用いることなくレジストガラス層を形成することができ、露光工程が不要となる。その結果、本発明のレジストガラスは、この観点からも、高い生産性で半導体装置を製造することができるレジストガラスとなる。【００２５】
その結果、本発明のレジストガラスは、半導体装置を製造する過程でこれを用いたときに、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくく、かつ、高い生産性で半導体装置を製造することができるレジストガラスとなる。【００２６】
また、本発明のレジストガラスによれば、上記［８］又は上記［９］に記載のレジストガラス（すなわち、Ｐｂを実質的に含有しないレジストガラス）であることから、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、酸化膜除去工程中にエッチング液によりレジストガラス層からＰｂが溶けだすことがない。従って、電極を形成する部位にＰｂが付着しなくなり、爾後の電極形成工程において電極を形成しやすくなる。【００２７】
なお、本発明において、少なくともある特定成分（ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３等）を含有するとは、当該ある特定成分のみを含有する場合のほか、当該ある特定成分に加えて、ガラスに通常含有可能な成分をさらに含有する場合も含む。【００２８】
また、本発明において、ある特定元素（Ｐｂ、Ａｓ，Ｓｂ等）を実質的に含有しないとは、当該ある特定元素を成分として含有しないという意味であり、レジストガラスを構成する各成分の原料中に不純物として上記特定元素が混入したレジストガラスを排除するものではない。【００２９】
また、本発明において、ある特定元素（Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ等）を含有しないとは、当該ある特定元素の酸化物、当該ある特定元素の窒化物などを含有しないことをいう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１（ａ）〜図１（ｄ）は各工程図である。
【図２】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図２（ａ）〜図２（ｄ）は各工程図である。
【図３】実施形態１に係る半導体装置の製造方法の効果を説明するために示す図である。図３（ａ）は酸化膜除去工程における第３工程を実施する直前の図であり、図３（ｂ）は酸化膜除去工程における第３工程を実施した直後の図である。
【図４】実施形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図４（ａ）〜図４（ｄ）は各工程図である。
【図５】実施形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図５（ａ）〜図５（ｄ）は各工程図である。
【図６】試験例１に用いた各試料の諸元及び試験例１の評価結果を示す図表である。
【図７】試験例２に用いた各試料の諸元及び試験例２の評価結果を示す図表である。
【図８】半導体装置における逆方向特性を示す図である。図８（ａ）は試料４（実施例）の逆方向特性を示す図であり、図８（ｂ）は試料５（実施例）の逆方向特性を示す図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図９（ａ）〜図９（ｅ）は各工程図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明するために示す図である。図１０（ａ）はフォトレジスト形成工程を実施した直後の図であり、図１０（ｂ）は酸化膜除去工程を実施した直後の図であり、図１０（ｃ）はフォトレジスト除去工程を実施した直後の図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の半導体装置の製造方法及びレジストガラスについて、図に示す実施形態に基づいて説明する。
【００３２】
［実施形態１］
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、図１及び図２に示すように、半導体基板準備工程と、溝形成工程と、酸化膜除去工程と、粗面化領域形成領域と、電極形成工程と、半導体基板切断工程とをこの順序で実施する。以下、実施形態１に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
【００３３】
（ａ）半導体基板準備工程
まず、ｎ−型半導体基板（ｎ−型シリコン基板）１１０の一方の表面からのｐ型不純物の拡散によりｐ＋型半導体層１１２を形成し、他方の表面からのｎ型不純物の拡散によりｎ＋型半導体層１１４を形成して、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基板を形成する。その後、熱酸化によりｐ＋型半導体層１１２及びｎ＋型半導体層１１４の表面に酸化膜１１６，１１８を形成する（図１（ａ）参照。）。
【００３４】
（ｂ）溝形成工程
次に、フォトエッチング法によって、酸化膜１１６の所定領域に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体基板のエッチングを行い、半導体基板の一方の表面からｐｎ接合を超える深さの溝１２０を形成する（図１（ｂ）参照。）。これにより、溝１２０の内部にｐｎ接合露出部を形成する。
【００３５】
（ｃ）酸化膜除去工程
次に、半導体基板１１０の表面に形成された酸化膜１１６を部分的に除去する。酸化膜除去工程は、レジストガラス層１２４を形成する第１工程と、レジストガラス層１２４を緻密化する第２工程と、レジストガラス層１２４をマスクとして酸化膜１１６を部分的に除去する第３工程とをこの順序で含む。なお、酸化膜除去工程の後には、レジストガラス層１２４を除去する工程を含まず、レジストガラス層１２４をそのままパッシベーション用のガラスとして用いる。
【００３６】
（ｃ−１）第１工程
まず、電気泳動法によって、露光工程を用いることなく酸化膜１１６の上面のうち溝の周囲の領域及び溝の内面にレジストガラス層１２４を形成する（図１（ｃ）参照。）。従って、溝１２０の内部におけるｐｎ接合露出部はレジストガラス層１２４により直接被覆された状態となる。
【００３７】
レジストガラス層１２４は、少なくともＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３と、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋと、Ｚｎとを実質的に含有しないレジストガラスからなる。具体的には、レジストガラス層１２４は、上記原料を溶融させて得られる融液から作製されたガラス微粒子からなり、かつ、上記原料のうちいずれの成分もフィラーとして含まないレジストガラスからなる。
【００３８】
レジストガラスは、ＳｉＯ２の含有量が５８ｍｏｌ％〜７２ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が７ｍｏｌ％〜１７ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が７ｍｏｌ％〜１７ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にある。
【００３９】
（ｃ−２）第２工程
次に、レジストガラス層１２４を所定温度条件で焼成してレジストガラス層１２４を緻密化する（図１（ｄ）参照。）。
【００４０】
（ｃ−３）第３工程
次に、レジストガラス層１２４をマスクとして酸化膜１１６の上面のうち溝の周囲の領域以外の領域（Ｎｉめっき電極膜を形成する領域１３０）の酸化膜１１６を除去する（図２（ａ）参照。）。第３工程においては、フッ酸を含むエッチング液（例えば、バッファードフッ酸）を用いて酸化膜１１６を除去する。
【００４１】
（ｄ）粗面化領域形成工程
次に、酸化膜除去工程において酸化膜１１６が除去された領域（Ｎｉめっき電極膜を形成する領域１３０）における半導体基板１１０表面の粗面化処理を行い、Ｎｉめっき電極と半導体基板との密着性を高くするための粗面化領域１３２を形成する（図２（ｂ）参照。）。
【００４２】
（ｅ）電極形成工程
次に、半導体基板にＮｉめっきを行い、粗面化領域１３２上（第３工程において酸化膜１１６が除去された領域上）にアノード電極１３４を形成するとともに、半導体基板１１０の他方の表面にカソード電極１３６を形成する（図２（ｃ）参照。）。
【００４３】
（ｆ）半導体基板切断工程
次に、ダイシング等により、レジストガラス層１２４の中央部において半導体基板を切断して半導体基板をチップ化して、メサ型半導体素子（ｐｎダイオード）１００を製造する（図２（ｄ）参照。）。
【００４４】
以上のようにして、実施形態１に係る半導体装置１０を製造することができる。
【００４５】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層１２４が、上記記載のレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）からなることから、後述する試験例１の試料１の結果からも分かるように、エッチング液に高い耐性を有するレジストガラス層となる。その結果、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合（図１０において破線枠Ａで囲まれた部分参照。）が生じにくい半導体装置の製造方法となる。
【００４６】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層１２４が、上記記載のレジストガラスからなることから、後述する試験例２の試料４及び５の結果からも分かるように、酸化膜除去工程においてレジストガラス層１２４をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができ、レジストガラス層１２４を除去する工程が不要となる。その結果、高い生産性で半導体装置を製造することができる。
【００４７】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、第１工程においては、露光工程を用いることなくレジストガラス層１２４を形成することから露光工程が不要となる。その結果、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、この観点からも、高い生産性で半導体装置を製造することができる。
【００４８】
その結果、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくく、かつ、高い生産性で半導体装置を製造することができる。
【００４９】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層１２４が、上記記載のレジストガラス（すなわち、Ｐｂを実質的に含有しないレジストガラス）からなることから、酸化膜除去工程（第３工程）で用いるエッチング液によりレジストガラス層１２４からＰｂが溶けだすことがない。従って、電極を形成する部位１３０にＰｂが付着しなくなり、爾後の電極形成工程において電極を形成しやすくなる。
【００５０】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、レジストガラスは、ＳｉＯ２の含有量が５８ｍｏｌ％〜７２ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が７ｍｏｌ％〜１７ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が７ｍｏｌ％〜１７ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあることから、後述する試験例２の試料４及び５の結果からも分かるように、レジストガラス層１２４が、優れた性質を有するパッシベーション用のガラス層（例えば、適正な温度で焼成でき、かつ、工程で使用する薬品に耐え、かつ、工程中におけるウェーハのそりを防止するためにシリコンの線膨張率に近い線膨張率を有し、かつ、優れた絶縁性を有するガラス層）となる。
【００５１】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、酸化膜除去工程の後には、レジストガラス層を除去する工程を含まないため、より一層高い生産性で半導体装置を製造することができる。
【００５２】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、第３工程においては、フッ酸を含むエッチング液を用いて酸化膜１１６を除去するため、酸化膜１１６を効率よく除去することができる。なお、レジストガラス層１２４は、上記したレジストガラスからなるため、フッ酸を含むエッチング液に高い耐性を有する。よって、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、第３工程においてフッ酸を含むエッチング液を用いて酸化膜１１６を除去しても、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくい半導体装置の製造方法となる。
【００５３】
ところで、従来の半導体装置の製造方法においては、フォトレジスト層９２４をマスクとして酸化膜を除去するため、ガラス層９２２の端部近傍の酸化膜を除去することが難しい（図１０（ｂ）及び（ｃ）において破線枠Ｂで囲まれた部分参照。）。しかしながら、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、第１工程においては、電気泳動法によって、酸化膜の上面のうち溝の周囲の領域及び溝の内面にレジストガラス層を形成し、かつ、第３工程においては、レジストガラス層をマスクとして酸化膜を除去することから、レジストガラス層１２４の端部までの酸化膜を除去することができる（図３（ｂ）の破線枠Ｂで囲まれた領域参照。）。従って、従来の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置よりも広い面積の電極を形成することができ、その結果、順方向特性が良好な半導体装置を製造することができる。
【００５４】
実施形態１に係るレジストガラスは、上記記載のレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）であることから、後述する試験例１からも分かるように、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、エッチング液に対して高い耐性を有するレジストガラス層１２４を形成することができる。その結果、実施形態１に係るレジストガラスは、半導体装置を製造する過程でこれを用いたときに、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくいレジストガラスとなる。
【００５５】
また、実施形態１に係るレジストガラスは、上記記載のレジストガラスであることから、後述する試験例２の試験例４及び５の結果からも分かるように、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、レジストガラス層１２４をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができ、レジストガラス層１２４を除去する工程が不要となる。その結果、実施形態１に係るレジストガラスは、高い生産性で半導体装置を製造することができるレジストガラスとなる。
【００５６】
また、実施形態１に係るレジストガラスによれば、半導体装置を製造する過程で実施形態１に係るレジストガラスを用いることにより、電気泳動法やスクリーン印刷法によって露光工程を用いることなくレジストガラス層を形成することができ、露光工程が不要となる。その結果、実施形態１に係るレジストガラスは、この観点からも、高い生産性で半導体装置を製造することができるレジストガラスとなる。
【００５７】
その結果、実施形態１に係るレジストガラスは、半導体装置を製造する過程で用いたときに酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくく、かつ、高い生産性で半導体装置を製造することができるレジストガラスとなる。
【００５８】
また、実施形態１に係るレジストガラスによれば、上記記載のレジストガラス（すなわち、Ｐｂを実質的に含有しないレジストガラス）であることから、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、酸化膜除去工程中にエッチング液によりレジストガラス層からＰｂが溶けだすことがない。従って、電極を形成する部位にＰｂが付着しなくなり、爾後の電極形成工程において電極を形成しやすくなる。
【００５９】
［実施形態２］
実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を有するが、レジストガラス層の組成が実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なる。すなわち、実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、レジストガラス層は、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラスからなり、具体的には、少なくともＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３と、ＺｎＯと、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋとを実質的に含有せず、ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラスからなる。
【００６０】
このように、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、レジストガラス層の組成が実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、レジストガラス層が、上記記載のレジストガラス（すなわち、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラス）からなることから、後述する試験例１の試料２の結果からも分かるように、実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様にエッチング液に対して高い耐性を有するレジストガラス層となる。その結果、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくい半導体装置の製造方法となる。
【００６１】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層が、上記記載のレジストガラスからなることから、後述する試験例２の試料６及び７の結果からも分かるように、酸化膜除去工程においてレジストガラス層をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができ、レジストガラス層を除去する工程が不要となる。その結果、高い生産性で半導体装置を製造することができる。
【００６２】
なお、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、レジストガラス層の組成以外の点においては実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を有するため、実施形態１に係る半導体装置の製造方法が有する効果のうち該当する効果を有する。
【００６３】
［実施形態３］
実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を有するが、製造される半導体装置が、プレーナ型の半導体装置である点が実施形態１に係る半導体装置の製造方法とは異なる。すなわち、実施形態３に係る半導体装置の製造方法においては、図４及び図５に示すように、製造される半導体装置が、表面にｐｎ接合が露出するｐｎ接合露出部を有する半導体基板を備えるプレーナ型の半導体装置（ｐｎダイオード）である。
【００６４】
実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、図４及び図５に示すように、「半導体基板準備工程」、「ｐ＋型半導体層形成工程」、「ｎ＋型半導体層形成工程」、「酸化膜形成工程」、「酸化膜除去工程」、「電極形成工程」及び「半導体基板切断工程」をこの順序で実施する。以下、実施形態３に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
【００６５】
（ａ）半導体基板準備工程
まず、ｎ＋型半導体層（ｎ＋型シリコン基板）２１０上にｎ−型半導体層（ｎ−型エピタキシャル層）２１２が積層された半導体基板を準備する（図４（ａ）参照。）。
【００６６】
（ｂ）ｐ＋型半導体層形成工程
次に、マスクＭ１を形成した後、当該マスクＭ１を介してｎ−型半導体層２１２の表面における所定領域にイオン注入法によりｐ型不純物（例えばボロンイオン）を導入する。その後、熱拡散することにより、ｐ＋型半導体層２１４を形成する（図４（ｂ）参照。）。このとき、半導体基板の表面にｐｎ接合露出部が形成される。
【００６７】
（ｃ）ｎ＋型半導体層形成工程
次に、マスクＭ１を除去するとともにマスクＭ２を形成した後、当該マスクＭ２を介してｎ−型半導体層２１２の表面における所定領域にイオン注入法によりｎ型不純物（例えばヒ素イオン）を導入する。その後、熱拡散することにより、ｎ＋型半導体層２１６を形成する（図４（ｃ）参照。）。
【００６８】
（ｄ）酸化膜形成工程
次に、マスクＭ２を除去した後、ドライ酸素（ＤｒｙＯ２）を用いた熱酸化法によって、ｎ−型エピタキシャル層２１２の表面（及びｎ＋型シリコン基板２１０の裏面）にシリコン酸化膜からなる酸化膜２１５を形成する（図４（ｄ）参照。）。酸化膜２１５の厚さは、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内（例えば２０ｎｍ）とする。酸化膜２１５の形成は、半導体基板を拡散炉に入れた後、酸素ガスを流しながら９００℃の温度で１０分処理することにより行う。なお、酸化膜２１５の厚さが５ｎｍ未満であると製造される半導体装置の逆方向電流低減の効果が得られなくなる場合がある。
【００６９】
（ｅ）酸化膜除去工程
次に、半導体基板の表面に形成された酸化膜２１５を部分的に除去する。酸化膜除去工程は、露光工程を用いることなく酸化膜２１５の上面にレジストガラス層２１７を選択的に形成する第１工程と、レジストガラス層２１７を焼成して当該レジストガラス層２１７を緻密化する第２工程と、レジストガラス層２１７をマスクとして酸化膜２１５を部分的に除去する第３工程とを含む。なお、酸化膜除去工程の後には、レジストガラス層２１７を除去する工程を含まない。
（ｅ−１）第１工程
まず、スクリーン印刷法によって、酸化膜２１５の上面のうち酸化膜２１５を介してｐｎ接合露出部を覆う領域に露光工程を用いることなくレジストガラス層２１７を形成する（図５（ａ）参照。）。
（ｅ−２）第２工程
次に、レジストガラス層２１７を所定温度条件で焼成して当該レジストガラス層２１７を緻密化する（図５（ｂ）参照。）
（ｅ−３）第３工程
次に、レジストガラス層２１７をマスクとして酸化膜２１５を部分的に除去する（図５（ｃ）参照。）。第３工程においては、フッ酸を含むエッチング液（例えば、バッファードフッ酸）を用いて酸化膜２１５を除去する。
【００７０】
（ｆ）電極形成工程
次に、半導体基板の表面における酸化膜２１５が除去された領域にアノード電極２１８を形成するとともに、半導体基板の裏面にカソード電極２２０を形成する（図５（ｄ）参照。）。
【００７１】
（ｇ）半導体基板切断工程
次に、ダイシング等により、半導体基板を切断して半導体基板をチップ化して、半導体装置２００を製造する（図示せず。）。
【００７２】
以上のようにして、高信頼性のプレーナ型の半導体装置（実施形態３における半導体装置）２００を製造することができる。
【００７３】
このように、実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、製造される半導体装置が、メサ型半導体装置ではなくプレーナ型の半導体装置である点で実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合と同様に、レジストガラス層２１７が、上記記載のレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）からなることから、エッチング液に対して高い耐性を有するレジストガラス層となる。その結果、実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくい半導体装置の製造方法となる。
【００７４】
また、実施形態３に係る半導体装置の製造方法によれば、レジストガラス層２１７が、上記記載のレジストガラスからなることから、酸化膜除去工程においてレジストガラス層２１７をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができ、レジストガラス層２１７を除去する工程が不要となる。その結果、高い生産性で半導体装置を製造することができる。
【００７５】
その結果、実施形態３に係る半導体装置の製造方法によれば、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくく、かつ、高い生産性で半導体装置を製造することができる。
【００７６】
なお、実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、製造される半導体装置が、メサ型半導体装置ではなくプレーナ型の半導体装置である点以外の点においては実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を有するため、実施形態１に係る半導体装置の製造方法が有する効果のうち該当する効果を有する。
【００７７】
［試験例］
＜試験例１＞
試験例１は、「本発明のレジストガラスは、エッチング液に対して高い耐性を有するレジストガラス層を形成することができる」ことを確かめるための試験例である。
【００７８】
１．試料の調製
（１）試料１（実施例）
実施形態１に係るレジストガラスと同様のレジストガラスを用いて、電気泳動法により鏡面のシリコンウェーハの表面にレジストガラス層を形成し、当該レジストガラス層を焼成した後、シリコンウェーハを１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに切り出して、試料１とした。
【００７９】
（２）試料２（実施例）
実施形態２に係るレジストガラスと同様のレジストガラスを用いて、電気泳動法により鏡面のシリコンウェーハの表面にレジストガラス層を形成し、当該レジストガラス層を焼成した後、シリコンウェーハを１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに切り出して、試料２とした。
【００８０】
（３）試料３（比較例）
一般的な鉛含有ガラスを用いて、電気泳動法により鏡面のシリコンウェーハの表面にレジストガラス層を形成し、当該レジストガラス層を焼成した後、シリコンウェーハを１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに切り出して、試料３とした。
【００８１】
２．評価方法
各試料（試料１〜３）のレジストガラス層形成面に４ｍｍφの開口を有する有機レジストを形成した。その後、各試料をバッファードフッ酸溶液（ＨＦ：ＨＮ４＝１：１０）に１０分間浸漬した後、有機レジストを除去し、エッチング部と非エッチング部との段差（４箇所）を焦点深度法によって測定した。その結果、測定した箇所における段差の平均値が６．０μｍ以下の場合に「○」の評価を与え、測定した箇所における段差の平均値が６．０μｍを超える場合に「×」の評価を与えた。
【００８２】
３．評価結果
図６からも分かるように、試料１（実施例）においては、上記した段差の平均値は１μｍ以下であり、試料２（実施例）においては、上記した段差の平均値は１μｍ〜２μｍの範囲内にある。従って、ともに評価基準を満たしていたためともに「○」の評価を与えた。これに対して、試料３（比較例）においては、上記した段差の平均値は１２〜１５μｍの範囲内にあるため「×」の評価を与えた。
【００８３】
このことから、「本発明のレジストガラスは、エッチング液に対して高い耐性を有するレジストガラス層を形成することができる」ことが確認できた。従って、「本発明のレジストガラスは、半導体装置を製造する過程でこれを用いたときに、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくいレジストガラスとなる」ことが分かった。
【００８４】
＜試験例２＞
試験例２は、「本発明のレジストガラスは、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、レジストガラス層をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができる」ことを確かめるための試験例である。
【００８５】
１．試料の調整
試料４〜７（実施例）及び試料８〜１０（比較例）に示す組成比（図７参照。）になるように原料を調合し、混合機でよく攪拌した後、その混合した原料を白金ルツボに入れ、電気炉中で所定温度（１３５０℃〜１５５０℃）に上昇させて２時間溶融させた。その後、融液を水冷ロールに流し出して薄片状のガラスフレークを得た。このガラスフレークをボールミルで平均粒径が５μｍとなるまで粉砕して、粉末状のレジストガラスを得た。
【００８６】
なお、試料４〜７（実施例）において使用した原料は、ＳｉＯ２、Ｈ３ＢＯ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣａＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＭｇＯ、ＮｉＯ、及びＺｒＯ２である。
【００８７】
２．評価
上記方法により得た各レジストガラスを用いて以下の評価項目により評価した。
【００８８】
（１）評価項目１（焼成温度）
各レジストガラスを用いてレジストガラス層を形成し、当該レジストガラス層を焼成してレジストガラス層を緻密化するときの温度（焼成温度）を測定した。焼成温度が高すぎると製造中の半導体装置に与える影響が大きくなるため、焼成温度が１０００℃以下である場合に「○」の評価を与え、焼成温度が１０００℃を超える場合に「×」の評価を与えた。
【００８９】
（２）評価項目２（耐薬品性）
レジストガラスが王水、めっき液及びフッ酸の全てに対して難溶性を示す場合に「○」の評価を与え、王水、めっき液及びフッ酸のうちの少なくとも１つに対して溶解性を示す場合に「×」の評価を与えた。このうち、フッ酸に対して難溶性を示すか否かの試験は、以下の２つの試験方法（試験方法１及び２）により実施した。
【００９０】
（２−１）試験方法１
各レジストガラスを用いて電気泳動法により鏡面のシリコンウェーハの表面にレジストガラス層を形成し、当該レジストガラス層を焼成した後、シリコンウェーハを１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに切り出して試験片とした。その後、各試験片をフッ酸溶液（６％）に５分間浸漬し、浸漬前後の重量変化を測定した。
【００９１】
（２−２）試験方法２
各レジストガラスを用いて電気泳動法により鏡面のシリコンウェーハの表面にレジストガラス層を形成し、当該レジストガラス層を焼成した後、シリコンウェーハを１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズの試料を作製した。その後、これらの試料のレジストガラス層形成面に４ｍｍφの開口を有する有機レジストを形成し、これを試験片とした。その後、各試験片をフッ酸溶液（６％）に５分間浸漬した後、有機レジストを除去し、エッチング部と非エッチング部との段差（４箇所）を焦点深度法により測定した。
【００９２】
（２−３）評価項目２における評価
試験方法１において、試験片の重量変化が２．０ｍｇ以下であり、かつ、試験方法２において、測定した４箇所における段差の平均値が６．０μｍ以下の場合に「○」の評価を与え、試験方法１において、試験片の重量変化が２．０ｍｇを超えた場合、及び、試験方法２において、測定した４箇所における段差の平均値が６．０μｍを超えた場合の少なくともいずれかの場合に「×」の評価を与えた。
【００９３】
（３）評価項目３（平均線膨張率）
上記した「１．試料の調整」に記載された方法によって作製されたレジストガラスの融液から薄片状のレジストガラス板を作製し、当該薄片状のレジストガラス板を用いて、５０℃〜５５０℃におけるレジストガラスの平均線膨張率を測定した。平均線膨張率の測定は、島津製作所製の熱機械分析装置ＴＭＡ−６０を用いて、長さ２０ｍｍのシリコン単結晶を標準試料として、全膨張測定法（昇温速度１０℃／分）により行った。その結果、５０℃〜５５０℃における平均線膨張率とシリコンの線膨張率（３．７３×１０−６）との差が「０．５×１０−６」以下の場合に「○」の評価を与え、当該差が「０．５×１０−６」を超える場合に「×」の評価を与えた。なお、図７の評価項目４の欄中、括弧内の数字は、５０℃〜５５０℃におけるレジストガラスの平均線膨張率×１０−６の値を示す。
【００９４】
（４）評価項目４（絶縁性）
レジストガラスとして、試料４〜１０のレジストガラスを用いた点以外の点は実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の方法によって耐圧６００Ｖ級の半導体装置（ｐｎダイオード）を作製し、作製した半導体装置の逆方向特性を測定した（試料４及び５については図８参照。）。ただし、試料７（実施例）においては、溝の内表面に絶縁膜（熱酸化膜）を形成した後に、当該絶縁膜上にレジストガラス層を形成した。また、試料８〜１０（比較例）においては、レジストガラス層をマスクとする代わりにレジストガラス層の上に形成したフォトレジスト層をマスクとして酸化膜を除去した。その結果、半導体装置の逆方向特性が正常範囲にある場合に「○」の評価を与え、半導体装置の逆方向特性が正常範囲にない場合に「×」の評価を与えた。
【００９５】
（５）総合評価
上記した評価項目１〜４についての各評価がすべて「○」の場合に「○」の評価を与え、各評価のうち１つでも「×」がある場合に「×」の評価を与えた。
【００９６】
３．評価結果
図７からも分かるように、試料８〜１０（比較例）に係るレジストガラスはいずれも、いずれかの評価項目で「×」の評価があり、「×」の総合評価が得られた。すなわち、試料８〜１０（比較例）に係るレジストガラスは、評価項目２で「×」の評価が得られた。また、試料９（比較例）に係るレジストガラスは、評価項目３でも「×」の評価が得られた。
【００９７】
これに対して、試料４〜７（実施例）に係るレジストガラスはいずれも、すべての評価項目（評価項目１〜４）について「○」の評価が得られた。その結果、試料４〜７（実施例）に係るレジストガラスはいずれも、パッシベーション用のガラスとしての条件、すなわち、（ａ）適正な温度（例えば１０００℃以下）で焼成できること、（ｂ）工程で使用する薬品に耐えること、（ｃ）シリコンの線膨張率に近い線膨張率を有すること（特に５０℃〜５５０℃における平均線膨張率がシリコンの線膨張率に近いこと）及び（ｄ）優れた絶縁性を有することという条件、をすべて満たすレジストガラスであることが分かった。
【００９８】
このことから、「本発明のレジストガラスは、半導体装置を製造する過程でこれを用いることにより、レジストガラス層をそのままパッシベーション用のガラス層として用いることができる」ことが確認できた。従って、レジストガラス層を除去する工程が不要となるため、本発明のレジストガラスは、高い生産性で半導体装置を製造することができるレジストガラスであることが分かった。
【００９９】
以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【０１００】
（１）上記実施形態において記載した構成要素の数、材質、形状、位置、大きさ等は例示であり、本発明の効果を損なわない範囲において変更することが可能である。
【０１０１】
（２）上記実施形態３においては、実施形態１に係るレジストガラス（すなわち、Ｚｎを実質的に含有しないレジストガラス）を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、実施形態２に係るレジストガラス（すなわち、ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラス）を用いてもよい。
【０１０２】
（３）上記実施形態１においては電気泳動法を用いてレジストガラス層を形成し、上記実施形態３においてはスクリーン印刷法を用いてレジストガラス層を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。その他の適宜の方法（例えば、スピンコート法、ドクターブレード法その他のレジストガラス層形成方法）を用いてレジストガラス層を形成してもよい。
【０１０３】
（４）上記実施形態１においては、溝の内面に直接レジストガラス層を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、溝の内面に絶縁膜（熱酸化膜）を形成した後にレジストガラス層を形成しても良い。この場合には、半導体基板とレジストガラス層との間に半導体基板よりも濡れ性の高い絶縁膜が介在するようになることから、レジストガラス層を焼成する過程で半導体基板とレジストガラス層との境界面から泡が発生し難くなる。このため、そのような泡の発生を、ニッケル酸化物等の脱泡作用のある成分を添加することなく又は添加するとしても少ない添加量（例えば２．０ｍｏｌ％以下）で、抑制することができる。
【０１０４】
（５）上記各実施形態においては、ダイオード（メサ型のｐｎダイオード及びプレーナ型のｐｎダイオード）の製造方法を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。ダイオード以外の半導体装置（例えば、サイリスター、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等）の製造方法に本発明を適用することもできる。
【０１０５】
（６）上記各実施形態においては、半導体基板としてシリコン基板を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、ＧａＯ基板などの半導体基板を用いることもできる。
【符号の説明】
【０１０６】
１００，２００，９００…半導体装置、１１０，９１０…ｎ−型半導体基板、１１２，９１２…ｐ＋型拡散層、１１４，９１４…ｎ−型拡散層、１１６，１１８，２１５，９１６，９１８…酸化膜、１２０，９２０…溝、１２２，２１７…レジストガラス層、１３０，９３０…Ｎｉめっき電極膜を形成する領域、１３２，９３２…粗面化領域、１３４，９３４…アノード電極、１３６，９３６…カソード電極、２１０…ｎ＋型半導体基板、２１２…ｎ−型エピタキシャル層、２１４…ｐ＋型拡散層、２１６…ｎ＋型拡散層、２１８…アノード電極層、２２０…カソード電極層
【図１】
0006588028.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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