(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定コイルの近接効果損を測定する近接効果損測定方法であって、
内部に前記被測定コイルを収容可能な測定用ソレノイドの抵抗を測定する第１ステップと、
前記測定用ソレノイドの内部に前記被測定コイルを配置して前記測定用ソレノイドの抵抗を測定する第２ステップと、
前記第２ステップで測定された抵抗の、前記第１ステップで測定された抵抗からの増加分を前記被測定コイルの近接効果損として算出する第３ステップと
を有することを特徴とする近接効果損測定方法。
【請求項２】
前記被測定コイルは、軸が前記測定用ソレノイドの軸と一致するように、前記測定用ソレノイドの内部に配置されることを特徴とする請求項１記載の近接効果損測定方法。
【請求項３】
前記測定用ソレノイドは、円筒状のボビンに巻回されており、
前記被測定コイルの外径は、前記ボビンの内径とほぼ同じ大きさに設定されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の近接効果損測定方法。
【請求項４】
前記測定用ソレノイドは、平板状の巻線が前記ボビンに螺旋状に巻回されてなるものであることを特徴とする請求項３記載の近接効果損測定方法。
【請求項５】
被測定コイルの近接効果損を測定する近接効果損測定装置であって、
内部に前記被測定コイルを収容可能な測定用ソレノイドと、
前記被測定コイルが前記測定用ソレノイドの内部に配置されていない場合の前記測定用ソレノイドの抵抗と、前記被測定コイルが前記測定用ソレノイドの内部に配置されている場合の前記測定用ソレノイドの抵抗とを測定し、測定された抵抗の差分に基づいて前記被測定コイルの近接効果損を測定する測定装置と
を備えることを特徴とする近接効果損測定装置。
【請求項６】
前記測定用ソレノイドは、円筒状の第１ボビンに巻回されており、
前記被測定コイルの外径は、前記第１ボビンの内径とほぼ同じ大きさに設定されている
ことを特徴とする請求項５記載の近接効果損測定装置。
【請求項７】
前記測定用ソレノイドは、平板状の巻線が前記第１ボビンに螺旋状に巻回されてなるものであることを特徴とする請求項６記載の近接効果損測定装置。
【請求項８】
前記被測定コイルは、外径が前記第１ボビンの内径よりも小であり、外周に螺旋状の溝が形成された円筒状の第２ボビンと、
前記溝に沿うように前記第２ボビンに螺旋状に巻回された被測定用線材と
からなることを特徴とする請求項６又は請求項７記載の近接効果損測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接効果損測定方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コイルの交流抵抗は、表皮効果に起因する抵抗と近接効果に起因する抵抗とを足し合わせたものであり、表皮効果と近接効果に起因する抵抗は、周波数が高くなるに従って大きくなる。ここで、表皮効果は、交流電流が導体を流れるときに交流電流が導体の表面に偏って流れる現象であり、近接効果は、近接する導体から発生した磁界の影響によって導体内部に渦電流が発生し、交流電流が導体の両側又は片側に偏って流れる現象である。
【０００３】
表皮効果及び近接効果を抑制する代表的な対策として、素線の細径化、或いは各素線を絶縁被覆したリッツ線の採用等が挙げられる。つまり、細径の素線やリッツ線を用いてコイルを形成すれば、コイルの交流抵抗を低減することができる。以下の非特許文献１，２には、近接効果に起因する損失（近接効果損）を解析する解析式が挙げられている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】C. R. Sullivan, "Aluminum windings and other strategies for high frequency magnetics design in an era of high copper and energy costs," IEEE Trans. Power Electron., vol. 23, no.4, pp. 2044- 2051
【非特許文献２】N. Guan他，"AC resistance of copper clad aluminum wires," IEICE Trans. Commun., vol. E96-B, no. 10, pp. 2462-2468, 2013.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近接効果損を求める従来の方法としては、以下に示す３つの方法が挙げられる。
【０００６】
（１）第１の方法
コイルの交流抵抗と表皮効果による抵抗とをそれぞれ測定し、コイルの交流抵抗の測定結果から、表皮効果による抵抗の測定結果を減算して近接効果損を間接的に求める方法
（２）第２の方法
コイルの交流抵抗を測定する一方で、表皮効果による抵抗を計算により求め、コイルの交流抵抗の測定結果から、表皮効果による抵抗の計算結果を減算して近接効果損を間接的に求める方法
（３）第３の方法
有限要素法等の手法によって、近接効果損を解析的に求める方法
【０００７】
ここで、上記（２）の方法では、表皮効果による抵抗を計算により求めており、上記（３）の方法では、近接効果損を解析的に求めていることから、物理特性等のパラメータについて仮定をおく必要がある。すると、上記（２），（３）の方法で得られた近接効果損は、仮定に基づくものであり、必ずしも正しいものではない場合もあり得ることから、最終的に得られた近接効果損の妥当性に疑義の余地が残ってしまうという問題がある。
【０００８】
上述の通り、近接効果損を解析的に求める場合には、近接効果損の妥当性に疑義の余地が残ることから、コイルの近接効果損を直接的に測定する技術が要求されている。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、被測定コイルの近接効果損を直接的に測定することが可能な近接効果損測定方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の近接効果損測定方法は、被測定コイル（３０）の近接効果損を測定する近接効果損測定方法であって、内部に前記被測定コイルを収容可能な測定用ソレノイド（１０）の抵抗を測定する第１ステップ（Ｓ１１）と、前記測定用ソレノイドの内部に前記被測定コイルを配置して前記測定用ソレノイドの抵抗を測定する第２ステップ（Ｓ１２、Ｓ１３）と、前記第２ステップで測定された抵抗の、前記第１ステップで測定された抵抗からの増加分を前記被測定コイルの近接効果損として算出する第３ステップ（Ｓ１４）とを有することを特徴としている。
また、本発明の近接効果損測定方法は、前記被測定コイルが、軸が前記測定用ソレノイドの軸と一致するように、前記測定用ソレノイドの内部に配置されることを特徴としている。
また、本発明の近接効果損測定方法は、前記測定用ソレノイドが、円筒状のボビン（１１）に巻回されており、前記被測定コイルの外径が、前記ボビンの内径とほぼ同じ大きさに設定されていることを特徴としている。
また、本発明の近接効果損測定方法は、前記測定用ソレノイドが、平板状の巻線（１２）が前記ボビンに螺旋状に巻回されてなるものであることを特徴としている。
本発明の近接効果損測定装置は、被測定コイル（３０）の近接効果損を測定する近接効果損測定装置（１）であって、内部に前記被測定コイルを収容可能な測定用ソレノイド（１０）と、前記測定用ソレノイドの抵抗を測定する測定装置（２０）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の近接効果損測定装置は、前記測定用ソレノイドが、円筒状の第１ボビン（１１）に巻回されており、前記被測定コイルの外径が、前記第１ボビンの内径とほぼ同じ大きさに設定されていることを特徴としている。
また、本発明の近接効果損測定装置は、前記測定用ソレノイドが、平板状の巻線（１２）が前記第１ボビンに螺旋状に巻回されてなるものであることを特徴としている。
また、本発明の近接効果損測定装置は、前記被測定コイルが、外径が前記第１ボビンの内径よりも小であり、外周に螺旋状の溝（３１ａ）が形成された円筒状の第２ボビン（３１）と、前記溝に沿うように前記第２ボビンに螺旋状に巻回された被測定用線材（３２）とからなることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、測定用ソレノイドの抵抗を測定し、測定用ソレノイドの内部に被測定コイルを配置して測定用ソレノイドの抵抗を測定し、抵抗の増加分を被測定コイルの近接効果損として算出するようにしているため、被測定コイルの近接効果損を直接的に測定することが可能であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による近接効果損測定装置の要部構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態で用いられる被測定コイルのボビンの一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態による近接効果損測定方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施例１における近接効果損の測定値及び計算値を示す図である。
【図５】本発明の実施例２における近接効果損の測定値及び計算値を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による近接効果損測定方法及び装置について詳細に説明する。
【００１４】
〔近接効果損測定装置〕
図１は、本発明の一実施形態による近接効果損測定装置の要部構成を模式的に示す図である。図１に示す通り、本実施形態の近接効果損測定装置１は、測定用ソレノイド１０と測定装置２０とを備えており、測定装置２０によって測定用ソレノイド１０の抵抗（交流抵抗）を測定することにより、被測定コイル３０の近接効果損を測定するための装置である。具体的に、近接効果損測定装置１は、被測定コイル３０が測定用ソレノイド１０の内部に配置されていない場合の抵抗と、被測定コイル３０が測定用ソレノイド１０の内部に配置されている場合の抵抗とをそれぞれ測定する。
【００１５】
ここで、上記の近接効果損は、近接する導体（線材）により生成される磁界が印加されて、導体（線材）の内部に誘導される渦電流が流れることによるジュール損に由来する損失である。一般的に、近接効果損は単位強度の磁界が印加されたときに、線材の内部で発生する損失として定義される。
【００１６】
測定用ソレノイド１０は、その内部に被測定コイル３０を収容可能な大きさを有する円筒形状のソレノイドである。この測定用ソレノイド１０は、円筒状のボビン１１（第１ボビン）の外周に平板状の巻線１２が螺旋状に巻回されてなるものである。ボビン１１は、例えば樹脂又はガラス等の非磁性材料によって形成された円筒形状の部材であり、開口端１１ａを介して内部に被測定コイル３０を挿入することが可能である。巻線１２は、例えば平板状のリッツ線又は平板状の銅線（銅製テープ）等を用いることができる。
【００１７】
ここで、巻線１２として平板状のものを用いるのは、被測定コイル３０の近接効果損を測定するために必要となる均一な磁界を、測定用ソレノイド１０の内部に形成するためである。尚、巻線１２の一端及び他端は、測定装置２０に設けられた複数の測定端子２１に接続される。
【００１８】
測定装置２０は、複数の測定端子２１及び表示部２２を備えており、測定端子２１に接続された測定用ソレノイド１０の抵抗を測定し、その測定結果を表示部２２に表示する。測定用ソレノイド１０の抵抗を測定する際には、必要とされる精度に応じて２端子法又は４端子法を選択することができる。ここで、被測定コイル３０の近接効果損は、被測定コイル３０が測定用ソレノイド１０の内部に配置されている場合と配置されていない場合との差分（増加分）によって測定されるため、測定装置２０は、測定用ソレノイド１０の抵抗の測定結果の差分を表示部２２に表示する機能を備えるのが好ましい。表示部２２は、例えば液晶表示装置等の表示装置を備えており、測定端子２１に接続された測定用ソレノイド１０の測定結果を表示する。尚、測定装置２０としては、例えばＬＣＲメータを用いることも可能である。
【００１９】
被測定コイル３０は、近接効果損の測定対象のコイルであり、測定用ソレノイド１０の内部（ボビン１１の内部）に挿入可能な大きさを有する円筒形状のコイルである。この被測定コイル３０は、円筒状のボビン３１（第２ボビン）の外周に被測定用線材３２が螺旋状に巻回されてなるものであり、その外径が測定用ソレノイド１０のボビン１１の内径とほぼ同じ大きさに設定される。
【００２０】
被測定コイル３０の外径を、測定用ソレノイド１０のボビン１１の内径とほぼ同じ大きさに設定するのは、被測定コイル３０が、ほぼ同軸状態で測定用ソレノイド１０の内部に配置されるようにするためである。ボビン３１は、例えば樹脂又はガラス等の非磁性材料によって形成され、外径がボビン１１の内径よりも小さな円筒形状の部材である。被測定用線材３２は、例えば銅線（Ｃｕ線）、アルミニウム線（Ａｌ線）、銅覆鋼線（ＣＣＳ（Copper Clad Steel）線）等である。
【００２１】
図２は、本発明の一実施形態で用いられる被測定コイルのボビンの一例を示す斜視図である。図２に示す通り、被測定コイル３０のボビン３１は、その外周に螺旋状の溝３１ａが形成されている。この溝３１ａは、ボビン３１に巻回される被測定用線材３２の位置ずれを防止するとともに、被測定用線材３２が交差するのを防止するために設けられる。この溝３１ａの深さ、形状、軸方向における間隔は、ボビン３１に巻回される被測定用線材３２の性質（太さ、形状等）に応じて適宜設定される。
【００２２】
〔近接効果損測定方法〕
図３は、本発明の一実施形態による近接効果損測定方法を示すフローチャートである。図３に示す通り、被測定コイル３０の近接効果損を測定する場合には、まず近接効果損測定装置１を用いて測定用ソレノイド１０の抵抗が測定される（ステップＳ１１：第１ステップ）。具体的には、被測定コイル３０が測定用ソレノイド１０の内部に配置されていない状態で、測定用ソレノイド１０の抵抗が測定される。尚、測定用ソレノイド１０の抵抗が測定される際には、測定装置２０からの測定電流が測定用ソレノイド１０に流れることにより、測定用ソレノイド１０の内部には近似的に一様な磁界が生成される。
【００２３】
次に、測定用ソレノイド１０の内部に被測定コイル３０が配置される（ステップＳ１２：第２ステップ）。ここで、被測定コイル３０は、被測定用線材３２が、測定用ソレノイド１０の内部に生成される磁界におよそ垂直になるように測定用ソレノイド１０の内部に配置される。例えば、被測定コイル３０が、測定用ソレノイド１０とほぼ同軸状態となるように測定用ソレノイド１０の内部に配置されれば、被測定用線材３２は測定用ソレノイド１０が生成する磁界に対しておよそ垂直になるように配置される。
【００２４】
続いて、近接効果損測定装置１を用いて測定用ソレノイド１０の抵抗が測定される（ステップＳ１３：第２ステップ）。つまり、被測定コイル３０が測定用ソレノイド１０の内部に配置されている状態で、測定用ソレノイド１０の抵抗が測定される。このとき測定される抵抗は、測定用ソレノイド１０の抵抗と、測定用ソレノイド１０内に生成された磁界が被測定コイル３０に印加されて被測定用線材３２の内部に誘導される渦電流による損失に由来する抵抗の和となる。このため、被測定コイル３０を挿入する前の測定用ソレノイド１０の抵抗と、被測定コイル３０を挿入した後の測定用ソレノイド１０の抵抗との差が、被測定コイル３０の近接効果損に相当する。
【００２５】
従って、ステップＳ１１で測定された抵抗とステップＳ１３で測定された抵抗との差分（ステップＳ１３で測定された抵抗の、ステップＳ１１で測定された抵抗からの増加分）が求められる。そして、抵抗の増加分が被測定コイル３０の近接効果損として測定される（ステップＳ１４）。このように、本実施形態では、被測定コイル３０が挿入される前の測定用ソレノイド１０の抵抗と、被測定コイル３０が挿入された後の測定用ソレノイド１０の抵抗との差に基づいて被測定コイル３０の近接効果損が測定される。
【００２６】
ここで、前述した非特許文献２によると、抵抗の増加分と近接効果損の間には、以下の（１）式が成り立つ。
【数１】
0006550231.tif 000002
【００２７】
但し、上記（１）式において、Ｒｐは、磁界の印加によって発生する損失に対応した増加分の抵抗（単位［Ω］）であり、Ｄｐは、単位磁界当たり、被測定線材の単位長さ当たりの磁界の印加によって発生する損失（単位［Ω・ｍ］）である。また、上記（１）式において、αは、印加された磁界の強度を表す形状因子（単位［１／ｍ］）であり、ｌは長さ（単位「ｍ」）である。
【００２８】
上記（１）式に示される通り、測定により得られた抵抗は、磁界の強度を表す形状因子αの二乗が係数として掛かっているため、損失Ｄｐの値を求めるためには、その分を除する必要がある。ここで、磁界強度は、予め近接効果損が既知の被測定用線材の損失を測定することで、予測することが可能である。例えば、前述した非特許文献１によれば、銅線（Ｃｕ線）やアルミニウム線（Ａｌ線）の近接効果損は、その半径が以下の（２）式で示される表皮深さδ［ｍ］よりも小さい場合に、以下の（３）式で求めることができる。
【００２９】
【数２】
0006550231.tif 000003
【００３０】
【数３】
0006550231.tif 000004
【００３１】
但し、上記（３）式において、σは、線材の導電率（単位［Ω−１・ｍ−１］）であり、μは、線材の透磁率（単位［Ｈ・ｍ−１］）である。また、上記（３）式において、ωは、印加される磁界の角周波数（単位［ｓ−１］）であり、ａは、素線の半径（単位［ｍ］）である。
【００３２】
上記（１）式及び上記（３）式を用いることで、既知の線材の抵抗測定値から、形状因子αの値を見積もることができる。 但し、特定の線材（多くの場合、一般的に使われる銅線）に対する近接効果損の大小をもって、磁性被覆線や鉄被覆導線等の線材の性能の優劣を比較することが目的である場合には、損失Ｄｐの比較さえできれば良いので、形状因子αの値を見積もる必要はない。
【００３３】
被測定用線材３２に印加される磁界によって発生する損失に由来する抵抗は、多くの場合、測定用ソレノイド１０の抵抗よりも小さい。この損失に由来する抵抗は、測定用ソレノイド１０の内部に生成される磁界強度が弱い場合や、周波数が低い場合においては、特に小さい。このため、測定用ソレノイド１０は、巻数が多く、測定する周波数領域において抵抗が小さいものを選択する。
【００３４】
例えば、約１ＭＨｚまでの周波数範囲では、測定用ソレノイド１０の巻線１２としてリッツ線を用いれば、測定用ソレノイド１０の抵抗を小さくすることができる。しかしながら、約１ＭＨｚ以上の周波数では、測定用ソレノイド１０の巻線１２としてリッツ線を用いると、測定用ソレノイド１０の抵抗が却って大きくなる。このため、低い周波数から約１ＭＨｚ以上の周波数を同時に測定する場合は、測定用ソレノイド１０の巻線１２として平板状の銅線（銅製テープ）を用いるのが好ましい。
【００３５】
このような銅製テープを用いるのは、低い周波数において抵抗がそれほど大きくなく、また同じ断面積の丸線に比べて電流が測定用ソレノイド１０の軸方向に均一に分布するため、均一な磁界が得られるからである。更に、約１ＭＨｚ以上の高周波では、測定用ソレノイド１０の巻線１２としてリッツ線を用いた場合ほど極端に抵抗が上昇しないため、被測定用線材３２に由来する抵抗増加分を精度よく測定することができる。
【００３６】
以上の通り、本実施形態では、被測定コイル３０が測定用ソレノイド１０の内部に配置されていない場合の測定用ソレノイド１０の抵抗（第１抵抗）と、被測定コイル３０が測定用ソレノイド１０の内部に配置されている場合の測定用ソレノイド１０の抵抗（第２抵抗）とをそれぞれ測定している。そして、抵抗の増加分（第２抵抗の第１抵抗からの増加分）に基づいて被測定コイル３０の近接効果損を算出するようにしている。このため、被測定コイル３０の近接効果損を直接的に測定することが可能である。
【実施例】
【００３７】
〔実施例１〕
本実施例では、近接効果損測定装置１が備える測定用ソレノイド１０の巻線１２としてリッツ線を用い、被測定コイル３０の被測定用線材３２として、０．４ｍｍφの銅線（Ｃｕ線）及びアルミニウム線（Ａｌ線）を用いた。図４は、本発明の実施例１における近接効果損の測定値及び計算値を示す図である。
【００３８】
ここで、図４に示す測定値は、被測定コイル３０が挿入される前の測定用ソレノイド１０の抵抗と、被測定コイル３０が挿入された後の測定用ソレノイド１０の抵抗との差分から、前述した（３）式によって近接効果損を求めたものである。但し、銅線（Ｃｕ線）の測定から、測定用ソレノイド１０の内部に形成される磁界の磁界強度を示す形状因子αは０．０８［Ａ／ｍｍ］と求められた。また、図４に示す計算値は、前述した非特許文献２に開示された解析式を用いて求めたものである。
【００３９】
図４を参照すると、被測定コイル３０の被測定用線材３２の径が同じである場合には、約４５０［ｋＨｚ］以下の周波数範囲において、銅線（Ｃｕ線）の近接効果損の計算値よりもアルミニウム線（Ａｌ線）の近接効果損の計算値の方が小さくなることが示されている。また、５０〜３００［ｋＨｚ］の周波数範囲においては、銅線（Ｃｕ線）及びアルミニウム線（Ａｌ線）の双方について、測定値と計算値とがほぼ一致することが示されている。これは、被測定コイル３０の近接効果損を直接的に測定できていることを意味する。
【００４０】
〔実施例２〕
本実施例では、近接効果損測定装置１が備える測定用ソレノイド１０の巻線１２として平板状の銅線（銅製テープ）を用い、被測定コイル３０の被測定用線材３２として、０．６ｍｍφの銅線（Ｃｕ線）、アルミニウム線（Ａｌ線）、及び銅覆鋼線（ＣＣＳ線）を用いた。図５は、本発明の実施例２における近接効果損の測定値及び計算値を示す図である。
【００４１】
ここで、図５に示す測定値は、図４に示す測定値と同様に、被測定コイル３０が挿入される前の測定用ソレノイド１０の抵抗と、被測定コイル３０が挿入された後の測定用ソレノイド１０の抵抗との差分から、前述した（３）式によって近接効果損を求めたものである。但し、アルミニウム線（Ａｌ線）の測定から、測定用ソレノイド１０の内部に形成される磁界の磁界強度を示す形状因子αは０．１１３［Ａ／ｍｍ］と求められた。また、図５に示す計算値は、前述した非特許文献２に開示された解析式を用いて求めたものである。
【００４２】
図５を参照すると、図４とは逆に、アルミニウム線（Ａｌ線）の近接効果損の計算値よりも銅線（Ｃｕ線）の近接効果損の計算値の方が小さくなることが示されている。また、２〜１０［ｋＨｚ］の周波数範囲においては、銅線（Ｃｕ線）の近接効果損の計算値よりも銅覆鋼線（ＣＣＳ線）の近接効果損の計算値の方が小さくなることが示されている。更に、銅線（Ｃｕ線）、アルミニウム線（Ａｌ線）、及び銅覆鋼線（ＣＣＳ線）の全てについて、測定値と計算値とがほぼ一致することが示されている。これは、被測定コイル３０の近接効果損を直接的に測定できていることを意味する。
【００４３】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上述した実施形態では、被測定コイル３０の近接効果損を測定する方法のみについて説明したが、被測定コイル３０の近接効果損の測定に加え、被測定コイル３０の表皮効果による抵抗の測定を、別々に行うことによって被測定コイル３０を構成する線材の物性値パラメータを同定することも可能である。
【００４４】
具体的に、被測定コイル３０の近接効果損の測定は、前述した方法を用いて測定することができる。これに対し、被測定コイル３０の表皮効果による抵抗の測定は、例えば被測定コイル３０の被測定用線材３２を、近接効果が生じないように疎に巻回した上で、被測定コイル３０の抵抗を例えばＬＣＲメータにより測定する。近接効果が生じていない状態では、被測定コイル３０の抵抗は、表皮効果による抵抗となることから、上記の方法によって被測定コイル３０の表皮効果による抵抗を測定することができる。
【００４５】
このように、被測定コイル３０の近接効果損の測定と、被測定コイル３０の表皮効果による抵抗の測定とを別々に行うことで、例えば磁性被覆銅線の渦電流によって発生する損失と、表皮効果による抵抗の測定を確実に行い、二層構造の導体の導電率と比透磁率との両方を同定することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１…近接効果損測定装置、１０…測定用ソレノイド、１１…ボビン、１２…巻線、２０…測定装置、３０…被測定コイル、３１…ボビン、３１ａ…溝、３２…被測定用線材
【図１】
0006550231.tif 000005
【図２】
0006550231.tif 000006
【図３】
0006550231.tif 000007
【図４】
0006550231.tif 000008
【図５】
0006550231.tif 000009