(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体可飽和吸収材料（２０５）を成長（２００）させるために堆積させて構造体を形成するステップと；
前記構造体上に少なくとも一つの金属層を堆積させて第１のミラー（２１１）を形成するステップと；
前記金属層上に電気絶縁性マスク（３１２）を通じて熱伝導性基板（２１２）を堆積し、半導体可飽和吸収体ミラーの周囲を規定するための前記熱伝導性基板の選択的な堆積を可能にするステップと、を備えることを特徴とする半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法。
【請求項２】
前記半導体可飽和吸収材料中のキャリアの存続時間を１００ｐｓに制限するために前記半導体可飽和吸収材料中に結晶欠陥を導入するステップを備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記結晶欠陥を導入するステップは、前記可飽和吸収材料にイオン照射するステップを備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のミラー（２１１）は、電着用の陰極（３０２）として使用されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記電気絶縁性マスク（３１２）は、前記半導体可飽和吸収体ミラーの周囲を規定するための絶縁領域（３１６）および開口領域（３１４）を含む構造形成パターンを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記可飽和吸収材料上に第２のミラー（２０７）を堆積するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のミラーおよび前記可飽和吸収材料の間に第１の位相層（２０３）を堆積するステップと、前記第２のミラー（２０７）および前記可飽和吸収材料（２０５）の間に第２の位相層（２０６）を堆積するステップと、をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記マスク（３１２）により規定される前記半導体可飽和吸収体ミラーを分離するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法および該方法で得られるミラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
この数年において、短パルス光源（１００ｆｓ〜１ｐｓ）の生成は、例えば、レーザ微細加工、薄膜形成あるいは再レーザクリーニングなどの多くの用途において益々重要な技術となってきた。
【０００３】
半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）は、特に、パルス持続時間、放射出力及び安定性を含む、パルスおよびレーザ放射特性の時間領域調整が可能なため、この技術の重要な要素の一つである。
【０００４】
ＳＥＳＡＭの動作は、半導体材料の吸収飽和現象に基づいている。可飽和吸収材料の吸収係数αは、この材料を通過する入射光信号の強度Ｉに応じて変動する。図１Ａは、可飽和吸収材料の吸収係数と入射光信号の強度Ｉとの関係を示す。低強度の光信号は、材料の固有吸収にさらされて吸収される。対照的に、高強度の光信号は、半導体材料へのその吸収を実質的にゼロに低減させる半導体材料透過性を呈し、吸収されずに透過する。これは吸収の飽和現象である。大多数の材料は可飽和吸収を示すが、非常に高い光強度では、光損傷レベルに接近することも多い。半導体材料は、より低い光強度閾値において吸収飽和現象が可能となる特有のエネルギー構造を示す。より正確には、価電子帯のキャリア（電子）は、十分に高い入射光強度の影響下において、基底状態に至るキャリアの緩和時間より短い時間で高エネルギー状態（伝導帯）に入る。これによって、より高いエネルギー状態が充填され、基底レベルの損失と吸収飽和が生じる。半導体可飽和吸収体を特徴づけるパラメータは、特に、吸収波長の範囲と、吸収飽和と動的応答が見られる光強度閾値、言い換えれば、さらなる照射がない場合にその吸収不飽和レベルを取り戻す速度である。後者のパラメータは、励起状態におけるキャリアの存続時間に直接関係している。
【０００５】
レーザキャビティ内に挿入されたＳＥＳＡＭは、受動モード同期（モードブロッキング）法において、パルスレーザ放射の生成に使用される。半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）が挿入されたレーザ装置の一例を図２Ａに示す。この例では、レーザ装置は、ゲイン媒質としてドープファイバ１を備える。ファイバは、ダイオード２によって光学的にポンピングされる。ダイオードによって生成されたビームは、マルチプレクサ６を用いてドープファイバ１に注入される。レーザ装置のキャビティは、全反射ミラー３、ＳＥＳＡＭ４およびＳＥＳＡＭの通過前後で出力光信号をサンプリングするカプラ５で構成されるファブリーペロー共振器である。図２Ｂのグラフは、図２Ａに示したようなレーザ装置の動作原理を示す。この図は、主にレーザのキャビティから生じた損失であるレーザ損失（曲線９−長破線）と、レーザ装置のゲイン（曲線７−短破線）と、レーザ放射（曲線８−実線）と、時間との関係を示す。ｔ＝０では、ゲイン媒質の光ポンピングが始まり、損失は高く、低入射強度で吸収挙動を有するＳＥＳＡＭにより損失が高い状態が維持される。このポンピング時間中に、損失値に接近するまでゲイン値が増加する。この時点まで、レーザ放射は、キャビティの損失を人工的に増幅するＳＥＳＡＭによって依然としてブロックされている。その後、ゲインの上昇によってキャビティ内の光強度が上昇し、レーザ放射波長における可飽和吸収材料の白化（whitening）を生じさせる。こうして、損失が低減する。ゲインが損失より高くなるとすぐにレーザパルスが生じて、ゲインが急速に低下する。こうして、極短パルス（持続時間がｐｓ、ｆｓ）が得られる。
【０００６】
この文脈においてＳＥＳＡＭが効果的であるためには、言い換えれば、ＳＥＳＡＭがかなりのレーザ出力（典型的には１ｍＷ〜数Ｗのオーダ）と相互作用できるためには、それらが、特に、吸収係数が高いこと、可飽和吸収材料の励起キャリアの存続時間が短いこと（典型的には１ピコ秒のオーダ）および熱放散が良好であることを含むいくつかの条件を満たす必要がある。
【０００７】
いくつかのＳＥＳＡＭ製造方法が開発されてきた。特に、ＳＥＳＡＭの成長には二つの方式が存在する：「格子不整合」と呼ばれる成長と「格子整合」と呼ばれる成長である。「格子不整合」と呼ばれる成長では、基板の格子定数がエピタキシャル成長する層の格子定数とは異なるため、エピタキシャル成長させる材料の選択幅がより大きい。原子は、基板の結晶構造に従って第１段階で堆積される。従って、堆積された材料は基板により制約される。しかしながら、エピタキシャル層の厚みが増えると、原子は無応力状態の材料の構造に従って堆積され、格子数を調節することによって転位が起こる。これによって、自然にエピタキシャル層に欠陥が導入されるという効果が得られ、励起キャリアの存続時間の低減を可能にするであろう。しかしながら、この方法で得られるデバイスは、転位のためにあまり強固ではない。一方、「格子整合」と呼ばれる成長では、基板とエピタキシャル成長する層との間の界面で連続した原子間結合が得られる。こうして製造されたデバイスは、優れた結晶品質を有し、より強固である；しかしながら、この方法は使用する基板の種類に依存するため、材料の選択と、従って有用な波長範囲の選択が制限される。特に、波長が１．１μｍ超の場合には、ＩｎＰ（リン化インジウム）基板を使用しなければならない。しかしながら、ＩｎＰを含む半導体化合物は熱挙動特性が劣っており、熱の放散が困難であり；このために、レーザ装置内でのＳＥＳＡＭの使用時の性能が制限される。この技術的問題の一つの有効な解決策は、放熱器を用いることである。
【０００８】
放熱器が挿入されたＩｎＰ基板上に半導体可飽和吸収体を用いたコンポーネントを製造するための技術が仏国特許第２８３５０６５号に記載されている。図３Ａ〜３Ｄはこの製造方法を示す。この技術は、例えばＩｎＰでできた基板１１５上に、可飽和吸収材料１０９と、ミラー形成用の金属層１１１と、ハンダ接合形成を目的とした第１の金属層１１６とを特に含む積層体を備えた第１の構造体（図３Ａ）を形成するステップを備える。記載される技術は、熱伝導性の基板１１３上に、ハンダ接合形成を目的とした第２の金属層１１７を堆積して得られる第２の構造体（図３Ｂ）を形成するステップをさらに備える。その後、第１の金属層１１６および第２の金属層１１７を接触させて、固液相互拡散によってハンダ接合部１１２を形成して組み立てられる（図３Ｃ）。コンポーネントの製造は、ＩｎＰ基板１１５を除去して終了する（図３Ｄ）。その後、熱伝導性基板１１３は、こうして形成されたコンポーネント内の放熱器の役割を有する。
【０００９】
この技術によって、ＩｎＰ系の半導体可飽和吸収体を用いたコンポーネントよりも良好な熱挙動特性を有する半導体可飽和吸収体コンポーネントが製造できる。しかしながら、この技術は、多数のコンポーネントの一括した製造には向いていない。実際に、前段で説明したような第１の構造体を第２の構造体上に移動させる技術は、この目的のために特別に開発する必要があるであろう大表面積を有するプレス内でハンダ接合部が形成される場合を除いて、１ｃｍ２の最大面積で達成可能である。このために、エピタキシャル成長の価格、あるいは大表面積上でのはんだ付けに対応できるプレスの開発費に伴ってコストが高くなる。さらに後者の場合には、基板の除去後、個々のコンポーネントの断片化ステップを設けなければならない。
【００１０】
本発明は、半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法、特に、品質の優れた半導体可飽和吸収体ミラーの大量生産が可能な製造方法を提供する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の態様によれば、本発明は、半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）の製造方法に関する。この方法は、基板上に半導体可飽和吸収材料を成長させるために堆積させて構造体を形成するステップと；構造体上に少なくとも一つの金属層を堆積させて第１のミラーを形成するステップと；金属層上に電気絶縁性マスクを通じた電着により熱伝導性基板を堆積させ、半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）の周囲を規定するために熱伝導性基板の選択的堆積を可能にするステップと、を備える。
【００１２】
その結果、一方では、ＳＥＳＡＭの最終的な厚みを制御しながら高密度かつ均一な金属層を堆積でき、他方では、単一のエピタキシャルウェハから開始して、同一の特性を有する多数の半導体可飽和吸収体ミラー（ＳＥＳＡＭ）を低コストで一括して製造できる。
【００１３】
変形例によれば、この方法は、下層の半導体可飽和吸収材料中のキャリアの存続時間を調整する目的で、半導体可飽和吸収材料中に結晶欠陥を導入するステップを備える。可飽和吸収材料内に電子正孔対の効果的な捕獲中心の役割を果たす結晶欠陥が存在することによって、可飽和吸収材料の特性を低下させることなく、吸収の緩和プロセスを好適に加速させることができる。
【００１４】
変形例によれば、結晶欠陥を導入するステップは、可飽和吸収材料にイオン照射するステップを備える。イオン照射する方法により、二つの成長ステップ間の製造の任意の時間に結晶欠陥を導入することができ、また、照射層の深さを調整できる。
【００１５】
変形例によれば、第１のミラーは電着用のカソードとして使用される。こうして、いかなる中間ステップまたは中間層なしにデバイス上に直接堆積が行われる。
【００１６】
変形例によれば、電気絶縁性マスクは、絶縁領域および開口領域を含む構造形成パターンを有し、半導体可飽和吸収体ミラーの周囲を規定する。構造化されるパターンを規定する絶縁構造と開口領域によって、特に、個々のＳＥＳＡＭのダイシング用の好適な通路の形成、および、電着金属層の潜在的な制約の緩和を可能とする。
【００１７】
変形例によれば、この製造方法は、可飽和吸収材料上に第２のミラーを堆積してファブリーペロー微小共振器を形成するステップをさらに備える。
【００１８】
変形例によれば、構造体の形成は、第１のミラーおよび可飽和吸収材料の間に第１の位相層を堆積するステップと、第２のミラーおよび可飽和吸収材料の間に第２の位相層を堆積するステップと、を備える。特に、これら位相層の厚みを調整することによって、内部キャビティ波の最大強度の位置に活性層を適切に配置できる。
【００１９】
本発明の変形例によれば、この方法は、単一のエピタキシャルウェハから開始して多数のＳＥＳＡＭを得るためにミラーを分離するステップをさらに備える。
【００２０】
本発明の第２の態様によれば、本発明は、第１の態様およびその変形例に係る記載などの方法により得られる半導体可飽和吸収体ミラーに関する。このミラーは、半導体可飽和吸収材料と、可飽和吸収材料上に堆積される金属層を含む第１のミラーと、電解析出によりミラー上に形成される熱伝導性基板と、を含む。好ましくは、高反射率および高熱伝導率を得るために第１のミラーがＡｕまたはＣｕで構成される。
【００２１】
変形例によれば、材料のキャリアの存続時間を励起状態で１００ｐｓ未満とすることにより、ＳＥＳＡＭの応答時間が低減される。キャリアのこの短い存続時間により、半導体可飽和吸収体ミラーの応答時間が最適化、つまり、低減され、ＳＥＳＡＭの動的応答（従来技術で説明したようにＳＥＳＡＭの重要なパラメータ）が向上する。
【００２２】
変形例によれば、可飽和吸収材料は、量子井戸および障壁を構成する半導体層の積層体を含む。量子井戸および量子井戸を分離する障壁の厚み寸法によって、使用する波長においてより顕著に際立つ励起子吸収を得ることができる。可飽和吸収材料は、約１．５μｍでＳＥＳＡＭを作動させるために量子井戸を構成するＩｎＧａＡｓ層と障壁を構成するＩｎＰ層との積層体を含み、あるいは、作動波長を２μｍまたは２．５μｍにまで到達させるために量子井戸が他の組成（例えば、井戸ではＩｎＧａＡｓＮ、障壁ではＩｎＧａＡｓまたはＩｎＰ）の積層体を含むことが好ましい。
【００２３】
本発明の変形例によれば、低コストでの堆積を実行し、かつ、熱伝導率の高いＳＥＳＡＭを得るために、熱伝導性基板がＣｕで構成される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
本発明の他の効果と特長は、以下の図面で示される説明から明らかになるであろう。
【図１】可飽和吸収材料の吸収係数αの変動と、通過する入射光強度Ｉとの関係を示すグラフである（既に説明済み）。
【図２Ａ】キャビティおよびレーザキャビティに挿入された可飽和吸収材料ミラーを含むレーザ装置の図である（既に説明済み）。
【図２Ｂ】キャビティおよびレーザキャビティに挿入された可飽和吸収材料ミラーを含むレーザ装置の図である（既に説明済み）。
【図３】図３Ａ〜３Ｄは、従来技術による可飽和吸収材料コンポーネントの製造方法のステップを示す図である（既に説明済み）。
【図４】図４Ａ〜４Ｈは、本記載による半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法の第１の例を示す図である。
【図５】本記載による半導体可飽和吸収体ミラーを形成する電解析出の原理を示す図である。
【図６】図６Ａ〜６Ｊは、本記載による半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法の第２の例を示す図である。
【図７】本記載による製造方法の一例で製造されたＳＥＳＡＭで測定した応答時間を示すグラフである。
【図８】本記載による製造方法の一例で製造されたＳＥＳＡＭの非線形特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
各図において、同一の要素は同じ参照記号で示す。
【００２６】
図４Ａ〜４Ｈは、本記載に係る単一のエピタキシャル成長ウェハから開始して得られる、数枚の半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法の例における種々のステップを示す。
【００２７】
第１のステップ（図４Ａ〜４Ｃ）は、例えばＩｎＰ（インジウム燐）基板などの成長基板２００上に半導体層２０２を成長させるステップを備える。基板上に成長した半導体層は、ある例では、例えば厚みが４００ｎｍのＩｎＧａＡｓ（インジウム−ガリウム砒素）層などの停止層２０１と、次に、量子井戸と量子井戸を分離する障壁との交互積層体２０５とが連続する。このアセンブリは、例えば１．５５μｍなどの使用波長において、励起子吸収の所望の特性が得られるように設計される。
【００２８】
基板上の半導体層２０２の成長は、例えば、エピタキシーＭＯＶＰＥ（「金属有機気相エピタキシ」）あるいは分子ジェットエピタキシ（ＭＪＥ）によって行われる。ＭＪＥの場合、材料の成長は、超高真空下における分子ジェットと加熱基板表面との相互作用から生じる。ＭＯＶＰＥの原理は、ガス状混合物と基板との相互作用に基づく。ＭＯＶＰＥは超高真空下では行われない。気相は、基板上に組み込まれることが望ましい金属元素を含む分子と、リアクタ内の圧力を一定にし、かつ、前駆体の流れが基板に向かうことを可能にするベクトルガスと、で構成される。
【００２９】
これらの層と基板の結晶格子間の格子整合は、適合していることが好ましい。それは、層の成長が、例えばシリコン（Ｓｉ）基板上ではなく、ＩｎＰ基板上で行われるためである。停止層の組成は、例えば約１．４１μｍに位置する吸収帯を得るように調整され、次に、量子井戸および量子井戸間の障壁の厚みは、約ｌ．５５μｍに現れる励起子吸収が得られるように調整される。
【００３０】
本発明に記載されるようなＳＥＳＡＭの可飽和吸収材料は、使用波長において良好な吸収飽和特性を有することが好ましい。吸収飽和特性は、材料のエネルギー帯（材料の状態の組）、言い換えれば、例えば、材料の基底状態のエネルギーと励起状態のエネルギーとの間の差に基づく。吸収材料は、量子井戸（典型的な厚みは７〜１２ｎｍ）を用いて形成されることが好ましいが、より厚い層も適している。量子井戸および量子井戸を分離する障壁の組成は、使用波長においてより顕著に際立つ励起子吸収が得られるように調整される。
【００３１】
レーザの活性媒質のゲイン値に応じて、単一または複数の量子井戸を用いてもよい。後者の場合、量子井戸の数が例えば８であってよく、各量子井戸が９ｎｍの厚さを有し、量子井戸を分離する各障壁が７ｎｍの厚さを有してもよい。この小さい吸収厚みにより、熱影響を好適に低減し、レーザ出力に適合可能な飽和出力を得ることができる。
【００３２】
本出願のある実施の形態に係る方法によれば、成長基板上の材料を成長させるステップの後にイオン照射ステップ（図４Ｄ）を行ってもよい。しかしながら、このステップは、各成長ステップ間の製造上の任意のタイミングに行れてもよい。例えばＮｉ＋６イオンなどのイオンは、第２の位相層上に向かう。これらのイオンは、その後、連続層で構成される構造体を通過して成長基板に行き着く。イオンは、通過中に吸収性材料内に結晶欠陥を生成する。吸収性材料中に欠陥が存在することは、特性を低下させることなく、吸収の緩和プロセスを加速させることを好適に可能にする。実際、欠陥は、電子正孔対の効果的な捕獲中心としての役割を果たす。照射エネルギーは、イオンが構造体全体を通過して成長基板内で移動が終了するように調整される。その後、成長基板は、イオンによるいかなる残留吸収をも避けるために除去されるであろう。
【００３３】
ＳＥＳＡＭの応答時間である吸収の緩和時間の低減は、照射線量、すなわち、単位面積当たりのイオン数に直接関連している。この技術は、半導体層のエピタキシャル成長のステップ後にＳＥＳＡＭの応答時間を調整可能にする点で好都合である。ピコ秒未満の応答時間は、励起子吸収を劣化させることなく得られるかもしれない。Ｎｉ＋６イオンの照射線量は、例えば２×１０１１イオン／ｃｍ２であってもよく、これによって、応答時間が実質的に６ｐｓのＳＥＳＡＭが製造される。イオンエネルギーは１１ＭｅＶであってもよく、これによって実質的に２μｍの停止距離が誘起される。
【００３４】
ある実施の形態によれば、特に低温成長またはプラズマアシスト成長を行うことにより、半導体層の成長ステップ中にこれらの結晶欠陥を導入できる。
【００３５】
ある実施の形態によれば、図４Ｅに示す本方法の次のステップは、半導体構造体２０２上に金属層２１１を堆積するステップを備える。この金属層は、ＳＥＳＡＭにおけるミラーの役割を果たし、好ましくは、次のステップの間、電解析出用の電極の役割を果たすであろう。金属層２１１の堆積は、例えば、減圧下（圧力は実質的に１０−７ｍｂａｒ）の蒸発によって行われる。ミラーの製造に用いられる材料は、良好な光学的および熱的性質のために、すなわち、高反射率と高熱伝導率を示すために選択される金属である。銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）の堆積は、これら二つの条件を十分に満たす。非限定的な例を用いれば、１０％に希釈した塩酸（ＨＣＬ）を用いた薬品侵食によりこの第２の層の表面を脱酸素後、３００ｎｍの厚みの金でできたミラーを第２の位相層上に形成してもよい。ミラー２１１の反射率は約９５％である。
【００３６】
ミラー２１１の反射率は、１に近いことが好ましい。こうした反射率を得るために、ミラーは、金属ミラー（前段で説明したような）あるいはハイブリッドミラーのいずれかのタイプであってもよい。ハイブリッドミラーは、金属ミラーとブラッグミラーとの組み合わせである。ブラッグミラーは、高屈折率と低屈折率を交互に有する誘電体または半導体層のいくつかの周期で構成されている。金属層のすでに高い反射率のおかげで、低反射率と高反射率を交互に有する少数の層の追加により、金属ミラーより良好な反射率を達成するハイブリッドミラーにできる。しかしながら、誘電体材料と半導体材料は、金属より極めて低い熱伝導率を有するため、その構成と応用分野によっては、金属ミラー単独の方が良好な熱放散が可能であることが予想されうる。
【００３７】
ある実施の形態では、本方法は、金属層２１１上に（潜在的には絶縁性マスク３１２を通じた）電着により熱伝導性金属２１２を堆積するステップを備える。図４Ｆ、図４Ｇおよび図５にこのステップを示す。
【００３８】
電着による金属堆積は、金属塩溶液を含む溶液槽（電解質）に陽極と陰極の二つの電極を配置することを備える。これら二つの電極間の電流の流れによって、これらの金属粒子が移動し、陰極上に金属の薄層が堆積される。従って、電解析出法では外部からの電位印加が必要であり、金属の堆積表面との電気的接触が必要となる。本発明の場合、電着が行われる前に電導性の層（第１のミラー２１１）でサンプル表面が被覆されており、陰極の役割を好適に果たす。
【００３９】
電解析出は、好ましくは、熱伝導率の高い（κＣｕ：４００Ｗ／（ｍ×Ｋ））銅で行なわれ、低減されたコストで堆積が可能である。しかしながら、例えば金などの他の金属の使用も考えられる。
【００４０】
電着による堆積ステップ用の装置の構成例を図５に示す。
【００４１】
電着技術では、特に溶液の組成が変化しないように制御し、電極表面上の電位および質量の輸送の均一性を確実にすることにより、エッジ効果を最小化する低電圧を用いて緻密かつ均一な材料の堆積が可能になる。
【００４２】
この目的のために、定電流源３０１に接続された陽極３００（正極）と陰極３０２（負極）の二つの電極を備えたタンク３２０を用いる。被覆されるべき部品３０６は電解質タンクに投入される。被覆されるべき部品３０６は、金属イオン（陽イオン）が堆積される陰極の役割を果たす。金属イオンを含むタンク内の電解液３０８は、所望の堆積に応じて選択される。電流が流れると（連続でもパルス電流であってもよい）、電極は反対の電荷のイオンを引きつける。流体流の原動力は、粒子を陰極の表面に向かって移動させ、その沈殿を防止する。電解質として、銅または金を含む市販の溶液を用いてもよく、例えば、典型的に１００μｍ／ｈの堆積速度を用いて金属層の厚みと均一性を最適化させるためにＲＯＨＭ（登録商標）社の製品を用いてもよい。また、電解液の温度は、堆積物の特性に影響を及ぼすパラメータであるため、堆積全体にわたって温度計３１０によりモニタされる。
【００４３】
電解析出では、時間と生成電流のパラメータを変化させることによってＳＥＳＡＭの最終厚みが制御できる。こうして、堆積金属の厚み（典型的には１μｍ〜１００μｍ）に応じて、堅固または柔軟なＳＥＳＡＭが得られる。
【００４４】
このようにして、例えば、硫酸銅水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ−０．０７５）と硫酸（Ｈ２ＳＯ４−０．１９６）を含む電解液を用い、電流密度６０ｍＡｃｍ−２、温度２０℃、約９０分で、表面積７×７ｍｍ２上に厚みが１００μｍの銅層を形成してもよい。例えばＭＥＴＡＫＥＭ（登録商標）社のＧｏｌｄ−ＳＦ溶液などの電解液を用い、電流密度３０ｍＡｃｍ−２、温度４５℃、約７５分で、厚みが８０μｍの金層を堆積してもよい。
【００４５】
本記載の変形例によれば、電解析出は、堆積面上に事前に設けられた電気絶縁性マスク３１２を通じて行われる（図４Ｅ）。図５に示したこのマスクは、マイクロエレクトロニクスの従来法である光リソグラフィで形成されたフォトレジストで構成されてもよい。このマスクは、構造化されるパターンを規定する絶縁構造３１６および開口領域３１４を含む構造形成パターンを有する。絶縁構造上では、電流は流れず堆積も起こらない。開口領域上では、電流が流れて金属層が堆積する。構造形成パターンは、特にマトリックス状に配置された矩形パターンであってよく、例えば、２×２ｍｍ２の寸法の２０×２０の正方形のＳＥＳＡＭであってもよい。絶縁性マスクを使用することによって、エピタキシャルウェハから多数のＳＥＳＡＭが得られる。
【００４６】
堆積されない領域は二つの役割を果たす。一方では、個々のＳＥＳＡＭへのダイシング用のトラックが優先的に形成され、他方では、電着金属層の潜在的な制約が緩和される。実際、大領域にわたるこれらの制約は、ＳＥＳＡＭの光学的性能に有害であろう「バイメタル」効果により、ＳＥＳＡＭの湾曲に繋がるであろう。
【００４７】
このようにして、この方法は、マスクの幾何学的形状に応じて、個々の特定の要求に適したサイズの可飽和吸収材料でミラーが形成されることを可能にする。
【００４８】
電解析出後、堆積された銅は、例えば１５０μｍの厚さまで研磨される。この研磨は、特にエッジ効果の除去を可能にし、下層のキャリアとの良好なコンタクトを得るためのフラットな下面を得ることを可能にする。このキャリアによって、デバイスをより容易に操作することが可能となり、例えば熱電素子（ペルチェ素子）を介してデバイスの温度が制御可能となる。
【００４９】
一般に、この研磨ステップ後、ＩｎＰ基板が除去される（図４Ｈ）。基板の除去は、機械的薄肉化とその後の選択的化学エッチング（ドライまたは（好適には）ウェット）により行われてもよい。薄肉化によって、基板の厚さが例えば９０％程度低減され、化学エッチングステップによって、残りの基板が除去される。選択的化学エッチング（ドライまたはウェット）により基板全体の除去が行われてもよい。構造の残りの部分を保護するために、エッチングプロセスの選択性は高くなければならない（典型的には１００超）。停止層はこの役割を完全に果たす。停止層もまた、その後の選択的化学エッチングにより除去されるであろう。
【００５０】
金属堆積の厚さは、特定のニーズに適合しうることが留意されよう。上記の例で言及したように、厚さ１５０μｍであれば、ＩｎＰ基板除去後にＳＥＳＡＭの良好な機械的剛性と平坦性が保証される。しかしながら、例えば、ＳＥＳＡＭを光ファイバコネクタの端部などの非平面と接触させるために、柔軟なＳＥＳＡＭの形成が望ましい場合もある。この場合、金属堆積の厚さを典型的には１０μｍオーダの値に制限してもよい。より一般的に、この厚みは１０〜２００μｍ範囲であってもよい。
【００５１】
その後、切断により、個々のＳＥＳＡＭを互いに分離してもよい。例えば、ＩｎＰのエッチング後、または、第２のミラーを堆積後にこの分離を行ってもよい。
【００５２】
このように、単一のエピタキシャルウェハから開始して、同じ特性を有する多数の半導体可飽和吸収体ＳＥＳＡＭ（典型的には直径５ｃｍのウェハから３００〜４００個のＳＥＳＡＭ）を低コストで一括して製造できる。
【００５３】
このようにして、本記載で説明した方法により、例えば仏国特許第２８３５０６５号に記載されたものなどの従来技術の方法に比べて１０倍以上の部品が製造できる。
【００５４】
実際、この方法は、仏国特許第２８３５０６５号の実施の形態に係る部品を分離するためにホスト基板（１１３および図３Ｃ）をダイシングするためのいかなるステップをも必要としないため、それだけ速い。
【００５５】
図６Ａ〜６Ｊは、ファブリーペローキャビティを構成するＳＥＳＡＭを製造する、半導体可飽和吸収体ミラーの形成方法の変形例を示す。図６Ａ、６Ｂ、６Ｄ、６Ｆ、６Ｇ、６Ｈおよび６Ｊの各ステップは、上記の図４Ａ、４Ｂ、４Ｄ、４Ｅ、４Ｆおよび４Ｇで説明したステップと同様である。
【００５６】
この変形例によれば、方法は、ＩｎＰ基板の除去ステップ後に、第２のミラー２０７を堆積するステップ（図６Ｊ）を備える。このミラーは、特に誘電材料で構成されるブラッグミラーであってもよい。こうして、微小ファブリーペローキャビティを構成する可飽和吸収材料ミラーが得られる。
【００５７】
この変形例によれば、好ましくは、第１の位相層２０３（例えば、厚みが典型的に２５０ｎｍのＩｎＰ材料の層）は、停止層２０１を成長させるステップ（図６Ｂ）と構造体２０５を成長させるステップ（図６Ｄ）との間で、停止層２０１と、量子井戸および量子井戸障壁で構成される構造体２０５との間に挿入される（図６Ｃ）。
【００５８】
その後、第２の位相層２０６（例えば、厚みが典型的には７５ｎｍのＩｎＰ材料の層）は、構造体を成長させるステップ（図６Ｄ）と停止層を成長させるステップ（図６Ｆ）との間で、量子井戸および量子井戸を分離する障壁で構成されるアセンブリに追加される（図６Ｅ）。
【００５９】
これら位相層の厚みを調整することによって、内部キャビティ波の最大強度の位置に活性層を適切に配置できる。
【００６０】
これらのステップに引き続いて、既に記載したような切断によりＳＥＳＡＭを互いに分離するステップを行う。
【００６１】
図７および図８は、本発明で説明したような製造方法の例にしたがって得られたＳＥＳＡＭの特性曲線を示す。これらの特性によって、本方法にしたがって製造されたＳＥＳＡＭの性能が立証可能である。ＳＥＳＡＭは、図４Ａ〜４Ｉで説明したような方法で得られたものである。この方法は、ＩｎＰ基板（２００、図４Ａ）上に、選択的な化学侵食に対する停止層として用いられるＩｎＧａＡｓ（正確な組成はＩｎＰ基板と格子整合するＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ）の３５０ｎｍの層、２７０ｎｍのＩｎＰの位相層、つづいてＩｎＧａＡｓの３５５ｎｍの可飽和吸収層、最後にＩｎＰの１８７ｎｍの位相層を格子整合エピタキシにより堆積するステップを備える。その後、Ａｕの３５０ｎｍの層（第１のミラー２１１）およびＣｕの８０μｍの層を電着により堆積する。量子井戸内のキャリアの緩和時間として十分な速度を得るために、４００ｋｅＶのエネルギーの鉄イオンを線量１．５×１０１４イオン／ｃｍ２で半導体構造体にイオン注入し、その後、７００℃×１５秒間の急速熱アニーリングを行い、可飽和吸収材料の特性を安定化させ、非可飽和損失の大きさを制限した。注入とアニーリングは、アニーリング中に半導体結晶内に金が拡散することを避けるために金層の堆積前に行った。
【００６２】
図７は、このＳＥＳＡＭの時間領域特性、すなわち、ＳＥＳＡＭの応答時間の測定値を示す。この応答時間は、入射光の反射状態から吸収状態に至るＳＥＳＡＭの緩和時間に相当する。それは、材料中のフリーキャリアの存続時間と関連している。この測定は、ポンププローブタイプの超高時間分解能の測定ステーションを用いて行ってもよい。この技術は、サンプル上に高強度の第１のパルス（ポンプパルス）を送ることにある。このパルスは吸収され、反応により一定の濃度のフリーキャリアを生成するであろう。その後、フリーキャリアは利用可能な状態を占有し、サンプルの吸収を低減させるであろう。その後、非常に低い強度の第２のパルス（プローブパルス）が、既知の遅れδｔでポンプパルスに続いて送られる。利用可能な状態数は前のポンプパルスで低減されているため、プローブパルスの吸収は変更され、二つのパルス間の遅れに依存するであろう。非常に短い時間の遅れではプローブの吸収が弱くなり、一方、キャリアの緩和時間に対して十分に長い遅れではプローブの吸収が最大になるであろう。従って、材料の吸収に直結する反射信号をポンプパルスに対するプローブパルスの遅れδｔの関数として測定することによって、キャリア密度の時間変化とサンプルの応答時間の回復が測定できる。
【００６３】
図７では、遅れδｔが負の場合、言いかえれば、ポンプパルスが可飽和吸収材料の吸収を飽和させる以前では、正規化された反射信号はゼロであることが観察される。その後、遅れがゼロになると、つまり、ポンプパルスが時間領域内でプローブパルスと重なると、キャリアの密度が最大となって吸収変動がその後最大になるため、正規化された反射信号が最大となる。その後δｔが正になると、正規化された反射率信号は、予想されるようにゼロまで指数関数的に減少する。これらの測定値から、ＳＥＳＡＭの応答時間は７ｐｓであると推定されうる。この応答時間がイオン注入工程に続く急速熱アニーリングの温度を（４５０℃〜７５０℃で）変えることによって（典型的に０．５〜１５ｐｓの値に）調整できることが補助的な測定から分かることに留意すべきである。
【００６４】
図８は、上記のＳＥＳＡＭの非線形特性を示す。この特性は、ＳＥＳＡＭに入射するパルスの平均電力の関数として反射率（反射電力と入射電力との比率）を測定することにより得られる。これらの測定値を用いて、ＳＥＳＡＭの白化に必要な入射電力に相当するスイッチング電力Ｉが推定できる。また、低入射電力時の最小反射率Ｒｍｉｎ（図８の符号ＩＩＩで示す）と高入射電力時の最大反射率Ｒｍａｘ（図８の符号ＩＩで示す）とから、Ｃ＝１０ｌｏｇ（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）で定義されるコントラストを決定できる。図８において、平均入射電力の関数としての反射率Ｒの顕著な非線形変動が明確に観察できるとともに、非常に高い入射電力にて反射率が最大値に収束する（これは、吸収の飽和の証拠である）ことが明確に観察できる。このＳＥＳＡＭでは、図８に示した曲線から、２７％の最小反射率、６５％の最大反射率、２５μＷのスイッチング電力とともに、３．８ｄＢのコントラストが得られる。
【００６５】
所定数の詳細な例示的な実施の形態を通して、当業者に明らかな様々な変形、修正および改良を含む半導体可飽和吸収体ミラーおよびその製造方法を説明したが、これらの種々の変形、修正および改良は、以下の請求項で定義される本発明の範囲内にあることは理解されるであろう。
【図１】
0006560237.tif 000002
【図２Ａ】
0006560237.tif 000003
【図２Ｂ】
0006560237.tif 000004
【図３】
0006560237.tif 000005
【図４Ａ】
0006560237.tif 000006
【図４Ｂ】
0006560237.tif 000007
【図４Ｃ】
0006560237.tif 000008
【図４Ｄ】
0006560237.tif 000009
【図４Ｅ】
0006560237.tif 000010
【図４Ｆ】
0006560237.tif 000011
【図４Ｇ】
0006560237.tif 000012
【図４Ｈ】
0006560237.tif 000013
【図５】
0006560237.tif 000014
【図６Ａ】
0006560237.tif 000015
【図６Ｂ】
0006560237.tif 000016
【図６Ｃ】
0006560237.tif 000017
【図６Ｄ】
0006560237.tif 000018
【図６Ｅ】
0006560237.tif 000019
【図６Ｆ】
0006560237.tif 000020
【図６Ｇ】
0006560237.tif 000021
【図６Ｈ】
0006560237.tif 000022
【図６Ｉ】
0006560237.tif 000023
【図６Ｊ】
0006560237.tif 000024
【図７】
0006560237.tif 000025
【図８】
0006560237.tif 000026