(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔の外側の前記基板の両面上に備えられた螺旋状の第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンと、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンが備えられた前記基板を埋め込み、且つ前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を対向する両端面に露出する磁性本体と、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続するように前記磁性本体の前記両端面に備えられた第１の外部電極及び第２の外部電極と、
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極の間の前記磁性本体を覆うメッキ防止膜と、を含み、
前記メッキ防止膜は、無機系シリカゾル及び有機系シラン結合物質で構成された有機−無機混成複合物を含む、パワーインダクタ。
【請求項２】
前記磁性本体は、フェライト又は金属−ポリマー複合体を含む、請求項１に記載のパワーインダクタ。
【請求項３】
前記金属−ポリマー複合体は、
直径が１００ｎｍ〜９０μｍの範囲の金属粒子と、
前記金属粒子が分散されたポリマーと、
を含む、請求項２に記載のパワーインダクタ。
【請求項４】
前記金属粒子は、燐酸塩絶縁層に取り囲まれる、請求項３に記載のパワーインダクタ。
【請求項５】
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極のそれぞれは、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続する導電ペースト硬化層と、
前記導電ペースト硬化層上のメッキ層と、
を含む、請求項１に記載のパワーインダクタ。
【請求項６】
前記メッキ防止膜は、前記導電ペースト硬化層の一部をさらに覆う、請求項５に記載のパワーインダクタ。
【請求項７】
中央部に貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔の外側の前記基板の両面上に備えられた螺旋状の第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンと、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンが備えられた前記基板を埋め込み、且つ前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を対向する両端面に露出する磁性本体と、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続するように前記磁性本体の前記両端面に備えられた第１の外部電極及び第２の外部電極と、
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極の間の前記磁性本体を覆うメッキ防止膜と、を含み、
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極のそれぞれは、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続する導電ペースト硬化層と、
前記導電ペースト硬化層上のメッキ層と、
を含み、
前記メッキ防止膜は、前記導電ペースト硬化層の一部をさらに覆う、パワーインダクタ。
【請求項８】
中央部に貫通孔を有する基板を用意すること、
前記貫通孔の外側の前記基板の両面上に螺旋状の第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンを形成すること、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンが形成された前記基板を埋め込み、且つ前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を対向する両端面に露出する磁性本体を形成すること、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を覆わないように前記磁性本体の前記両端面の間の前記磁性本体の一部を覆うメッキ防止膜を形成すること、及び
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続するように前記磁性本体の前記両端面上に第１の外部電極及び第２の外部電極を形成することを含み、
前記メッキ防止膜は、無機系シリカゾル及び有機系シラン結合物質で構成された有機−無機混成複合物を含む、パワーインダクタの製造方法。
【請求項９】
前記磁性本体は、フェライト又は金属−ポリマー複合体で形成される、請求項８に記載のパワーインダクタの製造方法。
【請求項１０】
前記金属−ポリマー複合体は、
直径が１００ｎｍ〜９０μｍの範囲の金属粒子と、
前記金属粒子が分散されたポリマーと、
を含む、請求項９に記載のパワーインダクタの製造方法。
【請求項１１】
前記金属粒子は、燐酸塩絶縁層に取り囲まれる、請求項１０に記載のパワーインダクタの製造方法。
【請求項１２】
前記メッキ防止膜を形成すること、及び前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極を形成することは、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続するように前記磁性本体の前記両端面上にそれぞれ導電ペースト硬化層を形成すること、
前記導電ペースト硬化層が形成されない前記磁性本体を覆う前記メッキ防止膜を形成すること、及び
前記導電ペースト硬化層上にメッキ層を形成することを含む、請求項８に記載のパワーインダクタの製造方法。
【請求項１３】
前記メッキ防止膜は、前記導電ペースト硬化層の一部をさらに覆うように形成される、請求項１２に記載のパワーインダクタの製造方法。
【請求項１４】
前記無機系シリカゾルは、シリカをテトラエチルオルトシリケートで加水分解及び縮重合反応させることにより形成される、請求項８から１３のいずれか一項に記載のパワーインダクタの製造方法。
【請求項１５】
中央部に貫通孔を有する基板を用意すること、
前記貫通孔の外側の前記基板の両面上に螺旋状の第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンを形成すること、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンが形成された前記基板を埋め込み、且つ前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を対向する両端面に露出する磁性本体を形成すること、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を覆わないように前記磁性本体の前記両端面の間の前記磁性本体の一部を覆うメッキ防止膜を形成すること、及び
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続するように前記磁性本体の前記両端面上に第１の外部電極及び第２の外部電極を形成することを含み、
前記メッキ防止膜を形成すること、及び前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極を形成することは、
前記第１の内部電極コイルパターン及び前記第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの前記端部と接続するように前記磁性本体の前記両端面上にそれぞれ導電ペースト硬化層を形成すること、
前記導電ペースト硬化層が形成されない前記磁性本体を覆う前記メッキ防止膜を形成すること、及び
前記導電ペースト硬化層上にメッキ層を形成することを含み、
前記メッキ防止膜は、前記導電ペースト硬化層の一部をさらに覆うように形成される、パワーインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーインダクタ及びその製造方法に関し、より具体的には、信頼性が低下することを防止することができるパワーインダクタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話（ｃｅｌｌｕｌａｒ  ｐｈｏｎｅ）及び個人用コンピューター（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ：ＰＣ）などの電子部品に用いられる多様なコイル（ｃｏｉｌ）部品の一つがインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）である。インダクタは磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｌｕｘ）の変化に感応して誘導（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ）起電力を発生させ、そのサイズをインダクタのインダクタンス（ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）という。インダクタンスは、インダクタのコアの断面積、コイルの巻線数及びコアの透磁率に比例して増加する。
【０００３】
電子部品であるインダクタは、製造方法によって巻線型、積層型又は薄膜型に区別される。特に、パワー（ｐｏｗｅｒ）インダクタは、中央処理装置（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）などの電源端の平滑機能及び雑音（ｎｏｉｓｅ）除去の役割を行う電子部品である。大電流が流れるパワーインダクタ、即ち、電源用インダクタには、主に巻線型が用いられる。巻線型のパワーインダクタは、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）のドラム（ｄｒｕｍ）コアに銅（Ｃｕ）線を巻いた構造になっており、高透磁率／低損失のフェライトコアを用いるため、小型であっても大きなインダクタンスを有することができる。
【０００４】
また、高透磁率／低損失のフェライトコアは、銅線の巻線数を少なくしても同一のインダクタンスが得られるようにすることができるため、銅線の直流抵抗（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＤＣ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ：Ｒｄｃ）が小さくなり、バッテリー（ｂａｔｔｅｒｙ）の消費電力を低くすることにも寄与する。
【０００５】
信号ライン（ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）のフィルター（ｆｉｌｔｅｒ）回路及びインピーダンス整合（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ｍａｔｃｈｉｎｇ）回路などには、積層型インダクタが主に用いられる。積層型インダクタは、フェライトシート（ｓｈｅｅｔ）上にペースト（ｐａｓｔｅ）状の銀（Ａｇ）などの金属材料でコイルのパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を印刷し、これを多層に積層して製造される。積層型インダクタは、１９８０年代に世界中で商用化し、携帯ラジオ（ｐｏｒｔａｂｌｅ  ｒａｄｉｏ）用の表面実装部品（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＭＤ）として用いられ始め、現在は多様な電子機器に多く用いられている。また、フェライトが立体的なコイルを覆っている構造になっているため、フェライトによる磁気遮蔽（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）効果によって磁気漏れ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｌｅａｋａｇｅ）が少なく、回路基板における高密度実装にも適している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、外部電極を形成するためのメッキ工程でメッキの拡散によって信頼性が低下することを防止することができるパワーインダクタを提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、外部電極を形成するためのメッキ工程でメッキの拡散によって信頼性が低下することを防止することができるパワーインダクタの製造方法を提供することにある。
【０００８】
なお、本発明の目的は上述した目的に制限されず、上述していない他の目的は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は、パワーインダクタを提供する。このパワーインダクタは、中央部に貫通孔を有する基板と、貫通孔の外側の基板の両面上に備えられた螺旋状の第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンと、第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンが備えられた基板を埋め込み、且つ第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を対向する両端面に露出する磁性本体と、第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部と接続するように磁性本体の両端面に備えられた第１の外部電極及び第２の外部電極と、第１の外部電極及び第２の外部電極の間の磁性本体を覆うメッキ防止膜と、を含むことができる。
【００１０】
磁性本体は、フェライト又は金属−ポリマー複合体を含むことができる。金属−ポリマー複合体は、直径が１００ｎｍ〜９０μｍの範囲の金属粒子と、金属粒子が分散されたポリマーと、を含むことができる。金属粒子は、燐酸塩絶縁層に取り囲まれることができる。ポリマーは、エポキシ、ポリイミド又は液晶高分子を含むことができる。
【００１１】
第１の外部電極及び第２の外部電極のそれぞれは、第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部と接続する導電ペースト硬化層と、導電ペースト硬化層上のメッキ層と、を含むことができる。導電ペースト硬化層は、銀を含むことができる。メッキ層は、ニッケル又はスズを含むことができる。メッキ防止膜は、導電ペースト硬化層の一部をさらに覆うことができる。
【００１２】
メッキ防止膜は、無機系シリカゾル及び有機系シラン結合物質で構成された有機−無機混成複合物を含むことができる。無機系シリカゾルは、シリカをテトラエチルオルトシリケートで加水分解及び縮重合反応させることにより形成されることができる。
【００１３】
また、上記の他の目的を達成するために、本発明は、パワーインダクタの製造方法を提供する。この方法は、中央部に貫通孔を有する基板を用意すること、貫通孔の外側の基板の両面上に螺旋状の第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンを形成すること、第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンが形成された基板を埋め込み、且つ第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を対向する両端面に露出する磁性本体を形成すること、第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部を覆わないように磁性本体の両端面の間の磁性本体の一部を覆うメッキ防止膜を形成すること、及び第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部と接続するように磁性本体の両端面上に第１の外部電極及び第２の外部電極を形成することを含むことができる。
【００１４】
基板は、絶縁物質又は磁性物質を含むことができる。
【００１５】
磁性本体は、フェライト又は金属−ポリマー複合体で形成されることができる。金属−ポリマー複合体は、直径が１００ｎｍ〜９０μｍの範囲の金属粒子と、金属粒子が分散されたポリマーと、を含むことができる。金属粒子は、燐酸塩絶縁層に取り囲まれることができる。ポリマーは、エポキシ、ポリイミド又は液晶高分子を含むことができる。
【００１６】
メッキ防止膜を形成すること、及び第１の外部電極及び第２の外部電極を形成することは、第１の内部電極コイルパターン及び第２の内部電極コイルパターンのそれぞれの端部と接続するように磁性本体の両端面上にそれぞれ導電ペースト硬化層を形成すること、導電ペースト硬化層が形成されない磁性本体を覆うメッキ防止膜を形成すること、及び導電ペースト硬化層上にメッキ層を形成することを含むことができる。
【００１７】
導電ペースト硬化層を形成することは、銀ペーストを塗布した後、銀ペーストを硬化することであればよい。
【００１８】
メッキ層を形成することは、導電ペースト硬化層上にニッケル又はスズでメッキ処理することであればよい。
【００１９】
メッキ防止膜は、導電ペースト硬化層の一部をさらに覆うように形成されることができる。
【００２０】
メッキ防止膜は、無機系シリカゾル及び有機系シラン結合物質で構成された有機−無機混成複合物を含むことができる。無機系シリカゾルは、シリカをテトラエチルオルトシリケートで加水分解及び縮重合反応させることにより形成されることができる。有機−無機混成複合物は、４〜６ｐＨの範囲の酸度を有することができる。有機系シラン結合物質は、０．０９〜０．１４ｍｏｌ／ｌの範囲のモル濃度を有することができる。
【発明の効果】
【００２１】
上述したように、本発明によれば、外部電極が備えられる磁性本体の表面に、外部電極を除いた部位を覆うようにメッキ防止膜が備えられることにより、外部電極を形成するためのメッキ工程でメッキの拡散によって信頼性が低下することを防止することができる。したがって、歩留まりを向上させることができるパワーインダクタを提供することができる。
【００２２】
また、本発明によれば、外部電極が形成される磁性本体の表面に、外部電極を除いた部位を覆うようにメッキ防止膜が形成されることにより、外部電極を形成するためのメッキ工程でメッキの拡散によって信頼性が低下することを防止することができる。したがって、歩留まりを向上させることができるパワーインダクタの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態によるパワーインダクタ及びその製造方法を説明するための概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２５】
図１は、本発明の実施形態によるパワーインダクタ及びその製造方法を説明するための概略的な断面図である。
【００２６】
図１を参照すると、パワーインダクタ１００は、中央部に貫通孔（ｔｈｒｏｕｇｈ  ｈｏｌｅ）を有する基板１１０と、貫通孔の外側の基板１１０の両面上に備えられた第１及び第２の内部電極コイルパターン（ｃｏｉｌ  ｐａｔｔｅｒｎ）１２０と、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０が備えられた基板１１０を埋め込み、且つ第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のそれぞれの端部を対向する両端面に露出する磁性本体１３０と、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のそれぞれの端部と接続するように磁性本体１３０の両端面に備えられた第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４と、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４の間の磁性本体１３０を覆うメッキ防止膜１５０と、を含むことができる。
【００２７】
なお、本発明の実施形態によるパワーインダクタ１００について、薄膜型パワーインダクタを例に挙げて説明するが、これに限定されない。また、本発明の実施形態による内部電極コイルパターン１２０の構造を異ならせたりメッキ防止膜１５０を適用したりすることにより、キャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）、サーミスター（ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）などの他の電子部品の機能を行うことができる。
【００２８】
まず、中央部に貫通孔を有する基板１１０が用意される。基板１１０は、絶縁物質又は磁性物質を含むことができる。基板１１０に磁性物質が含まれる場合、パワーインダクタ１００内で磁性特性を維持又は向上させる役割を共に行うことができる。基板１１０の貫通孔は、磁性本体１３０によって満たされ、パワーインダクタ１００のコア（ｃｏｒｅ）として用いられる。これにより、パワーインダクタ１００は、高電流で高いインダクタンス値を維持し且つ高い透磁率が得られる。
【００２９】
第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０が貫通孔の外側の基板１１０の両面上に螺旋状に形成されるが、これに限定されない。図示とは異なり、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０は、基板１１０の一面上に積層された形で形成されてもよい。また、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０は、必要に応じて、螺旋状ではなく円形、多角形及び不規則な形に形成されてもよい。第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０は、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）を含むことができる。
【００３０】
第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のそれぞれの端部は、基板１１０の縁に整列されることができる。したがって、磁性本体１３０に、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０の形成された基板１１０が埋め込まれると、基板１１０の貫通孔は磁性本体１３０によって満たされてコアとして用いられ、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のそれぞれの端部は磁性本体１３０の対向する両端面に露出することができる。
【００３１】
磁性本体１３０は、フェライト又は金属−ポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）複合体で形成されることができる。金属−ポリマー複合体は、直径が１００ｎｍ〜９０μｍの範囲の金属粒子と、金属粒子が分散されたポリマーと、を含むことができる。金属粒子は、燐酸塩（ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）絶縁層に取り囲まれることができる。金属粒子としては、サイズがそれぞれ異なる金属磁性体粉末を用いることができる。これにより、パワーインダクタ１００は、高い透磁率を確保することができる。ポリマーは、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）又は液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ：ＬＣＰ）を含むことができる。
【００３２】
磁性本体１３０に、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０の形成された基板１１０を埋め込む前に、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０と磁性本体１３０との間の絶縁のために第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０の表面を取り囲む絶縁膜（図示せず）が形成されることができる。しかしながら、磁性本体１３０が、燐酸塩絶縁層に取り囲まれた金属粒子を含む金属−ポリマー複合体で形成される場合は、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０の表面を取り囲む絶縁膜が省略されてもよい。
【００３３】
磁性本体１３０を形成することは、金属磁性体粉末を含有した熱硬化性樹脂を用いるモールディング（ｍｏｌｄｉｎｇ）方式又は積層された金属複合シート（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｓｈｅｅｔ）を用いる薄膜型方式により行われることができる。
【００３４】
第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４のそれぞれは、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のそれぞれの端部と接続するように磁性本体１３０の両端面上に形成される。第１の外部電極１４２は、磁性本体１３０の一つの端面に露出した第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０の一つの端部と電気的に連結されることができる。第２の外部電極１４４は、磁性本体１３０のもう一つの端面に露出した第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のもう一つの端部と電気的に連結されることができる。
【００３５】
第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４のそれぞれは、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のそれぞれの端部と接続する導電ペースト（ｐａｓｔｅ）硬化層と、導電ペースト硬化層上のメッキ層と、を含むことができる。導電ペースト硬化層は、銀を含むことができる。メッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）又はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。メッキ層は、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４の接合特性又はハンダ付け特性を向上させるためのものである。
【００３６】
メッキ防止膜１５０は、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４の間の磁性本体１３０を覆うことができる。メッキ防止膜１５０は、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４を除いた磁性本体１３０の全表面を覆うことができる。メッキ防止膜１５０は、無機系シリカゾル（ｓｉｌｉｃａ  ｓｏｌ）及び有機系シラン結合物質（ｓｉｌａｎｅ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）で構成された有機−無機混成複合物を含むことができる。無機系シリカゾルは、シリカをテトラエチルオルトシリケート（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）で加水分解（ｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓ）及び縮重合（ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）反応させることにより形成されることができる。また、メッキ防止膜１５０は、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４を構成する導電ペースト硬化層の一部をさらに覆うことができる。
【００３７】
メッキ防止膜１５０は、ダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）工法を用いて個別の電子部品である予備パワーインダクタに分離した後、分離された個別の電子部品のコーナーを緩やかな曲線にするために行われる研磨工程で、研磨手段によって磁性本体１３０に含有された粗大（ｃｏａｒｓｅ）粉末の金属粒子が露出し、露出した金属粒子の燐酸塩絶縁層が剥離し、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４を形成するためのメッキ工程で、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４が形成されない磁性本体１３０の表面にメッキの拡散が起こることを防止するためのものである。
【００３８】
メッキ防止膜１５０を形成すること、及び第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４を形成することは、第１及び第２の内部電極コイルパターン１２０のそれぞれの端部と接続するように磁性本体１３０の両端面上にそれぞれ導電ペースト硬化層を形成すること、導電ペースト硬化層が形成されない磁性本体１３０を覆うメッキ防止膜１５０を形成すること、及び導電ペースト硬化層のそれぞれの上にメッキ層を形成することを含むことができる。
【００３９】
導電ペースト硬化層を形成することは、銀ペーストを塗布した後、銀ペーストを硬化することであればよい。メッキ層を形成することは、導電ペースト硬化層上にニッケル又はスズでメッキ処理することであればよい。メッキ防止膜１５０は、導電ペースト硬化層の一部をさらに覆うように形成されることができる。
【００４０】
メッキ防止膜１５０は、第１の外部電極１４２及び第２の外部電極１４４を除いた磁性本体１３０の全表面を覆うように形成されることができる。メッキ防止膜１５０は、無機系シリカゾル及び有機系シラン結合物質で構成された有機−無機混成複合物を含むことができる。
【００４１】
有機−無機混成複合物であるシリカ混成複合物を製造することは、シリカをテトラエチルオルトシリケートで加水分解及び縮重合反応させてコロイド（ｃｏｌｌｏｉｄａｌ）状のシリカゾルを製造し、シリカゾル：エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）：水を１：１：１の重量比で混合して１時間攪拌し、シリカが安定して分散されている環境を有するように硝酸（ＨＮＯ３）を用いてｐＨを調節した後、シラン結合物質を一定のモル（ｍｏｌ）濃度で添加して常温で２４時間攪拌し、攪拌中に架橋剤をシラン結合物質の０．５モルの比率で添加することであればよい。シラン結合物質は、グリシジルオキシプロピル−トリエトキシシラン（ＧｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙＰｒｏｐｙｌ−ＴｒｉＥｔｈｏｘｙＳｉｌａｎｅ：ＧＰＴＥＳ）又はグリシジルオキシプロピル−トリメトキシシラン（ＧｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙＰｒｏｐｙｌ−ＴｒｉＭｅｔｈｏｘｙＳｉｌａｎｅ：ＧＰＴＭＳ）などであればよい。硬化剤に該当する架橋剤はエチレンジアミン（ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｄｉａｍｉｎｅ）であればよい。
【００４２】
下記表１〜表３を参照すると、シリカ混成複合物の多様な条件による状態又は膜強度などの物性が分かる。
【００４３】
被膜の物性のうち、硬度は、鉛筆硬度法で測定され、接着力は、ＡＳＴＭ  Ｄ３３５９に基づいて３Ｍテープ（ｔａｐｅ）を用いて密着評価法で測定された。鉛筆硬度法は、硬度測定器（２２１−Ｄ、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  ｐｅｎｃｉｌ  ｈａｒｄｎｅｓｓ  ｔｅｓｔｅｒ）に鉛筆硬度測定用鉛筆を４５゜の角度で挟み、１ｋｇの一定の荷重を加えながら押し、被膜の表面の強度損失の有無によって評価する方法である。鉛筆としては、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ社の製品を用いた。
【００４４】
接着力については、硬化された被膜に、切断機（ｃｕｔｔｅｒ）を用いて１ｍｍの間隔で１１×１１型の碁盤の目状の傷をつけ、その上に３Ｍテープをつけて速やかに剥がした後、スライドガラスに残っている被膜片の個数で評価した。
【００４５】
下記表１は、本発明の実施例によるシリカ混成複合物のｐＨによる状態、鉛筆硬度及び接着力に関する評価結果である。
【００４６】
シリカ５ｗｔ％の溶液にグリシジルオキシプロピル−トリエトキシシラン０．１ｍｏｌ／ｌを添加し、硝酸でｐＨを調節して製作したシリカ混成複合物を遊離スライドガラス（ｄｉｓｅｎｇａｇｅｄ  ｓｌｉｄｅ  ｇｌａｓｓ）に沈積し、８０℃で２４時間乾燥した後の被膜の物性を評価した。
【００４７】
【表１】
0006483009.tif 000002
【００４８】
表１から分かるように、シリカ混成複合物の状態は、ｐＨが３以下及び８以上の場合は、凝集が酷くなることによりゲル化（ｇｅｌｌａｔｉｏｎ）して不透明な状態であるが、ｐＨが３〜７の範囲内の場合は、透明なゾルの状態で、分散安定性に優れている。
【００４９】
しかしながら、被膜の硬度と接着力の評価では、ｐＨ４〜６の範囲内で被膜の硬度と接着特性に優れている。
【００５０】
下記表２は、本発明の実施例によるシリカ混成複合物のシラン結合物質の濃度による状態、鉛筆硬度及び接着力に関する評価結果である。
【００５１】
シリカ５ｗｔ％の溶液に多様なモル濃度のグリシジルオキシプロピル−トリエトキシシランを添加し、硝酸を用いて最終ｐＨを４にして製作したシリカ混成複合物を遊離スライドガラス（ｄｉｓｅｎｇａｇｅｄ  ｓｌｉｄｅ  ｇｌａｓｓ）に沈積し、８０℃で２４時間乾燥した後の被膜の物性を評価した。
【００５２】
【表２】
0006483009.tif 000003
【００５３】
表２から分かるように、シリカ混成複合物の状態は、グリシジルオキシプロピル−トリエトキシシランのモル濃度が０．１４ｍｏｌ／ｌを超える場合は、凝集が酷くなることによりゲル化して不透明な状態であるが、モル濃度が０．１４ｍｏｌ／ｌ以下の場合は、透明なゾルの状態で、分散安定性に優れている。
【００５４】
しかしながら、グリシジルオキシプロピル−トリエトキシシランのモル濃度が０．０９ｍｏｌ／ｌ以下の場合は、被膜の硬度及び接着力が弱く、モル濃度が０．０９〜０．１４ｍｏｌ／ｌの範囲内の場合は、被膜の硬度及び接着特性に優れている。
【００５５】
下記表３は、本発明の実施例によるシリカ混成複合物のシラン結合物質の濃度によるメッキの拡散の程度に関する評価結果である。
【００５６】
シリカ５ｗｔ％の溶液に多様なモル濃度のグリシジルオキシプロピル−トリエトキシシランを添加し、硝酸を用いて最終ｐＨを４にして製作したシリカ混成複合物をパワーインダクタ１００の磁性本体１３０の表面に塗布して被膜を形成し、メッキ工程を行った後、パワーインダクタ１００の磁性本体１３０の表面におけるメッキ層の形成の有無を評価した。
【００５７】
【表３】
0006483009.tif 000004
【００５８】
表３から分かるように、被膜の硬度及び接着特性に優れたグリシジルオキシプロピル−トリエトキシシランのモル濃度である０．０９〜０．１４ｍｏｌ／ｌの範囲で、パワーインダクタ１００の磁性本体１３０の表面にメッキ層が形成される頻度が最も少ない。これは、メッキ工程で発生する摩擦力に対して被膜を十分に維持させることにより、本発明の実施例によるシリカ混成複合物で形成された被膜が、パワーインダクタ１００の磁性本体１３０の表面にメッキ層が形成されることを抑制する役割を行うためである。
【００５９】
本発明の実施形態によるパワーインダクタは、外部電極が備えられる磁性本体の表面に、外部電極を除いた部位を覆うようにメッキ防止膜が備えられることにより、外部電極を形成するためのメッキ工程でメッキの拡散によって信頼性が低下することを防止することができる。したがって、歩留まりを向上させることができるパワーインダクタを提供することができる。
【００６０】
また、本発明の実施形態による方法で製造されたパワーインダクタは、外部電極が形成される磁性本体の表面に、外部電極を除いた部位を覆うようにメッキ防止膜が形成されることにより、外部電極を形成するためのメッキ工程でメッキの拡散によって信頼性が低下することを防止することができる。したがって、歩留まりを向上させることができるパワーインダクタの製造方法を提供することができる。
【００６１】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００６２】
１００  パワーインダクタ
１１０  基板
１２０  内部電極コイルパターン
１３０  磁性本体
１４２、１４４  外部電極
１５０  メッキ防止膜
【図１】
0006483009.tif 000005