(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を収容する第１の減圧チャンバーと、
前記第１の減圧チャンバー内に収容された基材へウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成部と、
基材を収容する第２の減圧チャンバーと、
前記第１の減圧チャンバーから前記第２の減圧チャンバーへの基材の搬送経路であり、減圧される減圧搬送路と、
前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成部と、
を備えることを特徴とする、封止膜形成装置。
【請求項２】
前記カバー膜材料は、無溶剤系の液体であることを特徴とする、請求項１に記載の保護膜形成装置。
【請求項３】
前記カバー膜材料は、加熱硬化型または紫外線硬化型もしくは吸水硬化型の液体であることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の保護膜形成装置。
【請求項４】
前記カバー膜形成部はエレクトロスプレー装置であり、前記カバー膜材料供給時の前記第１の減圧チャンバー内の圧力は０．２Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の保護膜形成装置。
【請求項５】
第１の減圧チャンバー内に収容された基材へ減圧環境下でウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成工程と、
減圧環境下で基材を前記第１の減圧チャンバーから第２の減圧チャンバーへ搬送する減圧搬送工程と、
前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へ減圧環境下でドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成工程と、
を有することを特徴とする、封止膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、水分の浸入を防止する封止膜を対象物に形成する封止膜形成装置および封止膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬや薄膜太陽電池など、水分に弱い電子デバイスの製造において、デバイスへ水分が浸入しないようにデバイスを封止する必要がある。従来では、ガラスやバリア性の高いフィルムなどを用いてデバイスを封止していたが、製品をより薄く軽量化させるために、近年、ＣＶＤ法などのドライプロセスによってバリア性の高い薄膜（封止膜）をデバイス表面に成膜させることによって、電子デバイスを外気から保護する手段が採用されつつある。
【０００３】
ただし、このように封止膜で保護を行う場合、図５のように工程上発生してしまうパーティクルなどの異物９１が電子デバイス（基材Ｗ）上に付着したときにその上から封止膜９０を形成させてしまうと、部位９２のように封止膜材料が回り込めないような急峻な窪みがある部位では封止膜９０が途切れやすくなり、そこから水分が浸入して電子デバイスの劣化が生じる可能性があった。すなわち、封止膜のバリア性が低くなる可能性があった。
【０００４】
そこで、たとえば特許文献１では、図６に示す通りエレクトロスプレー法、インクジェット法などのウェットプロセスによって基材Ｗの表面に流動性のあるカバー膜９３を形成してカバー膜９３で異物９１を埋めてから、カバー膜９３の表面に封止膜９０を形成することが提案されている。これにより、カバー膜９３のなだらかな表面に封止膜９０を形成することができるので、途切れが無くバリア性の高い封止膜９０を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特願２０１４−１０５５６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の封止膜の形成方法だと、それでも封止膜のバリア性が低くなる可能性があるおそれがあった。具体的には、カバー膜を形成した後ドライプロセスで封止膜を形成するためにドライプロセス装置まで基材を搬送して基材周辺を減圧する際に大きな気流が発生するため、カバー膜上にパーティクルなどの異物が付着する可能性がある。その結果、図７に示すように封止膜９０は異物９４の周辺で途切れが生じ、バリア性が低くなる可能性があった。
【０００７】
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる封止膜形成装置および封止膜形成方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明の封止膜形成装置は、基材を収容する第１の減圧チャンバーと、前記第１の減圧チャンバー内に収容された基材へウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成部と、基材を収容する第２の減圧チャンバーと、前記第１の減圧チャンバーから前記第２の減圧チャンバーへの基材の搬送経路であり、減圧される減圧搬送路と、前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成部と、を備えることを特徴としている。
【０００９】
上記封止膜形成装置によれば、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。具体的には、第１の減圧チャンバー、減圧搬送路、および第２の減圧チャンバーを有していることにより、カバー膜が形成されてからカバー膜の表面に封止膜が形成されるまで常に減圧環境を維持することができるため、カバー膜の表面に異物が付着することを防ぐことができ、ならだかなカバー膜表面にバリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。
【００１０】
また、前記カバー膜材料は、無溶剤系の液体であると良い。
【００１１】
こうすることにより、減圧環境下でウェットプロセスを行う際にカバー膜内の溶剤が揮発して塗布完了前に硬化してしまうことを防ぐことができる。
【００１２】
また、前記カバー膜材料は、加熱硬化型または紫外線硬化型もしくは吸水硬化型の液体であると良い。
【００１３】
こうすることにより、減圧環境下でも容易にカバー膜を硬化させることができる。
【００１４】
また、前記カバー膜形成部はエレクトロスプレー装置であり、前記カバー膜材料供給時の前記第１の減圧チャンバー内の圧力は０．２Ｐａ以下であると良い。
【００１５】
こうすることにより、減圧環境下であっても第１の減圧チャンバーとエレクトロスプレー装置の間やノズルとステージ間で異常放電が起こることを防ぎ、安定してカバー膜を形成することができる。
【００１６】
また、上記課題を解決するために本発明の封止膜形成方法は、第１の減圧チャンバー内に収容された基材へ減圧環境下でウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成工程と、減圧環境下で基材を前記第１の減圧チャンバーから第２の減圧チャンバーへ搬送する減圧搬送工程と、前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へ減圧環境下でドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成工程と、を有することを特徴としている。
【００１７】
上記封止膜形成方法によれば、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。具体的には、カバー膜形成工程、減圧搬送工程、および封止膜形成工程とを有することにより、カバー膜が形成されてからカバー膜の表面に封止膜が形成されるまで常に減圧環境を維持することができるため、カバー膜の表面に異物が付着することを防ぐことができ、なだらかなカバー膜表面にバリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の封止膜形成装置および封止膜形成方法によれば、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態における封止膜形成装置を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態における封止膜形成方法を示すフロー図である。
【図３】エレクトロスプレー塗布における減圧チャンバー内圧力と放電電圧との関係を示したグラフである。
【図４】他の実施形態における封止膜形成装置を示す概略図である。
【図５】従来の封止膜形成方法により基材に形成された封止膜を示す概略図である。
【図６】本発明の封止膜形成方法により基材に形成された封止膜を示す概略図である。
【図７】従来の封止膜形成方法により基材に形成された封止膜を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態における封止膜形成装置を示す概略図であり、断面図である。
【００２２】
封止膜形成装置１は、カバー膜形成部２および封止膜形成部３を有し、基材Ｗの表面にカバー膜形成部２によってカバー膜９３を形成し、このカバー膜９３の表面に封止膜形成部３によって封止膜９０を形成する。
【００２３】
また、カバー膜形成部２は第１の減圧チャンバー４に収容されており、減圧環境下でカバー膜９３が形成される。また、封止膜形成部３は第２の減圧チャンバー５に収容されており、減圧環境下で封止膜９０が形成される。
【００２４】
また、第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５とは、第１の減圧チャンバー４から第２の減圧チャンバー５への基材Ｗの搬送経路である減圧搬送路６を介して連結されており、減圧搬送路６の内部が減圧されていることによって、減圧状態を維持したまま基材Ｗにカバー膜９３および封止膜９０を形成することが可能である。
【００２５】
カバー膜形成部２は基材Ｗへウェットプロセスによりカバー膜材料を供給する装置であり、本実施形態ではエレクトロスプレー装置である。なお、ウェットプロセスにより成膜対象に数百ｎｍ〜数十ｕｍの膜厚のカバー膜９３を形成することが可能である。なお、カバー膜９３のバリア性は高くなく、後述の封止膜９０によってバリア性が確保される。
【００２６】
カバー膜形成部２はノズル２１、シリンジ２２、電源２３、およびステージ２４を有し、シリンジ２２から供給されたカバー膜材料が内部に充填されたノズル２１に対して電源２３が電圧を印加することにより、ステージ２４に載置された基材Ｗに向かって溶液材料がスプレーされる。
【００２７】
ノズル２１は、導電体製の管状の部材であり、開口がＺ軸方向（上下方向）を向いている。また、ノズル２１はシリンジ２２と接続されており、シリンジ２２からノズルの中空部にカバー膜材料が充填される。なお、本実施形態ではノズル２１として内径０．８ｍｍ、外径１．２ｍｍの管状体を用いている。
【００２８】
また、ノズル２１には電源２３が接続されており、ノズル２１の中空部を通るカバー膜材料に電圧を印加した状態で、溶液材料を下方から上方に向かって噴霧するように構成されている。そして、ノズル２１から噴霧された溶液材料は、ノズル２１と基材Ｗとの間でスプレーを形成し、基材Ｗにカバー膜９３として堆積される。
【００２９】
シリンジ２２は、筒状のシリンダおよび当該シリンダの内壁を摺動するピストンを有し、シリンダに対してピストンが押し込まれる方向に駆動することによってシリンダ内に貯留されたカバー膜材料がピストンに対して反対側から押し出され、押し出されたカバー膜材料がノズル２１に供給される。また、ピストンは図示しない駆動源に接続されており、この駆動源によりピストンは精密駆動して５〜１００ｕｌ／ｍｉｎ程度の微量のカバー膜材料をノズル２１に送り出す。なお、シリンジ２２は第１の減圧チャンバ４―内ではなく、チャンバー外の大気側に設置してもよい。
【００３０】
ステージ２４は、基材Ｗを把持する機構を有するプレートであり、導電性を有する。本実施形態では、ステージ２４は金属板である。ステージ２４は、カバー膜の形成時に基材Ｗに対してノズル２１と反対側から基材Ｗに接触して基材Ｗを把持するとともに接地するように構成されている。これにより、電源２３により電圧が印加されるノズル２１とステージ２４との間に電位差が生じ、ノズル２１とステージ２４との間に電気力線が形成される。そして、電圧が印加されてノズル２１から噴出するカバー膜材料は、電気力線の影響を受けてステージ２４に向かって飛行し（すなわちＺ軸方向に飛行し）、スプレーを形成する。
【００３１】
封止膜形成部３は、基材Ｗへドライプロセスにより封止膜材料を供給する装置であり、本実施形態ではプラズマＣＶＤ装置である。なお、ドライプロセスによって成膜対象に数十ｎｍ〜数ｕｍの膜厚の封止膜９０を形成することが可能である。
【００３２】
封止膜形成部３は、成膜チャンバー３１、電極ユニット３２、プラズマガス供給源３３、原料ガス供給源３４、高周波電源３５、およびステージ３６を有しており電極ユニット３２が成膜チャンバー内に設けられている。成膜チャンバー３１の内部が減圧された状態でプラズマガス供給源３３および原料ガス供給源３４からプラズマガスおよび原料ガスが供給され、高周波電源３５によって電極ユニット３２に高周波電力が印加されることにより、プラズマガスがプラズマ化して誘導結合プラズマが発生し、この誘導結合プラズマが原料ガスを分解させる。この分解された原料ガスがステージ３６に載置された基材Ｗに堆積することにより、封止膜９０が形成される。
【００３３】
成膜チャンバー３１は、たとえば複数のステンレス板が直方体状に組み合わされて構成される中空の箱状体であり、この成膜チャンバー３１の内部の空間に電極ユニット３２が配置される。
【００３４】
また、成膜チャンバー３１は一部開口しており、この開口部にメッシュ３７が設けられ、メッシュ３７を介して後述する第２の減圧チャンバー５と連結している。そして、第２の減圧チャンバー５の内部が減圧されることに連動して、成膜チャンバー３１の内部も減圧される。
【００３５】
成膜チャンバー３１を形成する外壁部には、プラズマガス供給源３３および原料ガス供給源３４が設けられており、これらから成膜チャンバー３１内にプラズマガスおよび原料ガスが供給される。
【００３６】
なお、本実施形態では原料ガスとしてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）ガスを用いている。これに対し、プラズマガスとしてアルゴンガスおよび水素ガスを用いることにより、封止膜としてＳｉ化合物膜が形成され、また、プラズマガスとして酸素ガスが用いられることにより、封止膜としてＳｉＯ２膜が形成される。Ｓｉ化合物膜はＳｉＯ２膜よりも密着性が高く、ＳｉＯ２膜はＳｉ化合物膜よりもバリア性が高い。本実施形態ではＳｉ化合物膜とＳｉＯ２膜とが交互に形成されるよう複数回の成膜を行っており、高いバリア性と密着性の両方を具備する封止膜９０を形成させている。
【００３７】
電極ユニット３２はたとえば銅などの導電性を有する材料で構成され、略Ｕ字状の形状を有しており、成膜チャンバー３１の壁面に固定されている。
【００３８】
また、電極ユニット３２の両端は高周波電源３５に接続されており、高周波電源３５が作動して電極ユニット３２に高周波電力が印加されることにより、成膜チャンバー３１の内部空間にて略Ｕ字状の電極ユニット３２の間で絶縁破壊が生じ、プラズマガスをプラズマ化させる。
【００３９】
ステージ３６は基材Ｗを把持する機構を有するプレートであり、メッシュ３７を挟んで電極ユニット３２と反対側、すなわち第２の減圧チャンバー５側に設けられている。これにより、成膜チャンバー３１内で分解された原料ガスはメッシュ３７を通ってステージ３６へ向かい、ステージ３６に載置された基材Ｗに封止膜を形成する。ここで、メッシュ３７が接地されていることにより、分解された原料ガスのうち成膜に必要なラジカルのみがメッシュ３７を通過し、成膜に不要な電子、イオン等はメッシュ３７に付着もしくは跳ね返される。
【００４０】
第１の減圧チャンバー４は真空ポンプ４１を有し、真空ポンプ４１を動作させることにより、内部空間を減圧環境（大気圧よりも低い気圧である環境）にする。そして、第１の減圧チャンバー４の内部にはカバー膜形成部２が設けられており、カバー膜形成部２を用いたウェットプロセスによるカバー膜形成作業を減圧環境下で実施することができる。
【００４１】
また、第１の減圧チャンバー４にはシャッター４２およびシャッター４３が設けられており、シャッター４２が開くことにより、カバー膜形成部２より前の工程の装置から基材Ｗを搬入し、シャッター４３が開くことにより、カバー膜形成部２より後の工程の装置（本実施形態では封止膜形成部３）へ基材Ｗを搬出することができる。
【００４２】
第２の減圧チャンバー５は真空ポンプ５１を有し、真空ポンプ５１を動作させることにより、内部空間を減圧環境にする。そして、第２の減圧チャンバー５の内部には封止膜形成部３が設けられており、封止膜形成部３を用いたドライプロセスによる封止膜形成作業を減圧環境下で実施することができる。
【００４３】
また、第２の減圧チャンバー５にはシャッター５２およびシャッター５３が設けられており、シャッター５２が開くことにより、封止膜形成部３より前の工程の装置（本実施形態ではカバー膜形成部２）から基材Ｗを搬入し、シャッター５３が開くことにより、封止膜形成部３より後の工程の装置へ基材Ｗを搬出することができる。
【００４４】
減圧搬送路６は、第１の減圧チャンバー４から第２の減圧チャンバー５への基材Ｗの搬送経路であり、隔壁６１、真空ポンプ６２を有している。
【００４５】
隔壁６１は第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５との間を外気から遮断する壁部であり、隔壁６１で仕切られた内部を基材Ｗが搬送される。そして、真空ポンプ６２が動作することにより減圧搬送路６内を減圧環境にすることができ、第１の減圧チャンバー４内において基材Ｗにカバー膜９３が形成される時から第２の減圧チャンバー５内において基材Ｗに封止膜９０が形成されるまでの間、減圧環境を維持することができる。
【００４６】
ここで、第１の減圧チャンバー４内、第２の減圧チャンバー５内、および減圧搬送路６内の圧力は必ずしも同一である必要はない。たとえば、減圧搬送路６内の圧力を第１の減圧チャンバー４内および第２の減圧チャンバー５内の圧力よりも低くすることにより、第１の減圧チャンバー４内でカバー膜９３が硬化するときに発生するアウトガスが第２の減圧チャンバー５内に入り込むことを防ぐことができる。
【００４７】
また、減圧搬送路６内に減圧環境を維持しながらＡｒなどの不活性ガスを供給し、第１の減圧チャンバー４や第２の減圧チャンバー５の圧力よりも高くすることにより、気体などが第１の減圧チャンバー４から減圧搬送路６内に混入することを防ぎ、また第２の減圧チャンバー５から減圧搬送路６内に混入することも防ぐことも可能となる。
【００４８】
また、減圧搬送路６には基材Ｗを搬送する搬送装置６３が設けられており、搬送装置のハンド６４が第１の減圧チャンバー４へ移動することにより、基材Ｗをステージ２４から取り出すことができ、また、ハンド６４が第２の減圧チャンバー５へ移動することにより、基材Ｗをステージ３６に載置することができる。
【００４９】
次に、上記封止膜形成装置１を用いた本発明の封止膜形成方法の動作フローを図２に示す。なお、本実施形態では真空ポンプ４１、真空ポンプ５１、および真空ポンプ６２は常に動作しており、第１の減圧チャンバー４、第２の減圧チャンバー５、および減圧搬送路６の内部は常に減圧されているものとする。
【００５０】
まず、シャッター４２が開き、ウェットプロセスの前の工程の装置から第１の減圧チャンバー４内へ図示しない搬送装置によって基材Ｗが搬入され、ステージ２４へ載置される（ステップＳ１）。
【００５１】
次に、シャッター４２が閉まり、第１の減圧チャンバー４内の圧力が所定の値となった後、ウェットプロセスにより基材Ｗの表面にカバー膜９３が形成される（ステップＳ２）。
【００５２】
カバー膜９３が形成された後、第１の減圧チャンバー４内でカバー膜９３が硬化される（ステップＳ３）。カバー膜９３を硬化する手段は、加熱、紫外線照射などが挙げられる。
【００５３】
次に、減圧搬送路６を介して第１の減圧チャンバー４から第２の減圧チャンバー５へ基材Ｗが搬送される（ステップＳ４）。これにより、カバー膜９３の形成が開始する時点から封止膜９０の形成が完了する時点まで減圧環境が維持される。
【００５４】
ここで、基材Ｗの搬送時はシャッター４３およびシャッター５２が開き、搬送装置６３によって基材Ｗの搬送が行われる。このとき、万が一カバー膜９３の硬化の際に生じたアウトガスが第２の減圧チャンバー５に入り込んで封止膜９０の形成に悪影響が生じることを防ぐために、シャッター４３が開いてハンド６４がステージ２４から基材Ｗを受け取る間はシャッター５２は閉まっており、ハンド６４が基材Ｗを受け取って減圧搬送路６内に収納されてシャッター４３が閉じた後にシャッター５２が開くようにしている。そして、ハンド６４が第２の減圧チャンバー５内に進入し、ステージ３６へ基材Ｗを受け渡す。
【００５５】
次に、シャッター５２が閉まり、第２の減圧チャンバー５内の圧力が所定の値となった後、ドライプロセスによりカバー膜９３の表面に封止膜９０が形成される（ステップＳ５）。
【００５６】
最後に、シャッター５３が開いて、図示しない搬送装置によって第２の減圧チャンバー５から基材Ｗが搬出され、次の工程の装置へ搬送される（ステップＳ６）。
【００５７】
以上の封止膜形成装置１および封止膜形成方法を用いて形成された封止膜９０は図６に示すような形態をとる。すなわち、基材Ｗの表面にカバー膜９３が形成され、そのカバー膜９３の表面に封止膜９０が形成される。
【００５８】
カバー膜９３は流動性があるカバー膜材料をウェットプロセスを用いて基材Ｗに塗布することによって形成されるため、万が一第１の減圧チャンバー４に搬送された基材Ｗに異物９１が付着していたとしてもカバー膜９３が異物９１を包み込み、その表面は封止膜材料が回り込めないような急峻な窪みが無い、なだらかなものとなる。そして、封止膜９０はそのカバー膜９３の表面に形成される。
【００５９】
また、カバー膜９３の形成が開始する時点から封止膜９０の形成が完了する時点まで減圧環境が維持されることにより、図７に示すようにカバー膜９３の表面に異物９４が付着するようなことが無いため、途切れが無くバリア性の高い封止膜９０を得ることができる。
【００６０】
一方、電子デバイスを製造する一連の工程では、他の工程も減圧環境下で行われるものが多いため、カバー膜９３の形成が開始する時点から封止膜９０の形成が完了する時点まで減圧環境が維持されることは、ウェットプロセスを行うために気圧を大気圧に戻し、ウェットプロセスを行った後再度減圧を行うといった手間を省くことができるという特徴もある。
【００６１】
ここで、カバー膜９３が異物９１を包み込み、カバー膜９３の表面がなだらかとなるためには、ウェットプロセス中はカバー膜材料は液体状態を保持することが望ましい。ただし、低圧環境下では溶剤は揮発し易くなるため、液体状態を維持することは困難である。そこで、カバー膜材料の溶剤は蒸気圧の低い溶媒を含まないことが好ましい。また、カバー膜材料自体がたとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂といった無溶剤系の液体であれば、溶剤の揮発を考慮する必要が無いため、さらに好ましい。
【００６２】
また、カバー膜材料の硬化の形態については、カバー膜材料が加熱硬化型または紫外線硬化型の液体であれば、減圧環境下でも硬化の進行を制御しやすいため好ましい。また、吸水硬化型であっても良い。このとき、第１の減圧チャンバー４内に含まれる僅かな水分によって硬化するようにしても構わないが、基材Ｗへのカバー膜材料の供給完了後に図示しない水供給手段によって第１の減圧チャンバー４の外側から内側へ水を供給しても良い。
【００６３】
次に、ウェットプロセスとしてエレクトロスプレー塗布を採用した場合における第１の減圧チャンバー４内の圧力と放電電圧との関係を図３のグラフに示す。
【００６４】
エレクトロスプレー塗布では、前述の通りノズル２１に電圧を印加するが、減圧環境下ではノズル２１と第１の減圧チャンバー４の壁面との間やノズル２１とステージ２４との間で異常放電が生じてエレクトロスプレー塗布が行いにくくなる可能性がある。
【００６５】
図３は複数パターンのチャンバ内圧力におけるノズル２１と第１の減圧チャンバー４の壁面との間の放電電圧をプロットしたものである。なお、本実施形態において、ノズル２１と第１の減圧チャンバー４の壁面との距離は約２００ｍｍであり、ノズル２１とステージ２４の距離は５０〜１００ｍｍである。この結果、たとえば図３に二点鎖線で示す通り、放電電圧の変化はパッシェンの法則に従ってある圧力で極小値をとり、その圧力以下では圧力が低くなるほど放電電圧が高くなっている。
【００６６】
ここで、本実施形態ではエレクトロスプレー塗布ではノズル２１に約１２ｋＶの電圧を印加しており、チャンバ内圧力が０．２Ｐａ以下であればチャンバ壁面との間での異常放電を抑えてエレクトロスプレー塗布を行い、安定してカバー膜９３を形成することができる。
【００６７】
以上の封止膜形成装置および封止膜形成方法により、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。
【００６８】
ここで、本発明の封止膜形成装置および封止膜形成方法は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、図１の実施形態では第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５との間に隔壁６１を有する減圧搬送路６を別個設けているが、図４に示すように第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５とを直接連結させても良い。この場合、第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５のそれぞれの外壁の開口部が連結して形成される空間が減圧搬送路６となる。
【００６９】
また、基材Ｗは図１などに示すような枚葉状のものに限らず、長尺のフィルム状のものであっても良い。この場合、基材Ｗはロールトゥロールで搬送しても良く、このとき第１の減圧チャンバー４および第２の減圧チャンバー５に基材Ｗが通る最低限の寸法の開口を設け、基材Ｗの搬送経路とすることにより、第１の減圧チャンバー４や第２の減圧チャンバー５のプロセスで発生するガスが別チャンバーに混入しにくい構造にすることができる。
【００７０】
また、カバー膜形成部２はエレクトロスプレー装置に限らず他のウェットプロセス装置であっても良い。たとえば、スリットノズル塗布装置やインクジェット塗布装置などでも良い。
【００７１】
また、封止膜形成部３はＣＶＤ装置に限らず他のドライプロセス装置であっても良い。たとえば、スパッタリング装置であっても良い。
【符号の説明】
【００７２】
１  封止膜形成装置
２  カバー膜形成部
３  封止膜形成部
４  第１の減圧チャンバー
５  第２の減圧チャンバー
６  減圧搬送路
２１  ノズル
２２  シリンジ
２３  電源
２４  ステージ
３１  成膜チャンバー
３２  電極ユニット
３３  プラズマガス供給源
３４  原料ガス供給源
３５  高周波電源
３６  ステージ
３７  メッシュ
４１  真空ポンプ
４２  シャッター
４３  シャッター
５１  真空ポンプ
５２  シャッター
５３  シャッター
６１  隔壁
６２  真空ポンプ
６３  搬送装置
６４  ハンド
９０  封止膜
９１  異物
９２  部位
９３  カバー膜
９４  異物
Ｗ  基材
【図１】
0006560923.tif 000002
【図２】
0006560923.tif 000003
【図３】
0006560923.tif 000004
【図４】
0006560923.tif 000005
【図５】
0006560923.tif 000006
【図６】
0006560923.tif 000007
【図７】
0006560923.tif 000008