(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
タブをそれぞれ含む複数の電極を有する電極組立体の製造方法であって、
導電部材上に配置され、積層された複数の前記タブを有するタブ積層体を準備する工程と、
前記タブ積層体の積層方向に沿って延在する前記タブ積層体の端面を溶接することによって、前記タブ積層体の前記端面から内側に溶接部を形成する工程と、
を含み、
前記準備する工程では、前記導電部材が、前記タブ積層体の積層方向から見たときに、前記タブ積層体における前記溶接部を形成するための部分に位置する有底の溝部であって、前記溶接部に位置する第１の部分と、前記第１の部分に隣接する第２の部分とを有する切り欠き部を有し、
前記準備する工程では、
前記タブ積層体および前記導電部材を前記タブ積層体の積層方向から見たときに、前記第２の部分の一部が前記タブ積層体の前記端面の外側に位置しており、
前記溶接部を形成する工程において、
前記第１の部分は、前記溶接部の材料と同じ材料で埋められ、
前記第２の部分は、空隙である、電極組立体の製造方法。
【請求項２】
タブをそれぞれ含む複数の電極を有する電極組立体の製造方法であって、
導電部材上に配置され、積層された複数の前記タブを有するタブ積層体を準備する工程と、
前記タブ積層体の積層方向に沿って延在する前記タブ積層体の端面を溶接することによって、前記タブ積層体の前記端面から内側に溶接部を形成する工程と、
を含み、
前記準備する工程では、前記導電部材が、前記タブ積層体の積層方向から見たときに、前記タブ積層体における前記溶接部を形成するための部分に位置する有底の溝部であって、前記溶接部に位置する第１の部分と、前記タブ積層体の前記端面から前記内側に向かう方向において前記第１の部分に隣接する第２の部分とを有する切り欠き部を有し、
前記溶接部を形成する工程において、
前記第１の部分は、前記溶接部の材料と同じ材料で埋められ、
前記第２の部分は、空隙である、電極組立体の製造方法。
【請求項３】
前記準備する工程では、
前記タブ積層体の前記端面から前記内側に向かう方向において、前記切り欠き部の長さが前記溶接部を形成するための部分の長さと等しい、
請求項１または２に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項４】
前記導電部材は、互いに接触しておらず、前記タブ積層体を前記積層方向に挟んで離間している保護板および集電板である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項５】
タブをそれぞれ含む複数の電極を有する電極組立体であって、
導電部材と、
前記導電部材上に配置され、積層された複数の前記タブを有するタブ積層体と、
を備え、
前記タブ積層体は、前記タブ積層体の積層方向に沿って延在する前記タブ積層体の端面から内側に位置する溶接部を有し、
前記導電部材は、前記タブ積層体の前記端面から前記内側に向かう方向に延在する有底の溝部であって、前記タブ積層体の積層方向から見たときに前記溶接部に位置する第１の部分と、前記タブ積層体の前記端面から前記内側に向かう方向において前記第１の部分に隣接する第２の部分とを有する切り欠き部を有し、
前記第１の部分は、前記溶接部の材料と同じ材料で埋まっており、
前記第２の部分は、空隙である、
電極組立体。
【請求項６】
前記タブ積層体の前記端面から前記内側に向かう方向において、前記切り欠き部の先端は、前記溶接部の先端よりも前記内側に位置している、請求項５に記載の電極組立体。
【請求項７】
前記導電部材は、互いに接触しておらず、前記タブ積層体を前記積層方向に挟んで離間している保護板および集電板である、請求項５または６に記載の電極組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極組立体の製造方法および電極組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、重ね合わせた金属部材のうち、熱源側に位置する金属部材に開口を形成し、溶接を行う手法を開示する。特許文献１によれば、開口部の目視によって溶接状態が確認される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−９４７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
たとえばリチウムイオン電池などの蓄電装置は、複数の電極が積層された電極組立体を備える。各電極はタブを有しており、電極組立体を製造する際には、積層された電極のタブが溶接される。このような積層された電極のタブの溶接について、特許文献１では何ら検討がなされていない。
【０００５】
本発明の一側面は、積層されたタブの溶接状態を確認することが可能な電極組立体の製造方法および電極組立体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る電極組立体の製造方法は、タブをそれぞれ含む複数の電極を有する電極組立体の製造方法であって、導電部材上に配置され、積層された複数のタブを有するタブ積層体を準備する工程と、タブ積層体の積層方向に沿って延在するタブ積層体の端面を溶接することによって、タブ積層体の端面から内側に溶接部を形成する工程と、を含み、準備する工程では、導電部材およびタブ積層体の少なくとも一方が、タブ積層体の積層方向から見たときにタブ積層体における溶接部を形成するための部分に位置する切り欠き部を有する。
【０００７】
上記電極組立体の製造方法では、タブ積層体の端面を溶接することによって、タブ積層体の端面から内側に溶接部が形成される。ここで、導電部材およびタブ積層体の少なくとも一方が、タブ積層体の積層方向から見たときに、タブ積層体における溶接部を形成するための部分に位置する切り欠き部を有する。そのため、溶接部が形成される際には、溶融したタブが切り欠き部に流れ込む。たとえば、溶接部が広範囲にわたって形成されるほど、溶融したタブの切り欠き部への流れ込み量が多くなり、切り欠き部のより多くの部分が埋められることになる。したがって、溶融したタブによって切り欠き部がどの程度埋められたかという切り欠き部の状態に基づいて、積層されたタブの溶接状態を確認することができる。
【０００８】
切り欠き部は、溶接部を形成するための部分に隣接する導電部材の部分に設けられてもよい。また、切り欠き部は、タブ積層体の端面に設けられてもよい。たとえばこのように切り欠き部を設けることによって、溶接部が形成される際に、溶融したタブが切り欠き部に流れ込むようにすることができる。
【０００９】
切り欠き部が、溶接部を形成するための部分に隣接する導電部材の部分に設けられる場合、準備する工程では、タブ積層体および導電部材をタブ積層体の積層方向から見たときに、切り欠き部の一部がタブ積層体の端面の外側に位置していてもよい。溶接部を形成するための部分に隣接する導電部材の部分に切り欠き部が設けられると、切り欠き部がタブ積層体に覆われる可能性がある。切り欠き部が完全に覆われると、溶融したタブが切り欠き部に流れ込む際に切り欠き部からエアが排出されにくくなり、溶融したタブが切り欠き部に流れ込みにくくなる可能性がある。ここで、上記構成によれば、タブ積層体および導電部材をタブ積層体の積層方向から見たときに切り欠き部の一部がタブ積層体の端面の外側に位置している。このため、切り欠き部の一部がタブ積層体で覆われずに露出し、その部分から、エアが確実に排出される。よって、溶融したタブが切り欠き部に流れ込みやすくなる。
【００１０】
切り欠き部は、タブ積層体の端面から内側に向かう方向に延在するように設けられてもよい。タブ積層体の端面に形成される溶接部は、溶接が十分に行われるほど、端面から内側に向かう方向に長くなる。そのような方向に延在するように切り欠き部を設ければ、溶接が十分に行われるほど、溶融したタブの切り欠き部への流れ込み量が大きくなる。このような切り欠き部の状態に基づけば、積層されたタブの溶接状態の確認をより適切に行うことができる。
【００１１】
準備する工程では、タブ積層体の端面から内側に向かう方向において、切り欠き部の長さが溶接部を形成するための部分の長さと等しくてもよい。これにより、切り欠き部の長さが必要以上に長くなることを防ぐことができる。
【００１２】
本発明の一側面に係る電極組立体は、タブをそれぞれ含む複数の電極を有する電極組立体であって、導電部材と、導電部材上に配置され、積層された複数のタブを有するタブ積層体と、を備え、タブ積層体は、タブ積層体の積層方向に沿って延在するタブ積層体の端面から内側に位置する溶接部を有し、導電部材およびタブ積層体の少なくとも一方は、タブ積層体の積層方向から見たときに溶接部に位置する第１の部分と、タブ積層体の端面から内側に向かう方向において第１の部分に隣接する第２の部分とを有する切り欠き部を有し、第１の部分は、溶接部の材料と同じ材料で埋まっており、第２の部分は、空隙である。
【００１３】
上記電極組立体では、切り欠き部のうちの、タブ積層体の積層方向から見たときに溶接部に位置する第１の部分が溶接部の材料と同じ材料で埋まっている一方で、タブ積層体の端面から内側に向かう方向において第１の部分に隣接する第２の部分は空隙である。この場合、第１の部分は、切り欠き部において溶融したタブが流れ込んだ部分に相当するので、たとえば第１の部分が切り欠き部においてどの程度の割合を占めるかといった切り欠き部の状態に基づいて、積層されたタブの溶接状態を確認することができる。また、第２の部分は、切り欠き部において溶融したタブが流れ込まなかった部分に相当するので、たとえば第２の部分が切り欠き部においてどの程度の割合を占めるかといった切り欠き部の状態に基づいて、積層されたタブの溶接状態を確認することもできる。
【００１４】
タブ積層体の端面から内側に向かう方向において、切り欠き部の先端は、溶接部の先端よりも内側に位置していてもよい。この場合、切り欠き部のうち、溶接部の先端よりも内側に位置する部分には溶融したタブが流れ込みにくいので、上述の第２の部分を確保しやすくなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一側面によれば、積層されたタブの溶接状態を確認することが可能な電極組立体の製造方法および電極組立体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。
【図３】実施形態に係る電極組立体の斜視図である。
【図４】図３の電極組立体の一部を模式的に示す図である。
【図５】実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す第１の図である。
【図６】実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す第２の図である。
【図７】実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す第３の図である。
【図８】第１変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す第１の図である。
【図９】第１変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す第２の図である。
【図１０】第２変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す第１の図である。
【図１１】第２変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す第２の図である。
【図１２】第３変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す第１の図である。
【図１３】第３変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す第２の図である。
【図１４】第４変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一または同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。図面には、必要に応じてＸＹＺ座標系が示されている。Ｚ軸方向はたとえば鉛直方向、Ｘ軸方向およびＹ軸方向はたとえば水平方向である。
【００１８】
図１は、実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の断面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。図１および図２に示される蓄電装置１は、たとえばリチウムイオン二次電池といった非水電解質二次電池または電気二重層キャパシタである。
【００１９】
図１および図２に示されるように、蓄電装置１は、たとえば略直方体形状をなす中空のケース２と、ケース２内に収容された電極組立体３とを備えている。ケース２は、たとえばアルミニウムなどの金属によって形成されている。ケース２は、一方側において開口した本体部２ａと、本体部２ａの開口を塞ぐ蓋部２ｂとを有している。ケース２の内壁面上には、絶縁フィルム（図示せず）が設けられる。ケース２の内部には、たとえば非水系（有機溶媒系）の電解液が注液されている。電極組立体３では、後述する正極１１の正極活物質層１５、負極１２の負極活物質層１８、セパレータ１３が多孔質をなしており、その空孔内に、電解液が含浸されている。ケース２の蓋部２ｂには、正極端子５と負極端子６とが互いに離間して配置されている。正極端子５は、絶縁リング７を介してケース２に固定され、負極端子６は、絶縁リング８を介してケース２に固定されている。
【００２０】
電極組立体３は、積層型の電極組立体である。電極組立体３には、複数の正極１１（電極）と、複数の負極１２（電極）と、正極１１と負極１２との間に配置された袋状のセパレータ１３とによって構成されている。セパレータ１３内には、たとえば正極１１が収容されている。セパレータ１３内に正極１１が収容された状態で、複数の正極１１と複数の負極１２とがセパレータ１３を介して交互に積層されている。
【００２１】
正極１１は、たとえばアルミニウム箔からなる金属箔１４と、金属箔１４の両面に形成された正極活物質層１５と、を有している。正極１１の金属箔１４は、矩形状の本体１４ａと、本体１４ａの一端から突出する矩形状のタブ１４ｂと、を含む。正極活物質層１５は、正極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。正極活物質層１５は、本体１４ａの両面において、少なくとも本体１４ａの中央部分に正極活物質が担持されて形成されている。
【００２２】
タブ１４ｂは、本体１４ａの上縁部から上方に延び、集電板１６（導電部材）を介して正極端子５に接続されている。集電板１６はタブ１４ｂと正極端子５との間に配置されている。集電板１６は、たとえば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１４ｂは、集電板１６と、集電板１６よりも薄い保護板２３（導電部材）との間に配置される（図３参照）。保護板２３は、たとえば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。
【００２３】
負極１２は、たとえば銅箔からなる金属箔１７と、金属箔１７の両面に形成された負極活物質層１８と、を有している。負極１２の金属箔１７は、正極１１の金属箔１４と同様に、矩形状の本体１７ａと、本体１７ａの一端から突出する矩形状のタブ１７ｂと、を含む。負極活物質層１８は、本体１７ａの両面において、少なくとも本体１７ａの中央部分に負極活物質が担持されて形成されている。負極活物質層１８は、負極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。
【００２４】
負極活物質としては、たとえば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、ＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．５）等の金属酸化物、ホウ素添加炭素等が挙げられる。ここでは、一例として、タブ１７ｂには、負極活物質が担持されていない。ただし、タブ１７ｂにおける本体１７ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００２５】
タブ１７ｂは、本体１７ａの上縁部から上方に延び、集電板１９（導電部材）を介して負極端子６に接続されている。集電板１９は、タブ１７ｂと負極端子６との間に配置されている。集電板１９は、たとえば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１７ｂは、集電板１９と、集電板１９よりも薄い保護板２７（導電部材）との間に配置される（図３参照）。保護板２７は、たとえば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。
【００２６】
セパレータ１３は、正極１１を収容している。セパレータ１３は、正極１１および負極１２の積層方向からみて矩形状である。セパレータ１３は、たとえば、一対の長尺シート状のセパレータ部材を互いに溶着して袋状に形成される。セパレータ１３の材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などのポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルセルロースなどからなる織布または不織布などが例示される。
【００２７】
図３は、実施形態に係る電極組立体の斜視図である。図４は、Ｚ軸方向から見た図３の電極組立体の一部を模式的に示す図である。図３に示される電極組立体３は、セパレータ１３を介して互いに積層された複数の正極１１および複数の負極１２を含む。複数の正極１１のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１４ａと、本体１４ａの一端からＸ軸方向に突出するタブ１４ｂとを含む。複数の負極１２のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１７ａと、本体１７ａの一端からＸ軸方向に突出するタブ１７ｂとを含む。タブ１４ｂ，１７ｂは、互いに積層されてタブ積層体２１，２５をそれぞれ構成する。すなわち、電極組立体３は、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１４ｂを有するタブ積層体２１と、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１７ｂを有するタブ積層体２５とを備える。タブ積層体２１，２５は、Ｙ軸方向において、互いに離間して配列される。
【００２８】
まず、タブ積層体２１およびその周辺の構造について説明する。タブ積層体２１は、タブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃを備える。端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟む面であり、端面２１ｃは、端面２１ａ，２１ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟んで互いに対向配置されている。また、端面２１ａ，２１ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２１ｃは、タブ積層体２１の先端に向かうにつれてタブ積層体２１の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００２９】
タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、集電板１６と保護板２３との間に配置される。タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、集電板１６上に配置される。タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、保護板２３上に配置されるとも言える。保護板２３と集電板１６とは接触しておらず、タブ積層体２１を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２１は保護板２３よりも厚く、集電板１６は保護板２３よりも厚い。
【００３０】
集電板１６のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さ（端面２１ａ，２１ｂ間の距離）よりも大きくなっている。Ｙ軸方向において、集電板１６のＹ軸方向における外側端部の位置は、本体１４ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２３のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さと略同じである。
【００３１】
タブ積層体２１は、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂからそれぞれ内側に位置する溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂに隣接する集電板１６および保護板２３の内部まで延びている。端面２１ａ，２１ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しいか、または保護板２３のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２１のタブ１４ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（たとえば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００３２】
電極組立体３では、導電部材（ここでは集電板１６または保護板２３）およびタブ積層体２１の少なくとも一方が、切り欠き部を有する。図４に示される例では、集電板１６が、切り欠き部Ｃを有する。切り欠き部Ｃは、集電板１６の一部を加工することによって形成される。加工の手法としては、たとえば、パンチ加工、プレス加工等が用いられてよい。切り欠き部Ｃは、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂから内側に向かう方向（端面２１ａの場合はＹ軸負方向、端面２１ｂの場合はＹ軸正方向）に延在するように設けられる。当該方向において、切り欠き部Ｃの先端は、溶接部Ｗの先端よりも内側に位置している。たとえば切り欠き部Ｃがタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂと同じ位置から内側に向かって延在する場合、切り欠き部Ｃの長さは、溶接部Ｗの長さよりも長い。端面２１ａから内側に向かう方向において、端面２１ａと、切り欠き部Ｃの先端との間の距離は、たとえば２ｍｍ〜５ｍｍ程度であってよい。端面２１ｂから内側に向かう方向において、端面２１ｂと、切り欠き部Ｃの先端との間の距離は、たとえば２ｍｍ〜５ｍｍ程度であってよい。切り欠き部Ｃは、Ｚ軸方向から見て、たとえば略矩形形状を有する。また、切り欠き部Ｃは、延在方向（Ｙ軸方向）から見て、たとえば略矩形の断面形状を有する（図５等参照）。
【００３３】
切り欠き部Ｃは、第１の部分Ｃ１と、第２の部分Ｃ２とを有する。第１の部分Ｃ１は、タブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）から見たときに溶接部Ｗに位置する部分である。第１の部分Ｃ１は、Ｚ軸方向において、溶接部Ｗに隣接する部分でもある。第２の部分Ｃ２は、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂから内側に向かう方向において、第１の部分Ｃ１に隣接する部分である。
【００３４】
図４に示される例では、タブ積層体２１の端面２１ａから内側に位置する溶接部Ｗに位置する第１の部分Ｃ１を有する３つの切り欠き部Ｃが、Ｘ軸方向に並んで配置される。切り欠き部Ｃは、Ｘ軸方向における溶接部Ｗの両端部分と、中央部分とにそれぞれ位置する。各切り欠き部Ｃは、タブ積層体２１の端面２１ａよりも内側（Ｙ軸負方向側）に位置している。同様に、タブ積層体２１の端面２１ｂから内側に位置する溶接部Ｗに位置する第１の部分Ｃ１を有する３つの切り欠き部Ｃが、Ｘ軸方向に並んで配置される。各切り欠き部Ｃは、タブ積層体２１の端面２１ｂよりも内側（Ｙ軸正方向側）に位置している。切り欠き部Ｃは、Ｘ軸方向における溶接部Ｗの両端部と、中央部分とにそれぞれ位置する。ただし、切り欠き部Ｃの形状および数は図４に示される例に限定されない。
【００３５】
第１の部分Ｃ１は、タブ積層体２１が有する溶接部Ｗの材料と同じ材料で埋まっている。第１の部分Ｃ１は、溶接部Ｗが形成された際に、溶融したタブ１４ｂ（溶融タブ）が切り欠き部Ｃに流れ込むことによって形成される。つまり、第１の部分Ｃ１は、切り欠き部Ｃのうち、溶融タブが流れ込んだ部分である。一方、第２の部分Ｃ２は、溶接部Ｗの材料と同じ材料で埋まっておらず、空隙である。第２の部分Ｃ２は、切り欠き部Ｃのうち、溶融タブが流れ込まなかった部分である。
【００３６】
次に、タブ積層体２５およびその周辺の構造について説明する。タブ積層体２１と同様に、タブ積層体２５は、タブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える。端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟む面であり、端面２５ｃは、端面２５ａ，２５ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟んで互いに対向配置されている。また、端面２５ａ，２５ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端に向かうにつれてタブ積層体２５の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００３７】
タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、集電板１９と保護板２７との間に配置される。タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、集電板１９上に配置される。タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、保護板２７上に配置されるとも言える。保護板２７と集電板１９とは接触しておらず、タブ積層体２５を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２５は、保護板２７よりも厚く、集電板１９は保護板２７よりも厚い。
【００３８】
集電板１９のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さ（端面２５ａ，２５ｂ間の距離）よりも大きくなっている。Ｙ軸方向において、集電板１９のＹ軸方向における外側端部の位置は、本体１７ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２７のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さと略同じである。
【００３９】
タブ積層体２５は、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂからそれぞれ内側に位置する溶接部Ｗを有する。タブ積層体２５の端面２５ｂは、タブ積層体２１の端面２１ｂと対向している。よって、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂは、Ｙ軸方向に沿って配列される。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂに隣接する集電板１９および保護板２７の内部まで延びている。端面２５ａ，２５ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しいか、または保護板２７のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２５のタブ１７ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（たとえば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００４０】
集電板１９は、集電板１６と同様に、切り欠き部Ｃを有する。切り欠き部Ｃは、集電板１９の一部を加工することによって形成される。加工の手法は、集電板１６の場合と同様であってよい。切り欠き部Ｃは、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂから内側に向かう方向（端面２５ａの場合はＹ軸正方向、端面２５ｂの場合はＹ軸負方向）に延在するように設けられる。当該方向において、切り欠き部Ｃの先端は、溶接部Ｗの先端よりも内側に位置している。たとえば切り欠き部Ｃがタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂと同じ位置から内側に向かって延在する場合、切り欠き部Ｃの長さは、溶接部Ｗの長さよりも長い。端面２５ａから内側に向かう方向において、端面２５ａと、切り欠き部Ｃの先端との間の距離は、たとえば２〜５ｍｍ程度であってよい。端面２５ｂから内側に向かう方向において、端面２５ｂと、切り欠き部Ｃの先端との間の距離は、たとえば２〜５ｍｍ程度であってよい。
【００４１】
切り欠き部Ｃの第１の部分Ｃ１は、タブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）から見たときに溶接部Ｗに位置する部分である。第１の部分Ｃ１は、Ｚ軸方向において、溶接部Ｗに隣接する部分でもある。第２の部分Ｃ２は、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂから内側に向かう方向において、第１の部分Ｃ１に隣接する部分である。
【００４２】
図４に示される例では、タブ積層体２５の端面２５ａから内側に位置する溶接部Ｗに位置する第１の部分Ｃ１を有する３つの切り欠き部Ｃが、Ｘ軸方向に並んで配置される。切り欠き部Ｃは、Ｘ軸方向における溶接部Ｗの両端部分と、中央部分とにそれぞれ位置する。各切り欠き部Ｃは、タブ積層体２５の端面２５ａよりも内側（Ｙ軸正方向側）に位置している。同様に、タブ積層体２５の端面２５ｂから内側に位置する溶接部Ｗに位置する第１の部分Ｃ１を有する３つの切り欠き部Ｃが、Ｘ軸方向に並んで配置される。各切り欠き部Ｃは、タブ積層体２５の端面２５ｂよりも内側（Ｙ軸負方向側）に位置している。切り欠き部Ｃは、Ｘ軸方向における溶接部Ｗの両端部と、中央部分とにそれぞれ位置する。ただし、切り欠き部Ｃの形状および数は図４に示される例に限定されない。
【００４３】
第１の部分Ｃ１は、タブ積層体２５が有する溶接部Ｗの材料と同じ材料で埋まっている。第１の部分Ｃ１は、溶接部Ｗが形成された際に、溶融したタブ１７ｂ（溶融タブ）が切り欠き部Ｃに流れ込むことによって形成される。つまり、第１の部分Ｃ１は、切り欠き部Ｃのうち、溶融タブが流れ込んだ部分である。一方、第２の部分Ｃ２は、溶接部Ｗの材料と同じ材料で埋まっておらず、空隙である。第２の部分Ｃ２は、切り欠き部Ｃのうち、溶融タブが流れ込まなかった部分である。
【００４４】
以上説明した電極組立体３では、切り欠き部Ｃのうちの、第１の部分Ｃ１が溶接部Ｗの材料と同じ材料で埋まっている一方で、第２の部分Ｃ２は空隙である。第１の部分Ｃ１は溶融タブが流れ込んだ部分に相当するので、たとえば第１の部分Ｃ１が切り欠き部Ｃにおいてどの程度の割合を占めるかといった切り欠き部Ｃの状態に基づいて、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂの溶接状態を確認することができる。また、第２の部分Ｃ２は、切り欠き部Ｃにおいて溶融タブが流れ込まなかった部分に相当するので、たとえば第２の部分Ｃ２が切り欠き部Ｃにおいてどの程度の割合を占めるかといった切り欠き部Ｃの状態に基づいて、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂの溶接状態を確認することもできる。溶接状態の確認は、たとえばＸ線検査、超音波検査等によって行われ得る。
【００４５】
なお、切り欠き部Ｃが全体にわたって溶接部Ｗの材料と同じ材料で埋まっている場合、つまり切り欠き部Ｃが第２の部分Ｃ２を有さない場合に比べて、切り欠き部Ｃが第２の部分Ｃ２を有することによって、切り欠き部Ｃの状態が確認しやすくなるので、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂの溶接状態をより正確に確認しやすくなる。
【００４６】
また、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂから内側に向かう方向において、切り欠き部Ｃの先端は、溶接部Ｗの先端よりも内側に位置している。この場合、切り欠き部Ｃのうち、溶接部Ｗの先端よりも内側に位置する部分には溶融タブが流れ込みにくいので、第２の部分Ｃ２を確保しやすくなる。
【００４７】
図５〜図７は、実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。図３に示される電極組立体３は、たとえば以下の方法により製造される。
【００４８】
（タブ積層体の準備工程）
まず、図５に示されるように、複数のタブ積層体２１，２５を準備する。図５（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図５（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。たとえば、まず、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂを積層することによりタブ積層体２１，２５を形成する。その後、タブ積層体２１，２５上にそれぞれ保護板２３，２７を載置する。タブ積層体２１，２５は、保護板２３、２７を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。ここで、集電板１６，１９は、切り欠き部Ｃを有している。ただしこの時点では、溶接部Ｗが未だ形成されていないので、切り欠き部Ｃは全体が空隙である。このため、切り欠き部Ｃは、上述の第２の部分Ｃ２を有していない。切り欠き部Ｃの少なくとも一部は、タブ積層体２１，２５の積層方向から見たときに、タブ積層体２１，２５における溶接部Ｗを形成するための部分（領域Ｒ）に位置している。積層方向において、切り欠き部Ｃの少なくとも一部は、領域Ｒに隣接している。切り欠き部Ｃは、たとえば、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂが積層される前に、集電板１６，１９に予め形成される。
【００４９】
（溶接部の形成工程）
次に、図６に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射する。図６（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図６（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。エネルギービームＢは、照射装置３０からタブ積層体２５の端面２５ａに向けて照射される。照射装置３０は、例えばレンズおよびガルバノミラーを含むスキャナヘッドである。スキャナヘッドにはファイバを介してビーム発生装置が接続される。照射装置３０は、たとえばプリズム等の屈折式の光学系から構成されてもよい。
【００５０】
エネルギービームＢは、溶接を行うことができる高エネルギービームである。エネルギービームＢは、例えばレーザービームまたは電子ビームである。エネルギービームＢの照射は、ノズル３２から供給される不活性ガスＧの雰囲気中で行われる。
【００５１】
エネルギービームＢは、たとえば治具により集電板１９および保護板２７を介してタブ積層体２５をＺ軸方向に押圧した状態でタブ積層体２５の端面２５ａに照射される。
【００５２】
エネルギービームＢは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｚ軸方向に交差する方向（Ｘ軸方向）に沿って走査される。本実施形態では、エネルギービームＢをＺ軸方向に変位させながらＸ軸方向に沿って走査する。たとえば、エネルギービームＢをＺ軸方向に往復変位（ウォブリング）させながらＸ軸方向に沿って走査する。エネルギービームＢの照射スポットのＺ軸方向における変位量は、タブ積層体２５の厚みよりも大きい。エネルギービームＢの照射スポットは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｘ軸方向に沿った軸線上の位置Ｐ１から位置Ｐ２まで移動する。たとえば、位置Ｐ１，Ｐ２は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２５の端面２５ａの中心に位置する。エネルギービームＢは、たとえば、タブ積層体２５の端面２５ａにおいてＸ軸方向に沿って中心点を移動させ、当該中心点を中心にＸＺ平面においてエネルギービームＢを回転させながら走査される。回転の直径がタブ積層体２５の厚みよりも大きいと、タブ積層体２５の端面２５ａ、集電板１９および保護板２７を全体的に溶接できるため好ましい。
【００５３】
同様に、タブ積層体２５の端面２５ｂにもエネルギービームＢを照射する。また、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂにもエネルギービームＢを照射する。
【００５４】
上述のようにエネルギービームＢを照射することによって、図７に示されるように、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂから内側に溶接部Ｗがそれぞれ形成される。図７は、Ｘ軸方向から見たタブ積層体２１，２５およびその周辺の構造を示す図である。図７に示されるように、溶接部Ｗが形成された際に、溶融したタブ積層体２１，２５が切り欠き部Ｃに流れ込むことによって、切り欠き部Ｃが、第１の部分Ｃ１および第２の部分Ｃ２を有するようになる。
【００５５】
上記工程を経ることによって、電極組立体３が製造される。その後、タブ積層体２１，２５を折り曲げた電極組立体３をケース２内に収容し、蓄電装置１を製造することができる。
【００５６】
以上説明したように、実施形態の電極組立体の製造方法では、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂを溶接することによって、各端面から内側に溶接部Ｗが形成される。集電板１６は、タブ積層体２１，２５の積層方向（Ｚ軸方向）から見たときに、タブ積層体２１，２５における溶接部Ｗを形成するための部分（領域Ｒ）に位置する切り欠き部を有する。そのため、溶接部Ｗが形成される際には、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込む。ここで、たとえば、溶接部Ｗが広範囲にわたって形成されるほど、溶融タブの切り欠き部Ｃへの流れ込み量が多くなり、切り欠き部Ｃのより多くの部分が埋められることになる。つまり、切り欠き部Ｃにおける第１の部分Ｃ１の占める割合が大きくなる。このような、溶融タブによって切り欠き部Ｃがどの程度埋められていたかという切り欠き部Ｃの状態に基づいて、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂの溶接状態を確認することができる。
【００５７】
ここで、たとえばタブ１４ｂ，１７ｂの積層数が２よりも多い場合には、特許文献１のように熱源側に位置する金属部材のみに開口を形成して溶接する手法では、熱源側から２番目よりも後ろのタブの溶接状態は確認できない。これに対し、上記電極組立体の製造方法によれば、タブ１４ｂ，１７ｂの積層数に依存せず、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂの溶接状態を確認することができるので、そのような問題は生じない。
【００５８】
切り欠き部Ｃは、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂから内側に向かう方向に延在するように設けられる。溶接部Ｗは、溶接が十分に行われるほど、端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂから内側に向かう方向に長くなる。そのような方向に延在するように切り欠き部Ｃを設けることによって、溶接が十分に行われるほど、溶融タブの切り欠き部Ｃへの流れ込み量が大きくなる。このような切り欠き部Ｃの状態に基づけば、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂの溶接状態の確認をより適切に行うことができる。
【００５９】
切り欠き部Ｃは、集電板１６，１９における領域Ｒに隣接する部分に設けられる。たとえばこのように切り欠き部Ｃを設けることによって、溶接部Ｗが形成される際に、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込むようにすることができる。
【００６０】
また、上記実施形態では、切り欠き部Ｃが、Ｘ軸方向における溶接部Ｗの両端部分と、中央部分との３か所にそれぞれ位置している。このようなＸ軸方向における各位置での切り欠き部Ｃの状態をそれぞれ確認することによって、タブ１４ｂ，１７ｂの溶接状態の確認をさらに適切に行うことができる。
【００６１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００６２】
（第１変形例）
たとえば上記実施形態では、切り欠き部がタブ積層体の端面よりも内側に位置している例について説明したが、切り欠き部の一部は、タブ積層体の端面の外側に位置していてもよい。図８および図９は、そのような変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す図である。
【００６３】
図８は、溶接部Ｗが形成される前の状態の電極組立体の一部をＺ軸方向から見た図である。図８に示されるように、切り欠き部Ｃの一部は、タブ積層体２１、２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂの外側（端面２１ａ，２５ｂの場合はＹ軸正方向側、端面２１ｂ，２５ａの場合はＹ軸負方向側）に位置している。
【００６４】
なお、図８に示される例では、タブ積層体２１の端面２１ａ側に位置する各切り欠き部Ｃと端面２１ｂ側に位置する各切り欠き部Ｃとはそれぞれ連接し、Ｙ軸方向に延在する三つの切り欠き部Ｃを構成している。同様に、タブ積層体２５の端面２５ａに位置する各切り欠き部Ｃと端面２５ｂ側に位置する各切り欠き部Ｃとはそれぞれ連接し、Ｙ軸方向に延在する三つの切り欠き部Ｃを構成している。
【００６５】
図９は、溶接部Ｗが形成された後の状態の電極組立体の一部をＺ軸方向から見た図である。図９に示される例では、切り欠き部Ｃは、さらに第３の部分Ｃ３を有する。第３の部分Ｃ３は、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ、２５ａ，２５ｂから外側に向かう方向において第１の部分Ｃ１に隣接する。
【００６６】
このように、切り欠き部Ｃの一部がタブ積層体２１、２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂの外側に位置する場合でも、溶接部Ｗが形成される際に、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込むようにすることができる。
【００６７】
ここで、切り欠き部Ｃが集電板１６，１９の領域Ｒに隣接する部分に設けられると、切り欠き部Ｃがタブ積層体２１，２５に覆われる可能性がある。切り欠き部Ｃが完全に覆われると、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込む際に切り欠き部Ｃからエアが排出されにくくなり、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込みにくくなる可能性がある。これに対し、上述のように、切り欠き部Ｃの一部がタブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂの外側に位置していれば、切り欠き部Ｃの一部がタブ積層体２１，２５で覆われずに露出するので、その部分から、エアが確実に排出される。よって、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込みやすくなる。
【００６８】
（第２変形例）
また、タブ積層体の端面から内側に向かう方向において、切り欠き部の長さが溶接部を形成するための部分の長さと等しくてもよい。図１０および図１１は、そのような変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す図である。
【００６９】
図１０は、溶接部Ｗが形成される前の状態の電極組立体の一部をＺ軸方向から見た図である。図１０に示される例では、Ｙ軸方向において、切り欠き部Ｃの長さは、領域Ｒの長さと等しい。
【００７０】
図１１は、溶接部Ｗが形成された後の状態の電極組立体の一部をＺ軸方向から見た図である。図１１に示される例では、切り欠き部Ｃが溶融タブによって埋められている。
【００７１】
このように、Ｙ軸方向において切り欠き部Ｃの長さが領域Ｒの長さと等しくても、溶接部Ｗが形成される際に、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込むようにすることができる。この場合、切り欠き部Ｃの長さが必要以上に長くなることを防ぐこともできる。
【００７２】
（第３変形例）
また、上記実施形態では、集電板１６，１９が切り欠き部Ｃを有する例について説明したが、タブ積層体２１、２５が切り欠き部Ｃを有していてもよい。図１２および図１３は、そのような変形例に係る電極組立体の一部を模式的に示す図である。
【００７３】
図１２は、溶接部Ｗが形成される前の状態の電極組立体の一部を模式的に示す図である。図１２（Ａ）は、Ｚ軸方向から見た電極組立体の一部を示す図であり、図１２（Ｂ）は、Ｘ軸方向から見た電極組立体の一部を示す図である。
【００７４】
図１２に示されるように、切り欠き部Ｃは、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂにそれぞれ設けられている。切り欠き部Ｃは、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂが積層される前に、各タブの一部を加工することによって予め形成されてもよいし、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂが積層された後に、タブ積層体２１，２５の一部を加工することによって形成されてもよい。加工の手法は、先に説明した集電板１６，１９の場合と同様であってよい。なお、図１２に示される例では、切り欠き部Ｃは、Ｘ軸方向における領域Ｒの中央部分に位置する。
【００７５】
図１３は、溶接部Ｗが形成された後の状態の電極組立体の一部を模式的に示す図である。図１３（Ａ）は、Ｚ軸方向から見た電極組立体の一部を示す図であり、図１３（Ｂ）は、Ｘ軸方向から見た電極組立体の一部を示す図である。
【００７６】
図１３に示されるように、切り欠き部Ｃに溶融タブが流れ込むことによって、第１の部分Ｃ１が形成されている。また、切り欠き部Ｃのうち、溶融タブが流れ込まなかった部分として、第２の部分Ｃ２が形成されている。
【００７７】
このように、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂに切り欠き部Ｃを設けることによっても、溶接部Ｗが形成される際に、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込むようにすることができる。
【００７８】
（第４変形例）
また、保護板２３，２７が切り欠き部Ｃを有していてもよい。図１４は、そのような変形例に係る電極組立体の一部をＸ軸方向から見て模式的に示す図である。図１４に示される例では、保護板２３、２７が、切り欠き部Ｃを有する。切り欠き部Ｃは、Ｚ軸方向において、保護板２３，２７の溶接部Ｗ（領域Ｒ）に隣接する部分に設けられる。たとえばこのように切り欠き部Ｃを設けることによっても、溶接部Ｗが形成される際に、溶融タブが切り欠き部Ｃに流れ込むようにすることができる。
【００７９】
また、上記実施形態では、切り欠き部Ｃの形状に関して、切り欠き部Ｃが、Ｚ軸方向から見て略矩形形状を有し、延在方向（Ｙ軸方向）から見て略矩形の断面形状を有する例について説明した（図４，５等）。ただし、切り欠き部Ｃの形状は、溶融タブが流れ込むことが可能な形状であれば、とくに限定されない。たとえば、切り欠き部Ｃは、Ｚ軸方向から見て、略三角形状を有していてもよい。この場合、三角形状の隣り合う２つの辺は、タブ積層体２１，２５の外側に向かうにつれて互いの離間距離が大きくなっていてもよい。
【００８０】
なお、上記実施形態では、溶接部Ｗが、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂにそれぞれ形成される例について説明したが、溶接部Ｗが形成される位置はこれに限定されない。たとえば、タブ積層体２１において、端面２１ａおよび端面２１ｂのいずれか一方の端面にのみ溶接部Ｗが形成されてもよい。同様に、タブ積層体２５において、端面２５ａおよび端面２５ｂのいずれか一方の端面にのみ溶接部Ｗが形成されてもよい。いずれの場合も、切り欠き部Ｃは、溶接部Ｗが形成される部分に対応する位置、すなわち、タブ積層体２１，２５の積層方向から見たときに、タブ積層体２１，２５における溶接部Ｗを形成するための部分に位置していればよい。
【００８１】
これまで説明した上記実施形態および各変形例の特徴部分を適宜組み合わせた構成についても、本発明の実施形態とすることができる。
【符号の説明】
【００８２】
３…電極組立体、１１…正極（電極）、１２…負極（電極）、１４ｂ，１７ｂ…タブ、１６，１９…集電板（導電部材）、２１，２５…タブ積層体、２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂ…端面、２３，２７…保護板（導電部材）、Ｃ…切り欠き部、Ｃ１…第１の部分、Ｃ２…第２の部分、Ｗ…溶接部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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