(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｏＦｅＢ及び／又はＣｏＦｅを含む強磁性体層と、ＭｇＯを含む絶縁体層とを含む半導体基板をドライエッチングする工程、並びに、
ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物によりドライエッチング残渣を除去する工程を含み、
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物が、強酸化剤、ｐＨ調整剤、及び、水を含有し、
前記強酸化剤が、オルト過ヨウ素酸であり、
前記ｐＨ調整剤が、第４級アンモニウム水酸化物であり、
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏの溶解速度／ＣｏＦｅＢの溶解速度の値が、１０以上であることを特徴とする、
磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項２】
前記強酸化剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項１に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項３】
ｐＨが９以上である、請求項１又は２に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項４】
前記ｐＨ調整剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項５】
前記水の含有量が組成物全量の３０質量％以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項６】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏの溶解速度が０．２ｎｍ／ｍｉｎ以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項７】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＭｇＯの溶解速度が１ｎｍ／ｍｉｎ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項８】
強酸化剤、ｐＨ調整剤、及び、水を含有し、
前記強酸化剤が、オルト過ヨウ素酸、硝酸セリウムアンモニウム、次亜塩素酸ナトリウム、及び、過硫酸ナトリウムナトリウムよりなる群から選択される少なくとも１種の化合物であり、
前記ｐＨ調整剤が、有機アミン化合物及び第４級アンモニウム水酸化物よりなる群から選択される少なくとも１種の化合物であり、
前記強酸化剤１００質量部に対して、前記ｐＨ調整剤を１３０質量部〜１，０００質量部含有し、
前記水の含有量が、組成物全量の９０質量％以上であることを特徴とする、
ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項９】
前記強酸化剤がオルト過ヨウ素酸である、請求項８に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項１０】
前記強酸化剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜３質量％である、請求項８又は９に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項１１】
ｐＨが９以上である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項１２】
前記ｐＨ調整剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項８、９又は１１に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項１３】
ＣｏＦｅＢ及び／又はＣｏＦｅを含む強磁性体層と、ＭｇＯを含む絶縁体層とを含む半導体基板をドライエッチングする工程、並びに、
請求項８〜１２のいずれか１項に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物によりドライエッチング残渣を除去する工程を含む、
磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項１４】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏの溶解速度が０．２ｎｍ／ｍｉｎ以上である、請求項１３に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項１５】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏの溶解速度／ＣｏＦｅＢの溶解速度の値が、１０以上である、請求項１３又は１４に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項１６】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＭｇＯの溶解速度が１ｎｍ／ｍｉｎ以下である、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項１７】
強酸化剤、ｐＨ調整剤、及び、水のみからなり、
前記強酸化剤が、オルト過ヨウ素酸であり、
前記ｐＨ調整剤が、第４級アンモニウム水酸化物であることを特徴とする、
ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項１８】
前記強酸化剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項１７に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項１９】
ｐＨが９以上である、請求項１７又は１８に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項２０】
前記ｐＨ調整剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項２１】
前記水の含有量が組成物全量の３０質量％以上である、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物。
【請求項２２】
ＣｏＦｅＢ及び／又はＣｏＦｅを含む強磁性体層と、ＭｇＯを含む絶縁体層とを含む半導体基板をドライエッチングする工程、並びに、
請求項１７〜２１のいずれか１項に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物によりドライエッチング残渣を除去する工程を含む、
磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項２３】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏの溶解速度が０．２ｎｍ／ｍｉｎ以上である、請求項２２に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項２４】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏの溶解速度／ＣｏＦｅＢの溶解速度の値が、１０以上である、請求項２２又は２３に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項２５】
前記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＭｇＯの溶解速度が１ｎｍ／ｍｉｎ以下である、請求項２２〜２４のいずれか１項に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
【請求項２６】
オルト過ヨウ素酸、ｐＨ調整剤、及び、水を含有し、
前記ｐＨ調整剤が、有機アミン化合物及び第４級アンモニウム水酸化物よりなる群から選択される少なくとも１種の化合物であり、
前記オルト過ヨウ素酸１００質量部に対して、前記ｐＨ調整剤を１３０質量部〜１，０００質量部含有し、
前記水の含有量が、組成物全量の９０質量％以上であることを特徴とする、
コバルト除去組成物。
【請求項２７】
前記オルト過ヨウ素酸の含有量が、組成物全量の０．０１〜３質量％である、請求項２６に記載のコバルト除去組成物。
【請求項２８】
ｐＨが９以上である、請求項２６又は２７に記載のコバルト除去組成物。
【請求項２９】
前記ｐＨ調整剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項２６又は２８に記載のコバルト除去組成物。
【請求項３０】
オルト過ヨウ素酸、ｐＨ調整剤、及び、水のみからなり、
前記ｐＨ調整剤が、第４級アンモニウム水酸化物であることを特徴とする、
コバルト除去組成物。
【請求項３１】
オルト過ヨウ素酸の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項３０に記載のコバルト除去組成物。
【請求項３２】
ｐＨが９以上である、請求項３０又は３１に記載のコバルト除去組成物。
【請求項３３】
前記ｐＨ調整剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、請求項３０〜３２のいずれか１項に記載のコバルト除去組成物。
【請求項３４】
水の含有量が組成物全量の３０質量％以上である、請求項３０〜３３のいずれか１項に記載のコバルト除去組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、磁気抵抗メモリの製造方法、及び、コバルト除去組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の加工は多段階の様々な加工工程で構成されている。その製造過程において、半導体層や電極等をドライエッチングによりパターニングするプロセスは重要な位置を占める。ドライエッチングでは、装置チャンバー内でプラズマ（放電）を発生させ、その内部で生成したイオンやラジカルを利用して処理物を加工する。
一方、上記のドライエッチングにおいて処理物を完全に除去しきれないことが多く、通常、加工後の基板上にその残渣が残存する。また、レジスト等の除去のときに行われるアッシングにおいても、同様に基板上に残渣が残ることとなる。これらの残渣を加工された基板を損傷せずに、効果的に除去することが求められている。特許文献１及び２には、このような残渣の除去液が開示されている。
半導体基板内の配線や集積回路のサイズは益々小さくなり、残すべき部材を腐食することなく正確に残渣除去を行う重要性は益々高まっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２０１３−００４９５００号公報
【特許文献２】韓国特許公開第１０−２０１３−００４９５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
加工中の半導体基板の構成材料と、ドライエッチング等によってそこに残される残渣とは、通常、その構成元素が共通する。従って、半導体基板を損傷せずに、その残渣のみを的確に除去することは容易ではない。
本発明の目的は、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ、磁気抵抗メモリ）の製造工程において、特定の金属を含有する基板の損傷を抑えながら、ドライエッチング残渣を除去することができるＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、及び、これを用いた磁気抵抗メモリの製造方法を提供することである。また、本発明の他の目的は、コバルトの除去性に優れた、コバルト除去組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の上記課題は、以下の＜１＞、＜１０＞、及び、＜１４＞に記載の手段により解決された。好ましい実施態様である＜２＞〜＜９＞、＜１１＞〜＜１３＞、及び、＜１５＞〜＜２０＞と共に以下に記載する。
＜１＞  強酸化剤、及び、水を含有することを特徴とする、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜２＞  上記強酸化剤が、オルト過ヨウ素酸、硝酸セリウムアンモニウム、次亜塩素酸ナトリウム、過硫酸ナトリウム、ヒドロキシルアミン、硝酸、塩酸、塩素酸ナトリウム、ヨウ素酸、臭素酸、及び、臭素酸ナトリウムよりなる群から選択される、＜１＞に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜３＞  上記強酸化剤がオルト過ヨウ素酸である、＜１＞又は＜２＞に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜４＞  強酸化剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜５＞  ｐＨが９以上である、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜６＞  ｐＨ調整剤を更に含有する、＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜７＞  上記ｐＨ調整剤が、有機アミン化合物及び第４級アンモニウム水酸化物よりなる群から選択される、＜６＞に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜８＞  上記ｐＨ調整剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、＜６＞又は＜７＞に記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜９＞  水の含有量が組成物全量の３０質量％以上である、＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、
＜１０＞  ＣｏＦｅＢ及び／又はＣｏＦｅを含む強磁性体層と、ＭｇＯを含む絶縁体層とを含む半導体基板をドライエッチングする工程、並びに、＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物によりドライエッチング残渣を除去する工程を含む、磁気抵抗メモリの製造方法、
＜１１＞  上記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏの溶解速度が０．２ｎｍ／ｍｉｎ以上である、＜１０＞に記載の磁気抵抗メモリの製造方法、
＜１２＞  上記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、上記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＣｏＦｅＢの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏの溶解速度と、ＣｏＦｅＢの溶解速度との比（Ｃｏの溶解速度／ＣｏＦｅＢの溶解速度）が、１０以上である、＜１０＞又は＜１１＞に記載の磁気抵抗メモリの製造方法、
＜１３＞  上記ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物のＭｇＯの溶解速度が１ｎｍ／ｍｉｎ以下である、＜１０＞〜＜１２＞のいずれか１つに記載の磁気抵抗メモリの製造方法、
＜１４＞  オルト過ヨウ素酸、及び、水を含有することを特徴とする、コバルト除去組成物、
＜１５＞  オルト過ヨウ素酸の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、＜１４＞に記載のコバルト除去組成物、
＜１６＞  ｐＨが９以上である、＜１４＞又は＜１５＞に記載のコバルト除去組成物、
＜１７＞  ｐＨ調整剤を更に含有する、＜１４＞〜＜１６＞のいずれか１つに記載のコバルト除去組成物、
＜１８＞  上記ｐＨ調整剤が、有機アミン化合物及び第４級アンモニウム水酸化物よりなる群から選択される、＜１７＞に記載のコバルト除去組成物、
＜１９＞  上記ｐＨ調整剤の含有量が、組成物全量の０．０１〜５質量％である、＜１７＞又は＜１８＞に記載のコバルト除去組成物、
＜２０＞  水の含有量が組成物全量の３０質量％以上である、＜１４＞〜＜１９＞のいずれか１つに記載のコバルト除去組成物。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、ＭＲＡＭの製造工程において、特定の金属を含有する基板の損傷を抑えながら、ドライエッチング残渣を除去することができるＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、及び、これを用いた磁気抵抗メモリの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、コバルトの除去性に優れた、コバルト除去組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態における半導体基板の作製工程例を模式的に示す断面図である。
【図２】残渣の除去処理により損傷を受けた半導体基板（比較例）を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
また、本明細書の組成物における各成分は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
本発明において、「質量部」及び「質量％」はそれぞれ、「重量部」及び「重量％」と同義である。また、以下の説明において、「〜」とは、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
また、以下の説明において、好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
【０００９】
１．ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物、及び、磁気抵抗メモリの製造方法
本発明のエッチング残渣除去組成物及びこれを用いたエッチング残渣の除去方法について、その好ましい実施形態となるＭＲＡＭの加工を例に説明する。ただし、本発明がこれに限定して解釈されるものではない。
【００１０】
（ドライエッチング残渣除去工程）
図１（ａ）はドライエッチングを行う前の半導体基板を示した図である。本実施形態のＭＲＡＭの積層構造を下層から説明すると、ベース電極６、第１強磁性体層５、絶縁体層４、第２強磁性体層３、フリー層２で構成されている。この段階の加工工程では、引き続くドライエッチングのためにパターンをハードマスク１によって形成している。ハードマスク１の材料は特に限定されず、任意の材料を適宜選定して採用することができる。なお、図示した積層体の下には、図示していないが、シリコンウェハが存在する。シリコンウェハの材料は特に限定されず、Ｓｉ，ＳｉＯ2などで構成された基板を適宜採用することができる。市販のシリコンウェハを使用してもよい。
【００１１】
ベース電極６の材料は特に限定されず、銅、アルミニウム、窒化チタン（ＴｉＮ）等の通常の電極材料を使用することができる。
第１強磁性体層５、第２強磁性体層３を構成する材料は特に限定されず、Ｆｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢなどが挙げられる。
絶縁体層４の材料としては、アルミニウム酸化物（ＡｌＯx）やマグネシウム酸化物（ＭｇＯx）が挙げられる。
フリー層２の材料としてはパーマロイ（Ｐｙ）（Ｆｅ−Ｎｉの合金）、Ｃｏ−Ｆｅなどが挙げられる。
これらの層の材料は、ＭＲＡＭに適用される各材料を適宜選定して利用することができる。各層の形成方法は特に限定されず、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法、Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）などにより適宜形成することができる。
【００１２】
ＭＲＡＭは強磁性体／絶縁体／強磁性体を基本構造とする強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）を用いるメモリである。その動作原理としては、巨大磁気抵抗効果（Ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ、略してＧＭＲ効果）を利用するもの、トンネル磁気抵抗効果（Ｔｕｎｎｅｌ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ、略してＴＭＲ効果）を利用するもの、ＣＭＲ効果（Ｃｏｌｏｓｓａｌ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を利用するものなどに大別される。図１の例は、ＴＭＲ効果を利用する素子であるが、本発明がこれに限定されるものではない。
デバイスとして構成する場合には、マトリックス状に配線したビット線と書き込みワード線の交点にＭＴＪを配置する。ビット線と書き込みワード線に電流を流すと、その交点にはそれぞれの導線から誘起された磁界の合成磁界が印加される。このビット線又は書き込みワード線単独で発生する磁界ではフリー層を反転させるのに必要な磁界（スイッチング磁界）を超えずに、合成磁界がスイッチング磁界を超えるように設計すれば、両導線の交点にあるセルのみを書き込み制御できる。磁化反転が一斉回転で起こるとすると、反転に要する磁界はアステロイド曲線で与えられる。
これまでに提案されているＭＲＡＭのＭＴＪ素子の構造としては、（Ｃｏ75Ｆｅ25）80Ｂ20／ＡｌＯｘ／ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ／ＰｔＭｎ、Ｆｅ／ＭｇＯ／Ｆｅ、Ｃｏ2ＭｎＡｌ／ＡｌＯX／ＣｏＦｅ、Ｃｏ2（Ｃｒ１−ｘＦｅｘ）Ａｌ（ＣＣＦＡ）を用いたＣＣＦＡ／ＡｌＯX／ＣｏＦｅ、Ｆｅ／ＭｇＯ／Ｆｅ、ＣｏＦｅ／ＭｇＯ／ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ／ＣｏＦｅＢなどが挙げられる。
こうしたＭＲＡＭに関連する技術の詳細については、「ＭＲＡＭ／スピンメモリ技術」、特開２０１４−２２７３０号公報、日本国特許庁ホームページに掲載の「標準技術集（ＭＲＡＭ・スピンメモリ）」http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/hyoujun_gijutsu/mram/mokuji.htm（平成２６年５月３日公開の内容）等を参照することができる。
このように、ＭＲＡＭのＭＴＪ素子では、強磁性体として、Ｃｏを含有する金属化合物（以下、コバルト合金、又は、Ｃｏ合金ともいう。）が使用されることが多い。
【００１３】
図１（ｂ）は、上記図１（ａ）の積層体にドライエッチングの処理を行った後の状態を示している。この状態では、ハードマスク１の付与されていない部分の基板材料は除去され、その部分にホールＨが形成されている。ドライエッチングの方法は特に限定されず、通常の方法によればよい。例えば、フッ素系ガスとＯ2との混合比率（フッ素系ガス／Ｏ2）が流量比で４／１〜１／５である混合ガスを用いたドライエッチング法により行うことができる（フッ素系ガスと酸素の比率はフッ素系ガスのＣ含有量による。）。ドライエッチング法の代表的な例としては、特開昭５９−１２６５０６号、同５９−４６６２８号、同５８−９１０８号、同５８−２８０９号、同５７−１４８７０６号、同６１−４１１０２号などの公報に記載されているような方法が知られている。
同時に、この工程では、形成されたホールＨの内部に残渣７が残されている。この残渣は、そのまま残された状態で次工程に付されると、素子としたときにその部分での導通不良や材料の劣化等につながるため、できるだけ完全に除去されることが好ましい。なお、この工程でハードマスク１が相当程エッチングされていてもよい。
【００１４】
ドライエッチング条件の好ましい例としては下記が挙げられる。
処理パラメータ
圧力：０．５〜５Ｐａ
使用ガス：Ａｒ／Ｃ4Ｆ6（ヘキサフルオロ−１，３−ブタジエン）／Ｏ2＝５００〜１，０００／５〜５０／２０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ
処理温度：５〜５０℃
ソースパワー：１００〜１，０００Ｗ
上部バイアス／電極バイアス＝１００〜１０００／１００〜１，０００Ｗ
処理時間：５０〜１，０００ｓｅｃ
【００１５】
図１（ｃ）は、残渣を除去した後の半導体基板の形態例を示している。本発明においては、図示したもののように、基板の各層を構成する材料は損傷や浸食をせず、エッチング後の良好な形態が維持されていることが好ましい。図２は、これと対比するための比較例を示している。この例では、半導体基板中の強磁性体層３、５及び絶縁体層４において浸食が進行し、横方向に材料が削り取られた損傷部ｄを生じている。このような損傷をできるだけ小さくとどめ、できれば発生させないように処理することが好ましい。ただし、上記の図面で示した実施例及び比較例により本発明が限定して解釈されるものではない。
なお、図示したものでは、残渣の除去後もハードマスク１が残存する形態で示したが、残渣の除去処理により、このハードマスク１を同時に除去するようにしてもよい。
【００１６】
各層の厚さは特に限定されないが、強磁性体層は本発明の効果が顕著になる観点から厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。絶縁体層は本発明の効果が顕著になる観点から厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。フリー層は素子の機能から厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。ベース電極は素子の機能から厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。ハードマスクはエッチングの適性から厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、半導体基板における各層の厚さや部材の寸法は、特に断らない限り、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した任意の１０点の平均値で評価するものとする。
【００１７】
（ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物）
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物（以下、単に「エッチング残渣除去組成物」、又は、「除去組成物」ともいう。）は、強酸化剤、及び、水を含有することを特徴とする。以下、その他の成分を含め各成分について説明する。
なお、本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、濃縮された状態で販売、保存、運搬等を行い、使用に際して希釈して使用してもよく、そのような態様は本発明のエッチング残渣除去組成物に包含される。以下の説明において、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物中の各成分の含有量や、ｐＨは、使用時における各成分の含有量及びｐＨを意味しており、販売、保存、運搬等を濃縮液で行う場合であっても、使用時に希釈することで下記の範囲として使用する態様を含むものである。
【００１８】
＜強酸化剤＞
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、強酸化剤を含む。
強酸化剤としては、オルト過ヨウ素酸（Ｈ5ＩＯ6）、硝酸セリウムアンモニウム、次亜塩素酸ナトリウム、過硫酸ナトリウム、ヒドロキシルアミン、硝酸、塩酸、塩素酸ナトリウム、ヨウ素酸、臭素酸、及び、臭素酸ナトリウムが例示される。
これらの中でも、強酸化剤としては、オルト過ヨウ素酸、硝酸セリウムアンモニウム、次亜塩素酸ナトリウム、及び、過硫酸ナトリウムが好ましく、オルト過ヨウ素酸及び硝酸セリウムアンモニウムがより好ましく、オルト過ヨウ素酸が更に好ましい。
【００１９】
強酸化剤のエッチング残渣除去組成物における含有量は、組成物全量の０．０１〜５質量％であることが好ましい。０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることが更に好ましく、０．３質量％以上であることが特に好ましい。また、４質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることが更に好ましい。
強酸化剤の含有量が上記範囲内であると、ＭＲＡＭドライエッチング残渣の除去性に優れると共に、基板を構成する強磁性体や絶縁層の損傷が抑制される。
強酸化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。２種以上の強酸化剤を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内とすることが好ましい。
【００２０】
強酸化剤は、系内で金属成分（メタル）を溶解する作用を発揮していると解される。ドライエッチング工程により各層の元素がどのような化学的状態の残渣になっているかは予測しがたい。従って、本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物及びそこに含まれる強酸化剤がどの金属成分にどのように作用しているかは特定しがたい。しかしながら、本実施形態においては、上記の金属成分（メタル）の除去性を強酸化剤により付与したことで、効率的な残渣除去を達成すると共に、これとは通常相反する基板の各層（特に強磁性体層、絶縁体層）の保護を実現しえたものと解される。
なお、本発明者らが鋭意検討した結果、強磁性体層にコバルト合金を使用した場合、ドライエッチング残渣に金属コバルトが含有されていることを見出した。本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、特に、残渣中に含まれるコバルト（金属コバルト）の溶解速度が速く、コバルトの除去性に優れると共に、強磁性体層に含まれるＣｏＦｅＢに代表されるコバルト合金の溶解速度が遅く、基板への損傷が抑制される。
【００２１】
＜水＞
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は水を含有する。水としては、蒸留水やイオン交換水、あるいは超純水といった浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に使用される超純水を用いることが特に好ましい。
なお、本発明の効果を損ねない範囲で不可避的な微量混合成分を含んでいてもよい。
水の含有量は特に限定されないが、組成物全量の３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。上限としては、特に制限されず、上述の強酸化剤、及び、後述する好ましい添加剤であるｐＨ調整剤を除く、全量とすることが好ましい。
水の含有量が３０質量％以上であると、残渣除去性に優れると共に、基板の損傷が抑制されるので好ましい。
【００２２】
＜その他の溶剤＞
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、水に加え、水溶性有機溶剤を含有してもよい。
水溶性有機溶剤は、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、１−プロピルアルコール、２−プロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、１，６−ヘキサンジオール、ソルビトール、キシリトール等のアルコール系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶剤、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤等が挙げられる。
【００２３】
また、本発明において、水溶性有機溶剤として、グリコール化合物を含有することも好ましい。グリコール化合物とは、構造中に下記式Ｇで表される部位を有する化合物をいう。グリコール化合物は、炭素原子、酸素原子、水素原子から構成される化合物であることが好ましい。グリコール化合物は、炭素数２〜３２であることが好ましく、炭素数４〜２４であることがより好ましく、炭素数４〜１８であることが特に好ましい。
＊−（Ｏ−ＲG−Ｏ）−＊          （Ｇ）
式Ｇ中、＊は結合部位を表す。ＲGはアルキレン基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜３）を表す。
【００２４】
グリコール化合物としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール）、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールジメチルエーテルで構成される群より選択される１種以上であることが好ましい。中でも、アルキレングリコールモノアルキルエーテルがより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテルが特に好ましい。
【００２５】
ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物中における水溶性有機溶剤の含有量は、組成物の全質量に対して、好ましくは０〜４０質量％の濃度で使用され、より好ましくは０〜２０質量％の濃度で使用され、特に好ましくは０〜１０質量％の濃度で使用される。
水溶性有機溶剤の含有量が上記範囲内であると、残渣除去性により優れると共に、基板の損傷が抑制される。
なお、本発明において、上記水溶性有機溶剤は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その併用割合は特に限定されないが、合計使用量は、２種以上の総和として上記含有量の範囲とすることが好ましい。
【００２６】
＜ｐＨ調整剤＞
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、ｐＨ調整剤を含有することが好ましい。なお、ｐＨ調整剤は、上述した強酸化剤、及び、水を除く成分であることはいうまでもない。
ｐＨ調整剤としては、有機アミン化合物及び第４級アンモニウム水酸化物が好ましく例示され、第４級アンモニウム水酸化物がより好ましい。
以下、それぞれについて説明する。
【００２７】
〔有機アミン化合物〕
有機アミン化合物とは、分子内に第一級アミノ基、第二級アミノ基、第三級アミノ基のいずれかを有する有機化合物の総称である。また、本発明におけるアミン化合物は、アミンオキシド化合物も含む。有機アミン化合物は、炭素原子、窒素原子、水素原子を必須の構成元素とし、必要により酸素原子を含む化合物であることが好ましい。
【００２８】
有機アミン化合物としては、下記式（Ｐ−１）〜（Ｐ−５）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
【００２９】
【化１】
0006486957.tif 000002
【００３０】
ＲP1〜ＲP9はそれぞれ独立に、アルキル基（炭素数１〜６が好ましい。）、アルケニル基（炭素数２〜６が好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜６が好ましい。）、アリール基（炭素数６〜１０が好ましい。）、ヘテロ環基（炭素数２〜６が好ましい。）、アリーロイル基（炭素数７〜１５が好ましい。）、又は、下記式ｘで表される基を表す。
中でも、ＲP1〜ＲP9はそれぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アリール基、又は、下記式ｘで表される基が好ましく、アルキル基、又は、下記式ｘで表される基が特に好ましい。
これらの基は、更に置換基Ｔを有していてもよい。
置換基Ｔとしては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、アシル基、アリーロイル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、ヒドロキシ基（ＯＨ）、カルボキシル基（ＣＯＯＨ）、スルファニル基（ＳＨ）、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルスルファニル基、及び、アリールスルファニル基が挙げられる。
中でも、置換基Ｔとしては、付加される任意の置換基としては、ヒドロキシ基（ＯＨ）、カルボキシル基（ＣＯＯＨ）、スルファニル基（ＳＨ）、アルコキシ基、又は、アルキルスルファニル基が好ましい。また、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基は、それぞれ例えば１〜４個の、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＮＲN（ＲNは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。）を介在していてもよい。
【００３１】
Ｘ１−（Ｒｘ１−Ｘ２）ｍｘ−Ｒｘ２−＊        （ｘ）
Ｘ１は、ヒドロキシ基、スルファニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、又は、炭素数１〜４のアルキルスルファニル基を表す。中でも、ヒドロキシ基が好ましい。
Ｒｘ１及びＲｘ２はそれぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基、炭素数２〜６のアルキニレン基、炭素数６〜１０のアリーレン基、又は、これらを２以上組み合わせた基を表す。中でも、炭素数１〜６のアルキレン基が好ましい。
Ｘ２は、Ｏ、Ｓ、ＣＯ又はＮＲNを表す。中でも、Ｏが好ましい。
ｍｘは０〜６の整数を表す。ｍｘが２以上のとき、複数のＲｘ１及びＸ２は、それぞれ同じであっても、異なっていてもよい。Ｒｘ１及びＲｘ２は、更に置換基Ｔを有していてもよい。
＊は、式Ｐ−１〜Ｐ−４における窒素原子との結合位置を表す。
【００３２】
ＲP10は上記置換基Ｔと同義である。ｎｐは０〜５の整数である。
【００３３】
アミン化合物としては、モノエタノールアミン、ジグリコールアミン（アミノエトキシエタノール）、モノイソプロパノールアミン、イソブタノールアミン、炭素数２〜８の直鎖アルカノールアミン、メチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリエチルアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ−メチルモルホリン−Ｎ−オキシド（ＮＭＭＯ）、トリメチルアミン−Ｎ−オキシド、トリエチルアミン−Ｎ−オキシド、ピリジン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルモルホリン−Ｎ−オキシド、Ｎ−メチルピロリジン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルピロリジン−Ｎ−オキシド、これらの置換誘導体、及び、これらの組み合わせよりなる群から選択された化合物であることが好ましい。中でも、アルカノールアミンが好ましく、モノエタノールアミン又はジグリコールアミンが特に好ましい。なお、置換基誘導体とは、各化合物に置換基（例えば上記置換基Ｔ）を有する化合物の総称である。
【００３４】
〔第４級アンモニウム水酸化物〕
第４級アンモニウム水酸化物としては、テトラアルキルアンモニウム水酸化物が好ましく、低級（炭素数１〜４）アルキル基で置換されたテトラアルキルアンモニウム水酸化物がより好ましい。テトラアルキルアンモニウム水酸化物としては、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、セチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
更に、第４級アンモニウム水酸化物として、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（コリン）、メチルトリ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトラ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）なども挙げられる。
これらの中でも、第４級アンモニウム水酸化物としては、ＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＰＡＨ、ＴＢＡＨ、コリンが好ましく、ＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＢＡＨがより好ましい。
【００３５】
ｐＨ調整剤の含有量は、後述する所望のｐＨとなるように適宜選択すればよく、特に限定されないが、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物中、０．００５質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましい。上限としては、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、３質量％以下が特に好ましい。
ｐＨ調整剤の含有量が上記範囲内であると、ＭＲＡＭドライエッチング残渣の除去性に優れると共に、基板の損傷が抑制されるので好ましい。
【００３６】
強酸化剤との対比でいうと、強酸化剤１００質量部に対して、ｐＨ調整剤を１００質量部〜１，０００質量部含有することが好ましく、１００〜９００質量部含有することがより好ましく、１３０〜７４０質量部含有することが更に好ましい。
なお、本発明において、ｐＨ調整剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。２種以上を含有する場合には、合計の含有量が上記範囲内であることが好ましい。
【００３７】
＜その他の成分＞
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物には、更に任意の成分を含有させてもよい。例えば、特開２０１４−０９３４０７号公報の段落［００２６］等に記載、特開２０１３−０５５０８７号公報の段落［００２４］〜［００２７］等に記載、特開２０１３−０１２６１４号公報の段落［００２４］〜［００２７］等に記載の各界面活性剤が挙げられる。あるいは、特開２０１４−１０７４３４号公報の段落［００１７］〜［００３８］、特開２０１４−１０３１７９号公報の段落［００３３］〜［００４７］、特開２０１４−０９３４０７号公報の段落［００１７］〜［００４９］等に開示の各添加剤（防食剤等）が挙げられる。
ただし、本発明においてはこれらの任意成分を含まない組成物が好ましく、強酸化剤、ｐＨ調整剤、及び、水のみからなるＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物とすることが特に好ましい。ただし、このような場合にも、不可避不純物が組成物中に含有されることは妨げるものではない。
【００３８】
＜ｐＨ＞
本発明において、エッチング残渣除去組成物のｐＨはアルカリ領域であることが好ましい。具体的にはｐＨ９以上１４以下が好ましく、１０以上１３以下がより好ましい。
ｐＨの範囲が上記範囲内であると、残渣除去性に優れ、また、膜の表面の変質が抑制されるので好ましい。
〔ｐＨの測定法〕
ｐＨは室温（２５℃）において（株）堀場製作所製、Ｆ−５１（商品名）で測定した値である。
【００３９】
本明細書において、化合物ないし置換基、連結基等がアルキル基、アルキレン基、アルケニル基、アルケニレン基、アルキニル基、アルキニレン基等を含むとき、これらは環状でも鎖状でもよく、また直鎖でも分岐していてもよく、任意の基で置換されていても無置換でもよい。このとき、アルキル基、アルキレン基、アルケニル基、アルケニレン基、アルキニル基、及び、アルキニレン基はヘテロ原子を含む基（例えば、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＮＲN等）を介在していてもよく、これを伴って環構造を形成していてもよい。またアリール基、ヘテロ環基等を含むとき、それらは単環でも縮環でもよく、同様に置換されていても無置換でもよい。
本明細書において、隣接する置換基は本発明の効果を奏する範囲で連結して環を形成していてもよい。このとき、上記ヘテロ原子を含む基を介して連結していてもよい。
本明細書において、化合物の置換基や連結基の選択肢を始め、温度、厚さといった各技術事項は、そのリストがそれぞれ独立に記載されていても、相互に組み合わせることができる。
本明細書において、化合物と末尾に付して化合物を特定するときには、本発明の効果を奏する範囲で、上記化合物以外に、そのイオン、塩を含む意味である。また、同様に、その誘導体を含む意味である。
【００４０】
なお、本明細書において化合物の表示（例えば、化合物と末尾に付して呼ぶとき）については、当該化合物そのもののほか、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、置換基を導入するなど一部を変化させた誘導体を含む意味である。
本明細書において置換・無置換を明記していない置換基（連結基についても同様）については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。
【００４１】
（残渣除去の条件）
本発明に係る残渣除去処理は、バッチ式の装置を用いて行っても、枚葉式装置を用いて行ってもよい。処理温度は、１０℃以上であることが好ましく、１５℃以上であることがより好ましく、２０℃以上であることが更に好ましい。上限としては、５０℃以下であることが好ましく、４０℃以下であることがより好ましく、３０℃以下であることが更に好ましい。上記下限値以上とすることにより、残渣に対する十分な除去速度を確保することができ好ましい。上記上限値以下とすることにより、処理速度の経時安定性を維持することができ好ましい。また、エネルギー消費の削減にもつながる。
【００４２】
保護されるべき金属層は低い溶解速度（エッチングレート）であることが好ましい。例えば、ＭＲＡＭにおける強磁性体層や絶縁層（具体的には、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3等）のエッチングレート［Ｒ１］が、１ｎｍ（１０Å）／ｍｉｎ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）／ｍｉｎ以下がより好ましく、０．１ｎｍ（１Å）／ｍｉｎ以下であることが更に好ましい。下限は０ｎｍ／ｍｉｎであり、この速度が低ければ低いほどよい。
ここで、溶解速度は以下の方法により測定される。具体的には、市販のシリコンウェハに、目的とする層（例えば、ＣｏＦｅＢ層、ＭｇＯ層など）を形成した基板をそれぞれ準備する。各層の厚さは、例えば、ＣｏＦｅＢ層、ＭｇＯ層などの保護されるべき金属層では、５０ｎｍ（５００Å）とし、除去されるべき金属層であるＣｏ層では、２００ｎｍ（２，０００Å)とする。この基板を除去組成物で満たした容器に入れ、２５０ｒｐｍで撹拌する。処理温度は２５℃とし、処理時間は１０分とする。処理後の試験基板を取り出し、イソプロパノールでリンス処理を施した後、エリプソメトリー（分光エリプソメーター、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン（株）製Ｖａｓｅ）を用いてエッチング処理前後の膜厚を測定することにより算出する。５点の平均値を採用した（測定条件  測定範囲：１．２−２．５ｅＶ、測定角：７０，７５度）。
なお、Ｃｏ層の膜厚のみ、国際電気アルファ（株）製、抵抗率測定器ＶＲ−１２０Ｓを使用し、４ ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅを用いた直流４探針法により、測定した。
【００４３】
特に、本発明において、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、コバルト（金属コバルト）の溶解速度が速く、これに対して、強磁性体層で用いられるコバルト合金（例えば、ＣｏＦｅＢ）の溶解速度が低いことが好ましい。より具体的にはコバルトの溶解速度が０．０８ｎｍ（０．８Å）／ｍｉｎ以上であることが好ましく、０．２ｎｍ（２．０Å）／ｍｉｎ以上であることがより好ましく、０．５ｎｍ（５．０Å）／ｍｉｎ以上であることが更に好ましく、１ｎｍ（１０Å）／ｍｉｎ以上であることが特に好ましい。また、上限値は、特に制限はないが、１００ｎｍ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
【００４４】
また、ＣｏＦｅＢに代表される強磁性体層を形成するコバルト合金の溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、上記コバルト合金の溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏのエッチングレートと、ＣｏＦｅＢに代表される強磁性体層を形成するコバルト合金との溶解速度の比（Ｃｏの溶解速度／ＣｏＦｅＢの溶解速度）が、２以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましく、１０以上であることが更に好ましく、３０以上であることが特に好ましく、５０以上であることが最も好ましい。なお、上限は特に限定されず、無限大であり、１０１０以下であることが好ましい。
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、ＣｏＦｅＢの溶解速度が遅いことが好ましく、１ｎｍ（１０Å）／ｍｉｎ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）／ｍｉｎ以下であることがより好ましく、０．１ｎｍ（１Å）／ｍｉｎ以下であることが更に好ましい。なお、下限値は、０ｎｍ／ｍｉｎである。
【００４５】
本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物は、ＭｇＯの溶解速度が低いことが好ましく、具体的には、２ｎｍ（２０Å）／ｍｉｎ以下であることが好ましく、１ｎｍ（１０Å）／ｍｉｎ以下であることがより好ましく、０．５ｎｍ（５Å）／ｍｉｎ以下であることが更に好ましく、０．１ｎｍ（１Å）／ｍｉｎ以下であることが特に好ましい。なお、下限値は、０ｎｍ／ｍｉｎである。
また、ＭｇＯの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、ＭｇＯの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏのエッチングレートと、ＭｇＯとの溶解速度の比（Ｃｏの溶解速度／ＭｇＯの溶解速度）が、２以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましい。なお、上限は特に限定されず、無限大であり、１０１０以下であることが好ましい。
【００４６】
金属層の露出幅（各層の厚さ）は特に限定されないが、本発明の利点がより顕著になる観点から、１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましい。同様に効果の顕著性の観点から、上限値は２００ｎｍ以下であることが実際的であり、１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４７】
（磁気抵抗メモリの製造）
本実施形態においては、シリコンウエハを準備する工程と、そのシリコンウエハ上に上記各金属ないし金属化合物の層を形成した半導体基板とする工程と、上記半導体基板をドライエッチングする工程と、そこに残渣除去組成物を付与してエッチング残渣を除去する工程とを介して、所望の構造を有する磁気抵抗メモリ（半導体基板製品）を製造することが好ましい。上記の工程の順序は制限されて解釈されるものではなく、それぞれの工程間に更に別の工程を含んでいてもよい。
本発明の磁気抵抗メモリの製造方法は、ＣｏＦｅＢ及び／又はＣｏＦｅを含む強磁性体層と、ＭｇＯを含む絶縁体層とを含む半導体基板をドライエッチングする工程、並びに、本発明のＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物によりドライエッチング残渣を除去する工程を含むことがより好ましい。
ウェハサイズは特に限定されないが、直径８インチ、直径１２インチ、又は直径１４インチのものを好適に使用することができる（１インチ＝２５．４ｍｍ）。
なお、本明細書において「準備」というときには、特定の材料を合成ないし調合等して備えることのほか、購入等により所定の物を調達することを含む意味である。また、本明細書においては、半導体基板の各材料の処理に組成物（薬液）を用いることを「適用」と称するが、その実施態様は特に限定されない。例えば、組成物と基板とを接触させることを広く含み、具体的には、バッチ式のもので浸漬してエッチングしても、枚葉式のもので吐出によりエッチングしてもよい。
本明細書において、半導体基板とは、ウェハのみではなくそこに回路構造が施された基板構造体全体を含む意味で用いる。半導体基板部材とは、上記で定義される半導体基板を構成する部材を指し１つの材料からなっていても複数の材料からなっていてもよい。なお、加工済みの半導体基板を半導体基板製品として区別して呼ぶことがあり、必要によっては更に区別して、これに加工を加えダイシングして取り出したチップ及びその加工製品を半導体素子という。すなわち、広義には半導体素子やこれを組み込んだ半導体製品は半導体基板製品に属するものである。
【００４８】
２．コバルト除去組成物
本発明のコバルト除去組成物は、オルト過ヨウ素酸、及び、水を含有することを特徴とする。以下、その他の成分を含め各成分について説明する。
なお、本発明のコバルト除去組成物は、濃縮された状態で販売、保存、運搬等を行い、使用に際して希釈して使用してもよく、そのような態様は本発明のコバルト除去組成物に包含される。以下の説明において、コバルト除去組成物中の各成分の好ましい含有量や、ｐＨは、使用時における各成分の好ましい含有量及びｐＨを意味しており、販売、保存、運搬等を濃縮液で行う場合であっても、使用時に希釈することで下記の範囲として使用する態様を含むものである。
【００４９】
＜オルト過ヨウ素酸＞
本発明のコバルト除去組成物は、オルト過ヨウ素酸を含む。
オルト過ヨウ素酸のコバルト除去組成物における含有量は、組成物全量の０．０１〜５質量％であることが好ましい。０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることが更に好ましく、０．３質量％以上であることが特に好ましい。また、４質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることが更に好ましい。
オルト過ヨウ素酸の含有量が上記範囲内であると、Ｃｏの除去性に優れると共に、基板を構成する強磁性体や絶縁層の損傷が抑制される。
【００５０】
＜水＞
本発明のコバルト除去組成物は水を含有する。水としては、蒸留水やイオン交換水、あるいは超純水といった浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に使用される超純水を用いることが特に好ましい。
なお、本発明の効果を損ねない範囲で不可避的な微量混合成分を含んでいてもよい。
水の含有量は特に限定されないが、組成物全量の３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。上限としては、特に制限されず、上述のオルト過ヨウ素酸、及び、後述する好ましい添加剤であるｐＨ調整剤を除く、全量とすることが好ましい。
水の含有量が３０質量％以上であると、Ｃｏの除去性に優れると共に、基板の損傷が抑制されるので好ましい。
【００５１】
＜その他の溶剤＞
本発明のＣｏ除去組成物は、水に加え、水溶性有機溶剤を含有してもよい。
水溶性有機溶剤としては、上述したＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物における水溶性有機溶剤が例示され、好ましい範囲も同様である。
【００５２】
＜ｐＨ調整剤＞
本発明のＣｏ除去組成物は、ｐＨ調整剤を含有することが好ましい。なお、ｐＨ調整剤は、上述したオルト過ヨウ素酸、及び、水を除く成分であることはいうまでもない。
ｐＨ調整剤としては、有機アミン化合物及び第４級アンモニウム水酸化物が好ましく例示され、第４級アンモニウム水酸化物がより好ましい。
有機アミン化合物及び第４級アンモニウム水酸化物としては、上述したＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物における有機アミン及び第４級アンモニウム水酸化物が例示され、好ましい範囲も同様である。
また、ｐＨ調整剤の好ましい含有量は、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物における好ましい含有量と同様であり、また、オルト過ヨウ素酸とｐＨ調整剤との含有比は、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物における強酸化剤とｐＨ調整剤との好ましい含有比と同様である。
【００５３】
＜その他の成分＞
本発明のＣｏ除去組成物には、更に任意の成分を含有させてもよい。その他の成分としては、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物におけるその他の成分が例示され、好ましい範囲も同様である。
【００５４】
＜ｐＨ＞
本発明において、Ｃｏ除去組成物のｐＨはアルカリ領域であることが好ましい。具体的にはｐＨ９以上１４以下が好ましく、１０以上１３以下がより好ましい。
ｐＨの範囲が上記範囲内であると、Ｃｏ除去性に優れ、また、膜の表面の変質が抑制されるので好ましい。
〔ｐＨの測定法〕
ｐＨは室温（２５℃）において（株）堀場製作所製、Ｆ−５１（商品名）で測定した値である。
【００５５】
（Ｃｏ除去の条件）
本発明に係るＣｏ除去処理は、バッチ式の装置を用いて行っても、枚葉式装置を用いて行ってもよい。処理温度は、１０℃以上であることが好ましく、１５℃以上であることがより好ましく、２０℃以上であることが更に好ましい。上限としては、５０℃以下であることが好ましく、４０℃以下であることがより好ましく、３０℃以下であることが更に好ましい。上記下限値以上とすることにより、残渣に対する十分な除去速度を確保することができ好ましい。上記上限値以下とすることにより、処理速度の経時安定性を維持することができ好ましい。また、エネルギー消費の削減にもつながる。
【００５６】
本発明のＣｏ除去組成物は、コバルトに対する溶解速度（エッチングレート）が大きいことが好ましい。
Ｃｏに対する溶解速度は、０．０８ｎｍ（０．８Å）／ｍｉｎ以上であることが好ましい。０．５ｎｍ（５Å）／ｍｉｎ以上であることがより好ましく、１ｎｍ（１０Å）／ｍｉｎ以上であることが更に好ましい。上限は特に限定されないが、基板への損傷を抑制する観点から、２００ｎｍ（２，０００Å）／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
【００５７】
なお、保護されるべき金属層は低い溶解速度（エッチングレート）であることが好ましい。例えば、ＭＲＡＭにおける強磁性体層や絶縁層（具体的には、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3等）のエッチングレートが、１ｎｍ（１０Å）／ｍｉｎ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）／ｍｉｎ以下がより好ましく、０．１ｎｍ（１Å）／ｍｉｎ以下であることが特に好ましい。下限は０ｎｍ／ｍｉｎであり、この速度が低ければ低いほどよい。
ここで、溶解速度は以下の方法により測定される。具体的には、市販のシリコンウェハに、目的とする層（例えば、ＣｏＦｅＢ層、ＭｇＯ層など）を形成した基板をそれぞれ準備する。各層の厚さは、例えば、ＣｏＦｅＢ層、ＭｇＯ層などの保護されるべき金属層では、５０ｎｍ（５００Å）とし、除去されるべき金属層であるＣｏ層では、２００ｎｍ（２，０００Å)とする。この基板を除去組成物で満たした容器に入れ、２５０ｒｐｍで撹拌する。処理温度は２５℃とし、処理時間は１０分とする。処理後の試験基板を取り出し、イソプロパノールでリンス処理を施した後、エリプソメトリー（分光エリプソメーター、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン（株）製Ｖａｓｅ）を用いてエッチング処理前後の膜厚を測定することにより算出する。５点の平均値を採用した（測定条件  測定範囲：１．２−２．５ｅＶ、測定角：７０，７５度）。
なお、Ｃｏ層の膜厚のみ、国際電気アルファ（株）製、抵抗率測定器ＶＲ−１２０Ｓを使用し、４ ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅを用いた直流４探針法により、測定した。
【００５８】
特に、本発明において、コバルト除去組成物は、ＣｏＦｅＢに代表される強磁性体層を形成するコバルト合金の溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、上記コバルト合金の溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏのエッチングレートと、ＣｏＦｅＢに代表される強磁性体層を形成するコバルト合金との溶解速度の比（Ｃｏの溶解速度／ＣｏＦｅＢの溶解速度）が、２以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましく、１０以上であることが更に好ましく、３０以上であることが特に好ましく、５０以上であることが最も好ましい。なお、上限は特に限定されず、無限大であり、１０１０以下であることが好ましい。
【００５９】
本発明のコバルト除去組成物は、ＭｇＯの溶解速度が低いことが好ましく、具体的には、２ｎｍ（２０Å）／ｍｉｎ以下であることが好ましく、１ｎｍ（１０Å）／ｍｉｎ以下であることがより好ましく、０．５ｎｍ（５Å）／ｍｉｎ以下であることが更に好ましく、０．１ｎｍ（１Å）／ｍｉｎ以下であることが特に好ましい。なお、下限値は、０ｎｍ／ｍｉｎである。
また、本発明のコバルト除去組成物は、ＭｇＯの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎであるか、又は、ＭｇＯの溶解速度が０ｎｍ／ｍｉｎを超える場合、Ｃｏのエッチングレートと、ＭｇＯとの溶解速度の比（Ｃｏの溶解速度／ＭｇＯの溶解速度）が、２以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましく、１０以上であることが更に好ましく、２０以上であることが特に好ましい。なお、上限は特に限定されず、無限大であり、１０１０以下であることが好ましい。
【００６０】
金属層の露出幅（各層の厚さ）は特に限定されないが、本発明の利点がより顕著になる観点から、１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましい。同様に効果の顕著性の観点から、上限値は２００ｎｍ以下であることが実際的であり、１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６１】
本発明のコバルト除去組成物は、磁気抵抗メモリの製造に好適に使用され、特に、強磁性体層にＣｏ含有金属層を用いた磁気抵抗メモリのドライエッチング残渣除去に好適に使用される。磁気抵抗メモリの製造方法については、ＭＲＡＭドライエッチング残渣除去組成物を用いた磁気抵抗メモリの製造方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中で処方や配合量として示した％及び部は特に断らない限り質量基準である。【００６３】
（試験基板の作製）
市販のシリコン基板（直径：１２インチ）上に、各層をＭＢＥ（分子線エピタキシー法）又はＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）により、図１（ａ）の構成になるように形成した。各層の厚さは５０ｎｍ（５００Å）とした。ハードマスクでパターニングした所定の部分に対して、一般的な条件でドライエッチング処理を施し、図１（ｂ）の構造となるよう加工した。【００６４】
（残渣除去組成物の調製）
下記表１に記載の配合で各試験に適用する残渣除去組成物（除去組成物）を調製した。得られた各除去組成物を使用し、各残渣除去試験を行った。【００６５】
（残渣除去試験）
上記の試験基板を、除去組成物を満たした容器に入れ、２５０ｒｐｍで撹拌した。処理温度は２５℃とし、処理時間は１０分とした。処理後の試験基板を取り出し、イソプロパノールでリンス処理を施した。【００６６】
（エッチング速度［ＥＲ］）
エッチング速度（ＥＲ）については、上記のハードマスクを付してパターニングした基板は用いずに、表１の各層が露出した基板を用いた。具体的には、市販のシリコンウェハに、ＣｏＦｅＢの層を形成した基板と、ＭｇＯの層を形成した基板とをそれぞれ準備した。各層の厚さは５０ｎｍ（５００Å）とした。また、Ｃｏ層を形成した基板を準備し、Ｃｏ層の厚みは２００ｎｍ（２，０００Å）とした。この基板を上記と同様に除去組成物で満たした容器に入れ、撹拌した。撹拌条件や温度等は、上記の残渣除去試験と同じとした。
ＣｏＦｅＢ層及びＭｇＯ層の膜厚は、エリプソメトリー（分光エリプソメーター、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン（株）製Ｖａｓｅを使用した）を用いてエッチング処理前後の膜厚を測定することにより算出した。５点の平均値を採用した（測定条件  測定範囲：１．２−２．５ｅＶ、測定角：７０，７５度）。
また、Ｃｏ層のエッチング処理前後の膜厚は、国際電気アルファ（株）製、抵抗率測定器ＶＲ−１２０Ｓを使用し、４ ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅを用いた直流４探針法により、測定した。【００６７】
【表１】
0006486957.tif 000003
【符号の説明】
【００６８】
１  ハードマスク（Ｈａｒｄ  Ｍａｓｋ）
２  フリー層（Ｆｒｅｅ  Ｌａｙｅｒ）
３  第２強磁性体層（ＣｏＦｅＢ  ｏｒ  ＣｏＦｅ）
４  絶縁体層（ＭｇＯ  ｏｒ  Ａｌ2Ｏ3）
５  第１強磁性体層（ＣｏＦｅＢ  ｏｒ  ＣｏＦｅ）
６  ベース電極（Ｂａｓｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）
７  残渣（Ｒｅｓｉｄｕｅ）
Ｈ  ホール
ｄ  損傷部
【図１】
0006486957.tif 000004
【図２】
0006486957.tif 000005