(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバの内部空間に基板を収納しながら前記チャンバに接続される排気配管を介して前記内部空間の雰囲気を排気することで前記内部空間を減圧するとともに前記内部空間を加熱することで、前記基板上の塗布膜に含まれる溶媒成分を気化させて前記塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記排気配管の外周面側から前記排気配管を加熱する配管加熱部を備え、
前記配管加熱部は、前記チャンバから離れるにしたがって前記排気配管の温度が高くなるように加熱する
ことを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
前記配管加熱部を制御することで前記排気配管の温度を調整する配管温度制御部をさらに備える減圧乾燥装置。
【請求項３】
請求項２に記載の減圧乾燥装置であって、
前記配管温度制御部は、前記排気配管の温度を、前記排気配管を介して排気される前記溶媒成分を含む排気ガスの露点温度より高い温度に調整する減圧乾燥装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の減圧乾燥装置であって、
前記配管温度制御部は前記排気配管の温度を前記内部空間よりも低い温度に調整する減圧乾燥装置。
【請求項５】
塗布膜が形成された基板をチャンバの内部空間に収納する収納工程と、
前記チャンバに接続される排気配管を介して前記内部空間の雰囲気を排気して前記内部空間を減圧するとともに前記内部空間を加熱することで、前記基板上の塗布膜に含まれる溶媒成分を気化させて前記塗布膜を乾燥させる乾燥工程と、
前記乾燥工程と並行して前記チャンバから離れるにしたがって前記排気配管の温度が高くなるように前記排気配管の外周面側から前記排気配管を加熱する配管加熱工程と
を備えることを特徴とする減圧乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、半導体ウェハ、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの精密電子装置用基板（以下、単に「基板」と称する）上に形成される塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、上記した精密電子装置用基板の製造工程では、基板の表面に形成された塗布膜を乾燥させるために、減圧処理によって塗布膜に含まれる溶媒成分を気化させて乾燥させる減圧乾燥技術が用いられていた。しかしながら、塗布膜が厚くなるのにしたがって、減圧乾燥に要する時間が長くなり、より効率的な減圧乾燥技術が望まれている。この要望を満足させるために、減圧処理と並行して加熱処理を行う減圧乾燥装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この減圧乾燥装置は、その内部空間で塗布膜が形成された基板を収納するチャンバを有している。また、減圧乾燥装置は、内部空間を減圧する機能と、内部空間を加熱する機能とを備えており、減圧処理と加熱処理とを並行して行うことで塗布膜の減圧乾燥時間の短縮を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０２９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、減圧処理と加熱処理とを並行して行うと、塗布膜に含まれる溶媒成分が短時間で大量に気化し、チャンバに接続される排気配管を介して上記内部空間から排出される。特許文献１では排気配管は常温状態に置かれており、後述する実験および分析で説明するように、種々の問題が発生することがある。例えば減圧乾燥処理に要する時間、いわゆるタクトタイムを短縮することが難しい。また、減圧乾燥処理毎にタクトタイムが変動し、減圧乾燥処理が不安定なものとなる。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、減圧と加熱とを並行して行う減圧乾燥処理を短時間で、しかも安定して行うことができる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の一態様は、チャンバの内部空間に基板を収納しながらチャンバに接続される排気配管を介して内部空間の雰囲気を排気することで内部空間を減圧するとともに内部空間を加熱することで、基板上の塗布膜に含まれる溶媒成分を気化させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、排気配管の外周面側から排気配管を加熱する配管加熱部を備え、配管加熱部は、チャンバから離れるにしたがって排気配管の温度が高くなるように加熱することを特徴としている。
【０００８】
また、この発明の他の態様は、減圧乾燥方法であって、塗布膜が形成された基板をチャンバの内部空間に収納する収納工程と、チャンバに接続される排気配管を介して内部空間の雰囲気を排気して内部空間を減圧するとともに内部空間を加熱することで、基板上の塗布膜に含まれる溶媒成分を気化させて塗布膜を乾燥させる乾燥工程と、乾燥工程と並行してチャンバから離れるにしたがって排気配管の温度が高くなるように排気配管の外周面側から排気配管を加熱する配管加熱工程と
を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
チャンバの内部空間で減圧処理のみならず加熱処理を並行して行う場合、基板上の塗布膜から溶媒成分が効率的に気化され、排気配管を介してチャンバから排出される。この排出時に排気配管が常温程度であれば、気化した溶媒成分が液化して排気配管に付着する。しかしながら、本発明では、排気配管が加熱されているため、溶媒成分の液化が抑えられ、塗布膜を短時間でしかも安定して乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明にかかる減圧乾燥装置の一実施形態の構成を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す減圧乾燥装置の構成を示すブロック図である。
【図３】図１に示す減圧乾燥装置における減圧特性を示すグラフである。
【図４】溶媒の蒸気圧曲線の一例を示すグラフである。
【図５】図１に示す減圧乾燥装置の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は本発明にかかる減圧乾燥装置の一実施形態の構成を示す縦断面図である。また、図２は図１に示す減圧乾燥装置の構成を示すブロック図である。この減圧乾燥装置１は、基板９の上面９１に塗布液を塗布してなる塗布膜９２に含まれる溶媒成分を気化させて塗布膜９２を乾燥させる装置である。例えば基板９の上面９１にポリイミド膜を形成する場合には、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸（ポリアミック酸）を有機溶媒、例えばＮＭＢ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）で溶解させてなるポリアミド酸溶液を塗布液として用いる。当該塗布液を塗布して、所望厚みの１０倍程度（例えば５〜１０［μｍ］程度のポリイミド膜を形成する場合には、５０〜１００［μｍ］程度）の比較的厚い塗布膜を形成する。そして、当該塗布膜に含まれる溶媒成分を減圧乾燥装置１によって気化させて除去し、さらに減圧乾燥装置１とは異なる加熱装置によって高温加熱してイミド化させることで基板９の上面９１にポリイミド膜が形成される。このように、本発明にかかる減圧乾燥装置１は比較的厚い塗布膜９２を減圧乾燥させることができ、特に減圧乾燥処理時に大量の溶媒成分が気化する場合に好適である。
【００１２】
減圧乾燥装置１は、図１に示すように、チャンバ１０と、基板保持部２０と、基板加熱部３０と、排気部４０と、配管加熱部５０と、装置全体を制御する制御部６０（図２）とを備えている。
【００１３】
チャンバ１０は、基板９に対して減圧乾燥処理（＝減圧処理＋加熱処理）を行うための内部空間ＳＰを有する耐圧容器である。チャンバ１０は、互いに分離可能なベース部１１と蓋部１２とを有している。ベース部１１は、装置フレーム（図示省略）上に固定設置されている。また、蓋部１２には、図１において概念的に示したチャンバ昇降機構１２ａが接続されている。このため、制御部６０からの昇降指令に応じてチャンバ昇降機構１２ａが動作することで、ベース部１１に対して蓋部１２が上下に昇降移動する。蓋部１２を下降させたときには、ベース部１１と蓋部１２とが当接して一体となり、その内部に内部空間ＳＰ（基板９の処理空間）が形成される。本実施形態では、ベース部１１の上面の周縁部には、シリコンゴムなどで構成されたＯリング１３が設けられている。このため、蓋部１２の下降時には、ベース部１１の上面と蓋部１２の下面との間にＯリング１３が介在し、チャンバ１０内部空間ＳＰは気密状態となる。一方、蓋部１２を上昇させたときにはチャンバ１０が開放され、チャンバ１０への基板９の搬入およびチャンバ１０からの基板９の搬出が可能となる。
【００１４】
基板保持部２０は、チャンバ１０の内部空間ＳＰにおいて基板９を保持するための機構である。基板保持部２０は、複数の基板保持ピン２１を有しており、各基板保持ピン２１の頭部を基板９の下面に当接させることにより、基板９を水平姿勢に支持する。複数の基板保持ピン２１は、チャンバ１０の外部に配置された１つの支持部材２２上に立設されており、それぞれベース部１１および基板加熱部３０を貫通してチャンバ１０の内部空間ＳＰに突設されている。
【００１５】
この支持部材２２には、図１に示すように、ピン昇降機構２２ａが接続されている。このため、制御部６０からの昇降指令に応じてピン昇降機構２２ａが動作することで、支持部材２２および複数の基板保持ピン２１が一体として上下に昇降移動する。減圧乾燥装置１では、複数の基板保持ピン２１上に基板９を保持しつつピン昇降機構２２ａを動作させることにより、基板加熱部３０に対する基板９の高さ位置を調整することが可能となっている。
【００１６】
基板加熱部３０はベース部１１の上面中央部に配置されている。この基板加熱部３０では、加熱源となる棒状ヒータが複数本設けられている。そして、複数の基板保持ピン２１に基板９が搬入される前に制御部６０からの加熱指令に応じて棒状ヒータを動作させておくと、基板９が搬入される前に内部空間ＳＰが加熱されるとともに、搬入された基板９がその下面側から加熱される。このように、雰囲気温度が上昇した内部空間ＳＰ内で基板９を加熱して塗布膜９２から溶媒成分を気化させる。
【００１７】
また、本実施形態では、加熱処理と並行して減圧処理を施すために、排気部４０が設けられている。この排気部４０は、チャンバ１０の内部空間ＳＰから溶媒成分を含むガス（以下「排気ガス」という）を吸引排気するための排気配管４１と、排気配管４１を介してチャンバ１０から排出される排気ガスの排気量を制御するためのバタフライバルブ４２、４３と、開閉弁４４と、排気ポンプ４５とを有している。本実施形態では、ベース部１１の周縁部に２つの排気口１１１、１１２が設けられている。また、このように排気口を２つ設けたことに対応し、排気配管４１の一方端部は２つに分岐し、分岐端部４１１、４１２がそれぞれ排気口１１１、１１２に接続されている。さらに、排気口１１１、１１２の近傍位置でバタフライバルブ４２、４３がそれぞれ分岐端部４１１、４１２に介挿されている。一方、排気配管４１の他方端部は開閉弁４４および排気ポンプ４５を介して図示を省略する排気ラインと接続されている。このため、制御部６０からの開閉指令に応じて開閉弁４４が開くとともに制御部６０からの動作指令に応じて排気ポンプ４５が動作すると、バタフライバルブ４２、４３の開度に応じた排気量で排気ガスが排気配管４１を介して排気ラインへ排気される。
【００１８】
本実施形態では、排気配管４１に配管加熱部５０が設けられている。配管加熱部５０は排気配管４１の外周面にラバーヒータを配管ヒータ５１として巻き付けたものである。制御部６０からの加熱指令に応じて配管ヒータ５１が発熱することで、排気配管４１が加熱される。なお、配管ヒータ５１としては、上記ラバーヒータ以外に、リボンヒータ、ケーブルヒータ、シートヒータなどを用いてもよい。
【００１９】
また、排気配管４１を高精度に調整するために、本実施形態では、図２に示すように、排気配管４１の温度を検出する配管温度センサ４１ａが設けられ、検出した温度に関連する検出信号を制御部６０に出力する。そして、制御部６０は、減圧乾燥処理と並行して、排気配管４１の温度に基づいて気配管加熱部５０をフィードバック制御することで排気配管４１の温度を調整して排気ガスに含まれる溶媒成分が排気配管４１に触れて液化するのを抑制する。このように、本実施形態では、制御部６０は本発明の「配管温度制御部」として機能している。以下においては、上記のように構成された減圧乾燥装置１の動作を説明する前に、気配管加熱部５０により排気配管４１を加熱して温度調整することの技術的意義について図３および図４を参照しつつ説明する。
【００２０】
図３は図１に示す減圧乾燥装置における減圧特性を示すグラフであり、次の実験によって減圧特性を求めている。減圧乾燥処理の初期段階で塗布膜９２から溶媒成分が急激に気化するが、これに見合った排気量で減圧動作を実行している。このため、チャンバ１０内の圧力は下降し、減圧乾燥処理の進行に伴い当該圧力は次第に減少して塗布膜９２の減圧乾燥処理が完了する。そこで、本実験では、配管ヒータ５１をＯＮ／ＯＦＦさせるという条件以外については全て同一に設定しながら、３枚の基板９について減圧乾燥処理を連続的に行い、一定値Ｐｓ（この実験では大気圧（１０００００Ｐａ））から塗布膜９２の減圧乾燥処理が完了するまでのチャンバ１０内の圧力の変化をそれぞれ計測した。同図中の上段波形は配管ヒータ５１を作動させないとき（ＯＦＦ時）の減圧特性を示し、下段波形は配管ヒータ５１を作動させたとき（ＯＮ時）の減圧特性を示している。
【００２１】
減圧乾燥装置１では、チャンバ１０内で発生する溶媒成分を含む排気ガスが排気配管４１を介してチャンバ１０から排出されるため、時間経過にとともにチャンバ１０内の圧力は低下する。ここで、図３に示す減圧特性において注目すべきことが３点存在する。
【００２２】
まず１点目は、圧力減少の初期においては配管ヒータ５１をＯＦＦ状態に保ったケース（従来装置に実質的に相当し、以下「従来例」という）の方が配管ヒータ５１をＯＮ状態に保ったケース（本実施形態に相当し、以下「実施例」という）よりも圧力低下率が大きい点である。これは、排気ガスに含まれる溶媒成分が排気配管４１内で急激に冷却されて液化し、その液化した溶媒成分が再度気化して排気されるというプロセスが行われていることに起因していると本願発明者は分析した。すなわち、実施例では配管ヒータ５１をＯＮ状態とすることで、従来例では液化されて排気配管４１内に付着する分も実施例では気化状態が維持されているため、その分、排気すべき量も多くなったためと考察することができる。つまり、従来例より実施例の方が排気すべき排気ガスの量が多いため、圧力減少の初期においては排気速度が遅くなったと考えられる。このように圧力特性は排気配管４１の温度と密接に関連している。
【００２３】
第２の注目点は、上記したように排気配管４１の温度上昇に伴って排気速度は低下するものの、従来例では圧力減少の中期以降、減圧速度は低下し、減圧乾燥処理が完了するまでの時間は実施例よりも長くなっている点である。ここで、従来例における減圧速度の低下要因について、本願発明者は次のように分析した。すなわち、図３の上段波形を見ると、チャンバ１０内の圧力が特定の圧力Ｐｖに達する直前で大きく低下し、一定時間だけ当該圧力Ｐｖで減圧速度がほぼゼロとなった後、再び圧力が低下する。これは、上述と同様に排気ガスに含まれる溶媒成分が排気配管４１内で急激に冷却されて液化し、その液化した溶媒成分が再度気化して排気されるというプロセスが行われていることに起因していると本願発明者は分析した。また、排気配管４１を加熱することで排気配管４１への溶媒成分の液化を抑え、減圧速度の低下を防止することができると分析することができ、その分析結果は実験結果と合致している。すなわち、排気配管４１を加熱することで排気ガス中の溶媒成分が排気配管４１に液化するのを防止して減圧乾燥処理に要する時間、いわゆるタクトタイムを短縮することができる。
【００２４】
さらに、第３の注目点は減圧乾燥処理の安定性である。同図に示すように、従来例では減圧乾燥処理毎に減圧乾燥の終了タイミングＴoffが異なる。つまり、タクトタイムが変動している。その理由については、次のように分析することができる。上述のように排気配管４１内では一度液化した溶媒が再気化するため、その再気化した分も全て排気されるのであれば、１枚目、２枚目、３枚目で終了タイミングＴoffに差が生じないと考えられる。しかしながら、配管ヒータ５１をＯＦＦ状態に維持する場合、圧力が圧力Ｐｖとなっている時点では大量に気化した溶媒が再液化して排気配管４１に付着することがあり、これによって減圧速度が緩慢になる。また、圧力が圧力Ｐｖよりも下がるということは、再液化したものが完全に気化されるようにも思えるが、圧力が圧力Ｐｖよりも低下している間においても乾燥処理は継続して行われており、再液化付着も継続して発生する。この結果、枚数が増えるごとに付着量が増し、それに応じて終了タイミングＴoffがずれていくと考えられる。これに対し、実施例では終了タイミングＴonはほぼ同一である、つまりタクトタイムはほぼ一定している。これは、配管ヒータ５１がＯＮ状態となっており、加熱された排気配管４１内では液化が発生しないことに起因していると考えることができる。事実、実施例では図３の下段波形を見る限り、溶媒成分の液化は認められず、タクトタイムは安定している。このように、排気配管４１の加熱は減圧乾燥処理の安定化にも大きく寄与する。
【００２５】
上記した３つの注目点および分析結果から、本願発明者は、減圧乾燥処理中に排気配管４１を加熱することがタクトタイムの短縮および減圧乾燥処理の安定化を図る上で重要な役割を果たすという結論を得た。なお、排気配管４１への溶媒成分の液化を防止する観点から、排気配管４１を排気ガスの露点温度より高い温度に調整するのが望ましい。ここで、「露点温度（あるいは単に「露点」ということもある）」とは、排気ガスの温度をその露点温度以下にすると溶媒成分が容易に液化してしまうことを意味しており、配管温度を露点温度以上に維持することで排気ガスに含まれる溶媒成分の液化を防止することができる。また、排気配管４１の加熱温度が高すぎると、配下配管４１内で排気ガスが膨張して排気速度の低下を招くため、排気配管４１の温度はチャンバ１０の内部空間ＳＰよりも低く設定するのが望ましい。
【００２６】
ここで、図１に示す減圧乾燥装置１において露点温度を直接的に検出することは難しいので、本実施形態では上記圧力Ｐｖ（液化が発生していると考えられるときのチャンバ１０内の圧力）および図４に示す溶媒の蒸気圧曲線に基づいて排気配管４１の温度を設定している。すなわち、蒸気圧曲線に基づき上記圧力Ｐｖに対応する温度ＴＰｖを求め、制御部６０は配管ヒータ５１を駆動して当該温度ＴＰｖの±２０［℃］の範囲に排気配管４１を加熱する。具体的には、減圧乾燥処理中の排気配管４１の温度が目標配管温度として予め制御部６０に記憶されており、制御部６０は減圧乾燥処理用のプログラムにしたがって減圧乾燥装置１の各部を制御することで以下の動作を実行する。
【００２７】
図５は図１に示す減圧乾燥装置の動作を示すフローチャートである。この減圧乾燥装置１により基板９を処理するときには、予め、基板加熱部３０は制御部６０からの加熱指令を受けて棒状ヒータを作動させて内部空間ＳＰ内の雰囲気温度を上昇させておく（ステップＳ１：加熱準備工程）。また、排気配管４１に対する加熱処理も予め開始しておく（ステップＳ２：配管加熱工程）すなわち、配管加熱部５０は制御部６０からの加熱指令を受けて配管ヒータ５１を作動させて排気配管４１の外周面側から加熱し、排気配管４１の温度を上昇させておく。ここで、制御部６０は配管温度センサ４１ａにより検出される排気配管４１の温度をモニターし、当該温度に基づいて排気配管４１が目標配管温度となるようにフィードバック制御する。これによって、減圧乾燥処理中の排気配管４１の温度が目標配管温度に維持される。
上述のようにステップＳ１，Ｓ２が実行された後、上面９１に塗布膜９２が塗布された基板９がチャンバ１０内に搬入され、内部空間ＳＰに収納される（ステップＳ３：搬入工程）。具体的には、チャンバ昇降機構１２ａによりチャンバ１０の蓋部１２が上昇する。そして、図示を省略する搬送ロボットにより基板９がチャンバ１０の内部に搬入され、複数の基板保持ピン２１上に載置される。基板９の搬入が完了すると、搬送ロボットはチャンバ１０の外部へ退避し、チャンバ昇降機構１２ａによりチャンバ１０の蓋部１２が下降する。これによって内部空間ＳＰが密閉空間となる。
【００２８】
次のステップＳ４では、開閉弁４４が開くとともにバタフライバルブ４２、４３が所定の開度まで開く。また、排気ポンプ４５が動作して、チャンバ１０の内部のガスが排気口１１１、１１２を介して強制排気される。これにより、内部空間ＳＰ内の雰囲気が排気口１１１、１１２、バタフライバルブ４２、４３、排気配管４１および開閉弁４４を介して排気ラインに排出され、チャンバ１０の内部空間ＳＰを減圧する。この内部空間ＳＰの減圧に応じて基板９の表面に塗布された塗布膜９２に含まれる溶媒成分が気化する。これにより、基板９上の塗布膜９２に対する減圧処理が開始される。
【００２９】
この減圧処理の際には、ステップＳ１により既に棒状ヒータは作動しているので、基板９に対する加熱処理も開始されることとなる（ステップＳ４）。すなわち、雰囲気温度が上昇した内部空間ＳＰ内で棒状ヒータにより基板９がその下面側から加熱される。この加熱処理によって、基板９上の塗布膜９２に含まれる溶媒成分を昇温させ、溶媒成分の気化を更に促進させる。このように、減圧乾燥装置１は、内部空間ＳＰの減圧および加熱を併用した減圧乾燥処理を実行することで、塗布膜９２の乾燥効率を向上させる（乾燥工程）。
【００３０】
このように排気配管４１を目標配管温度に加熱しながら減圧処理と乾燥処理とを並行して行い、塗布膜９２の乾燥が完了すると、排気ポンプ４５が停止されるとともに、図示しない開放弁を開成することにより、チャンバ１０の内部空間ＳＰを大気圧まで復圧する。その後、チャンバ昇降機構１２ａがチャンバ１０の蓋部１２を上昇させ、チャンバ１０の内部に搬送ロボットのハンドが進入して基板保持ピン２１上の基板９を受け取りチャンバ１０の外部へ搬出する（ステップＳ５：搬出工程）。以上をもって、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理が終了する。なお、基板加熱部３０による内部空間ＳＰの加熱および配管加熱部５０による排気配管４１の加熱は継続して実行される。
【００３１】
以上のように、この減圧乾燥装置１では、排気配管４１を加熱しながら減圧乾燥処理を行っているので、減圧乾燥処理中に排気ガスに含まれる溶媒成分が排気配管４１に液化して付着するのを防止することができる。その結果、減圧乾燥装置１による減圧乾燥処理を短時間で行うことができる。また、減圧乾燥処理を行う毎に排気配管４１に残留する溶媒成分を抑えて減圧乾燥処を安定して行うことができる。特に、複数の基板９を連続して処理する場合であっても、各基板９を一定のタクトタイムで減圧乾燥させることができる。
【００３２】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、減圧乾燥処理中に排気配管４１全体を均一に加熱して目標配管温度に調整しているが、配管温度を相違させるように構成してもよい。というのも、排気配管４１が長くなると、排気配管４１のうちチャンバ１０に近い領域と離れた領域とで各領域を通過する排気ガスの温度は相違するからである。つまり、チャンバ１０から離れるにしたがって排気配管４１内での排気ガスの温度は低くなり、液化現象が発生し易くなる。そこで、チャンバ１０から離れるにしたがって排気配管４１の温度が高くなるように加熱するのが好適である。
【００３３】
また、上記実施形態では、基板９の上面９１にポリアミド酸溶液を塗布して形成された塗布膜９２を減圧乾燥させる減圧乾燥装置１に対して本発明を適用しているが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、レジスト液、層間絶縁材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線材料、有機金属材料、金属ペースト等で形成された塗布膜を減圧乾燥させる装置にも適用可能である。また、基板９の下面、あるいは基板９の両面に形成された塗布膜を減圧乾燥させる減圧乾燥装置に対しても本発明を適用することができる。
【００３４】
以上、具体的な実施形態を例示して説明してきたように、本発明は、例えば配管温度制御部によって、排気配管の温度を、排気配管を介して排気される溶媒成分を含む排気ガスの露点温度より高い温度に調整するように構成してもよい。つまり、排気配管への溶媒成分の液化を抑制するためには、このような構成を採用するのが好適である。
【００３５】
また、配管温度制御部により排気配管の温度を内部空間よりも低い温度に調整するようにすれば、排気速度が低下するのを防止することができ、好適である。
【００３６】
さらに、配管加熱部は、チャンバから離れるにしたがって排気配管の温度が高くなるように加熱するように構成するのが望ましく、これによって排気配管が長くなる場合であっても、溶媒成分の液化を効果的に防止することでき、好適である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
この発明は、減圧処理および加熱処理の併用によって基板上に形成される塗布膜を乾燥させる減圧乾燥技術全般に適用することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１…減圧乾燥装置
９…基板
１０…チャンバ
４１…排気配管
５０…配管加熱部
５１…配管ヒータ
６０…制御部（配管温度制御部）
９１…（基板の）上面
９２…塗布膜
ＳＰ…（チャンバの）内部空間
【図１】
0006560072.tif 000002
【図２】
0006560072.tif 000003
【図３】
0006560072.tif 000004
【図４】
0006560072.tif 000005
【図５】
0006560072.tif 000006