(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイドを駆動させるソレノイド駆動手段と、
前記ソレノイド駆動手段に供給される電源電圧を昇圧して昇圧電圧を生成する昇圧電源手段と、
前記ソレノイド駆動手段がオフになるときに前記ソレノイドで発生する回生エネルギを前記昇圧電源手段に回生する回生手段と、
前記昇圧電圧の値を所定電圧値以下に制限する昇圧電圧制限手段と、
を有するソレノイド駆動装置において、
前記昇圧電圧制限手段は、
前記昇圧電圧の値と前記所定電圧値とを比較する昇圧電圧比較手段と、
前記昇圧電圧の値が前記所定電圧値よりも高いと前記昇圧電圧比較手段が判定した場合に、前記昇圧電圧の値を低下させる昇圧電圧放電手段と、
を備え、
前記昇圧電圧比較手段は、
前記昇圧電源手段に対して並列に接続され、前記回生エネルギが前記昇圧電源手段に回生される場合に、前記昇圧電圧を分圧する２個の抵抗器の直列回路と、
分圧後の前記昇圧電圧の値である分圧値と前記所定電圧値に応じた基準電圧値とを比較するコンパレータと、
を備え、
前記昇圧電圧放電手段は、
前記分圧値が前記基準電圧値よりも高いと前記コンパレータが判定した場合にオンとなり、一方で、前記分圧値が前記基準電圧値以下であると前記コンパレータが判定した場合にオフになるスイッチ手段と、
前記スイッチ手段がオンになったときに、前記昇圧電源手段に流れる放電電流を制限する電流制限抵抗器と、
を備えることを特徴とするソレノイド駆動装置。
【請求項２】
請求項１記載のソレノイド駆動装置において、
前記電流制限抵抗器は、複数の抵抗器に分割して構成されていることを特徴とするソレノイド駆動装置。
【請求項３】
請求項２記載のソレノイド駆動装置において、
前記複数の抵抗器は、直列接続されていることを特徴とするソレノイド駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタンス負荷であるソレノイドを駆動させるソレノイド駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
エンジンのシリンダ内に燃料を直接噴射する燃料噴射装置（インジェクタ）では、インダクタンス負荷であるソレノイドに高電圧を印加して大電流を流すことによりインジェクタを開弁状態とし、その後、小さな保持電流をソレノイドに流すことにより開弁状態を維持する。この場合、ＤＣ−ＤＣコンバータ等の昇圧電源手段により電源電圧を昇圧して高電圧（昇圧電圧）を生成し、ソレノイドに印加することで、インジェクタを開弁させる。
【０００３】
特許文献１には、ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する高電圧充電用のコンデンサに対して、電圧制限手段としての定電圧ダイオードを並列に接続することにより、昇圧電圧の値（コンデンサの電圧値）を所定電圧値以下に制限することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４３４３３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、定電圧ダイオードを用いると、昇圧電圧の制限時に定電圧ダイオードそのものが発熱する。これにより、昇圧電圧の値を制限するときの定電圧ダイオードの電圧精度が悪化する。この結果、ソレノイドに印加する昇圧電圧の値がばらつくことになり、インジェクタからシリンダ内に噴射される燃料噴射量にバラツキが生じる可能性がある。
【０００６】
本発明は、前記の課題を考慮してなされたものであり、熱による昇圧電圧の値のバラツキの発生を抑えることができるソレノイド駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ソレノイドを駆動させるソレノイド駆動手段と、前記ソレノイド駆動手段に供給される電源電圧を昇圧して昇圧電圧を生成する昇圧電源手段と、前記ソレノイド駆動手段がオフになるときに前記ソレノイドで発生する回生エネルギを前記昇圧電源手段に回生する回生手段と、前記昇圧電圧の値を所定電圧値以下に制限する昇圧電圧制限手段とを有するソレノイド駆動装置に関する。
【０００８】
そして、前記の目的を達成するため、本発明のソレノイド駆動装置において、前記昇圧電圧制限手段は、前記昇圧電圧の値と前記所定電圧値とを比較する昇圧電圧比較手段と、前記昇圧電圧の値が前記所定電圧値よりも高いと前記昇圧電圧比較手段が判定した場合に、前記昇圧電圧の値を低下させる昇圧電圧放電手段とを備える。
【０００９】
前記回生手段による前記ソレノイドから前記昇圧電源手段への前記回生エネルギの回生に起因して、前記昇圧電源手段では、前記昇圧電圧の過昇圧が発生する。前記昇圧電圧制限手段は、過昇圧となった前記昇圧電圧の値を前記所定電圧値以下に制限する。この場合、前記昇圧電圧放電手段は、前記昇圧電圧の値を制限する機能を担っており、電圧制限時に熱が発生する。
【００１０】
そこで、本発明では、前記昇圧電圧の値と前記所定電圧値とを比較する前記昇圧電圧比較手段と、前記昇圧電圧放電手段とを別個に設けている。これにより、前記昇圧電圧放電手段から前記昇圧電圧比較手段への熱の影響が抑制され、前記昇圧電圧比較手段における前記昇圧電圧の値の判定処理を精度良く行うことができる。
【００１１】
この結果、本発明では、前記熱に起因した前記昇圧電圧の値のバラツキを抑えることが可能になる。また、前記昇圧電圧比較手段に対する熱の影響を抑制するような回路構成のレイアウトが可能となる。
【００１２】
なお、本発明において、「ソレノイド」には、前述したインジェクタのソレノイド、当該インジェクタに燃料を供給する燃料ポンプのソレノイド等の各種のソレノイドが含まれる。従って、本発明に係るソレノイド駆動装置は、インジェクタ及び燃料ポンプの駆動制御装置に限らず、各種のソレノイドを駆動させる駆動制御装置に適用可能である。
【００１３】
ところで、特許文献１では、コンデンサ及び定電圧ダイオードとアースとの間の経路に、電流値を制限する手段が設けられていない。そのため、昇圧電圧の制限時に、前記コンデンサから流れる放電電流の波形が急峻となり、コンデンサ容量の減少等のコンデンサの劣化が発生するおそれがある。
【００１４】
そこで、本発明において、前記昇圧電圧放電手段は、前記昇圧電圧比較手段の判定結果に基づきオン又はオフするスイッチ手段と、前記スイッチ手段がオンになったときに、前記昇圧電源手段に流れる放電電流を制限する電流制限抵抗器とを備える。前記電流制限抵抗器によって前記放電電流の値が抑制され、前記放電電流の波形が急峻になることを阻止できるので、前記コンデンサの劣化を効果的に防止することができる。
【００１５】
また、複数の抵抗器に分割して前記電流制限抵抗器を構成すれば、前記電流制限抵抗器の消費電力を前記各抵抗器に分散することができる。これにより、前記各抵抗器の抵抗値や定格電力を小さくすることができる。
【００１６】
さらに、前記複数の抵抗器を直列接続すれば、前記各抵抗器を基板上にレイアウトしやすくなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、昇圧電圧の値と所定電圧値とを比較する昇圧電圧比較手段と、昇圧電圧放電手段とを別個に設けている。これにより、前記昇圧電圧放電手段から前記昇圧電圧比較手段への熱の影響が抑制され、前記昇圧電圧比較手段における前記昇圧電圧の値の判定処理を精度良く行うことができる。
【００１８】
この結果、本発明では、前記熱に起因した前記昇圧電圧の値のバラツキを抑えることが可能になる。また、前記昇圧電圧比較手段に対する熱の影響を抑制するような回路構成のレイアウトが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態に係るソレノイド駆動装置の回路図である。
【図２】図１の電圧制限回路の回路図である。
【図３】図３Ａは、電流制限抵抗器の各抵抗器を並列接続した場合の回路図であり、図３Ｂは、電流制限抵抗器の各抵抗器を直列接続した場合の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係るソレノイド駆動装置について好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。
【００２１】
図１に示すように、本実施の形態に係るソレノイド駆動装置１０は、例えば、エンジンのシリンダ内に燃料を直接噴射する直噴式のインジェクタの駆動制御装置、及び、当該インジェクタに燃料を供給する燃料ポンプの駆動制御装置に適用可能である。すなわち、ソレノイド駆動装置１０は、車両のバッテリ１２に対して並列に接続された昇圧電源回路（昇圧電源手段）１４及びソレノイド駆動回路（ソレノイド駆動手段）１６を有する。
【００２２】
昇圧電源回路１４は、バッテリ１２の電源電圧を昇圧して高電圧（昇圧電圧）を生成し、生成した昇圧電圧をインジェクタ等の高電圧駆動回路１８に供給することにより、高電圧駆動回路１８を動作させる。
【００２３】
具体的に、昇圧電源回路１４において、コイル２０の一端は、バッテリ１２の正極に接続されると共に、コイル２０の他端は、Ｎチャネル・エンハンスメント・モードのＭＯＳＦＥＴ２２のドレイン端子に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２２のソース端子は、バッテリ１２の負極（アース）に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２２のゲート端子は、制御部２４に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２２のドレイン端子及びソース端子間には、寄生ダイオード２６が形成されている。
【００２４】
ＭＯＳＦＥＴ２２に対して、ダイオード２８及びコンデンサ３０の直列回路が並列に接続されている。すなわち、ダイオード２８のアノード端子は、コイル２０の他端及びＭＯＳＦＥＴ２２のドレイン端子に接続されている。ダイオード２８のカソード端子は、電解コンデンサであるコンデンサ３０に接続されている。昇圧電圧が発生する高電圧充電用のコンデンサ３０には、電圧制限回路（電圧制限手段）３２及び高電圧駆動回路１８が並列に接続されている。
【００２５】
一方、ソレノイド駆動回路１６は、バッテリ１２の電源電圧を燃料ポンプ３４のソレノイド３６に印加することにより、インダクタンス負荷としてのソレノイド３６を駆動させる。
【００２６】
具体的に、ソレノイド駆動回路１６では、バッテリ１２に対して、Ｐチャネル・エンハンスメント・モードのＭＯＳＦＥＴ３８及びダイオード４０の直列回路が並列に接続されている。すなわち、バッテリ１２の正極にＭＯＳＦＥＴ３８のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ３８のソース端子とダイオード４０のカソード端子とが接続され、ダイオード４０のアノード端子がバッテリ１２の負極に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ３８のゲート端子は制御部４２に接続され、ＭＯＳＦＥＴ３８のドレイン端子及びソース端子間には、寄生ダイオード４４が形成されている。
【００２７】
ソレノイド３６の一端は、ＭＯＳＦＥＴ３８のソース端子及びダイオード４０のカソード端子間に接続されている。ソレノイド３６の他端は、Ｎチャネル・エンハンスメント・モードのＭＯＳＦＥＴ４６を介して、バッテリ１２の負極に接続されている。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ４６のドレイン端子は、ソレノイド３６の他端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ４６のソース端子はバッテリ１２の負極に接続され、ＭＯＳＦＥＴ４６のドレイン端子及びソース端子間には、寄生ダイオード４８が形成されている。ＭＯＳＦＥＴ４６のゲート端子は、制御部４２に接続されている。
【００２８】
ソレノイド３６の他端及びＭＯＳＦＥＴ４６のドレイン端子間には、ダイオード（回生手段）５０のアノード端子が接続され、ダイオード５０のカソード端子は、昇圧電源回路１４を構成するダイオード２８のカソード端子及びコンデンサ３０間に接続されている。
【００２９】
電圧制限回路３２は、昇圧電圧の値を制限する昇圧電圧制限手段であり、図２に示すように、昇圧電圧比較手段５２と昇圧電圧放電手段５４とを有する。
【００３０】
昇圧電圧比較手段５２は、３個の抵抗器５６〜６０とコンパレータ６２とを有する。２個の抵抗器５６、５８の直列回路は、コンデンサ３０に対して並列に接続されている。コンパレータ６２の非反転入力端子（＋印の入力端子）は、２個の抵抗器５６、５８の接続点に接続され、コンパレータ６２の反転入力端子（−印の入力端子）は、抵抗器６０に接続されている。
【００３１】
この場合、コンパレータ６２の非反転入力端子には、２個の抵抗器５６、５８によって分圧された昇圧電圧が供給され、一方で、反転入力端子には、抵抗器６０を介して基準電圧が供給される。コンパレータ６２の出力端子は、昇圧電圧放電手段５４を構成するＭＯＳＦＥＴ（スイッチ手段）６４のゲート端子に接続されている。
【００３２】
昇圧電圧放電手段５４は、Ｎチャネル・エンハンスメント・モードのＭＯＳＦＥＴ６４と電流制限抵抗器６６とを有する。この場合、コンデンサ３０、２個の抵抗器５６、５８の直列回路、及び、高電圧駆動回路１８に対して、ＭＯＳＦＥＴ６４及び電流制限抵抗器６６の直列回路が並列に接続されている。
【００３３】
すなわち、コンデンサ３０及び高電圧駆動回路１８の一端並びに抵抗器５６に対して、電流制限抵抗器６６の一端が接続されている。電流制限抵抗器６６の他端は、ＭＯＳＦＥＴ６４のドレイン端子に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ６４のソース端子は、コンデンサ３０及び高電圧駆動回路１８の他端並びに抵抗器５８に接続されている。
【００３４】
電流制限抵抗器６６は、複数の抵抗器６８を直列に接続することにより構成される。すなわち、別個の複数の抵抗器６８を、配線７０を用いて直列に接続することにより、電流制限抵抗器６６が構成される。図２では、一例として、９本の配線７０を用いて、８個の抵抗器６８を直列に接続することにより、電流制限抵抗器６６を構成した場合を図示している。
【００３５】
本実施の形態に係るソレノイド駆動装置１０は、以上のように構成されるものであり、次に、その動作について、図１及び図２を参照しながら説明する。ここでは、ソレノイド駆動装置１０を構成する昇圧電源回路１４、ソレノイド駆動回路１６、ダイオード５０及び電圧制限回路３２の動作について、それぞれ説明する。
【００３６】
先ず、昇圧電源回路１４の動作について説明する。
【００３７】
制御部２４がゲート信号をＭＯＳＦＥＴ２２のゲート端子に供給すると、ＭＯＳＦＥＴ２２のドレイン端子及びソース端子間は、オフからオンに切り替わる。これにより、バッテリ１２の正極からコイル２０及びＭＯＳＦＥＴ２２を介してバッテリ１２の負極に向かう方向に電流が流れる。
【００３８】
次に、制御部２４がゲート信号の供給を停止して、ＭＯＳＦＥＴ２２をオフにすると、コイル２０に流れていた電流がダイオード２８を介してコンデンサ３０に流れ、コンデンサ３０を充電する。これにより、コンデンサ３０には、バッテリ１２の電源電圧を昇圧した高電圧（昇圧電圧）が生成される。生成された昇圧電圧は、高電圧駆動回路１８に印加され、例えば、高電圧駆動回路１８としてのインジェクタを構成するソレノイドを駆動させる。
【００３９】
なお、制御部２４は、例えば、ゲート信号としてのパルス信号のパルス幅を調整して昇圧電圧の値を変化させるＰＷＭ制御を行うことにより、所望の値及び継続時間の昇圧電圧を昇圧電源回路１４から高電圧駆動回路１８に印加させて、インジェクタのソレノイドを駆動させることが可能である。また、制御部２４は、ＰＷＭ制御を行うことで、一定値及び一定幅のパルス電圧（昇圧電圧）を、昇圧電源回路１４から高電圧駆動回路１８に繰り返し印加させることにより、ソレノイドの駆動状態を維持させることが可能である。
【００４０】
次に、ソレノイド駆動回路１６の動作について説明する。
【００４１】
制御部４２がゲート信号をＭＯＳＦＥＴ３８、４６のゲート端子にそれぞれ供給すると、ＭＯＳＦＥＴ３８、４６のドレイン端子及びソース端子間は、オフからオンにそれぞれ切り替わる。これにより、バッテリ１２の正極からＭＯＳＦＥＴ３８、ソレノイド３６、ＭＯＳＦＥＴ４６を介して、バッテリ１２の負極に向かう方向に電流が流れる。この結果、ソレノイド３６には、バッテリ１２の電源電圧が印加されるので、燃料ポンプ３４が駆動し、インジェクタに燃料を供給することが可能となる。
【００４２】
なお、制御部４２からＭＯＳＦＥＴ３８、４６のゲート端子へのゲート信号の供給が停止すると、ＭＯＳＦＥＴ３８、４６はそれぞれオフとなり、ソレノイド３６は駆動を停止する。また、制御部４２は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ４６をオンさせた状態で、一定幅のパルスをゲート信号としてＭＯＳＦＥＴ３８に繰り返し供給することにより、ＭＯＳＦＥＴ３８のオンオフを繰り返し行わせ、ソレノイド３６を所定電流で駆動させることが可能である。
【００４３】
また、ＭＯＳＦＥＴ４６がオン状態のときにＭＯＳＦＥＴ３８がオンオフを繰り返した場合、ソレノイド３６にサージ電圧が発生し、このサージ電圧に起因する電流が、ソレノイド３６の他端からＭＯＳＦＥＴ４６、バッテリ１２の負極及びダイオード４０を介してソレノイド３６の一端に転流される。この場合、ＭＯＳＦＥＴ３８がオンオフする周期が短いため、転流エネルギを小さくすることができる。
【００４４】
次に、回生手段としてのダイオード５０の動作について説明する。
【００４５】
制御部４２からＭＯＳＦＥＴ３８、４６のゲート端子へのゲート信号の供給が停止し、ＭＯＳＦＥＴ３８、４６がオフになると、ソレノイド３６にサージ電圧が発生し、ソレノイド３６の他端からダイオード５０を介してコンデンサ３０の正極側に向かう方向に電流が流れる。この電流は、ソレノイド３６に蓄積された回生エネルギ（に起因するサージ電圧）をコンデンサ３０に回生するために流れる回生電流であり、ソレノイド３６の他端からダイオード５０、コンデンサ３０、バッテリ１２の負極及びダイオード４０を介して、ソレノイド３６の一端に向かう方向に流れる。この結果、インダクタンス負荷としてのソレノイド３６から流れ込んだ回生電流によって、ソレノイド３６の回生エネルギがコンデンサ３０に蓄積される。
【００４６】
次に、昇圧電圧制限手段としての電圧制限回路３２の動作について説明する。
【００４７】
前述のように、ソレノイド３６からコンデンサ３０に回生電流が流れ、ソレノイド３６の回生エネルギがコンデンサ３０に蓄積されることにより、昇圧電源回路１４では、昇圧電圧の過昇圧が発生する。そこで、過昇圧となった昇圧電圧の値を所定電圧値以下に制限する必要がある。
【００４８】
従来は、例えば、特許文献１のように、コンデンサに対して、定電圧ダイオードを並列に接続することにより、昇圧電圧の値を所定電圧値以下に制限していた。しかしながら、定電圧ダイオードを用いると、昇圧電圧の制限時に定電圧ダイオードそのものが発熱する。これにより、昇圧電圧の値を制限するときの定電圧ダイオードの電圧精度が悪化する。この結果、高電圧駆動回路に印加する昇圧電圧の値がばらつくことになり、インジェクタからシリンダ内に噴射される燃料噴射量にバラツキが生じる可能性がある。
【００４９】
そこで、本実施の形態に係るソレノイド駆動装置１０では、図１及び図２に示すように、コンデンサ３０に対して電圧制限回路３２を並列に接続している。
【００５０】
この場合、昇圧電圧は、２個の抵抗器５６、５８によって分圧され、分圧後の昇圧電圧が、昇圧電圧比較手段５２のコンパレータ６２の非反転入力端子に入力される。コンパレータ６２は、分圧後の昇圧電圧の値（分圧値）と、抵抗器６０を介して反転入力端子に入力された基準電圧の値（所定電圧値に応じた基準電圧値）とを比較する。
【００５１】
具体的に、コンパレータ６２は、分圧値が基準電圧値以下である場合には、出力端子から略０レベルの信号（ローレベル信号）を出力し、一方で、分圧値が基準電圧値を超える場合には、出力端子からハイレベル信号を出力する。つまり、コンパレータ６２は、分圧値と基準電圧値とを比較して、分圧値が基準電圧値よりも高いと判定すれば、ハイレベル信号をＭＯＳＦＥＴ６４のゲート端子に供給する。
【００５２】
昇圧電圧放電手段５４のＭＯＳＦＥＴ６４は、コンパレータ６２の出力端子からゲート端子にローレベル信号が供給されている場合には、ドレイン端子及びソース端子間をオフに維持し、一方で、出力端子からゲート端子にハイレベル信号が供給された場合には、ドレイン端子及びソース端子間をオンにする。
【００５３】
従って、ＭＯＳＦＥＴ６４がオンになった場合、電流制限抵抗器６６の他端は、ＭＯＳＦＥＴ６４を介してコンデンサ３０の負極に接続されることになる。この結果、コンデンサ３０に蓄積されたエネルギは、コンデンサ３０の正極から、電流制限抵抗器６６及びＭＯＳＦＥＴ６４を介して、コンデンサ３０の負極に向かう方向に流れる放電電流として放電される。
【００５４】
この場合、放電電流が流れる経路に電流制限抵抗器６６が設けられているので、放電電流の値は抑制され、当該放電電流の波形が急峻になることを阻止することができる。
【００５５】
なお、コンパレータ６２は、昇圧電圧の値を常時監視することが可能である。そのため、コンデンサ３０に蓄積されたエネルギが放電されることで、分圧値が基準電圧値以下となった場合には、出力端子からローレベル信号を出力する。これにより、ＭＯＳＦＥＴ６４は、オンからオフに切り替わり、コンデンサ３０の放電動作を停止させることができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施の形態に係るソレノイド駆動装置１０によれば、電圧制限回路３２は、昇圧電圧の値（の分圧値）と所定電圧値（に応じた基準電圧値）とを比較する昇圧電圧比較手段５２と、分圧値が基準電圧値よりも高いと昇圧電圧比較手段５２が判定した場合に、昇圧電圧の値を低下させる昇圧電圧放電手段５４とを備える。
【００５７】
ソレノイド３６からダイオード５０を介した昇圧電源回路１４への回生エネルギの回生に起因して、昇圧電源回路１４では、昇圧電圧の過昇圧が発生する。電圧制限回路３２は、過昇圧となった昇圧電圧の値を所定電圧値以下に制限する。この場合、昇圧電圧放電手段５４は、昇圧電圧の値を制限する機能を担っており、電圧制限時に熱が発生する。
【００５８】
そこで、本実施の形態では、昇圧電圧の分圧値と基準電圧値とを比較する昇圧電圧比較手段５２と、昇圧電圧放電手段５４とを別個に設けている。これにより、昇圧電圧放電手段５４から昇圧電圧比較手段５２への熱の影響が抑制され、昇圧電圧比較手段５２における昇圧電圧の値の判定処理を精度良く行うことができる。
【００５９】
この結果、本実施の形態では、熱に起因した昇圧電圧の値のバラツキを抑えることが可能になる。また、昇圧電圧比較手段５２に対する熱の影響を抑制するような回路構成のレイアウトが可能となる。
【００６０】
ところで、特許文献１では、コンデンサ及び定電圧ダイオードとアースとの間の経路に、電流値を制限する手段が設けられていない。そのため、昇圧電圧の制限時に、コンデンサから流れる放電電流の波形が急峻となり、コンデンサ容量の減少等のコンデンサの劣化が発生するおそれがある。
【００６１】
そこで、本実施の形態において、昇圧電圧放電手段５４は、昇圧電圧比較手段５２の判定結果に基づきオン又はオフするＭＯＳＦＥＴ６４と、ＭＯＳＦＥＴ６４がオンになったときに流れる放電電流を制限する電流制限抵抗器６６とを備える。電流制限抵抗器６６によって放電電流の値が抑制され、放電電流の波形が急峻になることを阻止できるので、コンデンサ３０の劣化を効果的に防止することができる。
【００６２】
また、複数の抵抗器６８に分割して電流制限抵抗器６６を構成することにより、電流制限抵抗器６６の消費電力を各抵抗器６８に分散することができる。これにより、各抵抗器６８の抵抗値や定格電力を小さくすることができる。
【００６３】
さらに、複数の抵抗器６８を直列接続することにより、各抵抗器６８を基板上にレイアウトしやすくなる。この効果について、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら、より詳しく説明する。
【００６４】
図３Ａは、比較例に係る電流制限抵抗器７２であり、複数の抵抗器６８を並列に接続している。この場合、電流制限抵抗器７２は、８個の抵抗器６８を並列接続するため、電流制限抵抗器７２の一端側に８本、他端側に８本の合計で１６本の配線７０を必要とする。これにより、図示しない基板上に各抵抗器６８をレイアウトする際、自由にレイアウトすることが難しい。
【００６５】
これに対して、図３Ｂに示す本実施の形態の電流制限抵抗器６６は、複数の抵抗器６８を直列に接続している。この場合、電流制限抵抗器６６は、合計で９本の配線７０さえあれば、８個の抵抗器６８を直列接続することができる。これにより、基板上に各抵抗器６８を自由にレイアウトすることが可能となる。
【００６６】
なお、本発明に係るソレノイド駆動装置は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。
【００６７】
上記の説明では、燃料ポンプ３４のソレノイド３６からダイオード５０を介してコンデンサ３０に回生エネルギを回生する際に、昇圧電圧の値を電圧制限回路３２で制限する場合について説明した。本実施の形態は、上記の説明に限定されることはなく、インジェクタのソレノイドから図示しないダイオードを介してコンデンサ３０に回生エネルギを回生する場合でも、昇圧電圧の値を電圧制限回路３２で制限することが可能である。また、本実施の形態では、図示しないが、昇圧電圧比較手段５２のコンパレータ６２にヒステリシス回路を付加して、昇圧電圧のハンチングを防止することも可能である。さらに、本実施の形態は、インジェクタ及び燃料ポンプ３４を構成するソレノイドの駆動制御装置に限らず、各種のソレノイドを駆動させる駆動制御装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１０…ソレノイド駆動装置            １２…バッテリ
１４…昇圧電源回路                  １６…ソレノイド駆動回路
１８…高電圧駆動回路                ２０…コイル
２２、３８、４６、６４…ＭＯＳＦＥＴ
２８、４０、５０…ダイオード        ３０…コンデンサ
３２…電圧制限回路                  ３４…燃料ポンプ
３６…ソレノイド                    ５２…昇圧電圧比較手段
５４…昇圧電圧放電手段              ５６〜６０、６８…抵抗器
６２…コンパレータ                  ６６…電流制限抵抗器
７０…配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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