(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれている導体パターンと
を備え、
前記導体パターンは、前記絶縁層の厚み方向一方面から露出する露出面を有し、
前記絶縁層は、ＪＩＳ  Ｐ８１１５（２００１年）に準拠して測定される耐折回数が１００回以上であり、
周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で前記絶縁層を動的粘弾性測定したときの、２０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’が、１００ＭＰａ以下であることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記導体パターンの前記露出面は、前記絶縁層の前記厚み方向一方面と面一となるように位置し、または、前記絶縁層の前記厚み方向一方面に対して前記厚み方向他方側に位置していることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記導体パターンの前記露出面は、前記絶縁層の前記厚み方向一方面に対して前記厚み方向他方側に位置していることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記導体パターンの厚みＴ１の、前記絶縁層の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）が、０．０５以上であることを特徴とする、請求項２または３に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記導体パターンの厚みＴ１が、１．０μｍ以上であることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記導体パターンは、さらに、前記露出面に対して前記厚み方向他方側に間隔を隔てて対向配置される対向面と、前記露出面の周端部および前記対向面の周端部を連結する連結面とを有し、
前記対向面および前記連結面は、前記絶縁層によって被覆されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板を備えることを特徴とする、ウエアラブルデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびウエアラブルデバイス、好ましくは、配線回路基板、および、それを備えるウエアラブルデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエアラブルデバイスは、ユーザの身体や衣服の一部に装着されて用いられる。そのようなウエアラブルデバイスは、例えば、電気信号を処理するための電子素子を実装するために、配線回路基板を備える。
【０００３】
そのような配線回路基板として、例えば、熱可塑性エラストマーからなる絶縁ベース材と、絶縁ベース材の上に形成された配線層と、配線層の上に形成された熱可塑性エラストマーからなる絶縁層とを備える伸縮性フレキシブル回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載の伸縮性フレキシブル回路基板は、まず、配線層を絶縁ベース材の上に形成し、その後、絶縁層を絶縁ベース材および配線層にラミネートすることにより、製造されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１８７３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、絶縁ベース材の上に配線層を形成した回路基板（つまり、絶縁層をラミネートする前の回路基板）を伸縮性フレキシブル回路基板またはその基材として製造および販売することがある。
【０００７】
しかし、このような回路基板では、配線層が絶縁ベース材から剥離し易いという不具合がある。
【０００８】
本発明の目的は、導体パターンが絶縁層から剥離することを抑制することのできる配線回路基板およびウエアラブルデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［１］本発明は、絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれている導体パターンとを備え、前記導体パターンは、前記絶縁層の厚み方向一方面から露出する露出面を有し、前記絶縁層は、ＪＩＳ  Ｐ８１１５（２００１年）に準拠して測定される耐折回数が１０回以上であることを特徴とする、配線回路基板である。
【００１０】
この構成であれば、導体パターンは、絶縁層に埋め込まれているので、導体パターンが絶縁層から剥離しにくく、とりわけ、絶縁層は、ＪＩＳ  Ｐ８１１５（２００１年）に準拠して測定される耐折回数が上記した下限以上であるので、配線回路基板を伸縮させても、導体パターンが絶縁層から剥離することを抑制することができる。そのため、配線回路基板は、信頼性に優れる。
［２］本発明は、前記導体パターンの前記露出面は、前記絶縁層の前記厚み方向一方面と面一となるように位置し、または、前記絶縁層の前記厚み方向一方面に対して前記厚み方向他方側に位置していることを特徴とする、上記［１］に記載の配線回路基板である。
【００１１】
この構成によれば、導体パターン間の短絡を抑制することができる。
［３］本発明は、前記導体パターンの前記露出面は、前記絶縁層の前記厚み方向一方面に対して前記厚み方向他方側に位置していることを特徴とする、上記［２］に記載の配線回路基板である。
【００１２】
この構成によれば、ロール・トゥ・ロール法で製造され、配線回路基板の厚み方向一方面をロールに対向させる場合に、導体パターンの露出面とロールの表面との間に空隙を設けるとともに、配線回路基板の厚み方向一方面におけるロールとの接触面積を小さくすることができる。そのため、配線回路基板とロールとのブロッキングを抑制することができる。
［４］本発明は、前記導体パターンの厚みＴ１の、前記絶縁層の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）が、０．０５以上であることを特徴とする、上記［２］または［３］に記載の配線回路基板である。
【００１３】
この構成によれば、Ｔ１／Ｔ０が特定の下限以上であるので、配線回路基板の薄型化を図ることができる。
［５］本発明は、前記導体パターンの厚みＴ１が、１．０μｍ以上であることを特徴とする、上記［２］〜［４］のいずれか一項に記載の配線回路基板である。
【００１４】
この構成によれば、導体パターンの厚みＴ１が上記した下限以上であるので、導体パターンの絶縁層に対する密着性を向上させることができる。
［６］本発明は、前記導体パターンは、さらに、前記露出面に対して前記厚み方向他方側に間隔を隔てて対向配置される対向面と、前記露出面の周端部および前記対向面の周端部を連結する連結面とを有し、前記対向面および前記連結面は、前記絶縁層によって被覆されていることを特徴とする、上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の配線回路基板である。
【００１５】
この構成によれば、対向面および連結面は、絶縁層によって被覆されているので、導体パターンの絶縁層に対する密着力を向上させることができる。そのため、導体パターンが絶縁層から剥離することをより一層抑制することができる。
［７］本発明は、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で前記絶縁層を動的粘弾性測定したときの、２０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’が、１，０００ＭＰａ以下であることを特徴とする、上記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の配線回路基板である。
【００１６】
この構成によれば、絶縁層の引張貯蔵弾性率Ｅ’が、特定の上限以下であるので、伸縮性に優れる。
［８］本発明は、上記［１］〜［７］のいずれか一項に記載の配線回路基板を備えることを特徴とする、ウエアラブルデバイスである。
【００１７】
この構成によれば、ウエアラブルデバイスは、信頼性に優れる配線回路基板を備えるので、信頼性に優れる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の配線回路基板およびウエアラブルデバイスは、信頼性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す配線回路基板の断面図であって、Ａ−Ａ線に沿う左右方向断面図を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｆは、図２に示す配線回路基板の製造方法の工程図であって、図３Ａは、シード層を剥離層の上面に形成する工程（１）、図３Ｂは、めっきレジストをシード層の上面に形成する工程、図３Ｃは、導体パターンをシード層の上面に形成する工程（２）、図３Ｄは、シード層および導体パターンを絶縁層によって被覆する工程（３）、図３Ｅは、剥離層をシード層から剥離する工程（４）、図３Ｆは、シード層を除去する工程（５）を示す。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは、図１に示す配線回路基板を備えるウエアラブルデバイスを手首の内側部分の皮膚に貼り付ける態様であり、図４Ａは、手首が伸展および屈曲していない状態、図４Ｂは、手首が伸展している状態、図４Ｃは、手首が屈曲している状態を示す。
【図５】図５は、一実施形態の変形例の配線回路基板（導体パターンの上面が、絶縁層の上面と面一となる態様）の拡大断面図を示す。
【図６】図６は、一実施形態の変形例の配線回路基板（導体パターンの上面が、絶縁層の上面に対して上側に位置する態様）の拡大断面図を示す。
【図７】図７は、一実施形態の変形例の配線回路基板（導体パターンが、断面略テーパー形状を有する態様）の拡大断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図２において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向）であり、紙面左側が左側（第１方向一方側）、紙面右側が右側（第１方向他方側）である。図２において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向に直交する第２方向、厚み方向）であり、紙面上側が上側（第２方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第２方向他方側、厚み方向他方側）である。図２において、紙面奥行方向は、先後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向、長手方向（図１参照））であり、紙面手前側が先側（第３方向一方側、長手方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側、長手方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００２１】
なお、図４Ａ〜図４Ｃにおいて、配線回路基板１（後述）の形状を明確に示すために、センサ１８およびメモリ２５（後述）を省略している。
【００２２】
１．配線回路基板
本発明の一実施形態である配線回路基板１は、図１および図２に示すように、絶縁層２と、絶縁層２に埋め込まれている導体パターン３とを備える。
【００２３】
１−１．  絶縁層
絶縁層２は、図１に示すように、配線回路基板１の外形形状と同一の外形形状を有する。具体的には、絶縁層２は、先後方向に延びる平面視略矩形のフィルム（シート）形状を有している。絶縁層２は、図２に示すように、平坦な下面１０と、下面１０の上側に間隔を隔てて対向する上面１１とを備える。また、絶縁層２は、導体パターン３に対応する複数の溝部４を備えている。複数の溝部４のそれぞれは、上方に向かって開放されている。
【００２４】
絶縁層２は、例えば、後述する耐折回数を満足する絶縁材料から形成される。絶縁材料としては、例えば、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂（アクリル系樹脂および／またはメタクリル系樹脂の意味であり、以下同義）、ウレタン・（メタ）アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（具体的には、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂など）、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、フッ素系樹脂、スチレン系樹脂、ブタジエン系樹脂、イソブチレン系樹脂などが挙げられる。絶縁材料は、単独使用または２種以上組み合わせることもできる。
【００２５】
絶縁材料として、柔軟性と靱性とを兼ね備える特性を得るために、好ましくは、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ウレタン・（メタ）アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂が挙げられ、優れた耐折性を得る観点から、より好ましくは、ウレタン・（メタ）アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂が挙げられる。
【００２６】
ウレタン・（メタ）アクリル系樹脂は、紫外線硬化性樹脂であって、例えば、ポリオールと、ポリイソシアネートと、（メタ）アクリル酸と、（メタ）アクリレートとを含む原料を配合して、光重合開始剤の存在下、それらを反応させることにより得られる。具体的には、上記した原料および光重合開始剤を配合して、混合物を調製し、混合物に対して紫外線を照射して硬化させる。
【００２７】
シリコーン系樹脂は、熱硬化性樹脂であって、例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルシロキサンなどが挙げられ、好ましくは、ポリジメチルシロキサンが挙げられる。
【００２８】
絶縁層２は、ＪＩＳ  Ｐ８１１５（２００１年）に準拠して測定される耐折回数が１０回以上であり、好ましくは、１００回以上、より好ましくは、１，０００回以上、さらに好ましくは、１０，０００回以上であり、また、例えば、１００，０００回以下である。絶縁層２の耐折回数が上記した下限に満たない場合には、配線回路基板１を繰り返し伸縮させたときに、導体パターン３が絶縁層２から剥離することを抑制できない。
【００２９】
絶縁層２の耐折回数の測定方法の詳細は、後の実施例で詳述される。
【００３０】
絶縁層２の２０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、２，０００ＭＰａ以下、好ましくは、１，０００ＭＰａ以下、より好ましくは、１００ＭＰａ以下、さらに好ましくは、５０ＭＰａ以下、とりわけ好ましくは、２０ＭＰａ以下であり、また、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは、０．５ＭＰａ以上である。
【００３１】
絶縁層２の引張貯蔵弾性率Ｅ’が上記した上限以下であれば、絶縁層２の優れた伸縮性を確保することができる。一方、絶縁層２の引張貯蔵弾性率Ｅ’が上記した下限以上であれば、優れた靱性および優れた取扱性を確保することができる。
【００３２】
絶縁層２の２０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’は、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で絶縁層２を動的粘弾性測定することにより求められる。
【００３３】
絶縁層２の厚みＴ０は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。
【００３４】
絶縁層２の厚みＴ０は、図２に示すように、厚み方向に投影したときに、導体パターン３と重ならない領域における、絶縁層２の下面１０と上面１１との厚み方向における距離Ｔ０である。
【００３５】
絶縁層２の厚みＴ０は、配線回路基板１の厚みと同一である。
【００３６】
１−２．導体パターン
導体パターン３は、図１および図２に示すように、厚み方向に投影したときに、絶縁層２の投影面に含まれるように、配置されている。導体パターン３は、先後方向に延びる配線５と、配線５の先後両端部のそれぞれに接続される端子６とを一体的に備える。
【００３７】
配線５は、左右方向に間隔を隔てて複数設けられている。複数の配線５のそれぞれは、略波形（または正弦波形）形状を有している。
【００３８】
端子６は、配線回路基板１の先端部および後端部のそれぞれに複数設けられている。また、複数の端子６のそれぞれは、配線５の先後両端部に連続するように設けられている。複数の端子６のそれぞれは、平面視略矩形状を有するランドである。
【００３９】
導体パターン３（具体的には、配線５）は、図２に示すように、断面略矩形状を有しており、具体的には、露出面の一例としての上面７と、上面７に対して下側（厚み方向他方側の一例）に間隔を隔てて対向配置される対向面の一例としての下面８と、上面７の周端部および下面８の周端部を連結する連結面の一例としての側面９とを一体的に有している。導体パターン３は、絶縁層２の上面１１から露出するように、溝部４に嵌っている。
【００４０】
導体パターン３の上面７は、絶縁層２の上面１１に対して下側（厚み方向他方側の一例）に位置している。導体パターン３の上面７と、上面７より上側の溝部４の内側面とによって、絶縁層２の上面１１に対する段差部２１が形成されている。また、導体パターン３の上面７は、絶縁層２の上面１１に対して平行な面であって、先後方向に延びる平坦面である。さらに、導体パターン３の上面７は、絶縁層２の上面１１から露出する露出面である。
【００４１】
導体パターン３の下面８は、導体パターン３の上面７に平行する平坦面である。導体パターン３の下面８は、絶縁層２の溝部４の内側面によって被覆されている。具体的には、導体パターン３の下面８は、絶縁層２の溝部４に対して直接接触している。
【００４２】
導体パターン３の側面９は、厚み方向（上下方向）に沿う面であって、絶縁層２の溝部４の内側面によって被覆されている。導体パターン３の側面９は、絶縁層２の溝部４に対して直接接触している。
【００４３】
導体パターン３は、例えば、銅、ニッケル、金、および、それらの合金などの導体材料などから形成される。導体材料として、好ましくは、銅が挙げられる。
【００４４】
導体パターン３の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定され、特に限定されない。複数の配線５のそれぞれの左右方向長さ（幅）は、例えば、１２μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、７５０μｍ以下であり、隣接する配線５間の間隔は、例えば、１２μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１０，０００μｍ以下、好ましくは、７，５００μｍ以下であり、また、先後方向長さ（長さ）は、例えば、１０ｍｍ以上、好ましくは、２０ｍｍ以上であり、また、例えば、２５０ｍｍ以下、好ましくは、１００ｍｍ以下である。複数の端子６の左右方向長さおよび先後方向長さは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、１０，０００μｍ以下、好ましくは、５，０００μｍ以下であり、隣接する端子６間の間隔は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０，０００μｍ以下、好ましくは、５，０００μｍ以下である。
【００４５】
導体パターン３の平面積Ｓ１（厚み方向に投影したときの投影面積）の、絶縁層２の平面積Ｓ０に対する比（Ｓ１／Ｓ０）、つまり、厚み方向に投影したときにおける導体パターン３の絶縁層２に占める割合は、また、例えば、７０％以下、好ましくは、６０％以下であり、例えば、１％以上、好ましくは、３％以上である。Ｓ１／Ｓ０が上記した上限以下であれば、配線回路基板１の伸縮性に優れる。
【００４６】
導体パターン３の厚みＴ１（上面７と下面８との厚み方向における距離Ｔ１）、すなわち、配線５および端子６のそれぞれの厚みＴ１は、例えば、０．３μｍ以上、好ましくは、０．８μｍ以上、より好ましくは、１．０μｍ以上であり、また、例えば、１１２μｍ以下、好ましくは、７５μｍ以下、より好ましくは、４０μｍ以下である。導体パターン３の厚みＴ１が上記した下限以上であれば、導体パターン３の絶縁層２に対する密着力を向上させることができ、導体パターン３の絶縁層２からの剥離を抑制することができる。
【００４７】
導体パターン３の厚みＴ１の、絶縁層２の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、１未満、好ましくは、０．９以下、より好ましくは、０．８以下であり、また、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１以上、より好ましくは、０．２以上である。Ｔ１／Ｔ０が、上記した下限以上であれば、配線回路基板１の薄型化を図ることができる。
【００４８】
なお、導体パターン３の下方に位置する絶縁層２の厚みＴ２、すなわち、導体パターン３と厚み方向において対向する絶縁層２の厚みＴ２は、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、５μｍ以上である。
【００４９】
導体パターン３の下方に位置する絶縁層２の厚みＴ２の、絶縁層２の厚みＴ０に対する比（Ｔ２／Ｔ０）は、例えば、０．９５以下、好ましくは、０．８５以下、より好ましくは、０．７５以下であり、また、例えば、０．１以上である。Ｔ２／Ｔ０が、上記した上限以下であれば、導体パターン３の絶縁層２に対する密着力を確保しつつ、配線回路基板１の薄型化を図ることができる。
【００５０】
また、導体パターン３の厚みＴ１の、導体パターン３の下方に位置する絶縁層２の厚みＴ２に対する比（Ｔ１／Ｔ２）は、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１以上であり、また、例えば、０．９以下、好ましくは、０．８以下である。Ｔ１／Ｔ２が、上記した下限以上であれば、配線回路基板１の薄型化を図ることができる。
【００５１】
また、導体パターン３の上面７と、絶縁層２の上面１１との、厚み方向における距離Ｔ６、すなわち、上記した段差部２１の深さＴ６は、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下である。
【００５２】
段差部２１の深さＴ６の、絶縁層２の厚みＴ０に対する比（Ｔ６／Ｔ０）は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０３以上であり、また、例えば、０．５以下、好ましくは、０．３以下である。Ｔ６／Ｔ０が上記した下限以上であれば、後述する工程（５）におけるシード層１５を除去する時間を十分に確保することができるので、隣接する導体パターン３同士のシード層１５を介した短絡を抑制することができる。
【００５３】
また、導体パターン３の厚みＴ１と、段差部２１の深さＴ６との和（Ｔ１＋Ｔ６）は、溝部４の深さであって、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００５４】
また、溝部４の深さ（Ｔ１＋Ｔ６）の、絶縁層２の厚みＴ０に対する比（（Ｔ１＋Ｔ６）／Ｔ０）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、また、例えば、０．９以下、好ましくは、０．８以下である。上記した比が上記した下限以上であれば、導体パターン３の絶縁層２に対する密着力を確保しつつ、配線回路基板１の薄型化を図ることができる。
【００５５】
２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法について、図３Ａ〜図３Ｆを参照して説明する。
【００５６】
この製造方法は、シード層１５を剥離層１６の上面（厚み方向一方面の一例）に形成する工程（１）（図３Ａ参照）、導体パターン３をシード層１５の上面（厚み方向一方面の一例）に形成する工程（２）（図３Ｂおよび図３Ｃ参照）、シード層１５および導体パターン３を絶縁層２によって被覆する工程（３）（図３Ｄ参照）、剥離層１６をシード層１５から剥離する工程（４）（図３Ｅ参照）、および、シード層１５を除去する工程（５）（図３Ｆ参照）を備える。
【００５７】
また、この製造方法では、例えば、ロール・トゥ・ロール法、あるいは、枚葉（バッチ）方式で、配線回路基板１を製造する。
【００５８】
以下、各工程について説明する。
【００５９】
２−１．工程（１）
工程（１）では、図３Ａに示すように、シード層１５を剥離層１６の上面（厚み方向一方面の一例）に形成する。
【００６０】
シード層１５は、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などの金属材料から形成される。金属材料として、好ましくは、銅が挙げられる。
【００６１】
剥離層１６は、シード層１５に対して剥離可能に支持できる支持層であれば、特に限定されず、例えば、樹脂層、金属層などが挙げられ、好ましくは、金属層が挙げられる。金属層は、例えば、ステンレス、アルミニウム、４２アロイなどの金属材料からシート形状に形成されている。金属材料として、好ましくは、ステンレスが挙げられる。剥離層１６の厚みは、例えば、１８μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６２】
シード層１５を剥離層１６の上面に形成するには、例えば、めっきなどのウェットプロセス、例えば、蒸着、スパッタリングなどのドライプロセスなどが用いられる。好ましくは、めっき、より好ましくは、電解めっきによって、シード層１５を剥離層１６の上面に形成する。
【００６３】
シード層１５は、剥離層１６の上面全面に形成される。
【００６４】
シード層１５の厚みは、例えば、０．０３μｍ以上、好ましくは、０．３μｍ以上であり、また、例えば、５μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。
【００６５】
２−２．工程（２）
工程（２）は、工程（１）の後に実施される。工程（２）では、図３Ｃに示すように、導体パターン３をシード層１５の上面に形成する。
【００６６】
好ましくは、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、アディティブ法によって、導体パターン３をシード層１５の上面に形成する。
【００６７】
具体的には、まず、図３Ｂに示すように、ドライフィルムレジストからめっきレジスト１７を、導体パターン３の逆パターンで、シード層１５の上面に形成する。次いで、図３Ｃに示すように、シード層１５から給電する電解めっきによって、導体パターン３を、めっきレジスト１７から露出するシード層１５の上面に積層する。その後、図３Ｃの仮想線で示すめっきレジスト１７を、例えば、剥離液を用いて除去する。
【００６８】
導体パターン３は、シード層１５の上面に連続する形状を有する。
【００６９】
２−３．工程（３）
工程（３）は、工程（２）の後に実施される。工程（３）では、図３Ｄに示すように、シード層１５および導体パターン３を絶縁層２によって被覆する。
【００７０】
例えば、シート形状に予め形成された半固形状または固形状（より具体的には、Ｂステージ）の絶縁材料からなる絶縁層２を用意し、続いて、それをシード層１５および導体パターン３に対して圧着または転写する。または、液体状（より具体的には、Ａステージ）の絶縁材料（ワニスなど）を、シード層１５および導体パターン３に対して塗布する。
【００７１】
その後、半固形状または固形状の絶縁材料、または、液体状の絶縁材料が、未硬化状態（Ａステージ状態またはＢステージ状態）であれば、紫外線照射または加熱によって、絶縁材料を硬化（Ｃステージ化）させる。
【００７２】
これによって、シード層１５の上面において、導体パターン３間、および、導体パターン３の外側に充填された絶縁層２が、導体パターン３およびシード層１５を被覆するように、形成される。具体的には、絶縁層２は、シード層１５の上面と、導体パターン３の対向面８（図３Ｄでは、上面８に相当。一方、図２では、下面８に相当。）および側面９とを被覆している。なお、絶縁層２において、導体パターン３の対向面８および側面９を被覆する部分は、溝部４である。
【００７３】
２−４．工程（４）
工程（４）は、工程（３）の後に実施される。工程（４）では、図３Ｅに示すように、剥離層１６をシード層１５から剥離する。
【００７４】
具体的には、図３Ｄの仮想線で示すように、剥離層１６を下方に撓ませながら、シード層１５から剥離する。例えば、剥離層１６の右端部を把持し、それを下方に引き下げて、剥離層１６を下方に湾曲するように撓ませることによって、剥離層１６の右端部、左右方向中央部および左端部を、それぞれ、シード層１５の下面の右端部、左右方向中央部および左端部から順次引き剥がす。
【００７５】
２−５．工程（５）
工程（５）は、工程（４）の後に実施される。工程（５）では、図３Ｆに示すように、シード層１５を除去する。
【００７６】
例えば、ウエットエッチングなどのエッチングによって、シード層１５を除去する。
【００７７】
シード層１５の除去に伴って、溝部４に充填されていた導体パターン３の下端部が除去される。これによって、段差部２１が形成される。除去される導体パターン３の下端部の厚みＴ６は、上記した段差部２１の深さＴ６と同一である。
【００７８】
上記した工程（１）〜工程（５）によって、図１および図２に示す配線回路基板１が得られる。
【００７９】
３．ウエアラブルデバイス
次に、上記した配線回路基板１を備えるウエアラブルデバイス２０について説明する。
【００８０】
ウエアラブルデバイス２０は、図１に示すように、配線回路基板１と、センサ１８（仮想線）と、メモリ２５（仮想線）とを備える。
【００８１】
なお、図２の仮想線で示すように、配線回路基板１には、必要により、被覆層１９および感圧接着層２３が設けられている。被覆層１９は、配線５を被覆するように絶縁層２の上面１１に形成されており、絶縁層２で例示した絶縁材料などから形成されている。感圧接着層２３は、絶縁層２の下面に設けられている。
【００８２】
センサ１８は、例えば、ユーザの脈拍、体温などのデータを測定できる測定手段である。センサ１８は、配線回路基板１における先端部の端子６と電気的に接続されている。
【００８３】
メモリ２５は、センサ１８が測定したデータを記憶できる記憶手段である。メモリ２５は、配線回路基板１における後端部の端子６と電気的に接続されている。
【００８４】
このウエアラブルデバイス２０は、例えば、図４Ａに示すように、ユーザーの手首２４の内側部分の皮膚に、感圧接着層２３によって貼り付けられる（装着される）。
【００８５】
このウエアラブルデバイス２０は、図４Ｂに示すような、手首２４の伸展（手の甲側への移動）、および、図４Ｃに示すような、手首２４の屈曲（掌への移動）に対して、柔軟に追従する。
【００８６】
具体的には、図４Ｂに示すように、手首２４の伸展によって、手首２４の内側部分の皮膚が伸長し、これに追従するように、ウエアラブルデバイス２０の配線回路基板１が伸長する。
【００８７】
一方、図４Ｃに示すように、手首２４の屈曲によって、手首２４の内側部分の皮膚が屈曲し、これに追従するように、ウエアラブルデバイス２０の配線回路基板１が屈曲する。
【００８８】
４．作用効果
この配線回路基板１では、導体パターン３は、絶縁層２に埋め込まれているので、導体パターン３が絶縁層２から剥離しにくく、とりわけ、絶縁層２は、ＪＩＳ  Ｐ８１１５（２００１年）に準拠して測定される耐折回数が上記した下限以上であるので、配線回路基板１を伸縮させても、導体パターン３が絶縁層２から剥離することを抑制することができる。そのため、配線回路基板１は、信頼性に優れる。
【００８９】
また、導体パターン３の厚みＴ１の、絶縁層２の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）が、特定の上限以下であれば、配線回路基板１の薄型化を図ることができる。
【００９０】
また、導体パターンの厚みＴ１が上記した下限以上であれば、導体パターン３の絶縁層２に対する密着性を向上させることができる。
【００９１】
また、この配線回路基板１によれば、下面８および側面９は、絶縁層２によって被覆されているので、導体パターン３の絶縁層２に対する密着力を向上させることができる。そのため、導体パターン３が絶縁層２から剥離することをより一層抑制することができる。
【００９２】
また、この配線回路基板１１では、絶縁層２の引張貯蔵弾性率Ｅ’が、特定の上限以下であれば、伸縮性に優れる。
【００９３】
また、このウエアラブルデバイス２０は、信頼性に優れる配線回路基板１を備えるので、信頼性に優れる。
【００９４】
５．変形例
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９５】
一実施形態では、図２に示すように、導体パターン３の上面７は、絶縁層２の上面１１に対して下側に位置しているが、例えば、図５に示すように、絶縁層２の上面１１と面一となるように位置することもできる。
【００９６】
つまり、図５に示すように、導体パターン３の上面７と、絶縁層２の上面１１とは、面方向（先後方向および左右方向）に投影したときに、同一位置に位置している。これによって、導体パターン３の上面７と、絶縁層２の上面１１とは、単一の平坦面を形成する。つまり、配線回路基板１の上面には、一実施形態における段差部２１（図２参照）が形成されない。
【００９７】
図５に示す配線回路基板１を得るには、工程（５）（図３Ｆ参照）において、エッチング時間を、シード層１５のみが除去され、溝部４に充填されている導体パターン３の下端部が除去されないように、調整する。
【００９８】
図５に示す配線回路基板１によっても、一実施形態の配線回路基板１と同様の作用効果を奏することができる。
【００９９】
一方、一実施形態の配線回路基板１は、図５に示す配線回路基板１に対して、ロールとのブロッキングを抑制する観点から、好ましい。
【０１００】
つまり、図２に示すような、一実施形態の配線回路基板１であれば、ロール・トゥ・ロール法で製造され、配線回路基板１の上面をロール（図示せず）に対向させる場合に、図５に示す配線回路基板１と異なり、導体パターン３の上面７とロールの表面との間に空隙（隙間）を設けることができる。それとともに、配線回路基板１の上面におけるロールとの接触面積を小さくすることができる。そのため、図２に示すような、一実施形態の配線回路基板１は、図５に示す配線回路基板１に比べて、ロールとのブロッキングを抑制することができる。
【０１０１】
一方、図６に示すように、導体パターン３の上面７は、絶縁層２の上面１１に対して上側に位置することもできる。
【０１０２】
図６に示す配線回路基板１において、導体パターン３の上端部は、絶縁層２の上面１１に対して上側に向かって突出する一方、下端部および中央部は、絶縁層２に埋め込まれている。
【０１０３】
導体パターン３の埋め込み深さＴ４（つまり、導体パターン３の下面８と、絶縁層２の上面１１との厚み方向における距離Ｔ４）、導体パターン３の突出長さＴ５（つまり、導体パターン３の上面７と、絶縁層２の上面１１との厚み方向における距離Ｔ５）、および、導体パターン３における埋め込み深さＴ４の、突出長さＴ５に対する比（Ｔ４／Ｔ５）は、用途および目的に応じて適宜設定される。
【０１０４】
図６に示す配線回路基板１を得るには、工程（５）（図３Ｅおよび図３Ｆ参照）において、まず、ドライフィルムレジスト（図示せず）をシード層１５の下面に積層し、次いで、露光および現像により、導体パターン３と同一パターンのエッチングレジスト（図示せず）をドライフィルムレジストから形成し、その後、エッチングレジストから露出するシード層１５のみを除去する。その後、エッチングレジストを除去する。
【０１０５】
図６に示す配線回路基板１も、一実施形態における図２に示す配線回路基板１と同様の作用効果を奏することができる。
【０１０６】
一方、図２および図５に示す配線回路基板１は、導体パターン３間の短絡を抑制する観点から、図６に示す配線回路基板１に比べて、好ましい。
【０１０７】
図２および図５に示す配線回路基板１は、図６に示す配線回路基板１と異なり、導体パターン３の上面７は、絶縁層２の上面１１に対して下側、あるいは、同一位置に位置しているので、導体パターン３間の短絡を抑制することができる。
【０１０８】
一実施形態では、図２に示すように、導体パターン３は、断面略矩形状を有しているが、例えば、図７に示すように、断面略テーパー形状を有することもできる。
【０１０９】
図７において、導体パターン３は、上側に向かって次第に左右方向長さ（幅）が短く（狭く）なる断面略テーパー形状を有する。
【０１１０】
つまり、左右方向に互いに対向する側面９は、上側に向かうに従って近接するように、傾斜している。
【０１１１】
配線５における下面８の左右方向長さ（幅）は、配線５における上面７の左右方向長さ（幅）に対して、例えば、１０１％以上、好ましくは、１０５％以上であり、また、例えば、１４５％以下である。
【０１１２】
そして、図７に示す配線回路基板１によれば、導体パターン３の絶縁層２に対するアンカー効果により、導体パターン３の絶縁層２に対する密着力をより一層向上させることができる。
【０１１３】
また、一実施形態では、図２の仮想線に示すように、配線回路基板１に感圧接着層２３を設けて、感圧接着層２３を介して絶縁層２をユーザーの手首２４の内側部分の皮膚に貼着しているが、例えば、感圧接着層２３を設けることなく、配線回路基板１の絶縁層２をユーザーの手首２４の内側部分の皮膚に、直接、貼着（貼り合わせ）することもできる。
【実施例】
【０１１４】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１１５】
実施例１
ステンレスからなり、厚み５０μｍの剥離層１６を用意し、続いて、電解銅めっきにより、銅からなり、厚み１．０μｍのシード層１５を剥離層１６の上面に形成した（工程（１）、図３Ａ参照）。
【０１１６】
次いで、ドライフィルムレジストをシード層１５の上面全面に積層し、次いで、ドライフィルムレジストを露光および現像することにより、めっきレジスト１７をシード層１５の上面に、導体パターン３の逆パターンで形成した（図３Ｂ参照）。次いで、シード層１５から給電する電解銅めっきによって、銅からなり、厚み３μｍの導体パターン３を、シード層１５の上面に積層した。その後、図３Ｃに示すように、めっきレジスト１７を、剥離液を用いて除去した（図３Ｃの仮想線参照、工程（２））。
【０１１７】
複数の配線５のそれぞれの左右方向長さが５０μｍ、先後方向長さが６０ｍｍ、隣接する配線５間の間隔が４，０５０μｍ、複数の端子６の左右方向長さおよび先後方向長さが４，０００μｍ、隣接する端子６間の間隔が１００μｍであった。導体パターン３の平面積Ｓ１は、７０ｍｍ２であった。
【０１１８】
別途、表１に記載の「絶縁材料」の「詳細」欄に記載の処方により調製した混合物（ウレタン・アクリル樹脂）のワニスを、シード層１５および導体パターン３に対して塗布した。その後、Ａステージ状態およびＢステージ状態のワニスを、高圧水銀ランプを用いて、紫外線（照度３４０ｍＷ／ｃｍ２、光量４，０００ｍＪ／ｃｍ２）を照射して、ワニスを硬化（Ｃステージ化）させて、絶縁層２を形成した（工程（３）、図３Ｄ参照。）。
【０１１９】
絶縁層２の厚みＴ０は、１０μｍであった。また、導体パターン３に対向する絶縁層２の厚みＴ２は、７μｍであった。溝部４の深さは、３μｍであった。溝部４の深さ（後述するＴ１＋Ｔ６に相当）の、絶縁層２の厚みＴ０に対する比（（Ｔ１＋Ｔ６）／Ｔ０）は、０．３であった。絶縁層２の平面積Ｓ０は、１，６００ｍｍ２であり、Ｓ１／Ｓ０は、４．３７５％であった。
【０１２０】
次いで、剥離層１６をシード層１５から剥離した（工程（４）、図３Ｅ参照）。
【０１２１】
その後、ウエットエッチングによって、シード層１５を除去した（工程（５）、図３Ｆ参照）。さらに、シード層１５の除去に伴って、溝部４に充填されている導体パターン３の下端部が除去された。
【０１２２】
除去された導体パターン３の下端部の厚みＴ６は、２μｍであった。導体パターン３の厚みＴ１は、１μｍであった。Ｔ１／Ｔ２は、０．１４３であり、Ｔ６／Ｔ０は、０．２
であり、Ｔ１／Ｔ０は、０．１であり、Ｔ２／Ｔ０は、０．７であった。
【０１２３】
これによって、絶縁層２および導体パターン３を備える配線回路基板１を得た（図１および図２参照）。
【０１２４】
実施例２〜７および比較例１、２
導体パターン３の寸法および配置、絶縁材料の種類、詳細および硬化条件等を、表１に記載に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理して、配線回路基板１を得た（図２および図６参照）。
【０１２５】
なお、実施例７では、導体パターン３と同一パターンで、エッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジストから露出するシード層１５のみを除去し、その後、エッチングレジストを除去した。これによって、実施例６では、導体パターン３の上面７が、絶縁層２の上面１１に対して、上側に位置していた。
【０１２６】
［評価］
下記の項目を評価した。それらの結果を表１に示す。
【０１２７】
（１）  絶縁層
（１−１）引張貯蔵弾性率Ｅ’
各実施例および各比較例の絶縁層２のみについて、２０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’を、動的粘弾性測定（ＤＭＡ法）により、温度範囲−１０〜２６０℃、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で、測定した。
【０１２８】
（１−２）ＭＩＴ試験（耐折性）
各実施例および各比較例の絶縁層２のみについて、ＪＩＳ  Ｐ８１１５（２００１年）に準拠した下記の条件で、ＭＩＴ試験（耐折性試験）を実施して、耐折回数を数えた。そして、下記の基準に従って、耐折性を評価した。
【０１２９】
（条件）
試験片寸法            ：幅１５ｍｍ、長さ１１０ｍｍ
試験速度              ：１７５ｃｐｍ  
折り曲げ角度          ：１３５°
荷重                  ：１．０ｋｇｆ
折り曲げクランプのＲ    ：０．３８ｍｍ
折り曲げクランプの開き  ：０．２５ｍｍ
（基準）
○：耐折れ回数が１０回以上
×：耐折れ回数が１０回未満
（２）  配線回路基板
（２−１）密着性
各実施例および各比較例の配線回路基板１の上面に、粘着テープ（Ｎｏ．３６０ＵＬ、日東電工社製）を貼り合わせ、その後、粘着テープを配線回路基板１から引き剥がした。続いて、上記した貼り合わせおよび引き剥がしの動作を繰り返した。そして、導体パターン３が絶縁層２から剥離するのに要した回数を求め、下記の基準に従って、密着性を評価した。
【０１３０】
◎：回数が３以上
○：回数が１または２
△：回数が０
（２−２）短絡
電気的に独立し、互いに隣接する２つの配線にプローブを当て、デジタルマルチメータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ  Ｒ６５５２  ＤＩＧＩＴＡＬ  ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ）の２端子抵抗モードを使用して、導通を有無を、デジタルマルチメータの抵抗値に基づいて確認した。
【０１３１】
導通があれば、配線間で短絡があり（ショートしており）、導通がなければ、配線間で短絡がなかったことを示す。
・導通有りの場合、デジタルマルチメータの液晶表示部に何らかの数値（数字）が表示された。
・導通無しの場合、デジタルマルチメータの液晶表示部に「．ＯＬ」（ＯｖｅｒＬｏａｄの意）と表示された。
【０１３２】
【表１】
0006491556.tif 000002
【符号の説明】
【０１３３】
１     配線回路基板
２     絶縁層
３     導体パターン
７     上面（露出面）
８     下面（対向面）
９     側面（連結面）
１１   上面（絶縁層）
２０   ウエアラブルデバイス
Ｅ’   引張貯蔵弾性率
Ｔ１   導体パターンの厚み
Ｔ０   絶縁層の厚み
【図１】
0006491556.tif 000003
【図２】
0006491556.tif 000004
【図３】
0006491556.tif 000005
【図４】
0006491556.tif 000006
【図５】
0006491556.tif 000007
【図６】
0006491556.tif 000008
【図７】
0006491556.tif 000009