(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
少なくともウエーハの外形と同等以上の大きさの薄板形状のダミー基板にデバイスの第１方向の複数の分割予定ラインに対応した第１貫通溝を備えた第１マスク及び、第１方向に直交する第２方向の複数の分割予定ラインに対応した第２貫通溝を備えた第２マスクを準備するマスク準備ステップと、
該マスク準備ステップを実施した後に、該第１マスクの該第１貫通溝をウエーハの第１方向の分割予定ラインに対応して位置づけて、該第１マスクをウエーハ表面に当接させて、第１方向の分割予定ラインに対応する領域以外の領域をマスキングする第１マスキングステップと、
該第１マスキングステップが実施されたウエーハをプラズマエッチングすることにより、第１方向の分割予定ラインに沿って分割溝を形成する第１エッチングステップと、
該第２マスクの該第２貫通溝をウエーハの第２方向の分割予定ラインに対応して位置づけて、該第２マスクをウエーハ表面に当接させて、第２方向の分割予定ラインに対応する領域以外の領域をマスキングする第２マスキングステップと、
該第２マスキングステップが実施されたウエーハをプラズマエッチングすることにより、第２方向の分割予定ラインに沿って分割溝を形成し、個々のデバイスに分割する第２エッチングステップと、
を備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域に長尺形状のデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
少なくともウエーハの外形と同等以上の大きさの薄板形状のダミー基板に長尺形状のデバイスの長辺側の複数の分割予定ラインに対応した貫通溝を備えたマスクを準備するマスク準備ステップと、
該マスク準備ステップを実施した後に、該マスクの該貫通溝をウエーハの長辺側の分割予定ラインに対応して位置づけて、該マスクをウエーハ表面に当接させて、長辺側の分割予定ラインに対応する領域以外の領域をマスキングするマスキングステップと、
該マスキングステップが実施されたウエーハをプラズマエッチングすることにより、長辺側の分割予定ラインに沿って分割溝を形成するエッチングステップと、
該エッチングステップを実施した後に、該マスクを除去したウエーハを切削ブレードで短辺側の分割予定ラインに沿って切削することにより、個々のデバイスに分割する切削ステップと、
を備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項３】
前記マスク準備ステップにおいて、該ダミー基板を切削ブレードで切削することで貫通溝を形成する、請求項１又は２に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。切削装置の切削ブレードによってウエーハを切断すると、分割された個々のチップの外周に細かな欠けが生じやすく、チップの抗折強度を低下させる原因となっている。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にレジスト膜を被覆し、該レジスト膜の分割予定ラインに対応する領域を露光することにより現像して除去し、その後、ウエーハをレジスト膜側からプラズマエッチング等によって分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上述したプラズマエッチングによってウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法は、切削ブレードによる切削と異なり分割溝に沿って欠けが生ずることがなくデバイスの抗折強度を向上させることができるとともに、ウエーハの直径が４５０mm、６００mmと大口径になっても全ての分割予定ラインを同時進行でエッチングして個々のデバイスに分割できるので生産性が向上するというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２０８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したプラズマエッチングによってウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法は、露光して除去しない領域に対応したマスクを作成し、作成したマスクを使用してレジストを塗布する必要があり、マスクおよびレジストが必要となり、プロセスコストが高価になるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、低コストを図ることができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、少なくともウエーハの外形と同等以上の大きさの薄板形状のダミー基板にデバイスの第１方向の複数の分割予定ラインに対応した第１貫通溝を備えた第１マスク及び、第１方向に直交する第２方向の複数の分割予定ラインに対応した第２貫通溝を備えた第２マスクを準備するマスク準備ステップと、該マスク準備ステップを実施した後に、該第１マスクの該第１貫通溝をウエーハの第１方向の分割予定ラインに対応して位置づけて、該第１マスクをウエーハ表面に当接させて、第１方向の分割予定ラインに対応する領域以外の領域をマスキングする第１マスキングステップと、該第１マスキングステップが実施されたウエーハをプラズマエッチングすることにより、第１方向の分割予定ラインに沿って分割溝を形成する第１エッチングステップと、該第２マスクの該第２貫通溝をウエーハの第２方向の分割予定ラインに対応して位置づけて、該第２マスクをウエーハ表面に当接させて、第２方向の分割予定ラインに対応する領域以外の領域をマスキングする第２マスキングステップと、該第２マスキングステップが実施されたウエーハをプラズマエッチングすることにより、第２方向の分割予定ラインに沿って分割溝を形成し、個々のデバイスに分割する第２エッチングステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明のウエーハの加工方法は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域に長尺形状のデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、少なくともウエーハの外形と同等以上の大きさの薄板形状のダミー基板に長尺形状のデバイスの長辺側の複数の分割予定ラインに対応した貫通溝を備えたマスクを準備するマスク準備ステップと、該マスク準備ステップを実施した後に、該マスクの該貫通溝をウエーハの長辺側の分割予定ラインに対応して位置づけて、該マスクをウエーハ表面に当接させて、長辺側の分割予定ラインに対応する領域以外の領域をマスキングするマスキングステップと、該マスキングステップが実施されたウエーハをプラズマエッチングすることにより、長辺側の分割予定ラインに沿って分割溝を形成するエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後に、該マスクを除去したウエーハを切削ブレードで短辺側の分割予定ラインに沿って切削することにより、個々のデバイスに分割する切削ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
上記ウエーハの加工方法では、前記マスク準備ステップにおいて、該ダミー基板を切削ブレードで切削することで貫通溝を形成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、マスクを切削ブレードで切削して作成するので、容易に高精度のマスクを低コストに作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップを示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップの第１貫通溝及び第２貫通溝を形成し始める状態を示す断面図であり、図２（ｂ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップの第１貫通溝及び第２貫通溝を形成し終えた状態を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１マスキングステップを示す斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿う断面図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１エッチングステップを示す断面図である。
【図５】図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１エッチングステップ及び第２エッチングステップで用いられるプラズマエッチング装置の一例の断面図である。
【図６】図６（ａ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２マスキングステップを示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）中のＶＩｂ−ＶＩｂ線に沿う断面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２エッチングステップを示す断面図である。
【図８】図８は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップを示す斜視図である。
【図９】図９（ａ）は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のマスキングステップを示す斜視図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）中のＩＸｂ−ＩＸｂ線に沿う断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のエッチングステップを示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の切削ステップを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るウエーハの加工方法を、図１から図７に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップを示す斜視図、図２（ａ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップの第１貫通溝及び第２貫通溝を形成し始める状態を示す断面図、図２（ｂ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップの第１貫通溝及び第２貫通溝を形成し終えた状態を示す断面図、図３（ａ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１マスキングステップを示す斜視図、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿う断面図、図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１エッチングステップを示す断面図、図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１エッチングステップ及び第２エッチングステップで用いられるプラズマエッチング装置の一例の断面図、図６（ａ）は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２マスキングステップを示す斜視図、図６（ｂ）は、図６（ａ）中のＶＩｂ−ＶＩｂ線に沿う断面図、図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２エッチングステップを示す断面図である。
【００１４】
実施形態１に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図１に示すウエーハＷの加工方法であって、ウエーハＷを分割予定ラインＬに沿って個々のデバイスＤに分割する方法である。なお、実施形態１に係る加工方法により個々のデバイスＤに分割される加工対象としてのウエーハＷは、例えば、シリコン、サファイア、ガリウム砒素などを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。
【００１５】
ウエーハＷは、図１に示すように、表面ＷＳに格子状に形成された複数の分割予定ラインＬによって区画された複数の領域にデバイスＤが形成されたものである。なお、ウエーハＷの分割予定ラインＬは、デバイスＤの第１方向の複数の第１分割予定ラインＬ１と、デバイスＤの第１方向に直交する第２方向の複数の第２分割予定ラインＬ２とを備える。複数の第１分割予定ラインＬ１は、互いに平行である。複数の第２分割予定ラインＬ２は、互いに平行である。第１分割予定ラインＬ１と第２分割予定ラインＬ２とは、互いに直交している。
【００１６】
実施形態１に係る加工方法は、マスク準備ステップと、第１マスキングステップと、第１エッチングステップと、第２マスキングステップと、第２エッチングステップと、を備える。
【００１７】
マスク準備ステップは、第１マスク１０及び第２マスク２０とを準備するステップである。第１マスク１０及び第２マスク２０は、少なくともウエーハＷの外形と同等以上の大きさのダミー基板ＤＢを備える。第１マスク１０は、ダミー基板ＤＢに第１分割予定ラインＬ１に対応した第１貫通溝１１を備えている。第１貫通溝１１は、ダミー基板ＤＢを貫通し、第１分割予定ラインＬ１と同形状に形成されている。第１貫通溝１１は、ウエーハＷの表面ＷＳに第１マスク１０を重ねると、第１分割予定ラインＬ１を露出させることができる。
【００１８】
第２マスク２０は、ダミー基板ＤＢに第２分割予定ラインＬ２に対応した第２貫通溝２１を備えている。第２貫通溝２１は、ダミー基板ＤＢを貫通し、第２分割予定ラインＬ２と同形状に形成されている。第２貫通溝２１は、ウエーハＷの表面ＷＳに第２マスク２０を重ねると、第２分割予定ラインＬ２を露出させることができる。また、第１貫通溝１１と第２貫通溝２１は、ダミー基板ＤＢの外縁よりも内側に設けられ、ダミー基板ＤＢの外縁には開口していない。
【００１９】
実施形態１において、第１マスク１０と第２マスク２０は、ウエーハＷと同径でかつ同じ材料で構成されているとともに、厚みＴ１，Ｔ２がウエーハＷの厚みＴよりも厚いダミー基板ＤＢに第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１が形成されている。即ち、第１マスク１０及び第２マスク２０を構成するダミー基板ＤＢは、シリコン、サファイア、ガリウム砒素などを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハにより構成されている。第１マスク１０の厚みＴ１及び第２マスク２０の厚みＴ２は、ウエーハＷの厚みＴよりも厚い。また、第１マスク１０及び第２マスク２０を構成するダミー基板ＤＢは、ガラスなどに構成されたガラス基板でも良く、シリコン、サファイア、ガリウム砒素などを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハにより構成され表面に酸化膜が形成されても良い。
【００２０】
また、実施形態１において、第１マスク１０と第２マスク２０は、ウエーハＷと同様に、異形状部であるノッチ１２，２２が形成されている。第１マスク１０と第２マスク２０は、ノッチ１２，２２に対する第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１の相対的な位置が、ウエーハＷの異形状部であるノッチＮに対する第１分割予定ラインＬ１及び第２分割予定ラインＬ２の相対的な位置となるように、第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１が形成されている。実施形態１のマスク準備ステップにおいて、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ダミー基板ＤＢを切削装置３０の切削ブレード３２で切削することで、第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１を形成する。
【００２１】
具体的には、ダミー基板ＤＢの表面ＷＳにダイシングテープＴＤを貼着し、ダイシングテープＴＤを介してダミー基板ＤＢの表面ＷＳを切削装置３０のチャックテーブル３１の保持面３１ａに保持する。そして、切削ブレード３２を、図２（ａ）の二点鎖線で示すように、ダミー基板ＤＢの外縁よりもダミー基板ＤＢの内側即ち第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１の一端の上方に位置付けた後、図２（ａ）の実線で示すように、切削ブレード３２を下降させて、切削ブレード３２をダイシングテープＴＤの厚み方向の中央まで切り込ませる。その後、切削ブレード３２が第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１の他端に近付く方向に切削ブレード３２とチャックテーブル３１とを相対的に移動させる。そして、切削ブレード３２が、図２（ｂ）の二点鎖線で示すように、ダミー基板ＤＢの外縁よりもダミー基板ＤＢの内側即ち第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１の他端まで切り込んだ後、図２（ｂ）の実線で示すように、切削ブレード３２を上昇させる。こうして、実施形態１では、第１貫通溝１１及び第２貫通溝２１を形成する。第１マスキングステップに進む。
【００２２】
第１マスキングステップは、マスク準備ステップを実施した後に、ウエーハＷの表面ＷＳの第１方向の第１分割予定ラインＬ１に対応する領域以外の領域をマスキングするステップである。第１マスキングステップは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、第１マスク１０の第１貫通溝１１をウエーハＷの第１方向の第１分割予定ラインＬ１に対応して位置づけ、第１マスク１０をウエーハＷの表面ＷＳに当接させて重ねる。実施形態１において、第１マスキングステップは、赤外線カメラの撮像した画像、又はウエーハＷのノッチＮ及び外縁と第１マスク１０のノッチ１２及び外縁により、ウエーハＷと第１マスク１０の位置合わせを行う。
【００２３】
具体的には、第１マスキングステップは、図３（ａ）に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳに第１マスク１０を重ね、ウエーハＷの外縁に第１マスク１０の外縁を重ね、ウエーハＷのノッチＮに第１マスク１０のノッチ１２を重ねる。すると、図３（ｂ）に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１（第１分割予定ラインＬ１に対応する領域）が、第１貫通溝１１を通して露出し、ウエーハＷの表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１に対応する領域以外の領域が第１マスク１０によりマスキングされる。第１エッチングステップに進む。
【００２４】
第１エッチングステップは、第１マスキングステップが実施されたウエーハＷをプラズマエッチングすることにより、第１分割予定ラインＬ１に沿って分割溝ＳＲ（図６（ｂ）に示す）を形成するステップである。第１エッチングステップでは、図４及び図５に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲに保護部材ＴＧを貼着する。第１エッチングステップでは、例えば、図５に示すプラズマエッチング装置４０のハウジング４１の開口４２を通して、ウエーハＷをハウジング４１内に収容する。
【００２５】
そして、保護部材ＴＧを介してウエーハＷの裏面ＷＲを高周波電源４３に接続された下部電極４４の吸着保持部材４５に吸引、保持して、開口４２をゲート４６により閉じる。次に、図示しない冷媒供給手段から下部電極４４内の図示しない冷却通路内に冷媒を循環させ、図示しないガス排出手段を作動してハウジング４１内の雰囲気を図示しない排気口を通して真空排気し、ガス供給部４７から上部電極４８の噴出口４９を通してハウジング４１内にエッチングガスを第１マスク１０に向けて噴射する。なお、この際、ハウジング４１内を所定の圧力に維持する。そして、エッチングガスを噴射した状態で、高周波電源４３から下部電極４４と上部電極４８とに高周波電力を印加する。
【００２６】
これにより、図４に示すように、下部電極４４と上部電極４８との間にプラズマ放電が発生し、第１マスク１０及びウエーハＷの表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１に対応する領域をエッチングして、ウエーハＷを貫通しかつ幅が一定の分割溝ＳＲを第１分割予定ラインＬ１に沿ってウエーハＷに形成する。第１マスク１０の厚みＴ１がウエーハＷの厚みＴよりも厚いので、第１マスク１０全体がエッチングされても、分割溝ＳＲが形成されるまで、ウエーハＷの表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１に対応する領域以外の領域は、エッチングされることがない。
【００２７】
第１エッチングステップでは、エッチングステップと、保護膜堆積（デポジション）ステップを、交互に繰り返して、所謂ボッシュプロセスによりウエーハＷの表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１に対応する領域をエッチングして、第１分割予定ラインＬ１に沿って幅が一定の分割溝ＳＲを形成する。
【００２８】
第１エッチングステップでは、エッチングステップのときに分割予定ラインＬが高速でエッチングされ、保護膜堆積ステップのときにエッチングされて露出した分割溝ＳＲの内面に保護膜であるフルオロカーボン膜を堆積させるため、高いアスペクト比でウエーハＷを高速にエッチングすることができる。
【００２９】
そして、第１エッチングステップでは、所定時間、プラズマエッチングを行って、分割溝ＳＲを形成した後、ハウジング４１内のエッチングガスを排気して、ウエーハＷをハウジング４１外に搬出し、第１マスク１０を除去した後、第２マスキングステップに進む。
【００３０】
第２マスキングステップは、ウエーハＷの表面ＷＳの第２方向の第２分割予定ラインＬ２に対応する領域以外の領域をマスキングするステップである。第２マスキングステップは、第１マスキングステップと同様に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第２マスク２０の第２貫通溝２１をウエーハＷの第２方向の第２分割予定ラインＬ２に対応して位置づけ、第２マスク２０をウエーハＷの表面ＷＳに当接させて重ねる。実施形態１において、第２マスキングステップは、赤外線カメラの撮像した画像、又はウエーハＷのノッチＮ及び外縁と第２マスク２０のノッチ２２及び外縁とにより、ウエーハＷと第２マスク２０の位置合わせを行う。
【００３１】
具体的には、第２マスキングステップは、図６（ａ）に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳに第２マスク２０を重ね、ウエーハＷの外縁に第２マスク２０の外縁を重ね、ウエーハＷのノッチＮに第２マスク２０のノッチ２２を重ねる。すると、図６（ｂ）に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳの第２分割予定ラインＬ２（第２分割予定ラインＬ２に対応する領域）が、第２貫通溝２１を通して露出し、ウエーハＷの表面ＷＳの第２分割予定ラインＬ２に対応する領域以外の領域が第２マスク２０によりマスキングされる。第２エッチングステップに進む。
【００３２】
第２エッチングステップは、第２マスキングステップが実施されたウエーハＷを第１エッチングステップと同様にプラズマエッチングすることにより、第２分割予定ラインＬ２に沿って分割溝ＳＲを形成し、ウエーハＷを個々にデバイスＤに分割するステップである。第２エッチングステップでは、図７に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに保護部材ＴＧを貼着した後、第１エッチングステップと同様に、図５に示すプラズマエッチング装置４０を用いて、第２マスク２０及びウエーハＷの表面ＷＳの第２分割予定ラインＬ２に対応する領域をエッチングして、ウエーハＷを貫通しかつ幅が一定の分割溝ＳＲを第２分割予定ラインＬ２に沿ってウエーハＷに形成して、ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する。第２マスク１０の厚みＴ２がウエーハＷの厚みＴよりも厚いので、第２マスク２０全体がエッチングされても、分割溝ＳＲが形成されるまで、ウエーハＷの表面ＷＳの第２分割予定ラインＬ２に対応する領域以外の領域は、エッチングされることがない。
【００３３】
第２エッチングステップは、第１エッチングステップと同様に、所謂ボッシュプロセスにより、ウエーハＷにプラズマエッチングをする。なお。実施形態１において、第１エッチングステップ及び第２エッチングステップは、プラズマエッチングとしてボッシュプロセスを行ったが、ボッシュプロセスに限定されない。第２エッチングステップが実施されたウエーハＷは、ハウジング４１外に排出された後、第２マスク２０が除去されて、次工程に搬送される。
【００３４】
実施形態１に係る加工方法によれば、第１マスク１０の第１貫通溝１１と第２マスク２０の第２貫通溝２１をダミー基板ＤＢに切削加工を施すことにより製造するので、低コストなマスク１０，２０を得ることができる。このため、実施形態１に係る加工方法によれば、高価なプロセスであるレジストを塗布し露光するプロセスが必要ない。したがって、実施形態１に係る加工方法によれば、低コスト化を図ることができる。
【００３５】
〔実施形態２〕
次に、実施形態２に係るウエーハの加工方法を、図８から図１１に基づいて説明する。図８は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のマスク準備ステップを示す斜視図、図９（ａ）は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のマスキングステップを示す斜視図、図９（ｂ）は、図９（ａ）中のＩＸｂ−ＩＸｂ線に沿う断面図、図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のエッチングステップを示す断面図、図１１は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の切削ステップを示す斜視図である。なお、図８から図１１において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
【００３６】
実施形態２に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図８に示すウエーハＷ−２の加工方法であって、ウエーハＷ−２を分割予定ラインＬ−２に沿って個々のデバイスＤ−２に分割する方法である。なお、実施形態２に係る加工方法により個々のデバイスＤ−２に分割される加工対象としてのウエーハＷ−２は、例えば、シリコン、サファイア、ガリウム砒素などを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。
【００３７】
ウエーハＷ−２は、図８に示すように、表面ＷＳに格子状に形成された複数の分割予定ラインＬ−２によって区画された複数の領域に長尺形状のデバイスＤ−２が形成されたものである。なお、ウエーハＷ−２の分割予定ラインＬ−２は、デバイスＤ−２の長辺側の複数の第１分割予定ラインＬ１−２と、デバイスＤ−２の短辺側の複数の第２分割予定ラインＬ２−２とを備える。複数の第１分割予定ラインＬ１−２は、互いに平行である。複数の第２分割予定ラインＬ２−２は、互いに平行である。第１分割予定ラインＬ１−２と第２分割予定ラインＬ２−２とは、互いに直交している。
【００３８】
実施形態２に係る加工方法は、マスク準備ステップと、マスキングステップと、エッチングステップと、切削ステップと、を備える。
【００３９】
マスク準備ステップは、マスク１０−２を準備するステップである。マスク１０−２は、少なくともウエーハＷの外形と同等以上の大きさのダミー基板ＤＢを備える。マスク１０−２は、ダミー基板ＤＢに第１分割予定ラインＬ１−２に対応した貫通溝１１−２を備えている。貫通溝１１−２は、ダミー基板ＤＢを貫通し、第１分割予定ラインＬ１−２と同形状に形成されている。貫通溝１１−２は、ウエーハＷ−２の表面ＷＳにマスク１０−２を重ねると、第１分割予定ラインＬ１−２を露出させることができる。貫通溝１１−２は、ダミー基板ＤＢの外縁よりも内側に設けられ、ダミー基板ＤＢの外縁には開口していない。
【００４０】
実施形態２において、マスク１０−２は、実施形態１の第１マスク１０及び第２マスク２０と同様に、ウエーハＷと同径でかつ同じ材料で構成されているとともに、厚みＴ−２がウエーハＷの厚みＴよりも厚いダミー基板ＤＢに貫通溝１１−２が形成されている。即ち、マスク１０−２を構成するダミー基板ＤＢは、シリコン、サファイア、ガリウム砒素などを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハにより構成され、マスク１０−２の厚みＴ−２は、ウエーハＷの厚みＴよりも厚い。実施形態２においても、ダミー基板ＤＢは、ガラス基板でも良く、円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハにより構成され表面に酸化膜が形成されても良い。
【００４１】
また、実施形態２において、マスク１０−２は、ノッチ１２に対する貫通溝１１−２の相対的な位置が、ウエーハＷのノッチＮに対する第１分割予定ラインＬ１−２の相対的な位置となるように、貫通溝１１−２が形成されている。実施形態２のマスク準備ステップにおいても、実施形態１と同様に、ダミー基板ＤＢを切削装置３０の切削ブレード３２で切削することで、貫通溝１１−２を形成する。マスキングステップに進む。
【００４２】
マスキングステップは、マスク準備ステップを実施した後に、ウエーハＷ−２の表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１−２に対応する領域以外の領域をマスキングするステップである。マスキングステップは、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、マスク１０−２の貫通溝１１−２をウエーハＷ−２の第１分割予定ラインＬ１−２に対応して位置づけ、マスク１０−２をウエーハＷ−２の表面ＷＳに当接させて重ねる。実施形態２において、マスキングステップは、赤外線カメラの撮像した画像、又はウエーハＷ−２のノッチＮ及び外縁とマスク１０−２のノッチ１２及び外縁とにより、ウエーハＷ−２とマスク１０−２の位置合わせを行う。
【００４３】
具体的には、マスキングステップは、実施形態１と同様に、図９（ａ）に示すように、ウエーハＷ−２の表面ＷＳにマスク１０−２を重ね、ウエーハＷ−２の外縁にマスク１０−２の外縁を重ね、ウエーハＷ−２のノッチＮにマスク１０−２のノッチ１２を重ねる。マスキングステップは、図９（ｂ）に示すように、ウエーハＷ−２の表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１−２（第１分割予定ラインＬ１に対応する領域）を、貫通溝１１−２を通して露出させ、ウエーハＷ−２の表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１に対応する領域以外の領域をマスク１０−２によりマスキングする。エッチングステップに進む。
【００４４】
エッチングステップは、マスキングステップが実施されたウエーハＷ−２をプラズマエッチングすることにより、第１分割予定ラインＬ１−２に沿ってウエーハＷ−２を貫通する分割溝ＳＲ−２（図１１に示す）を形成するステップである。エッチングステップでは、図１０に示すように、ウエーハＷ−２の裏面ＷＲに保護部材ＴＧを貼着した後、例えば図５に示すプラズマエッチング装置４０を用いて、マスク１０−２及びウエーハＷ−２の表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１−２に対応する領域をエッチングして、ウエーハＷ−２を貫通しかつ幅が一定の分割溝ＳＲ−２を第１分割予定ラインＬ１−２に沿ってウエーハＷ−２に形成する。マスク１０−２の厚みＴ−２がウエーハＷ−２の厚みＴよりも厚いので、マスク１０−２全体がエッチングされても、分割溝ＳＲ−２が形成されるまで、ウエーハＷ−２の表面ＷＳの第１分割予定ラインＬ１−２に対応する領域以外の領域は、エッチングされることがない。マスク１０−２を除去した後、切削ステップに進む。
【００４５】
切削ステップは、エッチングステップを実施した後に、マスク１０−２を除去してウエーハＷ−２を切削装置５０の切削ブレード５２で第２分割予定ラインＬ２−２に沿って切削することにより、ウエーハＷ−２を個々にデバイスＤ−２に分割するステップである。切削ステップでは、ウエーハＷ−２の裏面ＷＲに図示しないダイシングテープを貼着した後、ダイシングテープを介してウエーハＷの裏面ＷＲを切削装置５０の図示しないチェックテーブルに吸引保持する。切削ブレード５２をダイシングテープの厚み方向の中央まで切り込ませて、切削ブレード５２とウエーハＷ−２とを第２分割予定ラインＬ２−２に沿って相対的に移動させて、切削ブレード５２で第２分割予定ラインＬ２−２に沿って切削する。こうして、切削ステップは、ウエーハＷ−２を個々にデバイスＤ−２に分割する。個々に分割されたデバイスＤ−２は、次工程に搬送される。
【００４６】
実施形態２に係る加工方法によれば、実施形態１と同様に、マスク１０−２の貫通溝１１−２をダミー基板ＤＢに切削加工を施すことにより製造するので、低コストなマスク１０−２を得ることができる。このため、実施形態２に係る加工方法によれば、高価なプロセスであるレジストを塗布し露光するプロセスが必要ない。したがって、実施形態２に係る加工方法によれば、低コスト化を図ることができる。
【００４７】
なお、本発明は上記実施形態１及び実施形態２に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  第１マスク
１１  第１貫通溝
２０  第２マスク
２１  第２貫通溝
３２  切削ブレード
１０−２  マスク
１１−２  貫通溝
５２  切削ブレード
Ｗ，Ｗ−２  ウエーハ
ＷＳ  表面
Ｄ，Ｄ−２  デバイス
ＳＲ，ＳＲ−２  分割溝
Ｌ，Ｌ−２  分割予定ライン
Ｌ１  第１分割予定ライン（第１方向の分割予定ライン）
Ｌ２  第２分割予定ライン（第２方向の分割予定ライン）
Ｌ１−２  第１分割予定ライン（長辺側の分割予定ライン）
Ｌ２−２  第２分割予定ライン（短辺側の分割予定ライン）
【図１】
0006550324.tif 000002
【図２】
0006550324.tif 000003
【図３】
0006550324.tif 000004
【図４】
0006550324.tif 000005
【図５】
0006550324.tif 000006
【図６】
0006550324.tif 000007
【図７】
0006550324.tif 000008
【図８】
0006550324.tif 000009
【図９】
0006550324.tif 000010
【図１０】
0006550324.tif 000011
【図１１】
0006550324.tif 000012