(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子と、
第１方向に沿って配列された複数の第１副電極と、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列された複数の第２副電極と、
ダミー電極と、
前記電子素子、前記複数の第１副電極、前記複数の第２副電極および前記ダミー電極を覆う封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂は、前記複数の第１副電極、前記複数の第２副電極、および前記ダミー電極を露出させる樹脂裏面と、前記樹脂裏面から起立し、かつ前記複数の第１副電極、前記複数の第２副電極、および前記ダミー電極を露出させる樹脂側面と、を有し、
前記複数の第２副電極は、前記複数の第１副電極のいずれよりも、前記第１方向側に位置しており、
前記複数の第１副電極は、前記複数の第２副電極のいずれよりも、前記第２方向側に位置しており、
前記ダミー電極は、前記複数の第１副電極のいずれよりも前記第１方向側に位置し、かつ前記複数の第２副電極のいずれよりも前記第２方向側に位置しており、
前記ダミー電極は、前記封止樹脂から露出したダミー電極裏面と、前記樹脂側面から露出しており、かつ前記第２方向を向くとともに、前記樹脂側面のうち前記第２方向を向く部位と面一であるダミー電極第１外方面と、前記樹脂側面から露出しており、かつ前記第１方向を向くとともに、前記樹脂側面のうち前記第１方向を向く部位と面一であるダミー電極第２外方面と、前記ダミー電極裏面から起立し、前記ダミー電極第１外方面と前記ダミー電極第２外方面とに対し傾斜している起立傾斜面と、を有し、
前記起立傾斜面は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記封止樹脂の外方を向いており、
前記封止樹脂は、前記起立傾斜面を覆う樹脂角部を有する、電子装置。
【請求項２】
前記樹脂角部は、前記樹脂裏面の一部を構成しており、
前記樹脂角部は、前記ダミー電極第１外方面と面一である第１側面と、前記ダミー電極第２外方面と面一である第２側面と、を有し、
前記第１側面および前記第２側面は、前記樹脂側面の一部を構成している、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記樹脂角部は、前記電子素子の厚さ方向に沿って延びる角縁を有し、
前記第１側面および前記第２側面は、前記角縁を介して互いにつながっており、かつ直交している、請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記ダミー電極裏面は、ダミー電極主裏面およびダミー電極副裏面を含み、
前記起立傾斜面は、前記ダミー電極主裏面から起立し、
前記樹脂裏面において、前記ダミー電極主裏面および前記ダミー電極副裏面は、互いに離間した状態で露出している、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項５】
前記ダミー電極副裏面は、前記第１方向に沿って位置するダミー電極第１副裏面と、前記第２方向に沿って位置するダミー電極第２副裏面と、を含む、請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記樹脂裏面から露出した独立ダミー電極裏面を有し、かつ前記ダミー電極に連結されていない独立ダミー電極をさらに備え、
前記独立ダミー電極は、前記複数の第１副電極、前記複数の第２副電極および前記ダミー電極のいずれとも絶縁されている、請求項４または５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記独立ダミー電極裏面は、平たんである、請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記独立ダミー電極は、前記独立ダミー電極裏面とは反対側を向く独立ダミー電極表面を有し、
前記独立ダミー電極表面は、全体にわたって、前記封止樹脂に覆われている、請求項６または７に記載の電子装置。
【請求項９】
前記独立ダミー電極には、前記独立ダミー電極裏面から凹む独立ダミー電極凹部が形成されている、請求項６ないし８のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１０】
前記独立ダミー電極凹部の開口の輪郭は、前記ダミー電極裏面の外縁の内側に収まる形状である、請求項９に記載の電子装置。
【請求項１１】
前記独立ダミー電極凹部の内側面は、前記独立ダミー電極裏面につながる先端部位を有し、
前記内側面における前記先端部位は、前記独立ダミー電極裏面から離れるほど前記電子素子の厚さ方向に直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、前記電子素子の厚さ方向に対し傾斜している、請求項９または１０に記載の電子装置。
【請求項１２】
前記独立ダミー電極は、前記第１方向に沿って配置され、かつ前記複数の第１副電極と前記ダミー電極との間に位置する第１独立ダミー電極と、前記第２方向に沿って配置され、かつ前記複数の第２副電極と前記ダミー電極との間に位置する第２独立ダミー電極と、を含む、請求項６ないし１１のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１３】
前記第１独立ダミー電極および前記第２独立ダミー電極は、ともに前記樹脂側面から露出している、請求項１２に記載の電子装置。
【請求項１４】
前記第１独立ダミー電極、および前記複数の第１副電極の各々の形状と、前記第２独立ダミー電極、および前記複数の第２副電極の各々の形状と、が、それぞれ同一である、請求項１２または１３に記載の電子装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかに記載の電子装置と、
回路基板と、
前記回路基板および前記複数の第１副電極の間と、前記回路基板および前記複数の第２副電極の間と、前記回路基板および前記ダミー電極との間と、に介在しているハンダ層と、を備える、電子装置の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置およびその実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。同文献に開示の半導体装置は、半導体チップと、ダイパッドと、複数のリードと、封止樹脂とを備えている。半導体チップはダイパッドに配置されている。封止樹脂は、半導体チップとダイパッドと複数のリードとを覆っている。このような半導体装置はハンダを介して回路基板に実装される。当該ハンダはリードに接合されている。
【０００３】
しかしながら、半導体装置を使用する際、半導体装置における各構成要素は熱膨張および熱収縮を繰り返す。これにより、リードに接合しているハンダに亀裂が生じるおそれがある。あるいは、熱膨張および熱収縮により、封止樹脂に亀裂が生じるおそれもある。
【０００４】
半導体装置には、半導体チップとダイパッドとの間に絶縁性の接合部が介在している製品もある。このような製品を製造する際には、半導体チップがダイパッドに対し傾斜してしまうことにより、半導体チップおよびダイパッドの間に意図しない導通が起こるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２３９７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、先述した事情のもとで考え出されたものであって、ハンダ層に亀裂が生じることを防止できる電子装置を提供することをその主たる課題とする。
あるいは、本発明は、先述した事情のもとで考え出されたものであって、封止樹脂に亀裂が生じたとしても、当該亀裂が封止樹脂の外部に露出することを防止できる電子装置を提供することをその主たる課題とする。
あるいは、本発明は、先述した事情のもとで考え出されたものであって、電子素子が主電極と導通する不具合を防止できる電子装置を提供することをその主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される電子装置は、電子素子と、第１方向に沿って配列された複数の第１副電極と、前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列された複数の第２副電極と、ダミー電極と、前記電子素子、前記複数の第１副電極、前記複数の第２副電極、および前記ダミー電極を覆う封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂は、前記複数の第１副電極、前記複数の第２副電極、および前記ダミー電極を露出させる樹脂裏面を有し、前記複数の第２副電極は、前記複数の第１副電極のいずれよりも、前記第１方向側に位置しており、前記複数の第１副電極は、前記複数の第２副電極のいずれよりも、前記第２方向側に位置しており、前記ダミー電極は、前記複数の第１副電極のいずれよりも前記第１方向側に位置し、かつ前記複数の第２副電極のいずれよりも前記第２方向側に位置することを特徴としている。
【０００８】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記複数の第１副電極および前記複数の第２副電極のいずれとも絶縁されている。
【０００９】
好ましくは、前記封止樹脂は、前記樹脂裏面から起立する樹脂側面を有し、前記ダミー電極と、前記複数の第１副電極と、前記複数の第２副電極と、はいずれも、前記樹脂側面から露出している。
【００１０】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記樹脂側面から露出しており、前記第２方向を向くダミー電極第１外方面を有し、前記ダミー電極第１外方面は、前記樹脂側面のうち前記第２方向を向く部位と面一である。
【００１１】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記樹脂側面から露出しており、前記第１方向を向くダミー電極第２外方面を有し、前記ダミー電極第２外方面は、前記樹脂側面のうち前記第１方向を向く部位と面一である。
【００１２】
好ましくは、前記ダミー電極第１外方面と、前記ダミー電極第２外方面と、前記樹脂側面とにはそれぞれ、線状痕が形成されている。
【００１３】
好ましくは、前記ダミー電極は、起立傾斜面を有し、前記起立傾斜面は、前記ダミー電極裏面から起立し、前記ダミー電極第１外方面と前記ダミー電極第２外方面とに対し傾斜しており、前記起立傾斜面は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記封止樹脂の外方を向いており、前記封止樹脂は、前記起立傾斜面を覆う樹脂角部を有する。
【００１４】
好ましくは、前記樹脂角部は、前記樹脂裏面の一部を構成しており、前記樹脂角部は、前記ダミー電極第１外方面と面一である第１側面と、前記ダミー電極第２外方面と面一である第２側面と、を有し、前記第１側面および前記第２側面は、前記樹脂側面の一部を構成している。
【００１５】
好ましくは、前記樹脂角部は、前記電子素子の厚さ方向に沿って延びる角縁を有し、前記第１側面および前記第２側面は、前記角縁を介して互いにつながっており、かつ直交している。
【００１６】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記封止樹脂から露出しているダミー電極裏面を有する。
【００１７】
好ましくは、前記ダミー電極裏面は、平たんである。
【００１８】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記ダミー電極裏面から起立するダミー電極側面を有し、前記ダミー電極側面は、前記封止樹脂に覆われており、前記ダミー電極側面は、前記ダミー電極において前記電子素子の側に位置している。
【００１９】
好ましくは、前記ダミー電極側面は、上方部分および下方部分を有し、前記ダミー電極側面における前記上方部分、および、前記ダミー電極側面における前記下方部分はいずれも、前記ダミー電極の中心に向かって凹む凹状である。
【００２０】
好ましくは、前記ダミー電極側面の表面粗さの値は、前記ダミー電極裏面の表面粗さの値よりも、大きい。
【００２１】
好ましくは、前記ダミー電極側面の単位領域当たりの表面積は、前記ダミー電極裏面の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である。
【００２２】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記ダミー電極裏面とは反対側を向くダミー電極表面を有し、前記ダミー電極表面は、全体にわたって、前記封止樹脂に覆われている。
【００２３】
好ましくは、前記ダミー電極には、前記ダミー電極裏面から凹むダミー電極凹部が形成されている。
【００２４】
好ましくは、前記ダミー電極凹部の深さは、前記電子素子の厚さ方向における前記ダミー電極の寸法の１／３〜２／３である。
【００２５】
好ましくは、前記ダミー電極裏面における前記ダミー電極凹部の開口面積は、前記ダミー電極裏面の面積の１／３〜３／４である。
【００２６】
好ましくは、前記ダミー電極凹部の開口の輪郭は、前記ダミー電極裏面の外縁の内側に収まる形状である。
【００２７】
好ましくは、前記ダミー電極凹部は、前記第１方向および前記第２方向に開放している。
【００２８】
好ましくは、前記ダミー電極凹部の内側面は、前記ダミー電極裏面につながる先端部位を有し、前記ダミー電極凹部の内側面における前記先端部位は、前記ダミー電極裏面から離れるほど前記電子素子の厚さ方向に直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、前記電子素子の厚さ方向に対し傾斜している。
【００２９】
好ましくは、前記ダミー電極と、前記複数の第１副電極と、前記複数の第２副電極とはいずれも、同一の材料よりなる。
【００３０】
好ましくは、前記ダミー電極と、前記複数の第１副電極と、前記複数の第２副電極とはいずれも、Ｃｕよりなる。
【００３１】
好ましくは、裏面めっき層をさらに備え、前記裏面めっき層は、前記ダミー電極裏面に形成された部位を有する。
【００３２】
好ましくは、前記裏面めっき層は、前記ダミー電極凹部における内側面に形成されている。
【００３３】
好ましくは、前記裏面めっき層は、Ｓｎよりなる。
【００３４】
好ましくは、表面めっき層をさらに備え、前記表面めっき層は、前記ダミー電極表面に形成された部位を有する。
【００３５】
好ましくは、前記表面めっき層は、Ａｇよりなる。
【００３６】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記樹脂側面から露出しており、前記第２方向を向く第１副電極外方面を有し、前記第１副電極外方面は、前記樹脂側面のうち前記第２方向を向く部位と面一である。
【００３７】
好ましくは、前記第１副電極外方面には、線状痕が形成されている。
【００３８】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記封止樹脂から露出している第１副電極裏面を有する。
【００３９】
好ましくは、前記第１副電極裏面は、平たんである。
【００４０】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面から起立する第１副電極側面を有し、前記第１副電極側面は、前記封止樹脂に覆われており、前記第１副電極側面は、前記第１方向における前記第１副電極外方面の端部と、前記第１方向とは反対側における前記第１副電極外方面の端部と、をつないでいる。
【００４１】
好ましくは、前記第１副電極側面は、副上方部分および副下方部分を有し、前記第１副電極側面における前記副上方部分、および、前記第１副電極側面における前記副下方部分はいずれも、前記第１副電極の中心に向かって凹む凹状である。
【００４２】
好ましくは、前記第１副電極側面の表面粗さの値は、前記第１副電極裏面の表面粗さの値よりも、大きい。
【００４３】
好ましくは、前記第１副電極側面の単位領域当たりの表面積は、前記第１副電極裏面の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である。
【００４４】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面とは反対側を向く第１副電極表面を有し、前記第１副電極表面は、前記封止樹脂に覆われている。
【００４５】
好ましくは、前記複数の第１副電極の各々には、前記第１副電極裏面から凹む第１副電極凹部が形成されている。
【００４６】
好ましくは、前記第１副電極凹部の開口の輪郭は、前記複数の第１副電極裏面の外縁の内側に収まる形状である。
【００４７】
好ましくは、前記第１副電極凹部の内側面は、前記第１副電極裏面につながる先端部位を有し、前記第１副電極凹部の内側面における前記先端部位は、前記第１副電極裏面から離れるほど前記電子素子の厚さ方向に直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、前記電子素子の厚さ方向に対し傾斜している。
【００４８】
好ましくは、裏面めっき層をさらに備え、前記裏面めっき層は、前記第１副電極裏面に形成された部位を有する。
【００４９】
好ましくは、前記裏面めっき層は、前記第１副電極凹部における内側面に形成されている。
【００５０】
好ましくは、表面めっき層をさらに備え、前記表面めっき層は、前記第１副電極表面に形成された部位を有する。
【００５１】
好ましくは、前記電子素子が配置された主電極をさらに備える。
【００５２】
好ましくは、前記厚さ方向視において、前記主電極から前記主電極の外方に延び出る延出部をさらに備え、前記延出部は、前記主電極および前記ダミー電極を連結しており、前記延出部の厚さは、前記主電極および前記ダミー電極よりも薄い。
【００５３】
好ましくは、前記主電極から前記延出部を見た場合、前記延出部は、全周にわたって前記封止樹脂に囲まれている。
【００５４】
好ましくは、前記延出部は、前記主電極から前記ダミー電極に向かって、前記第１方向および前記第２方向のいずれにも交差する方向に延びている。
【００５５】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記封止樹脂から露出しているダミー電極主裏面およびダミー電極副裏面を有し、前記樹脂裏面において、前記ダミー電極主裏面および前記ダミー電極副裏面は、互いに離間した状態で露出している。
【００５６】
好ましくは、前記ダミー電極主裏面および前記ダミー電極副裏面は、平たんである。
【００５７】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記ダミー電極主裏面および前記ダミー電極副裏面とは反対側を向くダミー電極表面を有し、前記ダミー電極表面は、全体にわたって、前記封止樹脂に覆われている。
【００５８】
好ましくは、前記封止樹脂は、前記樹脂裏面から起立する樹脂側面を有し、前記ダミー電極は、前記樹脂側面から露出している。
【００５９】
好ましくは、前記ダミー電極は、前記第２方向を向くダミー電極第１外方面と、前記第１方向を向くダミー電極第２外方面と、ダミー電極主裏面から起立している起立傾斜面と、を有し、前記ダミー電極第１外方面および前記ダミー電極第２外方面は、ともに前記樹脂側面から露出しており、前記起立傾斜面は、前記ダミー電極第１外方面と前記ダミー電極第２外方面とに対し傾斜し、かつ前記電子素子の厚さ方向視において、前記封止樹脂の外方を向いており、前記封止樹脂は、前記起立傾斜面を覆う樹脂角部を有する。
【００６０】
好ましくは、裏面めっき層をさらに備え、前記裏面めっき層は、前記ダミー電極主裏面および前記ダミー電極副裏面に形成された部位を有する。
【００６１】
好ましくは、前記ダミー電極副裏面は、前記第１方向に沿って位置するダミー電極第１副裏面と、前記第２方向に沿って位置するダミー電極第２副裏面と、を含む。
【００６２】
好ましくは、前記樹脂裏面から露出した独立ダミー電極裏面を有し、かつ前記ダミー電極に連結されていない独立ダミー電極をさらに備え、前記独立ダミー電極は、前記複数の第１副電極、前記複数の第２副電極および前記ダミー電極のいずれとも絶縁されている。
【００６３】
好ましくは、前記独立ダミー電極裏面は、平たんである。
【００６４】
好ましくは、前記独立ダミー電極は、前記独立ダミー電極裏面とは反対側を向く独立ダミー電極表面を有し、前記独立ダミー電極表面は、全体にわたって、前記封止樹脂に覆われている。
【００６５】
好ましくは、前記独立ダミー電極には、前記独立ダミー電極裏面から凹む独立ダミー電極凹部が形成されている。
【００６６】
好ましくは、前記独立ダミー電極凹部の開口の輪郭は、前記ダミー電極裏面の外縁の内側に収まる形状である。
【００６７】
好ましくは、前記独立ダミー電極凹部の内側面は、前記独立ダミー電極裏面につながる先端部位を有し、前記内側面における前記先端部位は、前記独立ダミー電極裏面から離れるほど前記電子素子の厚さ方向に直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、前記電子素子の厚さ方向に対し傾斜している。
【００６８】
好ましくは、前記裏面めっき層は、前記独立ダミー電極裏面に形成された部位を有する。
【００６９】
好ましくは、前記裏面めっき層は、前記独立ダミー電極凹部における内側面に形成されている。
【００７０】
好ましくは、前記独立ダミー電極は、前記第１方向に沿って配置され、かつ前記複数の第１副電極と前記ダミー電極との間に位置する第１独立ダミー電極と、前記第２方向に沿って配置され、かつ前記複数の第２副電極と前記ダミー電極との間に位置する第２独立ダミー電極と、を含む。
【００７１】
好ましくは、前記第１独立ダミー電極および前記第２独立ダミー電極は、ともに前記樹脂側面から露出している。
【００７２】
好ましくは、前記第１独立ダミー電極および前記第１副電極の形状と、前記第２独立ダミー電極および前記第２副電極の形状とが、それぞれ同一である。
【００７３】
好ましくは、前記主電極は、前記電子素子が配置された主電極表面と、前記主電極表面とは反対側を向く主電極裏面と、を有し、前記主電極裏面は、前記封止樹脂から露出している。
【００７４】
好ましくは、前記主電極裏面は、平たんである。
【００７５】
好ましくは、複数のワイヤをさらに備え、前記複数のワイヤは各々、前記電子素子にボンディングされており、前記複数のワイヤは各々、前記複数の第１副電極のいずれか、あるいは、前記複数の第２副電極のいずれかにボンディングされている。
【００７６】
好ましくは、前記電子素子および前記主電極の間に介在する接合層をさらに備える。
【００７７】
好ましくは、前記接合層は、導電性の材料よりなる。
【００７８】
好ましくは、前記接合層を構成する材料は、Ａｇである。
【００７９】
好ましくは、追加ダミー電極をさらに備え、前記追加ダミー電極は、前記複数の第１副電極を挟んで前記ダミー電極とは反対側に配置されている。
【００８０】
本発明の第２の側面によって提供される電子装置は、電子素子と、前記電子素子が配置された主電極と、前記電子素子および前記主電極を覆う封止樹脂と、を備え、前記主電極は、前記電子素子が配置された主電極表面と、前記主電極表面とは反対側を向く主電極裏面と、を有し、前記主電極裏面は、前記封止樹脂から露出しており、前記主電極裏面は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側にはみ出る部位を有することを特徴としている。
【００８１】
好ましくは、前記主電極裏面は、前記主電極の全周にわたって、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側にはみ出ている。
【００８２】
好ましくは、前記主電極は、前記主電極表面および前記主電極裏面をつなぐ主電極側面を有し、前記主電極側面は、前記主電極の中心に向かって凹む部分を有する。
【００８３】
好ましくは、前記凹む部分の前記主電極裏面側の端部は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側に位置している。
【００８４】
好ましくは、前記凹む部分は、前記厚さ方向視において、前記主電極表面の端よりも前記主電極の中心側に位置する部位を有する。
【００８５】
好ましくは、前記凹む部分は、前記主電極の全周にわたって形成されている。
【００８６】
好ましくは、前記主電極側面の表面粗さの値は、前記主電極裏面の表面粗さの値よりも、大きい。
【００８７】
好ましくは、前記主電極側面の単位領域当たりの表面積は、前記主電極裏面の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である。
【００８８】
好ましくは、前記主電極側面は、主上方部分および主下方部分を含み、前記主上方部分は、前記厚さ方向において前記主下方部分よりも前記主電極表面側に位置している。
【００８９】
好ましくは、前記封止樹脂には、前記厚さ方向に沿う亀裂が形成されており、前記主電極裏面側の前記亀裂の端よりも、前記主電極裏面側には前記主電極側面が位置しており、かつ前記主電極裏面側の前記亀裂の端は、前記主電極側面に接している。
【００９０】
好ましくは、前記亀裂は、前記主電極表面の端を起点として延びている。
【００９１】
好ましくは、前記主上方部分は、前記主電極の中心に向かって凹む凹状である。
【００９２】
好ましくは、前記主上方部分の前記主電極裏面側の端部は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側に位置している。
【００９３】
好ましくは、前記主下方部分は、前記主電極裏面と鋭角をなすように、前記厚さ方向に対して傾斜している。
【００９４】
好ましくは、前記厚さ方向における前記主下方部分の寸法は、前記厚さ方向における前記主上方部分の寸法よりも、小さい。
【００９５】
好ましくは、前記主電極側面は、主中間部分を含み、前記主中間部分は、前記厚さ方向において、前記主上方部分および前記主下方部分の間に位置しており、前記主中間部分は、前記主電極の中心に向かって凹む凹状である。
【００９６】
好ましくは、前記主中間部分の前記主電極裏面側の端部は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側に位置している。
【００９７】
好ましくは、前記主上方部分は、前記主電極表面と鋭角をなすように、前記厚さ方向に対して傾斜しており、前記主下方部分は、前記主電極裏面と鋭角をなすように、前記厚さ方向に対して傾斜している。
【００９８】
好ましくは、前記主電極裏面は、平たんである。
【００９９】
好ましくは、前記主電極表面の面積に対する、前記厚さ方向視における前記電子素子の占める面積は、８０％以上である。
【０１００】
好ましくは、前記厚さ方向視において、前記主電極から前記主電極の外方に延び出る延出部をさらに備え、前記延出部の厚さは、前記主電極よりも薄い。
【０１０１】
好ましくは、前記主電極から前記延出部を見た場合、前記延出部は、全周にわたって前記封止樹脂に囲まれている。
【０１０２】
好ましくは、裏面めっき層をさらに備え、前記裏面めっき層は、前記主電極裏面に形成された部位を有する。
【０１０３】
好ましくは、前記裏面めっき層は、Ｓｎよりなる。
【０１０４】
好ましくは、表面めっき層をさらに備え、前記表面めっき層は、前記主電極表面に形成された部位を有する。
【０１０５】
好ましくは、前記表面めっき層は、Ａｇよりなる。
【０１０６】
好ましくは、第１方向に沿って配列された複数の第１副電極と、前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列された複数の第２副電極と、をさらに備える。
【０１０７】
好ましくは、前記封止樹脂は、樹脂側面を有し、前記複数の第１副電極は各々、前記樹脂側面から露出しており、前記第２方向を向く第１副電極外方面を有し、前記第１副電極外方面は、前記樹脂側面のうち前記第２方向を向く部位と面一である。
【０１０８】
好ましくは、前記第１副電極外方面には、線状痕が形成されている。
【０１０９】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記封止樹脂から露出している第１副電極裏面を有する。
【０１１０】
好ましくは、前記第１副電極裏面は、平たんである。
【０１１１】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面から起立する第１副電極側面を有し、前記第１副電極側面は、前記封止樹脂に覆われており、前記第１副電極側面は、前記第１方向における前記第１副電極外方面の端部と、前記第１方向とは反対側における前記第１副電極外方面の端部と、をつないでいる。
【０１１２】
好ましくは、前記第１副電極側面は、副上方部分および副下方部分を有し、前記第１副電極側面における前記副上方部分、および、前記第１副電極側面における前記副下方部分はいずれも、前記第１副電極の中心に向かって凹む凹状である。
【０１１３】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面とは反対側を向く第１副電極表面を有し、前記第１副電極表面は、前記封止樹脂に覆われている。
【０１１４】
好ましくは、複数のワイヤをさらに備え、前記複数のワイヤは各々、前記電子素子にボンディングされており、前記複数のワイヤは各々、前記複数の第１副電極のいずれか、あるいは、前記複数の第２副電極のいずれかにボンディングされている。
【０１１５】
好ましくは、前記電子素子および前記主電極の間に介在する接合層をさらに備える。
【０１１６】
好ましくは、前記接合層は、導電性の材料よりなる。
【０１１７】
好ましくは、前記接合層を構成する材料は、Ａｇである。
【０１１８】
好ましくは、前記接合層は、前記厚さ方向視において、前記電子素子の外側にはみ出る部位を有する。
【０１１９】
本発明の第３の側面によって提供される電子装置は、電子素子と、前記電子素子が配置された主電極と、前記電子素子および前記主電極の間に介在する絶縁性の接合部と、前記接合部に混在している、絶縁性の複数のスペーサと、前記電子素子および前記主電極を覆う封止樹脂と、を備えることを特徴としている。
【０１２０】
好ましくは、前記複数のスペーサは各々、前記電子素子に直接接している。
【０１２１】
好ましくは、前記複数のスペーサは各々、前記主電極に直接接している。
【０１２２】
好ましくは、表面めっき層をさらに備え、前記表面めっき層は、前記主電極に形成された部位を有しており、前記複数のスペーサは各々、前記表面めっき層に直接接している。
【０１２３】
好ましくは、前記複数のスペーサはいずれも、球形状である。
【０１２４】
好ましくは、前記複数のスペーサの各々の直径は、５〜１５μｍである。
【０１２５】
好ましくは、前記複数のスペーサを構成する材料は、ジビニルベンゼンポリマーである。
【０１２６】
好ましくは、前記複数のスペーサは、前記電子素子の厚さ方向視において、散在している。
【０１２７】
好ましくは、前記複数のスペーサの個数は、１０個以上である。
【０１２８】
好ましくは、前記接合部に混在している、絶縁性の複数のフィラーをさらに備える。
【０１２９】
好ましくは、前記複数のフィラーの各々の体積は、前記複数のスペーサの各々の体積よりも小さい。
【０１３０】
好ましくは、前記複数のフィラーはいずれも、球形状である。
【０１３１】
好ましくは、前記複数のフィラーの各々の直径は、１〜３μｍである。
【０１３２】
好ましくは、前記複数のフィラーを構成する材料は、ＳｉＯ2、有機材料、あるいは、
有機材料と無機材料との混合材料である。
【０１３３】
好ましくは、前記複数のフィラーは、前記電子素子の厚さ方向視において、散在している。
【０１３４】
好ましくは、前記複数のフィラーの個数は、１０個以上である。
【０１３５】
好ましくは、前記複数のフィラーのうちの一部のフィラーは、前記接合部から露出しており、かつ前記封止樹脂に接している。
【０１３６】
好ましくは、前記主電極は、前記電子素子が配置された主電極表面と、前記主電極表面とは反対側を向く主電極裏面と、を有し、前記主電極裏面は、前記封止樹脂から露出している。
【０１３７】
好ましくは、前記電子素子を第１電子素子とし、第２電子素子をさらに備え、前記第２電子素子は、前記主電極に配置されている。
【０１３８】
好ましくは、前記第２電子素子および前記主電極の間に介在する接合層をさらに備える。
【０１３９】
好ましくは、前記接合層は、導電性の材料よりなる。
【０１４０】
好ましくは、前記接合層を構成する材料は、Ａｇである。
【０１４１】
好ましくは、第１方向に沿って配列された複数の第１副電極と、前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列された複数の第２副電極と、をさらに備える。
【０１４２】
好ましくは、前記封止樹脂は、樹脂側面を有し、前記複数の第１副電極は各々、前記樹脂側面から露出しており、前記第２方向を向く第１副電極外方面を有し、前記第１副電極外方面は、前記樹脂側面のうち前記第２方向を向く部位と面一である。
【０１４３】
好ましくは、前記第１副電極外方面には、線状痕が形成されている。
【０１４４】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記封止樹脂から露出している第１副電極裏面を有する。
【０１４５】
好ましくは、前記第１副電極裏面は、平たんである。
【０１４６】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面から起立する第１副電極側面を有し、前記第１副電極側面は、前記封止樹脂に覆われており、前記第１副電極側面は、前記第１方向における前記第１副電極外方面の端部と、前記第１方向とは反対側における前記第１副電極外方面の端部と、をつないでいる。
【０１４７】
好ましくは、前記第１副電極側面は、副上方部分および副下方部分を有し、前記第１副電極側面における前記副上方部分、および、前記第１副電極側面における前記副下方部分はいずれも、前記第１副電極の中心に向かって凹む凹状である。
【０１４８】
好ましくは、前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面とは反対側を向く第１副電極表面を有し、前記第１副電極表面は、前記封止樹脂に覆われている。
【０１４９】
好ましくは、複数のワイヤをさらに備え、前記複数のワイヤのいずれかは、前記第１電子素子あるいは前記第２電子素子にボンディングされており、前記複数のワイヤのいずれかは、前記複数の第１副電極のいずれか、あるいは、前記複数の第２副電極のいずれかにボンディングされている。
【０１５０】
本発明の第４の側面によって提供される電子装置の実装構造は、本発明の第１の側面ないし第３の側面のいずれかによって提供される電子装置と、回路基板と、前記回路基板および前記複数の第１副電極の間と、前記回路基板および前記複数の第２副電極の間と、に介在しているハンダ層と、を備えることを特徴としている。
【０１５１】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】本発明の第１実施形態の電子装置の平面図である。
【図２】図１に示した電子装置の底面図である。
【図３】図１に示した電子装置の右側面図である。
【図４】図１に示した電子装置の背面図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿う部分断面図である。
【図６】図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う部分断面図である。
【図７】図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分断面図である。
【図８】図１から封止樹脂を省略した平面図である。
【図９】図８から複数のワイヤおよび電子素子を省略した平面図である。
【図１０】図７のＸ−Ｘ線に沿う部分断面図である。
【図１１】図８における右上の領域の部分拡大図である。
【図１２】図２における左上の領域の部分拡大図である。
【図１３】図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う部分断面図である。
【図１４】図１１のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う部分断面図である。
【図１５】図１１のＸＶ−ＸＶ線に沿う部分断面図である。
【図１６】図１１のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う部分断面図である。
【図１７】図１１のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う部分断面図である。
【図１８】図１１のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う部分断面図である。
【図１９】図３における右側の領域を拡大して示す図（線状痕を誇張して示している）である。
【図２０】図４における左側の領域を拡大して示す図（線状痕を誇張して示している）である。
【図２１】本発明の第１実施形態の電子装置の実装構造の右側面図である。
【図２２】本発明の第１実施形態の電子装置の実装構造の部分断面図（図１４に対応する）である。
【図２３】本発明の第１実施形態の電子装置の実装構造の部分断面図（図１５に対応する）である。
【図２４】本発明の第１実施形態の電子装置の実装構造の部分断面図（図１６に対応する）である。
【図２５】本発明の第１実施形態の電子装置の実装構造の部分断面図（図１７に対応する）である。
【図２６】本発明の第１実施形態の電子装置の実装構造の部分断面図（図１８に対応する）である。
【図２７】本発明の第１実施形態の第１変形例にかかる電子装置の断面図である。
【図２８】本発明の第１実施形態の第２変形例にかかる電子装置の底面図である。
【図２９】本発明の第２実施形態の電子装置の平面図である。
【図３０】図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う部分断面図である。
【図３１】図３０における右側の領域の部分拡大図である。
【図３２】本発明の第２実施形態の電子装置の実装構造の右側面図である。
【図３３】本発明の第２実施形態の第１変形例にかかる電子装置の断面図である。
【図３４】本発明の第３実施形態の電子装置の底面図である。
【図３５】図３４に示した電子装置の右側面図である。
【図３６】図３４に示した電子装置の背面図である。
【図３７】図３４のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ線に沿う部分断面図である
【図３８】図３４における左上の領域の部分拡大図である。
【図３９】図３８の反対側にあたる図３４に示した電子装置の部分拡大平面図（封止樹脂を省略）である。
【図４０】図３９のＸＬ−ＸＬ線に沿う部分断面図である。
【図４１】図３９のＸＬＩ−ＸＬＩ線に沿う部分断面図である。
【図４２】本発明の第３実施形態の電子装置の実装構造の右側面図である。
【図４３】本発明の第３実施形態の電子装置の実装構造の部分断面図（図４０に対応する）である。
【図４４】本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置の底面図である。
【図４５】図４４における左上の領域の部分拡大図である。
【図４６】図４５の反対側にあたる図４４に示した電子装置の部分拡大平面図（封止樹脂を省略）である。
【図４７】図４６のＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩ線に沿う部分断面図である。
【図４８】本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置の実装構造の部分断面図（図４７に対応する）である。
【発明を実施するための形態】
【０１５３】
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【０１５４】
＜第１実施形態＞
図１〜図２６を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。
【０１５５】
図１は、本発明の第１実施形態の電子装置Ａ１０の平面図である。図２は、電子装置Ａ１０の底面図である。図３は、電子装置Ａ１０の右側面図である。図４は、電子装置Ａ１０の背面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う部分断面図である。図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う部分断面図である。図７は、図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分断面図である。
【０１５６】
［電子装置Ａ１０について］
これらの図に示す電子装置Ａ１０は、いわゆる面実装が可能な電子装置として構成されている。本実施形態においては、電子装置Ａ１０は、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄｅｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）  ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置である。
【０１５７】
電子装置Ａ１０は、電子素子１と、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４と、ダミー電極５と、表面めっき層６１と、裏面めっき層６２と、接合層７１と、複数のワイヤ７９と、封止樹脂８とを備える。
【０１５８】
図８は、図１から封止樹脂８を省略した平面図である。図９は、図８から電子素子１および複数のワイヤ７９を省略した平面図である。図１０は、図７のＸ−Ｘ線に沿う部分断面図である。図１１は、図８における右上の領域の部分拡大図である。図１２は、図２における左上の領域の部分拡大図である。
【０１５９】
［電子素子１について］
本実施形態においては、図５〜図８に示す電子素子１は、半導体素子である。電子素子１は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視（平面視）において、矩形状を呈している。第１方向Ｘにおける電子素子１の寸法は、たとえば、４〜８ｍｍである。第２方向Ｙにおける電子素子１の寸法は、たとえば、４〜８ｍｍである。本実施形態においては、第１方向Ｘにおける電子素子１の寸法および第２方向Ｙにおける電子素子１の寸法は、いずれも５．１ｍｍである。
【０１６０】
図１３は、図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う部分断面図である。
【０１６１】
［主電極２について］
図２、図５〜図８および図１３に示す主電極２の全体は、導電性の材料よりなる。主電極２は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。主電極２には、電子素子１が配置されている。
【０１６２】
図１３に示すように、主電極２は、主電極表面２１と、主電極裏面２２と、主電極側面２３とを有する。
【０１６３】
主電極表面２１は厚さ方向Ｚの一方を向いている。主電極表面２１は平たんであり、矩形状である。主電極表面２１には、電子素子１が配置されている。本実施形態においては、第１方向Ｘにおける主電極表面２１の寸法、および、第２方向Ｙにおける主電極表面２１の寸法は、いずれも、５．４ｍｍである。好ましくは、主電極表面２１の面積に対する、厚さ方向Ｚ視における電子素子１の占める面積は、８０％以上である。
【０１６４】
主電極裏面２２は厚さ方向Ｚの他方を向いている。主電極裏面２２は、主電極表面２１とは反対側を向いている。主電極裏面２２は平たんであり、矩形状である。主電極裏面２２は、封止樹脂８から露出している。主電極裏面２２は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側にはみ出る部位を有する。本実施形態においては、主電極裏面２２は、主電極２の全周にわたって、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側にはみ出ている。そのため、主電極裏面２２の面積は、主電極表面２１の面積よりも大きい。
【０１６５】
主電極側面２３は、主電極表面２１および主電極裏面２２をつないでいる。主電極側面２３は封止樹脂８に覆われている。本実施形態においては、主電極側面２３は粗面加工がなされている。主電極側面２３の表面粗さの値は、主電極裏面２２の表面粗さの値よりも、大きい。主電極側面２３の単位領域（単位長さ×単位長さによって規定された矩形領域、以下同様）当たりの表面積は、たとえば、主電極裏面２２の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である。本実施形態とは異なり、主電極側面２３に粗面加工がなされていなくてもよい。
【０１６６】
主電極側面２３は、主電極２の中心に向かって凹む部分２３１を有する。凹む部分２３１の主電極裏面２２側の端部２３１Ａは、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側に位置している。凹む部分２３１は、厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の端よりも主電極２の中心側に位置する部位２３１Ｂを有する。凹む部分２３１は、主電極２の全周にわたって形成されている。本実施形態においては、凹む部分２３１が主電極２に形成されるのは、リードフレームをエッチングすることにより主電極２が形成されるからである。
【０１６７】
主電極側面２３は、主上方部分２３Ａおよび主下方部分２３Ｂを含む。
【０１６８】
主上方部分２３Ａは、厚さ方向Ｚにおいて主下方部分２３Ｂよりも主電極表面２１側に位置している。本実施形態においては、主上方部分２３Ａは、主電極２の中心に向かって凹む凹状である。すなわち、電子装置Ａ１０では、主上方部分２３Ａが凹む部分２３１を構成している。主上方部分２３Ａの主電極裏面２２側の端部２３ＡＡは、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側に位置している。本実施形態においては、主上方部分２３Ａの主電極裏面２２側の端部２３ＡＡは、全体にわたって、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側に位置している。
【０１６９】
主下方部分２３Ｂは、主電極裏面２２と鋭角をなすように、厚さ方向Ｚに対して傾斜している。厚さ方向Ｚにおける主下方部分２３Ｂの寸法は、厚さ方向Ｚにおける主上方部分２３Ａの寸法よりも、小さい。この理由の一つとしては、主電極裏面２２を覆う、エッチングのためのマスクの開口が比較的小さいため、主電極裏面２２側から主電極表面２１側に向かうエッチング液の量が、主電極表面２１側から主電極裏面２２側に向かうエッチング液の量よりも、少なくなることが考えられる。主下方部分２３Ｂは、全体にわたって、厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側に位置している。
【０１７０】
図１４は、図１１のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う部分断面図である。
【０１７１】
［複数の第１副電極３について］
図２、図３、図５、図８、図９、図１１、図１２および図１４に示す複数の第１副電極３は、第１方向Ｘに沿って配列されている。複数の第１副電極３は、複数の第２副電極４のいずれよりも、第２方向Ｙ側に位置している。複数の第１副電極３の全体は、導電性の材料よりなる。複数の第１副電極３は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。
【０１７２】
図１４に示すように、複数の第１副電極３は各々、第１副電極表面３１と、第１副電極裏面３２と、第１副電極側面３３と、第１副電極外方面３５とを有する。
【０１７３】
第１副電極表面３１は、厚さ方向Ｚの一方を向いている。第１副電極表面３１は、平たんである。第１副電極表面３１は、封止樹脂８に覆われている。
【０１７４】
第１副電極裏面３２は、厚さ方向Ｚの他方を向いている。第１副電極裏面３２は、第１副電極表面３１とは反対側を向いている。第１副電極裏面３２は、平たんである。第１副電極裏面３２は、封止樹脂８から露出している。
【０１７５】
第１副電極外方面３５は、第２方向Ｙを向いている。本実施形態においては、第１副電極外方面３５は封止樹脂８から露出している。
【０１７６】
第１副電極側面３３は、第１副電極表面３１と第１副電極裏面３２とをつないでいる。第１副電極側面３３は、第１副電極裏面３２から起立している。第１副電極側面３３は、封止樹脂８に覆われている。図１１および図１２に示すように、第１副電極側面３３は、第１方向Ｘにおける第１副電極外方面３５の端部３５Ａと、第１方向Ｘとは反対側における第１副電極外方面３５の端部３５Ｂとをつないでいる。本実施形態においては、第１副電極側面３３は粗面加工がなされている。第１副電極側面３３の表面粗さの値は、第１副電極裏面３２の表面粗さの値よりも、大きい。第１副電極側面３３の単位領域当たりの表面積は、たとえば、第１副電極裏面３２の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である。本実施形態とは異なり、第１副電極側面３３に粗面加工がなされていなくてもよい。
【０１７７】
第１副電極側面３３は、第１副上方部分３３Ａおよび第１副下方部分３３Ｂを含む。
【０１７８】
第１副上方部分３３Ａは、厚さ方向Ｚにおいて第１副下方部分３３Ｂよりも第１副電極表面３１側に位置している。本実施形態においては、第１副上方部分３３Ａは、第１副電極３の中心に向かって凹む凹状である。第１副下方部分３３Ｂは、第１副電極３の中心に向かって凹む凹状である。第１副上方部分３３Ａや第１副下方部分３３Ｂが凹状となるのは、リードフレームをエッチングすることにより第１副電極３が形成されるからである。
【０１７９】
複数の第１副電極３の各々には、第１副電極凹部３８が形成されている。第１副電極凹部３８は、第１副電極裏面３２から凹んでいる。第１副電極凹部３８の深さは、たとえば、電子素子１の厚さ方向Ｚにおける第１副電極３の寸法の１／３〜２／３である。第１副電極裏面３２における第１副電極凹部３８の開口面積は、たとえば、第１副電極裏面３２の面積の１／３〜３／４である。第１副電極凹部３８の開口の輪郭は、第１副電極裏面３２の外縁の内側に収まる形状である。本実施形態においては、第１副電極凹部３８の開口の輪郭は、矩形状である。本実施形態とは異なり、第１副電極凹部３８の開口の輪郭は、円形状や多角形状やその他の形状であってもよい。
【０１８０】
第１副電極凹部３８の内側面３８１は、第１副電極裏面３２につながる先端部位３８１Ａを有する。第１副電極凹部３８の内側面３８１における先端部位３８１Ａは、第１副電極裏面３２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。これにより、第１副電極凹部３８は、開口が萎む形状となっている。これは、第１副電極凹部３８がエッチング液を用いたエッチングにより形成されるためである。後述する第２副電極凹部４８、ダミー電極凹部５８および独立ダミー電極凹部５４８についても同様である。
【０１８１】
図１５は、図１１のＸＶ−ＸＶ線に沿う部分断面図である。
【０１８２】
［複数の第２副電極４について］
図２、図４、図６、図８、図９、図１１、図１２および図１５に示す複数の第２副電極４は、第２方向Ｙに沿って配列されている。複数の第２副電極４は、複数の第１副電極３のいずれよりも、第１方向Ｘ側に位置している。複数の第２副電極４の全体は、導電性の材料よりなる。複数の第２副電極４は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。
【０１８３】
図１５に示すように、複数の第２副電極４は各々、第２副電極表面４１と、第２副電極裏面４２と、第２副電極側面４３と、第２副電極外方面４５とを有する。
【０１８４】
第２副電極表面４１は、厚さ方向Ｚの一方を向いている。第２副電極表面４１は、平たんである。第２副電極表面４１は、封止樹脂８に覆われている。
【０１８５】
第２副電極裏面４２は、厚さ方向Ｚの他方を向いている。第２副電極裏面４２は、第２副電極表面４１とは反対側を向いている。第２副電極裏面４２は、平たんである。第２副電極裏面４２は、封止樹脂８から露出している。
【０１８６】
第２副電極外方面４５は、第１方向Ｘを向いている。本実施形態においては、第２副電極外方面４５は封止樹脂８から露出している。
【０１８７】
第２副電極側面４３は、第２副電極表面４１と第２副電極裏面４２とをつないでいる。第２副電極側面４３は、第２副電極裏面４２から起立している。第２副電極側面４３は、封止樹脂８に覆われている。図１１および図１２に示すように、第２副電極側面４３は、第２方向Ｙにおける第２副電極外方面４５の端部４５Ａと、第２方向Ｙとは反対側における第２副電極外方面４５の端部４５Ｂとをつないでいる。本実施形態においては、第２副電極側面４３は粗面加工がなされている。第２副電極側面４３の表面粗さの値は、第２副電極裏面４２の表面粗さの値よりも、大きい。第２副電極側面４３の単位領域当たりの表面積は、たとえば、第２副電極裏面４２の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である。本実施形態とは異なり、第２副電極側面４３に粗面加工がなされていなくてもよい。
【０１８８】
第２副電極側面４３は、第２副上方部分４３Ａおよび第２副下方部分４３Ｂを含む。
【０１８９】
第２副上方部分４３Ａは、厚さ方向Ｚにおいて第２副下方部分４３Ｂよりも第２副電極表面４１側に位置している。本実施形態においては、第２副上方部分４３Ａは、第２副電極４の中心に向かって凹む凹状である。第２副下方部分４３Ｂは、第２副電極４の中心に向かって凹む凹状である。第２副上方部分４３Ａや第２副下方部分４３Ｂが凹状となるのは、リードフレームをエッチングすることにより第２副電極４が形成されるからである。
【０１９０】
複数の第２副電極４の各々には、第２副電極凹部４８が形成されている。第２副電極凹部４８は、第２副電極裏面４２から凹んでいる。第２副電極凹部４８の深さは、たとえば、電子素子１の厚さ方向Ｚにおける第２副電極４の寸法の１／３〜２／３である。第２副電極裏面４２における第２副電極凹部４８の開口面積は、たとえば、第２副電極裏面４２の面積の１／３〜３／４である。第２副電極凹部４８の開口の輪郭は、第２副電極裏面４２の外縁の内側に収まる形状である。本実施形態においては、第２副電極凹部４８の開口の輪郭は、矩形状である。本実施形態とは異なり、第２副電極凹部４８の開口の輪郭は、円形状や多角形状やその他の形状であってもよい。
【０１９１】
第２副電極凹部４８の内側面４８１は、第２副電極裏面４２につながる先端部位４８１Ａを有する。第２副電極凹部４８の内側面４８１における先端部位４８１Ａは、第２副電極裏面４２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。これにより、第２副電極凹部４８は、開口が萎む形状となっている。
【０１９２】
図１６は、図１１のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う部分断面図である。図１７は、図１１のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う部分断面図である。図１８は、図１１のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う部分断面図である。
【０１９３】
［ダミー電極５について］
図２、図１１、図１２、図１６、図１７および図１８に示すダミー電極５は、複数の第１副電極３のいずれよりも第１方向Ｘ側に位置し、かつ複数の第２副電極４のいずれよりも第２方向Ｙ側に位置する。ダミー電極５の全体は、導電性の材料よりなる。ダミー電極５は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。ダミー電極５と、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４とは、一体のリードフレームから形成される。よって、ダミー電極５と、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４とは、いずれも同一の材料よりなる。先述のように、本実施形態においては、ダミー電極５と、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４とは、いずれもＣｕよりなる。また、ダミー電極５、主電極２、複数の第１副電極３および複数の第２副電極４の各厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、互いに同一である。ダミー電極５は、複数の第１副電極３および複数の第２副電極４のいずれとも絶縁されている。
【０１９４】
図１６、図１７および図１８に示すように、ダミー電極５は各々、ダミー電極表面５１と、ダミー電極裏面５２と、ダミー電極側面５３と、ダミー電極第１外方面５５１と、ダミー電極第２外方面５５２と、起立傾斜面５６とを有する。
【０１９５】
ダミー電極表面５１は厚さ方向Ｚの一方を向いている。ダミー電極表面５１は平たんである。ダミー電極表面５１は、全体にわたって、封止樹脂８に覆われている。
【０１９６】
ダミー電極裏面５２は厚さ方向Ｚの他方を向いている。ダミー電極裏面５２は、ダミー電極表面５１とは反対側を向いている。ダミー電極裏面５２は平たんである。ダミー電極裏面５２は、封止樹脂８から露出している。
【０１９７】
ダミー電極第１外方面５５１は、第２方向Ｙを向いている。本実施形態においては、ダミー電極第１外方面５５１は封止樹脂８から露出している。
【０１９８】
ダミー電極第２外方面５５２は、第１方向Ｘを向いている。本実施形態においては、ダミー電極第２外方面５５２は封止樹脂８から露出している。
【０１９９】
起立傾斜面５６は、ダミー電極裏面５２から起立し、ダミー電極第１外方面５５１とダミー電極第２外方面５５２とに対し傾斜している。起立傾斜面５６は、ダミー電極第１外方面５５１およびダミー電極第２外方面５５２につながっている。起立傾斜面５６は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、封止樹脂８の外方を向いている。
【０２００】
ダミー電極側面５３は、ダミー電極表面５１とダミー電極裏面５２とをつないでいる。ダミー電極側面５３は、ダミー電極裏面５２から起立している。ダミー電極側面５３は、封止樹脂８に覆われている。ダミー電極側面５３は、ダミー電極５において電子素子１の側に位置している。本実施形態においては、ダミー電極側面５３は粗面加工がなされている。ダミー電極側面５３の表面粗さの値は、ダミー電極裏面５２の表面粗さの値よりも、大きい。ダミー電極側面５３の単位領域当たりの表面積は、たとえば、ダミー電極裏面５２の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である。本実施形態とは異なり、ダミー電極側面５３に粗面加工がなされていなくてもよい。
【０２０１】
ダミー電極側面５３は、ダミー上方部分５３Ａおよびダミー下方部分５３Ｂを含む。
【０２０２】
ダミー上方部分５３Ａは、厚さ方向Ｚにおいてダミー下方部分５３Ｂよりもダミー電極表面５１側に位置している。本実施形態においては、ダミー上方部分５３Ａは、ダミー電極５の中心に向かって凹む凹状である。ダミー下方部分５３Ｂは、ダミー電極５の中心に向かって凹む凹状である。ダミー上方部分５３Ａやダミー下方部分５３Ｂが凹状となるのは、リードフレームをエッチングすることによりダミー電極５が形成されるからである。
【０２０３】
ダミー電極５には、ダミー電極凹部５８が形成されている。ダミー電極凹部５８はダミー電極裏面５２から凹んでいる。ダミー電極凹部５８の深さは、たとえば、電子素子１の厚さ方向Ｚにおけるダミー電極５の寸法の１／３〜２／３である。ダミー電極裏面５２におけるダミー電極凹部５８の開口面積は、たとえば、ダミー電極裏面５２の面積の１／３〜３／４である。ダミー電極凹部５８の開口の輪郭は、ダミー電極裏面５２の外縁の内側に収まる形状である。本実施形態においては、ダミー電極凹部５８の開口の輪郭は、矩形状である。本実施形態とは異なり、ダミー電極凹部５８の開口の輪郭は、円形状や多角形状やその他の形状であってもよい。
【０２０４】
ダミー電極凹部５８の内側面５８１は、ダミー電極裏面５２につながる先端部位５８１Ａを有する。ダミー電極凹部５８の内側面５８１における先端部位５８１Ａは、ダミー電極裏面５２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。これにより、ダミー電極凹部５８は、開口が萎む形状となっている。
【０２０５】
［追加ダミー電極５９について］
先述したダミー電極５は、封止樹脂８の四隅のうちの１つに配置されている。図２および図８に示すように、本実施形態においてはダミー電極５の他に、３つの追加ダミー電極５９が配置されている。３つの追加ダミー電極５９はそれぞれ、封止樹脂８の四隅のうちの他の箇所に配置されている。３つの追加ダミー電極５９のうちの１つは、複数の第１副電極３を挟んでダミー電極５とは反対側に配置されている。３つの追加ダミー電極５９のうちの１つは、複数の第２副電極４を挟んでダミー電極５とは反対側に配置されている。３つの追加ダミー電極５９のうちの１つは、主電極２を挟んでダミー電極５とは反対側に配置されている。追加ダミー電極５９は、ダミー電極５と同様の構成につき、説明を省略する。
【０２０６】
［延出部２９について］
図７〜図１０に示す延出部２９は、厚さ方向Ｚ視において、主電極２から主電極２の外方に延び出ている。延出部２９は、主電極２およびダミー電極５を連結している。延出部２９の厚さは、主電極２およびダミー電極５よりも薄い。主電極２から延出部２９を見た場合、延出部２９は、全周にわたって封止樹脂８に囲まれている。本実施形態においては、延出部２９は封止樹脂８から露出していない。延出部２９は、主電極２からダミー電極５に向かって、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙのいずれにも交差する方向に延びている。延出部２９は、電子装置Ａ１０の製造にあたって、封止樹脂８を形成する前まで主電極２を支持する機能を果たす。
【０２０７】
［表面めっき層６１について］
図１３〜図１８に示す表面めっき層６１は、主電極表面２１に形成された部位と、第１副電極表面３１に形成された部位と、第２副電極表面４１に形成された部位と、ダミー電極表面５１に形成された部位とを有する。表面めっき層６１を介して、第１副電極表面３１と、第２副電極表面４１と、ダミー電極表面５１とは、封止樹脂８に覆われている。表面めっき層６１は、たとえばＡｇよりなる。ただし、電子装置Ａ１０は表面めっき層６１を備えていなくてもよい。なお、図１３〜図１８以外では、表面めっき層６１の図示を省略している。
【０２０８】
［裏面めっき層６２について］
図１３〜図１８に示す裏面めっき層６２は、主電極裏面２２に形成された部位と、第１副電極裏面３２に形成された部位と、第２副電極裏面４２に形成された部位と、ダミー電極裏面５２に形成された部位とを有する。裏面めっき層６２は、たとえばＳｎよりなる。本実施形態においてはさらに、裏面めっき層６２は、第１副電極凹部３８における内側面３８１と、第２副電極凹部４８における内側面４８１と、ダミー電極凹部５８における内側面５８１とに形成されている。裏面めっき層６２は、後述するハンダ層８０２を付着させやすくするために形成されている。なお、図１３〜図１８以外では、裏面めっき層６２の図示を省略している。
【０２０９】
［接合層７１について］
図５〜図７および図１３に示す接合層７１は、電子素子１および主電極２の間に介在している。接合層７１は、電子素子１を主電極２に接合するためのものである。接合層７１は、電子素子１および表面めっき層６１に直接接している。接合層７１は、主電極表面２１のうち表面めっき層６１が形成された領域に接している。本実施形態においては、接合層７１は、導電性の材料よりなる。接合層７１を構成する材料は、たとえばＡｇである。接合層７１は、厚さ方向Ｚ視において、電子素子１の外側にはみ出る部位を有する。
【０２１０】
［複数のワイヤ７９について］
図８に示す複数のワイヤ７９は各々、電子素子１にボンディングされている。複数のワイヤ７９は各々、複数の第１副電極３のいずれか、あるいは複数の第２副電極４のいずれかにボンディングされている。本実施形態においては、複数のワイヤ７９は各々、表面めっき層６１を介して、複数の第１副電極３のいずれか、あるいは複数の第２副電極４のいずれかにボンディングされている。なお、複数のワイヤ７９は、ダミー電極５にはボンディングされていない。
【０２１１】
［封止樹脂８について］
封止樹脂８は、絶縁性の樹脂よりなり、具体的には、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。封止樹脂８は、電子素子１と、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４と、ダミー電極５と、表面めっき層６１と、接合層７１と、複数のワイヤ７９とを覆っている。
【０２１２】
封止樹脂８は、樹脂表面８１と、樹脂裏面８２と、樹脂側面８５とを有する。
【０２１３】
樹脂表面８１は、厚さ方向Ｚの一方を向いている。樹脂表面８１は、平たんである。
【０２１４】
樹脂裏面８２は、厚さ方向Ｚの他方を向いている。樹脂裏面８２は、平たんである。樹脂裏面８２からは、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４と、ダミー電極５とがそれぞれ露出している。
【０２１５】
樹脂側面８５は、樹脂裏面８２から起立している。樹脂側面８５からは、ダミー電極５と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４とのいずれもが露出している。
【０２１６】
樹脂側面８５のうち第２方向Ｙを向く部位は、第１副電極外方面３５およびダミー電極第１外方面５５１と面一である。樹脂側面８５のうち第２方向Ｙを向く部位と、第１副電極外方面３５と、ダミー電極第１外方面５５１とは、ダイシングブレード（図示略）による切断面である。そのため、図１９に示すように、樹脂側面８５のうち第２方向Ｙを向く部位と、第１副電極外方面３５と、ダミー電極第１外方面５５１とには、線状痕が形成されている。前記線状痕は、前記ダイシングブレードによる個片化の際に形成されたものである。具体的には、樹脂側面８５には線状痕８５９が、第１副電極外方面３５には線状痕３５９が、ダミー電極第１外方面５５１には線状痕５５９がそれぞれ形成されている。
【０２１７】
樹脂側面８５のうち第１方向Ｘを向く部位は、第２副電極外方面４５、およびダミー電極第２外方面５５２と面一である。樹脂側面８５のうち第１方向Ｘを向く部位と、第２副電極外方面４５と、ダミー電極第２外方面５５２とは、前記ダイシングブレードによる切断面である。そのため、図２０に示すように、樹脂側面８５のうち第１方向Ｘを向く部位と、第２副電極外方面４５と、ダミー電極第２外方面５５２とには、線状痕が形成されている。具体的には、樹脂側面８５には線状痕８５９が、第２副電極外方面４５には線状痕４５９が、ダミー電極第２外方面５５２には線状痕５５９がそれぞれ形成されている。
【０２１８】
図１１、図１２および図１８に示すように、封止樹脂８は、起立傾斜面５６を覆う樹脂角部８６を有する。樹脂角部８６は、樹脂裏面８２の一部を構成している。樹脂角部８６は、ダミー電極第１外方面５５１と面一である第１側面８６１と、ダミー電極第２外方面５５２と面一である第２側面８６２とを有する。第１側面８６１および第２側面８６２は、樹脂側面８５の一部を構成している。樹脂角部８６は、電子素子１の厚さ方向Ｚに沿って延びる角縁８６５を有する。第１側面８６１および第２側面８６２は、角縁８６５を介して互いにつながっており、かつ直交している。
【０２１９】
図１３に示すように、封止樹脂８には亀裂８９が形成されていることがある。本実施形態においては、亀裂８９は、主電極表面２１の端を起点として、厚さ方向Ｚに沿って延びている。主電極裏面２２側の亀裂８９の端よりも、主電極裏面２２側には主電極側面２３が位置している。また、主電極裏面２２側の亀裂８９の端は、主電極側面２３に接している。そのため、亀裂８９は封止樹脂８の外部に露出していない。すなわち亀裂８９は全体にわたって、封止樹脂８の内部に位置している。
【０２２０】
図２１は、本発明の第１実施形態の電子装置の実装構造Ｂ１の右側面図である。図２２〜図２６は、電子装置の実装構造Ｂ１の部分断面図である。図２２〜図２６は、図１４〜図１８にそれぞれ対応している。
【０２２１】
電子装置Ａ１０は、電子装置の実装構造Ｂ１を構成している。電子装置の実装構造Ｂ１は、電子装置Ａ１０と、回路基板８０１と、ハンダ層８０２とを備える。ハンダ層８０２は、回路基板８０１および複数の第１副電極３の間と、回路基板８０１および複数の第２副電極４の間と、回路基板８０１およびダミー電極５の間とに介在している。本実施形態においては、ハンダ層８０２は、第１副電極凹部３８と、第２副電極凹部４８と、ダミー電極凹部５８とに充填されている。そしてハンダ層８０２は、裏面めっき層６２に接している。
【０２２２】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【０２２３】
本実施形態においては、電子装置Ａ１０はダミー電極５を備える。ダミー電極５は、複数の第１副電極３のいずれよりも第１方向Ｘ側に位置し、かつ複数の第２副電極４のいずれよりも第２方向Ｙ側に位置する。このような構成によると、ハンダ層８０２を介してダミー電極５が回路基板８０１に接合される。これにより、電子装置Ａ１０と回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２に発生する熱応力の分散が図られ、各々の第１副電極３、または各々の第２副電極４と回路基板８０１との間に介在しているハンダ層８０２に発生する熱応力を減少させることが可能となる。したがって、各々の第１副電極３、または各々の第２副電極４と回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２に、亀裂が生じることを防止できる。
【０２２４】
本実施形態においては、ダミー電極５は、複数の第１副電極３および複数の第２副電極４のいずれとも絶縁されている。このような構成によると、仮にダミー電極５と回路基板８０１との間に介在しているハンダ層８０２に亀裂が生じたとしても、各々の第１副電極３および回路基板８０１との導通や、各々の第２副電極４および回路基板８０１との導通は確保される。したがって、本実施形態によると、電子装置Ａ１０の作動不良が生じることを防止できる。
【０２２５】
本実施形態においては、ダミー電極５は、起立傾斜面５６を有する。起立傾斜面５６は、ダミー電極裏面５２から起立し、ダミー電極第１外方面５５１とダミー電極第２外方面５５２とに対し傾斜している。起立傾斜面５６は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、封止樹脂８の外方を向いている。封止樹脂８は、起立傾斜面５６を覆う樹脂角部８６を有する。このような構成では、ダミー電極５は電子装置Ａ１０の角を構成していない。これにより、前記ダイシングブレードにより封止樹脂８などを個片化する際に、電子装置Ａ１０の角に金属バリが生成されることを防止できる。
【０２２６】
本実施形態においては、ダミー電極５には、ダミー電極裏面５２から凹むダミー電極凹部５８が形成されている。このような構成によると、ダミー電極凹部５８内にハンダ層８０２を充填させることにより、ダミー電極５がハンダ層８０２から剥離することを防止できる。
【０２２７】
本実施形態においては、ダミー電極凹部５８の内側面５８１は、ダミー電極裏面５２につながる先端部位５８１Ａを有する。ダミー電極凹部５８の内側面５８１における先端部位５８１Ａは、ダミー電極裏面５２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。このような構成によると、ハンダ層８０２がダミー電極凹部５８から抜けにくい。よって、ダミー電極５がハンダ層８０２から剥離することをより効果的に防止できる。
【０２２８】
本実施形態においては、第１副電極３には、第１副電極裏面３２から凹む第１副電極凹部３８が形成されている。このような構成によると、第１副電極凹部３８内にハンダ層８０２を充填させることにより、第１副電極３がハンダ層８０２から剥離することを防止できる。
【０２２９】
本実施形態においては、第１副電極凹部３８の内側面３８１は、第１副電極裏面３２につながる先端部位３８１Ａを有する。第１副電極凹部３８の内側面３８１における先端部位３８１Ａは、第１副電極裏面３２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。このような構成によると、ハンダ層８０２が第１副電極凹部３８から抜けにくい。よって、第１副電極３がハンダ層８０２から剥離することをより効果的に防止できる。
【０２３０】
本実施形態においては、第２副電極４には、第２副電極裏面４２から凹む第２副電極凹部４８が形成されている。このような構成によると、第２副電極凹部４８内にハンダ層８０２を充填させることにより、第２副電極４がハンダ層８０２から剥離することを防止できる。
【０２３１】
本実施形態においては、第２副電極凹部４８の内側面４８１は、第２副電極裏面４２につながる先端部位４８１Ａを有する。第２副電極凹部４８の内側面４８１における先端部位４８１Ａは、第２副電極裏面４２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。このような構成によると、ハンダ層８０２が第２副電極凹部４８から抜けにくい。よって、第２副電極４がハンダ層８０２から剥離することをより効果的に防止できる。
【０２３２】
電子装置Ａ１０を使用する際、電子素子１と、主電極２と、接合層７１と、封止樹脂８とが熱膨張および熱収縮を繰り返す。これにより、封止樹脂８に亀裂８９が生成されてしまうおそれがある。発明者らは、亀裂８９は、主電極２のいずれかの箇所を起点として生じることが多いことを発見した。本実施形態においては、主電極裏面２２は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側にはみ出る部位を有する。このような構成によると、主電極２のどこかの箇所を起点として亀裂８９が生成し、樹脂裏面８２側へ進行していった場合、亀裂８９の進行は主電極側面２３に阻止される。これにより、亀裂８９が封止樹脂８の外部に露出することを防止できる。その結果、電子装置Ａ１０の外観の悪化を防止でき、また、封止樹脂８外の水分が亀裂８９を通って主電極２まで至ることを防止できる。
【０２３３】
発明者らは、主電極側面２３と主電極表面２１との境界（すなわち主電極表面２１の端部）を起点として亀裂８９が生成されることが特に多いことを発見した。本実施形態においては、主電極側面２３における凹む部分２３１の主電極裏面２２側の端部は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側に位置している。このような構成によると、亀裂８９が生成し、樹脂裏面８２側へ進行していったとしても、亀裂８９の進行は凹む部分２３１の内面に阻止される。これにより、亀裂８９が封止樹脂８の外部に露出することを防止できる。その結果、電子装置Ａ１０の外観の悪化を防止でき、また、封止樹脂８外の水分が亀裂８９を通って主電極２まで至ることを防止できる。
【０２３４】
本実施形態においては、主電極表面２１の面積に対する、厚さ方向Ｚ視における電子素子１の占める面積は、８０％以上である。このように、主電極表面２１に対し、厚さ方向Ｚ視における電子素子１の面積が比較的大きい場合に、亀裂８９が生成しやすい。よって、亀裂８９が封止樹脂８の外部に露出することを防止できる構成は、主電極表面２１に対し、厚さ方向Ｚ視における電子素子１の面積が比較的大きい本実施形態の構成に、特に好適である。
【０２３５】
＜第１実施形態の第１変形例＞
図２７を用いて、本発明の第１実施形態の第１変形例について説明する。
【０２３６】
図２７は、本発明の第１実施形態の第１変形例にかかる電子装置Ａ１１の断面図である。
【０２３７】
なお、以下の説明では、先述と同一または類似の構成については先述と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
【０２３８】
本変形例の電子装置Ａ１１は、主電極側面２３が、主上方部分２３Ｅと主下方部分２３Ｆと主中間部分２３Ｇとを有する点において、先述の電子装置Ａ１０とは異なる。
【０２３９】
主上方部分２３Ｅは、厚さ方向Ｚにおいて主下方部分２３Ｆよりも主電極表面２１側に位置している。
【０２４０】
主上方部分２３Ｅは、主電極表面２１と鋭角をなすように、厚さ方向Ｚに対して傾斜している。主下方部分２３Ｆは、主電極裏面２２と鋭角をなすように、厚さ方向Ｚに対して傾斜している。主下方部分２３Ｆは、全体にわたって、厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側に位置している。
【０２４１】
主中間部分２３Ｇは、厚さ方向Ｚにおいて、主上方部分２３Ｅおよび主下方部分２３Ｆの間に位置している。主中間部分２３Ｇは、主電極２の中心に向かって凹む凹状である。すなわち、本変形例では、主中間部分２３Ｇが凹む部分２３１を構成している。主中間部分２３Ｇの主電極裏面２２側の端部２３ＧＡは、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、主電極表面２１の外側に位置している。主中間部分２３Ｇを形成するには、たとえば、主電極２を形成する際に、主電極２に対して、エッチング液を主電極表面２１に対し傾斜する方向に噴射するとよい。
【０２４２】
このような構成によっても、電子装置Ａ１０に関して述べた作用効果と同様の作用効果を奏する。
【０２４３】
＜第１実施形態の第２変形例＞
図２８を用いて、本発明の第１実施形態の第２変形例について説明する。
【０２４４】
図２８は、本発明の第１実施形態の第２変形例にかかる電子装置Ａ１２の底面図である。
【０２４５】
本変形例の電子装置Ａ１２は、ダミー電極５におけるダミー電極凹部５８の形状が、先述の電子装置Ａ１０とは異なる。
【０２４６】
本変形例においても、ダミー電極５には、ダミー電極凹部５８が形成されている。ダミー電極凹部５８はダミー電極裏面５２から凹んでいる。ダミー電極凹部５８の深さは、たとえば、電子素子１の厚さ方向Ｚにおけるダミー電極５の寸法の１／３〜２／３である。ダミー電極裏面５２におけるダミー電極凹部５８の開口面積は、たとえば、ダミー電極裏面５２の面積の１／３〜３／４である。本変形例では、ダミー電極凹部５８は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに開放している。そのため、ダミー電極凹部５８は、ダミー電極凹部５８の厚さ方向Ｚ視において、Ｌ字状を呈している。ダミー電極凹部５８についてのその他の説明は、電子装置Ａ１０におけるものを適用できるから、本変形例では省略する。
【０２４７】
このような構成によっても、電子装置Ａ１０に関して述べた作用効果と同様の作用効果を奏する。
【０２４８】
＜第２実施形態＞
図２９〜図３１を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。
【０２４９】
図２９は、本発明の第２実施形態の電子装置Ａ２０の平面図である。図３０は、図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う部分断面図である。図３１は、図３０における右側の領域の部分拡大図である。
【０２５０】
電子装置Ａ２０は、第１電子素子１Ａと、第２電子素子１Ｂと、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４と、ダミー電極５と、表面めっき層６１と、裏面めっき層６２と、接合層７１と、接合部７２と、複数のスペーサ７４と、複数のフィラー７５と、複数のワイヤ７９と、封止樹脂８とを備える。
【０２５１】
電子装置Ａ２０においては、第１電子素子１Ａと、第２電子素子１Ｂと、接合層７１と、接合部７２と、複数のスペーサ７４と、複数のフィラー７５と、複数のワイヤ７９とについて、先述の電子装置Ａ１０と異なる。よって、これら以外の主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４と、ダミー電極５と、表面めっき層６１と、裏面めっき層６２と、封止樹脂８とについての説明は、それぞれ電子装置Ａ１０におけるものを適用できるから、本実施形態では省略する。
【０２５２】
第１電子素子１Ａおよび第２電子素子１Ｂは、本実施形態においては半導体素子である。第１電子素子１Ａおよび第２電子素子１Ｂは、第１電子素子１Ａおよび第２電子素子１Ｂの厚さ方向Ｚ視において、矩形状を呈している。第１電子素子１Ａおよび第２電子素子１Ｂは、主電極２に配置されている。具体的には、第１電子素子１Ａおよび第２電子素子１Ｂは、主電極表面２１に配置されている。
【０２５３】
接合層７１は、第２電子素子１Ｂおよび主電極２の間に介在している。接合層７１は、第２電子素子１Ｂを主電極２に接合するためのものである。接合層７１は、第２電子素子１Ｂおよび表面めっき層６１に直接接している。接合層７１は、主電極表面２１のうち表面めっき層６１から露出した領域に接している。本実施形態においては、接合層７１は、導電性の材料よりなる。接合層７１は銀ペーストに由来する。接合層７１を構成する材料は、たとえばＡｇである。接合層７１は、厚さ方向Ｚ視において、第２電子素子１Ｂの外側にはみ出る部位を有する。
【０２５４】
接合部７２は、第１電子素子１Ａおよび主電極２の間に介在している。接合部７２は、第１電子素子１Ａを主電極２に接合するためのものである。接合部７２は、第１電子素子１Ａおよび表面めっき層６１に直接接している。接合部７２は、主電極表面２１のうち表面めっき層６１から露出した領域に接している。本実施形態においては、接合部７２は、絶縁性の材料よりなる。接合部７２は、厚さ方向Ｚ視において、第１電子素子１Ａの外側にはみ出る部位を有する。
【０２５５】
複数のスペーサ７４は、絶縁性であり、接合部７２に混在している。複数のスペーサ７４は各々、第１電子素子１Ａに直接接している。本実施形態においては、複数のスペーサ７４は各々、表面めっき層６１に直接接している。複数のスペーサ７４はいずれも、球形状である。複数のスペーサ７４の各々の直径は、たとえば、５〜１５μｍである。複数のスペーサ７４を構成する材料は、ジビニルベンゼンポリマーである。複数のスペーサ７４は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、散在している。複数のスペーサ７４の個数は、たとえば１０個以上である。
【０２５６】
複数のフィラー７５は、絶縁性であり、接合部７２に混在している。複数のフィラー７５の各々の体積は、複数のスペーサ７４の各々の体積よりも小さい。複数のフィラー７５はいずれも、球形状である。複数のフィラー７５の各々の直径は、１〜３μｍである。複数のフィラー７５を構成する材料は、たとえば、ＳｉＯ2や、有機材料や、有機材料と無
機材料との混合材料である。複数のフィラー７５は、第１電子素子１Ａの厚さ方向Ｚ視において、散在している。複数のフィラー７５の個数は、たとえば、１０個以上である。図３１に示すように、複数のフィラー７５のうちの一部のフィラー７５は、接合部７２から露出しており、かつ封止樹脂８に接している。
【０２５７】
複数のワイヤ７９は各々、第１電子素子１Ａあるいは第２電子素子１Ｂにボンディングされている。複数のワイヤ７９のうちのいずれかは、複数の第１副電極３のいずれか、あるいは、複数の第２副電極４のいずれかにボンディングされている。本実施形態においては、複数のワイヤ７９は各々、表面めっき層６１を介して、複数の第１副電極３のいずれか、あるいは、複数の第２副電極４のいずれかにボンディングされている。複数のワイヤ７９のうちのいずれかは、第１電子素子１Ａおよび第２電子素子１Ｂにボンディングされている。複数のワイヤ７９は、ダミー電極５にはボンディングされていない。
【０２５８】
図３２は、本発明の第２実施形態の電子装置の実装構造Ｂ２の右側面図である。
【０２５９】
電子装置Ａ２０は、電子装置の実装構造Ｂ２を構成している。電子装置の実装構造Ｂ２は、電子装置Ａ２０と、回路基板８０１と、ハンダ層８０２とを備える。ハンダ層８０２は、回路基板８０１および複数の第１副電極３の間と、回路基板８０１および複数の第２副電極４の間と、回路基板８０１およびダミー電極５の間とに介在している。本実施形態においては、ハンダ層８０２は、第１副電極凹部３８と、第２副電極凹部４８と、ダミー電極凹部５８とに充填されている。そしてハンダ層８０２は、裏面めっき層６２に接している。
【０２６０】
本実施形態によると、第１実施形態で述べた作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。
【０２６１】
本実施形態においては、絶縁性の複数のスペーサ７４が接合部７２に混在している。このような構成によると、複数のスペーサ７４は、第１電子素子１Ａおよび主電極２の離間距離を規定する。したがって、第１電子素子１Ａが主電極２に対して傾くことにより、第１電子素子１Ａが主電極２に接触することを防止できる。これにより、第１電子素子１Ａが主電極２と導通する不具合を防止できる。
【０２６２】
本実施形態においては、複数のフィラー７５のうちの一部のフィラー７５は、接合部７２から露出しており、かつ封止樹脂８に接している。このような構成によると、接合部７２の表面と複数のフィラー７５とによって、凹凸面を形成することができる。当該凹凸面は封止樹脂８に密着しやすい。したがって、電子装置Ａ２０の使用の際に、封止樹脂８や接合部７２が熱膨張および熱収縮を繰り返したとしても、封止樹脂８に亀裂が生じにくい。また、接合部７２からフィラー７５が露出する構成によると、接合部７２が外側に広がりにくい。よって、第２電子素子１Ｂを第１電子素子１Ａに対しより近接した位置に配置できる。したがって、電子装置Ａ２０の平面視（厚さ方向Ｚ視）の小型化を図ることが可能となる。
【０２６３】
本実施形態の構成を、第１実施形態の各変形例の構成と組み合わせてもよい。
【０２６４】
＜第２実施形態の第１変形例＞
図３３を用いて、本発明の第２実施形態の第１変形例について説明する。
【０２６５】
図３３は、本発明の第２実施形態の第１変形例にかかる電子装置Ａ２１の断面図である。
【０２６６】
本変形例の電子装置Ａ２１は、表面めっき層６１を備えていない点において、先述の電子装置Ａ２０とは異なる。本変形例では、複数のスペーサ７４は各々、主電極表面２１に直接接している。
【０２６７】
このような構成によっても、電子装置Ａ２０に関して述べた作用効果と同様の作用効果を奏する。
【０２６８】
本変形例の構成を、第１実施形態の各変形例の構成と組み合わせてもよい。
【０２６９】
＜第３実施形態＞
図３８〜図４３を用いて、本発明の第３実施形態について説明する。
【０２７０】
図３４は、本発明の第３実施形態の電子装置Ａ３０の底面図である。図３５は、電子装置Ａ３０の右側面図である。図３６は、電子装置Ａ３０の背面図である。図３７は、図３４のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ線に沿う部分断面図である。図３８は、図３４における左上の領域の部分拡大図である。図３９は、図３８の反対側にあたる電子装置Ａ３０の部分拡大平面図である。図４０は、図３９のＸＬ−ＸＬ線に沿う部分断面図である。図４１は、図３９のＸＬＩ−ＸＬＩ線に沿う部分断面図である。なお、図３９は、封止樹脂８を省略し、樹脂側面８５および樹脂角部８６は、それぞれ想像線（二点鎖線）により図示している。
【０２７１】
電子装置Ａ３０は、電子素子１と、主電極２と、複数の第１副電極３と、複数の第２副電極４と、ダミー電極５と、表面めっき層６１と、裏面めっき層６２と、接合層７１と、複数のワイヤ７９と、封止樹脂８とを備える。
【０２７２】
本実施形態の電子装置Ａ３０は、ダミー電極５の形状が、先述の電子装置Ａ１０および電子装置Ａ２０と異なる。よって、本実施形態ではダミー電極５に関連する事項について説明することとし、これ以外の事項についての説明は電子装置Ａ１０におけるものを適用できるから、本実施形態では省略する。
【０２７３】
ダミー電極５は、３つの追加ダミー電極５９を含めて、封止樹脂８の四隅にそれぞれ配置されている。ダミー電極５は各々、ダミー電極表面５１と、ダミー電極主裏面５２１と、ダミー電極副裏面５２２と、ダミー電極側面５３と、ダミー電極第１外方面５５１と、ダミー電極第２外方面５５２と、起立傾斜面５６とを有する。本実施形態においては、ダミー電極５は、複数の第１副電極３および複数の第２副電極４のいずれとも絶縁されている。
【０２７４】
図３４および図３８に示すように、ダミー電極主裏面５２１およびダミー電極副裏面５２２は、ともに封止樹脂８の樹脂裏面８２から露出している。本実施形態においては、ダミー電極副裏面５２２は、第１方向Ｘに沿って位置するダミー電極第１副裏面５２２Ａと、第２方向Ｙに沿って位置するダミー電極第２副裏面５２２Ｂとを含む。ダミー電極第１副裏面５２２Ａは、第２方向Ｙに延びる帯状に形成されている。ダミー電極第２副裏面５２２Ｂは、第１方向Ｘに延びる帯状に形成されている。また、本実施形態においては、樹脂裏面８２において、ダミー電極主裏面５２１およびダミー電極副裏面５２２は、互いに離間した状態で露出している。より具体的には、図３８に示すように、ダミー電極主裏面５２１とダミー電極第１副裏面５２２Ａは、第１方向Ｘにおいて互いに離間した状態で樹脂裏面８２から露出している。ダミー電極主裏面５２１とダミー電極第２副裏面５２２Ｂは、第２方向Ｙにおいて互いに離間した状態で樹脂裏面８２から露出している。図４０および図４１に示すように、ダミー電極主裏面５２１、ダミー電極第１副裏面５２２Ａおよびダミー電極第２副裏面５２２Ｂは、いずれも平たんである。
【０２７５】
図３７に示すように、ダミー電極５は、主電極２から主電極２の外方に延び出ている延出部２９の端部に連結されている。ダミー電極主裏面５２１およびダミー電極副裏面５２２は、延出部２９と同様に、リードフレームの厚さ方向Ｚにおいて下方半断面のみを部分的にエッチングした結果、残存した部分により形成される。このとき、図４０および図４１に示すように、第１方向Ｘ、または第２方向Ｙにおいて、ダミー電極主裏面５２１とダミー電極副裏面５２２との間に位置するダミー電極５の空洞部は、封止樹脂８が充填されている。
【０２７６】
ダミー電極表面５１は、ダミー電極主裏面５２１およびダミー電極副裏面５２２とは反対側を向いている。図３９に示すように、ダミー電極表面５１の形状は、電子装置Ａ１０のダミー電極表面５１と略同一である。また、図４０および図４１に示すように、ダミー電極表面５１は平たんである。ダミー電極表面５１は、全体にわたって、封止樹脂８に覆われている。
【０２７７】
図３５、図３８および図３９に示すように、ダミー電極第１外方面５５１は、第２方向Ｙを向いている。ダミー電極第１外方面５５１は、ダミー電極表面５１とダミー電極主裏面５２１とを、ならびにダミー電極表面５１とダミー電極第１副裏面５２２Ａとをつないでいる。ダミー電極第１外方面５５１は、封止樹脂８の樹脂側面８５から露出している。
【０２７８】
図３６、図３８および図３９に示すように、ダミー電極第２外方面５５２は、第１方向Ｘを向いている。ダミー電極第２外方面５５２は、ダミー電極表面５１とダミー電極主裏面５２１とを、ならびにダミー電極表面５１とダミー電極第２副裏面５２２Ｂとをつないでいる。ダミー電極第２外方面５５２は、封止樹脂８の樹脂側面８５から露出している。
【０２７９】
図３７および図３８に示すように、起立傾斜面５６は、ダミー電極主裏面５２１から起立し、ダミー電極第１外方面５５１とダミー電極第２外方面５５２とに対し傾斜している。起立傾斜面５６は、ダミー電極第１外方面５５１およびダミー電極第２外方面５５２につながっている。起立傾斜面５６は、電子素子１の厚さ方向Ｚ視において、封止樹脂８の外方を向いている。前記外方には、起立傾斜面５６を覆う封止樹脂８の樹脂角部８６が形成されている。樹脂角部８６の形状は、電子装置Ａ１０の樹脂角部８６と略同一である。
【０２８０】
図４０および図４１に示すように、ダミー電極側面５３は、ダミー電極表面５１とダミー電極第１副裏面５２２Ａとを、またはダミー電極表面５１とダミー電極第２副裏面５２２Ｂとをつないでいる。ダミー電極側面５３は、全体にわたって、封止樹脂８に覆われている。ダミー電極側面５３は、ダミー上方部分５３Ａおよびダミー下方部分５３Ｂを含む。ダミー上方部分５３Ａおよびダミー下方部分５３Ｂは、電子装置Ａ１０のダミー上方部分５３Ａおよびダミー下方部分５３Ｂと同様につき、ここでの説明は省略する。
【０２８１】
図４０および図４１に示すように、裏面めっき層６２は、ダミー電極主裏面５２１およびダミー電極副裏面５２２に形成された部位を有する。裏面めっき層６２は、たとえばＳｎよりなる。このとき、第１方向Ｘ、または第２方向Ｙにおいて、ダミー電極主裏面５２１とダミー電極副裏面５２２との間に位置するダミー電極５の空洞部の内面にも、裏面めっき層６２が形成された部位を有する。なお、図４０および図４１以外では、裏面めっき層６２の図示を省略している。
【０２８２】
図４２は、本発明の第３実施形態の電子装置の実装構造Ｂ３の右側面図である。図４３は、電子装置の実装構造Ｂ３の部分断面図である。図４３は、図４０に対応している。
【０２８３】
電子装置Ａ３０は、電子装置の実装構造Ｂ３を構成している。電子装置の実装構造Ｂ３は、電子装置Ａ３０と、回路基板８０１と、ハンダ層８０２とを備える。ハンダ層８０２は、回路基板８０１および複数の第１副電極３の間と、回路基板８０１および複数の第２副電極４の間と、回路基板８０１およびダミー電極５の間とに介在している。本実施形態においては、ハンダ層８０２は、ダミー電極主裏面５２１およびダミー電極副裏面５２２と回路基板８０１との間に介在している。このとき、図４３に示すように、第２方向Ｙにおいて、ダミー電極主裏面５２１とダミー電極第２副裏面５２２Ｂとの間に位置する封止樹脂８の樹脂裏面８２に、ハンダ層８０２は付着されない。同様に第１方向Ｘにおいて、ダミー電極主裏面５２１とダミー電極第２副裏面５２２Ｂとの間に位置する樹脂裏面８２に、ハンダ層８０２は付着されない（図示略）。なお、本実施形態においても電子装置Ａ１０と同様に、ハンダ層８０２は、第１副電極凹部３８および第２副電極凹部４８のそれぞれに充填されている。そしてハンダ層８０２は、裏面めっき層６２に接している。
【０２８４】
本実施形態によると、第１実施形態で述べた作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。
【０２８５】
本実施形態においては、封止樹脂８の樹脂裏面８２において、ダミー電極主裏面５２１およびダミー電極副裏面５２２は、互いに離間した状態で露出している。ここで、発明者らは、電子装置Ａ３０の使用時における温度サイクルに伴ってハンダ層８０２に発生する熱応力は、封止樹脂８の四隅に位置するダミー電極５と回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２に最も集中することを解明した。本実施形態においては、前記四隅の最外縁にダミー電極主裏面５２１が位置している。ダミー電極主裏面５２１に隣接して、ダミー電極第１副裏面５２２Ａが第１方向Ｘに沿って、ダミー電極第２副裏面５２２Ｂが第２方向Ｙに沿って、それぞれ位置している。このような構成によると、ダミー電極第１副裏面５２２Ａ、またはダミー電極第２副裏面５２２Ｂと回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２に発生する熱応力は、電子装置Ａ１０のダミー電極裏面５２と回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２に発生する熱応力よりも小さくなる。よって、仮にダミー電極主裏面５２１と回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２に亀裂が発生しても、ダミー電極第１副裏面５２２Ａ、またはダミー電極第２副裏面５２２Ｂと回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２によって該亀裂の進展を抑止することができる。したがって、各々の第１副電極３、または各々の第２副電極４と回路基板８０１との間に介在しているハンダ層８０２に亀裂が生じることを、より効果的に防止することができる。
【０２８６】
本実施形態の構成を、第１実施形態、または第２実施形態の各変形例の構成と組み合わせてもよい。
【０２８７】
＜第３実施形態の第１変形例＞
図４４〜図４８を用いて、本発明の第３実施形態の第１変形例について説明する。
【０２８８】
図４４は、本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置Ａ３１の底面図である。図４５は、図４４における左上の領域の部分拡大図である。図４６は、図４５の反対側にあたる電子装置Ａ３１の部分拡大平面図である。図４７は、図４６のＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩ線に沿う部分断面図である。なお、図４６は、封止樹脂８を省略し、樹脂側面８５および樹脂角部８６は、それぞれ想像線（二点鎖線）により図示している。
【０２８９】
本変形例の電子装置Ａ３１は、独立ダミー電極５４をさらに備えている点において、先述の電子装置Ａ３０と異なる。
【０２９０】
図４４、図４５および図４６に示す独立ダミー電極５４は、ダミー電極５に連結されていない。また、独立ダミー電極５４は、複数の第１副電極３、複数の第２副電極４および追加ダミー電極５９を含むダミー電極５のいずれとも絶縁されている。本変形例においては、独立ダミー電極５４は、第１方向Ｘに沿って配置され、かつ複数の第１副電極３とダミー電極５との間に位置する第１独立ダミー電極５４９Ａと、第２方向Ｙに沿って配置され、かつ複数の第２副電極４とダミー電極５との間に位置する第２独立ダミー電極５４９Ｂとを含む。独立ダミー電極５４は、導電性の材料よりなる。独立ダミー電極５４は、たとえばＣｕからなる金属板に対してエッチングなどのパターニングが施されることによって形成される。
【０２９１】
図４４に示すように、本変形例においてのみ、封止樹脂８の四隅のうちの１つに配置されているダミー電極５以外の３つの追加ダミー電極５９は、ダミー電極５、第１独立ダミー電極５４９Ａおよび第２独立ダミー電極５４９Ｂから構成される集合体を指すものとする。
【０２９２】
本変形例においては、第１独立ダミー電極５４９Ａおよび第１副電極３の形状と、第２独立ダミー電極５４９Ｂおよび第２副電極４の形状とが、それぞれ同一である。なお、独立ダミー電極５４の形状は、本変形例以外のいかなる形状をもとることができる。図４７に示すように、独立ダミー電極５４は各々、独立ダミー電極表面５４１と、独立ダミー電極裏面５４２と、独立ダミー電極側面５４３と、独立ダミー電極外方面５４５とを有する。
【０２９３】
独立ダミー電極表面５４１は、厚さ方向Ｚの一方を向いている。本変形例においては、独立ダミー電極表面５４１は、第１副電極３の第１副電極表面３１、または第２副電極４の第２副電極表面４１に相当する部分である。独立ダミー電極表面５４１は、平たんである。独立ダミー電極表面５４１は、全体にわたって、封止樹脂８に覆われている。
【０２９４】
独立ダミー電極裏面５４２は、厚さ方向Ｚの他方を向いている。本変形例においては、独立ダミー電極裏面５４２は、第１副電極３の第１副電極裏面３２、または第２副電極４の第２副電極裏面４２に相当する部分である。独立ダミー電極裏面５４２は、独立ダミー電極表面５４１とは反対側を向いている。独立ダミー電極裏面５４２は、平たんである。独立ダミー電極裏面５４２は、封止樹脂８の樹脂裏面８２から露出している。
【０２９５】
独立ダミー電極外方面５４５は、第１方向Ｘ、または第２方向Ｙを向いている。本変形例においては、独立ダミー電極外方面５４５は、第１副電極３の第１副電極外方面３５、または第２副電極４の第２副電極外方面４５に相当する部分である。また、本変形例においては、独立ダミー電極外方面５４５は、封止樹脂８の樹脂側面８５から露出している。したがって、第１独立ダミー電極５４９Ａおよび第２独立ダミー電極５４９Ｂは、ともに樹脂側面８５から露出している。
【０２９６】
独立ダミー電極側面５４３は、独立ダミー電極表面５４１と独立ダミー電極裏面５４２とをつないでいる。本変形例においては、独立ダミー電極側面５４３は、第１副電極３の第１副電極側面３３、または第２副電極４の第２副電極側面４３に相当する部分である。独立ダミー電極側面５４３は、独立ダミー電極裏面５４２から起立している。第２副電極側面４３は、封止樹脂８に覆われている。図４５および図４６に示すように、ダミー電極側面５３は、独立ダミー電極外方面５４５の端部５４５Ａと、独立ダミー電極外方面５４５の端部５４５Ｂとをつないでいる。独立ダミー電極側面５４３は、独立ダミー上方部分５４３Ａおよび独立ダミー下方部分５４３Ｂを含む。独立ダミー上方部分５４３Ａおよび独立ダミー下方部分５４３Ｂは、第１副電極３の第１副上方部分３３Ａおよび第１副下方部分３３Ｂ、または第２副電極４の第２副上方部分４３Ａおよび第２副下方部分４３Ｂと同様につき、ここでの説明は省略する。
【０２９７】
独立ダミー電極５４の各々には、独立ダミー電極凹部５４８が形成されている。本変形例においては、独立ダミー電極凹部５４８は、第１副電極３の第１副電極凹部３８、または第２副電極４の第２副電極凹部４８に相当する部分である。独立ダミー電極凹部５４８は、独立ダミー電極裏面５４２から凹んでいる。独立ダミー電極凹部５４８の開口の輪郭は、独立ダミー電極裏面５４２の外縁に収まる形状である。本変形例においては、独立ダミー電極凹部５４８の開口の輪郭は、矩形状である。本変形例とは異なり、独立ダミー電極凹部５４８の開口の輪郭は、円形状や多角形状やその他の形状であってもよい。
【０２９８】
独立ダミー電極凹部５４８の内側面５４８Ａは、独立ダミー電極裏面５４２につながる先端部位５４８Ｂを有する。独立ダミー電極凹部５４８の内側面５４８Ａにおける先端部位５４８Ｂは、独立ダミー電極裏面５４２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。これにより、独立ダミー電極凹部５４８は、開口が萎む形状となっている。
【０２９９】
図４７に示すように、裏面めっき層６２は、独立ダミー電極裏面５４２に形成された部位を有する。裏面めっき層６２は、たとえばＳｎよりなる。本変形例においてはさらに、裏面めっき層６２は、独立ダミー電極凹部５４８における内側面５４８Ａに形成されている。なお、図４７以外では、裏面めっき層６２の図示を省略している。
【０３００】
図４６に示すように、本変形例においては、複数のワイヤ７９は、第１独立ダミー電極５４９Ａおよび第２独立ダミー電極５４９Ｂには、ともにボンディングされていない。
【０３０１】
図４８は、本発明の第３実施形態の第１変形例にかかる電子装置の実装構造Ｂ３１の部分断面図である。図４８は、図４７に対応している。
【０３０２】
電子装置Ａ３１は、電子装置の実装構造Ｂ３１を構成している。電子装置の実装構造Ｂ３１は、電子装置Ａ３１と、回路基板８０１と、ハンダ層８０２とを備える。ハンダ層８０２は、回路基板８０１および複数の第１副電極３の間と、回路基板８０１および複数の第２副電極４の間と、回路基板８０１およびダミー電極５の間と、回路基板８０１と独立ダミー電極５４との間とに介在している。本変形例においては、ハンダ層８０２は、第１副電極凹部３８と、第２副電極凹部４８と、独立ダミー電極凹部５４８とに充填されている。そしてハンダ層８０２は、裏面めっき層６２に接している。
【０３０３】
本変形例によると、第３実施形態で述べた作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。
【０３０４】
本変形例においては、ダミー電極５に連結されていない独立ダミー電極５４をさらに備えている。独立ダミー電極５４は、電子装置Ａ３１の封止樹脂８の四隅において、ダミー電極５と複数の第１副電極３、または複数の第２副電極４との間に配置されている。よって、複数の第１副電極３は、第１方向Ｘにおいて両側から第１独立ダミー電極５４９Ａに挟まれた状態で配列されている。同様に、複数の第２副電極４は、第２方向Ｙにおいて両側から第２独立ダミー電極５４９Ｂに挟まれた状態で配列されている。このような構成によると、独立ダミー電極５４により、各々の第１副電極３、または各々の第２副電極４と回路基板８０１との間に介在するハンダ層８０２に発生する熱応力を、より減少することができる。したがって、各々の第１副電極３と回路基板８０１との間に介在しているハンダ層８０２や、各々の第２副電極４と回路基板８０１との間に介在しているハンダ層８０２における亀裂防止効果が、電子装置Ａ３０よりもさらに大きくなる。
【０３０５】
本変形例においては、独立ダミー電極５４には、独立ダミー電極裏面５４２から凹む独立ダミー電極凹部５４８が形成されている。このような構成によると、独立ダミー電極凹部５４８内にハンダ層８０２を充填させることにより、独立ダミー電極５４がハンダ層８０２から剥離することを防止できる。
【０３０６】
本変形例においては、独立ダミー電極凹部５４８の内側面５４８Ａは、独立ダミー電極裏面５４２につながる先端部位５４８Ｂを有する。独立ダミー電極凹部５４８の内側面５４８Ａにおける先端部位５４８Ｂは、独立ダミー電極裏面５４２から離れるほど電子素子１の厚さ方向Ｚに直交する平面による断面の面積が徐々に大きくなるように、電子素子１の厚さ方向Ｚに対し傾斜している。このような構成によると、ハンダ層８０２が独立ダミー電極凹部５４８から抜けにくい。よって、独立ダミー電極５４がハンダ層８０２から剥離することをより効果的に防止できる。
【０３０７】
本変形例の構成を、第１実施形態、または第２実施形態の各変形例の構成と組み合わせてもよい。
【０３０８】
本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。先述の実施形態および変形例の構成は互いに組み合わせ可能である。
【０３０９】
本発明の構成およびそのバリエーションを、以下に付記として列挙する。
【０３１０】
〔付記１Ａ〕
電子素子と、
前記電子素子が配置された主電極と、
前記電子素子および前記主電極を覆う封止樹脂と、を備え、
前記主電極は、前記電子素子が配置された主電極表面と、前記主電極表面とは反対側を向く主電極裏面と、を有し、
前記主電極裏面は、前記封止樹脂から露出しており、
前記主電極裏面は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側にはみ出る部位を有する、電子装置。
〔付記２Ａ〕
前記主電極裏面は、前記主電極の全周にわたって、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側にはみ出ている、付記１Ａに記載の電子装置。
〔付記３Ａ〕
前記主電極は、前記主電極表面および前記主電極裏面をつなぐ主電極側面を有し、
前記主電極側面は、前記主電極の中心に向かって凹む部分を有する、付記１Ａまたは２Ａに記載の電子装置。
〔付記４Ａ〕
前記凹む部分の前記主電極裏面側の端部は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側に位置している、付記３Ａに記載の電子装置。
〔付記５Ａ〕
前記凹む部分は、前記厚さ方向視において、前記主電極表面の端よりも前記主電極の中心側に位置する部位を有する、付記３Ａまたは４Ａに記載の電子装置。
〔付記６Ａ〕
前記凹む部分は、前記主電極の全周にわたって形成されている、付記３Ａないし５Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記７Ａ〕
前記主電極側面の表面粗さの値は、前記主電極裏面の表面粗さの値よりも、大きい、付記３Ａに記載の電子装置。
〔付記８Ａ〕
前記主電極側面の単位領域当たりの表面積は、前記主電極裏面の単位領域当たりの表面積の１．５〜２．５倍である、付記７Ａに記載の電子装置。
〔付記９Ａ〕
前記主電極側面は、主上方部分および主下方部分を含み、
前記主上方部分は、前記厚さ方向において前記主下方部分よりも前記主電極表面側に位置している、付記３Ａないし８Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１０Ａ〕
前記封止樹脂には、前記厚さ方向に沿う亀裂が形成されており、
前記主電極裏面側の前記亀裂の端よりも、前記主電極裏面側には前記主電極側面が位置しており、かつ前記主電極裏面側の前記亀裂の端は、前記主電極側面に接している、付記３Ａないし９Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１１Ａ〕
前記亀裂は、前記主電極表面の端を起点として延びている、付記１０Ａに記載の電子装置。
〔付記１２Ａ〕
前記主上方部分は、前記主電極の中心に向かって凹む凹状である、付記９Ａに記載の電子装置。
〔付記１３Ａ〕
前記主上方部分の前記主電極裏面側の端部は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側に位置している、付記１２Ａに記載の電子装置。
〔付記１４Ａ〕
前記主下方部分は、前記主電極裏面と鋭角をなすように、前記厚さ方向に対して傾斜している、付記１２Ａまたは１３Ａに記載の電子装置。
〔付記１５Ａ〕
前記厚さ方向における前記主下方部分の寸法は、前記厚さ方向における前記主上方部分の寸法よりも、小さい、付記１２Ａないし１４Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１６Ａ〕
前記主電極側面は、主中間部分を含み、
前記主中間部分は、前記厚さ方向において、前記主上方部分および前記主下方部分の間に位置しており、
前記主中間部分は、前記主電極の中心に向かって凹む凹状である、付記９Ａに記載の電子装置。
〔付記１７Ａ〕
前記主中間部分の前記主電極裏面側の端部は、前記電子素子の厚さ方向視において、前記主電極表面の外側に位置している、付記１６Ａに記載の電子装置。
〔付記１８Ａ〕
前記主上方部分は、前記主電極表面と鋭角をなすように、前記厚さ方向に対して傾斜しており、
前記主下方部分は、前記主電極裏面と鋭角をなすように、前記厚さ方向に対して傾斜している、付記１６Ａまたは１７Ａに記載の電子装置。
〔付記１９Ａ〕
前記主電極裏面は、平たんである、付記１Ａないし１８Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記２０Ａ〕
前記主電極表面の面積に対する、前記厚さ方向視における前記電子素子の占める面積は、８０％以上である、付記１Ａないし１９Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記２１Ａ〕
前記厚さ方向視において、前記主電極から前記主電極の外方に延び出る延出部をさらに備え、
前記延出部の厚さは、前記主電極よりも薄い、付記１Ａないし２０Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記２２Ａ〕
前記主電極から前記延出部を見た場合、前記延出部は、全周にわたって前記封止樹脂に囲まれている、付記２１Ａに記載の電子装置。
〔付記２３Ａ〕
裏面めっき層をさらに備え、
前記裏面めっき層は、前記主電極裏面に形成された部位を有する、付記１Ａないし２２Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記２４Ａ〕
前記裏面めっき層は、Ｓｎよりなる、付記２３Ａに記載の電子装置。
〔付記２５Ａ〕
表面めっき層をさらに備え、
前記表面めっき層は、前記主電極表面に形成された部位を有する、付記１Ａないし２４Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記２６Ａ〕
前記表面めっき層は、Ａｇよりなる、付記２５Ａに記載の電子装置。
〔付記２７Ａ〕
第１方向に沿って配列された複数の第１副電極と、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列された複数の第２副電極と、をさらに備える、付記１Ａに記載の電子装置。
〔付記２８Ａ〕
前記封止樹脂は、樹脂側面を有し、
前記複数の第１副電極は各々、前記樹脂側面から露出しており、前記第２方向を向く第１副電極外方面を有し、
前記第１副電極外方面は、前記樹脂側面のうち前記第２方向を向く部位と面一である、付記２７Ａに記載の電子装置。
〔付記２９Ａ〕
前記第１副電極外方面には、線状痕が形成されている、付記２８Ａに記載の電子装置。
〔付記３０Ａ〕
前記複数の第１副電極は各々、前記封止樹脂から露出している第１副電極裏面を有する、付記２８Ａに記載の電子装置。
〔付記３１Ａ〕
前記第１副電極裏面は、平たんである、付記３０Ａに記載の電子装置。
〔付記３２Ａ〕
前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面から起立する第１副電極側面を有し、
前記第１副電極側面は、前記封止樹脂に覆われており、
前記第１副電極側面は、前記第１方向における前記第１副電極外方面の端部と、前記第１方向とは反対側における前記第１副電極外方面の端部と、をつないでいる、付記３０Ａまたは３１Ａに記載の電子装置。
〔付記３３Ａ〕
前記第１副電極側面は、副上方部分および副下方部分を有し、
前記第１副電極側面における前記副上方部分、および、前記第１副電極側面における前記副下方部分はいずれも、前記第１副電極の中心に向かって凹む凹状である、付記３２Ａに記載の電子装置。
〔付記３４Ａ〕
前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面とは反対側を向く第１副電極表面を有し、
前記第１副電極表面は、前記封止樹脂に覆われている、付記３０Ａないし３３Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記３５Ａ〕
複数のワイヤをさらに備え、
前記複数のワイヤは各々、前記電子素子にボンディングされており、
前記複数のワイヤは各々、前記複数の第１副電極のいずれか、あるいは、前記複数の第２副電極のいずれかにボンディングされている、付記２７Ａに記載の電子装置。
〔付記３６Ａ〕
前記電子素子および前記主電極の間に介在する接合層をさらに備える、付記１Ａないし３５Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記３７Ａ〕
前記接合層は、導電性の材料よりなる、付記３６Ａに記載の電子装置。
〔付記３８Ａ〕
前記接合層を構成する材料は、Ａｇである、付記３７Ａに記載の電子装置。
〔付記３９Ａ〕
前記接合層は、前記厚さ方向視において、前記電子素子の外側にはみ出る部位を有する、付記３６Ａないし３８Ａのいずれかに記載の電子装置。
〔付記４０Ａ〕
付記２７Ａに記載の電子装置と、
回路基板と、
前記回路基板および前記複数の第１副電極の間と、前記回路基板および前記複数の第２副電極の間と、に介在しているハンダ層と、を備える、電子装置の実装構造。
【０３１１】
〔付記１Ｂ〕
電子素子と、
前記電子素子が配置された主電極と、
前記電子素子および前記主電極の間に介在する絶縁性の接合部と、
前記接合部に混在している、絶縁性の複数のスペーサと、
前記電子素子および前記主電極を覆う封止樹脂と、を備える、電子装置。
〔付記２Ｂ〕
前記複数のスペーサは各々、前記電子素子に直接接している、付記１Ｂに記載の電子装置。
〔付記３Ｂ〕
前記複数のスペーサは各々、前記主電極に直接接している、付記１Ｂまたは２Ｂに記載の電子装置。
〔付記４Ｂ〕
表面めっき層をさらに備え、
前記表面めっき層は、前記主電極に形成された部位を有しており、
前記複数のスペーサは各々、前記表面めっき層に直接接している、付記１Ｂまたは２Ｂに記載の電子装置。
〔付記５Ｂ〕
前記複数のスペーサはいずれも、球形状である、付記１Ｂないし４Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記６Ｂ〕
前記複数のスペーサの各々の直径は、５〜１５μｍである、付記５Ｂに記載の電子装置。
〔付記７Ｂ〕
前記複数のスペーサを構成する材料は、ジビニルベンゼンポリマーである、付記１Ｂないし６Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記８Ｂ〕
前記複数のスペーサは、前記電子素子の厚さ方向視において、散在している、付記１Ｂないし７Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記９Ｂ〕
前記複数のスペーサの個数は、１０個以上である、付記１Ｂないし８Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１０Ｂ〕
前記接合部に混在している、絶縁性の複数のフィラーをさらに備える、付記１Ｂないし９Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１１Ｂ〕
前記複数のフィラーの各々の体積は、前記複数のスペーサの各々の体積よりも小さい、付記１０Ｂに記載の電子装置。
〔付記１２Ｂ〕
前記複数のフィラーはいずれも、球形状である、付記１１Ｂに記載の電子装置。
〔付記１３Ｂ〕
前記複数のフィラーの各々の直径は、１〜３μｍである、付記１２Ｂに記載の電子装置。
〔付記１４Ｂ〕
前記複数のフィラーを構成する材料は、ＳｉＯ2、有機材料、あるいは、有機材料と無
機材料との混合材料である、付記１０Ｂないし１３Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１５Ｂ〕
前記複数のフィラーは、前記電子素子の厚さ方向視において、散在している、付記１０Ｂないし１４Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１６Ｂ〕
前記複数のフィラーの個数は、１０個以上である、付記１０Ｂないし１５Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１７Ｂ〕
前記複数のフィラーのうちの一部のフィラーは、前記接合部から露出しており、かつ前記封止樹脂に接している、付記１０Ｂないし１６Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記１８Ｂ〕
前記主電極は、前記電子素子が配置された主電極表面と、前記主電極表面とは反対側を向く主電極裏面と、を有し、
前記主電極裏面は、前記封止樹脂から露出している、付記１Ｂに記載の電子装置。
〔付記１９Ｂ〕
前記電子素子を第１電子素子とし、
第２電子素子をさらに備え、
前記第２電子素子は、前記主電極に配置されている、付記１Ｂないし１８Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記２０Ｂ〕
前記第２電子素子および前記主電極の間に介在する接合層をさらに備える、付記１９Ｂに記載の電子装置。
〔付記２１Ｂ〕
前記接合層は、導電性の材料よりなる、付記２０Ｂに記載の電子装置。
〔付記２２Ｂ〕
前記接合層を構成する材料は、Ａｇである、付記２１Ｂに記載の電子装置。
〔付記２３Ｂ〕
第１方向に沿って配列された複数の第１副電極と、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列された複数の第２副電極と、をさらに備える、付記１９Ｂないし２２Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記２４Ｂ〕
前記封止樹脂は、樹脂側面を有し、
前記複数の第１副電極は各々、前記樹脂側面から露出しており、前記第２方向を向く第１副電極外方面を有し、
前記第１副電極外方面は、前記樹脂側面のうち前記第２方向を向く部位と面一である、付記２３Ｂに記載の電子装置。
〔付記２５Ｂ〕
前記第１副電極外方面には、線状痕が形成されている、付記２４Ｂに記載の電子装置。
〔付記２６Ｂ〕
前記複数の第１副電極は各々、前記封止樹脂から露出している第１副電極裏面を有する、付記２４Ｂに記載の電子装置。
〔付記２７Ｂ〕
前記第１副電極裏面は、平たんである、付記２６Ｂに記載の電子装置。
〔付記２８Ｂ〕
前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面から起立する第１副電極側面を有し、
前記第１副電極側面は、前記封止樹脂に覆われており、
前記第１副電極側面は、前記第１方向における前記第１副電極外方面の端部と、前記第１方向とは反対側における前記第１副電極外方面の端部と、をつないでいる、付記２６Ｂまたは２７Ｂに記載の電子装置。
〔付記２９Ｂ〕
前記第１副電極側面は、副上方部分および副下方部分を有し、
前記第１副電極側面における前記副上方部分、および、前記第１副電極側面における前記副下方部分はいずれも、前記第１副電極の中心に向かって凹む凹状である、付記２８Ｂに記載の電子装置。
〔付記３０Ｂ〕
前記複数の第１副電極は各々、前記第１副電極裏面とは反対側を向く第１副電極表面を有し、
前記第１副電極表面は、前記封止樹脂に覆われている、付記２６Ｂないし２９Ｂのいずれかに記載の電子装置。
〔付記３１Ｂ〕
複数のワイヤをさらに備え、
前記複数のワイヤのいずれかは、前記第１電子素子あるいは前記第２電子素子にボンディングされており、
前記複数のワイヤのいずれかは、前記複数の第１副電極のいずれか、あるいは、前記複数の第２副電極のいずれかにボンディングされている、付記２３Ｂに記載の電子装置。
〔付記３２Ｂ〕
付記２３Ｂに記載の電子装置と、
回路基板と、
前記回路基板および前記複数の第１副電極の間と、前記回路基板および前記複数の第２副電極の間と、に介在しているハンダ層と、を備える、電子装置の実装構造。
【符号の説明】
【０３１２】
１：電子素子
１Ａ：第１電子素子
１Ｂ：第２電子素子
２：主電極
２１：主電極表面
２２：主電極裏面
２３：主電極側面
２３１：凹む部分
２３１Ａ：端部
２３１Ｂ：部位
２３Ａ：主上方部分
２３ＡＡ：端部
２３Ｂ：主下方部分
２３Ｅ：主上方部分
２３Ｆ：主下方部分
２３Ｇ：主中間部分
２３ＧＡ：端部
２９：延出部
３：第１副電極
３１：第１副電極表面
３２：第１副電極裏面
３３：第１副電極側面
３３Ａ：第１副上方部分
３３Ｂ：第１副下方部分
３５：第１副電極外方面
３５９：線状痕
３５Ａ，３５Ｂ：端部
３８：第１副電極凹部
３８１：内側面
３８１Ａ：先端部位
４：第２副電極
４１：第２副電極表面
４２：第２副電極裏面
４３：第２副電極側面
４３Ａ：第２副上方部分
４３Ｂ：第２副下方部分
４５：第２副電極外方面
４５９：線状痕
４５Ａ，４５Ｂ：端部
４８：第２副電極凹部
４８１：内側面
４８１Ａ：先端部位
５：ダミー電極
５１：ダミー電極表面
５２：ダミー電極裏面
５２１：ダミー電極主裏面
５２２：ダミー電極副裏面
５２２Ａ：ダミー電極第１副裏面
５２２Ｂ：ダミー電極第２副裏面
５３：ダミー電極側面
５３Ａ：ダミー上方部分
５３Ｂ：ダミー下方部分
５４：独立ダミー電極
５４１：独立ダミー電極表面
５４２：独立ダミー電極裏面
５４３：独立ダミー電極側面
５４３Ａ：独立ダミー上方部分
５４３Ｂ：独立ダミー下方部分
５４５：独立ダミー電極外方面
５４５Ａ，５４５Ｂ：端部
５４８：独立ダミー電極凹部
５４８Ａ：内側面
５４８Ｂ：先端部位
５４９Ａ：第１独立ダミー電極
５４９Ｂ：第２独立ダミー電極
５５１：ダミー電極第１外方面
５５２：ダミー電極第２外方面
５５９：線状痕
５６：起立傾斜面
５８：ダミー電極凹部
５８１：内側面
５８１Ａ：先端部位
５９：追加ダミー電極
６１：表面めっき層
６２：裏面めっき層
７１：接合層
７２：接合部
７４：スペーサ
７５：フィラー
７９：ワイヤ
８：封止樹脂
８０１：回路基板
８０２：ハンダ層
８１：樹脂表面
８２：樹脂裏面
８５：樹脂側面
８５９：線状痕
８６：樹脂角部
８６１：第１側面
８６２：第２側面
８６５：角縁
８９：亀裂
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０，Ａ２１，Ａ３０，Ａ３１：電子装置
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ３１：電子装置の実装構造
Ｘ：第１方向
Ｙ：第２方向
Ｚ：厚さ方向
【図１】
0006483498.tif 000002
【図２】
0006483498.tif 000003
【図３】
0006483498.tif 000004
【図４】
0006483498.tif 000005
【図５】
0006483498.tif 000006
【図６】
0006483498.tif 000007
【図７】
0006483498.tif 000008
【図８】
0006483498.tif 000009
【図９】
0006483498.tif 000010
【図１０】
0006483498.tif 000011
【図１１】
0006483498.tif 000012
【図１２】
0006483498.tif 000013
【図１３】
0006483498.tif 000014
【図１４】
0006483498.tif 000015
【図１５】
0006483498.tif 000016
【図１６】
0006483498.tif 000017
【図１７】
0006483498.tif 000018
【図１８】
0006483498.tif 000019
【図１９】
0006483498.tif 000020
【図２０】
0006483498.tif 000021
【図２１】
0006483498.tif 000022
【図２２】
0006483498.tif 000023
【図２３】
0006483498.tif 000024
【図２４】
0006483498.tif 000025
【図２５】
0006483498.tif 000026
【図２６】
0006483498.tif 000027
【図２７】
0006483498.tif 000028
【図２８】
0006483498.tif 000029
【図２９】
0006483498.tif 000030
【図３０】
0006483498.tif 000031
【図３１】
0006483498.tif 000032
【図３２】
0006483498.tif 000033
【図３３】
0006483498.tif 000034
【図３４】
0006483498.tif 000035
【図３５】
0006483498.tif 000036
【図３６】
0006483498.tif 000037
【図３７】
0006483498.tif 000038
【図３８】
0006483498.tif 000039
【図３９】
0006483498.tif 000040
【図４０】
0006483498.tif 000041
【図４１】
0006483498.tif 000042
【図４２】
0006483498.tif 000043
【図４３】
0006483498.tif 000044
【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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