(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻芯部と、
前記巻芯部の外周に形成してある一次コイルおよび二次コイルから成るコイル部とを有するパルストランスであって、
前記一次コイルは、第１ワイヤと第２ワイヤとを有し、
前記二次コイルは、第３ワイヤと第４ワイヤとを有し、
前記第１ワイヤと前記第３ワイヤとをバイファイラ巻きして成る第１組層と、前記第２ワイヤと前記第４ワイヤとをバイファイラ巻きして成る第２組層とが、前記巻芯部の外周で一部重なる重複領域と、重ならない非重複領域とを有し、
前記重複領域の上側の層には、前記第１組層または前記第２組層のいずれか一方が巻回してあり、
前記上側の層に位置する前記第１組層または前記第２組層は、前記非重複領域において、下側の層に移行してあるパルストランス。
【請求項２】
前記巻芯部の軸芯に沿っての前記第１組層と前記第２組層とを含む巻線全長をＬ１とし、前記重複領域の前記軸芯に沿っての重複長さをＬ２とした場合に、Ｌ２／Ｌ１は０．８以下である請求項１に記載のパルストランス。
【請求項３】
前記Ｌ２／Ｌ１が、０．１〜０．８である請求項２に記載のパルストランス。
【請求項４】
前記巻芯部の軸芯に沿っての前記重複領域の長さは、前記第１ワイヤの線径と前記第３ワイヤの線径を足した長さ以上、または前記第２ワイヤの線径と前記第４ワイヤの線径を足した長さ以上である請求項１または２に記載のパルストランス。
【請求項５】
前記重複領域は、前記巻芯部の軸芯に沿っての前記第１組層と前記第２組層とを含む巻線全長の略中心部分に位置する請求項２〜４のいずれかに記載のパルストランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばＬＡＮケーブルなどを通じてパルス信号を伝送するための用途などに用いられるパルストランスに関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコンなどの機器をＬＡＮや電話網などのネットワークに接続する場合、ケーブルを通して侵入するＥＳＤ(ElectroStatic Discharge，静電放電)や高電圧から機器を守る必要がある。そこで、ケーブルと機器の接続点を構成するコネクタにはパルストランスが用いられる。
【０００３】
従来用いられているパルストランスはドーナツ型の磁心（トロイダルコア）に一次コイルと二次コイルを巻回して作られており、一次コイルに印加される電圧のうち交流成分（パルス）のみを二次コイルに伝えるという性質を有する。直流成分は二次コイルに伝わらないため、パルストランスはＥＳＤや高電圧を遮断することができる。
【０００４】
近年ではパルストランスにも小型化・表面実装化が求められており、そのために上記トロイダルコアに代えてドラム型コアを用いる例が登場している。そのようなパルストランスを表面実装型パルストランスといい、特許文献１にその例が開示されている。
【０００５】
ところで、ネットワークのイーサネット（登録商標）（Ethernet（登録商標）)通信速度は、10Mbps（ビット毎秒）の10BASE-Tから、その10倍の100Mbpsの100BASE-TXが普及し、現在は、1Gbpsの1000BASE-Tが普及している。また、新たに10GBASE-T（10ギガビット・イーサネット（登録商標)（10GbE））が規格化されている。
【０００６】
そのため、特に高周波での挿入損失（インサーションロス）が小さいパルストランスが求められている。挿入損失が小さければ、信号減衰量が少なくなり、高周波成分の減衰量が小さければ、高速なデータ信号を遠（長）距離に正確に送ることができる。しかしながら、従来のパルストランスでは、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を満足することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２１５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を図ることが可能なパルストランスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、パルストランスについて鋭意検討した結果、第１組層と第２組層とを全長にわたり重ならせるのではなく、一部のみで重ならせることで、挿入損失の低減を図ることができることを新たに見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明に係るパルストランスは、
巻芯部と、
前記巻芯部の外周に形成してある一次コイルおよび二次コイルから成るコイル部とを有するパルストランスであって、
前記一次コイルは、第１ワイヤと第２ワイヤとを有し、
前記二次コイルは、第３ワイヤと第４ワイヤとを有し、
前記第１ワイヤと前記第３ワイヤの組み合わせから成る第１組層と、前記第２ワイヤと前記第４ワイヤとの組合せからなる第２組層とが、前記巻芯部の外周で一部重なる重複領域を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明に係るパルストランスにおいて、高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる理由については必ずしも明らかではないが、重複領域を減らすことで、線間容量を減らせるためではないかと考えられる。
【００１２】
本発明のパルストランスでは、高周波領域での挿入損失の低減を図れることから、高周波における信号減衰量が少なくなり、高速なデータ信号を遠（長）距離に正確に送ることができる。
【００１３】
また、本発明では、第１組層には、一次コイルを構成することになる第１ワイヤと、二次コイルを構成することになる第３ワイヤとが含まれ、第２組層には、一次コイルを構成することになる第２ワイヤと、二次コイルを構成することになる第４ワイヤとが含まれる。このため、一次コイルと二次コイルとで巻線の線長のばらつきを抑制し、インダクタンスのばらつきを抑制し、バランス特性に優れており、ノイズ除去特性にも優れている。すなわち、本発明では、一次コイルと二次コイルとの結合を保ちながら、高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる。
【００１４】
好ましくは、前記巻芯部の軸芯に沿っての前記第１組層と前記第２組層とを含む巻線全長をＬ１とし、前記重複領域の前記軸芯に沿っての重複長さをＬ２とした場合に、Ｌ２／Ｌ１は０．８以下である。Ｌ２／Ｌ１が大きすぎる（すなわち重複長さが長い）と、挿入損失の低減効果が小さくなる傾向にある。
【００１５】
好ましくは、巻芯部の軸芯に沿っての前記重複領域の長さは、前記第１ワイヤの線径と前記第３ワイヤの線径を足した長さ以上、または前記第２ワイヤの線径と前記第４ワイヤの線径を足した長さ以上である。重複領域の長さが短すぎると、ノイズ低減効果が小さくなる傾向にある。
【００１６】
好ましくは、Ｌ２／Ｌ１は、０．１〜０．８、さらに好ましくは０．２〜０．６である。このような範囲で、挿入損失の低減を図ることができると共に、ノイズ低減効果も大きくなる。
【００１７】
前記重複領域は、前記巻線全長の略中心部分に位置させても良い。このように構成することで、巻線作業が容易になる。なお、第１組層および第２組層のそれぞれの巻始めと巻き終わり部には、巻乱れがあっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るパルストランスの斜視図である。
【図２】図２は図１に示すトランスの巻芯部に巻回してあるコイル部の概略半断面図である。
【図３】図３は図１に示すトランスの等価回路図である。
【図４】図４は本発明の他の実施形態に係るパルストランスの斜視図である。
【図５】図５は本発明の実施例に係るパルストランスの挿入損失の低減効果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００２０】
第１実施形態
図１に示すように、本発明の一実施形態に係るパルストランスは、表面実装型のコイル部品１０で構成してある。このコイル部品１０は、ドラム型コアである第１コア２０と、板状の第２コア３０と、第１コア２０の巻芯部２２に巻回されたコイル部４０とを有する。
【００２１】
なお、コイル部品１０の説明では、コイル部品１０を実装する実装面と平行な面内にあり第１コア２０の巻芯部２２の巻軸と平行な方向をＸ軸、Ｘ軸と同じく実装面と平行な面内にありＸ軸と垂直な方向をＹ軸方向、実装面の法線方向をＺ軸方向とする。
【００２２】
コイル部品１０は、その外形寸法が、たとえば（幅３．２ｍｍ×高さ２．８ｍｍ×奥行き３．２ｍｍ）であるが、コイル部品１０のサイズはこれに限定されない。
【００２３】
コイル部品１０のコアは、第１コア２０と第２コア３０とを組み合わせて構成される。第１コア２０は、棒状の巻芯部２２と、巻芯部２２の両端に備えられる一対のコア端部としての一対の鍔部２４，２４と、を有する。
【００２４】
鍔部２４の外形状は、略直方体であり、一対の鍔部２４は、Ｘ軸方向に関して所定の間隔を空けて、互いに略平行になるように配置されている。巻芯部２２は、一対の鍔部２４において互いに向かい合うそれぞれの面の中央部に接続しており、一対の鍔部２４を接続している。巻芯部２２の横断面形状は、本実施形態では矩形であるが、円形でも良く、その断面形状は特に限定されない。
【００２５】
第２コア３０は、板状のコアであり、第２コア３０の外形状は、Ｚ軸方向の辺が最も短い辺となる略直方体である。第２コア３０は、外側面３６の法線方向（Ｚ軸方向）から見てＸ軸方向に長い略長方形であるが、正方形その他の形状であってもよい。Ｘ軸方向の両端に位置する第２コア３０の上面３２は、鍔部２４の底面２４ａと向かい合っており、底面２４ａに対して、たとえば熱硬化性樹脂などの接着剤などにより固定される。これにより、第２コア３０は、第１コア２０と連続する磁路を形成する。
【００２６】
第１コア２０の各鍔部２４には、端子部５１〜５６が設けられている。端子部５１〜５６は、略Ｌ字の外形状を有する金具で構成されており、少なくとも一部が鍔部２４の設置面２４ｂに設けられている。なお、鍔部２４の設置面２４ｂは、第２コア３０の上面３２に向かい合う底面２４ａとは、反対側のＺ軸方向の上面である。
【００２７】
３つの端子部５１〜５３は、一方の鍔部２４に設けられており、他の３つの端子部５４〜５６は、他方の鍔部２４に設けられている。隣接する端子部の間隔は等間隔ではなく、端子部５２と端子部５３の間隔は、端子部５１と端子部５２の間隔より広くなるよう設計されており、端子部５４と端子部５５の間隔は、端子部５５と端子部５６の間隔より広くなるよう設計されている。
【００２８】
第１コア２０の巻芯部２２には、コイル部４０が形成されている。コイル部４０は、４本のワイヤ４１〜４４により構成される。ワイヤ４１〜４４は、たとえば被覆導線で構成してあり、良導体からなる芯材を絶縁性の被覆膜で覆った構成を有しており、巻芯部２２に、後述する２層構造で巻回されている。
【００２９】
図２に示すように、第２ワイヤ４２と第４ワイヤ４４とは、巻芯部２２に通常のバイファイラ巻きされて第２組層４６を構成し、第１ワイヤ４１と第３ワイヤ４３とは、巻芯部２２に通常のバイファイラ巻きされて第１組層４５を構成する。本実施形態では、巻芯部２２のＸ軸方向の略中央部において、第２組層４６の上に、第１組層４５の一部が重ねられて巻回されて重複して重複領域４７を形成しているが、その逆でも良い。すなわち、巻芯部２２のＸ軸方向の略中央部において、第１組層４５の上に、第２組層４６の一部が重ねられて巻回されて重複して重複領域４７を形成してもよい。
【００３０】
第１組層４５の上に、第２組層４６の一部を重ねて巻回して重複領域４７を形成する場合には、第１組層４５を形成するための第１ワイヤ４１と第３ワイヤ４３とのバイファイラ巻きを最初に行い、次に、第２組層４６を形成するための第２ワイヤ４２と第４ワイヤ４４とのバイファイラ巻きを行えば良い。本実施形態では、第２組層４６を形成するための第２ワイヤ４２と第４ワイヤ４４とのバイファイラ巻きを行い、その次に、第１組層４５を形成するための第１ワイヤ４１と第３ワイヤ４３とのバイファイラ巻きを行っている。
【００３１】
しかも、本実施形態では、第２組層４６のワイヤ４２，４４と第１組層のワイヤ４１，４３とでは、逆方向に巻回してある。また、ワイヤ４１〜４４の巻き数は全て同じであるが、異なっていてもよい。
【００３２】
本実施形態では、巻芯部２２の軸芯に沿っての第１組層４５と第２組層４６とを含む巻線全長をＬ１とし、重複領域４７の軸芯に沿っての重複長さをＬ２とした場合に、Ｌ２／Ｌ１は０．８以下である。Ｌ２／Ｌ１が大きすぎる（すなわち重複長さが長い）と、挿入損失の低減効果が小さくなる傾向にある。
【００３３】
巻芯部２２の軸芯に沿っての重複領域４７の長さＬ２は、第１ワイヤ４１の線径と第３ワイヤ４３の線径を足した長さ以上、または第２ワイヤ４２の線径と第４ワイヤ４４の線径を足した長さ以上である。すなわち重複領域４７の長さＬ２は、第１組層４５または第２組層４６の巻線の１ターン以上の長さである。重複領域Ｌ２の長さが短すぎると、ノイズ低減効果が小さくなる傾向にある。なお、本実施形態では、ワイヤ４１〜４４は、全て同じ線径のワイヤにより構成してあるが、場合によっては異ならせても良い。ワイヤ４１〜４４の線径は、好ましくは０．０３〜０．０５ｍｍである。
【００３４】
好ましくは、Ｌ２／Ｌ１は、０．１〜０．８、さらに好ましくは０．２〜０．６である。このような範囲で、挿入損失の低減を図ることができると共に、ノイズ低減効果も大きくなる。
【００３５】
本実施形態では、重複領域４７は、巻線全長Ｌ１の略中心部分に位置する。このように構成することで、巻線作業が容易になる。なお、第１組層４５および第２組層４６のそれぞれにおいては、相互に密着して巻芯部２２に巻回された領域であるが、第１組層４５および第２組層４６のそれぞれの巻始めと巻き終わり部には、巻乱れがあっても良い。
【００３６】
本実施形態では、重複領域４７では、４本のワイヤ４１〜４４が密着して巻回してあり、重複領域４７ではない第１組層４５では、第１ワイヤ４１と第３ワイヤ４３とが密着して巻回してあり、重複領域４７ではない第２組層４６では、第２ワイヤ４２と第４ワイヤ４４とが密着して巻回してある。重複領域４７で下側に位置する第２組層４６の重複領域４７と非重複領域との境界においても、第２ワイヤ４２と第４ワイヤ４４とが密着して巻回してある。
【００３７】
重複領域４７で上側に位置する第１組層４５の重複領域４７と非重複領域との境界においても、第１ワイヤ４１と第３ワイヤ４３とが密着して巻回してある。ただし、上側の層に位置する第１組層４５のワイヤ４１または４３が下側の層に移る部分（重複領域４７と非重複領域との境界）には、多少の巻乱れがあっても良い。
【００３８】
図２に示すように、本実施形態では、巻芯部２２の外周面において、各鍔部２４の近くでは、ワイヤ４１〜４４が密には巻回されていない一対の巻回疎領域４８，４９が形成してあっても良い。それぞれの巻回疎領域４８，４９の長さＬ３，Ｌ４は、相互に同じでも異なっていても良い。巻芯部２２の全長をＬ０とすれば、Ｌ３／Ｌ０またはＬ４／Ｌ０は、０以上で１未満であれば特に限定されない。
り、る。
【００３９】
図１に示すように、第１ワイヤ４１のワイヤ端４１ａ，４１ｂは、それぞれ端子部５４，５２に接続され、第２ワイヤ４２のワイヤ端４２ａ，４２ｂは、それぞれ端子部５１，５４に接続され、第３ワイヤ４３のワイヤ端４３ａ，４３ｂは、それぞれ端子部５５，５３に接続される。第４ワイヤ４４のワイヤ端４４ａ，４４ｂは、それぞれ端子部５３，５６に接続される。
【００４０】
なお、図３に示すように、端子部５１，５２は、それぞれ平衡入力のプラス側端子ＩＮ＋とマイナス側端子ＩＮ−として用いられる。また、端子部５５，５６は、それぞれ平衡出力のプラス側端子ＯＵＴ＋とマイナス側端子ＯＵＴ−として用いられる。端子部５３，５４は、それぞれ入力側および出力側の中間タップＣＴとして用いられる。ワイヤ４１，４２はパルストランスの一次巻線（一次コイル）を構成し、ワイヤ４３，４４はパルストランスの二次巻線（二次コイル）を構成する。
【００４１】
コイル部品１０の製造では、まず、端子部５１〜５６を設置したドラム型の第１コア２０とワイヤ４１〜４４を準備する。第１コア２０は、たとえば、比較的透磁率の高い磁性材料、たとえばＮｉ−Ｚｎ系フェライトや、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、あるいは金属磁性体などで構成してある磁性粉体を、成型および焼結することにより作製される。金属の端子部５１〜５６は、接着等により第１コア２０の鍔部２４に固定される。なお、端子部５１〜５６は、第１コア２０に印刷・メッキ等により導体膜を形成し、その導体膜を焼き付けることにより、鍔部２４に設けられてもよい。
【００４２】
ワイヤ４１〜４４としては、たとえば、銅（Ｃｕ）などの良導体からなる芯材を、イミド変成ポリウレタンなどからなる絶縁材で覆い、さらに最表面をポリエステルなどの薄い樹脂膜で覆ったものを用いることができる。準備された端子部５１〜５６を設置した第１コア２０およびワイヤ４１〜４４は、巻線機にセットされ、ワイヤ４１〜４４が、所定の順序で第１コア２０の巻芯部２２に巻回される。
【００４３】
本実施形態では、第２組層４６を形成するための第２ワイヤ４２と第４ワイヤ４４とのバイファイラ巻きを行い、その次に、第１組層４５を形成するための第１ワイヤ４１と第３ワイヤ４３とのバイファイラ巻きを行っている。巻回されたワイヤ４１〜４４のワイヤ端４１ａ〜４４ａ，４１ｂ〜４４ｂは、図１に示す所定の端子部５１〜５５に、銀ロー付け、熱圧着またはレーザー接合などにより固定される。
【００４４】
次に、板状の第２コア３０を準備し、コイル部４０が巻かれた第１コア２０に接合する。第２コア３０は、第１コア２０と同様に、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトや、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、あるいは金属磁性体などで構成してある磁性材料の焼結体または成形体で構成される。
【００４５】
本実施形態に係るパルストランス１０では、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を図ることができる。高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる理由については必ずしも明らかではないが、第１組層４５と第２組層４６とを全長にわたり重ならせるのではなく、一部のみで重ならせることで、線間容量を減らせるためではないかと考えられる。
【００４６】
本実施形態のパルストランス１０では、高周波領域での挿入損失の低減を図れることから、高周波における信号減衰量が少なくなり、高速なデータ信号を遠（長）距離に正確に送ることができる。
【００４７】
また、本実施形態では、第１組層４５には、一次コイルを構成することになる第１ワイヤ４１と、二次コイルを構成することになる第３ワイヤ４３とが含まれ、第２組層４６には、一次コイルを構成することになる第２ワイヤ４２と、二次コイルを構成することになる第４ワイヤ４４とが含まれる。このため、一次コイルと二次コイルとで巻線の線長のばらつきを抑制し、インダクタンスのばらつきを抑制し、バランス特性に優れており、ノイズ除去特性にも優れている。すなわち、本実施形態では、一次コイルと二次コイルとの結合を保ちながら、高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる。
【００４８】
第２実施形態
図４に示す第２実施形態のパルストランスとしてのコイル部品１０ａでは、両端の鍔部２４に各４つずつ、合計８つの端子部が設けられている点で相違するが、その他の構成は第１実施形態のコイル部品１０と同様である。コイル部品１０ａの端子部５３ａ，５３ｂは、第１実施形態のコイル部品１０の端子部５３に対応しており、コイル部品１０ａの端子部５４ａ，５４ｂは、コイル部品１０の端子部５４に対応している。
【００４９】
コイル部品１０ａでは、ワイヤ端４３ｂとワイヤ端４４ａとの電気的な接続、およびワイヤ端４１ａとワイヤ端４２ｂとの電気的な接続は、コイル部品１０ａを実装する配線基板上の配線パターンを介して行われる。本実施形態に係るコイル部品１０ａのその他の構成および作用効果は、第１実施形態の場合と同様であり、詳細な説明は省略する。
【００５０】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００５１】
たとえば、第１コア２０の形状については、実施形態に示すドラム型に限定されず、Ｕ字型など、巻芯部の両端に一対のコア端部を備える任意の形状とすることができる。また、第１コア２０の２つの鍔部２４は、同じ形状であっても、異なる形状であってもよい。
【００５２】
また、上述した実施形態では、コイル部４０の第１層４５を、２本のワイヤ４１，４３で構成し、第２層４６を、２本のワイヤ４２，４４で構成してあるが、第１ワイヤ４１と第２ワイヤ４２とは、端子部５４にて連続する１本のワイヤで構成しても良い。また、第３ワイヤ４３と第４ワイヤ４４とは、端子部５３にて連続する１本のワイヤで構成しても良い。
【００５３】
さらにまた、上述した実施形態では、端子部５３および５４を用いているが、用途によっては、端子部５３および５４を省略しても良い。すなわち、図３に示すように、それぞれ入力側および出力側の中間タップＣＴとして用いられる端子部５３および５４を削除して、パルストランスを構成しても良い。その場合には、２本のワイヤのみを用いてパルストランスを構成することになる。
【００５４】
さらに、本実施形態では、巻芯部２２に対するワイヤの巻回方法を工夫することにより、巻回時に用いるワイヤの本数を減らしてもよい。たとえば１本または２本のワイヤを用いて、巻芯部２２にコイル部４０の一層目（第２組層４６または第１組層４５）を形成した後、同じワイヤを用いてコイル部４０の二層目（第１組層４５または第２組層４６）を形成し、コイル部の一次巻線と二次巻線との境界を切断して、一次巻線と二次巻線とに分離しても良い。
【００５５】
さらにまた、上述した実施形態では、図３に示す回路図において、一次コイルを構成する第１ワイヤ４１と第２ワイヤ４２の配置位置は、逆でも良い。また、二次コイルを構成する第３ワイヤ４３と第４ワイヤ４４の配置位置も、逆であっても良い。すなわち、第１ワイヤおよび第２ワイヤとは、一次コイルにおける位置関係を示すものではなく、一次コイルを構成する任意の二つのコイルをそれぞれ構成するワイヤを意味する。また、同様に、第３ワイヤおよび第４ワイヤとは、二次コイルにおける位置関係を示すものではなく、二次コイルを構成する任意の二つのコイルをそれぞれ構成するワイヤを意味する。このため、図３に示す回路において、符号４４に示す位置に第３ワイヤ４３を配置し、符号４３に示す位置に第４ワイヤ４４を配置することも可能である。その場合には、図３において、符号４１と符号４４のワイヤの組合せが第１組層となり、符号４２と符号４３のワイヤの組合せが第２組層となる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００５７】
実施例１ 
図１〜図３に示すように、Ｌ２／Ｌ１が１／５であり、Ｌ３／Ｌ０が１／１０であり、Ｌ４／Ｌ０が１／４０の関係にあるコイル部品１０で構成されるパルストランスを作製した。そのパルストランスの挿入損失（Insertion Loss）を測定した結果を図５中の曲線ｅｘ１で示す。なお、図５において、横軸は、測定周波数（指数表示で単位はＭＨｚ）であり、縦軸は、挿入損失（信号減衰特性／単位はｄＢ）である。挿入損失の測定は、ネットワークアナライザにより行った。
【００５８】
比較例１ 
Ｌ２／Ｌ１を１．０とし、ワイヤ４１〜４４を実施例１と同じ巻数で巻回してコイル部を形成した以外は、実施例１と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例１と同様にしてパルストランスの挿入損失（Insertion Loss）を測定した結果を図５中の曲線Ｃｅ１で示す。
【００５９】
評価
図５に示すように、実施例１に係るパルストランス（ｅｘ１）では、比較例１に係るパルストランス（Ｃｅ１）に比較して、１ＭＨｚから７００ＭＨｚの高周波数帯域において、挿入損失を低減することができることが確認された。特に、４００ＭＨｚまでの高周波数帯域において、実施例１に係るパルストランス（ｅｘ１）では、基準となる挿入損失Ｓdd21＝−０．８ｄＢ未満にすることが可能になることが確認できた。
【００６０】
実施例２ 
Ｌ２／Ｌ１を０．１〜０．８の範囲内で変化させた以外は、実施例１と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例１と同様にしてパルストランスの挿入損失（Insertion Loss）を測定したところ、実施例１と同様な結果が得られた。
【符号の説明】
【００６１】
１０…  コイル部品
２０…  第１コア
２２…  巻芯部
２４…  鍔部（コア端部）
３０…  第２コア
４０…  コイル部
４１…  第１ワイヤ
４２…  第２ワイヤ
４３…  第３ワイヤ
４４…  第４ワイヤ
４５…  第１組層
４６…  第２組層
４７…  重複領域
【図１】
0006613608.tif 000002
【図２】
0006613608.tif 000003
【図３】
0006613608.tif 000004
【図４】
0006613608.tif 000005
【図５】
0006613608.tif 000006