(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ本の第１の配線（ドライブライン）と、
前記Ｎ本の第１の配線に交差する第２の配線（センスライン）と、
前記Ｎ本の第１の配線と第２の配線の交点に設けられた第１乃至第Ｎの要素デバイス（第ｎの要素デバイス（ｎは１以上Ｎ以下の整数）を含む）と、
検出回路と、
デコーダと、
ドライバと、を有する電子装置であって、
前記検出回路は、前記第２の配線から第１の物理量を検出し、これをデジタル化したデジタル信号を前記デコーダに送信することができ、
前記第１乃至第Ｎの要素デバイスのそれぞれは、対応する前記第１の配線の一の信号に応じて、前記第１の物理量を変動させることができ、
前記ドライバは、前記デコーダと前記Ｎ本の第１の配線にアダマール行列に基づいた符号化信号を送信することができ、
前記デコーダは、前記符号化信号とデジタル信号を用いて、演算処理をおこない、前記第ｎの要素デバイスの有する第２の物理量に応じた値を算出することができ、
前記第ｎの要素デバイスの第２の物理量に応じた値は、前記第ｎの要素デバイスを除く前記第１乃至第Ｎの要素デバイスのいずれか一の第２の物理量に応じた値との差として算出される、電子装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記アダマール行列は、シルベスター法により生成され、４以上の２のべき乗の次数を有する、電子装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の物理量は、電流、電位、電圧のいずれか一である、電子装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の物理量は、抵抗、静電容量、電流値のいずれか一である、電子装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記デコーダは、第１乃至第Ｎの演算回路を有し、前記演算回路のそれぞれには、前記デジタル信号と、前記Ｎ本の第１の配線の一に入力される信号と同じものが入力される、電子装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ドライバと前記Ｎ本の第１の配線の間にデマルチプレクサを有する、電子装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記ドライバと前記デコーダの間に遅延回路を有する、電子装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記要素デバイスは多値データ、または、アナログデータが格納されたメモリセルである、電子装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記ドライバは、前記アダマール行列の第１列に相当する符号化信号は出力せず、また、前記検出回路は、そのときの前記第２の配線の第１の物理量を検出しない、電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示物は、マトリクス装置に含まれる要素デバイス（画素やメモリセルあるいはそれらを構成する電気素子）の物理量（抵抗や静電容量）の検出等の処理をおこなう技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、マトリクス装置の複数の信号線（ドライブライン）に同時に符号化信号を印加し、これらの信号線に交差する別の信号線（センスライン）の物理量（測定される物理量、第１の物理量）を検出することにより、ドライブラインとセンスラインの交点にある要素デバイスの物理量（算出される物理量、第２の物理量）を算出する技術が開示されている。
【０００３】
特許文献１は、測定される物理量として、電位（電圧）、算出される物理量としてドライブラインとセンスラインの交点の容量を挙げている。また、符号化信号は、アダマール（Ｈａｄａｍａｒｄ）行列に基づいた信号とすることを挙げている。すなわち、第１の時間にアダマール行列の第１列の要素に相当する信号を各ドライブラインに入力し、第２の時間にアダマール行列の第２列の要素に相当する信号を各ドライブラインに入力する、というように、信号を入力することを開示している。
【０００４】
また、特許文献１では、符号化信号を、特にシルベスター法によって生成されるアダマール行列に基づいた信号とする際に、測定精度は向上するものの、特定のドライブラインの信号が恒常的に同じ符合となることによる検出の不具合について指摘している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１３／０２１１７５７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アダマール行列（特にシルベスター法によって生成されるアダマール行列）に基づいた符号化信号を複数のドライブラインに入力し、センスラインの物理量を検出することにより、ドライブラインとセンスラインの交点にある要素デバイス（画素やメモリセル）の物理量を算出する新規な方法、あるいは、そのような測定方法が適用できる新規な装置、あるいは、そのような測定方法を用いた装置の設定方法や作製方法等が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
Ｎ本の第１の配線（ドライブライン）と、Ｎ本の第１の配線に交差する第２の配線（センスライン）と、Ｎ本の第１の配線と第２の配線の交点に設けられた第１乃至第Ｎの要素デバイス（第ｎの要素デバイス（ｎは１以上Ｎ以下の整数）を含む）と、検出回路と、デコーダと、ドライバと、を有する電子装置であって、検出回路は、第２の配線から第１の物理量を検出し、これをデジタル化したデジタル信号をデコーダに送信することができ、第１乃至第Ｎの要素デバイスのそれぞれは、対応する第１の配線の一の信号に応じて、第１の物理量を変動させることができ、ドライバは、デコーダとＮ本の第１の配線にアダマール行列に基づいた符号化信号を送信することができ、デコーダは、符号化信号とデジタル信号を用いて、演算処理をおこない、第ｎの要素デバイスの有する第２の物理量に応じた値を算出することができる電子装置である。なお、アダマール行列は、シルベスター法により生成され、４以上の２のべき乗（４、８、１６、・・）の次数を有してもよい。また、第ｎの要素デバイスの第２の物理量に応じた値は、第ｎの要素デバイスを除く第１乃至第Ｎの要素デバイスのいずれか一の第２の物理量に応じた値との差として算出されてもよい。また、第１の物理量は、電流、電位、電圧のいずれか一であってもよい。また、第２の物理量は、抵抗、静電容量、電流値のいずれか一であってもよい。また、デコーダは、第１乃至第Ｎの演算回路を有し、演算回路のそれぞれには、デジタル信号と、Ｎ本の第１の配線の一に入力される信号と同じものが入力されてもよい。また、ドライバとＮ本の第１の配線の間にデマルチプレクサを有してもよい。また、ドライバとデコーダの間に遅延回路を有してもよい。また、要素デバイスは多値データ、または、アナログデータが格納されたメモリセルであってもよい。また、ドライバは、アダマール行列の第１列に相当する符号化信号は出力せず、また、検出回路は、そのときの第２の配線の第１の物理量を検出しない構成でもよい。
【発明の効果】
【０００８】
一例では、測定される物理量の信頼性を高めることができる。明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】マトリクス装置の構成例を示す図。
【図２】要素デバイスの回路例と動作例を示す図。
【図３】電子装置の構成例を示す図。
【図４】電子装置の構成例を示す図。
【図５】電子装置の構成例を示す図。
【図６】デコーダの構成例を示す図。
【図７】演算回路の構成例と動作例を示す図。
【図８】演算回路とロジック部の構成例を示す図。
【図９】ロジック部の構成例を示す図。
【図１０】ロジック部の構成例を示す図。
【図１１】演算回路とロジック部の構成例を示す図。
【図１２】マトリクス装置の構成例を示す図。
【図１３】電子装置の構成例を示す図。
【図１４】電子装置の構成例を示す図。
【図１５】マトリクス装置および要素デバイスの回路例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下では、実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、以下の説明に限定されず、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることや開示されている技術同士やその他の技術との組み合わせ等は当業者であれば容易に理解される。したがって、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下に説明する実施の形態において、同一部分又は同様の機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００１１】
以下は、主として８次アダマール行列を用いた例に関して説明するが、４次、１６次、３２次あるいは、より高次のアダマール行列でも同様である。また、アダマール行列はシルベスター法によって生成されたものに限られない。さらに、アダマール行列に０以外の定数（例えば、−１）を乗じたものでも、同様に実施できる。
【００１２】
また、以下の実施の形態の一に記載されている技術は実施の形態の一内に記載されている技術あるいは他の実施の形態に記載されている技術やその他の技術と組み合わせることが可能である。
【００１３】
（実施の形態１）
＜マトリクス装置の概要＞
図１には、８行７列のマトリクス装置１０を示す。ここで、複数の要素デバイス１１がマトリクス状に設けられ、例えば、第１行第１列の要素デバイス１１は、要素デバイス１１［１，１］、第８行第７列の要素デバイス１１は、要素デバイス１１［８，７］と表記する。また、複数のドライブラインＤｒｖとセンスラインＳｎｓが互いに交差するように設けられる。例えば、第２行のドライブラインＤｒｖは、ドライブラインＤｒｖ［２］と表記し、第１列のセンスラインＳｎｓは、センスラインＳｎｓ［１］と表記する。
【００１４】
一般的には、ｎが１以上８以下の整数、ｍが１以上７以下の整数であるとき、第ｎ行第ｍ列の要素デバイス１１は、要素デバイス１１［ｎ，ｍ］と表記する。また、ｎが１以上８以下の整数、ｍが１以上７以下の整数であるとき、第ｎ行のドライブラインＤｒｖは、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］と表記し、第ｍ列のセンスラインＳｎｓは、センスラインＳｎｓ［ｍ］と表記する。その他の配線やデバイス、物理量等も同様に表記する。
【００１５】
要素デバイス１１のそれぞれは、対応するドライブラインＤｒｖの信号にしたがって、対応するセンスラインＳｎｓの物理量（第１の物理量）を変動させる。第１の物理量を直接あるいは間接的に検出することで、要素デバイス１１のそれぞれの一時的あるいは恒常的な特性や物性（第２の物理量）を算出することができる。第１の物理量としては、電位（電圧）や電流、磁場等が挙げられるが、これらに限られない。また、第２の物理量としては、電磁波（光）の強度、電界効果トランジスタの飽和電流値、静電容量、抵抗、インダクタンス、スピン、等が算出されるが、これらに限られない。
【００１６】
ここでは、例えば、要素デバイス１１が磁気トンネル接合素子を有するメモリセルであるとする。なお、磁気トンネル接合素子以外にも、相変化や原子配列、化学状態の変化によって抵抗や電流値が変化するものでもよい。後述するように、本実施の形態で説明する方法では、抵抗や電流値の変化が大きいことは必要ではなく、したがって、これまで、メモリには不適とされた材料や構造にも適用できる。これらの材料や構造では、中間的な状態がとりやすく、したがって、多値記録が可能となる場合もある。
【００１７】
磁気トンネル接合素子は、２つの磁性体層の間にトンネル絶縁膜を有するものであり、２つの磁性体層の磁化方向が同じであれば、そうでない場合よりもトンネル電流が多くなるという特徴（スピントンネル効果ともいう）を有する。２つの磁性体層の磁化方向の同異を１あるいは０に対応させることで、磁気トンネル接合素子をメモリとして用いることができる。また、磁気トンネル接合素子をマトリクス状に配置すれば、ランダムアクセスメモリとして利用でき、これは、ＳＴＴ−ＭＲＡＭ（Ｓｐｉｎ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｔｏｒｑｕｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＲＡＭ）と呼ばれている。
【００１８】
磁気トンネル接合素子のトンネル電流は、２つの磁性体層の磁化方向の同異によって異なるものの、その比（オンオフ比）は十分に大きいとは言えず、最大でも数倍である。しかも、２倍以上とするには、トンネル絶縁層を単結晶とすることが求められ、量産性の面で課題がある。また、微細化するとその比はさらに小さくなる。例えば、微細化に適した垂直磁化方式では、オンオフ比は、面内磁化方式の数分の１である。さらに、トンネル電流は、接合面積に比例するため、微細化すると線幅の自乗分の１となる。したがって、量産性のあるデバイスでは、トンネル電流のオンオフ比も、トンネル電流の絶対値も大きくなく、高い検出精度が求められる。
【００１９】
要素デバイス１１は、例えば、図２（Ａ）のような回路構成を有する。図２（Ａ）に示すように、要素デバイス１１［７，７］の磁気トンネル接合素子１５の両方の電極とトランジスタ１６のソースとドレインは、センスラインＳｎｓ［７］とドライブラインＤｒｖ［７］の間にある。なお、図２（Ａ）では、センスラインＳｎｓ［７］と磁気トンネル接合素子１５の間にトランジスタ１６のソースとドレインがあるが、ドライブラインＤｒｖ［７］と磁気トンネル接合素子１５の間にトランジスタ１６のソースとドレインがある構成でもよい。トランジスタ１６はワードラインＷｒｄ［７］により制御される。トランジスタ１６の代わりに、同様な機能を有するスイッチを用いてもよい。要素デバイス１１［８，７］でも同様であり、また、図２（Ａ）には記載されていない他の要素デバイス１１でも同様である。
【００２０】
図２（Ａ）の要素デバイス１１は、トランジスタ１６を有するメモリセルの例であるが、トランジスタ１６を用いない、いわゆるクロスポイント型のメモリセルでもよい。メモリセルにトランジスタが存在しない場合、他の要素デバイスとの干渉（クロストーク）を考慮すると磁化を十分におこなえない。そのため、読み出しの際のトンネル電流のオンオフ比が小さくなるが、後述するように、本実施の形態で説明する方法では、オンオフ比が小さくても支障がない。
【００２１】
図２（Ｂ）はデータの書き込み動作を説明する図である。例えば、要素デバイス１１［８，７］にデータを書き込む際には、要素デバイス１１［８，７］のトランジスタ１６のみをオンとし、センスラインＳｎｓ［７］にデータに応じた電流を流す。例えば、センスラインＳｎｓ［７］の電位を、データに応じてＶ＋あるいはＶ−とする。一方、ドライブラインＤｒｖ［８］の電位はＶ０とする。ここで、Ｖ＋はＶ０より大きく、Ｖ−はＶ０より小さいとする。結果、磁気トンネル接合素子１５を流れる電流の向きは、データに応じて変化し、磁気トンネル接合素子１５の２つの磁性体層のうちの記憶層の磁化の向きがデータに応じたものとなる。
【００２２】
図２（Ｃ）はデータの読み出し動作を説明する図である。ここでは、要素デバイス１１［１，７］乃至要素デバイス１１［８，７］のトランジスタ１６をオンとする。また、ドライブラインＤｒｖの電位は、符号化信号に応じて、ＶＨあるいはＶＬとする。ここで、ＶＨはＶ０より大きく、ＶＬはＶ０より小さいとする。したがって、磁気トンネル接合素子１５の電位差は、ＶＨ−Ｖ０、あるいは、ＶＬ−Ｖ０、であるが、この電位差によって生じる電流では、磁気トンネル接合素子１５の記憶層の磁化の向きは変化しないものとする。
【００２３】
また、磁気トンネル接合素子１５の抵抗が電流の向きに依存しないのであれば、ＶＨとＶＬの平均をＶ０と等しくする（すなわち、ＶＨ−Ｖ０＝Ｖ０−ＶＬ）ことにより、同じ大きさの電流を、向きを反転させて流すことができる。なお、磁気トンネル接合素子１５の抵抗が電流の向きに依存する場合は、後述する補正方法を適用できる。
【００２４】
なお、一般に、磁気トンネル接合素子１５は、トンネル現象を利用するので、非線型素子である。トンネル電流は、端子間の電位差が小さな場合には、きわめて小さく、測定不可能であるが、電位差が一定の値を超えると、急激に増大する。そのため、例えば、ドライブラインＤｒｖの電位とセンスラインＳｎｓの電位が全く同じでなくても、磁気トンネル接合素子１５を流れる電流を無視しうる程度に小さくできる。
【００２５】
例えば、ドライブラインＤｒｖ［８］の電位が、ＶＨであれば、ドライブラインＤｒｖ［８］からセンスラインＳｎｓ［７］に電流が流れ、ドライブラインＤｒｖ［８］の電位が、ＶＬであれば、センスラインＳｎｓ［７］からドライブラインＤｒｖ［８］に電流が流れる。電流の向きは、そのときの符号化信号に応じて決定される。要素デバイス１１［８，７］の電流の大きさ（電流値）ｉ［８，７］は、要素デバイス１１［８，７］の抵抗（つまり、記憶されているデータ）に依存する。他のドライブラインＤｒｖでも同様であるので、結局、時間ｔ＝１におけるセンスラインＳｎｓ［７］を流れる電流Ｉ［７］ｔ＝１に関して、
【数１】
0006588300.tif 000002
、
が成り立つ。
【００２６】
ここで、α［１］ｔ＝１、α［２］ｔ＝１、・・、α［８］ｔ＝１、は、それぞれ、ドライブラインＤｒｖ［１］、ドライブラインＤｒｖ［２］、・・、ドライブラインＤｒｖ［８］、に印加される時間ｔ＝１における信号を意味する。
【００２７】
なお、電流Ｉ［７］ｔ＝１の測定は、定められた容量の容量素子に電荷を出入りさせることによる電位の変動を測定することも含み、その他、直接あるいは間接的に電流によってもたらされる恒常的あるいは一時的な物理量（電位、磁場、時間、温度等を含む）の変動あるいは大小関係を決定することも含む。
【００２８】
例えば、要素デバイス１１とのみ接続され、他の配線から電気的に絶縁された状態（フローティング状態）のセンスラインＳｎｓ（電位Ｖ０）の電位が、決められた時間内に上昇するか下降するか、あるいは、ほとんど変化しないか、を検出することで電流Ｉ［７］ｔ＝１が、１であるか−１であるか、あるいは０であるかを決定することができる。
【００２９】
なお、以下では、電流値ｉを用いて、電流Ｉを記述するが、電流値ｉは、要素デバイス１１に印加される電位差（電圧）と、要素デバイス１１の抵抗で一意的に決定できる。したがって、要素デバイスの電位差の大きさを同じとすれば、要素デバイスの抵抗を用いて、電流Ｉを記述してもよい。
【００３０】
同様に、時間ｔ＝２における電流Ｉ［７］ｔ＝２に関して、
【数２】
0006588300.tif 000003
、
が成り立つ。以下同様に、時間ｔ＝３乃至ｔ＝８における電流Ｉ［７］ｔ＝３乃至電流Ｉ［７］ｔ＝７に関して、等式が得られる。
【００３１】
ここで、電流Ｉ［７］ｔ＝１乃至電流Ｉ［７］ｔ＝７は測定可能な物理量（第１の物理量）であり、また、電流値ｉ［１，７］乃至電流値ｉ［８，７］は未知数（第２の物理量）である。これらの等式は、８元連立方程式であり、したがって、電流値ｉ［１，７］乃至電流値ｉ［８，７］はこの方程式を解くことで求めることができる。
【００３２】
方程式は、
【数３】
0006588300.tif 000004
、
で表される。ここで、
【数４】
0006588300.tif 000005
、
である。
【００３３】
行列Ｈの逆行列をＨ−１とするとき、
【数５】
0006588300.tif 000006
、
である。
【００３４】
以上は、第７列にのみ注目したが、他のセンスラインＳｎｓでも時間ｔ＝１乃至ｔ＝８において同時に電流を測定することが可能であれば、
【数６】
0006588300.tif 000007
、
および
【数７】
0006588300.tif 000008
、
であるとき、
【数８】
0006588300.tif 000009
、
が成り立つ。
【００３５】
したがって、
【数９】
0006588300.tif 000010
、
となる。つまり、電流値ｉ［ｎ，ｍ］は、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝ｊとα［ｎ］ｔ＝ｊの多項式として表現できる。ここで、ｎとｊは、１以上８以下の整数、ｍは、１以上７以下の整数である。
【００３６】
以上は、８行７列のマトリクス装置に関するものであるが、任意の規模のマトリクス装置においても同様に適用できる。すなわち、Ｎ行Ｍ列のマトリクス装置においては、行列ＨはＮ行正方行列であり、行列Ιおよび行列ιはＮ行Ｍ列の行列である。
【００３７】
以下では、電流Ｉは、数値として扱う。したがって、「電流Ｉをデコーダに入力する」という表現は、電流Ｉという数値をデコーダに入力する、という意味である。ここで、電流Ｉは、アナログ的な値に限られず、デジタル化した値でもよい。例えば、電流Ｉは、センスラインＳｎｓを流れる電流をデジタル化することによって求められた数値でもよい。また、電流値ｉもアナログ的な値に限られず、デジタル化した値でもよい。
【００３８】
ここで、行列Ｈは、要素が１または−１である行列とすることができる。これは、符号化信号によって電流の向きが変わることを意味する。以下の議論では、電流の向きが変わっても、電流の大きさは変わらないものとする。なお、電流の向きによって電流の大きさが変わる場合の補正については、後述する。
【００３９】
要素が１または−１である行列としては、特に、シルベスター法により生成されたアダマール行列（以下、アダマール行列、という）を採用することができる。
【００４０】
例えば、時間ｔ＝ｊ（ｊは１以上８以下の整数）にアダマール行列の第ｊ列の８つの要素に相当する信号をドライブラインＤｒｖ［１］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］のそれぞれに入力する。このことは、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］（ｎは１以上８以下の整数）には、アダマール行列の第ｎ行の８つの要素（ｈ１，ｎ乃至ｈ８，ｎ）が順に入力されることを意味する。このような信号のセットをアダマール行列によって符号化した信号という。
【００４１】
アダマール行列は、第１行と第１列を除くすべての列および行の要素の和が０となる。そのため、アダマール行列によって符号化した信号を用いれば、例えば、電流Ｉ［７］ｔ＝２乃至電流Ｉ［７］ｔ＝８の大きさは、最大でも電流値ｉ［１，７］乃至電流値ｉ［８，７］の標準偏差の８倍（この場合のアダマール行列の次数）程度となる。なお、電流Ｉ［７］ｔ＝１は、電流値ｉ［１，７］乃至電流値ｉ［８，７］の総和となり、格段に大きくなる。このときの扱いについては後述する。
【００４２】
また、Ｎ次のアダマール行列Ｈの逆行列Ｈ−１は、ＨのＮ分の１である。このことは、例えば、電流値ｉ［８，７］は、電流Ｉ［７］ｔ＝１乃至電流Ｉ［７］ｔ＝８の加減算値を８で除したものであり、電流Ｉ［７］ｔ＝１乃至電流Ｉ［７］ｔ＝８が同程度であれば、それぞれの電流値を８回測定したことと同程度の効果（つまり、誤差を約０．３６倍にする効果）がある。より一般的には、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝１乃至電流Ｉ［ｍ］ｔ＝Ｎの最大値と最小値の差が１／Ｎ程度であれば、誤差をＮの平方根分の１にする効果が得られる。
【００４３】
なお、現実のデータ処理においては、相対的な数値の比較がおこなえればよいので、計算の簡略化のために、Ｎ次のアダマール行列Ｈの逆行列Ｈ−１をＨとして計算してもよい。このようにすれば、電流値ｉ［８，７］は、電流Ｉ［７］ｔ＝１乃至電流Ｉ［７］ｔ＝８の加減算のみでよいので、計算が簡略化できる。
【００４４】
なお、上記は８行のマトリクス装置であるので、８次のアダマール行列が適用できた。アダマール行列は、４次、８次、１６次、というように２のべき乗の次数となる。これに対し、例えば、マトリクス装置が１４行である場合もありえる。
【００４５】
その場合には、例えば、マトリクス装置を、例えば、第１行乃至第８行と第７行乃至第１４行というように分割し、それぞれで、上記と同様な測定をおこなうとよい。この場合、第７行と第８行に関しては、２回測定され、２つの結果が得られることとなる。いずれか一方の結果のみを採用してもよいし、その平均値を結果として用いてもよい。また、第１行乃至第８行の特性を測定している期間においては、第９行乃至第１４行の要素デバイス１１から電流がセンスラインＳｎｓに供給されないことが必要である。
【００４６】
なお、上記行列Ｈの任意の行を入れ替えても同じ結論になることは容易に理解できよう（行を入れ替える、とは多元連立方程式の並び方を変えるだけなので、解が変わることはない）。
【００４７】
より大きな規模のマトリクス装置では、同時に符号化信号が入力されるドライブラインＤｒｖの数を行に合わせて増加させてもよいし、同時に符号化信号が入力されるドライブラインＤｒｖの数を制限し、符号化信号が入力されないドライブラインＤｒｖは、センスラインＳｎｓとの間で実質的に電流が流れないようにしてもよい。例えば、図２（Ａ）に示す要素デバイス１１の例では、符号化信号が入力されないドライブラインＤｒｖでは、電位をＶ０とする。あるいは、要素デバイス１１のトランジスタ１６をオフとする。
【００４８】
なお、図３（Ａ）に示す電子装置のように、信号生成回路２１からドライブラインＤｒｖに直接、信号が入力される構成としてもよいし、図３（Ｂ）に示す電子装置のように、信号生成回路２１の信号をデマルチプレクサ２２で選択したドライブラインＤｒｖの一に信号を入力する構成でもよい。図３（Ｂ）では１２８のドライブラインＤｒｖの１つを選択する。
【００４９】
図３（Ｂ）に示される信号生成回路２１は、複数の端子Ｔｒｍ［１］乃至端子Ｔｒｍ［８］それぞれに、行列Ｈの各行に対応した信号を出力する機能があればよい。例えば、行列Ｈが８行であれば、クロック等の基準となる信号にあわせて（行列Ｈの８行に対応する）８種類の信号を８つの端子Ｔｒｍ［１］乃至端子Ｔｒｍ［８］に出力する。例えば、マトリクス装置が１０２４行であれば、これら８つの信号は、７ビットのデマルチプレクサ２２により、それぞれ１２８本のドライブラインＤｒｖのいずれかに出力される。
【００５０】
ドライブラインＤｒｖは、１つの配線だけでなく、複数の配線が組み合わされたものであってもよい。例えば、１つのドライブラインＤｒｖが２つの配線によって構成されていてもよい。
【００５１】
＜データの読み出し方法−基本＞
次に、データの読み出しについて説明する。ここでは、個々の要素デバイス１１の磁気トンネル接合素子１５が流す電流は、データ”１”のときに１．１μＡ、データ”０”のときに０．９μＡであるとする。この場合、データによる電流比（抵抗比）が１．２倍程度である。このように抵抗比の小さな場合には、データを正確に読み出すことは難しいが、以下のように、符号化信号に応じて出力される電流Ｉをもとにすれば、正確にデータを算出できる。
【００５２】
電流は、ＡＤコンバータで変換するが、例えば、０、プラス、マイナスの３段階に判別できればよい。具体的には、電流がドライブラインＤｒｖからセンスラインＳｎｓの向きに流れる場合をプラスとして、０．１μＡ以上を１、−０．１μＡ以下を−１、その間を０と判定する。したがって、比較器を２つ用いて判別することができる。この場合のＡＤ変換の精度は０．２μＡである。
【００５３】
また、電流値のばらつきがより小さいのであれば、例えば、０．１５μＡ以上を１、−０．１５μＡ以下を−１、その間を０と判定してもよい。この場合のＡＤ変換の精度は０．３μＡであり、データ”１”のときの電流値と、データ”０”のときの電流値の差（０．２μＡ）よりも大きくなる。もちろん、より高精度なＡＤ変換をおこなってもよい。
【００５４】
例えば、要素デバイス１１［１，１］、要素デバイス１１［２，１］、要素デバイス１１［３，１］、要素デバイス１１［４，１］、要素デバイス１１［５，１］、要素デバイス１１［６，１］、要素デバイス１１［７，１］、要素デバイス１１［８，１］に、それぞれ、第１のデータ、”１”、”０”、”０”、”１”、”１”、”０”、”０”、”０”が記憶されているとする。
【００５５】
８次アダマール行列は、
【数１０】
0006588300.tif 000011
、
であるので、時間ｔ＝１乃至ｔ＝８のときの、それぞれに、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流は、要素デバイスのばらつき等がない、理想的な状態では、７．８μＡ、０．２μＡ、０．２μＡ、０．６μＡ、０．２μＡ、−０．２μＡ、−０．２μＡ、０．２μＡである。
【００５６】
アダマール行列の第１列はすべて１であるので、時間ｔ＝１では、すべての要素デバイスから同じ向きの電流が流れ、異常値となる。多量の電流を流すことで消費電力が増大し、それでいて、後述するように、結果に影響を及ぼすことが無い。そこで、ここでは、特に測定をおこなわず（したがって、実際に符号化信号も送らず）、あるいは、符号化信号を送ったとしてもその値を採用せず、電流Ｉ［１］ｔ＝１は常に０とする。このように扱ってもよい理由は後述する。
【００５７】
時間ｔ＝２乃至ｔ＝８の電流は測定され、ＡＤコンバータにより変換される。結果、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８として、０、１、１、１、１、−１、−１、１、というデータが得られる。
【００５８】
８次アダマール行列の逆行列に、電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８を乗じることで、個々の要素デバイス１１に記憶されていたデータを算出できる。結果は、０．３７５、−０．１２５、−０．１２５、０．３７５、０．３７５、−０．１２５、−０．１２５、−０．１２５、（算出データ）となるが、ここでは、正負にのみ注目し、正の場合を”１”、負の場合を”０”とする。すなわち、”１”、”０”、”０”、”１”、”１”、”０”、”０”、”０”というデータが読み出される。これは記憶されていたものと同じである。
【００５９】
あるいは、要素デバイス１１［１，１］、要素デバイス１１［２，１］、要素デバイス１１［３，１］、要素デバイス１１［４，１］、要素デバイス１１［５，１］、要素デバイス１１［６，１］、要素デバイス１１［７，１］、要素デバイス１１［８，１］に、それぞれ、第２のデータ、”０”、”１”、”１”、”０”、”０”、”０”、”０”、”０”が記憶されているとする。時間ｔ＝１乃至ｔ＝８のときのそれぞれに、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流は、要素デバイスのばらつき等がない理想的な状態では、７．６μＡ、０μＡ、０μＡ、−０．４μＡ、０．４μＡ、０μＡ、０μＡ、−０．４μＡである。
【００６０】
これらは、上記と同様にＡＤ変換され、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８として、０、０、０、−１、１、０、０、−１、というデータが得られる。これを元にした算出データは、−０．１２５、０．３７５、０．３７５、−０．１２５、−０．１２５、−０．１２５、−０．１２５、−０．１２５、となり、”０”、”１”、”１”、”０”、”０”、”０”、”０”、”０”というデータが読み出される。
【００６１】
なお、以上の計算では、アダマール行列の逆行列の係数１／８を考慮したが、この係数を無視してもよい。そうすると、計算は、加減算のみとなり、簡略化できる。上記第１のデータに対して、係数を無視した計算をおこなうと、算出データは３、−１、−１、３、３、−１、−１、−１、となる。正負にのみ注目し、正の場合を”１”、負の場合を”０”とすると、”１”、”０”、”０”、”１”、”１”、”０”、”０”、”０”というデータが読み出される。これは記憶されていたものと同じである。
【００６２】
＜データの読み出し方法−変形１＞
上記の方法では、すべての要素デバイス１１に同じデータが記憶されていた場合には、”１”か”０”か、判別できないという欠点がある。具体的には、すべてのデータが”１”であっても”０”であっても、いずれも、算出データが、０、０、０、０、０、０、０、０、となる。なお、他のデータでは、算出データがこのようになることはない。
【００６３】
これを避けるためには、例えば、要素デバイス１１［１，１］には、常に”１”（あるいは”０”）を書き込めばよい。この場合には、ユーザーが使用できるのは、要素デバイス１１［２，１］乃至要素デバイス１１［８，１］の７つである。要素デバイス１１［１，１］に常に”１”を書き込む場合、他の要素デバイスがすべて”１”であれば、算出データはすべて０となるので、他の場合と区別できる。
【００６４】
＜データの読み出し方法−変形２＞
以上は、要素デバイス１１のそれぞれに記憶されているデータを独立に算出する方法であるが、ある一つの要素デバイスのデータがわかっていれば、そのデータとの相対的な比較で、他のデータを類推することもできる。
【００６５】
８次のアダマール行列の特徴から、電流Ｉ［１］ｔ＝１に関して、
【数１１】
0006588300.tif 000012
、
である。また、電流値ｉ［１，１］は、
【数１２】
0006588300.tif 000013
、
である。一方、電流値ｉ［２，１］は、
【数１３】
0006588300.tif 000014
、
となる。いずれも、電流Ｉ［１］ｔ＝１を含む多項式であるが、電流値ｉ［１，１］と電流値ｉ［２，１］を比較する場合には、以下のように、電流Ｉ［１］ｔ＝１の値は知らなくてもよい。
【００６６】
すなわち、電流値ｉ［１，１］と電流値ｉ［２，１］から、
【数１４】
0006588300.tif 000015
、
となる。つまり、電流値ｉ［２，１］は電流値ｉ［１，１］と相対的に比較でき、例えば、電流値ｉ［１，１］に相当するデータが”１”で、電流値ｉ［２，１］が電流値ｉ［１，１］より小さければ、それに相当するデータは”０”、そうでなければ”１”と判別できる。注目すべきは、式中に電流Ｉ［１］ｔ＝１が現れない、ということであり、このことは、電流Ｉ［１］ｔ＝１を無視してもよい（上記＜データの読み出し方法−基本＞では、０とした）、ということを意味する。
【００６７】
これは、より一般化できて、第ｎ行（ｎは２以上８以下の整数）の要素デバイス１１の電流値ｉ［ｎ，１］に関して、
【数１５】
0006588300.tif 000016
、
が得られる。ここで、ｈ２，ｎ、ｈ３，ｎ、・・、ｈ８，ｎは、それぞれ、８次アダマール行列の第２行第ｎ列乃至第８行第ｎ列の要素である。
【００６８】
このことから、
【数１６】
0006588300.tif 000017
、
が得られる。
【００６９】
この式を用いて、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］との差を求めることもできる。例えば、要素デバイス１１［２，１］乃至要素デバイス１１［８，１］に、第１のデータに相当するデータが、また、要素デバイス１１［１，１］には常に”１”が書き込まれていたとすると、上記の式に、時間ｔ＝２乃至ｔ＝８のときのそれぞれに、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流（０μＡ、０μＡ、−０．４μＡ、０．４μＡ、０μＡ、０μＡ、−０．４μＡ）を入力すると、電流値ｉ［４，１］と電流値ｉ［５，１］のそれぞれと電流値ｉ［１，１］との差は０、他は−０．５であるので、要素デバイス１１［４，１］と要素デバイス１１［５，１］は、データ”１”が、他の要素デバイス１１には、データ”０”が記憶されていたことがわかる。
【００７０】
この場合も、ユーザーが使用できるのは、要素デバイス１１［２，１］乃至要素デバイス１１［８，１］の７つである。
【００７１】
上記の７行７列の行列ＨＡは、８次アダマール行列の第１行と第１列を除いた部分行列（Ｓｕｂｍａｔｒｉｘ）において、−１を０に置き換えたものである。このため、後述するように、この演算を実行するための回路や演算手順が簡略化できる。
【００７２】
以上では、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］との差を求める例を示したが、より一般的には、電流値ｉ［１，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれの多項式の第１項が同じ（電流Ｉ［１］ｔ＝１の項）であることから、電流値ｉ［１，１］乃至電流値ｉ［８，１］の任意の二つの差を求めることができる。
【００７３】
＜データの読み出し方法−変形３＞
以上では、ＡＤコンバータによって、電流Ｉをプラス、マイナス、０の３値に読み出す例を示した。これは、上記の８つの要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［８，１］のうち、偶数個の要素デバイス１１が同じデータであると、電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８のいずれかに０が現れるためである。奇数個の要素デバイス１１が同じデータであると、このようなことはおこらず、したがって、電流Ｉを読み出す際に、プラスあるいはマイナスで読み出せばよく、回路構成や動作を簡略化できる。
【００７４】
そこで、８つの要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［８，１］のうちのいずれか一を他の７つの要素デバイス１１のデータに合わせて、”１”あるいは”０”とすることで、奇数個の要素デバイス１１が同じデータとなるようにする。例えば、要素デバイス１１［１，１］をこの目的に使用し、他の７つの要素デバイス１１のうちデータ”１”がない、あるいは偶数個ある（したがって、データ”０”は奇数個ある）場合には、要素デバイス１１［１，１］にデータ”１”を書き込む。その他の場合には、データ”０”を書き込む。
【００７５】
当然の帰結として、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［８，１］のすべてが同じデータとなることはないので、＜データの読み出し方法−変形１＞で説明したような問題は生じない。また、この場合も、ユーザーが使用できるのは、要素デバイス１１［２，１］乃至要素デバイス１１［８，１］の７つである。
【００７６】
この方法では、より読み出しの精度を高められる。例えば、要素デバイス１１［２，１］、要素デバイス１１［３，１］、要素デバイス１１［４，１］、要素デバイス１１［５，１］、要素デバイス１１［６，１］、要素デバイス１１［７，１］、要素デバイス１１［８，１］に、それぞれ、データ、”０”、”０”、”１”、”１”、”０”、”０”、”０”が書き込まれるとする。データ”１”が偶数個あるので、要素デバイス１１［１，１］には、データ”１”を書き込む。
【００７７】
ただし、要素デバイス１１［１，１］、要素デバイス１１［２，１］、要素デバイス１１［３，１］、要素デバイス１１［４，１］、要素デバイス１１［５，１］、要素デバイス１１［６，１］、要素デバイス１１［７，１］、要素デバイス１１［８，１］の電流値は、ばらついていて、それぞれ、１．０５μＡ、０．９３μＡ、０．８９μＡ、１．０２μＡ、１．０７μＡ、０．９６μＡ、０．９１μＡ、０．９２μＡ、であるとする。
【００７８】
時間ｔ＝１乃至ｔ＝８のときの、それぞれに、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流は、７．７５μＡ（上記と同様０とする）、０．０９μＡ、０．２７μＡ、０．３７μＡ、０．０３μＡ、−０．１１μＡ、−０．１３μＡ、０．１３μＡである。これらは、ＡＤ変換他の結果、それぞれ、０、１、１、１、−１、−１、１となる。これらから得られる算出データは、０．３７５、−０．１２５、−０．１２５、０．３７５、０．３７５、−０．１２５、−０．１２５、−０．１２５であり、”１”、”０”、”０”、”１”、”１”、”０”、”０”、”０”というデータが読み出される。
【００７９】
なお、＜データの読み出し方法−変形２＞で示した方法と組み合わせてもよい。例えば、要素デバイス１１［１，１］には基準となるデータを書き込み、要素デバイス１１［２，１］には、要素デバイス１１要素デバイス１１［１，１］、要素デバイス１１［３，１］乃至要素デバイス１１［８，１］のデータに応じて、データ”１”、あるいは”０”を書き込む。したがって、ユーザーが使用できるのは、要素デバイス１１［３，１］乃至要素デバイス１１［８，１］となる。
【００８０】
＜データの読み出し方法−変形４＞
上記＜データの読み出し方法−変形３＞とは逆に、データ”１”（あるいはデータ”０”）の数が偶数となるように設定してもよい。この場合、電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８のいずれかに０が現れるが、一方で、０以外の電流Ｉの大きさは、０．４μＡ以上となる。つまり、ＡＤ変換の精度を低下させることができる。
【００８１】
例えば、０．２μＡ以上を１、−０．２μＡ以下を−１、その間を０と判定することができる。この場合のＡＤ変換の精度は０．４μＡであり、データ”１”のときの電流値と、データ”０”のときの電流値の差（０．２μＡ）の２倍となる。なお、データを一つずつ読み出す場合、電流の検出精度は０．２μＡ以下であること（０．２μＡの電流の差が判別できること）が求められる。
【００８２】
なお、このことは、データ”１”（あるいはデータ”０”）の数が奇数となるように設定する場合でも同じである（データ”１”の数が奇数となるように設定する場合、電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８の任意の２つの差は０．４μＡ以上である）。
【００８３】
＜非対称性補正方法＞
以上では、磁気トンネル接合素子１５を流れる電流の向きが反転しても、電流の大きさは不変（対称）であるとしたが、さまざまな要因によって、非対称であることがある。例えば、要素デバイス１１［ｎ，１］（ｎは１以上８以下の整数）において、負の方向に電流を流す場合には、電流の大きさが、正の方向に電流を流す場合の、βｎ，１（＞０）倍となるとする。この場合には、用いるアダマール行列を補正する。例えば、８次アダマール行列であれば、−１である要素を−βｎ，１に置き換える。補正したアダマール行列Ｈ’は、
【数１７】
0006588300.tif 000018
、
となる。式から明らかなように、要素デバイス１１ごとにβｎ，１の値を設定できる。
【００８４】
この行列の逆行列Ｈ’−１は、
【数１８】
0006588300.tif 000019
、
となる。ここで、
【数１９】
0006588300.tif 000020
、
および、
【数２０】
0006588300.tif 000021
、
である。なお、δ２乃至δ８は、対応する列の要素の和が０となるような値である。すなわち、
【数２１】
0006588300.tif 000022
、
である。
【００８５】
逆行列から明らかなように、電流値ｉ［ｎ，１］（ｎは２以上８以下の整数）は、測定される電流Ｉの加減算（これは、＜データの読み出し方法−基本＞と同じである）に補正値γｋ，１（＞０）を乗じたものである。補正値γｋ，１を乗じることで正負が反転することは無いので、単にデジタルデータを扱うのであれば補正値γｋ，１を１とみなしてよい。ただし、後述する多値データあるいはアナログデータを扱う場合には、補正値γｋ，１を無視できない。
【００８６】
また、逆行列の正負は、アダマール行列のものと対応している。つまり、逆行列の第ｋ行第ｊ列（ｋは２以上８以下の整数、ｊは１以上８以下の整数）の要素の正負は、アダマール行列の第ｋ行第ｊ列の要素の正負と同じである。
【００８７】
なお、電流値ｉ［１，１］を求める計算式は複雑であるが、例えば、＜データの読み出し方法−変形１＞乃至＜データの読み出し方法−変形３＞で説明したように、要素デバイス１１［１，１］を、特定のデータを書き込むためだけに使用するのであれば、要素デバイス１１［１，１］の電流値ｉ［１，１］を知る必要はない。
【００８８】
＜多値データおよびアナログデータの読み出し方法＞
もし、要素デバイス１１が多値データを記憶できるものであれば、それを読み出すこともできる。例えば、データ、”０”、”１”、”２”、”３”が記憶されている場合、要素デバイス１１のそれぞれは、は０．９μＡ、１．１μＡ、１．３μＡ、１．５μＡの電流を流すものとする。ここでは、要素デバイスのばらつきは無いものとする。
【００８９】
なお、以下の説明では、＜データの読み出し方法−変形２＞で示したように、要素デバイス１１［１，１］のデータと他の要素デバイス１１とを比較することでデータを得る。ここでは、要素デバイス１１［１，１］には、常にデータ”０”を記憶させる、とする。
【００９０】
例えば、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［８，１］に、それぞれ、”０”、”１”、”３”、”１”、”２”、”２”、”３”、”０”を記憶させる。すなわち、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］の差は、０．２μＡ、０．６μＡ、０．２μＡ、０．４μＡ、０．４μＡ、０．６μＡ、０μＡとなる。
【００９１】
上記＜データの読み出し方法−基本＞で、示したように、時間ｔ＝１乃至ｔ＝８のときの、それぞれに、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流は、９．６μＡ、０．８μＡ、−０．４μＡ、−１．２μＡ、−０．４μＡ、−０．４μＡ、−０．８μＡ、０μＡである。＜データの読み出し方法−基本＞と同様に、電流Ｉ［１］ｔ＝１を０とする。電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８は、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流を、ＡＤ変換して得られる。ＡＤ変換の精度（電流の刻み）は０．２μＡであれば十分であるが、その２倍でも誤差が生じない。
【００９２】
最初にＡＤ変換の精度を０．２μＡとする。センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流を０．２μＡで除した値を電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８とすると、それぞれ、４、−２、−６、−２、−２、−４、０となる。すなわち、電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８は、０、４、−２、−６、−２、−２、−４、０となる。
【００９３】
８次アダマール行列の逆行列に電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８を乗ずると、電流値ｉ［１，１］乃至電流値ｉ［８，１］として、−１．５、−０．５、１．５、−０．５、０．５、０．５、１．５、−１．５が得られる。電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］の差は、１、３、１、２、２、３、０であり、これらに、０．２μＡを乗ずると、０．２、０．６、０．２、０．４、０．４、０．３、０である。これは、先に示した電流値と同じであり、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流をＡＤ変換して得た電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８から、データを読み出せたことを意味する。
【００９４】
次に、ＡＤ変換の精度を低下させて、０．４μＡとする。センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流を０．４μＡで除した値を電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８とすると、それぞれ、２、−１、−３、−１、−１、−２、０となる。すなわち、電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８は、０、２、−１、−３、−１、−１、−２、０となる。
【００９５】
８次アダマール行列の逆行列に電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８を乗ずると、電流値ｉ［１，１］乃至電流値ｉ［８，１］として、−０．７５、−０．２５、０．７５、−０．２５、０．２５、０．２５、０．７５、−０．７５が得られる。電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］の差は、０．５、１．５、０．５、１、１、１．５、０であり、これらに、０．４μＡを乗ずると、０．２、０．６、０．２、０．４、０．４、０．３、０である。これは、先に示した電流値と同じであり、センスラインＳｎｓ［１］を流れる電流をＡＤ変換して得た電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８から、データを読み出せたことを意味する。
【００９６】
これらの結果は、電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８のいずれの差も０．４μＡ未満とならないことに由来する。例えば、電流Ｉ［１］ｔ＝ｊ１と電流Ｉ［１］ｔ＝ｊ２（ｊ１、ｊ２は２以上８以下の整数、ｊ１≠ｊ２）は、それぞれ、
【数２２】
0006588300.tif 000023
、
および、
【数２３】
0006588300.tif 000024
、
である。
【００９７】
したがって、
【数２４】
0006588300.tif 000025
、
となる。この式の右辺の多項式中、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］の係数は、アダマール行列の要素の差である。アダマール行列の要素は、１か−１であるので、この係数は−２、０、２のいずれかであり、したがって、電流Ｉ［１］ｔ＝ｊ１と電流Ｉ［１］ｔ＝ｊ２の差は、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］の刻みの２倍以上となる。
【００９８】
上記では、要素デバイス１１は４値のデータを記憶できるとしたが、アナログ的なデータを記憶する場合でも同様である。ここでは、要素デバイス１１が流す電流値ｉを０．９μＡ以上１．１μＡ以下のいずれかの値とする。具体的には、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれを、乱数発生関数を用いて決定し、それらから８次アダマールを用いた符号化信号に基づいて出力され、センスラインＳｎｓ［１］に流れる電流を算出する。なお、電流値ｉ［１，１］は０．９μＡとする。それらを０．１μＡで除した１桁の数字（すなわち、電流の測定精度は０．１μＡである）を電流Ｉ［１］ｔ＝２乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８とする。なお、電流Ｉ［１］ｔ＝１は、０とする。ここから得られる電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］との差に０．１μＡを乗じたものが、読み出されたアナログデータである。
【００９９】
例えば、電流値ｉ［１，１］乃至電流値ｉ［８，１］を、０．９００、１．０４５、１．０６５、１．０４７、１．０３４、０．９５９、１．００４、０．９８２、とする（電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］との差（真値）は、０．１４５、０．１６５、０．１４７、０．１３４、０．０５９、０．１０４、０．０８２、となる）と、デジタル化された電流Ｉ［１］ｔ＝１乃至電流Ｉ［１］ｔ＝８は、０、０、−２、−１、１、−２、−２、−２、となる。デジタル化された電流Ｉから得られる、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］との差に０．１μＡを乗じたものは、０．１２５μＡ、０．１７５μＡ、０．１５０μＡ、０．１２５μＡ、０．１２５μＡ、０．０５０μＡ、０．１００μＡ、となる。これらと上記の真値を比較すると、平均して、真値から０．００８μＡずれている。これは、真値の平均の約７％であり、分解能の８％である。
【０１００】
このずれは、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［８，１］に一つずつ電流を流し、測定する場合よりも小さい。一つずつ電流を流し、測定する方式では、測定精度を０．１μＡとすると、電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］との差は、０．１μＡ、０，２μＡ、０．１μＡ、０．１μＡ、０．１μＡ、０．１μＡ、０．１μＡ、であり、平均して、真値から０．０２８μＡずれている。これは、真値の平均の約２３％であり、分解能の２８％である。
【０１０１】
なお、アダマール行列の次数をより高めるとさらにずれが小さくなる。例えば、２５６次アダマール行列で、上記の８つの電流値ｉ［１，１］乃至電流値ｉ［８，１］を含む２５６の電流値ｉで上記と同様な操作をおこなうと、算出された電流値ｉ［２，１］乃至電流値ｉ［８，１］のそれぞれと、電流値ｉ［１，１］との差と、それらの真値とのずれは、平均して、０．００１２μＡとなる。これは、真値の平均の約１％である。
【０１０２】
このようにＮ次アダマール行列を用いた符号化信号によって、ＡＤ変換の精度（上記では０．１μＡ）よりも細かくデータを再現できる。一般にＡＤ変換の精度のＮの平方根分の１まで再現可能である。理想的には、Ｎ＝８の場合には、Ｎ＝１（すなわち、要素デバイス１１の一つずつに電流を流し、電流値ｉを測定する場合）の約２．８分の１程度まで細かく再現できる。上記の例では、Ｎ＝８の場合、ずれはＮ＝１の場合の約３．５分の１となった。また、Ｎ＝２５６の場合には、約２３分の１となった。
【０１０３】
このことは、より高次のアダマール行列を用いれば、ＡＤ変換の際の精度を低下させてもよいということをも意味する。例えば、Ｎ＝２５６であれば、０．５μＡの分解能であっても、Ｎ＝８で０．１μＡの分解能と同等あるいはそれ以上の精度での読み出しが可能ということである。実際に、ＡＤ変換の精度を０．５μＡとして、数値実験をおこなったところ、平均して、真値から０．００４μＡずれていた。この値は、上記のＮ＝８の場合（０．００８μＡ）より小さい。また、ＡＤ変換の精度を１μＡとすると、読み出しの精度は、ＡＤ変換の精度が０．５μＡの場合の４倍となることが想定される。実際に、数値実験をおこなったところ、平均して、真値から０．０１６μＡずれていた。この数値はＡＤ変換精度０．１μＡのＮ＝８の場合よりは劣るが、ＡＤ変換精度０．１μＡのＮ＝１の場合（すなわち、１つずつ値を測定する方法）よりは良好である。
【０１０４】
このように、アダマール行列の規模がより大きくなれば、算出精度をより向上させることができ、また、ＡＤ変換の精度を低下させることができる。上記の例でいえば、電流値ｉの変動幅（０．２μＡ）よりも大きな刻み（０．５μＡ）でＡＤ変換しても、真値に対して、数％の誤差でデータを再現できることが示された。なお、多値データおよびアナログデータの取り扱いにおいても、＜非対称性補正方法＞を適用することは可能である。
【０１０５】
＜マトリクス装置の演算回路＞
以上示したように、マトリクス装置１０においては、複数の要素デバイス１１に対して、ドライブラインＤｒｖを通して、符号化信号を与え、符号化信号に応じて各要素デバイス１１からセンスラインＳｎｓに出力された第１の物理量をＡＤ変換等により数値化し、これをアダマール行列（あるいは類似の行列や派生した行列等を含む）の逆行列（その補正行列を含む）に乗じることで、第２の物理量を得る。第２の物理量は、さらに数値処理されることもある。これらの演算の一部あるいはすべてを既存の演算装置とソフトウェアによって実行してもよいが、マトリクス装置に付加した専用の装置で実行することもできる。
【０１０６】
図４（Ａ）は８行７列のマトリクス装置１０を駆動するための周辺回路を有する電子装置の例を示す。ドライブラインＤｒｖ［１］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］には、信号生成回路２１により信号が与えられる。信号生成回路２１は、アダマール行列に応じた符号化信号を出力することができる。例えば、符号化信号はＲＯＭ等に記憶されていてもよい。
【０１０７】
センスラインＳｎｓ［１］乃至センスラインＳｎｓ［７］の一あるいは複数、あるいは全部を流れる電流は、検出回路２３でデジタル値の電流Ｉに変換される。電流Ｉは、データラインＤｔａを経て、デコーダ２４に入力される。また、ドライブラインＤｒｖ［１］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］の信号もデコーダ２４に入力される。電流Ｉはデコーダ２４で復号化され出力される。
【０１０８】
なお、＜データの読み出し方法−変形２＞で説明した方法を採用する場合には、第２の物理量を算出するための行列は、アダマール行列から第１行と第１列を除いた部分行列の−１を０に置き換えたものであるので、アダマール行列の第１行に相当する符号化信号（ドライブラインＤｒｖ［１］に入力される信号）は、計算に用いられない。したがって、図４（Ｂ）に示す電子装置のように、ドライブラインＤｒｖ［１］の信号がデコーダ２４に入力されないような構成でもよい。
【０１０９】
図５は、図３（Ｂ）で示した信号生成回路２１の信号をデマルチプレクサ２２を通してマトリクス装置１０に入力する場合の、検出回路２３およびデコーダ２４の構成である。検出回路２３には、マトリクス装置１０からの電流が入力され、デジタル値の電流Ｉに変換される。電流ＩはデータラインＤｔａを介して、デコーダ２４に入力される。また、デコーダ２４には、遅延回路２５を介して、信号生成回路２１の信号が入力される。なお、遅延回路２５は設けなくてもよい。また、＜データの読み出し方法−変形２＞で説明した方法を採用する場合には、信号生成回路２１から端子Ｔｒｍ［１］に出力される信号は、デコーダ２４に入力されなくてもよい。
【０１１０】
このように、信号生成回路２１の信号（あるいはドライブラインＤｒｖ［１］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］の信号）を復号化に用いることができる。アダマール行列の符号化信号に応じて出力された第１の物理量（電流等）を復号化して、第２の物理量を算出する際には、アダマール行列の逆行列を用いるのであるが、逆行列が元の行列と同じ構造を有するため、演算を簡略化できる。以下、そのことについて説明する。なお、以下に説明することは、アダマール行列に限定されず、逆行列が当該行列の倍数であるような行列全般に適用可能である。
【０１１１】
例えば、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］（ｎは１以上８以下の整数）に与えられる信号は、時間ｔ＝１のときが、ｈ１，ｎ、時間ｔ＝２のときが、ｈ２，ｎ、時間ｔ＝３のときが、ｈ３，ｎ、・・、時間ｔ＝８のときが、ｈ８，ｎである。
【０１１２】
また、センスラインＳｎｓ［ｍ］（ｍは１以上７以下の整数）を流れる電流は、時間ｔ＝１のときが、Ｉ［ｍ］ｔ＝１、時間ｔ＝２のときが、Ｉ［ｍ］ｔ＝２、時間ｔ＝３のときが、Ｉ［ｍ］ｔ＝３、・・、時間ｔ＝８のときが、Ｉ［ｍ］ｔ＝８である。
【０１１３】
電流Ｉ［ｍ］ｔ＝１乃至電流Ｉ［ｍ］ｔ＝８を用いて、電流値ｉ［ｎ，ｍ］を求める式は、
【数２５】
0006588300.tif 000026
、である。要素デバイス１１間の相対的な比較のためであれば、１／８は１とみなしてもよい。すなわち、
【数２６】
0006588300.tif 000027
、
となる。ｈ１，ｎ、ｈ２，ｎ、ｈ３，ｎ、・・、ｈ８，ｎは１あるいは−１であるので、この式は、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝１乃至電流Ｉ［ｍ］ｔ＝８をｈ１，ｎ、ｈ２，ｎ、ｈ３，ｎ、・・、ｈ８，ｎにしたがって、順に加算あるいは減算することを意味している。つまり、ｈｋ，ｎ（ｋは１以上８以下の整数）が１であれば、加算を実行し、−１であれば減算を実行すればよい。あるいは、１であれば、そのままの数値を加算し、−１であれば符号を反転した数値を加算すればよい。また、この式において、ｈ１，ｎ、ｈ２，ｎ、ｈ３，ｎ、・・、ｈ８，ｎが現れる順番は、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］に印加される符号化信号の順番と同じである。
【０１１４】
なお、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝１乃至電流Ｉ［ｍ］ｔ＝８が２値のデジタル数値（すなわち、１と−１）である場合は、ｈｋ，ｎ（ｋは１以上８以下の整数）が１であれば、加算を実行し、−１であれば演算を実行しなくてもよい。これは、この場合の演算が、１であれば、２を加算し、−１であれば演算を実行しない演算結果から、８を差し引く演算と同じであることから理解できる。
【０１１５】
ここで、例えば、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］の信号が、ｈ１，ｎであるときに、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝１が得られたとすると、ｈ１，ｎを用いて、上記の第１項（ｈ１，ｎＩ［ｍ］ｔ＝１）が決定できる。この第１項を何らかの手段で記憶する。シルベスター法により生成されたアダマール行列ではｈ１，ｎは１であるので、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝１を記憶すればよい。なお、上記に示したように、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝１は常に０としてもよい。
【０１１６】
次に、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］の信号が、ｈ２，ｎであるときに、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝２が得られたとすると、記憶されている第１項に電流Ｉ［ｍ］ｔ＝２を加えるか（ｈ２，ｎが１の場合）、差し引くか（ｈ２，ｎが−１の場合）、いずれかの演算を、ｈ２，ｎにしたがって実行する。ここまでで、上記の式の第２項までが得られる。この結果を記憶する。先に記憶した第１項は、この後は使用しないので、上書きしてもよい。
【０１１７】
次に、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］の信号が、ｈ３，ｎであるときに、電流Ｉ［ｍ］ｔ＝３が得られたとすると、ｈ３，ｎにしたがって、記憶されている第２項までの結果に電流Ｉ［ｍ］ｔ＝３を加えるか、差し引くか、いずれかの演算を実行する。ここまでで、上記の式の第３項までが得られる。この結果を記憶する。以下、同様に、記憶されている結果に、電流Ｉ［ｍ］を加えるか、差し引くかし、その結果を記憶し、・・、という操作を繰り返して、上記の式を得ることができる。
【０１１８】
以上は、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］の信号を用いて、電流Ｉ［ｍ］を加えるか、差し引くか決定し、演算を行う例であるが、電流Ｉ［ｍ］の出力に遅れがある場合は、遅れに合わせて、ドライブラインＤｒｖ［ｎ］の信号を、遅延回路等で遅らせたものを用いても同じ操作をおこなうことができる。このように、逐次、演算をおこなうため、必要とする記憶容量も少なくでき、また、処理も迅速におこなえる。
【０１１９】
図６（Ａ）には、デコーダ２４の例を示す。デコーダ２４は、演算回路２６［１］乃至演算回路２６［８］を有し、検出回路２３から出力された電流Ｉ（デジタル値）がデータラインＤｔａを経由して演算回路２６［１］乃至演算回路２６［８］に入力される。また、演算回路２６［１］乃至演算回路２６［８］のそれぞれには、対応するドライブラインＤｒｖ［１］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］の一の信号が入力される。なお、＜データの読み出し方法−変形２＞で説明した方法を採用する場合には、演算回路２６［１］はなくてもよい。
【０１２０】
図６（Ｂ）には、８行７列のマトリクス装置１０の５６個の要素デバイス１１の電流値ｉすべてを同時に復号化できるデコーダ２４の例を示す。すなわち、デコーダ２４には、データラインＤｔａ［１］乃至Ｄｔａ［７］を介して、同時に７つの電流Ｉ［１］乃至電流Ｉ［７］が入力可能である。また、デコーダ２４には、５６個の演算回路２６［１，１］乃至演算回路２６［８，７］が設けられる。それぞれには、対応するドライブラインＤｒｖ［１］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］の一の信号が入力される。
【０１２１】
演算回路２６の基本的な構成例を図７（Ａ）に示す。演算回路２６は、ロジック部２７とメモリ２８を有する。ロジック部２７には、データラインＤｔａを介して電流Ｉ（デジタル値）が入力される。また、ロジック部２７には、ドライブラインＤｒｖ（図ではドライブラインＤｒｖ［２］）の信号が入力される。また、ロジック部２７には、メモリ２８に記憶されているデータも入力される。ロジック部２７は、これらをもとに演算をおこない、演算結果をメモリ２８に記憶する。また、演算結果は外部に出力できる。
【０１２２】
演算の過程の例を図７（Ｂ）のフローチャートで説明する。ここでは、電流値ｉ［２，１］を求める。最初（ｔ＝０のとき）、電流値ｉ［２，１］は０である。まず、ｔを１つ増加させる。そして、そのときのドライブラインＤｒｖ［２］の信号がＨ（すなわち、１）であるかＬ（すなわち、−１）であるかを判定する。信号がＨであれば、そのときの電流値ｉ［２，１］は、直近の電流値ｉ［２，１］（メモリ２８に記憶されている）に電流Ｉを加えたものとなる。信号がＬであれば、電流値ｉ［２，１］は、直近の電流値ｉ［２，１］から電流Ｉを引いたものとなる。
【０１２３】
なお、＜データの読み出し方法−変形２＞で説明した方法を採用する場合には、信号がＨの場合は、上記と同じであるが、信号がＬの場合には、電流値ｉ［２，１］に減算をおこなわない。これは、行列ＨＡの対応する要素が０であるためである。
【０１２４】
図７（Ａ）に示す演算回路２６は、電流値ｉ（に対応するデータ）が２値データである場合のみならず、多値データおよびアナログデータにも利用できる。電流値ｉに対応するデータが２値あるいは３値であれば、図８（Ａ）に示す演算回路２６を用い、より簡単に演算を実行することもできる。
【０１２５】
図８（Ａ）に示す演算回路２６は、ロジック部２７と第１カウンタ２９＿１、第２カウンタ２９＿２、比較器３０を有する。ロジック部２７には、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号と、データラインＤｔａの信号（電流Ｉ、デジタル値）が入力される。ロジック部２７からの出力は、第１カウンタ２９＿１、第２カウンタ２９＿２に入力される。また、比較器３０は、第１カウンタ２９＿１、第２カウンタ２９＿２の出力を比較する機能を有する。
【０１２６】
第１カウンタ２９＿１、第２カウンタ２９＿２は、入力される信号（ＨあるいはＬのいずれか一方）の数を計数する機能を有する。後述するように、ロジック部２７は、８回にわたって、ＨあるいはＬの信号を出力するので、例えば、第１カウンタ２９＿１、第２カウンタ２９＿２は、それぞれ８ビットのメモリでもよい。
【０１２７】
ロジック部２７では、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号とそのときのデータラインＤｔａの信号の積をおこなう。ドライブラインＤｒｖ［２］には、時間ｔ＝１乃至時間ｔ＝８の８回にわたって、信号が印加され、その信号に応じた電流Ｉ（＜データの読み出し方法−基本＞に記載した方法であれば、−１、０、１、に対応する値、＜データの読み出し方法−変形３＞であれば、−１、１、に対応する値）が、データラインＤｔａからロジック部２７に供給される。それぞれの時間におけるロジック部２７の出力（ＨあるいはＬ）が、第１カウンタ２９＿１と第２カウンタ２９＿２に入力される。
【０１２８】
時間ｔ＝８の後、比較器３０は、第１カウンタ２９＿１と第２カウンタ２９＿２の信号の数を計数し、比較して出力する。例えば、第１カウンタ２９＿１が出力するＨとＬのいずれか一方の信号の数が、第２カウンタ２９＿２が出力するものより多ければ、１を、そうでなれば０を出力する。これが、電流値ｉに対応するデータとなる。
【０１２９】
図８（Ｂ）は、＜データの読み出し方法−基本＞に示した方法に適用可能なロジック部２７の例を示す。ここで、ロジック部２７に信号を入力するためのデータラインＤｔａは、データラインＤｔａ＋とデータラインＤｔａ−を有する。検出回路２３では、センスラインＳｎｓを流れる電流をデジタル化して、＜データの読み出し方法−基本＞に示したように、１、０、−１の３値を出力する。そのため、検出回路２３は、電流Ｉが１の場合は、データラインＤｔａ＋にＨを、電流Ｉが０あるいは−１の場合は、データラインＤｔａ＋にＬを出力する。同様に、検出回路２３は、電流Ｉが−１の場合は、データラインＤｔａ−にＨを、電流Ｉが０あるいは１の場合は、データラインＤｔａ−にＬを出力する。
【０１３０】
図８（Ｂ）に示されるロジック部２７は、データラインＤｔａ＋／データラインＤｔａ−と、ドライブラインＤｒｖ［２］とその反転信号の４通りの組み合わせに対応するＡＮＤゲートＡＮＤ１乃至ＡＮＤゲートＡＮＤ４を有する。すなわち、データラインＤｔａ＋とドライブラインＤｒｖ［２］がともにＨであれば、ＡＮＤゲートＡＮＤ１のみがＨを出力し、他はＬを出力する。データラインＤｔａ−がＨでドライブラインＤｒｖ［２］がＨであれば、ＡＮＤゲートＡＮＤ２のみがＨを出力する。データラインＤｔａ―がＨでドライブラインＤｒｖ［２］がＬであれば、ＡＮＤゲートＡＮＤ３のみがＨを出力し、他はＬを出力する。データラインＤｔａ＋がＨでドライブラインＤｒｖ［２］がＬであれば、ＡＮＤゲートＡＮＤ４のみがＨを出力し、他はＬを出力する。
【０１３１】
ＡＮＤゲートＡＮＤ１とＡＮＤゲートＡＮＤ３の出力は、ＯＲゲートＯＲ１に入力される。ＯＲゲートＯＲ１の出力は、トランスファーゲートＴＧ１（クロック信号ＣＬＫ１に同期する）を介して、第１カウンタ２９＿１に入力される。ＡＮＤゲートＡＮＤ２とＡＮＤゲートＡＮＤ４の出力は、ＯＲゲートＯＲ２に入力される。ＯＲゲートＯＲ２の出力は、トランスファーゲートＴＧ２（クロック信号ＣＬＫ２に同期する）を介して、第２カウンタ２９＿２に入力される。なお、クロック信号ＣＬＫ１とクロック信号ＣＬＫ２は同じ信号でもよい。
【０１３２】
なお、一般にＡＮＤゲートはＮＡＮＤゲートの出力を反転させたものであり、ＯＲゲートはＮＯＲゲートの出力を反転させたものであるので、図９（Ａ）のように、ＡＮＤゲートＡＮＤ１乃至ＡＮＤゲートＡＮＤ４をＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１乃至ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ４に、ＯＲゲートＯＲ１およびＯＲゲートＯＲ２をＮＯＲゲートＮＯＲ１およびＮＯＲゲートＮＯＲ２に置き代えて、変形することもできる。
【０１３３】
一般にＣＭＯＳロジックでは、ＡＮＤゲート、ＯＲゲートとも、６つのトランジスタを必要とするのに対し、ＮＡＮＤゲート、ＮＯＲゲートでは４つのトランジスタでよいので、集積化の点で有利である。これに限らず、データラインＤｔａ＋とデータラインＤｔａ−やドライブラインＤｒｖ［２］の信号、第１カウンタ２９＿１、第２カウンタ２９＿２が計数するデータを適宜、設定することによって、ロジック部２７を変更することが可能である。
【０１３４】
例えば、検出回路２３が、電流Ｉが１の場合は、データラインＤｔａ＋にＬを、電流Ｉが０あるいは−１の場合は、データラインＤｔａ＋にＨを出力し、電流Ｉが−１の場合は、データラインＤｔａ−にＬを、電流Ｉが０あるいは１の場合は、データラインＤｔａ−にＨを出力する場合、図９（Ｂ）のように、ＮＯＲゲートＮＯＲ３乃至ＮＯＲゲートＮＯＲ６を用いてもよい。
【０１３５】
図９（Ｂ）では、ＮＯＲゲートＮＯＲ１およびＮＯＲゲートＮＯＲ２の出力を、クロック信号ＣＬＫ１およびＣＬＫ２に、それぞれ、同期するインバータＩＮＶ１およびインバータＩＮＶ２で反転させて出力するが、図９（Ａ）のようにトランスファーゲートを介して出力してもよい。
【０１３６】
なお、＜データの読み出し方法−変形２＞を用いる場合は、より簡単な回路となる。この方法では、行列ＨＡの要素が、１あるいは０なので、ドライブラインＤｒｖの信号がＨのときの、電流ＩのＨとＬの数をそれぞれ計数すればよい。つまり、ドライブラインＤｒｖの信号がＬのときの電流Ｉの値は無視してもよい。
【０１３７】
図１０（Ａ）にこの方法に適用できるロジック部２７の回路例を示す。ここで、ＡＮＤゲートＡＮＤ１は、ドライブラインＤｒｖ［２］とデータラインＤｔａ＋がともにＨのときＨを出力する。また、ＡＮＤゲートＡＮＤ２は、ドライブラインＤｒｖ［２］とデータラインＤｔａ−がともにＨのときＨを出力する。したがって、ＡＮＤゲートＡＮＤ１の出力は第１カウンタ２９＿１に、ＡＮＤゲートＡＮＤ２の出力は第２カウンタ２９＿２に、それぞれ、出力される。
【０１３８】
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）の変形であり、ＡＮＤゲートＡＮＤ１、ＡＮＤゲートＡＮＤ２、トランスファーゲートＴＧ１、トランスファーゲートＴＧ２をＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１、ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ２、インバータＩＮＶ１、インバータＩＮＶ２にそれぞれ置き換えたものである。
【０１３９】
図８乃至図１０に示す演算回路２６、ロジック部２７等は、＜データの読み出し方法−変形３＞で説明した方法にも適用できる。しかし、＜データの読み出し方法−変形３＞で説明した方法では、電流Ｉは１か−１のいずれかであるので、より回路構成が単純化された演算回路２６、ロジック部２７等を用いてもよい。
【０１４０】
図１１（Ａ）は、＜データの読み出し方法−変形３＞で説明した方法で使用できる演算回路２６の構成を示す。図１１（Ａ）に示す演算回路２６は、ロジック部２７、カウンタ２９、比較器３０を有する。ロジック部２７には、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号と、データラインＤｔａの信号（電流Ｉ）が入力される。ロジック部２７からの出力は、カウンタ２９で計数される。カウンタ２９の出力は、比較器３０で参照値と比較される。
【０１４１】
ロジック部２７では、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号とデータラインＤｔａの信号の積をおこなう。すなわち、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号とデータラインＤｔａの信号が同じであれば、カウンタ２９にＨとＬのいずれか一方の信号を送る。また、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号とデータラインＤｔａの信号が異なれば、カウンタ２９にＨとＬのいずれか他方の信号を送る。このような演算はＸＯＲゲートを用いることで実行できる。
【０１４２】
あるいは、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号とデータラインＤｔａの信号が同じであれば、カウンタ２９にＨとＬのいずれか一方の信号を送り、そうでなければ、カウンタ２９に信号を送らない方式でもよい。あるいは、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号とデータラインＤｔａの信号が異なれば、カウンタ２９にＨとＬのいずれか一方の信号を送り、そうでなければ、カウンタ２９に信号を送らない方式でもよい。
【０１４３】
ドライブラインＤｒｖ［２］には、時間ｔ＝１乃至時間ｔ＝８の８回にわたって、信号が印加され、その信号に応じた電流Ｉが、データラインＤｔａからロジック部２７に供給される。それぞれの時間におけるロジック部２７の出力が、カウンタ２９に入力される。カウンタ２９は、ＨとＬのいずれか一方の信号を計数する。
【０１４４】
時間ｔ＝８の後、比較器３０は、カウンタ２９が出力するＨとＬのいずれか一方の信号の数を参照値と比較する。例えば、カウンタ２９に記憶されているＨとＬのいずれか一方の信号の数が５以上であれば、１を、そうでなれば０を出力する。これが、電流値ｉに対応するデータとなる。
【０１４５】
図１１（Ｂ）は、ロジック部２７の例を示す。検出回路２３では、センスラインＳｎｓを流れる電流をデジタル化する際に、＜データの読み出し方法−変形３＞に示したように、１、−１の２値を出力する。そのため、検出回路２３は、電流Ｉが１の場合は、データラインＤｔａにＨを、電流Ｉが−１の場合は、データラインＤｔａにＬを出力する。
【０１４６】
図１１（Ｂ）に示されるロジック部２７は、ＸＯＲゲートＸＯＲ１を有する。したがって、データラインＤｔａとドライブラインＤｒｖ［２］がともにＨあるいはＬであれば、ＸＯＲゲートＸＯＲ１はＬを出力し、他の場合はＨを出力する。ＸＯＲゲートＸＯＲ１の出力は、クロック信号ＣＬＫ１に同期するインバータＩＮＶ１で反転されて出力される。
【０１４７】
図１１（Ｂ）に示されるロジック部２７に限らず、データラインＤｔａやドライブラインＤｒｖ［２］の信号、カウンタ２９が計数するデータを、適宜、設定することによって、ロジック部２７を変更することが可能である。例えば、図１１（Ｃ）に示すように、検出回路２３で、センスラインＳｎｓを流れる電流をデジタル化する際に、電流Ｉが１の場合は、データラインＤｔａにＬを、電流Ｉが−１の場合は、データラインＤｔａにＨを出力するようにしてもよい。この場合、ＸＯＲゲートＸＯＲ１の出力は、クロック信号ＣＬＫ１に同期するトランスファーゲートＴＧ１を介して、カウンタ２９に出力される。
【０１４８】
なお、＜データの読み出し方法−変形２＞を適用する場合は、より簡単な回路となる。この方法では、行列ＨＡの要素が、１あるいは０なので、ドライブラインＤｒｖの信号がＨのときの、電流ＩのＨの数のみを計数すればよい。したがって、図１１（Ｄ）に示すように、ドライブラインＤｒｖ［２］の信号とデータラインＤｔａの信号（デジタル値）がＡＮＤゲートＡＮＤ１に入力され、その出力が、トランスファーゲートＴＧ１を介して、第１カウンタ２９＿１で計数される。
【０１４９】
なお、この回路は、図１０（Ａ）に示されるロジック部から、ＡＮＤゲートＡＮＤ２に関わる部分を除いたものと同じである。したがって、図１０（Ｂ）に示すものと同様に、ＡＮＤゲートをＮＡＮＤゲートに、トランスファーゲートをインバータに置き換える変形が可能である。
【０１５０】
上記の例は、要素デバイス１１として、メモリセルを取り上げたが、これに限定されず、例えば、電磁波（可視光等）によって抵抗の変化する光抵抗素子を要素デバイス１１としてもよい。複数の光抵抗素子に、空間的に不均一な電磁波が照射されている場合、個々の光抵抗素子の抵抗は、該当する部分の電磁波の強度に応じて異なる。したがって、個々の光抵抗素子を流れる電流値は異なるので、上記に説明した方法を用いて、個々の光抵抗素子の抵抗を算出できる。これによって、電磁波の強度の分布、すなわち、画像を得ることができる。
【０１５１】
それ以外にも、表示装置や画像検出装置（イメージセンサー）の画素の特性（例えば、用いられているトランジスタの飽和電流値）の測定等にも適用できる。
【０１５２】
（実施の形態２）
実施の形態１の＜データの読み出し方法−変形２＞および＜多値データおよびアナログデータの読み出し方法＞で説明した方法では、同じセンスラインＳｎｓに接続する要素デバイス１１のうちの一を基準として、相対的な値を算出できることを示した。しかし、そのために、各センスラインＳｎｓにつき、１つの要素デバイス１１には、データを記憶させることができない（すなわち、ユーザーが使用できない）。この点を改良したマトリクス装置の例を図１２に示す。
【０１５３】
図１２に示されるマトリクス装置１２は８行７列計５６個の要素デバイス１１（要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［８，７］）と、基準となる要素デバイス１１［１，０］を有する。
【０１５４】
第１行の要素デバイス１１（要素デバイス１１［１，０］乃至要素デバイス１１［１，７］）は、それぞれ、ドライブラインＤｒｖ［１，０］乃至ドライブラインＤｒｖ［１，７］の信号にしたがって、センスラインＳｎｓ［０］乃至センスラインＳｎｓ［７］の第１の物理量（例えば、電流Ｉ）を変動させる。
【０１５５】
第２行乃至第８行の要素デバイス１１（要素デバイス１１［２，１］乃至要素デバイス１１［８，７］）は、それぞれ、ドライブラインＤｒｖ［２］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］の信号にしたがって、センスラインＳｎｓ［１］乃至センスラインＳｎｓ［７］の第１の物理量（例えば、電流Ｉ）を変動させる。
【０１５６】
また、センスラインＳｎｓ［０］乃至センスラインＳｎｓ［７］のそれぞれは、それぞれの配線に設けられた要素デバイス１１以外の電気素子や配線から電気的に絶縁された状態（フローティング状態）とすることができる。また、スイッチＳＷ［０］乃至スイッチＳＷ［７］をオンとすることで、センスラインＳｎｓ［０］乃至センスラインＳｎｓ［７］を接続することができる。以下に動作方法の例を説明する。
【０１５７】
スイッチＳＷ［０］乃至スイッチＳＷ［７］をオフとした状態で、＜データの読み出し方法−変形２＞および＜多値データおよびアナログデータの読み出し方法＞で説明した方法と同様な方法で、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［８，７］の第２の物理量を算出する。
【０１５８】
この際、ドライブラインＤｒｖ［１，１］乃至ドライブラインＤｒｖ［１，７］には、アダマール行列の第１行に相当する信号が与えられる。ドライブラインＤｒｖ［２］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］には、それぞれ、アダマール行列の第２行乃至第８行に相当する信号が与えられる。
【０１５９】
この結果、要素デバイス１１［ｎ，ｍ］（ｎは２以上８以下の整数、ｍは１以上７以下の整数）の第２の物理量と要素デバイス１１［１，ｍ］の第２の物理量の差が求まる。
【０１６０】
次に、要素デバイス１１［１，ｍ］の第２の物理量と要素デバイス１１［１，０］の第２の物理量の差を求める。そのためには、スイッチＳＷ［０］乃至スイッチＳＷ［７］をオンとした状態で、ドライブラインＤｒｖ［１，０］乃至ドライブラインＤｒｖ［１，７］に、それぞれ、アダマール行列の第１行乃至第８行に相当する信号を与える。
【０１６１】
そして、それぞれの時点でのセンスラインＳｎｓ［０］乃至センスラインＳｎｓ［７］のいずれかの第１の物理量を測定する。このようにして測定した第１の物理量を用いて、要素デバイス１１［１，ｍ］の第２の物理量と要素デバイス１１［１，０］の第２の物理量の差が求まる。要素デバイス１１［１，０］の第２の物理量が既知であれば、要素デバイス１１［１，ｍ］の第２の物理量も知ることができ、さらには、要素デバイス１１［ｎ，ｍ］の第２の物理量も知ることができる。
【０１６２】
図１３（Ａ）は、マトリクス装置１２を駆動するための周辺回路を有する電子装置の例を示す。図１３（Ａ）において、信号生成回路２１は、８つの端子Ｔｒｍ［１］乃至端子Ｔｒｍ［８］からアダマール行列に応じた信号を出力する。ここで、端子Ｔｒｍ［１］乃至端子Ｔｒｍ［８］は、それぞれ、８次アダマール行列の第１行乃至第８行の要素に応じた信号を出力する。
【０１６３】
そのうち端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力は、ドライブラインＤｒｖ［２］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］を介して、マトリクス装置１２に入力される。また、８つの端子Ｔｒｍ［１］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力は、デコーダ２４にも入力される。
【０１６４】
また、端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力は、マルチプレクサ３１［１］乃至マルチプレクサ３１［７］に、それぞれ入力される。マルチプレクサ３１［１］乃至マルチプレクサ３１［７］には、端子Ｔｒｍ［１］からの出力からも入力され、端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力、あるいは端子Ｔｒｍ［１］からの出力のいずれか一方を選択して出力することができる。
【０１６５】
マルチプレクサ３１［１］乃至マルチプレクサ３１［７］からの出力は、それぞれ、ドライブラインＤｒｖ［１，１］乃至ドライブラインＤｒｖ［１，７］を介して、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［１，７］に入力される。第２行乃至第８行の要素デバイス１１の第２の物理量と第１行の要素デバイス１１の第２の物理量との差を求める際には、マルチプレクサ３１［１］乃至マルチプレクサ３１［７］は、端子Ｔｒｍ［１］からの出力を選択するようにする。
【０１６６】
一方、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［１，７］の第２の物理量と要素デバイス１１［１，０］の第２の物理量との差を求める際には、マルチプレクサ３１［１］乃至マルチプレクサ３１［７］は、端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力を選択するようにする。なお、要素デバイス１１［１，０］には、端子Ｔｒｍ［１］からの出力が、ドライブラインＤｒｖ［１，０］を介して入力される。
【０１６７】
図１３（Ａ）から明らかなように、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［１，７］の第２の物理量と要素デバイス１１［１，０］の第２の物理量との差を求める際にも、端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力が、ドライブラインＤｒｖ［２］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］を介して、第２行乃至第８行の要素デバイス１１に入力される。ここで、第２行乃至第８行の要素デバイス１１がセンスラインＳｎｓの第１の物理量を変動させると、正確な測定がおこなえなくなる。したがって、第２行乃至第８行の要素デバイス１１は、必要に応じて、センスラインＳｎｓの第１の物理量を変動させることがないように設計されているとよい。
【０１６８】
そのためには、例えば、図２（Ａ）に示すように、要素デバイス１１内に、スイッチとなるような電気素子（トランジスタ１６）等を設けるとよい。あるいは、図１３（Ｂ）に示すように、マルチプレクサ３２によって、端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力か、電位Ｖ０かのいずれかを、ドライブラインＤｒｖに出力するようにしてもよい。
【０１６９】
マルチプレクサ３２が、電位Ｖ０をドライブラインＤｒｖに出力する場合、特に、磁気トンネル接合素子１５等の非線型素子を用いる場合には、センスラインＳｎｓの電位がＶ０から少し変動しても、ほとんど電流が流れないため、トランジスタ１６がオフになっているのと同じ状況を作り出すことができる。
【０１７０】
マルチプレクサ３２は、第２行乃至第８行の要素デバイス１１の第２の物理量と第１行の要素デバイス１１の第２の物理量との差を求める際には、端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］からの出力を選択する。一方、要素デバイス１１［１，１］乃至要素デバイス１１［１，７］の第２の物理量と要素デバイス１１［１，０］の第２の物理量との差を求める際には、マルチプレクサ３２は、電位Ｖ０を出力する。
【０１７１】
以上は、８行７列という小規模なマトリクス装置の例であるが、実施の形態１で説明したように、より大規模なマトリクス装置でも同様におこなうことができる。図１４には、その例を示す。図１４に示す電子装置の例では、信号生成回路２１の端子Ｔｒｍ［２］乃至端子Ｔｒｍ［８］の出力が、図５に示すようにデマルチプレクサ２２でドライブラインＤｒｖに分配される。また、マルチプレクサ３１の出力は、デマルチプレクサ３３に入力される。
【０１７２】
（実施の形態３）
以下では、第１の物理量として、電位あるいは電圧を用いた場合について説明する。ここでは、要素デバイス１１の静電容量を、センスラインＳｎｓの電位を測定することにより求める例について述べる。
【０１７３】
この例では、要素デバイス１１は、図１５（Ａ）に示すような容量素子１７が、ドライブラインＤｒｖとセンスラインＳｎｓの交点に設けられた構造を有する。容量素子１７は、要素デバイス１１ごとに異なってもよい。
【０１７４】
例えば、容量素子１７は、ドライブラインＤｒｖとセンスラインＳｎｓが交差することによる容量に加えて、他の物体が近接すると増減する容量がある。静電容量型のタッチパネルでは、このような構成を有する。
【０１７５】
例えば、容量素子１７は、誘電率あるいは静電容量を変動させることのできる誘電体を有し、誘電率や静電容量の大小によって、データを記憶するメモリセルとすることもできる。なお、図１５（Ｂ）に示すように、ワードラインＷｒｄでオンオフが制御できる制御用のトランジスタ１６（あるいは、同様な機能を有するスイッチ）を有してもよい。
【０１７６】
図１５（Ｂ）では、センスラインＳｎｓ［７］と容量素子１７の間にトランジスタ１６のソースとドレインがあるが、ドライブラインＤｒｖ［８］と容量素子１７の間にトランジスタ１６のソースとドレインがある構成でもよい。
【０１７７】
ここで、ドライブラインＤｒｖに何らかの電位が与えられると、（フローティング状態である）センスラインＳｎｓの電位は、容量素子１７を介した容量カップリングによりドライブラインＤｒｖの電位の影響を受ける。
【０１７８】
例えば、マトリクス装置が、図１に示す８行７列のマトリクス装置１０で、センスラインＳｎｓ［７］には、要素デバイス１１［１，７］乃至要素デバイス１１［８，７］以外の容量がカップリングしていない場合を考える。初期状態（ｔ＝０）において、ドライブラインＤｒｖ、センスラインＳｎｓとも電位はＶ０であったとする。
【０１７９】
次に、ｔ＝１のときのセンスラインＳｎｓ［７］の電位は、電位ΔＶＳ［７］ｔ＝１だけ変動する。電位ΔＶＳ［７］ｔ＝１は、ドライブラインＤｒｖ［１］乃至ドライブラインＤｒｖ［８］の電位がΔＶＤ［１］ｔ＝１乃至電位ΔＶＤ［８］ｔ＝１だけ変動したとすると、容量素子１７［１，７］乃至容量素子１７［８，７］の容量ｃ［１，７］乃至容量ｃ［８，７］を用いて、
【数２７】
0006588300.tif 000028
、
と表現できる。
【０１８０】
現実には、容量素子１７以外の容量ｃ［０，７］も存在するので、容量ｃ［０，７］の対向側の電極の電位がΔＶｐ［７］ｔ＝１だけ変動したとすれば、
【数２８】
0006588300.tif 000029
、
と表現できる。容量ｃ［０，７］としては、例えば、センスラインＳｎｓ［７］に隣接するセンスラインＳｎｓ［６］あるいは他の配線との容量がある。
【０１８１】
実施の形態１で示したように、８次のアダマール行列Ｈに応じた符号化信号をドライブラインＤｒｖに入力するのであれば、電位ΔＶＤ［１］ｔ＝１乃至電位ΔＶＤ［８］ｔ＝１は、実施の形態１で説明したように、ＶＨ−Ｖ０か、ＶＬ−Ｖ０とできる。ここでは、ＶＨ＋ＶＬ＝２Ｖ０とする。時間ｔ＝２乃至時間ｔ＝８でも同様であるので、
【数２９】
0006588300.tif 000030
、
となる。ただし、式中、Ｈは８次アダマール行列であり、
【数３０】
0006588300.tif 000031
、
である。
【０１８２】
したがって、実施の形態１で示したのと同様な方法で、
【数３１】
0006588300.tif 000032
、
が得られる。ここで、上述のとおり、容量ｃ［０，７］は、センスラインＳｎｓ［７］に隣接するセンスラインＳｎｓ［６］あるいは他の配線との間の容量であるので、電位ΔＶｐ［７］ｔ＝１乃至電位ΔＶｐ［７］ｔ＝８はセンスラインＳｎｓ［６］あるいは他の配線の電位となる。したがって、電位ΔＶｐ［７］ｔ＝１乃至電位ΔＶｐ［７］ｔ＝８は相互に異なる可能性がある。
【０１８３】
ただし、ｃ［０，７］が非常に小さい場合には、この項は０として扱える。また、電位ΔＶｐ［７］ｔ＝１乃至電位ΔＶｐ［７］ｔ＝８相互の差が小さい場合には定数として扱える。特に、センスラインＳｎｓ［６］とその他の配線の電位の変動を０とすれば、この項は０として扱える。すなわち、
【数３２】
0006588300.tif 000033
、
と近似できる。
【０１８４】
また、
【数３３】
0006588300.tif 000034
、
である。
【０１８５】
センスラインＳｎｓの電位の変動がないようにするには、例えば、センスラインＳｎｓ［１］、センスラインＳｎｓ［３］、センスラインＳｎｓ［５］、センスラインＳｎｓ［７］にてデータの読み出しをおこなう場合には、センスラインＳｎｓ［２］、センスラインＳｎｓ［４］、センスラインＳｎｓ［６］の電位をＶ０に維持する、というようにすればよい。
【０１８６】
実施の形態１でも説明したようにアダマール行列の第１行および第１列の要素は１である。したがって、実施の形態１の＜データの読み出し方法−基本＞と同様に時間ｔ＝１のときの測定はおこなわない。その他、実施の形態１あるいは実施の形態２で説明した技術は、適宜、修正して、本実施の形態に示すマトリクス装置にも適用可能である。
【０１８７】
例えば、マトリクス装置１０が静電容量式タッチパネルである場合、センスラインＳｎｓの電位は、実施の形態１の＜データの読み出し方法−基本＞で説明したように、３段階の値を読み出せるようにするとよい。タッチパネルで、タッチしているかどうかは、メモリ装置でデータ”０”が記憶されているか”１”が記憶されているかに相当する。
【０１８８】
タッチパネルでは、１つのセンスラインＳｎｓの要素デバイス１１のうち、必ず１つだけあるいは奇数個の要素デバイス１１だけにタッチされるとは限らず、場合によって偶数個（０個を含む）の要素デバイス１１にタッチされることがある。もし、電位の判定が２段階であると、＜データの読み出し方法−変形３＞で説明したように、正確な値を算出できなくなる。３段階の値が読み出せると、タッチされている要素デバイス１１が偶数個でも奇数個でも、タッチの有無を確実に判定できる。
【０１８９】
ただし、タッチされている要素デバイス１１の数が、予め偶数個であるか奇数個であるかわかっていると、＜データの読み出し方法−変形４＞で説明したように、判定基準の精度を低下させることができる。具体的には、分解能を２倍としてもよい。このことは、センスラインＳｎｓの電位変動が微弱で測定に困難を伴う（タッチパネルでは多くの場合、そうである）場合に有利である。
【０１９０】
そこで、３段階の値を読み出す過程と、２段階の値を読み出す過程とをおこない、それぞれの結果を対比させてタッチされている要素デバイス１１を特定してもよい。この場合、３段階の値を読み出す際の精度は、２段階の値を読み出す際の精度と同じとできる。
【０１９１】
なお、＜データの読み出し方法−変形１＞で説明したようなすべてのデータが同じである場合は、タッチパネルでは、全くタッチしていない場合とみなしてよい。
【０１９２】
センスラインＳｎｓの電位の変動をより細かく測定できるのであれば、要素デバイス１１の容量素子１７の容量の大小も比較できる。このことにより、要素デバイス１１にタッチしているか否かだけではなく、タッチしている面積をも推定できる。ある物体が複数の要素デバイスにタッチしている場合には、その中心位置や形状を推測・演算することも可能となる。
【符号の説明】
【０１９３】
１０      マトリクス装置
１１      要素デバイス
１２      マトリクス装置
１５      磁気トンネル接合素子
１６      トランジスタ
１７      容量素子
２１      信号生成回路
２２      デマルチプレクサ
２３      検出回路
２４      デコーダ
２５      遅延回路
２６      演算回路
２７      ロジック部
２８      メモリ
２９      カウンタ
２９＿１      第１カウンタ
２９＿２      第２カウンタ
３０      比較器
３１      マルチプレクサ
３２      マルチプレクサ
３３      デマルチプレクサ
ＡＮＤ１      ＡＮＤゲート
ＡＮＤ２      ＡＮＤゲート
ＡＮＤ３      ＡＮＤゲート
ＡＮＤ４      ＡＮＤゲート
ＣＬＫ１      クロック信号
ＣＬＫ２      クロック信号
Ｄｒｖ      ドライブライン
Ｄｔａ      データライン
Ｄｔａ＋      データライン
Ｄｔａ−      データライン
ｉ      電流値
Ｉ      電流
ＩＮＶ１      インバータ
ＩＮＶ２      インバータ
ＮＡＮＤ１      ＮＡＮＤゲート
ＮＡＮＤ２      ＮＡＮＤゲート
ＮＡＮＤ３      ＮＡＮＤゲート
ＮＡＮＤ４      ＮＡＮＤゲート
ＮＯＲ１      ＮＯＲゲート
ＮＯＲ２      ＮＯＲゲート
ＮＯＲ３      ＮＯＲゲート
ＮＯＲ４      ＮＯＲゲート
ＮＯＲ５      ＮＯＲゲート
ＮＯＲ６      ＮＯＲゲート
ＯＲ１      ＯＲゲート
ＯＲ２      ＯＲゲート
Ｔｒｍ      端子
Ｓｎｓ      センスライン
ＴＧ１      トランスファーゲート
ＴＧ２      トランスファーゲート
Ｗｒｄ      ワードライン
ＸＯＲ１      ＸＯＲゲート
【図１】
0006588300.tif 000035
【図２】
0006588300.tif 000036
【図３】
0006588300.tif 000037
【図４】
0006588300.tif 000038
【図５】
0006588300.tif 000039
【図６】
0006588300.tif 000040
【図７】
0006588300.tif 000041
【図８】
0006588300.tif 000042
【図９】
0006588300.tif 000043
【図１０】
0006588300.tif 000044
【図１１】
0006588300.tif 000045
【図１２】
0006588300.tif 000046
【図１３】
0006588300.tif 000047
【図１４】
0006588300.tif 000048
【図１５】
0006588300.tif 000049