(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に、発光素子を搭載する凹部を有する絶縁基体と、
前記凹部の底面における、前記凹部の内壁側周縁部に設けられた配線導体と、
前記主面側に傾斜面を有する、前記絶縁基体の側面とを有しており、
前記配線導体から離間し、前記凹部の内壁から前記主面および前記傾斜面にかけて金属層が設けられており、
該金属層は、前記凹部の前記内壁から前記主面における厚みが、前記傾斜面における厚みより大きいことを特徴とする発光素子搭載用パッケージ。
【請求項２】
前記金属層における前記側面側の端部と前記主面との間の距離が、前記金属層における前記内壁側の端部と前記主面との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項３】
前記金属層における前記側面側の端部と前記主面との間の距離が、前記凹部の深さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項４】
縦断面視において、前記傾斜面は凸曲面状であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項５】
前記傾斜面は傾斜角度が異なる第１傾斜面および第２傾斜面を有していることを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項６】
前記絶縁基体は前記主面に相対する他方主面を有しており、
前記第１傾斜面は前記他方主面側に設けられ、前記第２傾斜面は前記主面側に設けられており、
前記第２傾斜面は前記第１傾斜面より傾斜角度が大きいことを特徴とする請求項５に記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項７】
前記凹部の底面側の内壁は、前記凹部の内側に突出する突出部を有していることを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項８】
前記金属層は、前記突出部上に延出して設けられていることを特徴とする請求項７に記載の発光素子搭載用パッケージ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８に記載の発光素子搭載用パッケージと、
該発光素子搭載用パッケージの前記凹部に搭載された発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された発光装置と、
接続パッドを有し、前記発光装置が前記接続パッドに接合材を介して接続されたモジュール用基板とを有することを特徴とする発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオード等の発光素子が搭載される発光素子搭載用パッケージ、発光装置および発光モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子を搭載するための凹部を有する発光素子搭載用パッケージが知られている（特開2009−239017号公報参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、近年の発光装置の小型化および高輝度化が求められており、発光素子搭載用パッケージの小型化に伴い、凹部の壁部を透過して漏洩する光量が多くなる可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一つの態様によれば、発光素子搭載用パッケージは、主面に、発光素子を搭載する凹部を有する絶縁基体と、前記凹部の底面における、前記凹部の内壁側周縁部に設けられた配線導体と、前記主面側に傾斜面を有する、前記絶縁基体の側面とを有しており、前記配線導体から離間し、前記凹部の内壁から前記主面および前記傾斜面にかけて金属層が設けられており、該金属層は、前記凹部の前記内壁から前記主面における厚みが、前記傾斜面における厚みより大きい。
【０００５】
本発明の他の態様によれば、発光装置は、上記構成の発光素子搭載用パッケージと、該発光素子搭載用パッケージの前記凹部に搭載された発光素子を有している。【０００６】
本発明の他の態様によれば、発光モジュールは、上記構成の発光装置がモジュール用基板の接続パッドに接合材を介して接続されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様による発光素子搭載用パッケージは、主面に、発光素子を搭載する凹部を有する絶縁基体と、凹部の底面における、凹部の内壁側周縁部に設けられた配線導体と、主面側に傾斜面を有する、絶縁基体の側面とを有しており、配線導体から離間し、凹部の内壁から主面および傾斜面にかけて金属層が設けられており、金属層は、凹部の内壁から主面における厚みが、傾斜面における厚みより大きいことから、金属層により凹部の壁部を透過して光が外部に漏洩することを良好に抑制することができる。
【０００８】
本発明の他の態様による発光装置は、上記構成の発光素子搭載用パッケージと、発光素子搭載用パッケージの前記凹部に搭載された発光素子を有していることから、外部に光を良好に放射することができる発光装置とすることができる。【０００９】
本発明の他の態様による発光モジュールは、発光モジュールは、上記構成の発光装置がモジュール用基板の接続パッドに接合材を介して接続されていることから、外部に光を良好に放射することができる発光モジュールとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態における発光装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ部における要部拡大縦断面図である。
【図３】（ａ）は、図１の発光装置における発光素子搭載用パッケージの製造方法の一工程を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図である。
【図４】（ａ）は、図１の発光装置における発光素子搭載用パッケージの製造方法の一工程を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図である。
【図５】（ａ）は、図１の発光装置における発光素子搭載用パッケージの製造方法の一工程を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図である。
【図６】図１における発光装置を用いたモジュール用基板に実装した発光モジュールを示す縦断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第１の実施形態の他の例における発光装置の要部拡大縦断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の第２の実施形態における発光装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図９】（ａ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ部における要部拡大縦断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の第３の実施形態における発光装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図１１】（ａ）は、図11（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ部における要部拡大縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における発光装置は、図１および図２に示された例のように、発光素子搭載用パッケージ１と、発光素子搭載用パッケージ１に形成された凹部12内に搭載された発光素子２とを含んでいる。発光装置は、例えば発光モジュールを構成するモジュール用基板５上に実装される。
【００１３】
本実施形態における発光素子搭載用パッケージ１は、主面11ａに、発光素子２を搭載する凹部12を有する絶縁基体11と、凹部12の内壁12ａ側周縁部に設けられた配線導体13と、主面11ａ側に傾斜面11ｂを有する、絶縁基体11の側面とを有している。配線導体13は、凹部12の底面から絶縁基体11の内部および主面11ａにかけて設けられている。発光素子搭載用パッケージ１は、配線導体13から離間し、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて設けられた金属層14を有している。平面透視にて、凹部12の内壁となる領域を、図１において、点線で示している。また、図１および図２において、発光装置は、仮想のｘｙｚ空間内に設けられており、以下便宜的に「上方向」とは仮想のｚ軸の正方向のことをいう。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に発光素子搭載用パッケージ１等が使用される際の上下を限定するものではない。
【００１４】
絶縁基体11は、主面11ａすなわち一方主面（図１および図２では上面）に凹部12を有しており、平面視において、矩形の板状の形状を有している。絶縁基体11の側面は、一方主面側に傾斜面11ｂを有している。傾斜面11ｂは、絶縁基体11の４つの側面のそれぞれに、平面視にて絶縁基体11の外縁に沿って帯状に設けられている。絶縁基体11は、発光素子２を支持するための支持体として機能し、凹部12の底面に設けられた配線導体13上に発光素子２が低融点ろう材または導電性樹脂等の接合剤を介して接着され固定される。
【００１５】
絶縁基体11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。
【００１６】
絶縁基体11が、例えば窒化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、主成分として窒化アルミニウムと、焼結助剤としてイットリア、エルビア等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシートを得て、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層して絶縁基体11用の生積層体を形成し、高温（約1800℃）で焼成することによって製作される。なお、主成分の窒化アルミニウムとは、絶縁基体11全体の質量を100質量％とした際に、絶縁基体11中に窒化アルミニウムの質量が80質量％以上含むことをいう。好ましくは、絶縁基体11中の窒化アルミニウムは95質量％以上含有されていることが好ましい。窒化アルミニウムが95質量％以上含まれていると、絶縁基体11の熱伝導率を150Ｗ／ｍＫ以上としやすいため、熱放散性に優れた発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。
【００１７】
凹部12は、発光素子２を収納して底面に搭載するための領域であり、絶縁基体11の一方主面（図１および図２では、絶縁基体11の上面）に設けられている。凹部12は、図１に示された例では、平面視にて矩形状である。このような凹部12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートにレーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって、凹部12となる貫通孔を複数のセラミックグリーンシートに形成し、これらのセラミックグリーンシートを、貫通孔を形成していないセラミックグリーンシートに積層することで形成できる。
【００１８】
配線導体13は、図１および図２に示された例では、絶縁基体11の凹部12の底面、内部および他方主面（下面）に設けられ、凹部12の底面における、凹部12の内壁12ａ側周縁部に設けられている。配線導体13の一端部は、例えば、凹部12の底面に導出しており、凹部12の内壁12ａ側周縁部に設けられている。配線導体13の他端部は、絶縁基体11の他方主面（図１および図２では下面）に導出している。配線導体13は、発光素子搭載用パッケージ１に搭載された発光素子２と外部のモジュール用基板５とを電気的に接続するためのものである。配線導体13は、絶縁基体11の凹部12の底面または内部に設けられた配線導体と、絶縁基体11を構成する絶縁層を貫通して他方主面に位置する配線導体とを電気的に接続する貫通導体を含んでいる。
【００１９】
配線導体13は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。例えば、絶縁基体11が窒化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ，ＭｏまたはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得た配線導体13用の導体ペーストを、絶縁基体11となるセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基体11となるセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基体11の所定位置に被着形成される。配線導体13が貫通導体である場合は、金型やパンチングによる打ち抜き加工やレーザー加工によってグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔に印刷法によって配線導体13用の導体ペーストを充填しておくことによって形成される。
【００２０】
配線導体13の露出する表面には、さらに電解めっき法または無電解めっき法によってめっき層が被着されている。めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性や接続部材３との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば、厚さ0.5〜５μｍ程度のニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着される。これによって、配線導体13が腐食することを効果的に抑制できるとともに、配線導体13と発光素子２との接合材による接合や配線導体13とボンディングワイヤ等の接続部材３との接合や、配線導体13と外部のモジュール用基板５の配線との接合を強固にできる。
【００２１】
また、めっき層は、ニッケルめっき層／金めっき層に限られるものではなく、ニッケルめっき層／パラジウムめっき層／金めっき層等を含むその他のめっき層であっても構わない。
【００２２】
また、配線導体13の絶縁基体11から露出した表面に、１〜10μｍ程度の銀めっき層が被着されていてもよい。配線導体13の最表面に銀めっき層を被着しておくと、発光素子２から配線導体13側に放出された光を良好に反射できる発光装置とすることができる。
【００２３】
また、発光素子２が搭載される配線導体13の最表面には銀めっき層を被着させ、他の配線導体13の最表面には金めっき層を被着させることが好ましい。金めっき層は、銀めっき層と比較して、接続部材３、外部のモジュール用基板５の接続パッド51との接合性に優れており、銀めっき層は、金めっき層と比較して光に対する反射率が高いためである。また、配線導体13の最表面に被着されるめっき層を銀と金との合金めっき層として、例えば、銀と金との全率固溶の合金めっき層としてもよい。
【００２４】
また、発光素子２が搭載される配線導体13上に厚さ10〜80μｍ程度の銅めっき層を被着、例えば、ニッケルめっき層と金めっき層との間に厚さ10〜80μｍ程度の銅めっき層を設けておくことにより、配線導体13の熱伝導を高め、発光素子２の熱を発光素子搭載用パッケージ１に良好に放熱させやすくしてもよい。そして、絶縁基体11の下面の配線導体13上においても同様に、厚さ10〜80μｍ程度の銅めっき層を被着させておくことにより、発光素子搭載用パッケージ１から外部のモジュール用基板５に放熱させやすくしてもよい。
【００２５】
金属層14は、配線導体13と離間して設けられており、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて設けられている。ここで、金属層14が配線導体13から離間しているとは、配線導体13と金属層14とが互いに電気的に独立していることを示している。例えば、配線導体13が、図２に示すように、凹部12の底面から凹部12の壁部内部まで延出している場合には、金属層14は、端部が凹部12の底面から離間、すなわち凹部12の内壁12ａの途中から設けられる。このような場合、金属層14は、例えば、凹部12の底面から0.05ｍｍ〜0.2ｍｍ程度の間隙を設けて、凹部12の内壁12ａの途中から設けられる。金属層14の凹部12の内壁12ａ側における端部は、凹部12の底面に発光素子２を搭載した際、発光素子の発光面よりも凹部12の底面側に位置しておくことが好ましい。金属層14は、平面視で凹部12を取り囲んだ主面11ａの全面に設けられ、絶縁基体11の４つの側面における傾斜面11ｂに延出している。金属層14が、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて設けられていると、発光素子２から発光された光が絶縁基体11内部で乱反射したとしても、絶縁基体11の上面側または絶縁基体11の側面側から透過されること抑制することができる。
【００２６】
ここで、絶縁基体11の側面における傾斜面11ｂの傾斜角度θ１は、５°〜20°に形成される。ここで、傾斜角度θ１とは、図２に示された例のように、傾斜面11ｂと絶縁基体11の傾斜面11ｂを除く側面の延長線との間の角度を示している。なお、絶縁基体11の４つの側面における傾斜面11ｂの傾斜角度は全て同じ角度であっても良いが、絶縁基体11の４つの側面における傾斜面11ｂの傾斜角度が異なっていても構わない。例えば、傾斜面11ｂの主面11ａからの深さ（ｚ方向）に合わせて傾斜面11ｂの傾斜角度を大きくしたり、傾斜角度を異ならせることにより平面視における発光素子搭載用パッケージ１の方向の確認に用いたりすることができる。
【００２７】
金属層14は、アルミニウム、銀等の絶縁基体11よりも発光素子２の発光する光に対する反射率に優れた金属が用いられる。特に、金属層14は、配線導体13または配線導体13の露出された表面に被着されためっき層よりも反射率に優れた金属が用いられることが好ましい。例えば、配線導体13がＷを主成分とし、配線導体13の露出された表面に被着された最表面のめっき層が金からなる場合、反射率に優れたアルミニウム等からなる金属層14が好適に選択される。金属層14は、例えば、蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリング法等の薄膜形成技術を採用することにより、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて設けられる。また、絶縁基体11と金属層14との密着性を高めるために、絶縁基体11と金属層14との間に密着層を設けていても構わない。
【００２８】
このような金属層14は、例えば、以下の製造方法により製作できる。
【００２９】
最初に、図３に示された例のように、主面111ａおよび内部に配線導体13を有する絶縁母基板111を準備する。絶縁母基板111の中央部には、主面111ａに凹部12を有する絶縁基体11となる領域112が設けられており、絶縁基体11となる領域112の４つの外縁に沿って断面視にてＶ字状の溝111ｂがそれぞれ設けられている。Ｖ字状の溝111ｂは、例えば、絶縁母基板111用の生積層体の一方主面に、切込み刃により絶縁基体11となる領域112の４つの外縁に沿ってＶ字状の切込みを入れておくことにより形成することができる。Ｖ字状の溝111ｂは、図３に示された例において、絶縁基体11となる領域112側および他の領域側への傾きが同じ内面を有した溝111ｂであるが、絶縁基体11となる領域112側および他の領域側への傾きがそれぞれ異なる、例えば、絶縁基体11となる領域112側が15°傾斜した内面と、他の領域側が絶縁母基板111の主面111ａに対して垂直な内面（傾斜角度0°）とを有した溝111ｂであっても構わない。
【００３０】
なお、絶縁基体11に金属層14を形成する前に、配線導体13の露出する表面に、上述のめっき層が予め被着された状態に形成しておくことが好ましい。これにより、発光素子搭載用基板１の製作時に、めっき液等により金属層14の表面が変質されるのを抑制することができる。
【００３１】
次に、図４に示すように、凹部12の内壁12ａ、絶縁母基板111の主面111ａ、Ｖ字状の溝111ｂの内面に金属層14を形成する。金属層14は、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよびＶ字状の溝111ｂの内面にかけて繋がって形成される。ここで、凹部12の底面および配線導体13の表面を遮蔽板やフィルム等により被覆しておくことで、金属層14が凹部12の底面および配線導体13の表面に被着されないようにしておくことができ、金属層14が配線導体13から離間した状態に形成することができる。
【００３２】
最後に、Ｖ字状の溝111ｂに沿って絶縁基体11となる領域112と他の領域とを分離することにより、図５に示すように、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて設けられた金属層14を有する発光素子搭載用パッケージ１を形成することができる。絶縁基体11となる領域112と他の領域とを分離方法としては、Ｖ字状の溝111ｂに沿って分割する方法等を用いることができる。なお、図４に示す工程において、金属層14が、溝111ｂの底部に形成されないようにしておくと、絶縁母基板111を絶縁基体11となる領域112と他の領域とに分離する際に、分離する際の応力によって、傾斜面11ｂから金属層14を剥がしてしまうことを抑制することができ、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて金属層14を良好に形成することができる。
【００３３】
Ｖ字状の溝111ｂの内角θ２は、10°〜40°に形成される。溝111ｂの内面に金属層14を良好に形成するとともに、溝111ｂの底部側における溝111ｂの幅を狭くすることで、溝111ｂの底部に金属層14を被着されにくくすることができ、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて金属層14が良好に形成された発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。
【００３４】
また、発光素子搭載用パッケージ１が小型な場合に、取り扱いを容易とし、多数のパッケージを効率よく製造するために、複数の絶縁基体11となる領域112が縦横に配列した多数個取り用の基板を用いて製作することもできる。この場合、それぞれの絶縁基体11となる領域112の外縁に沿ってＶ字状の溝111ｂを形成しておき、複数の絶縁基体11となる領域112に同時に金属層14を形成することにより、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて設けられた金属層14を有する発光素子搭載用パッケージ１を効率よく形成することができる。
【００３５】
発光素子搭載用パッケージ１は、凹部12内に発光素子２が搭載され、発光素子２の電極と配線導体13とが電気的に接続されることによって、発光装置として作製される。発光素子２がワイヤボンディング型である場合には、発光素子２は、半田等の接合材によって配線導体13上に固定された後、ボンディングワイヤ等の接続部材３を介して発光素子２の電極と配線導体13とが電気的に接続されることによって発光素子搭載用パッケージ１に搭載される。発光素子２がフリップチップ型である場合には、はんだバンプまたは金バンプ等の接続部材３を介して、発光素子２の電極と配線導体13とが電気的および機械的に接続されることによって発光素子搭載用パッケージ１に搭載される。
【００３６】
なお、発光素子２は必要に応じて、樹脂やガラス等からなる封止材４、あるいは樹脂やガラス等からなる蓋体等により封止される。また、発光素子搭載用パッケージ１は、凹部12内に複数の発光素子２が搭載されても良いし、ツェナーダイオード等の小型の電子部品が搭載されていてもよい。
【００３７】
本発明の発光装置が、図６に示される例のように、外部のモジュール用基板５の接続パッド51に半田等の接合材６を介して接続されることで、発光モジュールとなる。
【００３８】
本実施形態の発光素子搭載用パッケージ１によれば、主面11ａに、発光素子２を搭載する凹部12を有する絶縁基体11と、凹部12の底面における、凹部12の内壁12ａ側周縁部に設けられた配線導体13と、主面11ａ側に傾斜面11ｂを有する、絶縁基体11の側面とを有しており、配線導体13から離間し、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて金属層14が設けられていることから、金属層14により凹部12の壁部を透過して光が外部に漏洩することを良好に抑制することができる。
【００３９】
また、図２に示された例のように、絶縁基体11の厚み方向において、金属層14における側面側の端部と主面11ａとの間の距離が、金属層14における内壁12ａ側の端部と主面11ａとの間の距離よりも大きいと、金属層14により凹部12の壁部を透過して光が絶縁基体11の側面方向に外部に漏洩することを良好に抑制することができる。
【００４０】
また、図２に示された例のように、絶縁基体11の厚み方向において、金属層14における側面側の端部と主面11ａとの間の距離が、凹部12の深さよりも大きいと、金属層14により凹部12の壁部を透過して光が絶縁基体11の側面方向に外部に漏洩することを良好に抑制することができる。傾斜面11ｂの深さ（絶縁基板11の厚み方向における主面11ａから傾斜面11ｂの端部までの深さ）が、図２に示された例のように、凹部12の深さ（絶縁基板11の厚み方向における主面11ａから凹部12の底面までの深さ）よりも大きくなるように形成しておき、金属層14における側面側の端部と主面11ａとの間の距離が、凹部12の深さよりも大きくなるように形成すればよい。
【００４１】
また、絶縁基体11の傾斜面11ｂは、図７に示された例のように、縦断面視において、外側に凸である曲面状の傾斜面11ｂであっても構わない。縦断面視において、外側に凸である曲面状の傾斜面11ｂとしておくと、上述のように、絶縁母基板111を用いて製作する凹部12の内壁12ａ、絶縁母基板111の主面111ａ、溝111ｂの内面に金属層14を形成する際に、絶縁母基板111の主面111ａ側における溝111ｂの内面の内角を大きく、かつ溝111ｂの幅を広くすることで、絶縁母基板111の主面111ａ側における溝111ｂの内面に金属層14を良好に形成するとともに、溝111ｂの底部側における内面の内角を小さく、かつ溝111ｂの幅を狭くすることで、溝111ｂの底部に金属層14を被着しにくくすることができ、凹部12の内壁12ａから絶縁基体11の主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて金属層14が良好に形成された発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。なお、傾斜面11ｂが凸曲面状である場合には、傾斜面11ｂの上端部と下端部とを結んだ仮想線の傾斜角度が上述の傾斜面11ｂの傾斜角度θ１の範囲内にあることが好ましい。
【００４２】
また、絶縁基体11の主面11ａと傾斜面11ｂの表面は、凹部12の内壁12ａよりも平坦である（表面における凹凸が小さい）と、凹部12内に封止材４に封入する際に、凹部12の内壁12ａの表面の凹凸により金属層14と封止材４との密着性を高め、凹部12内に封入された封止材４の信頼性を高めることができ、また、絶縁基体11の主面11ａおよび傾斜面11ｂにおいて絶縁基体11と金属層14との密着性を高めることができるので、信頼性に優れた発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。例えば、図３〜図５に示された例のように、溝111ｂを分離して発光素子搭載用パッケージ１を製作する場合には、絶縁基体11の傾斜面11ｂを除く側面は、傾斜面11ｂと比較して凹凸が大きくなりやすい。溝111ｂに金属層14の端部を設けておくことにより、金属層14の端部が絶縁基体11から剥がれにくいものとなり、凹部12の内壁12ａから主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて金属層14が良好に設けられた発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。
【００４３】
本実施形態の発光装置によれば、上記構成の発光素子搭載用パッケージ１と、発光素子搭載用パッケージ１の凹部12に搭載された発光素子２を有することによって、小型で高輝度の発光装置とすることができる。
【００４４】
本実施形態の発光モジュールによれば、上記構成の発光装置がモジュール用基板５の接続パッド51に接合材６を介して接続されていることから、小型で高輝度の発光モジュールとすることができる。
【００４５】
本発明の第１実施形態の発光素子搭載用パッケージ１は、絶縁基体11として暗色系の絶縁基体11を用いた小型の発光素子搭載用パッケージにおいて有効に用いる事ができる。
【００４６】
本発明の第１実施形態の発光素子搭載用パッケージ１は、短波長の発光素子２を用いる発光装置、例えば、ＵＶ（ultra violet）装置等に用いられる発光装置に用いる発光素子搭載用パッケージ１として有効に用いることができる。
【００４７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による発光装置について、図８および図９を参照しつつ説明する。
【００４８】
本発明の第２の実施形態における発光装置において、上記した第１の実施形態の発光装置と異なる点は、図８および図９に示された例のように、絶縁基体11の側面が、傾斜角度の異なる複数の傾斜面を有している、即ち傾斜角度が異なる第１傾斜面および第２傾斜面を有している点である。
【００４９】
第２の実施形態において、傾斜面11ｂは、絶縁基体11の主面11ａに相対する他方主面（図８および図９では絶縁基体11の下面）側の第１傾斜面と、第１傾斜面よりも絶縁基体11の一方主面11ａ（図８および図９では絶縁基体11の上面）側に設けられた第２傾斜面とを有している。第２傾斜面は、第１傾斜面よりも傾斜角度が大きくなるように設けられている。
【００５０】
本実施形態の発光素子搭載用パッケージ１によれば、第１の実施形態の発光素子搭載用パッケージ１と同様に、金属層14により凹部12の壁部を透過して光が外部に漏洩することを良好に抑制することができる。
【００５１】
また、絶縁基体11の側面に傾斜角度の異なる複数の傾斜面11ｂを有していると、第１の実施形態の発光素子搭載用パッケージ１で示した、縦断面視で１つの直線状の傾斜面11ｂを有する場合と比較して、絶縁基体11の傾斜面11ｂを除く側面と第１傾斜面との間の角度、第１傾斜面と第２傾斜面との間の角度、第２傾斜面と絶縁基体11の主面11ａとの間の角度（内角）のそれぞれを鈍角としてより大きくすることができるので、隣接する面の間における金属層14同士の接続が良好になり、凹部12の内壁12ａから絶縁基体11の主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて金属層14が良好に形成された発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。なお、傾斜面11ｂが複数の傾斜面を有している場合には、傾斜面11ｂの上端部と下端部とを結んだ仮想線と、絶縁基体11の傾斜面11ｂを除く側面の延長線との間の角度が、上述の第１の実施形態における傾斜面11ｂの傾斜角度θ１の範囲内にあることが好ましい。
【００５２】
第２実施形態における発光素子搭載用パッケージ１は、例えば、以下のようにして製作することができる。
【００５３】
最初に、第１の実施形態と同様に、絶縁母基板111を準備する。絶縁母基板111の中央部には、主面111ａに凹部12を有する絶縁基体11となる領域112が設けられており、絶縁基体11となる領域112の４つの外縁に沿って断面視にて、絶縁母基板111の一方主面111ａ側（開口側）と底部側との内角が異なる内面を有した溝111ｂがそれぞれ設けられている。溝111ｂは、底部側に設けられた第１斜面と、絶縁母基板111の一方主面111ａ（開口）側に設けられ、第１斜面よりも溝111ｂの内角が大きくなるように設けられた第２斜面とを有している。このような溝111ｂは、例えば、絶縁母基板111用の生積層体の一方主面に、角度の異なる刃角を有する切込み刃により絶縁基体11となる領域112の４つの外縁に沿ってそれぞれ切込みを入れておくことにより形成することができる。上述の場合、第１の実施形態と同様に、絶縁母基板111を用いて製作する際に、絶縁母基板111の主面111ａ側における溝111ｂの第２斜面に金属層14を形成しやすくするともに、溝111ｂの底部側における第１斜面への金属層14の形成を抑制することができ、凹部12の内壁12ａから絶縁基体11の主面11ａおよび傾斜面11ｂにかけて金属層14が良好に設けられた発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。なお、第２の実施形態における発光素子搭載用パッケージにおいても、複数の絶縁基体11となる領域112が縦横に配列した多数個取り用の基板を用いて製作しても良い。
【００５４】
また、絶縁母基板111にＶ字状の溝111ｂを形成し、Ｖ字状の溝111ｂの内面全面に金属層14を形成した後、レーザー加工等により、Ｖ字状の溝111ｂの底部と金属層14の端部との除去を行うことで、縦断面視にて一方主面111ａ側（開口側）と底部側との内角が異なる内面を有した溝111ｂを設けても構わない。この場合、第１傾斜面の深さを調整しやすいとともに、第１傾斜面と第２傾斜面の境界に金属層14の端部が設けられるので、金属層14が傾斜面に良好に形成された発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。
【００５５】
また、縦断面視において、第１傾斜面が外側に凸である曲面状であり、第２傾斜面が直線状である傾斜面11ｂを有する発光素子搭載用パッケージ１であっても構わない。
【００５６】
また、凹部12の底面に発光素子搭載層15、もしくは絶縁基体11の他方主面（図８および図９では絶縁基体11の下面）に中央端子層16を設けていても構わない。発光素子搭載層15および中央端子層16は、上述の配線導体13と同様の材料および方法により製作することができ、露出する表面には、配線導体13と同様のめっき層が被着される。発光素子搭載層15は、例えば、発光素子２の搭載に用いられる。中央端子層16は、例えば、絶縁基板11の他方主面側に設けられた配線導体13と同様に、外部のモジュール用基板５の接続パッド51との接合に用いられる。
【００５７】
また、図８に示された例のように、絶縁基体11の主面11ａにおいて、金属層14に絶縁基体11が露出する露出部11ｃ（金属層14の非形成領域）を設けておくと、例えば、発光装置の方向性の確認等に用いることができる。
【００５８】
本発明の第２実施形態の発光素子搭載用パッケージ１は、第１の実施形態の発光素子搭載用パッケージ１と同様に、短波長の発光素子２を用いる発光装置、例えば、ＵＶ（ultra violet）装置等に用いられる発光装置に用いる発光素子搭載用パッケージ１として有効に用いることができる。
【００５９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態による発光装置について、図10および図11を参照しつつ説明する。
【００６０】
本発明の第３の実施形態における発光装置において、上記した実施形態の発光装置と異なる点は、図10および図11に示された例のように、平面視で凹部12が円形状である点、凹部12内に、凹部12の底面側の内壁12ａが凹部12の内側（発光素子２側）に突出する突出部12ｂを有している点である。
【００６１】
本実施形態の発光素子搭載用パッケージによれば、第１の実施形態の発光素子搭載用パッケージ１と同様に、金属層14により凹部12の壁部を透過して光が外部に漏洩することを良好に抑制することができる。
【００６２】
突出部12ｂは、凹部12の内壁12ａに設けられた金属層14の厚み以上に突出されて設けられている。突出部12ｂは、凹部12の底面から0.05ｍｍ〜0.2ｍｍ程度の厚みに設けられ、凹部12の内壁12ａから0.05ｍｍ〜３ｍｍ程度、凹部12内に突出して設けられる。突出部12ｂは、絶縁基体11の一部として形成される。このような突出部12ｂは、凹部12となる貫通孔をセラミックグリーンシートに形成する際に、突出部12ｂの形状に、セラミックグリーンシートを打ち抜くことで形成することができる。
【００６３】
凹部12の底面側の内壁12ａが凹部12の内側（発光素子２側）に突出する突出部12ｂを設けていると、凹部12の内壁12ａ側周縁部に設けられた配線導体13と内壁12ａに設けられた金属層14とを良好に離間させることができる。また、図10および図11に示された例のように、凹部12の内壁12ａから突出部12ｂ上にかけて金属層14を延出させる、即ち金属層14が突出部12ｂ上に延出して設けられていると、絶縁基体11と金属層14との密着性を高めて、信頼性に優れた発光素子搭載用パッケージ１とすることができる。この場合、突出部12ｂの表面を凹部12の内壁12ａよりも平坦（表面の凹凸が小さい）にしておくと、絶縁基体11と金属層14との密着性をより高められることができる。
【００６４】
本発明の第３実施形態の発光素子搭載用パッケージ１は、第１の実施形態の発光素子搭載用パッケージ１と同様に、短波長の発光素子２を用いる発光装置、例えば、ＵＶ（ultra violet）装置等に用いられる発光装置に用いる発光素子搭載用パッケージ１として有効に用いることができる。
【００６５】
本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、配線導体13の他端部は、絶縁基体11の下面に導出しているが、絶縁基体11の側面に導出しても構わない。例えば、絶縁基体11の側面に穴が設けられており、穴の内面に導体の被着された、いわゆるキャスタレーション導体を有していてもよい。なお、この場合、傾斜面11ｂに設けられた金属層14は、絶縁基体11の側面に設けられたキャスタレーション導体から離間して設けられる。
【００６６】
また、上述の実施形態において、縦断面視において凹部12の内壁12ａは、底面に対して垂直であるが、開口側が底面側よりも大きくなるように、縦断面視において凹部12の内壁12ａが傾斜していても構わない。この場合、第３の実施形態に記載されているように、突出部12ｂの表面を凹部12の内壁12ａよりも平坦（表面の凹凸が小さい）にしておき、凹部12の内壁12ａから突出部12ｂ上にかけて金属層14を延出させてもよい。
【００６７】
また、絶縁基体11の角部に、面取り部あるいは円弧状の切欠き部が形成された略矩形状の発光素子搭載用パッケージ１であっても構わない。この場合、面取り部あるいは切り欠き部の表面に、金属層14が形成されていると好ましい。
【００６８】
また、絶縁基体11の主面11ａに、複数の凹部12が設けられており、それぞれの凹部12の内壁12ａに金属層14が設けられていてもよい。
【００６９】
また、上述の実施例において、発光素子２の搭載面と配線導体13とが同じ高さであるが、発光素子２の搭載面と配線導体13との高さが異なっていても構わない。例えば、突出部12ｂ上に配線導体13が形成されていても構わない。
【００７０】
また、第１〜第３の実施形態において、それぞれ他の実施形態に記載された構成を用いた構成であっても構わない。
【符号の説明】
【００７１】
１・・・・発光素子搭載用パッケージ
11・・・・絶縁基体
11ａ・・・主面
11ｂ・・・傾斜面
11ｃ・・・露出部
12・・・・凹部
12ａ・・・内壁
13・・・・配線導体
14・・・・金属層
15・・・・発光素子搭載層
16・・・・中央端子層
111・・・・絶縁母基板
111ｂ・・・溝
112・・・・絶縁基体となる領域
２・・・・発光素子
３・・・・接続部材
４・・・・封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
0006483800.tif 000005
【図５】
0006483800.tif 000006
【図６】
0006483800.tif 000007
【図７】
0006483800.tif 000008
【図８】
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【図９】
0006483800.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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