(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次圧室と、一次圧室の上方の二次圧室と、一次圧室と二次圧室との間の弁座とを有するケーシングと、一次圧室の下面を覆うダイヤフラムと、弁座に形成した弁孔に挿通され、上方に向けて外径を次第に大きくした弁体部を有するガバナバルブとを備え、弁体部からのびるガバナバルブの軸部をダイヤフラムに連結し、一次圧室内のガス圧変動に応じダイヤフラムを介してガバナバルブを変位させて、二次圧室内のガス圧変動を抑制するようにしたガスガバナにおいて、
弁座及び弁孔が二次圧室の出口側に偏った位置に存し、二次圧室は、弁座の直上空間から二次圧室の出口と反対方向に広がる拡張空間と、拡張空間の下で弁座よりも下方に窪む窪み部とを有することを特徴とするガスガバナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バーナに対するガス供給路等に介設するガスガバナに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のガスガバナとして、一次圧室と、一次圧室の上方の二次圧室と、一次圧室と二次圧室との間の弁座とを有するケーシングと、一次圧室の下面を覆うダイヤフラムと、弁座に形成した弁孔に挿通され、上方に向けて外径を次第に大きくした弁体部を有するガバナバルブとを備え、弁体部からのびるガバナバルブの軸部をダイヤフラムに連結し、一次圧室内のガス圧変動に応じダイヤフラムを介してガバナバルブを変位させて、二次圧室内のガス圧変動を抑制するようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、ガス供給路の上流部にはフィルタを介設するが、フィルタを通過した異物がガスガバナを介して下流側に流れた場合、ノズルの詰りを生じたり、下流側の電磁弁の弁体に異物が付着して弁洩れを生じたりすることがある。そのため、ガスに混入した異物の少なくとも一部をガスガバナで捕集可能とすることが望まれるが、このようなガスガバナは未だ開発されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２４９８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、以上の点に鑑み、ガスに混入した異物の少なくとも一部を捕集可能としたガスガバナを提供することをその課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、一次圧室と、一次圧室の上方の二次圧室と、一次圧室と二次圧室との間の弁座とを有するケーシングと、一次圧室の下面を覆うダイヤフラムと、弁座に形成した弁孔に挿通され、上方に向けて外径を次第に大きくした弁体部を有するガバナバルブとを備え、弁体部からのびるガバナバルブの軸部をダイヤフラムに連結し、一次圧室内のガス圧変動に応じダイヤフラムを介してガバナバルブを変位させて、二次圧室内のガス圧変動を抑制するようにしたガスガバナにおいて、弁座及び弁孔が二次圧室の出口側に偏った位置に存し、二次圧室は、弁座の直上空間から二次圧室の出口と反対方向に広がる拡張空間と、拡張空間の下で弁座よりも下方に窪む窪み部とを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、弁孔との間に弁体部の全周に亘って生ずる隙間を介して一次圧室から二次圧室に流入するガスのうち拡張空間側に流れたものは、直ぐには出口に流れずに拡張空間に暫くの間滞留する。そして、ガスが拡張空間に滞留している間に、ガスに混入していた異物が窪み部に落下してそこに溜まる。従って、ガスに混入した異物の一部をガスガバナで捕集することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態のガスガバナを用いて構成したガバナ付き比例弁装置の断面図。
【図２】図１のガバナ付き比例弁装置の上蓋を取外した状態の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１を参照して、Ａは、本発明の実施形態のガスガバナを用いて構成したガバナ付き比例弁装置を示している。この比例弁装置Ａは、ガスバーナに対するガス供給路に介設されるものであり、一次圧室１１と、一次圧室１１の上方に位置する二次圧室１２と、一次圧室１１と二次圧室１２との間の弁座１３とを有するケーシング１を備えている。弁座１３には、一次圧室１１と二次圧室１２とを接続する弁孔１４が形成されている。
【００１０】
尚、一次圧室１１は、その一側部（図１で右側部）に開口する入口１１ａを介してガス供給路の上流側部分に連通し、二次圧室１２は、その他側部（図１で左側部）に開口する出口１２ａを介してガス供給路の下流側部分に連通している。また、二次圧室１２の上面は、ケーシング１に取付けた上蓋１５で閉塞されている。
【００１１】
比例弁装置Ａは、更に、一次圧室１１の下面を覆うダイヤフラム２と、ダイヤフラム２に連結した樹脂製のガバナバルブ３と、ガバナバルブ３を上方の開き側に押圧する電磁ソレノイド４とを備えている。
【００１２】
ダイヤフラム２の外周部分は、ケーシング１の下面に締結する押え板２１により、一次圧室１１の下面外周部に挟圧固定されている。そして、ダイヤフラム２と押え板２１との間に、大気開放される背圧室２２が画成されるようにしている。また、ダイヤフラム２の下側には、ダイヤフラム２の下面に座金２３を介して接する上端のフランジ部２４ａを有する筒状のバルブホルダ２４が設けられている。
【００１３】
ガバナバルブ３は、弁孔１４に挿通され、上方に向けて次第に外径を大きくした傘状の弁体部３１と、弁体部３１からのびてダイヤフラム２に連結される軸部３２とを有している。軸部３２の下端部には、ダイヤフラム２の上面に接する肩面から下方に突出する小径軸部３２ａが突設されており、この小径軸部３２ａをダイヤフラム２の中心に形成した孔を通してバルブホルダ２４に嵌合固定することにより、ガバナバルブ３をダイヤフラム２に連結している。尚、軸部３２は、弁体部３１からダイヤフラム２に向けて下方にのびるだけでなく弁体部３１から上方にものびている。
【００１４】
電磁ソレノイド４は、押え板２１の下面に取付けられるヨーク４１と、ヨーク４１内のボビン４２に巻回したコイル４３と、ヨーク４１の内周の筒状ガイド４４に上下方向に移動自在に挿通したプランジャ４５と、プランジャ４５を上方に付勢してプランジャ４５の自重をキャンセルするスプリング４６とを有している。プランジャ４５は、ガバナバルブ３の小径軸部３２ａの下端に当接し、コイル４３への通電電流値に比例した押圧力でガバナバルブ３を上方の開き側に押圧する。
【００１５】
ここで、電流値を大きくするほどガバナバルブ３が開き側に変位して、弁孔１４の周面と弁体部３１との間の隙間（開度）が大きくなり、二次圧室１２内のガス圧が増加する。従って、ガスバーナへの供給ガス量が電流値に比例して変化することになる。また、一次圧室１１内のガス圧が変動すると、ダイヤフラム２を介してガバナバルブ３が変位して、ガス圧変動を吸収するように開度が変化し、二次圧室１２内のガス圧変動が抑制される。そのため、一次圧室１１内のガス圧変動を生じても、二次圧室１２内のガス圧は電流値に応じた所定圧に維持される。
【００１６】
ところで、ガスに混入した異物がガスガバナＡの下流側に流れた場合、下流端のノズルの詰りを生じたり、下流側の電磁弁の弁体に異物が付着して弁洩れを生じたりすることがある。そこで、本実施形態のガスガバナＡは、ガスに混入した異物の少なくとも一部を捕集できるように構成されている。以下、この点について図２も参照して説明する。
【００１７】
本実施形態のガスガバナＡの二次圧室１２は、弁座１３の直上空間１２１から二次圧室１２の出口１２ａと反対方向、即ち、図１で右方に広がる拡張空間１２２と、拡張空間１２２の下で弁座１３よりも下方に窪む窪み部１２３とを有している。
【００１８】
これによれば、弁孔１４との間にガバナバルブ３の弁体部３１の全周に亘って生ずる隙間を介して一次圧室１１から二次圧室１２に流入するガスのうち拡張空間１２２側に流れたものは、直ぐには出口１２ａに流れずに拡張空間１２２に暫くの間滞留する。そして、ガスが拡張空間１２２に滞留している間に、ガスに混入していた異物が窪み部１２３に落下してそこに溜まる。従って、ガスに混入した異物の一部をガスガバナＡで捕集して、ノズル詰りや弁洩れの発生を抑制することができる。
【００１９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記実施形態は、電磁ソレノイド４を備えるガバナ付き比例弁装置を構成するガスガバナに本発明を適用したものであるが、電磁ソレノイド４を具備しない通常のガスガバナにも同様に本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００２０】
１…ケーシング、１１…一次圧室、１２…二次圧室、１２ａ…出口、１２１…直上空間、１２２…拡張空間、１２３…窪み部、１３…弁座、１４…弁孔、２…ダイヤフラム、３…ガバナバルブ、３１…弁体部、３２…軸部。
【図１】
0006588309.tif 000002
【図２】
0006588309.tif 000003