(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、第２の主面と、透光部及び当該透光部より光透過率の低い光吸収部を有する側面とを備える透光性基板と、前記透光性基板の前記第１の主面上に備えられた半導体積層体と、を含む発光素子を準備する第１工程と、
上面に接続端子を備えた基体の上面に、前記半導体積層体が設けられた側を対向させて前記発光素子を接合する第２工程と、
前記発光素子の側面と前記基体の一部とを覆い、前記基体の上面の接続端子の一部を露出する支持部材を設ける第３工程と、
前記第３工程より後に、前記透光性基板を、前記第２の主面側から、１μｍ〜１００μｍの厚みまで薄くして、前記光吸収部を除去する第４工程と、
前記第４工程より後に、前記支持部材の側面及び前記支持部材から露出する前記接続端子の上面を保護部材で被覆した状態で前記発光素子の上面に波長変換部材を形成する第５工程とを含む発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記支持部材は、前記透光性基板の前記第２の主面まで覆っている請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記支持部材は、前記発光素子と前記基体の前記上面との間の隙間を満たしている、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記発光素子は、
前記透光性基板を形成するためのウェーハ上に、複数の半導体層を積層する工程と、
前記ウェーハの分割線に沿って、前記透光性基板にレーザを照射して前記光吸収部を形成する工程と、
前記光吸収部に沿って複数の前記発光素子に分割する工程と、を含む方法によって製造された発光素子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記光吸収部は、前記第１工程においては、前記透光性基板の前記第２の主面から離れた位置に設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記支持部材は、光反射材を含有する樹脂である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程において、前記基体の前記上面に、複数の前記発光素子が載置され、
前記第３工程において、隣接する前記発光素子の間が前記支持部材によって満たされており、
前記第４工程より後に、前記基体を、１つの前記発光素子を備えた発光装置に分割する工程をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置の製造方法に関し、特に、薄型発光素子を用いた発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器には、種々の光源が使用されている。例えば、電子機器に用いられる表示パネルのバックライト用の光源としては、薄型の発光装置が使用される。このような薄型の発光装置の一例としては、導電パターンが設けられた基板の上に、薄型の半導体発光素子をフリップチップ実装した発光装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
薄型の半導体発光素子の製造方法として、透光性基板の第１主面上に半導体積層体を形成する工程と、透光性基板と半導体積層体を分割する工程と、透光性基板の第２主面を研磨する工程とを含むものが知られている（例えば、特許文献２〜５）。分割工程では、透光性基板の第２主面に分割溝を形成する。分割溝は、例えばレーザスクライブによって形成できる。レーザスクライブでは、透光性基板の分割線に沿って高エネルギーのレーザ光を照射する。レーザ光が照射された部分は変質する。この変質部分に沿って、透光性基板と半導体積層体を分割できる。
【０００４】
変質部分は、分割後も透光性基板に残る。この変質領域は、発光素子からの発光を吸収する光吸収領域となる。よって、発光素子の発光強度の低下を抑制するために、透光性基板を研磨する工程において、変質領域が除去されるまで、透光性基板を薄くしている
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−５２１２１０号公報
【特許文献２】特開２０１２−１０４７７８号公報
【特許文献３】特開２０１２−１０４７７９号公報
【特許文献４】特開２０１２−１０４７８０号公報
【特許文献５】特開２００７−１０９８２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
透光性基板が薄くなると、発光素子の強度が低下する。そのため、強度の低い発光素子を発光装置の基体に実装する際に、発光素子に欠陥が生じ得る。その結果、発光装置の歩留まりが低下する。
【０００７】
本発明の一実施形態は、透光性基板が薄くされた発光素子を備えた発光装置を、高い歩留まりで製造できる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１の主面と、第２の主面と、透光部及び当該透光部より光透過率の低い光吸収部を有する側面とを備える透光性基板と、前記透光性基板の前記第１の主面上に備えられた半導体積層体と、を含む発光素子を準備する第１工程と、
基体の上面に、前記半導体積層体が設けられた側を対向させて前記発光素子を接合する第２工程と、
前記発光素子の側面と前記基体の一部とを被覆する支持部材を設ける第３工程と、
前記第３工程より後に、前記透光性基板を、前記第２の主面側から薄くして、前記光吸収部を除去する第４工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、透光性基板が薄くされた発光素子を備えた発光装置を高い歩留まりで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ａの発光装置の概略上面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの発光装置のＡ−Ａ線での概略断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｃの概略断面図の部分拡大図である。
【図２Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２Ｃ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略上面図である。
【図２Ｄ】図２ＣのＢ−Ｃ−Ｅ線での概略断面図である。
【図２Ｅ】図２ＣのＢ−Ｃ−Ｅ線での概略断面図である。
【図２Ｆ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略斜視図である。
【図２Ｇ】図２ＦのＦ−Ｆ線での概略断面図である。
【図２Ｈ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略斜視図である。
【図３Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｃ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｄ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｅ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｆ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｇ】実施形態１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図４Ａ】変形例１に係る発光装置の製造工程を説明するための概略上面図である。
【図４Ｂ】図３のＦ−Ｆ線における概略断面図である。
【図５】変形例２に係る発光装置の概略断面図である。
【図６】変形例３に係る基板を示す概略断面図である。
【図７】実施例２に係る発光装置の概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。また、一実施形態、実施例において説明する内容は、他の実施形態、実施例にも適用可能である。
本明細書においては、発光装置の面について、光取り出し面を「上面」、光取り出し面と交差する面を「側面」、光取り出し面と反対側の面を「下面」と称する。また、発光装置を構成する各部材の面についても、発光装置の上面、側面、下面に対応する面を、各部材等の「上面」、「側面」、「下面」と称する。なお、必要に応じて、各部材の面を、「第１の主面」、「第２の主面」及び「端面」と称することがある。
【００１２】
＜実施形態１＞
図１Ａ〜図１Ｄに示すように、本実施形態に係る発光装置１０は、基体１１と、基体１１の上面１１ｕに実装された発光素子１２と、その発光素子１２の周囲を囲む支持部材１３とを含んでいる。発光装置１０は、発光素子１２の上面１２ｕ（発光素子１２の発光面１２ｅに相当）側に、波長変換部材１４を備えてもよい。
【００１３】
図１Ｃ〜図１Ｄに示すように、発光素子１２は、透光性基板１７と、その下面１７ｄ側に設けられた半導体積層体１８とを含む。半導体積層体１８は、透光性基板１７の下面１７ｄ側から、第１導電型半導体層（例えばｎ型半導体層）１８ａと、活性層１８ｂと、第２導電型半導体層（例えばｐ型半導体層）１８ｃとが、この順に積層されている（図１Ｄ参照）。半導体積層体１８の下面１８ｄ側には、一対の電極（第１電極１９、第２電極２０）が設けられている。
【００１４】
発光装置１０の基体１１は、発光素子１２が載置される部材である。この実施形態では、基体１１は、平面視で長方形の絶縁性板状体である母材１１ａと、母材１１ａの表面に設けた一対の接続端子１５、１６と、を含む。接続端子１５、１６は、母材１１ａの上面１１０の一部に覆うよう設けられている。図１Ｃに示すように、第１の接続端子１５は発光素子１２の第１電極１９と、第２の接続端子１６は発光素子１２の第２電極２０と、それぞれ接続される。そのため、第１の接続端子１５と第２の接続端子１６の端部が、発光素子１２の第１電極１９、第２電極２０と対応する位置に形成されている。なお、図１Ｃ、図１Ｄに示すように、接続端子１５、１６は、母材１１ａの上面１１０から、側面１１１を通って下面１１２まで延長して設けられていてもよい。
【００１５】
図１Ｃ、図１Ｄに示すように、発光素子１２の電極１９、２０は、基体１１の上面１１ｕに設けられた接続端子１５、１６に、導電性の接合部材２１によって接合される。これにより、接続端子１５、１６を通して、発光素子１２に通電することができる。
【００１６】
支持部材１３は、接合部材２１によって基体１１上に接合された発光素子１２の側面と基体１１の一部とを被覆する。支持部材１３を設けることにより、発光素子１２を基体１１上により強固に保持することができる。支持部材１３は、発光素子１２の一部と基体１１の一部とを共に覆うことにより、発光素子１２を基体１１に固定する。支持部材１３は、発光素子１２の側面１２ｓと、基体１１の上面１１ｕのうち発光素子１２の周囲部分と、を覆う第１部分１３ａを含むことができる（図１Ｃ、図１Ｄ参照）。支持部材１３の第１部分１３ａにより、発光素子１２に横方向（ｘ方向又はｙ方向）の力がかかったときに、発光素子１２が基体１１から剥離することや、発光素子１２が損傷することを抑制できる。また、支持部材１３は、発光素子１２の下面１２ｄと、基体１１の上面１１ｕとの隙間を埋める第２部分１３ｂを含むことができる（図１Ｃ、図１Ｄ参照）。支持部材１３の第２部分１３ｂは、発光素子１２を下面１２ｄ側から支持する。よって、発光素子１２の上面１２ｕ側から下向き（−ｚ方向）の力がかかったときに、発光素子１２の受けるダメージを低減し得る。
【００１７】
波長変換部材１４は、例えば蛍光体を含有する透光性材料の膜又は板状体である。蛍光体としては、発光素子１２からの発光の波長を変換できる蛍光体を使用する。波長変換部材１４は、少なくとも発光素子１２の発光面１２ｅ（上面１２ｕ）を覆う。発光素子１２の発光面１２ｅから出射される発光の一部は、波長変換部材１４によって、波長が変換される。波長変換部材１４は、支持部材１３の第１部分１３ａの上面１３ｕも覆ってもよい。
【００１８】
次に、発光装置１０の製造方法を説明する。本実施形態に係る製造方法は、以下の４工程を含んでいる。
第１工程：発光素子１２０を準備する。
第２工程：発光素子１２０を基体１１の上面１１ｕに接合する。
第３工程：支持部材１３を設ける。
第４工程：発光素子１２０の透光性基板１７０を薄くする。
各工程について、以下に詳述する。
【００１９】
〔第１工程：発光素子１２０を準備する〕
第１工程において、発光素子１２０を準備する。準備される発光素子１２０としては、例えば、下記の方法で製造された発光素子１２０を使用することができる。
まず、透光性材料からなるウェーハ１７０Ｗを準備する（図２Ａ参照）。ウェーハ１７０Ｗは、発光素子１２０の半導体積層体１８を成長させるための成長基板である。ウェーハ１７０Ｗの第１の主面１７１Ｗ上に、半導体積層体１８０を形成する（図２Ｂ参照）。本実施形態では、半導体積層体１８０を形成するために、ウェーハ１７０Ｗの第１の主面１７１Ｗ側から、第１導電型半導体層１８０ａ、活性層１８０ｂ及び第２導電型半導体層１８０ｃを、この順に積層する。各半導体層１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃは、エピタキシャル成長法により形成できる。
【００２０】
ウェーハ１７０Ｗ及び半導体積層体１８０を分割する。分割のために、レーザスクライブ法を用いてもよい。レーザスクライブ法の一例について、図を参照しながら説明する。
【００２１】
図２Ｃは、レーザスクライブ中におけるウェーハ１７０Ｗの第２主面１７２Ｗの模式図である。破線で示した「分割線Ｄｉｖ」は、ウェーハ１７０Ｗが分割されるべき線である。実線で示した「レーザスクライブ線Ｌｓ」は、分割線Ｄｉｖに沿ってレーザ光の照射を完了したスクライブ線を示している。レーザ光Ｌの照射位置を分割線Ｄｉｖに沿って移動させることにより、線状の照射跡（スクライブ線）を形成する。図２Ｃの例では、レーザ光Ｌの照射位置を、ｘ方向に延びる分割線Ｄｉｖに沿って、ｘ方向（矢印Ｌｘの方向）に移動させている。
【００２２】
図２Ｄは、図２ＣのＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ線に沿った断面図である。レーザ光Ｌは、ウェーハ１７０Ｗの第２主面１７２Ｗ上に集光される。第２主面１７２Ｗの表面近傍には、レーザ光Ｌの照射によって変質部Ｍが形成される。図２Ｃに示すように、Ｂ−Ｃ線は、レーザスクライブ線Ｌｓと１ヶ所だけ交差しているので、図２ＤのＢ−Ｃ間での断面図には、第２主面１７２Ｗの１箇所だけ、変質部Ｍが形成される。一方、図２ＣのＤ−Ｅ線はレーザスクライブ線Ｌｓと重なっているので、図２ＤのＤ−Ｅ間での断面図には、ｙ方向に延びる帯状の変質部Ｍが形成される。
【００２３】
なお、変質部Ｍの形成位置は、ウェーハ１７０Ｗの第２主面１７２Ｗ上に限られない。レーザ光Ｌの焦点位置に変質部Ｍが形成されるため、レーザ光Ｌの焦点位置をウェーハ１７０Ｗの内部に位置決めすれば、変質部Ｍをウェーハ１７０Ｗの内部に形成できる。この際、半導体層１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃが損傷されることを防止するため、変質部Ｍは半導体層から所定の距離離間した位置に設けられる。図２Ｅは、図２Ｄと同様に、図２ＣのＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ線に沿った断面図である。ただし、図２Ｅでは、図２Ｄとは異なり、ウェーハ１７０Ｗの第２主面１７２Ｗから深さｄｚの位置に焦点を合わせて、レーザ光Ｌを照射している。変質部Ｍは、ウェーハ１７０Ｗの内部（第２主面１７２Ｗから深さｄｚの周辺）に形成される。
【００２４】
図２Ｅでは、レーザ光として、パルスレーザＬｐを使用している。パルスレーザＬｐを使用すると、スポット状の変質部Ｍが形成される。パルスレーザＬｐを使用する場合は、まず、分割線Ｄｉｖ上の所定位置で且つ深さｄｚに焦点を合わせて、１〜数パルスのパルスレーザＬｐを照射する。この照射により、焦点位置の周囲に１つのスポット状変質部Ｍが形成される。次いで、レーザ光の焦点位置を、深さｄｚを変化させずに、分割線Ｄｉｖ（図２Ｃ参照）に沿って距離Δｄだけ移動する。その移動後の焦点位置で、１〜数パルスのパルスレーザＬｐを照射する。この手順を繰り返すことにより、深さｄｚに、複数のスポット状変質部Ｍを形成できる。隣接する２つのスポット状変質部Ｍの中心位置は、距離Δｄだけ離れている（図２ＥのＤ−Ｅ間の断面図を参照）。
【００２５】
図２Ｅにおいて、Ｂ−Ｃ間の断面図には、深さｄｚに、スポット状変質部Ｍが１つだけ形成される。図２Ｃに示すように、Ｂ−Ｃ線は、レーザスクライブ線Ｌｓと１ヶ所だけ交差しているためである。一方、図２ＣのＤ−Ｅ線はレーザスクライブ線Ｌｓと重なっているので、図２ＤのＤ−Ｅ間での断面図には、ｙ方向に並んだ複数のスポット状変質部Ｍが形成される。
【００２６】
レーザスクライブ線Ｌｓを形成した後、そのレーザスクライブ線Ｌｓに沿って、ウェーハ１７０Ｗ及び半導体積層体１８０を分割する。その結果、個々の発光素子１２０が得られる（図２Ｆ参照）。図２Ｆには、深さｄｚにスポット状変質部Ｍを形成するレーザスクライブ法（図２Ｅ参照）を用いて分割した発光素子１２０を示している。発光素子１２０は、ウェーハ１７０Ｗから分割された透光性基板１７０と、半導体積層体１８０から分割された半導体積層体１８とを含んでいる。透光性基板１７０は、第１の主面１７１と、第２の主面１７２と、側面１７３とを備えている。側面１７３は、２つの透光部Ｔｒと、それらの間に変質部Ｍとを有している。変質部Ｍは、透光部Ｔｒより光透過率の低い「光吸収部Ａｂｓ」でもある。この変質部Ｍ（光吸収部Ａｂｓ）は、側面１７３の表面上のみに形成されており、透光性基板１７０の内部には形成されていない（図２Ｇ参照）。
【００２７】
図２Ｆ、図２Ｇに示すように、半導体積層体１８は、透光性基板１７０の第１の主面１７１上に備えられている。半導体積層体１８は、第１の主面１７１側から、第１導電型半導体層１８ａと、活性層１８ｂと、第２導電型半導体層１８ｃとをこの順に積層されている。
【００２８】
図２Ｈは、下面を上向きに配置した発光素子１２０を示している。図２Ｈにおいて、半導体積層体１８の上を向いている面１８ｄは、図１Ｄにおける半導体積層体１８の下面１８ｄに相当する。従って、図２Ｈにおいても、面１８ｄを「下面１８ｄ」と称する。半導体積層体１８の下面１８ｄの一部分をエッチング等で除去して、凹んだ部分（これを切り欠き部１８ｘと称する）を形成する。切り欠き部１８ｘの深さ（ｚ方向の寸法）は、少なくとも、活性層１８ｂと第２導電型半導体層１８ｃとの厚さ（ｚ方向の寸法）の合計よりも大きく、半導体積層体１８の厚さ（ｚ方向の寸法）よりも小さくする。その結果、切り欠き部１８ｘの底面から第１導電型半導体層１８ａが露出する。
【００２９】
切り欠き部１８ｘを形成した後に、発光素子１２０に一対の電極１９、２０を形成する（図２Ｈ参照）。第１電極１９は、第１導電型半導体層１８ａと電気的に接続するために、半導体積層体１８の下面１８ｄ上に形成される。第２電極２０は、第２電極２０と第２導電型半導体層１８ｃとを電気的に接続するために、切り欠き部１８ｘ内に露出した第２導電型半導体層１８ｃの露出部分に形成される。
【００３０】
図２Ｈでは、第１電極１９は第１導電型半導体層１８ａと直接接触し、第２電極２０は第２導電型半導体層１８ｃと直接接触しているが、これに限られない。例えば、第１電極１９と第１導電型半導体層１８ａとの間に、導電性材料を配置してもよい。別の例としては、切り欠き部１８ｘの側面（活性層１８ｂと第２導電型半導体層１８ｃが露出している）から、半導体積層体１８の下面１８ｄの一部までを覆う絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上に第２電極２０を設けてもよい。この第２電極２０と、切り欠き部１８ｘ内に露出した第２導電型半導体層１８ｃの露出部分とを金属配線等で接続すれば、第２電極２０と第２導電型半導体層１８ｃとを電気的に接続できる。
【００３１】
透光性基板１７０、半導体積層体１８、電極１９、２０を含めた発光素子１２０の最大厚さ（ｚ方向の寸法）は、８００μｍ〜１５０μｍにすることができ、５００μｍ〜１５０μｍ、４００μｍ〜１５０μｍ、３００μｍ〜１５０μｍ、２００μｍ〜１５０μｍであるのが好ましい。
【００３２】
〔第２工程：発光素子１２０を基体１１の上面１１ｕに接合する〕
第２工程では、基体１１を準備し、その基体１１に、工程１で準備した発光素子１２０を接合する。
【００３３】
本実施形態の基体１１は、図１Ａに示すように、上面が長方形の板状体からなる母材１１ａと、母材１１ａの表面に設けられた接続端子１５、１６を備えている。
【００３４】
本実施形態の基体１１は、例えば下記のような方法で製造することができる。
まず、絶縁性の母材１１ａを準備する。図３Ａに示すように、母材１１ａは、絶縁性材料（例えば、セラミック、樹脂等）を長方形の板状部材に成型したものを用いる。樹脂製の母材１１ａの製造では、熱硬化性樹脂をモールド加工等により成型してもよく、樹脂ブロックを機械加工して成形してもよい。
【００３５】
母材１１ａの表面に、所定形状の金属膜からなる接続端子１５、１６を設ける（図３Ｂ参照）。図１Ｂ及び図３Ｂに示すように、接続端子１５、１６は、素子接続部１５ａ、１６ａと外部接続部１５ｂ、１６ｂとを含み得る。素子接続部１５ａ、１６ａは、発光素子１２、１２０の電極１９、２０と接続するための部分である。平面視において、発光素子１２、１２０を実装したときに、素子接続部１５ａ、１６ａは発光素子１２、１２０によって覆われる（図１Ｂ参照）。素子接続部１５ａ、１６ａは外部接続部１５ｂ、１６ｂに接続している。
【００３６】
素子接続部１５ａ、１６ａは、外部接続部１５ｂ、１６ｂを通って外部電極に導通する。言い換えれば、外部接続部１５ｂ、１６ｂは、発光素子１２、１２０を実装したときに、外部電極と接続できる必要がある。従って、外部接続部１５ｂ、１６ｂは、発光素子１２、１２０を実装したときに、発光素子１２、１２０または支持部材１３で覆われない位置に形成される。例えば、図１Ｂにおいて、接続端子１５の外部接続部１５ｂは、素子接続部１５ａから、発光素子１２よりも外側まで、−ｘ方向に延在する。接続端子１６の外部接続部１６ｂは、素子接続部１６ａから、発光素子１２よりも外側まで、ｘ方向に延在する。
【００３７】
外部接続部１５ｂ、１６ｂは、幅（ｙ方向の寸法）が一定でなくてもない。図１Ｂに示す外部接続部１５ｂ、１６ｂは、素子接続部１５ａ、１６ａに接続し且つ素子接続部１５ａ、１６ａよりも幅の狭い幅狭部分と、幅狭部分に接続し且つ幅狭部分及び素子接続部１５ａ、１６ａよりも幅の広い幅広部分とを含む。
図１Ａ，図１Ｂに示すように、支持部材１３の外側面が幅狭部分を横切るように、幅狭部分が配置されることがより好ましい。
【００３８】
図１Ｄ、図３Ｂに示すように、外部接続部１５ｂ、１６ｂは、基体１１の上面１１ｕから、側面１１ｓを通って下面１１ｄまで延在してもよい。
【００３９】
母材１１ａがセラミック材料から形成される場合には、グリーンシートを成型し、グリーンシートの表面に接続端子１５、１６を形成するための金属膜を印刷し、焼結するのが好ましい。セラミック材料の母材１１ａと接続端子１５、１６との接合力が向上する。また、母材１１ａは、絶縁材料で被覆した導電性部材から形成できる。例えば、長方形の金属板を準備し、その表面をアルミナ膜などの絶縁膜で被覆して、母材１１ａとすることもできる。
【００４０】
上述した方法で作製された基体１１に、発光素子１２０を接合する。基体１１の第１の接続端子１５の素子接続部１５ａ及び第２の接続端子１６の素子接続部１６ａの上に、接合部材２１を塗布する（図３Ｃ参照）。接合部材２１としては、導電性ペースト、又はリフロー可能な材料（半田、ロウ材等）が好適である。
【００４１】
第１工程で準備した発光素子１２０は、半導体積層体１８が設けられた側（つまり、半導体積層体１８の下面１８ｄ側）を下に向ける。そして、半導体積層体１８の下面１８ｄ側を、基体１１の上面１１ｕに対向させる。半導体積層体１８の下面１８ｄ側に設けた電極１９、２０を、基体１１の接続端子１５、１６の素子接続部１５ａ、１６ａ上に塗布した接合部材２１と接触させる。
【００４２】
接合部材２１として導電性ペーストを使用する場合、発光素子１２０の透光性基板１７０の第２の主面１７２を軽く押す。接合部材２１は、発光素子１２０の電極１９、２０と基体１１の接続端子１５、１６の間で均一に広がる。一方、接合部材２１として半田等のリフロー可能な材料を使用した場合、発光素子１２０を接合部材２１の上に載置したまま、基体１１をリフロー炉に入れる。接合部材２１は溶融して、発光素子１２０の電極１９、２０と基体１１の接続端子１５、１６の間で均一に広がる。リフロー炉から取り出すと、接合部材２１は冷却されて硬化する。このようにして、接合部材２１により、発光素子１２０は基体１１にフリップチップ実装される（図３Ｄ参照）。発光素子１２０を基体１１にフリップチップ実装した時、接合部材２１の厚さ（ｚ方向の寸法）は、約２〜５０μｍであるのが好ましい。
【００４３】
〔第３工程：支持部材１３を設ける〕
図３Ｅに示すように、発光素子１２０を基体１１に接合した後、発光素子１２０と基体１１を被覆する支持部材１３を設ける。支持部材１３は、絶縁性材料から形成されているのが好ましい。これにより、支持部材１３が、発光素子１２０の半導体積層体１８の側面に接触しても、短絡を回避することができる。支持部材１３に適した絶縁性材料としては樹脂、ガラス又はこれらの組み合わせが挙げられる。特に樹脂材料は、成形性と機械加工性に優れているので好ましい。
【００４４】
支持部材１３は、周知の方法によって成形することができる。支持部材１３を樹脂材料から形成する場合には、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等の成形方法を利用できる。特に、熱硬化性樹脂材料を用いる場合は、トランスファーモールドが好ましい。
【００４５】
支持部材１３は、第１部分１３ａと第２部分１３ｂを含み得る。第１部分１３ａは、発光素子１２０の透光性基板１７０の少なくとも１つの側面１７３の一部を被覆する。支持部材１３は、発光素子１２０の全ての側面１７３の少なくとも一部を被覆するのが好ましく、全ての側面１７３の全部を被覆するのが特に好ましい。支持部材１３の第２部分１３ｂは、発光素子１２０と基体１１との隙間を充填する。支持部材１３として第１部分１３ａのみを形成してもよいが、両方とも形成することが好ましい。これにより、支持部材１３による発光素子１２０の保持能力を向上させることができる。第１部分１３ａと第２部分１３ｂとは、同じ材料から形成してもよい。これにより、第１部分１３ａと第２部分１３ｂを同時に形成することができる。一方、第１部分１３ａと第２部分１３ｂとは、異なる材料から形成してもよい。第１部分１３ａと第２部分１３ｂとに異なる機能を付与することができる。例えば、第１部分１３ａは反射率の高い材料から形成し、第２部分１３ｂは接合力の高い材料から形成してもよい。
【００４６】
図３Ｅでは、支持部材１３は、基体１１の上面１１ｕの一部を覆っている。これに限られず、支持部材１３は、基体１１の上面１１ｕの略全面を覆ってもよい。つまり、平面視において、第１部分１３ａの外形と基体１１の外形が略同一であってもよい。図３Ｅに示すように、支持部材１３は、透光性基板１７０の第２の主面１７２を覆っていてもよい。
【００４７】
〔第４工程：発光素子１２の透光性基板１７０を薄くする〕
支持部材１３で発光素子１２０を被覆した後、発光素子１２の透光性基板１７０を、第１の主面１７１と対向する第２の主面１７２側から薄くする。図３Ｅでは、第２の主面１７２は支持部材１３で覆われている。よって、第２の主面１７２上の支持部材１３を除去した後に、さらに透光性基板１７０を薄くする。なお、薄くした後の透光性基板を符号１７で示す。また、薄くした透光性基板１７を備えた発光素子は符号１２で示す。
【００４８】
透光性基板１７０は、その側面１７３の変質部Ｍ（すなわち、光吸収部Ａｂｓ）が完全に除去されるまで、薄くされることが好ましい。例えば、透光性基板１７０は、図３ＥのＸ−Ｘ線まで薄くされる。光吸収部Ａｂｓの除去によって光吸収部Ａｂｓによる光吸収が回避されるので、発光素子１２の光取出し効率が向上する。また、発光素子１２全体の厚さも薄くなるので、発光装置１０の厚さを薄くできる。
【００４９】
加工前の透光性基板１７０の厚さは、例えば１１０〜５００μｍである。この透光性基板１７０を厚さ１μｍ〜１００μｍ程度まで薄くするのが好ましい。加工後の透光性基板１７の光取り出し効率を向上させることができる。基板をすべて除去しないことにより、光取り出し効率を高めつつ、発光素子の強度も必要とされる程度に確保することができる。
【００５０】
透光性基板１７０を薄くする加工方法は、化学的又は物理的、湿式又は乾式、圧力転写方式又は運動転写方式等の種々の原理／方式を利用することができる。例えば、化学エッチング（ウェットエッチング、ドライエッチング）、研磨（ラップ定盤及び遊離砥粒等）、研削（研削盤及び固定砥粒等）、切削（サーフェスプレーナー等）、ブラスト、及びこれらを組み合わせが挙げられる。研磨、研削及び切削は、材質と硬度が異なる透光性基板１７０と支持部材１３とを、同時に、同程度の薄さに加工できるので好ましい。研磨及び研削は、乾式法、湿式法のいずれも利用できる。特に、湿式法が好ましく、研磨又は研削時における熱の発生を抑制でき、また、研磨くずを洗い流すことができる。
【００５１】
本実施形態の製造方法によれば、厚い透光性基板１７０を備えた発光素子１２０（発光素子１２０の強度は相対的に高い）を基体１１上に実装し、その後に透光性基板１７０を薄くしている。つまり、薄い透光性基板１７を備えた発光素子１２（発光素子１２の強度は相対的に低い）を基体１１上に実装する工程が不要である。そのため、強度の低い発光素子１２の実装に起因した発光装置１０の歩留まり低下を、抑制することができる。
【００５２】
さらに、本実施形態の製造方法によれば、図３Ｅのように発光素子１２０を基体１１上に支持部材１３で保持した後に、透光性基板１７０を薄く加工する。その結果、透光性基板１７０の加工中に、発光素子１２０が切削ホイール等の工具により横方向（図３Ｅのｘ方向）の力を受けたときに、発光素子１２０が損傷したり基体１１から剥離したりするのを抑制できる。また、発光素子１２０と基体１１との隙間に支持部材１３の第２部分１３ｂを満たしてもよい。発光素子１２０が工具により下向き（図３Ｅの−ｚ方向）の力を受けたときに、第２部分１３ｂが発光素子１２０を支える。その結果、発光素子１２０の破損を抑制できる。
【００５３】
支持部材１３が発光素子１２の半導体積層体１８の側面を覆っていると、透光性基板１７０の加工中に半導体積層体１８がダメージを受けるのを抑制できる。支持部材１３が発光素子１２の透光性基板１７０の側面１７３全体を覆っていると、切削工具等が最初に接触する外周縁（切削工具による衝撃を受けやすい部分）に透光性基板１７０が露出しづらい。その結果、加工中に透光性基板１７０に欠け（チッピング）が生じるのを抑制できる。
【００５４】
発光素子１２の透光性基板１７０の側面１７３全体が、支持部材１３の第１部分１３ａで覆われている場合、透光性基板１７０を薄くする加工を行うと、第１部分１３ａも薄くされる。研磨、研削及び切削などの機械加工では、加工後の加工面（図３ＦのＸ−Ｘ線に位置する面）はほぼ面一になる。言い換えれば、図１Ｄに示すように、透光性基板１７の上面１７ｕと、第１部分１３ａの上面１３ｕとはほぼ面一になる。ここで、「ほぼ面一」とは、２つの上面１７ｕ、１３ｕが完全に面一であるか、それらの面の高さの差（ｚ方向の相対的な位置の差）が±５μｍ程度以内であることを意味する。第１部分１３ａの上面１３ｕは、透光性基板１７の上面１７ｕよりも高くしても、低くしてもよい。
【００５５】
加工後の透光性基板１７の上面１７ｕは、例えば、表面粗さＲａが１μｍ程度以下、もしくは上面のうち高い部分と低い部分の高さの差が５００ｎｍ程度以下になるよう、平滑に加工がされるのが好ましい。また、透光性基板１７の上面１７ｕは、薄くされる加工の痕にさらに表面処理してもよい。例えば、透光性基板１７の上面１７ｕを格子状又は複数の線状の凹凸、複数の多角形状の凹凸、レンズ形状等に加工してもよい。これにより、透光性基板１７の上面１７ｕ（発光素子１２の発光面１２ｅに相当）からの光取り出し効率を向上させることができる。表面処理は、例えば、エッチング、ブラスト、レーザ加工等によって行うことができる。エッチングでは、エッチング液で透光性基板１７の上面１７ｕをエッチングすると、上面１７ｕに残存する研磨くず等を除去できる。なお、透光性基板１７の上面１７ｕの表面処理の際に、支持部材１３の第１部分１３ａの上面１３ｕも同時に処理され得る。透光性基板１７の上面１７ｕのみを選択的に表面処理するには、レーザ加工が好適である。
【００５６】
図３Ｇに示すように、透光性基板１７の上面１７ｕに、波長変換部材１４や透光性部材を設ける工程をさらに備えてもよい。これにより、支持部材１３から露出した発光素子１２を保護することができる。波長変換部材１４は、発光素子１２からの光で励起される蛍光体を含有する。波長変換部材１４は、支持部材１３の第１部分１３ａの上面１３ｕにも形成されていてもよい。
【００５７】
波長変換部材１４は、蛍光体を含む透光性樹脂から形成することができる。波長変換部材１４の形成方法としては、蛍光体を含む透光性樹脂から成るシートを、ホットメルト又は接着剤により透光性基板１７の上面１７ｕに接着する方法、電気泳動堆積法で透光性基板１７の上面１７ｕに蛍光体を付着させた後で当該堆積した蛍光体に透光性樹脂を含浸させる方法、蛍光体を含む透光性樹脂を、ポッティング、トランスファー成形、圧縮成形、キャスティングケースによる成形、スプレー法、静電塗布法、印刷法などの既知の技術により塗布する方法が挙げられる。これらの方法のうちで、スプレー法が好ましく、特に、間欠的にスプレーを噴射するパルススプレー法が好ましい。
【００５８】
図３Ｇに、パルススプレー法による波長変換部材１４の形成工程を示す。基体１１の上面１１ｕと支持部材１３の外側面とを覆う保護部材Ｐを設ける。保護部材Ｐの上端は、支持部材１３の第１部分１３ａの上面１３ｕよりも高くするのが好ましい。次に、スプレーノズルＳｎから、蛍光体を含む透光性樹脂Ｒを、透光性基板１７の上面１７ｕ及び支持部材１３の第１部分１３ａの上面１３ｕに間欠的にスプレーする。上面１７ｕ、１３ｕの面積がスプレーノズルＳｎの噴射範囲よりも広い場合には、スプレーノズルＳｎを水平方向（ｘ方向）に移動しながらスプレーする。上面１７ｕ、１３ｕの全面にほぼ均一に透光性樹脂Ｒをスプレーしたら、保護部材Ｐを除去する。支持部材１３で覆われていない（つまり、支持部材１３から露出している）基体１１の上面１１ｕと、支持部材１３の外側面とは、保護部材Ｐで保護されていたので、波長変換部材１４が形成されない。このようにして、図１Ｃに示す発光装置１０が得られる。
【００５９】
また、波長変換部材１４は、蛍光体を含むガラスから形成することができる。蛍光体を含むガラス板から成る波長変換部材１４は、透光性基板１７の上面１７ｕに接着剤で接着できる。
【００６０】
波長変換部材１４の厚さは、例えば、１〜３００μｍ程度にすることができ、１〜１００μｍ程度が好ましく、５〜１００μｍ程度、２０〜６０μｍ程度、３０〜４０μｍ程度がより好ましい。
【００６１】
（変形例１）
上述した発光装置の製造方法において、第２工程では、複数の発光装置１０を同時に製造できる基体（複合基体）を準備する。図４Ａ、図４Ｂに示す複合基体２４は、各発光装置１０に使用される基体１１（図１Ｃ、図３Ｂ）が複数連なっている。例えば、図４Ａの複合基体２４では、ｘ方向に３列（ｘi〜ｘiii）、ｙ方向に６行（ｙi〜ｙvi）、合計１８個の基体１１を含む。
【００６２】
複合基体２４の母材２４ａは、上面２４ｕから下面２４ｄに貫通し、ｙ方向に伸びるスリット２５を有している。母材２４ａには、複合接続端子２２が設けられている。複合接続端子２２は、母材２４ａの上面２４ｕから、スリット２５の内面を通って、下面２４ｄまで延在している。
【００６３】
このように作製された複合基体２４に、発光素子１２０（図３Ｄ）を結合する。具体的には、１８対の接続端子を含む複合接続端子２２上に、１８個の発光素子１２０を、接合部材２１で接合する。
【００６４】
第３工程では、複合基体２４の上面２４ｕに、複数の支持部材１３が形成される。各支持部材１３は、ｙ方向において隣接する発光素子１２０の間を満たすよう、６つの発光素子１２０を全て覆う（図４Ａ参照）。つまり、図４Ａに示す複合基体２４では、ｙ方向に伸びる３つの支持部材１３が形成される。第４工程では、研削により、１８個の発光素子１２０の透光性基板１７０を一括で薄くする（図３Ｅ〜図３Ｆ参照）。その後、１８個の発光素子１２の透光性基板１７の上面１７ｕに波長変換部材１４を形成する（図３Ｇ参照）。
【００６５】
次に、複合基体２４を個々の発光装置１０（図１Ａ）に分割する。複合基体２４には、ｙ方向に６個、ｘ方向に３個の発光装置が並んでいる。図４Ａの破線Ｌに沿って、支持部材１３及び複合基体２４をダイサー、レーザなどで分割する。その結果、ｙ方向に沿って並んだ発光装置が６つに分割される。また、この分割によって、スリット２５の両側が切断されるので、ｘ方向に並んだ３つの発光装置１０も、スリットの位置で分離される。最終的に、１８個の発光装置が得られる。
【００６６】
この変形例１では、複合基体２４により、比較的少ない工数で複数の発光装置を同時に製造できる。なお、本変形例１では、１８個の発光素子１２０を同時に形成できる複合基体２４を例示した。しかし、これに限られず、より多数（数百〜数千個）の発光素子１２０を同時に形成できる複合基体２４を用いてもよい。本実施形態のように、複数の発光素子１２０を１つの支持部材１３で被覆することで、複数の発光素子１２０を個々に被覆する複数の支持部材１３を形成する場合に比べて、複数の発光素子１２０を密集して配置することができる。そのため、上述の第４工程（透光性基板１７０を薄くする工程）において、透光性基板１７０と同時に支持部材１３を薄くする加工の際に、加工（例えば研磨、研削及び切削）の効率が向上する。その結果として、発光装置１０の製造の効率を高めることができる。また、支持部材１３を研削等で薄くする場合、支持部材１３の上方（切削面側）の角部に切削工具が接触したときに、当該角部が損傷するおそれがある。複数の発光素子１２０を１つの支持部材１３で被覆することで、支持部材１３の角部（すなわち、損傷しやすい部分）を少なくすることができる。これにより、支持部材１３を薄くする加工の際に支持部材１３の角部の欠けが発生するのを抑制し、安定した加工を行うことができる。
【００６７】
（変形例２）
本実施の形態の変形例として、図５に示すように、複数の発光素子１２を含む発光装置４０を製造する。第２工程では、母材４３に複数の発光素子１２を接続するための接続端子４５、４５ａ、４６を設けた複合基体４４を形成する。図５の複合基体４４では、複数の発光素子１２（図５では５個）を載置できる寸法の母材４３を含む。接続端子４５、４５ａ、４６は、複数の発光素子１２を、直列接続するようにパターニングされている。なお、接続端子４５、４５ａ、４６は、複数の発光素子１２を、並列接続するようにパターニングされてもよい。
【００６８】
このように作製された複合基体４４に、発光素子１２０（図３Ｄ）を結合する。接続端子４５、４５ａ、４６上に、５個の発光素子１２０を、接合部材２１で接合する。
【００６９】
第３工程では、複合基体４４の上面４４ｕに支持部材１３が形成される。支持部材１３は、ｘ方向に並んだ５つの発光素子１２０を全て覆う（図５参照）。第４工程では、５個の発光素子１２０の透光性基板１７０を同時に薄くする（図３Ｅ〜図３Ｆ参照）。その後、５個の発光素子１２の透光性基板１７の上面１７ｕに波長変換部材１４を形成する（図３Ｇ参照）。最終的に、図５に示す発光装置４０が得られる。
【００７０】
複数の発光素子１２は、全て同じ種類の発光素子１２であっても、互いに異なる発光素子１２であってもよい。例えば、発光波長の異なる複数の発光素子を、１つの発光装置４０に含んでもよい。
【００７１】
（変形例３）
本実施の形態の変形例として、図６に示すように、スルーホール１１ｃを有する基体１１’を形成する。なお、本変形例では、基体１１’の形態が異なる以外は、実施形態１と同一である。 
【００７２】
基体１１’の母材１１ｂは、例えば、まず絶縁性材料を長方形の板状部材に成型し（図３Ａ参照）、さらに２つのスルーホール１１ｃ、１１ｄを貫通させることにより形成できる（図６参照）。接続端子１５、１６の形成では、まず、スルーホール１１ｃ、１１ｄに導電材料を満たす。次いで、スルーホール１１ｃ、１１ｄを覆い且つその中の導電性材料と接触するように、母材１１ｂの上面１１０ｂと下面１１２ｂに金属膜を形成する。スルーホール１１ｃ、１１ｄ内の導電材料と金属膜とから、接続端子１５、１６が形成される。
【００７３】
以下に、各部材に適した材料等を詳述する。
【００７４】
（発光素子１２）
発光素子１２としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができる。
【００７５】
（透光性基板１７）
発光素子１２の透光性基板１７に適した材料としては、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性材料、窒化物系の半導体材料等が挙げられる。ウェーハ１７０Ｗの厚さは、通常、１００〜５００μｍ程度であり、１５０〜３００μｍ程度であるのが好ましい。
透光性基板１７は、第１の主面１７ｄ（図１Ｄ参照）に複数の凸部又は凹凸を有してもよい。透光性基板１７は、Ｃ面、Ａ面等の所定の結晶面に対して０〜１０度程度のオフ角を有してもよい。
【００７６】
（半導体積層体１８）
第１導電型半導体層１８ａ、活性層１８ｂ及び第２導電型半導体層１８ｃに適した材料としては、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等の半導体材料が挙げられる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料、例えばＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。
【００７７】
発光素子１２の平面視における形状は特に限定されないが、例えば四角形が好ましい。発光素子１２の大きさは、平面視の形状が正方形の場合には、例えば、一辺１００μｍ〜２０００μｍ程度である。平面視の形状が長方形の場合には、長辺と短辺の比が２：１〜５０：１程度であることが好ましい。
【００７８】
発光素子１２は、透光性基板１７と半導体積層体１８との間に、半導体積層体１８とは別の半導体層（例えば中間層、バッファ層、下地層）又は絶縁層を設けてもよい。
【００７９】
（基体１１）
基体１１は、母材１１ａと接続端子１５、１６とを含んでいる。
【００８０】
（母材１１ａ）
母材１１ａは、例えば、セラミック、樹脂、パルプ、ガラス、及びこれらの複合材料（例えば、複合樹脂）、あるいはこれら材料と導電材料（例えば、金属、カーボン等）との複合材料が挙げられる。
【００８１】
母材１１ａに好適なセラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられる。複合樹脂としては、ガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００８２】
母材１１ａに好適な樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。ナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂及びそれらを含む組成物、液晶ポリマー及びそれらを含む組成物を利用してもよい。特に、ＢＴ樹脂を含む組成物が好ましい。
【００８３】
母材１１ａには、ガラスエポキシ、ガラスシリコーン、ガラス変性シリコーンのプリプレグ基板を用いることができる。
【００８４】
母材１１ａの厚さは、５００μｍ程度以下が好ましく、４７０μｍ程度以下、３００μｍ程度以下がより好ましく、２００μｍ程度以下がさらに好ましい。また、強度等を考慮すると、２０μｍ程度以上が好ましく、４０μｍ程度以上がより好ましい。
【００８５】
母材の平面形状は、例えば、円形、四角形等の多角形又はこれらに近い形状が挙げられる。なかでも長方形が好ましい。
【００８６】
長方形の母材１１ａの場合、長さ（ｘ方向の寸法）と幅（ｙ方向の寸法）は、基体１１に接合される発光素子１２の大きさ及び個数によって決定される。例えば、基体１１に上面視が長方形の発光素子１２が１つ接合される場合は、母材１１ａの長さは、発光素子１２の長辺の１．５〜５倍程度が好ましく、母材１１ａの幅は、発光素子１２の短辺の１．０〜２．０倍程度であるのが好ましい。例えば、基体１１に複数の発光素子１２が接合される場合は、発光素子１２の個数、配置に合わせて、基体１１の長さと幅を適宜調整する。長手方向（ｘ方向）に沿って複数の発光素子１２を接合する場合には、母材１１ａの幅は変更せず、長さを長くすることができる。具体的には、２個の発光素子１２を接合する場合には、母材１１ａの長さは、発光素子１２の一辺の２．４〜６．０倍程度であるのが好ましい。また、長手方向に沿って３個の発光素子１２を接合する場合には、母材１１ａの長さは、発光素子１２の一辺の３．６〜６．０倍程度が好ましい。
母材１１ａは、コンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード等の保護素子を含むことができる。例えば、母材１１ａの一部に多層構造又は積層構造を設けて、これらの保護素子として機能させてもよい。
基体１１は、母材１１ａと接続端子１５、１６とを備えるものに限られず、例えば、接続端子１５、１６となる金属膜又は金属板のみから形成することもできる。成型樹脂と金属のリードが一体に成形されたものであってもよい。
基体１１は、その上面１１ｕ側に設けられた配線と、下面１１ｄ側に設けられて前記配線を支持する母材１１ａとを含み、第４工程より後に、母材１１ａを除去する工程を有していてもよい。発光装置が母材１１ａを備えないことで、発光装置を薄型化もしくは小型化することができる。
【００８７】
（接続端子１５、１６）
一対の接続端子１５、１６は、少なくとも、基体１１の上面１１ｕ（つまり、発光素子１２が実装される面）上に設けられる。さらに、基体１１の側面１１ｓを通って下面１１ｄまで延在してもよい（図１Ｃ参照）。接続端子１５、１６は、金属膜の配線、リードフレームを利用できる。金属膜の配線は、メッキ、印刷等によって形成できる。接続端子１５、１６の厚さは、数μｍから数十μｍが好ましい。
【００８８】
接続端子１５、１６は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの合金の膜を１層又は複数層積層して形成することができる。接続端子１５、１６の表面には、例えばＡｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｒｈ又はこれらの合金の層が形成されていてもよい。接続端子１５、１６は、具体的には、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／ＮｉＣｏ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇなどの積層構造とすることができる。
【００８９】
（支持部材１３）
支持部材１３に好適な材料としては、樹脂、セラミック、パルプ、ガラスがあり、特に樹脂が好ましい。支持部材１３に好適な樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、不飽和ポリエステル、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。実施形態１の第４工程において、発光素子１２の透光性基板１７０と支持部材１３とを薄く加工するのを、研削で行う場合には、支持部材１３は、研削で発生する熱で軟化し難い熱硬化性樹脂が好ましい。これにより、支持部材１３の除去を容易に行うことができる。
【００９０】
支持部材１３は、透光性であってもよいが、発光素子１２からの光に対する反射率が６０％以上の反射性材料が好ましく、７０％、８０％又は９０％以上の反射性材料がより好ましい。これにより、支持部材１３を透過する光を低減し、発光素子１２の発光面１２ｅからの光取出し効率を高めることができる。支持部材１３の反射率が基体１１よりも高くすると（例えば、基体１１に窒化アルミニウムを用い、支持部材１３として二酸化チタンを９５重量％含有するシリコーン樹脂を用いる）、発光装置の光取出し効率を特に高めることができる。反射性材料としては、支持部材１３の材料（例えば、樹脂）に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）などの光反射材をあげることができる。
【００９１】
支持部材１３は、添加物として、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラー、放熱性の高い材料（例えば、窒化アルミニウム等）を含有させてもよい。これにより、支持部材１３の強度、硬度、放熱性を高めることができる。これらの添加物は、例えば、支持部材１３の全重量に対して、１０〜９５重量％程度含有させることが好ましい。
【００９２】
支持部材１３の外形は、例えば、円柱、四角柱等の多角柱、円錐台、四角錐台等の多角錐台にすることができ、さらに、一部が凸レンズ状又は凹レンズ状であってもよい。特に、基体１１の長手方向（ｘ方向）に細長い形状を有していることが好ましい（図１Ａ参照）。基体１１の短手方向（ｙ方向）に沿った面を有することが好ましい。
【００９３】
平面視において、支持部材１３の長手方向（ｘ方向）に沿った側面の少なくとも一方、好ましくは両方が、基体１１の長手方向（ｘ方向）に沿った側面と同一面を形成することが好ましい。支持部材１３のｘ方向に沿った側面自体が発光装置１０の外面となり、発光装置１０を小型にすることができる。
【００９４】
平面視において、支持部材１３は、発光素子１２よりも大きいことが好ましい。特に、支持部材１３の最外形の長手方向の長さは、発光素子の一辺の１．１〜４．０倍程度好ましい。具体的には、１００〜１０００μｍ程度が好ましく、２００〜８００μｍ程度がより好ましい。支持部材１３の厚さ（平面視したときの発光素子１２の側面から支持部材１３幅）は、例えば、１〜１００μｍ程度が挙げられ、５〜８０μｍ程度、１０〜５０μｍ程度が好ましい。
【００９５】
（第１電極１９及び第２電極２０）
第１電極１９及び第２電極２０は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ又はこれらの合金の膜を１層又は複数層積層して形成することができる第１電極１９及び第２電極２０は。具体的には、半導体積層体１８側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等のように積層された積層膜が挙げられる。
【００９６】
第１電極１９及び第２電極２０は、それぞれ第１導電型半導体層１８ａ及び第２導電型半導体層１８ｃに近い側に、活性層１８ｂから出射される光に対する反射率の高い材料層が配置されることが好ましい。反射率が高い材料層としては、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌの層が挙げられる。Ａｇ層又はＡｇ合金層を用いる場合には、Ａｇのマイグレーションを抑制するために、その表面を被覆層で覆うのが好ましい。被覆層としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ又はその合金の層が利用できる。
【００９７】
（接合部材２１）
発光素子１２の電極１９、２０と基体１１の接続端子１５、１６とは、接合部材２１で接合される。接合部材２１に好適な材料としては、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田（具体的には、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等）、共晶合金（ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等）銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等が挙げられる。
【００９８】
（波長変換部材１４）
波長変換部材１４は、蛍光体と、透光性材料とを含む。透光性材料は、発光素子１２から出射される光の６０％以上を透過する材料、より好ましくは、７０％、８０％又は９０％以上を透過する材料である。透光性材料としては、樹脂材料が好ましく、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。
【００９９】
蛍光体は、発光素子１２からの光で励起されるものを用いる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体を、青色光又は紫外線を発する発光素子１２と適宜組み合わせることにより、様々な色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を製造することができる。
【０１００】
波長変換部材１４は、充填材（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラスが挙げられる。
【０１０１】
蛍光体及び／又は充填材の含有量は、例えば、波長変換部材１４の全重量に対して１０〜８０重量％程度が好ましい。
【０１０２】
以下に本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の実施例を、具体的に説明する。
【実施例１】
【０１０３】
実施例１
この実施例で製造する発光装置１０は、図１Ａ及び１Ｂに示すように、基体１１、発光素子１２、支持部材１３、及び波長変換部材１４を備える。
【０１０４】
基体１１の母材１１ａは、ナフタレン系のエポキシ樹脂を含有するＢＴ樹脂組成物を、市販のガラスクロスに含浸させて形成する。接続端子１５、１６は、母材１１ａ側から、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ（合計厚さ：２０μｍ）を積層して形成する。
【０１０５】
発光素子１２は、透光性基板１７としてサファイア基板（厚さ：５０μｍ）と、その上に形成された半導体積層体（厚さ：８〜１２μｍ程度）１８とを含む。半導体積層体１８は、サファイア基板１７とは反対側の表面（図１Ｄの下面１８ｄ）に、正負一対の電極１９、２０を有する。発光素子１２は、その正負一対の電極１９、２０が、基体１１の一対の接続端子１５、１６に、それぞれ、接合部材２１としてＡｕ−Ｓｎ共晶半田（厚さ：２０μｍ）によって接続されている。
発光素子１２は、青色光（発光中心波長４５５ｎｍ）を発光するＬＥＤを用いる。ＬＥＤは、長さ（長手方向（ｘ方向）の寸法）が１１００μｍ、幅（短手方向（ｙ方向）の寸法）２３０μｍ、厚さ（ｚ方向の寸法）が１００μｍの直方体状である。
【０１０６】
支持部材１３は、外形寸法が、長さが１２００μｍ、幅が３００μｍ、厚さが１５０μｍの略直方体状に成形されている。支持部材１３の長手方向（ｘ方向）に沿った側面は、基体１１の長手方向（ｘ方向）に沿った側面と同一面を形成している。支持部材１３の第１部分１３ａにより、発光素子１２の側面の全周を被覆する。発光素子１２と基体１１との隙間には、支持部材１３の第２部分１３ｂが、第１部分１３ａと一体的に設けられている。支持部材１３の上面１３ｕは、発光素子１２の上面１２ｕと略一致している（図１Ｄ参照）。支持部材１３は、平均粒径１４μｍのシリカと、平均粒径０．２５〜０．３μｍの酸化チタンとを含むシリコーン樹脂から形成した。シリカと酸化チタンは、支持部材１３の全重量に対して、それぞれ２〜２．５ｗｔ％及び４０〜５０ｗｔ％で含有する。
【０１０７】
発光素子１２の上面１２ｕに波長変換部材１４（厚さ：２０μｍ）が配置されている。この波長変換部材１４は、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を含有するシリコーン樹脂により形成されている。波長変換部材１４は、支持部材１３の上面１３ｕも被覆している。波長変換部材１４の外周縁は、支持部材１３の上面１３ｕの外周縁と一致している。
【０１０８】
本実施例の発光装置１０は、以下の製造方法によって製造することができる。まず、実施形態１の第１工程に従って、透光性基板１７０と、その第１の主面１７１上に配置された半導体積層体１８と、半導体積層体１８の下面１８ｄに配置された一対の電極１９、２０とを備える発光素子１２０を準備する（図１Ｄ、図２Ｈ）。透光性基板１７０の側面１７３には、レーザスクライブによる変質部Ｍ（光吸収部Ａｂｓ）が形成されている。図２Ｆにおいて、ｚ方向の各寸法は、透光性基板１７０が約１２５μｍ、第１の主面１７１側の透光部Ｔｒが約８０μｍ、変質部Ｍが約２４μｍ、第２の主面１７２側の透光部Ｔｒが２１μｍである。図３Ａ、図３Ｂに示したように、一対の接続端子１５、１６を備える基体１１を準備する。この基体１１に、図３Ｃに示すように、接続端子１５、１６の上に、接合部材２１（半田）のバンプを形成する。発光素子１２０の一対の電極１９、２０をそれぞれ接続端子１５、１６上の接合部材２１に対向するように、フリップチップで配置し、２５０℃で加熱して接合部材２１をリフローし、冷却する。このようにして、基体１１の上面１１ｕ上に発光素子１２が接合される（図３Ｄ参照）。
【０１０９】
その後、図３Ｅに示すように、発光素子１２０の全体を支持部材１３で被覆する。支持部材１３の被覆は、トランスファーモールドによって行う。このようなモールド法によって、発光素子１２０の側面に、支持部材１３の第１部分１３ａを形成し、発光素子１２０と基体１１との隙間に支持部材１３の第２部分１３ｂを配置することができる。
【０１１０】
図３Ｅ〜図３Ｆに示すように、発光素子１２０の基板１７０の第２の主面１７２側から、発光素子１２の基板１７０と支持部材１３の第１部分１３ａを、研削装置を用いて薄くする。研削用砥石としては、基板１７よりも硬い材料（例えばダイヤモンド、ＳｉＣ）から形成された研削ホイールを用い、加工レートを、例えば０．０５〜５μｍ／秒程度に設定する。この実施例では、基板１７が厚さ５０μｍになるまで、基板１７０と支持部材１３とを同時に薄くする。光性基板１７０の側面１７３の変質部Ｍ（図２Ｆ）は除去される。研削後の発光素子１２では、支持部材１３の上面１３ｕと発光素子１２の基板１７の上面１７ｕとが面一となる（図３Ｆ）。
【０１１１】
基板１７の上面１７ｕに表面処理を施す。例えば、基板１７の上面に格子状又は線状の溝又は山を形成する加工、レンズ形状への加工などが挙げられる。これらの表面処理は、公知の方法及び条件を適宜設定して利用することができる。次に、図３Ｇに示すように、基体１１の上面１１ｕと支持部材１３の外側面とを覆う保護部材Ｐを設ける。と発光素子１２の基板１７の上面１７ｕと支持部材１３の上面に、波長変換部材１４をパルススプレー法によって被覆する。
【０１１２】
最後に、保護部材Ｐを除去して、発光装置１０を得る（図１Ｃ）。
【実施例２】
【０１１３】
実施例２
実施例２における発光装置１０Ａの製造方法では、発光素子１２の透光性基板１７０と支持部材１３とを薄くするのに、支持部材１３が削れやすく、透光性基板１７０が削れにくい砥石（例えばアルミナ砥石）を用いて研削する。その結果、図７に示すように、支持部材１３の上面１３ｕが、発光素子１２の透光性基板１７の上面１７ｕよりも若干（例えば、５μｍ程度）低くすることができる。
【０１１４】
なお、本発明は、実施形態及び実施例で例示した側面発光型（サイドビュータイプと称される）の発光装置１０以外にも、上面発光型（トップビュータイプと称される）の発光装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに用いることができる発光装置を製造するために利用することができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１０、１０Ａ、４０  発光装置
１１  基体
１１ａ、１１ｂ、８２  母材
１１ｃ、１１ｄ  スルーホール
１２  発光素子
１２０  加工前の発光素子
１３  支持部材
１４  波長変換部材
１５、１５ａ、１６、１６ａ、  接続端子
１７  透光性基板
１７０  加工前の透光性基板
１８  半導体積層体
１９、２０  電極
２１  接合部材
２２  複合接続端子
２４  複合基体
２４ａ  母材
２５  スリット
４４  複合基体
４５、４５ａ、４６  複合接続端子
Ｔｒ  透光部
Ｍ  変質部
Ａｂｓ  光吸収部
【図１Ａ】
0006550768.tif 000002
【図１Ｂ】
0006550768.tif 000003
【図１Ｃ】
0006550768.tif 000004
【図１Ｄ】
0006550768.tif 000005
【図２Ａ】
0006550768.tif 000006
【図２Ｂ】
0006550768.tif 000007
【図２Ｃ】
0006550768.tif 000008
【図２Ｄ】
0006550768.tif 000009
【図２Ｅ】
0006550768.tif 000010
【図２Ｆ】
0006550768.tif 000011
【図２Ｇ】
0006550768.tif 000012
【図２Ｈ】
0006550768.tif 000013
【図３Ａ】
0006550768.tif 000014
【図３Ｂ】
0006550768.tif 000015
【図３Ｃ】
0006550768.tif 000016
【図３Ｄ】
0006550768.tif 000017
【図３Ｅ】
0006550768.tif 000018
【図３Ｆ】
0006550768.tif 000019
【図３Ｇ】
0006550768.tif 000020
【図４Ａ】
0006550768.tif 000021
【図４Ｂ】
0006550768.tif 000022
【図５】
0006550768.tif 000023
【図６】
0006550768.tif 000024
【図７】
0006550768.tif 000025