(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が形成されている回路基板と、
電極が形成されている面が前記凹部の開口部の方向を向くように前記凹部内に収納される半導体素子と、
前記凹部の側面の途中から前記回路基板上まで形成される金属膜と、
前記金属膜と前記電極とを接続するワイヤと、
を備え、
前記半導体素子の前記電極が形成されている面と対向する面は、放熱ブロックに固定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記回路基板上に形成された金属膜の高さと前記半導体素子における前記電極の高さとが略同一である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱ブロックの高さは、前記回路基板上に形成された金属膜の高さと前記半導体素子における前記電極の高さとが略同一となる高さに設計される、ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
スルーホールを更に備え、
前記金属膜は、前記回路基板の対向する２つの面にそれぞれ形成され、
前記電極は、前記対向する２つの面の一方の面に形成され、前記ワイヤによって接続された前記金属膜と、前記スルーホールとを介して、前記回路基板の他方の面に形成される前記金属膜と接続される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
回路基板に凹部を形成し、
前記凹部の側面の途中から前記回路基板上まで金属膜を形成し、
半導体素子における電極が形成されている面が前記凹部の開口部の方向を向くように前記半導体素子を前記凹部内に収納し、
前記金属膜と前記電極とをワイヤで接続する
半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子を、前記凹部内において、放熱ブロックの上に収納することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体素子を前記凹部内に収納した時に、前記電極の高さと前記回路基板の凹部開口方向の面上に形成された金属膜の高さとが一致する高さを有する前記放熱ブロックを前記凹部内に配置し、
前記半導体素子を、前記凹部内において、前記放熱ブロックの上に収納する、ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜の前記凹部内に配置された前記金属膜の下端位置まで第１レジスト膜を配置し、
前記凹部内に無電界めっき法を用いて金属膜を形成し前記凹部の側面から前記凹部の開口部の周囲の回路基板上の所望位置まで第２レジスト膜を配置し、
前記第２レジスト膜が配置されていない領域をエッチングし、前記第１レジスト膜と前記第２レジスト膜とを除去する、
ことを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
回路基板に凹部を形成し、
前記凹部の側面から前記回路基板上まで金属膜を形成し、
半導体素子における電極が形成されている面が前記凹部の開口部の方向を向くように前記半導体素子を前記凹部内に収納し、
前記金属膜と前記電極とをワイヤで接続する半導体装置の製造方法であって、
前記金属膜の前記凹部内に配置された前記金属膜の下端位置まで第１レジスト膜を配置し、
前記凹部内に無電界めっき法を用いて金属膜を形成し前記凹部の側面から前記凹部の開口部の周囲の回路基板上の所望位置まで第２レジスト膜を配置し、
前記第２レジスト膜が配置されていない領域をエッチングし、前記第１レジスト膜と前記第２レジスト膜とを除去する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子を前記凹部内に収納した時に、前記電極の高さと前記回路基板の凹部開口方向の面上に形成された金属膜の高さとが一致する高さを有する放熱ブロックを前記凹部内に配置し、
前記半導体素子を、前記凹部内において、前記放熱ブロックの上に収納する、ことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の構造や製造方法に関する技術が、種々提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、結線部を保護する樹脂の流出を防ぐために、絶縁性容器凹部の側壁面に勾配を設けた半導体装置が、開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、キャビティに収容される半導体素子とコア基材に形成される配線パターンとをワイヤボンディングする際に、ボンディングワイヤがキャビティの内壁面に形成される導体層と接触して信号線が電気的にショートしないようにした半導体パッケージが、開示されている。
【０００５】
また、特許文献３には、高周波特性の改善と熱放散の効率化とを目的としたハイブリットＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）が、開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実開平０２−０９５２４６号公報
【特許文献２】特開平１０−１７８０３１号公報
【特許文献３】特開平６−２３２２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に係る半導体装置は、マウント面に対して傾斜した側壁面上の引用導体にワイヤを結線する。そのため、特許文献１に係る半導体装置は、十分な接続強度が得られない等、信頼性に問題がある。
【０００８】
特許文献２に係る半導体パッケージおよび特許文献３に係るハイブリットＩＣは、半導体素子とキャビティ内壁面の導体層とを結ぶボンディングワイヤの短縮化が十分になされていない。そのため、特許文献２に係る半導体パッケージおよび特許文献３に係るハイブリットＩＣは、伝送ロスの増大等の問題が生じる場合がある。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、信頼性の向上と伝送ロスの低減とを実現することができる、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一態様における半導体装置は、凹部が形成されている回路基板と、電極が形成されている面が前記凹部の開口部の方向を向くように前記凹部内に収納される半導体素子と、前記凹部の側面から前記回路基板上まで形成される金属膜と、前記金属膜と前記電極とを接続するワイヤと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様における半導体装置の製造方法は、回路基板に凹部を形成し、前記凹部の側面から前記回路基板上まで金属膜を形成し、半導体素子における電極が形成されている面が前記凹部の開口部の方向を向くように前記半導体素子を前記凹部内に収納し、前記金属膜と前記電極とをワイヤで接続する、ことを特徴とする
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信頼性の向上と伝送ロスの低減とを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０の断面図の一例である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の断面図の一例である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の上面図の一例である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１７】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置１００の断面図の一例である。
【図１８】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の断面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。
【００１５】
本実施形態に係る半導体装置１０の断面図を図１に示す。半導体装置１０は、図１に示すように、凹部６０が形成された回路基板２０と、電極７０が形成された半導体素子３０と、金属膜４０と、ワイヤ５０と、を備える。
【００１６】
回路基板２０は、例えば、単層や多層の基材からなる。また、回路基板２０には、凹部６０が形成される。
【００１７】
半導体素子３０には、電極７０が形成される。ここで、電極７０は、回路基板２０上に形成される金属膜４０との距離が、なるべく短くなる位置に形成されることが望ましい。半導体素子３０は、電極７０が形成されている面が回路基板２０に形成される凹部６０開口方向に向くように、凹部６０内に収納される。
【００１８】
金属膜４０は、回路基板２０に形成される凹部６０の側面から、凹部６０の開口部の周囲の回路基板２０上にかけて形成される。
【００１９】
ワイヤ５０は、半導体素子３０に形成されている電極７０と、金属膜４０とを接続する。ここで、ワイヤ５０は、電極７０を、回路基板２０の凹部６０寄り上面に形成されている金属膜４０に接続する。なお、ワイヤ５０による接続距離が大きくなると伝送ロス等が生じることから、電極７０と金属膜４０とはなるべく同じ高さに配置されることが望ましい。
【００２０】
上記構成により、本実施形態に係る半導体装置１０において、凹部６０の開口部の周囲の回路基板２０上に形成される金属膜４０は、半導体素子３０の最近傍まで形成される。そのため、半導体装置１０においては、凹部６０の開口部の周囲の回路基板２０上に形成される金属膜４０と、半導体素子３０に形成されている電極７０とを接続するワイヤ５０の長さを短縮でき、伝送ロスの低減を実現できる。また、半導体装置１０において、凹部６０の開口部の周囲の回路基板２０上に形成される金属膜４０と電極７０とは、ワイヤ５０の接続強度を低下させる傾斜面等には形成されない。そのため、半導体装置１０においては、信頼性を向上させることができる。
【００２１】
以上のことから、本実施形態によれば、信頼性の向上と伝送ロスの低減とを実現することができる。
【００２２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００２３】
本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００の断面図の一例を図２に、上面図の一例を図３に示す。半導体装置１００は、図２および図３に示すように、回路基板２００と、接着材料３００と、半導体素子４００と、ワイヤ５００と、を備える。以下、図２および図３に示すｘ１方向と、ｘ２方向と、ｙ１方向と、ｙ２方向とを用いて、半導体装置１００を説明する。
【００２４】
回路基板２００は、図２に示すように、基材２０１と、放熱ブロック２０２と、接着剤２０３と、凹部２０４と、金属箔２０５と、第１の金属膜２０６と、第２の金属膜２０７と、めっき層２０８と、スルーホール２０９（以下、「Ｔ／Ｈ２０９」と記載する。）と、を備える。
【００２５】
基材２０１は、単層の基材であって、例えば、ベークライトやガラスエポキシ等の材料からなる。基材２０１は、図２に示すように、凹部２０４と、Ｔ／Ｈ２０９とを備える。また、図２に示すように、基材２０１には、一部分を除いて、金属パターン２１０が形成されている。以降では、図２や図３に示すように、凹部２０４とＴ／Ｈ２０９−１との間の領域の基材２０１を基材２０１Ａ−１として説明する。また、凹部２０４とＴ／Ｈ２０９−２との間の領域の基材２０１を基材２０１Ａ−２として説明する。また、Ｔ／Ｈ２０９−１を基準としてｘ１方向の領域の基材２０１を基材２０１Ｂ−１として説明する。また、Ｔ／Ｈ２０９−２を基準としてｘ２方向の領域の基材２０１を基材２０１Ｂ−１として説明する。なお、特に基材２０１の各領域を区別して説明する必要が無い場合には、基材２０１Ａ−１と、基材２０１Ａ−２と、基材２０１Ｂ−１と、基材２０１Ｂ−２とを基材２０１と呼称する。また、特に基材２０１Ａ−１と基材２０１Ａ−２とを区別して説明する必要が無い場合には、基材２０１Ａ−１と基材２０１Ａ−２とを基材２０１Ａと呼称する。また、特に基材２０１Ｂ−１と基材２０１Ｂ−２とを区別して説明する必要が無い場合には、基材２０１Ｂ−１と基材２０１Ｂ−２とを基材２０１Ｂと呼称する。
【００２６】
基材２０１Ａ−１のｘ２方向面は、接着剤２０３を介して放熱ブロック２０２と接着している。また、基材２０１Ａ−２のｘ１方向面は、接着剤２０３を介して放熱ブロック２０２と接着している。
【００２７】
放熱ブロック２０２は、半導体素子４００から発せられる熱を放熱する。放熱ブロック２０２のｘ１方向面およびｘ２方向面のそれぞれは、接着剤２０３を介して基材２０１Ａと接着している。また、放熱ブロック２０２のｙ１方向面は、接着材料３００を介して半導体素子４００と接着している。また、放熱ブロック２０２のｙ２方向面には、金属パターン２１０が形成されている。
【００２８】
接着剤２０３は、基材２０１Ａと放熱ブロック２０２とを接着させる。
【００２９】
凹部２０４は、基材２０１に形成されるｙ１方向が開口した凹部であって、半導体素子４００が収められる。なお、凹部２０４の側面、すなわち、凹部２０４のｘ１方向面およびｘ２方向面には、金属パターン２１０が形成されている。
【００３０】
金属箔２０５は、基材２０１上などに形成される金属箔である。金属箔２０５は、例えば銅、アルミニウム、金、銀等の金属からなる。
【００３１】
第１の金属膜２０６は、基材２０１や放熱ブロック２０２上などに形成される金属膜である。第１の金属膜２０６は、例えば、ニッケルや銅等の金属からなる。
【００３２】
第２の金属膜２０７は、基材２０１や放熱ブロック２０２上などに形成される金属膜である。第２の金属膜２０７は、例えば、ニッケルや銅等の金属からなる。
【００３３】
めっき層２０８は、金属パターン２１０の周囲を覆う薄膜である。めっき層２０８は、例えば、金、ニッケル、パラジウム等の金属からなる。
【００３４】
Ｔ／Ｈ２０９は、各種部品を回路基板２００に実装する際等に用いられる穴であって、基材２０１に形成される。ここで、Ｔ／Ｈ２０９内の側面には、第２の金属膜２０７が形成されている。また、Ｔ／Ｈ２０９の内部は、樹脂埋めがなされている。また、Ｔ／Ｈ２０９のｙ１方向およびｙ２方向の開口部は、第２の金属膜２０７及びめっき層２０８によって蓋がされている。
【００３５】
金属パターン２１０は、金属箔２０５と、第１の金属膜２０６と、第２の金属膜２０７とのうち２つ以上から形成される金属層である。例えば、金属箔２０５と、第１の金属膜２０６と、第２の金属膜２０７とから形成される金属層は、金属パターン２１０に相当する。また、例えば、第１の金属膜２０６と、第２の金属膜２０７とから形成される金属層も、金属パターン２１０に相当する。ここで、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、ワイヤ５００を介して、半導体素子４００が備える後述する電極４０１と接続する。
【００３６】
ここで、基材２０１Ａ−１のｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、図２に示すように、凹部２０４のｘ１方向面まで及んでいる。また、基材２０１Ａ−２のｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、図２に示すように、凹部２０４のｘ２方向面まで及んでいる。すなわち、基材２０１Ａ−１のｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、基材２０１Ａ−１のｙ１方向面において、半導体素子４００の最近傍となるｘ２方向の縁部まで形成されている。また、基材２０１Ａ−２のｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、基材２０１Ａ−２のｙ１方向面において、半導体素子４００の最近傍となるｘ１方向の縁部まで形成されている。上記構成により、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０と、電極４０１と、を接続するワイヤ５００のワイヤ長を短縮することができる。
【００３７】
接着材料３００は、例えば、熱硬化性を持つ銀（Ａｇ）ペーストである。接着材料３００は、放熱ブロック２０２と半導体素子４００とを接着させる。
【００３８】
半導体素子４００は、凹部２０４内にフェイスアップで収められる。具体的には、半導体素子４００は、電極４０１が形成されている面がｙ１方向を向くように、凹部２０４内に収められる。ここで、半導体素子４００のｙ２方向面は、接着材料３００を介して放熱ブロック２０２と接着する。また、半導体素子４００のｙ１方向面には、電極４０１が形成される。
【００３９】
電極４０１は、半導体素子４００のｙ１方向面上に形成される電極である。電極４０１は、ワイヤ５００を介して、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０と接続する。ここで、半導体素子４００のｙ１方向面における電極４０１の形成位置は、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０に可能な限り近い位置になることが望ましい。また、電極４０１のｙ１方向に対する高さと、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０のｙ１方向に対する高さとは、同一であることが望ましい。
【００４０】
ワイヤ５００は、例えば、金や、銅、アルミニウム等の金属からなるボンディングワイヤである。ワイヤ５００は、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０と電極４０１とを接続する。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００において、基材２０１Ａのｙ１方向面の形成される金属パターン２１０は、半導体素子４００の最近傍まで形成される。また、電極４０１は、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０と可能な限り近接する半導体素子４００のｙ１方向面上に形成される。また、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０のｙ１方向に対する高さと、半導体素子４００のｙ１方向面上に形成される電極４０１のｙ１方向に対する高さとは、同一になる。上記構成により、半導体装置１００は、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０と電極４０１とを接続するワイヤ５００のワイヤ長を短縮することができるため、伝送ロスの低減を実現することができる。
【００４２】
また、本実施形態に係る半導体装置１００において、ワイヤ５００によって電極４０１と接続する金属パターン２１０は、基材２０１Ａのｙ１方向面の平面上に形成される。また、電極４０１は、半導体素子４００のｙ１方向面の平面上に形成される。また、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０のｙ１方向に対する高さと、半導体素子４００のｙ１方向面上に形成される電極４０１のｙ１方向に対する高さとは、同一になる。すなわち、ワイヤ５００によって接続する金属パターン２１０及び電極４０１は、ワイヤ５００の接続強度を低下させる傾斜面や異なる高さの面上には、形成されない。上記構成により、半導体装置１００は、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０と電極４０１とを結線するワイヤ５００の接続強度を向上させることができる。
【００４３】
以上のことから、本実施形態によれば、信頼性の向上と伝送ロスの低減とを実現することができる
次に、図４〜図１７を参照しながら、半導体装置１００の製造方法について説明する。ここで、図４〜図１７は、半導体装置１００の製造方法を説明するために用いる半導体装置１００の断面図の一例である。
【００４４】
（図４：工程１）
工程１では、単層の基材２０１のｙ１方向面およびｙ２方向面に金属箔２０５を形成する。
【００４５】
（図５：工程２）
工程２では、工程１を経た基材２０１に対して、放熱ブロック２０２の設置位置と、Ｔ／Ｈ２０９の形成位置とに、穴をあける。
【００４６】
（図６：工程３）
工程３では、接着剤２０３を用いて、工程２で放熱ブロック２０２用に形成した穴の内部に、放熱ブロック２０２を設置する。
【００４７】
（図７：工程４）
工程４では、後述する工程１３において、半導体素子４００に形成される電極４０１の高さと、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０の高さとが同一になるように、放熱ブロック２０２をｙ２方向に切除する。
【００４８】
（図８：工程５）
工程５では、凹部２０４内に第１のレジスト膜６０１を形成する。ここで、第１のレジスト膜６０１は、例えば、液状の感光性樹脂を露光・現像することによって、凹部２０４内に形成される。また、例えば、第１のレジスト膜６０１は、熱可塑性樹脂を加熱・硬化させることによって、凹部２０４内に形成される。
【００４９】
なお、工程５では、第１のレジスト膜６０１は、後述する工程９において凹部２０４のｘ１方向面およびｘ２方向面に形成される金属パターン２１０の下端位置となる高さまで形成される。
【００５０】
（図９：工程６）
工程６では、回路基板２００の全面に、無電解めっき法を用いて第１の金属膜２０６を形成する。
【００５１】
（図１０：工程７）
工程７では、Ｔ／Ｈ２０９となる穴に対して、樹脂埋めをする。そして、工程７では、回路基板２００の全面に、無電解めっき法を用いて第２の金属膜２０７を形成する。
【００５２】
（図１１：工程８）
工程８では、液状の感光性樹脂を露光・現像することによって、第２の金属膜２０７上の金属パターン２１０を形成する領域に、第２のレジスト膜６０２を形成する。
【００５３】
（図１２：工程９）
工程９では、回路基板２００のｙ１方向面において、第２のレジスト膜６０２が形成されていない領域がエッチングされる。上記エッチングにより、基材２０１Ａ−１のｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、凹部２０４のｘ１方向面まで及ぶように形成される。また、上記エッチングにより、基材２０１Ａ−２のｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、凹部２０４のｘ２方向面までに及ぶように形成される。そして、上記エッチングの後、第１のレジスト膜６０１および第２のレジスト膜６０２は、除去される。これによって、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０は、半導体素子４００の最近傍となる位置まで形成される。このように形成可能な理由は、上記工程５において、第１のレジスト膜６０１のｙ１方向面が基材２０１のｙ１方向面よりも低くなるように、第１のレジスト膜６０１を凹部２０４内に形成したためである。
【００５４】
（図１３：工程１０）
工程１０では、液状の感光性樹脂を露光・現像することによって、回路基板２００のｙ２方向面の金属パターン２１０を形成する領域に、第３のレジスト膜６０３を形成する。
【００５５】
（図１４：工程１１）
工程１１では、回路基板２００のｙ２方向面において、第３のレジスト膜６０３が形成されていない領域がエッチングされる。その後、第３のレジスト膜６０３を除去する。
【００５６】
（図１５：工程１２）
工程１２では、回路基板２００上の金属パターン２１０の表面に、無電界めっき法を用いてめっき層２０８を形成する。
【００５７】
（図１６：工程１３）
工程１３では、接着材料３００を用いて、半導体素子４００をフェイスアップで放熱ブロック２０２に接着する。この際、放熱ブロック２０２に接着された半導体素子４００に形成される電極４０１のｙ１方向面に対する高さと、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０のｙ１方向に対する高さとは、同一になる。その理由は、工程４において、放熱ブロック２０２が、半導体素子４００に形成される電極４０１の高さと、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０の高さとが同一になるように、切除されているためである。
【００５８】
なお、工程１３において、接着材料３００に銀ペーストを用いる場合、銀ペーストを加熱硬化させることで、半導体素子４００と放熱ブロック２０２とを接着させる。本実施形態において、半導体素子４００のｙ２方向面の全面は、接着材料３００を介して放熱ブロック２０２に接着する。当該構成によって、半導体装置１００は、半導体素子４００から発せられる熱を効率良く放熱することができる。
【００５９】
（図１７：工程１４）
工程１４では、基材２０１Ａのｙ１方向面に形成される金属パターン２１０と、半導体素子４００に実装されている電極４０１とを、ワイヤ５００で接続する。
【００６０】
以上の製造工程により、信頼性の向上と伝送ロスの低減とを実現する半導体装置１００を製造することができる。
【００６１】
本実施形態に係る半導体装置１００は、単層の基材２０１に凹部２０４が形成されている。当該構造により、半導体装置１００の製造コストを下げることができる、
また、本実施形態において、半導体装置１００は、図１８に示す構造であってもよい。図１８に示す構造は、図２に示す構造と比較して、次の２つの点で相違する。１つ目は、回路基板２００が備える凹部２０４が多段形状をしている点である。２つ目は、凹部２０４を封止する封止板７００が設けられている点である。なお。封止板７００は、回路基板２００のグランドと繋がる金属パターン２１０と接続している。
【００６２】
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、上記した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の基本的技術的思想を逸脱しない範囲で、更なる変形・置換・調整を加えることができる。また、各実施形態を適宜組み合わせて実施してもよい。
【００６３】
なお、上記の特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせ、ないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得る各種変形、修正を含むことは勿論である。
【符号の説明】
【００６４】
１０  半導体装置
２０  回路基板
３０  半導体素子
４０  金属膜
５０  ワイヤ
６０  凹部
７０  電極
１００  半導体装置
２００  回路基板
２０１  基材
２０２  放熱ブロック
２０３  接着剤
２０４  凹部
２０５  金属箔
２０６  第１の金属膜
２０７  第２の金属膜
２０８  めっき層
２０９  Ｔ／Ｈ
２１０  金属パターン
３００  接着材料
４００  半導体素子
４０１  電極
５００  ワイヤ
６０１  第１のレジスト膜
６０２  第２のレジスト膜
６０３  第３のレジスト膜
７００  封止板
【図１】
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【図２】
0006613756.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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