(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データストレージデバイスであって、
ブート処理中にホストによってアクセスされるブートデータに対応する論理ブロックアドレス（「ＬＢＡｓ」）を含むソリッドステートメモリと、
前記ブートデータに対応するＬＢＡｓを決定し、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達しているかを判定し、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達していると判定すると、前記ホストが前記ブート処理中に前記ブートデータに対応するＬＢＡｓに書き込むことのみを許可されるように、前記ＬＢＡｓへの書き込みを制限し、
前記ブート処理が完了したとき、前記ソリッドステートメモリをリードオンリーモードに設定する
ように構成されるコントローラと、
を備えるデータストレージデバイス。
【請求項２】
前記寿命の終わりの条件は、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの回数が、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数から、書き込み消去サイクルの所定の回数以内であるときに、到達される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項３】
前記コントローラは、前記書き込み消去サイクルの回数が、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数以上であるときに、前記ソリッドステートメモリを前記リードオンリーモードに設定するように更に構成される請求項２に記載のデータストレージデバイス。
【請求項４】
前記寿命の終わりの条件は、前記ソリッドステートメモリのスペアブロックカウントが、スペアブロックカウントの所定の閾値未満であるときに、到達される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項５】
前記コントローラは、
前記ソリッドステートメモリが寿命の終わりの条件に到達したと判定する前に、前記ソリッドステートメモリにおける指定領域への書き込みの回数を限定し、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達したと判定すると、前記ブートデータに対応するＬＢＡｓへのホスト書き込みを扱うために前記指定領域を使用するように更に構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項６】
前記コントローラは、
前記ブート処理中に前記ホストによりアクセスされるＬＢＡｓのパターンを学習し、
前記ブート処理中に前記ホストによりアクセスされるＬＢＡｓの前記パターンにおける当該ＬＢＡｓへのホスト書き込みを限定することにより、
前記ホスト書き込みを制限するように更に構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項７】
前記コントローラは、前記ホストを、所定の回数の書き込みに限定することにより、ホスト書き込みを制限するように更に構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項８】
前記所定の回数の書き込みは、予め設定された回数の書き込みである請求項７に記載のデータストレージデバイス。
【請求項９】
前記所定の回数の書き込みは、前記ブート処理中に前記ホストにより行われる書き込みの回数を監視することによって学習される請求項７に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１０】
磁気回転ディスクを更に備える請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１１】
データストレージデバイスを動作するための方法であって、
ブート処理中にホストによってアクセスされるブートデータに対応する論理ブロックアドレス（「ＬＢＡｓ」）を決定するステップであって、前記ＬＢＡｓは、前記データストレージデバイスのソリッドステートメモリのＬＢＡｓを含む、ステップと、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達しているかを判定するステップと、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達していると判定すると、前記ホストが前記ブート処理中に前記ブートデータに対応するＬＢＡｓに書き込むために通常の書き込みコマンドを実行することのみを許可されるように、前記ＬＢＡｓへの書き込みを制限するステップと、
前記ブート処理が完了したとき、前記ソリッドステートメモリをリードオンリーモードに設定するステップと、
を備える方法。
【請求項１２】
前記寿命の終わりの条件は、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの回数が、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数から、書き込み消去サイクルの所定の回数以内であるときに、到達される請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記書き込み消去サイクルの回数が、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数以上であるときに、前記ソリッドステートメモリを前記リードオンリーモードに設定するステップを更に備える請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記寿命の終わりの条件は、前記ソリッドステートメモリのスペアブロックカウントが、スペアブロックカウントの所定の閾値未満であるときに、到達される請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ソリッドステートメモリが寿命の終わりの条件に到達したと判定する前に、前記ソリッドステートメモリにおける指定領域への書き込みの回数を限定するステップと、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達したと判定すると、前記ブートデータに対応するＬＢＡｓへのホスト書き込みを扱うために前記指定領域を使用するステップと、
を更に備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＬＢＡｓへの書き込みを制限するステップは、
前記ブート処理中に前記ホストによりアクセスされるＬＢＡｓのパターンを学習するステップと、
前記ブート処理中に前記ホストによりアクセスされるＬＢＡｓの前記パターンにおける当該ＬＢＡｓへのホスト書き込みを限定するステップと、
を更に備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＬＢＡｓへの書き込みを制限するステップは、前記ホストを所定の回数の書き込みに限定するステップを更に備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記所定の回数の書き込みは、予め設定された回数の書き込みである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記所定の回数の書き込みは、前記ブート処理中に前記ホストにより行われる書き込みの回数を監視することによって学習される請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記データストレージデバイスは、磁気回転ディスクを更に備える請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
電子デバイスであって、
ブート処理中にブートデータを書き込むように構成されるホストプロセッサと、
データストレージデバイスと、を備え、
前記データストレージデバイスは、
前記ブート処理中に前記ホストプロセッサによってアクセスされる前記ブートデータに対応する論理ブロックアドレス（「ＬＢＡｓ」）を含むソリッドステートメモリと、
前記ホストプロセッサから前記ブートデータに対応するＬＢＡｓを決定し、
前記ソリッドステートメモリが寿命の終わりの条件に到達しているかを判定し、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達していると判定すると、前記ホストプロセッサが前記ブート処理中に前記ブートデータに対応するＬＢＡｓに書き込むことのみを許可されるように、前記ＬＢＡｓへの書き込みを制限し、
前記ブート処理が完了したとき、前記ソリッドステートメモリをリードオンリーモードに設定する
ように構成されるコントローラと、
を備える電子デバイス。
【請求項２２】
前記寿命の終わりの条件は、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの回数が、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数から、書き込み消去サイクルの所定の回数以内であるときに、到達される請求項２１に記載の電子デバイス。
【請求項２３】
前記コントローラは、前記書き込み消去サイクルの回数が、前記ソリッドステートメモリの書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数以上であるときに、前記ソリッドステートメモリを前記リードオンリーモードに設定するように更に構成される請求項２２に記載の電子デバイス。
【請求項２４】
前記寿命の終わりの条件は、前記ソリッドステートメモリのスペアブロックカウントが、スペアブロックカウントの所定の閾値未満であるときに、到達される請求項２１に記載の電子デバイス。
【請求項２５】
前記コントローラは、
前記ソリッドステートメモリが、寿命の終わりの条件に到達したと判定する前に、前記ソリッドステートメモリにおける指定領域への書き込みの回数を限定し、
前記ソリッドステートメモリが寿命の終わりの条件に到達したと判定すると、前記ブートデータに対応するＬＢＡｓへの前記ホストプロセッサからの書き込みを扱うために前記指定領域を使用するように更に構成される請求項２１に記載の電子デバイス。
【請求項２６】
前記コントローラは、
前記ブート処理中に前記ホストプロセッサによりアクセスされるＬＢＡｓのパターンを学習し、
前記ブート処理中に前記ホストプロセッサによりアクセスされるＬＢＡｓの前記パターンにおける当該ＬＢＡｓへの前記ホストプロセッサによる書き込みを限定することにより、
前記ホストプロセッサからの書き込みを制限するように更に構成される請求項２１に記載の電子デバイス。
【請求項２７】
前記コントローラは、前記ホストプロセッサによる書き込みを、所定の回数の書き込みに限定することにより、前記ホストプロセッサからの書き込みを制限するように更に構成される請求項２１に記載の電子デバイス。
【請求項２８】
前記所定の回数の書き込みは、予め設定された回数の書き込みである請求項２７に記載の電子デバイス。
【請求項２９】
前記所定の回数の書き込みは、前記ブート処理中に前記ホストプロセッサにより行われる書き込みの回数を監視することによって学習される請求項２７に記載の電子デバイス。
【請求項３０】
磁気回転ディスクを更に備える請求項２１に記載の電子デバイス。
【請求項３１】
前記ホストプロセッサは、前記ブート処理中に前記ブートデータの少なくとも一部を書き込むように構成されるベーシック  インプット／アウトプット  システム（「ＢＩＯＳ」）を更に備える請求項２１に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
電子デバイスにおけるソリッドステートメモリは、利用可能な書き込み消去サイクルの回数が制限されている。
【背景技術】
【０００２】
従来、ソリッドステートメモリが、ある回数の書き込み消去サイクルに到達したとき、ソリッドステートメモリは、リードオンリーモードに設定される。しかし、リードオンリーモードでは、電子デバイスは、ソリッドステートメモリに書き込む必要があるため、ブートアップすることができない。
【発明の概要】
【０００３】
電子デバイスがブートアップできない場合、ソリッドステートメモリ内のデータにアクセスすることが困難になる。これは、ソリッドステートメモリの交換が必要なだけでなく、交換メモリを使用することによりソリッドステートメモリ内に記憶されたデータを検索するために厄介な処理を行う必要がある。しかし、交換メモリを使用することができないことにより、ソリッドステートメモリ内のデータ損失をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
本実施形態の構成及び利点は、図面と共に取得されるときに、以下に説明される詳細な説明からより明らかとなるであろう。
【図１】図１は、実施形態に係る電子デバイスを示す。
【図２】図２は、実施形態に係るデータストレージデバイスを示す。
【図３】図３は、実施形態に係る書き込み消去サイクルの回数に基づくソリッドステートメモリのモードを示す。
【図４】図４は、実施形態に係るデータストレージデバイスを動作するための処理を示す。
【図５】図５は、実施形態に係るデータストレージデバイスを動作するための処理についての追加又は付加的なブロックを示す。
【図６】図６は、実施形態に係るソリッドステートメモリを示す。
【図７】図７は、実施形態に係るデータストレージデバイスを動作するための処理についての追加又は付加的なブロックを示す。
【図８】図８は、実施形態に係るソリッドステートメモリを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
実施形態では、電子デバイス１００は、図１に示される。図１に示される実施形態に見られるように、電子デバイス１００は、ホスト１０２と、データストレージデバイス１０４と、揮発性メモリ１０６と、を備える。実施形態では、電子デバイス１００は、コンピュータ、ラップトップ、セットトップボックス、タブレット、モバイル通信デバイス又はデータストレージデバイス１０４を用いてブートアップする他の種類のデバイスを備える。実施形態では、揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（「ＤＲＡＭ」）のようなランダムアクセスメモリ（「ＲＡＭ」）を備える。揮発性メモリ１０６は、例えば、ホスト１０２によりアクセスされるキャッシュデータに用いられうる。
【０００６】
実施形態では、データストレージデバイス１０４は、図２に示される。図２に示されるように、データストレージデバイス１０４は、コントローラ１０８と、ソリッドステートメモリ１１０と、付加的な磁気回転ディスク１１２と、揮発性メモリ１１４と、を備える。コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０、磁気回転ディスク１１２及び揮発性メモリ１１４の動作を制御しうる。実施形態では、、ソリッドステートメモリ１１０は、不揮発性メモリを備える。実施形態では、揮発性メモリ１１４は、ＤＲＡＭのようなＲＡＭを備える。揮発性メモリ１１４は、例えば、ソリッドステートメモリ１１０に対するキャッシュデータに用いられうる。実施形態では、データストレージデバイス１０４がソリッドステートメモリ１１０及び磁気回転ディスク１１２の両方を備えるとき、データストレージデバイス１０４は、ハイブリッドドライブを備えうる。
【０００７】
本明細書での記載は、一般的なソリッドステートメモリに言及しているが、ソリッドステートメモリは、フラッシュ集積回路、カルコゲン化物ＲＡＭ（Ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ  ＲＡＭ（Ｃ−ＲＡＭ））、相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ  Ｃｈａｎｇｅ  Ｍｅｍｏｒｙ（ＰＣ−ＲＡＭ又はＰＲＡＭ））、プログラマブルメタリゼーションセルＲＡＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｃｅｌｌ  ＲＡＭ））、Ｏｖｏｎｉｃ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｍｅｍｏｒｙ（ＯＵＭ）、抵抗性メモリ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ＲＡＭ（ＲＲＡＭ（登録商標）））、ＮＡＮＤメモリ（例えば、シングルレベルセル（ＳＬＣ）メモリ、マルチレベルセル（ＭＬＣ）メモリ又はその組み合わせ）、ＮＯＲメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、強誘電体メモリ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｅｍｏｒｙ（ＦｅＲＡＭ））、磁気抵抗ＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ＲＡＭ（ＭＲＡＭ））、他のディスクリートＮＶＭ（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ  ｍｅｍｏｒｙ）チップ又はその組み合わせのような様々な種類のソリッドステート不揮発性メモリデバイスの１以上を備えてもよいことが理解される。
【０００８】
図１及び図２を参照すると、ブート処理中に、ホスト１０２は、ブートデータをソリッドステートメモリ１１０に書き込むことができる。実施形態では、ブートデータは、スタートアップログ、電子デバイス１００についての情報又はそれらの組み合わせを備えうる。電子デバイス１００についての情報は、インターフェースの速度、チップセット設定、ブート設定又は電子デバイス１００の状態又は性能に関する他の情報を備えうる。例えば、ホスト１０２のベーシック  インプット／アウトプット  システム（「ＢＩＯＳ」）は、ブートデータをソリッドステートメモリ１１０に書き込みうる。
【０００９】
ホスト１０２が、ブートデータをソリッドステートメモリ１１０に書き込んだ後、コントローラ１０８は、ブートデータに対応する論理ブロックアドレス（ｌｏｇｉｃａｌ  ｂｌｏｃｋ  ａｄｄｒｅｓｓｅｓ（“ＬＢＡｓ”））を決定しうる。よって、コントローラ１０８は、ＬＢＡｓがブートデータに対して使用されることの知識を維持しうる。
【００１０】
実施形態では、コントローラ１０８は、また、ソリッドステートメモリ１１０に対して書き込み消去サイクルの回数を判定しうる。書き込み消去サイクルの回数は、ソリッドステートメモリ１１０が寿命の終わりの条件に到達したときに判定するために使用されうる。例えば、ソリッドステートメモリ１１０は、特定の回数の書き込み消去サイクルの後に消耗される。よって、書き込み消去サイクルの回数が、書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数から、書き込み消去サイクルの所定の回数以内であるときに、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０が寿命の終わりの条件に到達したと判定しうる。
【００１１】
ソリッドステートメモリ１１０の寿命の終わりの条件は、ソリッドステートメモリ１１０が、データストレージデバイスとして機能しない又はほぼ機能しないことを意味しない。その代わりに、ソリッドステートメモリ１１０は、ソリッドステートメモリ１１０の信頼性が、製造者によって設定された性能標準のような特定の性能標準に一致しない書き込み消去サイクルの回数に近づいている。
【００１２】
例えば、図３に見られるように、書き込み消去サイクルの数１２０、寿命の終わりの条件１１６及び書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数が示される。Ｎ０からＮ１書き込み消去サイクルの間、書き込み消去サイクルの回数１２０は、書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数１１８から、書き込み消去サイクルの所定の回数未満である。しかし、Ｎ１からＮ２の間では、書き込み消去サイクルの回数１２０は、寿命の終わりの条件１１６に到達しており、書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数１１８から、書き込み消去サイクル所定の回数以内である。Ｎ２の後、書き込み消去サイクルの回数１２０は、書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数１１８を超えている。
【００１３】
実施形態では、寿命の終わりの条件１１６に到達する前に、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０をノーマルモードに設定する。つまり、ソリッドステートメモリ１１０は、ブート処理中及びブート処理後に、データをソリッドステートメモリ１１０への読み出す及び書き込むことを含む、通常のブートアップ及び通常の動作をしうる。寿命の終わりの条件１１６に到達したとき、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０をブートライトリードオンリーモード（ｂｏｏｔ  ｗｒｉｔｅ  ｒｅａｄ  ｏｎｌｙ  ｍｏｄｅ）に設定しうる。
【００１４】
ブートライトリードオンリーモード時に、コントローラ１０８は、ブート処理中にブートデータに対応するＬＢＡｓに書き込むために、ホスト１０２を制限しうる。更に、ブートライトリードオンリーモード時に、コントローラ１０８は、ブート処理が完了したときに、ソリッドステートメモリ１１０をリードオンリーモードに設定しうる。つまり、ブート処理中に、ソリッドステートメモリ１１０は、データを書き込みうるが、ブート処理が完了した後に、ソリッドステートメモリ１１０は、もはやデータを書き込むことができない。しかし、ブート処理中及びブート処理が完了した後に、ソリッドステートメモリ１１０は、データを読み出すことができる。
【００１５】
よって、データストレージデバイス１０４は、ブート処理中にソリッドステートメモリ１１０においてブートデータに対応するＬＢＡｓにブートデータを書き込みうる。しかし、ブート処理が完了した後に、ソリッドステートメモリ１１０に記憶されるデータについてのデータインテグリティは、ソリッドステートメモリ１１０に書き込まれない場合がある。実施形態では、これは、ソリッドステートメモリ１１０の寿命の終わりに差し迫っている観点から、ユーザが、ソリッドステートメモリ１１０に記憶されるデータを別の場所へバックアップ又は転送することを可能にする。例えば、ユーザは、磁気回転ディスク１１２又は別のデータストレージデバイスへデータを転送しうる。これは、例えば、ユーザが、ソリッドステートメモリ１１０内に記憶された一部又は全部のデータを喪失することの可能性を防止又は低減することができる。
【００１６】
一方、例えば、厳密なリードオンリーモードのような、ホスト１０２がブート処理中にブートデータをソリッドステートメモリ１１０に書き込むことができない場合に、ホスト１０２は、ブート処理を完了せず、ノーマル動作モードに移行しない。このような場合には、ユーザは、データストレージデバイス１０４を取り外し、別の電子デバイスを介してデータにアクセスすることにより、又は同一の電子デバイス１００でのブート処理を完了した別のデータストレージデバイスにより、ソリッドステートメモリ１１０上のデータをリカバリ（復旧）しようとしなければならない。
【００１７】
書き込み消去サイクル１１８の寿命の終わりの回数に到達したとき、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０をリードオンリーモードに設定する。つまり、書き込み消去サイクルの回数が、ソリッドステートメモリ１１０の書き込み消去サイクルの寿命の終わりの回数以上であるとき、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０をリードオンリーモードに設定する。このような場合には、ソリッドステートメモリ１１０は、ブート処理中及びブート処理後にデータを読み出すことをのみを可能にする。ソリッドステートメモリ１１０へのデータの書き込みは、許可されない。
【００１８】
実施形態では、寿命の終わりの条件は、図３に示される書き込み消去サイクルに代えて、ソリッドステートメモリ１１０のスペアブロックカウントに関連しうる又は基づきうる。よって、ソリッドステートメモリ１１０のスペアブロックカウントが、所定の閾値のスペアブロックカウント未満であるとき、寿命の終わりの条件に到達しうる。よって、スペアブロックカウントの回数が減少すると、ソリッドステートメモリ１１０は、寿命の終わりの条件に近づく。
【００１９】
実施形態では、スペアブロックは、ソリッドステートメモリ１１０に指定されることができ、ホスト１０２によって通常アクセス可能とならない。その代わりに、ソリッドステートメモリ１１０に欠陥ブロックが存在するとき、スペアブロックは、欠陥ブロックと置き換えるために用いられうる。このような場合には、欠陥ブロックと置き換えるために用いられるスペアブロックは、ホスト１０２によってアクセス可能となる。実施形態では、スペアブロックカウントは、利用可能なスペアブロックの回数を示しうる。
【００２０】
実施形態では、データストレージデバイス１０４を動作するための処理は、図４に示される。ブロックＳ４０２において、コントローラ１０８は、ブート処理中にホスト１０２によりアクセスされるブートデータに対応するＬＢＡｓを決定する。ブロックＳ４０４において、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０が、図３に示される寿命の終わりの条件１１６のような寿命の終わりの条件に到達したかどうかを判定する。ソリッドステートメモリ１１０が寿命の終わりの条件１１６に到達したと判定されると、コントローラ１０８は、ブロックＳ４０６及びＳ４０８において、ソリッドステートメモリを、ブートライトリードオンリーモードに設定しうる。
【００２１】
ブロックＳ４０６において、コントローラ１０８は、ホストが、ブート処理中にブートデータに対応するＬＢＡｓに書き込むことを制限する。実施形態では、コントローラ１０８は、また、ホスト１０２を所定回数の書き込みに限定しうる。実施形態では、所定回数の書き込みは、予め設定された回数の書き込みである。実施形態では、所定回数の書き込みは、ブート処理中にホストによって実行される書き込みの回数を監視することによってコントローラ１０８により学習される。これは、例えば、ソリッドステートメモリ１１０又はソリッドステートメモリ１１０の一部への書き込み消去サイクルの回数を低減しうる。ブロックＳ４０８において、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリ１１０をリードオンリーモードに設定する。
【００２２】
実施形態では、データストレージデバイス１０４を動作するための処理についての追加又は付加的なブロックは、図５に示される。ブロックＳ５０２において、コントローラ１０８は、ソリッドステートメモリが寿命の終わりに到達したと判定する前に、ソリッドステートメモリ１１０における指定領域への書き込みの回数を限定する。例えば、図６に示される実施形態では、ソリッドステートメモリ１１０は、非指定領域１２２と、指定領域１２４と、を備えうる。非指定領域１２２は、殆どの種類のデータを書き込むために、ホスト１０２に対して利用可能となりうる。指定領域１２４は、ブートデータに対して指定されうる。
【００２３】
よって、コントローラ１０８は、書き込みの回数を指定領域１２４に限定しうる。例えば、コントローラ１０８は、ブートデータを除く他のデータが、指定領域１２４に書き込まれることを防ぐことができる。これは、例えば、書き込み消去サイクルの回数が低減されるため、指定領域１２４の寿命を延ばすことができる。次に、ブートデータがブート処理中に書き込まれうるため、これは、ソリッドステートメモリ１１０の寿命を延ばしうる。これは、ソリッドステートメモリ１１０が、ブートアップすることを可能にし、ソリッドステートメモリ１１０に記憶されるデータにアクセスすることを可能にする。
【００２４】
実施形態では、データストレージデバイス１０４を動作するための処理についての追加又は付加的なブロックは、図７に示される。ブロックＳ７０２において、コントローラ１０８は、ブート処理中にホスト１０２によってアクセスされるＬＢＡｓのパターンを学習する。例えば、図８の実施形態に示されるように、ソリッドステートメモリ１１０は、ブート処理中にホスト１０２によってアクセスされないＬＢＡｓ１２６と、ブート処理中にホスト１０２によってアクセスされるＬＢＡｓ１２８と、を備えうる。ブロックＳ７０４において、コントローラ１０８は、ブート処理中にホスト１０２によってアクセスされるＬＢＡｓにパターンにおける当該ＬＢＡｓにホストが書き込むことを限定する。
【００２５】
実施形態では、ホストプロセッサは、例えば、ホスト１０２について上記で開示される機能の１以上を行うことができる。例えば、ホストプロセッサは、ブート処理中にブートデータを書き込むように構成されうる。実施形態では、ホスト１０２は、ホストプロセッサを備える。しかし、実施形態では、電子デバイス１００は、ホスト１０２に代えて、又はホスト１０２に追加して、ホストプロセッサを備えうる。
【００２６】
本明細書で開示される実施例と共に説明される論理ブロック、モジュール及びアルゴリズムの一部は、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア又は両方の組み合わせとして実装されてもよいことを当業者は理解するであろう。更に、実施形態は、また、プロセッサ又はコンピュータが特定の機能を行う又は実行させる一時的ではない機械可読媒体で具体化されうる。
【００２７】
ハードウェア及びソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、各種例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路及び処理の一部は、これらの機能性に関して上記に一般的に説明されている。このような機能性がハードウェア又はソフトウェアとして実装されるかどうかは、システム全体に課される特定のアプリケーション及び設計制約に依存する。当業者は、説明された機能性を各特定のアプリケーションに対して様々な手法で実装するが、このような実装決定は、開示される装置及び方法の範囲から逸脱するように解釈されるべきではない。
【００２８】
本明細書に開示される実施例と共に説明される方法又はアルゴリズムの一部は、ハードウェアでプロセッサにより実行されるソフトウェアモジュールで、又は２つの組み合わせで直接的に具体化されてもよい。前記方法又はアルゴリズムの一部は、実施例で提供されるものから順序を変更して行われてもよい。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、光学ディスク又は当該技術で知られているストレージ媒体の他の形態に存在してもよい。例示的なストレージ媒体は、プロセッサが、ストレージ媒体から情報を読み出し、ストレージ媒体へ情報を書き込みうるように、プロセッサに結合される。代替では、ストレージ媒体は、プロセッサに一体となってもよい。プロセッサ及びストレージ媒体は、特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ（ＡＳＩＣ））に存在してもよい。
【００２９】
開示された実施例の前述の説明は、開示された方法及び装置を当業者が製造又は使用することができるように提供される。これらの実施例の各種修正は、当業者にとって明示的に明らかであり、本明細書に規定される原理は、本開示の方法及び装置の趣旨又は範囲から逸脱せずに他の実施例に適用されてもよい。説明された実施形態は、あらゆる点で、例示的なものであり、限定的なものではないとみなされ、よって、本開示の範囲は、前述の記載ではなく添付の特許請求の範囲によって示される。特許請求の範囲の等価の意味及び範囲に近づく全ての変更は、それらの範囲内に包含される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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