(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射面を有するミラー部と、該ミラー部を回転可能に支持する梁部と、該梁部を前記ミラー部が回転するように駆動する圧電部材と、該圧電部材の電極に通電するための電極接続部と、前記圧電部材の特性を測定するための圧電膜特性測定部と、を備えた光偏向素子と、
前記光偏向素子を駆動制御する素子制御部と、
を有し、
前記素子制御部は、駆動回路と、該駆動回路を介して前記電極接続部に接続される電源部と、前記圧電膜特性測定部の分極と比誘電率とを測定する圧電膜特性測定回路と、前記圧電膜特性測定部の分極と比誘電率の測定結果から電圧値を算出する駆動電圧演算部と、を有する光偏向装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光偏向装置において、
前記圧電膜特性測定部は、前記光偏向素子の非可動部分に配置されている光偏向装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光偏向装置において、
前記圧電膜特性測定部は、前記圧電部材を有する前記梁部と同じ層構成で形成されている光偏向装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の光偏向装置において、
前記圧電膜特性測定回路は、分極測定回路と、比誘電率測定回路とを有し、前記分極測定回路及び前記比誘電率測定回路と前記電源部との間にはスイッチ回路が設けられている光偏向装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の光偏向装置において、
前記圧電部材はチタン酸ジルコン酸鉛からなる光偏向装置。
【請求項６】
複数の異なる波長のレーザ光を出射する光源と、
前記各レーザ光の光路を一つに合成する光路合成手段と、
前記合成されたレーザ光を走査して画像を描画する２次元走査手段と、
を備え、
前記２次元走査手段が請求項１〜５のいずれか１つに記載の光偏向装置であり、該光偏向装置による光偏向を行い、投影面に画像を投影する２次元画像表示装置。
【請求項７】
光源と、
前記光源からの光ビームを偏向する光偏向装置と、
偏向された光ビームを被走査面にスポット状に結像する結像光学系と、
を備え、
前記光偏向装置は、請求項１〜５のいずれか１つに記載の光偏向装置である光走査装置。
【請求項８】
像担持体と、
画像情報に基づいて前記像担持体に静電潜像を形成する光走査装置と、
前記静電潜像を可視像化する現像手段と、
前記可視像を被転写体に転写する転写手段と、
を有し、
前記光走査装置が請求項７に記載の光走査装置である画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光偏向装置、２次元画像表示装置、光走査装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ビームを偏向、走査する手段として、半導体製造技術を応用したシリコンやガラスを微細加工するマイクロマシニング技術により、基板上に反射面を有する可動部や該可動部を回転振動させる駆動梁を一体形成した小型の光偏向素子が開発されている。
この種の光偏向素子は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラーとも呼ばれている。
駆動梁は、カンチレバーの表面に薄膜化した圧電材料からなる圧電体を重ね合わせて形成されており、圧電体がアクチュエータとして機能する。
【０００３】
圧電体の圧電特性から生じる面内方向の伸縮がカンチレバーに伝わり、カンチレバーを振動させることができる。
カンチレバーの振動によって反射面が回転振動し、光偏向が可能となる。回転振動とは、所定角度の範囲内で回転と戻りを繰り返す動作を意味する。
圧電体への電圧印加によって生じる薄膜の収縮を利用することによって、数ｍｍ角程度の素子サイズで、素子内に設けられた直径１ｍｍ〜数ｍｍ程度の微小なミラーを高速で走査することが可能となる。
【０００４】
特許文献１には、反射面を２軸周りに回転させる光偏光器が開示されている。第１支持部内に設けられた第１圧電アクチュエータにより反射面を有するミラー部が第１軸周りに回転し、第１圧電アクチュエータ及びミラー部を含む第１支持部全体が第２圧電アクチュエータにより第１軸と直交する第２軸周りに回転する構成である。
第１支持部には、第１圧電アクチュエータの圧電駆動により伝達される第１振動と、第２圧電アクチュエータの圧電駆動により伝達される第２振動とを検知する検知用圧電素子が配置されている。
検知用圧電素子で検知されたアクチュエータの実際の変形量をフィードバックすることにより、圧電駆動による反射面の振れ角の制御精度を高めることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＭＥＭＳミラーの製造においては、一般的に１つの基板上に複数のＭＥＭＳミラーを同時に作製することが行われている。薄膜圧電体はスパッタやゾルゲルのスピンコートによってシリコン基板上に成膜される。しかしながら、成膜時、基板上に膜厚分布が生じることを避けられず、これにより各ＭＥＭＳミラーごとに駆動力のばらつきが生じてしまう。
すなわち、各ＭＥＭＳミラーごとに所定の振れ角を得るための印加電圧値が異なる。
ヘッドアップディスプレイやレーザーレーダなどの光学システムにＭＥＭＳミラーを組み付ける場合、各駆動梁の初期電圧値を一定にして組み付けを行うと、上記理由により駆動力にばらつきがある。
１つの基板から得られた複数のＭＥＭＳミラーのうち圧電体の膜厚が小さいＭＥＭＳミラーでは駆動梁の駆動力が小さいため、所定の振れ角を得るためには電圧値を大きくする必要がある。
駆動力の小さいＭＥＭＳミラー電圧値を初期電圧値として他の光学システムにも一律に設定した場合、ＭＥＭＳミラーや圧電駆動部が所望値よりも大きく動いてしてしまうことがあり、駆動梁の破損や絶縁破壊などといった破壊的な故障を引き起こしてしまう問題があった。
【０００６】
光学システムへの組み付け調整前に駆動梁の駆動力を測定して、初期印加電圧値を計算してから電圧を印加することも可能であるが、組み付け調整の工数が増えてしまい、コスト増となってしまう。
特許文献１に記載の光偏光器では、ミラー動作中の駆動力を検知することはできるものの、反射面の振動時の回転角のデータを得るだけにすぎず、ＭＥＭＳミラーごとの駆動力のばらつきによる上記駆動梁の破損等の問題を解消する対策にはならない。
【０００７】
本発明は、このような現状に鑑みて創案されたもので、組み付け調整の工数を増やすことなく駆動梁の破損等の問題を解消できる光偏向装置の提供を、その主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の光偏向装置は、反射面を有するミラー部と、該ミラー部を回転可能に支持する梁部と、該梁部を前記ミラー部が回転するように駆動する圧電部材と、該圧電部材の電極に通電するための電極接続部と、前記圧電部材の特性を測定するための圧電膜特性測定部と、を備えた光偏向素子と、前記光偏向素子を駆動制御する素子制御部と、を有し、前記素子制御部は、駆動回路と、該駆動回路を介して前記電極接続部に接続される電源部と、前記圧電膜特性測定部の分極と比誘電率とを測定する圧電膜特性測定回路と、前記圧電膜特性測定部の分極と比誘電率の測定結果から電圧値を算出する駆動電圧演算部と、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、組み付け調整の工数を増やすことなく駆動梁の破損等の問題を解消できる光偏向装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光偏向装置の構成を示すブロック図である。
【図２】光偏向素子の平面図である。
【図３】蛇行状梁部の平面図である。
【図４】蛇行状梁部の圧電部材に印加する電圧の波形を示す図で、（ａ）は第１の蛇行状梁部に対する波形を示す図、（ｂ）は第２の蛇行状梁部に対する波形を示す図である。
【図５】光偏向素子の動作状態を示す図で、（ａ）は非駆動状態の斜視図、（ｂ）は駆動状態での蛇行状梁部における各梁部の変形動作を示す側面図である。
【図６】蛇行状梁部と圧電部材の要部断面図である。
【図７】圧電膜特性測定回路を示す図で、（ａ）は分極−電界の相関を測定するための回路図、（ｂ）は比誘電率を測定するための回路図である。
【図８】第１の実施形態の光偏向素子で分極特性を測定した結果を示す特性図である。
【図９】光偏向素子における圧電定数と分極、比誘電率との関係を示す図である。
【図１０】第２の実施形態に係る１軸走査型の光偏向素子の平面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る２次元画像表示装置としてのプロジェクタの構成を示す図である。
【図１２】第３の実施形態に係る２次元画像表示装置としてのヘッドアップディスプレイの構成を示す図である。
【図１３】第４の実施形態に係る光走査装置を示す斜視図である。
【図１４】第５の実施形態に係る画像形成装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図を参照して説明する。
図１乃至図９に基づいて第１の実施形態を説明する。
図１に示すように、本実施形態に係る光偏向装置１は、光偏向素子（以下、「光偏向器」ともいう）２と、光偏向素子２を駆動生後する素子制御部３とを有している。以下、光偏向素子２の構成を具体的に説明する。
図２に示すように、光偏向素子２は、垂直方向（Ｙ方向）と水平方向（Ｘ方向）の光走査が可能な２軸走査型の光偏向素子であり、半導体プロセスにて製造されるＭＥＭＳミラーである。
【００１２】
光偏向素子２は、反射面を有するミラー部４と、ミラー部４を含む平板状の可動枠６と、可動枠６の外側を囲むように配置された支持枠８とを有している。
可動枠６のＹ軸方向を中心とした両側において、可動枠６と支持枠８との間には、ミラー部４を回転可能に支持する梁部としての第１の蛇行状梁部１０と、第２の蛇行状梁部１２とが設けられている。
第１の蛇行状梁部１０の一端１０ａは支持枠８に固定され、他端１０ｂは可動枠６に固定されている。
同様に、第２の蛇行状梁部１２の一端１２ａは支持枠８に固定され、他端１２ｂは可動枠６に固定されている。
すなわち、可動枠６は、第１の蛇行状梁部１０と第２の蛇行状梁部１２とにより間接的に支持枠８に支持されている。
【００１３】
第１の蛇行状梁部１０と第２の蛇行状梁部１２の表面には、圧電部材１４が設けられており、電圧を印加することにより変形する構成となっている。
可動枠６には、一端がミラー部４に固定され、ミラー部４を蛇行状梁部の変形による振動方向と直交する方向に回転可能に支持する一対の弾性支持部材としてのトーションバー３２、３４と、電圧を印加することにより変形する構成を有し、一端がトーションバー３２、３４の他端側に固定された一対の駆動梁３６、３８とが設けられている。
駆動梁３６、３８の他端は可動枠６に一体に接続されている。ミラー部４、トーションバー３２、３４、駆動梁３６、３８は、可動枠６に溝を形成することにより動作可能となっている。
駆動梁３６、３８の表面には、蛇行状梁部の梁部と同様に圧電部材４０が設けられており、電圧を印加することにより変形する構成となっている。
【００１４】
図３に示すように、第１の蛇行状梁部１０と第２の蛇行状梁部１２は、細長い梁部Ａと梁部ＢとがＸ方向に交互に位置する折り返し形状を有している。
梁部Ａと梁部Ｂの表面には、折り返し部を除いて独立の圧電部材１４が設けられており、梁部Ａと梁部Ｂとを独立して駆動可能となっている。
梁部Ａと梁部Ｂのそれぞれの圧電部材１４に異なる電圧を印加すると、梁部Ａと梁部Ｂとにそれぞれ反り（変形）が発生して隣り合う梁部が異なる方向に撓む。
この撓みが累積されて可動枠６に伝達され、ミラー部４はＸ軸周り（＝垂直方向）に大きな角度で回転振動することになる。これにより、Ｘ軸を中心とした垂直方向への光走査が可能となる。図３ではミラー部４は省略している。
【００１５】
一方、駆動梁３６、３８を駆動することで、ミラー部４を支持するトーションバー３２、３４にねじれが発生し、ミラー部４がＹ軸周りに回転振動する。これにより、Ｙ軸を中心とした水平方向での光走査が可能となる。
２次元的に光ビームを走査する際の走査方法として、以下のようなラスタ走査方式が一般的である。すなわち、Ｙ軸を中心とした水平方向には、光偏向器が有する水平方向の共振モードの励振周波数に合わせた高速（数ｋHz〜数１０ｋHz）の正弦波信号によってミラーを走査する。
一方、Ｘ軸を中心とした垂直方向への光走査は、より低速（数Hz〜数１０Hz）ののこぎり波の波形信号によってミラーを走査する。
例えば、光ビーム走査を利用した画像描画装置では、光ビームの発光タイミングをミラーの走査角に合わせて点滅させることで、垂直方向の走査周波数と等しい更新時間で画像を描画することができる。
【００１６】
図４及び図５に基づいて、光偏向素子２の駆動原理を説明する。
第１の蛇行状梁部１０と第２の蛇行状梁部１２の蛇行した各梁部Ａ及びＢにそれぞれ設けられた複数の圧電部材１４に対して、梁部Ａの圧電部材１４には、図４（ａ）に示すのこぎり波の電圧が印加される。
梁部Ｂの圧電部材１４には、図４（ｂ）示すように、図４（ａ）ののこぎり波とは逆形状ののこぎり波の電圧が印加される。
【００１７】
各梁部Ａ、Ｂに設けられた圧電部材１４に異なる波形の電圧が印加されることにより、第１の蛇行状梁部１０と第２の蛇行状梁部１２はそれぞれカンチレバーとして動作し、可動枠６が回転振動する。
図４において、符号Ｔａ、Ｔｂは波形周期を、Ｔａ１、Ｔｂ２は梁部Ａに印加する電圧波形（のこぎり波形）を、Ｔａ２、Ｔｂ２は梁部Ｂに印加する電圧波形（のこぎり波形）を示している。
図５（ａ）は光偏向素子２の非動作状態を、図５（ｂ）は光偏向素子２の動作状態における蛇行状梁部の変化を示している。
【００１８】
上記のように、駆動梁３６、３８を駆動することで、ミラー部４を支持するトーションバー３２、３４にねじれが発生し、ミラー部４がＹ軸周りに回転振動する。ここでは、駆動梁３６、３８には正弦波による駆動を行い、ミラー部４の回転は機械的共振を利用することになる。
本発明の光偏向器では、２０ｋＨｚの正弦波の電圧印加により、ミラー部４がトーションバー３２、３４のねじれにより２０ｋＨｚで回動することになる。反射面の回動角度に関しては、機械振れ角±１３°の回転が得られるように動作させることができる。
一方、蛇行状梁部を駆動することで、可動枠６がＸ軸周りに回転し、これに応じてミラー部４もＸ軸周りに回転振動する。このようにしたＹ軸方向の機械的共振による正弦波振動と、Ｘ軸方向の非共振駆動による回転振動により、２軸方向でのレーザ走査が可能になる。
【００１９】
圧電部材１４、４０は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜を用いて、圧電薄膜として作製した。成膜手法としては、スパッタリング法やゾルゲル液のスピンナーによる塗布形成法等がある。
ＰＺＴは電気−機械エネルギーの変換効率が他の圧電材料に比べると良好で、かつ上記の一般的な製法で安価で作成することができる。
【００２０】
図６に基づいて、光偏向素子２の製造方法を具体的に説明する。
支持層基板には、通常ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板が使用される。ＳＯＩ基板は、活性層側のシリコン（第２の支持層２１）と、埋め込み酸化膜層と、基材層側のシリコン（第１の支持層）とにより構成される。
ＳＯＩ基板の表面にシリコン酸化膜が成膜され、その後、下部電極材料１８、圧電材料２０、上部電極材料２２が順に成膜される。
その後、上部電極材料、圧電材料、下部電極材料がそれぞれ異なるパターンでパターン化される。
このとき、それぞれのパターンは光偏向器に要求される性能等に応じて任意の形でパターン化されており、下部電極材料と同一パターンでシリコン酸化膜をエッチングしている。
【００２１】
下部電極材料は配線材料としても活用されるのが一般的である。その後、絶縁層２４を成膜し、接続孔２５を開口してアルミニウムの引出し配線材料２７が成膜されパターン化される。
その後、絶縁膜及びミラー膜が成膜される。その後、活性層と基材層と埋め込み酸化膜とを順次パターン化及びエッチングし、光偏向器が完成する。光偏向器は１つの基板上に複数個同時に作製される。
【００２２】
本実施形態における各部の材質と厚みは以下の通りである。
絶縁層２４：ＳｉＯ２（二酸化ケイ素；厚さ０．７μｍ）
上部電極２２：Ｐｔ（白金；厚さ０．２μｍ）
圧電材料２０：ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛；厚さ２μｍ）
下部電極１８：Ｉｒ（イリジウム；厚さ０．１５μｍ）
梁部Ａ、Ｂ：Ｓｉ（シリコン；厚さｈ１＝４０μｍ）
第２の支持層：Ｓｉ（シリコン；厚さｈ２＝２００μｍ）
【００２３】
図２に示すように、光偏向素子２の非可動部分である支持枠８には、圧電膜特性測定部２８と、圧電部材の電極に通電するための電極接続部２９とが設けられている。
圧電膜特性測定部２８は、下記のように梁部Ａ、Ｂと同様の層構成となっており、面積は０．５ｍｍ×０．５ｍｍである。
絶縁膜：ＳｉＯ２（厚さ０．７μｍ）、
上部電極：Ｐｔ（厚さ０．２μｍ）
圧電材料：ＰＺＴ（厚さ２μｍ）
下部電極：Ｉｒ（厚さ０．１５μｍ）
第１の支持層：Ｓｉ（厚さ４０μｍ）
第２の支持層：Ｓｉ（厚さ２００μｍ）
【００２４】
図１に示すように、素子制御部３は、駆動回路５と、駆動回路５を介して光偏向素子２の電極接続部２９に接続される電源部７と、圧電膜特性測定部２８の分極と比誘電率とを測定する圧電膜特性測定回路９と、圧電膜特性測定部２８の分極と比誘電率の測定結果から電圧値を算出する駆動電圧演算部１１とを有している。
図２に示すように、圧電膜特性測定部２８は電極接続部２９とアルミニウム配線で接続されており、圧電膜特性測定回路９と電極接続部２９とを接続することで、圧電膜特性測定部２９の分極と比誘電率を測定する。
【００２５】
圧電膜特性測定部２８を振動源が存在しない非可動部分に形成することで、分極や比誘電率の測定時に不要な振動を発生させることが無くなり、故障を抑制することができる。
特許文献１では、検知用圧電素子は、本実施形態の可動枠６に相当する第１支持部に設けられており、振動が発生する部分での検知構成となっている。
圧電膜特性測定部２８を梁部Ａ、Ｂと同じ層構成にすることで、蛇行状梁部を形成する製造工程と一体で製作することができ、製造工程を簡易化することができる。
【００２６】
図７に圧電膜特性測定回路９を示す。
本実施形態では、分極−電界の相関を測定するために、図７（ａ）に示すソーヤ・タワー回路を用いた。
電源部７から電力を供給された回路は、光偏向素子２、測定回路Ｃ１、測定回路Ｃ２に接続されており、測定回路Ｃ１では光偏向素子２に印加した電圧に対する分極量を測定し、測定回路Ｃ２では印加電圧を計測する。
その結果が駆動電圧演算部１１に入力される。原理として、Ｐ−Ｅヒステリシスループから自発分極Ｐｓを計算する。
【００２７】
ソーヤ・タワー回路によるヒステリシスループの観測によって得られたヒステリシスループの一例を図８に示す。電界の高い部分において、Ｐ−Ｅ曲線の傾きが一定になっている。このときの光偏向素子２の飽和電束密度（自発分極）をＰｓとすると、高電界でのＰ−Ｅ曲線の傾きはＤ０の変化量に等しく、この部分の直線と分極軸(Ｙ軸)との交点をＰＳで表す。圧電膜特性測定部２８では、自発分極Ｐｓを計測する。
【００２８】
図７（ｂ）は、比誘電率を測定するための比誘電率測定回路である。電源部７から電力を供給された回路には光偏向素子２が接続されており、光偏向素子２に流れる電流を電流計測部１５で測定する。
測定された電流値をもとに、以下の関係式（１）から静電容量値を算出し、その静電容量値から比誘電率を関係式（２）から算出する。
関係式（２）において、ε０：真空の誘電率、ｔ：圧電特性測定部における圧電体の膜厚、Ｓ：圧電体の面積である。
【００２９】
【数１】
0006582519.tif 000002
【００３０】
図７で示した分極測定回路と比誘電率を測定する回路との間にはスイッチ回路としてのスイッチ部１７を設けることで、共通の電源部から測定する回路方向に電気信号を印加することができる。
このため、それぞれに電源部を設ける必要がなく、素子制御部３を簡易化することができる。
【００３１】
図９は本実施形態の光偏向素子２での圧電定数と分極、比誘電率との関係を示した図である。
一般に、圧電定数と自発分極、比誘電率の関係は、以下の関係式（３）で示すことができる。関係式（３）において、Qは電歪定数である。
【００３２】
【数２】
0006582519.tif 000003
【００３３】
光偏向素子２において、製造条件を変えた３パターンを準備して自発分極と比誘電率、圧電定数の測定を行った。その結果をプロットしたものが図９である。
図９から、自発分極と比誘電率の積が圧電定数と比例関係にある結果を得ることができることが分かる。
圧電定数ｄ３１と圧電カンチレバー（梁部Ａ、Ｂ）の変位δとの関係は、以下の関係式（４）となる。関係式（４）において、Ｌ：圧電カンチレバーの長さ、Ｅ３：Ｚ方向の電界である。
【００３４】
【数３】
0006582519.tif 000004
【００３５】
駆動電圧演算部１１では、自発分極と比誘電率の測定結果からカンチレバー変位を一定にするための印加電圧値を算出し、その駆動電圧を駆動回路５で信号生成して光偏向素子２を駆動することで、ミラー部４の振れ角が所望の値となり、大きく振れて破損するなどといった不具合を防ぐことができる。
特許文献１に記載の光偏向器では、検知用圧電素子で検知されたアクチュエータの実際の変形量を振れ角を調整するための制御用データとしてフィードバックするだけである。
これに対し、本実施形態では、光偏向素子が組み込まれた光学システムの初期駆動時に、素子制御部３により圧電膜特性測定部２８の分極量と比誘電率の測定が自動的に行われ、その値に基づいて駆動電圧演算部１１にて所望の初期印加電圧値を算出し、各光偏向素子ごと（各光学システムごと）に最適な初期電圧を印加する。印加電圧値に応じて梁部のねじれ量やミラー部の振れ角が一定値に決まるため、ミラー部の破損や絶縁破壊などといった故障を抑制することができる。
【００３６】
上記実施形態では、２軸走査型の光偏向素子２を備えた光偏向装置を例示したが、図１０に示すように、垂直方向（Ｙ軸方向）の光走査が可能な１軸走査型の光偏向素子２６を備えた光偏向装置においても同様に本発明を実施できる（第２の実施形態）。図１０において、圧電膜特性測定部２８及び電極接続部２９は省略している。
なお、本発明における梁部の形状は、上記各実施形態で示した蛇行形状に限定されない。
【００３７】
図１１及び図１２に基づいて第３の実施形態（２次元画像表示装置）を説明する。
図１１は、２次元画像表示装置としてのプロジェクタ５０を示している。
プロジェクタ５０では、赤色レーザ光源５２、緑色レーザ光源５４、青色レーザ光源５６のそれぞれから発せられた光は、コリメートレンズ５８によってそれぞれ平行光になって出射される。
具体的には、赤色レーザとして波長６４０ｎｍ、緑色レーザとして波長５２０ｎｍ、青色レーザとして波長４５０ｎｍの光源を用いた。
コリメートされたレーザ光は、光路合成手段６０に入射される。光路合成手段６０は、３本の光路を１つの光路に合成するものであり、ダイクロイックミラーなどの光路合成プリズムを使う。
【００３８】
光路合成手段６０は、３つの反射面を有する。合成されたレーザ光は、画像を描画する２次元走査手段としての２軸走査型の光偏向装置１によって、入射されたレーザ光を２次元に走査し、投影面としてのスクリーン６２に画像を形成する。
スクリーン６２への画像の形成は、光偏向素子２によるレーザ光の２次元光走査と、各レーザ光源の強度変調によって行われる。
このとき、各光源の強度変調信号はＬＤ駆動部６４から素子制御部３へ送られる。光偏向素子２のミラー部４は矢印で示すように回転振動し、スクリーン６２への２次元光走査を行う。
画像を形成するためのＬＤ、光偏向素子２の制御は、素子制御部３で行われる。
【００３９】
図１２は、２次元画像表示装置としてのヘッドアップディスプレイ７２を示している。
ヘッドアップディスプレイ７２では、スクリーンとしてマイクロレンズアレイ７４を用いており、マイクロレンズアレイ７４上に画像が形成される。
観察者７６は、投射ミラー７８、半透明部材としてのコンバイナ８０を介して画像が拡大された虚像８２をコンバイナ８０の先に視認することができる。
【００４０】
この場合、マイクロレンズアレイ７４によりレーザ光が拡散されるため、スペックルノイズの低減された虚像８２を視認することができる。
半透明部材として一般的にコンバイナを設置するが、車載用のヘッドアップディスプレイでは車両の窓ガラスを使うことも可能である。
【００４１】
図１３に基づいて第４の実施形態（光走査装置）を説明する。
光源としてのレーザ素子８４からのレーザ光はコリメート光学系８６を経た後、１軸又は２軸走査型の光偏向装置により偏向される。
偏向されたビームは、第１のレンズであるｆθレンズ８８、第２のレンズであるトロイダルレンズ９０及びミラー９２からなる結像光学系で感光ドラム等の被走査面９４にスポット状に結像する。
【００４２】
図１４に基づいて第５の実施形態（画像形成装置）を説明する。
光走査装置１００は、記録信号によって変調された１本又は複数本のレーザビームで像担持体としての感光体ドラム１０２の表面（被走査面）を同ドラムの軸方向に走査する。
感光体ドラム１０２は矢印方向に回転駆動され、帯電手段１０４により帯電された表面に光走査装置１００により画像情報に基づいて光走査されることによって静電潜像が形成される。
静電潜像は現像手段１０６でトナー像に可視像化され、このトナー像は転写手段１０８で被転写体としての記録紙１１０に転写される。転写されたトナー像は定着手段１１２によって記録紙１１０に定着される。
感光体ドラム１０２の転写手段１０８に対向する部位を通過した表面部分はクリーニング手段１１４で残留トナーを除去される。
【００４３】
感光体ドラム１０２に代えてべルト状の感光体を用いる構成も可能である。
また、トナー像を記録紙以外の転写媒体に一旦転写し、この転写媒体からトナー像を記録紙に転写して定着させる構成とすることも可能である。
【００４４】
光走査装置１００は、記録信号によって変調された１本又は複数本のレーザビームを発する光源１１６と、光源１１６を変調する光源駆動手段１１８と、１軸又は２軸走査型の光偏向装置とを有している。
また、光走査装置１００は、光偏向器２の反射面に光源１１６からの光ビームを結像させるための結像光学系１２０と、反射面で反射された光ビームを感光体ドラム１０２の表面に結像させるための走査光学系１２２等を有している。
光偏向装置の光偏向素子２は、その駆動のための集積回路１２４とともに回路基板１２６に実装された形で光走査装置１００に組み込まれている。
【００４５】
本発明に係る光偏向装置は、回転多面鏡に比べ駆動のための消費電力が小さいため、画像形成装置の省電力化に有利である。
光偏向装置のミラー部４の振動時の風切り音は回転多面鏡に比べ小さいため、画像形成装置の静粛性の改善に有利である。
本発明に係る光走査装置は回転多面鏡に比べ設置スペースが圧倒的に少なくて済み、また、光偏向器の発熱量もわずかであるため、小型化が容易である。したがって、画像形成装置の小型化に有利である。
なお、記録紙の搬送機構、感光体ドラムの駆動機構、現像手段、転写手段などの制御手段、光源の駆動系などは、従来の画像形成装置と同様であるため図中省略している。
本発明の光偏向装置は、画像表示装置や光走査装置、画像形成装置以外にも、レーザーレーダなどの光センシング装置にも応用できる。
【００４６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、上述の説明で特に限定しない限り、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
本発明の実施の形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を例示したに過ぎず、本発明による効果は、本発明の実施の形態に記載されたものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４７】
２、２６  光偏向素子
３  素子制御部
４ミラー部
５  駆動回路
７  電源部
８  非可動部分としての支持枠
９  圧電膜特性測定回路
１０  梁部としての第１の蛇行状梁部
１１  駆動電圧演算部
１２  梁部としての第２の蛇行状梁部
１４  圧電部材
２８  圧電膜特性測定部
２９  電極接続部
５２、５４、５６  光源
５０  光路合成手段
６２  投影面としてのスクリーン
８４  光源としてのレーザ素子
１０２  像担持体としての感光体ドラム
１０６  現像手段
１０８  転写手段
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４８】
【特許文献１】特開２０１３−１９０４９８号公報
【図１】
0006582519.tif 000005
【図２】
0006582519.tif 000006
【図３】
0006582519.tif 000007
【図４】
0006582519.tif 000008
【図５】
0006582519.tif 000009
【図６】
0006582519.tif 000010
【図７】
0006582519.tif 000011
【図８】
0006582519.tif 000012
【図９】
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【図１０】
0006582519.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
0006582519.tif 000016
【図１３】
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【図１４】
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