(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に沿って延在する第１群の電極と、第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する第２群の電極と、を含むタッチ検出部と、
画像を表示する表示部と、
前記表示部を制御して前記表示部に画像を表示させる表示制御部と、
前記第１群の電極と前記第２群の電極との間の相互静電容量に基づいて被検出物の接触又は接近を検出するタッチ検出制御部と、
を含み、
前記タッチ検出制御部は、
単位時間当たりにフレームが表示される回数であるフレーム周波数を測定し、前記フレーム周波数に応じた周波数を有するタッチ駆動信号を前記第１群の電極に順次出力し、前記第２群の電極からそれぞれ出力される複数の信号に基づいて、被検出物の接触又は接近を検出し、
前記タッチ駆動信号の周波数は、前記表示部の画素駆動に起因する高調波成分と前記タッチ駆動信号に起因する高調波成分とが重ならないように、予め設定されており、
前記タッチ検出制御部は、
前記フレーム周波数が変動したら、前記フレーム周波数の変動比率と同じ比率で、前記タッチ駆動信号の周波数を変更する、
タッチ検出機能付き表示装置。
【請求項２】
前記タッチ検出制御部は、
前記表示制御部から供給される、１つのフレームの表示開始タイミングを表す垂直同期信号に基づいて、前記フレーム周波数を測定する、請求項１に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項３】
前記タッチ検出制御部は、
前記フレーム周波数に応じた基準クロック信号を出力する位相同期回路と、
前記タッチ駆動信号を前記第１群の電極に順次出力するタッチ駆動信号出力部と、
前記基準クロック信号に基づいて、前記タッチ駆動信号の周波数を前記タッチ駆動信号出力部に設定する設定部と、
を含む、請求項２に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項４】
前記タッチ検出制御部は、
前記第２群の電極からそれぞれ出力される前記複数の信号のうち、設定された通過周波数帯域の信号をそれぞれ通過させると共にその他の周波数帯域の信号をそれぞれ除去する複数のバンドパスフィルタを含み、
前記設定部は、
前記基準クロック信号に基づいて、前記タッチ駆動信号の周波数を含む前記通過周波数帯域を前記複数のバンドパスフィルタに設定し、前記タッチ駆動信号の周波数が変動したら、変動後の前記タッチ駆動信号の周波数を含む前記通過周波数帯域を前記複数のバンドパスフィルタに設定する、
請求項３に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項５】
第１の方向に沿って延在する第１群の電極と、第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する第２群の電極と、を含むタッチ検出部と、画像を表示する表示部と、を含むタッチ検出機能付き表示装置を制御する方法であって、
単位時間当たりにフレームが表示される回数であるフレーム周波数を測定し、前記フレーム周波数に応じた周波数を有するタッチ駆動信号を前記第１群の電極に順次出力し、前記第２群の電極からそれぞれ出力される複数の信号に基づいて、被検出物の接触又は接近を検出し、
前記タッチ駆動信号の周波数は、前記表示部の画素駆動に起因する高調波成分と前記タッチ駆動信号に起因する高調波成分とが重ならないように、予め設定されており、
前記フレーム周波数が変動したら、前記フレーム周波数の変動比率と同じ比率で、前記タッチ駆動信号の周波数を変更する、
制御方法。
【請求項６】
１つのフレームの表示開始タイミングを表す垂直同期信号に基づいて、前記フレーム周波数を測定する、請求項５に記載の制御方法。
【請求項７】
前記フレーム周波数に応じた基準クロック信号に基づいて、前記タッチ駆動信号の周波数を、前記タッチ駆動信号を前記第１群の電極に順次出力するタッチ駆動信号出力部に設定する、請求項６に記載の制御方法。
【請求項８】
前記基準クロック信号に基づいて、前記タッチ駆動信号の周波数を含む通過周波数帯域を、前記第２群の電極からそれぞれ出力される前記複数の信号のうち、前記通過周波数帯域の信号をそれぞれ通過させると共にその他の周波数帯域の信号をそれぞれ除去する複数のバンドパスフィルタに設定し、前記タッチ駆動信号の周波数が変動したら、変動後の前記タッチ駆動信号の周波数を含む前記通過周波数帯域を前記複数のバンドパスフィルタに設定する、
請求項７に記載の制御方法。
【請求項９】
被検出物の近接の有無を検出する複数のタッチ検出電極と、
画像を表示する表示部と、
前記表示部を制御して前記表示部に画像を表示させる表示制御部と、
前記複数のタッチ検出電極の静電容量に基づいて被検出物の接触又は接近を検出するタッチ検出制御部と、
を含み、
前記タッチ検出制御部は、
単位時間当たりにフレームが表示される回数であるフレーム周波数を測定し、前記フレーム周波数に応じた周波数を有するタッチ駆動信号を前記複数のタッチ検出電極に出力し、前記複数のタッチ検出電極からそれぞれ出力される複数の信号に基づいて、被検出物の接触又は接近を検出し、
前記タッチ駆動信号の周波数は、前記表示部の画素駆動に起因する高調波成分と前記タッチ駆動信号に起因する高調波成分とが重ならないように、予め設定されており、
前記タッチ検出制御部は、
前記フレーム周波数が変動したら、前記フレーム周波数の変動比率と同じ比率で、前記タッチ駆動信号の周波数を変更する、
タッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１０】
前記タッチ検出制御部は、
前記表示制御部から供給される、１つのフレームの表示開始タイミングを表す垂直同期信号に基づいて、前記フレーム周波数を測定する、請求項９に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１１】
前記タッチ検出制御部は、
前記フレーム周波数に応じた基準クロック信号を出力する位相同期回路と、
前記タッチ駆動信号を前記複数のタッチ検出電極に順次出力するタッチ駆動信号出力部と、
前記基準クロック信号に基づいて、前記タッチ駆動信号の周波数を前記タッチ駆動信号出力部に設定する設定部と、
を含む、請求項１０に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１２】
前記タッチ検出制御部は、
前記複数のタッチ検出電極からそれぞれ出力される前記複数の信号のうち、設定された通過周波数帯域の信号をそれぞれ通過させると共にその他の周波数帯域の信号をそれぞれ除去する複数のバンドパスフィルタを含み、
前記設定部は、
前記基準クロック信号に基づいて、前記タッチ駆動信号の周波数を含む前記通過周波数帯域を前記複数のバンドパスフィルタに設定し、前記タッチ駆動信号の周波数が変動したら、変動後の前記タッチ駆動信号の周波数を含む前記通過周波数帯域を前記複数のバンドパスフィルタに設定する、
請求項１１に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部近接物体を検出可能なタッチ検出機能付き表示装置及び制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着され、又は表示装置と一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられる。そして、タッチ検出機能付き表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能としている。
【０００３】
下記の特許文献１には、インバータ蛍光灯やＡＭ（amplitude  modulation）波、ＡＣ（alternating  current）電源などに起因する外来ノイズの存在が検知された場合に、駆動信号の水平同期期間の周期または時間を調整することで、タッチ信号を検出できるタッチパネル駆動装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−４１５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１記載のタッチパネル駆動装置では、タッチパネル駆動装置の内部ノイズの影響は考慮されていない。
【０００６】
本発明は、内部ノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができるタッチ検出機能付き表示装置及び制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様のタッチ検出機能付き表示装置は、第１の方向に沿って延在する第１群の電極と、第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する第２群の電極と、を含むタッチ検出部と、画像を表示する表示部と、表示部を制御して表示部に画像を表示させる表示制御部と、第１群の電極と第２群の電極との間の相互静電容量に基づいて被検出物の接触又は接近を検出するタッチ検出制御部と、を含み、タッチ検出制御部は、単位時間当たりにフレームが表示される回数であるフレーム周波数を測定し、フレーム周波数に応じた周波数を有するタッチ駆動信号を第１群の電極に順次出力し、第２群の電極からそれぞれ出力される複数の信号に基づいて、被検出物の接触又は接近を検出する。
【０００８】
本発明の一態様の制御方法は、第１の方向に沿って延在する第１群の電極と、第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する第２群の電極と、を含むタッチ検出部と、画像を表示する表示部と、を含むタッチ検出機能付き表示装置を制御する方法であって、単位時間当たりにフレームが表示される回数であるフレーム周波数を測定し、フレーム周波数に応じた周波数を有するタッチ駆動信号を第１群の電極に順次出力し、第２群の電極からそれぞれ出力される複数の信号に基づいて、被検出物の接触又は接近を検出する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出部及び表示部の構成例を示すブロック図である。
【図３】図３は、タッチ検出デバイスに生じる容量の例を示す説明図である。
【図４】図４は、タッチ検出デバイスの等価回路の例を示す説明図である。
【図５】図５は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【図６】図６は、液晶表示デバイスのモジュールの例を示す図である。
【図７】図７は、タッチ検出デバイスのモジュールの例を示す図である。
【図８】図８は、タッチ検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。
【図９】図９は、タッチ検出機能付き表示部の画素配置を表す回路図である。
【図１０】図１０は、タッチ検出機能付き表示部の駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。
【図１１】図１１は、タッチ検出制御部の構成を示す図である。
【図１２】図１２は、液晶表示デバイスからタッチ検出デバイスに伝播するノイズを示す図である。
【図１３】図１３は、タッチ検出制御部の動作を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、タッチ検出制御部の設定例を示す図である。
【図１５】図１５は、タッチ検出制御部の構成の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
（実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の構成を示すブロック図である。
【００１２】
本実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出部ＳＥと、表示部ＤＰと、制御部ＣＴＲＬと、を含む。
【００１３】
タッチ検出部ＳＥは、被検出物ＯＢＪの、カバー部材ＣＧの入力面ＩＳへの接触又は近接を検出する。具体的には、タッチ検出部ＳＥは、被検出物ＯＢＪが入力面ＩＳと垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触又は近接に応じた信号値を、制御部ＣＴＲＬに出力する。
【００１４】
タッチ検出部ＳＥが検出できる被検出物の数は、１個に限定されない。タッチ検出部ＳＥは、２個以上の被検出物を検出できることとしても良い。
【００１５】
タッチ検出部ＳＥは、静電容量方式センサが例示される。静電容量方式は、相互静電容量方式が例示される。
【００１６】
表示部ＤＰは、入力面ＩＳ側に向けて画像を表示する。表示部ＤＰは、液晶表示装置又は有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置が例示されるが、これらに限定されない。
【００１７】
タッチ検出部ＳＥ及び表示部ＤＰは、表示部ＤＰの上にタッチ検出部ＳＥが装着された、いわゆるオンセルタイプとするが、これに限定されない。タッチ検出部ＳＥ及び表示部ＤＰは、一体化された、いわゆるインセルタイプであっても良い。
【００１８】
制御部ＣＴＲＬは、被検出物ＯＢＪと入力面ＩＳとが接触又は近接する領域の接触又は近接に応じた信号値に基づいて、被検出物ＯＢＪの座標を検出する。
【００１９】
制御部ＣＴＲＬは、表示制御部１１と、タッチ検出制御部４０と、ホストＨＯＳＴと、を含む。
【００２０】
表示制御部１１は、表示部ＤＰのガラス基板上に実装されたＩＣチップが例示される。タッチ検出制御部４０は、タッチ検出部ＳＥのガラス基板上に実装されたＩＣチップが例示される。ホストＨＯＳＴは、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）が例示される。表示制御部１１、タッチ検出制御部４０及びホストＨＯＳＴは、協働してタッチ検出部ＳＥ及び表示部ＤＰを制御する。
【００２１】
以下に、タッチ検出部ＳＥ及び表示部ＤＰの具体的な構成例について説明するが、これらの構成例は例示であり、これらの構成例に限定されない。
【００２２】
＜タッチ検出部及び表示部の構成例＞
図２は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出部及び表示部の構成例を示すブロック図である。図２に示すタッチ検出機能付き表示装置１は、いわゆる相互静電容量方式により、被検出物ＯＢＪの座標の検出を行う装置である。
【００２３】
タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、表示制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、ソースセレクタ１３Ｓと、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出制御部４０と、を含む。
【００２４】
タッチ検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いた液晶表示デバイス２０の上方に、静電容量型のタッチ検出デバイス３０が装着された、いわゆるオンセルタイプの装置である。オンセルタイプの装置の場合、液晶表示デバイス２０の直上にタッチ検出デバイス３０が設けられていてもよいし、液晶表示デバイス２０の直上ではなく他の層を介して上方にタッチ検出デバイス３０が設けられていてもよい。
【００２５】
液晶表示デバイス２０が、図１の表示部ＤＰに対応する。タッチ検出デバイス３０が、図１のタッチ検出部ＳＥに対応する。
【００２６】
なお、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いている液晶表示デバイス２０に静電容量型のタッチ検出デバイス３０を内蔵して一体化した、いわゆるインセルタイプの装置であっても良い。液晶表示デバイス２０に静電容量型のタッチ検出デバイス３０を内蔵して一体化するとは、例えば、液晶表示デバイス２０として使用される基板や電極などの一部の部材と、タッチ検出デバイス３０として使用される基板や電極などの一部の部材とを兼用することを含む。
【００２７】
また、本構成例では、表示部ＤＰとして液晶表示デバイス２０が採用されているが、表示部ＤＰは、有機ＥＬ素子を採用した構成であってもよい。この場合、有機ＥＬ素子を形成するアノード及びカソードのうち一方を、後述するタッチ検出に係る駆動電極ＣＯＭＬとしても良い。
【００２８】
液晶表示デバイス２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行うデバイスである。
【００２９】
表示制御部１１は、ホストＨＯＳＴより供給される映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動電極ドライバ１４に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。また、表示制御部１１は、１水平ライン分の映像信号Ｖｄｉｓｐから、液晶表示デバイス２０の複数の副画素ＳＰｉｘの画素信号Ｖｐｉｘを時分割多重化した画像信号Ｖｓｉｇを生成し、ソースドライバ１３に供給する。また、表示制御部１１は、１つのフレームの表示開始タイミングを表す垂直同期信号Ｖｓｙｎｃをタッチ検出制御部４０に供給する。
【００３０】
本開示における制御部ＣＴＲＬは、表示制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４を含む。
【００３１】
ゲートドライバ１２は、表示制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００３２】
ソースドライバ１３は、表示制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、各画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３には、例えば６ビットのＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の画像信号Ｖｓｉｇが与えられる。
【００３３】
ソースドライバ１３は、表示制御部１１から画像信号Ｖｓｉｇを受け取り、ソースセレクタ１３Ｓに供給する。また、ソースドライバ１３は、画像信号Ｖｓｉｇに多重化された画素信号Ｖｐｉｘを分離するために必要なスイッチ制御信号Ｖｓｅｌを生成し、画像信号Ｖｓｉｇとともにソースセレクタ１３Ｓに供給する。ソースセレクタ１３Ｓは、ソースドライバ１３と表示制御部１１との間の配線数を少なくすることができる。ソースセレクタ１３Ｓはなくても良い。また、ソースドライバ１３の一部の制御は、表示制御部１１が行ってもよく、ソースセレクタ部１３Ｓのみが配置されていてもよい。
【００３４】
駆動電極ドライバ１４は、表示制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する駆動電極ＣＯＭＬに表示用の電圧である表示駆動信号Ｖｃｏｍｄを供給する回路である。
【００３５】
タッチ検出デバイス３０は、相互静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、タッチ検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００３６】
図３から図５までを参照して、本構成例のタッチ検出機能付き表示装置１の相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。
【００３７】
図３は、タッチ検出デバイスに生じる容量の例を示す説明図である。図４は、タッチ検出デバイスの等価回路の例を示す説明図である。図５は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図４は、検出回路を併せて示している。
【００３８】
例えば、図３に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極である、駆動電極Ｅ１及びタッチ検出電極Ｅ２を備えている。図４に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器（タッチ検出部）ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば積分回路であり、タッチ検出制御部４０に含まれる。
【００３９】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇを印加すると、タッチ検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形（タッチ検出信号Ｖｄｅｔ）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、後述するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔに相当するものである。
【００４０】
指が接触（又は近接）していない状態（非接触状態）では、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。図５に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０）に変換する。
【００４１】
一方、指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、図３に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２がタッチ検出電極Ｅ２と接している又は近傍にあることにより、駆動電極Ｅ１及びタッチ検出電極Ｅ２の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られ、容量素子Ｃ１の容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１’として作用する。そして、図４に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ１が流れる。図５に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１）に変換する。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部からの近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度良く検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓを設けた動作とすることがより好ましい。
【００４２】
図２に示すタッチ検出デバイス３０は、タッチ検出制御部４０から供給される、後述するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔに従って、１ラインずつ順次走査してタッチ検出を行うようになっている。
【００４３】
タッチ検出制御部４０は、表示制御部１１から供給される垂直同期信号Ｖｓｙｎｃと、タッチ検出機能付き表示部１０のタッチ検出デバイス３０から供給されるタッチ検出信号Ｖｄｅｔと、に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチ（上述した接触又は近接状態）の有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標及び接触面積などを求める回路である。
【００４４】
図６は、液晶表示デバイスのモジュールの例を示す図である。液晶表示デバイス２０は、第１基板（例えば、画素基板２）を備えている。
【００４５】
画素基板２は、第１絶縁基板（例えば、ＴＦＴ基板２１）を有する。なお、ＴＦＴ基板２１は、例えば、ガラス基板、または、フィルム基板である。また、ＴＦＴ基板２１には、表示ドライバＩＣ(例えば、ＣＯＧ（Chip  On  Glass）)１９が実装されている。また、画素基板２（ＴＦＴ基板２１）には、液晶表示デバイス２０の表示領域Ａｄと、額縁Ｇｄとが形成されている。額縁Ｇｄは、表示領域Ａｄの周囲の領域であり、非表示領域あるいは周辺領域とも称される。
【００４６】
表示ドライバＩＣ１９は、ＴＦＴ基板２１に実装されたドライバであるＩＣチップであり、図２に示した表示制御部１１等、表示動作に必要な各回路を内蔵した制御装置である。
【００４７】
本構成例では、ソースドライバ１３及びソースセレクタ１３Ｓは、ＴＦＴ基板２１上に形成されている。ソースドライバ１３及びソースセレクタ１３Ｓは、表示ドライバＩＣ１９に内蔵されていてもよい。
【００４８】
駆動電極ドライバ１４の一部である、駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂは、ＴＦＴ基板２１上に形成されている。
【００４９】
ゲートドライバ１２は、ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂとして、ＴＦＴ基板２１上に形成されている。
【００５０】
表示ドライバＩＣ１９は、駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂ、ゲートドライバ１２等の回路を内蔵してもよい。なお、表示ドライバＩＣ１９はあくまで実装の一形態であってこれに限られるものでない。例えば、表示ドライバＩＣ１９と同様の機能を有する構成をＣＯＦ（Chip  On  Film又はChip  On  Flexible）として、画素基板２に接続されたフレキシブルプリント基板上に実装しても良い。この場合、表示ドライバＩＣ１９は、モジュールの外部に備えられる。
【００５１】
図６に示すように、ＴＦＴ基板２１の表面に対する垂直方向において、駆動電極ＣＯＭＬの駆動電極ブロックＢと、画素信号線ＳＧＬとは、立体交差するように形成されている。
【００５２】
また、駆動電極ＣＯＭＬは、一方向に延在する複数のストライプ状の電極パターンに分割されている。
【００５３】
駆動電極ブロックＢ（駆動電極ＣＯＭＬ）は、液晶表示デバイス２０の短辺と平行な方向に延在するように形成されている。画素信号線ＳＧＬは、駆動電極ブロックＢの延在方向と交差する方向に延在するように形成されており、例えば、液晶表示デバイス２０の長辺と平行な方向に延在するように形成されている。
【００５４】
ソースセレクタ１３Ｓは、ＴＦＴ基板２１上の表示領域Ａｄの近傍に、ＴＦＴ素子を用いて形成されている。表示領域Ａｄには、後述する画素Ｐｉｘがマトリックス状（行列状）に多数配置されている。本実施形態では、画素Ｐｉｘは、１９２０×１０８０のマトリックス状に配置されているものとするが、これに限定されない。
【００５５】
額縁Ｇｄは、ＴＦＴ基板２１の表面を垂直な方向からみて画素Ｐｉｘが配置されていない領域である。ゲートドライバ１２と、駆動電極ドライバ１４のうち駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂとは、額縁Ｇｄに配置されている。
【００５６】
ゲートドライバ１２は、例えば、ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂを備え、ＴＦＴ基板２１上にＴＦＴ素子を用いて形成されている。ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂは、後述する副画素ＳＰｉｘ（画素）がマトリックス状に配置された表示領域Ａｄを挟んで両側から駆動することができるようになっている。また、走査線は、ゲートドライバ１２Ａとゲートドライバ１２Ｂとの間に配列する。このため、走査線は、ＴＦＴ基板２１の表面に対する垂直方向において、駆動電極ＣＯＭＬの延在方向と平行な方向に延在するように設けられている。
【００５７】
本構成例では、ゲートドライバ１２として、ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂの２つの回路が設けられているが、これはゲートドライバ１２の具体的構成の一例であってこれに限られるものでない。例えば、ゲートドライバ１２は、走査線の一方端のみに設けられた１つの回路であってもよい。
【００５８】
駆動電極ドライバ１４は、例えば、駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂを備え、ＴＦＴ基板２１上にＴＦＴ素子を用いて形成されている。駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂは、表示ドライバＩＣ１９から、表示用配線ＬＤＣを介して表示用駆動信号Ｖｃｏｍｄの供給を受ける。
【００５９】
駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂは、並設された複数の駆動電極ブロックＢのそれぞれを、両側から駆動することができるようになっている。表示用駆動信号Ｖｃｏｍｄを供給する表示用配線ＬＤＣは、並列に額縁Ｇｄ，Ｇｄに配置されている。
【００６０】
本構成例では、駆動電極ドライバ１４として、駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂの２つの回路が設けられているが、これは駆動電極ドライバ１４の具体的構成の一例であってこれに限られるものでない。例えば、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ブロックＢの一方端のみに設けられた１つの回路であっても良い。
【００６１】
図７は、タッチ検出デバイスのモジュールの例を示す図である。タッチ検出デバイス３０は、第３基板５１を備えている。
【００６２】
第３基板５１は、絶縁性を有する、例えばガラス基板又はフィルム基板である。また、第３基板５１には、タッチＩＣ(例えば、ＣＯＧ)５４が実装されている。また、第３基板５１には、タッチ検出領域Ａｔと、額縁Ｇｔとが形成されている。タッチ検出領域Ａｔは、第３基板５１の表面に対する垂直方向において、液晶表示デバイス２０の表示領域Ａｄと重なるように形成されている。額縁Ｇｔは、第３基板５１の表面に対する垂直方向において、液晶表示デバイス２０の額縁Ｇｄと重なるように形成されている。
【００６３】
タッチＩＣ５４は、第３基板５１に実装されたドライバであるＩＣチップであり、図２に示したタッチ検出制御部４０等、タッチ検出動作に必要な各回路を内蔵した制御装置である。なお、タッチＩＣ５４は、第３基板５１上に配置される場合に限らず、第４基板５２上に配置されていてもよい。
【００６４】
なお、タッチＩＣ５４はあくまで実装の一形態であってこれに限定されない。例えば、タッチＩＣ５４と同様の機能を有する構成をＣＯＦとして、第３基板５１に接続されたフレキシブルプリント基板上に実装しても良い。この場合、タッチＩＣ５４は、モジュールの外部に備えられる。
【００６５】
図７に示すように、第３基板５１の表面に対する垂直方向において、タッチ駆動電極ＴＬと、タッチ検出電極ＴＤＬとは、立体交差するように形成されている。
【００６６】
タッチ駆動電極ＴＬは、タッチ検出デバイス３０の短辺と平行な方向に延在するように形成されている。タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ駆動電極ＴＬの延在方向と交差する方向に延在するように形成されており、例えば、タッチ検出デバイス３０の長辺と平行な方向に延在するように形成されている。
【００６７】
並設された複数のタッチ駆動電極ＴＬは、タッチ検出デバイス３０の短辺側に実装されたタッチＩＣ５４に、接続されている。このように、タッチＩＣ５４は、第３基板５１上に実装され、並設された複数のタッチ駆動電極ＴＬのそれぞれと接続されている。
【００６８】
タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の短辺側に実装されたタッチＩＣ５４に、接続されている。このように、タッチＩＣ５４は、第３基板５１上に実装され、並設された複数のタッチ検出電極ＴＤＬのそれぞれと接続されている。
【００６９】
タッチＩＣ５４は、並設された複数のタッチ駆動電極ＴＬのそれぞれを両側から駆動することができるようになっている。
【００７０】
本構成例では、タッチＩＣ５４は、並設された複数のタッチ駆動電極ＴＬのそれぞれを両側から駆動するが、これに限定されない。例えば、タッチＩＣ５４は、複数のタッチ駆動電極ＴＬの一端側のみから駆動しても良い。
【００７１】
本構成例では、タッチＩＣ５４は、タッチ検出制御部４０として機能する制御装置であるが、タッチ検出制御部４０の一部の機能は、他のＭＰＵの機能として設けられてもよい。
【００７２】
具体的には、タッチドライバであるＩＣチップの機能として設けられ得るＡ／Ｄ変換、ノイズ除去等の各種機能のうち一部の機能（例えば、ノイズ除去等）は、タッチドライバであるＩＣチップと別個に設けられたＭＰＵ等の回路で実施されてもよい。また、ドライバであるＩＣチップを１つ（１チップ構成）にする場合等、例えば、フレキシブルプリント基板等の配線を介して検出信号を第１絶縁基板上のドライバであるＩＣチップに伝送するようにしてもよい。
【００７３】
タッチ検出デバイス３０は、上述したタッチ検出信号Ｖｄｅｔを、タッチ検出デバイス３０の短辺側から出力する。これにより、タッチ検出デバイス３０は、タッチＩＣ５４に接続する際の配線の引き回しが容易になる。
【００７４】
図８は、タッチ検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。図９は、タッチ検出機能付き表示部の画素配置を表す回路図である。タッチ検出機能付き表示部１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された第２基板（例えば、対向基板３）と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された表示機能層（例えば、液晶層６）と、を含む。
【００７５】
画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ基板２１と、このＴＦＴ基板２１上に行列状に配設された複数の画素電極２２と、ＴＦＴ基板２１及び画素電極２２の間に形成された複数の駆動電極ＣＯＭＬと、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層２４と、を含む。
【００７６】
ＴＦＴ基板２１には、図９に示す各副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin  Film  Transistor）素子Ｔｒ、図８に示す各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給する画素信号線ＳＧＬ、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査信号線ＧＣＬ等の配線が形成されている。画素信号線ＳＧＬは、ＴＦＴ基板２１の表面と平行な平面に延在し、画像を表示するための画素信号Ｖｐｉｘを副画素ＳＰｉｘに供給する。なお、副画素ＳＰｉｘとは、画素信号Ｖｐｉｘで制御される構成単位を示す。また、副画素ＳＰｉｘは、画素信号線ＳＧＬと走査信号線ＧＣＬで囲われた領域であって、ＴＦＴ素子Ｔｒによって制御される構成単位を示す。
【００７７】
図９に示すように、液晶表示デバイス２０は、行列状に配置した複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、ＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを含む。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal  Oxide  Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。
【００７８】
ＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの一方は画素信号線ＳＧＬに結合され、ゲートは走査信号線ＧＣＬに結合され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に結合されている。液晶素子ＬＣは、例えば、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのドレインに結合され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに結合されている。なお、図８において、ＴＦＴ基板２１に対して、画素電極２２、絶縁層２４、駆動電極ＣＯＭＬの順で積層されているが、これに限られない。ＴＦＴ基板２１に対して、駆動電極ＣＯＭＬ、絶縁層２４、画素電極２２の順で積層してもよいし、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２を、絶縁層２４を介して同一層に形成してもよい。
【００７９】
副画素ＳＰｉｘは、走査信号線ＧＣＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに結合されている。走査信号線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２と結合され、ゲートドライバ１２より走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。
【００８０】
また、副画素ＳＰｉｘは、画素信号線ＳＧＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに結合されている。画素信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３と結合され、ソースドライバ１３（ソースセレクタ１３Ｓ）より画素信号Ｖｐｉｘが供給される。
【００８１】
さらに、副画素ＳＰｉｘは、駆動電極ＣＯＭＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに結合されている。駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４と結合され、駆動電極ドライバ１４より表示駆動信号Ｖｃｏｍｄが供給される。つまり、この例では、同じ一行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが一本の駆動電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。
【００８２】
本構成例の駆動電極ＣＯＭＬが延在する方向は、走査信号線ＧＣＬが延在する方向と平行である。駆動電極ＣＯＭＬが延在する方向は、これに限定されない。例えば、駆動電極ＣＯＭＬが延在する方向は、画素信号線ＳＧＬが延在する方向と平行な方向であってもよい。また、タッチ検出電極ＴＤＬが延在する方向は、画素信号線ＳＧＬが延在する方向に限らない。タッチ検出電極ＴＤＬが延在する方向は、走査信号線ＧＣＬが延在する方向と平行な方向であってもよい。
【００８３】
図２に示すゲートドライバ１２は、走査信号Ｖｓｃａｎを、図９に示す走査信号線ＧＣＬを介して、画素ＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、液晶表示デバイス２０に行列状に形成されている副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。
【００８４】
図２に示すソースドライバ１３は、画素信号Ｖｐｉｘを、図９に示す画素信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する各副画素ＳＰｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。
【００８５】
図２に示す駆動電極ドライバ１４は、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄを印加し、所定の本数の駆動電極ＣＯＭＬからなるブロックごとに駆動電極ＣＯＭＬを駆動する。
【００８６】
上述したように、液晶表示デバイス２０は、ゲートドライバ１２が走査信号線ＧＣＬを時分割的に線順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択される。また、液晶表示デバイス２０は、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応する駆動電極ＣＯＭＬを含むブロックに対して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄを印加するようになっている。
【００８７】
液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。駆動電極ＣＯＭＬの駆動時、画素電極２２に供給された画素信号Ｖｐｉｘに応じた電圧が液晶層６に印加され、電界が生じることで、液晶層６を構成する液晶が電界に応じた配向を示して液晶層６を通過する光を変調する。
【００８８】
このように、画素電極２２及び駆動電極ＣＯＭＬは、液晶層６に電界を生じさせる第１電極及び第２電極として機能する。すなわち、液晶表示デバイス２０は、第１電極及び第２電極に与えられる電荷に応じて表示出力内容が変化する表示部ＤＰとして機能する。なお、以下の説明では、画素電極２２を第１電極とし、駆動電極ＣＯＭＬを第２電極としているが、逆でもよい。ここで、画素電極２２は、少なくとも画素Ｐｉｘ若しくは副画素ＳＰｉｘ毎に配置され、駆動電極ＣＯＭＬは、少なくとも複数の画素Ｐｉｘ若しくは副画素ＳＰｉｘ毎に配置される。
【００８９】
本構成例では、液晶表示デバイス２０として、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。なお、図８に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００９０】
液晶表示デバイス２０は、横電界モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。例えば、液晶表示デバイス２０は、ＴＮ（Twisted  Nematic）モード、ＯＣＢ（Optically  Compensated  Bend）モード、ＶＡ（Vertical  Aligned）モード等の主として基板主面間に生じる縦電界を利用するモードに対応した構成を有していてもよい。縦電界を利用する表示モードでは、例えば画素基板２に画素電極２２が備えられ、対向基板３に駆動電極ＣＯＭＬが備えられた構成が適用可能である。
【００９１】
対向基板３は、第２絶縁基板３１と、この第２絶縁基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２とを含む。第２絶縁基板３１の他方の面には、偏光板３５が配設されている。
【００９２】
なお、カラーフィルタ３２の実装方式は、アレイ基板である画素基板２にカラーフィルタ３２が形成された所謂カラーフィルタ・オン・アレイ（ＣＯＡ：Color-filter  On  Array）方式であってもよい。
【００９３】
図８に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域を周期的に配置して、各副画素ＳＰｉｘにＲ、Ｇ及びＢの３色の色領域３２Ｒ，３２Ｇ及び３２Ｂが対応付けられ、色領域３２Ｒ，３２Ｇ及び３２Ｂを１組として画素Ｐｉｘを構成している。
【００９４】
画素Ｐｉｘは、走査信号線ＧＣＬに平行な方向及び画素信号線ＳＧＬに平行な方向に沿って行列状に配置され、後述する表示領域Ａｄを形成する。カラーフィルタ３２は、ＴＦＴ基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。このように、副画素ＳＰｉｘは、単色の色表示を行うことができる。
【００９５】
なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、なくてもよい。このように、カラーフィルタ３２が存在しない領域、すなわち着色しない副画素ＳＰｉｘがあってもよい。また、画素Ｐｉｘが有する副画素ＳＰｉｘは４以上であってもよい。
【００９６】
タッチ検出デバイス３０は、第３基板５１と、第４基板５２と、を含む。第３基板５１と第４基板５２との間には、絶縁層５３が設けられている。第３基板５１の第４基板５２側の面上には、タッチ駆動電極ＴＬが形成され、第４基板５２の第３基板５１側の面上には、タッチ検出電極ＴＤＬが形成されている。本構成例では、タッチ駆動電極ＴＬは、駆動電極ＣＯＭＬの延在方向と平行な方向に沿って延在するように形成されている。タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ駆動電極ＴＬの延在方向と交差する方向に沿って延在するように形成されている。
【００９７】
図１０は、タッチ検出機能付き表示部のタッチ駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。
【００９８】
タッチ検出デバイス３０は、第３基板５１に設けられたタッチ駆動電極ＴＬと、第４基板５２に設けられたタッチ検出電極ＴＤＬと、により構成されている。
【００９９】
タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ駆動電極ＴＬの電極パターンの延在方向と交差する方向に延在するストライプ状の電極パターンから構成されている。そして、タッチ検出電極ＴＤＬは、第３基板４１の表面に対する垂直な方向において、タッチ駆動電極ＴＬと対向している。タッチ駆動電極ＴＬ及びタッチ検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、タッチ検出制御部４０にそれぞれ接続されている。
【０１００】
タッチ駆動電極ＴＬとタッチ検出電極ＴＤＬとが互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を生じさせる。タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出制御部４０がタッチ駆動電極ＴＬに対して駆動信号ＶｃｏｍＡＣを印加することにより、タッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号Ｖｄｅｔを出力し、タッチ検出が行われるようになっている。
【０１０１】
つまり、タッチ駆動電極ＴＬは、図３から図５までに示したタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出電極Ｅ２に対応する。そして、タッチ検出デバイス３０は、この基本原理に従ってタッチを検出するようになっている。
【０１０２】
このように、タッチ検出デバイス３０は、タッチ駆動電極ＴＬと静電容量を形成するタッチ検出電極ＴＤＬとを有し、静電容量の変化に基づいてタッチ検出を行う。
【０１０３】
タッチ駆動電極ＴＬとタッチ検出電極ＴＤＬとが互いに交差した電極パターンは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチ検出制御部４０は、タッチ検出デバイス３０の入力面ＩＳ全体にわたって走査することにより、被検出物ＯＢＪの接触又は近接が生じた位置及び接触面積の検出も可能となっている。
【０１０４】
つまり、タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出動作を行う際、タッチ検出制御部４０が、図１０に示すタッチ駆動電極ＴＬを時分割的に線順次走査するように駆動する。これにより、スキャン方向Ｓｃａｎにタッチ駆動電極ＴＬは、順次選択される。そして、タッチ検出デバイス３０は、タッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号Ｖｄｅｔを出力する。このように、タッチ検出デバイス３０は、１ラインのタッチ検出が行われるようになっている。
【０１０５】
複数のタッチ駆動電極ＴＬが本発明の第１群の電極に対応し、複数のタッチ検出電極が本発明の第２群の電極に対応する。
【０１０６】
タッチ検出電極ＴＤＬ又はタッチ駆動電極ＴＬは、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、タッチ検出電極ＴＤＬ又はタッチ駆動電極ＴＬは、櫛歯形状であってもよい。或いは、タッチ検出電極ＴＤＬ又はタッチ駆動電極ＴＬは、複数に分割されていればよく、タッチ検出電極ＴＤＬ又はタッチ駆動電極ＴＬを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。
【０１０７】
オンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置１の動作方法の一例として、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作（タッチ検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを同じタイミングで行うことができる。
【０１０８】
図１１は、タッチ検出制御部の構成を示す図である。タッチ検出制御部４０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）４１と、出力増幅部４２と、入力増幅部４３と、ノイズ除去部４４と、ＡＤ（Analog  Digital）変換部４５と、ＤＳＰ（Digital  Signal  Processor）４６と、発振回路４７と、周波数サンプリング回路４８と、ＰＬＬ（Phase  Locked  Loop：位相同期回路）回路４９と、を含む。
【０１０９】
ＣＰＵ４１は、基準クロック信号出力部４１Ａと、フレーム周波数記憶部４１Ｂと、周波数初期値記憶部４１Ｃと、周波数調整係数算出部４１Ｄと、乗算部４１Ｅと、設定部４１Ｆと、タッチ駆動信号出力部４１Ｇと、フィルタ制御部４１Ｈと、座標抽出部４１Ｉと、を含む。基準クロック信号出力部４１Ａ、フレーム周波数記憶部４１Ｂ、周波数初期値記憶部４１Ｃ、周波数調整係数算出部４１Ｄ、乗算部４１Ｅ、設定部４１Ｆ、タッチ駆動信号出力部４１Ｇ、フィルタ制御部４１Ｈ及び座標抽出部４１Ｉは、ＣＰＵ４１がプログラムを実行することで実現される。
【０１１０】
ＤＳＰ４６は、信号処理部４６Ａを含む。信号処理部４６Ａは、ＤＳＰ４６がプログラムを実行することで実現される。
【０１１１】
タッチ駆動信号出力部４１Ｇは、タッチ駆動電極ＴＬの本数ｍ（ｍは、１以上の整数）に対応して、ｍ個の駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでを含む。駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、設定部４１Ｆによって設定される同じ周波数を有するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでを、スキャン方向Ｓｃａｎ（図１０参照）に沿って、出力増幅部４２に順次出力する。
【０１１２】
出力増幅部４２は、タッチ駆動電極ＴＬの本数ｍに対応して、ｍ個のアンプＡＭＰ１−１からＡＭＰ１−ｍまでを含む。アンプＡＭＰ１−１からＡＭＰ１−ｍまでは、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでからスキャン方向Ｓｃａｎ（図１０参照）に沿って順次供給されるタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでを増幅して、ｍ本のタッチ駆動電極ＴＬに順次出力する。
【０１１３】
入力増幅部４３は、タッチ検出電極ＴＤＬの本数ｎ（ｎは、１以上の整数）に対応して、ｎ個のアンプＡＭＰ２−１からＡＭＰ２−ｎまでを含む。アンプＡＭＰ２−１からＡＭＰ２−ｎまでは、ｎ本のタッチ検出電極ＴＤＬから一斉に供給されるタッチ検出信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｎまでを増幅して、ノイズ除去部４４に出力する。
【０１１４】
ノイズ除去部４４は、タッチ検出電極ＴＤＬの本数ｎに対応して、ｎ個のバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでを含む。バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、アンプＡＭＰ２−１からＡＭＰ２−ｎまでから供給される信号のうち、フィルタ制御部４１Ｈによって設定される通過周波数帯域の信号を通過させると共にその他の周波数帯域の信号を除去して、ＡＤ変換部４５に出力する。バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、スイッチトキャパシタが例示される。
【０１１５】
ＡＤ変換部４５は、タッチ検出電極ＴＤＬの本数ｎに対応して、ｎ個のＡＤコンバータＡＤＣ−１からＡＤＣ−ｎまでを含む。ＡＤコンバータＡＤＣ−１からＡＤＣ−ｎまでは、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでから供給されるアナログ信号をディジタル信号に変換して、信号処理部４６Ａに出力する。
【０１１６】
信号処理部４６Ａは、ＡＤコンバータＡＤＣ−１からＡＤＣ−ｎまでから供給されるディジタル信号に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出し、座標抽出部４１Ｉに出力する。
【０１１７】
座標抽出部４１Ｉは、信号処理部４６Ａにおいてタッチ検出がなされたときに、その座標を求め、座標を含む信号ＶｏｕｔをホストＨＯＳＴに出力する。
【０１１８】
発振回路４７は、交流信号を出力する。交流信号は、タッチ検出制御部４０の各部の動作の基準となる基準クロック信号の元となる。交流信号は、方形波であっても良いし、正弦波であっても良い。交流信号の周波数は、メガヘルツのオーダが例示される。
【０１１９】
周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１から供給される垂直同期信号Ｖｓｙｎｃをサンプリングすることで、表示制御部１１のフレーム周波数を測定する。
【０１２０】
基準クロック信号出力部４１Ａは、発振回路４７から供給される交流信号に基づいて、調整前基準クロック信号ＣＬＫ１を出力する。調整前基準クロック信号ＣＬＫ１の周波数は、メガヘルツのオーダが例示される。
【０１２１】
フレーム周波数記憶部４１Ｂは、周波数サンプリング回路４８から供給されるフレーム周波数を記憶する。フレーム周波数は、単位時間（例えば、１秒間）当たりにフレームが表示される回数である。
【０１２２】
周波数初期値記憶部４１Ｃは、調整前基準クロック信号ＣＬＫ１の周波数の初期値（設計値）を記憶する。調整前基準クロック信号ＣＬＫ１の周波数の初期値（設計値）は、２００ｋＨｚが例示される。
【０１２３】
周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数記憶部４１Ｂに記憶されているフレーム周波数に基づいて、調整前基準クロック信号ＣＬＫ１を調整するための調整係数を算出する。周波数調整係数算出部４１Ｄは、例えば、フレーム周波数が高くなったら、１より大きい調整係数を算出し、フレーム周波数が低くなったら、１より小さい調整係数を算出する。
【０１２４】
乗算部４１Ｅは、周波数初期値記憶部４１Ｃに記憶されている、調整前基準クロック信号ＣＬＫ１の周波数の初期値（設計値）と、周波数調整係数算出部４１Ｄで算出された調整係数と、を乗算する。
【０１２５】
ＰＬＬ回路４９は、乗算部４１Ｅから供給される乗算値に基づいて、基準クロック信号出力部４１Ａから供給される調整前基準クロック信号ＣＬＫ１を調整し、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２を出力する。調整後基準クロック信号ＣＬＫ２の周波数は、メガヘルツのオーダが例示される。タッチ検出制御部４０の各部は、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づく動作周波数で、動作する。
【０１２６】
設定部４１Ｆは、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づいて、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでの周波数を、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでに設定する。駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、設定部４１Ｆによって設定される同じ周波数を有するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでを、スキャン方向Ｓｃａｎ（図１０参照）に沿って、出力増幅部４２に順次出力する。
【０１２７】
設定部４１Ｆは、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づいて、信号を通過させる周波数帯域を、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでに設定する。信号を通過させる周波数帯域は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでの周波数を含む。
【０１２８】
バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、アンプＡＭＰ２−１からＡＭＰ２−ｎまでから供給される信号のうち、フィルタ制御部４１Ｈによって設定される通過周波数帯域の信号を通過させると共にその他の周波数帯域の信号を除去して、ＡＤ変換部４５に出力する。バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでがスイッチトキャパシタである場合には、設定部４１Ｆは、スイッチトキャパシタ内のスイッチを制御するスイッチング信号を制御することで、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を制御することができる。
【０１２９】
＜タッチ検出機能付き表示装置の動作の概要＞
表示制御部１１は、表示用クロック信号を生成する表示用クロック信号生成部を含み、表示用クロック信号に基づく動作周波数で動作し、液晶表示デバイス２０に画像を表示させる。本実施形態では、設計時には、表示制御部１１のフレーム周波数は、６０Ｈｚに設定されているものとする。
【０１３０】
表示制御部１１は、走査信号線ＧＣＬに走査信号Ｖｓｃａｎを出力し、画素信号線ＳＧＬに画素信号Ｖｐｉｘを出力する。走査信号Ｖｓｃａｎ及び画素信号Ｖｐｉｘに起因するノイズが、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播する。
【０１３１】
図１２は、液晶表示デバイスからタッチ検出デバイスに伝播するノイズを示す図である。図１２において、横軸は、ノイズの周波数を表し、縦軸は、ノイズの大きさ（絶対値）を表す。
【０１３２】
図１２のグラフにおいて、線６０は、表示制御部１１のフレーム周波数が６０Ｈｚである場合の、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズを示す。線６０は、極大値Ａ１からＡ５まで及びＢ１からＢ５までを有する。極大値Ａ１からＡ５までは、主に走査信号Ｖｓｃａｎに起因する。極大値Ａ１は、基本波であり、極大値Ａ２からＡ５までは、高調波である。極大値Ｂ１からＢ５までは、主に画素信号Ｖｐｉｘに起因する。極大値Ｂ１は、基本波であり、極大値Ｂ２からＢ５までは、高調波である。
【０１３３】
なお、極大値Ｂ１からＢ５までの大きさ（振幅）が、極大値Ａ１からＡ５までと比較して、相対的に大きいのは、極大値Ａ１からＡ５までの主な起因である走査信号Ｖｓｃａｎが０Ｖから＋６Ｖまでの６Ｖ程度の電圧範囲で変化するのに対して、極大値Ｂ１からＢ５までの主な起因である画素信号Ｖｐｉｘが−５Ｖから＋５Ｖまでの１０Ｖ程度の電圧範囲で変化するからである。
【０１３４】
本実施形態では、画素Ｐｉｘは、１９２０×１０８０のマトリックス状に配置されている。主に画素信号Ｖｐｉｘに起因する極大値Ｂ１からＢ５までの周波数は、フレーム周波数６０Ｈｚと、一方向の画素数１９２０と、の積に応じて定まる。主に走査信号Ｖｓｃａｎに起因する極大値Ａ１からＡ５までの周波数は、フレーム周波数６０Ｈｚと、一方向の画素数１９２０と、他の方向の画素数１０８０と、１画素Ｐｉｘ内の副画素ＳＰｉｘの数（例えば、３又は４）と、の積に応じて定まる。
【０１３５】
タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数が極大値Ａ１からＡ５まで及びＢ１からＢ５までの周波数と重なる又は近いと、タッチ検出信号Ｖｄｅｔに大きなノイズが重畳されることになる。タッチ検出制御部４０は、タッチ検出信号Ｖｄｅｔに大きなノイズが重畳すると、好適にタッチ検出を行うことができない。
【０１３６】
タッチ検出制御部４０は、タッチ検出信号Ｖｄｅｔがノイズの影響により小さくなる（負のノイズが重畳される）と、被検出物ＯＢＪが検出面ＩＳに近接又は接触していなくても、被検出物ＯＢＪが検出面ＩＳに近接又は接触したと誤検出する、いわゆるゴーストタッチを生ずる可能性がある。
【０１３７】
タッチ検出制御部４０は、タッチ検出信号Ｖｄｅｔがノイズの影響により大きくなる（正のノイズが重畳される）と、被検出物ＯＢＪが検出面ＩＳに近接又は接触していても、タッチを検出できない、いわゆる不感を生ずる可能性がある。
【０１３８】
そこで、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数及びノイズ除去部４４の通過周波数帯域を、極大値Ａ１からＡ５まで及びＢ１からＢ５までの周波数から離して設定することで、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１３９】
例えば、極大値Ｂ２の周波数は、およそ１８０ｋＨｚである。従って、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数ｆ１を、例えば２００ｋＨｚに設定し、ノイズ除去部４４の通過周波数帯域を、周波数ｆ１を含む範囲（例えば、２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ）に設定することで、極大値Ｂ２のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１４０】
従って、設計時には、発振回路４７及び基準クロック信号出力部４１Ａは、タッチ駆動信号出力部４１Ｇが２００ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔを出力でき且つノイズ除去部４４が２００ｋＨｚ±５ｋＨｚの周波数帯域の信号を通過させるための調整前基準クロック信号ＣＬＫ１を出力するように、初期設定される。また、周波数初期値記憶部４１Ｃは、「２００ｋＨｚ」を記憶するように初期設定される。また、周波数調整係数算出部４１Ｄは、周波数調整係数「１」を算出するように初期設定される。
【０１４１】
乗算部４１Ｅは、周波数初期値「２００ｋＨｚ」と周波数調整係数「１」とを乗算し、「２００ｋＨｚ」を算出する。従って、ＰＬＬ回路４９は、タッチ駆動信号出力部４１Ｇが２００ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔを出力でき且つノイズ除去部４４が２００ｋＨｚ±５ｋＨｚの周波数帯域の信号を通過させるための調整後基準クロック信号ＣＬＫ２を出力する。
【０１４２】
設定部４１Ｆは、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づいて、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでの周波数「２００ｋＨｚ」を、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでに設定する。駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、設定部４１Ｆによって設定される「２００ｋＨｚ」の周波数を有するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでを、スキャン方向Ｓｃａｎ（図１０参照）に沿って、出力増幅部４２に順次出力する。
【０１４３】
設定部４１Ｆは、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づいて、周波数帯域「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」を、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでに設定する。周波数帯域「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでの周波数「２００ｋＨｚ」を含む。バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、アンプＡＭＰ２−１からＡＭＰ２−ｎまでから供給される信号のうち、周波数帯域「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」の信号を通過させ、その他の周波数帯域の信号を除去して、ＡＤ変換部４５に出力する。
【０１４４】
設計時には、タッチ検出制御部４０は、上記のように初期設定され、タッチ検出を好適に行うことができる。
【０１４５】
ところで、表示制御部１１の個体差又は温度ドリフトにより、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が、設計値の６０Ｈｚからずれてしまう可能性がある。
【０１４６】
図１２のグラフにおいて、線６１は、表示制御部１１のフレーム周波数が６３Ｈｚである場合の、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズを示す。また、線６２は、表示制御部１１のフレーム周波数が５７Ｈｚである場合の、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズを示す。
【０１４７】
本発明者は、フレーム周波数と、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズの周波数と、の間に相関関係があることを見いだした。つまり、本発明者は、フレーム周波数が高くなると、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズの周波数も高くなり、フレーム周波数が低くなると、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズの周波数も低くなることを見いだした。
【０１４８】
表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６３Ｈｚである場合には、極大値Ｂ２の周波数は、およそ２０５ｋＨｚに移動する。表示制御部１１のフレーム周波数の実際値６３Ｈｚは、設計値６０Ｈｚの１．０５倍である。従って、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数ｆ２を、周波数ｆ１（例えば、２００ｋＨｚ）の１．０５倍（例えば、２１０ｋＨｚ）に設定し、ノイズ除去部４４の通過周波数帯域を、周波数ｆ２を含む範囲（例えば、２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ）に設定する。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１４９】
表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が５７Ｈｚである場合には、極大値Ｂ２の周波数は、およそ１６５ｋＨｚに移動する。表示制御部１１のフレーム周波数の実際値５７Ｈｚは、設計値６０Ｈｚの０．９５倍である。従って、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数ｆ３を、周波数ｆ１（例えば、２００ｋＨｚ）の０．９５倍（例えば、１９０ｋＨｚ）に設定し、ノイズ除去部４４の通過周波数帯域を、周波数ｆ３を含む範囲（例えば、１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚ）に設定する。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１５０】
上記では、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が設計値６０Ｈｚからずれてしまい且つタッチ検出制御部４０が設計値通りの動作周波数で動作する場合について説明した。しかし、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が設計値通りの６０Ｈｚであって、タッチ検出制御部４０の動作周波数が、個体差又は温度ドリフトにより、設計値からずれてしまう場合も考えられる。この場合も、上記と同様に考えることができる。
【０１５１】
タッチ検出制御部４０の各部は、タッチ検出制御部４０自身の調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づく動作周波数で動作する。従って、タッチ検出制御部４０の調整後基準クロック信号ＣＬＫ２の周波数が設計値よりも５％低い場合には、タッチ検出制御部４０の各部は、設計値よりも５％低い動作周波数で動作する。そのため、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数が実際値の６０Ｈｚよりも５％速くなったものと測定することになる。つまり、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６０Ｈｚであっても、６３Ｈｚと測定する。
【０１５２】
そこで、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数を、設計値（例えば、２００ｋＨｚ）の１．０５倍（例えば、２１０ｋＨｚ）に設定し、ノイズ除去部４４の通過周波数帯域を、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数を含む範囲（例えば、２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ）に設定する。但し、タッチ検出制御部４０の各部は設計値よりも５％低い動作周波数で動作するので、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの実際値は、設定値２１０ｋＨｚよりも５％低い２００ｋＨｚになり、ノイズ除去部４４の通過周波数帯域の実際値は、設定値２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚよりも５％低い２００ｋＨｚ±５ｋＨｚになる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１５３】
また、タッチ検出制御部４０の調整後基準クロック信号ＣＬＫ２の周波数が設計値よりも５％高い場合には、タッチ検出制御部４０の各部は、設計値よりも５％高い動作周波数で動作する。そのため、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数が実際値の６０Ｈｚよりも５％低くなったものと測定することになる。つまり、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６０Ｈｚであっても、５７Ｈｚと測定する。
【０１５４】
そこで、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数を、設計値（例えば、２００ｋＨｚ）の０．９５倍（例えば、１９０ｋＨｚ）に設定し、ノイズ除去部４４の通過周波数帯域を、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数を含む範囲（例えば、１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚ）に設定する。但し、タッチ検出制御部４０の各部は設計値よりも５％程度高い動作周波数で動作するので、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの実際値は、設定値１９０ｋＨｚよりも５％高い２００ｋＨｚになり、ノイズ除去部４４の通過周波数帯域の実際値は、設定値１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚよりも５％高い２００ｋＨｚ±５ｋＨｚになる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１５５】
表示制御部１１のフレーム周波数が設計値の６０Ｈｚからずれており且つタッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値からずれている場合も、上記と同様に考えることができる。
【０１５６】
つまり、タッチ検出制御部４０は、タッチ検出制御部４０自身の調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づく動作周波数で動作し、表示制御部１１のフレーム周波数を、タッチ検出制御部４０自身の動作周波数を基準に相対的に測定する。そして、タッチ検出制御部４０は、タッチ検出制御部４０自身の動作周波数を基準にした相対的な、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値に基づいて、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数及びノイズ除去部４４の通過周波数帯域を設定する。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１５７】
＜タッチ検出制御部の動作＞
図１３は、タッチ検出制御部の動作を示すフローチャートである。タッチ検出制御部４０は、タッチ検出機能付き表示装置１を搭載した装置のパワーオン時又はスリープ解除時に、図１３に示す処理を実行しても良い。また、タッチ検出制御部４０は、タッチ検出機能付き表示装置１を搭載した装置の温度ドリフトを考慮して、定期的に図１３に示す処理を実行しても良い。
【０１５８】
周波数サンプリング回路４８は、ステップＳ１００において、表示制御部１１から供給される垂直同期信号Ｖｓｙｎｃをサンプリングすることにより、表示制御部１１のフレーム周波数を測定し、フレーム周波数記憶部４１Ｂに出力する。フレーム周波数記憶部４１Ｂは、フレーム周波数を記憶する。
【０１５９】
周波数調整係数算出部４１Ｄは、ステップＳ１０２において、フレーム周波数記憶部４１Ｂに記憶されているフレーム周波数に基づいて、フレーム周波数の設計値に対するフレーム周波数の測定値の比である周波数調整係数を算出する。例えば、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が６３Ｈｚである場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値６３Ｈｚの比である周波数調整係数を「１．０５」と算出する。
【０１６０】
乗算部４１Ｅは、ステップＳ１０４において、周波数初期値記憶部４１Ｃに記憶されている周波数初期値と、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出された周波数調整係数と、を乗算する。そして、乗算部４１Ｅは、乗算結果に基づいて、調整前基準クロック信号ＣＬＫ１を調整するように、ＰＬＬ回路４９を制御する。ＰＬＬ回路４９は、調整前基準クロック信号ＣＬＫ１を調整した調整後基準クロック信号ＣＬＫ２を、タッチ検出制御部４０の各部に出力する。
【０１６１】
例えば、乗算部４１Ｅは、周波数初期値記憶部４１Ｃに記憶されている周波数初期値「２００ｋＨｚ」と、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出された周波数調整係数「１．０５」と、を乗算し、乗算結果「２１０ｋＨｚ」を算出する。そして、乗算部４１Ｅは、タッチ駆動信号出力部４１Ｇが２１０ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔを出力でき且つノイズ除去部４４が２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚの周波数帯域の信号を通過させることができるようにするために、調整前基準クロック信号ＣＬＫ１を調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に調整するようにＰＬＬ回路４９を制御する。例えば、ＰＬＬ回路４９は、２１０ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔを出力でき且つノイズ除去部４４が２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚの周波数帯域の信号を通過させることができる調整後基準クロック信号ＣＬＫ２を、タッチ検出制御部４０の各部に出力する。
【０１６２】
設定部４１Ｆは、ステップＳ１０６において、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づいて、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域（例えば、２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ）を算出する。
【０１６３】
設定部４１Ｆは、ステップＳ１０８において、調整後基準クロック信号ＣＬＫ２に基づいて、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍの周波数（例えば、２１０ｋＨｚ）を駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでに設定する。
【０１６４】
設定部４１Ｆは、ステップＳ１１０において、ステップＳ１０６で算出した通過周波数帯域をバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでに設定する。
【０１６５】
タッチ検出制御部４０は、ステップＳ１１２において、ステップＳ１０８で設定した周波数（例えば、２１０ｋＨｚ）を有するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍをタッチ検出デバイス３０に出力し、ステップＳ１１０で設定した通過周波数帯域のタッチ検出信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｎまでを検出することで、タッチ検出を行う。
【０１６６】
＜タッチ検出制御部の設定例＞
図１４は、タッチ検出制御部の設定例を示す図である。表７０の第１行は、タッチ検出制御部４０の設計値を示す。表７０の第２行から第９行は、タッチ検出制御部４０のタッチ検出信号Ｖｄｅｔの周波数及びバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値の例１から例８までを示す。
【０１６７】
表７０の第１行の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数が設計値（例えば、６０Ｈｚ）通りであれば、フレーム周波数の設計値に対する増減量が「０％」であることを、示している。
【０１６８】
表７０の第１行の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値通りであれば、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対する増減量が「０％」であることを、示している。
【０１６９】
表７０の第１行の第３列は、表示制御部１１のフレーム周波数が設計値通りであり且つタッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値通りであれば、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「６０Ｈｚ」であることを、示している。
【０１７０】
表７０の第１行の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「１」であることを、示している。上述したしたように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「６０Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「６０Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「１」と算出する。
【０１７１】
表７０の第１行の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「２００ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の第１行の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０１７２】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数が設計値通りであり且つタッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値通りである場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２００ｋＨｚ」に設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定する。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１７３】
表７０の例１（第２行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６３Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値６３Ｈｚの増減量が「５％」であることを、示している。
【０１７４】
表７０の例１（第２行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値通りであり、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「０％」であることを、示している。
【０１７５】
表７０の例１（第２行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「６３Ｈｚ」であることを、示している。
【０１７６】
表７０の例１（第２行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「１．０５」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が６３Ｈｚである場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値６３Ｈｚの比である周波数調整係数を「１．０５」と算出する。
【０１７７】
表７０の例１（第２行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「２１０ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例２（第２行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０１７８】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値（例１では、実際値と同じ）が６３Ｈｚであり、タッチ検出制御部４０が設計値通りの動作周波数で動作する場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２１０ｋＨｚ」に設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定する。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１７９】
表７０の例２（第３行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が５７Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値５７Ｈｚの増減量が「−５％」であることを、示している。
【０１８０】
表７０の例２（第３行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値通りであり、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「０％」であることを、示している。
【０１８１】
表７０の例２（第３行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「５７Ｈｚ」であることを、示している。
【０１８２】
表７０の例２（第３行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「０．９５」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「５７Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「５７Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「０．９５」と算出する。
【０１８３】
表７０の例２（第３行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「１９０ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例２（第２行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０１８４】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値（例２では、実際値と同じ）が５７Ｈｚであり、タッチ検出制御部４０が設計値通りの動作周波数で動作する場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「１９０ｋＨｚ」に設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定する。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１８５】
表７０の例３（第４行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６０Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値６０Ｈｚの増減量が「０％」であることを、示している。
【０１８６】
表７０の例３（第４行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値より高く、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「５％」であることを、示している。
【０１８７】
表７０の例３（第４行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「５７Ｈｚ」であることを、示している。上述したように、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値よりも５％高い場合には、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値を、実際値の６０Ｈｚよりも５％低い「５７Ｈｚ」と測定する。
【０１８８】
表７０の例３（第４行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「０．９５」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「５７Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「５７Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「０．９５」と算出する。
【０１８９】
表７０の例３（第４行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「１９０ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例３（第４行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０１９０】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６０Ｈｚである場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２００ｋＨｚ」に設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定することで、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１９１】
但し、例３では、タッチ検出制御部４０が設計値よりも５％高い動作周波数で動作している。従って、設定部４１Ｆがタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「１９０ｋＨｚ」に設定すると、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、「１９０ｋＨｚ」より５％高い周波数の２００ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでを出力する。同様に、設定部４１ＦがバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定すると、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、「１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」より５％高い周波数の２００ｋＨｚ±５ｋＨｚの信号を通過させる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１９２】
表７０の例４（第５行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６０Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値６０Ｈｚの増減量が「０％」であることを、示している。
【０１９３】
表７０の例４（第５行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値より低く、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「−５％」であることを、示している。
【０１９４】
表７０の例４（第５行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「６３Ｈｚ」であることを、示している。上述したように、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値よりも５％低い場合には、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値を、実際値の６０Ｈｚよりも５％高い「６３Ｈｚ」と測定する。
【０１９５】
表７０の例４（第５行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「１．０５」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「６３Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「６３Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「１．０５」と算出する。
【０１９６】
表７０の例４（第５行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「２１０ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例４（第５行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０１９７】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６０Ｈｚである場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２００ｋＨｚ」に設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定することで、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１９８】
但し、例４では、タッチ検出制御部４０が設計値よりも５％低い動作周波数で動作している。従って、設定部４１Ｆがタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２１０ｋＨｚ」に設定すると、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、「２１０ｋＨｚ」より５％低い周波数の２００ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでを出力する。同様に、設定部４１ＦがバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定すると、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、「２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」より５％低い周波数の２００ｋＨｚ±５ｋＨｚの信号を通過させる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０１９９】
表７０の例５（第６行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６３Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値６３Ｈｚの増減量が「５％」であることを、示している。
【０２００】
表７０の例５（第６行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値より高く、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「５％」であることを、示している。
【０２０１】
表７０の例５（第６行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「６０Ｈｚ」であることを、示している。上述したように、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値よりも５％高い場合には、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値を、実際値の６３Ｈｚよりも５％低い「６０Ｈｚ」と測定する。
【０２０２】
表７０の例５（第６行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「１」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「６０Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「６０Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「１」と算出する。
【０２０３】
表７０の例５（第６行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「２００ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例５（第６行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０２０４】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６３Ｈｚである場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を２１０ｋＨｚに設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚに設定することで、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２０５】
但し、例５では、タッチ検出制御部４０が設計値よりも５％高い動作周波数で動作している。従って、設定部４１Ｆがタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２００ｋＨｚ」に設定すると、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、「２００ｋＨｚ」より５％高い周波数の２１０ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでを出力する。同様に、設定部４１ＦがバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定すると、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」より５％高い周波数の２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚの信号を通過させる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２０６】
表７０の例６（第７行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が５７Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値５７Ｈｚの増減量が「−５％」であることを、示している。
【０２０７】
表７０の例６（第７行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値より低く、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「−５％」であることを、示している。
【０２０８】
表７０の例６（第７行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「６０Ｈｚ」であることを、示している。上述したように、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値よりも５％低い場合には、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値を、実際値の５７Ｈｚよりも５％高い「６０Ｈｚ」と測定する。
【０２０９】
表７０の例６（第７行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「１」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「６０Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「６０Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「１」と算出する。
【０２１０】
表７０の例６（第７行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「２００ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例６（第７行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０２１１】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が５７Ｈｚである場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を１９０ｋＨｚに設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚに設定することで、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２１２】
但し、例６では、タッチ検出制御部４０が設計値よりも５％低い動作周波数で動作している。従って、設定部４１Ｆがタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２００ｋＨｚ」に設定すると、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、「２００ｋＨｚ」より５％低い周波数の１９０ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでを出力する。同様に、設定部４１ＦがバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定すると、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、「２００ｋＨｚ±５ｋＨｚ」より５％低い周波数の１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚの信号を通過させる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２１３】
表７０の例７（第８行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６３Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値６３Ｈｚの増減量が「５％」であることを、示している。
【０２１４】
表７０の例７（第８行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値より遅く、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「−５％」であることを、示している。
【０２１５】
表７０の例７（第８行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「６６Ｈｚ」であることを、示している。上述したように、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値よりも５％低い場合には、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値を、実際値の６３Ｈｚよりも５％高い「６６Ｈｚ」と測定する。
【０２１６】
表７０の例７（第８行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「１．１」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「６６Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「６６Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「１．１」と算出する。
【０２１７】
表７０の例７（第８行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「２２０ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例７（第８行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「２２０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０２１８】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が６３Ｈｚである場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を２１０ｋＨｚに設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚに設定することで、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２１９】
但し、例７では、タッチ検出制御部４０が設計値よりも５％低い動作周波数で動作している。従って、設定部４１Ｆがタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「２２０ｋＨｚ」に設定すると、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、「２２０ｋＨｚ」より５％低い周波数の２１０ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでを出力する。同様に、設定部４１ＦがバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「２２０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定すると、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、「２２０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」より５％低い周波数の２１０ｋＨｚ±５ｋＨｚの信号を通過させる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２２０】
表７０の例８（第９行）の第１列は、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が５７Ｈｚであり、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の実際値５７Ｈｚの増減量が「−５％」であることを、示している。
【０２２１】
表７０の例８（第９行）の第２列は、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値より高く、タッチ検出制御部４０の動作周波数の設計値に対するタッチ検出制御部４０の動作周波数の実際値の増減量が「５％」であることを、示している。
【０２２２】
表７０の例８（第９行）の第３列は、周波数サンプリング回路４８によって測定される、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値が「５４Ｈｚ」であることを、示している。上述したように、タッチ検出制御部４０の動作周波数が設計値よりも５％高い場合には、周波数サンプリング回路４８は、表示制御部１１のフレーム周波数の測定値を、実際値の５７Ｈｚよりも５％程度低い「５４Ｈｚ」と測定する。
【０２２３】
表７０の例８（第９行）の第４列は、周波数調整係数算出部４１Ｄによって算出される周波数調整係数が「０．９」であることを、示している。上述したように、周波数調整係数算出部４１Ｄは、フレーム周波数の測定値が「５４Ｈｚ」である場合には、フレーム周波数の設計値６０Ｈｚに対するフレーム周波数の測定値「５４Ｈｚ」の比である周波数調整係数を「０．９」と算出する。
【０２２４】
表７０の例８（第９行）の第５列は、設定部４１Ｆによって設定される、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数の設定値が「１８０ｋＨｚ」であることを、示している。表７０の例８（第９行）の第６列は、設定部４１Ｆによって設定される、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域の設定値が「１８０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」であることを、示している。
【０２２５】
上述したように、表示制御部１１のフレーム周波数の実際値が５７Ｈｚである場合には、タッチ検出制御部４０は、タッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を１９０ｋＨｚに設定し、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚに設定することで、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２２６】
但し、例８では、タッチ検出制御部４０が設計値よりも５％高い動作周波数で動作している。従って、設定部４１Ｆがタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでの周波数を「１８０ｋＨｚ」に設定すると、駆動信号出力部４１Ｇ−１から４１Ｇ−ｍまでは、「１８０ｋＨｚ」より５％高い周波数の１９０ｋＨｚのタッチ駆動信号Ｖｄｅｔ−１からＶｄｅｔ−ｍまでを出力する。同様に、設定部４１ＦがバンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでの通過周波数帯域を「１８０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」に設定すると、バンドパスフィルタＢＰＦ−１からＢＰＦ−ｎまでは、「１８０ｋＨｚ±５ｋＨｚ」より５％高い周波数の１９０ｋＨｚ±５ｋＨｚの信号を通過させる。これにより、タッチ検出制御部４０は、極大値Ｂ２及びＡ３のノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２２７】
以上説明したように、タッチ検出機能付き表示装置１は、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２２８】
なお、液晶表示デバイス２０からタッチ検出デバイス３０に伝播するノイズの影響を抑制するために、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数を一定時間毎に変更する周波数ホッピング方式を採用することも考えられる。しかしながら、周波数ホッピング方式では、タッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数がノイズの周波数に重なる又は近くなることを排除できない。
【０２２９】
一方、タッチ検出機能付き表示装置１は、ノイズの周波数とフレーム周波数とに相関関係があることに着目し、フレーム周波数に応じてタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔの周波数を変更する。従って、タッチ検出機能付き表示装置１は、周波数ホッピング方式と比較して、ノイズの影響を抑制し、好適にタッチ検出を行うことができる。
【０２３０】
＜変形例＞
図１５は本実施の形態に係るタッチ機能検出機能付き表示装置の変形例を示すブロック図である。図１１と同一構成部分については、説明を省略する。
本変形例は、自己静電容量形式のタッチ検出機能を示すブロック図であり、以下の点で図１１と異なる。
【０２３１】
自己静電容量形式のタッチ検出機能では、駆動電極と検出電極とは同一である。タッチ検出制御部４０は、ｍ個のタッチ検出電極にタッチ検出信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでを出力し、各々の電極についてタッチ検出電極の自己静電容量の変動の程度を検出することにより、被検出物ＯＢＪの接触又は近接の有無を検出する。
【０２３２】
図１５に示した例では、ｍ個のアンプＡＭＰ１−１〜ＡＭＰ１−ｍは、容量結合を介して、タッチ検出信号Ｖｃｏｍｔ−１からＶｃｏｍｔ−ｍまでをｍ個のタッチ検出電極にそれぞれ出力する。ｍ個のタッチ検出電極の各々は、所定のインピーダンスの抵抗を介して所定のバイアス電圧に設定されている。この場合、タッチ検出電極に被検出物ＯＢＪが接触又は近接していると、被検出物ＯＢＪとタッチ検出電極との間の容量が大きくなり、アンプにより駆動されたタッチ検出電極の電圧変動量が小さくなる。タッチ検出制御部４０は、この電圧変動量の程度を入力増幅部４３のアンプＡＭＰ２−１からＡＭＰ２−ｍまでによって検出することにより、被検出物ＯＢＪの有無を検出する。尚、自己静電容量形式のタッチ検出機能の構成は、上記回路に限定されるものではなく、種々の検出回路で構成可能である。
【０２３３】
また、自己静電容量検出方式のタッチ検出電極は、図８のタッチ検出電極ＴＤＬ又はタッチ駆動電極ＴＬの少なくともいずれかを用いてもよい。また、タッチ検出電極の形状は、ストライプ形状に限定されず、Ｘ方向及びＹ方向にマトリックス状に個別に形成された形状の電極を用いてもよい。
【０２３４】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【０２３５】
１  タッチ検出機能付き表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  タッチ検出機能付き表示部
１１  表示制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
１９  ＣＯＧ
２０  液晶表示デバイス
２１  ＴＦＴ基板
２２  画素電極
３０  タッチ検出デバイス
３１  第２絶縁基板
３２  カラーフィルタ
４０  タッチ検出制御部
４１  ＣＰＵ
４１Ａ  基準クロック信号出力部
４１Ｂ  フレーム周波数記憶部
４１Ｃ  周波数初期値記憶部
４１Ｄ  周波数補正係数算出部
４１Ｅ  乗算部
４１Ｆ  設定部
４１Ｇ  タッチ駆動信号出力部
４１Ｈ  フィルタ制御部
４１Ｉ  座標抽出部
４２  出力増幅部
４３  入力増幅部
４４  ノイズ除去部
４５  ＡＤ変換部
４６  ＤＳＰ
４６Ａ  信号処理部
４７  発振回路
４８  周波数サンプリング回路
４９  ＰＬＬ回路
５１  第３基板
５２  第４基板
５４  タッチＩＣ
ＣＯＭＬ  駆動電極
ＣＴＲＬ  制御部
ＤＰ  表示部
ＧＣＬ  走査信号線
ＨＯＳＴ  ホスト
Ｐｉｘ  画素
ＳＥ  タッチ検出部
ＳＧＬ  画素信号線
ＳＰｉｘ  副画素
ＴＤＬ  タッチ検出電極
ＴＬ  タッチ駆動電極
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
【図１】
0006550006.tif 000002
【図２】
0006550006.tif 000003
【図３】
0006550006.tif 000004
【図４】
0006550006.tif 000005
【図５】
0006550006.tif 000006
【図６】
0006550006.tif 000007
【図７】
0006550006.tif 000008
【図８】
0006550006.tif 000009
【図９】
0006550006.tif 000010
【図１０】
0006550006.tif 000011
【図１１】
0006550006.tif 000012
【図１２】
0006550006.tif 000013
【図１３】
0006550006.tif 000014
【図１４】
0006550006.tif 000015
【図１５】
0006550006.tif 000016