(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線と複数の前記導電性細線が交差又は屈曲されるように接続する複数の電気的接続部とを有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、
前記検出電極の端部において、複数の導電性細線と検出部とを接続するための接続配線と、
前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、
前記検出電極全体の領域と比較して、前記接続配線に最も近い電気的接続部から接続配線までの端部領域では、単位面積当たりに占める導電性細線の面積の密度が小さくなり、 検出電極は、複数の前記導電性細線を有する複数の小電極部が配置されており、小電極部間は、第１方向に延在するスリットが形成されており、
前記小電極部とは異なる層に積層され、前記保護層を介して隣り合う前記小電極部とそれぞれ接続する導電性のブリッジ部とを備え、
前記ブリッジ部は、絶縁材料で覆われ、平面視で前記第１方向に延在する凸部を備えている、
検出装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線を有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、
前記複数の導電性細線と検出部とを接続するための接続配線と、
前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、
前記接続配線と前記導電性細線とで囲む面積が、前記検出電極の１つの網目が囲む面積よりも大きく、
検出電極は、複数の前記導電性細線を有する複数の小電極部が配置されており、小電極部間は、第１方向に延在するスリットが形成されており、
前記小電極部とは異なる層に積層され、前記保護層を介して隣り合う前記小電極部とそれぞれ接続する導電性のブリッジ部とを備え、
前記ブリッジ部は、絶縁材料で覆われ、平面視で前記第１方向に延在する凸部を備えている、
検出装置。
【請求項３】
前記接続配線と前記導電性細線とで囲む面積が、前記保護層の縁の凹凸から推定される推定半径の２乗と円周率とを乗じた面積よりも大きい請求項１又は２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記検出電極の１つの網目が囲む形状が平行四辺形である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記検出電極の１つの網目が囲む形状が多角形である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記検出電極の１つの網目が囲む形状が円形である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
複数の前記円形同士が囲む領域と、前記円形内の領域とを繋げるスリットを有している請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
複数の前記導電性細線同士の間に、前記導電性細線と離隔し、前記検出電極として機能しないダミー電極が前記基板と平行な前記導電性細線と同層の面上に設けられている請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記検出電極は、第１の方向に延びる少なくとも１つの第１の導電性細線と、前記第１の導電性細線と接続して前記第１の方向と第２の角度をなす少なくとも１つの第２の導電性細線と、を含む請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線と複数の前記導電性細線が交差又は屈曲されるように接続する複数の電気的接続部とを有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、
前記検出電極の端部において、複数の導電性細線と検出部とを接続するための接続配線と、
前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、
前記検出電極全体の領域と比較して、前記接続配線に最も近い電気的接続部から接続配線までの端部領域では、単位面積当たりに占める導電性細線の面積の密度が小さくなり、 前記検出電極の１つの網目が囲む形状が円形であり、
複数の前記円形同士が囲む領域と、前記円形内の領域とを繋げるスリットを有している、
検出装置。
【請求項１１】
基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線を有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、
前記複数の導電性細線と検出部とを接続するための接続配線と、
前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、
前記接続配線と前記導電性細線とで囲む面積が、前記検出電極の１つの網目が囲む面積よりも大きく、
前記検出電極の１つの網目が囲む形状が円形であり、
複数の前記円形同士が囲む領域と、前記円形内の領域とを繋げるスリットを有している、
検出装置。
【請求項１２】
基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線と複数の前記導電性細線が交差又は屈曲されるように接続する複数の電気的接続部とを有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、
前記検出電極の端部において、複数の導電性細線と検出部とを接続するための接続配線と、
前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、
前記検出電極全体の領域と比較して、前記接続配線に最も近い電気的接続部から接続配線までの端部領域では、単位面積当たりに占める導電性細線の面積の密度が小さくなり、 前記検出電極の網目は、第１形状の第１網目と、第１網目で囲われた第１網目と少なくとも大きさ、又は、形状の異なる第２網目とを有し、前記第１網目と前記第２網目とは繋がっている、
検出装置。
【請求項１３】
基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線を有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、
前記複数の導電性細線と検出部とを接続するための接続配線と、
前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、
前記接続配線と前記導電性細線とで囲む面積が、前記検出電極の１つの網目が囲む面積よりも大きく、
前記検出電極の網目は、第１形状の第１網目と、第１網目で囲われた第１網目と少なくとも大きさ、又は、形状の異なる第２網目とを有し、前記第１網目と前記第２網目とは繋がっている、
検出装置。
【請求項１４】
複数の前記導電性細線を有する複数の小電極部が島状に配置されており、
前記小電極部とは異なる層に積層され、前記保護層を介して隣り合う前記小電極部とそれぞれ接続する導電性のブリッジ部とを備え、
前記ブリッジ部は、絶縁材料で覆われ、平面視で凸部を備えている、請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の検出装置と、表示領域とを備え、
前記表示領域と重畳する領域に前記検出電極が設けられている、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量の変化を検出可能な検出装置に係り、特に静電容量の変化に基づいて外部近接物体を検出可能な検出装置及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化される、タッチ検出機能付き表示装置に用いられている。そして、タッチ検出機能付き表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能としている。このようなタッチパネルを有する、タッチ検出機能付き表示装置は、キーボードやマウス、キーパッドのような入力装置を必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。
【０００３】
タッチ検出装置の方式として、光学式、抵抗式、静電容量式などいくつかの方式が存在する。静電容量式のタッチ検出装置は、携帯端末などにおいて、比較的単純な構造をもち、かつ低消費電力が実現できる。さらに、外部近接物体を検出可能な検出装置では、薄型化、大画面化又は高精細化のため、検出電極の低抵抗化が求められている。検出電極は、透光性電極の材料としてＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電酸化物が用いられている。検出電極を低抵抗にするには、金属材料などの導電性材料を用いることが有効である。しかし、金属材料などの導電性材料を用いると、検出電極の腐食を抑制する可能性がある。特許文献１には、検出電極が保護層で覆われた検出装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１７６５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
検出電極が網状のパターンであると、検出電極が低抵抗となる。しかしながら、検出電極が網状のパターンと異なる向きに延びた接続配線と接続されると、接続配線が保護層を堰き止めるため、保護層が充填されず気泡となり、面内の光むらや信頼性が悪化する可能性がある。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、保護層の気泡を抑制する検出装置及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の態様によれば、検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線と複数の前記導電性細線が交差又は屈曲されるように接続する複数の電気的接続部とを有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、前記検出電極の端部において、複数の導電性細線と検出部とを接続する接続配線と、前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、前記検出電極全体の領域と比較して、前記接続配線に最も近い電気的接続部から接続配線までの端部領域では、単位面積当たりに占める導電性細線の面積の密度が小さくなる。
【０００８】
第２の態様によれば、検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、複数の導電性細線を有し、複数の導電性細線が網状に配置される検出電極と、前記複数の導電性細線と接続する接続配線と、前記検出電極と、前記接続配線を覆う絶縁材料の保護層と、を備え、前記接続配線と前記導電性細線とで囲む面積が、前記検出電極の１つの網目が囲む面積よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を表すブロック図である。
【図２】図２は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。
【図３】図３は、図２に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】図４は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。
【図５】図５は、図４に示す指が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図６】図６は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図７】図７は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。
【図８】図８は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。
【図９】図９は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配置を表す回路図である。
【図１１】図１１は、実施形態１に係る検出電極の平面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１に係る検出装置の製造方法において、保護層の塗布工程を説明するための工程図である。
【図１３】図１３は、保護層の上面図である。
【図１４】図１４は、比較例に係る検出電極の端部において、複数の導電性細線を接続する接続配線を説明するための模式図である。
【図１５】図１５は、実施形態１の変形例１に係る検出電極の平面図である。
【図１６】図１６は、実施形態１の変形例２に係る検出電極の平面図である。
【図１７】図１７は、実施形態１の変形例３に係る検出電極の平面図である。
【図１８】図１８は、実施形態２に係るタッチ検出機能付き表示装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図１９】図１９は、実施形態２に係る検出電極を部分的に拡大して模式的に示す平面図である。
【図２０】図２０は、実施形態２に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図２１】図２１は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接していない状態を表す説明図である。
【図２２】図２２は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図２３】図２３は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図２４】図２４は、実施形態３に係るタッチ検出機能付き表示装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図２５】図２５は、実施形態３に係る検出電極を拡大して模式的に示す平面図である。
【図２６】図２６は、図２５のＢ−Ｂ線で切断して矢印方向からみたときの模式断面図である。
【図２７】図２７は、実施形態３に係る検出装置の概略断面構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を表すブロック図である。タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部（単に、検出部ともいう。）４０とを備えている。タッチ検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いている表示装置２０と静電容量型の検出装置３０とを一体化した装置である。なお、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いている表示装置２０の上に、静電容量型の検出装置３０を装着した装置であってもよい。なお、表示装置２０は、例えば、有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００１２】
表示装置２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、及びタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路（制御装置）である。
【００１３】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００１４】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号Ｖｓｉｇに基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００１５】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００１６】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示部１０の検出装置３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、検出装置３０に対するタッチ（後述する接触又は近接の状態）の有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標などを求める回路である。このタッチ検出部４０は検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。
【００１７】
検出信号増幅部４２は、検出装置３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分（ノイズ成分）を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。
【００１８】
（静電容量型タッチ検出の基本原理）
検出装置３０は、静電容量型近接検出の基本原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。図１〜図６を参照して、実施形態１のタッチ検出機能付き表示部１０におけるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。図３は、図２に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。図５は、図４に示す指が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図６は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【００１９】
例えば、図２及び図４に示すように、容量素子Ｃ１、Ｃ１’は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。図３に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器（タッチ検出部）ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００２０】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇを印加すると、検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、後述するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔに相当するものである。
【００２１】
指が接触（又は近接）していない状態（非接触状態）では、図２及び図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。図６に示すように電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０）に変換する。
【００２２】
一方、指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、図４に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が検出電極Ｅ２と接している又は近傍にあることにより、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られ、容量素子Ｃ１の容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１’として作用する。そして、図５に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ１が流れる。図６に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１）に変換する。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることがより好ましい。
【００２３】
図１に示す検出装置３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍ（後述するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔ）に従って、１検出ブロックずつ順次走査してタッチ検出を行うようになっている。
【００２４】
検出装置３０は、複数の後述する検出電極ＴＤＬから、図３又は図５に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出ブロック毎に検出信号Ｖｄｅｔ１を出力し、タッチ検出部４０のＡ／Ｄ変換部４３に供給するようになっている。
【００２５】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００２６】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分（ノイズ成分）を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、検出装置３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみ取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する外部近接物体の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、外部近接物体の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０はタッチ検出が可能となる。
【００２７】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００２８】
図７及び図８は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図７は、駆動電極の一例を示す平面図であり、図８は、検出電極の一例を示す平面図である。
【００２９】
図７に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板２１と、フレキシブルプリント基板７２とを備えている。ＴＦＴ基板２１は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）１９を搭載し、表示装置２０（図１参照）の表示領域１０ａと、表示領域１０ａを囲む額縁領域１０ｂとに対応する領域が形成されている。ＣＯＧ１９は、ＴＦＴ基板２１に実装されたＩＣドライバのチップであり、図１に示す制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。また、本実施形態において、駆動電極ドライバ１４は、ガラス基板であるＴＦＴ基板２１に形成してもよい。ＣＯＧ１９及び駆動電極ドライバ１４は、額縁領域１０ｂに設けられる。なお、ＣＯＧ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵していてもよい。この場合、額縁領域１０ｂを狭くすることが可能である。フレキシブルプリント基板７２は、ＣＯＧ１９と接続されており、フレキシブルプリント基板７２を介して、外部から映像信号Ｖｄｉｓｐや、電源電圧がＣＯＧ１９に供給される。
【００３０】
図７に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示領域１０ａに重畳する領域に複数の駆動電極ＣＯＭＬが設けられている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺に沿った方向に延出しており、表示領域１０ａの他辺に沿った方向において、間隔を設けて配列されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは駆動電極ドライバ１４にそれぞれ接続されている。
【００３１】
図８に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、さらに、基板３１と、フレキシブルプリント基板７１とを備える。フレキシブルプリント基板７１には、上述したタッチ検出部４０が搭載されている。なお、タッチ検出部４０は、フレキシブルプリント基板７１に搭載されてなくてもよく、フレキシブルプリント基板７１が接続する別基板に搭載されていてもよい。基板３１は、例えば、透光性のガラス基板であり、図７に示すＴＦＴ基板２１の表面の垂直方向においてＴＦＴ基板２１と対向する。図８に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示領域１０ａと重畳する領域に複数の検出電極ＴＤＬが設けられている。複数の検出電極ＴＤＬは、それぞれ、図７に示す駆動電極ＣＯＭＬの延出方向と交差する方向に延出している。また、複数の検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの延出方向において間隔を設けて配列されている。つまり、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとは、立体交差するように配置されており、互いに重畳する部分で静電容量が形成される。
【００３２】
タッチ検出機能付き表示装置１は、後述するように、表示動作の際に、１水平ラインずつ順次走査を行う。つまり、タッチ検出機能付き表示装置１は、表示走査を、タッチ検出機能付き表示部１０の１辺に沿う方向と平行に行う（図８参照）。一方タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作の際に、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを順次印加することにより、１検出ラインずつ順次走査を行う。つまり、タッチ検出機能付き表示部１０は、方向ＳＣＡＮへ走査を、タッチ検出機能付き表示部１０の他辺に沿った方向と平行に行う（図７参照）。
【００３３】
図８に示すように、本実施形態の検出電極ＴＤＬは、複数の導電性細線３３Ｕ、３３Ｖを有している。導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。
【００３４】
複数の導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、それぞれ細幅であり、表示領域１０ａにおいて、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの延出方向と交差する方向（表示領域１０ａの短辺方向）に互いに間隔を設けて配置されている。複数の導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの延出方向の両端は、額縁領域１０ｂに配置された接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。これにより、複数の導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは互いに電気的に接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。複数の接続配線３４ａには、それぞれ配線３７が接続されており、検出電極ＴＤＬとフレキシブルプリント基板７１とが配線３７によって接続される。なお、検出電極ＴＤＬの一部は表示領域１０ａ外（額縁領域１０ｂ）に配置されても良い。また、接続配線３４ａ、３４ｂも額縁境界１０ｂでなく、表示領域１０ａ内に配置されても良い。複数の接続配線３４ａ、３４ｂは、配線３７を介して、タッチ検出部４０と接続されており、複数の導電性細線３３Ｕ、３３Ｖとタッチ検出部４０とを接続するための配線となっても良い。
【００３５】
図９は、タッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図９に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された液晶層６とを備えている。
【００３６】
画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ基板２１と、このＴＦＴ基板２１の上方にマトリックス状に配設された複数の画素電極２２と、ＴＦＴ基板２１と画素電極２２との間に形成された複数の駆動電極ＣＯＭＬと、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層２４と、を含む。ＴＦＴ基板２１の下側には、接着層６６を介して偏光板６５が設けられている。
【００３７】
対向基板３は、基板３１と、この基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２とを含む。基板３１の他方の面には、検出装置３０の検出電極である検出電極ＴＤＬが形成される。図９に示すように、基板３１の上方に検出電極ＴＤＬが設けられる。さらに、この検出電極ＴＤＬの上には、検出電極ＴＤＬの導電性細線３３Ｕ、３３Ｖを保護するための保護層３８が設けられている。保護層３８は、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層３８の上に、接着層３９を介して偏光板３５が設けられている。
【００３８】
ＴＦＴ基板２１と基板３１とは、スペーサ６１により所定の間隔を設けて対向して配置される。ＴＦＴ基板２１、基板３１、及びスペーサ６１によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた表示パネルが用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００３９】
図１０は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。図９に示すＴＦＴ基板２１には、図１０に示す各副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタ素子（以下、ＴＦＴ素子）Ｔｒ、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給する画素信号線ＳＧＬ、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査信号線ＧＣＬ等の配線が形成されている。画素信号線ＳＧＬ及び走査信号線ＧＣＬは、ＴＦＴ基板２１の表面と平行な平面に延在する。図１０に示す副画素ＳＰｉｘの配列方向と直交する方向（走査信号線ＧＣＬの延在方向）を方向Ｄｘとし、副画素ＳＰｉｘの配列方向（画素信号線ＳＧＬの延在方向）を方向Ｄｙとして示している。
【００４０】
図１０に示す表示装置２０は、マトリックス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの一方は画素信号線ＳＧＬに接続され、ゲートは走査信号線ＧＣＬに接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの他方に接続され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。
【００４１】
副画素ＳＰｉｘは、走査信号線ＧＣＬにより、表示装置２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。走査信号線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２より走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。また、副画素ＳＰｉｘは、画素信号線ＳＧＬにより、表示装置２０の同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。画素信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３より画素信号Ｖｐｉｘが供給される。さらに、副画素ＳＰｉｘは、駆動電極ＣＯＭＬにより、同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図１参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４より駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。つまり、この例では、同じ一行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１本の駆動電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。本実施形態の駆動電極ＣＯＭＬの延びる方向は、走査信号線ＧＣＬの延びる方向と平行である。本実施形態の駆動電極ＣＯＭＬの延びる方向は、これに限定されない。例えば、駆動電極ＣＯＭＬの延びる方向は、画素信号線ＳＧＬの延びる方向と平行な方向であってもよい。
【００４２】
図１に示すゲートドライバ１２は、走査信号線ＧＣＬを順次走査するように駆動する。走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が、走査信号線ＧＣＬを介して、副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加され、副画素ＳＰｉｘのうちの１水平ラインが表示駆動の対象として順次選択される。また、タッチ検出機能付き表示装置１は、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応する駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。
【００４３】
図９に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが周期的に配列されている。上述した図１０に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられ、色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂを１組として画素Ｐｉｘが構成される。図９に示すように、カラーフィルタ３２は、ＴＦＴ基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。
【００４４】
図１１は、実施形態１に係る検出電極の平面図である。導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。または、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上を含む金属材料の合金で形成される。また、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、これらアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属材料又はこれらの材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。なお、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、上述した金属材料又は金属材料の合金の導電層に加えて、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電酸化物の導電層が積層されていてもよい。
【００４５】
上述した金属材料は、透明電極の材料としてＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性または検出電極ＴＤＬのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、１つの検出電極ＴＤＬが、複数の幅細の導電性細線３３Ｕ、３３Ｖを有しており、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖが、線幅よりも大きい間隔を設けて配置されることで、低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、検出電極ＴＤＬが低抵抗化し、タッチ検出機能付き表示装置１は、薄型化、大画面化または高精細化することができる。
【００４６】
導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの幅は、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの幅が１０μｍ以下であると、表示領域１０ａのうちブラックマトリックスまたは後述する走査信号線ＧＣＬ及び画素信号線ＳＧＬで光の透過を抑制されない領域である開口部を覆う面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの幅が２μｍ以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。
【００４７】
図８、図１０及び図１１を参照して説明すると、検出電極ＴＤＬは、複数の導電性細線３３Ｕ、３３Ｖが所定のピッチで配置されており、検出電極ＴＤＬは、全体として、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂの延出方向と平行な方向に延びている。つまり、検出電極ＴＤＬは、図１０に示す画素信号線ＳＧＬが延在する方向Ｄｙと平行な方向に延在する。各導電性細線３３Ｕ、３３Ｖがカラーフィルタ３２の特定の色領域を遮光してしまわないように、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、互いに逆向きに傾斜する細線片が交差して接続された網目状となっている。導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂの延出方向と平行な方向に対して、角度θを有して互いに逆向きな方向Ｄｕ及び方向Ｄｖへ傾斜する。導電性細線３３Ｕ、３３Ｖが交差又は屈曲されるように接続された箇所で電気的接続部３３ｘ、３３ｘが形成され、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、複数の電気的接続部３３ｘで交差している。例えば、角度θは、５度以上７５度以下であり、好ましくは２５度以上４０度以下、さらに好ましくは５０度以上６５度以下である。
【００４８】
このように、検出電極ＴＤＬは、方向Ｄｕへ延びる少なくとも１つの第１の導電性細線３３Ｕと、第１の導電性細線３３Ｕと交差して方向Ｄｖへ延びる少なくとも１つの第２の導電性細線３３Ｖと、を含む。複数の第１の導電性細線３３Ｕと、複数の第２の導電性細線３３Ｖとがそれぞれ複数交差すると、検出電極ＴＤＬの１つの網目が囲む形状が平行四辺形となる。図１１において、検出電極ＴＤＬの１つの網目が囲む形状の対角線の長さは、Ｐ１、Ｐ２である。
【００４９】
本実施形態において、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘ、３３ｘを境界とした場合、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘ、３３ｘよりも接続配線３４ａに近い側であって、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘ、３３ｘから接続配線３４ａまでの領域が検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃである。同様に、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘ、３３ｘよりも接続配線３４ａから遠い側の領域が検出電極ＴＤＬの主検出領域１０ｄである。
【００５０】
接続配線３４ａの周囲における検出電極のパターンと、接続配線３４ｂの周囲における検出電極のパターンとは、図８に示す線対称あるいは、点対称となる。このため、接続配線３４ｂに最も近い電気的接続部３３ｘ、３３ｘを境界として、接続配線３４ｂに最も近い電気的接続部３３ｘ、３３ｘよりも接続配線３４ｂに近い側かつ接続配線３４ｂまでの領域が検出電極ＴＤＬの端部領域である。同様に、接続配線３４ｂに最も近い電気的接続部３３ｘ、３３ｘよりも接続配線３４ｂから遠い側の領域が検出電極ＴＤＬの主検出領域である。
【００５１】
図１１に示すように、検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃにおいて、導電性細線３３Ｕが延長された位置に導電性細線３３ａが配置され、接続配線３４ａと主検出領域１０ｄの導電性細線３３Ｕとが導電性細線３３ａを介して電気的に接続されている。
【００５２】
このように、検出電極ＴＤＬの導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの延在方向がカラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂの延在方向に対して角度θをもつようになる。その結果、検出電極ＴＤＬの導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂを順に遮光することから、カラーフィルタ３２の特定色領域における透過率の低下を抑制することができる。また、検出電極ＴＤＬの導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、好ましい範囲でゆらぎをもたせて配置してもよい。すなわち、検出電極ＴＤＬは、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖ同士の間隔を異ならせてもよい。
【００５３】
図７及び図９に示す駆動電極ＣＯＭＬは、表示装置２０の複数の画素電極２２に共通の電位を与える共通電極として機能するとともに、検出装置３０の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。検出装置３０は、画素基板２に設けられた駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた検出電極ＴＤＬにより構成されている。
【００５４】
駆動電極ＣＯＭＬは、図７に示す表示領域１０ａの他辺と平行な方向に延在する複数の電極パターンに分割されている。検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びる複数の金属配線を有する電極パターンから構成されている。そして、検出電極ＴＤＬは、ＴＦＴ基板２１（図９参照）の表面に対する垂直な方向において、駆動電極ＣＯＭＬと対向している。検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、タッチ検出部４０の検出信号増幅部４２の入力にそれぞれ接続される（図１参照）。駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を生じさせている。
【００５５】
駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬ（駆動電極ブロック）は、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、櫛歯形状であってもよい。あるいは検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、複数に分割されていればよく、駆動電極ＣＯＭＬを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。
【００５６】
この構成により、検出装置３０では、相互静電容量方式のタッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４が駆動電極ブロックとして時分割的に順次走査するように駆動することにより、駆動電極ＣＯＭＬの１検出ブロックが順次選択される。そして、検出電極ＴＤＬから検出信号Ｖｄｅｔ１が出力されることにより、１検出ブロックのタッチ検出が行われるようになっている。つまり、駆動電極ブロックは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応するものであり、検出装置３０はこの基本原理に従ってタッチ入力を検出するようになっている。互いに立体交差した検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、検出装置３０のタッチ検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触または近接が生じた位置の検出が可能となっている。
【００５７】
タッチ検出機能付き表示装置１の動作方法の一例として、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作（検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。
【００５８】
なお、本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは表示装置２０の共通電極を兼用するので、表示動作期間においては、駆動電極ドライバ１４を介して選択される駆動電極ＣＯＭＬに、制御部１１が表示用の共通電極電位である駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。
【００５９】
検出期間に駆動電極ＣＯＭＬを用いず、検出電極ＴＤＬのみで検出動作を行う場合、例えば、後述する自己静電容量方式のタッチ検出原理に基づいてタッチ検出を行う場合、駆動電極ドライバ１４は、検出電極ＴＤＬにタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給してもよい。
【００６０】
図１２は、実施形態１に係る検出装置の製造方法において、保護層の塗布工程を説明するための工程図である。図１３は、保護層の上面図である。
【００６１】
（実施形態１に係る検出装置の製造方法）
図９に示すように、基板３１の上面に、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上を含む金属材料を用いて導電層が形成される。導電層はスパッタリング法または化学気相成長（Chemical  Vapor  Deposition；ＣＶＤ）法等により、１工程で連続して成膜することができる。
【００６２】
次に、導電層の上にレジストを形成する。レジストは、フォトリソグラフィによりパターニングされ、図８に示す導電性細線３３Ｕ、３３Ｖのパターンと重なる位置に形成される。
【００６３】
その後、レジストから露出する部分の導電層が、エッチングにより除去される。レジストと重畳する部分の導電層がエッチングにより除去されず、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖのパターンに形成される。導電層のエッチング液は、金属種に応じて選択すればよい。例えば、レジストから露出する部分の導電層がＡｌ系膜である場合は、導電層のエッチング液として燐酸系のエッチング液、例えば燐酸硝酸酢酸混合液が用いられる。また、レジストから露出する部分の導電層がＣｕ系膜である場合は、塩化第二鉄が用いられる。
【００６４】
次に、レジストを除去することにより、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖがパターン形成される。これにより、図８に示すような、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖを有する複数の検出電極ＴＤＬが形成される。
【００６５】
次に、保護層３８となる絶縁材料の塗布液が導電性細線３３Ｕ、３３Ｖを覆うように塗布される。保護層３８となる絶縁材料は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂である。保護層３８となる絶縁材料は、紫外線照射装置から照射される紫外線のエネルギーにより、短時間に重合硬化するＵＶ硬化性樹脂である。または、保護層３８となる絶縁材料は、ホットプレートやオーブンなどの加熱装置から加熱された熱エネルギーにより、短時間に硬化する熱硬化性樹脂である。保護層３８となる絶縁材料としては、紫外線硬化と熱硬化併用タイプも使用することができる。保護層３８となる絶縁材料は高抵抗材料であっても良く、保護層３８となる絶縁材料のシート抵抗は、導電層のシート抵抗より３桁以上高いことが好ましい。例えば、保護層３８となる絶縁材料のシート抵抗は、１０６Ω／□以上のシート抵抗であっても良い。
【００６６】
ここで、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、微細な導電体のパターンである。導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの上には、保護層３８となる絶縁材料が微小な液滴として塗布されると、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの厚みの影響及び導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの分布の影響が抑制され、保護層３８の膜厚の均一性が向上する。
【００６７】
インクジェット法又は電界ジェット法などの液滴吐出装置が滴下する微小な液滴は、通常、ノズルから複数同時に滴下される。例えば、図１２に示すように、液滴吐出装置が滴下する液滴が、滴下列ＩＪ１、ＩＪ２、ＩＪ３に沿って同時に吐出される。ノズルの進行方向ＩＪＹには、ノズルの進行速度を遅くすることで、液滴の重なりを密とすることができる。しかしながら、液滴の滴下ピッチＩＪＰは、ノズルの吐出穴のピッチで決まるので、ノズルの進行方向ＩＪＹと交差する方向ＩＪＸには、液滴の滴下ピッチＩＪＰに応じて液滴の吐出位置ＩＪＤが定まる。液滴の吐出位置ＩＪＤで滴下された液滴は、液滴の吐出位置ＩＪＤを中心として同心円状に半径ＩＪＲで広がる。そして、ノズルの進行方向ＩＪＹと交差する方向ＩＪＸには、液滴の吐出位置ＩＪＤと吐出量に応じて、液滴の重なりが生じる。例えば滴下ピッチＩＪＰは、１０μｍ以上１００μｍ以下である。
【００６８】
次に、紫外線照射装置から照射される紫外線、又は加熱装置からの加熱により、上述した絶縁材料が硬化して保護層３８が形成される。図１３に示すように、ノズルの進行方向ＩＪＹの保護層３８の縁には、ノズルの進行方向ＩＪＹと交差する方向ＩＪＸに曲面を有する凸部ＦＲが連続しており、平面視で凹凸の形状となることがある。凸部ＦＲの曲率から曲率中心を求め、この曲率中心が液滴の吐出位置ＩＪＤとして見なすことができる。その結果、凸部ＦＲの外縁の曲面と、液滴の吐出位置ＩＪＤとから液滴が広がったと推定される推定半径として半径ＩＪＲが推定できる。
【００６９】
図１４は、比較例に係る検出電極の端部において、複数の導電性細線を接続する接続配線を説明するための模式図である。なお、図１１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図１４に示す検出電極は、図１１に示す実施形態１に係る検出電極と比較し、検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃにおいて、導電性細線３３Ｖが延長された位置に導電性細線３３ｅが配置されている。
【００７０】
図１４に示すように、単位面積当たりに占める導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの密度が、検出電極ＴＤＬの主検出領域１０ｄ全体と、接続配線３４ａに繋がる検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃとで同じである。
【００７１】
接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ｅとで囲む面積Ｓ３は、以下の式（１）で求めることができる。方向Ｄｘに並ぶ電気的接続部３３ｘ、３３ｘ間の距離が距離Ｐ１である。方向Ｄｙに並ぶ電気的接続部３３ｘ、３３ｘ間の距離が距離Ｐ２である。接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘと接続配線３４ａとの最短距離が距離Ｐ３である。
【００７２】
Ｓ３＝Ｐ１×Ｐ３×１／２  ・・・（１）
【００７３】
検出電極ＴＤＬの１つの網目が囲む面積Ｓ１は、以下の式（２）で求められる。
【００７４】
Ｓ１＝Ｐ１×Ｐ２  ・・・（２）
【００７５】
式（１）と式（２）から、面積Ｓ１と面積Ｓ３とは式（３）の関係がある。
【００７６】
Ｓ１＝２×Ｓ３    ・・・（３）
【００７７】
このように、面積Ｓ３が面積Ｓ１よりも小さくなる。これにより、面積Ｓ３の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下されない確率が高まる。その結果、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ｅとで囲む空間に気泡が残る可能性がある。
【００７８】
上述したように、保護層３８となる絶縁材料が微小な液滴として塗布されると、同心円状に広がる性質がある。微小な液滴は、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖ、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）に接すると、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖ、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）に沿って広がる。面積Ｓ３が面積Ｓ１よりも小さいと、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ｅとで囲む空間が検出電極ＴＤＬの１つの網目が囲む空間よりも保護層３８となる絶縁材料で満たされる。このため、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）がダムのように作用し、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）が検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃにおいて保護層３８の平坦性に影響を与える可能性がある。
【００７９】
これに対して、図１１に示す実施形態１に係る検出電極ＴＤＬにおいて、単位面積当たりに占める導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの面積の密度は、検出電極ＴＤＬの主検出領域１０ｄ全体よりも、接続配線３４ａに繋がる検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃで小さくなっている。その結果、単位面積当たりに占める導電性細線の密度が検出電極ＴＤＬ全体よりも接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）に繋がる端部領域１０ｃで小さくなる。
【００８０】
図１１に示す実施形態１に係る検出電極ＴＤＬにおいては、図１４に示す導電性細線３３ｅがない。接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｕ、３３Ｖとで囲む面積Ｓ２は、以下の式（４）で求めることができる。なお、例えば、上述した距離Ｐ１は、１００μｍ以上２５０μｍ以下である。距離Ｐ２は、１００μｍ以上５５０μｍ以下である。
【００８１】
Ｓ２＝Ｐ１×Ｐ３×１／２＋Ｐ１×Ｐ２  ・・・（４）
【００８２】
式（２）と式（４）から、面積Ｓ１と面積Ｓ２とは式（５）の関係がある。
【００８３】
Ｓ２＝Ｐ１×Ｐ３×１／２＋Ｓ１    ・・・（５）
【００８４】
このため、面積Ｓ２が面積Ｓ１よりも大きくなる。実施形態１に係る検出電極ＴＤＬにおいては、面積Ｓ１が、保護層３８の縁の凹凸から推定される推定半径としての半径ＩＪＲの２乗と円周率とを乗じた面積よりも大きくしてある。これにより、面積Ｓ２が、半径ＩＪＲの２乗と円周率とを乗じた面積よりも大きくなっている。これにより、面積Ｓ１よりも面積Ｓ２の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下される確率が高まる。その結果、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｕ、３３Ｖとで囲む空間に気泡が残る可能性が抑制される。
【００８５】
面積Ｓ２が面積Ｓ１よりも大きいと、検出電極ＴＤＬの１つの網目が囲む空間が接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３Ｕ、３３Ｖとで囲む空間よりも保護層３８となる絶縁材料で満たされる。検出電極ＴＤＬ全体に対して、端部領域１０ｃよりも検出電極ＴＤＬの網目の占める面積（主検出領域１０ｄの面積）が大きいので、保護層３８の平坦性に影響を与えにくくなる。
【００８６】
（実施形態１の変形例１）
次に、実施形態１の変形例１に係る検出装置について説明する。図１５は、実施形態１の変形例１に係る検出電極の平面図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００８７】
図１５に示すように、実施形態１の変形例１の検出電極ＴＤＬにおいて、導電性細線３３ａが方向Ｄｙの方向に延びている。接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｕ、３３Ｖとで囲む面積Ｓ２は、以下の式（６）で求めることができる。なお、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘと接続配線３４ａとの最短距離が距離Ｐ４である。距離Ｐ５は、上述した距離ｐ２の１／２の距離である。
【００８８】
Ｓ２＝Ｐ１×Ｐ４＋Ｐ１×Ｐ５×１／２＝Ｐ１×Ｐ４＋Ｐ１×Ｐ２×１／２×１／２  ・・・（６）
【００８９】
式（２）と式（６）から、面積Ｓ２が面積Ｓ１よりも大きくなるように距離Ｐ４の長さが定まれば、面積Ｓ２の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下される確率が高まる。その結果、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｕ、３３Ｖとで囲む空間に気泡が残る可能性が抑制される。例えば、距離Ｐ４の長さは、距離（Ｐ２×１／２）以上とすればよい。
【００９０】
（実施形態１の変形例２）
次に、実施形態１の変形例２に係る検出装置について説明する。図１６は、実施形態１の変形例２に係る検出電極の平面図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００９１】
図１６に示すように、実施形態１の変形例２の検出電極ＴＤＬにおいて、１つの網目となる導電性細線３３Ｑは、直径ＰＱの円形である。導電性細線３３Ｑが囲む面積Ｓ１は、以下の式（７）で求めることができる。
【００９２】
Ｓ１＝π×（ＰＱ×１／２）２  ・・・（７）
【００９３】
３つの導電性細線３３Ｑ同士が囲む領域は、導電性細線３３Ｑの円形内の領域とスリット３３ｓで繋がっている。３つの導電性細線３３Ｑ同士が囲む領域の面積Ｓ４は、導電性細線３３Ｑが囲む面積Ｓ１よりも小さくなる。面積Ｓ４の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下されない場合でも、スリット３３ｓを通じて、導電性細線３３Ｑの円形内の領域から保護層３８となる絶縁材料が充填される。その結果、面積Ｓ４の中に気泡が残る可能性が抑制される。
【００９４】
接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｑとで囲む面積Ｓ２が面積Ｓ１よりも大きくなるようにすれば、面積Ｓ２の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下される確率が高まる。その結果、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｑとで囲む空間に気泡が残る可能性が抑制される。
【００９５】
（実施形態１の変形例３）
次に、実施形態１の変形例３に係る検出装置について説明する。図１７は、実施形態１の変形例３に係る検出電極の平面図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００９６】
図１７に示すように、実施形態１の変形例３の検出電極ＴＤＬは、方向Ｄａへ延びる少なくとも１つの第１の導電性細線３３Ａと、方向Ｄｂへ延びる少なくとも１つの第２の導電性細線３３Ｂと、方向Ｄｃへ延びる少なくとも１つの第３の導電性細線３３Ｃと、を含む。なお、実施形態１の変形例３において、方向Ｄａは、方向Ｄｙと平行な方向である。導電性細線３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃ、３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃで囲まれる１つの網目の形状は、６角形である。検出電極ＴＤＬの１つの網目が囲む形状は、６角形に限られず、４以上の角を有する多角形であればよい。
【００９７】
接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｂ、３３Ｃとで囲む面積Ｓ２が導電性細線３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃ、３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃで囲まれる面積Ｓ１よりも大きくなるようにすれば、面積Ｓ２の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下される確率が高まる。その結果、接続配線３４ａ（又は接続配線３４ｂ）と導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｂ、３３Ｃとで囲むで囲む空間に気泡が残る可能性が抑制される。
【００９８】
（実施形態２）
図１８は、実施形態２に係るタッチ検出機能付き表示装置の一例を模式的に示す平面図である。図１９は、実施形態２に係る検出電極を部分的に拡大して模式的に示す平面図である。図２０は、実施形態２に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【００９９】
実施形態１において、タッチ検出機能付き表示部１０の駆動電極ＣＯＭＬは、表示装置２０の複数の画素電極２２に共通の電位を与える共通電極として機能するとともに、検出装置３０の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。これに対して、実施形態２のタッチ検出機能付き表示装置１Ｂは、表示装置２０の上に検出装置３０を装着しており、検出装置３０は自己静電容量方式による静電容量の検出を行う。
【０１００】
図１８に示すように、実施形態２の検出電極ＴＤＬＡは、行列配置された複数の小電極部ＴＡを含む。複数の小電極部ＴＡは、表示領域１０ａの短辺に沿った方向に延出する複数の導電性細線３３Ｕと、導電性細線３３Ｖとを有する。導電性細線３３Ｕと、導電性細線３３Ｖとは、網状に配置され、表示領域１０ａの一辺と平行な直線を対称軸とする線対称な形状である。導電性細線３３Ｕと、導電性細線３３Ｖとは、表示領域１０ａの長辺に沿った方向に交互に配列されており、表示領域１０ａのほぼ全面に網目状の金属配線が形成される。
【０１０１】
図１９に示すように、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、点線５１ａに示す箇所及び点線５１ｂに示す箇所に設けられたスリットで電気的に分離される。一つの小電極部ＴＡは、隣り合う小電極部ＴＡの導電性細線３３Ｕ、３３Ｖと電気的に分離され、島状に配置されている。言い換えると、複数の小電極部ＴＡは、互いに離隔してマトリックス状に配置される。
【０１０２】
複数の小電極部ＴＡは、それぞれ額縁領域１０ｂに設けられた配線３７Ａを介して、フレキシブルプリント基板７１に接続される。複数の小電極部ＴＡは、それぞれ検出電極として機能する。本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｂは、複数の小電極部ＴＡの自己静電容量に基づいて、外部からの導体の接触または近接を検出することができる。複数の小電極部ＴＡは、それぞれ静電容量タッチセンサを構成し、表示領域１０ａにおいてマトリックス状に配置されているため、検出装置３０のタッチ検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触または近接が生じた位置の検出が可能となっている。
【０１０３】
次に、図２１、図２２及び図２３を参照して、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｂの自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図２１は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接していない状態を表す説明図である。図２２は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接した状態を表す説明図である。図２３は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図２１及び図２２は、検出回路を併せて示している。
【０１０４】
図２１に示すように、指が接触または近接していない状態において、検出電極Ｅ２に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。検出電極Ｅ２は、静電容量Ｃ３を有しており、静電容量Ｃ３に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ４（図２３参照））に変換する。
【０１０５】
次に、図２２に示すように、指が接触または近接した状態において、指とタッチ検出との間の静電容量Ｃ４が、検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３に加わる。したがって、検出電極Ｅ２に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ３及びＣ４に応じた電流が流れる。図２３に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ５）に変換する。そして、得られた波形Ｖ４及び波形Ｖ５の電圧値をそれぞれ積分し、これらの値を比較することで、検出電極Ｅ２への、指の接触または近接の有無を判別することができる。なお、図２３では、波形Ｖ４と波形Ｖ５について、所定の基準電圧に低下するまでの期間を求めて、これらの期間を比較する等の方法であってもよい。
【０１０６】
具体的には、図２１及び図２２に示すように、検出電極Ｅ２はスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２で切り離すことが可能な構成となっている。図２３において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ０に相当する電圧レベルを上昇させる。このときスイッチＳＷ１はオンしておりスイッチＳＷ２はオフしている。このため検出電極Ｅ２の電圧も電圧Ｖ０に上昇する。次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ２はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３（図２１参照）、あるいは検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３に指等の接触または近接よる静電容量Ｃ４を加えた容量（Ｃ３＋Ｃ４、図２２参照）によって、検出電極Ｅ２の電位はＶ０が維持される。さらに、時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ３をオンさせ所定の時間経過後にオフさせ電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。このリセット動作により出力電圧は基準電圧Ｖｒｅｆと略等しい電圧となる。
【０１０７】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、電圧検出器ＤＥＴの反転入力部が検出電極Ｅ２の電圧Ｖ０となり、その後、検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）と電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５の時定数に従って電圧検出器ＤＥＴの反転入力部は基準電圧Ｖｒｅｆまで低下する。このとき、検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（Ｖｄｅｔ２）。電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２）は、検出電極Ｅ２に指等が近接していないときは、実線で示す波形Ｖ４となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃ３×Ｖ０／Ｃ５となる。指等の影響による容量が付加されたときは、点線で示す波形Ｖ５となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃ３＋Ｃ４）×Ｖ０／Ｃ５となる。
【０１０８】
その後、検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）の電荷が容量Ｃ５に十分移動した後の時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ２の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。なお、このとき、スイッチＳＷ１をオンさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ０２以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器ＤＥＴをリセットさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ１２以前であればいずれのタイミングとしてもよい。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。波形Ｖ４と波形Ｖ５との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。なお、検出電極Ｅ２の電位は、図２３に示すように、指等が近接していないときはＶ２の波形となり、指等の影響による静電容量Ｃ４が付加されるときはＶ３の波形となる。波形Ｖ２と波形Ｖ３とが、それぞれ所定の電圧ＶＴＨまで下がる時間を測定することにより外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することも可能である。
【０１０９】
本実施形態において、検出装置３０は、図１に示す駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｘに従って、複数の小電極部ＴＡにそれぞれ電荷が供給され、自己静電容量方式によるタッチ検出を行う。複数の小電極部ＴＡはそれぞれ検出信号Ｖｄｅｔ２をタッチ検出部４０に出力し、タッチ検出部４０がタッチ入力の有無及び入力位置の座標の演算を行う。
【０１１０】
次に、本実施形態の検出電極ＴＤＬＡの詳細な構成について説明する。なお、図１９では、図１０に示す副画素ＳＰｉｘの配列方向と直交する方向（走査信号線ＧＣＬの延在方向）を方向Ｄｘとし、副画素ＳＰｉｘの配列方向（画素信号線ＳＧＬの延在方向）を方向Ｄｙとして示している。
【０１１１】
図１９に示すように、本実施形態に係る検出電極ＴＤＬＡは、小電極部ＴＡ１１、ＴＡ２１、ＴＡ１２、ＴＡ２２を含む。小電極部ＴＡ１１は、複数の導電性細線３３Ｕと複数の導電性細線３３Ｖとを含む。複数の導電性細線３３Ｕと複数の導電性細線３３Ｖとは、交互に並べられ結合されて網状に構成されている。複数の導電性細線３３Ｕと複数の導電性細線３３Ｖとは同じ材料で形成され、上述の金属材料が用いられる。
【０１１２】
複数の導電性細線３３Ｕ及び複数の導電性細線３３Ｖは、導電性細線３３Ｕの屈曲部と、導電性細線３３Ｖの屈曲部とが結合されて、交差部の電気的接続部３３ｘを形成する。複数の導電性細線３３Ｕと複数の導電性細線３３Ｖとは、交差部の電気的接続部３３ｘで導通している。小電極部ＴＡ２１、ＴＡ１２、ＴＡ２２も、小電極部ＴＡ１１と同様の構成を有する。
【０１１３】
小電極部ＴＡ１１は、表示領域配線部ＴＢ１１によって、額縁領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ１に結合されている。表示領域配線部ＴＢ１１は、小電極部ＴＡ１１の接続配線３４ｂから額縁領域１０ｂまで方向Ｄｘに延在する。小電極部ＴＡ１２は、小電極部ＴＡ１２から額縁領域１０ｂまで方向Ｄｘに延在する表示領域配線部ＴＢ１２によって、額縁領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ３に結合されている。表示領域配線部ＴＢ１２は、小電極部ＴＡ１２の接続配線３４ｂから額縁領域１０ｂまで方向Ｄｘに延在する。
【０１１４】
小電極部ＴＡ２１は、表示領域１０ａの端部に位置するので、小電極部ＴＡ２１を構成する導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、額縁領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ２に接続配線３４ｂを介して結合されている。同様に、小電極部ＴＡ２２を構成する導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、小電極部ＴＡ２２が表示領域１０ａの端部に位置するので、額縁領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ４に接続配線３４ｂを介して結合されている。端子部ＴＥ１からＴＥ４は、図１８に示す配線３７Ａとそれぞれ接続される。
【０１１５】
また、図１９に示すように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｂは、複数のダミー電極ＴＤＤを有している。ダミー電極ＴＤＤは、検出電極として機能しない電極であり、各小電極部ＴＡ１１、小電極部ＴＡ２１、小電極部ＴＡ１２、小電極部ＴＡ２２、端子部ＴＥ１からＴＥ４、表示領域配線部ＴＢ１１、ＴＢ２２と、離隔して配置される。
【０１１６】
ダミー電極ＴＤＤは、導電性細線３３Ｕと略同一形状を有する導電性細線、導電性細線３３Ｖと略同一形状を有する導電性細線を有している。これにより、タッチ検出機能付き表示装置１Ｂは、検出電極ＴＤＬＡが配置される領域と、そうでない領域との遮光性の差が小さくなるので、検出電極ＴＤＬＡが視認されやすくなる可能性を低減できる。
【０１１７】
本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｂは、検出電極ＴＤＬＡの自己静電容量に基づいてタッチ検出を行う。このため、図２０に示すように、ＴＦＴ基板２１の上に、駆動電極ＣＯＭＬ（図９参照）に替えて共通電極２３が設けられている。共通電極２３は、表示装置２０の複数の画素電極２２に共通の電位を与えるための電極であり、ＴＦＴ基板２１の上に透光性導電酸化物の導電層のベタ膜が連続して設けられている。
【０１１８】
本実施形態においても、表示動作と、自己静電容量方式によるタッチ検出動作とを時分割で行ってもよい。タッチ検出期間において、検出電極ＴＤＬＡは駆動信号として交流矩形波Ｓｇが供給される。共通電極２３は、タッチ検出期間において、電圧信号を印加せず、電位が固定されていないフローティングとしてもよい。また、制御部１１は、駆動信号の交流矩形波Ｓｇと同レベルの電圧信号を駆動信号と同時に共通電極２３へ印加して、共通電極２３をアクティブシールドとして駆動してもよい。
【０１１９】
なお、実施形態２において、共通電極２３に替えてＴＦＴ基板２１側に駆動電極ＣＯＭＬ（図９参照）を設けて、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬＡとの相互静電容量に基づいてタッチ検出を行ってもよい。
【０１２０】
図１９に示す実施形態２に係る検出電極ＴＤＬＡにおいて、単位面積当たりに占める導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの密度は、検出電極ＴＤＬＡの主検出領域１０ｄ全体よりも、接続配線３４ａ、３４ｂのそれぞれに繋がる検出電極ＴＤＬＡの端部領域１０ｃで小さくなっている。そこで、実施形態２においても面積Ｓ２が面積Ｓ１よりも大きくなる。これにより、面積Ｓ１よりも面積Ｓ２の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下される確率が高まる。その結果、接続配線３４ａ又は接続配線３４ｂと、導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｕ、３３Ｖとで囲む空間に気泡が残る可能性が抑制される。なお、実施形態２に示すように、接続配線３４ａ又は接続配線３４ｂは、表示領域１０ａにあってもよい。
【０１２１】
（実施形態３）
図２４は、実施形態３に係るタッチ検出機能付き表示装置の一例を模式的に示す平面図である。図２５は、実施形態３に係る検出電極を拡大して模式的に示す平面図である。図２６は、図２５のＢ−Ｂ線で切断して矢印方向からみたときの模式断面図である。図２７は、実施形態３に係る検出装置の概略断面構造を表す断面図である。
【０１２２】
図２４に示すように、本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｃにおいて、基板３１と平行な同一面上に、駆動電極ＣＯＭＬＢ及び検出電極ＴＤＬＢが設けられている。
【０１２３】
検出電極ＴＤＬＢは、複数の小電極部ＴＤを含む。小電極部ＴＤの外形は、平行四辺形であり、複数の小電極部ＴＤが表示領域１０ａの一辺に沿った方向に配列される。表示領域１０ａの一辺に沿った方向に配列された複数の小電極部ＴＤ同士は、ブリッジ部５２によって接続される。図２７に示すように、検出電極ＴＤＬＢ及び駆動電極ＣＯＭＬＢの上に保護層３８が設けられており、ブリッジ部５２は、保護層３８の上に設けられている。検出電極ＴＤＬＢとブリッジ部５２とは、異なる層に設けられており、保護層３８に設けられたスルーホール３８ａを通して電気的に接続される。ブリッジ部５２は、さらに保護層３８ｂで覆われ腐食などから保護される。保護層３８ｂの材料は、上述した保護層３８の材料と同様である。
【０１２４】
１本の検出電極ＴＤＬＢは、ブリッジ部５２によって接続された複数の小電極部ＴＤの列で形成される。そして、複数本の検出電極ＴＤＬＢが、表示領域１０ａの他辺に沿った方向に配列される。
【０１２５】
駆動電極ＣＯＭＬＢは、複数の小電極部ＴＣを含む。小電極部ＴＣは、検出電極ＴＤＬＢの小電極部ＴＤと略等しい平面形状の平行四辺形である。複数の小電極部ＴＣは、表示領域１０ａの他辺に沿った方向に配列され、ブリッジ部５２と重畳する位置で互いに接続されている。１本の駆動電極ＣＯＭＬＢは、表示領域１０ａの他辺に沿った方向に配列された複数の小電極部ＴＣによって形成される。そして、複数本の駆動電極ＣＯＭＬＢが、表示領域１０ａの一辺に沿った方向に配列される。
【０１２６】
図２５に示すように、検出電極ＴＤＬＢ及び駆動電極ＣＯＭＬＢは、複数の導電性細線３３Ｕと、導電性細線３３Ｖとを有する。導電性細線３３Ｕと、導電性細線３３Ｖとは、網状に配置され、表示領域１０ａの一辺と平行な直線を対称軸とする線対称な形状である。導電性細線３３Ｕと、導電性細線３３Ｖとは、表示領域１０ａの長辺に沿った方向に交互に配列されており、表示領域１０ａのほぼ全面に網目状の金属配線が形成される。
【０１２７】
図２５に示すように、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖは、点線５１ｃ、５１ｄに沿った位置に設けられたスリットにより、電気的に分離される。検出電極ＴＤＬＢの小電極部ＴＤ及び駆動電極ＣＯＭＬＢの小電極部ＴＣは、導電性細線３３Ｕと、導電性細線３３Ｖとを含む。
【０１２８】
検出電極ＴＤＬＢは、表示領域１０ａの一辺側で配線３７Ｂと接続される。また、駆動電極ＣＯＭＬＢは、表示領域１０ａの他辺側で配線３７Ｂと接続される。配線３７Ｂは、額縁領域１０ｂに設けられて、検出電極ＴＤＬＢとフレキシブルプリント基板７１とを接続し、検出電極ＴＤＬＢ及び駆動電極ＣＯＭＬＢとフレキシブルプリント基板７１とを接続する。
【０１２９】
本実施形態のタッチ検出機能付き表示装置１Ｃは、検出電極ＴＤＬＢと駆動電極ＣＯＭＬＢとの相互静電容量に基づいて、外部の導体が接近または近接する位置の検出を行う。検出装置３０は、上述の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に従ってタッチ入力を検出するようになっている。
【０１３０】
次に、本実施形態の検出電極ＴＤＬＢ及び駆動電極ＣＯＭＬＢの詳細な構成について説明する。図２５に示すように、検出電極ＴＤＬＢは、小電極部ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３を含む。駆動電極ＣＯＭＬＢは、小電極部ＴＣ１、ＴＣ２を含む。
【０１３１】
小電極部ＴＣ１において、複数の導電性細線３３Ｕ及び複数の導電性細線３３Ｖは、導電性細線３３Ｕの屈曲部と、導電性細線３３Ｖの屈曲部とが結合されて、交差部の電気的接続部３３ｘを形成する。複数の導電性細線３３Ｕと複数の導電性細線３３Ｖとは、交差部の電気的接続部３３ｘで導通している。小電極部ＴＣ２、及び検出電極ＴＤＬＢの小電極部ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３も、小電極部ＴＣ１と同様の構成を有する。
【０１３２】
図２５に示すように、ブリッジ部５２は、駆動電極ＣＯＭＬＢと間隔を有して上方に配置されている。検出電極ＴＤＬＢの小電極部ＴＤ１及び小電極部ＴＤ２は、それぞれ、スルーホール３８ａ内の接続電極５２ａによってブリッジ部５２と接続されている。これにより、小電極部ＴＤ１と小電極部ＴＤ２とは、ブリッジ部５２を介して接続される。なお、ブリッジ部５２は、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、接続電極５２ａは、ブリッジ部５２と同じ材料により、同一工程で形成することができる。また、ブリッジ部５２及び接続電極５２ａは、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの材料として上述した材料を用いてもよい。
【０１３３】
図２６及び図２７に示すようにブリッジ部５２は、絶縁材料の保護層３８ｂで覆われている。図２５に示すように、ブリッジ部５２は、平面視で少なくとも１つの凸部５２Ｐを備えている。ブリッジ部５２が面内に点在するため、保護層３８ｂとなる絶縁材料の液滴が広がりブリッジ部５２に当たると、絶縁材料の広がりが部分的に堰き止められ、むらとなる可能性がある。凸部５２Ｐは、保護層３８ｂとなる絶縁材料の液滴の広がりに流れを与え、ブリッジ部５２の周囲にも保護層３８ｂが充填されやすくなる。
【０１３４】
複数の凸部５２Ｐは、ブリッジ部５２から放射状に延びる形状であることがより好ましい。この構造は、保護層３８ｂとなる絶縁材料の液滴の広がりに流れを与えることができる。以上、ブリッジ部５２は、複数の小電極部ＴＤを接続する例を説明したが、ブリッジ部５２は、複数の小電極部ＴＣを接続する態様で使用してもよい。
【０１３５】
実施形態３においては、小電極部ＴＤ１、ＴＤ２、保護層３８、ブリッジ部５２の順に積層されている。ブリッジ部５２は、小電極部ＴＤ１、ＴＤ２とは異なる層に積層されていればよい。このため、実施形態３の変形例としては、ブリッジ部５２、保護層３８、小電極部ＴＤ１、ＴＤ２の順に積層されていてもよい。この場合、ブリッジ部５２は、小電極部ＴＤ１、ＴＤ２の下にそれぞれ接続されるスルーホールを介して、保護層３８を介して隣り合う小電極部ＴＤ１、ＴＤ２とにそれぞれ接続するようになる。
【０１３６】
隣接する小電極部ＴＤ２と小電極部ＴＣ１とは、図２５の点線５１ｃ、５１ｄに示す箇所で、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖに設けられたスリットにより電気的に分離される。同様に、隣接する小電極部ＴＤ２とＴＣ２とは、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖに設けられたスリットにより電気的に分離される。このようにして、各小電極部ＴＤと各小電極部ＴＣとが分離されて、検出電極ＴＤＬＢの小電極部ＴＤと、小電極部ＴＤと隣り合う駆動電極ＣＯＭＬＢの小電極部ＴＣとの間に静電容量が形成される。
【０１３７】
本実施形態において、基板３１と平行な同一面上に検出電極ＴＤＬＢ及び駆動電極ＣＯＭＬＢが設けられている。このため、図２７に示すように、ＴＦＴ基板２１の上に、駆動電極ＣＯＭＬ（図９参照）に替えて共通電極２３が設けられている。共通電極２３は、表示装置２０の複数の画素電極２２に共通の電位を与えるための電極であり、ＴＦＴ基板２１の上に透光性導電酸化物の導電層のベタ膜が連続して設けられている。
【０１３８】
図２４に示す実施形態３に係る検出電極ＴＤＬＢにおいて、単位面積当たりに占める導電性細線３３Ｕ、３３Ｖの密度は、検出電極ＴＤＬＢの主検出領域１０ｄ全体よりも、接続配線３４ａ、３４ｂのそれぞれに繋がる検出電極ＴＤＬＢの端部領域１０ｃで小さくなっている。そこで、実施形態３においても面積Ｓ２が面積Ｓ１よりも大きくなる。これにより、面積Ｓ１よりも面積Ｓ２の中に、保護層３８となる絶縁材料の微小な液滴が滴下される確率が高まる。その結果、接続配線３４ａ又は接続配線３４ｂと、導電性細線３３ａ、３３ａ、３３Ｕ、３３Ｖとで囲む空間に気泡が残る可能性が抑制される。
【０１３９】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０１４０】
例えば、導電性細線３３Ｕ、３３Ｖ、３３Ｑ、３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃの形状、ライン幅、スペース幅は、適宜変更することができる。また、導電性細線３３Ｕと導電性細線３３Ｖとは、方向Ｄｙと平行な直線を対称軸として線対称であるが、これに限定されず非対称の形状であってもよい。
【０１４１】
実施形態２では、検出電極ＴＤＬＡと同一平面上にダミー電極ＴＤＤを設けているが、実施形態１及び実施形態３のタッチ検出機能付き表示装置１、１Ｃにおいても、ダミー電極ＴＤＤを設けてもよい。例えば、図８に示す、隣り合う導電性細線３３Ｕ、３３Ｖ同士の間にダミー電極ＴＤＤを配置してもよく、または、隣り合う検出電極ＴＤＬ同士の間にダミー電極ＴＤＤを配置してもよい。また、上述した点線５１ａ、５１ｂ、点線５１ｃ、５１ｄに沿った位置に設けられたスリットには、ダミー電極ＴＤＤを配置してもよい。
【０１４２】
上述した各実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１４３】
１、１Ｂ、１Ｃ  タッチ検出機能付き表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  タッチ検出機能付き表示部
１０ａ  表示領域
１０ｂ  額縁領域
１１  制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
２０  表示装置
２１  ＴＦＴ基板
２２  画素電極
３０  検出装置
３１  基板
３２  カラーフィルタ
３３ａ  導電性細線
３３ｓ  スリット
３３ｘ  電気的接続部
３７、３７Ａ、３７Ｂ  配線
３８  保護層
４０  タッチ検出部（検出部）
４２  検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
５２  ブリッジ部
ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬＢ  駆動電極
ＧＣＬ  走査信号線
Ｐｉｘ  画素
ＳＧＬ  画素信号線
ＳＰｉｘ  副画素
ＴＡ、ＴＡ１１、ＴＡ１２、ＴＡ２１、ＴＡ２２、ＴＣ、ＴＣ１，ＴＣ２、ＴＤ、ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３  小電極部
ＴＤＬ、ＴＤＬＡ、ＴＤＬＢ  検出電極
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
Ｖｃｏｍ、Ｖｘ  駆動信号
Ｖｄｅｔ、Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２  検出信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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