(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を変調して反射する反射面を形成する変調単位が第１方向に沿って複数配列されてなる回折型空間光変調器を検査する検査方法であって、
（ａ）  複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第１反射光量値分布を取得する工程と、
（ｂ）  前記反射領域のうち、前記第１方向に延びる領域であって、かつ、前記第１方向に直交する第２方向において前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する工程と、
（ｃ）  前記第１反射光量値分布に基づき、前記線状領域における光量値に関する特性情報を取得する工程と、
を含む、検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の検査方法において、
前記（ｃ）工程は、前記線状領域を、複数の変調単位に対応する領域を１つのセルに区画することによって、前記線状領域を複数のセルに分割し、前記第１反射光量値分布に基づき、前記セル毎の光量値に関する特性情報を取得する工程を含む、検査方法。
【請求項３】
請求項２に記載の検査方法において、
前記（ｃ）工程にて取得される前記特性情報が、前記セルの平均反射光量値が予め規定された理想光量値を越えるか否かを示す情報を含む、検査方法。
【請求項４】
請求項３に記載の検査方法において、
（ｄ）  前記線状領域に含まれる複数の前記セルのうち、前記理想光量値を越える前記セルの割合を示す割合情報を生成する工程、
をさらに含む、検査方法。
【請求項５】
請求項４に記載の検査方法において、
前記（ｂ）工程は、前記反射領域を前記第２方向に複数の短冊状の領域に分割し、当該領域のそれぞれを前記線状領域とする工程であり、
（ｅ）  前記（ｄ）工程にて生成された前記複数の線状領域毎の前記割合情報に基づき、前記割合の大きい順序を示す順序情報を生成する工程、
をさらに含む、検査方法。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の検査方法において、
（ｆ）前記（ｃ）工程にて取得される前記特性情報が、前記線状領域の反射光量値分布を示す情報を含んでおり、当該線状領域の反射光量値分布に基づき、当該線状領域において基準光量値を下回る箇所の存否を判定する工程、
をさらに含む、検査方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の検査方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ−１）  前記（ａ）工程にて取得した前記第１反射光量値分布を画像化した反射光量値分布画像を生成し、表示部に表示する工程、
を含む、検査方法。
【請求項８】
請求項７に記載の検査方法であって、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ−２）  前記（ｂ−１）工程にて前記表示部に表示された前記第１反射光量値分布画像上に、前記線状領域の位置を示す代表線を表示する工程と、
（ｂ−３）  所定の操作入力に基づいて、前記代表線の位置の変更を受け付ける工程と、
（ｂ−４）  前記（ｂ−３）工程で受け付けた変更後の前記代表線の位置に基づいて、前記線状領域を改めて規定する工程と、
を含み、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ−１）  前記第１反射光量値分布に基づき、前記（ｂ−４）工程にて規定された前記線状領域についての前記特性情報を、前記表示部に表示する工程、
を含む、検査方法。
【請求項９】
請求項８に記載の検査方法であって、
前記（ｂ−２）工程は、前記表示部に表示された前記第１反射光量値分布画像上に、前記第２方向に所定間隔を設けて配置される複数の前記線状領域を示す複数の前記代表線を表示する工程である、検査方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の検査方法であって、
（ｇ）  前記（ａ）工程の後、前記反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第２反射光量値分布を再取得する工程と、
（ｈ）  前記（ａ）工程で取得された前記第１反射光量値分布と、前記（ｇ）工程で取得された前記第２反射光量値分布を比較する工程と、
を含む、検査方法。
【請求項１１】
入射光を変調して反射する反射面を形成する変調単位が第１方向に沿って複数配列されてなる回折型空間光変調器を検査する検査装置であって、
複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の第１反射光量値分布を取得する反射光量値分布取得部と、
前記反射領域のうち、前記第１方向に延びる領域であって、かつ、前記第１方向に直交する第２方向に前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する線状領域規定部と、
前記第１反射光量値分布に基づき、前記線状領域における反射光量値に関する特性情報を取得する特性情報取得部と、
を備える、検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回折型空間光変調器を検査する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に塗布された感光材料に回路などのパターンを形成するにあたって、光源から出射された光に、パターンを表すパターンデータに応じた空間変調を施し、当該空間変調された光で基板上の感光材料を走査する、マスクを使用しない直描型の描画装置（直描装置）が、近年注目されている。
【０００３】
空間光変調器として、回折型のリボン回折素子であるＧＬＶ（Ｇｒａｔｉｎｇ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ）（シリコン・ライト・マシーンズ（サンノゼ、カリフォルニア）の登録商標）が知られている。当該回折型空間光変調器は、固定反射面を有する固定リボン、及び、固定反射面に対して可動な可動反射面を有する可動リボンの組で構成される光変調素子が、所定の方向に沿って複数配列されることによって構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この回折型空間光変調器では、各光変調素子の可動リボンに電圧が印加されることによって、その可動反射面が固定反射面に対して凹んだ位置に移動する。この凹みの大きさは、各可動リボンに印加する電圧量によって調整可能とされている。各光変調素子は、凹みの大きさに応じて、入射した光を０次光または０次以外の次数の回折光に切り換えることで、反射光の光量（反射光量）を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１４０３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
直描装置の組み立て完了後、レーザーユニットなどの光源から照明光学系を通って回折型空間光変調器の反射面に対して、ビームの入射位置を調整する作業が行われる。従来は、作業者が繰り返し照明光学系を調整しながら反射光量値を取得し、もっとも反射光量値が高く且つ安定している領域、即ち反射性能が高い領域が探索されていた。
【０００７】
また、反射面の同位置に継続的にビームが照射されると、劣化等によって、反射光量が経時的に変化する場合がある。このため、回折型空間光変調器では、一般的に、ビームの入射位置を、上記配列方向に垂直な方向（各光変調素子が延びる方向）にずらして、再び使用を継続することが実施されている。このように、回折型空間光変調器では、入射位置をずらして使用することが想定されるため、複数の候補領域を決定する場合もあった。
【０００８】
しかしながら、反射性能が高い領域を探索する作業は、各作業者のスキルに委ねられる部分が大きかった。このため、作業者のスキルによって、決定されるビーム入射位置がばらつくおそれがあった。
【０００９】
そこで、本発明は、回折型空間光変調器の反射面において、反射性能に優れた領域の探索を容易にする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するため、第１の態様は、入射光を変調して反射する反射面を形成する変調単位が第１方向に沿って複数配列されてなる回折型空間光変調器を検査する検査方法であって、（ａ）複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第１反射光量値分布を取得する工程と、（ｂ）前記反射領域のうち、前記第１方向に延びる領域であって、かつ、前記第１方向に直交する第２方向において前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する工程と、（ｃ）前記第１反射光量値分布に基づき、前記線状領域における光量値に関する特性情報を取得する工程とを含む。
【００１１】
また、第２の態様は、第１の態様に係る検査方法において、前記（ｃ）工程は、前記線状領域を、複数の変調単位に対応する領域を１つのセルに区画することによって、前記線状領域を複数のセルに分割し、前記第１反射光量値分布に基づき、前記セル毎の光量値に関する特性情報を取得する工程を含む。
【００１２】
また、第３の態様は、第２の態様に係る検査方法において、前記（ｃ）工程にて取得される前記特性情報が、前記セルの平均反射光量値が予め規定された理想光量値を越えるか否かを示す情報を含む。
【００１３】
また、第４の態様は、第３の態様に係る検査方法において、（ｄ）前記線状領域に含まれる複数の前記セルのうち、前記理想光量値を越える前記セルの割合を示す割合情報を生成する工程、をさらに含む。
【００１４】
また、第５の態様は、第４の態様に係る検査方法において、前記（ｂ）工程は、前記反射領域を前記第２方向に複数の短冊状の領域に分割し、当該領域のそれぞれを前記線状領域とする工程であり、（ｅ）前記（ｄ）工程にて生成された前記複数の線状領域毎の前記割合情報に基づき、前記割合の大きい順序を示す順序情報を生成する工程、をさらに含む。
【００１５】
また、第６の態様は、第２から第５の態様のいずれか１態様に係る検査方法において、（ｆ）前記（ｃ）工程にて取得される前記特性情報が、前記線状領域の反射光量値分布を示す情報を含んでおり、当該線状領域の反射光量値分布に基づき、当該線状領域において基準光量値を下回る箇所の存否を判定する工程、をさらに含む。
【００１６】
また、第７の態様は、第１から第６の態様のいずれか１態様に係る検査方法において、前記（ｂ）工程は、（ｂ−１）前記（ａ）工程にて取得した前記第１反射光量値分布を画像化した反射光量値分布画像を生成し、表示部に表示する工程、を含む。
【００１７】
また、第８の態様は、第７の態様に係る検査方法であって、前記（ｂ）工程は、（ｂ−２）前記（ｂ−１）工程にて前記表示部に表示された前記第１反射光量値分布画像上に、前記線状領域の位置を示す代表線を表示する工程と、（ｂ−３）所定の操作入力に基づいて、前記代表線の位置の変更を受け付ける工程と、（ｂ−４）前記（ｂ−３）工程で受け付けた変更後の前記代表線の位置に基づいて、前記線状領域を改めて規定する工程とを含み、前記（ｃ）工程は、（ｃ−１）前記第１反射光量値分布に基づき、前記（ｂ−４）工程にて規定された前記線状領域についての前記特性情報を、前記表示部に表示する工程、を含む。
【００１８】
また、第９の態様は、第８の態様に係る検査方法であって、前記（ｂ−２）工程は、前記表示部に表示された前記第１反射光量値分布画像上に、前記第２方向に所定間隔を設けて配置される複数の前記線状領域を示す複数の前記代表線を表示する工程である。
【００１９】
また、第１０の態様は、第１から第９の態様のいずれか１態様に係る検査方法であって、（ｇ）前記（ａ）工程の後、前記反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第２反射光量値分布を再取得する工程と、（ｈ）前記（ａ）工程で取得された前記第１反射光量値分布と、前記（ｇ）工程で取得された前記第２反射光量値分布を比較する工程と、を含む。
【００２０】
また、第１１の態様は、入射光を変調して反射する反射面を形成する変調単位が第１方向に沿って複数配列されてなる回折型空間光変調器を検査する検査装置であって、複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の第１反射光量値分布を取得する反射光量値分布取得部と、前記反射領域のうち、前記第１方向に延びる領域であって、かつ、前記第１方向に直交する第２方向に前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する線状領域規定部と、前記第１反射光量値分布に基づき、前記線状領域における反射光量値に関する特性情報を取得する特性情報取得部とを備える。
【発明の効果】
【００２１】
第１から第１１の態様によると、反射領域上にて規定される線状領域を変えることで、反射性能に優れた領域を容易に特定することができる。したがって、反射性能に優れた領域を容易に探索することができる。
【００２２】
また、第２の態様によると、複数の変調単位を１つのセルとし、セル単位で特性情報が取得される。このため、個々の変調単位の特性情報を圧縮できるため、反射性能に優れた領域の探索を高速に行うことができる。
【００２３】
また、第３の態様によると、各セルの平均光量値が理想光量値を越えるか否かを示す情報を取得することによって、理想的な反射性能を持つ領域を容易に探索することができる。
【００２４】
また、第４の態様によると、割合情報を生成することによって、反射性能がより優れた領域を容易に探索することができる。
【００２５】
また、第５の態様によると、短冊状に分割した複数の線状領域について、反射性能の優劣を把握することができる。したがって、パターン描画向けに光を照射するのに適した複数の領域を適切に決定できる。
【００２６】
また、第６の態様によると、基準光量値を下回る箇所の存否を判定することによって、使用に適さない領域を容易に検出することができる。
【００２７】
また、第７の態様によると、反射光量値分布画像を表示することによって、オペレータが使用に適した領域を把握しやすくなる。
【００２８】
また、第８の態様によると、代表線を移動させることで、線状領域が変更され、変更後の線状領域の特性情報が表示される。このため、反射性能が優れた領域を容易に探索することができる。
【００２９】
また、第９の態様によると、複数の線状領域を同時に規定することができるため、反射性能が優れた領域を探索しやすくなる。
【００３０】
また、第１０の態様によると、時間をおいて再び取得した反射光量値分布と、先に取得された反射光量値分布と比較することによって、回折型空間光変調器における反射面の劣化を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施形態に係る描画装置の構成を模式的に示す側面図である。
【図２】実施形態に係る描画装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】実施形態に係る露光ヘッドを模式的に示す図である。
【図４】可動リボンおよび固定リボンに対して垂直な面における複数の光変調素子の概略断面を示す概略断面図である。
【図５】実施形態に係る露光走査を説明するための概略平面図である。
【図６】実施形態に係る制御部の構成を示すブロック図である。
【図７】第１の候補領域探索処理の例を示す流れ図である。
【図８】変調面をラインビームで走査する様子を示す概略平面図である。
【図９】反射光量値分布画像の一例を示す図である。
【図１０】反射領域に対応する反射光量値分布画像上において定義された線状領域を示す図である。
【図１１】線状領域ＬＲ１における反射光量値分布を示す図である。
【図１２】線状領域ＬＲ３における反射光量値分布を示す図である。
【図１３】線状領域を複数のセルに分割する様子を説明するための図である。
【図１４】第２の候補領域探索処理の例を示す流れ図である。
【図１５】カーソル線の表示例を示す図である。
【図１６】カーソル線の位置に基づき、線状領域が設定される例を示す図である。
【図１７】反射面である変調面の劣化を検査する劣化検査処理を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【００３３】
＜１．描画装置１の全体構成＞
図１は、実施形態に係る描画装置１の構成を模式的に示す側面図である。図２は、実施形態に係る描画装置１の構成を模式的に示す平面図である。なお、図１および図２においては、説明の便宜上、カバーパネル１２の一部が図示省略されている。
【００３４】
描画装置１は、レジストなどの感光材料の層が形成された基板Ｗの上面に、ＣＡＤデータなどに応じて空間変調した光（描画光）を照射して、パターン（例えば、回路パターン）を露光（描画）する装置である。描画装置１で処理対象とされる基板Ｗは、例えば、半導体基板、プリント基板、液晶表示装置などに具備されるカラーフィルタ用基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置などに具備されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、太陽電池用パネル、などである。以下の説明では、基板Ｗが、円形の半導体基板であるものとする。
【００３５】
描画装置１は、本体フレーム１１で構成される骨格の天井面、床面、および、周囲面にカバーパネル１２が取り付けられた構成を備えている。本体フレーム１１とカバーパネル１２とが、描画装置１の筐体を形成する。描画装置１の筐体の内部空間（すなわち、カバーパネル１２で囲われる空間）は、受け渡し領域１３と処理領域１４とに区分されている。処理領域１４には、基台１５が配置されている。また、基台１５上には、門型の支持フレーム１６が設けられている。
【００３６】
描画装置１は、搬送装置２、プリアライメント部３、ステージ４、ステージ駆動機構５、ステージ位置計測部６、マーク撮像ユニット７、露光ユニット８、および、制御部９を備える。これら各構成要素は、描画装置１の筐体内部（すなわち、受け渡し領域１３、および、処理領域１４）、あるいは、筐体外部（すなわち、本体フレーム１１の外側の空間）に配置される。
【００３７】
＜搬送装置２＞
搬送装置２は、基板Ｗを搬送する。搬送装置２は、受け渡し領域１３に配置され、処理領域１４に対する基板Ｗの搬出入を行う。搬送装置２は、具体的には、例えば、基板Ｗを支持するための２本のハンド２１，２１と、ハンド２１，２１を独立に移動（進退移動および昇降移動）させるハンド駆動機構２２とを備える。
【００３８】
描画装置１の筐体外部であって、受け渡し領域１３に隣接する位置には、カセットＣを載置するためのカセット載置部１７が配置されている。搬送装置２は、カセット載置部１７に載置されたカセットＣに収容された未処理の基板Ｗを取り出して処理領域１４に搬入するとともに、処理領域１４から処理済みの基板Ｗを搬出してカセットＣに収容する。なお、カセット載置部１７に対するカセットＣの受け渡しは、外部搬送装置（図示省略）によって行われる。
【００３９】
＜プリアライメント部３＞
プリアライメント部３は、基板Ｗが後述するステージ４に載置されるのに先だって、当該基板Ｗの回転位置を粗く補正する処理（プリアライメント処理）を行う。プリアライメント部３は、例えば、回転可能に構成された載置台と、載置台に載置された基板Ｗの外周縁の一部に形成された切り欠き部（例えば、ノッチ、オリエンテーションフラットなど）の位置を検出するセンサと、載置台を回転させる回転機構とを含んで構成することができる。この場合、プリアライメント部３におけるプリアライメント処理は、まず、載置台に載置された基板Ｗの切り欠き部の位置をセンサで検出し、続いて、回転機構が、当該切り欠き部の位置が定められた位置となるように載置台を回転させることによって行われる。
【００４０】
＜ステージ４＞
ステージ４は、筐体内部に基板Ｗを保持する保持部である。ステージ４は、処理領域１４に配置された基台１５上に配置される。ステージ４は、具体的には、例えば、平板状の外形を有し、その上面に基板Ｗを水平姿勢に載置して保持する。ステージ４の上面には、複数の吸引孔（図示省略）が形成されており、この吸引孔に負圧（吸引圧）を形成することによって、ステージ４上に載置された基板Ｗをステージ４の上面に固定保持する。
【００４１】
＜ステージ駆動機構５＞
ステージ駆動機構５は、ステージ４を基台１５に対して移動させる。ステージ駆動機構５は、処理領域１４に配置された基台１５上に配置される。
【００４２】
ステージ駆動機構５は、具体的には、ステージ４を回転方向（Ｚ軸周りの回転方向（θ軸方向））に回転させる回転機構５１と、回転機構５１を介してステージ４を支持する支持プレート５２と、支持プレート５２を副走査方向（Ｘ軸方向）に移動させる副走査機構５３とを備える。ステージ駆動機構５は、さらに、副走査機構５３を介して支持プレート５２を支持するベースプレート５４と、ベースプレート５４を主走査方向（Ｙ軸方向）に移動させる主走査機構５５とを備える。
【００４３】
回転機構５１は、ステージ４の上面（基板Ｗの載置面）の中心を通り、当該載置面に垂直な回転軸Ａを中心としてステージ４を回転させる。回転機構５１は、例えば、上端が載置面の裏面側に固着され、鉛直軸に沿って延在する回転軸部５１１と、回転軸部５１１の下端に設けられ、回転軸部５１１を回転させる回転駆動部（例えば、回転モータ）５１２とを含む構成とすることができる。この構成においては、回転駆動部５１２が回転軸部５１１を回転させることにより、ステージ４が水平面内で回転軸Ａを中心として回転することになる。
【００４４】
副走査機構５３は、支持プレート５２の下面に取り付けられた移動子とベースプレート５４の上面に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ５３１とを有している。また、ベースプレート５４には、副走査方向に延びる一対のガイド部材５３２が敷設されており、各ガイド部材５３２と支持プレート５２との間には、ガイド部材５３２に摺動しながら当該ガイド部材５３２に沿って移動可能なボールベアリングが設置されている。つまり、支持プレート５２は、当該ボールベアリングを介して一対のガイド部材５３２上に支持される。この構成においてリニアモータ５３１を動作させると、支持プレート５２はガイド部材５３２に案内された状態で副走査方向に沿って滑らかに移動する。
【００４５】
主走査機構５５は、ベースプレート５４の下面に取り付けられた移動子と基台１５上に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ５５１を有している。また、基台１５には、主走査方向に延びる一対のガイド部材５５２が敷設されており、各ガイド部材５５２とベースプレート５４との間には例えばエアベアリングが設置されている。エアベアリングにはユーティリティ設備から常時エアが供給されており、ベースプレート５４は、エアベアリングによってガイド部材５５２上に非接触で浮上支持される。この構成においてリニアモータ５５１を動作させると、ベースプレート５４はガイド部材５５２に案内された状態で主走査方向に沿って摩擦なしで滑らかに移動する。
【００４６】
＜ステージ位置計測部６＞
ステージ位置計測部６は、ステージ４の位置を計測する。ステージ位置計測部６は、具体的には、例えば、ステージ４外からステージ４に向けてレーザ光を出射するとともにその反射光を受光する。ステージ位置計測部６は、当該反射光と出射光との干渉からステージ４の位置（具体的には、主走査方向に沿うＹ位置、および、回転方向に沿うθ位置）を計測する、干渉式のレーザ測長器を構成する。
【００４７】
＜マーク撮像ユニット７＞
マーク撮像ユニット７は、ステージ４に保持された基板Ｗの上面を撮像する光学機器である。マーク撮像ユニット７は、支持フレーム１６に支持される。マーク撮像ユニット７は、具体的には、例えば、鏡筒と、フォーカシングレンズと、ＣＣＤイメージセンサと、駆動部とを備える。鏡筒は、描画装置１の筐体外部に配置された照明ユニット（すなわち、撮像用の照明光（ただし、照明光としては、基板Ｗ上のレジストなどを感光させない波長の光が選択されている）を供給する照明ユニット）７００と、ファイバケーブルなどを介して接続されている。ＣＣＤイメージセンサは、エリアイメージセンサ（二次元イメージセンサ）などにより構成される。また、駆動部は、モータなどにより構成され、フォーカシングレンズを駆動してその高さ位置を変更する。駆動部が、フォーカシングレンズの高さ位置を調整することによって、オートフォーカスが行われる。
【００４８】
このような構成を備えるマーク撮像ユニット７においては、照明ユニット７００から出射される光が鏡筒に導入され、フォーカシングレンズを介して、ステージ４上の基板Ｗの上面に導かれる。そして、その反射光が、ＣＣＤイメージセンサで受光される。これによって、基板Ｗの上面の撮像データが取得される。この撮像データは、制御部９に送られて、基板Ｗのアライメント（位置合わせ）に供される。
【００４９】
＜露光ユニット８＞
露光ユニット８は、描画光を形成する光学装置である。描画装置１は、露光ユニット８を２個備える。もっとも、露光ユニット８の搭載個数は、必ずしも２個である必要はなく、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。
【００５０】
露光ユニット８は、露光ヘッド８０と、光源部８１とを備える。露光ヘッド８０は、変調ユニット８２と、投影光学系８３とを備える。光源部８１、変調ユニット８２および投影光学系８３は、支持フレーム１６に支持される。具体的には、例えば、光源部８１は、支持フレーム１６の天板上に載置される収容ボックスに収容される。また、変調ユニット８２および投影光学系８３は、支持フレーム１６の＋Ｙ側に固定された収容ボックスに収容される。
【００５１】
露光ユニット８が備える光源部８１、変調ユニット８２および投影光学系８３について、図１、図２に加え、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る露光ヘッド８０を模式的に示す図である。
【００５２】
ａ．光源部８１
光源部８１は、露光ヘッド８０に向けて光を出射する。光源部８１は、具体的には、例えば、レーザ駆動部８１１と、レーザ駆動部８１１からの駆動を受けて出力ミラー（図示省略）からレーザ光を出射するレーザ発振器８１２とを備える。また、光源部８１は、レーザ発振器８１２から出射された光（スポットビーム）を、強度分布が均一な線状の光（すなわち、光束断面が帯状の光であるラインビーム）とする照明光学系８１３を備える。
【００５３】
光源部８１は、さらに、照明光学系８１３から出射されたラインビームを、回折型空間光変調器３２の変調面３２０に収束させる描画用フォーカスレンズ８１４を備える。描画用フォーカスレンズ８１４は、例えば、シリンドリカルレンズにより構成され、そのシリンドリカル面（円筒面）を、入射光の上流側に向けるようにして配置される。また、描画用フォーカスレンズ８１４は、その中心線に、照明光学系８１３から出射されたラインビームが入射するような高さ位置に配置されている（以下、このような高さ位置を、描画用フォーカスレンズ８１４の「基準位置」ともいう）。描画用フォーカスレンズ８１４には、その高さ位置（Ｚ方向に沿う位置）を変更する変位機構８１４Ａが設けられている。変位機構８１４Ａが描画用フォーカスレンズ８１４の高さ位置を基準位置よりも高い（あるいは、低い）位置に変位させることによって、ラインビームの光路が変更される。ラインビームの光路が変更されることによって、図３に示すように、ラインビームが、変調ユニット８２の回折型空間光変調器３２の変調面３２０に入射する位置が、ラインビームの幅方向に変更される。
【００５４】
ｂ．変調ユニット８２
変調ユニット８２は、ここに入射した光に、パターンデータに応じた空間変調を施す。ただし、「光を空間変調させる」とは、光の空間分布（振幅、位相、および偏光など）を変化させることを意味する。また、「パターンデータ」とは、光を照射すべき基板Ｗ上の位置情報が画素単位で記録されたデータである。パターンデータは、例えばネットワークなどを介して接続された外部端末装置から受信することによって、あるいは、記録媒体から読み取ることによって取得されて、後述する制御部９の記憶装置９４に格納される。
【００５５】
変調ユニット８２は、回折型空間光変調器３２を備える。回折型空間光変調器３２は、例えば電気的な制御によって光を空間変調させて、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光とを、互いに異なる方向に反射させる装置である。回折型空間光変調器３２は、反射型及び回折格子型の空間光変調器であるＧＬＶ（Ｇｒａｔｉｎｇ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ）を含んで構成される。
【００５６】
図４は、可動リボン３２１ａおよび固定リボン３２１ｂに対して垂直な面における複数の光変調素子３２１の概略断面を示す概略断面図である。各光変調素子３２１は、１つの可動リボン３２１ａおよび１つの固定リボン３２１ｂを備えている。
【００５７】
可動リボン３２１ａの上面および固定リボン３２１ｂの上面は、それぞれ背後のベース面３２２ｃに平行な可動反射面３２２ａおよび固定反射面３２２ｂを備えている。可動反射面３２２ａ及び固定反射面３２２ｂは、それぞれ、光変調素子３２１の配列方向（ここでは、Ｘ軸方向に平行な方向）に垂直に延びる帯状とされている。回折型空間光変調器３２では、可動反射面３２２ａ及び固定反射面３２２ｂが、素子配列方向に交互に配列されている。
【００５８】
可動リボン３２１ａは、ベース面３２２ｃに対して昇降移動可能であり、可動反射面３２２ａのベース面３２２ｃからの高さは可変である。固定リボン３２１ｂはベース面３２２ｃに対して固定され、固定反射面３２２ｂのベース面３２２ｃからの高さも固定される。可動リボン３２１ａおよび固定リボン３２１ｂの表面は、入射光Ｌ１を反射するようにコーティングされている。
【００５９】
回折型空間光変調器３２では、所定数個の光変調素子３２１が１個の変調単位を形成しており、この変調単位が、Ｘ軸方向に沿って一次元に複数個並んだ構成となっている。回折型空間光変調器３２は、複数の光変調素子３２１のそれぞれに対して独立に電圧を印加可能なドライバ回路ユニット３３（変調器駆動部）に接続されている。ドライバ回路ユニット３３は、副臼の光変調素子３２１の可動リボン３２１ａのそれぞれに対して個別的に、駆動値に対応した電圧を印可することが可能とされている。光変調素子３２１に電圧が印加されることによって、可動リボン３２１ａが固定リボン３２１ｂに対して凹むように撓む。このように、固定リボン３２１ｂを凹ませることによって、各変調単位に入射した光（入射光Ｌ１）が、０次光と０次以外の次数の回折光（非０次回折光）とに切り替えられる。
【００６０】
固定リボン３２１ｂに対する可動リボン３２１ａの凹み量は、可動リボン３２１ａに印可される電圧の大きさによって決定される。つまり、ドライバ回路ユニット３３が印可する電圧の大きさを制御することによって、可動リボン３２１ａの可動反射面３２２ａと、固定リボンの固定反射面３２２ｂとの高さの差が、複数段階で調節される。したがって、電圧の大きさに応じて、各変調単位の変調面３２０で反射した光（反射光Ｌ２）の光量（以下、この光量を「反射光量」とも称する。）を複数の階調で、個別に切り換えられる。
【００６１】
変調ユニット８２においては、制御部９の制御下で、回折型空間光変調器３２の各変調単位の状態がパターンデータに応じて切り換えられつつ、照明光学系８１３から出射された光（ラインビーム）が、ミラー８２２を介して、回折型空間光変調器３２の変調面３２０に、定められた角度で、入射する。ただし、ラインビームは、その線状の光束断面の長幅方向を、回折型空間光変調器３２の複数の変調単位の配列方向（Ｘ軸方向）に沿わせるようにして、一列に配列された複数の変調単位に入射する。したがって、回折型空間光変調器３２から出射される光は、副走査方向に沿って複数画素分の空間変調された光（ただし、１個の変調単位にて空間変調された光が、１画素分の光となる。）を含む、断面が帯状の描画光となっている。このように、回折型空間光変調器３２は、光源部８１から出射された光を、変調面３２０で受光して、当該受光した光にパターンデータに応じた空間変調を施す。
【００６２】
ｃ．投影光学系８３
投影光学系８３は、回折型空間光変調器３２から出射される描画光のうち、不要光を遮断するとともに必要光を基板Ｗの表面に導いて、必要光を基板Ｗの表面に結像させる。すなわち、回折型空間光変調器３２から出射される描画光には、必要光と不要光とが含まれるところ、必要光はＺ軸に沿って−Ｚ方向に進行し、不要光はＺ軸から±Ｘ方向に僅かに傾斜した軸に沿って−Ｚ方向に進行する。投影光学系８３は、例えば、必要光のみを通過させるように真ん中に貫通孔が形成された遮断板８３１を備え、この遮断板８３１で不要光を遮断する。投影光学系８３には、この遮断板８３１の他に、必要光の幅を広げる（あるいは狭める）ズーム部を構成する複数のレンズ８３２、必要光を定められた倍率として基板Ｗ上に結像させるフォーカシングレンズ８３３、フォーカシングレンズ８３３を駆動してその高さ位置を変更することによってオートフォーカスを行う駆動部（例えば、モータ）（図示省略）などがさらに含まれる。
【００６３】
パターン描画を行う場合、投影光学系８３の直下に、ステージ４に載置された基板Ｗが配され、当該基板Ｗ上に投影光学系８３からのラインビームが照射される。なお、本実施形態では、後述するように、回折型空間光変調器３２の変調面３２０に対するラインビームを入射させる位置、すなわち変調面３２０のうち、パターン描画の際に使用する領域を決定する処理が行われる。この処理では、回折型空間光変調器３２の変調面３２０上を、ラインビームで走査し、変調面３２０上において反射するラインビームの光量（反射光量）が測定される。描画装置１は、このラインビームの反射光量を測定するため、ステージ４の上面に取り付けられたカメラ３４を備えている。なお、カメラ３４は、必ずしもステージ４上に設けられている必要はなく、変調面３２０で反射したラインビームの光量を測定できれば、どのような位置に設けられていてもよい。
【００６４】
図５は、実施形態に係る露光走査を説明するための概略平面図である。露光走査においては、ステージ駆動機構５が、ステージ４を、主走査軸（Ｙ軸）に沿って往路方向（ここでは、例えば、＋Ｙ方向であるとする。）に移動させることによって、基板Ｗを各露光ヘッド８０に対して主走査軸に沿って相対的に移動させる（往路主走査）。これを基板Ｗからみると、各露光ヘッド８０は、矢印ＡＲ１１に示すように、基板Ｗを主走査軸に沿って−Ｙ方向に横断することになる。また、往路主走査の開始とともに、各露光ヘッド８０から描画光の照射が行われる。すなわち、パターンデータ（詳細には、パターンデータのうち、当該往路主走査で描画対象となるストライプ領域に描画するべきデータを記述した部分）が読み出され、該パターンデータに応じて変調ユニット８２が制御される。そして、各露光ヘッド８０から、該パターンデータに応じて空間変調が施された描画光が、基板Ｗに向けて照射される。
【００６５】
各露光ヘッド８０が、基板Ｗに向けて断続的に描画光を出射しながら、主走査軸に沿って基板Ｗを一回横断すると、１本のストライプ領域（主走査軸に沿って延在し、副走査軸に沿う幅が描画光の幅に相当する領域）に、パターン群が描画されることになる。ここでは、２個の露光ヘッド８０，８０が同時に基板Ｗを横断するので、一回の往路主走査により２つのストライプ領域のそれぞれにパターン群が描画されることになる。
【００６６】
描画光の照射を伴う往路主走査が終了すると、ステージ駆動機構５は、ステージ４を副走査軸（Ｘ軸）に沿って所定方向（例えば、−Ｘ方向）に、描画光の幅に相当する距離だけ移動させる。これによって、基板Ｗが各露光ヘッド８０に対して副査軸に沿って相対的に移動する（副走査）。これを基板Ｗからみると、矢印ＡＲ１２で示すように、各露光ヘッド８０が副走査軸に沿って＋Ｘ方向に、ストライプ領域の幅分だけ移動することになる。
【００６７】
副走査が終了すると、描画光の照射を伴う復路主走査が実行される。すなわち、ステージ駆動機構５は、ステージ４を主走査軸（Ｙ軸）に沿って復路方向（ここでは、−Ｙ方向）に移動させる。これによって、基板Ｗが各露光ヘッド８０に対して主走査軸に沿って相対的に移動する（復路主走査）。これを基板Ｗからみると、矢印ＡＲ１３で示すように、各露光ヘッド８０が、基板Ｗ上を、主走査軸に沿って＋Ｙ方向に移動して横断することになる。その一方で、復路主走査が開始されると、各露光ヘッド８０から描画光の照射が開始される。この復路主走査によって、先の往路主走査で描画されたストライプ領域の隣のストライプ領域に、パターン群が描画される。
【００６８】
描画光の照射を伴う復路主走査が終了すると、副走査が行われた上で、再び、描画光の照射を伴う往路主走査が行われる。当該往路主走査によって、先の復路主走査で描画されたストライプ領域の隣のストライプ領域に、パターン群が描画される。以後も同様に、副走査を挟みつつ、描画光の照射を伴う主走査が繰り返して行われ、描画対象領域の全域にパターンが描画されると、１つのパターンデータについての描画処理が終了する。
【００６９】
＜制御部９＞
図６は、実施形態に係る制御部９の構成を示すブロック図である。制御部９は、描画装置１が備える各部と電気的に接続されており、各種の演算処理を実行しつつ描画装置１の各部の動作を制御する。
【００７０】
制御部９は、例えば、図６に示されるように、ＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、記憶装置９４などがバスライン９５を介して相互接続された一般的なコンピュータとして構成される。ＲＯＭ９２は、基本プログラムなどを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置９４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置などの不揮発性の記憶装置によって構成されている。記憶装置９４にはプログラムＰＧ１がインストールされている。該プログラムＰＧ１に記述された手順に従って、主制御部としてのＣＰＵ９１が演算処理を行うことによって、各種機能が実現される。
【００７１】
特に、反射光量値測定部９１１、反射光量値分布画像生成部９１２、線状領域規定部９１３、特性情報取得部９１４、支援情報生成部９１５及び劣化検査部９１６は、回折型空間光変調器３２の変調面３２０において、パターン描画向けにラインビームを入射させるのに好適な候補領域を決定するため、反射性能に優れた領域（すなわち、反射率が高く、反射光量のばらつきが少ない）を探索する際に機能する。
【００７２】
反射光量値測定部９１１は、回折型空間光変調器３２の変調面３２０で形成される反射領域をラインビームで走査し、反射したラインビームの光量値（反射光量値）を測定するように構成されている。反射光量値測定部９１１によって、反射領域についての反射光量値分布が取得される。
【００７３】
反射光量値分布画像生成部９１２は、反射光量値測定部９１１によって取得された光量値分布に基づき、上記反射領域についての反射光量値分布を視覚化した画像（反射光量値分布画像）を生成するように構成されている。
【００７４】
線状領域規定部９１３は、上記反射領域に対して、線状領域を規定するように構成されている。線状領域は、変調単位である光変調素子３２１の配列方向（第１方向）に沿って延びる領域である。線状領域の詳細については、後述する。
【００７５】
特性情報取得部９１４は、上記線状領域規定部９１３によって定義された線状領域について、反射光量値分布から、光量値に関する特性情報を取得するように構成されている。本実施形態では、上記線状領域を複数に区画したセル毎に、光量値に関する特性情報を取得する。この詳細については、後述する。
【００７６】
支援情報生成部９１５は、上記セル毎の特性情報に基づいて、支援情報を生成するように構成されている。支援情報は、例えば、１つの線状領域に含まれる全てのセルのうち、所定の理想光量値を越えているセルの割合に関する情報（割合情報）等である。
【００７７】
劣化検査部９１６は、回折型空間光変調器３２の劣化を検査する劣化検査処理を実行するように構成されている。劣化検査処理については、後述する。
【００７８】
プログラムＰＧ１は、通常、予め記憶装置９４などのメモリに格納されて使用されるものであるが、ＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭ、外部のフラッシュメモリなどの記録媒体に記録された形態（プログラムプロダクト）で提供され（あるいは、ネットワークを介した外部サーバからのダウンロードなどにより提供され）、追加的または交換的に記憶装置９４などのメモリに格納されてもよい。なお、制御部９において実現される一部あるいは全部の機能は、専用の論理回路などでハードウェア的に実現されてもよい。
【００７９】
また、制御部９では、入力部９６、表示部９７、通信部９８もバスライン９５に接続されている。入力部９６は、例えば、キーボードおよびマウスによって構成される入力デバイスであり、オペレータからの各種の操作（コマンドや各種データの入力といった操作）を受け付ける。なお、入力部９６は、各種スイッチ、タッチパネルなどにより構成されてもよい。表示部９７は、液晶表示装置、ランプなどにより構成される表示装置であり、ＣＰＵ９１による制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ネットワークを介して外部装置との間でコマンドやデータなどの送受信を行うデータ通信機能を有する。
【００８０】
＜２．描画装置の動作＞
＜２．１．第１の候補領域探索処理＞
図７は、第１の候補領域探索処理の例を示す流れ図である。候補領域探索処理とは、変調面３２０において、パターン描画向けにラインビームの入射位置となる候補領域であって、反射性能が優れている領域を探索する処理である。以下に説明する一連の動作は、特に断らない限り、制御部９のＣＰＵ９１がプログラムＰＧ１に従って動作することによって実行される。図７に示す候補領域探索処理は、例えば、回折型空間光変調器３２が描画装置１に装着された際などに実行される。
【００８１】
まず、反射光量値測定部９１１が、反射光量値分布（第１反射光量地分布）を取得する（ステップＳ１０）。具体的には、反射光量値測定部９１１が、変位機構８１４Ａを駆動して描画用フォーカスレンズ８１４を変位させることによって、変調面３２０をラインビームで走査する。そして、カメラ３４が反射したラインビームを検出することによって、反射光量値が計測される。
【００８２】
図８は、変調面３２０をラインビームＬＢ１で走査する様子を示す概略平面図である。図８及び以降の説明では、光変調素子３２１（変調単位）が配列される方向を配列方向Ｄｘ（第１方向）とする。当該配列方向Ｄｘは、図１等に示すＸ軸方向に一致しており、ラインビームＬＢ１に延びる方向にも一致する。当該配列方向Ｄｘに直交する方向であって、変調面３２０に平行な方向を、ラインビームＬＢ１の幅方向Ｄｙ（第２方向）とする。
【００８３】
ステップＳ１０においては、図８に示すように、ラインビームＬＢ１を幅方向Ｄｙに移動させていくことで、走査が行われる。そして、変調面３２０で反射したラインビームＬＢ１の反射光量値が測定される。なお、ラインビームＬＢ１で走査される領域は、反射面である変調面３２０のうち、有効領域（パターン描画向けの使用が予定されている領域。例えば、幅方向Ｄｙの中心から±２０μｍの幅の領域）よりも、幅方向Ｄｙに大きい反射領域ＲＲ１について、ラインビームＬＢ１が走査される。そして、反射領域ＲＲ１における、反射光量値分布が取得される。
【００８４】
なお、反射光量値分布を取得する際、ラインビームＬＢ１を一定ピッチ（例えば、１０μｍ）で幅方向Ｄｙにステップ状に移動させることで、幅方向Ｄｙの各位置でラインビームＬＢ１を停止させ、その状態で反射するラインビームＬＢ１の反射光量値を取得するようにしてもよい。あるいは、ラインビームＬＢ１を連続的に幅方向Ｄｙに移動させ、カメラ３４によって所定周期で検出して、反射光量値を取得するようにしてもよい。
【００８５】
図７に戻って、反射光量値分布が取得されると、反射光量値分布画像生成部９１２が、反射光領地分布画像を生成する（ステップＳ１１）。
【００８６】
図９は、反射光量値分布画像ＭＡＰ１の一例を示す図である。反射光量値分布画像ＭＡＰ１の各部分は、ラインビームＬＢ１で走査された反射領域ＲＲ１の各位置に対応する。また、本例では、反射光量値を大きさで複数の階級に分けられ、階級毎に固有の色が定義されており、部分毎に、反射光量値に対応する階級の色が付与されている。反射光量値分布画像ＭＡＰ１は、表示部９７に適宜表示される。
【００８７】
反射光量値分布画像ＭＡＰ１によると、反射領域ＲＲ１における、反射光量の特性を視覚的に把握することが可能である。このため、反射光量値分布画像ＭＡＰ１を生成することは、変調面３２０において、ラインビームＬＢ１を反射させる反射性能に優れた領域を決定する上で、極めて有効である。なお、反射光量値分布画像ＭＡＰ１については、オペレータが反射光量値分布を確認する必要が無いなどの事情がある場合には、その画像の生成が省略されてもよい。
【００８８】
図７に戻って、反射光量値分布画像ＭＡＰ１が生成されると、線状領域規定部９１３が、反射領域ＲＲ１を幅方向Ｄｙおいて複数の短冊状の領域に分割する（ステップＳ１２）。そして、線状領域規定部９１３は、短冊状の各領域を線状領域とする（ステップＳ１３）。
【００８９】
図１０は、反射領域ＲＲ１に対応する反射光量値分布画像ＭＡＰ１上において定義された線状領域を示す図である。図１０に示す例では、反射領域ＲＲ１が、幅方向Ｄｙにおいて短冊状に複数の領域に分割されており、各領域が７つの線状領域ＬＲ１〜ＬＲ７として定義されている。各線状領域ＬＲ１〜ＬＲ７は、配列方向Ｄｘに沿って延びており、かつ、幅（幅方向Ｄｙの大きさ）が反射領域ＲＲ１の幅よりも小さい。
【００９０】
図１１は、線状領域ＬＲ１における反射光量値分布ＶＤ１を示す図である。図１２は、線状領域ＬＲ３における反射光量値分布ＶＤ３を示す図である。図１１及び図１２において、横軸は配列方向Ｄｘにおける位置を示しており、縦軸は反射光量値を示している。反射光量値分布ＶＤ１，ＶＤ３は、１つの光変調素子３２１に相当する位置の反射光量値を、全光変調素子３２１に関して座標上にプロットしたものである。
【００９１】
線状領域ＬＲ１は、図１０に示すように、反射領域ＲＲ１の端部に位置する。この線状領域ＬＲ１では、図１１に示すように、反射光量値が配列方向Ｄｘの位置で異なっており、その強度にバラツキがみられる。これに対して、線状領域ＬＲ３は、図１０に示すように、反射領域ＲＲ１の中央付近に位置する。この線状領域ＬＲ３では、図１２に示すように、反射光量値が全体的に安定しており、その強度も比較的大きくなっていることが分かる。
【００９２】
図７に戻って、複数の線状領域が規定されると、特性情報取得部９１４は、各線状領域を複数のセルに分割する（ステップＳ１４）。そして、特性情報取得部９１４は、セル毎に、反射光量値に関する特性情報を取得する（ステップＳ１５）。
【００９３】
図１３は、線状領域を複数のセルに分割する様子を説明するための図である。図１２に示すように、特性情報取得部９１４は、線状領域ＬＲ１を、配列方向Ｄｘに所定のピッチで分割し、複数のセル（セルＣｅ１，Ｃｅ２・・・）が定義されている。図示の例では、各セルＣｅ１，Ｃｅ２・・・は、配列方向Ｄｘに並ぶ８個の光変調素子３２１に相当する領域となっている。一例として、回折型空間光変調器３２が、８０００個の光変調素子３２１を有する場合、線状領域は、当該８０００個の光変調素子３２１に相当する。そして図１２に示すように、８個の光変調素子３２１を１つのセルとして線状領域を分割した場合、当該線状領域は、１０００個のセルに分割されることとなる。
【００９４】
もちろん、１つのセルに含まれる光変調素子３２１の数は、８個に限定されるものではない。例えば、１つのセル当たり１つ光変調素子３２１としてもよいし、数十または数百等、多数の光変調素子３２１が含まれるようにしてもよい。
【００９５】
このように特性情報取得部９１４は、各線状領域を複数のセルに分割すると、セル毎の反射光量値に関する特性情報として、反射光量値の平均値（以下、「平均反射光量値」と称する。）を取得する。セル毎の平均反射光量値は、図１１または図１２に示す反射光量値分布ＶＤ１から算出することが可能である。例えば、線状領域ＬＲ１について、図１２に示すセルＣｅ１の平均反射光量値については、図１１に示す反射光量値分布ＶＤ１のうち、セルＣｅ１の範囲に相当する部分の反射光量値を抽出し、それらを平均化することで取得される。
【００９６】
図７に戻って、セル毎の特性情報が取得されると、支援情報生成部９１５は、線状領域毎に、基準光量値を下回る箇所の存否を判定する（ステップＳ１６）。基準光量値とは、予め定められる反射光量値であって、パターン描画におて使用される際に最低限必要とされる反射光量値、もしくは、それよりも大きい反射光量値に相当する。線状領域の一部に、この基準光量値を越えない箇所が存する場合、その線状領域は反射性能が低い領域と判断される。
【００９７】
例えば、図１１及び図１２に示す例では、基準光量値がｖ１とされている。線状領域ＬＲ１については、図１１に示すように、反射光量値分布ＶＤ１のうち、基準光量値ｖ１を下回る箇所がいくつか存在している。このため、線状領域ＬＲ１については、候補から外される。一方、線状領域ＬＲ３については、図１２に示すように、反射光量値分布ＶＤ３のうち、基準光量値ｖ１を下回る箇所がない。このため、線状領域ＬＲ３については、比較的反射性能が高い領域と判断される。
【００９８】
なお、上記ステップＳ１６の判定処理は、セル単位で行われてもよい。すなわち、ステップＳ１４，Ｓ１６で取得された各セルの平均反射光量値と、基準光量値とを比較し、下回るセルが存在する場合には、当該線状領域を除去するようにしてもよい。
【００９９】
ステップＳ１６の判定処理で得られる情報（判定情報）は、特性情報に基づいて生成される支援情報の一例である。
【０１００】
続いて、支援情報生成部９１５は、線状領域毎に割合情報を生成する（ステップＳ１７）。割合情報は、特定の線状領域の全セル数のうち、平均反射光量値が理想光量値を越えるセル数の割合を示す情報である。理想光量値とは、パターン描画時に好適である反射光量値を示す値であって、予めオペレータ等が設定される値である。この理想光量値を越えるセル数の割合を線状領域毎に得ることによって、反射領域ＲＲ１における使用上望ましい領域を特定することができる。割合情報は、特性情報から生成される支援情報の一例である。
【０１０１】
このようにセル単位で平均反射光量値を利用することによって、全ての光変調素子３２１毎の反射光量値の情報量を圧縮することができる。したがって、理想光量値の比較対象として、平均反射光量値を採用することによって、反射性能に優れた領域を高速に探索することができる。
【０１０２】
続いて、支援情報生成部９１５は、順序情報を生成する（ステップＳ１８）。順序情報は、線状領域について、所定基準に基づき使用に適するとされる順番を示す情報である。本例では、ステップＳ１６にて基準光量値を下回る箇所がないとされた複数の線状領域に対して、ステップＳ１７で取得された割合情報に基づき、順位付けが行われる。具体的には、理想光量値を越えるセル数の割合が多い順に、順位付けされる。この順序情報は、支援情報の一例である。
【０１０３】
続いて、順序情報に基づいて、１または複数の線状領域が、反射性能に優れた領域として、パターン描画向けにラインビームを入射させるのに好適な候補領域に決定される（ステップＳ１９）。このステップＳ１９については、制御部９が自動的に実行するようにしてもよいし、あるいは、オペレータが実行するようにしてもよい。制御部９がステップＳ１９を自動で実行する場合は、制御部９が、ステップＳ１８で取得された順序情報から、上位にある１または複数の線状領域を、使用候補の領域に決定するようにすればよい。一方、オペレータがステップＳ１９を実行する場合は、表示部９７が、判定情報、割合情報または順位情報等の支援情報の他、反射光量値分布画像ＭＡＰ１を表示する。そして、オペレータが、当該表示内容に基づいて、１または複数の線状領域を、使用候補の領域に決定するようにすればよい。
【０１０４】
なお、支援情報としては、上述したものに限定されるものではない。例えば、図１１及び図１２に示すように、反射光量値分布ＶＤ１，ＶＤ３を直線ＶＬ１，ＶＬ３に近似し、当該直線ＶＬ１，ＶＬ３の、傾きを求めてもよい。当該傾きが０（すなわち、横軸に平行）に近づくほど、全光変調素子３２１でばらつきが少なく、反射性能が高い。したがって、当該傾きを支援情報として生成することで、反射性能が高い領域を容易に決定できる。また、支援情報として、反射光量値分布ＶＤ１，ＶＤ３から、反射光量値の分散または標準偏差等を求めてもよい。分散または標準偏差をもとめることによって、反射光量値のばらつきを把握することができる。これによって、ばらつきの少ない反射性能に優れた領域を容易に決定できる。
【０１０５】
また、ステップＳ１２，Ｓ１３にて複数の線状領域を規定する際、各線状領域の幅は、パターン描画時に変調面３２０に照射されるラインビームＬＢ１の幅と同じかそれよりも大きいことが望ましい。例えば、ラインビームＬＢ１の幅よりも狭くした線状領域が設定されたとする。すると、隣合う２つの線状領域が、ラインビームを照射する候補領域に選択された場合、当該候補領域間でラインビームＬＢ１の照射位置を切り換えると、その入射部分の一部が重なってしまう。つまり、先の使用によって反射性能が低下した部分にも、再びラインビームＬＢ１が照射されることになるため、反射光量値の安定性が低下するおそれがある。以上の理由から、線状領域の幅は、ラインビームＬＢ１と同じか、それ以上とすることが好ましい。
【０１０６】
＜２．２．第２の候補領域探索処理＞
図７に示すフローでは、主に制御部９が、プログラムにしたがって動作することによって、複数の線状領域を設定し、反射光量値に関する特性情報及び当該特性情報から生成される支援情報に基づき、自動的もしくは半自動的に反射性能が高い領域の探索がなされている。しかしながら、オペレータが線状領域を任意に設定して、当該線状領域の特性情報に基づいて、高反射性能の領域が探索されてもよい。
【０１０７】
図１４は、第２の候補領域探索処理の例を示す流れ図である。以下に説明する一連の動作は、特に断らない限り、制御部９のＣＰＵ９１がプログラムＰＧ１に従って動作することによって実行される。
【０１０８】
まず、図７に示すステップＳ１０と同じ要領で、反射光量値分布データが取得される（ステップＳ２００）。
【０１０９】
続いて、ステップＳ１１と同じ要領で、反射光量値分布画像生成部９１２が、反射光量値分布画像を生成する。そして、本フローでは、線状領域規定部９１３が、線状領域を規定するために、当該画像を表示部９７に表示する（ステップＳ２０１）。また、線状領域規定部９１３は、当該反射光量分布画像上に、カーソル線（代表線）を表示する（ステップＳ２０２）。
【０１１０】
図１５は、カーソル線ＣＬ１の表示例を示す図である。図１５に示すように、カーソル線ＣＬ１は、配列方向Ｄｘに延びる直線であり、反射光量値分布画像ＭＡＰ１上に重ねて表示される。当該カーソル線ＣＬ１は、入力部９６を介した所定の操作入力に基づき、幅方向Ｄｙに沿って、反射光量値分布画像ＭＡＰ１上を移動するように構成されている。
【０１１１】
図１４に戻って、カーソル線を表示すると、線状領域規定部９１３が、当該カーソル線の位置に基づいて、線状領域を規定する（ステップＳ２０３）。
【０１１２】
図１６は、カーソル線ＣＬ１の位置に基づき、線状領域ＬＲ２１が設定される例を示す図である。に示すように、カーソル線ＣＬ１の反射光量値分布画像ＭＡＰ１に対する相対的な位置が読み取られ、当該位置情報から、線状領域ＬＲ２１が設定される。
【０１１３】
図１４に戻って、線状領域が規定されると、図７に示すステップＳ１４と略同じ要領で、特性情報取得部９１４が、当該線状領域を複数のセルに分割する（ステップＳ２０４）。そして、特性情報取得部９１４が、図７に示すステップＳ１５と同じ要領で、セル毎の特性情報を取得する（ステップＳ２０５）。
【０１１４】
続いて、支援情報生成部９１５は、図７に示すステップＳ１６と同じ要領で、線状領域における、基準光量値を下回る箇所の存否を判定するとともに、当該判定結果を表示部９７に表示する（ステップＳ２０６）。図１６に示す例では、反射光量値が基準光量値を下回るＮＧ箇所が線状領域ＬＲ２１にはないため、ＮＧ箇所が無い旨が支援情報表示部ＳＩ１に表示されている。
【０１１５】
また、支援情報生成部９１５は、図７に示すステップＳ１７と同じ要領で、線状領域についての割合情報を生成するとともに、当該割合情報を表示部９７に表示する（ステップＳ２０７）。図１６に示す例では、線状領域ＬＲ２１において、理想光量値を越えるセル数の割合が、充足率として支援情報表示部ＳＩ２に表示されている。
【０１１６】
なお、ステップＳ２０３で線状領域が設定された時点で、図１１又は図１２に示すような、当該線状領域における反射光量値分布が表示されてもよい。また、当該反射光量値分布を直線近似した際の、当該直線の傾きが、表示されてもよい。図１６に示す例では、当該傾きが、傾斜度として、支援情報表示部ＳＩ２に表示されている。
【０１１７】
図１４に戻って、ステップＳ２０７の割合情報の表示が完了すると、カーソル線の位置変更の有無が判定される（ステップＳ２０８）。位置変更があったと判定された場合（ステップＳ２０８においてＮＯ）、制御部９はステップＳ２０３に戻って、処理を続行する。
【０１１８】
ステップＳ２０８において、位置変更がないと判定された場合（ステップＳ２０８においてＹＥＳ）、線状領域を候補領域に決定するかどうかが判定される（ステップＳ２０９）。例えば、現在設定されている線状領域が、支援情報に基づいて反射性能に優れた領域であるとオペレータが判断した場合、オペレータは、入力部９６を介して、所定の操作入力を行い、線状領域を候補領域に決定する（ステップＳ２１０）。一方、オペレータからの入力が無い場合は（ステップＳ２０９においてＮＯ）、制御部９はステップＳ２０８に戻って処理を続行する。
【０１１９】
ステップＳ２１０にて、候補領域が決定されると、制御部９は、他の反射性能の高い領域の探索を終了するかどうか判定する（ステップＳ２１１）。例えば、オペレータが、別の領域を探索したい場合（ステップＳ２１１においてＮＯ）、制御部９は、ステップＳ２０２に戻って処理を続行する。オペレータが、領域の探索を終了する場合には、終了する旨の操作入力が行われ、制御部９は動作を終了する。
【０１２０】
このように、図１４に示すフローによると、オペレータが、反射光量値分布画像ＭＡＰ１で、反射光量値の分布を視覚的に確認しつつ、支援情報に基づいて、反射性能の高い領域を容易に探索できる。したがって、領域探索における、オペレータの技量への依存度を低減できる。
【０１２１】
なお、ステップＳ２０２において、図１５に示す例では、代表線として１本のカーソル線ＣＬ１が示されているが、幅方向Ｄｙに所定の間隔をあけて複数本（例えば３本）のカーソル線を表示するようにしてもよい。これら複数本のカーソル線を、同時もしくは個別に移動させて、それぞれの線状領域を規定し、それぞれの特性情報、または、特性情報に基づく支援情報を表示部９７に表示するようにしてもよい。これによって、同時に複数の領域の反射性能を把握できるため、効率的に反射性能の高い領域を探索できる。
【０１２２】
＜２．３．劣化検査処理＞
図１７は、反射面である変調面３２０の劣化を検査する劣化検査処理を示す流れ図である。本劣化検査処理は、端的には、反射光量値分布の経時的な変化を検出することによって、回折型空間光変調器３２における変調面３２０の劣化を検査する処理である。
【０１２３】
劣化検査処理では、まず、ある時点における、変調面３２０の反射領域ＲＲ１について、反射光量値測定部９１１が、反射光量値分布（第１反射光量値分布）を取得する（ステップＳ３１）。このステップＳ３１は、図７に示すステップＳ１０または図１４に示すステップＳ２００と同じ要領で実行される。
【０１２４】
続いて、線状領域が規定されることで、１以上の候補領域が決定される（ステップＳ３２）。このステップＳ３２は、例えば図７に示すステップＳ１１〜ステップＳ１９、または、図１４に示すステップＳ２０１〜ステップＳ２１１と同じ要領で実行される。
【０１２５】
続いて、描画装置１において、図５で示したように、基板Ｗに対するパターン描画が実行される（ステップＳ３３）。このとき、ステップＳ３２にて決定された１以上の候補領域のうちの１つが、ラインビームＬＢ１の入射位置とされる。
【０１２６】
上記１つの候補領域について、パターン描画のために使用を開始してから所定時間が経過すると、反射光量値測定部９１１が、再び、変調面３２０の反射領域ＲＲ１についての反射光量値分布（第２反射光量値分布）が取得される（ステップＳ３４）。
【０１２７】
続いて、劣化検査部９１６が、ステップＳ３１で取得された第１反射光量値分布、及び、ステップＳ３４で取得さえた第２反射光量値分布を比較する（ステップＳ３５）。そして、反射光量値が、所定の基準値を超えて低下した箇所、すなわち、劣化箇所の存否が判定される（ステップＳ３６）。そして、劣化箇所が存在する場合には、所定の通知が行われる（ステップＳ３７）。
【０１２８】
例えば、仮に、ステップＳ３６において、ステップＳ３３のパターン描画のためにラインビームが照射されていた領域（照射領域）に対応する線状領域内に、劣化箇所が存在すると判定されたとする。すると、ステップＳ３７では、当該線状領域について、劣化箇所が存在する旨が表示部９７等を介してオペレータに通知される。このとき、例えばステップＳ３２において、パターン描画向けに複数の候補領域が予め決定されていた場合には、上記劣化箇所の存在を通知するとともに、他の候補領域を提示するようにしてもよい。これによって、オペレータが、照射領域の変更を容易に行うことができる。また、第２反射光量値分布に基づいて、反射光量値分布画像を表示することによって、オペレータが劣化状況を確認できるようにしてもよい。
【０１２９】
また、ステップＳ３６において、仮に、ステップＳ３２で決定された全ての候補領域について、劣化箇所が存在すると判定された場合、その旨が表示部９７等を介してオペレータに通知される。これによって、オペレータは、回折型空間光変調器３２の交換を含めたメンテナンスの必要性を検討できる。また、第２反射光量値分布に基づき、図７に示すステップＳ１１〜ステップＳ１９を制御部９が再び実行することで、新たな候補領域を探索するようにしてもよい。なお、新たな候補領域を探索する際に設定される複数の線状領域は、先のステップＳ３２で設定された複数の線状領域から幅方向Ｄｙにずれた位置とされる。幅方向Ｄｙにずらして複数の線状領域を規定することによって、劣化箇所がない新たな候補領域を探索することが可能となる。
【０１３０】
以上のように、この劣化検査処理によると、回折型空間光変調器３２の劣化状況を検査することができる。このため、変調面３２０におけるラインビームの照射領域の変更、または、回折型空間光変調器３２の交換を含めたメンテナンスの要否をオペレータが適切に判断することができる。
【０１３１】
なお、図７，図１４，図１７に示す各検査処理は、描画装置１に回折型空間光変調器３２が組み込まれた状態で行われている。しかしながら、各検査処理を行うために必要な構成を備えた検査装置にて、回折型空間光変調器３２についての各検査処理が行われるようにしてもよい。
【０１３２】
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【０１３３】
１  描画装置
８  露光ユニット
９  制御部
３２  回折型空間光変調器
３２０  変調面（反射面）
３２１  光変調素子（変調単位）
３４  カメラ
８２  変調ユニット
９１  ＣＰＵ
９１１  反射光量値測定部
９１２  反射光量値分布画像生成部
９１３  線状領域規定部
９１４  特性情報取得部
９１５  支援情報生成部
９１６  劣化検査部
９６  入力部
９７  表示部
ＣＬ１  カーソル線（代表線）
Ｃｅ１，Ｃｅ２  セル
Ｄｘ  配列方向（第１方向）
Ｄｙ  幅方向（第２方向）
ＬＢ１  ラインビーム
ＬＲ１〜ＬＲ７，ＬＲ２１  線状領域
ＭＡＰ１  反射光量値分布画像
ＲＲ１  反射領域
ＳＩ１，ＳＩ２  支援情報表示部
ＶＤ１，ＶＤ３  反射光量値分布
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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