(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑剤層とを、この順序で有する磁気記録媒体であって、
前記保護層の前記潤滑剤層側の最表面が炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含み、
前記潤滑剤層は、前記最表面に接して形成され、平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍであり、下記一般式（１）に示す平均分子量が１５００〜２０００の範囲内である化合物Ａと、下記一般式（２）に示す平均分子量が１３００〜２４００の範囲内である化合物Ｂとを含み、
前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の実数である。）。）。）
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは整数である。）
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブなど磁気記録再生装置に好適に用いられる磁気記録媒体およびこれを備えた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板上に、情報を記録する磁性層と、カーボン等で形成された保護層と、潤滑剤層と、をこの順序で形成したものがある。
保護層は、磁性層に記録された情報を保護するとともに、磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの摺動性を高めるものである。しかし、磁性層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分には得られない。
【０００３】
このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成し、磁気記録媒体の耐久性を向上させている。潤滑剤層を設けることにより、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止できる。また、潤滑剤層を設けることにより、磁気記録媒体と、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドとの摩擦力が著しく低減される。また、潤滑剤層は、周囲の環境から侵入した不純物によって、磁気記録媒体の磁性層等が腐食されるのを防ぐ役割を有する。
【０００４】
従来、磁気記録媒体の潤滑剤層に使用される潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤や脂肪族炭化水素系潤滑剤などがある。
例えば、特許文献１には、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｐ−（ＣＦ２Ｏ）ｑ−ＣＨ２ＯＨ（ｐ、ｑは整数。）の構造をもつパーフロロアルキルポリエーテルの潤滑剤を炭素保護膜上に塗布した磁気記録媒体が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｐ−（ＣＦ２Ｏ）ｑ―ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２―ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（ｐ、ｑは整数。）で表されるパーフロロアルキルポリエーテル（テトラオール）よりなる潤滑剤を塗布した磁気記録媒体が開示されている。
【０００６】
特許文献３には、ホスファゼン化合物と、パーフルオロオキシアルキレン単位を有する化合物とを特定の範囲で混合した、潤滑剤層を有する磁気記録媒体が記載されている。また、特許文献３には、この潤滑剤層が、保護層との結合力が高く、かつ、保護層の層厚を下げた場合にも高い被覆率が得られることが開示されている。
【０００７】
特許文献４には、Ｒ１−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ３で示される化合物を含有する潤滑剤が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６２−６６４１７号公報
【特許文献２】特開平９−２８２６４２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０８５８３号公報
【特許文献４】特開２０１３−１６３６６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
磁気記録再生装置においては、より磁気ヘッドの浮上量を小さくして記録密度を向上させることが要求されている。このため、潤滑剤層の厚みをより一層薄くすることが求められている。
しかし、潤滑剤層の厚みを薄くすると、潤滑剤層に隙間が形成されて保護層に対する被覆性が低下するため、磁気記録媒体が汚染されやすくなる。また、潤滑剤層の厚みを薄くすると、保護層の表面に対する被覆性および結合性が低下しやすくなる。このため、潤滑剤層の耐環境性が不足して、磁気記録媒体の耐久性が十分には得られない場合があった。
【００１０】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、十分に厚みを薄くしても、長期に亘って保護層の表面に対する高い被覆性および結合性が得られる潤滑剤層を備えた磁気記録媒体、およびこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記課題を解決するために、以下に示すように鋭意検討した。
すなわち、潤滑剤層の材料として用いられる化合物は、その分子構造中に含まれるＯＨ基の数が多い程、炭素等で形成されている保護層との結合性が高いことが知られている。そのため、従来、潤滑剤層に用いられる化合物に含まれるＯＨ基の数は、２個、４個、６個、８個と増加していく傾向にあった。
【００１２】
しかしながら、本発明者らが検討した結果、化合物中におけるＯＨ基の数を増加させると、ＯＨ基同士の相互作用によって、この化合物を含む潤滑剤層を有する磁気記録媒体の表面エネルギーが高まることが明らかになった。また、化合物中のＯＨ基の数を増やすと、化合物の分子量が高まる傾向がある。このため、化合物を含む潤滑剤の粘性が高くなって潤滑剤の塗布性が低下し、潤滑剤を塗布して形成された潤滑剤層がアイランド状または網目状となる傾向が高まってしまう。
【００１３】
そこで本発明者は、潤滑剤層の材料を最適化するために、磁気記録媒体の表面エネルギーに着目して検討した。すなわち、従来、磁気記録媒体の表面に形成された潤滑剤層の被覆性を評価する手法としては、磁性層上に潤滑剤層を形成して高温高湿環境下でのコロージョン耐性を評価する等の間接的な方法しかなかった。これは、磁気記録媒体の潤滑剤層の厚さは１ｎｍ程度と薄く、直接的な解析が困難であったためである。そして、このことは潤滑剤層の材料の最適化を困難にしていた。これに対し、本発明者は、磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギー（以下「γｔｏｔａｌ」という場合がある。）を計算により求め、γｔｏｔａｌの十分に低い潤滑剤層を形成すればよいことを見出した。
【００１４】
この表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）は、潤滑剤層と保護層との結合性を表すパラメータをγＡＢとし、潤滑剤の被覆性を表すパラメータをγＬＷとすると、それらの合計値（γｔｏｔａｌ＝γＡＢ＋γＬＷ（γｔｏｔａｌ、γＡＢ、γＬＷの単位はｍＪ／ｍ２である。））として示すことができる。γＡＢ、γＬＷは、例えば、The  Measurement  of  Surface  Energy  of  Polymers  by  Means  of  Contact  Angles  of  Liquids  on  Solid  Surfaces（２００４，Finn  Knut  Hansen，University  of  Oslo）に記載の方法により算出できる。γＡＢが低いほど結合性が高いことを示し、γＬＷが低いほど被覆性が高いことを示す。
【００１５】
したがって、γＡＢおよびγＬＷが低い（すなわち、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低い）潤滑剤層であるほど、厚さが薄くてもアイランド状または網目状となりにくく、保護層の表面に対する高い被覆性および結合性を有する。
【００１６】
本発明者は、潤滑剤層に接して配置される保護層の表面と、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）の低い潤滑剤層の得られる材料とに着目し、検討を重ねた。その結果、保護層および潤滑剤層を、以下に示すものにすればよいという知見を得た。
すなわち、保護層として、潤滑剤層側の最表面が炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含むものを用いる。また、潤滑剤層として、下記の化合物Ａと下記の化合物Ｂとを所定の割合で含有する所定の膜厚のものを用いる。このことにより、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低く、十分に厚みを薄くしても、長期に亘って保護層の表面に対する高い被覆性および結合性を維持できる潤滑剤層が得られることを確認し、以下に示す本発明を完成するに至った。
【００１７】
［１］  非磁性基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑剤層とを、この順序で有する磁気記録媒体であって、
前記保護層の前記潤滑剤層側の最表面が炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含み、
前記潤滑剤層は、前記最表面に接して形成され、平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍであり、下記一般式（１）に示す平均分子量が１５００〜２０００の範囲内である化合物Ａと、下記一般式（２）に示す平均分子量が１３００〜２４００の範囲内である化合物Ｂとを含み、
前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の実数である。）。）。）
【００１９】
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは整数である。）
【００２０】
［２］  ［１］に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の磁気記録媒体は、潤滑剤層側の最表面が炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む保護層と、保護層の最表面に接して形成され、好適な数の官能基、六員環を有し、かつ好適な平均分子量範囲の化合物Ａと化合物Ｂとを所定の割合で含有する潤滑剤層とを有する。このため、本発明の磁気記録媒体では、平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲内である薄い潤滑剤層によって、長期に亘って保護層の表面に対する高い被覆性および結合性を維持できる。したがって、本発明の磁気記録媒体は、長期間使用しても潤滑剤層の隙間から侵入した環境物質によって汚染されにくく、高温高湿環境下での耐久性に優れる。よって、本発明の磁気記録媒体は、潤滑剤層の厚みを十分薄くして、さらなる記録密度の向上に対応できる。
【００２２】
また、本発明の磁気記録再生装置は、汚染されにくい本発明の磁気記録媒体を具備している。このため、本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体上に存在する汚染物質が磁気記録再生装置の磁気ヘッドに転写されて、記録再生特性が低下したり、浮上安定性が損なわれたりすることを防止できる。よって、本発明の磁気記録再生装置は、長期に亘って安定した磁気記録再生特性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の磁気記録媒体および磁気記録再生装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。
「磁気記録媒体」
図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
図１に示すように、本実施形態の磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、磁性層２と保護層３と潤滑剤層４とが、この順序で積層されたものである。
【００２５】
本実施形態においては、非磁性基板１と磁性層２との間に、密着層（不図示）と軟磁性下地層（不図示）とシード層（不図示）と配向制御層（不図示）とがこの順序で積層されている場合を例に挙げて説明する。密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層は、必要に応じて設けられるものであり、これらのうちの一部または全部は設けられていなくてもよい。
【００２６】
非磁性基板１としては、Ａｌなどの金属材料、またはＡｌ合金などの合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成されたものなどを用いることができる。また、非磁性基板１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものを用いてもよい。
【００２７】
密着層は、非磁性基板１と密着層上に設けられる軟磁性下地層とを接して配置した場合における非磁性基板１の腐食の進行を防止するものである。密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択できる。密着層の厚みは、密着層を設けることによる効果が十分に得られるように２ｎｍ以上であることが好ましい。
密着層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００２８】
軟磁性下地層は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性下地層は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性下地層がＡＦＣ結合した構造を有していることにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
【００２９】
軟磁性下地層の膜厚は、１５〜８０ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜５０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。軟磁性下地層の膜厚が１５ｎｍ未満であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができず、書き込みが不十分となり、記録再生特性が悪化する恐れがあるため、好ましくない。一方、軟磁性下地層の膜厚が８０ｎｍを超えると、生産性が著しく低下するため好ましくない。
【００３０】
第１および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなるものであることが好ましい。第１および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなるものである場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。また、第１および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れか１種以上を添加することが好ましい。これにより、第１および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、軟磁性下地層上に形成されるシード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性下地層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００３１】
シード層は、その上に設けられる配向制御層および磁性層２の配向および結晶サイズを制御する。シード層が設けられていることにより、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分が大きくなるとともに、磁性層２の磁化の方向がより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定される。
【００３２】
シード層は、ＮｉＷ合金からなるものであることが好ましい。シード層がＮｉＷ合金からなるものである場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
シード層の膜厚は、２〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。シード層の膜厚が２ｎｍ未満であると、シード層を設けたことによる効果が十分に得られない場合がある。一方、シード層の膜厚が２０ｎｍを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。
シード層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００３３】
配向制御層は、磁性層２の配向が良好なものとなるように制御するものである。配向制御層は、Ｒｕ又はＲｕ合金からなるものであることが好ましい。
配向制御層の膜厚は、５〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。配向制御層の膜厚を３０ｎｍ以下とすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層との間の距離が小さくなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。また、配向制御層の膜厚を５ｎｍ以上とすることで、磁性層２の配向を良好に制御できる。
【００３４】
配向制御層は、１層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。配向制御層が複数層からなるものである場合、全ての配向制御層が同じ材料からなるものであってもよいし、少なくとも一部が異なる材料からなるものであってもよい。
配向制御層は、スパッタリング法により形成できる。
【００３５】
磁性層２は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。磁性層２は、ＣｏとＰｔを含むものであり、更にＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどを含むものであってもよい。
磁性層２に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２などが挙げられる。
【００３６】
磁性層２は、１層からなるものであってもよいし、組成の異なる複数層からなるものであってもよい。
例えば、磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造のものであることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２などを好適に用いることができる。
【００３７】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
第１磁性層が上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００３８】
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造のものであることが好ましい。
また、第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造のものであることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００３９】
磁性層２の厚みは、５〜２５ｎｍとすることが好ましい。磁性層２の厚みが上記未満であると、十分な再生出力が得られず、熱揺らぎ特性も低下する。また、磁性層２の厚さが上記範囲を超えた場合には、磁性層２中の磁性粒子の肥大化が生じ、記録再生時におけるノイズが増大し、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）や記録特性（ＯＷ）に代表される記録再生特性が悪化するため好ましくない。
【００４０】
磁性層２が複数層からなるものである場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
【００４１】
磁性層の間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の元素を表す。）などを好適に用いることができる。
【００４２】
磁性層の間に設けられる非磁性層としては、酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２などを用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮなどを用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣなどを用いることができる。
【００４３】
磁性層の間に設けられる非磁性層の厚みは、０．１〜１ｎｍとすることが好ましい。非磁性層の厚みを上記の範囲とすることで、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
非磁性層は、スパッタリング法により形成できる。
【００４４】
また、磁性層２は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層２は、面内磁気記録であってもよい。
磁性層２は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法など従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層２は、通常、スパッタリング法により形成される。
【００４５】
（保護層）
保護層３は、磁性層２を保護するものである。保護層３は、窒化炭素からなる。保護層３は、炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む最表面（保護層の潤滑剤層側の最表面、保護層３と潤滑剤層４との界面）を有する。保護層３中の窒素含有量は、均一であってもよいし、例えば、最表面が最も多く、深さが深くなるのに伴って少なくなる濃度勾配を有するものであってもよい。保護層３は、一層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。
保護層３の最表面の窒素含有量が上記範囲であると、保護層３と潤滑剤層４を形成している後述する化合物Ａおよび化合物Ｂとが、高い結合力で結合される。
【００４６】
保護層３の最表面に含まれる窒素原子は、後述する化合物Ａおよび化合物Ｂに含まれる水酸基と強固な結合を形成する。保護層３の最表面の窒素含有量が１０原子％以上であると、保護層３の最表面に含まれる窒素原子と、化合物Ａおよび化合物Ｂに含まれる水酸基との結合数を十分に確保でき、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。保護層３の最表面の窒素含有量は、保護層３に含まれる窒素原子と、化合物Ａおよび化合物Ｂに含まれる水酸基との結合数を確保するために、２０原子％以上であることが好ましい。
【００４７】
保護層３の最表面に含まれる炭素原子は、後述する化合物Ａに含まれる六員環（−Ｃ６Ｈ４−）と強固な結合を形成する。保護層３の最表面の窒素含有量が９０原子％以下であると、保護層３の最表面に含まれる炭素原子数が十分に確保される。したがって、保護層３に含まれる炭素原子と、化合物Ａに含まれる六員環との結合数を十分に確保でき、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。保護層３の最表面の窒素含有量は、保護層３に含まれる炭素原子と、化合物Ａに含まれる六員環との結合数を確保するために、８０原子％以下であることが好ましい。
【００４８】
本実施形態において、保護層３中の窒素含有量が均一である場合、潤滑剤層側の最表面が「炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む」保護層とは、保護層３を形成する際に使用した原料から算出した保護層３中の窒素含有量、公知の方法を用いて測定した保護層３中の窒素含有量、公知の方法を用いて測定した保護層３の潤滑剤層側の最表面の窒素含有量のいずれかが、１０原子％〜９０原子％の範囲内である保護層を意味する。
【００４９】
また、保護層３中の窒素含有量が均一でない場合、潤滑剤層側の最表面が「炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む」保護層とは、保護層の潤滑剤層側の表面を、例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ／ＥＳＣＡ）で測定し、最表面の窒素含有量が、１０原子％〜９０原子％の範囲内である保護層を意味する。
【００５０】
保護層３の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。保護層３の膜厚が１０ｎｍ以下であると、本実施形態の磁気記録媒体１１を備える磁気記録再生装置における磁気的スペーシングを十分に低減することができ、さらなる記録密度の向上に対応できる。なお、磁気的スペーシングとは、磁気ヘッドと磁性層４との間の距離のことを意味する。磁気的スペーシングを狭くするほど、磁気記録再生装置の電磁変換特性を向上させることができる。保護層３の膜厚が１ｎｍ以上であると、磁性層２を保護する効果が高くなり、耐久性を向上させることができる。
【００５１】
保護層３は、例えば、磁性層２上に、スパッタ法、ＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法などにより、炭素と窒素とを含む原料を用いて形成できる。この場合、原料に含有させる炭素および窒素濃度を制御することによって、保護層の最表面の窒素含有量を１０原子％〜９０原子％の範囲内とすることができる。
【００５２】
保護層３は、例えば、従来公知の方法により炭素膜（または水素化炭素膜）を形成し、その潤滑剤層４側表面を、窒化処理（水素化炭素膜の場合は、脱水素化および窒化処理）することにより形成してもよい。炭素膜の表面を窒化（または水素化炭素膜の表面を脱水素化および窒化）処理する方法としては、公知の方法を用いることができる。具体的には、炭素膜または水素化炭素膜に窒素イオンを注入する方法、炭素膜上または水素化炭素膜上を窒素プラズマに暴露する方法などが挙げられる。これらの方法により形成した保護層３は、最表面の窒素含有量が最も多く、深さが深くなるのに伴って少なくなる濃度勾配を有する。
【００５３】
（潤滑剤層）
潤滑剤層４は、磁気記録媒体１１の汚染を防止するとともに、磁気記録媒体１１上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１１の耐久性を向上させるものである。
本発明者は、上述したように、潤滑剤層の材料の最適化に関して、磁気記録媒体の表面エネルギーに着目した。そして、磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギーであるγｔｏｔａｌ（γｔｏｔａｌ＝γＡＢ＋γＬＷ）を低減できる潤滑剤層について検討した。
【００５４】
γＡＢは、Ｌｅｗｉｓ  ａｃｉｄ−ｂａｓｅの相互作用から成り立つ表面エネルギーである。γＡＢにより、保護層および潤滑剤層に存在する電子の均衡状態を見積もることが出来る。一般的に、保護層（Ｌｅｗｉｓ  ｂａｓｅ）は電子のｄｏｎｏｒであり、潤滑剤層（Ｌｅｗｉｓ  ａｃｉｄ）は電子のａｃｃｅｐｔｏｒである。γＡＢの値が低いということは、保護層と潤滑剤層との相互作用が十分に発揮されている状態であるといえる。したがって、γＡＢの値が低いということは、潤滑剤層と保護層との結合性が高いと考えることができる。
【００５５】
γＬＷは、ロンドン分散力またはＤｉｐｏｌｅ−Ｄｉｐｏｌｅ量子論からなるファンデルワールス力を示す表面エネルギーである。γＬＷにより、潤滑剤層を形成している化合物の分散性を見積もることが出来る。γＬＷの値が低いということは、潤滑剤層の被覆性が十分に発揮されている状態であるといえる。したがって、γＬＷの値が低いということは、保護層の露出を妨げる効果が高い（被覆率が高い）と考えることができる。
【００５６】
γＡＢ、γＬＷは次の手順で算出した。先ず、３種類の溶媒（溶媒Ａ、溶媒Ｂ、溶媒Ｃ）を用いて、磁気記録媒体の保護層上の接触角を測定した。
接触角は公知の方法で測定できる。すなわち、磁気記録媒体の保護層表面に一定量の溶媒を滴下し、一定時間経過後の水滴と保護層表面とのなす角度を接触角計で測定する。
なお、本発明では、溶媒Ａとして水、溶媒Ｂとしてヨウ化メチレン（Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｉｏｄｉｄｅ）、溶媒Ｃとしてエチレングリコール（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｇｌｙｃｏｌ）を使用した。溶媒Ａを用いた場合の接触角をθＡ、溶媒Ｂを用いた場合の接触角をθＢ、溶媒Ｃを用いた場合の接触角をθＣとした。
【００５７】
γＡＢ、γＬＷの算出に用いる式、パラメータは下記のとおりである。
下記の式において「γ１＋」などの符号における数字の１は、溶媒のパラメータであることを示し、「γ２＋」などの符号における数字の２は潤滑剤のパラメータであることを示す。また、「γ１＋」などの符号における「＋」はＶａｎ  Ｏｓｓの方法の電子受容性の寄与を示すパラメータであることを示し、「γ１−」などの符号における「−」はＶａｎ  Ｏｓｓの方法の電子供与性の寄与を示すパラメータであることを示す。
γｔｏｔａｌ、γＡＢ、γＬＷは、γ１、γ１ＬＷ、γ１＋、γ１−が公知である溶媒Ａ〜溶媒Ｃを用いて、下記の連立方程式を解くことにより求めた。
【００５８】
γＡＢ＝２（γ１＋γ２−）１／２＋２（γ１−γ２＋）１／２
γＬＷ＝２（γ１ＬＷγ２ＬＷ）１／２
γ１Ａ（１＋ＣＯＳθＡ）＝２（γ１ＡＬＷγ２ＬＷ）１／２＋２（γ１Ａ＋γ２−）１／２＋２（γ１Ａ−γ２＋）１／２
γ１Ｂ（１＋ＣＯＳθB）＝２（γ１BＬＷγ２ＬＷ）１／２＋２（γ１B＋γ２−）１／２＋２（γ１B−γ２＋）１／２
γ１C（１＋ＣＯＳθC）＝２（γ１CＬＷγ２ＬＷ）１／２＋２（γ１C＋γ２−）１／２＋２（γ１C−γ２＋）１／２
【００５９】
水：γ１Ａ＝７２．８、γ１ＡＬＷ＝２１．８、γ１Ａ＋＝２５．５、γ１Ａ−＝２５．５
ヨウ化メチレン：γ１Ｂ＝５０．８、γ１ＢＬＷ＝５０．８、γ１Ｂ＋＝０、γ１Ｂ−＝０
エチレングリコール：γ１Ｃ＝４８．０、γ１ＣＬＷ＝２９．０、γ１Ｃ＋＝１．９２、γ１Ｃ−＝４７．０
【００６０】
本実施形態の磁気記録媒体の潤滑剤層は、上記の方法により算出した磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が２６．３ｍＪ／ｍ２以下のものである。トータルの表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）は、２５．０ｍＪ／ｍ２以下であることが好ましく、２４．０ｍＪ／ｍ２以下であることがより好ましい。表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が２６．３ｍＪ／ｍ２以下であると、保護層の表面が高い被覆率かつ高い結合性で潤滑剤層に被覆された磁気記録媒体となる。
【００６１】
本実施形態の磁気記録媒体１１では、潤滑剤層４が、保護層３の最表面に接して形成されている。
潤滑剤層４は、一般式（１）に示す平均分子量が１５００〜２０００の範囲内である化合物Ａと、一般式（２）に示す平均分子量が１３００〜２４００の範囲内である化合物Ｂとを含む。この化合物Ａは、好適な数のＯＨ官能基、六員環を有し、かつ好適な範囲の平均分子量である。また、化合物Ｂは、好適な数のＯＨ官能基を有し、かつ好適な範囲の平均分子量である。このことから、これらを好適な質量比で混合し、保護層の表面を高い被覆率かつ高い結合性で被覆した潤滑剤層４は、高温高湿環境下での膜厚減少率が低い、耐環境性の高いものとなる。
【００６２】
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の実数である。）。）。）
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは整数である。）
【００６３】
「化合物Ａ」
上記一般式（１）に示す化合物Ａは、主に、保護層３の表面における潤滑剤層４の被覆性向上に寄与する。潤滑剤層４が化合物Ａを含むことにより、γＬＷの値が低くなり、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低くなりやすくなる。
【００６４】
化合物Ａでは、末端に近い位置に配置された大きい環状骨格を有する六員環（−Ｃ６Ｈ４−）が、保護層３の最表面に含まれる炭素原子と強固な結合を形成する。また、化合物Ａでは、Ｒ１の反対側の末端に位置する水酸基を２つ有する−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨからなる末端基と、他のもう一つの水酸基が、保護層３の最表面に含まれる窒素原子と強固な結合を形成する。化合物Ａは、一方の末端に近い位置と他方の末端とで保護層３の最表面に結合するため、面方向に広がって配置されやすく、保護層３に対する優れた被覆性を有し、かつ良好な結合性を有する。
【００６５】
一般式（１）に示す化合物Ａにおいて、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ１が炭素数１〜４のアルコキシ基であるため、化合物Ａに含まれる六員環（−Ｃ６Ｈ４−）が化合物Ａの末端に近い位置に配置される。化合物ＡにおけるＲ１の炭素数少ない程、六員環の位置が末端に近い位置となり、六員環の位置と−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨからなる末端基とが遠くなる。その結果、化合物Ａが保護層３の最表面上に面方向に広がりやすくなり、被覆性が向上する。したがって、化合物ＡにおけるＲ１は、炭素数が少ない程好ましく、炭素数が１であることが最も好ましい。
【００６６】
一般式（１）に示す化合物Ａにおいて、Ｒ２中のｘ、ｙはそれぞれ０〜１５の実数であり、それぞれ３〜７の実数であることが好ましい。Ｒ２中のｘ、ｙは、それぞれ平均分子量が１５００〜２０００の範囲内となるように調整される。
【００６７】
潤滑剤層４は、化合物Ａの平均分子量が大きい程、高温多湿環境下での安定性に優れるものとなり、化合物Ａの劣化に伴う潤滑剤層４の厚みの減少が生じにくい。化合物Ａの平均分子量が１５００以上であるので、高温高湿環境下で使用することによる潤滑剤層４の厚みの減少を抑制でき、優れた耐久性が得られる。化合物Ａの平均分子量が１８００超えであると、より一層、耐食性に優れた潤滑剤層４が得られる。また、化合物Ａの平均分子量が２０００以下であるので、粘性が抑えられ、潤滑剤層４がアイランド状または網目状になりにくく、優れた被覆性が得られる。
【００６８】
一般式（１）に示す化合物Ａは、例えば、特許文献４に開示されているように、片方の末端に水酸基を有し、他方の末端にヒドロキシアルキル基を有する直鎖フルオロポリエーテルと、エポキシ基を有するフェノキシ化合物とを反応させることにより得られる。
【００６９】
化合物Ａの市販のものとしては、例えば、ＡＲＴ−１（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）が挙げられる。ＡＲＴ−１（商品名）は、一般式（１）中のＲ１が炭素数１のアルコキシ基であり、Ｒ２中のｘ、ｙがそれぞれ３〜７の実数であり、平均分子量が１５００〜２０００の範囲内となるようにｘ、ｙが調整されたものである。
【００７０】
「化合物Ｂ」
上記一般式（２）に示す化合物Ｂは、主に、保護層と潤滑剤層との結合力に寄与する。潤滑剤層が化合物Ｂを含むことにより、γＡＢの値が低くなり、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低くなりやすくなる。
【００７１】
化合物Ｂは、３つの水酸基を有するものであり、一方の末端に水酸基を２つ有する−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨからなる末端基が配置され、他方の末端に水酸基を１つ有する−ＣＨ２ＯＨからなる末端基が配置されている。化合物Ｂの一方または他方の末端に配置されている合計３つの水酸基は、保護層３の最表面の窒素原子と強固な結合を形成する。化合物Ｂは、一方または他方の末端に配置されている合計３つの水酸基が保護層３の最表面に結合するため、保護層３に対する優れた結合性を有する。
【００７２】
一般式（２）に示す化合物Ｂにおいてｍは整数である。ｍは、平均分子量が１３００〜２４００の範囲内となるように調整される。
潤滑剤層４は、化合物Ｂの平均分子量が大きい程、高温多湿環境下での安定性に優れるものとなり、化合物Ｂの劣化に伴う潤滑剤層４の厚みの減少が生じにくい。化合物Ｂの平均分子量が１３００以上であるので、高温高湿環境下で使用することによる潤滑剤層４の厚みの減少を抑制でき、優れた耐久性が得られる。化合物Ｂの平均分子量が１７００超えであると、より一層、耐食性に優れた潤滑剤層４が得られる。また、化合物Ｂの平均分子量が２４００以下であるので、粘性が抑えられ、潤滑剤層４がアイランド状または網目状になりにくく、優れた被覆性が得られる。
【００７３】
化合物Ｂの市販のものとしては、例えば、Ｄ３ＯＨ（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）が挙げられる。Ｄ３ＯＨ（商品名）は、一般式（３）中のｍの値を、平均分子量が１３００〜２４００の範囲内となるように調整されたものである。
【００７４】
（質量比（Ａ／Ｂ））
潤滑剤層４は、一般式（２）に示す化合物Ｂの質量に対する一般式（１）に示す化合物Ａの質量の比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内のものであり、０．２５〜２．３の範囲内であることが好ましい。質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内であるので、以下に示すように、保護層３に対する被覆性および結合性の優れた潤滑剤層４となる。その結果、潤滑剤層４の隙間からの環境物質の侵入による磁気記録媒体１１の汚染を防止できる。
【００７５】
すなわち、質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内であると、潤滑剤層４の表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低くなり、潤滑剤層４がアイランド状または網目状になりにくくなる。また、保護層３の最表面に含まれる窒素原子と化合物Ａおよび化合物Ｂに含まれる水酸基との結合数を確保できるとともに、保護層３の最表面に含まれる炭素原子と化合物Ａに含まれる六員環との結合数を十分に確保できる。よって、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。また、化合物Ａ同士の間に形成された隙間が、十分な量の化合物Ｂによって埋められる。より詳細には、化合物Ａは、大きい環状骨格を有するため、面方向に広がって配置されやすく、網目状となりやすい。よって、化合物Ａ同士の間には隙間が形成されやすい。これに対し、化合物Ｂは、環状骨格を有さない直鎖型である。このため、化合物Ａ同士の間に形成された隙間に化合物Ｂが入り込み、化合物Ａ同士の隙間が埋められる。
【００７６】
質量比（Ａ／Ｂ）が３．０を超えると、化合物Ｂが不足するため、潤滑剤層４が網目状となりやすくなり、保護層３に対する被覆性が不十分になる。また、質量比（Ａ／Ｂ）が０．２未満になると、化合物Ｂが多くなり、保護層３を構成する炭素原子と潤滑剤との結合力が低下し、潤滑剤層４がアイランド状となり、保護層３に対する被覆性が不十分になる。
【００７７】
（潤滑剤層の膜厚）
潤滑剤層４の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜２ｎｍ（２０Å）の範囲内であり、１ｎｍ〜１．９ｎｍの範囲内であることが好ましい。
潤滑剤層４の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であるので、潤滑剤層４がアイランド状または網目状とならず、長期に亘って保護層３の表面に対する高い被覆性および結合性を維持できる。潤滑剤層４の平均膜厚が厚いほど、γＡＢおよびγＬＷの値が低くなるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低くなる。したがって、潤滑剤層４の平均膜厚が厚いほど、潤滑剤層４によって保護層３の表面を高い被覆性かつ高い結合性で被覆でき、耐久性に優れる。また、潤滑剤層４の平均膜厚が２ｎｍ以下であるので、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくすることができ、磁気記録媒体１１の記録密度を高くできる。
【００７８】
（潤滑剤層の形成方法）
潤滑剤層４は、例えば、非磁性基板１上に保護層３までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、製造途中の磁気記録媒体の保護層３上に、潤滑剤層形成用溶液を塗布することによって形成できる。
【００７９】
潤滑剤層形成用溶液は、例えば、化合物Ａおよび化合物Ｂを、上述した質量比の範囲内となるように混合し、溶媒で希釈して塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑剤層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレルＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒などが挙げられる。
潤滑剤層形成用溶液の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法やディップ法などが挙げられる。
【００８０】
ディップ法をとしては、例えば、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑剤層形成用溶液中に、保護層３までの各層が形成された非磁性基板１を浸漬し、その後、浸漬槽から非磁性基板１を所定の速度で引き上げる方法が挙げられる。ディップ法を用いることで、潤滑剤層形成用溶液を非磁性基板１の保護層３上の表面に均一に塗布することができ、保護層３上に均一な膜厚の潤滑剤層４を形成できる。
【００８１】
本実施形態の磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、少なくとも磁性層２と保護層３と潤滑剤層４とをこの順序で有する。そして、保護層３の潤滑剤層４側の最表面が炭素と１０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含み、潤滑剤層４が、化合物Ａと化合物Ｂとを含み、化合物Ｂに対する化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内のものである。このことにより、平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍの十分に薄い厚みであっても、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低く、長期に亘って保護層の表面に対する高い被覆性および結合性を維持できる潤滑剤層４となる。具体的には、本実施形態の磁気記録媒体１１は、温度６５℃、湿度８０％の高温高湿環境下に３週間保持した場合の潤滑剤層４の膜厚の減少率が３％以下であり、耐環境性に優れる。
【００８２】
よって、本実施形態の磁気記録媒体１１では、潤滑剤層４の隙間から潤滑剤層４の下層に侵入した環境物質が、潤滑剤層４の下層に存在するイオン成分を凝集させて、磁気記録媒体１１を汚染することを、長期に亘って防止できる。
また、本実施形態の磁気記録媒体１１は、厚みが薄くても磁気記録媒体１１の表面の汚染を効果的に防止できる潤滑剤層４を有しているので、潤滑剤層４を十分薄くすることにより、さらなる記録密度の向上を実現しうるものとなる。
また、本実施形態の磁気記録媒体１１は、磁気記録媒体１１の汚染がより顕著となる高温高湿環境下で使用しても、汚染されにくく、耐環境性に優れ、長期間にわたって安定した磁気記録再生特性が得られる。
【００８３】
「磁気記録再生装置」
次に、本実施形態の磁気記録再生装置の一例について説明する。図２は、本発明の実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
本実施形態の磁気記録再生装置１０１は、図１に示す磁気記録媒体１１と、媒体駆動部１２３と、磁気ヘッド１２４と、ヘッド移動部１２６と、記録再生信号処理部１２８とを具備したものである。
【００８４】
媒体駆動部１２３は、磁気記録媒体１１を記録方向に駆動するものである。磁気ヘッド１２４は、磁気記録媒体１１に情報の記録再生を行うものであり、記録部と再生部とを有する。ヘッド移動部１２６は、磁気ヘッド１２４を磁気記録媒体１１に対して相対運動させるものである。記録再生信号処理部１２８は、磁気ヘッド１２４からの記録再生信号の処理を行うものである。
【００８５】
本実施形態の磁気記録再生装置１０１では、十分に厚みの薄い潤滑剤層４によって、長期間にわたって高い被覆性かつ結合性で保護層３の表面が被覆されるため、磁気記録媒体上に存在する汚染物質が少ない磁気記録媒体１１を具備している。したがって、磁気記録媒体１１上に存在する汚染物質が、磁気記録再生装置１０１の磁気ヘッド１２４に転写されて、記録再生特性が低下したり、浮上安定性が損なわれたりすることが、長期間にわたって防止される。よって、本発明の磁気記録再生装置１０１は、安定した磁気記録再生特性を有する。
【実施例】
【００８６】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜選択した条件にて実施することができる。
（実施例）
洗浄済みのガラス基板（ＨＯＹＡ社製、外形２．５インチ）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
【００８７】
その後、このガラス基板の上に、スパッタリング法によりＣｒターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。
次いで、スパッタリング法により、密着層の上に軟磁性下地層を形成した。軟磁性下地層としては、第１軟磁性層と中間層と第２軟磁性層とを成膜した。まず、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅ含有量２０原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｔａ含有量５原子％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて、１００℃以下の基板温度で、層厚２５ｎｍの第１軟磁性層を成膜した。次に、第１軟磁性層の上に、層厚０．７ｎｍのＲｕからなる中間層を成膜した。その後、中間層の上に、層厚２５ｎｍのＣｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａからなる第２軟磁性層を成膜した。
【００８８】
次に、軟磁性下地層の上に、スパッタリング法によりＮｉ−６Ｗ｛Ｗ含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲットを用いて、層厚５ｎｍのシード層を成膜した。
その後、シード層の上に、スパッタリング法により第１の配向制御層として、スパッタ圧力を０．８Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。次に、第１の配向制御層上に、スパッタリング法により第２の配向制御層として、スパッタ圧力を１．５Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。
【００８９】
続いて、第２の配向制御層の上に、スパッタリング法により９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）−６（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１５原子％、Ｐｔ含有量１６原子％、残部Ｃｏの合金を９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物を６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第１磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして層厚９ｎｍで成膜した。
【００９０】
次に、第１磁性層の上に、スパッタリング法により８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）−１２（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量３０原子％、残部Ｃｏの合金を８８ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を１２ｍｏｌ％｝からなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
その後、非磁性層の上に、スパッタリング法により９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１１原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏの合金を９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物を５ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第２磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして層厚６ｎｍで成膜した。
【００９１】
その後、第２磁性層の上に、スパッタリング法によりＲｕからなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
次いで、非磁性層の上に、スパッタリング法によりＣｏ−２０Ｃｒ−１４Ｐｔ−３Ｂ｛Ｃｒ含有量２０原子％、Ｐｔ含有量１４原子％、Ｂ含有量３原子％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を０．６Ｐａとして第３磁性層を層厚７ｎｍで成膜した。
次に、イオンビーム法により窒化炭素（窒素含有量は２０原子％）からなる層厚３ｎｍの保護層を形成した。
【００９２】
次に、表１および以下に示す化合物を、以下に示す溶剤に溶解させて潤滑剤層形成用溶液を作成した。そして、得られた潤滑剤層形成用溶液をディップコート装置の浸漬槽に入れ、保護層までの各層が形成された非磁性基板を浸漬した。その後、浸漬槽から非磁性基板を一定の速度で引き上げることにより、非磁性基板の保護層上の表面に潤滑剤層形成用溶液を塗布し、潤滑剤層を形成した。以上の工程を行うことにより、実施例１〜実施例１３、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体を得た。
【００９３】
「化合物Ａ」ＡＲＴ−１（商品名：ＭＯＲＥＳＣＯ社製）平均分子量が約１７００である。
「化合物Ｂ」Ｄ３ＯＨ（商品名：ＭＯＲＥＳＣＯ社製）平均分子量が約１９００である。
「その他の化合物」Ｄ４ＯＨ（商品名：ＭＯＲＥＳＣＯ社製）
Ｄ４ＯＨは、下記一般式（３）のｐが４〜３０の範囲内であり、平均分子量が約２５００である。
「溶剤」バートレルＸＦ（商品名：三井デュポンフロロケミカル社製）
【００９４】
【化１】
0006570183.tif 000002
（一般式（３）中、ｐは４〜３０の範囲内である。）
【００９５】
実施例１〜実施例１３、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体について、潤滑剤層の平均膜厚をフーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）により測定した。その結果を表１に示す。
また、潤滑剤層に含まれる化合物Ａと化合物Ｂとの質量比（Ａ：Ｂ）、化合物Ｂに対する化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）を表１に示す。
【００９６】
また、実施例１〜実施例１３、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体について、潤滑剤層のγＡＢ（結合性）、γＬＷ（被覆性）を前述の方法で測定し、（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ）を算出して評価した。磁気記録媒体の表面（保護層上）の接触角の測定には、溶媒として、水、ヨウ化メチレン、エチレングリコールの３種類を使用した。評価結果を表１に示す。
また、実施例１〜実施例１３、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体を、湿度６５℃、温度８０％の高温高湿環境下で３週間保持し、ＦＴ−ＩＲを用いて潤滑剤層の平均膜厚を測定した。その後、高温高湿環境下で保持する前と後の潤滑剤層の平均膜厚を用いて、膜厚の減少率を算出した。その結果を表１に示す。
【００９７】
【表１】
0006570183.tif 000003
【００９８】
表１に示すように、実施例１〜実施例１３の磁気記録媒体は、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体と比較して、磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が低いものであった。また、これらの磁気記録媒体は、高温高湿環境下での潤滑剤層の膜厚の減少率が３％以下であり、高い耐環境性が得られた。これらの結果は、実施例１〜実施例１３の磁気記録媒体の潤滑剤層が、保護層に対する被覆性および結合性が優れていることによるものと推定される。
【００９９】
これに対し、比較例１では化合物Ａが多すぎるため、比較例２では化合物Ｂが多すぎるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなった。このため、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足し、潤滑剤層の膜厚の減少率が３％を超えたものと推定される。
また、比較例３は、潤滑剤層の平均膜厚が薄すぎるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなった。このため、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足し、潤滑剤層の膜厚の減少率が３％を超えたものと推定される。
【０１００】
また、比較例４では化合物Ｂを含まないため、比較例５では化合物Ａを含まないため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなった。このため、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足し、潤滑剤層の膜厚の減少率が３％を超えたものと推定される。
また、比較例６では化合物がＯＨ基を４つ有する構造の潤滑剤であるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなった。このため、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足し、潤滑剤層の膜厚の減少率が３％を超えたものと推定される。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明の磁気記録媒体及び磁気記録再生装置は、高記録密度の磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を利用・製造する産業において利用可能性がある。
【符号の説明】
【０１０２】
１・・・非磁性基板、２・・・磁性層、３・・・保護層、４・・・潤滑剤層、１１・・・磁気記録媒体、１０１・・・磁気記録再生装置、１２３・・・媒体駆動部、１２４・・・磁気ヘッド、１２６・・・ヘッド移動部、１２８・・・記録再生信号処理部。
【図１】
0006570183.tif 000004
【図２】
0006570183.tif 000005