(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部を有する半導体基板を準備する第１工程と、
酸化シリコンを含む材料で構成された絶縁性の第１部材と、前記第１部材の上に配され且つ炭化シリコンを含む材料で構成された絶縁性の第２部材とを含む構造を前記半導体基板の上に形成する第２工程と、
前記第１部材の一部および前記第２部材の一部を除去して前記構造における前記光電変換部の上の位置に開口を形成する第３工程と、
前記開口を透光性の第３部材で埋めて、前記光電変換部に光を導くための導光部を形成する第４工程と、を有し、
前記第２工程では前記第２部材を第１温度で形成し、
前記第４工程では、前記第３部材をプラズマＣＶＤにより前記第１温度よりも低い第２温度で形成し、
前記第１温度と前記第２温度との差は５０℃以上である
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２工程では、前記第２部材をプラズマＣＶＤにより形成し、
前記第４工程では、前記第３部材を高密度プラズマＣＶＤにより形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３部材をプラズマＣＶＤにより形成するための処理装置のチャンバーに前記半導体基板を載置してから当該処理装置による前記半導体基板に対する処理が終わるまでの間に亘って前記半導体基板の温度が前記第２温度を超えることのないように当該処理装置を制御する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１温度は、３９０℃〜４１０℃の範囲内である
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第４工程の後に、前記第１温度よりも高い温度で熱処理を行う第５工程を含む
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第５工程では、水素ガス及び窒素ガスの少なくとも一方を含むガス雰囲気の下で前記熱処理を行う
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第４工程と前記第５工程の間に、層内レンズを形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記構造は、金属で構成された第１配線をさらに含み、前記第２部材は、前記金属の拡散防止層として作用し、
前記固体撮像装置の製造方法は、
前記第４工程の後かつ前記第５工程の前に、前記構造の上に前記第１配線に接続された第２配線を形成する工程と、
前記第２配線を形成する工程の後かつ前記第５工程の前に、前記第２配線を覆うように前記構造の上に絶縁性の第４部材を形成し且つ加工して層内レンズを形成する工程と、
前記層内レンズを形成する工程の後かつ前記第５工程の前に、前記第４部材に、その一部を除去して前記第２配線が露出するように開口を形成する工程と、
をさらに有し、
第５工程は、前記第２配線が露出した状態で行う
ことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記構造は、金属で構成された配線をさらに含んでおり、前記第２部材は前記金属の拡散防止層として作用する
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記構造は、酸化シリコンを含む材料の層と炭化シリコンを含む材料の層とが交互に形成された複数の層で構成されており、
前記第２部材は、前記複数の層における前記炭化シリコンを含む材料の層のうち最上の層に位置する
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３部材は、窒化シリコンを含む材料である、
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第４工程では、ヘリウムガスを用いて温度を調節する
ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第４工程においては、前記半導体基板の温度が前記第２温度に達するまで該温度の増加量が単調減少するように、前記半導体基板を昇温させる
ことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、例えば、光電変換部を有する半導体基板と、該半導体基板上に配された構造であって絶縁部材と該絶縁部材の中に配された金属配線とを含む構造とを備える。絶縁部材は、一般に、層間絶縁層と、金属配線からの金属の拡散を防止するための拡散防止層とが交互に形成された複数の層で構成される。層間絶縁層には典型的には酸化シリコンが用いられる。また、拡散防止層には、例えば窒化シリコンが用いられうるが、窒化シリコンよりも比誘電率の小さい炭化シリコンが用いられると更によい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３２４１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、固体撮像装置のなかには、光電変換部の上の位置に形成された導光部をさらに備えるものもある。導光部は、マイクロレンズ等の光学素子を通過した光を光電変換部に導く。導光部は、例えば、上述の絶縁部材に開口を形成した後、この開口に窒化シリコン等の透光性の部材を形成することによって得られる。該透光性の部材は、例えばプラズマＣＶＤ等の堆積法によって比較的高い温度で形成される。
【０００５】
導光部を形成する際、温度変化によって絶縁部材の各層の間に応力が生じ、特に、層間絶縁層の酸化シリコンと拡散防止層の炭化シリコンとでは熱膨張率の差が大きいため、層の一部が剥離してしまう可能性がある。このことは、固体撮像装置の品質の低下の原因となる。
【０００６】
本発明の目的は、固体撮像装置の品質を向上させるのに有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置の製造方法にかかり、前記固体撮像装置の製造方法は、光電変換部を有する半導体基板を準備する第１工程と、酸化シリコンを含む材料で構成された絶縁性の第１部材と、前記第１部材の上に配され且つ炭化シリコンを含む材料で構成された絶縁性の第２部材とを含む構造を前記半導体基板の上に形成する第２工程と、前記第１部材の一部および前記第２部材の一部を除去して前記構造における前記光電変換部の上の位置に開口を形成する第３工程と、前記開口を透光性の第３部材で埋めて、前記光電変換部に光を導くための導光部を形成する第４工程と、を有し、前記第２工程では前記第２部材を第１温度で形成し、前記第４工程では、前記第３部材をプラズマＣＶＤにより前記第１温度よりも低い第２温度で形成し、前記第１温度と前記第２温度との差は５０℃以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、固体撮像装置の品質を向上させるのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】固体撮像装置の構造の例を説明するための図である。
【図２】固体撮像装置の製造方法の例を説明するための図である。
【図３】導光部を形成する際の温度の制御方法の例を説明するための図である。
【図４】カメラの構成の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明に係る固体撮像装置（「固体撮像装置１００」とする。）の構造の例を示す模式図である。固体撮像装置１００は、例えば、シリコン等の半導体基板１０１と、絶縁部材と該絶縁部材の中に形成された金属の部材（配線、プラグ等）とを含む構造１１０と、入射光を集光するための光学素子を含む構造４１０とを備える。また、固体撮像装置１００は、複数の画素が配列された撮像領域１０９と、その周辺領域であって画素信号を処理するための回路が配された周辺領域２０３とを有する。
【００１１】
撮像領域１０９において、基板１０１には光電変換部１０２が形成されている。また、基板１０１には、画素信号を読み出し又は処理するためのトランジスタが形成され、図中には該トランジスタのゲート電極１０３が例示されている。ゲート電極１０３は、例えばポリシリコン等で構成されうる。
【００１２】
また、基板１０１およびゲート電極１０３を覆うように反射防止層１０４が配される。反射防止層１０４は、構造４１０の光学素子を通過して基板１０１の上面に到達した入射光が該上面で反射されることを防ぐ。反射防止層１０４は、例えば窒化シリコン等で構成されうる。
【００１３】
一般に、構造１１０の絶縁部材は、複数の絶縁性の層で構成される。本例では、構造１１０の絶縁部材は、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅ、絶縁層１０６ａ〜１０６ｄ等を含む。例えば、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅは酸化シリコンを含む材料で構成され、それらの各層の厚さは１２０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。酸化シリコンを含む材料は、主にケイ素と酸素とを含み、この酸素がケイ素に結合している材料である。酸化シリコンを含む材料は、ケイ素および酸素の他、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、塩素、リン等を含んでいてもよい。また、絶縁層１０６ａ〜１０６ｄは炭化シリコンを含む材料で構成され、それらの各層の厚さは１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。炭化シリコンを含む材料は、主にケイ素と炭素とを含み、この炭素がケイ素に結合している材料である。炭化シリコンを含む材料は、ケイ素および酸素の他、水素、ホウ素、酸素、窒素、フッ素、塩素、リン等を含んでいてもよい。
【００１４】
また、該絶縁部材の中に形成された金属の部材は、コンタクトプラグ１０７、第１〜第３配線層の配線１０８ａ〜１０８ｃを含む。コンタクトプラグ１０７は、例えばタングステンで構成され、更に、チタン、窒化チタン等で構成されたバリアメタルを含んでもよい。配線１０８ａ〜１０８ｃは、例えば銅で構成される。
【００１５】
なお、後述するが、絶縁層１０６ａは、固体撮像装置１００を製造する際のエッチング工程においてエッチングストッパとして作用しうる。また、絶縁層１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄは、それぞれ、配線１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃについての金属拡散防止層として機能しうる。
【００１６】
ここで、構造１１０の絶縁部材には、構造４１０の光学素子を通過した光を光電変換部１０２に導くために、コア‐クラッド構造を成す導光部１１１が形成されている。詳細は後述するが、導光部１１１は、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅおよび１０６ａ〜１０６ｄに開口を形成した後、この開口を、透光性の部材２０１で埋めることによって形成されうる。導光部１１１を成す透光性の部材２０１は、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅの酸化シリコンよりも高い屈折率を有していればよく、例えば窒化シリコンや樹脂で構成される。導光部１１１を成す部材２０１は、絶縁部材の少なくとも一部の絶縁層に対して全反射を生じればよい。そのため、部材２０１は、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅより薄い絶縁層１０６ａ〜１０６ｄの炭化シリコンよりも低い屈折率を有していてもよい。透光性の部材２０１がコア‐クラッド構造を成す導光部であることは必須でない。つまり、部材２０１は絶縁層１０５ａ〜１０５ｅの酸化シリコンと同じかそれより低い屈折率を有していてもよい。例えば部材２０１は、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅと同じ酸化シリコンで構成されていてもよい。
【００１７】
更にその上には、酸窒化シリコンで構成された絶縁層２０２、及び、酸化シリコンで構成された絶縁層２０４が配される。絶縁層２０２は、撮像領域１０９に配されており、導光部１１１を形成する部材２０１に対する反射防止層として機能しうる。絶縁層２０４は、更にその上に構造４１０を形成するのを容易にするための平坦化層として機能しうる。また、絶縁層２０４の中には、配線１０８ｃに接続されたビアプラグ２０５が形成されている。ビアプラグ２０５は、例えばタングステンで構成され、更に、チタン、窒化チタン等で構成されたバリアメタルを含んでもよい。
【００１８】
さらに、絶縁層２０４の上には、配線２０６が、絶縁層２０４の中に形成されたビアプラグ２０５に接触するように配される。配線２０６は、例えばアルミニウムで構成される。
【００１９】
更にその上には、酸窒化シリコンで構成された絶縁層３０１を介して、層内レンズ３０４を形成する絶縁層３０２と、酸窒化シリコンで構成され且つ層内レンズ３０４を覆う絶縁層３０３とが配される。層内レンズ３０４は、光電変換部１０２および導光部１１１の上に位置する。なお、絶縁層３０１および絶縁層３０３は、層内レンズ３０４を形成する絶縁層３０２に対する反射防止層として機能しうる。
【００２０】
更にその上には、樹脂で構成された平坦化層４０１と、所定の波長の光を通過させるカラーフィルタ４０２層と、マイクロレンズ４０４を形成するマイクロレンズ層４０３とが配される。なお、絶縁層３０１からマイクロレンズ層４０３までの各層には、配線２０６を外部に接続することができるように開口が形成されている。
【００２１】
図２（ａ）〜（ｅ）を参照しながら、以下、固体撮像装置１００の製造方法における各工程について述べる。固体撮像装置１００は、公知の半導体製造プロセスを用いて製造されればよいが、理解を容易にするため、本発明と直接的に関係しない工程については説明を省略する。
【００２２】
まず、図２（ａ）の工程では、各素子（光電変換部１０２、ＭＯＳトランジスタ等）が形成された基板１０１を準備する。そして、基板１０１の上に、反射防止層１０４（窒化シリコン）と、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅ（酸化シリコン）と、絶縁層１０６ａ〜１０６ｄ（炭化シリコン）と、配線１０８ａ〜１０８ｃとを形成する。
【００２３】
絶縁層１０５ａ〜１０５ｅと絶縁層１０６ａ〜１０６ｄとの２種類の絶縁層は、例えばプラズマＣＶＤ等の堆積法によって、交互に積層される。本例では、各絶縁層１０５ａ〜１０５ｅの厚さを１２０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とし、各絶縁層１０６ａ〜１０６ｄの厚さを５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度とした。
【００２４】
配線１０８ａは絶縁層１０６ａと絶縁層１０６ｂとの間に形成される。配線１０８ｂは絶縁層１０６ｂと絶縁層１０６ｃとの間に形成される。配線１０８ｃは絶縁層１０６ｃと絶縁層１０６ｄとの間に形成される。絶縁層１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄは、それぞれ、配線１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃについての金属拡散防止層として機能しうる。
【００２５】
図２（ｂ）の工程では、図２（ａ）の工程で形成された絶縁層１０５ｂから絶縁層１０５ｅまでの絶縁部材のうちの一部であって光電変換部１０２の上に位置する一部をプラズマエッチングによって除去し、開口ＯＰを形成する。開口ＯＰを設けることにより、光電変換部１０２への入射光が、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅと絶縁層１０６ａ〜１０６ｄとで多重反射することを抑制できる。この工程において、絶縁層１０６ａはエッチングストッパとして作用する。
【００２６】
図２（ｃ）の工程では、図２（ｂ）の工程で形成された開口ＯＰを透光性の部材２０１で埋めて、導光部１１１を形成する。透光性の部材２０１として、部材２０１には絶縁層１０５ａ〜１０５ｅよりも屈折率の大きい材料を用いることで、コア‐クラッド構造を有する導光部１１１を得ることができる。ここでは、部材２０１に窒化シリコンなどの無機材料を用いる例を示したが、有機材料を用いてもよい。また、開口ＯＰを埋める透光性の部材２０１として、絶縁層１０５ａ〜１０５ｅと同じ酸化シリコンが用いられてもよい。部材２０１は、高密度プラズマＣＶＤその他の公知のＣＶＤによって形成されてもよいが、塗布法等によって形成されてもよい。さらに、部材２０１の上に、酸窒化シリコンの絶縁層２０２を形成する。絶縁層２０２は、例えばプラズマＣＶＤによって形成され、その厚さは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００２７】
図２（ｄ）の工程では、部材２０１および絶縁層２０２のうち周辺領域２０３の部分をエッチング等により除去し、その後、酸化シリコンの絶縁層２０４を例えばプラズマＣＶＤによって形成する。絶縁層２０４の上面はＣＭＰ等により、平坦化処理が為されてもよい。更にその後、絶縁層２０４の上に、アルミで構成された配線２０６を形成する。
【００２８】
その後、図２（ｄ）の工程で形成された絶縁層２０４および配線２０６の上に、光学素子を含む構造４１０を形成する。図２（ｅ）には、構造４１０のうち、層内レンズ３０４を含む絶縁層３０１から絶縁層３０３までの部材が形成された様子を示している。層内レンズ３０４は、例えば、絶縁層３０２をプラズマＣＶＤ等によって形成した後に該形成された絶縁層３０２をプラズマエッチング等によってレンズ状に（上面が球面形状を形成するように）加工することによって形成される。なお、構造４１０は、他の光学素子をさらに含んでもよい。
【００２９】
構造４１０を形成する際、一部の工程（例えば、絶縁層３０３の上に平坦化層４０１を形成する前）において、４００℃以上の温度で１０分以上にわたって熱処理が為されてもよい。この熱処理は、例えば、水素ガス及び窒素ガスの少なくとも一方を含むガス雰囲気の下で為されうる。
【００３０】
その後、公知の半導体プロセスを用いて、平坦化層４０１、カラーフィルタ層４０２、マイクロレンズ層４０３が順に形成されればよく、このようにして固体撮像装置１００が得られる。
【００３１】
ところで、図２（ｃ）において、開口ＯＰを窒化シリコン部材２０１で埋めて導光部１１１を形成する工程は、典型的にはＣＶＤ等により比較的高い温度条件で為される。ここで、酸化シリコンの線膨張率は０．７０［ｐｐｍ／Ｋ］であるのに対して、炭化シリコンの線膨張率は４．００［ｐｐｍ／Ｋ］であり、これらの間での熱膨張率の差は大きい。そのため、酸化シリコンの絶縁層１０５ａ〜１０５ｅと炭化シリコンの絶縁層１０６ａ〜１０６ｄとの間で、温度変化に伴う応力が生じ、これらが剥離してしまう可能性がある。このことは、特に、炭化シリコンの絶縁層１０６ａ〜１０６ｄのうち最上の層である絶縁層１０６ｄと、それと隣り合う絶縁層１０５ｄ又は１０５ｅとの間で生じ易い。
【００３２】
そこで、図２（ｃ）の導光部１１１を形成する工程を、図２（ａ）の絶縁層１０６ｄを形成する工程での温度よりも低い温度で行う。具体的には、導光部１１１を形成する工程での温度と絶縁層１０６ｄを形成する工程での温度との差を１０℃以上、好ましくは５０℃以上にするとよい。例えば、絶縁層１０６ｄを形成する工程の温度を４００℃にした場合には、導光部１１１を形成する工程の温度は３５０℃に設定されればよい。例えば、絶縁層１０６ｄを形成する工程での温度を３９０℃〜４１０℃の範囲内とし、導光部１１１を形成する工程での温度を３４０℃〜３６０℃の範囲内としてもよい。
【００３３】
なお、絶縁層１０６ｄを形成する工程の温度を４００℃とし、導光部１１１を形成する工程の温度を変えて実験を行ったところ、導光部１１１を形成する工程の温度を４４６℃とした場合には、絶縁層１０６ｄの剥離が多くの箇所で確認された。また、上記温度を４００℃にした場合には、温度４４６℃の場合に比べて剥離の箇所は減ったものの、やはり絶縁層１０６ｄの剥離が確認された。一方、上記温度を３５０℃にした場合には、絶縁層１０６ｄの剥離は確認されなかった。
【００３４】
前述のとおり、図２（ｅ）の工程の際またはその後に、一部の工程において、水素ガス雰囲気や窒素ガス雰囲気の下、４００℃以上の温度で１０分以上にわたって、熱処理を行ってもよい。これは、開口ＯＰには部材２０１が埋められ、更にその上に複数の層（絶縁層２０２、２０４等）が形成されているため、上述の２種類の絶縁層の間で生じうる応力が低減ないし緩和されるからである。なお、以上の製造方法の例では、図２（ｅ）の後かつ絶縁層３０３の上に平坦化層４０１を形成する前に熱処理を行う態様を示したが、該熱処理のタイミングは開口ＯＰを部材２０１で埋めた後であればよい。
【００３５】
以上の固体撮像装置１００の製造方法によると、導光部１１１を形成する際に、酸化シリコンの絶縁層１０５ａ〜１０５ｅと炭化シリコンの絶縁層１０６ａ〜１０６ｄとの間での剥離を防ぐことができ、固体撮像装置１００の品質を向上させることができる。
【００３６】
なお、上述の各工程での温度（具体的には、絶縁層１０６ｄや導光部１１１を形成する工程での温度）は、公知の温度測定法にしたがって測定されればよいが、基板１０１の温度が測定されてもよい。また、温度の測定には、非接触式温度計（パイロメーター）が用いられるとよい。
【００３７】
また、各工程における温度を一定に維持するため、基板１０１を裏面側から冷却用のヘリウムガスを一定の圧力で供給してもよいし、測定された温度に基づいて該ヘリウムガスの圧力を制御してもよい。
【００３８】
以下では、各工程での温度の調節方法について述べる。各工程での温度は、その工程で基板１０１を処理しているときの温度を示す。しかしながら、該温度は、基板１０１を処理装置のチャンバーに載置してから該チャンバーから取り出すまでの期間について考慮されるとよい。即ち、実際に目的の処理（具体的には、絶縁層１０６ｄや導光部１１１を形成するためのＣＶＤ。以下、同様である。）を行っている間だけでなく、それに付随する工程においても基板１０１の温度管理が為されるとよい。この例を、以下、図３（ａ）〜（ｃ）を参照しながら述べる。
【００３９】
図３（ａ）〜（ｃ）は、基板１０１を処理装置のチャンバーに載置してから基板１０１に対する処理が終わるまでの期間について基板１０１の温度を測定したグラフを示している。図３（ａ）〜（ｃ）の各々において、期間５０３では、基板１０１に対する処理を開始する前に基板１０１を目標の温度Ｔにするため、基板１０１を加熱する。その後の期間５０４では、温度Ｔに実質的に達した基板１０１に対して目的の処理を行う。
【００４０】
図３（ａ）は、上記加熱の第１の方法として、期間５０３が予め設定された期間であり、該予め設定された時間にわたって基板１０１を加熱した後に目的の処理を開始した場合のグラフを示している。基板１０１の温度が温度Ｔに達するように期間５０３が設定されている場合、目的の処理を行う際には基板１０１の温度が温度Ｔよりも更に高くなってしまい、前述の絶縁層１０６ｄの剥離が生じてしまう可能性がある。
【００４１】
図３（ｂ）は、上記加熱の第２の方法として、期間５０３において基板１０１の温度を測定しながら加熱し、該測定された基板１０１の温度が温度Ｔに達したことに応答して加熱を中止し且つ目的の処理を開始した場合のグラフを示している。この方法によると、例えば、目的の処理を開始した際に処理装置に印加されたバイアスパワーによって、基板１０１の温度が瞬時的に温度Ｔよりも更に高くなってしまい、前述の絶縁層１０６ｄの剥離が生じてしまう可能性がある。
【００４２】
よって、基板１０１を処理装置のチャンバーに載置してから基板１０１に対する処理が終わるまでの期間にわたって、基板１０１の温度が所望の温度を超えないように、加熱の期間５０３および目標の温度Ｔが設定される必要がある。例えば、図３（ａ）の例については、期間５０３は、より短く設定され、図３（ｂ）の例については、温度Ｔは、より低く設定される必要がある。
【００４３】
図３（ｃ）は、基板１０１を処理装置のチャンバーに載置してから基板１０１に対する処理が終わるまで、基板１０１の温度が設定値を超えない場合の例を示している。実際に目的の処理を行っている間だけでなく、それに付随する工程においても基板１０１の温度が適切に調節されることにより、前述の絶縁層１０６ｄの剥離を防ぐことができ、固体撮像装置１００の品質を向上させることができる。
【００４４】
以上では、本発明の好適な実施形態を例示したが、本発明は以上の例に限られるものでないことは言うまでもなく、その趣旨を逸脱しない範囲で、その一部を変更してもよい。
【００４５】
図４は、以上の例で示された固体撮像装置１００が適用されたカメラの構成例を説明するための図である。該カメラは、固体撮像装置１００の他、例えば、処理部２００、ＣＰＵ３００（又はプロセッサ）、操作部４００、光学系５００を具備する。また、該カメラは、静止画や動画をユーザに表示するための表示部６００、それらのデータを記憶するためのメモリ７００をさらに具備しうる。固体撮像装置１００は、光学系５００を通過した光に基づいて画像データを生成する。該画像データは、処理部２００により所定の補正処理が為され、表示部６００やメモリ７００に出力される。また、ユーザにより操作部４００を介して入力された撮影条件に応じて、ＣＰＵ３００によって、各ユニットの設定情報が変更され、又は、各ユニットの制御方法が変更されうる。なお、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
１００：固体撮像装置、１０１：半導体基板、１０２：光電変換部、１０５ａ〜１０５ｅ：酸化シリコン部材、１０６ａ〜１０６ｄ：炭化シリコン部材、ＯＰ：開口、１１１：導光部。
【図１】
0006577724.tif 000002
【図２】
0006577724.tif 000003
【図３】
0006577724.tif 000004
【図４】
0006577724.tif 000005