(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録材料を含む導電性の第１の磁性電極と、
前記導電性の第１の磁性電極から離隔されており、磁気参照材料を含む導電性の第２の磁性電極と、
前記導電性の第１の磁性電極と前記導電性の第２の磁性電極との間にある非磁性絶縁体材料と
を備え、
前記導電性の第２の磁性電極の前記磁気参照材料が、Ｃｏの層と、プラチナ、パラジウムおよびニッケルのうちの１つ以上を含む層とを交互に含むスタックの上にある、イリジウムからなるイリジウム含有領域を含み、
前記導電性の第２の磁性電極の前記磁気参照材料が、前記イリジウム含有領域の上にあって且つ前記イリジウム含有領域に直接触れている、コバルトからなる接着材料と、前記非磁性絶縁体材料に直接触れているコバルト-鉄含有材料と、前記接着材料と前記コバルト-鉄含有材料との間にある緩衝領域とを含有し、
前記イリジウム含有領域および前記スタックが、第１の結晶格子を有し、
前記非磁性絶縁体材料および前記コバルト-鉄含有材料が、前記第１の結晶格子とは異なる第２の結晶格子を有する、
磁気トンネル接合。
【請求項２】
前記イリジウム含有領域が、２Å〜２０Åの範囲内の厚さを有する、請求項１に記載の磁気トンネル接合。
【請求項３】
前記第１の結晶格子が、面心立方（ｆｃｃ）１１１であり、前記第２の結晶格子が、体心立方（ｂｃｃ）００１である、請求項１に記載の磁気トンネル接合。
【請求項４】
前記緩衝領域が、タンタル、ルテニウム、タングステン、モリブデンのうちの１つ以上からなる、請求項１に記載の磁気トンネル接合。
【請求項５】
前記緩衝領域が、タンタルからなる、請求項１に記載の磁気トンネル接合。
【請求項６】
前記コバルト-鉄含有材料が、Ｂ、Ｔａ、Ｗ、ＲｅおよびＭｏのうちの１つ以上を更に含む、請求項１に記載の磁気トンネル接合。
【請求項７】
前記接着材料が、前記第１の結晶格子を有する、請求項１に記載の磁気トンネル接合。
【請求項８】
前記緩衝領域が、１Å〜５Åの厚さを有する、請求項１に記載の磁気トンネル接合。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
磁気トンネル接合。
【背景技術】
【０００２】
磁気トンネル接合は、薄い非磁性トンネル絶縁体材料（例、誘電材料）で分離された２つの導電性の磁性電極を有する、集積回路コンポーネントである。その絶縁体材料は、適切な条件下で、電子が一方の磁性電極からその絶縁体材料を通過して他方の磁性電極にトンネリング移動することが可能なほどに、十分に薄い。これら磁性電極のうちの少なくとも１つは、通常動作のライト（ｗｒｉｔｅ）または消去の電流／電圧にて、その全体的な磁化方向を２つの状態の間で切り替えることが可能であり、一般には「フリー（ｆｒｅｅ）」電極または「記録（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）」電極と呼ばれる。他方の磁性電極は、一般に、「参照（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）」電極、「固定（ｆｉｘｅｄ）」電極、または「ピン固定された（ｐｉｎｎｅｄ）」電極と呼ばれ、その全体的な磁化方向は、通常動作のライトまたは消去の電流／電圧が印加されても切り替わらないだろう。参照電極および記録電極は、それぞれ、導電ノードに電気的に結合される。参照電極、絶縁体材料、および記録電極を通じたそれら２つのノード間の電気抵抗は、参照電極の磁化方向に対する、記録電極の磁化方向に依存する。よって、磁気トンネル接合は、少なくとも２つの状態のうちの１つにプログラムすることが可能であり、それらの状態は、磁気トンネル接合を通る電流フローを測定することにより検知することが可能である。磁気トンネル接合は、２つの電流導通状態間で「プログラム」することが可能なので、メモリ集積回路で使用するために提案されてきた。さらに、磁気トンネル接合は、メモリとは別に論理回路、センサ、発振器もしくは他の回路で使用されること、または、メモリに加えて論理回路、センサ、発振器もしくは他の回路で使用されることもある。
【０００３】
スピン・トランスファ・トルク（ＳＴＴ）効果をもたらすために、記録電極の全体的な磁化方向を、電流で誘起される外部磁界により、または、スピン偏極電流を使用することにより、切り替えることができる。電荷キャリア（電子など）は、そのキャリア固有の少量の角運動量である「スピン」として知られる特性を有する。電流は、一般には偏極されていない（「スピン・アップ」電子を約５０％、「スピン・ダウン」電子を約５０％有する）。スピン偏極電流は、どちらかのスピンの電子が他方よりも著しく多くなっている電流である。ある種の磁性材料（偏極子材料と呼ばれる場合もある）に電流を通すことにより、スピン偏極電流を生成することが可能である。スピン偏極電流が磁性材料内に向かっている場合、スピン角運動量がその材料に伝わって、それにより、その磁化の向きに影響を及ぼす可能性がある。これを利用して、振動を励起することが可能であり、または、スピン偏極電流が十分に大きければ、磁性材料の配向／磁区方向（ｏｒｉｅｎｔａｉｏｎ／ｄｏｍａｉｎ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を反転すること（すなわち、切り替えること）さえ可能である。
【０００４】
ＣｏとＦｅの合金または他の混合物は、偏極子材料として、および／または、磁気トンネル接合内の記録電極の磁気記録材料の少なくとも一部分として、使用することが提案されている一般的な材料の１つである。より具体的な例は、ＣｏｘＦｅｙＢｚであり、ここで、ｘおよびｙがそれぞれ１０〜８０であり、ｚが０〜５０であるが、これは、ＣｏＦｅまたはＣｏＦｅＢと略されることもある。ＭｇＯは、非磁性トンネル絶縁体に適した材料の１つである。
【０００５】
トンネル絶縁体材料は、結晶質であることが多く、体心立方（ｂｃｃ）００１格子を有することが所望される。
【０００６】
トンネル絶縁体材料および偏極子材料は、任意の適当な方法（例、物理気相成長）を使用して堆積させることができる。トンネル絶縁体内と、隣接する偏極子材料内との両方にｂｃｃ００１格子を最終的に作るのに使用可能な技術の１つは、まず、偏極子のコバルト-鉄含有材料（ｃｏｂａｌｔ−ａｎｄ−ｉｒｏｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）をアモルファスになるように形成し、その上にトンネル絶縁体材料（例、ＭｇＯ）を堆積することを含む。堆積中および／または堆積後、コバルト-鉄含有材料およびトンネル絶縁体は、それぞれ一様なｂｃｃ００１格子構造を実現することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】例示的実施形態の磁気トンネル接合の図式的断面図である。
【図２】例示的実施形態の磁気トンネル接合の図式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
磁気トンネル接合は、スピン・トルク・トランスファ磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＳＴＴ-ＭＲＡＭ）内で利用されることがある。こうした用途では、所望の磁気配向を維持するために（すなわち、ピン固定されたスピン配向の安定性を実現するために）、磁気トンネル接合が磁気参照材料（すなわち、ピン固定された磁性材料）の様々な領域に渡って強い磁気結合を有することが所望される場合がある。特定の実施形態では、イリジウム含有領域が、参照材料のうちの、偏極子領域と他の磁性領域との間に、提供される。イリジウム含有領域は、偏極子領域の他の磁性領域への改善された磁気結合を可能にすることもあり、また、イリジウム含有材料の隣接磁性材料との界面に沿った、垂直磁気異方性を可能にすることもある。イリジウム含有領域を通した磁気結合は、イリジウム含有領域の厚さに応じて、反強磁性である場合もあり、または強磁性である場合もある。いくつかの実施形態では、イリジウム含有領域を通した磁気結合は、最低でも約７キロエルステッド（ｋＯｅ）までは安定である。
【０００９】
図１および図２を参照して、例示的実施形態を説明する。
【００１０】
図１を参照すると、磁気トンネル接合１０が、磁気記録材料を含んだ導電性の第１の磁性（すなわち、フェリ磁性または強磁性）電極１２を備える。導電性の第２の磁性電極１４が、第１の電極１２から離隔されており、磁気参照材料を含む。したがって、第１の電極１２は、記録（すなわち、フリー）電極として機能することもでき、第２の電極１４は、参照（すなわち、ピン固定された）電極として機能することもできる。
【００１１】
第１の電極１２と第２の電極１４との間に、非磁性トンネル絶縁体材料１６が存在する。
【００１２】
特に別段の指示のない限り、本明細書に記載する材料および／または構造体のうちのいずれのものも、均質または不均質とすることができ、これに関わらず、そうしたものが上に載っている任意の材料の上において、連続的であってもよく、または不連続であってもよい。さらに、特に別段の指示のない限り、各材料は任意の適当な既存の技術または未開発の技術を使用して形成することができ、原子層堆積、化学蒸着、物理蒸着、エピタキシャル成長、拡散ドーピング、イオン注入がそうした技術の例である。磁気記録材料および磁気参照材料の一方または両方が、本質的に磁性を有さない１つまたは複数の領域をその内部に有する場合があるものの、磁気記録材料および磁気参照材料はそれぞれ、全体的かつ集合的には磁性を有する。
【００１３】
磁気トンネル接合１０は、半導体基盤（ｂａｓｅ）（図示せず）により支持されていてもよい。こうした基盤は、たとえば、半導体材料を含むことがあり、いくつかの実施形態では、単結晶シリコンを含むか、実質的に単結晶シリコンからなるか、または、単結晶シリコンのみからなる場合もある。いくつかの実施形態では、半導体基盤は、半導体基板とみなされることもある。「半導体基板（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」といった用語は、半導電性材料を含んだ任意の構造体を意味し、この半導電性材料には、（単体の、または他の材料を含んだアセンブリ内のいずれかの）半導電性ウエハなどのバルク半導電性材料、および、（単体の、または他の材料を含んだアセンブリ内のいずれかの）半導電性材料層が含まれるが、これらに限定されない。「基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」という用語は、任意の支持構造を指し、これには、上記の半導体基板が含まれるが、これに限定されない。いくつかの実施形態では、半導体基板は、集積回路製造に関連する１つまたは複数の材料を含むこともある。こうした材料のうちのいくつかは、たとえば、高融点金属材料、バリア材料、拡散材料、絶縁体材料などのうちの１つまたは複数に相当する場合もある。
【００１４】
第１の電極１２と第２の電極１４の位置を逆にしてもよい。さらに、磁気トンネル接合１０は、図１内で概ね垂直または縦の向きのものとして図示されているが、他の向きを使用してもよい。このような他の向きには、たとえば、水平方向、斜め方向、および、水平方向と縦方向と斜め方向の１つの組合せまたは複数の組合せなどが含まれてもよい。本文書では、「水平方向」は、作製中に基板が加工される対象となる主要面に沿った概ねの方向を指し、その方向に概ね直交する方向が「垂直方向」である。さらに、本明細書中で使用する「垂直方向」および「水平方向」は、互いに対して概ね垂直の方向のことであり、３次元空間内での基板の向きとは無関係である。さらに、本文書では、「縦方向」、「上」、「下」、「上端」、および「下端」は、垂直方向に対するものである。これに関わらず、第１の電極１２、トンネル絶縁体材料１６、および第２の電極１４についての厚さの例は、それぞれ、約５〜２００オングストローム、約５〜５０オングストローム、約２０〜３００オングストロームである。本文書では、「厚さ」と単独で（先行する方向形容詞なしで）言った場合、それは、所与の材料または領域を、直接隣接する異なる組成の材料または直接隣接する領域の最も近い面から垂直に切った場合の、平均直線距離として定義される。さらに、本明細書に記載する様々な材料の厚さは、実質的に一定であってもよく、一定でなくてもよい。厚さが一定でない場合、特に別段の指示のない限り、厚さとは平均の厚さを指す。
【００１５】
適当な任意の組成物または組成物の組合せを、トンネル絶縁体材料１６および第１の電極１２に使用することができる。トンネル絶縁体材料１６は、たとえば、ＭｇＯ、ＴｉＯｘ、およびＡｌＯｘ（ただし、「ｘ」は数である）のうちの１つまたは複数を含むこともあり、実質的にそれらのうちの１つまたは複数からなることもあり、または、それらのうちの１つまたは複数のみからなることもある。第１の電極１２の磁気記録材料は、たとえば、コバルトおよび鉄のうちの１つまたは両方を含むこともあり、実質的にそれらのうちの１つまたは両方からなることもあり、または、それらのうちの１つまたは両方のみからなることもあり、また、追加の金属／材料（例、ホウ素）を更に含むこともある。
【００１６】
第２の電極１４の参照材料は、偏極子領域２０と磁性マルチ材料（例、マルチレイヤ）スタック２２との間にあるイリジウム含有領域１８を含む。領域１８は、参照材料内の唯一のイリジウム含有領域であってもよい。
【００１７】
偏極子領域は、所望の向きにスピン偏極されるように構成され、参照材料の残りの部分は、偏極子領域内でのこうした所望のスピン配向を維持（すなわち、ピン固定）するように構成される。偏極子領域は、任意の適当な組成物または組成物の組合せを含んでもよい。いくつかの実施形態では、偏極子領域の最上部２４（すなわち、偏極子領域のうち、トンネル絶縁体１６に直接隣接する部分）は、コバルトおよび／または鉄を含むこととなり、また、それは、Ｂ、Ｔａ、Ｗ、ＲｅおよびＭｏのうちの１つまたは複数を含んでもよい。たとえば、いくつかの実施形態では、偏極子領域の最上部２４は、ＣｏｘＦｅｙＢｚを含み、ただし、ｘおよびｙはそれぞれ１０〜８０であり、ｚは０〜５０である。ホウ素濃度を調整して、特定用途向けの所望の磁気特性および結晶特性を実現することもできる。総双極子（ｔｏｔａｌ  ｄｉｐｏｌｅ）が０に近くなるように、部分２４の厚さを調節することもできる。
【００１８】
偏極子領域は、図示の最上部２４の材料の他に、追加の材料を任意選択で含んでもよく、こうした任意選択の追加の材料を、図中の最上領域２４とイリジウム含有領域１８との間の空白部を利用して概略的に示している。
【００１９】
イリジウム含有領域１８は、イリジウムを含むこともあり、実質的にイリジウムからなることもあり、または、イリジウムのみからなることもある。いくつかの実施形態では、イリジウム含有領域１８は、純イリジウムのみからなる。他の実施形態では、イリジウム含有領域１８は、イリジウムと組み合わせて、１つもしくは複数のドーパントおよび／または他の材料を含むこともある。こうしたドーパントおよび／または他の材料により、イリジウム含有領域の化学的特性および／または物理的特性を特定の用途向けに調節することもできる。
【００２０】
イリジウム含有領域１８は、任意の適当な厚さを有することができ、いくつかの実施形態では、約２オングストローム（Å）〜約２０Åの範囲、たとえば、約４Å〜約８Åといったような範囲の、厚さを有することがある。いくつかの実施形態では、イリジウム含有領域は、こうした領域の厚み全体にわたってイリジウムのみからなっていてもよい。他の実施形態では、イリジウム含有領域の厚みの少なくとも一部分の中に、ドーパントおよび／または他の材料が供給されていてもよい。
【００２１】
スタック２２は、任意の適当な材料を含むことができる。図示の実施形態では、スタック２２は、プラチナ、パラジウムおよびニッケルのうちの１つまたは複数と交互になったコバルトを含む。具体的には、そのスタックは、プラチナ、パラジウムおよびニッケルのうちの１つまたは複数を含んだ他の層と交互になった、コバルト含有層を含む。いくつかの実施形態では、コバルト含有層は、元素コバルトもしくはコバルトが豊富な合金を含むこともあり、実質的に元素コバルトもしくはコバルトが豊富な合金からなることもあり、または、元素コバルトもしくはコバルトが豊富な合金のみからなることもある。「コバルトが豊富な合金」という用語は、原子／モル基準で全体的に考えた、全ての元素のうちで最も量の多い元素がコバルトである、という合金を意味する。コバルトが豊富な合金の例には、ＣｏＦｅＢおよびＣｏＭ（ただし、Ｍは、たとえば、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｇ、Ｒｕなどのうちの１つまたは複数であってもよい）が含まれる。いくつかの実施形態では、プラチナ、パラジウムおよびニッケルのうちの１つまたは複数を含む層は、元素Ｐｔ、元素Ｐｄおよび／もしくは元素Ｎｉを含むこともあり、実質的に元素Ｐｔ、元素Ｐｄおよび／もしくは元素Ｎｉからなることもあり、または、元素Ｐｔ、元素Ｐｄおよび／もしくは元素Ｎｉのみからなることもあり、あるいは、原子百分率で５０パーセントを超えるＰｔ、Ｐｄおよび／もしくはＮｉを含む合金を含むこともあり、原子百分率で５０パーセントを超えるＰｔ、Ｐｄおよび／もしくはＮｉを含む合金から実質的になることもあり、または、原子百分率で５０パーセントを超えるＰｔ、Ｐｄおよび／もしくはＮｉを含む合金のみからなることもある。
【００２２】
スタック２２内のコバルト含有層は、任意の適当な厚さを有することができ、いくつかの実施形態では、約１Å〜約１０Åの範囲内の厚さを有することもある。同様に、プラチナ、パラジウムおよびニッケルのうちの１つまたは複数を含む、スタック２２内の層は、任意の適当な厚さを有することができ、いくつかの実施形態では、約１Å〜約１０Åの範囲内の厚さを有することもある。
【００２３】
ピン固定されたスピン配向の所望の安定性を実現するように、スタック２２内の層の組成、厚さおよび総数を調節してもよい。いくつかの実施形態では、スタックが、「超格子」を含むことがあり、言い換えれば、各層の厚さが約１モノレイヤのことがある。
【００２４】
図示のスタック２２は、一例示的実施形態のマルチレイヤ・スタックであり、他の実施形態では、他のスタックが利用されることもある。たとえば、いくつかの実施形態では、スタック２２が、他の層と交互になったコバルト含有層を含む代わりに、他の層と交互になった鉄含有層を含むこともある。
【００２５】
参照材料内には図示のスタック２２に加えて他の構造体も存在しうることを示すために、スタック２２の下に延びるように参照材料の領域を概略的に図示している。こうした他の構造体は、たとえば、所望の結晶格子を誘起して参照材料の組成物の１つにするために利用されるシード材料（ｓｅｅｄ  ｍａｔｅｒｉａｌ）などを含んでもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態では、スタック２２を、参照材料１４のうちの第１の領域とみなし、イリジウム含有領域１８を、参照材料のうちの第２の領域とみなし、コバルト-鉄含有領域２４を、参照材料のうちの第３の領域とみなしてもよい。いくつかの実施形態の参照材料内に存在する領域は、こうした第１の領域２２、第２の領域１８、および第３の領域２４のみの場合もある。他の実施形態では、第１の領域２２、第２の領域１８、および第３の領域２４を、他の領域と組み合わせて利用することもできる（領域２２、１８および２４に加えて他の領域を含んだ一例示的実施形態を、図２に関連して下記で説明する）。
【００２７】
いくつかの実施形態では、スタック２２およびイリジウム含有領域１８が、面心立方（ｆｃｃ）１１１に相当する第１の結晶格子を有する場合もある。こうした実施形態では、偏極子領域のうちの部分２４が、トンネル絶縁体１６とともに、体心立方（ｂｃｃ）００１に相当する第２の結晶格子を有する場合もある。
【００２８】
スタック２２は、偏極子領域の偏極されたスピンを所望の向きにピン固定するための所望の磁気特性をもたらすことができ、イリジウム含有領域は、スタック２２の磁性材料と偏極子領域内の材料との間に所望の安定した結合をもたらすことができる。スタック２２にＰｔ、ＰｄおよびＮｉのうちの１つまたは複数を組み入れることで、他の材料（たとえば、イリジウム）をスタック２２に組み入れる場合よりも、平滑な（すなわち、凹凸の少ない）上面をスタックが有することを可能にすることもできる。スタックの上面が平滑なことは、磁気トンネル接合１０の材料のスタック上での一様な堆積を実現することのために、ならびに／または、スタック内の材料およびスタックの上にある材料の全体にわたって一様な結晶格子を実現することのために、望ましい場合もある。
【００２９】
図２は、他の実施形態の磁気トンネル接合１０ａを示す。磁気トンネル接合１０ａは、記録材料を含む第１の電極１２と、トンネル絶縁体１６とを含むが、これらは、図１に関連して先に議論した第１の電極およびトンネル絶縁体と類似する。
【００３０】
図２のスタック２２は、交互になった第１の層３０と第２の層３２とを含むように図示されており、第１の層は、Ｃｏを含むか、実質的にＣｏからなるか、または、Ｃｏのみからなり、第２の層は、Ｐｔ、Ｐｄおよび／もしくはＮｉを含むか、実質的にＰｔ、Ｐｄおよび／もしくはＮｉからなるか、または、Ｐｔ、Ｐｄおよび／もしくはＮｉのみからなる。
【００３１】
イリジウム含有領域１８がスタック２２の上にあり、偏極子領域２０が領域１８の上にある。
【００３２】
図示の実施形態では、偏極子領域２０は、イリジウム含有領域１８に直接触れているコバルト含有材料３６を含む。コバルト含有材料３６は、コバルトを含む場合もあり、実質的にコバルトからなる場合もあり、または、コバルトのみからなる場合もある。コバルト含有材料３６を利用する利点の１つは、コバルト含有材料が、領域１８のイリジウム含有材料に対して良好な接着性（ａｄｈｅｓｉｏｎ）を有することでありうる。この接触において、「接着性」とは磁気的接着性であってもよく、これは、イリジウムによる高まった結合強度が存在することを意味する。
【００３３】
緩衝領域３８が材料３６の上にあり、コバルト-鉄含有領域２４が緩衝領域の上にある。緩衝領域３８は、実質的にアモルファスな緩衝材を含むことがあり、また、たとえば、タンタル、ルテニウム、タングステン、モリブデンなどのうちの１つもしくは複数を含むこと、タンタル、ルテニウム、タングステン、モリブデンなどのうちの１つもしくは複数から実質的になること、または、タンタル、ルテニウム、タングステン、モリブデンなどのうちの１つもしくは複数のみからなることがある。緩衝領域は、たとえば約１Å〜約５Åの厚さを有することもある。緩衝領域は、その緩衝領域の下にある第１の結晶格子と、その緩衝領域の上にある第２の結晶格子との間の架橋として利用することもできる。たとえば、コバルト含有接着材料３６は、その下にあるイリジウム含有領域のｆｃｃ１１１格子になっていることがあり、コバルト-鉄含有領域２４はｂｃｃ００１格子になっていることがある。いくつかの実施形態では、緩衝領域が省略される場合もあり、ｂｃｃ格子がｆｃｃ格子に直接触れるように形成される場合もある。緩衝層の厚さは、磁気抵抗効果について調整される場合もある。緩衝層の組成は、トンネル絶縁体１６が堆積されるまでコバルト-鉄含有領域２４の結晶化を抑制するように、調整される場合もある（たとえば、緩衝層は、Ｔａ、Ｍｏなどのうちの１つまたは複数を含んでもよい）。
【００３４】
いくつかの実施形態では、偏極子領域２０は、全部で約４Å〜約２５Åの厚さを有する場合があり、イリジウム含有領域１８は、全部で約２Å〜約２０Åの厚さを有する場合があり、スタック２２は、全部で約２０Å〜約２００Åの厚さを有する場合がある。スタック２２は、高い垂直磁気異方性を有する場合がある。イリジウム含有領域１８も高い垂直磁気異方性を有する場合があり、さらには、イリジウム含有領域１８が、スタック２２から偏極子領域２０への材料の拡散、および偏極子領域２０からスタック２２への材料の拡散に対するバリアともなりうる。
【００３５】
上で議論した磁気トンネル接合は、メモリ製品もしくは特定のメモリ技術（例、ＭＲＡＭ、ＳＴＴ−ＭＲＡＭなど）において、または、他の技術（例、論理回路、センサ、発振器など）において、利用することもできる。本磁気トンネル接合は、電子システムに組み込むこともできる。こうした電子システムは、たとえば、メモリ・モジュール、デバイス・ドライバ、電源モジュール、通信モデム、プロセッサ・モジュール、および特定用途向けモジュール内で使用されることもあり、マルチレイヤ−マルチチップ・モジュールを含むこともある。こうした電子システムは、たとえば、カメラ、無線デバイス、ディスプレイ、チップ・セット、セット・トップ・ボックス、ゲーム、照明、乗物、時計、テレビ、携帯電話、パーソナル・コンピュータ、自動車、工業制御システム、航空機などの広範囲のシステムのうちの、いずれであってもよい。
【００３６】
図面における、様々な実施形態の特定の向きは、例示的目的のみのものであり、いくつかの応用例では、こうした実施形態は、図示の向きに対して回転されてもよい。本明細書中で提供される説明およびそれに続く特許請求の範囲は、記載した関係を様々な特徴同士の間に有する任意の構造に関するものであり、こうした構造が図面の特定の向きになっているか、あるいは、こうした向きに対して回転されているかは、関係ない。
【００３７】
添付図面中の断面図は、断面の平面内の特徴のみを示しており、図面を簡単にするために、断面の平面の後ろにある材料は示していない。
【００３８】
上記で構造体が他の構造体の「上にある（ｏｎ）」、または、それに「触れている(ａｇａｉｎｓｔ)」と言った場合、その構造体は、そうした他の構造体の直接上にあってもよく、あるいは、介在する構造体が存在してもよい。対照的に、構造体が他の構造体の「直接上にある（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）」、または、それに「直接触れている（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ａｇａｉｎｓｔ）」と言った場合、介在する構造体は存在しない。
【００３９】
いくつかの実施形態は、マルチレイヤ・スタックと偏極子領域との間にイリジウム含有領域を有する磁気参照材料を備える磁気トンネル接合を含む。
【００４０】
いくつかの実施形態は、磁気記録材料を含有する導電性の第１の磁性電極と、第１の電極から離隔されており磁気参照材料を含有する導電性の第２の磁性電極と、第１の電極と第２の電極との間にある非磁性絶縁体材料とを有する磁気トンネル接合を含む。第２の電極の磁気参照材料は、Ｃｏと、プラチナ、パラジウムおよびニッケルのうちの１つまたは複数とを含むスタックの上ある、イリジウム含有材料を含む。この磁気参照材料は、イリジウム含有材料の上にあるとともに非磁性絶縁体材料に直接触れている、コバルト-鉄含有材料を含む。イリジウム含有材料および上記スタックは、第１の結晶格子を有し、非磁性絶縁体材料およびコバルト-鉄含有材料は、第１の結晶格子とは異なる第２の結晶格子を有する。イリジウム含有材料とコバルト-鉄含有材料との間に緩衝領域が存在する。
【００４１】
いくつかの実施形態は、磁気記録材料を含有する導電性の第１の磁性電極と、第１の電極から離隔されており磁気参照材料を含有する導電性の第２の磁性電極と、第１の電極と第２の電極との間にある非磁性絶縁体材料とを有する磁気トンネル接合を含む。第２の電極の磁気参照材料は、交互になった第１の層と第２の層のスタックを含む。第１の層はコバルトを含み、第２の層は、Ｐｔ、ＰｄおよびＮｉのうちの１つまたは複数を含む。第２の電極の磁気参照材料は、上記スタックの上にあるイリジウム含有領域を含む。第２の電極の磁気参照材料は、イリジウム含有領域と非磁性絶縁体領域との間にある偏極領域を含む。偏極領域は、コバルトおよび鉄を含む材料を含む。
【図１】
0006590351.tif 000002
【図２】
0006590351.tif 000003