(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（２０）に形成したアライメントマーク（２１）を認識するアライメント装置であって、
前記アライメントマークに対して励起光を照射する励起源（１３）と、
前記励起源から照射された励起光が前記半導体基板に照射されたときに発する光を検出することで前記アライメントマークを認識する検出器（１４）と、を有し、
前記励起源は、前記励起光として、前記半導体基板を構成する材料のバンドギャップよりも大きな波長の光を照射し、
前記検出器は、前記半導体基板のうちのバンドギャップ中に準位を形成するマーク部（２１ａ）から発せられる光を検出することで前記アライメントマークを認識するアライメント装置。
【請求項２】
前記半導体基板が設置される設置面を有するステージ（１１）と、
前記設置面をＸＹ平面として前記ステージと共に前記半導体基板を前記ＸＹ平面上において水平移動させると共に前記設置面上の所定位置を中心として回転させる駆動部（１２）と、
前記検出器による検出結果に基づいて前記駆動部を制御し、前記ステージと共に前記半導体基板を前記ＸＹ平面上において水平移動させると共に前記所定位置を中心として回転させることで前記アライメントマークに基づく前記半導体基板の位置調整を行う制御部（１５）と、を有する請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項３】
半導体基板（２０）に形成したアライメントマーク（２１）を認識して位置調整を行うことに基づいて半導体装置の製造を行う半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板として、該半導体基板を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するマーク部（２１ａ）を前記アライメントマークとして備えたものを用意することと、
前記アライメントマークに対して励起光として前記半導体基板を構成する材料のバンドギャップよりも大きな波長の光を照射し、前記励起光の照射に基づく前記マーク部の発光を検出することで前記アライメントマークの位置を検出することと、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造プロセス中にアライメントマークを認識して半導体基板とマスクとの位置調整やパターン同士の位置合わせ精度の検査などを行うアライメント装置、それに用いられるアライメントマークを有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）を用いた半導体装置の製造方法において、不純物層の表面に形成される凹凸をアライメントマークとして用いて、その後の工程でのマスクの位置調整などを行う方法が開示されている。具体的には、ｎ型ドリフト層の表面に凹凸を形成しておくと、その上にエピタキシャル成長させたｐ型不純物層の表面にも凹凸が引き継がれる。特許文献１に開示された半導体装置の製造方法では、この凹凸をアライメントマークとして用いて、その後の工程でのマスクの位置調整などを行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１５９２７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、アライメントマークとして用いられる凹凸の出来栄えや、凹凸が形成されるｎ型ドリフト層や不純物層の結晶面の違いによる成長レートの差などに起因して、アライメントマークに位置ズレが発生し、的確な位置調整が行えなくなるという問題が生じた。
【０００５】
例えば、特許文献１に示されるように凹凸を形成したｎ型不純物層の上にｐ型不純物層をエピタキシャル成長させると、ｐ型不純物層にも凹凸が受け継がれる。この凹凸における凹部の側面が斜めになったテーパ面になると、画像認識などによって凹部を確認したときに、凹部の側面を正確に認識できない。つまり、ｐ型不純物層を上方から見たときに、テーパ面を的確に認識できないため、テーパ面のどこが凹部の端部か判らず、テーパ面の幅分、凹部の側面の検出位置にズレが生じ得る。また、ＳｉＣなどでは、エピタキシャル成長の成長レートが面方位に依存して異なっていることから、下地となるｎ型不純物層の凹部の位置に対して、その上にエピタキシャル成長させたｐ型不純物層の凹部の位置がずれることがある。
【０００６】
これらの場合には、下地となるｎ型不純物層の凹部に対して、アライメントマークとして用いられるｐ型不純物層の凹部の位置がずれることになるため、その後の工程でもマスクの位置調整などにおいて位置ずれが生じてしまう。
【０００７】
本発明は上記点に鑑みて、より的確に位置調整が可能となるアライメント装置、それに用いられるアライメントマークを有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、半導体基板（２０）に形成したアライメントマーク（２１）を認識するアライメント装置であって、アライメントマークに対して励起光を照射する励起源（１３）と、励起源から照射された励起光が半導体基板に照射されたときに発する光を検出することでアライメントマークを認識する検出器（１４）と、を有している。そして、励起源は、励起光として、半導体基板を構成する材料のバンドギャップよりも大きな波長の光を照射し、検出器は、半導体基板のうちのバンドギャップ中に準位を形成するマーク部（２１ａ）から発せられる光を検出することでアライメントマークを認識する。
【０００９】
このように、半導体基板を構成する材料のバンドギャップよりも大きな波長の励起光を半導体基板に対して照射することで、半導体基板に形成されたアライメントマークを認識することが可能となる。具体的には、半導体基板に対して、半導体基板を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するアライメントマークを形成しておけば、励起光を用いてアライメントマークを認識することができる。このようなアライメント装置を用いることで、単なる光照射によってアライメントマークを認識でき、それに基づいてより的確に位置調整が可能となる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、半導体基板（２０）に形成したアライメントマーク（２１）を認識して位置調整を行うことに基づいて半導体装置の製造を行う半導体装置の製造方法であって、半導体基板として、該半導体基板を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するマーク部（２１ａ）をアライメントマークとして備えたものを用意することと、アライメントマークに対して励起光として半導体基板を構成する材料のバンドギャップよりも大きな波長の光を照射し、励起光の照射に基づくマーク部の発光を検出することでアライメントマークの位置を検出することと、を含んでいる。
【００１１】
このように、半導体基板として、該半導体基板を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するマーク部をアライメントマークとして備えたものを用意し、このマーク部に励起光として半導体基板を構成する材料のバンドギャップよりも大きな波長の光を照射することで、アライメントマークを認識できる。これにより、単なる光照射によってアライメントマークを認識でき、それに基づいてより的確に位置調整が可能となる。
【００１２】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態にかかるアライメント装置を模式的に示した斜視図である。
【図２Ａ】アライメントマークを拡大して示した半導体基板の部分拡大図である。
【図２Ｂ】図２Ａ中のIIB−IIB断面図である。
【図３Ａ】半導体基板を構成する半導体材料に対して励起光を照射したきの発光のメカニズムを示したエネルギーバンド図である。
【図３Ｂ】半導体基板に準位を形成した構造に対して励起光を照射したきの発光のメカニズムを示したエネルギーバンド図である。
【図４】半導体基板の表面に上層膜が形成されている場合の発光の様子を示した断面図である。
【図５】アライメントマークの製造工程を示した断面図である。
【図６Ａ】第２実施形態にかかるアライメントマークを拡大して示した半導体基板の部分拡大図である。
【図６Ｂ】図６Ａ中のVIB−VIB断面図である。
【図７】半導体基板と上層膜との間に中間膜を備えた場合の発光の様子を示した断面図である。
【図８】他の実施形態で説明するアライメントマークを拡大して示した半導体基板の断面図である。
【図９】半導体基板と上層膜との間に中間膜を備えた場合の発光の様子を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１５】
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。まず、本実施形態で用いるアライメント装置について説明する。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態にかかるアライメント装置１０は、ステージ１１、駆動部１２、励起源１３、検出器１４および制御部１５を有した構成とされている。このアライメント装置１０は、例えば、フォトリソグラフィを行うための露光機内や、半導体基板２０に形成されている上下のパターンの形成位置が整合しているかの検査を行う検査装置内に備えられる。
【００１７】
半導体基板２０の材料としてはＳｉＣの他、シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが用いられ、半導体基板２０に対して所望の半導体素子を形成する際に、アライメント装置１０による位置調整を行う。
【００１８】
ステージ１１は、加工対象となる半導体基板２０が搭載される設置面を構成する設置台となるものであり、設置面をＸＹ平面としてＸＹ平面上において水平移動が可能になっている。また、ステージ１１は、所定位置を中心として、具体的には後述する駆動部１２の中心を回転中心として、ＸＹ平面内において回転可能とされている。
【００１９】
駆動部１２は、ステージ１１をＸＹ平面上において水平移動させると共に、駆動軸１２の中心軸を中心としてステージ１１を回転させることができる回転駆動機構を構成する。この駆動部１２が後述する制御部１５からの制御信号に基づいて駆動されることで、ステージ１１およびその上に搭載される半導体基板２０をＸＹ平面内において所望の角度回転させることが可能となる。
【００２０】
励起源１３は、半導体基板２０に対して所定波長の励起光を照射するために用いられ、いわゆるフォトルミネッセンス法として用いられる光源である。励起源１３から照射する励起光の波長は、半導体基板２０の材質や後述するように半導体基板２０に形成するアライメントマーク２１の構成に応じて設定されている。このため、励起光の照射により、半導体基板２０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーが与えられる。例えば、半導体基板２０の材料としてＳｉＣが用いられる場合には、ＳｉＣのバンドギャップエネルギーによって決まる吸収端波長（すなわち３８０ｎｍ）よりも短い波長の励起光を励起源１３から照射できるようになっている。
【００２１】
なお、励起源１３は、図示しない移動機構による移動もしくは角度調整機構による照射方向の調整によって照射位置が調整可能とされており、励起光が半導体基板２０の表面内における所望位置に照射できるようになっている。
【００２２】
検出器１４は、励起源１３から半導体基板２０に対して励起光を照射したときに、アライメントマーク２１のマーク部２１ａにおいて励起光の励起による発光が生じることから、その光を検出するものとして用いられる。検出器１４は、マーク部２１ａでの発光を検出できるデバイスとされ、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Deviceの略）カメラやフォトダイオードなどで構成される。また、マーク部２１ａから発せられる光の波長については、後述するようにアライメントマーク２１の構成によって決まることから、その波長域での光を的確に検出できるように、検出器１４にバンドパスフィルタを備えるようにしても良い。
【００２３】
制御部１５は、検出器１４での検出結果を入力し、その検出結果に基づいてアライメントマーク２１の位置を認識するとともに、そのアライメントマーク２１に応じた位置調整が行えるように、駆動部１２を制御する。
【００２４】
例えば、アライメント装置１０がフォトリソグラフィを行うための露光装置内に設けられるものである場合、アライメント装置１０がマスク位置合わせに用いられる。例えば、半導体基板２０に対して所望パターンの不純物層や絶縁膜もしくは配線層などを形成する際に、半導体基板２０の上に図示しないマスクを配置し、アライメントマーク２１の位置を確認しながらマスクのパターンに対する位置調整を行う。このときに、励起源１３から励起光をアライメントマーク２１のマーク部２１ａに照射し、マーク部２１ａから発生された光を検出器１４で検出する。そして、検出器１４で検出したアライメントマーク２１の位置を制御部１５に伝え、制御部１５が駆動部１２を駆動してステージ１１および半導体基板２０のＸＹ面上での位置および回転角度を調整する。これにより、半導体基板２０に対してマスクの位置合わせを行うことが可能となる。
【００２５】
続いて、本実施形態にかかる半導体基板２０に形成するアライメントマーク２１の詳細について説明する。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、アライメントマーク２１のマーク部２１ａは、例えば半導体基板２０の表面に形成されており、半導体基板２０を構成する半導体材料自体を用いて構成されている。マーク部２１ａは、半導体素子の形成されるアクティブ領域ではない領域、例えばスクライブ領域などに形成されていると好ましい。本実施形態の場合、マーク部２１ａは、半導体基板２０を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するものであり、例えば欠陥やその周囲に対して不純物濃度が変化させられた領域によって構成されている。
【００２６】
例えば、図３Ａに示すように、半導体基板２０を構成する半導体材料における伝導帯下端Ｅｃと価電子帯上端Ｅｖは、その半導体材料が有するバンドギャップエネルギーによって決まっている。半導体基板２０に対して光が照射されたときに、半導体基板２０を構成する半導体材料のバンドギャップエネルギーによって決まる吸収端波長以下の波長の光であると、伝導帯下端Ｅｃの電子と価電子帯上端Ｅｖのホールとの直接の再結合によるバンド間発光や、自由励起子や束縛励起子による励起子発光が生じる。このため、半導体基板２０からの発光が生じる。このときの発光は、半導体基板２０を構成する材料からの発光となり、所定の発光色となる。
【００２７】
これに対して、図３Ｂに示すように、半導体基板２０を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位が形成されていると、再結合する電子とホールとの距離がバンドギャップよりも短くなる。すなわち、準位に捉えられた電子と価電子帯上端Ｅｖのホールとの間、伝導帯下端Ｅｃの電子と準位に捉えられたホールとの間、もしくは、準位に捉えられた電子とホールとの間において、再結合が行われることになる。したがって、この場合にも吸収端波長以下の波長の光を照射したときに励起して発光が生じる。ただし、このときの発光は、準位を介在した発光となることから、半導体基板２０のうち準位が形成されていない部分とは異なる発光色となる。このため、準位が形成された位置と形成されていない位置とで発光色の相違が生じ、発光色を確認することで準位が形成された位置を認識することが可能となる。
【００２８】
このように、マーク部２１ａとして、例えば欠陥やその周囲と比較して不純物濃度が変化させられた領域を形成すれば、半導体基板２０を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成することができる。そして、マーク部２１ａが構成する準位に基づく発光を検出器１４によって検出することで、マーク部２１ａを認識することが可能となるため、励起光の照射に基づいてアライメントマーク２１を認識できる。また、半導体基板２０の表面に凹凸が形成されているか否かに関わらず、マーク部２１ａに励起光を照射することによってアライメントマーク２１を認識できる。これにより、マスク合わせなどにおいて的確に位置調整を行うことが可能となる。
【００２９】
また、マーク部２１ａに励起光が照射されれば良いため、例えば図４に示すように、光学的に励起光に対する透過率が高い上層膜２２がマーク部２１ａの上に形成されていても良い。そのような上層膜２２としては、例えば、半導体基板２０の表面にエピタキシャル成長させたエピタキシャル膜やシリコン酸化（ＳｉＯ2）膜、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜などが挙げられる。
【００３０】
このようなアライメントマーク２１のマーク部２１ａは、例えば図５に示す形成工程を行うことによって形成される。
【００３１】
具体的には、図５（ａ）に示すように半導体基板２０を用意したのち、図５（ｂ）に示すように半導体基板２０の上にマスク２０を形成する。例えばマスク３０の材料としてレジストを配置したのち、露光することでマスク３０のうちマーク部２１ａの形成予定領域を開口させる。
【００３２】
そして、図５（ｃ）に示すようにマスク３０の上から不純物となるイオンの注入もしくは電子線やイオンの注入を行う。不純物となるイオンとしては、イオン注入や熱拡散によってドナーやアクセプタとなるイオン、つまりｎ型不純物もしくはｐ型不純物となるイオンである。不純物となるイオンを注入することで、半導体基板２０内におけるイオンが注入された部分をその周囲に対して不純物濃度が変化させられた領域にできる。また、電子線やイオンを注入する場合、半導体基板２０に対して欠陥を形成することができる。したがって、図５（ｃ）に示す工程を行うことによって、半導体基板２０に対して周囲から不純物濃度を変化させた領域を形成したり、欠陥を形成したりでき、半導体基板２０を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するマーク部２１ａが形成される。その後、図５（ｄ）に示すようにマスク３０を除去する。
【００３３】
このようにしてアライメントマーク２１を形成した半導体基板２０を用意することができる。この半導体基板２０を用いて、不純物層の形成工程や絶縁膜の形成工程および電極の形成工程などの半導体プロセスを施したのち、ダイシングによってチップ単位に分割することで所望の素子が形成された半導体装置が製造される。このように製造された半導体装置は、例えば上記したようにスクライブ領域にアライメントマーク２１を形成している場合にはダイシング時に除去される。また、セル領域のうちのアクティブ領域ではない領域やセル領域を囲む外周領域にアライメントマーク２１を形成する場合には、その領域に残った状態となる。
【００３４】
この半導体プロセス中において、半導体基板２０に対するマスクの位置合わせを行ったり、半導体基板２０に形成された上下のパターンの形成位置が整合しているかを検査する際に、図１に示すアライメント装置１０が用いられる。このとき、半導体基板２０を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するマーク部２１ａをアライメントマーク２１として形成してあるため、アライメント装置１０により、励起光の照射に基づいてアライメントマーク２１を認識できる。そして、半導体基板２０の表面に凹凸が形成されているか否かに関わらず、マーク部２１ａに励起光を照射することによってアライメントマーク２１を認識できる。これにより、マスク合わせなどにおいて的確に位置調整を行うことが可能となる。
【００３５】
なお、アライメントマークとしてイオンビームを照射したときに発光する材料、例えばアルミナやアルミニウムを用いることもでき、その発光を検知することでアライメントマークを認識することも可能である。しかしながら、イオンビームを用いる必要があり、アライメントマークを用いた位置調整を行うたびにアライメントマークに対して繰り返しダメージを与えることになって、アライメントマークの損傷による位置検出精度の低下が懸念される。また、イオンビームは電荷を帯びているため、半導体基板２０に形成される半導体素子にダメージを与えて特性変動を生じさせる可能性もある。さらに、イオンビームはアライメントマーク上に膜が存在するとビームがマークまで届かず発光しないため、アライメントマークを認識できなくなる。
【００３６】
これに対して、本実施形態で説明したように、半導体基板２０を構成する半導体材料のバンドギャップ中に準位を形成するマーク部２１ａを用いることで、励起光を用いてアライメントマーク２１を認識することができる。また、単なる光照射によってアライメントマーク２１を認識できるため、半導体素子にダメージを与えることも無い。さらに、マーク部２１ａの上に光学的に励起光に対する透過率が高い上層膜２２が形成されていても、励起光を透過してアライメントマーク２１を認識することができる。
【００３７】
また、イオンビームに対して発光する材料の場合、通常の半導体プロセスとは別プロセスとしてアライメントマークの形成を行う必要がある。しかしながら、本実施形態のように、不純物の注入によってマーク部２１ａにて構成されるアライメントマーク２１を形成する場合には、他の不純物層の形成工程と兼ねてマーク部２１ａを形成することも可能となり、追加工程を行わなくても良くなる。
【００３８】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してアライメントマーク２１の構成およびアライメント装置１０によるアライメントマーク２１の認識の仕方を変更したものである。本実施形態のその他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３９】
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、本実施形態のアライメントマーク２１は、例えば半導体基板２０の表面に形成された第１レイヤーマーク２１ｂと第２レイヤーマーク２１ｃの２つによって構成されている。第１レイヤーマーク２１ｂは、第１実施形態で説明したマーク部２１ａと同様の構成のものである。第２レイヤーマーク２１ｃは、第１レイヤーマーク２１ｂが形成された半導体基板２０の上に形成された上層膜２２をパターニングすることで構成されている。上層膜２２は、例えばレジストによって構成されており、レジストを露光して凹部を形成することで、第２レイヤーマーク２１ｃとされている。
【００４０】
本実施形態の場合、例えば第１レイヤーマーク２１ｂを四角形枠状としており、第２レイヤーマーク２１ｃを第１レイヤーマーク２１ｂ内に配置される四角形状としている。
【００４１】
このように、アライメントマーク２１を第１レイヤーマーク２１ｂと第２レイヤーマーク２１ｃとによって構成する場合、第１レイヤーマーク２１ｂについてはアライメント装置１０による励起光の照射によって認識可能である。また、第２レイヤーマーク２１ｃについては、検出器１４をＣＣＤカメラなどによって構成しておき、認識画像を解析することで認識可能である。そして、認識した第１レイヤーマーク２１ｂと第２レイヤーマーク２１ｃとを重ね合わせ、これらの間の位置ずれを検出することでアライメント精度を測定する。
【００４２】
例えば、第１レイヤーマーク２１ｂが形成された半導体基板２０の上に上層膜２２を形成したときに、その上層膜２２の位置ずれの精度を検出する際に、第１レイヤーマーク２１ｂと第２レイヤーマーク２１ｃとの位置ずれを用いることができる。このように、第１実施形態で説明したようなマーク部２１ａのみによる位置調整に限らず、第１レイヤーマーク２１ｂと第２レイヤーマーク２１ｃとの位置ずれに基づいてアライメント精度を測定するようにしても良い。
【００４３】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００４４】
例えば、第１実施形態では、アライメントマーク２１のマーク部２１ａを上面形状が長方形状となるようにしたが、例えば正方形や十字形状などの他の形状としても良い。同様に、第２実施形態では、第１レイヤーマーク２１ｂを四角形枠状とし、第２レイヤーマーク２１ｃを四角形としたが、他の形状としても良い。
【００４５】
また、第２実施形態では、第１レイヤーマーク２１ｂが形成された半導体基板２０の表面上に第２レイヤーマーク２１ｃを構成する上層膜２２を形成している。しかしながら、これも一例を示したに過ぎず、例えば図７に示すように、半導体基板２０と上層膜２２との間に光学的に励起光に対する透過率が高い中間層２３が配置されていても良い。中間層２３については単層である必要はなく、複数層の積層膜が備えられていても良い。また、中間層２３のすべてが励起光に対する透過率が高い膜である必要はなく、アライメントマーク２１の認識が可能となるように、アライメントマーク２１の周囲が励起光に対する透過率が高い膜であれば良い。例えば、アライメントマーク２１を避けるように配線層などが形成されていても良い。
【００４６】
また、第２実施形態では、上層膜２２のうち四角形枠状とされた第１レイヤーマーク２１ｂの中央部に凹部を形成することで第２レイヤーマーク２１ｃを構成した。これに対して、凹部ではなく凸部を形成することで第２レイヤーマーク２１ｃを構成するようにしても良い。例えば、図８に示す構成にできる。図８に示す上層膜２２は、例えばレジストによって構成されており、レジストを露光して凸部を形成することで、第２レイヤーマーク２１ｃとしている。このような構成としても、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、このような構造においても、図７に示す構造と同様、図９に示すように、半導体基板２０と上層膜２２との間に光学的に励起光に対する透過率が高い中間層２３が配置されていても良い。
【符号の説明】
【００４７】
１０    アライメント装置
１１    ステージ
１３    励起源
１４    検出器
１５    制御部
２０    半導体基板
２１    アライメントマーク
２２    上層膜
２３    中間層
３０    マスク
【図１】
0006614022.tif 000002
【図２Ａ】
0006614022.tif 000003
【図２Ｂ】
0006614022.tif 000004
【図３Ａ】
0006614022.tif 000005
【図３Ｂ】
0006614022.tif 000006
【図４】
0006614022.tif 000007
【図５】
0006614022.tif 000008
【図６Ａ】
0006614022.tif 000009
【図６Ｂ】
0006614022.tif 000010
【図７】
0006614022.tif 000011
【図８】
0006614022.tif 000012
【図９】
0006614022.tif 000013