(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄熱層と、前記蓄熱層の表面から裏面へ向かって延びる一対の電極と、前記一対の電極と前記蓄熱層の前記表面とに接する発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層を被覆する第１の被覆層と、が積層された液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記発熱抵抗層と前記第１の被覆層とを有する基板に設けたマスクを用いて前記発熱抵抗層と前記第１の被覆層とをエッチングする工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記発熱抵抗層の端部を被覆する第２の被覆層を設ける工程と、
をこの順に有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項２】
前記表面に直交する方向からみて前記第２の被覆層は前記発熱抵抗層のうちの前記一対の電極で規定される発熱抵抗体の領域と重ならない、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項３】
前記表面に直交する方向から見て前記第２の被覆層の一部は前記一対の電極と重なる、請求項１または請求項２に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項４】
前記表面に直交する方向から見て前記第２の被覆層は前記一対の電極と重ならない、請求項１または請求項２に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の被覆層は絶縁性材料で形成されている、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の被覆層はＳｉＮで形成されている、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の被覆層の厚みは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の被覆層は絶縁性材料で形成されている、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項９】
前記エッチングする工程では、前記発熱抵抗層、前記第１の被覆層、および前記第１の被覆層を被覆する第３の被覆層をエッチングし、
前記第２の被覆層を設ける工程において前記第２の被覆層をエッチングする際に前記第３の被覆層で前記第２の被覆層のエッチングを止める、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１０】
酸素プラズマを用いたドライアッシングにより前記マスクを除去する、請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記一対の電極および前記蓄熱層の前記表面に平坦化処理を行う、請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１２】
蓄熱層と、前記蓄熱層の表面から裏面へ向かって延びる一対の電極と、前記一対の電極と前記蓄熱層の前記表面とに接する発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層を被覆する第１の被覆層と、を有する液体吐出ヘッド用基板において、
前記発熱抵抗層と前記第１の被覆層とが同じパターンとして形成されており、
前記発熱抵抗層の端部を被覆する第２の被覆層を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。
【請求項１３】
前記第１の被覆層は絶縁性材料で形成されている、請求項１２に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項１４】
前記第２の被覆層は絶縁性材料で形成されている、請求項１２または請求項１３に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項１５】
前記表面に直交する方向からみて前記第２の被覆層は前記発熱抵抗層のうちの前記一対の電極で規定される発熱抵抗体の領域と重ならない、請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を吐出する液体吐出ヘッド用基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体吐出ヘッドは、液体吐出ヘッド用基板に設けられた発熱抵抗体によって液体を急激に加熱し、発泡させることで吐出口から液滴を吐出する。発熱抵抗体は、液体との間の絶縁性を確保するための絶縁層や液体の発泡、消泡に伴うキャビテーションによる衝撃から発熱抵抗体を保護するための保護層などで被覆されている。これらの発熱抵抗体を被覆する層を薄くすることでより効率的に液体を加熱することが可能となるので、これらの層を薄くすることが求められている。
【０００３】
しかし、発熱抵抗体に電力を供給する一対の電極を構成する電極層が発熱抵抗体を構成する発熱抵抗層の表面または裏面に設けられた構成は、一対の電極によって大きな段差が生じる。また、電極は一般的にＡｌで形成されているが、Ａｌは腐食されやすいため加工が難しく形状が安定しにくい。また、段差の側壁などに設けられる絶縁層や保護層は平坦な部分に形成される膜と比べて膜厚が薄くまた膜質も低下する。このため、上述の構成において絶縁層や保護層を薄くすると、一対の電極によって生じる段差部分を十分に保護することが困難になり、絶縁性や衝撃に対する耐久性の不足を招く恐れがある。また、発熱抵抗体が液体に腐食されやすくなる恐れも生じる。
【０００４】
そこで、電極層による段差を設けないための形態として、特許文献１では、電極を蓄熱層に埋め込みその表面を平坦化し、この平坦化された表面に発熱抵抗層、絶縁層および保護層を設ける構成が提案されている。
【０００５】
ところで、液体吐出ヘッド用基板の製造工程において発熱抵抗層をエッチングする際に、まず、発熱抵抗層が設けられた基板の表面に例えばマスクの一例としてフォトレジストを塗布しフォトリソグラフィーを用いてパターンを形成する。この際、例えばＣＬ２やＣＦ４等のガスを使いプラズマを用いてドライエッチングを行うと、フォトレジストの表面が変質し、フォトレジストを溶解する薬液に浸すだけではフォトレジストを除去しきれなくなってしまう。
【０００６】
液体吐出のための発泡時に発熱抵抗体は数百度という高温になるため、その表面にフォトレジストが残存していると早期に断線する恐れが生じるため、酸素プラズマ等でドライアッシングを行い、フォトレジストを除去する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１０８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、フォトレジストが残らないようにドライアッシングを行うと、発熱抵抗層の表面も酸素プラズマにさらされ、その表面が酸化し表面から数ｎｍの厚さの発熱抵抗層の部分が変質し、その部分の抵抗値が高くなってしまう。発熱抵抗体はその抵抗値を高くするために厚さが非常に薄いので、表面から数ｎｍであっても変質による影響が非常に大きい。
【０００９】
また、ドライアッシングによるフォトレジストの除去は同時には完了しないため、変質する部分の厚さや変質の度合いは場所によって異なってしまい、抵抗値のばらつきが生じてしまう。さらに、変質によって発熱抵抗体の電流に対する耐久性が低下するため、変質の度合いが大きい部分があると発熱抵抗体が早期に破断する恐れも生じる。
【００１０】
そこで、本発明は、効率的に液体を加熱し、製造工程における発熱抵抗層の表面の変質を抑制することが可能な液体吐出ヘッド用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、蓄熱層と、前記蓄熱層の表面から裏面へ向かって延びる一対の電極と、前記一対の電極と前記蓄熱層の前記表面とに接する発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層を被覆する第１の被覆層と、が積層された液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記発熱抵抗層と前記第１の被覆層とを有する基板に設けたマスクを用いて前記発熱抵抗層と前記第１の被覆層とをエッチングする工程と、前記マスクを除去する工程と、前記発熱抵抗層の端部を被覆する第２の被覆層を設ける工程と、をこの順に有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、効率的に液体を加熱し、製造工程における発熱抵抗層の表面の変質を抑制することが可能な液体吐出ヘッド用基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態のヘッド用基板の発熱抵抗体付近を示す図である。
【図２】第１の実施形態のヘッド用基板の製造工程を示す図である。
【図３】第２の実施形態のヘッド用基板の発熱抵抗体付近を示す図である。
【図４】第２の実施形態のヘッド用基板の製造工程を示す図である。
【図５】比較例のヘッド用基板の発熱抵抗体付近を示す図である。
【図６】比較例のヘッド用基板の製造工程を示す図である。
【図７】ヘッド用基板を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
＜ヘッド用基板＞
まず、本実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板としての、インク等の液体を吐出する液体吐出ヘッドに用いられるヘッド用基板１００を図１、図７を用いて説明する。なお、以下で説明する形態の材料や厚さなどは本発明の一例である。
【００１５】
図７はヘッド用基板１００の斜視図である。図７に示すようにヘッド用基板１００は、発熱抵抗体１０７が設けられた基板１０と、液体を吐出する吐出口２１や吐出口２１に連通する流路２２が設けられた吐出口形成部材２０とを有する。また、基板１０は吐出される液体を供給する供給口１１や、発熱抵抗体１０７を駆動するための信号や発熱抵抗体１０７に供給される電力を基板１０に送るための端子１２を有する。
【００１６】
図１（ａ）はヘッド用基板１００の発熱抵抗体１０７およびその近傍を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、吐出口形成部材２０は図１から省略している。
【００１７】
まず、ヘッド用基板１００の積層構成について説明する。ヘッド用基板１００には、シリコンの基体（不図示）、熱酸化膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜等で形成された蓄熱層１０１が設けられている。蓄熱層１０１には蓄熱層１０１の表面から裏面へ向かって延びる、Ｗ、ＴｉＮ、Ａｌ合金等の金属材料からなる電極１０２（以下、「一対の電極１０２ａ、１０２ｂ」とも称する）が設けられている。蓄熱層１０１および電極１０２の表面には化学機械研磨（ＣＭＰ法）やエッチバックといった平坦化処理が施されており、蓄熱層１０１および電極１０２の表面はほぼ平坦な面になっている。この表面に、ＴａＳｉＮやＷＳｉＮ、ＣｒＳｉＮといった膜で形成された厚さ１０〜５０ｎｍの発熱抵抗層１０３が設けられている。さらに、発熱抵抗層１０３の表面にＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＣＮ等の絶縁性材料で形成された厚さ５０〜３００ｎｍの絶縁層１０４が設けられており、発熱抵抗層１０３と絶縁層１０４とはドライエッチングにより同じパターンとして設けられている。
【００１８】
この構成においては、図１（ａ）の一点鎖線で示すように、発熱抵抗層１０３のうちの一対の電極１０２ａ、１０２ｂの内側の領域が発熱抵抗体１０７となる。一つの発熱抵抗体１０７に対して複数の一対の電極１０２ａ、１０２ｂが設けられおり、この複数の一対の電極１０２ａ、１０２ｂによって発熱抵抗体１０７の領域が規定されている。不図示の電源から一対の電極１０２ａ、１０２ｂに電力が供給され、発熱抵抗体１０７が発熱し、流路２２内の液体に発泡が生じて液体が吐出される。
【００１９】
さらに、蓄熱層１０１および絶縁層１０４の表面には、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＣＮ等の絶縁性材料で形成された発熱抵抗層１０３の端部を被覆するための厚さ５０〜３００ｎｍの端部被覆層１０５が設けられている。この端部被覆層１０５は、ヘッド用基板１００の表面に直交する方向から見て発熱抵抗層１０３の端部の周縁を囲うように設けられている。図１（ａ）において絶縁層１０４の表面における端部被覆層１０５の端部の位置を点線で示している。また、この端部被覆層１０５は、ヘッド用基板１００の表面に直交する方向から見て発熱抵抗体１０７の領域と重なる部分には設けられていない。
【００２０】
さらに、Ｔａ、Ｉｒ、Ｒｕ等で形成された、液体の発泡、消泡に伴うキャビテーションによる衝撃から発熱抵抗層１０３、絶縁層１０４を守るための保護層１０６が設けられている。この保護層１０６は厚さが５０〜３００ｎｍであり、発熱抵抗層１０３、絶縁層１０４を被覆している。なお、この保護層１０６は必ずしも設ける必要はない。
【００２１】
なお、絶縁層１０４を第１の被覆層、端部被覆層１０５を第２の被覆層、保護層１０６を第３の被覆層とも称する。
【００２２】
＜ヘッド用基板の製造方法＞
次に、ヘッド用基板１００の製造工程における課題に関して図５、図６を用いて説明する。図５（ａ）は比較例のヘッド用基板の発熱抵抗体１０７およびその近傍を示す上面図であり、図５（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図６は比較例のヘッド用基板１００の製造方法を示す工程フロー図である。
【００２３】
図５（ｂ）に示すように比較例のヘッド用基板は、蓄熱層１０１に設けられたスルーホールにＷが埋め込まれて電極１０２が設けられており、この表面に発熱抵抗層１０３が設けられた構成である。
【００２４】
次に、この比較例のヘッド用基板の製造方法について説明する。図６（ａ）に示すように、ＳｉＨ４ガスベースで成膜されたＰ−ＳｉＯ膜（プラズマＣＶＤ法で形成された酸化シリコン）が蓄熱層１０１の一部として設けられており、この蓄熱層１０１にスルーホールを形成する。このスルーホールにＷを埋め込み、ＣＭＰ法を用いて表面を平坦化して電極１０２としてＷプラグを形成する。次に、発熱抵抗層１０３を１０〜５０ｎｍの厚さで成膜する（図６（ｂ））。次に、発熱抵抗層１０３の表面にフォトレジスト２００を塗布し、フォトリソグラフィーを用いてパターンを形成し、ＣＬ２やＣＦ４等のガスを使いプラズマを用いたドライエッチングを行う（図６（ｃ））。
【００２５】
ここで、ドライエッチングによってフォトレジスト２００の表面は変質するため、フォトレジスト２００を溶解する薬液に浸すだけではフォトレジスト２００を除去しきれなくなってしまう。発熱抵抗層１０３は液体を発泡させるとき数百度の高温になるため、その表面に少しでもフォトレジスト２００が残存していると早期に断線してしまう恐れがある。そこで、フォトレジスト２００が変質した層も除去できる酸素プラズマ等を用いたドライアッシングによってフォトレジスト２００を除去する。そのため、発熱抵抗層１０３の表面はドライアッシングの際の酸素プラズマ等にさらされることとなる（図６（ｄ））。この後、絶縁層１０４（図６（ｅ））、保護層１０６（図６（ｄ））を成膜する。
【００２６】
このようにして製造されたヘッド用基板１００の発熱抵抗層１０３はその表面が酸素プラズマにより酸化し、表面から数ｎｍの厚さの発熱抵抗層１０３の部分が変質し、その部分の抵抗値が高くなってしまう。発熱抵抗体はその抵抗値を高くするために厚さが非常に薄いので、表面から数ｎｍであっても変質による影響が非常に大きい。
【００２７】
次に、本実施形態のヘッド用基板１００の製造方法を説明する。図２は本実施形態のヘッド用基板１００の製造方法を示す工程フロー図である。なお、以下に説明する層の厚さや材料等は本実施形態の一例である。
【００２８】
ヘッド用基板１００は、半導体の駆動素子を作りこんだシリコンの基体の表面に膜を積層して作られている（不図示）。発熱抵抗層１０３が成膜される基体の表面に、ＳｉＨ４ガスベースで成膜されたＰ−ＳｉＯ膜を蓄熱層１０１の一部として設ける。この蓄熱層１０１にスルーホールを形成し、このスルーホールにバリアメタルとしてＴｉＮを物理気相成長法（ＰＶＤ法）によって形成した後、有機金属気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）によりＷを埋め込む。その後、ＣＭＰ法を用いて蓄熱層１０１およびＷの表面を平坦化し、電極１０２としてＷプラグを形成する（図２（ａ））。
【００２９】
この平坦化された表面にＴａＳｉと窒素の反応性ＰＶＤ法を用いて、発熱抵抗層１０３としてＴａＳｉＮを１５ｎｍ成膜し、その表面に絶縁層１０４としてプラズマＣＶＤ法でＳｉＮ膜を１００ｎｍ成膜する（図２（ｂ））。この間パターニングを行わないため、発熱抵抗層１０３の表面は露出されない。
【００３０】
その後、マスクの一例としてのフォトレジスト２００を塗布し、フォトリソグラフィーを用いてパターンを形成し、これをマスクとして反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）によりＣＬ２とＢＣＬ３ガスを用いてドライエッチングを行う（図２（ｃ））。このように同じ工程において発熱抵抗層１０３と絶縁層１０４とをエッチングするので、これらの層が同じパターンとして形成される。
【００３１】
そして、ドライエッチング後のフォトレジスト２００の変質した表面も除去できる酸素プラズマを用いたドライアッシングによりフォトレジスト２００を除去する（図２（ｄ））。
【００３２】
その後、露出している発熱抵抗層１０３の側面をカバーするため、プラズマＣＶＤ法を用いて発熱抵抗層１０３の端部を被覆する端部被覆層１０５としてＳｉＨ４ベースのＰ−ＳｉＯ膜を２００ｎｍ成膜する。そして、フォトリソグラフィーを用いて少なくとも発熱抵抗体１０７に対応する部分を開口したパターンを形成した後にＢＨＦを使ってパターンに対応するＰ−ＳｉＯ膜を除去して端部被覆層１０５を設け、さらにレジストを剥離する（図２（ｅ））。
【００３３】
さらに、保護層１０６としてＰＶＤ法を用いてＴａを１００ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィーを用いてパターンを形成し、ＲＩＥ法によりＣＬ２ガスを用いてドライエッチングを行った後、ドライアッシングによりフォトレジストを除去する（図２（ｆ））。その後、外部と電気接続を行うための加工等を行い、ヘッド用基板１００を完成させる。
【００３４】
以上説明した通り、本実施形態では、図２（ｄ）に示す工程では、発熱抵抗層１０３が絶縁層１０４で被覆されているため、絶縁層１０４の表面はアッシングされるが発熱抵抗層１０３の表面には酸素プラズマの影響を受けない。発熱抵抗層１０３に比べて絶縁層１０４は厚く、また酸素プラズマによる酸化の影響が少ないので、絶縁層１０４の表面がアッシングされても支障はない。このため、発熱抵抗体１０７の表面の変質を抑制したヘッド用基板１００を製造することができる。
【００３５】
なお、絶縁層１０４の材料としては、アッシングによって絶縁層１０４の表面が酸化されないようにＳｉＮを用いることがより好ましい。また、絶縁層１０４の材料によらずアッシングの際に発熱抵抗層１０３の表面を保護するためには、絶縁層１０４の厚さを５０ｎｍ以上とすることが好ましい。さらに、発熱抵抗体１０７のエネルギー効率を低下させないためには、絶縁層１０４の厚さを３００ｎｍ以下とすることが好ましい。すなわち、絶縁層１０４の厚さを５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３６】
また、端部被覆層１０５を設けているので、発熱抵抗体１０７のエネルギー効率を高めるために絶縁層１０４や保護層１０６を薄く設けた場合にも、発熱抵抗層１０３や絶縁層１０４によって生じる段差を端部被覆層１０５で十分にカバーすることができる。
【００３７】
また、発熱抵抗層１０３と絶縁層１０４とが同じパターンとなるため発熱抵抗層１０３の端部側面が露出してしまうが、端部被覆層１０５を設けているので発熱抵抗体１０７を保護することができる。
【００３８】
なお、図１に示す形態と異なり、蓄熱層１０１の表面に電極層から形成された一対の電極１０２ａ、１０２ｂが設けられ、さらに電極１０２の表面に発熱抵抗層１０３が設けられた構成のヘッド用基板について上述の形態を適用した場合に以下の課題が生じる。すなわち、発熱抵抗層１０３の表面を保護するために発熱抵抗層１０３と絶縁層１０４とを同時にエッチングした後に、ヘッド用基板の表面に直交する方向から見て発熱抵抗体１０７の周縁と重なるように端部被覆層１０５を設けることになる。これは電極層から形成された一対の電極１０２ａ、１０２ｂによって大きな段差が形成されるので、絶縁層１０４を薄くした場合にこの段差部分を端部被覆層１０５で被覆する必要があるためである。このように発熱抵抗体１０７の周縁と重なるように端部被覆層１０５を設けると、液体の発泡に寄与する発熱抵抗体１０７の領域が狭くなる恐れがある。
【００３９】
一方で、図１に示すような電極１０２が蓄熱層１０１に埋め込まれた形態では、発熱抵抗体１０７は一対の電極１０２ａ、１０２ｂの位置によってその位置や形状が規定されているので、発熱抵抗体１０７の外側まで同じ膜構成と平坦性が保たれている。そのため、ヘッド用基板１００の表面に直交する方向から見て発熱抵抗体１０７と重なるように端部被覆層１０５を設けなくて済む。したがって、発熱抵抗体１０７に対して外側に端部被覆層１０５を設けることができるので、発熱抵抗体１０７の液体の発泡に寄与する発熱抵抗体１０７の領域を狭める恐れがない。
【００４０】
また、端部被覆層１０５は、発熱抵抗層１０３と保護層１０６との間の絶縁を確保するために絶縁性材料の膜であることが好ましい。ただし、保護層１０６が非導電材料で形成されている場合や、発熱抵抗層１０３と保護層１０６との絶縁が確保されていて且つ端部被覆層１０５が発熱抵抗体１０７の電位により腐食されない場合などでは、端部被覆層１０５は導電性材料の膜であってもよい。
【００４１】
また、端部被覆層１０５が絶縁性材料で形成された膜であれば、図１（ｃ）に示すように、ヘッド用基板１００の表面に直交する方向から見てその一部が電極１０２と重なるように端部被覆層１０５を設けてもよい。このような形態は、蓄熱層１０１および電極１０２の表面に平坦化処理を行っていても電極１０２の部分が蓄熱層１０１の表面から凹んで段差が生じる場合に好適である。すなわち、図１（ｃ）に示すような形態とすることで厚い絶縁膜である端部被覆層１０５によって段差部分をカバーでき、電極１０２と保護層１０６との間の絶縁をより確実に確保することができる。
【００４２】
（第２の実施形態）
本実施形態に係るヘッド用基板１００の構成および製造方法について、図３、図４を用いて説明する。なお、以下に説明する層の厚さや材料等は本実施形態の一例である。また、上述の実施形態と同じ箇所については説明を省略する。
【００４３】
図３（ａ）はヘッド用基板１００の発熱抵抗体１０７およびその近傍を示す上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。本実施形態では、図３（ｂ）に示すように端部被覆層１０５が保護層１０６の表面に設けられている。この端部被覆層１０５は、ヘッド用基板１００の表面に直交する方向から見て発熱抵抗層１０３の端部の周縁を囲うように設けられている。図３（ａ）において保護層１０６の表面における端部被覆層１０５の端部の位置を示している。
【００４４】
図４は本実施形態のヘッド用基板１００の製造方法を示す工程フロー図である。図４（ａ）までの工程は第１の実施形態を示す図２（ａ）と同様である。
【００４５】
蓄熱層１０１および電極１０２の平坦化された表面に発熱抵抗層１０３としてＴａＳｉと窒素の反応性ＰＶＤ法を用いてＴａＳｉＮを１５ｎｍ成膜し、その表面に絶縁層１０４としてプラズマＣＶＤ法でＳｉＮ膜を１００ｎｍ成膜する。さらに、保護層１０６としてＰＶＤ法を用いてＴａを１００ｎｍ成膜する（図４（ｂ））。この間パターニングを行わないため、発熱抵抗層１０３および絶縁層１０４の表面は露出されない。なお、この工程において保護層１０６として上述した実施形態のようにＩｒ、Ｒｕ等を成膜してもよい。
【００４６】
その後、感光性のフォトレジスト２００を塗布し、フォトリソグラフィーを用いてパターンを形成しＲＩＥ法によりＣＬ２とＢＣＬ３ガスを用いてドライエッチングを行い、発熱抵抗体１０７を形成する。このように同じ工程において発熱抵抗層１０３、絶縁層１０４、および保護層１０６をエッチングするので、これらの層が同じパターンとして形成される（図４（ｃ））。
【００４７】
そして、ドライエッチング後のフォトレジスト２００の変質した表面も除去できる酸素プラズマを用いたドライアッシングによりフォトレジスト２００を除去する（図４（ｄ））。
【００４８】
その後、露出している発熱抵抗層１０３の側面をカバーするため、プラズマＣＶＤ法を用いて発熱抵抗層１０３の端部を被覆する端部被覆層１０５としてＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガス等を用いてＰ−ＳｉＣＮ膜を成膜する。次に、感光性のフォトレジスト３００を塗布し、フォトリソグラフィーを用いて少なくとも発熱抵抗体１０７に対応する部分を開口したパターンを形成する。その後、ＲＩＥ法によりＣＦ４ガスを用いてパターンに対応するようにＰ−ＳｉＣＮ膜に対してドライエッチングを行う（図４（ｅ））。
【００４９】
そして、酸素プラズマを用いたドライアッシングによりフォトレジスト３００を除去する（図４（ｆ））。その後、外部と電気接続を行うための加工等を行い、ヘッド用基板１００を完成させる。
【００５０】
本実施形態では、図４（ｄ）に示す工程において発熱抵抗層１０３が絶縁層１０４と保護層１０６とで被覆されているため、露出している保護層１０６の表面はアッシングされるが発熱抵抗層１０３の表面は酸素プラズマの影響を受けない。発熱抵抗層１０３に比べて保護層１０６は厚く、また酸素プラズマによる酸化の影響が少ないので、保護層１０６の表面がアッシングされても支障はない。このため、発熱抵抗体１０７の表面の変質を抑制したヘッド用基板１００を製造することができる。
【００５１】
なお、絶縁層１０４としてＳｉＣＮ膜を用いた場合などではドライアッシングの際に酸素プラズマによって絶縁層１０４の表面が酸化して変質する恐れがある。本実施形態によるとＴａやＩｒで形成された保護層１０６によって絶縁層１０４の表面が被覆されているため、絶縁層１０４の表面の変質も抑えることができる。
【００５２】
本実施形態では、図４（ｅ）に示す工程において端部被覆層１０５をドライエッチングする際に、保護層１０６をエッチングストップ層として用いることができる。これにより、液体に対して溶解しにくいＳｉＣＮ膜で端部被覆層１０５を形成した場合にウェットエッチングではエッチングが困難であるＳｉＣＮ膜でも高い選択比でドライエッチングできるので、ヘッド用基板の信頼性を上げることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０１  蓄熱層
１０２  電極
１０３  発熱抵抗層
１０４  絶縁層
１０５  端部被覆層
１０６  保護層
１０７  発熱抵抗体
２００  フォトレジスト
【図１】
0006516613.tif 000002
【図２】
0006516613.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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