(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に前記基板と離間するように配置され、反射性金属膜を含むミラーと、
前記基板と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーを支持するように前記ミラーの一部と接続された部分を有する支持部と、
前記ミラーの前記基板と反対側の面及び側面を全て覆うように配置された増反射積層膜と、を備えることを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
増反射積層膜は、第１増反射膜と、前記第１増反射膜の前記反射性金属膜と反対側に配置され、前記第１増反射膜よりも屈折率が高い第２増反射膜と、を含むことを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記第１増反射膜は、酸化シリコンであり、
前記第２増反射膜は、窒化シリコンであることを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記反射性金属膜は、アルミニウムであることを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記ミラーは、前記反射性金属膜と前記基板との間に、結晶の面方位を揃えるシード積層膜を含み、
前記増反射積層膜は、前記シード積層膜の側面まで全て覆うことを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置であって、
前記シード積層膜は、前記反射性金属膜と前記基板との間に配置された窒化チタンと、前記窒化チタンと前記基板との間に配置されたチタンと、を含む積層膜であることを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置であって、
前記シード積層膜は、前記チタンと前記基板との間に配置され、ボロン及びリンを含む酸化シリコンを含むことを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイス。
【請求項８】
基板の一方の面に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に結晶の面方位を揃えるシード積層膜を形成する工程と、
前記シード積層膜に反射性金属膜を形成する工程と、
前記反射性金属膜の前記基板と反対側の面、前記反射性金属膜の側面及び前記シード積層膜の側面を全て覆うように増反射積層膜を形成する工程と、
前記犠牲層を除去することによりミラーを形成する工程と、
を有することを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のデジタル・マイクロミラー・デバイスの製造方法であって、
前記反射性金属膜は、アルミニウムであり、
前記増反射積層膜を形成する工程は、前記アルミニウムに酸化シリコンを形成する工程と、前記酸化シリコンに窒化シリコンを形成する工程と、を含むことを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項８及び請求項９に記載のデジタル・マイクロミラー・デバイスの製造方法であって、
前記シード積層膜を形成する工程は、前記犠牲層の上にボロン及びリンを含む酸化シリコンを形成する工程と、前記ボロン及びリンを含む酸化シリコンにチタンを形成する工程と、前記チタンに窒化チタンを形成する工程と、を含むことを特徴とするデジタル・マイクロミラー・デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のデジタル・マイクロミラー・デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電子機器として、例えば、光源から射出された光を、ＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置としての光偏向装置に集光させ、投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーン上にカラー表示させているプロジェクターが知られている。
【０００３】
光偏向装置は、複数のマイクロミラーがマトリクス状に配列されたものである。マイクロミラーは、光を反射させるために、例えば、アルミニウムなど反射性の金属膜が用いられる。しかし、最近では、更なる明るさを得るために反射率の向上が求められている。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１には、アルミニウムの下地にチタンや窒化チタンを形成することによりアルミニウムの結晶配向が強められ、アルミニウムの反射率を高くする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−９３１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、アルミニウムの表面や、アルミニウムの下地に形成されたチタン等の側面が酸化した場合、マイクロミラーの体積が増える。これにより、マイクロミラーに反りが発生して光をうまく反射できなくなり、徐々にマイクロミラーの反射率が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の一方の面に前記基板と離間するように配置され、反射性金属膜を含むミラーと、前記基板と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーを支持するように前記ミラーの一部と接続された部分を有する支持部と、前記ミラーの前記基板と反対側の面及び側面の少なくとも一部を覆うように配置された増反射積層膜と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、反射性金属膜の表面や側面を覆うように増反射積層膜が設けられているので、反射性金属膜の表面及び側面が酸化することを抑えることができる。よって、反射性金属膜を備えるマイクロミラーが反ることを抑えることが可能となり、マイクロミラーの反射率が低下することを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、増反射積層膜は、第１増反射膜と、前記第１増反射膜の前記反射性金属膜と反対側に配置され、前記第１増反射膜よりも屈折率が高い第２増反射膜と、を含むことが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、反射性金属膜を増反射積層膜で覆っているので、マイクロミラーに入射する光の強さを向上させることが可能となり、光の明るさを高めることができる。言い換えれば、反射率を向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１増反射膜は、酸化シリコンであり、前記第２増反射膜は、窒化シリコンであることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、上記材料を積層させているので、互いの反射率の差を利用して増反射積層膜を構成することができる。よって、マイクロミラーに入射する光の強さを向上さ競ることが可能となり、光の明るさを高めることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射性金属膜は、アルミニウムであることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、反射性金属膜の中でもアルミニウムを用いるので、反射率が高く加工が容易である特徴を利用することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記ミラーは、前記反射性金属膜と前記基板との間に、結晶の面方位を揃えるシード積層膜を含むことが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、シード積層膜の上に反射性金属膜を形成するので、反射性金属膜の配向を強めることができる（所定の面方位に配向を強めることができる）。よって、反射性金属膜の表面に凹凸が生じることを抑えることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記シード積層膜は、前記反射性金属膜と前記基板との間に配置された窒化チタンと、前記窒化チタンと前記基板との間に配置されたチタンと、を含む積層膜であることが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、チタン及び窒化チタンを配置した後にアルミニウムを配置するので、アルミニウムの結晶の面方位を揃えることができる。具体的には、チタンの面方位が（００１）に配向し、窒化チタンの面方位が（１１１）に配向し、アルミニウムの面方位が（１１１）に配向する。よって、反射性金属膜（アルミニウム）の配向を強めることが可能となり、反射性金属膜の表面が凸凹することを抑えることができ、反射率を向上させることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記シード積層膜は、前記チタンと前記基板との間に配置され、ボロン及びリンを含む酸化シリコンを含むことが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、最下層にＢＰＳＧを配置してからチタン、窒化チタンを配置するので、結晶の面方位を揃えることができる。具体的には、チタンの面方位が（００１）に配向し、窒化チタンの面方位が（１１１）に配向し、アルミニウムの面方位が（１１１）に配向する。よって、反射性金属膜（アルミニウム）の配向を強めることが可能となり、反射性金属膜の表面が凸凹することを抑えることができ、反射率を向上させることができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板の一方の面に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層に結晶の面方位を揃えるシード積層膜を形成する工程と、前記シード積層膜に反射性金属膜を形成する工程と、前記反射性金属膜の前記基板と反対側の面、前記反射性金属膜の側面及び前記シード積層膜の側面を覆うように増反射積層膜を形成する工程と、前記犠牲層を除去することによりミラーを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、反射性金属膜の表面及び側面、シード積層膜の側面を覆うように増反射積層膜を形成するので、反射性金属膜の表面及び側面、シード積層膜の側面が酸化することを抑えることができる。よって、反射性金属膜及びシード積層膜を備えるマイクロミラーが反ることを抑えることが可能となり、マイクロミラーの反射率を向上させることができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記反射性金属膜は、アルミニウムであり、前記増反射積層膜を形成する工程は、前記アルミニウムに酸化シリコンを形成する工程と、前記酸化シリコンに窒化シリコンを形成する工程と、を含むことが好ましい。
【００２５】
本適用例によれば、アルミニウムを酸化シリコン及び窒化シリコンを含む積層膜で覆うので、互いの材料の反射率の差を利用して増反射積層膜を形成することができる。よって、マイクロミラーに入射する光の強さを向上させることが可能となり、光の明るさを高めることができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記シード積層膜を形成する工程は、前記犠牲層の上にボロン及びリンを含む酸化シリコンを形成する工程と、前記ボロン及びリンを含む酸化シリコンにチタンを形成する工程と、前記チタンに窒化チタンを形成する工程と、を含むことが好ましい。
【００２７】
本適用例によれば、犠牲層の上にＢＰＳＧ（ボロン及びリンを含む酸化シリコン）を形成してからチタン、窒化チタンを形成するので、結晶の面方位を揃えることができる。具体的には、チタンの面方位が（００１）に配向し、窒化チタンの面方位が（１１１）に配向し、反射性金属膜（アルミニウム）の面方位が（１１１）に配向する。よって、反射性金属膜の配向を強めることが可能となり、反射性金属膜の表面が凸凹することを抑えることができ、反射率を向上させることができる。加えて、マイクロミラーの最下層にＢＰＳＧが形成されているので、シード積層膜の下面が酸化することを抑えることができる。
【００２８】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２９】
本適用例によれば、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】電子機器としてのプロジェクターの光学系を示す模式図。
【図２】第１実施形態の電気光学装置としての光偏向装置の構成を示す模式図。
【図３】図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図４】図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図５】図３に示すミラーの一部を拡大して示す拡大断面図。
【図６】光偏向装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図７】光偏向装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図８】光偏向装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図９】第２実施形態の光偏向装置の構成を示す模式断面図。
【図１０】光偏向装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図１１】変形例のミラーの構成を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３２】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３３】
（第１実施形態）
＜電子機器としてのプロジェクターの構成＞
図１は、電子機器としてのプロジェクターの光学系を示す模式図である。以下、プロジェクターの光学系を、図１を参照しながら説明する。
【００３４】
図１に示すように、プロジェクター１０００は、光源装置１００２と、光源装置１００２から射出された光を画像情報に応じて変調する光偏向装置１００と、光偏向装置１００からの変調光を投写画像として投写する投写光学系１００４と、を具備して構成されている。
【００３５】
光源装置１００２は、発光素子１０２０と、蛍光体基板１０３０と、を備えている。光源装置１００２は、青色のレーザー光（発光強度のピーク：例えば、約４４５ｎｍ）を射出するレーザー光源である。発光素子１０２０から射出されるレーザー光の光路上には、蛍光体基板１０３０、が配置されている。
【００３６】
なお、発光素子１０２０は、後述する蛍光物質を励起させることができる波長の光であれば、４４５ｎｍ以外のピーク波長を有する色光を射出する励起光源であっても構わない。また、投写画像を明るくする方法として、３つの光偏向装置を用いるようにしてもよい。
【００３７】
＜電気光学装置としての光偏向装置の構成＞
図２は、電気光学装置としての光偏向装置の構成を示す模式図である。図３及び図４は、図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図であると共に、光偏向装置のミラーの動作を示す模式断面図である。以下、光偏向装置の構成及び動作を、図２〜図４を参照しながら説明する。
【００３８】
図２に示すように、光偏向装置（ＤＭＤ）１００は、基板としてのウエハ基板５００の上方に、ヒンジ１０６、支柱１０５（これら図３参照）を介してミラー２００がマトリクス状に支持されている。ウエハ基板５００は、例えば、シリコン基板である。ミラー２００の表面には、光を反射するための反射性金属膜が形成されている。反射性金属膜としては、例えば、アルミニウムが挙げられる。
【００３９】
図３に示すように、本実施形態の光偏向装置１００は、制御回路を含む底部１０と、電極２０５及びヒンジ１０６を備えた中間部２０と、埋め込みトーションヒンジ及びキャビティーを備えたミラー２００によって覆われる上部３０と、の３つの主要な部分を備えている。
【００４０】
底部１０は、光偏向装置１００の各反射性金属膜２０１の動作を選択的に制御するための、アドレス指定回路を備えたウエハ基板５００を有する。アドレス指定回路は、通信信号のためのメモリセルと、ワード線／ビット線の配線とを備える。ウエハ基板５００上の電気的なアドレス指定回路は、標準的ＣＭＯＳ技術を使用して組み立てることが可能であり、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）に類似している。
【００４１】
中間部２０は、電極２０５、ヒンジ１０６、及び支柱１０５によって構成される。電極２０５は、角度交差遷移の間の静電トルクの容量結合効率を向上させるように設計されている。ミラー２００は、電極２０５の静電力によって、一方の電極２０５に引き寄せられる。また、ヒンジ１０６は、ミラー２００が電極２０５に引き寄せられたときねじれ、電極２０５に電圧が印加されていないとき、ねじれが戻るようになっている。静電引力は、ミラー２００と電極２０５との間の２乗に反比例するので、この影響は、ミラー２００をそのランディング位置で傾斜させたときに明白になる。
【００４２】
上部３０は、上面に平坦な反射性金属膜としての第３ミラー膜１０２ｃを備えた積層膜で構成された反射性金属膜２０１によって覆われる。反射性金属膜２０１のヒンジ１０６は、反射性金属膜２０１の一部になるように形成される。また、反射性金属膜２０１の下側には、最小距離を保持して所定の角度を回転するだけの間隙が与えられる。
【００４３】
図３は、照明光源４０１からの指向性光４１１が入射角θ１を形成するときの、本発明の一実施態様に基づく光偏向装置１００の一部分の断面図を示す。光偏向装置１００を通常の方向で測定したとき、偏向光４１２は角度θｏを有する。デジタル動作モードにおいて、この構成を一般的に「オン」の位置と呼ぶ。
【００４４】
図４は、反射性金属膜２０１が、ヒンジ１０６の反対側の下の別の電極２０５に向かって回転される間の、光偏向装置１００の同じ部分の断面図を示す。指向性光４１１及び偏向光４１２は、より大きな角度θ１およびθｏを成す。偏向光４１２は、光吸収装置４０２の方へ射出する。
【００４５】
図５は、図３に示すミラーの一部を拡大して示す拡大断面図である。以下、ミラーの構成を、図５を参照しながら説明する。
【００４６】
図５に示すように、ミラー２００は、反射性金属膜２０１と、反射性金属膜２０１の光入射側に配置された酸化膜としての増反射積層膜２０２と、を有する。反射性金属膜２０１の材料としては、例えば、反射率が高く加工しやすいものとしてアルミニウム（Ａｌ）を挙げることができる。また、アルミニウム以外にも、アルミニウム合金、チタン、銀、金、ハフニウム、ゼルコニウム、タンタルなどを挙げることができる。
【００４７】
増反射積層膜２０２は、反射性金属膜２０１側から第１増反射膜２０２ａ、第２増反射膜２０２ｂが積層されている。第１増反射膜２０２ａは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。第２増反射膜２０２ｂは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）である。窒化シリコンの屈折率は、酸化シリコンの屈折率よりも大きい。
【００４８】
入射光は、第２増反射膜２０２ｂ、第１増反射膜２０２ａ、反射性金属膜２０１の表面で反射する光の位相が揃うことにより、反射率を向上させることができる。
【００４９】
このように、反射性金属膜２０１を増反射積層膜２０２で覆っているので、ミラー２００に入射する光の強さを向上させることが可能となり、光の明るさを高めることができる。言い換えれば、反射率を向上させることができる。
【００５０】
また、増反射積層膜２０２は、反射性金属膜２０１の表面及び側面を覆うように形成されている。これにより、反射性金属膜２０１の表面と側面が酸化することを抑えることが可能となり、反射性金属膜２０１に反りが発生することを抑えることが可能となり、ミラー２００の反射率が低下することを抑えることができる。
【００５１】
また、増反射積層膜２０２は、特定の波長領域の反射率を向上させることができる。例えば、第１増反射膜２０２ａ（ＳｉＯ2）の膜厚を８５ｎｍ、第２増反射膜２０２ｂ（ＳｉＮ）の膜厚を８５ｎｍに設定することにより、赤色の反射率を向上させることができる。
【００５２】
また、第１増反射膜２０２ａ（ＳｉＯ2）の膜厚を７５ｎｍ、第２増反射膜２０２ｂ（ＳｉＮ）の膜厚を７５ｎｍに設定することにより、緑色の反射率を向上させることができる。
【００５３】
また、第１増反射膜２０２ａ（ＳｉＯ2）の膜厚を６０ｎｍ、第２増反射膜２０２ｂ（ＳｉＮ）の膜厚を６０ｎｍに設定することにより、青色の反射率を向上させることができる。
【００５４】
＜電気光学装置の製造方法＞
図６は、電気光学装置としての光偏向装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図７及び図８は、光偏向装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、光偏向装置の製造方法を、図６〜図８を参照しながら説明する。
【００５５】
まず、ステップＳ１１では、底部１０を形成する。具体的には、図７（ａ）に示すように、公知の方法を用いて、ウエハ基板５００に制御回路（図示せず）を形成する。その後、第１犠牲層６０１をウエハ基板５００表面に堆積させる。第１犠牲層６０１は、フォトレジストのスピンコートまたは有機ポリマーのＰＥＣＶＤとすることができる。第１犠牲層６０１は、一連の熱およびプラズマ処理によって硬化させ、材料の構造をポリマーの疎水性状態から親水性状態に変質させる。
【００５６】
次に、第１犠牲層６０１の上に電極２０５やヒンジ１０６などを形成する。電極２０５やヒンジ１０６は、例えば、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術などを用いて形成する。
【００５７】
ステップＳ１２では、中間部２０を形成する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、１μｍ程度の厚みの第２犠牲層６０２を第１犠牲層６０１の上に堆積させる。第２犠牲層６０２は、上記第１犠牲層６０１と同様に形成する。この第２犠牲層６０２の厚みが、ヒンジ１０６上の反射性金属膜２０１の高さを決定する。
【００５８】
ステップＳ１３（反射性金属膜形成）では、上部３０を構成する第１ミラー膜１０２ａを形成する。具体的には、まず、図７（ｃ）に示すように、第２犠牲層６０２に開口部６０３を形成する。開口部６０３の形成方法は、例えば、マスクを用いたエッチング法を挙げることができる。これにより、図７（ｃ）に示すように、ヒンジ１０６の表面が露出する。その後、図７（ｄ）に示すように、ウエハ基板５００上の全体に反射性金属膜２０１を成膜する。
【００５９】
ステップＳ１４では、増反射積層膜２０２を形成する。具体的には、図８（ａ）に示すように、反射性金属膜２０１上の表面及び側面を覆うように（図５参照）酸化シリコンからなる第１増反射膜２０２ａを形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、第１増反射膜２０２ａを覆うように窒化シリコンからなる第２増反射膜２０２ｂを形成する。
【００６０】
ステップＳ１５では、犠牲層６０１，６０２を除去してミラー２００を形成する。具体的には、図８（ｃ）に示すように、フッ素ガスを用いて、犠牲層６０１，６０２を除去する。以上により、光偏向装置１００が完成する。
【００６１】
このように、反射性金属膜２０１を覆うように増反射積層膜２０２を形成するので、反射性金属膜２０１が酸化することを抑えることができる（図５参照）。よって、反射性金属膜２０１に反りが発生することを抑えることが可能となり、ミラー２００の反射率が低下することを抑えることができる。
【００６２】
以上詳述したように、第１実施形態の光偏向装置１００、光偏向装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６３】
（１）第１実施形態の光偏向装置１００及び光偏向装置１００の製造方法によれば、反射性金属膜２０１の表面や側面を覆うように増反射積層膜２０２が形成されているので、大気と接触した際に、反射性金属膜２０１の表面及び側面が酸化することを抑えることができる。よって、反射性金属膜２０１を備えるミラー２００が反ることを抑えることが可能となり、ミラー２００の反射率を向上させることができる。
【００６４】
（２）第１実施形態の光偏向装置１００及び光偏向装置１００の製造方法によれば、反射性金属膜２０１上に増反射積層膜２０２を形成しているので、ミラー２００に入射する光の強さを向上させることが可能となり、光の明るさを高めることができる。言い換えれば、反射率を向上させることができる。
【００６５】
（３）本実施形態の電子機器によれば、上記の光偏向装置１００を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００６６】
（第２実施形態）
＜光偏向装置の構成＞
図９は、第２実施形態の光偏向装置の構成を示す模式断面図である。以下、第２実施形態の光偏向装置の構成を、図９を参照しながら説明する。
【００６７】
第２実施形態の光偏向装置１０１は、上述の第１実施形態と比べて、ミラー３００の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００６８】
図９に示すように、光偏向装置１０１を構成するミラー３００は、基板５００側からシード積層膜２２１、反射性金属膜２０１、増反射積層膜２０２が配置されている。反射性金属膜２０１及び増反射積層膜２０２の構成は、第１実施形態と同様である。
【００６９】
シード積層膜２２１は、最下層から（基板５００側から）、第１シード膜２２１ａ、第２シード膜２２１ｂ、及び第３シード膜２２１ｃで構成されている。第１シード膜２２１ａの材料は、ボロン及びリンを含む酸化シリコン（ＢＰＳＧ）である。第２シード膜２２１ｂの材料は、チタン（Ｔｉ）である。第３シード膜２２１ｃの材料は、窒化チタン（ＴｉＮ）である。
【００７０】
最下層にＢＰＳＧからなる第１シード膜２２１ａを配置することにより、その上にチタンからなる第２シード膜２２１ｂをエピタキシャル成長させると、第２シード膜２２１ｂの結晶の面方位が（００２）に配向する。更に、その上に窒化チタンからなる第３シード膜２２１ｃをエピタキシャル成長させると、第３シード膜２２１ｃの結晶の面方位が（１１１）に配向する。そして、その上にアルミニウムからなる反射性金属膜２０１をエピタキシャル成長させると、反射性金属膜２０１の結晶の面方位が（１１１）に配向する。
【００７１】
ＢＰＳＧは、結晶の面方位を揃えることができる。よって、ＢＰＳＧの上にチタン及び窒化チタンを形成し、その上にアルミニウムを形成することにより、アルミニウムからなる反射性金属膜２０１の配向が強まり、表面の凹凸が抑制されて平坦性が向上する。その結果、反射率が向上する。
【００７２】
反射性金属膜２０１の上には、第１実施形態と同様に、第１増反射膜２０２ａ及び第２増反射膜２０２ｂで構成された増反射積層膜２０２が設けられている。
【００７３】
これによれば、反射性金属膜２０１の結晶の面方位を（１１１）に配向させることができ（配向を強めることができ）、反射性金属膜２０１の表面が凸凹になることを抑えることができる。また、ミラー３００の最下層にＢＰＳＧからなる第１シード膜２２１ａが配置されているので、反射性金属膜２０１や第２シード膜２２１ｂ及び第３シード膜２２１ｃなどが酸化することを抑えることができる。
【００７４】
また、増反射積層膜２０２は、反射性金属膜２０１及びシード積層膜２２１の側面を覆うように形成されているので、側面が酸化することを抑えることが可能となり、ミラー３００に反りが発生することを抑えることが可能となる。その結果、ミラー３００の反射率が低下することを抑えることができる。
【００７５】
なお、第２実施形態の光偏向装置１０１の製造方法は、上記した第１実施形態の光偏向装置１００と略同様にして形成する。
【００７６】
＜電気光学装置の製造方法＞
図１０は、第２実施形態の電気光学装置としての光偏向装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、光偏向装置の製造方法を、図１０を参照しながら説明する。
【００７７】
ステップＳ１１の底部形成、及びステップＳ１２の中間部形成は、第１実施形態と同じである。
【００７８】
ステップＳ２３は、中間部２０（犠牲層６０１，６０２）の上にシード積層膜２２１を形成する。具体的には、まず、犠牲層６０２の上に、結晶の配向を揃えるためのＢＰＳＧからなる第１シード膜２２１ａを形成する。第１シード膜２２１ａの製造方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いることができる。
【００７９】
その後、第１シード膜２２１ａの上にチタンからなる第２シード膜２２１ｂをエピタキシャル成長させる。これにより、第２シード膜２２１ｂの結晶の面方位が（００２）に配向する。次に、第２シード膜２２１ｂの上に窒化チタンからなる第３シード膜２２１ｃをエピタキシャル成長させる。これにより、第３シード膜２２１ｃの結晶の面方位が（１１１）に配向する。
【００８０】
ステップＳ２４では、シード積層膜２２１の上に反射性金属膜２０１を形成する。具体的には、シード積層膜２２１を覆うようにアルミニウムをエピタキシャル成長させる。
【００８１】
このようにして反射性金属膜２０１を形成することにより、反射性金属膜２０１の結晶の面方位を（１１１）に配向させること可能となり、反射性金属膜２０１の表面を平坦にすることができる。言い換えれば、反射性金属膜２０１の表面のラフネスが小さい。よって、反射率を向上させることができる。
【００８２】
ステップＳ２５では、増反射積層膜２０２を形成する。具体的には、反射性金属膜２０１の表面及び側面、その下層のシード積層膜２２１の側面を覆うように酸化シリコンからなる第１増反射膜２０２ａを形成する。次に、第１増反射膜２０２ａを覆うように窒化シリコンからなる第２増反射膜２０２ｂを形成する（図９参照）。
【００８３】
ステップＳ２６では、犠牲層２１０を除去してミラー３００を形成する。具体的には、フッ素ガスを用いて、犠牲層２１０を除去する。以上により、光偏向装置１０１が完成する。
【００８４】
以上詳述したように、第２実施形態の光偏向装置１０１によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８５】
（４）第２実施形態の光偏向装置１０１によれば、犠牲層２１０の上にＢＰＳＧからなる第１シード膜２２１ａを形成してから、チタンからなる第２シード膜２２１ｂ、窒化チタンからなる第３シード膜２２１ｃを形成するので、結晶の面方位を揃えることができる。具体的には、チタンの面方位が（００２）に配向し、窒化チタンの面方位が（１１１）に配向し、アルミニウムの面方位が（１１１）に配向する。よって、反射性金属膜２０１の配向を強めることが可能となり、反射性金属膜２０１の表面が凸凹することを抑えることができ、反射率を向上させることができる。加えて、ミラー３００の最下層に第１シード膜２２１ａが形成されているので、シード積層膜２２１の下面が酸化することを抑えることができる。これにより、迷光を反射せずに吸収することが可能となり、表示品質に影響を及ぼしたり、リーク電流が流れたりすることを防ぐことができる。また、反射性金属膜２０１の上に増反射積層膜２０２が形成されているので、更に、反射率を向上させることができる。
【００８６】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００８７】
（変形例１）
上記した第２実施形態のように、シード積層膜２２１が３層（第１シード膜２２１ａ、第２シード膜２２１ｂ、第３シード膜２２１ｃ）で形成されていることに限定されず、図１１に示すように構成するようにしてもよい。
【００８８】
図１１は、ミラー４００の構成を示す模式断面図である。図１１に示すミラー４００は、第３シード膜２２１ｃと反射性金属膜２０１との間に、第４シード膜２２１ｄを備えている部分が、上記第２実施形態と異なっている。
【００８９】
第４シード膜２２１ｄの材料は、チタン（Ｔｉ）である。このように、シード積層膜２２１を４層で構成することにより、製造工程が増えるものの、アルミニウムからなる反射性金属膜２０１の面方位をより揃えることが可能となり、より反射率を向上させることができる。具体的には、第３シード膜２２１ｃ（窒化チタン）の上に反射性金属膜２０１を形成する場合に比べ、第４シード膜２２１ｄ（チタン）の上に反射性金属膜２０１を形成する方が、熱膨張係数の差が小さく、反射性金属膜２０１の表面が荒れにくい。
【００９０】
（変形例２）
上記したように、光偏向装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、モバイルミニプロジェクター、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【００９１】
１０…底部、２０…中間部、３０…上部、１００，１０１…電気光学装置としての光偏向装置、１０５…支持部としての支柱、１０６…ヒンジ、２００，４００…ミラー、２０１…反射性金属膜、２０２…増反射積層膜、２０２ａ…第１増反射膜、２０２ｂ…第２増反射膜、２０５…電極、２１０…犠牲層、２２１…シード積層膜、２２１ａ…第１シード膜、２２１ｂ…第２シード膜、２２１ｃ…第３シード膜、２２１ｄ…第４シード膜、２２２…チップ、２２３…フレーム、４０１…照明光源、４０２…光吸収装置、４１１…指向性光、４１２…偏向光、３００，５００…基板、１０００…電子機器としてのプロジェクター、１００２…光源装置、１００４…投写光学系、１０１０…励起光源、１０２０…発光素子、１０３０…蛍光体基板、１０４０…第１ダイクロイックミラー、１０４１…第１集光レンズ、１０４２…第１反射ミラー、１０４３…第２集光レンズ、１０４４…第２反射ミラー、１０４５…第２ダイクロイックミラー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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