(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブ画素領域を含む表示パネルであって、前記表示パネルは、対向設置された第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設置された液晶層をさらに備え、
前記第２基板における前記複数のサブ画素領域の各々と対応する各領域の何れにも、第１サブ画素電極と第２サブ画素電極とが設けられており、
前記表示パネルにおける異なるサブ画素領域に属されており且つ隣り合う前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極との間の隙間領域に凸起物が設けられており、
前記凸起物の投影は、前記隙間領域と対応する液晶層領域を少なくとも部分的に覆い、
前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極の各々には四つの区域を含み、四つの前記区域は中心対称であり、かつ四つの前記区域の各々にはスリットが設けられており、
前記スリットが逆時計周り方向において対応するゲートラインとなす鋭角を正角と定義し、前記スリットが時計周り方向において対応するゲートラインとなす鋭角を負角と定義する場合、四つの前記区域における隣接する領域における前記スリットの角度は反対である
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記第２基板は、垂直に交差する複数のゲートラインと複数のデータラインを含み、
前記複数のサブ画素領域の各々に設置された前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極は、前記複数のデータラインの各々の延長方向に沿って交互に並んでおり、前記複数のゲートラインの各々は、前記複数のサブ画素領域の各々を通り抜け、且つ、前記複数のサブ画素領域の各々において、前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極は、対応するゲートラインの両側にそれぞれ位置している
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
対応するゲートラインと前記スリットがなす角度の絶対値範囲は、３０度から６０度である
ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記凸起物は、中心軸対称形状を有し、
前記凸起物は、異なるサブ画素領域に属されており且つ隣り合う前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極との間の隙間領域の中心に設けられており、且つ、前記凸起物の前記表示パネルに垂直する投影の中心点は、前記隙間領域の中心点と重なる
ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第１基板は、基層と、前記基層の上に順に設けられたカラーフィルム層と、保護層と、共用電極層と配向層とを含み、
前記凸起物は、前記基層に設けられ、前記カラーフィルム層は、前記凸起物を覆い、又は
前記凸起物は、前記カラーフィルム層に設けられ、前記保護層は、前記凸起物を覆い、又は
前記凸起物は、前記保護層に設けられ、前記共用電極層は、前記凸起物を覆い、又は
前記凸起物は、前記共用電極層に設けられ、前記配向層は、前記凸起物を覆う
ことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記凸起物の投影は、少なくとも、異なるサブ画素に対応し且つ隣り合う前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極の間の前記隙間領域の中心幅領域を覆い、
前記隙間領域の幅の範囲は、３μｍから１０μｍであり、前記凸起物の前記基層上においての投影の最大寸法は、１５μｍから３０μｍである
ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記凸起物の形状は、直方体、四面体、楔形体、角柱、立方体、円柱と、半球の何れか一つである
ことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記液晶層の厚さ範囲は、３μｍから６μｍであり、前記凸起物の高度範囲は、１μｍから２μｍである
ことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記凸起物は、感光性樹脂材料を使用しており、且つ、パターニングで形成される
ことを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の表示パネル。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか一項に記載の表示パネルを含む
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術分野に関し、特に表示パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示技術は、テレビ、携帯電話、及び公衆情報の表示に広く用いられている。液晶表示は、主にねじれネマティックモード（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ、略してＴＮ）モード、垂直配列（Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ａｌｉｇｎｅｄ、略してＶＡ）モード、面内スイッチ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ、略してＩＰＳ）モードに分けられる。そのうち、垂直配列モードの液晶表示技術は、コントラスト比が高く、容易に広い視角を得られる特徴があり、大型液晶表示装置の製品において広く使われている。
【０００３】
表示技術の発展に伴い、垂直配列モード技術分野では、マルチドメイン（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ）表示技術が現れている。マルチドメイン表示技術とは、電界作用で、一つのサブ画素領域内の液晶の配向を複数のドメインに分割し、異なるドメインの液晶同士の明るさの差は、各角度方向において互いに補償又は相殺され、各サブ画素領域内においてマルチドメイン液晶表示を実現することで、広い視角範囲を実現する。しかし、従来技術において、異なるサブ画素領域の隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域付近では、液晶配列方向の差が存在する、例えば、図１に示す８ドメイン液晶配列において、隣り合う二つのサブ画素電極１５２（ｉ）と１５１（ｉ＋１）の間の隙間領域付近の液晶配列には、転位があり、表示においては暗部として現れる。図中、１５２（ｉ）は、第ｉ行ゲートラインに対応する第２サブ画素電極であり、１５１（ｉ＋１）は、第ｉ＋１行ゲートラインに対応する第１サブ画素電極である。
【０００４】
従って、隣り合う二つのサブ画素領域の隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域付近の液晶配列に転位がなく、表示の時、暗部がない表示装置を実現するのは、従来の液晶表示技術分野において、解決必要な技術問題である。
【発明の概要】
【０００５】
従来技術の上記技術問題に鑑みて、本発明の目的は、表示パネル及び表示装置を提供することである。当該表示パネル及び表示装置において、第１基板における異なるサブ画素領域に属された隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域に凸起物を配置することで、隙間領域付近の液晶分子の配列転位により起因する画素暗部領域を抑えることができ、表示性能を向上することができる。
【０００６】
上記本発明の技術問題を解決するために、表示パネルを提供する。前記表示パネルは、複数のサブ画素領域を含む表示パネルであって、前記表示パネルは、対向設置された第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設置された液晶層をさらに備え、前記第２基板における前記複数のサブ画素領域の各々と対応する各領域の何れにも、第１サブ画素電極と第２サブ画素電極とが設けられており、
前記表示パネルにおける異なるサブ画素領域に属されており且つ隣り合う前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極との間の隙間領域に凸起物が設けられており、前記凸起物の投影は、前記隙間領域と対応する液晶層領域を少なくとも部分的に覆う。
【０００７】
好ましくは、前記第２基板は、垂直に交差する複数のゲートラインと複数のデータラインを含み、前記複数のサブ画素領域の各々に設置された前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極は、前記複数のデータラインの各々の延長方向に沿って交互に並んでおり、前記複数のゲートラインの各々は、前記複数のサブ画素領域の各々を通り抜け、且つ、前記複数のサブ画素領域の各々において、前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極は、対応するゲートラインの両側にそれぞれ位置している。
【０００８】
好ましくは、前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極の各々には、スリットが設けられており、対応するゲートラインと前記スリットがなす角度の絶対値範囲は、３０度から６０度である。
【０００９】
好ましくは、前記凸起物は、中心軸対称形状を有し、
前記凸起物は、異なるサブ画素領域に属されており且つ隣り合う前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極との間の隙間領域の中心に設けられており、且つ、前記凸起物の前記表示パネルに垂直する投影の中心点は、前記隙間領域の中心点と重なる。
【００１０】
好ましくは、前記第１基板は、基層と、前記基層の上に順に設けられたカラーフィルム層と、保護層と、共用電極層と配向層とを含み、前記凸起物は、前記基層に設けられ、前記カラーフィルム層は、前記凸起物を覆い、又は前記凸起物は、前記カラーフィルム層に設けられ、前記保護層は、前記凸起物を覆い、又は前記凸起物は、前記保護層に設けられ、前記共用電極層は、前記凸起物を覆い、又は前記凸起物は、前記共用電極層に設けられ、前記配向層は、前記凸起物を覆う。
【００１１】
好ましくは、前記凸起物の投影は、少なくとも、異なるサブ画素に対応し且つ隣り合う前記第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極の間の前記隙間領域の中心幅領域を覆い、前記隙間領域の幅の範囲は、３μｍから１０μｍであり、前記凸起物の前記基層上においての投影の最大寸法は、１５μｍから３０μｍである。
【００１２】
好ましくは、前記凸起物の形状は、直方体、四面体、楔形体、角柱、立方体、円柱と、半球の何れか一つである。
【００１３】
好ましくは、前記液晶層の厚さ範囲は、３μｍから６μｍであり、前記凸起物の高度範囲は、１μｍから２μｍである。
【００１４】
好ましくは、前記凸起物は、感光性樹脂材料を使用しており、且つ、パターニングで形成される。
【００１５】
本発明は、さらに表示装置を提供する。この表示装置は、上記表示パネルを含む。
【００１６】
本発明は、下記のような有益効果を奏する。
【００１７】
前記表示パネルにおいて、８ドメイン又は１６ドメイン液晶表示を形成した場合、第１基板の異なるサブ画素領域に属された二つの隣り合うサブ画素電極の間の隙間に凸起物を設けることにより、隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域付近の液晶分子の配列転位問題を改善することができ、隙間領域付近の液晶分子配列転位により起因する画素暗部領域を抑え、表示性能を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来技術による表示パネルにおいて、８ドメイン液晶表示モードでの液晶分子の配列を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例の表示パネルのアレイ基板のみを示す場合の平面図である。
【図３】図２の表示パネルのＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図４】図２の表示パネルのＢ１−Ｂ２線に沿う断面図である。
【図５】図２の表示パネルの電気回路図である。
【図６】図２の表示パネルにおいて、８ドメイン液晶表示モードでの液晶分子の配列を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の技術方案を当業者により理解しやすくさせるため、下記において本発明により提供される表示パネル及び表示装置に関して、図面を参考しながら詳しく説明する。
【００２０】
第１実施例
本実施例は、表示パネルを提供する。この表示パネルは、複数のサブ画素領域を有する。図２から図４に示すように、表示パネルは、対向配置された第１基板２と第２基板１と、第１基板２と第２基板１との間に配置された液晶層３を備える。第２基板１における複数のサブ画素領域の各々と対応する各領域内には、第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２が設けられている。図４に示すように、表示パネルにおける異なるサブ画素領域に属され且つ隣り合う第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２との間の隙間領域に凸起物２４が設けられており、凸起物２４の投影は、少なくとも隙間領域と対応する液晶層３の領域を部分的に覆う。この表示パネルにおいて、凸起物２４を設けることで、隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域付近の液晶層３における液晶分子３０の配列を調整することができ、隙間領域付近の液晶分子３０の転位を減少して、画素暗部領域を抑える又は防ぐことができる。
【００２１】
下記説明において、一例として、第１基板２は、カラーフィルム基板であり、第２基板１は、アレイ基板である。ここで、カラーフィルム基板とアレイ基板は、ＣＯＡ基板として集積されることもあることを理解されたい。
【００２２】
図２に示すように、アレイ基板１は、垂直に交差するように配置された複数のゲートライン１１と複数のデータラインを更に含む。各サブ画素領域内に配置された第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２は、データラインの延長方向に沿って交互に並んでおり、ゲートライン１１は、サブ画素領域を通り抜ける。各サブ画素領域内の第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２は、対応するゲートライン１１の両側に位置する。ここで、第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２には、それぞれスリットが設けられており、図２に示すように、スリットとゲートライン１１がなす角度の絶対値範囲は、３０度から６０度である。例えば、スリットが逆時計周り方向においてゲートライン１１となす鋭角を正角と定義し、スリットが時計周り方向においてゲートライン１１となす鋭角を負角と定義する。
【００２３】
図２において、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応するサブ画素電極は、第１サブ画素電極１５１（ｉ）と第２サブ画素電極１５２（ｉ）とを含む。第１サブ画素電極１５１（ｉ）と第２サブ画素電極１５２（ｉ）は、それぞれ第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）の両側に位置する。第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応するサブ画素電極は、第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）と第２サブ画素電極１５２（ｉ＋１）とを含む。第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）と第２サブ画素電極１５２（ｉ＋１）は、それぞれ第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）の両側に位置する。ここで、例として、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ）と第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）は、隣り合っており、この二つのサブ画素電極は、異なるサブ画素領域に属された二つの隣り合うサブ画素電極とも称する。
【００２４】
本実施例による表示パネルにおいて、液晶分子３０は、負性液晶でもよい。同一のサブ画素領域内に位置する第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２は、対応するサブ画素領域内の液晶分子３０が、２ｎ個の異なる配向を有する液晶ドメインを形成するようにする。ここで、ｎは、自然数であり、且つ２≦ｎ≦４である。即ち、マルチドメイン液晶表示モードは、４ドメイン液晶表示モード、８ドメイン液晶表示モード、又は１６ドメイン液晶表示モードであってもよい。このマルチドメイン液晶表示モードの表示パネルにおいて、凸起物２４は、カラーフィルム基板２に設けられている。凸起物２４は、異なるサブ画素領域に属された隣り合う第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２の間の隙間領域付近の液晶分子３０の配列を改善し、隙間領域の液晶分子３０の転位を減少させることで、画素暗部領域を抑える又は防ぐ。
【００２５】
一例として、ｎ＝３の時、表示パネルは、８ドメイン液晶表示モードになる。この場合、各サブ画素領域には、垂直に配列される二つの領域が形成され、この二つの領域には、それぞれ第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２が配置される。第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２により、このサブ画素領域における液晶層３は、８個の異なる配向を形成する、即ち、８ドメイン液晶表示となる。
【００２６】
本実施例による表示パネルにおいて、凸起物２４は、中心軸対称形状（即ち、凸起物２４は、中心軸に対して対称する）を有し、凸起物２４は、異なるサブ画素領域に対応する隣り合う第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２の間の隙間領域の中心に設けられており、且つ凸起物２４の表示パネルに垂直する投影の中心点は、隙間領域の中心と重なる。ここで、カラーフィルム基板２は、第２基層２０、及び、第２基層２０の上に順番に設けられたカラーフィルム層２１、保護層２２、共用電極層２３と配向層（図３と図４では、表示されていない）を含む。凸起物２４の投影は、少なくとも、異なるサブ画素領域に属された隣り合う第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２の間の隙間領域の中心幅領域を覆う。幅領域とは、異なるサブ画素領域に属された第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２が、データラインの延長方向に沿って形成された隙間領域の寸法である。中心幅領域とは、この幅領域において、ゲートラインの延長方向（ゲートラインの延長方向は、データライン延長方向と直交する）に沿った中間領域である。例えば、異なるサブ画素領域に属された隣り合う第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２の間の隙間領域の幅範囲は、３μｍから１０μｍであり、凸起物２４の第２基層２０上の投影の最大寸法は、１５μｍから３０μｍである。
【００２７】
この表示パネルにおいて、凸起物２４の位置は限定されない。実際の表示パネルの製造においては、凸起物２４の位置は、顧客のニーズ又は表示精度に対応して適宜選択できる。例えば、凸起物２４は、第２基層２０に設けられ、カラーフィルム層２１が凸起物２４を覆うようにしてもよい。或いは、凸起物２４は、カラーフィルム層２１に設けられ、保護層２２が凸起物２４を覆うようにしてもよい。或いは、凸起物２４は、保護層２２に設けられ、共用電極層２３が凸起物２４を覆うようにしてもよい。或いは、凸起物２４は、共用電極層２３に設けられ、配向層が凸起物２４を覆うようにしてもよい。
【００２８】
本実施例の表示パネルにおいて、凸起物２４の形状も限定されない。凸起物２４は、直方体、四面体、楔形体、角柱、立方体、円柱と、半球のうち何れか一つの形状を有する。好ましくは、凸起物２４の第１基層１０上の投影の形状は、円形である。即ち、上記凸起物２４の形状は、少なくとも円形又はアーク形の部分を含む。これにより、凸起物２４の製造がより容易になる。
【００２９】
凸起物２４が、液晶層３中の液晶分子３０の配列をより均一にする効果を確保するため、凸起物２４の高度と液晶層３の厚さは、一定の関係を保持する。液晶層３の厚さが増加すると、凸起物２４の高度も増加する。例えば、液晶層３の厚さ範囲は、３μｍから６μｍであり、凸起物２４の高度範囲は、１μｍから２μｍである。
【００３０】
凸起物２４は、感光性樹脂材料を用いてパターニングで形成されてもよい。ここで、パターニングは、所定のパターンを形成するための工程、例えば、露出工程、現像工程、或いは、プリント、インクジェット等工程で行ってもよい。本発明において形成される凸起物２４の構成と対応するパターニング工程を行えばいい。本実施例による表示パネルの凸起物２４の製造過程は、感光性樹脂材料を塗装し、感光性樹脂材料に対して露出を行い、現像することで凸起物２４を含む構造を得ることができる。
【００３１】
本実施例による表示パネルにおいて、各ゲートライン１１は、同一のサブ画素領域の第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２の間に設けられており、それぞれ第１薄膜トランジスタＴ１のゲートと第２薄膜トランジスタＴ２のゲートと接続することで、第１サブ画素電極１５１と第２サブ画素電極１５２が同時にスキャン及び駆動される。具体的に、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ）は、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ）のドレインを介して、第１データライン１２１（第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ）のソースと接続）と接続する。第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ）は、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ）のドレインを介して、第２データライン１２２（第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ）のソースと接続する）と接続する。第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）は、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ＋１）のドレインを介して、第１データライン１２１（第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ＋１）のソースと接続する）と接続する。第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ＋１）は、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ＋１）のドレインを介して、第２データライン１２２（第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ＋１）のソースと接続する）と接続する。第１データライン１２１上のデータ信号Ｖａ（ｉ）は、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ）のソースを介して、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ）に書き込まれ、第２データライン１２２上のデータ信号Ｖｂ（ｉ）は、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ）のソースを介して、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ）に書き込まれる。第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ）上の電圧Ｖａ（ｉ）の大きさと、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ）上の電圧Ｖｂ（ｉ）の大きさとは、一定の差があるため、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ）上の液晶分子の傾斜角が、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ）上の液晶分子の傾斜角と異なるようになる。本実施例において、図２に示すように、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ）上の液晶分子は、４ドメイン配列を形成し、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ）上の液晶分子は、他の異なる傾斜角を有する４ドメイン配列を形成する。これにより、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応するサブ画素領域は、全部８ドメインの液晶配列を形成している。第１データライン１２１上のデータ信号Ｖａ（ｉ＋１）は、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ＋１）のソースを介して、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）に書き込まれ、第２データライン１２２上のデータ信号Ｖｂ（ｉ＋１）は、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ＋１）のソースを介して、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ＋１）に書き込まれる。同様に、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応するサブ画素領域に、８ドメインの液晶配列が形成される。
【００３２】
一例として、トップゲート型薄膜トランジスタを採用した場合、図３に示すように、薄膜トランジスタは、ゲート１４１（図２において、ゲート１４１と同じ層に形成されたゲートライン１１に接続される）、ゲート１４１の上に設けられたゲート絶縁層１４２、ゲート絶縁層１４２の上に設けられたソース層１４３、ソース層１４３の上の同一の層に設けられたソース１４４とドレイン１４５、及びソース１４４とドレイン１４５の上に設けられたパッシベーション層１４６を含み、パッシベーション層１４６には、貫通穴が設けられている（図３では、貫通穴には、サブ画素電極材料が充填されているので、参照符号を付していない）。サブ画素電極は、貫通穴を通してドレイン１４５と接続されている。
【００３３】
本実施例による表示パネルにおいて、アレイ基板１は、さらに、共用電極ライン（ゲート１４１と同じ層に形成されている）を含む。図２に示すように、この共用電極ラインは、第ｉ行第１サブ画素電極１５１（ｉ）に対応する第１共用電極ライン１３１（ｉ）と、第ｉ行第２サブ画素電極１５２（ｉ）に対応する第２共用電極ライン１３２（ｉ）を含む。第１共用電極ライン１３１（ｉ）と第２共用電極ライン１３２（ｉ）は、それぞれ第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）の両側に位置する。第１共用電極ライン１３１（ｉ）は、第１サブ画素電極１５１（ｉ）に向いており、且つ第１データライン１２１と第２データライン１２２の方向に沿って延長し、更に第１サブ画素電極１５１（ｉ）の投影と少なくとも部分的に重なる部分を含む。第１共用電極ライン１３１（ｉ）は、第ｉ行の対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ）と蓄積キャパシタＣｓｔａ（ｉ）を構成する。第２共用電極ライン１３２（ｉ）は、第２サブ画素電極１５２（ｉ）に向いており、且つ第１データライン１２１と第２データライン１２２の方向に沿って延長し、更に第２サブ画素電極１５２（ｉ）の投影と少なくとも部分的に重なる部分を含む。第２共用電極ライン１３２（ｉ）は、第ｉ行の対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ）と蓄積キャパシタＣｓｔｂ（ｉ）を構成する。同様に、第ｉ＋１行第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）の対応する第１共用電極ライン１３１（ｉ＋１）と第ｉ＋１行の対応する第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）は、蓄積キャパシタＣｓｔａ（ｉ＋１）を構成し、第ｉ＋１行第２サブ画素電極１５２（ｉ＋１）の対応する共用電極ライン１３２（ｉ＋１）と第ｉ＋１行の対応する第２サブ画素電極１５２（ｉ＋１）は、蓄積キャパシタＣｓｔｂ（ｉ＋１）を構成する。
【００３４】
本実施例による表示パネルの回路図を図５に示す。ゲート１４１がスキャンされる時、第１データライン１２１上のデータ信号Ｖａ（ｉ）は、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ）を介して、蓄積キャパシタＣｓｔａ（ｉ）に書き込まれ、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第１薄膜トランジスタＴ１（ｉ＋１）を介して、蓄積キャパシタＣｓｔａ（ｉ＋１）に書き込まれる。第２データライン１２２上のデータ信号Ｖｂ（ｉ）は、第ｉ行ゲートライン１１（ｉ）に対応する第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ）を介して、蓄積キャパシタＣｓｔｂ（ｉ）に書き込まれ、第ｉ＋１行ゲートライン１１（ｉ＋１）に対応する第２薄膜トランジスタＴ２（ｉ＋１）を介して、蓄積キャパシタＣｓｔｂ（ｉ＋１）に書き込まれる。これにより、画像表示が実現される。
【００３５】
図５において、ＣＬＣａ（ｉ）とＣＬＣｂ（ｉ）は、それぞれ第ｉ行第１サブ画素電極１５１（ｉ）と第ｉ行第２サブ画素電極１５２（ｉ）が、カラーフィルム基板２上の共用電極層２３と形成する液晶キャパシタであり、ＣＬＣａ（ｉ＋１）とＣＬＣｂ（ｉ＋１）は、それぞれ第ｉ＋１行第１サブ画素電極１５１（ｉ＋１）と第２サブ画素電極１５２（ｉ＋１）が、カラーフィルム基板２上の共用電極層２３と形成する液晶キャパシタであり、液晶キャパシタの容量値は、蓄積キャパシタの容量値より大幅に小さいことを理解されたい。従って、表示原理を論ずる時、液晶容量は、考慮しなくてもよい。
【００３６】
図１は、カラーフィルム基板上に凸起物２４が設けられてない場合、異なるサブ画素領域に属された隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域付近の液晶分子３０の配列を示す図である。この時、相対的大きい暗部が現れ（図１において、太線で囲まれた部分）、表示性能に悪い影響を与え、明るさの均一性の劣化を招き、コントラスト比が低下し、明るさが低下する。図６に示すように、カラーフィルム基板２上に凸起物２４が設けられた場合、異なるサブ画素領域に属された隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域付近の液晶分子３０の配列は、凸起物２４により改善され、隙間領域付近の液晶分子３０の転位を減少し、画素暗部領域を抑える又は防ぐことができる。
【００３７】
本実施例による表示パネルでは、カラーフィルム基板における異なるサブ画素領域に属された二つの隣り合うサブ画素電極の間の隙間領域に凸起物を設けることで、二つの隣り合うサブ画素電極の間の隙間領域付近の液晶分子の配列を改善し、隙間領域付近の液晶分子の配列により起因する画素暗部領域を減少し、表示性能を高めることができる。
【００３８】
第２実施例
本実施例は、表示装置を提供する。この表示装置は、第１実施例による表示パネルを含む。
【００３９】
この表示装置は、液晶パネル、電子紙、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビジョン、ディスプレイ、ノートブック、デジタルフォトフレーム、ナビゲーション機器等何れの表示機能を有する製品又は機器に適用される。
【００４０】
このような表示装置に採用される表示パネルは、広い視角範囲を有するマルチドメイン液晶表示技術を採用し、カラーフィルム基板の異なるサブ画素領域に属された二つの隣り合うサブ画素電極の間の隙間領域に凸起物を設けることで、隣り合う二つのサブ画素電極の間の隙間領域付近の液晶分子配列を改善し、隙間領域の液晶分子の配列転位により起因する画素暗部領域を減少し、これにより、前記表示装置は、より広い視角範囲と表示性能を提供することができる。
【００４１】
上述した実施形態は、本発明の原理を説明するための例示的な実施形態に過ぎなく、本発明を限定するためのものではない。本分野の当業者にとって、本発明の精神及び実質を逸脱しない限り、様々な変形及び改善を行え、当該変形及び改善も本発明の保護範囲に入るものであるとみなされる。
【符号の説明】
【００４２】
１：アレイ基板；
１０：第１基層；
１１：ゲートライン；１１（ｉ）：第ｉ行ゲートライン；１１（ｉ＋１）：第ｉ＋１行ゲートライン；
１２１：第１データライン；１２２：第２データライン；
１３１：第１共用電極ライン；１３２：第２共用電極ライン；
１３１（ｉ）：第ｉ行第１共用電極ライン；１３２（ｉ）：第ｉ行第２共用電極ライン；
１３１（ｉ＋１）：第ｉ＋１行第１共用電極ライン；１３２（ｉ＋１）：第ｉ＋１行第２共用電極ライン；
Ｔ１（ｉ）：第ｉ行第１薄膜トランジスタ；Ｔ２（ｉ）：第ｉ行第２薄膜トランジスタ；
Ｔ１（ｉ＋１）：第ｉ＋１行第１薄膜トランジスタ；Ｔ２（ｉ＋１）：第ｉ＋１行第２薄膜トランジスタ；
１４１：ゲート；１４２：ゲート絶縁層；１４３：ソース層；１４４：ソース；１４５：ドレイン；１４６：パッシベーション層；
１５１：第１サブ画素電極；１５２：第２サブ画素電極；
１５１（ｉ）：第ｉ行第１サブ画素電極；１５２（ｉ）：第ｉ行第２サブ画素電極；
１５１（ｉ＋１）：第ｉ＋１行第１サブ画素電極；１５２（ｉ＋１）：第ｉ＋１行第２サブ画素電極；
２：カラーフィルム基板；２０：第２基層；２１：カラーフィルム層；２２：保護層；２３：共用電極層；２４：凸起物；
３：液晶層；３０：液晶分子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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