(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面および第２の主面を有し、前記第１の主面上に、櫛型電極および前記櫛型電極と電気的に接続された第１の電極部材を含む圧電体基板と、
前記圧電体基板の前記第２の主面に接合された第１のスピネル多結晶基板と、
前記圧電体基板の前記第１の電極部材と電気的に接続された外部端子が表面に形成された、第２のスピネル多結晶基板とを備え、
前記第１のスピネル多結晶基板は、前記圧電体基板との接合面において、ＰＶ値が２ｎｍ以上８ｎｍ以下であり、
前記圧電体基板と前記第１のスピネル多結晶基板とが接合されて形成される接合基板のサイズが前記第２のスピネル多結晶基板のサイズよりも大きく、
前記第２のスピネル多結晶基板は、前記接合基板と対抗しない側の主面上に前記外部端子が形成され、かつ、側面上に前記外部端子と接続されたキャスタレーションが形成され、
前記第１の電極部材の前記第２のスピネル多結晶基板の外に伸びている部分と前記キャスタレーションとが、めっきにより接続される、
表面弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第１のスピネル多結晶基板は、前記圧電体基板との接合面に酸化物膜が形成される、
請求項１に記載の表面弾性波デバイス。
【請求項３】
前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、前記櫛型電極を封止して接合される、
請求項１または請求項２に記載の表面弾性波デバイス。
【請求項４】
前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、金属を介して接合される、
請求項３に記載の表面弾性波デバイス。
【請求項５】
前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、樹脂を介して接合される、
請求項３に記載の表面弾性波デバイス。
【請求項６】
前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、直接接合される、
請求項３に記載の表面弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話の内部には、電気信号のノイズをカットし、所望の周波数の電気信号のみを送受信するための、表面弾性波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）デバイスと呼ばれる電子部品が組み込まれている。表面弾性波デバイスには、一方の主面に櫛型電極が形成された圧電体基板が用いられている。通常、圧電体基板の材料として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムやホウ酸リチウムなどが用いられる。
【０００３】
携帯電話の使用時に圧電体基板は熱を放出し、これにより圧電体基板が膨張し、表面弾性波デバイスの作動周波数の温度特性が劣化してしまうという問題がある。温度特性を改善する手法の一つとして、該圧電体基板の電極が形成された主面と反対側の主面に、熱膨張係数の小さな支持基板を接合する技術が提案されている。
【０００４】
たとえば、特許文献１（特開２００６−３０４２０６号公報）には、圧電体基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電体基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電体基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電体基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０４２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、放熱用の支持基板としてシリコン基板を用いている。シリコンの熱膨張係数は、圧電体基板を形成するタンタル酸リチウムなどの材料の熱膨張係数に比べて非常に小さい。したがって、圧電体基板が熱により膨張すると、シリコンが割れてしまうおそれがある。
【０００７】
また、近年の携帯電話の小型化の要請から、表面弾性波デバイスについても、薄型化や小型化が求められている。特許文献１では、パッケージ用の実装基板としてアルミナや低膨張セラミックスを用いている。しかし、アルミナや低膨張セラミックスは硬度が高いため、小型化のために所望の形状に成形することが困難であるという問題もある。
【０００８】
また、放熱用の支持基板やパッケージ用の基板として、サファイヤを用いる技術も提案されている。しかし、サファイヤは単結晶であり、硬度が高いため、小型化のために所望の形状に成形することが困難である。
【０００９】
そこで、本目的は、広い温度範囲で作動周波数が安定しており、小型化が容易である表面弾性波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係る表面弾性波デバイスは、（１）第１の主面および第２の主面を有し、前記第１の主面上に、櫛型電極および前記櫛型電極と電気的に接続された第１の電極部材を含む圧電体基板と、前記圧電体基板の第２の主面に接合された第１のスピネル多結晶基板と、前記圧電体基板の第１の電極部材と電気的に接続された外部端子が表面に形成された、第２のスピネル多結晶基板とを備える、表面弾性波デバイスである。
【発明の効果】
【００１１】
上記態様によれば、広い温度範囲で作動周波数が安定しており、小型化が容易である表面弾性波デバイスを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一態様にかかる表面弾性波デバイスの模式的断面図である。
【図２】図２（ａ）は接合基板の一例を示す斜視図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の接合基板をＸ−Ｘ線で切断した断面図である。
【図３】主面上に第２の電極部材が形成された第２のスピネル多結晶基板の一例を示す斜視図である。
【図４】ビア配線が形成されたスピネル多結晶基板の一例を示す斜視図である。
【図５】主面上に第２の電極部材が形成されたスピネル多結晶基板の一例を示す斜視図である。
【図６】本発明の一態様にかかる表面弾性波デバイスの模式的断面図である。
【図７】主面上に外部端子およびキャスタレーションが形成された第２のスピネル多結晶基板の一例を示す斜視図である。
【図８】貫通孔が形成されたスピネル多結晶基板の一例を示す斜視図である。
【図９】貫通孔の開口部周辺がパターンメタライズされたスピネル多結晶基板の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１４】
本発明の一態様に係る表面弾性波デバイスは、（１）第１の主面および第２の主面を有し、前記第１の主面上に、櫛型電極および前記櫛型電極と電気的に接続された第１の電極部材を含む圧電体基板と、前記圧電体基板の第２の主面に接合された第１のスピネル多結晶基板と、前記圧電体基板の第１の電極部材と電気的に接続された外部端子が表面に形成された、第２のスピネル多結晶基板とを備える、表面弾性波デバイスである。なお、ここで主面とは、基板表面のうち、最も面積の大きい主要な面を意味する。
【００１５】
スピネル多結晶基板は、圧電体基板材料よりも小さな熱膨張係数を有する。圧電体基板にスピネル多結晶基板を接合することで、圧電体基板の熱膨張を抑制することができる。したがって、表面弾性波デバイスは、広い温度範囲で作動周波数が安定している。また、スピネル多結晶基板は、ヌープ硬度がサファイヤやアルミナに比べて小さく、所望の形状への加工が容易である。したがって、表面弾性波デバイスの小型化が容易となる。さらに、スピネル多結晶基板は熱処理耐性が高いため、表面弾性波デバイスの信頼性が向上する。
【００１６】
（２）前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、前記櫛型電極を封止して接合されることが好ましい。
【００１７】
これによると、櫛型電極を外部からの衝撃から保護することができる。さらに櫛型電極にゴミや水分が付着したり、櫛型電極が酸化することを防止できる。したがって、表面弾性波デバイスは作動周波数の安定性を長期間にわたって維持することができる。
【００１８】
（３）前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、金属を介して接合されることが好ましい。これによると、高い接合強度を得ることができ、また櫛形電極への水分の侵入がない。さらに、この接合用の金属は、前記櫛形電極及び前記第１の電極部材と同時に形成することができ、製造コストを低減することができる。
【００１９】
（４）前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、樹脂を介して接合されることが好ましい。これによると、高い接合強度を得ることができ、また低温での接合が可能であり製造コストを低減することができる。さらに、前記圧電体基板の第１の電極部材と第２のスピネル多結晶基板の外部端子との電気的な接続が容易になる。
【００２０】
（５）前記圧電体基板と前記第２のスピネル多結晶基板とは、直接接合されることが好ましい。これによると、表面弾性波デバイスの厚さを低減することができる。また、製造コストを低減することができる。
【００２１】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態にかかる表面弾性波デバイスの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００２２】
＜実施の形態１＞
（表面弾性波デバイス）
実施の形態１にかかる表面弾性波デバイスについて、図１〜図３を用いて説明する。
【００２３】
図１に示されるように、表面弾性波デバイス１０は、第１の主面５ａおよび第２の主面５ｂを有し、前記第１の主面５ａ上に、櫛型電極３および前記櫛型電極３と電気的に接続された第１の電極部材６を含む圧電体基板５と、前記圧電体基板５の第２の主面５ｂに接合された第１のスピネル多結晶基板１と、前記圧電体基板５の第１の電極部材６と電気的に接続された外部端子１１が表面に形成された、第２のスピネル多結晶基板７とを備える。
【００２４】
圧電体基板５と第１のスピネル多結晶基板１とは接合され、接合基板２を形成している。接合基板２の一例について、図２および図３を用いて説明する。圧電体基板５の第１の主面５ａ上には、金属薄膜からなる櫛型形状の櫛型電極３および金属薄膜からなる第１の電極部材６が形成されている。
【００２５】
電極３は第１極３ａと第２極３ｂとを含む。第１極３ａと第２極３ｂとの間にたとえば交流電圧を印加する。そして第１極３ａと第２極３ｂとの間に印加した交流電圧による電流に、電気信号を入力する。すると電極３が形成された圧電体基板５を構成する結晶粒子（原子）同士が応力を受けることにより圧電効果により近づいたり離れたりするため、圧電体基板５の主表面が波打つように振動する。
【００２６】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示されるように、第１極３ａおよび第２極３ｂはそれぞれ櫛型形状を有する。したがってたとえば電極３に入力される電気信号のうち、第１極３ａの櫛型成分３ｃと櫛型成分３ｄとの距離に相当する波長の電気信号のみが、外部へ伝播される。つまり上述した波長以外の波長を持つ電気信号は、外部へ伝播されず、接合基板２の内部にて遮断されることになる。このような原理により接合基板２は、所望の波長を持つ電気信号のみを外部に出力することにより、所望の波長以外の電気信号（つまり雑音）を遮断し、出力信号のノイズを排除することができる。
【００２７】
圧電体基板５の第２の主面５ｂには、第１のスピネル多結晶基板が接合されている。スピネル多結晶基板１を構成するスピネルとしてはたとえばＭｇＯ・ｎＡｌ２Ｏ３（１≦ｎ≦３）が挙げられる。第１のスピネル多結晶基板の平均厚みは、１０μｍ以上１０００μｍ以下が好ましい。
【００２８】
圧電体基板と第１のスピネル多結晶基板との接合の方法は特に限定されず、接着剤を用いてもよいし、ファンデルワールス力により接合されてもよい。圧電体基板と第１のスピネル多結晶基板とを高精度に接合するためには、ファンデルワールス力により接合されることが好ましい。
【００２９】
ファンデルワールス力を利用して圧電体基板と第１のスピネル多結晶基板とを接合する場合は、スピネル保持基板の接合面は平坦であることが好ましい。具体的には、第１のスピネル多結晶基板の接合面におけるＰＶ値は、２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが好ましい。ここでＰＶ値とは、表面の断面曲線における最大山高さと最大谷深さとの高さの差（段差）を示す値である。ＰＶ値は、接触式段差計やＡＦＭ（Atomic Force Microscope）、レーザー段差計を用いた測定方法、断面写真から形状を読み取る方法等により測定される値である。これによると第１のスピネル多結晶基板と圧電体基板とを、ファンデルワールス力を利用して良好に接合することができる。
【００３０】
また、第１のスピネル多結晶基板の接合面における平均粗さＲａの値は、０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であることが好ましい。これによると第１のスピネル多結晶基板と圧電体基板とを、ファンデルワールス力を利用して良好に接合することができる。
【００３１】
第１のスピネル多結晶基板は、圧電体基板との接合面に酸化物膜が形成されていてもよい。酸化物膜は研磨加工が容易なため、酸化物膜表面を平坦に加工することが容易であり、基板材料の製造コストを低減することができる。酸化物膜は、たとえば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）が挙げられ、なかでも酸化ケイ素（ＳｉＯ２）がコスト面で有利であり好ましい。酸化物膜の平均厚みは、コスト面と接着強度確保の観点から、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。
【００３２】
第２のスピネル多結晶基板７の主面のうち、接合基板２と対向する主面には、金属薄膜からなる第２の電極部材９が形成され、他方の主面には外部端子１１が形成されている。第２の電極部材９と外部端子１１とは、第２のスピネル多結晶基板７を貫通するビア配線８を介して電気的に接続されている。
【００３３】
図１に示されるように、表面弾性波デバイス１０において、第１の電極部材６と第２の電極部材９とは接触するように配置されているため、第１の電極部材６および外部端子１１も、第２の電極部材９およびビア配線８を介して電気的に接続されている。
【００３４】
接合基板２と第２のスピネル多結晶基板７とは、接着部材１３を介して接合されている。接着部材１３は櫛型電極３、第１の電極部材６および第２の電極部材９を囲むように設けられている。したがって、櫛型電極３、第１の電極部材および第２の電極部材は、外部から遮断され、気密封止されている。なお、接合基板２と第２のスピネル多結晶基板７とは、接着部材を用いずに、圧着により直接接合されていてもよい。
【００３５】
接着部材１３としては、金属または樹脂を用いることができる。金属としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタニウム、金合金、表面を金で被覆した金属などを用いることができる。樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂などを用いることができる。
【００３６】
第２のスピネル多結晶基板７の平均厚みは、１０μｍ以上１０００μｍ以下が好ましい。
【００３７】
表面弾性波デバイス１０の厚みは、５００μｍ以下が好ましい。また、表面弾性波デバイス１０の主面は、一辺の長さが１ｍｍ以上３ｍｍ以下の矩形であることが好ましい。
（表面弾性波デバイスの製造方法）
実施の形態１にかかる表面弾性波デバイスの製造方法の一例について説明する。表面弾性波デバイスの製造方法は、接合基板を準備する工程と、表面に外部端子が形成された第２のスピネル多結晶基板を準備する工程と、前記接合基板と前記第２のスピネル多結晶基板とを接合する工程とを含む。
【００３８】
まず、接合基板の準備工程について説明する。初めに、圧電体基板と第１のスピネル多結晶基板とを準備して、接合する。次に、圧電体基板の第１の主面を研磨したのちに、該第１の主面上に櫛型電極を形成して接合基板を得る。櫛型電極の形成方法としては、スパッタ、蒸着、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー法などを用いることができる。
【００３９】
次に、第２のスピネル多結晶基板の準備工程について、図４および図５を用いて説明する。初めに、図４に示されるように、スピネル多結晶基板２７に基板を貫通するビア配線８を形成する。次に、図５に示されるように、スピネル多結晶基板２７の一方の主面上に、ビア配線８を覆うように第２の電極部材９を形成する。また、スピネル多結晶基板２７の他方の主面上に、ビア配線８を覆うように外部端子を形成する。これにより第２のスピネル多結晶基板を得る。
【００４０】
次に、接合基板と第２のスピネル多結晶基板とを接合する。まず、圧電体基板の表面上に、金属または樹脂からなる接着部材を配置する。次に、圧電体基板上に、第２のスピネル多結晶基板を、第１の電極部材と第２の電極部材とが接するように配置する。次に、第２のスピネル多結晶基板を一定の加熱温度で圧電体基板に押し当て、前記接着部材で、第２のスピネル多結晶基板と圧電体基板とを接合し、櫛型電極を気密封止する。
【００４１】
次に、接合基板と第２のスピネル多結晶基板とを、櫛型電極の気密封止を保ったまま、所望の大きさに切断して、表面弾性波デバイスを得る。また、接合基板を所望の大きさに切断してから第２のスピネル多結晶基板と接合してもよい。
【００４２】
＜実施の形態２＞
（表面弾性波デバイス）
実施の形態２にかかる表面弾性波デバイスについて、図６および図７を用いて説明する。
【００４３】
図６に示されるように、表面弾性波デバイス２０は、第１の主面５ａおよび第２の主面５ｂを有し、前記第１の主面５ａ上に、櫛型電極３および前記櫛型電極３と電気的に接続された第１の電極部材６を含む圧電体基板５と、前記圧電体基板５の第２の主面５ｂに接合された第１のスピネル多結晶基板１と、前記圧電体基板５の第１の電極部材６と電気的に接続された外部端子２１１が表面に形成された、第２のスピネル多結晶基板７とを備える。
【００４４】
圧電体基板５および第１のスピネル多結晶基板１は、実施の形態１と同様の構成である。
【００４５】
図６および図７に示されるように、第２のスピネル多結晶基板７の接合基板と対向しない側の主面上には外部端子２１１が形成され、側面上には前記外部端子２１１と接続されたキャスタレーション２９が形成されている。接合基板２と第２のスピネル多結晶基板７とは、接着部材１３を介して接合されている。接着部材１３は櫛型電極３を囲むように設けられている。したがって、櫛型電極３は外部から遮断され、気密封止されている。接着部材１３としては、樹脂を用いることができる。
【００４６】
実施の形態２では、接合基板２のサイズが第２のスピネル多結晶基板のサイズよりも大きく、第１の電極部材６の前記第２のスピネル多結晶基板の外に伸びている部分と前記キャスタレーション２９とが、めっき１４により接続されている。したがって、第１の電極部材６と外部端子２１１とは、めっき１４およびキャスタレーション２９とを介して電気的に接続されている。
【００４７】
（表面弾性波デバイスの製造方法）
実施の形態２にかかる表面弾性波デバイスの製造方法の一例について説明する。表面弾性波デバイスの製造方法は、接合基板を準備する工程と、表面に外部端子が形成された第２のスピネル多結晶基板を準備する工程と、前記接合基板と前記第２のスピネル多結晶基板とを接合する工程とを含む。接合基板の準備工程は、実施の形態１と同様の方法を用いることができる。
【００４８】
第２のスピネル多結晶基板の準備工程について、図８および図９を用いて説明する。初めに、図８に示されるように、スピネル多結晶基板３７に貫通孔１５を形成する。次に、図９に示されるように、貫通孔の側面およびスピネル多結晶基板３７の一方の主面上の貫通孔の開口部周辺をパターンメタライズする。なお、貫通孔の側面に形成された金属膜はキャスタレーション２９に該当し、スピネル多結晶基板３８の主面上に形成された金属膜は外部端子２１１に該当する。これにより第２のスピネル多結晶基板を得る。
【００４９】
次に、接合基板と第２のスピネル多結晶基板とを接合する。まず、圧電体基板の第１の電極部材上に、樹脂シートからなる接着部材を配置する。次に、圧電体基板上に、第２のスピネル多結晶基板を、前記接着部材と前記キャスタレーションとが接するように配置する。次に、第２のスピネル多結晶基板を一定の加熱温度で圧電体基板に押し当て、前記接着部材で、第２のスピネル多結晶基板と圧電体基板とを接合し、櫛型電極を気密封止する。次に、第２のスピネル多結晶基板の外に伸びている圧電体基板の第１の電極部材と、第２のスピネル多結晶基板のキャスタレーションとをめっきにより電気的に接続する。
【００５０】
次に、接合基板と第２のスピネル多結晶基板とを、櫛型電極の気密封止を保ったまま、所望の大きさに切断して、表面弾性波デバイスを得る。また、接合基板を所望の大きさに切断してから第２のスピネル多結晶基板と接合してもよい。
【実施例１】
【００５１】
本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
【００５２】
［製造例１］
＜表面弾性波デバイスの作製＞
製造例１では、実施の形態１の構造を有する表面弾性波デバイスを作製した。
【００５３】
（接合基板の準備）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが２００μｍのスピネル多結晶基板を準備し、圧電体基板との接合面を研磨することにより、ＰＶ値が４．１９ｎｍであり、Ｒａ値が０．３２６ｎｍの第１のスピネル多結晶基板を得た。ここで、ＰＶおよびＲａは、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）を用いて測定した。なお測定範囲は、主面上の面積０．１７６ｍｍ×０．１３２ｍｍの範囲とした。
【００５４】
圧電体基板の材料として直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが２００μｍのタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板を準備した。該基板と第１のスピネル多結晶基板とをファンデルワールス力を利用して接合した。
【００５５】
圧電体基板表面を研磨により厚みが２５μｍとなるように加工した。前記加工面上に櫛形電極および第１の電極部材を形成して、動作周波数が約１．９ＧＨｚの圧電体基板を備えた接合基板を得た。
【００５６】
（第２のスピネル多結晶基板の準備）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが１００μｍのスピネル多結晶基板を準備し、基板を貫通する直径７５μｍの銅からなるビア配線を形成した。次に、スピネル多結晶基板の一方の主面上に、ビア配線を覆うようにチタニウム、白金、金からなる第２の電極部材を形成した。また、スピネル多結晶基板の他方の主面上に、ビア配線を覆うようにチタニウム、白金、金からなる外部端子を形成した。これにより、第２のスピネル多結晶基板を得た。
【００５７】
（基板の接合）
圧電体基板の表面上に、チタニウム、アルミニウム、白金、金からなる接着部材を配置した。次に、圧電体基板上に、第２のスピネル多結晶基板を、第１の電極部材と第２の電極部材とが接するように配置した。次に、第２のスピネル多結晶基板を一定の加熱温度で圧電体基板に押し当て、前記接着部材で、第２のスピネル多結晶基板と圧電体基板とを接合し、櫛型電極を気密封止した。次に、接合基板と第２のスピネル多結晶基板とを、櫛型電極の気密封止を保ったまま、２ｍｍ×２ｍｍの大きさに切断して、実施の形態１の構造を有する表面弾性波デバイスを得た。なお、該表面弾性波デバイスの厚みは０．５ｍｍであった。
【００５８】
＜評価＞
得られた表面弾性波デバイスについて、作動周波数の温度特性および熱処理耐性を調べた。
【００５９】
（作動周波数の温度特性）
表面弾性波デバイスの共振周波数および反共振周波数の温度特性を、周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた。共振周波数の温度係数は−２３ｐｐｍ／℃であった。したがって、製造例１の表面弾性波デバイスは、広い温度範囲で作動周波数が安定していることが確認された。
【００６０】
（熱処理耐性）
表面弾性波デバイスを、窒素雰囲気下、３００℃まで加熱したところ、デバイスは割れなかった。また、前記デバイスを−４０℃〜１２５℃のヒートサイクルに１０００サイクルかけても、デバイスの形状に変化はなかった。また、表面弾性波デバイスの共振周波数の温度係数は、ヒートサイクルの前後で１５％以下の変化率であった。したがって、製造例１の表面弾性波デバイスは、熱処理耐性が優れていることが確認された。
【００６１】
［製造例２］
＜表面弾性波デバイスの作製＞
製造例２では、実施の形態２の構造を有する表面弾性波デバイスを作製した。
【００６２】
（接合基板の準備）
製造例１と同様の方法で接合基板を準備した。
【００６３】
（第２のスピネル多結晶基板の準備）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが７５μｍのスピネル多結晶基板を準備し、該基板に貫通孔を形成した。貫通孔の側面およびスピネル多結晶基板の一方の主面上の貫通孔の開口部周辺をチタニウム、銅でパターンメタライズして、キャスタレーションおよび外部端子を形成した。これにより、第２のスピネル多結晶基板を得た。
【００６４】
（基板の接合）
第１の電極部材上に、エポキシ系樹脂シートからなる接着部材を配置する。次に、圧電体基板上に、第２のスピネル多結晶基板を、接着部材とキャスタレーションとが接するように配置する。次に、第２のスピネル多結晶基板を一定の加熱温度で圧電体基板に押し当て、前記接着部材で、第２のスピネル多結晶基板と圧電体基板とを接合し、櫛型電極を気密封止した。次に、第２のスピネル多結晶基板の外に伸びている圧電体基板の第１の電極部材と、第２のスピネル多結晶基板のキャスタレーションとを銅めっきにより電気的に接続した。次に、接合基板と第２のスピネル多結晶基板とを、櫛型電極の気密封止を保ったまま、２ｍｍ×２ｍｍの大きさに切断して、実施の形態２の構造を有する表面弾性波デバイスを得た。なお、該表面弾性波デバイスの厚みは０．４ｍｍであった。
【００６５】
＜評価＞
得られた表面弾性波デバイスについて、製造例１と同様の方法で作動周波数の温度特性および熱処理耐性を調べた。
【００６６】
（作動周波数の温度特性）
製造例２の表面弾性波デバイスは、共振周波数の温度係数は−２４ｐｐｍ／℃であった。したがって、製造例２の表面弾性波デバイスは、広い温度範囲で作動周波数が安定していることが確認された。
【００６７】
（熱処理耐性）
表面弾性波デバイスを、窒素雰囲気下、３００℃まで加熱したところ、デバイスは割れなかった。また、前記デバイスを−４０℃〜１２５℃のヒートサイクルに１０００サイクルかけても、デバイスの形状に変化はなかった。また、表面弾性波デバイスの共振周波数の温度係数は、ヒートサイクルの前後で１５％以下の変化率であった。したがって、製造例２の表面弾性波デバイスは、熱処理耐性が優れていることが確認された。
【００６８】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明の表面弾性波デバイスは、携帯電話等の通信端末機器、通信基地局、レーダー機器などに用いると有益である。
【符号の説明】
【００７０】
１  第１のスピネル多結晶基板、２  接合基板、３，４  櫛型電極、５  圧電体基板、５ａ  第１の主面、５ｂ  第２の主面、６  第１の電極部材、７  第２のスピネル多結晶基板、８  ビア配線、９  第２の電極部材、１０  表面弾性波デバイス、  １１，２１１  外部端子、１３  接着部材、１４  めっき、１５  貫通孔、２７，３７  スピネル多結晶基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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