(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に被処理物が収容される真空槽と、
ターゲットを有しており該ターゲットの被スパッタ面が上記被処理物の被処理面と対向するように上記真空槽の内部に設けられたマグネトロンカソードと、
上記真空槽の内部に放電用ガスを導入する放電用ガス導入手段と、
上記真空槽を陽極とし上記マグネトロンカソードを陰極としてこれら両者にスパッタ電力を供給することによって上記放電用ガスを放電させて上記被スパッタ面の近傍にプラズマを発生させるスパッタ電力供給手段と、
を具備し、
上記プラズマ中のイオンが上記被スパッタ面に衝突することによって該被スパッタ面から叩き出されたスパッタ粒子を上記被処理面に付着させて該スパッタ粒子を成分として含む被膜を該被処理面に形成する、マグネトロンスパッタ法による成膜装置において、
上記被スパッタ面と上記被処理面との間に設けられており熱電子放出用電力の供給を受けることによって加熱されて熱電子を放出するフィラメントと、
上記真空槽を陽極とし上記フィラメントを陰極としてこれら両者に放電用電力を供給することによって上記熱電子を加速させて該フィラメントの周囲にアーク放電を誘起させる放電用電力供給手段と、
をさらに具備することを特徴とする、成膜装置。
【請求項２】
上記フィラメントは上記被スパッタ面との間に距離を置いて該被スパッタ面に沿うように設けられた、
請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
上記フィラメントと上記被スパッタ面との間の上記距離は５ｍｍ〜５０ｍｍである、
請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
複数の上記フィラメントが設けられた、
請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項５】
上記真空槽を陽極とし上記被処理物を陰極としてこれら両者にバイアス電力を供給するバイアス電力供給手段を、さらに備える、
請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項６】
上記スパッタ粒子と反応する性質を持つ反応性ガスを上記真空槽内に導入する反応性ガス導入手段を、さらに備える、
請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項７】
上記スパッタ電力は直流電力，高周波電力，パルス電力および高出力ハイインパルス電力のいずれかである、
請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項８】
ターゲットの被スパッタ面と被処理物の被処理面とが互いに対向するように該ターゲットを有するマグネトロンカソードと該被処理物とが設けられた真空槽の内部に放電用ガスを導入する放電用ガス導入過程と、
上記真空槽を陽極とし上記マグネトロンカソードを陰極としてこれら両者にスパッタ電力を供給することによって上記放電用ガスを放電させて上記被スパッタ面の近傍にプラズマを発生させるスパッタ電力供給過程と、
を具備し、
上記プラズマ中のイオンが上記被スパッタ面に衝突することによって該被スパッタ面から叩き出されたスパッタ粒子を上記被処理面に付着させて該スパッタ粒子を成分として含む被膜を該被処理面に形成する、マグネトロンスパッタ法による成膜方法において、
上記被スパッタ面と上記被処理面との間に設けられたフィラメントに熱電子放出用電力を供給することによって該フィラメントを加熱させて熱電子を放出させる熱電子放出過程と、
上記真空槽を陽極とし上記フィラメントを陰極としてこれら両者に放電用電力を供給することによって上記熱電子を加速させて該フィラメントの周囲にアーク放電を誘起させるアーク放電誘起過程と、
をさらに具備することを特徴とする、成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法においては、ターゲットの被スパッタ面と被処理物の被処理面とが互いに対向するように、当該ターゲットを有するマグネトロンカソードと当該被処理物とが真空槽内に設けられる。そして、真空槽内に放電用ガス導入される。その上で、真空槽を陽極とし、マグネトロンカソードを陰極として、これら両者にスパッタ電力（またはターゲット電力とも言う。）が供給される。すると、放電用ガスが放電して、ターゲットの表面、詳しくは露出した状態にある被スパッタ面、の近傍に、プラズマが発生する。このプラズマの放電態様は、高電圧小電流のグロー放電である。そして、このプラズマ中のイオンがターゲットの被スパッタ面に衝突して、当該被スパッタ面からターゲットの粒子が叩き出される。このターゲットの被スパッタ面から叩き出されたスパッタ粒子は、被処理物の被処理面に向かって飛翔して、当該被処理面に付着し、堆積する。この結果、被処理物の被処理面にスパッタ粒子を成分として含む被膜が形成される。なお、上述の如くターゲットの被スパッタ面の近傍にプラズマが発生するのは、マグネトロンカソードに組み込まれた磁界形成手段としての例えば永久磁石によって形成される磁界の作用による。このようにターゲットの被スパッタ面の近傍にプラズマが集中することによって、当該被スパッタ面のスパッタ効率の向上が図られ、ひいては成膜速度の向上が図られる。また、スパッタ粒子と反応する性質を持つ反応性ガスが真空槽内に導入されることによって、これらの化合物である化合物膜の形成が実現される。
【０００３】
このようなマグネトロンスパッタ法による成膜技術として、従来、例えば特許文献１に開示されたものがある。この従来技術によれば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）から成る透明電極を形成することができる、とされているが、当然に、当該ＩＴＯ以外の被膜をも形成することができる、と解される。また、この従来技術によれば、ターゲットの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁界形成手段としての磁場発生部を駆動することで、当該ターゲットの消費を均一化することができる、とされている。さらに、この従来技術によれば、磁場発生部の駆動領域を適宜に制限することで、シース電圧の絶対値および変動を小さくすることが可能になり、従って、ダメージが少なく均質な被膜を形成することが可能になる、とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２５１２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術では、スパッタ粒子の殆どが比較的にエネルギの小さい中性であるため、高硬度な被膜を形成することができない。例えば、金型や切削工具用の被膜として知られている窒化チタン（ＴｉＮ）膜および窒化クロム（ＣｒＮ）膜については、４００ＨＫ〜７００ＨＫ程度の硬度（ヌープ硬度）のものしか形成することができず、このような軟らかい被膜は、当該金型や切削工具用として不十分である。
【０００６】
そこで、本発明は、従来よりも高硬度な被膜を形成することができるマグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために、本発明は、マグネトロンスパッタ法による成膜装置に係る第１発明と、当該マグネトロンスパッタ法による成膜方法に係る第２発明と、を含む。
【０００８】
このうちの第１発明は、内部に被処理物が収容される真空槽を備えている。また、真空槽内には、マグネトロンカソードが設けられている。このマグネトロンカソードは、ターゲットを有しており、このターゲットの被スパッタ面が被処理物の被処理面と対向するように、当該真空槽内に設けられている。そして、真空槽内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入手段も、設けられている。併せて、真空槽を陽極とし、マグネトロンカソードを陰極として、これら両者にスパッタ電力を供給するスパッタ電力供給手段も、設けられている。このスパッタ電力が供給されると、放電用ガスが放電して、ターゲットの被スパッタ面の近傍にプラズマが発生する。このプラズマの放電態様は、グロー放電である。そして、このプラズマ中のイオンがターゲットの被スパッタ面に衝突して、当該被スパッタ面からターゲットの粒子が叩き出される。このターゲットの被スパッタ面から叩き出されたスパッタ粒子は、被処理物の被処理面に向かって飛翔して、当該被処理面に付着し、堆積する。この結果、被処理物の被処理面にスパッタ粒子を成分として含む被膜が形成される。その上で、本第１発明は、フィラメントと、放電用電力供給手段と、をさらに具備する。このうちのフィラメントは、ターゲットの被スパッタ面と被処理物の被処理面との間に設けられており、熱電子放出用電力の供給を受けることによって加熱されて熱電子を放出する。そして、放電用電力供給手段は、真空槽を陽極とし、フィラメントを陰極として、これら両者に放電用電力を供給する。これにより、フィラメントから放出された熱電子が加速されて、当該フィラメントの周囲にアーク放電が誘起される。
【０００９】
即ち、本第１発明によれば、ターゲットの被スパッタ面と被処理物の被処理面との間にフィラメントが設けられている。そして、このフィラメントの周囲にアーク放電が誘起されている。要するに、上述のグロー放電によるプラズマに加えて、低電圧大電流のアーク放電による極めて高密度なプラズマが、ターゲットの被スパッタ面と被処理物の被処理面との間に発生している。従って、ターゲットの被スパッタ面から叩き出されたスパッタ粒子は、被処理物の被処理面に向かって飛翔する途中で、このアーク放電による極めて高密度なプラズマ中を通過する。これにより、スパッタ粒子が活性化され、さらにはイオン化されて、少なくとも中性の状態よりは高いエネルギを持つようになる。そして、この高いエネルギを持つスパッタ粒子が被処理物の被処理面に付着して堆積することで、当該被処理面に高硬度な被膜が形成される。
【００１０】
なお、フィラメントは、ターゲットの被スパッタ面との間に適当な距離を置いた状態で、当該被スパッタ面に沿うように設けられるのが、望ましい。この構成によれば、ターゲットの被スパッタ面に沿って一様な強さのアーク放電が形成される。これは特に、被膜の性質（膜質）および厚さ（膜厚）の均一化に大きく貢献する。
【００１１】
また、フィラメントとターゲットの被スパッタ面との間の距離は、５ｍｍ〜５０ｍｍであるのが、望ましい。例えば、この距離が過度に小さいと、フィラメントとターゲットの被スパッタ面とが互いに接触する虞があり、甚だ不都合である。とりわけ、フィラメントが熱変形した場合には、その虞が顕著になる。このことから、フィラメントとターゲットの被スパッタ面との間の距離は、５ｍｍ以上であるのが、望ましい。一方、当該距離が過度に大きいと、フィラメントの周囲の磁界が弱くなり、アーク放電の誘起が困難になる。このことから、当該距離は、５０ｍｍ以下であるのが、望ましい。
【００１２】
併せて、複数のフィラメントが設けられてもよい。このように複数のフィラメントが設けられることによって、アーク放電の増強が図られ、つまり当該アーク放電によるプラズマのさらなる高密度化が図られ、ひいてはスパッタ粒子の活性化およびイオン化が促進される。
【００１３】
加えて、真空槽を陽極とし、被処理物を陰極として、これら両者にバイアス電力を供給するバイアス電力供給手段が、さらに備えられてもよい。この構成によれば、被処理物の被処理面に向かって飛翔するスパッタ粒子、特にイオン化されたスパッタ粒子が、加速され、被膜のさらなる高硬度化が図られる。このことは、次に説明する化合物膜の形成において、特に有益である。
【００１４】
化合物膜の形成においては、スパッタ粒子と反応する性質を持つ反応性ガスを真空槽内に導入する反応性ガス導入手段が、さらに備えられる。この構成によれば、真空槽内に導入された反応性ガスは、プラズマによってイオン化される。そして、このイオン化された反応性ガスの粒子と、イオン化されたスパッタ粒子とが、互いに反応して、これらの化合物である化合物膜が被膜として形成される。このような化合物膜の形成において、上述のバイアス電力供給手段が備えられる構成、つまりイオン化されたスパッタ粒子が被処理物の被処理面に向かって加速される構成は、極めて有益である。また、本第１発明によれば、上述の如くスパッタ粒子のイオン化が促進されるので、このことも、化合物膜の形成において、極めて有益である。
【００１５】
また、スパッタ電力としては、直流電力、高周波電力、パルス電力または高出力ハイインパルス電力がある。例えば、ターゲットが金属等の導電性物質である場合には、当該スパッタ電力として、直流電力が採用される。また、ターゲットが導電性物質であるとしても、形成しようとする被膜が上述の化合物膜であって絶縁性被膜である場合には、高周波電力、パルス電力または高出力ハイインパルス電力が採用される。これは、ターゲットの被スパッタ面のエロージョン領域以外の部分に絶縁性被膜が形成されることによる異常放電の発生を防止するためである。ここで、高周波電力とは、周波数が１３．５６ＭＨの正弦波電力である。そして、パルス電力とは、例えば（常套的には真空槽が接続される）接地電位を基準としてその電圧成分が正電位と負電位とに交互に遷移するバイポーラパルス電力、或いは、当該電圧成分が接地電位と負電位とに交互に遷移するユニポーラパルス電力であり、当該電圧成分の波形としては、矩形波のものが一般的であるが、それ以外の例えば三角波のものや鋸歯状波のものであってもよい。そして、高出力ハイインパルス電力とは、瞬間的（数μｓ〜数十μｓ程度の時間にわたって）かつ周期的に（数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数で）極めて大きな電力値（数十ｋＷ〜数百ｋＷ程度の電力値）を示すものであり、近年殊に注目されている。この高出力ハイインパルス電力によれば、例えば上述のアーク放電が誘起されなくても、スパッタ粒子のイオン化が促進されることが知られている。従って、この高出力ハイインパルス電力と上述のアーク放電との組合せ、言わばハイブリッド化、によって、スパッタ粒子のイオン化のさらなる促進が期待され、ひいては被膜のさらなる高硬度化が期待され、加えて、成膜処理時の温度の低減や成膜速度の向上等が期待される。なお、被処理物が導電性物質である場合には、高周波電力が採用される。
【００１６】
第２発明は、上述の如くマグネトロンスパッタ法による成膜方法に係るものであり、第１発明に対応する方法の発明である。即ち、本第２発明は、ターゲットの被スパッタ面と被処理物の被処理面とが互いに対向するように当該ターゲットを有するマグネトロンカソードと当該被処理物とが設けられた真空槽の内部に放電用ガスを導入する放電用ガス導入過程を、具備する。併せて、真空槽を陽極とし、マグネトロンカソードを陰極として、これら両者にスパッタ電力を供給するスパッタ電力供給過程をも、具備する。このスパッタ電力が供給されると、放電用ガスが放電して、ターゲットの被スパッタ面の近傍にグロー放電によるプラズマが発生する。そして、このプラズマ中のイオンがターゲットの被スパッタ面に衝突して、当該被スパッタ面からターゲットの粒子が叩き出される。このターゲットの被スパッタ面から叩き出されたスパッタ粒子は、被処理物の被処理面に向かって飛翔して、当該被処理面に付着し、堆積する。この結果、被処理物の被処理面にスパッタ粒子を成分として含む被膜が形成される。その上で、本第２発明は、熱電子放出過程と、アーク放電誘起過程と、をさらに具備する。このうちの熱電子放出過程では、ターゲットの被スパッタ面と被処理物の被処理面との間に設けられたフィラメントに熱電子放出用電力が供給される。これにより、フィラメントが加熱されて、当該フィラメントから熱電子が放出される。そして、アーク放電誘起過程では、真空槽を陽極とし、フィラメントを陰極として、これら両者に放電用電力が供給される。これにより、フィラメントから放出された熱電子が加速されて、当該フィラメントの周囲にアーク放電が誘起される。
【００１７】
このような第２発明によれば、第１発明と同様、ターゲットの被スパッタ面から叩き出されたスパッタ粒子は、被処理物の被処理面に向かって飛翔する途中で、アーク放電による極めて高密度なプラズマ中を通過する。これにより、スパッタ粒子が活性化され、さらにはイオン化されて、少なくとも中性の状態よりは高いエネルギを持つようになる。そして、この高いエネルギを持つスパッタ粒子が被処理物の被処理面に付着して堆積することで、当該被処理面に高硬度な被膜が形成される。
【発明の効果】
【００１８】
上述したように、本発明によれば、高硬度な被膜を形成することができ、詳しくは従来よりも高硬度な被膜を形成することができる。このことは、後述する如く実験によっても確認された。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係るマグネトロンスパッタ装置の概略構成を示す図解図である。
【図２】同マグネトロンスパッタ装置の内部を上方から見た図解図である。
【図３】同実施形態におけるマグネトロンカソードの概略構成を示す図解図である。
【図４】同マグネトロンカソードとフィラメントとの相互の位置関係を示す図解図である。
【図５】同実施形態における真空槽内圧力と基板バイアス電流と放電電流との関係を比較対象のものと並べて示すグラフである。
【図６】同実施形態における実験の詳細を示す図である。
【図７】同実施形態における別の実験によって形成された窒化チタン膜の断面の走査型電子顕微鏡による観察画像を示す図である。
【図８】同実施形態におけるさらに別の実験の詳細を示す図である。
【図９】同実施形態における真空槽内圧力の範囲を比較対象と並べて示す図解図である。
【図１０】同実施形態における放電電流に対するスパッタ電圧およびスパッタ電流それぞれの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の一実施形態について、以下に詳しく説明する。
【００２１】
図１および図２に示すように、本実施形態に係るマグネトロンスパッタ装置１０は、両端が閉鎖された概略円筒形の真空槽１２を備えている。この真空槽１２は、当該円筒形の両端に当たる部分を上下に向けた状態で、つまり当該円筒形の中心軸Ｘａを垂直方向に延伸させた状態で、設置されている。この真空槽１２の内径は、例えば約１１００ｍｍであり、当該真空槽１２内の高さ寸法は、例えば約８００ｍｍである。なお、この真空槽１２の形状および寸法は、飽くまでも一例であり、後述する被処理物１００の大きさや個数等の諸状況に応じて適宜に定められる。また、真空槽１２自体は、耐食性および耐熱性の高い金属製、例えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼製、であり、その壁部は、基準電位としての接地電位に接続されている。
【００２２】
この真空槽１２の壁部の適宜位置、例えば下面を成す壁部の中央よりも僅かに外方寄り（図１における左寄り）の位置には、排気口１４が設けられている。そして、この排気口１４には、真空槽１２の外部において、図示しない排気管を介して図示しない排気手段としての真空ポンプが結合されている。なお、真空ポンプは、真空槽１２内の圧力Ｐを制御する圧力制御手段としても機能する。加えて、排気管の途中には、図示しない自動圧力制御装置が設けられており、この自動圧力制御装置もまた、圧力制御手段として機能する。
【００２３】
さらに、真空槽１２の側面を成す壁部の内側の適宜位置（図１および図２における右側の位置）に、当該真空槽１２とは電気的に絶縁された状態で、マグネトロンカソード１６が配置されている。図３を併せて参照して、このマグネトロンカソード１６は、概略矩形平板状のターゲット１６２と、このターゲット１６２の一方主面である背面側に設けられた磁石ユニット１６４と、を有している。そして、磁石ユニット１６４は、磁界形成手段としての永久磁石１６６と、この永久磁石１６６を収容する筐体１６８と、を有している。さらに、永久磁石１６６は、ターゲット１６２の背面に密着しつつ当該ターゲット１６２の周縁に沿うように設けられた概略矩形枠状の一方磁極としての例えばＮ極１６６ａと、このＮ極１６６ａの内側においてターゲット１６２の背面に密着しつつ当該ターゲット１６２の長手方向に沿って延伸するように設けられた概略角棒状の他方磁極としてのＳ極１６６ｂと、を有している。なお、ターゲット１６２の寸法は、例えばその長手方向（長さ寸法）が４５７ｍｍであり、短手方向（幅寸法）が１２７ｍｍであり、厚さ方向（厚さ寸法）が８ｍｍである）。また、永久磁石１６６のＮ極１６６ａとＳ極１６６ｂとの間には、概略矩形溝状の間隙１６６ｃが設けられている。そして、筐体１６８には、当該筐体１６８を含むマグネトロンカソード１６全体を冷却するための図示しない冷却手段としての例えば水冷機構が付属されている。
【００２４】
このマグネトロンカソード１６は、ターゲット１６２の他方主面（前面）である被スパッタ面を真空槽１２の中心軸Ｘａに向け、かつ、当該ターゲット１６２の長手方向が真空槽１２の中心軸Ｘａに沿って、つまり垂直方向に沿って、延伸するように、配置されている。そして、このマグネトロンカソード１６は、ターゲット１６２の被スパッタ面を除いて、換言すれば当該被スパッタ面を露出させた状態で、アースシールド１８によって覆われている。このアースシールド１８は、耐食性および耐熱性の高い金属製、例えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼製、である。そして、このアースシールド１８は、マグネトロンカソード１６とは電気的に絶縁されており、かつ、真空槽１２と電気的に接続されている。なお、図２に示すように、真空槽１２の壁部のうちマグネトロンカソード１６およびアースシールド１８が設けられている部分１２ａについては、当該マグネトロンカソード１６およびアースシールド１８が設けられるのに適当な構造とされるのが、望ましい。とりわけ、当該部分１２ａについては、ターゲット１６２の交換を含むマグネトロンカソード１６のメンテナンス時の作業性等を考慮して、引き戸や開き戸の如く開閉可能とされるのが、望ましい。
【００２５】
また、図１に示すように、マグネトロンカソード１６は、真空槽１２の外部において、スパッタ電力供給手段としての直流電源装置２０に接続されている。そして、当該マグネトロンカソード１６は、この直流電源装置２０からスパッタ電力Ｅｓとして接地電位を基準とする負電位の直流電力の供給を受ける。言い換えれば、真空槽１２を陽極とし、マグネトロンカソード１６を陰極として、これら両者にスパッタ電力Ｅｓが供給される。なお、このスパッタ電力Ｅｓの供給源である直流電源装置２０は、当該スパッタ電力Ｅｓの電力値が一定となるように動作する定電力モードと、当該スパッタ電力Ｅｓの電圧成分である言わばスパッタ電圧（またはターゲット電圧とも言う。）Ｖｓが一定となるように動作する定電圧モードと、当該スパッタ電力Ｅｓの電流成分である言わばスパッタ電流（またはターゲット電流とも言う。）Ｉｓが一定となるように動作する定電流モードと、の３つの動作モードを備えており、ここでは、定電力モードで動作するように設定されている。
【００２６】
加えて、マグネトロンカソード１６の前方、詳しくはターゲット１６２の被スパッタ面の前方に、熱電子放出手段としてのフィラメント２２が設けられている。このフィラメント２２は、例えば直径が約１ｍｍの直線状の線状体であり、その素材としては、高融点金属製、例えばタングステン（Ｗ）製、である。ここで、図４を併せて参照して、特に図４（ａ）を参照して、このフィラメント２２は、これをマグネトロンカソード１６が配置されている方向とは反対の方向から、例えば真空槽１２の中心軸Ｘａ上から、見たときに、ターゲット１６２の被スパッタ面の中央を垂直方向に沿って、つまり当該ターゲット１６２の長手方向に沿って、延伸するように、設けられている。また特に、図４（ｂ）に示すように、このフィラメント２２は、ターゲット１６２の被スパッタ面との間に所定の距離Ｄを置いている。この距離Ｄは、後述する如く５ｍｍ〜５０ｍｍが適当であり、例えば１０ｍｍである。なお、フィラメント２２の長さ寸法は、ターゲット１６２の長さ寸法と同等かそれ以上であり、厳密には当該ターゲット１６２の後述するエロージョン領域１６２ａの長さ寸法と同等かそれ以上であり、例えば５００ｍｍである。
【００２７】
改めて図１を参照して、フィラメント２２は、真空槽１２の外部において、熱電子放出用電力供給手段としての例えば交流電源装置２４に接続されている。そして、フィラメント２２は、この交流電源装置２４から熱電子放出用電力としてのカソード電力Ｅｃの供給を受けて２０００℃以上に加熱されることで、熱電子を放出する。なお、カソード電力Ｅｃは、交流電力に限らず、直流電力であってもよい。
【００２８】
さらに、フィラメント２２は、真空槽１２の外部において、放電用電力供給手段としての上述とは別の直流電源装置２６に接続されている。そして、フィラメント２２は、この直流電源装置２６から放電用電力Ｅｄとして接地電位を基準とする負電位の直流電力の供給を受ける。言い換えれば、真空槽１２を陽極とし、フィラメント２２を陰極として、これら両者に放電用電力Ｅｄが供給される。なお、この放電用電力Ｅｄの供給源である直流電源装置２６もまた、上述のスパッタ電力供給手段としての直流電源装置２０と同様、当該放電用電力Ｅｄの電力値が一定となるように動作する定電力モードと、当該放電用電力Ｅｄの電圧成分である言わば放電電圧Ｖｄが一定となるように動作する定電圧モードと、当該放電用電力Ｅｄの電流成分である言わば放電電流Ｉｄが一定となるように動作する定電流モードと、の３つの動作モードを備えている。ただし、この放電用電力供給手段としての直流電源装置２６は、定電圧モードで動作するように設定されている。
【００２９】
そして、真空槽１２内のフィラメント２２が設けられている位置よりも内側に注目すると、当該真空槽１２内には、複数の被処理物１００，１００，…が配置される。具体的には、各被処理物１００，１００，…は、真空槽１２の中心軸Ｘａを中心とする円の円周方向に沿って等間隔に配置されている。それぞれの被処理物１００は、例えばドリル刃等のような細長い円柱状のものであり、垂直方向に沿って延伸するように、つまり真空槽１２の中心軸Ｘａに沿う方向に延伸するように、保持手段としてのホルダ２８によって保持されている。そして、それぞれのホルダ２８は、ギア機構３０を介して、円盤状の公転台３２の周縁近傍に結合されている。この公転台３２の中心は、真空槽１２の中心軸Ｘａ上に位置しており、当該公転台３２の中心には、真空槽１２の中心軸Ｘａに沿って延伸する回転軸３４の一方端が固定されている。そして、回転軸３４の他方端は、真空槽１２の外部において、回転駆動手段としてのモータ３６のシャフト３６ａに結合されている。
【００３０】
即ち、モータ３６が駆動して、当該モータ３６のシャフト３６ａが例えば図１に矢印２００で示す方向に回転すると、公転台３２が同方向に回転し、つまり図２においても矢印２００で示す方向に回転する。これに伴って、それぞれの被処理物１００が真空槽１２の中心軸Ｘａを中心として回転し、言わば公転する。併せて、それぞれのギア機構３０による回転駆動力伝達作用によって、それぞれのホルダ２８が、自身を通る鉛直線Ｘｂを中心として例えば図１および図２のそれぞれに矢印２０２で示す方向に回転する。そして、このホルダ２８自身の回転に伴って、被処理物１００もまた、同じ方向に回転し、言わば自転する。なお、被処理物１００の公転経路の直径（ＰＣＤ；Pitch Circle Diameter）は、例えば約６００ｍｍである。そして、被処理物１００の公転速度（公転台３２の回転速度）は、例えば０．５ｒｐｍ〜１ｒｐｍである。これに対して、被処理物１００の自転速度（ホルダ２８自身の回転速度）は、例えば３０ｒｐｍ〜６０ｒｐｍであり、つまり公転速度の６０倍である。なお、図１および図２においては、１２個の被処理物１００，１００，…（ホルダ２８，２８，…およびギア機構３０，３０，…）が設けられているが、この個数は一例であり、これ以外の個数であってもよい。
【００３１】
併せて、それぞれの被処理物１００には、ホルダ２８，ギア機構３０，公転台３２および回転軸３４を介して、真空槽１２の外部にあるバイアス電力供給手段としてのパルス電源装置３８から基板バイアス電力Ｅｂが供給される。この基板バイアス電力Ｅｂは、その電圧成分である言わば基板バイアス電圧Ｖｂが、接地電位を基準とする正電位のハイレベル電圧と、当該接地電位を基準とする負電位のローレベル電圧と、に交互に遷移する、いわゆるバイポーラパルス電力である。この基板バイアス電圧Ｖｂのハイレベル電圧は、一定であり、例えば接地電位を基準として＋３７Ｖである。一方、基板バイアス電圧Ｖｂのローレベル電圧は、任意に調整可能とされており、このローレベル電圧によって、当該基板バイアス電圧Ｖｂの平均値（直流換算値）が任意に設定可能とされている。さらに、この基板バイアス電力Ｅｂの周波数もまた、例えば５０ｋＨ〜２５０ｋＨの範囲内で任意に設定可能とされている。そして、当該基板バイアス電力Ｅｂのデューティ比（基板バイアス電圧Ｖｂの１周期において当該基板バイアス電圧Ｖｂがハイレベル電圧となる期間の比率）もまた、任意に設定可能とされている。なお、ここでは、当該基板バイアス電力Ｅｄの周波数については、例えば１００ｋＨｚとされ、デューティ比については、例えば３０％とされる。
【００３２】
さらに、真空槽１２の側面を成す壁部の内側の適宜位置であって、被処理物１００，１００，…の公転経路よりも外方の位置（図１および図２において左側の位置）に、温度制御手段としての例えばカーボンヒータ４０が設けられている。このカーボンヒータ４０は、真空槽１２の外部において、図示しないヒータ加熱用電源装置に接続されている。そして、当該カーボンヒータ４０は、このヒータ加熱用電源装置から直流または交流のヒータ加熱用電力の供給を受けて発熱し、とりわけ、被処理物１００，１００，…を加熱する。なお、図２に示すように、真空槽１２の壁部のうちカーボンヒータ４０が設けられている部分１２ｂについても、上述のマグネトロンカソード１６およびアースシールド１８が設けられている部分１２ａと同様、当該カーボンヒータ４０が設けられるのに適当な構造とされるのが、望ましい。
【００３３】
また、図１に示すように、真空槽１２の壁部の適宜位置、好ましくはフィラメント２２の近傍の位置に、放電用ガス導入手段，洗浄用ガス導入手段および反応性ガス導入手段として兼用されるガス導入管４２が設けられている。即ち、このガス導入管４２は、真空槽１２内に放電用ガスとしての例えばアルゴン（Ａｒ）ガスと、洗浄用ガスとしての例えば水素（Ｈ２）ガスと、反応性ガスとしての例えば窒素（Ｎ２）ガスと、を導入するためのものである。なお、図示は省略するが、このガス導入管４２には、真空槽１２の外部において、各ガスの流通を個別に開閉するための開閉手段としての開閉バルブと、当該各ガスの流量を個別に制御するための流量制御手段としてのマスフローコントローラと、が設けられている。
【００３４】
このような構成のマグネトロンスパッタ装置１０によれば、従来よりも高硬度な被膜を形成することができる。例えば、当該被膜として窒化チタン膜を形成する場合について、説明する。この場合、ターゲット１６２としてチタン製のものが採用される。
【００３５】
まず、真空槽１２内（ホルダ２８，２８，…）に被処理物１００，１００，…が設置される。その上で、真空槽１２内が真空ポンプによって排気され、例えば２×１０−３Ｐａ程度の圧力Ｐになるまで排気される。このいわゆる真空引きの後、モータ３６が駆動され、被処理物１００，１００，…の自公転が開始される。そして、カーボンヒータ４０にヒータ加熱用電力が供給され、被処理物１００，１００，…が例えば１５０℃程度にまで加熱される。これにより、被処理物１００，１００，…に含まれている不純物ガスが排出され、いわゆる脱ガス処理が行われる。
【００３６】
この脱ガス処理が所定時間にわたって行われた後、カーボンヒータ４０へのヒータ加熱電力の供給が停止され、続いて、放電洗浄処理が行われる。この放電洗浄処理においては、フィラメント２２にカソード電力Ｅｃが供給される。これにより、フィラメント２２が加熱されて、当該フィラメント２２から熱電子が放出される。併せて、フィラメント２２に放電用電力Ｅｄが供給される。即ち、真空槽１２を陽極とし、フィラメント２２を陰極として、これら両者に当該放電用電力Ｅｄが供給される。これにより、陰極であるフィラメント２２から放出された熱電子が、陽極である真空槽１２の壁部に向かって、特に当該フィラメント２２に近い位置にあって真空槽１２と同電位であるアースシールド１８に向かって、加速される。この状態で、ガス導入管４２を介して真空槽１２内に放電用ガスとしてのアルゴンガスが導入されると、加速された電子がアルゴンガスの粒子に衝突して、その衝撃により、当該アルゴンガス粒子が電離して、プラズマ３００が発生する。ここで、フィラメント２２の周囲を含むターゲット１６２の被スパッタ面の近傍には、上述した永久磁石１６６による磁界が形成されているので、当該フィラメント２２から放出された熱電子は、この磁界の作用を受けて螺旋運動（サイクロイド運動またはトロコイド運動）する。これにより、熱電子がアルゴンガス粒子に衝突する頻度が増大して、プラズマ３００が高密度化される。このようなプラズマ３００の放電態様は、低電圧大電流のアーク放電である。さらに、ガス導入管４２を介して真空槽１２内に洗浄用ガスとしての水素ガスが導入される。すると、この水素ガスの粒子もまた電離して、プラズマ３００を形成する。なお、真空槽１２内へのアルゴンガスの導入と、当該真空槽１２内への水素ガスの導入とは、同時に開始されてもよい。
【００３７】
このようにアーク放電によるプラズマ３００が発生している状態で、それぞれの被処理物１００に基板バイアス電力Ｅｂが供給されると、当該プラズマ３００中のアルゴンイオンと水素イオンとがそれぞれの被処理物１００の表面、厳密には露出した状態にある被処理面に、積極的に入射される。この結果、アルゴンイオンによるスパッタ作用と、水素イオンによる化学反応作用と、によって、それぞれの被処理物１００の被処理面から不純物が取り除かれ、つまり放電洗浄処理が行われる。なお、それぞれの被処理物１００は、上述の如く自公転しているので、この自公転の過程でプラズマ３００に晒される状態にあるときに、当該放電洗浄処理を施される。このことは、後述する成膜処理においても、同様である。
【００３８】
この洗浄処理においては、アルゴンガスの流量は、例えば５０ｍＬ／ｍｉｎとされ、水素ガスの流量もまた、例えば５０ｍＬ／ｍｉｎとされる。そして、真空槽１２内の圧力Ｐは、例えば０．２Ｐａに維持される。さらに、放電用電力Ｅｄは、例えば１０００Ｗとされる。具体的には、この放電用電力Ｅｄの電圧成分である放電電圧Ｖｄが５０Ｖとなるように、当該放電用電力Ｅｄの供給源である直流電源装置２６が上述の如く定電圧モードで動作しており、この状態で、当該放電用電力Ｅｄの電流成分である放電電流Ｉｄが２０Ａになるように、カソード電力Ｅｃによってフィラメント２２の加熱温度が制御され、つまりフィラメント２２からの熱電子の放出量が制御される。加えて、基板バイアス電力Ｅｂについては、その電圧成分である基板バイアス電圧（平均電圧値）Ｖｂが−６００Ｖとされる。
【００３９】
この放電洗浄処理が所定時間にわたって行われた後、真空槽１２内への水素ガスの導入が停止される。そして、窒化チタン膜を形成するための成膜処理が行われる。そのためにまず、マグネトロンカソード１６にスパッタ電力Ｅｓが供給される。即ち、真空槽１２を陽極とし、マグネトロンカソード１６を陰極として、これら両者にスパッタ電力Ｅｓが供給される。なお、このスパッタ電力Ｅｓの供給源である直流電源装置２０は、上述の如く当該スパッタ電力Ｅｓが一定となるように定電力モードで動作する。すると、マグネトロンカソード１６のターゲット１６２の被スパッタ面にプラズマ３００中のアルゴンイオンが衝突して、その衝撃によって、当該ターゲット１６２の被スパッタ面からチタン粒子が叩き出される（スパッタされる）。そして、このターゲット１６２の被スパッタ面から叩き出されたチタン粒子は、被処理物１００に向かって飛翔し、当該被処理物１００の被処理面に入射する。この被処理物１００の被処理面に入射したチタン粒子は徐々に堆積して、この結果、当該被処理物１００の被処理面にチタン膜が形成される。また、各図からは分からないが、スパッタ電力Ｅｓが供給されることによって、ターゲット１６２の被スパッタ面の近傍にグロー放電が誘起される。即ち、プラズマ３００は、上述のアーク放電による成分と、当該グロー放電による成分とを、含んだものとなる。
【００４０】
さらに、ガス導入管４２を介して真空槽１２内に反応性ガスとしての窒素ガスが導入される。すると、この窒素ガスもまた電離して、プラズマ３００を形成する。そして、このプラズマ３００中の窒素イオンは、被処理物１００の被処理面に入射する。この被処理物１００の被処理面に入射した窒素イオンは、当該被処理物１００の被処理面に入射するチタン粒子、特にチタンイオン、と反応する。この結果、被処理物１００の被処理面にチタンイオンと窒素イオンとの化合物である窒化チタン膜が形成される。
【００４１】
なお、真空槽１２内への窒素ガスの流量は、適当な時間（数分間程度）を掛けて徐々に（連続的または段階的に）増大される。これにより、被処理物１００の被処理面には、チタン膜が形成された後、窒素の含有量（含有率）が徐々に増大する窒化チタン膜の傾斜層が形成され、その上で、当該窒素の含有量が一定の窒化チタン膜が形成される。このようにチタン膜と傾斜層と窒化チタン膜とがこの順番で形成されることで、当該窒化チタン膜の密着力の向上が図られる。勿論、チタン膜および傾斜層の一方または両方の形成が省略されてもよいが、窒化チタン膜の密着力の向上を図るのであれば、これらチタン膜および傾斜層が形成されるのが、望ましい。また、この成膜処理における真空槽１２内の圧力Ｐ等の成膜条件については、後で詳しく説明する。
【００４２】
この成膜処理が所定時間にわたって行われた後、真空槽１２内へのアルゴンガスおよび窒素ガスの導入が停止される。併せて、マグネトロンカソード１６へのスパッタ電力Ｅｓの供給が停止されると共に、被処理物１００，１００，…への基板バイアス電力Ｅｂの供給が停止される。さらに、フィラメント２２へのカソード電力Ｅｃの供給が停止されると共に、当該フィラメント２２への放電用電力Ｅｄの供給が停止される。これにより、プラズマ３００が消失する。そして、真空槽１２内の圧力が大気圧付近にまで徐々に戻されながら、一定の冷却期間が置かれる。その後、モータ３６の駆動が停止されて、被処理物１００，１００，…の自公転が停止される。その上で、真空槽１２内が外部に開放されて、当該真空槽１２内から被処理物１００，１００，…が外部に取り出され、これをもって、一連の表面処理が完了する。
【００４３】
なお、上述のようないわゆるマグネトロンスパッタ法による成膜処理が行われることによって、ターゲット１６２の被スパッタ面にスパッタ痕であるエロージョン領域１６２ａが形成される。このエロージョン領域１６２ａは、図４に示したように、概ね永久磁石１６６の間隙１６６ｃに倣うように概略矩形ループ状（または長円ループ状）に形成される。このエロージョン領域１６２ａは、大きいほど経済的であり、そのために例えば、上述の従来技術の如く永久磁石１６６がターゲット１６２の背面に沿って駆動するように構成されてもよい。ただし、このことは本発明の本旨に直接関係しないので、これ以上の説明は省略する。また、このエロージョン領域１６２ａとフィラメント２２との関係では、フィラメント２２は、当該エロージョン領域１６２ａの長さ寸法（ターゲット１６２の長手方向に沿う方向の寸法）と同等かそれ以上とされることは、上述した通りである。
【００４４】
ところで、本実施形態によれば、ターゲット１６２の被ターゲット面から叩き出されたスパッタ粒子としてのチタン粒子は、被処理物１００に向かって飛翔する途中で、アーク放電による（成分を含む）極めて高密度なプラズマ３００中を通過する。これにより、チタン粒子が活性化され、さらにはイオン化されて、少なくとも中性の状態よりは高いエネルギを持つようになる。そして、この高いエネルギを持つチタン粒子が被処理物１００の被処理面に入射することで、当該被処理物１００の被処理面に形成される窒化チタン膜の高硬度化が図られる。とりわけ、窒化チタン膜という化合物膜の形成においては、被処理物１００の被処理面に入射されるイオンの量が多いほど好都合であり、スパッタ粒子のイオン化が促進される本実施形態は、極めて有益である。
【００４５】
このことを確認するために、次のような実験を行った。
【００４６】
まず、真空槽１２内に被処理物１００，１００，…が設置された上で、当該真空槽１２内が真空引きされる。そして、この真空引き後、真空槽１２内にアルゴンガスが導入される。併せて、フィラメント２２にカソード電力Ｅｃが供給されると共に、当該フィラメント２２に放電用電力Ｅｄが供給されることによって、当該フィラメント２２とアースシールド１８との間に、つまり当該フィラメント２２の周囲に、上述したアーク放電によるプラズマ３００が発生する。さらに、マグネトロンカソード１６にスパッタ電力Ｅｓが供給され、詳しくは当該スパッタ電力Ｅｓが４ｋＷとされる。加えて、被処理物１００，１００，…に基板バイアス電力Ｅｂが供給され、詳しくは基板バイアス電圧（平均電圧値）Ｖｂが−１００Ｖとされる。なお、上述したように、この基板バイアス電力Ｅｂの周波数は１００ｋＨｚであり、デューティは３０％である。ここで、放電電圧Ｖｄが５０Ｖとされる。そして、カソード電力Ｅｃによって、放電電流Ｉｄが１０Ａとされる。この状態で、真空槽１２内の圧力Ｐが０．１Ｐａ〜１．０Ｐａの範囲内で適宜に設定され、このときに被処理物１００，１００，…に流れる電流、厳密にはパルス電源装置３８に流れる言わば基板バイアス電流Ｉｂ、を観測する。これと同様に、放電電流Ｉｄが２０Ａとされ、この状態にあるときの基板バイアス電流Ｉｂについても、観測する。さらに、比較対象として、フィラメント２２へのカソード電力Ｅｃおよび放電用電力Ｅｄの供給が停止されることによって、放電電流Ｉｄが０Ａとなる状態が形成され、つまり上述したグロー放電のみによってプラズマ３００が発生する状態が形成され、この状態にあるときの基板バイアス電流Ｉｂについても、観測する。
【００４７】
この結果を、図５に示す。この図５に示すように、例えば放電電流Ｉｄが０Ａである比較対象（△印が付された短破線）の場合には、真空槽１２内の圧力Ｐに拘らず、基板バイアス電流Ｉｂは約０．３Ａという略一定の値になる。そして、この約０．３Ａという基板バイアス電流Ｉｂに見合う量のイオンが被処理物１００，１００，…の被処理面に入射されることになる。なお、ここで言うイオンには、アルゴンイオンとチタンイオンとの両方が含まれる。これに対して、例えば放電電流Ｉｄが１０Ａ（□印が付された長破線）である場合には、当該放電電流Ｉｄが０Ａである比較対象に比べて、基板バイアス電流Ｉｂは遥かに大きく、また、真空槽１２内の圧力Ｐが高いほど、当該基板バイアス電流Ｉｂは大きくなる。例えば、真空槽１２内の圧力Ｐが０．５Ｐａであるときに注目すると、放電電流Ｉｄが１０Ａである場合の基板バイアス電流Ｉｂは約２．５Ａであり、つまり比較対象の８倍強であり、それだけ大量のイオンが被処理物１００，１００，…の被処理面に入射していることを示す。さらに、放電電流Ｉｄが２０Ａ（○印が付された実線）である場合には、基板バイアス電流Ｉｂはより一層大きくなり、この場合も、真空槽１２内の圧力Ｐが高いほど、当該基板バイアス電流Ｉｂは大きくなる。例えば、真空槽１２内の圧力が０．５Ｐａであるときに注目すると、放電電流Ｉｄが２０Ａである場合の基板バイアス電流Ｉｂは約４．１Ａであり、つまり比較対象の１３倍強であり、より大量のイオンが被処理物１００，１００，…の被処理面に入射していることを示す。
【００４８】
このようなことを確認した上で、続いて、実際に窒化チタン膜を形成して、特にその硬度を調べた。具体的には、被処理物１００として、鏡面研磨された直径が３１ｍｍであり、厚さが３ｍｍであるＳＣＭ４１５浸炭鋼（クロムモリブデン鋼）を用いる。そして、図６（ａ）に示す条件で、この被処理物１００に成膜処理を施す。なお、この成膜処理に先立って、上述した要領による脱ガス処理を約３０分間にわたって行った後、上述した要領による放電洗浄処理を約２０分間にわたって行い、その上で、当該成膜処理を行う。また、放電用電力Ｅｄについては、その電圧成分である放電電圧Ｖｄを５０Ｖとし、カソード電力Ｅｃの調整によって放電電流Ｉｄを１０Ａとすることで、放電用電力Ｅｄを５００Ｗとする。そして、比較対象として、放電電流Ｉｄが０Ａである場合についても、実際に窒化チタン膜を形成して、特にその硬度を調べた。
【００４９】
その結果、本実施形態によれば、２２８０ＨＫというヌープ硬度が得られ、これに対して、比較対象によるヌープ硬度は４００ＨＫであった。即ち、この結果をグラフで示す図６（ｂ）からも分かるように、アーク放電を誘起させる本実施形態によれば、当該アーク放電を誘起させない比較対象に比べて、極めて高硬度な窒化チタン膜を形成し得ること、言い換えれば当該窒化チタン膜の高硬度化を実現し得ることが、確認された。なお、図６（ａ）の膜厚に注目すると、本実施形態の膜厚は、３．７μｍであり、これに対して、比較対象の膜厚は、５．１μｍである。即ち、本実施形態の膜厚は、比較対象の膜厚に比べて、小さい。このことからも、本実施形態によれば、比較対象に比べて、緻密な窒化チタン膜を形成し得ること、つまりそれだけ高硬度な窒化チタン膜を形成し得ることが、分かる。そして、２２８０ＨＫというヌープ硬度を持つ本実施形態の窒化チタン膜であれば、上述した金型や切削工具用として十分に実用に対応し得る。
【００５０】
また、被処理物１００として、シリコン（Ｓｉ）ウェハを用いて、これに窒化チタン膜を形成する実験をも行った。図７（ａ）に、比較対象の窒化チタン膜の断面を走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）で観察した画像を示す。そして、図７（ｂ）に、本実施形態の窒化チタン膜の断面を同走査型電子顕微鏡で観察した画像を示す。図７（ａ）に示す比較対象の窒化チタン膜は、細長い繊維状の物質が密集したような粗い構造であるが、図７（ｂ）に示す本実施形態の窒化チタン膜は、極めて緻密な構造であることが、明らかに見て取れる。このことからも、本実施形態によれば、比較対象に比べて、緻密な窒化チタン膜を形成し得ること、つまりそれだけ高硬度な窒化チタン膜を形成し得ることが、分かる。
【００５１】
さらに、窒化チタン膜以外の被膜として、例えば窒化クロム膜を形成して、特にその硬度を調べる実験を行った。具体的には、図６を参照しながら説明した窒化チタン膜を形成する場合と同様、被処理物１００として、鏡面研磨された直径３１ｍｍ×厚さ３ｍｍのＳＣＭ４１５浸炭鋼を用いる。そして、図８（ａ）に示す条件で、この被処理物１００に窒化クロム膜を形成するための成膜処理を施す。なお、この成膜処理に先立って、上述した要領による脱ガス処理を約３０分間にわたって行った後、上述した要領による放電洗浄処理を約２０分間にわたって行い、その上で、当該成膜処理を行う。また、この成膜処理においては、クロム製のターゲット１６２を用いる。さらに、放電用電力Ｅｄについては、放電電圧Ｖｄを５０Ｖとし、カソード電力Ｅｃの調整によって放電電流Ｉｄを２０Ａとすることで、放電用電力Ｅｄを１ｋＷとする。そして、比較対象として、放電電流Ｉｄが０Ａである場合についても、実際に窒化チタン膜を形成して、特にその硬度を調べた。
【００５２】
その結果、本実施形態によれば、１６００ＨＫというヌープ硬度が得られ、これに対して、比較対象によるヌープ硬度は、７００ＨＫであった。即ち、この結果をグラフで示した図８（ｂ）からも分かるように、本実施形態によれば、比較対象に比べて、極めて高硬度な窒化クロム膜を形成し得ることが、確認された。なお、図８（ａ）の膜厚に注目すると、本実施形態の膜厚は、５．６μｍであり、これに対して、比較対象の膜厚は、７．８μｍである。即ち、窒化クロム膜についても、上述の窒化チタン膜と同様、本実施形態の膜厚は、比較対象の膜厚に比べて、小さい。このことからも、本実施形態によれば、比較対象に比べて、緻密な窒化クロム膜を形成し得ること、つまりそれだけ高硬度な窒化クロム膜を形成し得ることが、分かる。そして、１６００ＨＫというヌープ硬度を持つ本実施形態の窒化クロム膜もまた、金型や切削工具用として十分に実用に対応し得る。
【００５３】
以上のように、本実施形態によれば、つまり（主に）アーク放電によってプラズマ３００が発生される言わばアーク放電式のマグネトロンスパッタ装置１０によれば、窒化チタン膜および窒化クロム膜の形成において、それらの高硬度化を図ることができる。このことは、窒化チタン膜および窒化クロム膜以外の化合物膜についても、同様である。また、化合物膜に限らず、１つの元素のみによって形成されるいわゆる単元被膜についても、同様であることが、確認された。
【００５４】
さらに、本実施形態によれば、アーク放電によってプラズマ３００が発生されるので、上述の比較対象の如く当該アーク放電が誘起されない構成に比べて、真空槽１２内の圧力Ｐの低減を図ることができる。具体的には、図９を参照して、例えば比較対象については、真空槽１２内の圧力Ｐの下限値が約０．１Ｐａであり、これに対して、本実施形態によれば、当該真空槽１２内の圧力Ｐの下限値が０．０１５Ｐａである。このように真空槽１２内の圧力の低減が可能となることは、イオンの直進性の向上に大きく貢献し、とりわけ、当該イオンの直進性の向上が要求されるコリメートスパッタに好適である。
【００５５】
加えて、本実施形態によれば、上述の如くアーク放電によってプラズマ３００が発生されるので、スパッタ電圧Ｖｓを低減させることができる。即ち、上述の比較対象の如くアーク放電が誘起されない構成においては、スパッタ電力Ｅｓの供給によってグロー放電によるプラズマ３００が発生されるので、当該プラズマ３００の密度を向上させるために、高いスパッタ電圧Ｖｓが掛けられる。これに対して、本実施形態によれば、（主に）アーク放電によってプラズマ３００が発生されるので、高いスパッタ電圧Ｖｓを掛ける必要はない。その分、本実施形態によれば、スパッタ電圧Ｖｓを低減させることができる。
【００５６】
ここで、図１０に、スパッタ電力Ｅｓが４ｋＷに設定されているときの放電電流Ｉｄに対するスパッタ電圧Ｖｓおよびスパッタ電流Ｉｓそれぞれの関係を示す。この図１０に示すように、放電電流Ｉｄが大きいほど、スパッタ電流Ｉｓが増大する。これは、グロー放電のみならずアーク放電による成分をも含むプラズマ３００中のイオンの一部がターゲット１６２（マグネトロンカソード１６）に流れ込むためである。そして、放電電流Ｉｄが大きいほど、つまりスパッタ電流Ｉｓが大きいほど、スパッタ電圧Ｖｓが低下する。これは、スパッタ電力Ｅｓの供給源である直流電源装置２０が上述の如く定電力モードで動作しているためである。このことからも、アーク放電の誘起に伴って適当な放電電流Ｉｄが流れる本実施形態によれば、スパッタ電圧Ｖｓを低減し得ることが分かる。
【００５７】
スパッタ電圧Ｖｓが低減されると、その分、被処理物１００，１００，…の被処理面に入射される電子のエネルギが低減される。即ち、ターゲット１６２の被スパッタ面がスパッタされると、当該スパッタ面からターゲット１６２のスパッタ粒子のみならず２次電子も叩き出される。そして、この２次電子もまた、被処理物１００，１００，…に向かって飛翔し、当該被処理物１００，１００，…の被処理面に入射する。この２次電子は、スパッタ電圧Ｖｓに応じた大きさのエネルギを持ち、つまり当該スパッタ電圧Ｖｓが高いほど大きなエネルギを持つ。そして、この２次電子のエネルギが大きいほど、被処理物１００，１００，…の温度が上昇することが、懸念される。本実施形態によれば、スパッタ電圧Ｖｓが低減されるので、被処理物１００，１００，…に入射される２次電子のエネルギも低減され、ひいては当該被処理物１００，１００，…の温度上昇が抑制される。この点でも、本実施形態は、極めて有益である。
【００５８】
なお、本実施形態は、本発明の１つの具体例であり、本発明の範囲を限定するものではない。
【００５９】
例えば、本実施形態においては、マグネトロンカソード１６に供給されるスパッタ電力Ｅｓとして、直流電力が採用されたが、これに限らない。具体的には、ターゲット１６２が金属等の導電性物質である場合には、当該直流電力が採用される。また、ターゲット１６２が導電性物質であるとしても、形成しようとする被膜が絶縁性被膜である場合には、高周波電力，パルス電力または高出力ハイインパルス電力が採用される。これは、ターゲット１６２の被スパッタ面のエロージョン領域１６２ａ以外の部分に絶縁性被膜が形成されることによる異常放電の発生を防止するためである。ここで、高周波電力とは、周波数が１３．５６ＭＨの正弦波電力である。そして、パルス電力とは、例えば接地電位を基準としてその電圧成分が正電位と負電位とに交互に遷移するバイポーラパルス電力、或いは、当該電圧成分が接地電位と負電位とに交互に遷移するユニポーラパルス電力であり、当該電圧成分の波形としては、矩形波のものが一般的であるが、それ以外の例えば三角波のものや鋸歯状波のものであってもよい。そして、高出力ハイインパルス電力とは、瞬間的（数μｓ〜数十μｓ程度の時間にわたって）かつ周期的に（数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数で）極めて大きな電力値（数十ｋＷ〜数百ｋＷ程度の電力値）を示すものであり、近年殊に注目されている。この高出力ハイインパルス電力によれば、アーク放電が誘起されなくても、スパッタ粒子のイオン化が促進されることが知られている。従って、この高出力ハイインパルス電力とアーク放電とを組み合わせた言わばハイブリッド化によって、スパッタ粒子のイオン化のさらなる促進が期待され、ひいては被膜のさらなる高硬度化が期待され、加えて、成膜処理時の温度の低減や成膜速度の向上等が期待される。なお、被処理物１００が導電性物質である場合には、高周波電力が採用される。
【００６０】
そして、被処理物１００，１００，…に供給される基板バイアス電力Ｅｂとして、バイポーラパルス電力が採用されたが、これに限らない。例えば、被処理物１００，１００，…が導電性物質であり、かつ、形成しようとする被膜もまた導電性被膜である場合には、直流電力が採用されてもよい。また、被処理物１００，１００，…が導電性物質であるとしても、形成しようとする被膜が絶縁性被膜である場合には、上述の高周波電力またはパルス電力が採用されるのが、適当である。なお、被処理物１００，１００，…が絶縁性物質である場合には、高周波電力が採用される。さらに極端には、この基板バイアス電力Ｅｂが非供給とされてもよい。
【００６１】
加えて、フィラメント２２については、垂直方向に延伸するように設けられたが、これに限らない。例えば、当該フィラメント２２は、水平方向に延伸するように設けられてもよい。ただし、被処理物１００，１００，…が上述の如く直線状に延伸する細長いものである場合には、これらの延伸方向に沿って一様な膜質分布および膜質分布が得られるようにするためにも、フィラメント２２は、当該被処理物１００，１００，…に沿って延伸するように設けられるのが、望ましい。
【００６２】
そして、フィラメント２２とターゲット１６２の被スパッタ面との間の距離Ｄは、上述の如く５ｍｍ〜５０ｍｍとされるのが、適当である。例えば、この距離Ｄが過度に小さいと、フィラメント２２とターゲット１６２の被スパッタ面とが互いに接触する虞があり、甚だ不都合である。とりわけ、フィラメント２２が熱変形した場合には、その虞が顕著になる。このことから、フィラメント２２とターゲット１６２の被スパッタ面との間の距離Ｄは、５ｍｍ以上であるのが、適当である。一方、当該距離Ｄが過度に大きいと、フィラメント２２の周囲の磁界が弱くなり、アーク放電の誘起が困難になる。このことから、当該距離Ｄは、５０ｍｍ以下であるのが、適当である。
【００６３】
さらに、複数のフィラメント２２が設けられてもよい。複数のフィラメント２２が設けられることによって、アーク放電の増強が図られ、つまりプラズマ３００のさらなる高密度化が図られ、ひいてはスパッタ粒子の活性化およびイオン化が促進される。なお、この場合も、それぞれのフィラメント２２とターゲット１６２の被スパッタ面との間の距離Ｄは、上述の如く５ｍｍ〜５０ｍｍとされるのが、肝要である。また、当該距離Ｄは、一様に揃えられることも、肝要である。
【００６４】
さらにまた、ターゲット１６２は、概略矩形平板状のものに限らず、例えば概略円板状のものであってもよく、極端には、その被スパッタ面が曲面状のものであってもよい。いずれにしても、このターゲット１６２の被スパッタ面と成膜対象となる被処理物１００の被処理面との間に、フィラメント２２が設けられることが、肝要である。そして、ターゲット１６（被スパッタ面）の形状に応じて、フィラメント２２もまた適宜の形状とされるのが、望ましい。
【００６５】
加えて、被処理物１００，１００，…については、自公転する必要はなく、適当に固定される構成とされてもよい。
【００６６】
そして例えば、特開２００６−１６９５６２号公報や特開２０１０−２０９４４６号公報には、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置にマグネトロンスパッタ装置が組み合わされた構成が開示されているが、本発明もまた、このような構成に適用することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１０  マグネトロンスパッタ装置
１２  真空槽
１６  マグネトロンカソード
２０  直流電源装置（ターゲット電力供給手段）
２２  フィラメント
２４  交流電源装置（熱電子放出用電力供給手段）
２６  直流電源装置（放電用電力供給手段）
１００  被処理物
１６２  ターゲット
１６４  磁石ユニット
３００  プラズマ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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