(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基板の第１マークと、テンプレートの第２マークと、を重ね合わせ、
重ね合わせた前記第１および第２マークに垂直方向から所定の波長の電磁波を照射したときの１次回折角の方向から、前記第１および第２マークに前記電磁波を導く第１光路と、重ね合わせた前記第１および第２マークで垂直方向に回折される第１回折光を導く第２光路と、を形成するアライメントスコープの前記第１光路上に第１光源を配置し、前記第２光路上に第１受光センサを配置し、
前記第１光源から前記電磁波を照射して得られる、前記第１および第２マークからの前記第１回折光を、前記第１受光センサで受光し、
前記第１回折光を用いて前記テンプレートと前記被加工基板との間の位置ずれを補正し、
前記第１マークと、前記テンプレートの第３マークと、を重ね合わせ、
前記アライメントスコープの前記第２光路上に第２光源を配置し、前記第１光路上に第２受光センサを配置し、
前記第２光源から前記電磁波を照射して得られる、前記第１および第３マークからの第２回折光を、前記第２受光センサで受光し、
前記第２回折光の受光強度から前記第３マークの位置でのテンプレート高さを算出し、
前記第３マークは、前記第３マークで回折された±１次回折光のうち一方の１次回折光を他方の１次回折光に比して優勢にする第１パターンと、前記他方の１次回折光を前記一方の１次回折光に比して優勢にする第２パターンと、を有し、
前記第２回折光の受光では、前記第１マークおよび前記第１パターンに前記電磁波を照射したときの前記第２回折光を受光する第１処理と、前記第１マークおよび前記第２パターンに前記電磁波を照射したときの前記第２回折光を受光する第２処理と、を前記テンプレートと前記被加工基板との間の距離を変化させながら行い、
前記テンプレート高さの算出は、
前記距離に対する、前記第１処理で得られる前記第２回折光の第１信号強度および前記第２処理で得られる前記第２回折光の第２信号強度を求め、前記第１信号強度と前記第２信号強度とが等しくなる前記距離を求め、前記第１信号強度と前記第２信号強度とが等しくなる距離に対応する前記テンプレート高さを求めるインプリント方法。
【請求項２】
前記第３マークは、ライン状の第１凹パターンおよび第１凸パターンが幅方向に交互に配置され、
前記第１凸パターンは、
前記幅方向の一方の側面を含む領域に金属膜が被覆された第１遮光部と、
前記幅方向の他方の側面を含む前記金属膜が被覆されていない第１透光部と、
を有し、
前記第１遮光部と、前記第１透光部と、前記第１凹パターンと、の前記幅方向の比率は、２：１：１であり、
前記第１透光部を透過する前記電磁波と前記第１凹パターンを透過する前記電磁波との位相差が９０度となるように、前記第１凹パターンと前記第１凸パターンとの高さの差が設定される請求項１に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置では、基板ステージ上に設けられた真空チャックで加工対象のウェハを保持し、このウェハにレジストを介してパターンが形成されたテンプレートを押し付け、レジストを硬化させた後、テンプレートを離型する。
【０００３】
テンプレートは、通常、マスタテンプレートのパターンをテンプレート基板に転写することによって作成される。しかし、テンプレート基板の裏面の平坦の度合いに応じて、マスタテンプレートから転写されたパターンの倍率が異なってしまう。このパターンの倍率の違いは、パターンが微細化するほど顕著になる。テンプレートとウェハとの位置ずれを計測する技術については提案されているが、テンプレートの表面の平坦度を計測する技術については提案されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２４３６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、テンプレートをインプリント装置に取り付けた状態でテンプレートの表面の平坦度を計測することができるインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、まず、被加工基板の第１マークと、テンプレートの第２マークと、を重ね合わせる。ついで、アライメントスコープの第１光路上に第１光源を配置し、第２光路上に第１受光センサを配置する。前記第１光路は、重ね合わせた前記第１および第２マークに垂直方向から所定の波長の電磁波を照射したときの１次回折角の方向から、前記第１および第２マークに前記電磁波を導く光路である。前記第２光路は、重ね合わせた前記第１および第２マークで垂直方向に回折される第１回折光を導く光路である。その後、前記第１光源から前記電磁波を照射して得られる、前記第１および第２マークからの前記第１回折光を、前記第１受光センサで受光する。ついで、前記第１回折光を用いて前記テンプレートと前記被加工基板との間の位置ずれを補正する。その後、前記第１マークと、前記テンプレートの第３マークと、を重ね合わせる。ついで、前記アライメントスコープの前記第２光路上に第２光源を配置し、前記第１光路上に第２受光センサを配置する。その後、前記第２光源から前記電磁波を照射して得られる、前記第１および第３マークからの第２回折光を、前記第２受光センサで受光する。さらに、前記第２回折光の受光強度から前記第３マークの位置でのテンプレート高さを算出する。前記第３マークは、前記第３マークで回折された±１次回折光のうち一方の１次回折光を他方の１次回折光に比して優勢にする第１パターンと、前記他方の１次回折光を前記一方の１次回折光に比して優勢にする第２パターンと、を有する。前記第２回折光の受光では、前記第１マークおよび前記第１パターンに前記電磁波を照射したときの前記第２回折光を受光する第１処理と、前記第１マークおよび前記第２パターンに前記電磁波を照射したときの前記第２回折光を受光する第２処理と、を前記テンプレートと前記被加工基板との間の距離を変化させながら行う。前記テンプレート高さの算出は、前記距離に対する、前記第１処理で得られる前記第２回折光の第１信号強度および前記第２処理で得られる前記第２回折光の第２信号強度を求め、前記第１信号強度と前記第２信号強度とが等しくなる前記距離を求め、前記第１信号強度と前記第２信号強度とが等しくなる距離に対応する前記テンプレート高さを求める。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態によるインプリント装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態によるアライメントスコープの構成の他の例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、実施形態によるアライメントスコープの下面側のレンズ付近を拡大した模式図である。
【図４】図４は、光源／受光センサ切替ユニットの構成の一例を模式的に示す斜視図である。
【図５】図５は、テンプレートの構造の一例を模式的に示す図である。
【図６】図６は、テンプレートに設けられる位置ずれ検出用アライメントマークの一例を示す図である。
【図７】図７は、被転写基板に設けられるアライメントマークの一例を示す平面図である。
【図８】図８は、テンプレートと被加工レイヤとの間の位置ずれの検出方法の概略を示す図である。
【図９】図９は、テンプレートに設けられる高さ計測用アライメントマークの一例を示す図である。
【図１０】図１０は、テンプレートと被加工レイヤとの間の距離計測方法の概略を示す図である。
【図１１】図１１は、回折光の信号強度と基板ステージのＺ方向の駆動量との関係を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、テンプレートにおける高さ計測用アライメントマークの配置の一例を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、第１の実施形態によるテンプレートの高さ計測方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、第２の実施形態による高さ測定方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、テンプレート高さ−信号強度情報の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるテンプレート、インプリント装置およびインプリント方法並びにインプリント装置の管理方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態によるインプリント装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。インプリント装置１０は、基板ステージ１１を備える。基板ステージ１１にはチャック１２が設けられる。チャック１２は、パターンの形成対象である被転写基板１００を保持する。チャック１２は、被転写基板１００をたとえば真空吸着によって保持する。
【００１０】
被転写基板１００は、半導体基板等の基板と、この基板上に形成された下地パターンと、この下地パターン上に形成された被加工レイヤとを含む。パターン転写時には、さらに、被加工レイヤ上に形成されたレジスト（インプリント剤）を含む。被加工レイヤとしては、絶縁膜、金属膜（導電膜）または半導体膜などを挙げることができる。
【００１１】
基板ステージ１１は、ステージ定盤１３の上に移動可能に設けられる。基板ステージ１１は、ステージ定盤１３の上面１３ａに沿った２軸に沿ってそれぞれ移動可能に設けられる。ここで、ステージ定盤１３の上面１３ａに沿った２軸を、Ｘ軸およびＹ軸とする。基板ステージ１１は、Ｘ軸およびＹ軸と直交する高さ方向のＺ軸にも移動可能に設けられる。基板ステージ１１には、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸のそれぞれを中心として回転可能に設けられていることが望ましい。
【００１２】
基板ステージ１１には、基準マーク台１４が設けられる。基準マーク台１４の上には、インプリント装置１０の基準位置となる図示しない基準マークが設置される。基準マークは、たとえば市松模様状の回折格子で構成される。基準マークは、アライメントスコープ３０の校正およびテンプレート１１０の位置決め（姿勢制御・調整）に利用される。基準マークは、基板ステージ１１上の原点である。基板ステージ１１の上に載置される被転写基板１００のＸ，Ｙ座標は、基準マーク台１４を原点とした座標になる。
【００１３】
インプリント装置１０は、テンプレートステージ２１を備える。テンプレートステージ２１は、テンプレート（原版、モールド）１１０を固定する。テンプレートステージ２１は、テンプレート１１０の周縁部分をたとえば真空吸着によって保持する。テンプレートステージ２１は、テンプレート１１０を装置基準に位置決めするように動作する。テンプレートステージ２１は、ベース部２２に取り付けられる。
【００１４】
ベース部２２には、補正機構２３および加圧部２４が取り付けられる。補正機構２３は、たとえば制御演算部５１から指示を受けてテンプレート１１０の位置（姿勢）を微調整する調整機構を有する。これによって、テンプレート１１０と被転写基板１００との相対的な位置が補正される。
【００１５】
加圧部２４は、テンプレート１１０の側面に応力を与えてテンプレート１１０の歪みを矯正する。加圧部２４は、テンプレート１１０の４つの側面から中心に向けてテンプレート１１０を加圧する。これにより、転写するパターンの大きさを補正（倍率補正）する。加圧部２４は、たとえば制御演算部５１から指示を受けてテンプレート１１０を所定の応力で加圧する。
【００１６】
ベース部２２は、アライメントステージ２５に取り付けられる。アライメントステージ２５は、テンプレート１１０と被転写基板１００との位置合わせを行うため、ベース部２２をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる。アライメントステージ２５は、ベース部２２をＸＹ平面に沿って回転させる機能も備える。ＸＹ平面に沿った回転の方向をθ方向とする。
【００１７】
アライメントスコープ３０は、テンプレート１１０に設けられたアライメントマークと、被転写基板１００に設けられたアライメントマークとを検出する。被転写基板１００のアライメントマークおよびテンプレート１１０のアライメントマークは、テンプレート１１０と被転写基板１００との相対的な位置ずれを計測するために使用される。テンプレート１１０のアライメントマークおよび被転写基板１００のアライメントマークについては、後述する。なお、図１では、アライメントスコープ３０は左右の２つのみ図示されているが、４つ以上あることが好ましい。
【００１８】
図２は、第１の実施形態によるアライメントスコープの構成の他の例を模式的に示す断面図であり、（ａ）は位置ずれ補正時の構成の一例を示し、（ｂ）は高さ計測時の構成の一例を示している。
【００１９】
アライメントスコープ３０は、投影光学系３１を備える。投影光学系３１は、上部と、テンプレート１１０側に配置される下部と、上下方向と垂直な方向の側面部と、にレンズ３１５−１，３１５−２，３１７を有する。また、投影光学系３１は、これらのレンズ３１５−１，３１５−２，３１７の間に、ハーフミラー３１６を備える。
【００２０】
アライメントスコープ３０は、光源３２１と、受光センサ３２２と、をさらに備える。位置ずれ補正時には、図２（ａ）のように、投影光学系３１の側面部側に光源３２１が配置され、上面部側に受光センサ３２２が配置される。この場合には、ハーフミラー３１６は、光源３２１からの光を下部側のレンズ３１７へと反射させ、下部側のレンズ３１７から入射した回折光を上面部側へと透過させる。
【００２１】
また、高さ計測時には、図２（ｂ）のように、投影光学系３１の上部側に光源３２１が配置され、側面部側に受光センサ３２２が配置される。この場合には、ハーフミラー３１６は、光源３２１からの光を下部側のレンズ３１７へと透過させ、下部側のレンズ３１７から入射した回折光を側面部側のレンズ３１５−２へと反射させる。
【００２２】
なお、図示していないが、上部側のレンズ３１５−１とハーフミラー３１６との間と、下部側のレンズ３１７とハーフミラー３１６との間と、にレンズまたはミラーが配置されてもよい。たとえば、側面部側のレンズ３１５−２からの入射光が１次回折角でテンプレート１１０に対して入射するように、また、重ね合わせたアライメントマークでの±１次回折光が側面部側のレンズ３１５−２に導かれるように、下部側のレンズ３１７とハーフミラー３１６との間にレンズまたはミラーが配置される。
【００２３】
図３は、実施形態によるアライメントスコープの下面側のレンズ付近を拡大した模式図であり、（ａ）は位置ずれ補正時の構成の一例を示し、（ｂ）は高さ計測時の構成の一例を示している。
【００２４】
アライメントスコープ３０は、投影光学系３１を備える筐体３１１を有する。筐体３１１の下面が、テンプレート１１０に対向するように、アライメントスコープ３０は配置される。図示していないが、投影光学系３１は、入射光と回折光を導くレンズまたはミラーを備える。筐体３１１の下部側には、レンズとしての第１〜第３光入出力部３１２−１〜３１２−３が設けられる。図２のレンズ３１７を拡大したものが、第１〜第３光入出力部３１２−１〜３１２−３となる。第１光入出力部３１２−１と第２光入出力部３１２−２は、非計測方向に所定の距離を置いて配置される。第３光入出力部３１２−３は、第１光入出力部３１２−１と第２光入出力部３１２−２との中点に設けられる。ここで、非計測方向とは、テンプレート１１０のアライメントマークを構成するラインパターンの延在方向のことをいう。
【００２５】
なお、第３光入出力部３１２−３が中点となるように、計測方向にも図示しない第４および第５光入出力部を設けてもよい。ここで、計測方向とは、非計測方向に垂直な方向のことをいう。第４および第５光入出力部との間の距離は、第１光入出力部３１２−１と第２光入出力部３１２−２との間の距離と同じである。このような構成とすることで、計測方向がＸ方向の場合と、計測方向がＹ方向の場合と、の２つの場合に、アライメントスコープ３０を回転させることなく、位置ずれ補正または高さ計測を行うことが可能になる。
【００２６】
アライメントスコープ３０で、第１〜第３光入出力部３１２−１〜３１２−３が形成するそれぞれの光路上に、第１〜第３光源／受光センサ切替ユニット３１４−１〜３１４−３が設けられる。図４は、光源／受光センサ切替ユニットの構成の一例を模式的に示す斜視図である。光源／受光センサ切替ユニット３１４は、光源３２１と、受光センサ３２２と、切替部３２３と、を備える。光源３２１は、所定の波長の光を出射する。光源３２１として、レーザダイオードまたはＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）などを用いることができる。
【００２７】
受光センサ３２２は、アライメントマークからの回折光の強度を計測する。受光センサ３２２として、たとえばダイオードなどを用いることができる。切替部３２３は、制御演算部５１からの指示によって、投影光学系３１のレンズに近接して配置する対象を、光源３２１と受光センサ３２２との間で切り替える。図４の例では、切替部３２３は、円盤状の保持部材３２３１と、保持部材３２３１の中心付近を回転可能に支持する支持部材３２３２と、によって構成される。保持部材３２３１は、光源３２１と受光センサ３２２とを保持する。切り替えの指示を受けると、レンズに近接して光源３２１または受光センサ３２２が配置されるように、保持部材３２３１が回転する。なお、光源３２１と受光センサ３２２の切り替えは、基板ステージ１１を静止した状態で行われることが望ましい。
【００２８】
たとえば、位置ずれ補正を行う場合には、図３（ａ）に示されるように、第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に光源３２１を配置し、第３光入出力部３１２−３が形成する光路上に受光センサ３２２を配置する。また、高さ計測を行う場合には、図３（ｂ）に示されるように、第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に受光センサ３２２を配置し、第３光入出力部３１２−３が形成する光路上に光源３２１を配置する。
【００２９】
図３（ａ）の構成で、重ね合わせたアライメントマークでの１次回折光が第３光入出力部３１２−３に入射するように、また、図３（ｂ）の構成で、重ね合わせたアライメントマークでの１次回折光が第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２に入射するように、第１〜第３光入出力部３１２−１〜３１２−３は配置される。これは、第３〜第５光入出力部の配置関係についても同様である。このように、アライメントスコープ３０は、位置ずれの補正を行う場合と、高さ計測を行う場合とで、入射光と回折光の進行方向が反対になるように、図示しない反射ミラーおよび光学系を組んでいる。図３（ａ）、（ｂ）の場合では、投影光学系３１が、位置ずれ補正を行う場合と、高さ計測を行う場合とで、共有された構造となっている。
【００３０】
以上のように、アライメントスコープ３０は、基準マーク台１４上の基準マークに対するテンプレート１１０の位置ずれ、およびテンプレート１１０に対する被転写基板１００の位置ずれを検出する。アライメントスコープ３０で検出したアライメントマークの位置（たとえば、Ｘ，Ｙ座標）は、制御演算部５１に送られる。
【００３１】
また、本実施形態によるアライメントスコープ３０は、テンプレートステージ２１にチャックされた状態のテンプレート１１０のパターン形成面側の平坦度を検出する。テンプレート１１０の平坦度は、たとえばテンプレートステージ２１側の主面から測ったＺ方向（高さ方向）のパターン形成面の位置（以下、テンプレート高さともいう）を、テンプレート１１０のパターン形成面内の複数個所で取得した情報である。アライメントスコープ３０で検出したテンプレート１１０のアライメントマークにおけるテンプレート高さ（たとえば、Ｚ座標）は、制御演算部５１に送られる。
【００３２】
インプリント装置１０は、光源４１と、塗布部４２と、を備える。光源４１は、たとえば紫外線域の電磁波を放射する。光源４１は、たとえばテンプレート１１０の直上に設置される。別の場合には、光源４１は、テンプレート１１０の直上には配置されない。この場合には、光源４１から放出した光をテンプレート１１０の直上からテンプレート１１０に向けて照射するように、ミラー等の光学部材を用いて光路を設定する。
【００３３】
塗布部４２は、被転写基板１００上にレジストを塗布する部材である。たとえば、塗布部４２はノズルを有し、被転写基板１００の上にノズルからレジストを滴下する。
【００３４】
インプリント装置１０は、制御演算部５１を備える。制御演算部５１は、インプリント装置１０全体を制御する。たとえば、制御演算部５１は、基板ステージ１１の制御処理、光源４１の制御処理、位置ずれ補正処理、テンプレート高さ演算処理、および倍率補正処理などを、それぞれの処理内容が記述されたプログラムにしたがって実行する。
【００３５】
基板ステージ１１の制御処理は、基板ステージ１１をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向およびθ方向に制御する信号を生成する処理である。これによって、テンプレート１１０と基板ステージ１１との相対的な位置が制御される。光源４１の制御処理は、レジストを硬化させる際に、光源４１による光の照射タイミングまたは照射量を制御する処理である。
【００３６】
位置ずれ補正処理は、テンプレート１１０のアライメントマークと、基準マーク台１４の基準マークまたは被転写基板１００のアライメントマークと、を用いて、基準マークに対するテンプレート１１０の位置ずれと、テンプレート１１０に対する被転写基板１００の位置ずれと、を求める。そして、これらの位置ずれに基づいて、テンプレートステージ２１と基板ステージ１１とのアライメントを行うための演算を行って、位置ずれを補正する。
【００３７】
テンプレート高さ演算処理は、テンプレート１１０のアライメントマークと、被転写基板１００のアライメントマークまたは基準マーク台１４の基準マークと、を用いて、テンプレート１１０のアライメントマークの形成位置におけるテンプレート高さを演算する。
【００３８】
倍率補正処理は、テンプレート高さに基づいて所定の演算を行い、テンプレート１１０の倍率補正を行うための応力を算出する。そして、この応力を発生させるための信号を加圧部２４に与える。
【００３９】
つぎに、アライメントスコープ３０を用いた位置ずれ補正方法と高さ計測方法について説明する。最初に、アライメントスコープ３０を用いた位置ずれ補正方法について説明する。
【００４０】
図５は、テンプレートの構造の一例を模式的に示す図であり、（ａ）はテンプレートの断面図であり、（ｂ）はテンプレートのパターン形成面側の平面図である。また、図６は、テンプレートに設けられる位置ずれ検出用アライメントマークの一例を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図７は、被転写基板に設けられるアライメントマークの一例を示す平面図である。
【００４１】
テンプレート１１０は、テンプレート基板１１１に凹凸からなる転写パターンを形成したものである。テンプレート基板１１１は、石英または蛍石など紫外線を透過する材料で形成される。テンプレート基板１１１は、処理対象である被転写基板１００に押印される中央領域の面が、周縁領域に対して突出したメサ構造を有する。テンプレート基板１１１内の突出した領域をメサ面１１１１といい、メサ面１１１１以外の面をオフメサ面１１１２という。メサ面１１１１は、オフメサ面１１１２に対してたとえば数十μｍ突出している。テンプレート１１０は、メサ面１１１１が被転写基板１００に対向するように設けられる。
【００４２】
メサ面１１１１には、デバイスを形成するための主パターン１２１が配置される主パターン配置領域ＲMと、アライメントマーク１２２などの補助パターンが配置される補助パターン配置領域ＲSと、が設けられる。平面視上で、主パターン配置領域ＲMは、たとえば矩形状の領域であり、補助パターン配置領域ＲSは、主パターン配置領域ＲMの外周部に設けられる矩形環状の領域である。なお、主パターン配置領域ＲMと補助パターン配置領域ＲSとでショット領域（またはインプリント領域）が構成される。
【００４３】
主パターン１２１は、たとえば半導体装置を形成するためのパターンである。半導体装置を形成するためのパターンとして、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを形成するためのメモリ形成用パターン、およびＮＡＮＤ型フラッシュメモリを駆動する周辺回路を形成するための周辺回路形成用パターンなどが例示される。メモリ形成用パターンとして、たとえばワード線を形成するための幅が数十ｎｍ以下のライン状の凹パターンが、凹パターンの延在方向に垂直な方向に所定の間隔で複数配置されたラインアンドスペース状のパターンを例示することができる。主パターン１２１の凹部の深さは、たとえば数十ｎｍである。
【００４４】
アライメントマーク１２２は、被転写基板１００の被加工レイヤに形成されている被転写基板１００のアライメントマークに対応して設けられ、テンプレート１１０の位置合わせなどを行う際に使用されるマークである。この例では、アライメントマーク１２２として、位置合わせ用アライメントマーク１２３と、高さ計測用アライメントマーク１２４と、が設けられる場合を示している。
【００４５】
図６に示されるように、位置ずれの補正を行う場合には、アライメントマーク１２３として、ラインアンドスペース状の回折格子が用いられる。ここでは、ピッチＡを有するアライメントマーク１２３Ａと、ピッチＡとは異なる値のピッチＢを有するアライメントマーク１２３Ｂと、の２種類のアライメントマーク１２３が隣接して配置される場合が示されている。
【００４６】
ピッチＡのアライメントマーク１２３Ａは、ライン状の凸パターン１２３１Ａが延在方向に垂直な方向にピッチＡで複数配列されたパターンである。ここでは、凸パターン１２３１Ａは、Ｘ方向に延在している場合が示されている。また、凸パターン１２３１Ａの表面および側面には、金属膜１３１が形成されている。テンプレート１１０が石英で形成される場合には、レジストの光学系数と一致するため、レジストがテンプレート１１０の凹パターン１２３２Ａ（隣接する凸パターン１２３１Ａ間に形成されるパターン）に充填されている間、アライメントができなくなってしまう。そのため、凸パターン１２３１Ａに金属膜１３１を付けることで入射光に対する光学系数を変化させている。これによって、In-situアライメントが可能になる。
【００４７】
ピッチＢのアライメントマーク１２３Ｂは、ライン状の凸パターン１２３１Ｂが延在方向に垂直な方向にピッチＢで複数配列されたパターンである。ここでは、凸パターン１２３１Ｂは、アライメントマーク１２３Ａの場合と同様に、Ｘ方向に延在している場合が示されている。凸パターン１２３１Ｂの幅は、ピッチＡのアライメントマーク１２３Ａの凸パターン１２３１Ａの幅とは異なっている。また、凹パターン１２３２Ｂの底部には、金属膜１３１が形成されている。
【００４８】
なお、テンプレート１１０に形成されるアライメントマーク１２３が図６に示されるように、ラインアンドスペース状の回折格子で構成される場合には、凸パターン１２３１Ａ，１２３１Ｂ（または凹パターン１２３２Ａ，１２３２Ｂ）の配列方向であるＹ方向が計測方向となり、Ｘ方向は非計測方向となる。
【００４９】
一方、被加工レイヤに設けられるアライメントマーク５０１は、図７に示されるように、市松模様状の回折格子となっている。ここでは、ピッチＣを有するアライメントマーク５０１Ａと、ピッチＣとは異なる値のピッチＤを有するアライメントマーク５０１Ｂと、の２種類のアライメントマーク５０１が隣接して配置される場合が示されている。
【００５０】
ピッチＣのアライメントマーク５０１Ａは、矩形状の凸パターン５０２ＡがＸ方向およびＹ方向にピッチＣで配列されたパターンである。凸パターン５０２Ａに囲まれた部分は矩形状の凹パターン５０３Ａとなる。
【００５１】
ピッチＤのアライメントマーク５０１Ｂは、矩形状の凸パターンがＸ方向およびＹ方向にピッチＤで配列されたパターンである。凸パターン５０２Ｂに囲まれた部分は矩形状の凹パターン５０３Ｂとなる。
【００５２】
図８は、テンプレートと被加工レイヤとの間の位置ずれの検出方法の概略を示す図であり、（ａ）はアライメントスコープによる位置ずれの検出方法の概略を示す図であり、（ｂ）は非計測方向でのテンプレートと被加工レイヤのアライメントマークに入射した光の様子を示す図であり、（ｃ）は計測方向でのテンプレートと被加工レイヤのアライメントマークに入射した光の様子を示す図である。なお、ここでは、テンプレート１１０のアライメントマーク１２３を構成するラインパターンがＸ方向に延在している場合を例に挙げる。
【００５３】
位置ずれの補正を行う場合には、被加工レイヤのアライメントマーク５０１とテンプレート１１０のアライメントマーク１２３とを重ね合わせ、重ね合わせたアライメントマーク１２３，５０１を同時に検出可能な位置にアライメントスコープ３０を配置する。また、制御演算部５１からの指示によって、アライメントスコープ３０では、第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に光源３２１が配置され、第３光入出力部３１２−３が形成する光路上に受光センサ３２２が配置される。
【００５４】
その後、光源３２１からの所定の波長の入射光Ｉが照射される。入射光Ｉは、第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２を介して、重ね合わせたアライメントマーク１２３，５０１に対して、非計測方向の±１次回折角から照射される。図８（ｂ）に示されるように、入射光Ｉは、テンプレート１１０の金属膜１３１がない部分（この場合には、凹パターン１２３２Ａ）を透過し、被転写基板１００の非計測方向（図ではＸ方向）の市松模様状のアライメントマーク５０１によって垂直方向に回折される。図８（ｃ）に示されるように、この回折光Ｄによって、計測方向（図ではＹ方向）で、被転写基板１００とテンプレート１１０との間でモワレ干渉縞が発生する。そして、受光センサ３２２で、このモワレ干渉縞を観察して、被転写基板１００とテンプレート１１０との間の位置ずれを補正する。
【００５５】
なお、ここでは、テンプレート１１０と被転写基板１００との間の位置ずれの補正を説明したが、テンプレート１１０と基準マーク台１４の基準マークとの間の位置ずれの補正も同様の方法で行われる。
【００５６】
以上が、アライメントスコープ３０を用いた位置ずれ補正方法である。つぎに、アライメントスコープ３０を用いたテンプレート１１０の高さ計測方法について説明する。
【００５７】
図９は、テンプレートに設けられる高さ計測用アライメントマークの一例を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。なお、被転写基板１００側に設けられるアライメントマーク５０１は、図７で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。
【００５８】
図９に示されるように、テンプレート高さの計測を行う場合には、図６に示される位置ずれ補正用のアライメントマーク１２３とは異なり、アライメントマーク１２４として、ラインアンドスペース状の非対称回折格子が用いられる。ここでは、ピッチが異なるアライメントマーク１２４Ａ，１２４Ｂが隣接して配置される場合が示されている。
【００５９】
ピッチＥの非対称回折格子パターンの断面は、図９（ｂ）に示されるように、テンプレート基板１１１に、ライン状の凸パターン１２４１ＡがピッチＥで延在方向に垂直な方向に複数配列されている。また、凸パターン１２４１Ａの下面および側面において、一方の端部から凸パターン１２４１Ａの幅未満の領域に、金属膜１３１が形成されている。以下では、凸パターン１２４１Ａのうち金属膜１３１で覆われている部分を遮光部１２４２Ａといい、金属膜１３１で覆われていない部分を透過部１２４３Ａという。
【００６０】
本実施形態では、凸パターン１２４１Ａ上の透過部１２４３Ａを透過する透過光の位相をφ１とし、凹パターン１２４４Ａ（透過部）を透過する透過光の位相をφ２とすると、位相φ１と位相φ２との差（以下、位相差という）が１８０度以外となるように、凸パターン１２４１Ａの高さ（または凹パターン１２４４Ａの深さ）が設定される。このようにすることで、重ね合わせたアライメントマーク１２４Ａ，５０１で回折される＋１次回折光と−１次回折光との間に回折効率差を発生させることができる。なお、位相差を９０度にすると、＋１次回折光と−１次回折光との間の回折効率差が大きくなるので、より望ましい。
【００６１】
さらに、非対称回折格子パターンの延在方向に垂直な面において、遮光部１２４２Ａの幅をＷ１とし、凸パターン１２４１Ａ上の透過部１２４３Ａの幅をＷ２とし、凹パターン１２４４Ａの幅をＷ３とする。Ｗ１：Ｗ２：Ｗ３＝２：１：１とした場合に、−１次回折光と＋１次回折光とのうちどちらか一方（ここでは−１次回折光）の回折効率を実質的に０にすることができる。つまり、位相差が９０度であり、Ｗ１：Ｗ２：Ｗ３＝２：１：１とした非対称回折格子パターンとすることで、重ね合わせたアライメントマーク１２４Ａ，５０１での−１次回折光の発生を抑えることが可能になる。図９（ｂ）では、Ｙ方向の正方向に向かって、凹パターン１２４４Ａ、凸パターン１２４１Ａの遮光部１２４２Ａ、透過部１２４３Ａの順に配列されている。
【００６２】
ピッチＦの非対称回折格子パターンの断面は、図９（ｃ）に示されるように、テンプレート基板１１１に、ライン状の凸パターン１２４１ＢがピッチＦで延在方向に垂直な方向に複数配列されている。ピッチＦは、ピッチＥよりも大きい。このピッチＦの非対称回折格子パターンでも、Ｗ１：Ｗ２：Ｗ３＝２：１：１となるように金属膜１３１が凸パターン１２４１Ｂの下面および側面に設けられ、位相差が１８０度以外、望ましくは９０度となるように、凸パターン１２４１Ｂの高さ（または凹パターン１２４４Ｂの深さ）が設定される。また、図９（ｃ）では、図９（ｂ）の配列順とは異なり、Ｙ方向の正方向に向かって、凹パターン１２４４Ｂ、凸パターン１２４１Ｂの透過部１２４３Ｂ、遮光部１２４２Ｂの順に配列されている。
【００６３】
図１０は、テンプレートと被加工レイヤとの間の距離計測方法の概略を示す図であり、（ａ）はアライメントスコープによるテンプレート高さの計測方法の概略を示す図であり、（ｂ）は計測方向でのテンプレートと被加工レイヤのアライメントマークに入射した光の様子を示す図であり、（ｃ）は非計測方向でのテンプレートと被加工レイヤのアライメントマークに入射した光の様子を示す図である。
【００６４】
テンプレート高さの計測を行う場合には、被加工レイヤのアライメントマーク５０１とテンプレート１１０のアライメントマーク１２４とを重ね合わせ、重ね合わせたアライメントマーク１２４，５０１を同時に検出可能な位置にアライメントスコープ３０を配置する。また、制御演算部５１からの指示によって、アライメントスコープ３０では、第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に受光センサ３２２が配置され、第３光入出力部３１２−３が形成する光路上に光源３２１が配置される。
【００６５】
その後、光源３２１から所定の波長の入射光Ｉが照射される。入射光Ｉは、第３光入出力部３１２−３を介して、重ね合わせたアライメントマーク１２４，５０１に対して、垂直方向から照射される。図１０（ｂ）に示されるように、入射光Ｉは、テンプレート１１０のアライメントマーク１２４の透過部１２４３、凹パターン１２４４を透過し、回折される。このとき、計測方向（図では、Ｙ方向）においては、ピッチＥの非対称回折格子で、−１次回折光が消えて、０次回折光と＋１次回折光の２光束干渉が発生し、０次回折光と＋１次回折光の間に定在波Ｗが出現する。定在波Ｗは、テンプレート１１０と被転写基板１００との間に、約４５度方向に発生し、被転写基板１００に入射する。
【００６６】
図１０（ｃ）に示されるように、非計測方向（図では、Ｘ方向）においては、定在波Ｗは、被転写基板１００の市松模様状の回折格子によって回折される。そして、回折光Ｄはアライメントスコープ３０の第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に配置された受光センサ３２２へ入射される。
【００６７】
ここで、テンプレート１１０をテンプレートステージ２１に取り付けた結果、テンプレート１１０のパターン形成面が平坦ではなくなったもの、すなわちテンプレート厚さが均一ではなくなったもの、とする。これによって、テンプレート１１０内の位置によって、被転写基板１００からテンプレート１１０までの垂直方向の距離が変化する。これは、被転写基板１００とテンプレート１１０との間の基準となる距離（基準距離）では、フォーカスするのに対して、基準距離からずれている部分では、デフォーカスすることになる。デフォーカスが生じると、図１０（ｂ）で説明した定在波Ｗの長さに変化が生じ、アライメントスコープ３０の受光センサ３２２に入射する回折光の位置が変化する。すなわち、テンプレート高さの変化が、受光センサ３２２への回折光の入射位置の違いとして計測されることになる。
【００６８】
一方、ピッチＦのアライメントマーク１２４Ｂでは、遮光部１２４２Ｂと、凸パターン１２４１Ｂの透過部１２４３Ｂと、凹パターン１２４４Ｂとの配列順序が、ピッチＥのアライメントマーク１２４Ａとは異なっているので、計測方向では、＋１次回折光が消失し、０次回折光と−１次回折光の２光束干渉が発生し、０次回折光と−１次回折光の間に定在波が出現する。この定在波は、ピッチＥのアライメントマーク１２４Ａの場合とは逆方向となり、その結果、テンプレート１１０の高さの変化によって生じる回折光の受光センサ３２２への入射位置の移動方向も、ピッチＥのアライメントマーク１２４Ａの場合とは逆方向となる。
【００６９】
第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に配置された受光センサ３２２は、所定の大きさを有しているので、受光センサ３２２から回折光の一部がはみ出すと、受光センサ３２２で受光する回折光の信号強度は小さくなる。逆に、受光センサ３２２に多くの回折光が入射すると、受光センサ３２２で受光する回折光の信号強度は大きくなる。つまり、テンプレート高さの変化によって、受光センサ３２２へ入射する回折光の信号強度が変化する。
【００７０】
そこで、被転写基板１００の高さ、すなわち基板ステージ１１のＺ方向の駆動量を変化させたときの受光センサ３２２の信号強度を計測する。この計測は、ピッチＥのアライメントマーク１２４Ａと、ピッチＦのアライメントマーク１２４Ｂと、の２つで行う。図１１は、回折光の信号強度と基板ステージのＺ方向の駆動量との関係を模式的に示す図である。この図で横軸は、基板ステージ１１のＺ方向の駆動量を示し、縦軸は、受光センサ３２２による回折光の信号強度を示している。基板ステージ１１のＺ方向の駆動量が大きくなると、ピッチＥのアライメントマーク１２４Ａの場合には、回折光が受光センサ３２２からはみ出した状態から受光センサ３２２内に収まるように移動する。その結果、受光センサ３２２に入射する回折光の面積が大きくなり、信号強度が増加する。一方、ピッチＦのアライメントマーク１２４Ｂの場合には、回折光が受光センサ３２２内に収まった状態から受光センサ３２２からはみ出すように移動する。その結果、受光センサ３２２に入射する回折光の面積が小さくなり、信号強度が減少する。
【００７１】
なお、基板ステージ１１のＺ方向の駆動量は、テンプレート高さに変換することが可能である。制御演算部５１は、このような２つのピッチの信号強度曲線を取得し、２つの信号強度曲線の交点におけるテンプレート高さを、高さ計測位置でのテンプレート高さとする。
【００７２】
図１２は、テンプレートにおける高さ計測用アライメントマークの配置の一例を模式的に示す図である。図５（ｂ）では、補助パターン配置領域ＲSに高さ計測用アライメントマーク１２４を配置しているが、図１２に示されるように、主パターン配置領域ＲM内の主パターンが配置されない領域にも高さ計測用アライメントマーク１２４を配置してもよい。このように高さ計測用アライメントマーク１２４を配置することで、テンプレート１１０のパターン形成面全体での高さを得ることができる。
【００７３】
つぎに、上記したインプリント装置とテンプレートとを用いたテンプレート高さの計測方法について説明する。図１３は、第１の実施形態によるテンプレートの高さ計測方法の手順の一例を示すフローチャートである。まず、テンプレート１１０をテンプレートステージ２１に搬入し（ステップＳ１１）、テンプレートステージ２１にテンプレート１１０を固定する。また、被転写基板１００を基板ステージ１１に搬入し（ステップＳ１２）、チャック１２で被転写基板１００を基板ステージ１１に固定する。
【００７４】
ついで、テンプレート１１０の位置合わせ用アライメントマーク１２３と被転写基板１００のアライメントマークとを重ね合わせ、２つのアライメントマーク上にアライメントスコープ３０を移動する（ステップＳ１３）。
【００７５】
その後、アライメントモードで基板ステージ１１の位置計測と位置合わせを実施する（ステップＳ１４）。具体的には、図３（ａ）に示されるように、アライメントスコープ３０の第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に光源３２１を配置し、第３光入出力部３１２−３が形成する光路上に受光センサ３２２を配置する。そして、図６と図８で説明したように、被転写基板１００とテンプレート１１０との間の位置合わせを行う。
【００７６】
ついで、アライメントスコープ３０の照明系と検出系とを入れ替える（ステップＳ１５）。具体的には、アライメントスコープ３０の第１および第２光入出力部３１２−１，３１２−２が形成する光路上に配置される光源３２１を受光センサ３２２に切り替え、第３光入出力部３１２−３が形成する光路上に配置される受光センサ３２２を光源３２１に切り替え、図３（ｂ）に示される配置とする。
【００７７】
その後、テンプレート１１０の高さ計測用アライメントマーク１２４と被転写基板１００のアライメントマークとを重ね合わせ、２つのアライメントマーク上にアライメントスコープ３０を移動する（ステップＳ１６）。
【００７８】
ついで、平坦度計測モードで、基板ステージ１１またはテンプレートステージ２１をＺ方向に駆動し、Ｚ位置に対する回折光のずれ量を取得し、平坦度計測結果を取得する（ステップＳ１７）。ここでは、図９と図１０で説明したように、高さ計測用アライメントマーク１２４の位置でのテンプレート高さを取得する。
【００７９】
その後、他の高さ計測用アライメントマーク１２４があるかを判定する（ステップＳ１８）。他の高さ計測用アライメントマークが存在する場合（ステップＳ１８でＹｅｓの場合）には、ステップＳ１６に処理が戻る。一方、他の高さ計測用アライメントマーク１２４が存在しない場合（ステップＳ１８でＮｏの場合）には、処理が終了する。
【００８０】
なお、インプリント処理時に、制御演算部５１は、平坦度計測結果に基づいて、テンプレート１１０のパターン形成面が平坦となる、加圧部２４でのテンプレート１１０の加圧量を演算し、加圧部２４に信号を送信する。
【００８１】
上記した処理で得られた情報に基づいて、テンプレート１１０と被転写基板１００との間の位置ずれが補正機構２３によって調整され、加圧部２４によってテンプレート１１０のパターン形成面が平坦となるように加圧状態が調整される。そして、インプリント処理が実行される。
【００８２】
また、テンプレート１１０のパターン形成面の高さは、テンプレート１１０とテンプレートステージ２１との間のパーティクルの存在、あるいはテンプレートステージ２１の欠けなどによって変化することがある。そのため、テンプレート高さの計測を所定の周期（たとえば１日に１回の頻度で、または１週間に１回の頻度で）行うことで、テンプレートステージ２１の清掃時期または寿命時期などのメンテナンス時期を管理することができる。
【００８３】
ここで、インプリント装置１０によるインプリント方法について簡単に説明する。まず、上記した方法で、テンプレート１１０と被転写基板１００との間の位置合わせが行われ、また加圧部２４によるテンプレート１１０の加圧状態が調整される。ついで、塗布部４２によって、被転写基板１００上にレジストを塗布する。その後、テンプレート１１０と被転写基板１００とのＺ方向の距離を縮めてテンプレート１１０の転写パターンをレジストに接触させる。この状態で光源４１から光を照射してレジストを硬化させる。レジストの硬化後、テンプレート１１０をレジストから剥離する。これにより、テンプレート１１０の転写パターンの凹凸形状がレジストに転写されたレジストパターンが被転写基板１００上に形成される。
【００８４】
その後は、レジストパターンをマスクにして、被加工レイヤをエッチングすることにより、被加工レイヤにパターンが転写される。
【００８５】
なお、上記した説明では、位置合わせ用アライメントマーク１２３と高さ計測用アライメントマーク１２４とを別個に設ける場合を示した。しかし、位置ずれ補正用アライメントマークと高さ計測用アライメントマークとを共通化してもよい。この場合には、上記した図９に示される高さ計測用アライメントマーク１２４が、テンプレート高さの計測用のほかに、位置ずれ補正用としても用いられることになる。
【００８６】
第１の実施形態では、テンプレート１１０に、非対称回折格子からなるピッチの異なる２種類の高さ計測用アライメントマーク１２４を設けた。また、位置合わせ用に用いたアライメントスコープ３０の光源３２１と受光センサ３２２の位置とを入れ替え、重ね合わせたテンプレート１１０の高さ計測用アライメントマーク１２４と被転写基板１００のアライメントマークとに光を照射し、その回折光の信号強度を受光センサ３２２で測定した。これを被転写基板１００またはテンプレート１１０のＺ方向の高さを変えて行った。２種類のピッチの高さ計測用アライメントマーク１２４を用いて回折光の信号強度を求めることで、高さ計測用アライメントマーク１２４の配置位置でのテンプレート１１０の高さを求めることができる。
【００８７】
テンプレートステージ２１とテンプレート１１０との間に、パーティクルが挟まると、テンプレート高さが変わる。継続的にテンプレート高さの計測を行うことで、テンプレートステージ２１の清掃時期を予測することができるという効果を有する。また、テンプレートステージ２１の一部が欠けてしまい、平坦度が悪化してしまった場合にも、テンプレート高さの変化に現れる。その結果、継続的にテンプレート高さの計測を行うことで、テンプレートステージ２１の交換時期を予測することができるという効果も有する。なお、制御演算部５１は、このようなテンプレートステージ２１の清掃時期および交換時期を含むメンテナンス時期であることが検出されると、メンテナンス時期予想情報を出力し、インプリント装置の使用者に対して注意を促すことができる。
【００８８】
さらに、テンプレート高さの計測を所定の周期で行った結果、経時的にテンプレート１１０の高さが変化していく箇所が存在したとする。このような場合に、高さが変化している箇所近辺に滴下するレジストのドロップ量を高さに合わせて変化させるようにドロップレシピを更新することができる。その結果、テンプレート１１０の使用時間の経過とともに、インプリント処理時のレジストの充填特性を劣化させることなく維持することができるという効果を有する。
【００８９】
また、テンプレート１１０中の平坦度の悪い箇所に対して、インプリント処理時の圧力を変え、平坦となるように最適化するようにした。これによって、ＲＬＴ（Residual  Layer  Thickness：レジスト残膜）の均一化を行うことが可能になるという効果も有する。
【００９０】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、２種類のピッチの高さ計測用アライメントマークを用いて、被転写基板またはテンプレートのＺ方向の位置を変化させた際の回折光強度を取得することで、テンプレート高さの測定を行っていた。第２の実施形態では、１種類のピッチの高さ計測用アライメントマークを用いて、テンプレート高さの測定を行う場合について説明する。
【００９１】
第２の実施形態によるインプリント装置の構成は、第１の実施形態で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。また、テンプレートの構成は、たとえば図９（ａ）で１つのピッチの高さ計測用アライメントマークのみが配置される点が、第１の実施形態とは異なる。
【００９２】
つぎに、高さ測定について説明する。図１４は、第２の実施形態による高さ測定方法の手順の一例を示すフローチャートである。このフローチャートは、図１３のステップＳ１７に対応する処理を示している。
【００９３】
まず、テンプレート１１０の高さ計測用アライメントマーク１２４と被転写基板１００のアライメントマークとを同時に検出可能な位置に、アライメントスコープ３０を移動する（ステップＳ３１）。ついで、基板ステージ１１およびテンプレートステージ２１のＺ方向の位置を予め定められた位置に配置する。そして、平坦度計測モードで、光源４１から重ね合わされた高さ計測用アライメントマーク１２４に対して光を照射し、その回折光の信号強度を取得する（ステップＳ３２）。
【００９４】
その後、制御演算部５１は、予め保持しているテンプレート高さ−信号強度情報を参照して、取得した信号強度に対応するテンプレート高さを取得する（ステップＳ３３）。以上によって、処理が終了する。
【００９５】
図１５は、テンプレート高さ−信号強度情報の一例を示す図である。基本的には、図１１に示した基板ステージのＺ方向の駆動量と受光センサの信号強度との関係を示す図と同じである。テンプレート高さ−信号強度情報は、テンプレート１１０と被転写基板１００との間の距離が、所定の距離である場合におけるテンプレート高さと受光センサ３２２での回折光の信号強度との関係を示している。なお、これは一例であり、高さ計測用アライメントマーク１２４の凸パターンの透過部１２４３、遮光部１２４２および凹パターン１２４４の並び順によっては、右下がりのグラフになる。
【００９６】
受光センサ３２２での信号強度がＩ１であった場合には、図１５のテンプレート高さ−信号強度情報からテンプレート高さはＺ１であると求めることができる。
【００９７】
第２の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
なお、上記した実施形態では、被転写基板１００上のアライメントマークを用いてテンプレート１１０の平坦度を測定する場合を例に挙げた。しかし、被転写基板１００上のアライメントマークの代わりに、基準マーク台１４に設けられたアライメントマークを用いて行ってもよい。
【００９９】
また、上記した実施形態では、２種類以下のピッチを有するアライメントマークと平坦度計測マークについて説明したが、３種類以上のピッチを有するアライメントマークでもよい。
【０１００】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０１】
１０  インプリント装置、１１  基板ステージ、１２  チャック、１３  ステージ定盤、１４  基準マーク台、２１  テンプレートステージ、２２  ベース部、２３  補正機構、２４  加圧部、２５  アライメントステージ、３０  アライメントスコープ、３１  投影光学系、４１，３２１  光源、４２  塗布部、５１  制御演算部、１００  被転写基板、１１０  テンプレート、１１１  テンプレート基板、１２１  主パターン、１２２，１２３Ａ，１２３Ｂ，１２４Ａ，１２４Ｂ，５０１，５０１Ａ，５０１Ｂ  アライメントマーク、１２３  位置合わせ用アライメントマーク、１２４  高さ計測用アライメントマーク、１３１  金属膜、３１１  筐体、３１２−１〜３１２−３  第１〜第３光入出力部、３１５−１，３１５−２，３１７  レンズ、３１４−１〜３１４−３  第１〜第３光源／受光センサ切替ユニット、３１６  ハーフミラー、３２２  受光センサ、３２３  切替部、５０２Ａ，５０２Ｂ，１２３１Ａ，１２３１Ｂ，１２４１Ａ，１２４１Ｂ  凸パターン、５０３Ａ，５０３Ｂ，１２３２Ａ，１２３２Ｂ，１２４４，１２４４Ａ，１２４４Ｂ  凹パターン、１１１１  メサ面、１１１２  オフメサ面、１２４２，１２４２Ａ，１２４２Ｂ  遮光部、１２４３，１２４３Ａ，１２４３Ｂ  透過部、３２３１  保持部材、３２３２  支持部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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