(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層および前記基材層上に配置された粘着剤層を含むダイシングシートと、
前記粘着剤層上に配置された半導体裏面保護フィルムとを含み、
前記ダイシングシートは加熱により収縮する性質を備え、
１００℃で１分加熱処理したとき、前記加熱処理前におけるＭＤ方向の第１長さ１００％に対して前記加熱処理後における前記ＭＤ方向の第２長さが９５％以下となる性質を前記ダイシングシートは備える、積層体。
【請求項２】
２３℃で前記ＭＤ方向に３％伸ばしたときの引張応力が１Ｎ／ｍｍ２以上となる性質を前記ダイシングシートは備える、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
２３℃で前記ＭＤ方向に６％伸ばしたときの引張応力が１．５Ｎ／ｍｍ２以上となる性質を前記ダイシングシートは備える、請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
前記ダイシングシートの厚みは４０μｍ〜２００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【請求項５】
前記粘着剤層は、前記半導体裏面保護フィルムと接した中央部および前記中央部の周辺に配置された周辺部を含む請求項１〜４のいずれかに記載の積層体。
【請求項６】
前記積層体、および前記半導体裏面保護フィルムに固定された、改質領域を有する分断前ウエハを含む拡張前体を準備する工程と、
前記ダイシングシートを拡張することにより前記改質領域を起点に前記分断前ウエハを分断する工程と、
前記分断前ウエハを分断する工程の後に、前記周辺部を加熱する工程とを含む半導体装置の製造方法 に使用するための請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
請求項５に記載の積層体、および前記半導体裏面保護フィルムに固定された、改質領域を有する分断前ウエハを含む拡張前体を準備する工程と、
前記ダイシングシートを拡張することにより前記改質領域を起点に前記分断前ウエハを分断する工程と、
前記分断前ウエハを分断する工程の後に、前記周辺部を加熱する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体と半導体装置の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体裏面保護フィルムは、半導体ウエハの反りを抑える役割や裏面を保護する役割などを担う。半導体裏面保護フィルムとダイシングシートとを一体的に取り扱う方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１９９５４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１２に示すようにウエハ９０４―半導体チップ９０５Ａ、９０５Ｂ、９０５Ｃ、……、９０５Ｈ（以下、「半導体チップ９０５」と総称することがある）と改質領域９４１とからなる―を半導体裏面保護フィルム９０３に固定し、図１３に示すようにダイシングシート９０１―基材層９１１と粘着剤層９１２とからなる―を拡張することにより改質領域９４１を起点にウエハ９０４を分断し、図１４に示すように拡張を解いたとき、周辺部９１２ｂがたるむ。周辺部９１２ｂのたるみを放置すると、半導体チップ９０５Ａと半導体チップ９０５Ｂ、半導体チップ９０５Ｂと半導体チップ９０５Ｃ、……半導体チップ９０５Ｇと半導体チップ９０５Ｈが接触することがある。半導体チップ９０５同士が接触していると、半導体チップ９０５をひとつずつピックアップできないことがある。
【０００５】
本発明は、半導体チップの裏面に保護フィルム―分断後半導体裏面保護フィルム―を付与することが可能で、かつ半導体チップ同士の接触を防止できる積層体を提供することを目的とする。本発明はまた、半導体チップの裏面に保護フィルムを付与することが可能で、かつ半導体チップ同士の接触を防止できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ダイシングシートと半導体裏面保護フィルムとを含む積層体に関する。ダイシングシートは、基材層と基材層上に配置された粘着剤層とを含む。半導体裏面保護フィルムは粘着剤層上に配置されている。ダイシングシートは加熱により収縮する性質を備える。１００℃で１分加熱処理したとき、加熱処理前におけるＭＤ方向の第１長さ１００％に対して加熱処理後におけるＭＤ方向の第２長さが９５％以下となる性質をダイシングシートは備える。本発明の積層体は、半導体チップ同士の接触を防止できる。加熱によりたるみがなくなるからである。本発明の積層体は、半導体チップの裏面に分断後半導体裏面保護フィルムを付与することもできる。
【０００７】
本発明はまた、半導体装置の製造方法に関する。本発明の半導体装置の製造方法は、拡張前体を準備する工程（Ａ）を含む。拡張前体は、積層体と積層体の半導体裏面保護フィルムに固定された分断前ウエハとを含む。分断前ウエハは改質領域を有する。本発明の半導体装置の製造方法は、ダイシングシートを拡張することにより改質領域を起点に分断前ウエハを分断する工程（Ｂ）をさらに含む。ダイシングシートの粘着剤層は、半導体裏面保護フィルムと接した中央部および中央部の周辺に配置された周辺部を含む。本発明の半導体装置の製造方法は、工程（Ｂ）の後に周辺部を加熱する工程（Ｃ）をさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】積層体の概略断面図である。
【図２】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図３】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図４】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図５】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図６】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図７】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図８】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図９】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図１０】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図１１】試験片の概略斜視図である。
【図１２】ダイシングシート拡張前の概略断面図である。
【図１３】ダイシングシート拡張中の概略断面図である。
【図１４】ダイシングシート拡張後の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００１０】
［実施形態１］
（積層体１０）
図１に示すように、積層体１０は、ダイシングシート１とダイシングシート１上に配置された半導体裏面保護フィルム３とを含む。
【００１１】
（ダイシングシート１）
ダイシングシート１は、基材層１１と基材層１１上に配置された粘着剤層１２とを含む。粘着剤層１２は、半導体裏面保護フィルム３と接した中央部１２ａと中央部１２ａの周辺に配置された周辺部１２ｂとを含む。中央部１２ａは硬化している。周辺部１２ｂはエネルギー線により硬化する性質を有する。エネルギー線として紫外線などを挙げることができる。周辺部１２ｂは半導体裏面保護フィルム３と接していない。
【００１２】
ダイシングシート１は加熱により収縮する性質を備える。ダイシングシート１は次の性質をさらに備える。すなわち、１００℃で１分加熱処理したとき、加熱処理前におけるＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の第１長さ１００％に対して加熱処理後におけるＭＤ方向の第２長さは９５％以下となる。９５％以下であるので、加熱によりたるみを取り除くことが可能で、半導体チップ同士の接触を防止できる。第１長さ１００％に対して第２長さは、好ましくは９４％以下である。第１長さ１００％に対する第２長さの下限は、たとえば５０％である。
【００１３】
第２長さの第１長さに対する比は、基材層１１の材料、基材層１１の製膜方法によりコントロールできる。基材層１１の製膜方法が大きな影響を与える。たとえば、基材層１１を延伸することにより、第２長さの第１長さに対する比を小さくすることができる。
【００１４】
ダイシングシート１は、好ましくは次の性質を備える。すなわち、２３℃でＭＤ方向に３％伸ばしたときの引張応力は、好ましくは１Ｎ／ｍｍ２以上である。１Ｎ／ｍｍ２以上であると、半導体ウェハを分断可能で半導体チップ同士の間隔をあけることができる。半導体ウェハ分断時に適度な引張応力がかかるからである。また、半導体チップ同士の間隔を維持できる。２３℃でＭＤ方向に３％伸ばしたときの引張応力の上限は、たとえば、１５Ｎ／ｍｍ２である。
【００１５】
ダイシングシート１は、好ましくは次の性質を備える。すなわち、２３℃でＭＤ方向に６％伸ばしたときの引張応力は、好ましくは１．５Ｎ／ｍｍ２以上である。１．５Ｎ／ｍｍ２以上であると、半導体ウェハを分断可能で半導体チップ同士の間隔をあけることができる。半導体ウェハ分断時に適度な引張応力がかかるからである。また、半導体チップ同士の間隔を維持できる。２３℃でＭＤ方向に６％伸ばしたときの引張応力の上限は、たとえば、２０Ｎ／ｍｍ２である。
【００１６】
ダイシングシート１の厚みは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上である。いっぽうダイシングシート１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下である。
【００１７】
ダイシングシート１の厚みを１００％としたとき、基材層１１の厚みは好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上である。一方、基材層１１の厚みは好ましくは９８％以下、より好ましくは９５％以下である。
【００１８】
基材層１１はたとえば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニルフィルムなどである。これらの無延伸フィルム、一軸延伸フィルム、二軸延伸フィルムなどを使用できる。なかでも、異方性がないという理由から、無延伸フィルムが好ましい。基材層１１の形状は単層、複層などである。
【００１９】
基材層１１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高める為、慣用の表面処理、たとえば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的または物理的処理、下塗剤（たとえば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００２０】
粘着剤層１２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、たとえば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（たとえば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報など参照）の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（またはエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２１】
本発明では、粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、アクリル系粘着剤がより好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体または共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。
【００２２】
前記アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、たとえば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状の何れであっても良い。
【００２３】
なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、たとえば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イコタン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイル���キシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマーなどが挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種または２種以上使用できる。
【００２４】
粘着剤として放射線硬化型粘着剤（またはエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、たとえば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、たとえば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。
【００２５】
本発明では、粘着剤層１２には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（たとえば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
【００２６】
前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤の具体例としては、前記の着色ウエハ裏面保護フィルムの項で、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤として具体的に例示した化合物（具体例）などが挙げられる。架橋剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。
【００２７】
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
【００２８】
粘着剤層１２の厚みは特に制限されず、たとえば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは５μｍ〜８０μｍ、より好ましくは１５μｍ〜５０μｍ）程度である。粘着剤層１２の厚みが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層１２は単層、複層の何れであってもよい。
【００２９】
基材層１１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層１２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。粘着剤組成物を直接基材層１１に塗布し、基材層１１上に粘着剤層１２を形成してもよい。粘着剤組成物を剥離紙などに塗布して粘着剤層１２を形成した後に粘着剤層１２を基材層１１に転写することにより基材層１１上に粘着剤層１２を形成してもよい。
【００３０】
（半導体裏面保護フィルム３）
第１主面と第１主面に対向した第２主面とで半導体裏面保護フィルム３の両面は定義できる。第１主面は粘着剤層１２と接している。
【００３１】
半導体裏面保護フィルム３は有色である。有色であると、ダイシングシート１と半導体裏面保護フィルム３とを簡単に区別できることがある。半導体裏面保護フィルム３は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。レーザーマークを視認しやすいからである。
【００３２】
濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。
【００３３】
また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、たとえば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０またはほぼ０）であることが好適である。
【００３４】
なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。
【００３５】
８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの、半導体裏面保護フィルム３の吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。半導体裏面保護フィルム３における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に半導体裏面保護フィルム３を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
【００３６】
半導体裏面保護フィルム３は未硬化状態である。未硬化状態は半硬化状態を含む。半硬化状態が好ましい。
【００３７】
半導体裏面保護フィルム３を硬化させることにより得られる硬化物を、８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。硬化物における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に硬化物を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
【００３８】
半導体裏面保護フィルム３における揮発分の割合は少ないほど好ましい。具体的には、加熱処理後の半導体裏面保護フィルム３の重量減少率（重量減少量の割合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、たとえば、２５０℃で１時間である。１重量％以下であると、レーザーマーキング性がよい。リフロー工程におけるクラックの発生を抑制できる。重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面保護フィルム３を２５０℃、１時間で加熱したときの値を意味する。
【００３９】
半導体裏面保護フィルム３の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は、好ましくは１ＧＰａ以上である。１ＧＰａ以上であると、半導体裏面保護フィルム３がキャリアテープに付着することを防止できる。２３℃での引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａである。２３℃での引張貯蔵弾性率は、樹脂成分の種類やその含有量、充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ  Ａｎａｌｙｚｅｒ  ＲＳ  Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚み：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて、引張貯蔵弾性率は測定する。
【００４０】
半導体裏面保護フィルム３における可視光（波長：３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、たとえば、２０％以下（０％〜２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％〜１０％）、特に好ましくは５％以下（０％〜５％）である。半導体裏面保護フィルム３は、可視光透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体チップに悪影響を及ぼすおそれがある。また、可視光透過率（％）は、半導体裏面保護フィルム３の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。
【００４１】
半導体裏面保護フィルム３の可視光透過率（％）は、次のとおりにして測定することができる。すなわち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面保護フィルム３単体を作製する。次に、半導体裏面保護フィルム３に対し、波長：３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの可視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ  ＳＰＥＣＴＲＯ  ＰＨＯＴＯＭＥＴＥＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。さらに、可視光線が半導体裏面保護フィルム３を透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。
【００４２】
半導体裏面保護フィルム３は、樹脂組成物により形成することができ、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物により構成されていることが好ましい。なお、半導体裏面保護フィルム３は、熱硬化性樹脂が用いられていない熱可塑性樹脂組成物で構成されていても良く、熱可塑性樹脂が用いられていない熱硬化性樹脂組成物で構成されていても良い。
【００４３】
半導体裏面保護フィルム３は、好ましくは着色剤を含む。着色剤は、たとえば、染料、顔料である。なかでも染料が好ましく、黒色染料がより好ましい。
【００４４】
半導体裏面保護フィルム３における着色剤の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。半導体裏面保護フィルム３における着色剤の含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。
【００４５】
半導体裏面保護フィルム３は樹脂成分を含む。たとえば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などである。
【００４６】
熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂が好適である。
【００４７】
半導体裏面保護フィルム３における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。半導体裏面保護フィルム３における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下、さらに好ましくは４０重量％以下である。
【００４８】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【００４９】
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。
【００５０】
さらに、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００５１】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。
【００５２】
半導体裏面保護フィルム３における熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは２０重量％以上である。半導体裏面保護フィルム３における熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。
【００５３】
半導体裏面保護フィルム３は、熱硬化促進触媒を含むことができる。たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などである。
【００５４】
半導体裏面保護フィルム３を予めある程度架橋させておくため、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基などと反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００５５】
半導体裏面保護フィルム３は、充填剤を含むことができる。無機充填剤が好適である。無機充填剤は、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などである。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカが好ましく、溶融シリカが特に好ましい。無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
【００５６】
半導体裏面保護フィルム３における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。半導体裏面保護フィルム３における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。
【００５７】
半導体裏面保護フィルム３は、ほかの添加剤を適宜含むことができる。ほかの添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００５８】
半導体裏面保護フィルム３の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、さらに好ましくは６μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上である。半導体裏面保護フィルム３の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは８０μｍ以下である。
【００５９】
（半導体装置の製造方法）
図２に示すように、半導体ウエハ４Ｐの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ライン４Ｌに沿ってレーザー光１００を照射し、半導体ウエハ４Ｐの内部に改質領域４１を形成する。
【００６０】
レーザー光１００の照射条件は、たとえば、以下の条件の範囲内で適宜調整できる。
（Ａ）レーザー光１００
レーザー光源              半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                      １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積  ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態                  Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数            １００ｋＨｚ以下
パルス幅                  １μｓ以下
出力                      １ｍＪ以下
レーザー光品質            ＴＥＭ００
偏光特性                  直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率                                １００倍以下
ＮＡ                                ０．５５
レーザー光波長に対する透過率        １００％以下
（Ｃ）半導体ウエハが載置される裁置台の移動速度  ２８０ｍｍ／秒以下
【００６１】
なお、レーザー光１００の照射により改質領域４１を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報、特開２００３−３３８５６７号公報などに詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。
【００６２】
図３に示すように、分断前ウエハ４は改質領域４１を含む。そのほかの領域とくらべて改質領域４１は脆い。分断前ウエハ４は、半導体チップ５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、……、５Ｈ（以下、「半導体チップ５」と総称することがある）をさらに含む。分断前ウエハ４の両面は、表面（おもてめん）と表面に対向した裏面とで定義される。表面は、回路が設けられた面である。いっぽう裏面は、回路が設けられていない面である。
【００６３】
図４に示すように、積層体１０の半導体裏面保護フィルム３に分断前ウエハ４を固定することにより拡張前体２１を形成する。拡張前体２１は、積層体１０と半導体裏面保護フィルム３に固定された分断前ウエハ４とを含む。
【００６４】
図５に示すように、周辺部１２ｂにダイシングリング３１を固定する。
【００６５】
図６に示すように、改質領域４１を起点に分断前ウエハ４を分断する。具体的には、拡張前体２１の下方に配置された突き上げ部３３を上昇させ、ダイシングシート１を拡張することにより分断前ウエハ４を分断する。突き上げ部３３が上昇する速度は、好ましくは０．１ｍｍ／秒以上、より好ましくは１ｍｍ／秒以上である。０．１ｍｍ／秒以上であると、容易に分断できる。拡張時の温度は、好ましくは１０℃以下、より好ましくは０℃以下である。０℃以下であると、半導体裏面保護フィルム３を容易に分断できる。温度の下限はたとえば−２０℃である。分断前ウエハ４の分断とともに半導体裏面保護フィルム３を分断後半導体裏面保護フィルム２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、……、２２Ｈ（以下、「分断後半導体裏面保護フィルム２２）と総称することがある）に分断する。
【００６６】
拡張後体５１は、ダイシングシート１と、粘着剤層１２に固定された組み合わせ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、……、２Ｈ（以下、「組み合わせ２」と総称することがある）とを含む。各組み合わせ２は、半導体チップ５と、半導体チップ５の裏面に固定された分断後半導体裏面保護フィルム２２とを含む。半導体チップ５の両面は、回路面と回路面に対向した裏面とで定義できる。組み合わせ２はすべて、ダイシングシート１に固定されている。
【００６７】
図７に示すように、突き上げ部３３を下降させる。突き上げ部３３を下降させることにより、周辺部１２ｂにたるみが生じる。
【００６８】
図８に示すように、拡張後体５１の下方に配置された吸着テーブル３２を上昇させることによりダイシングシート１を拡張し、拡張を維持しながら吸着テーブル３２の吸引で吸着テーブル３２にダイシングシート１を固定する。
【００６９】
図９に示すように、吸着テーブル３２にダイシングシート１を固定したまま、吸着テーブル３２を下降させる。すなわち拡張を解く。
【００７０】
吸着テーブル３２にダイシングシート１を固定したまま、周辺部１２ｂに熱風を当てる。周辺部１２ｂに熱風を当てることによりたるみを取り除く。たるみを取り除くので、組み合わせ２Ａと組み合わせ２Ｂ、組み合わせ２Ｂと組み合わせ２Ｃ、……組み合わせ２Ｇと組み合わせ２Ｈの接触を防止できる。熱風の温度は、好ましくは２２０℃以上、より好ましくは２５０℃以上である。２２０℃以上であると、周辺部１２ｂを容易に収縮させることができる。いっぽう熱風の温度は、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３００℃以下で熱する。４００℃以下であると、ダイシングシート１の破損を防止できる。
【００７１】
組み合わせ２をニードルで突き上げ、組み合わせ２をダイシングシート１から剥離する。
【００７２】
図１０に示すように、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により組み合わせ２を被着体６に固定する。具体的には、半導体チップ５の回路面が被着体６と対向する形態で、組み合わせ２を被着体６に固定する。たとえば、半導体チップ５のバンプ５１を被着体６の導電材（半田など）６１に接触させ、押圧しながら導電材６１を溶融させる。組み合わせ２と被着体６との間には空隙がある。空隙の高さは一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。固定後は、空隙などの洗浄をおこなうことができる。
【００７３】
被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）などの基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、たとえば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板などが挙げられる。
【００７４】
バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、たとえば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材などの半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。なお、導電材６１の溶融時の温度は、通常２６０℃程度である。分断後半導体裏面保護フィルム２２がエポキシ樹脂を含むと、この温度に耐えることが可能である。
【００７５】
組み合わせ２と被着体６との間の空隙を封止樹脂で封止する。通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより封止樹脂を硬化させる。
【００７６】
封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されない。封止樹脂としては、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物などが挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができる。封止樹脂の形状は、フィルム状、タブレット状などである。
【００７７】
以上の方法により得られた半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、被着体６および被着体６に固定された組み合わせ２を含む。
【００７８】
半導体装置の分断後半導体裏面保護フィルム２２にレーザーで印字することが可能である。なお、レーザーで印字する際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーが好適である。
【００７９】
フリップチップ実装方式で実装された半導体装置は、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄く、小さい。このため、各種の電子機器・電子部品またはそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、フリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」、「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（たとえば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」およびコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（たとえば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤーなど）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品または、電子機器・電子部品の材料・部材としては、たとえば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。
【００８０】
（変形例１）
変形例１では、積層体１０の半導体裏面保護フィルム３に半導体ウエハ４Ｐを固定し、半導体裏面保護フィルム３に固定された半導体ウエハ４Ｐの内部に改質領域４１を形成する。
【００８１】
（変形例２）
変形例２では、拡張前体２１を形成する前にダイシングシート１にダイシングリング３１を固定する。
【００８２】
（変形例３）
変形例３では、積層体１０の半導体裏面保護フィルム３に分断前ウエハ４を固定する前に分断前ウエハ４の裏面を研削する。
【００８３】
（変形例４）
中央部１２ａはエネルギー線により硬化する性質を有する。周辺部１２ｂもエネルギー線により硬化する性質を有する。変形例２では、組み合わせ２を形成する工程の後に、粘着剤層１２にエネルギー線を照射し組み合わせ２をピックアップする。
【００８４】
（変形例５）
中央部１２ａはエネルギー線により硬化されている。周辺部１２ｂもエネルギー線により硬化されている。
【００８５】
（変形例６）
粘着剤層１２の片面全体が半導体裏面保護フィルム３と接している。
【００８６】
（そのほか）
変形例１〜変形例６などは、任意に組み合わせることができる。
【００８７】
以上のとおり、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、拡張前体２１を準備する工程（Ａ）と、ダイシングシート１を拡張することにより改質領域４１を起点に分断前ウエハ４を分断する工程（Ｂ）と、工程（Ｂ）の後に周辺部１２ｂを加熱する工程（Ｃ）とを含む。
【実施例】
【００８８】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００８９】
［基材層］
実施例および比較例で使用した基材層Ａ〜Ｇを説明する。基材層Ａ〜Ｇの厚みを表１に示す。
基材層Ａ：グンゼ社製のファンクレア  ＮＲＢ＃１１５（エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム）
基材層Ｂ：グンゼ社製のファンクレア  ＮＲＢ＃１３５（エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム）
基材層Ｃ：オージーフィルム社製のＰＥ−５（エチレン−アクリル酸エステル共重合体フィルム）
基材層Ｄ：ロンシール工業社製のＨＬフィルム（ポリ塩化ビニルフィルム）
基材層Ｅ：オージーフィルム社製のＰＰ−１（ポリプロピレンフィルム）
基材層Ｆ：ポリプロピレン（８０％）ポリエチレン（２０％）２層フィルム
基材層Ｇ：ポリプロピレン（８０％）ポリエチレン（２０％）２層フィルム
【００９０】
［実施例１］
（ダイシングシートの作製）
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８６．４部と、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１３．６部と、過酸化ベンゾイル０．２部と、トルエン６５部とを入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＢを得た。アクリル系ポリマーＢに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう。）１４．６部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間 付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＢ’を得た。アクリル系ポリマーＢ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部と光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部とを加えて、粘着剤組成物溶液を得た。粘着剤組成物溶液を、離型処理フィルム上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層を形成した。粘着剤層に基材層Ａをつけ、離型処理フィルムを剥離した。以上の手段により得られたダイシングシートは、基材層Ａと基材層Ａ上に配置された粘着剤層とからなる。
【００９１】
（半導体裏面保護フィルムの作製）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製 パラクロンＷ−１９７Ｃ）の固形分―溶剤を除く固形分―１００重量部に対して、エポキシ樹脂（三菱化学社製 ＪＥＲ ＹＬ９８０）２０重量部と東都化成社製 ＫＩ−３０００）５０重量部とフェノール樹脂（明和化成社製 ＭＥＨ７８５１−ＳＳ）７５重量部と球状シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ−２５Ｒ 平均粒径０．５μｍの球状シリカ）１８０重量部と染料(オリエント化学工業社製 ＯＩＬＢＫＡＣＫ ＢＳ)１０重量部と触媒（四国化成社製 ２ＰＨＺ）２０重量部とをメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度２３．６重量％の樹脂組成物の溶液を調製した。樹脂組成物の溶液を離型処理フィルム（シリコーン離型処理した厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させた。以上の手段により平均厚み２０μｍのフィルムを得た。直径３３０ｍｍの円盤状フィルム（以下、実施例において「半導体裏面保護フィルム」という）をフィルムから切り出した。
【００９２】
（積層体の作製）
ハンドローラーで半導体裏面保護フィルムをダイシングシートにつけることにより実施例１の積層体を作製した。実施例１の積層体は、ダイシングシートとダイシングシートの粘着剤層に固定された半導体裏面保護フィルムとからなる。
【００９３】
［実施例２］
基材層Ａに代えて基材層Ｂを使用したこと以外は実施例１と同様の方法で実施例２の積層体を作製した。
【００９４】
［実施例３］
基材層Ａに代えて基材層Ｃを使用したこと以外は実施例１と同様の方法で実施例３の積層体を作製した。
【００９５】
［実施例４］
基材層Ａに代えて基材層Ｄを使用したこと以外は実施例１と同様の方法で実施例４の積層体を作製した。
【００９６】
［比較例１］
基材層Ａに代えて基材層Ｅを使用したこと以外は実施例１と同様の方法で比較例１の積層体を作製した。
【００９７】
［比較例２］
基材層Ａに代えて基材層Ｆを使用したこと以外は実施例１と同様の方法で比較例２の積層体を作製した。
【００９８】
［比較例３］
基材層Ａに代えて基材層Ｇを使用したこと以外は実施例１と同様の方法で比較例３の積層体を作製した。
【００９９】
［評価１］
ダイシングシートについて以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１００】
（加熱収縮率）
積層体から半導体裏面保護フィルムを剥がすことによりダイシングシートを得た。ダイシングシートから、ＭＤ方向の長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状の試験片５００を切り出した。図１１に示すように、試験片５００に１００ｍｍの間隔で標線５０１ａと標線５０１ｂとを入れた。竿５０２に試験片５００を吊り下げ、試験片５００を乾燥機で１００℃で１分加熱した。冷却後に、標線５０１ａと標線５０１ｂとの間隔を測定し、下記式にて加熱収縮率を求めた。
加熱収縮率＝加熱後の標線間距離／加熱前の標線間距離×１００
【０１０１】
（３％引張応力）
積層体から半導体裏面保護フィルムを剥がすことによりダイシングシートを得た。ダイシングシートから、ＭＤ方向の長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状の測定片を切り出した。引っ張り試験機（オートグラフ、島津製作所社製）を用いて、２３℃、引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離１００ｍｍの条件下で引張試験を行い、試験片が３％伸びた時点の引張応力を読み取った。
【０１０２】
（６％引張応力）
積層体から半導体裏面保護フィルムを剥がすことによりダイシングシートを得た。ダイシングシートから、ＭＤ方向の長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状の測定片を切り出した。引っ張り試験機（オートグラフ、島津製作所社製）を用いて、２３℃、引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離１００ｍｍの条件下で引張試験を行い、試験片が６％伸びた時点の引張応力を読み取った。
【０１０３】
［評価２］
積層体を用いて以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０４】
（初期のピックアップ成功率）
積層体の半導体裏面保護フィルムにミラーウエハ（直径１２インチ、厚さ０．２ｍｍのシリコンミラーウエハ）を８０℃で圧着した。ミラーウェハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってミラーウェハの表面（おもてめん）または裏面側からレーザー光を照射し、ミラーウェハの内部に改質領域を形成した。レーザー加工装置として東京精密社製 ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いた。レーザー光照射条件は以下に示す。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源              半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                      １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積  ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態                  Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数            １００ｋＨｚ
パルス幅                  ３０ｎｓ
出力                      ２０μＪ／パルス
レーザー光品質            ＴＥＭ００  ４０
偏光特性                  直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率                                      ５０倍
ＮＡ                                      ０．５５
レーザー光波長に対する透過率              ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度    １００ｍｍ／秒
【０１０５】
ディスコ社製ダイセパレーターＤＤＳ２３００を用いて拡張後サンプルを形成した。すなわち、エキスパンド温度−１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件でクールエキスパンダーユニットにおいてミラーウェハを分断し、エキスパンド量１０ｍｍ、ヒート温度２５０℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件でヒートエキスパンダーユニットにおいてダイシングシートを熱収縮させた。拡張後サンプルは、ダイシングシートと、ダイシングシートに固定された複数の組み合わせ―シリコンチップおよびシリコンチップに固定された分断後半導体裏面保護フィルムからなる―とからなる。拡張後サンプルにおけるダイシングシートの中央部に４００ｍＪ／ｃｍ２の強度で紫外線を照射した。株式会社新川社製ダイボンダーＳＰＡ−３００を用いて、エキスパンド量３ｍｍ、ニードル本数９本、ニードル突き上げ量５００μｍ、突き上げ速度２０ｍｍ／ｓｅｃ、突き上げ時間１ｓｅｃの条件で組み合わせを突き上げ、ダイシングシートから剥離した。このピックアップを１００回おこない、ピックアップ成功率を評価した。
【０１０６】
（一週間後のピックアップ成功率）
拡張後サンプルを２３℃で１週間保存した―ということ以外は「初期のピックアップ成功率」と同様の方法で成功率を評価した。
【０１０７】
【表１】
0006577341.tif 000002
【符号の説明】
【０１０８】
１０      積層体
１        ダイシングシート
１１      基材層
１２      粘着剤層
１２ａ    中央部
１２ｂ    周辺部
２        組み合わせ
３        半導体裏面保護フィルム
４Ｐ      半導体ウエハ
４Ｌ      分割予定ライン
４        分断前ウエハ
４１      改質領域
５        半導体チップ
５１      バンプ
６        被着体
６１      導電材
２１      拡張前体
２２      分断後半導体裏面保護フィルム
３１      ダイシングリング
３２      吸着テーブル
３３      突き上げ部
５１      拡張後体
１００    レーザー光
【図１】
0006577341.tif 000003
【図２】
0006577341.tif 000004
【図３】
0006577341.tif 000005
【図４】
0006577341.tif 000006
【図５】
0006577341.tif 000007
【図６】
0006577341.tif 000008
【図７】
0006577341.tif 000009
【図８】
0006577341.tif 000010
【図９】
0006577341.tif 000011
【図１０】
0006577341.tif 000012
【図１１】
0006577341.tif 000013
【図１２】
0006577341.tif 000014
【図１３】
0006577341.tif 000015
【図１４】
0006577341.tif 000016