(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
該絶縁基板の表面に設けられた配線導体と、
該配線導体の露出表面に被着されためっき層とを備えており、
該めっき層は、前記配線導体の前記露出表面上に順次被着された、ニッケルめっき層と、金粒子を含む触媒層と、銅めっき層とを含んでいることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記触媒層の前記金粒子は、前記ニッケルめっき層の前記露出表面の一部において他の部分よりも配置密度が大きいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記触媒層は、前記ニッケルめっき層の前記露出表面に前記金粒子が不連続に被着して形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ニッケルめっき層の露出表面の一部に、前記触媒層が被着されていない露出部が含まれており、該露出部において前記ニッケルめっき層と前記銅めっき層とが直接に接し合っていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板の表面に設けられた配線導体を有し、配線導体に被覆導体が被着された配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板は、一般に、電子部品が搭載される絶縁基板と、絶縁基板の表面に設けられた配線導体とを有している。絶縁基板に搭載される電子部品の電極が配線導体とボンディングワイヤ等の導電性接続材によって電気的に接続される。配線導体の露出表面には、酸化の抑制、および導電性接続材の接続性（ボンディング性等）の向上等のためにニッケルめっき層等のめっき層が被着されている。
【０００３】
めっき層は、電気めっき法または無電解めっき法によって配線導体の露出表面に被着される。例えば配線基板の小型化への対応に際しては、電気めっき用の電流を配線導体に供給するための接続用の導体を絶縁基板に設けることが難しいため、無電解めっき法が多用される傾向がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平10−147885号公報
【特許文献２】特開2003−243809号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術の配線基板においては、無電解めっき法で被着される金属が絶縁基板の表面に付着する可能性がある。特に、配線導体の露出表面にニッケルめっき層を被着させた後に、さらに導電性の向上等のために銅めっき層をニッケルめっき層の表面に被着させるときに、このような問題点が顕著になるという問題点があった。
【０００６】
本発明の発明者は、この問題に対して検討の結果、次のようなことが原因であることを解明し、本発明の完成に至った。すなわち、ニッケルめっき層を形成しているニッケルは、無電解めっき法による銅めっき層形成（銅の還元、析出）に対して触媒活性を有していない。そのため、あらかじめパラジウム活性層をニッケルめっき層の表面に被着させておく必要があるが、このパラジウム成分の一部が絶縁基板の表面に付着し、このパラジウム成分が付着した部分において絶縁基板の表面に銅成分が析出し、付着してしまう。このような銅成分の付着が生じると、例えば配線導体間の電気絶縁性の低下および外観上の不具合等を生じる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様の配線基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けられた配線導体と、該配線導体の露出表面に被着されためっき層とを有しており、該めっき層は、前記配線導体の前記露出表面上に順次被着された、ニッケルめっき層と、金粒子を含む触媒層と、銅めっき層とを含んでいることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板によれば、銅の無電解法めっき層形成に対して触媒活性を有する金の粒子を含む触媒層を介して、ニッケルめっき層の露出表面に銅めっき層が被着されていることから、パラジウム活性層が不要である。そのため、パラジウム成分の付着に起因した
絶縁基板の表面への銅の付着が抑制されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態の配線基板の要部を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】（ａ）は図１に示す配線基板の要部Ｂを拡大して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の要部Ｃをさらに拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の配線基板について、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は説明上の便宜的なものであり、実際に配線基板が使われるときの上下を限定するものではない。
【００１１】
図１（ａ）は本発明の実施形態の配線基板の要部を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また、図２（ａ）は図１に示す配線基板の要部Ｂを拡大して示す断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の要部Ｃをさらに拡大して示す断面図である。
【００１２】
絶縁基板１の表面（図１の例では上面および下面）に配線導体２が設けられ、配線導体２の露出表面にめっき層３が被覆されて、配線基板９が基本的に構成されている。
【００１３】
この配線基板９の上面等の外面に電子部品（図示せず）が搭載されることによって、各種電子機器において部品として使用される電子装置が形成される。搭載される電子部品としては、半導体集積回路素子（ＩＣ）や光半導体素子（ラインセンサ，エリアセンサ，イメージセンサ、電荷結合素子、ＥＰＲＯＭ（Erasable and Programmable Read Only Memory）等）、水晶振動素子等の圧電素子、センサ素子（圧力センサおよび加速度センサ素子等）、コンデンサおよび抵抗器等の種々の電子部品が挙げられる。また、このようなセンサ素子等の電子部品は、半導体基板の主面に微細な電子機械システムが設けられてなる電子機械素子（いわゆるＭＥＭＳ素子）であってもよい。
【００１４】
この実施の形態の例において、絶縁基板１は、全体の形状が例えば四角板状であり、上面の中央部に電子部品の搭載部（符号なし）を有している。搭載部は電子部品を搭載するための部位であり、搭載する電子部品の特性や個数等に応じて、絶縁基板１に凹部（キャビティ）を設けてその底面を搭載部としたり、絶縁基板１の外表面のうち上面の中央部以外に設けたりしてもよい。
【００１５】
絶縁基板１を形成する材料としては、セラミック材料、樹脂材料、セラミック材料と樹脂材料との複合材料等の電気絶縁性材料等が挙げられる。セラミック材料としては、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体およびムライト質焼結体等が挙げられる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびフェノール樹脂等の樹脂材料が挙げられる。
【００１６】
絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして絶縁基板１を作製することができる。まず、酸化アルミニウム（アルミナ）や酸化カルシウム，酸化マグネシウム等の原料粉末を有機溶剤やバインダなどとともにドクターブレード法等の成形手法によりシート状に成形した後に所定の形状および寸法に切断して複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、作製したセラミックグリーンシートを必要に応じて複数枚積層して積層体とした後に、所定の焼成温度（例えば1300〜1600℃）で焼成する。以上のようにして、絶縁基板１が作製される。
【００１７】
配線導体２は、搭載される電子部品と電気的に接続され、例えば、この電子部品を外部電気回路に接続させるための導電路として機能する。また、配線導体２は、配線基板９に複数の電子部品（図示せず）が搭載されるときに、これらの電子部品同士を互いに接続させるための導電路として機能する。
【００１８】
図１の例では、絶縁基板１の内部にも配線導体２の一部が延在している。この例において配線導体２の延在部分は、絶縁基板１を厚み方向に部分的に貫通している貫通導体（いわゆるビア導体）およぶ絶縁基板１の内部においてビア導体同士を接続している回路導体状の内部配線等を含んでいる。
【００１９】
配線導体２と電子部品や外部電気回路との接続は、はんだまたはボンディングワイヤ等の導電性接続材（図示せず）を介して行なわれる。この実施の形態の例においては、配線導体２の一部が円形状に形成されている。この円形状の部分（符号なし）が、電子部品接続用のパッドとして機能する。例えば、このパッドに電子部品の電極（図示せず）を対向させて位置合わせし、両者の間にはんだバンプ等を介在させて互いに接合することによって、配線導体２と電子部品とが互いに電気的に接続させることができる。
【００２０】
配線導体２を形成する材料としては、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、白金および金等の金属材料（これらの混合材料または合金材料を含む）が挙げられる。また、配線導体２は、例えば、これらの金属材料からなるメタライズ層等の形態で形成されている。
【００２１】
配線導体２がタングステンによって形成されている場合には、次のようにして配線導体２を絶縁基板１の表面に設けることができる。まず、タングステン粉末を有機溶剤やバインダなどとともに混練して金属ペーストを作製する。次に、作製した金属ペーストを絶縁基板１となるセラミックグリーンシートに所定の印刷方法（例えば、スクリーン印刷法）により印刷する。なお、配線導体２の一部が、絶縁基板１の内部を厚み方向に貫通する貫通導体（符号なし）の部分を含む場合には、あらかじめセラミックグリーンシートの所定部位に所定の加工方法（例えば、機械的な打ち抜き加工やレーザ加工）により形成しておいた貫通孔内に前述の金属ペーストを充填する。そして、印刷した金属ペーストをセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成する。以上の工程によって配線導体２が形成される。
【００２２】
配線導体２は、その露出する表面（露出表面）にめっき層３が被着されている。配線導体２の露出表面とは、配線導体２の表面のうち絶縁基板１に接していない部分であり、仮にめっき層３が設けられていないときには外部に露出する部分である。
【００２３】
めっき層３は、例えば、配線導体２の電気抵抗（抵抗率）の減少および上記のような導電性接続材の接続性（はんだの濡れ性またはボンディングワイヤのボンディング性等）の向上等のために、配線導体２の露出表面を覆うように設けられている。
【００２４】
めっき層３は、配線導体２の露出表面上に順次被着された、ニッケルめっき層３ａと、金の粒子（以下、金粒子という）３ｃｃを含む触媒層３ｃと、銅めっき層３ｂとを含んでいる。ニッケルめっき層３ａ、触媒層３ｃおよび銅めっき層３ｂは、それぞれ無電解めっき法によって形成されている。
【００２５】
銅めっき層３ｂは、電気抵抗（抵抗率）が低く、導電性接続材の接続性に優れた銅を主成分として含有しているため、上記のようなめっき層３としての機能を確保するための主な部分である。すなわち、めっき層３が銅めっき層３ｂを含んでいることによって、配線
導体２の電気抵抗（抵抗率）の減少、および導電性接続材の接続性の向上等が可能になっている。
【００２６】
ニッケルめっき層３ａは、配線導体２に対して銅めっき層３ｂを強固に被着させるための下地めっき層として機能している。すなわち、あらかじめ配線導体２の表面にニッケルめっき層３ａが被着されていることによって、配線導体２に対して銅めっき層３ｂを、無電解めっき法によって強固に被着できるようになっている。
【００２７】
触媒層３ｃは、ニッケルめっき層３ａの露出表面に被着した金粒子３ｃｃが、例えば図２（ｂ）において仮想線で示すような範囲で層状になって形成されている。ニッケルめっき層３ａの露出表面とは、ニッケルめっき層３ａの表面のうち配線導体２に接していない部分であり、仮に銅めっき層３ｂおよび触媒層３ｃが設けられていないときには外部に露出する部分である。
【００２８】
この触媒層３ｃは、ニッケルめっき層３ａの露出表面に対する銅めっき層３ｂの無電解めっき法による被着を可能とするためのものである。すなわち、ニッケルめっき層３ａは銅の無電解めっき（還元剤による還元析出反応）の対して触媒活性を有していない。そのため、単に、ニッケルめっき層３ａが被着された配線導体２が無電解銅めっき液中に存在していたとしても、そのニッケルめっき層３ａの露出表面には銅めっき層３ｂが被着されない。これに対して、触媒層３ｃがニッケルめっき層３ａの露出表面に被着されていることによって、触媒層３ｃの触媒作用によって無電解法による銅めっき層３ｂの析出および被着ができるようになっている。
【００２９】
この場合、触媒層３ｃに含まれている金粒子３ｃｃが、その触媒作用を有している。この金粒子３ｃｃの表面で、その触媒作用によって無電解銅めっき液中の酸化反応、および銅（イオン）の還元析出の反応とが進行し、銅めっき層３ｂとなる銅が順次析出する。
【００３０】
金粒子３ｃｃは、例えば、複数の金の結晶が組み合わされた形状であり、図２に示すような不定形状等である。金粒子３ｃｃは、球形状、立方体状等であっても構わない。このような複数の金粒子３ｃｃを含む多結晶構造の層が、触媒層３ｃとなっている。金粒子３ｃｃの大きさは、例えば0.005〜1.0μｍ程度である。なお、金粒子３ｃｃの大きは、例えば触媒層３ｃの断面を拡大投影機で観察して粒子の最大の大きさ（差し渡しの寸法）を測ることによって知ることができる。金粒子３ｃｃの大きさは、例えば金粒子３ｃｃが球形状の場合であればその直径として測定することができ、直方体状であれば対向し合う稜間の寸法として測定することができる。
【００３１】
金粒子３ｃｃを含む触媒層３ｃは、ニッケルめっき層３ａの露出表面に対して銅の無電解めっき法による析出および被着のための触媒活性を付与するためのものであるため、その厚みが比較的小さいものでも構わない。そのため、触媒層３ｃの厚みは、例えばニッケルめっき層３ａの露出表面への効果的な上記触媒活性の付与、配線基板９としての生産性および経済性等を考慮して、約0.005〜0.3μｍ程度に設定されてていればよい。
【００３２】
また、ニッケルめっき層３ａの露出表面は、必ずしもその全面に触媒層３ｃが配置されているものでなくても構わない。ニッケルめっき層３ａの露出表面のうちある程度の面積に触媒層３ｃが被着されていればよい。ニッケルめっき層３ａの露出表面は、例えば、その70％程度以上に触媒層３ｃが被着されていればよい。この場合には、初期の銅めっき層３ｂの被着（還元、析出の反応）が生じるため、後続して銅めっき層３ｂが順次ニッケルめっき層３ａの露出表面に被着して形成される。
【００３３】
なお、複数の金粒子３ｃｃは、必ずしも、隣り合うもの同士が互いに密着しているもの
に限定されず、隣り合うもの同士の間に隙間を有するものであってもよい。また、複数の金粒子３ｃｃは、それぞれの寸法が互いに同じ程度であってもよく、互いに異なっていてもよい。つまり、金粒子３ｃｃのサイズが揃っていてもよく、ばらついていてもよい。金粒子３ｃｃのサイズが揃っている場合には、触媒層３ｃ内部における応力の集中の可能性が低減され、触媒層３ｃの被着の強度の点で有利である。また、金粒子３ｃｃのサイズがばらついている場合には、例えば比較的大きい金粒子３ｃｃ同士の間に比較的小さい金粒子３ｃｃが入り込むようなことによる金粒子３ｃｃの配置密度の向上の点で有利である。
【００３４】
この触媒層３ｃの金粒子３ｃｃは、ニッケルめっき層３ａの露出表面の一部において他の部分よりも配置密度が大きいものであっても構わない。この場合には、金粒子３ｃｃの配置密度が比較的大きい部分で銅の還元析出が優先して進行し、この部分が核になって銅めっき層３ｂのニッケルめっき層３ａに対する被着（接合）の強度が向上し得る。また、、上記の核を起点にして銅めっき層３ｂの形成が容易に進むため、銅めっき層３ｂのつきまわり性の向上等の点で有利である。
【００３５】
金粒子３ｃｃの配置密度とは、平面視において、ニッケルめっき層３ａの単位面積における金粒子３ｃｃの個数に相当する。金粒子３ｃｃの配置密度は、例えば上記のような金属顕微鏡等による測定によって知ることができる。
【００３６】
配置密度の一例としては、例えばニッケルめっき層３ａの露出表面のうち１辺の長さが約10μｍの領域（単位面積）に、金粒子３ｃｃが約10〜100個配置された例が挙げられる
。金粒子３ｃｃの個数が約20個以下であれば金粒子３ｃｃの配置密度が比較的小さいとみなすことができる。また、金粒子３ｃｃの個数が約80個以上であれば金粒子３ｃｃの配置密度が比較的大きいとみなすことができる。
【００３７】
なお、金粒子３ｃｃの配置密度が比較的小さい部分と比較的大きい部分との組み合わせは、金粒子３ｃｃが配置されていない（０個である）部分と、金粒子３ｃｃが配置されている部分との組み合わせである場合も含む。
【００３８】
また、触媒層３ｃは、ニッケルめっき層３ａの露出表面に金粒子３ｃｃが不連続に被着して形成されているものであってもよい。言い換えれば、ニッケルめっき層３ａの露出表面に、上記の例のように金粒子３ｃｃが被着されていない部分が含まれていてもよい。
【００３９】
ニッケルめっき層３ａの露出表面に金粒子３ｃｃが不連続に被着されている場合には、この不連続部分が応力緩和部として作用して、ニッケルめっき層３ａと金粒子３ｃｃとの間に生じる熱応力または内部応力等の応力が緩和される。そのため、例えばこのような応力によるニッケルめっき層３ａと触媒層３ｃ、さらに触媒層３ｃを介したニッケルめっき層３ａと銅めっき層３ｂとの互いの被着の強度の低下の可能性が、より効果的に低減され得る。
【００４０】
触媒層３ｃについて、ニッケルめっき層３ａの露出表面に金粒子３ｃｃが不連続に被着して形成されているものである場合には、その不連続な部分がニッケルめっき層３ａの露出表面に偏らずに分散していることが望ましい。触媒層３ｃにおいて金粒子３ｃｃの不連続な部分では銅めっき層３ｂとニッケルめっき層３ａとの互いの密着強度が比較的小さいため、そのような部分が偏らずに分散していることによって、ニッケルめっき層３ａと銅めっき層３ｂとの間に密着強度が比較的高く確保される。
【００４１】
また、ニッケルめっき層３ａの露出表面の一部に、触媒層３ｃが被着されていない露出部（符号なし）が含まれており、この露出部においてニッケルめっき層３ａと銅めっき層３ｂとが直接に接し合っていても構わない。この場合、露出部においてニッケルめっき層
３ａと銅めっき層３ｂとが直接に接し合っているため、露出部における空隙の発生がより効果的に低減される。したがって、そのような空隙の存在に起因した、銅めっき層３ｂのフクレ等の発生の可能性がより効果的に低減される。
【００４２】
触媒層３ｃが被着されていない部分は、例えば上記のようにニッケルめっき層３ａの露出表面に金粒子３ｃｃが不連続に被着して形成されている場合であって、その不連続な範囲が比較的大きい（例えば倍率100倍程度の観察でも確認できる程度）場合である。この
場合には、上記のような応力緩和の効果がより有効に得られる。例えば図２（ｂ）の例では、２つ図示された不連続部のうち比較的大きい右側の不連続部がニッケルめっき層３ａの露出部になっている。
【００４３】
なお、ニッケルめっき層３ａの露出表面における露出部の範囲は、ニッケルめっき層３ａの露出表面のうち面積の割合で30％以下であることが望ましい。この場合には、露出部以外の部分でニッケルめっき層３ａの露出表面における銅めっき層３ｂの形成時の触媒作用をより確実に得ることができる。また、触媒層３ｃのニッケルめっき層３ａに対する被着の面積をより有効に確保して、両者間の接合の信頼性を確保することがより容易である。
【００４４】
なお、この場合にも、触媒層３ｃが被着されていない露出部（符号なし）が、ニッケルめっき層３ａの露出表面において偏らずに分散していることが望ましい。これによって、上記のような金粒子３ｃｃの不連続な部分の例と同様に、ニッケルめっき層３ａと銅めっき層３ｂとの間に密着強度が比較的高く確保される。
【００４５】
上記の配線基板９は、例えば次のようにして製作することができる。
【００４６】
まず、絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に設けられた配線導体２とを有する配線基板９用の基板（配線導体２にめっき層３が被着されて上記配線基板９となるもの）を準備する。配線導体２が表面に設けられた絶縁基板１は、例えば前述したような方法で作製することができる。すなわち、酸化アルミニウム等の原料粉末をシート状に成形し複数枚のセラミックグリーンシートを作製し、これらのセラミックグリーンシートの主面等にタングステンの金属ペーストを所定パターンに塗布する。その後、これらのセラミックグリーンシートを積層し、焼成することによって、配線導体２が表面等に設けられた絶縁基板１を含む基板を製作することができる。
【００４７】
次に、この基板の配線導体２の露出表面にニッケルめっき層３ａを被着させる。ニッケルめっき層３ａは、上記の基板を無電解ニッケルめっき液中に浸漬することによって行なう。配線導体２の露出表面において無電解ニッケルめっき液中のニッケル（イオン）が還元析出して、ニッケルめっき層３ａが形成される。
【００４８】
この場合には、配線導体２の露出表面にあらかじめパラジウム活性層（図示せず）を被着しておいてもよい。これによって、配線導体２の露出表面により容易に、かつ強固にニッケルめっき層３ａを被着させることができる。この場合、絶縁基板１の表面（配線導体２が設けられていない部分）は焼成に伴うガラス成分の付着等によってある程度保護されている。そのため、パラジウム活性層の配線導体２への被着に際して、パラジウム成分の絶縁基板１表面への付着は抑制される。また、このような絶縁基板１の表面へのパラジウム成分の不要な付着を抑制するガラス等の成分が誤って除去されないように、めっき前処理等を適宜調整することが望ましい。前処理の調整は、焼成後の基板の条件に応じて適宜行なうようにすればよい。
【００４９】
ただし、前処理およびパラジウム活性の工程を経た後（２回目のめっきである銅めっき
時）には絶縁基板１の表面の保護成分が失われている可能性が高いため、従来技術の配線基板（図示せず）のようにパラジウム成分の付着に起因した銅の付着等が発生する可能性が高くなる。これに対し、本実施形態の配線基板９を製造する工程においては、ニッケルめっき層３ａの露出表面にパラジウム活性層（図示せず）が不要であるため、パラジウム成分の絶縁基板１表面への付着等を抑制できる。
【００５０】
無電解ニッケルめっき液としては、例えば、硫酸ニッケル等のニッケルの供給源となるニッケル塩類と、次亜リン酸塩系またはホウ素系等の還元剤とを主成分とする無電解ニッケルめっき液を用いることができる。
【００５１】
次に、配線導体２の露出表面にニッケルめっき層３ａを被着させた基板を、金を含む溶液中に浸漬して、ニッケルと金との置換によってニッケルめっき層３ａ表面に金粒子３ｃｃを析出させる。析出した金粒子３ｃｃがニッケルめっき層３ａの少なくとも一部において層状になって、触媒層３ｃが形成される。
【００５２】
金を含む溶液としては、シアン化金塩類等の金の供給源を主成分とし、ｐＨ調整剤等の添加剤が添加された溶液を用いることができる。
【００５３】
次に、触媒層３ｃをニッケルめっき層３ａの露出表面に被着させた基板を、無電解銅めっき液に浸漬して、触媒層３ｃの触媒活性によって、金粒子３ｃｃを核として銅を析出させて銅のめっき層を形成する。すなわち、触媒層３ｃを覆うように銅めっき層３ｂを被着させる。触媒層３ｃが不連続部を含むときには、その不連続部で露出したニッケルめっき層３ａも銅めっき層３ｂで覆う。
【００５４】
無電解銅めっき液としては、例えば、硫酸銅等の銅の供給源となる銅塩類と、ホルムアルデヒド等の還元剤とを主成分とする無電解銅めっき液を用いることができる。
【００５５】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、銅めっき層３ｂの露出表面に金めっき層等の保護めっき層（図示せず）が被着されていてもよい。また、ニッケルめっき層３ａが、複数の副ニッケルめっき層（図示せず）からなるものでもよく、複数の副ニッケルめっき層が互いに異なる添加材（ホウ素、リン等のニッケルとの合金成分、または無機粒子等）を含むものであってもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・絶縁基板
２・・・配線導体
３・・・めっき層
３ａ・・・ニッケルめっき層
３ｂ・・・銅めっき層
３ｃ・・・触媒層
３ｃｃ・・・金粒子（金の粒子）
９・・・配線基板
【図１】
0006457304.tif 000002
【図２】
0006457304.tif 000003