(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた複数の実装ブロック毎に、サブ基板を半田接合する実装装置であって、サブ基板を基板の実装ブロックに加圧する加圧手段と、
基板を載置する基板ステージと、を備え、
基板ステージは、基板搬入領域と基板搬出領域が設けられており、
基板搬入領域から基板搬出領域に基板を移動する基板移動手段を備え、
基板搬入領域と基板搬出領域は、基板の実装ブロックに対応した区画で、ブロックで区切られており、
各ブロックは、半田が溶融する温度まで加熱可能な加熱手段を備えているブロックと、フラックスが揮発しない温度以下に保たれているブロックとから構成され、
基板搬入領域に、フラックスが揮発しない温度以下に保たれたブロックを少なくとも１箇所、備え、
基板を基板搬入領域に投入した後、フラックスが揮発しない温度に保たれているブロック以外のブロックに対応する基板の実装ブロックにサブ基板を半田接合した後、基板搬入領域の全ての加熱手段を備えているブロックの加熱手段をオフし、基板を基板搬出領域に移動し、サブ基板が未実装の実装ブロックにサブ基板を半田接合する制御手段を備えた実装装置。
【請求項２】
請求項１に記載の実装装置において、
基板搬入領域と基板搬出領域が直列に配置され、基板搬入領域と基板搬出領域の共通領域にフラックスが揮発しない温度以下に保たれたブロックを備えた実装装置。
【請求項３】
請求項１に記載の実装装置において、
基板搬入領域と基板搬出領域が直列又は並列に配置され、基板搬出領域でサブ基板を基板に半田接合中に新たな基板を基板搬入領域に投入することを制御する制御手段を備えた実装装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の実装装置において、
加圧手段にサブ基板を加熱する加熱手段を備えた実装装置。
【請求項５】
請求項４に記載の実装装置において、
基板ステージの加熱手段に冷却手段を備えた実装装置。
【請求項６】
基板に設けられた複数の実装ブロック毎に、サブ基板を半田接合する実装方法であって、サブ基板を基板の実装ブロックに加圧する加圧手段と、
基板を載置する基板ステージと、を備え、
基板ステージは、基板搬入領域と基板搬出領域が設けられており、
基板搬入領域から基板搬出領域に基板を移動する基板移動手段を備え、
基板搬入領域と基板搬出領域は、基板の実装ブロックに対応した区画で、ブロックで区切られており、
各ブロックは、半田が溶融する温度まで加熱可能な加熱手段を備えているブロックと、フラックスが揮発しない温度以下に保たれているブロックとから構成され、
基板搬入領域に、フラックスが揮発しない温度以下に保たれたブロックを少なくとも１箇所、備える実装装置を用いて、
基板を基板搬入領域に投入するステップと、
フラックスが揮発しない温度に保たれているブロック以外のブロックに対応する基板の実装ブロックにサブ基板を半田接合するステップと、
基板搬入領域の全ての加熱手段を備えているブロックの加熱手段をオフするステップと、
基板を基板搬出領域に移動するステップと、
サブ基板が未実装の実装ブロックにサブ基板を半田接合するステップと、
全実装ブロックにサブ基板が半田接合された基板を基板搬出領域から払い出すステップと、
を有する実装方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップが実装された基板に、さらにサブ基板を積層する実装装置および実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップが実装された基板の高密度実装が求められている。高密度実装の一つとして、部品内蔵基板や部品埋め込み基板、エンベデッド基板と呼ばれる基板がある。部品埋め込み基板の一例を図７に示す。図７は、部品埋め込み基板の概略側面図で、ベース基板５０に半導体チップ５１がフリップチップ接続され、半導体チップ５１の周辺にはサブ基板５２と半田バンプ５３で接続可能な電極パッド５４が配置されている。サブ基板５２とベース基板５０とは位置合わせされた後、半田バンプ５３と電極パッド５４が熱圧着工法で半田接合される。ベース基板５０と半導体チップ５１の空隙には樹脂５５が充填される（例えば、特許文献１に示す半導体パッケージ）。【０００３】
図８にベース基板５０とサブ基板５２の概略斜視図を示す。ベース基板５０には、複数の半導体チップ５１が実装されるようになっている。また、複数個の半導体チップ５１の個々を覆うように、サブ基板５２が実装される。例えば、図８のベース基板５０の場合、２枚のサブ基板５２が横並びで実装されている。以下、サブ基板５２に対応するベース基板５０の実装エリアを実装ブロックと呼ぶ。図８の場合、第１実装ブロック３０１と第２実装ブロック３０２がベース基板５０に設けられている。サブ基板５２の実装に際し、ベース基板５０は基板ステージ６０に吸着保持されている。基板ステージ６０の概略平面図を図９に示す。基板ステージ６０は、サブ基板５２の実装ブロックに対応して、第１ブロック６１，第２ブロック６３というようにブロック毎に分かれており、各ブロックには第１ステージヒータ６２，第２ステージヒータ６４が埋め込まれている。【０００４】
図１０に第１実装ブロック３０１，第２実装ブロック３０２の順にサブ基板５２を実装した場合の実装サイクルを示す。第１実装ブロック３０１にサブ基板５２を実装する際、第１ブロック６１の第１ステージヒータ６２の昇温を行い、所定の時間、加圧と加熱が行われる。その後、第１ステージヒータ６２はオフ状態となり自然冷却が開始される。サブ基板５２に設けられている半田バンプ５３は、溶融温度から固相温度以下に冷却されていく。続いて、第１ブロック６１の隣の第２ブロック６３に埋め込まれた第２ステージヒータ６４の昇温を開始する。第１実装ブロック３０１と同様に、第２実装ブロック３０２にサブ基板５２が所定時間、加圧および加熱される。その後、第２ステージヒータ６４がオフ状態となり、自然冷却が開始される。ベース基板５０は、基板ステージ６０から払い出し（搬出）される。ベース基板５０の電極パッド５４には、半田接合の際に金属表面の酸化膜を除去し良好な半田接合を行うためのフラックス５６が塗布されている。フラックス５６は、揮発性があるため半田接合を行う前は揮発しない温度に保たれている必要がある。そのため基板ステージ６０が、フラックス５６が揮発しない温度以下まで自然冷却した後、新たなベース基板５０を基板ステージ６０に投入（搬入）できるようになる。このように、一枚のベース基板５０への実装サイクルは、第１実装ブロック３０１の半田接合時間＋第２実装ブロック３０２の半田接合時間＋基板ステージ６０の冷却時間（フラックスが揮発しない温度になるまでの時間）の関係となる。なお、一度加熱したステージヒータをオフし自然冷却でフラックスが揮発しない温度以下まで到達する時間と、実装ブロック１箇所への実装時間は、ほぼ同じ時間を要するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−９７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そのため、基板ステージ６０がフラックスを揮発させない温度以下になるまで、次のベース基板を投入（搬入）することができないため、実装サイクルタイムが長くなり生産性が上がらないという問題がある。【０００７】
そこで、本発明の課題は、基板に設けられた複数の実装ブロック毎に、サブ基板を半田工法で実装する際に、実装サイクルタイムを短縮し生産性が向上する実装装置および実装方法を提供することとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
基板に設けられた複数の実装ブロック毎に、サブ基板を半田接合する実装装置であって、サブ基板を基板の実装ブロックに加圧する加圧手段と、
基板を載置する基板ステージと、を備え、
基板ステージは、基板搬入領域と基板搬出領域が設けられており、
基板搬入領域から基板搬出領域に基板を移動する基板移動手段を備え、
基板搬入領域と基板搬出領域は、基板の実装ブロックに対応した区画で、ブロックで区切られており、
各ブロックは、半田が溶融する温度まで加熱可能な加熱手段を備えているブロックと、フラックスが揮発しない温度以下に保たれているブロックとから構成され、
基板搬入領域に、フラックスが揮発しない温度以下に保たれたブロックを少なくとも１箇所、備え、
基板を基板搬入領域に投入した後、フラックスが揮発しない温度に保たれているブロック以外のブロックに対応する基板の実装ブロックにサブ基板を半田接合した後、基板搬入領域の全ての加熱手段を備えているブロックの加熱手段をオフし、基板を基板搬出領域に移動し、サブ基板が未実装の実装ブロックにサブ基板を半田接合する制御手段を備えた実装装置である。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、基板ステージに基板搬入領域と基板搬出領域が設けられ、基板搬入領域から基板搬出領域に基板を移動する基板移動手段を備えている。フラックスが揮発しない温度に保たれているブロック以外のブロックに対応する基板の実装ブロックにサブ基板を半田接合した後、基板搬入領域の全ての加熱手段を備えているブロックの加熱手段をオフし、基板を基板搬出領域に移動し、サブ基板が未実装の実装ブロックにサブ基板を半田接合するので、基板搬入領域の各ブロックをフラックスが揮発しない温度に保つことができる。したがい、最後の実装ブロックの半田接合の後、基板ステージのブロックが冷却する時間まで待つこと無く、新たな基板を基板搬入領域に投入することができる。そのため、実装サイクルタイムを短縮し、生産性を向上させることができる。なお、加熱手段を備えているブロックの加熱手段をオフすると、一回の半田接合時間で、フラックスを揮発しない温度まで冷却されるものとする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の実装装置において、
基板搬入領域と基板搬出領域が直列に配置され、基板搬入領域と基板搬出領域の共通領域にフラックスが揮発しない温度以下に保たれたブロックを備えた実装装置である。【００１１】
請求項２に記載の発明によれば、基板搬入領域と基板搬出領域の共通領域を備えているので、基板搬出領域で基板の最後の実装ブロックにサブ基板を半田接合した後、基板の払い出しを行えば、基板搬入領域の各ブロックはフラックスが揮発しない温度に保つことができ、さらに共通化による設備の省スペース化を図ることができる。【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の実装装置において、
基板搬入領域と基板搬出領域が直列又は並列に配置され、基板搬出領域でサブ基板を基板に半田接合中に新たな基板を基板搬入領域に投入することを制御する制御手段を備えた実装装置である。【００１３】
請求項３に記載の発明によれば、基板搬出領域でサブ基板を半田接合中に新たな基板を基板搬入領域に搬入するので、一枚の基板への実装サイクルタイムを短縮することができる。【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の実装装置において、
加圧手段にサブ基板を加熱する加熱手段を備えた実装装置である。【００１５】
請求項４に記載の発明によれば、加圧手段に加熱手段を備えているので、サブ基板が基板ステージと加圧手段から加熱され、サブ基板の半田接合を短時間に行うことができる。  【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の実装装置において、
基板ステージの加熱手段に冷却手段を備えた実装装置である。【００１７】
請求項５に記載の発明によれば、基板ステージの加熱手段に冷却手段を備えているので、加熱されたブックを冷却手段でより早く冷却することができるので一枚の基板での実装サイクルを短縮することができる。【００１８】
請求項６に記載の発明は、
基板に設けられた複数の実装ブロック毎に、サブ基板を半田接合する実装方法であって、サブ基板を基板の実装ブロックに加圧する加圧手段と、
基板を載置する基板ステージと、を備え、
基板ステージは、基板搬入領域と基板搬出領域が設けられており、
基板搬入領域から基板搬出領域に基板を移動する基板移動手段を備え、
基板搬入領域と基板搬出領域は、基板の実装ブロックに対応した区画で、ブロックで区切られており、
各ブロックは、半田が溶融する温度まで加熱可能な加熱手段を備えているブロックと、フラックスが揮発しない温度以下に保たれているブロックとから構成され、
基板搬入領域に、フラックスが揮発しない温度以下に保たれたブロックを少なくとも１箇所、備える実装装置を用いて、
基板を基板搬入領域に投入するステップと、
フラックスが揮発しない温度に保たれているブロック以外のブロックに対応する基板の実装ブロックにサブ基板を半田接合するステップと、
基板搬入領域の全ての加熱手段を備えているブロックの加熱手段をオフするステップと、
基板を基板搬出領域に移動するステップと、
サブ基板が未実装の実装ブロックにサブ基板を半田接合するステップと、
全実装ブロックにサブ基板が半田接合された基板を基板搬出領域から払い出すステップと、
を有する実装方法である。
【００１９】
請求項６に記載の発明によれば、基板搬入領域の各ブロックは、基板搬出領域で未実装の実装ブロックにサブ基板を半田接合した後、フラックスが揮発しない温度に保つことができるので、新たな基板を基板搬入領域に投入することができる。そのため、１枚の基板へのサブ基板の実装サイクルタイムを短縮することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、基板に設けられた複数の実装ブロック毎に、サブ基板を半田工法で実装する際に、実装サイクルタイムを短縮し生産性が向上する実装装置および実装方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実装装置の概略側面図である。
【図２】実装ブロックが２箇所のベース基板にサブ基板を半田接合する基板ステージの概略平面図である。
【図３】実装装置の動作フローチャートである。
【図４】実装サイクルを説明する図である。
【図５】基板搬入領域と基板搬出領域のブロックの一部が共通のブロックである基板ステージの概略平面図である。
【図６】基板の実装ブロックがｎ個の際に用いる基板ステージの概略平面図である。
【図７】部品埋め込み基板の概略側面図である。
【図８】ベース基板とサブ基板の概略斜視図である。
【図９】基板ステージの概略平面図である。
【図１０】従来の実装サイクルを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実装装置１の概略側面図である。図１において、実装装置１に向かって左右方向をＸ軸、前後方向をＹ軸、Ｘ軸とＹ軸で構成されるＸＹ平面に直交する軸をＺ軸（上下方向）、Ｚ軸周りをθ軸とする。
【００２３】
実装装置１は、ベース基板５０を吸着保持する基板ステージ６０と、サブ基板５２を吸着保持するボンディングヘッド８と、サブ基板５２とベース基板５０に設けられた位置合わせマークを認識する２視野カメラ１３と、実装装置１全体を制御する制御部２０とから構成されている。
【００２４】
基板ステージ６０は、図示していない吸引ポンプなどの吸引手段と配管が接続されており、基板ステージ６０上のベース基板５０を吸着保持することが出来る。また、基板ステージ６０は、水平方向（ＸＹ方向）に移動可能になっている。
【００２５】
図２に基板ステージ６０の概略平面図を示す。基板ステージ６０は、基板搬入領域６０Ａと基板搬出領域６０Ｂに分かれている。サブ基板５２が未実装のベース基板５０は、基板搬入領域６０Ａに搬入される。基板搬入領域６０Ａから基板搬出領域６０Ｂへのベース基板５０の移動には、基板移動治具２５が用いられる。基板移動治具２５は、例えば、ベース基板５０の両サイドを把持するアーム２６と、アーム２６を水平移動させるスライダ２７で構成されている。基板移動治具２５は、本発明の基板移動手段に対応する。
【００２６】
基板搬入領域６０Ａと基板搬出領域６０Ｂは、ベース基板５０の実装ブロックに対応してブロック分けされている。図２はベース基板５０の実装ブロックが２箇所の場合の基板ステージ６０の例を示す。基板搬入領域６０Ａ側のブロックをそれぞれ、第１ブロック６１Ａ，第２ブロック６３Ａとする。また、基板搬出領域６０Ｂ側の実装ブロックをそれぞれ、第１ブロック６１Ｂ，第２ブロック６３Ｂとする。実装ブロックを加熱するステージヒータは、２箇所に配置されており、それぞれ第１ブロック６０Ａに第１ステージヒータ６２、第２ブロック６３Ｂに第２ステージヒータ６４が埋め込まれている。第１ステージヒータ６２と第２ステージヒータ６４は、ベース基板５０へのサブ基板５２の半田接合の際、半田が溶融できる温度まで加熱可能となっている。基板搬入領域６０Ａ側の第２ブロック６３Ａと、基板搬出領域６０Ｂ側の第１ブロック６１Ｂにはステージヒータは埋め込まれておらず、ベース基板５０の電極パッド５４に塗布されているフラックス５６が揮発しない温度以下に保たれている。
【００２７】
ボンディングヘッド８は、Ｚ軸方向およびθ軸方向に移動可能で、サブ基板５２を吸着保持して、ベース基板５０の実装ブロックに加圧および加熱することができるようになっている。また、ボンディングヘッド８は図示していない吸引ポンプなどの吸引手段と配管が接続されておりサブ基板５２を吸着保持できるようになっている。ボンディングヘッド８は、本発明の加圧手段に対応する。
【００２８】
ベース基板５０とサブ基板５２は、図７に示すように、フラックス５６が転写された半田バンプ５３をベース基板５０に設けられた電極パッド５４に半田接合する構成となっている。また、ベース基板５０には、図８に示すように実装ブロックが第１実装ブロック３０１、第２実装ブロック３０２が設けられている。ベース基板５０は、本発明の基板に対応する。
【００２９】
このように構成された実装装置１を用いて、サブ基板５２が未実装のベース基板５０にサブ基板５２を実装し、新たなベース基板５０を投入（搬入）する手順を図３の動作フローチャートを用いて以下に説明する。
【００３０】
まず、ベース基板５０を基板ステージ６０の基板搬入領域６０Ａに投入（搬入）する（ステップＳＰ０１）。
【００３１】
次に、第１ブロック６１Ａをボンディングヘッド８の下側に位置するように基板ステージ６０を移動させる（ステップＳＰ０２）。
【００３２】
次に、サブ基板５２を吸着保持したボンディングヘッド８とベース基板５０の間に、２視野カメラ１３が挿入されベース基板５０の第１実装ブロック３０１とサブ基板５２の位置合わせが行われる（ステップＳＰ０３）。
【００３３】
次に、第１ブロック６１Ａに埋め込まれている第１ステージヒータ６２を昇温する（ステップＳＰ０４）。
【００３４】
次に、ボンディングヘッド８が下降し、ベース基板５０の第１実装ブロック３０１にサブ基板５２を加圧する。第１ステージヒータ６２からの加熱により、サブ基板５２の半田バンプ５３の溶融が開始する（ステップＳＰ０５）。
【００３５】
次に、所定時間のベース基板５０への加圧の後、サブ基板５２の吸着保持を解除し、ボンディングヘッド８を上昇させ、第１ブロック６１Ａの第１ステージヒータ６２をオフする。半田バンプ５３の固相と第１ブロック６１Ａの自然冷却が開始する（ステップＳＰ０６）。
【００３６】
次に、ベース基板６０を基板搬入領域６０Ａから基板搬出領域６０Ｂに基板移動治具２５を用いて移動させる。基板搬出領域６０Ｂの第１ブロック６１Ｂはフラックス５６が揮発しない温度以下に保たれているのでベース基板６０のサブ基板５２が半田接合された第１実装ブロック３０１は冷却を継続する（ステップＳＰ０７）。
【００３７】
次に、基板ステージ６０を水平移動させて基板搬出領域６０Ｂの第２ブロック６３Ｂが、ボンディングヘッド８の下側に来るようにする（ステップＳＰ０８）。
【００３８】
次に、サブ基板５２を吸着保持したボンディングヘッド８とベース基板５０の間に、２視野カメラ１３が挿入されベース基板５０の第２実装ブロック３０２とサブ基板５２の位置合わせが行われる（ステップＳＰ０９）。
【００３９】
次に、第２ブロック６３Ｂに埋め込まれている第２ステージヒータ６４を昇温する（ステップＳＰ１０）。
【００４０】
次に、ボンディングヘッド８が下降し、ベース基板５０の第２実装ブロック３０２にサブ基板５２を加圧する。第２ステージヒータ６４からの加熱により、サブ基板５２の半田バンプ５３の溶融が開始する（ステップＳＰ１１）。
【００４１】
次に、所定時間のベース基板５０への加圧の後、サブ基板５２の吸着保持を解除し、ボンディングヘッド８を上昇させ、第２ブロック６３Ｂの第２ステージヒータ６４をオフする。半田バンプ５３の固相と第２ブロック６３Ｂの自然冷却が開始する（ステップＳＰ１２）。
【００４２】
次に、基板搬入領域６０Ａに新たなベース基板５０を投入（搬入）する。基板搬入領域６０Ａの第１ブロック６１Ａおよび第２ブロック６３Ａは、ステップＳＰ１０からステップＳＰ１２の間で、フラックス５６を揮発しない温度以下となっている。そのため、新たなベース基板５０を投入（搬入）しても、電極パッド５４に塗布されたフラックス５６は揮発しない。したがい、第２ブロック６３Ｂがフラックス５６を揮発しない温度以下まで待つこと無く新たなベース基板５０を投入（搬入）することができるので、ベース基板５０の１枚の実装サイクルを短縮することができる（ステップＳＰ１３）。
【００４３】
次に、基板搬出領域６０Ｂからサブ基板５２が半田接合されたベース基板５０を払い出し（搬出）する（ステップＳＰ１４）。
【００４４】
以降、ステップＳＰ０２に戻り、新たなベース基板５０へのサブ基板５２の半田接合を継続する。
【００４５】
このような実装手順を行った場合の実装サイクルを図４に示す。図４は、ベース基板５０へのサブ基板５２の実装時間を横軸に示し、縦軸に各ステージヒータの昇温および冷却の温度プロファイルを示している。１枚の基板の実装時間は、第１実装ブロック３０１，第２実装ブロック３０２の総和となる。これは、新たなベース基板５０へのサブ基板５２の実装作業が上記第２実装ブロック３０２での半田接合が終わりしだい開始できるので、従来の実装サイクルに比べて実装時間を短縮することができるようになる。
【００４６】
図５（ａ）は、基板搬入領域６０Ａと基板搬出領域６０Ｂが直列に配置され、フラックス５６が揮発しない温度以下に保たれているブロックが、基板搬入領域６０Ａと基板搬出領域６０Ｂの共通領域に設けられている場合の基板ステージ６０を示している（基板搬入領域６０Ａを一点鎖線で、基板搬出領域６０Ｂを２点鎖線で示した）。図２で使用した基板ステージ６０に対応する符号を図５（ａ）に示すと、共通領域は第２ブロック６３Ａと第１ブロック６１Ｂが同じブロックとなる。なお、図５（ａ）に、第１ブロック６１Ａに設けられた第１ステージヒータ６２、第２ブロック６３Ｂに設けられた第２ステージヒータ６４を図２と同様に書き込んでいる。
【００４７】
図５（ａ）の基板ステージ６０の場合、ベース基板５０が基板搬入領域６０Ａに投入（搬入）された後、第１実装ブロック３０１にサブ基板５２が半田接合される（図５（ｂ）に示す状態。ベース基板５０は、図５（ａ）に重ねて記載した。）。その後、ベース基板５０が基板搬出領域６０Ｂに移動するとともに、第１ブロック６１Ａの第１ステージヒータ６２をオフする。基板搬出領域６０Ｂで、第２実装ブロック３０２へのサブ基板５２の半田接合が行わる（図５（ｃ）に示す状態。ベース基板は、図５（ａ）に重ねて記載した。）。この間に基板搬入領域６０Ａの第１ブロック６１Ａは、フラックス５６を揮発しない温度以下まで冷却される。基板搬入領域６０Ａの第１ブロック６１Ａと第２ブロック６０Ｂは、フラックス５６を揮発しない温度以下となったため、基板搬出領域６０Ｂでサブ基板５２を半田接合後、ベース基板５０を払い出し（搬出）することで、すぐに新たなベース基板５０を基板搬入領域６０Ａに投入（搬入）することができるようになる。したがい、図４で示したベース基板５０の一枚あたりの実装サイクルを得ることができるようになる。さらに、基板ステージ６０に基板搬入領域６０Ａと基板搬出領域６０Ｂの共通領域を設けたため装置の省スペース化も図ることができる。
【００４８】
図６（ａ）は、ベース基板５０の実装ブロックがｎ箇所（ｎ＞２）のときに用いる基板ステージ６０の一例である。基板ステージ６０には、ブロック数がｎ箇所の基板搬入領域６０Ａおよび基板搬出領域６０Ｂが設けられている。基板搬入領域６０Ａのブロックにはｎ−１箇所に半田が溶融する温度まで加熱可能なステージヒータが埋め込まれ、１箇所だけフラックス５６が揮発しない温度以下に保たれているブロックを設けている。基板搬出領域６０Ｂのブロックには、基板搬入領域６０Ａでフラックス５６が揮発しない温度以下に保たれているブロックに対応したブロックに、半田が溶融する温度まで加熱可能なステージヒータが埋め込まれ、他のブロックはフラックス５６が揮発しない温度以下に保たれている。
【００４９】
ベース基板５０は、基板搬入領域６０Ａに投入（搬入）された後、サブ基板５２が順次、半田接合されていく。半田接合が行われたブロックのステージヒータはオフされ冷却されていく（図６（ｂ）に示す状態）。ステージヒータが埋め込まれたブロックを使って、ベース基板５０の総実装ブロック数−１までサブ基板５２を半田接合した後、ベース基板５０は基板搬出領域６０Ｂに移動し、最後の実装ブロックにサブ基板５２を半田接合する（図６（ｃ）に示す状態）。その間、基板搬入領域６０Ａの全ブロックは、フラックス５６を揮発しない温度以下に冷却される。そして、新たなベース基板５０を基板搬入領域６０Ａに投入（搬入）することができるようになるので、図４で示したベース基板５０の一枚あたりの実装サイクルを得ることができるようになる。
【００５０】
このように、基板ステージ６０に基板搬入領域６０Ａと基板搬出領域６０Ｂを設け、基板搬入領域６０Ａに少なくとも１箇所、フラックス５６を揮発しない温度以下に保たれているブロックを設け、総実装ブロック数−１箇所までサブ基板５２を半田接合した後、基板搬出領域６０Ｂに移動し、最後の実装ブロック（未実装ブロック）にサブ基板５２を半田接合するようにすれば、全ての実装ブロックにサブ基板５２を半田接合した後、基板ステージ６０の冷却時間（フラックス５６を揮発しない温度以下までの時間）を待つこと無く、新たなベース基板５０を基板ステージ６０に投入（搬入）することができるので実装サイクルタイムを短縮することができる。
【００５１】
また、ボンディングヘッド８にサブ基板５２を加熱する加熱手段としてセラミックヒータなどを備えると、さらに半田接合の時間が短縮され実装サイクルタイムの短縮に繋がる。
【００５２】
また、基板ステージ６０のステージヒータの埋め込まれたブロックに、冷却水が循環する冷水管などの冷却手段を埋め込めば、サブ基板５２の半田接合の後、速やかにブロックをフラックス５６が揮発しない温度以下まで冷却することができるので、さらに実装サイクルタイムの短縮が図れる。
【符号の説明】
【００５３】
１    実装装置
８    ボンディングヘッド
１３    ２視野カメラ
２０    制御部
２５    基板移動治具
２６    アーム
２７    スライダ
３０    基板搬入領域
４０    基板搬出領域
５０    ベース基板
５１    半導体チップ
５２    サブ基板
５３    半田バンプ
５４    電極パッド
５５    樹脂
５６    フラックス
６０    基板ステージ
６０Ａ    基板搬入領域
６０Ｂ    基板搬出領域
６１    第１ブロック
６１Ａ    第１ブロック
６１Ｂ    第１ブロック
６２    第１ステージヒータ
６３    第２ブロック
６３Ａ    第２ブロック
６３Ｂ    第２ブロック
６４    第２ステージヒータ
３０１    第１実装ブロック
３０２    第２実装ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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