(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１本のシーリング溝を有する表面であって、前記表面が、
エラストマシールを受容するように構成された１本のシーリング溝が形成されている表面を含み、前記１本のシーリング溝が、
完全な鳩尾形状を有する第１の部分と、半鳩尾形状の非連続的な形状を有する少なくとも一つの第２の部分とを有し、前記第１の部分と前記少なくとも一つの第２の部分が前記１本のシーリング溝の周縁の少なくとも一部を形成する、表面。
【請求項２】
前記完全な鳩尾形状が、前記シーリング溝の外壁から半径方向内側に伸びるタブを形成している、請求項１に記載の表面。
【請求項３】
前記完全な鳩尾形状が、前記シーリング溝の内壁から半径方向外側に伸びるタブを形成している、請求項１に記載の表面。
【請求項４】
前記完全な鳩尾形状が、前記シーリング溝の内壁から半径方向外側に、且つ前記シーリング溝の外壁から半径方向内側に伸びるタブを形成している、請求項１に記載の表面。
【請求項５】
前記鳩尾の壁が前記鳩尾の底面から６０度の角度をなす、請求項１に記載の表面。
【請求項６】
前記完全な鳩尾形状の狭い部分が４．５８ｍｍの開口を有し、前記半鳩尾形状の狭い部分が５．７１ｍｍの開口を有する、請求項１に記載の表面。
【請求項７】
前記タブが、前記シーリング溝の前記外壁に沿った１２の等距離に離間された位置にある、請求項２に記載の表面。
【請求項８】
前記外壁における前記タブへの及び前記タブからの遷移部が、１ｍｍの半径を有する、請求項２に記載の表面。
【請求項９】
底部と側壁とを含むチャンバ本体、及び開位置と閉位置との間で可動なリッドアセンブリ、並びに
前記リッドアセンブリ及び前記チャンバ本体のうちの一方の表面に形成された少なくとも１本のシーリング溝
を備え、
前記少なくとも１本のシーリング溝は、エラストマシールを受容するように構成された１本のシーリング溝であって、完全な鳩尾形状を有する第１の部分と、半鳩尾形状を有する少なくとも一つの第２の部分とを有し、前記第１の部分と前記少なくとも一つの第２の部分が前記１本のシーリング溝の周縁の少なくとも一部を形成する、１本のシーリング溝を含む、
真空処理チャンバ。
【請求項１０】
前記完全な鳩尾形状が、前記シーリング溝の外壁から半径方向内側に伸びるタブを形成している、請求項９に記載の真空処理チャンバ。
【請求項１１】
前記完全な鳩尾形状が、前記シーリング溝の内壁から半径方向外側に伸びるタブを形成している、請求項９に記載の真空処理チャンバ。
【請求項１２】
前記鳩尾の壁が前記鳩尾の底面から６０度の角度をなす、請求項９に記載の真空処理チャンバ。
【請求項１３】
前記鳩尾の前記底面が、前記シーリング溝が形成された前記表面の４．１７ｍｍ下方に形成されている、請求項１２に記載の真空処理チャンバ。
【請求項１４】
前記完全な鳩尾形状の狭い部分が４．５８ｍｍの開口を有し、前記半鳩尾形状の狭い部分が５．７１ｍｍの開口を有する、請求項９に記載の真空処理チャンバ。
【請求項１５】
前記タブが、前記シーリング溝の前記外壁に沿った１２の等距離に離間された位置にある、請求項１０に記載の真空処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に記載の実施形態は、広くは、真空処理チャンバをシールする装置及び方法に関する。より詳細には、本明細書の実施形態は、真空処理チャンバのシーリング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の半導体集積回路（ＩＣ）の製造プロセスにおいては、事前に形成された層や構造物の上に様々な材料層を生成する必要がある。製造プロセスでは、ＩＣが完全に形成されるまでに、様々な真空処理チャンバ内で厳格に制御された複数の工程が含まれることが多い。プラズマ処理を厳密に制御し真空処理チャンバ内から汚染物質を除去するために、チャンバガスが排気される。従って、プラズマ支援型エッチング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、ロードロック、及び移送用のチャンバなどの真空処理チャンバが、真空状態下で動作するように設計される。真空引きの際に真空処理チャンバ内に外気が引き込まれないよう、且つ、真空処理チャンバ内で負圧が維持されるよう、真空処理チャンバは、開口又は接続面に沿ったシールを有する。
【０００３】
プラズマ処理チャンバなどの真空処理チャンバには、高温で動作するものがある。例えば、シリコンの堆積及び金属のエッチングは、非常に高いチャンバ温度で行われることが多い。このようなプラズマチャンバの高温はチャンバ部品の熱膨張を引き起こし、チャンバ真空シールの不具合の原因となり得る。シール不具合によりシール自体が損傷し、シール交換のため、コスト増となるチャンバの不稼働時間が必要となる。高温でのシールの課題を軽減しようと大型のシール溝を利用するチャンバ製造者も存在する。しかしながら、より低い温度では、過大な大きさのシール溝からＯリングが落下する傾向にある。
【０００４】
従って、真空処理システムでの使用に適した改善されたシーリング技術が求められている。
【発明の概要】
【０００５】
本明細書に記載の実施形態は、広く言えば、高温出の使用に適したシーリング溝に関する。幾つかの実施形態で、当該シーリング溝は、真空処理チャンバなどでの使用に特に適している。
【０００６】
一実施形態では、表面にシーリング溝が形成されている。シーリング溝は、エラストマシールを受容するように構成されている。シーリング溝は、完全な鳩尾（ｄｏｖｅｔａｉｌ）形状を有する第１の部分を含み、少なくとも第２の部分においては半鳩尾形状を有する。
【０００７】
別の実施形態では、真空処理チャンバは、底部と側壁とを有するチャンバ本体、開位置と閉位置との間で可動なリッドアセンブリ、及び、リッドアセンブリとチャンバ本体とのうちの一方に形成されるシーリング溝、を含む。シーリング溝は、エラストマシールを受容するように構成されており、完全な鳩尾形状を有する第１の部分を含み、少なくとも第２の部分においては半鳩尾形状を有する。
【０００８】
更に別の実施形態では、シーリング溝が表面に配置される。シーリング溝は、完全な鳩尾形状を有する第１の部分を含み、少なくとも第２の部分においては半鳩尾形状を有する。
【０００９】
本発明の上述のような特徴が詳細に理解されるよう、上記で簡単に概説した本発明のより具体的な記載が、実施形態を参照することによって得られる。これら実施形態の幾つかは添付の図面で示される。しかし、発明は他の等しく有効な実施形態も許容し得るため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示しており、従って発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】シーリング溝の一実施形態を有する例示的な真空処理チャンバの断面図である。
【図２】シーリング溝を含む真空処理チャンバのリッドの底面図である。
【図３】図２に示すシーリング溝の部分拡大上面図である。
【図４】図３の切断線Ａ−Ａに沿って切り取ったシーリング溝の断面図である。
【図５】図３の切断線Ｂ−Ｂに沿って切り取ったシーリング溝の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図されている。
【００１２】
本明細書に記載の実施形態は、広くは、広範囲の動作温度にわたり真空処理チャンバ内の圧力制御を可能にするシール技術に関する。本明細書に記載のシール技術は、シールの膨張に適応しながらも低温及び高温状態の双方においてシールを溝内に保持可能なシーリング溝を含む。真空処理チャンバ内で利用されるシーリング溝が開示されているが、当該シーリング溝は、他の表面間で、とりわけシールが高温に晒される用途において、シールを保持するために用いられてもよい。
【００１３】
様々な真空処理チャンバを改変して、本明細書に記載のシーリング溝を組み込むことができる。例えば、本発明のシーリング溝は特に、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、エッチングチャンバ、アニールチャンバ、ファーネス、プラズマ処置チャンバ、移送チャンバ、ロードロックチャンバ、及び注入チャンバで使用され得る。
【００１４】
図１は、シーリング溝１０１を有する例示的な真空処理チャンバ１００を示す。例示的な真空処理チャンバ１００は、エッチング処理チャンバとして構成されており、一又は複数の材料層を基板から除去するのに適している。真空処理チャンバ１００は、チャンバリッドアセンブリ１１０によって封止されて処理チャンバ容積１５２を内部に画定しているチャンバ本体１０５を含む。チャンバ本体１０５は側壁１１２及び底部１１８を有し、これらは接地１２６に連結され得る。側壁１１２は上面１３２を有する。チャンバ本体１０５及び真空処理チャンバ１００の関連部品の寸法は限定的なものではなく、一般的に、処理される基板１２０のサイズに比例して大きくなる。基板サイズの例としては、限定しないが、１５０ｍｍ直径、２００ｍｍ直径、３００ｍｍ直径、及び４５０ｍｍ直径の基板１２０が含まれる。
【００１５】
チャンバ本体１０５はアルミニウム又は他の適切な材料から作製され得る。チャンバ本体１０５の側壁１１２を貫通して基板アクセスポート１１３が形成されており、これが真空処理チャンバ１００内外への基板１２０の搬送を容易にする。アクセスポート１１３は、搬送チャンバ及び／又は基板処理システムの他のチャンバ（双方とも図示せず）に連結されていてよい。
【００１６】
ガス源１６０は、チャンバ本体１０５又はリッドアセンブリ１１０を貫通して形成された吸気口１６１を通じて、処理ガスを処理チャンバ容積１５２内に供給する。一又は複数の実施形態で、処理ガスはエッチャント及びパッシべーションガスを含み得る。
【００１７】
シャワーヘッド１１４がリッドアセンブリ１１０に連結され得る。シャワーヘッド１１４は、吸気口１６１を通じてチャンバ容積１５２に入る処理ガスを分配するための複数のガス送達孔１５０を有する。シャワーヘッド１１４は、整合回路１４１を通じてＲＦ電源１４２に接続され得る。シャワーヘッド１１４に提供されるＲＦ電力は、シャワーヘッド１１４を出る処理ガスを励起し、処理チャンバ容積１５２内でプラズマを形成させる。
【００１８】
処理チャンバ容積１５２内で、シャワーヘッド１１４の下方に基板支持ペデスタル１３５が配置されている。基板支持ペデスタル１３５は、処理中に基板１２０を保持するための静電チャック（ＥＳＣ）１２２を含み得る。ＥＳＣ１２２上に、及び基板支持ペデスタル１３５の周縁に、リングアセンブリ１３０が配置されている。リングアセンブリ１３０は、エッチングガスラジカルの分布を基板１２０のエッジで制御するように構成されている一方、基板支持ペデスタル１３５の上面を真空処理チャンバ１００内部のプラズマ環境から遮蔽している。
【００１９】
ＥＳＣ１２２は、整合回路１２４と一体化したＲＦ電源１２５から給電される。ＥＳＣ１２２は、誘電性の本体１３３内に埋め込まれた電極１３４を備える。ＲＦ電源１２５は、約２００ボルト〜約２０００ボルトのＲＦチャッキング電圧を電極１３４に供給し得る。ＲＦ電源１２５はまた、基板１２０をチャック及びデチャックするためのＤＣ電流を電極へ案内することによって電極１３４の動作を制御するためのシステムコントローラにも、連結され得る。
【００２０】
基板支持ペデスタル１３５を保護し、基板１２０の温度制御を支援するために、冷却ベース１２９が設けられている。冷却ベース１２９及びＥＳＣ１２２は共に機能して、基板温度を、基板１２０上に製造されるデバイスの熱収支で要求される温度範囲内に維持する。ＥＳＣ１２２が基板加熱用のヒータを含み得る一方、冷却ベース１２９は、熱伝導流体を循環させてＥＳＣ１２２及びその上に配置された基板からの熱をシンクさせるための導管を含み得る。例えば、ＥＳＣ１２２及び冷却ベース１２９は、基板１２０を、ある実施形態では摂氏約マイナス２５度〜摂氏約１００度の温度で、別の実施形態では摂氏約１００度〜摂氏約２００度の範囲の温度で、更に別の実施形態では摂氏約２００度〜摂氏約５００度の温度で、維持するように構成されている。一実施形態で、基板１２０の温度はＥＳＣ１２２及び冷却ベース１２９によって摂氏約１５〜４０度に維持される。
【００２１】
基板１２０を基板支持ペデスタル１３５の上方に持ち上げて、搬送ロボット又はその他の適切な搬送機構による基板１２０へのアクセスを容易にするために、リフトピン（図示せず）が、基板支持ペデスタル１３５を貫通して選択的に移動される。
【００２２】
カソード電極１３８は基板支持ペデスタル１３５内に配置され、一体化された整合回路１３７を通じてＲＦ電源１３６に接続されている。カソード電極１３８は、電力を基板１２０の下方からのプラズマに容量結合する。一実施形態で、ＲＦ電源１３６はカソード電極１３８に、約２００Ｗ〜約１０００ＷのＲＦ電力を供給する。
【００２３】
チャンバ本体１０５の側壁１１２を貫通してポンピングポート１４５が形成され得、排気マニホールド１２３を通じてチャンバ容積に接続される。ポンピングデバイス１７０が、ポンピングポート１４５を通じて処理チャンバ容積１５２に連結されており、内部が排気及び圧力制御される。ポンピングデバイス１７０から排気マニホールド１２３内に引き込まれるプラズマガスの均一性を制御するために、排気マニホールド１２３はバッフルプレート１５４を有する。ポンピングデバイス１７０は、一又は複数のポンプ及びスロットルバルブを含み得る。ポンピングデバイス１７０及びチャンバ冷却設計により、熱収支のニーズに適した温度（例えば、摂氏約−２５度〜摂氏約＋５００度）で、高いベース真空（約１ｘＥ−８Ｔｏｒｒ以下）及び低い立ち上がり速度（約１，０００ｍＴｏｒｒ／分）が可能となる。一実施形態で、ポンピングデバイスは、１０〜３０ｍＴの真空圧力を実現する。
【００２４】
処理中、ガスが真空処理チャンバ１００内に導入され、プラズマが形成されて基板１２０の表面がエッチングされる。基板支持ペデスタル１３５が電源１３６によってバイアスされる。電源１４２はガス源１６０によって供給される処理ガスを励起し、シャワーヘッド１１４にプラズマを形成させる。プラズマからのイオンが基板支持ペデスタル１３５内のカソードに引き付けられ、所望の構造が形成されるまで基板１２０に衝突／エッチングする。
【００２５】
リッドアセンブリ１１０は、真空処理チャンバ１００の内部サービスを容易にするために開位置と閉位置との間で可動である。リッドアセンブリ１１０及びチャンバ本体１０５のうちの一方が一又は複数のシーリング溝１０１を含む。リッドアセンブリ１１０の底面１０２に形成されて図示されているシーリング溝１０１は、シール１０６が内部に配置されている。シール１０６はＯリング又は他の適切なシールであり得、その材料は、予定されている処理状態に応じて選択される。リッドアセンブリ１１０が開位置にあるときは、シール１０６の一部分がリッドアセンブリ１１０の底面１０２の下方を伸びている。リッドアセンブリ１１０が閉位置へと移動されると、シール１０６はチャンバ本体１０５の上面１３２とリッドアセンブリ１１０との間で圧縮され、これにより、リッドアセンブリ１１０をチャンバ本体１０５にシールする。シール１０６の圧縮は、チャンバ容積１５２内に真空状態が存在する場合にチャンバ本体１０５の外からのガス流が処理チャンバ容積１５２に入ることを防止するのに十分である。
【００２６】
リッドアセンブリ１１０内のシーリング溝１０１の構成は、基板１２０上に配置される特定の材料のエッチングに用いる処理パラメータに応じて選択され得、シール１０６の材料選択及び形状が決定づけられる。シーリング溝１０１の構成により、シーリング溝１０１から押し出されることなしに、シール１０６の熱膨張及び収縮が許容される一方、摂氏約４０度以上で１０ｍＴｏｒｒ〜約３０ｍＴｏｒｒの圧力が維持される。シーリング溝１０１とシール１０６との協調によってもたらされる、チャンバ本体１０５とリッドアセンブリ１１０との間の堅牢なシールにより、プラズマ処理のためのより広いウィンドウが可能となり、これがシールの不具合に関連する汚染を防止する。図２を参照すると、シーリング溝１０１の機能がどのように高温でのチャンバ動作を可能にするかを理解するため、シーリング溝１０１がより詳細に示されている。
【００２７】
図２はリッド底部１０２の図であり、シーリング溝１０１を示す。リッド底部１０２は中心２１０を有し、この周囲に外側エッジ２３０及び外エッジ２２０が同心円状に位置合わせされている。外エッジ２２０と外側エッジ２３０との間の、リッドアセンブリ底部１２２の外面２２５は、シーリング溝１０１を受容するために平坦であり得る。リッドアセンブリ１１０が閉位置にあるとき、シーリング溝１０１内に保持されたシール１０６がリッドアセンブリ１１０とチャンバ本体１０５との間で圧縮されるように、シーリング溝１０１は、シーリング溝１０１をチャンバ本体１０５の上部１３２と位置合わせする位置で、外面２２５に形成されている（図１に示す）。
【００２８】
外面２２５は、外側エッジ２３０付近に貫通孔２３２を含み得る。貫通孔２３２はファスナを受容し、側壁１１２の上部１２２に配置されたファスナ受け（図示せず）と位置合わせされる。ファスナはリッドアセンブリ１１０をチャンバ本体１０５に固定するために用いられ得る。一実施形態では、等距離に離間された８個の貫通孔２３２が外面２２５に存在する。
【００２９】
シーリング溝１０１は円形であり得、リッド底部１０２と同心に位置合わせされ得る。シーリング溝１０１は、中心２１０からシーリング溝１０１の外周２６５まで測定された半径２４０を有し得る。代替的に、シーリング溝１０１がその他の平面図形状を有してもよい。例えば、シーリング溝１０１が、正方形、長方形、八角形、多角形、又は基板チャンバの側壁との位置合わせに適した他の平面図形態を有してもよい。
【００３０】
シーリング溝１０１は、中心２１０の近傍の内周２６０と、外エッジ２２０により近い外周２６５とを有し、これらの双方が中心２１０と同心である。内周２６０は円形状である一方、外周２６５は概ね円形であって、シーリング溝１０１内へ伸びる一又は複数の小さなタブ２０１を有する。外周２６５は、シーリング溝１０１が介在しているチャンバ本体１０５のサイズに応じて約２００ｍｍ〜約１０００ｍｍの間で変化する外径を有し得る。一実施形態で、シーリング溝１０１は、約５００ｍｍの外径及び約１，５７０ｍｍの長さの外周２６５を有し得る。
【００３１】
代替的に、シーリング溝１０１が正方形の形状を有してもよい。シーリング溝の４つの辺のすべてが、シーリング溝１０１が介在するチャンバ本体１０５のサイズに応じて約２００ｍｍ〜約１０００ｍｍの間で変化する等しい長さであり得る。一実施形態で、正方形のシーリング溝１０１は、１つの側部に沿った約９００ｍｍの長さ及び約３，６００ｍｍの長さの外周を有し得る。
【００３２】
タブ２０１は、シール溝の外周２６５から伸びている小さな突出部である。シーリング溝１０１の幾つかの部分はタブ２０１を有しない。例えば、タブ２０１に隣接して、オープン部分２０２（即ち、シーリング溝１０１のうちタブ２０１によって限定されていない部分）が示されている。オープン部分２０２とタブ２０１とが、シーリング溝１０１の外周２６５に沿って交互に存在する。例えば、シーリング溝１０１の外周２６５が、オープン部分２０２によって分離された、等距離に離間された１２個のタブ２０１を有し得る。
【００３３】
タブ２０１及びオープン部分２０２の拡大図を図３に示す。タブ２０１は、タブ２０１の、外周２６５との交点から測定した長さ３１０を有し得る。タブ２０１の長さ３１０は、シーリング溝１０１のサイズ、シールの材料、及び予期される動作条件に依存して約２ｍｍ〜約１００ｍｍで変化し得る。一実施形態で、シーリング溝１０１の外周２６５は約１，５７０．８０ｍｍの長さを有し、外周２６５に沿ったタブ２０１の長さ３１０は、それぞれ、約１７．４４ｍｍであり得る一方、隣接するタブ２０１間の１２個のオープン部分２０２のそれぞれの長さは約１１３ｍｍであり得る。
【００３４】
タブ２０１は、外周２６５から半径方向内側に伸びる突出部３１１を有する。別の実施形態では、タブ２０１が、内周２６０から半径方向外側に伸びる突出部３１１を有してもよい。タブ２０１の突出部３１１は、タブ２０１の開始部３５０及び終了部３５１において丸みを帯びたカーブ３２０を有し、これがタブ２０１を外周２６５に接続している。丸みを帯びたカーブ３２０は、シーリング溝１０１内に位置するシール１０６が損傷しないよう、開始部３５０及び終了部３５１において鋭利なエッジを中断（ｂｒｅａｋ）している。一実施形態で、丸みを帯びたカーブ３２０が約１ｍｍの半径を有する。
【００３５】
図４は、図３の線Ａ−Ａに沿ってタブ２０１を貫通して切り取ったシーリング溝１０１の断面図である。図４に示すように、シーリング溝１０１は、タブ２０１を組み込んだ鳩尾形状４００を有する。鳩尾形状４００は、中心軸４０１周囲で実質的に対称であり得る。鳩尾形状４００は、リッドアセンブリ１１０の底面１０２を中断する開口４７０を含む。
【００３６】
開口４７０は、内周２６０及び外周２６５に沿った丸みを帯びたエッジ４２０を有する。丸みを帯びたエッジ４２０は約０．３８ｍｍの半径を有し得る。丸みを帯びたエッジ４２０は、リッドアセンブリ１１０の底面１０２で始まり開口４７０で完結している。開口４７０は、鳩尾形状４００の最も狭い部分である。一実施形態で開口４７０は約４．５８ｍｍである。しかしながら、開口４７０の幅はシール１０６のサイズ及び材料選択に依存する。開口４７０は、リッドアセンブリ１１０が経験し得る範囲の諸条件及び温度下で、シール１０６をシーリング溝１０１内に保持するように選択される。
【００３７】
鳩尾形状４００は、前記開口４７０の下方で広がり、傾斜した壁４２５を含んでいる。壁４２５は、シーリング溝１０１の底部４２０と共に画定される角度４４０を有する。壁４２５の角度４４０は、鳩尾形状４００の両側で同じであり得る。一実施形態で、角度４４０は約６０°であり得る。しかしながら、角度４４０が、他の要因の中でも特に種々のシール形状に応じて変化し得ることを理解されたい。
【００３８】
壁４２５は底部４２６と、底部半径４３０において交差する。底部半径４３０は、底面１０２及びリッドアセンブリ１１０の外面２２５に対して垂直に測定した深さ５３０（図５に示す）において始まる。深さ５３０は、外面２２５から外周２６５に沿って測定される。深さ５３０は約３．５６ｍｍ〜約３．６４ｍｍの間で変化し得る。一実施形態で、シーリング溝１０１の深さ５３０は約３．６０ｍｍである。
【００３９】
内周２６０に沿って、底面１０２は外面２２５によって形成された平面の下で凹んでいる。従って、リッドアセンブリ１１０が閉位置にあるとき、外面２２５は底面１０２よりも側壁１１２の上部１２２に近く、リッドアセンブリ１１０がシールの真空側のチャンバ本体１０５に接触することが防止され、これにより、潜在的な粒子生成が最低限に抑えられる。一実施形態で、底面１０２の平面から外面２２５の平面までの差４１１は約０．２５ｍｍであり得る。
【００４０】
底部半径４３０がシール溝底部４２６の両端に存在する。底部半径４３０は約０．７９ｍｍの半径を有し得る。しかしながら、壁４２５及び底部４２６のサイズが変化すると底部半径４３０もまた異なり得ることを理解されたい。シール溝底部４２６は底面１０２及び外面２２５の両方に対して実質的に平行であり得る。底部４２０は約０．４ｍｍの円形表面粗さを有し得る。外面２２５から測定した底部４２６の深さ４１０は約４．１２ｍｍ〜約４．２２ｍｍの間で変化し得る。一実施形態で、シーリング溝１０１の深さ４１０は約４．１７ｍｍである。
【００４１】
シーリング溝１０１の鳩尾形状４００は、中心軸４０１について実質的に対称であり得ることを理解されたい。鳩尾形状４００は、中心軸４０１によって二分された開口４７０及び底部４２６を有する。しかしながら、オープン部分２０２はそうではない。図５は、シーリング溝１０１の図３の切断線Ｂ−Ｂに沿った断面形状である。線Ｂ−Ｂはタブ２０１を貫通して切断していない。図５は、オープン部分２０２においてシーリング溝１０１が有する半鳩尾形状５００を示す。
【００４２】
半鳩尾形状５００は、図４に示す鳩尾形状４００の開口４７０よりも大きい開口５７０を有する。半鳩尾形状５００は、底部４０１と実質的に同じ底部５０１を有する。底部４２６、５０１はまた、面外（ｅｘ−ｐｌａｎａｒ）である。切断線５１１は開口５７０に実質的に垂直であり、且つこれを二分する。しかしながら、切断線５１１は中心軸４０１と位置合わせされていない。切断線５１１は開口５７０の中央を通って底部５０１まで伸びており、底部５０１をｘ部５９０とｙ部５９５とに分割している。
【００４３】
半鳩尾形状５００は、切断線５１１による半鳩尾形状５００の区分けによって画定された、外側部分５０５及び内側部分５０６を有する。内側部分５０６は、図４に示すように鳩尾形状４００の対応する部分のそれと実質的に同様であるが、外側部分５０５は実質的に同様でない。従って、鳩尾形状４００とは異なり、半鳩尾形状５００の外側部分５０５は内側部分５０６に対称ではない。
【００４４】
半鳩尾形状５００は、半径５１０を含み底部５０１と交差する壁５２５を有する。半径５１０は底部半径４３０と実質的に同様である。一実施形態では、半径５１０が約０．７９ｍｍである。しかしながら、壁４２５、５２５の双方が角度４４を有するのでなく、壁５２５は底面１０２及びシーリング溝１０１の底部５０１に対して実質的に垂直である。従って、形状５００が、鳩尾形状４００のｘ部４９０よりも大きいｘ部４９０を有する。半鳩尾形状５００のより大きいｘ部４９０によって、シーリング溝１０１において、高まった熱状態でシール１０６が膨張するための更なる空間が実現する。開口５７０は、シーリング溝１０１のサイズに応じて、幅が約５ｍｍ〜約１２ｍｍの間で変化する。一実施形態で、開口５７０が約５．７１ｍｍの幅であり得る。
【００４５】
壁５２５は、開口５７０で始まりリッドアセンブリ１１０の外面２２５部分で終わる丸みを帯びたエッジ５４０を有する。丸みを帯びたエッジ５４０は丸みを帯びたエッジ４２０と実質的に同様である。一実施形態で、丸みを帯びたエッジ５４０は約０．３８ｍｍの半径を有し得る。
【００４６】
図３、４、及び５を参照すると、半鳩尾形状５００の非連続的な形状（断面Ｂ−Ｂとして示す）と鳩尾形状４００（断面Ａ−Ａとして示す）とが、一連のタブ２０１及びオープン部分２０２をなしている。タブは、実質的に同様のｘ部４９０及びｙ部４９５を有し、オープン部分２０２は実質的に同様でないｘ部４９０及びｙ部４９５を有する。半鳩尾形状５００はオープン部分２０２であるが、内周２６０上の、外周２６５上の、或いは幾つかの実施形態では内周２６０と外周２６５との双方の、タブ２０１の位置を決定づけることを理解されたい。一実施形態で、ｘ部４９０はｙ部４９５よりも大きく、シーリング溝１０１の内周２６０上にタブ２０１を形成させる。代替的な実施形態では、ｘ部４９０がｙ部４９５よりも小さく、シーリング溝１０１の外周２６５上にタブ２０１が形成される。
【００４７】
再度図２を参照すると、タブ２０１とオープン部分２０２とは、シール１０６の膨張に適合する一方で、ともにシーリング溝１０１の連続した形状をなすことが理解できるであろう。タブ２０１はシール１０６をより低い温度で保持する一方、オープン部分２０２は加熱時のシール１０６の膨張を可能にする。代替的に、シールの膨張が大きい場合、タブ２０１とオープン部分２０２とが連続した表面を形成しないことがある。オープン部分２０２は、タブ２０１よりも更に大きい直径を有し得る。この方式で、シール１０６は広範囲の温度でシーリング溝１０１内に維持される一方、真空処理チャンバの堅牢なシーリングが可能となる。
【００４８】
上記は発明の実施形態を対象とするが、発明の基本的な範囲から乖離することなく、発明の他の及び更なる実施形態を考案することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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