(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体。
−（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）n     （２）
一般式（２）中、
Ａｒは、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子を１〜３個含み、縮環していてもよい５〜１４員芳香族ヘテロ炭化水素基である芳香族ヘテロ炭化水素基を示し、前記Ａｒは、ヘテロ原子として１〜３個の窒素原子を含む５〜８員単環芳香族ヘテロ炭化水素基である、
Ｌ1は、連結基または直接結合であるリンカーを示し、
Ｘ1は、Ｏ＝Ｐ（Ａｒ11Ａｒ12）−で示されるホスフィンオキシド基（但し、Ａｒ11及びＡｒ12は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示す）を示し、
Ｍ1は、希土類イオンであり、
Ｍ2は、遷移金属イオンであり、
ＬＧは、前記Ｍ1で示される希土類イオンに配位する多座配位子であり、ｍは、任意の整数であり、
ｎは、２〜５００，０００の範囲である。
【請求項２】
下記一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する請求項１に記載の高分子錯体。
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
一般式（５）中、Ａｒ、Ｌ1、Ｘ1、Ｍ1、Ｍ2、ＬＧ及びｍは、一般式（２）における定義と同義であり、ｐは２以上の整数であり、ｎ＋ｑは２〜５００，０００の範囲である。
【請求項３】
下記一般式（５）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体。
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
一般式（５）中、Ａｒ、Ｌ1、Ｘ1、Ｍ1、Ｍ2、ＬＧ及びｍは、一般式（２）における定義と同義であり、ｐは２以上の整数であり、ｑは２〜５００，０００の範囲である。
【請求項４】
前記Ｘ1に含まれるホスフィンオキシド基が前記Ｍ1で示される希土類イオンに配位結合し、
前記Ａｒに含まれるヘテロ原子が前記Ｍ2で示される遷移金属イオンに配位結合する、請求項１〜３のいずれかに記載の高分子錯体。
【請求項５】
前記多座配位子がジケト化合物である、請求項１〜４のいずれかに記載の高分子錯体。
【請求項６】
ジケト化合物が一般式（３）で示される化合物である、請求項５に記載の高分子錯体。
【化１】
0006590254.tif 000011
一般式（３）中、Ａは、独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を示し、Ｚは水素原子又は重水素原子を示す。
【請求項７】
ジケト化合物が、アセチルアセトン（ａｃａｃ）、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（ＴＭＨＤ）、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトン（ＴＦＡ）、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン（ＨＦＡ）、及び１−（２−ナフチル）−４，４，４−トリフルオロ−１，３−ブタンジオンから成る群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、請求項５に記載の高分子錯体。
【請求項８】
下記工程（Ａ）及び（Ｂ）を含む請求項１〜７のいずれかに記載の高分子錯体の製造方法。
工程（Ａ）：一般式（１）で示される化合物、希土類化合物（但し、希土類化合物に含まれる希土類イオンはＭ1である）、多座配位子ＬＧを反応させて一般式（４）又は（６）で示される錯体を調製する工程（Ａ）、
Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ    （１）
［一般式（１）中、Ａｒは、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子を１〜３個含み、縮環していてもよい５〜１４員芳香族ヘテロ炭化水素基である芳香族ヘテロ炭化水素基を示し、前記Ａｒは、ヘテロ原子として１〜３個の窒素原子を含む５〜８員単環芳香族ヘテロ炭化水素基である、
Ｌ1は、連結基または直接結合であるリンカーを示し、
Ｘ1は、Ｏ＝Ｐ（Ａｒ11Ａｒ12）−で示されるホスフィンオキシド基（但し、Ａｒ11及びＡｒ12は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示す）を示す。］
Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m      （４）
（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m    （６）
［一般式（４）及び（６）中、Ｘ1、Ｌ1及びＡｒは、前記一般式（１）と同義であり、Ｍ1、ＬＧ及びｍは、請求項１で示される一般式（２）と同義であり、ｐは請求項２で示される一般式（５）と同義である。］
工程（Ｂ）：前記一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種と遷移金属化合物（但し、遷移金属化合物に含まれる遷移金属のイオンはＭ2である）とを反応させて、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体、又は一般式（２）で示される繰り返し単位に一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する高分子錯体、又は一般式（５）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体を調製する工程（Ｂ）
−（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）n     （２）
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
［一般式（２）及び（５）中のＡｒ、Ｌ1、Ｘ1、Ｍ1、Ｍ2、ＬＧ、ｍ及びｎは、請求項１で示される定義と同義であり、一般式（５）中のｐ及びｑは、請求項２又は３で示される定義と同義である。］
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の錯体を発光材料として用いた発光素子。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の錯体を含有する、発光性インキ組成物。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の錯体を含有する、発光性プラスチック組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配位子化合物、高分子錯体及びその製造方法に関する。高分子錯体は、希土類イオン及び遷移金属イオンを含有し、かつこれらのイオンに有機配位子が配位する高分子の錯体である。さらに本発明は、上記本発明の高分子錯体の用途に関する。
[関連出願の相互参照]
本出願は、２０１４年２月１０日出願の日本特願２０１４−２３８１３号の優先権を主張し、その全記載は、ここに特に開示として援用される。
【背景技術】
【０００２】
希土類錯体は、蛍光またはリン光などの発光を示すものが多く、かつ錯体を構成する配位子が有機物である場合にはポリマー等に相溶性を示すことからポリマー材料に混合して発光素子や蛍光インクなどに用いることが提案されている。さらにこれらの希土類錯体は、高い耐熱性を示すことも知られている（特許文献１、２、非特許文献１）。【０００３】
特許文献１：ＷＯ２０１２／１５０７２
特許文献２：特許３６６８９６６号公報【０００４】
非特許文献１：Ｋ．Ｍｉｙａｍａ，Ｙ．Ｈａｓｅｇａｗａ  ｅｔ  ａｌ，  Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１１，１７，５２１−５２８
特許文献１、２、非特許文献１の全記載は、ここに特に開示として援用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来から、希土類錯体は、ポリマー等に相溶性を示すこと及び耐熱性に優れる発光体であることに主眼が置かれて開発され、ある程度の成果を挙げている。しかし、ディスプレイや発光印刷などの分野において実用されるためには、さらなる改良が必要であり、３００℃を超える耐熱性を有し、かつ発光特性にも優れた新たな希土類錯体の提供が望まれている。【０００６】
そこで本発明は、ポリマー等に相溶性を示す有機配位子であって、希土類イオンと遷移金属イオンによる３次元ネットワーク構造有する錯体を提供できる新たな有機配位子の提供、及びこの有機配位子を用いた新しい機能（例えば、光機能、熱耐久性機能、電気特性機能）を有する希土類イオンと遷移金属イオンを含有する新たな高分子錯体を提供することを目的とする。さらに、本発明は、上記高分子錯体の製造方法、上記高分子錯体の製造中間体、さらには、上記高分子錯体の用途を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下の通りである。
［１］
下記一般式（１）で示される化合物。
Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ    （１）
一般式（１）中、
Ａｒは、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子を１〜３個含み、縮環していてもよい５〜１４員芳香族ヘテロ炭化水素基である芳香族ヘテロ炭化水素基を示し、
Ｌ1は、連結基または直接結合であるリンカーを示し、
Ｘ1は、Ｏ＝Ｐ（Ａｒ11Ａｒ12）−で示されるホスフィンオキシド基（但し、Ａｒ11及びＡｒ12は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示す）を示す。
［２］
前記Ａｒは、ヘテロ原子として１〜３個の窒素原子を含む５〜８員単環芳香族ヘテロ炭化水素基である、［１］に記載の化合物。
［３］
前記Ａｒは、ヘテロ原子として１個の窒素原子を含む５〜８員単環芳香族ヘテロ炭化水素基である、［１］に記載の化合物。
［４］
下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体。
−（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）n     （２）
一般式（２）中、Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1及びＸ1−Ｌ1−Ａｒは、［１］〜３のいずれかに記載の一般式（１）で示される化合物であり、
Ｍ1は、希土類イオンであり、
Ｍ2は、遷移金属イオンであり、
ＬＧは、前記Ｍ1で示される希土類イオンに配位する多座配位子であり、ｍは、任意の整数であり、
ｎは、２〜５００，０００の範囲である。
［５］
下記一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する［４］に記載の高分子錯体。
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
一般式（５）中、Ａｒ、Ｌ1、Ｘ1、Ｍ1、Ｍ2、ＬＧ及びｍは、一般式（２）における定義と同義であり、ｐは２以上の整数であり、ｎ＋ｑは２〜５００，０００の範囲である。
［６］
下記一般式（５）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体。
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
一般式（５）中、Ａｒ、Ｌ1、Ｘ1、Ｍ1、Ｍ2、ＬＧ及びｍは、一般式（２）における定義と同義であり、ｐは２以上の整数であり、ｑは２〜５００，０００の範囲である。
［７］
前記Ｘ1に含まれるホスフィンオキシド基が前記Ｍ1で示される希土類イオンに配位結合し、
前記Ａｒに含まれるヘテロ原子が前記Ｍ2で示される遷移金属イオンに配位結合する、［４］〜［６］のいずれかに記載の高分子錯体。
［８］
前記多座配位子がジケト化合物である、［７］に記載の高分子錯体。
［９］
ジケト化合物が一般式（３）で示される化合物である、［８］に記載の高分子錯体。
【化１】
0006590254.tif 000002
一般式（３）中、Ａは、独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を示し、Ｚは水素原子又は重水素原子を示す。
［１０］
ジケト化合物が、アセチルアセトン（ａｃａｃ）、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（ＴＭＨＤ）、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトン（ＴＦＡ）、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン（ＨＦＡ）、及び１−（２−ナフチル）−４，４，４−トリフルオロ−１，３−ブタンジオンから成る群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、［９］に記載の高分子錯体。
［１１］
下記工程（Ａ）及び（Ｂ）を含む［４］〜［１０］のいずれかに記載の高分子錯体の製造方法。
工程（Ａ）：［１］〜［３］のいずれかに記載の一般式（１）で示される化合物、希土類化合物（但し、希土類化合物に含まれる希土類イオンはＭ1である）、多座配位子ＬＧを反応させて一般式（４）又は（６）で示される錯体を調製する工程（Ａ）、
Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m      （４）
（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m    （６）
［一般式（４）及び（６）中、Ｘ1、Ｌ1及びＡｒは、［１］の一般式（１）と同義であり、Ｍ1、ＬＧ及びｍは、［４］で示される一般式（２）と同義であり、ｐは［５］で示される一般式（５）と同義である。］
工程（Ｂ）：前記一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種と遷移金属化合物（但し、遷移金属化合物に含まれる遷移金属のイオンはＭ2である）とを反応させて、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体、又は一般式（２）で示される繰り返し単位に一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する高分子錯体、又は一般式（５）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体を調製する工程（Ｂ）
−（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）n     （２）
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
［一般式（２）及び（５）中のＡｒ、Ｌ1、Ｘ1、Ｍ1、Ｍ2、ＬＧ、ｍ及びｎは、［４］で示される定義と同義であり、一般式（５）中のｐ及びｑは、［５］又は［６］で示される定義と同義である。］
［１２］
一般式（４）及び（６）で示される希土類錯体。
Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m      （４）
（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m    （６）
一般式（４）及び（６）中、
Ａｒは、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子を１〜３個含み、縮環していてもよい５〜１４員芳香族ヘテロ炭化水素基である芳香族ヘテロ炭化水素基を示し、
Ｌ1は、連結基または直接結合であるリンカーを示し、
Ｘ1は、Ｏ＝Ｐ（Ａｒ11Ａｒ12）−で示されるホスフィンオキシド基（但し、Ａｒ11及びＡｒ12は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示す）を示し、
Ｍ1は、希土類イオンであり、
ＬＧは、前記Ｍ1で示される希土類イオンに配位する多座配位子であり、ｍは、任意の整数であり、ｐは２以上の整数である。
［１３］
前記多座配位子がジケト化合物である、［１２］に記載の希土類錯体。
［１４］
ジケト化合物が一般式（３）で示される化合物である、［１３］に記載の希土類錯体。
【化２】
0006590254.tif 000003
一般式（３）中、Ａは、独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を示し、Ｚは水素原子又は重水素原子を示す。
［１５］
ジケト化合物が、アセチルアセトン（ａｃａｃ）、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（ＴＭＨＤ）、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトン（ＴＦＡ）、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン（ＨＦＡ）、及び１−（２−ナフチル）−４，４，４−トリフルオロ−１，３−ブタンジオンから成る群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、［１４］に記載の希土類錯体。
［１６］
［４］〜［１５］のいずれか１項に記載の錯体を発光材料として用いた発光素子。
［１７］
［４］〜［１５］のいずれか１項に記載の錯体を含有する、発光性インキ組成物。
［１８］
［４］〜［１５］のいずれか１項に記載の錯体を含有する、発光性プラスチック組成物。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ポリマー等に相溶性を示す有機配位子であって、耐熱性を有する新たな希土類イオンを含有する錯体を提供できる新たな有機配位子を提供することができる。さらに本発明は、この有機配位子を用いた耐熱性を有する希土類イオンを含有する新たな高分子錯体を提供することができる。さらに、本発明によれば、上記高分子錯体の製造方法、上記高分子錯体の製造中間体、さらには、上記高分子錯体の用途を提供するができる。上記高分子錯体の製造中間体は、それ自体も光機能を有し、高分子錯体と同様の用途に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例2で合成したEu(hfa)3(4-dppy)2の発光スペクトルを示す。
【図２】実施例3で得たEu-Pd配位高分子の発光スペクトルと発光寿命測定の結果を示す。
【図３】Pd(II)錯体のX線構造解析結果を示す。a)全体像 b)真横 c)真上
【図４】Eu(III)錯体に対する塩化パラジウム滴定時の吸収スペクトルの塩化パラジウムを0.1当量添加毎の変化の測定結果を示す。
【図５】Eu(III)錯体に対する塩化パラジウムの滴定曲線を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜一般式（１）で示される化合物＞
本発明は、本発明の希土類イオンを含有する高分子錯体における配位子として用いることかできる下記一般式（１）で示される化合物を包含する。
Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ    （１）
【００１１】
一般式（１）中、
Ａｒは、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子を１〜３個含み、縮環していてもよい５〜１４員芳香族ヘテロ炭化水素基である芳香族ヘテロ炭化水素基を示す。
ヘテロ原子は、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるが、ヘテロ原子が、本発明の高分子錯体において遷移金属イオンに対する配位部位となることを考慮すると、窒素原子又は酸素原子であることが好ましい。２個以上のヘテロ原子を含む場合には、同一又は異なる種類の原子であることができる。
Ａｒに含まれるヘテロ原子の数は、１〜３個であり、1個、2個または3個の何れであっても良い。芳香族ヘテロ炭化水素基は、例えば、単環であることができるが、構成する炭素原子及びヘテロ原子の数の数に応じて2環または3環に縮環した基であっても良い。Ａｒは、例えば、１個の窒素原子を含む５〜８員単環芳香族ヘテロ炭化水素基であることができる。
【００１２】
単環の芳香族ヘテロ炭化水素基Ａｒとしては、例えば、置換又は無置換のアゾール基、オキソール基、チオール基、ピリジン基、ピリリウムイオン基、チオピリリウムイオン基、アゼピン基、オキセピン基、チエピン基、イミダゾール基、ピラゾール基、オキサゾール基、チアゾール基、イミダゾリン基、ピラジン基、及びチアジン基を挙げることができる。
【００１３】
多環の（縮環した）芳香族ヘテロ炭化水素基としては、例えば、置換又は無置換のインドール基、イソインドール基、ベンゾイミダゾール基、キノリン基、イソキノリン基、キナゾリン基、フタラジン基、プテリジン基、クマリン基、クロモン基、１，４−ベンゾジアゼピン、ベンゾフラン基、アクリジン基、フェノキサジン基、フェノチアジン基等を挙げることができる。
【００１４】
Ｌ1は、連結基または直接結合から選ばれるリンカーであり、連結基としては、例えば、飽和若しくは不飽和のアルキレン基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基を挙げることができる。不飽和のアルキレン基としては、例えば、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−を例示でき、飽和のアルキレン基としては、例えば、−ＣＨ2−ＣＨ2−を挙げることができる。リンカーの種類には特に制限はなく、上記何れのリンカーであっても良い。
【００１５】
Ｘ1は、Ｏ＝Ｐ（Ａｒ11Ａｒ12）−で示されるホスフィンオキシド基を示す。Ａｒ11及びＡｒ12は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示す。
【００１６】
置換されていてもよいアリール基のアリール基としては、特に限定されず、例えば、Ｃ６〜２０アリール基が挙げられる。Ｃ６〜２０アリール基としては、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニリル、アンスリル等を例示できる。
【００１７】
置換されていてもよいアリール基の置換基としては、特に限定されず、例えばＣ１−６アルキル基、Ｃ１−６ぺルフルオロアルキル基、Ｃ６−１４アリール基、５〜１０員芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シロキシ基、ジアルキルアミノ基等が挙げられる。
【００１８】
Ｃ１−６アルキル基、Ｃ１−６ぺルフルオロアルキル基、アルコキシ基、シロキシ基及びジアルキルアミノ基については、前記芳香族ヘテロ炭化水素基及び芳香族炭化水素基が有しもよい置換基で説明した基と同じである。
【００１９】
Ｃ６−１４アリール基としては、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニリル、２−アンスリル等が挙げられる。５〜１０員芳香族複素環基としては、例えば、２−又は３−チエニル、２−，３−又は４−ピリジル、２−，３−，４−，５−又は８−キノリル、１−，３−，４−又は５−イソキノリル、１−，２−又は３−インドリル、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾ［ｂ］チエニル、ベンゾ［ｂ］フラニル等が挙げられる。
【００２０】
アリールオキシ基としては、例えば、Ｃ６−１２アリールオキシ基が挙げられる。Ｃ６−１２アリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等を例示できる。
【００２１】
置換されていてもよいアリール基の置換基の置換位置及び置換基の数は、特に限定されない。
【００２２】
置換若しくは無置換ヘテロアリール基のヘテロアリール基としては、特に限定されず、例えば、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれる原子を１〜３個含む、縮環していてもよい５〜１４員芳香族複素環基が挙げられる。
【００２３】
前記芳香族複素環基としては、フリル、チエニル、ピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、チアゾリル、１，２，３−オキサジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、チアジアゾリル、ピリジル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、インドリル、インダゾリル、プリニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シノリニル、プテリジニル、カルバゾリル、カリボリニル、フェナンスリジニル、アクリジニル等を例示できる。
【００２４】
置換されていてもよいヘテロアリール基の置換基としては、前記置換されていてもよいアリール基で述べた置換基と同じである。
【００２５】
前記置換されていてもよいヘテロアリール基の置換基の位置及び置換基の数は、特に限定されない。
【００２６】
置換されていてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。
【００２７】
置換されていてもよいアラルキル基の置換基としては、前記置換されていてもよいアリール基で述べた置換基と同じである。
【００２８】
前記置換されていてもよいアラルキル基の置換基の位置及び置換基の数は、特に限定されない。
【００２９】
Ｘ1は、例えば、Ａｒ11及びＡｒ12がフェニル基であるジフェニルホスフィンオキシド基であることができる。
【００３０】
＜化合物の製造方法＞
一般式（１）で示される化合物は、実施例に例示されているように、Ａｒ−Ｈａｌ（Ｈａｌはハロゲン原子）を原料化合物として用い、トリアルキルシリルアセチレンを触媒（例えば、ＣｕＩ及びＰｄ（ＰＰｈ3）Ｃｌ2、ＰＰｈ3）の存在下に反応させ、得られた生成物をアルカリ処理して、アセチルＡｒを得る。得られたアセチルＡｒと修飾ホスフィンクロライド、例えば、ジフェニルホスフィンクロライドを反応させ、その後例えば、過酸化水素を用いて酸化することで、修飾ホスフィン基を修飾ホスフィンオキシド基（例えば、ジフェニルホスフィンオキシド基）に変換して一般式（１）で示される化合物を得ることができる。各反応は適当な有機溶媒(例えば、ジエチルエーテル、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、トルエン、ジクロロメタン)中で実施できる。リンカーが連結基の場合も、常法により一般式（１）で示される化合物を得ることができる。例えば、連結基がエチレン基の場合には、上記トリアルキルシリルアセチレンに替えてトリアルキルシリルエチレンを用いることで、同様の反応を経て、一般式（１）で示される化合物を得ることができる。また連結基がアセチレンの場合には、園頭カップリング反応により合成することにより一般式（１）で示される化合物を得ることができる。
【００３１】
Ａｒ−Ｈａｌ（Ｈａｌはハロゲン原子）で示される原料化合物は、市販品として入手できる化合物がある他、Ｈａｌが水素原子であるＡｒ−Ｈで示される化合物を公知の方法でハロゲン化することでも入手できる。トリアルキルシリルアセチレンは、例えば、トリメチルシリルアセチレンは、市販品として入手できる。修飾ホスフィンクロライドも、例えば、ジフェニルホスフィンクロライドであれば市販品として入手できる。その他の修飾ホスフィンクロライドも、常法に従って適宜合成できる。合成した化合物は公知の方法で適宜精製することができる。
【００３２】
＜高分子錯体＞
本発明は、上記本発明の化合物と希土類イオンを含む高分子錯体を包含する。この高分子錯体は、架橋成分として遷移金属イオンも含有する。本発明の高分子錯体は、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有するか、一般式（２）で示される繰り返し単位に一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する高分子錯体、又は一般式（５）で示される繰り返し単位を有する。
−（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）n     （２）
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
【００３３】
一般式（２）及び（５）中、Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1及びＸ1−Ｌ1−Ａｒは、前記本発明の一般式（１）で示される化合物である。
【００３４】
Ｍ1は、希土類イオンであり、Ｘ1に含まれるホスフィンオキシド基が希土類イオンＭ1に配位結合する。本発明の錯体において、希土類元素は、希土類元素イオンとして含有されているものと推察される。希土類元素は、例えば、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから成る群から選ばれる1種又は２種以上の元素であることかできる。希土類元素イオンは、各元素に固有の価数のイオンであり、例えば、＋２価又は＋３価である陽イオンが挙げられる。希土類イオンとしては、発光体を得るという観点からは、例えば、Ｅｕ3+、Ｔｂ3+、Ｇｄ3+、Ｔｍ3+又はＥｒ3+が好ましく、例えば、前記希土類元素がＥｕ3+の場合、赤色発光を示し、前記希土類元素がＴｂ3+の場合、緑色発光示す。本発明の錯体において、希土類元素は、単独で存在するもの、または２種以上が存在する錯体も包含する。
【００３５】
Ｍ2は、遷移金属イオンであり、Ａｒに含まれるヘテロ原子が遷移金属イオンＭ2に配位結合する。遷移金属イオンＭ2は、Ａｒに含まれるヘテロ原子が配位結合することによって、錯体を形成することができ、１つの遷移金属イオンＭ2が複数、例えば、２つのＡｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒを架橋することができる。本発明の錯体において、遷移金属元素は遷移金属イオンとして含有されているものと推察される。遷移金属元素には、第一遷移元素（3d遷移元素）、第二遷移元素（4d遷移元素）及び第三遷移元素（5d遷移元素）を挙げることができる。第一遷移元素としては、Sc スカンジウム、Ti チタン、V バナジウム、Cr クロム、Mn マンガン、Fe 鉄、Co コバルト、Ni ニッケル、Cu 銅、及びZn 亜鉛を例示できる。第二遷移元素としては、Y イットリウム、Zr ジルコニウム、Nb ニオブ、Mo モリブデン、Tc テクネチウム、Ru ルテニウム、Rh ロジウム、Pd パラジウム、Ag 銀、及びCd カドミウム を例示できる。
第三遷移元素（5d遷移元素） としては、W タングステン、Re レニウム、Os オスミウム 、Ir イリジウム 、Pt 白金 、Au 金、Pb鉛を例示できる。
遷移金属イオンも各元素に固有の価数のイオンとなる。
【００３６】
ＬＧは、希土類イオンＭ1に配位する多座配位子であり、ｍは、任意の整数である。
【００３７】
ＬＧで示される多座配位子は、多座配位化合物からなり、多座配位化合物は、例えば、２座配位化合物、３座配位化合物、又は４座配位化合物であることができる。多座配位化合物の中でも２座配位化合物の例としては、ジケト化合物を挙げることができ、ジケト化合物としては一般式（３）で示される化合物を例示できる。一般式（３）中、Ａは、独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を示し、Ｚは水素原子又は重水素原子を示す。炭素数１〜６のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−及びｉｓｏ）、ブチル基（ｎ−及びｔｅｒｔ−）、ペンチル基、ヘキシル基である。
【００３８】
【化３】
0006590254.tif 000004
【００３９】
一般式（３）で示されるジケト化合物は、より具体的には、例えば、アセチルアセトン（ａｃａｃ）、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（ＴＭＨＤ）、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトン（ＴＦＡ）、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン（ＨＦＡ）、及び１−（２‐ナフチル）−４，４，４−トリフルオロ−１，３−ブタンジオンから成る群から選ばれる少なくとも1種の化合物である。これらの化合物は公知化合物である。
【００４０】
ｍは、ＬＧの希土類イオンＭ1に配位する配位数であり、ＬＧの種類（配位座の種類と数）及び希土類イオンＭ1の価数により決定される任意の整数である。例えば、１〜１０の範囲いずれかの整数、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０であることができる。
【００４１】
ｎは、一般式（２）で示される繰り返し単位の繰り返し数であり、２〜５００，０００の範囲である。本発明の高分子錯体に求められる物性を考慮して、ｎは、この範囲で適宜決定できる。ｎは、製造方法及び条件、遷移金属イオンの種類やＡｒの種類を調整することにより適宜調整できる。但し、分子量が大きいほど耐熱性に優れる傾向があり、一方で、分子量が大きくなると、他の材料との混合や分散がしにくくなる傾向があることから、これらの点を踏まえ、かつ構成成分の種類等も踏まえ、適宜決定できる。ｎは、実用的には、用途や構成する配位子、希土類イオン及び遷移金属イオンの種類に応じて、例えば、２〜１００，０００の範囲、２〜１０，０００の範囲、２〜１，０００の範囲、２〜５００の範囲、３〜３００の範囲であることができる。また、本発明の高分子錯体は、通常は、ｎの異なる複数の錯体が共存する混合物であり、混合物の場合には、ｎはそれら混合物中の各錯体のｎの平均値を意味する。
【００４２】
一般式（２）で示される繰り返し単位に一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する高分子錯体においては、ｐが２以上の整数であり、３つ以上の配位子（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）がＭ1に配位する。即ち、ｐが２の場合には、３つの配位子（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）がＭ1に配位し、ｐが３の場合には、４つの配位子（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）がＭ1に配位する。一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する高分子錯体となるか否かは、Ｍ1の種類と多座配位子ＬＧの種類及び高分子錯体調製時の各物質の使用量により決定される。３つ目以上の（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）中の少なくとも一部に含まれるＡｒは、他の高分子錯体鎖中のＭ2に配位子結合し、架橋構造を形成することもできる。他の高分子錯体鎖中のＭ2に配位子結合せずに遊離状態であるものもあり得る。一般式（２）で示される繰り返し単位と一般式（５）で示される繰り返し単位は、ランダムに存在することも規則的に、例えば、各繰り返し単位がブロックを形成して存在することもできる。構造は重合反応を制御することで、適宜選択できる。ｑは、１以上の整数であり、ｎ＋ｑは２〜５００，０００の範囲である。ｎ＋ｑは、実用的には、用途や構成する配位子、希土類イオン及び遷移金属イオンの種類に応じて、例えば、２〜１００，０００の範囲、２〜１０，０００の範囲、２〜１，０００の範囲、２〜５００の範囲、３〜３００の範囲であることができる。
【００４３】
一般式（５）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体においては、ｐが２以上の整数であり、３つ以上の配位子（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）がＭ1に配位する。即ち、ｐが２の場合には、３つの配位子（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）がＭ1に配位し、ｐが３の場合には、４つの配位子（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）がＭ1に配位する。３つ目以上の（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）中の少なくとも一部に含まれるＡｒは、他の高分子錯体鎖中のＭ2に配位子結合し、架橋構造を形成することもできる。他の高分子錯体鎖中のＭ2に配位子結合せずに遊離状態であるものもあり得る。ｑは、２〜５００，０００の範囲であり、実用的には、用途や構成する配位子、希土類イオン及び遷移金属イオンの種類に応じて、例えば、２〜１００，０００の範囲、２〜１０，０００の範囲、２〜１，０００の範囲、２〜５００の範囲、３〜３００の範囲であることができる。
【００４４】
＜高分子錯体の製造方法＞
上記本発明の高分子錯体は、例えば、下記工程（Ａ）及び（Ｂ）を含む方法により製造することかできる。
工程（Ａ）：前記一般式（１）で示される化合物、希土類化合物（但し、希土類化合物に含まれる希土類のイオンはＭ1である）、多座配位子ＬＧを反応させて一般式（４）又は（６）で示される錯体を調製する工程。
Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m      （４）
（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m    （６）
［一般式（４）及び（６）中、Ｘ1、Ｌ1及びＡｒは、一般式（１）と同義であり、Ｍ1、ＬＧ及びｍは、一般式（２）と同義であり、一般式（６）中のｐは、一般式（５）と同義である。］
【００４５】
一般式（１）で示される化合物と希土類元素含有化合物と多座配位子ＬＧとを溶媒中で混合して、前記化合物と前記希土類元素と多座配位子ＬＧとの錯体を得る。一般式（１）で示される化合物と希土類元素含有化合物と多座配位子ＬＧとの混合比は、一般式（１）で示される化合物、希土類イオン、多座配位子ＬＧの種類に応じて適宜決定できる。（一般式（１）で示される化合物のモル数／希土類元素のモル数）は、例えば、０．５〜１０の範囲とすることができ、好ましくは０．５〜５の範囲とすることができ、より好ましくは１〜３の範囲とすることができる。（多座配位子ＬＧのモル数／希土類元素のモル数）は、例えば、０．５〜１０の範囲とすることができ、好ましくは０．５〜８の範囲とすることができ、より好ましくは１〜５の範囲とすることができる。
【００４６】
溶媒としては、本発明の化合物及び希土類元素含有化合物の両者を溶解する溶媒を用いる。例えば、限定する意図ではないが、メタノール、エタノール、メタノール、エタノール、アセトン、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ピリジン、DMSO（ジメチルスルホキシド）、DMF（ジメチルホルムアミド）等を用いることができる。溶媒中での混合は、例えば、室温（例えば、２０℃）〜１２０℃の範囲で、使用する溶媒の沸点も考慮して適宜選択できる。反応促進とうい観点からは加熱下で行うことが好ましく、例えば、４０℃以上、または５０℃以上で溶媒の沸点以下の温度とすることができる。反応時間は、原料及び反応条件と生成物の収量等を考慮して適宜決定できる。例えば、１分〜１００時間の範囲とすることができる。但し、この範囲に限定される意図ではない。
【００４７】
上記反応に用いる希土類元素含有化合物は、希土類元素を含有する化合物であれば、特に限定はない。希土類元素含有化合物は、例えば、配位化合物及び希土類イオン含有化合物であることができ、配位化合物及び希土類イオン含有化合物は、例えば、配位化合物を配位子の少なくとも一部として有する希土類イオン錯体化合物であることができる。好ましくは、配位化合物を配位子の一部として有し、かつ残りの配位子が、一般式（１）で示される化合物の希土類イオンに対する配位力より弱い配位力を有する配位子である希土類イオン錯体化合物であることが、一般式（４）及び（６）の希土類錯体の合成を容易にするという観点から好ましい。一般式（１）で示される化合物の希土類イオンに対する配位力より弱い配位力を有する配位子の例としては、例えば、水（Ｈ2０）、メタノール、エタノール等を挙げることができる。
【００４８】
一般式（４）及び（６）で示される希土類錯体は、新規化合物であり、本発明の１つの態様である。一般式（４）及び（６）中のＸ1、Ｌ1及びＡｒは、前記一般式（１）と同義であり、Ｍ1、ＬＧ及びｍは、前記一般式（２）と同義であり、ｐは、一般式（５）と同義である。一般式（４）及び（６）で示される希土類錯体を最終生成物として利用する場合には、常法により精製することもできる。また、工程（Ｂ）への中間体として用いる場合にも必要に応じて適宜精製することもできる。
【００４９】
工程（Ｂ）：一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種と遷移金属化合物（但し、遷移金属化合物に含まれる遷移金属のイオンはＭ2である）とを反応させて、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体、又は一般式（２）で示される繰り返し単位に一般式（５）で示される繰り返し単位をさらに含有する高分子錯体、又は一般式（５）で示される繰り返し単位を有する高分子錯体を調製する。
−（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）n     （２）
−（（Ａｒ−Ｌ1−Ｘ1）p−Ｍ1（ＬＧ）m−Ｘ1−Ｌ1−Ａｒ−Ｍ2−）q     （５）
［一般式（２）中のＡｒ、Ｌ1、Ｘ1、Ｍ1、Ｍ2、ＬＧ、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは、前記定義と同義である。］
【００５０】
一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種と遷移金属化合物とを溶媒中で混合して、前記一般式（２）で示される高分子錯体を得る。遷移金属化合物は、遷移金属元素を含有する化合物であれば、特に限定はない。遷移金属化合物は、例えば、遷移金属塩であることができ、塩は無機塩（塩化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩など）、及び有機塩（酢酸塩、クエン酸塩など）を挙げることができる。一般式（４）及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種で示される錯体と遷移金属化合物との混合比は、一般式（４）及び（６）で示される錯体と遷移金属化合物の種類等に応じて適宜決定できる。（一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種のモル数／遷移金属化合物に含まれる遷移金属元素のモル数）は、例えば、０．５〜１０の範囲とすることができ、好ましくは０．５〜５の範囲とすることができ、より好ましくは１〜３の範囲とすることができる。（多座配位子ＬＧのモル数／希土類元素のモル数）は、例えば、０．５〜１０の範囲とすることができ、好ましくは０．５〜８の範囲とすることができ、より好ましくは１〜５の範囲とすることができる。一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体を併用する場合には、生成物中に含まれる各繰り返し単位の数に応じて反応させることができる。
【００５１】
溶媒としては、一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種及び遷移金属化合物の両者を溶解し得る溶媒を用いることが好ましい。例えば、限定する意図ではないが、メタノール、エタノール、メタノール、エタノール、アセトン、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ピリジン、DMSO（ジメチルスルホキシド）、DMF（ジメチルホルムアミド）等を用いることができる。溶媒中での混合は、例えば、室温（例えば、２０℃）〜１２０℃の範囲で、使用する溶媒の沸点も考慮して適宜選択できる。反応促進とうい観点からは加熱下で行うことが好ましく、例えば、４０℃以上、または５０℃以上で溶媒の沸点以下の温度とすることができる。反応時間は、原料及び反応条件と生成物の収量等を考慮して適宜決定できる。例えば、１分〜１００時間の範囲とすることができる。但し、この範囲に限定される意図ではない。生成した本発明の高分子錯体は、常法により精製することができる。
【００５２】
尚、一般式（２）及び（５）で示される高分子錯体の繰り返し数ｎ及びｑは、使用する原料の種類及び原料の混合比によって調整することが可能である他、原料である一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種と遷移金属化合物の混合を一度に行うか、あるいは一般式（４）で示される錯体及び一般式（６）で示される錯体の少なくとも１種に対して遷移金属化合物を分割して混合するかによっても調整することができる。後述する滴定実験の結果から、遷移金属化合物を分割して徐々に混合することで、よりｎ及びｑが大きい高分子錯体が得られやすい傾向があると考えられる。
【００５３】
＜発光素子＞
本発明は、上記本発明の一般式（２）及び／又は（５）で示される高分子錯体または一般式（４）又は（６）で示される希土類錯体を発光材料として用いた発光素子を包含する。本発明の発光素子は本発明の錯体の薄膜を有するものであることができる。より具体的には、本発明の高分子錯体及び希土類錯体は、例えば、白色ＬＥＤ素子の発光層（発光媒体）及び有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いることができる。本発明の発光素子はディスプレイまたは照明であることもできる。さらに、本発明の高分子錯体及び希土類錯体は、例えば、発光性インキ組成物に用いることもできる。
【００５４】
前記高分子錯体及び希土類錯体をこれらの用途に用いる場合、前記高分子錯体又は希土類錯体を一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
また、前記高分子錯体又は希土類錯体を必須成分として含有し、さらに該錯体以外のイオン、化合物等をさらに含有する混合物として用いることもできる。前記混合物には、前記高分子錯体又は希土類錯体が含まれていればよく、本発明の効果を阻害しない範囲内で、希土類金属イオン、前記本発明の化合物が配位していない希土類錯体等をさらに含んでいてもよい。以下、高分子錯体を例に説明するが、希土類錯体を用いる場合も同様である。
【００５６】
（１）白色ＬＥＤ素子
本発明の白色ＬＥＤ素子は、発光層を構成する発光媒体（例えば、蛍光体）中に前記高分子錯体を含有させる以外は、公知のＬＥＤ素子と同様の構成を採用できる。例えば、ＬＥＤチップと発光媒体とからなる発光層を有するＬＥＤ素子が挙げられる。
【００５７】
ＬＥＤチップは、電極より電気エネルギーを受けて、発光し光を放射する。ＬＥＤチップから放射される光を吸収した発光媒体は、吸収した光とは異なる波長の光を放射する。この時、ＬＥＤチップから放射される光と発光体から放射される光とが組み合わさることにより、新たな光の色が形成される。本発明では、発光体中に前記高分子錯体を含有させることにより、白色の光を発することができる。また、前記高分子錯体は、有機媒体に好適に溶解し、有機媒体中で析出することが基本的にないため、効率よく（高い光取り出し効率で）、白色光を放射できる。
【００５８】
ＬＥＤチップとしては、紫外〜近紫外〜可視〜近赤外領域の光を放出する素子であればよく特に限定されない。例えば、青色ＬＥＤ、近紫外ＬＥＤ等が挙げられる。
【００５９】
発光媒体は、前記高分子錯体が有機媒体に溶解してなるものである。本発明では、前記高分子錯体中の希土類元素イオン（中心元素イオン）を適宜選択することにより、発光媒体から放射される光の色を制御できる。例えば、中心元素イオンが全てＥｕ3+である高分子錯体を含む発光媒体は、赤色の光を放射できる。また、中心元素イオンが全てＴｂ3+である高分子錯体を含む発光媒体は、緑色の光を放射できる。さらに、中心元素イオンがＥｕ3+及びＴｂ3+以外の希土類元素イオン（例えば中心元素イオンが全てＴｍ3+）である高分子錯体を含む発光媒体は、青色の光を放射できる。
【００６０】
発光媒体には、２種類以上の前記高分子錯体を含有させてもよい。発光媒体には、光取り出し効率が低下する等の観点から、公知の発光性無機化合物粒子を含有させないほうがよいが、本発明の効果を妨げない範囲であれば、必要に応じて前記粒子を含有させてもよい。
【００６１】
前記粒子としては、Ｙ3Ａｌ5Ｏ１2（ＹＡＧ）にＣｅを付活してなる粒子等の黄色光を放射する無機化合物粒子；Ｓｒ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2にＥｕを付活してなる粒子、Ｃａ10（ＰＯ4）6Ｃl2にＥｕを付活してなる粒子、Ｂａ10（ＰＯ4）6Ｃl2にＥｕを付活してなる粒子、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17にＥｕを付活してなる粒子、Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8にＥｕを付活してなる粒子等の青色光を放射する無機化合物粒子；ＳｒＧａ2Ｓ4にＥｕを付活してなる粒子、ＣａＡｌ2Ｏ4にＥｕを付活してなる粒子、ＢａＡｌ2Ｏ4にＥｕを付活してなる粒子、ＳｒＡｌ2Ｏ4にＥｕを付活してなる粒子等の緑色光を放射する無機化合物粒子；ＳｒＳにＥｕを付活してなる粒子、ＣａＳにＥｕを付活してなる粒子、ＣａＡｌＳｉＮ3にＥｕを付活してなる粒子、Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8にＥｕ、Ｍｎを付活してなる粒子等の赤色光を放射する無機化合物粒子等が挙げられる。これらの粒子は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
【００６２】
例えば、下記ＬＥＤチップと発光媒体との組み合わせの場合、好適に白色光を得ることができる。
（１）ＬＥＤチップ：青色ＬＥＤ（例えばＩｎＧａＮ）、発光媒体：赤色光を放射する高分子錯体＋黄色光を放射する無機化合物粒子（例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）結晶にＣｅを付活してなる粒子）
（２）ＬＥＤチップ：青色ＬＥＤ（例えばＩｎＧａＮ）、発光媒体：赤色光を放射する高分子錯体＋緑色光を放射する高分子錯体
（３）ＬＥＤチップ：近紫外ＬＥＤ（例えばＩｎＧａＮ）、発光媒体：青色光を放射する無機化合物粒子（例えば、Ｓｒ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2にＥｕを付活してなる粒子、Ｃａ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2にＥｕを付活してなる粒子、Ｂａ10（ＰＯ4）6Ｃl2にＥｕを付活してなる粒子等）＋赤色光を放射する高分子錯体＋緑色光を放射する高分子錯体
（４）ＬＥＤチップ：近紫外ＬＥＤ（例えばＩｎＧａＮ）、発光媒体：赤色光を放射する高分子錯体＋緑色光を放射する高分子錯体＋青色光を放射する高分子錯体
前記有機媒体としては、例えば、有機溶媒、液状ポリマー等が挙げられる。
【００６３】
前記有機溶媒としては、例えばフッ素系溶媒等が挙げられる。これら有機溶媒は、一種単独で又は二種以上からなる混合溶媒として使用できる。
【００６４】
前記液状ポリマーとしては、例えばフッ素系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられる。前記フッ素系樹脂、前記シリコーン系樹脂等としては、市販品を好適に用いることができる。フッ素系樹脂の市販品としては、例えば、テフロン（登録商標）ＡＦ（デュポン社製）、サイトップ（旭ガラス製）等が挙げられる。シリコーン樹脂の市販品としては、例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン等が挙げられる。
【００６５】
特に、前記有機媒体としては、液状ポリマーが好ましく、フッ素系樹脂がより好ましい。フッ素系樹脂は、高ガラス転移点、高防湿性、低気体透過性等の特性を有するため、前記有機媒体としてフッ素系樹脂を用いることにより、発光媒体３の発光特性、発光寿命、耐久性等を向上させることができる。
【００６６】
発光媒体中における前記高分子錯体の含有量は、特に限定されないが、５〜９０質量％程度が好ましい。
【００６７】
発光媒体中における前記発光性無機化合物粒子の含有量は、本発明を妨げない範囲である限り特に限定されない。
【００６８】
本発明の白色ＬＥＤ素子は、砲弾型ＬＥＤ、表面実装型ＬＥＤ等の種々のＬＥＤに用いることができる。前記ＬＥＤの具体的構成は、前記白色ＬＥＤ素子が配置される以外は公知のＬＥＤと同様の構成を採用できる。
【００６９】
（２）有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子
本発明の有機ＥＬ素子は、前記高分子錯体を含む発光層を有する。
【００７０】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常、基板、陽極、電荷（正孔）輸送層、前記発光層、電荷（電子）輸送層及び陰極が順に積層された構造を有する。前記発光層中における前記高分子錯体の含有量は、例えば、５〜１００質量％程度であることができる。
【００７１】
前記発光層は本発明の高分子錯体単独で形成されていてもよいし、本発明の高分子錯体以外の化合物をさらに含有していてもよい。例えば下記に示す電荷（正孔）輸送層の材料もしくは電荷（電子）輸送層の材料等をホスト化合物として含有していても良い。
【００７２】
前記発光層の膜厚は、少なくともピンホールが発生しないような厚みが必要であるが、厚すぎると素子の抵抗が増し、高い駆動電圧が必要となるためあまり好ましくない。従って前記発光層の膜厚は、０．０００５〜１０μｍ程度、好ましくは０．００１〜１μｍ程度、より好ましくは、０．００５〜０．２μｍ程度である。
【００７３】
前記発光層の形成方法は、特に限定されないが、例えば、前記高分子錯体を正孔輸送層上に蒸着する方法、或いは、後述する発光性インキ組成物をスピンコート法、インクジェット法等の印刷方法により塗布する方法が挙げられる。
【００７４】
前記基板は、透明のものであればよく、例えば、ガラス、石英、光透過性プラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）等）等が挙げられる。前記基板の厚みは、本発明の効果を妨げない範囲であればよく特に限定されない。
【００７５】
前記陽極の材料として、例えば、仕事関数の大きな導電性材料であるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等を用いることができる。前記陽極の厚みは、０．１〜０．３μｍ程度とすることができる。
【００７６】
前記電荷（正孔）輸送層の材料としては、例えば、トリアリールアミン等のアリールアミン系化合物等が用いられる。前記材料は一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
【００７７】
前記電荷（電子）輸送層の材料としては、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム、トリアゾール類、フェナントロリン類、オキサジアゾール類等が用いられる。前記材料は一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
【００７８】
これら電荷輸送層の厚みは、それぞれ通常０．０００５μｍ〜１０μｍ程度であり、好ましくは０．００１〜１μｍ程度である。
【００７９】
前記陰極の材料としては、仕事関数が小さな金属であるアルミニウム、マグネシウム、インジウム、アルミ−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用される。前記陰極の厚みは、０．０１〜０．５μｍ程度が好ましい。
【００８０】
前記陽極、前記正孔輸送層、前記電子輸送層及び前記陰極は、前記各種材料を用いて抵抗加熱蒸着、真空蒸着、スパッタリング法等の公知の方法に従って形成できる。
【００８１】
本発明の有機ＥＬ素子は、カラー液晶表示器のバックライト等の照明器、ディスプレイ等に用いることができる。
【００８２】
（３）発光性インキ組成物
本発明の発光性インキ組成物は、前記高分子錯体を含有する。前記高分子錯体は、天然光の下では放射する光の色は実質的に無色である。
【００８３】
一方、前記高分子錯体に紫外光を照射する場合、該錯体は有色の光を放射するので、その放射光を観察することができる。従って、前記高分子錯体を溶解させたインキ組成物を種々の基材上に印刷することにより、ブラックライト等を使用した紫外線照射下でのみ印刷内容の視認が可能になる。例えば、紙幣、文書、書類、カード等の基材に前記インキ組成物を印刷することにより、偽造、不正複写等を防止できるセキュリティー機能を持たせることができる。
【００８４】
前記放射光の色は、前記高分子錯体の中心元素イオンの種類に応じて異なる。例えば、中心元素イオンがＥｕ3+の場合、前記錯体は強い赤色の光を放射し、中心元素イオンがＴｂ3+の場合、前記錯体は強い緑色の光を放射する。なお、前記高分子錯体が中心元素イオンを複数個有する場合、複数の希土類元素イオンは全て同一であることが好ましい。
【００８５】
前記インキ組成物中には２種類以上の前記高分子錯体組成物を含有させてもよい。
【００８６】
例えば、第１の発光体に、波長３６５ｎｍ及び２５４ｎｍの紫外線を放射するブラックライトランプ照射で強い緑色発光を示す中心元素イオンがＴｂ3+からなる本発明の高分子錯体を、第２の発光体に波長３６５ｎｍの紫外線を放射するブラックライトランプ照射で強い赤色発光を示し、波長２５４ｎｍの紫外線を放射するブラックライトランプ照射ではほとんど赤色発光を示さない中心元素イオンがＥｕ3+からなる本発明の高分子錯体を混ぜ合わせた、２色混合型のインキを作成することができる。
【００８７】
前記インキ組成物は、波長３６５ｎｍの紫外線を放射するブラックライトランプを照射した場合、第１の発光体と第２の発光体が、それぞれ緑と赤の混色である黄色に近い色を発光する。一方、波長２５４ｎｍの紫外線を放射するブラックライトランプを照射した場合、第２の発光体はほとんど発光せず、第１の発光体の緑色のみが発光する。
【００８８】
この様に、前記２つの波長領域を使用して異なる色相を判別することになるため、真偽判別性をより高めることができる。
【００８９】
本発明の発光性インキ組成物中における前記高分子錯体の含有量は、前記基材の種類等に応じて適宜設定すればよいが、０．００１〜３０質量％程度が好ましく、０．０５〜３質量％程度がより好ましい。
【００９０】
本発明の発光性インキ組成物には、必要に応じて、溶媒、樹脂（バインダー）、浸透剤、消泡剤、分散剤、着色剤等の添加物を含有させてもよい。特に、本発明のインキ組成物は、前記高分子錯体が溶媒中に溶解したものが好ましい。
【００９１】
前記溶媒としては、前記高分子錯体を溶解することができるものであればよく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル系溶媒；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。これらの溶媒は発光性インキ組成物の用途等に応じて適宜選択すればよく、一種単独で又は二種以上の混合溶媒として使用できる。
【００９２】
前記樹脂（バインダー）は、前記高分子錯体を前記基材上に良好に定着でき、且つ、上記溶媒に良好に溶解するものが好ましい。前記樹脂は、光学的に透明であってもよいし、不透明であってもよい。例えば、ポリビニル系樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、ポリアミド樹脂、ナイロン樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、セルロース系樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は発光性インキ組成物の用途等に応じて適宜選択すればよく、一種単独で用いてもよく二種以上を併用してもよい。
【００９３】
浸透剤は、紙等へのインク組成物の浸透を早め、見かけの乾燥性を早くする目的で加える。前記浸透剤としては、例えば、グリコールエーテル、アルキレングリコール、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム等が挙げられる。これらの浸透剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
【００９４】
消泡剤は、インク組成物の移動やインク組成物製造時の泡の発生を防止する目的で添加する。前記消泡剤としては、アニオン性、非イオン性、カチオン性及び両イオン性界面活性剤を使用できる。アニオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルリン酸塩、アルキルエーテルリン酸エステル塩等が挙げられる。非イオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンオキシプロピレンブロックコポリマー、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、フッ素系、シリコン系等が挙げられる。カチオン性界面活性剤としては、例えば、４級アンモニウム塩、アルキルピリジニウム塩等が挙げられる。両イオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド、ホスファチジルコリン等が挙げられる。これらの界面活性剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
【００９５】
前記分散剤としては、例えば、ステアリン酸石鹸、オレイン酸石鹸、ロジン酸石鹸、Ｎａ−ジ−β−ナフチルメタンジサルフェート、Ｎａ−ラウリルサルフェート、Ｎａ−ジエチルヘキシルスルホサクシネート、Ｎａ−ジオクチルスルホサクシネート等の界面活性剤が挙げられる。これらの界面活性剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
【００９６】
前記着色剤としては、公知の顔料や染料を使用できる。例えば、アゾ系、アゾメチン系、キナクドリン系、アントラキノン系、ジオキサジン系、キノリン系、ペリレン系、イソインドリノン系、キノフタロン系等の有機染顔料を使用できる。これらの着色剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
【００９７】
本発明の発光性インキ組成物中における上記各種添加剤の含有量は特に限定されず、前記基材の種類、用途等に応じて適宜設定すればよいが、本発明の発光性インキ組成物中における前記樹脂（バインダー）の含有量は０．５〜３０質量％程度が好ましく、１〜１０質量％程度がより好ましい。前記樹脂の含有量が０．５質量％未満の場合、非浸透性の基材に対して前記高分子錯体を十分に定着できない。また前記樹脂の含有量が３０質量％を超える場合、発光性インキ組成物中において前記高分子錯体の周囲を前記樹脂（バインダー）が厚く覆うこととなるため前記高分子錯体の発光の低下を招く恐れがある。
【００９８】
＜高分子錯体含有プラスチック＞
本発明は、本発明の高分子錯体を含有する発光性のプラスチック組成物を包含する。発光性のプラスチック組成物に用いるプラスチック材料としては、特に制限されず、種々の材料を適用することができる。プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、尿素樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が挙げられる。高分子錯体を配合して成形加工する方法としては、特に限定されないが、射出成形、ブロー成形、圧縮成形、押出成形、反応成形、中空成形、熱成形、ＦＲＰ成形等が挙げられる。
【実施例】
【００９９】
以下本発明を実施例によりさらに説明する。但し、本発明は実施例により限定される意図ではない。【０１００】
本発明の配位子及び高分子錯体を、それぞれ以下のスキームに従い合成した。原料、触媒および溶媒は市販品（関東化学、東京化成工業、和光純薬工業）を用いた。各化合物は既報の文献に従って合成し、構造決定は1H-NMR、EI-MS、元素分析により行った。【０１０１】
実施例1
配位子(4-pyridinldiphenylphosphine oxide, 4-dppy)合成
【化４】
0006590254.tif 000005
【０１０２】
上記反応スキームに従って、目的化合物である4-dppyを合成した。
フレイムドライ後Ar雰囲気下にした100 ml三つ口フラスコに4-bromopyridine hydrochloride (1.95 g, 10.0 mmol)、超脱水トルエン(17 ml)を加えて撹拌した。反応容器を-78℃以下まで冷却した後、n-BuLi (16 ml, 25.6 mmol)を5〜10分掛けて滴下し、その後-20℃まで昇温させた。再び反応容器を-78℃以下まで冷却してから、PPh2Cl2 (2.7 ml, 15 mmol)をゆっくり滴下し、約8時間撹拌させた。撹拌終了後、反応液をCH2Cl2と飽和NaCl水溶液で抽出を行った後、MgSO4 で乾燥させ、溶媒を除去すると褐色油状物が得られた。氷浴中で、得られた褐色油状物をCH2Cl2(20 ml)に溶解させた後、反応溶液に30% H2O2 水溶液(12ml)をゆっくり滴下し、約4時間撹拌させた。撹拌終了後、反応液をCH2Cl2と飽和NaCl aqで抽出を行った後、MgSO4 で乾燥させ、溶媒を除去すると黄色の粗生成物が得られた。得られた黄色の液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(CH2Cl2：MeOH＝5:95)で精製を行い、第3成分を回収した。回収した第3成分をCH2Cl2に溶かし、濾過で不純物（特にシリカ）を取り除くことで、精製された配位子 4-dppyを黄色固体として得られた。Yield：0.54 g (19 %, 薄黄色粗結晶 or 白色粗結晶)
(4-dppyの物性)
1H-NMR、ESI-MSで同定した。
1H NMR : δ8.71-8.76(t, 2H,o-HC2pyr),δ7.40-7.88(m, 12H, Ar)ppm.
ESI-Mass : Calcd. for [M+H]+ :  280.09. Found, 280.09【０１０３】
実施例2
中間錯体(Eu(III)錯体)合成
【化５】
0006590254.tif 000006
上記反応スキームに従って、実施例1で合成した配位子4-dppyを用いて、Eu(III)錯体Eu(hfa)3(4-dppy)2を合成した。
配位子 4-dppy (0.24 g, 0.86 mmol)、Eu(hfa)3(H2O)2 (0.70 g, 0.87 mmol)をMeOH (50 ml)に溶かし、65℃で4時間加熱還流した。反応後、溶媒を除去し、CH2Cl2を加え、不溶物を濾過により取り除き、濾液を集め、再び溶媒を飛ばすと、目的物が薄黄色粉末として得られた。Yield： 0.54 g (47 %, 薄黄色粉末)
(Eu(III)錯体Eu(hfa)3(4-dppy)2の物性)
1H-NMR、ESI-MSで同定した。
1H NMR : δ8.71-8.76(t, 4H,o-HC2pyr),δ7.40-7.88(m, 24H, Ar), δ3.89(s, 3H, hfa) ppm
ESI-Mass : Calcd. for [M+H]+ :  1125.06. Found, 1125.06【０１０４】
EEu(hfa)3(4-dppy)2の発光スペクトルを図１に示す。
τobs=0.95 ms, ΦLn=73 %（粉体）
この発光スペクトルから4f-4f遷移に基づくEu(III)特有の５つの発光バンド（578 nm (5D0→7F0)、591 nm (5D0→7F1)、614 nm (5D0→7F2)、650 nm (5D0→7F3)、698 nm (5D0→7F4) ）が観測された。また原料であるEu(hfa)3(H2O)2と比較すると、614nm 付近の遷移が明らかに変化している。このスペクトルの増大は、Euの配位環境の変化したことに起因していると考えられる。【０１０５】
実施例3
高分子錯体(Eu-Pd配位高分子)合成
【化６】
0006590254.tif 000007
実施例2で得られたEu(III)錯体と塩化パラジウムを錯化させることで、上記反応スキームに従って、段階的にEu-Pd配位高分子を合成した。
100 mlナス型フラスコに実施例2で得られたEu(III)錯体（0.53 g (0.40 mmol)）、PdCl2（0.071 g (0.40 mmol)）、ベンゼン（40ml）を加えて撹拌し、80℃のオイルバス中で約22時間還流した。還流終了後、茶色の不純物を濾過で取り除き、得た濾液の溶媒を除去したところ黄色固体が得られた。【０１０６】
合成したEu-Pd配位高分子錯体の発光スペクトルと発光寿命測定の結果を図2に示す。発光寿命は、0.78 ms、発光量子収率は38％であった。参考として実施例2で合成したEu(III)錯体ユニットの発光スペクトルと発光寿命も示す。Eu-Pd配位高分子錯体の光物性及び実施例２の希土類錯体の光物性を下記表にまとめて示す。【０１０７】
【表１】
0006590254.tif 000008
【０１０８】
参考例１
リンカー部位の構造を調べる為に、以下に示した合成スキームでPd錯体の合成を行い、単結晶X線構造解析を行った。
【化７】
0006590254.tif 000009
100 mlナス型フラスコに配位子(0.41 g, 1.47 mmol)、PdCl2(0.13 g, 0.73 mmol)、ベンゼン (50 ml)を加えて撹拌し、80℃のオイルバス中で約22時間還流した。還流終了後、茶色の不純物を濾過で取り除き、得た濾液の溶媒を除去したところ黄色固体が得られた。MeOHで再結晶を行い、層状結晶が得られた。Yield： 0.41 g (76%, 黄色結晶)Pd(II)錯体は1H-NMR、ESI-MSで同定した。
1H NMR : δ8.92-8.94(m, 4H,o-HC2pyr),δ7.45-7.75(m, 24H, Ar)ppm.
ESI-Mass : Calcd. for [M+Cl]+ : 768.97.  Found, 770.97【０１０９】
図3にPd（II)錯体のX線構造解析の結果を示す。
X線構造解析の結果から、パラジウムには配位子の窒素部位が結合し、平面四配位構造を取ることがわかる。このことから、この配位子を用いたEu(III)錯体をパラジウムで架橋できることが示唆される。また、ピリジン環とパラジウムは同一平面上に存在していることが確認でき、架橋部位として平面構造を有していることがわかる。【０１１０】
試験例1
Eu(III)錯体と塩化パラジウムが錯形成するかを確認する為に、錯形成滴定を実施した。塩化パラジウムを0.1当量加えた毎に吸収スペクトルを測定し、2.5当量まで行った。図4(左図)に塩化パラジウムの各当量における吸収スペクトルを示す。このスペクトルから、300-320nm付近のピーク強度が徐々に減少していることがわかる図4(右図)。さらに、塩化パラジウムの滴下量と吸収度の関係を図5に示す。滴定曲線から、0.5-1.0当量までで1段階目の錯形成、1.5-2.0当量までで2段階目の錯形成が観測された。さらに、吸収スペクトル上の等吸収点が0.6当量までの時、280 nmに現れていたものが、2.5当量目までで等吸収点が270 nmに変化した。このことからも、Eu(III)錯体と塩化パラジウムの錯形成が、下記にスキームを示すように2段階で起こっていると考えられ、Eu-Pd配位高分子の形成が確認された。【０１１１】
【化８】
0006590254.tif 000010
【０１１２】
試験方法
上記実施例及び試験例における分析は下記方法により行った。
(1)単結晶X線構造解析
単結晶X線構造解析にはRigaku R-AXIS RAPIDを用いた。各Eu(III)錯体の無色単結晶を流動パラフィンと一緒にテフロン製マウントループ(φ＝0.3-0.4 mm, HAMPTON RESEARCH社製)に固定した。線源はMo-Kα、測定温度は-150±1℃でX線照射角度は最大2θ = 54.9 °とした。強度減衰とLorentz-分極効果の補正は経験的吸収補正(empirical absorption correction)によって行い、補正したデータを直接法で解析し、フーリエ変換を用いて拡張した。非水素原子は異方的に、水素原子はriding modelを用いて精密化した。モデルの精密化は観測した回折点と有効なパラメータに基づいて行われ、全ての計算は結晶学解析ソフトRigaku Crystal Structureで行った。【０１１３】
(2)光物性測定
1) 吸収スペクトル測定
Eu(III)錯体Eu(hfa)3(4-dppy)2のMeOH溶液(0.025 M)を調製し、30分間Ar バブリングを行った。測定にはJASCO V-550(UV/VIS Spectrophotometer)及び1 cm × 1 cm の四面石英セルを使用し、測定範囲300-600 nm 、40 nm / min の走査速度で測定した。【０１１４】
2) 発光スペクトル測定
Eu(III)錯体Eu(hfa)3(4-dppy)2は液体・固体状態、配位高分子[Eu(hfa)3(4-dppy)2PdCl2]n は固体状態で測定した。液体状態測定では、Eu(III)錯体のMeOH溶液(0.025 M)を調製し、30分間Ar バブリングを行った。測定にはJASCO FP-6600 及び液体状態では1 cm × 1 cm の四面石英セル、固体状態では1 cm × 0.1 cm の薄型石英セルを使用し、測定範囲：550‐750 nm、励起波長：370 nm と465 nm で行った。【０１１５】
3) 発光寿命測定
Eu(III)錯体Eu(hfa)3(4-dppy)2は液体・固体状態、配位高分子[Eu(hfa)3(4-dppy)2PdCl2]n は固体状態で測定した。励起光源にはSpectra-Physics YAGレーザーヘッド(H-INDI2-LW)を用いた。YAG レーザーに対する応答は日本テクトロニクス−デジタルオシロスコープ(TDS3052B)を用いた。求められる発光寿命は発光減衰プロファイルの縦軸の値を自然対数でプロットし、得られた直線の傾きから算出した。【０１１６】
4) 発光量子収率計算
Eu(III)錯体Eu(hfa)3(4-dppy)2及び配位高分子[Eu(hfa)3(4-dppy)2PdCl2]n を測定した発光スペクトルおよび発光寿命測定の結果から、発光量子効率ΦLn を算出した。Φ＝0.65をリファレンスに用いた比較法と絶対法による発光量子収率の測定を行った。吸収スペクトル測定から得られたデータについて、横軸に波長(nm)を波数(cm-1)に変換した後、465 nm での吸収帯の面積を求めた。次に465 nm の励起での発光スペクトル (測定範囲：550-750 nm) における5D0→7F0 、5D0→7F1 、5D0→7F2 、5D0→7F3 、5D0→7F4に起因する発光バンドの総面積を求めた。吸収の面積に対する発光の面積の比を計算し、その値をリファレンスの値と比較することで発光量子収率を算出した。【０１１７】
(3)錯形成滴定
Eu(III)錯体Eu(hfa)3(4-dppy)2のMeOH溶液（2×10-5 M）とPdCl2のMeOH溶液（6×10-4 M）を調製した。Eu(hfa)3(4-dppy)2のMeOH溶液 3 ml を加えた1 cm × 1 cm の四面石英セルにPdCl2のMeOH溶液10μlを加える毎に吸収スペクトル測定を行った。条件は測定範囲250-500 nm、走査速度20 nm/min とした。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明は、発光体や発光体に関連する分野に有用である。
【図１】
0006590254.tif 000012
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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