(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力用半導体素子を含む複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子が一方主面に搭載されたリードフレームと、
前記複数の半導体素子と前記リードフレームの前記複数の半導体素子を搭載した部分とを封止する樹脂と、
前記リードフレームの前記一方主面側において前記複数の半導体素子の上方に配置された少なくとも１つのシールド部材と、
を備え、
前記シールド部材は、前記樹脂に保持され、
前記シールド部材は、前記樹脂よりも透磁率又は導電率が高く、
前記シールド部材の表面は、断面形状が三角の複数の凸部が規則的に配置されて凹凸をなし、
前記複数の凸部は、前記リードフレーム側に突出する凸部と、前記リードフレームとは反対側に突出する凸部とを含む、半導体装置。
【請求項２】
前記シールド部材は金属、磁性体、セラミックスのいずれかを含む、
請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に電力用半導体素子を搭載した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力用半導体素子が樹脂封止された半導体装置（トランスファーパワーモジュールとも呼ばれる）が知られている。電力用半導体素子はリードフレームに搭載され、リードフレームの電力用半導体素子と反対側の面にはヒートシンクが配置される。また、近年では放熱性の向上を目的として、ヒートシンクのフィンと接触する面に金属薄膜付きの絶縁シートが配置されることもある。
【０００３】
高電圧・大電流を高速で制御することに伴うサージ電流、サージ電圧により、電力用半導体素子およびその端子から、放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが発生する。そこで、ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会）のノイズ規制規格以下にノイズを低減する技術開発が行われている。電気回路を構成する抵抗、インダクタンス、キャパシタ、半導体素子及びその配線を工夫することにより、ノイズの低減が図られている。しかしながら、ノイズのさらなる低減が要求されている。
【０００４】
例えば、特許文献１においては、リードフレームの裏面（半導体素子が搭載されている面と反対側の面）に金属シールド板を配置して、静電遮蔽により放射ノイズの低減を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１９１１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した特許文献１においては、リードフレームの裏面側に金属シールド板が配置されているため、リードフレームの半導体素子が搭載されている側において発生する放射ノイズを低減させることができなかった。
【０００７】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズの放出を抑制した半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、電力用半導体素子を含む複数の半導体素子と、複数の半導体素子が一方主面に搭載されたリードフレームと、複数の半導体素子とリードフレームの複数の半導体素子を搭載した部分とを封止する樹脂と、リードフレームの一方主面側において複数の半導体素子の上方に配置された少なくとも１つのシールド部材と、を備え、シールド部材は、樹脂に保持され、シールド部材は、樹脂よりも透磁率又は導電率が高く、シールド部材の表面は、断面形状が三角の複数の凸部が規則的に配置されて凹凸をなし、複数の凸部は、リードフレーム側に突出する凸部と、リードフレームとは反対側に突出する凸部とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る半導体装置においては、電力用半導体素子を含む複数の半導体素子の上方に、樹脂よりも透磁率又は導電率が高いシールド部材が配置される。よって、電力用半導体素子によるスイッチングにより発生する放射ノイズ（電磁波）を効果的に遮蔽して、電力用半導体素子およびその端子から発生する放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが半導体装置外部に放出されることを抑制することが可能である。
【００１１】
また、本発明に係る半導体装置においては、電力用半導体素子を含む複数の半導体素子を封止する樹脂が、樹脂よりも透磁率が高いシールド樹脂でさらに封止される。よって、電力用半導体素子によるスイッチングにより発生する放射ノイズ（電磁波）を効果的に遮蔽して、電力用半導体素子およびその端子から発生する放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが半導体装置外部に放出されることを抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。
【図３】実施の形態２に係る半導体装置の平面図である。
【図４】実施の形態３に係る半導体装置の平面図である。
【図５】実施の形態４に係る半導体装置の平面図である。
【図６】実施の形態５に係る半導体装置の断面図である。
【図７】実施の形態６に係る半導体装置の断面図である。
【図８】実施の形態７に係る半導体装置の断面図である。
【図９】前提技術に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜前提技術＞
本発明の実施形態を説明する前に、本発明の前提となる技術を説明する。図９は、前提技術における半導体装置５０の断面図である。前提技術における半導体装置５０は、電力用半導体素子７を含む複数の半導体素子と、リードフレーム２と、樹脂１とを備える。電力用半導体素子７とは、例えばスイッチング素子としてのＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、あるいは還流ダイオード（Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等である。半導体装置５０は、電力用半導体素子７の他に、電力用半導体素子７を駆動するための駆動回路（図示せず）等を備えてもよい。
【００１４】
リードフレーム２の一方主面には、電力用半導体素子７が搭載されている。つまり、リードフレーム２には、はんだ等の金属材料８を介して電力用半導体素子７が電気的に接合されている。樹脂１はエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等である。
【００１５】
電力用半導体素子７の上面電極および端子１２，１３の間は、ワイヤ１１により適宜電気的に接続されている。また、リードフレーム２の他方主面（即ち、電力用半導体素子７が搭載されている面と反対の面）には、絶縁層３を介してヒートシンク４が配置される。
【００１６】
電力用半導体素子７を含む複数の半導体素子と、リードフレーム２の複数の半導体素子を搭載した部分は、樹脂１によって封止されている。つまり、ヒートシンク４の底面を除いて、電力用半導体素子７、リードフレーム２、ワイヤ、ヒートシンク４は樹脂１によって封止されている。また、端子１２，１３が樹脂１から露出している。
【００１７】
半導体装置５０を動作させる際には、電力用半導体素子７において発生する熱を外部に放出するために、樹脂１から露出しているヒートシンク４の底面はグリス５を介して放熱用のフィン６に接触させる。
【００１８】
前述したように、電力用半導体素子７は、高電圧・大電流を高速で制御する。そのため、電力用半導体素子７およびその端子から、放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが発生して半導体装置５０の外部の電気回路等に悪影響を与える問題があった。以下で説明する実施形態は、上記課題を解決するものである。
【００１９】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態１における半導体装置１００の断面図である。また、図２は、半導体装置１００の平面図である。図２において、図の見易さのために電力用半導体素子７とシールド部材９のみを描いている。また、図１は、図２中の線分Ａ−Ｂにおける断面図である。
【００２０】
本実施の形態１における半導体装置１００は、前提技術における半導体装置５０に対してシールド部材９をさらに備える。その他の構成は前提技術（図９）と同じため、説明を省略する。
【００２１】
本実施の形態１において、半導体装置１００は、例えば、ＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＤＩＰＩＰＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ  Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌe）等である。
【００２２】
図１および図２に示すように、シールド部材９は、リードフレーム２の一方主面側（即ち、リードフレーム２の電力用半導体素子７が搭載されている面側）において複数の半導体素子の上方に配置される。図２に示すように、シールド部材９は、その外郭が平面視で電力用半導体素子７の外側に来るように配置される。
【００２３】
図１に示すように、シールド部材９は、樹脂１に封止されることにより、樹脂１に保持されている。なお、シールド部材９は、樹脂１により保持されていれば、一部が樹脂１から露出していてもよい。
【００２４】
シールド部材９は、樹脂１よりも透磁率又は導電率が高い。例えば、シールド部材９は、厚さが０．１ｍｍから１ｍｍ程度の金属薄膜（例えば銅薄膜）である。また、シールド部材９は、鉄、コバルト、ニッケル、アモルファス合金等の磁性体でもよい。また、シールド部材９は、フェライト等の磁性を有するセラミックスでもよい。
【００２５】
＜効果＞
本実施の形態１における半導体装置１００は、電力用半導体素子７を含む複数の半導体素子と、複数の半導体素子が一方主面に搭載されたリードフレーム２と、複数の半導体素子とリードフレーム２の複数の半導体素子を搭載した部分とを封止する樹脂１と、リードフレーム２の一方主面側において複数の半導体素子の上方に配置された少なくとも１つのシールド部材９と、を備え、シールド部材９は、樹脂１に保持され、シールド部材９は、樹脂１よりも透磁率又は導電率が高い。
【００２６】
本実施の形態１の半導体装置１００においては、電力用半導体素子７を含む複数の半導体素子の上方に、樹脂１よりも透磁率又は導電率が高いシールド部材９が配置される。よって、電力用半導体素子７によるスイッチングにより発生する放射ノイズ（電磁波）を効果的に遮蔽して、電力用半導体素子７およびその端子から発生する放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが半導体装置１００外部に放出されることを抑制することが可能である。
【００２７】
また、本実施の形態１における半導体装置１００において、シールド部材９は金属、磁性体、セラミックスのいずれかを含む。
【００２８】
従って、シールド部材９が金属、磁性体、セラミックスのいずれかを含むことにより、樹脂１よりも透磁率又は導電率を高めることが可能である。
【００２９】
＜実施の形態２＞
図３は、本実施の形態２における半導体装置２００の平面図である。図３において、図の見易さのために電力用半導体素子７とシールド部材９のみを描いている。
【００３０】
本実施の形態２では、シールド部材９に貫通孔９ａが設けられる。その他の構成は実施の形態１（図１、図２）と同じため、説明を省略する。なお、図３における貫通孔９ａの大きさおよび位置は模式的なものであり、これに限定されるものではない。
【００３１】
＜効果＞
本実施の形態２における半導体装置２００において、シールド部材９には少なくとも１つの貫通孔９ａが設けられる。
【００３２】
従って、シールド部材９に貫通孔９ａを設けたことによるアンカー効果によって、樹脂１とシールド部材９との密着性が向上する。よって、実施の形態１で述べたノイズを抑制する効果に加えて、半導体装置２００の耐久性を向上させることが可能である。
【００３３】
＜実施の形態３＞
図４は、本実施の形態３における半導体装置３００の平面図である。図４において、図の見易さのために電力用半導体素子７とシールド部材９のみを描いている。
【００３４】
本実施の形態３では、シールド部材９に複数の貫通孔９ａが設けられる。その他の構成は実施の形態１（図１、図２）と同じため、説明を省略する。なお、図４における貫通孔９ａの大きさおよび位置は模式的なものであり、これに限定されるものではない。また、図４では貫通孔９ａを１０個設けているが、貫通孔９ａの個数はこれに限定されない。
【００３５】
＜効果＞
本実施の形態３における半導体装置３００において、シールド部材９に設けられる少なくとも１つの貫通孔９ａは複数である。
【００３６】
従って、シールド部材９に貫通孔９ａを複数設けることによって、半導体装置３００の軽量化が可能である。また、シールド部材９に貫通孔９ａを複数設けることによって、アンカー効果によって、樹脂１とシールド部材９との密着性がさらに向上する。よって、実施の形態１で述べたノイズを抑制する効果に加えて、半導体装置３００を軽量化し、かつ耐久性を向上させることが可能である。
【００３７】
＜実施の形態４＞
図５は、本実施の形態４における半導体装置４００の平面図である。図５において、図の見易さのために電力用半導体素子７とシールド部材９のみを描いている。
【００３８】
本実施の形態４では、シールド部材９に複数の貫通孔９ａが設けられる。図５に示すように、貫通孔９ａは、電力用半導体素子７と平面視で重ならない位置に設けられる。
【００３９】
その他の構成は実施の形態１（図１、図２）と同じため、説明を省略する。なお、図５における貫通孔９ａの大きさおよび位置は模式的なものであり、電力用半導体素子７と平面視で重ならなければ、これに限定されるものではない。また、図５では貫通孔９ａを４個設けているが、貫通孔９ａの個数はこれに限定されない。
【００４０】
＜効果＞
本実施の形態４における半導体装置４００において、シールド部材９に設けられる少なくとも１つの貫通孔９ａは、電力用半導体素子７と平面視で重ならない位置に設けられる。
【００４１】
従って、電力用半導体素子７と平面視で重なる位置を避けて、シールド部材９に貫通孔９ａを設けることにより、電力用半導体素子７から放出される放射ノイズの強度の強い領域をシールド部材９で覆いながら、半導体装置４００の軽量化が可能である。
【００４２】
＜実施の形態５＞
図６は、本実施の形態５における半導体装置５００の断面図である。本実施の形態５において、シールド部材９の表面には凹凸が設けられている。凹凸とは、平らなシールド部材９の表面に形成された突起である。
【００４３】
シールド部材９の表面には凹凸が設けられること以外は、実施の形態１（図１、図２）と同じため、説明を省略する。なお、図６においては、突起の断面形状が三角になっているが、突起の形状はこれに限定されるものではない。
【００４４】
＜効果＞
本実施の形態５における半導体装置５００において、シールド部材９の表面には凹凸が設けられる。
【００４５】
従って、シールド部材９の表面に凹凸を設けることにより、電力用半導体素子７、ワイヤ１１等から放出される放射ノイズの指向性を分散させることが可能である。よって、電力用半導体素子７およびその端子から発生する放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが半導体装置５００外部に放出されることをさらに抑制することが可能である。
【００４６】
＜実施の形態６＞
図７は、本実施の形態６における半導体装置６００の断面図である。本実施の形態６において、複数のシールド部材９が設けられている。本実施の形態６では、２枚のシールド部材９が平面視で重なるように配置される。２枚のシールド部材９は共に樹脂１に保持されている。
【００４７】
その他の構成は実施の形態１（図１、図２）と同じため、説明を省略する。なお、本実施の形態６では、シールド部材９を２枚設けたが、複数のシールド部材９が互いに平面視で重なるように配置されれば、シールド部材９の個数はこれに限定されない。
【００４８】
＜効果＞
本実施の形態５における半導体装置６００において、少なくとも１つのシールド部材９は複数であり、複数のシールド部材９は平面視で重ねて配置される。
【００４９】
従って、複数のシールド部材９を平面視で重ねて配置することにより、電力用半導体素子７およびその端子から発生する放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが半導体装置６００外部に放出されることをさらに抑制することが可能である。
【００５０】
＜実施の形態７＞
図８は、本実施の形態７における半導体装置７００の断面図である。本実施の形態７における半導体装置７００は、前提技術における半導体装置５０に対してシールド樹脂１４をさらに備える。その他の構成は前提技術（図９）と同じため、説明を省略する。
【００５１】
図８に示すように、シールド樹脂１４は樹脂１を封止する。なお、ヒートシンク４の底面および端子１２，１３はシールド樹脂１４から露出している。
【００５２】
シールド樹脂１４は、樹脂１よりも透磁率が高い。例えば、シールド樹脂１４は、エポキシ樹脂にフェライト等の磁性体の粉を混入したものである。
【００５３】
＜効果＞
本実施の形態７における半導体装置７００は、電力用半導体素子７を含む複数の半導体素子と、複数の半導体素子が一方主面に搭載されたリードフレーム２と、複数の半導体素子とリードフレーム２の複数の半導体素子を搭載した部分とを封止する樹脂１と、樹脂１を封止するシールド樹脂１４と、を備え、シールド樹脂１４は、樹脂１よりも透磁率が高い。
【００５４】
本実施の形態７の半導体装置７００においては、電力用半導体素子７を含む複数の半導体素子を封止する樹脂１が、樹脂１よりも透磁率が高いシールド樹脂１４でさらに封止される。よって、電力用半導体素子７によるスイッチングにより発生する放射ノイズ（電磁波）を効果的に遮蔽して、電力用半導体素子７およびその端子から発生する放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズが半導体装置７００外部に放出されることを抑制することが可能である。
【００５５】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１  樹脂、２  リードフレーム、３  絶縁層、４  ヒートシンク、５  グリス、６  フィン、７  電力用半導体素子、８  金属材料、９  シールド部材、９ａ  貫通孔、１１  ワイヤ、１２，１３  端子、１４  シールド樹脂、５０，１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００  半導体装置。
【図１】
0006577374.tif 000002
【図２】
0006577374.tif 000003
【図３】
0006577374.tif 000004
【図４】
0006577374.tif 000005
【図５】
0006577374.tif 000006
【図６】
0006577374.tif 000007
【図７】
0006577374.tif 000008
【図８】
0006577374.tif 000009
【図９】
0006577374.tif 000010