(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型の光半導体装置において、
表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備え、各端子部の対向する端部は、その垂直断面において、互いに向き合う突出部を有し、各突出部は高さ方向において表面以外の中間部に形成され、各突出部は各端子部のうち、端子部間の空間に向かって最も突出する光半導体装置用リードフレームと、
前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、
前記光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と、
前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と、を備え、
各端子部の表面側には、端子部の外周を囲んで延びるよう形成された連続する溝状の凹部が設けられ、
前記光反射性樹脂は一の端子部の溝状の凹部の一部を埋め、前記透光性樹脂は前記一の端子部の溝状の凹部の他部を埋め、前記凹部の一部と前記凹部の他部は前記凹部が延びる方向に沿って互いに異なる位置にある、ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記溝状の凹部が端子部のコーナー部において、円弧状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記溝状の凹部は、上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部の内径は上方開口の長さより大きいことを特徴とする請求項２に記載の光半導体装置。  
【請求項４】
前記溝状の凹部は、前記端子部同士が対向する側面まで、連続的に形成されていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記溝状の凹部は、前記端子部同士が対向する側面まで達していないことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の光半導体素子を載置する光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、互いに絶縁された端子部を有するリードフレームとＬＥＤ素子とを有する光半導体装置を含むものがある。
【０００３】
このような光半導体装置として、例えば、特許文献１には、ＰＬＣＣ（Plastic leaded chip carrier）タイプの半導体装置が開示されている。特許文献１において、ＰＬＣＣタイプの光半導体装置は、リードフレームを保持する構造体と、ＬＥＤ素子を封止するドーム形カプセル材料とを有している。
【０００４】
ここで、一般に、ＬＥＤ素子を封止する材料には、ＬＥＤ素子の発する光を透過させる透光性樹脂が用いられ、その外周には、光半導体装置の発光効率を向上させるために光反射性樹脂が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−４９１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで近年、ＬＥＤ素子を含む光半導体装置を、更に小型化、薄型化にすることが求められている。このため、リードフレームのＬＥＤ素子を載置する面（表面）とは反対側の面（裏面）の端子部を、外部端子として樹脂から露出させて外部基板に実装する構造いわゆる下面実装型構造の光半導体装置が用いられてきている。
【０００７】
このような小型、薄型の光半導体装置においては、樹脂とリードフレームとの接触面積が小さくなることによる樹脂の脱離を防止するために、リードフレーム表面に微細な溝状の凹部を形成し、密着性を高めることが行われている。
【０００８】
しかしながら、上述のような溝状の凹部は、小型化、薄型化が求められる光半導体装置のリードフレームに設けられることから、その配置や大きさには制限を受け、このような微細な溝状の凹部に樹脂を充填することには困難性があった。
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、上述のような微細な溝状の凹部に、樹脂を充填することを容易にすることが可能な光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、種々研究した結果、表面側を光半導体素子と接続する内部端子とし、裏面側を樹脂から露出させて外部端子とする構造の端子部を有する下面実装型の光学素子用リードフレームにおいて、前記端子部の表面側に、前記光半導体装置用リードフレームの外周に沿って連続する溝状の凹部を形成し、コーナー部においては、前記溝状の凹部を円弧状に形成することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１１】
本発明は、樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備え、各端子部の表面側には、端子部の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部が設けられ、前記溝状の凹部が端子部のコーナー部において、円弧状に形成され、前記溝状の凹部が平面視上、複数平行して形成されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００１２】
本発明は、前記溝状の凹部は、前記端子部同士が対向する側面まで、連続的に形成されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００１３】
本発明は、前記溝状の凹部は、上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部の内径は上方開口の長さより大きいことを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００１４】
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
【００１５】
本発明は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記光反射性樹脂が形成されていることを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
【００１６】
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光半導体装置である。
【００１７】
本発明は、光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂が、平面視上、前記透光性樹脂を取り囲むように備えられていることを特徴とする光半導体装置である。
【００１８】
本発明は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記透光性樹脂が形成されていることを特徴とする光半導体装置である。
【００１９】
本発明は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記光反射性樹脂が形成されていることを特徴とする光半導体装置である。
【００２０】
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームを用いて前記光反射性樹脂を備えた樹脂付き光半導体装置用リードフレームを製造する方法において、前記光半導体装置用リードフレームを準備する工程と、前記端子部の表面、および、前記端子部同士が対向する側面から、前記溝状の凹部に樹脂注入して、前記光反射性樹脂を形成する工程とを備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法である。
【００２１】
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームを用いて前記透光性樹脂を備えた光半導体装置を製造する方法において、前記半導体装置用リードフレームを準備する工程と、前記端子部の表面、および、前記端子部同士が対向する側面から、前記溝状の凹部に樹脂注入して、前記透光性樹脂を形成する工程とを備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
【００２２】
本発明は、樹脂封止型の光半導体装置において、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備えた光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と、前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂とを備え、各端子部の表面側には、端子部の外周に沿って形成された溝状の凹部が設けられ、前記光反射性樹脂および前記透光性樹脂は、いずれも前記凹部内に入り込むことを特徴とする光半導体装置である。
【００２３】
本発明は、前記溝状の凹部は、上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部の内径は上方開口の長さより大きいことを特徴とする光半導体装置である。
【００２４】
本発明は、前記溝状の凹部は、端子部の外周に沿って複数平行に配置され、各溝状の凹部は端子部の全周に沿って線状に延びることを特徴とする光半導体装置である。
【００２５】
本発明は、光反射性樹脂は外側の溝状の凹部内に入り込み、透光性樹脂は内側の溝状の凹部内に入り込むことを特徴とする光半導体装置である。
【００２６】
本発明は、光反射性樹脂は外側の溝状の凹部内に入り込み、かつ内側の溝状の凹部に達することを特徴とする光半導体装置である。
【００２７】
本発明は、光反射性樹脂は溝状の凹部内を一部埋め、透光性樹脂は前記溝状の凹部の残部に入り込むことを特徴とする光半導体装置である。
【００２８】
本発明は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備えた光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂とを備え、各端子部の表面側には、端子部の外周に沿って形成された溝状の凹部が設けられ、前記光反射性樹脂は、前記溝状の凹部の残部を残して前記溝状の凹部内を一部埋まることを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、光半導体装置用リードフレームと樹脂との密着性を高める溝状の凹部が、リードフレームのコーナー部において円弧状に形成されているため、樹脂の流動を阻害する形状の突発的な変化を無くし、溝状の凹部への樹脂の充填を容易にすることができる。
【００３０】
また、前記溝状の凹部を、端子部同士が対向する側面まで連続的に形成することで、端子部の側面から溝状の凹部へ樹脂を注入することや、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部への樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの平板状の形態の一例を示す平面図である。
【図２】図１におけるＲ領域の部分拡大図である。
【図３】本発明に係る光半導体装置用リードフレームのパッケージ領域の形態の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明に係る光半導体装置用リードフレームのコーナー部における溝状の凹部を説明する図であり、（ａ）はパッケージ領域の平面図、（ｂ）はコーナー部の拡大図である。
【図５】本発明に係る光半導体装置用リードフレームに光反射性樹脂を樹脂成型した状態を説明する平面図である。
【図６】樹脂成型時における樹脂の流れについて説明する図である。
【図７】コーナー部における溝状の凹部の形状と樹脂の流れの関係について説明する図である。
【図８】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の例を示す平面図である。
【図９】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る光半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１２】本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１３】本発明に係る光半導体装置の変形例を示す図。
【図１４】本発明に係る光半導体装置の他の変形例を示す図。
【図１５】本発明に係る光半導体装置の更に他の変形例を示す図。
【図１６】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの変形例を示す断面図。
【図１７】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの変形例を示す図。
【図１８】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの更に他の変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３３】
［光半導体装置用リードフレーム］
まず、本発明の光半導体装置用リードフレームについて説明する。
【００３４】
図１は、本発明に係る光半導体装置リードフレームの平板状の形態の一例を示す平面図であり、図２は、図１におけるＲ領域の部分拡大図であり、図３は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのパッケージ領域の形態の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００３５】
本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、図１、図２に示すように、一般に、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）、アルミニウム等を材料とする平板状の金属基板に、多面付けされた形態で一括して加工形成される。そして、光反射性樹脂の形成、光半導体素子の載置、および透光性樹脂の形成の各工程を経た後に、パッケージ単位に切断（ダイシング）されて、個々の半導体装置となる。
【００３６】
また、図３に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、例えば、２個の端子部で１単位のパッケージ（１単位の光半導体装置）を構成し、片方の端子部の表面側に光半導体素子が載置される形態をとることが多いが、光半導体素子が２個の端子部を跨いで載置される形態をとる場合もある。また、端子部とは別に、光半導体素子が載置されるダイパッド部を有する場合もある。
【００３７】
さらに、複数の光半導体素子を用いて１単位の光半導体装置を構成する場合には、光半導体装置用リードフレームも、各光半導体素子に応じた複数の端子部で１単位のパッケージを構成する場合もある。
【００３８】
図１に示す例においては、本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、平板状の金属基板に多面付けされた形態をしており、矩形状の外形を有する枠体領域２と、枠体領域２内にマトリックス状に配置された多数のパッケージ領域３とを備えている。複数のパッケージ領域３は、互いにダイシング領域４に設けられた連結部（図示せず）を介して接続されている。
【００３９】
そして、図２に示すように、パッケージ領域３における光半導体装置用リードフレーム１０は、端子部１１と、端子部１１に隣接する端子部１２とを有している。なお、各パッケージ領域３は、それぞれ個々の光半導体装置に対応する領域である。
【００４０】
図２に示すように、各パッケージ領域３内の端子部１２は、その右方に隣接する他のパッケージ領域３内の端子部１１と、連結部１３ａにより連結されている。また、各パッケージ領域３内の端子部１１は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域３内の端子部１１と、それぞれ連結部１３ｂにより連結されている。同様に、各パッケージ領域３内の端子部１２は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域３内の端子部１２と、それぞれ連結部１３ｃによって連結されている。ここで、各連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、いずれもダイシング領域４に位置している。
【００４１】
なお、最も外周に位置するパッケージ領域３内の端子部１１および端子部１２は、連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃのうちの１つまたは複数によって、枠体領域２に連結されている。
【００４２】
図２に示すように、一つのパッケージ領域３内の光半導体装置用リードフレーム１０における端子部１１と端子部１２との間には、隙間（貫通部）が形成されており、切断（ダイシング）された後には端子部１１と端子部１２とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。
【００４３】
続いて、図２に示すパッケージ領域３における本発明に係る光半導体装置用リードフレーム構成を、図３を用いてさらに詳しく説明する。
【００４４】
本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、金属基板の表面側に内部端子と裏面側に外部端子を一体的に有する端子部を、一平面内に複数個、それぞれ互いに電気的に独立して配置し、前記端子部の内部端子と光半導体素子の端子とを電気的に接続し、前記端子部の裏面を外部に露出させるように全体を樹脂封止した樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームであって、前記端子部の表面側には、前記光半導体装置用リードフレームの外周に沿って形成された連続する溝状の凹部を有し、前記溝状の凹部が、前記光半導体装置用リードフレームのコーナー部において、円弧状に形成されていることを特徴とする。
【００４５】
例えば、図３（ａ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０は、２個の端子部１１、１２を有し、前記端子部１１、１２の表面側には、それぞれ、光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部１４ａ、１４ｂを有し、さらに、溝状の凹部１４ａ、１４ｂは、前記光半導体装置用リードフレーム１０のコーナー部において、円弧状に形成されている。
【００４６】
なお、本例においては、端子部１１は、光半導素子が載置されるダイパッドとしても機能するため、隣接する端子部１２よりも大きな面積を有している。
【００４７】
ここで、溝状の凹部１４ａ、１４ｂは、光半導体装置用リードフレーム１０と樹脂との密着性を高めるために形成されるものであり、例えば、光半導体装置用リードフレーム１０の外周から０．０３ｍｍ〜０．８ｍｍの距離を隔てた内側に形成される。
【００４８】
溝状の凹部１４ａ、１４ｂの開口幅（長手方向に垂直な方向の幅）は、例えば、０．０５ｍｍ〜１ｍｍである。また、溝状の凹部１４ａ、１４ｂの深さは、その開口幅の大きさにもよるが、例えば、光半導体装置用リードフレーム１０を構成する金属基板２１の厚さの１／４〜３／４程度であり、典型的には、前記金属基板２１の厚さの１／２程度である。
【００４９】
また、図３（ｂ）に示すように、光半導体装置用リードフレーム１０は、金属基板２１と、金属基板２１上に形成されためっき層２２からなっている。
【００５０】
本発明においては、光半導体装置を小型化、薄型化にするため、光半導体装置用リードフレーム１０を構成する端子部１１および端子部１２は、その表面１１Ａ、１２Ａ側が、光半導体素子と電気的に接続される内部端子（インナーリード）として機能し、その裏面１１Ｂ、１２Ｂ側が、外部基板と電気的に接続される外部端子（アウターリード）として機能する。
【００５１】
金属基板２１の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）、アルミニウム等を挙げることができる。この金属基板２１の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
【００５２】
めっき層２２は、端子部１１、１２を構成する金属基板２１の表面および裏面に設けられており、表面側のめっき層２２は、光半導体素子からの光を反射するための反射層として機能する。他方、裏面側のめっき層２２は、外部基板に実装される際の半田との濡れ性を高める役割を果たす。
【００５３】
なお、図３（ｂ）に示す例においては、めっき層２２は、端子部１１および端子部１２ともに、金属基板２１の表面および裏面の全体に設けられているが、本発明において前記めっき層２２は、端子部１１、１２の表面または裏面の所望の部分にのみ形成されていてもよい。
【００５４】
例えば、凹部の内壁と樹脂との密着性を向上させるために、凹部の内部には前記めっき層が形成されていない構成であってもよい。
【００５５】
上述のめっき層２２は、例えば銀（Ａｇ）の電解めっき層からなっており、その厚みは、例えば、０．０２μｍ〜１２μｍの範囲である。
【００５６】
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのコーナー部における溝状の凹部の形状について、説明する。
【００５７】
図４は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのコーナー部における凹部の形状を説明する図であり、（ａ）はパッケージ領域の平面図、（ｂ）はコーナー部の拡大図である。
【００５８】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、溝状の凹部１４ａ、１４ｂは、光半導体装置用リードフレーム１０のコーナー部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄにおいて、円弧状に形成されており、その幅方向の中心線の曲率半径（ｒ）は、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａ、１６ｂに平行な方向における溝状の凹部の距離をＬとした場合に、Ｌの１／５倍〜１／２倍の大きさであることが好ましい。
【００５９】
例えば、前記Ｌが２ｍｍの場合には、曲率半径（ｒ）は、０．４ｍｍ〜１ｍｍの範囲とすることが好ましい。
【００６０】
このような構成とすることにより、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、後述する光反射性樹脂や透光性樹脂を形成する際に、各樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への樹脂の充填を容易に行うことができる。
【００６１】
ここで、光反射性樹脂を形成する際における、本発明の効果について、以下詳述する。
【００６２】
図５は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームに光反射性樹脂を樹脂成型した状態を説明する平面図である。
【００６３】
図５に示すように、枠体領域２の外周部と露出領域３３を除いて、光半導体装置用リードフレーム１は光反射性樹脂３１で覆われており、後に透光性樹脂が形成される露出領域３３には、端子部１１と端子部１２のそれぞれの一部、および端子部１１と端子部１２の隙間が露出している。
【００６４】
この露出領域３３は、樹脂成型金型に設けられた凸部によって、光反射性樹脂３１の注入を妨げることで形成される。
【００６５】
なお、光反射性樹脂３１は、後述する図６に示すように、露出領域３３に対し、すり鉢状の形状に形成されるが、この図５においては、煩雑となるのを避けるため、傾斜面の詳細は省略し、上面のみを表示している。
【００６６】
また、端子部１１と端子部１２の隙間は、後述する図６に示すように、光反射性樹脂３１で埋められているが、この図５においては、煩雑となるのを避けるため、詳細は省略している。
【００６７】
次に、光反射性樹脂が注入される際の樹脂の流れについて説明する。
【００６８】
図６は、樹脂成型時における樹脂の流れについて説明する図である。この図６においては、樹脂の流れを説明するために、光反射性樹脂３１が形成される領域以外の領域を黒く塗りつぶしている。
【００６９】
図６において矢印で示すように、樹脂注入口３２より注入された光反射性樹脂３１は、ダイシング領域４や、端子部１１と端子部１２の隙間等を流れて、露出領域３３を除く全領域に広がって行く。この光反射性樹脂３１の流れは、露出領域３３を回避して流れるため、ダイシング領域４の交点で、ほぼ直角に曲がる方向へも分岐する。
【００７０】
そして、この分岐に際し、端子部１１および端子部１２に設けられた溝状の凹部は、コーナー部において円弧状に形成されているため、上述の流れ方向の変化に対しても樹脂を整流でき、溝状の凹部に気泡を残すことなく、樹脂の充填を確実なものとすることができるのである。
【００７１】
次に、上述の樹脂の整流について、図７を用いて説明する。図７は、コーナー部における溝状の凹部の形状と樹脂の流れの関係について説明する図である。
【００７２】
例えば、上述のような樹脂の流れの中において、溝状の凹部がコーナー部において円弧状に形成されている場合には、図７（ａ）に示すように、樹脂は流動を阻害されることなく、滑らかに流れることができる。
【００７３】
一方、図７（ｂ）に示すように、溝状の凹部がコーナー部において直角に形成されている場合には、例えば、流れに対し垂直な面から抵抗を受ける現象や、流れの方向が乱れてしまうといった現象が生じてしまい、樹脂は流動を阻害され、滑らかに流れることができない。
【００７４】
また、図７（ｃ）に示すように、溝状の凹部がコーナー部において終端を形成している場合には、流れに対し垂直な面から、流れに対して反対方向の抵抗を受ける現象や、終端に気泡が残留してしまうといった現象が生じやすいことになる。
【００７５】
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の形態について説明する。
【００７６】
図８は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の例を示す平面図である。本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、前記溝状の凹部が、前記端子部同士が対向する側面まで、連続的に形成されていてもよい。
【００７７】
例えば、図８（ａ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される溝状の凹部１４ａは、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａまで連続的に形成されていてもよい。
【００７８】
また、同様に、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される溝状の凹部１４ｂは、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ｂまで連続的に形成されていてもよい。
【００７９】
このような構成であれば、端子部の側面から溝状の凹部へ樹脂を注入することや、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部への樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
【００８０】
なお、図８（ａ）においては、溝状の凹部１４ａおよび溝状の凹部１４ｂが、それぞれ、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａおよび側面１６ｂまで、連続的に形成されている例を示しているが、本発明においては、溝状の凹部１４ａ、または溝状の凹部１４ｂのどちらか一方が、端子部１１と端子部１２とが対向する側面まで連続的に形成されていてもよい。
【００８１】
また、図８（ａ）においては、溝状の凹部１４ａおよび溝状の凹部１４ｂの両端部が、それぞれ、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａおよび側面１６ｂに達している例を示しているが、本発明においては、溝状の凹部の両端部のどちらか一方のみが、前記端子部同士が対向する側面に達している形態であってもよい。
【００８２】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、溝状の凹部が、平面視上、複数並走するように形成されていてもよい。
【００８３】
例えば、図８（ｂ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される線状に延びる溝状の凹部１４ａの内周側に、線状に延びる溝状の凹部１４ｃが、平面視上、溝状の凹部１４ａに並走するように、すなわち平行に延びて形成されていてもよい。
【００８４】
また、同様に、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される線状に延びる溝状の凹部１４ｂの内周側に、線状に延びる溝状の凹部１４ｄが、平面視上、溝状の凹部１４ｂに並走するように、すなわち平行に延びて形成されていてもよい。
【００８５】
このような構成であれば、上述の形態における効果に加えて、光半導体装置用リードフレームと樹脂との接触面積をさらに増すことができるため、樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性をより高めることができる。
また、例えば、外周側の溝状の凹部の上に光反射性樹脂を形成し、内周側の溝状の凹部の上に透光性樹脂を形成することで、光半導体装置用リードフレームと、光反射性樹脂および透光性樹脂の両方との密着性を高めることができる。
【００８６】
なお、図８（ｂ）においては、平面視上、外周側と内周側の溝状の凹部２本が、並走するように形成されている例を示しているが、並走する溝状の凹部の数は２本に限られず、３本以上であってもよい。
【００８７】
また、図８（ｂ）においては、端子部１１、および端子部１２のそれぞれに形成された溝状の凹部の両方が、複数並走するように形成されている例を示しているが、本発明においては、端子部１１または端子部１２に形成された溝状の凹部のどちらか一方のみが、複数並走するように形成されていてもよい。
【００８８】
［樹脂付き光半導体装置用リードフレーム］
次に、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームについて説明する。
【００８９】
図９は、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例を示す断面図である。本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームは、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と、を備えたものである。
【００９０】
上述の光反射性樹脂は、例えば、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂からなり、光半導体素子が載置される部位の周囲の光半導体装置用リードフレームの表面および側面に形成されるものである。
【００９１】
上述の光反射性樹脂を形成する方法としては、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成型金型にリードフレームをインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム上に樹脂をスクリーン印刷する方法を用いることができる。
【００９２】
ここで、上述のように、本発明に係る端子部１１および端子部１２は、その表面側が、光半導体素子と電気的に接続される内部端子（インナーリード）として機能し、その裏面側が、外部基板と電気的に接続される外部端子（アウターリード）として機能するものである。
【００９３】
それゆえ、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０においては、図９に示すように、端子部１１および端子部１２の裏面には光反射性樹脂３１は形成されておらず、各端子部１１、１２の裏面が露出した構造になっている。
【００９４】
なお、端子部１１と端子部１２との間に形成された隙間（貫通部）には、光反射性樹脂３１が形成されていることが好ましい。端子部１１と端子部１２とを電気的に絶縁することができ、さらに、この隙間（貫通部）に到達した光も高い反射率で反射させることができ、半導体装置の発光効率を向上することができるからである。
【００９５】
上述の光反射性樹脂に使用される熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐光性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。
【００９６】
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。
【００９７】
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタンおよびポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
【００９８】
さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることも可能である。
【００９９】
本発明においては、前記光反射性樹脂は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に形成されていることが好ましい。
【０１００】
例えば、図９（ａ）に示すように、光反射性樹脂３１は、端子部１１に設けられた溝状の凹部１４ａ、および端子部１２に設けられた溝状の凹部１４ｂの上に形成されていてもよい。
【０１０１】
このような構成とすることにより、光反射性樹脂３１と光半導体装置用リードフレームを構成する端子部１１、１２との密着性を高めることができ、また、光反射性樹脂３１を形成する際に、樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部１４ａ、１４ｂへの樹脂の充填を容易に行うことができる。
【０１０２】
また、本発明においては、例えば、図９（ｂ）に示すように、光反射性樹脂３１は、溝状の凹部１４ａ、１４ｂの外周側に形成されていてもよい。
【０１０３】
このような構成であれば、上述のような樹脂付き光半導体装置用リードフレームを用いて、光反射性樹脂で周囲を囲まれた領域に、光半導体素子を封止する透光性樹脂を形成する際に、前記透光性樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への透光性樹脂の充填を容易に行うことができる。また、透光性樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができる。
【０１０４】
なお、図示はしないが、本発明においては、例えば、図８（ｂ）に示すような複数の溝状の凹部を有する前記光半導体装置用リードフレームを用いて、例えば、外周側の前記溝状の凹部の上に光反射性樹脂を、内周側の前記溝状の凹部の上に透光性樹脂を、それぞれ形成してもよい。
【０１０５】
このような構成とすることにより、光反射性樹脂および透光性樹脂の両方の樹脂と、光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、光反射性樹脂、透光性樹脂の各樹脂を形成する際には、各樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への各樹脂の充填を容易に行うことができるからである。
【０１０６】
［光半導体装置］
次に、本発明に係る光半導体装置について説明する。
【０１０７】
図１０は、本発明に係る光半導体装置の一例を示す断面図である。
【０１０８】
本発明に係る光半導体装置は、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、少なくとも前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と、を備えたものである。
【０１０９】
また、本発明に係る光半導体装置においては、平面視上、前記透光性樹脂を取り囲むように、上述の光反射性樹脂が備えられていてもよい。
【０１１０】
例えば、図１０（ａ）に示す例において、本発明に係る光半導体装置４０は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの端子部１１の表面に載置された光半導体素子４２と透光性樹脂４４とを備えており、透光性樹脂４４を取り囲むように、光反射性樹脂３１が備えられている。
【０１１１】
上述の光半導体素子としては、例えば、従来一般に用いられているＬＥＤ素子を用いることができる。ここで、ＬＥＤ素子は、発光層として、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、または、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができるものである。
【０１１２】
光半導体素子の載置形態としては、例えば、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、２個の端子部１１、１２のいずれか一方をダイパッドとして利用する形態や、例えば、図１０（ｃ）に示すように、２個の端子部１１、１２に跨るような形態がある。また、図示はしないが、端子部とは別のダイパッド部に光半導体素子が載置される形態もある。
【０１１３】
例えば、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、光半導体素子４２は、半田等の放熱性接着剤４１により端子部１１上に固定実装され、ボンディングワイヤ４３により、端子部１１および端子部１２に接続される。
【０１１４】
ここで、半田の代わりにダイボンディングペーストを用いる場合には、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
【０１１５】
また、ボンディングワイヤ４３は、例えば、金（Ａｕ）等の導電性の良い材料からなり、その一端が光半導体素子４２に接続されるとともに、その他端が各端子部１１、１２に接続される。
【０１１６】
なお、光半導体素子と端子部との接続には、例えば、図１０（ｃ）に示すように、ボンディングワイヤに代えて、金−金接合や、半田等の導電性を有する放熱性接着剤４１ａ、４１ｂによって、各端子部１１、１２に接続される方法もある。
【０１１７】
また、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）、ＮＣＦ（非導電性フィルム）、またはＮＣＰ（非導電性ペースト）等を用いて光半導体素子の端子を光半導体装置用リードフレームの端子部に直接接合する方法もある。
【０１１８】
次に、透光性樹脂について説明する。本発明に係る透光性樹脂としては、光の取り出し効率を向上させるために、光半導体素子の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、光半導体素子として高輝度ＬＥＤを用いる場合、透光性樹脂は強い光にさらされるため、透光性樹脂は高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
【０１１９】
なお、光反射性樹脂については、上述の本発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームにおいて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。
【０１２０】
本発明の光半導体装置においては、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記透光性樹脂が形成されていることが好ましい。
【０１２１】
例えば、図１０（ａ）に示すように、透光性樹脂４４は、端子部１１に設けられた溝状の凹部１４ａ、および端子部１２に設けられた溝状の凹部１４ｂの上に形成されていてもよい。
【０１２２】
このような構成とすることにより、本発明に係る光半導体装置においては、透光性樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、また、透光性樹脂を形成する際に、透光性樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への透光性樹脂の充填を容易に行うことができる。
【０１２３】
また、本発明の光半導体装置においては、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記光反射性樹脂が形成されていることが好ましい。
【０１２４】
例えば、図１０（ｂ）に示すように、光反射性樹脂３１は、端子部１１に設けられた溝状の凹部１４ａ、および端子部１２に設けられた溝状の凹部１４ｂの上に形成されていてもよい。
【０１２５】
このような構成とすることにより、本発明に係る光半導体装置においては、光反射性樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、また、光反射性樹脂を形成する際に、光反射性樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への光反射性樹脂の充填を容易に行うことができる。
【０１２６】
なお、図示はしないが、本発明においては、例えば、図８に示すような複数の溝状の凹部を有する前記光半導体装置用リードフレームを用いて、例えば、外周側の前記溝状の凹部の上に光反射性樹脂を、内周側の前記溝状の凹部の上に透光性樹脂を、それぞれ形成してもよい。
【０１２７】
このような構成とすることにより、光反射性樹脂および透光性樹脂の両方の樹脂と、光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、光反射性樹脂、透光性樹脂の各樹脂を形成する際には、各樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への各樹脂の充填を容易に行うことができるからである。
【０１２８】
［光半導体装置用リードフレームの製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法について説明する。図１１は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【０１２９】
まず、図１１（ａ）に示すように、平板状の金属基板２１を準備する。この金属基板２１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板２１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【０１３０】
次に、金属基板２１の表面および裏面に、それぞれ、レジストパターン５１ａ、５１ｂを形成する（図１１（ｂ））。レジストパターン５１ａ、５１ｂの材料および形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知のものを使用することができる。
【０１３１】
次に、レジストパターン５１ａ、５１ｂを耐エッチング膜として金属基板２１にエッチングを施し（図１１（ｃ））、その後、レジストパターン５１ａ、５１ｂを除去する（図１１（ｄ））。
【０１３２】
上述のエッチングに用いるエッチング液は、使用する金属基板２１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板２１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板２１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【０１３３】
このエッチング工程により、端子部１１および端子部１２の外形、端子部１１と端子部１２とを絶縁する開口部６１、ならびに、溝状の凹部１４ａ、１４ｂが同時に形成される。
【０１３４】
なお、図１１においては省略するが、この工程段階での端子部１１および端子部１２は、例えば、上述の図２に示すように、各連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃを介して多面付けされた形態をしている。
【０１３５】
次に、端子部１１および端子部１２を構成する金属基板２１の全面に、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電解めっきを施すことにより、めっき層２２を形成し、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１を得ることができる（図１１（ｅ））。
【０１３６】
なお、めっき層２２を形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程、を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経て、めっき層２２を形成してもよい。
【０１３７】
なお、図１１（ａ）〜（ｅ）においては、エッチングにより光半導体装置用リードフレーム１を製造する方法を示したが、本発明においては、プレスによる製造方法を用いても良い。
【０１３８】
［樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置の製造方法］
次に、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置の製造方法について説明する。
【０１３９】
図１２は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームを用いた光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【０１４０】
まず、図１２（ａ）に示すように、上述した工程等によって得られた本発明に係る光半導体装置用リードフレームの表面、および側面に光反射性樹脂３１を形成することにより、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０を得る。
【０１４１】
光反射性樹脂３１の形成は、例えば、所望の形状に加工した金型を用いて、熱可塑性樹脂を射出成型またはトランスファ成型することにより形成することができ、これにより、光半導体装置用リードフレームと光反射性樹脂３１とが一体に結合される。
【０１４２】
ここで、図１２（ａ）に示すように、光反射性樹脂３１を溝状の凹部１４ａ、１４ｂの上に形成する場合、本発明においては、前記溝状の凹部が、前記光半導体装置用リードフレームのコーナー部において、円弧状に形成されているため、樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への樹脂の充填を容易に行うことができる。
【０１４３】
また、例えば、上述の図８（ａ）に示すように、溝状の凹部１４ａ、１４ｂが、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａ、１６ｂまで連続的に形成されている場合には、端子部１１、１２の表面からの樹脂注入に加えて、端子部１１と端子部１２が対向する側面からも、前記溝状の凹部に樹脂注入することが可能となり、かつ、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部１４ａ、１４ｂへの樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
【０１４４】
次に、図１２（ｂ）に示すように、半田等の放熱性接着剤４１を介して光半導体素子４２を端子部１１上に載置し、ボンディングワイヤ４３により、光半導体素子４２と、端子部１１および端子部１２とを電気的に接続する。
【０１４５】
次に、図１２（ｃ）に示すように、光反射性樹脂３１で囲まれた領域の端子部１１および端子部１２の表面に透光性樹脂４４を充填し、透光性樹脂４４により光半導体素子４２を封止する。
【０１４６】
ここで、図１２においては示していないが、例えば、上述の図１０（ａ）に示すように、透光性樹脂４４を溝状の凹部１４ａ、１４ｂの上に形成する場合、本発明においては、前記溝状の凹部が、前記光半導体装置用リードフレームのコーナー部において、円弧状に形成されているため、樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への透光性樹脂の充填を容易に行うことができる。
【０１４７】
また、例えば、上述の図８に示すように、溝状の凹部１４ａ、１４ｂが、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａ、１６ｂまで連続的に形成されている場合には、端子部１１、１２の表面からの樹脂注入に加えて、端子部１１と端子部１２が対向する側面からも、前記溝状の凹部に樹脂注入することが可能となり、かつ、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部１４ａ、１４ｂへの透光性樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
【０１４８】
次に、従前の方法等を用いて、ダイシング領域４の光反射性樹脂３１および各連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ（図示せず）を切断して（図１２（ｄ））、本発明に係る光半導体装置４０を得る（図１２（ｅ））。
【０１４９】
以上、本発明の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１５０】
次に本発明に係る光半導体装置の変形例について図１３乃至図１４により説明する。図１３乃至図１４に示す変形例は光半導体装置用リードフレームの構成が異なるのみであり、他の構成は図１乃至図１２に示す実施の形態と略同一である。
【０１５１】
図１３乃至図１４に示す変形例において、図１乃至図１２に示す実施の形態と同一部分には同一符号を符して詳細な説明は省略する。
【０１５２】
図１３乃至図１４において、樹脂止型の半導体装置４０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、リードフレーム１０の表面に載置された光半導体素子４２と、光半導体素子４２が発する光を反射する光反射性樹脂３１と、光半導体素子４２が発する光の一部を透過する透光性樹脂４４とを備えている。
【０１５３】
また端子部１１の表面１１Ａ側には、端子部１１の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部１４ａ、１４ｃが設けられている。さらに、端子部１１の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
【０１５４】
端子部１１の外周に沿って形成された連続する２つの溝状の凹部は、互いに並走するように、すなわち平行に延びて形成されている。
【０１５５】
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｃと、光反射性樹脂３１および透光性樹脂４４との関係について説明する。
【０１５６】
図１３に示すように、光反射性樹脂３１は、外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込み、外側の溝状の凹部１４ａと内側の溝状の凹部１４ｃとの間まで達する。
【０１５７】
また透光性樹脂４４は内側の溝状の凹部１４ｃ内に入り込んでいる。
【０１５８】
このように、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込み、透光性樹脂４４が内側の溝状の凹部１４ｃ内に入り込むことにより、光反射性樹脂３１と端子部１１との密着性を高めることができ、また透光性樹脂４４と端子部１１との密着性を高めることができる。
【０１５９】
さらに光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込むことにより、端子部１１と光反射性樹脂３１との間に隙間が形成され、外部から水分が侵入してきても、この水分を凹部１４ａ内に入り込んだ光反射性樹脂３１により遮断することができる。
【０１６０】
あるいは、図１４に示すように、光反射性樹脂３１は外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込み、かつ内側の溝状の凹部１４ｃに達し、この凹部１４ｃ内を埋めていてもよい。
【０１６１】
このように、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内および内側の溝状の凹部１４ｃ内に入り込むことにより、光反射性樹脂３１と端子部１１との密着性を高めることができる。
【０１６２】
さらに光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込むことにより、端子部１１と光反射性樹脂３１との間に隙間が形成され、外部から水分が侵入してきても、この水分を凹部１４ａ内に入り込んだ光反射性樹脂３１により遮断することができる。
【０１６３】
さらにまた、光反射性樹脂３１が内側の溝状の凹部１４ｃを埋めるため、光半導体素子４２が発する光が内側の溝状の凹部１４ｃ内で乱反射することはない。このため光半導体素子４２からの光を透光性樹脂４４を経て、適切に外方へ放射することができる。
【０１６４】
なお、図１４において、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａと内側の溝状の凹部１４ｂの双方に入り込んでいるが、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａに入り込み、かつ内側の溝状の凹部１４ｂ内を一部埋め、透光性樹脂４４が内側の溝状の凹部１４ｂの残部に入り込んでいてもよい。
【０１６５】
また、図１乃至図１４に示す実施の形態において、溝状の凹部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄは、いずれも凹部の上方開口が凹部の内径より大きくなっているが、これに限らず、端子部１１の表面側に溝状の凹部１４ａ、１４ｃを平行に形成するとともに、各凹部１４ａ、１４ｃの形状をＣ字状断面をもつよう形成してもよい（図１５参照）。
【０１６６】
図１５に示すように、各溝状の凹部１４ａ、１４ｃは、上方開口をもつＣ字状断面をもっており、各凹部１４ａ、１４ｃの内径Ｗ２は、上方開口の長さＷ１より大きくなっている。
【０１６７】
図１５において、光反射性樹脂３１は外側の溝状の凹部１４ａから、外側の溝状の凹部１４ａと内側の溝状の凹部１４ｃとの間まで延び、透光性樹脂４４は内側の溝状の凹部１４ｃまで延びている。
【０１６８】
このように溝状の凹部１４ａ、１４ｃが上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部１４ａ、１４ｃの内径Ｗ２が上方開口の長さＷ１より大きくなっているため、凹部１４ａ、１４ｃを有する端子部１１と光反射性樹脂３１との間の密着性および端子部１１と透光性樹脂４４との密着性をより向上させることができる。
【０１６９】
次に本発明による樹脂付き光半導体装置用リードフレームの変形例について図１６乃至図１８により説明する。
【０１７０】
図１６乃至図１８に示す変形例において、図１乃至図１２に示す実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１７１】
まず図１６において、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１、１２を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、光を反射する光反射性樹脂３１とを備えている。そして光反射性樹脂３１内は、露出領域３３となっている。
【０１７２】
また端子部１１の表面１１Ａおよび端子部１２の表面１２Ａ側には、端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部１４ａ、１４ｃおよび１４ｂ、１４ｄが各々が設けられている。さらに、端子部１１の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
【０１７３】
端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する２つの溝状の凹部１４ａ、１４ｃおよび１４ｂ、１４ｄは、互いに並走するように、すなわち平行に延びて形成されている。
【０１７４】
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｃおよび１４ｂ、１４ｄと、光反射性樹脂３１との関係について説明する。
【０１７５】
図１６に示すように、光反射性樹脂３１は、外側の溝状の凹部１４ａおよび１４ｂ内に入り込み、外側の溝状の凹部１４ａおよび１４ｂと内側の溝状の凹部１４ｃおよび１４ｄとの間まで達し、反射性樹脂３１は内側の溝状の凹部１４ｃおよび１４ｄ内に入り込むことはない。
【０１７６】
このように、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａおよび１４ｂ内に入り込むことにより、光反射性樹脂３１と端子部１１および１２との密着性を高めることができる。
【０１７７】
あるいは、図１７（ａ）に示すように、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１、１２を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、光を反射する光反射性樹脂３１とを備えていてもよい。そして光反射性樹脂３１内は露出領域３３となっている。
【０１７８】
また端子部１１の表面１１Ａおよび端子部１２の表面１２Ａ側には、端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する１本の溝状の凹部１４ａ、１４ｂが設けられている。さらに、端子部１１、１２の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
【０１７９】
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｂと、光反射性樹脂３１との関係について説明する。
【０１８０】
図１７（ａ）に示すように、光反射性樹脂３１は、連続する１本の溝状の凹部１４ａの一部内に入り込み、溝状の凹部１４ａの他部には入り込んでおらず、また連続する１本の溝状の凹部１４ｂの一部内に入り込み、溝状の凹部１４ｂの他方には入り込んでいない。
【０１８１】
あるいは、端子部１１の表面１１Ａ側および端子部１２の表面１２側に、断続的に溝状の凹部１４ａ−１、１４ａ−２および凹部１４ｂ−１、１４ｂ−２を設けてもよい（図１７（ｂ））。
【０１８２】
図１７（ｂ）に示すように、端子部１１側では凹部１４ａ−１には光反射性樹脂３１が埋まり、凹部１４ａ−２には光反射性樹脂３１が全く入り込んでいない。
【０１８３】
同様に端子部１２側では凹部１４ｂ−１に光反射性樹脂３１が埋まり、凹部１４ｂ−２には光反射性樹脂は入り込んでいない。
【０１８４】
あるいは図１８（ａ）（ｂ）に示すように、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１、１２を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、光を反射する光反射性樹脂３１とを備えていてもよい。この場合、光反射性樹脂３１内は露出領域３３となっている。
【０１８５】
また端子部１１の表面１１Ａおよび端子部１２の表面１２Ａ側には、端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する１本の溝状の凹部１４ａ、１４ｂが設けられている。さらに、端子部１１、１２の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
【０１８６】
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｂと、光反射性樹脂３１との関係について説明する。
【０１８７】
図１８（ａ）（ｂ）に示すように、光反射性樹脂３１は、端子部１１側の凹部１４ａを完全に埋め、端子部１２側の凹部１４ｂの他部を残してその一部を埋めている。
【０１８８】
あるいは図１８（ｃ）に示すように端子部１１側の凹部１４ａの端部と、端子部１２側の凹部１４ｂの端子部とは互いに一致しておらずにずれていてもよい。この場合、光反射性樹脂３１は端子部１１側の凹部１４ａを完全に埋め、端子部１２側の凹部１４ｂには全く入り込んでいない。
【符号の説明】
【０１８９】
１  光半導体装置用リードフレーム
２  枠体領域
３  パッケージ領域
４  ダイシング領域
１０  光半導体装置用リードフレーム
１１、１２  端子部
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  連結部
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ  溝状の凹部
１４ａ−１、１４ａ−２、１４ｂ−１、１４ｂ−２  溝状の凹部
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ  コーナー部
１６ａ、１６ｂ  側面
２１  金属基板
２２  めっき層
３０  樹脂付き光半導体装置用リードフレーム
３１  光反射性樹脂
３２  樹脂注入口
３３  露出領域
４０  光半導体装置
４１、４１ａ、４１ｂ  放熱性接着剤
４２  光半導体素子
４３  ボンディングワイヤ
４４  透光性樹脂
５１ａ、５１ｂ  レジストパターン
６１  貫通部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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