(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなる直方体形状の絶縁基板を構成する６つの面のうち、最も面積の広い２つの対向面を第１面、この第１面の短辺に隣接する２つの対向面を第２面、前記第１面の長辺に隣接する２つの対向面を第３面とするチップ抵抗器において、
前記一対の第１面のいずれか一方に、所定間隔を存して対向する一対の内部電極と、これら内部電極間に跨る抵抗体と、この抵抗体を覆う絶縁性の保護膜とが設けられていると共に、前記一対の第１面と前記一対の第３面の長手方向両端部にそれぞれ前記内部電極と導通する外部電極が設けられており、前記第１面に設けられた前記外部電極の長手方向に沿う寸法が前記第３面に設けられた前記外部電極の長手方向に沿う寸法よりも小さく設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
セラミックスからなる直方体形状の絶縁基板を構成する６つの面のうち、最も面積の広い２つの対向面を第１面、この第１面の短辺に隣接する２つの対向面を第２面、前記第１面の長辺に隣接する２つの対向面を第３面とするチップ抵抗器において、
前記一対の第１面のいずれか一方に、所定間隔を存して対向する一対の内部電極と、これら内部電極間に跨る抵抗体と、この抵抗体を覆う絶縁性の保護膜とが設けられていると共に、前記一対の第３面の長手方向両端部に前記内部電極と導通する外部電極が設けられており、この外部電極が前記一対の第１面に設けられていないことを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
請求項１または２の記載において、前記一対の第２面に前記内部電極と導通する外部電極が設けられていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項４】
請求項１または２の記載において、前記保護膜は前記内部電極と前記抵抗体を含めて前記第１面の面全体を覆っていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項５】
請求項１または２の記載において、前記一対の第１面のいずれか他方の面全体に絶縁性の補助保護膜が設けられていることを特徴とするチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板上に半田付けによって面実装されるチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にチップ抵抗器は、セラミックスからなる直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の上面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、これら一対の表電極に跨るように絶縁基板の上面に設けられた抵抗体と、抵抗体を覆うように設けられた絶縁性の保護膜と、絶縁基板の下面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を導通するように絶縁基板の両端面に設けられた一対の端面電極と、これら端面電極の外表面にめっき処理を施して形成された一対の外部電極とを備えている。
【０００３】
このように構成されたチップ抵抗器は、回路基板に設けられたランド上に半田ペーストを印刷した後、裏電極を下向きにした姿勢で外部電極をランド上に搭載し、この状態で半田ペーストを溶融・固化することによって回路基板上に面実装されるようになっている。
【０００４】
近年、電子機器の小型・高機能化に伴って回路基板の実装密度が飛躍的に上昇しており、それに伴ってチップ抵抗器の実装面積を小さくしたり、隣接するチップ抵抗器の間隔を狭くする狭隣接実装が要望されている。このような狭隣接実装に対応するために、特許文献１に記載されているように、絶縁基板の両端面を除く４面（上下面と両側面）に同一幅の外部電極を形成したチップ抵抗器が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２０８５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
直方体形状の絶縁基板を構成する６つの面のうち、最も面積の広い２つの対向面を第１面、第１面の短辺に隣接する２つの対向面を第２面、第１面の長辺に隣接する２つの対向面を第３面としたとき、特許文献１に記載されたチップ抵抗器のように、いずれか一方の第１面に表電極と抵抗体および保護膜が形成されていると共に、第２面を除いた４つの面（両第１面と両第３面）に表電極と導通する外部電極が形成されていれば、第１面に比べて面積の狭い第３面を実装面にすることができるため、隣接するチップ間隔を狭めた狭隣接実装が可能となる。
【０００７】
この場合、実装面である第３面の短辺寸法よりも高さ寸法が大きくなるタワー型の搭載となり、第１面を側方に向けた姿勢で外部電極とランドが半田接合されるため、特許文献１に記載されたチップ抵抗器のように、第３面に形成された外部電極よりも面積の広い外部電極が第１面に形成されていると、半田ペーストが溶融・固化する際の半田収縮によって第１面側に引っ張られやすくなり、その結果、チップ抵抗器が傾いたり倒れた状態で搭載されてしまうという問題が発生する。
【０００８】
本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、安定した搭載姿勢を確保した状態で狭隣接実装することができるチップ抵抗器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための一形態として、本発明のチップ抵抗器は、セラミックスからなる直方体形状の絶縁基板を構成する６つの面のうち、最も面積の広い２つの対向面を第１面、この第１面の短辺に隣接する２つの対向面を第２面、前記第１面の長辺に隣接する２つの対向面を第３面とするチップ抵抗器において、前記一対の第１面のいずれか一方に、所定間隔を存して対向する一対の内部電極と、これら内部電極間に跨る抵抗体と、この抵抗体を覆う絶縁性の保護膜とが設けられていると共に、前記一対の第１面と前記一対の第３面の長手方向両端部にそれぞれ前記内部電極と導通する外部電極が設けられており、前記第１面に設けられた前記外部電極の長手方向に沿う寸法が前記第３面に設けられた前記外部電極の長手方向に沿う寸法よりも小さく設定されているという構成にした。
【００１０】
このように構成されたチップ抵抗器では、直方体形状の絶縁基板の６つの面のうち、最も面積が広い２つの第１面のいずれか一方に抵抗体と内部電極が形成されているため、抵抗体の形成された第１面を側方に向けた姿勢で、この第１面の長辺に隣接する第３面を回路基板への実装面とすることにより、チップ間隔を狭くしたタワー型の狭隣接実装に対応することができる。しかも、このチップ抵抗器では、側方を向く第１面に形成された外部電極の長手方向に沿う寸法が、実装面となる第３面に形成された外部電極の長手方向に沿う寸法よりも小さく設定されているため、半田の収縮によって第１面側に引っ張られることがなく、狭隣接実装に対応したタワー型であるのにも関わらず倒れにくく安定した姿勢での搭載が可能となる。
【００１１】
また、上記目的を達成するための他の形態として、本発明のチップ抵抗器は、セラミックスからなる直方体形状の絶縁基板を構成する６つの面のうち、最も面積の広い２つの対向面を第１面、この第１面の短辺に隣接する２つの対向面を第２面、前記第１面の長辺に隣接する２つの対向面を第３面とするチップ抵抗器において、前記一対の第１面のいずれか一方に、所定間隔を存して対向する一対の内部電極と、これら内部電極間に跨る抵抗体と、この抵抗体を覆う絶縁性の保護膜とが設けられていると共に、前記一対の第３面の長手方向両端部に前記内部電極と導通する外部電極が設けられており、この外部電極が前記一対の第１面に設けられていないという構成にした。
【００１２】
このように構成されたチップ抵抗器でも、直方体形状の絶縁基板の６つの面のうち、最も面積が広い２つの第１面のいずれか一方に抵抗体と内部電極が形成されているため、抵抗体の形成された第１面を側方に向けた姿勢で、この第１面の長辺に隣接する第３面を回路基板への実装面とすることにより、チップ間隔を狭くしたタワー型の狭隣接実装に対応することができる。しかも、このチップ抵抗器では、実装面となる第３面に内部電極と導通する外部電極が形成されているものの、側方を向く第１面に外部電極は形成されていないため、半田の収縮によって第１面側に引っ張られることがなく、狭隣接実装に対応したタワー型であるのにも関わらず倒れにくく安定した姿勢での搭載が可能になると共に、狭隣接したチップ間での短絡事故を防止することができる。
【００１３】
上記の構成において、一対の第２面に外部電極は形成されていなくても良いが、これら第２面にも内部電極と導通する外部電極が形成されていると、ランドと第２面間に半田フィレットが形成されるため、より安定したチップ抵抗器の実装が可能となる。
【００１４】
また、上記の構成において、保護膜は少なくとも抵抗体を覆っていれば良いが、保護膜が内部電極と抵抗体を含めて第１面の面全体を覆っていると、実装時に側方を向く第１面の表面がフラットになるため、チップ抵抗器を狭隣接実装する上で好ましい。
【００１５】
また、上記の構成において、抵抗体の形成された第１面と反対側の第１面の面全体に絶縁性の補助保護膜が設けられていると、絶縁基板の２つの第１面が保護膜と補助保護膜によって覆われるため、２つの第３面のいずれを実装面とした場合でも外観が同じようになり、バルク実装に好適にチップ抵抗器を実現することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のチップ抵抗器によれば、安定した搭載姿勢を確保した状態で狭隣接実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図である。
【図２】該チップ抵抗器の実装状態を示す説明図である。
【図３】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図４】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図５】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器を一方向から見た斜視図である。
【図８】第３実施形態例に係るチップ抵抗器を他方向から見た斜視図である。
【図９】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１０】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１１】本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図である。
【図１２】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１３】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１４】本発明の第５実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図である。
【図１５】本発明の第６実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図である。
【図１６】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の一側面に所定間隔を存して設けられた一対の内部電極２と、これら内部電極２に接続するように設けられた長方形状の抵抗体３と、両内部電極２と抵抗体３を覆うように設けられた樹脂からなる保護膜４と、絶縁基板１の両側面おける長手方向両端部に設けられた外部電極５と、絶縁基板１の上下面おける長手方向両端部に設けられた外部電極６とによって主に構成されている。
【００１９】
絶縁基板１はセラミックスからなり、この絶縁基板１を構成する６つの面のうち、最も面積の広い２つの対向面を第１面、第１面の短辺に隣接する２つの対向面を第２面、第１面の長辺に隣接する２つの対向面を第３面とすると、図中手前側と背面側に位置する第２面には何も形成されていないが、図中右側方を向く第１面には一対の内部電極２と抵抗体３と保護膜４および一対の外部電極５が形成されており、図示されていないが、図中左側方を向く反対側の第１面には一対の外部電極が形成されている。また、図中上面側に位置する第３面には一対の外部電極６が形成されており、図示されていないが、図中下面側に位置する第３面にも一対の外部電極が形成されている。
【００２０】
ここで、図１に示すように、絶縁基板１の第１面の短辺寸法（第２面の長辺寸法）をＨ、第１面と第３面の長辺寸法をＬ、第２面と第３面の短辺寸法をＷとすると、本実施形態例に係るチップ抵抗器では、例えばＨ＝０．１ｍｍ、Ｌ＝０．２ｍｍ、Ｗ＝０．０５ｍｍとなっている。なお、この絶縁基板１は後述する大判基板を縦横に延びる１次分割ラインと２次分割ラインに沿ってダイシングすることにより多数個取りされたものである。
【００２１】
一対の内部電極２は絶縁基板１の一方の第１面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、これら内部電極２は第１面の両短辺から幾分内方に離れた位置に矩形状に形成されている。
【００２２】
抵抗体３は絶縁基板１の一方の第１面に酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体３の長手方向の両端部はそれぞれ内部電極２に重なっている。なお、図示省略されているが、抵抗体３には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。
【００２３】
保護膜４は絶縁基板１の一方の第１面にエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたオーバーコート層であり、図示省略されているが、保護膜４の下面側には抵抗体３を覆うアンダーコート層が形成されている。なお、このアンダーコート層はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。保護膜４は第１面の長手方向両端部を除いて内部電極２と抵抗体３を覆うように形成されているため、図中で手前側に位置する内部電極２の左側辺と上下両辺が絶縁基板１と保護膜４間から露出し、図中で奥側に位置する内部電極２の右側片と上下両辺が絶縁基板１と保護膜４間から露出している。
【００２４】
外部電極５はＮｉ−Ｃｒ等をスパッタしたものからなり、この外部電極５は絶縁基板１の第１面の長手方向両端部に帯状に形成されて保護膜４の側端部から露出する内部電極２と導通している。外部電極６もＮｉ−Ｃｒ等をスパッタしたものからなり、この外部電極６は絶縁基板１の第３面の長手方向両端部に形成されて保護膜４の上下端部から露出する内部電極２と導通している。これら外部電極５，６は後述するマスキングスパッタ法によって同時に形成されたものであるが、第１面に形成された外部電極５の幅寸法（第１面の長手方向に沿う寸法）は第３面に形成された外部電極６の長手方向に沿う寸法よりも十分に小さく（例えば１／５程度）設定されている。図示省略されているが、半田付け性を良好にするために、これら外部電極５，６の表面にはＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキが施されている。
【００２５】
このように構成されたチップ抵抗器は、図２に示すように、回路基板２０に設けられたランド２１上に絶縁基板１の第３面を下向きにした状態で搭載され、第３面に形成された外部電極６とランド２１を半田２２で接合することによって回路基板２０に面実装される。すなわち、直方体形状の絶縁基板１が有する６つの面のうち、最も面積の広い２つの第１面が側方を向いた姿勢になると共に、実装面となる第３面の短辺寸法（図１の寸法Ｗ）よりも第２面の高さ寸法（図１の寸法Ｈ）が大きくなるタワー型の搭載となり、隣接するチップ間隔を狭くした狭隣接実装に対応することができる。
【００２６】
しかも、このチップ抵抗器は、実装時に側方を向く第１面に形成された外部電極５の長手方向に沿う寸法が、実装面となる第３面に形成された外部電極６の長手方向に沿う寸法よりも小さく設定されており、第１面の外部電極５の面積が第３面の外部電極６の面積よりも小さいため、半田２２の収縮によって絶縁基板１が第１面側に引っ張られることがなく、狭隣接実装に対応したタワー型であるのにも関わらず倒れにくく安定した姿勢での搭載が可能となる。
【００２７】
次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器の製造方法について、図３〜図５を参照しながら説明する。
【００２８】
まず、図３（ａ）と図４（ａ）に示すように、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板３０を準備する。この大判基板３０に１次分割溝や２次分割溝は形成されていないが、後工程で大判基板３０は格子状に延びる１次分割ラインＬ１と２次分割ラインＬ２（図中１点鎖線で示す）に沿ってダイシングされ、これら両分割ラインＬ１，Ｌ２によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、図３は大判基板３０を平面的に見た状態を示し、図４は図３中の１個分のチップ形成領域を断面した状態を示している。
【００２９】
そして、このような大判基板３０の表面（絶縁基板１の一方の第１面に相当）に２次分割ラインＬ２に重なるようにＡｇ系ペーストを帯状に印刷し、これを乾燥・焼成することにより、図３（ｂ）と図４（ｂ）に示すように、大判基板３０の表面にチップ形成領域を挟んで対向する複数対の内部電極２を形成する。
【００３０】
次に、大判基板３０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図３（ｃ）と図４（ｃ）に示すように、対をなす内部電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。なお、内部電極２と抵抗体３の形成順序は上記と逆であっても良い。
【００３１】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、大判基板３０の表面にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、内部電極２の大部分と抵抗体３の全体を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図３（ｄ）と図４（ｄ）に示すように、２次分割ラインＬ２に沿った幅狭部分を除いてチップ形成領域のほぼ全体を覆う保護膜４を形成する。
【００３２】
次に、大判基板３０を１次分割ラインＬ１に沿ってダイシングブレードで切断することにより、図３（ｅ）に示すように、複数の抵抗体３が一列に並んだ短冊状基板３０Ａを得る。かかる１次分割ラインＬ１に沿うダイシングによって帯状の内部電極２と保護膜４が幅方向に切断され、短冊状基板３０Ａの幅方向両端面に内部電極２の切断面が露出する。なお、この時のダイシングによる切断面、すなわち、短冊状基板３０Ａの幅方向両端面が絶縁基板１の第３面に相当する。
【００３３】
次に、図５（ａ）に示すように、内部電極２や抵抗体３が形成された面を上向きにした状態で複数の短冊状基板３０Ａを積み重ねた後、図５（ｂ）に示すように、短冊状基板３０Ａの非電極部分をマスクＭによって被覆する。そして、図５（ｃ）に示すように、この状態でＮｉ−Ｃｒ等を短冊状基板３０Ａの幅方向端面におけるマスクＭで覆われていない部分にスパッタした後、図５（ｄ）に示すように、マスクＭを除去することにより、図３（ｆ）に示すように、短冊状基板３０Ａの端面に内部電極２の切断面と接続する外部電極６を形成する。その際、マスキングスパッタにより形成されたＮｉ−Ｃｒ等の金属膜は、短冊状基板３０Ａの端面のみならず表面と裏面に回り込むため、短冊状基板３０Ａの表面に第１分割ラインＬ１に沿って帯状に延びる外部電極５が形成されると共に、短冊状基板３０Ａの裏面にも同様に外部電極５が形成される。なお、マスキングスパッタにより形成された金属膜が短冊状基板３０Ａの表面に対して十分に回り込まなかった場合、外部電極５は短冊状基板３０Ａの幅方向中央部に形成されないことになるが、その場合は、短冊状基板３０Ａの表面に外部電極５と内部電極２の両方が露出することになる。
【００３４】
しかる後、短冊状基板３０Ａを２次分割ラインＬ２に沿ってダイシングブレードで切断することにより、短冊状基板３０Ａの表裏両面に形成された外部電極５と両端面に形成された外部電極６をそれぞれ２分し、チップ抵抗器と外形をほぼ同じくする個々のチップ素子を得る。なお、この時のダイシングによる切断面が絶縁基板１の第２面に相当する。
【００３５】
最後に、個々のチップ素子の外部電極５，６に対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、図１に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００３６】
図６は本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。
【００３７】
図６に示すチップ抵抗器が前述した第１実施形態例と相違する点は、絶縁基板１の一対の第３面に外部電極６は形成されているが、絶縁基板１の一対の第１面に外部電極が形成されていないことであり、それ以外の構成は基本的に同じである。
【００３８】
すなわち、第２実施形態例に係るチップ抵抗器では、保護膜４が一対の内部電極２と抵抗体３を含めて絶縁基板１の第１面全体を覆うように形成されており、この第１面と反対側の第１面にも外部電極は形成されていない。そして、絶縁基板１の２つの第３面の長手方向両端部に外部電極６が形成されており、これら外部電極６は絶縁基板１の上下両辺と保護膜４間から露出する内部電極２と接続されている。
【００３９】
このように構成された第２実施形態例に係るチップ抵抗器においても、内部電極２や抵抗体３が形成された最も面積の広い第１面を側方に向け、第１面の長辺に隣接する第３面を回路基板への実装面とすることにより、チップ間隔を狭くしたタワー型の狭隣接実装に対応することができる。しかも、このチップ抵抗器では、実装面となる第３面に内部電極２と導通する外部電極６が形成されているものの、側方を向く第１面に外部電極は存在しないため、実装時の半田収縮によって絶縁基板１が第１面側に引っ張られることが全くなくなり、より一層安定した姿勢で狭隣接実装することができる。さらに、第１面全体が保護膜４によって覆われており、側方を向く第１面に外部電極が存在しないため、狭隣接実装に伴うチップ間での短絡事故を防止することができる。
【００４０】
なお、第２実施形態例に係るチップ抵抗器は、保護膜４を第１面の全面に形成するという点を除くと、第１実施形態例とほぼ同様の工程によって製造することができる。すなわち、第１実施形態例における図３（ｄ）に示す工程で、２次分割ラインＬ２で挟まれた領域に帯状の保護膜４を複数形成する代わりに、内部電極２と抵抗体３を含めて大判基板３０のチップ形成領域全体を覆うように保護膜４を形成すれば良い。
【００４１】
図７は本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図、図８は該チップ抵抗器を反対側から見た斜視図、図９と図１０は該チップ抵抗器の製造方法を示す説明図であり、図１〜図４に対応する部分には同一符号を付してある。
【００４２】
図７と図８に示すように、第３実施形態例に係るチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の一方の第１面の長手方向両端部に形成された一対の内部電極２と、これら内部電極２に接続するように形成された抵抗体３と、両内部電極２と抵抗体３を含めて一方の第１面全体を覆うように形成された保護膜４と、絶縁基板１の他方の第１面の長手方向両端部に形成された一対の内部電極７と、これら内部電極７を含めて他方の第１面全体を覆うように形成された補助保護膜８と、絶縁基板１の一対の第３面における四隅に形成された外部電極９，１０とによって主に構成されている。
【００４３】
保護膜４寄りに形成された外部電極９は抵抗体３に接続された内部電極２と導通しており、これら外部電極９は第２実施形態例における外部電極６の幅寸法を狭くしたものと機能的には同じである。補助保護膜８は保護膜４と同じ樹脂材料からなり、この補助保護膜８寄りに形成された外部電極１０は内部電極７に接続されている。ただし、補助保護膜８によって覆われた内部電極７は抵抗体３と電気的に接続されておらず、内部電極７に接続する補助保護膜８寄りの外部電極１０は電気的には関与しないダミー電極であるため、内部電極７を省略して補助保護膜８だけを他方の第３面に形成しても良い。
【００４４】
このように構成された第３実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法について図９，１０を参照して説明すると、まず、図９（ａ）と図１０（ａ）に示すように、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板４０を準備する。この大判基板４０の表裏両面には、図３に示す１次分割ラインＬ１に対応する位置に予め有底形状の分割溝４１が設けられているが、図中の１点鎖線で示す分割ラインＬは後工程でダイシングされる予想線であり、これら分割ラインＬは大判基板４０に設けられていない。
【００４５】
そして、このような大判基板４０の表面（絶縁基板１の一方の第１面に相当）に分割ラインＬと重なるようにＡｇ系ペーストを印刷し、これを乾燥・焼成することにより、図９（ｂ）と図１０（ｂ）に示すように、大判基板４０の表面にチップ形成領域を挟んで対向する複数対の内部電極２を形成する。また、これに前後して大判基板４０の裏面（絶縁基板１の他方の第１面に相当）に分割ラインＬと重なるようにＡｇ系ペーストを印刷し、これを乾燥・焼成することにより、図１０（ｂ）に示すように、大判基板４０の裏面にチップ形成領域を挟んで対向する複数対の内部電極７を形成する。その際、内部電極２と内部電極７の材料であるＡｇ系ペーストが分割溝４１を横切るように印刷されるため、大判基板４０の表裏両面の分割溝４１の内部にＡｇ系ペーストが流れ込む。
【００４６】
次に、大判基板４０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図９（ｃ）と図１０（ｃ）に示すように、対をなす内部電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。
【００４７】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、大判基板４０の表面にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図９（ｄ）と図１０（ｄ）に示すように、内部電極２と抵抗体３を含めて各チップ形成領域を覆う保護膜４を形成する。また、これに前後して大判基板４０の裏面にエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図１０（ｄ）に示すように、内部電極７を含めて各チップ形成領域を覆う補助保護膜８を形成する。
【００４８】
次に、大判基板４０を分割溝４１と直交する方向の分割ラインＬに沿ってダイシングブレードで切断することにより、図９（ｅ）に示すように、帯状の内部電極２が長手方向に沿って分断されて短冊状基板４０Ａが得られる。なお、このダイシングによる切断面、すなわち、短冊状基板４０Ａの幅方向両端面が絶縁基板１の第２面に相当する。
【００４９】
しかる後、短冊状基板４０Ａを分割溝４１に沿ってブレイクすることにより、チップ抵抗器と外形をほぼ同じくする個々のチップ素子を得る。このブレイク時の分割面は絶縁基板１の第３面に相当するが、前述したように、内部電極２，７の材料であるＡｇ系ペーストが分割溝４１の内部に流れ込んでいるため、チップ素子の分割面の四隅に内部電極２に導通する外部電極９と内部電極７に導通する外部電極１０がそれぞれ露出する。最後に、個々のチップ素子の外部電極９，１０に対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、図７，８に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００５０】
このように構成された第３実施形態例に係るチップ抵抗器においても、内部電極２や抵抗体３が形成された最も面積の広い第１面を側方に向け、第１面の長辺に隣接する第３面を回路基板への実装面とすることにより、チップ間隔を狭くしたタワー型の狭隣接実装に対応することができる。しかも、このチップ抵抗器では、実装面となる第３面の四隅に半田付け可能な外部電極９，１０が形成されており、側方を向く第１面に外部電極が形成されていないため、実装時の半田収縮によって絶縁基板１が第１面側に引っ張られることはなく、安定した姿勢での狭隣接実装を行うことができる。さらに、絶縁基板１の２つの第１面全体が保護膜４と補助保護膜８によって覆われており、絶縁基板１の２つの第３面のいずれを実装面とした場合でも外観が同じようになるため、バルク実装に好適にチップ抵抗器を実現することができる。
【００５１】
図１１は本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図、図１２と図１３は該チップ抵抗器の製造方法を示す説明図であり、図１〜図４に対応する部分には同一符号を付してある。
【００５２】
図１１に示すチップ抵抗器が前述した第２実施形態例（図６参照）と相違する点は、絶縁基板１の一対の第２面にキャップ形状の外部電極１１が形成され、これら外部電極１１が第３面に形成された外部電極６と第２面の保護膜４から露出する内部電極２の端面に接続されていることであり、それ以外の構成は基本的に同じである。
【００５３】
すなわち、第４実施形態例に係るチップ抵抗器では、絶縁基板１の第２面全体を覆うキャップ形状の外部電極１１が第３面に形成された外部電極６の端部と重なる位置まで延びており、この外部電極１１が第３面と同一幅で第１面まで延びて保護膜４の端部に重なっている。したがって、絶縁基板１の第２面に形成された外部電極１１の長手方向に沿う寸法は、実装面となる第３面に形成された外部電極６の長手方向に沿う寸法よりも小さく設定されている。
【００５４】
このように構成された第４実施形態例に係るチップ抵抗器においても、内部電極２や抵抗体３が形成された最も面積の広い第１面を側方に向け、第１面の長辺に隣接する第３面を回路基板への実装面とすることにより、チップ間隔を狭くしたタワー型の狭隣接実装に対応することができる。しかも、このチップ抵抗器では、実装時に側方を向く絶縁基板１の第１面に形成された外部電極１１の長手方向に沿う寸法が、実装面となる第３面に形成された外部電極６の長手方向に沿う寸法よりも小さく設定されているため、実装時の半田収縮によって絶縁基板１が第１面側に引っ張られることはなく、狭隣接実装に対応したタワー型であるのにも関わらず倒れにくく安定した姿勢での搭載が可能となる。さらに、絶縁基板１の第２面にも外部電極１１が形成されており、回路基板のランドと絶縁基板１の第２面間に半田フィレットを形成できるため、半田接合強度の高い狭隣接実装を行うことができる。
【００５５】
このように構成された第４実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法について図１２，１３を参照して説明すると、まず、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板５０を準備する。この大判基板５０に１次分割溝や２次分割溝は形成されていないが、後工程で大判基板５０は格子状に延びる１次分割ラインＬ１と２次分割ラインＬ２に沿ってダイシングされる。
【００５６】
そして、このような大判基板５０の表面（絶縁基板１の一方の第１面に相当）に２次分割ラインＬ２と重なるようにＡｇ系ペーストを印刷し、これを乾燥・焼成することにより、図１２（ｂ）と図１３（ｂ）に示すように、大判基板５０の表面にチップ形成領域を挟んで対向する複数対の内部電極２を形成する。
【００５７】
次に、大判基板５０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図１２（ｃ）と図１３（ｃ）に示すように、対をなす内部電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。
【００５８】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、大判基板５０の表面にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図１２（ｄ）と図１３（ｄ）に示すように、内部電極２と抵抗体３を含めて各チップ形成領域を覆う保護膜４を形成する。
【００５９】
次に、大判基板５０を１次分割ラインＬ１に沿ってダイシングブレードで切断することにより、図１２（ｅ）に示すように、複数の抵抗体３が横一列に並んだ短冊状基板５０Ａを得る。なお、このダイシングによる切断面、すなわち、短冊状基板５０Ａの幅方向両端面が絶縁基板１の第２面に相当する。
【００６０】
次に、短冊状基板５０Ａの非電極部分を図示せぬマスクによって被覆し、この状態でＮｉ−Ｃｒ等を短冊状基板５０Ａの幅方向端面におけるマスクで覆われていない部分にスパッタした後、マスクを除去することにより、図１２（ｆ）に示すように、短冊状基板５０Ａの端面に内部電極２の切断面と接続する外部電極６を形成する。
【００６１】
しかる後、短冊状基板５０Ａを２次分割ラインＬ２に沿ってダイシングブレードで切断することにより、チップ抵抗器と外形をほぼ同じくする個々のチップ素子を得る。なお、この時のダイシングによる切断面が絶縁基板１の第２面に相当する。
【００６２】
次に、チップ素子の端面にＡｇペーストをディップ塗布して加熱硬化させることにより、チップ素子の長手方向両端部に保護膜４と外部電極６の端部を覆うキャップ形状の端面電極１１を形成する。最後に、個々のチップ素子の外部電極９，１０に対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、図１１に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００６３】
図１４は本発明の第５実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。
【００６４】
図１４に示すチップ抵抗器が前述した第１実施形態例と相違する点は、絶縁基板１の一対の第２面に幅狭な外部電極１２を形成したことにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。このような外部電極１２を形成する場合は、前述した第３実施形態例のような有底形状の分割溝を大判基板の２次分割ラインに対応する位置に設けておき、大判基板の表面に印刷したＡｇ系ペースト等を分割溝の内部に流し込んだ後、大判基板を分割溝に沿ってブレイクすれば良い。したがって、大判基板の表裏両面に分割溝を設けておけば、絶縁基板１の第２面における短手方向の両側部に外部電極１２を形成することができる。
【００６５】
図１５は本発明の第６実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図、図１６は該チップ抵抗器の製造方法を示す説明図であり、図１〜図４に対応する部分には同一符号を付してある。
【００６６】
図１５に示すチップ抵抗器が前述した第４実施形態例（図１１参照）と相違する点は、絶縁基板１の一対の第２面に形成された外部電極１１が第１面と第３面まで回り込んでいないことであり、それ以外の構成は基本的に同じである。
【００６７】
すなわち、第６実施形態例に係るチップ抵抗器では、保護膜４が一対の内部電極２と抵抗体３を含めて絶縁基板１の第１面全体を覆うように形成されると共に、絶縁基板１の２つの第３面の長手方向両端部に外部電極６が形成され、なおかつ絶縁基板１の２つの第２面全体に外部電極１１が形成されている。したがって、絶縁基板１の第１面に外部電極は存在せず、実装時の半田収縮によって絶縁基板１が第１面側に引っ張られることがないため、狭隣接実装に対応したタワー型であるのにも関わらず倒れにくく安定した姿勢での搭載が可能となる。しかも、絶縁基板１の第２面にも外部電極１１が形成されているため、第４実施形態例と同様に半田接合強度の高い狭隣接実装を行うことができる。
【００６８】
このように構成された第６実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法について図１６を参照して説明すると、まず、図１６（ａ）に示すように、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板６０を準備する。この大判基板６０に１次分割溝や２次分割溝は形成されていないが、後工程でダイシングされる１次分割ラインＬ１と２次分割ラインＬ２の交点位置に貫通孔６１が設けられている。
【００６９】
そして、このような大判基板６０の表面（絶縁基板１の一方の第１面に相当）に貫通孔６１よりも幅広で１次分割ラインＬ１に重なるようにＡｇ系ペーストを印刷し、これを乾燥・焼成することにより、図１６（ｂ）に示すように、大判基板６０の表面にチップ形成領域を挟んで対向する複数対の内部電極２を形成する。その際、Ａｇ系ペーストが貫通孔６１を横切るように印刷されるため、貫通孔６１の内壁面にＡｇ系ペーストが流れ込む。
【００７０】
次に、大判基板６０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図１６（ｃ）に示すように、対をなす内部電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。
【００７１】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、大判基板６０の表面にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図１６（ｄ）に示すように、内部電極２と抵抗体３を含めて各チップ形成領域を覆う保護膜４を形成する。
【００７２】
次に、大判基板６０を１次分割ラインＬ１に沿ってダイシングブレードで切断することにより、図１６（ｅ）に示すように、帯状の内部電極２が長手方向に沿って分断されて短冊状基板６０Ａが得られる。なお、このダイシングによる切断面、すなわち、短冊状基板６０Ａの幅方向両端面が絶縁基板１の第２面に相当する。
【００７３】
次に、短冊状基板６０Ａの幅方向両端面にＮｉ−Ｃｒ等をスパッタすることにより、図１６（ｆ）に示すように、短冊状基板６０Ａの端面に外部電極１１を形成した後、短冊状基板６０Ａを２次分割ラインＬ２に沿ってダイシングブレードで切断することにより、チップ抵抗器と外形をほぼ同じくする個々のチップ素子を得る。このダイシング時の切断面は絶縁基板１の第３面に相当するが、前述したように、内部電極２の材料であるＡｇ系ペーストが貫通孔６１の内部に流れ込んでいるため、チップ素子の切断面の長手方向両端部に内部電極２に導通する外部電極６が露出する。最後に、個々のチップ素子の外部電極６，１１に対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、図１５に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００７４】
なお、第６実施形態例では、内部電極２の材料を貫通孔６１の内部に流し込むことで外部電極６を形成したが、内部電極２の材料を貫通孔６１の内部に流し込ませずに、短冊状基板６０Ａの幅方向両端面にＮｉ−Ｃｒ等をスパッタすることによる回り込みによって外部電極６を形成するようにしても良い。
【００７５】
また、本発明は、上記した各実施形態例に限定されず、それ以外にも種々の変形例が可能である。例えば、図６に示す第３実施形態例において、絶縁基板１の第２面全体を覆うように外部電極を形成したり、第３面に形成された外部電極９，１０と同一幅の外部電極を第２面にも形成するようにしても良い。
【符号の説明】
【００７６】
１  絶縁基板
２  内部電極
３  抵抗体
４  保護膜
５，６，９，１０，１１，１２  外部電極
７  内部電極
８  補助保護膜
２０  回路基板
２１  ランド
２２  半田
３０，４０，５０，６０  大判基板
３０Ａ，４０Ａ，５０Ａ，６０Ａ  短冊状基板
４１  分割溝
６１  貫通孔
【図１】
0006599759.tif 000002
【図２】
0006599759.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006599759.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0006599759.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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