(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において金型のキャビティ面に配置される、離型フィルムであって、
前記樹脂封止部の形成時に前記硬化性樹脂と接する第１面と、前記キャビティ面と接する第２面とを有し、
少なくとも前記第１面がフッ素樹脂からなり、
前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレンに基づく単位と、エチレンに基づく単位と、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の第３のモノマーに基づく単位とからなるエチレン／テトラフルオロエチレン共重合体であり、
前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体における全単位中、テトラフルオロエチレンに基づく単位が４０〜６９．７モル％、エチレンに基づく単位が３０〜５９．７モル％、前記第３のモノマーに基づく単位が０．３〜１．２モル％であり、
下記試験法ＡにおけるＦ／Ａｌが０．２〜４であるか、または、下記試験法ＢにおけるＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３であることを特徴とする離型フィルム。
＜試験法Ａ＞
厚さ１ｍｍの厚紙と、離型フィルムと、厚さ０．１ｍｍ、ＪＩＳ  Ｈ４１６０におけるＡ１Ｎ３０Ｈ−Ｈ１８材からなるアルミニウム板と、厚さ１ｍｍの厚紙とをこの順に、前記第１面と前記アルミニウム板とが接するように重ね、１８０℃、５ＭＰａの条件で５分間プレスし、前記アルミニウム板から前記離型フィルムを剥離し、前記アルミニウム板の前記離型フィルムと接触していた表面をＸ線光電子分光分析により分析して、アルミニウム原子に対するフッ素原子の比（Ｆ／Ａｌ）を求める。
＜試験法Ｂ＞
厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第一の金属板の上に、厚さ１００μｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のアルミニウム箔を乗せ、前記アルミニウム箔の上に、厚さ１００ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状で、中央に１０ｃｍ×８ｃｍの長方形状の穴が開いたスペーサーを乗せ、その穴の中心付近に下記のエポキシ樹脂を２ｇ乗せ、さらにその上に、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の離型フィルムを、前記第１面を前記スペーサー側に向けて乗せ、その上に、厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第二の金属板を乗せて積層サンプルを作製する。前記積層サンプルを、１８０℃、１０ＭＰａの条件で５分間プレスして、前記エポキシ樹脂を硬化させる。プレス後、前記第二の金属板、前記離型フィルムおよび前記スペーサーを取り除き、前記エポキシ樹脂の硬化物の前記離型フィルムと接触していた表面をＸ線光電子分光分析により分析して、炭素原子とフッ素原子と酸素原子との和に対するフッ素原子の比（Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ））を求める。
エポキシ樹脂：半導体封止用エポキシ顆粒樹脂、商品名：スミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、住友ベークライト社製。
【請求項２】
厚さが１６〜２００μｍである、請求項１に記載の離型フィルム。
【請求項３】
前記フッ素樹脂からなる単層構造のフィルムである、請求項１または２に記載の離型フィルム。
【請求項４】
前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体中のテトラフルオロエチレンに基づく単位とエチレンに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）が８０／２０〜４０／６０である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項５】
前記第３のモノマーがヘキサフルオロプロピレン、ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）、（ペルフルオロエチル）エチレンまたは（ペルフルオロブチル）エチレンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項６】
前記第３のモノマーが（ペルフルオロブチル）エチレンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項７】
前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の溶融流量（ＭＦＲ）が、２〜４０ｇ／１０分である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項８】
前記離型フィルムが、フッ素樹脂フィルムを溶媒に接触させることにより、溶媒により抽出される成分を低減したフッ素樹脂フィルムからなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項９】
半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、請求項１〜８のいずれか一項に記載の離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部と、前記樹脂封止部の表面に形成されたインク層とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、請求項１〜８のいずれか一項に記載の離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
前記封止体を前記金型から離型する工程と、
前記封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型のキャビティ面に配置される離型フィルム、および該離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは、半導体素子を保護する樹脂封止部を有する。樹脂封止部の形成（半導体素子の封止）には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂が用いられる。
半導体パッケージの製造方法としては、たとえば、半導体素子が実装された基板を、該半導体素子が金型のキャビティ内の所定の場所に位置するように配置し、キャビティ内に硬化性樹脂を充填して樹脂封止部を形成する、いわゆる圧縮成形法またはトランスファ成形法による封止工程を含む方法が知られている。該方法においては、封止工程で封止樹脂と金型とが固着することを防ぎ、離型性を高めるために、硬化性樹脂に離型剤を配合する、金型のキャビティ面に離型フィルムを配置する等の対策が行われている。【０００３】
半導体素子の封止工程においては、離型フィルムを配置していても、硬化性樹脂から発生したガス（アウトガス）や低粘度物質が離型フィルムを透過して高温の金型と接触し、金型を汚染する問題がある。また、金型のキャビティ面への離型フィルムの配置は、当該離型フィルムを真空でキャビティ面に吸着支持せしめて行われるが、離型フィルム中のオリゴマー等の揮発性成分が、上記吸着された金型側に移行し、金型汚染を引き起こすこともある。金型汚染が生じると、金型の洗浄のために半導体素子の封止工程を休止せざるを得ず、半導体パッケージの生産効率が低下する。【０００４】
このような問題に対し、以下の（１）〜（２）の離型フィルムが提案されている（特許文献１〜２）。
（１）離型性に優れた離型層と、これを支持するプラスチック支持層とを有し、上記プラスチック支持層の１７０℃における２００％伸長時強度が、１〜５０ＭＰａであり、かつ、１７０℃におけるキシレンガス透過性が５×１０-１５（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ２・ｋＰａ））以下であるガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルム。
（２）離型性に優れた離型層と、これを支持するプラスチック支持層と、該離型層と支持層との間に形成された、金属または金属酸化物からなるガス透過抑制層とを有し、かつ、１７０℃におけるキシレンガス透過性が５×１０-１５（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ２・ｋＰａ））以下であるガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルム。【０００５】
（１）〜（２）の離型フィルムは、キシレンガス透過性が５×１０-１５（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ２・ｋＰａ））以下であることで、アウトガスや低粘度物質による金型汚染を低減できるとされている。
（１）〜（２）の離型フィルムにおいて、離型層は、硬化後のモールド樹脂（樹脂封止部）に対する充分な離型性を付与するために、少なくとも、金型内に注入されたモールド樹脂と接する面に設けられる。離型層としては、フッ素樹脂からなる層が用いられている。【０００６】
また、半導体パッケージの製造においては、通常、形成した樹脂封止部の表面に、製品番号、メーカー等の情報を表示するために、インクを用いた印刷によりインク層を形成することが行われる。
しかし、硬化性樹脂に離型剤が配合されている場合、形成される樹脂封止部の表面に離型剤が存在するため、樹脂封止部とインク層との密着性が低く、経時的に樹脂封止部からインク層が剥がれる問題が生じる。そのため何らかの処理を施して密着性の低下を防止する必要があり（たとえば特許文献３）、製造工程が多くなる。
硬化性樹脂に離型剤を配合せず、金型のキャビティ面に離型フィルムを配置する場合、離型剤による問題は生じないが、樹脂封止部とインク層との密着性は充分とはいえない。
樹脂封止部とインク層との密着性の向上のため、表面に凹凸を形成して表面粗さを大きくした離型フィルムを使用し、該凹凸が硬化性樹脂側に向くように金型に配置して樹脂封止部を形成することが提案されている（たとえば特許文献４）。この場合、離型フィルム表面の凹凸が樹脂封止部の表面に転写される。該凹凸が存在することで、樹脂封止部に対するインク層の密着性が向上する。【０００７】
離型フィルムには、離型性のほか、成形時の金型の温度に耐え得る耐熱性、封止樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度等が求められる。これらの特性に優れることから、フッ素樹脂フィルムを離型フィルムとして用いることが提案さている（たとえば特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００７／１２５８３４号
【特許文献２】国際公開第２００８／０２０５４３号
【特許文献３】特許第２８０３７４４号公報
【特許文献４】特許第３９７０４６４号公報
【特許文献５】国際公開第２０１０／０７９８１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明者らは、特許文献１〜２に記載の離型フィルムにおけるフッ素樹脂層のフッ素樹脂や特許文献５に記載のフッ素樹脂フィルムにおけるフッ素樹脂にも、当該フッ素樹脂に由来する含フッ素オリゴマーやそれ以外の低分子量の含フッ素化合物（以下、これらをフッ素樹脂に由来するオリゴマー等という。）が含まれていることが多く、このようなフッ素樹脂に由来するオリゴマー等が汚染物質となって不都合をきたすおそれがあることを見いだした。
すなわち、本発明者らの検討によれば、特許文献１〜２に記載の離型フィルムを用いた場合、封止工程で、離型フィルムの離型層のフッ素樹脂に由来するオリゴマー等によって樹脂封止部が汚染される問題があることが見いだされた。また、特許文献１〜２では、離型フィルムの金型側にも離型層を設けることが提案されているが、この場合、樹脂封止部だけでなく金型も、離型層のフッ素樹脂に由来するオリゴマー等によって汚染される問題があることが見いだされた。
本発明者らの検討によれば、さらに、フッ素樹脂フィルムを離型フィルムとして用いた場合、封止工程で、離型フィルムのフッ素樹脂に由来するオリゴマー等が樹脂封止部の表面に付着し、樹脂封止部とインク層との密着性を低下させる問題があることが見いだされた。【００１０】
本発明は、半導体素子を硬化性樹脂で封止する際に、離型性に優れ、かつ離型フィルムによる樹脂封止部の汚染を抑制でき、インク層との密着性に優れた樹脂封止部を形成できる離型フィルム、および該離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、以下の［１］〜［１４］の構成を有する離型フィルム、および半導体パッケージの製造方法を提供する。
［１］半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において金型のキャビティ面に配置される、離型フィルムであって、
前記樹脂封止部の形成時に前記硬化性樹脂と接する第１面と、前記キャビティ面と接する第２面とを有し、
少なくとも前記第１面がフッ素樹脂からなり、
下記試験法ＡにおけるＦ／Ａｌが０．２〜４であるか、または、下記試験法ＢにおけるＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３であることを特徴とする離型フィルム。
＜試験法Ａ＞
厚さ１ｍｍの厚紙と、離型フィルムと、厚さ０．１ｍｍ、ＪＩＳ  Ｈ４１６０におけるＡ１Ｎ３０Ｈ−Ｈ１８材からなるアルミニウム板と、厚さ１ｍｍの厚紙とをこの順に、前記第１面と前記アルミニウム板とが接するように重ね、１８０℃、５ＭＰａの条件で５分間プレスし、前記アルミニウム板から前記離型フィルムを剥離し、前記アルミニウム板の前記離型フィルムと接触していた表面をＸ線光電子分光分析により分析して、アルミニウム原子に対するフッ素原子の比（Ｆ／Ａｌ）を求める。
＜試験法Ｂ＞
厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第一の金属板の上に、厚さ１００μｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のアルミニウム箔を乗せ、前記アルミニウム箔の上に、厚さ１００ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状で、中央に１０ｃｍ×８ｃｍの長方形状の穴が開いたスペーサーを乗せ、その穴の中心付近に下記のエポキシ樹脂を２ｇ乗せ、さらにその上に、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の離型フィルムを、前記第１面を前記スペーサー側に向けて乗せ、その上に、厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第二の金属板を乗せて積層サンプルを作製する。前記積層サンプルを、１８０℃、１０ＭＰａの条件で５分間プレスして、前記エポキシ樹脂を硬化させる。プレス後、前記第二の金属板、前記離型フィルムおよび前記スペーサーを取り除き、前記エポキシ樹脂の硬化物の前記離型フィルムと接触していた表面をＸ線光電子分光分析により分析して、炭素原子とフッ素原子と酸素原子との和に対するフッ素原子の比（Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ））を求める。
エポキシ樹脂：半導体封止用エポキシ顆粒樹脂、商品名：スミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、住友ベークライト社製。【００１２】
［２］厚さが１６〜２００μｍである、［１］の離型フィルム。
［３］前記フッ素樹脂からなる単層構造のフィルムである、［１］または［２］の離型フィルム。
［４］前記フッ素樹脂が、フルオロオレフィン系重合体である、［１］〜［３］のいずれかの離型フィルム。【００１３】
［５］前記フルオロオレフィン系重合体が、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体である、［４］の離型フィルム。
［６］前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体が、テトラフルオロエチレンに基づく単位と、エチレンに基づく単位と、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の第３のモノマーに基づく単位とからなり、
前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体中のテトラフルオロエチレンに基づく単位とエチレンに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）が８０／２０〜４０／６０である、［５］の離型フィルム。【００１４】
［７］前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体が、テトラフルオロエチレンに基づく単位と、エチレンに基づく単位と、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の第３のモノマーに基づく単位とからなり、
前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体における全単位中、テトラフルオロエチレンに基づく単位が４０〜６９．７モル％、エチレンに基づく単位が３０〜５９．７モル％、前記第３のモノマーに基づく単位が０．３〜１．７モル％である、［５］または［６］の離型フィルム。
［８］前記第３のモノマーがヘキサフルオロプロピレン、ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）、（ペルフルオロエチル）エチレンまたは（ペルフルオロブチル）エチレンである、［６］または［７］の離型フィルム。
［９］前記第３のモノマーが（ペルフルオロブチル）エチレンである、［６］または［７］の離型フィルム。
［１０］前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の溶融流量（ＭＦＲ）が、２〜４０ｇ／１０分である、［５］〜［９］のいずれかの離型フィルム。【００１５】
［１１］前記フルオロオレフィン系重合体が、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体である、［４］の離型フィルム。
［１２］前記離型フィルムが、フッ素樹脂フィルムを溶媒に接触させることにより、溶媒により抽出される成分を低減したフッ素樹脂フィルムからなる、［１］〜［１１］のいずれかの離型フィルム。【００１６】
［１３］半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、［１］〜［１２］のいずれかの離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。【００１７】
［１４］半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部と、前記樹脂封止部の表面に形成されたインク層とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、［１］〜［１２］のいずれかの離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
前記封止体を前記金型から離型する工程と、
前記封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の離型フィルムによれば、半導体素子を硬化性樹脂で封止する際に、離型性に優れ、かつ離型フィルムによる樹脂封止部や金型の汚染を抑制できる。さらに加えて、インク層との密着性に優れた樹脂封止部を形成することもできる。
本発明の半導体パッケージの製造方法においては、半導体素子を硬化性樹脂で封止する際、離型性に優れ、かつ離型フィルムによる樹脂封止部や金型の汚染を抑制できる。さらに加えて、該樹脂封止部に優れた密着性でインク層を形成することもできる。したがって、本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、樹脂封止部からインク層が剥がれにくい半導体パッケージを製造することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の半導体パッケージの製造方法により製造する半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態における工程（α３）を模式的に説明する断面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態における工程（α４）を模式的に説明する断面図である。
【図４】本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態における工程（α４）を模式的に説明する断面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態に用いる金型の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β１）を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β２）を示す断面図である。
【図８】本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β３）を示す断面図である。
【図９】本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β４）を示す断面図である。
【図１０】本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β５）を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本明細書における「離型フィルム」は、半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型のキャビティ面に配置される離型フィルムである。たとえば、半導体パッケージの樹脂封止部を形成する際に、該樹脂封止部の形状に対応する形状のキャビティを有する金型のキャビティ面を覆うように配置され、形成した樹脂封止部とキャビティ面との間に位置されることによって、得られた半導体パッケージの金型からの離型性を高めるフィルムである。
樹脂における「単位」は、当該樹脂を構成する構成単位（モノマー単位）を示す。
「フッ素樹脂」とは、構造中にフッ素原子を含む樹脂を示す。
【００２１】
本明細書における「算術平均粗さ（Ｒａ）」は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される算術平均粗さである。Ｒａを求める際の、粗さ曲線用の基準長さｌｒ（カットオフ値λｃ）は０．８ｍｍ、測定速度は１．５ｍｍ／秒とした。
本明細書における「メディアン径」は、ＪＩＳ  Ｚ８８２５：２０１３（ＩＳＯ１３３２０：２００９）に準拠して、レーザー回折粒度分布測定装置を用いて測定した粒子径の累積分布が５０％となる粒子径の値である。
【００２２】
離型フィルムの厚さは、ＩＳＯ４５９１：１９９２（ＪＩＳ  Ｋ７１３０：１９９９のＢ１法、プラスチックフィルムまたはシートから採った試料の質量法による厚さの測定方法）に準拠して測定される。
【００２３】
〔離型フィルム〕
本発明の離型フィルムは、半導体素子を硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する金型のキャビティ面に配置される離型フィルムであって、前記樹脂封止部の形成時に前記硬化性樹脂と接する第１面と、前記キャビティ面と接する第２面とを有する。
すなわち、本発明の離型フィルムは、第１面を前記金型のキャビティ内の空間に向けて配置され、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接触する。また、この時、第２面は金型のキャビティ面に密着する。そのため、この状態で硬化性樹脂を硬化させることにより、金型のキャビティの形状に対応した形状の樹脂封止部が形成される。
【００２４】
本発明の離型フィルムは、離型性の点から、少なくとも第１面がフッ素樹脂からなる。これにより、当該離型フィルムと接した状態で硬化した硬化性樹脂（樹脂封止部）を離型フィルムからスムースに剥離できる。
【００２５】
第１面がフッ素樹脂からなる離型フィルムとしては、少なくとも第１面側の最外層にフッ素樹脂からなる層（以下、フッ素樹脂層ともいう。）を含むものであればよく、たとえば、フッ素樹脂からなるフィルム、１層以上のフッ素樹脂層と１層以上のフッ素樹脂以外の樹脂からなる層（以下、他の層ともいう。）とを含み、少なくとも第１面側の最外層にフッ素樹脂層が配置された多層構造のフィルム等が挙げられる。
他の層を含む多層構造のフィルムの例としては、第１面側からフッ素樹脂層と他の層とがこの順に積層したもの、第１面側からフッ素樹脂層、他の層、フッ素樹脂層がこの順に積層したもの等が挙げられる。
フッ素樹脂層、他の層についてはそれぞれ後で詳しく説明する。
【００２６】
本発明の離型フィルムは、フッ素樹脂からなることが好ましい。フッ素樹脂からなる場合、本発明の離型フィルムは、離型性に優れ、また、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性、硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度等を充分に有し、高温における伸びにも優れる。
フッ素樹脂からなる離型フィルムは、１層のフッ素樹脂層からなる単層構造のフィルムでも、複数のフッ素樹脂層からなる多層構造のフィルムでもよい。
離型フィルムが多層構造であると、単層構造に比べて、追従性、引張強伸度等の物性が低下し、離型フィルムとしての適性が低下する傾向がある。また、製造にコストもかかる。そのため、本発明の離型フィルムは、フッ素樹脂からなる単層構造のフィルムであることが特に好ましい。
【００２７】
本発明の離型フィルムは、下記試験法ＡにおけるＦ／Ａｌが０．２〜４であるか、または、下記試験法ＢにおけるＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３である。
【００２８】
＜試験法Ａ＞
厚さ１ｍｍの厚紙と、離型フィルムと、厚さ０．１ｍｍ、ＪＩＳ  Ｈ４１６０  におけるＡ１Ｎ３０Ｈ−Ｈ１８材からなるアルミニウム板と、厚さ１ｍｍの厚紙とをこの順に、前記第１面と前記アルミニウム板とが接するように重ね、１８０℃、５ＭＰａの条件で５分間プレスし、前記アルミニウム板から前記離型フィルムを剥離し、前記アルミニウム板の前記離型フィルムと接触していた表面をＸ線光電子分光分析により分析して、アルミニウム原子に対するフッ素原子の比（Ｆ／Ａｌ）を求める。
【００２９】
Ｆ／Ａｌは、離型フィルム中のフッ素樹脂に由来し、金型や樹脂封止部の汚染の原因となるオリゴマー等（以下、汚染成分ともいう。）の量を示す指標である。前記の条件でプレスを行うと、離型フィルム中に含まれる汚染成分が離型フィルムの表面に移行し、該表面からアルミニウム板に移行する。Ｆ／Ａｌが小さいほど、プレス時に離型フィルムからアルミニウム板表面に移行する汚染成分の量、ひいては半導体素子を硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する際の高温環境下で離型フィルムから金型のキャビティ面や樹脂封止部表面に移行する汚染成分の量、が少ないことを示す。Ｆ／Ａｌが４以下であれば、離型フィルムに由来する汚染成分によって金型のキャビティ面や樹脂封止部表面が汚染されることを充分に抑制できる。
汚染成分としては、フッ素樹脂に由来するオリゴマー等の低分子量の含フッ素化合物が挙げられる。
Ｆ／Ａｌの上限値は、金型や樹脂封止部表面の汚染抑制効果の点から、３．５が好ましく、３．３がより好ましく、３が特に好ましい。Ｆ／Ａｌの下限値は、０．２であれば汚染成分が金型との離型層としての効果を示す。
【００３０】
前記試験法Ａにより測定されるＦ／Ａｌは、第１面におけるＦ／Ａｌである。
離型フィルムが単層構造のフィルムである場合、第１面のＦ／Ａｌと第２面のＦ／Ａｌとは同じであることが好ましい。第１面のＦ／Ａｌと第２面のＦ／Ａｌとは異なってもよいが、フッ素樹脂に由来するオリゴマー等による金型汚染を防止する観点から、第２面のＦ／Ａｌも４以下であることが好ましく、３．５以下がより好ましく、３．３以下がさらに好ましく、３以下が特に好ましい。第２面の下限値は０であってもよいが、０．２であることが好ましい。
離型フィルムが多層構造のフィルムである場合、第１面のＦ／Ａｌと第２面のＦ／Ａｌとは同じでも異なってもよい。フッ素樹脂に由来するオリゴマー等による金型汚染を防止する観点から、第２面のＦ／Ａｌも４以下であることが好ましく、３．５以下がより好ましく、３．３以下がさらに好ましく、３以下が特に好ましい。第２面の下限値は０であってもよいが、０．２であることが好ましい。
【００３１】
＜試験法Ｂ＞
厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第一の金属板の上に、厚さ１００μｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のアルミニウム箔を乗せ、前記アルミニウム箔の上に、厚さ１００ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状で、中央に１０ｃｍ×８ｃｍの長方形状の穴が開いたスペーサーを乗せ、その穴の中心付近に下記のエポキシ樹脂を２ｇ乗せ、さらにその上に、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の離型フィルムを、前記第１面を前記スペーサー側に向けて乗せ、その上に、厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第二の金属板を乗せて積層サンプルを作製する。前記積層サンプルを、１８０℃、１０ＭＰａの条件で５分間プレスして、前記エポキシ樹脂を硬化させる。プレス後、前記第二の金属板、前記離型フィルムおよび前記スペーサーを取り除き、前記エポキシ樹脂の硬化物の前記離型フィルムと接触していた表面をＸ線光電子分光分析により分析して、炭素原子とフッ素原子と酸素原子との和に対するフッ素原子の比（Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ））を求める。なお、ここでＣ、Ｆ、ＯはそれぞれＣ１ｓ、Ｆ１ｓ、Ｏ１ｓのピークの面積から求める。
エポキシ樹脂：半導体封止用エポキシ顆粒樹脂、商品名：スミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、住友ベークライト社製。
【００３２】
Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）は、離型フィルム中のフッ素樹脂に由来し、樹脂封止部の汚染の原因となるオリゴマー等の量を示す指標である。前記の条件でプレスを行うと、前記積層サンプル内のエポキシ樹脂が硬化し、アルミニウム箔とスペーサーと離型フィルムとで囲まれた空間に対応する形状の硬化物（厚さ０．１ｍｍ、大きさ１０ｃｍ×８ｃｍのエポキシ樹脂板）が形成される。また、これとともに、離型フィルム中に含まれる汚染成分が離型フィルムの表面に移行し、該表面から、形成された硬化物の表面に移行する。
Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）は、０．１５〜０．２８が好ましく、０．１８〜０．２５が特に好ましい。
Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が小さいほど、プレス時に離型フィルムから硬化物表面に移行する汚染成分の量、ひいては半導体素子を硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する際の高温環境下で離型フィルムから樹脂封止部表面に移行する汚染成分の量、が少ないことを示す。Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムに由来する汚染成分によって樹脂封止部表面が汚染されることを充分に抑制できる。
一方で、前記汚染成分は離型フィルムとエポキシ樹脂との離型性を向上させる、いわゆるＷＢＬ（Ｗｅａｋ  Ｂｏｕｎｄａｒｙ  Ｌａｙｅｒ）としても働くことができる。Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を極端に減少させると、離型フィルムとエポキシ樹脂との離型性が不充分になる可能性がある。特にガラス転移点が低く、密着しやすいエポキシ樹脂では顕著である。Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルムとエポキシ樹脂との離型性に優れる。
【００３３】
前記試験法Ｂにより測定されるＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）は、第１面におけるＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）である。
離型フィルムが単層構造のフィルムである場合、第１面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）と第２面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）とは同じであることが好ましい。第１面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）と第２面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）とが異なってもよいが、フッ素樹脂に由来するオリゴマー等による金型のキャビティ面の汚染を防止する点から、第２面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）は０．３以下であることが好ましく、０．２８以下がより好ましく、０．２５以下が特に好ましい。下限値は０であってもよいが、０．１が好ましい。
離型フィルムが多層構造のフィルムである場合、第１面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）と第２面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）とは同じでも異なってもよい。フッ素樹脂に由来するオリゴマー等による金型のキャビティ面の汚染を防止する点から、第２面のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）は０．３以下であることが好ましく、０．２８以下がより好ましく、０．２５以下が特に好ましい。下限値は０であってもよいが、０．１が好ましい。
【００３４】
なお、試験法Ｂに使用する前記エポキシ樹脂（商品名：スミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、住友ベークライト社製。）は、以下の原材料をスーパーミキサーにより５分間粉砕混合し、顆粒化したものである。
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００。軟化点５８℃、エポキシ当量２７７。）：８質量部
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＬ６８１０。融点４５℃、エポキシ当量１７２。）：２質量部
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（三井化学社製、ＸＬＣ−４Ｌ。軟化点６５℃、水酸基当量１６５。）：２質量部
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３。軟化点８０℃、水酸基当量１０５。）：２質量部
硬化促進剤（トリフェニルホスフィン）：０．２質量部
無機充填材（メディアン径１６μｍの溶融球状シリカ）：８４質量部
カルナバワックス：０．１質量部
カーボンブラック：０．３質量部
カップリング剤（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）：０．２質量部
【００３５】
なお、メディアン径は以下の方法で測定することができる。
アズワン社製ラボランスクリュー管瓶５０ｍＬ（商品名：口内径２０．３ｍｍ、全長３５ｍｍ）に、溶融球状シリカの０．０８ｇ、純水の４０ｇを添加し、超音波分散を行う。超音波分散には、ＢＲＡＢＳＯＮ社製ＳＯＮＩＦＩＲＥ２５０（商品名）を使用し、先端径１２．５ｍｍ、全長７ｃｍのタップ型ホーンの先端から３ｃｍを上記測定液に浸し、周波数２０ｋＨｚ、出力５０Ｗで４分間分散を行う。この分散液をベックマン・コールター社製、レーザー回折散乱法粒度分布測定装置「ベックマンコールターＬＳ２３０（商品名）」を使用し、偏光散乱強度差計測により、０．０４〜２，０００μｍの範囲で粒子径分布を測定する。測定した粒子径の累積分布が５０％となる値をメディアン径とする。
【００３６】
本発明の離型フィルムは、前記試験法ＡによるＦ／Ａｌが０．２〜４と前記試験法ＢによるＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３の少なくとも一方を満たす離型フィルムである。本発明の離型フィルムはこの両条件を満たすものであってもよい。多くの場合、この一方の条件を満たせば他方の条件も満たす。特に、Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３である条件を満たす離型フィルムのほとんどはＦ／Ａｌが４以下である。一方、Ｆ／Ａｌが０．２〜４である条件を満たす離型フィルムは、場合によりＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３ではないことがある。本発明の離型フィルムとしては、Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３である離型フィルムがより好ましい。
【００３７】
封止樹脂がエポキシ樹脂等のガラス転移点が低く、密着しやすい硬化性樹脂であり、かつ離型フィルムが接した樹脂封止部表面にインク層を形成する場合、インク層の密着性を高めるあまり離型フィルムから樹脂封止部表面に移行する汚染物質をあまりに少なくすると前記のように離型性が不充分となるおそれがある。試験法Ｂは離型フィルム上でエポキシ樹脂を硬化させ、その硬化したエポキシ樹脂表面に移行したフッ素原子の量を測定する試験であることより、ガラス転移点が低く、密着しやすい硬化性樹脂を封止樹脂として用い離型フィルムが接した樹脂封止部表面にインク層を形成する場合には、それに対応する試験法である試験法ＢによるＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）をパラメーターとして離型フィルムを評価すること適切と考えられる。
したがって、インク層の密着性と離型性の兼ね合いを充分考慮する必要がある場合には、前記試験法Ａによる試験よりも試験法Ｂの試験による結果に従った離型フィルムの使用が好ましい。なお、離型性は後述の剥離力によって評価され、剥離力が高すぎると離型フィルムと硬化した封止樹脂との剥離が困難となる。
一方、試験法Ａは試験法Ｂと比較すると簡便な試験法であり、Ｆ／Ａｌが低くなりすぎない限り充分な離型性を有し、樹脂封止部のインク層の密着性も優れる。
【００３８】
（表面形状）
第１面、第２面はそれぞれ、平滑でもよく凹凸が形成されていてもよい。たとえば第１面および第２面の両面が平滑でもよく、第１面および第２面の両面が凹凸が形成されていてもよく、第１面および第２面のうちの一方の面が平滑で他方の面が凹凸が形成されていてもよい。
平滑である場合の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．２μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍが特に好ましい。
凹凸が形成されている場合の表面のＲａは、１．５〜２．１μｍが好ましく、１．６〜１．９μｍが特に好ましい。
【００３９】
凹凸が形成されている場合の表面形状は、複数の凸部および／または凹部がランダムに分布した形状でもよく、複数の凸部および／または凹部が規則的に配列した形状でもよい。また、複数の凸部および／または凹部の形状や大きさは、同じでもよく異なってもよい。
凸部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の凸条、離型フィルムの表面に点在する突起等が挙げられる。
凹部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の溝、離型フィルムの表面に点在する穴等が挙げられる。
凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。離型フィルム表面においては、複数の凸条または溝が平行に存在して縞状をなしていてもよい。凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、三角形（Ｖ字形）等の多角形、半円形等が挙げられる。
突起または穴の形状としては、三角錐形、四角錐形、六角錐形等の多角錐形、円錐形、半球形、多面体形、その他各種不定形等が挙げられる。
第１面および第２面の両面に凹凸が形成されている場合、各面のＲａや表面形状は同じでも異なってもよい。
【００４０】
（厚さ）
本発明の離型フィルムの厚さは、１６〜２００μｍが好ましく、２５〜１００μｍが特に好ましい。厚さが前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルムの取り扱いが容易であり、離型フィルムを引っ張りながら金型のキャビティを覆うように配置する際に、しわが発生しにくい。厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムが容易に変形でき、金型のキャビティの形状への追従性が向上するため、離型フィルムがしっかりとキャビティ面に密着でき、高品質な樹脂封止部を安定して形成できる。
本発明の離型フィルムの厚さは、金型のキャビティが大きいほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。また、多数のキャビティを有する複雑な金型であるほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。
【００４１】
（剥離力）
本発明の離型フィルムは、第１面側における剥離力の最大値が、０．８Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下が特に好ましい。剥離力の最大値が前記範囲の上限値以下であれば、生産時、樹脂封止部（硬化性樹脂の硬化物）との剥離がより一層容易になる。離型フィルムと樹脂封止部とがうまく離れず装置が止まるといったようなことが起こりにくくなり、連続生産性に優れる。
本発明における「剥離力」は、ＪＩＳ  Ｋ６８５４−２：１９９９（ＩＳＯ  ８５１０−２：１９９０）に準拠し、以下の（ａ）〜（ｆ）の手順で測定される値を示すものとする。
（ａ）離型フィルムと、離型フィルムの第１面側に配置されたアルミニウム板との間にエポキシ樹脂を適量配置する。
（ｂ）エポキシ樹脂を挟み込んだ離型フィルムとアルミニウム板を１８０℃、１０ＭＰａで５分間プレスして、エポキシ樹脂を硬化させる。
（ｃ）離型フィルムと硬化したエポキシ樹脂とアルミニウム板との積層体を２５ｍｍ幅に切断し、５個の試験片を作製する。なお、積層体におけるエポキシ樹脂の厚さは１００μｍである。
（ｄ）試験片について、常温における１８０度剥離力を、引張試験機を用いて１００ｍｍ／分の速度で測定する。
（ｅ）力（Ｎ）−つかみ移動距離曲線における、つかみ移動距離２５ｍｍから１２５ｍｍまでの剥離力の平均値（単位はＮ／２５ｍｍ）を求める。
（ｆ）５個の試験片の剥離力の平均値の算術平均を求める。
【００４２】
（フッ素樹脂層）
フッ素樹脂層を構成するフッ素樹脂としては、離型性と耐熱性に優れる点から、フルオロオレフィン系重合体等が挙げられる。フッ素樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。フッ素樹脂層には、無機添加剤、有機添加剤等が配合されてもよい。
【００４３】
フルオロオレフィン系重合体は、フルオロオレフィンに基づく単位を有する重合体である。フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン等が挙げられる。フルオロオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
フルオロオレフィン系重合体としては、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥともいう。）、ポリテトラフルオロエチレン、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体等が挙げられる。これらの中では、高温での伸びが大きい点から、ＥＴＦＥが特に好ましい。ＥＴＦＥは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
ＥＴＦＥは、テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥともいう。）に基づく単位と、エチレン（以下、Ｅともいう。）に基づく単位とを有する共重合体である。
ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＴＦＥおよびＥ以外の第３のモノマーに基づく単位とを有するものが好ましい。第３のモノマーに基づく単位の種類や含有量によって離型フィルム用樹脂の結晶化度、すなわち離型フィルムの引張弾性率を調整しやすい。また、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。
第３のモノマーとしては、フッ素原子を有するモノマーと、フッ素原子を有しないモノマーとが挙げられる。
【００４５】
フッ素原子を有するモノマーとしては、下記のモノマー（ａ１）〜（ａ５）が挙げられる。
モノマー（ａ１）：炭素数３以下のフルオロオレフィン類。
モノマ−（ａ２）：Ｘ（ＣＦ２）ｎＣＹ＝ＣＨ２（ただし、Ｘ、Ｙは、それぞれ独立に水素原子またはフッ素原子であり、ｎは２〜８の整数である。）で表されるペルフルオロアルキルエチレン。
モノマー（ａ３）：フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ４）：官能基含有フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ５）：脂肪族環構造を有する含フッ素モノマー。
【００４６】
モノマー（ａ１）としては、フルオロエチレン類（トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフルオロエチレン等）、フルオロプロピレン類（ヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰともいう。）、２−ヒドロペンタフルオロプロピレン等）等が挙げられる。
【００４７】
モノマー（ａ２）としては、ｎが２〜６のモノマーが好ましく、ｎが２〜４のモノマーが特に好ましい。また、Ｘがフッ素原子、Ｙが水素原子であるモノマー、すなわち（ペルフルオロアルキル）エチレンが特に好ましい。
モノマー（ａ２）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２（（ペルフルオロエチル）エチレン。）、
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２（（ペルフルオロブチル）エチレン。以下、ＰＦＢＥともいう。）、
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２、
ＣＦ２ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２、
ＣＦ２ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２等。
【００４８】
モノマー（ａ３）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。なお、下記のうちジエンであるモノマーは環化重合し得るモノマーである。
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＦ２）２ＣＦ３（ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）。以下、ＰＰＶＥともいう。）、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）２（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）２ＣＦ＝ＣＦ２等。
【００４９】
モノマー（ａ４）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３ＣＯ２ＣＨ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）３ＣＯ２ＣＨ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ２Ｆ等。
【００５０】
モノマー（ａ５）の具体例としては、ペルフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）、２，２，４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１，３−ジオキソール、ペルフルオロ（２−メチレン−４−メチル−１，３−ジオキソラン）等が挙げられる。
【００５１】
フッ素原子を有しないモノマーとしては、下記のモノマー（ｂ１）〜（ｂ４）が挙げられる。
モノマー（ｂ１）：オレフィン類。
モノマー（ｂ２）：ビニルエステル類。
モノマー（ｂ３）：ビニルエーテル類。
モノマー（ｂ４）：不飽和酸無水物。
【００５２】
モノマー（ｂ１）の具体例としては、プロピレン、イソブテン等が挙げられる。
モノマー（ｂ２）の具体例としては、酢酸ビニル等が挙げられる。
モノマー（ｂ３）の具体例としては、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル等が挙げられる。
モノマー（ｂ４）の具体例としては、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水ハイミック酸（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物）等が挙げられる。
【００５３】
第３のモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
第３のモノマーとしては、結晶化度の調整すなわち引張弾性率の調整がしやすい点、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度に優れる点から、モノマー（ａ２）、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、酢酸ビニルが好ましく、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、（ペルフルオロエチル）エチレン、ＰＦＢＥがより好ましく、ＰＦＢＥが特に好ましい。
すなわち、ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＰＦＢＥに基づく単位とを有する共重合体が特に好ましい。
【００５４】
ＥＴＦＥ中のＴＦＥに基づく単位の割合は、全単位中、４０〜７０モル％が好ましく、４５〜６５モル％がより好ましく、５０〜６０モル％が特に好ましい。ＴＦＥに基づく単位の割合の割合が前記範囲の下限値以上であれば、離型性に優れる。ＴＦＥに基づく単位の割合が前記範囲の上限値以下であれば、追従性に優れる。
【００５５】
ＥＴＦＥ中のＥに基づく単位の割合は、全単位中、３０〜６０モル％が好ましく、３５〜５５モル％がより好ましく、４０〜５０モル％が特に好ましい。Ｅに基づく単位の割合の割合が前記範囲の下限値以上であれば、機械的物性に優れる。Ｅに基づく単位の割合が前記範囲の上限値以下であれば、離型性に優れる。
【００５６】
ＥＴＦＥにおいて、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）は、８０／２０〜４０／６０が好ましく、７０／３０〜４５／５５がより好ましく、６５／３５〜５０／５０が特に好ましい。ＴＦＥ／Ｅが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。
【００５７】
ＥＴＦＥ中の第３のモノマーに基づく単位の割合は、全単位中、０．３〜１．７モル％が好ましく、０．５〜１．５モル％がより好ましく、０．７〜１．２モル％が特に好ましい。第３のモノマーに基づく単位の割合が前記範囲の下限値以上であれば、高温での機械的強度に優れる。第３のモノマーに基づく単位の割合が前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムのＦ／Ａｌが０．２〜４となりやすく、またＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）も０．１〜０．３となりやすい。
【００５８】
以上のことから、ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位４０〜６９．７モル％と、Ｅに基づく単位３０〜５９．７モル％と、第３のモノマーに基づく単位０．３〜１．７モル％とからなるものが好ましく、ＴＦＥに基づく単位４５〜６４．５モル％と、Ｅに基づく単位３５〜５４．５モル％と、第３のモノマーに基づく単位０．５〜１．５モル％とからなるものがより好ましく、ＴＦＥに基づく単位５０〜５９．３モル％と、Ｅに基づく単位４０〜４９．３モル％と、第３のモノマーに基づく単位０．７〜１．２モル％とからなるものが特に好ましい。
【００５９】
ＥＴＦＥの溶融流量（ＭＦＲ）は、２〜４０ｇ／１０分が好ましく、５〜３０ｇ／１０分がより好ましく、１０〜２０ｇ／１０分が特に好ましい。ＥＴＦＥのＭＦＲが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの成形性が向上し、離型フィルムの機械特性に優れる。
ＥＴＦＥのＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３１５９に準拠して、荷重４９Ｎ、２９７℃にて測定される値である。
【００６０】
フッ素樹脂の融点は２００〜３５０℃が好ましく、２２０〜３１０℃が特に好ましい。フッ素樹脂の融点が前記範囲内であれば、耐熱性に優れ、かつ成形が容易である。
【００６１】
フッ素樹脂のガラス転移温度は、６０〜１１０℃が好ましく、７０〜１００℃が特に好ましい。フッ素樹脂のガラス転移温度が前期範囲内であれば、ロール・トゥ・ロールでのハンドリング性に優れ、かつ金型への追従性に優れる。
フッ素樹脂のガラス転移温度は、ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき測定される貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ”の比であるｔａｎδ（Ｅ”／Ｅ’）が最大値を取る際の温度である。
【００６２】
フルオロオレフィン系重合体としては、また、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体が好ましい。ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）としては、前記モノマー（ａ３）として挙げた具体例のうち、ジエンを除く重合性二重結合を１つ有する化合物が挙げられる。そのうちでも、ＰＰＶＥが特に好ましい。
ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体中のペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）単位の割合は、全単位中、０．５〜５モル％が好ましく、１．０〜３モル％がより好ましく、１．２〜２．０モル％が特に好ましい。ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）に基づく単位の割合が前記範囲の下限値以上であれば、高温での機械的強度に優れる。第３のモノマーに基づく単位の割合が前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムのＦ／Ａｌが０．２〜４となりやすく、またＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）も０．１〜０．３となりやすい。
ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体の溶融流量（ＭＦＲ）は、２〜４０ｇ／１０分が好ましく、５〜３０ｇ／１０分がより好ましく、１０〜２０ｇ／１０分が特に好ましい。ＭＦＲが前記範囲内であれば、成形性が向上し、離型フィルムの機械特性に優れる。
ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体のＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３３０７に準拠して、荷重４９Ｎ、３７２℃にて測定される値である。
【００６３】
（他の層）
離型フィルムには、離型性、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性、硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度が求められる。
本発明の離型フィルムがフッ素樹脂層と他の層とを含む多層構造のフィルムである場合、他の層としては、離型性、耐熱性、強度、高温における伸びの点から、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン、エチレン／ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂からなる層が好ましい。他の層には、無機添加剤、有機添加剤等が配合されてもよい。
ポリオレフィンとしては、離型性および金型追随性に優れる点から、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリエステルとしては耐熱性、強度の点からポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリナフタレンテレフタレートが好ましい。ポリエステルは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリアミドとしては耐熱性、強度、ガスバリア性の点からナイロン６、ナイロンＭＸＤ６が好ましい。ポリアミドは延伸されたものでもされていないものでもよい。ポリアミドは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリスチレンは耐熱性、強度の点からシンジオタクチックポリスチレンが好ましい。ポリスチレンは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい
【００６４】
他の層として、ガスバリア層を有してもよい。ガスバリア層としては、たとえば、金属蒸着層、金属酸化物蒸着層、ポリビニリデンクロリド層、ポリビニルアルコール系樹脂層、メタキシレンジアミン系エポキシ樹脂層等が挙げられる。
【００６５】
（離型フィルムの製造方法）
本発明の離型フィルムの製造方法としては、たとえば、以下の方法（Ｉ）〜（ＶＩ）等が挙げられる。方法（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれか２以上を組合わせてもよい。
これらの方法では、汚染成分（フッ素樹脂のオリゴマー等）の含有量が少ない原料を使用するか、成形時における該汚染成分の増加を抑えるか、該汚染成分を除去する処理を行って、所望のＦ／Ａｌを満たすまたは所望のＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を満たす（両方を同時に満たしてもよい）フッ素樹脂フィルムを得る。ただし本発明の離型フィルムの製造方法はこれらに限定されるものではない。またこれらの方法の複数を併用することもできる。
【００６６】
（Ｉ）フッ素樹脂として、第３のモノマーに基づく単位の割合が０．３〜１．７モル％であるＥＴＦＥを成形することにより、Ｆ／Ａｌが０．２〜４またはＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３であるフッ素樹脂フィルム（離型フィルム）を得る方法。
（ＩＩ）フッ素樹脂フィルムを溶媒に接触させることにより、溶媒により抽出される成分（汚染成分）を低減させる方法。すなわち、Ｆ／Ａｌが４超のまたはＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．３超のフッ素樹脂フィルムから汚染成分を適切な時間溶媒抽出することにより、Ｆ／Ａｌが０．２〜４またはＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３のフッ素樹脂フィルム（離型フィルム）を得る方法。
（ＩＩＩ）フッ素樹脂を減圧下で成形することにより、Ｆ／Ａｌが０．２〜４またはＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３のフッ素樹脂フィルム（離型フィルム）を得る方法。
（ＩＶ）フッ素樹脂を、Ｔダイから押出された直後に、表面温度がガラス転移温度以上融点以下に加熱した金属鏡面の冷却ロールと、同様に表面温度がガラス転移温度以上融点以下に加熱したゴムの押し当てロールの間に通し、汚染成分を金属鏡面の冷却ロールに転写させることにより、Ｆ／Ａｌが０．２〜４またはＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３のフッ素樹脂フィルム（離型フィルム）を得る方法。
（Ｖ）フッ素樹脂フィルムを、表面温度がガラス転移温度以上融点以下に加熱した金属鏡面の冷却ロールと、同様に表面温度がガラス転移温度以上融点以下に加熱したゴムの押し当てロールの間に通し、汚染成分を金属鏡面の冷却ロールに転写させることにより、Ｆ／Ａｌが０．２〜４またはＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３のフッ素樹脂フィルム（離型フィルム）を得る方法。
（ＶＩ）フッ素樹脂フィルムの押出時に、押出機のスクリュー計量部の溝深さを深くし、溶融樹脂にかかるせん断速度を下げることで樹脂の発熱を減らし、分解を抑えることによりＦ／Ａｌが０．２〜４またはＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３のフッ素樹脂フィルム（離型フィルム）を得る方法。
【００６７】
方法（Ｉ）：
ＥＴＦＥ中の第３のモノマーに基づく単位の割合が０．３〜１．７モル％であれば、得られるフッ素樹脂フィルムは、汚染成分の含有量が少なく、Ｆ／Ａｌが０．２〜４となりやすく、また同時にＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３となりやすい。
フッ素樹脂フィルムの製造方法としては、特に限定されず、公知の製造方法を利用できる。
両面が平滑である離型フィルムの製造方法としては、たとえば、所定のリップ幅を有するＴダイを具備する押出機で溶融成形する方法等が挙げられる。
片面または両面に凹凸が形成されている離型フィルムの製造方法としては、たとえば、熱加工でフッ素樹脂フィルムの表面に元型の凹凸を転写する方法が挙げられ、生産性の点から、下記の方法（ｉ）、（ｉｉ）等が好ましい。
（ｉ）樹脂フィルムを元型ロールである冷却ロールと押し当てロールとの間に通し、樹脂フィルムの表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
（ｉｉ）押出機のダイスから押し出された樹脂を元型ロールである冷却ロールと押し当てロールとの間に通し、該樹脂をフィルム状に成形すると同時に、該フィルム状の樹脂の表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
【００６８】
方法（ｉ）、（ｉｉ）では、ロール状の元型を用いることによって、連続した加工が可能となり、凹凸が形成された離型フィルムの生産性が著しく向上する。また、これと同時に、巻物の離型フィルムとなることから、半導体パッケージの製造に、汎用の離型フィルムの繰り出し機構および巻き取り機構を有する圧縮成形装置またはトランスファ成形装置を用いることができる。
なお、方法（ｉ）、（ｉｉ）において、押し当てロールとして表面に凹凸が形成されたものを用いると、両面に凹凸が形成されている離型フィルムが得られる。
【００６９】
方法（ＩＩ）：
溶媒としては、当該樹脂に対し膨潤率が高く、溶媒抽出処理前後でフッ素樹脂フィルムの厚さを変化させず、かつ汚染成分を溶解し得るものが用いられる。かかる溶媒中にフッ素樹脂フィルムを浸漬すると、フッ素樹脂フィルム中の汚染成分が溶媒に溶解してフッ素樹脂フィルムから除去され、Ｆ／Ａｌが小さくなりかつ同時にＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）も小さくなる。
溶媒抽出処理されるフッ素樹脂フィルムとしては、市販のものを用いてもよく、前述のような公知の製造方法により製造したものを用いてもよい。
溶媒の具体例としては、アサヒクリンＡＫ２２５（旭硝子社製、ジクロロペンタフルオロプロパン）、アサヒクリンＡＥ−３０００（旭硝子社製、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ）等のフッ素系溶媒、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、アセトン、酢酸エチル等の炭化水素エーテル、エステル、ケトン系溶媒等が挙げられる。
処理温度（浸漬温度）は、２３〜５０℃が好ましい。
処理時間（浸漬時間）は、処理温度によっても異なるが、１〜２４０時間が好ましい。
【００７０】
方法（ＩＩＩ）：
フッ素樹脂の成形を減圧下で行うと、フッ素樹脂中の汚染成分が揮発し、得られるフッ素樹脂フィルムのＦ／Ａｌが小さくなりかつ同時にＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）も小さくなる。
フッ素樹脂のフィルム成形は、通常押出機にて行うが、最もせん断熱がかかる圧縮領域にて真空ベントラインを設け、揮発したガスを吸引する方法が好ましい。
ベントラインの気圧は、１〜１，０００Ｐａが好ましく、１００〜１，０００Ｐａが特に好ましい。該気圧が前記範囲の下限値以上であると、真空ベントに溶融したフッ素樹脂が盛り上がる、いわゆるベントアップを防げる。該気圧が前記範囲の上限値以下であると、汚染成分が揮発しやすい。
フッ素樹脂の成形時の温度は、フッ素樹脂の流動性に優れる点と分解しにくい点から、２８０〜３３０℃が好ましく、３００〜３２０℃が特に好ましい。前記範囲の下限値以上であると、フッ素樹脂が成形性に優れる。前記範囲の上限値以下であると、フッ素樹脂の分解が少ない。
【００７１】
方法（ＩＶ）：
フッ素樹脂を溶融押出直後に当該樹脂のガラス転移温度以上融点以下に加熱した金属鏡面の冷却ロールに押し当てることで、汚染成分がロール表面に移行し、得られるフッ素樹脂フィルムのＦ／Ａｌが小さくなりかつ同時にＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）も小さくなる。
ロールの材質は、冷却ロールは金属の鏡面ロールが好ましく、押し当てロールはゴムロールが好ましい。金属鏡面の冷却ロールおよびゴムの押し当てロールの温度は、ガラス転移温度＋３０℃〜融点−４０℃が好ましく、ガラス転移温度＋５０℃〜融点−６０℃がより好ましい。ガラス転移温度＋３０℃であれば、フッ素樹脂フィルムから汚染成分が滲みだしやすく、かつロールに転写しやすい。融点−４０℃以下であれば、押し当てロール通過後もフッ素樹脂フィルムの厚みに変化が起こりにくい。
金属鏡面ロールの算術平均粗さＲａは０．０１〜０．１が好ましい。前記範囲内であれば、フッ素樹脂フィルムとロールが適度に密着し、にじみ出た汚染成分が転写されやすい。
押し当てロールのゴム硬度は、ＩＳＯ７１６９−１に準拠してタイプＤデュロメーターで測定した硬度（以下、ショアＤ硬度ともいう。）がＤ６０〜８０であることが好ましく、かつ押し当てロールの線圧は４９〜４９０Ｎ／ｃｍが好ましい。ショアＤ硬度と線圧が前記範囲内であれば、フッ素樹脂フィルムに適当な圧力がかかり、フッ素樹脂フィルムからにじみ出た汚染成分が金属鏡面の冷却ロールに転写しやすく、かつフィルムの厚さが変化しにくい。
【００７２】
方法（Ｖ）：
フッ素樹脂を溶融押出し、フッ素樹脂フィルムを製膜後、当該フィルムをガラス転移温度以上融点以下に加熱した金属鏡面ロールに連続的に押し当てることで、汚染成分がロール表面に移行し、得られるフッ素樹脂フィルムのＦ／Ａｌが小さくなりかつ同時にＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）も小さくなる。
ロールの材質は、元型ロールは金属の鏡面ロールが好ましく、押し当てロールはゴムロールが好ましい。
金属鏡面ロールおよびゴムの押し当てロールの温度は、ガラス転移温度＋６０℃〜融点−４０℃が好ましく、ガラス転移温度＋７０℃〜融点−６０℃がより好ましい。ガラス転移温度＋６０℃であれば、フッ素樹脂フィルムがよく予熱され、汚染成分が滲みだしやすく、かつロールに転写しやすい。融点−４０℃以下であれば、押し当てロール通過後もフッ素樹脂フィルムの厚さが変化しにくい。
金属鏡面ロールの算術平均粗さＲａは０．０１〜０．１が好ましい。前記範囲内であれば、フッ素樹脂フィルムとロールが適度に密着し、にじみ出た汚染成分が転写されやすい。
押し当てロールのショアＤ硬度はＤ６０〜８０が好ましく、かつ押し当てロールの線圧は４９〜４９０Ｎ／ｃｍが好ましい。ショアＤ硬度と線圧が前記範囲内であれば、フッ素樹脂フィルムに適当な圧力がかかり、フッ素樹脂フィルムからにじみ出た汚染成分が金属鏡面ロールに転写しやすく、かつフィルムの厚さが変化しにくい。
金属鏡面ロールと押し当てロールとの間を通すプロセスは２回以上経てもよい。
金属鏡面ロールと押し当てロールとの間を通す前に、フッ素樹脂フィルムは予熱されてもよい。予熱の方法として、赤外線ヒーターによる加熱、加熱ロールに沿わせて加熱、が挙げられる。予熱はフィルムの表面温度がガラス転移温度以下までとなることが好ましい。表面温度がガラス転移温度以下であれば、搬送時にシワが発生しにくい。
【００７３】
方法（ＶＩ）：
フッ素樹脂フィルムを押出時に、押出機内で溶融したフッ素樹脂にかかるせん断速度を下げ、溶融樹脂の過熱を抑えて汚染成分の発生を抑えることで、得られるフッ素樹脂フィルムのＦ／Ａｌが小さくなりかつ同時にＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）も小さくなる。
通常、押出機内の計量部で溶融した樹脂にかかるせん断速度は以下の式で表される。なお、以下、ｓ−１は１／秒を、ｒｐｍは１分間あたりの回転数を表す。
γ＝π・Ｄ×Ｎ／（６０・ｈ）
γ：せん断速度（ｓ−１）
Ｄ：シリンダ直径（ｃｍ）
Ｎ：スクリュー回転数（ｒｐｍ）
ｈ：スクリュー計量部の溝深さ（ｃｍ）
せん断速度は５〜５０ｓ−１であることが好ましい。せん断速度が前記範囲の下限値以上であれば、フッ素樹脂に充分なせん断熱が与えられ、充分に溶融する。せん断速度が前記範囲の上限値以下であれば過熱によるフッ素樹脂の分解が少なく、汚染物質の発生が少ない。
また、スクリューは導入部、圧縮部、計量部の主に３つに分かれ、せん断がかかるのは主に計量部である。スクリューの長さは通常、有効長Ｌ（スクリュー長さ）／Ｄ（押出機口径）で表すが、Ｌ／Ｄは２０〜３０が好ましい。また、計量部のみの長さ、Ｌ（計量部）／Ｄは６〜８が好ましい。この範囲であれば溶融樹脂の吐出量の変動が少なく、かつ溶融樹脂にかかるせん断熱を低減できる。
【００７４】
〔半導体パッケージ〕
本発明の離型フィルムを用いて、後述の本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージとしては、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子を集積した集積回路等が挙げられる。
集積回路のパッケージ形状としては、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。
【００７５】
半導体パッケージの製造方法の一つとして、基板に複数の半導体素子を実装し、それらの半導体素子を硬化性樹脂で一括封止して、基板と複数の半導体素子と樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程（一括封止工程）と、複数の半導体素子が分離するように一括封止体の樹脂封止部および基板を切断、個片化して複数の半導体パッケージを得る工程（シンギュレーション工程）とを経る方法がある。半導体パッケージとしては、生産性の点から、一括封止工程およびシンギュレーション工程を経て製造されるものが好ましく、たとえば、封止方式がＭＡＰ（Ｍｏｌｄｉｅｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式、またはＷＬ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｂｅｌ  ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式である集積回路等が挙げられる。
【００７６】
図１は、半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。この例の半導体パッケージ１は、いわゆるＭＡＰ−ＢＧＡ形状の集積回路である。
半導体パッケージ１は、基板１０と、基板１０の上に実装された半導体チップ（半導体素子）１２と、半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４と、樹脂封止部１４の上面１４ａに形成されたインク層１６とを有する。
半導体チップ１２は、表面電極（図示なし）を有し、基板１０は、半導体チップ１２の表面電極に対応する基板電極（図示なし）を有し、表面電極と基板電極とはボンディングワイヤ１８によって電気的に接続されている。
【００７７】
樹脂封止部１４の厚さ（基板１０の半導体チップ１２設置面から樹脂封止部１４の上面１４ａまでの最短距離）は、特に限定されないが、「半導体チップ１２の厚さ」以上「半導体チップ１２の厚さ＋１ｍｍ」以下が好ましく、「半導体チップ１２の厚さ」以上「半導体チップ１２の厚さ＋０．５ｍｍ」以下が特に好ましい。
【００７８】
〔半導体パッケージの製造方法〕
本発明の半導体パッケージの製造方法は、半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、前述した本発明の離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有する。
さらに、インクを用いた印刷によりインク層を形成する本発明の半導体パッケージの製造方法では、上記離型する工程の後の工程として、
前記封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成する工程、を有する。
【００７９】
本発明の半導体パッケージの製造方法は、本発明の離型フィルムを用いること以外は、公知の製造方法を採用できる。
たとえば樹脂封止部の形成方法としては、圧縮成形法またはトランスファ成形法が挙げられ、この際に使用する装置としては、公知の圧縮成形装置またはトランスファ成形装置を用いることができる。製造条件も、公知の半導体パッケージの製造方法における条件と同じ条件とすればよい。
【００８０】
（第１実施形態）
半導体パッケージの製造方法の一実施形態として、図１に示した半導体パッケージ１を圧縮成形法により製造する場合について詳細に説明する。
本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、下記の工程（α１）〜（α６）または工程（α１）〜（α７）を有する。
（α１）本発明の離型フィルムを、離型フィルムが金型のキャビティを覆い且つ離型フィルムの第１面がキャビティ内の空間に向くように（第２面がキャビティ面に向くように）配置する工程。
（α２）離型フィルムを金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（α３）キャビティ内に硬化性樹脂を充填する工程。
（α４）複数の半導体素子が実装された基板をキャビティ内の所定の位置に配置し、硬化性樹脂によって前記複数の半導体素子を一括封止して樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された複数の半導体素子と前記複数の半導体素子を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程。
（α５）金型内から一括封止体を取り出す工程。
（α６）前記複数の半導体素子が分離するように、前記一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断することにより、基板と前記基板上に実装された少なくとも１つの半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る工程。
（α７）個片化封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、半導体パッケージを得る工程。
【００８１】
金型：
第１実施形態における金型としては、圧縮成形法に用いる金型として公知のものを使用でき、たとえば、図２に示すように、固定上型２０と、キャビティ底面部材２２と、キャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動下型２４とを有する金型が挙げられる。
固定上型２０には、基板１０と固定上型２０との間の空気を吸引することによって基板１０を固定上型２０に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。また、キャビティ底面部材２２には、離型フィルム３０とキャビティ底面部材２２との間の空気を吸引することによって離型フィルム３０をキャビティ底面部材２２に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。
この金型においては、キャビティ底面部材２２の上面および可動下型２４の内側側面によって、工程（α４）で形成する樹脂封止部１４の形状に対応する形状のキャビティ２６が形成される。
以下、キャビティ底面部材２２の上面および可動下型２４の内側側面を総称してキャビティ面ともいう。
【００８２】
工程（α１）：
可動下型２４上に、キャビティ底面部材２２の上面を覆うように離型フィルム３０を配置する。このとき離型フィルム３０は、第２面を下側（キャビティ底面部材２２方向）に向けて配置される。
離型フィルム３０は、巻出ロール（図示略）から送られ、巻取ロール（図示略）で巻き取られる。離型フィルム３０は、巻出ロールおよび巻取ロールによって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて、可動下型２４上に配置される。
【００８３】
工程（α２）：
別途、キャビティ底面部材２２の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、キャビティ底面部材２２の上面と離型フィルム３０との間の空間を減圧し、離型フィルム３０を引き伸ばして変形させて、キャビティ底面部材２２の上面に真空吸着させる。さらに、キャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動下型２４を締め、離型フィルム３０を全方向から引っ張り、緊張状態にさせる。
なお、高温環境下での離型フィルム３０の強度、厚さ、キャビティ底面部材２２の上面と可動下型２４の内側側面によって形成された凹部の形状によって、離型フィルム３０は、キャビティ面に密着するとは限らない。工程（α２）の真空吸着の段階では、図２に示すように、離型フィルム３０とキャビティ面との間に空隙が少し残っていてもよい。
【００８４】
工程（α３）：
図２に示すように、硬化性樹脂４０を、アプリケータ（図示略）によって、キャビティ２６内の離型フィルム３０の上に適量充填する。
また、別途、固定上型２０の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、固定上型２０の下面に、複数の半導体チップ１２が実装された基板１０を真空吸着させる。
【００８５】
硬化性樹脂４０としては、半導体パッケージの製造に用いられている各種の硬化性樹脂を用いてよい。エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
エポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマーであり、その分子量、分子構造を特に限定されるものではない。たとえば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 
【００８６】
用いられる硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定されるものではない。たとえば、以下の硬化剤が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
脂肪族アミン系硬化剤：エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン。
芳香族アミン系硬化剤：メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン等。
フェノール樹脂系硬化剤：アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン樹脂等。
ポリカルボン酸無水物系硬化剤：ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等。
上記以外の硬化剤：ジシアンジアミド等のアミド化合物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類。
【００８７】
また、これら硬化剤の内、半導体封止材料に用いる硬化剤としては、耐湿性、信頼性等の点から、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。 
【００８８】
用いられる硬化促進剤としては、エポキシ基と硬化剤との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に半導体封止材料に使用するものを用いることができる。たとえば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８９】
硬化性樹脂４０には、無機充填材を用いることができる。無機充填材としては、一般に半導体封止材料に用いられているものであれば、特に制限はなく、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられる。
【００９０】
硬化性樹脂４０には、上記の成分以外に、必要に応じて、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤；カーボンブラック等の着色剤；天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；水酸化アルミニウム等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。 
なお、ここでは、硬化性樹脂４０として固体のものを充填する例を示したが、本発明はこれに限定されず、液状の硬化性樹脂を充填してもよい。
これらの混合物として、たとえば前記試験法Ｂに使用する住友ベークライト社製のスミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲのほかに、たとえばナガセケムテックス社製のＴ６９３／Ｒ４７１９−ＳＰ１０等のエポキシ樹脂の市販品が挙げられる。
シリコーン樹脂の市販品としては、信越化学工業社製のＬＰＳ−３４１２ＡＪ、ＬＰＳ−３４１２Ｂ等が挙げられる。
【００９１】
工程（α４）：
図３に示すように、キャビティ２６内の離型フィルム３０の上に硬化性樹脂４０を充填した状態で、キャビティ底面部材２２および可動下型２４を上昇させ、固定上型２０と型締めする。
次いで、図４に示すように、キャビティ底面部材２２のみ上昇させるとともに金型を加熱して硬化性樹脂４０を硬化させ、半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４を形成する。
工程（α４）においては、キャビティ底面部材２２を上昇させたときの圧力によって、キャビティ２６内に充填された硬化性樹脂４０がさらにキャビティ面に押し込まれる。これによって離型フィルム３０が引き伸ばされて変形し、キャビティ面に密着する。そのため、キャビティ２６の形状に対応した形状の樹脂封止部１４が形成される。
【００９２】
金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、１００〜１８５℃が好ましく、１４０〜１７５℃が特に好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、半導体パッケージ１の生産性が向上する。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、硬化性樹脂４０の劣化が抑えられる。
硬化性樹脂４０の熱膨張率に起因する樹脂封止部１４の形状変化を抑制する点から、半導体パッケージ１の保護が特に求められる場合には、前記範囲内においてできるだけ低い温度で加熱することが好ましい。
【００９３】
工程（α５）：
固定上型２０とキャビティ底面部材２２と可動下型２４とを型開きし、一括封止体を取り出す。
一括封止体を離型すると同時に、離型フィルム３０の使用済み部分を巻取ロール（図示略）に送り、離型フィルム３０の未使用部分を巻出ロール（図示略）から送り出す。
巻出ロールから巻取ロールへ搬送する際の離型フィルム３０の厚さは１６μｍ以上が好ましい。厚さが１６μｍ未満では、離型フィルム３０の搬送時にしわが生じやすい。離型フィルム３０にしわが入ると、しわが樹脂封止部１４に転写されて製品不良となるおそれがある。厚さが１６μｍ以上であれば、離型フィルム３０に張力を充分にかけることによって、しわの発生を抑えることができる。
【００９４】
工程（α６）：
金型内から取り出した一括封止体の基板１０および樹脂封止部１４を、複数の半導体チップ１２が分離するように切断（個片化）して、基板１０と少なくとも１つの半導体チップ１２と半導体チップ１２を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る。
個片化は、公知の方法により行うことができ、たとえばダイシング法が挙げられる。ダイシング法は、ダイシングブレードを回転させながら対象物を切断する方法である。ダイシングブレードとしては、典型的には、ダイヤモンド粉を円盤の外周に焼結した回転刃（ダイヤモンドカッター）が用いられる。ダイシング法による個片化は、たとえば、切断対象物である一括封止体を、治具を介して処理台上に固定し、切断対象物の切断領域と前記治具の間にダイシングブレードを挿入する空間がある状態で前記ダイシングブレードを走行させる方法により行うことができる。
工程（α６）においては、前記のように一括封止体を切断する工程（切断工程）の後、前記ダイシングブレードを覆うケースから離れた位置に配置されるノズルから前記切断対象物に向かって液体を供給しながら前記処理台を移動させる異物除去工程が含まれてもよい。
【００９５】
工程（α７）：
工程（α６）で得られた個片化封止体の樹脂封止部１４の上面（離型フィルム３０と接していた面）１４ａに、任意の情報を表示するために、インクを塗布し、インク層１６を形成して半導体パッケージ１を得る。
インク層１６によって表示される情報としては、特に限定されず、シリアルナンバー、製造メーカに関する情報、部品の種別等が挙げられる。
インクの塗布方法は、特に限定されず、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷、ゴム版からの転写等の各種印刷法が適用できる。
インクとしては、特に限定されず、公知のインクのなかから適宜選択できる。
インク層１６の形成方法としては、硬化速度が速くパッケージ上での滲みが少ない、また熱風を当てないのでパッケージの位置ずれが少ない等の点で、光硬化型のインクを使用し、該インクをインクジェット法により樹脂封止部１４の上面１４ａに付着させ、該インクを光の照射により硬化させる方法が好ましい。
【００９６】
光硬化型のインクとしては、典型的には、重合性化合物（モノマー、オリゴマー等）を含むものが用いられる。インクには、必要に応じて、顔料、染料等の色材、液体媒体（溶媒または分散媒）、重合禁止剤、光重合開始剤、その他各種添加剤等が添加される。その他の添加剤としては、たとえば、スリップ剤、重合促進剤、浸透促進剤、湿潤剤（保湿剤）、定着剤、防黴剤、防腐剤、酸化防止剤、放射線吸収剤、キレート在、ｐＨ調整剤、増粘剤等が挙げられる。
【００９７】
光硬化型のインクを硬化する光としては、紫外線、可視光線、赤外線、電子線、放射線等が挙げられる。
紫外線の光源としては、殺菌灯、紫外線用蛍光灯、カーボンアーク、キセノンランプ、複写用高圧水銀灯、中圧または高圧水銀灯、超高圧水銀灯、無電極ランプ、メタルハライドランプ、紫外線発光ダイオード、紫外線レーザーダイオード、自然光等が挙げられる。
光の照射は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
【００９８】
（第２実施形態）
半導体パッケージの製造方法の他の実施形態として、図１に示した半導体パッケージ１をトランスファ成形法により製造する場合について詳細に説明する。
本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、下記の工程（β１）〜（β６）または工程（β１）〜（β７）を有する。
（β１）本発明の離型フィルムを、離型フィルムが金型のキャビティを覆い且つ離型フィルムの第１面がキャビティ内の空間に向くように（第２面がキャビティ面に向くように）配置する工程。
（β２）離型フィルムを金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（β３）複数の半導体素子が実装された基板をキャビティ内の所定の位置に配置する工程。
（β４）キャビティ内に硬化性樹脂を充填し、該硬化性樹脂によって複数の半導体素子を一括封止して樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された複数の半導体素子と前記複数の半導体素子を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程。
（β５）金型内から一括封止体を取り出す工程。
（β６）前記複数の半導体素子が分離するように、前記一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断することにより、基板と前記基板上に実装された少なくとも１つの半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る工程。
（β７）個片化封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、半導体パッケージを得る工程。
【００９９】
金型：
第２実施形態における金型としては、トンラスファ成形法に用いる金型として公知のものを使用でき、たとえば、図５に示すように、上型５０と下型５２とを有する金型が挙げられる。上型５０には、工程（α４）で形成する樹脂封止部１４の形状に対応する形状のキャビティ５４と、キャビティ５４に硬化性樹脂４０を導く凹状の樹脂導入部６０とが形成されている。下型５２には、半導体チップ１２を搭載した基板１０を設置する基板設置部５８と、硬化性樹脂４０を配置する樹脂配置部６２とが形成されている。また、樹脂配置部６２内には、硬化性樹脂４０を上型５０の樹脂導入部６０へと押し出すプランジャ６４が設置されている。
【０１００】
工程（β１）：
図６に示すように、上型５０のキャビティ５４を覆うように離型フィルム３０を配置する。離型フィルム３０は、キャビティ５４および樹脂導入部６０の全体を覆うように配置することが好ましい。離型フィルム３０は、巻出ロール（図示略）および巻取ロール（図示略）によって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて上型５０のキャビティ５４を覆うように配置される。
【０１０１】
工程（β２）：
図７に示すように、上型５０のキャビティ５４の外部に形成した溝（図示略）を通じて真空吸引し、離型フィルム３０とキャビティ面５６との間の空間、および離型フィルム３０と樹脂導入部６０の内壁との間の空間を減圧し、離型フィルム３０を引き伸ばして変形させて、上型５０のキャビティ面５６に真空吸着させる。
なお、高温環境下での離型フィルム３０の強度、厚さ、またキャビティ５４の形状によって、離型フィルム３０は、キャビティ面５６に密着するとは限らない。図７に示すように、工程（β２）の真空吸着の段階では、離型フィルム３０とキャビティ面５６との間には、空隙が少し残る。
【０１０２】
工程（β３）：
図８に示すように、複数の半導体チップ１２を実装した基板１０を、基板設置部５８に設置して上型５０と下型５２とを型締めし、複数の半導体チップ１２をキャビティ５４内の所定の位置に配置する。また、樹脂配置部６２のプランジャ６４上には、硬化性樹脂４０をあらかじめ配置しておく。
硬化性樹脂４０としては、方法（α）で挙げた硬化性樹脂４０と同様のものが挙げられる。
【０１０３】
工程（β４）：
図９に示すように、下型５２のプランジャ６４を押し上げ、樹脂導入部６０を通じてキャビティ５４内に硬化性樹脂４０を充填する。次いで、金型を加熱し、硬化性樹脂４０を硬化させ、複数の半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４を形成する。
工程（β４）においては、キャビティ５４内に硬化性樹脂４０が充填されることによって、樹脂圧力によって離型フィルム３０がさらにキャビティ面５６側に押し込まれ、引き延ばされて変形することによってキャビティ面５６に密着する。そのため、キャビティ５４の形状に対応した形状の樹脂封止部１４が形成される。
【０１０４】
硬化性樹脂４０を硬化させる際の金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、方法（α）における温度範囲と同じ範囲とすることが好ましい。
硬化性樹脂４０の充填時の樹脂圧は、２〜３０ＭＰａが好ましく、３〜１０ＭＰａが特に好ましい。樹脂圧が前記範囲の下限値以上であれば、硬化性樹脂４０の充填不足等の欠点が生じにくい。樹脂圧が前記範囲の上限値以下であれば、優れた品質の半導体パッケージ１が得られやすい。硬化性樹脂４０の樹脂圧は、プランジャ６４によって調整できる。
【０１０５】
工程（β５）：
図１０に示すように、一括封止体１Ａを金型から取り出す。このとき、樹脂導入部６０内で硬化性樹脂４０が硬化した硬化物１９が、一括封止体１Ａに付着した状態で一括封止体１Ａとともに金型から取り出される。そのため、取り出された一括封止体１Ａに付着している硬化物１９を切除して、一括封止体１Ａを得る。
【０１０６】
工程（β６）：
工程（β５）で得られた一括封止体１Ａの基板１０および樹脂封止部１４を、複数の半導体チップ１２が分離するように切断（個片化）して、基板１０と少なくとも１つの半導体チップ１２と半導体チップ１２を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る。
工程（β６）は、工程（α６）と同様にして行うことができる。
【０１０７】
工程（β７）：
得られた個片化封止体の樹脂封止部１４の上面（離型フィルム３０の第１面と接していた面）１４ａに、任意の情報を表示するために、インクを塗布し、インク層１６を形成して半導体パッケージ１を得る。
工程（β７）は、工程（α７）と同様にして行うことができる。
【０１０８】
以上、本発明の半導体パッケージの製造方法について、第１〜第２実施形態を示して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
たとえば、第１実施形態においては、工程（α５）の後、工程（α６）、工程（α７）をこの順で行う例を示したが、工程（α６）、工程（α７）を逆の順番で行ってもよい。すなわち、金型から取り出した一括封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、その後、一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断してもよい。
同様に、第２実施形態においては、工程（β５）の後、工程（β６）、工程（β７）をこの順で行う例を示したが、工程（β６）、工程（β７）を逆の順番で行ってもよい。すなわち、金型から取り出した一括封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、その後、一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断してもよい。
離型フィルムから樹脂封止部を剥離するタイミングは、金型から樹脂封止部を取り出す時に限定されず、金型から離型フィルムとともに樹脂封止部を取り出し、その後、樹脂封止部から離型フィルムを剥離してもよい。
一括封止する複数の半導体チップ１２それぞれの間の距離は均一でもよく均一でなくてもよい。封止が均質にでき、複数の半導体チップ１２それぞれに均一に負荷がかかる（すなわち負荷が最も小さくなる）点から、複数の半導体チップ１２それぞれの間の距離を均一にすることが好ましい。
【０１０９】
また、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造する半導体パッケージは、半導体パッケージ１に限定されない。
たとえば樹脂封止部の形状は、図１に示すような断面略矩形のものに限定されない。
第１〜第２実施形態において、工程（α５）または（β５）の後、工程（α６）または（β６）を行わず、金型から取り出した一括封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、これを半導体パッケージとしてもよい。
第１〜第２実施形態の工程（α３）または（β３）にて、複数の半導体素子が実装された基板の代わりに、１つの半導体素子が実装された基板を用いてもよい。この場合、工程（α４）または（β４）で得られた封止体を金型から取り出した後、この封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、これを半導体パッケージとすることができる。
さらに、インク層を設けない態様においては、本発明における半導体パッケージは発光ダイオードであってもよい。発光ダイオードを製造する場合、樹脂封止部はレンズ部としても機能するため、通常、樹脂封止部の表面にはインク層は形成されない。レンズ部である場合、樹脂封止部の形状は、略半球型、砲弾型、フレネルレンズ型、蒲鉾型、略半球レンズアレイ型等の各種のレンズ形状が採用できる。
【実施例】
【０１１０】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。
後述する例１〜１０のうち、例１、２および４は実施例であり、例８および１０は参考例であり、例３、５〜７および９は比較例である。
各例で使用した材料および評価方法を以下に示す。
【０１１１】
〔使用材料〕
フッ素樹脂（１）：後述の製造例１で得た、Ｅ／ＴＦＥ／ＰＦＢＥ＝５２．７／４６．５／０．８（モル比）の共重合体（融点：２６０℃、ガラス転移温度９５℃、ＭＦＲ：１０．１ｇ／１０分）。
フッ素樹脂（２）：後述の製造例２で得た、Ｅ／ＴＦＥ／ＰＦＢＥ＝５２．５／４６．３／１．２（モル比）の共重合体（融点：２５５℃、ガラス転移温度９０℃、ＭＦＲ：１２ｇ／１０分）。
フッ素樹脂（３）：後述の製造例３で得た、Ｅ／ＴＦＥ／ＰＦＢＥ＝５２．７／４５．４／１．９（モル比）の共重合体（ＭＦＲ：２７．６ｇ／１０分）。
フッ素樹脂（４）：後述の製造例４で得た、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ＝９８．５／１．５（モル比）の共重合体（融点：３１０℃、ガラス転移温度１００℃、ＭＦＲ：１２ｇ／１０分）。
フッ素樹脂（５）：後述の製造例５で得た、ＴＦＥ／Ｅ／ＰＦＢＥ＝５２．７／４７．１／０．２（モル比）の共重合体（融点２６５℃、ガラス転移温度１００℃、ＭＦＲ：１０．６ｇ／１０分）。
フッ素樹脂（６）：後述の製造例６で得た、ＴＦＥ／Ｅ／ＰＦＢＥ＝５６．３／４０．２／３．５（モル比）の共重合体（融点２２５℃、ガラス転移温度７０℃、ＭＦＲ：１２．５ｇ／１０分）。【０１１２】
＜製造例１：フッ素樹脂（１）の製造＞
内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気して、１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの８８１．９ｇ、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（商品名「ＡＫ２２５ｃｂ」旭硝子社製、以下、ＡＫ２２５ｃｂという。）の３３５．５ｇ、ＣＨ２＝ＣＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３（ＰＦＢＥ）の３．９ｇを仕込み、ＴＦＥの１６５．２ｇ、エチレン（以下、Ｅという。）の９．８ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、重合開始剤溶液としてターシャリーブチルパーオキシピバレート（以下、ＰＢＰＶという。）の１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の５．８ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
重合中圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝５４／４６のモル比のモノマー混合ガスを連続的に仕込んだ。また、モノマー混合ガスの仕込みに合わせて、ＴＦＥとＥの合計モル数に対して０．８モル％に相当する量のＰＦＢＥを連続的に仕込んだ。重合開始から２．９時間後、モノマー混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内温を室温まで降温するとともに重合槽の圧力を常圧までパージした。
その後、得られたスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、固形分を回収して１５０℃で１５時間乾燥することにより、フッ素樹脂（１）の１０５ｇを得た。【０１１３】
＜製造例２：フッ素樹脂（２）の製造＞
重合を開始させる前に仕込むＰＦＢＥの量を３．９ｇから７．０ｇに、ＰＢＰＶの１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の量を５．８ｍＬから７．７ｍＬにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むＰＦＢＥの量を、ＴＦＥとＥの合計モル数に対して０．８モル％から１．４モル％に変更した以外は製造例１と同様にして、フッ素樹脂（２）の１０７ｇを得た。【０１１４】
＜製造例３：フッ素樹脂（３）の製造＞
重合を開始させる前に仕込む１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの量を８８１．９ｇｇから８３７．８ｇに、ＡＫ２２５ｃｂの量を３３５．５ｇから３７６．４ｇに、ＰＦＢＥの量を７．０ｇから９．３ｇに、ＰＢＰＶの１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の量を５．８ｍＬから１１．５ｍＬにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むＰＦＢＥの量を（ＴＦＥとＥの合計モル数に対して）０．８モル％から２．２モル％に変更し、重合開始からモノマー混合ガスの１００ｇを仕込むまでの時間を２．９時間から２．７時間に変更した以外は製造例１と同様にして、フッ素樹脂（３）の９９ｇを得た。【０１１５】
＜製造例４：フッ素樹脂（４）の製造＞
内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気して、窒素置換を行ったイオン交換水の６６２．８ｇ、ＡＫ２２５ｃｂの３７７．５ｇ、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３（ＰＰＶＥ）の２８ｇ、メタノールの６１ｇを仕込み、ＴＦＥの１０５ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、重合開始剤溶液としてヘプタフルオロブチロイルパーオキサイド（以下、ＰＦＢという。）の０．０５質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の３．８ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
重合中圧力が一定になるようにＴＦＥのモノマーガスを連続的に仕込んだ。また、重合速度が一定となるように０．０５質量％のＰＦＢと２質量％のＰＰＶＥのＡＫ２２５ｃｂ溶液を２４ｍＬ連続的に仕込んだ。重合開始３．４時間後、モノマーガスの１６０ｇを仕込んだ時点で、重合槽内温を室温まで降温するとともに重合槽の圧力を常圧までパージした。
その後、得られたスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、固形分を回収して１５０℃で１５時間乾燥することにより、フッ素樹脂（４）の１７０ｇを得た。【０１１６】
＜製造例５：フッ素樹脂（５）の製造＞
重合槽の内容積を１．２Ｌにし、重合を開始させる前に仕込む１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの量を８８１．９ｇから０ｇに、ＡＫ２２５ｃｂの量を３３５．５ｇから２９１．６ｇに、ＰＦＢＥの量を７．０ｇから１６．０ｇに、ＴＦＥの量を１６５．２ｇから１８６．６ｇに、Ｅの量を９．８ｇから６．４ｇに、ＰＢＰＶの１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の量を５．８ｍＬから５．３ｍＬにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むモノマー混合ガスのＴＦＥ／Ｅのモル比を５４／４６から５８／４２に、ＰＦＢＥの量を（ＴＦＥとＥの合計モル数に対して）０．８モル％から３．６モル％に変更し、重合開始から３時間後、モノマー混合ガス９０ｇを仕込んだ時点で重合槽内温を室温まで降温した以外は製造例１と同様にして、フッ素樹脂（５）の９０ｇを得た。【０１１７】
＜製造例６：フッ素樹脂（６）の製造＞
重合を開始させる前に仕込むＰＦＢＥの量を１６．０から１．１ｇに、ＴＦＥの量を１８６．６ｇから１５１．２ｇに、Ｅの量を６．４ｇから１８．１ｇにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むモノマー混合ガスのＴＦＥ／Ｅのモル比を５８／４２から５４／４６に、ＰＦＢＥの量を（ＴＦＥとＥの合計モル数に対して）３．６モル％から０．２モル％に変更した以外は製造例５と同様にして、フッ素樹脂（６）の９０ｇを得た。【０１１８】
〔評価方法〕
（ＭＦＲ）
フッ素樹脂（１）〜（３）、（５）、（６）のＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３１５９に準拠して、荷重４９Ｎ、２９７℃にて測定した。
また、フッ素樹脂（４）のＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３３０７  に準拠して、荷重４９Ｎ、３７２℃にて測定した。
（融点）
走査型示差熱分析器（ＳＩＩナノテクノロジーズ社製、ＤＳＣ２２０ＣＵ）を用いて、各フッ素樹脂を空気雰囲気下に３５０℃まで１０℃／分で加熱した際の吸熱ピークから求めた。
（ガラス転移温度）
ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき測定される貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ”の比であるｔａｎδ（Ｅ”／Ｅ’）が最大値を取る際の温度とした。具体的には、動的粘弾性測定装置ソリッドＬ−１（東洋精機社製）で測定を行った。
サンプルサイズ：幅８ｍｍ×長さ２０ｍｍ
測定周波数：１０Ｈｚ
ひずみ：０．０３５％
昇温速度：２℃／分
（フィルムの厚さの測定）
ＩＳＯ４５９１：１９９２（ＪＩＳ  Ｋ７１３０：１９９９のＢ１法）に準拠して測定した。【０１１９】
＜Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）の測定＞
厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第一の金属板の上に、厚さ１００μｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のアルミニウム箔を乗せ、前記アルミニウム箔の上に、厚さ１００ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状で、中央に１０ｃｍ×８ｃｍの長方形状の穴が開いたスペーサー（材質：ポリイミド）を乗せ、その穴の中心付近に半導体封止用エポキシ顆粒樹脂（商品名：スミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、住友ベークライト社製）を２ｇ乗せ、さらにその上に、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の離型フィルムを、第１面を前記スペーサー側に向けて乗せ、その上に厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第二の金属板を乗せて積層サンプルを作製した。
この積層サンプルを、１８０℃で熱したプレス機（５０ｔプレス機、プレス面積４５ｃｍ×５０ｃｍ）に入れ、１０ＭＰａの圧力で５分間プレスした。
プレス後、第二の金属板、離型フィルムおよびスペーサーを取り除いた。これにより、第一の金属板とアルミニウム箔とエポキシ樹脂板（硬化物）とが積層してなる評価サンプルを得た。【０１２０】
得られた評価サンプルのエポキシ樹脂面（評価サンプル作製時に離型フィルムの第１面と接触していた面）をＸ線光電子分光分析により分析した。その分析結果から、該表面における炭素原子（ａｔｏｍｉｃ％）とフッ素原子（ａｔｏｍｉｃ％）と酸素原子（ａｔｏｍｉｃ％）との和に対するフッ素原子（ａｔｏｍｉｃ％）の比（Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ））を求めた。
ＸＰＳには、ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社製のＱｕａｎｔeｒａＳＸＭ型のＸ線光電子分光分析装置を用いた。Ｘ線源として単色化ＡｌＫα線を１５ｋＶ、２５Ｗで使用し、Ｘ線照射面光電子検出角を４５度とし、光電子のＰａｓｓ Ｅｎｅｒｇｙを２２４ｅＶとした。なお、式Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）中のＣ、Ｆ、Ｏはそれぞれ、この方法で測定した、Ｃ１ｓ、Ｆ１ｓ、Ｏ１ｓのピーク面積の測定値から算出した。【０１２１】
＜インク密着性の評価＞
アルミニウム箔の代わりに、厚さ１２５μｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のポリイミドフィルム（商品名：ユーピレックス  １２５Ｓ、宇部興産社製）を用いた以外は前記＜Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）の測定＞と同様にして、第一の金属板とポリイミドフィルムとエポキシ樹脂板とが積層してなる評価サンプルを作製した。
紫外線（ＵＶ）硬化型インク（品番：４４６６、マーケム・イマージュ製）を酢酸エチルで３倍に希釈した。希釈したインクを評価サンプルのエポキシ樹脂面（評価サンプル作製時に離型フィルムの第１面と接触していた面）にバーコーター＃３を使用して塗布した。塗布量は１ｇ／ｍ２とした。塗布後、評価サンプルを１００℃の熱風オーブンに入れ、３分間、乾燥させた。
上述のインクを塗布し乾燥させた評価サンプルを、ＵＶ照射装置に１０秒間、３ｋＷの条件でＵＶを照射し、インクを硬化させてインク層を形成した。
形成したインク層のエポキシ樹脂面に対する密着性を、ＩＳＯ２４０９（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６−２００９）に基づいて評価した。その結果から、その結果から、以下の基準でインク密着性を評価した。◎および○が実用上許容できる評価基準である。
◎（優良）：どの格子の目にも剥がれがない。
○（良好）：格子の一部に剥がれが認められる。
△（不良）：格子の５０％以上に剥がれが認められる。
×（不可）：全面に剥がれが認められる。【０１２２】
＜離型性の評価＞
ＪＩＳ  Ｋ６８５４−２：１９９９に準拠し、以下のように、離型フィルムと熱硬化性エポキシ樹脂との１８０度剥離試験を行って剥離力を測定した。剥離力が小さいほど、離型性に優れる。
（ａ）＜Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）の測定＞と同様の方法で、第一の金属板とアルミニウム箔とエポキシ樹脂板（硬化物）とが積層してなる評価サンプルを得た。
（ｂ）前記評価サンプルを、２５ｍｍ幅に切断した。
（ｃ）前記２５ｍｍ幅の評価サンプルを用い、常温における離型フィルムと熱硬化性エポキシ樹脂との１８０度剥離力を引張試験機（オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１−Ａ）を用いて１００ｍｍ／分の速度で測定した。
（ｄ）力（Ｎ）−つかみ移動距離曲線における、つかみ移動距離２５ｍｍから１２５ｍｍまでの剥離力の平均値を求めた。
（ｅ）評価サンプル５個の剥離力の平均値（単位はＮ／ｃｍ）の算術平均を求めた。【０１２３】
（Ｆ／Ａｌの測定）
厚さ１ｍｍの厚紙（大きさ５ｃｍ×１０ｃｍ）の上に、厚さ０．１ｍｍ、ＪＩＳ  Ｈ４１６０におけるＡ１Ｎ３０Ｈ−Ｈ１８材からなるアルミニウム板（大きさ５ｃｍ×１０ｃｍ）を載せ、その上に、離型フィルム（大きさ５ｃｍ×１０ｃｍ）を、第１面を下側（アルミニウム板側）に向けて乗せ、その上（第１面側）にさらに厚さ１ｍｍの厚紙（大きさ５ｃｍ×１０ｃｍ）を乗せて積層サンプルとした。該積層サンプルを、１８０℃で熱したプレス機（５０ｔプレス機、プレス面積４５ｃｍ×５０ｃｍ）に入れ、５ＭＰａの圧力で５分間プレスした。プレス後、両側の厚紙を取り除き、アルミニウム板から離型フィルムを剥離し、アルミニウム板の離型フィルムと接触していた表面をＸ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により分析した。その分析結果から、該表面におけるアルミニウム原子（ａｔｏｍｉｃ％）に対するフッ素原子（ａｔｏｍｉｃ％）の比（Ｆ／Ａｌ）を求めた。
ＸＰＳには、ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社製のＱｕａｎｔeｒａＳＸＭ型のＸ線光電子分光分析装置を用いた。Ｘ線源として単色化ＡｌＫα線を１５ｋＶ、２５Ｗで使用し、Ｘ線照射面光電子検出角を４５度とし、光電子のＰａｓｓ Ｅｎｅｒｇｙを２２４ｅＶとした。また、Ｆ／Ａlはこの方法で測定した、Ｆ１ｓおよびＡｌ１ｓの測定値から算出した。【０１２４】
（汚染性評価（代替試験））
厚さ１ｍｍの厚紙（大きさ１３ｃｍ×１３ｃｍ）の上に、厚さ１ｍｍのミラー加工されたステンレス板（ＳＵＳ３０３製、１３ｃｍ×１３ｃｍ）を、ミラー加工面（６０度鏡面光沢度が６８０）を上側（厚紙とは反対側）に向けて載せ、その上に、離型フィルム（大きさ１３ｃｍ×１３ｃｍ）を、第１面を下側（ステンレス板側）に向けて乗せ、その上（第１面側）にさらに厚さ１ｍｍの厚紙（大きさ１３ｃｍ×１３ｃｍ）を乗せて積層サンプルとした。該積層サンプルを、１８０℃で熱したプレス機（５０ｔプレス機、プレス面積４５ｃｍ×５０ｃｍ）に入れ、１ＭＰａの圧力で５分間プレスした。プレス後、両側の厚紙を取り除き、ステンレス板から離型フィルムを剥離し、ステンレス板のミラー加工面（離型フィルムと接触していた面）の６０度鏡面光沢度を測定した。
上記の試験を、ステンレス板のミラー加工面（離型フィルムと接触していた面）の６０度鏡面光沢度が５００以下になるまで繰り返した。試験回数が多いほど、当該離型フィルムが接する他の面（金型のキャビティ面や樹脂封止部の表面）が汚染されにくいことを示す。
ステンレス板のミラー加工面の６０度鏡面光沢度は、ＩＳＯ７６６８：１９８４に基づき、日本電色工業社製の光沢度計ＰＧ−１Ｍにより測定した。【０１２５】
〔例１〕
フッ素樹脂（１）を、厚さ５０μｍになるようにリップを調整した押出機により、３２０℃で溶融押出しし、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルムを製造し、これを例１の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。
また、該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。
なお、フッ素樹脂フィルムの製造条件は次の通りである。
押出機条件：押出機シリンダ口径６５ｍｍ、回転数２０ｒｐｍ、スクリュー計量部溝深さ０．５ｃｍ、計量部せん断速度１４ｓ−１、Ｌ／Ｄ＝２６、Ｌ（計量部）／Ｄ＝８。
引取条件：金属鏡面ロール（Ｒａ０．０５、表面温度１８０℃）、押し当てゴムロール（ショアＤ硬度７０、表面温度１８０℃、押し圧９８Ｎ／ｃｍ）
ベント条件：圧縮部にベントを設け、ベントラインの気圧を５００Ｐａとした。【０１２６】
〔例２〕
フッ素樹脂としてフッ素樹脂（２）を用いた以外は例１と同様にして、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルムを製造し、これを例２の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。
また、該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。【０１２７】
〔例３〕
フッ素樹脂としてフッ素樹脂（３）を用いた以外は例１と同様にして、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルムを製造し、これを例３の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。
また、該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。【０１２８】
〔例４〕
例３のフッ素樹脂フィルムを、アサヒクリンＡＫ２２５（旭硝子社製）に浸漬し、４０℃の条件下で３日置いた後、さらに清浄なアサヒクリンＡＫ２２５で洗浄し、６０℃で１時間乾燥し、これを例４の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。
また、該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。【０１２９】
〔例５〕
フッ素樹脂としてフッ素樹脂（４）を用い、溶融押出温度を３８０℃にした以外は例１と同様にして、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルムを製造し、これを例５の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。
また、該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。【０１３０】
〔例６〕
フッ素樹脂としてフッ素樹脂（５）を用いた以外は例１と同様にして、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルムを製造し、これを例６の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。【０１３１】
〔例７〕
フッ素樹脂としてフッ素樹脂（６）を用いた以外は例１と同様にして、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルムを製造し、これを例７の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。【０１３２】
〔例８〕
例５のフッ素樹脂フィルムに、例４と同様の処理をし、これを例８の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。
【０１３３】
［例９］
フィルムの製造条件を以下に変更した以外は例１と同様にして、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルムを製造し、これを例９の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。
また、該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。
なお、フッ素樹脂フィルムの製造条件は次の通りである。
押出機条件：押出機シリンダ口径６５ｍｍ、回転数４０ｒｐｍ、スクリュー計量部溝深さ０．２ｃｍ、計量部せん断速度：８５ｓ−１、Ｌ／Ｄ＝２６、Ｌ（計量部）／Ｄ＝８。
引取条件：金属鏡面ロール（Ｒａ０．０５、表面温度９０℃）、押し当てゴムロール（ショアＤ硬度７０、表面温度９０℃、押し圧９８Ｎ／ｃｍ）
ベント条件：ベントを設けなかった。【０１３４】
[例１０]
例３で製造したフィルムを繰り出し、以下に記載の条件のロール間に２度通して、巻取った。
金属鏡面ロール（Ｒａ０．０５、表面温度１９０℃）、押し当てゴムロール（ショアＤ硬度８０、表面温度１９０℃、押し圧２９４Ｎ／ｃｍ）
これを例１０の離型フィルムとした。該離型フィルムのＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）を測定し、結果を表１に示す。
また、該離型フィルムのＦ／Ａｌを測定し、結果を表２に示す。【０１３５】
例１〜７および９〜１０で得た離型フィルムについてインク密着性および離型性の評価を行った。結果を表１に示す。
なお、表１中、「（３）＊１」はフッ素樹脂（３）を溶媒抽出処理したものを示し、「（１）＊２」は、フッ素樹脂（１）と同じモノマー単位組成のフッ素樹脂であるが、異なる製造条件で得られたフッ素樹脂を示し、「（３）＊３」はフッ素樹脂（３）のフィルムをロール転写処理したものを示す。
下記の結果に示すとおり、Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１〜０．３である例１、２、４および１０の離型フィルムは、エポキシ樹脂板（硬化性樹脂の硬化物）との離型性に優れていた。また、これらの離型フィルムを用いて形成されたエポキシ樹脂板は、インク密着性に優れていた。対してＦ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．３超である例３、５、７および９の離型フィルムを用いて形成されたエポキシ樹脂板は、インク密着性が不充分であった。Ｆ／（Ｃ＋Ｆ＋Ｏ）が０．１未満である例６の離型フィルムは、エポキシ樹脂板との離型性が不充分であった。【０１３６】
【表１】
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【０１３７】
例１〜５および８〜９で得た離型フィルムについて汚染性評価を行った。結果を表２に示す。
なお、表２中、「（３）＊１」はフッ素樹脂（３）を溶媒抽出処理したものを示し、「（４）＊１」はフッ素樹脂（４）を溶媒抽出処理したものを示し、「（１）＊２」はフッ素樹脂（１）と同じモノマー単位組成のフッ素樹脂であるが、異なる製造条件で得られたフッ素樹脂を示す。
下記の結果に示すとおり、Ｆ／Ａｌが０．２〜４である例１、２、４、８の離型フィルムは、当該離型フィルムが接する他の面を汚染しにくいものであった。【０１３８】
【表２】
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【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明の離型フィルムは、半導体素子を硬化性樹脂で封止する際に、離型性に優れ、かつ離型フィルムによる樹脂封止部の汚染を抑制でき、インク層との密着性に優れた樹脂封止部を形成できる。本発明の離型フィルムを用いて、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子を集積した集積回路等の半導体パッケージを製造できる。
なお、２０１３年１１月７日に出願された日本特許出願２０１３−２３１３６４号および日本特許出願２０１３−２３１３６５号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【０１４０】
１  半導体パッケージ、１０  基板、１２  半導体チップ（半導体素子）、１４  樹脂封止部、１６  インク層、１８  ボンティングワイヤ、１９  硬化物、２０  固定上型、２２  キャビティ底面部材、２４  可動下型、２６  キャビティ、３０  離型フィルム、４０  硬化性樹脂、５０  上型、５２  下型、５４  キャビティ、５６  キャビティ面、５８  基板設置部、６０  樹脂導入部、６２  樹脂配置部、６４  プランジャ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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