(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面を有する金属ベースと、該金属ベースの前記表面側に配置され、被処理物を支持する支持面を有し、セラミックからなる本体基板と、該本体基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための吸着用電極と、前記金属ベースと前記本体基板との間に配置されたヒーター部と、前記金属ベースと前記ヒーター部との間に配置されたセラミックからなるセラミック層と、を備えた静電チャックの製造方法において、
前記静電チャックは、
前記本体基板と前記ヒーター部とを接着する第１接着層と、
前記ヒーター部と前記セラミック層とを接着する第２接着層と、
前記セラミック層と前記金属ベースとを接合する接合層と、を備え、
前記ヒーター部は、ポリイミド樹脂からなる有機層と、該有機層上であって、かつ前記金属ベース側に設けられたヒーター電極と、を有し、
前記第１接着層および前記第２接着層は、ポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂であり、前記接合層はシリコーン樹脂であり、
前記本体基板、前記第１接着層、前記ヒーター部、前記第２接着層、前記セラミック層、前記接合層、前記金属ベースがこの順に配置されており、
前記ヒーター部を作製するに当たっては、ポリイミド樹脂からなる有機層上の金属導体を露光及び現像し、前記有機層上にヒーター電極を形成する露光現像工程を有し、
前記本体基板および前記ヒーター部をそれぞれ別々に製造した後に、前記本体基板および前記ヒーター部を接着層を介して接合する接合工程を有することを特徴とする静電チャックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャック及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造装置では、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）に対してドライエッチング（例えばプラズマエッチング）等の加工処理が行われている。このドライエッチング等の加工精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に支持しておく必要がある。半導体ウェハを支持する手段としては、静電チャックが知られている。
【０００３】
静電チャックは、セラミックからなる本体基板、その本体基板に設けられた吸着用電極等を備えている。静電チャックは、吸着用電極に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて、半導体ウェハを本体基板の上面（支持面）に吸着支持する。
【０００４】
ところで、本体基板の支持面に吸着支持された半導体ウェハの温度にばらつきが生じると、加工精度が低下する。加工精度を高めるためには、半導体ウェハを吸着支持する本体基板の支持面の温度ばらつきを小さくすることが求められる。例えば、特許文献１には、本体基板の内部にヒーター電極（発熱体）を備えた静電チャックが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７１６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の静電チャックでは、次のような問題がある。すなわち、ヒーター電極は、発熱体材料（金属ペースト）をスクリーン印刷で所望のパターンに形成（パターン形成）することによって作製される。スクリーン印刷の場合、印刷滲み、スクリーンマスクによるメッシュ痕等により、パターン形成された発熱体材料の厚みや幅にばらつきが生じる。そのため、焼成後のヒーター電極の厚みや幅にばらつきが生じ、ヒーター電極を均一に発熱させることが困難となる。これにより、半導体ウェハを吸着支持する本体基板の支持面に温度ばらつきが生じる。
【０００７】
また、本体基板とヒーター電極とは、同時焼成により形成する。そのため、焼成時の本体基板の反りや焼けムラにより、本体基板の支持面とヒーター電極との間の距離（熱伝導性）にばらつきが生じる。これにより、半導体ウェハを吸着支持する本体基板の支持面に温度ばらつきが生じる。
【０００８】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、被処理物を支持する本体基板の支持面の温度ばらつきを抑制できる、品質の高い静電チャック及びその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一の態様は、表面及び裏面を有する金属ベースと、該金属ベースの前記表面側に配置され、被処理物を支持する支持面を有し、セラミックからなる本体基板と、該本体基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための吸着用電極と、前記金属ベースと前記本体基板との間に配置されたヒーター部と、を備え、該ヒーター部は、有機材料からなる有機層と、該有機層上であって、かつ前記金属ベース側に設けられたヒーター電極と、を有することを特徴とする静電チャックである。
【００１０】
前記静電チャックは、金属ベースと本体基板との間にヒーター部が設けられている。ヒーター部は、有機層とヒーター電極とを有する。ヒーター電極は、有機層上であって、かつ金属ベース側に設けられている。そのため、例えば、フォトリソグラフィ等の方法を用いて、有機層上にヒーター電極を形成することができる。そして、従来のスクリーン印刷等の方法を用いた場合と比較して、ヒーター電極の厚みや幅のばらつきを抑制でき、ヒーター電極の発熱を均一に行うことができる。これにより、半導体ウェハ等の被処理物を支持する本体基板の支持面の温度ばらつきを抑制できる。その結果、例えば、半導体ウェハ等の被処理物の加工精度を高めることができる。
【００１１】
また、ヒーター電極は、本体基板ではなく、本体基板とは別のヒーター部に設けられている。つまり、本体基板とヒーター電極とを別々に形成することになる。そのため、例えば、本体基板とヒーター電極とを同時焼成により形成した場合と比較して、本体基板の厚みが小さくなり、焼成時の本体基板の反りや焼けムラを抑制でき、歩留りを向上させることができる。これにより、本体基板の支持面とヒーター電極との間の距離（熱伝導性）のばらつきを抑制でき、本体基板の支持面の温度ばらつきも抑制できる。また、品質の向上を図ることができる。
【００１２】
さらに、例えば、本体基板とヒーター電極とを同時焼成により形成する場合と異なり、本体基板とヒーター電極とを別々に形成することになる。そのため、ヒーター電極を形成した段階でヒーター電極の性能（導通性等）を確認することができる。これにより、歩留りを向上させ、品質の向上を図ることができる。
【００１３】
本発明の他の態様は、表面及び裏面を有する金属ベースと、該金属ベースの前記表面側に配置され、被処理物を支持する支持面を有し、セラミックからなる本体基板と、該本体基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための吸着用電極と、前記金属ベースと前記本体基板との間に配置されたヒーター部と、を備えた静電チャックの製造方法において、前記ヒーター部を作製するに当たっては、有機材料からなる有機層上の金属導体を露光及び現像し、前記有機層上にヒーター電極を形成する露光現像工程を有することを特徴とする静電チャックの製造方法である。
【００１４】
前記静電チャックの製造方法は、ヒーター部を作製するに当たって、有機材料からなる有機層上の金属導体を露光及び現像し、有機層上にヒーター電極を形成する露光現像工程を有する。すなわち、フォトリソグラフィを用いて、有機層上にヒーター電極を形成することができる。これにより、前述の静電チャック、つまり半導体ウェハ等の被処理物を支持する本体基板の支持面の温度ばらつきを抑制できる、品質の高い静電チャックが得られる。
【００１５】
このように、本発明によれば、本体基板と金属ベースとの間にヒーター部（有機層、ヒーター電極）を設けることにより、被処理物を支持する本体基板の支持面の温度ばらつきを抑制できる、品質の高い静電チャック及びその製造方法を提供することができる。
【００１６】
前記静電チャックにおいて、前記金属ベースと前記ヒーター部との間には、セラミックからなるセラミック層が配置されていてもよい。この場合には、静電チャック全体の反りを抑制できる。また、本体基板及びヒーター部と金属ベースとの位置合わせが容易となる。
【００１７】
また、前記ヒーター部は、前記ヒーター電極が設けられた前記有機層を複数積層してなる構成であってもよい。この場合には、ヒーター部に、複数のヒーター電極を容易に設けることができる。例えば、ヒーター部に、主ヒーター（メインヒーター）となるヒーター電極と調整用ヒーターとなるヒーター電極とを容易に設けることができる。
【００１８】
前記本体基板は、その本体基板に設けた吸着用電極に対して電圧を印加した際に生じる静電引力を用いて、被処理物を吸着できるよう構成されている。被処理物としては、半導体ウェハ、ガラス基板等が挙げられる。
【００１９】
前記本体基板は、例えば、積層した複数のセラミック層により構成することができる。このような構成にすると、例えば、本体基板の内部に各種の構造（例えば吸着用電極等）を容易に形成することができる。
【００２０】
前記本体基板を構成するセラミック材料としては、例えば、アルミナ、イットリア（酸化イットリウム）、窒化アルミニウム、炭化珪素等を主成分とする焼結体を用いることができる。
【００２１】
前記吸着用電極を構成する導体の材料としては、特に限定されないが、同時焼成法によってこれらの導体及びセラミック部分（本体基板）を形成する場合、導体中の金属粉末は、本体基板の焼成温度よりも高融点である必要がある。導体中の金属粉末として、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、これらの合金等を用いることができる。
【００２２】
前記金属ベースを構成する金属材料としては、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの合金等を用いることができる。また、金属ベースには、冷却媒体を流通させる冷媒流路が設けられていてもよい。
【００２３】
前記ヒーター部の前記有機層を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等を用いることができる。
前記ヒーター部の前記ヒーター電極を構成する導体の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等を用いることができる。
【００２４】
前記ヒーター部は、前記本体基板、前記金属ベース、及び、前記セラミック層に対して、例えば、樹脂製の接着フィルム等を用いて接合（接着）することができる。特に、前記ヒーター部の前記ヒーター電極が露出している面は、セラミックからなる前記本体基板及び前記セラミック層に対して、例えば、樹脂製の接着フィルム等以外に、拡散接合等の方法を用いて接合することができる。
【００２５】
前記静電チャックの製造方法において、前記露光現像工程では、有機材料からなる有機層上の金属導体を露光及び現像する。具体的には、金属導体上に感光性樹脂層が形成され（フィルム貼り付け又はペースト塗工）、露光・現像にて金属導体にパターンが形成される。この場合、金属導体をスクリーン印刷等の方法で有機層上に塗布してもよいし、シート状の薄膜の金属導体を有機層上に接着してもよい。また、金属導体を有機層上にメッキ形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態１の静電チャックの構造を示す断面説明図である。
【図２】静電チャックの一部を拡大した断面説明図である。
【図３】（Ａ）は第１ヒーター電極を示す平面図であり、（Ｂ）は第２ヒーター電極を示す平面図である。
【図４】（Ａ）は樹脂層上に金属シートを接着した状態を示す断面説明図であり、（Ｂ）は樹脂層及び金属シートを拡大して示す断面説明図であり、（Ｃ）は樹脂層上に第１ヒーター電極を形成した状態を示す断面説明図である。
【図５】（Ａ）は２つの樹脂層を積層する状態を示す断面説明図であり、（Ｂ）は２つの樹脂層を積層して圧着する状態を示す断面説明図である。
【図６】（Ａ）は本体基板、ヒーター部、セラミック層等を積層する状態を示す断面説明図であり、（Ｂ）は本体基板、ヒーター部、セラミック層等を積層して圧着する状態を示す断面説明図である。
【図７】（Ａ）は本体基板とヒーター部とを積層する状態を示す断面説明図であり、（Ｂ）は本体基板とヒーター部とを積層して圧着する状態を示す断面説明図である。
【図８】（Ａ）は本体基板及びヒーター部とセラミック層とを積層する状態を示す断面説明図であり、（Ｂ）はヒーター部とセラミック層とを拡散接合する状態を示す断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面と共に説明する。
（実施形態１）
図１〜図３に示すように、本実施形態の静電チャック１は、表面１２１及び裏面１２２を有する金属ベース１２と、金属ベース１２の表面１２１側に配置され、半導体ウェハ（被処理物）８を支持する支持面１１１を有し、セラミックからなる本体基板１１と、本体基板１１に設けられ、半導体ウェハ（被処理物）８を吸着するための吸着用電極２１と、金属ベース１２と本体基板１１との間に配置されたヒーター部１３と、を備えている。ヒーター部１３は、有機材料からなる有機層１３１と、有機層１３１上であって、かつ金属ベース１２側に設けられたヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）と、を有する。以下、この静電チャック１の詳細について説明する。
【００２８】
図１、図２に示すように、静電チャック１は、被処理物である半導体ウェハ８を吸着支持する装置である。静電チャック１は、本体基板１１、金属ベース１２、ヒーター部１３等を備えている。
【００２９】
本実施形態では、本体基板１１側を上側、金属ベース１２側を下側とする。上下方向とは、本体基板１１と金属ベース１２との積層方向であり、本体基板１１及び金属ベース１２の厚み方向である。上下方向（厚み方向）に直交する方向とは、静電チャック１が平面的に広がる方向（平面方向、面方向）である。
【００３０】
同図に示すように、本体基板１１は、半導体ウェハ８を吸着支持する部材である。本体基板１１は、表面（支持面）１１１及び裏面１１２を有し、円板状に形成されている。本体基板１１の表面（支持面）１１１は、半導体ウェハ８を吸着して支持する面である。本体基板１１は、複数のセラミック層（図示略）を積層して構成されている。各セラミック層は、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなる。
【００３１】
本体基板１１の内部には、吸着用電極２１が配置されている。吸着用電極２１は、本体基板１１の内部において、略同一平面上に配置されている。吸着用電極２１は、平面視で円形状に形成されている。吸着用電極２１は、直流高電圧を印加することにより静電引力を発生する。この静電引力により、半導体ウェハ８を本体基板１１の表面（支持面）１１１に吸着して支持する。吸着用電極２１は、タングステンからなる。
【００３２】
ヒーター部１３は、本体基板１１と金属ベース１２との間に配置されている。ヒーター部１３は、２つの有機層１３１を積層して構成されている。２つの有機層１３１は、ポリイミド樹脂からなる樹脂フィルムである。一方（上側）の有機層１３１には、ヒーター電極４１（第１ヒーター電極４１ａ）が設けられている。他方（下側）の有機層１３１には、ヒーター電極４１（第２ヒーター電極４１ｂ）が設けられている。ヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）は、有機層１３１上であって、かつ金属ベース１２側（下側）に設けられている。ヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）は、銅からなる。
【００３３】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１ヒーター電極４１ａ及び第２ヒーター電極４１ｂは、長尺状の発熱体である。第１ヒーター電極４１ａ及び第２ヒーター電極４１ｂは、それぞれ一方（上側）及び他方（下側）の有機層１３１上において、何度も折り返して略同心円状に配置されている。
【００３４】
図１、図２に示すように、ヒーター部１３と本体基板１１とは、両者の間に配置された接着層１４１を介して接合されている。また、ヒーター部１３と後述するセラミック層１５とは、両者の間に配置された接着層１４１を介して接合されている。接着層１４１は、ポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂からなる接着フィルムである。
【００３５】
ヒーター部１３と金属ベース１２との間には、セラミックからなるセラミック層１５が配置されている。セラミック層１５は、本体基板１１と同様に、複数のセラミック層（図示略）を積層して構成されている。各セラミック層は、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなる。また、セラミック層１５と金属ベース１２とは、両者の間に配置された接合層１６を介して接合されている。接合層１６は、セラミックからなるセラミック層１５と金属ベース１２との熱膨張差を緩和するような柔軟性のあるシリコーン樹脂製の接着剤からなる。
【００３６】
吸着用電極２１には、ビア２２が接続されている。ビア２２は、吸着用電極２１からセラミック層１５の裏面（下面）まで上下方向に形成されている。ビア２２は、セラミック層１５の裏面に設けられたメタライズ層２３に接続されている。
【００３７】
第１ヒーター電極４１ａ（端子部４１１、４１２（図３（Ａ）参照））には、ビア４２１が接続されている。第２ヒーター電極４１ｂ（端子部４１１、４１２（図３（Ｂ）参照））には、ビア４２２が接続されている。ビア４２１、４２２は、それぞれ第１ヒーター電極４１ａ及び第２ヒーター電極４１ｂからセラミック層１５の裏面（下面）まで上下方向に形成されている。ビア４２１、４２２は、それぞれセラミック層１５の裏面に設けられたメタライズ層４３１、４３２に接続されている。
【００３８】
金属ベース１２は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製の冷却用部材（クーリングプレート）である。金属ベース１２は、表面１２１及び裏面１２２を有し、円板状に形成されている。金属ベース１２は、本体基板１１の下方側に配置されている。
【００３９】
金属ベース１２の内部には、冷却媒体（例えば、フッ素化液、純水等）を流通させる冷媒流路１２３が設けられている。冷媒流路１２３は、金属ベース１２の内部において、略同一平面上に配置されている。冷媒流路１２３は、平面視で渦巻き状に形成されている。冷媒流路１２３は、その一端から冷却媒体を導入し、その他端から冷却媒体を排出するよう構成されている。
【００４０】
また、金属ベース１２には、表面１２１と裏面１２２とを貫通するように、３つの内部穴３１〜３３が形成されている。内部穴３１には、筒状の絶縁部材３１１が嵌め込まれている。内部穴３１内のメタライズ層２３には、接続端子３１２が設けられている。接続端子３１２には、端子金具３１３が取り付けられている。端子金具３１３は、電源回路（図示略）に接続されている。吸着用電極２１には、接続端子３１２等を介して、静電引力を発生させるための電力が供給される。
【００４１】
内部穴３２には、筒状の絶縁部材３２１が嵌め込まれている。内部穴３２内のメタライズ層４３１には、接続端子３２２が設けられている。接続端子３２２には、端子金具３２３が取り付けられている。端子金具３２３は、電源回路（図示略）に接続されている。第１ヒーター電極４１ａには、接続端子３２２等を介して、第１ヒーター電極４１ａを発熱させるための電力が供給される。
【００４２】
内部穴３３には、筒状の絶縁部材３３１が嵌め込まれている。内部穴３３内のメタライズ層４３２には、接続端子３３２が設けられている。接続端子３３２には、端子金具３３３が取り付けられている。端子金具３３３は、電源回路（図示略）に接続されている。第２ヒーター電極４１ｂには、接続端子３３２等を介して、第２ヒーター電極４１ｂを発熱させるための電力が供給される。
【００４３】
第１ヒーター電極４１ａと第２ヒーター電極４１ｂとは、独立して別々に制御できるよう構成されている。本実施形態では、第１ヒーター電極４１ａを主ヒーター（メインヒーター）として、第２ヒーター電極４１ｂを調整用ヒーターとして用いている。
【００４４】
図示を省略したが、静電チャック１の内部には、半導体ウェハ８を冷却するヘリウム等の冷却用ガスの供給通路となる冷却用ガス供給路が設けられている。本体基板１１の基板表面（支持面）１１１には、冷却用ガス供給路が開口して形成された複数の冷却用開口部（図示略）及びその冷却用開口部から供給された冷却用ガスが本体基板１１の表面（支持面）１１１全体に広がるように形成された環状の冷却用溝部（図示略）が設けられている。
【００４５】
次に、本実施形態の静電チャック１の製造方法について説明する。
図４〜図６に示すように、本実施形態の静電チャック１の製造方法において、ヒーター部１３を作製するに当たっては、有機材料からなる有機層１３１上の金属シート（金属導体）４００を露光及び現像し、有機層１３１上にヒーター電極４１を形成する露光現像工程を有する。以下、この静電チャック１の製造方法の詳細について説明する。
【００４６】
まず、本体基板１１を作製する。具体的には、従来公知の方法により、アルミナを主成分とする複数のグリーンシートを作製する。そして、所定のグリーンシートに対して、ビア２２となるスルーホール等を必要箇所に形成する。その後、スルーホール内に、導体用ペーストを充填する。また、所定のグリーンシートに対して、吸着用電極２１を形成する位置にスクリーン印刷で導体用ペーストを塗布する。
【００４７】
次いで、複数のグリーンシートを互いに位置合わせして積層、熱圧着し、積層体を得る。積層体は、所定の形状にカットする。そして、積層体を還元雰囲気中、１４００〜１６００℃の温度で焼成し、吸着用電極２１、ビア２２等が設けられた本体基板１１を得る。
【００４８】
また、セラミック層１５を作製する。具体的には、従来公知の方法により、アルミナを主成分とする複数のグリーンシートを作製する。そして、所定のグリーンシートに対して、ビア４２１、４２２となるスルーホール等を必要箇所に形成する。その後、スルーホール内に、導体用ペーストを充填する。また、所定のグリーンシートに対して、メタライズ層２３、４３１、４３２を形成する位置にスクリーン印刷で導体用ペーストを塗布する。
【００４９】
次いで、複数のグリーンシートを互いに位置合わせして積層、熱圧着し、積層体を得る。積層体は、所定の形状にカットする。そして、積層体を還元雰囲気中、１４００〜１６００℃の温度で焼成し、ビア４２１、４２２、メタライズ層２３、４３１、４３２等が設けられたセラミック層１５を得る。
【００５０】
また、ヒーター部１３を作製する。具体的には、図４（Ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる樹脂フィルム（厚さ約２４μｍ）である有機層１３１上に、薄膜（厚さ約４μｍ）の金属シート４００を接着する。そして、ビア２２となるスルーホールを必要箇所に形成する。その後、スルーホール内に導体用ペースト（銀ペースト）を充填する。これにより、ビア２２を形成する。
【００５１】
なお、図４（Ｂ）に示すように、有機層１３１は、厚さ約２０μｍの熱硬化ポリイミド層１３１ａと、その上下に配置された厚さ約２μｍの一対の熱可塑ポリイミド層１３１ｂとからなる。
【００５２】
次いで、図４（Ｃ）に示すように、有機層１３１上の金属シート４００に対して、フォトリソグラフィにより露光及び現像を行う。このとき、第１ヒーター電極４１ａとなる部分を露光し、それ以外の部分を露光しない。また、現像において未露光部分を除去し、露光部分を残す。これにより、有機層１３１上に、第１ヒーター電極４１ａを形成する。
【００５３】
また、同様の手順で、フォトリソグラフィにより、もう１つの有機層１３１上に、第２ヒーター電極４１ｂを形成する。この有機層１３１には、ビア２２、４２１を形成しておく（後述の図５（Ａ）参照）。
【００５４】
次いで、図５（Ａ）に示すように、第１ヒーター電極４１ａを設けた有機層１３１と第２ヒーター電極４１ｂを設けた有機層１３１とを重ね合わせる。そして、図５（Ｂ）に示すように、２つの有機層１３１を積層した状態で圧着する。これにより、第１ヒーター電極４１ａ及び第２ヒーター電極４１ｂを設けたヒーター部１３を得る。その後、第１ヒーター電極４１ａ及び第２ヒーター電極４１ｂの性能（導通性等）を確認する。
【００５５】
次いで、図６（Ａ）に示すように、本体基板１１、接着層１４１、ヒーター部１３、接着層１４１、セラミック層１５を順に重ね合わせる。なお、セラミック層１５、２つの接着層１４１には、ビア２２、４２１、４２２を形成しておく。そして、図６（Ｂ）に示すように、これらを真空中、所定の温度に加熱した状態で圧着し、中間体を得る。その後、中間体と金属ベース１２とをシリコーン樹脂製の接着剤（接合層１６）により接合（接着）する。以上により、静電チャック１を得る。
【００５６】
次に、本実施形態の静電チャック１及びその製造方法の作用効果について説明する。
本実施形態の静電チャック１は、金属ベース１２と本体基板１１との間にヒーター部１３が設けられている。ヒーター部１３は、有機層１３１とヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）とを有する。ヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）は、有機層１３１上であって、かつ金属ベース１２側に設けられている。そのため、本実施形態のように、フォトリソグラフィを用いて、有機層１３１上にヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）を形成することができる。そして、従来のスクリーン印刷等の方法を用いた場合と比較して、ヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）の厚みや幅のばらつきを抑制できる。これにより、半導体ウェハ８を支持する本体基板１１の支持面１１１の温度ばらつきを抑制できる。その結果、例えば、半導体ウェハ８の加工精度を高めることができる。
【００５７】
また、ヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）は、本体基板１１ではなく、本体基板１１とは別のヒーター部１３に設けられている。つまり、本体基板１１とヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）とを別々に形成することになる。そのため、例えば、本体基板１１とヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）とを同時焼成により形成した場合と比較して、焼成時の本体基板１１の反りや焼けムラを抑制でき、歩留りを向上させることができる。これにより、本体基板１１の支持面１１１とヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）との間の距離（熱伝導性）のばらつきを抑制でき、本体基板１１の支持面１１１の温度ばらつきも抑制できる。また、品質の向上を図ることができる。
【００５８】
さらに、例えば、本体基板１１とヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）とを同時焼成により形成する場合と異なり、本体基板１１とヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）とを別々に形成することになる。そのため、ヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）を形成した段階でヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）の性能（導通性等）を確認することができる。これにより、歩留りを向上させ、品質の向上を図ることができる。
【００５９】
また、本実施形態において、金属ベース１２とヒーター部１３との間には、セラミックからなるセラミック層１５が配置されている。そのため、静電チャック１全体の反りを抑制できる。また、本体基板１１及びヒーター部１３と金属ベース１２との位置合わせが容易となる。
【００６０】
また、ヒーター部１３は、ヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）が設けられた有機層１３１を複数積層してなる。そのため、ヒーター部１３に、複数のヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）を容易に設けることができる。例えば、ヒーター部１３に、主ヒーター（メインヒーター）となるヒーター電極４１（４１ａ）と調整用ヒーターとなるヒーター電極４１（４１ｂ）とを容易に設けることができる。
【００６１】
また、本実施形態の静電チャック１の製造方法は、ヒーター部１３を作製するに当たって、有機材料からなる有機層１３１上の金属シート４００を露光及び現像し、有機層１３１上にヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）を形成する露光現像工程を有する。すなわち、フォトリソグラフィを用いて、有機層１３１上にヒーター電極４１（４１ａ、４１ｂ）を形成することができる。これにより、半導体ウェハ８を支持する本体基板１１の支持面１１１の温度ばらつきを抑制できる、品質の高い静電チャック１が得られる。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、半導体ウェハ（被処理物）８を支持する本体基板１１の支持面１１１の温度ばらつきを抑制できる、品質の高い静電チャック１を提供することができる。
【００６３】
（実施形態２）
本実施形態は、図７、図８に示すように、実施形態１の静電チャック１の製造方法において、本体基板１１、ヒーター部１３及びセラミック層１５を接合する工程を変更した例である。なお、実施形態１と同様の構成及び作用効果については説明を省略する。
【００６４】
図７（Ａ）に示すように、本体基板１１及びヒーター部１３を重ね合わせる。なお、ヒーター部１３において、ビア２２及びビア４２１を第２ヒーター電極４１ｂと同じ高さまで形成しておく。そして、図７（Ｂ）に示すように、本体基板１１及びヒーター部１３を真空中、所定の温度に加熱した状態で圧着する。
【００６５】
次いで、図８（Ａ）に示すように、第２ヒーター電極４１ｂの表面にめっき膜４０１を形成する。また、ヒーター部１３のビア２２及びビア４２１の表面にもめっき膜４０１を形成する。また、セラミック層１５の所定の位置（ヒーター部１３に形成しためっき膜４０１に対応する位置）に半田等からなる接合部４０２を形成する。接合部４０２は、フォトリソグラフィ、インクジェット、ディスペンサー等の方法を用いて形成する。なお、セラミック層１５のビア２２及びビア４２１を接合部４０２と同じ高さまで形成しておく。そして、本体基板１１及びヒーター部１３とセラミック層１５とを重ね合わせる。
【００６６】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、これらを真空中、所定の温度に加熱した状態で圧着し、中間体を得る。なお、表面にめっき膜４０１を形成した第２ヒーター電極４１ｂは、セラミック層１５の接合部４０２に対して拡散接合される。また、表面にめっき膜４０１を形成したヒーター部１３のビア２２及びビア４２１は、それぞれセラミック層１５のビア２２及びビア４２１に対して拡散接合される。なお、ヒーター部１３とセラミック層１５との非接合部分には、微小な空間（空気層）が形成されている。例えば、この微小な空間にアンダーフィル等を注入・充填してもよい。その後、中間体と金属ベース１２とをシリコーン樹脂製の接着剤（接合層１６）により接合（接着）する。以上により、静電チャック１を得る。
【００６７】
（その他の実施形態）
本発明は、前述の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００６８】
（１）前述の実施形態では、金属ベースとヒーター部との間にセラミック層を配置したが、セラミック層を配置しない構成としてもよい。
（２）前述の実施形態では、ヒーター部は、ヒーター電極が設けられた２つの有機層を積層して構成されているが、例えば、３つ以上の有機層を積層して構成してもよいし、１つの有機層のみで構成してもよい。
【００６９】
（３）ヒーター電極を複数の加熱領域に分割し、それぞれの加熱領域が独立して別々に制御できるよう構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１…静電チャック
１１…本体基板
１１１…支持面
１２…金属ベース
１２１…表面
１２２…裏面
１３…ヒーター部
１３１…有機層
２１…吸着用電極
４１…ヒーター電極
８…半導体ウェハ（被処理物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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