(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅系の材料からなる金属板より形成されていて、側面とハーフエッチング面と前記側面及びハーフエッチング面以外の面を有し、
前記金属板の側面及びハーフエッチング面にのみ、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきが形成され、かつ、前記金属板の側面及びハーフエッチング面に形成されためっきは、前記Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきのみであり、
前記金属板の前記側面及びハーフエッチング面以外の面は平坦に形成され、
前記金属板の前記側面及びハーフエッチング面以外の面における半導体素子又はＬＥＤ素子が搭載される面となるリードフレームの表面における、前記Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきが形成されている側面と該Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきが形成されているハーフエッチング面とに囲まれた所定部位には、貴金属めっき層が平坦に形成され、
前記金属板の前記側面及びハーフエッチング面以外の面における前記貴金属めっき層を形成した部位以外の全ての部位は、前記金属板をなす銅系の材料が露出し、
前記貴金属めっき層は、前記金属板をなす銅系の材料に対して、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｕ（又はＡｕ合金）／Ａｇ(又はＡｇ合金)、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｇ（又はＡｇ合金）／Ａｕ(又はＡｕ合金)の順に積層されてなることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記各種合金めっきの厚さが、０．０２〜２．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
リードフレーム材料の金属板にレジストによるめっき用マスクを形成する工程と、
前記めっき用マスクから露出している前記金属板にめっきを形成する工程と、
レジストにより、形成された前記めっき部分を覆い、要求されるリードフレーム形状を得るためのエッチング用マスクを形成する工程と、
エッチングにより金属板に貫通加工およびハーフエッチング加工を施す工程と、
エッチング加工をした貫通面およびハーフエッチング面にＳｎ，Ｚｎめっき又はそれらの金属を含む各種合金めっきを施す工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関し、特に樹脂との密着性に優れたリードフレームに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは、金属製のリードフレームと封止用樹脂が主に使用されており、リードフレームは、銅合金が多用され、封止用樹脂は、エポキシ樹脂等が主流を占めている。
【０００３】
また、半導体パッケージの放熱用として、ヒートスプレッダと呼ばれる部品の材料は、銅板あるいは銅合金板が使用される場合があり、リードフレームとヒートスプレッダは封止用樹脂で固定されている。
【０００４】
このように、銅及び銅合金を用いた金属材料と樹脂とが接合している製品では、その密着性がしばしば問題になり、樹脂密着性を良好にする方策として、アンカー効果を得る為にリードフレーム及びヒートスプレッダの表面を粗化処理する方法が採用されている。
【０００５】
しかし、これらの方法の問題点としては、例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄ）タイプの半導体パッケージでは、封止用樹脂の下面に接続端子が露出しており、金属材料の下面を粗化すると樹脂漏れを誘発する場合があり、その漏れた樹脂は、粗化によって剥離が難しくなるというジレンマを持っている。そのため、従来、部分的に粗化処理をする方法が提案されているが、これらの処理方法はコストアップにつながるという問題点をもっている。
【０００６】
また、銅材の粗化処理は、高温加熱をすることで粗化面の銅酸化が進み酸化膜の剥離が起こりやすくなり、加熱前よりも樹脂密着性が低下することになり、半導体パッケージとしての充分な信頼性を得るには至っていない。
【０００７】
これらの粗化処理に代わる方策として、従来、特許文献1、特許文献2、特許文献3に示す技術が開示されている。
【０００８】
特許文献１には、半導体装置等の電子部品の放熱板において、樹脂系接着剤との接着性を向上させる方法として、アミノシラン化合物を０．００１％以上含む溶液中に、Ｎｉ又はＮｉ合金メッキ付き金属板又は条材を浸漬し、接着剤にて樹脂と接着する部分の最表面にアミノシラン化合物皮膜を形成することが開示されている。
【０００９】
特許文献２には、銅板を基板として、ニッケルめっき層を形成させ、その上にシランカップリング剤塗布層またはポリアクリル酸の皮膜を形成させて半導体用放熱板とし、これに半導体素子およびプリント基板を接着し、トランスファーモールド樹脂で半導体素子を封止し、接着樹脂との密着性に優れた半導体用放熱板を得ることが開示されている。
【００１０】
特許文献３には、最表面にＳｉ換算付着量で０．５ｍｇ／ｍ２以上のシラン化合物被膜が形成され、その下層に厚さ１０００〜２０００Åの酸化皮膜が形成された銅又は銅合金板又は条材であり、４０℃〜６０℃のシランカップリング剤水溶液を、銅又は銅合金板又は条材の表面に塗布して該表面にシラン化合物被膜を形成した後、これを加熱処理し、前記シラン化合物皮膜の下層に前記銅又は銅合金板又は条状の酸化皮膜を厚さ１０００〜２０００Åの厚さで形成し、樹脂密着性に優れる銅合金板又は条材を得ることが開示されている。
【００１１】
これら従来の銅及び銅合金条材の化学的方法による表面処理では、樹脂密着性を十分に向上させることは困難であり、依然としてリードフレームと樹脂との密着性を向上させる技術が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−３４２５８０号公報
【特許文献２】特開２００２−２７０７４０号公報
【特許文献３】特開２００５−２２６０９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、樹脂密着性を向上させるためのその他の方策として、素材となる銅材料表面をＳｎまたはその合金めっき、Znまたはその合金めっき処理する方法がある。
その場合、まず材料表面全体を、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種の合金めっき処理をし、その後、めっき面をＤＦＲによってマスキングした後に、エッチングを行うことにより所望のリードフレームを製造する。そして、結果的に、エッチング溶解されない材料面は、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理がなされ、エッチングされた溶解面については、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理されていないリードフレームが成形される。
【００１４】
或いは、エッチング、もしくはプレスにて成形されたリードフレームに、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種の合金めっき処理を施し、フレーム全体をＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理する方法もある。この場合は、エッチング溶解面やプレスの切断面についても、全てＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種の合金めっき処理がされることになる。
【００１５】
このように、どちらの方法においても、元々の材料表面は、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっきがなされるので、例えば材料表面に光沢が必要になるＬＥＤ等の照明用途のリードフレームの場合は、材料表面をＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきをすることによって、材料表面に光の拡散が起きてしまうために、必要な光沢度を確保することができなくなる。
【００１６】
このためＬＥＤ等の照明用途のリードフレームの場合は、樹脂の密着性を向上させたくとも、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理を行うことはできなかった。
【００１７】
また、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理によって、リードフレームの樹脂密着性は向上するが、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理していないリードフレームの材料表面と比べて、ワイヤーボンディング性が格段に低下してしまう。
【００１８】
そのため、本来はＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理を行った方が望ましいリードフレームであっても、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理することの出来ないリードフレームも存在している。
【００１９】
上記実情に鑑み、本発明は、例えば素材面の光沢が必要なＬＥＤ用途のリードフレームの場合において、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき加工を行っても、表面光沢を損なうこと無く、且つ、ワイヤーボンディング性を低下させること無く、樹脂密着性を向上させることができるリードフレームと、その製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明のリードフレームは、銅系の材料からなる金属板より形成されていて、側面とハーフエッチング面と前記側面及びハーフエッチング面以外の面を有し、前記金属板のリードフレームの側面及びハーフエッチング面にのみ、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき層が形成され、かつ、前記金属板の側面及びハーフエッチング面に形成されためっきは、前記Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきのみであり、前記金属板の前記側面及びハーフエッチング面以外の面は平坦に形成され、前記金属板の前記側面及びハーフエッチング面以外の面における半導体素子又はＬＥＤ素子が搭載される面となるリードフレームの表面における、前記Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきが形成されている側面と該Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきが形成されているハーフエッチング面とに囲まれた所定部位には、貴金属めっき層が平坦に形成され、前記金属板の前記側面及びハーフエッチング面以外の面における前記貴金属めっき層を形成した部位以外の全ての部位は、前記金属板をなす銅系の材料が露出し、前記貴金属めっき層は、前記金属板をなす銅系の材料に対して、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｕ（又はＡｕ合金）／Ａｇ(又はＡｇ合金)、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｇ（又はＡｇ合金）／Ａｕ(又はＡｕ合金)の順に積層されてなることを特徴とする。
【００２１】
その場合、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき層の厚さは、０．０２〜２．０μｍであることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明に係るリードフレームの製造方法は、リードフレーム材料である金属板にレジストによるめっき用マスクを形成する工程と、めっき用マスクから露出している金属板部分にめっきを形成する工程と、レジストにより、形成されためっき部分を覆い、要求されるリードフレーム形状を得るためのエッチング用マスクを形成する工程と、エッチング加工により金属板に貫通加工およびハーフエッチング加工を施す工程と、エッチング加工をした貫通面およびハーフエッチング面にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきを施す工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】
更に、本発明によれば、Ｓｎ，Ｚｎめっき又はそれらの金属を含む各種合金めっきは、電気めっきが好ましいが、その他に、化学めっきや真空蒸着などの皮膜ができるめっきであれば如何なるめっきでもよく、また、本発明のリードフレームにおいては、めっき厚は、０．０２〜２．０μｍ程度が適当である。めっき厚が０．０２μｍ以下の場合には効果が不十分であり、逆に、２．０μｍ以上の場合にはめっき効果が増大しないからである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、エッチング溶解面（製品側面、及びハーフエッチング部分）のみに限定して、部分的にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金によるめっき処理を行うようにしたから、リードフレームと樹脂との密着性を一段と向上させることができる。
【００２７】
即ち、従来、表面光沢が必要なリードフレームにおいては、材料表面の全面にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきを行ったのでは、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金をめっきしたことによる影響で、めっき後の表面光沢度を確保できないため、また、ワイヤーボンディング性が格段に低下するため、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理を行うことはできなかったが、本発明による部分的Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき法を適用することで、ＬＥＤ等の照明用途のリードフレームであっても、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきされるのはエッチング溶解面だけになるので、めっき後の光沢度に影響を及ぼすことなく、リードフレームとリフレクタ樹脂との密着性を向上させることが可能となる。
【００２８】
加えて、ＱＦＮタイプのリードフレームやその他ＩＣ用リードフレームにおいても、部分的なＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきによる樹脂密着性の向上は可能であり、エッチング溶解面である製品側面へのＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきはもちろんのこと、表面にハーフエッチング面を追加したり、既存のハーフエッチング面の面積を増やすことで、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき面積は増加し樹脂密着性を向上させることができる。テープレスＱＦＮについても、端子側面がＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理されるため、樹脂密着性を向上させることができる。
【００２９】
また、従来、銅粗化処理等によって樹脂密着性の向上を図った場合には、経時変化やアッセンブリによる加熱処理等により、粗化面の銅酸化が進み酸化膜剥離が起こりやすくなり、密着性が劣化するケースが少なくないが、本発明方法による場合は、経時変化や加熱処理等により形成されるＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金酸化膜が樹脂との密着性を向上させ、また、これらの酸化膜は加熱等で密着性が劣化することはない。
【００３０】
更に、部分的なＳｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっきを行うためには、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき用のマスクが必要になるが、本発明では、エッチング用のマスクをそのままＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき用のマスクとして使用するので、エッチング加工からＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理を同一装置により連続処理することが可能となり、部分Ｓｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっき処理をしたリードフレームを低コストで生産することが可能となる。
【００３１】
又、本発明方法により、リードフレームの形状やデザインにおいて、その用途（ＬＥＤ用、ＩＣ用）にかかわらず、部分的にハーフエッチング部分を追加したり、既存のハーフエッチング面積を増やしたりすることによって、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっき処理面積は増大し、更に樹脂密着性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は本発明に係るリードフレームの製造方法の実施例１の工程を示した図で、（１）は金属板にレジスト層を形成した図、（２）はめっきマスクを形成した図、（３）はめっき層を形成した図、（４）はめっきマスクを剥離した図、（５）はめっきが形成された金属板の両面にレジスト層を形成した図、（６）はエッチングマスクを形成した図、（７）はエッチング後の図、（８）はエッチングマスクを利用して部分的にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理を行った図、（９）はエッチングマスクを剥離した図である。
【図２】図２は実施例および比較例で作製した試験片の樹脂密着強度の評価結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図１を参照して本発明に係るリードフレームの製造方法を説明する。
最初の工程は、リードフレーム素材となるべき金属板１の表裏面にフォトレジストをラミネートしてフォトレジスト層２を設け、その上にめっきパターンの形成されためっきマスク３を被せ、フォトリソグラフィ工程（露光及び現像）でレジストに転写し、めっきパターンを描画する工程である。
その工程は、金属板１上にフォトレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト）をラミネートし（１）、めっきパターンの形成されたガラスマスクをフォトリソグラフィ工程（露光及び現像）でレジストに転写し、めっきパターンを金属板１上に描画し(２）、次に、電解めっき法によってＮｉ/Ｐｄ/ＡｕあるいはＡｇめっき４を施し、Ｎｉ/Ｐｄ/ＡｕあるいはＡｇ被膜を形成する(３）。
【００３４】
次に、金属板１の両面に形成されているめっきマスク３を水酸化ナトリウム水溶液により剥離し(４）、その後再度、金属板１上にフォトレジストをラミネートし(５）、リードフレームパターンの形成されたガラスマスクをフォトリソグラフィ工程でレジストに転写し(６）、塩化第二鉄液を用いたエッチングで余分な金属部分を除去してリードフレーム形状を形成する(７）。
【００３５】
次に、電解めっき法によって、ＳｎまたはＺｎめっき処理を行う(８）。それにより、エッチング溶解面（金属板１の側面、及びハーフエッチング部分）のみに限定して、ＳｎまたはＺｎめっきが０．０２〜２．０μｍの厚みで施される。
【００３６】
最後に、金属板１の両面に形成されているエッチングマスクを水酸化ナトリウム水溶液により剥離することにより、本発明によるリードフレーム(９）が形成される。
【００３７】
かくして、本発明によれば、封止樹脂との密着性が向上し、さらに、ワイヤーボンディング性も従来と同等のリードフレームを提供することができる。なお、本発明では、金属板１の材料としては、銅系の材料が好適である。
【実施例１】
【００３８】
金属板１として厚さが０.１５０ｍｍの銅材を用いて、両面にドライフィルムレジスト(旭化成イーマテリアルズ株式会社：ＡＱ-２０５８)を貼り付け、レジスト層を形成した。次に、めっきを形成するためのパターンが形成された上面側用と裏面側用のガラスマスクを用いて、露光及び現像を行うことで、めっきを形成する部分のレジストを除去し、部分的に金属板表面を露出させためっきマスクを形成した。
【００３９】
次に、めっき加工を行なって金属板表面の露出部分にめっきを形成した。本実施例では、金属板側から順に、設定値１.０μｍのＮｉめっき、設定値０.０２μｍのＰｄめっき、設定値０.００７μｍのＡｕめっきを施して、３層のめっきを形成した。
【００４０】
次に、金属板の両面に形成されているめっきマスクを３％の水酸化ナトリウム水溶液により剥離し、更に３％の硫酸による洗浄処理も行なった。
【００４１】
次に、めっきが形成された金属板の両面にドライフィルムレジスト(旭化成イーマテリアルズ株式会社：ＡＱ-4４０９６)を貼り付けてレジスト層を形成し、リードフレームの形状が形成されたガラスマスクを用いて両面を露光し現像を行ってエッチングマスクを形成した。
【００４２】
次に、塩化第二鉄液を用いてスプレーエッチング加工を行い、リードフレームの形成を行った。エッチング加工は、液温７０℃、比重１.４７の塩化第二鉄液を用い、搖動するスプレーノズルによって０.３ＭＰaの設定圧力で噴射させ、約１６０秒間の処理を行なった。
【００４３】
次に、エッチング溶解面に付着した銅結晶をスプレー噴射による硫酸洗浄にて除去した後、電解めっき法によって、Ｚｎめっき処理を行った。この電気Ｚｎめっき浴は、ＮａＯＨ ５ｇ／ｌ、ＮａＣＮ ３５ｇ／ｌ、および、Ｚｎ(ＣＮ）２３０ｇ／ｌから構成され、電流密度を３Ａ／ｄｍ２で電気Ｚｎめっきして、膜厚１μｍのＺｎめっき層を得た。
【００４４】
次に、Ｚｎめっき面に付着したＺｎめっき処理液の残渣物をスプレー噴射による塩酸洗浄にて除去し、その後、水酸化ナトリウム水溶液を用いてエッチングマスクを剥離した。その後、硫酸による酸処理を行い表面を乾燥させ、製品側面およびエッチング溶解面が部分的にＺｎめっきされた、実施例1のリードフレームを得た。
【実施例２】
【００４５】
電気Ｚｎめっきの膜厚を０.２μｍにしたことを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例２のリードフレームを得た。
【実施例３】
【００４６】
Ｚｎの代わりにＳｎめっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例３のリードフレームを得た。この電気Ｓｎめっき浴は、硫酸第一スズ５５ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、クレゾールスルホン酸６０ｇ／ｌ、ゼラチン２ｇ／ｌ、および、βナフトール１ｇ／ｌから構成され、電流密度を２Ａ／ｄｍ２で電気Ｓｎめっきして、膜厚１μｍのＳｎめっき層を得た。
【実施例４】
【００４７】
ＺｎめっきをAtotech社製ジンニーST AF210亜鉛ニッケル合金（Ni共析率12-15wt％）めっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例４のリードフレームを得た。このジンニーST AF210亜鉛ニッケル合金めっきは、塩化カリウム２１３ｇ／ｌ、塩化亜鉛４２ｇ／ｌ、および、塩化ニッケル６水和物１２１ｇ／ｌの基本液に、添加剤としてジンニーＡＣＡＦ２１１を１０ｍｌ/ｌ、ジンニーＡＣＡＦ２１２を２０ｍｌ/ｌ、ジンニーＡＣＡＦ２１４を２０ｍｌ/ｌ、ジンニーＡＣＡＦ２１６を７０ｍｌ/ｌを添加しためっき液から構成され、電流密度を２Ａ／ｄｍ２で電気めっきして、膜厚１μｍのＺｎＮｉ合金めっき層を得た。
【実施例５】
【００４８】
Ｎｉの代わりにＮｉＰめっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例５のリードフレームを得た。この電気ＮｉＰめっき浴は、硫酸ニッケル２５０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、ホウ酸５０ｇ／ｌ、および、ノボプレートＨＳ（アトテックジャパン(株)）３０ｍｌ／ｌから構成され、電流密度を２Ａ／ｄｍ２で電気Ｓｎめっきして、膜厚１μｍのＮｉＰめっき層を得た。
【００４９】
以上、実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【比較例１】
【００５０】
エッチング後にＺｎめっきを適用しなかったことを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で比較例1のリードフレームを得た。
【比較例２】
【００５１】
エッチング後にＺｎめっきの代わりに、銅粗化処理を行なったことを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で比較例２のリードフレームを得た。銅粗化処理は粗化処理液（メック株式会社：ＣＺ８１００）をスプレー噴射することにより行った。この粗化処理液は液温３５℃、比重１．１４５、銅濃度３５ｇ／Ｌに調液し、スプレー噴射にて粗化処理を行った。粗化面の表面粗さはＳＲａ０．２〜０．４となった。
【比較例３】
【００５２】
Ｚｎめっきの代わりにＡｇめっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で比較例３のリードフレームを得た。Ａｇめっき浴は、ＫＣＮ ４０ｇ／ｌ、ＡｇＣＮ ３５ｇ／ｌ、Ｋ２ＣＯ３ ２２ｇ／ｌから構成され、電流密度３Ａ／ｄｍ２で電気Ａｇめっきして膜厚０．２μｍのＡｇめっき層を得た。
【００５３】
このようにして形成されたリードフレームから樹脂密着性評価試験のための試験片を切り出し、これら試験片の樹脂密着性を判断するために、下記の方法により樹脂密着強度を評価した。即ち、金属製基材の上に、金型注入圧力１００ｋｇ／ｃｍ２、金型温度１７５℃×９０秒の条件で直径２ｍｍの大きさの樹脂を４つ形成し、１７５℃のオーブン中で８時間に亘って硬化処理して、４点の評価用樹脂見本を形成した。これら評価用樹脂見本をそれぞれ真横から押して樹脂が剥離したときの荷重を測定し、この値を樹脂の接着面積で割って単位面積あたりの荷重に換算した。このようにして得られた４点の荷重の平均をとって樹脂密着強度とした。
【００５４】
上記のようにして、実施例および比較例で作製したリードフレームのそれぞれに対して樹脂密着強度を評価した結果、図２に示したように、樹脂密着強度は、実施例1のリードフレームでは２３ＭＰａであり、実施例２のリードフレームでも２３ＭＰａであり、実施例３のリードフレームでは１９ＭＰａであり、実施例４のリードフレームでは１９ＭＰａであり、実施例５のリードフレームでは１９ＭＰａであり、比較例1のリードフレームでは１０ＭＰａであり、比較例２のリードフレームでは１３ＭＰａであり、比較例３のリードフレームでは１２ＭＰａであった。
【００５５】
これらの結果から、製品側面およびハーフエッチ面のみを薄くＳｎまたはＺｎめっきした場合には、ＳｎまたはＺｎめっきしない場合の２倍程度の密着強度が得られることが確認された。また、Ｚｎのめっき厚は０．２〜１μｍの範囲では密着強度に変化はなく十分に高いレベルにあった。また、ＳｎまたはＺｎめっきの代わりに、銅粗化処理を行った場合や、Ａｇめっきを行った場合には、ＳｎまたはＺｎめっきのような高い密着強度が得られないことがわかった。
一方、ＺｎＮｉめっきやＮｉＰめっきを行った場合にも、ＳｎまたはＺｎめっきと同等レベルの高い密着強度が得られることがわかった。
符号の説明  
【００５６】
１・・・金属板
２・・・レジスト層
３・・・めっきマスク
４・・・めっき
５・・・エッチングマスク
６・・・ＳｎまたはＺｎめっき処理面
【図１】
0006493952.tif 000002
【図２】
0006493952.tif 000003