(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のダイオードと、
前記第１のダイオードのカソードに接続される容量と、
前記第１のダイオードのカソードに接続される可変抵抗と、
第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、
前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記可変抵抗の値を制御するコントローラと
を有することを特徴とする検波器。
【請求項２】
さらに、第２のダイオードを有し、
前記検出器は、前記第１の温度における前記第２のダイオードの電圧及び電流特性と、前記第２の温度における前記第２のダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出することを特徴とする請求項１記載の検波器。
【請求項３】
前記第２のダイオードは、前記第１のダイオードと同じサイズであることを特徴とする請求項２記載の検波器。
【請求項４】
前記検出器は、前記第１の温度における前記第１のダイオードの電圧及び電流特性と、前記第２の温度における前記第１のダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出することを特徴とする請求項１記載の検波器。
【請求項５】
前記可変抵抗は、抵抗及びスイッチの直列接続回路を複数有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の検波器。
【請求項６】
アンプと、
前記アンプの出力端子に接続されるアンテナと、
前記アンプの出力端子に接続される検波器とを有し、
前記検波器は、
第１のダイオードと、
前記第１のダイオードのカソードに接続される容量と、
前記第１のダイオードのカソードに接続される可変抵抗と、
第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、
前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記可変抵抗の値を制御するコントローラと
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項７】
第１のダイオードと、
前記第１のダイオードのカソードに接続される可変容量と、
前記第１のダイオードのカソードに接続される抵抗と、
第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、
前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記可変容量の値を制御するコントローラと
を有することを特徴とする検波器。
【請求項８】
さらに、第２のダイオードを有し、
前記検出器は、前記第１の温度における前記第２のダイオードの電圧及び電流特性と、前記第２の温度における前記第２のダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出することを特徴とする請求項７記載の検波器。
【請求項９】
前記第２のダイオードは、前記第１のダイオードと同じサイズであることを特徴とする請求項８記載の検波器。
【請求項１０】
前記検出器は、前記第１の温度における前記第１のダイオードの電圧及び電流特性と、前記第２の温度における前記第１のダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出することを特徴とする請求項７記載の検波器。
【請求項１１】
前記可変容量は、容量及びスイッチの直列接続回路を複数有することを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の検波器。
【請求項１２】
アンプと、
前記アンプの出力端子に接続されるアンテナと、
前記アンプの出力端子に接続される検波器とを有し、
前記検波器は、
第１のダイオードと、
前記第１のダイオードのカソードに接続される可変容量と、
前記第１のダイオードのカソードに接続される抵抗と、
第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、
前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記可変容量の値を制御するコントローラと
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１３】
第１のダイオードと、
前記第１のダイオードのカソードに接続される容量と、
前記第１のダイオードのカソードに接続される抵抗と、
第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、
前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記第１のダイオードのサイズを制御するコントローラと
を有することを特徴とする検波器。
【請求項１４】
さらに、第２のダイオードを有し、
前記検出器は、前記第１の温度における前記第２のダイオードの電圧及び電流特性と、前記第２の温度における前記第２のダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出することを特徴とする請求項１３記載の検波器。
【請求項１５】
前記第２のダイオードは、前記第１のダイオードと同じサイズであることを特徴とする請求項１４記載の検波器。
【請求項１６】
前記検出器は、前記第１の温度における前記第１のダイオードの電圧及び電流特性と、前記第２の温度における前記第１のダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出することを特徴とする請求項１３記載の検波器。
【請求項１７】
前記第１のダイオードは、ダイオード及びスイッチの直列接続回路を複数有することを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の検波器。
【請求項１８】
アンプと、
前記アンプの出力端子に接続されるアンテナと、
前記アンプの出力端子に接続される検波器とを有し、
前記検波器は、
第１のダイオードと、
前記第１のダイオードのカソードに接続される容量と、
前記第１のダイオードのカソードに接続される抵抗と、
第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、
前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記第１のダイオードのサイズを制御するコントローラと
を有することを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検波器及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
変調信号のゲインをゲインコントロール回路で制御してアンテナから送信する送信系を備えるＰＨＳ基地局装置が知られている（特許文献１参照）。検波回路は、変調信号を検波する。自動パワー制御回路は、検波回路の検波出力電圧が温度変動を補償した第１基準電圧と等しくなるようにゲインコントロール回路を制御する。パワーモニタ回路は、第１基準電圧から生成された第２基準電圧と検波出力電圧とを比較し、その比較結果から送信系のパワーの有無を判定する。
【０００３】
また、任意のチャネル長及びチャネル幅を有するトランジスタに対し、各種温度におけるゲート・ソース間電圧に対するソース・ドレイン間電流の特性曲線を求める半導体装置が知られている（特許文献２参照）。半導体装置は、各種温度における複数の特性曲線が交わる特異点でのゲート・ソース間電圧をゲート端子に印加するように設定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−７８０３４号公報
【特許文献２】特開２０００−２２４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
検波回路は、温度変動及びプロセスばらつきにより、検波出力電圧が変化するため、変調信号を高精度で検波することが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、温度変動及びプロセスばらつきによる電圧変動を防止することができる検波器及び通信装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
検波器は、第１のダイオードと、前記第１のダイオードのカソードに接続される容量と、前記第１のダイオードのカソードに接続される可変抵抗と、第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記可変抵抗の値を制御するコントローラとを有する。
【０００８】
また、検波器は、第１のダイオードと、前記第１のダイオードのカソードに接続される可変容量と、前記第１のダイオードのカソードに接続される抵抗と、第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記可変容量の値を制御するコントローラとを有する。
【０００９】
また、検波器は、第１のダイオードと、前記第１のダイオードのカソードに接続される容量と、前記第１のダイオードのカソードに接続される抵抗と、第１の温度におけるダイオードの電圧及び電流特性と、前記第１の温度とは異なる第２の温度における前記ダイオードの電圧及び電流特性との交点を検出する検出器と、前記第１のダイオードに流れる電流が、前記検出器により検出された交点の電流に近付くように、前記第１のダイオードのサイズを制御するコントローラとを有する。
【発明の効果】
【００１０】
温度変動及びプロセスばらつきによる第１のダイオードの出力電圧の変動を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、図１の無線通信装置の処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】図３は、電圧及び電流特性を示すグラフである。
【図４】図４は、アンテナの出力電力と第１のダイオードの出力電圧の関係を示すグラフである。
【図５】図５は、第２の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。
【図６】図６は、第３の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。
【図７】図７は、第４の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。
【図８】図８は、第５の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。無線通信装置は、パワーアンプ１０１、アンテナ１０２、検波器１０３及びバイアス回路１０４を有する。アンテナ１０２は、パワーアンプ１０１の出力端子に接続される。検波器１０３も、パワーアンプ１０１の出力端子に接続される。パワーアンプ１０１は、例えば８０ＧＨｚの変調信号を増幅し、その増幅した変調信号をアンテナ１０２を介して無線送信する。無線通信装置の温度が上昇すると、パワーアンプ１０１の出力電力が低下する。パワーアンプ１０１の出力電力の低下を防止するため、パワーアンプ１０１の出力電力をモニタリングするための検波器１０３が設けられる。
【００１３】
パワーアンプ１０１の出力電力は、所定の比率でアンテナ１０２及び検波器１０３に分配される。パワーアンプ１０１の出力電力のうちの大部分はアンテナ１０２に出力され、パワーアンプ１０１の出力電力のうちの残りの電力は検波器１０３に出力される。検波器１０３は、パワーアンプ１０１から入力した電力に応じた出力電圧Ｖｏｕｔを検出する。出力電力評価回路１２２は、出力電圧Ｖｏｕｔを基に、アンテナ１０２の出力電力を推定し、アンテナ１０２の出力電力が所望の電力になるように、バイアス回路１０４を制御する。バイアス回路１０４は、出力電力評価回路１２２の制御の下、パワーアンプ１０１にバイアス電圧を供給する。出力電力評価回路１２２は、アンテナ１０２の出力電力が所望の電力より低い場合には、パワーアンプ１０１の出力電力が高くなるようなバイアス電圧をバイアス回路１０４に出力させる。逆に、出力電力評価回路１２２は、アンテナ１０２の出力電力が所望の電力より高い場合には、パワーアンプ１０１の出力電力が低くなるようなバイアス電圧をバイアス回路１０４に出力させる。これにより、無線通信装置は、無線通信装置の温度が変動しても、アンテナ１０２から所望の電力を出力することができる。
【００１４】
次に、検波器１０３の構成を説明する。検波器１０３は、容量１１１，１１５、インダクタ１１２、直流電圧源１１３、第１のダイオード１１４、可変抵抗１１６、第２のダイオード１１７、ヒーター１１８、ダイオード温度特性評価回路１１９、ダイオード評価回路１２０、検波器調整回路１２１及び出力電力評価回路１２２を有する。
【００１５】
容量１１１は、パワーアンプ１０１の出力端子及び第１のダイオード１１４のアノード間に接続される。インダクタ１１２は、第１のダイオード１１４のアノード及び直流電圧源１１３の正極間に接続される。直流電圧源１１３の負極は、基準電位ノード（例えばグランド電位ノード）に接続される。容量１１５は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。可変抵抗１１６は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。出力電圧Ｖｏｕｔは、第１のダイオード１１４のカソードの電圧である。
【００１６】
容量１１１、インダクタ１１２及び直流電圧源１１３は、第１のダイオード１１４の所望の電圧及び電流特性の範囲を使用するために、第１のダイオード１１４のアノードにバイアス電圧を供給するための回路であり、省略可能である。第１のダイオード１１４は、アノードに入力される変調信号を整流し、その整流した信号を出力する。容量１１５は、その整流された信号を充電する。出力電圧Ｖｏｕｔは、直流電圧であり、アンテナ１０２の出力電力に応じた電圧である。出力電力評価回路１２２は、上記のように、出力電圧Ｖｏｕｔを基に、アンテナ１０２の出力電力を推定し、アンテナ１０２の出力電力が所望の電力になるように、バイアス回路１０４を制御する。
【００１７】
ここで、第１のダイオード１１４は、温度変動及びプロセスばらつきにより、出力電圧Ｖｏｕｔが変動してしまう課題がある。以下、温度変動及びプロセスばらつきによる出力電圧Ｖｏｕｔの変動を防止するための検波器１０３の構成を説明する。第２のダイオード１１７は、第１のダイオード１１４のプロセスばらつきを補正するために、第１のダイオード１１４と同一の半導体チップ上に形成されたリファレンスダイオードである。第２のダイオード１１７は、第１のダイオード１１４と同じサイズであり、第１のダイオード１１４と同じ特性を有する。ヒーター１１８は、第２のダイオード１１７の近くに配置され、第２のダイオード１１７の温度を制御する。ヒーター１１８は、抵抗であり、例えば半導体チップ上に積層された高濃度ポリシリコン、ＮｉＣｒ、又はＰｔ等により形成される。
【００１８】
ダイオード温度特性評価回路１１９がヒーター１１８に電圧を印加しない場合には、ヒーター１１８は、オフになり、発熱しない。その場合、第２のダイオード１１７は、第１の温度（低温）になる。
【００１９】
ダイオード温度特性評価回路１１９がヒーター１１８に電圧を印加する場合には、ヒーター１１８は、オンになり、発熱する。その場合、第２のダイオード１１７は、第２の温度（高温）になる。第２の温度は、第１の温度とは異なる温度である。
【００２０】
図２は、図１の無線通信装置の処理方法を説明するためのフローチャートである。ステップＳ２０１では、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度（低温）で図３に示す電圧及び電流特性３０１を測定する。第１の温度は、例えば室温である。具体的には、ダイオード温度特性評価回路１１９は、ヒーター１１８をオフにし、第２のダイオード１１７の温度を第１の温度（低温）にする。次に、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第２のダイオード１１７に印加する電圧を変化させ、各電圧において第２のダイオード１１７に流れる電流を測定することにより、図３に示す電圧及び電流特性３０１を測定する。第１のダイオード１１４は第２のダイオード１１７と同じ特性を有するので、電圧及び電流特性３０１は、第１のダイオード１１４の特性でもある。
【００２１】
次に、ステップＳ２０２では、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第２の温度（高温）で図３に示す電圧及び電流特性３０２を測定する。具体的には、ダイオード温度特性評価回路１１９は、ヒーター１１８をオンにし、第２のダイオード１１７の温度を第２の温度（高温）にする。次に、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第２のダイオード１１７に印加する電圧を変化させ、各電圧において第２のダイオード１１７に流れる電流を測定することにより、図３に示す電圧及び電流特性３０２を測定する。第１のダイオード１１４は第２のダイオード１１７と同じ特性を有するので、電圧及び電流特性３０２は、第１のダイオード１１４の特性でもある。
【００２２】
次に、ステップＳ２０３では、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度（低温）における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０１と、第２の温度（高温）における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０２が交差する交点の電圧Ｖｃｒｏｓｓを導出する。電圧Ｖｃｒｏｓｓにおける交点は、温度にかかわらず同じ電流Ｉｃｒｏｓｓが第２のダイオード１１７に流れる特性点である。第２のダイオード１１７は、温度に応じて、電圧及び電流特性が変化するが、電流値が変化しない特定の電圧Ｖｃｒｏｓｓがある。その電圧Ｖｃｒｏｓｓの点では、電流値は温度に依存しないため、第２のダイオード１１７のプロセスばらつきのみを評価することができる。
【００２３】
次に、ステップＳ２０４では、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第２のダイオード１１７に電圧Ｖｃｒｏｓｓを印加する。次に、ダイオード評価回路１２０は、第２のダイオード１１７に電圧Ｖｃｒｏｓｓが印加されている時の電流Ｉｃｒｏｓｓを測定し、電流Ｉｃｒｏｓｓを表す信号を検波器調整回路１２１及び出力電力評価回路１２２に出力する。電流Ｉｃｒｏｓｓは、温度に依存しない一定の電流である。しかし、半導体チップ毎又は半導体ウェハ毎のプロセスばらつきにより、第１のダイオード１１４にプロセスばらつきが存在する。第２のダイオード１１７は、第１のダイオード１１４に対して、同じ半導体チップ上に形成され、同じサイズを有する。そのため、第１のダイオード１１４及び第２のダイオード１１７は、相互に同じプロセスばらつきを有する。第２のダイオード１１７にプロセスばらつきがない場合には、電流Ｉｃｒｏｓｓは規定値になる。これに対し、第２のダイオード１１７にプロセスばらつきがある場合には、電流Ｉｃｒｏｓｓは規定値からずれた値になる。
【００２４】
次に、ステップＳ２０５では、検波器調整回路１２１は、電流Ｉｃｒｏｓｓを表す信号を基に、テーブルを参照し、可変抵抗１１６の値を制御する。電流Ｉｃｒｏｓｓが規定値である場合には、可変抵抗１１６の値はデフォルト値に制御される。これに対し、電流Ｉｃｒｏｓｓが規定値からずれている場合には、可変抵抗１１６の値は補正される。可変抵抗１１６の値を制御することにより、第１のダイオード１１４のプロセスばらつきによる出力電圧Ｖｏｕｔの変動を補正することができる。出力電圧Ｖｏｕｔは、アンテナ１０２が所望の電力を出力する時に、温度に依存しない電圧になる。
【００２５】
次に、ステップＳ２０６では、無線通信装置は、パワーアンプ１０１を動作させる。パワーアンプ１０１は、変調信号を増幅し、その増幅した信号を出力する。すると、出力電圧Ｖｏｕｔは、アンテナ１０２の出力電力に対応する電圧になる。
【００２６】
次に、ステップＳ２０７では、出力電力評価回路１２２は、パワーアンプ１０１の動作時の出力電圧Ｖｏｕｔと電流Ｉｃｒｏｓｓを表す信号を基に、アンテナ１０２の出力電力を推定し、図４に示すように、アンテナ１０２の出力電力が所望の電力Ｐ１になっているか否かを判定する。アンテナ１０２の出力電力が所望の電力Ｐ１になっていれば、補正の完了を意味する。アンテナ１０２の出力電力が所望の電力Ｐ１になっていない場合には、その無線通信装置は、不良品であり、補正不可を意味する。
【００２７】
図４は、アンテナ１０２の出力電力と出力電圧Ｖｏｕｔの関係を示すグラフである。特性４０１は、低温におけるアンテナ１０２の出力電力及び出力電圧Ｖｏｕｔの特性である。特性４０２は、高温におけるアンテナ１０２の出力電力及び出力電圧Ｖｏｕｔの特性である。特性４０１及び４０２の交点では、温度に依存せず、アンテナ１０２の出力電力がＰ１である場合に、出力電圧Ｖｏｕｔが一定値になる。
【００２８】
アンテナ１０２の出力電力に対応する出力電圧Ｖｏｕｔには、図４に示すように、温度に依存しない出力電力Ｐ１における電圧点がある。ステップＳ２０５で制御する可変抵抗１１６の値は、出力電圧Ｖｏｕｔが温度依存しないように、出力電力Ｐ１に対応する出力電圧Ｖｏｕｔの値になるように決定される。これにより、出力電力評価回路１２２は、温度依存が無く、プロセスばらつきが補正された正確なアンテナ１０２の出力電力を推定することができる。
【００２９】
その後、出力電力評価回路１２２は、出力電圧Ｖｏｕｔ及び電流Ｉｃｒｏｓｓを表す信号を基に、アンテナ１０２の出力電力を推定し、アンテナ１０２の出力電力が所望の電力になるように、バイアス回路１０４を制御する。
【００３０】
以上のように、本実施形態によれば、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０１と、第２の温度における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０２との交点を検出する検出器である。検波器調整回路１２１は、ダイオード温度特性評価回路１１９により検出された交点に応じて、可変抵抗１１６の値を制御するコントローラである。
【００３１】
なお、第２のダイオード１１７を削除し、ダイオード温度特性評価回路１１９が第１のダイオード１１４の特性を、直接、測定するようにしてもよい。その場合、ヒーター１１８は、第１のダイオード１１４の近くに配置され、第１のダイオード１１４の温度を制御する。ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度における第１のダイオード１１４の電圧及び電流特性３０１と、第２の温度における第１のダイオード１１４の電圧及び電流特性３０２との交点を検出する。検波器調整回路１２１は、ダイオード温度特性評価回路１１９により検出された交点に応じて、可変抵抗１１６の値を制御する。
【００３２】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。図５の無線通信装置は、図１の無線通信装置に対して、可変抵抗１１６の代わりに、抵抗５０１ａ〜５０１ｄ等及び電界効果トランジスタ（スイッチ）５０２ａ〜５０２ｄ等を設けたものである。抵抗５０１ａ〜５０１ｄ等及び電界効果トランジスタ５０２ａ〜５０２ｄ等は、図１の可変抵抗１１６に対応する。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。
【００３３】
抵抗５０１ａ及び電界効果トランジスタ５０２ａの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。抵抗５０１ｂ及び電界効果トランジスタ５０２ｂの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。抵抗５０１ｃ及び電界効果トランジスタ５０２ｃの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。抵抗５０１ｄ及び電界効果トランジスタ５０２ｄの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。検波器調整回路１２１は、電流Ｉｃｒｏｓｓを表す信号に応じて、複数の電界効果トランジスタ５０２ａ〜５０２ｄ等のゲート電圧を制御することにより、複数の電界効果トランジスタ５０２ａ〜５０２ｄ等のオン／オフを制御する。検波器調整回路１２１は、複数の電界効果トランジスタ５０２ａ〜５０２ｄ等のうちのオンする電界効果トランジスタの数を制御することにより、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される抵抗の値を制御することができる。
【００３４】
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。図６の無線通信装置は、図１の無線通信装置に対して、容量１１５及び可変抵抗１１６の代わりに、可変容量６０２及び抵抗６０１を設けたものである。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。
【００３５】
抵抗６０１は、図１の可変抵抗１１６に対応し、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。可変容量６０２は、図１の容量１１５に対応し、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。第１の実施形態と同様に、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０１と、第２の温度における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０２との交点を検出する。検波器調整回路１２１は、ダイオード温度特性評価回路１１９により検出された交点に応じて、可変容量６０２の値を制御する。本実施形態は、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
なお、第１の実施形態と同様に、第２のダイオード１１７を削除し、ダイオード温度特性評価回路１１９が第１のダイオード１１４の特性を、直接、測定するようにしてもよい。その場合、ヒーター１１８は、第１のダイオード１１４の近くに配置され、第１のダイオード１１４の温度を制御する。ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度における第１のダイオード１１４の電圧及び電流特性３０１と、第２の温度における第１のダイオード１１４の電圧及び電流特性３０２との交点を検出する。検波器調整回路１２１は、ダイオード温度特性評価回路１１９により検出された交点に応じて、可変容量６０２の値を制御する。
【００３７】
（第４の実施形態）
図７は、第４の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。図７の無線通信装置は、図６の無線通信装置に対して、可変容量６０２の代わりに、電界効果トランジスタ（スイッチ）７０１ａ〜７０１ｄ等及び容量７０２ａ〜７０２ｄ等を設けたものである。電界効果トランジスタ７０１ａ〜７０１ｄ等及び容量７０２ａ〜７０２ｄ等は、図６の可変容量６０２に対応する。以下、本実施形態が第３の実施形態と異なる点を説明する。
【００３８】
電界効果トランジスタ７０１ａ及び容量７０２ａの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。電界効果トランジスタ７０１ｂ及び容量７０２ｂの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。電界効果トランジスタ７０１ｃ及び容量７０２ｃの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。電界効果トランジスタ７０１ｄ及び容量７０２ｄの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。検波器調整回路１２１は、電流Ｉｃｒｏｓｓを表す信号に応じて、複数の電界効果トランジスタ７０１ａ〜７０１ｄ等のゲート電圧を制御することにより、複数の電界効果トランジスタ７０１ａ〜７０１ｄ等のオン／オフを制御する。検波器調整回路１２１は、複数の電界効果トランジスタ７０１ａ〜７０１ｄ等のうちのオンする電界効果トランジスタの数を制御することにより、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される容量の値を制御することができる。
【００３９】
（第５の実施形態）
図８は、第５の実施形態による無線通信装置の構成例を示す図である。図８の無線通信装置は、図１の無線通信装置に対して、可変抵抗１１６の代わりに抵抗６０１を設け、電界効果トランジスタ（スイッチ）８０１ａ〜８０１ｄ等、ダイオード８０２ａ〜８０２ｄ等及び電界効果トランジスタ８０３ａ〜８０３ｄ等を追加したものである。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。
【００４０】
抵抗６０１は、図１の可変抵抗１１６に対応し、第１のダイオード１１４のカソード及び基準電位ノード間に接続される。電界効果トランジスタ８０１ａ、ダイオード８０２ａ及び電界効果トランジスタ８０３ａの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のアノード及びカソード間に接続される。電界効果トランジスタ８０１ｂ、ダイオード８０２ｂ及び電界効果トランジスタ８０３ｂの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のアノード及びカソード間に接続される。電界効果トランジスタ８０１ｃ、ダイオード８０２ｃ及び電界効果トランジスタ８０３ｃの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のアノード及びカソード間に接続される。電界効果トランジスタ８０１ｄ、ダイオード８０２ｄ及び電界効果トランジスタ８０３ｄの直列接続回路は、第１のダイオード１１４のアノード及びカソード間に接続される。
【００４１】
検波器調整回路１２１は、電流Ｉｃｒｏｓｓを表す信号に応じて、制御信号Ａ１〜Ａ４等を出力する。電界効果トランジスタ８０１ａ及び８０３ａは、制御信号Ａ１によりオン／オフが制御される。電界効果トランジスタ８０１ｂ及び８０３ｂは、制御信号Ａ２によりオン／オフが制御される。電界効果トランジスタ８０１ｃ及び８０３ｃは、制御信号Ａ３によりオン／オフが制御される。電界効果トランジスタ８０１ｄ及び８０３ｄは、制御信号Ａ４によりオン／オフが制御される。検波器調整回路１２１は、オンする電界効果トランジスタの数を制御することにより、第１のダイオード１１４に並列接続されるダイオード８０２ａ〜８０２ｄの数を制御することができる。すなわち、検波器調整回路１２１は、第１のダイオード１１４のサイズを制御することができる。
【００４２】
第１の実施形態と同様に、ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０１と、第２の温度における第２のダイオード１１７の電圧及び電流特性３０２との交点を検出する。検波器調整回路１２１は、ダイオード温度特性評価回路１１９により検出された交点に応じて、第１のダイオード１１４のサイズを制御する。本実施形態は、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
なお、第１の実施形態と同様に、第２のダイオード１１７を削除し、ダイオード温度特性評価回路１１９が第１のダイオード１１４の特性を、直接、測定するようにしてもよい。その場合、ヒーター１１８は、第１のダイオード１１４の近くに配置され、第１のダイオード１１４の温度を制御する。ダイオード温度特性評価回路１１９は、第１の温度における第１のダイオード１１４の電圧及び電流特性３０１と、第２の温度における第１のダイオード１１４の電圧及び電流特性３０２との交点を検出する。検波器調整回路１２１は、ダイオード温度特性評価回路１１９により検出された交点に応じて、第１のダイオード１１４のサイズを制御する。
【００４４】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１０１  パワーアンプ
１０２  アンテナ
１０３  検波器
１０４  バイアス回路
１１１，１１５  容量
１１２  インダクタ
１１３  直流電圧源
１１４  第１のダイオード
１１６  可変抵抗
１１７  第２のダイオード
１１８  ヒーター
１１９  ダイオード温度特性評価回路
１２０  ダイオード評価回路
１２１  検波器調整回路
１２２  出力電力評価回路
【図１】
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【図２】
0006481398.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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