(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面および第２の主面を有し、スイッチング素子が前記第１の主面に設置される第１の基板と、
第３の主面および第４の主面を有し、前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサを含むスナバ回路が前記第３の主面に設置される第２の基板と、
前記スイッチング素子と前記スナバ回路とを電気的に接続する導体と、
を備え、
前記スイッチング素子が設置された前記第１の主面が、前記スナバ回路が設置されている前記第３の主面と対面しないように、前記第１の基板と前記第２の基板が離間して積層されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記第２の基板は、前記第１の基板よりも熱膨張係数が小さいこと
を特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記第１の基板側に放熱用部品が設置されることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記導体に配置され、前記スナバ回路に一定値以上の電流が流れたときに溶断する溶断部材を備えることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記溶断部材はワイヤで構成されていることを特徴とする請求項４に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記スナバ回路は、前記コンデンサと直列に接続された抵抗を備えることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記コンデンサの電極の一端は前記ワイヤに接続され、
前記コンデンサの電極の他端は前記第２の基板の導体パターンに接続されていることを特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
【請求項８】
前記スナバ回路は、抵抗を備え、
前記抵抗、前記コンデンサおよび前記ワイヤは直列に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
【請求項９】
前記スイッチング素子はワイドギャップ半導体を用いて形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８の何れか一項に記載の電力変換装置。
【請求項１０】
スイッチング素子が設置される第１の基板と、
前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサを含むスナバ回路が設置される第２の基板と、
前記スイッチング素子と前記スナバ回路とを電気的に接続する導体と、
前記導体に配置され、前記スナバ回路に一定値以上の電流が流れたときに溶断するワイヤと、
を備えることを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュールを備える電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力変換装置は、パワーモジュールを構成するスイッチング素子のスイッチング動作により、入力された直流電力を交流電力に変換、または入力された交流電力を直流電力に変換する。スイッチング素子のスイッチング動作時には電流の急激な変化と主回路配線のインダクタンスとによってサージ電圧が発生し、パワーモジュールが破壊される恐れがある。そこで電力変換装置では、スイッチング素子にコンデンサを並列接続することにより高周波電流を吸収してサージ電圧を低減する方法が採用されている。特許文献１に開示される電力変換装置は、パワーモジュールを搭載した絶縁基板上に、サージ電圧を抑制するためのコンデンサが設けられている。絶縁基板上にコンデンサを設けているのは、コンデンサがスイッチング素子の近くに配置されるほど主回路配線のインダクタンスが低減され、サージ電圧の低減効果が高くなるためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１８７８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら特許文献１に開示される電力変換装置では、パワーモジュールを搭載した絶縁基板上にコンデンサが配置されている。そのためスイッチング素子の動作時に発生した熱が絶縁基板に伝わり、この熱により絶縁基板が膨張してコンデンサに応力が加わるため、コンデンサの故障が生じ易く、コンデンサが溶断して短絡故障した場合、過大な電流によってパワーモジュールが破壊されて電力変換装置の信頼性が損なわれるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、信頼性を向上させることができる電力変換装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の電力変換装置は、第１の主面および第２の主面を有し、スイッチング素子が第１の主面に設置される第１の基板と、第３の主面および第４の主面を有し、スイッチング素子に並列接続されるコンデンサを含むスナバ回路が第３の主面に設置される第２の基板と、スイッチング素子と前記スナバ回路とを電気的に接続する導体とを備え、スイッチング素子が設置された第１の主面が、スナバ回路が設置されている第３の主面と対面しないように、第１の基板と第２の基板が離間して積層される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電力変換装置によれば、信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る電力変換装置の構成例を示す図
【図２】図１に示す第１および第２のスイッチング素子が設置される第１の基板と、図１に示すコンデンサが設置される第２の基板との斜視図
【図３】図２に示す第１の基板および第２の基板を上面側から見た平面図
【図４】実施の形態２に係る電力変換装置が備えるパワーモジュールの第１の基板および第２の基板を示す図
【図５】図４に示す第１の基板および第２の基板をそれぞれの基板面が対向するように配置された状態を示す図
【図６】ＳｉＣで形成された第１および第２のスイッチング素子を内蔵するパワーモジュールで発生する電圧振動を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態に係る電力変換装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態１．
図１は実施の形態１に係る電力変換装置の構成例を示す図である。実施の形態１に係る電力変換装置１００はパワーモジュール１０を備え、パワーモジュール１０は、炭化珪素（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ：ＳｉＣ）を用いて形成された第１のスイッチング素子１１ａとＳｉＣを用いて形成された第２のスイッチング素子１１ｂとを直列接続したスイッチング素子対１１を備える。
【００１１】
またパワーモジュール１０は、スイッチング素子対１１に並列接続され、ノイズ除去用のコンデンサ１２ａを含むスナバ回路１２と、溶断部材１３とを備える。溶断部材１３は、スイッチング素子対１１とスナバ回路１２とを接続する接続導体に配置され、スナバ回路に一定値以上の電流が流れたときに溶断する。溶断部材１３としては、過電流で溶断するヒューズまたはワイヤを例示できる。
【００１２】
またパワーモジュール１０は、直流電圧源１の正極線１ａに接続され、スイッチング素子対１１および溶断部材１３に第１の電位を与える第１の端子１４と、直流電圧源１の負極線１ｂに接続され、スイッチング素子対１１および溶断部材１３に第２の電位を与える第２の端子１５とを備える。第２の電位は第１の電位よりも低い電位である。またパワーモジュール１０は、第１のスイッチング素子１１ａと第２のスイッチング素子１１ｂとの接続点に接続される第３の端子１６を備える。第３の端子１６には負荷装置４が接続される。負荷装置４としては回転電機を例示できる。
【００１３】
第１の端子１４には正極線１ａ、溶断部材１３および第１のスイッチング素子１１ａが接続される。第２の端子１５には負極線１ｂ、スナバ回路１２および第２のスイッチング素子１１ｂが接続される。正極線１ａと負極線１ｂとの間には、第１のスイッチング素子１１ａと第２のスイッチング素子１１ｂとが直列接続され、溶断部材１３およびスナバ回路１２が直列接続される。図１の例では溶断部材１３とスナバ回路１２が有するコンデンサ１２ａとが直列に接続されているが、スナバ回路１２はコンデンサ１２ａ以外にも、コンデンサ１２ａに直列接続されたスナバ抵抗を備える構成でもよい。
【００１４】
以下に電力変換装置１００の動作を説明する。電力変換装置１００が備える駆動制御回路は外部から与えられる電圧指令に基づき第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂを駆動する駆動信号を生成し、生成された駆動信号が第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂに与えられる。第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂではスイッチング動作が行われることにより、一定の電圧および周波数の擬似正弦波が負荷装置４に供給される。第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂのスイッチング動作時の電流の急激な変化と主回路配線のインダクタンスとによって生じるサージ電圧は、スナバ回路１２により低減される。
【００１５】
本実施の形態に係るパワーモジュール１０では、第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂが設置される第１の基板と、スナバ回路１２を構成するコンデンサ１２ａが設置される第２の基板とを備え、当該第１および第２の基板が、溶断部材１３を含む接続導体により相互に接続されている点に特徴がある。
【００１６】
図２は図１に示す第１および第２のスイッチング素子が設置される第１の基板と、図１に示すコンデンサが設置される第２の基板との斜視図である。図２では、パワーモジュール１０が有する第１の基板２０および第２の基板３０のそれぞれの端面２２および端面３２が対向するように配置されている。第１の基板２０は、金属ベース板２０Ａ上に設けられた絶縁層２５と、第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂとを備える。第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂは第１の基板２０の基板面２１に設けられている。第２の基板３０の基板面３１にはコンデンサ１２ａが設けられている。
【００１７】
第１の基板２０および第２の基板３０は、第１の接続導体４１および第２の接続導体４２により相互に接続される。第１の接続導体４１は、第１のスイッチング素子１１ａとコンデンサ１２ａとを電気的に接続するための接続導体である。第２の接続導体４２は、第２のスイッチング素子１１ｂとコンデンサ１２ａとを電気的に接続するための接続導体である。このようにパワーモジュール１０は、第１の基板２０、第２の基板３０、第１の接続導体４１および第２の接続導体４２を備える。
【００１８】
図３は図２に示す第１の基板および第２の基板を上面側から見た平面図である。絶縁基板である第１の基板２０は、金属ベース板２０Ａ上に設けられた絶縁層２５と、Ｐ側導体パターン２３ａと、Ｎ側導体パターン２３ｂと、出力導体パターン２３ｃとを備える。Ｐ側導体パターン２３ａの上面には第１のスイッチング素子１１ａおよび第１の端子１４が配置されている。Ｎ側導体パターン２３ｂの上面には第２の端子１５が配置されている。出力導体パターン２３ｃの上面には、第２のスイッチング素子１１ｂおよび第３の端子１６が配置されている。
【００１９】
Ｐ側導体パターン２３ａには、第１の端子１４、第１のスイッチング素子１１ａおよび第１の接続導体４１が接続される。第１のスイッチング素子１１ａおよび出力導体パターン２３ｃは、導電性のワイヤ２４ａにより相互に接続される。出力導体パターン２３ｃには、第２のスイッチング素子１１ｂ、第３の端子１６およびワイヤ２４ｂが接続される。Ｎ側導体パターン２３ｂにはワイヤ２４ｂ、第２の端子１５および第２の接続導体４２が接続される。
【００２０】
制御基板である第２の基板３０は、プリント基板で構成されており、コンデンサ１２ａ、Ｐ側導体パターン３２ａおよびＮ側導体パターン３２ｂを備える。
【００２１】
コンデンサ１２ａの一端はＰ側導体パターン３２ａに接続される。Ｐ側導体パターン３２ａには第１の接続導体４１が接続される。Ｐ側導体パターン３２ａおよびＰ側導体パターン２３ａは第１の接続導体４１を介して相互に接続されている。コンデンサ１２ａの他端はＮ側導体パターン３２ｂに接続される。Ｎ側導体パターン３２ｂには第２の接続導体４２が接続される。Ｎ側導体パターン３２ｂおよびＮ側導体パターン２３ｂは第２の接続導体４２を介して相互に接続されている。
【００２２】
絶縁層２５、Ｐ側導体パターン２３ａ、Ｎ側導体パターン２３ｂ、ワイヤ２４ａ、ワイヤ２４ｂ、第１のスイッチング素子１１ａ、第２のスイッチング素子１１ｂ、第１の接続導体４１、第２の接続導体４２、コンデンサ１２ａおよび基板面３１は、ケース５０の内部に配置されている。ケース５０内部には樹脂５１が封入されている。金属ベース板２０Ａの端部はケース５０の外部に露出しており、第１の基板２０の底面を構成している。
【００２３】
第１の端子１４はＰ側導体パターン２３ａとの接続端の反対側がケース５０の外部に露出している。同様に、第２の端子１５はＮ側導体パターン２３ｂとの接続端の反対側がケース５０の外部に露出している。第３の端子１６は出力導体パターン２３ｃとの接続端の反対側がケース５０の外部に露出している。
【００２４】
溶断部材１３はコンデンサ１２ａが短絡故障したときに溶断するように断面積が設定されている。なお図３では第１の接続導体４１に溶断部材１３が設けられているが、溶断部材１３の位置は図示例に限定されず、第１のスイッチング素子１１ａとコンデンサ１２ａとの間の導体内に配置されていればよい。すなわち溶断部材１３は、溶断部材１３は第１の接続導体４１および第２の接続導体４２の少なくとも一方に設けられていればよい。また溶断部材１３は、Ｐ側導体パターン２３ａおよびＮ側導体パターン２３ｂの何れかに設けてもよいし、Ｐ側導体パターン３２ａおよびＮ側導体パターン３２ｂの何れかに設けてもよい。
【００２５】
本実施の形態におけるパワーモジュール１０では樹脂５１が封入された第２の基板３０の熱膨張係数が、金属ベース板２０Ａを含む第１の基板２０の熱膨張係数よりも小さい。このように実施の形態１に係る電力変換装置１００は、スイッチング素子対１１が設置される第１の基板２０と、スイッチング素子対１１に並列接続されるスナバ回路１２が設置される第２の基板３０と、スイッチング素子対１１とスナバ回路１２とを接続する導体である第１および第２の接続導体４１，４２とを備え、第２の基板３０の熱膨張係数は第１の基板２０の熱膨張係数よりも小さく構成されている。
【００２６】
スイッチング素子対１１の動作時に発生した熱は、主に金属ベース板２０Ａに伝わり、金属ベース板２０Ａから放熱されるが、熱の一部は樹脂５１、Ｐ側導体パターン２３ａ、Ｎ側導体パターン２３ｂおよび絶縁層２５にも伝わる。前述した特許文献１に示す従来技術では、スイッチング素子の動作時に発生した熱が絶縁基板に伝わり、この熱により絶縁基板が膨張し、絶縁基板と同一の基板面に設置されたコンデンサに応力が加わるため、この応力に起因したコンデンサの短絡故障が生じ易いという問題点があった。これに対して実施の形態１に係る電力変換装置１００は、コンデンサ１２ａを含むスナバ回路１２が、スイッチング素子対１１の設置される第１の基板２０とは別の第２の基板３０に設置されている。従って特許文献１に示す従来技術に比べて、スイッチング素子対１１の動作時に発生した熱が第２の基板３０に伝わり難く、第２の基板３０からコンデンサ１２ａに加えられる応力が小さい。従って第２の基板３０からの応力に起因したコンデンサ１２ａの短絡故障が抑制される。
【００２７】
さらに実施の形態１に係る電力変換装置１００では、第２の基板３０の熱膨張係数が第１の基板２０の熱膨張係数よりも小さく構成されている。従ってスイッチング素子対１１の動作時に発生した熱の一部が樹脂５１、Ｐ側導体パターン２３ａおよびＮ側導体パターン２３ｂを介して第２の基板３０に伝わった場合でも、第１の基板２０にコンデンサ１２ａが設置されている場合に作用する応力よりも小さい応力が第２の基板３０上のコンデンサ１２ａに作用する。そのため、第２の基板３０からの応力に起因したコンデンサ１２ａの短絡故障がより一層抑制される。
【００２８】
上記の熱膨張係数の違いによる効果を実現するため、例えば、第１の基板２０は金属ベース板２０Ａを有するが、第２の基板３０は、金属ベース板に代わって樹脂板を有していてもよい。なお、第２の基板３０が第１の基板２０よりも熱膨張係数の小さい金属ベース板を用いてもよいことは言うまでもない。
【００２９】
また実施の形態１に係る電力変換装置１００では、スナバ回路１２に一定値以上の電流が流れたときに溶断する溶断部材１３が、スイッチング素子対１１とスナバ回路１２とを接続する導体内に配置されている。そのため、コンデンサ１２ａが短絡故障した場合でも電流によって発生する熱で溶断部材１３が溶断されるため、過大な電流によってパワーモジュール１０の周囲の装置である負荷装置４が故障するというような２次被害の発生を抑制できる。
【００３０】
また実施の形態１に係る電力変換装置１００では、パワーモジュール１０にコンデンサ１２ａが内蔵されているため、パワーモジュール１０の外部にコンデンサ１２ａを配置する場合に比べて、コンデンサ１２ａからスイッチング素子対１１までの配線によるインダクタンスを低減でき、インダクタンスに起因するサージ電圧を低減できる。
【００３１】
また実施の形態１に係る電力変換装置１００では、第２の基板３０の基板面３１の内、第１の基板２０と第２の基板３０との対向面の近くにコンデンサ１２ａを配置することにより、コンデンサ１２ａから第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂまでの配線長、特に第１および第２の接続導体４１，４２の長さを短くしている。例えば、第２の基板３０の基板面３１における中心点よりも第１の基板２０側にコンデンサ１２ａを配置すれば良い。すなわち実施の形態１に係る電力変換装置１００では、スイッチング素子対１１の近くにコンデンサ１２ａが配置されている。これにより、コンデンサ１２ａからスイッチング素子対１１までの配線によるインダクタンスをより一層低減でき、インダクタンスに起因するサージ電圧をより一層低減できる。
【００３２】
実施の形態２．
図４は実施の形態２に係る電力変換装置が備えるパワーモジュールの第１の基板および第２の基板を示す図である。図５は図４に示す第１の基板および第２の基板をそれぞれの基板面が対向するように配置された状態を示す図である。実施の形態１と実施の形態２の相違点は以下の通りである。
（１）実施の形態２のパワーモジュール１０−２は、実施の形態１の第１の基板２０および第２の基板３０の代わりに第１の基板２０−２および第２の基板３０−２を備えること。
（２）第１の基板２０−２は、実施の形態１の第１の基板２０に設けられる構成に加えて、Ｎ側導体パターン２３ｄおよびワイヤ２４ｃを備えること。
（３）第１の基板２０−２は、第２の基板３０−２と同一平面上に配置されていないこと。すなわち、第１の基板２０−２は第２の基板３０−２と一定距離、離間して重なるように配置されること。
（４）第２の基板３０−２は、第１の基板２０−２との対向面とは反対側の基板面３１、すなわち図４における上面側に、Ｐ側導体パターン３２ａ、Ｎ側導体パターン３２ｂおよびコンデンサ１２ａが設けられていること。
（５）第１の接続導体４１とＰ側導体パターン３２ａは、第１の基板２０−２の上面である基板面２１と第２の基板３０−２の裏面が対向した状態で、第１および第２の接続導体４１，４２が設けられていること。第２の基板３０−２の裏面とは、基板面３１とは反対側の面である。
【００３３】
図４および図５では、図２および図３に示す金属ベース板２０Ａ、ケース５０および樹脂５１の図示を省略しているが、絶縁層２５、Ｐ側導体パターン２３ａ、Ｎ側導体パターン２３ｂ、ワイヤ２４ａ、ワイヤ２４ｂ、第１のスイッチング素子１１ａ、第２のスイッチング素子１１ｂ、第１の接続導体４１、第２の接続導体４２、コンデンサ１２ａ、基板面３１、Ｎ側導体パターン２３ｄおよびワイヤ２４ｃは、ケース５０の内部に配置されている。またケース５０内部には樹脂５１が封入されている。金属ベース板２０Ａの端部はケース５０の外部に露出しており、第１の基板２０−２の底面を構成している。
【００３４】
図６はＳｉＣで形成された第１および第２のスイッチング素子を内蔵するパワーモジュールで発生する電圧振動を説明するための図である。左側の図は実施の形態１，２に係るコンデンサ１２ａを第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂから遠ざけた位置に配置した場合の図である。右側の図は実施の形態１，２に係るコンデンサ１２ａを図３および図５に示す位置に配置した場合の図である。縦軸は電圧振動を表し、横軸は時間を表す。
【００３５】
遠ざけた位置とは、図３に示すパワーモジュール１０では、第２の基板３０の基板面３１の内、第１の基板２０と第２の基板３０との対向面の反対側、すなわち図３の紙面上側にコンデンサ１２ａが配置されていることを例示できる。例えば、第２の基板３０の中心点よりも第１の基板２０と反対側にコンデンサ１２ａが配置されている場合があげられる。また遠ざけた位置とは、図５に示すパワーモジュール１０−２では、第１の基板２０−２と第２の基板３０−２との離間距離を大きくすることで相対的に第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂからコンデンサ１２ａまでの距離を大きくすることを例示できる。
【００３６】
なお実施の形態１，２ではＳｉＣで形成された第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂが用いられているが、ＳｉＣで形成された第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂは、低損失な反面、リンギングという電圧振動が大きいことが知られている。それに伴いＳｉＣで形成されたスイッチング素子を用いた電力変換装置では、配線パターンのインダクタンスに起因したリンギングによるノイズの増大が懸念される。
【００３７】
この対策として、実施の形態１のパワーモジュール１０は、第２の基板３０の基板面３１の内、第１の基板２０と第２の基板３０との対向面の近くにコンデンサ１２ａを配置することにより、コンデンサ１２ａから第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂまでの配線長、特に第１および第２の接続導体４１，４２の長さを短くしている。また実施の形態２のパワーモジュール１０−２は、第１および第２の基板３０−１，３０−２のそれぞれの基板面２１，３１が対向した状態で第１および第２の接続導体４１，４２が設けられているため、第１および第２の接続導体４１，４２の長さを短くできる。第１および第２の接続導体４１，４２を短くすることにより図６に示すように電圧振動が低減してノイズが軽減される。そのため実施の形態１，２に係る電力変換装置は、ＳｉＣの低損失性を発揮しながら信頼性を確保できる。
【００３８】
本実施の形態に係るパワーモジュール１０−２は、第１の基板２０−２と第２の基板３０−２が積層方向（上下方向）に順に配置されている。ここで、コンデンサ１２ａは、図５に示すように第２の基板３０−２の上面側に設けられていてもよいが、第２の基板３０−２の裏面側に設けられていてもよい。第２の基板３０−２の裏面、すなわち第１の基板２０−１と対向する面にコンデンサ１２ａを設けた場合、第１および第２の接続導体４１，４２の長さをより短くできる効果が得られ、信頼性の高い電力変換装置が得られる。
【００３９】
また、図５では第１の基板２０−２の上面側に第２の基板３０−２を設けたが、積層順を逆にしてもよいことは言うまでもない。ただし、発熱性の高い第１の基板２０−２を放熱用部品の設置側に設けることが望ましい。
【００４０】
なお実施の形態１，２に係る第１および第２のスイッチング素子１１ａ，１１ｂはＳｉｃ以外のワイドギャップ半導体を用いて構成して同様の効果を得ることができる。ワイドギャップ半導体としてはＳｉＣ以外にも窒化ガリウムを例示できる。
【００４１】
また実施の形態１，２に係る溶断部材はワイヤで構成してもよい。これによりヒューズを例示を用いる場合に比べて溶断部材を安価に製造可能である。
【００４２】
また実施の形態１，２に係るスナバ回路は、コンデンサと抵抗を備える構成でもよい。これによりコンデンサのみの場合に比べてサージ電圧をより一層抑制できる。
【００４３】
また実施の形態１，２に係る電力変換装置１００は、コンデンサまたは抵抗の電極の一端がワイヤに接続され、コンデンサまたは抵抗の電極の他端が第２の基板の導体パターンに接続されている構成でもよい。例えば、コンデンサの電極の一つが表面側に形成されており、当該表面側の電極が接続導体であるワイヤに接続されていてもよい。これによりコンデンサまたは抵抗の電極が直接ワイヤと接続されるため、ワイヤと導体パターンとの接続箇所を減らすことができる。その結果、コンデンサまたは抵抗の実装面積を小さくできる。
【００４４】
なお第１の基板と第２の基板のそれぞれの構成は、本実施の形態に限定されず、また本実施の形態では、第１の基板と第２の基板を含むパワーモジュールについて記載したが、第１の基板以外の場所に設置されたパワーモジュールと第２の基板との組み合わせるほか、種々の実施の形態も可能である。
【００４５】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１  直流電圧源、１ａ  正極線、１ｂ  負極線、４  負荷装置、１０，１０−２  パワーモジュール、１１  スイッチング素子対、１１ａ  第１のスイッチング素子、１１ｂ  第２のスイッチング素子、１２  スナバ回路、１２ａ  コンデンサ、１３  溶断部材、１４  第１の端子、１５  第２の端子、１６  第３の端子、２０，２０−２  第１の基板、２０Ａ  金属ベース板、２１  基板面、２２  端面、２３ａ，３２ａ  Ｐ側導体パターン、２３ｂ，３２ｂ  Ｎ側導体パターン、２３ｃ  出力導体パターン、２３ｄ  Ｎ側導体パターン、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ  ワイヤ、２５  絶縁層、３０，３０−２  第２の基板、３１  基板面、３２  端面、４１  第１の接続導体、４２  第２の接続導体、５０  ケース、１００  電力変換装置。
【図１】
0006602260.tif 000002
【図２】
0006602260.tif 000003
【図３】
0006602260.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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