(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の製造工程で使用される現像装置であって、該現像装置は、搬送される基板材にスプレーノズルから現像液を噴射して、該基板材外表面の感光性レジストを現像処理し、
該スプレーノズルは、２流体ノズルよりなり、該現像液とエアーとを混合して噴射し、
噴射されてスプレーされる該現像液は、該感光性レジストについて裾引き未現像，基部未現像，およびスカム残渣発生を抑制可能な、微小液滴よりなると共に、
該現像液およびエアーは、該感光性レジストについてパターン崩れやパターン飛び等のパターン不良発生を抑制可能な、液圧およびエアー圧よりなり、
該現像装置は、形成される回路幅および回路間スペースが３０μｍ以下と微細な該基板材の現像処理であって、該感光性レジストの膜厚が２５μｍ以下特に１５μｍ以下と、特に薄いか、５０μｍ以上特に１００μｍ以上と、特に厚い該基板材の現像処理に用いられ、
該現像液は、粒径６５μｍ以上〜１００μｍ以下の微小液滴となって、該基板材にスプレーされ、
該スプレーノズルは、該基板材との間隔距離が３５ｍｍ以上〜６０ｍｍ以下であり、該現像液およびエアーは、０．０２ＭＰａ以上〜０．１０ＭＰａ以下の圧力に設定され、該現像液は、最大衝撃値１５ｍＮ以上〜５５ｍＮ以下のインパクトで、該基板材にスプレーされるようになっており、
該スプレーノズルは、圧送供給された該エアーが内部噴射路を直進し、同じく圧送供給された該現像液が、直進する該エアーに対し、該内部噴射路の途中で横方向から供給，混合されること、を特徴とする基板材の現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板材の現像装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材に現像液を噴射して現像処理する現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
電子機器に用いられるプリント配線基板，その他の電子回路基板は、小型軽量化，極薄化，フレキシブル化等の進展がめざましく、形成される電子回路も、微細化，高密度化が著しい。
そして、このような電子回路基板の製造工程では、一連の装置と共に現像装置が用いられている。すなわち、基板材の露光装置，エッチング装置，剥離装置，めっき装置等と共に、基板材の現像装置が使用されている。
【０００３】
《従来技術》
図５の（１）図は、基板材Ａの現像装置１の側面説明図である。現像装置１では、搬送される基板材Ａに対し、スプレーノズル２から現像液Ｂが噴射される。
もって基板材Ａについて、外表面の感光性レジストが現像処理されていた。基板材Ａについて、露光硬化部分以外の非硬化部分の感光性レジストが、現像液Ｂにて溶解除去されていた。
そして、従来の現像装置１では現像液Ｂを噴射するスプレーノズル２として、１流体ノズル（１液体ノズル）が使用されていた。図中３は、基板材Ａを搬送するコンベア４の搬送ローラーである。５は、現像液Ｂの液槽である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
このような従来の基板材Ａの現像装置１としては、例えば、次の特許文献１中に示されたものが挙げられる。
【特許文献１】特開２０１０−２１２６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した従来の基板材Ａの現像装置１については、次の課題が指摘されていた。
《第１の問題点》
第１に、感光性レジストＣについて、図１の（３）図に示した裾引き未現像Ｄや、図１の（４）図に示したスカム残渣Ｅや、図１の（５）図に示した基部未現像Ｆ等が、発生し易いという問題が指摘されていた。
すなわち、前述したように回路パターンの微細化，高密度化が著しく、回路幅Ｌ（例えばサブトラクティブ法の現像処理では、感光性レジストＣの露光硬化部分Ｇの幅）や、回路間スペースＳ（例えばサブトラクティブ法の現像処理では、感光性レジストＣの非硬化部分のスペース）で、３０μｍ以下更には２０μｍ以下のものも多くなっている。
又、感光性レジストＣの膜厚Ｈについては、５０μｍ以上更には１００μｍ以上と、厚いものが、ニーズによっては出現している。
これらに対し、従来の現像装置１において、スプレーノズル２から噴射されて基板材Ａにスプレーされる現像液Ｂは、その粒径（粒子径，液滴径）が、２００μｍ〜３００μｍ程度と大きかった。
【０００６】
そこで、スプレーされた現像液Ｂが、感光性レジストＣの非硬化部分，溶解除去対象部分に、入り込み難くなっていた。現像液Ｂは粒径が大き過ぎて、このような微細部分の奥への入り込みが、不確実化，困難化し易かった。
その結果、例えば、先にスプレーされて付着していた現像液Ｂとの入れ替えが不足したり、現像液Ｂが感光性レジストＣの非硬化部分の基部（底部）まで届かなかったり、感光性レジストＣの残渣発生が、顕著化したりしていた。
もって、従来の現像装置１では、感光性レジストＣの非硬化部分エリア，溶解除去対象部分エリアについて、裾引き未現像Ｄやスカム残渣Ｅが発生し易く、特に微細回路の場合に多発していた。又、同エリアについて基部未現像Ｆが、感光性レジストＣの膜厚Ｈが厚い場合に、多発していた。
これらに起因して、図１の（２）図に示したようなシャープな現像実現が、困難化していた。現像形状が悪化してしまい、次に実施されるエッチングやめっきが、正常に行われなくなり、回路不良の原因となることが多々あった。
従来の現像装置１については、このような問題が指摘されていた。
【０００７】
《第２の問題点》
第２に、感光性レジストＣについて、露光硬化部分Ｇが悪影響を受け、パターン崩れ，パターン飛び，パターンショート等、パターン不良が発生し易い、という問題が指摘されていた。
すなわち、従来の現像装置１にあっては、上述した裾引き未現像Ｄ，スカム残渣Ｅ，基部未現像Ｆ等の発生を回避すべく、多くの場合、現象液Ｂが高圧でスプレーされていた。すなわち現象液Ｂは、０．１５ＭＰａ程度の高圧設定により、基板材Ａ外表面の感光性レジストＣにスプレーされていた（図５の（１）図を参照）。最大衝撃値で６０ｍＮ以上の強いインパクトで、スプレーされていた。
【０００８】
このように、粒径の大きな現像液Ｂが、高圧，高インパクトでスプレーされるので、感光性レジストＣについて、溶解除去対象以外，非硬化部分以外、つまり隣接する非溶解除去部分，露光硬化部分Ｇ（図１の（２）図〜（５）図を参照）が、スプレー圧の衝撃により、倒れ，崩壊，欠落等する事態が、発生し易かった。
もって、この面からも現像形状が悪化し、次に実施されるエッチングやめっきが正常に行われなくなり、回路パターン崩れ，回路パターン飛び，回路パターンショート等、パターン不良が発生し易く、回路不良の原因となることが多々あった。
従来の現像装置１については、このような問題が指摘されていた。
【０００９】
本発明の基板材の現像装置は、このような実情に鑑み、上記従来技術の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第１に、裾引き未現像，基部未現像，スカム残渣等の発生が抑制されると共に、第２に、しかもこれは、パターン崩れやパターン飛び等、パターン不良発生も抑制されつつ実現される、基板材の現像装置を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、特許請求の範囲に記載したように、次のとおりである。
この基板材の現像装置は、電子回路基板の製造工程で使用される。そして、搬送される基板材にスプレーノズルから現像液を噴射して、該基板材外表面の感光性レジストを現像処理する。
該スプレーノズルは、２流体ノズルよりなり、該現像液とエアーとを混合して噴射する。噴射されてスプレーされる該現像液は、該感光性レジストについて裾引き未現像，基部未現像，およびスカム残渣発生を抑制可能な、微小液滴よりなる。
これと共に、該現像液およびエアーは、該感光性レジストについてパターン崩れやパターン飛び等のパターン不良発生を抑制可能な、液圧およびエアー圧よりなる。
【００１１】
該現像装置は、形成される回路幅および回路間スペースが３０μｍ以下と微細な該基板材の現像処理であって、該感光性レジストの膜厚が２５μｍ以下特に１５μｍ以下と、特に薄いか、５０μｍ以上特に１００μｍ以上と、特に厚い該基板材の現像処理に用いられる。
該現像液は、粒径６５μｍ以上〜１００μｍ以下の微小液滴となって、該基板材にスプレーされる。
【００１２】
該スプレーノズルは、該基板材との間隔距離が３５ｍｍ以上〜６０ｍｍ以下である。該現像液およびエアーは、０．０２ＭＰａ以上〜０．１０ＭＰａ以下の圧力に設定される。該現像液は、最大衝撃値１５ｍＮ以上〜５５ｍＮ以下のインパクトで、該基板材にスプレーされるようになっている。
そして該スプレーノズルは、圧送供給された該エアーが内部噴射路を直進し、同じく圧送供給された該現像液が、直進する該エアーに対し、該内部噴射路の途中で横方向から供給，混合されること、を特徴とする。
【００１３】
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）この基板材の現像装置は、電子回路基板の製造工程で使用される。
（２）もって、スプレーノズルから現像液を噴射して、基板材を現像処理する。
（３）スプレーノズルとしては、２流体ノズルが用いられている。そして現像液やエアーの圧を、０．０２〜０．１０ＭＰａに設定し、スプレーノズルと基板材の間隔距離を、３５〜６０ｍｍに設定してなる。
（４）そして現像液の粒径を、６５〜１００μｍに設定し、最大衝撃値を、１５〜５５ｍＮに設定してなる。
（５）このように現像液は、まず、極小粒径に設定されている。もって現像液は、回路幅や回路間スペースが３０μｍ以下に微細化，高密度化された回路パターンについて、その微細なスペースに確実に入り込めるようになる。
（６）そこで、新旧現像液の入れ替えが促進され、裾引き未現像，スカム残渣発生が抑制される。更に、感光性レジストの膜厚が、２５μｍ以下特に１５μｍ以下と、特に薄い場合でも、現像処理が確実化，スムーズ化する。又、５０μｍ以上特に１００μｍ以上と、厚い場合でも、基部未現像発生が抑制される。
（７）又、このように微小粒径の現像液やエアーは、比較的低圧，低インパクトで用いられる。そこで、感光性レジストの非溶解除去部分，露光硬化部分が、倒れ，崩壊，欠落する事態発生も、抑制される。
（８）そして、この現像装置のスプレーノズルは、２流体ノズルよりなり、現像液とエアーとを混合して、噴射する。
すなわち、この２流体ノズル製のスプレーノズルでは、圧送供給されたエアーが内部噴射路を直進し、同じく圧送供給された処理液が、直進するエアーに対し、内部噴射路の途中で横方向から供給，混合される。
エアーは、このように直進することにより、内部抵抗が少ないという利点がある。処理液は、直進するエアーに対し横から供給されることにより、スムーズにエアーに吸い込まれて混合される、という利点がある。
【発明の効果】
【００１４】
《第１の効果》
第１に、裾引き未現像，基部未現像，スカム残渣等の発生が、抑制される。
本発明の基板材の現像装置では、スプレーノズルとして２流体ノズルを用いると共に、現像液を粒径６５〜１００μｍの微小液滴に設定して、基板材にスプレーする。
もって、微細化，高密度化された回路パターンについても、この現像液は極めて微小なので、微細スペース（感光性レジストの非硬化部分エリア）に、確実に入り込めるようになる。
現像液が微細スペースの奥まで届くので、現像液の入れ替えが促進され、感光性レジストの膜厚が厚い場合でもスムーズな現像処理が実現されて、裾引き未現像，基部未現像，スカム残渣等の発生が、抑制される。
従って、本発明の基板材の現像装置によると、シャープで形状良好な現像処理が実現され、その後に行われるエッチングやめっきも正常に実施され、形成される回路品質が大幅に向上する。
【００１５】
《第２の効果》
第２に、しかも上述した第１の効果は、パターン崩れ，パターン飛び，パターンショート等、パターン不良発生が抑制されつつ、実現される。
本発明の基板材の現像装置では、前述した現像液の微小液滴設定と組み合わせ、現像液やエアーの圧が０．０２〜０．１０ＭＰａに設定され、最大衝撃値１５〜５５ｍＮのインパクトでスプレーされる。粒径の小さな現像液が、比較的低圧，低インパクトでスプレーされる。
従って、感光性レジストについて、非溶解除去部分，露光硬化部分が、倒れ，崩壊，欠落等する事態発生は抑制され、その後のエッチングやめっきも確実に正常化される。もって、回路パターン崩れ，回路パターン飛び，回路パターンショート等、パターン不良発生が抑制され、形成される回路品質が大幅に向上する。
これらの効果に加え更に、次の利点もある。すなわち、この現像装置の２流体ノズル製のスプレーノズルでは、圧送供給されたエアーが内部噴射路を直進し、圧送供給された処理液が、エアーに対し内部噴射路の途中で横方向から供給，混合される。
エアーは、このように直進することにより、内部抵抗が少ないという利点がある。処理液は、直進するエアーに対し横から供給されることにより、スムーズにエアーに吸い込まれて混合される、という利点がある。
このように、従来技術に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る基板材の現像装置について、（１）図は、発明を実施するための形態の説明に供し、スプレーノズル等の正面説明図である。  （２）図，（３）図，（４）図，（５）図は、現像処理後の感光性レジスト等について、要部を拡大した縦断面説明図である。  そして（２）図は、同発明を実施するための形態の説明に供する。（３）図，（４）図，（５）図は、この種従来例の説明に供し、（３）図は、裾引き未現像の例を、（４）図は、スカム残渣の例を、（５）図は、下部未現像の例を示す。
【図２】めっき工程の説明写真であり、（１）図は、同発明を実施するための形態の説明に供し、（２）図は、この種従来例の説明に供する。
【図３】同発明を実施するための形態の説明に供し、現像装置の正面の断面説明図である。
【図４】同発明を実施するための形態の説明に供し、現像装置の平面説明図である。
【図５】（１）図は、現像装置の側面説明図である。（２）図は、電子回路基板の要部を拡大した平面説明図である。
【図６】本発明を実施するための形態の説明に供し、現像処理工程のブロック図である。そして、（１）図は第１例を、（２）図は第２例を、（３）図は第３例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための形態について、図１〜図５参照して、詳細に説明する。
《本発明の概要》
まず、本発明の概要について、図１を参照して説明する。
この基板材Ａの現像装置６は電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材Ａにスプレーノズル７から現像液Ｂを噴射して、基板材Ａ外表面の感光性レジストＣを現像処理する。
そしてスプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、現像液ＢとエアーＫとを混合して噴射する。噴射されてスプレーされる現像液Ｂは、感光性レジストＣについて裾引き未現像Ｄ，基部未現像Ｆ，およびスカム残渣Ｅ発生を抑制可能な、微小液滴よりなる。
これと共に、現像液ＢおよびエアーＫは、感光性レジストＣについてパターン崩れ，パターン飛び，パターンショート等のパターン不良発生を抑制可能な、液圧およびエアー圧よりなる。
もってこの現像装置６は、代表的には、形成される回路幅Ｌおよび回路間スペースＳが３０μｍ以下、特に２０μｍ以下の基板材Ａの現像処理や、感光性レジストＣの膜厚が３５μｍ以上、特に５０μｍ以上の基板材Ａの現像処理に用いられる。
本発明の概要は、以上のとおり。
以下、このような本発明について、更に詳述する。
【００１８】
《電子回路基板Ｍについて》
本発明に係る基板材Ａの現像装置６は、電子回路基板Ｍの製造工程で使用される。そこでまず、前提となる電子回路基板Ｍおよびその製造方法について、図５の（２）図，図１の（２）図を参照して、一般的に説明しておく。
プリント配線基板等の電子回路基板Ｍは、小型軽量化，極薄化，フレキシブル化等の進展がめざましく、形成される電子回路Ｎも、微細化，高密度化が著しい。
そして、その製造工程で使用される基板材Ａは、５００ｍｍ×４００ｍｍや６００ｍｍ×５００ｍｍサイズで、肉厚０．０６ｍｍ×１．６ｍｍ程度のものが、代表的である。
形成される電子回路Ｎについては、その回路幅Ｌが５μｍ〜４０μｍ程度、回路間スペースＳが５μｍ〜４０μｍ程度、回路高さが１２μｍ〜３５μｍ程度のものが、一般的である。
そして本発明は、回路幅Ｌおよび回路間スペースＳが３０μｍ以下、特に２０μｍ以下のもの、つまり微細化，高密度化された回路パターンについて、代表的に適用される。
なお、基板材Ａとしては、表裏両面に電子回路Ｎが形成される両面基板タイプが代表的であるが、勿論、片面のみに電子回路Ｎが形成される片面基板タイプも考えられ、更に多層基板その他各種タイプについて、本発明は広く適用可能である。
【００１９】
このような電子回路基板Ｍの製造方法としては、サブトラクティブ法（ウェットプロセス法），セミアディティブ法，その他各種の製造方法が知られている。
サブトラクティブ法では、絶縁基材に銅箔が貼り付けられた銅張り積層板よりなる基板材Ａの外表面に、→まず、感光性レジストＣが膜状に塗布又は貼り付けられる。→それから回路フィルムを当てて露光した後、→回路形成部分以外の非硬化部分の感光性レジストＣを、現像により溶解除去し、→もって露出した銅箔部分を、エッチングにより溶解除去する。→そして、露光硬化部分Ｇの感光性レジストＣを、剥離により溶解除去する。
サブトラクティブ法では、このような工程プロセスを辿ることにより、基板材Ａの外表面に残った銅箔にて電子回路Ｎが形成され、電子回路基板Ｍが製造される。
セミアディティブ法では、絶縁基材に無電解銅めっきが施された、基板材Ａの外表面に、→まず、感光性レジストＣが膜状に塗布又は貼り付けられる。→それから、回路フィルムを当てて露光した後、→回路形成部分，非硬化部分の感光性レジストＣを、現像により溶解除去し、→もって露出した無電解銅めっき部分に、電解銅めっきを施す。→なお、残っていた露光硬化部分Ｇの感光性レジストＣや無電解銅めっきは、剥離やクイックエッチングにより溶解除去される。
セミアディティブ法では、このような工程プロセスを辿ることにより、基板材Ａの外表面に電解銅めっきにて電子回路Ｎが形成され、電子回路基板Ｍが製造される。
電子回路基板Ｍについては、以上のとおり。
【００２０】
《現像装置６の構成》
次に、本発明に係る基板材Ａの現像装置６について、その構成について、図１の（１）図，図３，図４等を参照して、説明する。
この現像装置６は、上述した電子回路基板Ｍの製造方法の工程中、現像工程において使用される。
そして現像装置６では、基板材Ａを、チャンバー８内でコンベア４の搬送ローラー３にて、前後の搬送方向Ｐに水平搬送する（図１の（１）図，図３，図４等では、コンベア４の図示は省略、前述した図５の（１）図を参照）。
もって、このように搬送される基板材Ａに対し、図示例では上下から現像液Ｂを噴射して、基板材Ａの表裏外表面の感光性レジストＣを現像処理する。現像液Ｂ（ＤＦＲ）としては、炭酸ナトリウム，水酸化カリウム，その他の無機アルカリ溶液が０．１％〜０．９％程度の濃度、２５℃〜３５℃程度の温度で使用される。
なお、現像処理後の現像液Ｂは、図３中に示したように、液槽５へと流下，回収，貯留された後、ポンプ９，フィルター１０，配管１１等を経由して、スプレー管１２，からスプレーノズル７へと、循環供給されて再使用される。
【００２１】
そして、この現像装置６のスプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、現像液ＢとエアーＫとを混合して、噴射する。
すなわち、この２流体ノズル製のスプレーノズル７では、図１の（１）図に示したように、圧送供給されたエアーＫが内部噴射路１３を直進し、同じく圧送供給された処理液Ｂが、直進するエアーＫに対し、内部噴射路１３の途中で直交する横方向から供給，混合される。
エアーＫは、このように直進することにより、内部抵抗が少ないという利点がある。処理液Ｂは、直進するエアーＫに対し横から供給されることにより、スムーズにエアーＫに吸い込まれて混合される、という利点がある。
そしてエアーＫは、図３中に示したように、導入された外気が、ブロワやコンプレッサーよりなる圧送源１４から圧送され、もって、フィルター１５，流量計１６，配管１７等を経由した後、スプレー管１２２からスプレーノズル７へと供給される。図３中、１８は圧力計である。図１の（１）図中、１９は、スプレーノズル７の噴射孔である。
他方、処理液Ｂは前述したように、スプレー管１２１からスプレーノズル７へと供給される。
スプレーノズル７としては、フラットコーンノズル（スプレーパターンが楕円形）や、フルコーンノズル（スプレーパターンが円形）が、代表的に使用されるが、勿論これら以外の各種ノズルも使用可能である。
【００２２】
又、スプレーノズル７は、図４に示したように、各スプレー管１２に５個等、複数個ずつ設けられている。そして各スプレー管１２は、前後の搬送方向Ｐと直交する左右の幅方向Ｑに向け、平行に配列されている。つまり、前後の搬送方向Ｐに相互前後間隔を存しつつ、チャンバー８内に例えば上下４本ずつ設けられている。
そして図示例では、各スプレー管１２そしてスプレーノズル７は、左右の幅方向Ｑに向け、同期運動して所定距離間を水平スライドしつつ、往復移動可能となっている。
ところで、エアーＫはスプレー管１２２から、処理液Ｂはスプレー管１２１から、それぞれスプレーノズル７へと供給される。そして図３の例では、スプレー管１２２とスプレー管１２１とは、別個に配設されると共に同期運動して水平往復移動する。
これに対し、図４に示した例のように、共通のスプレーノズル７に対して対をなすスプレー管１２２とスプレー管１２１とを、スプレー管１２として並存，一体連接設しておくと（例えば、スプレー管１２内部を２流体用に区画した構成）、上述した往復移動動作が容易化する。
現像装置６の構成については、以上のとおり。
【００２３】
《現像装置６の各種設定について》
次に、現像装置６の各種設定について、図１等を参照して説明する。
まず、処理液ＢおよびエアーＫは、０．０２ＭＰａ以上〜０．１０ＭＰａ以下に設定された液圧およびエアー圧で、スプレーノズル７に供給される。なお、０．０２ＭＰａ以上〜０．０５ＭＰａ以下程度の設定が、その機能発揮上最適である。このように比較的低圧設定の供給圧で、エアーノズル７に供給されると共に、エアーノズル７から基板材Ａに、僅かに低いがほぼ同圧水準で噴射される。
スプレーノズル７から基板材Ａまでの間隔距離Ｊは、２５ｍｍ以上〜１００ｍｍ以下に設定されている。このようなスプレーノズル７の噴射孔１９から基板材Ａ外表面の感光性レジストＣまでの間隔距離Ｊは、特に、３５ｍｍ以上〜６０ｍｍ以下に設定すると、その機能発揮上最適である。
このような圧力設定と間隔距離Ｊ設定のもと、現像液Ｂは、粒径１０μｍ以上（平均粒径で３０μｍ以上）〜１８０μｍ以下の微小液滴設定で、基板材Ａの感光性レジストＣにスプレーされる。特に、６５μｍ以上〜１００μｍ以下の粒径設定が、その機能発揮上最適である。
そして現像液Ｂは、最大衝撃値１５ｍＮ以上〜５５ｍＮ以下のインパクトで、基板材Ａの感光性レジストＣにスプレーされる。因に、スプレー時の現像液Ｂの流速は、１０ｍ／ｓｅｃ以上〜２５ｍ／ｓｅｃ以下である。コンベア４の基板材Ａの搬送速度は、０．３ｍ／ｍｉｎ以上である。
現像装置６の各種設定については、以上のとおり。
【００２４】
《各種設定の根拠について》
次に、上述した各種設定の根拠について、図１等を参照して説明する。
まず、現像液Ｂの微小液滴設定については、次のとおり。現像液Ｂの粒径が１８０μｍを越えると、粒径過大により、感光性レジストＣについて裾引き未現像Ｄ，基部未現像Ｆ，スカム残渣Ｅ発生等を抑制困難となる。
すなわち現像液Ｂが、微細回路用や膜圧が厚い感光性レジストＣの非硬化部分，溶解除去対象部分の奥まで入り込むことが、粒径過大により困難化する。
他方、現像液Ｂの粒径が１０μｍ未満の場合は、粒径過小により現像処理能力が不足してしまう。
次に、現像液ＢおよびエアーＫの圧設定については、次のとおり。その液圧やエアー圧が、０．１０ＭＰａを越えると、過高圧によりパターン崩れ，パターン飛び，パターンショート等のパターン不良発生を、抑制困難となる。
すなわち現像液Ｂが、微細回路用の感光性レジストＣの露光硬化部分Ｇ，非溶解除去部分を、過現像したり，倒したり，崩壊させたり，欠落させたりする現象が、高圧スプレーの衝撃に起因して発生する。
他方、液圧やエアー圧が０．０２ＭＰａ未満の場合は、過低圧により現像処理能力が不足してしまう。
又、スプレーノズル７から基板材Ａまでの間隔距離Ｊ設定や、現像液Ｂの最大衝撃値設定については、圧設定について上述した所に準じる。
すなわち、間隔距離Ｊが２５ｍｍ未満の場合や、最大衝撃値が５５ｍＮを越える場合は上述した過高圧の場合に準じる。これに対し、間隔距離Ｊが１００ｍｍを越える場合や、最大衝撃値が１５ｍＮ未満の場合は、上述した過低圧の場合に準じる。
各種設定の根拠については、以上のとおり。
【００２５】
《作用等》
本発明に係る基板材Ａの現像装置６は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）この現像装置６は、プリント配線基板，その他の電子回路基板Ｍの製造工程で使用される。すなわち、露光工程の後の現像工程で使用され、事後、例えばエッチング工程又はめっき工程が実施される。
【００２６】
（２）もって現像装置６は、搬送される基板材Ａに、スプレーノズル７から現像液Ｂを噴射して、基板材Ａ外表面の感光性レジストＣを現像処理する（図１の（１）図，図３，図４，図５の（１）図等を参照）。
【００２７】
（３）そして現像装置６は、スプレーノズル７として２流体ノズルを用いると共に、スプレーノズル７等に関し、次の設定が採用されている（図１の（１）図等を参照）。
○現像液ＢおよびエアーＫの供給，噴射圧：０．０２ＭＰａ〜０．１０ＭＰａ
○スプレーノズル７と基板材Ａの間隔距離：２５ｍｍ〜１００ｍｍ、望ましくは３５ｍｍ〜６０ｍｍ
【００２８】
（４）噴射された現像液Ｂの基板材Ａへのスプレーに関しては、次の設定が採用されている（図１の（１）図等を参照）。
○現像液Ｂの粒径：１０μｍ〜１８０μｍ、望ましくは６５μｍ〜１００μｍ
○現像液Ｂの最大衝撃値：１５ｍＮ〜５５ｍＮ
【００２９】
（５）この現像装置６は、上述した設定を組み合わせて採用したことにより、次のように作用する。
まず、この現像装置６によると、現像液Ｂは、２流体ノズル製のスプレーノズル７内で露化され、上述した設定の極小粒径の微小液滴となって、エアーＫ付で基板材Ａに高速スプレーされ，吹き付けられる。
そこで、回路幅Ｌや回路間スペースＳが、３０μｍ以下更には２０μｍ以下に微細化，高密度化された回路パターンについても、スムーズに現像処理可能となる。
すなわち現像液Ｂが、極めて微小な粒径設定よりなるので、微細な感光性レジストＣの非硬化部分，溶解除去部分に、確実に入り込めるようになる。
【００３０】
（６）すなわち現像処理に際し、前述したこの種従来技術のように、現像液Ｂの粒径が大き過ぎて、該部分の奥まで入り込み難くなることは、回避される。
先にスプレーされて付着していた現像液Ｂを、後からスプレーされる現像液Ｂが押し退けて入れ替えることも、促進されるようになる。そこで、感光性レジストＣの裾引き未現像Ｄ（図１の（３）図を参照）の発生が、抑制される。感光性レジストＣの破片等によるスカム残渣Ｅ（図１の（４）図を参照）の発生も、抑制される。
更に、感光性レジストＣの膜厚Ｈが、５０μｍ以上更には１００μｍ以上と、厚い場合でも、現像液Ｂが、現像対象の非硬化部分，溶解除去部分の奥（基部，底部）まで届くようになり、感光性レジストＣの基部未現像Ｆ（図１の（５）図を参照）発生も、抑制される。又、感光性レジストＣの膜厚Ｈが、２５μｍ以下更には１５μｍ以下と、薄い場合も、現像処理が確実かつスムーズに進行するようになる。
【００３１】
（７）次に、この現像装置６にあっては、前述した微小粒径の現像液ＢおよびエアーＫが、前述したように、比較的低圧，低インパクトで、基板材Ａ外表面の感光性レジストＣに、スプレーされる。
前述したこの種従来技術のように、粒径が大きな現像液Ｂが、高圧，高インパクトでスプレーされるのではなく、より低圧，低インパクトでスプレーされる。
従って現像処理に際し、感光性レジストＣについて、溶解除去部分，非硬化部分以外、つまり非溶解除去部分，露光硬化部分Ｇ（図１の（２）図〜（５）図を参照）が、誤って過現像されたり，倒れたり，崩壊したり，欠落したりする事態発生は、抑制される。
例え感光性レジストＣの膜厚Ｈが厚く、露光硬化部分Ｇの高さが高い場合でも（図１の（５）図を参照）、これらの発生は抑制される。
【００３２】
この現像装置６は、固定式スプレーが採用されているが、搖動式スプレーの採用も可能であり、何れの場合も、現像液Ｂが基板材Ａに対して満遍なく均一にスプレーされることが大切になる。
本発明の現像装置６の作用等については、以上のとおり。
【００３３】
《現像装置６の適用》
ここで、本発明に係る現像装置６の適用について、図６等を参照して説明する。
まず、前提について説明，確認しておくと、本発明の現像装置６（２流体，図１〜図４を参照）や、従来例の現像装置１（１流体，図５の（１）図を参照）は、銅張り積層板製の基板材Ａに対し、スプレーノズル７や２から現像液Ｂを噴射して、基板材Ａ外表面に張り付けられた感光性レジストＣを、現像処理する。すなわち、露光硬化部分Ｇ（必要部分）以外の非硬化部分（不要部分）の感光性レジストＣを、現像液Ｂにて溶解除去する（図１の（２）図等を参照）。
そして現像処理工程は、図６の各図に示したように、３段階で構成されることが多い。すなわち基板材Ａは、まず、現像第１段階の現像装置６１又は現像装置１１、次に、現像第２段階の現像装置６２又は現像装置１２、そして、最終段階の洗浄装置２０の順に、上流側から下流側へと搬送方向Ｐに沿って搬送されつつ処理される。
まず、現像第１段階では、基板材Ａについて大まかな現像処理が行われる。非硬化部分の感光性レジストＣを、あらかた概略的に溶解除去する。
しかる後、現像第２段階では、基板材Ａについて、より緻密できめ細かな現像処理が行われる。現像第１段階では溶解除去されずに残ってしまった非硬化部分（不要部分）の感光性レジストＣを、余すところなく溶解除去してしまうことを目指す。そして、次の洗浄装置２０に感光性レジストＣの残渣を持ち込まないようにすることを目指す。
最終段階では、洗浄装置２０により、基板材Ａに付着していた現像液Ｂ等を水洗除去する。
【００３４】
そして、図６の（１）図に示した例では、現像第１段階に、本発明の現像装置６１が使用されると共に、現像第２段階では、従来例の現像装置１２が使用されている。
図６の（２）図に示した例では、現像第１段階では、従来例の現像装置１１が使用されると共に、現像第２段階に、本発明の現像装置６２が使用されている。
図６の（３）図に示した例では、現像第１段階，第２段階共に、本発明の現像装置６１，６２が使用されている。
このように本発明の現像装置６（２流体）は、従来例の現像装置１（１流体）と組み合わせて、又は組み合わせることなく独自で、使用される。
【００３５】
勿論、現像第１段階で使用される本発明の現像装置６１も、現像第２段階で使用される現像装置６２も、その構成内容は共通である。作用効果も共通であるが、裾引き未現像，基部未現像，スカム残渣等の発生抑制の程度について、現像装置６１は概略的であるのに対し、現像装置６２は緻密である。
なお、現像第２段階で使用される現像装置６２や現像装置１２は、第２現像装置（第２現像機，第２現像槽）や、ポスト現像装置（ポスト現像機，ポスト槽）や、リンス現像装置（リンス現像機，リンス槽）等々と、称されることもある。
又、図６に示した例の現像処理工程は、３段階（３連）構成よりなっていたが、その他の構成例も勿論可能である。
例えば、現像装置６と洗浄装置２０との2段階（２連）構成例や、現像装置６（２流体）と現像装置１（１流体）と洗浄装置２０とを組み合わせた４段階（４連）構成例、その他各種の組み合わせ構成例も可能である。
本発明の現像装置６の適用については、以上のとおり。
【実施例】
【００３６】
《実施例１》
以下、本発明の実施例について説明しておく。まず実施例１については、次のとおり。
図２は、めっき工程の説明写真であり、（１）図は、本発明の実施例１に関し、（２）図は、この種従来例に関する。
そして、図２の（１）図の実施例１は、本発明の現像装置６を用いて現像処理した後、次工程において電解めっき処理を施した状態（セミアディティブ法）、つまり製造された電子回路基板Ｍの電子回路Ｎを示す。
これに対し、図２の（２）図の比較例は、図５の（１）図に示した従来例の現像装置１を用いて現像処理した後、次工程において電解めっき処理を施した状態（セミアディティブ法）、つまり製造された電子回路基板Ｍの電子回路Ｎを示す。
なお、テスト対象とした実施例１の現像装置６と、従来例の現像装置１とは、前者のスプレーノズル７が２流体ノズルよりなり、後者のスプレーノズル２が１流体ノズルよりなる点を除き、その他の各種テスト条件は、すべて同一とした。
【００３７】
その結果、本発明の実施例１による現像処理に際しては、裾引き未現像Ｄやスカム残渣Ｅが発生しなかったと推測され、もって次工程のめっき処理が、（１）図の説明写真のように、シャープでめっき形状良好に実現された。
これに対し、従来例による現像処理に際しては、裾引き未現像Ｄやスカム残渣Ｅが発生していたと推測される。
すなわち、（２）図の説明写真に示されたように、次工程のめっき処理で形成された電子回路Ｎについて、その基部にめっき形状不良の食い込みが見られた。これは前工程の現像処理において、裾引き未現像Ｄ等が発生していたのが、その原因と判断される。
このように、図２のめっき状態の写真比較からも、実施例１そして本発明の作用効果が裏付けられた。
実施例１については、以上のとおり。
【００３８】
《実施例２》
次に、本発明の実施例２のテスト結果について説明する。
次の表１および表２は、本発明の現像装置６に関し、得られたテスト結果のデータを示す。
【００３９】
【表１】
0006532080.tif 000002
【００４０】
【表２】
0006532080.tif 000003
【００４１】
まず、テスト条件については、表１や表２中にも示したように、次のとおり。
○スプレーノズル７と基板材Ａ間の間隔距離Ｊ：  ５０ｍｍ（共通）
○現像液Ｂの液圧  ：  ０．０３ＭＰａ〜０．１ＭＰａ
○エアーＫの圧力  ：  ０．０３ＭＰａ〜０．１ＭＰａ
○現像液Ｂの流量  ：  ０．５３Ｌ／ｍｉｎ〜０．８１Ｌ／ｍｉｎ
○エアーＫの流量  ：  ８Ｌ／ｍｉｎ〜１７Ｌ／ｍｉｎ
【００４２】
このような各テスト条件の組合せ毎に、スプレーノズル７にてスプレーされる現像液Ｂの粒径と、現像液Ｂの基板材Ａに対するインパクトの最大衝撃値とを、それぞれスプレーノズル７直下位置の基板材Ａ上にて、計測した。
計測には、位相ドップラー式レーザー粒子分析計、および、ロードセル微小衝撃力測定装置を使用した。その結果、粒径については表１のテストデータが得られ、最大衝撃値については表２のテストデータが得られた。
まず、表１に示したように、現像液Ｂの粒径については、計測値６５．９μｍ〜１００．６μｍとなり、本発明で必要とされる設定値１０μｍ〜１８０μｍ、特に６５μｍ〜１００μｍの粒径が、安定的に得られた。（因に、現像液Ｂの流速については、計測値１０．５ｍ／ｓ〜２２．４ｍ／ｓとなっていた。）
次に、表２に示したように、現像液Ｂの最大衝撃値については、計測値１８ｍＮ〜５２ｍＮとなり、本発明の設定値１５ｍＮ〜５５ｍＮのインパクトが、安定的に得られた。
実施例２については、以上のとおり。
【符号の説明】
【００４３】
１  現像装置（従来例）
１１  現像装置（従来例）
１２  現像装置（従来例）
２  スプレーノズル（従来例）
３  搬送ローラー
４  コンベア
５  液槽
６  現像装置（本発明）
６１  現像装置（本発明）
６２  現像装置（本発明）
７  スプレーノズル（本発明）
８  チャンバー
９  ポンプ
１０  フィルター
１１  配管
１２  スプレー管
１２１  スプレー管
１２２  スプレー管
１３  内部噴射路
１４  圧送源
１５  フィルター
１６  流量計
１７  配管
１８  圧力計
１９  噴射孔
２０  洗浄装置
Ａ  基板材
Ｂ  現像液
Ｃ  感光性レジスト
Ｄ  裾引き未現像
Ｅ  スカム残渣
Ｆ  基部未現像
Ｇ  露光硬化部分
Ｈ  膜厚
Ｊ  間隔距離
Ｋ  エアー
Ｍ  電子回路基板
Ｎ  電子回路
Ｐ  搬送方向
Ｑ  幅方向
Ｌ  回路幅
Ｓ  回路間スペース
【図１】
0006532080.tif 000004
【図２】
0006532080.tif 000005
【図３】
0006532080.tif 000006
【図４】
0006532080.tif 000007
【図５】
0006532080.tif 000008
【図６】
0006532080.tif 000009