(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ断層撮影イメージングシステムのコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールであって、
少なくとも１つのディテクタピクセルと、
自己診断回路とを有し、前記自己診断回路は、
マイクロプロセッサと、
少なくとも１つの測定デバイスとを有し、
前記マイクロプロセッサは前記少なくとも１つの測定デバイスを制御して前記少なくとも１つのディテクタピクセルの少なくとも１つのパラメータを測定し、前記少なくとも１つのパラメータの値は前記コンピュータ断層撮影イメージングシステムの健康状態を示す
ように構成され、
前記自己診断回路はさらに、
前記パラメータのトレンドを生成するトレンダーであって、前記トレンドは前記少なくとも１つのパラメータの、経時的に測定値を示すように構成されたトレンダーと、
前記トレンドを所定基準と比較し、前記比較の結果に基づく信号を生成するように構成されたロジックとを有し、
前記少なくとも１つの測定デバイスは暗電流センサを含み、前記少なくとも１つのパラメータは前記少なくとも１つのディテクタピクセルの暗電流である、
コンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項２】
前記信号は前記比較の結果に基づく、前記少なくとも１つのイメージングディテクタモジュールの推定補修日を含む、請求項１に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項３】
前記イメージングディテクタモジュールの補修スケジュールが前記信号に基づき生成される、請求項２に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項４】
前記信号は前記比較の結果に基づく、前記コンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールの補修タイプを示す、請求項１ないし３いずれか一項に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項５】
前記信号は前記パラメータと前記所定基準とを含む、
請求項１ないし４いずれか一項に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項６】
前記自己診断回路はさらに、
レジスタと、
測定された前記少なくとも１つのパラメータを所定基準と比較し、前記比較の結果に基づいて前記レジスタのビットを設定するように構成されたロジックとを有する、
請求項１に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項７】
前記ビットを設定するように構成されたロジックは、測定された前記少なくとも１つのパラメータが前記所定基準を満たすのに応じて、前記ビットを、可能性のある複数の値のうちの第１の値に設定するようにさらに構成されている、
請求項６に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項８】
診断スケジュールを記憶するように構成されたスケジュールメモリであって、前記マイクロプロセッサは前記少なくとも１つの測定デバイスを制御して、前記診断スケジュールに基づく少なくとも１つのパラメータを測定するように構成される、請求項１ないし７いずれか一項に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項９】
前記少なくとも１つの測定デバイスは少なくとも２つの測定デバイスを含み、各測定デバイスは異なるパラメータを測定するように構成され、前記診断スケジュールは前記少なくとも２つの測定デバイスの各々の異なる自己診断スケジュールを含む、請求項８に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの測定デバイスは、ディテクタバイアス電流、ディテクタ暗電流、ディテクタ利得、ディテクタノイズ、ディテクタ感度、ディテクタ均一性、ディテクタクロストーク、またはディテクタ温度のうち一以上を検知するように構成された一以上のセンサを含む、請求項１ないし９いずれか一項に記載のコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュール。
【請求項１１】
コンピュータ断層撮影イメージングシステムのコンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールに組み込まれた自己診断回路を利用して、前記コンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールの少なくとも１つのディテクタピクセルの少なくとも１つのパラメータを測定するステップと、
前記少なくとも１つのパラメータの値は前記コンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールの健康状態を示し、
前記自己診断回路で、測定された前記少なくとも１つのパラメータに基づき、前記コンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールの健康状態を示す信号を生成するステップとを有し、
前記信号を生成するステップは、
前記少なくとも１つのパラメータのトレンドを生成するステップであって、前記トレンドは前記少なくとも１つのパラメータの測定値を経時的に示す、ステップと、
前記トレンドを所定基準と比較するステップと、
前記比較の結果と、補修がいつ実行されるべきか推定するための情報を提供する所定規則とに基づいて、前記コンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールの次の補修日を予測するステップと
を有し、
前記自己診断回路は暗電流センサを含み、前記少なくとも１つのパラメータは前記少なくとも１つのディテクタピクセルの暗電流である、
方法。
【請求項１２】
前記信号は、測定された前記少なくとも１つのパラメータに基づく、前記コンピュータ断層撮影イメージングディテクタモジュールの次の補修日を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記信号はさらに、行う補修のタイプと、測定された前記少なくとも１つのパラメータとのうち少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
リモートサービス計算システムに前記信号を送るステップをさらに含む、
請求項１１ないし１３いずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
コンピュータ断層撮影イメージングシステムであって、
前記コンピュータ断層撮影イメージングシステムのスキャン動作を制御するコンソールと、
検査領域を横切る放射線を放射する放射線源と、
前記検査領域を横切る放射線を検出するディテクタアレイとを有し、前記ディテクタアレイは、
ディテクタモジュールを有し、前記ディテクタモジュールは、
少なくとも１つのディテクタピクセルと、
自己診断回路とを有し、
前記自己診断回路は、前記少なくとも１つのディテクタピクセルの少なくとも１つのパラメータを測定し、測定された前記少なくとも１つのパラメータに基づき前記ディテクタモジュールのイメージングディテクタ補修関係情報を生成し、前記イメージングディテクタ補修関係情報を含む信号を生成し、前記信号を前記コンソールに送り、前記コンソールは前記イメージングディテクタ補修関係情報を含む通知を視覚的に表示し、
前記自己診断回路は暗電流センサを含み、前記少なくとも１つのパラメータは前記少なくとも１つのディテクタピクセルの暗電流である、
コンピュータ断層撮影イメージングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
以下の説明は、イメージングディテクタに関し、より具体的にはイメージングディテクタの現在の健康状態をモニターして報告する、イメージングディテクタに組み込まれた自己診断回路に関し、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）への具体的な応用について説明する。しかし、本説明はデジタルＸ線その他のイメージングモダリティなど、その他のイメージングモダリティにも適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
ＣＴスキャナーは、検査領域を通る放射線を放射するＸ線管を含む。ディテクタアレイはＸ線管の真向かいに、検査領域に対向して配置されている。ディテクタアレイはディテクタモジュールを含み、各ディテクタモジュールはディテクタピクセルを含む。各ディテクタピクセルは検査領域を横切る放射線を検出し、それを示す信号を発生する。再構成器は信号を処理して、スキャンされた検査領域を示す立体画像データを生成する。
【０００３】
ディテクタモジュールの寿命は、放射線損傷、パッケージング安定性などの要因に依存する。これらの要因の一部は経時的に常に性能が劣化する。放射線損傷の場合、例えば、チャージトラッピングによりディテクタモジュールのバイアス回路の動作点が所定限度を超えてシフトしてしまい、これにより結局故障し、または性能が悪くなることがある。これはＣＴにおいては特に重要である。エッジのディテクタモジュールがセンターのディテクタモジュールより、より多くの放射線にさらされるからである。
【０００４】
ディテクタモジュールは定期的に（例えば、第１のプロシージャの前に朝始めに）ルーチン校正を実行して、画像アーティファクトを生じるかも知れないドリフトを補償する。校正プロシージャはよい画質を保証する試みである。ソフトウェアベースの補正が用いられ、例えば、隣接するディテクタピクセルを、測定値を補間し、故障したディテクタピクセルの値を補間値で置き換えることにより、一以上の動作不能または故障したディテクタピクセルが補正され得る。
【０００５】
残念ながら、何をどれくらい補正できるかについては限界がある。例えば、放射線損傷により、あるプロシージャでは画質を制限しないかも知れないが、（例えばノイズフロアが高い）低線量プロトコルで問題となるかも知れないノイズを生じるおそれがある。低線量プロトコルはノイズにより敏感である。このように、ディテクタモジュールの健康状態をモニターするその他のアプローチが必要であるという問題が未解決である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここに説明する態様は、上記の問題等を解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下に、ディテクタアレイのディテクタモジュールが少なくとも１つの自己診断回路を含むアプローチを説明する。前記少なくとも１つの自己診断回路は、既知の通常動作値を有する所定のパラメータセットをモニターする。前記少なくとも１つの自己診断回路は、モニタリングに基づき、ディテクタ修理、交換、校正、ソフトウェア補正などのサービスのスケジューリングを容易にする情報を提供する。提供された情報は、注意を必要な現在の問題を示し、いつ補修が必要になりそうかを推定し得る。一例では、これにより補修を計画し、使用可能時間（ｕｐ  ｔｉｍｅ）を最大化できる。
【０００８】
一態様では、イメージングシステムのイメージングディテクタモジュールは、少なくとも１つのディテクタピクセルと、自己診断回路とを有する。自己診断回路は、マイクロプロセッサと、少なくとも１つの測定デバイスとを含む。前記マイクロプロセッサは前記少なくとも１つの測定デバイスを制御して前記少なくとも１つのディテクタピクセルの少なくとも１つのパラメータを測定し、前記少なくとも１つのパラメータの値は前記画像化システムの健康状態を示す。
【０００９】
他の一態様では、一方法は、イメージングシステムのイメージングディテクタモジュールに組み込まれた自己診断回路を利用して、前記イメージングディテクタモジュールの少なくとも１つのディテクタピクセルの少なくとも１つのパラメータを測定するステップを含む。前記少なくとも１つのパラメータの値は前記イメージングディテクタの健康状態を示す。前記方法は、さらに、前記自己診断回路で、測定された前記少なくとも１つのパラメータに基づき、前記イメージングディテクタモジュールの健康状態を示す信号を生成するステップとを有する。
【００１０】
他の一態様では、コンピュータ断層診断イメージングシステムは、前記イメージングシステムのスキャン動作を制御するコンソールを含む。前記コンピュータ断層診断イメージングシステムはさらに、検査領域を横切る放射線を放射する放射線源を含む。前記コンピュータ断層診断イメージングシステムはさらに、前記検査領域を横切る放射線を検出するディテクタアレイを含む。ディテクタアレイはディテクタモジュールを含む。ディテクタモジュールは少なくとも１つのディテクタピクセルと自己診断回路とを含む。前記自己診断回路は、前記少なくとも１つのディテクタピクセルの少なくとも１つのパラメータを測定し、測定された前記少なくとも１つのパラメータに基づき前記イメージングディテクタのイメージングディテクタ補修関係情報を生成し、前記情報を含む信号を生成し、前記信号を前記コンソールに送り、前記コンソールは前記情報を含む通知を視覚的に表示する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本発明は、様々なコンポーネントとその構成、及び様々なステップとその構成の形を取る。図面は好ましい実施形態を例示することのみを目的とし、本発明を限定するものと解してはならない。
【図１】自己診断回路を有するディテクタモジュールを有するイメージングシステムの一例を示す模式図である。
【図２】自己診断回路の一例を示す模式図である。
【図３】図２に示した自己診断回路のバリエーションを示す模式図である。
【図４】ディテクタモジュールの自己診断回路でディテクタモジュールの健康状態を診断し、そのモジュールの推定補修日を示す信号を生成して伝える方法例を示す図である。
【図５】ディテクタモジュールの自己診断回路でディテクタモジュールの健康状態を診断し、それを示すレジスタビットを設定する方法例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
最初に図１を参照して、イメージングシステム１００を説明する。この例では、イメージングシステム１００はコンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャナーである。
【００１３】
例示のイメージングシステム１００は、静止ガントリー１０２と、回転ガントリー１０４とを含む。回転ガントリー１０４は、静止ガントリー１０２により回転可能に支持されている。回転ガントリー１０４は、縦軸またはｚ軸（「Ｚ」）に対して検査領域１０６の周りを回転する。
【００１４】
放射線源１０８は、Ｘ線管などであるが、回転ガントリー１０４により支持され、検査領域１０６の周りを回転ガントリー１０４とともに回転し、検査領域１０６を横切る（ｔｒａｖｅｒｓｅ）放射線を放射する。
【００１５】
放射線感知イメージングディテクタアレイ１１０は、検査領域１０６について放射線源１０８に対向して配置されている。放射線感知イメージングディテクタアレイ１１０は、複数のディテクタモジュール１１２を含み、各ディテクタモジュールは２次元（２Ｄ）のディテクタピクセルアレイ１１４を含む。ディテクタピクセル１１４は、検査領域１０６を横切る放射線を検出し、それを示す信号を発生する。
【００１６】
複数のディテクタモジュール１１２は、少なくとも一つの集積ディテクタピクセルであって、フォトセンサに光学的に結合したシンチレータと集積回路とを含むものを含み得る。あるいは、複数のディテクタモジュール１１２は直接変換または光子計数ディテクタピクセルを含む。これらは直接変換物質（例えば、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなど）及びパルス成形及び計数回路を有する。さらに他の例では、複数のディテクタピクセル１１２は、集積及び直接変換ディテクタピクセルの組み合わせを含む。
少なくとも１つのディテクタモジュール１１２（説明する例ではディテクタモジュール１１２Ｉ）は、自己診断回路１１６が組み込まれている。一例では、自己診断回路１１６はハードウェアで実装され、その一部はコンピュータ読み出し可能命令を記憶及び／又は実行する。後でより詳しく説明するように、非限定的な一例では、自己診断回路１１６は、少なくとも、ディテクタモジュール１１４の健康状態を示す情報を提供するディテクタモジュール１１２Ｉの所定のパラメータセットをモニターする。
【００１７】
所定のパラメータセットは、概して、既知の通常の動作値を有するパラメータを含む。この動作値は、イメージング性能の劣化につながるディテクタモジュール１１２Ｉの健康状態の劣化に応じて既知の態様で変化する。モニターされる好適なパラメータの例には、限定ではないが、ディテクタバイアス電流、ディテクタ暗電流、ディテクタ利得、ディテクタノイズ、ディテクタ感度、ディテクタ均一性、ディテクタクロストーク、及びディテクタ温度が含む。
【００１８】
後でより詳細に説明するように、自己診断回路１１６は、モニタリングとその分析とに基づき、ディテクタ修理、ディテクタ交換、ディテクタ校正、ディテクタ出力信号補正などの補修のスケジューリングを容易にする情報を提供する。これはレジスタの一以上のビットの設定、推定補修日の設定などを含み得る。モニタリング及びレポーティングは、個々のディテクタピクセルベースで、ここのモジュール中のディテクタピクセルグループベースで、個々のモジュールベースで、モジュールグループベースで、ディテクタアレイベースで、その他で実行できる。
【００１９】
一バリエーションでは、ディテクタモジュール１１２Ｉの所定のパラメータセットの少なくとも１つのパラメータが、ディテクタモジュール１１２Ｉから、ディテクタモジュール１１２Ｉから離れて配置された信号プロセッサに伝えられる。このバリエーションでは、信号プロセッサは、少なくとも１つのパラメータを処理して、処理結果に基づいて、ディテクタ修理、ディテクタ交換、ディテクタ校正、ディテクタ出力信号補正などの補修を、スケジューリングを容易にする情報を提供する。
【００２０】
再構成器１１８は、放射線感知ディテクタアレイにより生成された信号を再構成する。再構成器１１８は、フィルター逆投影（ＦＢＰ）、反復再構成、及び／又はその他の再構成アルゴリズムなどのさまざまな再構成アルゴリズムを利用できる。
【００２１】
支持台１２０は検査領域１０６の対象者または被験者を支持する。被験者支持台１２０は、イメージングプロシージャの実行と調和して動き、被験者または対象者を乗せ、スキャンし、及び／又は降ろすため、検査領域１０６に対して、被験者または対象者を誘導するようになっている。
【００２２】
コンピュータサーバが、オペレータコンソール１２２として機能し、ディスプレイなどの出力デバイスと、キーボード、マウスなどの入力デバイスとを含む。コンソール１２２上で実行されているソフトウェアにより、オペレータは、システム１００の動作を制御できる。一例では、常駐ソフトウェアは自己診断ソフトウェアアプリケーションも含む。自己診断ソフトウェアアプリケーションは、一例では、自己診断回路１１６により提供された及び／又は取得された情報、及び／又はそれから導かれる情報を視覚的に表示する。
【００２３】
コンソール１２２は、ディテクタモジュール１１２Ｉに対する補修及び／又はその健康状態（例えば、再構成及び／又は交換、性能劣化、寿命問題、故障など）を示す（人が読めるフォーマットの）通知を表示してもよい。通知は、測定値及び／又は測定値のトレンド及びパラメータの許容範囲とともに、測定されたパラメータも含み得る。それに応じて、アプリケーションは、例えばネットワークにより、リモートサービスコンピュータに、サービス要求を送っても良い。
【００２４】
図２は、自己診断回路１６の一例を示す模式図である。
【００２５】
自己診断回路１１６はマイクロプロセッサ２０２を含む。マイクロプロセッサ２０２は、自己診断回路１１６を制御する。例示の実施形態では、コンソール１２２（図１）は、マイクロプロセッサ２０２に、マイクロプロセッサ２０２に自己診断を実行させる、またはマイクロプロセッサ２０２をアイドルまたはスリープ状態にする信号を伝える。信号は、一例では、コンフィギュレーションまたはプリファレンスファイルのロードに応じて送られる。一バリエーションでは、信号は、自己診断を起動するコンソール１２２へのユーザ入力に応じて送られる。さらに他の一例では、信号は、自己診断を起動するリモートサービス要求に応じて送られる。
【００２６】
自己診断回路１１６は、さらに、診断スケジュール２０６を記憶するスケジュールメモリ２０４を含む。マイクロプロセッサ２０２は、診断スケジュール２０６に基づいて自己診断を起動する。説明する例では、診断スケジュール２０６はスケジュールメモリ２０４に予めロードされている。診断スケジュール２０６は、コンソール１２２上で実行されているアプリケーションソフトウェアを通して、ディテクタモジュール１１２の物理的電気機械インタフェースを通してスケジュールメモリ２０４を、直接プログラミングを通してなど、予めロードできる。記憶された診断スケジュール２０６は、（オンデマンドローカル及び／又はリモート要求により）修正、上書き、オーバーライド等され得る。
【００２７】
一例では、診断スケジュール２０６は、少なくとも２つの異なるパラメータの自己診断用の別々のスケジュールを含む。このように、一パラメータは、ある時点で測定してもよく、他の一パラメータは同じ時点で測定しなくてもよい。さらにまた、診断スケジュール２０６は時間及び／又は使用ベースであってもよい。例えば、診断スケジュール２０６は、あるパラメータの測定が、一日の始まり、終わり、及び／又はその他の時刻に、スキャンの前、中、及び／又は後に、毎月一回、所定イベントに応じてなどで行われてもよい。一例では、測定が診断イメージングオペレーションと干渉しない時にのみ、ディテクタ／スキャナーの一以上のアイドル時間中などに測定が行われる。他の一例では、診断イメージングオペレーションは、測定のため中断または遅延される。
【００２８】
自己診断回路１１６は、さらに、自己診断命令２０８を記憶する命令メモリ２０８を含む。マイクロプロセッサ２０２は、自己診断命令２０８に従って自己診断回路１１６を制御する。同様に、自己診断命令２０８は、コンソール１２２上で実行されているアプリケーションソフトウェアを通して、ディテクタモジュール１１２の物理的電気機械インタフェースを通して命令メモリ２０７に直接プログラミングを通してなど、予めロードできる。記憶された自己診断命令２０８は修正、上書き等もできる。
【００２９】
自己診断回路１１６はさらに、一以上の測定デバイス２１０を含む。一以上の測定デバイス２１０は所定のパラメータセットを測定する。一以上の測定デバイス２１０は、ディテクタピクセルバイアス電流、ディテクタピクセル暗電流、ディテクタピクセル温度、及びディテクタピクセル利得のうち少なくとも１つを測定するように構成されている。一以上の測定デバイス２１０は一以上の他のパラメータも測定できる。さらに、一以上の測定デバイス２１０のうちの１つは、一以上のパラメータを測定する。
【００３０】
ディテクタピクセルバイアス電流に関して、放射線損傷は、例えば電荷トラッピングを生じ、バイアス電流によりその動作点をシフトさせ、結局のところ故障や性能劣化が生じる。ディテクタバイアス電流の例は、Ｖｒｅｔｔｏｓ  ｅｔ  ａｌ．による米国特許第６，６７１，３４５Ｂ２号（出願日２００１年１１月７日、発明の名称「Ｄａｔａ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｃｏｍｐｕｔｅｄ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ」、ここにその全体を参照援用する）、及びＬｕｈｔａ  ｅｔ  ａｌ．著「Ａ  Ｎｅｗ  ２Ｄ−Ｔｉｌｅｄ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ  ｆｏｒ  Ｍｕｌｔｉｓｌｉｃｅ  ＣＴ」（Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ  ２００６：  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ，  Ｖｏｌ．  ６１４２，  ｐｐ．  ２７５−２８６（２００６））に説明されている。
【００３１】
’３４５特許と文献Ｌｕｈｔａ  ｅｔ  ａｌ．では、Ａ／Ｄコンバータが、各積分期間において、ディテクタピクセルにより生成された電流を積分する積分器を含む。積分器は、各積分期間で、バイアス電流源により積分器に供給されるバイアス電流も積分する。一以上の測定デバイス２１０は、バイアス電流源を積分器から電気的にデカップリングし、一以上の測定デバイス２１０のバイアス電流センサでバイアス電流を測定することにより、この（またはその他の）バイアス電流を測定できる。
【００３２】
概して、暗電流は、ディテクタに放射線が当たっていない時でもフォトダイオードを流れる比較的弱い電流である。暗電流は、Ａ／Ｄコンバータ積分器に供給されるバイアス電流を部分的に放電し得る。バイアス電流により積分器の出力にオフセットが生じる。一以上の測定デバイス２１０は、放射線源が「オフ」（すなわち放射線を放射していない）である時、またはディテクタモジュールに当たっていない時に、一以上の測定デバイス２１０の暗電流センサで暗電流を測定できる。
【００３３】
温度に関して、ディテクタピクセルの応答は温度に敏感であり、温度により変化し得る。残念ながらディテクタモジュールにおける温度変化により、画像データにアーティファクトが生じる結果となり得る。ディテクタ温度を測定するアプローチ例は、Ｌｕｈｔａ  ｅｔ  ａｌ．による米国特許第８，４０５，０４０号（出願日２０１０年８月１０日、発明の名称「Ｉｍａｇｉｎｇ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｔｒｏｌ」）に説明されている。この文献はその全体をここに参照援用する。’０４０特許では、ディテクタは、ディテクタの複数の異なる位置における温度を検知する複数の温度センサを含む。一以上の測定デバイス２１０は、これらの温度センサのうちの１つを用いて、及び／又は一以上の測定デバイス２１０の温度センサを用いて、ディテクタモジュール温度を測定できる。
【００３４】
ディテクタ利得は概してディテクタの入力に対する出力の比率を指す。ディテクタ利得は経時的にドリフトすることがあり、画質を劣化させることがある。ドリフトは校正により補償し得る。最初のエアスキャン（検査領域１０６に被験体や被験者が無いスキャン）が校正時に実行され、ディテクタ利得の校正に使われる。ディテクタ利得がドリフトしなければ、その後のエアスキャンのディテクタ出力は、校正されたディテクタの出力を近似する。しかし、ディテクタ利得がドリフトすれば、ディテクタ出力は異なる。一以上の測定デバイス２１０は、異なるエアスキャンの出力を測定できる。
【００３５】
自己診断回路１１６はさらに、測定メモリ２１２を含む。測定メモリ２１２は測定されたパラメータを記憶する。測定パラメータには、イメージングシステム校正中に取得された測定パラメータ（例えば、最小値及び／又は最大値）、自己診断中に取得された測定パラメータを含む。自己診断回路１１６はさらにトレンダー２１４を含む。このトレンダー２１４は、あるパラメータについて、例えば、測定メモリ２１２に記憶された情報及び／又はその他の情報に基づいて、経時的な測定値のトレンドを生成する。測定メモリ２１２もトレンドを記憶する。
【００３６】
自己診断回路１１６はさらにロジック２１６を含む。ロジック２１６は、測定メモリ２１２に記憶された情報及び／又はその他の情報に基づいて、一以上のパラメータの測定値及び／又はトレンドを分析する。自己診断回路１１６はさらに規則２１８と基準２２０とを含む。ロジック２１６は、分析と規則２１８及び基準２２０とに基づき、分析結果を示す信号を生成し、例示の実施形態では、その信号をコンソール１２２に送る。信号は他のコンポーネントに送られても、測定メモリ２１２その他のメモリに記憶されてもよい。
【００３７】
規則２１８は、概して、その分析結果に基づいてロジック２１６に命令する。一例では、これはロジック２１６に、規則２１８に提供された情報に基づいて補修がいつ実行されるべきか推定することを含む。例えば、規則は、あるパラメータのある値及び／又はトレンドについて、イメージングディテクタが時間Ｘ内に補修されるべきであることを示し得る。他の一規則は、あるパラメータのある値及び／又はトレンドに基づくある態様で、サービスフラグが設定されるべきことを示してもよい。
【００３８】
自己診断回路１１６はさらに基準２２０を含む。基準２２０は、ロジック２１６の分析基準を提供する。基準２２０は、測定値及び／又はトレンドをどう分析するかに関する情報を含む。例えば、基準２２０は、所定閾値及び／又は所定値域を含んでいてもよい。他の一例では、基準２２０は、測定メモリ２１２から得られる履歴データを用いることができることを示しても良い。履歴データは、校正及び／又は前の測定及び／又はベンチマーク及び／又はその他の情報を含む。
【００３９】
コンソール１２２は、信号の受信に応じて、ディテクタモジュール１１２Ｉに対する補修及び／又はその健康状態（例えば、再構成及び／又は交換、性能劣化、寿命問題、故障など）を示す（人が読めるフォーマットの）通知を表示してもよい。通知は、測定値及び／又は測定値のトレンド及びパラメータの許容範囲とともに、測定されたパラメータも含み得る。
【００４０】
それに応じて、コンソール自己診断ソフトウェアアプリケーションは、例えばネットワークにより、リモートサービスコンピュータに、サービス要求を送っても良い。サービス要求は、トレンド及び／又は補修を実行すべき示唆される時間フレームを含んでもよい。この情報を用いて、すでに計画された補修を調整し、及び／又は新しい補修をスケジュールすることができる。もちろん、サービス要求は、無視されても、破棄されても、及び／又は用いられなくてもよい。
【００４１】
図３は図２のバリエーションを模式的に示す。
【００４２】
このバリエーションでは、自己診断回路１１６は追加的にレジスタ３０２を含む。ロジック２１６は、分析に基づき、レジスタ３０２のビットを設定する。そのビットは、あるパラメータが基準２２０を満たすか、補修を行うべきかなどを示す。規則２１８はビットを設定して、ロジック２１６に命令する。
【００４３】
例えば、ビットを１に設定すると、それはパラメータが基準２２０を満たすことを示してもよく、ビットを０に設定すると、それはパラメータが基準２２０を満たさないことを示してもよく、その逆であってもよい。あるいは、ビットを１に設定すると、それは補修（ｓｅｒｖｉｃｅｓ）が必要ないことを示してもよく、ビットを０に設定すると、それは補修が必要であること、またはすぐに必要となることを示してもよく、その逆であってもよい。より多くのビットを用いて、測定パラメータ値、補修推定日など、さらに別の情報を示しても良い。
【００４４】
バリエーションにおいて、ロジック２１６は、分析に基づいて、あるパラメータについてレジスタ３０２中の複数のビットを設定する。例えば、一例では、レジスタはカウンタであってもよく、そのパラメータに対応するイベントが発生するたびに、カウンタがインクリメントされ、そのイベントをカウントしてもよい。この構成では、レジスタ３０２はイベントの複数の発生を特定する。他のビットを用いて、測定パラメータ値、補修推定日など、さらに別の情報を示しても良い。
【００４５】
マイクロプロセッサ２０２は、一例では、レジスタ３０２の一以上のビット値をコンソール１２２にプッシュまたは送る。他の一例では、コンソール１２２は、定期的にレジスタ３０２の一以上のビット値をポーリングし、または読み出す。他の一例では、リモートサービスアプリケーションまたはクライアントは、レジスタ３０２の一以上のビット値を受け取り、及び／又はレジスタ３０２の一以上のビット値を読み出す。
【００４６】
バリエーションでは、自己診断回路１１６は、ディテクタモジュール１１２Ｉの外部のイメージングシステム１００のコンポーネントを診断できる。例えば、自己診断回路１１６を用いて、放射線源１０８、ソースコリメータ１２４、高電圧ジェネレータ１２６、及び／又はディテクタモジュール１１２Ｉのその他の外部コンポーネントを診断できる。これは、間違ったコリメーション及びそれゆえ故障したソースコリメータ１２４を特定する放射線プロファイル、潜在的放射線源１０８を特定する入射ビームのエネルギー、高電圧ジェネレータ１２６、または放射線源制御問題などを評価することを含み得る。この情報は、ディテクタモジュール１１２Ｉに関する情報と同様に、ディテクタモジュール１１２Ｉにより処理でき、及び／又はディテクタモジュール１１２Ｉの外部の処理コンポーネントにより処理できる。
【００４７】
図４は、ディテクタの自己診断回路でディテクタの健康状態を診断する方法例を示す。
【００４８】
説明を短く明りょうにするため、図４の方法例はバイアス回路の電流の測定について説明されている。しかし、言うまでもなく、他のパラメータ、例えばここに説明するパラメータその他のパラメータをモニターすることができる。
【００４９】
言うまでもなく、これらの方法のステップ（ａｃｔ）の順序は限定ではない。このように、ここでは他の順序も想定できる。また、一以上のステップを削除したり、一以上の追加ステップを含めたりしてもよい。
【００５０】
ステップ４０２において、自己診断回路１１６が起動される。
【００５１】
ステップ４０４において、ディテクタモジュールのバイアス回路が電気的にデカップリングされる。
【００５２】
ステップ４０６において、バイアス回路のバイアス電流が測定される。
【００５３】
ステップ４０８において、経時的バイアス電流トレンドが生成される。例えば、劣化率（ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ  ｓｌｏｐｅ）が、バイアス電流の変化の、経時的変化に対する比率として計算され得る。
【００５４】
ステップ４１０において、推定補修日（ｅｓｔｉｍａｔｅｄ  ｄａｔｅ  ｏｆ  ｓｅｒｖｉｃｅ）がトレンドに基づき推定される。
【００５５】
ステップ４１２において、補修が今必要であるか、推定補修日に基づき決定される。
【００５６】
補修が今必要でなければ、ステップ４１４において、測定値及び／又はトレンドが記憶され、ステップ４１６において、推定補修日がコンソール１２２またはリモートサービスコンピュータに送られる。
【００５７】
サービスが今必要であれば、ステップ４１８において、補修が必要であることを示す信号がコンソール１２２またはリモートサービスコンピュータに送られる。
【００５８】
再び、上記の方法は限定ではない。この方法には、別のコンポーネント及び／又は信号は何も必要ない。しかし、他のアプローチでは別のコンポーネントを利用してもよい。例えば、バリエーションでは、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光学コンポーネントをディテクタに集積でき、所定シーケンスで発行させ、クロストーク、感度、リニアリティなどの性能及び／又は自己診断テストの結果を表示し得る。
【００５９】
他の一アプローチでは、外部電流パルスがディテクタに流され、例えば、閾値スキャン振幅に関するドリフトにアクセスする。これにより、測定ドリフトがＡＳＩＣにより生じたものか評価できる。これは、内部電流源を測定して、利得変化がテスト回路への放射線線量効果により生じている場合は絶縁すること、及びＡＳＩＣ（バイアス電流）の内部ノードを測定することを含み得る。
【００６０】
他の一アプローチでは、閾値を越えるカウント数とその経時的発展が評価される。これは、材料劣化及び／又は読み出しエレクトロニクス放射線線量効果の表示であってもよい。これは閾値スキャンを測定し、ベースラインピークの位置を評価し、ＡＳＩＣ上の電流ＡＤＣを用いて漏れ電流を直接測定することにより行い得る。
【００６１】
図５は、ディテクタモジュールの自己診断回路でディテクタモジュールの健康状態を診断する方法例を示す。
【００６２】
説明を短く明りょうにするため、図５の方法例はバイアス回路の電流の測定について説明されている。しかし、言うまでもなく、他のパラメータ、例えばここに説明するパラメータその他のパラメータをモニターすることができる。
【００６３】
言うまでもなく、これらの方法のステップ（ａｃｔ）の順序は限定ではない。このように、ここでは他の順序も想定できる。また、一以上のステップを削除したり、一以上の追加ステップを含めたりしてもよい。
【００６４】
ステップ５０２において、自己診断回路１１６が起動される。
【００６５】
ステップ５０４において、ディテクタモジュールのバイアス回路が電気的にデカップリングされる。
【００６６】
ステップ５０６において、バイアス回路のデカップリングされたバイアス電流が測定される。
【００６７】
ステップ５０８において、測定されたバイアス電流が所定バイアス電流閾値または範囲を満たすか、決定する。
【００６８】
ステップ５１０において、バイアス電流レジスタビットが、決定の結果に基づき設定される。
【００６９】
本発明を好ましい実施形態を参照して説明した。前述の詳細な説明を読んで理解すれば、修正と変更に想到することができる。本発明は、添付した請求項とその均等の範囲内に入るこのような修正案及び代替案をすべて含むものと解釈しなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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