(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極形成面の第一方向および第二方向に沿ってそれぞれ延びる複数の帯状電極を互いに交差させて格子状の単位電極パターンを形成し、該単位電極パターンが多数連接して設けられてなる第一電極パターン領域および第二電極パターン領域を少なくとも有する電極であって、
第一電極パターン領域および第二電極パターン領域は、隣接部分において互いに隣接して配されるとともに電気的に分離され、
前記隣接部分において、前記第一電極パターン領域の帯状電極の端部と、前記第二電極パターン領域の帯状電極の端部とが、前記電極形成面の前記第一方向および前記第二方向に交差する方向において互いに重なる重複部分を有することを特徴とする電極。
【請求項２】
前記帯状電極における前記重複部分は、それ以外の部分よりも厚みまたは幅の少なくとも１つが減じられてなることを特徴とする請求項１記載の電極。
【請求項３】
前記帯状電極における前記重複部分は、点線状に形成されることを特徴とする請求項１または２記載の電極。
【請求項４】
透明基材と、該透明基材に形成された、請求項１ないし３いずれか一項記載の電極と、を備えたことを特徴とするタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極およびタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの発達に伴って、コンピュータの補助装置も共に開発されている。パーソナルコンピュータ、携帯用送信装置、その他の個人用の情報処理装置などは、キーボード、マウスなどの種々の入力装置（Ｉｎｐｕｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）により、テキストおよびグラフィック処理が行われる。
【０００３】
しかし、情報化社会の急速な発達により、コンピュータの用途が益々拡大する傾向にあるため、キーボードやマウスだけでは、効率的に装置を駆動させることが難しくなりつつある。そこで、誤操作が少なく、誰でも簡単に情報を入力することができる機器の必要性が高まっている。
【０００４】
また、入力装置に関する技術は、一般的な機能を満たす水準を越えて、高信頼性、耐久性、革新性、設計および加工に関する技術などが注目されている。このような目的を達成するために、テキスト、グラフィックなどの情報入力が可能な入力装置としてタッチパネル（Ｔｏｕｃｈ  Ｐａｎｅｌ）が開発されている。
【０００５】
タッチパネルは、電子手帳、液晶表示装置、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  
Ｐａｎｅｌ）、Ｅｌ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）などの平板ディスプレイ装置およびＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）などのディスプレイの表示面に設けられ、ユーザがディスプレイを見ながら所望の情報を選択するために利用される機器である。
【０００６】
タッチパネルの種類は、抵抗膜方式、静電容量方式、電磁方式、表面弾性波方式および赤外線方式に区分される。このようなタッチパネルは、信号増幅の問題、解像度の差、設計および加工技術の難易度、光学的特性、電気的特性、機械的特性、耐環境特性、入力特性、耐久性、経済性などを考慮して電子製品に採用される。現在、最も幅広い分野で用いられているタッチパネルは、抵抗膜方式タッチパネルおよび静電容量方式タッチパネルである。
【０００７】
また、タッチパネルに関して、金属を用いて電極パターンを形成する方法が開発されている。金属で電極パターンを形成すると、電極パターンは優れた電気伝導度を有する。また、タッチパネルには、優れた電気伝導度とともに、優れた視認性が求められている。タッチパネルの視認性を向上する方法としては、特許文献１、２に記載されている方法などが知られている。
【０００８】
このような電極パターンは、互いに電気的に切り離された２つ以上の電極パターンを隣接して配置する場合がある。この場合、互いに隣接する電極パターンどうしの間は、電極パターンが存在しないため、この部分が周囲の電極パターン形成部分と比べて光透過率が高くなり、結果として表示画面のコントラストが不均一になり、視認性が低下する虞がある。
特許文献３に記載された発明では、こうした互いに隣接する電極パターンどうしの間の部分の視認性を改善するために、互いに隣接する第一電極と第二電極の格子の配列パターンや数を予め定めた規則に従って形成することで、視認性を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１４−６３４６５号公報
【特許文献２】特開２０１４−６３４６８号公報
【特許文献３】特開２０１１−０５９７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１、２に記載されている構成では、電極パターンを形成するために、高い印刷精度が求められる。そこで、印刷精度を高くするために、電極パターンの辺同士の間隔を広げることが考えられる。しかし、格別高い解像度が求められるものを除いて、電極パターンの辺同士の間隔を広げても問題ないが、辺同士の間隔を広げすぎると、人間が電極パターンを目視により確認し易く（視認性が悪く）なる。そのため、むやみに電極パターンの辺同士の間隔を広げればよいというものではない。
また、特許文献３に記載されている構成は、第一電極と第二電極の格子の繰り返し配列パターンが互いに同一であるため、視認性が良くないという課題があった。視認性を改善するために、例えば、切欠きなどを形成したとしても、電極の印刷不良などによる電気的な短絡の発生を抑制するために、これら第一電極と第二電極との間を離間させる必要がある。このため、離間させた部分の視認性が低下し、視認性の向上と、電極の印刷不良による短絡の解消とを両立させることが困難であった。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、形成が容易で、かつ、電極パターンの視認性を高めることができる電極およびタッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の電極は、電極形成面の第一方向および第二方向に沿ってそれぞれ延びる複数の帯状電極を互いに交差させて格子状の単位電極パターンを形成し、該単位電極パターンが多数連接して設けられてなる第一電極パターン領域および第二電極パターン領域を少なくとも有する電極であって、第一電極パターン領域および第二電極パターン領域は、隣接部分において互いに隣接して配されるとともに電気的に分離され、前記隣接部分において、前記第一電極パターン領域の帯状電極の端部と、前記第二電極パターン領域の帯状電極の端部とが、前記電極形成面の前記第一方向および前記第二方向に交差する方向において互いに重なる重複部分を有することを特徴とする。
【００１３】
前記帯状電極における前記重複部分は、それ以外の部分よりも厚みまたは幅の少なくとも１つが減じられてなることを特徴とする。
【００１４】
前記帯状電極における前記重複部分は、点線状に形成されることを特徴とする。
【００１５】
本発明のタッチパネルは、透明基材と、該透明基材に形成された、前記各項記載の電極と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、形成が容易で、かつ、電極パターンの視認性を高めることができる電極およびタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第一実施形態のタッチパネル用電極およびタッチパネルを示す概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】図１のＤ領域を拡大した要部拡大平面図である。
【図４】第二実施形態のタッチパネル用電極およびタッチパネルを示す要部拡大平面図である。
【図５】第三実施形態のタッチパネル用電極およびタッチパネルを示す要部拡大平面図である。
【図６】第四実施形態のタッチパネル用電極およびタッチパネルを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の電極およびタッチパネルの実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
以下、本発明の電極の一実施形態として、タッチパネル向けの電極と、この電極を備えたタッチパネルを例示して説明する。
【００１９】
（第一実施形態）
図１は、第一実施形態におけるタッチパネル向けの電極を備えたタッチパネルを示す概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図３は、図１中の点線Ｄで囲まれた領域を拡大した平面図である。
本実施形態のタッチパネル１０は、透明基材（基板）２０と、この透明基材２０の一面である電極形成面２０ａに形成されたタッチパネル用電極（電極）５０とを備えている。タッチパネル用電極５０は、複数本の帯状電極３０を互いに交差させて形成したパターン電極からなる。なお、透明基材（基板）２０の下部（下層）には、例えば、液晶表示パネル（図示略）などか配置される。
【００２０】
帯状電極３０は、第一方向（本実施形態ではＬ１方向と称する）に沿って延びる複数の帯状電極３０ａと、第二方向（本実施形態ではＬ２方向と称する）に沿って延びる複数の帯状電極３０ｂとが角度θで交差して、格子状のタッチパネル用電極５０を形成している。即ち、矩形の単位電極パターンＳを多数連接して設けることによって、格子状のタッチパネル用電極５０を形成している。本実施形態においては、角度θは、例えば９０°であり、帯状電極３０ａと帯状電極３０ｂとが直交してなり、メッシュ（Ｍｅｓｈ）構造（網目構造）をなすタッチパネル用電極５０を構成している。
【００２１】
タッチパネル用電極５０は、電極形成面２０ａ上において、互いに隣接して配置された２つの電極パターン領域である第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２からなる。第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２とは、互いに電気的に分離されている。即ち、第一電極パターン領域Ｅ１の帯状電極３０と、第二電極パターン領域Ｅ２の帯状電極３０とは、相互に接続されていない。なお、これら第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２は、実際に電圧が印加される電極パターンであっても、ダミーの電極パターンであってもよい。
【００２２】
第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２が互いに対面（隣接）する側において、第一電極パターン領域Ｅ１を構成する帯状電極３０の端部３０ｅと、第二電極パターン領域Ｅ２を構成する帯状電極３０の端部３０ｅは、第一方向Ｌ１および第二方向Ｌ２に交差する方向において互いに重なる重複部分３０Ｗを形成する。
【００２３】
例えば、図３に示すように、第一方向Ｌ１および第二方向Ｌ２に対して交差し、かつ電極形成面２０ａに沿った方向を示す矢印Ｖから、第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２との隣接部分を見た時に、それぞれの帯状電極３０の端部３０ｅどうしは、互いに重なり合う重複部分３０Ｗを形成する。
【００２４】
こうした重複部分３０Ｗは、帯状電極３０と一体に形成された帯状電極３０の端部３０ｅを含む領域を成す。即ち、重複部分３０Ｗは、互いに同一ピッチで形成された第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２の位相をずらし、かつ互いに接近させたものである。
なお、本実施形態では、第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２の帯状電極３０の形成ピッチを同一としているが、第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２の帯状電極３０の形成ピッチを互いに変えることによって、重複部分３０Ｗを形成することもできる。
【００２５】
このような構成のタッチパネル１０によれば、互いに電気的に分離された第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２との隣接部分に、互いの帯状電極３０の端部３０ｅを重複させた重複部分３０Ｗを形成することで、電極パターンどうしの隣接部分の視認性が、その周辺部分よりも低下することを防止できる。これにより、タッチパネル１０に表示される画像などをより鮮明に見ることができ、タッチパネル１０の視認性を向上させることが可能になる。
【００２６】
透明基材２０としては、例えば、ポリチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）フィルム、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）フィルム、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）フィルム、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、二軸延伸ポリスチレン（Ｋ樹脂含有ｂｉａｘｉａｌｌｙ  ｏｒｉｅｎｔｅｄ  ＰＳ；ＢＯＰＳ）、ガラスまたは強化ガラスなどからなる基材が挙げられる。
また、透明基材２０と、タッチパネル用電極５０との接着力を向上させるために、透明基材２０に高周波処理またはプライマー（Ｐｒｉｍｅｒ）処理を施してもよい。  
【００２７】
帯状電極３０は、例えば、導電回路の形成に用いられる導電性のインクから構成されている。導電性のインクとしては、例えば、ポリマー型導電インク、銀インク組成物、市販の金属ペースト、金属ナノインク、金属錯体インク等が用いられる。
また、導電性のインクとしては、帯状電極３０の幅や厚さよりも粒子径が小さい金属粒子を含むものを用いることが好ましい。
なお、帯状電極３０は導電インクを用いた形成に限定されない。例えば、エッチングによる導電体の形成、導電材料の蒸着による導電体の形成、スパッタリングによる導電体の形成など、公知の導電体の形成方法を採用することができる。
【００２８】
ポリマー型導電インクとしては、例えば、銀粉末、金粉末、白金粉末、アルミニウム粉末、パラジウム粉末、ロジウム粉末、カーボン粉末（カーボンブラック、カーボンナノチューブ等）等の導電微粒子が樹脂組成物に配合されたものが挙げられる。
【００２９】
樹脂組成物として熱硬化型樹脂を用いれば、ポリマー型導電インクは、２００℃以下、例えば１００〜１５０℃程度で導電回路をなす塗膜を形成することができる熱硬化型となる。
また、本実施形態におけるポリマー型導電インクとしては、熱硬化型の他にも、光硬化型、浸透乾燥型、溶剤揮発型といった公知のものが用いられる。
【００３０】
光硬化型のポリマー型導電インクは、光硬化性樹脂を樹脂組成物に含むものであり、硬化時間が短いので、製造効率を向上させることができる。光硬化型のポリマー型導電インクとしては、例えば、熱可塑性樹脂のみ、あるいは熱可塑性樹脂と架橋性樹脂（特にポリエステルとイソシアネートによる架橋系樹脂等）とのブレンド樹脂組成物に、導電微粒子が６０質量％以上配合され、ポリエステル樹脂が１０質量％以上配合されたもの、すなわち、溶剤揮発型かあるいは架橋／熱可塑併用型（ただし熱可塑型が５０質量％以上である）のものや、熱可塑性樹脂のみ、あるいは熱可塑性樹脂と架橋性樹脂（特にポリエステルとイソシアネートによる架橋系樹脂等）とのブレンド樹脂組成物に、ポリエステル樹脂が１０質量％以上配合されたもの、すなわち、架橋型かあるいは架橋／熱可塑併用型のもの等が好適に用いられる。
【００３１】
銀インク組成物としては、例えば、後述する金属銀の形成材料が配合されてなるものが用いられる。
本実施形態では、透明基材２０の電極形成面２０ａ上に付着させた銀インク組成物を固化処理することにより、導電回路を形成する。
固化処理は、後述するように透明基材２０の電極形成面２０ａ上に付着させた銀インク組成物を加熱（焼成）処理することにより行う。
【００３２】
銀インク組成物において、金属銀の形成材料に由来する銀の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。このような範囲であることで、後述する方法で形成された導電回路は、より品質の優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本実施形態の効果を損なわない限り特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると２５質量％であることが好ましい。
なお、本明細書において、「金属銀の形成材料に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物の製造時に配合された金属銀の形成材料中の銀を意味し、配合後に引き続き金属銀の形成材料を構成している銀と、配合後に金属銀の形成材料が分解して生じた分解物中の銀および銀自体と、の両方を含む概念とする。
【００３３】
前記金属銀の形成材料は、加熱等によって分解し、金属銀を形成するものである。
本実施形態において、金属銀の形成材料は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【００３４】
［カルボン酸銀］
金属銀の形成材料としては、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀を例示できる。
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【００３５】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある。）および下記一般式（２）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（２）」と略記することがある。）からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。
【００３６】
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」および「カルボン酸銀（２）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【００３７】
【化１】
0006481236.tif 000002
【００３８】
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基もしくはフェニル基、水酸基、アミノ基、または一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」もしくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基であり；
Ｙはそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子または水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基またはフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基または式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基もしくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、または一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」もしくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、または１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基もしくはジフェニル基である。）
【００３９】
【化２】
0006481236.tif 000003
【００４０】
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基または式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【００４１】
（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基もしくはフェニル基、水酸基、アミノ基、または一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」もしくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基である。
【００４２】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状および環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。
また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基および不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を例示できる。
【００４３】
Ｒにおける直鎖状または分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基を例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基を例示できる。
【００４４】
Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基を例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基を例示できる。
【００４５】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子を例示できる。また、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、全ての置換基が同一であってもよいし、全ての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【００４６】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和または不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等を例示でき、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。
【００４７】
ＲにおけるＹは、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子または水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」および「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」においては、それぞれ複数個のＹは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４８】
ＲにおけるＲ１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基またはフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）であり、Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。
ＲにおけるＲ４およびＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４およびＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。
ＲにおけるＲ６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基または式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。
【００４９】
Ｒは、上記の中でも、直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基、水酸基またはフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ６は、直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基または式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。
【００５０】
一般式（１）において、Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基もしくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、または一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」もしくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。
【００５１】
Ｘにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を例示できる。
Ｘにおけるフェニル基およびベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等を例示でき、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００５２】
ＸにおけるＲ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、または１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基もしくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ７における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。また、Ｒ７におけるフェニル基およびジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等を例示でき、置換基の数および位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ７がチエニル基またはジフェニル基である場合、これらの、Ｘにおいて隣接する基または原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基および３−チエニル基のいずれでもよい。
【００５３】
一般式（１）において、２個のＸは、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基を例示できる。
【００５４】
Ｘは、上記の中でも、水素原子、直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキル基、またはベンジル基であることが好ましく、少なくとも一方のＸが水素原子であることが好ましい。
【００５５】
前記β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、またはアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。
【００５６】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【００５７】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０℃〜２１０℃、より好ましくは６０℃〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【００５８】
本実施形態において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【００５９】
（カルボン酸銀（２））
カルボン酸銀（２）は、前記一般式（２）で表される。
式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）または式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものを例示できる。ただし、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【００６０】
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ２−）を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数および位置は特に限定されず、全てのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ２−」で表される基も含むものとする。
【００６１】
カルボン酸銀（２）は、ピルビン酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）３−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）５−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、またはマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）およびマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。
【００６２】
カルボン酸銀（２）も、β−ケトカルボン酸銀（１）と同様に、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【００６３】
本実施形態において、カルボン酸銀（２）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【００６４】
［含窒素化合物］
前記銀インク組成物は、特に金属銀の形成材料が前記カルボン酸銀である場合、金属銀の形成材料以外に、さらに、炭素数２５以下のアミン化合物および第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物またはアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される１種以上の含窒素化合物（以下、単に「含窒素化合物」と略記することがある。）が配合されてなるものが好ましい。
【００６５】
以下、炭素数２５以下のアミン化合物を「アミン化合物」、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩を「第４級アンモニウム塩」、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩を「アミン化合物由来のアンモニウム塩」、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩を「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある。
【００６６】
（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミンおよび第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４〜２５である。前記アミン化合物および第４級アンモニウム塩は、鎖状および環状のいずれでもよい。また、アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
【００６７】
前記第１級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等を例示できる。
【００６８】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものを例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
【００６９】
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミンを例示できる。
【００７０】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等を例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００７１】
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子を例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、全て同じでもよいし、全て異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状および多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
【００７２】
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基を例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
【００７３】
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基を例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基を例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基を例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基を例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基を例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基を例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基を例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個および窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基を例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
【００７４】
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミンまたはモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものを例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタンを例示できる。
【００７５】
前記第２級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等を例示できる。
【００７６】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン１分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミンを例示できる。
【００７７】
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン１分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００７８】
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン１分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００７９】
前記第３級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等を例示できる。
【００８０】
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン１分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、全てが同じでもよいし、全てが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンを例示できる。
【００８１】
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００８２】
本実施形態において、前記第４級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等を例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。
また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム１分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、全てが同じでもよいし、全てが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミドを例示できる。
【００８３】
ここまでは、主に鎖状のアミン化合物および第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物および第４級アンモニウム塩は、アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状および多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環および芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンを例示できる。
【００８４】
前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミンおよび第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位またはアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子の全てが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基は全て同じでもよいし、全て異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【００８５】
前記アミン化合物および第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等を例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を例示できる。
【００８６】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンを例示できる。
【００８７】
また、置換基である前記アリール基およびアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンを例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を例示できる。
【００８８】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミンを例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を例示できる。
【００８９】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基またはアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンを例示できる。
【００９０】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミンまたはＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
また、後述する二酸化炭素供給時において、銀インク組成物（第二の混合物）中の成分がより均一に分散して、品質が安定することから、前記アミン化合物は分岐鎖状のアルキル基を有するものが好ましい。
【００９１】
（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本実施形態において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
【００９２】
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等を例示できるが、これらに限定されない。
【００９３】
（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本実施形態において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものを例示できる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、塩化アンモニウム等を例示できるが、これに限定されない。
【００９４】
本実施形態においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩およびアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【００９５】
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩およびアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【００９６】
銀インク組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．４〜１５モルであることが好ましく、０．８〜５モルであることがより好ましい。
前記含窒素化合物の配合量を上記のように規定することで、銀インク組成物は安定性がより向上し、導電回路の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電回路を形成できる。
【００９７】
［還元剤］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらに還元剤が配合されてなるものでもよい。還元剤を配合することで、前記銀インク組成物は、金属銀をより形成し易くなり、例えば、低温での加熱処理でも十分な導電性を有する金属銀（導電体）を形成できる。
【００９８】
そして、前記還元剤は、シュウ酸、ヒドラジンおよび下記一般式（３）で表される化合物（以下、「化合物（３）」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上の還元性化合物（以下、単に「還元性化合物」と略記することがある）であることが好ましい。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・（３）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基もしくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基またはアミノ基である。）
【００９９】
（還元性化合物）
前記還元性化合物は、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２）および前記一般式（３）で表される化合物（化合物（３））からなる群から選択される１種以上のものである。すなわち、配合される還元性化合物は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【０１００】
式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基もしくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基またはアミノ基である。
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものを例示できる。
【０１０１】
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルコキシ基は、炭素数が１〜２０であり、Ｒ２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基を例示できる。
【０１０２】
Ｒ２１における炭素数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、該アルキル基はそれぞれ炭素数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、炭素数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものを例示できる。
【０１０３】
前記還元性化合物として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
【０１０４】
前記還元性化合物は、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）、ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３）、プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）２ＣＨ３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）４ＣＨ３）、ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ３）２）またはシュウ酸であることが好ましい。
【０１０５】
銀インク組成物において、還元剤の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０４〜３．５モルであることが好ましく、０．０６〜２．５モルであることがより好ましい。このように規定することで、銀インク組成物は、より容易に、より安定して導電回路を形成できる。
【０１０６】
［アルコール］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらにアルコールが配合されてなるものが好ましい。
【０１０７】
前記アルコールは、下記一般式（４）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（４）」と略記することがある）であることが好ましい。
アセチレンアルコール（４）は、上述の銀インク組成物の加熱処理により、黒色層を形成する成分として好適である。
【０１０８】
【化３】
0006481236.tif 000004
【０１０９】
（式中、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、または１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
【０１１０】
（アセチレンアルコール（４））
アセチレンアルコール（４）は、前記一般式（４）で表される。
式中、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、または１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’およびＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。Ｒ’およびＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものを例示できる。
【０１１１】
Ｒ’およびＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和または不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等を例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数および位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１１２】
Ｒ’およびＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【０１１３】
好ましいアセチレンアルコール（４）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールを例示できる。
【０１１４】
銀インク組成物において、アセチレンアルコール（４）の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０３モル〜０．７モルであることが好ましく、０．０５モル〜０．５モルであることがより好ましい。このような範囲とすることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。また、このような範囲とすることにより後述する固化処理において、導電回路において、黒色層と金属光沢色層を形成し易くなる。
【０１１５】
前記アルコールは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合で、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【０１１６】
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物、還元剤およびアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されず、好ましいものとしては、アルコール以外の溶媒を例示でき、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。
銀インク組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合で、その組み合わせおよび比率は、任意に調節できる。
【０１１７】
銀インク組成物中の成分は、全て溶解していてもよいし、一部または全てが溶解していなくてもよいが、溶解していない成分は、均一に分散されていることが好ましい。
【０１１８】
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、および前記金属銀の形成材料以外の成分を配合することで得られる。
各成分の配合時には、全ての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、全ての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子または撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
【０１１９】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５℃〜３０℃であることが好ましい。
また、配合時間（混合時間）も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、５分〜１２０分であることが好ましい。
【０１２０】
［二酸化炭素］
銀インク組成物は、さらに二酸化炭素が供給されてなるものでもよい。このような銀インク組成物は高粘度となり、例えば、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等の、インクを厚盛りすることが必要な印刷法への適用に好適である。
【０１２１】
二酸化炭素は、銀インク組成物製造時のいずれの時期に供給してもよい。
そして、本実施形態においては、例えば、前記金属銀の形成材料および含窒素化合物が配合されてなる第一の混合物に、二酸化炭素を供給して第二の混合物とし、前記第二の混合物に、さらに、前記還元剤を配合して、銀インク組成物を製造することが好ましい。また、前記アルコールまたはその他の成分を配合する場合、これらは、第一の混合物および第二の混合物のいずれか一方または両方の製造時に配合でき、目的に応じて任意に選択できる。
【０１２２】
前記第一の混合物は、配合成分が異なる点以外は、上記の銀インク組成物と同様の方法で製造できる。
【０１２３】
第一の混合物は、配合成分が全て溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分が全て溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１２４】
第一の混合物製造時の配合温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５℃〜３０℃であることが好ましい。また、配合時間は、配合成分の種類や配合時の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、０．５時間〜１２時間であることが好ましい。
【０１２５】
第一の混合物に供給される二酸化炭素（ＣＯ２）は、ガス状および固形状（ドライアイス）のいずれでもよく、ガス状および固形状の両方でもよい。二酸化炭素が供給されることにより、この二酸化炭素が第一の混合物に溶け込み、第一の混合物中の成分に作用することで、得られる第二の混合物の粘度が上昇すると推測される。
【０１２６】
二酸化炭素ガスの供給は、液体中にガスを吹き込む公知の各種方法で行えばよく、適した供給方法を適宜選択すればよい。例えば、配管の一端を第一の混合物中に浸漬し、他端を二酸化炭素ガスの供給源に接続して、この配管を通じて二酸化炭素ガスを第一の混合物に供給する方法を例示できる。この時、配管の端部から直接二酸化炭素ガスを供給してもよいが、例えば、多孔質性のもの等、ガスの流路となり得る空隙部が多数設けられ、導入されたガスを拡散させて微小な気泡として放出することが可能なガス拡散部材を配管の端部に接続し、このガス拡散部材を介して二酸化炭素ガスを供給してもよい。また、第一の混合物の製造時と同様の方法で、第一の混合物を撹拌しながら二酸化炭素ガスを供給してもよい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
【０１２７】
二酸化炭素ガスの供給量は、供給先の第一の混合物の量や、目的とする銀インク組成物または第二の混合物の粘度に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、２０℃〜２５℃における粘度（超音波方式粘度計による）が５Ｐａ・ｓ以上である銀インク組成物を１００ｇ〜１０００ｇ程度得るためには、二酸化炭素ガスを１００Ｌ以上供給することが好ましく、２００Ｌ以上供給することがより好ましい。なお、ここでは銀インク組成物の２０℃〜２５℃における粘度について説明したが、銀インク組成物の使用時の温度は、２０℃〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１２８】
二酸化炭素ガスの流量は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量を考慮して適宜調節すればよいが、第一の混合物１ｇあたり０．５ｍＬ／分以上であることが好ましく、１ｍＬ／分以上であることがより好ましい。流量の上限値は特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると、混合物１ｇあたり４０ｍＬ／分であることが好ましい。
そして、二酸化炭素ガスの供給時間は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量や、流量を考慮して適宜調節すればよい。
【０１２９】
二酸化炭素ガス供給時の第一の混合物の温度は、５℃〜７０℃であることが好ましく、７℃〜６０℃であることがより好ましく、１０℃〜５０℃であることが特に好ましい。下限値以上とすることで、より効率的に二酸化炭素を供給でき、上限値以下とすることで、不純物が少ないより良好な品質の銀インク組成物が得られる。
【０１３０】
二酸化炭素ガスの流量および供給時間、並びに二酸化炭素ガス供給時の前記温度は、それぞれの値を相互に考慮しながら適した範囲に調節すればよい。例えば、前記温度を低めに設定しても、二酸化炭素ガスの流量を多めに設定するか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
【０１３１】
また、二酸化炭素ガスの流量を少なめに設定しても、前記温度を高めにするか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。すなわち、二酸化炭素ガスの流量、二酸化炭素ガス供給時の前記温度として例示した上記数値範囲の中の数値を、二酸化炭素ガスの供給時間も考慮しつつ柔軟に組み合わせることで、良好な品質の銀インク組成物が効率的に得られる。
【０１３２】
二酸化炭素ガスの供給は、第一の混合物を撹拌しながら行うことが好ましい。このようにすることで、供給した二酸化炭素ガスがより均一に第一の混合物中に拡散し、より効率的に二酸化炭素を供給できる。
この時の撹拌方法は、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物の製造時における前記混合方法の場合と同様でよい。
【０１３３】
ドライアイス（固形状二酸化炭素）の供給は、第一の混合物中にドライアイスを添加することで行えばよい。ドライアイスは、全量を一括して添加してもよいし、分割して段階的に（添加を行わない時間帯を挟んで連続的に）添加してもよい。
ドライアイスの使用量は、上記の二酸化炭素ガスの供給量を考慮して調節すればよい。
ドライアイスの添加中および添加後は、第一の混合物を撹拌することが好ましく、例えば、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物の製造時と同様の方法で撹拌することが好ましい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
撹拌時の温度は、二酸化炭素ガス供給時と同様でよい。また、撹拌時間は、撹拌温度に応じて適宜調節すればよい。
【０１３４】
第二の混合物の粘度は、銀インク組成物または第二の混合物の取り扱い方法等、目的に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、銀インク組成物をスクリーン印刷法、凹版印刷（グラビア印刷）法等の高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、第二の混合物の２０℃〜２５℃における粘度（超音波方式粘度計による）は、３Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。なお、ここでは第二の混合物の２０℃〜２５℃における粘度について説明したが、第二の混合物の使用時の温度は、２０℃〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１３５】
前記第二の混合物には、さらに、前記還元剤を配合して、銀インク組成物とする。
このときの銀インク組成物は、配合成分が異なる点以外は、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物と同様の方法で製造できる。そして、得られた銀インク組成物は、配合成分が全て溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分が全て溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１３６】
前記還元性化合物配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５℃〜６０℃であることが好ましい。また、配合時間は、配合成分の種類や配合時の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、０．５時間〜１２時間であることが好ましい。
【０１３７】
前記その他の成分は、先に説明したように、前記第一の混合物および第二の混合物のいずれかの製造時に配合されてもよく、両方の製造時に配合されてもよい。すなわち、第一の混合物および第二の混合物を経て銀インク組成物を製造する過程において、二酸化炭素以外の配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率（［その他の成分（質量）］／［金属銀の形成材料、含窒素化合物、還元剤、アルコール、およびその他の成分（質量）］×１００）は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【０１３８】
例えば、還元剤の配合時には、得られる配合物（銀インク組成物）は比較的発熱し易い。そして、還元剤の配合時の温度が高い場合、この配合物は、後述する銀インク組成物の加熱処理時と同様の状態になるため、還元剤による前記カルボン酸銀の分解促進作用によって、前記カルボン酸銀の少なくとも一部において金属銀の形成が開始されることがあると推測される。このような金属銀を含有する銀インク組成物は、導電回路形成時において、金属銀を含有しない銀インク組成物よりも温和な条件で後処理を行うことにより、導電回路を形成できることがある。
【０１３９】
また、還元剤の配合量が十分に多い場合にも、同様に温和な条件で後処理を行うことにより、導電回路を形成できることがある。このように、前記カルボン酸銀の分解を促進する条件を採用することで、後処理として、より低温での加熱処理で、あるいは加熱処理を行わずに常温での乾燥処理のみで、導電回路を形成できることがある。また、このような金属銀を含有する銀インク組成物は、金属銀を含有しない銀インク組成物と同様に取り扱うことができ、特に取り扱い性が劣ることもない。
【０１４０】
本実施形態においては、還元剤を滴下しながら配合することが好ましく、さらに滴下速度の変動を抑制することで、導電回路の表面粗さをより低減できる傾向にある。
【０１４１】
また、本実施形態においては、前記金属銀の形成材料、アルコールおよび含窒素化合物が配合されてなる混合物に、二酸化炭素を供給して、銀インク組成物を製造することも好ましい。この場合、二酸化炭素の供給方法としては、前記と同様の方法が採用できる。
【０１４２】
二酸化炭素が供給されてなる銀インク組成物は、例えば、銀インク組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、２０℃〜２５℃における粘度（超音波方式粘度計による）が、１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
【０１４３】
導電回路形成工程においては、透明基材２０の電極形成面２０ａ上に付着させる銀インク組成物の量、または銀インク組成物における前記金属銀の形成材料の配合量を調節することで、導電回路の厚さを調節できる。
【０１４４】
透明基材２０の電極形成面２０ａ上に付着させた銀インク組成物を固化処理する場合には、公知の方法で行えばよく、例えば、乾燥処理は、常圧下、減圧下および送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下および不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥および常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、１８℃〜３０℃で大気下において乾燥させる方法を例示できる。
【０１４５】
透明基材２０の電極形成面２０ａ上に付着させた銀インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が５０℃〜５００℃であることが好ましく、７０℃〜３００℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、５秒〜１２時間であることが好ましく、１分〜５時間であることがより好ましい。前記金属銀の形成材料の中でも前記カルボン酸銀、特に、β−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀の形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。
【０１４６】
銀インク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、常圧下および減圧下のいずれで行ってもよい。
【０１４７】
銀インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行う場合には、相対湿度１０％以上の雰囲気下で行うことが好ましく、相対湿度６０％以上の雰囲気下で行うことがより好ましく、相対湿度８０％以上の雰囲気下で行うことが特に好ましく、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、短時間で抵抗値が低い（導電性に優れた）導電回路を形成できる。
【０１４８】
銀インク組成物の加熱処理は、二段階で行ってもよい。例えば、一段階目の加熱処理では、導電回路の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、導電回路の形成を最後まで行う方法を例示できる。
【０１４９】
一段階目の加熱処理において、加熱温度は、インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、５０℃〜５００℃であることが好ましく、７０℃〜３００℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、５秒〜１２時間であることが好ましく、１分〜５時間であることがより好ましい。
【０１５０】
二段階目の加熱処理において、加熱温度は、導電回路が良好に形成されるように、インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０℃〜３５０℃であることが好ましく、７０℃〜２５０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分〜１２時間であることが好ましく、１分〜１０時間であることがより好ましい。
【０１５１】
以上のような構成の本実施形態のタッチパネル用電極５０を備えたタッチパネル１０によれば、互いに電気的に分離された第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２との隣接部分に、互いの帯状電極３０の端部３０ｅを重複させた重複部分３０Ｗが形成される。こうした重複部分３０Ｗによって、電極パターンどうしの隣接部分の視認性が、その周辺部分よりも低下することを防止でき、タッチパネル１０に表示される画像などをより鮮明に見ることができる。よって、タッチパネル１０の視認性を向上させることが可能になる。
【０１５２】
（第二実施形態）
図４は、本発明の第二実施形態のタッチパネル向けの電極を備えたタッチパネルを示す要部拡大平面図である。なお、以下の第二実施形態の説明において、前述した第一実施形態のタッチパネル用電極を備えたタッチパネルと同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態のタッチパネル６０は、透明基材（基板）２０と、この透明基材２０の一面である電極形成面２０ａに形成されたタッチパネル用電極（電極）７０とを備えている。タッチパネル用電極７０は、複数本の帯状電極８０を互いに交差させて形成したパターン電極からなる。
【０１５３】
帯状電極８０は、第一方向Ｌ１に沿って延びる複数の帯状電極８０ａと、第二方向Ｌ２に沿って延びる複数の帯状電極８０ｂとが角度θで交差して、格子状のタッチパネル用電極７０を形成している。即ち、矩形の単位電極パターンＳを多数連接して設けることによって、格子状のタッチパネル用電極７０を形成している。本実施形態においては、角度θは、例えば９０°であり、帯状電極８０ａと帯状電極８０ｂとが直交してなり、メッシュ（Ｍｅｓｈ）構造（網目構造）をなすタッチパネル用電極７０を構成している。
【０１５４】
タッチパネル用電極７０は、電極形成面２０ａ上において、互いに隣接して配置された２つの電極パターン領域である第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２からなる。第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２とは、互いに電気的に分離されている。
【０１５５】
第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２が互いに対面（隣接）する側において、第一電極パターン領域Ｅ１を構成する帯状電極８０の端部８０ｅと、第二電極パターン領域Ｅ２を構成する帯状電極８０の端部８０ｅは、第一方向Ｌ１および第二方向Ｌ２に交差する方向において互いに重なる重複部分８０Ｗを形成する。
【０１５６】
本実施形態においては、帯状電極８０の端部８０ｅは、点状の導電体を第一方向Ｌ１や第二方向Ｌ２に沿って配列させた点線状に形成されている。こうした点線状に形成される帯状電極８０の端部８０ｅは、その点状の導電体どうしの形成間隔やサイズは、任意に選択することができる。
【０１５７】
このような構成のタッチパネル６０によれば、互いに電気的に分離された第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２との隣接部分に、点線状に形成した帯状電極８０の端部８０ｅを重複させた重複部分８０Ｗを形成することで、電極パターンどうしの隣接部分の視認性が、その周辺部分よりも低下することを防止できる。これにより、タッチパネル６０に表示される画像などをより鮮明に見ることができ、タッチパネル６０の視認性を向上させることが可能になる。
【０１５８】
（第三実施形態）
図５は、本発明の第三実施形態のタッチパネル向けの電極を備えたタッチパネルを示す要部拡大平面図である。なお、以下の第三実施形態の説明において、前述した第一実施形態のタッチパネル用電極を備えたタッチパネルと同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態のタッチパネル９０は、透明基材（基板）２０と、この透明基材２０の一面である電極形成面２０ａに形成されたタッチパネル用電極（電極）１００とを備えている。タッチパネル用電極１００は、複数本の帯状電極１１０を互いに交差させて形成したパターン電極からなる。
【０１５９】
帯状電極１１０は、第一方向Ｌ１に沿って延びる複数の帯状電極１１０ａと、第二方向Ｌ２に沿って延びる複数の帯状電極１１０ｂとが角度θで交差して、格子状のタッチパネル用電極１００を形成している。即ち、矩形の単位電極パターンＳを多数連接して設けることによって、格子状のタッチパネル用電極１００を形成している。本実施形態においては、角度θは、例えば９０°であり、帯状電極１１０ａと帯状電極１１０ｂとが直交してなり、メッシュ（Ｍｅｓｈ）構造（網目構造）をなすタッチパネル用電極１００を構成している。
【０１６０】
タッチパネル用電極１００は、電極形成面２０ａ上において、互いに隣接して配置された２つの電極パターン領域である第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２からなる。第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２とは、互いに電気的に分離されている。
【０１６１】
第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２が互いに対面（隣接）する側において、第一電極パターン領域Ｅ１を構成する帯状電極１１０の端部１１０ｅと、第二電極パターン領域Ｅ２を構成する帯状電極１１０の端部１１０ｅは、第一方向Ｌ１および第二方向Ｌ２に交差する方向において互いに重なる重複部分１１０Ｗを形成する。
【０１６２】
本実施形態においては、重複部分１１０Ｗを構成する帯状電極１１０の端部１１０ｅは、それ以外の部分よりも幅が減じられている。即ち、帯状電極１１０の端部１１０ｅの幅Ｇ１は、帯状電極１１０の重複部分１１０Ｗ以外の領域における幅Ｇ２の半分のサイズ（半幅）となるように形成されている。
なお、こうした帯状電極１１０の端部１１０ｅの幅Ｇ１は、帯状電極１１０の重複部分１１０Ｗ以外の領域における幅Ｇ２よりも小さければよく、半幅に限定されない。
【０１６３】
このような構成のタッチパネル９０によれば、互いに電気的に分離された第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２との隣接部分に、帯状電極１１０の重複部分１１０Ｗ以外の領域における幅Ｇ２よりも小さい幅Ｇ１に形成した帯状電極１１０の端部１１０ｅを重複させた重複部分１１０Ｗを形成することで、電極パターンどうしの隣接部分の視認性が、その周辺部分よりも低下することを防止できる。これにより、タッチパネル９０に表示される画像などをより鮮明に見ることができ、タッチパネル９０の視認性を向上させることが可能になる。
【０１６４】
（第四実施形態）
図６は、本発明の第四実施形態のタッチパネル向けの電極を備えたタッチパネルを示す要部拡大平面図である。なお、以下の第四実施形態の説明において、前述した第一実施形態のタッチパネル用電極を備えたタッチパネルと同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態のタッチパネル１２０は、透明基材（基板）２０と、この透明基材２０の一面である電極形成面２０ａに形成されたタッチパネル用電極（電極）１３０とを備えている。タッチパネル用電極１３０は、複数本の帯状電極１４０を互いに交差させて形成したパターン電極からなる。
【０１６５】
帯状電極１４０は、第一方向Ｌ１に沿って延びる複数の帯状電極１４０ａと、第二方向Ｌ２に沿って延びる複数の帯状電極１４０ｂとが角度θで交差して、格子状のタッチパネル用電極１３０を形成している。即ち、矩形の単位電極パターンＳを多数連接して設けることによって、格子状のタッチパネル用電極１３０を形成している。本実施形態においては、角度θは、例えば９０°であり、帯状電極１４０ａと帯状電極１４０ｂとが直交してなり、メッシュ（Ｍｅｓｈ）構造（網目構造）をなすタッチパネル用電極１３０を構成している。
【０１６６】
タッチパネル用電極１３０は、電極形成面２０ａ上において、互いに隣接して配置された２つの電極パターン領域である第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２からなる。第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２とは、互いに電気的に分離されている。
【０１６７】
第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２が互いに対面（隣接）する側において、第一電極パターン領域Ｅ１を構成する帯状電極１４０の端部１４０ｅと、第二電極パターン領域Ｅ２を構成する帯状電極１４０の端部１４０ｅは、第一方向Ｌ１および第二方向Ｌ２に交差する方向において互いに重なる重複部分１４０Ｗを形成する。
【０１６８】
本実施形態においては、第一電極パターン領域Ｅ１および第二電極パターン領域Ｅ２の重複部分１４０Ｗを構成する帯状電極１４０の端部１４０ｅは、それ以外の部分よりも厚みが減じられている。即ち、帯状電極１４０の端部１４０ｅの厚みｄ１は、帯状電極１４０の重複部分１４０Ｗ以外の領域における厚みｄ２の半分となるように形成されている。
なお、こうした帯状電極１４０の端部１４０ｅの厚みｄ１は、帯状電極１４０の重複部分１４０Ｗ以外の領域における厚みｄ２よりも小さければよく、半分の厚みに限定されない。
【０１６９】
このような構成のタッチパネル１２０によれば、互いに電気的に分離された第一電極パターン領域Ｅ１と第二電極パターン領域Ｅ２との隣接部分に、帯状電極１４０の重複部分１４０Ｗ以外の領域における厚みｄ２よりも小さい厚みｄ１に形成した帯状電極１４０の端部１４０ｅを重複させた重複部分１４０Ｗを形成することで、電極パターンどうしの隣接部分の視認性が、その周辺部分よりも低下することを防止できる。これにより、タッチパネル１２０に表示される画像などをより鮮明に見ることができ、タッチパネル１２０の視認性を向上させることが可能になる。
【０１７０】
以上、本発明の電極およびこの電極を適用したタッチパネルの実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【０１７１】
例えば、第一方向に沿って延びる帯状電極と、第二方向に沿って延びる帯状電極との交差角度は、直角以外にも、任意の角度で交差させることができる。交差角度を９０°以外にする場合、個々の単位電極パターンは菱型となる。
【０１７２】
また、透明基材の電極形成面に形成された帯状電極や導電体を覆うように、更に絶縁層が形成されていることも好ましい。
【０１７３】
なお、上述した実施形態では、電極の一適用例として、タッチパネル用電極とこれを用いたタッチパネルを例示したが、本発明の電極はタッチパネル用に限定されるものでは無い。例えば、透明性が求められる電磁波シールドや、各種透明電極などに適用することができる。
【０１７４】
また、上述した実施形態では、電極形成面を透明基材の一方の面にした例を挙げているが、透明基材の両面を電極形成面とすることもできる。この場合、一方の電極形成面と他方の電極形成面とで形成する電極のパターンは互いに同一でもよいし、互いに異なっていてもよい。また、電極を複数重ねて積層するなどして、静電容量式のタッチパネルの電極として構成することもできる。
【符号の説明】
【０１７５】
１０・・・タッチパネル、２０・・・透明基材、３０・・・帯状電極、３０Ｗ・・・重複部分、５０・・・タッチパネル用電極（電極）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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