(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録素子が配置されたヘッドモジュールを第１方向に複数接続して繋ぎ合わせ、互いに隣接する前記ヘッドモジュール同士に前記第１方向と交差する第２方向に重ね合わせ領域を有する記録ヘッドの前記ヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法において、
前記記録ヘッドにより記録媒体に第１計測チャートを記録する第１計測チャート記録工程と、
前記記録された第１計測チャートを読取手段によって読み取って前記第１計測チャートの読取データを取得する第１計測チャート読取工程と、
前記第１計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジで解析して前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度で算出する精密解析工程と、
前記記録ヘッドにより記録媒体に第２計測チャートを記録する第２計測チャート記録工程と、
前記記録された第２計測チャートを読取手段によって読み取って前記第２計測チャートの読取データを取得する第２計測チャート読取工程と、
前記第２計測チャートの読取データを前記第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジで解析して前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量を前記第１算術精度より粗い第２算術精度であって前記第１ダイナミックレンジよりも細かい第２算術精度で算出する粗解析工程と、
前記粗解析工程によって算出した前記第２算術精度の位置ずれシフト量が前記第１ダイナミックレンジを超える場合は前記第２算術精度の位置ずれシフト量を前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量として選択し、前記第２算術精度の位置ずれシフト量が前記第１ダイナミックレンジ以内の場合は前記精密解析工程によって算出した前記第１算術精度の位置ずれシフト量を前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量として選択する計測結果選択工程と、
を備えたヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法。
【請求項２】
前記第２計測チャート記録工程は、前記互いに隣接するヘッドモジュールのそれぞれにおいて独立に前記第２計測チャートを記録し、
前記粗解析工程は、前記互いに隣接するヘッドモジュールの物理的な位置をそれぞれ独立に算出する請求項１に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法。
【請求項３】
前記第２計測チャート記録工程は、前記互いに隣接するヘッドモジュールからそれぞれ予め定められた複数の記録素子によって複数の線画からなる前記第２計測チャートを記録し、
前記粗解析工程は、前記複数の線画の読取データを解析して前記互いに隣接するヘッドモジュールの物理的な位置をそれぞれ独立に算出する請求項２に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法。
【請求項４】
前記粗解析工程では、前記複数の線画の読取データに最小二乗法を適用して前記読取手段の読取画素の前記第１方向の位置と記録素子の前記第１方向の位置との写像関数を生成する請求項３に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法。
【請求項５】
前記粗解析工程は、前記写像関数に基づいて前記読取手段の読取分解能を算出する請求項４に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法。
【請求項６】
前記線画は前記第２方向に沿って延びる線画であり、
前記線画の前記第１方向の長さは前記読取手段の読取分解能よりも長い請求項３から５のいずれか１項に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法。
【請求項７】
１枚の記録媒体に前記第１計測チャート記録工程及び前記第２計測チャート記録工程を行う請求項１から６のいずれか１項に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法を用いるヘッドモジュール間の位置ずれ解析プログラム。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか１項に記載のヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法と、
前記計測結果選択工程で選択された前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量に基づいて前記互いに隣接するヘッドモジュールの位置ずれを調整する調整工程と、
を備えた記録ヘッドの調整方法。
【請求項１０】
複数の記録素子が配置されたヘッドモジュールを第１方向に複数接続して繋ぎ合わせ、互いに隣接する前記ヘッドモジュール同士に前記第１方向と交差する第２方向に重ね合わせ領域を有する記録ヘッドと、
前記記録ヘッドと記録媒体とを相対的に移動させる移動手段と、
前記記録ヘッドにより前記記録媒体に第１計測チャートを記録する第１計測チャート記録手段と、
前記記録された第１計測チャートを読み取って前記第１計測チャートの読取データを取得する第１計測チャート読取手段と、
前記第１計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジで解析して前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度で算出する精密解析手段と、
前記記録ヘッドにより前記記録媒体に第２計測チャートを記録する第２計測チャート記録手段と、
前記記録された第２計測チャートを読み取って前記第２計測チャートの読取データを取得する第２計測チャート読取手段と、
前記第２計測チャートの読取データを前記第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジで解析して前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量を前記第１算術精度より粗い第２算術精度であって前記第１ダイナミックレンジよりも細かい第２算術精度で算出する粗解析手段と、
前記粗解析手段によって算出した前記第２算術精度の位置ずれシフト量が前記第１ダイナミックレンジを超える場合は前記第２算術精度の位置ずれシフト量を前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量として選択し、前記第２算術精度の位置ずれシフト量が前記第１ダイナミックレンジ以内の場合は前記精密解析手段によって算出した前記第１算術精度の位置ずれシフト量を前記ヘッドモジュール間の前記第１方向の位置ずれシフト量として選択する計測結果選択手段と、
を備えた画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法及びプログラム、記録ヘッドの調整方法、画像記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット描画の分野では、高い描画解像度と高生産性を実現するために、多数のノズルを二次元状に配列したヘッドモジュールを形成し、複数のヘッドモジュールを記録媒体幅方向に並べて記録媒体全幅の描画領域をカバーする長尺のヘッド（フルライン型ヘッド）を構成している。この長尺ヘッドの幅方向と直交する方向に記録媒体を１回だけ相対走査を行なうことにより、記録媒体の記録面に画像を形成するインクジェット描画方式（シングルパス方式）が知られている。
【０００３】
このように複数のヘッドモジュールが並べられた長尺のヘッドは、ヘッドモジュールの繋ぎ合わせが精度良く行われないと、ヘッドモジュールを繋ぎ合わせた部分において幅方向のノズル間隔が異なってしまい、形成される画像品質が低下するという課題があった。
【０００４】
このような課題に対し、特許文献１には、ヘッドモジュールを複数接続して繋ぎ合わせて配置されるインクジェットヘッドのヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法において、ヘッドモジュールによる印字パターンを分割して分割パターンを作成し、分割パターンのそれぞれのノズルの変換係数を求め、計算に使用するノズル数を変更することで、ヘッドモジュール間のモジュール間着弾位置ずれシフト量の標準誤差の最小値を求め、分割パターンの分割数を変更し、変更後の分割パターンで変換係数の計算と標準誤差の計算を行う繰り返し行って、標準誤差の値が最小となる分割数とノズル数とを決定する技術が開示されている。
【０００５】
この技術によれば、標準誤差が小さくなる印字パターンの分割数、ノズル数を事前に求めて、ヘッドモジュール間のモジュール間着弾位置ずれシフト量を求めているので、モジュール間着弾位置ずれシフト量の精度を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−８３７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、ヘッドモジュール間のモジュール間着弾位置ずれシフト量が一定量より大きくなると、モジュール間着弾位置ずれシフト量の算出に必要な着弾位置誤差の算出を正確に行うことができず、モジュール間着弾位置ずれシフト量の計測を正しく行うことができないという問題が発生する。一方、ヘッドモジュールの最初の取り付け状態において、モジュール間着弾位置ずれシフト量が着弾位置誤差を正しく算出可能な値域に入っている保障はないという問題があった。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ヘッドモジュール間の位置ずれシフト量が大きい状態でも位置ずれシフト量を測定でき、位置ずれシフト量が小さい状態では高い精度での測定結果を得ることができるヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法及びプログラム、記録ヘッドの調整方法、画像記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためにヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法の一の態様は、複数の記録素子が配置されたヘッドモジュールを第１方向に複数接続して繋ぎ合わせ、互いに隣接するヘッドモジュール同士に第１方向と交差する第２方向に重ね合わせ領域を有する記録ヘッドのヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法において、記録ヘッドにより記録媒体に第１計測チャートを記録する第１計測チャート記録工程と、記録された第１計測チャートを読取手段によって読み取って第１計測チャートの読取データを取得する第１計測チャート読取工程と、第１計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジで解析してヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度で算出する精密解析工程と、記録ヘッドにより記録媒体に第２計測チャートを記録する第２計測チャート記録工程と、記録された第２計測チャートを読取手段によって読み取って第２計測チャートの読取データを取得する第２計測チャート読取工程と、第２計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジで解析してヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度より粗い第２算術精度であって第１ダイナミックレンジよりも細かい第２算術精度で算出する粗解析工程と、粗解析工程によって算出した第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジを超える場合は第２算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択し、第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジ以内の場合は精密解析工程によって算出した第１算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択する計測結果選択工程と、を備えた。
【００１０】
本態様によれば、ヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１ダイナミックレンジにおいて第１算術精度で算出し、さらに第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジにおいて第１算術精度より粗い第２算術精度であって第１ダイナミックレンジよりも細かい第２算術精度で算出し、第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジを超える場合は第２算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択し、第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジ以内の場合は第１算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択するようにしたので、ヘッドモジュール間の位置ずれシフト量が大きい状態でも位置ずれシフト量を測定することができ、位置ずれシフト量が小さい状態では高い精度での測定結果を得ることができる。
【００１１】
第２計測チャート記録工程は、互いに隣接するヘッドモジュールのそれぞれにおいて独立に第２計測チャートを記録し、粗解析工程は、互いに隣接するヘッドモジュールの物理的な位置をそれぞれ独立に算出することが好ましい。これにより、第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジでヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を算出することができる。
【００１２】
第２計測チャート記録工程は、互いに隣接するヘッドモジュールからそれぞれ予め定められた複数の記録素子によって複数の線画からなる第２計測チャートを記録し、粗解析工程は、複数の線画の読取データを解析して互いに隣接するヘッドモジュールの物理的な位置をそれぞれ独立に算出することが好ましい。これにより、第１方向の位置ずれシフト量を適切に第２算術精度で算出することができる。
【００１３】
粗解析工程では、複数の線画の読取データに最小二乗法を適用して読取手段の読取画素の第１方向の位置と記録素子の第１方向の位置との写像関数を生成することが好ましい。これにより、第１方向の位置ずれシフト量を適切に第２算術精度で算出することができる。
【００１４】
粗解析工程は、写像関数に基づいて読取手段の読取分解能を算出することが好ましい。これにより、読取手段の光学性能を補正することができる。
【００１５】
線画は第２方向に沿って延びる線画であり、線画の第１方向の長さは第２計測チャート読取工程の読取分解能よりも長いことが好ましい。これにより、第２算術精度を向上させることができる。
【００１６】
第１計測チャート記録工程は、互いに隣接するヘッドモジュールを併用して複合的に第１計測チャートを記録し、精密解析工程は、互いに隣接するヘッドモジュールの物理的な位置を従属的に算出することが好ましい。これにより、第１方向の位置ずれシフト量を適切に第１算術精度で算出することができる。
【００１７】
１枚の記録媒体に第１計測チャート記録工程及び第２計測チャート記録工程を行うことが好ましい。これにより、精密解析工程の処理と粗解析工程の処理とを並列に行うことができる。
【００１８】
ヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法を用いるヘッドモジュール間の位置ずれ解析プログラムも本実施形態に含まれる。
【００１９】
上記目的を達成するために記録ヘッドの調整方法の一の態様は、複数の記録素子が配置されたヘッドモジュールを第１方向に複数接続して繋ぎ合わせ、互いに隣接するヘッドモジュール同士に第１方向と交差する第２方向に重ね合わせ領域を有する記録ヘッドのヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法において、記録ヘッドにより記録媒体に第１計測チャートを記録する第１計測チャート記録工程と、記録された第１計測チャートを読取手段によって読み取って第１計測チャートの読取データを取得する第１計測チャート読取工程と、第１計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジで解析してヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度で算出する精密解析工程と、記録ヘッドにより記録媒体に第２計測チャートを記録する第２計測チャート記録工程と、記録された第２計測チャートを読取手段によって読み取って第２計測チャートの読取データを取得する第２計測チャート読取工程と、第２計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジで解析してヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度より粗い第２算術精度であって第１ダイナミックレンジよりも細かい第２算術精度で算出する粗解析工程と、粗解析工程によって算出した第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジを超える場合は第２算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択し、第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジ以内の場合は精密解析工程によって算出した第１算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択する計測結果選択工程と、計測結果選択工程で選択されたヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量に基づいて互いに隣接するヘッドモジュールの位置ずれを調整する調整工程と、を備えた。
【００２０】
本態様によれば、ヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択したヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量に基づいて位置ずれを調整するようにしたので、ヘッドモジュール間の位置ずれシフト量が大きい状態でも位置ずれを調整することができ、位置ずれシフト量が小さい状態では高い精度での位置ずれを調整することができる。
【００２１】
上記目的を達成するために画像記録装置の一の態様は、複数の記録素子が配置されたヘッドモジュールを第１方向に複数接続して繋ぎ合わせ、互いに隣接するヘッドモジュール同士に第１方向と交差する第２方向に重ね合わせ領域を有する記録ヘッドと、記録ヘッドと記録媒体とを相対的に移動させる移動手段と、記録ヘッドにより記録媒体に第１計測チャートを記録する第１計測チャート記録手段と、記録された第１計測チャートを読み取って第１計測チャートの読取データを取得する第１計測チャート読取手段と、第１計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジで解析してヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度で算出する精密解析手段と、記録ヘッドにより記録媒体に第２計測チャートを記録する第２計測チャート記録手段と、記録された第２計測チャートを読み取って第２計測チャートの読取データを取得する第２計測チャート読取手段と、第２計測チャートの読取データを第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジで解析してヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１算術精度より粗い第２算術精度であって第１ダイナミックレンジよりも細かい第２算術精度で算出する粗解析手段と、粗解析手段によって算出した第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジを超える場合は第２算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択し、第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジ以内の場合は精密解析手段によって算出した第１算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択する計測結果選択手段と、を備えた。
【００２２】
本態様によれば、ヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量を第１ダイナミックレンジにおいて第１算術精度で算出し、さらに第１ダイナミックレンジより広い第２ダイナミックレンジにおいて第１算術精度より粗い第２算術精度であって第１ダイナミックレンジよりも細かい第２算術精度で算出し、第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジを超える場合は第２算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択し、第２算術精度の位置ずれシフト量が第１ダイナミックレンジ以内の場合は第１算術精度の位置ずれシフト量をヘッドモジュール間の第１方向の位置ずれシフト量として選択するようにしたので、ヘッドモジュール間の位置ずれシフト量が大きい状態でも位置ずれシフト量を測定することができ、位置ずれシフト量が小さい状態では高い精度での測定結果を得ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ヘッドモジュール間の位置ずれシフト量が大きい状態でも位置ずれシフト量を測定でき、位置ずれシフト量が小さい状態では高い精度での測定結果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、インクジェット記録装置を示す側面図である。
【図２】図２は、インクジェット記録装置を示す平面図である。
【図３】図３は、インクジェットヘッドの構造例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３の一部拡大図である。
【図５】図５は、ヘッドモジュールのノズル配列を示す平面図である。
【図６】図６は、液滴吐出素子の立体的構成を示す断面図である。
【図７】図７は、互いに隣接するヘッドモジュール同士の重複領域について説明するための図である。
【図８】図８は、重複領域を示す図である。
【図９】図９は、ノズルをＸ方向に沿って並ぶように投影した投影ノズル群を示す図である。
【図１０】図１０は、重複領域によって描画される各バンドのパターンを示す図である。
【図１１】図１１は、ノズルにおいて記録したラインをスキャナで読み取る様子を示す模式図である。
【図１２】図１２は、インクジェット記録装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１３】図１３は、インクジェットヘッドの調整方法の処理の一例を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、用紙の記録面に配置された粗計測チャート領域と精密計測チャート領域とを示す図である。
【図１５】図１５は、粗計測手法の処理を示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、チャート描画用ノズル群の一例を示す図である。
【図１７】図１７は、粗計測チャートの一例を示す図である。
【図１８】図１８は、精密計測手法の処理を示すフローチャートである。
【図１９】図１９は、解析チャートのバンドを示す図である。
【図２０】図２０は、ラインの近似曲線を作成するために使用するノズル番号と座標の関係を示す図である。
【図２１】図２１は、求めた変換係数の結果を示す図である。
【図２２】図２２は、総ノズル数と標準誤差の結果を示す図である。
【図２３】図２３は、重複領域の各バンドにおけるラインの並びのパターンを示す図である。
【図２４】図２４は、ラインの近似曲線を作成するために使用するノズル番号と座標を示す図である。
【図２５】図２５は、各分割パターンにおける標準誤差の最小値を表わす結果を示す図である。
【図２６】図２６は、非等分割のパターンの一例を示す図である。
【図２７】図２７は、ラインの近似曲線を作成するために使用するノズル番号と座標の関係を示す表図である。
【図２８】図２８は、総ノズル数とΔｘの標準誤差との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。
【００２６】
＜インクジェット記録装置の概要＞
図１は、本実施形態に係るインクジェット記録装置を示す側面図であり、図２は平面図である。インクジェット記録装置１０（画像記録装置の一例）は、媒体搬送部５４（図１２参照）によりＹ方向（第２方向の一例）に搬送される用紙１（記録媒体の一例）の記録面に、記録ヘッドであるインクジェットヘッド２０（以下、単にヘッド２０と呼ぶ）のノズル面２０Ａからインクを吐出して画像を形成するプリンタ（画像記録装置の一例）である。本実施形態において記録ヘッドとは、少なくとも記録媒体にドットを形成するための要素（記録素子）を含むものである。また、ヘッド２０のＹ方向下流側にはスキャナ５０（読取手段の一例）が備えられ、用紙１の記録面に形成された画像を読み取ることが可能に構成されている。
【００２７】
図３は、ヘッド２０の構造例を示す平面図であり、ヘッド２０をノズル面２０Ａ側から見た図である。また、図４は図３の一部拡大図である。
【００２８】
図３に示すように、ヘッド２０はｎ個のヘッドモジュール２２（ヘッドモジュール２２−１、２２−２、２２−３、…、２２−ｉ、…、２２−ｎ）をＹ方向に直交（交差の一例）するＸ方向（第１方向の一例）に沿って繋ぎ合わせた構造を有し、用紙１の全幅に対応する長さにわたって複数の記録素子であるノズル２４（図４参照）が設けられている。本実施形態において記録素子とは、記録媒体の記録点に対応する位置に配置され、記録媒体にドットを形成するものをいい、ここではインクジェット方式のノズルである。その他に、熱転写記録方式の発熱体や電子写真記録方式のＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子等であってもよい。
【００２９】
ヘッドモジュール２２は、ヘッド２０における短手方向の両側からヘッドモジュール支持部材２０ＢによってＸ方向に複数接続して支持されている。また、ヘッド２０の長手方向における両端部はヘッド支持部材２０Ｄによって支持されている。
【００３０】
図４に示すように、各ヘッドモジュール２２は、複数のノズルがマトリクス状（二次元状）に配列された構造を有している。
【００３１】
図５は、ヘッドモジュール２２のノズル配列を示す平面図である。同図に示すように、ヘッドモジュール２２は、Ｙ方向に対して角度αをなす列方向Ｗ、及びＸ方向に対して角度βをなす行方向Ｖに沿って多数のノズル２４がマトリクス状に並べられた構造を有し、Ｘ方向の実質的なノズル配置密度が高密度化されている。
【００３２】
なお、本発明に適用可能なノズル配列は、図５に図示したノズル配列に限定されず、例えば、Ｘ方向に沿う行方向、及びＸ方向、Ｙ方向に対して斜めの列方向に沿って複数のノズルがマトリクス状に配列された態様にも適用可能である。
【００３３】
図６は、ヘッドモジュール２２の記録素子単位となる１チャンネル分の液滴吐出素子（１つのノズル２４に対応したインク室ユニット）の立体的構成を示す断面図である。同図に示すように、本例のヘッド２０（ヘッドモジュール２２−ｉ）は、ノズル２４が形成されたノズルプレート３０と、圧力室３２や共通流路３４等の流路が形成された流路板３６等を積層接合した構造から成る。ノズルプレート３０は、ヘッド２０のノズル面２０Ａを構成し、各圧力室３２にそれぞれ連通する複数のノズル２４が２次元的に形成されている。
【００３４】
流路板３６は、圧力室３２の側壁部を構成するとともに、共通流路３４から圧力室３２にインクを導く個別供給路の絞り部（最狭窄部）としての供給口３８を形成する流路形成部材である。なお、説明の便宜上、図６では簡略的に図示しているが、流路板３６は一枚又は複数の基板を積層した構造である。
【００３５】
ノズルプレート３０及び流路板３６は、シリコンを材料として半導体製造プロセスによって所要の形状に加工することが可能である。
【００３６】
共通流路３４はインク供給源たるインクタンク（不図示）と連通しており、インクタンクから供給されるインクは共通流路３４を介して各圧力室３２に供給される。
【００３７】
圧力室３２の一部の面（図６における天面）を構成する振動板４０には、個別電極４２及び下部電極４４を備え、個別電極４２と下部電極４４との間に圧電体４６が挟まれた構造を有するピエゾアクチュエータ４８が接合されている。振動板４０を金属薄膜や金属酸化膜により構成すると、ピエゾアクチュエータ４８の下部電極４４に相当する共通電極として機能する。なお、樹脂などの非導電性材料によって振動板を形成する態様では、振動板部材の表面に金属などの導電材料による下部電極層が形成される。
【００３８】
個別電極４２に駆動電圧を印加することによってピエゾアクチュエータ４８が変形して圧力室３２の容積が変化し、これに伴う圧力変化によりノズル２４からインクが吐出される。インク吐出後、ピエゾアクチュエータ４８が元の状態に戻る際、共通流路３４から供給口３８を通って新しいインクが圧力室３２に再充填される。
【００３９】
各ヘッドモジュール２２は、このように構成された液滴吐出素子が、図５に示すようにＸ方向に対して角度βをなす行方向Ｖ及びＹ方向に対して角度αをなす列方向Ｗに沿って一定の配列パターンで格子状に多数配置されている。Ｙ方向の隣接ノズル間隔をＬｓとすると、Ｘ方向については実質的に各ノズル２４が一定のピッチＰＮ＝Ｌｓ／tanθで直線状に配列されたものと等価的に取り扱うことができる。
【００４０】
本例では、ヘッド２０に設けられたノズル２４から吐出させるインクの吐出力発生手段としてピエゾアクチュエータ４８を適用したが、圧力室３２内にヒータを備え、ヒータの加熱による膜沸騰の圧力を利用してインクを吐出させるサーマル方式を適用することも可能である。
【００４１】
＜インクジェットヘッドの重複領域とモジュール間着弾位置ずれシフト量＞
次に、互いに隣接するヘッドモジュール同士の重複領域について説明する。図７（ａ）は、互いに隣接するヘッドモジュール２２−ｉと２２−（ｉ＋１）との重複領域（重ね合わせ領域）２６におけるノズル２４の配列の一例を表す図であり、ここではヘッド２０を鉛直方向（Ｚ方向）上方から見てノズル２４を透過させて示している。
【００４２】
図７（ａ）において、黒丸で示したノズル２４ａはヘッドモジュール２２−ｉに属すノズルであり、白丸で示したノズル２４ｂはヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）に属するノズルである。また一点鎖線Ｂは、ヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）との境界を表している。
【００４３】
また、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示したノズル２４ａ及び２４ｂをＸ方向に沿って並ぶように投影した投影ノズル群を示す図である。前述のように、ノズル２４は、Ｘ方向にピッチＰＮで直線状に配列されたものと等価的に取り扱うことができる。ここでは、投影ノズルはＸ方向に１２００［ｄｐｉ（dot per inch）］で並んでいる。
【００４４】
図７（ｂ）に示すように、重複領域２６の投影ノズル群はノズル２４ａの投影ノズルとノズル２４ｂの投影ノズルとが混在しており、その存在比率は４ノズル周期で変化している。即ち、図中左側から、重複領域２６ａにおいてはノズル２４ａの投影ノズルが３つ、ノズル２４ｂの投影ノズルが１つから構成される領域が２周期分あり、次いで、重複領域２６ｂにおいてはノズル２４ａの投影ノズルが２つ、ノズル２４ｂの投影ノズルが２つから構成される領域が２周期分あり、さらに、重複領域２６ｃにおいてはノズル２４ａの投影ノズルが１つ、ノズル２４ｂの投影ノズルが３つから構成される領域が２周期分ある。
【００４５】
このように、図７（ｂ）に示す投影ノズル群は、図中左側から右側に向かって、ノズル２４ａの投影ノズルの存在比率が徐々に減少し、ノズル２４ｂの存在比率が徐々に増加している。
【００４６】
また、図７（ｃ）は、図７（ａ）に示した各ノズル２４によって用紙１に記録した解析チャートの一例を示す図である。解析チャート２は、Ｘ方向にｎ×ＰＮの間隔を開けて配置された複数のライン３からなる領域であるバンド４が、Ｙ方向にｎ段に渡って配置される。このｎ段の領域は、それぞれライン３が配置される位置がＸ方向にＰＮずつずれている（いわゆる「1 on (n-1) off」のパターン）。ここでは、ｎ＝５の場合（「1 on 4 off」のパターン）を示しており、このパターンをｎ分割パターンと呼ぶ。本実施形態では、このような解析チャート２を用いて、ヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）とのＸ方向のずれ量（モジュール間着弾位置ずれシフト量）を検知する。
【００４７】
なお、図７は重複領域を説明するために用いた図であり、本実施形態に係るヘッド２０においては、図８に示す重複領域を有している。
【００４８】
図８は本実施形態に係るヘッド２０における、互いに隣接するヘッドモジュール２２−ｉと２２−（ｉ＋１）との重複領域２６を示す図である。ここではヘッド２０を鉛直方向（Ｚ方向）上方から見てヘッドモジュール２２−ｉのノズル２４ａ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のノズル２４ｂを透過して示している。
【００４９】
図９は、図８に示したノズル２４ａ及び２４ｂをＸ方向に沿って並ぶように投影した投影ノズル群を示す図であり、黒丸はノズル２４ａの投影ノズルを示しており、白丸はノズル２４ｂの投影ノズルを示している。図８において重複領域２６の左側から重複領域２６ａ、２６ｂ、及び２６ｃとすると、図９（ａ）は重複領域２６ａにおける投影ノズル、図９（ｂ）は重複領域２６ｂにおける投影ノズル、図９（ｃ）は重複領域２６ｃにおける投影ノズルを示している。
【００５０】
図９に示すように、重複領域２６ａは、ノズル２４ａの投影ノズルが３つ、ノズル２４ｂの投影ノズルが１つから構成される領域が８周期分あり、重複領域２６ｂは、ノズル２４ａの投影ノズルが２つ、ノズル２４ｂの投影ノズルが２つから構成される領域が８．５周期分あり、重複領域２６ｃは、ノズル２４ａの投影ノズルが１つ、ノズル２４ｂの投影ノズルが３つから構成される領域が７周期分ある。
【００５１】
このような重複領域２６を有するヘッド２０において、例えば１０分割パターンの解析チャートを記録すると、各バンド４は、図１０（ａ）〜（ｄ）に示す４つのパターンに分類することができる。同図において、太線で示した線画はノズル２４ａによって記録されるライン３ａであり、細線で示した線画はノズル２４ｂによって記録されるライン３ｂである。なお、図１０では説明のために太さを変えて図示しているが、実際にはライン３ａ及び３ｂは同じ太さで記録される。
【００５２】
図１０（ａ）〜（ｄ）は、それぞれライン３ａとライン３ｂとが５回入れ替わるＡタイプのバンド４、ライン３ａとライン３ｂとが４回入れ替わるＢタイプのバンド４、ライン３ａとライン３ｂとが２回入れ替わるＣタイプのバンド４、及びライン３ａとライン３ｂとが１回入れ替わるＤタイプのバンド４を示している。
【００５３】
ここで、ノズル２４から吐出したインク滴の着弾位置が本来着弾すべき位置からずれることを着弾位置ずれといい、本実施形態では、このずれた量を着弾位置ずれ量（着弾位置誤差）と呼ぶ。さらに、着弾位置ずれ量のうち、互いに隣接するヘッドモジュール２２間の位置ずれに起因したＸ方向のずれ量をモジュール間着弾位置ずれシフト量と呼ぶ。
【００５４】
特許文献１に記載の技術では、ヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）とのモジュール間着弾位置ずれシフト量が、ライン３ａが隣接するライン３ｂを跨いでしまうほど発生していると、着弾位置誤差の算出を正確に行うことができず、モジュール間着弾位置ずれシフト量を計測することができない。これは、ヘッド２０の記録解像度が１２００［ｄｐｉ］、解析チャート２が１０分割パターンの場合であれば、約２１２［μｍ］以上のモジュール間着弾位置ずれシフト量が発生した場合が該当する。
【００５５】
また、スキャナ５０（図１参照）の読取分解能の影響によって着弾位置誤差の算出を正確に行うことができない場合もある。
【００５６】
図１１は、重複領域２６におけるノズル２４ａ（図８参照）において記録したライン３ａとノズル２４ｂ（図８参照）において記録したライン３ｂをスキャナ５０の画素５２ａ〜５２ｉで読み取る様子を示す模式図である。ここで、スキャナ５０の読取分解能は４８０［ｄｐｉ］であり、互いに隣接する画素の間隔は５３［μｍ］である。また、ライン３ａ及び３ｂは、１０分割パターンのラインであり、Ｘ方向の幅（ドットの直径）は、約４３［μｍ］である。
【００５７】
図１１（ａ）は、モジュール間着弾位置ずれシフト量Δｘ＝０［μｍ］の場合を示しており、ライン３ａとライン３ｂとの間隔は２１２［μｍ］である。この場合、ライン３ａは画素５２ｃを中心に画素５２ｂ〜５２ｄにおいて読み取られ、ライン３ｂは画素５２ｇを中心に画素５２ｆ〜５２ｈによって読み取られている。このように、ライン３ａ及び３ｂのＸ方向の幅はスキャナ５０の１画素より小さいが、光学フレアの影響等により、中心画素の隣接画素にまで読取信号の影響が及ぶ。図１１（ａ）に示した例では、ライン３ａの読取信号とライン３ｂの読取信号が干渉しないため、ライン３ａ及び３ｂの位置をそれぞれ正しく測定することができる。したがって、モジュール間着弾位置ずれシフト量の算出を行うことができる。
【００５８】
一方、図１１（ｂ）は、モジュール間着弾位置ずれシフト量Δｘ＝１０６［μｍ］の場合を示しており、ライン３ａとライン３ｂとの間隔は１０６［μｍ］である。この場合は、ライン３ａは画素５２ｅを中心に画素５２ｄ〜５２ｆにおいて読み取られ、ライン３ｂは画素５２ｇを中心に画素５２ｆ〜５２ｈによって読み取られている。このように、ライン３ａとライン３ｂとが近接してくると、画素５２ｆにおいてライン３ａの読取信号とライン３ｂの読取信号が干渉するため、ライン３ａ及び３ｂの位置の測定が不正確になる。その結果、モジュール間着弾位置ずれシフト量の算出を正確に行うことができない。
【００５９】
このように、特許文献１に記載の技術では、モジュール間着弾位置ずれシフト量を計測することができない場合があった。
【００６０】
＜インクジェット記録装置の電気的構成＞
図１２は、本実施形態に係るインクジェット記録装置１０の電気的構成を示すブロック図である。インクジェット記録装置１０は、前述のヘッド２０、スキャナ５０の他、媒体搬送部５４、調整機構５６、及び制御部６０を備えている。
【００６１】
媒体搬送部５４（移動手段の一例）は、用紙１をＹ方向に搬送し、用紙１の記録面をヘッド２０のノズル面２０Ａに対向させて、通過させる（相対的に移動の一例）。
【００６２】
調整機構５６は、ヘッド２０のｎ個のヘッドモジュール２２−ｉをそれぞれ独立にノズル面２０Ａの向きを一定にしたままＸ方向に移動させるモータ（不図示）を備えており、判定部７２の出力に応じて各ヘッドモジュール２２−ｉのＸ方向の位置を調整する。
【００６３】
制御部６０は、記録制御部６２、メモリ６４、読取制御部６６、粗計測解析部６８、精密計測解析部７０、判定部７２から構成される。
【００６４】
記録制御部６２（第１計測チャート記録手段の一例、第２計測チャート記録手段の一例）は、メモリ６４に記憶された画像データに基づいてヘッド２０を制御し、各ヘッドモジュール２２−ｉのノズル２４からインクを吐出させ、用紙１の記録面に画像を記録する。メモリ６４には、後述する粗計測チャート及び精密計測チャートのデータも記憶されている。
【００６５】
読取制御部６６（第１計測チャート読取手段の一例、第２計測チャート読取手段の一例）は、スキャナ５０を制御し、用紙１の記録面に記録された画像の読取データを取得する。
【００６６】
粗計測解析部６８（粗解析手段の一例）は、読取制御部６６から入力された粗計測チャートの読取画像に基づいて、ヘッドモジュール２２のモジュール間着弾位置ずれシフト量の粗計測を行う。また、精密計測解析部７０（精密解析手段の一例）は、読取制御部６６から入力された精密計測チャートの読取画像に基づいて、ヘッドモジュール２２のモジュール間着弾位置ずれシフト量の精密計測を行う。
【００６７】
判定部７２（計測結果選択手段の一例）は、粗計測解析部６８によって計測されたモジュール間着弾位置ずれシフト量及び精密計測解析部７０によって計測されたモジュール間着弾位置ずれシフト量のいずれの計測結果を真とするかを判定し、真と判定したモジュール間着弾位置ずれシフト量を調整機構５６に出力する。
【００６８】
＜インクジェットヘッドの調整方法＞
本実施形態に係るインクジェットヘッドの調整は、モジュール間着弾位置ずれシフト量の計測において、精密に計測する精密計測手法と、粗く計測する粗計測手法とを併用する。図１３は、本実施形態に係るインクジェットヘッドの調整方法の処理の一例を示すフローチャートである。ここでは、各ヘッドモジュール２２の調整のうち、特にヘッドモジュール２２−ｉ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）の調整について説明する。
【００６９】
まず、ヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）の物理的な位置を調整する（ステップＳ１、調整工程の一例）。処理の開始当初は、ヘッド２０にヘッドモジュール２２−ｉ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）を取り付ければよい。
【００７０】
次に、粗計測手法及び精密計測手法により、それぞれヘッドモジュール２２−ｉ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のモジュール間着弾位置ずれシフト量を計測する。粗計測手法によるモジュール間着弾位置ずれシフト量の計測は、記録制御部６２がメモリ６４から粗計測チャートデータを読み取り、記録制御部６２の制御によりヘッドモジュール２２−ｉ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）において用紙１に粗計測チャート（第２計測チャートの一例）を描画し、読取制御部６６の制御によりスキャナ５０において描画した粗計測チャートを読み取り、粗計測解析部６８において粗計測チャートの読取データを計測（解析）してモジュール間着弾位置ずれシフト量を粗計測精度（第２算術精度の一例）で算出することにより行う（ステップＳ２、粗解析工程の一例）。ここで、粗計測精度とは分解能のことであり、単位は［μｍ］である。
【００７１】
一方、精密計測手法によるモジュール間着弾位置ずれシフト量の計測は、記録制御部６２がメモリ６４から精密計測チャートデータを読み取り、記録制御部６２の制御によりヘッドモジュール２２−ｉ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）において用紙１に精密計測チャート（第１計測チャートの一例）を描画し、読取制御部６６の制御によりスキャナ５０において描画した精密計測チャートを読み取り、精密計測解析部７０において精密計測チャートの読取データを計測（解析）してモジュール間着弾位置ずれシフト量を粗計測精度より細かい精密計測精度（第１算術精度の一例）で算出することにより行う（ステップＳ３）。ここで、精密計測精度とは分解能のことであり、単位は［μｍ］である。
【００７２】
図１４は、１枚の用紙１の記録面に配置された、粗計測チャートを描画する粗計測チャート領域１ａと精密計測チャートを描画する精密計測チャート領域１ｂとを示す図である。インクジェット記録装置１０は、ヘッド２０の各ヘッドモジュール２２により１枚の用紙１に粗計測チャート及び精密計測チャートを描画し、スキャナ５０において粗計測チャート及び精密計測チャートを読み取る。これにより、ステップＳ２の処理とステップＳ３の処理とを並列に行うことができる。
【００７３】
次に、粗計測解析部６８によって計測した粗計測シフト量が精密計測解析部７０の測定可能域（第１ダイナミックレンジの一例）を超えているか否かを判定する（ステップＳ４）。測定可能域とは、測定可能な最小値から最大値までの範囲（測定値の取り得る範囲）であり、粗計測シフト量及び測定可能域の単位はともに［μｍ］である。超えている場合は、粗計測解析部６８によって計測した粗計測シフト量をモジュール間着弾位置ずれシフト量とし（ステップＳ５、計測結果選択工程の一例）、精密計測解析部７０の測定可能域を超えていない場合（第１ダイナミックレンジ以内の場合の一例）は、精密計測解析部７０によって計測した精密計測シフト量をモジュール間着弾位置ずれシフト量とする（ステップＳ６、計測結果選択工程の一例）。
【００７４】
続いて、決定したモジュール間着弾位置ずれシフト量が目標精度に到達したか、即ち閾値以内に収まっているか否かを判定する（ステップＳ７）。閾値以内に収まっている場合は、ヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）との物理的位置の調整を終了する。
【００７５】
閾値以内に収まっていない場合は、ステップＳ１に戻り、決定したモジュール間着弾位置ずれシフト量に基づいてヘッドモジュール２２−ｉ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）の物理的な位置を調整機構５６により調整する。例えば、モジュール間着弾位置ずれシフト量が正の値の場合にはヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）とをその絶対値だけＸ方向に近づける方向に移動させ、モジュール間着弾位置ずれシフト量が負の値の場合にはヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）とをその絶対値だけＸ方向に遠ざける方向に移動させる。
【００７６】
物理的な位置の調整を行ったら、ステップＳ２及びステップＳ５以降の処理を同様に行う。
【００７７】
ステップＳ２〜ステップＳ７が、ヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法を構成する。またヘッドモジュール間の位置ずれ解析方法及びインクジェットヘッドの調整方法は、コンピュータに上記の各工程を実現させるためのプログラム（ヘッドモジュール間の位置ずれ解析プログラムの一例）として構成し、当該プログラムを記憶したＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk-Read Only Memory）等の非一時的な記録媒体を構成することも可能である。
【００７８】
＜粗計測手法の詳細＞
次に、図１３のステップＳ２の粗計測の処理の詳細について、図１５に示すフローチャートを用いて説明する。
【００７９】
最初に、粗計測チャートを描画するノズル群を選定する（ステップＳ１１）。このステップでは、まず、互いに隣接するヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）とのそれぞれの複数のノズル２４の中から、モジュール間着弾位置ずれシフト量を算出するための基準ノズルを１つずつ決定する。そして、それぞれの基準ノズルの近傍のノズル２４（Ｘ方向に隣接する複数のノズル２４）であって、粗計測チャートの描画に使用するノズル２４を決定する。これらを基準ノズル群と呼ぶ。
【００８０】
なお、基準ノズルは小数点以下の値を含む仮想値であってもよい。例えば、Ｘ方向の端から１０番目のノズル２４と１１番目のノズル２４の間である１０．５番目のノズルを基準としてもよい。
【００８１】
次に、ヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）とにおいて、それぞれチャート描画用ノズル群（予め定められた複数の記録素子の一例）を選定する。チャート描画用ノズル群は、基準ノズル群を含み、基準ノズル群で描画するパターンと同様のパターンを複数描画（複数の線画の一例）するためのノズル群である。図１６は、ヘッドモジュール２２−ｉの基準ノズル群２８Ｌを含むチャート描画用ノズル群２９Ｌと、ヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）の基準ノズル群２８Ｒを含むチャート描画用ノズル群２９Ｒとの一例を示す図である。同図に示す例では、Ｘ方向の一定間隔毎にチャート描画用ノズル群２９Ｌ及び２９Ｒを選定しているが、Ｘ方向の間隔は一定でなくてもよい。
【００８２】
次に、ステップＳ１１において選定したチャート描画用ノズル群２９Ｌ及び２９Ｒにより、用紙１の記録面に粗計測チャートを描画する（ステップＳ１２、第２計測チャート記録工程の一例）。粗計測チャート５の一例を図１７に示す。粗計測チャート５はチャート描画用ノズル群２９Ｌ及び２９Ｒによって描画される線画群であり、図１７（ａ）はチャート描画用ノズル群２９Ｌにより描画された複数のライン７Ｌからなるチャート６Ｌとチャート描画用ノズル群２９Ｒにより描画された複数のライン７Ｒからなるチャート６Ｒを有する粗計測チャート５を示している。各ライン７Ｌ及びライン７Ｒは、Ｙ方向に延びる線画であり、Ｘ方向に太さを有する。
【００８３】
また、図１７（ｂ）はチャート描画用ノズル群２９Ｌにより描画されたライン９Ｌからなるチャート６Ｌとチャート描画用ノズル群２９Ｒにより描画されたライン９Ｒからなるチャート６Ｒを有する粗計測チャート５を示している。各ライン９Ｌ及び９Ｒは、Ｘ方向に太さを有し、Ｙ方向に延びる線画であり、それぞれ２本で１つのペアを構成しており、２本のライン９Ｌの間に領域８Ｌ、２本のライン９Ｒの間に領域８Ｒを有している。なお、２本のライン９Ｌ（９Ｒ）のＸ方向距離は、図１１を用いて説明した場合と同様の理由により、スキャナ５０の各画素の読取信号が干渉しない程度に離れている必要がある。
【００８４】
ここで、粗計測チャート５は、ヘッドモジュール２２−ｉのチャート描画用ノズル群２９Ｌによって描画されるチャート６Ｌとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のチャート描画用ノズル群２９Ｒによって描画されるチャート６Ｒとは、それぞれ独立に描画される。また、ライン７Ｌ、７Ｒやライン９Ｌ、９Ｒは、ステップＳ１において選定されたチャート描画用ノズル群２９Ｌ及び２９Ｒにより描画されており、チャート描画用ノズル群２９Ｌ及び２９Ｒの各ノズル２４のＸ方向位置は既知である。
【００８５】
なお、モジュール間着弾位置ずれシフト量の計測精度向上のためには、粗計測チャートの線画のＸ方向の太さ（Ｘ方向の長さ）がスキャナ５０の１画素のＸ方向の幅よりも太い（スキャナ５０の１画素のＸ方向の長さよりも長い）ことが重要である。本実施形態に係るライン７Ｌ、７Ｒやライン９Ｌ、９Ｒは、Ｘ方向に隣接する複数のノズル２４からなるチャート描画用ノズル群２９Ｌ及び２９Ｒを用いることで、スキャナ５０の１画素のＸ方向の幅よりも太く描画している。
【００８６】
次に、ステップＳ１２において用紙１の記録面に描画された粗計測チャート５を、スキャナ５０により読み取る（ステップＳ１３、第２計測チャート読取工程の一例）。
【００８７】
さらに、粗計測チャート５の読取データを解析する。粗計測チャート５の解析は、チャート６ＬについてはステップＳ１４〜Ｓ１７、チャート６ＲについてはステップＳ１８〜Ｓ２１において行う。ここでは、図１７（ｂ）に示す粗計測チャート５を用いた場合について説明する。
【００８８】
チャート６Ｌの読取データの解析は、まず、チャート描画用ノズル群２９Ｌの解析結果データ群を生成する（ステップＳ１４）。ここでは、それぞれペアを構成する２本のライン９Ｌの間の領域８Ｌについて、スキャナ５０における重心画素位置を計測する。重心画素位置は、小数点以下まで算出する。そして、この算出された重心画素位置とチャート描画用ノズル群２９Ｌの位置情報から求められる領域８Ｌの中央ノズル情報との対応関係を紐つける。これらを解析結果データ群と定義する。
【００８９】
次に、解析結果データ群から非有効データの修正や除外を行う（ステップＳ１５）。例えば、適切なライン９Ｌが描画されていない等、解析を行うのに不適切なデータが存在する場合には、そのデータを修正又は除外する。特に、本実施形態のようにシングルパス方式で記録する場合には、インクが吐出されないノズル（不吐出ノズル）等の不良ノズルが存在すると、記録した画像にスジ状の白抜けが発生する。したがって、不良ノズルの影響でライン９Ｌの太さ（Ｘ方向の幅）が変わってしまう場合は、その影響を加味して重心画素位置と中央ノズル情報との対応関係に修正処理を施す。修正が施せない程度の吐出状態である場合は、その解析結果データの除外処理を施す。
【００９０】
続いて、非有効データの修正処理や除外処理が行われた解析結果データ群が有する各領域８Ｌのスキャナ５０における重心画素位置の情報と領域８Ｌの中央ノズル情報との対応関係のデータから、最小二乗法を適用してスキャナ画素−ノズル間写像関数（読取手段の読取画素の第１方向の位置と記録素子の第１方向の位置との写像関数の一例）を生成する（ステップＳ１６）。最小二乗法の回帰式は一次式を用いてもよいが、スキャナ５０の光学性能（特に歪曲の発生）により読取分解能にローカリティが生じている場合は、二次式以上を用いることも有効である。
【００９１】
次に、ステップＳ１６において求めたスキャナ画素−ノズル間写像関数を用いて、基準ノズル群２８Ｌのスキャナ５０における画素位置を改めて算出する（ステップＳ１７）。
【００９２】
また、チャート６Ｌの読取データの解析と同様に、チャート６Ｒの読取データの解析をステップＳ１８〜Ｓ２１において行う。これにより、基準ノズル群２８Ｒのスキャナ５０における画素位置を算出することができる。チャート６Ｌの読取データの解析とチャート６Ｒの読取データの解析とは、並列に処理することができる。
【００９３】
チャート６Ｌ及び６Ｒの読取データの解析がそれぞれ終了したら、次に、ステップＳ１６及びステップＳ２０において求めたスキャナ画素−ノズル間写像関数から、基準ノズル群２８Ｌ及び２８Ｒ近傍のスキャナ５０の読取分解能を算出する（ステップＳ２２）。スキャナ５０の光学精度が信頼できる場合は、この工程は省略してもよい。信頼できない場合は、スキャナ画素−ノズル間写像関数の勾配情報がスキャナ５０の読取分解能のローカリティ情報と等価であるため、そこから基準ノズル群２８Ｌ及び２８Ｒ近傍のスキャナ５０の読取分解能を算出する。ここでは、ステップＳ１６において求めたスキャナ画素−ノズル間写像関数から算出した基準ノズル群２８Ｌ近傍のスキャナ５０の読取分解能と、ステップＳ２０において求めたスキャナ画素−ノズル間写像関数から算出した基準ノズル群２８Ｒ近傍のスキャナ５０の読取分解能との平均値を、スキャナ５０の読取分解能として採用する。
【００９４】
最後に、ヘッドモジュール２２−ｉ及びヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のモジュール間着弾位置ずれシフト量を粗計測シフト量として算出する（ステップＳ２３、粗解析工程の一例）。ここでは、ステップＳ１７及びＳ２１において得られた基準ノズル群２８Ｌ及び２８Ｒのスキャナ５０における画素位置情報とステップＳ２２において得られたスキャナ５０の読取分解能情報とから、基準ノズル群２８Ｌと基準ノズル群２８Ｒとの間の距離の実測値を求め、求めた実測値から基準ノズル群２８Ｌと基準ノズル群２８Ｒとの距離の設計値を減算する。これにより粗計測シフト量を求めることができる。
【００９５】
なお、ステップＳ１７及びＳ２１において、複数のライン９（領域８）の情報から基準ノズル群２８Ｌ及び２８Ｒのスキャナ５０における画素位置を算出しているが、本来この情報は基準ノズル群２８Ｌ及び２８Ｒの位置だけに線画を描画すれば算出できる情報である。本実施形態では、あえてチャート描画用ノズル群２９Ｌ及び２９Ｒによってライン９を複数本冗長に描画している。この理由は、基準ノズル群２８Ｌ及び２８Ｒの吐出状態が悪い可能性があり、この場合には適切な評価にならない可能性があることと、ヘッドモジュール２２−ｉ及び２２−（ｉ＋１）の製造精度は信頼することができるため、これを先験情報として計測ノイズを低減するためである。
【００９６】
＜精密計測手法の詳細＞
次に、精密計測手法の詳細について、図１８に示すフローチャートを用いて説明する。
【００９７】
まず、任意の分割数ｎを決定し、用紙１の記録面にｎ分割パターンの精密計測チャートを記録する（ステップＳ３１、第１計測チャート記録工程の一例）。前述の図７（ｃ）に示した解析チャート２は、５分割パターンの精密計測チャートである。なお、図１４に示したように、精密計測チャートと粗計測チャートとは、同じ１枚の用紙１に記録される。すなわち、このステップＳ３１の工程と図１５に示したステップＳ２の工程とは１枚の用紙１に対して行われる。
【００９８】
分割数ｎが少なすぎると、図１１を用いて説明したように、スキャナ５０の読取分解能の影響によって着弾位置誤差の算出を正確に行うことができない。また、分割数ｎが多くなると、解析チャート２のＹ方向長さが長くなるため好ましくない。また、分割数ｎを増やしても、測定精度は上がらない。記録解像度が１２００［ｄｐｉ］のヘッド２０の場合であれば、８分割から１２分割に等分して検討すれば十分である。
【００９９】
次に、用紙１の記録面に描画された精密計測チャートを、スキャナ５０により読み取り（第１計測チャート読取工程の一例）、その分割数ｎに応じて各ノズルに対する変換係数の計算を行う（ステップＳ３２）。変換係数算出のための前提として、（１）一方のヘッドモジュールの着弾位置ずれが、他方のモジュールの着弾位置ずれに対して、＋ΔｘだけＸ方向にずれて（シフトして）いる、（２）ランダムな着弾位置ずれ量はゼロと計算上仮定する、ものとする。
【０１００】
図１９（ａ）は、１２分割パターンの解析チャートのバンド４を示す図であり、重複領域２６のノズル２４で描画された部分のラインの並びを示している。同図に示すラインＡ１〜Ａ７、及びＢ１〜Ｂ７は、それぞれ図７（ｃ）に示したライン３に相当し、ラインＡ１〜Ａ７はヘッドモジュール２２−ｉで描画されたラインであり、ラインＢ１〜Ｂ７はヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）で描画されたラインである。
【０１０１】
図１９（ｂ）は、図１９（ａ）の一部拡大図である。同じヘッドモジュールのノズル２４において描画されたラインの間隔はｐ＝１２×ＰＮとなるが、ヘッドモジュール２２−ｉとヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）とでモジュール間着弾位置ずれシフト量Δｘが存在すると、ラインＡ１とラインＢ１との間隔は１２×ＰＮ＋Δｘとなる。
【０１０２】
以下、変換係数の計算方法として、図１９（ｂ）を用いて説明する。
【０１０３】
あるノズル２４（本実施形態においてはラインＡ１を描画したノズル２４）の変換係数を求める場合、ラインＡ１の両側の複数のラインを用いて、近似曲線を書き、ラインＡ１のあるべき位置（ラインＡ１を描画したノズル２４のあるべき位置）を調べる。ここでは、変換係数を求めるノズル２４の両側１５本のラインを用いて近似曲線を書き、ラインＡ１のあるべき位置（着弾位置ずれ量）を調べる。例えば、ラインＡ１を描画したノズル２４の着弾位置ずれ量を計算する場合は、ラインＡ１の両側１５本ずつのラインを使用するので、Ａ１６、Ａ１５、Ａ１４、・・・・・・、Ａ４、Ａ３、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、・・・・・・、Ｂ１３、Ｂ１４、Ｂ１５の３０本のラインを使用する。
【０１０４】
図２０（ａ）は、ラインＡ１の近似曲線を作成するために使用するノズル番号と座標の関係を示しており、図２０（ｂ）は、ラインＡ２の近似曲線を作成するために使用するノズル番号と座標の関係を示している。なお、図２０においては、近似曲線を作成するためのラインの最も左側をノズル＃１として記載している。したがって、図２０（ａ）と図２０（ｂ）のノズル＃とノズルの位置は異なっている。また、表中ｐは、本実施形態においては１２００［ｄｐｉ］の１２分割パターンであるので、ｐ＝１２×ＰＮ＝２５４［μｍ］で計算を行う。また、モジュール間着弾位置ずれシフト量Δｘを仮に１［μｍ］として計算する。なお、変換係数を求める際にΔｘを着弾位置ずれ量で除算するため、Δｘの数値はどの数値を用いても結果は同じとなる。
【０１０５】
このように、３０本のラインで近似曲線を作成し、ラインＡ１があるべき位置を調べる。なお、近似曲線を作成する際は、ラインＡ１のあるべき位置を求める場合はラインＡ１の座標を計算に用いずに求める。計算を行うとラインＡ１のあるべき位置は、−０．５［μｍ］となり、ラインＡ１は、実際は座標０の位置にあるので、Δｘ＝１［μｍ］の影響により、着弾位置ずれ量は−０．５［μｍ］となる。
【０１０６】
モジュール間着弾位置ずれシフト量Δｘは、Δｘ＝変換係数×着弾位置ずれ量により求めることができるので、Ａ１ラインの変換係数＝Δｘ÷（−０．５）＝１÷（−０．５）が求まり「−２」となる。
【０１０７】
同様に、Ａ２ラインについては、Ａ２ラインのあるべき位置は、−０．４３［μｍ］となり、着弾位置ずれ量が−０．４３［μｍ］となるので、Ａ２ラインの変換係数は、Δｘ÷（−０．４３）＝１÷（−０．４３）＝−２．４８となる。
【０１０８】
以下同様にして、ラインＡ３、ラインＡ４、ラインＢ１、ラインＢ２、ラインＢ３、ラインＢ４についても求めるラインの両側１５本ずつ計３０本のラインを用いて変換係数を求める。
【０１０９】
図２１に、求めた変換係数の結果を示す。１２分割パターンの場合は、図１９（ａ）に示すライン並びのみであるため、ラインＡ１とラインＢ１とで、変換係数が符号を逆にし、対称になっている。
【０１１０】
この変換係数は、標準誤差の計算に用いるノズルについて調べる。
【０１１１】
次に、ステップＳ３２で計算した変換係数の小さい順に計算に用いる総ノズル数（母集団）決定し、標準誤差を計算する（ステップＳ３３）。なお、標準誤差は、次の式により求めることができる。
【０１１２】
（標準誤差）＝（変換係数の平均値）×（ランダム着弾位置ずれσ）÷（√計算に使う総ノズル数）  …（式１）
総ノズル数の最小値は変換係数が最小のラインの数により決定する。また、ランダム着弾位置ずれσは、ヘッド２０全体のノズル数の着弾位置ずれ量の標準偏差σである。
【０１１３】
上記着弾位置ずれ量は、実際に測定した値を用いて計算する。具体的には、下記ステップＳ４０で着弾位置ずれ量を計算する場合と同様の方法で行うことができ、解析チャートの各ラインのＸ方向の座標から近似曲線を作成し、近似曲線から着弾位置ずれ量を計算する。近似曲線は、求めるラインの両側Ｎ本（例えば１５）本のライン（求めるラインの座標データは計算に使用しない）の座標データから近似曲線を作成する。この近似曲線から求めるラインのノズルがあるべき座標を求める。そして、あるべき座標と実際の座標との差が、求めるライン（該当ノズル）の着弾位置ずれ量となる。
【０１１４】
上記の方法でヘッド２０全体のノズル数について着弾位置ずれ量を計算し、その標準誤差がランダム着弾位置ずれσとなる。なお、ランダム着弾位置ずれσは、実際に求めた値であるが、使用するインクジェットヘッドによりほぼ定数となり、本実施形態においては、定数として３を用いて計算する。
【０１１５】
次に標準誤差の計算に用いる総ノズル数を変更し、ステップＳ３３の計算と同様に、標準誤差の計算を行う（ステップＳ３４）。計算に用いるノズルは、変換係数の小さいノズルから使用することが好ましい。標準誤差は、上記式１により求められるため、変換係数の小さい数値の方が、標準誤差が小さくなる可能性があるからである。総ノズル数の変更方法は、そこまでの計算に含めた変換係数の，次に大きい変換係数のラインの数だけ増やすことにより行うことができる。また、総ノズル数の最大値は、互いに隣接するヘッドモジュール２２のノズル２４が入り組んだ領域までで十分である。それ以上のノズル数を計算に用いても他方のモジュールの影響があまり無いからである。
【０１１６】
ステップＳ３３で標準誤差の計算を行った後、総ノズル数（母集団）を変更して、ステップＳ３３に戻り、標準誤差の計算を行う。総ノズル数が互いに隣接するモジュールのノズルが入り組む領域のノズル数まで計算を行う（ステップＳ３４）。
【０１１７】
計算に使う総ノズル数を増やすことにより、上記標準誤差の計算式の分母を減らすことができる。一方、他方のモジュールから離れたノズルは変換係数が大きいので，上記計算式の分子が大きくなる。結果として，計算に使う総ノズル数を増やしていくとあるところで誤差が最小になる。この誤差を最小にすることができるノズル数を１２分割パターンにおける母集団ノズル数として決定する。
【０１１８】
図２２に総ノズル数と標準誤差の結果を示す。同図に示すように、１２分割パターンの場合は、総ノズル数７２個の場合に、標準誤差が小さくなるので、Δｘの測定誤差が最小化されることが確認できる。
【０１１９】
図２２においては、総ノズル数２４個においては、ラインＡ１、Ｂ１を用い、これが１２分割あるので、総ノズル数が２４個となる。変換係数平均は、ラインＡ１、Ｂ１の変換係数の平均値となる。同様に、総ノズル数４８個においては、ラインＡ２、Ａ１、Ｂ１、Ｂ２を用い、これが１２分割であるので、総ノズル数が４８個となり、変換係数もラインＡ２、Ａ１、Ｂ１、Ｂ２の平均値となる。
【０１２０】
ステップＳ３３、ステップＳ３４で計算した標準誤差の中から最小となる総ノズル数を決定する（ステップＳ３５）。
【０１２１】
次に分割数を変更して、ステップＳ３２〜Ｓ３５の１２分割と同様の方法により、変換係数を求め、総ノズル数を変更しながら、着弾位置ずれ量の測定誤差が最小化されるノズル数、すなわち、標準誤差が最小となるノズル数を計算する（ステップＳ３６）。
【０１２２】
分割数を変更した例として、１１分割パターンの場合について説明する。１１分割パターンの場合は、重複領域の各バンドにおけるラインの並びは、図２３に示すように３つのパターンが存在する。
【０１２３】
ここでは、図２３（ｃ）に示すパターン（３）のラインＡ１の変換係数を求める方法について説明する。ラインＡ１の近似曲線を作成するために使用するノズル番号と座標の関係を図２４に示す。ｐ＝２５４［μｍ］、Δｘ＝１［μｍ］を代入して近似曲線を作成する。そしてラインＡ１のある位置（ノズル＃＝１６６）を求めると、ラインＡ１のある位置は、−０．７５［μｍ］となる。ラインＡ１は、本来、座標ゼロの位置にあるので、Δｘ＝１［μｍ］の影響により着弾位置ずれ量が−０．７５［μｍ］になる。逆算することにより、変換係数を求めることができ、変換係数＝Δｘ÷（−０．７５）＝１÷（−０．７５）＝−１．３４となる。
【０１２４】
他のラインについても同様の方法により変換係数を求める。
【０１２５】
このようにして、分割数を変更し、それぞれの分割数における分割パターンで、標準誤差が最小となる総ノズル数を計算する。分割数は、使用するインクジェットヘッドにより、適宜設定することができるが、最大で２０分割まで行えば十分である。
【０１２６】
続いて、ステップＳ３１〜Ｓ３６の処理の結果から、Δｘに用いる分割パターンの分割数と総ノズル数を決定する（ステップＳ３７）。
【０１２７】
図２５に、８分割から１２分割における各分割パターンにおける標準誤差の最小値を表わす結果を示す。同図に示すように、本実施形態で使用したインクジェットヘッドについては、解析チャートを９分割パターンにして、Δｘの計算に使用する総ノズル数（母集団）を５８本とすることでΔｘの誤差を最小にすることができる。または、解析チャートを１１分割とし、Δｘの計算に使用する総ノズル数（母集団）を６０本としてもよい。
【０１２８】
また、解析チャートを１０分割とし、Δｘの計算に使用するノズル数（母集団）を６６本にしても、上述した２パターンと標準誤差は、２％以下しか異ならないため、Δｘの計算に十分使用することができる。
【０１２９】
ステップＳ３７において分割数、総ノズル数の決定を行った後、分割パターンを非等分割とすることで、さらに、標準誤差を低くすることができる（ステップＳ３８）。前述した分割パターンにおいては、ノズルを等分割で分割し、解析チャートを作成したが、非等分割パターンにおいては、バンドのノズル間を一定にせずに実施する。
【０１３０】
非等分割パターンは、分割の仕方は特に限定されず、さまざまな分割パターンを取ることができるが、ステップＳ３７における分割数、総ノズル数の決定で決定した分割数の任意のノズル間を変更して行うことが好ましい。等分割パターンで決定した標準誤差が最小の条件から、さらに、誤差を小さくする条件とすることができるからである。
【０１３１】
なお、ここでは、１１分割の等分割パターンを非等分割とした場合について説明する。
【０１３２】
１１分割の等分割パターンとした場合は、図２３に示すように、３種類のパターンが存在する。ここでは、図２３（ｂ）に示すパターン（２）及び図２３（ｃ）に示すパターン（３）を非等分割パターンにする。図２６は、１１分割の場合のパターン（１）は等分割のままとし、パターン（２）とパターン（３）とを非等分割とした場合の一例である。
【０１３３】
本実施形態においては、パターン（２）のラインＡ４をラインＢＡ４、ラインＡ５をラインＢＡ５に非等分割化する。ラインＡ４はヘッドモジュール２２−ｉのノズル２４ａで描画されるが、３画素分（６３．５［μｍ］）右側のラインＢＡ４とすることで、ヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のノズル２４ｂによって描画されることになる。また、ラインＡ５はヘッドモジュール２２−ｉのノズル２４ａで描画されるが、１画素分（２１．２［μｍ］）右側のラインＢＡ５とすることで、ヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のノズル２４ｂを使ったパターンとなる。同様に、ラインＢ３をラインＡＢ３、ラインＢ４をＡＢ４に非等分割化する。ラインＢ３はヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のノズル２４ｂで描画されるが、３画素分（６３．５［μｍ］）左側のラインＡＢ３とすることでヘッドモジュール２２−ｉのノズル２４ａで描画されることになる。また、ラインＢ４はヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のノズル２４ｂで描画されるが、１画素分（２１．２［μｍ］）左のラインＡＢ４にすることで、ヘッドモジュール２２−ｉのノズル２４ａで描画されることになる。
【０１３４】
同様に、パターン（３）については、ラインＡ４を１画素分（２１．２［μｍ］）右側のラインＢＡ４にすると、ヘッドモジュール２２−（ｉ＋１）のノズル２４ｂを使ったパターンとすることができ、ラインＢ５を２画素分（４２．３［μｍ］）左側のラインＡＢ５にすると、ヘッドモジュール２２−ｉのノズル２４ａを使ったパターンとなる。
【０１３５】
次に、図２６（ｃ）に示すパターン（３）の非等分割パターンに変換係数の計算方法ついて説明する。図２７は、ラインＡ１の近似曲線を作成するために使用するノズル番号と座標の関係を示す表図である。
【０１３６】
等分割パターンの場合と同様に、ｐ＝２５４［μｍ］、Δｘ＝１［μｍ］を代入して、近似曲線を作成する。３０本のラインで近似曲線を作成し、ラインＡ１のある位置（ノズル＃＝１６６）を求めると、ラインＡ１のある位置は、−０．７２［μｍ］となる。ラインＡ１は、本来、座標ゼロの位置にあるので、Δｘ＝１［μｍ］の影響によって着弾位置ずれが−０．７２［μｍ］になる。逆算することにより、変換係数を求めることができ、変換係数＝Δｘ÷（-０．７２）＝１÷（−０．７２）＝−１．３８となる。
【０１３７】
このようにしてパターン変更した場合の各分割パターンの各ラインの変換係数を計算し、総ノズル数を増やしながらΔｘの標準誤差が最小となる総ノズル数を決定する（ステップＳ３９）。
【０１３８】
結果を図２８に示す。同図に示すように、図２６に示すような非等分割パターンで標準誤差を測定した場合、７４本のラインを使ってΔｘの平均値を求めることで、等分割のパターンより精度を高くすることができる。
【０１３９】
なお、非等分割パターンについては、本実施形態においては等分割パターンでΔｘの標準誤差の低い分割パターンを用いて、いくつかのラインを描画するノズルを他方のヘッドモジュールのノズルに変更することで非等分割パターンを形成しているが、非等分割パターンの作成方法はこれに限定されず、様々なパターンを作成することができる。
【０１４０】
また、等分割パターンを行わず、直接非等分割パターンにより標準誤差を測定することも可能である。この場合、適宜、パターンを設定することができる。
【０１４１】
最後に、求めた分割数及び総ノズル数のノズルでモジュール間着弾位置ずれシフト量Δｘを精密計測シフト量として算出する（ステップＳ４０、精密解析工程の一例）。モジュール間着弾位置ずれシフト量Δｘは、Δｘ＝着弾位置ずれ量×変換係数、により求めることができる。
【０１４２】
以上の処理により、モジュール間着弾位置ずれシフト量をスキャナ５０の読取解像度よりも小さく、かつ測定可能域はモジュール間着弾位置ずれシフト量が大きくても問題なく測定するこが可能となる。
【０１４３】
本実施形態では、スキャナ５０によって解析チャートを読み取ったが、ヘッド２０で記録した解析チャートを市販のスキャナにより読み取ってもよい。
【０１４４】
＜粗計測手法と精密計測手法との関係＞
精密計測手法の計測精度及び測定可能域（第１ダイナミックレンジ）をそれぞれＰＡ、ＰＤ、粗計測手法の計測精度及び測定可能域（第２ダイナミックレンジの一例）をそれぞれＲＡ、ＲＤとすると、これらは下記の関係を有する。
【０１４５】
ＰＡ＜ＲＡ  （粗計測手法よりも精密計測手法の方が精度がよい）…（式２）
ＰＤ＜ＲＤ  （精密計測手法よりも粗計測手法の方が測定可能域が広い）…（式３）
ＲＡ＜ＰＤ  （粗計測手法の精度は精密計測手法の測定可能域よりも細かい）…（式４）
本実施形態において、精密計測手法には特許文献１に記載された技術を用いることができる。一方で、粗計測手法は精密計測手法に対して上記式２〜式４の関係を満たす必要がある。
【０１４６】
式２について、粗計測手法では、互いに隣接するヘッドモジュールにおいて独立に解析チャートを冗長に描画し、ヘッドモジュールの製造精度は信頼できるという先験情報のもと最小二乗法を適用してそれぞれの基準ノズルの位置を独立に求めることで、スキャナの読取解像度以上の測定精度でモジュール間着弾位置ずれシフト量を求めた。一方、精密計測手法では、互いに隣接するヘッドモジュールを併用して複合的に解析チャートを描画し、測定情報を多く集め、ノズルのレイアウトおよび解析チャートのラインレイアウトに起因する測定誤差を考慮してモジュール間着弾位置ずれシフト量の計算に使用するデータを取捨選択する等、従属的にモジュール間着弾位置ずれシフト量を求めた。例えば、４８０［ｄｐｉ］のスキャナを用いた場合、記録解像度１２００［ｄｐｉ］のヘッドモジュール間で１［μｍ］程度のモジュール間着弾位置ずれシフト量を判別することが可能である。したがって、粗計測手法の測定精度ＰＡよりも精密計測手法の測定精度ＲＡの方が十分高く、式２を満たす。
【０１４７】
式３について、前述のように、記録解像度が１２００［ｄｐｉ］、解析チャートが１０分割パターンの場合であれば、精密計測手法の測定可能域ＰＤは約２１２［μｍ］である。また、スキャナの読取解像度の影響が律速になる場合は、図１１を用いて説明したように、読取解像度が４８０［ｄｐｉ］、解析チャートが１０分割パターンであれば、精密計測手法の測定可能域ＰＤは約１０６［μｍ］である。一方、粗計測手法の測定可能域ＰＤは、スキャナの測定可能範囲に及び、おおよそ無限に近い。したがって、精密計測手法の測定可能域ＰＤよりも粗計測手法の測定可能域ＲＤの方が広く、式３を満たす。
【０１４８】
式４について、粗計測手法の測定精度ＲＡは、読取分解能の小数点以下であり、読取分解能よりも十分小さい。一方、精密計測手法の測定可能域ＰＤは、読取分解能より大きい。したがって、粗計測手法の測定精度ＲＡは精密計測手法の測定可能域ＰＤよりも細かく、式４を満たす。
【０１４９】
また、精密計測手法の計測結果（モジュール間着弾位置ずれシフト量）をＰＸ、粗計測手法の計測結果をＲＸとすると、
ＲＸ＞ＰＤ…  （式５）
を満たすか否か、即ち粗計測手法の計測結果が精密計測手法の測定可能域を超えたか否かを判断する（図１３のステップＳ４）。この判断が正の場合はＲＸを、否の場合はＰＸを真のモジュール間着弾位置ずれシフト量とみなす。
【０１５０】
ヘッドモジュール２２の取り付け直後は、精密計測手法では計測が破綻する可能性があるが、その場合は粗計測手法での計測結果ＲＸが優先される。この計測結果ＲＸに基づいて物理的位置の調整を実施すると、その調整精度はＲＡとなることが期待できる。この状態で再び計測を行うと、式４の関係より式５の判定が否と見なされ、次の計測結果は精密計測手法における計測結果ＰＸが採用されることが期待できる。この計測結果ＰＸに基づいて物理的位置の再調整を実施すると、その調整精度はＰＡとなることが期待できる。以降は、物理的位置の再調整を繰り返しても、精密計測手法の結果が常に使われることが期待できる。
【０１５１】
したがって、本実施形態によれば、ヘッドモジュール間のモジュール間着弾位置ずれシフト量が大きい状態からインクジェットヘッドの調整を行っても、高い精度での調整結果を得ることができる。
【０１５２】
本発明の技術的範囲は、上記の実施形態に記載の範囲には限定されない。各実施形態における構成等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、各実施形態間で適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１５３】
１…用紙、２…解析チャート、３，７Ｌ，７Ｒ，９Ｌ，９Ｒ…ライン、４…バンド、５…粗計測チャート、１０…インクジェット記録装置、２０…インクジェットヘッド、２２…ヘッドモジュール、２４…ノズル、２６…重複領域、２８Ｌ，２８Ｒ…基準ノズル群、２９Ｌ，２９Ｒ…チャート描画用ノズル群、５０…スキャナ、５２…画素、５６…調整機構、６０…制御部、６２…記録制御部、６４…メモリ、６６…読取制御部、６８…粗計測解析部、７０…精密計測解析部、７２…判定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
0006532821.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
0006532821.tif 000026
【図２６】
0006532821.tif 000027
【図２７】
0006532821.tif 000028
【図２８】
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