(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前段回路からの入力信号を、前記入力信号よりも高い電圧の信号に変換するレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力信号に基づいて、第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするための信号を出力する制御部と
を備え、
前記レベルシフト回路には、前記前段回路から、
前記第１スイッチ素子をオンすべき場合に予め定められた論理値を示すセット信号と、
前記第１スイッチ素子をハードシャットダウンすべき場合に予め定められた論理値を示すリセット信号と、
前記前段回路において異常を検出した場合に予め定められた論理値を示す状態信号と、
が入力され、
前記制御部は、前記セット信号、前記リセット信号および前記状態信号に基づいて、前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンする、駆動回路。
【請求項２】
前段回路からの入力信号を、前記入力信号よりも高い電圧の信号に変換するレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力信号に基づいて、第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするための信号を出力する制御部と、
前記前段回路から前記レベルシフト回路に入力されるセット信号およびリセット信号に応じた制御信号を生成するラッチ回路と、
を備え、
前記前段回路は、異常検出回路を備え、
前記制御部は、前記異常検出回路の出力信号に基づいて前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定し、
前記第１スイッチ素子は、入力される前記制御信号に応じてオンおよびオフを切り替え、
前記制御部は、前記ラッチ回路の出力と、前記異常検出回路の出力信号に基づいて生成される状態信号とに基づいて、前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定し、
前記セット信号は、前記第１スイッチ素子をオンすべき場合に予め定められた論理値を示し、
前記リセット信号は、前記第１スイッチ素子をハードシャットダウンすべき場合に予め定められた論理値を示し、
前記状態信号は、前記前段回路において異常を検出した場合に予め定められた論理値を示し、
前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンさせる場合を除き、前記セット信号、前記リセット信号および前記状態信号のうちの２つ以上が前記予め定められた論理値である場合に、前記第１スイッチ素子のオンまたはオフを維持させる誤動作保護回路を更に備え、
前記第１スイッチ素子を駆動する、駆動回路。
【請求項３】
前段回路からの入力信号を、前記入力信号よりも高い電圧の信号に変換するレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力信号に基づいて、第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするための信号を出力する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記第１スイッチ素子のソフトシャットダウンを開始してから、予め定められた期間が経過した後に前記第１スイッチ素子のハードシャットダウンに移行し、
前記制御部は、前記前段回路で検出された異常の種別に応じて、ソフトシャットダウンの時定数を定める
前記第１スイッチ素子を駆動する、駆動回路。
【請求項４】
前記前段回路は、異常検出回路を備え、
前記制御部は、前記異常検出回路の出力信号に基づいて前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定する
請求項１に記載の駆動回路。
【請求項５】
前記第１スイッチ素子は、入力される制御信号に応じてオンおよびオフを切り替え、
前記駆動回路は、前記セット信号および前記リセット信号に応じた前記制御信号を生成するラッチ回路を更に備え、
前記状態信号は、前記異常検出回路の出力信号に基づいて生成され、
前記制御部は、前記ラッチ回路の出力と、前記状態信号とに基づいて、前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定する
請求項４に記載の駆動回路。
【請求項６】
前記制御部は、前記ラッチ回路の出力信号が前記第１スイッチ素子をオンすべきことを示し、且つ、前記状態信号が前記前段回路において異常を検出したことを示す場合に、前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンさせる
請求項２または５に記載の駆動回路。
【請求項７】
前記レベルシフト回路は、前記状態信号のレベルをシフトする状態信号入力回路、前記セット信号のレベルをシフトするセット信号入力回路および前記リセット信号のレベルをシフトするリセット信号入力回路を備え、
前記状態信号入力回路、前記セット信号入力回路および前記リセット信号入力回路の各々は、高電位側に接続された抵抗素子、および、前記抵抗素子の低電位側にドレインが接続されたトランジスタを有し、
前記状態信号入力回路、前記セット信号入力回路および前記リセット信号入力回路において、
前記抵抗素子の前記高電位側は互いに接続されており、
前記抵抗素子の抵抗値および前記トランジスタの特性は同じである
請求項２、５または６のいずれか一項に記載の駆動回路。
【請求項８】
前記前段回路は、外部から入力された前記第１スイッチ素子を制御するための信号と、前記異常検出回路の出力信号とに基づいて前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定する
請求項４に記載の駆動回路。
【請求項９】
外部から入力された前記第１スイッチ素子を制御するための前記信号が前記第１スイッチ素子をオンすべきことを示し、且つ、前記異常検出回路の前記出力信号が異常を検出したことを示す場合に、前記前段回路は、前記第１スイッチ素子をソフトシャットダウンさせる状態信号を前記レベルシフト回路に出力する
請求項８に記載の駆動回路。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第１スイッチ素子のソフトシャットダウンを開始してから、予め定められた期間が経過した後に前記第１スイッチ素子のハードシャットダウンに移行する
請求項１、２および４から９のいずれか一項に記載の駆動回路。
【請求項１１】
前記制御部は、前記前段回路で検出された異常の種別に応じて、前記予め定められた期間を定める
請求項１０に記載の駆動回路。
【請求項１２】
前記前段回路は、前記第１スイッチ素子の低電位側に直列接続される第２スイッチ素子のオンおよびオフを制御するローサイド制御回路を備え、
前記異常検出回路は、前記第２スイッチ素子の状態を検出する回路を備える
請求項４に記載の駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、駆動回路に関する。【０００２】
駆動回路中のレベルシフト回路により低電圧の信号を高電圧の信号に変換し、この信号を基にトランジスタ等のスイッチ素子を制御していた。スイッチ素子をオフする際は、ハードシャットダウンしていた（例えば、特許文献１および２参照）。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］  特開平９−２０００１７号公報
［特許文献２］  米国特許第５９１７３５９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
駆動回路のドライブ出力をハードシャットダウンすると、スイッチ素子のオフ動作に伴うサージ電圧が発生する。当該サージ電圧により、駆動回路内の素子が破壊される問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、駆動回路を提供する。駆動回路は、レベルシフト回路と、制御部とを備えてよい。レベルシフト回路は、前段回路からの入力信号を、入力信号よりも高い電圧の信号に変換してよい。制御部は、レベルシフト回路の出力信号に基づいて、第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするための信号を出力してよい。駆動回路は、第１スイッチ素子を駆動してよい。【０００５】
前段回路は、異常検出回路を備えてよい。制御部は、異常検出回路の出力信号に基づいて第１スイッチをソフトシャットダウンするか否かを決定してよい。【０００６】
第１スイッチ素子は、入力される制御信号に応じてオンおよびオフを切り替えてよい。駆動回路は、ラッチ回路を更に備えてよい。ラッチ回路は、前段回路からレベルシフト回路に入力されるセット信号およびリセット信号に応じた制御信号を生成してよい。制御部は、ラッチ回路の出力と、異常検出回路の出力信号に基づいて生成される状態信号とに基づいて第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定してよい。【０００７】
制御部は、ラッチ回路の出力信号が第１スイッチ素子をオンすべきことを示し、且つ、状態信号が前段回路において異常を検出したことを示す場合に、第１スイッチ素子をソフトシャットダウンさせてよい。【０００８】
セット信号は、第１スイッチ素子をオンすべき場合に予め定められた論理値を示してよい。リセット信号は、第１スイッチ素子をハードシャットダウンすべき場合に予め定められた論理値を示してよい。状態信号は、前段回路において異常を検出した場合に予め定められた論理値を示してよい。第１スイッチ素子をソフトシャットダウンさせる場合を除き、セット信号、リセット信号および状態信号のうちの２つ以上が予め定められた論理値である場合に、第１スイッチ素子のオンまたはオフを維持させる誤動作保護回路を駆動回路はさらに備えてよい。【０００９】
レベルシフト回路は、状態信号入力回路、セット信号入力回路およびリセット信号入力回路を備えてよい。状態信号入力回路は、状態信号のレベルをシフトしてよい。セット信号入力回路は、セット信号のレベルをシフトしてよい。リセット信号入力回路は、リセット信号のレベルをシフトしてよい。状態信号入力回路、セット信号入力回路およびリセット信号入力回路の各々は、高電位側に接続された抵抗素子、および、抵抗素子の低電位側にドレインが接続されたトランジスタを有してよい。状態信号入力回路、セット信号入力回路およびリセット信号入力回路において、抵抗素子の高電位側は互いに接続されており、抵抗素子の抵抗値およびトランジスタの特性は同じであってよい。【００１０】
前段回路は、外部から入力された第１スイッチ素子を制御するための信号と、異常検出回路の出力信号とに基づいて第１スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定してよい。【００１１】
外部から入力された第１スイッチ素子を制御するための信号が第１スイッチ素子をオンすべきことを示し、且つ、異常検出回路の出力信号が異常を検出したことを示す場合に、第１スイッチ素子をソフトシャットダウンさせる状態信号を前段回路はレベルシフト回路に出力してよい。【００１２】
制御部は、第１スイッチ素子のソフトシャットダウンを開始してから、予め定められた期間が経過した後に第１スイッチ素子のハードシャットダウンに移行してよい。【００１３】
制御部は、前段回路で検出された異常の種別に応じて、予め定められた期間を定めてよい。【００１４】
制御部は、前段回路で検出された異常の種別に応じて、ソフトシャットダウンの時定数を定めてよい。【００１５】
前段回路は、ローサイド制御回路を備えてよい。ローサイド制御回路は、第１スイッチ素子の低電位側に直列接続される第２スイッチ素子のオンおよびオフを制御してよい。異常検出回路は、第２スイッチ素子の状態を検出する回路を備えてよい。【００１６】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】駆動回路１００、負荷８０および電源８２ならびにトランジスタ３４およびトランジスタ７４を示す図である。
【図２】ローサイド制御回路１３０の一部を示す図である。
【図３】立上り微分パルス生成回路２４１及び２４７の例を示す図である。
【図４】立下り微分パルス生成回路２４５の例を示す図である。
【図５】ＲＩＳＥおよびＦＡＬＬの動作タイムチャートを示す図である。
【図６】ハイサイド制御回路１２０の具体例を示す図である。
【図７】制御部２８の状態遷移を示す図である。
【図８】駆動回路１００の第１の動作例を示す図である。
【図９】駆動回路１００の第２の動作例を示す図である。
【図１０】ハイサイド制御回路１２０を示す図である。
【図１１】ハイサイド制御回路１２０を示す図である。
【図１２】ハイサイド制御回路１２０を示す図である。
【図１３】前段回路２００の第１変形例を示す図である。
【図１４】前段回路２００の第２変形例を示す図である。
【図１５】前段回路２００の第３変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１９】
図１は、駆動回路１００、負荷８０および電源８２、ならびに、第１スイッチ素子としてのトランジスタ３４および第２スイッチ素子としてのトランジスタ７４を示す図である。駆動回路１００は、レベルシフト回路７０、ハイサイド制御回路１２０および前段回路としてのローサイド制御回路１３０を有する。なお、本例の駆動回路１００は、一つの半導体チップに集積して形成される。しかし、ハイサイド制御回路１２０と前段回路とは、他の例に記載するように別個の半導体チップに形成されてもよい。
【００２０】
レベルシフト回路７０は、前段回路からの入力信号を、当該入力信号よりも高い電圧の出力信号に変換する。ハイサイド制御回路１２０は、レベルシフト回路７０からの入力を受けて、トランジスタ３４に制御信号ＨＯを出力する。本例の前段回路は、ローサイド制御回路１３０である。ローサイド制御回路１３０は、レベルシフト回路７０のセット信号入力端子１２、リセット信号入力端子１４および状態信号入力端子１６に入力信号を入力する。
【００２１】
駆動回路１００は、トランジスタ３４およびトランジスタ７４を駆動する。トランジスタ３４およびトランジスタ７４は直列接続されておりインバータ回路を構成する。駆動回路１００はトランジスタ３４およびトランジスタ７４のゲートに制御信号を入力することにより、トランジスタ３４およびトランジスタ７４をオン／オフする。トランジスタ３４がオンの場合に、負荷８０と電源８２の高電位側が接続される。トランジスタ７４がオンの場合に、負荷８０が基準電位（グランド電位）と接続される。なお、本例のトランジスタ３４およびトランジスタ７４はＮＭＯＳのトランジスタである。
【００２２】
トランジスタ３４は、負荷８０と電源８２の正極との間に設けられる。
【００２３】
電源８２は、例えば、４００［Ｖ］の電圧を有する電源である。駆動回路１００は、トランジスタ３４およびトランジスタ７４を相補的にオン／オフすることにより、負荷８０を０［Ｖ］から４００［Ｖ］の電圧で駆動する。なお、本明細書では簡潔に記載することを目的として、トランジスタのオン抵抗による電圧降下およびダイオードの順方向電圧を省略して説明している。トランジスタのオン抵抗による電圧降下およびダイオードの順方向電圧は、電源８２の電圧値と比較して十分に小さいと見なしてよい。
【００２４】
本例では、駆動回路１００に接続された電源３５の負極の電位をＶｓとする。トランジスタ３４およびトランジスタ７４のオン／オフに応じて、Ｖｓは０［Ｖ］から４００［Ｖ］の範囲で変動してよい。駆動回路１００に接続された電源３５の正極の電位をＶｂとする。本明細書において、電位Ｖｂを駆動回路１００の高電位側と称する。電源３５の電源電圧値をＥ１とすると、Ｖｂは、Ｅ１から（Ｅ１＋４００［Ｖ］）の範囲で変動してよい。Ｅ１は、例えば１５［Ｖ］である。
【００２５】
ローサイド制御回路１３０は、ローサイドドライバ７２、電源７６、駆動制御回路１３１および異常検出回路２１０を有する。
【００２６】
マイコン（ｍｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ）１４０は、駆動回路１００の外又は内に設けられる。ローサイドドライバ７２を駆動する場合、マイコン１４０は駆動制御回路１３１に入力信号ＬＩＮを送る。駆動制御回路１３１は、入力信号ＬＩＮをローサイドドライバ７２に送る。ローサイドドライバ７２は、マイコン１４０の入力信号ＬＩＮにより駆動されて、制御信号ＬＯを出力し、スイッチ素子としてのトランジスタ７４を駆動する。ローサイドドライバ７２は、トランジスタ７４のゲートに電源７６の高電位側電圧または低電位側電圧を入力することにより、トランジスタ７４をオン／オフする。
【００２７】
ローサイドドライバ７２、駆動制御回路１３１および異常検出回路２１０のそれぞれには、電源７６の正極および負極が接続される。
【００２８】
異常検出回路２１０は、電源７６の電圧異常などを検出し、駆動制御回路１３１へ信号を出力する。駆動制御回路１３１は、マイコン１４０からの入力信号ＨＩＮを受けて、セット信号（ｓｅｔ）およびリセット信号（ｒｅｓｅｔ）を生成する。ｓｅｔはセット信号入力端子１２に入力され、ｒｅｓｅｔはリセット信号入力端子１４に入力される。また、駆動制御回路１３１は、異常検出回路２１０から受けた信号により状態信号（ＬＥＲ）を生成する。ＬＥＲは状態信号入力端子１６に入力される。
【００２９】
駆動回路１００は、状態信号入力回路４０、セット信号入力回路５０およびリセット信号入力回路６０を有する。本例において、状態信号入力回路４０、セット信号入力回路５０およびリセット信号入力回路６０をまとめて、レベルシフト回路７０と称する。状態信号入力回路４０は、駆動回路１００の高電位側に接続された抵抗素子４２および抵抗素子４２の低電位側にドレイン４７が接続されたトランジスタ４６を有する。抵抗素子４２の低電位側とは、２つの端部を有する抵抗素子４２のうち、高電位側に接続されていない端部の側を意味する。
【００３０】
セット信号入力回路５０も、高電位側に接続された抵抗素子５２および抵抗素子５２の低電位側にドレイン５７が接続されたトランジスタ５６を有する。リセット信号入力回路６０も同様に、高電位側に接続された抵抗素子６２および抵抗素子６２の低電位側にドレイン６７が接続されたトランジスタ６６を有する。
【００３１】
状態信号入力回路４０、セット信号入力回路５０およびリセット信号入力回路６０において、各抵抗素子４２，５２および６２の高電位側は互いに接続されている。また本例では、各抵抗素子４２，５２および６２の抵抗値および各トランジスタ４６、５６および６６の特性は同じである。なお、本例のトランジスタ４６、５６および６６はＮＭＯＳのトランジスタである。
【００３２】
前段回路（駆動制御回路１３１）は、トランジスタ４６のゲート端子である状態信号入力端子１６に状態信号（ＬＥＲ）を入力する。この場合、状態信号入力回路４０はＬＥＲのレベルをシフトする。状態信号入力回路４０は、ＬＥＲの電圧値を、ＬＥＲよりも高い電圧値を有するＬＥＲｄｒｎにシフトさせる。ＬＥＲは、トランジスタ３４をソフトシャットダウンし電源８２の高電位側と負荷８０とを分離する場合に予め定められた論理値を示す。
【００３３】
本例の前段回路は、異常を検出した場合に、ハイレベルのＬＥＲを状態信号入力端子１６に入力する。また、本例の前段回路は、異常を検出していない場合にローレベルのＬＥＲを状態信号入力端子１６に入力する。よって、前段回路が異常を検出した場合に、トランジスタ３４はソフトシャットダウンされる。
【００３４】
ハイレベルのＬＥＲによりトランジスタ４６がオンする場合、抵抗素子４２で電圧降下が生じる。これに対して、ローレベルのＬＥＲによりトランジスタ４６がオフする場合、抵抗素子４２で電圧降下は生じない。それゆえ、ハイレベルのＬＥＲが入力される場合、ドレイン４７の電位であるＬＥＲｄｒｎは、ローレベルのＬＥＲが入力される場合よりも低い電位となる。要約すると、ＬＥＲがハイレベルである場合、ドレイン４７の電位であるＬＥＲｄｒｎはローレベルとなる。これに対して、ＬＥＲがローレベルである場合、ドレイン４７の電位であるＬＥＲｄｒｎはハイレベルとなる。
【００３５】
前段回路は、トランジスタ５６のセット信号入力端子１２にセット信号（ｓｅｔ）を入力する。この場合、セット信号入力回路５０はｓｅｔのレベルをシフトする。セット信号入力回路５０は、ｓｅｔの電圧値を、ｓｅｔよりも高い電圧値を有する信号であるｓｅｔｄｒｎにシフトさせる。
【００３６】
ｓｅｔは、トランジスタ３４をオンし電源８２の高電位側と負荷８０を接続すべき場合に予め定められた論理値を示す。本例の前段回路は、トランジスタ３４をオンする場合には、ハイレベルのｓｅｔをセット信号入力回路５０に出力してよい。
【００３７】
前段回路は、トランジスタ６６のリセット信号入力端子１４にリセット信号（ｒｅｓｅｔ）を入力する。この場合、リセット信号入力回路６０はｒｅｓｅｔのレベルをシフトする。リセット信号入力回路６０は、ｒｅｓｅｔの電圧値を、ｒｅｓｅｔよりも高い電圧値を有する信号であるｒｅｓｄｒｎにシフトさせる。
【００３８】
ｒｅｓｅｔは、トランジスタ３４をオフし電源８２の高電位側と負荷８０とを分離すべき場合に予め定められた論理値を示す。本例の前段回路は、トランジスタ３４をオンする場合に、ローレベルのｒｅｓｅｔを駆動回路１００に出力してよい。なお、ｓｅｔがハイレベルかつｒｅｓｅｔがローレベルである場合に、トランジスタ３４はオンする。
【００３９】
抵抗素子５２および６２の機能は、抵抗素子４２と同じである。ｓｅｔがハイレベルである場合、ドレイン５７の電位ｓｅｔｄｒｎはローレベルとなる。これに対して、ｓｅｔがローレベルである場合、ドレイン４７の電位ｓｅｔｄｒｎはハイレベルとなる。同様に、ｒｅｓｅｔがハイレベルである場合、ドレイン６７の電位ｒｅｓｄｒｎはローレベルとなる。これに対して、ｒｅｓｅｔがローレベルである場合、ドレイン４７の電位ｒｅｓｄｒｎはハイレベルとなる。
【００４０】
トランジスタ４６のソース４９は接地される。ドレイン４７とソース４９との間には寄生容量４８が形成される。トランジスタ４６のソース５９およびトランジスタ５６のソース６９も同様に接地される。ドレイン５７とソース５９との間には寄生容量５８が形成され、ドレイン６７とソース６９との間には寄生容量６８が形成される。本例では各トランジスタ４６、５６および６６の特性は同じであるので、寄生容量４８、５８および６８の容量は同じである。このように、状態信号入力回路４０、セット信号入力回路５０およびリセット信号入力回路６０は同じ特性を有する。
【００４１】
サージ電圧は瞬間的な電圧の変化である。トランジスタ３４のスイッチング動作に起因して、電位Ｖｓであるラインからダイオード４５、５５および６５を経てソース４９、５９および６９へサージ電圧に伴う電流が流れる。当該電流は、サージ電圧の時間変化（ｄｖ／ｄｔ）と寄生容量４８、５８および６８の容量（Ｃ）との積で表される。当該電流により、抵抗素子４２、５２および６２において電圧降下が生じ得る。
【００４２】
これにより、各ドレイン４７、５７および６７の出力信号であるＬＥＲｄｒｎ、ｒｅｓｄｒｎおよびｓｅｔｄｒｎは、ローレベルとなりうる。つまり、ハイレベルのＬＥＲ、ｒｅｓｅｔおよびｓｅｔが、各トランジスタ４６、５６および６６に入力された場合と同じ状況が発生しうる。これは、サージ電圧に起因するノイズである。当該ノイズは駆動回路１００の誤動作の原因となる。
【００４３】
本例では、状態信号入力回路４０、セット信号入力回路５０およびリセット信号入力回路６０は同じ特性を有する。それゆえ、ノイズは、状態信号入力回路４０、セット信号入力回路５０およびリセット信号入力回路６０において同じように乗る。これにより、レベルシフト回路７０においてノイズが発生する場合には、後述する誤動作保護回路９０においてノイズを判定することができる。
【００４４】
状態信号入力回路４０は、駆動回路１００の高電位側にカソードが接続され、抵抗素子４２の低電位側にアノードが接続されたダイオード４４を有する。セット信号入力回路５０は、駆動回路１００の高電位側にカソードが接続され、抵抗素子５２の低電位側にアノードが接続されたダイオード５４を有する。リセット信号入力回路６０は、駆動回路１００の高電位側にカソードが接続され、抵抗素子６２の低電位側にアノードが接続されたダイオード６４を有する。ダイオード４４、５４および６４は、各々のアノードの電位を電源３５の正極の電位（すなわちＶｂ）にクランプする。
【００４５】
駆動回路１００は、ダイオード４５、ダイオード５５およびダイオード６５を有する。ダイオード４５、５５および６５のアノードは電源３５の負極に接続される。ダイオード４５のカソードは、トランジスタ４６のドレイン４７に接続される。ダイオード５５のカソードはトランジスタ５６のドレイン５７に接続され、ダイオード６５のカソードはトランジスタ６６のドレイン６７に接続される。ダイオード４５、５５および６５は、各々のカソードの電位を電源３５の負極の電位（すなわちＶｓ）にクランプする。
【００４６】
図２は、ローサイド制御回路１３０の一部を示す図である。図２の前段回路２００は、図１におけるローサイド制御回路１３０のうち、ローサイドドライバ７２を除いた、異常検出回路２１０および駆動制御回路１３１の回路例である。図２の前段回路２００は、図１におけるローサイド制御回路１３０とは異なり、駆動回路１００の外に設けられてもよい。前段回路２００は、状態信号ＬＥＲ、リセット信号ｒｅｓｅｔおよびセット信号ｓｅｔをレベルシフト回路７０に入力する。前段回路２００は、異常検出回路２１０、入力バッファ回路２２０、ＡＮＤ論理回路２３０およびパルス生成回路２４０を有する。
【００４７】
異常検出回路２１０は、コンパレータ２１１、レファレンス電源２１２およびノイズフィルタ２１３を有する。異常検出回路２１０には、異常検出信号が入力される。異常検出信号は、前段回路２００の他の部分において異常が発生したか否かを示す信号である。本例では、異常検出信号がハイレベルのとき、前段回路２００の他の部分において異常が検出されたものとする。これに対して、異常検出信号がローレベルのとき、前段回路２００の他の部分において異常が検出されなかったものとする。以下、本例では、ハイレベルの論理値をＨで、ローレベルの論理値をＬで表現する。
【００４８】
コンパレータ２１１は、非反転入力端子における異常検出信号の電圧値と反転入力端子におけるレファレンス電源２１２の参照電圧とを比較する。コンパレータ２１１は、異常検出信号の電圧値がレファレンス電源２１２の参照電圧よりも大きい場合に、ノイズフィルタ２１３へＨの信号を出力する。コンパレータ２１１は、異常検出信号の電圧値がレファレンス電源２１２の参照電圧よりも小さい場合に、ノイズフィルタ２１３へＬの信号を出力する。ノイズフィルタ２１３は、コンパレータ２１１の出力信号のノイズを取り除く。
【００４９】
入力バッファ回路２２０は、異常検出回路２１０と同じ構成である。ただし、入力バッファ回路２２０では、コンパレータ２１１の非反転入力端子には、異常検出信号ではなく入力信号ＨＩＮが入力される。コンパレータ２２１は、入力信号ＨＩＮの電圧値がレファレンス電源２２２の参照電圧よりも大きい場合に、ノイズフィルタ２２３へＨの信号を出力する。コンパレータ２２１は、入力信号ＨＩＮの電圧値がレファレンス電源２２２の参照電圧よりも小さい場合に、ノイズフィルタ２２３へＬの信号を出力する。
【００５０】
入力信号ＨＩＮは、駆動回路１００における後述のハイサイドドライバ３２を駆動するためのドライブセット信号である。本例では、入力信号ＨＩＮがＨのとき、駆動回路１００のハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはＨとなる。また、入力信号ＨＩＮがＬのとき、駆動回路１００のハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはＬとなる。
【００５１】
異常検出回路２１０の出力信号と入力バッファ回路２２０の出力信号とは、ＡＮＤ論理回路２３０に入力される。前段回路２００で異常が検出され、かつ、ハイサイドドライバ３２を駆動する場合に、異常検出回路２１０および入力バッファ回路２２０は共にＨをＡＮＤ論理回路２３０に出力する。それゆえこの場合に、ＡＮＤ論理回路２３０はＨの出力信号をパルス生成回路２４０に出力する。よって、ＡＮＤ論理回路２３０は、トランジスタ３４をソフトシャットダウンするか否かを判定する回路である。
【００５２】
パルス生成回路２４０は、立上り微分パルス生成回路２４１、立下り微分パルス生成回路２４５および立上り微分パルス生成回路２４７を有する。立上り微分パルス生成回路２４１および２４７は、入力信号の立上り時刻においてパルス信号を発生する回路である。同様に、立下り微分パルス生成回路２４５は、入力信号の立下り時刻においてパルス信号を発生する回路である。
【００５３】
立上り微分パルス生成回路２４１には、ＡＮＤ論理回路２３０の出力信号が入力される。ＡＮＤ論理回路２３０からのＨが入力される時刻において、立上り微分パルス生成回路２４１はパルス信号を生成する。当該パルス信号は、状態信号ＬＥＲとしてレベルシフト回路７０の状態信号入力端子１６に入力される。ＬＥＲは、入力信号として後段のＯＲ論理回路２４８にも入力される。
【００５４】
立下り微分パルス生成回路２４５には、入力バッファ回路２２０の出力信号が入力される。立下り微分パルス生成回路２４５は、入力信号ＨＩＮの立下りを検出する。つまり、入力信号ＨＩＮの立下り時刻において、立下り微分パルス生成回路２４５はパルス信号を生成する。当該パルス信号は、後段のＯＲ論理回路２４８に入力される。
【００５５】
ＯＲ論理回路２４８には、状態信号（ＬＥＲ）と立下り微分パルス生成回路２４５が出力するパルス信号とが入力される。上述の様に、ＬＥＲは、前段回路２００で異常が検出され、かつ、ハイサイドドライバ３２を駆動する場合に生成されるパルス信号である。立下り微分パルス生成回路２４５が出力するパルス信号は、入力信号ＨＩＮがＨからＬになる場合に生成される。つまり、立下り微分パルス生成回路２４５が出力するパルス信号は、ハイサイドドライバ３２の駆動を止める場合に生成されるパルス信号である。
【００５６】
ＯＲ論理回路２４８は、前段回路２００で異常が検出された場合、前段回路２００で異常が検出され且つハイサイドドライバ３２を駆動する場合、または、ハイサイドドライバ３２の駆動を止める場合にＨを出力する。ＯＲ論理回路２４８の出力信号を、リセット信号（ｒｅｓｅｔ）とする。
【００５７】
立上り微分パルス生成回路２４７には、入力バッファ回路２２０の出力信号が入力される。立上り微分パルス生成回路２４７は、入力信号ＨＩＮの立上りを検出する。つまり、ハイサイドドライバ３２の駆動を駆動する時刻において、立上り微分パルス生成回路２４７はパルス信号を生成する。つまり、立上り微分パルス生成回路２４７の出力は、セット信号（ｓｅｔ）となる。ｓｅｔ、ｒｅｓｅｔおよびＬＥＲは、駆動回路１００のセット信号入力端子１２、リセット信号入力端子１４および状態信号入力端子１６にそれぞれ入力される。
【００５８】
図３は、立上り微分パルス生成回路２４１の例を示す図である。立上り微分パルス生成回路２４１は立上り微分パルス生成回路としての一例であり、他の立上り微分パルス生成回路の構成を適用してよい。
【００５９】
本例の立上り微分パルス生成回路２４１は、遅延回路２４２およびＡＮＤ論理回路２４３を有する。ＡＮＤ論理回路２４３は２つの入力端子を有する。遅延回路２４２とＡＮＤ論理回路２４３の一方の端子とには、同じ入力信号が入力される。ＡＮＤ論理回路２４３の他の一方の端子には、遅延回路２４２の出力信号ＤＯの論理を反転した信号が入力される。ＡＮＤ論理回路２４３は、入力信号とＤＯの論理を反転した信号との論理積を出力信号ＲＩＳＥとして出力する。なお、出力信号ＲＩＳＥは、立上り微分パルス生成回路２４１ではＬＥＲとなり、立上り微分パルス生成回路２４７ではｓｅｔとなる。
【００６０】
図４は、立下り微分パルス生成回路２４５の例を示す図である。立下り微分パルス生成回路２４５は立下り微分パルス生成回路としての一例であり、他の立下り微分パルス生成回路の構成を適用してよい。
【００６１】
本例の立下り微分パルス生成回路２４５は、遅延回路２４２およびＡＮＤ論理回路２４４を有する。遅延回路２４２には、入力信号が入力される。ＡＮＤ論理回路２４４は２つの入力端子を有する。ＡＮＤ論理回路２４４の一方の端子には、入力信号の論理を反転した信号が入力される。ＡＮＤ論理回路２４３の他の一方の端子には、遅延回路２４２の出力信号ＤＯが入力される。ＡＮＤ論理回路２４４は、入力信号の論理を反転した信号と出力信号ＤＯとの論理積を出力信号ＦＡＬＬとして出力する。出力信号ＦＡＬＬは、ｒｅｓｅｔとなる。
【００６２】
図５は、ＲＩＳＥおよびＦＡＬＬの動作タイムチャートを示す図である。縦軸は、上から順に、入力信号、ＤＯ、ＲＩＳＥおよびＦＡＬＬの電圧値を示す。横軸は時間である。横軸において、右側の方が左側よりも新しい時間である。
【００６３】
本例では、時刻ｔ０ではいずれの信号の電圧値もＬである。時刻ｔ１において、入力信号がＬからＨへと遷移する。遅延回路２４２は、時刻ｔ２において遅れてＬからＨへと遷移する。
【００６４】
ＡＮＤ論理回路２４３は、入力信号がＨであり且つＤＯがＬであるの期間においてのみＨである出力信号を生成する。つまりＲＩＳＥは、時刻ｔ１と時刻ｔ２との間においてのみＨであるパルス信号となる。なお、ＦＡＬＬは、時刻ｔ１と時刻ｔ２との間においてはＬのままである。時刻ｔ３において、入力信号がＨからＬへと遷移する。遅延回路２４２は、時刻ｔ４において遅れてＨからＬへと遷移する。
【００６５】
ＡＮＤ論理回路２４４は、入力信号がＬであり且つＤＯがＨであるの期間においてのみＨである出力信号を生成する。つまりＦＡＬＬは、時刻ｔ３と時刻ｔ４との間においてのみＨであるパルス信号となる。なお、ＲＩＳＥは、時刻ｔ３と時刻ｔ４との間においてはＬのままである。
【００６６】
図６は、ハイサイド制御回路１２０の具体例である。ハイサイド制御回路１２０は、誤動作保護回路９０、制御部２８およびハイサイドドライバ３２を有する。誤動作保護回路９０、制御部２８およびハイサイドドライバ３２のそれぞれには、電源３５の正極および負極又は図示しない電源３５から作られたハイサイド内部電源回路の出力が接続される。
【００６７】
本例の誤動作保護回路９０は、ＡＮＤ論理回路９１、ＡＮＤ論理回路９２およびＡＮＤ論理回路９３を有する。ＡＮＤ論理回路９１、９２および９３のそれぞれには、前段回路からレベルシフト回路７０に入力されるｓｅｔ、ｒｅｓｅｔおよびＬＥＲをそれぞれレベルシフトした、ｓｅｔｄｒｎ、ｒｅｓｄｒｎおよびＬＥＲｄｒｎが入力される。
【００６８】
本例のＡＮＤ論理回路９１は、ｓｅｔｄｒｎの反転された電圧値とｒｅｓｄｒｎの電圧値とＬＥＲｄｒｎの電圧値との論理積をＯＮ＿ＳＥＴとしてＲＳラッチ回路２３に出力する。
【００６９】
本例のＡＮＤ論理回路９２は、ｓｅｔｄｒｎとＬＥＲｄｒｎの電圧値とｒｅｓｄｒｎの反転された電圧値の論理積をＨＳＤ＿ＩＮとしてＲＳラッチ回路２３に出力する。
【００７０】
本例のＡＮＤ論理回路９３は、ｓｅｔｄｒｎの電圧値とｒｅｓｄｒｎの反転された電圧値とＬＥＲｄｒｎの反転された電圧値との論理積をＬＥＲ＿ＳＥＴとしてＲＳラッチ回路２６に出力する。
【００７１】
制御部２８は、３つの入力信号に基づいてＯＮ＿ＯＵＴ、ＨＳＤ＿ＯＵＴおよびＬＥＲ_ＯＵＴをハイサイドドライバ３２へ出力する。ハイサイドドライバ３２は、ＯＮ＿ＯＵＴ、ＬＥＲ＿ＯＵＴおよびＨＳＤ＿ＯＵＴを受けて、トランジスタ３４に制御信号ＨＯを出力する。トランジスタ３４は、入力される制御信号としてのＨＯに応じてオン／オフを切り替える。本例のトランジスタ３４は、ＨＯがハイレベルである場合にオンする。
【００７２】
つぎに、制御部２８およびハイサイドドライバ３２の動作について詳しく述べる。本例の制御部２８は、ＲＳラッチ回路２３、タイマー回路２５、ＲＳラッチ回路２６、ＡＮＤ論理回路２７およびインバータ回路２９を有する。本例のハイサイドドライバ３２は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ３６、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７およびｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３８を有する。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７のオン抵抗は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３８のオン抵抗より小さい。
【００７３】
ＲＳラッチ回路２３およびＲＳラッチ回路２６は、一般的なＲＳラッチ回路と同様に機能する。つまり、ＲＳラッチ回路２３は、（ＯＮ＿ＳＥＴ，ＨＳＤ＿ＩＮ）＝（１，０）および（０，１）の場合に、異なる状態への遷移を指示す。また、ＲＳラッチ回路２３は、（ＯＮ＿ＳＥＴ，ＨＳＤ＿ＩＮ）＝（０，０）の場合に、以前の出力信号（ＯＮ＿ＦＢ）の値を保持する。ＲＳラッチ回路２６は、（ＬＥＲ＿ＳＥＴ，ＴＭ）＝（１，０）および（０，１）の場合に、異なる状態への遷移を指示す。また、ＲＳラッチ回路２６は、（ＬＥＲ＿ＳＥＴ，ＴＭ）＝（０，０）の場合に、以前の出力信号（ＬＥＲ＿ＯＵＴ）の値を保持する。
【００７４】
ＲＳラッチ回路２３は、ＯＮ＿ＳＥＴおよびＨＳＤ＿ＩＮの出力信号に応じでインバータ回路２９およびＡＮＤ論理回路２７に出力信号ＯＮ＿ＦＢを出力する。ＲＳラッチ回路２６はＬＥＲ＿ＳＥＴとタイマーの出力信号ＴＭに応じてＡＮＤ論理回路２７およびｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３８の制御信号であるＬＥＲ＿ＯＵＴを出力する。インバータ回路２９はｐチャネルＭＯＳＦＥＴ３６の制御信号であるＯＮ_ＯＵＴを出力する。
【００７５】
ＡＮＤ論理回路２７はｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７の制御信号であるＨＳＤ＿ＯＵＴを出力する。ＡＮＤ論理回路２７には、ＯＮ＿ＦＢおよびＬＥＲ＿ＯＵＴが入力される。本例のＡＮＤ論理回路２７は、ＯＮ＿ＦＢの反転された電圧値とＬＥＲ＿ＯＵＴの反転された電圧値との論理積をＨＳＤ＿ＯＵＴとしてｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７のゲートに出力する。なお、ＯＮ＿ＳＥＴ、ＨＳＤ＿ＩＮ、ＬＥＲ＿ＳＥＴ、ＯＮ＿ＯＵＴおよびＨＳＤ＿ＯＵＴ、ＬＥＲ＿ＯＵＴは、ハイレベルまたはローレベルの電圧値を有する。
【００７６】
本例では、ハイレベルの論理値を１で、ローレベルの論理値を０で表現する。なお、他の例では、ハイレベルの論理値をＨで、ローレベルの論理値をＬで表現することがある。ｓｅｔｄｒｎ＝０の場合、ｓｅｔ＝１となる。逆に、ｓｅｔｄｒｎ＝０の場合、ｓｅｔ＝０となる。ｒｅｓｄｒｎおよびｒｅｓｅｔならびにＬＥＲｄｒｎおよびＬＥＲも同様の対応関係となる。
【００７７】
（ドライブセット）ＯＮ＿ＦＢは、（ＯＮ＿ＳＥＴ，ＨＳＤ＿ＩＮ，ＬＥＲ＿ＳＥＴ）＝（１，０，０）の場合のみ１となる。ＯＮ＿ＦＢが1である場合、インバータ回路２９の出力ＯＮ＿ＯＵＴは０となりｐチャネルＭＯＳＦＥＴ３６をオンし、ＡＮＤ論理回路２７の出力ＨＳＤ＿ＯＵＴも０となりｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７をオフする。ＬＥＲ＿ＯＵＴも０であるためｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３８もオフする。よって、ＨＯが１となりトランジスタ３４はオンする。
【００７８】
（ハードシャットダウン：Ｌｈ）ＨＳＤ＿ＯＵＴは、（ＯＮ＿ＳＥＴ，ＨＳＤ＿ＩＮ，ＬＥＲ＿ＳＥＴ）＝（０，１，０）の場合のみ１となる。この場合、ＯＮ＿ＯＵＴが１となりｐチャネルＭＯＳＦＥＴ３６をオフし、ＨＳＤ＿ＯＵＴが１となりｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７をオンしＬＥＲ＿ＯＵＴが０となりｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３８がオフする。よって、ＨＯが０となりトランジスタ３４をハードシャットダウンする。
【００７９】
（ソフトシャットダウン：Ｌｓ）本例において、ＬＥＲ＿ＳＥＴは、（異常検出回路２１０の出力，入力ＨＩＮ信号のセット信号）＝（１，１）の場合のみ１となる。その他の入力信号の場合、ＬＥＲ＿ＳＥＴは０となる。ＬＥＲ＿ＳＥＴが１である場合に、ＬＥＲ＿ＯＵＴは１となる。本例では、ＬＥＲ＿ＯＵＴ＝１の場合のみ、トランジスタ３４をソフトシャットダウンするべく、ハイサイドドライバ３２のＨＯを制御する。
【００８０】
ＬＥＲ＿ＳＥＴが１となると、（ＯＮ＿ＳＥＴ，ＨＳＤ＿ＩＮ，ＬＥＲ＿ＳＥＴ）＝（０，０，１）となりＯＮ＿ＦＢが０となる。ＬＥＲ＿ＯＵＴが１でＯＮ＿ＦＢが０となると、ＯＮ＿ＯＵＴが１となりｐチャネルＭＯＳＦＥＴ３６をオフし、ＨＳＤ＿ＯＵＴは０であり、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７はオフのままである。そして、ＬＥＲ＿ＯＵＴが１であるためｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３８がオンする。
【００８１】
タイマー回路２５は、ＬＥＲ＿ＯＵＴが０から１に変化した時点から所定期間経過後に出力信号ＴＭとして１を出力する。その他の場合はタイマー回路２５の出力信号ＴＭは0となる。タイマー回路２５の出力ＴＭが１になるまでこの状態が続く。タイマー回路２５の出力ＴＭが１になるとＬＥＲ＿ＯＵＴが０になり、ＨＳＤ＿ＯＵＴが１となりｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３７をオンしｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３８をオフする。これにより、ソフトシャットダウンＬｓからハードシャットダウンＬｈへ移行する。
【００８２】
本例における上述した制御の態様を、下記の表１に、まとめて示す。なお、Ｌｈにおける「入力信号の指示内容」の欄の「ドライブソフトシャットダウンリセット」とは、ソフトシャットダウン後にハードシャットダウンすることを意味する。
【表１】
0006460230.tif 000002
【００８３】
図７は、制御部２８の状態遷移を示す図である。ＩＤＬＥ状態は、ドライブリセットまたはドライブソフトシャットダウンリセットの指示により、制御部２８の出力ＯＵＴをローレベルにすることを意味する。本例において、ＯＵＴのローレベルをＯＵＴ＝０と表す。ＤＲＶ状態は、ドライブセットの指示により、ＯＵＴをハイレベルにすることを意味する。本例において、ＯＵＴのハイレベルをＯＵＴ＝１と表す。ＳＳ状態は、ドライブソフトシャットダウンセットの指示により、ＯＵＴをローレベルにすることを意味する。
【００８４】
ＩＤＬＥ状態になるには２つの経路が存在する。１つの経路は、ＤＲＶ状態からハードシャットダウンすることによりＩＤＬＥ状態となる経路である。これは、表１の「入力信号の指示内容」の欄の「ドライブリセット」に対応する。本例の入力信号ｓｅｔ、ｒｅｓｅｔおよびＬＥＲにおいては、ハイレベルの論理値をＨで、ローレベルの論理値をＬで表現する。（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｌ，Ｈ，Ｌ）の入力信号により、ＤＲＶ状態はＩＤＬＥ状態に遷移する。
【００８５】
他の１つの経路は、ＳＳ状態からハードシャットダウンすることによりＩＤＬＥ状態となる経路である。これは、表１の「入力信号の指示内容」の欄の「ドライブソフトシャットダウンリセット」に対応する。（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｌ，Ｈ，Ｌ）の入力信号により、ＳＳ状態はＩＤＬＥ状態に遷移する。
【００８６】
ＩＤＬＥ状態である場合に、（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｈ，Ｌ，Ｌ）の入力信号により、ＩＤＬＥ状態からＤＲＶ状態に遷移する。また、ＤＲＶ状態である場合に、（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｌ，Ｈ，Ｈ）の入力信号により、ＤＲＶ状態からＳＳ状態に遷移する。なお、他の入力信号の組み合わせにおいては、現在の出力状態を保持するよう、制御部２８はハイサイドドライバ３２を制御する。
【００８７】
図８は、駆動回路１００の第１の動作例を示す図である。縦軸は、上から順に、入力信号ＨＩＮ、異常検出信号、ｓｅｔ、ｒｅｓｅｔ、ＬＥＲ、ＴＭ、ＯＮ＿ＯＵＴ、ＨＳＤ＿ＯＵＴおよびＬＥＲ＿ＯＵＴの電圧値、ならびに、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯの電圧値を示す。横軸は時間である。横軸において、右側の方が左側よりも新しい。本例のｓｅｔ、ｒｅｓｅｔ、ＬＥＲ、ＴＭ、ＯＮ＿ＯＵＴ、ＨＳＤ＿ＯＵＴ、ＬＥＲ＿ＯＵＴおよびＨＯにおいては、ハイレベルの論理値をＨで、ローレベルの論理値をＬで表現する。
【００８８】
時刻Ｔ０のハイサイド制御回路１２０の状態は、ＩＤＬＥ状態である。時刻Ｔ１において、（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｈ，Ｌ，Ｌ）が入力される。これにより、ハイサイド制御回路１２０の状態は、ＤＲＶ状態となる。またこれにより、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはＨとなる。
【００８９】
時刻Ｔ１のｓｅｔのパルス信号は、時刻Ｔ１よりも早く立ち上がった入力信号ＨＩＮにより生成される。時刻Ｔ３のｓｅｔのパルス信号は、時刻Ｔ３よりも早く立ち上がった入力信号ＨＩＮにより生成される。なお、図面の見易さを考慮して、図８では、入力信号ＨＩＮおよびｓｅｔの立上りタイミングをほぼ同じ時間として示す。
【００９０】
時刻Ｔ２において、（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｌ，Ｈ，Ｌ）が入力される。これにより、ハイサイド制御回路１２０の状態は、ＩＤＬＥ状態となる。つまり、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはハードシャットダウンされる。これにより、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはＬとなる。
【００９１】
時刻Ｔ２のｒｅｓｅｔのパルス信号は、時刻Ｔ２よりも早く立ち下がった入力信号ＨＩＮにより生成される。時刻Ｔ５のｒｅｓｅｔのパルス信号は、時刻Ｔ５よりも早く立ち下がった入力信号ＨＩＮにより生成される。なお、図面の見易さを考慮して、図８では、入力信号ＨＩＮの立下りタイミングとｒｅｓｅｔの立上りタイミングとをほぼ同じ時間として示す。
【００９２】
時刻Ｔ３において、（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｈ，Ｌ，Ｌ）が入力される。これにより、ハイサイド制御回路１２０の状態は、ＤＲＶ状態となる。つまり、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはドライブセットされる。これにより、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはＨとなる。
【００９３】
時刻Ｔ４において、（ｓｅｔ，ｒｅｓｅｔ，ＬＥＲ）＝（Ｌ，Ｈ，Ｈ）が入力される。これにより、ハイサイド制御回路１２０の状態は、ＳＳ状態となる。つまり、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはソフトシャットダウンされる。これにより、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯは、ハードシャットダウンの場合よりも長い時間をかけて、Ｌとなる。
【００９４】
時刻Ｔ４のｒｅｓｅｔのパルス信号は、時刻Ｔ４よりも早く立ち上がった異常検出信号により生成される。
【００９５】
また、時刻Ｔ４のＬＥＲのパルス信号は、時刻Ｔ４よりも早く立ち上がった異常検出信号と時刻Ｔ４においてＨである入力信号とにより生成される。なお、図面の見易さを考慮して、図８では、異常検出信号およびＬＥＲの立上りタイミングをほぼ同じ時間として示す。
【００９６】
時刻Ｔ５において、ＴＭ＝Ｈが入力される。これにより、ハイサイド制御回路１２０の状態は、ＩＤＬＥ状態となる。つまり、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはハードシャットダウンされる。これにより、ハイサイドドライバ３２の制御信号ＨＯはＬとなる。ただし、本例では、時刻Ｔ５において、既に制御信号ＨＯ＝Ｌである。それゆえ、時刻Ｔ５において、ＨＯの論理値は変更されない。
【００９７】
図９は、駆動回路１００の第２の動作例を示す図である。ハイサイド制御回路１２０は、トランジスタ３４のソフトシャットダウンを開始してから、タイマー回路２５により予め定められた期間が経過した後にＴＭ＝Ｈが入力されトランジスタ３４のハードシャットダウンに移行する。係る点において本例は、図８の例と異なる。他の点は、図８の例と同じである。本明細書では、制御部２８が、トランジスタ３４のソフトシャットダウンを開始してから、トランジスタ３４のハードシャットダウンに移行するまでの予め定められた期間を、制御部２８の「ＳＳ状態期間」と略記する。本例において、ＳＳ状態期間であるＴ４とＴ５との間の期間は、数μｓｅｃから数十μｓｅｃである。
【００９８】
制御部２８は、前段回路で検出された異常の種別に応じて、ＳＳ状態期間を定めてよい。前段回路で検出された異常とは、前段回路における電源７６の電圧異常（例えば、電圧低下）、第２スイッチ素子としてのトランジスタ７４の過電流または過熱等の１以上であってよい。制御部２８は、前段回路におけるこれらの異常を合わせて考慮することにより、ＳＳ状態期間を定めてよい。
【００９９】
制御部２８は、前段回路で検出された異常の種別に応じて、ソフトシャットダウンの時定数を定めてよい。時定数は、産業用モータ、エアコンおよび車用モータ等のアプリケーションに応じて適宜定めてよい。動作電圧は各アプリケーションの動作電圧に応じて異なるとしてよい。一例であるが、サージ電圧を発生させずにより早くシャットダウンする場合に、時定数をより小さくしてもよい。
【０１００】
ハイサイド制御回路１２０は、前段回路における異常の種別を判定する信号判定部を設けてもよい。信号判定部は、一例として、ｒｅｓｅｔのパルス信号が入力された後であって次にｒｅｓｅｔのパルス信号が入力されるまでの期間におけるＬＥＲのパルス数をカウントしてよい。信号判定部は、ＬＥＲのパルス幅をカウントしてもよい。信号判定部は、カウントされたＬＥＲのパルス数に応じて、異常の種別を定めてよい。信号判定部は、パルス数に応じた異常の種別を制御部２８に通知してよい。これにより、制御部２８は、前段回路で検出された異常の種別に応じて、ソフトシャットダウンの時定数を定めることができる。
【０１０１】
図１０は、ハイサイド制御回路１２０の第１の変形例を示す図である。前述したサージ電圧に起因するノイズなどを考慮しなくてもよい場合は、図３の誤動作保護回路９０を設けなくてもよい。図１０は、図３の誤動作保護回路９０の代わりにインバータ回路８５、インバータ回路８６およびインバータ回路８７を備える。その他の構成は、図３と同様である。
【０１０２】
インバータ回路８５は、ドレイン５７の電位であるｓｅｔｄｒｎの信号を入力して反転された信号であるＯＮ＿ＳＥＴをＲＳラッチ回路２３に出力する。インバータ回路８６は、ドレイン６７の電位であるｒｅｓｄｒｎの信号を入力して反転された信号であるＨＳＤ＿ＩＮをＲＳラッチ回路２３に出力する。インバータ回路８７は、ドレイン４７の電位であるＬＥＲｄｒｎの信号を入力して反転された信号であるＬＥＲ＿ＳＥＴをＲＳラッチ回路２６に出力する。図１０のハイサイド制御回路１２０の動作も、図３の場合の動作である図８および図９と同様である。
【０１０３】
図１１は、ハイサイド制御回路１２０の第２の変形例を示す図である。図３と異なる点は、ＡＮＤ論理回路２２およびＯＲ論理回路９６が設けられている点である。この場合、図２の前段回路２００において、ＡＮＤ論理回路２３０およびＯＲ論理回路２４８が不要となる。そして、図２において、ノイズフィルタ２１３の出力は直接、立上り微分パルス生成回路２４１に入力される。また、立下り微分パルス生成回路２４５の出力をｒｅｓｅｔとする。
【０１０４】
図１１のＡＮＤ論理回路２２には、ＬＥＲｄｒｎおよびＲＳラッチ回路２３の出力信号ＯＮ＿ＦＢが入力される。本例のＡＮＤ論理回路２２は、ＬＥＲｄｒｎの反転された電圧値とＲＳラッチ回路２３の出力信号ＯＮ＿ＦＢの電圧値の論理積をＬＥＲ＿ＳＥＴとして誤動作保護回路９０に出力する。ＬＥＲ＿ＳＥＴはＯＲ論理回路９６にも出力される。ＡＮＤ論理回路２２は、トランジスタ３４をソフトシャットダウンするか否かを判定する回路である。図１１のハイサイド制御回路１２０の動作も、図８および図９と同様である。
【０１０５】
図１２は、ハイサイド制御回路１２０の第３の変形例である。この例は、図１０のハイサイド制御回路１２０と同様にサージ電圧に起因するノイズなどを考慮しなくてもよい場合の例であり、誤動作保護回路９０を備えていない。さらに、図１１のハイサイド制御回路１２０と同様に、ＡＮＤ論理回路２２とＯＲ論理回路９６を備えている。図１２のハイサイド制御回路１２０の場合も図２の前段回路２００において、ＡＮＤ論理回路２３０およびＯＲ論理回路２４８は不要である。図１２のハイサイド制御回路１２０の動作も、図８および図９と同様である。
【０１０６】
図１３は、前段回路２００の第１変形例としての前段回路２０２を示す図である。本例の前段回路２０２は、第１の半導体チップ２６０および第２の半導体チップ２７０を有する。第１の半導体チップ２６０は、電圧検出回路２５０、過熱検出回路２５１、過電流検出回路２５２およびＯＲ論理回路２４８を有する異常検出回路２１０と駆動制御回路１３１の一部である立上り微分パルス生成回路２４１を有する。
【０１０７】
電圧検出回路２５０には、前段回路２０２の他の部分の電圧異常を示す異常検出信号が入力される。過熱検出回路２５１には、図１のトランジスタ７４の過熱を示す異常検出信号が入力される。過電流検出回路２５２には、図１のトランジスタ７４の過電流を示す異常検出信号が入力される。
【０１０８】
電圧検出回路２５０、過熱検出回路２５１および過電流検出回路２５２の構成は、図２で示した異常検出回路２１０と同じである。過熱検出回路２５１および過電流検出回路２５２は、それぞれ電圧異常、過熱および過電流の有無を、Ｈの信号としてＯＲ論理回路２４８に入力する。なお、本例においてもハイレベルの論理値をＨで、ローレベルの論理値をＬで表現する。
【０１０９】
ＯＲ論理回路２４８は、電圧検出回路２５０、過熱検出回路２５１および過電流検出回路２５２から出力された信号のいずれか一つがＨである場合に、立上り微分パルス生成回路２４１にＨの信号を出力する。これを元に、立上り微分パルス生成回路２４１は、異常があることを示すＨの信号をＬＥＲとして状態信号入力端子１６に出力する。
【０１１０】
第２の半導体チップ２７０は、入力バッファ回路２２０、立下り微分パルス生成回路２４５および立上り微分パルス生成回路２４７を有する。これらの機能は図２で記載した機能と同じである。入力バッファ回路２２０には、前段回路２０２の他の部分から入力信号ＨＩＮが入力される。立下り微分パルス生成回路２４５はｒｅｓｅｔをリセット信号入力端子１４に入力し、立上り微分パルス生成回路２４７はｓｅｔをセット信号入力端子１２に入力する。
【０１１１】
本例において、駆動回路１００のローサイドドライバ７２は、第１の半導体チップ２６０または第２の半導体チップ２７０に設けられてよい。これに代えて、ローサイドドライバ７２は、第１の半導体チップ２６０および第２の半導体チップ２７０とは別の第３の半導体チップに設けられてもよい。
【０１１２】
図１４は、前段回路２００の第２変形例としての前段回路２０４を示す図である。本例では、第１の半導体チップ２６０に、電圧検出回路２５０、過熱検出回路２５１、過電流検出回路２５２、ＯＲ論理回路２４８が設けられる。また、第２の半導体チップ２７０に、入力バッファ回路２２０、ＡＮＤ論理回路２３０およびパルス生成回路２４０が設けられる。このように、第１の半導体チップ２６０および第２の半導体チップ２７０の構成が、第１の変形例と異なる。ただし、各回路の機能は前述したとおりである。
【０１１３】
図１５は、前段回路２００の第３変形例としての前段回路２０６を示す図である。本例では、第１の半導体チップ２６０に、電圧検出回路２５０および過熱検出回路２５１が設けられる。また、第２の半導体チップ２７０に、過電流検出回路２５２、入力バッファ回路２２０、ＯＲ論理回路２４８、ＡＮＤ論理回路２３０およびパルス生成回路２４０が設けられる。このように、第１の半導体チップ２６０および第２の半導体チップ２７０の構成が、第１の変形例および第２変形例と異なる。ただし、各回路の機能は前述したとおりである。
【０１１４】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許の範囲の記載から明らかである。
【０１１５】
請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順序で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【０１１６】
１２・・セット信号入力端子、１４・・リセット信号入力端子、１６・・状態信号入力端子、２２・・ＡＮＤ論理回路、２３・・ＲＳラッチ回路、２５・・タイマー回路、２６・・ＲＳラッチ回路、２７・・ＡＮＤ論理回路、２８・・制御部、２９・・インバータ回路、３２・・ハイサイドドライバ、３４・・トランジスタ、３５・・電源、３６・・ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ、３７・・ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ、３８・・ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ、４０・・状態信号入力回路、４２・・抵抗素子、４４・・ダイオード、４５・・ダイオード、４６・・トランジスタ、４７・・ドレイン、４８・・寄生容量、４９・・ソース、５０・・セット信号入力回路、５２・・抵抗素子、５４・・ダイオード、５５・・ダイオード、５６・・トランジスタ、５７・・ドレイン、５８・・寄生容量、５９・・ソース、６０・・リセット信号入力回路、６２・・抵抗素子、６４・・ダイオード、６５・・ダイオード、６６・・トランジスタ、６７・・ドレイン、６８・・寄生容量、６９・・ソース、７０・・レベルシフト回路、７２・・ローサイドドライバ、７４・・トランジスタ、７６・・電源、８０・・負荷、８２・・電源、８５・・インバータ回路、８６・・インバータ回路、８７・・インバータ回路、９０・・誤動作保護回路、９１・・ＡＮＤ論理回路、９２・・ＡＮＤ論理回路、９３・・ＡＮＤ論理回路、９６・・ＯＲ論理回路、１００・・駆動回路、１２０・・ハイサイド制御回路、１３０・・ローサイド制御回路、１３１・・・駆動制御回路、１４０・・マイコン、２００・・前段回路、２０２・・前段回路、２０４・・前段回路、２０６・・前段回路、２１０・・異常検出回路、２１１・・コンパレータ、２１２・・レファレンス電源、２１３・・ノイズフィルタ、２２０・・入力バッファ回路、２２１・・コンパレータ、２２２・・レファレンス電源、２２３・・ノイズフィルタ、２３０・・ＡＮＤ論理回路、２４０・・パルス生成回路、２４１・・立上り微分パルス生成回路、２４２・・遅延回路、２４３・・ＡＮＤ論理回路、２４４・・ＡＮＤ論理回路、２４５・・立下り微分パルス生成回路、２４７・・立上り微分パルス生成回路、２４８・・ＯＲ論理回路、２５０・・電圧検出回路、２５１・・過熱検出回路、２５２・・過電流検出回路、２６０・・第１の半導体チップ、２７０・・第２の半導体チップ
【図１】
0006460230.tif 000003
【図２】
0006460230.tif 000004
【図３】
0006460230.tif 000005
【図４】
0006460230.tif 000006
【図５】
0006460230.tif 000007
【図６】
0006460230.tif 000008
【図７】
0006460230.tif 000009
【図８】
0006460230.tif 000010
【図９】
0006460230.tif 000011
【図１０】
0006460230.tif 000012
【図１１】
0006460230.tif 000013
【図１２】
0006460230.tif 000014
【図１３】
0006460230.tif 000015
【図１４】
0006460230.tif 000016
【図１５】
0006460230.tif 000017