(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転自在の基板保持機構により基板の裏面を保持する工程と、
前記基板保持機構により保持された基板を第１回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第１リンス液供給部から第１リンス液を供給して前記基板表面を第１リンス液で覆う第１リンス液供給工程と、
前記第１リンス液供給工程の後、第１リンス液供給部から第１リンス液を供給しながら、前記基板上の中央部と周縁部との間に第２リンス液供給部からの第２リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第１回転数より小さな第２回転数まで１〜２秒間をかけて下げることにより、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆う第２リンス液供給工程と、
前記第２リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、
を備え、
前記洗浄ブラシは前記基板の外周端縁を洗浄する小径ブラシ部と、前記小径ブラシ部に連結され、前記基板の裏面の外周端から内周側を洗浄する大径ブラシ部とを有し、前記洗浄ブラシの近傍に前記洗浄ブラシに対して洗浄液を供給するノズルを設けたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記基板を洗浄する工程において、前記第２リンス液供給部は、前記第２リンス液が前記基板の表面を流れて前記洗浄ブラシに到着する位置に、前記第２リンス液を供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第２リンス液供給工程の後、前記基板保持機構により保持された前記基板の裏面に対して薬液を供給することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
基板の裏面を保持する、回転自在の基板保持機構と、
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部に第１リンス液を供給する第１リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部と周縁部との間に第２リンス液を供給する第２リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板の周縁部に当接する洗浄ブラシと、
前記基板保持機構、前記第１リンス液供給部および前記第２リンス液供給部を制御する制御部とを備え、
前記洗浄ブラシは前記基板の外周端縁を洗浄する小径ブラシ部と、前記小径ブラシ部に連結され、前記基板の裏面の外周端から内周側を洗浄する大径ブラシ部とを有し、前記洗浄ブラシの近傍に前記洗浄ブラシに対して洗浄液を供給するノズルを設け、
前記制御部は前記基板保持機構、前記第１リンス液供給部および前記第２リンス液供給部を制御して、前記基板保持機構により保持された基板を第１回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第１リンス液を供給して前記基板表面を第１リンス液で覆い、
前記第１リンス液供給部から第１リンス液を供給しながら、前記基板上の中央部と周縁部との間に前記第２リンス液供給部からの第２リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された前記基板の回転数を、前記第１回転数より小さな第２回転数まで１〜２秒間をかけて下げることにより、前記基板表面全域を第１リンス液及び第２リンス液で覆い、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された前記基板を回転させながら、前記基板の周縁部に前記洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記第２リンス液供給部は、前記第２リンス液が前記基板の表面を流れて前記洗浄ブラシに到着する位置に、前記第２リンス液を供給することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持機構により保持された前記基板の裏面に対して薬液処理を施す裏面薬液処理部を設け、前記制御部は裏面薬液処理部を制御して、前記第１リンス液および前記第２リンス液で前記基板表面全域を覆う際、前記基板の裏面に対して薬液を供給することを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項７】
コンピュータに基板処理方法を実行させるための基板処理プログラムを記憶した記憶媒体において、
基板処理方法は、回転自在の基板保持機構により基板を保持する工程と、
前記基板保持機構により保持された基板を第１回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第１リンス液供給部から第１リンス液を供給して前記基板表面を第１リンス液で覆う第１リンス液供給工程と、
前記第１リンス液供給工程の後、第１リンス液供給部から第１リンス液を供給しながら、前記基板上の中央部と周縁部との間に第２リンス液供給部から第２リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第１回転数より小さな第２回転数まで１〜２秒間をかけて下げることにより、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆う第２リンス液供給工程と、
前記第２リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、を備え、
前記洗浄ブラシは前記基板の外周端縁を洗浄する小径ブラシ部と、前記小径ブラシ部に連結され、前記基板の裏面の外周端から内周側を洗浄する大径ブラシ部とを有し、前記洗浄ブラシの近傍に前記洗浄ブラシに対して洗浄液を供給するノズルを設けたことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の除去対象物を除去するための基板処理方法、基板処理装置及び基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するもの。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板を基板保持機構で保持した状態で、基板の表面に対してエッチング処理や成膜処理や洗浄処理などの各種の処理を繰り返し行っている。
【０００３】
そのため、基板に対して各種の処理を行う際に、基板の周縁部が基板保持機構に接触することによって、基板の裏面周縁部にパーティクル等の汚染物質が付着することがある。
【０００４】
この基板の周縁部に付着した汚染物質は、基板の各種処理に悪影響を及ぼすおそれがある。そのため、基板の周縁部に回転するブラシで洗浄や研磨などの処理を施して基板の周縁部から汚染物質を除去している。その際には、基板の中央部を吸着保持し、基板の周縁部にブラシを当てて基板の周縁部を洗浄している。この場合、基板の表面にリンス液を供給し、このリンス液を基板の中央部から周縁部まで拡げて、ブラシにより除去された汚染物質が基板表面に回り込むことを防止している。また、ブラシから飛び散って表面に落下した汚染物質を含む液がリンス液により周縁部の方向へ洗い流され、汚染物質が基板表面に付着しないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７８５９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、基板表面に対しては各種の処理が施されており、このような処理により、基板表面が疎水性をもつ場合、基板表面に供給されたリンス液が基板全域に十分拡がらないことがある。
【０００７】
このように基板全域にリンス液が拡がらないと、ブラシにより基板から除去された汚染物質が基板表面に回り込む又は飛び散ることにより、この汚染物質が基板表面に残ってしまい、基板の表面の処理に悪影響を与えるおそれがある。
【０００８】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、基板表面全域をリンス液を確実に覆って基板の周縁部を洗浄した際に生じる汚染物質が基板表面に回り込むこと又は付着することを防止することができる基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、回転自在の基板保持機構により基板の裏面を保持する工程と、
前記基板保持機構により保持された基板を第１回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第１リンス液供給部から第１リンス液を供給して前記基板表面を第１リンス液で覆う第１リンス液供給工程と、
前記第１リンス液供給工程の後、前記基板上の中央部と周縁部との間に第２リンス液供給部からの第２リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第１回転数より小さな第２回転数まで下げることにより、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆う第２リンス液供給工程と、
前記第２リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
【００１０】
本発明は、基板の裏面を保持する、回転自在の基板保持機構と、
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部に第１リンス液を供給する第１リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部と周縁部との間に第２リンス液を供給する第２リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板の周縁部に当接する洗浄ブラシと、
前記基板保持機構、前記第１リンス液供給部および前記第２リンス液供給部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は前記基板保持機構、前記第１リンス液供給部および前記第２リンス液供給部を制御して、前記基板保持機構により保持された基板を第１回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第１リンス液を供給して前記基板表面を第１リンス液で覆い、
前記基板上の中央部と周縁部との間に第２リンス液供給部からの第２リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第１回転数より小さな第２回転数まで下げることにより、前記基板表面全域を第１リンス液及び第２リンス液で覆い、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に前記洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄することを特徴とする基板処理装置である。
【００１１】
本発明は、コンピュータに基板処理方法を実行させるための記憶媒体において、
基板処理方法は、回転自在の基板保持機構により基板を保持する工程と、
前記基板保持機構により保持された基板を第１回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第１リンス液供給部から第１リンス液を供給して前記基板表面を第１リンス液で覆う第１リンス液供給工程と、前記第１リンス液供給工程の後、前記基板上の中央部と周縁部との間に第２リンス液供給部から第２リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第１回転数より小さな第２回転数まで下げることにより、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆う第２リンス液供給工程と、前記第２リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明によれば、基板表面全域をリンス液で確実に覆うことができ、このことにより、基板表面に汚染物質が残ることはない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は基板処理システムを示す平面説明図。
【図２】図２は基板処理装置を示す側面図。
【図３】図３は基板処理装置の作用を示す側面図。
【図４】図４は基板処理装置を示す図２と異なる方向からみた側面図。
【図５】図５は基板処理装置の作用を示す側面図。
【図６】図６は基板処理装置の作用を示す概略平面図。
【図７】図７は基板処理装置の作用を示す概略側面図。
【図８】図８は基板処理装置の動作を示す概略説明図。
【図９】図９は基板処理装置の処理工程を示す時間と回転数の関係を示す図。
【図１０】図１０は基板処理装置を示す平面図。
【図１１】図１１は本発明の他の実施形態を示す概略側面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜第1の実施の形態＞
以下に、本発明に係る基板処理方法、基板処理装置および基板処理プログラムを格納した記憶媒体の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１に示すように、基板処理システム１は、筺体２を備え、この筺体２は前端部に形成された基板搬入出台３と、基板搬入出台３の後部に形成された基板処理室４とを有する。
【００１６】
基板搬入出台３には、基板Ｗ（ここでは、半導体ウエハ）を複数枚（たとえば、２５枚）まとめて収容した複数個（ここでは、３個）のキャリア６が上部に左右に並べて載置されている。
【００１７】
また、基板搬入出台３は、キャリア６と後部の基板処理室４との間で基板５の搬入及び搬出を行うようにしている。
【００１８】
基板処理室４は、中央部に配置された基板搬送装置７と、基板搬送装置７の一側部に配置された基板反転装置８および表面処理装置９と、基板搬送装置７の他側部に配置された裏面処理装置１０および裏面周縁部処理装置１１とを有している。ここで、基板反転装置８は、基板Ｗの表裏を反転させる装置である。表面処理装置９は、基板Ｗの表面に付着した汚染物質や基板５の表面に形成された凸部などの除去対象物を基板５の表面から除去する装置である。裏面処理装置１０は、基板支持体で外周端を支持した基板５の裏面の内周部から基板支持体の近傍までの範囲の除去対象物を除去する装置である。裏面周縁部処理装置１１は、基板５の裏面周縁部から除去対象物を除去する装置である。
【００１９】
そして、基板搬送装置７は基板搬入出台３の所定のキャリア６から１枚の基板Ｗを受取り、表面処理装置９、裏面処理装置１０、裏面周縁部処理装置１１、及び基板反転装置８との間で基板Ｗを搬送する。また各装置９〜１１で処理された基板Ｗは、基板搬送装置７により基板搬入出台３の所定のキャリア６に受渡すようにしている。
【００２０】
この基板処理システム１には、制御装置１２（コンピュータ）が接続されており、制御装置１２で読み取り可能な記憶媒体１３に記憶した基板処理プログラムにしたがって基板Ｗを処理する。なお、記憶媒体１３は、基板処理プログラム等の各種プログラムを記憶できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリ型の記憶媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。
【００２１】
なお、本発明に係る基板処理システムは、上記構成のように基板反転装置８と表面処理装置９と裏面処理装置１０と裏面周縁部処理装置１１とを一体的に構成したシステムに限定されるものではなく、各装置８〜１１をそれぞれ別々に独立して構成したシステムであってもよい。また、基板処理システム１は、基板Ｗから除去対象物を除去するものであり、後述するように、洗浄液を用いた洗浄処理によって除去対象物を除去する場合に限られず、研磨材を用いた研磨処理によって除去対象物を除去するものでもよい。
【００２２】
次に基板処理システム１のうち、本発明による基板処理装置となる裏面周縁部処理装置１１について図２乃至図４により述べる。
【００２３】
この基板処理システム１において、裏面周縁部処理装置（基板処理装置）１１は図４に示すように、ケーシング１４と、このケージング１４の内部に収納された基板保持機構１５および基板処理機構１６とを有している。
【００２４】
基板保持機構１５は、基板Ｗの表面（主面：回路形成面）を上側に向けた状態で基板５の中央部を吸着して基板Ｗを水平に保持するとともに、保持した基板Ｗを回転させる機構である。この基板保持機構１５は、回転軸１７と、回転軸１７の上端部に取付けられた円板状の吸引テーブル１８とを有する。回転軸１７には、基板回転駆動機構２０が接続されており、吸引テーブル１８には、吸引機構２１が接続されている。基板回転駆動機構２０及び吸引機構２１は、制御装置１２に接続されており、制御装置１２でそれぞれ制御される。なお、吸引テーブル１８の外周外方には、処理液等の飛散を防止するカップ２２が設けられている。
【００２５】
基板処理機構１６は、基板Ｗの表面にリンス液を供給し、基板Ｗの表面をリンス液で覆うことによって基板Ｗの表面に汚染物質が吸着することを防止する機構である。
【００２６】
この基板処理機構１６は支持軸２３と、この支持軸２３の上部にその基端が取付けられた２本のアーム２４Ａ、２４Ｂと、各アーム２４Ａ、２４Ｂの先端に取付けられたノズル２５Ａ、２５Ｂとを有する。
【００２７】
このうち、ノズル２５Ａ（第１リンス液供給部）は基板Ｗの中央部Ｗ１にＤｅ  Ｉｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ（ＤＩＷ）を含む第１リンス液を供給するものであり、ノズル２５Ｂ（第２リンス液供給部）は基板Ｗの中央部Ｗ１と周縁部Ｗ２との間にＤＩＷを含む第２リンス液を供給するものである。
【００２８】
なお、第１リンス液と第２リンス液は、同質のＤＩＷからなる。
【００２９】
図４及び５において、各ノズル２５Ａ、２５Ｂは、第１リンス液および第２リンス液を供給するためのリンス液供給源２６に流量調整器２７を介して接続している。支持軸２３には、アーム回転駆動機構２８が接続されている。流量調整器２７及びアーム回転駆動機構２８は、制御装置１２に接続されており、制御装置１２でそれぞれ制御される。
【００３０】
図２乃至図４において、基板保持機構１５で基板Ｗを水平に保持しながら回転させ、ノズル２５Ａおよびノズル２５Ｂから第１リンス液および第２リンス液を供給する。これにより、基板Ｗの表面全域を第１リンス液および第２リンス液で覆うことができる。
【００３１】
またカップ２２の外周に支持軸６０が設けられ、この支持軸６０の上端部にアーム６１の基端部が取付けられている。さらにアーム６１の先端部にブラシヘッド６２が取付けられ、ブラシヘッド６２に洗浄ブラシ６３が取付けられている。また、ブラシヘッド６２には洗浄ブラシ６３に向けて洗浄液（ＤＩＷ）を供給するノズル６４が取付けられ、ノズル６４に洗浄液を供給するための洗浄液供給源および流量調整器（図示せず）が接続されている。支持軸６０には、回転駆動機構６７が接続されており、ブラシヘッド６２には、回転駆動機構６８が接続されている。流量調整器及び回転駆動機構６７，６８は、制御装置１２に接続されており、制御装置１２でそれぞれ制御される。
【００３２】
ここで、洗浄ブラシ６３は、全体としてスポンジ製となっており、基板Ｗの外周端縁に当接して洗浄処理する小径ブラシ部６９と、小径ブラシ部６９の下方に連設し、小径ブラシ部６９よりも大径で基板Ｗの裏面の外周部に当接して洗浄処理する大径ブラシ部７０とで構成されている。このように、小径ブラシ部６９は基板５の外周端縁に当接し、大径ブラシ部７０は基板５の裏面の外周部に当接し、このことにより、基板Ｗの外周端縁と裏面の外周部とを同時に洗浄処理できる。なお、洗浄ブラシ６３は、小径ブラシ部６９を省略して大径ブラシ部７０だけで構成し、大径ブラシ部７０を基板Ｗの外周端縁から内周方向に移動させて基板Ｗの裏面の外周部を洗浄するようにしてもよい。
【００３３】
次に第１リンス液供給部分となるノズル２５Ａと、第２リンス液供給部となるノズル２５Ｂと、洗浄ブラシ６３の配置関係について述べる。
【００３４】
ここで、図１０は裏面周縁部処理装置（本発明による基板処理装置）１１を示す平面図である。
【００３５】
図１０に示すように、基板保持機構１５により吸着保持された基板Ｗの上方に、ノズル２５Ａ、２５Ｂが各々設置されている。このうちノズル２５Ａは第１リンス液Ｒ１を基板Ｗの中央部に供給するものであり、ノズル２５Ｂは第２リンス液Ｒ２を基板Ｗの中央部と周縁部との間に供給するものである。
【００３６】
また、洗浄ブラシ６３は、基板処理装置１１のカップ２２に形成された切欠き２２Ａ内に配置されている。
【００３７】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち基板処理方法について図１乃至図１０により説明する。
【００３８】
まず、基板搬送装置７から１枚の基板Ｗが基板処理装置１１内に搬入され、基板処理装置１１内に搬入された基板Ｗはその裏面中央部Ｗ１において基板保持機構１５の吸引テーブル１８により吸着して保持される（図２乃至図４参照）。
【００３９】
次に基板保持機構１５により基板Ｗが回転し、その回転数が高速の第１回転数（１０００ｒｐｍ）まで１〜２秒間で上昇する。この際、基板Ｗの表面中央部Ｗ１にノズル２５Ａ（第１リンス液供給部）から第１リンス液（ＤＩＷ）が６００ｍｌ／ｍｉｎで供給される（第１リンス液供給工程）（図６乃至図９参照）。
【００４０】
次に基板保持機構１５により回転する基板Ｗの回転数が、第１回転数（１０００ｒｐｍ）から第２回転数（１００ｒｐｍ）まで、１〜２秒間で低下し、この間、ノズル２５Ａ（第１リンス液供給部）から第１リンス液を供給した状態を保ったまま（６００ｍｌ／ｍｉｎ）、ノズル２５Ｂ（第２リンス液供給部）から第２リンス液（ＤＩＷ）が基板Ｗの中央部Ｗ１と周縁部Ｗ２との間に９００ｍｌ／ｍｉｎで供給される（第２リンス液供給工程）（図６乃至図９参照）。
【００４１】
上述のように、基板Ｗを第１回転数で回転させながら、基板Ｗの中央部Ｗ１にノズル２５Ａから第１リンス液Ｒ１を供給した場合、基板Ｗの回転に伴なって基板Ｗ上の第１リンス液Ｒ１は中央部Ｗ１から周縁部Ｗ２まで拡がる（図６および図７参照）。
【００４２】
しかしながら、基板Ｗの表面に対しては各種の処理が施されており、例えば基板Ｗの表面が処理されて疎水性をもつ場合（例えば接触角４０〜５０°の場合）、ノズル２５Ａから供給された第１リンス液Ｒ１が基板Ｗの中央部Ｗ１から周縁部Ｗ２まで確実に拡がらないことも考えられる。このように第１リンス液Ｒ１が基板Ｗの中央部Ｗ１から周縁部Ｗ２まで十分に拡がることがなく、このことにより基板Ｗの表面全域が第１リンス液Ｒ１により覆われない場合、後述のように洗浄ブラシ６３によって基板Ｗの裏面周縁部を洗浄した際、基板Ｗから剥離した汚染物質が基板Ｗの表面に回り込んで残ってしまうことがある。また、ブラシから飛び散って表面に落下した汚染物質を含む液が基板表面に付着することがある。第１リンス液供給部の流量を十分に大きくすれば基板Ｗの表面全域を第１リンス液で覆うこともできるが、その条件を満たす流量が第１リンス液供給部の供給能力を超えてしまう場合は、この手法では問題は解決できない。
【００４３】
本実施の形態によれば、基板Ｗを高速の第１回転数で回転させながらノズル２５Ａにより第１リンス液Ｒ１を６００ｍｌ／ｍｉｎで基板Ｗの中央部Ｗ１に供給した後（第１リンス液供給工程）、基板Ｗの回転数を高速の第１回転数から低速の第２回転数まで低下させながら、ノズル２５Ａにより第１リンス液Ｒ１を基板Ｗの中央部Ｗ１に供給するとともに、ノズル２５Ｂにより第２リンス液Ｒ２を基板Ｗの中央部Ｗ１と周縁部Ｗ２との間に供給する（第２リンス液供給工程）。
【００４４】
このように第１リンス液供給工程の後に第２リンス液供給工程を実行することにより、基板Ｗの表面が疎水性の性状をもっていても、まず基板Ｗの中央部Ｗ１に供給された第１リンス液Ｒ１を基板Ｗの表面に拡げた後、基板Ｗの中央部Ｗ１に供給された第１リンス液Ｒ１および基板Ｗの中央部Ｗ１と周縁部Ｗ２との間に供給された第２リンス液Ｒ２を基板Ｗの表面全域に確実に拡げることができる。このため洗浄ブラシ６３によって基板Ｗの裏面周縁部を洗浄した場合に、洗浄ブラシ６３に対してノズル６４から洗浄液Ｒ３を供給しても、基板Ｗから剥離した汚染物質がこの洗浄液Ｒ３によって基板Ｗの表面側に戻されたり、回り込むことはない。
【００４５】
このような第１リンス液供給工程と第２リンス液供給工程を経て、基板Ｗは１００ｒｐｍの第２回転数まで低下し、基板Ｗはこの低速の第２回転数で回転する。
【００４６】
次に洗浄ブラシ６３を用いた洗浄工程に入る。この洗浄工程において、基板Ｗは１００ｒｐｍの第２回転数で回転を続け、ノズル２５Ａ（第１リンス液供給部）から６００ｍｌ／ｍｉｎで第１リンス液Ｒ１が基板Ｗの中央部Ｗ１に供給され、ノズル２５Ｂ（第２リンス液供給部）から９００ｍｌ／ｍｉｎで第２リンス液Ｒ２が基板Ｗの中央部Ｗ１と周縁部Ｗ２との間に供給される。
【００４７】
同時に洗浄ブラシ６３が基板Ｗの周縁部Ｗ２に当接して、洗浄ブラシ６３により基板Ｗの周縁部Ｗ２が洗浄される。
【００４８】
この洗浄工程において、ノズル６４を介して洗浄ブラシ６３に向けて洗浄液Ｒ３が吐出される。さらに、制御装置１２で回転駆動機構６７，６８を制御して、洗浄ブラシ６３を回転させながら基板Ｗの外周縁部Ｗ２に当接させ、洗浄ブラシ６３の小径ブラシ部６９で基板Ｗの外周端縁を洗浄すると同時に洗浄ブラシ６３の大径ブラシ部７０で基板Ｗの裏面の外周端から内周側の所定の処理範囲を洗浄する。このことにより、基板Ｗの外周端縁及び基板Ｗの外周端から内周側の所定の処理範囲における汚染物質を除去することができる。
【００４９】
このような洗浄ブラシを用いた洗浄工程の後、基板保持機構１５により基板Ｗの回転数が１０００ｒｐｍの高速の第３回転数まで上昇し、基板Ｗに対してノズル２５ＡからＤＩＷの後リンス液が供給され、基板Ｗ表面がこの後リンス液により更に洗浄される（後リンス液供給工程）。
【００５０】
その後、基板保持機構１５により基板Ｗの回転数が１０００ｒｐｍの第３回転数から２０００ｒｐｍの第４回転数まで上昇し、基板Ｗ状に残る後リンス液（ＤＩＷ）がスピン乾燥される（乾燥工程）。
【００５１】
以上のように、本実施の形態によれば、第１リンス液供給工程の後に第２リンス液供給工程を行なうことにより、基板Ｗの表面が疎水性の性状をもっていても、まず基板Ｗを高速の第１回転数で回転させながら、第１リンス液Ｒ１を基板Ｗの表面に拡げた後、基板Ｗの回転数を低速の第２回転数まで下げながら、第１リンス液Ｒ１および第２リンス液Ｒ２を基板Ｗの表面全域に確実に拡げることができる。このため洗浄ブラシ６３によって基板Ｗの裏面周縁部を洗浄した場合に、洗浄ブラシ６３に対してノズル６４から洗浄液Ｒ３を供給しても、基板Ｗから剥離した汚染物質がこの洗浄液Ｒ３によって基板Ｗの表面側に戻されたり、回り込むことはない。また、ブラシから飛び散って表面に落下した汚染物質を含む液が基板表面に付着することもない。
【００５２】
このため基板Ｗから剥離した汚染物質が基板Ｗ上に残ることはなく、基板Ｗ上を常に清浄な状態に保つことができる。また、第２リンス液供給工程において、基板Ｗの回転数を低速の第２回転数まで下げ、この第２回転数で基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを洗浄ブラシ６３で洗浄する洗浄工程に入る。このため、洗浄工程に入る前に基板Ｗの回転数を調整する必要はなく、第２リンス液供給工程から洗浄工程へスムースに移行することができる。本実施形態では、洗浄ブラシ６３で洗浄する洗浄工程において、第２リンス液供給部２５Ｂは、第２リンス液が基板Ｗの表面を流れて洗浄ブラシ６３に到着するような位置Ｗ３に、第２リンス液を供給する（図６）。位置Ｗ３は、基板Ｗのサイズ、第２リンス液の液量、ウエハＷの回転数等に応じて変化するものであり、予め実験を行うことにより最適な位置を求めることができる。
【００５３】
なお、上記実施の形態において、ノズル２５Ａから第１リンス液Ｒ１を基板Ｗの表面上に供給し、かつノズル２５Ｂから第２リンス液Ｒ２を基板Ｗ上に供給した状態で、基板Ｗの裏面周縁に設けた不図示の薬液供給路（裏面薬液処理部）から基板Ｗの裏面に薬液を供給して基板の薬液処理を施してもよい。
【００５４】
このように基板Ｗの表面上に第１リンス液Ｒ１と第２リンス液Ｒ２を供給しながら、基板Ｗの裏面に薬液を供給することにより、基板Ｗの裏面の薬液が基板Ｗの表面側に回り込むことを確実に防止することができる。
以上の実施形態では、基板Ｗの回転数を高速の第１回転数から低速の第２回転数まで低下させながら、ノズル２５Ａにより第１リンス液Ｒ１を基板Ｗの中央部Ｗ１に供給するとともに、ノズル２５Ｂにより第２リンス液Ｒ２を基板Ｗの中央部Ｗ１と周縁部Ｗ２との間に供給するようにした。しかし、第２リンス液供給工程は、以上の制御に限定されない。例えば、基板Ｗの回転数を高速の第１回転数において、ノズル２５Ｂにより第２リンス液Ｒ２を開始し、ウエハＷの全域を第１リンス液Ｒ１と第２リンス液Ｒ２で覆った後で、基板Ｗの回転数を高速の第１回転数から低速の第２回転数まで低下させるようにしてもよい。すなわち、基板Ｗの回転数が第２回転数まで下がったときに基板Ｗの表面全域が第１リンス液および第２リンス液で覆うことができれば、第２リンス液Ｒ２の供給開始のタイミングは任意に決めて良い。
【００５５】
＜他の実施形態＞
次に図１１により本発明の他の実施形態について説明する。
【００５６】
図１１および図１２（ａ）（ｂ）に示す例は、基板Ｗ上に第１リンスＲ１および第２リンスＲ２のいずれも供給することなく、かつ基板Ｗに対して洗浄液Ｒ３を供給しない状態で、基板Ｗの裏面周縁部を小径ブラシ部６９と大径ブラシ部７０とを有する洗浄ブラシ６３により洗浄するものである。
【００５７】
図１１に示す例において、図１乃至図１０に示す実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５８】
図１１に示すように、カップ２２内に回転軸１７と吸引テーブル１８とを有する基板保持機構１５により吸着保持された基板Ｗが収納されている。
【００５９】
またカップ２２の外周に上方開口の保湿タンク７１が設けられ、この保湿タンク７１内に小径ブラシ部６９と大径ブラシ部７０とを有する洗浄ブラシ６３が収納されている（図１１の位置（１））。
【００６０】
図１１には示していないが、洗浄ブラシ６３に対してＤＩＷの洗浄液Ｒ３を供給するノズル６４が設けられている（図２および図３参照）。
【００６１】
図１１において、まず洗浄ブラシ６３は保湿タンク７１内に収納されている（図１１の位置（１））。この場合、洗浄ブラシ６３に対してノズル６４から洗浄液Ｒ３が供給され、洗浄ブラシ６３は保湿タンク７１内で十分に保湿されている。次にノズル６４からの洗浄液Ｒ３の供給が停止する。
【００６２】
その後、保湿タンク７１から洗浄ブラシ６３が取り出され（図１１の位置（２））、次に洗浄ブラシ６３はカップ２２の切欠き２２Ａからカップ２２内に挿入されて、洗浄ブラシ６３は基板Ｗの周縁部Ｗ１に当接する（図１１の位置（３））。
【００６３】
この間、基板Ｗは基板保持機構１５により吸着保持されるとともに、低速の１００ｒｐｍの回転数で回転している。また基板Ｗ上には、第１リンス液Ｒ１および第２リンス液Ｒ２はいずれも供給されておらず、かつ基板Ｗ上には洗浄液Ｒ３も供給されていない。
【００６４】
このように基板Ｗを１００ｒｐｍの低速で回転させた状態で洗浄ブラシ６３を周縁部に押し込むことにより基板Ｗの裏面周縁部を洗浄する。基板Ｗの周縁部Ｗ２を効果的に洗浄することができ、基板Ｗから除去された汚染物質が基板Ｗの表面に残ることはない。
【符号の説明】
【００６５】
１  基板処理システム
１１  裏面周縁部処理装置
１２  制御装置
１５  基板保持機構
２２  カップ
２５Ａ  第１リンス供給部
２５Ｂ  第２リンス供給部
６３  洗浄ブラシ
６４  ノズル
Ｗ  基板
Ｗ１  中央部
Ｗ２  周縁部
Ｒ１  第１リンス液
Ｒ２  第２リンス液
Ｒ３  洗浄水
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006513492.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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