(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線の列に配置された複数の孔が内部に形成された、光透過性の部材と、
前記光透過性の部材に連結され、前記光透過性の部材の直径に対して直角に垂直に前記複数の孔から延伸する複数のチューブと、
前記複数のチューブのうちの少なくとも１つに連結されたフランジプレートと
を備え、
前記チューブのうちの各チューブが、前記光透過性の部材と前記フランジプレートとの間でチューブ上に配置された断熱部材を備える、ガス供給装置。
【請求項２】
前記複数のチューブのうちの各チューブが石英を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各断熱部材が放射遮断部材を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記フランジプレートの少なくとも１部を取り囲む金属製クランプ部材をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記フランジプレートと前記金属製クランプ部材との間に適合部材が配置されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
処理チャンバ本体と、
前記処理チャンバ本体に連結された光透過性の部材と、
前記光透過性の部材を貫通するように形成された複数の孔であって、前記複数の孔は直線の列に配置され、且つ前記光透過性の部材の直径に対して平行にオフセットして配置されている、複数の孔と、
第１の端部において前記光透過性の部材に連結され、前記複数の孔から延伸する複数のチューブと、
前記複数のチューブの第２の端部に連結されたフランジプレートと、
前記チャンバ本体に連結され、前記光透過性の部材と前記フランジプレートの間に配置されたリフレクタプレートと、
を備える、基板処理のための装置。
【請求項７】
前記複数のチューブが、前記リフレクタプレートを貫通して延伸している、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記リフレクタプレートが、第１の部材と、前記複数のチューブが前記リフレクタプレートを貫通して延伸する領域において前記第１の部材に接合された第２の部材とを備える、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記複数の孔が、第１の孔及び複数の第２の孔を含む直線の列に配列され、前記第１の孔が前記光透過性の部材の中央エリアにあり、前記複数の第２の孔のそれぞれが前記第１の孔から異なる距離にある、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
各チューブが断熱部材を含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
各チューブが、前記光透過性の部材から前記断熱部材まで延伸する第１の石英部分、及び前記断熱部材から前記フランジプレートまで延伸する第２の部分を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
処理チャンバ本体と、
前記処理チャンバ本体に連結された第１のドームと、
前記第１のドームの反対側で前記チャンバ本体に連結された第２のドームであって、前記チャンバ本体、第１のドーム、及び前記第２のドームが処理容積を画成する第２のドームと、
前記処理容積内に配置された基板支持体と、
前記処理容積の外部で前記チャンバ本体に連結されたランプアレイと、
前記第２のドームを貫通して形成された複数の孔と、
前記複数の孔のそれぞれに連結され、各孔から、前記処理容積から離れる方に延伸するチューブと、
各チューブに連結されたフランジプレートと、
前記チャンバ本体に連結され、前記第２のドームと前記フランジプレートの間に配置されたリフレクタプレートと
を備える、基板処理のための装置。
【請求項１３】
断熱部材が、前記リフレクタプレートと前記フランジプレートとの間で各チューブに連結されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記フランジプレートを部分的に取り囲むクランプ部材、及び前記クランプ部材と前記フランジプレートの間に配置された適合部材をさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に記載する実施形態は、概して半導体処理チャンバへのガス供給を改善するための装置及び方法に関する。より具体的には、本明細書に記載する実施形態は、射出アセンブリ付きの上方ドームに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体処理において、半導体装置内で機能を果たす膜を形成するために、様々なプロセスが一般的に用いられてきた。これらのプロセスの中には、エピタキシと称する特定の型の堆積処理がある。エピタキシプロセスにおいて、上にエピタキシャル層を形成しようとする１または複数の基板を含むチャンバに、典型的には混合ガスが導入される。蒸気が基板上に高品質の材料層を形成するのを助長するため、プロセスの条件が整備される。基板表面上に堆積する膜の高品質性及び均一性が要望される場合、一般的にエピタキシが好まれる。
【０００３】
例示的なエピタキシプロセスにおいて、基板の上表面上に誘電体材料または半導体材料が形成される。エピタキシプロセスは、シリコンまたはゲルマニウムといった、薄い、超高純度材料層を基板表面上に成長させる。支持体上に位置する基板表面に対してほぼ平行に処理ガスを流すことによって、及び基板表面上にガスからの材料を堆積させるために当該処理ガスを熱分解することによって、材料が横方向フローチャンバ内に堆積し得る。
【０００４】
処理の均一性は、半導体産業において一般的に要望されており、半導体製造プロセスを通じた処理の均一性を向上するために、多くの研究開発努力が捧げられている。例えば、ガスの流量パターン及び温度の制御装置といったリアクタの設計は、エピタキシャル成長における膜の品質及び均一性に影響し得る。ガス流の特性は基板上の膜の性能に影響し得るので、基板上に均一な材料層の成長を促進する、ガス供給及び堆積装置の必要性がある。
【０００５】
クロスフロー式ガス供給装置は、基板が回転している間、基板表面上に横方向にガスが流れるように、処理チャンバ内にガスを射出する。しかし、不均一なガス流の特性によって、堆積した膜に、中心から端部にかけた不均一性が生じ得る。ある場合には、クロスフロー式ガス供給装置を介して導入され得る前駆体核種の型及び数が、限定される。
【０００６】
このように、当該技術分野において、エピタキシプロセスのための改善されたガス供給装置が必要とされている。
【発明の概要】
【０００７】
一実施形態においては、処理チャンバ用のガス供給装置が提供される。ガス供給装置は、内部に形成された複数の孔を有する石英ドームを備える。複数のチューブがドームに連結され、複数の孔から延伸している。複数のチューブには、フランジプレートが連結されている。
【０００８】
別の実施形態では、基板を処理するための装置が提供される。装置は、処理チャンバ本体及び、チャンバ本体に連結された石英ドームを備える。ドームを貫通して複数の孔が形成されている。複数のチューブが第１の端部においてドームに連結され、当該複数の孔から延伸している。フランジプレートは、複数のチューブの第２の端部に連結されている。リフレクタプレートは、チャンバ本体に連結され、ドームとフランジプレートの間に配置されている。
【０００９】
さらに別の実施形態では、基板を処理するための装置が提供される。装置は、第１の石英ドーム、及び第１の石英ドームの反対側でチャンバ本体に連結された第２の石英ドームを有する、処理チャンバ本体を備える。チャンバ本体、第１の石英ドーム、及び第２の石英ドームは、処理容積を画成する。基板支持体は処理容積内に配置され、ランプアレイは、処理容積の外部でチャンバ本体に連結されている。複数の孔が、第２の石英ドームを貫通して形成されており、複数の孔のそれぞれにチューブが連結されている。複数のチューブは、処理容積から離れる方向に、それぞれの孔から延伸している。フランジプレートは、チューブ及びリフレクタプレートに連結されている。チャンバ本体に連結されているリフレクタプレートは、第２の石英ドームとフランジプレートの間に配置されている。
【００１０】
本開示の上述の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の一部は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面は本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、従って本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本明細書に記載の一実施形態による処理チャンバの概略断面図を示す。
【図２】本明細書に記載の一実施形態による処理チャンバの上面斜視図を示す。
【図３】本明細書に記載の一実施形態による、チャンバ本体が取り外された内部チャンバ構成要素の斜視図を示す。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ、本明細書に記載の一実施形態による、ガス供給装置の断面図を示す。
【図４Ｃ】本明細書に記載の一実施形態による、ガス供給装置の断面図を示す。
【図５】本明細書に記載の一実施形態による、リフレクタプレートの平面図を示す。
【図６Ａ】本明細書に記載の一実施形態による、ドーム、チューブ、及びフランジプレートの斜視図を示す。
【図６Ｂ】本明細書に記載の一実施形態による、ドーム、チューブ、及びフランジプレートの斜視図を示す。
【図７】図６Ａのドーム、チューブ、及びフランジプレートの断面斜視図を示す。
【図８】図６Ａのドーム、チューブ、及びフランジプレートの断面図を示す。
【図９Ａ】図６Ａのドーム及びフランジプレートの平面図を示す。
【図９Ｂ】図６Ｂのドーム及びフランジプレートの平面図を示す。
【図１０】本明細書に記載の一実施形態による、ガス供給装置を伴う処理チャンバの斜視図を示す。
【図１１】本明細書に記載の一実施形態による、ドームの平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができることが企図される。
【００１３】
本明細書に記載する実施形態は、概して半導体処理チャンバへのガス供給装置に関する。エピタキシャル半導体処理チャンバの石英ドームは、ドーム内部に形成された複数の孔を有する。上方ドームの孔を通って、チャンバの処理容積の内部に前駆体及びキャリアガスが提供される。ガス供給チューブは、ドームの孔からフランジプレートへ延伸している。フランジプレートでは、チューブがガス供給管に連結されている。ガス供給装置によって、石英ドームを通って基板上方の処理容積まで、ガスが供給されることが可能になる。
【００１４】
図１は、処理チャンバ１００の概略断面図を示す。処理チャンバ１００は、基板１０８の上表面１１６上に材料を堆積させることを含め、１または複数の基板を処理するために使用される。処理チャンバ１００は、処理容積１５６を画成する、チャンバ本体部材１００ａ、第１の石英ドーム１１４、及び第２の石英ドーム１２８を備える。第１の石英ドーム１１４及び第２の石英ドーム１２８は、概して光透過性部材と見なされ得ることが、考えられる。第１のクランプリング１０１と第２のクランプリング１３０の間に配置されたベースリング１３６によって、第１の石英ドーム１１４と第２の石英ドーム１２８とが仕切られている。ライナーアセンブリ１６３はベースリング１３６に連結され、予熱リング１６７はライナーアセンブリ１６３に連結されている。予熱リング１６７は、余分な放射が予熱リング１６７を超えて伝播するのを遮蔽するため、及び処理ガスが基板１０８の上表面１１６と接触するより前に、流入する処理ガスを予熱するため、ライナーアセンブリ１６３から半径方向内向きに延伸している。リフレクタプレート１２２は、処理容積１５６の外側で第２のドーム１２８に隣接して配置され、リフレクタプレート１２２は、第２のクランプリング１３０に連結されている。
【００１５】
ランプアレイ１４５は、第１のドーム１１４に隣接する第１のクランプリング１０１に連結されている。ランプアレイ１４５は、１または複数のランプ１０２を含み、各ランプ１０２はバルブ１４１を有する。ランプアレイ１４５は、基板１０８を比較的短期間で所望の温度まで加熱するように構成される。基板１０８の上表面１１６上に堆積した、または上表面１１６上にベークとして使用された所望の材料特性を達成するため、加熱プロセスは、加熱と冷却を繰り返すサイクルを含み得る。ランプアレイ１４５はまた、基板１０８の様々な領域の独立した温度管理を提供する。それによって、基板１０８の上表面１１６上への材料の堆積が促進される。オプションで、１または複数のパイロメータ１１８が、リフレクタプレート１２２を介して、またはランプアレイ１４５を通じてチャンバ１００に連結され得る。パイロメータ１１８は、基板１０８が発した放射を第２のドーム１２８を経由して受信し、受信した放射と温度表示基準とを比較することによって、基板１０８または基板支持体１０６の温度を測定するように構成される。代わりに、１または複数のパイロメータ１１８は、第１の石英ドーム１１４及び／または第２の石英ドーム１２８の温度を測定するように構成され得る。
【００１６】
基板支持体１０６は、処理チャンバ１００の処理領域１５６内に配置される。基板支持体１０６は、第２の石英ドーム１２８と共に、処理領域１５６を画成する。パージガス領域１５８は、第２の石英ドーム１２８から見て基板支持体１０６の反対側にある。基板支持体１０６は、処理チャンバ１００内の熱的異常及び処理ガス流の空間的異常の影響を最小化するため、処理の間、中央シャフト１３２によって回転され得る。基板支持体１０６は中央シャフト１３２に支持されている。中央シャフト１３２は、ロード及びアンロードの間、また幾つかの例では基板１０８の処理の間、基板１０８を軸方向１３４に移動させ得る。
【００１７】
リフレクタ１２２は、処理の間、基板１０８から放射される赤外線を基板１０８に対して反射し返すように、第２の石英ドーム１２８の外側に配置されている。リフレクタ１２２は、アルミニウムまたはステンレス鋼といった金属でできていてよい。リフレクタ１２２を、例えば金といった反射性の高い被覆でコーティングすることによって、または反射性向上のためにリフレクタ１２２を研磨することによって、反射効率は向上し得る。一実施形態においては、リフレクタの選択された領域に対して、特定の波長に調整された選択的コーティングが施され得る。本実施形態においては、選択的被覆は、低温におけるパイロメータの正確性と再現性を強化し得る。別の実施形態においては、リフレクタ１２２は、光を吸収し得、チャンバ１００の放射冷却及び熱的均一性を改善するため、光吸収性材料でコーティングされ得る。
【００１８】
リフレクタ１２２は、１または複数のチャネル（図示せず）を有し得る。チャネルは、機械加工され、冷却源（図示せず）に接続されていてよい。チャネルは、リフレクタ１２２の側面に形成された通路（図示せず）と接続する。通路は、例えば水といった流体の流れを搬送するように構成され、リフレクタ１２２の冷却のため、リフレクタ１２２の側面の一部または全体を覆う任意の所望のパターンで、リフレクタ１２２の側面に沿って延び得る。別の実施形態においては、リフレクタ１２２は、リフレクタ１２２を加熱するように構成された流体源に連結され得る。通路を通って流れ得る流体には、脱イオン水とグリコールの混合液、または不活性フッ素化液といった、様々な加熱用または冷却用の流体が含まれる。
【００１９】
処理ガス供給源１７２から供給される処理ガスは、ベースリング１３６の側壁内に形成された処理ガス注入口１７４を通って処理領域１５６内に導入される。処理ガス注入口１７４は、処理ガスを概して半径方向内向きに導くように構成され、中心から端部までの均一性の向上を可能にするため、ゾーンの利用によって調整され得る。膜形成プロセスの間、基板支持体１０６は、処理ガス注入口１７４に隣接し、処理ガス注入口１７４とほぼ同じ高さにある、処理位置に位置し得る。本配置においては、処理ガスは流上し、基板１０８の上表面１１６を渡る流路１７３に沿って、擬似層流の様態で辺りを流れる。
【００２０】
処理ガスは、処理ガス領域１５６から（流路１７５に沿って）、処理チャンバ１００の、処理ガス注入口１７４とは反対側に位置するガス排出口１７８を通って排出される。処理ガス注入口１７４及びガス排出口１７８は、基板１０８の上表面１１６の平面に沿っており、基板１０８を渡る処理ガスの層流を促進するため、互いに位置合わせされ、ほぼ同じ高さに配置されている。一実施形態においては、処理ガス注入口１７４及びガス排出口１７８は、ライナーアセンブリ１６３から半径方向内向きにある第１の高さに配置され得る。しかし、処理ガス注入口１７４及び処理ガス排出口１７８は、第１の平面よりも低く、ライナーアセンブリ１６３から半径方向外向きにあり得る第２の平面にあってもよい。ガス排出口１７８を経由する処理ガスの除去は、ガス排出口１７８に連結された真空ポンプ１８０によって促進され得る。堆積の均一性をさらに増大させるため、基板１０８は、処理の間、基板支持体１０６によって回転され得る。
【００２１】
図２は、処理チャンバ２００の上面斜視図を示す。図１のチャンバ１００と同様の処理チャンバ２００の態様は、上記で詳細に記載されてきた。チャンバ２００は、ガス射出アセンブリ２０２及びリフレクタプレート２５０を含む。ガス射出アセンブリ２０２は、処理チャンバ２００の第２のドーム（図２には図示せず、図６〜図９を参照）を通って処理ガスを供給するように構成される。ガス供給管（図４、及び図６〜図８を参照）は、第２のドームから、リフレクタプレート２５０を通って射出アセンブリ２０２に延伸する。リフレクタプレート２５０は、第２のドーム上方の第２のクランプリング１３０に連結されている。リフレクタプレート２５０は、概して、第２のドームを通過する放射から射出アセンブリ２０２を保護する。第２のドームを通して基板を見るため、１または複数のパイロメータ１１８は、リフレクタプレート２５０を通して連結されている。第２のクランプリング１３０にクーラント流体を供給するため、クーラント注入ポート２０３及びクーラント排出ポート２０５が設けられている。
【００２２】
図３は、処理チャンバ２００の内部チャンバ構成要素の斜視図を示す。記載のとおり、チャンバ２００の内部を露出するため第１のクランプリング１０１及び第２のクランプリング１３０（図１）は取り除かれている。基板１０８の上表面１１６を渡る処理ガスの層流を可能にするため、処理ガス注入口１７４は、ベースリング１３６を貫通して連結されている。中央シャフト１３２は、基板支持体１０６に連結されている（図１）。処理ガスが、基板１０８の上表面１１６を渡って流れる際、処理ガスは、処理ガス排出口１７８を経由して処理領域１５６から流出する。処理ガスを基板１０８の上方から処理領域１５６に供給する
ガス射出アセンブリ２０２によって、基板１０８を処理する際のより高度な柔軟性が可能になる。処理ガスの、層流のクロスフローと上から下への流れとの組み合わせによって、エピタキシャルプロセスの間の堆積の均一性が向上し得ると、信じられている。
【００２３】
一実施形態においては、ＩＩＩ族前駆体及びＶ族前駆体といった様々な前駆体が、ガス注入口１７４から基板１０８を渡って、またはガス射出アセンブリ２０２から、またはその組み合わせで、流され得る。例えば、ＩＩＩ族前駆体はガス射出アセンブリ２０２から流され得る一方、Ｖ族前駆体はガス注入口１７４から供給される。またはその逆である。異なる族の前駆体が、ガス射出アセンブリ２０２もしくはガス注入口１７４、またはその双方を通って一緒に流れてもまた、よい。ガス射出アセンブリ２０２から供給されるガスは、より短い経路で基板１０８に到達することが可能であり、それによってまた表面１１６へのガス濃縮が増進されると信じられている。ガス濃縮の増強によって、基板１０８の表面１１６における核形成の強化が行われ得ると信じられている。結果として、堆積層のより均一な結晶構造が達成され得、処理時間の削減が実現し得る。加えて、流路がより短くなることで、ガス核種の亀裂（分子分裂）の早発を防止し得、それによって全体的なガスの利用が増加する。
【００２４】
第２のドーム３０２は上方に配置され、ベースリング１３６に連結される。第２のドーム３０２、即ち光透過性部材は、石英またはサファイアといった光透過性材料から形成されている。第２のドーム３０２は、外側領域３０４及び内側領域３０６を備える。外側領域３０４は、ベースリング１３６に連結された第２のドーム３０２の部分であり、一方、内側領域３０６は、処理容積１５６を少なくとも部分的に画成する、主に湾曲したプロファイルを有する。一例においては、第２のドーム３０２の内側領域３０６は光透過性であり、外側領域３０４は主として光不透過性である。内側領域３０６は、内部に形成され、第２のドーム３０２を通って処理容積１５６へのガスの供給を可能にする、１または複数の孔を有する。
【００２５】
リフレクタプレート２５０は、第２のドーム３０２の内側領域３０６の上方、射出アセンブリ２０２と第２のドーム３０２との間に配置されている。このため、リフレクタプレート２５０は、形状は円形であり得、大きさは第２のドーム３０２の内側領域３０６と同様であり得る。リフレクタプレート２５０は、アルミニウムまたはステンレス鋼といった、熱的に安定した金属材料から形成され得る。第２のドーム３０２に面したリフレクタプレート２５０の反射性を向上するため、リフレクタプレート２５０は、メッキ（即ち金メッキもしくは銀メッキ）され得るか、または高度に研磨され得る。代わりに、リフレクタプレート２５０に面した表面、または処理領域１５６に面した表面といった、第２のドーム３０２の表面は、反射性または吸収性の材料によってコーティングされ得る。好適な反射性材料は金または銀を含み、好適な吸収性材料は、所望の波長の電磁的エネルギーを吸収するように選択された誘電体材料といった、黒色の材料を含む。リフレクタプレートの厚さは、約１／４インチと約３／４インチの間、例えば約３／８インチと約１／２インチの間、であり得る。
【００２６】
リフレクタプレート２５０は、接合領域２５６において互いに連結された、第１の部材２５２及び第２の部材２５４を備える。接合領域２５６において、第１の部材２５２の一部と第２の部材２５４の一部は、重複するような態様で交互に配置され得る。接合領域２５６は、円形のリフレクタプレート２５０の弦に沿って画成され得る。一例においては、リフレクタプレート２５０に沿って延伸する接合領域２５６は、処理ガス注入口１７４から供給される層流のクロスフローの方向と直角に位置合わせされる。
【００２７】
第１の部材２５２及び第２の部材２５４は、それぞれ、接合領域２５６においてリフレクタプレート２５０を貫通して延伸しているガス管を収容するように構成される。例えば、第２の部材２５４は、ガス管を貫通させるための、半円または放物線の形状の切抜き部２５８を有する。本例においては、第１の部材２５２もまた、リフレクタプレート２５０を貫通する孔を形成する、第２の部材２５４の切抜き部２５８と位置合わせされた切抜き部（図示せず）を有する。切抜き部２５８を通る光の伝播の発生を低減するため、チューブ２０４と切抜き部２５８の間のあらゆるスペースが、テフロンなどといった、熱的に安定した放射防止材によって充填される。切抜き部２５８は、処理領域１５６内の光のアイソレーションを促進する一方で、リフレクタプレート２５０を通るチューブ２０４の貫通を受け入れる、任意の形状であり得る。正方形または長方形の形状をした切抜き部、湾曲した正方形または湾曲した長方形の切抜き部、及び他の同様の形状が考えられる。こうした形状に関する光のアイソレーションは、上記の充填材を用いて達成され得る。
【００２８】
図４Ａは、ガス射出アセンブリ２０２の断面図である。射出アセンブリ２０２は、第２のドーム３０２の孔４１０からフランジプレート２１２まで延伸する、チューブ２０４を備える。チューブ２０４は、処理領域１５６がフランジプレート２１２と流体連通するように、チャンネルまたは空隙を画成する。フランジプレート２１２は、クランプ部材２１４によって囲まれている。チューブ２０４と位置合わせされたガス供給ライン２２４は、ワッシャ２２０を介してフランジプレート２１２に連結されている。ワッシャ２２０は、ボルトまたはネジといった１または複数のファスナ２２２によって、フランジプレート２１２を通ってクランプ部材２１４に固定されている。フランジプレート２１２は、第１の複数のスペーサ２１６によってクランプ部材２１４から仕切られており、第１の複数のスペーサ２１６は、第２の複数のスペーサ２１８によってワッシャ２２０から仕切られている。Ｏリングなどであり得るスペーサ２１６、２１８は、適合材料またはエラストマー材料といったポリマー材料を含み得、フランジプレート２１２と、クランプ部材２１４及びワッシャ２２０との間の物理的な接触を防止するように動作し得る。
【００２９】
一実施形態においては、フランジプレート２１２は石英材料から形成され、クランプ部材２１４、ワッシャ２２０、及びファスナ２２２は、ステンレス鋼、アルミニウム、またはそれらの合金といった金属材料から形成されている。クランプ部材２１４のリップ２２６は、フランジプレート２１２の上表面の上方に延伸し得る。このため、クランプ部材２１４の断面プロファイルは、Ｕ字形であり得る。供給ライン２２４が、フランジプレート２１２からガス源（図示せず）まで延伸する。ガス源は、様々な処理ガス及び他のガスを、射出アセンブリ２０２を介して処理領域１５６に供給し得る。例えば、ＩＩＩ族前駆体、ＩＶ族前駆体、Ｖ族前駆体、及びそれらの組み合わせが、当該ガス源によって供給され得る。
【００３０】
上方ドーム３０２とフランジプレート２１２の間で、チューブ２０４が連結されている。チューブは、第１の部材２０６、第２の部材２１０、及び第１の部材２０６と第２の部材２１０の間の断熱層２０８を備える。第１の部材２０６は、第１の部材２０６が孔４１０から離れて延伸するように、孔４１０と位置合わせされている。一実施形態においては、第１の部材２０６は孔４１０から垂直方向に延伸し得るか、または、代わりに、角度をつけて延伸し得る。第１の部材２０６は、石英溶接または、拡散接合といった同様の接合方法によって、第２のドーム３０２に連結されている。孔４１０は、円形の形状であり得、第２のドーム３０２を通って孔４１０が延伸する箇所においてチューブ２０４が占めている平面に対して、直角であり得る。しかし、孔４１０は、長円形または正方形といった、円形以外の形状であり得る。さらに、孔４１０は第２のドーム３０２を通ってチューブ２０４が占めている平面に対して、直角以外の方向に角度づけられてい得ることが考えられる。一実施形態においては、チューブ２０４は第２のドーム３０２を超えて、基板１０８に向かって処理容積１５６の内部に延伸し得る。
【００３１】
第１の部材２０６及び第２の部材２１０は、それぞれ、光透過性の石英材料を含む。しかし、第１の部材２０６及び第２の部材２１０はまた、黒石英または泡入り石英といった放射遮断材料から形成されていてもよいことが考えられる。断熱層２０８は、第１の部材２０６と第２の部材２１０の間で、石英溶接または同様の接合方法によって連結されている。断熱層２０８は、泡入り石英といった、少なくとも部分的に不透明な石英材料を含む。第１の部材２０６及び第２の部材２１０の光透過性石英よりもより不透明度の高い断熱層２０８によって、チューブ２０４を通る光エネルギーの伝播が低減または防止される。このため、第１の部材２０６に入る光は、断熱層２０８を超えて第２の部材２１０及びフランジプレート２１２へと伝播することが防止される。断熱層２０８は、リフレクタプレート２５０の上方で、第１の部材２０６と第２の部材２１０の間に配置されている。一実施形態においては、チューブ２０４には断熱層２０８は用いられず、チューブ２０４はむしろ、第１の部材２０６及び第２の部材２１０の透明な石英のみで形成されている。
【００３２】
第１の部材２５２内には第１のチャネル４０２が形成され、第２の部材２５４内には第２のチャネル４０４が形成されている。第１のチャネル４０２及び第２のチャネル４０４は、リフレクタプレート２５０の表面４０１内に、処理領域１５６とは離れる向きに形成された、Ｖ字型またはＵ字型の窪みである。第１のチャネル４０２内には第１の冷却用導管４０６が配置され、第２のチャネル４０４内には第２の冷却用導管４０８が配置されている。冷却用導管４０６、４０８は、管状の形状であり、それぞれ第１の及び第２のチャネル４０２、４０４の経路（図５参照）を模している。一実施形態においては、チャネル４０２、４０４の深さは、導管４０６、４０８の直径よりも大きい。このため、チャネル４０２、４０４内に配置される場合、導管４０６、４０８は、リフレクタプレート２５０の表面４０１よりも下に位置する。リフレクタプレート２５０の冷却については、図５を参照してより詳細に記載される。
【００３３】
図４Ｂは、一実施形態による、ガス射出アセンブリ２０２の断面図である。本実施形態においては、適合部材４２０は、フランジプレート２１２とクランプ部材２１４との間に配置されている。適合部材４２０は、エラストマー材料または加硫ゴムから形成されており、フランジプレート２１２とクランプ部材２１４との物理的接触を防止する機能を果たす。適合部材４２０は、単一シートの材料であり得るか、またはフランジプレート２１２もしくはクランプ部材２１４のどちらかの上に噴霧されていてよい。適合部材４１０と、フランジプレート２１２またはクランプ部材２１４との間の連続した接触を確保するため、適合部材４２０の一部は、ファスナ２２２またはチューブ２０４が適合部材４１０を通って延伸する箇所で、皿穴を開けられていてよい。
【００３４】
図４Ｃは、一実施形態による、ガス射出アセンブリ２０２の断面図である。図４Ａ及び４Ｂの実施形態を参照して記載される装置及び特徴は、図４Ｃを参照して記載される実施形態に含まれ得る。図４Ｃに関連して記載される装置及び特徴もまた、必要に応じて、図４Ａ及び４Ｂの実施形態に含まれ得ることが考えられる。ガス射出アセンブリ２０２は、内部に形成され、流体導管４４６に連結されたチャネル４４２を有するベース部材４４０を含み得る。ベース部材４４０はまた、断熱層２０８並びに、第１の部材２０６及び第２の部材２１０の一部に隣接する容積４４４を画成し得る。ベース部材４４０は、アルミニウム、ステンレス鋼などといった金属材料から製造され得、ベース部材４４０は、クランプ部材２１４に連結され得るか、クランプ部材２１４に隣接して配置され得る。
【００３５】
容積４４４は、チャネル４４２及び流体導管４４６に流体連通されていてよい。流体導管４４６は、流体導管４４６及びチャネル４４２を通じて容積４４４に熱制御流体を供給する、熱制御流体源（図示せず）に連結されていてよい。ベース部材４４０と、断熱層２０８並びに第１の部材２０６及び第２の部材２１０の一部といったチューブ２０４の一部とを冷却するために、ガスまたは液体といった熱制御流体が供給されてよい。チューブ２０４の破損を防止するため、熱制御流体がチューブ２０４の熱膨張を制御し得ることが考えられる。
【００３６】
例示されている実施形態においては、２つの第２のスペーサ２１８は、フランジプレート２１２とワッシャ２２０との間に配置されている。第１のガス排気チャネル４３０は、ワッシャ２２０内の２つの第２のスペーサ２１８の間に形成され得る。第１のガス排気チャネル４３０は、フランジプレート２１２に隣接して配置されたワッシャ２２０の表面から、ワッシャ２２０内に形成された第２のガス排気チャネル４３２まで延伸し得る。第１のガス排気チャネル４３０、第２のガス排気チャネル４３２、及びポンピング導管４３４が互いに流体連通するように、第２のガス排気チャネル４３２はポンピング導管４３４に連結され得る。ワッシャ２２０とフランジプレート２１２の間に漏洩し得るいかなるガスをも排気するように、ポンピング導管４３４は、ポンプ（図示せず）に連結され得る。いかなるガス漏洩をも検出し、ガス供給ライン２２４からのガスの流動を停止するため、及び／または第１のガス排気チャネル４３０、第２のガス排気チャネル４３２及びポンピング導管４３４を経由して、漏洩したガスの排気を開始するため、センサが備えられ得る。
【００３７】
チューブ２０４を捻じることからガス射出アセンブリ２０２を保護し、ガス射出アセンブリ２０２にさらなる機械的支持を提供するため、ガス射出アセンブリ２０２の周りに、覆い４３６が配置され得る。覆い４３６は、ファスナ２２２によってワッシャ２２０に連結され得、フランジプレート２１２及び、リップ２２６といったクランプ部材２１４の少なくとも一部を覆って、広がり得る。ヒートジャケット４３８もまた、ガス供給ライン２２４の周りに配置され得る。ヒートジャケット４３８はガス供給ラインに連結され得、ガス供給ライン２２４を加熱するように構成された１または複数の抵抗加熱部材を含み得る。抵抗加熱部材は、電源に連結されていてよい。ヒートジャケット４３８は、ガス供給ライン２２４を経由してガス射出アセンブリ２０２に供給されたガスを、チューブ２０４及び処理領域１５６へのガスの進入に先立って、加熱し得ることが考えられる。
【００３８】
図５は、リフレクタプレート２５０の上面図を示す。第１のチャネル４０２は、第１の部材２５２の上を、直線のまたは曲がりくねった経路で横切り得る。同様に、第２のチャネル４０４は、第２の部材２５４の上を、直線であるか、蛇行しているか、または曲がりくねった経路で横切り得る。エポキシ材料または高温の熱可塑性もしくは熱硬化性の樹脂といった接合材が、第１のチャネル４０２及び第２のチャネル４０４内に配置される。冷却用導管４０６及び４０８は、導管４０６、４０８のそれぞれチャネル４０２、４０４内の位置を固定するため、接合材内にプレス嵌めされている。代わりに、冷却用導管４０６、４０８は、チャネル４０２、４０４にプレスばめされ得、続いて導管４０６、４０８をリフレクタプレート２５０に据え付けるため、ブレーズ（ｂｒａｉｓｅ）され得る。リフレクタプレートの熱制御を容易にするため、接合材は熱的伝動性を有していてよい。
【００３９】
水などの冷却剤を供給する流体源５０２は、冷却用導管４０６、４０８に連結されている。一実施形態においては、流体源５０２は第１の導管４０６に連結されている。第１の導管は、第１の導管４０６と第２の導管４０８が互いに直列になるように、第２の導管４０８と流体連通している。第２の導管４０８は、冷却システムから冷却剤が除去される、冷却剤排出口に連結されていてよい。別の実施形態においては、冷却用導管４０６及び４０８が互いに並列に動作するように、第１の導管４０６及び第２の導管４０８の双方が、流体源５０２と流体連通している。導管４０６、４０８は、リフレクタプレート２５０の全体で、安定した温度、例えば約２°Ｃ〜５°Ｃ未満の変動を維持するように構成される。
【００４０】
図６Ａは、第２のドーム３０２、チューブ２０４、及びフランジプレート２１２の斜視図を示す。示されるように、チューブ２０４は、第２のドーム３０２の内側領域３０６とフランジプレート２１２との間で連結されている。一実施形態においては、５本のチューブ２０４が内側領域３０６に沿って配置されている。一実施形態においては、チューブ２０４は直線形態で整列されている。しかしチューブ２０４は、異なる配向で整列され得ること、例えば、フランジプレート２１２を長手方向に通るデータム面の両側に交互にチューブ２０４があってよいことが考えられる。
【００４１】
上記の実施形態においては、チューブ２０４（複数）が第２のドーム３０２に連結されている内側領域３０６を通って、５つの孔４１０が形成されている。第２のドーム３０２を通じた処理ガスの供給をより精細に調整するために、より多いかまたはより少ない数の孔４１０及びチューブ２０４が用いられ得ることが考えられる。一実施形態においては、第１の部材２０６、断熱層２０８、及び第２の部材２１０は、同様の内直径及び外直径を有する。例えば、内直径は、約５ｍｍと約１５ｍｍの間、例えば約１０ｍｍである。外直径は、約１０ｍｍと約２０ｍｍの間、例えば約１６ｍｍである。このため、チューブ２０４の壁の厚さは、約１ｍｍと約３ｍｍの間、例えば約２ｍｍである。
【００４２】
フランジプレート２１２内に、複数の孔が形成されていてよい。第１の複数の孔６０２は、チューブ２０４がフランジプレート２１２に連結されている領域に相当する。第１の複数の孔６０２は、供給ライン２２４（図示せず）からチューブ２０４へとガスを供給し、第１の複数の孔６０２は、チューブ２０４の内直径と同じ直径を有し得る。第２の複数の孔６０４は、第１の複数の孔６０２の周囲に配置されている。ファスナ２２２（図示せず）がフランジプレート２１２と接触しないように、第２の複数の孔６０４は、ファスナ２２２を収容する大きさである。このようにして、ファスナ２２２はフランジプレート２１２に接触することなく、フランジプレート２１２を貫通する。
【００４３】
図６Ｂは、第２のドーム３０２、チューブ２０４、及び分割されたフランジプレート２１３の斜視図を示す。フランジプレート２１３は、フランジプレート２１２と同様である。しかし、フランジプレート２１３は、フランジプレート２１３の個別の部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４が互いに独立しているように、分割されている。例えば、部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４のそれぞれは、隣接する部分から間隔を開けていてよい。一実施形態では、部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４のそれぞれは、チューブ２０４のうちの異なる１つに対応している。このため、チューブ２０４のそれぞれは、部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４のうちの１つに連結されていてよい。５つの部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４及び５つのチューブ２０４が示されているが、任意の数のチューブが用いられ得ることと、部分の数はチューブの数に一致し得ることとが考えられる。
【００４４】
示されるように、部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４のそれぞれは、第１の複数の孔６０２のうちの１つと、第２の複数の孔６０４のうちの４つを含み得る。しかし、孔の他の配列も可能である。一実施形態においては、中央部分６０８、６１０、６１２は、例えば正方形に似た、または長方形である、四辺形の形状を有し得る。外側部分６０６、６１４は、中央部分６０８、６１２にそれぞれに隣接する直線の端面と、フランジプレート２１２と同様の曲線の端面とを有する。一実施形態においては、図９Ｂを参照してより詳細に示されるフランジプレート２１３の全体的な寸法は、クランプ部材２１４（図４Ａ及び図４Ｂ参照）との連結を可能にするため、フランジプレート２１２と同様のままであってよい。
【００４５】
上記のように、部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４のそれぞれは、隣接する部分から間隔を開けたままでよい。こうして、部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４のそれぞれに対する熱的影響は個別の部分だけに作用し、隣接する部分への影響は減少するか除去される。例えば、チューブ２０４を経由してフランジプレート２１３に伝達される電磁エネルギーは、残りの部分６０８、６１０、６１２、６１４とは異なって、部分６０６を加熱し得る。部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４の間の温度勾配の変化によって、チューブ２０４上に好ましくないねじれ応力が発生し得る。しかし、部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４は互いに空間的に隔てられているので、潜在的に好ましくない熱的影響は除去、低減または単一の箇所に限局化され得る。結果として、分割されたフランジプレート２１３によって、膨張や収縮といった、フランジプレート２１３及び、フランジプレート２１３に連結されたチューブ２０４への負の熱的影響は、より適切に緩和され得る。
【００４６】
図７は、図６Ａの第２のドーム３０２、チューブ２０４、及びフランジプレート２１２の断面斜視図を示す。示される実施形態においては、５本のチューブ２０４がドーム３０２の内側領域３０６に沿って配置されている。中央チューブ７０２は、チューブ２０４の配列によって占められている直線経路に沿って、上方ドーム３０２の中央領域を通って配置されている。中間チューブ７０３、７０４は、中央チューブ７０２に隣接して、且つ中央チューブ７０２の半径方向外向きに直線経路に沿って、配置されている。中間チューブ７０３と中央チューブ７０２との距離Ａは、中間チューブ７０４と中央チューブ７０２との距離Ｂとは異なる。外側チューブ７０５、７０６は、中間チューブ７０３、７０４に隣接して、且つ中間チューブ７０３、７０４の半径方向外向きに直線経路に沿って、配置されている。外側チューブ７０５中間チューブ７０３との距離Ｃは、外側チューブ７０６と中間チューブ７０４との距離Ｄとは異なる。こうして、チューブ２０４は、半径方向に不均一な間隔を有して、半径方向にずらした様式で配置されている。
【００４７】
一実施例においては、距離Ａは、約１０ｍｍと約１００ｍｍの間、例えば約３５ｍｍである。距離Ｂは、約１０ｍｍと約９０ｍｍの間、例えば約４５ｍｍである。距離Ｃは、約１０ｍｍと約１００ｍｍの間、例えば約６０ｍｍである。距離Ｄは、約２５ｍｍと約１２５ｍｍの間、例えば約７５ｍｍである。
【００４８】
半径方向にずらされたチューブ２０４によって、堆積でカバーされる範囲が改善される。処理の間、基板１０８は回転され、半径方向にずらされたチューブ２０４から、基板１０８の半径全体に沿って処理ガスが供給される。チューブ２０４のずれによって、中心から端部にかけた堆積プロファイルが改善されると信じられている。
【００４９】
図８は、図６Ａの第２のドーム３０２、チューブ２０４、及びフランジプレート２１２の断面図を示す。フランジプレート２１２は、約８ｍｍと約１６ｍｍの間、例えば約１２ｍｍの厚さ８０２を有する。フランジプレート２１２の底部表面８１２と、第２のドーム３０２の内側領域３０６の中心領域８１４との間の距離は、約７０ｍｍと約１１０ｍｍの間、例えば約８０ｍｍと約１００ｍｍの間、例えば約８７ｍｍである。こうして、フランジプレート２１２は、少なくとも第２のドーム３０２の中心領域８１４において、第２のドーム３０２からほぼ距離８０４だけ離れている。フランジプレート２１２と内側領域３０６との距離は、内側領域３０６の湾曲により、中心領域８１４から半径に沿って外側に行くにつれて増大する。外側領域３０４の底面８１８から内側領域３０６の中心領域８１４まで延伸する第２のドーム３０２の厚さ８０６は、約４０ｍｍと約６０ｍｍの間、例えば約５１ｍｍである。
【００５０】
フランジプレート２１２の底面８１２と断熱層２０８の間に延伸するとして規定される第２の部材２１０の長さ８１０は、約２０ｍｍと約４０ｍｍの間、例えば約２８ｍｍである。第１の部材２０６と第２の部材２１０の間に延伸するとして規定される断熱層２０８の長さ８０８は、約３ｍｍと約１２ｍｍの間、例えば約８ｍｍである。第１の部材３０６と断熱層２０８の間に延伸するとして規定される第１の部材２０６の長さ８１６は、約４０ｍｍと約６０ｍｍの間、例えば約５１ｍｍである。例えば、中央チューブ７０２の第１の部材２０６は、長さ８１６によって規定される。中央チューブ７０２から半径方向外向きに配置されたチューブ７０３、７０４、７０５、７０６は、内側領域３０６の湾曲により、中央チューブ７０２の長さ８１６よりも長い第１の部材２０６を有する。
【００５１】
図９Ａは、図６Ａの第２のドーム３０２、及びフランジプレート２１２の上面図を示す。処理ガス注入口１７４は、第２のドーム３０２の一側面に隣接するとして、概略的に示されている。処理ガス排出口１７８は、処理ガス注入口１７４から反対側に、第２のドーム３０２の一側面に隣接している。フランジプレート２１２は、内側領域３０６の半径に沿って、中心からずれて配置されている。例えば、フランジプレート２１２は、内側領域３０６の中心から、処理ガス注入口１７４に向けて、距離９０２の位置に配置されている。中心からずれた距離９０２は、約０ｍｍと約５０ｍｍの間、例えば約１５ｍｍと約３５ｍｍの間、例えば約２５ｍｍである。処理ガス注入口１７４に向けて中心からずれた間隔で配置されていることによって、上から下へのガス流が、処理ガス注入口１８４から供給される層流のクロスフローと相互作用する際の、堆積の均一性が改善されると信じられている。
【００５２】
フランジプレート２１２の幅９０４は、約４０ｍｍと約８０ｍｍの間、例えば約５０ｍｍと約７０ｍｍの間、例えば約６０ｍｍである。フランジプレート２１２の長さ９０６は、約３００ｍｍと約４００ｍｍの間、例えば約３２５ｍｍと約３７５ｍｍの間、例えば約３５０ｍｍである。一実施形態においては、フランジプレート２１２は長方形の形状を有する。別の実施形態では、フランジプレート２１２は、長方形の対向する両端が例えば半円形のように丸くなっている、陸上競技用トラックの形状を有する。
【００５３】
図９Ｂは、図６Ｂの第２のドーム３０２、及び分割されたフランジプレート２１３の上面図を示す。フランジプレート２１３の、中心からずれた距離９０２並びに幅９０４及び長さ９０６は、フランジプレート２１２の配向及び大きさと同じである。このため、フランジプレート２１３及びフランジプレート２１２は、ガス射出アセンブリ２０２内で相互交換可能に配置され得る。
【００５４】
前記のとおり、隣接する部分６０６、６０８、６１０、６１２、６１４の間の間隔は、単一のフランジプレートの好ましくない熱的影響を緩和するように構成され得る。部分６０６と部分６０８とを仕切っている第１のスペース９０８は、約１０ｍｍと約３０ｍｍの間、例えば約１５ｍｍと約２５ｍｍの間、例えば２１．５ｍｍの距離に広がり得る。部分６０８と部分６１０とを仕切っている第２のスペース９１０は、約１０ｍｍと約３０ｍｍの間、例えば約１５ｍｍと約２５ｍｍの間、例えば２３ｍｍの距離に広がり得る。部分６１０と部分６１２とを仕切っている第３のスペース９１２は、約０．５ｍｍと約１０ｍｍの間、例えば約２ｍｍと約５ｍｍの間、例えば３ｍｍの距離に広がり得る。部分６１２と部分６１４とを仕切っている第４のスペース９１４は、例えば約１５ｍｍと約３５ｍｍの間、約２０ｍｍと約３０ｍｍの間、例えば２６．５ｍｍの距離に広がり得る。
【００５５】
図１０は、ガス供給アセンブリ１００２を有する処理チャンバ２００の斜視図を示す。当該ガス供給アセンブリは、ガス供給アセンブリ１００２が第２のドーム３０２を通じて処理容積１５６にガスを供給するという点で、ガス射出アセンブリ２０２と同様に機能する。ガス供給アセンブリ１００２は、マニフォールド１００６及び、マニフォールド１００６から第２のドーム３０２へと延伸する複数のチューブ１００４を備える。一実施形態においては、複数のチューブ１００４は、チューブ２０４と同様である。
【００５６】
マニフォールド１００６は管状の形状であり得、マニフォールド１００６の内部で容積を規定し得る。マニフォールド１００６内の容積は、連続していても分割されていてもよい。容積が分割されている場合、第１のセグメント１００８、第２のセグメント１０１０、及び第３のセグメント１０１２が、マニフォールド１００６を画成する。セグメント１００８、１０１０、１０１２は、互いに流体連通していてもよく、または分割器（図示せず）によって仕切られていてもよい。ガス供給ライン１０２０は、処理ガスをマニフォールド１００６へと供給する。供給ライン１０２０は、マニフォールド１００６の異なるセグメント１００８、１０１０、１０１２に、異なるガスを供給するように構成され得る。
【００５７】
第２のセグメント１０１０は、内側ゾーン１０１４を画成する。複数のチューブ１００４は、第２のセグメント１０１０から延伸し、内側ゾーンにおいて第２のドーム３０２に連結される。外側ゾーン１０１６、１０１８は、内側ソーン１０１４の半径方向外向きに配置される。外側ゾーン１０１６は第１のセグメント１００８に対応し、外側ゾーン１０１８は第３のセグメント１０１２に対応している。チューブ２０４は、第１のセグメント１００８及び第３のセグメント１０１２のそれぞれから、外側ゾーン１０１６、１０１８のそれぞれにおいて、上方ドーム３０２へと延伸する。内側ゾーン１０１４及び外側ゾーン１０１６、１０１８によって、流量、ガスのタイプ、その他といった様々なガス供給パラメータに関して柔軟性を設けることにより、処理ガスの供給をより高度に制御できるようにすることが可能である。
【００５８】
図１１は、一実施形態による第２のドーム３０２の上面図である。本実施形態では、内側領域３０６は、内部を通って形成されている複数の孔４１０を有する。孔４１０は、様々な領域を画成して、同心円の形状に配置されている。例えば、第１の領域１１０２は、内側領域３０６の中心近くの孔（複数）によって画成される。第２の領域１１０４は、第１の領域１１０２の孔４１０（複数）を取り囲む孔４１０（複数）によって画成される。第３の領域１１０６は、第２の領域１１０４の孔４１０（複数）を取り囲む孔４１０（複数）によって画成される。一例においては、第１の領域１１０２を画成する孔４１０の数は、約３と約７の間であり、第２の領域１１０４を画成する孔４１０の数は約５と約１５の間であり、第３の領域１１０６を画成する孔４１０の数は約１０と約２５の間である。
【００５９】
約４０の孔４１０が、内部領域３０６を通じて形成され得ることが考えられる。孔４１０は、同心円の形状を形成するようにして示されているが、孔４１０は、上方ドーム３０２を通るガス流の制御を増大することが可能な、中心から端部にかけた堆積の均一性を改善する任意のパターンで配置され得る。さらに、上方ドーム３０２を通じて、約４０を超える孔４１０が形成されていてよいことが考えられる。上記の孔４１０の同心円配列において、堆積プロセスの間、基板は回転されてもよく静止を維持してもよいことが考えられる。
【００６０】
以上の説明は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく本発明の他の及びさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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