(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミックシートを含んで積層された積層体と、
前記積層体の一方主面に形成された封止樹脂と、
前記積層体の他方主面に設けられた外部電極と、
を有する積層セラミック電子部品であって、
前記積層体は側面に前記積層体の一方主面に達し、他方主面に達しない凹部を有し、前記凹部には前記複数のセラミックシートの積層方向に延びる接合用電極が露出し、
前記封止樹脂は前記積層体の一方主面から前記凹部に延在し、前記接合用電極を封止し、
前記積層体の一方主面に実装されかつ前記封止樹脂によって封止された別の電子部品をさらに有し、
前記接合用電極から連続して前記積層体の一方主面に形成され、前記別の電子部品と前記接合用電極を接続する一方主面側の電極を有し、
前記外部電極と前記接合用電極とは、前記積層体内部に配置された導体を介して接続され、
前記導体は、前記積層方向において前記凹部と重ならない位置で、前記外部電極と接続される、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記積層体の側面のうち前記凹部が形成された領域と異なる領域は平坦面であり、
前記凹部に延在する前記封止樹脂の表面は前記平坦面に対して面一とされる、請求項１記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記複数のセラミックシートの少なくとも１つは磁性セラミックシートであり、
前記磁性セラミックシートに形成されたコイル状の導体パターンをさらに有する、請求項１または２記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
共通の位置に形成された第１貫通孔を各々が有する複数のセラミックシートを準備する準備工程と、
接合用電極をなす導電ペーストを前記複数のセラミックシートの各々に形成された前記第１貫通孔に充填する第１充填工程と、
前記第１充填工程によって充填された前記導電ペーストの一部を排除するべく前記複数のセラミックシートの各々に第２貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程と、
平面視で前記第２貫通孔が重なり合うように前記複数のセラミックシートを積層して積層基板を作製する積層工程と、
前記積層基板の他方主面に、前記第２貫通孔に対応する部分を塞ぐ追加のセラミックシートの一方主面を対向させて積層する工程と、
前記積層基板の一方主面に別の電子部品を実装する実装工程と、
前記追加のセラミックシートの他方主面に外部電極を形成する外部電極形成工程と、
前記第２貫通孔に延在するように液状の封止樹脂を前記積層基板の一方主面に塗布する樹脂塗布工程と、
前記樹脂塗布工程の後に前記第２貫通孔を横切る位置で前記積層基板を切断する切断工程と、
を有し、
前記準備工程において、前記積層基板の一方主面となるセラミックシートに、前記別の電子部品と前記接合用電極を接続する導体パターンを形成する工程を有すると共に、
前記追加のセラミックシートを積層する工程において、前記追加のセラミックシートは、前記積層基板の前記接合用電極と前記外部電極とを前記第２貫通孔と前記積層基板の積層方向において重ならない位置で接続する導体を設けている、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記複数のセラミックシートの少なくとも１つは磁性セラミックシートであり、
コイル状の導体パターンを前記磁性セラミックシートに形成する導体パターン形成工程と、
前記導体パターン形成工程によって形成された前記導体パターンが螺旋状に接続されるように第３貫通孔を前記複数のセラミックシートの少なくとも１つに形成する第３貫通孔形成工程と、
前記第３貫通孔形成工程によって形成された前記第３貫通孔に前記導電ペーストを充填する第２充填工程と、
をさらに有し、
前記積層工程は前記第２充填工程の後に実行される、請求項４記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
共通の位置に形成された第１貫通孔を各々が有する複数のセラミックシートを準備する準備工程と、
接合用電極をなす導電ペーストを前記複数のセラミックシートの各々に形成された前記第１貫通孔に充填する第１充填工程と、
平面視で前記第１貫通孔が重なり合うように前記複数のセラミックシートを積層して積層基板を作製する積層工程と、
前記第１充填工程によって充填された前記導電ペーストの一部を排除するべく前記積層基板に第２貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程と、
前記積層基板の他方主面に、前記第２貫通孔に対応する部分を塞ぐ追加のセラミックシートの一方主面を対向させて積層する工程と、
前記積層基板の一方主面に別の電子部品を実装する実装工程と、
前記追加のセラミックシートの他方主面に外部電極を形成する外部電極形成工程と、
前記第２貫通孔に延在するように液状の封止樹脂を前記積層基板の一方主面に塗布する樹脂塗布工程と、
前記樹脂塗布工程の後に前記第２貫通孔を横切る位置で前記積層基板を切断する切断工程と、
を有し、
前記準備工程において、前記積層基板の一方主面となるセラミックシートに、前記別の電子部品と前記接合用電極を接続する導体パターンを形成する工程を有すると共に、
前記追加のセラミックシートを積層する工程において、前記追加のセラミックシートは、前記積層基板の前記接合用電極と前記外部電極とを前記第２貫通孔と前記積層基板の積層方向において重ならない位置で接続する導体を設けている、積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック電子部品およびその製造方法に関し、特に、複数の電極パターンがそれぞれ形成された複数のセラミックシートを積層してなる積層体と積層体の一方主面に形成された封止樹脂とを有する積層セラミック電子部品、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子部品の一例が特許文献１に開示されている。この文献によれば、電子部品本体の側面に切欠きが設けられる。接合用電極は、接合用ビアホール導体を分割して得られ、切欠きの底面の一部に形成される。脚部を有する金属製のカバーは、電子部品本体に固定される。このとき、脚部は切欠き内に配され、はんだまたは導電性接着剤によって接合用電極に接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２５３７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、積層セラミック電子部品の場合、接合用電極とセラミックとの間から水分が吸収され、積層基板の内部でマイグレーションが生じるおそれがある。また、積層セラミック電子部品をリフロー方式でマザー基板に実装する場合、はんだの漏れ上がりによって搭載部品間など意図しない箇所でのショートが発生するおそれがある。【０００５】
それゆえに、この発明の主たる目的は、接合用電極とセラミックとの間から水分が吸収されたり、はんだが濡れ上がる懸念を軽減することができる、積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る積層セラミック電子部品は、複数の電極をそれぞれ有して積層された複数のセラミックシートを含む積層体と、積層体の一方主面に形成された封止樹脂と、を有する積層セラミック電子部品であって、複数の電極は積層体の積層方向に延びる接合用電極をなし、複数のセラミックシートは積層体の側面に形成されて接合用電極に達する凹部をなす複数の切り欠きをそれぞれ有し、封止樹脂は接合用電極を封止するべく積層体の一方主面から凹部に延在する。【０００７】
好ましくは、積層体の側面のうち凹部が形成された領域と異なる領域は平坦面であり、凹部に延在する封止樹脂の表面は平坦面に対して面一とされる。【０００８】
好ましくは、複数のセラミックシートの少なくとも１つは磁性セラミックシートであり、磁性セラミックシートに形成されたコイル状の導体パターンをさらに有する。【０００９】
好ましくは、積層体の一方主面に実装されかつ封止樹脂によって封止された別の電子部品をさらに有する。【００１０】
好ましくは、接合用電極から連続して積層体の他方主面に形成された外部電極をさらに有する。【００１１】
この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、共通の位置に形成された第１貫通孔を各々が有する複数のセラミックシートを準備する準備工程と、接合用電極をなす導電ペーストを複数のセラミックシートの各々に形成された第１貫通孔に充填する第１充填工程と、第１充填工程によって充填された導電ペーストの一部を排除するべく複数のセラミックシートの各々に第２貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程と、平面視で第２貫通孔が重なり合うように複数のセラミックシートを積層して積層基板を作製する積層工程と、第２貫通孔に延在するように液状の封止樹脂を積層基板の一方主面に塗布する樹脂塗布工程と、樹脂塗布工程の後に第２貫通孔を横切る位置で積層基板を切断する切断工程と、を有する。【００１２】
好ましくは、複数のセラミックシートの少なくとも１つは磁性セラミックシートであり、コイル状の導体パターンを磁性セラミックシートに形成する導体パターン形成工程と、導体パターン形成工程によって形成された導体パターンが螺旋状に接続されるように第３貫通孔を複数のセラミックシートの少なくとも１つに形成する第３貫通孔形成工程と、第３貫通孔形成工程によって形成された第３貫通孔に導電ペーストを充填する第２充填工程と、をさらに有し、積層工程は第２充填工程の後に実行される。【００１３】
好ましくは、樹脂塗布工程に先立って積層基板の一方主面に別の電子部品を実装する実装工程をさらに有する。【００１４】
好ましくは、接合用電極から連続する外部電極を樹脂塗布工程に先立って積層基板の他方主面に形成する外部電極形成工程をさらに有する。【００１５】
好ましくは、樹脂塗布工程に先立って積層基板の他方主面にテープを貼着する貼着工程をさらに有する。【００１６】
この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、共通の位置に形成された第１貫通孔を各々が有する複数のセラミックシートを準備する準備工程と、接合用電極をなす導電ペーストを複数のセラミックシートの各々に形成された第１貫通孔に充填する第１充填工程と、平面視で第１貫通孔が重なり合うように複数のセラミックシートを積層して積層基板を作製する積層工程と、第１充填工程によって充填された導電ペーストの一部を排除するべく積層基板に第２貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程と、第２貫通孔に延在するように液状の封止樹脂を積層基板の一方主面に塗布する樹脂塗布工程と、樹脂塗布工程の後に第２貫通孔を横切る位置で積層基板を切断する切断工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１７】
この発明に係る積層セラミック電子部品によれば、積層体は複数の電極をそれぞれ有して積層された複数のセラミックシートを含み、各セラミックシートに形成された電極は積層体の積層方向に延びる接合用電極をなし、凹部は積層体の側面に形成されて接合用電極に達する。これを踏まえて、積層体の一方主面に形成された封止樹脂は、接合用電極を封止するべく凹部に延在する。【００１８】
積層体の一方主面および接合用電極を封止する部材の材料として樹脂を採用することで、接合用電極とセラミックとの間から水分が吸収される懸念や、積層セラミック電子部品とマザー基板とを接合するためのはんだが凹部を経て積層体の一方主面まで濡れ上がる懸念を軽減することができる。【００１９】
この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法によれば、封止樹脂は第２貫通孔に延在するように積層基板の一方主面に塗布される。これによって、積層基板の一方主面と第２貫通孔の内周面に露出した接合用電極とが封止される。塗布の後に第２貫通孔を横切る位置で積層基板を切断すると、積層セラミック電子部品が完成する。【００２０】
積層体の一方主面および接合用電極を封止する部材の材料として樹脂を採用することで、接合用電極とセラミックとの間から水分が吸収される懸念や、積層セラミック電子部品とマザー基板とを接合するためのはんだが第２貫通孔に対応する凹部を経て積層体の一方主面まで濡れ上がる懸念を軽減することができる。【００２１】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この実施例の積層セラミック電子部品を斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。
【図２】積層セラミック電子部品をなす積層体を分解した状態を示す分解図である。
【図３】（Ａ）は積層体を形成するセラミックシートＳＨ０の一例を示す平面図およびＡ−Ａ断面図であり、（Ｂ）は積層体を形成するセラミックシートＳＨ１の一例を示す平面図およびＢ−Ｂ断面図であり、（Ｃ）は積層体を形成するセラミックシートＳＨ２の一例を示す平面図およびＣ−Ｃ断面図であり、（Ｄ）は積層体を形成するセラミックシートＳＨ３の一例を示す平面図およびＤ−Ｄ断面図である。
【図４】（Ａ）は積層体を形成するセラミックシートＳＨ４の一例を示す平面図およびＥ−Ｅ断面図であり、（Ｂ）は積層体を形成するセラミックシートＳＨ５の一例を示す平面図およびＦ−Ｆ断面図であり、（Ｃ）は積層体を形成するセラミックシートＳＨ６の一例を示す平面図およびＧ−Ｇ断面図である。
【図５】積層体の外観を示す斜視図である。
【図６】図５に示す積層体および別の電子部品のＨ−Ｈ断面図である。
【図７】（Ａ）はセラミックシートＳＨ０の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ０の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ０の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図８】（Ａ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図９】（Ａ）はセラミックシートＳＨ２の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ２の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ２の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミックシートＳＨ２の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１０】（Ａ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１１】（Ａ）はセラミックシートＳＨ４の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ４の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ４の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミックシートＳＨ４の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１２】（Ａ）はセラミックシートＳＨ５の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ５の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ５の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図１３】（Ａ）はセラミックシートＳＨ６の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ６の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ６の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）はセラミックシートＳＨ６の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１４】（Ａ）は積層セラミック電子部品の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は積層セラミック電子部品の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は積層セラミック電子部品の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図１５】（Ａ）は積層セラミック電子部品の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は積層セラミック電子部品の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は積層セラミック電子部品の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図１６】他の実施例の積層セラミック電子部品をなす積層体の或る断面を示す断面図である。
【図１７】その他の実施例の積層セラミック電子部品をなす積層体の或る断面を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１および図２を参照して、この実施例の積層セラミック電子部品１０は、具体的には表面実装型のＤＣ−ＤＣコンバータであり、各々の主面が共通のサイズおよび形状をなすセラミックシートＳＨ０〜ＳＨ６を含む。セラミックシートＳＨ０〜ＳＨ６の主面はいずれも、正方形をなす四辺の各々を矩形に切り欠いた形状を有する。また、セラミックシートＳＨ０，ＳＨ３およびＳＨ６は非磁性を示す一方、セラミックシートＳＨ１，ＳＨ２，ＳＨ４およびＳＨ５は磁性を示す。
【００２４】
まずセラミックシートＳＨ１〜ＳＨ６の構成を説明する。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）および図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を参照して後述するように、セラミックシートＳＨ１〜ＳＨ４およびＳＨ６の主面には、導体パターンＣＰ１〜ＣＰ４およびＣＰ６がそれぞれ形成される。また、セラミックシートＳＨ０には切り欠きＣＴ０１〜ＣＴ０４と電極ＥＬ０１〜ＥＬ０４とが形成され、セラミックシートＳＨ１には切り欠きＣＴ１１〜ＣＴ１４と電極ＥＬ１１〜ＥＬ１４とが形成され、セラミックシートＳＨ２には切り欠きＣＴ２１〜ＣＴ２４と電極ＥＬ２１〜ＥＬ２４とが形成される。
【００２５】
さらに、セラミックシートＳＨ３には切り欠きＣＴ３１〜ＣＴ３４と電極ＥＬ３１〜ＥＬ３４とが形成され、セラミックシートＳＨ４には切り欠きＣＴ４１〜ＣＴ４４および電極ＥＬ４１〜ＥＬ４４が形成され、セラミックシートＳＨ５には切り欠きＣＴ５１〜ＣＴ５４および電極ＥＬ５１〜ＥＬ５４が形成され、セラミックシートＳＨ６には切り欠きＣＴ６１〜ＣＴ６４および電極ＥＬ６１〜ＥＬ６４が形成される。
【００２６】
積層体１２は、このようなセラミックシートＳＨ０〜ＳＨ６を積層することで形成される。より詳しくは、積層体１２は略直方体をなし、セラミックシートＳＨ１〜ＳＨ２によって磁性体層１２ａが形成され、セラミックシートＳＨ４〜ＳＨ５によって磁性体層１２ｂが形成され、セラミックシートＳＨ０によって非磁性体層１２ｃが形成され、セラミックシートＳＨ３によって非磁性体層１２ｄが形成され、そしてセラミックシートＳＨ６によって非磁性体層１２ｅが形成される。
【００２７】
したがって、磁性体層１２ａは非磁性体層１２ｃおよび１２ｄによって挟持され、磁性体層１２ｂは非磁性体層１２ｄおよび１２ｅによって挟持される。積層体１２の主面（＝天面または下面）の輪郭に外接する矩形の各辺はＸ軸またはＹ軸に沿って延び、積層体１２の厚みはＺ軸に沿って増大する。
【００２８】
積層体１２の天面には、ＩＣ１４と受動素子（たとえばコンデンサ）１６および１８とが実装される。また、積層体１２の側面には、凹部ＣＶ１〜ＣＶ４および接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４が現れる。さらに、また、積層体１２の下面には、接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４からそれぞれ連続する外部電極ＥＥＬ１〜ＥＥＬ４が形成される。
【００２９】
ここで、凹部ＣＶ１は切り欠きＣＴ０１〜ＣＴ６１によって形成され、凹部ＣＶ２は切り欠きＣＴ０２〜ＣＴ６２によって形成され、凹部ＣＶ３は切り欠きＣＴ０３〜ＣＴ６３によって形成され、凹部ＣＶ４は切り欠きＣＴ０４〜ＣＴ６４によって形成される。また、接合用電極ＳＥＬ１は電極ＥＬ０１〜ＥＬ６１によって形成され、接合用電極ＳＥＬ２は電極ＥＬ０２〜ＥＬ６２によって形成され、接合用電極ＳＥＬ３は電極ＥＬ０３〜ＥＬ６３によって形成され、接合用電極ＳＥＬ４は電極ＥＬ０４〜ＥＬ６４によって形成される。
【００３０】
接合用電極ＳＥＬ１は凹部ＣＶ１の底面に現れ、接合用電極ＳＥＬ２は凹部ＣＶ２の底面に現れ、接合用電極ＳＥＬ３は凹部ＣＶ３の底面に現れ、接合用電極ＳＥＬ４は凹部ＣＶ４の底面に現れる。封止樹脂２０は、積層体１２の天面に形成され、凹部ＣＶ１〜ＣＶ４に延在する。ＩＣ１４，受動素子１６，１８，接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４は、封止樹脂２０によって封止される。
【００３１】
図３（Ａ）の上段を参照して、セラミックシートＳＨ０は、正方形のシートの四辺に矩形の切り欠きＣＴ０１〜ＣＴ０４を設けた形状をなす。切り欠きＣＴ０１が設けられた辺には、切り欠きＣＴ０１よりも内側に及ぶように電極ＥＬ０１が形成される。切り欠きＣＴ０２が設けられた辺には、切り欠きＣＴ０２よりも内側に及ぶように電極ＥＬ０２が形成される。
【００３２】
切り欠きＣＴ０３が設けられた辺には、切り欠きＣＴ０３よりも内側に及ぶように電極ＥＬ０３が形成される。切り欠きＣＴ０４が設けられた辺には、切り欠きＣＴ０４よりも内側に及ぶように電極ＥＬ０４が形成される。なお、セラミックシートＳＨ０のＡ−Ａ断面を図３（Ａ）の下段に示す。
【００３３】
図３（Ｂ）の上段を参照して、セラミックシートＳＨ１は、正方形のシートの四辺に矩形の切り欠きＣＴ１１〜ＣＴ１４を設けた形状をなす。切り欠きＣＴ１１が設けられた辺には、切り欠きＣＴ１１よりも内側に及ぶように電極ＥＬ１１が形成される。切り欠きＣＴ１２が設けられた辺には、切り欠きＣＴ１２よりも内側に及ぶように電極ＥＬ１２が形成される。切り欠きＣＴ１３が設けられた辺には、切り欠きＣＴ１３よりも内側に及ぶように電極ＥＬ１３が形成される。切り欠きＣＴ１４が設けられた辺には、切り欠きＣＴ１４よりも内側に及ぶように電極ＥＬ１４が形成される。
【００３４】
セラミックシートＳＨ１の上面には、ループ状の導体パターンＣＰ１が形成される。導体パターンＣＰ１をなすループは、セラミックシートＳＨ１の上面中央位置を始端としかつＸ軸方向およびＹ軸方向の各々において上面中央よりも負側の位置を終端として、セラミックシートＳＨ１の上面を時計回り方向に延在する。
【００３５】
導体パターンＣＰ１はまず、始端からＸ軸方向の負側に延び、電極ＥＬ１４に達する前にＹ軸方向における正側に屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ１は、切り欠きＣＴ１１よりも内側の位置でＸ軸方向の正側にさらに屈曲し、電極ＥＬ１１に重なることなくＸ軸方向の正側に延びる。
【００３６】
Ｘ軸方向の正側に延びた導体パターンＣＰ１は、切り欠きＣＴ１２よりも内側の位置でＹ軸方向の負側に再度屈曲し、電極ＥＬ１２に重なることなくＹ軸方向の負側に延びる。Ｙ軸方向の負側に延びた導体パターンＣＰ１は、切り欠きＣＴ１３よりも内側の位置でＸ軸方向の負側にさらに屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ１は、電極ＥＬ１３に重なることなくＹ軸方向の負側に延び、終端に達する。なお、セラミックシートＳＨ１のＢ−Ｂ断面を図３（Ｂ）の下段に示す。
【００３７】
図３（Ｃ）の上段を参照して、セラミックシートＳＨ２は、正方形のシートの四辺に矩形の切り欠きＣＴ２１〜ＣＴ２４を設けた形状をなす。切り欠きＣＴ２１が設けられた辺には、切り欠きＣＴ２１よりも内側に及ぶように電極ＥＬ２１が形成される。切り欠きＣＴ２２が設けられた辺には、切り欠きＣＴ２２よりも内側に及ぶように電極ＥＬ２２が形成される。切り欠きＣＴ２３が設けられた辺には、切り欠きＣＴ２３よりも内側に及ぶように電極ＥＬ２３が形成される。切り欠きＣＴ２４が設けられた辺には、切り欠きＣＴ２４よりも内側に及ぶように電極ＥＬ２４が形成される。
【００３８】
セラミックシートＳＨ２の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ２ａ〜ＶＨ２ｂとループ状の導体パターンＣＰ２とが形成される。ビアホール導体ＶＨ２ａは、セラミックシートＳＨ２をセラミックシートＳＨ１に積層したときに導体パターンＣＰ１の始端と重なる位置に設けられる。ビアホール導体ＶＨ２ｂは、セラミックシートＳＨ２をセラミックシートＳＨ１に積層したときに導体パターンＣＰ１の終端と重なる位置に設けられる。
【００３９】
導体パターンＣＰ２をなすループは、ビアホール導体ＶＨ２ｂが形成された位置を始端としかつこの位置よりもＸ軸方向における正側にややずれた位置を終端として、セラミックシートＳＨ２の上面を時計回り方向に延在する。
【００４０】
導体パターンＣＰ２はまず、始端からＹ軸方向の正側に延び、切り欠きＣＴ２１よりも内側の位置でＸ軸方向の正側に屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ２は、切り欠きＣＴ２２よりも内側の位置でＹ軸方向の負側にさらに屈曲し、電極ＥＬ２２に重なることなくＹ軸方向の負側に延びる。Ｙ軸方向の負側に延びた導体パターンＣＰ２は、切り欠きＣＴ２３よりも内側の位置でＸ軸方向の負側に再度屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ２は、電極ＥＬ２３に重なることなくＸ軸方向の負側に延び、終端に達する。なお、セラミックシートＳＨ２のＣ−Ｃ断面を図３（Ｃ）の下段に示す。
【００４１】
図３（Ｄ）の上段を参照して、セラミックシートＳＨ３は、正方形のシートの四辺に矩形の切り欠きＣＴ３１〜ＣＴ３４を設けた形状をなす。切り欠きＣＴ３１が設けられた辺には、切り欠きＣＴ３１よりも内側に及ぶように電極ＥＬ３１が形成される。切り欠きＣＴ３２が設けられた辺には、切り欠きＣＴ３２よりも内側に及ぶように電極ＥＬ３２が形成される。切り欠きＣＴ３３が設けられた辺には、切り欠きＣＴ３３よりも内側に及ぶように電極ＥＬ３３が形成される。切り欠きＣＴ３４が設けられた辺には、切り欠きＣＴ３４よりも内側に及ぶように電極ＥＬ３４が形成される。
【００４２】
セラミックシートＳＨ３の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ３ａ〜ＶＨ３ｂとループ状の導体パターンＣＰ３とが形成される。ビアホール導体ＶＨ３ａは、セラミックシートＳＨ３をセラミックシートＳＨ２に積層したときにビアホール導体ＶＨ２ａと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ３ｂは、セラミックシートＳＨ３をセラミックシートＳＨ２に積層したときに導体パターンＣＰ２の終端と重なる位置に設けられる。
【００４３】
導体パターンＣＰ３をなすループは、ビアホール導体ＶＨ３ｂが形成された位置を始端としかつこの位置よりもＸ軸方向における正側にややずれた位置を終端として、セラミックシートＳＨ３の上面を時計回り方向に延在する。
【００４４】
導体パターンＣＰ３はまず、始端からＸ軸方向の負側に延び、切り欠きＣＴ３４よりも内側の位置でＹ軸方向における正側に屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ３は、電極ＥＬ３４に重なることなくＹ軸方向の正側に延び、切り欠きＣＴ３１よりも内側の位置でＸ軸方向における正側にさらに屈曲する。
【００４５】
屈曲した導体パターンＣＰ３は、電極ＥＬ３１に重なることなくＸ軸方向の正側に延び、切り欠きＣＴ３２よりも内側の位置でＹ軸方向の負側に再度屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ３は、電極ＥＬ３２に重なることなくＹ軸方向の負側に延び、切り欠きＣＴ３３よりも内側の位置でＸ軸方向における負側にさらに屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ３はその後、終端に達する。なお、セラミックシートＳＨ３のＡ−Ａ断面を図３（Ｄ）の下段に示す。
【００４６】
図４（Ａ）の上段を参照して、セラミックシートＳＨ４は、正方形のシートの四辺に矩形の切り欠きＣＴ４１〜ＣＴ４４を設けた形状をなす。切り欠きＣＴ４１が設けられた辺には、切り欠きＣＴ４１よりも内側に及ぶように電極ＥＬ４１が形成される。切り欠きＣＴ４２が設けられた辺には、切り欠きＣＴ４２よりも内側に及ぶように電極ＥＬ４２が形成される。切り欠きＣＴ４３が設けられた辺には、切り欠きＣＴ４３よりも内側に及ぶように電極ＥＬ４３が形成される。切り欠きＣＴ４４が設けられた辺には、切り欠きＣＴ４４よりも内側に及ぶように電極ＥＬ４４が形成される。
【００４７】
セラミックシートＳＨ４の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ４ａ〜ＶＨ４ｂとループ状の導体パターンＣＰ４とが形成される。ビアホール導体ＶＨ４ａは、セラミックシートＳＨ４をセラミックシートＳＨ３に積層したときにビアホール導体ＶＨ３ａと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ４ｂは、セラミックシートＳＨ４をセラミックシートＳＨ３に積層したときに導体パターンＣＰ３の終端と重なる位置に設けられる。
【００４８】
導体パターンＣＰ４をなすループは、ビアホール導体ＶＨ４ｂが形成された位置を始端としかつこの位置よりもＸ軸方向における正側にややずれた位置を終端として、セラミックシートＳＨ４の上面を時計回り方向に延在する。
【００４９】
導体パターンＣＰ４はまず、始端からＸ軸方向の負側に延び、切り欠きＣＴ４４よりも内側の位置でＹ軸方向の正側に屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ４は、電極ＥＬ４４に重なることなくＹ軸方向の正側に延び、切り欠きＣＴ４１よりも内側の位置でＸ軸方向の正側にさらに屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ４は、電極ＥＬ４１に重なることなくＸ軸方向の正側に延び、切り欠きＣＴ４２よりも内側の位置でＹ軸方向の負側に再度屈曲する。屈曲した導体パターンＣＰ３は、電極ＥＬ４２に重なることなくＹ軸方向の負側に延び、終端に達する。なお、セラミックシートＳＨ４のＥ−Ｅ断面を図４（Ａ）の下段に示す。
【００５０】
図４（Ｂ）の上段を参照して、セラミックシートＳＨ５は、正方形のシートの四辺に矩形の切り欠きＣＴ５１〜ＣＴ５４を設けた形状をなす。切り欠きＣＴ５１が設けられた辺には、切り欠きＣＴ５１よりも内側に及ぶように電極ＥＬ５１が形成される。切り欠きＣＴ５２が設けられた辺には、切り欠きＣＴ５２よりも内側に及ぶように電極ＥＬ５２が形成される。切り欠きＣＴ５３が設けられた辺には、切り欠きＣＴ５３よりも内側に及ぶように電極ＥＬ５３が形成される。切り欠きＣＴ５４が設けられた辺には、切り欠きＣＴ５４よりも内側に及ぶように電極ＥＬ５４が形成される。
【００５１】
セラミックシートＳＨ５の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ５ａ〜ＶＨ５ｂが形成される。ビアホール導体ＶＨ５ａは、セラミックシートＳＨ５をセラミックシートＳＨ４に積層したときにビアホール導体ＶＨ４ａと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ５ｂは、セラミックシートＳＨ５をセラミックシートＳＨ４に積層したときに導体パターンＣＰ４の終端と重なる位置に設けられる。なお、セラミックシートＳＨ５のＦ−Ｆ断面を図４（Ｂ）の下段に示す。
【００５２】
図４（Ｃ）の上段を参照して、セラミックシートＳＨ６は、正方形のシートの四辺に矩形の切り欠きＣＴ６１〜ＣＴ６４を設けた形状をなす。切り欠きＣＴ６１が設けられた辺には、切り欠きＣＴ６１よりも内側に及ぶように電極ＥＬ６１が形成される。切り欠きＣＴ６２が設けられた辺には、切り欠きＣＴ６２よりも内側に及ぶように電極ＥＬ６２が形成される。切り欠きＣＴ６３が設けられた辺には、切り欠きＣＴ６３よりも内側に及ぶように電極ＥＬ６３が形成される。切り欠きＣＴ６４が設けられた辺には、切り欠きＣＴ６４よりも内側に及ぶように電極ＥＬ６４が形成される。
【００５３】
セラミックシートＳＨ６の上面には、下面にまで達するビアホール導体ＶＨ６ａ〜ＶＨ６ｂが形成される。ビアホール導体ＶＨ６ａは、セラミックシートＳＨ６をセラミックシートＳＨ５に積層したときにビアホール導体ＶＨ５ａと重なる位置に設けられる。また、ビアホール導体ＶＨ６ｂは、セラミックシートＳＨ６をセラミックシートＳＨ５に積層したときにビアホール導体ＶＨ５ｂと重なる位置に設けられる。
【００５４】
セラミックシートＳＨ６の上面には、導体パターンＣＰ６が形成される。導体パターンＣＰ６は、分散する複数の電極ＥＰ１〜ＥＰ８によって形成される。電極ＥＰ１はビアホール導体ＶＨ６ａを覆う位置に設けられ、電極ＥＰ２はビアホール導体ＶＨ６ｂを覆う位置に設けられる。電極ＥＰ３〜ＥＰ６は電極ＥＬ６１〜ＥＬ６４とそれぞれ接続され、電極ＥＰ７およびＥＰ８は独立して設けられる。なお、セラミックシートＳＨ６のＧ−Ｇ断面を図４（Ｃ）の下段に示す。
【００５５】
セラミックシートＳＨ１〜ＳＨ６が上述のように構成されることから、導体パターンＣＰ１〜ＣＰ４，ビアホール導体ＶＨ２ａ〜ＶＨ６ａ，ＶＨ２ｂ〜ＶＨ６ｂはコイル状に接続され、これによってＺ軸を巻回軸とする巻回体が積層体１２の内部に形成される。巻回体の内側および外側には磁性体が存在するため、巻回体はインダクタとして機能する。
【００５６】
セラミックシートＳＨ１〜ＳＨ６が積層された積層体１２は、図５の斜視図に示すように構成される。切り欠きＣＴ０１〜ＣＴ６１からなる凹部ＣＶ１はＹ軸方向における正側の側面に現れ、切り欠きＣＴ０２〜ＣＴ６２からなる凹部ＣＶ２はＸ軸方向における正側の側面に現れる。また、切り欠きＣＴ０３〜ＣＴ６３からなる凹部ＣＶ３はＹ軸方向における負側の側面に現れ、切り欠きＣＴ０４〜ＣＴ６４からなる凹部ＣＶ４はＸ軸方向における負側の側面に現れる。
【００５７】
さらに、電極ＥＬ０１〜ＥＬ６１からなる接合用電極ＳＥＬ１は凹部ＣＶ１の底面に現れ、電極ＥＬ０２〜ＥＬ６２からなる接合用電極ＳＥＬ２は凹部ＣＶ２の底面に現れる。また、電極ＥＬ０３〜ＥＬ６３からなる接合用電極ＳＥＬ３は凹部ＣＶ３の底面に現れ、電極ＥＬ０４〜ＥＬ６４からなる接合用電極ＳＥＬ４は凹部ＣＶ４の底面に現れる。
【００５８】
なお、積層体１２の天面におけるＩＣ１４，受動素子１６，１８の実装位置を一点鎖線で示す。また、図５に示す積層体１２のＨ−Ｈ断面は図６に示す構造を有する。
【００５９】
セラミックシートＳＨ０，ＳＨ３およびＳＨ６は非磁性（比透磁率：１）のフェライトを材料とし、熱膨張係数は“８．５”〜“９．０”の範囲の値を示す。また、セラミックシートＳＨ１，ＳＨ２，ＳＨ４およびＳＨ５は磁性（比透磁率：１００〜１２０）のフェライトを材料とし、熱膨張係数は“９．０”〜“１０．０”の範囲の値を示す。さらに、接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４，導体パターンＣＰ１〜ＣＰ４，ビアホール導体ＶＨ２ａ〜ＶＨ６ａ，ＶＨ２ｂ〜ＶＨ６ｂは、銀を材料とし、熱膨張係数は“２０”を示す。また、封止樹脂２０はシリカなどのフィラー入りのエポキシ樹脂を材料とする。
【００６０】
次にセラミックシートＳＨ１〜ＳＨ６の具体的な作製方法を説明する。セラミックシートＳＨ０の集合体は、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ０として用意され、各々が長方形をなす複数の第１貫通孔ＨＬ０１，ＨＬ０１…が形成される（図７（Ａ）参照）。
【００６１】
ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線（境界線）ＢＬ，ＢＬ，…は切り出し位置を示す。この破線ＢＬによって定義される複数の矩形の各々を“分割ユニット”と定義する。また、第１貫通孔ＨＬ０１の形成には機械的なパンチャー装置が用いられ、第１貫通孔ＨＬ０１は破線ＢＬを跨ぐように形成される。第１貫通孔ＨＬ０１をなす長方形の短辺は第１貫通孔ＨＬ０１が跨ぐ破線ＢＬに沿って延び、第１貫通孔ＨＬ０１をなす長方形の長辺は第１貫通孔ＨＬ０１が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延びる。
【００６２】
形成された複数の第１貫通孔ＨＬ０１，ＨＬ０１，…には、導電ペーストＣＰＳが充填される（図７（Ｂ）参照）。充填された導電ペーストＣＰＳは、電極ＥＬ０１〜ＥＬ０４をなす。充填された導電ペーストＣＰＳが乾燥すると、各々が長方形をなす複数の第２貫通孔ＨＬ０２，ＨＬ０２，…と、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ０，ＧＲ０，…とが形成される（図７（Ｃ）参照）。
【００６３】
第２貫通孔ＨＬ０２も、破線ＢＬを跨ぐように、機械的なパンチャー装置によって形成される。また、第２貫通孔ＨＬ０２のサイズは、第１貫通孔ＨＬ０１のサイズと一致する。ただし、第２貫通孔ＨＬ０２をなす長方形の短辺は第２貫通孔ＨＬ０２が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延び、第２貫通孔ＨＬ０２をなす長方形の長辺は第２貫通孔ＨＬ０２が跨ぐ破線ＢＬに沿って延びる。したがって、導電ペーストＣＰＳの一部だけが排除され、他の一部はマザーシートＢＳ０に残存する。溝ＧＲ０，ＧＲ０，…は、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びるようにマザーシートＢＳ０の上面および下面の各々に形成される。なお、下面に形成された溝幅は、上面に形成された溝幅よりも広い。
【００６４】
セラミックシートＳＨ１の集合体は、図８（Ａ）〜図８（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ１として用意され、ループ状に延在する導体パターンＣＰ１が各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図８（Ａ）参照）。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線（境界線）ＢＬ，ＢＬ，…は切り出し位置を示す。
【００６５】
次に、各々が長方形をなす複数の第１貫通孔ＨＬ１１，ＨＬ１１…がマザーシートＢＳ１に形成される（図８（Ｂ）参照）。第１貫通孔ＨＬ１１の形成には機械的なパンチャー装置が用いられ、第１貫通孔ＨＬ１１は破線ＢＬを跨ぐように形成される。第１貫通孔ＨＬ１１をなす長方形の短辺は第１貫通孔ＨＬ１１が跨ぐ破線ＢＬに沿って延び、第１貫通孔ＨＬ１１をなす長方形の長辺は第１貫通孔ＨＬ１１が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延びる。
【００６６】
形成された複数の第１貫通孔ＨＬ１１，ＨＬ１１，…にはその後、導電ペーストＣＰＳが充填される（図８（Ｃ）参照）。充填された導電ペーストＣＰＳは、電極ＥＬ１１〜ＥＬ１４をなす。
【００６７】
充填された導電ペーストＣＰＳが乾燥すると、各々が長方形をなす複数の第２貫通孔ＨＬ１２，ＨＬ１２，…と、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ１，ＧＲ１，…とが形成される（図８（Ｄ）参照）。
【００６８】
第２貫通孔ＨＬ１２も、破線ＢＬを跨ぐように、機械的なパンチャー装置によって形成される。また、第２貫通孔ＨＬ１２のサイズは、第１貫通孔ＨＬ１１のサイズと一致する。ただし、第２貫通孔ＨＬ１２をなす長方形の短辺は第２貫通孔ＨＬ１２が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延び、第２貫通孔ＨＬ１２をなす長方形の長辺は第２貫通孔ＨＬ１２が跨ぐ破線ＢＬに沿って延びる。したがって、導電ペーストＣＰＳの一部だけが排除され、他の一部はマザーシートＢＳ１に残存する。溝ＧＲ１，ＧＲ１，…は、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びるようにマザーシートＢＳ１の上面および下面の各々に形成される。なお、下面に形成された溝幅は、上面に形成された溝幅よりも広い。
【００６９】
セラミックシートＳＨ２の集合体は、図９（Ａ）〜図９（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ２として用意され、ループ状に延在する導体パターンＣＰ２が各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図９（Ａ）参照）。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線（境界線）ＢＬ，ＢＬ，…は切り出し位置を示す。
【００７０】
次に、各々が長方形をなす複数の第１貫通孔ＨＬ２１，ＨＬ２１…と、各々が円形をなす複数の第３貫通孔ＨＬ２ａ，ＨＬ２ａ，…，ＨＬ２ｂ，ＨＬ２ｂ，…とが形成される（図９（Ｂ）参照）。第１貫通孔ＨＬ２１の形成には機械的なパンチャー装置が用いられ、第１貫通孔ＨＬ２１は破線ＢＬを跨ぐように形成される。第１貫通孔ＨＬ２１をなす長方形の短辺は第１貫通孔ＨＬ２１が跨ぐ破線ＢＬに沿って延び、第１貫通孔ＨＬ２１をなす長方形の長辺は第１貫通孔ＨＬ２１が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延びる。また、第３貫通孔ＨＬ２ａおよびＨＬ２ｂの形成には、レーザ装置が用いられる。第３貫通孔ＨＬ２ａは各分割ユニットの中央に形成され、第３貫通孔ＨＬ２ｂは導体パターンＣＰ２の始端の位置に形成される。
【００７１】
こうして形成された第１貫通孔ＨＬ２１，ＨＬ２１，…，第３貫通孔ＨＬ２ａ，ＨＬ２ａ，…，ＨＬ２ｂ，ＨＬ２ｂ，…にはその後、導電ペーストＣＰＳが充填される（図９（Ｃ）参照）。第１貫通孔ＨＬ２１，ＨＬ２１，…に充填された導電ペーストＣＰＳは電極ＥＬ２１〜ＥＬ２４をなし、第３貫通孔ＨＬ２ａに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ２ａをなし、第３貫通孔ＨＬ２ｂに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ２ｂをなす。
【００７２】
充填された導電ペーストＣＰＳが乾燥すると、各々が長方形をなす複数の第２貫通孔ＨＬ２２，ＨＬ２２，…と、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ２，ＧＲ２，…とが形成される（図９（Ｄ）参照）。
【００７３】
第２貫通孔ＨＬ２２も、破線ＢＬを跨ぐように、機械的なパンチャー装置によって形成される。また、第２貫通孔ＨＬ２２のサイズは、第１貫通孔ＨＬ２１のサイズと一致する。ただし、第２貫通孔ＨＬ２２をなす長方形の短辺は第２貫通孔ＨＬ２２が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延び、第２貫通孔ＨＬ２２をなす長方形の長辺は第２貫通孔ＨＬ２２が跨ぐ破線ＢＬに沿って延びる。したがって、導電ペーストＣＰＳの一部だけが排除され、他の一部はマザーシートＢＳ２に残存する。溝ＧＲ２，ＧＲ２，…は、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びるようにマザーシートＢＳ２の上面および下面の各々に形成される。なお、下面に形成された溝幅は、上面に形成された溝幅よりも広い。
【００７４】
セラミックシートＳＨ３の集合体は、図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ３として用意され、ループ状に延在する導体パターンＣＰ３が各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図１０（Ａ）参照）。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線（境界線）ＢＬ，ＢＬ，…は切り出し位置を示す。
【００７５】
次に、各々が長方形をなす複数の第１貫通孔ＨＬ３１，ＨＬ３１…と、各々が円形をなす複数の第３貫通孔ＨＬ３ａ，ＨＬ３ａ，…，ＨＬ３ｂ，ＨＬ３ｂ，…とが形成される（図１０（Ｂ）参照）。第１貫通孔ＨＬ３１の形成には機械的なパンチャー装置が用いられ、第１貫通孔ＨＬ３１は破線ＢＬを跨ぐように形成される。第１貫通孔ＨＬ３１をなす長方形の短辺は第１貫通孔ＨＬ３１が跨ぐ破線ＢＬに沿って延び、第１貫通孔ＨＬ３１をなす長方形の長辺は第１貫通孔ＨＬ３１が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延びる。また、第３貫通孔ＨＬ３ａおよびＨＬ３ｂの形成には、レーザ装置が用いられる。第３貫通孔ＨＬ３ａは各分割ユニットの中央に形成され、第３貫通孔ＨＬ３ｂは導体パターンＣＰ３の始端の位置に形成される。
【００７６】
こうして形成された第１貫通孔ＨＬ３１，ＨＬ３１，…，第３貫通孔ＨＬ３ａ，ＨＬ３ａ，…，ＨＬ３ｂ，ＨＬ３ｂ，…にはその後、導電ペーストＣＰＳが充填される（図１０（Ｃ）参照）。第１貫通孔ＨＬ３１，ＨＬ３１，…に充填された導電ペーストＣＰＳは電極ＥＬ３１〜ＥＬ３４をなし、第３貫通孔ＨＬ３ａに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ３ａをなし、第３貫通孔ＨＬ３ｂに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ３ｂをなす。
【００７７】
充填された導電ペーストＣＰＳが乾燥すると、各々が長方形をなす複数の第２貫通孔ＨＬ３２，ＨＬ３２，…と、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ３，ＧＲ３，…とが形成される（図１０（Ｄ）参照）。
【００７８】
第２貫通孔ＨＬ３２も、破線ＢＬを跨ぐように、機械的なパンチャー装置によって形成される。また、第２貫通孔ＨＬ３２のサイズは、第１貫通孔ＨＬ３１のサイズと一致する。ただし、第２貫通孔ＨＬ３２をなす長方形の短辺は第２貫通孔ＨＬ３２が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延び、第２貫通孔ＨＬ３２をなす長方形の長辺は第２貫通孔ＨＬ３２が跨ぐ破線ＢＬに沿って延びる。したがって、導電ペーストＣＰＳの一部だけが排除され、他の一部はマザーシートＢＳ３に残存する。溝ＧＲ３，ＧＲ３，…は、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びるようにマザーシートＢＳ３の上面および下面の各々に形成される。なお、下面に形成された溝幅は、上面に形成された溝幅よりも広い。
【００７９】
セラミックシートＳＨ４の集合体は、図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ４として用意され、ループ状に延在する導体パターンＣＰ４が各分割ユニットの上面にスクリーン印刷によって形成される（図１１（Ａ）参照）。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線（境界線）ＢＬ，ＢＬ，…は切り出し位置を示す。
【００８０】
次に、各々が長方形をなす複数の第１貫通孔ＨＬ４１，ＨＬ４１…と、各々が円形をなす複数の第３貫通孔ＨＬ４ａ，ＨＬ４ａ，…，ＨＬ４ｂ，ＨＬ４ｂ，…とが形成される（図１１（Ｂ）参照）。第１貫通孔ＨＬ４１の形成には機械的なパンチャー装置が用いられ、第１貫通孔ＨＬ４１は破線ＢＬを跨ぐように形成される。第１貫通孔ＨＬ４１をなす長方形の短辺は第１貫通孔ＨＬ４１が跨ぐ破線ＢＬに沿って延び、第１貫通孔ＨＬ４１をなす長方形の長辺は第１貫通孔ＨＬ４１が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延びる。また、第３貫通孔ＨＬ４ａおよびＨＬ４ｂの形成には、レーザ装置が用いられる。第３貫通孔ＨＬ４ａは各分割ユニットの中央に形成され、第３貫通孔ＨＬ４ｂは導体パターンＣＰ３の始端の位置に形成される。
【００８１】
こうして形成された第１貫通孔ＨＬ４１，ＨＬ４１，…，第３貫通孔ＨＬ４ａ，ＨＬ４ａ，…，ＨＬ４ｂ，ＨＬ４ｂ，…にはその後、導電ペーストＣＰＳが充填される（図１１（Ｃ）参照）。第１貫通孔ＨＬ４１，ＨＬ４１，…に充填された導電ペーストＣＰＳは電極ＥＬ４１〜ＥＬ４４をなし、第３貫通孔ＨＬ４ａに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ４ａをなし、第３貫通孔ＨＬ４ｂに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ４ｂをなす。
【００８２】
充填された導電ペーストＣＰＳが乾燥すると、各々が長方形をなす複数の第２貫通孔ＨＬ４２，ＨＬ４２，…と、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ４，ＧＲ４，…とが形成される（図１１（Ｄ）参照）。
【００８３】
第２貫通孔ＨＬ４２も、破線ＢＬを跨ぐように、機械的なパンチャー装置によって形成される。また、第２貫通孔ＨＬ４２のサイズは、第１貫通孔ＨＬ４１のサイズと一致する。ただし、第２貫通孔ＨＬ４２をなす長方形の短辺は第２貫通孔ＨＬ４２が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延び、第２貫通孔ＨＬ４２をなす長方形の長辺は第２貫通孔ＨＬ４２が跨ぐ破線ＢＬに沿って延びる。したがって、導電ペーストＣＰＳの一部だけが排除され、他の一部はマザーシートＢＳ４に残存する。溝ＧＲ４，ＧＲ４，…は、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びるようにマザーシートＢＳ４の上面および下面の各々に形成される。なお、下面に形成された溝幅は、上面に形成された溝幅よりも広い。
【００８４】
セラミックシートＳＨ５の集合体は、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ５として用意され、各々が長方形をなす複数の第１貫通孔ＨＬ５１，ＨＬ５１…と、各々が円形をなす複数の第３貫通孔ＨＬ５ａ，ＨＬ５ａ，…，ＨＬ５ｂ，ＨＬ５ｂ，…とがマザーシートＢＳ５に形成される（図１２（Ａ）参照）。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線（境界線）ＢＬ，ＢＬ，…は切り出し位置を示す。
【００８５】
第１貫通孔ＨＬ５１の形成には機械的なパンチャー装置が用いられ、第１貫通孔ＨＬ５１は破線ＢＬを跨ぐように形成される。第１貫通孔ＨＬ５１をなす長方形の短辺は第１貫通孔ＨＬ５１が跨ぐ破線ＢＬに沿って延び、第１貫通孔ＨＬ５１をなす長方形の長辺は第１貫通孔ＨＬ５１が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延びる。また、第３貫通孔ＨＬ５ａおよびＨＬ５ｂの形成には、レーザ装置が用いられる。第３貫通孔ＨＬ５ａは各分割ユニットの中央に形成され、第３貫通孔ＨＬ５ｂは第３貫通孔ＨＬ５ａの位置よりもＸ軸方向における正側でかつＹ軸方向における負側の位置に形成される。
【００８６】
こうして形成された第１貫通孔ＨＬ５１，ＨＬ５１，…，第３貫通孔ＨＬ５ａ，ＨＬ５ａ，…，ＨＬ５ｂ，ＨＬ５ｂ，…にはその後、導電ペーストＣＰＳが充填される（図１２（Ｂ）参照）。第１貫通孔ＨＬ５１，ＨＬ５１，…に充填された導電ペーストＣＰＳは電極ＥＬ５１〜ＥＬ５４をなし、第３貫通孔ＨＬ５ａに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ５ａをなし、第３貫通孔ＨＬ５ｂに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ５ｂをなす。
【００８７】
充填された導電ペーストＣＰＳが乾燥すると、各々が長方形をなす複数の第２貫通孔ＨＬ５２，ＨＬ５２，…と、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ５，ＧＲ５，…とが形成される（図１２（Ｃ）参照）。
【００８８】
第２貫通孔ＨＬ５２も、破線ＢＬを跨ぐように、機械的なパンチャー装置によって形成される。また、第２貫通孔ＨＬ５２のサイズは、第１貫通孔ＨＬ５１のサイズと一致する。ただし、第２貫通孔ＨＬ５２をなす長方形の短辺は第２貫通孔ＨＬ５２が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延び、第２貫通孔ＨＬ５２をなす長方形の長辺は第２貫通孔ＨＬ５２が跨ぐ破線ＢＬに沿って延びる。したがって、導電ペーストＣＰＳの一部だけが排除され、他の一部はマザーシートＢＳ５に残存する。溝ＧＲ５，ＧＲ５，…は、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びるようにマザーシートＢＳ５の上面および下面の各々に形成される。なお、下面に形成された溝幅は、上面に形成された溝幅よりも広い。
【００８９】
セラミックシートＳＨ６の集合体は、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックシートがマザーシートＢＳ６として用意され、各々が長方形をなす複数の第１貫通孔ＨＬ６１，ＨＬ６１…と、各々が円形をなす複数の第３貫通孔ＨＬ６ａ，ＨＬ６ａ，…，ＨＬ６ｂ，ＨＬ６ｂ，…とがマザーシートＢＳ６に形成される（図１３（Ａ）参照）。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線（境界線）ＢＬ，ＢＬ，…は切り出し位置を示す。
【００９０】
第１貫通孔ＨＬ６１の形成には機械的なパンチャー装置が用いられ、第１貫通孔ＨＬ６１は破線ＢＬを跨ぐように形成される。第１貫通孔ＨＬ６１をなす長方形の短辺は第１貫通孔ＨＬ６１が跨ぐ破線ＢＬに沿って延び、第１貫通孔ＨＬ６１をなす長方形の長辺は第１貫通孔ＨＬ６１が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延びる。また、第３貫通孔ＨＬ６ａおよびＨＬ６ｂの形成には、レーザ装置が用いられる。第３貫通孔ＨＬ６ａは各分割ユニットの中央に形成され、第３貫通孔ＨＬ６ｂは第３貫通孔ＨＬ６ａの位置よりもＸ軸方向における正側でかつＹ軸方向における負側の位置に形成される。
【００９１】
こうして形成された第１貫通孔ＨＬ６１，ＨＬ６１，…，第３貫通孔ＨＬ６ａ，ＨＬ６ａ，…，ＨＬ６ｂ，ＨＬ６ｂ，…にはその後、導電ペーストＣＰＳが充填される（図１３（Ｂ）参照）。第１貫通孔ＨＬ６１，ＨＬ６１，…に充填された導電ペーストＣＰＳは電極ＥＬ６１〜ＥＬ６４をなし、第３貫通孔ＨＬ６ａに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ６ａをなし、第３貫通孔ＨＬ６ｂに充填された導電ペーストＣＰＳはビアホール導体ＶＨ６ｂをなす。
【００９２】
充填された導電ペーストＣＰＳが乾燥すると、各々が長方形をなす複数の第２貫通孔ＨＬ６２，ＨＬ６２，…と、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ６，ＧＲ６，…とが形成される（図１３（Ｄ）参照）。
【００９３】
第２貫通孔ＨＬ６２も、破線ＢＬを跨ぐように、機械的なパンチャー装置によって形成される。また、第２貫通孔ＨＬ６２のサイズは、第１貫通孔ＨＬ６１のサイズと一致する。ただし、第２貫通孔ＨＬ６２をなす長方形の短辺は第２貫通孔ＨＬ６２が跨ぐ破線ＢＬに直交する方向に延び、第２貫通孔ＨＬ６２をなす長方形の長辺は第２貫通孔ＨＬ６２が跨ぐ破線ＢＬに沿って延びる。したがって、導電ペーストＣＰＳの一部だけが排除され、他の一部はマザーシートＢＳ６に残存する。溝ＧＲ６，ＧＲ６，…は、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びるようにマザーシートＢＳ６の上面および下面の各々に形成される。なお、下面に形成された溝幅は、上面に形成された溝幅よりも広い。
【００９４】
上述の要領で作成されたマザーシートＢＳ０〜ＢＳ６は、この順序で積層されかつ圧着される。また、積層位置は、各シートに割り当てられた破線ＢＬ，ＢＬ，…がＺ軸方向から眺めて重なり合うように、つまり各シートに形成された第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２がＺ軸方向から眺めて重なり合うように、調整される。これによって、図１４（Ａ）に示す積層基板ＬＢ１が作製される。作製された積層基板ＬＢ１はその後焼成される（図１４（Ｂ）参照）。焼成が完了すると、ＩＣ１４，受動素子１６，１８が分割ユニット毎に積層基板ＬＢ１の天面に実装され、接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４からそれぞれ連続する外部電極ＥＥＬ１〜ＥＥＬ４が分割ユニット毎に積層基板ＬＢ１の下面に実装される（図１４（Ｃ）参照）。
【００９５】
続いて、柔軟性の高いテープ２２が、空気が入り込まないように、積層基板ＬＢ１の下面に貼着される（図１５（Ａ）参照）。具体的には、テープ２２は真空中で積層基板ＬＢ１の下面に貼着され、ラバーゴムで大気圧プレスを施される。テープ２２が貼着されると、積層基板ＬＢ１の天面に液状の封止樹脂２０が塗布され、真空脱泡処理と硬化処理とを施される（図１５（Ｂ）参照）。なお、塗布された封止樹脂２０は、第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２に流れ込み、テープ２２によって堰き止められる。
【００９６】
封止樹脂２０が固まると、破線ＢＬ，ＢＬ，…に沿って延びる溝ＧＲ７が封止樹脂２０の表面に形成される（図１５（Ｃ）参照）。積層基板ＬＢ１は、こうして形成された溝ＧＲ７に沿って、分割ユニット毎に個片化（分割）される。これによって、複数の積層セラミック電子部品１０，１０，…が得られる。
【００９７】
以上の説明から分かるように、積層体１２は、セラミックシートＳＨ０〜ＳＨ６を積層してなる。積層体１２の天面には、ＩＣ１４，受動素子１６，１８が実装され、積層体１２の側面には凹部ＣＶ１〜ＣＶ４が形成される。また、凹部ＣＶ１〜ＣＶ４の底面には、接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４が設けられる。封止樹脂２０は、ＩＣ１４，受動素子１６，１８を封止するべく積層体１２の天面に形成され、かつ接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４を封止するべく凹部ＣＶ１〜ＣＶ４に延在する。
【００９８】
上述の積層セラミック電子部品１０を作製するにあたっては、まず共通の位置に形成された第１貫通孔ＨＬ０１〜ＨＬ６１をそれぞれ有するマザーシートＢＳ０〜ＢＳ６が準備される（準備工程）。次に、接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４をなす導電ペーストＣＰＳが第１貫通孔ＨＬ０１〜ＨＬ６１に充填され（第１充填工程）、導体パターンＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ４およびＣＰ５がマザーシートＢＳ１，ＢＳ２，ＢＳ４およびＢＳ５にそれぞれ形成される（導体パターン形成工程）。
【００９９】
さらに、導体パターンＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ４およびＣＰ５を螺旋状に接続するべく、第３貫通孔ＨＬ２ａ〜ＨＬ６ａ，ＨＬ２ｂ〜ＨＬ６ｂがマザーシートＢＳ２〜ＢＳ６に形成され（第３貫通孔形成工程）、導電ペーストＣＰＳが第３貫通孔ＨＬ２ａ〜ＨＬ６ａ，ＨＬ２ｂ〜ＨＬ６ｂに充填される（第２充填工程）。
【０１００】
第２充填工程が完了すると、第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２がマザーシートＢＳ０〜ＢＳ６に形成される（第２貫通孔形成工程）。充填された導電ペーストＣＰＳの一部は、第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２の形成によって排除される。マザーシートＢＳ０〜ＢＳ６はその後、平面視で第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２が重なり合うように積層され（積層工程）、これによって積層基板ＬＢ１が作製される。
【０１０１】
積層基板ＬＢ１の天面にはＩＣ１４，受動素子１６，１８が実装され（実装工程）、積層基板ＬＢ１の下面には接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４からそれぞれ連続する外部電極ＥＥＬ１〜ＥＥＬ４が形成される（外部電極形成工程）。続いて、積層基板ＬＢ１の下面にテープ２２が貼着され（貼着工程）、液状の封止樹脂２０が積層基板ＬＢ１の天面に塗布される（樹脂塗布工程）。
【０１０２】
塗布された封止樹脂２０は、第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２にまで延在する。封止樹脂２０が固まると、第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２を横切る位置で積層基板ＬＢ１が切断される（切断工程）。これによって、複数の積層セラミック電子部品１０，１０，…が得られる。
【０１０３】
ＩＣ１４，受動素子１６，１８および接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４を封止する部材の材料として樹脂を採用することで、接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４とセラミックとの間から水分が吸収される懸念や、積層セラミック電子部品１０とマザー基板（図示せず）とを接合するためのはんだが凹部ＣＶ１〜ＣＶ４を経て積層体１２の天面まで濡れ上がる懸念を軽減することができる。
【０１０４】
なお、この実施例では、セラミックシートＳＨ０〜ＳＨ６を積層する前の段階で第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２を形成するようにしている。しかし、第２貫通孔ＨＬ０２〜ＨＬ６２の位置で貫通する別の第２貫通孔を、セラミックシートＳＨ０〜ＳＨ６を積層した後の段階で積層基板ＬＢ１に形成するようにしてもよい。別の第２貫通孔を積層基板ＬＢ１に形成する限り、形成時期は積層基板ＬＢ１の焼成前および焼成後のいずれでもよい。
【０１０５】
また、この実施例では、凹部ＣＶ１〜ＣＶ４の各々は、積層体１２の上面および下面の各々に達するように、積層体１２の側面に形成される。しかし、凹部ＣＶ１〜ＣＶ４の各々は、積層体１２の上面または下面に達しないように、積層体１２の側面に形成してもよい。この場合、積層体１２の或る断面（図６に示すＨ−Ｈ断面に対応）は、図１６に示す構造をなす。
【０１０６】
図１６によれば、セラミックシートＳＨ０の上面から下面に達する貫通孔が平面視で外部電極ＥＥＬ１〜ＥＥＬ４の各々と重なる位置に形成され、セラミックシートＳＨ０の上面および貫通孔に導体が形成される。接合用電極ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４は、このような導体を介して外部電極ＥＥＬ１〜ＥＥＬ４とそれぞれ接続される。このような積層体１２を有する積層セラミック電子部品１０を作製する場合、テープ２２を積層基板ＬＢ１の下面に貼着する工程（図１５（Ａ）参照）は不要となる。
【０１０７】
さらに、図１６に示す積層体１２では、セラミックシートＳＨ０の面積はセラミックシートＳＨ１〜ＳＨ６の各々と一致する。しかし、セラミックシートＳＨ０の面積は、セラミックシートＳＨ１〜ＳＨ６の各々の面積よりも大きくするようにしてもよい。この場合、積層体１２の或る断面（図１６に示す断面に対応）は、図１７に示す構造をなす。
【０１０８】
なお、図１６または図１７に示す積層体１２は、相違する構成を除いて、図１に示す積層体１２の製造方法と同じ製造方法で作製される。
【０１０９】
また、この実施例では、Ｚ軸を巻回軸とするインダクタを積層体１２の内部に形成するようにしている（図２参照）。しかし、これに代えてＸ軸を巻回軸とするインダクタを積層体１２の内部に形成するようにしてもよい。また、インダクタンス成分を有する限り、インダクタの巻き数は何回でもよく、突き詰めると０回であってもよい。
【０１１０】
さらに、この実施例では、セラミックシートＳＨ０，ＳＨ３およびＳＨ６は非磁性のシートとされる。しかし、セラミックシートＳＨ０〜ＳＨ６は全て磁性のシートとするようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１１１】
１０  …積層セラミック電子部品
ＳＨ０〜ＳＨ６  …セラミックシート
１２  …積層体
１４  …ＩＣ（電子部品）
１６，１８  …受動素子（電子部品）
２０  …透明樹脂
ＣＰ１〜ＣＰ４，ＣＰ６  …導体パターン
ＨＬ０１〜ＨＬ６１  …第１貫通孔
ＨＬ０２〜ＨＬ６２  …第２貫通孔
ＨＬ２ａ〜ＨＬ６ａ，ＨＬ２ｂ〜ＨＬ６ｂ  …第３貫通孔
ＥＬ０１〜ＥＬ０４，ＥＬ１１〜ＥＬ１４，ＥＬ２１〜ＥＬ２４，ＥＬ３１〜ＥＬ３４，ＥＬ４１〜ＥＬ４４，ＥＬ５１〜ＥＬ５４，ＥＬ６１〜ＥＬ６４  …電極
ＳＥＬ１〜ＳＥＬ４  …接合用電極
ＣＴ０１〜ＣＴ０４，ＣＴ１１〜ＣＴ１４，ＣＴ２１〜ＣＴ２４，ＣＴ３１〜ＣＴ３４，ＣＴ４１〜ＣＴ４４，ＣＴ５１〜ＣＴ５４，ＣＴ６１〜ＣＴ６４  …切り欠き
ＣＶ１〜ＣＶ４  …凹部
ＥＥＬ１〜ＥＥＬ４  …外部電極
ＢＳ０〜ＢＳ６  …マザーシート
ＬＢ１  …積層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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