(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を装着するための実装面を有する基材と、硬化性樹脂の硬化物からなり、前記実装面を囲む枠状部を含むパッケージ本体とを備え、前記実装面と前記パッケージ本体とによって凹部が形成された半導体素子実装用パッケージを、上金型と下金型とを備える金型を用いて製造する方法であって、
前記凹部に対応する形状の凸部を有する上金型に、厚さが全体に略一定の離型フィルムを配置し、下金型に前記基材を配置し、前記上金型と前記下金型とを閉じて、前記凸部と前記基材の前記実装面とを、前記離型フィルムを介して密着させる工程と、
前記上金型と前記下金型との間に形成された空間内に硬化性樹脂を満たし、前記硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記硬化性樹脂の硬化物を前記基材とともに前記金型から離型する工程と、を有し、
前記離型フィルムが、前記硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する第一の層と、第二の層とを備え、
前記第一の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ１８０℃における引張貯蔵弾性率が１０〜４０ＭＰａであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２，０００〜１３，０００であることを特徴とする半導体素子実装用パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記第一の層の厚さが５〜１２μｍであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が３，０００〜８，０００である、請求項１に記載の半導体素子実装用パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記離型フィルムが、さらに、前記硬化性樹脂の硬化時に金型と接する第三の層とを備え、
前記第三の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ２５℃における引張貯蔵弾性率の第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率に対する比（第三の層の２５℃における引張貯蔵弾性率／第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率）が０．５〜２である、請求項１または２に記載の半導体素子実装用パッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体素子実装用パッケージの製造方法に用いられる離型フィルムであって、
前記硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する第一の層と、第二の層とを備え、
前記第一の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ１８０℃における引張貯蔵弾性率が１０〜４０ＭＰａであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２，０００〜１３，０００であることを特徴とする離型フィルム。
【請求項５】
前記第一の層の厚さが５〜１２μｍであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が３，０００〜８，０００である、請求項４に記載の離型フィルム。
【請求項６】
前記第一の層を構成する樹脂が、フッ素樹脂、ポリスチレンおよび融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項４または５に記載の離型フィルム。
【請求項７】
前記第二の層を構成する樹脂が、無延伸ポリアミド、二軸延伸ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートおよび易成形ポリエチレンテレフタレートからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項４〜６のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項８】
さらに、前記硬化性樹脂の硬化時に金型と接する第三の層とを備え、
該第三の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ２５℃における引張貯蔵弾性率の第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率に対する比（第三の層の２５℃における引張貯蔵弾性率／第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率）が０．５〜２である、請求項４〜７のいずれか一項に記載の離型フィルム。
【請求項９】
前記第三の層を構成する樹脂が、フッ素樹脂、アクリルゴム、熱硬化性シリコーン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン、エチレン／ビニルアルコール共重合体および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項８に記載の離型フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子実装用パッケージの製造方法、および前記製造方法に用いられる離型フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像素子や、ＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical  Systems）等の半導体素子を搭載する中空構造の半導体パッケージ（以下「中空パッケージ」という。）は、低コスト化を目的としてパッケージベース（パッケージ本体）に樹脂を採用したものが知られている。また、パッケージ構造としては、ＤＩＰ（Dual  Inline  Package）が主流であるが、近年、表面実装タイプのＳＯＰ（Small  Outline  Package）やＱＦＰ（Quad  Flat  Package）が採用されるようになり、さらにはＳＯＮ（Small  Outline  Non  leaded  Package）、ＱＦＮ（Quad  Flat  Non  Leaded  Package）といったリードレス化されたパッケージ構造も検討され始めている。これは中空パッケージに小型化、薄型化が要求されてきているためであり、中空パッケージの面実装技術も検討が進んでいる。【０００３】
中空パッケージとしては、例えば、半導体素子を装着するための実装面を有する基材（プリント回線基板、リードフレーム等）に、硬化性樹脂を用いて、前記実装面を囲む枠状部を備えるパッケージ本体を形成し、前記実装面と枠状部とによって形成された凹部の開口を蓋体で覆うタイプのものが知られている。
かかる中空パッケージの製造方法としては、図１２に示すように、中空にしたい部分の形状に対応する凸部２００をキャビティ面に有する上金型２０２の凸部２００を、下金型２０４上に配置した金属製のリードフレーム２０６の露出させたい部分に直接押し当て、その状態で、上金型２０２と下金型２０４との間の空間内に樹脂２０８を充填し成形（トランスファ成形）する方法がある（例えば特許文献１）。
しかし、この方法では、凸部２００とリードフレーム２０６との密着性が悪いと、充填した樹脂２０８が、凸部２００とリードフレーム２０６との間に入り込みやすく、いわゆる「樹脂バリ」が発生しやすい。特に、リードフレーム２０６の厚さにばらつきが存在するため、リードフレーム２０６上の一部の部位は樹脂バリが発生しないが、別の部位は発生しやすい、といったことが生じ得る。樹脂バリを防ごうとクランプ圧を上げると、リードフレーム２０６がへこむ、傷が付く等、別の問題が生じる。【０００４】
中空パッケージの他の製造方法として、凸部２００をキャビティ面に有する上金型２０２の代わりにキャビティ面が平坦な上金型を用い、そのキャビティ面に、中空にしたい部分の形状に対応する凸部を一体的に形成した離型フィルムを配置し、前記凸部をリードフレームの露出させたい部分に押し当ててトランスファ成形を行う方法が提案されている（特許文献２）。この方法では、離型フィルムの凸部の弾性率が金型に比べて低いため、リードフレーム上にマイルドに押し当てることができ、樹脂バリや傷を防ぐことができる。
しかし、この方法では、離型フィルム上に凸部を一体的に形成する工程が必要であり煩雑である。そのうえ、凸部が樹脂でできているために、凸部の高さのばらつきが大きく、やはり樹脂バリが発生する部位としない部位がある。樹脂バリを防ぐためにクランプ圧を上げていくと、図１３に示すように、離型フィルム２１０の凸部２１２の先端が潰れ、樹脂２０８を充填する空間側にはみ出す。この状態でトランスファ成形を行うと、はみ出した部分がパッケージ本体に食い込み、パッケージ本体の離型不良を引き起こす。また、パッケージ本体の形状も悪くなる。【０００５】
中空パッケージの他の製造方法として、図１４に示すように、リードフレーム２０６の露出させたい部分の周辺に事前に樹脂で土手２１４を形成し、この土手２１４に、上金型２０２の凸部２００を押し当ててトランスファ成形する方法が提案されている（特許文献３）。この方法では、土手２１４によって、樹脂２０８がリードフレーム２０６の露出させたい部分側に漏れ出さないようにしている。
しかし、この方法では、リードフレーム２０６の加工時に土手２１４を形成する余分な工程が必要であり、工程が煩雑となるうえ、土手２１４の高さにばらつきがあると、やはり樹脂バリが発生する部位ができてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１２８３５４号公報
【特許文献２】特開２００７−８１３０７号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体素子を装着するための実装面を有する基材と、硬化性樹脂から形成され、前記実装面を囲む枠状部を含むパッケージ本体とを備え、前記実装面と前記パッケージ本体とによって凹部が形成された半導体素子実装用パッケージを金型を用いて製造するに際し、基材のへこみや傷、金型からの離型不良を生じることなく、樹脂バリを防止できる製造方法、および該製造方法に好適に使用される離型フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の［１］〜［１０］の構成を有する半導体素子実装用パッケージの製造方法、および離型フィルムを提供する。
［１］半導体素子を装着するための実装面を有する基材と、硬化性樹脂の硬化物からなり、前記実装面を囲む枠状部を含むパッケージ本体とを備え、前記実装面と前記パッケージ本体とによって凹部が形成された半導体素子実装用パッケージを、上金型と下金型とを備える金型を用いて製造する方法であって、
前記凹部に対応する形状の凸部を有する上金型に、厚さが全体に略一定の離型フィルムを配置し、下金型に前記基材を配置し、前記上金型と前記下金型とを閉じて、前記凸部と前記基材の前記実装面とを、前記離型フィルムを介して密着させる工程と、
前記上金型と前記下金型との間に形成された空間内に硬化性樹脂を満たし、前記硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記硬化性樹脂の硬化物を前記基材とともに前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体素子実装用パッケージの製造方法。
［２］前記離型フィルムが、前記硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する第一の層と、第二の層とを備え、
前記第一の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ１８０℃における引張貯蔵弾性率が１０〜５０ＭＰａであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２，０００〜１３，０００である、［１］の半導体素子実装用パッケージの製造方法。
［３］前記第一の層の厚さが５〜１２μｍであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が３，０００〜８，０００である、［２］の半導体素子実装用パッケージの製造方法。
［４］前記離型フィルムが、さらに、前記硬化性樹脂の硬化時に金型と接する第三の層とを備え、
前記第三の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ２５℃における引張貯蔵弾性率の第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率に対する比（第三の層の２５℃における引張貯蔵弾性率／第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率）が０．５〜２である、［２］または［４］の半導体素子実装用パッケージの製造方法。
［５］前記［１］の半導体素子実装用パッケージの製造方法に用いられる離型フィルムであって、
前記硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する第一の層と、第二の層とを備え、
前記第一の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ１８０℃における引張貯蔵弾性率が１０〜５０ＭＰａであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２，０００〜１３，０００であることを特徴とする離型フィルム。
［６］前記第一の層の厚さが５〜１２μｍであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が３，０００〜８，０００である、［５］の離型フィルム。
［７］さらに、前記硬化性樹脂の硬化時に金型と接する第三の層とを備え、
該第三の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ２５℃における引張貯蔵弾性率の第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率に対する比（第三の層の２５℃における引張貯蔵弾性率／第一の層の２５℃における引張貯蔵弾性率）が０．５〜２である、［５］または［６］の離型フィルム。
［８］前記第一の層を構成する樹脂が、フッ素樹脂、ポリスチレンおよび融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、［５］〜［７］のいずれかの離型フィルム。
［９］前記第二の層を構成する樹脂が、無延伸ポリアミド、二軸延伸ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートおよび易成形ポリエチレンテレフタレートからなる群から選ばれる少なくとも１種である、［５］〜［８］のいずれかの離型フィルム。
［１０］前記第三の層を構成する樹脂が、フッ素樹脂、フッ素樹脂、アクリルゴム、熱硬化性シリコーン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン、エチレン／ビニルアルコール共重合体および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、［５］〜［９］のいずれかの離型フィルム。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体素子を装着するための実装面を有する基材と、硬化性樹脂から形成され、前記実装面を囲む枠状部を含むパッケージ本体とを備え、前記実装面と前記パッケージ本体とによって凹部が形成された半導体素子実装用パッケージを金型を用いて製造するに際し、金型の下金型上に配置された基材（リードフレーム等）の実装面に高さの違いがあっても、または上金型の凸部に高さの違いがあっても、上金型の凸部上に配置された離型フィルムによってそれらの違いが吸収され、実装面全体にわたって樹脂バリを抑制できる。樹脂バリの抑制は、基材にへこみや傷を生じない程度の弱いクランプ圧でも充分に可能である。
そのため、本発明によれば、基材にへこみや傷がなく、基材の実装面全体に樹脂バリの無い半導体素子実装用パッケージを簡便かつ安定的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法で得られる半導体素子実装用パッケージの一例の概略断面図。
【図２】図１に示す半導体素子実装用パッケージの斜視図。
【図３】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法で得られる半導体素子実装用パッケージの他の例の概略断面図。
【図４】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法の第１実施形態に用いる金型の一例を示す断面図。
【図５】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α１）を示す模式断面図。
【図６】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α２）を示す模式断面図。
【図７】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α３）を示す模式断面図。
【図８】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α４）を示す模式断面図。
【図９】本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α５）を示す模式断面図。
【図１０】本発明の離型フィルムの第１実施形態を示す概略断面図。
【図１１】本発明の離型フィルムの第２実施形態を示す概略断面図。
【図１２】従来の中空パッケージの製造方法の一例を説明する概略断面図。
【図１３】従来の中空パッケージの製造方法の他の例および問題点を説明する概略断面図。
【図１４】従来の中空パッケージの製造方法のさらに他の例を説明する概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本明細書において、以下の用語は、それぞれ、次の意味で使用される。
樹脂の「単位」は、当該樹脂を構成する構成単位（モノマー単位）を示す。
「フッ素樹脂」とは、構造中にフッ素原子を含む樹脂を示す。
離型フィルムの厚さ、多層構造の離型フィルムを構成する層（第一の層、第二の層等）の厚さ、１８０℃における引張貯蔵弾性率はそれぞれ、実施例に記載の方法により測定される。
算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される算術平均粗さである。粗さ曲線用の基準長さｌｒ（カットオフ値λｃ）は０．８ｍｍとした。
【００１２】
〔半導体素子実装用パッケージの製造方法〕
本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法は、半導体素子を装着するための実装面を有する基材と、硬化性樹脂から形成され、前記実装面を囲む枠状部を含むパッケージ本体とを備え、前記実装面と前記パッケージ本体とによって凹部が形成された半導体素子実装用パッケージを、上金型と下金型とを備える金型を用いて製造する方法であって、
前記凹部に対応する形状の凸部を有する上金型に、厚さが全体に略一定の離型フィルムを配置し、下金型に前記基材を配置し、前記上金型と前記下金型とを閉じて、前記凸部と前記基材の前記実装面とを、前記離型フィルムを介して密着させる工程と、
前記上金型と前記下金型との間に形成された空間内に硬化性樹脂を満たし、前記硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記硬化性樹脂の硬化物を前記基材とともに前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
（半導体素子実装用パッケージ）
本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法により製造する半導体素子実装用パッケージは、前記基材と前記パッケージ本体とを備えるものであれば特に限定されず、公知の半導体素子実装用パッケージの中から適宜選択し得る。
図１に、本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法により製造する半導体素子実装用パッケージの一例の概略断面図を示す。図２に、図１に示す半導体素子実装用パッケージの斜視図を示す。
半導体素子実装用パッケージ１１０は、基材１０と、硬化性樹脂から形成されたパッケージ本体１２とを備える。基材１０は、プリント回路基板であり、半導体素子が実装される実装面１０ａを有する。基材１０は、実装面１０ａにインナーリード（図示なし）を有し、実装面１０ａ側とは反対側の表面にアウターリード（図示なし）を有し、インナーリードとアウターリードとは電気的に接続されている。パッケージ本体１２は、実装面１０ａを囲む枠状部である。
半導体素子実装パッケージ１１０においては、基材１０およびパッケージ本体１２によって、半導体素子を搭載するための凹部１４が形成されている。半導体素子実装パッケージ１１０の凹部１４の底面（実装面１０ａ）に半導体素子を配置し、半導体素子とインナーリードとを電気的に接続し、凹部１４の開口を蓋体で覆うことで、中空部を有するパッケージの前記中空部に半導体素子が搭載された半導体装置が得られる。
【００１４】
図３に、本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法により製造される半導体素子実装用パッケージの他の例の概略断面図を示す。
半導体素子実装用パッケージ１２０は、基材１６と、硬化性樹脂から形成されたパッケージ本体１８とを備える。基材１６は、リードフレームであり、インナーリード１６ａと、アウターリード１６ｂと、ダイパッド１６ｃとを有し、インナーリード１６ａとアウターリード１６ｂとは電気的に接続されている。
パッケージ本体１８は、基材１６の実装面（インナーリード１６ａの上面およびダイパッド１６ｃの上面）を囲む枠状部１８ａと、底部１８ｂとを有する。
半導体素子実装用パッケージ１２０においては、基材１６のインナーリード１６ａおよびダイパッド１６ｃ、ならびにパッケージ本体１８の底部１８ｂおよび枠状部１８ａによって、半導体素子を搭載するための凹部２０が形成されている。
半導体素子実装用パッケージ１２０の凹部２０の底面（ダイパッド１６ｃの上面）に半導体素子を配置し、半導体素子とインナーリード１６ａとを電気的に接続し、凹部２０の開口を蓋体で覆うことで、中空部を有するパッケージの前記中空部に半導体素子が搭載された半導体装置が得られる。
半導体素子実装用パッケージに実装される半導体素子としては、例えば各種センサ等が挙げられる。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法の一例実施形態として、図１に示す半導体実装用パッケージ１１０を、トランスファ成形法により製造する場合について詳細に説明する。本発明の実施形態の半導体素子実装用パッケージの製造方法は、下記の工程（α１）〜（α６）を有する。
（α１）キャビティを有し、キャビティ面に複数の凸部を有する上金型と、基材を設置する基材設置部を有する下金型とを備える金型の前記上金型に、厚さが全体に略一定の離型フィルムを、前記上金型のキャビティを覆うように配置する工程。
（α２）前記離型フィルムを前記上金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（α３）前記下金型の基材設置部に、複数の実装面を有する基材を、前記複数の実装面とは反対側を下金型側に向けて配置し、上金型と下金型とを型締めして、前記基材の複数の実装面それぞれに前記上金型の複数の凸部を、前記離型フィルムを介して密着させる工程。
（α４）前記上金型と前記下金型との間の空間内に硬化性樹脂を充填し、硬化させることにより、前記基材と前記硬化性樹脂の硬化物とを備える構造体を得る工程。
（α５）前記金型から前記構造体を取り出す工程。
（α６）前記構造体の基材および硬化物を、前記複数の実装面が分離するように切断することにより半導体素子実装用パッケージ１１０を得る工程。
【００１６】
金型：
第１実施形態における金型としては、例えば、図４に示すような上金型５０と下金型５２とを有する金型が挙げられる。上金型５０には、キャビティ５４と、キャビティ５４に硬化性樹脂４０を導く凹状の樹脂導入部６０とが形成されている。キャビティ５４は、工程（α４）で基材上に形成する硬化物の形状に対応する形状であり、上金型５０のキャビティ面には、半導体素子実装用パッケージ１１０の凹部１４が反転した形状の凸部５６が複数形成されている。
下金型５２には、基材を設置する基材設置部５８と、硬化性樹脂を配置する樹脂配置部６２とが形成されている。また、樹脂配置部６２内には、硬化性樹脂を上金型５０の樹脂導入部６０へと押し出すプランジャ６４が設置されている。
【００１７】
工程（α１）：
図５に示すように、上金型５０のキャビティ５４を覆うように離型フィルム３０を配置する。離型フィルム３０は、キャビティ５４および樹脂導入部６０の全体を覆うように配置することが好ましい。離型フィルム３０は、巻出ロール（図示略）および巻取ロール（図示略）によって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて上金型５０のキャビティ５４を覆うように配置される。
【００１８】
離型フィルム３０としては、厚さが全体に略一定のフィルムが用いられる。厚さが全体に略一定であるとは、ＩＳＯ４５９１：１９９２（ＪＩＳ  Ｋ７１３０：１９９９のＡ法、機械的走査法による厚さの測定方法）に準拠して測定される、フィルムの流れ方向および流れ方向に垂直な方向に１ｍ測定した際の厚さの最大値と最小値の差が、それぞれの平均値に対し、１５％以内であることを示す。離型フィルム３０については後で詳しく説明する。
【００１９】
工程（α２）：
図６に示すように、上金型５０のキャビティ５４の外部に形成した溝（図示略）を通じて真空吸引し、上金型５０と離型フィルム３０との間の空間（上金型５０のキャビティ面および樹脂導入部６０の内壁と離型フィルム３０との間の空間）を減圧し、離型フィルム３０を引き伸ばして変形させて、上金型５０のキャビティ面に真空吸着させる。
なお、高温環境下での離型フィルム３０の機械的強度、厚さ、またキャビティ５４の形状によって、離型フィルム３０は、キャビティ面に密着するとは限らない。図６に示すように、工程（α２）の真空吸着の段階では、離型フィルム３０とキャビティ面との間には、空隙が少し残っていてもよい。
【００２０】
工程（α３）：
図７に示すように、複数の実装面（図示なし）を有する基材１０Ａを、基材設置部５８に設置して上金型５０と下金型５２とを型締めし、基材１０Ａの複数の実装面それぞれに、上金型５０の複数の凸部５６を、離型フィルム３０を介して密着させる。また、樹脂配置部６２のプランジャ６４上には、硬化性樹脂４０をあらかじめ配置しておく。
上金型５０と下金型５２とを型締めする際のクランプ圧は、凸部５６と基材１０Ａとの間に挟まれた離型フィルム３０が過剰に潰れてキャビティ５４側にはみ出さない程度の圧力とする。これにより、離型フィルム３０のキャビティ５４側にはみ出した部分が硬化性樹脂４０の硬化物に食い込んだ状態となって硬化物の離型不良を引き起こすことを防止できる。また、基材１０Ａの実装面がへこんだり傷付くことも防止できる。
クランプ圧として具体的には、１０〜８０トンが好ましく、２０〜７０トンが特に好ましい。単位面積あたりの圧力としては、２５〜２００ＭＰａが好ましく、５０〜１７５ＭＰａが特に好ましい。
本発明に用いる離型フィルム３０は、厚さが全体に略一定であるため、前述の特許文献２で示されるような、凸部が一体的に形成された離型フィルムを用いる場合に比べて、クランプ圧を高くしても、上記のようなはみ出しが生じにくい。基材１０Ａにへこみや傷が生じない範囲でクランプ圧を高くすることで、樹脂バリの防止効果に優れる。
【００２１】
硬化性樹脂４０としては、半導体パッケージの製造に用いられている各種の硬化性の樹脂を用いてよい。エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば住友ベークライト社製のスミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ、ナガセケムテックス社製のＴ６９３／Ｒ４７１９−ＳＰ１０等が挙げられる。シリコーン樹脂の市販品としては、信越化学工業社製のＬＰＳ−３４１２ＡＪ、ＬＰＳ−３４１２Ｂ等が挙げられる。
硬化性樹脂４０には、カーボンブラック、熔融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が含まれてもよい。
【００２２】
工程（α４）：
図８に示すように、下金型５２のプランジャ６４を押し上げ、樹脂導入部６０を通じてキャビティ５４内に硬化性樹脂４０を充填する。次いで、金型を加熱し、硬化性樹脂４０を硬化させる。
工程（α４）においては、キャビティ５４内に硬化性樹脂４０が充填されることによって、樹脂圧力によって離型フィルム３０がさらに上金型５０のキャビティ面側に押し込まれ、引き延ばされて変形することによってキャビティ面に密着する。そのため、形成される硬化物の形状は、キャビティ５４の形状に対応した形状となる。
【００２３】
硬化性樹脂４０を硬化させる際の金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、１００〜１８５℃が好ましく、１４０〜１７５℃が特に好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、半導体素子実装用パッケージ１１０の生産性が向上する。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、硬化性樹脂４０の劣化が抑えられる。硬化性樹脂４０の熱膨張率に起因してその硬化物の形状が変化することを抑制する点から、半導体素子実装用パッケージ１１０の保護が特に求められる場合には、前記範囲内においてできるだけ低い温度で加熱することが好ましい。
硬化性樹脂４０の充填時の樹脂圧は、２〜３０ＭＰａが好ましく、３〜１０ＭＰａが特に好ましい。樹脂圧が前記範囲の下限値以上であれば、硬化性樹脂４０の充填不足等の欠点が生じにくい。樹脂圧が前記範囲の上限値以下であれば、優れた品質の半導体素子実装用パッケージ１１０が得られやすい。硬化性樹脂４０の樹脂圧は、プランジャ６４によって調整できる。
【００２４】
工程（α５）：
図９に示すように、工程（α４）で形成された構造体１１０Ａを金型から取り出す。
構造体１１０Ａは、基材１０Ａと、キャビティ５４内で硬化した硬化性樹脂４０の硬化物１２Ａとを備える。構造体１１０Ａを金型から取り出したとき、構造体１１０Ａの硬化物１２Ａには、樹脂導入部６０内で硬化した硬化性樹脂４０の硬化物１９が付着している。この硬化物１９は、構造体１１０Ａを金型から取り出した後、切除される。
工程（α４）での硬化性樹脂４０の充填時、基材１０Ａの実装面には、離型フィルム３０が密着しているため、硬化性樹脂４０が接触しない。そのため、硬化物１２Ａは、基材１０Ａの複数の実装面それぞれを囲むように形成されており、基材１０Ａの複数の実装面はそれぞれ露出している。そのため、構造体１１０Ａにおいては、基材１０Ａと、その複数の実装面それぞれを囲む硬化物１２Ａとによって複数の凹部１４が形成されている。
【００２５】
工程（α６）：
工程（α５）で得られた構造体１１０Ａの基材１０Ａおよび硬化物１２Ａを、構造体１１０Ａの複数の凹部１４が分離するように切断（個片化）する。これにより、少なくとも１つの実装面１０ａを有する基材１０と、前記実装面１０ａを囲む枠状のパッケージ本体１２とを備える半導体素子実装用パッケージ１１０を得る。
個片化は、公知の方法により行うことができ、例えばダイシング法が挙げられる。ダイシング法は、ダイシングブレードを回転させながら対象物を切断する方法である。ダイシングブレードとしては、典型的には、ダイヤモンド粉を円盤の外周に焼結した回転刃（ダイヤモンドカッター）が用いられる。ダイシング法による個片化は、例えば、切断対象物（構造体１１０Ａ）を、治具を介して処理台上に固定し、切断対象物の切断領域と前記治具の間にダイシングブレードを挿入する空間がある状態で前記ダイシングブレードを走行させる方法により行うことができる。
工程（α６）においては、前記のように切断対象物を切断する工程（切断工程）の後、前記ダイシングブレードを覆うケースから離れた位置に配置されるノズルから前記切断対象物に向かって液体を供給しながら前記処理台を移動させる異物除去工程が含まれてもよい。
【００２６】
以上、本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法について、第１実施形態を示して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
例えば、離型フィルム３０から構造体１１０Ａを剥離するタイミングは、金型から構造体１１０Ａを取り出す時に限定されず、金型から離型フィルムとともに構造体１１０Ａを取り出し、その後、構造体１１０Ａから離型フィルムを剥離してもよい。
下金型５２に設置する基材１０が有する実装面は１つでもよい。この場合、工程（α６）は行わなくてもよい。
基材１０が複数の実装面を有する場合、複数の実装面それぞれの間の距離は均一でもよく均一でなくてもよい。また、複数の実装面それぞれの形状は同じでもよく異なってもよい。
【００２７】
工程（α６）の後（または工程（α６）の前かつ工程工程（α５）の後）に、パッケージ本体１２（または硬化物１２Ａ）の表面に、任意の情報を表示するために、インクを塗布し、インク層を形成する工程を行ってもよい。
インク層によって表示される情報としては、特に限定されず、シリアルナンバー、製造メーカに関する情報、部品の種別等が挙げられる。インクとしては、特に限定されず、公知のインクの中から適宜選択できる。
インクの塗布方法は、特に限定されず、例えばインクジェット法、スクリーン印刷、ゴム版からの転写等の各種印刷法が適用できる。
【００２８】
インク層の形成方法は、硬化速度が速くパッケージ上での滲みが少ない、また熱風を当てないのでパッケージの位置ずれが少ない等の点で、光硬化型のインクを使用し、該インクをインクジェット法によりパッケージ本体１２の表面に付着させ、該インクを光の照射により硬化させる方法が好ましい。
光硬化型のインクは、典型的には、重合性化合物（モノマー、オリゴマー等）を含む材料が用いられる。インクは、必要に応じて、顔料、染料等の色材、液体媒体（溶媒または分散媒）、重合禁止剤、光重合開始剤、その他各種添加剤等を含んでいてもよい。その他の添加剤としては、例えば、スリップ剤、重合促進剤、浸透促進剤、湿潤剤（保湿剤）、定着剤、防黴剤、防腐剤、酸化防止剤、放射線吸収剤、キレート剤、ｐＨ調整剤、増粘剤等が挙げられる。
光硬化型のインクを硬化する光としては、紫外線、可視光線、赤外線、電子線、放射線等が挙げられる。
紫外線の光源としては、殺菌灯、紫外線用蛍光灯、カーボンアーク、キセノンランプ、複写用高圧水銀灯、中圧または高圧水銀灯、超高圧水銀灯、無電極ランプ、メタルハライドランプ、紫外線発光ダイオード、紫外線レーザーダイオード、自然光等が挙げられる。
光の照射は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
【００２９】
また、本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法により製造する半導体素子実装用パッケージは、半導体素子実装用パッケージ１１０に限定されない。例えば半導体素子実装用パッケージ１２０であってもよい。
半導体素子実装用パッケージ１２０は、基材１０の代わりに基材１６を使用し、凸部５６の形状を凹部２０にあわせて変更する以外は第１実施形態と同様にして製造できる。
【００３０】
〔離型フィルム〕
本発明における離型フィルム３０は、単層構造のフィルムでもよく、多層構造のフィルムでもよい。
離型フィルム３０には、離型性、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性、硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る機械的強度が求められる。
単層構造のフィルムの場合、離型フィルム３０としては、離型性、耐熱性、機械的強度、高温における伸びの点から、フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる１種以上の樹脂からなるフィルムが好ましく、フッ素樹脂からなるフィルムが特に好ましい。フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンについてはそれぞれ後で詳しく説明する。
【００３１】
多層構造のフィルムとしては、例えば、硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する第一の層と、その他の層と、を備えるフィルムが挙げられる。その他の層は、１層でもよく２層以上でもよい。
多層構造のフィルムとしては、離型不良および樹脂バリの防止効果に優れる点で、以下の離型フィルム（Ｉ）が好ましい。
離型フィルム（Ｉ）：硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する第一の層と、第二の層層とを備え、
前記第一の層の厚さが３〜２５μｍであり、かつ１８０℃における引張貯蔵弾性率が１０〜５０ＭＰａであり、
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が２，０００〜１３，０００であるフィルム。
【００３２】
離型フィルム（Ｉ）を用いて前述の本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法を行う場合、離型フィルム（Ｉ）は、前記上金型の凸部と前記基材の実装面とを離型フィルムを介して密着させる工程において、前記第一の層側の表面が基材側（実装面側）を向くように上金型に配置されることが好ましい。
実装面と直接接する第一の層が、１８０℃における引張貯蔵弾性率が一定以下の柔らかい層であり一定以上の厚さを有することにより、凸部を実装面に押し当てた際に、基材のへこみや傷が生じない程度の軽いクランプ圧でも、第一の層が適度に潰れる。また、第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率と厚さとの積が一定以下であることで、離型フィルム（Ｉ）が上金型に充分に追従する。そのため、基材の実装面の高さや凸部の高さにばらつきがあっても、第一の層によって前記ばらつきが吸収され、上金型の凸部が離型フィルム（Ｉ）を介して基材の実装面全体に充分に密着する。そのため、凸部と実装面との間に硬化性樹脂が入り込みにくく、実装面全体にわたって樹脂バリが生じにくい。
また、第二の層は、１８０℃における引張貯蔵弾性率と厚さとの積が、第一の層よりも大きく、第一の層に比べて硬い層であることが好ましい。第一の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率が一定以上かつ厚さが一定以下であること、および第一の層よりも硬い第二の層が第一の層よりも上金型側に存在していることにより、上金型の凸部を基材の実装面に押し当てた際に、第一の層が過剰に潰れてキャビティ側にはみ出し離型不良を引き起こしたり、離型フィルム（Ｉ）が破れる問題が生じにくい。
【００３３】
前記第一の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率は、１０〜４０ＭＰａが特に好ましい。前記第一の層の厚さは、５〜１２μｍがより好ましく、７〜１２μｍが特に好ましい。
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積は、３，０００〜８，０００が特に好ましい。
前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率、厚さはそれぞれ、前記積が前記範囲内となる任意の値をとり得、特に限定されない。なかでも、１８０℃における引張貯蔵弾性率は、９０〜６００ＭＰａが好ましく、１１０〜３００ＭＰａが特に好ましい。厚さは、６〜５０μｍが好ましく、１２〜３８μｍが特に好ましい。
【００３４】
以上のことから、離型フィルム（Ｉ）においては、前記第一の層の厚さが５〜１２μｍであり、前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）の積が３，０００〜８，０００であることが好ましい。なかでも、前記第一の層の厚さが７〜１２μｍであり、前記第二の層の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）の積が３，０００〜８，０００であることが特に好ましい。
【００３５】
第一の層、第二の層それぞれの引張貯蔵弾性率は、第一の層、第二の層それぞれを構成する樹脂（以下、それぞれ、第一の層用樹脂、第二の層用樹脂ともいう。）の結晶化度を調整することによって調整できる。具体的には、樹脂の結晶化度が低いほど、該樹脂から構成される層の引張貯蔵弾性率は低くなる。樹脂の結晶化度は、公知の方法によって調整できる。例えば、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の場合、テトラフルオロエチレンとエチレンに基づく単位の比率、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の他のモノマーに基づく単位の種類や含有量を調整することによって調整できる。
【００３６】
（第１実施形態の離型フィルム）
図１０は、離型フィルム（Ｉ）の第１実施形態を示す概略断面図である。
本実施形態の離型フィルム１は、第一の層２と第二の層３とがこの順に積層したものである。離型フィルム１は、前記硬化性樹脂の硬化時に、第一の層２が硬化性樹脂と接し（すなわち表面２ａが硬化性樹脂と接する。）、第二の層３が金型の上金型に接する（すなわち表面３ａが金型の上金型と接する。）。
【００３７】
＜第一の層＞
第一の層は、硬化した硬化性樹脂と離型フィルム１とをスムースに剥離するための離型層である。第一の層２の１８０℃における引張貯蔵弾性率および厚さの範囲、ならびにそれらの好ましい範囲はそれぞれ前記のとおりである。
第一の層２を構成する樹脂（以下、第一の層用樹脂ともいう。）としては、前述の引張貯蔵弾性率を満たすものであればよく、公知の熱可塑性樹脂、ゴム等の樹脂のなかから適宜選択し得る。
第一の層２は、前記半導体素子実装用パッケージの製造に際し、離型フィルム１の第一の層２と接した状態で硬化した硬化性樹脂（パッケージ本体）を離型フィルム１からスムースに剥離できる離型性を有することが好ましい。また、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性を有することが好ましい。かかる観点から、第一の層用樹脂としては、フッ素樹脂、ポリスチレンおよび融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
第一の層用樹脂としては、離型性に優れる点から、フッ素樹脂が特に好ましい。第一の層２がフッ素樹脂からなる場合、硬化性樹脂の硬化物の金型からの離型性に優れる。また、離型フィルム１は、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性、硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度等を充分に有し、高温における伸びにも優れる。
【００３８】
フッ素樹脂としては、離型性および耐熱性に優れる点から、フルオロオレフィン系重合体が好ましい。フルオロオレフィン系重合体は、フルオロオレフィンに基づく単位を有する重合体である。フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン等が挙げられる。フルオロオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
フルオロオレフィン系重合体としては、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥともいう。）、ポリテトラフルオロエチレン、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体等が挙げられる。フルオロオレフィン系重合体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
ポリスチレンとしては、離型性および耐熱性に優れる点から、シンジオタクチックポリスチレンが好ましい。ポリスチレンは延伸されていてもよく、また添加剤が含まれていても良い。ポリスチレンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。
【００４０】
融点２００℃以上のポリオレフィンの融点は、２００℃以上３００℃以下が好ましい。
融点２００℃以上のポリオレフィンとしては、離型性および金型追随性に優れる点から、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４１】
第一の層用樹脂としては、前記の中でも、フルオロオレフィン系重合体およびポリメチルペンテンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、フルオロオレフィン系重合体がより好ましい。中でも、高温での伸びが大きい点から、ＥＴＦＥが特に好ましい。ＥＴＦＥは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４２】
ＥＴＦＥは、テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥともいう。）に基づく単位と、エチレン（以下、Ｅともいう。）に基づく単位とを有する共重合体である。
ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＴＦＥおよびＥ以外の第３のモノマーに基づく単位とを有するものが好ましい。第３のモノマーに基づく単位の種類や含有量によってＥＴＦＥの結晶化度、すなわち第１の熱可塑性樹脂フィルム層２の引張貯蔵弾性率を調整しやすい。また、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。
第３のモノマーとしては、フッ素原子を有するモノマーと、フッ素原子を有しないモノマーとが挙げられる。
【００４３】
フッ素原子を有するモノマーとしては、下記のモノマー（ａ１）〜（ａ５）が挙げられる。
モノマー（ａ１）：炭素数３以下のフルオロオレフィン類。
モノマー（ａ２）：Ｘ（ＣＦ２）ｎＣＹ＝ＣＨ２（ただし、Ｘ、Ｙは、それぞれ独立に水素原子またはフッ素原子であり、ｎは２〜８の整数である。）で表されるペルフルオロアルキルエチレン。
モノマー（ａ３）：フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ４）：官能基含有フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ５）：脂肪族環構造を有する含フッ素モノマー。
【００４４】
モノマー（ａ１）としては、フルオロエチレン類（トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフルオロエチレン等）、フルオロプロピレン類（ヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰともいう。）、２−ヒドロペンタフルオロプロピレン等）等が挙げられる。
【００４５】
モノマー（ａ２）としては、ｎが２〜６のモノマーが好ましく、ｎが２〜４のモノマーが特に好ましい。また、Ｘがフッ素原子、Ｙが水素原子であるモノマー、すなわち（ペルフルオロアルキル）エチレンが特に好ましい。
モノマー（ａ２）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２、
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２（（ペルフルオロブチル）エチレン。以下、ＰＦＢＥともいう。）、
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２、
ＣＦ２ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２、
ＣＦ２ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＨ２等。
【００４６】
モノマー（ａ３）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。なお、下記のうちジエンであるモノマーは環化重合し得るモノマーである。
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＦ２）２ＣＦ３（ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）。以下、ＰＰＶＥともいう。）、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）２（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＣＦ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）２ＣＦ＝ＣＦ２等。
【００４７】
モノマー（ａ４）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３ＣＯ２ＣＨ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）３ＣＯ２ＣＨ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ２Ｆ等。
【００４８】
モノマー（ａ５）の具体例としては、ペルフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）、２，２，４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１，３−ジオキソール、ペルフルオロ（２−メチレン−４−メチル−１，３−ジオキソラン）等が挙げられる。
【００４９】
フッ素原子を有しないモノマーとしては、下記のモノマー（ｂ１）〜（ｂ４）が挙げられる。
モノマー（ｂ１）：オレフィン類。
モノマー（ｂ２）：ビニルエステル類。
モノマー（ｂ３）：ビニルエーテル類。
モノマー（ｂ４）：不飽和酸無水物。
【００５０】
モノマー（ｂ１）の具体例としては、プロピレン、イソブテン等が挙げられる。
モノマー（ｂ２）の具体例としては、酢酸ビニル等が挙げられる。
モノマー（ｂ３）の具体例としては、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル等が挙げられる。
モノマー（ｂ４）の具体例としては、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水ハイミック酸（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物）等が挙げられる。
【００５１】
第３のモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。第３のモノマーとしては、結晶化度の調整すなわち引張貯蔵弾性率の調整がしやすい点、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度に優れる点から、モノマー（ａ２）、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、酢酸ビニルが好ましく、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ＝ＣＨ２、ＰＦＢＥがより好ましく、ＰＦＢＥが特に好ましい。すなわち、ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＰＦＢＥに基づく単位とを有する共重合体が特に好ましい。
【００５２】
ＥＴＦＥにおいて、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）は、８０／２０〜４０／６０が好ましく、７０／３０〜４５／５５がより好ましく、６５／３５〜５０／５０が特に好ましい。ＴＦＥ／Ｅが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。
【００５３】
ＥＴＦＥ中の第３のモノマーに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．０１〜２０モル％が好ましく、０．１０〜１５モル％がより好ましく、０．２０〜１０モル％が特に好ましい。第３のモノマーに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。
【００５４】
第３のモノマーに基づく単位がＰＦＢＥに基づく単位を含む場合、ＰＦＢＥに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．５〜４．０モル％が好ましく、０．７〜３．６モル％がより好ましく、１．０〜３．６モル％が特に好ましい。ＰＦＢＥに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、離型フィルムの１８０℃における引張弾性率を前記範囲内に調整できる。また、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。
【００５５】
ＥＴＦＥの溶融流量（ＭＦＲ）は、２〜４０ｇ／１０分が好ましく、５〜３０ｇ／１０分がより好ましく、１０〜２０ｇ／１０分が特に好ましい。ＥＴＦＥのＭＦＲが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの成形性が向上し、離型フィルムの機械特性に優れる。
ＥＴＦＥのＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３１５９に準拠して、荷重４９Ｎ、２９７℃にて測定される値である。
【００５６】
第一の層２は、第一の層用樹脂のみからなるものでもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等の添加物が配合されていてもよい。無機系添加剤としては、カーボンブラック、シリカ、ガラスファイバー、カーボンファイバー、酸化チタン等の無機フィラーが挙げられる。有機系添加剤としては、シリコーンオイル、金属石鹸等が挙げられる。
【００５７】
＜第二の層＞
第二の層３の１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積の範囲、前記積、引張貯蔵弾性率および厚さの好ましい範囲はそれぞれ前記のとおりである。
第二の層３を構成する樹脂（以下、第二の層用樹脂ともいう。）としては、前述の引張貯蔵弾性率と厚さとの積が前記の範囲内となるものであればよく、公知の熱可塑性樹脂、ゴム等の樹脂の中から適宜選択し得る。
第二の層３は、前記半導体素子実装用パッケージの製造に際し、離型フィルム１を上金型からスムースに剥離できる程度の離型性を有することが好ましい。また、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性を有することが好ましい。かかる観点から、第二の層用樹脂としては、無延伸ポリアミド、二軸延伸ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート（以下、ＰＢＴともいう。）、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴともいう。）および易成形ＰＥＴからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００５８】
ポリアミドとしては、耐熱性、強度、ガスバリア性の点から、ナイロン６、ナイロンＭＸＤ６が好ましい。
易成形ＰＥＴとは、エチレングリコールおよびテレフタル酸（あるいはジメチルテレフタレート）に加え、その他のモノマーを共重合して成形性を改良したものである。具体的には、以下の方法で測定されるガラス転移温度Ｔｇが１０５℃以下のＰＥＴである。
Ｔｇは、ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき測定される貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ”の比であるｔａｎδ（Ｅ”／Ｅ’）が最大値を取る際の温度である。Ｔｇは、周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とし、温度を２０℃から１８０℃まで、２℃／分で昇温させて測定する。
これらの第二の層用樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
第二の層用樹脂としては、前記の中でも、ＰＢＴまたは易成形ＰＥＴが特に好ましい。
【００５９】
第二の層３は、第二の層用樹脂のみからなるものでもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等の添加物が配合されていてもよい。無機系添加剤、有機系添加剤としてはそれぞれ前記と同様のものが挙げられる。
【００６０】
離型フィルム１において、第一の層２と第二の層３とは、直接積層してもよく、図示しない接着層を介して積層してもよい。
【００６１】
＜離型フィルムの表面形状＞
離型フィルム１の、硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する面、すなわち第一の層２側の表面２ａは、平滑でもよく、離型性を高めるための凹凸が形成されていてもよい。また、離型フィルム１の、硬化性樹脂の硬化時に金型の上金型と接する面、すなわち第二の層３側の表面３ａは、平滑でもよく、離型性を高めるための凹凸が形成されていてもよい。
平滑である場合の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．２μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍが特に好ましい。凹凸が形成されている場合の表面のＲａは、１．５〜２．１μｍが好ましく、１．６〜１．９μｍが特に好ましい。
【００６２】
凹凸が形成されている場合の表面形状は、複数の凸部および／または凹部がランダムに分布した形状でもよく、複数の凸部および／または凹部が規則的に配列した形状でもよい。また、複数の凸部および／または凹部の形状や大きさは、同じでもよく異なってもよい。凸部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の凸条、点在する突起等が挙げられる。凹部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の溝、点在する穴等が挙げられる。
凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。離型フィルム表面においては、複数の凸条または溝が平行に存在して縞状をなしていてもよい。凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、三角形（Ｖ字形）等の多角形、半円形等が挙げられる。
突起または穴の形状としては、三角錐形、四角錐形、六角錐形等の多角錐形、円錐形、半球形、多面体形、その他各種不定形等が挙げられる。
【００６３】
離型フィルム１においては、表面２ａおよび表面３ａの両方が平滑でもよく、表面２ａおよび表面３ａの両方に凹凸が形成されていてもよく、表面２ａおよび表面３ａのうちの一方が平滑で他方に凹凸が形成されていてもよい。表面２ａおよび表面３ａの両方に凹凸が形成されている場合、各表面のＲａや表面形状は同じでも異なってもよい。
樹脂バリ防止の観点からは、第一の層２側の表面２ａのＲａが小さいほど好ましく、平滑であることが特に好ましい。
離型フィルム１の金型からの離型性に優れる点からは、第二の層３側の表面３ａ凹凸が形成されていることが好ましい。
【００６４】
＜離型フィルムの厚さ＞
離型フィルム１の厚さは、１５〜７５μｍが好ましく、１７〜６２μｍがより好ましく、１９〜５０μｍが特に好ましい。厚さが前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルム１の取り扱いが容易であり、離型フィルム１を引っ張りながら上金型のキャビティを覆うように配置する際に、しわが発生しにくい。厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルム１が容易に変形でき、上金型のキャビティの形状への追従性が向上するため、離型フィルム１がしっかりとキャビティ面に密着できる。そのため、高品質なパッケージ本体を安定して形成できる。
離型フィルム１の厚さは、上金型のキャビティが大きいほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。また、多数のキャビティを有する複雑な金型であるほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。
【００６５】
＜離型フィルム１の製造方法＞
離型フィルム１の製造方法は特に限定されず、公知の多層フィルムの製造方法を利用できる。具体例としては、以下の（１）、（２）等が挙げられ、各層の材質、厚さ等を考慮して適宜選択し得る。
（１）第一の層用樹脂からなる樹脂フィルムと、第二の層用樹脂からなる樹脂フィルムとを積層する方法。
（２）第一の層用樹脂と第二の層用樹脂とを共押出成形する方法。
【００６６】
離型フィルム１の製造方法としては、生産性に優れる点で、（１）の方法が好ましい。
（１）の方法において、各樹脂フィルムを積層する方法としては、公知の種々のラミネート方法が採用でき、例えば押出ラミネート法、ドライラミネート法、熱ラミネート法等が挙げられる。
ドライラミネート法では、接着剤を用いて各樹脂フィルムを積層する。接着剤としては、ドライラミネート用の接着剤として公知のものを使用できる。例えばポリ酢酸ビニル系接着剤；アクリル酸エステル（アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル等）の単独重合体もしくは共重合体、またはアクリル酸エステルと他の単量体（メタクリル酸メチル、アクリロニトリル、スチレン等）との共重合体等からなるポリアクリル酸エステル系接着剤；シアノアクリレ−ト系接着剤；エチレンと他の単量体（酢酸ビニル、アクリル酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸等）との共重合体等からなるエチレン共重合体系接着剤；セルロ−ス系接着剤；ポリエステル系接着剤；ポリアミド系接着剤；ポリイミド系接着剤；尿素樹脂またはメラミン樹脂等からなるアミノ樹脂系接着剤；フェノ−ル樹脂系接着剤；エポキシ系接着剤；ポリオール（ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等）とイソシアネートおよび／またはイソシアヌレートと架橋させるポリウレタン系接着剤；反応型（メタ）アクリル系接着剤；クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム等からなるゴム系接着剤；シリコーン系接着剤；アルカリ金属シリケ−ト、低融点ガラス等からなる無機系接着剤；その他等の接着剤を使用できる。
【００６７】
（１）の方法で積層する樹脂フィルムは、市販のものを用いてもよく、公知の製造方法により製造したものを用いてもよい。樹脂フィルムには、コロナ処理、大気圧プラズマ処理、真空プラズマ処理、プライマー塗工処理等の表面処理が施されてもよい。
樹脂フィルムの製造方法としては、特に限定されず、公知の製造方法を利用できる。
両面が平滑である熱可塑性樹脂フィルムの製造方法としては、例えば、所定のリップ幅を有するＴダイを具備する押出機で溶融成形する方法等が挙げられる。
片面または両面に凹凸が形成されている熱可塑性樹脂フィルムの製造方法としては、例えば、熱加工で熱可塑性樹脂フィルムの表面に元型の凹凸を転写する方法が挙げられ、生産性の点から、下記の方法（ｉ）、（ｉｉ）等が好ましい。方法（ｉ）、（ｉｉ）では、ロール状の元型を用いることによって、連続した加工が可能となり、凹凸が形成された熱可塑性樹脂フィルムの生産性が著しく向上する。
（ｉ）熱可塑性樹脂フィルムを元型ロールと圧胴ロールとの間に通し、熱可塑性樹脂フィルムの表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
（ｉｉ）押出機のダイスから押し出された熱可塑性樹脂を元型ロールと圧胴ロールとの間に通し、該熱可塑性樹脂をフィルム状に成形すると同時に、該フィルム状の熱可塑性樹脂の表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
方法（ｉ）、（ｉｉ）において、圧胴ロールとして表面に凹凸が形成されたものを用いると、両面に凹凸が形成されている熱可塑性樹脂フィルムが得られる。
【００６８】
（第２実施形態の離型フィルム）
図１１は、離型フィルム（Ｉ）の第２実施形態を示す概略断面図である。
本実施形態の離型フィルム５は、第一の層６と第二の層７と第三の層８とがこの順に積層したものである。離型フィルム５は、前記硬化性樹脂の硬化時に、第一の層６が硬化性樹脂と接し、第三の層８が金型の上金型に接する。
第一の層６は、第１実施形態の第一の層２と同様である。
第二の層７は、第１実施形態の第二の層３と同様である。
【００６９】
＜第三の層＞
第三の層８は、離型フィルム５のカールを防ぐための層である。
第１実施形態に示すような２層構成（第二の層／第一の層）で、第一の層と第二の層との材質等が異なる場合、第二の層の厚さや引張貯蔵弾性率等によっては、離型フィルムがカールする場合がある。離型フィルムがカールすると、離型フィルムを金型に吸着させる際に、カールによって離型フィルムを金型にうまく吸着できなくなる場合がある。特に、予め金型の大きさにあわせてカットした短尺の離型フィルムを金型に供給する場合、カールの問題は顕著である。カールしないような高引張貯蔵弾性率あるいは厚い第二の層を使用すると、金型追従性が悪化し、金型追従性が求められる離型フィルムとしては使用に適さなくなる。
第二の層の、第一の層側とは反対側に第三の層を設けることで、カールしないような高引張貯蔵弾性率あるいは厚い第二の層を使用しなくても、カールを抑制できる。
【００７０】
第三の層８は、その２５℃における引張貯蔵弾性率が、第一の層６と同じでも異なってもよいが、その比（第三の層８の２５℃における引張貯蔵弾性率／第一の層６の２５℃における引張貯蔵弾性率）が０．５〜２であることが好ましい。
２５℃の引張貯蔵弾性率の比が前記範囲内であるとカールの抑制に優れる。
第三の層８の厚さは、第一の層６の厚さと同じでも異なってもよいが、その差は５μｍ以内であることが好ましい。第三の層８の厚さが前記範囲内であるとカールの抑制に優れる。第三の層８の厚さは例えば、３〜２５μｍが好ましく、５〜１２μｍがより好ましく、７〜１２μｍが特に好ましい。
【００７１】
第三の層８を構成する樹脂（以下、第三の層用樹脂ともいう。）としては、離型フィルム１の金型からの離型性、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性等の点から、フッ素樹脂、アクリルゴム、熱硬化性シリコーン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン、エチレン／ビニルアルコール共重合体および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
フッ素樹脂、ポリスチレン、融点２００℃以上のポリオレフィンとしてはそれぞれ、前記と同様のものが挙げられる。
ポリエステルとしては、耐熱性、強度の点から、ＰＥＴ、易成形ＰＥＴ、ＰＢＴ、ポリナフタレンテレフタレートが好ましい。
ポリアミドとしては、耐熱性、強度、ガスバリア性の点から、ナイロン６、ナイロンＭＸＤ６が好ましい。ポリアミドは延伸されたものでもされていないものでもよい。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
第三の層用樹脂としては、前記の中でも、フッ素樹脂および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００７２】
第三の層８は、第三の層用樹脂のみからなるものでもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等の添加物が配合されていてもよい。無機系添加剤、有機系添加剤としてはそれぞれ前記と同様のものが挙げられる。
【００７３】
離型フィルム５において、第一の層６と第二の層７とは、直接積層してもよく、図示しない接着層を介して積層してもよい。同様に、第二の層７と第三の層８とは、直接積層してもよく、図示しない接着層を介して積層してもよい。
【００７４】
＜離型フィルムの表面形状＞
離型フィルム５の、硬化性樹脂の硬化時に硬化性樹脂と接する面、すなわち第一の層６側の表面６ａは、平滑でもよく、離型性を高めるための凹凸が形成されていてもよい。また、離型フィルム５の、硬化性樹脂の硬化時に金型の上金型と接する面、すなわち第三の層８側の表面８ａは、平滑でもよく、離型性を高めるための凹凸が形成されていてもよい。平滑である場合の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．２μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍが特に好ましい。
凹凸が形成されている場合の表面のＲａは、１．５〜２．１μｍが好ましく、１．６〜１．９μｍが特に好ましい。凹凸が形成されている場合の表面形状は、複数の凸部および／または凹部がランダムに分布した形状でもよく、複数の凸部および／または凹部が規則的に配列した形状でもよい。また、複数の凸部および／または凹部の形状や大きさは、同じでもよく異なってもよい。凸部、凹部、凸条、突起または穴の具体例としては前記と同様のものが挙げられる。
【００７５】
離型フィルム５においては、表面６ａおよび表面８ａの両方が平滑でもよく、表面６ａおよび表面８ａの両方に凹凸が形成されていてもよく、表面６ａおよび表面８ａのうちの一方が平滑で他方に凹凸が形成されていてもよい。表面６ａおよび表面８ａの両方に凹凸が形成されている場合、各表面のＲａや表面形状は同じでも異なってもよい。
離型フィルム５の金型からの離型性の観点からは、第三の層８側の表面８ａに凹凸が形成されていることが好ましい。
【００７６】
＜離型フィルムの厚さ＞
離型フィルム５の厚さは、１８〜１００μｍが好ましく、３０〜７５μｍが特に好ましい。厚さの前記範囲の下限値、上限値それぞれの好ましい理由は離型フィルム１の場合と同様である。
【００７７】
＜離型フィルム５の製造方法＞
離型フィルム５の製造方法は特に限定されず、公知の多層フィルムの製造方法を利用できる。例えば２層構成を３層構成とする以外は離型フィルム１と同様にして製造できる。
【００７８】
以上、離型フィルム（Ｉ）について、第１、第２の実施形態を示して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
例えば、第１実施形態の離型フィルム１は、第一の層２と第二の層３との間に、必要に応じて設けられる接着層以外の他の層をさらに有してもよい。同様に、第２実施形態の離型フィルム５は、第一の層６と第二の層７との間や、第二の層７と第三の層８との間に、必要に応じて設けられる接着層以外の他の層をさらに有してもよい。他の層としては、例えば、ガスバリア層等が挙げられる。ガスバリア層としては、例えば、金属層、金属蒸着層、金属酸化物蒸着層等が挙げられる。
本発明の効果の点では、硬化性樹脂と接する第一の層と、第二の層との間には、接着層以外の他の層を有さないことが好ましい。すなわち、第一の層と第二の層とが、直接積層するか、または接着層を介して積層することが好ましい。
【実施例】
【００７９】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。後述する例１〜１８のうち、例１〜１６は実施例であり、例１７〜１８は比較例である。各例で使用した材料および評価方法を以下に示す。【００８０】
〔使用材料〕
ＥＴＦＥ（１）：製造例１で製造した、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５２．５／４６．３／１．２（モル比）の共重合体（ＭＦＲは１２ｇ／１０分）。
ＥＴＦＥ（２）：製造例２で製造した、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５６．３／４０．２／３．５（モル比）の共重合体（ＭＦＲは１２．５ｇ／１０分）。【００８１】
＜製造例１：ＥＴＦＥ（１）の製造＞
内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気して、１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの８８１．９ｇ、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（商品名「ＡＫ２２５ｃｂ」旭硝子社製、以下、ＡＫ２２５ｃｂという。）の３３５．５ｇ、ＣＨ２＝ＣＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３（ＰＦＢＥ）の７．０ｇを仕込み、ＴＦＥの１６５．２ｇ、エチレン（以下、Ｅという。）の９．８ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、重合開始剤溶液としてターシャリーブチルパーオキシピバレート（以下、ＰＢＰＶともいう。）の１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の７．７ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
重合中圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝５４／４６のモル比のモノマー混合ガスを連続的に仕込んだ。また、モノマー混合ガスの仕込みに合わせて、ＴＦＥとＥの合計モル数に対して１．４モル％に相当する量のＰＦＢＥを連続的に仕込んだ。重合開始から２．９時間後、モノマー混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内温を室温まで降温するとともに重合槽の圧力を常圧までパージした。
その後、得られたスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、固形分を回収して１５０℃で１５時間乾燥することにより、ＥＴＦＥ（１）の１０５ｇを得た。【００８２】
＜製造例２：ＥＴＦＥ（２）の製造＞
重合槽の内容積を１．２Ｌにし、重合を開始させる前に仕込む１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの量を８８１．９ｇから０ｇに、ＡＫ２２５ｃｂの量を３３５．５ｇから２９１．６ｇに、ＰＦＢＥの量を７．０ｇから１６．０ｇに、ＴＦＥの量を１６５．２ｇから１８６．６ｇに、Ｅの量を９．８ｇから６．４ｇに、ＰＢＰＶの１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の量を５．８ｍＬから５．３ｍＬにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むモノマー混合ガスのＴＦＥ／Ｅのモル比を５４／４６から５８／４２に、ＰＦＢＥの量を（ＴＦＥとＥの合計モル数に対して）０．８モル％から３．６モル％に変更し、重合開始から３時間後、モノマー混合ガス９０ｇを仕込んだ時点で重合槽内温を室温まで降温した以外は製造例１と同様にして、ＥＴＦＥ（２）の９０ｇを得た。【００８３】
＜熱可塑性樹脂フィルム＞
ＥＴＦＥフィルム（１−１）：厚さ１６μｍ。片面は凹凸があり、片面のＲａが０．５、反対面のＲａが０．１である。ＥＴＦＥフィルム（１−１）は、以下の手順で製造した。
ＥＴＦＥ（１）を、フィルムの厚さが１６μｍとなるようにリップ開度を調整した押出機により、３２０℃で溶融押出をした。元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、ＥＴＦＥフィルムを製造した。【００８４】
ＥＴＦＥフィルム（１−２）：厚さ１２μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。各条件を調整した以外はＥＴＦＥフィルム（１−１）と同様にして製造した。
ＥＴＦＥフィルム（１−３）：厚さ２５μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。各条件を調整した以外はＥＴＦＥフィルム（１−１）と同様にして製造した。
ＥＴＦＥフィルム（１−４）：厚さ５０μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。各条件を調整した以外はＥＴＦＥフィルム（１−１）と同様にして製造した。
ＥＴＦＥフィルム（１−５）：厚さ３μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。各条件を調整したうえで、Ｔダイから出た溶融したＥＴＦＥ（１）が、元型ロール上でＰＥＴフィルムと接触し、ＰＥＴフィルムとともに巻き取られるように製膜した以外はＥＴＦＥフィルム（１−１）と同様にして製造した。
ＥＴＦＥフィルム（２−１）：厚さ１２μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。ＥＴＦＥ（１）の代わりにＥＴＦＥ（２）を使用し、各条件を調整した以外は、ＥＴＦＥフィルム（１−１）と同様にして製造した。【００８５】
ＰＥＴフィルム（１）：厚さ１２μｍ。「テイジンテトロン  ＮＳ」（帝人デュポンフィルム社製）の厚さ１２μｍのものを用いた。ガラス転移温度：１１８℃。両面が平滑であり、両面のＲａが０．２である。
ＰＥＴフィルム（２）：厚さ１６μｍ。「ダイアホイル  Ｈ５００」（三菱樹脂社製）の厚さ１６μｍのものを用いた。ガラス転移温度：１１８℃。両面が平滑であり、両面のＲａが０．２である。
ＰＥＴフィルム（３）：厚さ２５μｍ。「ダイアホイル  Ｈ５００」（三菱樹脂社製）の厚さ２５μｍのものを用いた。ガラス転移温度：１１８℃。両面が平滑であり、両面のＲａが０．２である。
易成形ＰＥＴフィルム：厚さ２５μｍ。「テフレックスＦＴ３ＰＥ」帝人デュポンフィルム社製を用いた。ガラス転移温度：８６℃。両面が平滑であり、両面のＲａが０．２である。【００８６】
無延伸ナイロンフィルム：厚さ２０μｍ。「ダイアミロンＣ-Ｚ」（三菱樹脂社製）を用いた。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。
二軸延伸ナイロンフィルム：厚さ１２μｍ。「ハーデンＮ１１００」（東洋紡社製）を用いた。両面が平滑であり、両面のＲａが０．２である。
ＰＴＦＥフィルム：厚さ５０μｍ。「ニトフロン  ＰＴＦＥ  ９００ＵＬ」（日東電工社製）を用いた。両面が平滑であり、両面のＲａが０．２である。
ポリメチルペンテンフィルム：厚さ１２μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。ポリメチルペンテンフィルムは、以下の手順で製造した。
ポリメチルペンテン樹脂「ＴＰＸ  ＭＸ００４」（三井化学社製）を厚さ１２μｍとなるようにリップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出した。元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整してポリメチルペンテンフィルムを得た。【００８７】
ＰＢＴフィルム（１）：厚さ３８μｍ。片面のＲａが１．２、反対面のＲａが０．１である。「ノバデュラン５０２０」（三菱エンジニアリングプラスチック社製）を厚さが３８μｍとなるようにリップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して製造した。
ＰＢＴフィルム（２）：厚さ３８μｍ。片面のＲａが１．２、反対面のＲａが０．１である。「ノバデュラン５５０５Ｓ」（三菱エンジニアリングプラスチック社製）を厚さが３８μｍとなるようにリップ開度を調整したＴダイを設置した押出機により、２８０℃で溶融押出をし、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して製造した。【００８８】
各フィルムにおいて、Ｒａが小さい面をドライラミネートにおける貼り合わせ面とした。また、各フィルムのドライラミネートにおける貼り合わせ面の、ＩＳＯ８２９６：１９８７（ＪＩＳ  Ｋ６７６８：１９９９）に基づく濡れ張力が４０ｍＮ／ｍ以下の場合、４０ｍＮ／ｍ以上となるように、コロナ処理を施した。【００８９】
＜接着層＞
各フィルムを貼り合わせるドライラミネート工程で使用する接着剤としては、以下のウレタン系接着剤Ａを用いた。
［ウレタン系接着剤Ａ］
主剤：クリスボンＮＴ−２５８（ＤＩＣ社製）。硬化剤：コロネート２０９６（日本ポリウレタン工業社製）。主剤と硬化剤とを、固形分での質量比（主剤：硬化剤）が１０：１となるように混合し、希釈剤として酢酸エチルを用いた。【００９０】
〔評価方法〕
＜厚さ＞
接触式厚み計ＤＧ−５２５Ｈ（小野測器社製）にて、測定子ＡＡ−０２６（Φ１０ｍｍ  ＳＲ７）を使用して、原反を幅方向に距離が等しくなるように厚さを１０点測定し、その平均値を厚さとした。【００９１】
＜１８０℃引張貯蔵弾性率＞
動的粘弾性測定装置  ソリッドＬ−１（東洋精機社製）を用い、ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。サンプル測定サイズは幅８ｍｍ×長さ２０ｍｍ、周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とし、温度を２０℃から１８０℃まで、２℃／分の速度で上昇させて、１８０℃の値において測定したＥ’を、１８０℃引張貯蔵弾性率とした。【００９２】
＜リードフレーム傷・へこみ＞
各例で製造したパッケージのリードフレームについて、突起を接触させた部分にへこみや傷が見られるかどうかを目視で確認し、以下の基準で評価した。
○（良好）：傷もへこみも見られない。
×（不良）：傷やへこみが見られる。【００９３】
＜樹脂バリ＞
各例で製造したパッケージのリードフレームについて、突起を接触させた部分（接触部位）をデジタル光学顕微鏡で観察し、当該接触部位を写真撮影後、写真をメッシュ分割し、樹脂バリが見られるメッシュの数から樹脂バリ発生割合（％）を求めた。その結果を以下の基準で評価した。
○（良好）：１０％以下。
△（可）：３０％以下１０％超。
×（不良）：３０％超。【００９４】
＜離型フィルム食い込み＞
各例で製造したパッケージのパッケージ本体について、離型フィルムが食い込んだ形跡が見られるかどうかを目視で確認し、以下の基準で評価した。
○（良好）：離型フィルムの食い込みは見られなかった。
△（可）：若干の離型フィルムの食い込みがあり、リードフレームとパッケージ本体との界面にへこみが見られた。
×（不良）：離型フィルムが完全にパッケージ本体に食い込み、離型しなかった。【００９５】
〔例１〕
（離型フィルムの製造）
ＰＢＴフィルム（１）のＲａが０．１である面に、グラビアコートでウレタン系接着剤Ａを０．５ｇ／ｍ２で塗工し、ＥＴＦＥフィルム（１−２）のコロナ処理面をドライラミネートにて貼り合わせて離型フィルムを得た。ドライラミネート条件は、基材幅１，０００ｍｍ、搬送速度２０ｍ／分、乾燥温度８０〜１００℃、ラミネートロール温度２５℃、ロール圧力３．５ＭＰａとした。【００９６】
（トランスファ成形法によるパッケージの製造）
Φ５ｍｍの円形形状の凸部が５００個ついた上金型と、リードフレームをセットした下金型とを１８０℃に加熱して準備し、離型フィルムを上金型にセットしたのち、真空ポンプにより上金型と離型フィルムとの間の空気を吸引排出して離型フィルムを上金型に吸着した。その後、下金型を移動させ、上金型の凸部とリードフレームの露出させたい部分とが離型フィルムを介して接触するまでクランプし、樹脂を流動させた。これにより、上金型と下金型との間の空間に樹脂が充填され硬化してパッケージ本体が形成され、リードフレームとパッケージ本体とからなるパッケージを得た。このパッケージは、Φ５ｍｍの円形形状の凹部を５００個有し、凹部の底面にリードフレームの一部が露出したものであった。なお、樹脂の射出圧力は、それぞれの離型フィルムにおいて、中空パッケージの形状が転写される最小の射出圧力とし、クランプ圧は、樹脂バリが軽減される最小の圧力とした。樹脂としては、スミコンＥＭＥ  Ｇ７７０Ｈ  ｔｙｐｅ  Ｆ  ｖｅｒ．  ＧＲ（住友ベークライト社製）を使用した。【００９７】
〔例２〜６、８〕
表１のフィルム構成になるように材料を選定した以外は、例１と同様にして離型フィルムを得た。
得られた離型フィルムを用いて例１と同様にしてパッケージを製造した。【００９８】
〔例７〕
ＰＢＴフィルム（１）のＲａが０．１である面に、グラビアコートでウレタン系接着剤Ａを０．５ｇ／ｍ２で塗工し、ＥＴＦＥフィルム（１−５）のコロナ処理面を、ＰＥＴフィルム（１−１）と積層された状態で貼り合わせ、ＰＥＴフィルム（１−１）を剥離して離型フィルムを得た。
得られた離型フィルムを用いて例１と同様にしてパッケージを製造した。【００９９】
〔例９〕
ＰＥＴフィルム（１）の片面に、グラビアコートでウレタン系接着剤Ａを０．５ｇ／ｍ２で塗工し、ＥＴＦＥフィルム（１−２）のコロナ処理面を貼り合わせた。さらに反対面にもＥＴＦＥフィルム（１−２）を同様にして貼り合わせ、離型フィルムを得た。
得られた離型フィルムを用いて例１と同様にしてパッケージを製造した。【０１００】
〔例１０〜１４〕
表２のフィルム構成になるように材料を選定した以外は、例９と同様にして離型フィルムを得た。
得られた離型フィルムを用いて例１と同様にしてパッケージを製造した。【０１０１】
〔例１５〕
離型フィルムとしてＥＴＦＥフィルム（１−４）を用いた。
該離型フィルムを用いて例１と同様にしてパッケージを製造した。【０１０２】
〔例１６〕
離型フィルムとしてＰＴＦＥフィルム（１）を用いた。
該離型フィルムを用いて例１と同様にしてパッケージを製造した。【０１０３】
〔例１７〕
離型フィルムを用いずに、例１と同様にしてパッケージを製造した。【０１０４】
〔例１８〕
パッケージ下面部の高さと同等の厚さを有するフラット形状のＰＴＦＥフィルムをエッチング等により加工して、パッケージ下面部に対応する位置に凸部を残すようにすることにより離型フィルム（凸部形成離型フィルム）を得る。
上金型として凸部を有さないものを使用し、得られた離型フィルムの凸部をリードフレームに接触させた例１と同様にしてパッケージを製造する。【０１０５】
例１〜１６および１８の離型フィルムのフィルム構成、第二の層の１８０℃引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積（１８０℃引張貯蔵弾性率×厚さ）、第一の層および第三の層の１８０℃引張貯蔵弾性率、評価結果（リードフレームの傷・へこみ、樹脂バリ、離型フィルム食い込み）を表１〜３に示す。【０１０６】
【表１】
0006460091.tif 000002
【０１０７】
【表２】
0006460091.tif 000003
【０１０８】
【表３】
0006460091.tif 000004
【０１０９】
上記結果に示すとおり、例１〜１６では、リードフレームの傷やへこみが見られず、樹脂バリも充分に防止されていた。また、パッケージ本体の離型フィルムの食い込みを防止できた。一方、離型フィルムを用いず、上金型の凸部を直接リードフレームに接触させた例１７では、得られたパッケージのリードフレームに傷やへこみや見られ、樹脂バリも多かった。
凸部が一体的に形成された離型フィルムを用いた例１８では、離型フィルム食い込みの評価にて離型フィルムがパッケージ本体に完全に食い込み、パッケージを離型できない。【０１１０】
例１〜１６のうち、例５、８、１２、１５では、若干の離型フィルムの食い込みが見られたが、例１〜４、６〜７、９〜１１、１３〜１４、１６では、離型フィルム食い込みの評価にて、離型フィルムの食い込みが見られず良好であった。
例１〜４、６〜７、９〜１１、１３〜１４、１６の結果が例５、１２よりも優れる理由としては、第二の層の１８０℃引張貯蔵弾性率×厚さが、例５、１２と比較して大きいため、離型フィルムが比較的硬く、クランプ時に潰れにくいことが考えられる。
例１〜４、６〜７、９〜１１、１３〜１４、１６の結果が例８よりも優れる理由としては、第一の層の厚さが例８と比較して薄いため、クランプ時に第一の層が潰れた際の厚さの変化率が比較的小さいことが考えられる。
例１〜４、６〜７、９〜１１、１３〜１４、１６の結果が例１５よりも優れる理由としては、離型フィルムが、第二の層を備えることで、第一の層のみ（ＥＴＦＥの単層フィルム）である例１５と比較して硬いため、クランプ時に潰れにくいこと、および第一の層の厚さが例１５と比較して薄いために、潰れた際の厚さの変化率が比較的小さいこと、が考えられる。【０１１１】
例１〜１６のうち、例７、１１、１６では、樹脂バリ発生割合が３０％以下１０％超であったが、例１〜６、８〜１０、１２〜１５（８、１０、１３〜１４１２、１５）では、樹脂バリ発生割合が１０％以下であった。
例１〜６、８〜１０、１２〜１５の結果が例７の結果よりも優れる理由としては、第一の層の厚さが例７と比較して厚いため、クランプ時に潰れやすい傾向にあることが考えられる。
例１〜６、８〜１０、１２〜１５の結果が例１１の結果よりも優れる理由としては、第二の層の１８０℃引張貯蔵弾性率×厚さが例１１と比較して小さいため、離型フィルムが比較的柔らかく、クランプ時に潰れやすい傾向にあることが考えられる。
例１〜６、８〜１０、１２〜１５の結果が例１６の結果よりも優れる理由としては、接触部位と接する第一の層がＰＴＦＥフィルムと比較して柔らかいため、クランプ時に離型フィルムが潰れやすく、離型フィルムと接触部位との密着性が高くなる傾向にあること、が考えられる。【０１１２】
これらの結果から、上記のパッケージの製造に用いる離型フィルムとしては、例１〜４、６、９〜１０、１３〜１４で用いたような、１８０℃における引張貯蔵弾性率が１０〜５０ＭＰａで厚さが５〜１２μｍである第一の層と、１８０℃における引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）と厚さ（μｍ）との積が３，０００〜８，０００である第二の層とを備える離型フィルムが特に好ましいことが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明の半導体素子実装用パッケージの製造方法は、固体撮像素子や、ＭＥＭＳ等の半導体素子を搭載する、特に中空構造の半導体素子実装用パッケージを製造する方法として広範な分野で使用される。
なお、２０１４年３月７日に出願された日本特許出願２０１４−０４５４６６号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【０１１４】
１  離型フィルム、２  第一の層、２ａ  表面、３  第二の層、３ａ  表面、５  離型フィルム、６  第一の層、６ａ  表面、７  第二の層、８  第三の層、８ａ  表面、１０  基材、１０ａ  実装面、１０Ａ  基材、１２  パッケージ本体、１２Ａ  硬化物、１４  凹部、１６  基材、１６ａ  インナーリード、１６ｂ  アウターリード、１６ｃ  ダイパッド、１８  パッケージ本体、１８ａ  枠状部、１８ｂ  底部、１９  硬化物、２０  凹部、３０  離型フィルム、４０  硬化性樹脂、５０  上金型、５２  下金型、５４  キャビティ、５６  凸部、５８  基材設置部、６０  樹脂導入部、６２  樹脂配置部、６４  プランジャ、１１０  半導体素子実装用パッケージ、１２０  半導体素子実装用パッケージ、２００  凸部、２０２  上金型、２０４  下金型、２０６  リードフレーム、２０８  樹脂、２１０  離型フィルム、２１２  凸部、２１４  土手
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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