(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、
対象物上にエッチングにより形成される全体パターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、
エッチング特性を記憶するエッチング特性記憶部と、
前記エッチング特性に基づいて前記設計データを補正して、補正済み設計データを取得するデータ補正部と、
を備え、
前記設計データが、それぞれがパターンを示す複数のデータブロックを含み、
前記複数のデータブロックのうち、一の注目パターンを示す注目データブロックが、前記注目パターンの一部のパターンを示すポリゴンデータと、前記注目パターンの他の一部のパターンを示す参照データブロックの参照を指示する参照指示情報とを含み、
前記データ補正部が、
前記注目データブロックから前記参照指示情報を実質的に削除し、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックと、前記参照データブロックとを個別に補正して、補正済み注目データブロックと、補正済み参照データブロックとを取得するデータブロック補正部と、
前記補正済み注目データブロックが示すパターンと、前記補正済み参照データブロックが示すパターンとを合成することにより前記補正済み設計データを取得する補正済みデータ合成部と、
を備えることを特徴とするデータ補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載のデータ補正装置であって、
前記エッチング特性記憶部が、複数のエッチング特性を記憶し、
前記データブロック補正部において、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックの補正に利用されるエッチング特性と、前記参照データブロックの補正に利用されるエッチング特性とが相違することを特徴とするデータ補正装置。
【請求項３】
請求項２に記載のデータ補正装置であって、
前記複数のエッチング特性が、前記対象物上の複数の対象位置に対してそれぞれ求められており、
前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックが示すパターンの位置に対応する前記対象物上の位置と最も近接する対象位置のエッチング特性を最近接エッチング特性として、前記データブロック補正部が、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックを、少なくとも前記最近接エッチング特性に基づいて補正することを特徴とするデータ補正装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のデータ補正装置であって、
前記設計データに含まれる第１データブロックにおいて、ポリゴンデータと第２データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、前記第２データブロックにおいて、ポリゴンデータと第３データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、
前記データブロック補正部が、前記第３データブロックの補正と、前記第３データブロックの参照指示情報が削除された前記第２データブロックの補正と、前記第２データブロックの参照指示情報が削除された前記第１データブロックの補正とを順に行い、
前記補正済みデータ合成部が、補正済みの第３データブロックが示すパターンと、補正済みの第２データブロックが示すパターンと、補正済みの第１データブロックが示すパターンとを合成することを特徴とするデータ補正装置。
【請求項５】
対象物上にパターンを描画する描画装置であって、
請求項１ないし４のいずれかに記載のデータ補正装置と、
光源と、
前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、
前記光変調部により変調された光を対象物上にて走査する走査機構と、
を備えることを特徴とする描画装置。
【請求項６】
対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査装置であって、
請求項１ないし４のいずれかに記載のデータ補正装置と、
対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データを記憶する実画像記憶部と、
前記データ補正装置により補正された設計データと前記検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出部と、
を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項７】
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、
ａ）対象物上にエッチングにより形成される全体パターンの設計データを準備する工程と、
ｂ）エッチング特性を準備する工程と、
ｃ）前記エッチング特性に基づいて前記設計データを補正して、補正済み設計データを取得する工程と、
を備え、
前記設計データが、それぞれがパターンを示す複数のデータブロックを含み、
前記複数のデータブロックのうち、一の注目パターンを示す注目データブロックが、前記注目パターンの一部のパターンを示すポリゴンデータと、前記注目パターンの他の一部のパターンを示す参照データブロックの参照を指示する参照指示情報とを含み、
前記ｃ）工程が、
ｃ１）前記注目データブロックから前記参照指示情報を実質的に削除し、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックと、前記参照データブロックとを個別に補正して、補正済み注目データブロックと、補正済み参照データブロックとを取得する工程と、
ｃ２）前記補正済み注目データブロックが示すパターンと、前記補正済み参照データブロックが示すパターンとを合成することにより前記補正済み設計データを取得する工程と、
を備えることを特徴とするデータ補正方法。
【請求項８】
請求項７に記載のデータ補正方法であって、
前記ｂ）工程において、複数のエッチング特性が準備され、
前記ｃ１）工程において、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックの補正に利用されるエッチング特性と、前記参照データブロックの補正に利用されるエッチング特性とが相違することを特徴とするデータ補正方法。
【請求項９】
請求項８に記載のデータ補正方法であって、
前記複数のエッチング特性が、前記対象物上の複数の対象位置に対してそれぞれ求められており、
前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックが示すパターンの位置に対応する前記対象物上の位置と最も近接する対象位置のエッチング特性を最近接エッチング特性として、前記ｃ１）工程において、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックが、少なくとも前記最近接エッチング特性に基づいて補正されることを特徴とするデータ補正方法。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれかに記載のデータ補正方法であって、
前記設計データに含まれる第１データブロックにおいて、ポリゴンデータと第２データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、前記第２データブロックにおいて、ポリゴンデータと第３データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、
前記ｃ１）工程において、前記第３データブロックの補正と、前記第３データブロックの参照指示情報が削除された前記第２データブロックの補正と、前記第２データブロックの参照指示情報が削除された前記第１データブロックの補正とが順に行われ、
前記ｃ２）工程において、補正済みの第３データブロックが示すパターンと、補正済みの第２データブロックが示すパターンと、補正済みの第１データブロックが示すパターンとが合成されることを特徴とするデータ補正方法。
【請求項１１】
対象物上にパターンを描画する描画方法であって、
請求項７ないし１０のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、
補正された前記設計データに基づいて変調された光を対象物上にて走査する工程と、
を備えることを特徴とする描画方法。
【請求項１２】
対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査方法であって、
請求項７ないし１０のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、
補正された前記設計データと対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する工程と、
を備えることを特徴とする検査方法。
【請求項１３】
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、
ａ）対象物上にエッチングにより形成される全体パターンの設計データを準備する工程と、
ｂ）エッチング特性を準備する工程と、
ｃ）前記エッチング特性に基づいて前記設計データを補正して、補正済み設計データを取得する工程と、
を実行させ、
前記設計データが、それぞれがパターンを示す複数のデータブロックを含み、
前記複数のデータブロックのうち、一の注目パターンを示す注目データブロックが、前記注目パターンの一部のパターンを示すポリゴンデータと、前記注目パターンの他の一部のパターンを示す参照データブロックの参照を指示する参照指示情報とを含み、
前記ｃ）工程が、
ｃ１）前記注目データブロックから前記参照指示情報を実質的に削除し、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックと、前記参照データブロックとを個別に補正して、補正済み注目データブロックと、補正済み参照データブロックとを取得する工程と、
ｃ２）前記補正済み注目データブロックが示すパターンと、前記補正済み参照データブロックが示すパターンとを合成することにより前記補正済み設計データを取得する工程と、
を備えることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プリント基板の製造工程では、樹脂等の絶縁材料にて形成された基板に対して様々な処理が施される。例えば、基板の表面上に銅等の膜を形成し、当該膜上にレジストのパターンを形成し、さらにエッチングを施すことにより、基板上に配線パターンが形成される。エッチングでは、パターン配置の粗密やパターンの大きさ等により、基板上に形成されたパターンの形状が設計データと異なる場合がある。
【０００３】
特許文献１では、電子線直描装置にて基板上にレジストパターンを形成し、プラズマエッチング装置にてエッチングを行うことによりパターンを形成する技術が開示されている。また、パターンの設計データから電子線直描用データを生成する処理に、マイクロローディング効果によるエッチング後のパターンサイズの変化を補正する処理を含めることが提案されている。
【０００４】
特許文献２では、エッチング後の基板の画像データと設計データとを用いて、所望のエッチング後基板を得るために設計データをいかに補正する必要があるかを示すリサイジングルールを生成することが提案されている。
【０００５】
特許文献３では、フォトマスクを作製する際に、パターン間のスペース（距離）ごとに、オーバーエッチングを補正するための補正値を指定する方法が開示されている。また、直線パターンと円弧パターンとが対向する場合、当該対向する部位に更なる補正を加えることが提案されている。
【０００６】
特許文献４では、導体パターンの設計データからサイドエッチングを考慮しつつアウトライン形状（導体パターンの外形形状）を作成する際に、隣接するアウトライン形状間の距離に基づいて補正値を設定する技術が開示されている。
【０００７】
特許文献５は、エッチングにより形成された配線パターンの欠陥検査に関するものである。当該欠陥検査では、基板の表面に形成された測定用パターンからエッチング情報（エッチング曲線）が測定され、当該エッチング曲線を用いて設計データにエッチングシミュレーションを行うことにより検査データが生成される。そして、基板上の配線パターンの画像データと検査データとが照合されることにより、配線パターンの欠陥が検出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３０７４６７５号公報
【特許文献２】特許第４２７４７８４号公報
【特許文献３】特開２００８−１３４５１２号公報
【特許文献４】特開２０１３−１２５６２号公報
【特許文献５】特開２０１３−２５０１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、基板に対するエッチングを行う装置では、生産性を向上するために、多くの同一のピース（パターン）が配置された大型基板に対してエッチングが行われている。このため、基板上の位置によってエッチング特性が異なり、同一のピースに対するエッチングであっても、エッチング結果が異なる場合がある。そこで、基板上の複数の位置に対する複数のエッチング特性を取得し、当該複数のエッチング特性に基づいて設計データを補正することが考えられる。
【００１０】
一方、ＣＡＤ等により作成される設計データでは、それぞれがパターンを示す複数のデータブロックが含まれる。例えば、基板上の全体パターンが複数のシートに分割され、各シート内に複数のピースの配列と周辺回路とが含まれる場合には、一のシートを示すデータブロックが、周辺回路を示すポリゴンデータと、各ピースを示すデータブロックの参照を指示する参照指示情報とを含むデータ構造となる。なお、周辺回路は、例えば、製造途上における複数のピースの検査に用いられる。
【００１１】
この場合に、データブロックが補正の単位となるデータ補正装置では、シートを示すデータブロックの補正、または、ピースを示すデータブロックの補正のいずれかが選択的に行われる。シートを示すデータブロックの補正を選択する場合、当該シートに含まれる複数のピースおよび周辺回路の全てが同一のエッチング特性を用いて補正され、ピースと周辺回路とを個別のエッチング特性を用いて補正することができない。また、ピースを示すデータブロックの補正を選択する場合、複数のピースを個別のエッチング特性を用いて補正することが可能であるが、ポリゴンデータが示す周辺回路を補正することができない。
【００１２】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、一のデータブロックに含まれるポリゴンデータが示すパターンと、当該データブロックの参照指示情報が参照を指示する他のデータブロックが示すパターンとを個別に補正することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、対象物上にエッチングにより形成される全体パターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、エッチング特性を記憶するエッチング特性記憶部と、前記エッチング特性に基づいて前記設計データを補正して、補正済み設計データを取得するデータ補正部とを備え、前記設計データが、それぞれがパターンを示す複数のデータブロックを含み、前記複数のデータブロックのうち、一の注目パターンを示す注目データブロックが、前記注目パターンの一部のパターンを示すポリゴンデータと、前記注目パターンの他の一部のパターンを示す参照データブロックの参照を指示する参照指示情報とを含み、前記データ補正部が、前記注目データブロックから前記参照指示情報を実質的に削除し、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックと、前記参照データブロックとを個別に補正して、補正済み注目データブロックと、補正済み参照データブロックとを取得するデータブロック補正部と、前記補正済み注目データブロックが示すパターンと、前記補正済み参照データブロックが示すパターンとを合成することにより前記補正済み設計データを取得する補正済みデータ合成部とを備える。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のデータ補正装置であって、前記エッチング特性記憶部が、複数のエッチング特性を記憶し、前記データブロック補正部において、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックの補正に利用されるエッチング特性と、前記参照データブロックの補正に利用されるエッチング特性とが相違する。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のデータ補正装置であって、前記複数のエッチング特性が、前記対象物上の複数の対象位置に対してそれぞれ求められており、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックが示すパターンの位置に対応する前記対象物上の位置と最も近接する対象位置のエッチング特性を最近接エッチング特性として、前記データブロック補正部が、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックを、少なくとも前記最近接エッチング特性に基づいて補正する。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載のデータ補正装置であって、前記設計データに含まれる第１データブロックにおいて、ポリゴンデータと第２データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、前記第２データブロックにおいて、ポリゴンデータと第３データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、前記データブロック補正部が、前記第３データブロックの補正と、前記第３データブロックの参照指示情報が削除された前記第２データブロックの補正と、前記第２データブロックの参照指示情報が削除された前記第１データブロックの補正とを順に行い、前記補正済みデータ合成部が、補正済みの第３データブロックが示すパターンと、補正済みの第２データブロックが示すパターンと、補正済みの第１データブロックが示すパターンとを合成する。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、対象物上にパターンを描画する描画装置であって、請求項１ないし４のいずれかに記載のデータ補正装置と、光源と、前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、前記光変調部により変調された光を対象物上にて走査する走査機構とを備える。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査装置であって、請求項１ないし４のいずれかに記載のデータ補正装置と、対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データを記憶する実画像記憶部と、前記データ補正装置により補正された設計データと前記検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出部とを備える。
【００１９】
請求項７に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、ａ）対象物上にエッチングにより形成される全体パターンの設計データを準備する工程と、ｂ）エッチング特性を準備する工程と、ｃ）前記エッチング特性に基づいて前記設計データを補正して、補正済み設計データを取得する工程とを備え、前記設計データが、それぞれがパターンを示す複数のデータブロックを含み、前記複数のデータブロックのうち、一の注目パターンを示す注目データブロックが、前記注目パターンの一部のパターンを示すポリゴンデータと、前記注目パターンの他の一部のパターンを示す参照データブロックの参照を指示する参照指示情報とを含み、前記ｃ）工程が、ｃ１）前記注目データブロックから前記参照指示情報を実質的に削除し、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックと、前記参照データブロックとを個別に補正して、補正済み注目データブロックと、補正済み参照データブロックとを取得する工程と、ｃ２）前記補正済み注目データブロックが示すパターンと、前記補正済み参照データブロックが示すパターンとを合成することにより前記補正済み設計データを取得する工程とを備える。
【００２０】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載のデータ補正方法であって、前記ｂ）工程において、複数のエッチング特性が準備され、前記ｃ１）工程において、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックの補正に利用されるエッチング特性と、前記参照データブロックの補正に利用されるエッチング特性とが相違する。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載のデータ補正方法であって、前記複数のエッチング特性が、前記対象物上の複数の対象位置に対してそれぞれ求められており、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックが示すパターンの位置に対応する前記対象物上の位置と最も近接する対象位置のエッチング特性を最近接エッチング特性として、前記ｃ１）工程において、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックが、少なくとも前記最近接エッチング特性に基づいて補正される。
【００２２】
請求項１０に記載の発明は、請求項７ないし９のいずれかに記載のデータ補正方法であって、前記設計データに含まれる第１データブロックにおいて、ポリゴンデータと第２データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、前記第２データブロックにおいて、ポリゴンデータと第３データブロックの参照を指示する参照指示情報とが含まれ、前記ｃ１）工程において、前記第３データブロックの補正と、前記第３データブロックの参照指示情報が削除された前記第２データブロックの補正と、前記第２データブロックの参照指示情報が削除された前記第１データブロックの補正とが順に行われ、前記ｃ２）工程において、補正済みの第３データブロックが示すパターンと、補正済みの第２データブロックが示すパターンと、補正済みの第１データブロックが示すパターンとが合成される。
【００２３】
請求項１１に記載の発明は、対象物上にパターンを描画する描画方法であって、請求項７ないし１０のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、補正された前記設計データに基づいて変調された光を対象物上にて走査する工程とを備える。
【００２４】
請求項１２に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査方法であって、請求項７ないし１０のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、補正された前記設計データと対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する工程とを備える。
【００２５】
請求項１３に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、ａ）対象物上にエッチングにより形成される全体パターンの設計データを準備する工程と、ｂ）エッチング特性を準備する工程と、ｃ）前記エッチング特性に基づいて前記設計データを補正して、補正済み設計データを取得する工程とを実行させ、前記設計データが、それぞれがパターンを示す複数のデータブロックを含み、前記複数のデータブロックのうち、一の注目パターンを示す注目データブロックが、前記注目パターンの一部のパターンを示すポリゴンデータと、前記注目パターンの他の一部のパターンを示す参照データブロックの参照を指示する参照指示情報とを含み、前記ｃ）工程が、ｃ１）前記注目データブロックから前記参照指示情報を実質的に削除し、前記参照指示情報が削除された前記注目データブロックと、前記参照データブロックとを個別に補正して、補正済み注目データブロックと、補正済み参照データブロックとを取得する工程と、ｃ２）前記補正済み注目データブロックが示すパターンと、前記補正済み参照データブロックが示すパターンとを合成することにより前記補正済み設計データを取得する工程とを備える。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、注目データブロックに含まれるポリゴンデータが示すパターンと、参照データブロックが示すパターンとを個別に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１の実施の形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図２】データ処理装置の構成を示す図である。
【図３】データ処理装置の機能を示すブロック図である。
【図４】設計データの構成を示す図である。
【図５】データブロックの階層構造を示す図である。
【図６】全体パターンを示す図である。
【図７】描画装置による描画の流れを示す図である。
【図８】特性取得用パターンの一部を拡大して示す図である。
【図９】測定パターンの一部を拡大して示す図である。
【図１０】エッチングカーブを示す図である。
【図１１】設計データ補正処理の流れを示す図である。
【図１２】補正済みの全体パターンを示す図である。
【図１３】比較例の処理による補正済みの全体パターンを示す図である。
【図１４】比較例の処理による補正済みの全体パターンを示す図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る検査装置の機能を示すブロック図である。
【図１６】検査装置による検査の流れの一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る描画装置１の構成を示す図である。描画装置１は、基板９の表面に設けられた感光材料であるレジスト膜に光を照射することにより、レジスト膜上に回路パターン等の画像を直接的に描画する直描装置である。基板９は、例えば絶縁性材料にて形成され、表面に銅等の導電性材料の膜が設けられている。基板９は、プリント基板の製造に用いられる。描画装置１によりパターンが描画された基板９には、基板処理装置等（図示省略）において現像、エッチングが施される。これにより、基板９上にパターンが形成される。基板９に対するエッチングは、例えば、基板９に対してエッチング液を付与することにより行われるウェットエッチングである。なお、基板９に対するエッチングとして、例えば、プラズマ等を利用したドライエッチングが行われてもよい。
【００２９】
描画装置１は、データ処理装置２と、露光装置３とを備える。データ処理装置２は、基板９上に描画されるパターンの設計データを補正し、描画データを生成する。露光装置３は、データ処理装置２から送られた描画データに基づいて基板９に対する描画（すなわち、露光）を行う。データ処理装置２と露光装置３とは、両装置間のデータの授受が可能であれば、物理的に離間していてもよく、もちろん、一体的に設けられてもよい。
【００３０】
露光装置３は、描画コントローラ３１と、ステージ３２と、光出射部３３と、走査機構３５とを備える。描画コントローラ３１は、光出射部３３および走査機構３５を制御する。ステージ３２は、光出射部３３の下方にて基板９を保持する。光出射部３３は、光源３３１と、光変調部３３２とを備える。光源３３１は、光変調部３３２に向けてレーザ光を出射する。光変調部３３２は、光源３３１からの光を変調する。光変調部３３２により変調された光は、ステージ３２上の基板９に照射される。光変調部３３２としては、例えば、複数の光変調素子が二次元に配列されたＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）が利用される。光変調部３３２は、複数の光変調素子が一次元に配列された変調器等であってもよい。
【００３１】
走査機構３５は、ステージ３２を水平方向に移動する。具体的には、走査機構３５により、ステージ３２が主走査方向、および、主走査方向に垂直な副走査方向に移動される。これにより、光変調部３３２により変調された光が、基板９上にて主走査方向および副走査方向に走査される。露光装置３では、ステージ３２を水平に回転する回転機構が設けられてもよい。また、光出射部３３を上下方向に移動する昇降機構が設けられてもよい。走査機構３５は、光出射部３３からの光を基板９上にて走査することができるのであれば、必ずしもステージ３２を移動する機構である必要はない。例えば、走査機構３５により、光出射部３３がステージ３２の上方にて主走査方向および副走査方向に移動されてもよい。
【００３２】
図２は、データ処理装置２の構成を示す図である。データ処理装置２は、各種演算処理を行うＣＰＵ２０１と、基本プログラムを記憶するＲＯＭ２０２と、各種情報を記憶するＲＡＭ２０３とを含む一般的なコンピュータシステムの構成となっている。データ処理装置２は、情報記憶を行う固定ディスク２０４と、画像等の各種情報の表示を行うディスプレイ２０５と、操作者からの入力を受け付けるキーボード２０６ａおよびマウス２０６ｂと、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体８から情報の読み取りおよび書き込みを行う読取／書込装置２０７と、描画装置１の他の構成等との間で信号を送受信する通信部２０８とをさらに含む。
【００３３】
データ処理装置２では、事前に読取／書込装置２０７を介して記録媒体８からプログラム８０が読み出されて固定ディスク２０４に記憶されている。ＣＰＵ２０１は、プログラム８０に従ってＲＡＭ２０３や固定ディスク２０４を利用しつつ演算処理を実行することにより（すなわち、コンピュータがプログラムを実行することにより）、後述の機能を実現する。
【００３４】
図３は、データ処理装置２の機能を示すブロック図である。図３では、データ処理装置２に接続される露光装置３の構成の一部（描画コントローラ３１）を併せて示す。データ処理装置２は、データ補正装置２１と、データ変換部２２とを備える。データ補正装置２１は、基板９上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正する。データ補正装置２１は、設計データ記憶部２１１と、エッチング特性記憶部２１２と、データ補正部２１３とを備える。
【００３５】
設計データ記憶部２１１は、基板９上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを記憶する。エッチング特性記憶部２１２は、後述の複数のエッチング特性を記憶する。データ補正部２１３は、データブロック補正部２１４と、補正済みデータ合成部２１７とを備える。データブロック補正部２１４は、補正制御部２１５と、補正演算部２１６とを含む。
【００３６】
データ変換部２２には、データ補正装置２１により補正された設計データ（以下、「補正済み設計データ」という。）が入力される。補正済み設計データは、通常、ポリゴン等のベクトルデータである。データ変換部２２は、ベクトルデータである補正済み設計データをラスタデータである描画データに変換する。データ処理装置２の機能は専用の電気的回路により実現されてもよく、部分的に専用の電気的回路が用いられてもよい。
【００３７】
図４は、設計データ７の構成を示す図である。設計データ７は、それぞれがパターンを示す複数のデータブロック７１（ストラクチャとも呼ばれる。）を含む。各データブロック７１は、当該データブロック７１が示す全部または一部のパターンを示すポリゴンデータ７１１を含む。一部のデータブロック７１は、他のデータブロック７１の参照を指示する参照指示情報７１２を含む。当該他のデータブロック７１（以下、「参照データブロック７１」という。）は、当該参照指示情報７１２を含む上記データブロック７１が示すパターンの一部のパターンを示す。実際には、一のデータブロック７１に含まれる参照指示情報７１２が示す参照データブロック７１が、他の参照データブロック７１の参照を指示する参照指示情報７１２を含む。すなわち、設計データ７では、一のデータブロック７１が他のデータブロック７１を利用し、当該他のデータブロック７１がさらに他のデータブロック７１を利用する入れ子（ネスト）関係が存在する。
【００３８】
図５は、設計データ７に含まれる複数のデータブロック７１の入れ子関係を階層構造（ツリー構造）として示す図である。各データブロック７１には、名称が付与されており、図５では、データブロック７１を示す矩形の内部に当該データブロック７１の名称を記している。また、各データブロック７１が含むポリゴンデータ７１１を平行四辺形にて示している。以下の説明では、一のデータブロック７１が他のデータブロック７１の参照を指示する参照指示情報７１２を含む利用関係を、単に、「一のデータブロック７１が他のデータブロック７１を含む」等のように表記する。
【００３９】
図５に示すように、名称「トップ」のデータブロック７１（以下、「トップのデータブロック７１」という。以下同様。）は、第１シートのデータブロック７１、第２シートのデータブロック７１等を含む。第１シートのデータブロック７１は、ポリゴンデータ７１１、第１サブシートのデータブロック７１、第２サブシートのデータブロック７１等を含む。第１サブシートのデータブロック７１は、ポリゴンデータ７１１、第１ピースのデータブロック７１、第２ピースのデータブロック７１、第３ピースのデータブロック７１、第４ピースのデータブロック７１を含む。第１シートのデータブロック７１に含まれる第２サブシートのデータブロック７１等も、第１サブシートのデータブロック７１と同様の構造を有する。トップのデータブロック７１に含まれる第２シートのデータブロック７１等も、第１シートのデータブロック７１と同様の構造を有する。
【００４０】
図６は、設計データ７が示す全体パターン６０を示す図である。全体パターン６０は、設計データ７におけるトップのデータブロック７１が示すパターンであり、基板９上にエッチングにより形成される予定のものである。全体パターン６０は、第１シートパターン６１、第２シートパターン６１等を含む。第１および第２シートパターン６１は、第１シートのデータブロック７１および第２シートのデータブロック７１がそれぞれ示すパターンである。図６中の左上に位置する第１シートパターン６１は、周辺回路パターン６１１、第１サブシートパターン６２、第２サブシートパターン６２等を含む。周辺回路パターン６１１は、第１シートのデータブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンである。第１および第２サブシートパターン６２は、第１サブシートのデータブロック７１および第２サブシートのデータブロック７１がそれぞれ示すパターンである。
【００４１】
図６中の左上に位置する第１サブシートパターン６２は、周辺回路パターン６２１、第１ピースパターン６３、第２ピースパターン６３、第３ピースパターン６３、第４ピースパターン６３を含む。周辺回路パターン６２１は、第１サブシートのデータブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンである。第１ないし第４ピースパターン６３は、第１ピースのデータブロック７１、第２ピースのデータブロック７１、第３ピースのデータブロック７１および第４ピースのデータブロック７１がそれぞれ示すパターンである。第１シートパターン６１に含まれる第２サブシートパターン６２等も、第１サブシートパターン６２と同様のパターンを有する。全体パターン６０に含まれる第２シートパターン６１等も、第１シートパターン６１と同様のパターンを有する。
【００４２】
実際には、第１ピースのデータブロック７１、第２ピースのデータブロック７１、第３ピースのデータブロック７１、および、第４ピースのデータブロック７１（以下、「ピースのデータブロック７１」と総称する。シートのデータブロック７１およびサブシートのデータブロック７１において同様である。）のそれぞれも、ピース構成部品のデータブロック７１を含む。すなわち、ピースパターン６３は、図示省略のピース構成部品のパターンを含む。
【００４３】
次に、図７を参照しつつ、描画装置１による描画の流れについて説明する。まず、一の主面上にレジスト膜が形成されたテスト用の基板（後述のステップＳ１５における描画が行われる基板９と同じ形状および大きさであり、以下、「テスト基板」という。）に対して、露光装置３により所定のテストパターンが描画される。テストパターンは、複数の特性取得用パターンを含む。図６では、テスト基板において各特性取得用パターンが描画される対象位置に対応する位置（以下、同様に「対象位置」という。）に符号Ｐを付している。
【００４４】
図８は、テスト基板上の特性取得用パターン９５の一部を拡大して示す図である。実際には、特性取得用パターン９５は、現像処理を施すことによりレジストパターンとして視認可能となる。ここでは、特性取得用パターン９５の各図形要素の位置、形状、大きさが、テストパターン用の設計データ（ただし、データ補正装置２１による補正は行われない。）が示すパターンと厳密に一致するものとする。
【００４５】
図８に示す例では、特性取得用パターン９５は、複数の第１図形要素群９５１を含む。各第１図形要素群９５１は、互いに平行に一の方向に延びる２本の略直線状の第１図形要素９５２を含む。各第１図形要素群９５１における２本の第１図形要素９５２間のギャップ幅Ｇ（すなわち、２本の第１図形要素９５２の長手方向に垂直な方向における隙間の幅）は、他の第１図形要素群９５１における２本の第１図形要素９５２間のギャップ幅Ｇと異なる。
【００４６】
テスト基板に対する現像処理により、テストパターンを示すレジストパターンがテスト基板上に形成される。続いて、テスト基板に対して、当該レジストパターンをマスクとしてエッチングが施され、レジスト剥離等の処理がさらに施されることにより、複数の特性取得用パターン９５を示す複数の測定パターンがテスト基板の主面に形成される。
【００４７】
図９は、特性取得用パターン９５に対応する測定パターン９６の一部を拡大して示す図である。測定パターン９６は、複数の第１図形要素群９５１をそれぞれ示す複数の第２図形要素群９５３を含む。図９では、１つの第２図形要素群９５３を拡大して示す。各第２図形要素群９５３は、２本の第１図形要素９５２に対応する略直線状の２本の第２図形要素９５４を含む。第２図形要素９５４は、レジストパターンにおける第１図形要素９５２の部位を利用してエッチングにより形成されるものである。図９では、第１図形要素９５２の輪郭線を二点鎖線にて併せて示す。
【００４８】
ここで、各第２図形要素群９５３における２本の第２図形要素９５４間の隙間を形成する各第２図形要素９５４の辺（輪郭線の部位）と、当該辺に対応する第１図形要素９５２の辺との間の距離（当該隙間を形成する輪郭線の部位に垂直な方向の距離）を、エッチング量Ｅと呼ぶ。エッチング量Ｅは、当該２本の第２図形要素９５４間の隙間における各第１図形要素９５２の辺に対する第２図形要素９５４の辺の移動量（輪郭線の片側の細り量）を示す。エッチング量Ｅは、当該２本の第２図形要素９５４に対応する２本の第１図形要素９５２間のギャップ幅Ｇに依存して変化する。ギャップ幅Ｇとエッチング量Ｅとの関係は、テスト基板を撮像して測定パターン９６の画像を取得し、当該画像と、特性取得用パターン９５の設計データとを比較することにより取得される。
【００４９】
図１０は、ギャップ幅Ｇとエッチング量Ｅとの関係を示すエッチングカーブを示す図である。図１０では、２つのエッチングカーブを符号Ｌ１，Ｌ２を付して示している。エッチングカーブでは、ギャップ幅Ｇが小さくなるに従ってエッチング量Ｅも漸次小さくなる。ギャップ幅Ｇがある程度大きい範囲では、エッチング量Ｅはギャップ幅Ｇにおよそ正比例するが、ギャップ幅Ｇが小さくなると、ギャップ幅Ｇの減少に対してエッチング量Ｅが急激に減少する。換言すれば、ギャップ幅Ｇが小さくなると、エッチングカーブの傾きが大きくなる。
【００５０】
複数の特性取得用パターン９５では、テスト基板上における位置（すなわち、対象位置Ｐ）が異なるため、図１０の２つのエッチングカーブＬ１，Ｌ２のように、エッチングカーブの形状が互いに異なる。本処理例では、複数の特性取得用パターン９５から複数のエッチングカーブがそれぞれ取得される。換言すると、複数の対象位置Ｐに対して複数のエッチングカーブが取得される。なお、図１０では、各第１図形要素群９５１のギャップ幅Ｇにおけるエッチング量Ｅを、黒いまたは白い四角の点にて示している。複数の特性取得用パターン９５において、エッチング量Ｅが測定されるギャップ幅Ｇの大きさや個数が相違してもよい。
【００５１】
特性取得用パターン９５は、矩形以外の様々な形状の図形要素および様々な組み合わせの図形要素群を含んでいてもよい。例えば、直径が異なる複数の円形図形要素が特性取得用パターン９５に含まれ、円形図形要素の直径とエッチング量との関係を示すエッチングカーブが取得されてもよい。このようなエッチングカーブの種類についても、複数の対象位置Ｐにそれぞれ対応する複数のエッチングカーブが取得される。以下の説明では、テスト基板および基板９上の各対象位置Ｐに対する１つまたは複数のエッチングカーブをまとめて「エッチング特性」と呼ぶ。エッチング特性は、典型的には、設計データが示すパターンにおいて互いに隣接する図形要素間のギャップ（設計ギャップ）の幅と、エッチングにより形成されるパターンにおける当該図形要素間のギャップ（実ギャップ）の幅との関係を示す。
【００５２】
描画装置１では、複数の対象位置Ｐに対する複数のエッチング特性がエッチング特性記憶部２１２に記憶されて準備される（ステップＳ１１）。このとき、好ましいデータ補正装置２１では、所定の手法により複数の特性グループを取得する処理がさらに行われる。各特性グループは、複数（全て）の対象位置Ｐのうち、エッチング特性が互いに類似する対象位置Ｐのみを含む集合であり、特性グループの個数は対象位置Ｐの個数よりも少ない。特性グループを取得する処理では、同一の特性グループに含まれる全ての対象位置Ｐに対して、当該特性グループに含まれる全ての対象位置Ｐのエッチング特性を代表する代表エッチング特性が割り当てられる。換言すると、各対象位置Ｐに対するエッチング特性が、複数の代表エッチング特性のうち当該エッチング特性が最も類似する一の代表エッチング特性に置き換えられる。
【００５３】
なお、エッチング特性は、描画装置１以外の装置において取得されてもよく、描画装置１において取得されてもよい。描画装置１においてエッチング特性の取得が行われる場合、描画装置１には、測定パターン９６（図９参照）の画像を取得する撮像部、および、測定パターン９６の画像と特性取得用パターン９５（図８参照）の設計データとに基づいて各対象位置Ｐにおけるエッチング特性を求めるエッチング特性演算部が設けられる（第２の実施の形態における検査装置１ａにおいて同様）。
【００５４】
続いて、描画装置１では、基板９上にエッチングにより形成される予定のパターンの設計データ７が、データ補正装置２１に入力され、設計データ記憶部２１１に記憶されることにより準備される（ステップＳ１２）。データ補正部２１３では、エッチング特性に基づいて設計データ７を補正する設計データ補正処理が行われ、補正済み設計データが取得される（ステップＳ１３）。
【００５５】
図１１は、設計データ補正処理の流れを示す図である。設計データ補正処理では、まず、設計データ７に含まれる複数のデータブロック７１のうち補正対象のデータブロック７１（以下、「対象データブロック７１」という。）が指定される（ステップＳ２１）。既述のように、設計データ７は、トップのデータブロック７１、シートのデータブロック７１、サブシートのデータブロック７１、および、ピースのデータブロック７１等を含んでいる（図５参照）。ここでは、シートのデータブロック７１、サブシートのデータブロック７１、および、ピースのデータブロック７１が対象データブロック７１として指定される。対象データブロック７１の指定は、例えばキーボード２０６ａまたはマウス２０６ｂを介した操作者の入力により行われる。対象データブロック７１は予め指定されていてもよい。
【００５６】
補正制御部２１５では、各対象データブロック７１において参照指示情報７１２が含まれ、かつ、当該参照指示情報７１２が示す参照データブロック７１が他の対象データブロック７１である場合に、当該各対象データブロック７１が当該参照データブロック７１を利用することを示す情報が取得される。これにより、図５中にて一点鎖線にて囲む部分Ａ１のように、対象データブロック７１の階層構造が取得される（ステップＳ２２）。
【００５７】
続いて、対象データブロック７１の階層構造において、未補正の対象データブロック７１の存在の有無が確認される。未補正の対象データブロック７１の存在が確認されると（ステップＳ２３）、未補正の対象データブロック７１のうち最下層の対象データブロック７１が設計データ７から抽出される。ここでは、各ピースのデータブロック７１が抽出され、補正演算部２１６に入力される。
【００５８】
補正演算部２１６では、各ピースのデータブロック７１がエッチング特性を用いて補正される（すなわち、データブロック７１に対するエッチング補正が行われる。）（ステップＳ２４）。既述のように、基板９上の複数の対象位置Ｐに対して複数のエッチング特性が取得されている。各ピースのデータブロック７１の補正では、当該ピースのデータブロック７１が示す図６中のピースパターン６３の位置に対応する基板９上の位置（すなわち、基板９上に描画された際におけるピースパターン６３の位置）と最も近接する対象位置Ｐのエッチング特性（以下、「最近接エッチング特性」という。）が用いられる。
【００５９】
このとき、当該ピースパターン６３に対応する基板９上の位置において、最近接エッチング特性が示すエッチング量に従った過剰な（すなわち、所望量を超える）エッチングが行われることが考慮される。すなわち、最近接エッチング特性を参照して、エッチング後の基板９上のパターンにおける各図形要素が所望の線幅や大きさにて形成されるように、当該ピースパターン６３に含まれる図形要素の線幅を太らせたり、図形要素を大きくする補正が行われる。このようにして、補正済みのピースパターン６３を示すデータブロック７１（以下、「補正済みデータブロック７１」という。）が取得される。各補正済みデータブロック７１には、当該補正済みデータブロック７１が示すパターンが配置される位置を示す位置情報が関連付けられる。
【００６０】
実際には、補正演算部２１６におけるデータブロック７１の補正では、当該データブロック７１が含むポリゴンデータ７１１、および、参照データブロック７１（ここでは、対象データブロック７１ではないピース構成部品のデータブロック７１等）の全てが、同じ階層に展開された状態で（すなわち、同じ階層のポリゴンデータの状態で）、図形要素の線幅や大きさが変更される。したがって、補正済みデータブロック７１は、例えば補正済みのパターンを示すポリゴンデータを含み、参照指示情報７１２は含まない（すなわち、参照データブロック７１を含まない。）。補正演算部２１６の設計によっては、補正済みデータブロック７１が参照指示情報７１２を含んでもよい。
【００６１】
本実施の形態では、複数のピースのデータブロック７１がそれぞれ示すパターン、すなわち、ピースパターン６３は同一である。したがって、既述の特性グループが取得される場合には、一の特性グループの代表エッチング特性を用いて、一のピースのデータブロック７１から取得される補正済みデータブロック７１を、当該特性グループに含まれる対象位置Ｐを最も近接する対象位置とする他のピースのデータブロック７１に対する補正済みデータブロック７１として、そのまま利用することが可能である。これにより、ピースのデータブロック７１に対するエッチング補正の実行回数が少なくなり、複数のピースのデータブロック７１にそれぞれ対応する複数の補正済みデータブロック７１の取得が短時間にて完了する。図１２では、ピースパターン６３を示す矩形に付す平行斜線の間隔を一致させることにより、同じ補正済みデータブロック７１が利用されるピースパターン６３を表現している。図１２では、間隔が同じ平行斜線が付されたパターンは、同じエッチング特性を用いて補正されたものである（後述の図１３および図１４において同様）。実際には、現時点では、ピースパターン６３以外のパターンの補正は完了していない。
【００６２】
各ピースのデータブロック７１の補正が完了すると、ピースのデータブロック７１についての参照指示情報７１２を含むサブシートのデータブロック７１（図５参照）において、当該参照指示情報７１２が削除される（ステップＳ２５）。すなわち、対象データブロック７１において、補正済みの対象データブロック７１についての参照指示情報７１２が削除される。参照指示情報７１２は、必ずしも厳密に削除される必要はなく、例えば、対象データブロック７１において、補正済みの対象データブロック７１についての参照指示情報７１２が無効化されるのみであってもよい。すなわち、補正済みの対象データブロック７１についての参照指示情報７１２は実質的に削除されればよい。
【００６３】
補正制御部２１５では、対象データブロック７１の階層構造において、未補正の対象データブロック７１の存在の有無が確認される。ここでは、シートのデータブロック７１、および、サブシートのデータブロック７１が未補正であると確認され（ステップＳ２３）、未補正の対象データブロック７１のうち最下層の対象データブロック７１であるサブシートのデータブロック７１が設計データ７から抽出される。
【００６４】
補正演算部２１６では、各サブシートのデータブロック７１がエッチング特性を用いて補正される（ステップＳ２４）。このとき、サブシートのデータブロック７１では、ピースのデータブロック７１についての参照指示情報７１２が（実質的に）削除されており、サブシートのデータブロック７１が示すパターンは、サブシートのデータブロック７１が含むポリゴンデータ７１１が示す周辺回路パターン６２１のみである。したがって、周辺回路パターン６２１の位置（例えば、重心）と最も近接する対象位置Ｐのエッチング特性（最近接エッチング特性）を用いて、周辺回路パターン６２１に含まれる図形要素の補正が行われ、サブシートの補正済みデータブロック７１が取得される。図１２では、ピースパターン６３とは個別に補正された周辺回路パターン６２１に対して、補正時に用いたエッチング特性に対応する間隔の平行斜線を付している。現時点では、ピースパターン６３および周辺回路パターン６２１以外のパターンの補正は完了していない。
【００６５】
各サブシートのデータブロック７１の補正が完了すると、サブシートのデータブロック７１についての参照指示情報７１２を含むシートのデータブロック７１（図５参照）において、当該参照指示情報７１２が削除される（ステップＳ２５）。すなわち、対象データブロック７１において、補正済みの対象データブロック７１についての参照指示情報７１２が削除される。
【００６６】
補正制御部２１５では、シートのデータブロック７１が未補正であると確認され（ステップＳ２３）、シートのデータブロック７１が設計データ７から抽出される。補正演算部２１６では、シートのデータブロック７１がエッチング特性を用いて補正される（ステップＳ２４）。このとき、シートのデータブロック７１では、サブシートのデータブロック７１についての参照指示情報７１２が削除されており、シートのデータブロック７１が示すパターンは、シートのデータブロック７１が含むポリゴンデータ７１１が示す周辺回路パターン６１１のみである。したがって、周辺回路パターン６１１の位置と最も近接する対象位置Ｐのエッチング特性（最近接エッチング特性）を用いて、周辺回路パターン６１１に含まれる図形要素の補正が行われ、シートの補正済みデータブロック７１が取得される。図１２では、ピースパターン６３および周辺回路パターン６２１とは個別に補正された周辺回路パターン６１１に対して、補正時に用いたエッチング特性に対応する間隔の平行斜線を付している。
【００６７】
ステップＳ２２にて取得された対象データブロック７１の階層構造（図５中の部分Ａ１参照）では、シートのデータブロック７１が最上層であり、シートのデータブロック７１についての参照指示情報７１２を含む対象データブロック７１は存在しないため、補正制御部２１５によるステップＳ２５の処理は省略され、ステップＳ２３に戻る。そして、未補正の対象データブロック７１が存在しないことが確認され（ステップＳ２３）、全ての補正済みの対象データブロック７１、すなわち、複数のピースの補正済みデータブロック７１、複数のサブシートの補正済みデータブロック７１、および、複数のシートの補正済みデータブロック７１が、その位置情報と共に、データブロック補正部２１４から補正済みデータ合成部２１７に出力される。
【００６８】
補正済みデータ合成部２１７では、全ての補正済みの対象データブロック７１が示すパターンが位置情報を用いて合成される（ステップＳ２６）。具体的には、図１２のように、ピースの補正済みデータブロック７１が示すピースパターン６３、サブシートの補正済みデータブロック７１が示す周辺回路パターン６２１、および、シートの補正済みデータブロック７１が示す周辺回路パターン６１１が合成される。また、設計データ７において、いずれの対象データブロック７１にも含まれていない未補正のデータブロック７１が存在する場合には、当該データブロック７１が示すパターン（未補正のパターン）も同様に合成される。これにより、補正済み設計データが取得され、設計データ補正処理が完了する。なお、各補正済みデータブロック７１および位置情報は、ステップＳ２４における当該補正済みデータブロック７１の取得時に補正済みデータ合成部２１７に出力され、補正済みデータ合成部２１７によるステップＳ２６の処理がステップＳ２３〜Ｓ２５と部分的に並行して行われてもよい。
【００６９】
実際には、補正済み設計データが示す階層構造では、ピースの補正済みデータブロック７１、サブシートの補正済みデータブロック７１、および、シートの補正済みデータブロック７１が同じ階層となり、トップのデータブロック７１に含まれる。すなわち、ピースのデータブロック７１、および、サブシートのデータブロック７１が、上記設計データ補正処理により、最上層の対象データブロック７１であるシートのデータブロック７１と同じ階層に引き上げられる。また、設計データ７において、トップのデータブロック７１に、対象データブロック７１ではないデータブロック７１が含まれる場合には、当該データブロック７１は、補正済み設計データにおいても、そのまま（未補正のまま）トップのデータブロック７１に含まれる。
【００７０】
補正済み設計データは、データ補正装置２１からデータ変換部２２へと送られる。データ変換部２２では、ベクトルデータである補正済み設計データがラスタデータである描画データに変換される（図７：ステップＳ１４）。
【００７１】
当該描画データは、データ変換部２２から露光装置３の描画コントローラ３１へと送られる。露光装置３では、データ処理装置２からの描画データに基づいて、描画コントローラ３１により光出射部３３の光変調部３３２および走査機構３５が制御されることにより、基板９に対する描画が行われる（ステップＳ１５）。描画が行われた基板９に対して、テスト基板と同じ条件で、現像、エッチング等の様々な処理が行われる。既述のように、基板９の表面には銅等の導電性材料の膜が設けられており、上記処理により、多数の配線パターンが基板９上に形成される。
【００７２】
実際には、同じ全体パターン６０を描画対象とする複数の基板９に対して、同じ補正済み設計データを利用して描画が順次行われる。また、全体パターンが変更される、すなわち、新たな全体パターンを描画対象とする際には、当該新たな全体パターンを用いてステップＳ１２，Ｓ１３が行われ、補正済み設計データが生成される。そして、当該補正済み設計データに基づいて、基板９に対する描画が行われる。
【００７３】
ここで、上記のように、サブシートのデータブロック７１が、周辺回路パターン６２１を示すポリゴンデータ７１１と、ピースのデータブロック７１の参照を指示する参照指示情報７１２とを含む場合に、ピースのデータブロック７１の補正、または、サブシートのデータブロック７１の補正のいずれかが選択的に行われる比較例の処理について述べる。比較例の処理では、サブシートのデータブロック７１の補正を選択する場合、図１３に示すように、サブシートパターン６２に含まれる複数のピースパターン６３および周辺回路パターン６２１の全てが同一のエッチング特性を用いて補正され、ピースパターン６３と周辺回路パターン６２１とを個別のエッチング特性を用いて補正することができない。また、ピースのデータブロック７１の補正を選択する場合、図１４に示すように、複数のピースパターン６３を個別のエッチング特性を用いて補正することが可能であるが、周辺回路パターン６２１を補正することができない。
【００７４】
これに対し、データ補正装置２１では、サブシートのデータブロック７１から参照指示情報７１２を実質的に削除し、当該参照指示情報７１２が削除されたサブシートのデータブロック７１と、当該参照指示情報７１２が参照を指示するピースのデータブロック７１とを個別のエッチング特性を用いて補正して、サブシートの補正済みデータブロック７１と、ピースの補正済みデータブロック７１とが取得される。そして、サブシートの補正済みデータブロック７１が示すパターンと、ピースの補正済みデータブロック７１が示すパターンとを合成することにより補正済み設計データが取得される。これにより、サブシートのデータブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示す周辺回路パターン６２１と、ピースのデータブロック７１が示すピースパターン６３とを個別に補正することが実現される。
【００７５】
また、複数のエッチング特性がエッチング特性記憶部２１２に記憶され、参照指示情報７１２が削除されたサブシートのデータブロック７１の補正と、当該参照指示情報７１２が参照を指示するピースのデータブロック７１の補正とにおいて異なるエッチング特性が利用される。これにより、サブシートのデータブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示す周辺回路パターン６２１と、ピースのデータブロック７１が示すピースパターン６３とを個別に精度よく補正することができる。
【００７６】
さらに、参照指示情報７１２が削除されたサブシートのデータブロック７１の補正が、当該データブロック７１が示す周辺回路パターン６２１の位置に対応する基板９上の位置と最も近接する対象位置Ｐのエッチング特性（すなわち、最近接エッチング特性）に基づいて行われる。これにより、周辺回路パターン６２１を適切に補正することができる。
【００７７】
データ補正部２１３では、全てのデータブロック７１の補正において同一のエッチング特性が用いられてもよい。この場合に、上記比較例の処理により周辺回路パターン６２１を補正するには、サブシートのデータブロック７１の補正が選択される。このとき、当該データブロック７１に含まれる、周辺回路パターン６２１を示すポリゴンデータ７１１と共に、複数のピースのデータブロック７１が同じ階層に展開されるため、サブシートのデータブロック７１が示すパターンの全体に対してエッチング特性を用いた演算が行われ、演算量が増大する。これに対し、上記データ補正部２１３では、周辺回路パターン６２１を補正しつつ、単一のエッチング特性を用いて取得される一のピースの補正済みデータブロック７１を、他のピースの補正済みデータブロック７１としてそのまま利用することができるため、演算量を削減することができる。
【００７８】
参照データブロック７１としてピースのデータブロック７１を含むサブシートのデータブロック７１に対する上記処理は、参照データブロック７１としてサブシートのデータブロック７１を含むシートのデータブロック７１に対しても同様に行われる。したがって、データ補正装置２１では、一の注目パターンを示す注目データブロック７１が、当該注目パターンの一部のパターンを示すポリゴンデータ７１１と、当該注目パターンの他の一部のパターンを示す参照データブロック７１の参照指示情報７１２とを含む場合に、上記処理が実行されるといえる。つまり、データ補正装置２１では、注目データブロック７１から参照指示情報７１２が実質的に削除され、参照指示情報７１２が削除された注目データブロック７１と、参照データブロック７１とを個別に補正して、補正済み注目データブロック７１と、補正済み参照データブロック７１とが取得される。そして、補正済み注目データブロック７１が示すパターンと、補正済み参照データブロック７１が示すパターンとを合成することにより、補正済み設計データが取得される。その結果、注目データブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンと、参照データブロック７１が示すパターンとを個別に補正することが可能となる。
【００７９】
ここで、シートのデータブロック７１、サブシートのデータブロック７１、および、ピースのデータブロック７１をそれぞれ第１ないし第３データブロック７１と呼ぶ。この場合、設計データ７に含まれる第１データブロック７１において、ポリゴンデータ７１１と第２データブロック７１の参照を指示する参照指示情報７１２とが含まれ、第２データブロック７１において、ポリゴンデータ７１１と第３データブロック７１の参照を指示する参照指示情報７１２とが含まれる。また、図１１の設計データ補正処理では、データブロック補正部２１４により、第３データブロック７１の補正と、第３データブロック７１の参照指示情報７１２が削除された第２データブロック７１の補正と、第２データブロック７１の参照指示情報７１２が削除された第１データブロック７１の補正とが順に行われる。そして、補正済みデータ合成部２１７により、補正済みの第３データブロック７１が示すパターンと、補正済みの第２データブロック７１が示すパターンと、補正済みの第１データブロック７１が示すパターンとが合成される。これにより、第１データブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンと、第２データブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンと、第３データブロック７１が示すパターンとを個別に補正することが可能となる。
【００８０】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る検査装置について説明する。図１５は、検査装置１ａの機能を示すブロック図である。検査装置１ａは、設計パターンの描画後のエッチングにより基板９上に形成されたパターンを検査する装置である。検査装置１ａでは、基板９上のパターンと、後述するエッチング補正された設計データとの比較が行われる。検査装置１ａは、図２に示すデータ処理装置２と同様に、一般的なコンピュータシステムの構成となっている。
【００８１】
検査装置１ａは、データ補正装置２１ａと、実画像記憶部２５と、欠陥検出部２６とを備える。データ補正装置２１ａは、図３に示すデータ補正装置２１と同様に、設計データ記憶部２１１と、エッチング特性記憶部２１２と、データ補正部２１３とを備える。実画像記憶部２５は、基板９上に形成されたパターンの画像データである検査画像データを記憶する。欠陥検出部２６は、基板９上に形成された当該パターンの欠陥を検出する。
【００８２】
次に、図１６を参照しつつ、検査装置１ａによる検査の流れについて説明する。検査装置１ａによる検査では、最初に、図７のステップＳ１１〜Ｓ１３、および、図１１のステップＳ２１〜Ｓ２６と同様の処理が行われる。具体的には、テスト基板上に形成される測定パターンに基づいて、複数の対象位置Ｐのエッチング特性が取得されて、エッチング特性記憶部２１２にて準備される（ステップＳ１１）。続いて、全体パターン６０を示す設計データ７が設計データ記憶部２１１にて記憶されて準備される（ステップＳ１２）。データ補正部２１３では、設計データ補正処理によりエッチング特性に基づいて設計データ７が補正される（ステップＳ１３）。
【００８３】
当該設計データ補正処理では、設計データ７において対象データブロック７１が指定され（ステップＳ２１）、対象データブロック７１の階層構造（図５参照）が取得される（ステップＳ２２）。そして、未補正の対象データブロック７１のうち最下層の対象データブロック７１の補正、および、補正済みの対象データブロック７１についての参照指示情報７１２の削除が繰り返され、全ての対象データブロック７１が補正される（ステップＳ２３〜Ｓ２５）。
【００８４】
ここで、検査装置１ａにおけるエッチング補正の内容は、描画装置１におけるエッチング補正と相違する。具体的には、基板９の各パターンの位置において、最近接エッチング特性が示すエッチング量に従った過剰なエッチングが、実際のエッチング処理の際に行われることが考慮される。すなわち、各対象データブロック７１が示す図形要素が、実際のエッチング処理後の線幅や大きさになるように、当該図形要素の線幅を細くしたり、図形要素を小さくする補正が行われる。換言すれば、描画装置１において上述のステップＳ２４にて対象データブロック７１に対して行われる補正と反対の補正が、各対象データブロック７１に対して行われる。そして、全ての補正済みの対象データブロック７１が示すパターンを合成することにより、補正済み設計データが取得される（ステップＳ２６）。当該補正済み設計データは、データ補正装置２１ａから欠陥検出部２６へと送られる。
【００８５】
続いて、基板９上のエッチングパターンの画像データが取得され、当該画像データが検査画像データとして実画像記憶部２５に記憶されて準備される（ステップＳ３１）。ここで、基板９上のエッチングパターンは、補正前の設計データ７に基づいて基板９上のレジスト膜に描画されたパターンを現像してレジストパターンを形成し、当該レジストパターンを利用してエッチングを施すことにより、基板９上に形成されるパターンである。ステップＳ３１は、ステップＳ１１〜Ｓ１３と並行して行われてもよく、ステップＳ１１〜Ｓ１３よりも前に行われてもよい。当該検査画像データは、検査装置１ａ以外の装置において取得されてもよく、検査装置１ａにおいて取得されてもよい。検査装置１ａにおいて検査画像データの取得が行われる場合、検査装置１ａには、検査画像データを取得する撮像部が設けられる。なお、上記ステップＳ１１において、測定パターン９６の画像が検査装置１ａにおいて取得される場合、検査画像データの取得も検査装置１ａにおいて行われることが好ましい。
【００８６】
検査画像データは、実画像記憶部２５から欠陥検出部２６へと送られる。欠陥検出部２６では、当該検査画像データと、データ補正装置２１ａから送られた補正済み設計データ（すなわち、データ補正装置２１ａによりエッチング補正された設計データ）とが比較されることにより、基板９上に形成されたエッチングパターンの欠陥が検出される（ステップＳ３２）。上述のように、当該補正済み設計データでは、各パターンの図形要素が実際のエッチング処理後の線幅や大きさになるように補正が行われているため、欠陥検出部２６では、検査画像データと補正済み設計データとの差異が、基板９上のエッチングパターンの欠陥として検出される。
【００８７】
以上に説明したように、データ補正装置２１ａでは、注目データブロック７１から参照データブロック７１の参照指示情報７１２が実質的に削除され、参照指示情報７１２が削除された注目データブロック７１と、参照データブロック７１とが個別に補正される。そして、補正済み注目データブロック７１が示すパターンと、補正済み参照データブロック７１が示すパターンとを合成することにより、補正済み設計データが取得される。これにより、注目データブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンと、参照データブロック７１が示すパターンとを個別に補正することが可能となる。また、検査装置１ａでは、仮に、検査画像データとエッチング補正されていない設計データ７とを比較する場合に検出される虚報（過剰なエッチングに起因する偽欠陥の検出）を抑制して、基板９上のエッチングパターンの検査を高精度に行うことができる。
【００８８】
上記描画装置１および検査装置１ａでは、様々な変更が可能である。
【００８９】
データ補正装置２１，２１ａでは、各対象位置Ｐのエッチング特性を特性グループの代表エッチング特性に置き換えることなく、データブロック７１の補正が行われてもよい。この場合、互いに相違する全てのエッチング特性のそれぞれが、その対象位置Ｐと最も近接するパターンのデータブロック７１の補正に利用される。すなわち、各データブロック７１が最近接エッチング特性を用いて補正される。また、各データブロック７１が示すパターンの位置に対して個別にエッチング特性が求められてもよい。例えば、各パターンの位置と、当該パターンの位置の周囲に配置された複数の対象位置Ｐとの位置関係に基づいて、当該複数の対象位置Ｐにおける複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた複数のエッチング特性に基づいて当該パターンの位置のエッチング特性が求められる。そして、当該エッチング特性に基づいて、当該パターンに対応するデータブロック７１が補正される。この場合、各データブロック７１の補正が、最近接エッチング特性を含む複数のエッチング特性に基づいて行われていると捉えることができる。
【００９０】
以上のように、データ補正装置２１，２１ａでは、各データブロック７１が少なくとも最近接エッチング特性に基づいて補正されることが好ましい。この場合、参照指示情報７１２が削除されたデータブロック７１に対する最近接エッチング特性の特定では、当該データブロック７１が示すパターンの位置、すなわち、当該データブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンの位置が参照される。そして、当該パターンの位置に対応する基板９上の位置と最も近接する対象位置Ｐのエッチング特性が最近接エッチング特性となり、当該データブロック７１が少なくとも最近接エッチング特性に基づいて補正される。その結果、当該データブロック７１に含まれるポリゴンデータ７１１が示すパターンを適切に補正することが可能となる。
【００９１】
データブロック補正部２１４では、対象データブロック７１の階層構造において、最上層の対象データブロック７１から補正が行われてもよい。この場合、最上層の対象データブロック７１の補正の際に、当該対象データブロック７１に含まれる他の対象データブロック７１の参照を指示する参照指示情報７１２が無視される。当該他の対象データブロック７１の補正も、最上層の対象データブロック７１の補正と同様にして行われる。上記処理によっても、参照指示情報７１２が実質的に削除された対象データブロック７１と、当該対象データブロック７１の参照データブロック７１である他の対象データブロック７１とが個別に補正される。
【００９２】
図５に示すデータブロック７１の階層構造、および、図６に示す全体パターン６０は、一例に過ぎず、例えば、サブシートのデータブロック７１に含まれるピースのデータブロック７１の個数は任意に変更されてよい。また、サブシートのデータブロック７１が省略され、ピースのデータブロック７１および周辺回路パターン６２１を示すポリゴンデータ７１１がシートのデータブロック７１に含まれてもよい。
【００９３】
テスト基板および基板９における複数の対象位置Ｐ（特性取得用パターン９５）の配置および数は、図６に示すものには限定されず、適宜変更されてよい。例えば、基板９上においてピースの歩留まりが高い領域には特性取得用パターン９５が粗く配置され、ピースの歩留まりが低い領域には特性取得用パターン９５が密に配置されてよい。
【００９４】
基板９は、プリント基板の製造用の基板以外に、半導体基板やガラス基板等であってもよい。描画装置１は、基板９以外の様々な対象物上へのパターンの描画に利用されてよい。検査装置１ａも、基板９以外の様々な対象物上にエッチングにより形成されたパターンの検査に利用されてよい。データ補正装置２１，２１ａは、描画装置１および検査装置１ａから独立した装置として利用されてよく、基板９以外の様々な対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データの補正に利用されてよい。
【００９５】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
【符号の説明】
【００９６】
１    描画装置
１ａ    検査装置
７    設計データ
９    基板
２１，２１ａ    データ補正装置
２５    実画像記憶部
２６    欠陥検出部
３５    走査機構
６０    全体パターン
６１    シートパターン
６２    サブシートパターン
６３    ピースパターン
７１    データブロック
８０    プログラム
２１１    設計データ記憶部
２１２    エッチング特性記憶部
２１３    データ補正部
２１４    データブロック補正部
２１７    補正済みデータ合成部
３３１    光源
３３２    光変調部
６１１，６２１    周辺回路パターン
７１１    ポリゴンデータ
７１２    参照指示情報
Ｌ１，Ｌ２    エッチングカーブ
Ｐ    対象位置
Ｓ１１〜Ｓ１５，Ｓ２１〜Ｓ２６，Ｓ３１，Ｓ３２    ステップ
【図１】
0006466277.tif 000002
【図２】
0006466277.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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