(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
管軸方向に対向する陽極と陰極を有し、前記管軸方向と交差する配列方向に配列する複数の放電ランプと、
前記複数の放電ランプを収容する収容部と、
を備え、
前記収容部は、前記配列方向に隣接する前記放電ランプの間を仕切る隔壁を有し、
前記隔壁の一部は、前記放電ランプの外径形状に合わせて屈曲する面を有するランプ収容部であることを特徴とする光照射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光照射装置であって、
前記収容部には、前記管軸方向および前記配列方向と交差する照射方向に向けて開口し、前記管軸方向に延設され、１個または２個以上の前記放電ランプがそれぞれ配置される複数の溝が形成されており、
前記配列方向に隣接する前記複数の溝は、それぞれ前記隔壁により仕切られ、
前記収容部は、前記開口を閉塞して前記溝の内部に閉領域を形成し、前記放電ランプから出射される光を透過する複数の出射窓を有し、
前記放電ランプは、前記閉領域内に配置される
ことを特徴とする光照射装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光照射装置であって、
前記収容部に形成される前記溝は、前記照射方向に向けて次第に広がるように開口することを特徴とする光照射装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項の光照射装置であって、
前記放電ランプは、前記陽極と前記陰極とを収容するランプ管と、前記ランプ管に沿って配置され、前記陽極と前記陰極との間における放電を誘起するトリガ管と、を有するフラッシュランプである
ことを特徴とする光照射装置。
【請求項５】
被処理体に対して光を照射することによって、前記被処理体を加熱する熱処理装置であって、
請求項１から請求項４までのいずれか１項の光照射装置と、
前記放電ランプから出射される光を透過するチャンバ窓を、前記光照射装置の前記出射窓と対向配置して有するチャンバと、
前記チャンバ内にて前記被処理体を保持する保持手段と、
を備える熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、太陽電池用基板、樹脂基板等の各種の被処理体（以下、単に「被処理体」と称する）に対して放電ランプから光を照射することによって該被処理体を加熱する熱処理装置および放電ランプから光を照射する光照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、イオン注入後の半導体ウェハのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置が一般的に使用されていた。このようなランプアニール装置においては、半導体ウェハを、例えば、１０００℃以上１１００℃以下の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハを昇温する構成となっている。
【０００３】
一方、近年、半導体デバイスの高集積化が進展し、ゲート長が短くなるにつれて接合深さも浅くすることが望まれている。しかしながら、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハを昇温する上記ランプアニール装置を使用して半導体ウェハのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハに打ち込まれたボロンやリン等のイオンが熱によって深く拡散するという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、接合深さが要求よりも深くなり過ぎ、良好なデバイス形成に支障が生じることが懸念される。
【０００４】
このため、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハの表面にフラッシュ光（閃光）を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる技術が提案されている（例えば、特許文献１）。キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンを深く拡散させることなく、イオン活性化のみを実行することができる。
【０００５】
一方、近年、電子ペーパーなどに代表される薄くてフレキシブルな電子機器が注目されている。このようなフレキシブルな電子機器の製造工程においても、樹脂などの基材の表面に電極などの機能層を積層した被処理体のアニール処理が必須となる。
【０００６】
従来、樹脂を基材とした被処理体のアニール処理は、比較的低温のオーブンによって数時間をかけて行うのが一般的であった。樹脂はシリコンやガラスの基板と比較して耐熱性が著しく低いため、オーブンの温度は比較的低温とせざるを得なかった。
【０００７】
ところが、近年急速に展開されるフレキシブルな電子機器の種類によっては、機能層を樹脂の耐熱温度限界以上に加熱しなければならない場合もある。また、機能層の種類によっては、アニール時間を上述した半導体ウェハの熱処理と同様に、より短時間としなければ所望の特性が得られないこともある。さらに、アニール時間に数時間を要すると、生産性が低くならざるを得ないという問題もあった。
【０００８】
これらの課題を解決するため、樹脂を基材とした被処理体に対しても上述のフラッシュランプを用いたアニール処理を適用する技術が提案されている（例えば、特許文献２）。当該アニール処理であれば、アニール時間は極めて短く、被処理体表層の機能層のみを選択的に加熱することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−２８８５２０号公報
【特許文献２】特開２０１４−１１２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
フラッシュランプによりアニール処理を行う場合、極めて大きなエネルギーのフラッシュ光がフラッシュランプから出射される。このため、ランプ管内壁が高温のプラズマに曝されてランプ管温度が急激に上昇し、ランプ管の寿命劣化が生じる。ランプ管としては、温度上昇にも耐えうる高強度の石英ガラス等が使用され、通常、ランプ寿命内での使用であればランプ管が破裂するおそれは低い。しかしながら、ランプ管に不測のキズ等が入る等の事情により、ランプ管の寿命内での使用であっても、稀にフラッシュ照射時にランプ管が破裂することがある。
【００１１】
特許文献１，２に開示されているようなフラッシュランプを複数本（例えば、３０本）使用する装置において、１本のランプ管が破裂するとその衝撃によって隣接するランプ管も次々と連鎖的に破損するという重大な問題が生じるおそれがある。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、１本のランプ管が破裂した際、その衝撃によって隣接するランプ管が次々と連鎖的に破損することを防ぐことができる光照射装置と、その光照射装置を有する熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本願の第１発明に係る光照射装置は、管軸方向に対向する陽極と陰極を有し、前記管軸方向と交差する配列方向に配列する複数の放電ランプと、前記複数の放電ランプを収容する収容部とを備え、前記収容部は、前記配列方向に隣接する前記放電ランプの間を仕切る隔壁を有し、前記隔壁の一部は、前記放電ランプの外径形状に合わせて屈曲する面を有するランプ収容部であることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、複数の放電ランプを配列して備える光照射装置において、仮に放電ランプが破裂した場合でも、その衝撃が隣接する放電ランプの間を仕切る隔壁によって遮られることで、隣接する他の放電ランプが連鎖的に破損することを防止でき、光照射装置における複数の放電ランプの全損を防止することができる。
【００１５】
本願の第２発明は、第１発明の光照射装置であって、前記収容部には、前記管軸方向および前記配列方向と交差する照射方向に向けて開口し、前記管軸方向に延設され、１個または２個以上の前記放電ランプがそれぞれ配置される複数の溝が形成されており、前記配列方向に隣接する前記複数の溝は、それぞれ前記隔壁により仕切られ、前記収容部は、前記開口を閉塞して前記溝の内部に閉領域を形成し、前記放電ランプから出射される光を透過する複数の出射窓を有し、前記放電ランプは、前記閉領域内に配置されることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、放電ランプは収容部に形成される複数の溝の内部にそれぞれ配置され、出射窓が溝の開口を閉塞することにより溝の内部が閉領域とされるため、仮に当該閉領域内の放電ランプが破裂した場合でも、破裂に伴う破片が閉領域の外部に飛散することや、破裂にともなって生じるガスの衝撃が閉領域の外部に伝搬することが防止でき、他の溝の内部に配置される放電ランプが連鎖的に破損することを確実に防止できる。
【００１７】
本願の第３発明は、第２発明の光照射装置であって、前記収容部に形成される前記溝は、前記照射方向に向けて次第に広がるように開口することを特徴とする。
【００１８】
本願の第４発明は、第１発明から第３発明までのいずれかの光照射装置であって、前記放電ランプは、前記陽極と前記陰極とを収容するランプ管と、前記ランプ管に沿って配置され、前記陽極と前記陰極との間における放電を誘起するトリガ管と、を有するフラッシュランプであることを特徴とする。
【００１９】
上記の課題を解決するために、本願の第５発明は、被処理体に対して光を照射することによって、前記被処理体を加熱する熱処理装置であって、第１発明から第４発明までのいずれかの光照射装置と、前記放電ランプから出射される光を透過するチャンバ窓を、前記光照射装置の前記出射窓と対向配置して有するチャンバと、前記チャンバ内にて前記被処理体を保持する保持手段とを備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、放電ランプの間に隔壁が設けられているため、１本の放電ランプが破裂した際、その衝撃によって隣接する放電ランプが次々と連鎖的に破損することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態に係る熱処理装置の構成を模式的に示す正面図である。
【図２】図１に係る光照射装置を模式的に示す平面図である。
【図３】図１に係る光照射装置を模式的に示す側面である。
【図４】図１の光源部分とその近傍を拡大した図である。
【図５】図１に係る光照射装置の収容部を模式的に示す斜視図である。
【図６】図１に係るトリガ管に電圧を印加するトリガ回路を示す模式図である。
【図７】第１実施形態に係る熱処理方法の各工程を示すフローチャートである。
【図８】第２実施形態に係る光源部分とその近傍を拡大した図である。
【図９】第３実施形態に係る光源部分とその近傍を拡大した図である。
【図１０】第４実施形態に係る光源部分とその近傍を拡大した図である。
【図１１】第５実施形態に係る光源部分とその近傍を拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の要部構成を模式的に示す正面図である。この熱処理装置１は、被処理体８に対して光を照射することによって、その被処理体８を加熱する装置である。熱処理装置１は、主たる要素として、被処理体８を収容するチャンバ１０と、被処理体８にフラッシュ光を照射する光照射装置３０を備える。また、熱処理装置１は、装置に設けられた各種動作機構を制御して処理を進行させる制御部９を備える。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００２４】
なお、各図には方向関係を明確にするため、Ｚ軸を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とする右手系の直交座標系を適宜付している。また、各座標系において、矢印の先端が向く方向を＋（プラス）方向とし、逆の方向を−（マイナス）方向とする。また、適宜、＋Ｚ方向を上方、−Ｚ方向を下方と表現する。
【００２５】
＜１−１．熱処理装置の構成＞
チャンバ１０は、光照射装置３０の下方に設けられ、チャンバ側壁１１およびチャンバ底部１２を備える。チャンバ底部１２はチャンバ側壁１１の下方部分を覆う。チャンバ側壁１１およびチャンバ底部１２によって囲まれる空間が、熱処理空間１５として規定される。また、チャンバ１０の上方開口には、チャンバ窓１４が装着され、当該上方開口を閉塞して、熱処理空間１５を密閉空間とする。
【００２６】
チャンバ１０の天井部を構成するチャンバ窓１４は、石英により形成された板状部材であり、光照射装置３０から照射された光を熱処理空間１５に透過する石英窓として機能する。チャンバ１０の本体を構成するチャンバ側壁１１およびチャンバ底部１２は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されている。
【００２７】
また、熱処理空間１５の機密性を維持するために、チャンバ窓１４とチャンバ側壁１１とは図示省略のＯリングによってシールされる。すなわち、チャンバ窓１４の周縁部下方とチャンバ側壁１１との間にＯリングを挟み込み、これらの隙間から気体が流出入するのを防いでいる。
【００２８】
チャンバ１０の内部には保持プレート１３が設けられている。保持プレート１３は、金属製（例えば、アルミニウム製）の平坦な板状部材である。保持プレート１３は、チャンバ１０内にて被処理体８を載置して水平姿勢に保持する。
【００２９】
また、熱処理装置１は、チャンバ１０内の熱処理空間１５に処理ガスを供給するガス供給機構４０および熱処理空間１５から雰囲気の排気を行う排気機構５０を備える。
【００３０】
ガス供給機構４０は、処理ガス供給源４１、供給配管４２および供給バルブ４３を備える。供給配管４２の先端側はチャンバ１０内の熱処理空間１５に連通接続され、基端側は処理ガス供給源４１に接続される。供給配管４２の経路途中に供給バルブ４３が設けられる。供給バルブ４３は制御部９と電気的に接続し、制御部９の動作指令によって開成または閉成される。制御部９の動作指令により供給バルブ４３が開成されると、処理ガス供給源４１から熱処理空間１５に処理ガスが供給される。制御部９の動作指令により供給バルブ４３が閉成されると、処理ガス供給源４１からの熱処理空間１５への処理ガスの供給が停止する。処理ガス供給源４１は、被処理体８の種類や処理目的に応じた適宜の処理ガスを供給することが可能であるが、第１実施形態では窒素ガス（Ｎ２）を供給する。
【００３１】
排気機構５０は、排気装置５１、排気配管５２および排気バルブ５３を備える。排気配管の先端側はチャンバ１０内の熱処理空間１５に連通接続され、基端側は排気装置５１に接続される。排気配管５２の経路途中に排気バルブ５３が設けられる。排気バルブ５３は制御部９と電気的に接続し、制御部９の動作指令によって開成または閉成される。排気装置５１としては、真空ポンプや熱処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気装置５１は制御部９と電気的に接続し、制御部９の動作指令により排気動作の開始・停止等が制御される。制御部９の動作指令により排気装置５１を作動させつつ、排気バルブ５３を開成することによって、熱処理空間１５の雰囲気を装置外に排出することができる。これらガス供給機構４０および排気機構５０によって、熱処理空間１５の雰囲気を調整することができる。
【００３２】
光照射装置３０は、チャンバ１０の上方に設けられている。光照射装置３０は、収容部３２と、複数本の光源３１と、冷却部３４とを備える。複数本の光源３１は収容部３２の内部に配置される。冷却部３４は収容部３２へ冷却液を循環供給する。
【００３３】
第１実施形態では、光源３１としてフラッシュランプが用いられる。なお、図１では図示の便宜上、光源３１の本数を７本としているが、本発明の実施に関してはこれに限定されるものではなく、複数本備えられていればよく、例えば３０本であってもよい。
【００３４】
図２は、光照射装置３０を模式的に示す平面図である。図２のＩ−Ｉ線断面図が図１の光照射装置３０の正面図に対応する。図３は、図２のII−II線断面図である。図４は、図１の光源３１部分を模式的に拡大した図である。図５は、収容部３２の本体ブロック３２０の構成を模式的に示す斜視図である。図６は、光源３１に関する回路構成を模式的に示す図である。
【００３５】
図１から図４までを適宜参照する。光源３１は、管軸方向（Ｙ方向）に伸びる長尺の円筒形状を有する棒状のランプ管３１１と、ランプ管３１１の外周面近傍に位置し、管軸方向に伸びるトリガ管３１２と、トリガ管３１２へ高電圧を印加するトリガ回路３５（図６参照）とを備える。
【００３６】
ランプ管３１１は、可視光および紫外光に対して透明なガラス管であり、内部に少量のキセノンガスが封入される。ランプ管３１１の直径（外径）は約１５ｍｍである。ランプ管３１１は、その内部の一端（＋Ｙ側端）に陽極（アノード）３１３を配設し、他端（−Ｙ側端）に陰極（カソード）３１４を配設する。陽極３１３は、電圧印加により電荷が蓄積されるコンデンサ（図示省略）と接続し、陰極３１４は接地する。
【００３７】
トリガ管３１２は、ランプ管３１１に１対１で近接対向するように設けられる。トリガ管３１２は、石英のガラス細管の軸心部にタングステン（Ｗ）のワイヤを配設したものである。トリガ管３１２の直径は、ランプ管３１１よりも小さく、約２ｍｍである。なお、本発明の実施に関してはトリガ管３１２の材質・形状はこれに限られず、耐フラッシュ特性に優れたアルミニウム（またはニッケル）と、アルミニウムの外周を取り囲むように設けられる石英などの絶縁性を有するセラミックと、により形成された管軸方向に伸びる四角柱形状を有していてもよい。この場合、トリガ管３１２の断面形状は、縦約１ｍｍ、横約２ｍｍの長方形である。
【００３８】
ランプ管３１１に封入されるキセノンガスは電気的には絶縁体であることから、上記コンデンサに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではランプ管３１１内部の陽極３１３と陰極３１４の間に放電は生じない。このため、両端の電極に電圧を印加することで陽極３１３と陰極３１４の間に電位差を形成した状態において、ランプ管３１１の外部から放電を開始させるきっかけを与える必要があり、このきっかけを与えるのがトリガ管３１２である。
【００３９】
図６は、トリガ管３１２に電圧を印加するトリガ回路３５を示す図である。図６では、１本のトリガ管３１２とトリガ回路３５との関係を模式的に示しているが、第１実施形態では７本のランプ管３１１に対応して７本のトリガ管３１２が設けられており、それら７本のトリガ管３１２が並列的に単一のトリガ回路３５に接続される。トリガ回路３５は、トリガ用電源３５３、トリガスイッチ３５１および昇圧コイル３５２を備える。トリガスイッチ３５１は制御部９と電気的に接続し、制御部９の動作指令により、トリガスイッチ３５１はＯＮ状態またはＯＦＦ状態となる。
【００４０】
制御部９の動作指令により、トリガスイッチ３５１をＯＮ状態にすると、昇圧コイル３５２を介して７本のトリガ管３１２の全てに同一のタイミングで高電圧が印加される。第１実施形態において、トリガスイッチ３５１をＯＮ状態にしたときにトリガ管３１２に印加される電圧は約２００００Ｖ（約２万ボルト）である。
【００４１】
ランプ管３１１の陽極３１３に接続されたコンデンサに電荷を蓄電すると、その蓄積された電荷量に応じて陽極３１３と陰極３１４の間に電圧が印加される。第１実施形態において、陽極３１３と陰極３１４の間に印加される電圧は約４０００Ｖ（約４千ボルト）である。既述したように、光源３１のランプ管３１１内部に封入されるキセノンガスは絶縁体であるため、単に陽極３１３と陰極３１４の間に電圧を印加しただけではランプ管３１１内に放電は生じない。
【００４２】
しかしながら、陽極３１３と陰極３１４の間に高電圧が印加された状態において、トリガスイッチ３５１をＯＮ状態にしてトリガ管３１２に約２００００Ｖの高電圧を印加してランプ管３１１内の絶縁を破壊した場合には、陽極３１３に接続されたコンデンサに蓄えられた電荷がランプ管３１１内に瞬時に流れ（放電）、そのときのジュール熱でランプ管３１１内のキセノンガスが加熱されてフラッシュ光が放射される。このとき、コンデンサへ予め蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリ秒以上１００ミリ秒以下という極めて短い光パルスに変換されることから、光源３１は連続点灯光源（例えば、ハロゲンランプ）に比べて極めて強い閃光を短時間で照射し得るという特徴を有する。
【００４３】
図１および図２を参照する。次に、複数の光源３１の配列について説明する。第１実施形態においては、７本の光源３１が陽極３１３と陰極３１４の向きを揃えて収容部３２内に列設される。列設の方向は管軸方向（Ｙ方向）に垂直な配列方向（Ｘ方向）である。複数本の光源３１は、それぞれ管軸方向が互いに平行となるように配列する。また、複数本の光源３１は、板状のチャンバ窓１４の主面に沿って（つまり水平方向に沿って）、平面状に収容部３２内に配列される。よって、複数の光源３１の配列によって形成される平面も水平面（ＸＹ面）である。
【００４４】
図４および図５を参照する。次に、収容部３２の構成について説明する。収容部３２は、本体ブロック３２０と、照射窓３３とを備える。照射窓３３は、本体ブロック３２０の下方に形成される開口３２２を閉塞し、チャンバ窓１４（図１参照）と相対向する。照射窓３３としては、光源３１から発されるフラッシュ光に対して透明である石英を用いる。
【００４５】
本体ブロック３２０は、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた高融点金属材料により構成される。図５に示すように、本体ブロック３２０は、直方体形状のブロックの一方主面である底面３２１（第１実施形態では−Ｚ側の主面）に複数の溝３３０を有する。当該溝３３０はＹ方向に沿って設けられ、これら複数の溝３３０により、底面３２１には複数の開口３２２が形成される。また、本体ブロック３２０の溝３３０部分は、その内面に、鉛直方向に伸びる隔壁３２３と、隔壁３２３の上方に位置する天井部３２４およびトリガ管収容部３２５とを有する。換言すれば、溝３３０は、本体ブロック３２０の底面３２１側において、隔壁３２３、天井部３２４およびトリガ管収容部３２５により形成される。
【００４６】
図４は、図１におけるＸ方向に隣接する２個の光源３１と、それぞれの光源３１が収容される２個の溝３３０を拡大した模式図であり、−Ｘ側の光源３１および照射窓３３は、溝３３０の構成の説明のため破線にて表示している。図４に示すように、溝３３０内部にはそれぞれ１対のランプ管３１１およびトリガ管３１２が挿入される。天井部３２４は、ランプ管３１１の外径形状に沿って屈曲し、トリガ管収容部３２５はトリガ管３１２の外形形状に沿って屈曲する。
【００４７】
すなわち、本体ブロック３２０に設けられる溝３３０は、隔壁３２３および天井部３２４によって略Ｕ字形に形成されており、トリガ管収容部３２５が天井部３２４の屈曲部分にトリガ管３１２の形状に応じて形成される。また、１個の溝３３０内においてＸ方向に対向する２対の隔壁３２３の間隔は、ランプ管３１１の直径よりも大きい。
【００４８】
なお、図１，４，５では、トリガ管３１２の断面形状が円形であるため、トリガ管収容部３２５もそれに沿う形状に屈曲するが、本発明の実施に関してはこれに限られず、トリガ管３１２の断面形状が長方形である場合には、トリガ管収容部３２５の形状を角状としてもよい。
【００４９】
隔壁３２３は、隣接するランプ管３１１の間に位置し、隣接するランプ管３１１同士を隔てる仕切り部として構成される。開口３２２は、照射窓３３によって閉塞されるため、溝３３０の内面および照射窓３３により形成される断面形状は、隔壁３２３、天井部３２４およびトリガ管収容部３２５と、照射窓３３によって閉じられた閉領域３３１となる。そして、複数対のランプ管３１１およびトリガ管３１２は、複数対の溝３３０と照射窓３３が形成する複数の閉領域３３１内にそれぞれ１対ずつ挿入される。
【００５０】
天井部３２４は、アルミニウム合金板が設けられることでフラッシュ光を反射するリフレクタとして機能してもよい。この場合、アルミニウム合金板におけるランプ管３１１を臨む側の表面は、ブラスト処理による粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。リフレクタとして機能するアルミニウム合金板の表面が完全な鏡面であると、光源３１から発されアルミニウム合金板で反射して被処理体８に到達する反射光の強度に規則パターンが生じ、フラッシュ光により加熱される被処理体８の表面温度分布の均一性が低下するため、これを抑制するために上記の粗面化加工を施す。
【００５１】
図２および図３を参照する。本体ブロック３２０に設けられる溝３３０のＺ方向における開口３２２は、照射窓３３により閉塞されるのに対し、溝３３０のＹ方向両端における開口は、それぞれ蓋体３２７により閉塞される。蓋体３２７には、蓋体開口３２８が形成される。閉領域３３１に挿入されるランプ管３１１およびトリガ管３１２は、Ｙ方向の両端部が蓋体開口３２８にそれぞれ嵌通される。これにより、光源３１は本体ブロック３２０の内部に固設される。
【００５２】
光源３１に電力を供給する電力線は、蓋体開口３２８を介して本体ブロック３２０の外部に突き出たランプ管３１１およびトリガ管３１２に接続される。ランプ管３１１およびトリガ管３１２は、それぞれ外周が石英等の絶縁体で構成されるため、電力線と本体ブロックとは絶縁される。
【００５３】
図２、図３および図５を参照する。冷却部３４は、チラー３４１と冷却管３４２とを備える。
【００５４】
チラー３４１は、冷却管３４２へ冷却液を循環供給するポンプ（図示省略）と、その冷却液を冷却して所定温度に維持する冷却素子（図示省略）とを有する。冷却素子としては、冷却液と他の冷媒とが熱交換を行う熱交換器が用いられる。ポンプは、制御部９と電気的に接続し、制御部９の動作指令により送液動作の開始・停止等が制御される。冷却素子は、制御部９と電気的に接続し、制御部９の動作指令により冷却動作の開始・停止等が制御される。ポンプおよび冷却素子の動作は、独立して制御することができる。
【００５５】
冷却管３４２は、収容部３２の本体ブロック３２０内部に形成される内管３４５と、内管３４５に接続し、本体ブロック３２０の外部に突出した液入口３４３および液出口３４４とを有する。液入口３４３は、冷却液が送り出されるチラー３４１の供給端と接続し、液出口３４４は冷却液がチラー３４１へ戻る回収端と接続する。内管３４５は、本体ブロック３２０内部にＵ字形に形成され、図３に示すように光源３１の陽極３１３および陰極３１４近傍に配設される。また、陰極３１４近傍に配設される内管３４５は、陽極３１３近傍に配設される内管３４５よりも管路長の観点で液入口３４３に近い位置にある。
【００５６】
制御部９の動作指令により、冷却素子が冷却動作を行っている状態で、ポンプの送液動作が開始され、チラー３４１から冷却液が送り出されると、冷却液は液入口３４３を介して内管３４５へ冷却液が流通することで本体ブロック３２０が冷却される。そして、冷却液は液出口３４４を介してチラー３４１へ戻り、チラー３４１内部で冷却された後、再び液入口３４３へ送られる。制御部９の動作指令により、ポンプの送液動作が停止されると、冷却部３４における冷却液の循環供給が停止する。
【００５７】
制御部９は、熱処理装置１に設けられた光源３１、チラー３４１、供給バルブ４３および排気バルブ５３などの種々の動作機構を制御する。制御部９のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部９は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備える。また、制御部９は、オペレータからの入力を受け付ける操作部と、熱処理装置１の状態をオペレータへ表示する表示部とを備える。
【００５８】
＜１−２．熱処理工程＞
次に、上記構成を有する熱処理装置１における被処理体８の処理手順について説明する。図７は、熱処理装置１における被処理体８の処理手順を示すフローチャートである。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部９が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
【００５９】
まず、チャンバ１０内に被処理体８が搬入され、保持プレート１３の上面に載置されて保持される（被処理体搬入工程：ステップＳ１）。被処理体８の搬入は、熱処理装置１外部の搬送ロボットによって行うようにしても良いし、手動にて行うようにしても良い。
【００６０】
第１実施形態の被処理体８としては、樹脂の基材の上面に機能層を積層して構成される積層体が用いられる。基材の樹脂としては、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などを採用することができる。また、機能層は、電極形成用の銀（Ａｇ）のナノインクの層である。被処理体８は、機能層が形成された表面を上面側に向けて保持プレート１３に保持される。
【００６１】
被処理体搬入工程により、被処理体８がチャンバ１０内に搬入されて、熱処理空間１５が密閉空間とされると、続いてチャンバ１０内の雰囲気調整が行われる（雰囲気調整工程：ステップＳ２）。第１実施形態では、ガス供給機構４０からチャンバ１０内の熱処理空間１５に窒素ガス（Ｎ２）を供給するとともに、排気機構５０による排気を行う。これにより、チャンバ１０内に窒素ガスの気流が形成され、熱処理空間１５が窒素雰囲気に置換される。
【００６２】
続いて、制御部９の制御により光照射装置３０の複数の光源３１が一斉に点灯して被処理体８を加熱する（光照射工程：ステップＳ３）。光源３１から出射されたフラッシュ光は、熱処理空間１５にて保持プレート１３に保持された被処理体８へと向かう。そして、フラッシュ光が保持プレート１３に保持された被処理体８の表面に照射され、その表面に形成された機能層が加熱される。
【００６３】
光源３１から出射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリ秒以上１００ミリ秒以下程度の極めて短く強い閃光である。光源３１からフラッシュ光が照射された機能層の温度は、瞬間的に処理温度にまで上昇し、その後急速に下降する。このようにフラッシュ光による瞬時加熱によって、機能層に対する必要な熱処理が行われる。機能層が銀のナノインクであれば、処理温度は約１８０℃である。
【００６４】
ここで、光源３１の照射時間は０．１ミリ秒以上１００ミリ秒以下程度の極めて短時間であるため、被処理体８の表面側に位置する機能層のみが処理温度にまで昇温され、機能層の下層に位置する基材はほとんど昇温しない。第１実施形態の処理温度である１８０℃は、ＰＥＮまたはＰＥＴを材料とする基材の耐熱温度を超える温度であるが、機能層のみが処理温度にまで昇温されて基材はほとんど昇温しないため、耐熱性の乏しい基材に熱的ダメージを与えることは防止される。その一方、機能層については必要な処理温度にまで昇温されるため、確実に所望の熱処理がなされることとなる。すなわち、第１実施形態のようにフラッシュ光照射によって被処理体８を加熱すれば、耐熱性に乏しい基材であっても、基材を過度に加熱することなく、機能層を基材の耐熱温度を超える目標の処理温度にまで昇温して確実な熱処理を行うことができる。
【００６５】
フラッシュ光照射による被処理体８のフラッシュ加熱処理が終了して所定時間が経過した後、チャンバ１０から処理後の被処理体８が搬出される（被処理体搬出工程：ステップＳ４）。これにより、熱処理装置１における一連の熱処理が完了する。なお、被処理体８を搬出する前に、チャンバ１０内を大気雰囲気に置換するようにしても良い。
【００６６】
上記の構成の熱処理装置１において、光源３１がフラッシュ光を出射するときには、陽極３１３と陰極３１４との間に放電が生じてランプ管３１１の内壁が高温のプラズマに曝される。また、フラッシュ光を出射させるためにトリガ管３１２へ高電圧を印加した際の電磁力により、光源３１が瞬時的に動くことがある。これらに起因して、仮にランプ管３１１のうちの１本が破裂したとしても、第１実施形態ではランプ管３１１が収容部３２の溝３３０および照射窓３３により形成される閉領域３３１内に位置するため、破裂した破片が閉領域３３１の外部に飛散することが防止される。また、ランプ管３１１の破裂に伴って生じるガスの衝撃が閉領域３３１の外部に伝搬することが防止される。これにより、隣接する光源３１のランプ管３１１が破裂した破片やガスの衝撃で次々に連鎖的に破損するという深刻な事態を避けることができる。
【００６７】
また、第１実施形態では、１個の溝３３０に対して１個の照射窓３３を装着している。ランプ管３１１が破裂することで照射窓３３が破損すると、照射窓３３を交換する必要がある。従来のように、複数のランプ管に対して大面積の照射窓を１個だけ設ける構成とすると、複数のランプ管のうち１個のランプ管の破裂により、大面積の照射窓を交換する必要がある。これに対し、第１実施形態ではランプ管３１１と照射窓３３が１対１で対応するため、ランプ管３１１が破裂した箇所の照射窓３３のみを交換すればよい。したがって、交換する照射窓３３の面積が複数のランプ管に対して照射窓を１個だけ設ける構成と比較して小さく、照射窓３３に掛かるコストを低減することができる。
【００６８】
第１実施形態においては、７本の光源３１について、陽極３１３および陰極３１４の向きを揃えて収容部３２内に列設している。このうち、陰極３１４は接地されている（グランドレベル）。よって、感電防止などの対策が必要なのは陽極３１３の側であり、第１実施形態のように陽極３１３および陰極３１４の向きを揃えて光源３１を列設することができれば、収容部３２の片側（図２では＋Ｙ側）のみに感電防止などの対策を施せば足りるため好都合である。
【００６９】
ところが、陽極３１３および陰極３１４の向きを揃えて光源３１を並べた状態でフラッシュ光照射を行うと、隣接する光源３１の間に瞬間的に強力な引力（電磁力）が発生する。収容部３２の閉領域３３１にそれぞれの光源３１を配置することなく、従来のように光源３１を近接させて配設していると、隣接する光源３１のランプ管３１１同士が衝突して破損するおそれがあった。このため、従来にあっては陽極３１３および陰極３１４の向きが互い違いとなるように複数の光源３１を配列していたのであるが、このような配列は感電防止などの対策が煩雑なものとなる。
【００７０】
第１実施形態においては、複数の光源３１を収容部３２の閉領域３３１にそれぞれ配置し、隣接する光源３１を隔壁３２３により隔てた状態でフラッシュ光照射を行っているため、瞬間的に強力な引力が発生したとしてもランプ管３１１同士の衝突による破損を防止できるため、複数本の光源３１を陽極３１３および陰極３１４の向きを揃えて収容部３２内に列設することが可能となり、その結果として感電防止などの対策も容易となる。
【００７１】
また、収容部３２内に陽極３１３および陰極３１４の向きを揃えて７本の光源３１が列設された状態において、冷却部３４は光源３１の陰極３１４の側から冷却液を供給して陽極３１３の側から回収している。つまり、収容部３２の内部にて冷却液が流通する内管３４５の上流側の近傍に陰極３１４が位置している。フラッシュ光照射時には、陽極３１３よりも陰極３１４の側が高温となりやすい。第１実施形態のように、陰極３１４近傍の内管３４５が陽極３１３近傍の内管３４５よりも上流側に位置するように配置して冷却液を流すようにすれば、高温となりやすい陰極３１４側の方が冷却能力が高くなり、光源３１の適切な冷却を行うことが可能となる。
【００７２】
以上、本発明の第１実施形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１実施形態においては、ＰＥＮまたはＰＥＴの基材の上面に銀のナノインクの機能層を積層したものを被処理体８としていたが、被処理体８はこれに限定されるものではなく、種々の被処理体８を用いることができる。例えば、被処理体８として、ガラス基板上に下地酸化シリコン膜、アモルファスシリコンを結晶化したポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜にリンやボロン等の不純物をドーピングした構造のＴＦＴ基板を用いることもできる。被処理体８としてのＴＦＴ基板に対して本発明にかかる熱処理装置１により光照射を行い、ドーピング工程で打ち込まれた不純物の活性化を行うことができる。
【００７３】
また、第１実施形態において、光源３１としてはキセノンガスを封入したキセノンフラッシュランプを用いた。しかしながら、本発明の実施に関してはこれに限られず、クリプトンガスを封入したクリプトンフラッシュランプであっても良い。また、キセノンフラッシュランプやクリプトンフラッシュランプに限らず、陽極と陰極が対向し、これら電極間での放電により発光する種々の放電ランプを用いても良い。放電ランプでは、発光時において瞬時的にランプ管が高温・高圧に曝されるため、ランプ管破裂のおそれが高く、また破裂時における衝撃波で隣接するランプ管が連鎖的に破損するおそれも高いからである。
【００７４】
＜第２実施形態＞
図８を用いて、本願の第２実施形態に係る熱処理装置１を説明する。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、熱処理装置１に含まれる光照射装置３０において、溝３３０および照射窓３３の形状が異なる点であり、その他の構成は同一であるため、同一構成については第１実施形態での説明と同一符号を附して説明を省略する。
【００７５】
図８は、第２実施形態における光源３１部分とその近傍を拡大した図であり、第１実施形態における図４とは、表記の方法が共通する。第２実施形態では、溝３３０は、ランプ管３１１の形状に合わせて穿設されるランプ管収容部３６１と、ランプ管収容部３６１から本体ブロック３２０の一方主面（−Ｚ側の面であり、ランプ管３１１の配列方向Ｘおよび管軸方向Ｙに垂直な方向に位置する面）に向けて直線状に設けられる直線部３６２と、ランプ管収容部３６１の上方に設けられトリガ管３１２を収容するトリガ管収容部３２５とにより構成される。
【００７６】
開口３２２は、１個の溝３３０内においてＸ方向に互いに対向する直線部３６２の間に位置する。そして、照射窓３３は開口３２２を閉塞する。これにより、照射窓３３、ランプ管収容部３６１およびトリガ管収容部３２５により閉領域３３１が形成される。ランプ管３１１およびトリガ管３１２は、閉領域３３１に挿入されて固設される。
【００７７】
第２実施形態では、ランプ管３１１の形状に合わせて設けられるランプ管収容部３６１にランプ管３１１を挿入することで、第１実施形態と比べ、隣接するランプ管３１１の間に位置する本体ブロック３２０の間隔および体積を大きくすることができ、本体ブロック３２０の強度を保つことができる。すなわち、ランプ管３１１の破裂により本体ブロック３２０自体が破損して隣接するランプ管３１１が連鎖的に破裂することを確実に防止することができる。
【００７８】
また、第２実施形態では、照射窓３３の上方側の形状（すなわち、ランプ管３１１と面する側の形状）が、ランプ管３１１の外径形状に合わせて屈曲しており、このような形状の閉領域３３１にランプ管３１１が収容されることで、ランプ管３１１と照射窓３３が密に接する。これにより、電磁力に起因するランプ管３１１の瞬時の動作を抑制でき、ランプ管３１１の破損を抑制することができる。
【００７９】
＜第３実施形態＞
図９を用いて、本願の第３実施形態に係る熱処理装置１を説明する。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、熱処理装置１に含まれる光照射装置３０において、溝３３０および照射窓３３の形状が異なる点であり、その他の構成は同一であるため、同一構成については第１実施形態での説明と同一符号を附して説明を省略する。
【００８０】
図９は、第３実施形態における光源３１部分とその近傍を拡大した図であり、第１実施形態における図４とは、表記の方法が共通する。第３実施形態では、溝３３０は、ランプ管３１１の形状に合わせて穿設されるランプ管収容部３６１と、ランプ管収容部３６１から本体ブロック３２０の一方主面（−Ｚ側の面であり、ランプ管３１１の配列方向Ｘおよび管軸方向Ｙに垂直な方向に位置する面）に向けて次第に広がるようにテーパ状に設けられるテーパ部３６３と、ランプ管収容部３６１の上方に設けられトリガ管３１２を収容するトリガ管収容部３２５とにより構成される。
【００８１】
開口３２２は、１個の溝３３０内においてＸ方向に互いに対向するテーパ部３６３の間に位置する。そして、照射窓３３は開口３２２を閉塞する。これにより、照射窓３３、ランプ管収容部３６１、テーパ部３６３およびトリガ管収容部３２５により閉領域３３１が形成される。ランプ管３１１およびトリガ管３１２は、閉領域３３１に挿入されて固設される。
【００８２】
第３実施形態では、ランプ管３１１の形状に合わせて設けられるランプ管収容部３６１にランプ管３１１を挿入することで、隣接するランプ管３１１の間に位置する本体ブロック３２０の間隔および体積を大きくして本体ブロック３２０の強度を保つとともに、テーパ部３６３により開口３２２の面積を広くすることで光源３１から照射されるフラッシュ光の光量および光量の面内均一性を高くしている。
【００８３】
また、第１実施形態と同様に、ランプ管３１１は閉領域３３１内に配置されるため、仮に１本のランプ管３１１が破裂しても、その破片や膨張したガスの衝撃により隣接する他のランプ管３１１が連鎖的に破裂することを防止することができる。
【００８４】
＜第４実施形態＞
図１０を用いて、本願の第４実施形態に係る熱処理装置１を説明する。第４実施形態が第１実施形態と相違するのは、熱処理装置１に含まれる光照射装置３０において、溝３３０および照射窓３３の形状が異なる点であり、その他の構成は同一であるため、同一構成については第１実施形態での説明と同一符号を附して説明を省略する。
【００８５】
図１０は、第４実施形態における光源３１部分とその近傍を拡大した図であり、第１実施形態における図４とは、表記の方法が共通する。第４実施形態において、本体ブロック３２０には−Ｚ側の一方主面である底面３２１に複数の溝３３０が形成される。第１実施形態と異なり、第４実施形態では、隔壁３２３部分の底面が、Ｘ方向に１個間隔ずつＺ側に短く設けられており（図１０中の３２９にて図示する部分であり、「隔壁底面３２９」と称する）、隔壁３２３、天井部３２４およびトリガ管収容部３２５により形成される２個の溝３３０が、隔壁底面３２９を介して連結するように構成される。
【００８６】
そして、隔壁底面３２９と当接する１枚の照射窓３３が、２個の溝３３０のそれぞれの開口３２２を閉塞することで、それぞれの溝３３０において、照射窓３３と隔壁３２３、天井部３２４およびトリガ管収容部３２５により閉領域３３１を形成する。すなわち、２個の溝３３０が１枚の照射窓３３と対応し、２本の光源３１が１枚の照射窓３３と対応する。
【００８７】
照射窓３３は、１枚の面積が小さいほどコストが低くなるが、光源３１の本数が多くなると照射窓３３の必要な枚数も増加する。これに伴い、収容部３２への照射窓３３の取り付けに掛かる工数が多くなり、収容部３２の製造コストが増大する問題がある。第１実施形態では１本の光源３１に対し１枚の照射窓３３が対応するが、第４実施形態では２本の光源３１に対し１枚の照射窓３３が対応するため、照射窓３３の取り付け作業を半減することが可能となる。
【００８８】
また、第１実施形態と同様に、ランプ管３１１は閉領域３３１内に配置されるため、仮に１本のランプ管３１１が破裂しても、その破片や膨張したガスの衝撃により隣接する他のランプ管３１１が連鎖的に破裂することを防止することができる。
【００８９】
＜第５実施形態＞
図１１を用いて、本願の第５実施形態に係る熱処理装置１を説明する。第５実施形態が第１実施形態と相違するのは、熱処理装置１に含まれる光照射装置３０において、溝３３０および照射窓３３の形状が異なる点と、溝３３０および照射窓３３により形成される閉領域３３１内に挿入されるランプ管３１１とトリガ管３１２の本数が異なる点であり、その他の構成は同一であるため、同一構成については第１実施形態での説明と同一符号を附して説明を省略する。
【００９０】
図１１は、第５実施形態における光源３１部分とその近傍を拡大した図であり、第１実施形態における図４とは、表記の方法が共通する。第５実施形態において、本体ブロック３２０には−Ｚ側の一方主面である底面３２１に複数の溝３３０が形成される。第５実施形態では、１個の溝３３０内に２本の光源３１が挿入される。
【００９１】
第５実施形態では、１枚の照射窓３３が、１個の溝３３０の開口３２２を閉塞することで、照射窓３３と隔壁３２３、天井部３２４およびトリガ管収容部３２５により閉領域３３１を形成する。
【００９２】
第１実施形態では、隣接するランプ管３１１の間のすべてに隔壁３２３が位置する。これに対し、第５実施形態では隣接するランプ管３１１の間に、１個おきに隔壁３２３が位置する。すなわち、同じ閉領域３３１に２本の光源３１が配置される。
【００９３】
このような構成とした場合、仮に１本のランプ管３１１が破裂すると、同じ閉領域３３１に位置する他のランプ管３１１は、連鎖的に破裂するおそれが高い。しかし、連鎖的に破裂する範囲は１個の閉領域３３１内に留まり、他の閉領域３３１に属するランプ管３１１については、隔壁３２３や照射窓３３等によって破片やガスの衝撃が遮られ、収容部３２に収容されるすべてのランプ管３１１が連鎖的に次々と破裂することを防止することができる。
【００９４】
また、１個の閉領域３３１内に２本の光源３１を配置することで、第１実施形態と比べ隔壁３２３の数が減り、照射窓３３から取り出すことのできる光量が増加する利点がある。
【００９５】
＜変形例＞
本発明に係る熱処理装置および熱処理方法は、上記の第１実施形態から第５実施形態までに限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であるし、第１実施形態から第５実施形態までの構成をそれぞれ適宜組み合わせて行うことも可能である。
【００９６】
第１実施形態から第５実施形態までの各実施形態において、溝３３０は１個の本体ブロック３２０に穿設されて設けられていたが、本発明の実施に関してはこれに限られない。本体ブロック３２０は複数のブロックを組み立てることで構成されてもよい。
【００９７】
第１実施形態から第５実施形態までの各実施形態において、複数の光源３１は、陽極３１３と陰極３１４の向きを揃えて収容部３２内に列設された（図２参照）が、本発明の実施に関してはこれに限られない。複数の光源３１は、陽極３１３と陰極３１４の向きを１個ずつ互いに異ならせて列設してもよい。すなわち、収容部３２の＋Ｙ側において、Ｘ方向に電極が陽極３１３、陰極３１４、陽極３１３、陰極３１４、…と配列する構成としてもよい。このようにすることで、フラッシュ光を出射する際にランプ管３１１へ作用する電磁力を抑制でき、ランプ管３１１が破裂することを抑制することができる。
【００９８】
第４実施形態において、１枚の照射窓３３は２個の溝３３０および２本の光源３１に対応した（図１０参照）。本発明の実施に関してはこれに限られず、より多くの溝３３０および光源３１に対応する構成としてもよい。しかし、全本数の光源３１に１枚の照射窓３３が対応すると、１本のランプ管３１１が破裂した際に、大面積な１枚の照射窓３３を交換する必要が生じるため、全本数の半数以下の本数に１枚の照射窓３３が対応し、照射窓３３が少なくとも２枚用いられることが好適である。
【００９９】
第５実施形態において、１個の閉領域３３１内に２本の光源３１が配置した（図１１参照）。本発明の実施に関してはこれに限られず、１個の閉領域３３１内により多くの光源３１が配置される構成としてもよい。１個の収容部３２に少なくとも２個以上の閉領域３３１が形成され、隣接するランプ管３１１の間の少なくとも１箇所が、隔壁により仕切られる構成とされていれば、１本のランプ管３１１が破裂した場合に全本数のランプ管３１１が連鎖的に破裂する事態を避けることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明に係る熱処理装置、熱処理方法および光照射装置は、種々の被処理体を光照射により加熱する熱処理に適用することができ、特に電子ペーパーなどに用いられるフレキシブルデバイス、フレキシブルディスプレイ、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、電子機器、太陽電池、燃料電池、半導体デバイスなどに好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１    熱処理装置
８    被処理体
９    制御部
１０    チャンバ
１１    チャンバ側壁
１２    チャンバ底部
１３    保持プレート
１４    チャンバ窓
１５    熱処理空間
３０    光照射装置
３１    光源
３２    収容部
３３    照射窓
３４    冷却部
３５    トリガ回路
４０    ガス供給機構
４１    処理ガス供給源
４２    供給配管
４３    供給バルブ
５０    排気機構
５１    排気装置
５２    排気配管
５３    排気バルブ
３１１    ランプ管
３１２    トリガ管
３１３    陽極（アノード）
３１４    陰極（カソード）
３２０    本体ブロック
３２１    底面
３２２    開口
３２３    隔壁
３２４    天井部
３２５    トリガ管収容部
３２７    蓋体
３２８    蓋体開口
３２９    隔壁底面
３３０    溝
３３１    閉領域
３３１    閉領域
３４１    チラー
３４２    冷却管
３４３    液入口
３４４    液出口
３４５    内管
３５１    トリガスイッチ
３５２    昇圧コイル
３５３    トリガ用電源
３６１    ランプ管収容部
３６２    直線部
３６３    テーパ部
Ｘ    配列方向
Ｙ    管軸方向
Ｚ    鉛直方向
【図１】
0006542086.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006542086.tif 000008
【図８】
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【図９】
0006542086.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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