(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線領域の光の照射により硬化する硬化性樹脂を基板上に吐出する第１吐出装置と、
金属微粒子を含有する金属含有液を前記基板上に吐出する第２吐出装置と、
レーザ光を照射する照射装置と、
前記レーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換する非線形結晶と、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射し、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射する制御装置と、
を備えることを特徴とする回路パターン形成装置。
【請求項２】
前記回路パターン形成装置が、
前記照射装置により照射されたレーザ光の照射方向を変更するガルバノミラーと、
前記基板と前記照射装置とを相対的に移動させる移動装置と
を備え、
前記制御装置が、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射する際の照射位置を前記ガルバノミラーにより調整し、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射する際の照射位置を前記移動装置の作動により調整することを特徴とする請求項１に記載の回路パターン形成装置。
【請求項３】
前記回路パターン形成装置が、
前記基板と前記照射装置との間の距離を変更する距離変更装置を備え、
前記制御装置が、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射する際よりも、前記距離が長くなるように前記距離変更装置によって変更された状態で、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路パターン形成装置。
【請求項４】
紫外線領域の光の照射により硬化する硬化性樹脂を基板上に吐出する第１吐出装置と、
金属微粒子を含有する金属含有液を前記基板上に吐出する第２吐出装置と、
レーザ光を照射する照射装置と、
前記レーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換する非線形結晶と
を用いた回路パターン形成方法において、
前記回路パターン形成方法が、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射することで配線を形成する配線形成工程と、
前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射することで樹脂層を形成する樹脂層形成工程と
を含むことを特徴とする回路パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線領域の光の照射により硬化する硬化性樹脂と、金属微粒子を含有する金属含有液とを用いて基板上に回路パターンを形成する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、下記特許文献に記載されているように、紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することで、樹脂層を形成し、金属微粒子を含有する金属含有液に、レーザ光を照射することで、配線を形成する技術が開発されている。そして、このような技術を利用して、基板上に樹脂層及び配線を任意の位置に形成することで、回路パターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−００８４３６号公報
【特許文献２】特開２０１５−１５０８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献に記載の技術では、紫外線照射装置によって、紫外線硬化樹脂に紫外線が照射され、レーザ照射装置によって、金属含有液にレーザ光が照射される。つまり、基板上に樹脂層と配線とを形成するために、紫外線照射装置とレーザ照射装置との２台の照射装置が必要となり、配設スペースの確保，コストの増大，消費電力の増大等、種々の問題が存在する。このため、このような種々の問題を解決することで、紫外線硬化樹脂と金属含有液とを用いて回路パターンを形成するための装置および、方法の実用性が向上すると考えられる。本発明は、そのような実情に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、実用性の高い回路パターン形成装置および、回路パターン形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本願に記載の回路パターン形成装置は、紫外線領域の光の照射により硬化する硬化性樹脂を基板上に吐出する第１吐出装置と、金属微粒子を含有する金属含有液を前記基板上に吐出する第２吐出装置と、レーザ光を照射する照射装置と、前記レーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換する非線形結晶と、前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射し、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射する制御装置と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
上記課題を解決するために、本願に記載の回路パターン形成方法は、紫外線領域の光の照射により硬化する硬化性樹脂を基板上に吐出する第１吐出装置と、金属微粒子を含有する金属含有液を前記基板上に吐出する第２吐出装置と、レーザ光を照射する照射装置と、前記レーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換する非線形結晶とを用いた回路パターン形成方法において、前記回路パターン形成方法が、前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射することで配線を形成する配線形成工程と、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射することで樹脂層を形成する樹脂層形成工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願に記載の回路パターン形成装置および、回路パターン形成方法では、基板上に吐出された金属含有液にレーザ光が照射される。一方、基板上に吐出された硬化性樹脂に、非線形結晶を介してレーザ光が照射される。ちなみに、非線形結晶は、レーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換するものである。これにより、レーザ光を照射する装置によって、金属含有液を配線とし、紫外線硬化樹脂を樹脂層とすることが可能となる。つまり、紫外線照射装置を別個に配設することなく、１台のレーザ光照射装置によって、紫外線硬化樹脂と金属含有液とを用いて回路パターンを形成することが可能となり、実用性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】電子デバイス製造装置を示す概略図である。
【図２】照射ユニットを示す概略図である。
【図３】ガルバノミラーを示す概略図である。
【図４】波長変更器および紫外線反射器を示す概略図である。
【図５】制御装置を示すブロック図である。
【図６】金属インクにレーザ光が照射される際の概略図である。
【図７】紫外線硬化樹脂に紫外線が照射される際の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態として、本発明の実施例を、図を参照しつつ詳しく説明する。
【００１０】
＜電子デバイス製造装置の構成＞
図１に電子デバイス製造装置１０を示す。電子デバイス製造装置（以下、「製造装置」と略す場合がある）１０は、搬送装置２０と、造形ユニット２２と、制御装置（図５参照）２６を備える。それら搬送装置２０と造形ユニット２２とは、製造装置１０のベース２８の上に配置されている。ベース２８は、概して長方形状をなしており、以下の説明では、ベース２８の長手方向をＸ軸方向、ベース２８の短手方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方に直交する方向をＺ軸方向と称して説明する。
【００１１】
搬送装置２０は、Ｘ軸スライド機構３０と、Ｙ軸スライド機構３２とを備えている。そのＸ軸スライド機構３０は、Ｘ軸スライドレール３４とＸ軸スライダ３６とを有している。Ｘ軸スライドレール３４は、Ｘ軸方向に延びるように、ベース２８の上に配設されている。Ｘ軸スライダ３６は、Ｘ軸スライドレール３４によって、Ｘ軸方向にスライド可能に保持されている。さらに、Ｘ軸スライド機構３０は、電磁モータ（図５参照）３８を有しており、電磁モータ３８の駆動により、Ｘ軸スライダ３６がＸ軸方向の任意の位置に移動する。また、Ｙ軸スライド機構３２は、Ｙ軸スライドレール５０とステージ５２とを有している。Ｙ軸スライドレール５０は、Ｙ軸方向に延びるように、ベース２８の上に配設されており、Ｘ軸方向に移動可能とされている。そして、Ｙ軸スライドレール５０の一端部が、Ｘ軸スライダ３６に連結されている。そのＹ軸スライドレール５０には、ステージ５２が、Ｙ軸方向にスライド可能に保持されている。さらに、Ｙ軸スライド機構３２は、電磁モータ（図５参照）５６を有しており、電磁モータ５６の駆動により、ステージ５２がＹ軸方向の任意の位置に移動する。これにより、ステージ５２は、Ｘ軸スライド機構３０及びＹ軸スライド機構３２の駆動により、ベース２８上の任意の位置に移動する。
【００１２】
ステージ５２は、基台６０と、保持装置６２と、昇降装置６４とを有している。基台６０は、平板状に形成され、上面に回路基板等が載置される。保持装置６２は、基台６０のＸ軸方向の両側部に設けられている。そして、基台６０に載置された回路基板等のＸ軸方向の両縁部が、保持装置６２によって挟まれることで、回路基板等が固定的に保持される。また、昇降装置６４は、基台６０の下方に配設されており、基台６０を昇降させる。
【００１３】
造形ユニット２２は、ステージ５２の基台６０に載置された回路基板（図６及び図７参照）７０の上に、配線（図６参照）７６若しくは、樹脂層（図７参照）７８を造形するユニットであり、第１印刷部８０と、第２印刷部８２と、照射部８４とを有している。第１印刷部８０は、インクジェットヘッド（図５参照）８６を有しており、基台６０に載置された回路基板７０の上に、金属インクを線状に吐出する。金属インクは、金属の微粒子が溶剤中に分散されたものである。なお、インクジェットヘッド８６は、例えば、圧電素子を用いたピエゾ方式によって複数のノズルから金属インクを吐出する。
【００１４】
第２印刷部８２は、インクジェットヘッド（図５参照）８８を有しており、基台６０に載置された回路基板７０の上に紫外線硬化樹脂を吐出する。紫外線硬化樹脂は、紫外線領域の波長の光の照射により硬化する樹脂である。なお、インクジェットヘッド８８は、例えば、圧電素子を用いたピエゾ方式でもよく、樹脂を加熱して気泡を発生させノズルから吐出するサーマル方式でもよい。
【００１５】
照射部８４は、平坦化装置（図５参照）９０と、照射ユニット（図２参照）９２とを有している。平坦化装置９０は、インクジェットヘッド８８によって回路基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂の上面を平坦化するものであり、例えば、紫外線硬化樹脂の表面を均しながら余剰分の樹脂を、ローラもしくはブレードによって掻き取ることで、紫外線硬化樹脂の厚みを均一させる。
【００１６】
また、照射ユニット９２は、図２に示すように、レーザ照射装置１００と、ガルバノミラー１０２と、波長変更器１０４と、紫外線反射器１０６、移動装置（図５参照）１０８とを有している。レーザ照射装置１００は、Ｙ軸方向に向かってレーザ光を照射する装置である。レーザ光は、指向性，単色性，可干渉性（コヒーレンス）を有している。指向性は、照射された光が殆ど広がることなく、真っ直ぐに進む性質である。単色性は、波長の幅が狭く、単色光である性質である。可干渉性は、２以上の光の波の振幅・位相に一定の関係があり、２以上の光が干渉することで干渉縞が現れる性質である。このような性質によりレーザ光は、狭い範囲に収束され、強度の高い光となる。
【００１７】
なお、レーザ光は、レーザ媒質の原子を励起状態とすること、所謂、ポンピングすることで出力される。レーザ媒質としては、Ｎｄ：ＹＯＶ４、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｅｒ：ＹＡＧ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｌＰ、ＣＯ２、Ｈｅ−Ｎｅ、希土類添加ファイバ、ローダミン等を採用することが可能である。また、レーザ光の波長は、可視光と同等の波長であってもよいが、可視光より長い波長であることが好ましく、１０００ｎｍ以上であることが好ましい。このため、レーザ照射装置１００では、レーザ媒質として、Ｎｄ：ＹＡＧが採用されており、レーザ光の波長は、１０６４ｎｍとされている。
【００１８】
また、ガルバノミラー１０２は、レーザ照射装置１００から照射されたレーザ光を任意の位置に反射するためのものであり、図３に示すように、２枚の反射鏡１１０，１１２を有している。反射鏡１１０は、反射面を斜め上方に向けた状態で、レーザ照射装置１００と対向するように配設されており、レーザ照射装置１００から照射されたレーザ光を、斜め上方に向かって反射する。また、反射鏡１１０は、電磁モータ（図５参照）１１４の駆動により軸１１６を中心に搖動可能とされており、軸１１６は、ＹＺ平面上に延設されている。これにより、軸１１６を中心に反射鏡１１０が搖動することで、反射鏡１１０によって反射したレーザ光が、Ｘ軸方向の任意の位置に照射される。
【００１９】
また、反射鏡１１２は、レーザ照射装置１００から反射鏡１１０に向かって照射されるレーザ光の上方において、反射鏡１１０と対向するように配設されており、反射鏡１１０から反射されたレーザ光を下方に向かって反射する。また、反射鏡１１２は、電磁モータ（図５参照）１１８の駆動により軸１２０を中心に搖動可能とされており、軸１２０は、Ｘ軸方向に延びるように延設されている。これにより、軸１２０を中心に反射鏡１１２が搖動することで、反射鏡１１２によって反射したレーザ光が、Ｙ軸方向の任意の位置に照射される。このような構造により、ガルバノミラー１０２は、レーザ照射装置１００から照射されたレーザ光を、下方に向かって反射するとともに、その反射したレーザ光の照射位置を、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の任意の位置に制御可能に調整する。
【００２０】
また、波長変更器１０４は、レーザ照射装置１００から照射されたレーザ光の波長を紫外線領域の波長に変更するためのものであり、図４に示すように、第１結晶体１３０と第２結晶体１３２とを有している。第１結晶体１３０は、概して直方体形状をなし、１面をレーザ照射装置１００と対向させた状態で配設されている。また、第２結晶体１３２も概して直方体形状をなし、第１結晶体１３０のレーザ照射装置１００と対向する面と反対側の面と、１面を対向させた状態で配設されている。つまり、レーザ照射装置１００と第１結晶体１３０と第２結晶体１３２とが、レーザ光の照射方向に沿って、１直線上に配設されている。第１結晶体１３０及び第２結晶体１３２は、レーザ光の波長を変換することが可能な非線形結晶（非線形光学結晶、若しくは、非線形光学素子ともいう）であり、ＫＴＰ結晶、ＫＤＰ結晶、ＤＫＤＰ結晶、ＡＤＰ結晶、β―ＢＢＯ結晶、ＣＢＯ結晶、ＹＣＯＢ結晶、ＧｄＣＯＢ結晶、ＧｄＹＣＯＢ結晶、ＬｉＮＯ３結晶、ＡｇＧａＳｅ結晶、ＫＴＡ結晶、ＣＬＢＯ結晶、ＬＢＯ結晶、ＬＢ４結晶、ＫＮ結晶、ＡｇＧａＳ結晶等が挙げられる。
【００２１】
具体的には、例えば、第１結晶体１３０としてＫＴＰ結晶を採用し、第２結晶体１３２としてＣＬＢＯ結晶を採用した場合には、レーザ照射装置１００から照射されたレーザ光（波長：１０６４ｎｍ）が第１結晶体１３０に向けて照射され、第１結晶体１３０を通過したレーザ光の波長は、１０６４ｎｍの半分の５３２ｎｍとなる。ただし、第１結晶体１３０の変換効率は、１００％でないため、１０６４ｎｍの波長のレーザ光も第１結晶体１３０を通過する。このため、第１結晶体１３０を介して照射されるレーザ光の波長は、５３２ｎｍおよび、１０６４ｎｍとなる。そして、第１結晶体１３０を介して照射されたレーザ光が第２結晶体１３２に入射し、第２結晶体１３２を通過したレーザ光の波長は、５３２ｎｍの半分の２６６ｎｍとなる。また、第２結晶体１３２の変換効率も１００％でないため、１０６４ｎｍの波長のレーザ光および、５３２ｎｍの波長のレーザ光も第２結晶体１３２を通過する。このため、第２結晶体１３２を介して照射されるレーザ光の波長は、２６６ｎｍ、５３２ｎｍおよび、１０６４ｎｍとなる。このように、第１結晶体１３０としてＫＴＰ結晶を採用し、第２結晶体１３２としてＣＬＢＯ結晶を採用した場合に、第１結晶体１３０及び第２結晶体１３２を介してレーザ光が照射されると、１０６４ｎｍの波長のレーザ光が、紫外線領域（１０ｎｍ〜４００ｎｍ）の波長の光に変換される。
【００２２】
また、例えば、第１結晶体１３０及び、第２結晶体１３２としてＬＢＯ結晶を採用した場合には、レーザ照射装置１００から照射されたレーザ光（波長：１０６４ｎｍ）が第１結晶体１３０に向けて照射され、第１結晶体１３０を通過したレーザ光の波長は、１０６４ｎｍの半分の５３２ｎｍとなる。ただし、第１結晶体１３０の変換効率は、１００％でないため、１０６４ｎｍの波長のレーザ光も第１結晶体１３０を通過する。このため、第１結晶体１３０を介して照射されるレーザ光の波長は、５３２ｎｍおよび、１０６４ｎｍとなる。そして、第１結晶体１３０を介して照射されたレーザ光が第２結晶体１３２に入射し、第２結晶体１３２を通過したレーザ光の波長は、５３２ｎｍの２／３の３５５ｎｍとなる。また、第２結晶体１３２の変換効率も１００％でないため、１０６４ｎｍの波長のレーザ光および、５３２ｎｍの波長のレーザ光も第２結晶体１３２を通過する。このため、第２結晶体１３２を介して照射されるレーザ光の波長は、３５５ｎｍ、５３２ｎｍおよび、１０６４ｎｍとなる。このように、第１結晶体１３０及び、第２結晶体１３２としてＬＢＯ結晶を採用した場合に、第１結晶体１３０及び第２結晶体１３２を介してレーザ光が照射されると、１０６４ｎｍの波長のレーザ光が、紫外線領域（１０ｎｍ〜４００ｎｍ）の波長の光に変換される。つまり、レーザ照射装置１００によって照射されたレーザ光が、波長変更器１０４によって紫外線領域の波長の光に変換される。
【００２３】
そして、波長変更器１０４よって紫外線領域の波長の光に変換された光は、紫外線反射器１０６に入射する。紫外線反射器１０６は、反射鏡１３６を有しており、反射鏡１３６は、斜め下方を向いた状態で、第２結晶体１３２と対向するように配設されている。反射鏡１３６は、ＸＹ平面に対して概して４５度、傾斜しており、波長変更器１０４から紫外線反射器１０６に入射した光が、反射鏡１３６によって下方に向かって反射する。
【００２４】
また、移動装置１０８は、レーザ照射装置１００をＹ軸方向にレーザ光を照射可能な状態で保持しており、その保持したレーザ照射装置１００を、ガルバノミラー１０２と対向した位置（図２中の実線で示されたレーザ照射装置１００の位置）と、波長変更器１０４と対向した位置（図２中の点線で示されたレーザ照射装置１００の位置）との間で移動させる。これにより、レーザ照射装置１００は、移動装置１０８の作動により、ガルバノミラー１０２と波長変更器１０４との何れかに向かって、選択的にレーザ光を照射する。つまり、レーザ照射装置１００がガルバノミラー１０２に対向する位置に移動されている場合に、レーザ照射装置１００によって照射されたレーザ光が、ガルバノミラー１０２によって下方に向かって反射される。一方、レーザ照射装置１００が波長変更器１０４に対向する位置に移動されている場合に、レーザ照射装置１００によって照射されたレーザ光の波長が、波長変更器１０４によって、紫外線領域の波長に変換され、その紫外線領域の波長の光が、紫外線反射器１０６によって下方に向かって反射される。
【００２５】
また、制御装置２６は、図５に示すように、コントローラ１５０と、複数の駆動回路１５２とを備えている。複数の駆動回路１５２は、上記電磁モータ３８，５６，１１４，１１８、保持装置６２、昇降装置６４、インクジェットヘッド８６、インクジェットヘッド８８、平坦化装置９０、レーザ照射装置１００、移動装置１０８に接続されている。コントローラ１５０は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ等を備え、コンピュータを主体とするものであり、複数の駆動回路１５２に接続されている。これにより、搬送装置２０、造形ユニット２２の作動が、コントローラ１５０によって制御される。
【００２６】
＜電子デバイス製造装置の作動＞
製造装置１０では、上述した構成によって、回路基板７０の上に回路パターンが形成される。具体的には、まず、ステージ５２の基台６０に回路基板７０がセットされ、その回路基板７０が、保持装置６２により固定的に保持される。そして、回路基板７０の上に配線が形成される場合には、ステージ５２が、造形ユニット２２のインクジェットヘッド８６の下方に移動される。そして、インクジェットヘッド８６によって回路基板７０の上に金属インクが、回路パターンに応じて線状に吐出される。次に、ステージ５２が、照射ユニット９２の下方に移動される。この際、ステージ５２は、昇降装置６４の作動により昇降され、図６に示すように、回路基板７０と照射ユニット９２との間の距離がＡとされる。また、照射ユニット９２では、レーザ照射装置１００が、移動装置１０８の作動により、ガルバノミラー１０２と対向する位置に移動される。
【００２７】
続いて、レーザ照射装置１００によってレーザ光がガルバノミラー１０２に向かって照射される。これにより、レーザ光が、ガルバノミラー１０２によってステージ５２上の回路基板７０に向かって反射される。この際、ガルバノミラー１０２によって反射されたレーザ光の照射位置が、電磁モータ１１４，１１８の作動により、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の任意の位置に調整され、レーザ光が、回路基板７０に吐出された金属インクに照射される。これにより、金属インクが焼成し、図６に示すように、回路基板７０の上に配線７６が形成される。なお、金属インクの焼成とは、エネルギーを付与することによって、溶媒の気化や金属微粒子保護膜の分解等が行われ、金属微粒子が接触または融着をすることで、導電率が高くなる現象である。そして、金属インクが焼成することで、金属製の配線７６が形成される。
【００２８】
また、回路基板７０の上に樹脂層が形成される場合には、ステージ５２が、造形ユニット２２のインクジェットヘッド８８の下方に移動される。そして、インクジェットヘッド８８によって回路基板７０の上に、紫外線硬化樹脂が薄膜状に吐出される。次に、ステージ５２が、平坦化装置９０の下方に移動される。そして、回路基板７０の上に薄膜状に吐出された紫外線硬化樹脂が、平坦化装置９０によって膜厚が均一となるように平坦化される。続いて、ステージ５２が、照射ユニット９２の下方に移動される。この際、ステージ５２は、昇降装置６４の作動により昇降され、図７に示すように、回路基板７０と照射ユニット９２との間の距離がＢとされる。なお、この距離Ｂは、金属インクにレーザ光が照射される際の回路基板７０と照射ユニット９２との間の距離Ａより長くされている。また、照射ユニット９２では、レーザ照射装置１００が、移動装置１０８の作動により、波長変更器１０４と対向する位置に移動される。
【００２９】
続いて、レーザ照射装置１００によってレーザ光が波長変更器１０４に向かって照射される。これにより、レーザ照射装置１００によって照射されたレーザ光の波長が、波長変更器１０４において、紫外線領域の波長に変換される。そして、その紫外線領域の波長の光が紫外線反射器１０６に入射され、その紫外線反射器１０６に入射された光が、反射鏡１３６によってステージ５２上の回路基板７０に向かって反射される。この際、ステージ５２は、搬送装置２０の電磁モータ３８，５６の作動によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動され、反射鏡１３６によって反射された光が、回路基板７０に吐出された紫外線硬化樹脂の任意の位置に照射される。これにより、回路基板上の薄膜状の紫外線硬化樹脂が硬化し、回路基板７０の上に薄膜状の樹脂層７８が形成される。
【００３０】
このように、製造装置１０では、レーザ光が金属インクに照射されることで、回路基板７０の上に配線７６が形成される。また、レーザ光の波長が波長変更器１０４によって紫外線領域の波長の光に変換され、その変換された光が紫外線硬化樹脂に照射されることで、回路基板７０に上に樹脂層７８が形成される。つまり、製造装置１０では、金属インクに照射される光の光源と、紫外線硬化樹脂に照射される光の光源とが共有されており、１つの光源によって、配線７６および、樹脂層７８が形成される。そして、配線７６および樹脂層７８が回路基板７０上の任意の位置に形成されることで、回路基板７０の上に回路パターンが形成される。
【００３１】
一方、従来の製造装置では、レーザ照射装置だけでなく、水銀ランプもしくはＬＥＤ等の紫外線照射装置が用いられており、レーザ照射装置と紫外線照射装置との２つの光源の各々によって、配線７６若しくは、樹脂層７８が形成される。詳しくは、回路基板７０に配線７６が形成される際には、従来の製造装置においても、本発明の製造装置１０と同様に、レーザ照射装置により照射されたレーザ光が、回路基板上に吐出された金属インクに照射される。しかしながら、従来の製造装置では、紫外線照射装置により照射された紫外線が、回路基板上に吐出された紫外線硬化樹脂に照射される。このため、従来の製造装置では、レーザ照射装置と紫外線照射装置との配設により、装置が大型化し、製造コストが増大する。また、レーザ照射装置と紫外線照射装置との２つの光源への電力供給により、使用電力量が増大する。
【００３２】
このようなことに鑑みて、本発明の製造装置１０では、波長変更器１０４を用いて、レーザ照射装置１００により照射されたレーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換することで、金属インクに照射される光の光源と、紫外線硬化樹脂に照射される光の光源とが共有されており、１つの光源によって、配線７６および、樹脂層７８が形成される。これにより、装置のコンパクト化、製造コストの抑制、使用電力量の抑制を図ることが可能となる。
【００３３】
また、製造装置１０では、レーザ光が金属インクに照射される際に、その照射位置がガルバノミラー１０２によって調整される。ガルバノミラー１０２では、２枚の反射鏡１１０，１１２の回転によって、レーザ光の照射位置が調整される。このため、強度の高いレーザ光の照射位置を、非常に高速に変更することが可能となり、過剰な熱による損傷を防止することが可能となる。また、レーザ光が波長変更器１０４を介して紫外線硬化樹脂に照射される際に、その照射位置は搬送装置２０の作動により調整される。これは、紫外線硬化樹脂への紫外線の単位面積当たりの照射時間は、金属インクへのレーザ光の単位面積当たりの照射時間と比較して、長いため、照射位置を高速で移動させる必要が無いためである。そして、搬送装置２０の作動によって、紫外線硬化樹脂への照射位置及び、単位時間当たりの照射量を適切化することで、樹脂の硬化状態を最適化するとともに、必要な場所のみへの紫外線の照射により、スループットが向上する。
【００３４】
さらに、製造装置１０では、紫外線硬化樹脂に紫外線が照射される際の回路基板７０と照射ユニット９２との間の距離Ｂは、金属インクにレーザ光が照射される際の回路基板７０と照射ユニット９２との間の距離Ａより長くされている。このため、紫外線硬化樹脂への紫外線の照射範囲が広くなる。これにより、紫外線の照射時間を短縮することが可能となり、スループットが向上する。
【００３５】
また、コントローラ１５０は、図５に示すように、配線形成部１６０と樹脂層形成部１６２とを有している。配線形成部１６０は、回路基板７０の上に吐出された金属インクにレーザ光を照射し、配線７６を形成するための機能部である。樹脂層形成部１６２は、回路基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂に波長変更器１０４を介してレーザ光を照射し、樹脂層７８を形成するための機能部である。
【００３６】
なお、電子デバイス製造装置１０は、回路パターン形成装置の一例である。搬送装置２０は、移動装置の一例である。制御装置２６は、制御装置の一例である。昇降装置６４は、距離変更装置の一例である。インクジェットヘッド８６は、第２吐出装置の一例である。インクジェットヘッド８８は、第１吐出装置の一例である。レーザ照射装置１００は、照射装置の一例である。ガルバノミラー１０２は、ガルバノミラーの一例である。第１結晶体１３０及び、第２結晶体１３２は、非線形結晶の一例である。配線形成部１６０により実行される工程は、配線形成工程の一例である。樹脂層形成部１６２により実行される工程は、樹脂層形成工程の一例である。
【００３７】
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した種々の態様で実施することが可能である。例えば、波長変更器１０４に紫外線領域の波長の光のみを通過させるフィルタを配設することが可能である。詳しくは、第１結晶体１３０および、第２結晶体１３２による波長の変換効率は１００％でないため、波長変更器１０４から出射する光には、１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ等の紫外線領域以外の波長が含まれている。このため、第２結晶体１３２の下流側に、上記フィルタを配設することで、紫外線領域以外の波長の光をカットすることが可能となり、紫外線硬化樹脂を適切に硬化させることが可能となる。
【００３８】
また、上記実施例では、ステージ５２の移動により、紫外線硬化樹脂への紫外線の照射位置が変更されているが、照射ユニット９２の移動により、紫外線硬化樹脂への紫外線の照射位置を変更してもよい。また、上記実施例では、ステージ５２の昇降により、回路基板７０と照射ユニット９２との間の距離が変更されているが、照射ユニット９２の昇降により、回路基板７０と照射ユニット９２との間の距離を変更してもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１０：電子デバイス製造装置（回路パターン形成装置）    ２０：搬送装置（移動装置）    ２６：制御装置    ６４：昇降装置（距離変更装置）    ８６：インクジェットヘッド（第２吐出装置）    ８８：インクジェットヘッド（第１吐出装置）    １００：レーザ照射装置（照射装置）    １０２：ガルバノミラー    １３０：第１結晶体（非線形結晶）    １３２：第２結晶体（非線形結晶）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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