(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、
厚さ０．５μｍ以上７μｍ以下のニッケル又はニッケル合金めっきの層と、
厚さ０．０１μｍ以上０．１μｍ以下のロジウム又はロジウム合金めっきの層と、
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系表示でｂ＊が−４．０以上１０．０以下、又は色度ｘｙ表示でｘが０．２９７以上０．３２７以下且つｙが０．３０５以上０．３６０以下の金めっきの層と、をこの順に有する、光半導体装置用リードフレーム又は基板。
【請求項２】
基体上に、
厚さ０．５μｍ以上７μｍ以下のニッケル又はニッケル合金めっきの層と、
厚さ０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の金めっき又は金合金めっきの層と、
厚さ０．０１μｍ以上０．１μｍ以下のロジウム又はロジウム合金めっきの層と、
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系表示でｂ＊が−４．０以上１０．０以下、又は色度ｘｙ表示でｘが０．２９７以上０．３２７以下且つｙが０．３０５以上０．３６０以下の金めっきの層と、をこの順に有する、光半導体装置用リードフレーム又は基板。
【請求項３】
前記基体と前記ニッケル又はニッケル合金めっきの層との間に、
厚さ０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅めっき又は銅合金めっきの層を有する、請求項１又は２に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板。
【請求項４】
前記ロジウム合金めっきが、ロジウムニッケル合金、ロジウム白金合金、ロジウムルテニウム合金、ロジウムイリジウム合金、ロジウムパラジウム合金、ロジウムコバルト合金のうちのいずれかである、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板。
【請求項５】
前記金合金めっきが、金ニッケル合金、金銀合金、金銅合金、金インジウム合金、金パラジウム合金、金錫合金のうちのいずれかである、請求項２、又は請求項２を引用する請求項３若しくは４のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板。
【請求項６】
前記ニッケル合金めっきが、ニッケルコバルト合金、ニッケル錫合金、ニッケルりん合金、ニッケルホウ素合金、ニッケルクロム合金のうちのいずれかである、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板。
【請求項７】
前記光半導体装置用リードフレーム又は基板は、ワイヤボンディング限界値（Ｗ．Ｂ．限界値）が８０以下である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板上に、発光素子が搭載された光半導体装置。
【請求項９】
基体上に、厚さ０．５μｍ以上７μｍ以下のニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程と、
前記ニッケル又はニッケル合金めっきの層の上に、厚さ０．０１μｍ以上０．１μｍ以下のロジウム又はロジウム合金めっきの層を形成する工程と、
前記ロジウム又はロジウム合金めっきの層の上に、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系表示でｂ＊が−４．０以上１０．０以下、又は色度ｘｙ表示でｘが０．２９７以上０．３２７以下且つｙが０．３０５以上０．３６０以下の金めっきの層を形成する工程と、を有する、光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１０】
基体上に、厚さ０．５μｍ以上７μｍ以下のニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程と、
前記ニッケル又はニッケル合金めっきの層の上に、厚さ０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の金めっき又は金合金めっきの層を形成する工程と、
前記金めっき又は金合金めっきの層の上に、厚さ０．０１μｍ以上０．１μｍ以下のロジウム又はロジウム合金めっきの層を形成する工程と、
前記ロジウム又はロジウム合金めっきの層の上に、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系表示でｂ＊が−４．０以上１０．０以下、又は色度ｘｙ表示でｘが０．２９７以上０．３２７以下且つｙが０．３０５以上０．３６０以下の金めっきの層を形成する工程と、を有する、光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ロジウム又はロジウム合金めっきの層の上の前記金めっきの層を形成する工程は、シアン化金カリウム、クエン酸、クエン酸塩を含む金めっき液を使用している請求項９又は１０に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１２】
前記基体上に、前記ニッケル又はニッケル合金めっきの層を形成する工程において、
前記基体と、前記ニッケル又はニッケル合金めっきの層と、の間に、
厚さ０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅めっき又は銅合金めっきの層を形成する工程を有する、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ロジウム合金めっきの層を形成する工程において、前記ロジウム合金めっきが、ロジウムニッケル合金、ロジウム白金合金、ロジウムルテニウム合金、ロジウムイリジウム合金、ロジウムパラジウム合金、ロジウムコバルト合金のうちのいずれかである、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１４】
前記金合金めっきの層を形成する工程において、前記金合金めっきが、金ニッケル合金、金銀合金、金銅合金、金インジウム合金、金パラジウム合金、金錫合金のうちのいずれかである、請求項１０、又は請求項１０を引用する請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ニッケル合金めっきの層を形成する工程において、前記ニッケル合金めっきが、ニッケルコバルト合金、ニッケル錫合金、ニッケルりん合金、ニッケルホウ素合金、ニッケルクロム合金のうちのいずれかである、請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ロジウム又はロジウム合金めっきの層の上の前記金めっきの層を形成する工程後の前記光半導体装置用リードフレーム又は基板は、ワイヤボンディング限界値（Ｗ．Ｂ．限界値）が８０以下である、請求項９乃至１５のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１７】
前記ロジウム又はロジウム合金めっきの層の上の前記金めっきの層を形成する工程において、前記金めっき液に使用される前記シアン化金カリウムは約２ｇ／Ｌである請求項１１、又は請求項１１を引用する請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項９乃至１７のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム又は基板の製造方法により製造された光半導体装置用リードフレーム又は基板上に、発光素子を搭載する工程を有する光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光装置は、例えば、半導体発光素子（以下、単に「発光素子」と称する）を、リードフレーム又は基板に、ダイボンディングし、更にワイヤボンディングして、最後に透光性の樹脂で封止することで製造される。
【０００３】
このような光半導体装置用のリードフレーム又は基板には、光反射性、接合安定性などの観点から、一般的に銀めっきが施されている。しかし、銀めっきは、硫化により変色しやすいため、優れた初期反射率を長期にわたって維持できない。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１，２，３には、光半導体装置用のリードフレームにおいて、銀の被膜に替え、ロジウムの被膜を光反射層として形成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１２９９７０号公報
【特許文献２】特開２００７−３２４４５１号公報
【特許文献３】特開２００８−０５３５６４号公報
【特許文献４】特開２０１１−１２９６５８号公報
【特許文献５】特開２０１２−００９５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ロジウムの被膜は、硬質であるため、金線などのワイヤを安定して接合することができない。
【０００７】
そこで、本発明の一実施の形態は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、発光効率を高い水準で維持しやすく且つワイヤボンディング性に優れる光半導体装置用リードフレーム若しくは基板、又はそれを用いた光半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
なお、このような課題に鑑み、例えば特許文献４，５には、ロジウムの反射層上に特定の厚さの金の最表層を形成することが提案されているが、光半導体装置の高い光束と優れたワイヤボンディング性を工業的に安定して得るには、金の最表層の厚さを非常に高い精度で管理しなければならない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施の形態の光半導体装置用リードフレーム又は基板は、基体上に、厚さ０．５μｍ以上７μｍ以下のニッケル又はニッケル合金めっきの層と、厚さ０．０１μｍ以上０．１μｍ以下のロジウム又はロジウム合金めっきの層と、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系表示でｂ＊が−４．０以上１０．０以下、又は色度ｘｙ表示でｘが０．２９７以上０．３２７以下且つｙが０．３０５以上０．３６０以下の金めっきの層と、をこの順に有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別の一実施の形態の光半導体装置用リードフレーム又は基板は、基体上に、厚さ０．５μｍ以上７μｍ以下のニッケル又はニッケル合金めっきの層と、厚さ０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の金めっき又は金合金めっきの層と、厚さ０．０１μｍ以上０．１μｍ以下のロジウム又はロジウム合金めっきの層と、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系表示でｂ＊が−４．０以上１０．０以下、又は色度ｘｙ表示でｘが０．２９７以上０．３２７以下且つｙが０．３０５以上０．３６０以下の金めっきの層と、をこの順に有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一実施の形態のリードフレーム又は基板によれば、発光効率を高い水準で維持しやすく且つワイヤボンディング性に優れる光半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光半導体装置の概略断面図である。
【図２】本発明の別の一実施の形態に係る光半導体装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する光半導体装置用のリードフレーム及び基板、並びに光半導体装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一実施の形態において説明するめっき液の組成及びめっき操作条件は、一例に過ぎない。また、一の実施の形態において説明する内容は、他の実施の形態にも適用可能である。さらに、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
【００１４】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係る光半導体装置２００の概略断面図である。図１に示すように、実施の形態１に係る光半導体装置２００は、光半導体装置用リードフレーム１００（以下、単に「リードフレーム１００」とも称する）及び樹脂成形体を含むパッケージと、発光素子５０と、ワイヤ６０と、封止部材７０と、を備えている。リードフレーム１００は、基体１０と、基体１０上に設けられた被膜１０１と、を備えている。発光素子５０は、パッケージの凹部の底面を構成するリードフレーム１００上に接着剤を介して接着されている。また、発光素子５０は、リードフレーム１００の被膜１０１とワイヤ６０で接続されている。封止部材７０は、パッケージの凹部内に充填され、発光素子５０を封止している。
【００１５】
実施の形態１のリードフレーム１００は、基体１０上に、ニッケル又はニッケル合金めっきの層１１と、ロジウム又はロジウム合金めっきの層１２と、金めっきの層１３と、をこの順に含む被膜１０１を有している。なお、本実施の形態１の被膜１０１においても、基体１０と層１１との間に、後述する銅めっき又は銅合金めっきの層（２１）を含んでもよい。
【００１６】
なお、この被膜１０１は、基体１０上の略全域にあってもよいし、基体１０上の一部（例えばパッケージ凹部底面を構成する領域）にあってもよい。また、被膜１０１中の互いに接する上下２層において、上層は下層上の略全域にあってもよいし、下層上の一部にあってもよい。例えば、金めっきの層１３は、ロジウム又はロジウム合金めっきの層１２上において、少なくとも発光素子５０のワイヤボンディング領域にあればよく、好ましくは更にはんだ接合領域にもあればよい。
【００１７】
基体１０は、銅、鉄、アルミニウム、又はこれらの合金などで構成することができる。
【００１８】
ニッケル又はニッケル合金めっきの層１１は、基体１０からの不純物の熱拡散を抑制でき、それにより、上層の性能を維持しやすく、光半導体装置の信頼性を高めることができる。ニッケル又はニッケル合金めっきの層１１の厚さは、０．５μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。ニッケル又はニッケル合金めっきの層１１の厚さが０．５μｍ未満であると、基体１０からの不純物の熱拡散抑制機能が十分でなくなる。一方、ニッケル又はニッケル合金めっきの層１１の厚さが７μｍを越えると、材料コストが高くなる。また、ニッケル合金めっきは、ニッケルコバルト合金、ニッケル錫合金、ニッケルりん合金、ニッケルホウ素合金、ニッケルクロム合金のうちのいずれかであることが好ましい。これらのニッケル合金めっきであれば、優れた不純物の熱拡散抑制機能及び／又は耐熱性を得やすい。
【００１９】
ニッケルめっきは、以下のようなニッケルめっき液を使用して行うことができる。ニッケルめっき液の組成は、スルファミン酸ニッケル４５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル５ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ、ｐＨ４．０〜４．４である。ニッケルめっき操作条件は、液温５５℃、強攪拌、陰極電流密度５Ａ／ｄｍ２、めっき時間２分である。ニッケル合金めっきの場合は、ニッケルめっき液に可溶性錫塩を添加したニッケル錫合金めっき液、又はニッケルめっき液に可溶性コバルトを添加したニッケルコバルト合金めっき液などを使用すればよい。
【００２０】
ロジウム又はロジウム合金めっきの層１２は、可視波長域（例えば波長４００〜５００ｎｍ）において高い反射率が得られ、光半導体装置の発光効率を高めることができる。ロジウム又はロジウム合金めっきの層１２の厚さは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。ロジウム又はロジウム合金めっきの層１２の厚さが０．０１μｍ未満であると、高い反射率を得られにくくなり、光半導体装置の発光効率が低くなりやすい。一方、ロジウム又はロジウム合金めっきの層１２の厚さが０．１μｍを超えると、材料コストが高くなるうえに、被膜１０１が硬くなってワイヤボンディング性が低下する。また、ロジウム合金めっきは、ロジウムニッケル合金、ロジウム白金合金、ロジウムルテニウム合金、ロジウムイリジウム合金、ロジウムパラジウム合金、ロジウムコバルト合金のうちのいずれかであることが好ましい。これらのロジウム合金めっきであれば、上記層１２の効果を高い水準で維持しながら、材料コストを抑えることができる。
【００２１】
ロジウムめっきは、以下のようなロジウムめっき液を使用して行うことができる。ロジウムめっき液の組成は、スーパーホワイト（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ株式会社；ロジウム濃度１．５ｇ／Ｌ）、硫酸２０ｍｌ／Ｌである。ロジウムめっき操作条件は、液温５５℃、強攪拌、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ２、めっき時間１５秒である。ロジウム合金めっきの場合は、ロジウムめっき液に可溶性ルテニウム塩を添加したロジウムルテニウム合金めっき液、又はロジウムめっき液に可溶性白金塩を添加したロジウム白金合金めっき液などを使用すればよい。
【００２２】
金めっきの層１３は、ロジウム又はロジウム合金めっきの層１２の高い反射率を活かしながら、優れたワイヤボンディング性を得ることができる。金めっきの層１３は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系表示でｂ＊が−４．０以上１０．０以下、又は、色度ｘｙ表示でｘが０．２９７以上０．３２７以下且つｙが０．３０５以上０．３６０以下であることが好ましい。ｂ＊が−４．０未満であると、ワイヤボンディング性が低下する。一方、ｂ＊が１０．０を越えると、光半導体装置の発光効率が低下する。また、ｘが０．２９７未満である若しくは０．３２７を超える、且つ、ｙが０．３０５未満である若しくは０．３６０超えると、ワイヤボンディング性若しくは光半導体装置の発光効率が低下する。金めっきの層１３は、厚さを管理する必要はなく、このような範囲の色度を維持するように、めっき液の組成及びめっき操作条件を調整すればよい。色度の測定は、例えば、日本電色工業株式会社の微小面分光色差計ＶＳＳ４００で測定可能である。この装置であれば、リードフレームなどの１ｍｍ以下の微小部の色差も測定可能であり、工程管理として有効である。
【００２３】
金めっきは、以下のような金めっき液を使用して行うことができる。金めっき液の組成は、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、クエン酸カリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸２０ｇ／Ｌである。めっき操作条件は、液温４５℃、弱攪拌、陰極電流密度２Ａ／ｄｍ２、めっき時間３０秒である。
【００２４】
以上のような構成を有する光半導体装置用リードフレーム１００は、発光効率を高い水準で維持しやすく且つワイヤボンディング性に優れる光半導体装置が得られる。このほか、ダイボンディング性、はんだ濡れ性、封止部材との密着性などにも優れる光半導体装置が得られる。このような光半導体装置は、信頼性が非常に高く、過酷な環境での使用が想定される車載用及び産業用照明などに特に好適である。また、以上のような構成を有する光半導体装置用リードフレーム１００は、製造の工程管理が比較的容易であり、量産性に優れる。
【００２５】
＜実施の形態２＞
図２は、実施の形態２に係る光半導体装置２２０の概略断面図である。図２に示すように、実施の形態２に係る光半導体装置２２０は、光半導体装置用基板１２０（以下、単に「基板１２０」とも称する）と、発光素子５０と、封止部材７０と、導電性接着剤８０と、を備えている。基板１２０は、基体２０と、基体２０上に設けられた被膜２０１と、を備えている。この被膜２０１は、パターン状に形成され、配線として機能することができる。発光素子５０は、基板１２０の被膜２０１上に導電性接着剤８０を介してフリップチップ実装されている。封止部材７０は、基板１２０上に設けられ、発光素子５０を封止している。
【００２６】
実施の形態２の基板１２０は、基体２０上に、銅又は銅合金めっきの層２１と、ニッケル又はニッケル合金めっきの層２２と、金又は金合金めっきの層２３と、ロジウム又はロジウム合金めっきの層２４と、金めっきの層２５と、をこの順に含む被膜２０１を有している。
【００２７】
基体２０は、樹脂（繊維強化樹脂を含む）又はセラミックスなどで構成することができる。セラミックスとしては、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどが挙げられる。樹脂としては、例えばガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリイミドなどが挙げられる。
【００２８】
以下、銅又は銅合金めっきの層２１、金又は金合金めっきの層２３の好ましい形態について説明する。なお、ニッケル又はニッケル合金めっきの層２２、ロジウム又はロジウム合金めっきの層２４、金めっきの層２５の好ましい形態は、実施の形態１と実質的に同様であるため、説明を省略する。
【００２９】
銅又は銅合金めっきの層２１は、ニッケル又はニッケル合金の層２２との密着性が良く、被膜２０１の剥離を抑制することができる。銅又は銅合金めっきの層２１の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。銅又は銅合金めっきの層２１の厚さが０．１μｍ未満であると、ニッケル又はニッケル合金めっきの層２２との密着性が低下する。一方、銅又は銅合金めっきの層２１の厚さが１０μｍを越えると、材料コストが高くなる。なお、この銅又は銅合金めっきの層２１は、省略してもよい。
【００３０】
銅めっきは、以下のような銅めっき液を使用して行うことができる。銅めっき液の組成は、シアン化銅カリウム２１０ｇ／Ｌ、シアン化カリウム２５ｇ／Ｌ、炭酸カリウム３０ｇ／Ｌである。銅めっき操作条件は、液温５５℃、強攪拌、陰極電流密度３Ａ／ｄｍ２、めっき時間２分である。銅合金めっきの場合は、銅めっき液に可溶性錫塩を添加した銅錫合金めっき液などを使用すればよい。
【００３１】
金又は金合金めっきの層２３は、比較的軟らかく、マイクロビッカース硬度Ｈｖが６０〜１４０程度であって、硬いロジウム又はロジウム合金めっきの層２４のクッションの役割を担い、ワイヤボンディング性をよりいっそう高めることができる。金又は金合金めっきの層２３の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。金又は金合金めっきの層２３の厚さが０．０５μｍ未満であると、クッション性が不十分となってワイヤボンディング性を高めにくい。一方、金又は金合金めっきの層２３の厚さが０．５μｍを超えると、材料コストが高くなる。また、金合金めっきは、金ニッケル合金、金銀合金、金銅合金、金インジウム合金、金パラジウム合金、金錫合金のうちのいずれかであることが好ましい。これらの金合金めっきであれば、上記層２３の効果を高い水準で維持しながら、材料コストを抑えることができる。
【００３２】
金めっきは、以下のような金めっき液を使用して行うことができる。金めっき液の組成は、シアン化金カリウム１２ｇ／Ｌ、クエン酸カリウム１５０ｇ／Ｌ、りん酸カリウム３０ｇ／Ｌ、硫酸タリウム２０mｇ／Ｌ、ｐＨ６．０である。めっき操作条件は、液温７０℃、強攪拌、陰極電流密度１Ａ／ｄｍ２、めっき時間１分である。金合金めっきの場合は、金めっき液に可溶性銅塩を添加した金銅合金めっき液、又は金めっき液に可溶性銀塩を添加した金銀合金めっき液などを使用すればよい。
【００３３】
以上のような構成を有する光半導体装置用基板１２０もまた、発光効率を高い水準で維持しやすく且つワイヤボンディング性に優れる光半導体装置が得られる。このほか、ダイボンディング性、はんだ濡れ性、封止部材との密着性などにも優れる光半導体装置が得られる。このような光半導体装置は、信頼性が非常に高く、過酷な環境での使用が想定される車載用及び産業用照明などに特に好適である。また、以上のような構成を有する光半導体装置用基板１２０もまた、製造の工程管理が比較的容易であり、量産性に優れる。
【００３４】
なお、本発明の一実施の形態のめっきの厚さは、めっき業界で広く使用される微小部蛍光Ｘ線膜厚計で測定することができる。
【００３５】
また、本発明の一実施の形態における各種めっきは、例えば、被めっき物（リードフレーム又は基板）を陽極とし、めっき液主成分と同一の可溶性金属、ステンレス、白金族金属、若しくは白金族金属などで被覆されたチタンを陰極として、各種めっき液に浸漬し、電気めっきを行う方法が挙げられる。さらに、本発明の一実施の形態におけるめっき方法は、マニュアル又は自動エレベーター方式のいわゆるラック式めっき方法、リールツーリール方式であって電気めっき槽がオーバーフロー式のめっき方法、若しくは半導体リードフレームの部分めっきに採用されている噴流式めっき方法のいずれにも対応可能である。
【００３６】
また、本発明の一実施の形態のリードフレームは、めっき処理後に圧延加工などされて塑性変形したもの、めっき処理後に打ち抜きプレスなどで成形されたものでもよい。
【００３７】
また、本発明の一実施の形態のリードフレーム又は基板は、最上層（金めっきの層）上に保護膜が設けられていてもよい。保護膜は、酸化珪素又は酸化アルミニウムなどで構成することができる。また、保護膜は、光半導体装置の組み立て前、組み立て途中、組み立て後のいずれでも設けることができる。保護膜の形成方法としては、例えば、スパッタ、蒸着などが挙げられる。
【００３８】
（発光素子５０）
なお、本発明の一実施の形態の光半導体装置は、本発明の一実施の形態のリードフレーム又は基板上に発光素子（半導体発光素子）が搭載されてなる。光半導体装置は、主として発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光装置であるが、例えば光センサなど、受光素子（半導体受光素子）が更に搭載されたものでもよい。発光素子は、例えば、ＬＥＤチップを用いることができる。発光素子の半導体材料としては、窒化物半導体（主として一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される）を用いることが好ましい。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率及び／又は蛍光体の発光との混色の観点から、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下であることが好ましく、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３９】
（ワイヤ６０）
ワイヤは、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、封止部材からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗などに優れる金線が好ましい。また、光反射性を高めるために、少なくとも表面が銀で構成されていてもよい。ワイヤの線径は、特に限定されないが、１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
（封止部材７０）
封止部材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはハイブリッド樹脂などを母材として用いることができる。また、封止部材は蛍光体を含有していてもよい。蛍光体は、ＹＡＧ系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））、ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、フッ化珪酸カリウム系蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）などが挙げられる。
【００４１】
（導電性接着剤８０）
導電性接着剤は、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、又は錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系の半田、又は金バンプなどを用いることができる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
【００４３】
リードフレームの基体としては、株式会社神戸製鋼所製のＫＬＦ１９４（ＣＤＡ  Ｎｏ．Ｃ１９４００、鉄含有率２．３％）の板厚０．１１ｍｍの平板を、株式会社エノモトのＬＥＤ用オープンフレームＦＬＡＳＨ  ＬＥＤ  ６ＰＩＮ  ＯＰ１（外形寸法５０５０）のタイプに型抜きしたものを使用する。この基体に、アルカリ系の脱脂剤で脱脂処理し、希硫酸で酸中和した後、シアン浴により銅めっきを０．５μｍ施す。そして、その上に各層のめっきを順次行った後、清浄な純水で洗浄し、乾燥させて、光半導体装置用リードフレームを作製する。なお、めっきは、全面めっきとする。
【００４４】
作製した光半導体装置用リードフレームを金型内に配置し、成形材料としてポリフタルアミド樹脂を注入し固化させてパッケージを成形し、金型から取り外す。そして、得られたパッケージの凹部底面を構成するリードフレーム上に、発光素子を樹脂接着剤を介して載置し、１５０℃で１時間加熱して樹脂接着剤を硬化させる。この発光素子は、青色発光（発光ピーク波長４５５ｎｍ）のＩｎＧａＮ系発光層を含むＬＥＤチップである。次に、発光素子の電極とリードフレームを線径２５μｍの金線にて接続する。次に、ＹＡＧの蛍光体を２０ｗｔ％配合した変性シリコーン樹脂を、パッケージの凹部に充填し、１５０℃で４時間加熱して硬化させる。最後に、１つのＬＥＤである光半導体装置として個片化する。なお、光半導体装置用基板の場合にも、同様にしてサンプルを作製することができる。
【００４５】
以上のように、光半導体装置用リードフレームを作製し、光半導体装置（ＬＥＤ）を組み立て、積分式全光束測定装置にて初期の全光束Φｖ［ｌｍ］を計測する。そして、従来の金めっきリードフレーム（比較例１）と比較して評価する。
【００４６】
また、光半導体装置用リードフレームに、株式会社カイジョー製ワイヤボンディング装置ＦＢ−１３７Ｃを用いて、線径２３μｍの金線にてワイヤボンディングを行う。そして、ワイヤの接合のしやすさを評価するために、リードフレームとの接合部（第２ボンディング部）を形成する際の超音波パワーを１００（最大値）から少しずつ減少させ、ワイヤが接合しなくなり始める（より詳細には１６回ワイヤボンディングを行ってワイヤが接合しないボンディングが発生する）超音波パワーをワイヤボンディング（W.B.）限界値として計測する。このW.B.限界値が小さいほど、ワイヤが接合しやすいと判断することができる。工業的に実用が可能なW.B.限界値は８０以下であって、安定した量産が可能なW.B.限界値は６５以下である。
【００４７】
比較例１〜５と実施例１〜２２について、めっき被膜の構成と評価結果を以下の表１に示す。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
表１に示すように、実施例１〜２２のリードフレームは、高い初期全光束値と優れたワイヤボンディング性を合わせ持つ光半導体装置が得られることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明の一実施の形態に係る光半導体装置用リードフレーム又は基板を用いた光半導体装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１００…光半導体装置用リードフレーム
１０…基体
１０１…被膜
１１…ニッケル又はニッケル合金めっきの層
１２…ロジウム又はロジウム合金めっきの層
１３…金めっきの層
１２０…光半導体装置用基板
２０…基体
２０１…被膜
２１…銅めっき又は銅合金めっきの層
２２…ニッケル又はニッケル合金めっきの層
２３…金めっき又は金合金めっきの層
２４…ロジウム又はロジウム合金めっきの層
２５…金めっきの層
５０…発光素子
６０…ワイヤ
７０…封止部材
８０…導電性接着剤
２００，２２０…光半導体装置
【図１】
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【図２】
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