(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明樹脂支持体上に少なくとも一層の透明導電層と高屈折率層とを有する透明導電性フィルムであって、
前記透明樹脂支持体の測定波長５８９ｎｍにおける面内リターデーション値Ｒｏが、０〜１５０ｎｍの範囲内であり、
前記透明導電層が、銀を含有し、かつ層厚が、３〜１５ｎｍの範囲内であり、
前記高屈折率層が、前記透明導電層の両側に設けられ、かつ少なくとも一方の高屈折率層が硫化亜鉛を含有することを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項２】
前記透明樹脂支持体の測定波長５８９ｎｍにおける厚さ方向リターデーション値Ｒｔが、０〜４００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記透明樹脂支持体が、少なくともセルロースエステル樹脂、シクロオレフィン樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択されるいずれか一種を含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】
前記透明導電層が、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、アルミニウム、マンガン、ゲルマニウム、ビスマス、ネオジム及びモリブデンから選択される少なくとも一種の金属を含有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項５】
前記透明導電層の両側に設けられた高屈折率層のうち、支持体側の高屈折率層が、硫化亜鉛を含有することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項６】
前記透明導電層の両側に設けられた高屈折率層のうち、支持体側とは反対側に設けられた高屈折率層が、インジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、ガリウム・亜鉛酸化物又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物のいずれかを含有することを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項７】
前記透明導電層と前記少なくとも一方の高屈折率層との間に、酸化亜鉛を含有する層を有することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性フィルムに関し、更に詳しくは、良好な導電性と透明性を有し、かつ角度依存性のある虹ムラの発生しない美麗な映像表示が可能な透明導電性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電膜が使用されている。【０００３】
このような透明導電膜を構成する材料として、金、銀、白金、銅、ロジウム、パラジウム、アルミニウム、クロム等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）等の酸化物半導体が知られている。【０００４】
ここで、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる透明導電性フィルムが配置される。したがって、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。【０００５】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。【０００６】
そこで、銀の蒸着膜を透明導電膜とすることが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、銀の蒸着膜を屈折率の高い膜（例えば酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（例えば、特許文献２〜４参照。）。さらに、銀の蒸着膜を硫化亜鉛の膜で挟み込むことが提案されている（例えば、非特許文献１及び２参照。）。【０００７】
一方、近年のタッチパネルを備えた情報機器は大画面化・軽量薄型化の要求と同時に、一層の画質の高さ、動作精度と応答速度を両立する必要に迫られた結果、高い電気伝導性と透明性の重要性はこれまで以上に増しており、さらに映像表示機能の面から求められる特性から、元の表示映像を劣化させないことが重要である。しかしながら、タッチパネルデバイスが大画面化を遂げるのにあわせ、ユーザーはより広角に映像を鑑賞することになった結果、表示装置を斜め方向から視認した場合、画面に虹状のムラが発生する虹ムラ現象の発生が重要な問題となった。そして透明導電膜を構成する材料として金属を使用し薄膜とした場合には、角度依存性のある虹ムラが発生した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１１−５０８４００号公報
【特許文献２】特開２００６−１８４８４９号公報
【特許文献３】特開２００２−１５６２３号公報
【特許文献４】特開２００８−２２６５８１号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｘｕａｎｊｉｅ  Ｌｉｕ，ｅｔ  ａｌ，（２００３）．Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ４４１，２００−２０６
【非特許文献２】Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ＩＲ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｈｅａｔ  ｍｉｒｒｏｒ  ｆｉｌｍｓ  ｏｆ  ＺｎＳ−Ａｇ−ＺｎＳ，Ｂｒｕｃｅ  Ｗ．Ｓｍｉｔｈ，Ｍａｙ  １９８９．Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  Ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｅｎｔｅｒ  Ｆｏｒ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｓｃｉｅｎｃｅ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、良好な導電性と透明性を有し、かつ角度依存性のある虹ムラの発生しない美麗な映像表示が可能な透明導電性フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、透明導電性フィルムに、面内リターデーション値Ｒｏの小さい透明樹脂支持体を用い、その上に銀を含有する透明導電層と透明導電層の両側に高屈折率層を設け、さらに少なくとも一方の高屈折率層に硫化亜鉛を含有することによって、良好な導電性と角度依存性のある虹ムラの発生しない美麗な映像表示が可能な透明導電性フィルムを得ることができることを見いだし本発明に至った。【００１２】
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。【００１３】
１．透明樹脂支持体上に少なくとも一層の透明導電層と高屈折率層とを有する透明導電性フィルムであって、
前記透明樹脂支持体の測定波長５８９ｎｍにおける面内リターデーション値Ｒｏが、０〜１５０ｎｍの範囲内であり、
前記透明導電層が、銀を含有し、かつ層厚が、３〜１５ｎｍの範囲内であり、
前記高屈折率層が、前記透明導電層の両側に設けられ、かつ少なくとも一方の高屈折率層が硫化亜鉛を含有することを特徴とする透明導電性フィルム。【００１４】
２．前記透明樹脂支持体の測定波長５８９ｎｍにおける厚さ方向リターデーション値Ｒｔが、０〜４００ｎｍの範囲内であることを特徴とする第１項に記載の透明導電性フィルム。【００１５】
３．前記透明樹脂支持体が、少なくともセルロースエステル樹脂、シクロオレフィン樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択されるいずれか一種を含有することを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電性フィルム。【００１６】
４．前記透明導電層が、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、アルミニウム、マンガン、ゲルマニウム、ビスマス、ネオジム及びモリブデンから選択される少なくとも一種の金属を含有することを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。【００１７】
５．前記透明導電層の両側に設けられた高屈折率層のうち、支持体側の高屈折率層が、硫化亜鉛を含有することを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。【００１８】
６．前記透明導電層の両側に設けられた高屈折率層のうち、支持体側とは反対側に設けられた高屈折率層が、インジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、ガリウム・亜鉛酸化物又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物のいずれかを含有することを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。【００１９】
７．前記透明導電層と前記少なくとも一方の高屈折率層との間に、酸化亜鉛を含有する層を有することを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の上記手段により、良好な導電性と透明性を有し、かつ角度依存性のある虹ムラの発生しない美麗な映像表示が可能な透明導電性フィルムを提供することができる。【００２１】
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。【００２２】
本発明の透明導電性フィルムは、透明樹脂支持体上に少なくとも一層の透明導電層と高屈折率層とを有する透明導電性フィルムであり、透明樹脂支持体の面内リターデーションＲｏを０〜１５０ｎｍの範囲内とすることにより、角度依存性のある虹ムラを防止することができたものである。【００２３】
一般の虹ムラとは、透過型静電容量タッチパネルの表示映像において、透明導電性フィルムを構成する部材の一部又は全体が大きなリターデーション値を持つことにより、ある偏光状態をもった映像光がタッチモジュールの積層された各部材を通過するときに波長・視野角ごとに異なる偏光状態に変換されることによって生じる。【００２４】
図１は、一般の虹ムラ発生機構を説明する模式図であり、アウトセルタイプの透過型静電容量タッチパネルの代表的な構成を、光線の偏光状態の変化に着目して簡略化・模式化して示した。したがって、実際の製品の形態及び光線を忠実に再現したものではない。【００２５】
図１中、３００は液晶などの画像表示素子を模しており、その最表面には偏光板２００が設けられている。さらにその上部には透明導電性フィルム１００が存在する。【００２６】
ここで、異なる画素Ａ及びＢから発せられた光は、偏光板の作用により直線偏光として透明導電性フィルム中を、異なる光路に沿って進行する。このとき、透明導電性フィルムの支持体がリターデーションを持つことから、異なる光路を進行する各々の光線はＡ１、Ｂ１を経由するまでに互いに異なる偏光状態に変換されたのち、観測者の視点Ｏに到達する。【００２７】
このとき、透明導電性フィルム１００の視認側界面で界面反射が生ずるが、フレネルの式によれば、このときの反射率は光線の偏光成分ごとに異なり、入射角をφ１、屈折角をφ２としたとき（図１中、φＡ１は、Ａ点からの入射角を表し、φＡ２は、Ａ点からの屈折角を表す。同様にφＢ１は、Ｂ点からの入射角を表し、φＢ２は、Ｂ点からの屈折角を表す。）、
ｐ偏光Ｒｐは、
Ｒｐ＝｛ｔａｎ（φ１−φ２）｝／｛ｔａｎ（φ１＋φ２）｝
Ｓ偏光Ｒｓは、
Ｒｓ＝−｛ｓｉｎ（φ１−φ２）｝／｛ｓｉｎ（φ１＋φ２）｝
で表される。【００２８】
上記式から明らかなように、ｓ偏光成分はｐ偏光成分に対して高い反射率を示すが、結果おのずと透過光線の強度はｐ偏光がｓ偏光に対し大となり、またその比は角度依存性を有することがわかる。【００２９】
他方、前述の通り、図１中で画素Ａ及びＢから発せられた光線は、異なる偏光状態を有しているがゆえに、各々のｐ偏光及びｓ偏光成分の振幅比は既に同一でない。【００３０】
したがってＡ１、Ｂ１から観察者側へと透過する二つの光線の強度は異なっており、観察者においては部位ごとの明暗コントラストとして視認される。加えて、屈折率は波長によって異なることから、前述のｐ−ｓ偏光成分ごとの反射強度比も波長によって異なっており、結果として発生する明暗コントラストの程度は色ごとにおいても異なる。【００３１】
これが一般の虹ムラの発生原理であり、近年のタッチパネルを備えた映像表示装置の大画面化の流れの中では非常に重要な問題となっている。【００３２】
従前のタッチパネルでは、透明導電膜としてＩＴＯのような屈折率の大きい材料を使用し一般の虹ムラが強く発生していたことから、銀のような屈折率がＩＴＯよりも小さい材料の場合は、界面反射が小さくなりその発生が抑制されると予測していたが、予想に反し角度依存性のある虹ムラが発生した。銀を含有する透明導電層の吸収と、層厚の薄さが起因しているのではないかと推測している。【００３３】
本発明者らは上述のように、銀を含有することを特徴とする透明導電性フィルムは、優れた透明導電性に基づき、大画面かつ視認性に優れたタッチパネルを備えた映像表示装置を提供しうるものでありながら、その実際に供される形態においては、従前に比して使用者はより大きな視野角で映像を鑑賞することになるため、前記角度依存性のある色ムラが却って顕著な問題となることを見いだした。【００３４】
同時に、本発明者らはこの課題に対し、限定的かつ緻密に構成された条件のもとで、前記角度依存性の色ムラが解消可能であることを突き止めた。すなわち、リタ―デーションの低い支持体を使用し、かつ後述の高屈折率層及び硫化防止層と、銀を含有する導電層を巧みに組み合わせることで、工業的実用性と、優れた導電性と透明性及び美麗な映像表示を同時に実現する透明導電性フィルムを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】虹ムラ発生機構を説明する模式図
【図２】本発明の透明導電性フィルムの層構成の一例を示す概略断面図
【図３】本発明の透明導電性フィルムの導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図
【図４】本発明の透明導電性フィルムの導通領域及び絶縁領域からなる電極パターンの一例を示す模式図
【図５Ａ】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図５Ｂ】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図５Ｃ】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図５Ｄ】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図５Ｅ】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図５Ｆ】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図５Ｇ】本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の透明導電性フィルムは、透明樹脂支持体上に少なくとも一層の透明導電層と高屈折率層とを有する透明導電性フィルムであって、
前記透明樹脂支持体の測定波長５８９ｎｍにおける面内リターデーション値Ｒｏが、０〜１５０ｎｍの範囲内であり、
前記透明導電層が、銀を含有し、かつ層厚が、３〜１５ｎｍの範囲内であり、
前記高屈折率層が、前記透明導電層の両側に設けられ、かつ少なくとも一方の高屈折率層が硫化亜鉛を含有することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項７までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００３７】
本発明の実施態様として、本発明の効果発現の観点から、前記透明樹脂支持体の厚さ方向リターデーション値Ｒｔが、０〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００３８】
また、前記透明樹脂支持体が、少なくともセルロースエステル樹脂、シクロオレフィン樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択されるいずれか一種を含有すると、面内リターデーション値Ｒｏを上記範囲内にすることができ、角度依存性のある虹ムラ防止する効果が得られるので好ましい。
【００３９】
前記透明導電層が、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、アルミニウム、マンガン、ゲルマニウム、ビスマス、ネオジム及びモリブデンから選択される少なくとも一種の金属を含有することが好ましい。
【００４０】
また、前記透明導電層の両側に設けられた高屈折率層のうち、支持体側の高屈折率層が、硫化亜鉛を含有することが好ましい。
【００４１】
また、前記透明導電層の両側に設けられた高屈折率層のうち、支持体側とは反対側に設けられた高屈折率層が、インジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物、ガリウム・亜鉛酸化物又はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物のいずれかを含有することが好ましい。
【００４２】
また、前記透明導電層と前記少なくとも一方の高屈折率層との間に、酸化亜鉛を含有する層を有することが好ましい。
【００４３】
以下本発明の構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で用いる。
【００４４】
≪透明導電性フィルム≫
本発明の透明導電性フィルムの層構成の一実施態様を図２及び図３に示す。
【００４５】
本発明の透明導電性フィルム１００には、透明樹脂支持体１／第１高屈折率層２／透明導電層３／第２高屈折率層４が含まれる。そして、本発明の透明導電性フィルム１００では、当該第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４のどちらか一方が、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する層である。さらに当該第１、第２の高屈折率層２及び４と透明導電層３との間には、少なくともどちらか一層の酸化亜鉛を含有する硫化防止層５ａ又は５ｂを有することが好ましい。また、これらの層は薄膜から形成される層である。
【００４６】
図２においては、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４のどちらか一方が、硫化亜鉛を含有する層であり、当該第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４と透明導電層３との間に、硫化防止層５（酸化亜鉛を含有する硫化防止層５ａ又は５ｂ）が設けられることが好ましい。
【００４７】
透明導電層と硫化亜鉛を含有する高屈折率層とが隣接して形成されると、金属硫化物が生成されやすく、透明導電性フィルムの光透過性が低下しやすいという問題がある。金属硫化物は、以下のように生成されると推察される。
【００４８】
第１高屈折率層２（硫化亜鉛含有層）上にスパッタ法等の気相成膜法で透明導電層を形成する場合、第１高屈折率層２中の未反応の硫黄成分が、透明導電層の金属材料（銀）によって成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と銀とが反応し、硫化銀が高屈折率層上に堆積する。また、高屈折率層と透明導電層とを連続的に形成する場合、高屈折率層の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が透明導電層の銀を含有する金属層雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と銀とが反応し、硫化銀が高屈折率層上に堆積する。
【００４９】
一方、透明導電層上に第２高屈折率層（硫化亜鉛含有層）を形成する場合、透明導電層の銀を含有する金属膜中の銀が、第２高屈折率層の材料によって、成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された銀と硫黄成分とが反応し、硫化銀が透明導電層表面に堆積する。さらに、透明導電層の表面と、成膜雰囲気中の硫黄成分とが接触することでも、透明導電層の銀を含有する金属層表面に硫化銀が生成する。
【００５０】
これに対し、本発明の透明導電性フィルム１００では、例えば図２に示されるように、第１高屈折率層２上に、酸化亜鉛を含有する第１硫化防止層５ａが積層されてもよい。当該構成では、第１高屈折率層２が第１硫化防止層５ａで保護されるため、透明導電層３の形成時に第１高屈折率層２中の硫黄成分が弾き出され難い。また、第１高屈折率層２と導電層３とを連続的に形成したとしても、第１高屈折率層２の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が、第１硫化防止層５ａの構成成分と反応したり、第１硫化防止層５ａの構成成分に吸着される。したがって、透明導電層３の成膜雰囲気には硫黄が含まれ難くなり、硫化銀の生成が抑制される。
【００５１】
また本発明の透明導電性フィルム１００では、例えば図２に示されるように、透明導電層３上に第２硫化防止層５ｂが積層されてもよい。当該構成では、透明導電層３が第２硫化防止層５ｂで保護されるため、第２高屈折率層４の形成時に透明導電層３中の銀が弾き出され難い。また、第２高屈折率層４の成膜雰囲気中の硫黄成分が、透明導電層３の表面と接触し難い。したがって、透明導電層３表面に硫化銀が生成し難い。
【００５２】
本発明の透明導電性フィルムでは、図２に示されるように、透明導電層３が透明樹脂支持体１の全面に積層されていてもよく、図３に示されるように、透明導電層３が所望の形状にパターン化されていてもよい。本発明の透明導電性フィルムにおいて、透明導電層３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、図３に示されるように、透明導電層３が含まれない領域ｂが絶縁領域である。
【００５３】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電性フィルム１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電性フィルム１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図４に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等でありうる。
【００５４】
また、本発明の透明導電性フィルム１００には、透明樹脂支持体１、第１高屈折率層２、透明導電層３、及び第２高屈折率層４、及び硫化防止層５以外の層が含まれてもよい。例えば透明導電層３の形成時に成長核になり得る下地層が、透明導電層と第１高屈折率層２との間に、透明導電層３に隣接して含まれてもよい。
【００５５】
≪透明導電性フィルムの層構成について≫
＜１．透明樹脂支持体＞
透明導電性フィルム１００に用いられる透明樹脂支持体１としては、セルロースエステル樹脂（例えばトリアセチルセルロース（ゼロタック（コニカミノルタ社製））、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））が挙げられ、これらの樹脂が透明樹脂支持体の５０質量％以上であることが好ましい。これらの樹脂は２種以上であってもよい。
【００５６】
これらの樹脂のうち、セルロースエステル樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００５７】
またその他混合してもよい樹脂として、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等から選択される１種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００５８】
また本発明において用いられる透明樹脂支持体１がセルロースエステルである場合については、低級脂肪酸エステルが好ましく、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、またはセルロースアセテートプロピオネートブチレート等が好ましく用いられる。本発明で用いられるセルロースエステルはアシル基の置換度が２．８５〜３．００であることが面配向度がより低く維持できるため好ましく、特に２．９２〜３．００であることが好ましい。
【００５９】
アシル基の置換度の測定方法はＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６の規定に準じて測定することができる。
【００６０】
重合度は２５０〜４００であるセルロースエステルが好ましく用いられ、特にセルローストリアセテートが好ましく用いられる。本発明に係るセルロースエステルの数平均分子量Ｍｎは、７００００〜２５００００が、機械的強度に優れ、かつ、適度なドープ粘度となるので好ましく、更に好ましくは、８００００〜１５００００である。また、重量平均分子量Ｍｗとの比Ｍｗ／Ｍｎは１．０〜５．０のセルロースエステルが好ましく用いられる。
【００６１】
本発明の透明樹脂支持体の測定波長５８９ｎｍにおける面内リターデーション値Ｒｏは、０〜１５０ｎｍの範囲内である。好ましくはＲｏが、０〜２０ｎｍ又は４０〜１５０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００６２】
また、測定波長５８９ｎｍにおける厚さ方向リターデーション値Ｒｔが０〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に好ましくはＲｔが０〜７０ｎｍの範囲内又はＲｔが８０〜３００ｎｍの範囲内である。Ｒｔを好ましい範囲とすることで、偏光板を使用したサングラスを装着したときの視認性が改善される。
【００６３】
式（ｉ）  Ｒｏ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
式（ii）  Ｒｔ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
（式中、Ｒｏはフィルム面内リターデーション値、Ｒｔは厚さ方向リターデーション値、ｎｘはフィルム面内の遅相軸方向の屈折率、ｎｙはフィルム面内の進相軸方向の屈折率、ｎｚはフィルムの厚み方向の屈折率、ｄはフィルムの厚さ（ｎｍ）を表す。）
本発明においては、測定波長５８９ｎｍにおける面内リターデーション値Ｒｏ及び厚さ方向リターデーション値Ｒｔは、２３℃・５５％ＲＨの環境下において、位相差測定装置「ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ」（王子計測機器（株）製）によって測定する。
【００６４】
透明樹脂支持体のリターデーション値は、樹脂材料の選択、製膜時の延伸倍率等で制御することができる。具体的には、縦方向、横方向の延伸倍率を適宜選択することにより、任意の値に制御することができる。
【００６５】
本発明の透明樹脂支持体１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明樹脂支持体１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電性フィルム１００の光透過性が高まりやすい。また、透明樹脂支持体１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００６６】
上記平均透過率は、透明樹脂支持体１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し、
平均吸収率（％）＝１００−（平均透過率＋平均反射率）
として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。
【００６７】
また、透明樹脂支持体の透過率を上記範囲内とするためには、透明樹脂支持体の表面粗さＲａが、透明樹脂支持体の両面において、３．５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、３．０ｎｍ以下である。透明樹脂支持体の表面粗さＲａが透明樹脂支持体の両面において、３．５ｎｍ以下であるとヘイズ値が小さくなり透明性に優れた透明樹脂支持体とすることができる。ここで、表面粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１における算術平均粗さをいう。
【００６８】
本発明の透明樹脂支持体１のヘイズ値は０．０１〜２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２である。支持体のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電性フィルムのヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーター「型式：ＮＤＨ  ２０００」（日本電色（株）製）で測定される。
【００６９】
透明樹脂支持体１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。透明樹脂支持体の屈折率は、通常、支持体の材質によって定まる。透明樹脂支持体の屈折率は、２３℃・５５％ＲＨでエリプソメーターで測定される。
【００７０】
透明樹脂支持体１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明樹脂支持体の厚さが１μｍ以上であると、透明樹脂支持体１の強度が高まり、第１高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明樹脂支持体１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電性フィルム１００のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電性フィルム１００を用いた機器の厚さを薄くできる。また、透明導電性フィルム１００を用いた機器を軽量化することもできる。
【００７１】
＜２．第１高屈折率層＞
本発明でいう高屈折率層とは、透明樹脂支持体１よりも高い屈折率を有する層をいう。
【００７２】
第１高屈折率層２は、透明導電性フィルムの導通領域ａ、つまり透明導電層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電性フィルム１００の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層２は、透明導電層を雰囲気中の水分や硫化物やイオウ含有成分等から透明導電層を保護する機能を有することから、透明導電性フィルム１００の絶縁領域ｂにも形成されていることが好ましい。
【００７３】
第１高屈折率層２は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有することが好ましい層である。第１高屈折率層２に硫化亜鉛が含まれると、透明樹脂支持体１側から水分が透過し難くなり、透明導電層３の腐食が抑制される。第１高屈折率層２には、硫化亜鉛とともに他の誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれてもよい。硫化亜鉛とともに含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明樹脂支持体１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層２の屈折率は、第１高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。上記屈折率は、２３℃・５５％ＲＨの環境下、エリプソメーターで測定される。
【００７４】
第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。金属酸化物の例には、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（Ｇａ・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層２には、当該金属酸化物が一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
【００７５】
上記硫化亜鉛とともに用いられる材料の中で、特に好ましくはＳｉＯ２である。ＺｎＳ及びＳｉＯ２の組成を制御する方法としては、例えば、適切な濃度でＳｉＯ２を含有したＺｎＳのターゲットを用いたスパッタリング法、ＳｉＯ２とＺｎＳのターゲットを同時に用いた共スパッタリング法を利用することにより行うことができる。
【００７６】
硫化亜鉛ととともに上記範囲内でＳｉＯ２が含まれると、第１高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電性フィルムのフレキシブル性が高まりやすい。
【００７７】
第１高屈折率層２に硫化亜鉛とともに他の材料が含まれる場合、硫化亜鉛の量は、第１高屈折率層２の総体積に対して、０．１〜９５体積％であることが好ましく、５０〜９０体積％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５体積％以下である。硫化亜鉛の比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第１高屈折率層２の形成速度が速くなる。一方、硫化亜鉛以外の成分が多く含まれると、第１高屈折率層２の非晶質性が高まり、第１高屈折率層２の割れが抑制される。
【００７８】
第１高屈折率層２の層厚は、１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第１高屈折率層２の層厚が１５ｎｍ以上であると、第１高屈折率層２によって、透明導電性フィルム１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１高屈折率層２の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層２の層厚は、エリプソメーター「多入射角分光エリプソメーターＶＡＳＥ（登録商標）」（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製）で測定される。
【００７９】
第１高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法（堆積法、気相成長法ともいう。）で形成された層でありうる。第１高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。
【００８０】
また、第１高屈折率層２が所望の形状にパターン化された層である場合、パターン化方法は特に制限されない。第１高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターン化された層であってもよい。
【００８１】
＜３．第１硫化防止層＞
前述の第１高屈折率層２には硫化亜鉛が含有されるので、図２に示されるように、第１高屈折率層２と透明導電層３との間にＺｎＯ（酸化亜鉛）を含有する第１硫化防止層５ａが含まれることが好ましい。第１硫化防止層５ａは、第１高屈折率層からの硫化物やイオウ含有成分の拡散を防止する機能を持っている。また、第１硫化防止層５ａは、透明導電性フィルム１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよく、この場合、透明導電層を雰囲気中の水分や硫化物やイオウ含有成分等から透明導電層を保護する機能を有することから絶縁領域ｂにも形成されていることが好ましい。
【００８２】
当該第１硫化防止層５ａは、酸化亜鉛を好ましく含有する層であり、その他に、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等を含む層でありうる。第１硫化防止層５ａには、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。ただし、第１高屈折率層２と、第１硫化防止層５ａと、透明導電層３とが連続的に形成される場合には、金属酸化物が硫黄と反応可能、若しくは硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
【００８３】
金属酸化物の例には、ＺｎＯの他、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、等が含まれる。
【００８４】
金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が含まれる。
【００８５】
金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が含まれる。
【００８６】
これらの中でも酸化亜鉛を含有する層であることが好ましい。
【００８７】
ここで、第１硫化防止層５ａの層厚は、後述する透明導電層３の形成時の衝撃から、第１高屈折率層２の表面を保護可能な層厚であることが好ましい。一方で、第１高屈折率層に含まれ得るＺｎＳは、透明導電層３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層５ａの層厚が非常に薄く、第１高屈折率層２の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明導電層の透明金属膜が成長し、透明導電層３が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜５．０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜２．０ｎｍである。
【００８８】
第１硫化防止層５ａは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層である。
【００８９】
第１硫化防止層５ａが、所望の形状にパターン化された層である場合、パターン化方法は特に制限されない。第１硫化防止層５ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターン化された層であってもよい。
【００９０】
＜４．透明導電層＞
透明導電層３は、透明導電性フィルム１００において電気を導通させるための膜である。透明導電層３は、前述のように、透明樹脂支持体１の全面に形成されていてもよく、また所望の形状にパターン化されていてもよい。
【００９１】
透明導電層３は銀を含有する層であり、その他の金属を含有してもよい。銀とともに用いられる金属としては、透明導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、アルミニウム、マンガン、ゲルマニウム、ビスマス、ネオジム及びモリブデンが好ましい。
【００９２】
これらの中でも、金、パラジウム、ゲルマニウム、ビスマス、銅、白金、ネオジム及びニオブが好ましい。透明導電層３には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。導電性の観点から、透明導電層には銀が９０ａｔｍ％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀が９０ａｔｍ％以上含有されると優れた導電性と高耐久性が得られる。
【００９３】
また、上記透明導電性の高い金属を少なくとも一種を上記範囲内で含有すると透明導電層の層厚を薄層化しても所定の導電性を確保することができ、また透明導電層に含有される銀の劣化防止の効果が得られ信頼性が向上する。例えば銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属膜の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【００９４】
本発明の透明導電層の層厚は、３〜１５ｎｍの範囲内であり、好ましくは５〜１３ｎｍの範囲内である。この層厚により所望の透明性、プラズモン吸収率を担保することができる。
【００９５】
透明導電層３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。
【００９６】
透明導電層３は、いずれの形成方法で形成された膜でありうるが、透明導電層の平均透過率を変えるためには、スパッタ法で形成された膜、若しくは後述する下地層上に形成された膜であることが好ましい。
【００９７】
スパッタ法では、層の形成時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく、透明導電層３の光透過性が高まりやすい。また、透明導電層３がスパッタ法により形成された膜であると、透明導電層３が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。
【００９８】
スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等でありうる。透明導電層３は、特に対向スパッタ法で形成された膜であることが好ましい。透明導電層３が、対向スパッタ法で形成された膜であると、透明導電層３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明導電層３の表面電気抵抗がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。
【００９９】
＜５．第２硫化防止層＞
後述する第２高屈折率層が硫化亜鉛含有層である場合は、図２に示されるように、透明導電層３と第２高屈折率層４との間に酸化亜鉛を含有する第２硫化防止層５ｂが含まれることが好ましい。第２硫化防止層５ｂは、透明導電性フィルム１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１００】
当該第２硫化防止層５ｂは、酸化亜鉛を含有する層であり、その他に金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等を含む層である。第２硫化防止層５ｂには、酸化亜鉛の他にこれらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物は、前述の第１高屈折率層２に含まれる金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物と同様でありうる。これらの中でも酸化亜鉛を含有する層であることが好ましい。
【０１０１】
一方、第２硫化防止層５ｂの層厚は、後述する第２高屈折率層４の形成時の衝撃から、透明導電層３の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、透明導電層３に含まれる金属と、第２高屈折率層４に含まれるＺｎＳは、親和性が高い。そのため、第２硫化防止層５ｂの層厚が非常に薄く、透明導電層３の一部が僅かに露出していると、透明導電層３や第２硫化防止層５ｂと第２高屈折率層４との密着性が高まりやすい。したがって、第２硫化防止層５ｂの具体的な層厚は０．１〜５．０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜２．０ｎｍである。第２硫化防止層５ｂの層厚は、エリプソメーターで測定される。
【０１０２】
第２硫化防止層５ｂは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層でありうる。
【０１０３】
第２硫化防止層５ｂが、所望の形状にパターン化された層である場合、パターン化方法は特に制限されない。第２硫化防止層５ｂは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターン化された層であってもよい。
【０１０４】
＜６．第２高屈折率層＞
第２高屈折率層４は、透明導電性フィルム１００の導通領域ａ、つまり透明導電層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するための層であり、少なくとも透明導電性フィルム１００の導通領域ａに形成される。第２高屈折率層４は、透明導電性フィルム１００の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。第２高屈折率層４は、大気側から水分を透過しにくくするので、透明導電層３の腐食が抑制される効果を有する。
【０１０５】
第２高屈折率層４は前述の透明樹脂支持体１の屈折率より高い屈折率を有する層であり、第１高屈折率層のどちらか一方の層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する層である。第２高屈折率層４には、硫化亜鉛又は他の誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれてもよい。硫化亜鉛又は他の誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
【０１０６】
一方、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層４によって、透明導電性フィルム１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第２高屈折率層４の屈折率は、第２高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。
【０１０７】
第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。金属酸化物の例には、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。第２高屈折率層４には、当該金属酸化物が一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
【０１０８】
本発明においては、上記金属酸化物の中では、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＩＧＺＯが好ましい。これらの材料は、パターン化に好適であると同時に、銀の保護機能を得ることができる。
【０１０９】
また、本発明において、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）が特に好ましい。第２高屈折率層４にＺｎＳが含まれると、透明樹脂支持体１側から水分が透過し難くなり、透明導電層３の腐食が抑制される。第２高屈折率層４には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとともに他の材料が含まれてもよい。ＺｎＳとともに含まれる材料は、上記誘電性材料または酸化物半導体材料でありうる金属酸化物やＳｉＯ２等であり、特に好ましくはＳｉＯ２である。ＺｎＳとともにＳｉＯ２が含まれると、第２高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。
【０１１０】
第２高屈折率層４にＺｎＳとともに他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第２高屈折率層４の総体積に対して、０．１〜９５体積％であることが好ましく、５０〜９０体積％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５体積％である。ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第２高屈折率層４の成形成速度が速くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第２高屈折率層４の非晶質性が高まり、第２高屈折率層４の割れが抑制される。
【０１１１】
硫化亜鉛及びＳｉＯ２の組成を上記範囲内に制御する方法としては、例えば、適切な濃度でＳｉＯ２を含有したＺｎＳのターゲットを用いたスパッタリング法、ＳｉＯ２とＺｎＳのターゲットを同時に用いた共スパッタリング法を利用することにより行うことができる。
【０１１２】
硫化亜鉛とともに上記範囲内でＳｉＯ２が含まれると、第２高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電性フィルムのフレキシブル性が高まりやすい。
【０１１３】
ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第２高屈折率層４の形成速度が早くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多くなると、第２高屈折率層４の非晶質性が高まり、第２高屈折率層４の割れが抑制される。
【０１１４】
第２高屈折率層４の層厚は、好ましくは１５〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜８０ｎｍである。第２高屈折率層４の層厚が１５ｎｍ以上であると、第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第２高屈折率層４の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第２高屈折率層４の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【０１１５】
第２高屈折率層４の形成方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層であり得る。第２高屈折率層４の透湿性が低くなるとの観点から、第２高屈折率層４はスパッタ法で形成された膜であることが特に好ましい。
【０１１６】
また、第２高屈折率層４が所望の形状にパターン化された層である場合、パターン化方法は特に制限されない。第２高屈折率層４は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターン化された層であってもよい。
【０１１７】
＜７．ハードコート層＞
透明導電性フィルムの製造時において透明樹脂支持体の表面に傷が発生するのを防止する目的で、透明樹脂支持体の少なくとも一方の面、好ましくは、透明導電層側にハードコート層が設けられていることが好ましい。
【０１１８】
透明樹脂支持体の少なくともどちらか一方の面にハードコート層を設けることによって、透明樹脂支持体の製膜時から本発明の透明導電性フィルムの作製過程において、フィルムの巻き取り・搬送・巻き出しにおけるフィルム表面間の面圧や摩擦による傷の発生を防止する効果を有する。
【０１１９】
ハードコート層は、紫外線硬化性アクリレート系樹脂を塗布乾燥、その後紫外線光源にて硬化されて提供される。
【０１２０】
ハードコート層の層厚は、０．２〜５．０μｍの範囲内であることが好ましく、ハードコート層の層厚が、上記範囲内であると十分な耐傷効果が得られるので、製造過程における傷の発生を防止することができるので透明導電性フィルムとしたときに十分な透明性が得られる。
【０１２１】
ハードコート層は、塗布の他、ＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法などによるＳｉＯ２薄膜を１００ｎｍ以下の層厚で積層することによって作製することもできる。
【０１２２】
＜８．ブロッキング防止層＞
本発明の透明導電性フィルムの透明樹脂支持体の透明導電層が設けられた面とは反対側の面に、十点平均粗さＲｚが、５０ｎｍ以下のブロッキング防止層が設けられていることが好ましい。ブロッキング防止層とは、フィルムを巻き取りハンドリングする際のフィルム同士の貼付き防止のためになされるが、これはフィルムの表面に任意の粗さを設け、この隙間を空気が埋めることで、巻き出し・巻き取り操作時のフィルム同士の貼付きを防ぐことができる。
【０１２３】
十点平均粗さＲｚとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：１９９４に規定されるＲｚをいう。
【０１２４】
ブロッキング防止層は、アクリレート系樹脂などの樹脂に微粒子を混合した塗布液を塗布することによって設けることができる。微粒子としては、シリカなどの無機微粒子の他、樹脂の微粒子を用いることができる。上記微粒子の平均粒子径としては、１０〜３００ｎｍの範囲内のものを用いることが好ましい。
【０１２５】
本発明の透明導電性フィルムにおいては、透明樹脂支持体上に設けられた高屈折率層、硫化防止層及び透明導電層の各薄膜層が、スパッタリング法又は蒸着法で形成されたものであることが好ましい。前記透明樹脂支持体上に設けられた各薄膜層が、スパッタリング法又は蒸着法で形成されたものであると生産性が向上し大量生産に好適な効果が得られる。ただし、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）等他のあらゆる薄膜製造方法によったものであっても、本発明によって得られる価値は損なわれない。
【０１２６】
≪透明導電層のパターン化≫
本発明の透明導電性フィルムを用いて例えば、静電容量方式のタッチパネルを作製するためには、図４に示すように透明導電層を複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含む所定の形状にパターン化することが好ましい。
【０１２７】
銀を含有する透明導電層の劣化因子としては、雰囲気中に含まれる水分や硫化物が挙げられる。これらは、透明樹脂支持体やハードコート層に取り込まれ、またハードコート層を透過して透明導電層まで到達する。したがって、透明樹脂支持体とハードコート層だけでは、透明導電層の銀の保護機能が十分ではなく、そのため第１高屈折率層、好ましくは第１硫化防止層がある場合は硫化防止層も含めて透明樹脂支持体上にパターン化されずに残存させることが、透明導電層の劣化防止の観点から好ましい。
【０１２８】
透明導電層をパターン化する方法としては、公知の方法を用いることができ、このようなパターン化の方法としては、具体的には、以下のようにして行うことができる。
【０１２９】
（パターン化工程）
以下、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成方法について説明する。
【０１３０】
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明導電層を、図４に示すような所望のパターンに加工する方法である。
【０１３１】
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所期のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。
【０１３２】
現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の中間層の溶解及び銀薄膜電極の除去を行う。
【０１３３】
エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所期のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所期の目的に応じて容易に選定することができる。
【０１３４】
次いで、図５Ａ〜図５Ｇを用いて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法について説明する。
【０１３５】
図５Ａ〜図５Ｇは、本発明の透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図である。
【０１３６】
第１ステップとして、図５Ａで示すように、透明樹脂支持体１上に、第１高屈折率層２、第１硫化防止層５ａ、透明導電層３、第２硫化防止層５ｂ、第２高屈折率層４をこの順で積層した透明導電性フィルム１００を作製する。
【０１３７】
次いで、図５Ｂで示すレジスト膜の形成工程で、透明導電性フィルム１００上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜６を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物あるいはポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。
【０１３８】
塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、透明導電性フィルム１００上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０℃以上、１５０℃以下の範囲で３０秒〜３０分間行うことができる。
【０１３９】
次いで、図５Ｃに示す露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスク７を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜６Ａに照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。
【０１４０】
次いで、図５Ｄに示す現像工程で、露光済みの透明導電性フィルムを、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト膜６Ａを溶解する。
【０１４１】
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を一種あるいは二種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０℃以上１５０℃以下の範囲で乾燥ベークを行ってもよい。
【０１４２】
この後、第２高屈折率層及び第２硫化防止層を除去すべく、エッチング液として林純薬工業（株）製「ＰＵＲＥ  ＥＴＣＨ  １００」を使用する。（図５Ｅ）
次いで、透明導電層、第１硫化防止層のみを溶解すべく関東化学（株）製「ＳＥＡ−５」を短時間のエッチングにおいて実施する。（図５Ｆ）
最後に、図５Ｇに示すように、レジスト膜剥離液、例えば、ナガセケムテックス社製の「Ｎ−３００」に浸漬して、レジスト膜６を除去して、第１高屈折率層２を残した電極パターンを有する透明導電性フィルムを作製することができる。
【実施例】
【０１４３】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１４４】
≪透明導電性フィルムの作製≫
透明導電性フィルムの作製には、以下の透明樹脂支持体及び導電性材料を用いた。【０１４５】
１．ＴＰＳ１：コニカミノルタ（株）製「ゼロタック」厚さ５０μｍ  Ｒｏ＝０ｎｍ  Ｒｔ＝０ｎｍ  ｎ＝１．５０
２．ＴＰＳ２：コニカミノルタ（株）製「コニカミノルタタック」厚さ５０μｍ  Ｒｏ＝５ｎｍ  Ｒｔ＝３０ｎｍ  ｎ＝１．４８
３．ＴＰＳ３：コニカミノルタ（株）製「ゼロタック」を延伸し、厚さ５０μｍ  Ｒｏ＝３ｎｍ  Ｒｔ＝３ｎｍに調整した。ｎ＝１．５０【０１４６】
４．ＴＰＳ４：コニカミノルタ（株）製「コニカミノルタタック」を延伸し、厚さ５０μｍ  Ｒｏ＝１５ｎｍ  Ｒｔ＝３０ｎｍに調整した。ｎ＝１．４８【０１４７】
５．ＰＥＴ１：東洋紡製ポリエチレンテレフタレートフィルム「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ  Ｒｏ＝５０００ｎｍ  Ｒｔ＝１００００ｎｍ  ｎ＝１．６０
６．ＰＣ１  ：カネカ製ポリカーボネートフィルム「エルメック  Ｒ４０＃４３５フィルム」厚さ４０μｍ  Ｒｏ＝４３５ｎｍ  Ｒｔ＝６００ｎｍ  ｎ＝１．５８
７．ＴＰＳ５  ：カネカ製ポリカーボネートフィルム「エルメック  Ｒ４０＃１４０フィルム」厚さ４０μｍ  Ｒｏ＝１４０ｎｍ  Ｒｔ＝３５０ｎｍ  ｎ＝１．５８
８．ＴＰＳ６：日本ゼオン製シクロオレフィンフィルム「ゼオノアＺ１４（５０μｍ）」厚さ５０μｍ  Ｒｏ＝１．５ｎｍ  Ｒｔ＝１０ｎｍ  ｎ＝１．５３
９．ＴＰＳ７：コニカミノルタ（株）製「ＶＡ−ＴＡＣ」厚さ８０μｍ  Ｒｏ＝５０ｎｍ  Ｒｔ＝１３０ｎｍ  ｎ＝１．４８
１０．ＰＥＴ２：２軸延伸ＰＥＴ  厚さ５０μｍ  Ｒｏ＝１５００ｎｍ  Ｒｔ＝５０００ｎｍ  ｎ＝１．６０
１１．ＡＰＣ：フルヤ金属製「Ａｇ合金」（Ｐｄ、Ｃｕを含有）
１２．ＡＰＣ−ＴＲ：フルヤ金属製「Ａｇ合金」（Ｐｄ、Ｃｕを含有）
１３．ＡＰＣ−ＳＲ：フルヤ金属製「Ａｇ合金」（Ｐｄ、Ｃｕを含有）
上記３グレードの合金は、各々の組成が異なっている。【０１４８】
１４．ＧＢ−１００：コベルコ科研製「Ａｇ合金」Ａｇ（９９．０ａｔｍ％）／Ｂｉ（１．０ａｔｍ％）
１５．ＧＢＲ−１５：コベルコ科研製「Ａｇ合金」Ａｇ（９８．３５ａｔｍ％）／Ｂｉ（０．３５ａｔｍ％）／Ｇｅ（０．３ａｔｍ％）／Ａｕ（１．０ａｔｍ％）
１６．Ａｇ：（純度９９．９９％）
１７．ＫＰ８０１Ｍ：信越化学工業社製「フッ素系表面改質材料」
１８．ａ−ＧＩＯ：非晶性ガリウム・インジウム酸化物
１９．ＩＴＯ：インジウム・スズ酸化物  ｎ＝１．８０
２０．ＺｎＳ：硫化亜鉛  ｎ＝２．３７
２１．ＳｉＮ：窒化ケイ素  ｎ＝２．０２
２２．ＴｉＯ２：酸化チタン  ｎ＝２．５２
２３．Ｎｂ２Ｏ５：５酸化ニオブ  ｎ＝２．３１
２４．Ａｕ：（純度９９．９９％）ｎ＝０．３４
２５．ＺｎＯ：酸化亜鉛  ｎ＝１．９５
２６．Ｃｒ：金属クロム
２７．ＩＣＯ：インジウム・セリウム酸化物
２８．ＩＺＯ：インジウム・亜鉛酸化物  ｎ＝２．１０
２９．ＧＺＯ：ガリウム・亜鉛酸化物
３０．ＩＧＺＯ：インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物
上記の中で、ｎは屈折率を表す。
＜透明導電性フィルム１の作製＞
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２））
透明樹脂支持体としてコニカミノルタ（株）製「ゼロタック」（Ｒｏ＝０ｎｍ、Ｒｔ＝０ｎｍ）膜厚５０μｍ上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度３．０Å／ｓｅｃ（０．３ｎｍ／ｓｅｃ）でＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、層厚４５．０ｎｍの第１高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍとした。Ｒｏ及びＲｔは、２３℃・５５％ＲＨの環境下において、位相差測定装置「ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ」（王子計測機器（株）製）によって測定した。【０１４９】
ＺｎＳとＳｉＯ２との比率（体積比）は、７５：２５（ＺｎＳ：７５体積％）であった。【０１５０】
（透明導電層（Ａｇ））
前記第１高屈折率層上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度１４Å／ｓｅｃ（１．４ｎｍ／ｓｅｃ）でＡＰＣ−ＴＲ（フルヤ金属製「Ａｇ合金」）を対向スパッタし、層厚７．５ｎｍの透明導電層を形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍとした。【０１５１】
（第２硫化防止層）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度１．１Å／ｓｅｃ（０．１１ｎｍ／ｓｅｃ）でＺｎＯを層厚１．０ｎｍになるようにしてＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。【０１５２】
（第２高屈折率層（ＺｎＯ−ＳｉＯ２））
上記硫化防止層の上に、第１高屈折率層と同一の方法で、ＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、層厚４５．０ｎｍの第２高屈折率層を形成し透明導電性フィルム１を作製した。ＺｎＳとＳｉＯ２との体積比は７５：２５であった。【０１５３】
＜透明導電性フィルム２〜２８、３１〜３３の作製＞
表１及び表２の構成にした他は、透明導電性フィルム１と同様にして、本発明の透明導電性フィルム２〜２８及び３１〜３３を作製した。なお、ＺｎＳとＳｉＯ２の比率は、ＺｎＳとＳｉＯ２のターゲットを同時に用いた共スパッタリング法を利用することにより行った。各層の層厚は、スパッタ時間を調整することにより行った。また、第１硫化防止層と第２硫化防止層は、いずれも同様の方法で形成した。【０１５４】
＜透明導電性フィルム２９、３０の作製＞
透明樹脂支持体としてＴＰＳ３を用い、オプトラン製真空蒸着装置であるＧＥＮＥＲ１３００に設けた１機の電子加熱蒸発源と、２機の抵抗加熱蒸発源を組み合わせて用い、以下のように全ての層を真空蒸着法により形成した。【０１５５】
まず、第１高屈折率層をＺｎＳ−ＳｉＯ２とし、ＺｎＳを抵抗加熱蒸発源から、ＳｉＯ２を電子加熱蒸発源から、それぞれ共蒸着した。このとき、抵抗加熱・電子銃の電流を、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比が７５：２５となるように独立に制御した。層厚は４５．０ｎｍとした。【０１５６】
次に、第１硫化防止層としてＺｎＯを電子加熱蒸発源から層厚１．０ｎｍで形成した。次いで、透明導電層として第１の抵抗加熱蒸発源からＡｇを、第２の抵抗加熱蒸発源からＡｕを、それぞれ共蒸着した。このとき、ＡｇとＡｕの比率を重量比で９８：２となるよう、各々の蒸発源の電流を独立に制御した。層厚は７．５ｎｍとした。【０１５７】
次に、第２硫化防止層としてＺｎＯを電子加熱蒸発源から層厚１．０ｎｍで形成した。【０１５８】
最後に、第２高屈折率層をＺｎＳ−ＳｉＯ２とし、ＺｎＳを抵抗加熱蒸発源から、ＳｉＯ２を電子加熱蒸発源から、それぞれ共蒸着した。このとき、抵抗加熱・電子銃の電流を、ＺｎＳとＳｉＯ２の体積比が７５：２５となるように独立に制御した。層厚は４５．０ｎｍとしたこれを透明導電性フィルム２９とした。【０１５９】
透明導電性フィルム３０は、表２に記載の通り透明導電性フィルム２９と同様に作製した。【０１６０】
【表１】
0006493225.tif 000002
【０１６１】
【表２】
0006493225.tif 000003
【０１６２】
＜透明導電性フィルム１０１〜１１６の作製＞
表３の構成にした他は、透明導電性フィルム１と同様にして、比較例の透明導電性フィルム１０１〜１１６を作製した。なお、透明導電性フィルム１１２及び１１３は下記の方法で作製した。【０１６３】
＜透明導電性フィルム１１２＞
透明樹脂支持体に東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  厚さ５０μｍ）を用いた。これに、第１高屈折率層としてＮｂ２Ｏ５を層厚２７．５ｎｍで形成した。ただし、Ｎｂ２Ｏ５層についてはアネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度１．２Å／ｓｅｃ（０．１２ｎｍ／ｓｅｃ）でＮｂ２Ｏ５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。続いて大阪真空製のスパッタリング装置を用い、透明導電層としてＡｇを層厚７．３ｎｍまで形成した。続いて第２高屈折率層としてＩＺＯを層厚３６．０ｎｍまで形成した。これを透明導電性フィルム１１２とした。【０１６４】
＜透明導電性フィルム１１３＞
コニカミノルタ（株）製「ゼロタック」を用い、乾燥前に延伸工程を加えることでＲｏ＝３ｎｍとした。これに、第１高屈折率層をＩＣＯとし、層厚２７．０ｎｍとして形成した。続いて第１硫化防止層として、Ｃｒを層厚０．８ｎｍにて形成し、さらに透明導電層としてＡｇ−Ａｕ合金を、Ａｇ、Ａｕをそれぞれ９８ａｔｍ％、２ａｔｍ％、含まれるよう調製された合金をターゲットに用いて、層厚９．０ｎｍにて形成した。続いて第２硫化防止層として、Ｃｒを層厚０．８ｎｍにて形成し、その上に第２高屈折率層としてＩＣＯを２７．０ｎｍの層厚で形成した。【０１６５】
次いで、上記の第２高屈折率層の上に改めてＳｉＯ２を４０．０ｎｍの層厚で形成した。さらに、フッ素系表面改質材料である「ＫＰ８０１Ｍ」を、Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ  １３００によって、１９０ｍＡ、形成速度１０Å／ｓｅｃ（１ｎｍ／ｓｅｃ）で抵抗加熱蒸着し６．０ｎｍの層厚で形成した。これを透明導電性フィルム１１３とした。【０１６６】
【表３】
0006493225.tif 000004
【０１６７】
≪評価方法≫
上記のようにして作製した本発明の透明導電性フィルム１〜３３及び比較例の透明導電性フィルム１０１〜１１６について、以下のようして評価した。【０１６８】
＜角度依存性虹ムラ＞
角度依存性虹ムラの評価は、１０インチサイズ（１インチ＝２．５４ｃｍ）で設けた透明導電性フィルムに電極を模したパターニング加工を行い、ＬＣＤディスプレイパネルに貼り合せてアウトセル型タッチパネルとした上で、画面にカラーチャートを実写投影し、盲検法にて、法線方向に対し４５度の角度からの映像について５０人の目視官能評価を行い、最大多数回答で比較判定する。【０１６９】
（評価判定基準）
○：虹ムラが見られない
△：軽微な虹ムラが認められる
×：視認性を損なう程度に虹ムラが発生する
＜表面抵抗（導電性）＞
透明導電性フィルムの初期の表面抵抗の測定は、低抵抗率計「ロレスタ−ＥＰ」（（株）三菱化学アナリテック製）を用いて行った。【０１７０】
（評価判定基準）
◎：１０Ω／□未満
○：１０Ω／□未満
△：１０Ω／□以上１５Ω／□未満
×：１５Ω／□未満
＜透明性の評価＞
透明導電性フィルムの初期の透明性の測定は、分光光度計「Ｕ４１００」（日立ハイテク製）を用いて、測定波長４００〜８００ｎｍの平均透過率を測定することによって行った。【０１７１】
この測定は、透過型静電容量タッチパネルに供されることを想定し、現実の系を反映すべく、支持体、高屈折率層、硫化防止層及び透明導電層からなる透明導電性フィルムを、油浸光学系で用いられるイマージョンオイル「タイプＡ（ｎ＝１．５１５）」（（株）ニコン製）にてガラス基板に貼りつけ、上記の全透過率を測定することにより評価した。【０１７２】
上記平均透過率は、透明導電性フィルムの透明樹脂支持体側の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定した。【０１７３】
（評価判定基準）
◎：平均透過率が、９２％以上
○：平均透過率が、９０％以上、９２％未満
△：平均透過率が、８５％以上、９０％未満
×：平均透過率が、８５％未満
上記のようにして評価した結果を表４に示した。【０１７４】
【表４】
0006493225.tif 000005
【０１７５】
以上の結果から本発明の導電性フィルム１〜３３が、良好な導電性と透明性を有し、かつ角度依存性のある虹ムラの発生しない美麗な映像表示が可能な透明導電性フィルムを提供できることが分かる。【０１７６】
一方、本発明の効果に対する比較例として作成した透明導電性フィルム１０１〜１１６は、いずれも本発明に比して諸特性で劣る結果となった。【０１７７】
透明導電性フィルム１０１は、銀を含有する導電層の層厚が厚すぎるために透過率が不十分となった。【０１７８】
透明導電性フィルム１０２は、導電層にＩＴＯを用いた結果、導電性の観点で著しく劣った。【０１７９】
透明導電性フィルム１０３は、導電層に金を用いているが、金の屈折率波長分散の特性ゆえに可視域全体においての高い透明性を確保できず、結果として平均透過率が不足していた。【０１８０】
透明導電性フィルム１０４〜１０６及び１１１は、透明樹脂支持体のリタ―デーションが大きすぎるがゆえに、角度依存性の虹ムラが顕著に発生した。【０１８１】
透明導電性フィルム１０７は、光学アドミッタンスを調整する機能を有する第２高屈折率層が存在しないことにより、入射した光のエネルギーの少なくない部分が反射に仕向けられた結果、全体の透過率が劣った。【０１８２】
透明導電性フィルム１０８は、同じく光学アドミッタンスを調整する第１高屈折率層が存在しないために透過率の面で好ましくないばかりか、導電性もやや不足する結果となった。これは、第１硫化防止層であるＺｎＯが形成される際の下地が剥き出しの有機物である支持体表面であることから、Ｖｏｌｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒの成長様式において島状核で説明される、ＺｎＯ薄膜の微視的な構造特性が粒塊性の強いものとなった結果、その直後に成膜される導電層もこの影響を受け、同じく粒状界面性の強い膜となったものと推測される。【０１８３】
透明導電性フィルム１０９、１１０、１１２、１１４及び１１５についても、高屈折率層としてＺｎＳに代わって選定したＳｉＮ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＩＴＯ、ＧＩＯの各種材料固有の屈折率波長分散特性ゆえに光学アドミッタンスの調整が不十分となったほか、やや導電性も劣った。この導電性の不足については、同じく導電層の成膜される面の物理化学的性状が、硫化物を用いた層の場合と異なるために、導電層の微視的な構造が均質連続性に欠けるものとなったものと推測される。【０１８４】
透明導電性フィルム１１６については、導電層の厚みが薄すぎるために導電性の観点で劣っていた。【０１８５】
上記の比較例は、本発明により提供される透明導電性フィルムの効果および優位性を明らかに示すものである。
【産業上の利用可能性】
【０１８６】
本発明は、良好な導電性と透明性を有し、かつ角度依存性のある虹ムラの発生しない美麗な映像表示が可能な透明導電性フィルムに好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１８７】
１００  透明導電性フィルム
２００  偏光板
３００  画像表示素子
１  透明樹脂支持体
２  第１高屈折率層
３  透明導電層
４  第２高屈折率層
５ａ  第１硫化防止層
５ｂ  第２硫化防止層
６  レジスト膜
６Ａ  除去するレジスト膜
７  マスク
８  露光機
ＥＵ  透明電極ユニット
ａ  導通領域
ｂ  絶縁領域
【図１】
0006493225.tif 000006
【図２】
0006493225.tif 000007
【図３】
0006493225.tif 000008
【図４】
0006493225.tif 000009
【図５Ａ】
0006493225.tif 000010
【図５Ｂ】
0006493225.tif 000011
【図５Ｃ】
0006493225.tif 000012
【図５Ｄ】
0006493225.tif 000013
【図５Ｅ】
0006493225.tif 000014
【図５Ｆ】
0006493225.tif 000015
【図５Ｇ】
0006493225.tif 000016