(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、
前記処理容器内の圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に調整する工程と、
前記処理容器内の圧力を前記第１の圧力から前記第１の圧力よりも高い第２の圧力へ調整する工程と、
前記第２の圧力において、前記磁性体膜に磁場を印加し、前記磁性体膜を磁化する工程と、
を有し、
前記第２の圧力へ調整する工程において、前記基板の温度及び前記処理容器内の磁場を調整し、
前記磁性体膜を磁化する工程において、前記第２の圧力へ調整する工程において調整された前記第２の圧力、前記基板の温度及び前記処理容器内の磁場の条件の下、前記磁性体膜を磁化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の圧力は、０．１Ｐａ〜１００ｋＰａであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の圧力は、１００Ｐａ〜１００ｋＰａであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の圧力は、１０μＰａ〜０．１Ｐａであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記磁性体膜を磁化する工程は、前記磁性体膜を加熱した状態で、前記磁性体膜に磁場を印加することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記磁性体膜を磁化する工程において、前記処理容器内に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記搬入する工程は、基板保持具により前記基板を垂直状態に保持した状態で、前記基板を前記処理容器内に搬入することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記搬入する工程は、基板保持具により前記基板を水平状態に保持した状態で、前記基板を前記処理容器内に搬入することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリデバイスとして、不揮発性メモリの１つであるＭＲＡＭ（Magnetic  Random  Access  Memory）が注目されている。ＭＲＡＭは、例えば、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という。）上に形成された磁性体膜を高真空に維持した処理容器内において磁場中で熱処理（磁気アニール処理）し、その磁気特性を発現させることによって製造される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２６３２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の半導体製造装置においては、素子の高密度化が進むにつれて、より緻密な処理が求められている。そのため、ウエハの表面へのパーティクルの付着を低減することが重要となる。しかしながら、高真空に維持した処理容器内において磁気アニール処理を行う場合、ウエハの表面へのパーティクルの付着を十分に低減できないことがあった。
【０００５】
そこで、上記課題に鑑み、本発明は、基板の表面へのパーティクルの付着を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、
磁性体膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、
前記処理容器内の圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に調整する工程と、
前記処理容器内の圧力を前記第１の圧力から前記第１の圧力よりも高い第２の圧力へ調整する工程と、
前記第２の圧力において、前記磁性体膜に磁場を印加し、前記磁性体膜を磁化する工程と、
を有し、
前記第２の圧力へ調整する工程において、前記基板の温度及び前記処理容器内の磁場を調整し、
前記磁性体膜を磁化する工程において、前記第２の圧力へ調整する工程において調整された前記第２の圧力、前記基板の温度及び前記処理容器内の磁場の条件の下、前記磁性体膜を磁化することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、基板の表面へのパーティクルの付着を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態の磁気アニール装置の概略断面図である。
【図２】ウエハの配置を説明する概略側面図である。
【図３】第１実施形態の半導体装置の製造方法を例示するタイムチャートである。
【図４】処理容器内の圧力とウエハの表面に付着したパーティクル数との関係を示すグラフである。
【図５】第２実施形態の半導体装置の製造方法を例示するタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
【００１０】
まず、本実施形態の半導体装置の製造方法に好適に用いることができる磁気アニール装置について、図１に基づき説明する。図１は、本実施形態の磁気アニール装置の概略断面図である。なお、以下では、磁気アニール装置の前後方向をＸ方向、左右方向をＹ方向、上下方向をＺ方向として説明する。
【００１１】
図１に示すように、磁気アニール装置１は、アニール炉１００と、磁石２００とを備える。磁石２００は、例えば、アニール炉１００の前後方向（長手方向）に延びる面の外周を覆うように設けられる。磁石２００は、アニール炉１００のウエハＷが保持される領域に所定方向（例えば、前後方向）の均一な磁界を発生させることができれば、種々の磁石２００を用いることができるが、例えば、ソレノイド型磁石を用いてもよい。
【００１２】
アニール炉１００は、処理容器１１０と、ヒータ１２０と、ヒータ支持金属板１３０と、断熱材１４０と、水冷ジャケット１５０と、フランジ部１６０と、Ｏ−リング１７０と、ガス供給管１８０と、熱電対１９０と、石英パイプ１９５とを備える。また、アニール炉１００は、キャップ１０と、ウエハボート支持部２０と、ウエハボート３０とを処理容器１１０内に収容可能に構成されている。
【００１３】
ウエハボート３０について、図２に基づき説明する。図２は、ウエハの配置を説明する概略側面図である。
【００１４】
ウエハボート３０は、ウエハＷを保持可能な基板保持具の一例である。ウエハＷは基板の一例である。ウエハボート３０は、ウエハＷを保持可能であれば種々のウエハボート３０を用いることができるが、例えば、図２（ａ）に示すように、前後方向（Ｘ方向）に所定の間隔を有して複数のウエハＷをそれぞれ垂直状態に保持することが可能な構成であってもよい。また、ウエハボート３０は、例えば、図２（ｂ）に示すように、上下方向（Ｚ方向）に所定の間隔を有して複数のウエハＷをそれぞれ水平状態に保持することが可能な構成であってもよい。
【００１５】
図１に示すように、処理容器１１０は、ウエハボート３０を収容し、磁気アニール処理を行うための容器である。処理容器１１０は、横長筒状の形状を有する。処理容器１１０は、横長筒状でウエハボート３０を収容できれば筒の形状は問わないが、例えば円筒形に構成されてもよい。処理容器１１０は、例えば石英からなる石英管として構成されてもよい。
【００１６】
ヒータ１２０は、ウエハＷを加熱する手段であり、処理容器１１０の外側に設けられ、ウエハボート３０を処理容器１１０の前後方向（長手方向）において覆うように、ウエハボート３０よりも長い長さを有する。ヒータ１２０は、処理容器１１０の長手方向に延びる面を覆うように、長手方向に沿って設けられる。
【００１７】
ヒータ支持金属板１３０は、ヒータ１２０を支持するための金属板である。ヒータ支持金属板１３０の内周面には、ヒータ１２０が取り付けられる。
【００１８】
断熱材１４０は、ヒータ１２０が放射する熱を内部に閉じ込め、磁石２００が設けられる外側に放出されることを防ぐための部材である。断熱材１４０は、ヒータ支持金属板１３０の外周面を覆うように設けられる。
【００１９】
水冷ジャケット１５０は、アニール炉１００の温度が上昇し過ぎるのを防ぐために設けられ、断熱材１４０の外周面を覆うように設けられる。水冷ジャケット１５０は、内側二重管１５２と、外側二重管１５６とを備え、内側二重管１５２と外側二重管１５６との間に冷媒１５４が通流される。冷媒１５４は、例えば、冷水であってもよいし、他の種類の冷媒１５４であってもよい。水冷ジャケット１５０を設けることにより、磁石２００側に大量の熱が放射されることを防ぐことができる。
【００２０】
フランジ部１６０は、処理容器１１０を適切に固定するために設けられた構造であり、Ｏ−リング１７０を介して処理容器１１０を保持する。Ｏ−リング１７０は、その他の箇所を密閉固定するため、他の箇所にも必要に応じて設けられる。
【００２１】
ガス供給管１８０は、処理容器１１０内に、例えば、窒素（Ｎ２）ガスなどの不活性ガスを供給する手段であり、フランジ部１６０の外周面から内周面に貫通するように設けられる。
【００２２】
熱電対１９０は、処理容器１１０内のウエハＷ周辺の温度を測定するための温度検出手段であり、温度制御を行うため、必要に応じて設けられる。なお、熱電対１９０は、例えば石英パイプ１９５内に配置されてもよい。
【００２３】
ウエハボート３０の先端側（キャップ１０の反対側）の処理容器１１０の奥側には、開口部１１０Ａが設けられる。開口部１１０Ａは、図示しない排気管を介して、真空ポンプに接続されている。真空ポンプは、処理容器１１０内を真空排気することができれば、種々の真空ポンプを用いることができるが、例えば、ドライポンプ、ターボ分子ポンプを用いてもよい。また、排気管には、図示しない圧力調整弁が設けられており、圧力調整弁の開度を調整することにより、処理容器１１０内の圧力を調整することができる。
【００２４】
〔第１実施形態〕
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例について、図３に基づき説明する。図３は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を例示するタイムチャートである。
【００２５】
まず、処理容器１１０内にウエハボート３０を搬入する（搬入ステップ、図示せず）。ウエハボート３０には、例えば、図２（ａ）に示すように、前後方向に所定の間隔を有して複数のウエハＷがそれぞれ垂直状態に保持されている。ウエハＷには、予め所定の磁性体膜が形成されている。
【００２６】
次に、排気ステップＳ１１において、真空ポンプにより処理容器１１０内を排気することにより、処理容器１１０内を高真空にする。高真空とは、圧力が１０μＰａ〜０．１Ｐａ（１０−５Ｐａ〜１０−１Ｐａ）の真空である。なお、１０μＰａ〜０．１Ｐａの圧力範囲は、第１の圧力の一例である。排気ステップＳ１１においては、ガス供給管１８０からガスを供給しない状態で処理容器１１０内を排気してもよく、ガス供給管１８０から不活性ガスを供給しながら処理容器１１０内を排気してもよい。
【００２７】
次に、調整ステップＳ１２において、処理容器１１０内の圧力、ウエハＷの温度及び処理容器１１０内の磁場を調整する。具体的には、ヒータ１２０を調整することにより、ウエハＷの温度を１５０℃〜４５０℃に調整する。また、磁石２００を調整することにより、処理容器１１０内の磁場を１Ｔ〜７Ｔに調整する。また、ガス供給管１８０から所定の流量の不活性ガスを供給すると共に、圧力調整バルブの開度を調整することにより、処理容器１１０内を高真空から中真空又は低真空へ変更する。中真空とは、圧力が０．１Ｐａ〜１００Ｐａ（１０−１Ｐａ〜１０２Ｐａ）の真空である。低真空とは、圧力が１００Ｐａ〜１００ｋＰａ（１０２Ｐａ〜１０５Ｐａ）の真空である。なお、１０−１Ｐａ〜１０５Ｐａの圧力範囲は、第２の圧力の一例である。
【００２８】
このように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、排気ステップＳ１１において処理容器１１０内を高真空にした後、調整ステップＳ１２において処理容器１１０内を中真空又は低真空に調整する圧力操作を行う。
【００２９】
次に、磁気アニールステップＳ１３において、処理容器１１０内を中真空又は低真空に維持した状態で、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気アニール処理を行うことにより、磁性体膜に所望の磁気特性を発現させる。具体的には、調整ステップＳ１２において調整された条件、すなわち、処理容器１１０内が中真空又は低真空、ウエハＷの温度が１５０℃〜４５０℃、磁場が１Ｔ〜７Ｔの条件の下、ウエハＷに対して磁気アニール処理を１分〜１２０分間行う。
【００３０】
このように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、磁気アニールステップＳ１３において処理容器１１０内を中真空又は低真空に維持した状態で、磁気アニール処理を行う。これにより、処理容器１１０内を高真空に維持した状態でウエハＷに形成された磁性体膜に磁気アニール処理を行う場合と比較して、ウエハＷの表面へのパーティクルの付着を低減することができる。なお、詳細については、後述の実施例において説明する。
【００３１】
なお、ウエハボート３０には、前後方向に所定の間隔を有して複数のウエハＷがそれぞれ垂直状態に保持されている。これにより、ウエハＷの膜平面方向が磁場の方向に垂直な方向となるため、ウエハＷに形成された磁性体膜は膜に対して垂直方向（perpendicular）に磁化される。
【００３２】
また、図２（ｂ）に示すように、上下方向に所定の間隔を有して複数のウエハＷがそれぞれ水平状態に保持されている場合、ウエハＷの膜平面方向が磁場の方向に平行な方向となる。このため、ウエハＷに形成された磁性体膜は膜平面方向（in-plane）に磁化される。
【００３３】
次に、降温ステップＳ１４において、ヒータ１２０をオフし、磁石２００をオフする。これにより、ウエハＷの温度が徐々に降温し、ウエハＷに印加される磁場が徐々に小さくなる。
【００３４】
次に、大気開放ステップＳ１５において、真空ポンプによる処理容器１１０内の排気を停止すると共に、ガス供給管１８０から処理容器１１０内に不活性ガスを供給することにより、処理容器１１０内を大気開放する。処理容器１１０内の圧力が大気圧になった後、ウエハボート３０を処理容器１１０内から搬出する。なお、大気開放ステップＳ１５は、降温ステップＳ１４により、ウエハＷの温度が所定の温度に降温した後に開始される。
【００３５】
以上により、ウエハＷに形成された磁性体膜に所望の磁気特性を発現させることができる。
【００３６】
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の実施例について説明する。実施例では、ウエハボート３０に、前後方向に所定の間隔を有して１００枚のウエハＷがそれぞれ垂直状態に保持されている状態で、磁気アニール処理を行った。磁気アニール処理の条件については、ウエハＷの温度を約４００℃、処理容器１１０内の磁場を数Ｔ、処理時間を約１時間とした。
【００３７】
また、処理容器１１０内の圧力については、約１０−１Ｐａ、約３×１０２Ｐａ、約１０４Ｐａとした。実施例では、処理容器１１０内をドライポンプの到達圧力まで減圧することで、磁気アニールステップＳ１３における処理容器１１０内の圧力を約１０−１Ｐａに調整した。また、ドライポンプにより処理容器１１０内を排気した状態で、ガス供給管１８０から不活性ガスを供給し、圧力調整弁の開度を調整することで、磁気アニールステップＳ１３における処理容器１１０内の圧力を約３×１０２Ｐａ又は約１０４Ｐａに調整した。
【００３８】
なお、比較例として、ウエハボート３０に、前後方向に所定の間隔を有して１００枚のウエハＷがそれぞれ垂直状態に保持されている状態で、処理容器１１０内の圧力については、約１０−５Ｐａとして磁気アニール処理を行った。なお、磁気アニール処理の温度、磁場、処理時間の条件については、実施例と同様とした。比較例では、処理容器１１０内をターボ分子ポンプの到達圧力まで減圧することで、磁気アニールステップにおける処理容器１１０内の圧力を約１０−５Ｐａに調整した。
【００３９】
次に、実施例及び比較例により得られたウエハＷの表面に付着したパーティクル数を測定した。
【００４０】
測定結果について、図４に基づき説明する。図４は、処理容器内の圧力とウエハの表面に付着したパーティクル数との関係を示すグラフである。図４において、横軸は磁気アニールステップにおける処理容器内の圧力（Ｐａ）を示し、縦軸は磁気アニール処理の後にウエハの表面に付着したパーティクル数（個）を示している。
【００４１】
なお、図４において、菱形印は１００枚のウエハのうちパーティクルの付着が最も多いウエハにおけるパーティクル数（以下「パーティクル数の最大値」という。）である。また、図４において、四角印はウエハに付着したパーティクル数の１００枚の平均値（以下「パーティクル数の平均値」という。）である。なお、本実施形態では、粒径が０．１μｍよりも大きいパーティクル数を測定した。
【００４２】
図４の菱形印に示すように、磁気アニールステップにおける処理容器１１０内の状態を中真空又は低真空にすることで、パーティクル数の最大値を低減することができた。具体的には、磁気アニールステップにおける処理容器１１０内の圧力を約１０−１Ｐａとすることにより、圧力が約１０−５Ｐａの場合と比較して、パーティクル数の最大値を半分以下に低減することができた。さらに、磁気アニールステップにおける処理容器１１０内の圧力を約３×１０２Ｐａとすることにより、圧力が約１０−５Ｐａの場合と比較して、パーティクル数の最大値を１／１０以下に低減することができた。また、磁気アニールステップにおける処理容器１１０内の圧力を約１０４Ｐａとすることにより、圧力が約１０−５Ｐａの場合と比較して、パーティクル数の最大値を１／１０以下に低減することができた。
【００４３】
また、図４の四角印に示すように、磁気アニールステップにおける処理容器１１０内の状態を低真空とすることで、パーティクル数の平均値をほとんどゼロに低減することができた。
【００４４】
なお、実施例の磁性体膜を用いて製造したＭＲＡＭの磁気特性は、比較例の磁性体膜を用いて製造したＭＲＡＭの磁気特性と同等であった。
【００４５】
以上に説明したように、本実施形態の半導体装置の製造方法は、処理容器１１０内を高真空に調整した後、中真空又は低真空に調整し、処理容器１１０内が中真空又は低真空の状態でウエハＷに磁場を印加して、磁気アニール処理を行う。これにより、ウエハＷの表面へのパーティクルの付着を低減することができる。その結果、磁性体膜を用いて製造されるＭＲＡＭの歩留りが向上する。また、磁気アニール処理を行った後に、ウエハＷの表面に付着したパーティクルを除去する工程が不要となる。
【００４６】
〔第２実施形態〕
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の他の例について、図５に基づき説明する。図５は、第２実施形態の半導体装置の製造方法を例示するタイムチャートである。
【００４７】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、処理容器内を高真空にすることなく、中真空又は低真空に調整した後、ウエハに形成された磁性体膜に対して磁気アニール処理を行う点で、第１実施形態の半導体装置の製造方法と異なる。
【００４８】
まず、処理容器１１０内にウエハボート３０を搬入する（搬入ステップ、図示せず）。ウエハボート３０には、例えば、図２（ａ）に示すように、前後方向に所定の間隔を有して複数のウエハＷがそれぞれ垂直状態に保持されている。ウエハＷには、予め所定の磁性体膜が形成されている。
【００４９】
次に、排気ステップＳ２１において、真空ポンプにより処理容器１１０内を排気することにより、処理容器１１０内を中真空又は低真空にする。排気ステップＳ２１においては、ガス供給管１８０からガスを供給しない状態で処理容器１１０内を排気してもよく、ガス供給管１８０から不活性ガスを供給しながら処理容器１１０内を排気してもよい。
【００５０】
このように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、排気ステップＳ２１において直接的に中真空又は低真空にしても、ウエハＷの表面へのパーティクルの付着を低減することができる。
【００５１】
次に、調整ステップＳ２２において、処理容器１１０内を中真空又は低真空に維持した状態で、ウエハＷの温度及び処理容器１１０内の磁場を調整する。具体的には、ヒータ１２０を調整することにより、ウエハＷの温度を１５０℃〜４５０℃に調整する。また、磁石２００を調整することにより、処理容器１１０内の磁場を１Ｔ〜７Ｔに調整する。なお、圧力調整バルブの開度を調整することにより、処理容器１１０内を中真空又は低真空に維持することができる。また、調整ステップＳ２２においては、ガス供給管１８０から所定の流量の不活性ガスを処理容器１１０内に供給しながら処理容器１１０内を排気することで、処理容器１１０内を中真空又は低真空に維持してもよい。
【００５２】
次に、磁気アニールステップＳ２３において、処理容器１１０内を中真空又は低真空に維持した状態で、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気アニール処理を行うことにより、磁性体膜に所望の磁気特性を発現させる。具体的には、調整ステップＳ２２において調整された条件、すなわち、処理容器１１０内が中真空又は低真空、ウエハＷの温度が１５０℃〜４５０℃、磁場が１Ｔ〜７Ｔの条件の下、ウエハＷに対して磁気アニール処理を１分〜１２０分間行う。これにより、処理容器１１０内を高真空に維持した状態でウエハＷに形成された磁性体膜に磁気アニール処理を行う場合と比較して、ウエハＷの表面へのパーティクルの付着を低減することができる。
【００５３】
なお、ウエハボート３０には、前後方向に所定の間隔を有して複数のウエハＷがそれぞれ垂直状態に保持されている。これにより、ウエハＷの膜平面方向が磁場の方向に垂直な方向となる。このため、ウエハＷに形成された磁性体膜は、膜に対して垂直方向に磁化される。
【００５４】
また、図２（ｂ）に示すように、上下方向に所定の間隔を有して複数のウエハＷがそれぞれ水平状態に保持されている場合、ウエハＷの膜平面方向が磁場の方向に平行な方向となるため、ウエハＷに形成された磁性体膜は、膜平面方向に磁化される。
【００５５】
次に、降温ステップＳ２４において、ヒータ１２０をオフし、磁石２００をオフする。これにより、ウエハＷの温度が徐々に降温し、ウエハＷに印加される磁場が徐々に小さくなる。
【００５６】
次に、大気開放ステップＳ２５において、真空ポンプによる処理容器１１０内の排気を停止すると共に、ガス供給管１８０から処理容器１１０内に不活性ガスを供給することにより、処理容器１１０内を大気開放する。処理容器１１０内の圧力が大気圧になった後、ウエハボート３０を処理容器１１０内から搬出する。なお、大気開放ステップＳ２５は、降温ステップＳ２４により、ウエハＷの温度が所定の温度に降温した後に開始される。
【００５７】
以上により、ウエハＷに形成された磁性体膜に所望の磁気特性を発現させることができる。
【００５８】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、処理容器１１０内を高真空にすることなく、直接的に中真空又は低真空に調整し、処理容器１１０内が中真空又は低真空の状態でウエハＷに磁場を印加して、磁気アニール処理を行う。これにより、ウエハＷの表面へのパーティクルの付着を低減することができる。その結果、磁性体膜を用いて製造されるＭＲＡＭの歩留りが向上する。また、磁気アニール処理を行った後に、ウエハＷの表面に付着したパーティクルを除去する工程が不要となる。
【００５９】
特に、本実施形態の半導体装置の製造方法では、処理容器１１０内を高真空に排気するステップを省くことが可能となるため、処理に要する時間を短縮することができる。また、処理容器１１０内を高真空に排気するターボ分子ポンプなどの真空ポンプが不要となるため、装置を簡略化することができる。
【００６０】
以上、半導体装置の製造方法を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１        磁気アニール装置
１０      キャップ
２０      ウエハボート支持部
３０      ウエハボート
１００    アニール炉
１１０    処理容器
１１０Ａ  開口部
１２０    ヒータ
１３０    ヒータ支持金属板
１４０    断熱材
１５０    水冷ジャケット
１５２    内側二重管
１５４    冷媒
１５６    外側二重管
１６０    フランジ部
１７０    Ｏ−リング
１８０    ガス供給管
１９０    熱電対
１９５    石英パイプ
２００    磁石
Ｗ        ウエハ
【図１】
0006532360.tif 000002
【図２】
0006532360.tif 000003
【図３】
0006532360.tif 000004
【図４】
0006532360.tif 000005
【図５】
0006532360.tif 000006