(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１貫通孔を有する第１絶縁部と、
前記第１貫通孔の内壁に形成された第１導電部と、
前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して埋め込む絶縁材と、
前記第１絶縁部上に形成された第２絶縁部と、
前記第２絶縁部内に形成されて前記第１導電部と接続されており、前記絶縁材上に前記絶縁材の上面径よりも小さい孔径の第２貫通孔を有し、前記絶縁材の上面の一部上を覆う第２導電部と、
前記第２絶縁部内で前記第２導電部と接続されている第３導電部と
を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第３導電部は、前記第１導電部の上方に整合する位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２絶縁部上で前記第３導電部と接続されており、前記第２貫通孔の上方に整合する位置に第３貫通孔を有する第４導電部を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部の上面及び下面にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２貫通孔において、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部とが接触していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
第１絶縁部に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内壁に第１導電部を形成する工程と、
前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して絶縁材で埋め込む工程と、
前記第１絶縁部上に、前記第１導電部と接続される第２導電部を形成する工程と、
前記第２導電部に、前記絶縁材の上面径よりも小さい孔径であり前記絶縁材の表面の一部を露出させる第２貫通孔を形成し、前記第２導電部が前記絶縁材の上面の一部上を覆うようにする工程と、
前記第１絶縁部上に、前記第２導電部を覆って前記第２貫通孔を埋め込む第２絶縁部を形成する工程と、
前記第２絶縁部に、前記第２導電部と接続される第３導電部を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第３導電部は、前記第１導電部の上方に整合する位置に形成されることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２絶縁部上で前記第３導電部と接続される第４導電部を形成する工程と、
前記第４導電部の前記第２貫通孔の上方に整合する位置に第３貫通孔を形成する工程と
を更に含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部の上面及び下面にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２貫通孔において、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部とが接触することを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と
を備え、
前記配線基板は、
第１貫通孔を有する第１絶縁部と、
前記第１貫通孔の内壁に形成された第１導電部と、
前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して埋め込む絶縁材と、
前記第１絶縁部上に形成された第２絶縁部と、
前記第２絶縁部内に形成されて前記第１導電部と接続されており、前記絶縁材上に前記絶縁材の上面径よりも小さい孔径の第２貫通孔を有し、前記絶縁材の上面の一部上を覆う第２導電部と、
前記第２絶縁部内で前記第２導電部と接続されている第３導電部と
を含むことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法、並びに電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線基板としては、例えば図１０に示すように、絶縁層又は基板等の絶縁部、例えばコア基板１０１を貫通する貫通電極１０２を有するものがある。貫通電極１０２は、コア基板１０１に形成された貫通孔１０１ａの内壁を導電膜１１１で覆い、貫通孔１０１ａ内を導電膜１１１を介して樹脂１１２で埋め込んで形成される。配線基板では、コア基板１０１の上面及び下面にそれぞれビルドアップ層１０３が積層され、各ビルドアップ層１０３の絶縁膜１１３内には、導電膜１１１と接続された導電体であるランド１１４、その上方のランド１１５、ランド１１４とランド１１５とを接続するビア１１６が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−４９４５８号公報
【特許文献２】特開２００３−２１８５２９号公報
【特許文献３】特開２０１５−１２６０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１０のような貫通電極１０２を有する配線基板では、用いられる材料、即ち絶縁材料、導電材料及び樹脂材料に熱膨張率差が存在する。樹脂１１２は比較的大きく熱膨張し、その後の冷却で収縮する。そのため、コア基板１０１の導電膜１１１及び樹脂１１２の上にランド１１４を形成すると、図１１のように、貫通孔１０１ａ内の樹脂１１２の膨張及び収縮に起因してランド１１４に応力が印加され（円Ｃ内に示す）、ランド１１４に破断が生じる懸念がある。
【０００５】
本発明は、第１絶縁部の第１貫通孔内を埋め込む絶縁材の熱膨張及び第２絶縁部の熱膨張を考慮して、主に前者の熱膨張に起因する第２導電部の応力負荷と共に、主に後者の熱膨張に起因する第３導電部の応力負荷を軽減して双方の破断を可及的に防止し、信頼性の高い配線基板及びその製造方法、並びに電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様として、配線基板は、第１貫通孔を有する第１絶縁部と、前記第１貫通孔の内壁に形成された第１導電部と、前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して埋め込む絶縁材と、前記第１絶縁部上に形成された第２絶縁部と、前記第２絶縁部内に形成されて前記第１導電部と接続されており、前記絶縁材上に前記絶縁材の上面径よりも小さい孔径の第２貫通孔を有し、前記絶縁材の上面の一部上を覆う第２導電部と、前記第２絶縁部内で前記第２導電部と接続されている第３導電部とを含む。
【０００７】
１つの態様として、配線基板の製造方法は、第１絶縁部に第１貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔の内壁に第１導電部を形成する工程と、前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して絶縁材で埋め込む工程と、前記第１絶縁部上に、前記第１導電部と接続される第２導電部を形成する工程と、前記第２導電部に、前記絶縁材の上面径よりも小さい孔径であり前記絶縁材の表面の一部を露出させる第２貫通孔を形成し、前記第２導電部が前記絶縁材の上面の一部上を覆うようにする工程と、前記第１絶縁部上に、前記第２導電部を覆って前記第２貫通孔を埋め込む第２絶縁部を形成する工程と、前記第２絶縁部に、前記第２導電部と接続される第３導電部を形成する工程とを含む。
【０００８】
１つの態様として、電子装置は、配線基板と、前記配線基板に搭載された電子部品とを備え、前記配線基板は、第１貫通孔を有する第１絶縁部と、前記第１貫通孔の内壁に形成された第１導電部と、前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して埋め込む絶縁材と、前記第１絶縁部上に形成された第２絶縁部と、前記第２絶縁部内に形成されて前記第１導電部と接続されており、前記絶縁材上に前記絶縁材の上面径よりも小さい孔径の第２貫通孔を有し、前記絶縁材の上面の一部上を覆う第２導電部と、前記第２絶縁部内で前記第２導電部と接続されている第３導電部とを含む。
【発明の効果】
【０００９】
上記の諸態様によれば、第１絶縁部の第１貫通孔内を埋め込む絶縁材の熱膨張及び第２絶縁部の熱膨張を考慮して、主に前者の熱膨張に起因する第２導電部の応力負荷と共に、主に後者の熱膨張に起因する第３導電部の応力負荷を軽減して双方の破断を可及的に防止し、信頼性の高い配線基板及び電子装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態による配線基板の主要構成を示す一部断面図である。
【図２】第１の実施形態による配線基板の奏する作用効果を説明するための一部断面図である。
【図３】第１の実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示すフロー図である。
【図４】第１の実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図５】図４に引き続き、第１の実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図６】第１の本実施形態の比較例による配線基板の主要構成及びシミュレーション解析結果を示す模式図である。
【図７】第１の本実施形態による配線基板の主要構成及びシミュレーション解析結果を示す模式図である。
【図８】第２の実施形態による電子装置の主要構成を示す一部断面図である。
【図９】第２の実施形態の変形例による電子装置の主要構成を示す一部断面図である。
【図１０】従来の配線基板の主要構成を示す一部断面図である。
【図１１】従来の配線基板の課題を説明するための一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、配線基板及び電子装置の諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
本実施形態では、配線基板及びその製造方法を開示する。
【００１３】
−配線基板の概略構成−
図１は、第１の実施形態による配線基板の主要構成を示す一部断面図である。
この配線基板は、第１絶縁部であるコア基板１１、コア基板１１を貫通する貫通電極１２、コア基板１１の上面及び下面にそれぞれ積層されたビルドアップ層１３を備えて構成されている。
【００１４】
コア基板１１には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミドトリアジン基板等の有機系絶縁基板、又はセラミック基板等の無機系絶縁基板を用いることができる。
【００１５】
貫通電極１２は、コア基板１１に形成された第１貫通孔である貫通孔１１ａの内壁を第２導電部である導電膜２１で覆い、貫通孔１１ａ内を導電膜２１を介して絶縁材である樹脂２２で埋め込んで形成されている。導電膜２１には、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。本実施形態では例えばＣｕを用いる。樹脂２２には、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。
【００１６】
ビルドアップ層１３は、絶縁膜２３内に、導電膜２１と電気的に接続された第２導電部であるランド２４、その上方の第４導電部であるランド２５、ランド２４とランド２５とを電気的に接続する第３導電部であるビア２６が形成されてなる。絶縁膜２３には、例えば、ガラスフィラー、ガラス繊維、炭素繊維等を含有する、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料（プリプレグ）を用いることができる。ランド２４，２５及びビア２６には、各種導電材料を用いることができる。本実施形態では例えばＣｕを用いる。コア基板１１の上面及び下面のビルドアップ層１３は、本実施形態では単層の場合を例示するが、所望の複数層に積層形成される。
【００１７】
ビア２６は、ランド２４上において、導電膜２１の上方に位置整合する部位を包含する領域に、詳細には導電膜２１及び樹脂２２に跨る領域（導電膜２１と樹脂２２との境界を含む領域）に形成されており、本実施形態では図示のように２箇所に設けられている。ビア２６を当該領域に形成することにより、ランド２４に押圧が付与され、樹脂２２のランド２４側への熱膨張を抑えることができる。
【００１８】
本実施形態では、ランド２４には、樹脂２２上、ここでは２つのビア２６間の部位に、第２貫通孔である貫通孔２４ａが形成されている。貫通孔２４ａにおいて、樹脂２２とビルドアップ層１３の絶縁材料とが接触している。更に、ランド２５には、貫通孔２４ａの上方に位置整合する部位、ここでは２つのビア２６間の部位に、第３貫通孔である貫通孔２５ａが形成されている。
【００１９】
樹脂２２に熱膨張が生じた場合、後述するようにランド２４に貫通孔を有しない構成では、当該熱膨張による応力がビア２６に集中し、ビア２６に破壊が生じる虞がある。本実施形態では、ランド２４に貫通孔２４ａが、ランド２５に貫通孔２５ａがそれぞれ形成されている。そのため、樹脂２２に熱膨張の圧力が高まると、図２に示すように、貫通孔２４ａで樹脂２２がビルドアップ層１３の絶縁膜２３を押しのけて例えば矢印Ａの方向に膨張する。これに伴い、貫通孔２５ａで絶縁膜２３が外方へ例えば矢印Ｂの方向に膨張する。この作用により、ランド２４に対する当該熱膨張による応力が緩和されてランド２４の破壊が防止されると共に、ビア２６に対する当該熱膨張による応力が緩和されてビア２６の破壊が防止される。
【００２０】
−配線基板の製造方法−
図３は、本実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示すフロー図である。図４及び図５は、本実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。図４及び図５において、図１に対応する構成部材については、同符号を付す。
【００２１】
先ず、図４（ａ）に示すように、上面及び下面の双方に導電膜３１が形成されたコア基板１１を用意する（ステップＳ１）。
導電膜３１は、例えばＣｕからなり、厚み０．０１５ｍｍ程度に形成されている。コア基板１１は、例えば厚み０．８５ｍｍ程度のものである。
【００２２】
続いて、図４（ｂ）に示すように、コア基板１１に貫通電極１２を形成する（ステップＳ２）。
詳細には先ず、所定のドリルを用いてコア基板１１を加工し、例えば０．１５ｍｍ程度の径の貫通孔１１ａを形成する。
次に、例えば無電解メッキ法、又は無電解メッキ法と電解メッキ法を用いて、貫通孔１１ａの内壁に導電膜２１を形成する。導電膜２１は例えばＣｕを材料とし、厚み０．０２５ｍｍ程度に形成する。
次に、貫通孔１１ａ内を、導電膜２１を介して絶縁材である樹脂２２で充填する。以上により、コア基板１１を貫通する貫通電極１２が形成される。
【００２３】
続いて、図４（ｃ）に示すように、導電膜３２を形成する（ステップＳ３）。
詳細には、例えば無電解メッキ法、又は無電解メッキ法と電解メッキ法を用いて、コア基板１１の上面及び下面の双方に、導電膜３１上及び貫通電極１２上を覆うように導電膜３２を形成する。導電膜３２は例えばＣｕを材料とし、厚み０．０１５ｍｍ程度に形成される。
【００２４】
続いて、図４（ｄ）に示すように、導電膜３１，３２をパターニングする（ステップＳ４）。
詳細には、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて導電膜３１，３２をパターニングする。これにより、導電膜３１に貫通電極１２の樹脂２２の表面の一部を露出させる貫通孔２４ａが形成され、コア基板１１上で導電膜３１，３２がその一部を残して除去されてランド２４が形成される。貫通孔２４ａは、例えば０．０６ｍｍ程度の径に形成される。ランド２４は、例えば０．２５ｍｍ程度の径に形成される。なお、貫通孔２４ａの形成工程とランド２４の形成工程とでは、エッチングする導電膜の厚みが異なるため、両者を別工程として、順次行うようにしても良い。ランド２４は、後述する工程でビアを形成するために必要な導体面積を十分に確保すべく、導電膜３２の形成時に導電膜３２の厚みを適宜調整する必要がある。
【００２５】
続いて、図５（ａ）に示すように、絶縁膜２３を形成する（ステップＳ５）。
詳細には、コア基板１１の上面及び下面の双方に、貫通孔２４ａ内を埋め込みランド２４上を覆うように絶縁膜２３を形成する。絶縁膜２３は、例えば厚み０．０７５ｍｍ程度に形成される。
【００２６】
続いて、図５（ｂ）に示すように、ビア２６を形成する（ステップＳ６）。
詳細には先ず、絶縁膜２３にランド２４の表面の一部を露出させる開口を形成する。開口は、導電膜２１及び樹脂２２に跨る領域（導電膜２１と樹脂２２との境界を含む領域）に、例えば０．０６ｍｍ程度の径で０．０３ｍｍ程度の深さに形成される。開口の形成には、例えば炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ（Ultra Violet）レーザ、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザ等のレーザを用いる。
次に、例えば無電解メッキ法、又は無電解メッキ法と電解メッキ法を用いて、開口を導電材料、例えばＣｕで埋め込む。以上により、ランド２４と電気的に接続されるビア２６が形成される。
【００２７】
続いて、図５（ｃ）に示すように、ランド２５を形成する（ステップＳ７）。
詳細には先ず、例えば無電解メッキ法、又は無電解メッキ法と電解メッキ法を用いて、コア基板１１の上面及び下面の双方に、導電膜３１上及び貫通電極１２上を覆うように導電膜を形成する。導電膜は例えばＣｕを材料とし、厚み０．０１５ｍｍ程度に形成される。
次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて導電膜をパターニングする。これにより、ビア２６間の領域で導電膜に絶縁膜２３の表面の一部を露出させる貫通孔２５ａが形成され、絶縁膜２３上で導電膜がその一部を残して除去されてランド２５が形成される。貫通孔２５ａは、ランド２４の貫通孔２４ａの上方に整合する位置に、例えば０．０６ｍｍ程度の径に形成される。ランド２５は、例えば０．２５ｍｍ程度の径に形成される。以上により、絶縁膜２３内に、ランド２４、その上方のランド２５、ランド２４とランド２５とを電気的に接続するビア２６を備えたビルドアップ層１３が形成される。
【００２８】
しかる後、絶縁膜２３の形成工程（ステップＳ５）、ビア２５の形成工程（ステップＳ６）、及びランド２５の形成工程（ステップＳ７）を、ビルドアップ層１３として所望する層数だけ繰り返す。以上により、本実施形態による配線基板が形成される。
【００２９】
本実施形態による配線基板の奏する技術的効果を確認するため、本実施形態の比較例（特許文献３）との比較に基づくシミュレーション解析を行った。
図６は、本実施形態の比較例による配線基板の主要構成及びシミュレーション解析結果を示す模式図である。図７は、本実施形態による配線基板の主要構成（図１に対応する）及びシミュレーション解析結果を示す模式図である。
【００３０】
比較例による配線基板は、本実施形態による配線基板と、ビルドアップ層１０３のランド１１４，１１５に貫通孔を有しない点で相違する。その他の点については本実施形態による配線基板と同様とされている。即ち、比較例による配線基板は、コア基板１０１、コア基板１０１を貫通する貫通電極１０２、コア基板１０１の上面及び下面にそれぞれ積層されたビルドアップ層１０３を備えて構成されている。貫通電極１０２は、コア基板１０１に形成された貫通孔１０１ａの内壁を導電膜１１１で覆い、貫通孔１０１ａ内を導電膜１１１を介して樹脂１１２で埋め込んで形成されている。ビルドアップ層１０３は、絶縁膜１１３内に、導電膜１１１と電気的に接続されたランド１１４、その上方のランド１１５、ランド１１４とランド１１５とを電気的に接続するビア１１６が形成されてなる。
【００３１】
ビア１１６は、ランド１１４上において、導電膜１１１の上方に位置整合する部位を包含する領域に、詳細には導電膜１１１及び樹脂１１２に跨る領域（導電膜１１１と樹脂１１２との境界を含む領域）に形成されており、本実施形態では図示のように２箇所に設けられている。ビア１１６を当該領域に形成することにより、ランド１１４に押圧が付与され、樹脂１１２のランド１１４側への熱膨張を抑えることができる。
【００３２】
比較例では、樹脂１１２の熱膨張によるランド１１４の破断を防止する一方で、樹脂１１２の熱膨張を押さえ付けて抑制しているビア１１６に応力が集中し易くなる。更に、ビア１１６の下方及び上方がランド１１４，１１５で覆われているため、絶縁膜１１３が熱膨張した際に、当該熱膨張が主に絶縁膜１１３の水平方向へ広がり、絶縁膜１１３内のビア１１６に集中し易くなる。図６に示すように、ビア１１６の上部及び下部で大きな応力が印加されており、中央部でも応力は比較的大きいことが判る。当該応力に起因して、ビア１１６に破断が生じる虞がある。
【００３３】
これに対して本実施形態では、図７に示すように、樹脂２２が熱膨張すると、これに起因して発生する応力は、ビア２６で抑制されることに加え、ランド２４の貫通孔２４ａからビルドアップ層１３の絶縁膜２３に分散される。更に、樹脂２２の熱膨張を押さえ付けて抑制することによりビア２６に発生する応力、及び絶縁膜２３の熱膨張に起因して発生する応力は、ランド２５の貫通孔２５ａから外方へ分散される。その結果、図７に示すように、ビア２６に印加される応力は、比較例のビア１１６に比べて（特に下部及び中央部で）低減する。その結果、当該応力によるビア２６の破断が抑止される。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態によれば、貫通電極１２の貫通孔１１ａ内を埋め込む樹脂２２の熱膨張及びビルドアップ層１３の絶縁膜２３の熱膨張を考慮して、主に前者の熱膨張に起因するランド２４の応力負荷と共に、主に後者の熱膨張に起因するビア２６の応力負荷を軽減して双方の破断を可及的に防止し、信頼性の高い配線基板が実現する。
【００３５】
（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態による配線基板を備えた電子装置を開示する。
図８は、第２の実施形態による電子装置の主要構成を示す一部断面図である。
【００３６】
この電子装置は、第１の実施形態による配線基板１０に電子部品２０が搭載されて構成されている。
配線基板１０は、図１の配線基板と同様のものであるが、コア基板１１の上面及び下面にそれぞれ積層されたビルドアップ層１３が、上下それぞれで複数層、図示の例では２層に積層されている。
【００３７】
電子部品２０としては、半導体素子（半導体チップ）、半導体素子を含む半導体パッケージ等が挙げられる。
最上層及び最下層のビルドアップ層１３の表面には、電極（ランド２５）の表面を露出させる開口を有する保護膜４１が形成されている。保護膜４１には、例えばソルダーレジスト等が用いられる。配線基板１０の最上層の電極（ランド２５）上には、ハンダバンプ等の接合材４２が設けられている。接合材４２により、電極（ランド２５）と電子部品２０とが電気的に接続されている。
【００３８】
本実施形態によれば、貫通電極１２の貫通孔１１ａ内を埋め込む樹脂２２の熱膨張及びビルドアップ層１３の絶縁膜２３の熱膨張を考慮して、主に前者の熱膨張に起因するランド２４の応力負荷と共に、主に後者の熱膨張に起因するビア２６の応力負荷を軽減して双方の破断を可及的に防止し、信頼性の高い配線基板１０を備えた、信頼性の高い電子装置が実現する。
【００３９】
（変形例）
以下、第２の実施形態の変形例について説明する。本例では、第２の実施形態による電子装置が、更に他の配線基板に搭載された電子装置を開示する。
図９は、第２の実施形態の変形例による電子装置の主要構成を示す一部断面図である。
【００４０】
この電子装置は、第２の実施形態による、配線基板１０に電子部品２０が搭載された電子装置が、他の配線基板３０に搭載されて構成されている。配線基板１０の最上層及び最下層の電極（ランド２５）上には、ハンダバンプ等の接合材４２が設けられている。配線基板１０の最上層では、接合材４２により電極（ランド２５）と電子部品２０とが電気的に接続されている。配線基板１０の最下層では、接合材４２により電極（ランド２５）と配線基板３０とが電気的に接続されている。
【００４１】
本例によれば、貫通電極１２の貫通孔１１ａ内を埋め込む樹脂２２の熱膨張及びビルドアップ層１３の絶縁膜２３の熱膨張を考慮して、主に前者の熱膨張に起因するランド２４の応力負荷と共に、主に後者の熱膨張に起因するビア２６の応力負荷を軽減して双方の破断を可及的に防止し、信頼性の高い配線基板１０を備えた、信頼性の高い電子装置が実現する。
【００４２】
以下、配線基板及びその製造方法、並びに電子装置の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４３】
（付記１）第１貫通孔を有する第１絶縁部と、
前記第１貫通孔の内壁に形成された第１導電部と、
前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して埋め込む絶縁材と、
前記第１絶縁部上に形成された第２絶縁部と、
前記第２絶縁部内に形成されて前記第１導電部と接続されており、前記絶縁材上に第２貫通孔を有する第２導電部と、
前記第２絶縁部内で前記第２導電部と接続されている第３導電部と
を含むことを特徴とする配線基板。
【００４４】
（付記２）前記第３導電部は、前記第１導電部の上方に整合する位置に形成されていることを特徴とする付記１に記載の配線基板。
【００４５】
（付記３）前記第２絶縁部上で前記第３導電部と接続されており、前記第２貫通孔の上方に位置整合する部位に第３貫通孔を有する第４導電部を更に含むことを特徴とする付記１又は２に記載の配線基板。
【００４６】
（付記４）前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部の上面及び下面にそれぞれ形成されていることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【００４７】
（付記５）前記第２貫通孔において、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部とが接触していることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【００４８】
（付記６）第１絶縁部に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内壁に第１導電部を形成する工程と、
前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して絶縁材で埋め込む工程と、
前記第１絶縁部上に、前記第１導電部と接続される第２導電部を形成する工程と、
前記第２導電部に、前記絶縁材の表面の一部を露出させる第２貫通孔を形成する工程と、
前記第１絶縁部上に、前記第２導電部を覆って前記第２貫通孔を埋め込む第２絶縁部を形成する工程と、
前記第２絶縁部に、前記第２導電部と接続される第３導電部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【００４９】
（付記７）前記第３導電部は、前記第１導電部の上方に整合する位置に形成されることを特徴とする付記６に記載の配線基板の製造方法。
【００５０】
（付記８）前記第２絶縁部上で前記第３導電部と接続される第４導電部を形成する工程と、
前記第４導電部の前記第２貫通孔の上方に位置整合する部位に第３貫通孔を形成する工程と
を更に含むことを特徴とする付記６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【００５１】
（付記９）前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部の上面及び下面にそれぞれ形成されることを特徴とする付記６〜８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【００５２】
（付記１０）前記第２貫通孔において、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部とが接触することを特徴とする付記６〜９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【００５３】
（付記１１）配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と
を備え、
前記配線基板は、
第１貫通孔を有する第１絶縁部と、
前記第１貫通孔の内壁に形成された第１導電部と、
前記第１貫通孔を前記第１導電部を介して埋め込む絶縁材と、
前記第１絶縁部上に形成された第２絶縁部と、
前記第２絶縁部内に形成されて前記第１導電部と接続されており、前記絶縁材上に第２貫通孔を有する第２導電部と、
前記第２絶縁部内で前記第２導電部と接続されている第３導電部と
を含むことを特徴とする電子装置。
【００５４】
（付記１２）前記第３導電部は、前記第１導電部の上方に整合する位置に形成されていることを特徴とする付記１１に記載の電子装置。
【００５５】
（付記１３）前記配線基板は、前記第２絶縁部上で前記第３導電部と接続されており、前記第２貫通孔の上方に位置整合する部位に第３貫通孔を有する第４導電部を更に含むことを特徴とする付記１１又は１２に記載の電子装置。
【００５６】
（付記１４）前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部の上面及び下面にそれぞれ形成されていることを特徴とする付記１１〜１３のいずれか１項に記載の電子装置。
【００５７】
（付記１５）前記第２貫通孔において、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部とが接触していることを特徴とする付記１１〜１４のいずれか１項に記載の電子装置。
【符号の説明】
【００５８】
１０，３０  配線基板
１１，１０１  コア基板
１１ａ，２４ａ，２５ａ，１０１ａ  貫通孔
１２，１０２  貫通電極
１３，１０３  ビルドアップ層
２０  電子部品
２１，３１，３２，１１１  導電膜
２２，１１２  樹脂
２３，１１３  絶縁膜
２４，２５，１１４，１１５  ランド
２６，１１６  ビア
４１  保護膜
４２  接合材
【図１】
0006586814.tif 000002
【図２】
0006586814.tif 000003
【図３】
0006586814.tif 000004
【図４】
0006586814.tif 000005
【図５】
0006586814.tif 000006
【図６】
0006586814.tif 000007
【図７】
0006586814.tif 000008
【図８】
0006586814.tif 000009
【図９】
0006586814.tif 000010
【図１０】
0006586814.tif 000011
【図１１】
0006586814.tif 000012