(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）全体の７０．３質量％以上、８５．６質量％以下の導電性粉末と、
（ｂ）アルカリ可溶ポリマーと、感光性モノマーと、光重合開始剤と、溶剤とを含有する感光性樹脂組成物と、
（ｃ）ガラスフリットと
を含み、
前記ガラスフリットの前記導電性粉末に対する質量比（ガラスフリット／導電性粉末）が、０．０２０以上、０．０５４以下であり、かつ、
前記ガラスフリットの軟化点が、前記導電性粉末の焼結開始温度以上であり、かつ、６５７℃以上であること
を特徴とする感光性導電ペースト。
【請求項２】
前記ガラスフリットとして、前記感光性樹脂組成物との屈折率の差の絶対値が０．１０以下のガラスフリットを用いることを特徴とする請求項１記載の感光性導電ペースト。
【請求項３】
前記ガラスフリットとして、前記感光性樹脂組成物との屈折率の差の絶対値が０．０３以下のガラスフリットを用いることを特徴とする請求項１記載の感光性導電ペースト。
【請求項４】
全体に占める前記導電性粉末の割合が７０．３質量％以上、８２．０質量％以下であることを特徴とする請求項３記載の感光性導電ペースト。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の前記感光性導電ペーストを用いて形成した導体層と、絶縁性無機成分と感光性を有する有機成分とを含む感光性絶縁ペーストを用いて形成した絶縁層とを備えた積層体を一体焼成する工程を備えていることを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、基材上に所望の回路や電極などの導体パターンを形成するのに用いられる感光性導電性ペースト、および、該感光性導電ペーストを用いた積層型電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、感光性導電ペーストを用いて積層セラミック回路基板を製造する方法が広く用いられるようになっており、そのような感光性導電ペーストの１つに、特許文献１に記載されているような感光性導電ペーストが提案されている。
【０００３】
特許文献１の感光性導電ペーストは、金属成分粒子（Ａｇ粒子）と、酸性官能基を有する樹脂と、光反応性有機成分とを含有する感光性導電ペーストであって、(ａ)金属成分粒子の中心粒径が１．５〜５．０μｍ、(ｂ)金属成分粒子の中心粒径と、金属成分粒子の結晶子径の比（中心粒径／結晶子径）が３５〜９０であって、(ｃ)金属成分粒子に含まれる有機成分量が０．１０質量％以下となるように構成された感光性導電ペーストである。
【０００４】
そして、この感光性導電ペーストを、例えば、内部導体（導体層）が絶縁層を介して積層された構造を有する積層型電子部品を製造する場合の、内部導体形成用の導電ペーストとして用いることにより、内部導体と絶縁層の間のデラミネーションの発生、導体層の電気抵抗の増大、絶縁層に空隙や気泡が含まれることによる絶縁性能の低下などを抑制、防止して、特性の良好な積層型電子部品を得ることができるとされている。
【０００５】
しかしながら、内部電極形成用の導電ペーストとして特許文献１の感光性導電ペーストを用いた場合、絶縁層となるセラミック積層体の構成材料（セラミック）よりも感光性導電ペーストの方が焼成収縮の程度が大きいため、必ずしも十分にデラミネーションの発生を抑制することできず、また、上述の焼成収縮の差に起因する電極の断線などの構造欠陥を引き起こすというような問題点がある。
【０００６】
また、上述の焼成収縮を抑える方法として、感光性導電性ペーストにおける金属成分粒子（Ａｇ粒子）の含有率を高める方法が考えられるが、金属成分粒子（Ａｇ粒子）の含有率を高めると、塗布した感光性導電ペーストをフォトリソグラフィーによりパターニングする際の光透過率が低下し、微細なパターニングが困難になるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５１６３６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するものであり、例えば、導体層と絶縁層とを一体焼成して積層素子を形成する工程を経て積層型電子部品を製造するにあたって、上記導体層の形成に用いた場合にも、導体層と絶縁層の間におけるデラミネーションの発生を抑制、防止することが可能で、かつ、微細なパターニングを行うことが可能な感光性導電ペースト、および、それを用いた積層型電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の感光性導電ペーストは、
（ａ）全体の７０．３質量％以上、８５．６質量％以下の導電性粉末と、
（ｂ）アルカリ可溶ポリマーと、感光性モノマーと、光重合開始剤と、溶剤とを含有する感光性樹脂組成物と、
（ｃ）ガラスフリットと
を含み、
前記ガラスフリットの前記導電性粉末に対する質量比（ガラスフリット／導電性粉末）が、０．０２０以上、０．０５４以下の範囲にあり、かつ、
前記ガラスフリットの軟化点が、前記導電性粉末の焼結開始温度以上であり、かつ、６５７℃以上であること
を特徴としている。
【００１０】
また、前記ガラスフリットとして、前記感光性樹脂組成物との屈折率の差の絶対値が０．１０以下のガラスフリットを用いることが好ましい。
【００１１】
ガラスフリットとして、感光性樹脂組成物との屈折率の差の絶対値が０．１０以下のガラスフリットを用いることにより、例えば、フォトリソパターニングを行う場合において、感光性樹脂成分とガラスフリットの界面での光の散乱を抑え、高解像性を得ることが可能になる。
【００１２】
また、前記ガラスフリットとして、前記感光性樹脂組成物との屈折率の差の絶対値が０．０３以下のガラスフリットを用いることがさらに好ましい。
【００１３】
ガラスフリットとして、感光性樹脂組成物との屈折率の差の絶対値が０．０３以下のガラスフリットを用いることにより、感光性樹脂成分とガラスフリットの界面の光散乱をさらに確実に抑えて、より高い解像性を得ることが可能になる。
【００１４】
また、全体に占める前記導電性粉末の割合が７０．３質量％以上、８２．０質量％以下であることを特徴としている。
【００１５】
導電性粉末の割合を、７０．３質量％以上、８２．０質量％以下とすることにより、導電性粉末の割合が少ない場合に起こる焼成収縮を抑制しつつ、固形分が多くなりすぎる場合に起こる光透過率の低下を抑制して、高い解像性を得ることができる。
【００１６】
また、本発明の積層型電子部品の製造方法は、上述の本発明にかかる感光性導電ペーストを用いて形成した導体層と、絶縁性無機成分と感光性を有する有機成分とを含む感光性絶縁ペーストを用いて形成した絶縁層とを備えた積層体を一体焼成する工程を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の導電性ペーストは、（ａ）全体の７０．３質量％以上、８５．６質量％の導電性粉末と、（ｂ）アルカリ可溶ポリマーと、感光性モノマーと、光重合開始剤と、溶剤とを含有する感光性樹脂組成物と、（ｃ）ガラスフリットとを含み、ガラスフリットの導電性粉末に対する質量比（ガラスフリット／導電性粉末）が、０．０２０以上、０．０５４以下の範囲にあり、かつ、ガラスフリットの軟化点が、導電性粉末の焼結開始温度以上かつ６５７℃以上であるという要件を備えており、この感光性導電ペーストを用いることより、例えば、積層型コイル部品などの積層型電子部品を製造する場合における、焼成時の収縮を抑制し、素体と電極間のデラミネーションや電極の断線を抑制して、信頼性の高い積層型電子部品を得ることが可能になる。
【００１８】
すなわち、軟化点が導電性粉末の焼結開始温度以上のガラスフリットを配合することにより、導電性粉末の焼結開始において溶融しないガラスフリットが導電性粉末の焼成収縮を抑制する機能を果たし、電極の焼成収縮を小さくすることができる。その結果、例えば、電極幅が５０μｍ以上，電極厚みが１５μｍ以上の内部電極を有し、かつ、内部電極が占める体積割合の大きい積層型電子部品を作製する際にも、デラミネーションの発生や、電極の断線（ビア導体の断線）を抑制することが可能になる。
【００１９】
なお、例えば、ガラスフリットとして、ＳｉＯ2を１５質量％以上、８０質量％以下、Ｂ2Ｏ3を１０質量％以上、２０質量％以下、Ａｌ2Ｏ3を１５質量％以下の割合で含むガラスフリットを用いることにより、軟化点が導電性粉末の焼結開始温度以上のガラスフリット、さらには、軟化点が６５７℃以上のガラスフリットを含む本発明の感光性導電ペーストを確実に実現することが可能になり、好ましい。
【００２０】
また、本発明の積層型電子部品の製造方法は、本発明にかかる上述の感光性導電ペーストを用いて形成した導体層と、絶縁性無機成分と感光性を有する有機成分とを含む絶縁層とを備えた積層体を一体焼成する工程を備えていることから、焼成工程における電極の収縮などに起因するデラミネーションや電極の断線などを防止することが可能で、信頼性の高い積層型電子部品を効率よく製造することができる。
【００２１】
また、上述のように構成された本発明の積層型電子部品の製造方法により製造された積層型電子部品は、導体層（内部導体）と絶縁層（焼結絶縁層）の間のデラミネーションなどの構造的な欠陥や電極の断線などのない、特性の良好な積層型電子部品である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施例にかかる積層型電子部品（積層コイル部品）の製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の実施例にかかる方法で製造した積層型電子部品（積層コイル部品）の外観構成を示す図である。
【図３】本発明の実施例および比較例にかかる試料（多層配線回路チップ）の電極断線発生率を調べるために行った熱処理のプロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２４】
［１］電極形成用の感光性導電ペーストの作製
本発明の感光性導電ペーストを作製するため、以下に説明する、（ａ）導電性粉末、（ｂ）感光性樹脂組成物、および、（ｃ）ガラスフリットを用意した。
【００２５】
（ａ）導電性粉末
導電性粉末としては、平均粒径が４．０μｍのＡｇ粉末（Ａｇ粉末Ｉ）および２．０μｍのＡｇ粉末（Ａｇ粉末II）を用意した。
【００２６】
そして、Ａｇ粉末ＩおよびＡｇ粉末IIの焼結開始温度を、以下の方法で測定した。Ａｇ粉末０．５ｇを金型に入れ、プレス機によって１００ＭＰａの圧力で加圧してペレット状の試料を作製した。この試料をＴＭＡ（Thermomechanical Analyzer）測定器（株式会社リガク製 Thermo plus TMA8310）にセットし、測定前の試料長を測定する（装置が自動測定する）。試料を９３ｍＮの荷重で上側から押さえつけた状態で、Ａｉｒ雰囲気（Ａｉｒ流量２００ｍＬ／ｍｉｎ）、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で温度を上昇させ、試料の長さが０．２％収縮したときの温度を読み取り、そのときの温度を焼結開始温度と定義した。
このようにしてＡｇ粉末の焼結開始温度を測定することにより、Ａｇ粉末Ｉの焼結開始温度は５５０℃、Ａｇ粉末IIの焼結開始温度は４９０℃であることを確認した。
【００２７】
（ｂ）感光性樹脂組成物
感光性樹脂組成物を調製するにあたっては、
（ｂ−１）アルカリ可溶ポリマー：側鎖にカルボキシル基を有するアクリル系重合体、
（ｂ−２）感光性モノマー：ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、
（ｂ−３）光重合開始剤：２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン、
（ｂ−４）増感剤：２，４−ジエチルチオキサントン、
（ｂ−５）溶剤：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、および、
（ｂ−６）消泡剤  の各原料を表１に示すような割合で配合することにより、感光性樹脂組成物を調製した。
【００２８】
そして、調製した感光性樹脂組成物をＰＥＴフィルムなどの支持フィルムに印刷し、６０℃で１時間乾燥した後、屈折率を測定し、屈折率が１．４９であることを確認した。
感光性樹脂組成物の屈折率の測定は、ＡＴＡＧＯ社製のアッベ屈折計ＮＡＲ−２Ｔを用いて行った。
【００２９】
なお、この実施形態では、感光性樹脂組成物を構成するアルカリ可溶ポリマーとして、側鎖にカルボキシル基を有するアクリル系重合体を用いている。側鎖にカルボキシル基を有するアクリル系共重合体を含む前記樹脂は、例えば、不飽和カルボン酸とエチレン性不飽和化合物を共重合させることにより製造することができる。
不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸およびこれらの無水物等が挙げられる。一方、エチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、フマル酸モノエチル等のフマル酸エステル等が挙げられる。
また、側鎖にカルボキシル基を有するアクリル系共重合体としては、以下のような形態の不飽和結合を導入したものを用いてもよい。
１)アクリル系共重合体の側鎖のカルボキシル基に、これと反応可能な、例えばエポキシ基等の官能基を有するアクリル系モノマーを付加する。
２)側鎖のカルボキシル基の代わりにエポキシ基が導入されてなる前記アクリル系共重合体に、不飽和モノカルボン酸を反応させた後、さらに飽和または不飽和多価カルボン酸無水物を導入する。
また、側鎖にカルボキシル基を有するアクリル系共重合体としては、重量平均分子量（Ｍｗ）が５００００以下、かつ酸価が３０〜１５０のものが好ましい。
【００３０】
また、この実施形態では、感光性モノマーとして、上述のジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートを用いているが、その他にも、ヘキサンジオールトリアクリレート、トリプロピレングリコールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ステアリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリデシルアクリレート、カプロラクトンアクリレート、エトキシ化ノニルフェノールアクリレート、１、３−ブタンジオールジアクリレート、１、４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、プロポキシ化ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化グリセリルトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどを用いることができる。また、上記化合物の分子内のアクリレートの一部もしくは全てをメタクリレートに変えたものを用いることができる。  
【００３１】
また、この実施形態では、光重合開始剤として、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパンを用いているが、その他にも、ベンジル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、４−ベンゾイル−４'−メチルジフェニルサルファイド、ベンジルジメチルケタール、２−ｎ−ブトキシ−４−ジメチルアミノベンゾエート、２−クロロチオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、２、４−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２−ジメチルアミノエチルベンゾエート、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、３、３'−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、２、４−ジメチルチオキサントン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２、２−ジメトキシ−１、２−ジフェニルエタン−１−オン、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、メチルベンゾイルフォルメート、１−フェニル−１、２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン、ビス（２、６−ジメトキシベンゾイル）−２、４、４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド、ビス（２、４、６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイドなどを用いることが可能である。
【００３２】
また、増感剤、溶剤、および消泡剤についても、特に制約はなく、公知の種々のものを用いることが可能である。
【００３３】
【表１】
0006540711.tif 000002
【００３４】
（ｃ）ガラスフリット
この実施形態では、ガラスフリットとして、表２に示すような組成を有する４種類のガラスフリット（ガラスフリットＡ，ガラスフリットＢ，ガラスフリットＣ，およびガラスフリットＤ）を用意した。
【００３５】
なお、ガラスフリットの軟化点は、リトルトン粘度計を用いて、粘度係数ηが１０7ｄＰａ・ｓとなるときの温度を測定し、その温度を軟化点とした。また、ガラスフリットの屈折率はＡＴＡＧＯ社製のアッベ屈折計ＮＡＲ−２Ｔで測定した。
なお、ガラスフリットＤは、軟化点が上記導電性粉末（Ａｇ粉末）の焼結開始温度４９０℃より低く、この実施形態の条件においては、本発明の要件を満たさないガラスフリットである。
【００３６】
【表２】
0006540711.tif 000003
【００３７】
それから、上述のようにして用意した（ａ）導電性粉末、（ｂ）感光性樹脂組成物、（ｃ）ガラスフリットと、分散剤（添加物１）、および沈降防止剤（添加物２）を下記の割合、すなわち表３Ａ、表３Ｂに示した割合で配合し、混錬することにより、感光性導電ペーストを作製した。
【００３８】
導電性粉末            ：６８〜８８質量％
感光性樹脂組成物      ：８．６〜２８．６質量％
ガラスフリット        ：１．１〜５．３質量％
分散剤（添加物１）    ：０．２質量％
沈降防止剤（添加物２）：０．２質量％
【００３９】
［２］絶縁層形成用の感光性ガラスペーストの作製
下記の（ａ）〜（ｈ）の原料を配合して混練することにより、絶縁層形成用の感光性ガラスペーストを作製した。
【００４０】
（ａ）セラミック骨材（アルミナ）：２１．４質量％
（平均粒径が０．５μｍのアルミナ粉末を使用）
（ｂ）アルカリ可溶ポリマー（側鎖にカルボキシル基を有するアクリル系重合体）：２８質量％
（ｃ）感光性モノマー（ＥＯ変性トリメチロールプロパンアクリレート）：１２質量％
（ｄ）光重合開始剤（２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン）：２質量％
（ｅ）溶剤（ペンタメチレングリコール）：０．６質量％
（ｆ）有機染料：１質量％
（ｇ）消泡剤：１質量％
（ｈ）ガラスフリット（Ｓｉ−Ｂ−Ｋ系ガラス）：３４質量％
（ガラス軟化点７９０℃、平均粒径が１μｍのガラス粉末）
上記の（ａ）〜（ｈ）の原料のうち、（ｂ）〜（ｇ）が感光性樹脂組成物を構成する原料である。
【００４１】
［３］多層配線回路チップ（積層型電子部品）の作製
上述のようにして作製した感光性導電ペーストおよび感光性ガラスペーストを用いて、以下に説明する方法で多層配線回路チップ（積層型電子部品）を作製した。以下、図１および図２を参照しつつ、多層配線回路チップ（積層型電子部品）の製造方法について説明する。
【００４２】
(ａ)まず、感光性ガラスペーストをＰＥＴフィルム（支持フィルム）上にスクリーン印刷し、乾燥した後、フォトマスクを介さずに露光する。これを数回繰り返し、外層１１（１１ａ）となる厚み約１００μｍのガラス層（絶縁層）を形成する（図１参照）。なお、図１では支持フィルムは省略している。
【００４３】
(ｂ)次に、上述のようにして形成した、外層１１（１１ａ）となるガラス層（絶縁層）上に、膜厚が約１０μｍとなるように、感光性導電ペーストをスクリーン印刷し、乾燥した後、選択的に露光、現像して１層目の導体層（コイルパターン）１２（１２ａ）を形成する。
【００４４】
(ｃ)さらに、形成した１層目の導体層（コイルパターン）１２（１２ａ）と、その周囲の外層１１（１１ａ）上に、膜厚が約１５μｍとなるように、感光性ガラスペーストをスクリーン印刷（全面印刷）し、１層目の感光性ガラスペースト層（絶縁層）１３（１３ａ）を形成する。
それから、この感光性ガラスペースト層（絶縁層）１３（１３ａ）を、選択的に露光、現像して、所定の位置にビアホール１４（１４ａ）を形成する。
【００４５】
(ｄ)その後、膜厚が約１０μｍとなるように、スクリーン印刷により感光性導電ペーストを全面印刷し、乾燥する。続いて選択的に露光、現像を行って、２層目のコイルパターン（導体層）１２（１２ｂ）を形成する。
【００４６】
(ｅ)さらに、導体層１２と、その周囲の絶縁層１３上に、感光性ガラスペーストの印刷、ビアホール１４（１４ｂ）の形成を行って２層目の絶縁層１３（１３ｂ）を形成する。
【００４７】
(ｆ)次に、上記(ｄ)と同様の方法で、第３層目の導体層１２（１２ｃ）を形成する。
【００４８】
(ｇ)その後、上記(ｅ)の工程およびそれに続く上記(ｆ)の工程を繰り返して、所定の層数になるまで、所定の位置にビアホール１４を備えた感光性ガラスペースト層（絶縁層）１３とコイルパターン（導体層）１２とを形成する。
【００４９】
(ｈ)それから、その上に、上記(ａ)と同様の方法で、感光性ガラスペーストをスクリーン印刷し、乾燥した後、フォトマスクを介さずに露光することにより、厚み約１５０μｍの絶縁層である外層１１（１１ｂ）を形成する。これにより、コイルパターン（導体層）１２がビアホール１４を介して層間接続されることにより形成されたコイル２０を内部に有する積層構造体３０が得られる。
【００５０】
（ｉ）それから、この積層構造体３０を、約１ｍｍ□のチップ形状に分割し、ＰＥＴフィルムを剥離して焼成した後、両端部に外部電極を形成する。
【００５１】
これにより、図２に示すように、コイル２０（図１参照）を内部に有するセラミック積層体３０ａの両端部に、該コイルの両端部と導通する一対の外部電極２１ａ，２１ｂが配設された構造を有する多層配線回路チップ（積層型電子部品）５０が得られる。
【００５２】
［４］評価
上述のようにして作製した各試料（多層配線回路チップ）について、以下に説明する方法で、デラミネーション発生率および電極断線発生率を調べた。
【００５３】
(１)デラミネーション発生率
デラミネーション発生率（％）を調べるにあたっては、上記の各感光性導電ペーストを用いて作製した各試料（多層配線回路チップ）（表３Ａの実施例１〜８および表３Ｂの比較例１〜６の各試料）１００個について、図２に示す多層配線回路チップ５０の、厚みＴと幅Ｗにより規定される端面５０ａ側から、長さ方向（図２のＬ方向）の中央付近まで研磨し、長さ方向中央領域における、厚みＴと幅Ｗにより規定される面（研磨端面）を、マイクロスコープ（株式会社キーエンス製ＶＨＸ−９００）によって観察した。
【００５４】
そして、コイルパターン（内部電極）と絶縁層の間に厚みが２０μｍ以上の隙間が確認された試料（多層配線回路チップ）を、デラミネーションの発生した試料として計数した。
【００５５】
そして、下記の式によりデラミネーション発生率（％）を求めた。
デラミネーション発生率（％）＝｛デラミネーションが発生した試料の個数／全試料数（１００個）｝×１００
【００５６】
（２）電極断線発生率
上記の各感光性導電ペーストを用いて作製した試料（多層配線回路チップ）１００万個を多回熱処理した際の電極断線発生率を評価した。断線の検出は試料の導通不良を検出することで行った。
なお、熱処理は、リフローはんだ付け装置（株式会社タムラ製作所製ＴＮＲ１５−２２５ＬＨ）を用いて、図３に示すプロファイルを５回繰り返すことで行った。
【００５７】
そして、下記の式により電極断線発生率を求めた。
電極断線発生率（ｐｐｍ）＝（断線が発生した試料の個数／評価に供した試料の総数）×１０6
【００５８】
上述の方法で調べたデラミネーション発生率と、電極断線発生率を表３Ａ，３Ｂに示す。
【００５９】
（３）解像性の評価
上記の各感光性導電ペーストを用いてフォトリソグラフィー法によりコイルパターンを形成する際の解像性を、以下に説明する方法で評価した。
【００６０】
上記実施例１〜８および比較例１〜６で用いた各感光性導電ペースト（試料）を、上述の感光性ガラスペーストを用いて形成した絶縁層（感光性ガラス硬化膜）上にスクリーン印刷した後、６０℃で３０分間の乾燥を行い、膜厚９〜１１μｍの感光性導電ペースト膜を形成する。
【００６１】
次いで、ライン幅が２５，３０，３５，４０，４５，および５０μｍの太さでラインが描画されたマスクを通して、超高圧水銀灯の光線を６００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射することにより、感光性導電ペースト膜に露光処理を行う。
【００６２】
その後、アルカリ水溶液にて現像処理を行い、電極パターンを得る。
【００６３】
そして、得られた電極パターンを観察し、形成されていることが確認された最も微細な電極パターンの幅をもって各試料（感光性導電ペースト)の解像性とする。なお、上述の「確認された最も微細な電極パターンの幅」とは、当該電極パターンに対応する、上記マスクに形成されたラインの幅を上述の電極パターンの幅とした。
上述の方法で調べた解像性（ラインの幅）を表３Ａ，３Ｂに併せて示す。
【００６４】
なお、表３Ｂにおいて、解像性について「ライン飛び」と評価したものは、現像時に感光性導電ペースト膜（ライン）がすべて（幅２５〜５０μｍのラインのすべて）消失したものである。
【００６５】
この「ライン飛び」は、露光処理の際に光が感光性導電ペースト膜の下部まで到達せず（すなわち、感光性導電ペースト膜の厚み方向の途中までしか到達せず）、上記絶縁層との境界に近い領域において感光性導電ペースト膜が硬化しないことから、現像時に感光性導電ペースト膜（ライン）が消失してしまうことによるものである。
【００６６】
【表３Ａ】
0006540711.tif 000004
【００６７】
【表３Ｂ】
0006540711.tif 000005
【００６８】
表３Ａに示すように、実施例１〜８の、本発明の要件を満たす感光性導体ペーストを用いた場合、デラミネーションの発生率が０％、電極断線発生率が２０ｐｐｍ以下になることが確認された。
【００６９】
これは、Ａｇの焼結開始温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットを用いることで、感光性導電ペーストの焼結時の収縮率が小さくなり、絶縁層（すなわち、絶縁層形成用の感光性ガラスペースト）との収縮率の差が小さくなったことによるものと考えられる。
【００７０】
さらに、ガラスフリットと感光性樹脂組成物の屈折率の差の絶対値を０．１０以下にすることにより、５０μｍ以下という高い解像性が得られることが確認された。これは、屈折率の差の絶対値を０．１０以下にすることで、感光性導電ペースト膜の露光時の光の散乱が抑制され、感光性導電ペースト膜の入射面から、絶縁層との境界面まで、厚み方向全体にわたって光を透過させることが可能になったことによるものである。
【００７１】
また、ガラスフリットを配合していない比較例１の感光性導電ペーストの場合、焼結の際の収縮率が大きく、デラミネーション発生率が１００％となり、好ましくないことが確認された。
【００７２】
また、Ａｇ粉末の焼結開始温度よりも軟化点の低いガラスフリットを用いた比較例２の感光性導電ペーストの場合、デラミネーション発生率が５７％と高くなり、好ましくないことが確認された。これは、Ａｇ粉末の焼結の際にガラスも焼結してしまうため、焼結の際の収縮率が小さくならないことによるものである。
【００７３】
上記比較例２の結果より、ガラスフリットの軟化点が、導電性粉末（Ａｇ粉末）の焼結開始温度よりも低い場合には、屈折率の差の絶対値が０．１０以下、ガラスフリット／導電性粉末（Ａｇ粉末）の質量比が０．０２０以上、０．０５４以下の範囲にあり、かつ、ペースト中の導電性粉末含有量が上述の本発明の範囲（７０．３質量％以上、８５．６質量％以下の範囲）にある場合にも、デラミネーションの発生率および電極断線発生率が大きくなることがわかる。
【００７４】
また、Ａｇ粉末の含有量が６８質量％と少ない比較例３の感光性導電ペーストの場合も、デラミネーション発生率が８６％と高く、好ましくないことが確認された。これは、Ａｇ粉末の含有量が本発明の範囲よりも少ない場合、焼結の際の収縮を十分に抑制できないことによるものであると考えられる。
【００７５】
また、Ａｇ粉末の含有量が８８質量％と本発明の範囲を超える比較例４の感光性導電ペーストの場合、現像時に感光性導電ペーストの塗膜が流出し、パターニングできない（ライン飛びが発生する）ことが確認された。これは、露光の際に光がＡｇ粉末に遮られて、感光性導電ペースト膜の底部まで到達しにくくなることによるものである。
【００７６】
上記比較例３および４の結果より、ガラスフリットの軟化点が、導電性粉末（Ａｇ粉末）の焼結開始温度以上であり、屈折率の差の絶対値が０．１０以下、ガラスフリット／導電性粉末（Ａｇ粉末）の質量比が０．０２０以上、０．０５４以下の範囲にある場合であっても、ペースト中の導電性粉末（Ａｇ粉末）含有量が上述の本発明の範囲（７０．３質量％以上、８５．６質量％以下の範囲）よりも少ない場合（比較例３）には、焼成収縮量が大きくなり、デラミネーションの発生や導体の断線などの発生を抑制できず、また、導電性粉末（Ａｇ粉末）含有量が本発明の範囲（７０．３質量％以上、８５．６質量％以下の範囲）よりも多い場合（比較例４）には、露光の際に感光性導電ペースト膜の底部までＵＶ光が届きにくくなり、５０μｍまでの解像性を得られないことがわかる。
【００７７】
また、ガラスフリットとＡｇ粉末の質量比が０．０１４と小さい（すなわちガラスフリットの含有量が少ない）比較例５の感光性導電ペーストの場合も、デラミネーション発生率が７８％と高く、電極断線発生率も１６８ｐｐｍと高くなり、好ましくないことが確認された。
【００７８】
この結果から、ガラスフリットとＡｇ粉末の質量比が０．０１４と本発明の範囲を下回ると、焼結の際の収縮率が小さくならず、デラミネーションの発生率および電極断線発生率が高くなることがわかる。
【００７９】
また、ガラスフリットとＡｇ粉末の質量比が０．０６５と大きい（すなわちガラスフリットの含有量が多い）比較例６の感光性導電ペーストの場合、現像時に感光性導電ペーストの塗膜が流出し、パターニングすることができなくなる（ライン飛びが発生する）ことが確認された。
【００８０】
これは、ガラスフリットの割合が本発明の範囲を超えて大きくなると、露光の際に光の散乱により、感光性導電ペースト膜の底部まで光が到達しにくくなることによるものと考えられる。
【００８１】
これに対し、本発明の要件を満たす感光性導電ペースト、すなわち、全体の７０．３質量％以上、８５．６質量％以下の割合を占める導電性粉末と、感光性樹脂組成物と、ガラスフリットとを含み、ガラスフリットの導電性ペーストに対する質量比（ガラスフリット／導電性粉末）が、０．０２０以上、０．０５４以下の範囲にあり、かつ、ガラスフリットの軟化点が、導電性粉末の焼結開始温度以上かつ６５７℃以上であるという本発明の要件を満たす感光性導電ペーストを用いた場合には、焼成時の収縮を抑制し、絶縁層と電極間のデラミネーションや電極接続部の断線を抑制することが可能になり、信頼性の高い積層型電子部品を得られるようになることが確認された。
【００８２】
なお、上記実施形態では積層型電子部品として、積層型コイル部品を例にとって説明したが、本発明は積層コイル部品に限らず、多層セラミック基板、多層ＬＣ複合部品などの種々の積層型電子部品に適用することが可能である。
【００８３】
本発明はさらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、導電性粉末の性状や感光性樹脂組成物の組成、絶縁層を構成する材料の種類などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１１（１１ａ，１１ｂ）        外層
１２（１２ａ，１２ｂ）        コイルパターン（導体層）
１３（１３ａ，１３ｂ）        絶縁層
１４                          ビアホール
２０                          コイル
２１ａ，２１ｂ                外部電極
３０                          積層構造体
３０ａ                        セラミック積層体
５０                          多層配線回路チップ（積層型電子部品）
５０ａ                        多層配線回路チップの端面
Ｌ                            多層配線回路チップの長さ
Ｔ                            多層配線回路チップの厚み  
Ｗ                            多層配線回路チップの幅
【図１】
0006540711.tif 000006
【図２】
0006540711.tif 000007
【図３】
0006540711.tif 000008