(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元デバイスの試料の内部に存在する欠陥の位置を記憶する記憶部と、
前記試料を移動させる試料台と、
前記位置を含む領域に前記試料を加工する荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射部と、
を備える荷電粒子ビーム装置であって、
前記領域は、前記試料台の位置精度よりも大きい荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置であって、
前記荷電粒子ビーム照射部は、前記試料の表面側から前記荷電粒子ビームを照射し、前記表面から所定の深さまでエッチング加工する荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム装置と、
前記欠陥に電子ビームを照射し、当該欠陥を観察する電子ビーム照射装置と、を備える欠陥検査システム。
【請求項４】
請求項２に記載の荷電粒子ビーム装置と、
前記欠陥に電子ビームを照射し、当該欠陥を観察する電子ビーム照射装置と、を備える欠陥検査システムであって、
前記所定の深さから前記欠陥までの距離は、前記電子ビームが透過可能な距離である欠陥検査システム。
【請求項５】
請求項３または４に記載の欠陥検査システムであって、
前記荷電粒子ビーム装置は、前記電子ビーム照射装置で観察した前記欠陥を断面加工することが可能な欠陥検査システム。
【請求項６】
請求項５に記載の欠陥検査システムであって、
前記荷電粒子ビーム装置は、断面加工を施された前記欠陥の断面を観察する電子ビーム照射部を備える欠陥検査システム。
【請求項７】
３次元デバイスの試料の内部に存在する欠陥の位置を記憶する記憶部と、
前記試料を移動させる試料台と、
前記位置を含む領域に前記試料を加工する荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射部と、
を備える荷電粒子ビーム装置と、
前記欠陥に電子ビームを照射し、当該欠陥を観察する電子ビーム照射装置と、を備える欠陥検査システムであって、
前記荷電粒子ビーム照射部は、前記試料の表面側から前記荷電粒子ビームを照射し、前記表面から所定の深さまでエッチング加工し、
前記所定の深さから前記欠陥までの距離は、前記電子ビームが透過可能な距離である欠陥検査システム。
【請求項８】
請求項７に記載の欠陥検査システムであって、
前記領域は、前記試料台の位置精度よりも大きい欠陥検査システム。
【請求項９】
請求項７または８に記載の欠陥検査システムであって、
前記荷電粒子ビーム装置は、前記電子ビーム照射装置で観察した前記欠陥を断面加工することが可能な欠陥検査システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の欠陥検査システムであって、
前記荷電粒子ビーム装置は、断面加工を施された前記欠陥の断面を観察する電子ビーム照射部を備える欠陥検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム装置および欠陥検査システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体デバイスにおいて、試料の欠陥は試料表面付近に存在することが一般的であった。このため、欠陥を検査するレビューＳＥＭ（review scanning electron microscope）等を用いて、試料表面に電子ビームを照射することにより、欠陥の形状の観察や分析をすることができた。また、欠陥個所をウェハから分離して分析する手法も知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１０８８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、更なる半導体デバイスの集積化、大容量化等の観点から、近年、複数の薄膜を重ね合わせデバイスを形成する３次元デバイス（３Ｄデバイス）が注目されている。従来の２次元的な回路の半導体デバイスとは異なり、３次元デバイスでは、高さ方向（上下方向）に複数の回路が積層されて作成されるため、更なる集積化等が可能となる。
【０００５】
３次元デバイスにおいては、高さ方向に複数の回路が積層されているため、欠陥は、試料の表面付近のみならず、試料の内部にも存在する。したがって、レビューＳＥＭにより試料表面から電子ビームを照射しても欠陥の形状を観察、分析することは困難である。また、欠陥個所を集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置で分離し分析する手法では、観察、分析に時間がかかるという問題がある。
【０００６】
本発明は、３次元デバイスの試料の内部の欠陥を観察可能な荷電粒子ビーム装置および欠陥検査システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の荷電粒子ビーム装置は、３次元デバイスの試料の内部に存在する欠陥の位置を記憶する記憶部と、前記試料を移動させる試料台と、前記位置を含む領域に前記試料を加工する荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射部と、を備える。
【０００８】
本発明の一態様として、例えば、前記領域は、前記試料台の位置精度よりも大きい。
【０００９】
本発明の一態様として、例えば、前記荷電粒子ビーム照射部は、前記試料の表面側から前記荷電粒子ビームを照射し、前記表面から所定の深さまでエッチング加工する。
【００１０】
本発明の一態様として、例えば、上述の荷電粒子ビーム装置と、前記欠陥に電子ビームを照射し、当該欠陥を観察する電子ビーム照射装置と、を備える欠陥検査システム。
【００１１】
本発明の一態様として、例えば、上述の荷電粒子ビーム装置と、前記欠陥に電子ビームを照射し、当該欠陥を観察する電子ビーム照射装置と、を備える欠陥検査システムであって、前記所定の深さから前記欠陥までの距離は、前記電子ビームが透過可能な距離である。
【００１２】
本発明の一態様として、例えば、前記荷電粒子ビーム装置は、前記電子ビーム照射装置で観察した前記欠陥を断面加工することが可能である。
【００１３】
本発明の一態様として、例えば、前記荷電粒子ビーム装置は、断面加工を施された前記欠陥の断面を観察する電子ビーム照射部を備える。
【発明の効果】
【００１４】
上述した様に、本発明によれば、３次元デバイスの内部の欠陥の特定を正確にかつ短時間で実施することができ、３次元デバイスの分析を正確にかつ短時間で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明による実施形態の荷電粒子ビーム装置（複合荷電粒子ビーム装置）の全体構成図。
【図２】実施形態の電子ビーム照射装置（レビューＳＥＭ）の全体構成図。
【図３】試料としての半導体ウェハの斜視図であり、（ａ）は半導体ウェハの内部に存在する欠陥の位置を示し、（ｂ）は欠陥の位置に対応して穴が形成された状態を示し、（ｃ）は（ｂ）のＣ部分の拡大図。
【図４】試料としての半導体ウェハの断面図であり、（ａ）は半導体ウェハの内部に存在する欠陥を示す図であり、（ｂ）はＦＩＢにより穴が形成された状態を示す図であり、（ｃ）は欠陥Ｄの観察後に、断面観察のための溝を形成した状態を示す図。
【図５】本実施形態の欠陥検査システムを用いて欠陥の位置特定から断面観察までを行う手順を示すフロー図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、本実施形態の荷電粒子ビーム装置としての複合荷電粒子ビーム装置１００の全体構成を示す。複合荷電粒子ビーム装置１００は、第１の荷電粒子ビームとしての集束イオンビーム（ＦＩＢ；Focused Ion Beam）を照射するＦＩＢ鏡筒１と、第２の荷電粒子ビームとしての電子ビーム（ＥＢ；Electron Beam）を照射するＥＢ鏡筒２と、第３の荷電粒子ビームとしての気体イオンビーム（ＧＩＢ；Gas Ion Beam）を照射するＧＩＢ鏡筒３と、試料Ｓを収容する試料室（チャンバー）４０とを備えている。
【００１７】
ＦＩＢ鏡筒１は、液体金属イオン源を備えており、直径１００ｎｍ以下の集束イオンビームを形成することができ、試料Ｓを局所的に加工できる。また、ＦＩＢ鏡筒１は、液体金属イオン源の代わりにプラズマイオン源を備えることもでき、大きなビーム電流量で加工することができるため短時間に大面積の加工を行うことができる。また、ＧＩＢ鏡筒３は、ＰＩＧ型などの気体イオン源を備えていて、前記集束イオンビームほど集束しない集束イオンビーム（気体イオンビーム）で、集束イオンビームによる加工面を清浄化するなどの目的で用いる。ＧＩＢイオン源は、イオン源ガスとして、ヘリウム、アルゴン、キセノン、酸素、窒素などを用いる。ＦＩＢ鏡筒１、ＧＩＢ鏡筒３は試料Ｓを加工可能な荷電粒子ビーム照射部として機能する。一方、ＥＢ鏡筒２は、後述する試料を観察するための電子ビームを照射して試料Ｓを観察する電子ビーム照射部として機能する。
【００１８】
複合荷電粒子ビーム装置１００はさらに、ＥＢ、ＦＩＢ、またはＧＩＢの照射により試料Ｓから発生する二次電子を検出する二次電子検出器４を備えている。また、ＥＢの照射により試料Ｓから発生する反射電子を検出する反射電子検出器を備えていても良い。
【００１９】
複合荷電粒子ビーム装置１００はさらに、試料Ｓを保持・固定する試料ホルダ６と試料ホルダ６を載置する試料台（試料ステージ）５とを備える。試料台５は、図示せぬＸＹＺの三軸方向に移動可能である。さらに試料台５は、後に述べるように傾斜、回転することもできる。試料ホルダ６は試料台５に着脱可能で、試料台５から外した場合は、通常のＦＩＢとＳＥＭの複合装置である。
【００２０】
複合荷電粒子ビーム装置１００はさらに、試料台制御部１５を備える。試料台制御部１５は図示せぬ駆動機構を制御してＸＹＺの三軸方向に試料台５を移動させる。さらに試料台制御部１５は、傾斜駆動部８を制御して試料台５を傾斜させるとともに、回転駆動部１０を制御して試料台５を回転させる。
【００２１】
複合荷電粒子ビーム装置１００はさらに、ＦＩＢ制御部１１と、ＥＢ制御部１２と、ＧＩＢ制御部１３と、像形成部１４と、表示部１８とを備える。ＥＢ制御部１２はＥＢ鏡筒２からのＥＢ照射を制御する。ＦＩＢ制御部１１はＦＩＢ鏡筒１からのＦＩＢ照射を制御する。ＧＩＢ制御部１３はＧＩＢ鏡筒３からのＧＩＢ照射を制御する。像形成部１４は、ＥＢを走査させる信号と、二次電子検出器４で検出した二次電子の信号とからＳＥＭ像を形成する。表示部１８はＳＥＭ像等の観察像や装置の各種制御条件等を表示することができる。また、像形成部１４は、ＦＩＢを走査させる信号と、二次電子検出器４で検出した二次電子の信号とからＳＩＭ像を形成する。表示部１８はＳＩＭ像を表示することもできる。また、像形成部１４は、ＥＢを走査させる信号と、反射電子検出器で検出した反射電子の信号とから反射電子像を形成する。表示部１８は反射電子像を表示することもできる。
【００２２】
複合荷電粒子ビーム装置１００はさらに、入力部１６と、制御部１７を備える。オペレータは装置制御に関する条件を入力部１６に入力する。入力部１６は、入力された情報を制御部１７に送信する。制御部１７は、ＦＩＢ制御部１１、ＥＢ制御部１２、ＧＩＢ制御部１３、像形成部１４、試料台制御部１５、表示部１８、試料ホルダ制御部６０に制御信号を送信し、装置の全体を制御する。
【００２３】
装置の制御について、例えば、オペレータは表示部１８に表示されたＳＥＭ像やＳＩＭ像などの観察像に基づいて、ＦＩＢやＧＩＢの照射領域を設定する。オペレータは表示部１８に表示された観察像上に照射領域を設定する加工枠を入力部１６により入力する。さらに、オペレータは加工開始の指示を入力部１６に入力すると、制御部１７からＦＩＢ制御部１１又はＧＩＢ制御部１３に照射領域と加工開始の信号が送信され、ＦＩＢ制御部１１からＦＩＢが、又はＧＩＢ制御部１３からＧＩＢが、試料Ｓの指定された照射領域に照射される。これによりオペレータが入力した照射領域にＦＩＢまたはＧＩＢを照射することができる。
【００２４】
また、複合荷電粒子ビーム装置１００は、試料ＳのＥＢ、ＦＩＢ、またはＧＩＢの照射領域付近にエッチングガスを供給するガス銃１９を備えている。エッチングガスとして、塩素ガス、フッ素系ガス（フッ化キセノン、炭化フッ素など）、ヨウ素ガスなどのハロゲンガスを用いる。試料Ｓの材質と反応するエッチングガスを用いることで、ＥＢ、ＦＩＢ、またはＧＩＢによるガスアシストエッチングを施すことができる。特にＥＢによるガスアシストエッチングは、イオンスパッタによるダメージを試料Ｓに与えずにエッチング加工することができる。
【００２５】
さらに複合荷電粒子ビーム装置１００は、種々の情報、データを記憶可能な記憶部としての記憶装置２０を備える。記憶装置２０は、メモリ、ハードディスク、記憶カード、記憶ディスクなど種々の形態を採る。そして本実施形態では、記憶装置２０は、後述するように外部から得られた試料Ｓの内部に存在する欠陥（異物）の位置を記憶することができる。
【００２６】
本実施形態では、ＦＩＢ鏡筒１と、ＥＢ鏡筒２と、ＧＩＢ鏡筒３と、二次電子検出器４と、ガス銃１９が、試料室４０の上部に設けられているが、これらの部材の配置位置や順序は特に限定はされない。試料室４０の内部空間は後述する真空ポンプにより排気され（真空引き）、当該内部空間では、試料台５の駆動により試料ホルダ６に保持された試料Ｓが移動する。ＦＩＢ鏡筒１、ＥＢ鏡筒２、ＧＩＢ鏡筒３が、それぞれ集束イオンビーム、電子ビーム、気体イオンビームを試料Ｓに照射する。
【００２７】
図２は、実施形態の電子ビーム照射装置としてのレビューＳＥＭ２００の全体構成図である。レビューＳＥＭ２００は、電子ビームを照射するＥＢ鏡筒２０２と、ＥＢ鏡筒２０２内部に反射電子検出器及び二次電子検出器を備えている。
【００２８】
さらにレビューＳＥＭ２００は、ＥＢ制御部２１２と、像形成部２１４と、試料台制御部２１５と、入力部２１６と、制御部２１７と、表示部２１８と、記憶装置（記憶部）２２０とを備える。また、レビューＳＥＭ２００は、試料台制御部２１５の制御によりＸＹＺの三軸方向に移動可能な試料台（試料ステージ）２０５を備える。
【００２９】
レビューＳＥＭ２００は、試料の検査に特化した荷電粒子ビーム装置である。レビューＳＥＭ２００は、光学式の欠陥検査装置で検出された欠陥の位置情報と高精度にリンクしている。これにより、例えば欠陥検査装置で検出した欠陥位置情報に基づきレビューＳＥＭ２００の試料台２０５を移動させることにより、欠陥検査装置で検出した欠陥をレビューＳＥＭ２００で２０〜４０ｎｍの位置精度で観察することができる。これによりウェハに多数の、例えば１００個所以上の欠陥が存在する場合であっても短時間で欠陥観察することができる。
【００３０】
一方、複合荷電粒子ビーム装置１００は試料の加工観察を目的とする装置であって、ビームの入射角度を変更するために試料台５に傾斜駆動部８のような傾斜機構を備えている。そのため、試料台５の位置精度は一般に数μｍ程度である。
【００３１】
図３は試料Ｓの具体例である半導体ウェハＷの斜視図であり、図４は半導体ウェハＷの断面図ある。図３（ａ）は試料内部に複数存在する欠陥の半導体ウェハＷ表面上の位置Ｐを示し、図４（ａ）はこれら欠陥Ｆの一つが半導体ウェハＷの内部に存在する状況を示し、図３（ａ）に対応するものである。
【００３２】
半導体ウェハＷは、基板ＢＰ上に薄膜Ｔが複数層形成されて構成されており、いわゆる３次元デバイス（３次元半導体デバイス）を作製するための試料である。薄膜Ｔの各々は、３次元デバイス内の一平面上の回路として加工され、３次元デバイスの形成時には、複数の回路が高さ方向（図４の上下方向）に形成される。このような半導体ウェハＷにおいては、欠陥Ｆは試料の表面ではなく試料の内部、すなわち試料の表面から見て奥深くに存在するため、一般的な電子ビームを表面から照射しても電子ビームが欠陥まで届き難い。よって、電子ビームを使用する装置、実施形態ではレビューＳＥＭ２００を用いて、欠陥Ｆの形状を観察することは難しい。
【００３３】
この点を克服するため、本実施形態においては、複合荷電粒子ビーム装置１００を用いて、半導体ウェハＷの欠陥の位置Ｐ付近に表面からＦＩＢ加工溝を形成する。図３（ｂ）は欠陥の位置Ｐに対応して形成された第１の溝Ｈを示し、（ｃ）は（ｂ）のＣ部分の拡大図を示す。
【００３４】
図３（ａ）に示すように、赤外光（ＩＲ）を用いた光学式欠陥検査装置等により、半導体ウェハＷ内部の欠陥の位置Ｐを特定する。欠陥が数多く存在する場合は、これらの装置を用いて欠陥の位置Ｐをそれぞれ特定する。
【００３５】
そして、半導体ウェハＷおよび欠陥の位置Ｐに関する情報（データ）を受けとった複合荷電粒子ビーム装置１００は、図３（ｂ）に示すように、位置Ｐとその周辺を含む領域をＦＩＢ鏡筒１から照射されるＦＩＢで切削し（エッチング加工）、当該領域に第１の溝Ｈを形成する。複合荷電粒子ビーム装置１００は、ＦＩＢを照射して半導体ウェハＷの表面側から露天掘りのような形式で半導体ウェハＷを切削し、第１の溝Ｈを掘り進める。図３（ｃ）に示すように、一般的に第１の溝Ｈは、平面視で矩形形状に形成されるが、その形状は特に限定はされない。
【００３６】
図４（ｂ）はＦＩＢにより第１の溝Ｈが形成された状態を示し、図３（ｂ）に対応するものである。第１の溝Ｈは半導体ウェハＷの表面から所定の深さまで掘り進められるが、特に第１の溝Ｈの深さＤ１は、第１の溝Ｈに照射した電子ビームが欠陥Ｆに到達可能になる程度に設定される。すなわち、本例においては、電子ビームは、所定の深さＤ１である第１の溝Ｈの底から欠陥Ｆの最下部までの電子ビーム侵入長Ｌ１の長さに渡って少なくとも侵入可能である。
【００３７】
また、誤って欠陥Ｆを切削してしまうのを防止するため、第１の溝Ｈの深さＤ１は、欠陥Ｆの最上部の位置までの深さＤ２より小さく設定するのが望ましい。第１の溝Ｈが形成された後、半導体ウェハＷを受け取ったレビューＳＥＭ２００は、第１の溝Ｈを介して欠陥Ｆに電子ビームを照射することにより、欠陥Ｆの全体形状を詳細に観察することができる。
【００３８】
また、試料を加工する対象となる領域の大きさ、この例では第１の溝Ｈの幅Ｌ２は、複合荷電粒子ビーム装置１００の試料台５の位置精度よりも大きく設定される。このような設定により、試料ステージ移動誤差により試料台５ひいては試料Ｓの位置が多少ずれても、第１の溝Ｈは表面側から見て欠陥Ｆに必ず重なるように形成される。つまり、複合荷電粒子ビーム装置１００によりレビューＳＥＭ２００で欠陥Ｆを観察可能になるように半導体ウェハＷを正確に加工することができる。よって、照射した電子ビームが第１の溝Ｈを介して必ず欠陥Ｆの全体部分に届くようになり、欠陥Ｆの全体形状を詳細に観察することができる。
【００３９】
さらに本実施形態では、より詳細に欠陥Ｆを分析する場合において、レビューＳＥＭ２００による欠陥Ｆの形状の観察後に、図４（ｃ）に示すように再び複合荷電粒子ビーム装置１００のＦＩＢを用いて第２の溝Ｇを形成し、複合荷電粒子ビーム装置１００のＥＢ鏡筒（電子ビーム照射部）２からの電子ビームを用いて欠陥Ｆの断面の観察を行う。第２の溝Ｇの形成により、欠陥Ｆの性状について、さらに詳細に分析することができる。また、欠陥Ｆをスライス加工と断面観察を繰り返し行い、欠陥Ｆ内部の観察像を取得する連続断面加工観察やこれにより取得した観察像を三次元再構築することで、より詳細に欠陥Ｆを分析することができる。また、欠陥Ｆを含む薄片試料をＦＩＢ加工により作製し、当該薄片試料をＴＥＭ観察することもできる。薄片試料を作製することにより、高分解能で欠陥Ｆを分析することができる。
【００４０】
尚、第１の溝Ｈや第２の溝Ｇの形成の際に用いるＦＩＢのイオン源にガリウム（Ｇａ）を使用する場合、形成された欠陥Ｆの断面のＧａ注入ダメージをＧＩＢ鏡筒３からの気体イオンビーム照射により除去することができる。
【００４１】
図５は、本実施形態の複合荷電粒子ビーム装置（荷電粒子ビーム装置）１００およびレビューＳＥＭ（電子ビーム照射装置）２００を含む欠陥検査システムを用いて、欠陥の位置特定から断面観察までを行う手順を示すフロー図である。
【００４２】
まず、操作者が光学式欠陥検査装置等で欠陥位置を検出した検査対象の試料Ｓ（例えば半導体ウェハ）を荷電粒子ビーム装置１００に搬送する。また、光学式欠陥検査装置等から欠陥位置情報を荷電粒子ビーム装置１００に転送し、荷電粒子ビーム装置１００は欠陥位置情報に基づき、試料Ｓの欠陥の位置を特定し、試料台５を移動させる。（ステップＳ１）。次に操作者がＦＩＢ鏡筒（荷電粒子ビーム照射部）１からＦＩＢを試料Ｓの表面に照射し、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すように第１の溝Ｈを形成するエッチング加工を施す（ステップＳ２）。試料内に複数の欠陥がある場合、一部の欠陥について第１の溝Ｈを形成しても良いが、当該ステップで全ての欠陥について連続的に第１の溝Ｈを形成すれば、次のステップにおいてレビューＳＥＭ２００で観察する全ての欠陥について第１の溝Ｈが形成されるので、作業効率が良い。
【００４３】
次に操作者が第１の溝Ｈの形成された試料ＳをレビューＳＥＭ２００に搬送する。また、光学式欠陥検査装置等から欠陥位置情報をレビューＳＥＭ２００に転送し、レビューＳＥＭ２００は欠陥位置情報に基づき、高い位置精度で試料Ｓの欠陥の位置を特定し、試料台２０５を移動させる。そして、ＥＢ鏡筒２０２から電子ビームを第１の溝Ｈの下層にある欠陥に照射し、欠陥の形状を観察する（ステップＳ３）。ここで終了してもよいが、さらに詳しい分析が要求される場合、再度試料Ｓを複合荷電粒子ビーム装置１００に搬送する。そして、図４（ｃ）に示すように、ＦＩＢ鏡筒１からＦＩＢを第１の溝Ｈの部分に照射し、欠陥Ｆの断面を露出させる断面加工をする（ステップＳ４）。さらに、複合荷電粒子ビーム装置１００において、加工した断面にＥＢ鏡筒（電子ビーム照射部）２から電子ビームを照射して欠陥Ｆの断面の観察を行う。これにより、欠陥Ｆの性状について、さらに詳細に分析することができる（ステップＳ５）。
【００４４】
上述した様に、本実施形態の欠陥検査システムにおいては、試料の加工に適した複合荷電粒子ビーム装置１００および形状観察に適したレビューＳＥＭ２００の双方の特徴を活用する。欠陥検査装置で複数の欠陥を検出し、複合荷電粒子ビーム装置１００で欠陥位置付近にステージ位置誤差よりも広い幅の溝を連続的に試料に形成する。次にレビューＳＥＭ２００で欠陥検査装置の欠陥位置情報に基づき高い位置リンク精度により欠陥位置に高速、かつ正確に特定し、溝の下層にある欠陥に到達可能な電子ビームを照射することで欠陥を観察することができる。よって、３次元デバイスの内部の欠陥の特定を正確にかつ短時間で実施することができ、３次元デバイスの分析を正確にかつ短時間で行うことができる。
【００４５】
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数値、形態、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
【符号の説明】
【００４６】
１：ＦＩＢ鏡筒（荷電粒子ビーム照射部）
２：ＥＢ鏡筒（電子ビーム照射部）
３：ＧＩＢ鏡筒（荷電粒子ビーム照射部）
４：二次電子検出器
５：試料台（試料ステージ）
６：試料ホルダ
８：傾斜駆動部
１０：回転駆動部
１１：ＦＩＢ制御部
１２：ＥＢ制御部
１３：ＧＩＢ制御部
１４：像形成部
１５：試料台制御部
１６：入力部
１７：制御部
１８：表示部
１９：ガス銃
２０：記憶装置（記憶部）
４０：試料室
１００：複合荷電粒子ビーム装置（荷電粒子ビーム装置）
２００：レビューＳＥＭ（電子ビーム照射装置）
２０２：ＥＢ鏡筒
２０４：二次電子検出器
２０５：試料台（試料ステージ）
２１２：ＥＢ制御部
２１４：像形成部
２１５：試料台制御部
２１６：入力部
２１７：制御部
２１８：表示部
２２０：記憶装置（記憶部）
Ｓ：試料
Ｗ：半導体ウェハ
Ｈ：第１の溝
Ｇ：第２の溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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