(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクと、
表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具と、
前記基板移送具にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口と、および
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクから前記ストリッパ噴射口にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具と
を有する、
剥離室と、
前記剥離室の上部に位置し、前記剥離室から蒸発した物質を冷却する冷却装置と、
前記冷却装置で冷却した物質を、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクまたは剥離室に移送する、搬送具と
を備え、
前記冷却装置で冷却した物質を剥離室に移送する搬送具が、
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクの高さと前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具の高さとの間で連結された、
フォトレジスト剥離装置。
【請求項２】
前記冷却装置で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクに移送する搬送具が、
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクの高さの５０％以上の位置に連結された、
請求項１に記載のフォトレジスト剥離装置。
【請求項３】
前記冷却装置で冷却した物質を、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクまたは剥離室に移送する、搬送具の開閉を調節できるバルブをさらに備える、
請求項１または２に記載のフォトレジスト剥離装置。
【請求項４】
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクの上部に前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具が位置し、
前記基板移送具の上部に前記フォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口が位置する、
請求項１から３のいずれか１項に記載のフォトレジスト剥離装置。
【請求項５】
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクから前記ストリッパ噴射口にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具は濾過装置をさらに備える、
請求項１から４のいずれか１項に記載のフォトレジスト剥離装置。
【請求項６】
フォトレジスト除去用ストリッパ廃液を貯蔵する廃液タンクをさらに備える、
請求項１から５のいずれか１項に記載のフォトレジスト剥離装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項のフォトレジスト剥離装置を利用する、
フォトレジスト剥離方法。
【請求項８】
表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階と、
前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却装置に冷却する段階と、
前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクに回収する段階と、
を含む、
請求項７に記載のフォトレジスト剥離方法。
【請求項９】
前記表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階において、
前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が４０℃から６０℃である、
請求項８に記載のフォトレジスト剥離方法。
【請求項１０】
前記表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階の前に、
濾過装置で前記フォトレジスト除去用ストリッパを濾過する段階をさらに含む、
請求項８または９に記載のフォトレジスト剥離方法。
【請求項１１】
前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却装置で冷却する段階において、
前記冷却は−１０℃から５０℃の温度で行われる、
請求項８から１０のいずれか１項に記載のフォトレジスト剥離方法。
【請求項１２】
前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクに回収する段階の後、
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクに含まれたフォトレジスト除去用ストリッパが他の基板を処理するために再循環する段階をさらに含む、
請求項８から１１のいずれか１項に記載のフォトレジスト剥離方法。
【請求項１３】
下記数式１により得られたフォトレジスト除去用ストリッパの維持率が９０％以上である、
請求項７から１２のいずれか１項に記載のフォトレジスト剥離方法。
【数１】
0006500919.tif 000005
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法に関する。より詳細には、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止し、フォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子の微細回路工程または半導体直接回路の製造工程は、基板上にアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、モリブデン、モリブデン合金などの導電性金属膜またはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アクリル絶縁膜などの絶縁膜のような各種下部膜を形成し、このような下部膜上にフォトレジストを均一に塗布し、選択的に露光、現象処理してフォトレジストパターンを形成した後、これをマスクとして下部膜をパターニングする様々な工程を含む。このようなパターニング工程後、下部膜上に残留するフォトレジストを除去する工程を経るが、これのために使用されるのがフォトレジスト除去用ストリッパである。
【０００３】
一般に、前記フォトレジスト除去用ストリッパを利用して基板上に形成されたフォトレジストを除去する工程で温度条件などにより、前記フォトレジスト除去用ストリッパが蒸発してヒューム（ｆｕｍｅ）が発生し、これにより前記フォトレジスト除去用ストリッパの量が減少して前記フォトレジスト除去用ストリッパの全体的な使用量が増加する問題があった。特に、水系フォトレジスト除去用ストリッパの場合、水分の蒸発量が多いため、ストリッパとしての剥離力が低下するなどの限界があった。
【０００４】
これに、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法の開発が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置を提供する。
【０００６】
また、本発明は前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書では、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具、前記基板移送具にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクから前記ストリッパ噴射口にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具を含む剥離室と、前記剥離室の上部に位置し、前記剥離室から蒸発した物質を冷却する冷却装置と、前記冷却装置で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクまたは剥離室に移送する搬送具と、を含むフォトレジスト剥離装置が提供される。
【０００８】
本明細書ではまた、前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例で使用されるフォトレジスト剥離装置の構造を概略的に示した図である。
【図２】比較例で使用されるフォトレジスト剥離装置の構造を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、発明の具体的な実施例によるフォトレジスト剥離装置およびフォトレジスト剥離方法についてより詳細に説明する。
【００１２】
発明の一実施形態によれば、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具３、前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２およびフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６を含む剥離室１と、前記剥離室１の上部に位置し、前記剥離室１から蒸発した物質を冷却する冷却装置７と、前記剥離室１から蒸発した物質を冷却装置７に移送するための伝達具６、および前記冷却装置７で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４または剥離室１に移送する搬送具と、を含むフォトレジスト剥離装置が提供され得る。
【００１３】
本発明者らは、上述した特定のフォトレジスト剥離装置を利用すれば、剥離過程で発生する蒸発物質を冷却させ、再びフォトレジスト除去用ストリッパと混合することにより、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止し、フォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減できることを実験により確認して発明を完成した。
【００１４】
特に、前記フォトレジスト剥離装置は、前記冷却装置７で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４または剥離室１に移送する搬送具を含み得る。これにより、前記フォトレジスト剥離装置は、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減することができる。
前記搬送具の具体的な例は大きく限定されず、形態、長さ、直径などが多様な配管を制限なく使用し得る。
【００１５】
前記フォトレジスト剥離装置は、前記冷却装置７で冷却した物質を前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移送する搬送具９または冷却装置で冷却した物質を剥離室１に移送する搬送具１０を含み得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移送する搬送具９および冷却装置で冷却した物質を剥離室１に移送する搬送具１０はそれぞれ別途に冷却装置と連結されるか、一つの配管に合わさって冷却装置に連結され得る。
【００１６】
また、前記冷却装置７で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移送する搬送具９は、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４の高さの５０％以上、または５５％から１００％、または６０％から９５％である位置に連結され得る。
【００１７】
前記冷却装置７で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移送する搬送具９は前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に連結された位置が前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４の高さの５０％未満であれば、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４内に含まれたストリッパが前記冷却装置７で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移送する搬送具９側に逆流し得る。
【００１８】
前記冷却装置７で冷却した物質を剥離室１に移送する搬送具１０は、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４の高さと前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具３の高さとの間で連結され得る。
【００１９】
このように、前記冷却装置７で冷却した物質を剥離室１に移送する搬送具１０が、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４の高さと前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具３の高さとの間で連結されることにより、基板移送具３によって移動する基板に影響を与えず、前記冷却装置７から排出された物質がフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移動し得る。
【００２０】
前記フォトレジスト剥離装置は、前記冷却装置７で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４または剥離室１に移送する搬送具の開閉を調節できるバルブ８をさらに含み得る。
【００２１】
前記「開閉」とは、開いたり閉じたりすることを意味し、具体的には、前記バルブ８を利用して前記搬送具が開かれたり閉じられることを意味する。前記搬送具が開かれた場合、前記冷却装置７で冷却した物質がフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４または剥離室１に移送され得、前記搬送具が閉じられた場合は、前記冷却装置７で冷却した物質がフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４または剥離室１の代わりに後述する廃液タンク１４に移送され得る。
【００２２】
また、前記フォトレジスト剥離装置は、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具３、前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６を含む剥離室１を含み得る。
【００２３】
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパの具体的な種類は制限されず、フォトレジスト除去用ストリッパとしての用途を有するいかなる組成の組成物でも制限なく使用できる。例えば、蒸溜水３８重量％、（１−アミノ）−イソプロパノール（ＡＩＰ）１０重量％、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）１０重量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）４１．９重量％および２、２'［（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−リール）メチル］イミノ］ビスエタノール０．１重量％の混合物が挙げられる。
【００２４】
前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具３の例は大きく限定されず、例えば、コンベヤベルトなどが挙げられ、前記基板移送具３は地平面に平行な方向に前記剥離室１の内部に位置し得る。前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる方法は、例えば、前記基板移送具３上に表面にフォトレジストが形成された基板を載せ、前記基板移送具３に沿って地平面に平行な方向に移動させ得る。
【００２５】
前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２の例も、大きく限定されず、例えば、８０個の孔を有するノズル、具体的にホールノズル、ピントルノズル、スロットルピントルノズル、フラットピントルノズルなどを使用し得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパを噴射する方法は、例えば、前記ストリッパ噴射口２を介して０．０１ＭＰａから０．９ＭＰａの圧力および３０℃から５０℃の温度でフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する方法がある。
【００２６】
具体的には、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４の上部に前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具３が位置し、前記基板移送具３の上部に前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２が位置し得る。前記「上部」とは、地平面を基準により高い位置に位置することを意味する。
【００２７】
これにより、最も高いところに位置した前記基板移送具３の上部に前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２から噴射された前記フォトレジスト除去用ストリッパが、表面にフォトレジストが形成された基板上に接触し得る。また、前記表面にフォトレジストが形成された基板と接触したフォトレジスト除去用ストリッパは、前記基板移送具３の下端に位置した前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移動し得る。
【００２８】
具体的には、前記基板移送具３と前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４との間にはドレイン装置１２をさらに含み得る。前記ドレイン装置１２を含むことにより、前記基板上に噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパを集めて前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に流入させ得る。
【００２９】
前記剥離室１は前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６を含み得る。前記ストリッパ伝達具１６の例は大きく限定されず、形態、長さ、直径などが多様な配管を制限なく使用することができる。
【００３０】
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６は濾過装置１７をさらに含み得る。前記濾過装置１７を含むことにより、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパに含まれ得る異物を除去してフォトレジスト除去用ストリッパの品質および性能を維持することができる。
【００３１】
前記濾過装置１７の例は大きく限定されず、例えばフィルタを使用し得る。前記フィルタの材質も大きく限定されず、例えば、ポリエチレン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）などの高分子樹脂またはポリビニリデンフルオライド（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ  ｆｌｕｏｒｉｄｅ）などのテフロン（登録商標）系樹脂を使用し得、フィルタに含まれた空隙（ｐｏｒｅ）の直径は０．１μｍから３００μｍであり得る。前記フィルタの大きさは大きく限定されず、多様な大きさのフィルタを使用することができる。
【００３２】
また、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６はポンプ５をさらに含み得る。前述のように、前記基板移送具３の上部に前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２は前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４より上部に位置するため、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記基板移送具３の上部に前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２に移送するために前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６はポンプ５をさらに含み得る。
【００３３】
具体的には、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６は前記基板移送具３にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口２および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に連結され得る。
【００３４】
また、前記フォトレジスト剥離装置は、前記剥離室１の上部に位置し、前記剥離室１から蒸発した物質を冷却する冷却装置７を含み得る。前記冷却装置７は前記フォトレジスト剥離過程で蒸発により損失される物質を冷却により液化させてフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減させ得る。
【００３５】
前記冷却装置７の例としては凝縮機（ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが挙げられ、前記冷却装置７では−１０℃から５０℃、または−８℃から３０℃、または−５℃から１０℃の温度で冷媒を利用した凝縮が行われ得る。前記冷媒は、冷凍サイクルの作動流体として低温の物体から熱を奪って高温の物体に熱を運ぶ媒体を意味し、広く使用されている多様な冷媒を制限なく使用することができる。
【００３６】
前記冷却装置７は前記剥離室１の上部に位置し得る。前記「上部」とは、地平面を基準により高い位置に位置することを意味する。つまり、前記冷却装置７の高さは前記剥離室１の高さより高くてもよい。前記剥離室１で剥離を行う過程において、剥離室１の内部の温度により前記フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた成分のうち一部が蒸発され得る。この時、蒸発した成分による損失を防止するため、前記蒸発した成分を集めて冷却装置７を介して液化させて回収するため、前記冷却装置７は前記剥離室１より高いところに位置し得る。
【００３７】
また、前記フォトレジスト除去用ストリッパ廃液を貯蔵する廃液タンク１４をさらに含み得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパ廃液とは、前記フォトレジスト除去用ストリッパの剥離過程で発生する異物、または長い間フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に保管されることにより変質したフォトレジスト除去用ストリッパ、または濾過装置１７でフィルタされた異物などを含み得る。
【００３８】
前記廃液タンク１４の位置は大きく限定されないが、好ましくは、前記剥離室１の下部に位置し得る。
【００３９】
前記廃液タンク１４は、前記剥離室１から直接フォトレジスト除去用ストリッパ廃液が移送されるか、前記冷却装置７で冷却した物質が移送され得る。前記剥離室１から直接フォトレジスト除去用ストリッパ廃液が移送される場合、配管１３を介して移送され得る。また、前記冷却装置７で冷却した物質を廃液タンク１４に移送する場合は開閉を調節できるバルブ１１を含む配管１５を介して移送され得る。
【００４０】
一方、発明の他の実施例によれば、前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法が提供され得る。
【００４１】
具体的には、前記フォトレジスト剥離方法は、表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階と、前記噴射時発生する気体を捕集して冷却装置７で冷却する段階、および前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に回収する段階と、を含み得る。
【００４２】
前記フォトレジスト剥離方法は、表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階を含み得る。前記噴射方法の例は大きく限定されず、例えば、ホールノズル、ピントルノズル、スロットルピントルノズル、フラットピントルノズルなどを使用して０．０１ＭＰａから０．９ＭＰａの圧力および３０℃から５０℃の温度でフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する方法などが挙げられる。
【００４３】
前記表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階で、前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が４０℃から６０℃であり得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が４０℃未満である場合は、剥離性能が低下し得、前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が６０℃を超過する場合には引火の危険があるため作業性が落ち得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパの具体的な種類は制限されず、フォトレジスト除去用ストリッパとしての用途を有するいかなる組成の組成物でも制限なく使用することができる。
【００４４】
前記表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階の前に、濾過装置１７で前記フォトレジスト除去用ストリッパを濾過する段階をさらに含み得る。これにより、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパに含まれ得る異物を除去し、噴射されるフォトレジスト除去用ストリッパの品質および性能を維持することができる。
【００４５】
前記濾過段階の方法の例は大きく限定されず、例えば、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４から前記ストリッパ噴射口２にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具１６に含まれた濾過装置１７を介して行われ得る。前記濾過装置１７に関する内容は前記一実施例で上述した内容を含む。
【００４６】
また、前記フォトレジスト剥離方法は、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却する段階を含み得る。前述のように、フォトレジスト除去用ストリッパの温度が４０℃から６０℃を示すことにより、前記フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた成分のうち一部が蒸発され得る。前記フォトレジスト剥離方法は、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却する段階を含み、剥離過程で蒸発により損失される前記フォトレジスト除去用ストリッパの量を最少化することができる。
【００４７】
具体的には、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却装置７で冷却する段階で、前記噴射時に発生する気体の捕集は、前記一実施例の剥離装置で剥離室１と前記剥離室１の上部に位置した冷却装置７を配管６を介して連結して気体を移送させる方法により行われ得る。また、前記冷却は、−１０℃から５０℃、または−８℃から３０℃、または−５℃から１０℃の温度で前記一実施例の冷却装置７を利用した凝縮方法により行われ得る。前記冷却装置７に関する内容は前記一実施例で上述した内容を含む。
【００４８】
また、前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に回収する段階を含み得る。これにより、前記剥離過程で蒸発により損失される前記フォトレジスト除去用ストリッパの量を最少化してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を減少することができ、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持することができる。
【００４９】
前記冷却させた物質の例は大きく限定されず、例えば、水または有機化合物を含み得る。前記有機化合物の例は大きく限定されず、例えばアミン、アミド、アルキレングリコールモノアルキルエーテルなどフォトレジスト除去用ストリッパに含まれる全ての成分が挙げられる。
【００５０】
前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパをフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に回収する方法の例は大きく限定されず、例えば、前記一実施例の基板移送具３の下部に位置したドレイン装置１２を利用してフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移送する方法により行われ得る。
【００５１】
前記冷却した物質を回収する方法の例は大きく限定されず、例えば、前記一実施例の冷却装置７と前記剥離室１またはフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４を配管９を介して連結し、バルブ８を開く方法により行われ得る。
【００５２】
前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に回収する段階の後に、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパが他の基板を処理するために再循環する段階をさらに含み得る。前記再循環する段階を含むことにより、新たなフォトレジスト除去用ストリッパを使用しなくても一定分量のフォトレジスト除去用ストリッパを数十回使用してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減することができる。
【００５３】
前記フォトレジスト剥離方法は、下記数式１により得られた前記フォトレジスト除去用ストリッパの維持率が９０％以上、または９２％から９９％であり得る。
【００５４】
【数１】
0006500919.tif 000002
【００５５】
具体的には、前記剥離後のフォトレジスト除去用ストリッパとは、前記他の実施例のフォトレジスト剥離方法により、前記剥離前のフォトレジスト除去用ストリッパを噴射し、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却させた後、前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質を回収したフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパを意味する。
【００５６】
これにより、前記フォトレジスト剥離方法は、フォトレジスト除去用ストリッパの使用量を大きく節減することができる。前記数式１により得られたフォトレジスト除去用ストリッパの維持率が９０％未満であれば、追加的なフォトレジスト除去用ストリッパの投入によりフォトレジスト除去用ストリッパの使用量が増加し得る。
【００５７】
具体的には、図１を参照して前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法の一例について説明する。フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に貯蔵されていたフォトレジスト除去用ストリッパは、ポンプ５により第６配管１６に沿って移送され、濾過装置１７を介して濾過された後、ノズル２を介して剥離室１内で基板移送具３上に位置した基板に噴霧されて剥離工程を行う。前記剥離工程において、フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた物質中、蒸発した物質を剥離室１から第１配管６を介して冷却装置７に流入させて冷却装置７内で冷却させる。剥離室１で剥離工程を終えたフォトレジスト除去用ストリッパはドレイン装置１２を介してフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に回収され、冷却装置７で冷却した物質は第１流量調節バルブ８を開いて前記冷却した物質を第２配管９に沿ってフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４に移送するか、第３配管１０に沿って剥離室１に移送する。この時、第２流量調節バルブ１１は閉じる。そして、再び剥離工程が再循環される。フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク４や濾過装置１７で発生したフォトレジスト除去用ストリッパ廃液や異物は第４配管１３を介して廃液タンク１４に移送される。
【００５８】
本発明について以下の実施例によりさらに詳細に説明する。但し、以下の実施例は本発明の例示に過ぎず、本発明の内容は以下の実施例により限定されない。
【００５９】
＜製造例：フォトレジスト除去用ストリッパの製造＞
蒸溜水３８重量％、（１−アミノ）−イソプロパノール（ＡＩＰ）１０重量％、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）１０重量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）４１．９重量％および２、２'［（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−リール）メチル］イミノ］ビスエタノール０．１重量％を混合してフォトレジスト除去用ストリッパを製造した。
【００６０】
＜実施例：フォトレジスト剥離方法＞
図１に示すように、前記製造例のフォトレジスト除去用ストリッパを剥離室１のフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に入れ、ポンプ５を利用してノズル２まで引き上げた後、４０℃温度の剥離室１内で２４時間噴射した。前記噴射過程で蒸発した物質を配管を介して冷却装置７に移動させて２５℃温度で冷却させた。前記冷却した物質は配管を介してフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に注入した。
【００６１】
＜比較例：フォトレジスト剥離方法＞
図２に示すように、前記冷却した物質を配管を介して廃液容器に注入したことを除いては前記実施例と同様に行った。
【００６２】
＜実験例：実施例および比較例のフォトレジスト剥離効率の測定＞
以下の方法により前記実施例および比較例フォトレジスト剥離方法の効率を測定し、その結果を表１に示した。
【００６３】
１．水分含有量（重量％）
前記実施例および比較例のフォトレジスト剥離方法において、６時間ごとにフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に含まれた一定量のフォトレジスト除去用ストリッパを採取してカールフィッシャー水分測定法により水分含有量を測定した。
【００６４】
２．フォトレジスト除去用ストリッパの維持率（％）
前記実施例および比較例のフォトレジスト剥離方法において、６時間ごとにフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパの質量を測定し、下記数式２によりフォトレジスト除去用ストリッパの維持率を求めた。
【００６５】
【数２】
0006500919.tif 000003
【００６６】
【表１】
0006500919.tif 000004
【００６７】
前記表１に示すように、実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた水分含有量が３８重量％から３３．０２重量％に約５重量％減少した反面、比較例のフォトレジスト剥離方法の場合、フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた水分含有量が３８重量％から１８．８０重量％に約２０重量％減少し、前記実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、比較例のフォトレジスト剥離方法に比べてフォトレジスト除去用ストリッパに含まれた水分の減少を大幅に防止できることが確認できた。
【００６８】
また、実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、２４時間の剥離後にも、フォトレジスト除去用ストリッパの維持率が９４．１６重量％であり、比較例の７８．２５重量％に比べてフォトレジスト除去用ストリッパの維持率が大きく向上した。これにより、前記実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、比較例に比べてフォトレジスト除去用ストリッパの減少を大幅に防止できることを確認した。
【符号の説明】
【００６９】
１  剥離室
２  ノズル
３  基板移送具
４  フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク
５  ポンプ
６  第１配管
７  冷却装置
８  第１流量調節バルブ
９  第２配管
１０  第３配管
１１  第２流量調節バルブ
１２  ドレイン装置
１３  第４配管
１４  廃液タンク
１５  第５配管
１６  第６配管
１７  濾過装置
【図１】
0006500919.tif 000006
【図２】
0006500919.tif 000007