(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻芯部と、前記巻芯部にワイヤが巻回してあるコイル部とを有するパルストランスであって、
前記コイル部が、
前記ワイヤが相互に密着して前記巻芯部に巻回された第１通常巻回領域と、
前記第１通常巻回領域を構成する前記ワイヤと連続するワイヤで構成してあり、相互に密着して前記巻芯部に巻回された第２通常巻回領域と、
前記巻芯部の巻軸に沿って前記第１通常巻回領域と前記第２通常巻回領域との間に形成され、前記巻軸に沿う前記ワイヤの巻回密度が低い低密度巻回領域と、を有し、
前記第１通常巻回領域および第２通常巻回領域では、前記巻芯部に前記ワイヤが二層以上でバイファイラ巻きしてあり、
前記低密度巻回領域では、一層目でバイファイラ巻きしてある一対の前記ワイヤと、二層目でバイファイラ巻きしてある一対の前記ワイヤとが交差する部分が、少なくとも１箇所で形成してあるパルストランス。
【請求項２】
前記低密度巻回領域では、前記巻芯部の表面が露出している請求項１に記載のパルストランス。
【請求項３】
前記巻芯部の表面が露出する前記巻軸方向の隙間幅は、前記ワイヤの線径と同等以上である請求項２に記載のパルストランス。
【請求項４】
前記低密度巻回領域の前記巻軸方向の長さは、前記ワイヤの線径の２倍以上である請求項１〜３のいずれかに記載のパルストランス。
【請求項５】
複数の前記ワイヤの内の一部のワイヤが前記コイル部の一層目を構成し、他の残りの一部のワイヤが前記コイル部の二層目を構成する請求項１〜４のいずれかに記載のパルストランス。
【請求項６】
一層目の前記ワイヤと二層目の前記ワイヤとでは、逆方向に巻回してある請求項５に記載のパルストランス。
【請求項７】
前記第１通常巻回領域および前記第２通常巻回領域のそれぞれの前記巻軸方向の長さが、前記ワイヤを２巻以上に巻いた長さである請求項１〜６のいずれかに記載のパルストランス。
【請求項８】
前記コイル部は、前記第２通常巻回領域を構成する前記ワイヤと連続するワイヤで構成してあり、相互に密着して前記巻芯部に巻回された第３通常巻回領域をさらに有し、前記巻軸方向に沿って前記第３通常巻回領域と前記第２通常巻回領域との間には、前記低密度巻回領域と同様な低密度巻回領域が形成してある請求項１〜７のいずれかに記載のパルストランス。
【請求項９】
前記第３通常巻回領域の前記巻軸方向の長さが、前記ワイヤを２巻以上に巻いた長さである請求項８に記載のパルストランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばＬＡＮケーブルなどを通じてパルス信号を伝送するための用途などに用いられるパルストランスに関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコンなどの機器をＬＡＮや電話網などのネットワークに接続する場合、ケーブルを通して侵入するＥＳＤ(ElectroStatic Discharge，静電放電)や高電圧から機器を守る必要がある。そこで、ケーブルと機器の接続点を構成するコネクタにはパルストランスが用いられる。
【０００３】
従来用いられているパルストランスはドーナツ型の磁心（トロイダルコア）に一次コイルと二次コイルを巻回して作られており、一次コイルに印加される電圧のうち交流成分（パルス）のみを二次コイルに伝えるという性質を有する。直流成分は二次コイルに伝わらないため、パルストランスはＥＳＤや高電圧を遮断することができる。
【０００４】
近年ではパルストランスにも小型化・表面実装化が求められており、そのために上記トロイダルコアに代えてドラム型コアを用いる例が登場している。そのようなパルストランスを表面実装型パルストランスといい、特許文献１にその例が開示されている。
【０００５】
ところで、ネットワークのイーサネット（登録商標）（Ethernet（登録商標））通信速度は、10Mbps（ビット毎秒）の10BASE-Tから、その10倍の100Mbpsの100BASE-TXが普及し、現在は、1Gbpsの1000BASE-Tが普及している。また、新たに10GBASE-T（10ギガビット・イーサネット（登録商標）（10GbE））が規格化されている。
【０００６】
そのため、特に高周波での挿入損失（インサーションロス）が小さいパルストランスが求められている。挿入損失が小さければ、信号減衰量が少なくなり、高周波成分の減衰量が小さければ、高速なデータ信号を遠（長）距離に正確に送ることができる。しかしながら、従来のパルストランスでは、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を満足することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２１５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を図ることが可能なパルストランスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、パルストランスについて鋭意検討した結果、ワイヤを相互に密着して巻芯部に巻回してある通常のコイル巻回領域の途中に、その巻回領域よりも巻回密度が低い領域を設けることで、挿入損失の低減を図ることができることを新たに見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明に係るパルストランスは、
巻芯部と、前記巻芯部にワイヤが巻回してあるコイル部とを有するパルストランスであって、
前記コイル部が、
前記ワイヤが相互に密着して前記巻芯部に巻回された第１通常巻回領域と、
前記第１通常巻回領域を構成する前記ワイヤと連続するワイヤで構成してあり、相互に密着して前記巻芯部に巻回された第２通常巻回領域と、
前記巻芯部の巻軸に沿って前記第１通常巻回領域と前記第２通常巻回領域との間に形成され、前記巻軸に沿う前記ワイヤの巻回密度が低い低密度巻回領域と、を有する。
【００１１】
本発明に係るパルストランスにおいて、高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる理由については必ずしも明らかではないが、低密度巻回領域と通常巻回領域との境界において、ワイヤの巻回が解れる（たとえば二層目に位置するワイヤが一層目に落ちる）ことなどが原因で、漏れ磁束が減少するためによるものではないかと考えられている。
【００１２】
本発明のパルストランスでは、高周波領域での挿入損失の低減を図れることから、高周波における信号減衰量が少なくなり、高速なデータ信号を遠（長）距離に正確に送ることができる。
【００１３】
好ましくは、前記低密度巻回領域では、前記巻芯部の表面が露出している。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。
【００１４】
好ましくは、前記巻芯部の表面が露出する前記巻軸方向の隙間幅は、前記ワイヤの線径と同等以上である。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。
【００１５】
好ましくは、前記低密度巻回領域の前記巻軸方向の長さは、前記ワイヤの線径の２倍以上である。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。
【００１６】
好ましくは、複数の前記ワイヤの内の一部のワイヤが前記コイル部の一層目を構成し、他の残りの一部のワイヤが前記コイル部の二層目を構成する。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。
【００１７】
好ましくは、一層目の前記ワイヤと二層目の前記ワイヤとでは、逆方向に巻回してある。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。
【００１８】
好ましくは、前記第１通常巻領域および前記第２通常巻回領域のそれぞれの前記巻軸方向の長さが、前記ワイヤを２巻以上に巻いた長さである。
【００１９】
前記コイル部は、前記第２通常巻回領域を構成する前記ワイヤと連続するワイヤで構成してあり、相互に密着して前記巻芯部に巻回された第３通常巻回領域をさらに有し、前記巻軸方向に沿って前記第３通常巻回領域と前記第２通常巻回領域との間には、前記低密度巻回領域と同様な低密度巻回領域が形成してあってもよい。
【００２０】
好ましくは、前記第３通常巻回領域の前記巻軸方向の長さが、前記ワイヤを２巻以上に巻いた長さである。
【００２１】
なお、前記コイル部は、さらに、第４通常巻回領域を有し、前記巻軸方向に沿って前記第４通常巻回領域と前記第３通常巻回領域との間には、前記低密度巻回領域と同様な低密度巻回領域を、さらに有していても良い。以下、同様に、低密度巻回領域を介して第５以降の通常巻回領域を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るパルストランスの斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは図１に示すパルストランスの正面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは図１に示すパルストランスの背面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは図１に示すパルストランスの側面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは図１に示すパルストランスの平面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは図１に示すパルストランスの底面図である。
【図３】図３は図１に示すトランスの巻芯部に巻回してあるコイル部の概略半断面図である。
【図４】図４は図１に示すトランスの等価回路図である。
【図５】図５は本発明の他の実施形態に係るパルストランスの斜視図である。
【図６】図６は本発明の実施例に係るパルストランスの挿入損失の低減効果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００２４】
第１実施形態
図１に示すように、本発明の一実施形態に係るパルストランスは、表面実装型のコイル部品１０で構成してある。このコイル部品１０は、ドラム型コアである第１コア２０と、板状の第２コア３０と、第１コア２０の巻芯部２２に巻回されたコイル部４０とを有する。
【００２５】
なお、コイル部品１０の説明では、コイル部品１０を実装する実装面と平行な面内にあり第１コア２０の巻芯部２２の巻軸と平行な方向をＸ軸、Ｘ軸と同じく実装面と平行な面内にありＸ軸と垂直な方向をＹ軸方向、実装面の法線方向をＺ軸方向とする。
【００２６】
コイル部品１０は、その外形寸法が、たとえば（幅３．２ｍｍ×高さ２．８ｍｍ×奥行き３．２ｍｍ）であるが、コイル部品１０のサイズはこれに限定されない。
【００２７】
コイル部品１０の正面図である図２Ａに示すように、コイル部品１０のコアは、第１コア２０と第２コア３０とを組み合わせて構成される。第１コア２０は、棒状の巻芯部２２と、巻芯部２２の両端に備えられる一対のコア端部としての一対の鍔部２４，２４と、を有する。
【００２８】
図１および図２Ａに示すように、鍔部２４の外形状は、略直方体であり、一対の鍔部２４は、Ｘ軸方向に関して所定の間隔を空けて、互いに略平行になるように配置されている。巻芯部２２は、一対の鍔部２４において互いに向かい合うそれぞれの面の中央部に接続しており、一対の鍔部２４を接続している。巻芯部２２の横断面形状は、本実施形態では矩形であるが、円形でも良く、その断面形状は特に限定されない。
【００２９】
第２コア３０は、板状のコアであり、第２コア３０の外形状は、Ｚ軸方向の辺が最も短い辺となる略直方体である。図２Ｅに示すように、第２コア３０は、上面３２の法線方向（Ｚ軸方向）から見てＸ軸方向に長い略長方形であるが、正方形その他の形状であってもよい。図２Ａに示すように、Ｘ軸方向の両端に位置する第２コア３０の上面３２は、鍔部２４の底面２４ａと向かい合っており、底面２４ａに対して、たとえば熱硬化性樹脂などの接着剤などにより固定される。これにより、第２コア３０は、第１コア２０と連続する磁路を形成する。
【００３０】
図１〜図２Ｅに示すように、第１コア２０の各鍔部２４には、端子部５１〜５６が設けられている。端子部５１〜５６は、略Ｌ字の外形状を有する金具で構成されており、少なくとも一部が鍔部２４の設置面２４ｂに設けられている。なお、鍔部２４の設置面２４ｂは、第２コア３０の上面３２に向かい合う底面２４ａとは、反対側のＺ軸方向の上面である。
【００３１】
コイル部品１０をＺ軸の上側から見た図２Ｄに示すように、３つの端子部５１〜５３は、一方の鍔部２４に設けられており、他の３つの端子部５４〜５６は、他方の鍔部２４に設けられている。隣接する端子部の間隔は等間隔ではなく、端子部５２と端子部５３の間隔は、端子部５１と端子部５２の間隔より広くなるよう設計されており、端子部５４と端子部５５の間隔は、端子部５５と端子部５６の間隔より広くなるよう設計されている。
【００３２】
図２Ａに示すように、第１コア２０の巻芯部２２には、コイル部４０が形成されている。図２Ｄおよび等価回路図である図４に示すように、コイル部４０は、４本のワイヤ４１〜４４により構成される。ワイヤ４１〜４４は、たとえば被覆導線で構成してあり、良導体からなる芯材を絶縁性の被覆膜で覆った構成を有しており、巻芯部２２に２層構造で巻回されている。
【００３３】
図３に示すように、ワイヤ４２，４４は、巻芯部２２に通常のバイファイラ巻きされて１層目を構成し、ワイヤ４１，４３は巻芯部２２に通常のバイファイラ巻きされて２層目を構成する。しかも、本実施形態では、一層目のワイヤ４２，４４と二層目のワイヤ４１，４３とでは、逆方向に巻回してある。また、ワイヤ４１〜４４の巻き数は全て同じであるが、異なっていてもよい。
【００３４】
本実施形態では、図３に示すように、コイル部４０が、第１通常巻回領域４０ａと、第２通常巻回領域４０ｂと、低密度巻回領域４０ｃとを有する。第１通常巻回領域４０ａは、四本のワイヤ４１〜４４が相互に密着して巻芯部２２に巻回された領域である。また、第２通常巻回領域４０ｂは、第１通常巻回領域４０ａを構成する四本のワイヤ４１〜４４と連続するワイヤ４１〜４４で構成してあり、相互に密着して巻芯部２２に巻回された領域である。
【００３５】
低密度巻回領域４０ｃは、巻芯部２２の巻軸（Ｘ軸）に沿って第１通常巻回領域４０ａと第２通常巻回領域４０ｂとの間に形成され、Ｘ軸に沿うワイヤ４１〜４４の巻回密度が低い領域である。なお、低密度巻回領域４０ｃは、第１通常巻回領域４０ａを構成する四本のワイヤ４１〜４４と連続するワイヤ４１〜４４で構成してあり、第１通常巻回領域４０ａおよび第２通常巻回領域４０ｂにおけるワイヤの巻回密度よりも低い巻回密度でワイヤが巻回してある。
【００３６】
低密度巻回領域４０ｃでは、図１にも示すように、巻芯部２２の表面が露出している。これに対して、第１通常巻回領域４０ａおよび第２通常巻回領域４０ｂでは、ワイヤ４１〜４４により覆われており、巻芯部２２の表面は外部に露出しない。
【００３７】
図３に示すように、低密度巻回領域４０ｃの巻軸（Ｘ軸方向）方向の長さαは、巻芯部２２の表面が露出する巻軸方向の最大な隙間幅に対応し、少なくともワイヤ４１〜４４の線径と同等以上である。本実施形態では、ワイヤ４１〜４４は、全て同じ線径のワイヤにより構成してあるが、場合によっては異ならせても良い。ワイヤ４１〜４４として、異なる線径のワイヤを用いる場合には、隙間幅（長さα）は、最も小さい線径と同等以上である。
【００３８】
好ましくは、低密度巻回領域の前記巻軸方向の長さをαとし、コイル部４０の巻軸方向の長さ（全長）をＬ０とし、各ワイヤ４１〜４４のそれぞれの線径をｄとし、各層に巻かれるワイヤ４１〜４４の本数をｎ（本実施形態ではｎ＝２）とし、最小巻数をＴ（１以上の整数）とした場合に、ｄ×ｎ×Ｔ≦α＜Ｌ０の関係にある。コイル部４０の全長Ｌ０は、巻芯部２２のＺ軸方向の全長と同等以下である。
【００３９】
好ましくは、第１通常巻回領域４０ａと第２通常巻回領域４０ｂとの内で、最も巻軸方向の長さが短い領域の最小長さが、四本のワイヤ４１〜４４を二層以上で２巻以上に巻いた長さである。すなわち、第１通常巻回領域４０ａのＸ軸方向長さをＸ１とし、第２通常巻回領域４０ｂのＸ軸方向長さをＸ２とした場合に、これらの長さＸ１およびＸ２は、それぞれ四本のワイヤ４１〜４４を二層以上で２巻以上に巻いた長さである。本実施形態では、Ｌ０＝Ｘ１＋α＋Ｘ２の関係にある。また、好ましくは、Ｘ１／Ｘ２は０．５〜２であり、さらに好ましくは１近傍である。
【００４０】
第１通常巻回領域４０ａと低密度領域４０ｃとの境界、第２通常巻回領域４０ｂと低密度領域４０ｃとの境界、またはコイル部４０のＸ軸方向の少なくとも一端では、４本のワイヤ４１〜４４の巻回が解れ、たとえば二層目に位置するワイヤ４１，４３の内の少なくとも１つが一層目に落ちることがある。図３に示す例では、第１通常巻回領域４０ａと低密度領域４０ｃとの境界で、二層目に位置するワイヤ４３が一層目に落ちている。また、第２通常巻回領域４０ｂにおけるコイル部４０の端部で二層目に位置するワイヤ４３が一層目に落ちている。
【００４１】
本実施形態では、第１通常巻回領域４０ａと第２通常巻回領域４０ｂとは、連続する同じ四本のワイヤ４１〜４４で構成され、一層目の一対のワイヤ４２，４４と、二層目の一対のワイヤ４１，４３とが逆方向に巻回される。そのため、低密度巻回領域４０ｃでは、図１に示すように、一層目の一対のワイヤ４２，４４と、二層目の一対のワイヤ４１，４３とが交差する部分が、少なくとも１箇所（好ましくは１箇所）で形成される。
【００４２】
図１、図２Ｄおよび図４に示すように、ワイヤ４１のワイヤ端４１ａ，４１ｂは、それぞれ端子部５４，５２に接続され、ワイヤ４２のワイヤ端４２ａ，４２ｂは、それぞれ端子部５１，５４に接続され、ワイヤ４３のワイヤ端４３ａ、４３ｂは、それぞれ端子部５５，５３に接続される。ワイヤ４４のワイヤ端４４ａ，４４ｂは、それぞれ端子部５３，５６に接続される。
【００４３】
なお、図４に示すように、端子部５１，５２は、それぞれ平衡入力のプラス側端子ＩＮ＋とマイナス側端子ＩＮ−として用いられる。また、端子部５５，５６は、それぞれ平衡出力のプラス側端子ＯＵＴ＋とマイナス側端子ＯＵＴ−として用いられる。端子部５３，５４は、それぞれ入力側および出力側の中間タップＣＴとして用いられる。ワイヤ４１，４２はパルストランスの一次巻線を構成し、ワイヤ４３，４４はパルストランスの二次巻線を構成する。
【００４４】
コイル部品１０の製造では、まず、端子部５１〜５６を設置したドラム型の第１コア２０とワイヤ４１〜４４を準備する。第１コア２０は、たとえば、比較的透磁率の高い磁性材料、たとえばＮｉ−Ｚｎ系フェライトや、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、あるいは金属磁性体などで構成してある磁性粉体を、成型および焼結することにより作製される。金属の端子部５１〜５６は、接着等により第１コア２０の鍔部２４に固定される。なお、端子部５１〜５６は、第１コア２０に印刷・メッキ等により導体膜を形成し、その導体膜を焼き付けることにより、鍔部２４に設けられてもよい。
【００４５】
ワイヤ４１〜４４としては、たとえば、銅（Ｃｕ）などの良導体からなる芯材を、イミド変成ポリウレタンなどからなる絶縁材で覆い、さらに最表面をポリエステルなどの薄い樹脂膜で覆ったものを用いることができる。準備された端子部５１〜５６を設置した第１コア２０およびワイヤ４１〜４４は、巻線機にセットされ、ワイヤ４１〜４４が、所定の順序で第１コア２０の巻芯部２２に巻回される。巻回されたワイヤ４１〜４４のワイヤ端４１ａ〜４４ａ，４１ｂ〜４４ｂは、図２Ｄおよび図４に示す所定の端子部５１〜５６に、銀ロー付け、熱圧着またはレーザー接合などにより固定される。
【００４６】
次に、板状の第２コア３０を準備し、コイル部４０が巻かれた第１コア２０に接合する。第２コア３０は、第１コア２０と同様に、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトや、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、あるいは金属磁性体などで構成してある磁性材料の焼結体または成形体で構成される。
【００４７】
本実施形態に係るパルストランス１０では、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を図ることができる。高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる理由については必ずしも明らかではないが、図３に示すように、低密度巻回領域４０ｃと第１通常巻回領域４０ａとの境界において、４本のワイヤ４１〜４４の巻回が解れ、二層目に位置するワイヤ４３が一層目に落ち、ワイヤ４２の隣に位置することなどが原因で、漏れ磁束が減少するためによるものではないかと考えられている。
【００４８】
本実施形態のパルストランス１０では、高周波領域での挿入損失の低減を図れることから、高周波における信号減衰量が少なくなり、高速なデータ信号を遠（長）距離に正確に送ることができる。
【００４９】
第２実施形態
図５に示す第２実施形態のパルストランスとしてのコイル部品１０ａでは、両端の鍔部２４に各４つずつ、合計８つの端子部が設けられている点で相違するが、その他の構成は第１実施形態のコイル部品１０と同様である。コイル部品１０ａの端子部５３ａ，５３ｂは、第１実施形態のコイル部品１０の端子部５３に対応しており、コイル部品１０ａの端子部５４ａ，５４ｂは、コイル部品１０の端子部５４に対応している。
【００５０】
コイル部品１０ａでは、ワイヤ端４３ｂとワイヤ端４４ａとの電気的な接続、およびワイヤ端４１ａとワイヤ端４２ｂとの電気的な接続は、コイル部品１０ａを実装する配線基板上の配線パターンを介して行われる。本実施形態に係るコイル部品１０ａのその他の構成および作用効果は、第１実施形態の場合と同様であり、詳細な説明は省略する。
【００５１】
第３実施形態
本実施形態では、図示省略するが、図１および図５に示すコイル部４０が、さらに第３通常巻回領域を有し、巻軸方向に沿って第３通常巻回領域と第２通常巻回領域４０ａとの間には、低密度巻回領域４０ｃと同様な低密度巻回領域を、さらに有していても良い。
【００５２】
なお、コイル部４０は、さらに、第４通常巻回領域を有し、巻軸方向に沿って第４通常巻回領域と前記第１通常巻回領域との間、または前記第４通常巻回領域と前記第３通常巻回領域との間には、前記低密度巻回領域と同様な低密度巻回領域を、さらに有していても良い。以下、同様に、低密度巻回領域４０ｃを介して第５以降の通常巻回領域を形成してもよい。第３以降の通常巻回領域は、第１通常巻回領域４０ａまたは第２通常巻回領４０ｂと同様な構成を有する。本実施形態に係るコイル部品１０ａのその他の構成および作用効果は、第１実施形態の場合と同様であり、詳細な説明は省略する。
【００５３】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００５４】
たとえば、第１コア２０の形状については、実施形態に示すドラム型に限定されず、Ｕ字型など、巻芯部の両端に一対のコア端部を備える任意の形状とすることができる。また、第１コア２０の２つの鍔部２４は、同じ形状であっても、異なる形状であってもよい。
【００５５】
また、上述した実施形態では、コイル部４０の一層目を、２本のワイヤ４２，４４で構成し、二層目を、他の２本のワイヤ４１，４３で構成してあるが、ワイヤ４１とワイヤ４２とは、端子部５４にて連続する１本のワイヤで構成しても良い。また、ワイヤ４３とワイヤ４４とは、端子部５３にて連続する１本のワイヤで構成しても良い。
【００５６】
さらにまた、上述した実施形態では、端子部５３および５４を用いているが、用途によっては、端子部５３および５４を省略しても良い。すなわち、図４に示すように、それぞれ入力側および出力側の中間タップＣＴとして用いられる端子部５３および５４を削除して、パルストランスを構成しても良い。その場合には、２本のワイヤのみを用いてパルストランスを構成することになる。
【００５７】
さらに、本発明では、巻芯部２２に対するワイヤの巻回方法を工夫することにより、巻回時に用いるワイヤの本数を減らしてもよい。たとえば１本または２本のワイヤを用いて、巻芯部２２にコイル部４０の一層目を形成した後、同じワイヤを用いてコイル部４０の二層目を形成し、コイル部の一次巻線と二次巻線との境界を切断して、一次巻線と二次巻線とに分離しても良い。
【００５８】
また、上述した実施形態では、図１に示すように、巻芯部２２のＺ軸方向上面で、一層目の一対のワイヤ４２，４４と、二層目の一対のワイヤ４１，４３とが交差する交差部分が形成されたが、それに限定されない。たとえば、交差部分は、巻芯部２２のＺ軸方向下面に形成されても良く、または、Ｙ軸方向に向かい合う巻芯部２２の側面に形成されても良い。
【実施例】
【００５９】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００６０】
実施例１ 
図１〜図３に示すように、Ｌ０＝Ｘ１＋α＋Ｘ２の関係の関係にあり、αがワイヤの線径の２本分以上の間隔であり、Ｘ１がＸ２に略等しいコイル部品１０で構成されるパルストランスを作製した。そのパルストランスの挿入損失（Insertion Loss）を測定した結果を図６中の曲線ｅｘ１で示す。なお、図６において、横軸は、測定周波数（指数表示で単位はＭＨｚ）であり、縦軸は、挿入損失（信号減衰特性／単位はｄＢ）である。挿入損失の測定は、ネットワークアナライザにより行った。
【００６１】
実施例２ 
図３に示すコイル部４０における第２通常巻領域４０ｂの隣に、第３通常巻回領域（図示省略するがそのＺ軸方向長さがＸ３）を、別の低密度領域（図示省略するがそのＺ軸方向長さがα）を介して形成し、Ｌ０＝Ｘ１＋α＋Ｘ２＋α＋Ｘ３の関係にあり、Ｘ１とＸ２とＸ３とが略等しい以外は、実施例１と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例１と同様にしてパルストランスの挿入損失（Insertion Loss）を測定した結果を図６中の曲線ｅｘ２で示す。
【００６２】
実施例３ 
第３通常巻回領域の隣に、第４通常巻回領域（図示省略するがそのＺ軸方向長さがＸ４）を、別の低密度領域（図示省略するがそのＺ軸方向長さがα）を介して形成し、Ｌ０＝Ｘ１＋α＋Ｘ２＋α＋Ｘ３＋α＋Ｘ４の関係にあり、Ｘ１とＸ２とＸ３とＸ４が略等しい以外は、実施例２と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例１と同様にしてパルストランスの挿入損失（Insertion Loss）を測定した結果を図６中の曲線ｅｘ３で示す。
【００６３】
比較例１ 
図３に示すような低密度領域４０ｃを形成することなく、ワイヤ４１〜４４を実施例１と同じ巻数で巻回してコイル部を形成した以外は、実施例１と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例１と同様にしてパルストランスの挿入損失（Insertion Loss）を測定した結果を図６中の曲線Ｃｅ１で示す。
【００６４】
評価
図６に示すように、全ての実施例１〜３に係るパルストランス（ｅｘ１〜ｅｘ３）において、比較例１に係るパルストランス（Ｃｅ１）に比較して、特に、２５０ＭＨｚまでの高周波数帯域において、挿入損失を、基準となる挿入損失Ｓｔ＝−０．８ｄＢ未満にすることが可能になることが確認できた。
【符号の説明】
【００６５】
１０…コイル部品
２０…第１コア
２２…巻芯部
２４…鍔部（コア端部）
３０…第２コア
【図１】
0006589588.tif 000002
【図２Ａ】
0006589588.tif 000003
【図２Ｂ】
0006589588.tif 000004
【図２Ｃ】
0006589588.tif 000005
【図２Ｄ】
0006589588.tif 000006
【図２Ｅ】
0006589588.tif 000007
【図３】
0006589588.tif 000008
【図４】
0006589588.tif 000009
【図５】
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【図６】
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