(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ナノインプリント用硬化性組成物であって、
重合性モノマー（Ａ）と、
前記重合性モノマー（Ａ）の全量に対して、０．１重量％以上７重量％以下の重合開始剤（Ｂ）と、
前記重合性モノマー（Ａ）の全量に対して、０．００１重量％〜５重量％のフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）と、を少なくとも含有し、
該光硬化性組成物の光硬化物に対する水の接触角が７４°以下であり、
前記フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）が、一端がパーフルオロアルキル鎖（Ｃ−ａ）であり、他端がヒドロキシル基（Ｃ−ｃ）であり、前記パーフルオロアルキル鎖と前記ヒドロキシル基が、ポリアルキレンオキサイド鎖（Ｃ−ｂ１）を介して連結された構造を有する
ことを特徴とする光ナノインプリント用硬化性組成物。
【請求項２】
前記光硬化性組成物の光硬化物に対する水の接触角が６４°以下である請求項１に記載の光ナノインプリント用硬化性組成物。
【請求項３】
前記光硬化性組成物の粘度が、溶剤を除く成分の混合物において２３℃で６〜２０ｃＰである請求項１または２に記載の光ナノインプリント用硬化性組成物。
【請求項４】
前記ポリアルキレンオキサイド鎖（Ｃ−ｂ１）が、繰り返し単位数１〜１００のポリエチレンオキサイド鎖である請求項１から３のいずれか一項に記載の光ナノインプリント用硬化性組成物。
【請求項５】
前記フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）が、下記一般式（１）で示される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光ナノインプリント用硬化性組成物。
Ｆ（ＣＦ２）６（ＣＨ２）ｍ（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎＯＨ  式（１）（式中、ｍは１〜３の整数、ｎは１〜１００の整数である。）
【請求項６】
前記重合性モノマーが、１，６−へキサンジオールジアクリレート、イソボルニルアクリレート、（２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルアクリレート、の少なくともいずれかを有する請求項１から５のいずれか一項に記載の光ナノインプリント用硬化性組成物。
【請求項７】
前記重合開始剤（Ｂ）が、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノプロパン−１−オンまたは２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の光ナノインプリント用硬化性組成物。
【請求項８】
被加工基材上に、請求項１から７のいずれかに記載の光硬化性組成物を配置する配置工程と、
前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる型接触工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射する光照射工程と、
前記光照射工程の後、前記光硬化性組成物と前記モールドとを引き離す離型工程と、
を有し、
前記被加工基材上に前記光硬化性組成物のパターン形状を得る
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
前記光硬化性組成物と接する前記モールドの表面が石英であることを特徴とする請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記光照射工程が、表面に凹凸を有する前記モールドを介して前記光硬化性組成物に光を照射する工程である請求項８または９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０に記載のパターン形成方法により得られたパターン形状に基づいてエッチングまたはイオン注入を行い、前記パターン形状に基づいて被加工基板に回路構造を形成する回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光硬化性組成物、及びこれを用いるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ナノインプリント方法は、表面に微細凹凸パターンが形成されたモールド（型）をレジスト（光硬化性組成物）が塗布された基板に押し付け、モールドの凹凸を基板のレジスト膜に転写するパターン形成方法である。
【０００３】
光ナノインプリント方法においては、モールドをレジスト硬化物から引き離す（離型する）ために要する力、すなわち離型力を低減することが重要な課題となっている。離型力が大きいことによって、パターンに欠陥が生じたり、基板がステージから浮き上がって位置合わせ精度が低下するなどの課題が発生するためである。
【０００４】
光ナノインプリントに用いられる光硬化性組成物としては、少なくとも１種の重合性モノマー、重合開始剤、およびフッ素系界面活性剤からなる組成物が知られている。（特許文献１）
【０００５】
また同文献には、フッ素系界面活性剤として、パーフロロアルキル鎖に炭化水素鎖が結合したもの、パーフロロアルキル鎖にエトキシ鎖やメトキシ鎖、シロキサンが結合した構造のものを用いることが開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、得られた光硬化膜は撥水性、つまり光硬化膜に対する水の接触角は７５〜９８°が好ましい値であるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−０８４６２５号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ２００６／１１４９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように、フッ素系材料を組成物に添加して光硬化膜の表面に撥水性を付与し、モールドとの離形力を低減させることは知られている。しかしながら、従来のフッ素系材料を添加したのみでは、モールド表面と光硬化膜表面との界面の状態が必ずしも離型力の低減に貢献する状態とはなっておらず、依然として離型力は大きいものであった。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、パターン形成方法において、離型力が小さい光硬化性組成物を提供することにある。また、その目的とするところは、離型力が小さいパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る光ナノインプリント用硬化性組成物は、重合性モノマー（Ａ）と、前記重合性モノマー（Ａ）の全量に対して、０．１重量％以上７重量％以下の重合開始剤（Ｂ）と、前記重合性モノマー（Ａ）の全量に対して、０．００１重量％〜５重量％のフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）と、を少なくとも含有し、該光硬化性組成物の光硬化物に対する水の接触角が７４°以下であり、前記フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）が、一端がパーフルオロアルキル鎖（Ｃ−ａ）であり、他端がヒドロキシル基（Ｃ−ｃ）であり、前記パーフルオロアルキル鎖と前記ヒドロキシル基が、ポリアルキレンオキサイド鎖（Ｃ−ｂ１）を介して連結された構造を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係るパターン形成方法は、被加工基材上に、上記光硬化性組成物を配置する配置工程と、前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる型接触工程と、前記光硬化性組成物に光を照射する光照射工程と、前記光照射工程の後、前記光硬化性組成物と前記モールドとを引き離す離型工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、離型力が小さい光硬化性組成物が提供される。また、本発明によれば、離型力が小さいパターン形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】パターン形成方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
【００１５】
なお、本発明でいうパターン形成方法は、光インプリント方法を含む。光インプリント方法は、好ましくは、１ｎｍ〜１０ｍｍのサイズのパターン形成方法のことと定義し、より好ましくは、およそ１０ｎｍ〜１００μｍのサイズのパターン形成方法のことと定義する。一般にナノサイズ（１ｎｍ〜１００ｎｍ）のパターン（凹凸構造）を有するパターン形成技術は光ナノインプリントと呼ばれ、本発明はこれを含む。
【００１６】
本発明の光硬化性組成物は、重合性モノマー（Ａ）、重合開始剤（Ｂ）、フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）より構成される。また、光硬化性組成物はその他添加成分を含有していても良い。
【００１７】
また、フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）が、一端に極性官能基を有するとよい。
【００１８】
本発明の光硬化性組成物は、主としてフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）の添加量の調整により、光硬化物に対する水の接触角が７４°以下となるような組成とする。
【００１９】
従来は、例えば特許文献２に開示されるように、光硬化膜は撥水性、つまり光硬化膜に対する水の接触角は７５〜９８°など、高い値が好ましいとされていた。
【００２０】
本発明の発明者らは、鋭意検討の結果、光硬化物に対する水の接触角が７４°以下で低い離型力を実現する光硬化性組成物を見出した。
【００２１】
本発明の組成物が、接触角が７４°以下で低い離型力を実現する理由は明らかではないが、フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）が光硬化物表面に偏析し、該界面活性剤の末端の官能基が光硬化物上の親水性を発現していると考えている。そして、その官能基がモールド表面と結合を形成することで、モールド−レジスト間界面にフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）の薄膜が形成され、これにより離型力が低減されているのではないかと本発明者らは考えている。特に、末端に極性官能基を設けることで、モールド表面と極性結合が形成され易くなり、薄膜がより形成されやすくなるものと推測している。
【００２２】
また、片末端がパーフルオロアルキル鎖（Ｃ−ａ）であり、もう一方の末端が極性官能基（Ｃ−ｃ）であり、パーフルオロアルキル鎖と極性官能基が、ポリアルキレンオキサイド鎖（Ｃ−ｂ１）または／およびアルキル鎖（Ｃ−ｂ２）を介して連結された構造を有するフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）を少なくとも含有することで、極性官能基（Ｃ−ｃ）がモールド表面と極性結合を形成し、モールド−レジスト間界面にフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）の薄膜が形成されることで、離型力を低減させるものと考えられる。
【００２３】
上記パーフルオロアルキル鎖（Ｃ−ａ）の具体例としては、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロデシル基、など、フッ素原子置換された炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基が挙げられる。環境安全性の観点から、炭素数７以下が好ましい。
【００２４】
上記極性官能基（Ｃ−ｃ）の具体例としては、アルキルヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、ピリジル基、シラノール基、スルホ基などが挙げられる。
【００２５】
上記ポリアルキレンオキサイド鎖（Ｃ−ｂ１）の具体例としては、繰り返し単位数１〜１００のポリエチレンオキサイド鎖または、繰り返し単位数１〜１００のポリプロピレンオキサイド鎖などが挙げられる。
【００２６】
上記アルキル鎖（Ｃ−ｂ２）の具体例としては、炭素数１〜１００の直鎖状、あるいは環状構造を含むアルキル基が挙げられる。
【００２７】
なお、（Ｃ−ａ）−（Ｃ−ｂ１）間、（Ｃ−ａ）−（Ｃ−ｂ２）間、（Ｃ−ｂ１）−（Ｃ−ｃ）間、（Ｃ−ｂ２）−（Ｃ−ｃ）間は、２価の接続基を介して連結されていても良い。前記２価の接続基の具体例としては、アルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基、スルホニル基、２級アミノ基、３級アミノ基、アミド基、ウレタン基などが挙げられる。
【００２８】
より好ましくは、フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）が、下記一般式（１）で示される少なくとも一種の化合物であると良い。
【００２９】
Ｆ（ＣＦ２）６（ＣＨ２）ｍ（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎＯＨ    式（１）（式中、ｍは１〜３の整数、ｎは１〜１００の整数である。）
【００３０】
フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００３１】
フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）成分の配合割合は、本発明の重合性モノマー（Ａ）の全量に対して、例えば、０．００１重量％〜５重量％であり、好ましくは０．００２重量％〜４重量％であり、さらに好ましくは、０．００５重量％〜３重量％である。前述のように、本発明の光硬化性組成物の光硬化物に対する水の接触角が７４°以下となるように、フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）成分の配合割合を調整する。
【００３２】
また、光硬化物に対する水の接触角が７４°以下の実測値が得られるものであれば良いが、光硬化物に対する水の接触角が７０°以下であると良い。また光硬化物に対する水の接触角が１°以上、好ましくは１０°以上であると良い。
【００３３】
（水の接触角の測定）
以下、本発明における光硬化物に対する水の接触角の測定方法について説明する。
【００３４】
光硬化物の作製方法としては、スピンコート法などの塗布法により基板上に本発明の光硬化性組成物を塗布し、窒素ガスなどの不活性雰囲気下で光照射して光硬化することで光硬化膜を形成する方法がある。
【００３５】
本発明における水の接触角測定は、例えば、全自動接触角計ＣＡ−Ｗ（協和界面化学製）などの市販の接触角計を用いて行う。
【００３６】
本発明における水の接触角を、純水１μｌを光硬化膜上に滴下した後、着液した純水と基材との交点における気液界面の接線と、基材表面との角度として定義する。測定は同一サンプル上で複数の異なる位置で行い、平均値をとることが好ましい。
【００３７】
（重合性モノマー（Ａ））
本発明の光硬化性組成物を構成する重合性モノマーとしては、ラジカル重合性モノマーまたはカチオン重合性モノマーが例として挙げられる。
【００３８】
ラジカル重合性モノマーとしてはアクリロイル基またはメタクリロイル基を１つ以上有する化合物が好ましい。カチオン重合性モノマーとしてはビニルエーテル基、エポキシ基またはオキセタニル基を１つ以上有する化合物が好ましい。
【００３９】
（重合性モノマー（Ａ）−ラジカル重合性成分）
アクリロイル基またはメタクリロイル基を１つ有する単官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、
フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ−２−メチルエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２ーフェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、４−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、３−（２−フェニルフェニル）−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ｐ−クミルフェノールの（メタ）アクリレート、２−ブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４−ジブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４，６−トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド
などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４０】
これら単官能（メタ）アクリル化合物は、例えば以下の製品として入手できる；
アロニックスＭ１０１、Ｍ１０２、Ｍ１１０、Ｍ１１１、Ｍ１１３、Ｍ１１７、Ｍ５７００、ＴＯ−１３１７、Ｍ１２０、Ｍ１５０、Ｍ１５６（以上、東亞合成製）、ＭＥＤＯＬ１０、ＭＩＢＤＯＬ１０、ＣＨＤＯＬ１０、ＭＭＤＯＬ３０、ＭＥＤＯＬ３０、ＭＩＢＤＯＬ３０、ＣＨＤＯＬ３０、ＬＡ、ＩＢＸＡ、２−ＭＴＡ、ＨＰＡ、ビスコート＃１５０、＃１５５、＃１５８、＃１９０、＃１９２、＃１９３、＃２２０、＃２０００、＃２１００、＃２１５０（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレートＢＯ−Ａ、ＥＣ−Ａ、ＤＭＰ−Ａ、ＴＨＦ−Ａ、ＨＯＰ−Ａ、ＨＯＡ−ＭＰＥ、ＨＯＡ−ＭＰＬ、ＰＯ−Ａ、Ｐ−２００Ａ、ＮＰ−４ＥＡ、ＮＰ−８ＥＡ、エポキシエステルＭ−６００Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＴＣ１１０Ｓ、Ｒ−５６４、Ｒ−１２８Ｈ（以上、日本化薬製）、ＮＫエステルＡＭＰ−１０Ｇ、ＡＭＰ−２０Ｇ（以上、新中村化学工業製）、ＦＡ−５１１Ａ、５１２Ａ、５１３Ａ（以上、日立化成製）、ＰＨＥ、ＣＥＡ、ＰＨＥ−２、ＰＨＥ−４、ＢＲ−３１、ＢＲ−３１Ｍ、ＢＲ−３２（以上、第一工業製薬製）、ＶＰ（ＢＡＳＦ製）、ＡＣＭＯ、ＤＭＡＡ、ＤＭＡＰＡＡ（以上、興人製）などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４１】
アクリロイル基またはメタクリロイル基を２つ以上有する多官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、
トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＥＯ，ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン
などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４２】
多官能（メタ）アクリル化合物は、例えば以下の製品として入手できる；
ユピマーＵＶ  ＳＡ１００２、ＳＡ２００７（以上、三菱化学製）、ビスコート  ＃１９５、＃２３０、＃２１５、＃２６０、＃３３５ＨＰ、＃２９５、＃３００、＃３６０、＃７００、ＧＰＴ、３ＰＡ（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレート  ４ＥＧ−Ａ、９ＥＧ−Ａ、ＮＰ−Ａ、ＤＣＰ−Ａ、ＢＰ−４ＥＡ、ＢＰ−４ＰＡ、ＴＭＰ−Ａ、ＰＥ−３Ａ、ＰＥ−４Ａ、ＤＰＥ−６Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＰＥＴ−３０、ＴＭＰＴＡ、Ｒ−６０４、ＤＰＨＡ、ＤＰＣＡ−２０、−３０、−６０、−１２０、ＨＸ−６２０、Ｄ−３１０、Ｄ−３３０（以上、日本化薬製）、アロニックス  Ｍ２０８、Ｍ２１０、Ｍ２１５、Ｍ２２０、Ｍ２４０、Ｍ３０５、Ｍ３０９、Ｍ３１０、Ｍ３１５、Ｍ３２５、Ｍ４００（以上、東亞合成製）、リポキシＶＲ−７７、ＶＲ−６０、ＶＲ−９０（以上、昭和高分子製）
などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４３】
これらラジカル重合性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。なお、上記において、（メタ）アクリレートとはアクリレート及びそれに対応するメタクリレートを意味し、（メタ）アクリロイル基とはアクリロイル基及びそれに対応するメタクリロイル基を意味し、ＥＯはエチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。また、ＰＯはプロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。
【００４４】
（重合性モノマー（Ａ）−カチオン重合性成分）
ビニルエーテル基を１つ有する化合物としては、例えば、
メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ｎ−ノニルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルメチルビニルエーテル、４−メチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ジシクロペンテニルビニルエーテル、２−ジシクロペンテノキシエチルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、ブトキシエチルビニルエーテル、メトキシエトキシエチルビニルエーテル、エトキシエトキシエチルビニルエーテル、メトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、テトラヒドロフリフリルビニルエーテル、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、クロルブチルビニルエーテル、クロルエトキシエチルビニルエーテル、フェニルエチルビニルエーテル、フェノキシポリエチレングリコールビニルエーテルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４５】
ビニルエーテル基を２つ以上有する化合物としては、例えば、
エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ブチレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、ビスフェノールＡアルキレンオキサイドジビニルエーテル、ビスフェノールＦアルキレンオキサイドジビニルエーテルなどのジビニルエーテル類；トリメチロールエタントリビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、エチレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテルなどの多官能ビニルエーテル類などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４６】
エポキシ基を１つ有する化合物としては、例えば、
フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、１，２−ブチレンオキサイド、１，３−ブタジエンモノオキサイド、１，２−エポキシドデカン、エピクロロヒドリン、１，２−エポキシデカン、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、３−メタクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−アクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−ビニルシクロヘキセンオキサイドなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４７】
エポキシ基を２つ以上有する化合物としては、例えば、
ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、４−ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル−３’，４’−エポキシ−６’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ−２−エチルヘキシル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類、１，１，３−テトラデカジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４８】
オキセタニル基を１つ有する化合物としては、例えば、
３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−（メタ）アリルオキシメチル−３−エチルオキセタン、（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチルベンゼン、４−フルオロ−〔１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、４−メトキシ−〔１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、〔１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）エチル〕フェニルエーテル、イソブトキシメチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−エチルヘキシル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、エチルジエチレングリコール（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンタジエン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラヒドロフルフリル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−テトラブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−トリブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシプロピル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ブトキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタクロロフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４９】
オキセタニル基を２つ以上有する化合物としては、例えば、
３，７−ビス（３−オキセタニル）−５−オキサ−ノナン、３，３’−（１，３−（２−メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン））ビス−（３−エチルオキセタン）、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、１，２−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エタン、１，３−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］プロパン、エチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリメチロールプロパントリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、１，４−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ブタン、１，６−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ポリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性ビスフェノールＦ（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル等の多官能オキセタンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５０】
これらカチオン重合性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。なお、上記において、ＥＯはエチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。また、ＰＯはプロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。また、水添とはベンゼン環などのＣ＝Ｃ二重結合に対して水素原子を付加させることである。
【００５１】
（重合開始剤（Ｂ））
重合開始剤（Ｂ）は、重合性モノマー（Ａ）がラジカル重合性モノマーの場合は光（赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線など、放射線）によりラジカルを発生する重合開始剤であり、重合性モノマー（Ａ）がカチオン重合性モノマーの場合は光により酸を発生する重合開始剤である。
【００５２】
ラジカル発生剤として挙げられる化合物は、例えば、
２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−又はｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等のような置換されていてもよい２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；
ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノンのようなベンゾフェノン誘導体；
２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノプロパン−１−オンなどの芳香族ケトン誘導体；
２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントレンキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；
ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体；
ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾインなどのベンゾイン誘導体；
ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；
９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタンなどのアクリジン誘導体；
Ｎ−フェニルグリシンなどのＮ−フェニルグリシン誘導体；
アセトフェノン、３−メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン誘導体；
チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントンなどのチオキサントン誘導体：
キサントン、フルオレノン、べンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド
などが挙げられるが、これらに限定されない。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００５３】
光ラジカル発生剤は、例えば以下の製品として入手できる；
Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、３６９、６５１、５００、８１９、９０７、７８４、２９５９、ＣＧＩ−１７００、−１７５０、−１８５０、ＣＧ２４−６１、Ｄａｒｏｃｕｒ  ｌ１１６、１１７３（以上、ＢＡＳＦ製）、Ｌｕｃｉｒｉｎ  ＴＰＯ、ＬＲ８８９３、ＬＲ８９７０（以上、ＢＡＳＦ製）、ユベクリルＰ３６（ＵＣＢ製）などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５４】
光により酸を発生する重合開始剤として用いられる化合物としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。本実施形態ではオニウム塩化合物を用いることが好ましい。
【００５５】
オニウム塩化合物としては、例えば、
ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。オニウム塩化合物の具体例としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムピレンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムピレンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムベンゼンスルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム１０−カンファースルホネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネートなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５６】
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスルホンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５７】
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。スルホン酸エステル化合物の具体例としては、α−メチロールベンゾインパーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾイン２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５８】
スルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニル）フタルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミドなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５９】
ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、（シクロヘキシルスルホニル）（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６０】
これらの光酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。本発明において、光酸発生剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６１】
重合開始剤（Ｂ）成分の配合割合は、本発明の重合性モノマー（Ａ）の全量に対して、０．０１重量％以上１０重量％以下、好ましくは０．１重量％以上７重量％以下である。０．０１重量％未満であると、硬化速度が低下して反応効率が低くなることがある。一方、１０重量％を超えると、光硬化性組成物の硬化物の機械的特性の点で劣ることがある。
【００６２】
（その他添加成分）
本発明の光硬化性組成物は、上述の重合性モノマー（Ａ）、重合開始剤（Ｂ）、フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）の他に種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、増感剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマ成分等その他の添加成分を含んでいてもよい。
【００６３】
これらのうち増感剤は、重合反応促進や反応転化率の向上を目的として、増感剤を添加してもよいものである。増感剤は例えば水素供与体や増感色素である。
【００６４】
水素供与体は、重合開始剤（Ｂ）から発生した開始ラジカルや、重合生長末端のラジカルと反応し、より反応性が高いラジカルを発生する化合物である。重合開始剤（Ｂ）が光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。
【００６５】
水素供与体の具体例としては、Ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、ｓ−ベンジルイソチウロニウム−ｐ−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシンなどのアミン化合物、２−メルカプト−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステルなどのメルカプト化合物、などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６６】
増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、重合開始剤（Ｂ）へ作用する化合物である。ここでいう作用とは、励起状態の増感色素から重合開始剤（Ｂ）へのエネルギー移動や電子移動などである。
【００６７】
増感色素の具体例としては、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素、などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６８】
増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６９】
本発明の光硬化性組成物における増感剤は、重合性モノマー（Ａ）の全量に対して０〜２０重量％であることが好ましく、０．１重量％〜５．０重量％であることが好ましく、０．２重量％〜２．０重量％であることがさらに好ましい。増感剤の含量を０．１重量％以上とすることにより、増感剤の効果をより効果的に発現することができる。また、増感剤の含量を５．０重量％以下とすることにより、光硬化物の分子量が十分に高く、また、溶解不良や保存安定性の劣化を抑えることができる。
【００７０】
（光硬化性組成物の配合時の温度）
光硬化性組成物の混合・溶解は、０℃〜１００℃の範囲で行えばよい。
【００７１】
（光硬化性組成物の粘度）
本発明の光硬化性組成物の粘度は、溶剤を除く成分の混合物において２３℃で１〜１００ｃＰであることが好ましい。より好ましくは５〜５０ｃＰ、さらに好ましくは６〜２０ｃＰである。粘度が１００ｃＰより高いと、後述する押印工程において、モールド上の微細パターン凹部への組成物の充填に長時間が必要となったり、充填不良によるパターン欠陥が生じたりする。粘度が１ｃＰより低いと、後述する塗布工程において塗りムラを生じたり、後述する押印工程において、モールド端部から組成物が流れ出したりする恐れがある。
【００７２】
（光硬化性組成物の表面張力）
本発明の光硬化性組成物の表面張力は、溶剤を除く成分の２３℃において５〜７０ｍＮ／ｍであることが好ましい。より好ましくは７〜３５ｍＮ／ｍ、さらに好ましくは１０〜３２ｍＮ／ｍである。
【００７３】
表面張力が５ｍＮ／ｍより低いと、後述する接触工程において、モールド表面上の凹凸への組成物の充填に長時間が必要となる。表面張力が７０ｍＮ／ｍより高いと、表面平滑性が低い。
【００７４】
（光硬化性組成物に混入しているパーティクル）
光硬化性組成物は、混入したパーティクルによる重合性モノマー（Ａ）の硬化物が有する凹凸における欠陥発生を防止するため、前記各成分を混合した後、例えば、孔径０．００１μｍ〜５．０μｍのフィルタで濾過することが好ましい。濾過は、多段階で行ったり、多数回繰り返すことがさらに好ましい。また、濾過した液を再濾過することもできる。濾過に使用するフィルタの材質は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素樹脂、ナイロン樹脂などのものが使用できるが、特に限定されるものではない。
【００７５】
（光硬化性組成物に混入している金属不純物）
半導体集積回路を製造するための光硬化性組成物においては、製品の動作を阻害しないようにするため、光硬化性組成物中の金属不純物の混入を極力避けることが好ましい。このため、本発明の光硬化性組成物における金属不純物の濃度としては、１０ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることがさらに好ましい。
【００７６】
（パターン形成方法）
本発明のパターン形成方法は、被加工基材上に光硬化性組成物を配置する配置工程（図１（１））と、光硬化性組成物とモールド（型）とを接触させる型接触工程（図１（２））と、モールドを接触させたまま光硬化性組成物を露光する光照射工程（図１（３））と、モールドと前記光硬化性組成物とを引き離す離型工程（図１（４））と、を含む方法である。
【００７７】
光照射工程が、モールドを介して光硬化性組成物に光を照射する工程であることが好ましい。
【００７８】
なお、離型工程の後に、光硬化性組成物の凹部に残った膜をエッチングにより取り除き、パターン凹部において被加工基材表面を露出させる、露出工程（図１（５））を更に含む方法が好ましい。
【００７９】
次に、本発明に係るパターン形成方法の各工程を説明する。
【００８０】
（配置工程（図１（１）））
被加工基材上に光硬化性組成物を配置する配置工程として本実施形態では塗布工程を挙げる。被加工基材上に本発明の光硬化性組成物を塗布する。
【００８１】
被加工基材としては、シリコンウエハなどの基板を挙げることができる。その他、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の材料でできた半導体デバイス用基板であってもよい。シランカップリング処理、シラザン処理、有機膜を成膜する、などの表面処理により光硬化性組成物との密着性を向上させた被加工基板を用いてもよい。
【００８２】
塗布方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコード法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を挙げることができる。なお、光硬化性組成物の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．０１μｍ〜１００．０μｍである。
【００８３】
（型接触工程（図１（２）））
モールドを光硬化性組成物に接触させる型接触工程では、モールドの表面に形成された凹凸（微細パターン）中に光硬化性組成物が充填される。
【００８４】
モールドは、光透過性の材料であり、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等を挙げることができる。
【００８５】
フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ）との極性結合が形成され易くなるため、光硬化性組成物と接するモールドの表面は親水性であることが好ましい。石英が特に好ましい。
【００８６】
本発明のパターン形成方法で用いられるモールドは、光硬化性組成物とモールド表面との剥離性を向上させるための表面処理を行ったものを用いてもよい。表面処理の方法としては、シリコーン系やフッ素系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸ等、市販の塗布型離型剤も好適に用いることができる。
【００８７】
接触の際の圧力は特に限定されないが、通常、０．１Ｐａ〜１００ＭＰａであり、０．１Ｐａ〜５０ＭＰａであることが好ましく、０．１Ｐａ〜３０ＭＰａであることがより好ましく、０．１Ｐａ〜２０ＭＰａであることがさらに好ましい。また、接触する時間は特に限定されないが、通常、１秒〜６００秒であり、１秒〜３００秒であることが好ましく、１秒〜１８０秒であることがより好ましく、１秒〜１２０秒であることが特に好ましい。本発明のパターン形成方法は、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下で行うことができる。不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガスなど、あるいはこれらの混合ガスが挙げられる。好ましい圧力は０．０００１気圧から１０気圧である。酸素や水分による光硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気や不活性ガス雰囲気が好ましい。
【００８８】
（光照射工程（図１（３）））
光照射工程は、モールドを接触させたまま光硬化性組成物を露光する工程である。前記工程において、モールド表面に形成された凹凸中に充填された光硬化性組成物が硬化する。
【００８９】
照射する光は特に限定されず、本発明の光硬化性組成物の感度波長に応じて選択されるが、１５０ｎｍから４００ｎｍ程度の波長の紫外光や、Ｘ線、電子線などを適宜選択して使用することが好ましい。重合開始剤（Ｂ）として紫外光に感度を有する多種多様な感光性化合物が容易に入手可能であることから、紫外光が特に好ましい。紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Ｄｅｅｐ−ＵＶランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレーザなどが挙げられ、超高圧水銀灯が特に好ましい。これら放射線は１つまたは複数で使用できる。また、光照射は光硬化性組成物の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。
【００９０】
また、光硬化性組成物が熱硬化性を有する場合には、加熱硬化を更に行ってもよい。熱硬化を行う場合、加熱雰囲気及び加熱温度等は特に限定されないが、例えば、不活性雰囲気下又は減圧下で、４０℃〜２００℃で加熱することができる。加熱は、ホットプレート、オーブン、ファーネス等を用いて行うことができる。
【００９１】
（離型工程（図１（４）））
離型工程は、モールドと光硬化性組成物とを引き離す工程である。前記工程において、モールドの表面に形成された凹凸の反転パターンが、光硬化性組成物の硬化物の凹凸として得られる。
【００９２】
引き離す方法は特に限定されず、各種条件等も特に限定されない。即ち、例えば、被加工基板を固定してモールドを被加工基板から遠ざかるように移動させて剥離してもよく、モールドを固定して被加工基板をモールドから遠ざかるように移動させて剥離してもよく、これらの両方を逆方向へ引っ張って剥離してもよい。
【００９３】
また、本発明のパターン形成方法では、塗布型離型剤を用いることができる。つまり、押印工程前にモールドのパターンを有する表面に塗布型離型剤層を形成する工程を行ってもよい。
【００９４】
塗布型離型剤としては、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。なお、離型剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、フッ素系離型剤が特に好ましい。
【００９５】
（露出工程（図１（５）））
露出工程は、光硬化性組成物の凹部に残った膜をエッチングにより取り除き、パターン凹部において被加工基板表面を露出させる工程である。
【００９６】
エッチング方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ドライエッチングを行うことで形成することができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、被エッチ膜の元素組成によって適宜選択されるが、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等の酸素原子を含むガス、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｃｌ２、ＢＣｌ３等の塩素系ガス、Ｈ２、ＮＨ３のガス等を使用することができる。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。
【００９７】
（基板加工工程（図１（６）））
露出工程で得られたパターンは、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子の層間絶縁膜用膜、半導体素子製造時におけるレジスト膜等として利用することができる。
【００９８】
具体的には、図１（６）で示すように、露出工程で露出した部分に対して、エッチングまたはイオン注入等を行うことにより、光硬化性組成物のパターンに基づく回路構造を被加工基板に形成する。これにより、半導体素子などの回路基板を製造することができる。最終的には、加工された基板から光硬化性組成物のパターンを除去しても良いが、素子を構成する部材として残す構成も好ましい。
【００９９】
また、表面に凹凸のパターンを有する光学素子として利用することもできる。すなわち、基材と、該基材上に配置された光硬化性組成物の硬化物と、を有する物品として提供することができる。
【実施例】
【０１００】
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は以下の実施例に限定されるものではない。尚、以下に使用される「部」および「％」は特に示さない限りすべて重量基準である。
【０１０１】
（合成例１）
（フッ素原子含有界面活性剤（Ｃ−１）の合成）
３００ｍＬ反応器に窒素雰囲気下ヘキサエチレングリコール（ＰＥＧ６）（２６．５ｇ，９３．９ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）（３６．１ｇ，２３５ｍｍｏｌ，２．５ｅｑ．）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０６ｍＬ）を加え−３０℃に冷却した。この溶液にＴＨＦ（２４ｍＬ）に希釈したジメチルアミノホスフィン（１５．３ｇ，９３．９ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ）をゆっくり２時間かけて加え、同温で３０分間撹拌した後冷却バスを外し室温で２時間攪拌した。この薄黄色懸濁液に市水（２５０ｍＬ）を加え２層に分けた（ＣＣｌ４と水層）、この水層をイソプロピルエーテル（ＩＰＥ）（１５０  ｍＬ×２）にて洗浄した。この溶液に市水（２５０ｍＬ）に六フッ化リン酸カリウム（ＫＰＦ６）（３４．５ｇ，１８８ｍｍｏｌ，２．０ｅｑ．）を懸濁させこれを先ほどの水層に加え十分撹拌させ、ジクロロメタン（２００ｍＬ×３）で抽出し、有機層を集め市水（４００ｍＬ）、飽和食塩水（３００ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、この溶液を濃縮し薄褐色の液体（Ｃ−１−ａ）（５３ｇ）を得た。
【０１０２】
５００ｍＬ反応器に１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプタノール（３４．２ｇ，９７．７ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、ＴＨＦ（１２０ｍＬ）を加えた。この溶液に、ＮａＨ（６０％）（３．９ｇ，９７．７ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）を発泡に注意してゆっくり加え５０℃にて１時間撹拌した溶媒を減圧留去した。この残渣に無水ジオキサン（６００ｍＬ）に溶解させた上記液体（Ｃ−１−ａ）（５３ｇ）を加え６０℃にて４８時間撹拌させた。この懸濁液を濃縮し残渣に市水（３００ｍＬ）、酢酸エチル（３００ｍＬ）を加え２層に分け、水層を酢酸エチル（２００ｍＬ×２）で抽出し、有機層を集め市水（４００ｍＬ）、飽和食塩水（４００ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、この溶液を濃縮し褐色の液体（５９．１ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２：１．２ｋｇ，酢酸エチルのみ⇒酢酸エチル／メタノール＝１０／１）、さらにカラム精製（ＳｉＯ２：４００ｇ，クロロホルム／メタノール＝１５／１⇒１０／１）し高真空下乾燥後、無色の液体であるフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ−１）、ヘキサエチレングリコールモノ１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロヘプチルエーテル（Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）６ＯＨ、１９．２ｇ，３１．２ｍｍｏｌ，収率３３％）を得た。
【０１０３】
［実施例１］
（Ａ）成分として１，６−へキサンジオールジアクリレート（大阪有機化学製）１００重量部、（Ｂ）成分としてＩｒｇａｃｕｒｅ３６９（チバ・ジャパン製）３重量部、（Ｃ）成分としてフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ−１）０．１２５重量部からなる混合溶液を配合した。これを０．２μｍのテトラフロロエチレン製フィルタでろ過し、実施例１の光硬化性組成物（ａ−１）を調製した。
【０１０４】
自動表面張力計ＣＢＶＰ−Ａ３（協和界面化学製）を用いて光硬化性組成物（ａ−１）の表面張力を測定したところ、３１．５ｍＮ／ｍであった。
【０１０５】
円錐平板方式回転型粘度計ＲＥ−８５Ｌ（東機産業製）を用いて光硬化性組成物（ａ−１）の粘度を測定したところ、６．４ｃＰであった。
【０１０６】
（水の接触角測定）
シリコンウエハ上にスピンコート法で光硬化性組成物（ａ−１）の約１μｍ厚の膜を形成した。
【０１０７】
窒素雰囲気下において、２５０Ｗ超高圧水銀ランプを備えたＵＶ光源ＥＸ２５０（ＨＯＹＡ  ＣＡＮＤＥＯ  ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ  ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ社製）から出射された光を、干渉フィルタＶＰＦ−５０Ｃ−１０−２５−３６５００（シグマ光機製）を介して光硬化性組成物（ａ−１）の膜に照射し、光硬化膜を得た。膜上における照度は波長３６５ｎｍにおいて２５ｍＷ／ｃｍ２であった。光照射時間は１００秒とした。全自動接触角計ＣＡ−Ｗ（協和界面化学製）を用いて上記の光硬化性組成物（ａ−１）の光硬化膜に１μｌの純水を滴下し、接触角を測定したところ、６９°であった。
【０１０８】
（離型力測定）
密着層として厚さ６０ｎｍの密着促進層が形成された４インチシリコンウエハ上に、マイクロピペットを用いて（ａ−１）を１５μｌ滴下した。
【０１０９】
上記のシリコンウエハ上に、表面処理がされておらず、パターンも形成されていない４０ｘ４０ｍｍの石英モールドを押印した。
【０１１０】
照射光源として、２００Ｗ水銀キセノンランプを備えたＵＶ光源ＥＸＥＣＵＲＥ  ３０００（ＨＯＹＡ  ＣＡＮＤＥＯ  ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ  ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ製）を用いた。光源と石英モールドとの間に、干渉フィルタＶＰＦ−５０Ｃ−１０−２５−３６５００（シグマ光機製）を配した。石英モールド直下における照度は、波長３６５ｎｍにおいて１ｍＷ／ｃｍ２であった。
【０１１１】
上記の条件で、光照射工程を６０秒おこなった。
【０１１２】
石英モールドを０．５ｍｍ／ｓの条件で引き上げ、離型工程を行った。
【０１１３】
離型に要した力を、引張圧縮両用型小型ロードセルＬＵＲ−Ａ−２００ＮＳＡ１（共和電業製）で測定した。同一条件で４回の離型力測定を行ったところ、平均離型力は１４９Ｎであった。
【０１１４】
［実施例２］
（Ｃ）成分としてフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ−１）の添加量を０．５重量部としたこと以外は実施例１と同様の光硬化性組成物（ａ−２）を調整した。
【０１１５】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−２）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２５．５ｍＮ／ｍ、６．４ｃＰであった。
【０１１６】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−２）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、６４°であった。
【０１１７】
（離型力測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−２）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は１２８Ｎであった。
【０１１８】
［実施例３］
（Ｃ）成分としてフッ素原子含有界面活性剤（Ｃ−１）の添加量を２．０重量部としたこと以外は実施例１と同様の光硬化性組成物（ａ−３）を調整した。
【０１１９】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−３）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２１．０ｍＮ／ｍ、６．５ｃＰであった。
【０１２０】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−３）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、２９°であった。
【０１２１】
（離型力測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−３）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は８８Ｎであった。
【０１２２】
［実施例４］
（Ａ）成分として
イソボルニルアクリレート（共栄社化学製ＩＢ−ＸＡ）６１．６重量部、（２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルアクリレート（大阪有機化学工業製ＭＥＤＯＬ−１０）１０重量部、ヘキサンジオールジアクリレート（大阪有機化学工業製ビスコート＃２３０）２２．４重量部、
（Ｂ）成分として
Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９（チバ・ジャパン製）３重量部、
（Ｃ）成分として
ペンタデカエチレングリコールモノ１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルエーテル（Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）１５ＯＨ、ＤＩＣ製）２．２重量部
からなる混合溶液を配合した。これを０．２μｍのテトラフロロエチレン製フィルタでろ過し、実施例４の光硬化性組成物（ａ−４）を調製した。
【０１２３】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−４）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２４．９ｍＮ／ｍ、７．１ｃＰであった。
【０１２４】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−４）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、６４°であった。
【０１２５】
（離型力測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−４）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は９９Ｎであった。
【０１２６】
［実施例５］
（Ｃ）成分を、
エイコサエチレングリコールモノ１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルエーテル（Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）２０ＯＨ、ＤＩＣ製）１．３重量部としたこと以外は実施例４と同様の光硬化性組成物（ａ−５）を調整した。
【０１２７】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−５）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２７．２ｍＮ／ｍ、７．０ｃＰであった。
【０１２８】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−５）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、７２°であった。
【０１２９】
（離型力測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−５）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は１１８Ｎであった。
【０１３０】
［実施例６］
（Ａ）成分として
イソボルニルアクリレート（共栄社化学製ＩＢ−ＸＡ）６１．６重量部、（２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルアクリレート（大阪有機化学工業製ＭＥＤＯＬ−１０）１０重量部、ヘキサンジオールジアクリレート（大阪有機化学工業製ビスコート＃２３０）２２．４重量部、
（Ｂ）成分として
２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１）３重量部、
（Ｃ）成分として
ペンタデカエチレングリコールモノ１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルエーテル（Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）１５ＯＨ、ＤＩＣ製）１．１重量部
からなる混合溶液を配合した。これを０．２μｍのテトラフロロエチレン製フィルタでろ過し、実施例６の光硬化性組成物（ａ−６）を調製した。
【０１３１】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−６）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２６．１ｍＮ／ｍ、６．６ｃＰであった。
【０１３２】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−６）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、５８°であった。
【０１３３】
（離型力測定）
照射光源として、超高圧水銀ランプを用いた。光源と石英モールドとの間に、波長３１３±５ｎｍを選択的に透過する干渉フィルタを配した。石英モールド直下における照度は、波長３１３ｎｍにおいて３８．５ｍＷ／ｃｍ２であった。
【０１３４】
密着層として厚さ３ｎｍの密着促進層が形成された３００ｍｍシリコンウエハ上に、インクジェット法で光硬化性組成物（ａ−６）の１１ｐＬの液滴を１４４０滴、２６ｘ３３ｍｍの領域にほぼ均等に滴下した。
【０１３５】
上記のシリコンウエハ上に、表面処理がされておらず、パターンも形成されていない２６ｘ３３ｍｍの石英モールドを接触させた。
【０１３６】
石英モールドを接触させてから３０秒後に、光照射工程を５秒おこなった。
【０１３７】
光照射工程の後、石英モールドを引き上げ、離型工程を行った。離型に要した力を、ロードセルで測定した。同一条件で３回の離型力測定を行ったところ、平均離型力は４８．７Ｎであった。後述する比較例３より低い値であった。
【０１３８】
［実施例７］
（Ｃ）成分を、
ペンタデカエチレングリコールモノ１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルエーテル（Ｆ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）１５ＯＨ、ＤＩＣ製）２．２重量部
としたこと以外は実施例６と同様の光硬化性組成物（ａ−７）を調整した。
【０１３９】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−７）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２３．９ｍＮ／ｍ、６．７ｃＰであった。
【０１４０】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−７）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、９°であった。
【０１４１】
（離型力測定）
実施例６と同様に光硬化性組成物（ａ−７）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は４９．１Ｎであった。後述する比較例３より低い値であった。
【０１４２】
［実施例８］
（Ｂ）成分を、
２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノプロパン−１−オン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７）３重量部
としたこと以外は実施例６と同様の光硬化性組成物（ａ−８）を調整した。
【０１４３】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−８）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２６．５ｍＮ／ｍ、６．７ｃＰであった。
【０１４４】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ａ−８）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、４２°であった。
【０１４５】
（離型力測定）
実施例６と同様に光硬化性組成物（ａ−８）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は５５．３Ｎであった。後述する比較例３より低い値であった。
【０１４６】
［比較例１］
（Ｃ）成分を添加しなかったこと以外は実施例１と同様の光硬化性組成物（ｂ−１）を調整した。
【０１４７】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−１）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ３５．９ｍＮ／ｍ、６．３ｃＰであった。
【０１４８】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−１）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、７９°であった。
【０１４９】
（離型力測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−１）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は１５８Ｎであり、実施例１〜３より大きな値であった。
【０１５０】
［比較例２］
（Ｃ）成分を添加しなかったこと以外は実施例４と同様の光硬化性組成物（ｂ−２）を調整した。
【０１５１】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−２）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ３１．５ｍＮ／ｍ、６．８ｃＰであった。
【０１５２】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−２）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、８１°であった。
【０１５３】
（離型力測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−２）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は１４３Ｎであり、実施例４〜５より大きな値であった。
【０１５４】
［比較例３］
（Ｃ）成分を添加しなかったこと以外は実施例６と同様の光硬化性組成物（ｂ−３）を調整した。
【０１５５】
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−３）の表面張力と粘度を測定したところ、それぞれ２８．１ｍＮ／ｍ、６．４ｃＰであった。
【０１５６】
（水の接触角測定）
実施例１と同様に光硬化性組成物（ｂ−３）の光硬化膜を作製し、水の接触角を測定したところ、９４°であった。
【０１５７】
（離型力測定）
実施例６と同様に光硬化性組成物（ｂ−３）の平均離型力を測定したところ、平均離型力は５６．５Ｎであり、実施例６〜８より大きな値であった。
【図１】
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