(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電流を交流電流に変換するとともに直流正極端子及び直流負極端子を有する第１〜第３のパワー半導体モジュールと、
前記第１〜第３のパワー半導体モジュールの前記直流正極端子及び前記直流負極端子とそれぞれに近接する他の導体との間に配置される１つの第１絶縁部を有するカバー部と、を備え、
前記カバー部は、
前記第１〜第３のパワー半導体モジュールの前記直流正極端子と前記直流負極端子を覆うＬ字状の金属製部材を保持し、かつ
前記第１〜第３のパワー半導体モジュールの前記直流正極端子と前記直流負極端子のそれぞれについて少なくとも２面としてドライバ回路基板に搭載される回路素子側の第１の面と前記第１の面に交わり且つ前記他の導体側の第２の面とを覆う電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載された電力変換装置であって、
前記カバー部は、前記第１〜第３のパワー半導体モジュールのそれぞれの前記直流正極端子と前記直流負極端子との間に配置される板状の３つの第２絶縁部を有する電力変換装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された電力変換装置であって、
前記金属製部材の一部が電気的導通を有して筐体に固定される電力変換装置。
【請求項４】
請求項１ないし３に記載されたいずれかの電力変換装置であって、
前記パワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、当該パワー半導体素子を制御する信号を伝達するゲート端子と、を有し、
前記直流正極端子、前記直流負極端子及び前記ゲート端子は、同一方向に向かって突出し、
前記カバー部は、前記ゲート端子が配置される凹部を形成する電力変換装置。
【請求項５】
請求項１ないし４に記載されたいずれかの電力変換装置であって、
前記パワー半導体モジュールを駆動する駆動回路を搭載するドライバ回路基板を有し、
前記ドライバ回路基板は、前記カバー部を挟んで前記パワー半導体モジュールと対向する位置に配置され、
さらに前記ドライバ回路基板は、前記カバー部が配置された側の面に回路素子を搭載する電力変換装置。
【請求項６】
請求項１ないし５に記載されたいずれかの電力変換装置であって、
前記パワー半導体モジュールは、複数のパワー半導体モジュールから構成され、
前記金属製部材は、前記複数のパワー半導体モジュールの直流正極端子及び直流負極端子を覆うように構成される電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直流電力を交流電力に変換しあるいは交流電力を直流電力に変換する電力変換装置に関し、特に車両に搭載されるのに適する電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッド自動車または電気自動車の小型化と共に、これらに用いられる電力変換装置の小型化が求められている。そこで、電力変換装置に使用されるパワー半導体モジュール等各部品の小型化や、各部品の配置距離の接近、例えば回路基板とパワー半導体モジュールの配置距離を近接させることによるデッドスペースの削減などにより、電力変換装置の小型化が可能である。【０００３】
しかし、各部品の小型化や配置距離の接近を行う場合、特に電力を流す部材に関して、電力変換装置の誤動作及び感電の危険を防止が必須となるため、電磁ノイズの影響と絶縁距離を考慮した形状や配置にする必要がある。特許文献１では、絶縁距離を確保するために回路基板とパワー半導体モジュールの配置距離を離した構造となっている。【０００４】
しかしながら、車両への搭載を前提とする上で、例えば筐体の低背面化による小型化、省スペース化が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５５６３３８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、電磁ノイズの影響を受けず、かつ絶縁が確保された、より小型化が可能な電力変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電力変換装置は、直流電流を交流電流に変換するとともに直流正極端子及び直流負極端子を有する第１〜第３のパワー半導体モジュールと、前記第１〜第３のパワー半導体モジュールの前記直流正極端子及び前記直流負極端子とそれぞれに近接する他の導体との間に配置される１つの第１絶縁部を有するカバー部と、を備え、前記カバー部は、前記第１〜第３のパワー半導体モジュールの前記直流正極端子と前記直流負極端子を覆うＬ字状の金属製部材を保持し、かつ前記第１〜第３のパワー半導体モジュールの前記直流正極端子と前記直流負極端子のそれぞれについて少なくとも２面としてドライバ回路基板に搭載される回路素子側の第１の面と前記第１の面に交わり且つ前記他の導体側の第２の面とを覆うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電力変換装置に搭載されるパワー半導体モジュールと回路基板を近接させることができ、低背面化による電力変換装置の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】電力変換装置１００の外観斜視図である。
【図２】図１に示す電力変換装置１００の全体構成を説明するために構成要素に分解した斜視図である。
【図３（ａ）】パワー半導体モジュール３００ａの斜視図である。
【図３（ｂ）】図３（ａ）に示すＩ−Ｉを通る平面で切断し、方向Ｊから見た断面図である。
【図４（ａ）】図３（ａ）に示す状態から、モジュールケース３０１、第２封止樹脂３０２及び絶縁部材３０７を取り除いたパワー半導体モジュール３００ａを示す斜視図である。
【図４（ｂ）】図４（ａ）に示すＩ−Ｉを通る平面で切断し、方向Ｊから見た断面図である。
【図５】図４（ａ）に示す状態から、第１封止樹脂３０５、及び端子絶縁部３０６を取り除いたパワー半導体モジュール３００ａを示す斜視図である。
【図６】図５に示す状態から、導体板３２０及び導体板３２１を分離したパワー半導体モジュール３００ａを示す斜視図である。
【図７】カバー部７００の外観斜視図である。
【図８】図７に示すＡ−Ａ平面でカバー部７００を切断し、Ｂ方向より見た断面図である。
【図９】図７に示すＣ−Ｃ平面でカバー部７００を切断し、Ｄ方向より見た断面図である。
【図１０】図１に示す状態から、冷却水流入用パイプ２１０ｉｎ 、冷却水流出用パイプ２１０ｏｕｔ、筐体下部カバー２２０、コンデンサモジュール２３０ 、モールドバスバー２４０、直流入力バスバー２５０ｐ及び２５０ｎ、制御−ドライバ回路基板２６０、筐体上部カバー２７０を取り除いた電力変換装置１００の図である。
【図１１】図１０に制御−ドライバ回路基板２６０を追加し、図１０に示すＥ‐Ｅを通る平面で電力変換装置１００を切断し、Ｆ方向より見た、カバー部７００の近傍の拡大断面図である。
【図１２】図１０に制御−ドライバ回路基板２６０を追加し、図１０に示すＧ-Ｇ平面で電力変換装置１００を切断し、Ｈ方向より見た、カバー部７００の近傍の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明に係る電力変換装置の実施の形態について説明する。なお、各図において同一要素については同一の符号を記し、重複する説明は省略する。
【００１１】
本実施形態に係る電力変換装置１００は、主にハイブリッド自動車や電気自動車に用いられるものである。その車両システムの一例は、特開２０１１−２１７５５０号公報に記載されている。なお、本実施形態に係る電力変換装置１００は、その効果を達成するために他の用途に用いられてもよい。例えば生産性向上や冷却性能向上を目的とした冷蔵庫やエアコンの家電用インバータに用いられてもよい。また使用環境が車両用インバータと類似した産業機器用インバータに用いられてもよい。
【００１２】
図２は、本実施形態に係る電力変換装置１００の全体構成を説明するために構成要素に分解した斜視図である。
【００１３】
電力変換装置１００は、筐体ケース２００、冷却水流入用パイプ２１０ｉｎ 、冷却水流出用パイプ２１０ｏｕｔ、筐体下部カバー２２０、コンデンサモジュール２３０ 、パワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃ、電流センサと交流電力用バスバーと直流正極電力用バスバーと直流負極用バスバーを内包したモールドバスバー２４０、直流電力入力バスバー２５０ｐ及び２５０ｎ、制御−ドライバ回路基板２６０、筐体上部カバー２７０等から構成されている。
【００１４】
筐体ケース２００は、例えばアルミニウム合金より構成され、一対の短辺壁部と長辺壁部とを有する箱状の直方体である。また筐体ケース２００は、コンデンサモジュール２３０やパワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃ、モールドバスバー２４０、直流電力入力バスバー２５０ｐ及び２５０ｎ、制御−ドライバ回路基板２６０等を収納する。
【００１５】
冷却水流入用パイプ２１０ｉｎ 及び冷却水流出用パイプ２１０ｏｕｔは、筐体ケース２００に挿入され、冷却媒体を流入または流出させる。
【００１６】
筐体下部カバー２２０は、筐体ケース下面２００ａを覆うように組み付つけられる。また筐体上部カバー２７０は、筐体ケース２００に各部品を収納した後に、筐体ケース上面２００ｂを覆うように組み付つけられる。カバー部７００は、パワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃの上方に配置される。
【００１７】
図３乃至図５を用いて電力変換装置に使用されるパワー半導体３００ａないし３００ｃを説明する。上記パワー半導体３００ａないし３００ｃはいずれも同じ構造であり、代表としてパワー半導体３００ａの構造を説明する。
【００１８】
図３（ａ）は、本実施形態のパワー半導体モジュール３００ａの斜視図である。図３（ｂ）は、本実施形態のパワー半導体モジュール３００ａを図３（ａ）に示すＩ−Ｉを通る平面で切断し、方向Ｊから見た断面図である。図４（ａ）は、図３（ａ）に示す状態から、モジュールケース３０１及び第２封止樹脂３０２及び絶縁部材３０７を取り除いたパワー半導体モジュール３００ａを示す斜視図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＩ−Ｉを通る平面で切断し、方向Ｊから見た断面図である。図５は、図４（ａ）に示す状態から、第１封止樹脂３０５及び端子絶縁部３０６を取り除いたパワー半導体モジュール３００ａを示す斜視図である。図６は、図５に示す状態から、導体板３２０及び導体板３２１を分離したパワー半導体モジュール３００ａを示す斜視図である。
【００１９】
図６に示されるように、上アームと下アームの直列回路を構成するパワー半導体素子（ＩＧＢＴ３１０、ＩＧＢＴ３１１、ダイオード３１２、ダイオード３１３）は、導体板３２０、３２１、３２２及び３２３によって挟まれ、当該導体板３２０ないし３２３と半田材により固着される。ＩＧＢＴ３１０とダイオード３１２は上アームを構成し、ＩＧＢＴ３１１とダイオード３１３は下アームを構成する。
【００２０】
図５に示されるように、交流端子３３０は導体板３２３と接続され、直流正極端子３４０ｐは導体板３２２と接続され、直流負極端子３４０ｎは導体板３２１と接続される。
【００２１】
図４（ａ）に示されるように、導体板３２０ないし３２３は、その放熱面が露出した状態で第１封止樹脂３０５によって封止される。第１封止樹脂３０５は、多面形状を有している。
【００２２】
図３（ｂ）に示されるように、第１封止樹脂３０５によって封止された一次封止体３０８（図４（ａ）参照）は、モジュールケース３０１の中に挿入して絶縁部材３０７を挟んで、ＣＡＮ型冷却器であるモジュールケース３０１の内面に熱圧着される。ここで、ＣＡＮ型冷却器とは、図３（ａ）に示されるように、一面に挿入口３０３と他面に底を有する筒形状をした冷却器である。モジュールケース３０１の内部に残存する空隙には、第２封止樹脂３０２が充填される。
【００２３】
モジュールケース３０１は、電気伝導性を有する部材、例えばアルミ合金材料（Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣ、Ａｌ−Ｃ等）で構成される。挿入口３０３は、フランジ３０４によって、その外周を囲まれている。また図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるように、他の面より広い面を有する第１放熱面３６０Ａ及び第２放熱面３６０Ｂがそれぞれ対向した状態で配置され、これらの放熱面に対向するようにして、各パワー半導体素子（ＩＧＢＴ３１０、ＩＧＢＴ３１１、ダイオード３１２、ダイオード３１３）が配置されている。また第１放熱面３６０Ａ及び第２放熱面３６０Ｂに、フィン３６１が形成される。
【００２４】
当該対向する第１放熱面３６０Ａと第２放熱面３６０Ｂと繋ぐ３つの面は、当該第１放熱面３６０Ａ及び第２放熱面３６０Ｂより狭い幅で密閉された面を構成し、残りの一辺の面に挿入口３０３が形成される。モジュールケース３０１の形状は、正確な直方体である必要が無く、図３（ａ）に示すごとく角が曲面を成していても良い。
【００２５】
図５に示されるように、モジュールケース３０１の外には、コンデンサモジュール２３０と電気的に接続するための直流正極端子３４０ｐ及び直流負極端子３４０ｎが設けられている。また、モータジェネレータに交流電力を供給するための交流端子３３０が設けられている。
【００２６】
モジュールケース３０１の外にはさらに、制御−ドライバ回路基板２６０と電気的に接続するためのゲート端子３５０及びゲート端子３５１が設けられている。本実施形態では、ゲート端子３５０はＩＧＢＴ３１０と接続され、ゲート端子３５１はＩＧＢＴ３１１と接続される。
【００２７】
図４（ａ）に示されるように、直流正極端子３４０ｐ、直流負極端子３４０ｎ、交流端子３３０、ゲート端子３５０及びゲート端子３５１は、樹脂材料で成形された端子絶縁部３０６によって相互に絶縁された状態で、補助モールド体３７０として一体に成形される。端子絶縁部３０６は、各端子を支持するための支持部材としても作用し、これに用いられる樹脂材料は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂かあるいは熱可塑性樹脂が適している。
【００２８】
補助モールド体３７０は、一次封止体３０８と接続部３７５において金属接合された後に、端子絶縁部３０６に設けられたネジ穴を貫通するネジ３８０によってモジュールケース３０１に固定される。接続部３７５における一次封止体３０８と補助モールド体３７０との金属接合には、例えばＴＩＧ溶接などを用いることができる。
【００２９】
直流正極端子３４０ｐと直流負極端子３４０ｎは、端子絶縁部３０６を挟んで対向した状態で互いに積層され、略並行に延びる形状を成している。こうした配置及び形状とすることで、パワー半導体素子のスイッチング動作時に瞬間的に流れる電流が対向してかつ逆方向に流れる。これにより、電流が作る磁界が互いに相殺する作用をなし、この作用により低インダクタンス化が可能となる。なお、交流端子３３０やゲート端子３５０及びゲート端子３５１も、直流正極端子３４０ｐ及び直流負極端子３４０ｎと同様の方向に向かって伸びている。
【００３０】
図７乃至図９を用いて電力変換装置に使用されるカバー部７００の構造を説明する。図７は、カバー部７００の外観斜視図である。図８は、図７に示すＡ−Ａ平面でカバー部７００を切断し、Ｂ方向より見た断面図である。図９は、図７に示すＣ−Ｃ平面でカバー部７００を切断し、Ｄ方向より見た断面図である。
【００３１】
金属製部材７５０は、電磁ノイズを遮蔽できる部材、例えばアルミ合金材料等で構成される。また金属製部材７５０は、カバー部７００に固定されている。本実施形態においては、金属製部材７５０は、カバー部７００へのインサートモールドによって保持されているが、スナップフィット、ネジ固定等によって固定し、保持しても良い。さらに金属製部材７５０は、カバー部７００から一部が露出し、ネジ固定用貫通穴７５１を形成する。
【００３２】
カバー部７００は、絶縁製部材、例えば樹脂材料（ＰＢＴ，ＰＰＴ等）等で構成される。  本実施形態においては、カバー部７００は、ゲート端子３５０が配置される位置を避けるように凹部７２０が形成されている。これにより、パワー半導体モジュールの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０nを覆う領域を拡大し、電磁ノイズ遮蔽領域を拡大する。
【００３３】
本実施形態においては、カバー部７００は、パワー半導体モジュールの直流正極端子３４０pと直流負極端子３４０nに近接するゲート端子３５１との絶縁距離を確保するために、ゲート端子用絶縁部７１０が形成されている。また直流正極端子３４０pと直流負極端子３４０ｎの絶縁距離を確保するための絶縁部７０１を有している。
【００３４】
図１０乃至図１２を用いて電力変換装置１００に使用されるカバー部７００の配置及び効果を説明する。図１０は、図１に示す状態から、冷却水流入用パイプ２１０ｉｎ 、冷却水流出用パイプ２１０ｏｕｔ、筐体下部カバー２２０、コンデンサモジュール２３０、モールドバスバー２４０、直流入力バスバー２５０ｐ及び２５０ｎ、制御−ドライバ回路基板２６０、筐体上部カバー２７０を取り除いた電力変換装置１００の図である。図１１は、図１０に制御−ドライバ回路基板２６０を追加し、図１０に示すＥ‐Ｅを通る平面で電力変換装置１００を切断し、Ｆ方向より見た、カバー部７００の近傍の拡大断面図である。図１２は、図１０に制御−ドライバ回路基板２６０を追加し、図１０に示すＧ-Ｇ平面で電力変換装置１００を切断し、Ｈ方向より見た、カバー部７００の近傍の拡大断面図である。
【００３５】
パワー半導体モジュール３００ａないし３００ｂの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎに通電される電流は、スイッチング毎に電流方向が変化する。これにより、直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎの内側に発生する磁束の方向が変化する。このときの磁束方向が変化するから、磁界と電界が連鎖的に発生する。この磁界と電界の連鎖的な波が電磁ノイズとなる。またこのとき、直流正極端子３４０pと直流負極端子３４０ｎの距離が離れているほど大きな磁束変化が生じる。
【００３６】
磁束変化が生じると、インダクタンスが変化する。よって磁束変化量が大きいと、インダクタンスの変化量が大きくなる。つまり、インダクタンス変化量が大きくなる直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎから、電磁ノイズは発生すると言える。
【００３７】
導体の近傍にて磁界が急激に変化すると、導体を貫く磁束を軸に、導体上に渦電流が発生し、発生した渦電流は、基の磁束を打ち消す方向に磁束を発生させる。この基の磁束を打ち消す方向に磁束を発生させることから、電磁ノイズは遮蔽される。
【００３８】
基の磁束を打ち消す方向に磁束を発生させることは、インダクタンスを低減させるとも言える。つまり、インダクタンス変化量が大きくなる直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎを金属製部材７５０で覆い、インダクタンス変化量を低減させることによって電磁ノイズを遮蔽する。
【００３９】
直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎは、それぞれが他の導体と近接すると、絶縁ができず短絡してしまう。直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎを覆う金属製部材７５０との絶縁を確保するために、金属製部材７５０を絶縁製部材のカバー部７００で保持する。またカバー部７００は、直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎに近接する金属製部材７５０以外の他の導体との絶縁も確保するために、直流正極端子３４０p 、直流負極端子３４０ｎ及び近接する金属製部材７５０以外の他の導体との間に絶縁部を有する。
【００４０】
本実施形態においては、直流正極端子３４０pと直流負極端子３４０ n に近接するゲート端子３５１との間に、絶縁距離を確保するための絶縁部７１０を有し、また、直流正極端子３４０pと直流負極端子３４０ｎの絶縁距離を確保するための絶縁部７０１を有している。
【００４１】
金属製部材７５０に渦電流が発生するとき、金属製部材７５０内にて電位が変動し帯電する。帯電した状態の金属製部材７５０が他の導体等に接近した場合、静電放電が発生し、誤動作や短絡の原因となる。また帯電した物体は、埃等の異物を引き付け、短絡や漏電などの原因となる。
【００４２】
これらのことから、金属製部材７５０は帯電を防止する必要がある。そのため金属製部材７５０は、一部が電気的導通を有して固定される必要がある。本実施形態においては、金属製部材７５０は、図１０に示されるように、筐体ケース２００に固定される。これにより、金属製部材７５０内の電位を筐体ケース２００へ逃すことができ、金属製部材７５０の帯電を防止することができる。
【００４３】
電磁ノイズを可能な限り遮蔽するには、発生基となる直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎを遮蔽する金属製部材７５０の領域が広いほど良い。本実施形態においては、金属製部材７５０及びカバー部７００は、ゲート端子３５０が配置される位置を避けるように凹部７２０を形成し、パワー半導体モジュールの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０nを覆う領域を拡大している。これにより、電磁ノイズ遮蔽領域を拡大する。
【００４４】
パワー半導体モジュールを駆動する駆動回路を搭載するドライバ回路基板及び回路素子は、電磁ノイズによって誤動作をする可能性がある。そのため、電磁ノイズ発生源からの保護が必要となる。本実施形態においては、制御−ドライバ回路基板２６０はパワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃを駆動する駆動回路を有し、カバー部７００を挟んだパワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃと対向する位置に配置され、さらに制御−ドライバ回路基板２６０は、カバー部７００が配置された側の面に回路素子２６１を搭載している。通常このような構造の場合、制御−ドライバ回路基板２６０及び搭載された回路素子２６１と、電磁ノイズ源となるパワー半導体モジュールの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ n の間の距離が近接するため誤動作が発生する可能性が高い。
【００４５】
しかし本実形態においては、カバー部７００を、制御−ドライバ回路基板２６０及び搭載された回路素子２６１と、電磁ノイズ源となるパワー半導体モジュールの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０n の間の挟んでいるため、電磁ノイズを遮蔽しつつ制御−ドライバ回路基板２６０及び搭載された回路素子２６１とパワー半導体モジュールの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０n を近接させることができる。これにより、電力変換装置の低背面化が可能となり、電力変換装置の小型化が可能となる。
【００４６】
電力変換装置には、パワー半導体モジュールが搭載されるが、場合によって搭載数が増大することがある。本実施形態においては、電力変換装置１００に対して、Ｕ相パワー半導体モジュール３００ａと、Ｖ相パワー半導体モジュール３００ｂと、Ｗ相パワー半導体モジュール３００ｃの、計３つが搭載されている。電磁ノイズは、各パワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎから発生するため、各パワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃの電磁ノイズを遮蔽する必要がある。本実施形態においては、カバー部７００は、Ｕ相パワー半導体モジュール３００ａと、Ｖ相パワー半導体モジュール３００ｂと、Ｗ相パワー半導体モジュール３００ｃの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎを同時に覆うように構成されている。
これにより、各パワー半導体モジュール３００ａないし３００ｃの直流正極端子３４０p及び直流負極端子３４０ｎから発生する電磁ノイズを隙間無く遮蔽することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００…電力変換装置、２００…筐体ケース、２００ａ…筐体ケース下面、２００ｂ…筐体ケース上面、２１０ｉｎ…冷却水流入用パイプ、２１０ｏｕｔ…冷却水流出用パイプ、２２０…筐体下部カバー、２３０…コンデンサモジュール、２４０…モールドバスバー、２５０ｐ…直流入力バスバー、２５０ｎ…直流入力バスバー、２６０…制御−ドライバ回路基板、２６１…回路素子、２７０…筐体上部カバー、３００ａ…Ｕ相パワー半導体モジュール、３００ｂ…Ｖ相パワー半導体モジュール、３００ｃ…Ｗ相パワー半導体モジュール、３０１…モジュールケース、３０２…第２封止樹脂、３０３…挿入口、３０４…フランジ、３０５…第１封止樹脂、３０６…端子絶縁部、３０７…絶縁部材、３０８…一次封止体、３１０…ＩＧＢＴ、３１１…ＩＧＢＴ、３１２…ダイオード、３１３…ダイオード、３２０…導体板、３２１…導体板、３２２…導体板、３２３…導体板、３３０…交流端子、３４０ｐ…直流正極端子、３４０ｎ…直流負極端子、３５０…ゲート端子、３５１…ゲート端子、３６０Ａ…第１放熱面、３６０Ｂ…第２放熱面、３６１…フィン、３７０…補助モールド体、３７５…接続部、３８０…ネジ、７００…カバー部、７０１…絶縁部、７１０…ゲート端子用絶縁部、７２０…凹部、７５０…金属製部材、７５１…ネジ固定用貫通穴
【図１】
0006576360.tif 000002
【図２】
0006576360.tif 000003
【図３（ａ）】
0006576360.tif 000004
【図３（ｂ）】
0006576360.tif 000005
【図４（ａ）】
0006576360.tif 000006
【図４（ｂ）】
0006576360.tif 000007
【図５】
0006576360.tif 000008
【図６】
0006576360.tif 000009
【図７】
0006576360.tif 000010
【図８】
0006576360.tif 000011
【図９】
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【図１０】
0006576360.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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