(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトを支持するように構成された支持装置であって、
オブジェクトを保持するためのオブジェクトホルダを含む支持ボディと、
前記オブジェクトホルダのエッジに隣接した前記支持ボディの開口部と、
前記支持ボディ内の複数の通路のそれぞれを介して前記開口部と流体で連絡しているチャネルと、
前記複数の通路の少なくとも１つに装着された通路ライナであって、前記複数の通路の前記少なくとも１つにおいて流体から前記支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、通路ライナと、
前記開口部の少なくとも一部分の上にあるルーフライナと、を備え、
前記ルーフライナが、前記複数の通路の前記少なくとも１つにおいて流体から前記支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、支持装置。
【請求項２】
前記通路ライナが、少なくとも０．２ｍｍの厚さを有する、請求項１に記載の支持装置。
【請求項３】
前記開口部が、平面図において前記支持ボディの周りで連続しており、前記支持ボディ内の開口溝によって画定される、請求項１又は２に記載の支持装置。
【請求項４】
開口部ライナが、前記開口溝内に装着され、
前記開口部ライナが、前記開口溝において流体から前記支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、請求項３に記載の支持装置。
【請求項５】
オブジェクトテーブルを更に備え、
前記支持ボディが、前記オブジェクトテーブルによって支持され、
前記チャネルが、前記オブジェクトテーブルのオブジェクトテーブル開口部と流体で連絡している、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項６】
前記チャネルが、平面図において前記支持ボディの周りで連続している、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項７】
チャネルライナが、前記チャネル内に装着され、
前記チャネルライナが、前記チャネルにおいて流体から前記支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項８】
それぞれの前記通路ライナの一部分が、前記支持ボディから前記チャネル内に延びる、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項９】
前記チャネルが、チャネルエレメント内にあり、
前記支持ボディから前記チャネルエレメントを実質的に機械的かつ熱的に切り離すために前記チャネルエレメントと前記支持ボディとの間にガスの層が存在する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項１０】
止め輪を更に備え、
前記止め輪が、前記支持ボディ上に装着される、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の支持装置を備える、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
支持装置で基板を支持しながら前記基板上にパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影することを含み、
前記支持装置が、
前記基板を保持するためのオブジェクトホルダを含む支持ボディと、
前記オブジェクトホルダのエッジに隣接した前記支持ボディの開口部と、
前記支持ボディ内の複数の通路のそれぞれを介して前記開口部と流体で連絡しているチャネルと、
前記複数の通路の少なくとも１つに装着された通路ライナであって、前記複数の通路の前記少なくとも１つにおいて流体から前記支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、通路ライナと、
前記開口部の少なくとも一部分の上にあるルーフライナと、を備え、
前記ルーフライナが、前記複数の通路の前記少なくとも１つにおいて流体から前記支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、２０１５年６月２３日及び２０１５年１０月１９日に出願され、参照により全体として本明細書に取り入れられる欧州特許出願第１５１７３３４８．２号及び第１５１９０３３７．４号の優先権を主張するものである。
【０００２】
[0002]  本発明は、支持装置、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行或いは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる）。固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
【０００５】
[0005]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００６】
[0006]  液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置における液浸に使用される液体の取り扱いは、１つ以上の液体ハンドリング問題をもたらすものである。通常、基板及び／又はセンサなどのオブジェクトと、オブジェクト（例えば、基板及び／又はセンサ）のエッジ周辺の支持装置又はテーブル（例えば、基板テーブルを含む可能性のある基板支持装置又は測定テーブル）との間にギャップが存在する。米国特許出願公報第２００５−０２６４７７８号では、そのギャップを材料で充填すること、或いはギャップが流体ハンドリングシステムの下を通過する時の泡の封入を回避するため及び／又はギャップに入る液体を除去するためにそのギャップを液体で慎重に充填するための液体源又は低圧源を提供すること、を開示している。ギャップ内又は支持装置のチャネル内に液体が存在すると、支持装置内で、例えば、ギャップ又はチャネルを取り囲む材料と支持装置の残りの部分との間で、温度変化が発生する可能性がある。温度変化は支持装置及び従ってオブジェクトをゆがめる可能性があり、それがオブジェクトの位置のエラーを誘発する可能性がある。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  例えば、リソグラフィ装置での使用に適した支持装置における温度変化を低減することが望ましい。
【０００９】
[0009]  一態様により、オブジェクトを支持するように構成された支持装置であって、オブジェクトを保持するためのオブジェクトホルダ（ｏｂｊｅｃｔ  ｈｏｌｄｅｒ）を含む支持ボディ（ｓｕｐｐｏｒｔ  ｂｏｄｙ）と、オブジェクトホルダのエッジに隣接した支持ボディの開口部と、支持ボディ内の複数の通路（ｐａｓｓａｇｅｗａｙ）のそれぞれを介して開口部と流体で連絡しているチャネルと、複数の通路の少なくとも１つに装着された通路ライナ（ｐａｓｓａｇｅｗａｙ  ｌｉｎｅｒ）であって、複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、通路ライナと、を含む支持装置が提供される。
【００１０】
[0010]  一態様により、液浸リソグラフィ装置を操作する方法であって、支持装置の支持ボディによって支持されたオブジェクト上に液体を提供することと、支持ボディの開口部を通ってオブジェクトのエッジから液体を除去することであって、開口部がサポ−ボディ内の複数の通路のそれぞれを介してチャネルと流体で連絡しており、通路ライナが複数の通路の少なくとも１つに装着され、通路ライナが複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱していることと、を含む方法が提供される。
【００１１】
[0011]  一態様により、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、支持装置で基板を支持しながら基板上にパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影することを含み、支持装置が、基板を保持するためのオブジェクトホルダを含む支持ボディと、オブジェクトホルダのエッジに隣接した支持ボディの開口部と、支持ボディ内の複数の通路のそれぞれを介して開口部と流体で連絡しているチャネルと、複数の通路の少なくとも１つに装着された通路ライナであって、複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している通路ライナと、を含む、デバイス製造方法が提供される。
【００１２】
[0012]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】[0013]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を描写している。
【図２】[0014]リソグラフィ投影装置で使用するための液体供給システムを描写している。
【図３】[0015]リソグラフィ投影装置で使用するためのさらなる液体供給システムを描写している。
【図４】[0016]本発明の一実施形態による支持装置の一部を断面図で描写している。
【図５Ａ】[0017]図４の支持装置を平面図で描写している。
【図５Ｂ】[0017]図４の支持装置を平面図で描写している。
【図５Ｃ】[0017]図４の支持装置を平面図で描写している。
【図６】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図７】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図８】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図９】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１０】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１１】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１２】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１３】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１４】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１５】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１６】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１７】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１８】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図１９】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図２０】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図２１】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図２２】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【図２３】[0018]本発明の一実施形態の支持装置の一部を断面図で描写している。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[0019]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  特定のパラメータに従ってテーブルの表面、例えば、基板（例えばレジストコート基板）Ｗの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された支持テーブルであって、例えば、１つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、或いは、基板Ｗを保持するように構築された基板支持装置６０などの支持テーブルと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１５】
[0020]  イルミネータＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１６】
[0021]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１７】
[0022]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１８】
[0023]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１９】
[0024]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２０】
[0025]  本明細書で示すように、本装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプである。或いは、装置は、（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）反射タイプでもよい。
【００２１】
[0026]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（或いはステージ（複数も可）又は支持装置）、例えば、２つ以上の基板支持装置、或いは１つ以上の基板支持装置と１つ以上のセンサテーブル又は測定テーブルとの組み合わせを有するタイプでもよい。このような「複数ステージ」機械においては、複数のテーブルを並行して使用するか、或いは１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。リソグラフィ装置は、基板テーブル、センサテーブル、及び測定テーブルと同様に並行して使用できる２つ以上のパターニングデバイステーブル（或いはステージ（複数も可）又は支持体（複数も可））を有することもできる。
【００２２】
[0027]  リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｓｐａｃｅ）１０を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部分を比較的高い屈折率を有する液浸液１１、例えば超純水（ＵＰＷ）などの水で覆えるタイプである。液浸液１１は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は投影システムの開口数を増加させるために使用することができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板Ｗなどの構造を液浸液１１に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムＰＳと基板Ｗの間に液浸液１１が位置するということを意味するだけである。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターン形成された放射ビームの経路は完全に液浸液１１を通り抜けている。
【００２３】
[0028]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２４】
[0029]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えていてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）別に提供されてもよい。
【００２５】
[0030]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板支持装置６０を、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。
【００２６】
[0031]  同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板支持装置６０の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。
【００２７】
[0032]  ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２と、を用いて位置合わせすることができる。図示の基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらはスクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に提供されている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２８】
[0033]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２９】
[0034]  １．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０が基本的に静止状態に維持される間に、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（即ち、単一静的露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板支持装置６０はＸ方向及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３０】
[0035]  ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０が同期的にスキャンされる間に、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（即ち、単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板支持装置６０の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さ（及び露光フィールドのサイズ）によってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３１】
[0036]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板支持装置６０が移動又はスキャンされる間に、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板支持装置６０を移動させるごとに又はスキャン中の連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
[0037]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３３】
[0038]  コントローラ５００は、リソグラフィ装置の動作全体を制御し、特に、以下にさらに記載されている動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央演算処理装置と、揮発性及び不揮発性記憶手段と、キーボード及びスクリーンなどの１つ以上の入出力装置と、リソグラフィ装置の様々な部分への１つ以上のインターフェースと、を含む、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実施することができる。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間の１対１の関係が不要であることは認識されるであろう。本発明の一実施形態では、１台のコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明の一実施形態では、複数のネットワーク化コンピュータを使用して１台のリソグラフィ装置を制御することができる。また、コントローラ５００は、リソグラフィ装置がその一部を形成するリソセル又はクラスタ内の１つ以上の関連プロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成してもよい。また、コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は製作工場の全般的制御システムに従属するように構成することもできる。一実施形態では、コントローラは、本発明の一実施形態を実行するように装置を操作する。また、一実施形態では、コントローラ５００は、ステップ２において後で使用するために、本明細書に記載されているステップ１の結果を記憶するためのメモリを有する。
【００３４】
[0039]  投影システムＰＳの最終光学素子と基板との間に液浸液を提供するための構成は、３つの一般的カテゴリに分類することができる。これらは、浴式構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。本発明の一実施形態は特に局所液浸システムに関するものである。
【００３５】
[0040]  局所液浸システムについて提案されている構成では、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学素子２０と投影システムＰＳに面するステージ又はテーブルの対向表面との間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延びている。テーブルの対向表面がそのように言われるのは、テーブルが使用中に移動し、滅多に静止しないからである。一般に、テーブルの対向表面は、基板Ｗの表面及び／又は基板Ｗを取り囲む基板支持装置の表面或いはその両方である。このような構成は図２に示されている。図２に示され、以下に記載されている構成は、図１に示されている上記のリソグラフィ装置に適用することができる。
【００３６】
[0041]  図２は液体閉じ込め構造１２を概略的に描写している。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学素子２０と基板支持装置６０又は基板Ｗとの間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延びている。一実施形態では、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ／基板支持装置６０の表面との間にシールが形成される。このシールはガスシール１６などの非接触シール又は液浸液シールでもよい（ガスシールを備えたこのようなシステムは欧州特許出願公報第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）。
【００３７】
[0042]  液体閉じ込め構造１２は、液浸液１１を液浸空間１０に供給して閉じ込めるように構成される。液浸液１１は液体開口部（ｌｉｑｕｉｄ  ｏｐｅｎｉｎｇ）１３の１つを通って液浸空間１０内に誘導される。液浸液１１はもう１つの液体開口部１３を通って除去することができる。また、液浸液１１は、少なくとも２つの液体開口部１３を通って液浸空間１０内に誘導してもよい。どの液体開口部１３を使用して液浸液１１を供給するか並びに任意選択でどれを使用して液浸液１１を除去するかは、基板支持装置６０の移動方向によって決まる可能性がある。
【００３８】
[0043]  液浸液１１は、使用中に液体閉じ込め構造１２の底とテーブルの対向表面（即ち、基板Ｗの表面及び／又は基板支持装置６０の表面）との間に形成されるガスシール１６によって液浸空間１０内に封じ込めてもよい。ガスシール１６内のガスは、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板支持装置６０との間のギャップにガスインレット１５を介して加圧下で提供される。ガスはガスアウトレット１４に関連するチャネルを介して抽出される。ガスインレット１５における過圧、ガスアウトレット１４における真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液浸液１１を閉じ込める内向きの高速ガスフローが存在するように取り決められる。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板支持装置６０との間の液浸液１１に対するガスの力により、液浸空間１０内に液浸液１１を封じ込める。メニスカスは液浸液１１の境界に形成される。このようなシステムは米国特許出願公報第２００４−０２０７８２４号に開示されている。その他の液浸液閉じ込め構造１２は本発明の諸実施形態で使用することができる。
【００３９】
[0044]  図３は、一実施形態によるさらなる液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを描写する側部断面図である。図３に示され、以下に記載されている構成は、図１に示されている上記のリソグラフィ装置に適用することができる。液体供給システムには液体閉じ込め構造１２が設けられ、これは投影システムＰＳの最終素子と基板支持装置６０又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びている（以下の説明で基板Ｗの表面に言及する場合、明確に他の指定がない限り、追加として又は代替として基板支持装置６０の表面も指している）。
【００４０】
[0045]  液体閉じ込め構造１２は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終素子と基板Ｗ及び／又は基板支持装置６０との間の液浸空間１０に液浸液１１を封じ込める。液浸空間１０は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終素子の下に位置決めされ、それを取り囲む液体閉じ込め構造１２によって形成される。一実施形態では、液体閉じ込め構造１２は本体部材（ｍａｉｎ  ｂｏｄｙ  ｍｅｍｂｅｒ）１５３と多孔質部材（ｐｏｒｏｕｓ  ｍｅｍｂｅｒ）１８３とを含む。多孔質部材１８３は、成形されたプレートであり、複数の穴１８４（即ち、開口部又は孔）を有する。一実施形態では、多孔質部材１８３は、多数の小さい穴１８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。このようなシステムは米国特許出願公報第２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示されている。
【００４１】
[0046]  本体部材１５３は、液浸空間１０に液浸液１１を供給できる１つ以上の供給ポート（ｓｕｐｐｌｙ  ｐｏｒｔ）１７２と、液浸空間１０から液浸液１１を回収できる回収ポート（ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｐｏｒｔ）１７３と、を含む。１つ以上の供給ポート１７２は通路１７４を介して液体供給装置１７５に接続される。液体供給装置１７５は１つ以上の供給ポート１７２に液浸液１１を供給することができる。液体供給装置１７５から供給された液浸液１１は、対応する通路１７４を通って１つ以上の供給ポート１７２に供給される。１つ以上の供給ポート１７２は、光路に面する本体部材５３のそれぞれの規定の位置で光路の付近に配置される。回収ポート１７３は液浸空間１０から液浸液１１を回収することができる。回収ポート１７３は通路１７９を介して液体回収装置１８０に接続される。液体回収装置１８０は、真空システムを含み、回収ポート１７３を介して吸引することにより液浸液１１を回収することができる。液体回収装置１８０は、通路１７９を通って回収ポート１７３から回収された液浸液１１を回収する。多孔質部材１８３は回収ポート１７３内に配置される。
【００４２】
[0047]  一実施形態では、一方の側の投影システムＰＳ及び液体閉じ込め構造１２ともう一方の側の基板Ｗとの間に液浸液１１を含む液浸空間１０を形成するために、液浸液１１は１つ以上の供給ポート１７２から液浸空間１０に供給され、液体閉じ込め構造１２の回収チャンバ１８１内の圧力は、多孔質部材１８３の穴１８４（即ち、回収ポート１７３）を介して液浸液１１を回収するように負圧に調整される。１つ以上の供給ポート１７２を使用する液体供給動作及び多孔質部材１８３を使用する液体回収動作を実行すると、投影システムＰＳ及び液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間に液浸空間１０が形成される。
【００４３】
[0048]  図４は本発明の一実施形態を描写している。図４は、支持装置及びオブジェクトを通る断面図を描写している。支持装置はオブジェクトを支持するように構成される。支持装置は支持ボディを含み、支持ボディはオブジェクトを保持するためのオブジェクトホルダを含む。図４では、支持装置は支持ボディ１００とともに描写されている。一実施形態では、オブジェクトホルダは、オブジェクトを保持している支持ボディ１００の一部であってもよい。一実施形態では、図４のように、オブジェクトは基板Ｗであり、支持装置は基板支持装置６０であり、オブジェクトホルダは基板ホルダ６１である。
【００４４】
[0049]  図４に描写されているように、基板Ｗは基板ホルダ６１によって保持される。基板ホルダ６１は支持ボディ１００の上部部分であってもよい。基板ホルダ６１は基板Ｗを保持するように構成され、例えば、一実施形態では、基板ホルダ６１は支持ボディ１００から突出した１つ以上の突出部６２（例えば、バール）を含んでもよい。基板ホルダ６１はピンプルテーブルと呼ぶ場合もある。
【００４５】
[0050]  基板Ｗのエッジが結像されている時又は基板Ｗが投影システムＰＳの下を移動するその他の時に、空間１１内の液体は少なくとも部分的に基板Ｗのエッジでギャップ５の上を通過することになる。図４では、ギャップ５は基板Ｗと止め輪（ｃｏｖｅｒ  ｒｉｎｇ）１３０のエッジとの間に描写されている。この結果、空間１１内の液体はギャップ５に入ることができる。止め輪１３０は基板支持装置６０の上面を形成してもよく、これは基板Ｗの上面とほぼ同じ高さであってもよい。
【００４６】
[0051]  基板Ｗと基板ホルダ６１との間に加えられる負圧は、基板Ｗが所定の位置に堅固に保持されるのを保証するのに役に立つ。しかしながら、液体が基板Ｗと基板ホルダ６１との間に達している場合、これは、特に基板Ｗを取り出す時に困難をもたらす可能性がある。
【００４７】
[0052]  基板支持装置６０は、ギャップ５を介して基板支持装置６０の上面から流体を抽出するように構成される。しかしながら、ギャップ５を設けると、結果的に空間１１内の液体にガスの泡が入る可能性がある。ガスがギャップ５から空間１１内の液体に漏れる場合、これは、液体内に浮遊する泡を発生する可能性がある。このような泡が放射ビームＢの経路内にある場合、結像エラーをもたらす可能性がある。１つ以上のこのような泡は基板Ｗの結像に有害な影響を及ぼす可能性がある。
【００４８】
[0053]  従って、図４に描写されているように、基板Ｗのエッジでギャップ５からガスを除去するために開口部６６を設けてもよい。このような開口部６６を使用してギャップ５からガスを除去すると、ギャップ５から空間１１内の液体に入る可能性のあるガスの泡の数又はサイズを低減することができる。開口部６６は抽出開口部と呼ぶ場合もある。開口部６６はギャップ５と流体で連絡してもよい。
【００４９】
[0054]  一実施形態では、開口部６６は基板ホルダ６１のエッジに隣接する支持ボディ１００内にある。一実施形態では、基板支持装置６０は、図４に描写されているように、支持ボディ１００内の通路６７を介して開口部６６と流体で連絡しているチャネル６８を含む。複数の通路６７が存在してもよく、チャネル６８は複数の通路６７のそれぞれを介して開口部６６と流体で連絡してもよい。チャネル６８は平面図では細長く伸びている可能性がある。一実施形態では、チャネル６８は平面図ではオブジェクトホルダ６１を実質的に取り囲んでいる。チャネル６８は基板支持装置６０から流体を除去するために使用してもよい。チャネル６８は、基板支持装置６０内のギャップ５から開口部６６を通って流体を抽出するように負圧に接続してもよい。
【００５０】
[0055]  ガスはほとんど開口部６６を通って抽出され（例えば、約５〜１００ノルマルリットル／分（Ｎｌ／ｍｉｎ））、少量の液体のみが開口部６６を通って抽出される（例えば、約１〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、任意選択で１０〜２０ｍｌ／ｍｉｎ）。このような二相流により、液体は蒸発し、通路６７周辺の、即ち、基板Ｗのエッジを取り囲む支持ボディ１００が冷却される。支持ボディ１００の温度の変化（即ち、熱変動）により支持ボディ１００が変形する可能性があり、その結果として、これにより基板Ｗが変形する可能性がある。基板Ｗの変形は、結局、オーバレイ精度の低下をもたらす可能性がある。従って、支持ボディ１００の熱変動を低減することは有利である。
【００５１】
[0056]  これらの課題に対処するために、本発明では、複数の通路６７の少なくとも１つに通路ライナ７０が装着される。通路ライナ７０は、複数の通路６７の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディ１００を実質的に熱的に切り離すように断熱している。このような通路ライナ７０を設けることにより、支持ボディ１００の熱変動を低減することができる。特に、通路６７内の流体により支持ボディ１００が冷却されるという影響は低減される。上述の通り、通路６７内の二相流の蒸発により冷却が行われる可能性がある。さらに、通路６７内の二相流と取り囲む支持ボディ１００との間に温度差が存在する可能性がある。従って、通路６７内の流体から支持ボディ１００を熱的に切り離すと、支持ボディ１００に対する通路６７内の流体の熱影響が低減又は防止される。
【００５２】
[0057]  熱的に切り離すことは、通路６７が断熱されることを意味することができ、通路ライナ７０がすべての周波数で効果的であり、通路６７へ又は通路６７から支持ボディ１００への熱伝達を低減又は防止することを示している。追加的に又は代替的に、熱的切り離しは熱緩衝を含むことができ、これは限界周波数より上の周波数で効果的であり、通路６７内の流体の急速な温度変化は支持ボディ１００に到達するのにより長い時間を要することを意味し、これによりこのような急速な熱変動は、例えば支持ボディ内のヒータによって補償することができる。全体的に、熱的切り離しは通路６７内の流体と支持ボディ１００との間のサーマルクロストークを低減又は防止することができる。
【００５３】
[0058]  一実施形態では、通路ライナ７０は、複数の通路６７の少なくとも１つに装着されたチューブである。例えば、通路ライナ７０は、止め輪１３０が取り付けられる前に複数の通路６７の少なくとも１つにおいて支持ボディ１００の上側から装着してもよい。一実施形態では、通路ライナ７０は支持ボディ１００の通路６７内に挿入される。一実施形態では、通路ライナ７０は、ある材料の層を形成して通路６７内部に通路ライナ７０を形成することにより通路６７内部に装着される。一実施形態では、通路ライナ７０は、凝固して通路ライナ７０を形成する可能性のある液体材料を通路６７内に噴霧することにより通路６７内部に装着してもよい。通路ライナ７０は、３Ｄプリンタを使用して形成し、その後、支持ボディ１００内部に装着してもよい。通路ライナ７０は、例えば、複数の通路６７の少なくとも１つに挿入可能なポリマチューブを形成するように通路ライナ７０を延長することにより形成してもよい。また、通路ライナ７０は、液体材料、例えば液体ＰＴＦＥを通路６７内に鋳込んで硬化させ、いったん凝固した材料を加工して、複数の通路６２の少なくとも１つにおいて通路ライナ７０を形成することにより形成してもよい。加工としては穴あけ及び／又はフライス削りを含んでもよい。
【００５４】
[0059]  一実施形態では、通路ライナ７０は少なくとも０．２ｍｍの厚さ（即ち、チューブを画定する壁の半径方向の幅）を有する。一実施形態では、通路ライナ７０は少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する。一実施形態では、通路ライナ７０は少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する。少なくともこれらの厚さを有する通路ライナ７０は、通路ライナ７０によって提供される断熱性を改善する可能性がある。設けられる厚さは通路ライナ７０のどの部分の最小厚さであってもよい。通路ライナ７０の厚さは均一であってもよく、即ち、通路ライナ７０は、通路６７の内部の周りに、円周状に、及び／又は通路６７を通る軸方向に、実質的に同じ厚さを有してもよい。この事例では、実質的に同じ厚さは、所望の厚さの１０％以内、例えば、０．２ｍｍ±０．０２ｍｍを意味することができる。
【００５５】
[0060]  一実施形態では、通路ライナ７０は、通路６７内の流体から支持ボディ１００を実質的に熱的に切り離すように選択された材料で作られる。従って、通路ライナ７０の材料は、通路６７内の流体と支持ボディ１００との間の熱伝達を低減又は防止するように選択される。従って、通路６７の少なくとも１つは、低い熱伝導率の材料を使用して形成された通路ライナ７０を使用して隔離される。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは２５℃で０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは２５℃で約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で０．０１Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０２Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０３Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．０１〜０．５Ｗ／ｍＫ、好ましくは２５℃で約０．０２〜０．１Ｗ／ｍＫ、又はより好ましくは２５℃で約０．０３〜０．０５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料で作られる。
【００５６】
[0061]  上記のように低い熱伝導率の通路ライナ７０を設けることは、通路ライナ７０の熱伝導性が周囲の支持ボディ１００及び基板支持装置６０のその他のコンポーネントに使用される材料と比較して比較的乏しいものになるという利点を有する可能性がある。従って、通路ライナ７０は、周囲のコンポーネント又は基板支持装置６０の部品と比較して重大な耐熱性を有する可能性がある。このため、例えば、上記の蒸発の結果としての温度負荷又は通路６７内の流体と周囲の支持ボディ１００との温度差による温度負荷は、周囲の支持ボディ１００に対して及ぼす影響が低減されることになる。
【００５７】
[0062]  一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．２５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、例えばテフロン（登録商標）で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．４５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．１５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリプロピレン（ＰＰ）で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．１９Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．１３Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するゴムで作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．０７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するコルクで作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、２５℃で約０．１９〜３０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するバイトン（登録商標）で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は上述の材料の２つ以上を使用して作られる。その他の材料を通路ライナ７０に使用してもよい。
【００５８】
[0063]  一実施形態では、通路ライナ７０は、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又は好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、通路ライナ７０は、約０．８〜４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又は好ましくは約１．０〜３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又はより好ましくは約１．５〜３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋの比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。比熱容量（ｃｐ）は約２５℃における等圧比熱容量である。
【００５９】
[0064]  一実施形態では、通路ライナ７０に使用される材料は通路６７内に疎水表面を有するように選択され、即ち、通路ライナ７０は疎水材料で形成される。一実施形態では、通路ライナ７０は、液体をはじくように通路ライナ７０の内面上に疎水層を有する。通路ライナ７０の内面上に疎水表面を有することは、通路６７の内部からチャネル６８内に液体をより効率的に除去する際に有利である可能性がある。これは、通路ライナ７０の疎水表面上の液体が疎水表面上の増加した接触角によって小滴を形成する可能性がより強く、従って、通路ライナ７０の表面からチャネル６８により迅速に移動する可能性がより強いからである。例えば、通路ライナの内面上に使用される材料（即ち、材料層として又は通路ライナ７０を形成するための材料として）は水に対して、約９０°〜１６０°、又は好ましくは約１００°〜１４０°、又は約１１０°〜１２０°の接触角を有する。接触角は、表面と表面上の液体小滴のエッジとの間で測定される角度であり、小滴を通って測定される角度である。これは、支持ボディ１００における熱変動の原因の１つである、通路６７内で蒸発する液体の量を低減することができるので、有利である可能性がある。さらに、これは、液体を通路６７からより迅速に除去することができ、従って、液体が存在する期間がより短くなることにより流体と周囲の支持ボディ１００との温度差が及ぼす影響が一般により小さくなることを意味する。一実施形態では、疎水表面は、適切な接触角の材料、例えばＰＴＦＥ又はＰＰを使用して形成してもよい。
【００６０】
[0065]  一実施形態では、通路ライナ７０は、構造要素、例えば、自重を受けて曲がるのを回避するための支持を必要としない自立形構造要素である。一実施形態では、通路ライナ７０はコーティングではない。コーティングは、本明細書で定義される自立形構造要素ではない。一実施形態では、通路ライナ７０の一部分は支持ボディ１００から外に延びてもよい。一実施形態では、通路ライナ７０は実質的にたわみなしにそれ自体を支持できるような材料及び設計で作られるので、通路ライナ７０の一部分は追加の支持（例えば、支持ボディ１００によって取り囲むこと）を必要としない。
【００６１】
[0066]  支持ボディ１００は、開口部６６及びチャネル６８と流体で連絡している複数の通路６７を有してもよい。図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、図４の複数の断面を平面図で示すことにより、この構成の模範的な一実施形態を示している。
【００６２】
[0067]  図５Ａは、図４にＡ−Ａと表示されている断面を示している。図５Ａは、図４の開口部６６が支持ボディ１００の周りで連続している一実施形態を示している。換言すれば、開口部６６は支持ボディ１００の周りで途切れない経路を形成する。連続しているということは、開口部６６が支持ボディ１００の周りで同じ寸法を有することを要求するものではない。開口部６６は円形経路として示されているが、これは他の形状を有してもよい。
【００６３】
[0068]  図５Ｂは、図４にＢ−Ｂと表示されている断面を示している。複数の通路６７は、図５Ｂに示されている平面図では離散的通路である。従って、それぞれの通路６７は開口部６６とチャネル６８との間に延びる。一実施形態では、通路６７のうちのいくつかは、示されていない追加の経路を介して互いに接続してもよい。図５Ｂは、通路６７のそれぞれが１つの通路ライナ７０を有することを示している（通路６７及び通路ライナ７０のすべてが表示されているわけではない）。一実施形態では、１つの通路６７のみが通路ライナ７０を有してもよい。一実施形態では、すべての通路６７ではないが、複数の通路６７が１つの通路ライナ７０を有する。図５Ｂは、支持ボディ１００内の１６個の通路６７を示している。一実施形態では、１６個より多い通路６７が存在する。一実施形態では、６４個の通路６７が存在する。一実施形態では、６４個より多い通路６７が存在し、例えば、１５０個までの通路が存在してもよい。通路６７の数は特に制限的ではない。
【００６４】
[0069]  図５Ｃは、図４にＣ−Ｃと表示されている断面を示している。図５Ｃは、図４のチャネル６８が支持ボディ１００の周りで連続している一実施形態を示している。一実施形態では、チャネル６８は支持ボディ１００の周りで途切れない経路を形成する。連続しているということは、チャネル６８が支持ボディ１００の周りで同じ寸法を有することを要求するものではない。チャネル６８は円形経路として示されているが、これは他の形状を有してもよい。
【００６５】
[0070]  一実施形態では、支持ボディ１００に使用される材料は、約５０ＧＰａ以上、又は好ましくは約２００ＧＰａ以上、又はより好ましくは約３００ＧＰａ以上のヤング率を有する。一実施形態では、支持ボディ１００に使用される材料は、約５００ＧＰａ以下、又は約４５０ＧＰａ以下、又は約４００ＧＰａ以下のヤング率を有する。一実施形態では、支持ボディ１００に使用される材料は、約５０〜５００ＧＰａ、又は好ましくは約２００〜４５０ＧＰａ、又はより好ましくは約３００〜４００ＧＰａのヤング率を有する。一実施形態では、支持ボディ１００に使用される材料は、シリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）、炭化シリコン、アルミニウム、石英、チタン、又は窒化アルミニウムである。一実施形態では、支持ボディ１００は２つ以上の材料から作られる。
【００６６】
[0071]  一実施形態では、上記のいずれかの実施形態の基板支持装置６０は任意選択でオブジェクトテーブル１２０をさらに含んでもよい。オブジェクトテーブル１２０はそれ以外に基板テーブルと呼ぶ場合もある。一実施形態では、支持ボディ１００は、図４及び図６〜図１５に描写されているように、オブジェクトテーブル１２０の凹所内に位置決めされる。
【００６７】
[0072]  一実施形態では、支持ボディ１００は、チャネル６８内の流体が支持ボディ１００から出られるようにする少なくとも１つの排水路（ｄｒａｉｎａｇｅ  ｃｈａｎｎｅｌ）６５をさらに含む。一実施形態では、排水路６５は、流体が支持ボディ１００から出て、オブジェクトテーブル１２０の抽出チャネル１２１内に移行できるようにする。チャネル６８のベース上の複数の開口部又は通路として複数の排水路６５を設けてもよい。
【００６８】
[0073]  図４に描写されているように、支持ボディ１００は支持ボディコネクタ１０１をさらに含んでもよい。支持ボディコネクタ１０１は、支持ボディ１００の一部である場合もあれば、例えば接着剤を使用して支持ボディ１００に取り付けられる場合もある。一実施形態では、支持ボディ１００は支持ボディコネクタ１０１によってオブジェクトテーブル１２０に接続される。支持ボディコネクタ１０１はそれ以外にバールと呼ぶ場合もある。支持ボディコネクタ１０１は、オブジェクトテーブル１２０から支持ボディ１００に加速力を伝達できるようにする。支持ボディコネクタ１０１同士の間にギャップを設けると、オブジェクトテーブル１２０と支持ボディ１００との間の熱移動が低減される。
【００６９】
[0074]  支持ボディコネクタ１０１は任意選択である。支持ボディコネクタ１０１は、支持ボディ１００の底面とオブジェクトテーブル１２０との直接境界面で置き換えてもよい。一実施形態では、基板支持装置６０の支持ボディ１００は、追加的に又は代替的に、真空クランプ、ボルト締め、接着剤、及び／又は運動学的板バネコネクタによりオブジェクトテーブル１２０に接続してもよい。支持ボディ１００とオブジェクトテーブル１２０との接続の形式は制限的ではない。
【００７０】
[0075]  上記の諸実施形態のいずれでも、開口部６６は支持ボディ１００内の開口溝（ｏｐｅｎｉｎｇ  ｇｒｏｏｖｅ）６９によって画定してもよい。開口部６６は開口溝６９の最上部によって画定してもよい。開口部６６は開口溝６９内への開口部によって画定してもよい。開口部６６は流体が開口溝６９に入れるようにする。開口部６６のサイズは止め輪１３０によって低減される可能性があり、従って、開口部６６は、図４及び図６〜図１５に描写されているように、流体がギャップ５から開口溝６９に移行できるようにする。開口溝６９は図６に描写されている。開口溝６９は支持ボディ１００の基板ホルダ６１のエッジを形成してもよい。開口溝６９は通路６７と流体で連絡している。開口溝６９は通路６７と直接接続してもよい。開口溝６９は通路６７と同様の幅でよい。開口溝６９は通路６７の幅よりわずかに広くてもよい。開口溝６９と通路６７は互いに連続していてもよいが、直径の変化によって互いに区別してもよい。
【００７１】
[0076]  一実施形態では、開口部ライナ（ｏｐｅｎｉｎｇ  ｌｉｎｅｒ）７１が開口溝６９内に装着される。一実施形態では、開口部ライナ７１は支持ボディ１００内に挿入される。一実施形態では、開口部ライナ７１は、ある材料の層を形成して通路内部にライナを形成することにより開口溝６９内部に装着される。一実施形態では、開口部ライナ７１は、凝固して開口部ライナ７１を形成する可能性のある液体材料を開口溝６９内に噴霧することにより開口溝６９内部に装着してもよい。開口部ライナ７１は、３Ｄプリンタを使用して形成し、その後、支持ボディ１００内部に挿入してもよい。開口部ライナ７１は押し出し成形によって形成してもよい。開口部ライナ７１は、液体材料、例えば液体ＰＴＦＥを開口溝６９内に鋳込んで硬化させ、いったん凝固した材料を加工して、開口部ライナ７１を形成することにより形成してもよい。加工としてはフライス削り及び／又は穴あけを含んでもよい。一実施形態では、開口溝６９及び／又は開口部ライナ７１は断面が実質的にＵ字形である。一実施形態では、開口溝６９及び／又は開口部ライナ７１は断面が実質的にＶ字形、即ちトンネル形である。開口溝６９及び／又は開口部ライナ７１の形状は制限的ではない。
【００７２】
[0077]  一実施形態では、開口部ライナ７１は少なくとも０．２ｍｍの厚さ（即ち、開口部ライナ７１を画定する壁の幅）を有する。一実施形態では、開口部ライナ７１は少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する。一実施形態では、開口部ライナ７１は少なくとも０．１ｍｍの厚さを有する。少なくともこれらの厚さを有する開口部ライナ７１は、開口部ライナ７１によって提供される断熱性を改善する可能性がある。設けられる厚さは開口部ライナ７１のどの部分の最小厚さであってもよい。開口部ライナ７１の厚さは均一であってもよく、即ち、開口部ライナ７１は、開口溝６９の内部の周りに実質的に同じ厚さを有してもよい。この事例では、実質的に同じ厚さは、所望の厚さの１０％以内、例えば、０．２ｍｍ±０．０２ｍｍを意味することができる。
【００７３】
[0078]  一実施形態では、開口部ライナ７１は、開口溝６９内の流体から支持ボディ１００を実質的に熱的に切り離すように選択された材料で作られる。従って、開口部ライナ７１の材料は、開口溝６９内の流体と支持ボディ１００との間の熱伝達を低減又は防止するように選択される。従って、開口溝６９は、低い熱伝導率の材料を使用して形成された開口部ライナ７１を使用して隔離してもよい。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは２５℃で０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは２５℃で約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で０．０１Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０２Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０３Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．０１〜０．５Ｗ／ｍＫ、好ましくは２５℃で約０．０２〜０．１Ｗ／ｍＫ、又はより好ましくは２５℃で約０．０３〜０．０５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料で作られる。上記のように低い熱伝導率の開口部ライナ７１を設けることは、開口部ライナ７１の熱伝導性が周囲の支持ボディ１００及び基板支持装置６０のその他のコンポーネントに使用される材料と比較して比較的乏しいものになるという利点を有する可能性がある。従って、開口部ライナ７１は、周囲のコンポーネント又は基板支持装置６０の部品と比較して重大な耐熱性を有する可能性がある。このため、例えば、上記の蒸発の結果としての温度負荷又は開口溝６９内の流体と周囲の支持ボディ１００との温度差による温度負荷は、周囲の支持ボディ１００に対して及ぼす影響が低減されることになる。
【００７４】
[0079]  一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．２５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、例えばテフロン（登録商標））で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．４５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．１５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリプロピレン（ＰＰ）で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．１９Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．１３Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するゴムで作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．０７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するコルクで作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、２５℃で約０．１９〜３０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するバイトン（登録商標）で作られる。その他の材料を開口部ライナ７１に使用してもよい。一実施形態では、開口部ライナ７１は上述の材料の２つ以上を使用して作られる。
【００７５】
[0080]  一実施形態では、開口部ライナ７１は、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又は好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は、約０．８〜４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又は好ましくは約１．０〜３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又はより好ましくは約１．５〜３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋの比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。比熱容量（ｃｐ）は約２５℃における等圧比熱容量である。
【００７６】
[0081]  一実施形態では、開口部ライナ７１に使用される材料は開口溝６９内に疎水表面を有するように選択され、即ち、開口部ライナ７１は疎水材料で形成される。一実施形態では、開口部ライナ７１は、液体をはじくように開口部ライナ７１の内面上に疎水層を有する。開口部ライナ７１の内面上に疎水表面を有することは、開口溝６９の内部からチャネル６８内に液体をより効率的に除去する際に有利である可能性がある。これは、開口部ライナ７１の疎水表面上の液体が疎水表面上の増加した接触角によって小滴を形成する可能性がより強く、従って、開口溝６９から通路６７に、このためチャネル６８に向かって、より迅速に移動する可能性がより強いからである。例えば、開口部ライナ７１の内面上に使用される材料（即ち、材料層として又は開口部ライナ７１を形成するための材料として）は水に対して、約９０°〜１６０°、又は好ましくは約１００°〜１４０°、又はより好ましくは約１１０°〜１２０°の接触角を有する。接触角は、表面と表面上の液体小滴のエッジとの間で測定される角度であり、小滴を通って測定される角度である。これは、支持ボディ１００における熱変動の原因の１つである、開口溝６９内で蒸発する液体の量を低減することができるので、有利である可能性がある。さらに、これは、液体をより迅速にチャネル６８に除去することができ、従って、液体が存在する期間がより短くなることにより流体と周囲の支持ボディ１００との温度差が及ぼす影響が一般により小さくなることを意味する。一実施形態では、疎水表面は、適切な接触角の材料、例えばＰＴＦＥ又はＰＰを使用して形成してもよい。
【００７７】
[0082]  一実施形態では、開口部ライナ７１は、構造要素、例えば、自重を受けて曲がるのを回避するための支持を必要としない自立形構造要素である。一実施形態では、開口部ライナ７１はコーティングではない。コーティングは、本明細書で定義される自立形構造要素ではない。一実施形態では、開口部ライナ７１の一部分は支持ボディ１００から外に延びてもよい。一実施形態では、開口部ライナ７１は実質的にたわみなしにそれ自体を支持できるような材料及び設計で作られるので、開口部ライナ７１の一部分は追加の支持（例えば、支持ボディ１００によって取り囲むこと）を必要としない。
【００７８】
[0083]  一実施形態では、開口部ライナ７１は通路ライナ７０と同じ材料から作られる。一実施形態では、開口部ライナ７１は通路ライナ７０とは異なる材料から作られる。例えば、通路ライナ７０はバイトン（登録商標）にすることができ、開口部ライナ７１はテフロン（登録商標）にすることができる。一実施形態では、通路ライナ７０及び開口部ライナ７１は単一部分として形成してもよく、即ち、これらは一体型である。一実施形態では、通路ライナ７０及び開口部ライナ７１は別々に形成してもよいが、これらが連続するように、即ち、通路ライナ７１のエッジと開口部ライナ７１のエッジとの間にいかなるギャップも存在しないように支持ボディ内に装着してもよい。一実施形態では、通路ライナ７０は開口部ライナ７１に取り付けられる。一実施形態では、通路ライナ７０及び開口部ライナ７１は接続面上で接着剤によって取り付けられる。
【００７９】
[0084]  図７に描写されているように、一実施形態では、チャネルライナ７２がチャネル６８内に装着される。図８に描写されているように、チャネル６８は支持ボディ１００の底面に沿った溝であってもよく、即ち、チャネル６８は支持ボディ１００の底面上の開口部を形成する。この実施形態は、支持ボディ１００内にチャネルライナ７２を形成又は挿入することをより容易にする可能性がある。一実施形態では、チャネルライナ７２は、チャネルライナ７２の底側が支持ボディ１００の底側と実質的に一直線になるようにチャネル６８内に装着してもよい。チャネル６８及び／又はチャネルライナ７２の形状は特に制限的ではない。チャネルライナ７２は、チャネル６８内の流体から支持ボディ１００を実質的に熱的に切り離すように断熱されている。チャネルライナ７２は上記のライナのいずれかに加えて使用してもよい。図７及び図８に描写されているように、チャネルライナ７２は通路ライナ７０及び開口部ライナ７１に加えて設けてもよい。代替的に、チャネルライナ７２は開口部ライナ７１なしに通路ライナ７０に加えて設けてもよい。
【００８０】
[0085]  一実施形態では、チャネルライナ７２はチャネル６８内に装着される。一実施形態では、チャネルライナ７２は支持ボディ１００内に挿入される。一実施形態では、チャネルライナ７２は、ある材料の層を形成して通路６７内部にライナを形成することによりチャネル６８内部に装着される。一実施形態では、チャネルライナ７２は、凝固してチャネルライナ７２を形成する可能性のある液体材料をチャネル６８内に噴霧することによりチャネル６８内部に装着してもよい。チャネルライナ７２は、３Ｄプリンタを使用して形成し、その後、支持ボディ１００内部に装着してもよい。チャネルライナ７２は押し出し成形によって形成してもよい。チャネルライナ７２は、液体材料、例えば液体ＰＴＦＥをチャネル６８内に鋳込んで硬化させ、いったん凝固した材料を加工して、チャネルライナ７２を形成することにより形成してもよい。加工としては穴あけ及び／又はフライス削りを含んでもよい。
【００８１】
[0086]  一実施形態では、チャネルライナ７２は少なくとも０．２ｍｍの厚さ（即ち、チャネルライナ７２を画定する壁の幅）を有する。一実施形態では、チャネルライナ７２は少なくとも０．５ｍｍの厚さを有する。一実施形態では、チャネルライナ７２は少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する。少なくともこれらの厚さを有するチャネルライナ７２は、チャネルライナ７２によって提供される断熱性を改善する可能性がある。設けられる厚さはチャネルライナ７２のどの部分の最小厚さであってもよい。チャネルライナ７２の厚さは均一であってもよく、即ち、チャネルライナ７２は、チャネル６８の内部の周りに実質的に同じ厚さを有してもよい。この事例では、実質的に同じ厚さは、所望の厚さの１０％以内、例えば、０．２ｍｍ±０．０２ｍｍを意味することができる。
【００８２】
[0087]  一実施形態では、チャネルライナ７２は、チャネル６８内の流体から支持ボディ１００を実質的に熱的に切り離すように選択された材料で作られる。従って、チャネルライナ７２の材料は、チャネル６８内の流体と支持ボディ１００との間の熱伝達を低減又は防止するように選択される。従って、チャネル６８は、低い熱伝導率の材料を使用して形成されたチャネルライナ７２を使用して隔離される。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは２５℃で０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは２５℃で約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で０．０１Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０２Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０３Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．０１〜０．５Ｗ／ｍＫ、好ましくは２５℃で約０．０２〜０．１Ｗ／ｍＫ、又はより好ましくは２５℃で約０．０３〜０．０５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料で作られる。
【００８３】
[0088]  上記のように低い熱伝導率のチャネルライナ７２を設けることは、チャネルライナ７２の熱伝導性が周囲の支持ボディ１００及び基板支持装置６０のその他のコンポーネントに使用される材料と比較して比較的乏しいものになるという利点を有する可能性がある。従って、チャネルライナ７２は、周囲のコンポーネント又は基板支持装置６０の部品と比較して重大な耐熱性を有する可能性がある。このため、例えば、上記の蒸発の結果としての温度負荷又はチャネル６８内の流体と周囲の支持ボディ１００との温度差による温度負荷は、周囲の支持ボディ１００に対して及ぼす影響が低減されることになる。
【００８４】
[0089]  一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．２５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、例えばテフロン（登録商標））で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．４５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．１５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリプロピレン（ＰＰ）で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．１９Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．１３Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するゴムで作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．０７Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するコルクで作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、２５℃で約０．１９〜３０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するバイトン（登録商標）で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は上述の材料の２つ以上を使用して作られる。その他の材料をチャネルライナ７２に使用してもよい。
【００８５】
[0090]  一実施形態では、チャネルライナ７２は、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又は好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は、約０．８〜４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又は好ましくは約１．０〜３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又はより好ましくは約１．５〜３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋの比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。比熱容量（ｃｐ）は約２５℃における等圧比熱容量である。
【００８６】
[0091]  一実施形態では、チャネルライナ７２に使用される材料はチャネル６８内に疎水表面を有するように選択され、即ち、チャネルライナ７２は疎水材料で形成される。一実施形態では、チャネルライナ７２は、液体をはじくようにチャネルライナ７２の内面上に疎水層を有する。チャネルライナ７２の内面上に疎水表面を有することは、チャネル６８の内部から液体をより効率的に除去する際に有利である可能性がある。これは、チャネルライナ７２の疎水表面上の液体が疎水表面上の増加した接触角によって小滴を形成する可能性がより強く、従って、チャネル６８からより迅速に移動する可能性がより強いからである。例えば、チャネルライナ７２の内面上に使用される材料（即ち、材料層として又はチャネルライナ７２を形成するための材料として）は水に対して、約９０°〜１６０°、又は好ましくは約１００°〜１４０°、又は好ましくは約１１０°〜１２０°の接触角を有する。接触角は、表面と表面上の液体小滴のエッジとの間で測定される角度であり、小滴を通って測定される角度である。これは、支持ボディ１００における熱変動の原因の１つである、チャネル６８内で蒸発する液体の量を低減することができるので、有利である可能性がある。さらに、これは、液体をチャネル６８から、従って全体としての支持ボディ１００からより迅速に除去することができ、従って、液体が存在する期間がより短くなることにより流体と周囲の支持ボディ１００との温度差が及ぼす影響が一般により小さくなることを意味する。一実施形態では、疎水表面は、適切な接触角の材料、例えばＰＴＦＥ又はＰＰを使用して形成してもよい。
【００８７】
[0092]  一実施形態では、チャネルライナ７２は、構造要素、例えば、自重を受けて曲がるのを回避するための支持を必要としない自立形構造要素である。一実施形態では、チャネルライナ７２はコーティングではない。コーティングは、本明細書で定義される自立形構造要素ではない。一実施形態では、チャネルライナ７２の一部分は支持ボディ１００から外に延びてもよい。一実施形態では、チャネルライナ７２は実質的にたわみなしにそれ自体を支持できるような材料及び設計で作られるので、チャネルライナ７２の一部分は追加の支持（例えば、支持ボディ１００によって取り囲むこと）を必要としない。
【００８８】
[0093]  一実施形態では、チャネルライナ７２は通路ライナ７０及び／又は開口部ライナ７１と同じ材料から作られる。一実施形態では、チャネルライナ７２は通路ライナ７０及び／又は開口部ライナ７１とは異なる材料から作られる。一実施形態では、通路ライナ７０及びチャネルライナ７２は単一部分として形成してもよい。一実施形態では、通路ライナ７０、開口部ライナ７１、及びチャネルライナ７２は単一部分として形成してもよい。一実施形態では、通路ライナ７０及びチャネルライナ７２及び／又は開口部ライナ７１は別々に形成してもよいが、これらが連続するように、即ち、通路ライナ７０及び開口部ライナ７１及び／又はチャネルライナ７２が直接接続されるように支持ボディ内に装着してもよい。
【００８９】
[0094]  一実施形態では、開口部カバー（ｏｐｅｎｉｎｇ  ｃｏｖｅｒ）又はルーフライナ（ｒｏｏｆ  ｌｉｎｅｒ）と呼ぶ場合もあるさらなるライナが開口溝６９の上に設けられる。ルーフライナ７３は図９に描写されている。この実施形態では、止め輪１３０は、図９に描写されているように、開口部６６のサイズを少なくとも部分的に低減するように配置される。この実施形態では、ルーフライナ７３は、開口溝６９によって画定される開口部６６の少なくとも一部分の上にある。この実施形態では、ルーフライナ７３は、開口溝６９の少なくとも一部分を覆うように装着してもよい。一実施形態では、ルーフライナ７３は、開口溝６９の半分以上、好ましくは半分以上を覆うように装着してもよい。一実施形態では、ルーフライナ７３は、開口部６６を除く、開口溝６９の最上部の実質的にすべてを覆っている。ルーフライナ７３は、上記の諸実施形態に記載されているチャネルライナ７２及び／又は開口部ライナ７１の代わりに又はそれに加えて設けてもよい。ルーフライナ７３及びチャネルライナ７２は図９以降に描写されているが、これらは以下の諸実施形態では好ましいものではあるが任意選択である。ルーフライナ７３は、通路ライナ７０、開口部ライナ７１、及び／又はチャネルライナ７２について上記で説明した特徴（即ち、厚さ、熱伝導率、比熱容量、材料、疎水表面、及び／又は構造上の整合性）のいずれかを有してもよい。ルーフライナ７３は、通路ライナ７０、開口部ライナ７１、及び／又はチャネルライナ７２の少なくとも１つと同じ材料で作ってもよい。ルーフライナは単一部分として（即ち、開口部ライナ７１の少なくとも一部と一体化して）作ってもよい。代替的に、ルールライナ７３及び開口部ライナ７１は、別々の部分によって形成してもよいが、支持ボディ１００内に装着した時に連続していてもよい。ルーフライナ７３及び開口部ライナ７１は、接続エッジに沿って接着剤で互いに取り付けられてもよい。一実施形態では、ルーフライナ７３は支持ボディ１００の止め輪１３０の底面に取り付けられる。例えば、ルーフライナ７３は接着剤を使用して止め輪１３０の底面に取り付けてもよい。これは、止め輪１３０が取り付けられる前に行ってもよい。一実施形態では、ルーフライナ７３は開口溝６６の最上部に取り付けられ、例えば、開口部ライナ７１のエッジに取り付けられる。一実施形態では、ルーフライナ７３は止め輪１３０に取り付けなくてもよい。
【００９０】
[0095]  上記の諸実施形態に関して述べたように、開口溝６９、通路６７、及び／又はチャネル６８を介して基板Ｗのエッジから抽出された流体は、流体を取り囲む支持ボディ１００において温度の変動をもたらす可能性がある。開口部ライナ７１、通路ライナ７０、及び／又はチャネルライナ７２は、流体から支持ボディ１００を熱的に切り離すために使用することができる。開口部ライナ７１、通路ライナ７０、及び／又はチャネルライナ７２は、支持ボディ１００への又は支持ボディ１００からの熱伝達を直接低減するために使用することもできる。しかしながら、流体と支持ボディ１００との温度差は止め輪１３０を介して支持ボディ１００の熱変動をもたらす可能性もある。従って、ルーフライナ７３は、支持ボディ１００に伝達される可能性のある止め輪１３０内の熱変動を低減することにより、流体から支持ボディ１００をさらに熱的に切り離すために設けることができる。
【００９１】
[0096]  上記の諸実施形態のいずれでも、チャネル６８は開口溝６９の半径方向内側に設けてもよい。例えば、図１０に描写されているように、チャネル６８を半径方向内側に設けると、チャネル６８が支持ボディ１００のエッジにより近いところに設けられた時より機械的により安定する可能性がある。これは、図８に描写されているようにチャネル６８が支持ボディ１００のベースに設けられた時に特に有益である可能性がある。チャネル６８を開口溝６９の半径方向内側に設けることは、それが開口溝６９とチャネル６８との間の接続部を提供するので、通路６７が垂直線に対して角度を付けられることを意味する。垂直線に対する通路６７の角度は、開口溝６９及びチャネル６８の好ましい位置に応じて選択することができる。図１０は通路ライナ７０、開口部ライナ７１、チャネルライナ７２、及びルーフライナ７３を含んで描写されているが、開口部ライナ７１、チャネルライナ７２、及びルーフライナ７３は任意選択であり、上記のようにこれらのライナのいずれか１つ又は組み合わせを通路ライナ７０と組み合わせて使用できることは言うまでもない。
【００９２】
[0097]  一実施形態では、支持装置６０は図１１に描写されているようにチャネルエレメント（ｃｈａｎｎｅｌ  ｅｌｅｍｅｎｔ）１１０を含む。一実施形態では、チャネルエレメント１１０は、支持ボディ１００から実質的に熱的に及び／又は機械的に切り離されている。例えば、チャネルエレメント１１０は支持ボディ１００から間隔を開けて配置してもよい。一実施形態では、チャネルエレメント１１０の実質的に全体が支持ボディ１００の実質的に全体から間隔を開けて配置される。一実施形態では、チャネルエレメント１１０は、支持ボディ１００の凹所に位置決めされる。チャネルエレメント１１０は開口部チャネル７１及び／又はチャネルライナ７２なしで描写されているが、上記の諸実施形態のいずれかに記載されているように、チャネルエレメント１１０に開口部ライナ７１及び／又はチャネルライナ７２を設けてもよい。
【００９３】
[0098]  チャネルエレメント１１０を支持ボディ１００から熱的に切り離すことは、チャネル６８における温度変化が支持ボディ１００の温度に対して及ぼす影響が低減され、おそらく全く影響を及ぼさなくなるという利点を有する。チャネルエレメント１１０における温度変化は、チャネルエレメント１１０付近の支持ボディ１００上又は支持ボディ１００内にヒータを設けることにより、より効果的に低減又は防止される。チャネルエレメント１１０を支持ボディ１００から熱的に切り離すことは、そうではない場合に補償しなければならないものと同じ程度の熱変動を支持ボディ１００の熱制御によって補償する必要がないことを意味する。
【００９４】
[0099]  チャネルエレメント１１０を支持ボディ１００から機械的に切り離すことは、チャネルエレメント１１０の膨張及び収縮（例えば、チャネル内の流体の温度変化及び蒸発負荷によるもの）が支持ボディ１００に対して及ぼす影響が低減されるか、又は全く影響を及ぼさなくなるという利点を有する。これは、チャネルエレメント１１０が支持ボディ１００から間隔を開けて配置され、それによりチャネル６８の周りの材料、即ち、チャネルエレメント１１０のゆがみにより結果として生じる支持ボディ１００のゆがみを低減できるからである。従って、支持ボディ１００によって保持される基板Ｗのゆがみが少なくなる。
【００９５】
[00100]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０は、真空、近真空、又はガスの層を含む中間ギャップ１０５によって支持ボディ１００から間隔を開けて配置される。中間ギャップ１０５内の真空、近真空、又はガスの層は、チャネルエレメント１１０と支持ボディ１００との間の熱移動、特に伝導による熱移動を低減する。このため、中間ギャップ１０５は支持ボディ１００から実質的に熱的かつ機械的にチャネルエレメント１１０を切り離すことができる。一実施形態では、中間ギャップは０．２ｍｍより大きい。一実施形態では、中間ギャップは約０．２ｍｍ〜２ｍｍ又は好ましくは０．５ｍｍ〜１ｍｍである。
【００９６】
[00101]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０は周辺に位置するコネクタ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌｌｙ  ｌｏｃａｔｅｄ  ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）を介してのみ支持ボディ１００に接続される。チャネルエレメント１１０が周辺に位置するコネクタのみによって支持ボディ１００に接続されると規定することにより、支持ボディ１００とチャネルエレメント１１０との間の熱伝達が低減される。これは支持ボディ１００に対するチャネル６８内の蒸発冷却の影響を低減する。これは基板支持装置６０の支持ボディ１００における熱変動を低減する。次に、これは基板Ｗに対する蒸発冷却の影響を低減し、オーバーレイエラーを低減する。
【００９７】
[00102]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０に使用される材料は、約１００ＧＰａ以上、好ましくは約２００ＧＰａ以上、又はより好ましくは３００ＧＰａ以上のヤング率を有する。一実施形態では、チャネルエレメント１１０に使用される材料は、約５００ＧＰａ以下、又は約４５０ＧＰａ以下、又は約４００ＧＰａ以下のヤング率を有する。一実施形態では、チャネルエレメント１１０に使用される材料は、約１００〜５００ＧＰａ、又は好ましくは約２００〜４５０ＧＰａ、又はより好ましくは約３００〜４００ＧＰａのヤング率を有する。一実施形態では、チャネルエレメント１１０に使用される材料は、シリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）、炭化シリコン、アルミニウム、窒化アルミニウム、ゼロデュア（登録商標）、又はチタンである。代替的に、一実施形態では、材料は約０．１〜１００ＧＰａ又は好ましくは５〜５０ＧＰａのヤング率を有してもよい。例えば、チャネルエレメント１１０に使用される材料は、あるタイプのポリマ、例えば熱硬化性プラスチックである場合もあれば、材料は石英又はアルミニウムである場合もある。これらの材料のうちのいくつか、例えばアルミニウムは、以下に記載するように比較的薄いチャネルエレメント１１０を作るために使用できるので有益である可能性がある。さらに、アルミニウムなど、比較的軽量で熱伝導特性が良好な材料を使用することは有益である。
【００９８】
[00103]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０は２つ以上の材料から作られる。一実施形態では、チャネルエレメント１１０は支持ボディ１００と同じ材料から作られる。一実施形態では、チャネルエレメント１１０は支持ボディ１００とは異なる材料から作られる。
【００９９】
[00104]  図１１には追加のヒータが示されている。一実施形態では、支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂが設けられる。一実施形態では、少なくとも１つの支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂが支持ボディ１００上又は支持ボディ１００内にあり、平面図では通路ライナ７０を取り囲んでいる。図１１では模範的な支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂが支持ボディ１００内に示されている。図１１では、支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂは支持ボディ１００の表面に描写されている。追加的に又は代替的に、支持ボディヒータは支持ボディ１００の（外部）表面上に又は支持ボディ１００の内部に位置してもよい。１つの支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂのみが存在してもよい。支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂの位置は特に制限されない。しかしながら、支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂは、それぞれ通路ライナ７０、開口部ライナ７１、及び／又はチャネルライナ７２を取り囲むか或いはそれらに隣接して及び／又はそれらと接触して位置することにより、支持ボディ１００から通路６７、開口溝６９、及び／又はチャネル６８を熱的に切り離すのに役立つように位置することができる。一実施形態では、少なくとも１つの支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂはコントローラ５００によって制御してもよい。支持ボディヒータ１０２ａ、１０２ｂは、例えば接着剤の使用により、支持ボディ１００に接続してもよい。
【０１００】
[00105]  図１１には、チャネルエレメントヒータ１１７がチャネルエレメント１１０上に示されている。図１１では、チャネルエレメントヒータ１１７はチャネルエレメント１１０の表面上に描写されている。追加的に又は代替的に、チャネルエレメントヒータ１１７は、チャネルエレメント１１０のその他の表面上に、チャネルエレメント１１０の表面に、又はチャネルエレメント１１０内部に位置してもよい。一実施形態では、少なくとも１つのチャネルエレメントヒータ１１７は、チャネル６８又はチャネルライナ７２の少なくとも一部を取り囲んでいるか又はそれに隣接している。１つのチャネルエレメントヒータ１１７のみが存在してもよい。チャネルエレメントヒータ１１７の位置は特に制限されない。しかしながら、チャネルエレメントヒータ１１７は、支持ボディ１００の近くにあるチャネルエレメント１１０を取り囲むか或いはそれに隣接して及び／又はそれと接触して位置することにより、支持ボディ１００からチャネルエレメント１１０を熱的に切り離すのに役立つように位置することができる。一実施形態では、少なくとも１つのチャネルエレメントヒータ１１７はコントローラ５００によって制御してもよい。
【０１０１】
[00106]  一実施形態では、複合ヒータ（ｃｏｍｂｉｎｅｄ  ｈｅａｔｅｒ）を設けてもよい。例えば、支持ボディヒータ１０２ａ及びチャネルエレメントヒータ１１７は複合ヒータ１０２ｃで置き換えてもよい。複合ヒータ１０２ｃは、支持ボディ１００上又は支持ボディ１００内であって、チャネルエレメント１１０上又はチャネルエレメント１１０内に設けてもよい。複合ヒータ１０２ｃは図１２に描写されている。図１２では、複合ヒータ１０２ｃは支持ボディ１００の表面であって、しかもチャネルエレメント１１０の外部に描写されている。追加的に又は代替的に、複合ヒータ１０２ｃは、支持ボディ１００の表面内又は表面上であって、しかもチャネルエレメント１１０の表面内又は表面上に位置してもよい。従って、同じヒータを使用して、支持ボディヒータ１０２ａ及びチャネルエレメントヒータ１１７に関して上記で説明した利点を提供してもよい。
【０１０２】
[00107]  図１２に描写されているように、支持ボディヒータ１０２ｂを拡張して、チャネルエレメント１１０上又はチャネルエレメント１１０内に設けることができる複合ヒータ１０２ｄを提供してもよい。複合ヒータ１０２ｃ及び１０２ｄは、一緒に又は別々に、しかも任意選択で、上記の支持ボディヒータ１０２ａ、支持ボディヒータ１０２ｂ、及び／又は上記のチャネルエレメントヒータ１１７と組み合わせて設けてもよい。図１２は２つの複合ヒータ１０２ｃ及び１０２ｄを描写している。１つのみ又は追加の複合ヒータを設けてもよい。複合ヒータ１０２ｃ、１０２ｄは、それぞれの複合ヒータ１０２ｃ、１０２ｄが少なくとも部分的に支持ボディ１００の表面上又は表面内であって、しかも少なくとも部分的にチャネルエレメント１１０の表面上又は本面内に設けてもよい。図１２に描写されている複合ヒータ１０２ｃ又は１０２ｄのいずれか一方は、支持ボディ１００及び／又はチャネルエレメント１１０のより小さい一部分又はより大きい一部分を覆うようにサイズを増減してもよい。複合ヒータ１０２ｃ及び１０２ｄは、チャネルエレメント１１０を覆い、例えばチャネルエレメント１１０の上面及び側面を包んでもよく、及び／又は支持ボディ１１０を覆い、例えばチャネルエレメント１１０に隣接する支持ボディ１００の側面を覆ってもよい。図１２に描写されている複合ヒータ１０２ｃ及び１０２ｄは、拡張してもよく、２つの個別ヒータではなく、単一複合ヒータとして設けてもよい。
【０１０３】
[00108]  一実施形態では、上記の諸実施形態のいずれかのチャネルエレメント１１０は任意選択でオブジェクトテーブル１２０に固定される。オブジェクトテーブル１２０はそれ以外に基板テーブルと呼ぶ場合もある。一実施形態では、チャネルエレメント１１０は、図１１以降に描写されているようにオブジェクトテーブル１２０の凹所内に位置決めされる。
【０１０４】
[00109]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０は、チャネル６８内の流体がチャネルエレメント１１０から出られるようにする少なくとも１つの排水路６５をさらに含む。一実施形態では、排水路６５は、流体が支持ボディ１００から出て、オブジェクトテーブル１２０の抽出チャネル１２１内に移行できるようにする。
【０１０５】
[00110]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０と支持ボディ１００との間の中間ギャップ１０５を少なくとも部分的に充填するために材料を使用することができる。例えば、図１３に描写されているように、中間ギャップ１０５内にチャネルエレメント絶縁体１０６を設けてもよい。チャネルエレメント絶縁体１０６は、図１３に描写されているように中間ギャップ１０５全体を通して設ける場合もあれば、中間ギャップ１０５の一部分の上のみに設ける場合もある。チャネルエレメント絶縁体１０６は、支持ボディ１００とチャネルエレメント１１０との間のその位置を除き、上記の通路ライナ７０と同様のものであってよい。例えば、チャネルエレメント絶縁体１０６は通路ライナ７０上に同じ材料で形成してもよい。
【０１０６】
[00111]  チャネルエレメント絶縁体１０６は比較的低いヤング率と低い熱伝導率の材料で作ってもよい。例えば、チャネルエレメント絶縁体１０６は約０．１ＧＰａ以上のヤング率を有してもよい。一実施形態では、支持ボディ１００に使用される材料は約１０ＧＰａ以下のヤング率を有する。一実施形態では、支持ボディ１００に使用される材料は約０．１〜１０ＧＰａのヤング率を有する。例えば、チャネルエレメント絶縁体１０６は２５℃で約１０Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作ってもよい。チャネルエレメント絶縁体１０６は２５℃で０．０２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料で作ってもよい。チャネルエレメント絶縁体１０６は２５℃で約０．０２〜１０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料で作ってもよい。チャネルエレメント絶縁体１０６は、テフロン（登録商標）、バイトン（登録商標）、ポリウレタン発泡体、及び／又はテフロン（登録商標）発泡体を含んでもよい。
【０１０７】
[00112]  チャネルエレメント絶縁体１０６を設けると、材料の熱伝導率が低いことによりチャネルエレメント１１０と支持ボディ１００との間の熱移動が低減される可能性がある。このため、チャネルエレメント絶縁体１０６は支持ボディ１００からチャネルエレメント１１０を実質的に熱的に切り離すことができる。チャネルエレメント絶縁体１０６は上記の中間ギャップ１０５と同じ厚さを有してもよい。
【０１０８】
[00113]  図１１、図１２、及び図１３に描写されているように、チャネルエレメント１１０はチャネルエレメントコネクタ１１９をさらに含んでもよい。チャネルエレメントコネクタ１１９は、チャネルエレメント１１０の一部である場合もあれば、例えば接着剤を使用してチャネルエレメント１１０に取り付けられる場合もある。一実施形態では、チャネルエレメント１１０はチャネルエレメントコネクタ１１９によってオブジェクトテーブル１２０に接続される。チャネルエレメントコネクタ１１９はそれ以外にバールと呼ぶ場合もある。チャネルエレメントコネクタ１１９は、オブジェクトテーブル１２０からチャネルエレメント１１０に加速力を伝達できるようにする。チャネルエレメントコネクタ１１９同士の間にギャップを設けると、オブジェクトテーブル１２０とチャネルエレメント１１０との間の熱移動が低減される。以下の諸実施形態のいずれでも、これらのコネクタのいずれかを任意選択で設けてもよい。
【０１０９】
[00114]  チャネルエレメントコネクタ１１９は任意選択である。チャネルエレメントコネクタ１１９は、チャネルエレメント１１０とオブジェクトテーブル１２０との直接境界面で置き換えてもよい。一実施形態では、チャネルエレメント１１０は、代替的に又は追加的に、真空クランプ、ボルト締め、接着剤、及び／又は運動学的板バネコネクタによりオブジェクトテーブル１２０に接続してもよい。チャネルエレメント１１０とオブジェクトテーブル１２０との接続の形式は特に制限的ではない。
【０１１０】
[00115]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０は通路ライナ７０を介して支持ボディ１００に接続される。この実施形態では、通路ライナ７０とチャネルエレメント１１０との間に接着コネクタ１１２ａを設けてもよい。通路ライナ７０は、図１４に描写されているように、通路ライナ７０の少なくとも一部分が支持ボディ１００のベースから外に延びるように構成してもよい。次に、通路ライナ７０とチャネルエレメント１１０との間に接着コネクタ１１２ａを設けてもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ａは図１４に描写されているように接着リングであってもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ａは、ポリマベースの接着剤、例えばシムソン（登録商標）ＩＳＲ７０−０３などのシリル改質ポリマを含んでもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ａは、図１４に描写されているように通路ライナ７０の底面全体の上に設けてもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ａはポリマリング（図示せず）を含んでもよい。ポリマリングはボトムリングのいずれか一方の側に接着コネクタ１１２ａとともに設けてもよく、接着コネクタ１１２ａは一方の側で通路ライナ７０と接触し、もう一方の側でチャネルエレメント１１０と接触している。接着コネクタ１１２ａを使用することは、支持ボディ１００とチャネルエレメント１１０との間に接続部を提供するために費用のかからないやり方である可能性がある。このタイプの接続は、その接続が通路ライナ７０及びその結果、支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の並進を制限するが、支持ボディ１００に対して大きい影響を及ぼさずにチャネルエレメント１１０が膨張し収縮できるようにするという点で有益である可能性がある。
【０１１１】
[00116]  図１４に描写されているように、通路ライナ７０は支持ボディ１００から外に延びてもよく、図１４に描写されている支持ボディヒータ１０２ａなどのヒータを支持ボディ１００の周りに配置してもよい。前に示したように、支持ボディヒータ１０２ａは支持ボディ１００内にある場合もあれば、通路ライナ７０付近の位置に設けられない場合もあり、通路ライナ７０は図１４に描写されている支持ボディヒータ１０２ａではなく、支持ボディ１００に直接隣接して位置してもよい。換言すれば、通路ライナ７０は、図１４に描写されている支持ボディヒータ１０２ａに隣接してではなく、支持ボディ１００の表面に隣接して位置決めされた、支持ボディ１００から外に延びる一部分を有してもよい。
【０１１２】
[00117]  一実施形態では、接着コネクタ１１２ａは、図１９に関連して後述するものと同様に、少なくとも１組の磁石対（ｍａｇｎｅｔ  ｐａｉｒ）で置き換えてもよい。それぞれの磁石対は少なくとも２つの磁石を含んでもよく、一方の磁石はチャネルエレメント１１０に接続され、もう一方の磁石は通路ライナ７０に接続される。磁石対は、通路ライナ７０の周りのリング又は通路ライナ７０のベースのリングを形成してもよい。複数の磁石対を設けることができるであろう。磁石対は、接着コネクタ１１２ａについて上記で説明したように配置してもよい。接着剤を使用して１つの磁石を通路ライナ７０及びチャネルエレメント１１０のそれぞれに接続してもよい。このタイプの接続は、後述するように図１９の磁石対１１４に関して記載されている利点を有する。
【０１１３】
[00118]  通路ライナ７０を使用してチャネルエレメント１１０と支持ボディ１００を接続することは、通路ライナ７０を使用して、開口通路６９をチャネル６８に接続する機能並びにチャネルエレメント１１０を支持ボディ１００に機械的に装着する機能を結合できることを意味する。これは装置を単純化し、装置をより頑強にするものである。
【０１１４】
[00119]  通路ライナ７０を介してチャネルエレメント１１０を支持ボディ１００に接続する場合、少なくとも１．０ｍｍの厚さの通路ライナ７０を設けることは有益である可能性がある。追加的に又は代替的に、バイトン（登録商標）を使用して通路ライナ７０を形成することは好ましい可能性がある。通路ライナ７０にバイトン（登録商標）を使用することは、他の材料より使いやすい可能性があり、例えば、バイトン（登録商標）の方がテフロン（登録商標）などの他の材料より接着しやすいので、有益である可能性がある。上記の厚さを有するバイトン（登録商標）で形成された通路ライナ７０を設けることは、例えば、これにより支持ボディ１００に対する重大な妨害を引き起こさずにチャネルエレメント１１０が膨張、収縮、及び／又は振動できる可能性があるので、有益である可能性がある。
【０１１５】
[00120]  チャネルエレメント１１０の厚さは、図１５に描写されているように、中間ギャップ１０５を増加するために低減してもよい。従って、チャネルエレメント１１０はチャネル６８を取り囲む比較的薄い壁を含むだけでもよい。これは、チャネルエレメント１１０と支持ボディ１００との間により大きい絶縁中間ギャップ１０５又はより大きいチャネルエレメント絶縁体１０６を設けて、支持ボディ１００からチャネルエレメント１１０をさらに熱的に絶縁できるようにする可能性がある。例えば、チャネルエレメント１１０と支持ボディ１００との距離は上記の中間ギャップ１０５より大きくてもよい。チャネルエレメント１１０と支持ボディ１００との距離は、約１．０ｍｍ以上、又は好ましくは約１．６ｍｍ以上であってもよい。さらに、薄い壁のチャネルエレメント１１０を設けると、これより前の諸実施形態に描写されているより大きいチャネルエレメント１１０を使用することと比較して、チャネルエレメント１１０の質量を低減し、支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の移動が支持ボディ１００に対して及ぼす影響が小さくなる可能性があることを意味する。上記の薄い壁のチャネルエレメント１１０は上記の諸実施形態のいずれでも提供することができる。
【０１１６】
[00121]  例えば、チャネルエレメント１１０は、チャネル６８の少なくとも一部の周りで約０．５ｍｍ〜５ｍｍ、又はより好ましくは１ｍｍ〜２ｍｍの厚さを有してもよい。チャネルエレメント１１０はチャネル６８の周りで実質的に均一な厚さを有してもよい。
【０１１７】
[00122]  薄い壁のチャネルエレメント１１０は、薄い壁を容易に設けられるようにする材料から作ってもよく、例えば、チャネルエレメント１１０はアルミニウムを使用して形成してもよい。さらに、上記のように薄い壁のチャネルエレメント１１０を設けることは、支持ボディ１００及びその他のコンポーネントの形成後にチャネルエレメント１１０を有効に機械加工できることを意味する可能性がある。開口部ライナ７１及びルーフライナ７３は図１５に描写されているが、これらのライナは任意選択であり、どちらも設けないか或いは一方又は両方を設けてもよい。追加的に又は代替的に、チャネル６８をさらに絶縁するためにチャネルライナ６５をさらに設けてもよい。
【０１１８】
[00123]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０は周辺に位置するコネクタを介して支持ボディ１００に接続される。周辺に位置するコネクタの数は特に制限されない。一実施形態では、少なくとも３つの周辺に位置するコネクタが存在する。一実施形態では、６つ以上の周辺に位置するコネクタが存在する。
【０１１９】
[00124]  周辺に位置するコネクタを使用してチャネルエレメント１１０を支持ボディ１００に接続し、その結果、加速力が支持ボディ１００に加えられた時に、その加速力はチャネルエレメント１１０に伝達される可能性がある。周辺に位置するコネクタは、支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の全体としての移動を制限するように構成される。一実施形態では、周辺に位置するコネクタは、６自由度（即ち、ｘ、ｙ、ｚ、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚ）のすべてにおいて支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の移動を制限するように構成される。一実施形態では、周辺に位置するコネクタは、６自由度のすべてにおいて実質的に均等に支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の移動を制限するように構成される。一実施形態では、周辺に位置するコネクタは、支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の全体としての移動を制限するように構成される。一実施形態では、周辺に位置するコネクタは、チャネルエレメント１１０が収縮及び／又は膨張できるようにする。一実施形態では、チャネルエレメント１１０はチャネルエレメントコネクタ１１９を曲げることにより膨張又は収縮する可能性があるが、チャネルエレメント１１０の並進はチャネルエレメントコネクタ１１９によって実質的に防止される可能性があり、これはオブジェクトテーブル１２０に取り付けられた状態でチャネルエレメント１１０を全体として保持するものである。
【０１２０】
[00125]  一実施形態では、周辺に位置するコネクタは、図１６に描写されているように支持ボディ１００及びチャネルエレメント１１０に取り付けられた運動学的バネ板コネクタである。運動学的バネ板コネクタ１１１は、接着剤で支持ボディ１００及び／又はチャネルエレメント１１０に取り付けてもよい。
【０１２１】
[00126]  一実施形態では、チャネルエレメント１１０を支持ボディ１００に接続するために使用される周辺に位置するコネクタは接着コネクタ１１２ｂであってもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ｂは中間ギャップ１０５内に設けてもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ｂは図１７に描写されているように接着リングであってもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ｂは、ポリマベースの接着剤、例えばシムソン（登録商標）ＩＳＲ７０−０３などのシリル改質ポリマを含んでもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ｂは、平面図において通路ライナ７０の外周の周りに設けてもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ｂは、任意選択で通路ライナ７０と接触して、通路ライナ７０の外部に隣接して設けてもよい。一実施形態では、接着コネクタ１１２ｂはポリマリング（図示せず）を含んでもよい。ポリマリングはポリマリングのいずれか一方の側に接着コネクタ１１２ｂとともに中間ギャップ１０５内に設けてもよく、接着コネクタ１１２ｂは一方の側で支持ボディ１００と接触し、もう一方の側でチャネルエレメント１１０と接触している。接着コネクタ１１２ｂを使用することは、周辺に位置するコネクタを提供するために費用のかからないやり方である可能性がある。このタイプの接続は、その接続が支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の並進を制限するが、支持ボディ１００に対して大きい影響を及ぼさずにチャネルエレメント１１０が膨張し収縮できるようにするという点で有益である可能性がある。
【０１２２】
[00127]  一実施形態では、周辺に位置するコネクタは、図１８に描写されているようにルースコネクタ（ｌｏｏｓｅ  ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）１１３である。一実施形態では、ルースコネクタ１１３は、基板支持装置６０の特定のタイプの移動中にのみ活動状態になる。例えば、一実施形態では、ルースコネクタ１１３は、オブジェクトテーブル１２０の凹所への支持ボディ１００の取り付け及び取り外し中にのみ活動状態になる。一実施形態では、ルースコネクタ１１３が活動状態ではない時に（即ち、それらが緩んでいる時に）チャネルエレメント１１０を所定の位置に保持するために、チャネルエレメント１１０とオブジェクトテーブル１２０との間並びに支持ボディ１００とオブジェクトテーブル１２０との間に真空クランプを設けてもよい。支持ボディ１００及びチャネルエレメント１１０を互いに対して並びにリソグラフィ装置のその他のコンポーネントに対して所望の位置に保持するために、ルースコネクタ１１３に加えて真空クランプを設けてもよい。このタイプの接続は、支持ボディ１００が位置決めされているか又はオブジェクトテーブル１２０から取り外されている時に支持ボディ１００とチャネルエレメント１１０との接続がルースコネクタ１１３によって提供されるという点で有益である可能性がある。
【０１２３】
[00128]  一実施形態では、周辺に位置するコネクタは少なくとも１組の磁石対を含む。少なくとも１組の磁石対を示す一例は図１９に描写されている。それぞれの磁石対１１４は少なくとも２つの磁石を含み、一方の磁石はチャネルエレメント１１０に接続され、もう一方の磁石は支持ボディ１００に接続される。複数の磁石対１１４を設けることができるであろう。磁石対１１４は平面図において通路ライナ７０の外周の周りに設けてもよい。一実施形態では、磁石対１１４は、任意選択で通路ライナ７０と接触して、通路ライナ７０の外部に隣接して設けてもよい。一実施形態では、磁石は接着剤を使用してチャネルエレメント１１０と支持ボディ１００のそれぞれに接続される。このタイプの接続は、その接続が支持ボディ１００に対するチャネルエレメント１１０の並進を制限するが、支持ボディ１００に対して大きい影響を及ぼさずにチャネルエレメント１１０が膨張し収縮できるようにするという点で有益である可能性がある。磁石対１１４を有することは、チャネルエレメント１１０が他のタイプの接続より容易に支持ボディから切断され、チャネルエレメントは磁石対１１４を使用して正しい位置で支持ボディ１００に容易に再取り付けできることを意味する可能性がある。磁石対１１４によって提供される磁力はチャネルエレメント１１０を押し下げる。従って、チャネルエレメント１１０の位置を維持するために真空クランプをさらに使用することは不要である可能性がある。チャネルエレメント１１０は、磁石対１１４を使用して支持ボディ１００から実質的に熱的かつ機械的に切り離される。
【０１２４】
[00129]  一実施形態では、通路ライナは、図２０に描写されているように、支持ボディ１００から外に延びてチャネル６８を形成してもよい。この実施形態では、通路ライナ７４は、通路６７の内部を裏打ちし、単一部分を使用して、即ち、一体化した部分により、チャネル６８を形成してもよい。例えば、通路ライナ７４は３Ｄプリンタを使用して形成してもよい。通路ライナ７４は、支持ボディ１００にしっかり取り付けられるように、支持ボディ１００の表面の少なくとも一部に沿って延びてもよい。例えば、通路ライナ７４は、接着剤を使用して支持ボディ１００に付着させてもよい。一実施形態では、通路ライナ７４は、通路ライナ７４内に組み込まれた少なくとも１つのヒータを含む。通路ライナ７４は、通路ライナ７０、開口部ライナ７１、及び／又はチャネルライナ７２について上記で説明した特徴（即ち、厚さ、熱伝導率、比熱容量、材料、疎水表面、及び／又は構造上の整合性）のいずれかを有してもよい。この実施形態では、通路ライナ７４は、流体が通路エレメント７４のチャネル部分内の少なくとも１つの開口部から移行してオブジェクトテーブル１２０内の抽出チャネル１２１に入れるようにするために、Ｏリングコネクタ１１８を介してオブジェクトテーブル１２０に取り外し可能に接続してもよい。一実施形態では、複数のライナエレメントが互いに取り付けられて、通路ライナ７４を形成する。
【０１２５】
[00130]  一実施形態では、チャネル６８は平面図において基板ホルダ６１及び／又は基板Ｗを取り囲む。一実施形態では、複数の通路６７は平面図において基板ホルダ６１及び／又は基板Ｗを取り囲む。一実施形態では、開口部６６は平面図において基板ホルダ６１及び／又は基板Ｗを取り囲む。
【０１２６】
[00131]  上記の諸実施形態では、止め輪１３０は任意選択で設けられる。上記の諸実施形態のいずれでも、止め輪１３０は、各図に描写されているように、支持ボディ１００から分離していてもよい。代替的に、上記の諸実施形態のいずれでも、支持ボディ１００は支持ボディ１００の一部として止め輪１３０を含んでもよく、即ち、止め輪１３０は支持ボディ１００と一体構造である（一体化している）。支持ボディ１００の最上部に（同じボディの一部として又は別個のボディとして）止め輪１３０を設けることにより、開口部６６、通路６７、チャネル６８内の流体から、並びにより一般的に支持ボディ１００から液体閉じ込め構造１２に対する熱影響は低減され、逆の場合も同様である。止め輪１３０の形状は制限的ではなく、従って、止め輪１３０は任意の形状、例えば、図４及び図６〜図１５に描写されている形状又は図１６〜図１８に描写されている形状を有してもよい。
【０１２７】
[00132]  図２１は、開口溝６９及び周囲の領域のクローズアップ断面図を描写している。この実施形態では、止め輪１３０は、本明細書に記載されている相違点を除き、上記の諸実施形態のいずれかに関連して記載されているものであってよい。上記の諸実施形態の止め輪１３０は支持ボディ１００と一体構造であってもよい。しかしながら、この実施形態では、図２１に描写されているように、止め輪１３０は支持ボディ１００から分離している。
【０１２８】
[00133]  図２１に描写されている実施形態では、基板支持装置６０は上記の諸実施形態のいずれかに記載されているようにルーフライナ７３を含む。支持ボディ１００の開口部６６は、支持ボディ１００に位置する開口チャネル６９の最上部の全域で、即ち、支持ボディ１００の上面の開口部として、画定してもよい。止め輪１３０は、図２１に描写されているように、開口部６６の最上部の上に装着し、支持ボディ１００のエッジの周りで支持ボディ１００に取り付けてもよい。止め輪１３０の熱変動は、止め輪１３０のベース上に位置決めされたルーフライナ７３により低減又は防止される可能性があり、従って、止め輪１３０を介した支持ボディ１００の熱変動も低減される可能性がある。上記のように、ルーフライナ７３は、例えば接着剤を使用して、止め輪１３０のベース上に装着してもよい。代替的に、ルーフライナ７３は、液相で止め輪１３０の底にルーフライナ７３を塗布し、液体が凝固してルーフライナ７３を形成できるようにすることにより、装着してもよい。例えば、止め輪１３０の底は、液体の一部又は全部がその中に入ってルーフライナ７３を形成できる穴を含んでもよい。
【０１２９】
[00134]  図２１に描写されているように、基板支持装置６０は任意選択で止め輪１３０と支持ボディ１００との間に接着剤層１４０を含んでもよい。接着剤層１４０は、止め輪１３０と支持ボディ１００との間に直接接触が存在しないように、支持ボディ１００から止め輪１３０を分離する可能性がある。接着剤層１４０は止め輪１３０を支持ボディ１００に付着させる。支持ボディ１００との間の熱負荷の移動は、支持ボディ１００から止め輪１３０を分離することによって低減される可能性がある。止め輪１３０と支持ボディ１００との間に設けられた接着剤層１４０は、止め輪１３０と支持ボディ１００との間で移行する熱負荷を低減及び／又は防止するための断熱層として作用する可能性がある。開口溝６９内の流体から支持ボディ１００への熱負荷の移動は、ルーフライナ７３と止め輪１３０との間の接着剤の追加使用によって低減してもよい。
【０１３０】
[00135]  さらなる一実施形態では、止め輪１３０は図２１に描写されているように設けてもよい。しかしながら、止め輪１３０に使用される材料は、低い熱伝導率を有するように特に選択してもよい。この実施形態は、ルーフライナ７３なしで図２２に描写されている。図２２はルーフライナ７３なしの止め輪１３０を示しているが、この特徴は上記のように含めることができるであろう。
【０１３１】
[00136]  止め輪１３０は低い熱伝導率の材料を使用して形成してもよい。一実施形態では、止め輪１３０は支持ボディ１００より低い熱伝導率を有する。一実施形態では、止め輪１３０の熱伝導率は２５℃で約５０Ｗ／ｍＫ未満である。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約３０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約２Ｗ／ｍＫ以下、又は好ましくは２５℃で約１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは２５℃で約０．５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約０．０１Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で約０．０２Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で約０．０３Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約０．０１〜２Ｗ／ｍＫ、好ましくは２５℃で約０．０２〜１Ｗ／ｍＫ、又はより好ましくは２５℃で約０．０３〜０．５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料で作られる。
【０１３２】
[00137]  一実施形態では、止め輪１３０はセラミック材料で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約１．４Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するＳｉＯ２（融解石英）で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約１．４Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するゼロデュア（登録商標）で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約０．２〜０．４Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリオキシメチレン（ＰＯＭ）で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約０．２〜０．３Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するポリテトラフルオロエチレン（例えば、テフロン（登録商標））で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、２５℃で約０．８〜１．１Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するガラス（例えば、透明ガラス）で作られる。
【０１３３】
[00138]  上記のように低い熱伝導率の止め輪１３０を設けることは、止め輪１３０の熱伝導性が周囲の支持ボディ１００及び基板支持装置６０のその他のコンポーネントに使用される材料と比較して比較的乏しいものになるという利点を有する可能性がある。従って、止め輪１３０は、周囲のコンポーネント又は基板支持装置６０の部品と比較して重大な耐熱性を有する可能性がある。このため、止め輪１３０を介する支持ボディ１００との間の熱伝達が低減される可能性があり、その結果、支持ボディ１００の熱変動が低減される。従って、止め輪１３０自体はルーフライナ７３なしで十分に絶縁している可能性がある。
【０１３４】
[00139]  一実施形態では、止め輪１３０は、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又は好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、約４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は約３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下、又は約３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以下の比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。一実施形態では、止め輪１３０は、約０．８〜４．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又は好ましくは約１．０〜３．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ、又はより好ましくは約１．５〜３．０ｋＪ／ｋｇ．ｋの比熱容量（ｃｐ）を有する材料で作られる。比熱容量（ｃｐ）は約２５℃における等圧比熱容量である。
【０１３５】
[00140]  上述のように、接着剤層１４０は、図１６及び図１７に描写されているように、止め輪１３０と支持ボディ１００との間に使用してもよい。接着剤層１４０は約２００μｍ以下の厚さを有してもよい。接着剤層１４０に使用される接着材料のタイプは特に制限されない。接着剤層１４０は、接着剤層１４０が止め輪１３０と支持ボディ１００との間に一定の距離を維持するように固体であってもよく、即ち、接着剤層１４０に使用される接着剤は柔軟なものでなくてもよい。
【０１３６】
[00141]  接着剤層１４０は、低い熱伝導率を有してもよく、従って、止め輪１３０と支持ボディ１００との間で伝達される熱負荷を低減又は防止するための断熱層として作用する可能性がある。一実施形態では、接着剤層１４０は、２５℃で約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは２５℃で０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは２５℃で約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有してもよい。一実施形態では、接着剤層１４０は、２５℃で０．０１Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０２Ｗ／ｍＫ以上、又は２５℃で０．０３Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料で作られる。一実施形態では、接着剤層１４０は、２５℃で約０．０１〜０．５Ｗ／ｍＫ、好ましくは２５℃で約０．０２〜０．１Ｗ／ｍＫ、又はより好ましくは２５℃で約０．０３〜０．０５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料で作られる。例えば、接着剤層１４０に使用される接着材料は、接着コネクタについて記載されている接着剤と同じであってもよく、例えば、この接着剤は２５℃で約０．３５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するシムソン（登録商標）ＩＳＲ７０−０３接着剤であってもよい。接着剤層１４０に使用される接着剤は接着コネクタに使用される接着剤とは異なるものでもよい。
【０１３７】
[00142]  一実施形態では、上記の接着剤層１４０は、図２３に描写されているように、厚さを増加して設けてもよい。例えば、一実施形態では、接着剤層１４０の厚さは、約２００μｍ〜約５００μｍ、好ましくは約３００μｍ〜約５００μｍ、又はより好ましくは約４００μｍ〜約５００μｍである。接着剤層１４０の厚さは、より効果的な断熱層を提供するために接着剤層１４０がより厚くなるように、約２００μｍより大きいか、又は好ましくは約３００μｍより大きいか、又はより好ましくは約４００μｍより大きいことが好ましい。より厚い接着剤層１４０を設けると、接着剤層１４０によって提供される断熱層の有効性が増加する。ここに記載されているように厚さが増加した接着剤層１４０は、上記の諸実施形態のいずれとも組み合わせて使用できるであろう。図２３はルーフライナ７３なしの止め輪１３０を示しているが、この特徴は上記のように含めることができるであろう。
【０１３８】
[00143]  一実施形態では、基板支持装置６０はさらに任意選択で、止め輪１３０と支持ボディ１００との間の接着剤層１４０に位置する少なくとも１つのビーズ（ｂｅａｄ）１５０を含んでもよい。ビーズ１５０の一例は図２３に描写されている。ビーズ１５０は、止め輪１３０と支持ボディ１００との間に一定の距離を維持するように位置することができる。従って、ビーズ１５０は、支持ボディ１００のエッジの周りで接着剤層１４０の厚さを一定に保持するために使用することができる。ビーズ１５０はそれ以外に間隔部材と呼ぶ場合もある。ビーズ１５０は接着剤層１４０の厚さと同じ直径を有してもよい。一実施形態では、ビーズ１５０の直径は、約２００μｍ〜約５００μｍ、好ましくは約３００μｍ〜約５００μｍである。ビーズ１５０の直径は約２００μｍより大きいか又はより好ましくは約３００μｍより大きいことが好ましい。
【０１３９】
[00144]  一実施形態では、ビーズ１５０は実質的に球状である。一実施形態では、この球体は中空であってもよく、従って実質的にリング状の断面を有してもよい。一実施形態では、この球体は中実であってもよく、従って実質的に円形の断面を有してもよい。一実施形態では、ビーズは円柱状であってもよく、この円柱は中実又は中空である。一実施形態では、ビーズ１５０は、止め輪１３０から支持ボディ１００に移行される熱変動を低減するために低い熱伝導率を有してもよい。ビーズ１５０はそれ以外に断熱部材（又は任意選択で間隔断熱部材）と呼ぶ場合もある。好ましくは、ビーズ１５０は接着剤層１４０と実質的に同じ熱伝導率を有するか、又はより好ましくは、ビーズ１５０は接着剤層１４０より低い熱伝導率を有する。ビーズ１５０はセラミック材料を含んでもよい。ビーズ１５０は、２５℃で約１．４Ｗ／ｍＫ程度の低い熱伝導率を有する可能性のある融解石英（ＳｉＯ２）を含んでもよい。
【０１４０】
[00145]  接着剤層１４０内の支持ボディ１００のエッジの周りに複数のビーズ１５０を配置してもよい。ビーズ１５０の数は特に制限されない。例えば、約５０〜２００個のビーズ又は約１００〜１５０個のビーズが存在してもよい。
【０１４１】
[00146]  上記の諸実施形態のいずれでも、開口部６６は、基板Ｗのエッジの周囲（例えば外周）の周りの１つ以上の離散的位置に設けてもよい。開口部６６は、平面図ではスリット又は円形開口部又は任意のその他の形状であってもよい。一実施形態では、基板支持装置６０のギャップ５から二相流を抽出するために、３つの離散的円形開口部が設けられる。一実施形態では、開口部６６は支持ボディ１００の周りで連続している。換言すれば、開口部６６は支持ボディ１００の周りで途切れない経路を形成する。一実施形態では、開口部６６は約５ｍｍ〜２０ｍｍの幅を有してもよい。一実施形態では、開口部６６は約１０ｍｍ〜２０ｍｍの幅を有してもよい。上記の諸実施形態のいずれかで使用される接着剤はアラルダイトであってもよい。上記の諸実施形態のいずれかで使用される接着剤は、ポリマベースの接着剤、例えばシムソン（登録商標）ＩＳＲ７０−０３などのシリル改質ポリマであってもよい。
【０１４２】
[00147]  上記の諸実施形態のいずれでも、支持ボディ１００又はチャネルエレメント１１０内に追加の通路及び／又はチャネルを含んでもよい。追加の通路及び／又はチャネルは、基板支持装置６０から追加の流体を抽出するために設けられる場合もあれば、及び／又は基板支持装置６０において追加の熱調節を提供する場合もある。
【０１４３】
[00148]  上記の諸実施形態のいずれでも、基板支持装置６０の一部の温度を検出するために少なくとも１つの温度センサを含んでもよい。少なくとも１つの温度センサの結果はコントローラ５００によって使用してもよい。
【０１４４】
[00149]  上記の諸実施形態のいずれでも、支持ボディ１００の周囲の部品又は基板支持装置６０のその他の部品の温度を制御するために追加のヒータを含んでもよい。複数のヒータを使用してもよい。同じタイプの複数のヒータを使用してもよい。代替的に、異なるヒータの組み合わせを使用してもよい。ヒータは、基板支持装置６０の異なる部品又はコンポーネントを熱的に切り離すのに役立つように基板支持装置６０内又はその周りに位置してもよい。上記の諸実施形態のいずれでも、少なくとも１つのヒータは、通路ライナ７０及び７４、開口部ライナ７１、チャネルライナ７２、及び／又はルーフライナ７３に組み込んでもよい。
【０１４５】
[00150]  支持装置は基板支持装置６０として記載され描写されており、オブジェクトホルダは基板Ｗを保持する基板ホルダ６１として記載され描写されているが、一実施形態では、オブジェクトは基板でなくてもよい。例えば、オブジェクトはセンサであってもよく、オブジェクトホルダは、任意選択で基板を保持できない、一般的な支持装置の一部であるセンサホルダである。
【０１４６】
[00151]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１４７】
[00152]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【０１４８】
[00153]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ以上の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０１４９】
[00154]  本明細書に記載されているコントローラは、それぞれ又は組み合わせて、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に位置する１つ以上のコンピュータプロセッサによって１つ以上のコンピュータプログラムが読み取られた時に動作可能になる可能性がある。また、コントローラは、それぞれ又は組み合わせて、信号を受信し、処理し、送信するための適切な構成を有する可能性がある。１つ以上のプロセッサはコントローラのうちの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、それぞれのコントローラは、上記の方法のための機械可読命令を含むコンピュータプログラムを実行するために１つ以上のプロセッサを含む可能性がある。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶メディア及び／又はこのようなメディアを受け入れるためのハードウェアを含む可能性がある。従って、コントローラ（複数も可）は、１つ以上のコンピュータプログラムの機械可読命令に応じて動作する可能性がある。
【０１５０】
[00155]  本発明の１つ以上の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、特に、排他的ではないが、液浸液が浴の形で提供されるか、基板の局所的な表面領域でのみ提供されるか、又は閉じ込められないかにかかわらず、上述のタイプに適用することができる。非閉じ込め構成では、液浸液は、基板支持装置及び／又は基板の実質的に覆われていない表面全体が濡れるように、基板及び／又は基板支持装置の表面の上を流れる可能性がある。このような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めない場合もあれば、液浸液の実質的に完全な閉じ込めではなく、ある割合の液浸液閉じ込めを提供する場合もある。
【０１５１】
[00156]  上記の諸実施形態のいずれかの基板支持装置６０を使用する液浸装置を操作する方法を提供することができる。特に、この方法は、支持装置の支持ボディによって支持されたオブジェクト上に液体を提供することと、支持ボディの開口部を通ってオブジェクトのエッジから液体を除去することであって、開口部が支持ボディ内の複数の通路のそれぞれを介してチャネルと流体で連絡しており、通路ライナが複数の通路の少なくとも１つに装着され、通路ライナが複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱していることとを含むことができる。
【０１５２】
[00157]  本発明によりデバイスを製造するための方法を提供することができる。このデバイス製造方法はリソグラフィ装置を使用することができ、この方法は、上記の諸実施形態のいずれかの基板支持装置６０で基板Ｗを支持しながら基板Ｗ上にパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影することを含む。
【０１５３】
[00158]  本明細書で企図されている液体供給システムは広く解釈しなければならない。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板及び／又は基板支持装置との間の空間に液体を提供するメカニズム又は複数構造物の組み合わせである可能性がある。これは、１つ以上の構造物、１つ以上の液体開口部を含む１つ以上の流体開口部、１つ以上のガス開口部、又は二相流用の１つ以上の開口部の組み合わせを含む可能性がある。開口部はそれぞれ、液浸空間内へのインレット（又は流体ハンドリング構造からのアウトレット）又は液浸空間からのアウトレット（又は流体ハンドリング構造内へのインレット）である可能性がある。一実施形態では、その空間の表面が基板及び／又は基板支持装置の一部分であるか、その空間の表面が基板及び／又は基板支持装置の表面を完全に覆うか、或いはその空間が基板及び／又は基板支持装置を包む場合もある。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量、又は任意のその他の特徴を制御するための１つ以上の要素をさらに含む場合もある。
【０１５４】
[00159]  上記の説明は限定のためではなく例示のためのものである。従って、以下に記載する特許請求の範囲から逸脱せずに記載されているように本発明に対して変更を行うことができることは当業者にとって明らかになるであろう。
【０１５５】
[00160]  本発明によるリソグラフィ装置の代替構成を表す条項を以下に列挙する。
条項１．オブジェクトを支持するように構成された支持装置であって、
オブジェクトを保持するためのオブジェクトホルダを含む支持ボディと、
オブジェクトホルダのエッジに隣接した支持ボディの開口部と、
支持ボディ内の複数の通路のそれぞれを介して開口部と流体で連絡しているチャネルと、
複数の通路の少なくとも１つに装着された通路ライナであって、複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、通路ライナと、
を含む、支持装置。
条項２．通路ライナが、少なくとも０．２ｍｍ、及び好ましくは少なくとも０．５ｍｍ、及びより好ましくは少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項１に記載の支持装置。
条項３．通路ライナがチューブを含む、請求項１又は請求項２に記載の支持装置。
条項４．通路ライナが、約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは約０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる、請求項１乃至３のいずれかに記載の支持装置。
条項５．通路ライナが、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の比熱容量を有する材料で作られる、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の支持装置。
条項６．開口部が平面図において支持ボディの周りで連続しており、支持ボディ内の開口溝によって画定される、請求項１乃至５のいずれかに記載の支持装置。
条項７．開口部ライナが開口溝内に装着され、開口部ライナが開口溝において流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、請求項６に記載の支持装置。
条項８．開口部ライナが、約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは約０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる、請求項７に記載の支持装置。
条項９．開口部ライナが、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の定圧比熱容量を有する材料で作られる、請求項７又は請求項８のいずれか１項に記載の支持装置。
条項１０．開口部ライナが、少なくとも０．２ｍｍ、及び好ましくは少なくとも０．５ｍｍ、及びより好ましくは少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項７乃至９のいずれかに記載の支持装置。
条項１１．オブジェクトテーブルをさらに含み、支持ボディがオブジェクトテーブルによって支持され、チャネルがオブジェクトテーブルのオブジェクトテーブル開口部と流体で連絡している、請求項１乃至１０のいずれかに記載の支持装置。
条項１２．支持ボディとオブジェクトテーブルとの間にガスの層が存在する、請求項１１に記載の支持装置。
条項１３．チャネルが平面図において支持ボディの周りで連続している、請求項１乃至１２のいずれかに記載の支持装置。
条項１４．チャネルライナがチャネル内に装着され、チャネルライナがチャネルにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、請求項１３に記載の支持装置。
条項１５．チャネルライナが、少なくとも０．２ｍｍ、及び好ましくは少なくとも０．５ｍｍ、及びより好ましくは少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項１４に記載の支持装置。
条項１６．チャネルライナが、約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは約０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる、請求項１４又は請求項１５のいずれか１項に記載の支持装置。
条項１７．チャネルライナが、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の定圧比熱容量を有する材料で作られる、請求項１４乃至１６のいずれかに記載の支持装置。
条項１８．開口部の少なくとも一部分の上にあるルーフライナをさらに含み、ルーフライナが複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している、請求項１乃至１７のいずれかに記載の支持装置。
条項１９．ルーフライナが、少なくとも０．２ｍｍ、及び好ましくは少なくとも０．５ｍｍ、及びより好ましくは少なくとも１．０ｍｍの厚さを有する、請求項１８に記載の支持装置。
条項２０．ルーフライナが、約０．５Ｗ／ｍＫ以下、好ましくは約０．１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは約０．０５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる、請求項１８又は１９のいずれか１項に記載の支持装置。
条項２１．ルーフライナが、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の定圧比熱容量を有する材料で作られる、請求項１８乃至２０のいずれか１項に記載の支持装置。
条項２２．それぞれの通路ライナの一部分が支持ボディからチャネル内に延びる、請求項１乃至２１のいずれかに記載の支持装置。
条項２３．チャネルがチャネルエレメント内にあり、チャネルエレメントが支持ボディから実質的に熱的かつ機械的に切り離される、請求項１乃至２２のいずれかに記載の支持装置。
条項２４．支持ボディからチャネルエレメントを実質的に機械的かつ熱的に切り離すためにチャネルエレメントと支持ボディとの間にガスの層が存在する、請求項２３に記載の支持装置。
条項２５．チャネルエレメントが、周辺に位置するコネクタを介して、好ましくは少なくとも３つの周辺に位置するコネクタを介して、又はより好ましくは６つの周辺に位置するコネクタを介して支持ボディに接続される、請求項２３又は請求項２４のいずれか１項に記載の支持装置。
条項２６．周辺に位置するコネクタが、支持ボディに対するチャネルエレメントの全体としての移動を制限するように構成される、請求項２５に記載の支持装置。
条項２７．周辺に位置するコネクタのそれぞれが１組の磁石対を含み、磁石対のうちの第１の磁石がチャネルエレメント上又はチャネルエレメント内に位置し、磁石対のうちの第２の磁石が支持ボディ上又は支持ボディ内に位置する、請求項２５に記載の支持装置。
条項２８．チャネルエレメントが、１００ＧＰａ以上、好ましくは２００ＧＰａ以上、又はより好ましくは３００ＧＰａ以上のヤング率を有する材料で作られる、請求項２３乃至２７のいずれかに記載の支持装置。
条項２９．チャネルエレメントが、約０．１ＧＰａ〜１００ＧＰａ、好ましくは５ＧＰａ〜５０ＧＰａのヤング率を有する材料で作られる、請求項２３乃至２７のいずれかに記載の支持装置。
条項３０．チャネルが平面図においてオブジェクトホルダを取り囲む、請求項１乃至２９のいずれかに記載の支持装置。
条項３１．止め輪をさらに含み、止め輪が支持ボディ上に装着される、請求項１乃至３０のいずれかに記載の支持装置。
条項３２．接着剤層が止め輪と支持ボディとの間に設けられ、接着剤層の厚さが、約２００μｍ〜５００μｍ、より好ましくは約３００μｍ〜５００μｍ、及びより好ましくは４００μｍ〜５００μｍである、請求項３１に記載の支持装置。
条項３３．支持ボディと止め輪との間の接着剤層内に位置する少なくとも１つのビーズをさらに含む、請求項３２に記載の支持装置。
条項３４．止め輪が、２５℃で約２Ｗ／ｍＫ以下、又は好ましくは２５℃で約１Ｗ／ｍＫ以下、又はより好ましくは２５℃で約０．５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料で作られる、請求項３１乃至３３のいずれかに記載の支持装置。
条項３５．止め輪が、約０．８ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、好ましくは約１．０ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上、又はより好ましくは約１．５ｋＪ／ｋｇ．ｋ以上の定圧比熱容量を有する材料で作られる、請求項３１乃至３４のいずれかに記載の支持装置。
条項３６．請求項１乃至３５のいずれか１項に記載の支持装置を含むリソグラフィ装置。
条項３７．液浸リソグラフィ装置を操作する方法であって、支持装置の支持ボディによって支持されたオブジェクト上に液体を提供することと、支持ボディの開口部を通ってオブジェクトのエッジから液体を除去することであって、開口部が支持ボディ内の複数の通路のそれぞれを介してチャネルと流体で連絡しており、通路ライナが複数の通路の少なくとも１つに装着され、通路ライナが複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱していることとを含む、方法。
条項３８．リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、支持装置で基板を支持しながら基板上にパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影することを含み、支持装置が、
基板を保持するためのオブジェクトホルダを含む支持ボディと、
オブジェクトホルダのエッジに隣接した支持ボディの開口部と、
支持ボディ内の複数の通路のそれぞれを介して開口部と流体で連絡しているチャネルと、
複数の通路の少なくとも１つに装着された通路ライナであって、複数の通路の少なくとも１つにおいて流体から支持ボディを実質的に熱的に切り離すように断熱している通路ライナと、
を含む、デバイス製造方法。
【図１】
0006556869.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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