(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク基板の描画領域を複数のストライプ領域に分割し、各ストライプ領域を複数の処理領域に分割した処理領域毎に、描画データをデータ変換処理するデータ変換部と、
前記データ変換部によりデータ変換処理された各処理領域に対応する処理データを第１バッファメモリに格納し、該第１バッファメモリに格納された前記処理データを描画順に転送する転送制御計算機と、
前記描画領域を所定サイズの複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく温度上昇量を求め、該温度上昇量に基づいて、前記第１バッファメモリに格納されている前記処理データに含まれる照射量を変調する照射量変調部と、
前記転送制御計算機から転送された前記処理データを第２バッファメモリに格納し、該第２バッファメモリに格納された処理領域毎の処理データに基づいて荷電粒子ビームの偏向量を制御する偏向制御回路と、
前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向し、移動可能なステージ上に載置された前記マスク基板にパターンを描画する描画部と、
前記第２バッファメモリにＮ１個（Ｎ１は１以上の整数）以上の処理領域の処理データが格納され、かつ前記第１バッファメモリに格納されている処理データ、前記第２バッファメモリに格納されている処理データ及び前記転送制御計算機が転送中の処理データの合計がＮ２個以上（Ｎ２はＮ１より大きい整数）の処理領域の処理データとなった場合に描画処理を開始するように前記描画部を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、前記ストライプ領域全体の処理データのデータサイズが所定値以上の場合、前記Ｎ２個の処理領域の描画を終えると描画処理を停止し、前記ステージを前記マスク基板に対する描画対象位置まで戻すリカバー処理を行うように前記描画部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
マスク基板の描画領域を複数のストライプ領域に分割し、各ストライプ領域を複数の処理領域に分割した処理領域毎に、描画データをデータ変換処理するデータ変換部と、
前記データ変換部によりデータ変換処理された各処理領域に対応する処理データを第１バッファメモリに格納し、該第１バッファメモリに格納された前記処理データを描画順に転送する転送制御計算機と、
前記描画領域を所定サイズの複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく温度上昇量を求め、該温度上昇量に基づいて、前記第１バッファメモリに格納されている前記処理データに含まれる照射量を変調する照射量変調部と、
前記転送制御計算機から転送された前記処理データを第２バッファメモリに格納し、該第２バッファメモリに格納された処理領域毎の処理データに基づいて荷電粒子ビームの偏向量を制御する偏向制御回路と、
前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向し、移動可能なステージ上に載置された前記マスク基板にパターンを描画する描画部と、
前記第２バッファメモリにＮ１個（Ｎ１は１以上の整数）以上の処理領域の処理データが格納され、かつ前記第１バッファメモリに格納されている処理データ、前記第２バッファメモリに格納されている処理データ及び前記転送制御計算機が転送中の処理データの合計がＮ２個以上（Ｎ２はＮ１より大きい整数）の処理領域の処理データとなった場合に描画処理を開始するように前記描画部を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、前記ストライプ領域全体の処理データのデータサイズが前記所定値未満の場合、前記ストライプ領域の全ての前記処理領域の処理データが、前記第１バッファメモリに格納されるか、前記転送制御計算機による転送中か、又は前記第２バッファメモリに格納されると、描画処理を開始するように前記描画部を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
マスク基板の描画領域を複数のストライプ領域に分割し、各ストライプ領域を複数の処理領域に分割した処理領域毎に、描画データをデータ変換処理する工程と、
転送制御計算機が、前記データ変換処理された各処理領域に対応する処理データを第１バッファメモリに格納し、該第１バッファメモリに格納された前記処理データを描画順に転送する工程と、
前記描画領域を所定サイズの複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく温度上昇量を求め、該温度上昇量に基づいて、前記第１バッファメモリに格納されている処理データに含まれる照射量を変調する工程と、
前記転送制御計算機から転送された処理データを第２バッファメモリに格納し、該第２バッファメモリに格納された処理領域毎の処理データに基づいて荷電粒子ビームの偏向量を制御する工程と、
前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向し、移動可能なステージ上に載置された前記マスク基板にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記第２バッファメモリにＮ１個（Ｎ１は１以上の整数）以上の処理領域の処理データが格納され、かつ前記第１バッファメモリに格納されている処理データ、前記第２バッファメモリに格納されている処理データ及び前記転送制御計算機が転送中の処理データの合計がＮ２個以上（Ｎ２はＮ１より大きい整数）の処理領域の処理データとなった場合に描画処理を開始し、
前記ストライプ領域全体の処理データのデータサイズが所定値以上の場合、前記Ｎ２個の処理領域の描画を終えると描画処理を停止し、前記ステージを前記マスク基板に対する描画対象位置まで戻すリカバー処理を行い、描画再開後の最初の処理領域については前に描画された処理領域からの伝熱を考慮しないで前記照射量を変調することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
電子ビーム描画装置では、外部から入力された描画データを所定の計算領域毎に複数の計算機に振り分け、並列的にデータ変換処理することでデータ処理時間を短縮している。並列にデータ変換処理されたデータは、転送処理装置に一旦入力され、描画順に偏向制御回路に転送される。偏向制御回路は、転送されたデータに基づいてビーム偏向量を決定し、ビームを偏向してマスク基板に照射する。マスク基板は、連続的に移動するステージ上に載置されている。
【０００４】
転送処理装置から偏向制御回路へのデータ転送が間に合わず、描画中の領域のデータが途切れた場合、描画処理が停止する。そして、ステージ位置を描画が正確に行われた位置まで戻し、描画用データが転送されてから描画処理を再開する、いわゆるリカバー処理が行われる。
【０００５】
光リソグラフィ技術の進展や、ＥＵＶによる短波長化に伴い、マスク描画に必要な電子ビームのショット数が増加している。一方で、微細化に必要な線幅精度を確保するために、レジストを低感度化し、照射量を上げることで、ショットノイズやパターンのエッジラフネスの低減を図っている。ショット数と照射量の増加に伴い、描画時間が増加している。そのため、電流密度を上げることで描画時間の短縮を図ることが検討されている。
【０００６】
しかし、増加した照射エネルギー量を、より高密度な電子ビームで短時間に照射しようとすると、基板温度が上昇してレジスト感度が変化し、線幅精度が劣化する、いわゆるレジストヒーティングと呼ばれる現象が生じるという問題があった。このような問題を解決するために、偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく当該最小偏向領域の代表温度を算出し、代表温度を用いて照射量を変調する手法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００７】
他領域からの伝熱を考慮して変調した照射量を用いて描画処理を行っている際に上述のようなリカバー処理が生じた場合、ステージ位置を戻している間に基板温度が低下するため、描画再開後に伝熱を考慮した照射量で描画を行うと、所望の線幅精度を実現できなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−６９６７５号公報
【特許文献２】特開２０１２−２４３８４２号公報
【特許文献３】特開２０１５−１８８０１４号公報
【特許文献４】特開２００１−１９６２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制しつつ、リカバー処理が生じる場合でもパターンの寸法変動を抑制できる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、マスク基板の描画領域を複数のストライプ領域に分割し、各ストライプ領域を複数の処理領域に分割した処理領域毎に、描画データをデータ変換処理するデータ変換部と、前記データ変換部によりデータ変換処理された各処理領域に対応する処理データを第１バッファメモリに格納し、該第１バッファメモリに格納された前記処理データを描画順に転送する転送制御計算機と、前記描画領域を所定サイズの複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく温度上昇量を求め、該温度上昇量に基づいて、前記第１バッファメモリに格納されている前記処理データに含まれる照射量を変調する照射量変調部と、前記転送制御計算機から転送された前記処理データを第２バッファメモリに格納し、該第２バッファメモリに格納された処理領域毎の処理データに基づいて荷電粒子ビームの偏向量を制御する偏向制御回路と、前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向し、移動可能なステージ上に載置された前記マスク基板にパターンを描画する描画部と、前記第２バッファメモリにＮ１個（Ｎ１は１以上の整数）以上の処理領域の処理データが格納され、かつ前記第１バッファメモリに格納されている処理データ、前記第２バッファメモリに格納されている処理データ及び前記転送制御計算機が転送中の処理データの合計がＮ２個以上（Ｎ２はＮ１より大きい整数）の処理領域の処理データとなった場合に描画処理を開始するように前記描画部を制御する制御装置と、を備えるものである。
【００１１】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記制御装置は、前記ストライプ領域全体の処理データのデータサイズが所定値以上の場合、前記Ｎ２個の処理領域の描画を終えると描画処理を停止し、前記ステージを前記マスク基板に対する描画対象位置まで戻すリカバー処理を行うように前記描画部を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記制御装置は、前記ストライプ領域全体の処理データのデータサイズが前記所定値未満の場合、前記ストライプ領域の全ての前記処理領域の処理データが、前記第１バッファメモリに格納されるか、前記転送制御計算機による転送中か、又は前記第２バッファメモリに格納されると、描画処理を開始するように前記描画部を制御することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、マスク基板の描画領域を複数のストライプ領域に分割し、各ストライプ領域を複数の処理領域に分割した処理領域毎に、描画データをデータ変換処理する工程と、転送制御計算機が、前記データ変換処理された各処理領域に対応する処理データを第１バッファメモリに格納し、該第１バッファメモリに格納された前記処理データを描画順に転送する工程と、前記描画領域を所定サイズの複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく温度上昇量を求め、該温度上昇量に基づいて、前記第１バッファメモリに格納されている処理データに含まれる照射量を変調する工程と、前記転送制御計算機から転送された処理データを第２バッファメモリに格納し、該第２バッファメモリに格納された処理領域毎の処理データに基づいて荷電粒子ビームの偏向量を制御する工程と、前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向し、移動可能なステージ上に載置された前記マスク基板にパターンを描画する工程と、を備え、前記第２バッファメモリにＮ１個（Ｎ１は１以上の整数）以上の処理領域の処理データが格納され、かつ前記第１バッファメモリに格納されている処理データ、前記第２バッファメモリに格納されている処理データ及び前記転送制御計算機が転送中の処理データの合計がＮ２個以上（Ｎ２はＮ１より大きい整数）の処理領域の処理データとなった場合に描画処理を開始することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、前記ストライプ領域全体の処理データのデータサイズが所定値以上の場合、前記Ｎ２個の処理領域の描画を終えると描画処理を停止し、前記ステージを前記マスク基板に対する描画対象位置まで戻すリカバー処理を行い、描画再開後の最初の処理領域については前に描画された処理領域からの伝熱を考慮しないで前記照射量を変調することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制しつつ、リカバー処理が生じる場合でもパターンの寸法変動を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る描画装置の概略構成図である。
【図２】描画領域の分割例を示す図である。
【図３】描画開始条件を説明する図である。
【図４】リカバーポイントの設定例を示す図である。
【図５】リカバーポイントの設定例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。
【００１９】
描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク基板１０１が配置される。マスク基板１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、マスク基板１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００２０】
制御部１６０は、複数のデータ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎ、照射量変調部１１０、データ転送計算機１２０、偏向制御回路１３０、制御装置１３２、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０を有している。複数のデータ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎ、データ転送計算機１２０、偏向制御回路１３０、制御装置１３２、及び記憶装置１４０は、バスを介して互いに接続されている。
【００２１】
複数のデータ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎ（ｎは２以上の整数）内には、それぞれ、複数のＣＰＵ及び複数のメモリが設けられている。
【００２２】
データ転送計算機１２０は、入力部３４、バッファメモリ３０、及び転送部３２を有する。入力部３４及び転送部３２の機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。ソフトウェアで構成する場合には、これらの機能を実現するプログラムを記録媒体に収納し、電気回路等を含むコンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。
【００２３】
偏向制御回路１３０は、バッファメモリ４０及び偏向量演算部４２を有する。
【００２４】
図１は、実施の形態を説明する上で必要な構成を示しており、描画装置１００はその他の構成を備えていても構わない。例えば、図１では、ビームの照射位置偏向用に、主偏向器２０８と副偏向器２０９の主副２段の多段偏向器が設けられているが、１段の偏向器或いは３段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なってもよい。
【００２５】
記憶装置１４０には、複数の図形パターンの位置及びサイズ等が定義された描画データが外部から入力され、記憶される。
【００２６】
図２は、実施の形態における各領域を説明するための概念図である。図２において、マスク基板１０１の描画領域１０は、ｘ方向或いはｙ方向に主偏向器２０８で偏向可能な幅で短冊状の複数のストライプ領域２０に仮想分割される。また、各ストライプ領域２０は、ブロック状の複数の計算処理単位領域（ＤＰＢ）３１に分けられる。
【００２７】
データ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎは、それぞれ、記憶装置１４０からＤＰＢ領域３１単位で対応する描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。
【００２８】
描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、複数のデータ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎは、描画データが示す図形パターンを１回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及び照射量といった図形データが定義される。
【００２９】
各ショットデータのヘッダに、描画順序を示す描画順番情報を定義してもよい。描画順番情報として、例えば、ＤＰＢ領域のＩＤ（識別子、或いはアドレス）を用いることができる。
【００３０】
データ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎは、生成したショットデータを、ＤＰＢ領域３１単位でまとめてデータ転送計算機１２０に出力する。複数のデータ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎで並列にデータ処理を行うことで、高速にデータ処理を行うことができる。
【００３１】
データ転送計算機１２０の入力部３４は、複数のデータ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎから出力されたＤＰＢ領域３１単位のショットデータの入力処理を行い、バッファメモリ３０に格納する。転送部３２は、ショットデータを描画順にＤＰＢ領域３１単位でまとめて、偏向制御回路１３０へ出力する。偏向制御回路１３０へ出力されたショットデータはバッファメモリ３０から削除される。
【００３２】
データ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎは、生成したショットデータを照射量変調部１１０へも出力する。照射量変調部１１０は、バッファメモリ（図示略）を有し、データ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎから入力されたショットデータをバッファメモリに格納する。照射量変調部１１０は、描画領域を所定サイズのメッシュ状の小領域（温度計算領域）に仮想分割し、各小領域について、当該小領域よりも前に描画される他の小領域からの伝熱により生じる温度上昇量を算出する。そして、照射量変調部１１０は、算出した温度上昇量に基づいて、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動が抑制されるように、バッファメモリ３０に格納されているショットデータ内の照射量を変調する。このようなレジストヒーティング補正には公知の方法を用いることができる。
【００３３】
偏向制御回路１３０のバッファメモリ４０は、転送部３２から転送された描画処理順のＤＰＢ領域３１のショットデータを順次格納する。偏向量演算部４２は、バッファメモリ４０から描画順に処理データ（ショットデータ）を読み出し、偏向器２０５、主偏向器２０８及び副偏向器２０９で偏向する偏向量をそれぞれ演算する。そして、偏向量演算部４２は、各偏向器用のデジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプ（図示略）に偏向量を示すデジタル信号を出力する。
【００３４】
各ＤＡＣアンプでは、偏向制御回路１３０から出力されたデジタル信号をアナログ信号に変換して増幅し、偏向器２０５、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９に偏向電圧を印加する。偏向制御回路１３０は、データ転送計算機１２０から転送されたＤＰＢ領域３１毎の処理データに沿って、電子ビーム２００を偏向する偏向量を制御する。制御装置１３２に制御された描画部１５０は、かかる偏向量に基づいて電子ビーム２００を偏向することによって、マスク基板１０１にパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。
【００３５】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１アパーチャ２０３を通過した第１アパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２アパーチャ２０６上に投影される。
【００３６】
偏向器２０５によって、第２アパーチャ２０６上での第１アパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形させる）ことができる。第２アパーチャ２０６を通過した第２アパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に載置されたマスク基板１０１の所望する位置に照射される。
【００３７】
主偏向器２０８は、ステージ移動に追従しながら、描画領域を仮想分割したサブフィールド（ＳＦ）の基準位置に該当ショットの電子ビーム２００を偏向する。副偏向器２０９は、ＳＦ内の各照射位置に、該当ショットのビームを偏向する。描画処理は、ストライプ領域２０毎に行われる。
【００３８】
本実施形態による描画装置１００は、データ転送計算機１２０のバッファメモリ３０に格納されているデータ量と、偏向制御回路１３０のバッファメモリ４０に格納されているデータ量とに基づいて、描画処理（ステージ移動）を開始するか否か判定する。
【００３９】
制御装置１３２は、バッファメモリ４０に格納されているデータ量Ｄ１、転送部３２によりバッファメモリ４０へ転送中のデータ量Ｄ２、及びバッファメモリ３０に格納されているデータ量Ｄ３を監視する。
【００４０】
制御装置１３２は、データ量Ｄ１が閾値Ｔｈ１以上となり、データ量Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３が閾値Ｔｈ２（Ｔｈ２＞Ｔｈ１）以上となった場合に、描画処理を開始すると判定する。閾値Ｔｈ１はバッファメモリ４０の容量以下の値であり、閾値Ｔｈ２はバッファメモリ３０とバッファメモリ４０の合計容量以下の値である。
【００４１】
例えば閾値Ｔｈ１がＮ１個のＤＰＢ領域分の処理データ（ショットデータ）であり、閾値Ｔｈ２がＮ２個のＤＰＢ領域分の処理データである場合、図３に示すように、１本のストライプ領域２０に含まれるＮ個のＤＰＢ領域３１のうち、１番目〜Ｎ１番目のＤＰＢ領域３１の処理データがバッファメモリ４０に格納され、（Ｎ１＋１）番目〜Ｎ２番目のＤＰＢ領域３１の処理データがバッファメモリ３０に格納されているか又はバッファメモリ４０へ転送中である時に、描画処理が開始される。
【００４２】
図３において、「転送完了」は、データ転送計算機１２０からバッファメモリ４０への処理データの転送・格納が完了したＤＰＢ領域を示し、「転送中」はデータ転送計算機１２０からバッファメモリ４０へ処理データ転送中のＤＰＢ領域を示し、「入力完了」は、データ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎから出力されバッファメモリ３０への処理データの格納が完了したＤＰＢ領域を示している。また、「入力中／入力前」は、バッファメモリ３０へ処理データ入力中のＤＰＢ領域、データ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎでデータ処理中のＤＰＢ領域、又はデータ処理前のＤＰＢ領域を示している。
【００４３】
処理データはＤＰＢ領域単位で取り扱われ、制御装置１３２は、１本のストライプ領域２０の各ＤＰＢ領域について、「転送完了」「転送中」「入力完了」「入力中／入力前」のどの状態にあるかを把握できる。
【００４４】
閾値Ｔｈ２がＮ個のＤＰＢ領域分の処理データ、すなわちストライプ領域１本分の処理データである場合、データ量Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３≧Ｔｈ２という条件は、１本のストライプ領域２０に含まれる全てのＤＰＢ領域について、少なくともデータ変換部ＤＣ１〜ＤＣｎによるショットデータの生成・出力、及びバッファメモリ３０への格納が完了したことを示す。
【００４５】
このように、本実施形態では、閾値Ｔｈ１以上のデータ量のショットデータがバッファメモリ４０に格納され、閾値Ｔｈ２以上のデータ量のショットデータが準備されるという描画開始条件を満たした場合に、描画処理を開始する。このように、十分なショットデータが準備されてから描画処理を開始することで、描画中のショットデータの途切れ及びリカバー処理の発生を抑えることができる。
【００４６】
特に、閾値Ｔｈ２をストライプ領域１本分の処理データとした場合は、ストライプ領域２０に含まれる全てのＤＰＢ領域３１についてショットデータが作成されてから描画処理を開始することになるため、描画中にショットデータが途切れることがほとんどなく、リカバー処理の発生を抑えることができる。また、他領域からの伝熱を考慮して照射量を変調しているため、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制することができる。
【００４７】
ストライプ領域１本分の処理データが極めて大きい場合、ストライプ領域１本分の処理データが、バッファメモリ３０及びバッファメモリ４０に格納しきれなくなる。
【００４８】
このように、ストライプ領域１本分の処理データが極めて大きい場合は、図４に示すように、閾値Ｔｈ２の箇所にリカバーポイントを設定し、意図的（強制的）にリカバー処理を発生させる。リカバー処理が発生すると、描画処理を一旦停止し、データ量Ｄ１が閾値Ｔｈ１以上、データ量Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３が閾値Ｔｈ２以上という描画開始条件を再び満たしたら、マスク基板１０１に対する描画対象位置（描画が正確に行われた位置）までステージ１０５を戻して描画処理を再開する。
【００４９】
閾値Ｔｈ２は、例えば、バッファメモリ３０及びバッファメモリ４０の合計容量以下で、かつ合計容量に近い値となるようにする。例えば、Ｍ個のＤＰＢ領域分の処理データ≦合計容量＜（Ｍ＋１）個のＤＰＢ領域分の処理データである場合、図４に示すように、Ｍ個のＤＰＢ領域分の処理データを閾値Ｔｈ２とする。Ｍ番目のＤＰＢ領域３１の後、（Ｍ＋１）番目のＤＰＢ領域３１の前にリカバーポイントが設定される。
【００５０】
リカバーポイントでリカバー処理を発生させる方法は特に限定されず、例えば、転送部３２が、リカバーポイント以降のショットデータの偏向制御回路１３０への転送を停止することで、ショットデータが途切れて描画処理が停止する。描画処理の停止後、転送部３２はデータ転送を再開する。
【００５１】
あるいはまた、リカバーポイントの前後のショットデータにリカバーフラグを追加し、偏向制御回路１３０がフラグを検知することでリカバー処理を発生させてもよい。
【００５２】
１番目〜Ｍ番目のＤＰＢ領域３１の描画処理を終えると、リカバー処理が行われる。リカバー処理の間はビームが照射されないため、マスク基板１０１の温度が低下する。そのため、照射量変調部１１０は、リカバー処理を発生させた直後のＤＰＢ領域である（Ｍ＋１）番目のＤＰＢ領域３１については、それよりも前に描画されたＤＰＢ領域（１番目〜Ｍ番目のＤＰＢ領域）からの伝熱を考慮しないで、ショットデータ内の照射量を変調する。言い換えれば、（Ｍ＋１）番目のＤＰＢ領域３１については、１番目のＤＰＢ領域３１と同様の計算を行い、照射量変調を行う。
【００５３】
以降、Ｍ個のＤＰＢ領域毎にリカバーポイントが設定される。例えば図５に示すように、２Ｍ番目のＤＰＢ領域３１の後、（２Ｍ＋１）番目のＤＰＢ領域３１の前にリカバーポイントが設定される。３Ｍ番目のＤＰＢ領域３１の後、（３Ｍ＋１）番目のＤＰＢ領域３１の前にリカバーポイントが設定される。（２Ｍ＋１）番目、（３Ｍ＋１）番目のＤＰＢ領域３１については、それよりも前に描画されたＤＰＢ領域からの伝熱を考慮せず、１番目のＤＰＢ領域３１と同様の照射量変調（ヒーティング補正）を行う。（Ｍ＋２）番目〜２Ｍ番目のＤＰＢ領域３１、（２Ｍ＋２）番目〜３Ｍ番目のＤＰＢ領域３１については、前に描画されたＤＰＢ領域からの伝熱を考慮した通常のヒーティング補正が行われる。
【００５４】
例えば、制御装置１３２が、ストライプ領域１本分のショットデータのデータ量を求め、このデータ量が、バッファメモリ３０及びバッファメモリ４０の合計容量以上の場合は、リカバーポイントを設定すると判定する。制御装置１３２は、リカバーポイントでリカバー処理が発生するようにデータ転送計算機１２０、偏向制御回路１３０、描画部１５０等を制御する。また、制御装置１３２は、リカバーポイント直後のＤＰＢ領域３１について、描画順が前のＤＰＢ領域からの伝熱を考慮しない照射量変調を行うように、照射量変調部１１０を制御する。
【００５５】
このように、ストライプ領域１本分の処理データが大きく、バッファメモリ３０及びバッファメモリ４０に格納しきれない場合は、ストライプ領域２０の途中で意図的にリカバー処理を発生させ、描画再開後の最初のＤＰＢ領域３１については、前に描画された領域からの伝熱を考慮しない、言い換えればリカバー処理によるマスク基板１０１の温度低下を考慮したヒーティング補正を行う。
【００５６】
リカバーポイントでリカバー処理を発生させた後、所定の描画開始条件を満たすと描画処理を再開するため、リカバーポイントにて意図的に発生させるリカバー処理以外で、リカバー処理が発生することを抑制できる。描画再開後の最初のＤＰＢ領域３１については、前に描画された領域からの伝熱を考慮しないヒーティング補正を行い、その他のＤＰＢ領域３１については他領域からの伝熱を考慮した通常のヒーティング補正を行っているため、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制することができる。
【００５７】
なお、リカバーポイントにて意図的にリカバー処理を発生させる場合、必ずしもデータ量Ｄ１が閾値Ｔｈ１以上、データ量Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３が閾値Ｔｈ２以上という描画開始条件を満たさなくてもよく、単に閾値Ｔｈ２の箇所にリカバーポイントを設定し、リカバー処理を発生させてもよい。このように予めリカバーポイントを設定しておくことで、描画開始までの時間を短縮することができる。
【００５８】
上記実施形態における制御装置１３２の機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。ソフトウェアで構成する場合には、これらの機能を実現するプログラムを記録媒体に収納し、電気回路等を含むコンピュータに読み込ませて実行させてもよい。
【００５９】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
３０，４０  バッファメモリ
３２  転送部
３４  入力部
４２  偏向量演算部
１０１  マスク基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  照射量変調部
１２０  データ転送計算機
１３０  偏向制御回路
１３２  制御装置
１４０  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  第１アパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６  第２アパーチャ
２０７  対物レンズ
２０８  主偏向器
２０９  副偏向器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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