(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
複数の電極が設けられている電極面と、前記電極面の反対側の表面であって、電極が設けられていない非電極面とを有し、前記電極面が前記基板の一方の表面に対向した状態で、前記基板に接合された横型半導体素子からなるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記非電極面側に配置されたヒートシンクと、
前記スイッチング素子の前記非電極面と前記ヒートシンクとの間に介在する多孔質金属部材と、
前記多孔質金属部材の空隙内に充填された潜熱蓄熱材とを含む、半導体装置。
【請求項２】
前記多孔質金属部材が、前記スイッチング素子と前記ヒートシンクとによって挟まれる方向に圧縮されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板と前記多孔質金属部材との間において、前記スイッチング素子の側面を取り囲むように設けられた潜熱蓄熱材からなる蓄熱体をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基板と前記多孔質金属部材との間において、前記スイッチング素子の前記電極面および前記スイッチング素子の側面の前記電極面寄りの部分を覆うモールド樹脂と、
前記基板と前記多孔質金属部材との間において、前記スイッチング素子の側面の残りの部分を取り囲むように設けられた潜熱蓄熱材からなる蓄熱体とをさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば電動パワーステアリング装置のインバータ回路に用いられる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電動パワーステアリング装置のインバータ回路においては、スイッチング素子が短時間で急激に発熱するおそれがある。そこで、スイッチング素子が接合された基板の裏面にヒートシンクを接合した構造とすることにより、スイッチング素子で発熱した熱をヒートシンクによって吸収するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−９９６１２号公報
【発明の概要】
【０００４】
従来においては、一方の表面にドレイン電極（またはコレクタ電極）が設けられ、他方の表面にソース電極（またはエミッタ電極）およびゲート電極（またはベース電極）が設けられた縦型半導体素子が、スイッチング素子として用いられるのが一般的である。
一方の表面にドレイン電極（またはコレクタ電極）、ソース電極（またはエミッタ電極）およびゲート電極（またはベース電極）が設けられ、他方の表面に電極が設けられていない横型半導体素子を、スイッチング素子として用いることが考えられる。横型半導体素子の一例は、ＧａＮを主材料としたスイッチング素子である。横型半導体素子をスイッチング素子として用いる場合には、一方の表面に設けられた電極の面積は、縦型半導体素子のドレイン電極（またはコレクタ電極）の面積よりも小さい。このため、横型半導体素子では、電極が設けられている一方の表面（以下、「電極面」という場合がある。）の熱抵抗は、縦型半導体素子のドレイン電極（またはコレクタ電極）が設けられている表面の熱抵抗に比べて大きくなる。そこで、横型半導体素子をスイッチング素子として用いる場合には、電極面で電気的接続を行い、電極が設けられてない他方の表面（以下、「非電極面」という場合がある。）から放熱する構造をとる必要がある。
【０００５】
この発明の目的は、スイッチング素子で発生した熱をスイッチング素子の非電極面から効率的に放熱することができる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板（２）と、複数の電極（１１，１２，１３）が設けられている電極面（１０ａ）と、前記電極面の反対側の表面であって、電極が設けられていない非電極面（１０ｂ）とを有し、前記電極面が前記基板の一方の表面に対向した状態で、前記基板に接合された横型半導体素子からなるスイッチング素子（Ｔｒ１〜Ｔｒ６）と、前記スイッチング素子の前記非電極面側に配置されたヒートシンク（５）と、前記スイッチング素子の前記非電極面と前記ヒートシンクとの間に介在する多孔質金属部材（３）と、前記多孔質金属部材の空隙内に充填された潜熱蓄熱材（４）とを含む、半導体装置（１，１Ａ）である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、むろん、この発明の範囲は当該実施形態に限定されない。以下、この項において同じ。
【０００７】
この構成では、スイッチング素子で発生した熱は、その非電極面から多孔質金属部材に伝達される。多孔質金属部材の空隙には潜熱蓄熱材が充填されているので、スイッチング素子の熱が多孔質金属部材に伝達されると、多孔質金属部材に接している潜熱蓄熱材が融解して熱を吸収する。多孔質金属部材は、熱伝導性が高い金属から構成されているので、多孔質金属部材内に充填されている潜熱蓄熱材に効率よく熱が伝達されるので、潜熱蓄熱材による熱吸収が効率よく行われる。これにより、スイッチング素子で発生した熱をその非電極面から効率よく放熱することができる。
【０００８】
また、この構成では、スイッチング素子で発生した熱を、非電極面から多孔質金属部材を介してヒートシンクにより効率よく伝達することができる。これにより、スイッチング素子で発生した熱をその非電極面からより効率よく放熱することができる。
請求項２に記載の発明は、前記多孔質金属部材が、前記スイッチング素子と前記ヒートシンクとによって挟まれる方向に圧縮されている、請求項１に記載の半導体装置である。
【０００９】
この構成では、多孔質金属部材は圧縮されているので、多孔質金属部材が圧縮されていない場合に比べて、多孔質金属部材とスイッチング素子の非電極面との間の接触面積、多孔質金属部材とヒートシンクとの間の接触面積が広くなるとともに、多孔質金属部材の金属密度も高くなる。これにより、スイッチング素子で発生した熱は、多孔質金属部材により効率よく伝達されるとともに、多孔質金属部材内に充填されている潜熱蓄熱材により効率よく熱が伝達されるので、潜熱蓄熱材による熱吸収がより効率よく行われる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記基板と前記多孔質金属部材との間において、前記スイッチング素子の側面を取り囲むように設けられた潜熱蓄熱材からなる蓄熱体（６）をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置である。
この構成では、スイッチング素子で発生した熱を、スイッチング素子の側面および電極面の周囲にある蓄熱体によって吸収することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、前記基板と前記多孔質金属部材との間において、前記スイッチング素子の前記電極面および前記スイッチング素子の側面の前記電極面寄りの部分を覆うモールド樹脂（７）と、前記基板と前記多孔質金属部材との間において、前記スイッチング素子の側面の残りの部分を取り囲むように設けられた潜熱蓄熱材からなる蓄熱体（６）とをさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置である。
【００１２】
この構成では、スイッチング素子で発生した熱を、スイッチング素子の側面の周囲にある蓄熱体によって吸収することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置が適用されたパワーモジュールを示す平面図であって、基板を取り除いた状態での平面図である。
【図２】図２は、図１のII-II線に沿う拡大断面図である。
【図３】図３は、インバータ回路を示す電気回路図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置が適用されたパワーモジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置が適用されたパワーモジュールを示す平面図であって、基板を取り除いた状態での平面図を示している。図２は、図１のII-II線に沿う拡大断面図である。
このパワーモジュール１は、図３に示すような、電動パワーステアリング装置(ＥＰＳ:electric power steering）用のインバータ回路１００を実現するためのモジュールである。図３に示すインバータ回路１００は、平滑コンデンサＣと、複数のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６と、各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６に逆並列接続された複数のダイオード素子Ｄｉ１〜Ｄｉ６とを含む。平滑コンデンサＣは、電源Ｖｃの両端子間に接続されている。
【００１５】
複数のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、Ｕ相用のハイサイドの第１のスイッチング素子Ｔｒ１と、それに直列に接続されたＵ相用のローサイドの第２のスイッチング素子Ｔｒ２と、Ｖ相用のハイサイドの第３のスイッチング素子Ｔｒ３と、それに直列に接続されたＶ相用のローサイドの第４のスイッチング素子Ｔｒ４と、Ｗ相用のハイサイドの第５のスイッチング素子Ｔｒ５と、それに直列に接続されたＷ相用のローサイドの第６のスイッチング素子Ｔｒ６とを含む。この実施形態では、各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、ＧａＮを主材料としたＧａＮ−ＦＥＴから構成されている。第１〜第６のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６には、第１〜第６のダイオード素子Ｄｉ１〜Ｄｉ６が逆並列接続されている。
【００１６】
第１、第３および第５のスイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ３，Ｔｒ５のドレインは、電源Ｖｃの正極側端子に接続されている。第１、第３および第５のスイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ３，Ｔｒ５のソースは、それぞれ第２、第４および第６のスイッチング素子Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ６のドレインに接続されている。第２、第４および第６のスイッチング素子Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ６のソースは、電源Ｖｃの負極側端子に接続されている。
【００１７】
第１のスイッチング素子Ｔｒ１と第２のスイッチング素子Ｔｒ２との接続点は、電動モータ５０のＵ相ステータ巻線５１に接続されている。第３のスイッチング素子Ｔｒ３と第４のスイッチング素子Ｔｒ４との接続点は、電動モータ５０のＶ相ステータ巻線５２に接続されている。第５のスイッチング素子Ｔｒ５と第６のスイッチング素子Ｔｒ６との接続点は、電動モータ５０のＷ相ステータ巻線５３に接続されている。各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６のゲートは、モータ制御回路（図示略）に接続されている。
【００１８】
図１および図２を参照して、パワーモジュール１は、基板２と、複数のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６と、多孔質金属部材３と、多孔質金属部材３の空隙に充填された潜熱蓄熱材４と、ヒートシンク５と、蓄熱体６とを含む。パワーモジュール１は、図３に示されている複数のダイオード素子Ｄｉ１〜Ｄｉ６および平滑コンデンサＣを含んでいるが、説明の便宜上、図１および図２では図示を省略している。
【００１９】
基板２は、この実施形態では、平面視で円形に形成されている。基板２は、セラミック基板、ガラスエポキシ基板等からなる。基板２は、第１の主面２ａ（図２の上面）と、第１の主面２ａとは反対側の第２の主面２ｂ（図２の下面）を有している。基板２の第１の主面２ａには、インバータ回路１００内のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６を制御するためのモータ制御回路（図示略）が実装されている。基板２の第２の主面２ｂには、インバータ回路１００を形成するための配線パターン（図示略）が形成されている。基板２の第２の主面２ｂ上に、複数のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６、複数のダイオード素子Ｄｉ１〜Ｄｉ６（図１および図２では図示略）および平滑コンデンサＣ（図１および図２では図示略）が実装されている。
【００２０】
各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、一方向に長い矩形の平面形状を有する直方体形状である。各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、複数の電極が設けられている電極面（図２の上面）１０ａと、電極面の反対側の表面であって、電極が設けられていない非電極面（図２の下面）１０ｂとを有している。各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の非電極面１０ｂには、金属薄膜（図示略）が形成されている。
【００２１】
各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の電極面１０ａには、複数のドレイン電極１１と、複数のソース電極１２と、１つのゲート電極１３とが設けられている。各ドレイン電極１１および各ソース電極１２は、平面視において、電極面１０ａの短手方向に細長い矩形状である。複数のドレイン電極１１と複数のソース電極１２とは、電極面１０ａの長手方向に等間隔をおいて交互に配置されている。ゲート電極１３は、平面視で正方形に近い矩形状であり、電極面１０ａの一端側の幅中央部に配置されている。なお、ドレイン電極１１とソース電極１２とは、互いに対向するように櫛歯状に形成されていてもよい。
【００２２】
第１〜第６のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、その電極面１０ａが基板２の第２の主面２ｂに対向した状態で、基板２の第２の主面２ｂに接合されている。具体的には、第１〜第６のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の電極１１，１２，１３の表面が、基板２の第２の主面２ｂに形成された配線パターンに、図示しない半田を介して接合されている。
第１スイッチング素子Ｔｒ１および第２スイッチング素子Ｔｒ２は、平面視において、それらの長手方向が一致するように一列状に並んで配置されている。第３スイッチング素子Ｔｒ３および第４スイッチング素子Ｔｒ４は、平面視において、それらの長手方向が一致するように一列状に並んで配置されている。第５スイッチング素子Ｔｒ５および第６スイッチング素子Ｔｒ６は、平面視において、それらの長手方向が一致するように一列状に並んで配置されている。第１および第２スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２の組、第３および第４スイッチング素子Ｔｒ３，Ｔｒ４の組ならびに第５および第６スイッチング素子Ｔｒ５，Ｔｒ６の組は、それぞれ、平面視で基板２の外周円に内接する正方形の４つの辺のうちの３つの辺に対応するような位置に配置されている。
【００２３】
複数のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の非電極面１０ｂ側にヒートシンク５が配置されている。複数のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の非電極面１０ｂと、ヒートシンク５との間に、平板状の多孔質金属部材３が介在している。この実施形態では、多孔質金属部材３は、平面視で基板２と同心でかつ基板２よりも径が少し小さな円形に形成されている。ヒートシンク５は、平面視で基板２と同心でかつ基板２と径がほぼ等しい円形に形成されている。多孔質金属部材３は金属から構成されている。この実施形態では、多孔質金属部材３はアルミニウムからなる。多孔質金属部材３の空隙内には、潜熱蓄熱材４が充填されている。この実施形態では、ヒートシンク５はアルミニウムからなる。
【００２４】
基板２と多孔質金属部材３との間には、各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の側面を取り囲むとともに各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の電極面１０ａを覆う蓄熱体６が設けられている。蓄熱体６は、潜熱蓄熱材からなる。多孔質金属部材３の空隙内に充填された潜熱蓄熱材４および蓄熱体６を構成する潜熱蓄熱材としては、たとえば、エリスリトール、パラフィン等が用いられる。この実施形態では、潜熱蓄熱材の粘度を上げるために、エリスリトール、パラフィン等に増粘剤が加えられたものが潜熱蓄熱材として用いられている。
【００２５】
基板２は、ボルト２３およびナット２４によって、ヒートシンク５に固定されている。多孔質金属部材３は、基板２がヒートシンク５にボルト止めされることによって、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６とヒートシンク５とによって挟持されている。具体的には、基板２の周縁部には、周方向に間隔をおいて複数の第１ボルト挿通孔２１が形成されている。ヒートシンク５の周縁部には、平面視において、各第１ボルト挿通孔２１と整合する位置に第２ボルト挿通孔２２が形成されている。各第１ボルト挿通孔２１およびそれに対応する第２ボルト挿通孔２２に、基板２の第１の主面２ａ側からボルト２３が挿通されている。そして、ヒートシンク５から突出した各ボルト２３の先端部にナット２４がねじ締められることにより、基板２がヒートシンク５に固定されている。この実施形態では、基板２をヒートシンク５にボルト固定する際には、多孔質金属部材３の熱伝導性を向上させるために、多孔質金属部材３が圧縮変形する程度まで、ナット２４がねじ締められる。
【００２６】
前述のパワーモジュール１は、例えば次のようにして製造される。まず、第１の主面２ａにモータ制御回路が実装されかつ第２の主面２ｂにインバータ回路１００を形成するための配線パターンが形成された基板２を用意する。次に、基板２の第２の主面２ｂに、インバータ回路１００を構成するスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６等の電気部品を接合する。
【００２７】
次に、ヒートシンク５の上面に多孔質金属部材３を載置する。そして、多孔質金属部材３の上面に、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の非電極面１０ｂが下方を向いた姿勢で、基板２を載置する。
次に、ボルト２３およびナット２４を用いて、基板２をヒートシンク５に固定する。前述したように、この際、多孔質金属部材３が圧縮変形する程度まで、ナット２４がねじ締められる。
【００２８】
次に、基板２とヒートシンク５との間に、全てのスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６および多孔質金属部材３を取り囲むように、枠部材（図示略）を設ける。そして、枠部材内に高温の液体状の潜熱蓄熱材を注入（充填）する。これにより、多孔質金属部材３の空隙内に潜熱蓄熱材が充填されるとともに、枠部材とスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６との間に蓄熱体６を構成する潜熱蓄熱材が充填される。この後、冷却することにより、潜熱蓄熱材を固化させる。最後に、枠部材を取り外す。これにより、図１および図２に示されるパワーモジュール１が得られる。
【００２９】
前述のパワーモジュール１では、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６で発生した熱は、その非電極面１０ｂから多孔質金属部材３に伝達される。多孔質金属部材３の空隙には潜熱蓄熱材４が充填されているので、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の熱が多孔質金属部材３に伝達されると、多孔質金属部材３に接している潜熱蓄熱材４が融解して熱を吸収する。多孔質金属部材３は、熱伝導性が高い金属から構成されているので、多孔質金属部材３内に充填されている潜熱蓄熱材４に効率よく熱が伝達されるので、潜熱蓄熱材４による熱吸収が効率よく行われる。これにより、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６で発生した熱をその非電極面１０ｂから効率よく放熱することができる。
【００３０】
また、前述のパワーモジュール１では、多孔質金属部材３は圧縮（圧縮変形）されているので、多孔質金属部材３が圧縮されていない場合に比べて、多孔質金属部材３とスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の非電極面１０ｂとの間の接触面積、多孔質金属部材３とヒートシンク５との間の接触面積が広くなるとともに、多孔質金属部材３の金属密度も高くなる。これにより、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６で発生した熱は、多孔質金属部材３により効率よく伝達されるとともに、多孔質金属部材３内に充填されている潜熱蓄熱材４により効率よく熱が伝達されるので、潜熱蓄熱材４による熱吸収がより効率よく行われる。これにより、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６で発生した熱をその非電極面１０ｂからより効率よく放熱することができる。
【００３１】
また、前述のパワーモジュール１では、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６で発生した熱を、非電極面１０ｂから多孔質金属部材３を介してヒートシンク５により効率よく伝達することができる。これにより、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６で発生した熱をその非電極面１０ｂからさらに効率よく放熱することができる。
また、前述の実施形態では、各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の側面を取り囲むとともに各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の電極面１０ａを覆う蓄熱体６が設けられている。このため、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６で発生した熱を、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の側面および電極面１０ａの周囲にある蓄熱体６によって吸収することができる。
【００３２】
図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置が適用されたパワーモジュールを示す断面図であり、図２に対応する断面図である。図４において、前述の図２の各部に対応する部分には、図２と同じ符号を付して示す。
このパワーモジュール１Ａでは、基板２と多孔質金属部材３との間において、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の電極面１０ａおよびスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の側面の電極面１０ａ寄りの部分は、モールド樹脂７によって覆われている。そして、基板２と多孔質金属部材３との間において、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の側面の残りの部分を取り囲むように、潜熱蓄熱材からなる蓄熱体６が設けられている。その他の点は、図２に示されるパワーモジュール１と同じである。
【００３３】
このパワーモジュール１Ａは、例えば次のようにして製造される。まず、第１の主面２ａにモータ制御回路が実装されかつ第２の主面２ｂにインバータ回路１００を形成するための配線パターンが形成された基板２を用意する。次に、基板２の第２の主面２ｂに、インバータ回路１００を構成するスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６等の電気部品を接合する。
【００３４】
次に、基板２の第２の主面２ｂ側に、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の電極面１０ａおよびスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の側面の電極面１０ａ寄りの部分を覆うように、モールド樹脂７を形成する。
次に、ヒートシンク５の上面に多孔質金属部材３を載置する。そして、多孔質金属部材３の上面に、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の非電極面１０ｂが下方を向いた姿勢で、基板２を載置する。
【００３５】
次に、ボルト２３およびナット２４を用いて、基板２をヒートシンク５に固定する。この際、多孔質金属部材３が圧縮変形する程度まで、ナット２４がねじ締められる。
次に、基板２とヒートシンク５との間に、モールド樹脂７、全てのスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６および多孔質金属部材３を取り囲むように、枠部材（図示略）を設ける。そして、枠部材内に高温の液体状の潜熱蓄熱材を注入（充填）する。これにより、多孔質金属部材３の空隙内に潜熱蓄熱材が充填されるとともに、枠部材とスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６との間に蓄熱体６を構成する潜熱蓄熱材が充填される。この後、冷却することにより、潜熱蓄熱材を固化させる。最後に、枠部材を取り外す。これにより、図４に示されるパワーモジュール１Ａが得られる。
【００３６】
パワーモジュール１Ａにおいても、前述のパワーモジュール１と同様な効果が得られる。パワーモジュール１Ａにおいては、各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の電極面１０ａおよびスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６の側面の電極面１０ａ寄りの部分はモールド樹脂７で覆われている。これにより、基板２をヒートシンク５にボルト止めする際に、各スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６に加えられる力を緩和することができる。
【００３７】
以上、この発明の第１および第２実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の第１および第２実施形態では、基板２はヒートシンク５に４本のボルト２３によって固定されているが、基板２は３本または５本以上のボルトによってヒートシンク５に固定されていてもよい。
また、前述の実施形態では、基板２の一方の主面２ｂにインバータ回路１００が実装され、他方の主面２ａにモータ制御回路が実装されているが、モータ制御回路はインバータ回路１００が実装される基板２とは別の基板に実装されてもよい。
【００３８】
この発明を電動パワーステアリング装置のインバータ回路に適用した場合について説明したが、この発明は、電動パワーステアリング装置以外に用いられるインバータ回路等にも適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１，１Ａ…パワーモジュール、２…基板、３…多孔質金属部材、４…潜熱蓄熱材、５…ヒートシンク、６…蓄熱体、７…モールド樹脂、Ｔｒ１〜Ｔｒ６…スイッチング素子、１００…インバータ回路
【図１】
0006540995.tif 000002
【図２】
0006540995.tif 000003
【図３】
0006540995.tif 000004
【図４】
0006540995.tif 000005