(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１シリコンウェーハ上に第１ＳｉＣ層を気相成長させる第１工程と、
第２シリコンウェーハ上に第２ＳｉＣ層を気相成長させる第２工程と、
前記第１又は第２ＳｉＣ層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第１ＳｉＣ層と前記第２ＳｉＣ層との間に前記絶縁膜が位置するように、前記第１シリコンウェーハと前記第２シリコンウェーハとを貼り合せて、貼合せウェーハを得る工程と、
該貼合せウェーハから前記第１シリコンウェーハを除去する工程と、
前記貼り合わせの前又は後に、前記第２シリコンウェーハを除去する工程と、
を有し、前記第１ＳｉＣ層を活性層、前記第２ＳｉＣ層を支持基板とした貼合せＳｉＣウェーハを得ることを特徴とする貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記第１工程で、前記第１シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させることにより、
該β型単結晶ＳｉＣ層を前記活性層とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する、請求項１に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記第１工程で、前記第１シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させ、引き続き該β型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させ、
前記貼合せウェーハから前記第１シリコンウェーハを除去した後、引き続き前記β型単結晶ＳｉＣ層を除去して、前記α型単結晶ＳｉＣ層を前記活性層とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する、請求項１に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記第１工程に先立ち、前記第１シリコンウェーハを炭化処理して、前記第１シリコンウェーハの表層部をβ型単結晶ＳｉＣ層とし、
前記第１工程で、前記第１シリコンウェーハのβ型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させることにより、
該α型単結晶ＳｉＣ層を前記活性層とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する請求項１に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記第２工程で、前記第２シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層又は多結晶ＳｉＣ層を気相成長させることにより、
該β型単結晶ＳｉＣ層又は多結晶ＳｉＣ層を前記支持基板とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記第１工程又は前記第２工程の気相成長では、前記第１又は第２シリコンウェーハの温度をシリコンの融点未満の温度に維持しつつ、炭素及びケイ素を含む原料ガスをイオン化し、該イオンを加速して前記第１又は第２シリコンウェーハに照射する請求項１〜５のいずれか１項に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記第１工程又は前記第２工程の気相成長では、
チャンバ内のウェーハ固定台に前記第１又は第２シリコンウェーハを固定し、
前記チャンバ内を減圧後、前記チャンバ内に前記原料ガスを導入し、
前記第１又は第２シリコンウェーハを加熱した後に、前記第１又は第２シリコンウェーハにパルス電圧を印加することにより、前記原料ガスのプラズマを生成しつつ、該プラズマ中の前記イオンを前記第１又は第２シリコンウェーハに向けて加速する請求項１〜６のいずれか１項に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼合せＳｉＣウェーハの製造方法及び貼合せＳｉＣウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）には、立方晶系の結晶構造を有するβ型ＳｉＣ（「３Ｃ−ＳｉＣ」とも称される。）と、六方晶系の結晶構造を有するα型ＳｉＣとがあり、α型ＳｉＣには、ＳｉとＣの層状配列の繰り返し周期の違いにより６Ｈ，４Ｈ，２Ｈ等の多種類の結晶構造異性体がある。ＳｉＣは２．２〜３．３ｅＶという広いバンドギャップを有することから、各種半導体デバイス用の半導体材料として期待されている。
【０００３】
特許文献１には、表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層とを有するＳＯＩ基板の前記表面Ｓｉ層を炭化して、単結晶ＳｉＣ膜に変成させ、該単結晶ＳｉＣ膜上にさらに単結晶ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２２８７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１で得られるウェーハは、シリコンを支持基板とし、該支持基板上に埋め込み絶縁層を有し、該埋め込み絶縁層上に単結晶ＳｉＣ層（活性層）を有するものである。このウェーハの単結晶ＳｉＣ層に半導体デバイスを作製するデバイス工程を行う際、プロセス温度がシリコンの融点（１４１４℃）を超えるような場合には、支持基板のシリコンが溶けてしまうことになる。このため、当該ウェーハではデバイス工程の自由度に制限がある。また、半導体ウェーハに素子分離領域を作製した際のリーク電流は極力減らすことが好ましい。
【０００６】
そこで本発明は、上記課題に鑑み、デバイス工程の自由度が高く、しかも、素子分離領域を作製した際のリーク電流が少ない貼合せＳｉＣウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、支持基板及び活性層がともにＳｉＣ層であり、両者の間に絶縁膜が形成されたウェーハを着想した。このウェーハであれば、支持基板がシリコンではないため、デバイス工程のプロセス温度はシリコンの融点未満に制限されない。また、ＳｉＣはシリコンより熱伝導率が高いことから、このウェーハは、支持基板がシリコンであるウェーハよりもデバイスの自己発熱を放熱しやすく、その結果、リーク電流を少なくすることができる。
【０００８】
本発明者は支持基板及び活性層がともにＳｉＣ層であるウェーハの提供を目的に鋭意検討の結果、シリコンウェーハ上にＳｉＣ層を気相成長させる技術を応用した貼合せ法により、支持基板及び活性層がともにＳｉＣ層であり、両者の間に絶縁膜が形成されたウェーハを作製できることを見出した。
【０００９】
上記知見に基づき完成した本発明の要旨構成は以下のとおりである。
（１）第１シリコンウェーハ上に第１ＳｉＣ層を気相成長させる第１工程と、
第２シリコンウェーハ上に第２ＳｉＣ層を気相成長させる第２工程と、
前記第１又は第２ＳｉＣ層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第１ＳｉＣ層と前記第２ＳｉＣ層との間に前記絶縁膜が位置するように、前記第１シリコンウェーハと前記第２シリコンウェーハとを貼り合せて、貼合せウェーハを得る工程と、
該貼合せウェーハから前記第１シリコンウェーハを除去する工程と、
前記貼り合わせの前又は後に、前記第２シリコンウェーハを除去する工程と、
を有し、前記第１ＳｉＣ層を活性層、前記第２ＳｉＣ層を支持基板とした貼合せＳｉＣウェーハを得ることを特徴とする貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【００１０】
（２）前記第１工程で、前記第１シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させることにより、
該β型単結晶ＳｉＣ層を前記活性層とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する、上記（１）に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【００１１】
（３）前記第１工程で、前記第１シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させ、引き続き該β型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させ、
前記貼合せウェーハから前記第１シリコンウェーハを除去した後、引き続き前記β型単結晶ＳｉＣ層を除去して、前記α型単結晶ＳｉＣ層を前記活性層とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する、上記（１）に記載の貼合せ単結晶ＳｉＣウェーハの製造方法。
【００１２】
（４）前記第１工程に先立ち、前記第１シリコンウェーハを炭化処理して、前記第１シリコンウェーハの表層部をβ型単結晶ＳｉＣ層とし、
前記第１工程で、前記第１シリコンウェーハのβ型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させることにより、
該α型単結晶ＳｉＣ層を前記活性層とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する上記（１）に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【００１３】
（５）前記第２工程で、前記第２シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層又は多結晶ＳｉＣ層を気相成長させることにより、
該β型単結晶ＳｉＣ層又は多結晶ＳｉＣ層を前記支持基板とした貼合せＳｉＣウェーハを製造する、上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【００１４】
（６）前記第１工程又は前記第２工程の気相成長では、前記第１又は第２シリコンウェーハの温度をシリコンの融点未満の温度に維持しつつ、炭素及びケイ素を含む原料ガスをイオン化し、該イオンを加速して前記第１又は第２シリコンウェーハに照射する上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【００１５】
（７）前記第１工程又は前記第２工程の気相成長では、
チャンバ内のウェーハ固定台に前記第１又は第２シリコンウェーハを固定し、
前記チャンバ内を減圧後、前記チャンバ内に前記原料ガスを導入し、
前記第１又は第２シリコンウェーハを加熱した後に、前記第１又は第２シリコンウェーハにパルス電圧を印加することにより、前記原料ガスのプラズマを生成しつつ、該プラズマ中の前記イオンを前記第１又は第２シリコンウェーハに向けて加速する上記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法。
【００１６】
（８）支持基板と、該支持基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された活性層と、を有し、
前記支持基板及び前記活性層が、ともにＳｉＣ層からなることを特徴とする直径２００ｍｍ以上の貼合せＳｉＣウェーハ。
【００１７】
（９）前記活性層が、β型単結晶ＳｉＣ層からなる上記（８）に記載の貼合せＳｉＣウェーハ。
【００１８】
（１０）前記活性層が、α型単結晶ＳｉＣ層からなる上記（８）に記載の貼合せＳｉＣウェーハ。
【００１９】
（１１）前記支持基板が、β型単結晶ＳｉＣ層又は多結晶ＳｉＣ層からなる上記（８）〜（１０）のいずれか１項に記載の貼合せＳｉＣウェーハ。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法によれば、デバイス工程の自由度が高く、しかも、素子分離領域を作製した際のリーク電流が少ない貼合せＳｉＣウェーハを得ることができる。また、本発明の貼合せＳｉＣウェーハは、デバイス工程の自由度が高く、しかも、素子分離領域を作製した際のリーク電流が少ない。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態による貼合せＳｉＣウェーハの製造方法を説明する摸式断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態による貼合せＳｉＣウェーハの製造方法を説明する摸式断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態による貼合せＳｉＣウェーハの製造方法を説明する摸式断面図である。
【図４】本発明の各実施形態で用いるプラズマイオン照射装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の貼合せＳｉＣウェーハの製造方法は、シリコンウェーハ上にＳｉＣ層を気相成長させる技術を応用した貼合せ法に関する。
【００２３】
α型ＳｉＣは結晶性が優れるものの、生成温度が1500℃以上と高いため、融点が1414℃であるシリコンウェーハ上には直接α型ＳｉＣを成長させることができない。このため、一般的には、昇華法を用いてＳｉＣ単結晶インゴットを製造してα型ＳｉＣウェーハの製造が行われる。昇華法は、最も主流な方法で、2000℃以上の超高温に加熱された製造装置中で、粉末状のＳｉＣ原料から昇華させた蒸気を、種結晶上に再結晶化させることによりＳｉＣ単結晶の成長が行われる。しかし、昇華法は超高温での化合物結晶成長であるため、プロセス制御が難しく、結晶口径の拡大に伴い、原子配列を乱す（マイクロパイプ欠陥と呼ばれる中空貫通欠陥や螺旋転位、積層欠陥などの）結晶欠陥が発生し単結晶化が困難であり、熱負荷による結晶割れが発生する傾向が大きい。このため、昇華法により製造されたＳｉＣ単結晶インゴットから製造されるＳｉＣ単結晶ウェーハサイズは４，５インチのものが一般的で、現在量産され市販されているものは最大でも６インチ径までであり、大口径のα型単結晶ＳｉＣウェーハを提供することが困難であった。
【００２４】
一方、β型ＳｉＣは生成温度が1300℃程度であるため、ＣＶＤ法によりシリコンウェーハ上にβ型ＳｉＣをエピタキシャル成長させることができるものの、シリコンウェーハ温度がシリコンの融点に近いため、エピタキシャル成長中、ウェーハ中のシリコン原子がＳｉＣ層に拡散し易く、界面付近にボイドが形成されてしまい結晶性が劣る問題があった。
【００２５】
そこで本発明者は、シリコンウェーハの温度を低温化させても、該シリコンウェーハ上に結晶性の高い単結晶ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる技術を開発すべく、鋭意検討した。そして、結晶性の高いβ型単結晶ＳｉＣがエピタキシャル成長するのに必要なエネルギーを、シリコンウェーハの加熱という形態のみで反応場に与えるのではなく、原料ガスをイオンの形態でシリコンウェーハに向けて加速・照射するという形態でも与えることを着想した。つまり、反応場に原料ガスのイオンの加速エネルギーを所定量与える結果、シリコンウェーハの温度を低温化しても、結晶性の高いβ型単結晶ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させることができることを見出した。
【００２６】
また、結晶構造の観点から、シリコンウェーハの表面に直接結晶成長しうるのはβ型単結晶ＳｉＣ層である。シリコンウェーハ上にα型単結晶ＳｉＣ層を形成するためには、シリコンウェーハ上にまずβ型単結晶ＳｉＣ層を成長させ、当該β型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を成長させる必要がある。本発明者は、原料ガスをイオンの形態でシリコンウェーハに向けて加速・照射するという手法を採用することで、β型単結晶ＳｉＣ層上に結晶性の高いα型単結晶ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させることができることも見出した。
【００２７】
本発明は、この技術を用いて、支持基板及び活性層がともにＳｉＣ層であり、両者の間に絶縁膜が形成されたウェーハを作製するものである。以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２８】
（第１の実施形態）
図１を参照して、本発明の第１の実施形態を説明する。まず第１工程では、第１シリコンウェーハ１０上にβ型単結晶ＳｉＣ層１２を気相成長させる（図１（Ａ），（Ｂ））。次に、第２工程では、第２シリコンウェーハ２０上に第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２を気相成長させる（図１（Ｃ），（Ｄ））。次に、第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２上に絶縁膜２４を形成する（図１（Ｅ））。
【００２９】
次に、β型単結晶ＳｉＣ層１２と第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２との間に絶縁膜２４が位置するように、第１シリコンウェーハ１０と第２シリコンウェーハ２０とを貼り合せて、貼合せウェーハ３０を得る（図１（Ｆ））。次に、貼合せウェーハ３０から第１シリコンウェーハ１０及び第２シリコンウェーハ２０を除去する（図１（Ｇ））。こうして、β型単結晶ＳｉＣ層１２を活性層、第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２を支持基板とした貼合せＳｉＣウェーハ１００を得る（図１（Ｈ））。
【００３０】
（第２の実施形態）
図２を参照して、本発明の第２の実施形態を説明する。まず第１工程では、第１シリコンウェーハ１０上にβ型単結晶ＳｉＣ層１２を気相成長させ、引き続きβ型単結晶ＳｉＣ層１２上にα型単結晶ＳｉＣ層１４を気相成長させる（図２（Ａ）〜（Ｃ））。次に、図２（Ｄ）〜（Ｆ）は、第１の実施形態の図１（Ｃ）〜（Ｅ）と同じなので説明を省略する。
【００３１】
次に、α型単結晶ＳｉＣ層１４と第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２との間に絶縁膜２４が位置するように、第１シリコンウェーハ１０と第２シリコンウェーハ２０とを貼り合せて、貼合せウェーハ３２を得る（図２（Ｇ））。次に、貼合せウェーハ３２から第１シリコンウェーハ１０及び第２シリコンウェーハ２０を除去する（図２（Ｈ））。この後、引き続きβ型単結晶ＳｉＣ層１２を除去する（図２（Ｉ））。こうして、α型単結晶ＳｉＣ層１４を活性層、第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２を支持基板とした貼合せＳｉＣウェーハ２００を得る（図２（Ｊ））。
【００３２】
本実施形態は、α型単結晶ＳｉＣ層を活性層とした貼合せウェーハを得ることを目的とするところ、α型単結晶ＳｉＣ層はシリコンウェーハの表面に直接結晶成長できないが、β型単結晶ＳｉＣ層上には結晶成長できる。そこで本実施形態では、第１シリコンウェーハ１０上にまずβ型単結晶ＳｉＣ層１２を形成するのである。
【００３３】
（第３の実施形態）
図３を参照して、本発明の第３の実施形態を説明する。本実施形態では、第１工程（第１シリコンウェーハ１０への単結晶ＳｉＣの気相成長工程）に先立ち、第１シリコンウェーハ１０を炭化処理して、第１シリコンウェーハ１０の表層部をβ型単結晶ＳｉＣ層１０Ａとする（図３（Ａ），（Ｂ））。次に、第１工程で、第１シリコンウェーハ１０のβ型単結晶ＳｉＣ層１０Ａ上にα型単結晶ＳｉＣ層１４を気相成長させる（図３（Ｃ））。次に、図３（Ｄ）〜（Ｆ）は、第１の実施形態の図１（Ｃ）〜（Ｅ）と同じなので説明を省略する。
【００３４】
次に、α型単結晶ＳｉＣ層１４と第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２との間に絶縁膜２４が位置するように、第１シリコンウェーハ１０と第２シリコンウェーハ２０とを貼り合せて、貼合せウェーハ３４を得る（図３（Ｇ））。次に、貼合せウェーハ３２から第１のシリコンウェーハ１０のシリコン部分及び第２シリコンウェーハ２０を除去する（図３（Ｈ））。この後、引き続きβ型単結晶ＳｉＣ層１０Ａを除去する（図３（Ｉ））。こうして、α型単結晶ＳｉＣ層１４を活性層、第２のβ型単結晶ＳｉＣ層２２を支持基板とした貼合せＳｉＣウェーハ３００を得る（図３（Ｊ））。
【００３５】
第２の実施形態では、第１シリコンウェーハ１０上にβ型単結晶ＳｉＣ層を気相成長で形成するのに対し、本実施形態では、第１シリコンウェーハ１０の炭化処理によりβ型単結晶ＳｉＣ層を形成する。
【００３６】
（各実施形態における各工程の詳細説明）
図１（Ａ），（Ｃ）、図２（Ａ），（Ｄ）、図３（Ａ），（Ｄ）において用意する第１及び第２シリコンウェーハ１０，２０は、チョクラルスキ法（ＣＺ法）や浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）により育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。また、ウェーハ製造工程内において高いゲッタリング能力を得るために、第１及び第２シリコンウェーハ１０，２０に炭素及び／又は窒素を添加してもよい。さらに、プラズマ処理時の電圧制御のために、第１及び第２シリコンウェーハ１０，２０に任意のドーパントを所定濃度添加して、いわゆるｎ型又はｐ型の基板としてもよい。
【００３７】
また、ケイ素と炭素を規則正しく配置させて単結晶ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるためには、点欠陥である空孔が凝集して生成するボイドであるＣＯＰ（Crystal Originated Particle）を含まない基板とすることが好ましい。本発明における「ＣＯＰを含まないシリコンウェーハ」とは、以下に説明する観察評価により、ＣＯＰが検出されないシリコンウェーハを意味するものとする。すなわち、まず、ＣＺ法により育成された単結晶シリコンインゴットから切り出し加工されたシリコンウェーハに対して、ＳＣ−１洗浄（すなわち、アンモニア水と過酸化水素水と超純水とを１：１：１５で混合した混合液による洗浄）を行い、洗浄後のシリコンウェーハ表面を、表面欠陥検査装置としてＫＬＡ−Ｔｅｎｃｈｏｒ社製：Ｓｕｒｆｓｃａｎ  ＳＰ−２を用いて観察評価し、表面ピットと推定される輝点欠陥（ＬＰＤ：Light Point Defect）を特定する。その際、観察モードはＯｂｌｉｑｕｅモード（斜め入射モード）とし、表面ピットの推定は、Ｗｉｄｅ  Ｎａｒｒｏｗチャンネルの検出サイズ比に基づいて行うものとする。こうして特定されたＬＰＤに対して、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）を用いて、表面ピットか否かを評価する。この観察評価により、表面ピットが観察されないシリコンウェーハを「ＣＯＰを含まないシリコンウェーハ」とする。
【００３８】
第１及び第２シリコンウェーハ１０，２０の直径は、２００ｍｍ以上が好ましく、３００ｍｍ以上がより好ましい。第１及び第２シリコンウェーハ１０，２０の直径と、得られる貼合せＳｉＣウェーハの直径は一致するため、第１及び第２シリコンウェーハ１０，２０を大口径とするほど、大口径の貼合せＳｉＣウェーハを得ることができる。
【００３９】
第１シリコンウェーハ１０上にβ型単結晶ＳｉＣ層１２又はα型単結晶ＳｉＣ層１４を気相成長させる工程（図１（Ｂ）、図２（Ｂ），（Ｃ）、図３（Ｃ））では、シリコンウェーハ１０の温度をシリコンの融点未満の温度に維持しつつ、炭素及びケイ素を含む原料ガスをイオン化し、該イオンを加速してシリコンウェーハ１０に照射する方法とすることができる。第２シリコンウェーハ２０上にβ型単結晶ＳｉＣ層２２を気相成長させる工程（図１（Ｄ）、図２（Ｅ）、図３（Ｅ））も同様である。
【００４０】
この方法を実現する装置の一形態を、図４を参照して説明する。プラズマイオン照射装置４０は、プラズマチャンバ４１と、ガス導入口４２と、真空ポンプ４３と、パルス電圧印加手段４４と、ウェーハ固定台４５と、ヒーター４６とを有する。
【００４１】
まず、プラズマチャンバ４１内のウェーハ固定台４５に第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０を載置、固定する。次に、真空ポンプ４３によりプラズマチャンバ４１内を減圧し、ついで、ガス導入口４２からプラズマチャンバ４１内に原料ガスを導入する。続いて、ウェーハ固定台４５をピーター４６により温めた後、パルス電圧印加手段４４によりウェーハ固定台４５（及び第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０）に負電圧をパルス状に印加する。これにより、炭素及びケイ素を含む原料ガスのプラズマを生成するとともに、生成したプラズマに含まれる原料ガスのイオンを第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０に向けて加速、照射することができる。照射されたケイ素イオンと炭素イオンがシリコンウェーハ上で反応して、単結晶ＳｉＣが気相成長する。
【００４２】
原料ガスは、炭素源としてメタン、エタン、プロパン等の１種又は２種以上を用いることができ、ケイ素源としてモノシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、四塩化シリコン等の１種又は２種以上を用いることができる。
【００４３】
プラズマチャンバ４１内の真空度を５Ｐａ以下とする。５Ｐａを超えると、プラズマが安定せずにプラズマ状態を維持できないためである。
【００４４】
ここで、第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０に印加するパルス電圧は、１０Ｖ以上１ｋＶ以下とする。これは、１０Ｖ未満の場合には、ケイ素と炭素の結合エネルギーが不十分となり、ＳｉＣ層が形成できなくなるおそれがあるからである。一方、１ｋＶを超えると、ケイ素や炭素がシリコンウェーハ表面から内部側へ注入され、ＳｉＣ層を形成できなくなるおそれがあるからである。
【００４５】
パルス電圧の周波数は、第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０にイオンが照射される回数を決定する。パルス電圧の周波数は、１０Ｈｚ以上１０ｋＨｚ以下とすることが好ましい。ここで、１０Ｈｚ以上とすることにより、イオン照射ばらつきを吸収でき、イオン照射量が安定する。また、１０ｋＨｚ以下とすることにより、グロー放電によるプラズマ形成が安定する。
【００４６】
パルス電圧のパルス幅は、第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０にイオンが照射される時間を決定する。パルス幅は、１μ秒〜１０００μ秒とすることが好ましい。１μ秒以上とすることにより、安定してイオンを第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０に照射できる。また、１０００μ秒以下とすることにより、グロー放電によるプラズマ形成が安定する。
【００４７】
各実施形態では、結晶性の高いβ型単結晶ＳｉＣが気相成長するのに必要なエネルギーを、第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０に与えられる熱エネルギーと第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０に照射されるイオンの加速エネルギーとの和によって実現する。つまり、第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０の温度をシリコンの融点未満の温度に維持することにより熱エネルギーが不足する分を、イオンの加速エネルギーで補うのである。
【００４８】
各実施形態において、β型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させる場合（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図１（Ｄ）、図２（Ｅ）、図３（Ｅ））、第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０の温度を800〜1000℃に維持しつつ、ケイ素イオンの加速エネルギーを７ｅＶ以上とし、炭素イオンの加速エネルギーを３ｅＶ以上とすることが好ましい。このようにイオンの加速エネルギーを設定すれば、上記第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０の融点以下の温度範囲の場合でも、熱エネルギーが不足する分をイオンの加速エネルギーで補い、結晶性の高いβ型単結晶ＳｉＣ層を形成できる。なお、シリコンウェーハの温度をより高くする場合には、必要とされるイオンの加速エネルギーはより小さくなる。なお、ケイ素イオンと炭素イオンの加速エネルギー比が７：３となることにより、ケイ素イオンと炭素イオンがシリコンウェーハ表面へ同じ深さになるように照射が可能になり、シリコンウェーハ表面へＳｉＣ層を安定して形成できる。
【００４９】
各実施形態において、α型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させる場合（図２（Ｃ）及び図３（Ｃ））、第１シリコンウェーハ１０の温度を1000〜1300℃に維持しつつ、ケイ素イオンの加速エネルギーを７ｅＶ以上とし、炭素イオンの加速エネルギーを３ｅＶ以上とすることが好ましい。このように第１シリコンウェーハ１０の温度の低温化にともない熱エネルギーが不足する分をイオンの加速エネルギーで補うことにより、結晶性の高いα型単結晶ＳｉＣ層を形成できる。α型単結晶ＳｉＣ層の成長に必要なエネルギーは、β型単結晶ＳｉＣ層の成長に必要なエネルギーよりも高いことから、第１シリコンウェーハ１０の温度は、β型単結晶ＳｉＣを成長させる場合よりも高く設定する。
【００５０】
各実施形態において、ケイ素イオンの加速エネルギー及び炭素イオンの加速エネルギーは、１ｋｅＶ未満とすることが好ましい。１ｋｅＶ以上の場合、第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０に過剰なダメージが与えられるおそれがあり、また、イオンが第１又は第２シリコンウェーハ１０，２０の内部に注入される現象が生じ、表面にＳｉＣ層を気相成長できないおそれがある。
【００５１】
イオンの加速エネルギーは、主に印加電圧で制御する。また、補足制御として、ウェーハとパルス印加装置との間の抵抗（固定台の抵抗、固定台からパルス印加装置との間の抵抗）を調整したり、電圧を印加するタイミングを調整したりすることで、プラズマ領域とウェーハとの距離を調整する。また、イオンの加速エネルギーは、モニター用ウェーハを短時間処理して、ウェーハ表面から内部におけるケイ素や炭素の深さ方向の濃度分布をＳＩＭＳ分析により把握することで測定できる。
【００５２】
図１（Ｂ）におけるβ型単結晶ＳｉＣ層１２、並びに、図２（Ｃ）及び図３（Ｃ）におけるα型単結晶ＳｉＣ層１４は、貼合せウェーハの活性層となる観点から、これらの膜厚は１〜２００μｍとすることが好ましい。図１（Ｄ）、図２（Ｅ）及び図３（Ｅ）におけるβ型単結晶ＳｉＣ層２２の膜厚は３００μｍ以上とすることが好ましい。３００μｍ以上であれば、β型単結晶ＳｉＣ層２２を貼合せウェーハの支持基板として利用できる。なお、図２（Ｂ）のβ型単結晶ＳｉＣ層１２及び図３（Ｂ）のβ型単結晶ＳｉＣ層１０Ａは、その上にα型単結晶ＳｉＣ層を形成するためのものにすぎないので、膜厚は１０ｎｍ〜１μｍ程度とすればよい。
【００５３】
図３（Ｂ）における第１シリコンウェーハ１０の炭化処理は、公知又は任意の方法で行えばよい。例えば、熱処理炉内にプロパンガス、メタンガス、エタンガス等の炭素系ガスと、キャリアガスとしての水素ガスを導入し、炭素雰囲気で、第１シリコンウェーハ１０の温度を1000〜1300℃として、１〜６０分の炭化処理を行う。
【００５４】
図１（Ｅ）、図２（Ｆ）及び図３（Ｆ）における絶縁膜２４は、β型単結晶ＳｉＣ層２２に対して公知又は任意の酸化処理を行うことで形成すればよい。例えば、熱処理炉内を水素及び酸素雰囲気とし、雰囲気温度1000〜1500℃として、第２シリコンウェーハ２０に対して熱処理を行う。絶縁膜２４は貼合せウェーハの埋込み絶縁膜（ＢＯＸ層：Buried Oxide）として機能する観点から、その膜厚は０．５〜３０μｍとすることが好ましい。また、熱酸化法では絶縁膜（酸化膜）中に残存する炭素が絶縁性を劣化（リーク電流を誘発）させることと、拡散現象を用いるために処理時間が非常にかかるため、ＣＶＤ法によって絶縁膜２４を形成する方法もある。なお、図１〜図３の実施形態では、β型単結晶ＳｉＣ層２２上に絶縁膜２４を形成したが、これに替えて、図１ではβ型単結晶ＳｉＣ層１２上に、図２，３ではα型単結晶ＳｉＣ層１４上に形成してもよい。
【００５５】
図１（Ｆ）、図２（Ｇ）及び図３（Ｇ）の貼合せ工程では、貼合せ面の接合を強化するための熱処理を行う。熱処理は、例えば、酸化性ガス雰囲気中において、雰囲気温度を800〜1500℃として、１〜５時間行うことができる。
【００５６】
図１（Ｇ）及び図２（Ｈ）における第１シリコンウェーハ１０及び第２シリコンウェーハ２０の除去や、シリコンを溶解可能なアルカリ溶液又は酸性溶液による処理により行うことができる。アルカリ溶液としては、水酸化カリウムと水酸化ナトリウムとの混合液を挙げることができ、酸性溶液としてはフッ酸と硝酸の混合液を挙げることができる。図３（Ｈ）における第１シリコンウェーハ１０のシリコン部分及び第２シリコンウェーハ２０の除去も同様にして行うことができる。なお、第２シリコンウェーハ２０の除去は、貼り合わせ前に行ってもよい。
【００５７】
図２（Ｉ）におけるβ型単結晶ＳｉＣ層１２の除去は、ＣＭＰ加工のような任意の研削及び／又は研磨により行うことができる。図３（Ｉ）におけるβ型単結晶ＳｉＣ層１０Ａの除去も同様にして行うことができる。
【００５８】
第１〜第３の実施形態では、第２シリコンウェーハ２０上にβ型単結晶ＳｉＣ層２２を気相成長させた。しかし、他の実施形態では、第２シリコンウェーハ２０上にβ型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させ、引き続き該β型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を気相成長させてもよい。この場合、貼合せウェーハの支持基板もα型単結晶ＳｉＣ層となる。
【００５９】
また、他の実施形態として、第２シリコンウェーハ２０上に多結晶ＳｉＣ層を形成してもよい。この場合、貼合せウェーハの支持基板も多結晶ＳｉＣ層となる。処理温度を低温化すれば、単結晶シリコン上に多結晶ＳｉＣ層の気相成長が可能である。なお、多結晶ＳｉＣ層とは、全面がβ型多結晶ＳｉＣ層としたものや、α型やβ型など様々な結晶方位が混在した多結晶ＳｉＣ層などを意味する。
【００６０】
以上説明した各実施形態によれば、デバイス工程の自由度が高く、しかも、素子分離領域を作製した際のリーク電流が少ない貼合せＳｉＣウェーハを得ることができる。また、活性層となる単結晶ＳｉＣは結晶性が高い。さらに、シリコンウェーハ上に単結晶ＳｉＣ層を気相成長させる技術を用いているため、直径２００ｍｍ以上、さらには３００ｍｍ以上といった大口径の貼合せ単結晶ＳｉＣウェーハを好適に製造できる。
【００６１】
（貼合せ単結晶ＳｉＣウェーハ）
図１（Ｈ）、図２（Ｊ）及び図３（Ｊ）を参照して、本発明の一実施形態による貼合せＳｉＣウェーハ１００，２００，３００は、支持基板２２と、この支持基板２２上に形成された絶縁膜２４と、この絶縁膜２４上に形成された活性層と、を有する。活性層は、貼合せＳｉＣウェーハ１００ではβ型単結晶ＳｉＣ層１２からなり、貼合せＳｉＣウェーハ２００，３００ではα型単結晶ＳｉＣ層か１４からなる。支持基板２２は、いずれもβ型単結晶ＳｉＣ層からなる。このような貼合せＳｉＣウェーハ１００，２００，３００は、デバイス工程の自由度が高く、しかも、素子分離領域を作製した際のリーク電流が少ない。
【００６２】
本発明によれば、シリコンウェーハ上にＳｉＣ層を気相成長させる技術を応用した貼合せ法を用いたことにより、直径２００ｍｍ以上の貼合せＳｉＣウェーハ１００，２００，３００を製造することができるようになった。
【実施例】
【００６３】
（実施例１）
図１の手順に従い、単結晶ＳｉＣ層の気相成長工程では図４の装置を用いて、直径３００ｍｍの絶縁層埋め込み型貼合せＳｉＣウェーハを作製した。
【００６４】
まず、ＣＺ法により育成されたＣＯＰフリーのシリコン単結晶インゴットをスライス、加工して、直径３００ｍｍ、ｐ型（１１１）シリコンウェーハ（抵抗率：０．０１Ωｃｍ、酸素濃度：１．３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）を２枚用意した。
【００６５】
１枚のシリコンウェーハの温度を９００℃にした状態で、メタンガスとモノシランガスをプラズマチャンバ内へ流し、チャンバ内の圧力を０．０５Ｐａ、パルス電圧７５０Ｖ、周波数３２０Ｈｚ、パルス幅１８３μ秒の条件下で、シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層を５μｍ気相成長させた。ケイ素イオンの加速エネルギーは１０５ｅＶ、炭素イオンの加速エネルギーは４５ｅＶとした。
【００６６】
もう１枚の第２シリコンウェーハ上にも、同様の条件でβ型単結晶ＳｉＣ層を５００μｍ気相成長させた。このβ型単結晶ＳｉＣ層に対して、水素及び酸素雰囲気で雰囲気温度１４００℃として、４時間熱処理を施し、絶縁膜を１．２μｍ形成した。
【００６７】
次に、第１シリコンウェーハと第２シリコンウェーハとを貼り合わせて、貼合せウェーハを得た。熱処理条件は、酸素雰囲気で雰囲気温度を８００℃として２時間、さらに、１２００℃として１時間行った。続いて、水酸化カリウムと水酸化ナトリウムとの混合液を純水で薄めた溶液で、貼合せウェーハから第１及び第２シリコンウェーハを除去した。最後に、ウェーハ表裏面を研磨して、厚さ５０４μｍ、直径３００ｍｍの貼合せＳｉＣウェーハを得た。
【００６８】
得られた貼合せウェーハの活性層に対して、ＰＬ法、ＸＰＳ法及びＴＥＭ観察を用いて結晶性を評価した結果、立方晶系のＳｉＣが作製できたことを確認した。
【００６９】
（実施例２）
図２の手順に従い、単結晶ＳｉＣ層の気相成長工程では図４の装置を用いて、直径３００ｍｍの絶縁層埋め込み型貼合せＳｉＣウェーハを作製した。
【００７０】
実施例１と同様のシリコンウェーハを２枚用意した。第１のシリコンウェーハの温度を９００℃にした状態で、メタンガスとモノシランガスをプラズマチャンバ内へ流し、チャンバ内の圧力を０．０７Ｐａ、パルス電圧８９０Ｖ、周波数２９０Ｈｚ、パルス幅１６８μ秒の条件下で、シリコンウェーハ上にβ型単結晶ＳｉＣ層を０．５μｍ気相成長させた。ケイ素イオンの加速エネルギーは１２５ｅＶ、炭素イオンの加速エネルギーは５３ｅＶとした。
【００７１】
引き続き、シリコンウェーハの温度を１２００℃にした以外は同様の条件下で、β型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を５μｍ気相成長させた。
【００７２】
もう１枚の第２シリコンウェーハ上にも、同様の条件でβ型単結晶ＳｉＣ層を５００μｍ気相成長させた。その後、実施例１と同様の手順で絶縁膜の形成、貼合せ工程、第１及び第２シリコンウェーハの除去を行った。さらに、０．５μｍのβ型単結晶ＳｉＣ層を研削研磨により除去した。最後に、ウェーハ表裏面を研磨して、厚さ５０３μｍ、直径３００ｍｍの貼合せＳｉＣウェーハを得た。
【００７３】
得られた貼合せウェーハの活性層に対して、ＰＬ法、ＸＰＳ法及びＴＥＭ観察を用いて結晶性を評価した結果、六方晶系の４Ｈ−ＳｉＣが作製できたことを確認した。
【００７４】
（実施例３）
図３の手順に従い、単結晶ＳｉＣ層の気相成長工程では図４の装置を用いて、直径３００ｍｍの絶縁層埋め込み型貼合せＳｉＣウェーハを作製した。
【００７５】
実施例１と同様のシリコンウェーハを２枚用意した。第１のシリコンウェーハに以下の条件で炭化処理を行った。熱処理炉内にプロパンガスと水素ガスを導入し、炭素雰囲気で、シリコンウェーハの温度を１２００℃として、３分の炭化処理を行った。シリコンウェーハの表層部２０ｎｍがβ型単結晶ＳｉＣ層となった。
【００７６】
このシリコンウェーハの温度を１２００℃にした状態で、メタンガスとモノシランガスをプラズマチャンバ内へ流し、チャンバ内の圧力を０．１Ｐａ、パルス電圧９４０Ｖ、周波数２７０Ｈｚ、パルス幅１４０μ秒の条件下で、シリコンウェーハのβ型単結晶ＳｉＣ層上にα型単結晶ＳｉＣ層を５μｍ気相成長させた。ケイ素イオンの加速エネルギーは１３２ｅＶ、炭素イオンの加速エネルギーは５６ｅＶとした。
【００７７】
もう１枚の第２シリコンウェーハ上にも、同様の条件でβ型単結晶ＳｉＣ層を５００μｍ気相成長させた。その後、実施例１と同様の手順で絶縁膜の形成及び貼合せ工程を行った。続いて、水酸化カリウムと水酸化ナトリウムとの混合液を純水で薄めた溶液で、貼合せウェーハから第１シリコンウェーハのシリコン部分及び第２シリコンウェーハを除去した。さらに、２０ｎｍのβ型単結晶ＳｉＣ層を研削研磨により除去した。このようにして、最後に、ウェーハ表裏面を研磨して厚さ５０３μｍ、直径３００ｍｍの貼合せＳｉＣウェーハを得た。
【００７８】
得られた貼合せウェーハの活性層に対して、ＰＬ法、ＸＰＳ法及びＴＥＭ観察を用いて結晶性を評価した結果、六方晶系の４Ｈ−ＳｉＣが作製できたことを確認した。
【００７９】
（リーク電流の比較）
昇華法で作製した直径１５０ｍｍのα型単結晶ＳｉＣウェーハ（比較例）と、実施例１〜３の貼合せＳｉＣウェーハに対して素子分離領域を作製し、素子分離領域におけるリーク特性を比較した。縦方向の素子分離は、比較例１のＳｉＣウェーハではｐｎ接合により形成し、実施例１〜３の貼合せウェーハでは埋め込み酸化膜により形成した。横方向の素子分離は、全てのサンプル（実施例１〜３，比較例）においてＳＴＩにより形成した。
【００８０】
２００℃において、ウェーハ裏面をアースにした状態でウェーハ表面側からウェーハ裏面における素子分離した領域へ電圧を印加し、素子分離領域へ流れるリーク電流を測定した。その結果、実施例１〜３の貼合せウェーハでは、比較例のＳｉＣウェーハよりもリーク電流が減少することが確認できた。
【００８１】
次に、レーザ散乱式欠陥検査装置を用いて表面完全性を評価した結果を表１に示す。各実施例及び比較例において３枚のウェーハに対して、１０μｍ以上のサイズの欠陥の個数（個／ｃｍ２）を求めた。表１より、実施例１〜３では、比較例１と同様の高い結晶性が得られていることがわかる。
【００８２】
【表１】
0006500378.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明によれば、デバイス工程の自由度が高く、しかも、素子分離領域を作製した際のリーク電流が少ない貼合せ単結晶ＳｉＣウェーハ及びその製造方法を提供できる。
【符号の説明】
【００８４】
１０    第１シリコンウェーハ
１０Ａ  β型単結晶ＳｉＣ層
１２    β型単結晶ＳｉＣ層（第１ＳｉＣ層）
１４    α型単結晶ＳｉＣ層（第１ＳｉＣ層）
２０    第２シリコンウェーハ
２２    第２のβ型単結晶ＳｉＣ層（第２ＳｉＣ層）
２４    絶縁膜
３０，３２，３４    貼合せウェーハ
１００，２００，３００  貼合せＳｉＣウェーハ
４０  プラズマイオン照射装置
４１  プラズマチャンバ
４２  ガス導入口
４３  真空ポンプ
４４  パルス電圧印加手段
４５  ウェーハ固定台
４６  ヒーター
【図１】
0006500378.tif 000003
【図２】
0006500378.tif 000004
【図３】
0006500378.tif 000005
【図４】
0006500378.tif 000006