(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
タブをそれぞれ含む複数の電極を有する電極組立体の製造方法であって、
積層された複数の前記タブを有するタブ積層体を準備する工程と、
前記タブ積層体の積層方向に沿って延在する前記タブ積層体の端面にエネルギービームを照射することによって、前記タブ積層体の端面から内側に溶接部を形成する工程と、
を含み、
前記溶接部を形成する工程では、前記タブ積層体の端面における位置に応じて、前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量が変わるように、前記エネルギービームの照射条件を制御する、電極組立体の製造方法。
【請求項２】
前記タブ積層体は、前記タブ積層体の積層方向において集電体上に配置され、
前記タブ積層体の端面における第１の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量が、前記タブ積層体の端面における第２の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量よりも小さく、
前記第１の位置が、前記第２の位置よりも前記集電体に近い、請求項１に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項３】
前記エネルギービームの出力を変更することによって、前記第１の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量を、前記第２の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量よりも小さくする、請求項２に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項４】
前記エネルギービームの走査速度を変更することによって、前記第１の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量を、前記第２の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量よりも小さくする、請求項２に記載の電極組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極組立体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リチウム二次電池を製造する際に、ＹＡＧレーザー又は電子ビームを用いて、積層された複数の短冊状集電タブ同士を溶接する方法が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３１３３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記方法では、集電タブの側面にＹＡＧレーザー又は電子ビームを照射することにより、当該側面に溶接部を形成している。しかしながら、集電体タブの側面における位置に応じて溶接部の溶接深さを制御することは行われていない。
【０００５】
本発明の一側面は、タブ積層体の端面における位置に応じて溶接部の溶接深さを制御できる電極組立体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る電極組立体の製造方法は、タブをそれぞれ含む複数の電極を有する電極組立体の製造方法であって、積層された複数の前記タブを有するタブ積層体を準備する工程と、前記タブ積層体の積層方向に沿って延在する前記タブ積層体の端面にエネルギービームを照射することによって、前記タブ積層体の端面から内側に溶接部を形成する工程と、を含み、前記溶接部を形成する工程では、前記タブ積層体の端面における位置に応じて、前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量が変わるように、前記エネルギービームの照射条件を制御する。
【０００７】
この電極組立体の製造方法では、タブ積層体の端面における位置に応じて溶接部の溶接深さを制御できる。例えば、タブ積層体の端面における第１の位置Ｐ１においてエネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量Ｑ１を、タブ積層体の端面における第２の位置Ｐ２においてエネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量Ｑ２よりも小さくすれば、第１の位置Ｐ１に形成される溶接部の溶接深さは、第２の位置Ｐ２に形成される溶接部の溶接深さに比べて浅くなる。
【０００８】
前記タブ積層体は、前記タブ積層体の積層方向において集電体上に配置され、前記タブ積層体の端面における第１の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量が、前記タブ積層体の端面における第２の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量よりも小さく、前記第１の位置が、前記第２の位置よりも前記集電体に近くてもよい。
【０００９】
この場合、集電体が受ける熱量を小さくできるので、熱歪みによる集電体の変形を抑制できる。
【００１０】
前記エネルギービームの出力を変更することによって、前記第１の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量を、前記第２の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量よりも小さくしてもよい。
【００１１】
例えば、第１の位置に照射されるエネルギービームの出力を、第２の位置に照射されるエネルギービームの出力に比べて小さくすると、第１の位置におけるエネルギー総量が第２の位置におけるエネルギー総量よりも小さくなる。
【００１２】
前記エネルギービームの走査速度を変更することによって、前記第１の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量を、前記第２の位置において前記エネルギービームから受ける単位面積当たりのエネルギー総量よりも小さくしてもよい。
【００１３】
例えば、第１の位置に照射されるエネルギービームの走査速度を、第２の位置に照射されるエネルギービームの走査速度に比べて速くすると、第１の位置におけるエネルギー総量が第２の位置におけるエネルギー総量よりも小さくなる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一側面によれば、タブ積層体の端面における位置に応じて溶接部の溶接深さを制御できる電極組立体の製造方法が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電極組立体の斜視図である。
【図４】Ｘ軸方向から見た図３の電極組立体の一部を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図７】図６の工程におけるエネルギービームの出力変化の一例を示すグラフである。
【図８】エネルギービームの出力変化の別の例を示すグラフである。
【図９】図６の工程の別の例を示す図である。
【図１０】図６の工程の別の例を示す図である。
【図１１】第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１２】第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１３】第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１４】第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１５】第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１６】第３実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１７】第３実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１８】図１６の工程の別の例を示す図である。
【図１９】第４実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。図面には、必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示されている。Ｚ軸方向は例えば鉛直方向、Ｘ軸方向及びＹ方向は例えば水平方向である。
【００１７】
図１は、第１実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。図１及び図２に示される蓄電装置１は、例えばリチウムイオン二次電池といった非水電解質二次電池又は電気二重層キャパシタである。
【００１８】
図１及び図２に示されるように、蓄電装置１は、例えば略直方体形状をなす中空のケース２と、ケース２内に収容された電極組立体３とを備えている。ケース２は、例えばアルミニウム等の金属によって形成されている。ケース２は、一方側において開口した本体部２ａと、本体部２ａの開口を塞ぐ蓋部２ｂとを有している。ケース２の内壁面上には、絶縁フィルム（図示せず）が設けられる。ケース２の内部には、例えば非水系（有機溶媒系）の電解液が注液されている。電極組立体３では、後述する正極１１の正極活物質層１５、負極１２の負極活物質層１８、及びセパレータ１３が多孔質をなしており、その空孔内に、電解液が含浸されている。ケース２の蓋部２ｂには、正極端子５と負極端子６とが互いに離間して配置されている。正極端子５は、絶縁リング７を介してケース２に固定され、負極端子６は、絶縁リング８を介してケース２に固定されている。
【００１９】
電極組立体３は、積層型の電極組立体である。電極組立体３は、複数の正極１１（電極）と、複数の負極１２（電極）と、正極１１と負極１２との間に配置された袋状のセパレータ１３とによって構成されている。セパレータ１３内には、例えば正極１１が収容されている。セパレータ１３内に正極１１が収容された状態で、複数の正極１１と複数の負極１２とがセパレータ１３を介して交互に積層されている。
【００２０】
正極１１は、例えばアルミニウム箔からなる金属箔１４と、金属箔１４の両面に形成された正極活物質層１５と、を有している。正極１１の金属箔１４は、矩形状の本体１４ａと、本体１４ａの一端から突出する矩形状のタブ１４ｂと、を含む。正極活物質層１５は、正極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。正極活物質層１５は、本体１４ａの両面において、少なくとも本体１４ａの中央部分に正極活物質が担持されて形成されている。
【００２１】
正極活物質としては、例えば複合酸化物、金属リチウム、硫黄等が挙げられる。複合酸化物には、例えばマンガン、ニッケル、コバルト及びアルミニウムの少なくとも１つと、リチウムとが含まれる。ここでは、一例として、タブ１４ｂには、正極活物質が担持されていない。ただし、タブ１４ｂにおける本体１４ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００２２】
タブ１４ｂは、本体１４ａの上縁部から上方に延び、集電板１６（集電体）を介して正極端子５に接続されている。集電板１６はタブ１４ｂと正極端子５との間に配置されている。集電板１６は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１４ｂは、集電板１６と、集電板１６よりも薄い保護板２３（導電部材）との間に配置される（図３参照）。保護板２３は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。
【００２３】
負極１２は、例えば銅箔からなる金属箔１７と、金属箔１７の両面に形成された負極活物質層１８と、を有している。負極１２の金属箔１７は、正極１１の金属箔１４と同様に、矩形状の本体１７ａと、本体１７ａの一端部から突出する矩形状のタブ１７ｂと、を含む。負極活物質層１８は、本体１７ａの両面において、少なくとも本体１７ａの中央部分に負極活物質が担持されて形成されている。負極活物質層１８は、負極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。
【００２４】
負極活物質としては、例えば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、ＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．５）等の金属酸化物、ホウ素添加炭素等が挙げられる。ここでは、一例として、タブ１７ｂには、負極活物質が担持されていない。ただし、タブ１７ｂにおける本体１７ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００２５】
タブ１７ｂは、本体１７ａの上縁部から上方に延び、集電板１９（集電体）を介して負極端子６に接続されている。集電板１９はタブ１７ｂと負極端子６との間に配置されている。集電板１９は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１７ｂは、集電板１９と、集電板１９よりも薄い保護板２７（導電部材）との間に配置される（図３参照）。保護板２７は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。
【００２６】
セパレータ１３は、正極１１を収容している。セパレータ１３は、正極１１及び負極１２の積層方向からみて矩形状である。セパレータ１３は、例えば、一対の長尺シート状のセパレータ部材を互いに溶着して袋状に形成される。セパレータ１３の材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルセルロース等からなる織布又は不織布等が例示される。
【００２７】
図３は、第１実施形態に係る電極組立体の斜視図である。図４は、Ｘ軸方向から見た図３の電極組立体の一部を示す図である。図３に示される電極組立体３は、セパレータ１３を介して互いに積層された複数の正極１１及び複数の負極１２を含む。複数の正極１１のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１４ａと、本体１４ａの一端からＸ軸方向に突出するタブ１４ｂとを含む。複数の負極１２のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１７ａと、本体１７ａの一端からＸ軸方向に突出するタブ１７ｂとを含む。タブ１４ｂ，１７ｂは、互いに積層されてタブ積層体２１，２５をそれぞれ構成する。すなわち、電極組立体３は、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１４ｂを有するタブ積層体２１と、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１７ｂを有するタブ積層体２５とを備える。タブ積層体２１，２５は、Ｙ軸方向において、互いに離間して配列される。
【００２８】
タブ積層体２１は、タブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃを備える。端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟む面であり、端面２１ｃは端面２１ａ，２１ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２１ａ，２１ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２１ｃは、タブ積層体２１の先端に向かうに連れてタブ積層体２１の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００２９】
タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、集電板１６と保護板２３との間に配置される。すなわち、タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において集電板１６上に配置される。保護板２３は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２１上に配置される。保護板２３は、集電板１６と接触しておらず、保護板２３と集電板１６とは、タブ積層体２１を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２１は保護板２３よりも厚く、集電板１６はタブ積層体２１よりも厚い。電極組立体３は、保護板２３及び集電板１６を備えなくてもよい。
【００３０】
集電板１６のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さ（端面２１ａ，２１ｂ間の距離）よりも大きくなっている。Ｙ軸方向において、集電板１６のＹ軸方向における外側端部の位置は、本体１４ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２３のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さと略同じである。
【００３１】
タブ積層体２１は、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂからそれぞれ内側に位置する溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂに隣接する集電板１６及び保護板２３の内部まで延びている。端面２１ａ，２１ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しいか、又は保護板２３のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２１のタブ１４ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（例えば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００３２】
図４に示されるように、Ｚ軸方向を含みタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂに直交するタブ積層体２１の断面（例えばＹＺ断面）において、溶接部Ｗの境界線Ｗａは、Ｚ軸方向に直交する方向Ｈ（例えばＹ軸方向）及びタブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）の両方に対して傾斜した方向に延びる第１の部分Ｗａ１と、Ｚ軸方向に延びる第２の部分Ｗａ２とを有する。第１の部分Ｗａ１は保護板２３側に位置しており、第２の部分Ｗａ２は集電板１６側に位置している。溶接部Ｗは、集電板１６内に位置する境界線Ｗｂを有してもよい。境界線Ｗｂは、Ｚ軸方向に直交する方向Ｈ（例えばＹ軸方向）及びタブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）の両方に対して傾斜した方向に延びている。例えば、溶接部Ｗは２つの境界線Ｗａ，Ｗｂを有しており、後述するエネルギービームＢ（図６参照）の照射によりエネルギービームＢの周囲に形成される溶融池の形状に応じて、溶接部Ｗの外面から内側に向かうに連れて２つの境界線Ｗａ，Ｗｂの間隔が狭くなっている。溶接池は、エネルギービームＢの照射方向において、エネルギービームＢの照射対象物の表面から内側に向けて先細るように形成される。溶接部Ｗは集電板１６にも形成されるが、集電板１６の密度はタブ積層体２１の密度と異なるため、集電板１６に形成される溶接池の深さとタブ積層体２１に形成される溶接池の深さは異なる。その結果、上述のように、溶接部Ｗの外面から内側に向かうに連れて２つの境界線Ｗａ，Ｗｂの間隔は狭くなる。すなわち、タブ積層体２１のＹＺ断面において、溶接部Ｗの境界線Ｗａの第１の部分Ｗａ１と方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をα、溶接部Ｗの境界線Ｗｂと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をβ、エネルギービームＢの照射方向をＹＺ平面に投影した方向Ｊと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をθとした場合に、θはαとβとの間の値となる。例えば、タブ積層体２１のＹＺ断面において、集電板１６内の境界線Ｗｂと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をα、タブ積層体２１内の境界線Ｗａの第１の部分Ｗａ１と方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をβ、エネルギービームＢの照射方向をＹＺ平面に投影した方向Ｊと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をθとした場合、α＜θ＜βとなる。
【００３３】
同様に、タブ積層体２５は、タブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える。端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟む面であり、端面２５ｃは端面２５ａ，２５ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２５ａ，２５ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端に向かうに連れてタブ積層体２５の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００３４】
タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、集電板１９と保護板２７との間に配置される。すなわち、タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において集電板１９上に配置される。保護板２７は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２５上に配置される。保護板２７は、集電板１９と接触しておらず、保護板２７と集電板１９とは、タブ積層体２５を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２５は保護板２７よりも厚く、集電板１９はタブ積層体２５よりも厚い。電極組立体３は、保護板２７及び集電板１９を備えなくてもよい。
【００３５】
集電板１９のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さ（端面２５ａ，２５ｂ間の距離）よりも大きくなっている。Ｙ軸方向において、集電板１９のＹ軸方向における外側端部の位置は、本体１７ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２７のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さと略同じである。
【００３６】
タブ積層体２５は、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂからそれぞれ内側に位置する溶接部Ｗを有する。タブ積層体２５の端面２５ｂは、タブ積層体２１の端面２１ｂと対向している。よって、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂは、Ｙ軸方向に沿って配列される。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂに隣接する集電板１９及び保護板２７の内部まで延びている。端面２５ａ，２５ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しいか、又は保護板２７のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２５のタブ１７ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（例えば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００３７】
図４に示されるように、Ｚ軸方向を含みタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂに直交するタブ積層体２５の断面（例えばＹＺ断面）において、溶接部Ｗの境界線Ｗａは、Ｚ軸方向に直交する方向Ｈ（例えばＹ軸方向）及びタブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）の両方に対して傾斜した方向に延びる第１の部分Ｗａ１と、Ｚ軸方向に延びる第２の部分Ｗａ２とを有する。第１の部分Ｗａ１は保護板２７側に位置しており、第２の部分Ｗａ２は集電板１９側に位置している。溶接部Ｗは、集電板１９内に位置する境界線Ｗｂを有してもよい。境界線Ｗｂは、Ｚ軸方向に直交する方向Ｈ（例えばＹ軸方向）及びタブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）の両方に対して傾斜した方向に延びている。例えば、溶接部Ｗは２つの境界線Ｗａ，Ｗｂを有しており、後述するエネルギービームＢ（図６参照）の照射によりエネルギービームＢの周囲に形成される溶融池の形状に応じて、溶接部Ｗの外面から内側に向かうに連れて２つの境界線Ｗａ，Ｗｂの間隔が狭くなっている。溶接池は、エネルギービームＢの照射方向において、エネルギービームＢの照射対象物の表面から内側に向けて先細るように形成される。溶接部Ｗは集電板１９にも形成されるが、集電板１９の密度はタブ積層体２５の密度と異なるため、集電板１９に形成される溶接池の深さとタブ積層体２５に形成される溶接池の深さは異なる。その結果、上述のように、溶接部Ｗの外面から内側に向かうに連れて２つの境界線Ｗａ，Ｗｂの間隔は狭くなる。すなわち、タブ積層体２５のＹＺ断面において、溶接部Ｗの境界線Ｗａの第１の部分Ｗａ１と方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をα、溶接部Ｗの境界線Ｗｂと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をβ、エネルギービームＢの照射方向をＹＺ平面に投影した方向Ｊと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をθとした場合に、θはαとβとの間の値となる。例えば、タブ積層体２５のＹＺ断面において、集電板１９内の境界線Ｗｂと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をα、タブ積層体２５内の境界線Ｗａの第１の部分Ｗａ１と方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をβ、エネルギービームＢの照射方向をＹＺ平面に投影した方向Ｊと方向Ｈとのなす角度のうち小さい方の角度をθとした場合、α＜θ＜βとなる。
【００３８】
図５〜図６及び図１１〜図１３は、第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。図３に示される電極組立体３は、例えば以下の方法により製造される。
【００３９】
（タブ積層体の準備工程）
まず、図５に示されるように、複数のタブ積層体２１，２５を準備する。図５（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図５（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。例えば、まず、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂを積層することによりタブ積層体２１，２５を形成する。その後、タブ積層体２１，２５上にそれぞれ保護板２３，２７を載置する。タブ積層体２１，２５は、例えば治具により保護板２３，２７を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。
【００４０】
（溶接部の形成工程）
次に、図６に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射する。図６（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図６（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。エネルギービームＢは、照射装置３０からタブ積層体２５の端面２５ａに向けて照射される。照射装置３０は、例えばレンズ及びガルバノミラーを含むスキャナヘッドである。スキャナヘッドにはファイバを介してビーム発生装置が接続される。照射装置３０は、例えばプリズム等の屈折式又は回折光学素子（ＤＯＥ：ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｅｌｅｍｅｎｔ）等の回折系の光学系から構成されてもよい。
【００４１】
タブ積層体２５の端面２５ａに直交すると共にタブ積層体２５の積層方向を含む平面（例えばＹＺ平面）にエネルギービームＢの照射方向を投影した方向Ｊは、当該平面（例えばＹＺ平面）において、Ｚ軸方向に直交する方向Ｈ（例えばＹ軸方向）及びタブ積層体２５の積層方向の両方に対して傾斜している。方向Ｊはタブ積層体２５の端面２５ａに対しても傾斜している。ＹＺ平面において、方向Ｈと方向Ｊとのなす角度のうち小さい方の角度θは、５〜８５°であってもよく、１０〜８０°であってもよく、４５〜７５°であってもよい。エネルギービームＢは、溶接を行うことができる高エネルギービームである。エネルギービームＢは、例えばレーザービーム又は電子ビームである。エネルギービームＢの照射は、ノズル３２から供給される不活性ガスＧの雰囲気中で行われる。
【００４２】
エネルギービームＢは、例えば治具により集電板１９及び保護板２７を介してタブ積層体２５をＺ軸方向に押圧した状態でタブ積層体２５の端面２５ａに照射される。
【００４３】
集電板１６，１９、タブ積層体２１，２５及び保護板２３，２７を含むワークは、例えばベルトコンベア等の搬送ステージ４０上に載置され、エネルギービームＢの照射位置までＹ軸方向に搬送される。
【００４４】
エネルギービームＢは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｚ軸方向に交差する方向（Ｘ軸方向）に沿って走査される。第１実施形態では、エネルギービームＢをＺ軸方向に変位させながらＸ軸方向に沿って走査する。例えば、エネルギービームＢをＺ軸方向に往復変位（ウォブリング）させながらＸ軸方向に沿って走査する。エネルギービームＢの照射スポットのＺ軸方向における変位量は、タブ積層体２５の厚みよりも大きい。エネルギービームＢの照射スポットは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、位置Ｚ１から位置Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ５を順に経由して位置Ｚ６まで移動する。位置Ｚ１、Ｚ３，Ｚ５，Ｚ６は、Ｘ軸方向に沿った軸線Ｈ１上に位置する。例えば、位置Ｚ１，Ｚ３，Ｚ５，Ｚ６は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２５の端面２５ａの中心に位置する。エネルギービームＢは、例えば、タブ積層体２５の端面２５ａにおいてＸ軸方向に沿って中心点を移動させ、当該中心点を中心にＸＺ平面においてエネルギービームＢの照射スポットを回転させながら走査される。その結果、エネルギービームＢの照射スポットは、軸線Ｈ１上の位置Ｚ１から、Ｚ軸方向において保護板２７側の位置Ｚ２まで移動した後、軸線Ｈ１上の位置Ｚ３に移動する。位置Ｚ３は、位置Ｚ１と位置Ｚ６との間に位置する。その後、エネルギービームＢの照射スポットは、軸線Ｈ１上の位置Ｚ３から、Ｚ軸方向において集電板１９側の位置Ｚ４まで移動した後、軸線Ｈ１上の位置Ｚ５に移動する。位置Ｚ５は、位置Ｚ１と位置Ｚ３との間に位置する。このような回転運動及び並進運動を繰り返して、エネルギービームＢの照射スポットは位置Ｚ６に到達する。回転の直径がタブ積層体２５の厚みよりも大きいと、タブ積層体２５の端面２５ａ、集電板１９及び保護板２７を全体的に溶接できるため好ましい。この場合、位置Ｚ２は保護板２７内に位置することになり、位置Ｚ４は集電板１９内に位置することになる。
【００４５】
エネルギービームＢの照射条件は、タブ積層体２５の端面２５ａにおける位置に応じて、エネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量（以下、単にエネルギー総量ということもある）が変わるように制御される。例えば、タブ積層体２５の端面２５ａにおける第１の位置Ｐ１においてエネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量Ｑ１（Ｊ／ｍ２）が、タブ積層体２５の端面２５ａにおける第２の位置Ｐ２においてエネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量Ｑ２（Ｊ／ｍ２）よりも小さくなるように、エネルギービームＢの照射条件は制御される。本実施形態では、位置Ｐ１が位置Ｐ２よりも集電板１９に近い。位置Ｐ１は、端面２５ａの集電板１９側領域（下半分の領域）に位置する。位置Ｐ２は、端面２５ａの保護板２７側領域（上半分の領域）に位置する。Ｚ軸方向において、保護板２７から集電板１９に向かうに連れて、エネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量が徐々に小さくなるように、エネルギービームＢの照射条件が制御されてもよい。
【００４６】
単位面積当たりのエネルギー総量を変更するために制御されるエネルギービームＢの照射条件は、エネルギービームＢの出力、走査速度、走査間隔、走査回数及び照射スポット径のうち少なくとも１つを含む。出力を大きくすると、エネルギー総量は大きくなる。走査速度を速くすると、エネルギー総量は小さくなる。走査間隔を大きくすると、エネルギー総量は小さくなる。走査回数を多くすると、各回の照射スポットが重なるため、エネルギー総量は大きくなる。照射スポット径を大きくすると、各照射スポットのエネルギー密度が低下するため、エネルギー総量は小さくなる。
【００４７】
エネルギービームＢの出力を変更することによって、エネルギー総量Ｑ１をエネルギー総量Ｑ２よりも小さくすることができる。例えば、位置Ｐ１におけるエネルギービームＢの出力を位置Ｐ２におけるエネルギービームＢの出力よりも小さくすると、エネルギー総量Ｑ１がエネルギー総量Ｑ２よりも小さくなる。Ｚ軸方向において、保護板２７から集電板１９に向かうに連れて、エネルギービームＢの出力が徐々に小さくなるように、エネルギービームＢの照射条件が制御されてもよい。あるいは、Ｚ軸方向において、保護板２７から集電板１９に向かうに連れて、エネルギービームＢの走査速度が徐々に大きくなるように、エネルギービームＢの照射条件が制御されてもよい。
【００４８】
図７は、図６の工程におけるエネルギービームの出力変化の一例を示すグラフである。図７（Ａ）では、縦軸がエネルギービームＢの出力Ｅであり、横軸が時間ｔである。図７（Ｂ）では、縦軸がエネルギービームＢの出力Ｅであり、横軸がエネルギービームＢの照射スポットのＺ軸位置ｚである。図７に示されるように、エネルギービームＢの出力Ｅの変更サイクルは、エネルギービームＢの照射スポットのウォブリング周波数に対応している。例えば、図７（Ａ）に示されるように、エネルギービームＢの出力Ｅの波形は正弦波とすることができる。時刻ｔ１において、エネルギービームＢの照射スポットは位置Ｚ１にあり、エネルギービームＢの出力はＥ０である。時刻ｔ１後の時刻ｔ２において、エネルギービームＢの照射スポットは位置Ｚ２にあり、エネルギービームＢの出力はＥ０よりも大きいＥａである。時刻ｔ２後の時刻ｔ３において、エネルギービームＢの照射スポットは位置Ｚ３にあり、エネルギービームＢの出力はＥ０である。時刻ｔ３後の時刻ｔ４において、エネルギービームＢの照射スポットは位置Ｚ４にあり、エネルギービームＢの出力はＥ０よりも小さいＥｂである。時刻ｔ４後の時刻ｔ５において、エネルギービームＢの照射スポットは位置Ｚ５にあり、エネルギービームＢの出力はＥ０である。
【００４９】
エネルギービームＢの出力変化は、図７（Ａ）に示すような時間変化に対して正弦波となる波形に限らない。図８は、エネルギービームの出力変化の別の例を示すグラフである。図８に示されるようにエネルギービームＢの出力を変更することによって、エネルギー総量Ｑ１をエネルギー総量Ｑ２よりも小さくしてもよい。エネルギービームＢの照射スポットの動きは図７の例と同じである。図８では、縦軸がエネルギービームＢの出力Ｅであり、横軸が時間ｔである。図７（Ａ）に示される正弦波ではエネルギービームＢの出力Ｅを経時的に連続変化させていたが、図８（Ａ）に示されるように、エネルギービームＢの出力を変更しない期間とエネルギービームＢの出力を変更する期間とを設けてもよい。例えば、エネルギービームＢの照射スポットが、Ｚ軸方向におけるエネルギービームＢの照射範囲の上端（位置Ｚ２）を含む上側領域及び下端（位置Ｚ４）を含む下側領域に位置する期間にエネルギービームＢの出力を変更する。エネルギービームＢの照射スポットが、上側領域と下側領域との間に位置する中央領域（位置Ｚ１，Ｚ３，Ｚ５を含む領域）に位置する期間にはエネルギービームＢの出力を変更しない。その結果、上側領域及び下側領域のエネルギー総量が変化し、中央領域のエネルギー総量は変化しない。一方、図８（Ｂ）に示されるように、Ｚ軸方向におけるエネルギービームＢの照射範囲の上半分において、エネルギービームＢのＥ０からの出力変化量が、図７（Ａ）の正弦波における出力変化量よりも大きくなるようにしてもよい。また、Ｚ軸方向におけるエネルギービームＢの照射範囲の下半分において、エネルギービームＢのＥ０からの出力変化量が、図７（Ａ）の正弦波の出力変化量よりも小さくなるようにしてもよい。これにより、照射範囲の上半分と下半分で出力変化量が非対称になる。
【００５０】
図９は、図６の工程の別の例を示す図である。図９に示されるように、エネルギービームＢの照射スポットをＺ軸方向にずらしながら、エネルギービームＢをＸ軸方向に沿って複数回走査してもよい。エネルギービームＢの照射スポットは、保護板２７から集電板１９に向かって変位しながらＸ軸方向において往復運動する。この場合、例えば、エネルギービームＢの走査速度を変更することによって、エネルギー総量Ｑ１をエネルギー総量Ｑ２よりも小さくしてもよい。例えば、位置Ｐ１におけるエネルギービームＢの走査速度Ｖ１を位置Ｐ２におけるエネルギービームＢの走査速度Ｖ２よりも速くすると、エネルギー総量Ｑ１がエネルギー総量Ｑ２よりも小さくなる。Ｚ軸方向において、保護板２７から集電板１９に向かうに連れて、エネルギービームＢの走査速度が徐々に大きくなるように、エネルギービームＢの照射条件が制御されてもよい。あるいは、Ｚ軸方向において、保護板２７から集電板１９に向かうに連れて、エネルギービームＢの出力が徐々に小さくなるように、エネルギービームＢの照射条件が制御されてもよい。あるいは、端面２５ａの保護板２７側領域において、エネルギービームＢの照射スポットが重なるように複数回走査を行ってもよい。本例では、Ｘ軸方向において双方向にエネルギービームＢを走査しているが、一方向にエネルギービームＢを走査してもよい。
【００５１】
図１０は、図６の工程の別の例を示す図である。図１０に示されるように、エネルギービームＢの照射スポットをＺ軸方向にずらしながら、エネルギービームＢをＸ軸方向に沿って複数回走査する際に、Ｚ軸方向のずれ量（走査間隔）を変更することによって、エネルギー総量Ｑ１をエネルギー総量Ｑ２よりも小さくすることができる。Ｚ軸方向において、保護板２７から集電板１９に向かうに連れて、エネルギービームＢの走査間隔Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４が徐々に大きくなるように、エネルギービームＢの照射条件が制御されてもよい。本例では、Ｘ軸方向において双方向にエネルギービームＢを走査しているが、一方向にエネルギービームＢを走査してもよい。
【００５２】
上述のようにエネルギービームＢを照射することによって、図１１に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ａから内側に溶接部Ｗが形成される。図１１（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図１１（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。タブ積層体２５のＹＺ断面において、溶接部Ｗの境界線Ｗａは、方向Ｈ及びＺ軸方向の両方に対して傾斜した方向に延びる第１の部分Ｗａ１と、Ｚ軸方向に延びる第２の部分Ｗａ２とを有する。溶接部Ｗは、集電板１９内に位置する境界線Ｗｂを有してもよい。
【００５３】
続いて、図１２に示されるように、タブ積層体２１の端面２１ｂにも同様にエネルギービームＢを照射する。これにより、図１３に示されるように、タブ積層体２１の端面２１ｂから内側にも溶接部Ｗが形成される。
【００５４】
エネルギービームＢは、タブ積層体２５の端面２５ｂとタブ積層体２１の端面２１ｂとが互いに対向配置された状態で、端面２１ｂに照射される。
【００５５】
続いて、タブ積層体２１の端面２１ｂと同様に、タブ積層体２５の端面２５ｂにエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２５の端面２５ｂから内側に溶接部Ｗを形成する（図４参照）。エネルギービームＢは、タブ積層体２５の端面２５ｂとタブ積層体２１の端面２１ｂとが互いに対向配置された状態で、端面２５ｂに照射される。その後、タブ積層体２５の端面２５ｂと同様に、タブ積層体２１の端面２１ａにエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２１の端面２１ａから内側に溶接部Ｗを形成する（図４参照）。
【００５６】
エネルギービームＢの照射の際、タブ積層体２１，２５を含むワークは、搬送ステージ４０によって、エネルギービームＢの照射位置までＹ軸方向に搬送される。第１の照射装置３０を用いて、タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２５ｂにエネルギービームＢを照射し、第２の照射装置３０を用いて、タブ積層体２１，２５の端面２１ｂ，２５ａにエネルギービームＢを照射してもよい。また、１つの照射装置３０をモータ等の駆動装置により移動させてエネルギービームＢの照射方向を変えることによって、端面２５ａ，２１ｂ，２５ｂ，２１ａにエネルギービームＢを順に照射してもよい。
【００５７】
上記工程を経ることによって、電極組立体３が製造される。その後、タブ積層体２１，２５を折り曲げた電極組立体３をケース２内に収容し、蓄電装置１を製造することができる。
【００５８】
以上説明したように、第１実施形態の電極組立体の製造方法では、タブ積層体２５の端面２５ａにおける位置に応じて溶接部Ｗの溶接深さを制御できる。例えば、位置Ｐ１においてエネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量Ｑ１を、位置Ｐ２においてエネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量Ｑ２よりも小さくすれば、位置Ｐ１に形成される溶接部Ｗの溶接深さは、位置Ｐ２に形成される溶接部Ｗの溶接深さに比べて浅くなる。タブ積層体２５の端面２５ｂ、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂに位置する溶接部Ｗの溶接深さについても同様に制御できる。
【００５９】
また、本実施形態では、位置Ｐ１が位置Ｐ２よりも集電板１９に近いので、集電板１９が受ける熱量を小さくできる。よって、熱歪みによる集電板１９の変形を抑制できる。同様に、集電板１６の変形も抑制できる。
【００６０】
さらに、本実施形態では、保護板２７側からタブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢが斜めに照射される（図６の方向Ｊ）。この場合、端面２５ａの保護板２７側領域における溶接部Ｗの溶接深さは浅くなり、端面２５ａの集電板１９側領域における溶接部Ｗの溶接深さは深くなる傾向にある。そのため、端面２５ａの保護板２７側領域における溶接部Ｗの溶接深さを十分深くしようとすると、端面２５ａの集電板１９側領域における溶接部Ｗの溶接深さが過剰に深くなる可能性がある。しかし、本実施形態では、位置Ｐ１におけるエネルギー総量Ｑ１が、位置Ｐ２におけるエネルギー総量Ｑ２よりも小さくなっているので、位置Ｐ２における溶接部Ｗの溶接深さを十分深くしても、位置Ｐ１における溶接部Ｗの溶接深さが過剰に深くならない。よって、集電板１９が受ける熱量を抑制できる。同様に、集電板１６が受ける熱量も抑制できる。
【００６１】
図１４〜図１５は、第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。図１４（Ａ）及び図１５（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図１４（Ｂ）及び図１５（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。第２実施形態では、タブ積層体２１，２５の端面２１ｃ，２５ｃにそれぞれ溶接部Ｗが形成されること以外は第１実施形態と同様に電極組立体３を製造することができる。
【００６２】
タブ積層体２５の端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端に位置しており、ＹＺ平面に沿う面である。端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端を切断することによって形成されてもよいし、異なる長さのタブ１７ｂを用いてタブ１７ｂを積層することによって形成されてもよい。
【００６３】
図１４に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ｃに直交すると共にタブ積層体２５の積層方向を含む平面（例えばＸＺ平面）にエネルギービームＢの照射方向を投影した方向Ｊは、当該平面（例えばＸＺ平面）において、Ｚ軸方向に直交する方向Ｈ（例えばＸ軸方向）及びタブ積層体２５の積層方向の両方に対して傾斜している。方向Ｊはタブ積層体２５の端面２５ｃに対しても傾斜している。エネルギービームＢは、端面２５ｃにおいて、Ｚ軸方向に変位（ウォブリング）させながらＹ軸方向に沿って走査される。エネルギービームＢの照射スポットは、端面２５ｃにおいて、位置Ｚ１から位置Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ５を順に経由して位置Ｚ６まで移動する。位置Ｚ１、Ｚ３，Ｚ５，Ｚ６は、Ｙ軸方向に沿った軸線Ｈ１上に位置する。例えば、位置Ｚ１，Ｚ３，Ｚ５，Ｚ６は、Ｚ軸方向において端面２５ｃの中心に位置する。エネルギービームＢは、例えば、端面２５ｃにおいてＹ軸方向に沿って中心点を移動させ、当該中心点を中心にＹＺ平面においてエネルギービームＢの照射スポットを回転させながら走査される。エネルギービームＢの照射スポットの動きは第１実施形態と同様である。エネルギービームＢの照射条件は、第１実施形態と同様に、タブ積層体２５の端面２５ｃにおける位置に応じて、エネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量が変わるように制御される。
【００６４】
図１５に示されるように、エネルギービームＢの照射により、タブ積層体２５の端面２５ｃから内側に溶接部Ｗが形成される。溶接部Ｗの境界線Ｗａは、タブ積層体２５のＸＺ断面において、方向Ｈ及びＺ軸方向の両方に対して傾斜した方向に延びる第１の部分Ｗａ１と、Ｚ軸方向に延びる第２の部分Ｗａ２とを有する。溶接部Ｗは、集電板１９内に位置する境界線Ｗｂを有してもよい。
【００６５】
同様に、エネルギービームＢをタブ積層体２１の端面２１ｃに照射することによって、タブ積層体２１の端面２１ｃにも溶接部Ｗが形成される。
【００６６】
第２実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。また、第２実施形態では、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂに加えて端面２５ｃにも溶接部Ｗが形成されるので、タブ１７ｂ間の電気抵抗値を低減することができる。同様に、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂに加えて端面２１ｃにも溶接部Ｗが形成されるので、タブ１４ｂ間の電気抵抗値を低減することができる。タブ積層体２１，２５の端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂに溶接部Ｗが形成されず、タブ積層体２１，２５の端面２１ｃ，２５ｃにのみ溶接部Ｗが形成されてもよい。
【００６７】
図１６〜図１７は、第３実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。図１６（Ａ）及び図１７（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図であり、図１６（Ｂ）及び図１７（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。第３実施形態では、積層型の電極組立体３に代えて巻回型の電極組立体３を製造すること以外は第１実施形態と同様に電極組立体３を製造することができる。
【００６８】
巻回型の電極組立体３は、積層型の電極組立体３と同様に、タブ積層体２１，２５を備える。タブ積層体２１，２５はＸ軸方向において互いに反対側に配置される。タブ積層体２５では、複数のタブ１７ｂが、Ｘ軸方向の軸を中心に巻回された後、Ｚ軸方向に圧縮されている。そのため、タブ積層体２５は、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１７ｂを有する。したがって、巻回型の電極組立体３において、タブ積層体２５は端面２５ａ，２５ｂを備えておらず、先端に位置する端面２５ｃのみを備えている。同様に、タブ積層体２１は端面２１ａ，２１ｂを備えておらず、先端に位置する端面２１ｃのみを備えている。
【００６９】
図１６に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ｃに直交すると共にタブ積層体２５の積層方向を含む平面（例えばＸＺ平面）にエネルギービームＢの照射方向を投影した方向Ｊは、当該平面（例えばＸＺ平面）において、Ｚ軸方向に直交する方向Ｈ（例えばＸ軸方向）及びタブ積層体２５の積層方向の両方に対して傾斜している。方向Ｊはタブ積層体２５の端面２５ｃに対しても傾斜している。エネルギービームＢの照射スポットの動きは第２実施形態と同様である。エネルギービームＢの照射条件は、第２実施形態と同様に、タブ積層体２５の端面２５ｃにおける位置に応じて、エネルギービームＢから受ける単位面積当たりのエネルギー総量が変わるように制御される。
【００７０】
図１７に示されるように、エネルギービームＢの照射により、タブ積層体２５の端面２５ｃから内側に溶接部Ｗが形成される。溶接部Ｗの境界線Ｗａは、タブ積層体２５のＸＺ断面において、方向Ｈ及びＺ軸方向の両方に対して傾斜した方向に延びる第１の部分Ｗａ１と、Ｚ軸方向に延びる第２の部分Ｗａ２とを有する。溶接部Ｗは、集電板１９内に位置する境界線Ｗｂを有してもよい。
【００７１】
同様に、エネルギービームＢをタブ積層体２１の端面２１ｃに照射することによって、タブ積層体２１の端面２１ｃにも溶接部Ｗが形成される。
【００７２】
巻回型の電極組立体３では、図１８に示されるように、集電板１９が複数のタブ積層体２５間に位置してもよい。図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示されるように、複数の保護板２７間に、複数のタブ積層体２５及び集電板１９が位置してもよい。この場合、エネルギービームＢを複数の端面２５ｃにそれぞれ照射することによって、複数の端面２５ｃに溶接部Ｗがそれぞれ形成される。これにより、図１６及び図１７の巻回型の電極組立体３に比べて、タブ１７ｂのＺ軸方向における変位量を半分程度に小さくすることができる。同様に、電極組立体３は、集電板１６を間に挟む複数のタブ積層体２１を備えてもよい。エネルギービームＢを複数の端面２１ｃにそれぞれ照射することによって、複数の端面２１ｃに溶接部Ｗがそれぞれ形成される。これにより、図１６及び図１７の巻回型の電極組立体３に比べて、タブ１４ｂのＺ軸方向における変位量を半分程度に小さくすることができる。また、図１８（Ｃ）及び図１８（Ｄ）に示されるように、上側のタブ積層体２５の端面２５ｃに溶接部Ｗを形成し、下側のタブ積層体２５の端面２５ｃに溶接部Ｗを形成しなくてもよい。巻回型の電極組立体３では、下側のタブ積層体２５は上側のタブ積層体２５と一体化しているので、下側のタブ積層体２５に溶接部Ｗを形成する必要がない。この場合、溶接部Ｗを形成する手間を軽減できる。タブ積層体２１についても同様に、上側のタブ積層体２１の端面２１ｃに溶接部Ｗを形成し、下側のタブ積層体２５の端面２１ｃに溶接部Ｗを形成しなくてもよい。
【００７３】
第３実施形態では、第２実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００７４】
図１９は、第４実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。第４実施形態では、溶接部Ｗの境界線ＷａがＺ軸方向に延びるようにエネルギービームＢの照射条件を制御すること以外は第１実施形態と同様に電極組立体３を製造することができる。
【００７５】
本実施形態では、第１実施形態に比べて、図６の位置Ｐ２におけるエネルギー総量Ｑ２を大きくするように、エネルギービームＢの照射条件が制御される。例えば、タブ積層体２５の端面２５ａの保護板２７側領域において、保護板２７から集電板１９に向かうに連れて各位置Ｐ２におけるエネルギー総量Ｑ２が徐々に小さくなるように、エネルギービームＢの照射条件が制御される。その結果、図１９に示されるように、Ｚ軸方向を含みタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂに直交するタブ積層体２５の断面（例えばＹＺ断面）において、溶接部Ｗの境界線ＷａはＺ軸方向に延びる。境界線Ｗａは、例えばＺ軸方向に略平行な直線である。同様に、タブ積層体２５の端面２５ｂ、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂに形成される溶接部Ｗの境界線ＷａもＺ軸方向に延びる。
【００７６】
第４実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。さらに、タブ積層体２５の端面２５ａの保護板２７側領域において溶接部Ｗの溶接深さが深くなる。そのため、タブ積層体２５のタブ１７ｂがＹ軸方向に位置ずれした場合であっても、タブ１７ｂ間に未溶接部が生じることを抑制できる。タブ積層体２１についても同様にタブ１４ｂ間に未溶接部が生じることを抑制できる。
【００７７】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明されたが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記各実施形態の構成要素は任意に組み合わされ得る。
【００７８】
例えば、上記実施形態において、エネルギービームＢの照射方向はＸＹ平面に平行であってもよい。
【符号の説明】
【００７９】
３…電極組立体、１１…正極（電極）、１２…負極（電極）、１４ｂ，１７ｂ…タブ、１６，１９…集電板（集電体）、２１，２５…タブ積層体、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ…端面、Ｂ…エネルギービーム、Ｐ１…第１の位置、Ｐ２…第２の位置、Ｗ…溶接部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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