(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部とその周辺の非発光部を含むサブ画素をマトリックス状に配列した表示領域と、前記表示領域を取り囲む外郭領域とを有する基板、
前記基板の非発光部に備えられた補助配線、
前記補助配線の一部を露出させる第１ホールを有する層間絶縁スタック、
前記発光部に備えられたアノード、
前記層間絶縁スタック上の第１突出パターンであって、前記アノードと少なくとも部分的に同じ層に位置し、アノードダミーパターンのみから形成され、前記第１ホールの内側に少なくともいずれか一面が突出して前記補助配線の一部と重畳し、前記補助配線との間に垂直離隔空間を有する、第１突出パターン、
前記第１突出パターンと前記補助配線が重畳しない前記補助配線の部位の上面、及び前記発光部の層間絶縁スタック上の有機発光層、並びに
前記有機発光層の上部、及び前記非発光部の前記第１ホール内の前記第１突出パターンと重畳する補助配線の上部と直接接触するカソードを含む、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記カソードは、前記第１突出パターンと重畳しない前記補助配線の上部、及び前記発光部の層間絶縁スタック上に配置された前記有機発光層上に位置する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記補助配線のない前記非発光部の層間絶縁スタックの内に備えられた第２ホール、及び
前記層間絶縁スタック上に、少なくともいずれか一面が前記第２ホールの内側に突出し、前記アノードと同じ層に位置する、第２突出パターンをさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２ホールの下部に備えられ、前記層間絶縁スタックを成す下層絶縁膜とは違う食刻率を有する無機絶縁膜をさらに含む、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第２ホールは前記発光部の一辺に沿って配置される、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第２ホールは前記発光部の周辺を取り囲む形状である、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第２突出パターンは前記補助配線の上部に前記第２ホールより小さい第２サブホールを有する、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記層間絶縁スタックは、前記基板に近い側から順次積層される無機絶縁膜及び有機絶縁膜を含む、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記補助配線上の前記無機絶縁膜及び有機絶縁膜はその界面で互いに同一直径のホールを有する、請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記発光部と前記補助配線の上に開口を有するバンクを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１突出パターンは前記補助配線と前記層間絶縁スタックのコンタクトホールを介して電気的に接続される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記補助配線は前記各サブ画素内の薄膜トランジスタを成す一電極と同一層に位置する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記補助配線は前記外郭領域のパッド電極と同一層に位置する、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記層間絶縁スタックはパッド電極の上部の一部を露出させる開放領域を有し、
前記開放領域は無機絶縁膜のホールによって規定される、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
発光部とその周辺の非発光部を含むサブ画素をマトリックス状に配列した表示領域と、前記表示領域を取り囲む外郭領域とを有する基板を準備する段階、
前記基板の非発光部に補助配線を提供する段階、
前記補助配線を含む基板上に、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して層間絶縁スタックを形成し、前記有機絶縁膜内の補助配線と一部だけ重畳する第１ホールを提供する段階、
前記層間絶縁スタック上に、
前記発光部にはアノードを形成し、
前記非発光部には、前記アノードと少なくとも部分的に同じ層に、前記アノードと離隔して、前記非発光部の補助配線の上に少なくともいずれか一面が前記第１ホールの内側に突出して前記補助配線の一部を覆うアノードダミーパターンのみから形成される第１突出パターンを提供する段階、
前記第１突出パターン下側の前記無機絶縁膜に、前記第１ホールに対応する大きさにホールを形成し、前記補助配線を露出させ、前記第１突出パターンと前記補助配線との間に垂直離隔空間を形成する段階、
前記第１突出パターンが覆う補助配線の部位を除き、前記補助配線の上面に有機発光層を形成する段階、及び
前記有機発光層を覆い、前記第１突出パターンが覆う補助配線の部位と接触するカソードを形成する段階を含む、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記層間絶縁スタックを提供する段階は、前記補助配線のない前記非発光部の層間絶縁スタックの内に第２ホールを形成する段階を含む、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１突出パターンを形成する段階は、前記層間絶縁スタック上の、前記アノードと同じ層に少なくともいずれか一面が前記第２ホールの内側に突出する第２突出パターンを形成する段階を含む、請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置に関するもので、より詳しくは複数のサブ画素を覆うカソードの抵抗を低めるために補助配線をさらに備え、カソードと補助配線の間の電気的接続を向上させ、さらに側部漏洩電流を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するに従い、画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態として増加しており、近年には液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ、又は有機電界発光表示装置）などの多様な表示装置が活用されている。このような多様な表示装置には、それに合う表示パネルが含まれる。
【０００３】
このうち、有機発光表示装置は自発光装置で、別個の光源ユニットを要しなくてスリム化又はフレキシブル化に有利であり、さらに色純度が良いという利点がある。
【０００４】
このような有機発光表示装置は、有機発光ダイオードを含んで発光を行う。前記有機発光ダイオードＯＬＥＤは互いに異なる二つの電極と、その間の発光層を含んでなり、いずれか一方の電極で発生した電子と他方の電極で発生した正孔が発光層の内部に注入されれば、注入された電子及び正孔が結合してエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、生成されたエキシトンが励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ  ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に落ちながら発光を行う。
【０００５】
このような有機発光表示装置のうち、基板に規定されたマトリックス状の複数のサブ画素に個別に有機発光ダイオードを含み、前記有機発光ダイオードの制御のために各サブ画素に駆動薄膜トランジスタを含む形態をアクティブ型有機発光表示装置と言う。
【０００６】
前記アクティブ型有機発光表示装置において、有機発光ダイオードは互いに対向する第１及び第２電極とその間の有機発光層を含み、第１電極は画素別にパターニングされており、第２電極は複数のサブ画素をカバーする形状に一体的に形成される。
【０００７】
以下、従来の有機発光表示装置の問題点を説明する。
【０００８】
図１は従来の有機発光表示装置において、一辺とこれに対向する対向辺の間で、一辺から対向辺に行きながら輝度変化を測定したグラフである。
【０００９】
図１のように、従来の有機発光表示装置は平面上で長方形であり、一辺から対向辺に行きながら輝度変化を測定するとき、輝度が均一ではなく、一辺と対向辺の間の中央で輝度が最も低く、外側に行くほど、つまり一辺又は対向辺に近付くほど輝度が上昇することが観察された。これは外側から中央に行くほど徐々に輝度が低下することを意味する。
【００１０】
このような輝度不均一の原因を分析した結果、その一理由として、有機発光表示装置では、複数のサブ画素をカバーするように有機発光ダイオードの第２電極（上部電極）が形成されるが、第２電極は材料の特性上抵抗が高い点が指摘された。より詳細に、外側部で第２電極は直ちに定電圧（ｃｏｎｓｔａｎｔ  ｖｏｌｔａｇｅ）又は接地電圧（ｇｒｏｕｎｄ  ｖｏｌｔａｇｅ）が供給されるが、中央に行くほど電圧供給部から遠くなり、よって外側から中央部位に行くほど抵抗が増加し、電圧安全性も落ちるからである。したがって、図１のように、領域間の輝度差が発生する。
【００１１】
また、表示装置では、輝度差が発生するとき、視聴者はこれを敏感に認知することになるので、これに対する改善が要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上述した問題点を解決するためのもので、複数のサブ画素を覆うカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）の抵抗を低めるために補助配線をさらに備え、カソードと補助配線の間の電気的接続を向上させた有機発光表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記のような目的を達成するための本発明は、アンダーカット構造を層間絶縁スタックに備え、前記アンダーカット部位で選択的に補助配線とカソードの間の接続を行ってパネルの輝度を改善することができ、さらにこの構造を他の部位の非発光部に適用して側部漏洩電流も解決することができる。
【００１４】
本発明の一実施例による有機発光表示装置は、発光部とその周辺の非発光部を含むサブ画素をマトリックス状に配列した表示領域と、前記表示領域を取り囲む外郭領域とを有する基板；前記基板の非発光部に備えられた補助配線；前記補助配線の一部を露出させる第１ホールを有する層間絶縁スタック；前記第１ホールの内側に少なくともいずれか一面が突出して前記補助配線の一部と重畳する、前記層間絶縁スタック上の第１突出パターン；及び前記第１突出パターンと重畳する補助配線の部位と接触するカソードを含むことができる。
【００１５】
また、前記第１突出パターンは前記補助配線との間に垂直離隔空間を有することができ、前記第１突出パターンと重畳しない前記補助配線の部位の上面、及び前記発光部の層間絶縁スタック上に有機発光層をさらに含むことができる。
【００１６】
前記カソードは、前記第１突出パターンと重畳する前記補助配線の部位の上面、及び前記発光部の層間絶縁スタック上に配置された前記有機発光層上に位置することができる。
【００１７】
前記第１ホールを除いた前記非発光部の層間絶縁スタックに形成された第２ホール；及び少なくともいずれか一面が前記第２ホールの内側に突出する、前記層間絶縁スタック上の第２突出パターンをさらに含むことができる。
【００１８】
前記第１突出パターンと前記第２突出パターンは同一層にあってもよい。
【００１９】
前記第２ホールの下部に備えられ、前記層間絶縁スタックを成す下層絶縁膜とは違う食刻率を有する無機絶縁膜をさらに含むことができる。
【００２０】
また、前記第２ホールは前記発光部の一辺に沿って配置されることができる。
【００２１】
そして、前記第２ホールは前記発光部の周辺を取り囲む形状であってもよい。
【００２２】
前記第１突出パターン及び第２突出パターンの少なくとも一つは前記補助配線の上部に前記第１ホールより小さい第１サブホールを有するバンクであってもよい。
【００２３】
前記層間絶縁スタックは、前記基板に近い側から順次積層される無機絶縁膜及び有機絶縁膜を含むことができる。
【００２４】
前記無機絶縁膜が前記第１ホール及び第２ホールを有し、前記有機絶縁膜がそれぞれの第１ホール及び第２ホールより小さい第１サブホール及び第２サブホールを有し、前記第１突出パターン及び第２突出パターンは前記第１ホール及び第２ホール内に突出する有機絶縁膜によって規定されることができる。
【００２５】
前記補助配線上の前記無機絶縁膜及び有機絶縁膜はその界面で互いに同一直径のホールを有することができる。
【００２６】
前記バンクは前記発光部に開口を有し、前記有機発光表示装置は、前記発光部に、前記基板に近い側から順にアノード、前記有機発光層及び前記カソードを含む有機発光ダイオードを有することができる。
【００２７】
前記第１突出パターン及び第２突出パターンの少なくともいずれか一つは前記アノードと同一層のアノードダミーパターンであってもよい。
【００２８】
また、前記アノードダミーパターンは前記補助配線と前記層間絶縁スタックのコンタクトホールを介して電気的に接続されることができる。
【００２９】
そして、前記第１突出パターン及び第２突出パターンの少なくともいずれか一つは有機絶縁膜であってもよい。
【００３０】
前記補助配線は前記各サブ画素内の薄膜トランジスタを成す一電極と同一層に位置することができる。
【００３１】
そして、前記補助配線は前記外郭領域のパッド電極と同一層に位置することができる。
【００３２】
前記層間絶縁スタックは前記パッド電極の上部の一部を露出させる開放領域を有し、前記開放領域は前記無機絶縁膜のホールによって規定されることができる。
【００３３】
また、本発明の有機発光表示装置の製造方法は、発光部とその周辺の非発光部を含むサブ画素をマトリックス状に配列した表示領域と、前記表示領域を取り囲む外郭領域とを有する基板を準備する段階；前記基板の非発光部に補助配線を提供する段階；前記補助配線の一部を露出させる第１ホールを有する層間絶縁スタックを提供する段階；前記層間絶縁スタック上に、少なくともいずれか一面が前記第１ホールの内側に突出して前記補助配線の一部を覆う第１突出パターンを提供する段階；前記第１突出パターンが覆う補助配線の部位を除き、前記補助配線の上面に有機発光層を形成する段階；及び前記有機発光層を覆い、前記第１突出パターンが覆う補助配線の部位と接触するカソードを形成する段階を含むことができる。
【００３４】
前記層間絶縁スタックを提供する段階は、前記第１ホールを除いた前記非発光部の層間絶縁スタックに第２ホールを形成する段階を含むことができる。
【００３５】
そして、前記第１突出パターンを形成する段階は、前記層間絶縁スタック上に、少なくともいずれか一面が前記第２ホールの内側に突出する第２突出パターンを形成する段階を含むことができる。
【００３６】
また、本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、発光部とその周辺の非発光部を含むサブ画素をマトリックス状に配列した表示領域と、前記表示領域を取り囲む外郭領域とを有する基板を準備する段階；前記基板の非発光部に補助配線を、前記各サブ画素に薄膜トランジスタを、前記外郭領域にパッド電極を提供する段階；前記補助配線、薄膜トランジスタ及びパッド電極を覆う無機絶縁膜及び有機絶縁膜を順に形成した後、前記有機絶縁膜と無機絶縁膜を共通で除去して前記薄膜トランジスタの一電極を露出させる第１コンタクトホールを形成し、前記補助配線の上部に対応する有機絶縁膜ホールを形成するように有機絶縁膜を除去する段階；前記第１コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタの電極と接続されるように前記有機絶縁膜上にアノードを形成する段階；前記アノードの一部を覆い、前記発光部及び前記有機絶縁膜ホールの一部に開口部を有するバンクを形成する段階；及びフォトレジストパターンを用いて無機絶縁膜を選択的に除去して、前記パッド電極の上部を開放すると同時に前記補助配線の上部を開放する段階を含むことができる。
【００３７】
前記バンクを形成する段階で、前記バンクは前記補助配線に対応して前記補助配線と重畳するように前記有機絶縁膜ホール内に突出し、前記パッド電極及び前記補助配線の上部は無機絶縁膜によって保護されることができる。
【００３８】
前記バンク及び有機絶縁膜と重畳する補助配線の部位を除き、前記補助配線上に有機発光層を形成する段階；及び前記有機発光層を覆い、前記バンクが覆う補助配線の部位と接触するカソードを形成する段階をさらに含むことができる。
【００３９】
前記アノードを形成する段階は、前記有機絶縁膜の上部と前記有機絶縁膜ホールの内側に突出したアノードダミーパターンとを一緒に形成する段階を含むことができる。
【００４０】
前記第１コンタクトホールを形成する段階で、前記第１コンタクトホールから離隔して前記補助配線の一部を露出させるように第２コンタクトホールをさらに形成し、前記アノードダミーパターンを形成する段階で、前記アノードダミーパターンは前記第２コンタクトホールを介して前記補助配線の上部と接続させることができる。
【００４１】
前記フォトレジストパターンは形成しようとするパッド電極上部の開放領域及び前記補助配線上の開放領域の内側に突出することができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明の有機発光表示装置及びその製造方法は次のような効果がある。
【００４３】
保護膜（無機絶縁膜）とその上部に位置する、保護膜とは違う性質の絶縁膜又は金属膜において、少なくとも一面がアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）形状を有するようにして、補助配線上に別個の隔壁を備えなくても補助配線上に有機発光層の非形成部位を規定し、前記有機発光層の非形成部位で補助配線とカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）間の電気的接続を図ることができる。したがって、パネル上に単一パターンで形成されるカソードの抵抗を低め、結果として電気的信頼性を得ることができ、パネルの全領域にわたって均一な輝度を期待することができる。
【００４４】
また、保護膜の上側に位置するオーバーコート層又はバンク又はアノード物質で補助配線上部のホール内突出パターンを形成し、その下側の保護膜除去工程をバンク形成後に行い、バンクに対する熱工程で突出パターンがリフローして遺失される現象を防止することができる。
【００４５】
そして、隔壁構造を使わなくてマスクの使用を減らすことにより、工程時間及びコストを低減することができる。
【００４６】
また、前記保護膜上のオーバーコート層又はアノードのパターンを補助配線上のコンタクトホールの内側に備えると、補助配線の一部がアンダーカット形状で覆われるので、この部位を通じて選択的なカソードのみの蒸着が可能である。
【００４７】
究極に、補助配線とカソード間の電気的接続を安定化して大面積カソードの抵抗を減らし、パネル領域全体にわたって均一な輝度を確保することができる。
【００４８】
そして、上述した層間絶縁スタック内のアンダーカット構造を有機発光層のサブ画素間の分離に用いることにより、有機発光又は共通層の共有によって発生する側部漏洩電流も防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来の有機発光表示装置において、一辺とこれに対向する対向辺の間で、一辺から対向辺に行きながら輝度変化を測定したグラフである。
【００５０】
【図２】本発明の有機発光表示装置を示した概略ブロック図である。
【００５１】
【図３】図２の各サブ画素の回路図である。
【００５２】
【図４】図２の各サブ画素を示した平面図である。
【００５３】
【図５】本発明の第１実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【００５４】
【図６ａ】図５の有機発光表示装置の工程断面図である。
【図６ｂ】図５の有機発光表示装置の工程断面図である。
【図６ｃ】図５の有機発光表示装置の工程断面図である。
【図６ｄ】図５の有機発光表示装置の工程断面図である。
【図６ｅ】図５の有機発光表示装置の工程断面図である。
【００５５】
【図７】本発明の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【００５６】
【図８】本発明の第２実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【００５７】
【図９ａ】図８の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【図９ｂ】図８の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【図９ｃ】図８の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【図９ｄ】図８の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【００５８】
【図１０】本発明の第３実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【００５９】
【図１１ａ】図１０の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【図１１ｂ】図１０の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【図１１ｃ】図１０の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【図１１ｄ】図１０の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【００６０】
【図１２】補助配線とカソード間の接続部のアンダーカットの遺失を示したＳＥＭ図である。
【００６１】
【図１３】図１１の補助配線とカソード間の接続部のＳＥＭ図である。
【００６２】
【図１４】本発明の第４実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【００６３】
【図１５】比較例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【００６４】
【図１６】本発明の第５実施例による有機発光表示装置を示した平面図である。
【００６５】
【図１７ａ】さまざまな変形例による図１６の断面図である。
【図１７ｂ】さまざまな変形例による図１６の断面図である。
【図１７ｃ】さまざまな変形例による図１６の断面図である。
【００６６】
【図１８】本発明の第６実施例による有機発光表示装置を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６７】
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００６８】
次に開示する実施例は当業者に本発明の思想を充分に伝達するための例として提供するものである。したがって、本発明は以下で説明する実施例に限定されず、他の形状に具体化することもできる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることもある。明細書全般にわたって同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００６９】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付図面に基づいて詳細に後述する実施例から明らかになるであろう。しかし、本発明は以下で開示する実施例に限定されるものではなく、相異なる多様な形状に具現可能であろう。ただ、これらの実施例は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求範囲の範疇によって規定されるだけである。明細書全般にわたって同じ参照符号は同じ構成要素を示す。図面において、層及び領域の大きさ及び相対的な大きさは説明の明瞭性のために誇張されることもある。
【００７０】
ある素子（ｅｌｅｍｅｎｔ）又は層が他の素子又は層“上（ｏｎ）”にあると言うとき、これは他の素子又は層の直ぐ上だけではなくその中間にさらに他の素子又は層が介在することを示す。一方、ある素子又は層が他の素子又は層の“直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）”又は“直ぐ上”にあるというとき、これはその中間に他の素子又は層が介在しないことを示す。
【００７１】
空間的に相対的な用語である“下（ｂｅｌｏｗ、ｂｅｎｅａｔｈ）”、“下側（ｌｏｗｅｒ）”、“上（ａｂｏｖｅ）”、“上側（ｕｐｐｅｒ）”などは、図面に示したように、一つの素子又は構成要素と他の素子又は構成要素の相関関係を容易に記述するために使うことができる。空間的に相対的な用語は図面に示した方向だけではなく、使用時又は動作時の素子の相異なる方向を含む用語として理解しなければならない。例えば、図面に示した素子を覆す場合、他の素子の“下（ｂｅｌｏｗ）又は（ｂｅｎｅａｔｈ）”にあると記述された素子は他の素子の“上（ａｂｏｖｅ）”に位置することができる。したがって、例示的な用語である“下”は下と上の方向のいずれも含むことができる。
【００７２】
本明細書で使用した用語は実施例を説明するためだけのものであり、本発明を制限しようとするものではない。この明細書で、単数型は文句で特に言及しない限り複数型も含む。明細書で使われる“含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）”は言及した構成要素、段階、動作及び／又は素子が一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／又は素子の存在又は追加を排除しないことを意味する。
【００７３】
図２は本発明の有機発光表示装置を示した概略ブロック図、図３は図２の各サブ画素の回路図である。また、図４は図２の各サブ画素を示した平面図である。
【００７４】
まず、以下で説明する断面図の構成を理解するために、図２〜図４で本発明の有機発光表示装置の空間区分と領域定義を説明する。
【００７５】
図２〜図４のように、本発明の有機発光表示装置１０は、多角形、好ましくは長方形の基板１００を含み、前記基板１００上の構成要素を含む。
【００７６】
そして、前記基板１００は、大別して中央の表示領域ＡＡとその外側の外郭領域（ｅｄｇｅ  ａｒｅａ）とに区分される。前記表示領域ＡＡ内には、それぞれが発光部ＥＡとその周辺の非発光部ＮＥＡを含むサブ画素ＳＰがマトリックス状に配列される。
【００７７】
前記サブ画素ＳＰは互いに交差するゲートラインＧＬとデータラインＤＬによって区分される。また、前記表示領域ＡＡ内には、各サブ画素ＳＰに備えられるピクセル回路ＰＣを駆動するために前記データラインと同一方向に駆動電圧が印加される駆動電圧ラインＶＤＤＬがさらに備えられ、前記駆動電圧ラインはピクセル回路ＰＣの一部である駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒに連結される。
【００７８】
図３に基づき、前記ラインに連結されたピクセル回路ＰＣを説明すると、ピクセル回路ＰＣは、前記ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差部に備えられたスイッチング薄膜トランジスタＳ−Ｔｒ、スイッチング薄膜トランジスタＳ−Ｔｒと駆動電圧ラインＶＤＤＬの間に備えられた駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒ、駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒと連結された有機発光ダイオードＯＬＥＤ、及び前記駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒのゲート電極とドレイン電極（又はソース電極）の間に備えられたストレージキャパシターＣｓｔを含む。
【００７９】
ここで、スイッチング薄膜トランジスタＳ−ＴｒはゲートラインＧＬとデータラインＤＬが交差する領域に形成され、該当のサブ画素を選択する機能をし、そして、駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒはスイッチング薄膜トランジスタＳ−Ｔｒによって選択されたサブ画素の有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する機能をする。
【００８０】
また、前記外郭領域は、前記ゲートラインＧＬにスキャン信号を供給するゲート駆動部ＧＤと前記データラインＤＬにデータ信号を供給するデータ駆動部ＤＤを含む。そして、前記駆動電圧ラインＶＤＤＬは前記外郭領域に第１電源ＶＤＤを備え、駆動電圧を受けるかあるいはデータ駆動部ＤＤを介して駆動電圧を受けることができる。
【００８１】
ここで、前記ゲート駆動部ＧＤ及びデータ駆動部ＤＤ／第１電源ＶＤＤは、前記表示領域の薄膜トランジスタの形成時に前記基板１００上の外郭領域に直接内蔵して形成することもでき、あるいは基板１００の外郭領域に別にフィルム又は印刷回路基板の部材を付着して形成することもできる。このような回路駆動部はいずれの場合にも表示領域の外郭領域に備えられるもので、このために表示領域ＡＡは基板１００のエッジより内側に規定される。
【００８２】
また、ゲート駆動部ＧＤは複数のゲートラインＧＬにスキャン信号を順次供給する。例えば、ゲート駆動部ＧＤは制御回路であり、タイミングコントローラー（図示せず）などから供給される制御信号に応じて複数のゲートラインＧＬにスキャン信号を供給する。
【００８３】
また、データ駆動部ＤＤはタイミングコントローラー（図示せず）などの外部から供給される制御信号に応じてデータラインＤＬのうちで選択されたデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）にデータ信号を供給する。データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に供給されたデータ信号は、ゲートライン（ＧＬ〜ＧＬｎ）にスキャン信号が供給される都度、スキャン信号によって選択されたサブ画素ＳＰに供給される。これにより、サブ画素ＳＰはデータ信号に対応する電圧を充電し、これに対応する輝度で発光する。
【００８４】
一方、前記基板１００はプラスチック、ガラス、セラミックなどでなる絶縁基板であってもよい。基板１００がプラスチックで構成される場合、スリムでありながら撓うことができるフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）な特性を有することができる。ただ、基板１００の材料はこれに限られなく、金属を含み、配線が形成される側に絶縁性バッファー層をさらに備えた形態になることもできる。
【００８５】
また、前記サブ画素ＳＰは複数、例えばそれぞれ互いに異なる色相の光を発光する３個又は４個のサブ画素をセットとする画素と定義されることができる。
【００８６】
このようなサブ画素ＳＰは、特定の種類のカラーフィルターが形成されるか、あるいはカラーフィルターの代わりに、有機発光ダイオードが特別な色相を発光することができる単位を意味する。サブ画素ＳＰで定義する色相として赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色Ｂを含み、場合によっては選択的に白色（Ｗ）をさらに含むことができるが、本発明がこれに限られるものではない。
【００８７】
前記有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒと第１ノードＡで連結され、各サブ画素に備えられたアノード、前記アノードと対向するカソード、及び前記アノードとカソードの間の有機発光層を含む。
【００８８】
一方、有機表示装置１０は、上面発光（Ｔｏｐ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）、下面発光（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）及び両面発光（Ｄｕａｌ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式などがある。ここで、どの発光方式を選んでも表示パネルが増加する大面積の表示パネルでは抵抗性の高い有機発光ダイオードのカソードを表示領域の全面に形成させる過程でカソードの電圧降下が発生することができるので、本発明ではこれを解決するための補助電極又は補助配線１３０を、図４のように、非発光部に備えるものである。
【００８９】
ここで、前記補助配線１３０は金属からなり、前記データラインＤＬと同一層に配置され、前記カソード間のコンタクト部（図４のＢノードの１８００ｂ参照）を備える。導電性の良い補助配線１３０が個別サブ画素又は画素でカソードと接続し、前記補助配線１３０の進行方向にカソードの抵抗を低め、これにより、エッジから中央に行くほど徐々にひどくなるカソードの電圧降下を防止することができる。
【００９０】
図示の例において、前記補助配線１３０はゲートラインＧＬの方向の第１配線１３１及びデータラインＤＬの方向の第２配線１３２を含むが、これに限られず、このうち一方向にのみ配置させることも可能である。
【００９１】
一方、前記補助配線１３０は、前述したように、データラインＤＬと同一の層、つまり薄膜トランジスタを成す一電極と同一の層で一緒にパターニングされてなるもので、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉの単一層又はこれらの組合せの複数層でなることができ、前記カソードと第２ノードＢで接続されて前記カソードの抵抗を低める機能をする。
【００９２】
以下、後述する実施例は上面発光方式の有機発光表示装置を中心として説明するが、本発明の実施例がり上面発光方式に限られるものではなく、カソードの電圧降下を防止する全ての表示装置の構造に適用可能である。
【００９３】
以下で説明する実施例は、いずれも発光部ＥＡとその周辺の非発光部ＮＥＡを含むサブ画素ＳＰをマトリックス状に配列した表示領域ＡＡと前記表示領域ＡＡを取り囲む外郭領域とを有する基板１００と、前記基板上の各サブ画素ＳＰに備えられた駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒと、前記駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒと第１ノードＡで接続され、前記発光部ＥＡをカバーするアノード１２０、前記表示領域ＡＡの全領域にわたって位置するカソード１２２及び前記アノード１２０とカソード１２２の間の層間の有機発光層１２１を含んでなる有機発光ダイオードＯＬＥＤと、前記非発光部ＮＥＡに位置する第２ノードＢで前記カソード１２２の下側一部と接続された補助配線１３０と、前記第１ノードＡ及び第２ノードＢに対応してそれぞれ駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒの一部と前記補助配線１３０を露出する第１コンタクトホール１８００ａ及び第１ホール１８００ｂを有し、前記駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒと前記アノード１２０の間の層間に位置する層間絶縁スタック１８００とを含む。そして、前記層間絶縁スタック１８００の第１ホール１８００ｂに対しては、前記第１ホール１８００ｂ内の内側部に突出パターンを備えてアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）の形状を有し、前記アンダーカットの下部で補助配線１３０とカソード１２２の間の選択的な接続を有することができる。
【００９４】
以下、具体的に断面図を参照して本発明の幾つかの実施例による有機発光表示装置及びその製造方法について説明する。
【００９５】
＜第１実施例＞
【００９６】
図５は本発明の第１実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【００９７】
図５のように、本発明の有機発光表示装置は、発光部ＥＡとその周辺の非発光部ＮＥＡを含むサブ画素ＳＰをマトリックス状に配列した表示領域ＡＡと前記表示領域を取り囲む外郭領域とを有する基板１００と、前記基板の非発光部ＮＥＡに備えられた補助配線１３０：１３１、１３２と、前記補助配線１３０の一部を露出させる第１ホール１８００ｂを有する層間絶縁スタック１８００とを含む。
【００９８】
そして、前記層間絶縁スタック１８００の表面にバンク１５０が位置し、前記バンク１５０は前記第１ホール１８００ｂより少なくともいずれか一面が前記第１ホール１８００ｂの内側に位置し、第１ホール１８００ｂによって開放された領域で前記補助配線１３０の一部と重畳するように側部に突出した形状を有する。ここで、前記バンク１５０は層間絶縁スタック１８００の上部にのみ位置することもでき、あるいは、図示のように、上部だけではなく側壁の一部上にも位置して相対的に層間絶縁スタック１８００より補助配線１３０との重畳面積をもっと有することができる。そして、バンク１５０は前記補助配線１３０との間に垂直離隔空間を有することができる。
【００９９】
ここで、前記バンク１５０と重畳しない第１ホール１８００ｂの開放領域において前記補助配線１３０の上面には有機発光層１２１及び前記有機発光層１２１を覆うようにカソード１２２が位置する。
【０１００】
前記バンク１５０と重畳した第１ホール１８００ｂの開放領域においては、有機発光物質の蒸着時に有する直進性によって前記有機発光層１２１が位置しない部位が発生し、有機発光層１２１が位置しなく、前記バンク１５０と補助配線１３０が重畳する領域にカソード１２２が位置して、前記補助配線１３０が直接接触することができる。
【０１０１】
本発明の有機発光表示装置において、補助配線１３０の上部に位置してアンダーカットの形状を誘導する突出パターンは上述したバンク１５０の外にもオーバーコート層１０８又はアノード物質層であってもよく、具体的な他の例は後述する。一方、本発明で説明する‘アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）’とは上部側パターンより下部側パターンが相対的にもっと除去されていることを意味し、アンダーカットが発生した構造では上部側パターンと下部側パターンの界面で下部側パターンがもっと広い面積で除去されている。
【０１０２】
すなわち、保護膜１０７上に突出パターンとしてバンク１５０を補助配線１３０の領域に位置させる場合、露光マスクなしで蒸着される有機発光層１２１は蒸着時に直進性が強くて、突出したバンク１５０の下側によく積もらなくて均一な厚さを有することができない。したがって、有機発光層１２１は前記バンク１５０と前記補助配線１３０が重畳しない前記補助配線１３０の上面と前記発光部の層間絶縁スタック１８００上に均一に形成できるが、バンク１５０と補助配線１３０の重畳領域にはほとんど位置することができない。一方、続いてスパッタリング方式で蒸着されるカソード１２２は金属粒子が乱反射されて蒸着され、前記アンダーカット部位に沿って入って前記突出したバンク１５０の下側の補助配線１３０上にも蒸着されるものである。すなわち、カソード１２２は前記第１ホール１８００ｂ内に突出したバンク１５０と前記補助配線１３０が重畳した前記補助配線１３０の上面と前記発光部の層間絶縁スタック１８００上の前記有機発光層１２１の上部に位置する。したがって、前記突出したバンク１５０の下側の補助配線１３０の一部領域で有機発光ダイオードの上部電極であるカソード１２２と補助配線１３０が直接接触することになり、この部位によってカソード１２２の抵抗を低めることができ、さらに電圧降下を防止することができる。
【０１０３】
一方、前記層間絶縁スタック１８００は前記基板１００に近い側から無機絶縁膜である保護膜１０７と有機絶縁膜であるオーバーコート層１０８が順に積層されたものであってもよい。例えば、保護膜１０７は酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜であってもよく、これらの一層又は複数層を蒸着して形成することができる。前記オーバーコート層１０８は表面の凹凸を平坦化することができる程度の厚さに有機物で形成し、例えばフォトアクリルなどの有機膜であってもよい。
【０１０４】
本発明の第１実施例による有機発光表示装置においては、前記第１ホール１８００ｂは前記補助配線１３０上の前記保護膜１０７とオーバーコート層１０８が界面で互いに同一の直径を有するホール形態に形成されることができる。このような第１実施例では、層間絶縁スタック１８００は、保護膜１０７とオーバーコート層１０８が突出パターンを有しなく、前記オーバーコート層１０８の上部に位置するバンク１５０が突出パターンとして機能するように構成される。
【０１０５】
そして、前記層間絶縁スタック１８００は前記パッド電極２３０の上部一部を露出する開放領域を有し、前記開放領域は前記無機絶縁膜である保護膜１０７のホールによって規定されることができる。
【０１０６】
ここで、前記バンク１５０は前記発光部ＥＡに開口を有し、前記発光部において、前記基板１００に近い側から順にアノード１２０、前記有機発光層１２１及び前記カソード１２２を含む有機発光ダイオードＯＬＥＤを有する。
【０１０７】
図５に示した構成には、前記層間絶縁スタック１８００の第１ホール１８００ｂ内に一面にのみ突出したバンク１５０を有するものを示したが（図示の図では右側が第１ホール１８００内に突出している）、これに限られず、第１ホール１８００ｂに対称的又は非対称的に複数の部分にバンク１５０が突出したパターンを備えることもできる。この場合、突出した部分では全て同じ効果によって有機発光層が蒸着されず、カソード１２２は蒸着される特性を有するようになる。
【０１０８】
また、前記バンク１５０は層間絶縁スタック１８００、つまり保護膜１０７及びオーバーコート層１０８のすぐ後に形成されず、層間絶縁スタック１８００の形成後にアノード１２０を形成するため、発光部ＥＡの周辺ではオーバーコート層１０８が形成された後、アノード１２０が形成され、バンク１５０が位置するようになる。本発明の有機発光表示装置においては、従来の補助配線を備えない構造において非発光部がバンクでカバーされることに対し、非発光部のうち補助配線１３０の上部一部に層間絶縁スタック１８００より第１ホール１８００ｂ側に突出した形状を有するようにバンク１５０をパターニングし、層間絶縁スタック１８００の第１ホール１８００ｂとバンク１５０を一緒に補助配線１３０の上部にアンダーカット構造として用いるものである。この場合、前記バンク１５０はオーバーコート層１０８以後に形成されるので、前記オーバーコート層１０８の上部だけではなく側部も覆うように形成可能である。
【０１０９】
一方、前記第１ホール１８００ｂと一緒に第１コンタクトホール１８００ａが同じ層間絶縁スタック１８００に備えられる。前記第１コンタクトホール１８００ａは、有機発光ダイオードのアノード１２０と下側の薄膜トランジスタＴＦＴを接続させるために、オーバーコート層１０８及び保護膜１０７を選択的に除去することによって規定される。この場合、薄膜トランジスタＴＦＴは図３に示した駆動薄膜トランジスタＤ−Ｔｒに相当し、除去された部位で露出される薄膜トランジスタの電極はソース電極１０６ｂの一部である。
【０１１０】
そして、発光部ＥＡにおいて、層間絶縁スタック１８０上にアノード１２０、有機発光層１２１及びカソード１２２が順に位置して有機発光ダイオードＯＬＥＤを成す。第１コンタクトホール１８００ａ内に位置するアノード１２０は下側の薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１０６ｂと接続され、非発光部ＮＥＡの一部に前記第１コンタクトホール１８００ａが位置し、第１コンタクトホール１８００ａ内のアノード１２０上にバンク１５０が位置することができる。
【０１１１】
図５の層間絶縁スタック１８００の下部構造を説明する。
【０１１２】
本発明の有機発光表示装置は、基板１００上にアクティブ層１０２、ゲート電極１０３、ソース電極１０６ｂ、及びドレイン電極１０６ａを有する薄膜トランジスタＴＦＴを所定部位に備える。上面発光方式において、発光は前記アノード１２０の上側でなされるので、薄膜トランジスタＴＦＴの構成は発光部又は非発光部のどの所に位置しても構わなく、下面発光方式においては、薄膜トランジスタＴＦＴを成す電極によって発光が制限されることができるので、非発光部に薄膜トランジスタを備えることが好ましい。
【０１１３】
前記アクティブ層１０２は非晶質シリコン層、ポリシリコン層、又は酸化物半導体層であってもよく、前記基板１００とアクティブ層１０２の間の層間には基板１００からアクティブ層１０２に不純物が流入することを防止するためにバッファー層１０１を備えることができる。
【０１１４】
一方、前記ゲート電極１０３と前記アクティブ層１０２の間の層間にはゲート絶縁膜１０５を備えて電気的絶縁を維持する。
【０１１５】
また、前記アクティブ層１０２上に積層されたゲート絶縁膜１０５及びゲート電極１０３を覆うように前記バッファー層１０１上に層間絶縁膜１０４がさらに備えられる。
【０１１６】
前記層間絶縁膜１０４に穿設されたコンタクトホールを通じて前記アクティブ層１０２の両側一部を露出させて前記ソース電極１０６ｂ及びドレイン電極１０６ａをアクティブ層１０２の両側と接続させる。
【０１１７】
ここで、前記補助配線１３０は前記ソース電極１０６ｂ及びドレイン電極１０６ａと同一の層に位置し、基板１００の外郭領域にやはり同一層にパッド電極２３０を備える。
【０１１８】
外郭領域のパッド電極２３０は電気的信号を印加されるためにＦＰＣフィルムなどとボンディングされることができ、このために開放領域を備える。図示のように、パッド電極２３０の上面一部を露出させる無機絶縁膜成分の保護膜１０７を除き、その上側に位置するオーバーコート層１０８、バンク１５０などの成分は全てパッド電極２３０の上部から除去されることができる。
【０１１９】
以下、工程断面図を参照して本発明の第１実施例による有機発光表示装置の製造方法上の変化を説明する。
【０１２０】
図６ａ〜図６ｅは図５の有機発光表示装置の工程断面図であり、図７は本発明の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【０１２１】
本発明の有機発光表示装置において、注目すべきことは層間絶縁スタックの形成からであるので、以前の薄膜トランジスタの形成についての具体的な説明は省略する。
【０１２２】
図６ａのように、基板１００上にバッファー層１０１を形成し、サブピクセルの所定部位にアクティブ層１０２を形成する。ついで、前記アクティブ層１０２の上部の所定部位にゲート絶縁膜１０５、ゲート電極１０３を順に形成し、前記アクティブ層１０２の両側を一部露出させるコンタクトホールを有し、残りの部位を覆う層間絶縁膜１０４を形成する。
【０１２３】
ついで、金属を蒸着し、これを選択的にパターニングして、前記コンタクトホールを介してアクティブ層１０２の両側とそれぞれ接続されたソース電極１０６ｂ及びドレイン電極１０６ａと、非発光部の一部に図４のような形状の補助配線１３０を形成し、外郭領域にパッド電極２３０を形成する。このような工程によって、アクティブ層１０２、ゲート電極１０３、ソース電極１０６ｂ及びドレイン電極１０６ａからなった薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。
【０１２４】
ここで、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１０６ｂ及びドレイン電極１０６ａの平坦部と補助配線１３０及びパッド電極２３０は、同一層の層間絶縁膜１０４上に位置する。
【０１２５】
ついで、無機絶縁膜成分の保護膜１０７を前記薄膜トランジスタＴＦＴ、補助配線１３０及びパッド電極２３０を含む層間絶縁膜１０４上に形成する。
【０１２６】
ついで、前記保護膜１０７上にオーバーコート層１０８を形成する。
前記オーバーコート層１０８と保護膜１０７は、その上部にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、前記フォトレジストを一つのマスクで露光及び現像することによってパターンされたフォトレジストパターンによって規定される。この時、マスクは用いるフォトレジストがボジティブ型であれば、それぞれオーバーコート層１０８／保護膜１０７を全て残す部分を遮光部、オーバーコート層１０８のみ除去する部分を半透過部、オーバーコート層１０８及び保護膜１０７を全て除去する部分を透過部と定義する。そして、前記フォトレジストがネガチブ型であれば、これと反対に遮光部と透過部が反転される。
【０１２７】
これにより、前記オーバーコート層１０８のフォトレジストパターンは、前記ソース電極１０６ｂの上部の一部を完全に露出させ、完全に露出されたソース電極１０６ｂの一部の周辺及びパッド電極２３０及び補助配線１３０に対応する部位で一部厚さだけ残るようになる。
【０１２８】
このようなフォトレジストパターンを用いて、一次に、露出された部位のオーバーコート層１０８及び保護膜１０７を除去して、フォトレジストパターンが完全に露出された部位に、図６ｂのように、第１コンタクトホール１８００ａを形成する。
【０１２９】
ついで、前記残っていた薄い厚さのフォトレジストパターンをアッシングして補助配線１３０とパッド電極２３０の上部及び第１コンタクトホール１８００ａの周辺一部に露出されたオーバーコート層１０８を除去することにより、オーバーコート層１０８及び保護膜１０７を含む層間絶縁スタック１８００を形成する。ここで、前記補助配線１３０の上部は補助配線１３０の線幅と類似するか線幅より小さなｈ１の直径のオーバーコート層ホール１０８ｂを形成し、前記パッド電極２３０の上部のオーバーコート層１０８を除去する。この時、前記補助配線１３０と前記パッド電極２３０の上部は保護膜１０７が覆っている状態である。
【０１３０】
ついで、前記第１コンタクトホール１８００ａを含む全面にアノード物質を蒸着し、第１ＰＲパターン２１１を通じて第１コンタクトホール１８００ａを含む発光部ＥＡの対応部位にアノード１２０を残す（１０１Ｓ）。前記アノード１２０は前記第１コンタクトホール１８００ａの内部とオーバーコート層１０８の上部に残っている。
【０１３１】
ついで、前記第１ＰＲパターン２１１を除去する。
【０１３２】
ついで、バンク物質を塗布した後、図６ｃのように、非発光部ＮＥＡのオーバーコート層ホール１０８ｂの一部に位置するようにバンク１５０を残す（１０２Ｓ）。ここで、前記オーバーコート層ホール１０８ｂの内部にバンクホール１５０ｃが形成され、その直径はｈ２で、前記オーバーコート層ホール１０８ｂより小さい。この場合、前記バンク１５０は前記第１ホール１８００ｂの一側（図面上の右側）で前記オーバーコート層１０８を取り囲む形態を有する。
【０１３３】
ついで、図６ｄのように、第２ＰＲパターン２１２を用いて保護膜１０７を除去してパッド電極２３０及び補助配線１３０を露出させる。前記第２ＰＲパターン２１２は、パッド電極２３０の上部に対しては露出しようとするパッド電極２３０の幅より小さい線幅を露出させる第１ＰＲホール２１２ａを有し、前記補助配線１３０に対しては前記オーバーコート層１０８を取り囲むバンク１５０の一側に突出し、残りの領域はバンク１５０の側部及び上部の一部が相対的に露出されるように第２ＰＲホール２１２ｂを有する。ここで、前記第２ＰＲパターン２１２を用いた保護膜１０７の食刻は選択的な保護膜１０７のみの等方性のウェットエッチング（湿食刻）によってなされるので、補助配線１３０上の保護膜１０７の上面に位置する第２ＰＲパターン２１２とバンク１５０の間の間隔より大きな幅で食刻されて層間絶縁スタック１８００の第１ホール１８００ｂが規定されるものである（１０３Ｓ）。この過程で食刻される対象は保護膜１０７である。すなわち、補助配線１３０上には、先に図６ｂで規定された保護膜１０７の上面ではおよそ直径ｈ１内で下方にテーパーが形成されるように保護膜１０７が食刻され、食刻が終わった保護膜１０７の上面のホールは直径ｈ１を有し、前記バンク１５０の表面は前記ホールの内部に位置する。そして、バンク１５０は空間的に前記保護膜１０７が除去された後に形成される空間によって前記補助配線１３０から垂直に離隔し、平面上では補助配線１３０と一部重畳する。
【０１３４】
ついで、第２ＰＲパターン２１２を除去する。
【０１３５】
ついで、図６ｅのように、発光部ＥＡ及び非発光部ＮＥＡ上に有機発光層１２１を形成する（１０４Ｓ）。この過程で、有機発光物質の蒸着時の直進性によって前記補助配線１３０上の前記バンク１５０が層間絶縁スタック１８００から突出し、補助配線１３０と重畳する部位には有機発光物質がほとんど蒸着されない。一方、前記バンク１５０と補助配線１３０が重畳しない補助配線１３０の上面には有機発光層１２１が蒸着されることができる。
【０１３６】
ついで、前記有機発光層１２２を覆うようにカソード１２２を形成する（１０５Ｓ）。前記発光部ＥＡにおいては、それぞれ有機発光層１２１上にカソード１２２が位置し、下側の有機発光層１２１及びアノード１２０と一緒に有機発光ダイオードとして機能する。そして、非発光部ＮＥＡにおいては、バンク１５０と補助配線１３０が重畳しない下側に有機発光層１２１上にカソード１２２が位置し、バンク１５０と補助配線１３０が重畳した下側には有機発光層１２１が位置しない部位にカソード１２２が補助配線１３０と直接接続することができる。
【０１３７】
上述した本発明の有機発光表示装置の製造方法においては、補助配線１３０の上部に隔壁構造を形成しないので、図７を参照すると、有機発光ダイオードアレイの形成に三つのマスク、つまりアノード形成用とバンク及びパッド電極の露出用のマスクのみを要求してマスクの数を低減することができる。
【０１３８】
＜第２実施例＞
【０１３９】
図８は本発明の第２実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【０１４０】
図８は本発明の第２実施例による有機発光表示装置に関するもので、補助配線１３０の上側の第１ホール１８００ｂ内に突出した突出パターンがオーバーコート層２０８によって形成されるものである。この場合にも、有機発光層１２１とカソード１２２の形成時にそれぞれ垂直蒸着及び乱反射蒸着の特性によってアンダーカットの下側の補助配線１３０上にはカソード１２２が直接蒸着され、大面積カソード１２２の電気的抵抗を減らすことができる。
【０１４１】
ここで、保護膜１０７は無機絶縁膜であり、前記オーバーコート層２０８は有機絶縁膜である。
【０１４２】
そして、本発明の第２実施例による有機発光表示装置は、前記保護膜１０７が前記第１ホール１８００ｂを有し、前記有機絶縁膜２０８が第１ホール１８００ｂより小さい第１サブホールを有し、突出パターンは前記第１ホール１８００ｂ内に突出する有機絶縁膜２０８によって規定される。工程中に形成される具体的なホールの形状は図９ｃで後述する。
【０１４３】
この場合、層間絶縁スタックは第１ホール１８００ｂ及び第１コンタクトホール１８００ａを備えた単一層の無機保護膜１０７として見なし、無機保護膜の上側に有機絶縁膜として形成されるオーバーコート層２０８は前記層間絶縁スタックに備えられる突出パターンとして見なすことができる。
【０１４４】
図９ａ〜図９ｄは図８の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【０１４５】
本発明の第２実施例による有機発光表示装置においても、薄膜トランジスタの形成は公知の方法によるので、これについての説明は省略する。
【０１４６】
図９ａのように、薄膜トランジスタＴＦＴ、補助配線１３０及びパッド電極２３０を有する基板１００を準備する（図６ａ参照）。
【０１４７】
前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１０６ｂ及びドレイン電極１０６ａの平坦部と補助配線１３０及びパッド電極２３０は同一層である層間絶縁膜１０４上に位置する。
【０１４８】
ついで、無機絶縁膜成分の保護膜１０７を前記薄膜トランジスタＴＦＴ、補助配線１３０及びパッド電極２３０を含む層間絶縁膜１０４上に形成する。
【０１４９】
ついで、前記保護膜１０７上にオーバーコート層２０８を形成する。
【０１５０】
前記オーバーコート層２０８と保護膜１０７は、その上部にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、前記フォトレジストを一つのマスクで露光及び現像することによってパターンされたフォトレジストパターンによって規定される。この時、マスクは、用いるフォトレジストがポジティブ型であれば、それぞれオーバーコート層２０８／保護膜１０７を全て残す部分を遮光部と、オーバーコート層２０８のみ除去する部分を半透過部と、オーバーコート層２０８及び保護膜１０７を全て除去する部分を透過部と規定する。そして、前記フォトレジストがネガチブ型であれば、これと反対に遮光部と透過部が反転される。
【０１５１】
これにより、前記オーバーコート層２０８のフォトレジストパターンは、前記ソース電極１０６ｂの上部の一部を完全に露出させ、完全に露出されたソース電極１０６ｂの一部の周辺及びパッド電極２３０及び補助配線１３０に対応する部位で一部厚さのみ残っているようになる。
【０１５２】
このようなフォトレジストパターンを用いて、一次に、露出された部位のオーバーコート層１０８及び保護膜１０７を除去することにより、フォトレジストパターンが完全に露出された部位に、図９ａのように、第１コンタクトホール１８００ａを形成する。
【０１５３】
ついで、前記残っていた薄い厚さのフォトレジストパターンをアッシングして、補助配線１３０とパッド電極２３０の上部及び第１コンタクトホール１８００ａの周辺一部に露出されたオーバーコート層２０８を除去する。ここで、補助配線１３０の上部側のオーバーコート層２０８が除去されることによってオーバーコート層ホール２０８ａが規定される。
【０１５４】
そして、前記補助配線１３０及び前記パッド電極２３０の上部は保護膜１０７が覆っている状態である。
【０１５５】
ついで、前記第１コンタクトホール１８００ａを含む全面にアノード物質を蒸着し、第１ＰＲパターン２６１を通じて、第１コンタクトホール１８００ａを含む発光部ＥＡの対応部位にアノード１２０を残す。前記アノード１２０は前記第１コンタクトホール１８００ａとオーバーコート層２０８の上部に残っており、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１０６ｂと接続される。
【０１５６】
ついで、前記第１ＰＲパターン２６１を除去する。
【０１５７】
ついで、バンク物質を塗布した後、図９ｂのように、非発光部ＮＥＡにバンク２５０を残す。この過程で、非発光部ＮＥＡのオーバーコート層ホール２０８ｂの一部にバンクホール２０８ｃを有するように補助配線１３０の上部のバンク物質の一部を除去する。この場合、バンク２５０はオーバーコート層ホール（図９ａの２０８ｂ）の内部に位置して、バンクホール２０８ｃはオーバーコート層ホール２０８ｂより小さい。すなわち、オーバーコート層ホール２０８ｂ内の一側はバンク２５０が覆うが、他側はバンク２５０が覆わないことができる。ついで、図９ｃのように、第２ＰＲパターン２６２を用いて、保護膜１０７を除去してパッド電極２３０及び補助配線１３０を露出させる。前記第２ＰＲパターン２６２は、オーバーコート層２０８の上部にあるバンク２５０は覆い、バンク２５０が位置しないオーバーコート層２０８は一部が露出されるようにする形状である。すなわち、補助配線１３０上の前記第２ＰＲパターン２６２及びオーバーコート層２０８によって規定される第２ＰＲパターンホール２６２ｂは図９ｂで規定されたバンクホール２０８ｃの第４直径（ｈ４）より小さい第５直径（ｈ５）を有する。そして、パッド電極２３０の上部には、露出させようとするパッド電極２３０の幅より小さい線幅を露出させるように第１ＰＲホール２６２ａが形成される。
【０１５８】
ここで、前記第２ＰＲパターン２６２を用いた保護膜１０７の食刻は等方性のウェットエッチングによってなされるので、第２ＰＲパターン２６２によって保護膜１０７の上面に形成されたホール２６２ａ、２６２ｂより大きなホールが形成されるように食刻される。したがって、補助配線１３０上に食刻された保護膜１０７内の第１ホール１８００ｂは前記第２ＰＲパターン２６２の第２ＰＲパターンホール２６２ｂより大きい直径である第３直径（ｈ３）を有し、相対的に上部のオーバーコート層２０８は保護膜１０７が有する第１ホール１８００ｂの第３直径（ｈ３）より小さい直径を有する界面ホールを有する。この場合、右側から見れば、保護膜１０７の食刻後、相対的にオーバーコート層２０８が保護膜１０７から内側に突出しているので、上部パターンが下部パターンより突出した構造のアンダーカットが規定される。
【０１５９】
ここで、第１ホール１８００ｂは単一層として形成される前記保護膜１０７に規定されるものであり、オーバーコート層２０８とオーバーコート層２０８より相対的に多く食刻された保護膜１０７の関係に基づいてアンダーカットが規定される。
【０１６０】
ついで、前記第２ＰＲパターン２６２を除去する。
【０１６１】
ついで、図９ｄのように、前記発光部ＥＡと非発光部ＮＥＡに有機発光層１２１を形成する。非発光部ＮＥＡに対しては、補助配線１３０上の第１ホール１８００ｂの内側に突出したオーバーコート層２０８と補助配線１３０の重畳部に、有機発光物質の蒸着時の直進性によって、有機発光層１２１がほとんど形成されない。蒸着の完了した有機発光層１２１は発光部ＥＡのアノード１２０と非発光部ＮＥＡのバンク２５０上に位置する。
【０１６２】
ついで、前記発光部ＥＡと非発光部ＮＥＡの有機発光層１２１上にカソード１２２を形成する。この時、非発光部ＮＥＡの前記オーバーコート層２０８と補助配線１３０の重畳部の前記有機発光層１２１が位置しない部位にも、カソード１２２を成す金属粒子の乱反射特性及び表面にランダムに蒸着される特性のため、カソード１２２が蒸着され、よって、補助配線１３０とカソード１２２の間の直接接続が可能である。
【０１６３】
このような第２実施例においては、バンク２５０を保護膜１０７上に形成した後、バンク２５０を第２ＰＲパターン２６２が覆う状態でパッド電極２３０が露出されるので、バンク２５０の硬化のように熱が印加される工程でオーバーコート層２０８がリフローされることを防止することができる。すなわち、層間絶縁スタック１８００のアンダーカット構造はバンク２５０が熱工程で形成された後にオーバーコートの下側に有機保護膜１０７をパターニングすることによって形成されるので、オーバーコート層２０８が崩れるかバンク２５０の一部がアンダーカット部位に残る現象を防止することができる。この場合、前記バンクを形成する段階で、前記パッド電極２３０及び前記補助配線１３０は無機保護膜１０７によって保護される。
【０１６４】
＜第３実施例＞
【０１６５】
図１０は本発明の第３実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【０１６６】
図１０のように、本発明の第３実施例による有機発光表示装置は、補助配線１３０上側の第１ホール１８００ｂ内に突出した突出パターンがアノードダミーパターン２２０によって形成される。この場合にも、有機発光層１２１とカソード１２２の形成時、それぞれ垂直蒸着及び乱反射による蒸着の特性のため、アンダーカットの下側の補助配線１３０上には補助配線１３０とアノードダミーパターン２２０の重畳部に前記カソード１２２が直接補助配線１３０上に蒸着され、大面積カソード１２２の電気的抵抗を減らすことができる。
【０１６７】
図１１ａ〜図１１ｄは図１０の有機発光表示装置の工程フローチャートである。
【０１６８】
本発明の第３実施例による有機発光表示装置においても薄膜トランジスタの形成は公知の方法に従うので、これについての説明は省略する。
【０１６９】
図１１ａのように、薄膜トランジスタＴＦＴ、補助配線１３０及びパッド電極２３０を有する基板１００を準備する（図６ａ参照）。
【０１７０】
前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１０６ｂ及びドレイン電極１０６ａの平坦部と補助配線１３０及びパッド電極２３０は同一層である層間絶縁膜１０４上に位置する。
【０１７１】
ついで、無機絶縁膜成分の保護膜１０７を、前記薄膜トランジスタＴＦＴ、補助配線１３０及びパッド電極２３０を含む層間絶縁膜１０４上に形成する。
【０１７２】
ついで、前記保護膜１０７上にオーバーコート層１０８を形成する。
【０１７３】
前記オーバーコート層１０８と保護膜１０７は、その上部にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、前記フォトレジストを一つのマスクで露光及び現像することによってパターンされたフォトレジストパターンによって規定される。この時、マスクは、用いるフォトレジストがポジティブ型であれば、それぞれオーバーコート層１０８／保護膜１０７を全て残す部分を遮光部と、オーバーコート層１０８のみを除去する部分を半透過部と、オーバーコート層１０８と保護膜１０７を全て除去する部分を透過部と規定する。そして、前記フォトレジストがネガチブ型であれば、これと反対に遮光部と透過部が反転される。
【０１７４】
これにより、前記オーバーコート層１０８のフォトレジストパターンは、前記ソース電極１０６ｂの上部の一部を完全に露出させるが、完全に露出されたソース電極１０６ｂの一部の周辺及びパッド電極２３０及び補助配線１３０に対応する部位に一部の厚さだけ残っているようになる。このようなフォトレジストパターンを用いて、一次に、図１１ａのように、オーバーコート層１０８及び保護膜１０７の露出された部位を除去することにより、フォトレジストパターンによって完全に露出された部位に第１コンタクトホール１８００ａを形成する。
【０１７５】
ついで、残っていた薄い厚さの前記フォトレジストパターンをアッシングして、補助配線１３０とパッド電極２３０の上部及び第１コンタクトホール１８００ａの周辺に位置する露出されたオーバーコート層１０８を除去する。
【０１７６】
ここで、保護膜１０７とオーバーコート層１０８の構成を合わせて層間絶縁スタック１８００という。ここで、前記補助配線１３０の上部には、無機膜成分の保護膜１０７上に補助配線１３０より大きい幅のオーバーコート層が除去されている。
【０１７７】
そして、前記補助配線１３０と前記パッド電極２３０の上部は保護膜１０７が覆っている状態である。
【０１７８】
ついで、前記第１コンタクトホール１８００ａを含む全面にアノード物質を蒸着し、第１コンタクトホール１８００ａを含む発光部ＥＡの対応部位及び前記非発光部ＮＥＡにおいて前記補助配線１３０の一部と重畳した領域を除き、第１ＰＲパターンホール２８１ａを有する第１ＰＲパターン２８１を通じて、発光部ＥＡにアノード１２０を残し、非発光部ＮＥＡ内に形成された第１ＰＲパターン２８１の下側にアノードダミーパターン２２０を残す。前記アノードダミーパターン２２０は非発光部ＮＥＡにおいて前記補助配線１３０の上側保護膜１０７の上部とオーバーコート層１０８の側部及び上部の一部にわたって残っている。そして、前記アノード１２０は前記第１コンタクトホール１８００ａとオーバーコート層１０８の上部に残っている。
【０１７９】
ついで、前記第１ＰＲパターン２８１を除去する。
【０１８０】
ついで、バンク物質を塗布した後、図１１ｂのように、非発光部ＮＥＡにバンク３５０を残す。ここで、非発光部ＮＥＡにおいて前記バンク３５０は露出されていたオーバーコート層１０８を覆い、補助配線１３０の上部の保護膜１０７上に開放領域３５０ｂを有する。ここで、オーバーコート層１０８から突出したアノードダミーパターン２２０の部位はバンク３５０の除去によって開放領域３５０ｂに含まれることができる。ここで、補助配線１３０上の保護膜１０７の上面において、前記バンク３５０とアノードダミーパターン２２０の間の離隔した領域は第６直径（ｈ６）を有する。
【０１８１】
ついで、図１１ｃのように、パッド電極２３０に対応する第２ＰＲパターンホール２８２ａ及び補助配線１３０に対応する第３ＰＲパターンホール２８２ｂを有する第２ＰＲパターン２８２を用いて、保護膜１０７を除去してパッド電極２３０及び補助配線１３０を露出させる。前記保護膜１０７の除去時、前記第２ＰＲパターン２６２は補助配線１３０上に露出されていたバンク３５０を覆い、前記アノードダミーパターン２２０を補助配線１３０上に露出させている。そして、前記補助配線１３０の上部に位置するアノードダミーパターン２２０と第２ＰＲパターン２８２の間の離隔した領域は、前記第２ＰＲパターン２８２がバンク３５０の一側を覆っているから、図１１ｂで規定された第６直径（ｈ６）より小さくなる。
【０１８２】
しかし、前記補助配線１３０上の無機保護膜１０７は等方性食刻されることにより、前記第２ＰＲパターン２８２とアノードダミーパターン２２０の離隔領域より大きい第７直径（ｈ７）を有するように、第１ホール１８００ｂが形成される。
【０１８３】
すなわち、第１ホール１８００の内部に前記アノードダミーパターン２２０が突出するので、前記補助配線１３０に対しては前記アノードダミーパターン２２０の突出部位及び下側の保護膜１０７の構造によって第１ホール１８００ｂ内の一側にアンダーカット構造が生成される。また、パッド電極２３０の上部に対しても、露出させようとするパッド電極２３０の幅より小さな線幅の第２ＰＲホール２８２ａを有するが、第２ＰＲホール２８２ａは保護膜１０７の等方性食刻によって保護膜１０７の上面の第１ホール１８００ｂの直径より大きな直径に食刻される。
【０１８４】
ついで、前記第２ＰＲパターン２８２を除去する。
【０１８５】
ついで、図１１ｄのように、前記発光部ＥＡと非発光部ＮＥＡに有機発光層１２１を形成する。非発光部ＮＥＡに対しては、補助配線１３０上の第１ホール１８００ｂの内側に突出したアノードダミーパターン２２０と補助配線１３０の重畳部に、有機発光物質の蒸着時の直進性によって、有機発光層１２１がほとんど形成されない。蒸着の完了した有機発光層１２１は発光部ＥＡのアノード１２０と非発光部ＮＥＡのバンク２５０上に位置する。
【０１８６】
ついで、前記発光部ＥＡと非発光部ＮＥＡの有機発光層１２１上にカソード１２２を形成する。この時、非発光部ＮＥＡの前記アノードダミーパターン２２０と補助配線１３０の重畳部において前記有機発光層１２１が位置しない部位にも、カソード１２２を成す金属粒子の乱反射特性及び表面にランダムに蒸着される特性のため、カソード１２２が蒸着され、よって、アノードダミーパターン２２０と補助配線１３０が重畳する第１ホール１８００ｂの領域では補助配線１３０とカソード１２２の間の直接接続が可能である。
【０１８７】
前記発光部ＥＡのアノード１２０、有機発光層１２１及びカソード１２２は一緒に有機発光ダイオードとして機能する。
【０１８８】
このような第３実施例においては、バンク３５０を保護膜１０７上に形成した後、保護膜１０７のウェットエッチングを進めることによってパッド電極２３０を露出させるとともにアンダーカット形状を有する第１ホール１８００ｂを規定するので、バンク３５０の硬化のように熱が印加される工程でオーバーコート層１０８がリフローされることを防止することができる。すなわち、オーバーコート層１０８及び保護膜１０７を含む層間絶縁スタック１８００のアンダーカット構造はバンク３５０が熱工程で形成された後にオーバーコート層１０８の下側に形成されるので、オーバーコート層１０８の崩れる現象を防止することができる。
【０１８９】
図１２は補助配線とカソード間接続部のアンダーカット遺失を示したＳＥＭ図である。
【０１９０】
図１２は、一般的な方式のように、補助配線の縁部のオーバーコート層にアンダーカットを完成した後、バンクを形成した場合を示したＳＥＭ図で、完成されたアンダーカット上にバンクを形成する時に要求される熱工程でオーバーコート層がアンダーカットを維持することができずに消失されたものを示す。場合によって、このような一般的な方式を適用するとき、アンダーカットの消失だけでなく有機膜成分のバンクがアンダーカットに残っているか、あるいはオーバーコート層のリフローが発生してアンダーカットの形状を維持することができないこともある。これはカソードと補助配線間の接続が正常にできないことを意味する。
【０１９１】
本発明は工程の手順を変更してこれを防止することができる。すなわち、バンクの形成を完了した後、アンダーカットの規定及びパッド電極の露出のために無機膜成分の保護膜の食刻を進める。すなわち、本発明の第１実施例及び第２実施例による有機発光表示装置の製造方法はいずれもバンクを形成した後に無機膜成分の保護膜のウェットエッチングによってアンダーカットを規定するので、図１０の問題点を解決することができる。
【０１９２】
また、上述した本発明の有機発光表示装置の製造方法においては、補助配線１３０の上部に隔壁構造を形成しないから、有機発光ダイオードアレイの形成に、減少した数のマスク、具体的にアノード形成用、バンク及びパッド電極露出用の三つのマスクのみを要求する。
【０１９３】
図１３は図１０の補助配線とカソード間の接続部のＳＥＭ図である。
【０１９４】
図１３のように、一例として第３実施例のようにアノード突出パターン２２０を形成するとき、アノード突出パターン２２０の上側パターンが下方に垂れないようにして、オーバーコート層のリフローを防止することができる。
【０１９５】
＜第４実施例＞
【０１９６】
図１４は本発明の第４実施例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【０１９７】
図１４のように、本発明の第４実施例による有機発光表示装置は、補助配線１３０の上側の第１ホール１８００ｂ内に突出した突出パターンがアノードダミーパターン２２０によって形成される。この場合にも、有機発光層１２１とカソード１２２の形成時、それぞれ垂直蒸着及び乱反射による蒸着の特性のため、アンダーカット下側の補助配線１３０上にはカソード１２２が直接蒸着され、大面積カソード１２２の電気的抵抗を減らすことができる。また、前記ソース電極１０６ｂを露出させる第１コンタクトホール１８００ａの形成時、前記第１コンタクトホール１８００ａから離隔して補助配線１３０の一部を露出させる第２コンタクトホール２２０ｃを形成するように層間絶縁スタック１００のオーバーコート層１０８及び保護膜１０７を除去し、ついでアノード１２０とアノードダミーパターン２２０の形成時、前記アノードダミーパターン２２０が第２コンタクトホール２２０ｃを通じて補助配線１３０と接続されることにより、電気的安全性をより向上させることができる。
【０１９８】
上述した実施例において同一構成についての説明は省略した。
【０１９９】
一方、上述した有機発光表示装置で用いるアンダーカット構造は有機発光表示装置の他の領域にも用いることができる。
【０２００】
図１５は比較例による有機発光表示装置を示した断面図である。
【０２０１】
図１５のように、比較例による有機発光表示装置は、基板１上の複数のサブ画素のそれぞれにアノード１１が区分されて配置され、有機発光層１２及びカソード１３がサブ画素に共通して備えられる。
【０２０２】
一方、上述した実施例及び比較例において、有機発光層１２１、１２は単一層として示されているが、アノード１２０、１１と有機発光層１２１、１２の間にそれぞれ正孔注入層及び正孔輸送層が備えられ、有機発光層１２１、１２とカソード１２２、１３の間に電子輸送層及び電子注入層がさらに備えられることができる。場合によって、アノードとカソードの間にタンデム型有機発光ダイオードが備えられる場合、複数のスタックが備えられ、スタックの間に電荷生成層が備えられることができる。
【０２０３】
正孔注入層の場合、電極成分のアノード１１から有機物成分の有機発光層１２に正孔を注入するために、相対的に正孔移動度の高いドーパントを含むことができる。そして、正孔注入層を含む共通層はサブ画素に共有されているから、特定のサブ画素のみを駆動するために区分されたアノード１１に信号を供給しても、正孔注入層の正孔移動度が高いドーパントによって側部の漏洩電流が発生する問題がある。また、タンデム型構造においても、電荷生成層も導電性の高いドーパントを含み、類似の問題を引き起こす。
【０２０４】
正孔注入層及び電荷生成層は、発光部と非発光部を区分せずに全体サブ画素の領域に共通して備えられているから、特定のサブ画素を駆動しようとしても、伝導性の高い共通層によって側部漏洩電流が発生し、特定のサブ画素を駆動しようとする場合に隣接サブ画素が一緒に点灯してしまう問題が発生して色純度が低下する問題がある。
【０２０５】
このような比較例の有機発光表示装置の側部漏洩電流を上述したアンダーカット構造によって解決することもできる。アンダーカット構造は、層間絶縁スタック１８００において上述した補助配線１３０との接続のための第１ホール１８００ｂ及び第２ホール１８００ｃによって規定されることができる。これを下記実施例に基づいて説明する。
【０２０６】
＜第５実施例＞
【０２０７】
図１６は本発明の第５実施例による有機発光表示装置を示した平面図、図１７ａ〜図１７ｃは幾つかの変形例による図１６の断面図である。
【０２０８】
図１６のように、本発明の第５実施例による有機発光表示装置は、補助配線が配置されていない非発光部ＮＥＡの一側の層間絶縁スタック１８００内にアンダーカット構造の第２ホール１８００ｃを備える。この場合、第５実施例は、第２ホール１８００ｃを前記発光部ＥＡの一辺より長く発光部ＥＡの両側辺に沿って備えたものである。このような構造の場合、前記第２ホール１８００ｃによって、前記発光部ＥＡの水平方向にサブ画素間の有機発光層を含む共通層の電気的分離が可能である。第２ホール１８００ｃは、図示の平面上の形状において、一辺にのみ突出パターンが備えられることもでき、ホールの各辺に均等に突出パターンが備えられることもできる。すなわち、第２ホール１８００ｃの少なくともいずれか一辺から第２ホール１８００ｃの内側に突出パターンが突出する。
【０２０９】
そして、アンダーカット構造の形態は、図１７ａ〜図１７ｃのように、多様な層状構造に変更されることができる。これら実施例において共通的な特徴は、有機発光層１２１を含む共通層が前記アンダーカット構造の第３ホール１８００ｃの一面又は両面で分離され、有機発光層１２１を含むアノード１２０とカソード１２２の間の有機物層がサブ画素の間を電気的に分離させることである。これにより、有機物を通じて側部に漏洩電流が流れることが防止され、各サブ画素間の選択的な駆動が可能であり、サーボ画素間の発光の混色を防止することができる。
【０２１０】
具体的に、幾つかの実施例の断面図に基づいて層間絶縁スタック１８００に備えられたアンダーカット構造の第２ホール１８００ｃを説明する。
【０２１１】
このようなアンダーカット構造の第２ホール１８００ｃは図５〜図１４で説明する第１ホール１８００ｂと同一の工程で形成し、また、第１ホール１８００ｂ内に位置する突出パターン（バンク、有機絶縁膜又はアノードダミーパターン）と第２ホール１８００ｃ内に位置する突出パターンは工程を最小化するように同一層に位置することが好ましい。
【０２１２】
図１７ａの実施例では、第２ホール１８００ｃが非発光部で第１コンタクトホール１８００ａ及び第１ホール１８００ｂと重畳しなく、発光部ＥＡの一辺の長さより長い距離にわたって層間絶縁スタック１８００から分離される。
【０２１３】
層間絶縁スタック１８００は前記層間絶縁膜１０４の表面を一部露出させる第２ホール１８００ｃを有する。前記層間絶縁スタック１８００上には、前記第２ホール１８００ｃから少なくともいずれか一面が前記第２ホール１８００ｃの内側に突出して前記第２ホール１８００ｃの内部の層間絶縁膜１０４の一部を覆うように突出したバンク１５０と、前記バンク１５０が覆う層間絶縁膜１０４の部位を除き、前記第２ホール１８００ｃ内の層間絶縁膜１０４上に位置する有機発光層１２１と、前記有機発光層１２１を覆い、前記バンク１５０が覆う前記層間絶縁膜１０４の部位と接触するカソード１２２とが備えられる。
【０２１４】
ここで、前記有機発光層１２１は、図示のように、前記非発光部ＮＥＡの前記バンク１５０によって第２ホール１８００ｃの一面又は両面から分離されることができる。よって、第２ホール１８００ｃ内の有機発光層１２１は第２ホール１８００ｃで孤立されることもできる。いずれの場合であっても、前記有機発光層１２１は隣接サブ画素の間に不連続的に形成されて、有機発光層１２１又はこれに積層した共通層とサブ画素の間の共有関係を断絶して側部漏洩電流を防止することができる。したがって、選択的にいずれかサブ画素のアノード１２０に電気的信号が印加されるとき、該当のサブ画素が独立的に動作することができるので、意図せぬ点灯を防止して、発光色の混色を防止し、純粋な色の表現が可能な利点がある。
【０２１５】
この構造において、バンク１５０から前記第２ホール１８００ｃの内側に突出する突出パターンが層間絶縁膜１０４上に位置する場合、露光マスクなしで蒸着される有機発光層１２１は蒸着時に直進性が強いため、バンク１５０が覆う領域を通過することができない。したがって、バンク１５０が覆う第２ホール１８００ｃの部位には有機物が蒸着されなくて有機発光層１２１の断線を引き起こす。
【０２１６】
一方、前記第２ホール１８００ｃの下部に、前記層間絶縁スタック１８００を成す下層をなす絶縁膜である無機保護膜１０７と違う食刻率を有する無機絶縁膜として層間絶縁膜１０４が形成されることができる。何故ならば、前記第２ホール１８００ｃの形成時、無機保護膜１０７と層間絶縁膜１０４を区分して、無機保護膜１０７は食刻しながら前記層間絶縁膜１０４は残すためである。
【０２１７】
本発明の有機発光表示装置において、層間絶縁膜１０４の上部に位置してアンダーカットを形成する突出パターンは、上述したバンク１５０に加え、オーバーコート層１０８又は２０８又はアノード物質層によって形成されることができ、具体的な他の例は後述する。
【０２１８】
図１７ｂの実施例で、層間絶縁スタック１８００から第２ホール１８００ｃの内側に突出する突出パターンはオーバーコート層２０８によって形成される。オーバーコート層２０８は保護膜１０７より第２ホール１８００ｃの内側にさらに突出するため、蒸着工程で直進性が強い有機発光層１２１は前記突出したオーバーコート層２０８の下部に積もらなく、カソード１２２は前記突出したオーバーコート層２０８とその下側の層間絶縁膜１０４の間の垂直離隔空間に直接形成されることができる。したがって、この実施例でもサブ画素間の有機発光層１２１の分離が可能である。ここで、前記無機絶縁膜成分の保護膜１０７は前記第１ホール（図８の１８００ｂ参照）及び第２ホール（図１７ｂの１８００ｃ参照）を有し、前記有機絶縁膜成分のオーバーコート層２０８は第１ホール及び第２ホールよりそれぞれ小さい第１サブホール及び第２サブホールを有する。この場合、アンダーカット構造は、上側オーバーコート層２０８と、オーバーコート層２０８よりも等方性食刻されて界面で開放領域をもっと有する保護膜１０７とによって規定されることができる。
【０２１９】
図１７ｃの実施例で、第２ホール１８００ｃの内側に突出する突出パターンは層間絶縁スタック１８００の上部にあるアノードダミーパターン２２０によって形成される。この場合にも、アノードダミーパターン２２０の下側の保護膜１０７は層間絶縁スタック１８００の第２ホール１８００ｃにアンダーカット構造を有する。したがって、アノードダミーパターン２２０から垂直に離隔した層間絶縁膜１０４の部位には有機発光層１２１が位置しないので、サブ画素間の不連続的に形成された有機発光層１２１が側部漏洩電流を防止することができる。
【０２２０】
一方、前記側部漏洩電流を防止するための第２ホールはサブ画素別に各発光部を取り囲むように形成されることができる。
【０２２１】
＜第６実施例＞
【０２２２】
図１８は本発明の第６実施例による有機発光表示装置を示した平面図である。
【０２２３】
図１８のように、本発明の第６実施例による有機発光表示装置は、第５実施例及びその変形例で説明した第２ホール１８００ｄをサブ画素別に発光部ＥＡを取り囲む非発光部ＮＥＡに備えることができる。この時、前記第２ホール１８００ｄの形状は閉ループ形状を有することができ、上述した第１ホール１８００ａと連通するように配置されることができる。
【０２２４】
この場合、各サブ画素で、有機発光層は閉ループ形状の第２ホール１８００ｄによって分離され、サブ画素の独立的な駆動が可能である。
【０２２５】
また、前記層間絶縁スタック１８００の第２ホール１８００ｄは、図１７ａ〜図１７ｃで示した第２ホールの内側に突出したバンク１５０又はオーバーコート層２０８又はアノードダミーパターン２２０とその下側の層間絶縁膜１０４との間の垂直離隔空間によって規定されたアンダーカット構造を有する。第２ホール１８００ｄ内の前記突出パターンによってサブ画素間の有機発光層の分離を図ることができる。
【０２２６】
一方、上述した本発明の有機発光表示装置は、カソードの抵抗減少のためにカソードと補助配線の選択的な接続が可能な構造と、漏洩電流防止のためにサブ画素間の有機発光層の分離のためのアンダーカット構造とを含む。隔壁を備えなくても、装置内に備えられている層間絶縁膜又はバンク又はアノード物質がアンダーカットを形成するため、マスクの数を低減し、隔壁の形成に必要な材料又は工程を省略することができるので、有機発光表示装置の収率及び信頼性を改善することができる。
【０２２７】
以上の実施例で説明した特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一実施例に含まれ、必ずしも一実施例にのみ限定されるものではない。また、各実施例で例示した特徴、構造、効果などは実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例との組合せ又は変形実施が可能である。したがって、このような組合せ又は変形に係わる内容は本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならない。
【０２２８】
また、以上で実施例を中心に説明したが、これはただ例示にすぎないもので、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範疇内で以上で例示しなかった多様な変形及び応用が可能であることが分かるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形実施することができるものである。
【符号の説明】
【０２２９】
１００    基板
１０６ａ    ドレイン電極
１０６ｂ    ソース電極
１０７    保護膜
１０８、２０８    オーバーコート層
１２０    アノード
１２１    有機発光層
１２２    カソード
１３０    補助配線
１５０、２５０、３５０    バンク
２２０    アノードダミーパターン
１８００    層間絶縁スタック
１８００ａ    第１コンタクトホール
１８００ｂ    第１ホール
ＴＦＴ    薄膜トランジスタ
【図１】
0006534697.tif 000002
【図２】
0006534697.tif 000003
【図３】
0006534697.tif 000004
【図４】
0006534697.tif 000005
【図５】
0006534697.tif 000006
【図６ａ】
0006534697.tif 000007
【図６ｂ】
0006534697.tif 000008
【図６ｃ】
0006534697.tif 000009
【図６ｄ】
0006534697.tif 000010
【図６ｅ】
0006534697.tif 000011
【図７】
0006534697.tif 000012
【図８】
0006534697.tif 000013
【図９ａ】
0006534697.tif 000014
【図９ｂ】
0006534697.tif 000015
【図９ｃ】
0006534697.tif 000016
【図９ｄ】
0006534697.tif 000017
【図１０】
0006534697.tif 000018
【図１１ａ】
0006534697.tif 000019
【図１１ｂ】
0006534697.tif 000020
【図１１ｃ】
0006534697.tif 000021
【図１１ｄ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７ａ】
0006534697.tif 000028
【図１７ｂ】
0006534697.tif 000029
【図１７ｃ】
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【図１８】
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