(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面にケイ素を含有する基板を準備する工程、
前記基板上にアルミニウム粒子を含むペーストを塗布する工程、
前記ペーストを塗布した前記基板を焼成することにより前記基板上に導体層を形成する工程、
前記導体層上に特定パターンのレジスト膜を形成する工程、および
前記レジスト膜が形成されていない部分の前記導体層をエッチング液により除去する工程
を含む回路基板の製造方法であって、
前記エッチング液は、標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍの金属イオンとフッ化物イオンとを含む、回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属Ｍの金属イオンは、鉄イオンまたは銅イオンであり、前記フッ化物イオンは、フッ化水素、テトラフルオロケイ素、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸塩、三フッ化ホウ素、フルオロホウ酸、フルオロホウ酸塩、フッ化リン、フッ化アンモニウム、フッ化銀、フッ化アルミニウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムおよびフッ化リチウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物に由来するものである、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング液は、０．０１〜１０質量％の前記フッ化物イオンを含む、請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックス回路基板の製造方法は様々あるが、低コスト、高精細、高信頼性を求めた改良が検討されている。従来このようなセラミックス回路基板は、金、銀、銅、アルミニウムなどを導体層の材質として選択し、金属箔または金属ペーストを用いる方法、ＰＶＤ法（スパッタリング法、真空蒸着法など）またはＣＶＤ法などによって導体層を形成する方法が採用されている。導体層を回路パターンに形成する方法としては、導体層をエッチングする方法や、ペーストを回路状に印刷する方法が採用されている。【０００３】
導体層の形成においては、ＰＶＤ法やＣＶＤ法は真空プロセスのためにコスト高となること、および密着性が不十分となることなどが問題となる。また金属箔を用いる場合にはセラミックス基板に金属箔を固定するために接着剤を使用する必要があり、その劣化から長期安定性では不利になりやすいことが問題となる。【０００４】
金属ペーストを使用する場合は、主として金、銀、銅といった貴金属類が一般的に使用されているが、コスト高な上、銀ではマイグレーション、銅では酸化による抵抗値増加が課題となっている。【０００５】
上記金属ペーストを使用する場合の課題を解決する方法のひとつとして、国際公開第２０１０／１００８９３号パンフレット（以下、特許文献１）では、アルミニウムペーストを用いる方法が提案されている。【０００６】
また、金属ペーストを使用して導体層を形成する具体的方法としては、金属ペーストを回路状に印刷する方法と、金属ペーストを一面に塗布し、焼成して導体層とした後にエッチングする方法とがある。しかし、回路状に印刷するよりもエッチングするほうが、印刷性や金属ペースト中の金属粒子の粒径の影響を受けないため、より高精細に回路を形成できることが知られている。【０００７】
そして、金属ペーストを焼成して導体層とする際には、基板との密着性を付与するために、ケイ素を含むガラスフリットをペースト中に添加した上で焼成して、ケイ素を含む導体層とすることが一般的である。【０００８】
ただし、通常のエッチングでは、上記ケイ素を含む導体層を基板表面から完全に除去することが難しいため、エッチングした部分にもケイ素を含む導体層が残渣として残り、配線間の絶縁信頼性が損なわれるおそれがある。その導体層の残渣を除去する方法としては、特開２０１０−２７８４１０号公報（以下、特許文献２）のように、エッチングを施した部分にサンドブラスト処理を加える方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１００８９３号パンフレット
【特許文献２】特開２０１０−２７８４１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
基板と導体層との密着性を付与する方法として上記のケイ素を含むガラスフリットをペースト中に添加する方法を採用する場合は、導体層中に絶縁物であるケイ素を含むガラスが含まれることとなるため、導体層の導電性などの性能が劣化するおそれがある。【００１１】
また、上記のケイ素を含む導体層の残渣を除去する方法として、サンドブラスト処理を採用する場合は、研磨材の粒径の制限により回路の精細性が損なわれてしまうため、高精細に回路を形成できるというエッチングによる方法のメリットが失われてしまう。すなわち、サンドブラスト処理を施して、たとえばライン間距離（導体／絶縁体／導体）を１００μｍ未満とする微細配線を形成する場合などは、サンドブラスト処理に用いる研磨材の粒径を小さくすることが求められるが、粒径が小さ過ぎると研削能力が不十分となってしまい、エッチング後の残渣を除去するのが困難となる。また、サンドブラストによる研削後には基板に付着した研磨材の除去工程も必要になり、工程が増え、結果としてコスト高になってしまう。【００１２】
以上より、高精細に回路を形成できるというエッチングによる方法のメリットを生かしつつ、基板と導体層との間に高い密着性を付与することと、エッチング後の残渣を容易に取り除くこととを両立させた回路基板の製造方法およびこのような方法により製造しうる、基板と導体層との間の高い密着性と配線間の優れた絶縁信頼性とを有する回路基板は、いまだ知られていない状況にある。【００１３】
本発明は、上記のような状況に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、高精細に回路を形成できるというエッチングによる方法のメリットを生かしつつ、基板と導体層との間に高い密着性を付与することと、エッチング後の残渣を容易に取り除くこととを両立させた回路基板の製造方法および基板と導体層との間の高い密着性と配線間の優れた絶縁信頼とを有する回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、通常のエッチングによる方法では残渣として残ってしまう導体層の除去を容易にし、高い微細配線を形成することを可能にする、という課題を達成するためには、少なくとも表面にケイ素を含有する基板を使用し、金属ペースト中に含まれる金属としてアルミニウム粒子を用い、エッチング液は標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍの金属イオンとフッ化物イオンとを含むものとすればよいことを見出し、本発明を完成させた。【００１５】
すなわち、本発明は、少なくとも表面にケイ素を含有する基板を準備する工程、該基板上にアルミニウム粒子を含むペーストを塗布する工程、該ペーストを塗布した該基板を焼成することにより該基板上に導体層を形成する工程、該導体層上に特定パターンのレジスト膜を形成する工程、および該レジスト膜が形成されていない部分の該導体層をエッチング液により除去する工程を含む回路基板の製造方法であって、該エッチング液は、標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍの金属イオンとフッ化物イオンとを含む、回路基板の製造方法である。【００１６】
ここで、該金属イオンは、鉄イオンまたは銅イオンであって、該フッ化物イオンは、フッ化水素、テトラフルオロケイ素、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸塩、三フッ化ホウ素、フルオロホウ酸、フルオロホウ酸塩、フッ化リン、フッ化アンモニウム、フッ化銀、フッ化アルミニウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムおよびフッ化リチウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物に由来するものであってもよい。【００１７】
また、該エッチング液は、０．０１〜１０質量％の該フッ化物イオンを含んでもよい。
また、本発明は、少なくとも表面にケイ素を含有する基板と、該基板上に形成されたアルミニウムを含む導体層と、該基板と該導体層との界面に形成された導体層由来のアルミニウムとケイ素とが混在する混在層とを含み、該基板は、該導体層が該基板上に特定の配線パターンを形成するように、該導体層が部分的に除去された部分を有し、該基板に対する垂直方向の断面において、該導体層が部分的に除去された部分の該基板の表面領域における該導体層由来のアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析（以下、ＥＤＳ分析ともいう）によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）が１０分の１以下である、回路基板である。【００１８】
なお、該基板がアルミニウム元素を含む場合には、その分析結果におけるアルミニウム元素のピーク強度から基板由来のアルミニウム元素のピーク強度を差し引いた数値を導体層由来のアルミニウム元素のピーク強度として扱うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る回路基板の製造方法は、高精細に回路を形成できるというエッチングによる方法のメリットを生かしつつ、基板と導体層との間に高い密着性を付与することと、エッチング後の残渣を容易に取り除くこととを両立させることができるという優れた効果を示す。【００２０】
したがって、本発明の製造方法により得られた回路基板は、マルチチップ化および高密度実装化に好適な回路基板となる。【００２１】
すなわち、本発明の回路基板は、基板と導体層との間の高い密着性と配線間の優れた絶縁信頼性とを有する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の回路基板の製造方法の工程を模式的に示した断面図である。
【図２】実施例１の回路基板の導体層の表面を観察した光学顕微鏡像である。
【図３】実施例１の回路基板の導体層と基板との間の垂直方向の断面のうち、導体層と基板との界面部分の元素分析結果を示した図である。
【図４】実施例１の回路基板の導体層と基板との間の垂直方向の断面のうち、導体層を除去した部分の元素分析結果を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明をより詳細に説明する。
＜回路基板の製造方法＞
本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面にケイ素を含有する基板を準備する工程と、基板上にアルミニウム粒子を含むペーストを塗布する工程と、ペーストを塗布した基板を焼成することにより基板上に導体層を形成する工程と、導体層上に特定パターンのレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜が形成されていない部分の導体層をエッチング液により除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
＜基板を準備する工程＞
本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面にケイ素を含有する基板を準備する工程を含む。
【００２５】
（基板）
少なくとも表面にケイ素を含有する基板としては、たとえば、図１（ｉ）においてガラス−セラミックス複合基板１として示されるように、セラミックス基板２上にケイ素を含むガラス組成物３を被覆した基板を挙げることができる。ここで、セラミックス基板の材質は特に限定されるものではないが、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。また、ガラス組成物の材質は、ケイ素を含む限り特に限定されるものではないが、ホウ珪酸系ガラス、アルカリ土類ケイ酸塩ガラスなどが挙げられる。ガラス−セラミックス複合基板はたとえば、セラミックス基板表面にガラスペーストを塗布焼成することにより、形成することができる。
【００２６】
なお、図１では、少なくとも表面にケイ素を含有する基板として、上記のようなガラス−セラミックス複合基板を例示しているが、本発明において使用される基板はこれのみに限定されるものではない。たとえば、ケイ素を含有する限り、ガラス基板を用いることも可能である。ガラス基板の材質は特に限定されるものではないが、ソーダ石灰ガラス、アルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラスなどが挙げられる。このようなガラス基板を用いる場合、表面を含む基板全体にケイ素が含まれることとなる。
【００２７】
なお、少なくとも表面にケイ素を含有する基板としては、ガラス基板を用いる場合は基板を透明とすることが可能となり、ガラス−セラミックス複合基板を用いる場合はセラミックス単体と比べて表面平滑性や耐久性が得られ、用途によって選択することができる。
【００２８】
本発明において使用される基板は、上記のように、少なくとも表面にケイ素を含むため、後述のペースト中に含まれるアルミニウム粒子と、焼成後において混在層を形成するものと考えられる。このように、基板表面にアルミニウムとケイ素とを含む混在層が形成されるため、導体層と基板との間に高い密着性が付与されるものと推測される。
【００２９】
＜ペーストを塗布する工程＞
本発明の回路基板の製造方法は、基板上にアルミニウム粒子を含むペーストを塗布する工程を含む。この工程は、たとえば図１（ｉ）のように、ガラス−セラミックス複合基板１上に、アルミニウム粒子を含むペースト４を塗布する工程である。ペーストは、１回又は複数回塗布することができる。
【００３０】
（ペースト）
本発明において使用されるアルミニウム粒子を含むペーストとしては、少なくともアルミニウム粒子と溶剤とを含むものを用いることができる。たとえば、溶剤を含む有機液体ビヒクルとアルミニウム粒子とから構成されるペーストを、好適に用いることができる。
【００３１】
（１）アルミニウム粒子
アルミニウム粒子は、薄片状アルミニウム粒子であることが好ましく、アルミニウム粒子の平均粒径は、０．５〜５０μｍが好ましく、０．５〜２０μｍがより好ましい。ここで、本発明における「平均粒径」とは、レーザー回折法によって測定された体積平均の粒度分布に基づいて算出された平均粒径を意味する。平均粒径はメジアン径（Ｄ５０）とも呼ばれ、それより粒径が大きいものと小さいものとが等量で存在するような粒径と定義される。上記アルミニウム粒子の粒径が０．５μｍ未満の場合は、アルミニウム粒子の比表面積が増大し、ペースト粘度が高くなってしまうことで印刷に適した粘度が得られにくい。またアルミニウム粒子の平均粒径が５０μｍを超える場合はペーストの印刷性が低下する場合がある。
【００３２】
また、アルミニウム粒子は、ペースト中に５〜４０質量％含まれることが好ましく、１０〜３０質量％含まれることがより好ましい。５質量％未満ではアルミニウムの存在量の少ない部位ができやすくなって導電性が悪化する場合があり、４０質量％を超えると、アルミニウムの存在量が確保されるので導電性が悪化するおそれはなくなるが、ペーストの塗膜が厚くなり、エッチングが困難となる場合がある。
【００３３】
（２）有機液体ビヒクル
本発明において使用されるペースト中に含有される有機液体ビヒクルの構成は、特に限定されないが、バインダー樹脂と溶剤とを含むものとすることができる。
【００３４】
バインダー樹脂の成分は特に限定されず、エチルセルロース系樹脂、アルキッド系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂などの樹脂を用いることができる。本発明のペーストを基板に塗布後、加熱し焼成することにより、その焼成温度で完全に燃焼され分解されるようなバインダー樹脂が好ましい。
【００３５】
溶剤としては、イソプロピルアルコール、トルエン、シクロヘキサノン、グリコールエーテル系やグリコールエステル系、ターピネオール系などの有機溶剤を使用することができる。
【００３６】
有機液体ビヒクルは、溶剤中に、バインダー樹脂が５〜４０質量％含有されていることが好ましい。有機液体ビヒクルの組成が上記の範囲内であれば、本発明の回路基板の製造方法において使用されるペーストは、各種基板への塗布性や印刷性の点で優れたものとなる。
【００３７】
有機液体ビヒクルは、ペースト全体に対し６０〜９５質量％含有されることが好ましい。
【００３８】
（３）ガラスフリット
本発明において使用されるペーストは、ガラスフリットを含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。本発明においては基板表面にケイ素が存在するために、必ずしもペースト中にガラスフリットが含まれずとも、後の工程で焼成によりペーストを導体層としたとき、基板と導体層との間に高い密着性を付与することができる。また導体層中にガラスフリット由来の絶縁物が含まれなければ、導電性などの性能や信頼性において優れたものとなる。このため、ペースト中にガラスフリットが含まれないほうが好ましい。
【００３９】
（ペーストの塗布）
本発明におけるペーストの塗布方法は、特に限定されず、ドクターブレード法、スプレー塗装法、スクリーン印刷法、インクジェット法などを採用して、ペーストを塗布し、塗膜とすることができる。塗布回数は、１回でもよく、複数回でもよい。塗布部分は、基板の表面全面とすることが好ましいが、塗布されていない部分が存在しても、本発明の範囲を逸脱するものではない。好適な塗膜の厚みは、塗布方法およびペースト中の固形分濃度に依存して適宜変動するが、０．１〜１００μｍが好ましく、０．２〜５μｍとすることがさらに好ましい。塗膜が厚過ぎると、塗膜の焼成後、エッチングで除去しきれなくなるおそれがあり、また厚み方向のエッチングが完了する前に線幅方向の侵食が発生するおそれがある。塗膜が薄過ぎると、塗膜を焼成し、導体層としたとき、導体層と基板との間に十分な密着性を付与できない場合がある。
【００４０】
（乾燥・脱脂）
上記ペーストの塗布後、必要に応じて乾燥、脱脂処理を施してもよい。乾燥、脱脂の処理条件は特に限定されないが、通常、乾燥温度は５０℃〜１５０℃、脱脂温度は２５０℃〜４５０℃である。また、乾燥、脱脂処理時の雰囲気は、特に限定されるものではないが、一般には空気中である。
【００４１】
＜導体層を形成する工程＞
本発明の回路基板の製造方法は、ペーストを塗布した基板を焼成することにより基板上に導体層を形成する工程を含む。導体層を形成する工程においては、たとえば図１（ｉｉ）のように、ペースト４を塗布した基板を焼成して、基板上に導体層５を形成する。すなわち、ペースト４を焼成して導体層５とする。
【００４２】
（焼成）
本発明におけるペーストの焼成方法については特に限定されない。焼成炉は種々のものを使用することができ、バッチ式焼成炉、ローラー式焼成炉、ベルト式焼成炉などが例示できるが、ベルト式焼成炉のようにペーストを塗布した基板を連続的に焼成するできる焼成炉を使用するのが生産性の面で好ましい。焼成温度は、４００℃〜８５０℃とすることが好ましく、４５０℃〜６００℃とすることがさらに好ましい。焼成時間は、短時間焼成から長時間焼成まで、アルミニウム粒子を含むペーストが焼成後に導電性を有する導体層となる焼成時間であれば特に限定されるものではない。ただし、抵抗値増大の要因となるアルミニウムの酸化皮膜の形成を抑制するためには短時間焼成が好ましい。
【００４３】
また、焼成の雰囲気は、特に限定はされず、空気中、非酸化雰囲気中、還元雰囲気中、真空中などいずれの焼成雰囲気においても良好な導電性と密着性とを示す導体層を得ることができる。ただし、酸化皮膜の形成を抑制するという観点からは、非酸化性雰囲気、還元雰囲気または真空中とすることがより好ましい。上記の「非酸化性雰囲気」は、酸素を含まない、たとえばアルゴン、ヘリウム、窒素などのいずれかのガスを含む雰囲気、または、これらのガスを複数種含む混合ガス雰囲気である。また、上記非酸化性雰囲気のガスに、還元性ガス、たとえば水素ガスなどを混合して還元雰囲気としてもよい。
【００４４】
（導体層）
導体層は、たとえば図１（ｉｉ）のように、基板上に塗布されたペーストが焼成されて導体層５となったものである。基板と導体層との界面においては、焼成によって高い密着性が付与される。このような導体層は、導電性を有するものである。
【００４５】
（１）基板と導体層との界面
本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面にケイ素を含有する基板上にペーストを塗布し、焼成を施すことにより、基板と導体層との間に高い密着性を付与するものである。
【００４６】
上記の方法で高い密着性を付与できる理由については明らかではないが、以下の理由が考えられる。すなわち、少なくとも表面にケイ素を含有する基板と導体層との界面に、アルミニウムとケイ素とが混在する混在層が形成されるためと推測される。
【００４７】
＜レジスト膜を形成する工程＞
本発明の回路基板の製造方法は、導体層上に特定パターンのレジスト膜を形成する工程を含む。この工程においては、たとえば図１（ｉｉｉ）および（ｉｖ）のように、上記導体層を形成する工程で形成した導体層５上に、特定パターンのレジスト膜６が形成される。
【００４８】
（レジスト膜）
レジスト膜６は、公知のレジスト膜のうち、後の導体層を除去するエッチング液に浸食されないものであれば、特に限定されずに用いることができる。たとえば、ドライフィルムなどの市販のレジスト膜を用いてもよいし、レジスト液をスピンコート法またはロールコート法などの塗布方法を用いて導体層上に塗布し、これをレジスト膜化してもよい。
【００４９】
（露光および現像）
ドライフィルムなどの市販のレジスト膜を用いる場合においても、レジスト液をレジスト膜化して用いる場合においても、通常の露光および現像のプロセスにより、特定パターンのレジスト膜を形成することができる。
【００５０】
たとえば、目的とする特定の配線パターンの光透過部７を形成したフォトマスク８を準備し、たとえば図１（ｉｉｉ）のように、レジスト膜６上にフォトマスク８を重ね、紫外線などのレジスト膜を硬化させる所定の光を照射する。その後レジスト膜を現像液で現像処理することにより、露光されなかった部分のレジスト膜が溶解し、たとえば図１（ｉｖ）のように、所望の配線パターンに対応した特定パターンのレジスト膜が導体層上に形成される。
【００５１】
なお、露光は、コンタクト方式、プロキシミティ方式を採用することができ、現像は、公知の現像液にて行なうことができる。
【００５２】
なお、上記の説明および図１においては、特定パターンのレジスト膜を形成する方法として、ネガ型のフォトマスクを使用する場合を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ポジ型のフォトマスクを使用して、通常の露光および現像方法にて特定パターンのレジスト膜を形成することも可能である。
【００５３】
＜導体層をエッチング液により除去する工程＞
本発明の回路基板の製造方法は、レジスト膜が形成されていない部分の導体層をエッチング液により除去する工程を含む。この工程は、たとえば図１（ｖ）のように、レジスト膜６が形成されていない部分の導体層５をエッチング液により除去し、導体層を所望の配線パターンに形成する。
【００５４】
以下、この工程で用いられるエッチング液およびエッチング方法を説明する。
（エッチング液）
この工程で使用するエッチング液は、標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍの金属イオン（以下単に「金属イオン」とも記す）とフッ化物イオンとを含む。
【００５５】
（１）金属イオン
金属イオンは、標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍのイオンである。標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍのイオンであれば、その種類は特に限定されない。したがってアルミニウムとの電位差が大きいほど効果が高く、金、白金、銀、銅、鉛、錫、ニッケル、鉄、亜鉛などが例示できる。特に価格の点から鉄、銅を好適に用いることができる。鉄イオンは、その価数は特に限定されないが、３価の鉄イオンが好ましい。２価の鉄は空気中の酸素により容易に酸化されやすく、組成を制御する上で扱いが困難であるためである。銅イオンは、２価の銅イオンであることが好ましい。２価の銅塩は水に溶解しやすく、水溶液中で安定しているためである。このような鉄イオンおよび銅イオンは、塩化第二鉄、硝酸鉄、硫酸鉄、塩化第二銅、硝酸銅および硫酸銅からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物に由来するものであることが例示できるが、これらに限定されるわけではない。ここで、「化合物に由来する」とは、その化合物がエッチング液に含まれ、金属イオンを生成することをいう。
【００５６】
金属イオンの含有量は、含有される金属イオンにもよるが、エッチング液中に５〜３０質量％含まれることがエッチング速度の都合上好ましく、１０〜１５質量％であることがより好ましい。
【００５７】
（２）フッ化物イオン
本発明で用いるエッチング液は、上記の金属イオンとともに、フッ化物イオンを含む。
【００５８】
このフッ化物イオンは、フッ化水素、テトラフルオロケイ素、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸塩、三フッ化ホウ素、フルオロホウ酸、フルオロホウ酸塩、フッ化リン、フッ化アンモニウム、フッ化銀、フッ化アルミニウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムおよびフッ化リチウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物に由来するものであることが、酸化皮膜および酸化ケイ素のエッチングの観点から好ましい。ここで、「化合物に由来する」とは、上記金属イオンの場合と同様に、その化合物がエッチング液に含まれ、フッ化物イオンを生成することをいう。このような化合物としては、フッ化アンモニウムが好ましい。フッ化水素のような危険性を伴わないためである。
【００５９】
フッ化物イオンのエッチング液中における含有量は、エッチング液中において０．０１〜１０質量％であることが好ましく、０．３〜５質量％であることがより好ましい。フッ化物イオンの含有量が０．０１質量％よりも少ないと、反応物の充分な除去効果が得られない場合がある。一方、含有量が１０質量％よりも多いと、製造装置や基板に対する腐食性が大きくなり過ぎる場合がある。
【００６０】
（３）作用
セラミックスなどの基板に接着剤を使用してアルミニウム箔を積層し、このアルミニウム箔をエッチングして回路を形成する場合であれば、エッチング液が上記の金属イオンさえ含んでいれば、フッ化物イオンが含まれずとも、エッチングが可能である。しかしながら、本発明の回路基板の製造方法で形成された導体層（アルミニウム粒子を含むペーストを焼成することにより形成された導体層）をエッチングして回路を形成する場合には、上記の金属イオンのみを含むエッチング液を用いても、エッチング後においても基板上に残渣が残ってしまい、絶縁信頼性に優れた回路が得られるようなエッチングを行なうことはできない。そこで、本発明で用いるエッチング液は、金属イオンとフッ化物イオンとを含むものとしている。これにより、基板上に残渣を残さず回路を形成することが可能となる。
【００６１】
このような本発明のエッチング液の詳細な作用は、いまだ十分には解明されていないが、本発明者は次のように考えている。
【００６２】
すなわち、アルミニウム箔は、表面に酸化被膜が形成されるが、アルミニウム箔の内部には酸化被膜が形成されることはない。そして、アルミニウムの酸化物は、上記の金属イオンのみを含むエッチング液には溶解し難いが、アルミニウム箔表面の酸化被膜一層のみであれば、上記の金属イオンのみを含むエッチング液でも溶解可能である。そして、酸化被膜さえ溶解すれば、アルミニウム箔内部のアルミニウムは当該エッチング液により容易に溶解する。よって、アルミニウム箔をエッチングする場合であれば、上記の金属イオンのみを含むエッチング液を使用しても、エッチングを行なうことは可能である。
【００６３】
しかしながら、本発明のように、アルミニウム粒子を含むペーストを焼成して形成した導体層をエッチングする場合、導体層中に多数のアルミニウム粒子が積み重なった状態で存在している。このアルミニウム粒子個々の表面には、アルミニウム箔表面と同様に酸化被膜が存在する。したがって、導体層中にはアルミニウム粒子の数に応じた、多数の酸化被膜が存在する。そのため、上記の金属イオンのみを含むエッチング液では、導体層中の酸化被膜を全て溶解することができないため、エッチングが不完全なものになると推測される。
【００６４】
また、本発明においては、導体層と基板との界面には、前述のように、アルミニウムとケイ素とが混在する混在層が形成されるものと考えられ、この混在層が上記の金属イオンのみを含むエッチング液によっては除去されずに残ってしまうことも考えられる。本発明で使用されるエッチング液は、このような混在層に対しても十分なエッチング作用を示すと考えられる。
【００６５】
なお、導体層を、フッ化物イオンのみを含む溶液でエッチングする場合は、製造装置や基板、レジスト膜に対する腐食性が大きくなり過ぎるために、所望の高精細な回路が得られるようなエッチングを行なうことはできない。
【００６６】
このように本発明において使用するエッチング液は、（１）フッ化物イオンの作用によりアルミニウム粒子表面の酸化被膜が溶解され、（２）この後に上記の金属イオンの作用によりアルミニウム粒子のアルミニウムが溶解され、この（１）、（２）の繰り返しの作用により、導体層中に多数の酸化被膜が積み重なっている状態であっても、導体層を容易に溶解できると推測され、その後（３）上記混在層も、アルミニウムには上記の金属イオンが作用し、ケイ素にはフッ化物イオンが作用するため、容易に溶解することができるものと推測される。
【００６７】
（エッチング方法）
レジスト膜が形成されていない部分の導体層をエッチング液により除去する具体的な方法は、特に限定されないが、基板全体をエッチング液に浸漬する方法、エッチング液をスプレーする方法などを採用することができる。上記のような方法を採用することで、レジスト膜が形成されていない部分の導体層をエッチング液により除去し、導体層を所望の配線パターンに形成することができる。
【００６８】
＜その他の工程＞
本発明の回路基板の製造方法は、上記の各工程を含む限り、他の任意の工程を含んでいても差し支えない。
【００６９】
たとえば上記導体層をエッチング液により除去する工程の後に、レジスト膜６を除去するような工程を含むことができる。この工程により、たとえば図１（ｖｉ）のような回路基板を得ることができる。
【００７０】
また、形成した導体層（微細配線）上に、はんだ付けなどを目的として、金、ニッケルなどの金属をメッキする工程を含んでいてもよい。
【００７１】
＜回路基板＞
本発明の回路基板は、少なくとも表面にケイ素を含有する基板と、基板上に形成されたアルミニウムを含む導体層と、基板と導体層との界面に形成されたアルミニウムとケイ素とが混在する混在層とを含み、基板は、導体層が基板上に特定の配線パターンを形成するように、導体層が部分的に除去された部分を有し、基板に対する垂直方向の断面において、導体層が部分的に除去された部分の基板の表面領域におけるアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）が１０分の１以下である、回路基板であることを特徴とする。このような回路基板は、上記で説明した回路基板の製造方法によって、作製することができる。
【００７２】
以下、本発明の回路基板について説明する。
＜基板＞
本発明の回路基板は、少なくとも表面にケイ素を含有する基板を有する。表面にケイ素を含有する基板としては、上記回路基板の製造方法の説明にて述べたのと同様の基板を用いることができる。すなわち、本発明の回路基板における表面にケイ素を含有する基板としては、たとえば図１（ｖｉ）にガラス−セラミックス複合基板１として示されるようなセラミックス基板２上にケイ素を含むガラス組成物３を被覆した基板を挙げることができる他、少なくとも表面を含む基板全体にケイ素が含まれるガラス基板を用いることも可能である。本発明の回路基板は、表面にケイ素を含有する基板を用いることによって、後述の導体層との間において混在層が形成されるため、導体層と基板との間に高い密着性を付与することができるものと推測される。
【００７３】
＜導体層＞
本発明の回路基板は、基板上に形成されたアルミニウムを含む導体層を有する。本発明の回路基板は、アルミニウムを含む導体層を用いることによって、導体層の導電性を確保することができ、かつ前述の基板との間において混在層が形成されるために導体層と基板との間に高い密着性を付与することができるものであると推測される。導体層は、アルミニウムを含み、導電性を有するものであればよいが、導電性をより良好にするためには、アルミニウムを７０質量％以上含有することが好ましく、９０質量％以上含有することがより好ましい。導体層の厚みは、特に限定されないが、導電性をより良好にするためには、０．１μｍ〜１００μｍとすることが好ましく、０．２〜５μｍとすることがさらに好ましい。
【００７４】
本発明の導体層は、上記回路基板の製造方法の説明にて述べた導体層の形成方法と同様の方法を用いて形成することができる。すなわち、たとえば図１（ｉ）および（ｉｉ）のように、基板１上にアルミニウム粒子を含むペースト４を塗布し、該ペーストを焼成することにより、導体層５を形成することができる。
【００７５】
＜混在層＞
本発明の回路基板は、基板と導体層との界面に形成されたアルミニウムとケイ素とが混在する混在層を有する。本発明の回路基板は、基板と導体層との界面に混在層を有することによって、基板と導体層との間に密着性を付与することができるものと推測される。
【００７６】
混在層は、アルミニウムとケイ素とが混在し、基板と導体層との間に密着性を付与するものであればよい。混在層の厚みは、特に限定されないが、密着性をより良好にするためには、０．００５μｍ〜１０μｍが好ましく、０．０１〜５μｍとすることがさらに好ましい。
【００７７】
なお、導体層と基板との間にアルミニウムとケイ素との混在層が形成されているか否かを確認するためには、たとえば、基板に対する垂直方向の断面における、導体層および基板を含む領域に対して、電子顕微鏡（商品名：「ＴＩＴＡＮ８０−３００」、ＦＥＩ社製）を用いたエネルギー分散型Ｘ線分光分析を実施し、導体層と基板との界面におけるアルミニウムおよびケイ素の濃度変化を観察すればよい。エネルギー分散型Ｘ線分光分析の実施の結果、アルミニウムの検出値が導体層におけるアルミニウムの検出値の１０分の１以上存在し、かつケイ素の検出値が基板におけるケイ素の検出値の１０分の１以上同時に存在する領域が５ｎｍ以上確認されれば、導体層と基板との間に混在層が形成されているものと判断できる。
【００７８】
本発明の混在層は、上記回路基板の製造方法の説明にて述べた混在層の形成方法と同様の方法を用いて形成することができる。すなわち、たとえば図１（ｉ）および（ｉｉ）のように、少なくとも表面にケイ素を含む基板１上にアルミニウム粒子を含むペースト４を塗布し、焼成することにより、基板１上にアルミニウムを含む導体層５を形成する際、基板表面に含まれるケイ素とペースト中に含まれるアルミニウム粒子のアルミニウムとが混在するために、混在層（図示せず）を形成できるものと推測される。
【００７９】
＜配線パターン＞
本発明の回路基板における基板は、導体層が基板上に特定の配線パターンを形成するように、導体層が部分的に除去された部分を有する。導体層の配線パターンは特に限定されるものではなく、所望のパターンを選択すればよい。なお、本発明の回路基板の製造においては、高精細な回路形成の可能なエッチングを用い、かつサンドブラスト処理によりエッチング後の残渣を除く操作の必要もなく配線パターンを形成可能であるため、高精細な配線パターンを採用することが可能である。本発明の配線パターンにおける配線の幅（線幅）と隣り合う配線同士の間隔（線間）、すなわちいわゆるラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、特に限定されないが、配線パターンを高精細とするためには、１００μｍ以下とすることが好ましく、６０μｍ以下とすることがより好ましく、４０μｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００８０】
本発明の配線パターンの形成方法は、上記回路基板の製造方法の説明に述べた配線パターンの形成方法と同様の方法を用いることができる。すなわち、たとえば図１（ｉｉｉ）〜（ｖｉ）のように、導体層５上に、特定パターンのレジスト膜６を形成し、レジスト膜が形成されていない部分の導体層をエッチング液により除去することによって、導体層を所望の配線パターンに形成することができる。
【００８１】
（導体層が除去された部分）
本発明の回路基板は、基板に対する垂直方向の断面において、導体層が部分的に除去された部分の基板の表面領域（以下「基板の表面領域」とも記す）における導体層由来のアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）を１０分の１以下とするものである。
【００８２】
本発明の回路基板は、基板の表面領域の導体層由来のアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）が１０分の１以下であることにより、絶縁することの意図された配線間がアルミニウム元素の存在のために通電するおそれが低下し、優れた絶縁信頼性を有することになるものと推測される。
【００８３】
ここで、「基板の表面領域」とは、導体層が基板上に特定の配線パターンを形成するように、導体層が部分的に除去された部分のうち、導体層の除去により形成された表面近傍の領域を意味する。ここで、導体層が部分的に除去された基板の表面に、導体層に由来する残渣が残留する場合には、その残渣を含めて、この「基板の表面領域」を定義するものとする。
【００８４】
基板の表面領域には、前述のエッチング液との反応による導体層由来の残渣、およびアルミニウムとケイ素との混在層が残っていないことが好ましいため、基板の表面領域のアルミニウム元素の理想的な含有量は０である。しかし、工業的な生産性のバランスを考慮すると、エッチング液の組成やエッチングに要する時間などの要因により、完全には前述の残渣や混在層をエッチング等により除去できない場合もある。本発明の回路基板は、上記を鑑みて、基板の表面領域の導体層由来のアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）を１０分の１以下とすることによって、配線間の絶縁信頼性に優れるという効果が損なわれないものとしたものである。
【００８５】
基板の表面領域の導体層由来のアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）を１０分の１以下とすることは、本発明の回路基板の製造方法における導体層をエッチング液により除去する方法、たとえば標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍの金属イオンとフッ化物イオンとを含むエッチング液により導体層を除去する方法により達成可能である。
【００８６】
なお、基板の表面領域の導体層由来のアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）は、１００分の７以下であることが好ましく、１００分の２以下であることがより好ましく、１００分の１以下であることがさらに好ましい。
【００８７】
なお、基板の表面領域におけるアルミニウムおよびケイ素の存在の有無および含有量を確認するためには、たとえば、基板の表面領域に対して、電子顕微鏡にて画像観察を行ないながら、株式会社堀場製作所製エネルギー分散型Ｘ線分析装置「Ｘ−ＭＡＸ」を用いた分散型Ｘ線分析を実施すればよい。
【００８８】
また、本発明の回路基板においては、上記のピーク強度比に加え、基板の表面領域のアルミニウム元素の含有量が１０００ｐｐｍ以下であればよく、１００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、５０ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。このような数値範囲とすることによって、配線間の絶縁信頼性に優れるという効果が損なわれないものとしたものである。なお、該基板がアルミニウム元素を含む場合には、分析結果におけるアルミニウム元素の含有量から基板由来のアルミニウム元素の含有量を差し引いた数値を導体層由来のアルミニウム元素の含有量として扱うことができる。
【００８９】
本発明の回路基板は、基板と導体層との界面に形成されたアルミニウムとケイ素とが混在する混在層が存在することにより、導体層と基板との間に高い密着性が付与されることとなる一方で、基板に対する垂直方向の断面において、導体層が部分的に除去された部分の基板の表面領域における導体層由来のアルミニウム元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度とケイ素元素のエネルギー分散型Ｘ線分析によるピーク強度との比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）が１０分の１以下であることにより、優れた絶縁信頼性を有することになるものと推測される。そのため、本発明の回路基板は、基板と導体層との間の高い密着性と配線間の優れた絶縁信頼性とを有するものである。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００９１】
＜実施例１＞
（基板を準備する工程）
基板としてソーダライムガラス基板（商品名：「ＦＬ２」、セントラル硝子社製）を準備した。このソーダライムガラス基板は、表面を含む基板全体にケイ素を含有する基板である。【００９２】
（ペーストを塗布する工程）
エチルセルロース１０質量部をブチルカルビトール９０質量部に溶解した有機液体ビヒクル７０質量部、ブチルカルビトール２０質量部、および平均粒径１１μｍのアルミニウム粒子１０質量部を攪拌して、ペーストを調製した。次に、このペーストを、ソーダライムガラス基板の全面に、スクリーン印刷によりペーストを塗布した。塗布後、ペーストの凹凸をなくすために、ペーストを塗布したソーダライムガラス基板を１０分間水平な状態で静置し、次に１００℃で１０分間乾燥させた。乾燥後のペーストの厚さは５μｍであった。【００９３】
＜導体層を形成する工程＞
上記工程でペーストを塗布したソーダライムガラス基板を大気雰囲気下、６０分で５５０℃まで昇温し、５５０℃で６０分間保持した後、３０分で室温まで冷却する、という条件で焼成した。これにより、基板上に導体層を形成した。【００９４】
（レジスト膜を形成する工程）
焼成した導体層上にレジスト膜として感光性ドライフィルム（商品名：「ＡＴＰ−１５３」、旭化成社製）を貼り付け、線幅／線間（以下「Ｌ／Ｓ」とも記す）が６０μｍ／４０μｍの櫛型パターンを有するフォトマスクをレジスト膜に接触させて紫外線露光し、アルカリ現像液にて現像することにより、導体層上に特定パターンのレジスト膜を形成した。【００９５】
（導体層をエッチング液により除去する工程など）
エッチング液として、塩化第二銅を１４質量％含み、フッ化アンモニウムを３質量％含む水溶液であるエッチング液、すなわち、標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍの金属イオン（二価の銅イオン）とフッ化物イオンとを含むエッチング液を用いて、レジスト膜が形成されていない部分を室温にて１０秒間エッチング液に浸漬させ、導体層をエッチング液により除去することにより、特定の配線パターンを形成した。その後、導体層上のレジスト膜をＮ−メチルピロリドンにて除去した。【００９６】
以上の工程により、レジスト膜が形成されていない部分の導体層がエッチング液により除去され、導体層による特定の配線パターンの形成された回路基板が得られた。図２は、実施例１の回路基板の導体層の表面を観察した光学顕微鏡像である。図２において、白色（淡色）のバンドが導体層、黒色（濃色）のバンドが導体層の除去された部分を示している。【００９７】
＜実施例２＞
基板としてガラス−セラミックス複合基板を用いる以外は、実施例１と同様の方法で回路基板を形成した。なお、ガラス−セラミックス複合基板は（商品名：「グレーズ加工基板ＧＳ−３２」、ＭＡＲＵＷＡ社製）を用いた。すなわち、このガラス−セラミックス複合基板は、セラミックスからなる基板上にケイ素を含むガラス組成物を形成したものであり、少なくとも表面にケイ素を含有する基板である。【００９８】
＜比較例１＞
基板としてアルミナ基板（商品名：「厚膜用アルミナ基板」、フォノン明和社製）を用いる以外は、実施例１と同様の方法でペーストを塗布、乾燥、焼成したが、導体層が基板に対して密着性を有さず、剥離したため以降の実験ができなかった。アルミナ基板は、ケイ素を含有しない基板である。【００９９】
＜比較例２＞
エッチング液にフッ化物イオンを加えなかった以外は、実施例１と同様の方法を実施したが、一時間浸漬してもエッチングが十分に進まなかったため、回路形成ができないと判断した。【０１００】
＜比較例３＞
エッチング液にフッ化物イオンを加えなかった以外は、実施例２と同様の方法を実施したが、一時間浸漬してもエッチングが十分に進まなかったため、回路形成ができないと判断した。【０１０１】
＜評価方法＞
上記の実施例１〜２および比較例１〜３によって得られた回路基板について、導体層と基板との密着性および絶縁抵抗を測定した。また、実施例１によって得られた回路基板の導体層と基板との間の元素分析を行った。【０１０２】
（密着性の測定）
導体層と基板との密着性は、以下のように測定した。すなわち、セロテープ（登録商標）（商品名：「ＣＴ−２４」、ニチバン（株）製）を導体層表面に密着させ、４５度の角度で引っ張り、導体層の剥離度合いを目視で観察した。観察結果に応じて、剥離がなければ密着性は「良好」、剥離があれば密着性は「不可」と評価した。この結果を表１に示す。【０１０３】
（絶縁抵抗の測定）
絶縁抵抗は、以下のように測定した。すなわち、回路基板に描かれた線状の導体層と、その導体層と隣接する線状の導体層との間の絶縁抵抗について、超絶縁計（商品名：「ＳＭ−８２１６」、ＨＩＯＫＩ社製）を用い、２０℃の条件下にて、５００Ｖの電圧を印加し、１分後の抵抗値を計測した。この結果を表１に示す。絶縁抵抗の値が高いもの程、絶縁信頼性に優れることを示す。【０１０４】
【表１】
0006490012.tif 000002
【０１０５】
(断面方向の元素分析)
導体層と基板との間のアルミニウムとケイ素との混在層の確認のため、導体層と基板との界面に対して、電子顕微鏡（商品名：「ＴＩＴＡＮ８０−３００」、ＦＥＩ社製）のエネルギー分散型Ｘ線分光分析を実施例１のサンプルに対して実施した。この結果を図３に示す。【０１０６】
なお、導体層を除去した箇所における基板の表面領域におけるアルミニウムの存在の有無、アルミニウムの含有量、アルミニウム元素のピーク強度およびケイ素元素のピーク強度を確認するために、実施例１の回路基板に対して、導体層が除去された部分（導体層除去済部）の、基板に対する垂直方向の断面における、基板を含む領域、および基板の表面領域について、電子顕微鏡にて加速電圧１５ｋＶで画像観察を行ないながら株式会社堀場製作所製エネルギー分散型Ｘ線分析装置「Ｘ−ＭＡＸ」を用いたＥＤＳ分析を実施した。この結果を図４に示す。図４にて基板の表面領域におけるアルミニウム元素のピーク強度は４０Ｃｏｕｎｔｓ、ケイ素元素のピーク強度は６２０Ｃｏｕｎｔｓであり、アルミニウム元素とケイ素元素のピーク強度の比（アルミニウム元素のピーク強度／ケイ素元素のピーク強度）は、０．０６４５であった。また、図４にて、基板の表面領域と基板におけるアルミニウムのピーク強度比が同等であり、導体層由来のアルミニウムのピーク強度がケイ素の１０分の１より十分小さいことが確認されることから、実施例１において基板と導体層との間に混在層が十分に除去されていることが明らかであった。【０１０７】
＜評価＞
（密着性）
表１の「密着性」の項は、実施例および比較例において作製された回路基板の導体層と基板との密着性の評価結果を示している。表１を参照すると、ケイ素が基板表面に存在するソーダライムガラスを用いた実施例１、比較例２およびガラス−セラミックス複合基板を用いた実施例２、比較例３では、導体層と基板との密着性が「良好」と評価され、密着性に優れたものとなっていることが明らかである。一方、ケイ素を表面に含まない比較例１のアルミナ基板は、密着性が「不可」と評価されており、ペーストの焼成後に、基板から導体層が剥離してしまい、基板と導体層との間に良好な密着性が得られていないことが明らかである。以上より、少なくとも表面にケイ素を含有する基板を用いることで、導体層と基板との密着性を大きく向上できることが明らかとなった。【０１０８】
（絶縁抵抗）
表１の「絶縁抵抗」の項は、絶縁抵抗の測定結果を示す。表１を参照すると、実施例１および実施例２では、絶縁抵抗がいずれも１０12Ω以上であり、絶縁信頼性に優れたものとなっていることが明らかである。これに対し、比較例２および比較例３では、前述のとおり、エッチングによる十分な回路形成ができなかったため、線状の導体層と隣接する線状の導体層との間の絶縁抵抗を測定することができなかった。以上より、標準電極電位がアルミニウムの標準電極電位より大きな値をとる金属Ｍの金属イオンおよびフッ化物イオンの添加されたエッチング液を用いることによって、配線間に残渣のない、絶縁信頼性に優れた回路基板を作製できることが明らかとなった。【０１０９】
なお、比較例１においては、基板と導体層との密着性が不十分であり配線が剥離してしまったため、絶縁抵抗を測定することができなかった。【０１１０】
（断面方向の元素分析）
図３は、実施例１の回路基板の導体層と基板との間の垂直方向の断面のうち、導体層と基板との界面部分の元素分析結果を示している。【０１１１】
図３を参照すると、基板と導体層（アルミニウム）との間にガラス基板由来のケイ素とアルミニウムが相互拡散し、アルミニウムとケイ素とが混在している混在層（図３において「アルミニウム−ケイ素混在層」と記す）が確認できる。【０１１２】
以上より、少なくとも表面にケイ素を含有する基板を用い、その基板にペーストを塗布し焼成することで導体層と基板との間にアルミニウムとケイ素との混在層が形成され、密着性を大きく向上できることが明らかとなった。【０１１３】
以上のことから、本発明の回路基板の製造方法にしたがった実施例１および実施例２は、高精細に回路を形成できるというエッチングによる方法のメリットを生かしつつ、基板と導体層との間に高い密着性を付与することと、エッチング後の残渣を容易に取り除くこととを両立させることができるという優れた効果を示すことがわかる。【０１１４】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。【０１１５】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１６】
１  ガラス−セラミックス複合基板、２  セラミックス基板、３  ケイ素を含むガラス組成物、４  ペースト、５  導体層、６  レジスト膜、７  光透過部、８  フォトマスク。
【図１】
0006490012.tif 000003
【図２】
0006490012.tif 000004
【図３】
0006490012.tif 000005
【図４】
0006490012.tif 000006