(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記配線パターン上に形成される金属薄膜と、
前記金属薄膜を覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
前記配線パターンと電気的に接続され、かつ前記第２の絶縁層から露出するように前記第１の絶縁層上に形成される接続端子とを備え、
前記金属薄膜の厚みは０ｎｍよりも大きくかつ５０ｎｍ以下であり、
前記接続端子は、前記配線パターンと一体的に接続された第１の導体層と、前記第２の絶縁層の下方に形成されることなく前記第１の導体層上に形成された第２の導体層とを含み、
前記第２の導体層の厚みは前記金属薄膜の厚みよりも大きく、前記第２の導体層の上面は前記金属薄膜の上面よりも上方に位置する、配線回路基板。
【請求項２】
前記金属薄膜の厚みは１０ｎｍ以上である、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第２の絶縁層に対する前記金属薄膜の密着力は、前記第２の絶縁層に対する前記配線パターンの密着力よりも高い、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記配線パターンは銅を含み、前記金属薄膜はニッケル、金、白金、銀または錫を含む、請求項３記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記第１の導体層の厚みは前記配線パターンの厚みよりも小さい、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項６】
第１の絶縁層上に配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターン上に０ｎｍよりも大きくかつ５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜を覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記配線パターンと電気的に接続されかつ前記第２の絶縁層から露出するように前記第１の絶縁層上に接続端子を形成する工程とを含み、
前記配線パターンを形成する工程は、前記配線パターンと一体的に接続された第１の導体層を形成することを含み、
前記接続端子を形成する工程は、第２の導体層の厚みが前記金属薄膜の厚みよりも大きく、前記第２の導体層の上面が前記金属薄膜の上面よりも上方に位置し、かつ前記第２の絶縁層の下方に形成されないように前記第１の導体層上に第２の導体層を形成することを含む、配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属薄膜の厚みは１０ｎｍ以上である、請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属薄膜を形成する工程は、
前記配線パターン上および前記第１の導体層上に金属薄膜を形成することと、
前記第１の導体層上に形成された金属薄膜を除去することとを含む、請求項６または７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属薄膜を除去することは、前記金属薄膜に接する前記第１の導体層の表面を除去することを含む、請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属薄膜を形成する工程は、無電解めっきにより金属薄膜を形成することを含む、請求項６〜９のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる配線回路基板として回路付サスペンション用基板が示される。
【０００３】
特許文献１の配線回路基板においては、導電性の支持基板上に絶縁層が形成される。絶縁層上に導体回路パターンが形成される。導体回路パターンの端部に接続端子が形成される。導体回路パターンを覆いかつ接続端子を露出させるように絶縁層上に被覆層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２３２２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電気機器または電子機器に用いられる電気信号の高周波化が進んでいる。したがって、高い周波数帯域において、配線回路基板の導体回路パターンにより伝送される電気信号の損失が低減されることが求められる。
【０００６】
本発明の目的は、高い周波数帯域においても電気信号の損失が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一般に、配線パターン上に被覆層を形成する場合には、配線パターンと被覆層との密着性を向上させるために、配線パターンと被覆層との間に金属薄膜が形成される。ここで、本発明者は、配線パターンに金属薄膜を形成すると、高い周波数帯域において配線パターンにより伝送される電気信号の損失が増加することを見出した。
【０００８】
一方、本発明者は、種々の実験および検討を行なった結果、配線パターンの表面に形成される金属薄膜の厚みを一定値よりも小さくすることにより、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減できるという知見を得た。また、本発明者は、金属薄膜の厚みを小さくした場合でも、配線パターンと被覆層との密着性がほとんど低下しないという知見を得た。これらの知見に基づいて、以下の本発明に想到した。
【０００９】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、配線パターン上に形成される金属薄膜と、金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、配線パターンと電気的に接続され、かつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に形成される接続端子とを備え、金属薄膜の厚みは０ｎｍよりも大きくかつ５０ｎｍ以下であり、接続端子は、配線パターンと一体的に接続された第１の導体層と、第２の絶縁層の下方に形成されることなく第１の導体層上に形成された第２の導体層とを含み、第２の導体層の厚みは金属薄膜の厚みよりも大きく、第２の導体層の上面は金属薄膜の上面よりも上方に位置する。
【００１０】
この配線回路基板においては、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。配線パターン上に０ｎｍよりも大きくかつ５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜が形成される。金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。
【００１１】
この構成によれば、配線パターン上に形成される金属薄膜の厚みは小さい。本発明者の上記の実験および検討の結果、金属薄膜の厚みが５０ｎｍ以下と小さいことにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
【００１４】
（２）金属薄膜の厚みは１０ｎｍ以上であってもよい。この場合、配線パターンと第２の絶縁層との密着性がほとんど低下しない。これにより、第２の絶縁層が配線パターンから剥離することを十分に防止することができる。
【００１５】
（３）第２の絶縁層に対する金属薄膜の密着力は、第２の絶縁層に対する配線パターンの密着力よりも高くてもよい。
【００１６】
この場合、金属薄膜により配線パターンと第２の絶縁層との密着性を確実に向上させることができる。
【００１７】
（４）配線パターンは銅を含み、金属薄膜はニッケル、金、白金、銀または錫を含んでもよい。
【００１８】
この場合、銅を含む配線パターンと第２の絶縁層との間にニッケル、金、白金、銀または錫を含む金属薄膜が介在することにより、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が十分に向上する。
【００１９】
（５）第１の導体層の厚みは配線パターンの厚みよりも小さくてもよい。
【００２０】
配線回路基板の製造工程においては、一体的に接続された配線パターンおよび第１の導体層上に金属薄膜が形成される。また、第１の導体層上の金属薄膜が除去された後に、第１の導体層上に第２の導体層が形成されることにより接続端子が形成される。この工程において、第１の導体層上の金属薄膜が除去される際に、金属薄膜に接する第１の導体層の表面が除去される。そのため、第１の導体層の厚みが配線パターンの厚みよりも小さくなる。
【００２１】
この構成によれば、第１の導体層上に金属薄膜が残存することが確実に防止される。これにより、第２の導体層を均一に形成することが可能となる。
【００２２】
（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に配線パターンを形成する工程と、配線パターン上に０ｎｍよりも大きくかつ５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜を形成する工程と、金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子を形成する工程とを含み、配線パターンを形成する工程は、配線パターンと一体的に接続された第１の導体層を形成することを含み、接続端子を形成する工程は、第２の導体層の厚みが金属薄膜の厚みよりも大きく、第２の導体層の上面が金属薄膜の上面よりも上方に位置し、かつ第２の絶縁層の下方に形成されないように第１の導体層上に第２の導体層を形成することを含む。
【００２３】
この配線回路基板の製造方法においては、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。配線パターン上に０ｎｍよりも大きくかつ５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜が形成される。金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。
【００２４】
この構成によれば、配線パターン上に形成される金属薄膜の厚みは小さい。本発明者の上記の実験および検討の結果、金属薄膜の厚みが５０ｎｍ以下と小さいことにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
【００２７】
（７）金属薄膜の厚みは１０ｎｍ以上であってもよい。この場合、配線パターンと第２の絶縁層との密着性がほとんど低下しない。これにより、第２の絶縁層が配線パターンから剥離することを確実に防止することができる。
【００２８】
（８）金属薄膜を形成する工程は、配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を形成することと、第１の導体層上に形成された金属薄膜を除去することとを含む。
【００２９】
この場合、配線パターンと第２の絶縁層との間にのみ容易に金属薄膜を形成することができる。
【００３０】
（９）金属薄膜を除去することは、金属薄膜に接する第１の導体層の表面を除去することを含んでもよい。
【００３１】
この場合、第１の導体層上に金属薄膜が残存することが確実に防止される。これにより、接続端子における電気信号の損失が増加することを確実に防止することができる。
【００３２】
（１０）金属薄膜を形成する工程は、無電解めっきにより金属薄膜を形成することを含んでもよい。この場合、配線パターン上に金属薄膜を容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、高い周波数帯域においても電気信号の損失が低減される。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。
【図２】接続端子およびその周辺部分の平面図である。
【図３】接続端子およびその周辺部分の平面図である。
【図４】接続端子およびその周辺部分の断面図である。
【図５】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。
【図６】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。
【図７】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。
【図８】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。
【図９】顕微鏡を用いて撮影されたサスペンション基板の一部の拡大画像である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付サスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する。）について説明する。
【００３６】
（１）サスペンション基板の構造
図１は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図１において、矢印が向かう方向を前方と呼び、その逆方向を後方と呼ぶ。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状の支持基板により形成されるサスペンション本体部１００を備える。図１においては、サスペンション本体部１００は、略前後方向に延びている。
【００３７】
サスペンション基板１は、長尺状の支持プレート５０により支持される。サスペンション本体部１００の上面には、点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成されている。
【００３８】
サスペンション本体部１００の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ。）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１００に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。
【００３９】
サスペンション本体部１００の一端部におけるタング部１２の上面には４個の接続端子２１，２２，２３，２４が形成されている。また、サスペンション本体部１００が延びる方向における中央部近傍の両側部には、２個の接続端子２５，２６がそれぞれ形成されている。タング部１２の上面に磁気ヘッドを有するヘッドスライダ（図示せず）が実装される。タング部１２の接続端子２１〜２４にヘッドスライダの磁気ヘッドの端子が接続される。接続端子２５，２６は、支持プレート５０に設けられた２つの圧電素子６１，６２にそれぞれ接続される。
【００４０】
サスペンション本体部１００の他端部の上面には６個の接続端子３１，３２，３３，３４，３５，３６が形成されている。接続端子３１〜３４には、プリアンプ等の電子回路が接続される。接続端子３５，３６には圧電素子６１，６２用の電源回路が接続される。接続端子２１〜２６と接続端子３１〜３６とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１００には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００４１】
支持プレート５０は、前端領域５１、後端領域５２および中央領域５３を有する。前端領域５１は台形状を有し、その幅は後方から前方に向かって漸次減少する。後端領域５２は矩形状を有する。中央領域５３は前後方向に延びる矩形状を有し、前端領域５１と後端領域５２との間に配置される。サスペンション基板１が支持プレート５０の上面に支持された状態において、接続端子３１〜３６を含むサスペンション基板１の端部は、後端領域５２から後方に突出する。
【００４２】
中央領域５３の一部分には、圧電素子実装領域５４が設けられる。圧電素子実装領域５４は、サスペンション基板１の接続端子２５，２６と重なる。圧電素子実装領域５４の両側部は、外方に湾曲するように突出する。また、圧電素子実装領域５４には、幅方向（前後方向に直交する方向）に延びる貫通孔５４ｈが形成される。この構成によれば、支持プレート５０の圧電素子実装領域５４の部分は、前後方向に伸縮性を有する。
【００４３】
貫通孔５４ｈをまたぐように圧電素子実装領域５４の下面に圧電素子６１，６２が実装される。圧電素子６１，６２は、サスペンション基板１の両側方にそれぞれ位置する。圧電素子６１，６２は、貫通孔５４ｈを通してサスペンション基板１の接続端子２５，２６にそれぞれ接続される。
【００４４】
接続端子２５，３５および電源用配線パターンＰ１を介して圧電素子６１に電圧が印加され、接続端子２６，３６および電源用配線パターンＰ２を介して圧電素子６２に電圧が印加される。これにより、圧電素子６１，６２の伸縮に伴って、支持プレート５０が前後方向に伸縮する。圧電素子６１，６２に印加される電圧を制御することにより、サスペンション基板１上のヘッドスライダの磁気ヘッドの微小な位置合わせが可能になる。
【００４５】
支持プレート５０に支持されたサスペンション基板１はハードディスク装置に設けられる。磁気ディスクへの情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、差動の書込み信号を伝送する差動信号線路対を構成する。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、差動の読取り信号を伝送する差動信号線路対を構成する。
【００４６】
（２）接続端子およびその周辺部分の構成
次に、サスペンション基板１の接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分について詳細に説明する。図２および図３は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の平面図である。図４は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の断面図である。図２（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図３（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図４（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なる。
【００４７】
図２（ａ）および図３（ａ）は接続端子２１〜２４およびその周辺部分を示し、図２（ｂ）および図３（ｂ）は接続端子２５およびその周辺部分を示し、図２（ｃ）および図３（ｃ）は接続端子３１，３２およびその周辺部分を示す。図２（ａ）〜（ｃ）においては被覆層４３（図４参照）の図示が省略されている。接続端子２６は接続端子２５と同様の構成を有し、接続端子３３〜３６は接続端子３１，３２と同様の構成を有する。
【００４８】
図４（ａ）〜（ｃ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線拡大断面図および図２（ｃ）のＣ−Ｃ線拡大断面図をそれぞれ示す。図２（ａ）〜（ｃ）および図３（ａ）〜（ｃ）の平面図には、構成の理解を容易にするために、図４（ａ）〜（ｃ）の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。後述する図５および図６についても同様である。
【００４９】
図２（ａ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の一端部には、それぞれ接続端子２１〜２４が形成される。図２（ｂ）に示すように、電源用配線パターンＰ１の一端部には接続端子２５が形成される。同様に、電源用配線パターンＰ２（図１）の一端部には接続端子２６（図１）が形成される。図２（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の他端部には、それぞれ接続端子３１，３２が形成される。同様に、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２（図１）および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２（図１）の他端部には、接続端子３３〜３６（図１）が形成される。
【００５０】
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２上に金属薄膜１５が形成される。本実施の形態では、金属薄膜１５は、接続端子２１〜２６と接続端子３１〜３６との間における書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２の全体にわたって形成される。
【００５１】
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２上の金属薄膜１５を覆うように、絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成される。接続端子２１〜２６，３１〜３６は、被覆層４３から露出する。
【００５２】
図４（ａ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる金属製の支持基板１０上に例えばポリイミドからなる絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に例えば銅からなる導体層４２が形成される。導体層４２は、パターン部４２ａおよび端子部４２ｂを含む。図４（ａ）においては、パターン部４２ａと端子部４２ｂとの境界を点線で示す。図４（ｂ）および図４（ｃ）ならびに後述する図７（ｂ）〜図８（ｃ）においても同様である。
【００５３】
書込用配線パターンＷ１はパターン部４２ａにより形成される。書込用配線パターンＷ１上に金属薄膜１５が形成される。本実施の形態では、金属薄膜１５は書込用配線パターンＷ１のパターン部４２ａの上面上および側面上に形成される。金属薄膜１５は、例えば無電解めっきにより形成されるニッケル薄膜である。
【００５４】
金属薄膜１５の厚みは、０ｎｍよりも大きく１５０ｎｍ以下である。金属薄膜１５の厚みは１０ｎｍ以上であることが好ましい。この場合、パターン部４２ａと被覆層４３との密着性がほとんど低下しない。これにより、被覆層４３がパターン部４２ａから剥離することを十分に防止することができる。
【００５５】
また、金属薄膜１５の厚みは１００ｎｍよりも小さいことが好ましい。この場合、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失をより低減することができる。また、金属薄膜１５の厚みは５０ｎｍよりも小さいことがより好ましい。この場合、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失をさらに低減することができる。
【００５６】
特に、金属薄膜１５の厚みは、０ｎｍよりも大きくかつ１００ｎｍよりも小さいことが好ましく、０ｎｍよりも大きくかつ５０ｎｍよりも小さいことが好ましい。金属薄膜１５の厚みは、１０ｎｍ以上でかつ１００ｎｍよりも小さいことがより好ましく、１０ｎｍ以上でかつ５０ｎｍよりも小さいことがさらに好ましい。
【００５７】
書込用配線パターンＷ１上の金属薄膜１５を覆うように絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成される。また、被覆層４３から露出する端子部４２ｂ上に例えばニッケルおよび金（Ａｕ）からなる金属層４４が形成される。接続端子２１は、端子部４２ｂおよび金属層４４により構成される。
【００５８】
書込用配線パターンＷ２と接続端子２２との境界部分、読取用配線パターンＲ１と接続端子２３との境界部分および読取用配線パターンＲ２と接続端子２４との境界部分の構成は、図４（ａ）の書込用配線パターンＷ１と接続端子２１との境界部分の構成と同様である。
【００５９】
同様に、図４（ｂ）に示すように、電源用配線パターンＰ１は導体層４２のパターン部４２ａにより形成される。電源用配線パターンＰ１上に金属薄膜１５が形成される。本実施の形態では、金属薄膜１５は電源用配線パターンＰ１のパターン部４２ａの上面上および側面上に形成される。
【００６０】
電源用配線パターンＰ１上の金属薄膜１５を覆うように絶縁層４１上に被覆層４３が形成される。また、被覆層４３から露出する端子部４２ｂ上に金属層４４が形成される。接続端子２５は、端子部４２ｂおよび金属層４４により構成される。本例においては、電源用配線パターンＰ１は円形状を有する。
【００６１】
電源用配線パターンＰ２と接続端子２６との境界部分の構成は、図４（ｂ）の電源用配線パターンＰ１と接続端子２５との境界部分の構成と同様である。
【００６２】
図４（ｃ）に示すように、サスペンション本体部１００の他端部において、書込用配線パターンＷ１はパターン部４２ａにより形成される。パターン部４２ａ上に金属薄膜１５が形成される。本実施の形態では、金属薄膜１５は書込用配線パターンＷ１のパターン部４２ａの上面上および側面上に形成される。
【００６３】
書込用配線パターンＷ１上の金属薄膜１５を覆うように絶縁層４１上に被覆層４３が形成される。また、被覆層４３から露出する端子部４２ｂ上に金属層４４が形成される。接続端子３１は、端子部４２ｂおよび金属層４４により構成される。
【００６４】
書込用配線パターンＷ２と接続端子３２との境界部分、読取用配線パターンＲ１と接続端子３３との境界部分および読取用配線パターンＲ２と接続端子３４との境界部分の構成は、図４（ｃ）の書込用配線パターンＷ１と接続端子３１との境界部分の構成と同様である。また、電源用配線パターンＰ１と接続端子３５との境界部分および電源用配線パターンＰ２と接続端子３６との境界部分の構成は、書込用配線パターンＷ１と接続端子３１との境界部分の構成と同様である。
【００６５】
（３）サスペンション基板の製造方法
以下、サスペンション基板１の製造方法を説明する。図５〜図８は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程図である。図５および図６は接続端子２１〜２４およびその周辺に相当する部分の平面図を示す。図７および図８は、図５および図６のＤ−Ｄ線断面図を示す。
【００６６】
まず、図５（ａ）および図７（ａ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる支持層１０ａ上に、例えばポリイミドからなる絶縁層４１を形成する。支持層１０ａの厚みは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。絶縁層４１の厚みは、例えば５μｍ以上１５μｍ以下である。ここで、絶縁層４１は、図１のサスペンション基板１の形状と同一の形状に形成される。
【００６７】
次に、図５（ｂ）および図７（ｂ）に示すように、絶縁層４１上に例えば銅からなる導体層４２を形成する。導体層４２は所定のパターンを有する。導体層４２の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。ここで、後の工程において、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される導体層４２の部分を上記のようにパターン部４２ａと呼ぶ。後の工程において、接続端子２１〜２６，３１〜３６が形成される導体層４２の端部の部分を上記のように端子部４２ｂと呼ぶ。
【００６８】
続いて、図５（ｃ）および図７（ｃ）に示すように、導体層４２上に金属薄膜１５を形成する。金属薄膜１５は、例えば無電解めっきにより形成される。無電解めっきの形成工程においては、例えばニッケルおよび還元剤を含む無電解めっき液に導体層４２が浸漬された状態で、パラジウム等の触媒を核としてニッケルめっき皮膜が導体層４２上で成長する。
【００６９】
被覆層４３に対する金属薄膜１５の密着力は、被覆層４３に対するパターン部４２ａの密着力よりも高いことが好ましい。この場合、金属薄膜１５によりパターン部４２ａと被覆層４３との密着性を確実に向上させることができる。
【００７０】
例えば、パターン部４２ａは銅を含み、金属薄膜１５はニッケルを含むことが好ましい。この場合、銅を含むパターン部４２ａと被覆層４３との間にニッケルを含む金属薄膜１５が介在することにより、パターン部４２ａと被覆層４３との密着性が十分に向上する。
【００７１】
金属薄膜１５は、ニッケルにより形成されることが好ましいが、これに限定されず、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）または錫（Ｓｎ）により形成されてもよい。この場合でも、パターン部４２ａと被覆層４３との密着性を向上させることができる。
【００７２】
次に、図５（ｄ）および図７（ｄ）に示すように、パターン部４２ａ上の金属薄膜１５を覆うように絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３を形成する。被覆層４３の厚みは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。これにより、端子部４２ｂ上の金属薄膜１５が被覆層４３から露出する。
【００７３】
その後、図６（ａ）および図８（ａ）に示すように、端子部４２ｂ上の金属薄膜１５を除去する。ここで、端子部４２ｂ上の金属薄膜１５を除去する際に、金属薄膜１５に接する端子部４２ｂの表面を除去する。そのため、端子部４２ｂの厚みは、パターン部４２ａの厚みよりも僅かに小さくなる。
【００７４】
この構成によれば、端子部４２ｂ上に金属薄膜１５が残存することが確実に防止される。これにより、次の工程において、金属層４４を均一に形成することが可能となる。
【００７５】
続いて、図６（ｂ）および図８（ｂ）に示すように、端子部４２ｂ上に金属層４４を形成する。本例においては、金属層４４は、端子部４２ｂに厚み０．０１μｍ以上５μｍ以下のニッケルめっきおよび厚み０．１μｍ以上５μｍ以下の金めっきを順次行うことにより形成される。端子部４２ｂおよび金属層４４により接続端子２１〜２６，３１〜３６が形成され、パターン部４２ａにより書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される。
【００７６】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔は、例えばそれぞれ５μｍ以上１００μｍ以下である。同様に、書込用配線パターンＷ１と電源用配線パターンＰ１との間の間隔および読取用配線パターンＲ２と電源用配線パターンＰ２との間の間隔は、例えばそれぞれ５μｍ以上１００μｍ以下である。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２の幅は、例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。
【００７７】
その後、図６（ｃ）および図８（ｃ）に示すように、絶縁層４１と重なる支持層１０ａの部分が残存するように支持層１０ａを加工することにより、支持基板１０を形成する。支持層１０ａの加工は、例えばエッチングにより行われる。これにより、サスペンション基板１が完成する。
【００７８】
（４）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、パターン部４２ａ上の全体に金属薄膜１５が形成されるが、本発明はこれに限定されない。パターン部４２ａ上の一部に金属薄膜１５が形成されなくてもよい。
【００７９】
（ｂ）上記実施の形態において、パターン部４２ａの上面上および側面上に金属薄膜１５が形成されるが、本発明はこれに限定されない。パターン部４２ａの上面上のみ、またはパターン部４２ａの上面上および一方の側面上に金属薄膜１５が形成されてもよい。
【００８０】
（ｃ）上記実施の形態において、図５（ｄ）および図７（ｄ）に示すように、端子部４２ｂ上の金属薄膜１５が除去される際に、金属薄膜１５に接する端子部４２ｂの表面が除去されるが、本発明はこれに限定されない。端子部４２ｂ上の金属薄膜１５のみが除去され、金属薄膜１５に接する端子部４２ｂの表面は除去されなくてもよい。したがって、端子部４２ｂの厚みは、パターン部４２ａの厚みと略等しくてもよい。
【００８１】
（ｄ）上記実施の形態において、金属薄膜１５の厚みは一定であるが、本発明はこれに限定されない。パターン部４２ａの厚みは一定でなくてもよい。
【００８２】
（ｅ）上記実施の形態において、配線回路基板は支持基板１０を含むサスペンション基板１であるが、本発明はこれに限定されない。配線回路基板は、例えば支持基板１０を含まないフレキシブル配線回路基板であってもよい。
【００８３】
（ｆ）上記実施の形態において、金属薄膜１５は無電解めっきにより形成されるが、本発明はこれに限定されない。金属薄膜１５は、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成されてもよい。
【００８４】
（５）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、絶縁層４１上に導体層４２が形成される。導体層４２のパターン部４２ａ上に０ｎｍよりも大きくかつ１５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜１５が形成される。金属薄膜１５を覆いかつ導体層４２の端子部４２ｂを露出させるように絶縁層４１上に被覆層４３が形成される。端子部４２ｂ上に金属層４４が形成されることにより、接続端子２１〜２６，３１〜３６が形成される。
【００８５】
この構成によれば、パターン部４２ａ上に形成される金属薄膜１５の厚みは小さい。本発明者の上記の実験および検討の結果、金属薄膜１５の厚みが１５０ｎｍ以下と小さいことにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
【００８６】
（６）実施例
実施例１〜１１および比較例１〜４では、上記のサスペンション基板の製造方法に基づいて、金属薄膜１５の厚みが異なるサスペンション基板を作製した。
【００８７】
実施例１〜４に係るサスペンション基板においては、金属薄膜１５の厚みはそれぞれ１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍおよび４０ｎｍである。実施例５〜７に係るサスペンション基板においては、金属薄膜１５の厚みはそれぞれ５０ｎｍ、７０ｎｍおよび９０ｎｍである。実施例８〜１１に係るサスペンション基板においては、金属薄膜１５の厚みはそれぞれ１００ｎｍ、１２０ｎｍ、１４０ｎｍおよび１５０ｎｍである。
【００８８】
比較例１に係るサスペンション基板においては、金属薄膜１５の厚みは０ｎｍである。すなわち、比較例１に係るサスペンション基板においては、金属薄膜１５は形成されない。比較例２〜４に係るサスペンション基板においては、金属薄膜１５の厚みはそれぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍおよび１０００ｎｍである。
【００８９】
作製された実施例１〜１１および比較例１〜４に係るサスペンション基板について、性能を評価した。評価結果を表１に示す。表１の性能の評価においては、帯域特性および密着性が良好であると判定された例には、性能が良好であることを示す“○”を表示する。一方、帯域特性または密着性が不良であると判定された例には、性能が不良であることを示す“×”を表示する。
【００９０】
【表１】
0006576651.tif 000002
帯域特性の評価においては、サスペンション基板を伝送する信号が３ｄＢ減衰するときの周波数を測定した。ここで、磁気ディスクの記録密度を考慮すると、当該周波数は４．４ＧＨｚ以上であることが好ましい。そこで、周波数が４．４ＧＨｚ以上であった例には、帯域特性が良好であることを示す“△”を表示する。また、周波数が４．９ＧＨｚ以上であった例には、帯域特性が特に良好であることを示す“○”を表示する。さらに、周波数が５．４ＧＨｚ以上であった例には、帯域特性が極めて良好であることを示す“◎”を表示する。一方、周波数が４．４ＧＨｚ未満であった例には、帯域特性が不良であることを示す“×”を表示する。
【００９１】
図９は、顕微鏡を用いて撮影されたサスペンション基板の一部の拡大画像である。密着性の評価においては、サスペンション基板作製時のキュア工程（図６（ａ）および図８（ａ）の工程）において被覆層４３が書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２から剥離しなかった例には、密着性が良好であることを示す“○”を表示する。図９（ａ）には、密着性が良好であると評価されたサスペンション基板の画像が示されている。
【００９２】
一方、被覆層４３が書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２または電源用配線パターンＰ１，Ｐ２から剥離した例には、密着性が不良であることを示す“×”を表示する。図９（ｂ）には、密着性が不良であると評価されたサスペンション基板の画像が示されている。
【００９３】
表１に示すように、実施例１〜４に係るサスペンション基板においては、帯域特性は極めて良好であり、密着性は良好であった。実施例５〜７に係るサスペンション基板においては、帯域特性は特に良好であり、密着性は良好であった。実施例８〜１１に係るサスペンション基板においては、帯域特性は良好であり、密着性は良好であった。したがって、実施例１〜１１に係るサスペンション基板の性能は良好である。
【００９４】
一方、比較例１に係るサスペンション基板においては、帯域特性は極めて良好であったが、密着性は不良であった。比較例２〜４に係るサスペンション基板においては、密着性は良好であったが、帯域特性は不良であった。したがって、比較例１〜４に係るサスペンション基板の性能は不良である。
【００９５】
上記の結果から、金属薄膜１５の厚みが１５０ｎｍ以下である場合には、帯域特性が良好であることが確認された。また、金属薄膜１５の厚みが１００ｎｍよりも小さい（本例では９０ｎｍ以下である）場合には、帯域特性が特に良好であることが確認された。金属薄膜１５の厚みが５０ｎｍよりも小さい（本例では４０ｎｍ以下である）場合には、帯域特性が極めて良好であることが確認された。さらに、金属薄膜１５の厚みが０ｎｍよりも大きい（本例では１０ｎｍ以上である）場合には、密着性が良好であることが確認された。
【００９６】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９７】
上記実施の形態においては、絶縁層４１および被覆層４３がそれぞれ第１および第２の絶縁層の例であり、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２または書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が配線パターンの例である。金属薄膜１５が金属薄膜の例であり、接続端子２１〜２６，３１〜３６が接続端子の例であり、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、端子部４２ｂおよび金属層４４がそれぞれ第１および第２の導体層の例である。
【００９８】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
（８）参考形態
（８−１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、配線パターン上に形成される金属薄膜と、金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、配線パターンと電気的に接続され、かつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に形成される接続端子とを備え、金属薄膜の厚みは０ｎｍよりも大きくかつ１５０ｎｍ以下である。
この配線回路基板においては、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。配線パターン上に０ｎｍよりも大きくかつ１５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜が形成される。金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。
この構成によれば、配線パターン上に形成される金属薄膜の厚みは小さい。本発明者の上記の実験および検討の結果、金属薄膜の厚みが１５０ｎｍ以下と小さいことにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
（８−２）金属薄膜の厚みは１００ｎｍより小さくてもよい。この場合、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失をより低減することができる。
（８−３）金属薄膜の厚みは５０ｎｍより小さくてもよい。この場合、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失をさらに低減することができる。
（８−４）金属薄膜の厚みは１０ｎｍ以上であってもよい。この場合、配線パターンと第２の絶縁層との密着性がほとんど低下しない。これにより、第２の絶縁層が配線パターンから剥離することを十分に防止することができる。
（８−５）第２の絶縁層に対する金属薄膜の密着力は、第２の絶縁層に対する配線パターンの密着力よりも高くてもよい。
この場合、金属薄膜により配線パターンと第２の絶縁層との密着性を確実に向上させることができる。
（８−６）配線パターンは銅を含み、金属薄膜はニッケル、金、白金、銀または錫を含んでもよい。
この場合、銅を含む配線パターンと第２の絶縁層との間にニッケル、金、白金、銀または錫を含む金属薄膜が介在することにより、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が十分に向上する。
（８−７）接続端子は、配線パターンと一体的に接続された第１の導体層と、第１の導体層上に形成された第２の導体層とを含み、第１の導体層の厚みは配線パターンの厚みよりも小さくてもよい。
配線回路基板の製造工程においては、一体的に接続された配線パターンおよび第１の導体層上に金属薄膜が形成される。また、第１の導体層上の金属薄膜が除去された後に、第１の導体層上に第２の導体層が形成されることにより接続端子が形成される。この工程において、第１の導体層上の金属薄膜が除去される際に、金属薄膜に接する第１の導体層の表面が除去される。そのため、第１の導体層の厚みが配線パターンの厚みよりも小さくなる。
この構成によれば、第１の導体層上に金属薄膜が残存することが確実に防止される。これにより、第２の導体層を均一に形成することが可能となる。
（８−８）第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に配線パターンを形成する工程と、配線パターン上に０ｎｍよりも大きくかつ１５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜を形成する工程と、金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子を形成する工程とを含む。
この配線回路基板の製造方法においては、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。配線パターン上に０ｎｍよりも大きくかつ１５０ｎｍ以下の厚みを有する金属薄膜が形成される。金属薄膜を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。
この構成によれば、配線パターン上に形成される金属薄膜の厚みは小さい。本発明者の上記の実験および検討の結果、金属薄膜の厚みが１５０ｎｍ以下と小さいことにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
（８−９）金属薄膜の厚みは１００ｎｍより小さくてもよい。この場合、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失をより低減することができる。
（８−１０）金属薄膜の厚みは５０ｎｍより小さくてもよい。この場合、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失をさらに低減することができる。
（８−１１）金属薄膜の厚みは１０ｎｍ以上であってもよい。この場合、配線パターンと第２の絶縁層との密着性がほとんど低下しない。これにより、第２の絶縁層が配線パターンから剥離することを確実に防止することができる。
（８−１２）配線パターンを形成する工程は、配線パターンと一体的に接続された第１の導体層を形成することを含み、金属薄膜を形成する工程は、配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を形成することと、第１の導体層上に形成された金属薄膜を除去することとを含み、接続端子を形成する工程は、第１の導体層上に第２の導体層を形成することを含んでもよい。
この場合、配線パターンと第２の絶縁層との間にのみ容易に金属薄膜を形成することができる。
（８−１３）金属薄膜を除去することは、金属薄膜に接する第１の導体層の表面を除去することを含んでもよい。
この場合、第１の導体層上に金属薄膜が残存することが確実に防止される。これにより、接続端子における電気信号の損失が増加することを確実に防止することができる。
（８−１４）金属薄膜を形成する工程は、無電解めっきにより金属薄膜を形成することを含んでもよい。この場合、配線パターン上に金属薄膜を容易に形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明は種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【符号の説明】
【０１００】
１  サスペンション基板
１０  支持基板
１０ａ  支持層
１１  開口部
１２  タング部
１５  金属薄膜
２１〜２６，３１〜３６  接続端子
４１  絶縁層
４２  導体層
４２ａ  パターン部
４２ｂ  端子部
４３  被覆層
４４  金属層
５０  支持プレート
５１  前端領域
５２  後端領域
５３  中央領域
５４  圧電素子実装領域
５４ｈ  貫通孔
６１，６２  圧電素子
１００  サスペンション本体部
Ｈ  孔部
Ｐ１，Ｐ２  電源用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
【図１】
0006576651.tif 000003
【図２】
0006576651.tif 000004
【図３】
0006576651.tif 000005
【図４】
0006576651.tif 000006
【図５】
0006576651.tif 000007
【図６】
0006576651.tif 000008
【図７】
0006576651.tif 000009
【図８】
0006576651.tif 000010
【図９】
0006576651.tif 000011