(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハの内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して貼り合わせた後、剥離熱処理を行うことによって前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離させて貼り合わせウェーハを製造する貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記剥離熱処理を行うまで、貼り合わせた前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとの貼り合わせ界面が水分子の寄与によって結合している状態で前記貼り合わせたボンドウェーハとベースウェーハを室温で１２時間以上保持し、
前記剥離熱処理は、炉内温度が４００℃以上５００℃以下の一定温度に設定された熱処理炉内に前記貼り合わせたボンドウェーハとベースウェーハを昇温工程なしで直接投入し、前記一定温度で熱処理するか、又は、前記一定温度から＋５０℃以内の所定温度に昇温したのち該所定温度で熱処理することとし、
前記剥離熱処理の後に、前記ボンドウェーハを剥離した貼り合わせウェーハの剥離面を平坦化する熱処理を１回だけ行い、該平坦化する熱処理の温度を１１００℃〜１１７５℃の温度範囲内で行うこと
を特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記一定温度又は前記所定温度で熱処理した後に、前記熱処理炉から前記貼り合わせウェーハを取り出す際の温度を、前記剥離熱処理の際の温度と同一温度とすることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記室温で保持する時間を４８時間以上とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせる前に、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハを洗浄することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼り合わせウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、貼り合わせウェーハの製造方法として、イオン注入したウェーハを他のウェーハと接合して剥離することで貼り合わせウェーハを製造する方法（イオン注入剥離法：スマートカット法（登録商標）とも呼ばれる技術）が新たに注目され始めている。
【０００３】
このようなイオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを製造する方法としては、２枚のシリコンウェーハのうち、少なくとも一方に酸化膜を形成するとともに、一方のシリコンウェーハ（ボンドウェーハ）の上面から水素イオンや希ガスイオン等のガスイオンを注入し、該ボンドウェーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させる。そして、イオン注入した側の面を酸化膜を介して他方のシリコンウェーハ（ベースウェーハ）と密着させ、その後熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウェーハ（ボンドウェーハ）を薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を加えて強固に結合してＳＯＩウェーハとする（特許文献１参照）。この方法では、劈開面（剥離面）が良好な鏡面で、膜厚の均一性が高いＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハが比較的容易に得られる。
【０００４】
しかし、イオン注入剥離法により貼り合わせウェーハを作製する場合においては、剥離後の貼り合わせウェーハ表面にイオン注入によるダメージ層が存在し、また通常の製品レベルのシリコンウェーハの鏡面に比べて表面粗さが大きなものとなる。従って、イオン注入剥離法による製造では、このようなダメージ層及び表面粗さを除去することが必要になる。
【０００５】
従来、このダメージ層等を除去するために、結合熱処理後の最終工程において、タッチポリッシュと呼ばれる研磨代の極めて少ない鏡面研磨（取り代：１００ｎｍ程度）が行われていた。
【０００６】
ところが、貼り合わせウェーハの薄膜（ＳＯＩ層）に機械加工的要素を含む研磨を施すと、研磨の取り代が面内で均一でないために、水素イオン等の注入、剥離によって達成された薄膜の膜厚均一性が悪化してしまうという問題が生じる。
【０００７】
このような問題点を解決する方法として、前記タッチポリッシュの代わりに高温熱処理を行って表面粗さを改善する平坦化熱処理が行われるようになってきている。
【０００８】
特に、特許文献２では、表面粗さの短周期粗さと長周期粗さに注目し、平坦化熱処理において、急速加熱・急速冷却装置（ＲＴＡ装置）とヒータ加熱式熱処理炉（バッチ式炉）による２段階の熱処理を行うことによって、表面粗さの短周期粗さと長周期粗さの両者を低減する方法が提案されている。
【０００９】
また、特許文献３では、剥離面を直接酸化する際に発生しやすいＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）を回避するため、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下での平坦化熱処理の後に犠牲酸化処理を行うことにより、剥離面の平坦化とＯＳＦの回避を同時に達成している。また、犠牲酸化の前に７０ｎｍ以下の取り代の研磨を実施することで、表面粗さの長周期成分を一層低減することを提案している。
【００１０】
また、特許文献４では、剥離後の貼り合わせウェーハの結合強度を高めるための結合熱処理を酸化性雰囲気で行う際、剥離面に発生しやすいＯＳＦを確実に回避するため、結合熱処理として、９５０℃未満の温度で酸化熱処理を行った後に、５％以下の酸素を含む不活性ガス雰囲気で、１０００℃以上の温度で熱処理を行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平５−２１１１２８号公報
【特許文献２】国際公開第２００１／０２８０００号
【特許文献３】国際公開第２００３／００９３８６号
【特許文献４】特開２０１０−９８１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
剥離面の平坦化処理として研磨を行うことなく高温の熱処理のみを行う場合、熱処理温度が高い方が平坦度を高めることができる。特許文献２によれば、短周期成分を改善するためのＲＴＡ装置による熱処理温度としては、１２００〜１３５０℃の温度範囲とするのがより効果的であるとしており、また、長周期成分を改善するためのバッチ式炉による熱処理温度としても同様に、１２００〜１３５０℃の温度範囲とするのがより効果的であるとしている。そして、実施例においては、いずれの熱処理も１２００℃以上の熱処理が行われている。また、特許文献３でも同様に、平坦化熱処理のＡｒアニールとして、１２００℃の熱処理温度のみが開示されている。
【００１３】
これらの記載からも明らかなように、熱処理のみの平坦化処理でデバイスプロセスに十分に適用できる表面粗さを得るためには、１２００℃以上の熱処理温度が必要であるとされており、実際の量産でも１２００℃以上の温度が採用されていた。
【００１４】
しかしながら、１２００℃以上の温度で熱処理を行うとスリップ転位が発生する確率が高まるため、製品歩留まりの低下をもたらし、結果として製造コストの増加を招いていた。
【００１５】
そこで、剥離熱処理後の剥離面の表面粗さを小さくできれば、その後の工程で、表面粗さを低減させるための平坦化熱処理に負荷をかけないように処理できる。
【００１６】
例えばＡｒアニールによるマイグレーションを利用する場合、剥離面の表面粗さの小さな貼り合わせウェーハは低温で処理することが可能となり、スリップ転位の発生は少なくなり、パーティクルの増加も少なくなる。しかし、剥離面の表面粗さの大きな貼り合わせウェーハでは、表面粗さを小さくするため、より高温での処理が必要となる。従って、スリップ、パーティクル等の対策が必要となる。また、剥離熱処理後の剥離面の表面粗さが大きい場合、その貼り合わせウェーハの剥離起因の欠陥が多く存在し、その欠陥を消滅させるためより厚い酸化膜厚の犠牲酸化が必要となる。
【００１７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、例えばＳＯＩウェーハのような貼り合わせウェーハの剥離後の剥離面の表面粗さを低減させることで、より低い温度での平坦化熱処理により最終的な貼り合わせウェーハの表面の表面粗さを低下させることができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明では、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハの内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して貼り合わせた後、剥離熱処理を行うことによって前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離させて貼り合わせウェーハを製造する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記剥離熱処理を行うまで、貼り合わせた前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとの貼り合わせ界面が水分子の寄与によって結合している状態で前記貼り合わせたボンドウェーハとベースウェーハを室温で１２時間以上保持し、前記剥離熱処理は、炉内温度が４００℃以上５００℃以下の一定温度に設定された熱処理炉内に前記貼り合わせたボンドウェーハとベースウェーハを昇温工程なしで直接投入し、前記一定温度で熱処理するか、又は、前記一定温度から＋５０℃以内の所定温度に昇温したのち該所定温度で熱処理する貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【００１９】
このような貼り合わせウェーハの製造方法であれば、例えばＳＯＩウェーハのような貼り合わせウェーハの剥離後の剥離面の表面粗さを低減させることができるので、より低い温度での平坦化熱処理により最終的な貼り合わせウェーハの表面（ＳＯＩ層の表面）の表面粗さを低下させることができる。また、貼り合わせたウェーハを室温で１２時間以上保持することによって、熱処理炉に投入する際のボンドウェーハとベースウェーハとの貼り合わせ強度を高めておくことができ、これによりボイドの発生を抑制できる。
【００２０】
このとき、前記一定温度又は前記所定温度で熱処理した後に、前記熱処理炉から前記貼り合わせウェーハを取り出す際の温度を、前記剥離熱処理の際の温度と同一温度とすることが好ましい。
【００２１】
熱処理炉から貼り合わせウェーハを取り出す際の温度を、剥離熱処理の際の温度と同一温度とすれば、降温工程を省略することができるので効率的であり、製造コストを低減させることができる。
【００２２】
またこのとき、前記室温で保持する時間を４８時間以上とすることが好ましい。
【００２３】
このようにすれば、ボンドウェーハとベースウェーハとの貼り合わせ強度をより一層高めることができる。
【００２４】
またこのとき、前記剥離熱処理の後に、前記ボンドウェーハを剥離した貼り合わせウェーハの剥離面を平坦化する熱処理を行い、該平坦化する熱処理の温度を１１００℃〜１１７５℃の温度範囲内で行うことが好ましい。
【００２５】
このような温度範囲で平坦化熱処理を行えば、スリップ転位が発生する確率が低下するため、製品歩留まりが向上し、結果として製造コストを低下させることができる。
【００２６】
またこのとき、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせる前に、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハを洗浄することが好ましい。
【００２７】
このように、本発明では、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせる前に、ボンドウェーハ及びベースウェーハを洗浄することで、ボンドウェーハ及びベースウェーハの表面に水分子を十分に残すことができ、また、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせた際に、貼り合わせたウェーハの貼り合わせ界面が水分子の寄与によって結合している状態とすることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法であれば、例えばＳＯＩウェーハのような貼り合わせウェーハの剥離後の剥離面の表面粗さを低減させることができるので、より低い温度での平坦化熱処理により最終的な貼り合わせウェーハの表面（ＳＯＩ層の表面）の表面粗さを低下させることができる。また、貼り合わせたウェーハを室温で１２時間以上保持することによって、熱処理炉に投入する際のボンドウェーハとベースウェーハとの貼り合わせ強度を高めておくことができ、これによりボイドの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の貼り合わせウェーハの製造方法の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明について、より具体的に説明する。
上述のように、例えばＳＯＩウェーハあるいは絶縁膜を介さないダイレクトボンドウェーハのような貼り合わせウェーハの剥離後の剥離面の表面粗さを低減させることで、より低い温度での平坦化熱処理により最終的な貼り合わせウェーハの表面（ＳＯＩ層の表面）の表面粗さを低下させることができる貼り合わせウェーハの製造方法が求められていた。
【００３１】
通常、イオン注入剥離法で剥離熱処理を行う際には、例えば特開２００３−３４７５２６号等に記載されているように、３５０℃程度の低温に保持された熱処理炉に貼り合わせたウェーハを投入して一定時間保持した後、５００℃以上の温度に昇温して所定時間保持する方法が行われる。しかしながら、このような熱処理を行うと、剥離が生じる５００℃に達するまでの間に、イオン注入された水素の拡散がわずかながら進行し、注入層の水素濃度分布が広がってしまう。その状態で剥離が生じると、剥離領域の幅（深さ方向の幅）が広くなり、結果として剥離面の表面粗さは大きくなる。
【００３２】
そこで、本発明者らは、水素の拡散を抑えるために、剥離が可能な温度に、昇温工程なしで直接投入するか、又は、一定温度から＋５０℃以内の所定温度に昇温したのちこの所定温度で熱処理することにより、剥離後の剥離面の表面粗さを低減することができることを見出した。ただし、このように従来よりも高温で熱処理炉に投入する場合、投入時の結合力が弱いと完全な剥離が得られずに、ボイドの発生を伴ってしまう。本発明者らは、その対策として、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせた後、剥離熱処理を行うまで、貼り合わせ界面が水分子の寄与によって結合している状態で貼り合わせたウェーハを室温で長時間保持することによって、熱処理炉に投入する際のボンドウェーハとベースウェーハとの貼り合わせ強度を高めておくことにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００３３】
以下、本発明について、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３４】
図１は、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法の一例を示す概略図である。
図１の貼り合わせウェーハの製造方法では、まず、ボンドウェーハ１とベースウェーハ２として例えばシリコン単結晶ウェーハ２枚を準備する（図１（ａ），（ｃ））。
ここで、図１では、ボンドウェーハ１の貼り合わせ面にだけ埋め込み酸化膜層となる絶縁膜（例えば、酸化膜）３が形成されているが、絶縁膜３はベースウェーハ２にだけ形成されていてもよいし、両ウェーハに形成されていてもよい。また、両ウェーハともに絶縁膜を形成することなく、直接貼り合わせてもよい。
このとき形成させる絶縁膜としては、例えば熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜等を形成させることができる。なお、絶縁膜は、貼り合わせ面のみに形成されていてもよいし、裏面も含めたウェーハの全体に形成されていてもよい。
【００３５】
次に、ボンドウェーハ１の絶縁膜３の表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してボンドウェーハ１の内部にイオン注入層４を形成する（図１（ｂ））。この際、注入エネルギー、注入線量、注入温度等のイオン注入条件は、所定の厚さの薄膜を得ることができるように適宜選択することができる。
【００３６】
次に、ボンドウェーハ１のイオン注入された側の表面とベースウェーハ２の表面とを密着させて、１８〜３０℃程度の室温で貼り合わせる（図１（ｄ））。
【００３７】
この際、貼り合わせを行う表面の少なくとも一方にプラズマ処理を施しておくことが好ましい。これによって、後述する室温での保持による貼り合わせ強度の向上効果をより一層高めることができる。
【００３８】
また、ボンドウェーハ１とベースウェーハ２とを貼り合わせる前に、ボンドウェーハ１及びベースウェーハ２を洗浄することが好ましい。このように、本発明では、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせる前に、ボンドウェーハ及びベースウェーハを洗浄することで、ボンドウェーハ及びベースウェーハの表面に水分子を十分に残すことができ、また、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせた際に、貼り合わせたウェーハの貼り合わせ界面が水分子の寄与によって結合している状態とすることができる。この洗浄に用いる洗浄液としては、特に限定されないが、例えばアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液を挙げることができる。
【００３９】
ボンドウェーハ１とベースウェーハ２とを貼り合わせた後、この貼り合わせたウェーハを、後述の剥離熱処理を行うまで、貼り合わせたウェーハの貼り合わせ界面が水分子の寄与によって結合している状態で室温で１２時間以上保持する（図１（ｅ））。ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせた後、直ちに剥離熱処理を行わず、貼り合わせた状態でしばらく放置することで、貼り合わせ界面の水分子の方向を整列させ、貼り合わせ界面の強度を高めることができる。室温で保持する時間が１２時間未満では、ボンドウェーハとベースウェーハとの貼り合わせ強度を十分に高めることができない。
【００４０】
室温で保持する時間としては、１２時間以上であればよく、好ましくは４８時間以上である。室温で４８時間以上保持することで、ボンドウェーハとベースウェーハとの貼り合わせ強度をより一層高めることができる。また、室温で保持する時間の上限としては、１００時間程度までは貼り合わせ強度が上がるが、１００時間を超えると貼り合わせ強度のこれ以上の上昇が見られなくなるため、生産性の観点から上限を１００時間とすることが好ましい。室温で保持する時間は、製品仕様に合わせて、歩留まりが確保できる範囲で調整することができる。
【００４１】
その後、貼り合わせたウェーハに対して、イオン注入層４に微小気泡層を発生させる熱処理（剥離熱処理）を施し、イオン注入層４（微小気泡層）でボンドウェーハ１を剥離させて、ベースウェーハ２上に絶縁膜３を介して薄膜（ＳＯＩ層）５が形成された貼り合わせウェーハ６を得る（図１（ｆ））。
【００４２】
この剥離熱処理は、炉内温度が４００℃以上５００℃以下の一定温度に設定された熱処理炉内に貼り合わせたボンドウェーハとベースウェーハを昇温工程なしで直接投入し、一定温度で熱処理するか、又は、一定温度から＋５０℃以内の所定温度に昇温したのちこの所定温度で熱処理することで行われる。このような熱処理条件で剥離熱処理を行うことで、剥離面の表面粗さを低減することができる。
【００４３】
ここで、一定温度又は所定温度で熱処理した後に、熱処理炉から貼り合わせウェーハを取り出す際の温度を、剥離熱処理の際の温度と同一温度とすることが好ましい。熱処理炉から貼り合わせウェーハを取り出す際の温度を、剥離熱処理の際の温度と同一温度とすれば、降温工程を省略することができるので効率的であり、製造コストを低減させることができる。
【００４４】
上記のように作製した貼り合わせウェーハに対し、必要に応じて、貼り合わせ界面の結合強度を高めるための結合熱処理、ボンドウェーハを剥離した貼り合わせウェーハの剥離面を平坦化するための平坦化熱処理、薄膜の膜厚を調整するための犠牲酸化処理等のような熱処理を行うことができる。
【００４５】
特に、本発明では、平坦化熱処理の温度を１１００℃〜１１７５℃の温度範囲内で行うことが好ましい。このような温度範囲で平坦化熱処理を行えば、スリップ転位が発生する確率が低下するため、製品歩留まりが向上し、結果として製造コストを低下させることができる。
【００４６】
以上説明したような本発明の貼り合わせウェーハの製造方法であれば、例えばＳＯＩウェーハのような貼り合わせウェーハの剥離後の剥離面の表面粗さを低減させることができるので、より低い温度での平坦化熱処理により最終的な貼り合わせウェーハの表面（ＳＯＩ層の表面）の表面粗さを低下させることができる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４８】
（実施例１）
まず、シリコン単結晶からなるボンドウェーハ及びベースウェーハとしてそれぞれ表１に記載のウェーハを複数枚用い、表１に記載の条件で洗浄、貼り合わせ、室温保持、及び剥離熱処理を行ってＳＯＩウェーハを作製した。なお、室温保持時間は１２時間とした。また、剥離熱処理は、４５０℃の一定温度で、熱処理時間を３時間として行った。
【００４９】
得られたＳＯＩウェーハに対し、さらに、結合熱処理を兼ねた犠牲酸化処理、平坦化熱処理、ＳＯＩ層の膜厚調整のための犠牲酸化処理を行って、ＳＯＩ層の膜厚が９０ｎｍの貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した。なお、平坦化熱処理は、表２に示すように、１１００℃、１１５０℃、１１７５℃の温度条件で、得られたＳＯＩウェーハに対し別個に２時間行った。
【００５０】
得られた貼り合わせＳＯＩウェーハのＳＯＩ層（最終的なＳＯＩ層）の表面の表面粗さ（１μｍ角のＲＭＳ）をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定し、表２に示した。なお、剥離直後の剥離面の表面粗さを測定すると、測定ポイントによるバラツキが大きく、比較が困難なので、ここでは、最終的なＳＯＩ層（即ち、平坦化熱処理を行った後）の表面の表面粗さを測定し、比較した。
【００５１】
（実施例２）
実施例１と同様にして貼り合わせＳＯＩウェーハの作製を行った。ただし、室温保持時間は４８時間とした。また、剥離熱処理は、４５０℃の一定温度から５００℃の所定温度（＋５０℃）まで昇温し（昇温速度１０℃／ｍｉｎ）、熱処理時間を０．５時間として行った。
また、実施例１と同様にして、最終的なＳＯＩ層の表面の表面粗さの測定を行い、結果を表２に示した。
【００５２】
（実施例３）
実施例１と同様にして貼り合わせＳＯＩウェーハの作製を行った。ただし、室温保持時間は９６時間とした。また、剥離熱処理は、４００℃の一定温度から４５０℃の所定温度（＋５０℃）まで昇温し（昇温速度１０℃／ｍｉｎ）、熱処理時間を３時間として行った。
また、実施例１と同様にして、最終的なＳＯＩ層の表面の表面粗さの測定を行い、結果を表２に示した。
【００５３】
（比較例１）
実施例１と同様にして貼り合わせＳＯＩウェーハの作製を行った。ただし、室温保持時間は１時間とした。また、剥離熱処理は、４５０℃の一定温度で、熱処理時間を３時間として行った。さらに、平坦化熱処理は、表２に示すように、１１００℃、１１５０℃、１１７５℃、１２００℃の温度条件で、熱処理時間をそれぞれ２時間、２時間、２時間、１時間として、得られたＳＯＩウェーハに対し別個に行った。
また、実施例１と同様にして、最終的なＳＯＩ層の表面の表面粗さの測定を行い、結果を表２に示した。
【００５４】
（比較例２）
実施例１と同様にして貼り合わせＳＯＩウェーハの作製を行った。ただし、室温保持時間は９６時間とし、剥離熱処理は、３５０℃の一定温度から５００℃の所定温度（＋１５０℃）まで昇温し（昇温速度１０℃／ｍｉｎ）、熱処理時間は０．５時間として行った。さらに、平坦化熱処理は、表２に示すように、１１００℃、１１５０℃、１１７５℃、１２００℃の温度条件で、熱処理時間をそれぞれ２時間、２時間、２時間、１時間として、得られたＳＯＩウェーハに対し別個に行った。
また、実施例１と同様にして、最終的なＳＯＩ層の表面の表面粗さの測定を行い、結果を表２に示した。
【００５５】
【表１】
0006500845.tif 000002
【００５６】
【表２】
0006500845.tif 000003
【００５７】
（結果）
表２に示されるように、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法で貼り合わせＳＯＩウェーハを製造した実施例１〜３では、１１００〜１１７５℃の比較的低温の平坦化熱処理により、比較例２の従来法（平坦化熱処理温度：１２００℃）における表面粗さと同等以上の良好な表面粗さが得られることが分かった。
また、実施例１〜３における平坦化熱処理は１１７５℃以下で行われているため、１２００℃の場合に比べて熱処理によるスリップ転位の発生が抑制されていることも確認できた。
【００５８】
一方、室温保持時間が１２時間未満（１時間）であった比較例１や一定温度から＋５０℃を超えた所定温度（＋１５０℃）まで昇温した比較例２では、１１００〜１１７５℃の比較的低温の平坦化熱処理では、最終的なＳＯＩ層の表面の表面粗さは実施例１〜３と比べて悪かった。
【００５９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６０】
１…ボンドウェーハ、  ２…ベースウェーハ、  ３…絶縁膜、
４…イオン注入層、  ５…薄膜、  ６…貼り合わせウェーハ。
【図１】
0006500845.tif 000004