(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力温度で入力された入力信号を補正する補正演算回路であって、
基準温度での基準温度入力信号値を基準とした特定温度での入力信号別入力信号変化量と、前記基準温度での特定入力信号値を基準とした特定入力信号での温度別入力信号変化量に応じて、前記入力信号のオフセット温度特性を補正するオフセット温度特性補正部を有することを特徴とする補正演算回路。
【請求項２】
前記オフセット温度特性補正部は、
前記特定温度での入力信号別入力信号変化量に基づいて前記入力信号に対する基準補正量を算出する基準補正量算出部と、
前記特定入力信号での温度別入力信号変化量に基づいて前記入力温度での補正係数を算出する補正係数算出部と、
前記基準補正量と前記補正係数とを掛け合わせて補正量を算出する乗算部と、
前記入力信号から前記補正量を差し引いて出力信号を生成する減算部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の補正演算回路。
【請求項３】
前記基準補正量算出部は、前記基準温度での前記基準温度入力信号値とこれを基準とした前記特定温度での入力信号別入力信号変化量との相関から導出された第１近似式を用いて前記基準補正量を算出し、
前記補正係数算出部は、温度と前記特定温度での入力信号別入力信号変化量を基準として正規化した前記特定入力信号での温度別入力信号変化比率との相関から導出された第２近似式を用いて前記補正係数を算出する、
ことを特徴とする請求項２に記載の補正演算回路。
【請求項４】
前記オフセット温度特性補正部よりも前段で前記入力信号のゲイン温度特性を補正するゲイン温度特性補正部をさらに有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の補正演算回路。
【請求項５】
前記ゲイン温度特性補正部は、
温度とゲイン補正量との相関を表す第３近似式を用いて前記入力温度でのゲイン補正量を算出するゲイン補正量算出部と、
前記入力信号に前記ゲイン補正量を掛け合わせる乗算部と、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の補正演算回路。
【請求項６】
前記オフセット温度特性補正部よりも後段で前記出力信号のゲイン／オフセット絶対量を補正するゲイン／オフセット絶対量補正部をさらに有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の補正演算回路。
【請求項７】
前記ゲイン／オフセット絶対量補正部は、補正前の出力信号と補正後の出力信号との相関を表す第４近似式を用いて前記出力信号のゲイン／オフセット絶対量を補正することを特徴とする請求項６に記載の補正演算回路。
【請求項８】
ロジック部でのデジタル処理によって実装されることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の補正演算回路。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の補正演算回路と、
前記補正演算回路で用いられる各種パラメータを不揮発的に記憶する記憶部と、
を有することを特徴とする信号処理装置。
【請求項１０】
センサ入力信号を生成するセンサと、
前記センサ入力信号からセンサ出力信号を生成する請求項９に記載の信号処理装置と、
前記センサ出力信号の入力を受け付ける制御装置と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
特定温度での入力信号特性と特定入力信号での温度特性に応じて入力信号のオフセット温度特性を補正するオフセット温度特性補正部を有し、
前記オフセット温度特性補正部は、
前記特定温度での入力信号特性に基づいて前記入力信号に対する基準補正量を算出する基準補正量算出部と、
前記特定入力信号での基準補正量温度特性に基づいて現温度での補正係数を算出する補正係数算出部と、
前記基準補正量と前記補正係数とを掛け合わせて補正量を算出する乗算部と、
前記入力信号から前記補正量を差し引いて出力信号を生成する減算部と、
を含むことを特徴とする補正演算回路。
【請求項１２】
前記基準補正量算出部は、基準温度での入力信号値とこれを基準とした前記特定温度での入力信号変化量との相関から導出された第１近似式を用いて前記基準補正量を算出し、
前記補正係数算出部は、温度と前記特定温度での入力信号変化量を基準として正規化した前記特定入力信号での入力信号変化比率との相関から導出された第２近似式を用いて前記補正係数を算出する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の補正演算回路。
【請求項１３】
前記オフセット温度特性補正部よりも前段で前記入力信号のゲイン温度特性を補正するゲイン温度特性補正部をさらに有することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の補正演算回路。
【請求項１４】
前記ゲイン温度特性補正部は、
温度とゲイン補正量との相関を表す第３近似式を用いて現温度でのゲイン補正量を算出するゲイン補正量算出部と、
前記入力信号に前記ゲイン補正量を掛け合わせる乗算部と、
を含むことを特徴とする請求項１３に記載の補正演算回路。
【請求項１５】
特定温度での入力信号特性と特定入力信号での温度特性に応じて入力信号のオフセット温度特性を補正するオフセット温度特性補正部と、
前記オフセット温度特性補正部よりも前段で前記入力信号のゲイン温度特性を補正するゲイン温度特性補正部と、
を有し、
前記ゲイン温度特性補正部は、
温度とゲイン補正量との相関を表す第３近似式を用いて現温度でのゲイン補正量を算出するゲイン補正量算出部と、
前記入力信号に前記ゲイン補正量を掛け合わせる乗算部と、
を含むことを特徴とする補正演算回路。
【請求項１６】
特定温度での入力信号特性と特定入力信号での温度特性に応じて入力信号のオフセット温度特性を補正するオフセット温度特性補正部と、
前記オフセット温度特性補正部よりも後段で前記出力信号のゲイン／オフセット絶対量を補正するゲイン／オフセット絶対量補正部と、
を有することを特徴とする補正演算回路。
【請求項１７】
前記ゲイン／オフセット絶対量補正部は、補正前の出力信号と補正後の出力信号との相関を表す第４近似式を用いて前記出力信号のゲイン／オフセット絶対量を補正することを特徴とする請求項１６に記載の補正演算回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、補正演算回路、信号処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
センサの検出精度を高めるためには、温度に応じて変化するセンサ出力特性を適切に補正する必要がある。例えば、２０℃でのセンサ出力特性を基準として６０℃でのセンサ出力特性を補正する場合を考える。この場合には、６０℃でのセンサ出力特性（２０℃基準からのセンサ出力変化量）を表す近似式を予め用意しておき、この近似式を用いてセンサ出力の補正量を算出すればよい。また、他の温度でのセンサ出力特性を補正する必要がある場合には、上記と同様、他の温度での近似式を用意しておけばよい。
【０００３】
また、基準クロック信号に同期して種々の信号処理を行う信号処理装置において、その出力精度を高めるためには、基準クロック信号の生成手段として、できるだけ周波数温度特性の小さい発振器（周囲の温度が変化しても発振周波数が変動しにくい発振器）を用意することが望ましい。
【０００４】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献１〜特許文献３を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２５６８５号公報
【特許文献２】特開２００９−０３２１４２号公報
【特許文献３】特開２００４−１２０３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、センサの使用温度域が広い場合（例えば−４０℃〜１４０℃）には、回路規模（近似式の係数を格納しておくためのメモリ容量）の観点から、各温度毎の近似式を全て用意しておくことが非現実的となる。
【０００７】
また、高精度な発振器は高価であることから、適用可能なアプリケーションが限定されてしまう。なお、従来では、正または負の温度特性を持つ抵抗素子などを組み合わせて発振器の周波数温度特性をキャンセルする設計時対策を行っていたが、このような設計時対策では、実回路の温度特性に合わせた調整を行うことが困難であった。
【０００８】
本明細書中に開示されている発明は、本願の発明者により見出された上記の問題点に鑑み、小規模で使用温度域の広い補正演算回路を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本明細書中に開示されている発明は、本願の発明者により見出された上記の問題点に鑑み、高精度の発振器を必要としない信号処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本明細書中に開示された補正演算回路は、特定温度での入力信号特性と特定入力信号での温度特性に応じて入力信号のオフセット温度特性を補正するオフセット温度特性補正部を有する構成（第１の構成）とされている。
【００１１】
なお、上記第１の構成から成る補正演算回路において、前記オフセット温度特性補正部は、前記特定温度での入力信号特性に基づいて前記入力信号に対する基準補正量を算出する基準補正量算出部と、前記特定入力信号での基準補正量温度特性に基づいて現温度での補正係数を算出する補正係数算出部と、前記基準補正量と前記補正係数とを掛け合わせて補正量を算出する乗算部と、前記入力信号から前記補正量を差し引いて出力信号を生成する減算部と、を含む構成（第２の構成）にするとよい。
【００１２】
また、上記第１または第２の補正演算回路において、前記基準補正量算出部は、基準温度での入力信号値とこれを基準とした前記特定温度での入力信号変化量との相関から導出された第１近似式を用いて前記基準補正量を算出し、前記補正係数算出部は、温度と前記特定温度での入力信号変化量を基準として正規化した前記特定入力信号での入力信号変化比率との相関から導出された第２近似式を用いて前記補正係数を算出する構成（第３の構成）にするとよい。
【００１３】
また、上記第１〜第３いずれかの構成から成る補正演算回路は、前記オフセット温度特性補正部よりも前段で前記入力信号のゲイン温度特性を補正するゲイン温度特性補正部をさらに有する構成（第４の構成）にするとよい。
【００１４】
また、上記第４の構成から成る補正演算回路において、前記ゲイン温度特性補正部は、温度とゲイン補正量との相関を表す第３近似式を用いて現温度でのゲイン補正量を算出するゲイン補正量算出部と、前記入力信号に前記ゲイン補正量を掛け合わせる乗算部と、を含む構成（第５の構成）にするとよい。
【００１５】
また、上記第１〜第５いずれかの構成から成る補正演算回路は、前記オフセット温度特性補正部よりも後段で前記出力信号のゲイン／オフセット絶対量を補正するゲイン／オフセット絶対量補正部をさらに有する構成（第６の構成）にするとよい。
【００１６】
また、上記第６の構成から成る補正演算回路において、前記ゲイン／オフセット絶対量補正部は、補正前の出力信号と補正後の出力信号との相関を表す第４近似式を用いて前記出力信号のゲイン／オフセット絶対量を補正する構成（第７の構成）にするとよい。
【００１７】
また、上記第１〜第７いずれかの構成から成る補正演算回路は、ロジック部でのデジタル処理によって実装される構成（第８の構成）にするとよい。
【００１８】
また、本明細書中に開示された信号処理装置は、上記第１〜第８いずれかの構成から成る補正演算回路と、前記補正演算回路で用いられる各種パラメータを不揮発的に記憶する記憶部と、を有する構成（第９の構成）とされている。
【００１９】
また、本明細書中に開示された電子機器は、センサ入力信号を生成するセンサと、前記センサ入力信号からセンサ出力信号を生成する上記第９の構成から成る信号処理装置と、前記センサ出力信号の入力を受け付ける制御装置とを有する構成（第１０の構成）とされている。
【００２０】
また、本明細書中に開示された信号処理装置は、入力信号に応じたパルスカウント数設定信号を生成するパルスカウント数設定回路と、前記パルスカウント数設定信号に応じて基準クロック信号のパルス数をカウントすることによりパルス信号を生成するパルス生成部とを有し、前記パルスカウント数設定回路は、前記パルス信号の周波数温度特性をキャンセルするように前記パルスカウント数設定信号を補正する構成（第１１の構成）とされている。
【００２１】
上記第１１の構成から成る信号処理装置において、前記パルスカウント数設定回路は、前記入力信号の信号値に応じて基準パルスカウント数を設定する基準パルスカウント数設定部と、前記基準クロック信号の周波数温度特性に基づいて現温度での補正係数を算出する補正係数算出部と、前記基準パルスカウント数と前記補正係数とを掛け合わせて前記パルスカウント数設定信号を生成する乗算部とを含む構成（第１２の構成）にするとよい。
【００２２】
また、上記第１２の構成から成る信号処理装置において、前記補正係数算出部は、温度と前記基準クロック信号の発振周波数変化量との相関から導出された近似式を用いて前記補正係数を算出する構成（第１３の構成）にするとよい。
【００２３】
また、上記第１３の構成から成る信号処理装置は、前記近似式を表す補正パラメータを不揮発的に記憶する記憶部をさらに有する構成（第１４の構成）にするとよい。
【００２４】
また、上記第１１〜第１４いずれかの構成から成る信号処理装置において、前記パルスカウント数設定回路は、ロジック部でのデジタル処理によって実装される構成（第１５の構成）にするとよい。
【００２５】
また、上記第１１〜第１５いずれかの構成から成る信号処理装置において、前記パルス信号は、前記入力信号に応じた発振周波数を持つ周波数信号である構成（第１６の構成）にするとよい。
【００２６】
また、上記第１１〜第１６いずれかの構成から成る信号処理装置は、前記パルス信号に応じて出力信号を出力するオープンドレイン出力部をさらに有する構成（第１７の構成）にするとよい。
【００２７】
また、上記第１１〜第１７いずれかの構成から成る信号処理装置は、温度に応じた温度検出信号を生成する温度検出部を更に有する構成（第１８の構成）にするとよい。
【００２８】
また、本明細書中に開示されている電子機器は、入力信号を生成する信号源と、前記入力信号から出力信号を生成する上記第１１〜第１８いずれかの構成から成る信号処理装置と、前記出力信号の入力を受け付ける制御装置と、を有する構成（第１９の構成）とされている。
【００２９】
なお、上記第１９の構成から成る電子機器において、前記信号源は、センサである構成（第２０の構成）にするとよい。
【発明の効果】
【００３０】
本明細書中に開示されている発明によれば、小規模で使用温度域の広い補正演算回路を提供することができる。
【００３１】
また、本明細書中に開示されている発明によれば、高精度の発振器を必要としない信号処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】電子機器の一構成例を示すブロック図
【図２】補正演算回路の一構成例を示すブロック図
【図３】Ｖｉ＠２０℃とΔＶｉ（＠２０℃、＠６０℃）との相関図
【図４】Ｖｉ＠２０℃とΔＶｉ（＠−４０℃〜＠１４０℃）との相関図
【図５】ＴとΔＶｉ＠１．５Ｖとの相関図
【図６】ＴとＴＣＲとの相関図
【図７】パルスカウント数設定回路の一構成例を示すブロック図
【図８】ＴとΔＦｏｓｃとの相関図
【図９】周波数ドリフトの発生メカニズムを説明するためのタイミングチャート
【図１０】周波数ドリフトの補正動作を説明するためのタイミングチャート
【発明を実施するための形態】
【００３３】
＜電子機器＞
図１は、電子機器の一構成例を示すブロック図である。本構成例の電子機器１は、信号処理装置１０と、センサ２０と、制御装置３０と、プルアップ抵抗４０と、を有する。なお、本発明の適用対象となる電子機器１には、情報端末や家電機器といった狭義の電子機器だけでなく、車両や産業機械なども含まれている。
【００３４】
信号処理装置１０は、センサ２０からのセンサ入力信号Ｖｉ（アナログ電圧信号）に応じたセンサ出力信号Ｓｏ（センサ入力信号Ｖｉに応じた発振周波数を持つ周波数信号、または、入力信号Ｖｉに応じたエンコード値を持つデジタル信号）を生成する半導体集積回路装置である。
【００３５】
センサ２０は、信号処理装置１０の入力信号Ｖｉを生成する信号源に相当する。センサ２０の一例としては、エアフローセンサ、圧力センサ、及び、電流センサなどを挙げることができる。
【００３６】
なお、信号処理装置１０及びセンサ２０は、各々単独で提供されるものであってもよいし、単一のセンサモジュールとして１パッケージで提供されるものであってもよい。
【００３７】
制御装置３０は、センサ出力信号Ｓｏの入力を受け付けることにより、センサ２０の測定結果（空気流量、圧力、または、電流量など）を取得する。
【００３８】
プルアップ抵抗４０は、センサ出力信号Ｓｏが出力される信号処理装置１０のオープンドレイン出力端子を電源ラインにプルアップする。
【００３９】
＜信号処理装置＞
次に、同じく図１を参照しながら信号処理装置１０の内部構成について詳述する。本構成例の信号処理装置１０には、フィルタ部１１と、温度検出部１２と、アナログ／デジタル変換部１３ａ及び１３ｂと、ロジック部１４と、パルス生成部１５と、一線式インタフェイス部１６と、セレクタ部１７と、オープンドレイン出力部１８と、記憶部１９が集積化されている。また、本図では明示されていないが、信号処理装置１０には、上記回路ブロック以外にも、電源部、センサ駆動部、及び、メモリインタフェイス部などが集積化されている。
【００４０】
フィルタ部１１は、センサ入力信号Ｖｉに重畳するノイズ成分（高周波成分）を除去することにより、フィルタリング済みのアナログ入力信号Ｓ１を生成する。フィルタ部１１としては、ローパスフィルタなどを好適に用いることができる。
【００４１】
温度検出部１２は、信号処理装置１０の内部温度（ｐｎジャンクション温度）に応じたアナログ温度信号Ｓ２を生成する。なお、温度検出部１２に代えて、または、温度検出部１２と共に、信号処理装置１０の外部温度（センサ２０の周囲温度）を検出する外部温度検出部を使用することも可能である。
【００４２】
アナログ／デジタル変換部１３ａは、アナログ入力信号Ｓ１をデジタル入力信号Ｓ３に変換する。アナログ／デジタル変換部１３ｂは、アナログ温度信号Ｓ２をデジタル温度信号Ｓ４に変換する。なお、アナログ／デジタル変換部１３ａ及び１３ｂは、多入力多出力型のアナログ／デジタル変換部に一元化してもよい。
【００４３】
ロジック部１４は、補正演算回路１００とパルスカウント数設定回路２００とを含み、デジタル入力信号Ｓ３及びデジタル温度信号Ｓ４の入力を受けて、デジタル出力信号Ｓ５及びパルスカウント数設定信号Ｓ６を生成する。なお、本図においては、説明の便宜上、補正演算回路１００及びパルスカウント数設定回路２００が各々独立の回路ブロックとしてハードウェア的に実装されているかのように描写されているが、補正演算回路１００及びパルスカウント数設定回路２００は、いずれも、ロジック部１４でのデジタル処理によってソフトウェア的に実装されるものである。
【００４４】
補正演算回路１００は、デジタル入力信号Ｓ３に種々の補正処理（ゲイン温度特性補正処理、オフセット温度特性補正処理、及び、ゲイン／オフセット絶対値補正処理（電圧／周波数変換処理））を施すことにより、デジタル出力信号Ｓ５を生成する。なお、上記補正処理時には、デジタル温度信号Ｓ４や第１補正パラメータＳ１０が適宜参照される。
【００４５】
パルスカウント数設定回路２００は、デジタル出力信号Ｓ５（センサ入力信号Ｖｉに応じた周波数値）に応じたパルスカウント数設定信号Ｓ６を生成する。その際、パルスカウント数設定回路２００は、第１パルス信号Ｓ７の周波数温度特性をキャンセルするようにパルスカウント数設定信号Ｓ６を補正する。なお、上記補正処理時には、デジタル温度信号Ｓ４や第２補正パラメータＳ１１が適宜参照される。
【００４６】
パルス生成部１５は、パルスカウント数設定信号Ｓ６に応じて基準クロック信号ＣＬＫ（本図では不図示）のパルス数をカウントすることにより、第１パルス信号Ｓ７を生成する。なお、パルス生成部１５は、デューティ調整信号Ｓ１２に応じて第１パルス信号Ｓ７のデューティを調整する機能も備えている。
【００４７】
一線式インタフェイス部１６は、デジタル出力信号Ｓ５に応じて一線式の通信フォーマット（例えばＳＥＮＴ［single edge nibble transmission］フォーマット）に準じた第２パルス信号Ｓ８を生成する。
【００４８】
セレクタ部１７は、出力切替信号Ｓ１３に応じて第１パルス信号Ｓ７と第２パルス信号Ｓ８の一方を選択パルス信号Ｓ９として選択出力する。より具体的に述べると、センサ出力信号Ｓｏとして、センサ入力信号Ｖｉに応じた発振周波数を持つ周波数信号を出力する場合には、第１パルス信号Ｓ７が選択パルス信号Ｓ９として選択出力される。一方、センサ出力信号Ｓｏとして、入力信号Ｖｉに応じたエンコード値を持つデジタル信号を出力する場合には、第２パルス信号Ｓ８が選択パルス信号Ｓ９として選択出力される。
【００４９】
オープンドレイン出力部１８は、選択パルス信号Ｓ９に応じてセンサ出力信号Ｓｏを生成する。なお、オープンドレイン出力部１８は、スルーレート調整信号Ｓ１４に応じてセンサ出力信号Ｓｏの立上り／立下りスロープを調整する機能も備えている。
【００５０】
記憶部１９は、第１補正パラメータＳ１０、第２補正パラメータＳ１１、デューティ調整信号Ｓ１２、出力切替信号Ｓ１３、及び、スルーレート調整信号Ｓ１４を不揮発的に記憶する。なお、記憶部１９としては、ＯＴＰＲＯＭ［one time programmable read-only memory］、ＥＥＰＲＯＭ［electrically erasable programmable ROM］、ないしは、フラッシュメモリなどを好適に用いることができる。一般的な不揮発メモリ（ＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリ）は、フローティングゲートに電子を貯めることでデータ（０／１）を記憶するが、ＯＴＰＲＯＭは、サイドウォールに電子を貯めてデータ（０／１）を記憶する。サイドウォールは絶縁体なので、一旦電子が格納されると抜けにくく、フローティングゲートタイプと比較して保持特性に優れている。
【００５１】
＜補正演算回路＞
図２は、補正演算回路１００の一構成例を示すブロック図である。本構成例の補正演算回路１００は、ゲイン温度特性補正部１１０と、オフセット温度特性補正部１２０と、ゲイン／オフセット絶対量補正部１３０と、を含む。
【００５２】
ゲイン温度特性補正部１１０は、オフセット温度特性補正部１２０よりも前段に設けられており、デジタル温度信号Ｓ４（信号値：Ｔ）に応じてデジタル入力信号Ｓ３（信号値：ＶＩＮ）のゲイン温度特性を補正することにより、入力信号ＧＴＣＶを生成する。
【００５３】
オフセット温度特性補正部１２０は、デジタル温度信号Ｓ４に応じて入力信号ＧＴＣＶのオフセット温度特性を補正することにより、出力信号ＶＯＵＴ＿ＴＣを生成する。
【００５４】
ゲイン／オフセット絶対量補正部１３０は、オフセット温度特性補正部１２０よりも後段に設けられており、出力信号ＶＯＵＴ＿ＴＣのゲイン／オフセット絶対量を補正することにより、デジタル出力信号Ｓ５（信号値：ＶＯＵＴ）を生成する。
【００５５】
＜オフセット温度特性補正部＞
まず、オフセット温度特性補正部１２０について詳述する。本構成例のオフセット温度特性補正部１２０は、基準補正量算出部１２１と、補正係数算出部１２２と、乗算部１２３と、減算部１２４と、を含み、特定温度での入力信号特性と特定入力信号での温度特性に応じた２パラメータ方式の補正アルゴリズムを用いて、入力信号ＧＴＣＶのオフセット温度特性を補正する。
【００５６】
基準補正量算出部１２１は、特定温度での入力信号特性に基づいて入力信号ＧＴＣＶに対する基準補正量ＴＣＶ＿ＲＥＦを算出する。具体的に述べると、基準補正量算出部１２１は、第１近似式（ＴＣＶ＿ＲＥＦ＝ＡＶ１×ＧＴＣＶ2＋ＢＶ１×ＧＴＣＶ＋ＣＶ１）を用いて基準補正量ＴＣＶ＿ＲＥＦを算出する。第１近似式は、基準温度（例えばＴ＝２０℃）でのセンサ入力信号値Ｖｉ＠２０℃と、これを基準とした特定温度（例えばＴ＝６０℃）でのセンサ入力信号変化量ΔＶｉ＠６０℃（＝Ｖｉ＠６０℃−Ｖｉ＠２０℃）との相関から導出された入力信号ＧＴＣＶの２次関数である（詳細は後述）。なお、第１近似式の係数及び切片（ＡＶ１、ＢＶ１、ＣＶ１）は、それぞれ、第１補正パラメータＳ１０の一部として記憶部１９に格納されている。
【００５７】
補正係数算出部１２２は、特定入力信号での基準補正量温度特性に基づいて現温度Ｔでの補正係数ＴＣＲを算出する。具体的に述べると、補正係数算出部１２２は、第２近似式（ＴＣＲ＝ＡＴ１×Ｔ2＋ＢＴ１×Ｔ＋ＣＴ１）を用いて補正係数ＴＣＲを算出する。第２近似式は、温度Ｔと、特定温度（例えばＴ＝６０℃）での入力信号変化量ΔＶｉ＠６０℃を基準として正規化した特定入力信号（例えばＶｉ＠２０℃＝１．５Ｖ）での入力信号変化比率との相関から導出された温度Ｔの２次関数である（詳細は後述）。なお、第２近似式の係数及び切片（ＡＴ１、ＢＴ１、ＣＴ１）は、それぞれ、第１補正パラメータＳ１０の一部として記憶部１９に格納されている。
【００５８】
乗算部１２３は、基準補正量ＴＣＶ＿ＲＥＦと補正係数ＴＣＲとを掛け合わせて補正量ＴＣＶ（＝ＴＣＶ＿ＲＥＦ×ＴＣＲ）を算出する。
【００５９】
減算部１２４は、入力信号ＧＴＣＶから補正量ＴＣＶを差し引いて出力信号ＶＯＵＴ＿ＴＣ（＝ＧＴＣＶ−ＴＣＶ）を生成する。
【００６０】
＜補正アルゴリズム（基本）＞
次に、オフセット温度特性補正部１２０で採用されている補正アルゴリズム（近似式を用いた温度特性補正）の基本的な考え方について、具体例を挙げながら詳細に説明する。図３は、Ｖｉ＠２０℃とΔＶｉ（＠２０℃、＠６０℃）との相関図である。
【００６１】
本図で示すように、２０℃でのセンサ入力信号値Ｖｉ＠２０℃（バツ印）を基準とした場合、６０℃でのセンサ入力信号変化量ΔＶｉ＠６０℃（黒丸印）は、センサ入力信号Ｖｉの入力範囲内（例えば０．９Ｖ〜１．９Ｖ）において、いずれもマイナス値となっている。すなわち、６０℃での測定時には２０℃での測定時と比べてセンサ入力信号Ｖｉがマイナス側（低電圧側）にオフセットする。例えば、Ｖｉ＠２０℃＝１．５Ｖである場合には、Ｖｉ＠６０℃＝１．４８３Ｖ（＝１．５Ｖ−１７ｍＶ）となる。
【００６２】
ここで、６０℃での入力信号特性（Ｖｉ＠２０℃とΔＶｉ＠６０℃との相関）については、これを表す２次近似式（先出の第１近似式に相当）を最小二乗法によって導出することができる（黒丸印を結ぶ破線を参照）。従って、この２次近似式を用いれば、センサ入力信号Ｖｉに対するセンサ入力信号変化量ΔＶｉ＠６０℃を推定することができるので、その推定値をセンサ入力信号Ｖｉから差し引くことにより、Ｖｉ＠６０℃をＶｉ＠２０℃に合わせ込むことが可能となる。なお、上記の近似式は、必ずしも２次近似式に限定されるものではなく、１次近似式であってもよいし３次以上の近似式であってもよい。
【００６３】
ただし、上記の２次近似式（第１近似式）は、あくまで６０℃での入力信号特性（Ｖｉ＠２０℃とΔＶｉ＠６０℃との相関）から導出されたものであり、６０℃での温度特性補正時にのみ適用される。従って、上記の補正アルゴリズムを単純に拡張して、使用温度域の全域に亘る温度特性補正を行おうとした場合には、多数の近似式を用意しておく必要が生じるので、記憶部１９の回路規模（記憶容量）が非現実的なサイズとなってしまう。
【００６４】
そこで、オフセット温度特性補正部１２０では、特定温度（例えばＴ＝６０℃）での入力信号特性だけでなく、特定入力信号（例えばＶｉ＠２０℃＝１．５Ｖ）での温度特性に応じた２パラメータ方式の補正アルゴリズムを用いて、入力信号ＧＴＣＶのオフセット温度特性が補正される。以下、具体例を挙げながら詳細に説明する。
【００６５】
＜補正アルゴリズム（２パラメータ方式）＞
図４は、Ｖｉ＠２０℃とΔＶｉ（＠−４０℃〜＠１４０℃）との相関図である。本図で示すように、２０℃でのセンサ入力信号値Ｖｉ＠２０℃（バツ印）を基準とした場合、２０℃よりも高い温度域では、センサ入力信号変化量ΔＶｉ（＠４０℃〜１４０℃）がいずれもマイナス値となっており、逆に、２０℃よりも低い温度域では、センサ入力信号変化量ΔＶｉ（＠−４０℃〜０℃）がいずれもプラス値となっている。
【００６６】
オフセット温度特性補正部１２０の目標仕様は、センサ入力信号Ｖｉの全入力域（０．５Ｖ〜２．５Ｖ）、及び、全使用温度域（−４０℃〜１４０℃）において、センサ入力信号変化量ΔＶｉ（＠４０℃〜１４０℃）をいずれも０ｍＶとすることである。
【００６７】
２パラメータ方式の補正アルゴリズムを実現するためには、６０℃での入力信号特性を表す第１近似式（ＴＣＶ＿ＲＥＦ＝ＡＶ１×ＧＴＣＶ2＋ＢＶ１×ＧＴＣＶ＋ＣＶ１）と、Ｖｉ＠２０℃＝１．５Ｖでの温度特性を表す第２近似式（ＴＣＲ＝ＡＴ１×Ｔ2＋ＢＴ１×Ｔ＋ＣＴ１）を各々導出し、それぞれの係数と切片（ＡＶ１、ＢＶ１、ＣＶ１、ＡＴ１、ＢＴ１、ＣＴ１）を予め記憶部１９に格納しておく必要がある。
【００６８】
なお、第１近似式の導出手法（ＡＶ１、ＢＶ１、ＣＶ１の算出手法）については、先出の図３を参照して説明した通りである。そこで、以下では、第２近似式の導出手法（ＡＴ１、ＢＴ１、ＣＴ１の算出手法）について、具体例を挙げながら詳細に説明する。
【００６９】
図５は、温度Ｔと特定入力信号（Ｖｉ＠２０℃＝１．５Ｖ）でのセンサ入力信号変化量ΔＶｉ＠１．５Ｖとの相関図である。すなわち、図５は、Ｖｉ＠２０℃＝１．５Ｖにおける各温度（−４０℃〜１４０℃）でのセンサ入力信号変化量ΔＶｉ（図４の細線枠Ｘを参照）を縦軸とし、温度Ｔを横軸として、図４をプロットし直したものである。
【００７０】
さらに、入力信号変化量ΔＶｉ＠６０℃を基準として、図５を正規化することにより、図６が得られる。なお、正規化後の入力信号変化比率（縦軸）は、先の第１近似式で算出される６０℃基準の基準補正量ＴＣＶ＿ＲＥＦが温度Ｔに応じてどれだけ変動するのかを示す指標値であり、温度Ｔに応じて基準補正量ＴＣＶ＿ＲＥＦを調整するための補正係数ＴＣＲとして参照される。その意味において、図６は、温度Ｔと補正係数ＴＣＲとの相関図であると言うことができる。
【００７１】
例えば、ΔＶｉ＠６０℃≒−１７ｍＶであって、ΔＶｉ＠８０℃≒−２３ｍＶである場合、ＴＣＲは１．３５（＝−２３ｍＶ／−１７ｍＶ）となる。これと同様に、ΔＶｉ＠−２０℃≒１６ｍＶである場合、ＴＣＲは−０．９４（＝１６ｍＶ／−１７ｍＶ）となる。なお、６０℃でのＴＣＲは１となり、２０℃でのＴＣＲは０となる。
【００７２】
ここで、Ｖｉ＠２０℃＝１．５Ｖでの温度特性（ＴとＴＣＲとの相関）については、これを表す２次近似式（先出の第２近似式に相当）を最小二乗法によって導出することができる（各マークを結ぶ破線を参照）。従って、この２次近似式を用いれば、温度Ｔに応じた補正係数ＴＣＲを算出することができるので、その算出値を基準補正量ＴＣＶ＿ＲＥＦに掛け合わせることにより、６０℃以外の温度特性補正時にも適用することのできる補正量ＴＣＶを算出することが可能となる。なお、上記の近似式は、必ずしも２次近似式に限定されるものではなく、１次近似式であってもよいし３次以上の近似式であってもよい。
【００７３】
例えば、Ｔ＝１００℃、ＧＴＣＶ＝１．２Ｖである場合を考える。この場合、基準補正量算出部１２１及び補正係数算出部１２２の演算結果は、それぞれＴＣＶ＿ＲＥＦ≒−１１ｍＶ（図３を参照）、及び、ＴＣＲ≒１．９（図６を参照）となるので、乗算部１２３での演算結果は、ＴＣＶ≒−２０．９ｍＶ（＝−１１ｍＶ×１．９）となる。このようにして算出された補正量ＴＣＶは、図４の測定結果と十分な整合性を持っている。従って、減算部１２４で入力信号ＧＴＣＶから補正量ＴＣＶを差し引くことにより、オフセット温度特性が適切にキャンセルされた出力信号ＶＯＵＴ＿ＴＣを生成することができる。
【００７４】
このように、２パラメータ方式の補正アルゴリズムを採用することにより、多数の近似式を用意することなく、使用温度域の全域に亘る温度特性補正を行うことができるので、記憶部１９の回路規模を縮小して、信号処理装置の小型化やコストダウンに寄与することが可能となる。
【００７５】
なお、これまで説明してきたように、２パラメータ方式の補正アルゴリズムでは、特定温度での入力信号特性と特定入力信号での温度特性に応じて、入力信号ＧＴＣＶのオフセット温度特性が補正される。その際、上記した特定温度や特定入力信号については、使用レンジの中間値近傍に設定することが望ましい。具体的に述べると、温度Ｔについては、使用温度域（−４０℃〜１４０℃）の中間値近傍である４０℃〜６０℃に設定することが望ましく、また、入力信号Ｖｉについては、センサ出力レンジ（０．５Ｖ〜２．５Ｖ）の中間値近傍（１．４Ｖ〜１．６Ｖ）に設定することが望ましい。
【００７６】
＜ゲイン温度特性補正部＞
次に、先出の図２に戻り、ゲイン温度特性補正部１１０についての説明を行う。本構成例のゲイン温度特性補正部１１０は、ゲイン補正量算出部１１１と加算部１１２を含む。
【００７７】
ゲイン補正量算出部１１１は、温度Ｔとゲイン補正量ＧＴＣＲとの相関を表す第３近似式（ＧＴＣＲ＝１−（Ａ３×Ｔ2＋Ｂ３×Ｔ＋Ｃ３））を用いて現温度Ｔでのゲイン補正量ＧＴＣＲを算出する。なお、第３近似式の係数及び切片（Ａ３、Ｂ３、Ｃ３）は、それぞれ、第１補正パラメータＳ１０の一部として記憶部１９に格納されている。
【００７８】
加算部１１２は、入力信号Ｓ３（信号値：ＶＩＮ）にゲイン補正量ＧＴＣＲを掛け合わせて入力信号ＧＴＣＶ（＝ＶＩＮ×ＧＴＣＲ）を生成する。
【００７９】
＜ゲイン／オフセット絶対値補正部＞
次に、同じく図２を参照しながら、ゲイン／オフセット絶対値補正部１３０についての説明を行う。本構成例のゲイン／オフセット絶対値補正部１３０は、出力信号ＶＯＵＴ＿ＴＣとデジタル出力信号Ｓ５（信号値：ＶＯＵＴ）との相関を表す第４近似式（ＶＯＵＴ＝Ａ２×ＶＯＵＴ＿ＴＣ2＋Ｂ２×ＶＯＵＴ＿ＴＣ＋Ｃ２）を用いて出力信号ＶＯＵＴ＿ＴＣのゲイン／オフセット絶対量を補正する。なお、第４近似式の係数及び切片（Ａ２、Ｂ２、Ｃ２）は、それぞれ、第１補正パラメータＳ１０の一部として記憶部１９に格納されている。
【００８０】
＜パルスカウント数設定回路＞
図７は、パルスカウント数設定回路２００の一構成例を示すブロック図である。本構成例のパルスカウント数設定回路２００は、基準パルスカウント数設定部２１０と、補正係数算出部２２０と、乗算部２３０と、を含む。
【００８１】
特に、本構成例のパルスカウント数設定回路２００は、デジタル出力信号Ｓ５に応じたパルスカウント数設定信号Ｓ６の生成に際して、デジタル温度信号Ｓ４（信号値：Ｔ）と第２補正パラメータ（ＡＦ、ＢＦ、ＣＦ）を参照し、第１パルス信号Ｓ７の周波数温度特性（延いては基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性）をキャンセルするようにパルスカウント数設定信号Ｓ６を補正する機能を備えている。
【００８２】
基準パルスカウント数設定部２１０は、デジタル出力信号Ｓ５（信号値：Ｆ）に応じて基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦを設定する。より具体的に述べると、基準パルスカウント数設定部２１０は、デジタル出力信号Ｓ５の信号値Ｆ（センサ入力信号Ｖｉに応じた周波数値）が高いほど基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦを小さい値に設定し、逆に、デジタル出力信号Ｓ５の信号値Ｆが低いほど基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦを大きい値に設定する。
【００８３】
補正係数算出部２２０は、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性に基づいて現温度Ｔでの補正係数ＣＯＥＦを算出する。より具体的に述べると、補正係数算出部２２０は、デジタル温度信号（信号値：Ｔ）と第２補正パラメータＳ１１（ＡＦ、ＢＦ、ＣＦ）を参照し、温度Ｔと基準クロック信号ＣＬＫの発振周波数変化量ΔＦｏｓｃ（％）との相関から導出された近似式（ΔＦｏｓｃ＝ＡＦ×Ｔ2＋ＢＦ×Ｔ＋ＣＦ）を用いて、現温度Ｔでの補正係数ＣＯＥＦを算出する。なお、上記近似式の係数及び切片（ＡＦ、ＢＦ、ＣＦ）は、それぞれ、第２補正パラメータＳ１１として記憶部１９に格納されている。
【００８４】
乗算部２３０は、基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦと補正係数ＣＯＥＦとを掛け合わせてパルスカウント数設定信号Ｓ６（パルスカウント数ＰＮＵＭ（＝ＰＮＵＭ＿ＲＥＦ×ＣＯＥＦ））を生成する。
【００８５】
パルス生成部１５は、パルスカウント数設定信号Ｓ６に応じて基準クロック信号ＣＬＫ（発振周波数：Ｆｏｓｃ）のパルス数をカウントすることにより、第１パルス信号Ｓ７を生成する。より具体的に述べると、パルス生成部１５は、基準クロック信号ＣＬＫのパルス数がパルスカウント数ＰＮＵＭに達する毎に第１パルス信号Ｓ７のパルス生成を行う。すなわち、パルス生成部１５は、パルスカウント数ＰＮＵＭに応じた分周比（１／ＰＮＵＭ）で基準クロック信号ＣＬＫを分周することにより、第１パルス信号Ｓ７を生成する分周器であると言える。従って、パルスカウント数ＰＮＵＭが小さいほど第１パルス信号Ｓ７の発振周波数（Ｆｏｓｃ／ＰＮＵＭ）は高くなり、逆に、パルスカウント数ＰＮＵＭが大きいほど第１パルス信号Ｓ７の発振周波数（Ｆｏｓｃ／ＰＮＵＭ）は低くなる。
【００８６】
＜補正アルゴリズム＞
次に、パルスカウント数設定回路２００で採用されている補正アルゴリズム（近似式を用いた温度特性補正）の基本的な考え方について、具体例を挙げながら詳細に説明する。図８は、温度Ｔと発振周波数変化量ΔＦｏｓｃ（％）との相関図である。
【００８７】
本図で示すように、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性（ＴとΔＦｏｓｃとの相関）については、これを表す２次近似式（ΔＦｏｓｃ＝ＡＦ×Ｔ2＋ＢＦ×Ｔ＋ＣＦ）を最小二乗法によって導出することができる（黒丸印を結ぶ破線を参照）。なお、上記の近似式は、必ずしも２次近似式に限定されるものではなく、１次近似式であってもよいし３次以上の近似式であってもよい。また、上記した２次近似式の算出と第２補正パラメータＳ１１（ＡＦ、ＢＦ、ＣＦ）の格納処理は、出荷前テストで予め実施しておけばよい。
【００８８】
上記の２次近似式を用いれば、現温度Ｔでの発振周波数変化量ΔＦｏｓｃを推定することができるので、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性をキャンセルするために必要な補正係数ＣＯＥＦ（＝１００％＋ΔＦｏｓｃ）を容易に算出することが可能となる。
【００８９】
例えば、ΔＦｏｓｃ＝−０．１％であればＣＯＥＦ＝９９．９％となり、ΔＦｏｓｃ＝＋０．１％であればＣＯＥＦ＝１００．１％となる。すなわち、パルスカウント数設定回路２００は、基準クロック信号ＣＬＫの発振周波数Ｆｏｓｃが高いほどパルスカウント数ＰＮＵＭを大きく設定して第１パルス信号Ｓ７の発振周波数（＝Ｆｏｓｃ／ＰＮＵＭ）を引き下げるように、逆に、基準クロック信号ＣＬＫの発振周波数Ｆｏｓｃが低いほどパルスカウント数ＰＮＵＭを小さく設定して第１パルス信号Ｓ７の発振周波数（＝Ｆｏｓｃ／ＰＮＵＭ）を引き上げるように、パルスカウント数設定信号Ｓ６の補正処理を行う。
【００９０】
＜周波数ドリフトの発生及び補正＞
以下では、より具体的な例を挙げながら、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性に起因する周波数ドリフトの発生メカニズムとその補正動作について詳細な説明を行う。
【００９１】
図９は、周波数ドリフトの発生メカニズムを説明するためのタイミングチャートであって、（Ａ）〜（Ｃ）欄のそれぞれには、基準クロック信号ＣＬＫと第１パルス信号Ｓ７が描写されている。なお、（Ａ）欄は発振周波数Ｆｏｓｃが理想値である場合の挙動を示しており、（Ｂ）欄は発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から低めにずれた場合の挙動を示しており、（Ｃ）欄は発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から高めにずれた場合の挙動を示している。
【００９２】
本図では、基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦを何ら補正せずにパルスカウント数ＰＮＵＭとした場合の挙動が示されている。この場合、パルスカウント数ＰＮＵＭは、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性に依らず、デジタル出力信号Ｓ５（延いてはセンサ入力信号Ｖｉ）に応じた値（ここでは１０００）に固定される。
【００９３】
従って、基準クロック信号ＣＬＫの発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から低めにずれた場合には、第１パルス信号Ｓ７の周期が理想時よりも長くなり（ＴＢ＞ＴＡ）、逆に、基準クロック信号ＣＬＫの発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から高めにずれた場合には、第１パルス信号Ｓ７の周期が理想時よりも短くなる（ＴＣ＜ＴＡ）。
【００９４】
このように、基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦを何ら補正せずにパルスカウント数ＰＮＵＭとした場合には、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性に起因して、第１パルス信号Ｓ７の周波数ドリフトが発生する。
【００９５】
図１０は、上記した周波数ドリフトの補正動作を説明するためのタイミングチャートであり、先出の図９と同様、（Ａ）〜（Ｃ）欄のそれぞれには、基準クロック信号ＣＬＫと第１パルス信号Ｓ７が描写されている。また、（Ａ）欄は発振周波数Ｆｏｓｃが理想値である場合の挙動を示しており、（Ｂ）欄は発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から低めにずれた場合の挙動を示しており、（Ｃ）欄は発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から高めにずれた場合の挙動を示している。
【００９６】
なお、本図では、基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦに補正係数ＣＯＥＦを乗じてパルスカウント数ＰＮＵＭとした場合の挙動が示されている。この場合、パルスカウント数ＰＮＵＭは、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性をキャンセルするように、基準パルスカウント数ＰＮＵＭ＿ＲＥＦ（ここでは１０００）から増減される。
【００９７】
本図の例に即して具体的に説明する。例えば、基準クロック信号ＣＬＫの発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から０．１％だけ低めにずれた場合（ΔＦｏｓｃ＝−０．１％）には、ＣＯＥＦ＝９９．９％となるので、ＰＮＵＭ＿ＲＥＦ＝１０００に対してＰＮＵＭ＝９９９となる。従って、第１パルス信号Ｓ７の周期ＴＢは、未補正時と比べて０．１％だけ短縮されるので、理想時の周期ＴＡと一致する。逆に、基準クロック信号ＣＬＫの発振周波数Ｆｏｓｃが理想値から０．１％だけ高めにずれた場合（ΔＦｏｓｃ＝＋０．１％）には、ＣＯＥＦ＝１００．１％となるので、ＰＮＵＭ＿ＲＥＦ＝１０００に対してＰＮＵＭ＝１００１となる。従って、第１パルス信号Ｓ７の周期ＴＢは、未補正時と比べて０．１％だけ延長されるので、理想時の周期ＴＡと一致する。
【００９８】
このように、本構成例の信号処理装置１０では、第１パルス信号Ｓ７の周波数温度特性（延いては基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性）をキャンセルするように、パルスカウント数設定信号Ｓ６が補正されるので、高精度な発振器を用いることなく、第１パルス信号Ｓ７の周波数ドリフトを軽減することが可能となり、延いては、信号処理装置１０の出力精度を向上することが可能となる。
【００９９】
また、本構成例の信号処理装置１０であれば、正または負の温度特性を持つ抵抗素子などを組み合わせて発振器の周波数温度特性をキャンセルする設計時対策よりも、実回路の温度特性に合わせた調整を行うことが容易となる。
【０１００】
また、本構成例の信号処理装置１０では、基準クロック信号ＣＬＫの周波数温度特性から導出された近似式を用いてパルスカウント数設定信号Ｓ６が補正されるので、ルックアップテーブルなどを用いるマップ補正と比べて、記憶部１９の回路規模（記憶容量）を縮小することが可能である。
【０１０１】
＜その他の変形例＞
なお、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、例えば、入力信号に応じた出力信号を生成する信号処理装置に利用することが可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１    電子機器
１０    信号処理装置
１１    フィルタ部
１２    温度検出部
１３ａ、１３ｂ    アナログ／デジタル変換部
１４    ロジック部
１５    パルス生成部
１６    一線式インタフェイス部
１７    セレクタ部
１８    オープンドレイン出力部
１９    記憶部（ＯＴＰＲＯＭ）
２０    センサ
３０    制御装置
４０    プルアップ抵抗
１００    補正演算回路
１１０    ゲイン温度特性補正部
１１１    ゲイン補正量算出部
１１２    加算部
１２０    オフセット温度特性補正部
１２１    基準補正量算出部
１２２    補正係数算出部
１２３    乗算部
１２４    減算部
１３０    ゲイン／オフセット絶対量補正部
２００    パルスカウント数設定回路
２１０    基準パルスカウント数設定部
２２０    補正係数算出部
２３０    乗算部
【図１】
0006576666.tif 000002
【図２】
0006576666.tif 000003
【図３】
0006576666.tif 000004
【図４】
0006576666.tif 000005
【図５】
0006576666.tif 000006
【図６】
0006576666.tif 000007
【図７】
0006576666.tif 000008
【図８】
0006576666.tif 000009
【図９】
0006576666.tif 000010
【図１０】
0006576666.tif 000011