(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形支持基板、
前記円形支持基板に接合された半導体チップ、
前記半導体チップを封止する封止樹脂部、
前記半導体チップのパッドと導電部により電気的に接続された外部電極、
を少なくとも有し、
前記円形支持基板が、
円周上に少なくとも３つの弦を有し、
前記弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に設けられており、
両面が平坦であることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記弦の両端と前記円形支持基板の中心軸とを結ぶ線とのなす角が、１２〜３６度であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記円形支持基板の中心軸から前記少なくとも３つの弦へ下ろした垂線のうち２本の垂線のなす角が、９０度または１８０度であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記円形支持基板が３つの弦を有し、
前記円形支持基板の中心軸から前記３つの弦への垂線へ下ろした３本の垂線のなす角がそれぞれ、９０度、１２０度、１５０度であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記円形支持基板が４２アロイ、インバー合金、コバール合金のいずれかからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記円形支持基板が、一方の面と他方の面との物性が異なることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記円形支持基板の一方の面が面取りされており、他方の面が面取りされていないことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記外部電極がバンプであることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
円周上に少なくとも３つの弦を有し、
前記弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に設けられており、
両面が平坦である円形支持基板にウェハを接合する工程を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
少なくとも下記工程をこの順で有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法：
円周上に少なくとも３つの弦を有し、
前記弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に設けられており、
両面が平坦である円形支持基板上に半導体チップをパッドが上面となるように接合する第一工程、
半導体チップを樹脂で封止する第二工程、
半導体チップのパッドを覆う樹脂を除去する第三工程、
再配線層を形成する第四工程、
バンプを形成する第五工程。
【請求項１１】
少なくとも下記工程をこの順で有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法：
円周上に少なくとも３つの弦を有し、
前記弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に設けられており、
両面が平坦である円形支持基板上に半導体チップをパッドが下面となるように接合する第一工程、
半導体チップを樹脂で封止する第二工程、
円形支持基板を剥離し、パッドが上面となるように反転する第三工程、
再配線層を形成する第四工程、
バンプを形成する第五工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの製造時にウェハを接合する円形支持基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの製造工程において、ウェハに円形支持基板を貼り付けることがある。特許文献１には、位置合わせのために表示部（ノッチ）が形成されているサファイア製の支持基板が提案されている。ノッチ以外にもケガキ線、凹部、凸部等の目印を設けることが知られているが、これらの目印は支持基板の周縁部に設けられ、ウェハは支持基板の目印を隠さないように貼り付けられる。目印を確実に検出するためには目印を大きくせねばならず、支持基板はウェハよりも大きくなってしまうため、製造工程の各プロセス処理装置が大型化してしまう。
また、特許文献２には、支持基板の加工基板と貼り合わせる側とは反対側の面に、支持基板に比べて反射率や光透過率などの光学特性が大きく異なる光検出用の膜を設け、この光検出用の膜を光学センサで検出して位置合わせを行うことが提案されている。この支持基板はウェハとほぼ同一のサイズにすることが可能であるが、光検出用の膜を形成する手間がかかり、また、プロセス処理装置に反射率や透過率が測定できる光学系を組み込む必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１８４８４５号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３６８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、外周形状のみで位置合わせをすることのできる円形支持基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１．円周上に少なくとも３つの弦を有し、
前記弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に設けられていることを特徴とする円形支持基板。
２．前記弦の両端と前記円形支持基板の中心軸とを結ぶ線とのなす角が、１２〜３６度であることを特徴とする１．に記載の円形支持基板。
３．前記円形支持基板の中心軸から前記少なくとも３つの弦へ下ろした垂線のうち２本の垂線のなす角が、９０度または１８０度であることを特徴とする１．または２．に記載の円形支持基板。
４．前記円形支持基板が３つの弦を有し、
前記円形支持基板の中心軸から前記３つの弦へ下ろした３本の垂線のなす角がそれぞれ、９０度、１２０度、１５０度であることを特徴とする１．〜３．のいずれかに記載の円形支持基板。
５．前記支持基板が４２アロイ、インバー合金、コバール合金のいずれかからなることを特徴とする１．〜４．のいずれかに記載の円形支持基板。
６．一方の面と他方の面との物性が異なることを特徴とする１．〜５．のいずれかに記載の円形支持基板。
７．前記支持基板の一方の面が面取りされており、他方の面が面取りされていないことを特徴とする１．〜６．のいずれかに記載の円形支持基板。
８．１．〜７．のいずれかに記載の円形支持基板、
前記円形支持基板に接合された半導体チップ、
前記半導体チップを封止する封止樹脂部、
前記半導体チップのパッドと導電部により電気的に接続された外部電極、
を少なくとも有することを特徴とする半導体パッケージ。
９．前記外部電極がバンプであることを特徴とする８．に記載の半導体パッケージ。
１０．１．〜７．のいずれかに記載の円形支持基板にウェハを接合する工程を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
１１．少なくとも下記工程をこの順で有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法：
１．〜７．のいずれかに記載の円形支持基板上に半導体チップをパッドが上面となるように接合する第一工程、
半導体チップを樹脂で封止する第二工程、
半導体チップのパッドを覆う樹脂を除去する第三工程、
再配線層を形成する第四工程、
バンプを形成する第五工程。
１２．少なくとも下記工程をこの順で有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法：
１．〜７．のいずれかに記載の円形支持基板上に半導体チップをパッドが下面となるように接合する第一工程、
半導体チップを樹脂で封止する第二工程、
円形支持基板を剥離し、パッドが上面となるように反転する第三工程、
再配線層を形成する第四工程、
バンプを形成する第五工程。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の円形支持基板は、円周上に３つ以上の弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならないように配置されているため、弦の位置関係を用いて位置合わせすることができる。外周形状で位置合わせができるため、円形支持基板はウェハより僅かに大きければよい。円形支持基板に接合されたウェハをウェハと略同一サイズのまま加工することができるため、半導体パッケージ製造工程で用いられる各プロセス処理装置を小型化することができる。【０００７】
円形支持基板の中心軸から少なくとも３つの弦へ下ろした垂線のうち２本の垂線のなす角が、９０度または１８０度となるように配置すると、この弦を用いてＸ方向、Ｙ方向の位置合わせを行うことができる。さらに、３つの弦を有する円形支持基板において、円形支持基板の中心軸から３つの弦へ下ろした３本の垂線のなす角がそれぞれ、９０度、１２０度、１５０度であると、Ｘ方向、Ｙ方向に、傾き（θ）を加えた、より精密な位置合わせが可能となる。【０００８】
本発明の円形支持基板は製造工程で使用した後に剥離せず、半導体パッケージに組み込んでもよい。４２アロイ、インバー合金、コバール合金から円形支持基板を形成すると、熱膨張率が半導体チップを形成するセラミック系材料と近いため界面での剥離を防ぐことができる。【０００９】
また、本発明の円形支持基板は線対称でないため、弦の位置関係により一方の面と他方の面とを判別することができる。そのため、一方の面と他方の面との物性が異なる円形支持基板に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の円形支持基板の平面図。
【図２】本発明の円形支持基板の底面図。
【図３】一方の面が面取り加工され、他方の面は面取り加工されていない円形支持基板の断面図。
【図４】本発明の円形支持基板を有する半導体パッケージの一実施態様の断面図。
【図５】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図６】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図７】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図８】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図９】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１０】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１１】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１２】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１３】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１４】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１５】本発明の円形支持基板を剥離する工程を有する製造方法で製造された半導体パッケージの一実施態様の断面図。
【図１６】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１７】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【図１８】半導体パッケージの製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００１１】
１  円形支持基板
２  外部電極
３  再配線層
４  半導体チップ
５  接着剤
６  支持基板
７  封止樹脂部
８  パッド
９  導電部
１０  半導体パッケージ
１１  銅層
１２  レジスト層
１３  ビアホール
１４  ソルダーレジスト
１５  はんだボール
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、半導体パッケージ製造時にウェハと接合する円形支持基板に関する。本発明の円形支持基板は、円周上に少なくとも３つの弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に設けられていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の円形支持基板の一実施態様の平面図を図１に示す。本発明の円形支持基板１は円周上に少なくとも３つの弦が、円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に配置されているため、弦の位置関係という外周形状のみから位置合わせをすることができる。弦の数は３つ以上であれば特に制限されないが、弦の数が多くなると円周に対して弦が占める部分が多くなり、その位置関係を判別することが難しくなるため、３つであることが最も好ましい。
【００１４】
弦の両端と前記円形支持基板の中心軸とを結ぶ線とのなす角（中心角）は１２〜３６度であることが好ましい。なお、中心角とは、図１においてαで示される角である。中心角は１６〜３２度であることがより好ましく、２０〜２８度であることが最も好ましい。中心角が１２度より小さいと、弦が短すぎて弦の位置を確認することが困難になる。中心角が３６度より大きいと、矢高が高くなりすぎて円形支持基板からはみ出さずに接合できるウェハの大きさが小さくなる。なお、矢高とは、円周と弦との最長距離のことであり、図１においてｈで示される。本発明の円形支持基板において、弦に対する中心角、すなわち、弦の長さは同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、１つの弦の長さをその他の弦の長さと異ならせることにより、長さの異なる弦を用いてその他の弦の位置関係を把握することが容易となる。
【００１５】
円形支持基板の中心軸から少なくとも３つの弦へ下ろした垂線のうち２本の垂線のなす角が９０度または１８０度であることが好ましい。弦をこのように配置することで、垂線のなす角が９０度または１８０度である２つの弦を用いてＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方、または両方を定義することができ、製造装置による位置合わせが容易となる。
【００１６】
円形支持基板が３つの弦を有し、中心軸からこの３つの弦へ下ろした３本の垂線のなす角がそれぞれ、９０度、１２０度、１５０度であることがさらに好ましい。弦をこのように配置することで、３つの弦を用いてＸ方向、Ｙ方向に加えて、傾き（θ）を定義することができ、より精密な位置合わせが可能となる。なお、図１に示す円形支持基板の３本の垂線のなす角はそれぞれ９０度、１２０度、１５０度である。
【００１７】
本発明の円形支持基板を形成する材料は特に限定されず、銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、チタン、グラファイト、タンタル、ジルコニウム、タングステン、モリブデン、４２アロイ、インバー合金、コバール合金、ガラス、石英、サファイア、ガラスエポキシ等の中から適宜選択することができる。これらの中で熱伝導性に優れた銅、アルミ、または熱膨張係数が半導体チップを形成するセラミック系材料と近い４２アロイ、インバー合金、コバール合金が好ましい。
【００１８】
本発明の円形支持基板に弦を形成する方法は特に制限されず、円板状の支持基板の側面に切削加工、研磨加工等を施してもよく、金属板から３つ以上の弦を有する円板状に直接打ち抜く打ち抜き加工により形成してもよい。
【００１９】
図２に、図１に記載の円形支持基板の底面図を示す。本発明の円形支持基板は少なくとも３つの弦が円形支持基板の中心軸を通る直線に対して線対称とならない位置に配置されている。本発明の円形支持基板は線対称でないから、図１に記載の平面図と図２に記載の底面図とは重なり合うことはない。すなわち、本発明の円形支持基板は一方の面と他方の面とを外周形状のみで判別することができる。そのため、本発明の円形支持基板は一方の面と他方の面との物性が異なる円形支持基板に好適に利用することができる。このような支持基板は、一方の面と他方の面とに異なる処理を施す、または、一方の面のみに処理を施すことで得ることができる。円形支持基板に施す処理の種類は特に限定されず、親水化処理、撥水化処理、易剥離化処理、平滑化処理、粗面化処理、メッキ処理、薄膜形成処理、面取り処理等が挙げられる。なお、弦が１つ、または２つのときは線対称となるため、一方の面と他方の面とを外周形状のみで判別することができない。
【００２０】
本発明の円形支持基板は、半導体パッケージ製造工程の前工程、後工程の各プロセスにおいて、特に制限されることなく必要に応じてウェハと接合して用いられる。接合された円形支持基板は必要に応じてウェハから剥離してもよく、剥離せずに半導体パッケージに組み込んでもよい。円形支持基板に接合されるウェハを形成するセラミック系材料としては特に制限されず、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウムヒ素リン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、サファイア、ダイアモンド等を用いることができる。
【００２１】
従来の円形支持基板では、ケガキ線、ノッチ、凹部、凸部等の目印を設け、この目印を基準として位置合わせが行われていた。これらの目印を設けた従来の円形支持基板は、ウェハと接合した後に目印が確認できるように、円形支持基板はウェハよりも１０ｍｍ以上、好ましくは２０ｍｍ以上大きな直径を有する必要があった。それに対し、本発明の円形支持基板は外周に位置する３つ以上の弦により位置合わせすることができるため、ウェハと円形支持基板との間の隙間は狭くてもよい。円形支持基板の直径はウェハよりも０．１〜８．０ｍｍ大きければよく、０．１〜４．０ｍｍ大きいことがより好ましく、０．１〜１．０ｍｍ大きいことがさらに好ましい。本発明の円形支持基板を用いることにより、円形支持基板に接合されたウェハを、ウェハと略同一サイズのまま加工することができるため、半導体パッケージ製造工程で用いられる各プロセス処理装置を小型化することができる。
【００２２】
本発明の円形支持基板を用いることにより、円形支持基板と接合されたウェハをウェハとほぼ同じ直径で取り扱うことができる。そのため、本発明の円形支持基板は、特開２０１２−５４４１４号公報、特開２０１４−３００３４号公報で提案されている局所クリーン化装置を有する単位処理装置を用いて所定の処理プロセスを行うデバイス製造システムに好適に利用することができる。なお、上記特開２０１２−５４４１４号公報、特開２０１４−３００３４号公報では、ウェハサイズが直径０．５インチの円形ウェハが提案されているが、本発明で使用するウェハのウェハサイズはこれに限定されるものではない。
【００２３】
本発明の円形支持基板に接合されるウェハの形状は円形に限定されず、矩形や多角形であってもよい。また、ウェハとしては、後にダイシングされて半導体チップとなるパターンが多数形成されたものでもよく、単一のデバイスが形成された半導体チップであってもよい。本発明の円形支持基板の外周形状を用いて、円形支持基板に接合されたウェハの位置合わせをすることができるため、ウェハにアライメントマークを形成する必要がない。そのため、ウェハの全面積を半導体チップ製造に用いることができる。半導体チップの種類は特に制限されず、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子、ＭＥＭＳデバイスなどを用いることができる。
【００２４】
以下に、本発明の一実施態様である片面のみが面取り加工された円形支持基板について述べる。
図３に、一方の面が面取り加工され、他方の面は面取り加工されていない円形支持基板の断面図を示す。面取りは、図３（ａ）に示すように丸面、または図３（ｂ）、（ｃ）に示すように角面に行うことができる。図３（ａ）、（ｂ）では面取り加工されていない面と側面とのなす角は９０度である。図３（ｃ）に示すように面取りが大きくなると、面取り加工されていない面と側面とのなす角度は９０度以下になるが、この角度は７５〜９０度であることが好ましい。７５度より小さいと鋭角になりすぎて、割れや欠けが生じやすくなる。円形支持基板は半導体パッケージ製造に用いられるものであるため、異物の発生源となりうる割れや欠けが生じることは好ましくない。
【００２５】
面取りを行う方法は特に制限されず、円形支持基板に切削加工、研磨加工等を施す方法や、面取りダイを用いて打ち抜きと同時に面取りを行ってもよい。面取りダイを用いて金属板から３つの弦を有する支持基板を打ち抜くと同時に面取りを行うと、一方の面のみに面取り加工が施された円形支持基板を効率的に製造することができる。
【００２６】
図４に、一方の面のみに面取り加工が施された円形支持基板を有する半導体パッケージの一実施態様の断面図を示す。この半導体パッケージ１０は、外部電極２、再配線層３、半導体チップ４、接着剤５、円形支持基板１がこの順に積層され、円形支持基板１の面取り加工された面が半導体パッケージ１０の表面に露出している。半導体チップ４の再配線層３側の面および側面は封止樹脂部７で封止されている。半導体チップ４のパッド８は封止樹脂部７で覆われておらず、パッド８は再配線層３の導電部９により外部電極２と電気的に接続されている。
【００２７】
なお、図４に記載の半導体パッケージは、本発明の円形支持基板を有する半導体パッケージの一例であり、円形支持基板を有する半導体パッケージの構成はこれに限定されない。例えば、半導体チップ４と円形支持基板１とは共晶接合してもよく、円形支持基板１は全体が封止樹脂部７で封止されてもよく、外部電極２はパッド状でもよく、複数個の半導体チップ４を並列または積層して封止してもよい。また、パッド８と外部電極２とを接続する導電部９はワイヤボンディング、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、フリップチップボンディングで形成してもよく、半導体パッケージのタイプはＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ   Ａｒｒａｙ）パッケージに限定されず、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ Ｎｏ−ｌｅａｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージや、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージであってもよい。
【００２８】
この実施態様の半導体パッケージの用途は特に限定されないが、円形支持基板が半導体パッケージの表面に露出しているため放熱性に優れている。そのため、発熱量の大きなＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やパワー半導体、高温での耐久性が求められる車載用等に適している。
【００２９】
以下に図４に記載の半導体パッケージの製造方法を図５〜１４を用いて説明する。
【００３０】
（円形支持基板の面取り加工がされていない面上に半導体チップをパッドが上面となるように接合する第一工程）
４２アロイからなる直径１３．５ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの円形支持基板１上に、シリコンからなる直径０．５インチ（１２．５ｍｍ）、厚さ０．２５ｍｍの円形の半導体チップ４をパッド８が上面、かつ円形支持基板１と同心円となるように接着剤５を用いて接合する（図５）。接着剤５は熱伝導性接着剤であることが好ましい。本発明の円形支持基板１は、外周形状から面取り加工が施された面を判別することができるため、誤った面に半導体チップ４を接合することを防ぐことができる。また、半導体チップ４が円形であるため、接合時に均一に拡がる未硬化の接着剤が半導体チップの端部からはみ出すことを防ぐことができる。
円形支持基板１は図１に示す形状であり、中心軸から弦に下ろした３つの垂線のなす角がそれぞれ９０度、１２０度、１５０度である。また、弦の中心角は２４度、矢高は０．１５ｍｍである。
【００３１】
（半導体チップを樹脂で封止する第二工程）
直径１２．８ｍｍ、深さ０．４ｍｍの円柱状の凹部が設けられた金型を、円形支持基板１上に密着させてキャビティを形成する。熱硬化性樹脂をキャビティ内に注型、硬化してモールド成形を行い、半導体チップ４の上面と側面とを封止する封止樹脂部７を形成する（図６）。使用する樹脂は特に制限されず、市販されているものを特に制限することなく使用することができる。一般に半導体を封止する樹脂としては、エポキシ樹脂を主成分とし、フェノール樹脂系硬化剤、シリカフィラーなどの無機充填剤を配合した組成物が用いられているが、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等も特に制限することなく用いることができる。
【００３２】
ここで、円形支持基板１の直径は半導体チップ４の直径よりも１ｍｍ大きいだけであるから、半導体チップ４と円形支持基板１との間の隙間は０．５ｍｍである。また、金型の直径は１２．８ｍｍであるから、半導体チップ４と金型との間の隙間は０．１５ｍｍである。そして、円形支持基板１の半導体チップ４が接合された面は面取りされていないから、金型は半導体チップ４と円形支持基板１との間にある０．５ｍｍの隙間のうち、０．３５ｍｍの幅で円形支持基板１と密着する。また、矢高が０．１５ｍｍであるから、弦の部分で金型と円形支持基板１とが密着する最も狭い幅は０．２０ｍｍである。金型と円形支持基板１とは、最も狭いところで０．２０ｍｍであっても面で密着することができるので、樹脂が金型からはみ出してバリが発生するのを防ぐことができる。
なお、円形支持基板１の面取りされている側の面に半導体チップ４を接合すると、金型と円形支持基板１とが接触する幅が０．２０ｍｍよりも狭くなるため、樹脂が金型からはみ出してバリが生じやすくなる。
【００３３】
（半導体チップのパッドを覆う樹脂を除去する第三工程）
上記第二工程で、半導体チップ４の上面は封止樹脂部７で覆われているため、半導体チップ４の信号の入出力に用いるパッド８を覆う樹脂をレーザアブレーションにより除去しパッド８を露出させる（図７）。
通常、半導体チップ４を封止する樹脂は光による誤作動を防ぐために黒色に着色されているため、円形の半導体チップ４が黒色の封止樹脂部７で封止されるとパッド８の位置が外観からは分からなくなってしまう。本発明で使用する円形支持基板１の３つの弦に対して半導体チップ４のパッド８の位置を予め関連付けておけば、弦の位置を用いてパッド８の位置を求めることができる。また、ここで使用した円形支持基板１は、中心軸から弦へ下ろした３つの垂線のなす角がそれぞれ９０度、１２０度、１５０度であり、この３つの弦を用いてＸ方向、Ｙ方向、傾き（θ）の高精度な位置合わせが可能であるから、製造工程での位置ずれは非常に小さい。
【００３４】
（再配線層を形成する第四工程）
パッド８と外部電極２とを接続するための導電部９を有する再配線層３を形成する。再配線層３の形成には、通常使用される公知の工程を利用することができる。一例として、以下の工程を用いることができる。
【００３５】
封止樹脂部７とパッド８上に電解メッキによる銅層１１を形成する（図８）。封止樹脂部７は非導電性であるため、電解メッキはＣｕシード層をスパッタにより薄く形成した後に行う。なお、円形支持基板１は４２アロイから形成されているため、そのまま電解メッキを行うと円形支持基板１の半導体チップが接合されていない面にも銅メッキが形成される。円形支持基板１の半導体チップが接合されていない面は半導体パッケージの最表面となるため、錆びると緑青となる銅層が形成されるのは外観上好ましくない。そのため、円形支持基板１の半導体チップが接合されていない面を予めマスキングテープ等で保護することが好ましい。
【００３６】
銅層１１を形成した後、レジスト層１２の形成（図９）、リソグラフィによるレジストパターン形成（図１０）、レジストパターンをマスクとする銅層１１のエッチングにより導電部９を形成する（図１１）。さらに、はんだボール搭載部となるビアホール（ＶｉａＨｏｌｅ）部分１３を残してソルダーレジスト１４をインクジェットプリンタにより塗布した後、硬化して、半導体チップの上面を封止する封止樹脂部７、導電部９、ソルダーレジスト１４よりなる再配線層３を形成する（図１２）。
【００３７】
（バンプを形成する第五工程）
ボールマウンターを用いてビアホール１３上にはんだボール１５を搭載する（図１３）。リフロー装置で加熱してはんだボールを熔融させて外部電極２であるバンプを形成するとともに、外部電極２とパッド８とを導電部９を通じて電気的に接続する（図１４）。
【００３８】
なお、上記第一〜第五工程の他にもデスミア処理、アフターキュア処理、半導体パッケージの最表面に位置する円形支持基板へのマーキング等を適宜行うことができる。
【００３９】
次に、本発明の円形支持基板を剥離する工程を有する製造方法で製造された半導体パッケージの断面図を図１５に示す。図４〜１４に示す実施態様と同一部分には同一の符号を付す。この半導体パッケージは、外部電極２、再配線層３、半導体チップ４がこの順に積層され、製造工程において半導体チップ４と円形支持基板１とを接合していた接着剤５は再配線層３に組み込まれている。半導体チップ４の再配線層３側とは反対の面および側面は封止樹脂部７で封止されている。半導体チップ４のパッド８は接着剤５で覆われておらず、パッド８は再配線層３の導電部９により外部電極２と電気的に接続されている。
【００４０】
この半導体パッケージは以下の製造方法で製造することができる。
円形支持基板の面取り加工がされていない面上に半導体チップをパッドが下面となるように接合する第一工程。
半導体チップを樹脂で封止する第二工程。
円形支持基板を剥離し、パッドが上面となるように反転する第三工程。
再配線層を形成する第四工程。
バンプを形成する第五工程。
【００４１】
第二工程、第四工程、第五工程は、上記実施態様と同一であるため、第一工程、第三工程ついて説明する。
【００４２】
（円形支持基板の面取り加工がされていない面上に半導体チップをパッドが下面となるように接合する第一工程）
円形支持基板１上に、円形の半導体チップ４をパッド８が下面、かつ円形支持基板１と同心円となるように接着剤５を用いて接合する（図１６）。この接着剤５は、後に再配線層３に組み込まれるため、絶縁性のものを用いる。
【００４３】
（円形支持基板を剥離し、パッドが上面となるように反転する第三工程）
第二工程で封止樹脂部７が形成されたのち（図１７）、円形支持基板１を剥離して、パッド８が上面となるように反転する（図１８）。
【００４４】
本製造例では、接着剤５を再配線絶縁層として使用するため、レーザアブレーションでパッドを覆う接着剤５を除去する。なお、接着剤層５は、円形支持基板１とともに剥離することもできる。接着剤層５を円形支持基板１とともに剥離した場合は、再配線層を形成する第四工程において、半導体チップ４上に層間絶縁膜のパターンを形成した後、導電部９の形成、ソルダーレジスト１４の塗布、硬化を行い、再配線層３を形成すればよい。
【００４５】
なお、上記第一〜第五工程の他にもデスミア処理、アフターキュア処理、半導体パッケージの最表面に位置する円形支持基板へのマーキング等を適宜行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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