(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接続パッドを有するダイ（１２）と、
前記ダイ（１２）から熱絶縁された発熱素子（１４）と、
前記ダイ（１２）から前記発熱素子（１４）に延出する１を超えるリード線（１０）と、を備え、
各リード線は、コア径を有する金属コア（２２）と、前記金属コア（２２）を包む誘電体厚を有する誘電体層（２４）とを有し、
前記誘電体層は、接地接続された外側金属層で被覆され、１つ以上のリード線は、前記発熱素子（１４）から前記ダイ（１２）への熱伝導を低減するために、その長さ方向の少なくとも一部が周囲条件に暴露、および／または、対流冷却もしくは接触冷却されるダイ配線システムにおいて、
前記ダイ（１２）から前記発熱素子（１４）に延出する少なくとも１つのリード線は、リボンリード線であり、前記リボンリード線は複数のリード線からなり、前記リボンリード線の前記複数のリード線の誘電体被覆は、リード線の長さ方向に沿って完全または部分的に溶着されている
ことを特徴とするダイ配線システム。
【請求項２】
前記発熱素子（１４）は、レーザーモジュールであることを特徴とする請求項１に記載のダイ配線システム。
【請求項３】
前記ダイと前記発熱素子の間に低伝熱性基板部分（１６）が配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載のダイ配線システム。
【請求項４】
前記低伝熱性基板部分（１６）は、無機材料、ポリマー、または、ポリマーおよび／または配向材料内に担持された無機クレイのような複合材料を含むことを特徴とする請求項３に記載のダイ配線システム。
【請求項５】
少なくとも１つの前記リード線は、配向性グラフェンまたは酸化インジウム錫のような非金属の外部導電性被膜を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のダイ配線システム。
【請求項６】
前記リード線（１０）は、能動もしくは受動サーマルヒートシンク、移動空気もしくは液体、高熱伝導率金属および／または圧電クーラーのような能動冷却手段の少なくとも一つによって冷却されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のダイ配線システム。
【請求項７】
前記ダイ（１２）と前記発熱素子（１４）は、共通の基板（１１）上に配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のダイ配線システム。
【請求項８】
熱ボロメータ、感能性ＣＣＤまたはＣＭＯＳ光検出素子のような感応性センサ素子を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のダイ配線システム。
【請求項９】
ＢＧＡパッケージを形成するためのビアを含むダイ基板を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のダイ配線システム。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のダイ配線システムを有するＢＧＡパッケージ（２１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
高帯域幅配線を可能にしながらダイとの間の熱伝導を減少させる熱絶縁構造について説明する。高出力ダイの熱や高出力レーザー等から生成された熱から低出力ダイを絶縁することができる。
【背景技術】
【０００２】
電子機器およびコンポーネントは、日々、動作速度や動作する周波数範囲が増大している。一般的な半導体パッケージタイプは、基板またはリードフレームの接続にワイヤボンドを使用しているが、ワイヤボンドは、電子機器のプリント回路基板（ＰＣＢ）への接続用として、二次レベル配線、ビア、基板またはパッケージトレース、半田ボール等に接続できる。
【０００３】
速度が増大すると、電力要求およびダイからの廃熱を取り去る必要性も増加する。これは特に、スタックドダイ、基板材料によって頂部と底部とが有効に断熱されているスタック内の内部ダイ、または、他の発熱するダイにおいて問題となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術の課題と欠点に鑑み、本発明の目的は、熱活性ダイ等の発熱素子から生じた廃熱を有効に除去できる少なくとも１つのダイを有する配線システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
当業者には周知の上記および他の目的は、ダイ配線システムを対象とする本発明において達成され、そのダイ配線システムは、複数の接続パッドを有するダイと、ダイから熱絶縁された発熱素子と、ダイから発熱素子に延出する１以上のリード線とを備え、各リード線は、コア径を持つ金属コアと、金属コアを被覆する誘電体厚を持つ誘電体層と、誘電体層の外側に接地接続された金属層とを有し、少なくとも１つのリード線は、発熱素子からダイへの熱伝導を低減するために、その長さ方向の少なくとも一部において周囲条件に暴露および／または対流冷却もしくは接触冷却される。リード線はリボンリード線であってもよい。従属請求項は本発明のより効果的な実施形態を対象とする。
【０００６】
別法として、感応性センサ素子または他の電子コンポーネントを高出力ダイによって生成される熱から絶縁することができる。この場合、少なくとも１つのリード線が高出力ダイから感熱性電子コンポーネントへ延出する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】ダイとレーザーモジュールが互いに熱絶縁された状態の高帯域幅ダイからレーザーモジュールへの配線構造の平面図である。
【図２】ダイとレーザーモジュールが互いに熱絶縁された状態の高帯域幅ダイからレーザーモジュールへの配線構造の側面図である。
【図３】外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線の製造方法の手順を示す図である。
【図４】外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線のサブトラクティブ法による製法を示す図である。
【図５】外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線を用いるＢＧＡパッケージを示す図である。
【図６】外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線を用いるリードフレームパッケージの一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１からわかるように、高帯域幅で相互配線に適した１以上のリボンリード線１０（または別の実施形態においては個々のリード線）を用いて、半導体ダイパッケージ１２と熱活性ダイ、レーザーモジュール１４、またはその他の発熱素子間を接続する。図１からわかるように、コヒーレント光（矢印）の高速発光が可能な発熱レーザーモジュール１４がヒートスラグに取り付けられている。モジュール１４は、無機材料、ポリマー、また、ポリマー、空気、配向材料等内に担持された無機クレイ等の複合材料を含みうる低熱伝導率基板部分１６を挿置することによって可能な限り最大に熱絶縁されている。接続リード線の個数とリボン１０の熱伝導率は、薄い外部金属被覆層に任意で結合された高帯域幅信号によってさらに低減することができる。さらに別の実施形態において、熱伝導率は、配向性グラフェンまたは酸化インジウム錫によって与えられるような非金属外部導電性被膜を提供することによってさらに減少することができる。リボン１０は、誘電体被覆金属コア２２を有するリード線から形成することができ、金属コア２２は、リード線の長さに沿って完全または部分的に溶着した誘電体被覆２４、或いは、いくつかの実施形態においては溶着していない誘電体被覆２４を有する。リボンリード線１０は、パッケージ１２の外部で周囲空気へと延出して、発熱素子から熱を逃がすのを助ける。別法として、リボンリード線１０は、移動空気または液体、高熱伝導率金属またはその他のヒートシンクを含む適切な能動または受動サーマルヒートシンク、あるいは圧電クーラー等の能動冷却手段によって対流冷却または接触冷却されてもよい。熱絶縁と周囲空気への熱伝導が相まって、レーザーモジュールの作動中に生じる極度の熱的条件によるダイへの損傷を防止することができる。
【０００９】
別の実施形態において、同様の熱絶縁構造を用いることで、高出力ダイから生じる熱から、感能性センサ素子または他の電子コンポーネントを絶縁できる。これは例えば、熱ボロメータ、または感能性ＣＣＤもしくはＣＭＯＳ光検出アレイに接続されるダイ用に応用できる。
【００１０】
誘電体被覆は、機械的特性および酸化または他の化学的効果によるポリマー劣化に対する耐性を改善するとともに、所望の熱的および電気的特性を提供する外側が接地接続された金属被覆によって覆われる。別の実施形態において、接続パッドをそれぞれ有する第１と第２のダイは、金属で封止された溶着誘電体被覆からなる２つの別個のリボンによって相互接続される。リボン配線の工程は、リード線の金属コアをダイおよび基板接続パッドに取り付けることから開始される。金属コアは、誘電体で被覆されて金属被覆され、金属被覆は、接地接続される（接地接続パッドへのアクセスを可能にするため、誘電体除去のための別個のレーザーアブレーションまたは他のステップを必要とする可能性がある）。キャビティパッケージのため、ダイには密封蓋またはその他のカバーが嵌っていてもよい。または、ダイは、モールドコンパウンド、エポキシグロブトップまたはその他の適切な封止材料で別個に（封止材料からリボンリード線（複数）が延出して）、または必要に応じて１つのマルチダイパッケージとして一緒に被覆されてもよい。
【００１１】
別の実施形態において、半導体ダイパッケージの配線に適し、パッケージ内のダイ間に延在するリボンリード線は、スタックドダイの実施形態で特に使用される。再ルーティングに必要なダイ基板は、一般的に熱伝導率が低い電気絶縁材料により形成される。接地接続可能な最外金属被覆層を持ち、溶着された誘電体で被覆された金属コアから形成されるリボンリード線を用いれば、内部ダイから熱を除去することも、ダイから基板へ熱を伝導することも可能である。
【００１２】
別の実施形態において、上記に説明したようなリボンリード線を用いたパッケージからパッケージへの接続、ならびに、共通のモールドパッケージでのダイからダイへの相互接続、および／または、ダイから基板へのリボン接続に使用される。さらに、積層パッケージも、スタックドダイ間に延在するリボンによって支持される。パッケージを相互接続するリボンは、熱伝導および消散を促進するために「翼付き」熱消散銅またはアルミニウムシンクまたはスラグに取り付けることができる。望ましくは、「翼付き」スラグから熱を除去するために能動または受動の空気または液体冷却が使用されてもよい。
【００１３】
特定の実施形態において、リボンの熱的および電気的特性は、半導体ダイパッケージングに使用される誘電体被覆リード線を異なる誘電体厚を持つように形成することによって、調整することができる。誘電体被覆の回数と製造ステップを変えることによって、厚型、薄型および中間厚型が可能である。コア径と誘電体厚の両方を変えることができる。特定の実施形態において、例えば金属コアを覆う独立した誘電体材料は、接地接続可能な金属被覆に覆われることによって、被覆誘電材料の組成も変えることができる。これは、例えば、優れた蒸気バリア、酸素分解耐性等を有する高性能誘電体が、低コストの誘電体材料の厚い層の上に薄く被覆することを可能にする。さらに別の実施形態において、異なる厚さの誘電体の多数の層が、薄い金属層によって分離され、最外金属層は接地接続されてもよい。
【００１４】
一般に、薄い誘電体層は電力線用に適合する低インピーダンスを提供し、厚い誘電体層は、信号の伝送品質のために好適で、外側の金属層は同じ接地に接続される。コア径と誘電体厚の組み合わせが可能であり、２以上のインピーダンスを達成するために、一連のそのようなステップが実行されてもよいことに留意されたい。特定の実施形態において、電力処理能力を増加させ、電力線温度を下げ、および／または、接地電位の変動または電力低下を悪化させることになる電源および接地線へのインダクタンスをさらに減少させるために、電力線に大径のコアを備えることが望ましい。３以上の異なる誘電体厚を有するリード線を備えることが多くのパッケージに効果的であるため、中間厚さの誘電体層も有用である。電力伝導を最大化するために、中間の誘電体厚を有するリード線を使用して、実質的に異なるインピーダンスの負荷を電源に接続する。例えば、１０オームの電源が２０オームのリード線で４０オームの負荷に接続されてもよい。さらに、誘電体のコストが高くなることがあるため、リセット等の重大な状態が少ない状態で、電力リード線より厚みが大きいが（中間）より小さい厚みの誘電体層でリード線を被覆できる状態で、厚い誘電体を用いて、重要な信号経路と重要な信号リード線とを相互接続してもよい。これは、誘電体被覆の材料コストと時間を削減するために有効である。
【００１５】
各リード線の所望の特定インピーダンス値を達成するために、ワイヤボンド直径と組み合わせて、誘電体被覆の厳密な厚さを選択することができる。
【００１６】
【数１】
0006556707.tif 000002
【００１７】
同軸線の特性のインピーダンスが式（１）に表されており、式（１）において、Ｌはユニット長ごとのインダクタンスであり、Ｃはユニット長ごとの静電容量であり、ａはボンドワイヤの直径であり、ｂは誘電体の外径であり、εΓは同軸誘電体の比誘電率である。
【００１８】
図３に示されるように、一実施形態において、外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線の製造は、以下のステップを用いて進行できる。接続パッドが、ダイおよび基板上で洗浄され（５０）、ワイヤボンダを用いてダイが接続パッドに接続される（５１）。任意で、第２の直径のワイヤ（電力接続に適した、より大径のワイヤ）が取り付けられてもよいし（５２）、選択的な被覆を可能にするためにダイの領域がマスキングされる（５３）か、または、保護されてもよい。同一または異なる組成の誘電体の１以上の層を被覆する（５４）ことができ、次の誘電体被覆ステップで被覆された接地接続へのアクセスを可能にするために、選択的に誘電体部分に対してレーザーまたはサーマルアブレーションまたは化学的除去が行われる（５５）。いくつかの実施形態では接地ビアの必要性を排除することができるため、このステップは任意である。仮想ＲＦ接地は、容量カップリングによって達成できるため、高周波数で稼動するダイに適する。次に、金属被覆（５７）が行われ、リード線の最外金属被覆層を形成する金属層で誘電体を被覆し、リード線を接地接続する。このプロセス全体を多数回繰り返してもよく（５８）、それは、選択可能な被覆技法を用いる実施形態に有効であり、また、多数のダイまたは複雑かつ異なるインピーダンスのリード線を用いる実施形態では特に有効である。最終ステップにおいて、非キャビティパッケージに関しては、リード線を封止するためにオーバーモールドを使用することができる（５９）。別の実施形態および付加的もしくは変形例の方法ステップは、米国特許出願公開第２０１２００６６８９４号明細書および米国特許第６，７７０，８２２号明細書に記載されており、それらの開示を参照して用いてもよい。
【００１９】
特定の実施形態において、説明された過程への変更および追加が可能である。例えば、誘電体の共形被覆は、化学的（電気泳動）、機械的（表面張力）、触媒（プライマー）、電磁［ＵＶ、ＩＲ］、電子線、その他適切な技法によって達成することができる。電気泳動ポリマーは、それらがプロセスパラメータを調整することにより、および／または電気泳動塗布液に単純に添加剤、濃度、化学的、熱的もしくはタイミングの変更を施すことによって容易に厳密な厚さに被覆できる自己抑制反応に依存するため、特に有利である。
【００２０】
別の実施形態において、誘電体を予備被覆したボンドワイヤを用いてリード線を形成してもよい。市販の被覆ワイヤは、例えば５０オームのリード線を製造するために必要な誘電体厚よりも典型的に薄いため、所望のインピーダンスを設定するために誘電体厚を増加させて、上記に説明した誘電体被覆ステップを用いることができる。これらの予備被覆されたワイヤの使用は、同軸を形成するために必要な他のプロセスステップを単純化し、必要な被覆誘電体のより薄い層と、接地ビアを形成するためのより迅速な処理時間を可能にする。予備被覆されたボンドワイヤは、空間が狭いまたは交差するリード線の短絡を防止するために使用することができる。特定の実施形態において、予備被覆されたボンドワイヤは、選択的パターニング技法を可能にするために感光性材料で製造された誘電体を有していてもよい。
【００２１】
別の実施形態において、誘電性パリレンが使用することができる。パリレンは、水分バリアおよび誘電体バリアとして使用され、多様な化学蒸着ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマーの商標名である。パリレンは、修正パリレン被覆システムを用いた成長抑制縮合反応で形成することができるものであり、該システムにおいて、ダイ、基板およびリード線は感光板に整列し、それがＥＭ放射（ＩＲ、ＵＶまたはその他）を厳密に衝突させ、選択的な誘電体の成長速度を提供する。これが、コンタクトビア形成、パリレンのバルク除去等のプロセスの必要性を効果的に低減または排除できる。
【００２２】
パリレンおよびその他の誘電体は、酸素、水蒸気および熱が存在する場合、酸素切断による分解を受けることが知られている。損傷は、真に密封性の界面を形成できる３−５ミクロン厚さの薄膜層で優れた蒸気酸素バリアを形成する金属層によって制限することができる。代替的に、電気的、熱的または機械的要求により、金属が選択的に除去されている場合、または金属が特定領域に被覆していない場合、広範なポリマー系蒸気酸素バリアの使用が可能であり、中でもポリビニルアルコール（ＰＶＡ）は広範に使用される１つのポリマーである。これらのポリマーは、グロブトッピング処理、スクリーン印刷処理、ステンシル処理、ガントリー分配処理、酸素またはＨ２Ｏ蒸気環境に曝されるパリレン表面に噴霧処理されてもよい。有利には、蒸気バリアポリマーの使用は、使用しなければ高コストのパリレンまたは他の酸素感応物の極めて厚い層が必要とされるため、コスト削減戦略の一環となりうる。
【００２３】
理解されるように、説明した全ての方法ステップは、種々の選択可能な被覆技法の利点を享受する。選択可能な被覆は、物理的マスキング、指向性ポリマー蒸着、フォトレジスト法、または、被覆時に、金属コア、誘電体層または他の最外層において、異なる被覆厚さを保証する任意の他の適切な方法を用いてもよい。選択可能な被覆では、リード線の構築がアディティブ法で可能であるが、サブトラクティブ法も可能であり、サブトラクティブ法では、異なるインピーダンスの配線を形成するため誘電体または金属が除去される。例えば、１以上のダイが配置されたパッケージが、全パッケージとデバイスパッドの相互接続用に適宜ワイヤボンド接合されてもよい。ダイパッケージの製造に関するステップと構造を示す図４に関連して見られるように、誘電体被覆２００はワイヤボンド金属導体２０２の上に厚さＸ−Ａに被覆することができる（ステップＡ）が、Ａは二次配線インピーダンスに必要とされる誘電体の厚さである。二次インピーダンスのワイヤボンド誘電体は例えばエッチングステップによって除去される（ステップＢ）ことができ、続いて第２のコーティング２０４被覆（ステップＣ）、それに続いて両配線の金属被覆２０６が行われる（ステップＤ）。このサブトラクティブプロセスにより、２つの独立したインピーダンスのワイヤボンドが作製される。
【００２４】
図５に示した実施形態において、熱絶縁特性を改善するために、または適切な高帯域幅電気的配線を提供するために、誘電体と、選択されたリード線の部分的または完全誘電体溶着を有する金属被覆リード線とを含むボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージについて説明する。
【００２５】
ＢＧＡは、集積回路に広く使用されている表面実装パッケージングであり、ＢＧＡの底面全体が接続パッドに使用することができるため、一般に、デュアルインライン、リードフレームまたはその他のフラットパッケージよりも多数の相互接続ピンを提供できる。多くの種類のＢＧＡパッケージにおいて、ダイ２１６は接続パッドに接続された充填可能なビア２２０を有する基板２１８に取り付けられている。ワイヤボンド２１２、２１４は頂部側ダイ２１６をパッド／ビア２２０に接続するために使用することができ、結果として基板の頂部側から底部への電気接続を提供する。ＢＧＡパッケージでは、半田ボール２２２がパッケージの底部に取り付けられ、プリント回路基板またはその他の基板への半田付けまでは粘着質の束で定位置に保持される。本明細書で説明されるように、従来型ＢＧＡパッケージのワイヤボンドは、誘電体層と外側接地接続可能な金属層を有する改良されたリード線で置き換えることができる。リード線は、内側コアおよび外側金属層にわたり変化する誘電体厚を有することができ、また、誘電体層厚に部分的に基づいて別々の、または良く適合するように選択することができる特定のインピーダンスを有するように選択的に最適化することができる。図５に見られるように、長いリード線２１２と短いリード線２１４の両方がサポートされる。
【００２６】
より詳細には、改良されたＢＧＡパッケージの組み立てにおいて、基板のビアに隣接しビアの周りに形成された接続パッドを支持する基板に対して、ダイの表面を上にした取り付けを要する場合がある。この組み立ては、各々必要な配線向けに適宜ワイヤボンド接合され、ワイヤボンドは基板上の接続パッドとダイ上の接続パッドの間に形成される。低周波数および電力入力は低周波数信号リード線に接続されるが、高周波数入力と出力は高周波数信号リード線に接続される。いくつかの実施形態において、低周波数および電力入力のリード線は、高周波数信号リード線とは異なる厚さを持ちうる。そして、組立品は、基本的に共形の誘電体材料で被覆される。低コスト、真空蒸着の容易さ、および、優れた性能特性のために、パリレンが使用される。リードフレーム取付位置付近の誘電体層の一部分は、接地接続点または接地シールド層への電気的な接続を行うためにエッチング、熱劣化、レーザーアブレーションによって選択的に除去される。同様に、接地接続を可能にするために、誘電体層の一部分が、ダイ接続パッド付近で除去される。誘電体層上への金属被覆層の施工に続いて、構造上の接地接続がなされ、接地シールドを形成する。好ましい金属層の厚さは、皮層深さとＤＣ耐性の点を考慮して選択されるべきであり、銀、銅、または金等の優れた導電体から主に構成されるべきである。殆どのアプリケーションに対して、機能性の点では１ミクロンの被覆厚さで十分であるが、より厚い被覆は、リード線間のクロストークの低減に役立つ。これらの被覆は、リソグラフィーまたはその他のマスキング法と、めっきまたはその他の選択可能な被覆法の組み合わせにより、規定領域に施すことができる。パッケージは、ダイ上にオーバーモールドまたは蓋を配置し、次にダイシング（シンギュレーション）および検査を経て完成することができる。
【００２７】
別法として、図６に示した実施形態において、ダイからリードフレームへ延出するワイヤボンドを含むダイパッケージ３００をベースとした低コストなリードフレームは、個々のパッケージサイトの二次元アレイと外側フレーム部分を含むリードフレームストリップを形成することによって製造することができる。リードフレーム加工は、従来型であり、別個のリード線のエッチング、打ち抜き加工または電着により形成することができる。リードフレームストリップは、射出成形またはトランスファー成形装置を含むが、これらに限定されないモールドに配置することができる。市販のエポキシモールドコンパウンド等の好ましくはプラスチック製の適切な誘電体材料が、リードフレーム／モールド材料複合体構造を達成するために、モールドに射出、圧送または移送される。モールド材料の特性は、それらの比誘電率、誘電正接および電気的分散特性ならびにそれらの温度、湿度および他の機械的な性能属性が重要である。
【００２８】
結果として得られる複合リードフレームストリップの各パッケージサイトは、モールド離型剤および／またはバリを除去されて、リードフレームの露出した金属部分の上から金属仕上げの被覆用に準備される。これは、浸漬または電気めっき等のめっき技法によって達成することができるものであり、金属は、腐食抑制とワイヤボンド接合を容易にするために選択される。そのような仕上げの一例は、ニッケルの薄膜層（保護用）に続く金の層（付加的な保護とワイヤボンドの能力）である。次に、結果として得られる成形されたリードフレームストリップの各パッケージサイトには必要なダイが配置されて底部に取り付けられ、ダイ取り付け材料は、特定のパッケージング用途に対応する機械的および熱的特性によって選択される。次に、結果として得られる組立品は各々必要な配線向けに適宜ワイヤボンド接合され、ワイヤボンドはリードフレーム上のリード線とダイ上の接続パッドの間に形成される。低周波数および電力入力は低周波数信号リード線に接続され、他方で、高周波数入力および出力は高周波数信号リード線に接続される。いくつかの実施形態において、低周波数および電力入力は、高周波数信号リード線とは異なる厚さであってもよい。
【００２９】
前述のＢＧＡパッケージ２１０と同様に、配置後のリードフレームストリップは、パリレンを含む基本的に共形の誘電体材料で被覆される。パリレンの場合、最終的にＰＣＢに取り付けられるリード線部分への被覆を防止するために、アクリル系接着剤が付いた真空対応ポリイミド、または、同様の材料等のテープでパッケージの底部をマスキングすることが好ましい。これは、後続ステップにおいて、より容易な半田付けを可能にする。リードフレームの取り付け位置付近の誘電体の一部分は、接地接点または接地シールド層への電気的な接続を行うために、エッチング、熱的劣化またはレーザーアブレーションによって選択的に除去される。同様に、ダイ接続パッド付近の誘電体層の一部分が、接地接続を可能にするために除去される。誘電体層の上からの金属被覆層の塗布に続いて、構造的な接地接続が施され、接地シールドを形成する。好ましい金属層の厚さは、ＤＣ耐性の点と皮層深さを考慮して選択されるべきであり、銀、銅または金等の優れた導電体から主に構成されるべきである。殆どの用途において、機能性の点では１ミクロンの被覆厚さが適切であるが、より厚い被覆は、リード線間のクロストークを低減するのに役立つ。これらの被覆は、リソグラフィーまたはその他のマスキング法と、めっきまたはその他の選択可能な被覆法の組み合わせで、規定領域に加えることができる。パッケージは、ダイ上にオーバーモールドまたは蓋を配置し、次にダイシング（シンギュレーション）および検査を経て完成される。
【００３０】
本発明はダイ配線システムを対象とし、特に、本発明のダイ配線システムは、複数の接続パッドを有するダイと、ダイから熱絶縁された発熱素子と、ダイから発熱素子に延出する１以上のリード線とを備え、各リード線が、コア径を有する金属コアと、金属コアを被覆する誘電体厚を有する誘電体層と、接地接続された外側の金属層とを有し、リード線は、発熱素子からダイへの熱伝導を低減するために少なくともそれらの一部において周囲環境に曝される。
【００３１】
さらに、本発明は、リボンリード線、非金属外側被覆、ＢＧＡパッケージ、リードフレームパッケージ、共通基板上でのダイから発熱素子への接続、パッケージされたダイから基板への接続、ヒートシンクまたはスラグ接続、直接またはヒートシンクでの流体冷却、および発熱素子としてのレーザーなどの用途を含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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