(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体と、
前記圧電体上に設けられている機能電極と、
前記機能電極を囲むように、前記圧電体上に設けられている支持部材と、
前記支持部材上に設けられているカバー部材と、
を備え、
前記支持部材は、前記圧電体よりも熱膨張係数が大きく、
前記機能電極は、前記圧電体、前記支持部材及び前記カバー部材により囲まれた中空空間内に設けられており、
前記支持部材は、前記中空空間側の面である内面と、前記内面とは反対側の面である外面と、を有し、かつ、前記内面及び前記外面のうち少なくとも一方に設けられている凹部を有し、
前記凹部において前記支持部材の前記内面と前記外面とを結ぶ方向に沿う長さを深さとしたときに、前記凹部における前記深さが最も深くなる部分は、前記カバー部材よりも前記圧電体に近い、弾性波装置。
【請求項２】
平面視において、前記支持部材は、角部を複数有し、
前記凹部は、前記複数の角部のうち少なくとも１つの角部に設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記支持部材の前記外面に設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記支持部材の前記内面及び前記外面に設けられている、請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
平面視において、前記支持部材は枠状の形状を有し、
前記凹部は、前記支持部材の全周に設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記機能電極がＩＤＴ電極である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項８】
請求項７に記載の高周波フロントエンド回路と、
ＲＦ信号処理回路と、
を備える、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に設けられている支持部材と、支持部材上に設けられているカバー部材とを有する。圧電基板上にはＩＤＴ電極が設けられており、ＩＤＴ電極は、圧電基板、支持部材及びカバー部材により囲まれた中空空間内に形成されている。このように、特許文献１の弾性波装置は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造の弾性波装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２７８９７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
弾性波装置には、製造工程や実装工程において熱が加えられる。また、弾性波装置を使用する場合においても、ＩＤＴ電極の発熱や、弾性波装置の外部から加えられる熱により、弾性波装置が高温になってしまうことがある。【０００５】
特許文献１に記載のようなＷＬＰ構造の弾性波装置においては、支持部材は圧電基板より熱膨張係数が大きいため、温度変化により、支持部材が圧電基板より大きく変形する傾向がある。そのため、圧電基板に大きい熱応力が加わり、圧電基板が破損することがあった。【０００６】
本発明の目的は、圧電基板等の圧電体に加わる応力を分散することができ、圧電体の破損が生じ難い、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置は、圧電体と、前記圧電体上に設けられている機能電極と、前記機能電極を囲むように、前記圧電体上に設けられている支持部材と、前記支持部材上に設けられているカバー部材とを備え、前記支持部材は、前記圧電体よりも熱膨張係数が大きく、前記機能電極は、前記圧電体、前記支持部材及び前記カバー部材により囲まれた中空空間内に設けられており、前記支持部材は、前記中空空間側の面である内面と、前記内面とは反対側の面である外面とを有し、かつ、前記内面及び前記外面のうち少なくとも一方に設けられている凹部を有する。【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記凹部において前記支持部材の前記内面と前記外面とを結ぶ方向に沿う長さを深さとしたときに、前記凹部における前記深さが最も深くなる部分は、前記カバー部材よりも前記圧電体に近い。この場合には、圧電体側は変形し難く、応力が集中し易いため、圧電体に加わる応力をより一層分散させることができる。【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、平面視において、前記支持部材は、角部を複数有し、前記凹部は、前記複数の角部のうち少なくとも１つの角部に設けられている。この場合には、角部においては、特に応力が集中し易いため、圧電体に加わる応力を効果的に分散させることができる。【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記凹部は、前記支持部材の前記外面に設けられている。この場合には、内面よりも外面への応力の方が集中し易いため、圧電体に加わる応力を効果的に分散させることができる。【００１１】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、平面視において、前記支持部材は枠状の形状を有し、前記凹部は、前記支持部材の全周に設けられている。この場合には、応力を吸収する場所が広範囲にかつ均一に存在するため、圧電体に加わる応力をより一層分散させることができる。【００１２】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記機能電極がＩＤＴ電極である。【００１３】
本発明の高周波フロントエンド回路は、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。【００１４】
本発明の通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、圧電基板等の圧電体に加わる応力を分散することができ、圧電体の破損が生じ難い、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態における支持部材付近の拡大正面断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【図４】図４は、ＷＬＰ構造の弾性波装置における、支持部材から圧電基板に加わる熱応力を模式的に示す模式的平面図である。
【図５】図５は、第１の比較例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。
【図６】図６は、第２の比較例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。
【図７】図７は、第３の比較例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施形態における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例における支持部材付近の拡大正面断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための正面断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための正面断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【図１６】図１６は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１８】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。図２は、第１の実施形態における支持部材付近の拡大正面断面図である。図３は、第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。なお、図１は、図３中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【００２０】
図１に示すように、弾性波装置１は、圧電体としての圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶からなる。なお、圧電基板２は、適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。
【００２１】
本実施形態では、圧電基板２上に、機能電極としてのＩＤＴ電極３が設けられている。なお、上記機能電極はＩＤＴ電極以外の機能電極であってもよい。圧電基板２上には、ＩＤＴ電極３に電気的に接続されている電極パッド７も設けられている。
【００２２】
ＩＤＴ電極３は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、ＮｉＣｒ、Ａｕなどからなる電極層を有する。ＩＤＴ電極３は、複数の電極層が積層された積層金属膜からなっていてもよく、単層の電極層からなっていてもよい。電極パッド７は、ＩＤＴ電極３と同様の材料からなる。
【００２３】
圧電基板２上には、ＩＤＴ電極３を覆うように、誘電体膜１０が設けられている。誘電体膜１０は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮなどからなる。誘電体膜１０を有することにより、ＩＤＴ電極３が破損し難い。また、誘電体膜１０がＳｉＮからなる場合には、周波数調整を容易に行うことができる。なお、誘電体膜１０は設けられていなくともよい。
【００２４】
圧電基板２上には、開口部４ａを有する支持部材４が設けられている。支持部材４は、開口部４ａによりＩＤＴ電極３を囲むように設けられている。支持部材４は、適宜の樹脂などからなる。そして、支持部材４は、圧電基板２よりも熱膨張係数が大きい。
【００２５】
支持部材４上には、開口部４ａを覆うように、カバー部材６が設けられている。本実施形態では、カバー部材６は、接着層６ａと、接着層６ａ上に積層された保護層６ｂとを有する。接着層６ａはアクリル酸エステル系樹脂からなる。保護層６ｂは、ＰＩからなる。これにより、支持部材４とカバー部材６との接合力を好適に高めることができ、かつ弾性波装置の耐久性を高めることもできる。なお、カバー部材６の材料は上記に限定されない。カバー部材６は単層であってもよい。
【００２６】
弾性波装置１は、圧電基板２、支持部材４及びカバー部材６により囲まれた中空空間Ａを有する。この中空空間Ａ内にＩＤＴ電極３が位置している。
【００２７】
支持部材４は、中空空間Ａ側の面である内面４ｂと、内面４ｂとは反対側の面である外面４ｃとを有する。圧電基板２とカバー部材６とを結ぶ方向を高さ方向としたときに、支持部材４の外面４ｃは、高さ方向に対して傾斜して延びている。なお、支持部材４の外面４ｃは、高さ方向に平行に延びていてもよい。
【００２８】
本実施形態では、外面４ｃに凹部５が設けられている。より具体的には、図２に示すように、凹部５は、外面４ｃにおけるカバー部材６と圧電基板２との間から、圧電基板２に接する部分にかけて設けられている。ここで、凹部５において、内面４ｂと外面４ｃとを結ぶ方向に沿う長さを深さとする。このとき、凹部５は、深さが最も深くなる部分である底部５ａを有する。底部５ａの位置は、高さ方向において、カバー部材６よりも圧電基板２に近い。凹部５においては、底部５ａから圧電基板２に接している部分にかけて、深さが徐々に浅くなっている。このように、凹部５は、底部５ａと圧電基板２に接している部分との間に位置している傾斜面５ｂを有する。なお、凹部５の形状は上記に限定されない。
【００２９】
図３に示すように、平面視において、支持部材４は矩形枠状の形状を有する。支持部材４は４つの辺４ｄと、４つの角部４ｅとを有する。外面４ｃの４つの辺４ｄの中央部付近及び４つの角部４ｅに、凹部５がそれぞれ設けられている。なお、凹部５が支持部材４に設けられている位置は、上記に限定されない。凹部５は、内面４ｂ及び外面４ｃのうち少なくとも一方に設けられていればよい。
【００３０】
図１に戻り、支持部材４及びカバー部材６を貫通するように、ビア電極８が設けられている。ビア電極８の一端は電極パッド７に接続されている。ビア電極８の他端に接合されるように、バンプ９が設けられている。バンプ９は、例えば、半田からなる。ＩＤＴ電極３は、電極パッド７、ビア電極８及びバンプ９を介して外部に電気的に接続される。このように、本実施形態の弾性波装置１は、ＷＬＰ構造の弾性波装置である。
【００３１】
本実施形態の特徴は、支持部材４が、外面４ｃに設けられている凹部５を有することにある。それによって、熱応力を分散することができ、圧電基板２の破損が生じ難い。これを、本実施形態と第１〜第３の比較例とを比較することにより、以下において説明する。
【００３２】
なお、第１〜第３の比較例は、凹部を有しない点で、第１の実施形態と異なる。第１の比較例における支持部材の外面は、高さ方向に平行に延びている。第２の比較例における支持部材の外面は、高さ方向に対して全体が傾斜して延びている。第３の比較例における支持部材の外面は、圧電基板に接している部分付近が高さ方向に対して傾斜して延びており、他の部分は高さ方向に平行に延びている。
【００３３】
第１の実施形態及び第１〜第３の比較例における熱応力の分布を比較した。
【００３４】
図４は、ＷＬＰ構造の弾性波装置における、支持部材から圧電基板に加わる熱応力を模式的に示す模式的平面図である。図５は、第１の比較例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。図６は、第２の比較例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。図７は、第３の比較例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。図８は、第１の実施形態における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。なお、図４においては、カバー部材、ビア電極や電極パッドを省略している。
【００３５】
弾性波装置に熱が加えられて温度が上がり、さらに弾性波装置から放熱されて温度が下がることによる温度サイクルにより、支持部材から圧電基板に大きい熱応力が加わる。より具体的には、図４中において矢印Ａで示すように、支持部材４の外面４ｃ側から内面４ｂ側に向かい応力が加わる。図５に示すように、第１の比較例においては、支持部材と圧電基板とが接する部分において、応力集中が生じていることがわかる。第１の比較例においては、応力の最大値は、７９．９８８ＭＰａとなっている。
【００３６】
図６及び図７に示すように、第２の比較例及び第３の比較例においても、支持部材と圧電基板とが接する部分において、応力集中が生じていることがわかる。第２の比較例においては、応力の最大値は８７．８４９ＭＰａとなっている。第３の比較例においては、応力の最大値は６６．３６ＭＰａとなっている。このように、第１〜第３の比較例においては、圧電基板に大きい応力が加わるため、圧電基板が破損し易い。
【００３７】
これに対して、第１の実施形態においては、支持部材が外面に設けられた凹部を有する。それによって、図８に示すように、応力が分散されていることがわかる。応力が分散されることにより、圧電基板に加わる応力も小さくなっていることがわかる。応力の最大値は５０．３３ＭＰａであり、第１〜第３の比較例より１６ＭＰａ以上小さい値となっている。さらに、応力が最大となる部分を凹部の底部付近に位置させることができ、応力が大きく加わる部分から圧電基板を遠ざけることができる。よって、圧電基板に加わる応力を効果的に小さくすることができる。従って、圧電基板を効果的に破損し難くすることができる。
【００３８】
上述したように、凹部の位置や形状は特に限定されない。図９は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図であり、図１０は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における圧電基板、支持部材及びカバー部材における熱応力の分布を示す拡大正面断面図である。図９に示すように、第１の実施形態の第１の変形例では、凹部は支持部材の外面の、高さ方向における全体に設けられている。図１０に示すように、第１の実施形態の第２の変形例では、支持部材の外面は高さ方向に平行に延びている。凹部は、外面における、カバー部材と圧電基板との間から、圧電基板にかけて設けられている。図９及び図１０に示すように、第１の変形例及び第２の変形例においても、応力を分散させることができる。よって、圧電基板の破損が生じ難い。
【００３９】
図２に示す本実施形態のように、凹部５は、圧電基板２にかけて傾斜面５ｂを有することが好ましい。この場合には、圧電基板２に加わる応力をより一層分散させることができる。
【００４０】
凹部５の底部５ａは、高さ方向において、カバー部材６よりも圧電基板２に近いことが好ましい。支持部材４は、圧電基板２側において変形し難い。そのため、圧電基板２に応力が集中し易い。よって、凹部５の底部５ａが圧電基板２に近いことにより、圧電基板２に加わる応力をより一層分散させることができる。
【００４１】
平面視において、凹部５は支持部材４の少なくとも１つの角部に設けられていることが好ましい。図４に示すように、支持部材４の矩形枠状の平面形状における各辺４ｄに接する部分において、圧電基板２に応力が加わる。角部４ｅにおいては、２つの辺４ｄが接しているため、圧電基板２に加わる応力は特に集中し易い。よって、図３に示すように、凹部５が角部４ｅに設けられていることにより、圧電基板２に加わる応力を効果的に分散させることができる。より好ましくは、凹部５は、支持部材４の全ての角部４ｅに設けられていることが望ましい。この場合には、圧電基板２に加わる応力をより一層分散させることができる。
【００４２】
凹部５は、支持部材４の外面４ｃに設けられていることが好ましい。支持部材４からは、支持部材４の外面４ｃ側から内面４ｂ側に向かう方向に、圧電基板２に熱応力が加わる。そのため、圧電基板２に加わる応力は、外面４ｃ側が特に大きい。よって、凹部５が外面４ｃに設けられていることにより、圧電基板２に加わる応力を効果的に分散させることができる。
【００４３】
なお、上述したように、凹部５は、支持部材４の内面４ｂ及び外面４ｃのうち少なくとも一方に設けられていればよい。この場合においても、内面４ｂ及び外面４ｃのうち凹部５が設けられている方の面と、圧電基板２とが接している部分付近に加わる応力を分散させることができ、圧電基板２が破損し難い。
【００４４】
図１１は、第１の実施形態の第３の変形例における支持部材付近の拡大正面断面図である。
【００４５】
第３の変形例では、凹部５は支持部材４の内面４ｂ及び外面４ｃに設けられている。この場合には、圧電基板２における、支持部材４の内面４ｂに接している部分付近及び外面４ｃに接している部分付近に加わる応力を効果的に分散させることができる。よって、圧電基板２がより一層破損し難い。
【００４６】
ところで、第１の実施形態では、圧電体は圧電基板２であるが、図１２に示す第１の実施形態の第４の変形例のように、圧電体は圧電薄膜２２であってもよい。例えば、圧電薄膜２２のＩＤＴ電極３が設けられている面とは反対側の面には、低音速膜２３が設けられていてもよい。低音速膜２３の圧電薄膜２２側とは反対側の面には、高音速部材２４が設けられていてもよい。
【００４７】
ここで、低音速膜２３とは、圧電薄膜２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速な膜である。低音速膜２３は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタルまたは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料などからなる。なお、低音速膜２３の材料は、相対的に低音速な材料であればよい。
【００４８】
高音速部材２４とは、圧電薄膜２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速な部材である。高音速部材２４は、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドを主成分とする材料などからなる。なお、高音速部材２４の材料は、相対的に高音速な材料であればよい。
【００４９】
高音速部材２４は、高音速膜であってもよく、あるいは、高音速基板であってもよい。このように、低音速膜２３及び高音速部材２４を有する場合、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
【００５０】
以下において、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法の一例を説明する。
【００５１】
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための正面断面図である。図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための正面断面図である。
【００５２】
図１３（ａ）に示すように、圧電基板２上にＩＤＴ電極３を形成する。ＩＤＴ電極３は、例えば、リフトオフ法やスパッタリング法などにより形成することができる。なお、スパッタリング法を用いる場合には、スパッタリング法により、ＩＤＴ電極３用の金属膜を形成する。次に、上記金属膜上に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する。次に、ドライエッチング法により、上記レジストパターンに沿い、上記金属膜をパターニングすることにより、ＩＤＴ電極３を形成することができる。電極パッド７は、ＩＤＴ電極３と同時に形成する。
【００５３】
次に、ＩＤＴ電極３を覆うように、圧電基板２上に誘電体膜１０を形成する。誘電体膜１０は、例えば、スパッタリング法などにより形成することができる。誘電体膜１０は、フォトリソグラフィ法及びドライエッチング法により、適宜パターニングを行うことができる。
【００５４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極３を囲むように、圧電基板２上に、支持部材用の樹脂層３４を、スピンコート法により形成する。なお、樹脂層３４は、電極パッド７を覆うように形成する。樹脂層３４に用いられる樹脂材料は特に限定されないが、上記樹脂材料としては、ＰＩが好適に用いられる。
【００５５】
次に、樹脂層３４のプリベークを行う。このとき、プリベークの温度を比較的に高温にすることが好ましい。これにより、樹脂層３４の露光感度を低下させることができ、樹脂層３４から形成される支持部材に、凹部を形成し易い。次に、樹脂層３４のベークを行う。樹脂層３４にＰＩを用いる場合、ベークの温度は、例えば、２２０℃程度とすることが好ましい。ベークにおける加熱に際し、昇温の速度を速くすることが好ましい。それによって、支持部材に凹部を形成し易い。樹脂層３４のベークを行うことにより、図１３（ｃ）に示すように、支持部材４を形成すると同時に、支持部材４に凹部５を形成する。なお、凹部５の形成は、支持部材４を形成した後に、支持部材４を切削することにより行ってもよい。
【００５６】
次に、図１４（ａ）に示すように、支持部材４上にカバー部材６を設ける。このとき、支持部材４上に接着層６ａを設けた後に接着層６ａ上に保護層６ｂを積層してもよい。あるいは、あらかじめ接着層６ａと保護層６ｂとを積層してカバー部材６を形成しておき、その後に、支持部材４上にカバー部材６を設けてもよい。
【００５７】
次に、図１４（ｂ）に示すように、カバー部材６及び支持部材４を貫通するように、貫通孔３８を形成する。電極パッド７に至るように貫通孔３８を形成する。貫通孔３８の形成は、例えば、レーザー光の照射や物理的な切削などにより行うことができる。
【００５８】
次に、貫通孔３８内に、電解めっき法などにより、図１４（ｃ）に示すように、ビア電極８を形成する。電極パッド７に接続するようにビア電極８を形成する。次に、ビア電極８に接合するように、バンプ９を設ける。
【００５９】
図１５は、第２の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【００６０】
弾性波装置１１は、平面視において、凹部１５が支持部材４の外面４ｃの全周に設けられている点で、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置１１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００６１】
弾性波装置１１においては、凹部５が外面４ｃの全周に設けられており、応力を吸収する場所が広範囲にかつ均一に存在している。本実施形態においては、圧電基板２が支持部材４の外面４ｃに接している部分全体において、応力を効果的に分散させることができる。よって、圧電基板２がより一層破損し難い。
【００６２】
上記弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
【００６３】
図１６は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
【００６４】
高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図１６の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
【００６５】
デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。
【００６６】
さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
【００６７】
すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
【００６８】
スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
【００６９】
ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
【００７０】
パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
【００７１】
ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をローノイズアンプ回路２２４へ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上述した各構成要素の間に、他の回路素子を備えていてもよい。
【００７２】
なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
【００７３】
他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
【００７４】
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサ等を備えることにより、圧電基板などの圧電体に加わる応力を分散することができ、圧電基板の破損が生じ難い。
【００７５】
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００７６】
本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【００７７】
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
４…支持部材
４ａ…開口部
４ｂ…内面
４ｃ…外面
４ｄ…辺
４ｅ…角部
５…凹部
５ａ…底部
５ｂ…傾斜面
６…カバー部材
６ａ…接着層
６ｂ…保護層
７…電極パッド
８…ビア電極
９…バンプ
１０…誘電体膜
１１…弾性波装置
１５…凹部
２２…圧電薄膜
２３…低音速膜
２４…高音速部材
３４…樹脂層
３８…貫通孔
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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