(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体。
【化１】
0006547087.tif 000037
（式中、Ｒ１は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基及び置換されていてもよいシクロアルキル基及び置換されていてもよいアリール基から選ばれる基を示す。
Ｒ２は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基及び置換されていてもよいシクロアルキル基から選ばれる基を示し、但し、Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である場合に、Ｒ１とＲ２とが同一となることはない。
Ｒ３は、一価の置換基を示す。ｎは、０〜４の整数を示す。＊はリン原子上の不斉中心を示す。）
【請求項２】
一般式（１）の式中のＲ１がｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ２が１，１，３，３−テトラメチルブチル基及びアダマンチル基から選ばれる基である請求項１記載の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体。
【請求項３】
一般式（１）の式中のＲ１がアダマンチル基又はフェニル基であり、Ｒ２がｔｅｒｔ−ブチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基及びアダマンチル基から選ばれる基である請求項１記載の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体。
【請求項４】
下記一般式（２）
【化２】
0006547087.tif 000038
（式中、Ｒ３及びｎは前記一般式（１）と同義。Ｘはハロゲン原子を示す。）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、下記一般式（３）
【化３】
0006547087.tif 000039
（式中、Ｒ１は前記一般式（１）と同義。）で表されるホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ芳香族求核置換反応（１）を行い、次いで脱ボラン化反応（１）を行って下記一般式（４）
【化４】
0006547087.tif 000040
（式中、Ｒ１、Ｒ３、及びｎは前記一般式（１）と同義。）で表されるホスフィノピラジン誘導体を得、次いで、該ホスフィノピラジン誘導体に、下記一般式（５）
【化５】
0006547087.tif 000041
（式中、Ｒ２及び＊は前記一般式（１）と同義。）で表される光学活性なホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ芳香族求核置換反応（２）を行って、次いで脱ボラン化反応（２）を行う請求項１記載の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法。
【請求項５】
下記一般式（１’）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法であって、
【化６】
0006547087.tif 000042
（式中、Ｒ１は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基及び置換されていてもよいシクロアルキル基及び置換されていてもよいアリール基から選ばれる基を示す。
Ｒ２’は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基及び置換されていてもよいシクロアルキル基から選ばれる基を示す。
Ｒ３は、一価の置換基を示す。ｎは、０〜４の整数を示す。＊はリン原子上の不斉中心を示す。）
下記一般式（２）
【化７】
0006547087.tif 000043
（式中、Ｒ３及びｎは前記一般式（１’）と同義。Ｘはハロゲン原子を示す。）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、下記一般式（３）
【化８】
0006547087.tif 000044
（式中、Ｒ１は一般式（１’）と同義。）で表されるホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ芳香族求核置換反応（１）を行い、次いで脱ボラン化反応（１）を行って下記一般式（４）
【化９】
0006547087.tif 000045
（式中、Ｒ１、Ｒ３及びｎは前記一般式（１’）と同義。）で表されるホスフィノピラジン誘導体を得、次いで、該ホスフィノピラジン誘導体と、下記一般式（５’）
【化１０】
0006547087.tif 000046
（式中、Ｒ２’は一般式（１’）と同義。＊は前記一般式（１’）と同義。）で表される光学活性なホスフィン−ボランと、脱ボラン化剤とを含む液と塩基とを混合して反応を行う、２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子とする遷移金属錯体。
【請求項７】
銅金属錯体である請求項６記載の遷移金属錯体。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の遷移金属錯体からなるヒドロホウ素化反応に用いられる不斉触媒。
【請求項９】
遷移金属錯体が銅金属錯体である請求項８記載の不斉触媒。
【請求項１０】
下記一般式（６）
【化１１】
0006547087.tif 000047
（式中、Ｒは水素原子、アルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、アラルキル基、置換アラルキル基、アリール基、置換アリール基、脂肪族複素環基、置換脂肪族複素環基、芳香族複素環基、置換芳香族複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換シリル基又は置換シリルオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルキルアミノカルボキシ基、置換アルキルアミノカルボキシ基、アリールアミノカルボキシ基、アルキルオキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基又はハロゲン原子を示す。ｔは０〜１０の整数を示す。）で表されるアルケン化合物を、請求項９に記載の不斉触媒の存在下に、下記一般式（７）
【化１２】
0006547087.tif 000048
（式中、Ｚは同一の又は異なる孤立電子対を有する原子を表し、隣り合うＺどうしをつなぐ点線は、Ｚに他の原子が結合していることを示す。隣り合うＺどうしは、他の原子を介して環を形成していてもよい。）で表されるジボロン化合物とカップリング反応に付する、下記一般式（８）
【化１３】
0006547087.tif 000049
（式中、Ｒ及びｔは前記一般式（６）と同義。Ｚは前記一般式（７）と同義。＊は不斉炭素原子であることを示す）で表される有機ホウ素化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体、その製造方法、遷移金属錯体、不斉触媒及び有機ホウ素化合物の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子は、遷移金属錯体を用いる触媒的不斉合成反応において重要な役割を果たしている。リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子としては、特許文献１に、１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体が提案されている。【０００３】
特許文献２には、２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体が提案されている。このピラジン誘導体は、ピラジン骨格に由来して電子求引性が極めて高く、またそれによってホスフィン部位のリン原子の電子密度が低くなっているという特徴を有する。
また、非特許文献１には、下記化学式（Ａ）で表される２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体が提案されている。【０００４】
【化１】
0006547087.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１９２８８号公報
【特許文献２】ＵＳ２００７０２１６１０  Ａ１
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｖｏｌ．７７，４１８４−４１８８（２０１２）
【発明の概要】
【０００７】
遷移金属錯体を用いる触媒的不斉合成反応の触媒には、更に触媒活性の優れたものが求められている。
例えば、ヒドロホウ素化反応は、一般にａｎｔｉ−Ｍａｒｋｏｖｎｉｋｏｖ型の位置選択性で反応が進行する。一方、Ｍａｒｋｏｖｎｉｋｏｖ型の選択性を示すヒドロホウ素化反応はスチレン型の基質に限られており、アルキル基が置換した末端アルケンにおける報告例は少なく、また、化学式（Ａ）で表される２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体を配位子として用いても、その基質応用範囲や選択性、収率は不十分なものであった。
【０００８】
従って、本発明の目的は、遷移金属錯体を用いる触媒的不斉合成反応に用いる触媒として有用な、リン原子上に不斉中心を有する新規な光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体、それを配位子とする遷移金属錯体、該遷移金属錯体を用いた不斉触媒及び該不斉触媒を用いたアルキル基が置換した末端アルケンを用いた不斉Ｍａｒｋｏｖｎｉｋｏｖ型ヒドロホウ素化反応による有機ホウ素化合物の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、下記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を提供するものである。
【化２】
0006547087.tif 000003
（式中、Ｒ１は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基及び置換されていてもよいアリール基から選ばれる基を示す。
Ｒ２は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基から選ばれる基を示し、但し、Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である場合に、Ｒ１とＲ２とが同一となることはない。
Ｒ３は、一価の置換基を示す。ｎは、０〜４の整数を示す。＊はリン原子上の不斉中心を示す。）【００１０】
また本発明は、下記一般式（２）
【化３】
0006547087.tif 000004
（式中、Ｒ３及びｎは前記一般式（１）と同義。Ｘはハロゲン原子を示す。）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、下記一般式（３）
【化４】
0006547087.tif 000005
（式中、Ｒ１は前記一般式（１）と同義。）で表されるホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ芳香族求核置換反応（１）を行い、次いで脱ボラン化反応（１）を行って下記一般式（４）
【化５】
0006547087.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ３、及びｎは前記一般式（１）と同義。）で表されるホスフィノピラジン誘導体を得、次いで、該ホスフィノピラジン誘導体に、下記一般式（５）
【化６】
0006547087.tif 000007
（式中、Ｒ２及び＊は前記一般式（１）と同義。）で表される光学活性なホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ求核置換反応（２）を行って、次いで脱ボラン化反応（２）を行う、前記光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法を提供するものである。【００１１】
また本発明は、  下記一般式（１’）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法であって、
【化７】
0006547087.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ３、ｎ及び＊は前記一般式（１）と同義。
Ｒ２’は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基から選ばれる基を示す。）
下記一般式（２）
【化８】
0006547087.tif 000009
（式中、Ｒ３及びｎは前記一般式（１）と同義。Ｘはハロゲン原子を示す。）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、下記一般式（３）
【化９】
0006547087.tif 000010
（式中、Ｒ１は一般式（１）と同義。）で表されるホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ芳香族求核置換反応（１）を行い、次いで脱ボラン化反応（１）を行って下記一般式（４）
【化１０】
0006547087.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ３及びｎは前記一般式（１）と同義。）で表されるホスフィノピラジン誘導体を得、次いで、該ホスフィノピラジン誘導体と、下記一般式（５’）
【化１１】
0006547087.tif 000012
（式中、Ｒ２’は一般式（１’）と同義。＊は前記一般式（１）と同義。）で表される光学活性なホスフィン−ボランと、脱ボラン化剤とを含む液と塩基とを混合して反応を行う、２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法を提供するものである。【００１２】
また、本発明は、前記光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子とする遷移金属錯体を提供するものである。
また、本発明は、前記遷移金属錯体からなる不斉触媒を提供するものである。【００１３】
また、本発明は、下記一般式（６）
【化１２】
0006547087.tif 000013
（式中、Ｒは水素原子、アルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、アラルキル基、置換アラルキル基、アリール基、置換アリール基、脂肪族複素環基、置換脂肪族複素環基、芳香族複素環基、置換芳香族複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換シリル基又は置換シリルオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルキルアミノカルボキシ基、置換アルキルアミノカルボキシ基、アリールアミノカルボキシ基、アルキルオキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基又はハロゲン原子を示す。ｔは０〜１０の整数を示す。）で表されるアルケン化合物を、前記不斉触媒の存在下に、下記一般式（７）
【化１３】
0006547087.tif 000014
（式中、Ｚは同一の又は異なる孤立電子対を有する原子を表し、隣り合うＺどうしをつなぐ点線は、Ｚに他の原子が結合していることを示す。隣り合うＺどうしは、他の原子を介して環を形成していてもよい。）で表されるジボロン化合物とカップリング反応に付する、下記一般式（８）
【化１４】
0006547087.tif 000015
（式中、Ｒ及びｔは前記一般式（６）と同義。Ｚは前記一般式（７）と同義。＊は不斉炭素原子であることを示す）で表される有機ホウ素化合物の製造方法を提供するものである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を好ましい実施形態に基づいて説明する。
前記一般式（１）で表される本発明の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体において、Ｒ１は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基及び置換されていてもよいアリール基から選ばれる基を示す。炭素数３以上の分岐状のアルキル基としては、例えば、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基（一般に「ｔｅｒｔ−オクチル基」と呼ばれることもある）等の炭素数３〜８のものが挙げられ、炭素数４〜８のものが好ましく、特にｔｅｒｔ−ブチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基が好ましい。
また、Ｒ１で表される置換されていてもよいシクロアルキル基としては、一般式（６）の式中のＲで表されるシクロアルキル基及び置換シクロアルキル基の例として、後述する基を挙げることができる。
また、Ｒ１で表されるアリール基及び置換されていてもよいアリール基としては、一般式（６）の式中のＲで表されるアリール基及び置換されていてもよいアリール基の例として、後述する基を挙げることができる。
【００１５】
前記一般式（１）において、Ｒ２は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、及び置換されていてもよいシクロアルキル基から選ばれる基を示す。触媒活性の高さや入手容易性等の点からＲ２で表される分岐状のアルキル基は炭素数が３〜８であるものが好ましく、特に炭素数４〜８であるものが好ましい。またＲ２で表される分岐状のアルキル基は三級アルキル基であることが好ましい。
なお、Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である場合に、Ｒ１とＲ２とが同一となることはない。詳細には、Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基のときは、Ｒ２で表される炭素数３以上の分岐状のアルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基以外のものであり、特に炭素数５〜８の分岐状の三級アルキル基が好ましい。Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基であるときには、Ｒ２で表される炭素数３以上の分岐状のアルキル基の特に好ましいものとしては、例えばアミル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基等が挙げられる。
Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基以外である炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアリール基のときには、Ｒ２で表される炭素数３以上の分岐状のアルキル基の特に好ましいものとしては、例えばｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基等が挙げられる。
【００１６】
Ｒ２で表される置換されていてもよいシクロアルキル基としては、一般式（６）の式中のＲで表されるシクロアルキル基及び置換シクロアルキル基の例として、後述する基を挙げることができる。
【００１７】
本発明において、Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基、アダマンチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基及び置換されていてもよいアリール基から選ばれる基であることが好ましく、特に好ましいＲ２との組み合わせを以下に示す。
【００１８】
前記一般式（１）において、Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基のときは、効果的に反応場の空間を遮蔽できる観点から、特にＲ２は１，１，３，３−テトラメチルブチル基又はアダマンチル基が好ましい。
【００１９】
前記一般式（１）において、Ｒ１がアダマンチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基又は置換されていてもよいアリール基のとき、同様に効果的に反応場の空間を遮蔽できる。この観点から、Ｒ１がアダマンチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基又は置換されていてもよいアリール基のときに、特にＲ２はｔｅｒｔ−ブチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基又はアダマンチル基が好ましい。Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基以外の基である場合、とりわけ、Ｒ１がアダマンチル基又は１，１，３，３−テトラメチルブチル基である場合、Ｒ２はｔｅｒｔ−ブチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基又はアダマンチル基であることが好ましい。特にＲ１がアダマンチル基である場合、Ｒ２はｔｅｒｔ−ブチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基又はアダマンチル基であることが特に好ましい。
【００２０】
前記一般式（１）において、Ｒ３は一価の置換基を示す。Ｒ３としては、一価の置換基であれば、特に制限はないが、例えば、直鎖状又は分岐状であり且つ炭素数が１〜５のアルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等が挙げられる。
【００２１】
また、前記一般式（１）のｎは、０〜４の整数を示し、＊はリン原子上の不斉中心を示す。
【００２２】
また、前記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体は、ピラジン骨格に起因する電子求引性によってホスフィン部位のＰ原子の電子密度が低められている。その結果、ホスフィン部位は空気による酸化に対して不活性になり、保存安定性が高い。一方で、ホスフィン部位の電子密度の低下性は触媒活性を損なうものではない。
【００２３】
前記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の具体的な化合物を例示すると、
２−[（１Ｓ）−（１−アダマンチル）（メチル）ホスファニル］−３−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスファニル）キノキサリン、（Ｓ）−２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスファニル）−３−［メチル（２，４，４−トリメチルペンタン−２−イル）ホスファニル］キノキサリン、２−［（ジアダマンタン−１−イル）ホスファニル］−３−［（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）ホスファニル］キノキサリン、（Ｓ）−２−（アダマンタン−１−イル（メチル）ホスファニル）−３−［（ジアダマンタン−１−イル）ホスファニル］キノキサリン、２−［（ジアダマンタン−１−イル）ホスファニル］−３−［（Ｓ）−メチル（２，４，４−トリメチルペンタン−２−イル）ホスファニル］キノキサリン）等が挙げられる。
【００２４】
次に、本発明に係る光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の好適な製造方法を説明する。
【００２５】
本発明の一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の第１の好適な製造方法は、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランを脱プロトン化させ、それによって生じた脱プロトン化物を、前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に作用させて求核置換反応（１）を行い、次いで脱ボラン化反応（１）を行い前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体を得、次いで、該一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランの脱プロトン化物を作用させて求核置換反応（２）を行い、次いで脱ボラン化反応（２）を行うものである。
即ち、本発明の一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法は、下記の４つの工程を有するものである。
（１）求核置換反応（１）を行う第１工程
（２）脱ボラン化反応（１）を行う第２工程
（３）求核置換反応（２）を行う第３工程
（４）脱ボラン化反応（２）を行う第４工程
【００２６】
第１工程は、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランを脱プロトン化させて、得られた脱プロトン化物を前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に作用させ、求核置換反応（１）を行って下記一般式（９）で表されるホスフィノピラジン−ボラン誘導体を得る工程である。
【００２７】
【化１５】
0006547087.tif 000016
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｘ及びｎは前記一般式（１）と同義。）
【００２８】
第１工程での反応は、前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体を含む液（以下、「Ａ液」と言う）を調製し、Ａ液とは別に前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランを脱プロトン化した液（以下、「Ｂ液」と言う）を調製する。
【００２９】
前記Ａ液に係る２，３−ジハロゲノピラジン誘導体は下記一般式（２）で表される。
【化１６】
0006547087.tif 000017
（式中、Ｒ３及びｎは前記一般式（１）と同義。Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００３０】
前記一般式（２）の式中のＸはハロゲン原子であり、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらのうち、Ｘとしては、塩素原子が好ましい。また、前記一般式（２）の式中のＲ３及びｎは前記一般式（１）の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の式中のＲ３及びｎに相当し、Ｒ３は一価の置換基を示し、ｎは、０〜４の整数を示す。
【００３１】
前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体は、市販品であってもよい。例えば、２，３−ジハロゲノピラジン等は、東京化成工業株式会社から入手可能である。
【００３２】
Ａ液は溶液であってもスラリーであってもよい。Ａ液で用いることができる溶媒としては、例えば、前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体を溶解することができ、また、前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジンに対して不活性な溶媒が好ましく用いられる。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。また、必ずしも完全に一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジンを溶解する必要はなく、スラリー状態からでも反応を開始することができる。
【００３３】
Ａ液中の前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体の濃度は、０．１〜８０質量％、特に１〜３０質量％とすることが反応性及び生産性の観点から好ましい。
【００３４】
前記Ｂ液は、ホスフィン−ボランを脱プロトン化させたホスフィンボラン化合物を含む溶液である。
【００３５】
前記Ｂ液に係るホスフィン−ボランは下記一般式（３）で表される。
【化１７】
0006547087.tif 000018
（式中、Ｒ１は前記一般式（１）と同義。）
【００３６】
前記一般式（３）の式中のＲ１は、前記一般式（１）の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の式中のＲ１に相当する。つまり、式（３）のＲ１は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基及び置換されていてもよいアリール基から選ばれる基を示し、その具体例や好ましい基は式中のＲ１について上述した通りである。
【００３７】
前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランは、公知の方法によって製造することができる。一般式（３）で表されるホスフィン−ボランの製造方法としては、例えば特開２００１−２５３８８９号公報、特開２００３−３００９８８号公報、特開２００７−７０３１０号公報、特開２０１０−１３８１３６号公報及びＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ，２０００，ｖｏｌ．６５，Ｐ４１８５−４１８８等が挙げられる。
【００３８】
前記Ｂ液の調製では、例えば、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランを溶媒に溶解し、次いで塩基を添加する。これにより、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランの脱プロトン化を行うことができる。
【００３９】
前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランを溶解する溶媒は、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボラン及び該ホスフィン−ボランから脱プロトン化により生成されるホスフィン化合物に対して不活性な溶媒であれば、特に制限なく用いることができる。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。
【００４０】
Ｂ液の調製において、溶媒中の前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランの濃度は１〜８０質量％、特に５〜３０質量％とすることが反応性及び生産性の観点から好ましい。
【００４１】
Ｂ液の脱プロトン化で用いる塩基としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）、sec−ブチルリチウムリチウム、ジイソプロピルアミド、メチルマグネシウムブロミド、ｔ−ブトキシカリウム、ヒューニッヒ塩基、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられ、好ましくはｎ−ブチルリチウムである。
【００４２】
塩基の添加量は、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランに対する塩基のモル比で１．０〜１．５、特に１．０〜１．２とすることが経済性と反応性の観点から好ましい。
【００４３】
前記塩基の添加温度は−２０〜２０℃、特に−２０〜０℃とすることが反応性と副反応の防止の観点から好ましい。
【００４４】
前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランを含む液に、塩基を添加することにより、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランの脱プロトン化が速やかに行われるが、必要に応じて脱プロトン化の反応を完結させるため塩基の添加終了後に引き続き熟成反応を行うことができる。
【００４５】
第１工程での反応において、Ａ液をＢ液へ、又はＢ液をＡ液へ添加することで求核置換反応（１）を行って、前記一般式（９）で表されるホスフィノピラジン−ボラン誘導体を得ることができる。
【００４６】
Ａ液又はＢ液の添加は、Ａ液中の前記一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に対する、前記一般式（３）で表されるホスフィン−ボランから脱プロトン化されたホスフィン化合物のモル比で１．０〜２．０、特に１．０〜１．５となるように添加することが反応性と経済性の観点から好ましい。
【００４７】
また、Ａ液又はＢ液の添加速度は、安定した品質のものを得る観点から一定速度であることが好ましい。
【００４８】
Ａ液又はＢ液の添加温度は、−２０〜５０℃、特に−２０〜５℃とすることが反応性と副反応の防止の観点から好ましい。
【００４９】
Ａ液又はＢ液の添加後、必要により引続き求核置換反応（１）を完結させるため熟成反応を行うことができる。この熟成反応を行う場合の反応温度は−２０〜８０℃、特に０〜５０℃とすることが反応速度と得られる目的物の純度の観点から好ましい。
【００５０】
求核置換反応（１）終了後、必要により分液洗浄、抽出、蒸留、脱溶媒等の常法の精製を行って、前記一般式（９）で表されるホスフィノピラジン−ボラン誘導体を得る。
【００５１】
第２工程は、第１工程で得られた前記一般式（９）で表されるホスフィノピラジン−ボラン誘導体を脱ボラン化剤により溶媒中で脱ボラン化反応（１）させて下記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体を得る工程である。
【００５２】
【化１８】
0006547087.tif 000019
（式中、Ｒ１、Ｒ３及びｎは前記一般式（１）と同義。Ｘは前記一般式（２）と同義）
【００５３】
第２工程で用いることができるボラン化剤としては、例えばＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、トリエチレンジアミン（ＤＡＢＣＯ）、トリエチルアミン、ＨＢＦ４、トリフルオロメタンスルホン酸等が挙げられるが、好ましくはＴＭＥＤＡである。前記脱ボラン化剤の添加量としては、前記一般式（９）で表されるホスフィノピラジン−ボラン誘導体に対し、通常２〜２０当量であり、好ましくは３〜１０当量である。
【００５４】
第２工程で用いることができる溶媒としては、前記一般式（９）で表されるホスフィノピラジン−ボラン誘導体を溶解することができ、該ホスフィノピラジン−ボラン誘導体及び生成する一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に対して不活性な溶媒であれば特に制限なく用いることができる。例えば、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられ、これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。
【００５５】
前記脱ボラン化反応（１）の反応温度は、好ましくは−２０〜８０℃、より好ましくは−２０〜５０℃とすることが反応速度と得られる目的物の純度の観点から好ましい。また、脱ボラン化反応（１）の反応時間は、好ましくは３０分以上、より好ましくは１〜５時間である。
【００５６】
脱ボラン化反応（１）の終了後、必要により、分液洗浄、抽出、カラムクロマトグラフィー、蒸留、脱溶媒等の常法の精製を行って前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体を得る。
【００５７】
第３工程は、第２工程で得られた前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ、求核置換反応（２）を行って下記一般式（１０）で表される光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体を得る工程である。
【００５８】
【化１９】
0006547087.tif 000020
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｎ及び＊は前記一般式（１）と同義）
【００５９】
第３工程での反応は、前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体を含む液（以下、「Ｃ液」と言う）を調製し、Ｃ液とは別に前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランを脱プロトン化した液（以下、「Ｄ液」と言う）を調製する。
【００６０】
Ｃ液は溶液であってもスラリーであってもよい。Ｃ液で用いることができる溶媒としては、例えば、前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体を溶解することができ、また、前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に対して不活性な溶媒が好ましく用いられる。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。また、必ずしも完全に一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体を溶解する必要はなく、スラリー状態からでも反応を開始することができる。
【００６１】
Ｃ液中の前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体の濃度は、０．１〜８０質量％、特に１〜５０質量％とすることが生産性と副反応の制御の観点から好ましい。
【００６２】
前記Ｄ液は、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランを脱プロトン化させた光学活性なホスフィンボラン化合物を含む溶液である。
【００６３】
前記Ｄ液に係る光学活性なホスフィン−ボランは下記一般式（５）で表される。
【化２０】
0006547087.tif 000021
（式中、Ｒ２及び＊は前記と同義。）
【００６４】
前記一般式（５）の式中のＲ２は、前記一般式（１）の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の式中のＲ２に相当する。つまり、式（４）のＲ１がｔｅｒｔ−ブチル基のときには式（５）のＲ２はｔｅｒｔ−ブチル基以外であることを条件として、式（５）のＲ２は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基及び置換されていてもよいシクロアルキル基から選ばれる基を示す。式（５）のＲ２の例及び好ましいものとしては、式（１）のＲ２について上述したものが挙げられる。例えば式（５）のＲ２で表される炭素数３以上の分岐状のアルキル基としては、炭素数４〜８の分岐状の三級アルキル基が好ましい。式（４）のＲ１がｔｅｒｔ−ブチル基以外の基のときには、式（５）のＲ２で表される炭素数３以上の分岐状のアルキル基としては、例えばｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基等が挙げられる。式（４）のＲ１がｔｅｒｔ−ブチル基である場合には、式（５）のＲ２で表される炭素数３以上の分岐状のアルキル基としては、例えばアミル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基等が挙げられる。
【００６５】
前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランは、公知の方法によって製造することができる。一般式（５）で表されるホスフィン−ボランの製造方法としては、例えば特開２００１−２５３８８９号公報、特開２００３−３００９８８号公報、特開２００７−７０３１０号公報、特開２０１０−１３８１３６号公報及びＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ，２０００，ｖｏｌ．６５，Ｐ４１８５−４１８８等が挙げられる。
【００６６】
前記Ｄ液の調製では、例えば、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランを溶媒に溶解し、次いで塩基を添加する。これにより、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランの脱プロトン化を行うことができる。
【００６７】
前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランを溶解する溶媒は、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボラン及び該光学活性なホスフィン−ボランから脱プロトン化により生成される光学活性なホスフィン化合物に対して不活性な溶媒であれば、特に制限なく用いることができる。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。
【００６８】
Ｄ液の調製において、溶媒中の前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランの濃度は１〜８０質量％、特に５〜３０質量％とすることが反応性及び生産性の観点から好ましい。
【００６９】
Ｄ液の脱プロトン化で用いる塩基としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウムリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、メチルマグネシウムブロミド、ｔ−ブトキシカリウム、ヒューニッヒ塩基、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられ、好ましくはｎ−ブチルリチウムである。
【００７０】
塩基の添加量は、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランに対する塩基のモル比で１．０〜２．０、特に１．０〜１．５とすることが経済性と反応性の観点から好ましい。
【００７１】
前記塩基の添加温度は−２０〜２０℃、特に−２０〜０℃とすることが前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランの光学純度を保ったまま脱プロトン化することができる観点から好ましい。
【００７２】
前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランを含む液に、塩基を添加することにより、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィンーボランの脱プロトン化が速やかに行われるが、必要に応じて脱プロトン化の反応を完結させるため塩基の添加終了後に引き続き熟成反応を行うことができる。
【００７３】
第３工程での反応において、Ｃ液をＤ液へ、又はＤ液をＣ液へ添加することで求核置換反応（２）を行って、前記一般式（１０）で表される光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体を得ることができる。
【００７４】
Ｃ液又はＤ液の添加は、Ｃ液中の前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に対する、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランから脱プロトン化された光学活性なホスフィン化合物のモル比で１．０〜２．０、特に１．０〜１．５となるように添加することが反応性と経済性の観点から好ましい。
【００７５】
また、Ｃ液又はＤ液の添加速度は、安定した品質のものを得る観点から一定速度で添加することが好ましい。
【００７６】
Ｃ液又はＤ液の添加温度は、−２０〜５０℃、特に−２０〜０℃とすることが光学純度が高いものを高収率で得る観点から好ましい。
【００７７】
Ｃ液又はＤ液の添加後、必要により引続き求核置換反応（２）を完結させるため熟成反応を行うことができる。この熟成反応を行う場合の反応温度は−２０〜５０℃、特に−２０〜３０℃とすることが光学純度が高いものを高収率で得る観点から好ましい。
【００７８】
求核置換反応（２）終了後、必要により分液洗浄、抽出、蒸留、脱溶媒等の常法の精製を行って前記一般式（１０）で表される光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体を得る。
【００７９】
第４工程は、第３工程で得られた前記一般式（１０）で表される光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体を脱ボラン化剤により脱ボラン化反応（２）を溶媒中で行って目的とする下記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る工程である。
【００８０】
【化２１】
0006547087.tif 000022
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｎ及び＊は前記と同義。）
【００８１】
第４工程で用いることができるボラン化剤としては、例えばＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、トリエチレンジアミン（ＤＡＢＣＯ）、トリエチルアミン、ＨＢＦ４、トリフルオロメタンスルホン酸等が挙げられるが、好ましくはＴＭＥＤＡである。前記脱ボラン化剤の添加量としては、前記一般式（１０）で表される光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体に対し、通常２〜２０当量であり、好ましくは３〜１０当量である。
【００８２】
第４工程で用いることができる溶媒としては、前記一般式（１０）で表されるホスフィノピラジン−ボラン誘導体を溶解することができ、該ホスフィノピラジン−ボラン誘導体及び生成する一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体に対して不活性な溶媒であれば特に制限なく用いることができる。例えば、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられ、これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。
【００８３】
前記脱ボラン化反応（２）の反応温度は、好ましくは−２０〜８０℃、より好ましくは−２０〜５０℃とすることが光学純度の高い前記一般式（１）で表される２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る観点から好ましい。また、脱ボラン化反応（２）の反応時間は、３０分以上、特に１〜１０時間であることが好ましい。
【００８４】
脱ボラン化反応（２）の終了後、必要により、分液洗浄、抽出、晶析、蒸留、昇華、カラムクロマトグラフィーの常法の精製を行って目的とする前記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る。
【００８５】
また、本発明の一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法は、前述した第１工程及び第２工程を行った後に、下記の第Ａ工程を行う方法（以下、「第２の製造方法」ともいう）でも製造することができる。
第Ａ工程は、第２工程で得られた前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体と、前記一般式（５）で表される光学活性なホスフィン-ボラン及び脱ボラン化剤を含む液（以下、「Ｙ液」と言う）に、塩基を添加して一気に一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る工程である。
【００８６】
なお、第２の製造方法は、Ｒ１及びＲ２がいずれもｔ−ブチルであることを許容する。以下では、Ｒ１及びＲ２がいずれもｔ−ブチルであることを許容する場合の一般式（１）を一般式（１’）と記載し、一般式（５）を一般式（５’）と記載する。一般式（１）と一般式（１’）とはＲ１及びＲ２がいずれもｔ−ブチルである場合を前者が含まず、後者が含む点以外は同じである。一般式（５）と一般式（５’）との関係も同様である。
【００８７】
Ｙ液中の一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体の含有量は、Ｙ液全量に対して、１〜５０質量％、好ましくは５〜２０質量％である。
前記一般式（５’）で表される光学活性なホスフィン−ボランは、上述した通り、前述した通りＲ１及びＲ２がいずれもｔ−ブチルである場合を許容する以外は第３工程で用いた一般式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランと同じものを用いることができる。前記一般式（５’）で表される光学活性なホスフィン-ボランの添加量は、前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に対するモル比で１．０〜２．０、特に１．０〜１．５となるように添加することが反応性と経済性の観点から好ましい。
【００８８】
第Ａ工程で用いる脱ボラン化剤は、前述した第３工程と同じものを用いることができる。脱ボラン化剤の添加量は、一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に対して、通常２〜２０当量であることが好ましく、３〜１０当量であることがより好ましい。
【００８９】
Ｙ液は、前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体と、前記一般式（５’）で表される光学活性なホスフィン-ボラン及び脱ボラン化剤が溶媒に溶解又は分散されている液である。
Ｙ液に用いられる溶媒としては、前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体を溶解又は分散することができ、前記一般式（４）で表されるホスフィノピラジン誘導体に対して不活性な溶媒であれば、特に制限はない。Ｙ液の調製に用いることができる溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いることができる。
【００９０】
第Ａ工程に係る塩基としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、メチルマグネシウムブロミド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ヒューニッヒ塩基、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。これらのうち、第Ａ工程に係る塩基としては、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドが、反応収率が優れ、品質が優れたものが得られる点で好ましい。
【００９１】
第Ａ工程では、Ｙ液と塩基とを混合して反応を行い、一般式（１’）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る。Ｙ液と塩基とを混合する方法としては、Ｙ液に塩基を添加することが好ましい。Ｙ液に塩基を添加する場合、第Ａ工程では、塩基が溶媒に溶解されている溶液（以下、「Ｚ液」と言う）をＹ液に添加してもよいし、塩基を固体としてＹ液に添加してもよい。第Ａ工程では、Ｙ液にＺ液を添加することが、反応を制御し易く、また、安定した品質のものが得られやすい点で好ましい。
【００９２】
Ｚ液中の塩基の含有量は、特に制限されないが、Ｚ液全量に対し、１〜５０質量％、好ましくは５〜３０質量％であることが、反応性及び生産性が高い点で好ましい。
Ｚ液に用いられる溶媒は、塩基を溶解することができ、不活性な溶媒であれば、特に制限されない。Ｚ液に係る溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は混合溶媒として用いられる。
【００９３】
第Ａ工程において、Ｙ液への塩基の添加量は、Ｙ液中の一般式（５’）で表される光学活性なホスフィン−ボラン１モルに対して、１．０〜１．５モル、好ましくは１．０〜１．２モルであることが、経済性が高く、反応性が高い点で好ましい。
【００９４】
第Ａ工程において、固体又は液体の塩基をＺ液としてＹ液に添加する場合又は液体の塩基をＹ液に添加する場合、Ｙ液への塩基の添加速度は、副反応が起らない範囲で反応熱が制御できれば、特に制限されないが、Ｙ液への塩基の添加速度は、安定した品質のものが得られる点で、一定速度であることが好ましい。固体の塩基を直接Ｙ液に添加する場合、反応熱の様子をみながら固体の塩基を分割添加することが望ましい。
【００９５】
第Ａ工程において、Ｙ液に塩基を添加するときのＹ液の温度（反応液の温度）は、工業的に有利な点で−２５〜５０℃が好ましく、特に光学純度が高いものが高収率で得られる点で−２５〜２０℃が好ましい。
【００９６】
第Ａ工程では、Ｙ液に塩基を添加した後、必要により、反応を完結させるために熟成を行うことができる。熟成を行う場合の熟成温度は、工業的に有利な点で−２５〜８０℃が好ましく、特に光学純度が高いものが高収率で得られる点で−２５〜３０℃が好ましい。
終了後、必要により、分液洗浄、抽出、晶析、蒸留、昇華、カラムクロマトグラフィーの常法の精製を行って目的とする前記一般式（１’）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る。
【００９７】
本発明に係る前記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体は、配位子として、遷移金属と共に錯体を形成することができる。この遷移金属錯体は不斉合成触媒として有用なものである。不斉合成としては、例えば、オレフィンのヒドロホウ素化反応、Enantioselective Substitution of Allylic Carbonates with Diboron、Dearomatization/Borylation of Pyridinesによる光学活性ピぺリジン及びテトラヒドロキノリン誘導体化合物の合成、アリルアセタール誘導体及びアリルケタール誘導体へのエナンチオ選択的ホウ素化反応、デヒドロアミノ酸の不斉水素化反応、Ｃ−Ｃ結合やＣ−Ｎ結合を伴う不斉カップリング反応、不斉ヒドロシリル化反応、不斉マイケル反応等が挙げられる。
【００９８】
錯体を形成することができる遷移金属としては、例えば、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、ニッケル、鉄、銅等が挙げられ、好ましくはロジウム金属、パラジウム金属又は銅金属である。
【００９９】
一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法としては、上記の通りであるが、前述した第１工程〜第４工程を有する製造方法において、一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、脱プロトン化された式（３）で表されるホスフィン−ボランを先に作用させる代わりに、脱プロトン化された式（５）で表される光学活性なホスフィン−ボランを先に作用させて芳香族求核置換反応及び脱ボラン化反応を行ってもよい。その場合は、得られたホスフィノピラジン誘導体に対し、脱プロトン化された式（３）で表されるホスフィン−ボランを作用させて芳香族求核置換反応及び脱ボラン化反応を行うことにより、式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る。
しかしながら、上記の通り、先に脱プロトン化された式（３）で表されるホスフィン−ボランを作用されることで、式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を光学純度の高めて得ることができるため、好ましい。
なお、前述した第１工程、第２工程及び第Ａ工程を有する場合も同様に、一般式（２）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、脱プロトン化された式（３）で表されるホスフィン−ボランを先に作用させる代わりに、脱プロトン化された式（５’）で表される光学活性なホスフィン−ボランを先に作用させる方法も考えられるが、脱プロトン化された式（３）で表されるホスフィン−ボランを先に作用させ、その後で式（５’）で表される光学活性なホスフィン−ボランを作用させることで、式（１’）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を光学純度の高めて得ることができるため、好ましい。
【０１００】
一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子としてロジウム金属と共に錯体を形成させる方法としては、例えば、実験化学講座第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行第１８巻 ３２７〜３５３頁）に記載されている方法に従えばよく、例えば、一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体と、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウムヘキサフルオロアンチモン酸塩、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩等と反応させることにより、ロジウム錯体を製造することができる。
【０１０１】
一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子としてパラジウム金属と共に錯体を形成させる方法としては、例えば“Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉ ａｎｄ Ｔ．Ｈａｙａｓｈｉ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，１１３，９８８７．”に記載の方法に従い、例えば、一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体と、π−アリルパラジウムクロリドを反応させることにより、パラジウム錯体を製造することができる。
【０１０２】
一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子として銅金属と共に錯体を形成させる方法としては、例えば、一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体とＣｕ（ＯｔＢｕ）を溶媒中で混合する事で容易に製造することができる。また、２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体共存下、銅（Ｉ）塩とＫＯｔＢｕを溶媒中で混合することにより、製造することもできる。銅（Ｉ）塩としては、例えば、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＣｕＰＦ６、ＣｕＢＰｈ４、ＣｕＢＦ４、ＣｕＯＡｃ、ＣｕＢＦ４（ＭｅＣＮ）４等が挙げられる。１価のＣｕイオンと一般式（１）で表される誘導体は、通常モル比１：１で錯体を形成する。
【０１０３】
一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子として銅金属と共に錯体を形成させた銅金属錯体（以下、単に「銅金属錯体」ということがある）は、特にヒドロホウ素化反応等の種々のホウ素化反応の不斉触媒として有用である。
【０１０４】
本発明に係る有機ホウ素化合物の製造方法は、本発明の銅金属錯体を不斉触媒として用いて末端アルケンのＭａｒｋｏｖｎｉｋｏｖ選択的ヒドロホウ素化反応により、有機ホウ素化合物を製造するものである。
即ち、本発明に係る有機ホウ素化合物の製造方法は、本発明の銅金属錯体を不斉触媒（以下、単に「不斉触媒」ということがある。）として用いて、前記一般式（６）で表されるアルケン化合物を、該不斉触媒の存在下に前記一般式（７）で表されるジボロン化合物とをカップリング反応に付して前記一般式（８）で表される有機ホウ素化合物を製造するものである。
【０１０５】
本発明の有機ホウ素化合物の製造方法における出発原料であるアルケン化合物は、下記一般式（６）で表される。
【化２２】
0006547087.tif 000023
（式中、Ｒは水素原子、アルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、アラルキル基、置換アラルキル基、アリール基、置換アリール基、脂肪族複素環基、置換脂肪族複素環基、芳香族複素環基、置換芳香族複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換シリル基又は置換シリルオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルキルアミノカルボキシ基、置換アルキルアミノカルボキシ基、アリールアミノカルボキシ基、アルキルオキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基又はハロゲン原子を示す。ｔは０〜１０の整数を示す。）
【０１０６】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。例えば炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、５−メチルペンチル基等が挙げられる。
【０１０７】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるシクロアルキル基は、例えば炭素数３〜７のシクロアルキル基が挙げられる。具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、２−メチルシクロペンチル基、３−メチルシクロペンチル基、シクロヘプチル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。
【０１０８】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアラルキル基としては、例えば炭素数７〜１２のアラルキル基が挙げられる。具体的にはベンジル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、２−フェニルプロピル基、３−フェニルプロピル基、１−フェニルブチル基、２−フェニルブチル基、３−フェニルブチル基、４−フェニルブチル基、１−フェニルペンチル基、２−フェニルペンチル基、３−フェニルペンチル基、４−フェニルペンチル基、５−フェニルペンチル基、１−フェニルヘキシル基、２−フェニルヘキシル基、３−フェニルヘキシル基、４−フェニルヘキシル基、５−フェニルヘキシル基、６−フェニルヘキシル基等が挙げられる。
【０１０９】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアリール基としては、例えば炭素数６〜１８のアリール基が挙げられる。具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基等が挙げられる。
【０１１０】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される脂肪族複素環基としては、例えば５員又は６員の脂肪族複素環基が好ましく、異種原子として１〜３個の例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる脂肪族複素環基が挙げられる。具体的にはピロリジル−２−オン基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
【０１１１】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される芳香族複素環基としては、例えば５員又は６員の単環の芳香族複素環基や多環の芳香族複素環基が好ましく、異種原子として１〜３個の例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる芳香族複素環基が挙げられる。具体的にはピリジル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、フルフリル基、ピラニル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基等が挙げられる。
【０１１２】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、或いは環状でもよい。例えば炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、５−メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【０１１３】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアラルキルオキシ基としては、例えば炭素数７〜１２のアラルキルオキシ基が挙げられる。具体的にはベンジルオキシ基、２−フェニルエトキシ基、１−フェニルプロポキシ基、２−フェニルプロポキシ基、３−フェニルプロポキシ基、１−フェニルブトキシ基、２−フェニルブトキシ基、３−フェニルブトキシ基、４−フェニルブトキシ基、１−フェニルペンチルオキシ基、２−フェニルペンチルオキシ基、３−フェニルペンチルオキシ基、４−フェニルペンチルオキシ基、５−フェニルペンチルオキシ基、１−フェニルヘキシルオキシ基、２−フェニルヘキシルオキシ基、３−フェニルヘキシルオキシ基、４−フェニルヘキシルオキシ基、５−フェニルヘキシルオキシ基、６−フェニルヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【０１１４】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアリールオキシ基としては、例えば炭素数６〜１４のアリールオキシ基が挙げられる。具体的にはフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。
【０１１５】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアルキルオキシカルボニル基は、直鎖状でも分枝状でもよい。例えば炭素数２〜７のアルキルオキシカルボニル基が挙げられる。具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【０１１６】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアラルキルオキシカルボニル基としては、例えば炭素数８〜１２のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。具体的にはベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基等が挙げられる。
【０１１７】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換アルキル基としては、上記アルキル基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基又は保護基を有するアミノ基等の置換基で置換されたアルキル基が挙げられる。
【０１１８】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換シクロアルキル基としては、上記シクロアルキル基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基又は保護基を有するアミノ基等の置換基で置換されたシクロアルキル基が挙げられる。
【０１１９】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換アラルキル基としては、上記アラルキル基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基等の置換基で置換されたアラルキル基が挙げられる。
【０１２０】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換アリール基としては、上記アリール基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基等の置換基で置換されたアリール基、又は上記アリール基の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基等の置換基で置換されたアリール基が挙げられる。
【０１２１】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換脂肪族複素環基としては、上記脂肪族複素環基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等の置換基で置換された脂肪族複素環基が挙げられる。
【０１２２】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換芳香族複素環基としては、上記芳香族複素環基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等の置換基で置換された芳香族複素環基が挙げられる。
【０１２３】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換アルコキシ基としては、上記アルコキシ基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基又は保護基を有するアミノ基等の置換基で置換されたアルコキシ基が挙げられる。
【０１２４】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換アラルキルオキシ基としては、上記アラルキルオキシ基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基等の置換基で置換されたアラルキルオキシ基が挙げられる。
【０１２５】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換アリールオキシ基としては、上記アリールオキシ基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基等の置換基で置換されたアリールオキシ基、又は上記アリールオキシ基の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基等で置換されたアリールオキシ基が挙げられる。
【０１２６】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換シリル基としては、シリル基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基、アリール基等の置換基で置換されたシリル基が挙げられる。
【０１２７】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換シリルオキシ基としては、シリルオキシ基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基、アリール基等の置換基で置換されたシリルオキシ基が挙げられる。
【０１２８】
上記置換基、即ち、置換アルキル基、置換シクロアルキル基、置換アラルキル基、置換アリール基、置換脂肪族複素環基、置換芳香族複素環基、置換アルコキシ基、置換アラルキルオキシ基、置換アリールオキシ基及び置換アミノ基における各置換基を以下に説明する。
【０１２９】
置換基としてのアルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基の例としては、上記Ｒで表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基の例がそれぞれ挙げられる。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【０１３０】
アルキレンジオキシ基としては、例えば炭素数１〜３のアルキレンジオキシ基が挙げられ、具体的にはメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基、トリメチレンジオキシ基等が挙げられる。
【０１３１】
ハロゲン化アルキル基としては、例えば上記アルキル基がハロゲン化（例えばフッ素化、塩素化、臭素化、沃素化等。）された炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基が挙げられる。具体的にはクロロメチル基、ブロモメチル基、トリフルオロメチル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基、３−ブロモプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等が挙げられる。
【０１３２】
アルキル基置換アミノ基としては、アミノ基の水素原子の１個又は２個が上記アルキル基及び／又は上記シクロアルキル基で置換されたアミノ基が挙げられる。アルキル基置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基等のモノ置換アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等のジ置換アミノ基等が挙げられる。
【０１３３】
保護基としては、アミノ保護基として用いられるものであれば何れも使用可能であり、例えば「PROTECTIVE GROUPS IN ORGANIC SYNTHESIS Second Edition（JOHN WILEY & SONS, INC.）」にアミノ保護基として記載されているものが挙げられる。アミノ保護基の具体例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【０１３４】
ここでいうアルキル基、シクロアルキル基及びアラルキル基の例としては、上記Ｒで表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基の例がそれぞれ挙げられる。アシル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でも良い。カルボン酸由来の例えば炭素数２〜７のアシル基が挙げられる。具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。アルキルオキシカルボニル基としては、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【０１３５】
保護基を有するアミノ基は、上記保護基で保護されたアミノ基が挙げられる。保護基を有するアミノ基の具体例としては、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基、ベンジルオキシカルボニルアミノ基、環状アミノ基等が挙げられる。
【０１３６】
環状アミノ基としては、ブチレン基、ペンチレン基等のアルキレン鎖、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ−基等が窒素原子に結合した環状アミンが挙げられ、その具体例としては、モルホリノ基、ピペリジノ基、１，３−オキサゾリン−２−オン−１−イル基等が挙げられる。
【０１３７】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表される置換アミノ基としては、アミノ基及び保護基を有するアミノ基として上記で例示したものが挙げられる。
【０１３８】
前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるアルキルアミノカルボキシ基、置換アルキルアミノカルボキシ基及びアリールアミノカルボキシ基としては、−ＣＯＮ（Ｒｍ）2（Ｒｍは炭素数１〜８の置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜１２のアリール基、又は水素原子であり、Ｒｍの少なくとも１つは炭素数１〜８の置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換の炭素数６〜１２のアリール基である）で表されるものが挙げられる。ここでいう置換アルキル基及び置換アリール基における置換基の例としては、Ｒで表される置換アルキル基及び置換アリール基における置換基の例として上記で挙げたものと同様のものが挙げられる。
【０１３９】
また前記一般式（６）の式中、Ｒで表される、アルキルオキシカルボニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ、イソプロポキシカルボニルオキシ、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ、イソブトキシカルボニルオキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ、ネオペンチルオキシカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシカルボニルオキシ、イソヘキシルオキシカルボニルオキシ、３−メチルペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロプロピルオキシカルボニルオキシ、シクロブチルオキシカルボニルオキシ、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ、シクロヘプチルオキシカルボニルオキシ、シクロオクチルオキシカルボニルオキシ等を挙げることができる。
【０１４０】
また前記一般式（６）の式中、Ｒで表される、アリールオキシカルボニルオキシ基としては、フェノキシカルボニルオキシ、１−ナフチロキシカルボニルオキシ、２−ナフチロキシカルボニルオキシ等を挙げることができる。
また前記一般式（６）の式中、Ｒで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１４１】
本発明の有機ホウ素化合物の製造方法における出発原料であるジボロン化合物は、下記一般式（７）で表される。
【化２３】
0006547087.tif 000024
（式中、Ｚは同一の又は異なる孤立電子対を有する原子を表し、隣り合うＺどうしをつなぐ点線は、Ｚに他の原子が結合していることを示す。隣り合うＺどうしは、他の原子を介して環を形成していてもよい。）
【０１４２】
前記一般式（７）の式中のジボロン化合物におけるＺは、酸素原子や窒素原子等の孤立電子対を有する原子であればその種類に特に制限はない。孤立電子対を有していることで、該孤立電子対が、隣接するホウ素の空軌道と作用し、ジボロン化合物の反応性が適切なものとなる。前記一般式（７）において、４つのＺは同一でもよく、或いは異なっていていもよい。隣り合う２つのＺは他の原子を介して環を形成していてもよく、或いは環を形成していなくてもよい。
【０１４３】
前記一般式（７）で表されるジボロン化合物において、環を形成している原子団としては、例えば以下の（７ａ）ないし（７ｃ）に示すものが挙げられる。環を形成していない原子団としては、例えば以下の（７ｄ）ないし（７ｆ）に示すものが挙げられる。
【０１４４】
【化２４】
0006547087.tif 000025
（式中、Ｒａ及びＲｂは同一の又は異なる置換されていてもよいアルキル基又はアリール基を示す。＊は結合手を示す。）
Ｒａ及びＲｂで表される置換されていてもよいアルキル基又はアリール基としては、Ｒで表されるアルキル基、置換アルキル基、アリール基及び置換アリール基の例として上記で挙げたものと同様のものが挙げられる。
【０１４５】
前記一般式（７）で表されるジボロン化合物の添加量は、前記一般式（６）で表されるアルケン化合物に対するモル比で、１００〜２００モル％、特に１００〜１５０モル％であることが好ましい。
【０１４６】
本発明の有機ホウ素化合物の製造方法において、使用する不斉触媒は、前記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子とする銅金属錯体である。該銅金属錯体としては銅（I）塩との銅金属錯体が好ましく、特にカチオン性の銅（I）塩であるＣｕＯｔＢｕとの銅金属錯体が好ましい。
【０１４７】
不斉触媒の使用量は、用いるアルケン化合物の種類、使用する反応容器、反応の形式、経済性などによって異なるが、アルケン化合物に対して０．１〜２０モル％、特に０．５〜１０モル％であることが好ましい。
【０１４８】
本発明の有機ホウ素化合物の製造方法において、触媒の一成分としてｔ−ブトキシカリウムが好適に使用される。この添加物により銅金属錯体ＣｕＯｔＢｕが生じ、触媒反応が収率よく進行する。ｔ−ブトキシリチウム、ｔ−ブトキシナトリウムでも良いが、ｔ−ブトキシカリウムが好ましい。
【０１４９】
ｔ−ブトキシカリウムの使用量は、銅に対するモル比で好ましくは１．０〜５．０、より好ましくは１．０〜２．５である。
【０１５０】
また、本発明の有機ホウ素化合物の製造方法において、必要に応じて溶媒中で行うことができる。溶媒は、出発原料であるアルケン化合物や、生成物である有機ホウ素化合物を溶解し、かつ各反応試薬と反応しないものであることが好ましい。
【０１５１】
溶媒の具体例としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド類；アセトニトリル、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルイミダゾリジノン（ＤＭＩ）等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、或いは２種以上適宜組み合わせて用いても良い。
【０１５２】
本反応はヒドロホウ素化であるが、末端アルケンにエナンチオ選択的にホウ素が挿入された後、他の化合物由来の水素によって目的物が生成する。この目的において、アルコール類が好適に用いられ、メタノール、エタノール、プロパノール等が特に好適に使用できるが、メタノールが最も好ましい。
【０１５３】
反応温度は、通常−７８〜２０℃であるが、経済性やキラル純度を考慮すると好ましくは−５０〜０℃である。
反応時間は、用いる触媒の種類や使用量、用いる出発原料の種類や濃度、反応温度等の反応条件等により異なるが、通常は１時間以上、好ましくは５〜２４時間である。
【０１５４】
反応終了後、必要により、晶析、蒸留、カラムクロマトグラフィー、分取ＨＰＬＣ、分液洗浄、抽出、脱溶媒等の常法の精製を行って、目的とする前記一般式（８）で表される有機ホウ素化合物を得ることができる。
【０１５５】
本製造方法により得られた光学活性有機ホウ素化合物は、医農薬や生理活性物質のキラル中間原料として用いられ、例えば抗生物質の合成中間体として有用である。
【実施例】
【０１５６】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、化合物の同定は、日本電子社製ＪＮＭ−ＥＣＸ４００Ｐ及びＪＮＭ−ＥＣＳ４００を用いた。分析条件は、１Ｈ  ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，  １３Ｃ  ＮＭＲ：１００ＭＨｚ，３１Ｐ  ＮＭＲ：１６０ＭＨｚとした。
｛実施例１｝
【化２５】
0006547087.tif 000026
（式中、Ｒ１はアダマンチル基、Ｒ２はｔｅｒｔ−ブチル基を示し、＊はリン原子上の不斉中心を示す。）【０１５７】
＜第１工程＞
ホスフィン−ボラン（３ａ）（１．６８ｍｍｏｌ、５３１．４ｍｇ）を脱水ＴＨＦ（３．６ｍｌ）へ溶解した。この溶液にｎ−ＢｕＬｉ（１．６４ｍｏｌ／Ｌ、１．６８ｍｍｏｌ、１．０２ｍｌ）のヘキサン溶液を−５℃で窒素雰囲気下に滴下し、これをＢ液とした。
２，３−ジクロロキノキサリン（２ａ）（１．２ｍｍｏｌ、２３８．８ｍｇ）をＴＨＦ（４．８ｍｌ）に溶解し、これをＡ液とした。
Ｂ液をＡ液に０℃で滴下した。滴下終了後に室温で３０分間撹拌した。反応液に水を添加しクエンチし、次いでヘキサンで３回抽出を行った。次いで有機層を、硫酸ナトリウムで脱水処理した後、ろ過し、ろ液をエバポレーターで減圧下に溶媒を除去し、オイル状の残留物（ホスフィノピラジン−ボラン誘導体（９ａ））を得た。
＜第２工程＞
次いでオイル状の残留物にＴＭＥＤＡ（１．２ｍｌ）と酢酸エチル（２．４ｍｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。反応終了後に、反応液に更に酢酸エチルと１．５Ｍの塩酸水溶液、更に水、塩水を加え、反応液をよく洗浄した。次いで、有機層を硫酸ナトリウムで脱水処理した後、ろ過し、ろ液をエバポレーターで減圧下に溶媒を除去し、残渣を得た。
得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、Ｅｔ２Ｏ/Ｈｅｘａｎｅ、容量比０：１００−２：９８）により精製した。これにより黄色の固体のホスフィノピラジン誘導体（４ａ）（０．９３ｍｍｏｌ、４３３．８ｍｇ、収率７８％）を得た。
＜第３工程＞
（Ｓ）体の光学活性なホスフィン−ボラン（５ａ）（０．８２５ｍｍｏｌ、９７．３ｍｇ、＞９９％  ｅｅ）を脱水ＴＨＦに１．１８ｍｏｌ／Ｌ濃度となるように溶解した。この溶液にｎ−ＢｕＬｉ（１．５５ｍｏｌ／Ｌ、式（２ａ）のホスフィン−ボランに対して１．６５当量）のヘキサン溶液を−０℃で窒素雰囲気下に滴下し、これをＤ液とした。
上記で調製したホスフィノピラジン誘導体（４ａ）（０．５ｍｍｏｌ、２３２．５ｍｇ）にＤＭＦを加えて０．１８５ｍｏｌ／Ｌ濃度に調整し、これをＣ液とした。
Ｃ液をＤ液へ−５℃で滴下し、室温で５時間撹拌した。反応液に水を添加しクエンチし、次いで酢酸エチルで２回抽出を行った。次いで有機層を、塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水処理し後、ろ過し、ろ液をエバポレーターで減圧下に溶媒を除去し光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体（１０ａ）を得た。
＜第４工程＞
次いで光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体（１０ａ）にＴＭＥＤＡ／酢酸エチル（容量比１：２）を加えて０．０７ｍｏｌ／Ｌ濃度に調整し、室温で２時間撹拌した。反応終了後に、反応液に更に酢酸エチルを加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を、水、６ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液及び塩水でよく洗浄した。次いで、有機層を硫酸ナトリウムで脱水処理した後、ろ過し、ろ液をエバポレーターで減圧下に溶媒を除去し、残渣を得た。
得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、Ｅｔ２Ｏ/Ｈｅｘａｎｅ、容量比０：１００−２：９８）により精製した。これによりＲ体の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体（１ａ）（以下、「（Ｒ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ＣＦＤＡｄ」と言う）（０．３９ｍｍｏｌ、２０９ｍｇ、収率７８％）を得た。
（（Ｒ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ＣＦＤＡｄの同定データ）
（１Ｈ  ＮＭＲ（３９２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：  １．１６（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，９Ｈ），１．４２（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，３Ｈ），１．６２−１．７４（ｍ，１２Ｈ），１．８５−１．９４（ｍ，９Ｈ），２．０３−２．０６（ｍ，６Ｈ），２．３０−２．３３（ｍ，３Ｈ），７．７２（ｄｄ，Ｊ＝２．９，６．５Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄｄ，Ｊ＝３．１，６．７Ｈｚ，１Ｈ），８．０５−８．１４（ｍ，２Ｈ）．１３Ｃ  ＮＭＲ（９９ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：  ６．８（ｄｄ，Ｊ＝７．５，１８．８Ｈｚ，ＣＨ３），２７．７（ｄ，Ｊ＝１４．１Ｈｚ，ＣＨ３），２８．９（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，ＣＨ），２９．０（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，ＣＨ），３１．２（ｄｄ，Ｊ＝３．３，１４．６Ｈｚ，Ｃ），３６．９（ＣＨ２），３７．１（ＣＨ２），３９．４（ｄｄ，Ｊ＝４．７，２４．４Ｈｚ，Ｃ），４０．１（ｄｄ，Ｊ＝２．８，２４．４Ｈｚ，Ｃ），４１．５（ｄ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ，ＣＨ２），４１．６（ｄ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ，ＣＨ２），１２９．４（ＣＨ），１２９．６（ＣＨ），１２９．７（ＣＨ），１４０．７（Ｃ），１４１．０（Ｃ），１６４．８（ｔ，Ｊ＝３０．５Ｈｚ，Ｃ），１６７．９（ｔ，Ｊ＝３１．０Ｈｚ，Ｃ）．３１Ｐ  ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：  −１４．９（ｄ，Ｊ＝１０７．５Ｈｚ），２１．４（ｄ，Ｊ＝１０３．２Ｈｚ）．ＨＲＭＳ−ＥＳＩ（ｍ／ｚ）：［Ｍ＋Ｈ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ３３Ｈ４７Ｎ２Ｐ２，  ５３３．３２０９０；  ｆｏｕｎｄ，  ５３３．３２０８６．  ［α］Ｄ２３．９  −７４．０  （ｃ  ０．５２  ｉｎ  ＥｔＯＡｃ）．  ｍｐ＝２０３℃．）【０１５８】
｛実施例２｝
【化２６】
0006547087.tif 000027
（式中、Ｒ１及びＲ２はアダマンチル基を示す。）
第３工程及び第４工程において、光学活性なホスフィン−ボラン（５ａ）に代えて（Ｒ）体の光学活性なホスフィン−ボラン（５ｂ）（０．８２５ｍｍｏｌ、９７．３ｍｇ、＞９９％  ｅｅ）を用い、光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体（１０ｂ）（０．５ｍｍｏｌ、２３２．５ｍｇ）とした以外は実施例１と同様にして反応及び精製を行い、これによりＳ体の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体（１ｂ）（以下、「（Ｓ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ＴＡｄ」と言う）（０．３９ｍｍｏｌ、２０９ｍｇ、収率７８％）を得た。
（（Ｓ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ＴＡｄの同定データ）
（１Ｈ  ＮＭＲ（３９２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：１．３７（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，３Ｈ），１．６０−２．０７（ｍ，４２Ｈ），２．３３−２．３６（ｍ，３Ｈ），７．７３（ｄｄ，Ｊ＝３．１，６．７Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄｄ，Ｊ＝３．４，６．５Ｈｚ，１Ｈ），８．０７−８．１５（ｍ，２Ｈ）．１３Ｃ  ＮＭＲ（９９  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：  ４．６（ｄｄ，Ｊ＝８．５，１７．９Ｈｚ，ＣＨ３），２８，６（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，ＣＨ），２８．９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，ＣＨ），２９．０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，ＣＨ３），３５．０（ｄｄ，Ｊ＝２．３，１５．５Ｈｚ，Ｃ），３６．９（ＣＨ２），３７．０７（ＣＨ２），３７．１４（ＣＨ２）３９．０（ｄ，Ｊ＝１０．３Ｈｚ，ＣＨ２），３９．３（ｄｄ，Ｊ＝５．２，２４．９Ｈｚ，Ｃ），４０．４（ｄｄ，Ｊ＝１．９，２４．４Ｈｚ，Ｃ），４１．４９（ｄ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ，Ｃ），４１．５８（ｄ．Ｊ＝６．６Ｈｚ，ＣＨ２），４１．５９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，ＣＨ２），１２９．４（ＣＨ），１２９．５０（ＣＨ），１２９．５２（ＣＨ），１２９．７（ＣＨ），１４０．６（Ｃ），１４０．９（Ｃ）．３１Ｐ  ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：−１６．８（ｄ，Ｊ＝１０３．２Ｈｚ），２１．５（ｄ，Ｊ＝１０３．２Ｈｚ）．ＨＲＭＳ−ＥＳＩ（ｍ／ｚ）：［Ｍ＋Ｈ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ３９Ｈ５３Ｎ２Ｐ２，  ６１１．３６７８５；  ｆｏｕｎｄ，  ６１１．３６８１０．［α］Ｄ２３．８  ＋１２５．０（ｃ  ０．５２  ｉｎ  ＣＨＣｌ３）．ｍｐ＝２６８℃．）【０１５９】
｛実施例３｝
【化２７】
0006547087.tif 000028
（式中、Ｒ１はアダマンチル基、Ｒ２は１，１，３，３−テトラメチルブチル基を示す。）
第３工程及び第４工程において、光学活性なホスフィン−ボラン（５ａ）に代えて（Ｒ）体の光学活性なホスフィン−ボラン（５ｃ）（０．８２５ｍｍｏｌ、１６１．８ｍｇ、＞９９％  ｅｅ）を用い、光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体（１０ｃ）（０．５ｍｍｏｌ、２３２．５ｍｇ）とした以外は実施例１と同様にして反応及び精製を行い、これによりＳ体の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体（１ｃ）（以下、「（Ｓ）−Ｑｕｎｉｏｘ−ｔＯＤＡｄ」と言う）（０．４５ｍｍｏｌ、２７３．４ｍｇ、収率９０％）を得た。
（（Ｓ）−Ｑｕｎｉｏｘ−ｔＯＤＡｄの同定データ）
（１Ｈ  ＮＭＲ（３９２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：０．９９（ｓ，９Ｈ），１．２９（ｄ，Ｊ＝２．７Ｈｚ，３Ｈ），１．３３（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｄ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，３Ｈ），１．４８（ｄｄ，Ｊ＝７．４，１４．２Ｈｚ，１Ｈ），１．６２−１．７３（ｍ，１２Ｈ），１．８３−１．９３（ｍ，１０Ｈ），２．０３−２．０７（ｍ，６Ｈ），２．３０−２．３３（ｍ，３Ｈ），７．７２（ｄｄ，Ｊ＝３．４，６．５Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄｄ，Ｊ＝３．４，６．５Ｈｚ，１Ｈ），８．０６−８．０９（ｍ，１Ｈ），８．１１−８．１４（ｍ，１Ｈ）．１３Ｃ  ＮＭＲ（９９ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：６．７（ｄｄ，Ｊ＝７．５，２０．７Ｈｚ，ＣＨ３），２５．１（ｄ，Ｊ＝１４．１Ｈｚ，ＣＨ３），２５．４（ｄ，Ｊ＝９．４Ｈｚ，ＣＨ３），２８．９（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，ＣＨ），２９．０（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，ＣＨ），３２．３（ＣＨ３），３３．７（ｄ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ，Ｃ），３６．５（ｄｄ，Ｊ＝２．８，１６．９Ｈｚ，Ｃ），３６．９（ＣＨ２），３７．１（ＣＨ２），３９．４（ｄｄ，Ｊ＝４．７，２４．４Ｈｚ，Ｃ），４０．１（ｄｄ，Ｊ＝２．４，２４．９Ｈｚ，ＣＨ２），  ４１．６（ｄ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ，ＣＨ２），４１．６（ｄ，Ｊ＝９．４Ｈｚ，ＣＨ２），５１．２（ｄ，Ｊ＝１７．９Ｈｚ，ＣＨ２），１２９．４（ＣＨ），１２９．６（ＣＨ），１２９．７（ＣＨ），１４０．６（Ｃ），１４０．９（Ｃ），１６５．０（ｔ，Ｊ＝３０．１Ｈｚ，Ｃ），１６８．１（ｔ，Ｊ＝３２．４Ｈｚ，Ｃ）．３１Ｐ  ＮＭＲ（１６０  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：−９．５（ｄ，Ｊ＝１０３．２Ｈｚ），２１．６（ｄ，Ｊ＝１０３．２Ｈｚ）．ＨＲＭＳ−ＥＳＩ（ｍ／ｚ）：［Ｍ＋Ｈ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ３７Ｈ５５Ｎ２Ｐ２，５８９．３８３５０；  ｆｏｕｎｄ，  ５８９．３８３７１．［α］Ｄ２３．２  ＋１２６．４  （ｃ  ０．５１  ｉｎ  ＥｔＯＡｃ）．ｍｐ＝２１４℃．）【０１６０】
｛実施例４｝
【化２８】
0006547087.tif 000029
（式中、Ｒ１はｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２はアダマンチル基を示す。）
第１工程においてホスフィン−ボラン（３ａ）に代えて、ホスフィン−ボラン（３ｄ）を用いて、第２工程でホスフィノピラジン誘導体（４ｄ）を得た。
次いで、第３工程及び第４工程において、光学活性なホスフィン−ボラン（５ａ）に代えて（Ｒ）体の光学活性なホスフィン−ボラン（５ｂ）（０．４９５ｍｍｏｌ、９７．１ｍｇ、＞９９％  ｅｅ）を用い、光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体（１０ｄ）（０．３ｍｍｏｌ、９２．６ｍｇ）とした以外は実施例１と同様にして反応及び精製を行い、これによりＳ体の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体（１ｄ）（以下、「（Ｓ）−Ｑｕｎｉｏｘ−ＡｄＣＦ」と言う）（０．２６ｍｍｏｌ、１１９ｍｇ、収率８７％）を得た。
（（Ｓ）−Ｑｕｎｉｏｘ−ＡｄＣＦの同定データ）
（１Ｈ  ＮＭＲ（３９２  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：１．１７（ｄ，Ｊ＝１１．２Ｈｚ，９Ｈ），１．３７（ｄ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ，９Ｈ），１．３８（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ），１．６１−１．６９（ｍ，６Ｈ），１．７７−１．８０（ｍ，３Ｈ），１．９０−１．９４（ｍ，６Ｈ），７．７０−７．７５（ｍ，２Ｈ），８．０７−８．１０（ｍ，２Ｈ）．１３Ｃ  ＮＭＲ（９９  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：４．３（ｄｄ，Ｊ＝８．５，１７．９Ｈｚ，ＣＨ３），２８．６（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，ＣＨ），３０．４（ｄｄ，Ｊ＝２．４，１２．７Ｈｚ，ＣＨ３），３０．７（ｄ，Ｊ＝１４．１Ｈｚ，ＣＨ３），３４．３（ｄｄ，Ｊ＝５．４，２３．７Ｈｚ，Ｃ），３５．０（ｄｄ，Ｊ＝１．９，１５．５Ｈｚ，Ｃ），３５．５（ｄｄ，Ｊ＝１．９，２４．０Ｈｚ，Ｃ），３７．０（ＣＨ２），３８．９（ｄ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ，ＣＨ２），１２９．４８（ＣＨ），１２９．５０（ＣＨ），１２９．５６（ＣＨ），１２９．６４（ＣＨ），１４０．９（Ｃ），１４１．０（Ｃ），１６６．３（ｔ，Ｊ＝３２．２Ｈｚ，Ｃ），１６６．７（ｔ，Ｊ＝３１．０Ｈｚ，Ｃ）．３１Ｐ  ＮＭＲ（１６０  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：−１６．８（ｄ，Ｊ＝１０５．３Ｈｚ），２１．４（ｄ，Ｊ＝１０７．５Ｈｚ）．ＨＲＭＳ−ＥＳＩ（ｍ／ｚ）：［Ｍ＋Ｈ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ２７Ｈ４１Ｎ２Ｐ２，  ４５５．２７３９５；  ｆｏｕｎｄ，  ４５５．２７３７１．  ［α］Ｄ２２．８  ＋１５０．９  （ｃ  １．０  ｉｎ  ＥｔＯＡｃ）．ｍｐ＝１１６℃．）【０１６１】
｛実施例５｝
【化２９】
0006547087.tif 000030
（式中、Ｒ１はｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２は１，１，３，３−テトラメチルブチル基を示す。）
第１工程においてホスフィン−ボラン（３ａ）に代えて、ホスフィン−ボラン（３ｄ）を用いて、ホスフィノピラジン誘導体（４ｄ）を得た。
次いで、第３工程及び第４工程において、光学活性なホスフィン−ボラン（５ａ）に代えて（Ｒ）体の光学活性なホスフィン−ボラン（５ｃ）（０．８４ｍｍｏｌ、１４６．２ｍｇ、＞９９％  ｅｅ）を用い、光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体（１０ｅ）（０．６ｍｍｏｌ、１８５．３ｍｇ）とした以外は実施例１と同様にして反応及び精製を行い、これによりＳ体の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体（１ｅ）（以下、「（Ｓ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ｔＯＤＣＦ」と言う）（０．４９ｍｍｏｌ、２１１ｍｇ、収率８１％）を得た。
（（Ｓ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ｔＯＤＣＦの同定データ）
（１Ｈ  ＮＭＲ（３９２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：１．００（ｓ，９Ｈ），１．２０（ｄ，Ｊ＝１１．８Ｈｚ，９Ｈ），１．３０（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，３Ｈ），１．３３（ｄ，Ｊ＝３．１Ｈｚ，３Ｈ），１．３５（ｄ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ，９Ｈ），１．４１（ｄ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，３Ｈ），１．５２（ｄｄ，Ｊ＝７．２，１４．４Ｈｚ，１Ｈ），１．８２（ｄｄ，Ｊ＝９．０，１４．３Ｈｚ，１Ｈ），７．６９−７．７５（ｍ，２Ｈ），８．０５−８．１０（ｍ，２Ｈ）．１３Ｃ  ＮＭＲ（９９ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：６．５（ｄｄ，Ｊ＝８．２，２０．４Ｈｚ，ＣＨ３），２５．０（ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，ＣＨ３），２５．６（ｄ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ，ＣＨ３），３０．５（ｄ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ，ＣＨ３），３０．６（ｄ，Ｊ＝１３．６Ｈｚ，ＣＨ３），３３．６（ｄ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ，Ｃ），３４．４（ｄｄ，Ｊ＝４．７，２３．５Ｈｚ，Ｃ），３５．２（ｄｄ，Ｊ＝２．３，２３．５Ｈｚ，Ｃ），３６．３（ｄｄ，Ｊ＝３．５，１６．７Ｈｚ，Ｃ），５１．１（ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ，ＣＨ２），１２９．３５（ＣＨ），１２９．４４（ＣＨ），１２９．５（ＣＨ），１２９．７（ＣＨ），１４０．８４（Ｃ），１４０．９２（Ｃ），１６６．５（ｔ，Ｊ＝３０．８Ｈｚ，Ｃ），１６７．６（ｄｄ，Ｊ＝３１．０，３３．４Ｈｚ，Ｃ）．３１Ｐ  ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ）：−９．４（ｄ，Ｊ＝１０５．３Ｈｚ），２１．３（ｄ，Ｊ＝１０３．２Ｈｚ）．ＨＲＭＳ−ＥＳＩ（ｍ／ｚ）：［Ｍ＋Ｈ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ２５Ｈ４３Ｎ２Ｐ２，  ４３３．２８９６０；  ｆｏｕｎｄ，  ４３３．２８９２８．  ［α］Ｄ２４．０  ＋８３．６  （ｃ  ０．５２  ｉｎ  ＥｔＯＡｃ）．ｍｐ＝１２１℃．【０１６２】
｛比較例１｝
【化３０】
0006547087.tif 000031
（式中、Ｒ１及びＲ２はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。）
第１工程においてホスフィン−ボラン（３ａ）に代えて、ホスフィン−ボラン（３ｄ）を用いて、ホスフィノピラジン誘導体（４ｄ）を得た。
次いで、第３工程において、光学活性なホスフィノピラジン−ボラン誘導体（１０ｆ）を得た以外は実施例１と同様にして反応及び精製を行い、これによりＲ体の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体（１ｆ）（（Ｒ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ＴＣＦ）と言う）（収率９５％）を得た。
（（Ｒ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ＴＣＦの同定データ）
１ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．１５（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，９Ｈ），１．１９（ｄ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ，９Ｈ），１．３４（ｄ，Ｊ＝１１．８Ｈｚ，９Ｈ），１．４１（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，３Ｈ），７．６７−７．７６（ｍ，２Ｈ），８．０３−８．１２（ｍ，２Ｈ）；１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ６．７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），２７．７（ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ），３０．５（ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ），３０．７（ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ），３１．３（ｄｄ，Ｊ＝１４．４，２．４Ｈｚ），３４．５（ｄｄ，Ｊ＝２４．０，４．８Ｈｚ），３５．３（ｄｄ，Ｊ＝２２．８，２．４Ｈｚ），１２９．５，１２９．６，１２９．７，１２９．８，１４１．１，１４１．２，１６６．４（ｔ，Ｊ＝３１．２Ｈｚ），１６７．５（ｄｄ，Ｊ＝３３．７，２８．８Ｈｚ）；３１Ｐ  ＮＭＲ（２０２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，）δ−１４．４（ｄｍ，Ｊ＝１０７Ｈｚ），２１．６（ｄｍ，Ｊ＝１０７Ｈｚ）；［α］Ｄ２５  −４６．０（ｃ０．５，ＥｔＯＡｃ）；ＨＲＭＳ−ＥＳＩ（ｍ／ｚ）［Ｍ＋Ｈ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ２１Ｈ３５Ｎ２Ｐ２＋，３７７．２２７５；ｆｏｕｎｄ，３７７．２２９９．ｍｐ；１６５−１６７℃【０１６３】
｛実施例６｝
エナンチオ選択的Markovnikovヒドロホウ素化反応
【化３１】
0006547087.tif 000032
乾燥した反応容器にＣｕＢＦ４（ＭｅＣＮ）４（４．７ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ｔＯＤＡｄ（８．８ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）とビスピナコラートジボロン（２）（１５２．４ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）を入れ、テフロン（登録商標）コーティングされたセプタムで容器を密閉し、減圧、窒素封入を三回行い、反応容器内を窒素雰囲気下とした。次に、ＴＨＦ（０．４ｍＬ）、Ｋ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）（ｔ−ブトキシカリウム）／ＴＨＦ溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ，０．６ｍＬ，０．６ｍｍｏｌ）をシリンジで注入し、−４０℃で３０分間撹拌した。続いて、シリンジを用いてアルケン化合物１ａ（６６．１ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）とメタノール（４０．４μＬ，１．０ｍｍｏｌ）をそれぞれ反応溶液へと滴下した。−４０℃で２４時間撹拌した後、反応溶液を少量のシリカゲルを充填したカラム（直径：１０ｍｍ，高さ：３０ｍｍ）に通し、ジエチルエーテルで洗浄した。溶媒をエバポレーターにて除去して得られたものをフラッシュカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２，Ｅｔ２Ｏ／ｈｅｘａｎｅ，容量比０：１００−４：９６）を用いて精製することで、目的のヒドロホウ素化体  （Ｓ）−３ａが９４％収率、３ａ／４ａ＝９２：８，９８％ｅｅで無色透明の液体として得られた（１２２．０ｍｇ，０．４７ｍｍｏｌ）。なお、上記反応式におけるＰｈはフェニル基を意味する。
なお、反応液において、（Ｓ）−Ｑｕｉｎｏｘ−ｔＯＤＡｄとＣｕ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）とがモル比１：１で錯体を形成していることを１Ｈ  ＮＭＲ及び３１Ｐ  ＮＭＲにより確認した。【０１６４】
｛実施例７〜１０及び比較例１｝
配位子を変更し、実施例６と同様な手順により有機ホウ素化合物を得た。結果はまとめて表１に示した。
なお、反応液において、表１に記載の２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体とＣｕ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）と２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体がモル比１：１で錯体を形成していることを１Ｈ  ＮＭＲ及び３１Ｐ  ＮＭＲにより確認した。なお下記表で「３ａ：４ａ」比率における「３ａ」はＳ体の量を示す。また下記表１で、「３ａの光学純度」はＳ体の光学純度であり、Ｓ体よりもＲ体が多い場合はマイナスとなる。
【０１６５】
【表１】
0006547087.tif 000033
【０１６６】
｛実施例１１〜１５｝
ＣｕＢＦ４（ＭｅＣＮ）４及び（Ｓ）−Ｑｕｎｉｏｘ−ｔＯＤＡｄの量をそれぞれアルケン化合物に対して５ｍｏｌ％とし、アルケン化合物として表２に示す化合物を用いた以外は実施例６と同様にして目的のヒドロホウ素化体を得た。結果はまとめて表２に示した。なお、表２において、Ｐｈはフェニル基を意味し、Ｍｅはメチル基を意味し、Ｂｎはベンジル基を意味する。なお下記表２で「３ｂ：４ｂ」比率における「３ｂ」はＳ体の量を示す。また下記表２で、「３ｂの光学純度」はＳ体の光学純度である。
【０１６７】
【化３２】
0006547087.tif 000034
【０１６８】
【表２】
0006547087.tif 000035
【０１６９】
｛実施例１６｝
【化３３】
0006547087.tif 000036
（式中、Ｒ１はフェニル基、Ｒ２はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。）
＜第１工程・第２工程＞
ホスフィン−ボラン（３ｂ）に代えてホスフィン−ボラン（３ｅ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてホスフィノピラジン誘導体（４ｅ）を得た。
＜第Ａ工程＞
三方コック、等圧滴下ロート及びセプタムを装着した３０ｍＬの３口フラスコにホスフィノピラジン誘導体（４ｅ）（１．０５ｇ、３ｍｍｏｌ）と（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィンボラン（５ａ）（３９０ｍｇ，３．３ｍｍｏｌ）を入れ、系内をアルゴン置換した。脱水ＴＨＦ（７．５ｍＬ）とＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（１．３ｍＬ、９．０ｍｍｏｌ）をシリンジでセプタムを通して加えた（Ｙ液）。フラスコを−２０℃の低温浴に浸し、マグネチックスターラーで撹拌しながらカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの１．０Ｍ  ＴＨＦ溶液（Ｚ液）（３．６ｍＬ、３．６ｍｍｏｌ）を２０分間かけてＹ液に滴下した。滴下後、同温度で３０分間保った後、約１時間かけて温度を室温まで上げ、さらに４時間撹拌を続けた。フラスコを氷水浴に浸し、酢酸エチル（１０ｍＬ）、水（７ｍＬ）及び２Ｍ塩酸（６．５ｍＬ）を順次加えてよく撹拌した。分液ロートに移して上層を分け取った。下層を酢酸エチルで抽出し、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。エバポレーターで溶媒を留去し、真空乾燥することによりアモルファス固体を得た（１．２２ｇ、９８％）。この生成物にメタノール（７ｍＬ）を加え、スパチュラでよくかき混ぜることにより結晶化させた。得られた固体をガラスフィルターを用いてろ取、メタノールで洗浄した。洗浄後の固体について真空乾燥をおこない、黄色粉末を得た（９９０ｍｇ、７８％）。次いで、この黄色粉末９５０ｍｇを室温で１．９ｍＬのＴＨＦに溶解し、メタノール３．８ｍＬを加え、氷水で冷却した。２時間後、結晶をろ別、氷冷ＴＨＦ／ＭｅＯＨ（容積比１：２）混合溶媒で洗浄、真空乾燥することにより（Ｒ）−２−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ−３−ジフェニルホスフィノキノキサリン（１ｇ）７２０ｍｇの純品をオレンジ色の結晶として得た（再結晶回収率：７６％）。
（（Ｒ）−２−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ−３−ジフェニルホスフィノキノキサリン（１ｇ）の同定データ）
ｍｐ  １３６−１３７℃  （Recrystallization from  ＴＨＦ／ＭｅＯＨ）
［α］Ｄ２８＝−５２．７（ｃ  １．００、ＡｃＯＥｔ）
Ｒｆ＝０．６８（ＡｃＯＥｔ／ｈｅｘａｎｅ＝１：５）
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３））  δ１．１１（ｄ，ＪＨＰ＝１２．０Ｈｚ，９Ｈ），１．２９（ｄ，ＪＨＰ＝５．２Ｈｚ，３Ｈ），７．２５−７．３６（ｍ，８Ｈ），７．４３−７．４８（ｍ，２Ｈ），７．６１−７．７１（ｍ，２Ｈ），７．８７（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．５Ｈｚ，１Ｈ），８．０８（ｄｄ，Ｊ＝８．６，１．２Ｈｚ，１Ｈ）．
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）  δ５．７，２７．８（ｄ，ＪＣＰ＝１４．３Ｈｚ），３１．６（ｄ，ＪＣＰ＝１４．３Ｈｚ），１２８．０７，１２８．１２，１２８．４１，１２８．４７，１２９．５，１２９．８３，１２９．８７，１３４．４，１３４．５，１３５．０，１３５．２，１３６．４−１３６．８（ｍ）．
３１Ｐ  ＮＭＲ  （２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ−１７．１（ｄ，ＪＰＰ＝１０８Ｈｚ），−６．５（ｄ，ＪＰＰ＝１０８Ｈｚ）．
ＨＲＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２５Ｈ２６Ｎ２Ｐ２：４１６．１５７１；ｆｏｕｎｄ：４１６．１５９３．
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明によれば、触媒的不斉合成反応に有用なリン原子上に不斉中心を有する新規な光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を提供することができる。本発明の２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体は特にアルケン化合物の不斉ヒドロホウ素化反応触媒の配位子として有用である。
また、本発明の製造方法によれば、本発明の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を容易に製造することができる。
更に本発明の光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を配位子とする遷移金属錯体、特に銅金属との遷移金属錯体、及びそれを有する不斉触媒は、末端アルケンを用いた不斉Ｍａｒｋｏｖｎｉｋｏｖ型ヒドロホウ素化反応に対して、高い位置選択性と高いエナンチオ選択性及び反応活性を有する。
更に本発明の有機ホウ素化合物の製造方法は、本発明の触媒を用いることで、高い位置選択性と高いエナンチオ選択性により、所望の有機ホウ素化合物を工業的に有利な方法で製造できる。
【要約】
下記一般式（１）で表される光学活性な２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体。
0006547087.tif 000050
（式中、Ｒ１は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基及び置換されていてもよいアリール基から選ばれる基を示す。
Ｒ２は炭素数３以上の分岐状のアルキル基、アダマンチル基、置換されていてもよいシクロアルキル基から選ばれる基を示し、但し、Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基である場合に、Ｒ１とＲ２とが同一となることはない。
Ｒ３は、一価の置換基を示す。ｎは、０〜４の整数を示す。＊はリン原子上の不斉中心を示す。）