(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の少なくとも一つの構造であるホウ素含有化合物； 
【化１】
0006576915.tif 000052
式中、使用される記号は、以下のとおりである：
Ｘ２、Ｘ７、Ｘ１１およびＸ１４は、出現毎に同一か異なり、ＣＲ２であり、
Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１５、Ｘ１６は、出現毎に同一か異なり、Ｎ、ＣＲ２またはＣ-Ｚであり、ここでＸ１、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１５、Ｘ１６の少なくとも一つは、Ｃ-Ｚであり、２個の隣接するＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６基は、同時にＮではなく；
式（Ｉ）におけるＹは、出現毎に同一か異なり、結合またはＢＲ３、Ｓ、Ｃ（Ｒ３）２、Ｃ（Ｒ３）=Ｃ（Ｒ３）、Ｎ（Ｒ３）、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｃ（Ｒ３）２、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｃ（Ｒ３）２-Ｃ（Ｒ３）２および1,2-フェニレンから選ばれる２価ブリッジであり； 
式（ＩＩ）におけるＹ、Ｙ１は、出現毎に同一か異なり、結合またはＢＲ３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ３）２、Ｃ（Ｒ３）=Ｃ（Ｒ３）、Ｎ（Ｒ３）、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｃ（Ｒ３）２、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｃ（Ｒ３）２-Ｃ（Ｒ３）２および1,2-フェニレンから選ばれる２価ブリッジであり； 
Ｒ１は、出現毎に同一か異なり、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ１）２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ａｒ１、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、ＯＳＯ２Ｒ４、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ４基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ=ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓｅ、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ４で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、夫々、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系、または１以上のＲ４基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基であり；同時に、２個の以上の隣接するＲ１、Ｒ２もしくはＲ３置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を互いに形成してもよく； 
Ｒ２、Ｒ３は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ１）２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ａｒ１、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、ＯＳＯ２Ｒ４、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ４基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ=ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓｅ、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ４で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、夫々、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系、または１以上のＲ４基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基であり；同時に、２個の以上の隣接するＲ１、Ｒ２もしくはＲ３置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を互いに形成してもよく； 
Ｒ４は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ１）２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ａｒ１、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ５）３、Ｂ（ＯＲ５）２、ＯＳＯ２Ｒ５、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ５基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓｅ、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ５で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）であり；同時に、２個の以上の隣接するＲ４置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を互いに形成してもよく；
Ａｒ１は、出現毎に同一か異なり、１以上のＲ５基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系であり；同時に、同じ燐原子に結合する２個のＡｒ１基は、単結合またはＢ（Ｒ５）、Ｃ（Ｒ５）２、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ５、Ｃ=Ｃ（Ｒ５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｎ（Ｒ５）、Ｐ（Ｒ５）およびＰ（=Ｏ）Ｒ５から選ばれるブリッジにより互いに結合してよく；
Ｒ５は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基（ここで、水素原子は、Ｆで置き代えられてもよい。）であり；同時に、２個以上の隣接するＲ５置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を一緒に形成してもよく；
Ｚは、式（ＩＩＩ）の基であり
【化２】
0006576915.tif 000053
式中、使用される記号は以下のとおりである：
Ａｒ２、Ａｒ３は、出現毎に同一か異なり、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系であり；同時に、Ａｒ２およびＡｒ３基は、単結合またはＢ（Ｒ５）、Ｃ（Ｒ５）２、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ５、Ｃ=Ｃ（Ｒ５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｎ（Ｒ５）、Ｐ（Ｒ５）およびＰ（=Ｏ）Ｒ５から選ばれるブリッジにより互いに結合してもよく；
ｑは、０または１であり；および
Ａｒ４は、出現毎に同一か異なり、夫々、１以上のＲ３基により置換されてよい６〜４０個の炭素原子を有するアリール基もしくは３〜４０個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり；ここで、
破線は、芳香族もしくは複素環式芳香族環の炭素原子へのＺ基の結合である。
【請求項２】
２個を超えないＸ１、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１５、Ｘ１６基は、Ｎであることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
２個を超えないＸ１、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１５、Ｘ１６基は、Ｃ-Ｚであることを特徴とする、請求項１または２記載の化合物。
【請求項４】
丁度１個のＸ１、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１５、Ｘ１６基は、Ｃ-Ｚであることを特徴とする、請求項１〜３何れか１項記載の化合物。
【請求項５】
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０およびＸ１２基は、ＣＲ２であることを特徴とする、請求項１〜４何れか１項記載の化合物。
【請求項６】
Ｘ２、Ｘ７、Ｘ１１およびＸ１４基の少なくとも２個は、式Ｃ-Ｈの基であることを特徴とする、請求項１〜５何れか１項記載の化合物。
【請求項７】
Ｘ２、Ｘ７、Ｘ１１およびＸ１４基の少なくとも３個は、式Ｃ-Ｈの基であることを特徴とする、請求項１〜６何れか１項記載の化合物。
【請求項８】
ｑは０であり、それで、Ｚ基のホウ素原子は、フルオレンもしくはスピロ基に直接結合していることを特徴とする、請求項１〜７何れか１項記載の化合物。
【請求項９】
式（Ｉ）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８基の少なくとも４個は、Ｃ-Ｈであり、および/または式（ＩＩ）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５およびＸ１６基の少なくとも８個は、Ｃ-Ｈであることを特徴とする、請求項１〜８何れか１項記載の化合物。
【請求項１０】
式（Ｉ）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８基の少なくとも４個は、Ｃ-Ｈであり、および/または式（ＩＩ）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５およびＸ１６基の少なくとも１２個は、Ｃ-Ｈであることを特徴とする、請求項１〜９何れか１記載の化合物。
【請求項１１】
式（Ｉ）において、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ５およびＸ８基の少なくとも１個は、Ｃ-Ｚであり、および/または式（ＩＩ）において、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１６基の少なくとも１個は、Ｃ-Ｚであることを特徴とする、請求項１〜１０何れか１項記載の化合物。
【請求項１２】
式（Ｉ）において、Ｒ１基の少なくとも１個は、３個までのＲ４基により置換されてよい１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基または６〜１０個の炭素原子を有するアリール基であることを特徴とする、請求項１〜１１何れか１項記載の化合物。
【請求項１３】
式（Ｉ）において、２個のＲ１基は、３個までのＲ４基により置換されてよい１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基または６〜１０個の炭素原子を有するアリール基であることを特徴とする、請求項１〜１２何れか１項記載の化合物。
【請求項１４】
化合物は、式（ＩＶ）および/または（Ｖ）の構造を含むことを特徴とする、請求項１〜１３何れか１項記載の化合物：
【化３】
0006576915.tif 000054
式中、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有し、ｎ、ｍ、ｐ、ｑ、ｒは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【請求項１５】
化合物は、式（ＩＶ−１）および/または（ＩＶ−２）の構造を含むことを特徴とする、請求項１〜１４何れか１項記載の化合物：
【化４】
0006576915.tif 000055
式中、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有し、ｎ、ｍは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【請求項１６】
Ｙが、結合であることを特徴とする、請求項１５記載の化合物。
【請求項１７】
化合物は、式（ＩＶ−３）、（ＩＶ−４）および/または（ＩＶ−５）の構造を含むことを特徴とする、請求項１〜１６何れか１項記載の化合物：
【化５】
0006576915.tif 000056
式中、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有し、ｎは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【請求項１８】
化合物は、式（ＩＶ−６）、（ＩＶ−７）および/または（ＩＶ−８）の構造を含むことを特徴とする、請求項１〜１７何れか１項記載の化合物：
【化６】
0006576915.tif 000057
式中、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有し、ｎは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【請求項１９】
化合物は、式（Ｖ−１）、（Ｖ−２）、（Ｖ−３）および/または（Ｖ−４）の構造を含むことを特徴とする、請求項１〜１８何れか１項記載の化合物：
【化７】
0006576915.tif 000058
式中、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有し、ｎ、ｍは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【請求項２０】
Ｙは、Ｏまたは結合であり、Ｙ１は、結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ=ＯまたはＮ（Ｒ３）であり、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有することを特徴とする、請求項１〜１９何れか１項記載の化合物。
【請求項２１】
Ｙは、結合であり、Ｙ１は、結合、ＯまたはＮ（Ｒ３）であり、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有することを特徴とする、請求項１〜２０何れか１項記載の化合物。
【請求項２２】
化合物は、式（Ｖ−５）、（Ｖ−６）、（Ｖ−７）、（Ｖ−８）、（Ｖ−９）および/または（Ｖ−１０）の構造を含むことを特徴とする、請求項１〜２１何れか１項記載の化合物：
【化８】
0006576915.tif 000059
式中、使用される記号は、請求項１での所与の定義を有し、ｎは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【請求項２３】
Ａｒ２およびＡｒ３基は、３個までのＲ３基により置換されてよい６個の炭素原子を有するアリール基であり；同時に、Ａｒ２およびＡｒ３基は、単結合またはＢ（Ｒ５）、Ｃ（Ｒ５）２、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ５、Ｃ=Ｃ（Ｒ５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｎ（Ｒ５）、Ｐ（Ｒ５）およびＰ（=Ｏ）Ｒ５から選ばれる２価ブリッジにより互いに結合してよいことを特徴とする、請求項１〜２２何れか１項記載の化合物。
【請求項２４】
化合物が、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーであることを特徴とする、請求項１〜２３何れか１項記載の化合物。
【請求項２５】
請求項１〜２４何れか１項記載の少なくとも一つの化合物と、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる化合物とを含む組成物。
【請求項２６】
請求項１〜２４何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２５記載の少なくとも一つの組成物と少なくとも一つの溶媒とを含む調合物。
【請求項２７】
少なくとも一つのアリールリチウム化合物を、少なくとも一つのハロボランおよび/または少なくともボリン酸エステルと反応させることによる、請求項１〜２４何れか１項記載の化合物の製造方法。
【請求項２８】
請求項１〜２４何れか１項記載の化合物の、正孔ブロック材料、電子注入材料および/または電子輸送材料としての電子素子での使用。
【請求項２９】
請求項１〜２４何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２５記載の組成物を含む電子素子。
【請求項３０】
請求項１〜２４何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２５記載の組成物を含む電子素子であって、電子素子は、有機エレクトロルミッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機太陽電池、有機光学検査素子、有機光受容器、有機電場消光素子、発光電子化学電池および有機レーザーダイオードより成る群から選ばれる電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子での使用に適するホウ素含有化合物に関する。本発明は、さらに、それらの製造方法と電子素子に関する。
【０００２】
有機、有機金属および/またはポリマー半導体を含む電子素子は、ますます重要となり、費用の理由とそれらの性能の故に多くの市販製品に使用されている。ここで、例は、複写機における有機物系の電荷輸送材料（たとえば、トリアリールアミン系正孔輸送体）、読み出しおよび表示素子における有機もしくはポリマー発光ダイオード（ＯＬＥＤまたはＰＬＥＤ）または複写機における有機光受容体を含む。有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機光増幅素子および有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）が、開発の進んだ段階であり、多大な将来における重要性を有する可能性がある。
【０００３】
多くのこれら電子素子は、夫々の最終用途を問わず、以下の一般的層構造を有し、特定の用途に適合することができる。
（１）基板、
（２）電極、多くは、金属もしくは無機であるが、有機もしくはポリマー伝導性材料からも成る、
（３）電荷注入層（複数）もしくは中間層（複数）、たとえば、電極の不均性の補償用のためであり（「平坦化層」）、多くは、伝導性のドープされたポリマーから成る、
（４）有機半導体、
（５）可能ならば、さらなる電荷輸送層、電荷注入層もしくは電荷ブロック層、
（６）対電極、（２）で特定された材料、
（７）被包。
【０００４】
上記配置は、有機電子素子の一般的構造であり、種々の層を結合することが可能であり、その結果は、最も単純な場合には、その間に有機層をもつ二個の電極から成る配置である。この場合、有機層は、ＯＬＥＤの場合に発光を含むすべての機能を発揮する。この種のシステムは、たとえば、WO 90/13148 A1に記載され、ポリ（p-フェニレン）系のものである。
【０００５】
ホウ素含有化合物を含む電子素子は、特に、公報WO 02/052661 A1およびWO 02/051850 A1に記載されている。そこで明確に詳細にされたフルオレンもしくはスピロ化合物は、環の2,7位または2',7'位でホウ素含有基により置換されている。
【０００６】
公知の電子素子は、有益な特性プロファイルを有する。しかしながら、これらの素子の特性を改善する一定のニーズが存在する。
【０００７】
これらの特性は、特に、それにより電子素子が規定された問題を解決するエネルギー効率を含む。低分子量化合物系かポリマー材料の何れかを基礎とし得る有機発光ダイオードの場合には、光収率は、特に、十分に高くあるべきであり、特定の光束を実現するために最小量の電力が印加されねばならない。さらに、最小電圧が、規定された輝度を実現するために必要ともされるべきである。さらに特別な問題は、電子素子の寿命である。
【０００８】
したがって、改善された特性を有する電子素子をもたらす新規な化合物を提供することが、本発明の目的である。効率、駆動電圧および/または寿命に関して改善された特性を示す正孔ブロック材料、電子注入材料および/または電子輸送材料を提供することが特別な目的である。さらに、化合物は非常に簡単な方法で入手可能であり、良好な溶解性と膜形成性を特に示すべきである。
【０００９】
さらなる目的は、非常に安価で、一定の品質の優秀な特性を有する電子素子を提供することと見なし得る。
【００１０】
さらに、多くの目的のための電子素子を使用し、または適合することが可能であるべきである。より特別には、電子素子の性能は、広範な温度範囲で維持されるべきである。
【００１１】
驚くべきことに、これら目的と、明確に特定されていないが導入部によりここで検討された関連から直接推論され、見つけられ得る他の目的が、請求項１の全ての特徴を有する化合物により実現されることが見出された。本発明の化合物の適当な変形は、請求項１を言及する従属請求項において保護される。
【００１２】
したがって、本発明は、少なくとも一つの式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む臭素含有化合物を提供することであり； 
【００１３】
【化１】
0006576915.tif 000002
【００１４】
式中、使用される記号は、以下のとおりである：
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６は、出現毎に同一か異なり、Ｎ、ＣＲ２またはＣ-Ｚであり、ここで、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６基の少なくとも一つは、Ｃ-Ｚであり、２個の隣接するＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６基は、同時にＮではなく；
Ｙ、Ｙ１は、出現毎に同一か異なり、結合またはＢＲ３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ３）２、Ｃ（Ｒ３）=Ｃ（Ｒ３）、Ｎ（Ｒ３）、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｃ（Ｒ３）２、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｃ（Ｒ３）２-Ｃ（Ｒ３）２および1,2-フェニレンから、好ましくは、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ３）２、Ｃ（Ｒ３）=Ｃ（Ｒ３）、Ｎ（Ｒ３）、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｃ（Ｒ３）２、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｃ（Ｒ３）２-Ｃ（Ｒ３）２および1,2-フェニレンから、選ばれる２価ブリッジであり； 
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ１）２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ａｒ１、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、ＯＳＯ２Ｒ４、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ４基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ=ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓｅ、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ４で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、夫々、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系、または１以上のＲ４基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはジアリールアミノもしくはジヘテロアリールアミノもしくはアリールヘテロアリールアミノ基またはこれらの系の組み合わせであり；同時に、２個の以上の隣接するＲ１、Ｒ２もしくはＲ３置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を互いに形成してもよく； 
Ｒ４は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ１）２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ａｒ１、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ５）３、Ｂ（ＯＲ５）２、ＯＳＯ２Ｒ５、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ５基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓｅ、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ５で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。またはこれらの系の組み合わせであり；同時に、２個の以上の隣接するＲ４置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を互いに形成してもよく；
Ａｒ１は、出現毎に同一か異なり、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系であり；同時に、同じ燐原子に結合する２個のＡｒ１基は、単結合またはＢ（Ｒ５）、Ｃ（Ｒ５）２、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ５、Ｃ=Ｃ（Ｒ５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｎ（Ｒ５）、Ｐ（Ｒ５）およびＰ（=Ｏ）Ｒ５から選ばれるブリッジにより互いに結合してよく；
Ｒ５は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基（ここで、水素原子は、Ｆで置き代えられてもよい。）であり；同時に、２個以上の隣接するＲ５置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を一緒に形成してもよく；
Ｚは、式（ＩＩＩ）の基であり
【００１５】
【化２】
0006576915.tif 000003
【００１６】
式中、使用される記号は以下のとおりである：
Ａｒ２、Ａｒ３は、出現毎に同一か異なり、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系であり；同時に、Ａｒ２およびＡｒ３基は、単結合またはＢ（Ｒ５）、Ｃ（Ｒ５）２、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ５、Ｃ=Ｃ（Ｒ５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｎ（Ｒ５）、Ｐ（Ｒ５）およびＰ（=Ｏ）Ｒ５から選ばれるブリッジにより互いに結合してもよく；
ｑは、０または１であり；および
Ａｒ４は、出現毎に同一か異なり、夫々、１以上のＲ３基により置換されてよい６〜４０個の炭素原子を有するアリール基もしくは３〜４０個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり；ここで、
破線は、芳香族もしくは複素環式芳香族環の炭素原子へのＺ基の結合であり、
ただし、ＹとＹ１の両者が結合である場合には、Ｘ２とＸ７は、同時に式Ｃ-Ｚの基でなくてよいか、またはＸ１１とＸ１４は、同時に式Ｃ-Ｚの基でなくてよい。
【００１７】
Ｘ１〜Ｘ１６基の上記定義は、式（Ｉ）の化合物と式（ＩＩ）の化合物両者が、少なくとも一つの式（ＩＩＩ）の化合物を含むことを意味し、その化合物が、常に少なくとも一つの臭素原子を含むことを意味する。
【００１８】
この文脈において、「隣接する炭素原子」は、炭素原子が、互いに直接結合することを意味する。さらに、基の定義における「隣接する基」は、これらの基が、同じ炭素原子もしくは隣接する炭素原子に結合することを意味する。これらの定義は、対応して「隣接する基」と「隣接する置換基」にあてはまる。
【００１９】
本発明の文脈でのアリール基は、６〜４０個の炭素原子を含む。本発明の文脈でのヘテロアリール基は、２〜４０個の炭素原子と少なくとも１個のヘテロ原子を含むが、ただし、炭素原子とヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび/またはＳから選ばれる。ここで、アリール基もしくはヘテロアリール基は、単純な芳香族環、すなわち、ベンゼン、または、単純な複素環式芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または、縮合アリールもしくはヘテロリール基、たとえば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等の何れかを意味するものと解される。
【００２０】
本発明の文脈での芳香族環系は、６〜６０個の炭素原子を環系中に含む。本発明の意味での複素環式芳香族環系は、１〜６０個の炭素原子と少なくとも１個のヘテロ原子を環系中に含むが、ただし、炭素原子とヘテロ原子の合計は少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび/またはＳから選ばれる。本発明の文脈での芳香族もしくは複素環式芳香族環系は、必ずしもアリールもしくはヘテロアリール基のみを含むものではなく、加えて、２個以上のアリールもしくはヘテロアリール基は、たとえば、炭素、窒素もしくは酸素原子またはカルボニル基のような非芳香族単位（好ましくは、Ｈ以外の原子は１０％未満である。）により中断されることも可能である系を意味するものと解されるべきである。たとえば、9,9’-スピロビフルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系も、本発明の文脈での芳香族環系を意味するものとみなされるべきであり、２個以上のアリール基が、たとえば、直鎖もしくは環式アルキル基によりまたはシリル基により中断される系も同様である。さらに、２個以上のアリールもしくはヘテロアリール基が、互いに直接結合する系、たとえば、ビフェニルもしくはテルフェニルも、同様に芳香族もしくは複素環式芳香族環系とみなされるべきである。
【００２１】
本発明の文脈での環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基は、単環式、二環式もしくは多環式基を意味するものと解される。
【００２２】
本発明の文脈では、Ｃ１〜Ｃ４０-アルキル基は、ここで、個々の水素原子もしくはＣＨ２基は、上記した基により置換されていてよく、たとえば、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、シクロプロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、シクロブチル、2-メチルブチル、n-ペンチル、s-ペンチル、t-ペンチル、2-ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、n-ヘキシル、s-ヘキシル、t-ヘキシル、2-ヘキシル、3-ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、1-メチルシクロペンチル、2-メチルペンチル、n-ヘプチル、2-ヘプチル、3-ヘプチル、4-ヘプチル、シクロヘプチル、1-メチルシクロヘキシル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、シクロオクチル、1-ビシクロ[2.2.2]オクチル、2-ビシクロ[2.2.2]オクチル、2-(2,6-ジメチル)オクチル、3-(3,7-ジメチル)オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルまたは2,2,2-トリフルオロエチル、1,1-ジメチル-n-ヘキサ-1-イル、1,1-ジメチル-n-ヘプタ-1-イル、1,1-ジメチル-n-オクタ-1-イル、1,1-ジメチル-n-デカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-ドデカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-テトラデカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-ヘキサデカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-オクタデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ヘキサ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ヘプタ-1-イル、1,1-ジエチル-n-オクタ-1-イル、1,1-ジエチル-n-デカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ドデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-テトラデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ヘキサデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-オクタデカ-1-イル、1-(n-プロピル)シクロヘキサ-1-イル、1-(n-ブチル)シクロヘキサ-1-イル、1-(n-ヘキシル)シクロヘキサ-1-イル、1-(n-オクチル)シクロヘキサ-1-イルおよび1-(n-デシルl)シクロヘキサ-1-イル基を意味するものと解される。アルケニル基は、たとえば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを
意味するものと解される。アルキニル基は、たとえば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味するものと解される。Ｃ１〜Ｃ４０-アルコキシ基は、たとえば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、i-プロポキシ、n-ブトキシ、i-ブトキシ、s-ブトキシ、t-ブトキシまたは2-メチルブトキシを意味するものと解される。
【００２３】
５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系は、各場合に、上記した基により置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して、芳香族もしくは複素環式芳香族系に連結していてもよいが、たとえば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、トリフェニル、トリフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス-もしくはトランス-インデノフルオレン、シス-もしくはトランス-モノベンゾインデノフルオレン、シス-もしくはトランス-ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナンスリイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、1,5-ジアザアントラセン、2,7-ジアザピレン、2,3-ジアザピレン、1,6-ジアザピレン、1,8-ジアザピレン、4,5-ジアザピレン、4,5,9,10-テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと解される。
【００２４】
好ましいのは、式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む化合物であって、８個を超えない、好ましくは、４個を超えない、より好ましくは、２個を超えないＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６基は、Ｎであることを特徴とする。最も好ましくは、全てのＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６基は、ＣＲ２またはＣ-Ｚである。これに関連して、ＣＲ２基は、Ｃ-Ｚとは異なることが強調されるべきである。
【００２５】
さらに好ましいのは、Ｙが結合の場合に、Ｘ２とＸ７が、Ｃ-Ｚの基ではない化合物である。より好ましくは、Ｙが結合の場合に、Ｘ２とＸ７基は、式ＣＲ２の基、好ましくは、ＣＨである。好ましいのは、Ｙ１が結合の場合に、Ｘ１１とＸ１４が、Ｃ-Ｚの基ではない化合物である。より好ましくは、Ｙ１が結合の場合に、Ｘ１１とＸ１４基は、式ＣＲ２の基、好ましくは、ＣＨである。
【００２６】
追加的に６個を超えない、好ましくは、４個を超えない、より好ましくは、２個を超えないＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５およびＸ１６基は、Ｃ-Ｚである場合であってよい。より好ましくは、丁度１個のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５およびＸ１６基は、Ｃ-Ｚである。
【００２７】
さらに好ましいのは、式（Ｉ）の化合物であって、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ５およびＸ８基の少なくとも１つは、より好ましくは、丁度１個のＸ１、Ｘ４、Ｘ５およびＸ８基は、Ｃ-Ｚである。追加的に、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１６基が、より好ましくは、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１６基の丁度１個がＣ-Ｚである場合であってよい。
【００２８】
追加的に好ましいのは、式（Ｉ）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８基の少なくとも４個が、Ｃ-Ｚであり、式（ＩＩ）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５およびＸ１６基の少なくとも８個、好ましくは、少なくとも１２個は、Ｃ-Ｚである特徴を有する化合物である。
【００２９】
本発明のさらなる形態では、好ましいのは、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１およびＸ１２基が、ＣＲ２である化合物である。
【００３０】
さらに好ましいのは、Ｘ２、Ｘ７、Ｘ１１およびＸ１４基の少なくとも２個、好ましくは、少なくとも３個は、式ＣＲ２、より好ましくはＣＨの基である化合物である。より好ましくは、全てのＸ２、Ｘ７、Ｘ１１およびＸ１４基は、式ＣＲ２、より好ましくはＣＨの基であってよい。特に好ましい１態様では、Ｘ２はＣ-Ｚであり、Ｘ７はＣＨである。さらに好ましくは、Ｘ１１はＣ-Ｚであってよく、Ｘ１４はＣＨであってよく、この場合に特別に好ましいのは、Ｘ２はＣ-Ｚであり、Ｘ７はＣＨである。
【００３１】
さらに、式（Ｉ）および/または（ＩＩ）において、ｑは０であってよく、Ｚ基の臭素原子は、フルオレンもしくはスピロ基に直接結合している。
【００３２】
本発明の特別な側面では、式（Ｉ）の化合物は、式（ＩＩ）の化合物とは異なる。式（Ｉ）において、Ｒ１基が互いに結合しない場合が、より好ましい可能性がある。
【００３３】
好ましくは、式（Ｉ）の構造を有する化合物は、Ｒ１基を含んでもよく、ここでこれらのＲ１基は、出現毎に同一か異なり、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、２〜１０個の炭素原子を有するアルケニル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（夫々は、１以上のＲ４基により置換されてよく、ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ１基は一緒になって、またはＲ１基とＲ４基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよい。より好ましくは、これらのＲ１基は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ１基は一緒になって、またはＲ１基とＲ４基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよい。より好ましくは、式（Ｉ）において、少なくとも１つのおよび２つのＲ１基は、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基または６〜１０個の炭素原子を有するアリール基であってよく、３個までのＲ４基により置換されてよく、ここで、Ｒ１基は、より好ましくは、互いに結合しない。
【００３４】
Ｒ２基が、式（Ｉ）および/または式（ＩＩ）の構造内で結合する場合には、これらのＲ２基は、出現毎に同一か異なり、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、２〜１０個の炭素原子を有するアルケニル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（夫々は、１以上のＲ４基により置換されてよく、ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ２基は一緒になって、またはＲ２基とＲ４基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を互いに形成してもよい。より好ましくは、これらのＲ２基は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ２基は一緒になって、またはＲ２基とＲ４基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を互いに形成してもよい。
【００３５】
追加的に、Ａｒ２およびＡｒ３基は、３個までのＲ３基により置換されてよい６〜１０個の炭素原子、好ましくは、６個の炭素原子を有するアリール基であり；同時に、Ａｒ２およびＡｒ３基は、単結合またはＢ（Ｒ５）、Ｃ（Ｒ５）２、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ５、Ｃ=Ｃ（Ｒ５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｎ（Ｒ５）、Ｐ（Ｒ５）およびＰ（=Ｏ）Ｒ５から選ばれるブリッジにより互いに結合してもよい場合であってよい。特別な側面では、Ａｒ２およびＡｒ３基は、１〜４個の炭素原子を有する３個までのアルキル基、好ましくは、メチル基により置換されてよい、６個の炭素原子を有するアリール基である。さらなる側面では、Ａｒ２およびＡｒ３基は、６〜１０個の炭素原子を有する２個までのアリール基、好ましくは、フェニル基により置換されてよい、６個の炭素原子を有するアリール基であり、ここで、アリール基は、好ましくは、結合を介して互いに連結してよい。
【００３６】
追加的に、化合物は、式（ＩＶ）および/または（Ｖ）の構造を含む場合であってよく、
【００３７】
【化３】
0006576915.tif 000004
【００３８】
式中、使用される記号は、上記所与の定義を有し、ｎ、ｍ、ｐ、ｑ、ｒは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【００３９】
式（ＩＶ）の構造を有する化合物においては、Ｙは、好ましくは、結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ=ＯまたはＮ（Ｒ３）、好ましくは、結合、ＯまたはＮ（Ａｒ１）、特別に好ましくは、結合であり、ここで使用される記号は、上記所与の定義を有する。
【００４０】
式（Ｖ）の構造を有する化合物に対しては、Ｙは、Ｏもしくは結合であり、Ｙ１は、結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ=ＯまたはＮ（Ｒ３）、好ましくは、結合、ＯまたはＮ（Ａｒ１）である場合であってよく、ここで使用される記号は、上記所与の定義を有する。特別な側面では、ＹがＯであり、Ｙ１は、結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ=ＯまたはＮ（Ｒ３）である式（Ｖ）の構造を有する化合物の特徴であってよい。より好ましくは、式（Ｖ）の構造を有する化合物において、Ｙは、結合であり、Ｙ１は、結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ=ＯまたはＮ（Ｒ３）、特別に好ましくは、結合である。
【００４１】
より好ましくは、化合物は、式（ＩＶ−１）および/または（ＩＶ−２）の構造を含む場合であってよく、
【００４２】
【化４】
0006576915.tif 000005
【００４３】
式中、使用される記号は、上記所与の定義を有し、ｎ、ｍは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【００４４】
好ましくは、式（ＩＶ−１）または式（ＩＶ−２）の構造を有する化合物に対して、Ｙ基は、Ｏ、Ｎ（Ａｒ１）または結合、好ましくは、Ｏまたは結合、特別に好ましくは、結合である。
【００４５】
好ましくは、式（ＩＶ−１）または式（ＩＶ−２）の構造と関連して、Ｒ１基は、出現毎に同一か異なり、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、２〜１０個の炭素原子を有するアルケニル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（夫々は、１以上のＲ４基により置換されてよく、ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ１基は一緒になって、またはＲ１基とＲ４基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよい。より好ましくは、式（ＩＶ−１）または式（ＩＶ−２）の構造と関連して、これらのＲ１基は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ４基により置換されてよい５〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ１基は一緒になって、またはＲ１基とＲ４基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよい。より好ましくは、式（ＩＶ−１）または式（ＩＶ−２）において、少なくとも１つのおよび２つのＲ１基は、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基または６〜１０個の炭素原子を有するアリール基であり、３個までのＲ４基により置換されてよく、ここで、Ｒ１基は、より好ましくは、互いに結合しない。
【００４６】
さらに好ましいのは、式（ＩＶ−３）、（ＩＶ−４）および/または（ＩＶ−５）の構造を含む化合物であり：
【００４７】
【化５】
0006576915.tif 000006
【００４８】
式中、使用される記号は、上記所与の定義を有し、ｎは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【００４９】
さらに好ましいのは、式（ＩＶ−６）、（ＩＶ−７）および/または（ＩＶ−８）の構造を含む化合物であり： 
【００５０】
【化６】
0006576915.tif 000007
【００５１】
式中、使用される記号は、上記所与の定義を有し、ｎは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【００５２】
より好ましくは、式（Ｖ−１）、（Ｖ−２）、（Ｖ−３）および/または（Ｖ−４）の構造を含む化合物の場合であってよく：
【００５３】
【化７】
0006576915.tif 000008
【００５４】
式中、使用される記号は、上記所与の定義を有し、ｎは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【００５５】
式（Ｖ−１）、（Ｖ−２）、（Ｖ−３）または（Ｖ−４）の一つの構造を有する化合物に対して、好ましくは、Ｙは、Ｏまたは結合、好ましくは、結合であり、Ｙ１は、結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ=ＯまたはＮ（Ｒ３）好ましくは、結合、ＯまたはＮ（Ａｒ１）である場合であってよく、使用される記号は、上記所与の定義を有する。
【００５６】
さらに好ましいのは、式（Ｖ−５）、式（Ｖ−６）、式（Ｖ−７）、式（Ｖ−８）、式（Ｖ−９）および/または（Ｖ−１０）の構造を含む化合物であり：
【００５７】
【化８】
0006576915.tif 000009
【００５８】
式中、使用される記号は、上記所与の定義を有し、ｎは、出現毎に同一か異なり、０または１である。
【００５９】
より特別には、本発明の化合物は、先行技術の化合物と比べてはるかにより高いＴ１準位を有し、これは、本質的に、緑色と特に青色燐光ＯＬＥＤの構築のために有利である。この優位性は、三重項マトリックス材料（ＴＭＭ）、正孔ブロック材料（ＨＢＭ）および電子輸送材料（ＥＴＭ）としての材料の使用のために特別に重要である。発光層と隣接層（ＥＢＭ／ＥＴＭ）においては、ＴＭＭ、ＥＢＨ、ＥＴＭのＴ１準位は、発光の消光を回避するために、発光材料より高いか、または同等でなければならない。
【００６０】
分子軌道、特に、最高分子占有軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占分子軌道（ＬＵＭＯ）、そのエネルギー準位および最低三重項状態Ｔ１のエネルギーと最低励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、量子化学計算によって決定される。金属を含まない有機物質の計算のために、最初に、幾何学的な最適化が、「基底状態／準実験的／デフォルトスピン／ＡＭ１／電荷０／一重項スピン」法により実行される。続いて幾何学的な最適化を基準にしてエネルギー計算を実施する。これは、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセット（電荷０、一重項スピン）を用いる「ＴＤ−ＳＣＦ／ＤＦＴ／デフォルトスピン／Ｂ３ＰＷ９１」法を使用してなされる。金属含有化合物に対しては、ジオメトリーは、「基底状態／ハートリー-フォック／デフォルトスピン／ＬａｎＬ２ＭＢ／電荷０/一重項スピン」法を介して最適化される。エネルギー計算は、「ＬａｎＬ２ＤＺ」ベースセットが金属原子のために使用され、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセットが金属原子のために使用されるということを除いて、上記記載のとおりの有機物質と同じように実行される。ＨＯＭＯエネルギー準位ＨＥｈまたはＬＵＭＯエネルギー準位ＬＥｈは、ハートリー単位でのエネルギー計算から得られる。これは、サイクリックボルタンメトリ測定により較正されたＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの電子ボルトでのエネルギー準位を決定するために使用され、以下のとおりである：
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（（ＨＥｈ＊２７．２１２）−０．９８９９）／１．１２０６
ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（（ＬＥｈ＊２７．２１２）−２．００４１）／１．３８５
これらの値は、本出願の文脈で、材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位とみなすべきである。
【００６１】
最低三重項状態Ｔ１を、上記量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する三重項状態のエネルギーとして定義する。
【００６２】
最低励起一重項状態Ｓ１を、上記量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する励起一重項状態のエネルギーとして定義する。
【００６３】
ここに記載された方法は、使用されるソフトウエアパッケージとは独立しており、常に同じ結果が得られる。この目的のためによく利用されるプログラムの例は、「ガウシアン09W (Gaussian Inc.)とQ-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.)」である。
【００６４】
式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む本発明のホウ素含有化合物は、構造によりキラルであってもよい。これは、特に、一以上の立体中心を有する置換基、たとえば、アルキル、アルコキシまたはアラルキル基を含む場合である。ホウ素含有化合物の基本構造は、キラル構造であってもよいことから、ジアステレオマーと多くの対のエナンチオマーの形成が可能である。その場合に、本発明の化合物は、異なるジアステレオマーもしくは対応するラセミ体および個々の単離されたジアステレオマーもしくはエナンチオマーの混合物の両者を含む。
【００６５】
好ましくは、化合物は、エナンチオマー混合物、より好ましくは、ジアステレオマー混合物の形態であってよい。結果として、予想外に、本発明の化合物を使用して得ることができる電子素子の特性を向上することが可能である。これらの特性は、特に、素子の寿命を含む。
【００６６】
特に好ましい化合物は、以下の式１〜４０による構造を含む。
【００６７】
【化９−１】
0006576915.tif 000010
【００６８】
【化９−２】
0006576915.tif 000011
【００６９】
【化９−３】
0006576915.tif 000012
【００７０】
【化９−４】
0006576915.tif 000013
【００７１】
【化９−５】
0006576915.tif 000014
【００７２】
【化９−６】
0006576915.tif 000015
【００７３】
【化９−７】
0006576915.tif 000016
【００７４】
請求項１で特定される条件が集められるならば、上記好ましい態様は、所望のとおりに互いに組み合わせることができる。本発明の特に好ましい１態様では、上記好ましい態様は、同時に適用される。
【００７５】
本発明の化合物は、種々のプロセスにより原則的に調製することができる。しかしながら、今後説明されるプロセスが特に適していることが見出された。
【００７６】
したがって、本発明は、さらに、少なくとも一つのアリールリチウム化合物を、ハロボランおよび/または少なくともボリン酸エステルと反応させることによる、式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む化合物の製造方法を提供する。
【００７７】
式（Ｉ）の構造を含む化合物の調製は、以下のスキームにおける例により示される。
【００７８】
【化１０】
0006576915.tif 000017
【００７９】
本発明は、さらに、カップリング反応による式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む化合物の製造方法を提供する。
【００８０】
方法は、アリールブロミドとアリールボロン酸からのスズキカップリングを介する例により図解される。
【００８１】
【化１１】
0006576915.tif 000018
【００８２】
全てＣ-Ｃ結合をもたらす特に適切で好ましいカップリング反応は、ブッフバルト、スズキ、ヤマモト、スチル、ヘック、ネギシ、ソノガシラおよびヒヤマによるものである。
【００８３】
上記詳細な調製プロセスの原理は、類似化合物のための文献から主として知られており、当業者により、本発明の化合物の調製へ簡単に適合することができる。
【００８４】
これらのプロセスに、必要であれば、精製、たとえば、再結晶化もしくは昇華を続けることができ、式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む本発明の化合物を、高純度で、好ましくは、９９％以上で（１Ｈ  ＮＭＲおよび/またはＨＰＬＣにより測定される）得ることができる。
【００８５】
本発明の化合物は、たとえば、比較的長いアルキル基（約４〜２０個の炭素原子）、特に、分岐アルキル基または随意に置換されたアリール基、たとえば、キシリル、メシチルもしくは分岐テルフェニルあるいはクアテルフェニル基による、適切な置換基を有してもよく、それらは、溶液から錯体を処理することを可能とすることを目的として、通常の有機溶媒、たとえば、トルエンもしくはキシレン中で、室温で十分な濃度で可溶性である溶解度をもたらす。これらの可溶性の化合物は、特に、溶液からの処理、たとえば、印刷法に対して良好に適合的である。さらに、少なくとも一つの式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む本発明の化合物は、これらの溶媒中で向上した溶解度を既に有することが強調されるべきである。
【００８６】
本発明の化合物をポリマーと混合してもよい。同様に、これらの化合物をポリマー中に共有結合的に組み込むこともできる。これは、特に、臭素、沃素、塩素、ボロン酸もしくはボロン酸エステル等の反応性脱離基またはオレフィンもしくはオキセタン等の反応性重合可能基により置換された化合物により可能である。これらは、対応するオリゴマー、デンドリマーまたはポリマーの製造のためのモノマーとしての使用を見出し得る。オリゴマー化もしくはポリマー化は、好ましくは、ハロゲン官能基もしくはボロン酸官能基または重合可能基によりなされる。追加的に、この種の基を介してポリマーを架橋することもできる。本発明の化合物とポリマーを、架橋もしくは非架橋層の形態で使用してよい。
【００８７】
したがって、本発明は、さらに、一以上の式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の上記詳細な構造を含む化合物もしくは本発明の化合物を含むオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを提供し、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーへの本発明の化合物または式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造の化合物の一以上の結合が存在する。式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造または化合物の結合に応じて、これらは、かくて、オリゴマーもしくはポリマーの側鎖を形成するか、または主鎖内で結合する。ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーは、共役、部分共役もしくは非共役であってよい。オリゴマーまたはポリマーは、直鎖、分岐もしくは樹状であってよい。オリゴマー、デンドリマーおよびポリマー中の本発明の化合物の反復単位に対して、上記記載したのと同じ選好があてはまる。
【００８８】
オリゴマーまたはポリマーの調製のために、本発明のモノマーは、さらなるモノマーとホモ重合するか共重合する。式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の単位もしくは上記示した好ましい態様が、０．０１〜９９．９モル％、好ましくは、５〜９０モル％、より好ましくは、２０〜８０モル％であるコポリマーが好ましい。ポリマー基本骨格を形成する適切で好ましいコモノマーは、フルオレン（たとえば、EP842208もしくはWO2000/22026による）、スピロビフルオレン（たとえば、EP707020、EP894107もしくはWO2006/061181による）、パラ-フェニレン（たとえば、WO92/18552による）、カルバゾール（たとえば、WO2004/070772もしくはWO2004/113468による）、チオフェン（たとえば、EP1028136による）、ジヒドロフェナントレン（たとえば、WO 2005/014689による）、シス-およびトランス-インデノフルオレン（たとえば、WO2004/041901もしくはWO2004/113412による）、ケトン（たとえば、WO2005/040302による）、フェナントレン（たとえば、WO2005/104264もしくはWO0207/017066による）または複数のこれらの単位から選ばれる。ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーは、なおさらなる単位、たとえば、正孔輸送単位、特に、トリアリールアミン系のもの、および/または電子輸送単位をも含んでもよい。
【００８９】
さらに、本発明の化合物は、比較的低い分子量を有してもよい。したがって、本発明は、さらに好ましくは、１００００ｇ／ｍｏｌを超えない、より好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌを超えない、特別に好ましくは、３０００ｇ／ｍｏｌを超えない分子量を有する化合物を提供する。
【００９０】
さらに、昇華可能であることが、好ましい化合物の特徴である。これらの化合物は、一般的に約１２００ｇ／ｍｏｌ未満のモル質量を有する。
【００９１】
追加的に、特に関心のあるものは、高いガラス転移温度を特徴とする本発明の化合物である。これに関連して、好ましいものは、ＤＩＮ５１００５にしたがって測定された少なくとも７０℃の、より好ましくは、少なくとも１００℃の、さらにより好ましくは、少なくとも１２５℃のおよび、特別に好ましくは、少なくとも１５０℃のガラス転移温度を有する一般式（Ｉ）および（ＩＩ）の構造を含む本発明の化合物である。
【００９２】
本発明は、なおさらに、本発明の化合物または本発明のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーと少なくとも一種のさらなる化合物とを含む調合物を提供する。さらなる化合物は、好ましくは、溶媒であってよい。さらなる化合物は、代替として、電子素子で同様に使用されるさらなる有機もしくは無機化合物、たとえば、マトリックス材料であってよい。このさらなる化合物は、ポリマー状であってもよい。
【００９３】
適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、o-、m-もしくはp-キシレン、メチルベンゾエート、メシチレン、テトラリン、ベラトール、ＴＨＦ、メチル-ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に、3-フェノキシトルエン、(-)-フェンコンヌ、1,2,3,5-テトラメチルベンゼン、1,2,4,5-テトラメチルベンゼン、1-メチルナフタレン、2-メチルベンゾチアゾール、2-フェノキシエタノール、2-ピロリジノン、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、アセトフェノン、α-テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾエート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、エチルベンゾエート、インダン、メチルベンゾエート、ＮＭＰ、p-シメン、フェネトール、1,4-ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ−テル、トリプロピレングリコールジメチルエ−テル、テトラエチレングリコールジメチルエ−テル、2-イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1-ビス(3,4-ジメチルフェニル)エタンもしくはこれら溶媒の混合物である。
【００９４】
本発明は、なおさらに、本発明の化合物と蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる有機機能性材料を含む組成物を提供する。
【００９５】
したがって、本発明は、少なくとも一つの式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む化合物と少なくとも一つのさらなるマトリックス材料とを含む組成物にも関する。本発明の特別な１側面によれば、さらなるマトリックス材料は、正孔輸送特性を有する。
【００９６】
本発明は、さらに、少なくとも一つの式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む化合物と少なくとも一つの広バンドギャップ材料らなるマトリックス材料とを含む組成物を提供し、広バンドギャップ材料は、US 7,294,849の開示の意味での材料を意味するものと理解される。これらシステムは、エレクトロルミッセンス素子における特に有利な性能データを示す。
【００９７】
好ましくは、追加的化合物は、２．５ｅＶ以上の、より好ましくは、３．０ｅＶ以上の、より非常に好ましくは、３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する。バンドギャップを計算する一つの方法は、最高分子占有軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位を介する。
【００９８】
本発明は、少なくとも一つの式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む化合物と少なくとも一つの燐光エミッターとを含む組成物にも関し、用語「燐光エミッター」は、燐光ドーパントを意味するとも解される。
【００９９】
用語「燐光ドーパント」は、発光が、スピン禁制遷移、たとえば、より高いスピン量子数を有する状態、たとえば、五重項状態からの遷移により生じる化合物を典型的には包含する。
【０１００】
適切な燐光発光ドーパントは、特に、適切な励起により、好ましくは、可視域で発光する化合物であり、また、２０より大きい、好ましくは、３８〜８４の、より好ましくは、５６〜８０の原子番号を有する少なくとも一つの原子を含む。燐光発光ドーパントとして使用されるのは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含む化合物、特に、イリジウム、白金または銅を含む化合物である。
【０１０１】
本出願の文脈では、すべてのルミネッセントイリジウム、白金または銅錯体が、燐光化合物とみなされる。燐光ドーパントの例は、次のセクションで加えられる。
【０１０２】
マトリックス材料とドーパントとを含む系中でのドーパントは、混合物中でより少ない割合を有する成分を意味するものと解される。対応して、マトリックス材料は、マトリックス材料とドーパントとを含む系中で、混合物中でより多い割合を有する成分を意味するものと解される。
【０１０３】
混合マトリックス系での使用のための好ましい燐光ドーパントは、以後特定される好ましい燐光ドーパントである。
【０１０４】
燐光ドーパントの例は、出願WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373およびUS2005/0258742に見出され得る。一般的には、先行技術による燐光発光ＯＬＥＤのために使用され、有機エレクトロルミネッセンス素子分野の当業者に知られるようなすべての燐光発光錯体が、本発明の素子での使用のために適切である。
【０１０５】
燐光ドーパントの明確な例は、以下の表に示される。
【０１０６】
【化１２−１】
0006576915.tif 000019
【０１０７】
【化１２−２】
0006576915.tif 000020
【０１０８】
【化１２−３】
0006576915.tif 000021
【０１０９】
【化１２−４】
0006576915.tif 000022
【０１１０】
【化１２−５】
0006576915.tif 000023
【０１１１】
【化１２−６】
0006576915.tif 000024
【０１１２】
【化１２−７】
0006576915.tif 000025
【０１１３】
【化１２−８】
0006576915.tif 000026
【０１１４】
【化１２−９】
0006576915.tif 000027
【０１１５】
【化１２−１０】
0006576915.tif 000028
【０１１６】
【化１２−１１】
0006576915.tif 000029
【０１１７】
式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む上記化合物もしくは上記詳細な好ましい態様は、好ましくは、電子素子での活性成分として使用することができる。電子素子は、アノード、カソードおよび少なくとも１つの層を含む素子を意味すると理解され、前記層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。したがって、本発明の電子素子は、アノード、カソード、およびの式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む少なくとも１種の化合物を含む少なくとも１つの層を含む。ここで、好ましい電子素子は、有機エレクトロルミネッセント素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容体、有機電場消光素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）および有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）からなる群から選択され、少なくとも１つの層に前述の式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む少なくとも１種の化合物を含む。有機エレクトロルミネッセント素子が、特に好ましい。活性成分は、一般に、アノードとカソードの間に導入された有機または無機材料、たとえば電荷注入、電荷輸送または電荷ブロック材料であるが、特に、発光材料およびマトリックス材料である。本発明の化合物は、有機エレクトロルミッセンス素子において、発光材料として、特に良好な特性を示す。したがって、本発明の好ましい１態様は、有機エレクトロルミネッセント素子である。さらに、本発明の化合物は、一重項酸素の製造のために、または光触媒で使用することができる。
【０１１８】
有機エレクトロルミネセンス素子は、カソード、アノードと少なくとも一つの発光層を含む。これらの層とは別に、さらなる層、たとえば、各場合に、一以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電子ブロック層、電荷生成層および/または有機もしくは無機Ｐ／Ｎ接合を含んでもよい。同時に、一以上の正孔輸送層が、たとえば、ＭｏＯ３もしくはＷＯ３等の金属酸化物または（過）フッ素化電子不足芳香族系によりp-ドープされ、および/または一以上の電子輸送層が、n-ドープされることも可能である。たとえば、エレクトロルミネセンス素子中で励起子ブロック機能および/または電荷バランス調節能を有する中間層も、同様に二個の発光層の間に導入されることも可能である。しかしながら、これらの層の夫々は、必ずしも存在する必要がないことに留意する必要がある。
【０１１９】
この場合に、有機エレクトロルミネセンス素子は、一つの発光層または複数の発光層を含むことができる。複数の発光層が存在するならば、これらは、好ましくは、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ間に全体で複数の最大発光長を有し、全体として、白色発光が生じるものであり、換言すれば、蛍光もしくは燐光を発することができる種々の発光化合物が、発光層に使用される。特に、好ましいのは、三層構造であり、その三層は青色、緑色およびオレンジ色もしくは赤色発光を呈する（基本構造については、たとえば、WO 2005/011013参照。）か、または三層ｘｚ以上の発光層を有する構造である。システムは一以上の層が蛍光であり、一以上の他の層が燐光であるハイブリッドシステムであってもよい。
【０１２０】
本発明の好ましい１態様では、有機エレクトロルミッセンス素子は、一以上の発光層に、マトリックス材料として、好ましくは、電子伝導マトリックス材料として、好ましくは、さらなるマトリックス材料、好ましくは、正孔伝導マトリックス材料と組み合わせて、式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む化合物もしくは上記詳細な好ましい態様を含む。発光層は、少なくとも一つの発光化合物を含む。
【０１２１】
使用されるマトリックス材料は、一般的に、先行技術によりその目的のために知られる任意の材料であってよい。マトリックス材料の三重項準位は、好ましくは、エミッターの三重項準位よりも高い。
【０１２２】
本発明の化合物のために適切なマトリックス材料は、たとえば、WO2004/013080、WO2004/093207、W2006/005627もしくはWO 2010/006680によるケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホンであり、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、ＣＢＰ（N.N-ビスカルバゾリルビフェニル）、m-ＣＢＰまたはWO2005/039246、US2005/0069729、JP 2004/288381、EP1205527、WO2008/086851もしくはUS2009/0134784に記載されたカルバゾール誘導体、たとえば、WO2007/063754もしくはWO2008/056746によるインドロカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2010/136109もしくはWO 2011/000455によるインデノカルバゾール誘導体、たとえば、EP1617710、EP1617711、EP1731584、JP 2005/347160によるアザカルバゾール、たとえば、WO 2007/137725によるバイポーラーマトリックス材料、たとえば、WO2005/111172によるシラン、たとえば、WO 2006/117052によるアザボロールもしくはボロン酸エステル、たとえば、WO 2010/054729によるジアザシロール誘導体、たとえば、WO 2010/054730によるジアザホスホール誘導体、たとえば、WO 2010/015306、WO2007/063754もしくはWO02008/056746によるトリアジン誘導体、またはたとえば、EP652273もしくはWO2009/062578による亜鉛錯体、たとえば、WO 2009/148015によるジベンゾフラン誘導体またはたとえば、US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107もしくはWO 2011/088877による架橋カルバゾール誘導体である。
【０１２３】
複数の異なるマトリックス材料、特に、少なくとも一つの電子伝導性マトリックス材料と少なくとも一つの正孔伝導性マトリックス材料を混合物として使用することも好ましいこともある。好ましいのは、同様に、電荷輸送マトリックス材料と、たとえば、WO 2010/108579に記載されたとおりの、あるとしても電荷輸送に顕著な関与を有さない電気的に不活性なマトリックス材料との混合物の使用である。
【０１２４】
マトリックスと一緒に二個以上の三重項エミッターの混合物を使用することがさらに好ましい。この場合に、より短い波長の発光スペクトルを有する三重項エミッターは、より長い波長の発光スペクトルを有する三重項エミッターのためのコマトリックスとしての役割を果たす。
【０１２５】
より好ましくは、好ましい１態様において、式（Ｉ）および/または式（ＩＩ）の構造を含む本発明の化合物を、有機電子素子、特に、有機エレクトロルミッセンス素子、たとえば、ＯＬＥＤもしくはＯＬＥＣにおいて、発光層でのマトリックス材料として使用することができる。この場合に、式（Ｉ）および/または式（ＩＩ）の構造を含む化合物を含むマトリックス材料は、一以上のドーパント、好ましくは、燐光ドーパントと組み合わせて電子素子中に存在する。
【０１２６】
この場合に、発光層中のマトリックス材料の割合は、蛍光発光層に対して、５０．０〜９９．９体積％、好ましくは、８０．０〜９９．５体積％、より好ましくは、９２．０〜９９．５体積％であり、燐光発光層に対して、８５．０〜９７．０体積％である。
【０１２７】
対応して、ドーパントの割合は、蛍光発光層に対して、０．１〜５０．０体積％、好ましくは、０．５〜２０．０体積％、より好ましくは、０．５〜８．０体積％であり、燐光発光層に対して、３．０〜１５．０体積％である。
【０１２８】
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、また、複数のマトリックス材料（混合マトリックス系）および/または複数のドーパントを含む系を含んでもよい。この場合にも、ドーパントは、一般的には、系中でより少ない割合を有するそれらの材料であり、マトリックス材料は、系中でより多い割合を有するそれらの材料である。しかしながら、個々の場合では、系中の単一のマトリックス材料の割合は、単一のドーパントの割合よりも少なくてよい。
【０１２９】
本発明のさらに好ましい態様では、式（Ｉ）および/または式（ＩＩ）の構造を含む化合物は、混合マトリックス系の成分として使用される。混合マトリックス系は、好ましくは、２または３種の異なるマトリックス材料、より好ましくは、２種の異なるマトリックス材料を含む。この場合に、２種の材料の内の一つは、好ましくは、正孔輸送特性を有する材料であり、他方は電子輸送特性を有する材料である。しかしながら、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分中で主としてまたは完全に結合されてもよく、この場合には、さらなる混合マトリックス成分が、他の機能を果たす。ここで、２種の異なるマトリックス材料は、１：５０〜１：１、好ましくは、１：２０〜１：１、より好ましくは、１：１０〜１：１、最も好ましくは、１：４〜１：１の比で存在してよい。混合マトリックス系は、好ましくは、燐光有機エレクトロルミッセンス素子中で使用される。混合マトリックス系に関するより詳細な情報源の一つは、特に、出願WO 2010/108579である。
【０１３０】
混合マトリックス系のマトリックス成分として、本発明の化合物と組み合わせて使用することのできる特に適切なマトリックス材料は、どのタイプのドーパントが混合マトリックス系に使用されるかに応じて、燐光ドーパントのために以下に特定されるマトリックス材料または蛍光ドーパントのための好ましいマトリックス材料から選ばれる。
【０１３１】
本発明は、さらに、一以上の本発明の化合物および/または少なくとも一つの本発明のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーを一以上の電子伝導層中に電子伝導化合物として含む電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミッセンス素子を提供する。
【０１３２】
好ましいカソードは、低仕事関数を有する金属、金属合金または、たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属もしくはランタノイド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）のような種々の金属を含む多層構造である。追加的に適切なのは、アルカリ金属、アルカリ土類金属および銀より成る合金、たとえば、マグネシウムと銀から成る合金である。多層構造の場合、前記金属に加えて、比較的高仕事関数を有するさらなる金属、たとえば、Ａｇが使用されてもよく、その場合、たとえば、Ｍｇ／Ａｇ、Ｃａ／ＡｇもしくはＢａ／Ａｇのような金属の組み合わせが一般的に使用される。金属カソードと有機半導体との間に高誘電定数を有する材料の薄い中間層を導入することが好ましいこともある。この目的に有益な材料の例は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属フッ化物だけでなく、また対応する酸化物もしくは炭酸塩（たとえば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３等）である。この目的に有益なものは、同様に有機アルカリ金属錯体、たとえば、Ｌｉｑ（リチウムキノリナート）である。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
【０１３３】
好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。アノードは、好ましくは、４．５ｅＶ対真空超の仕事関数を有する。第１に、たとえば、Ａｇ、ＰｔもしくはＡｕのような高レドックスポテンシャルを有する金属が、この目的に適切である。第２に、金属/金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ、Ａｌ／ＰｔＯｘ）が、また、好まれてもよい。幾つかの用途のために、少なくとも一つの電極は、有機材料の放射（Ｏ-ＳＣ）もしくは発光（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−ｌａｓｅｒ）の何れかを可能にするために透明もしくは一部透明である必要がある。ここで、好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。特に好ましいのは、イリジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはイリジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）である。さらに、ドープされた導電性有機材料、特にドープされた導電性ポリマー、たとえばＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩまたはこれらのポリマーの誘導体が好ましい。ｐ-ドープされた正孔輸送材料を正孔注入層としてアノードに適用することがさらに好ましく、この場合、適切なｐドーパントは、金属酸化物、たとえばＭｏＯ３もしくはＷＯ３または（過）フッ素化された電子不足芳香族系である。さらに適切なｐ-ドーパントは、ＨＡＴ−ＣＮ（ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン）またはNovaled製の化合物ＮＰＤ９である。このような層により、大きさの観点で、低ＨＯＭＯ、すなわち高いＨＯＭＯ値を有する材料における正孔注入が簡単になる。
【０１３４】
さらなる層において、一般的に、層のために先行技術により使用されるとおりの任意の材料を使用することができ、当業者は、発明性を要さず、電子素子において、本発明による材料とこれら任意の材料を組み合わせることができるだろう。
【０１３５】
このような素子の寿命は、水および/または空気の存在でひどく低下することから、素子は、（用途に応じて）対応して構造化され、接点を接続され、最後に気密シールされる。
【０１３６】
追加的に好ましいのは、電子素子、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子であり、１以上の層が、昇華プロセスにより被覆されることを特徴とする。この場合に、材料は、１０−５mbar未満、好ましくは１０−６mbar未満の初期圧力で、真空昇華システム中での気相堆積により適用される。初期圧力は、さらにより低くても、たとえば、１０−７mbar未満でも可能でもある。
【０１３７】
同様に好ましいのは、電子素子、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子であり、１以上の層が、ＯＶＰＤ（有機気相堆積）法もしくはキャリアガス昇華により被覆されることを特徴とする。この場合に、材料は、１０−５mbar〜１barの圧力で適用される。この方法の特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）プロセスであり、材料はノズルにより直接適用され、ひいては構造化される（たとえば、M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301）。
【０１３８】
追加的に好ましい電子素子、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、溶液から、たとえば、スピンコーティングにより、もしくは、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷あるいはオフセット印刷、より好ましくは、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）あるいはインクジェット印刷のような任意の所望の印刷プロセスにより製造されることを特徴とする。この目的では、可溶性の化合物が必要であり、それらは、たとえば適切な置換により得られる。
【０１３９】
電子素子、特に、有機エレクトロルミネセンス素子は、また、１以上の層を溶液から適用し、また、１以上の他の層を気相堆積により適用することによりハイブリッドシステムとしても製造され得る。たとえば、式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む本発明の化合物とマトリックス材料を含む発光層を溶液から適用し、正孔ブロック層および/または電子輸送層をそこに減圧下気相堆積により適用することもできる。
【０１４０】
これらの方法は当業者に一般的に知られており、当業者により問題なく、式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を含む本発明の化合物または上記詳細な好ましい態様を含む電子素子、特に、有機エレクトロルミネセンス素子に適用することができる。
【０１４１】
本発明の電子素子、特に、有機エレクトロルミネセンス素子は、先行技術を凌駕する一以上の以下の驚くべき優位性で注目すべきである。
【０１４２】
１．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、特に、電子伝導材料として含む電子素子、特に、有機エレクトロルミネセンス素子は、極めて良好な寿命を有する。
【０１４３】
２．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、電子伝導材料として含む電子素子、特に、有機エレクトロルミネセンス素子は、優秀な効率を有する。より特別には、効率は、式（Ｉ）または式（ＩＩ）の構造単位を含まない類似化合物と比べて、遙かにより高い。
【０１４４】
３．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、極めて高い安定性を示し、極めて長い寿命を有する化合物をもたらす。
【０１４５】
４．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーにより、電子素子、特に、有機エレクトロルミネセンス素子におけるチャンネルの光学的損失の形成を回避することができる。結果として、これらの素子は、エミッターの高いＰＬ効率とそれゆえの高いＥＬ効率と優れたマトリックスのドーパントへのエネルギー移送を特徴とする。
【０１４６】
５．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーの電子素子、特に、有機エレクトロルミッセンス素子の層での使用は、電子伝導構造の高い移動度をもたらす。
【０１４７】
６．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、優秀な熱安定性を特色とし、約１２００ｇ／ｍｏｌ未満のモル質量を有する化合物は、良好な昇華性を有する。
【０１４８】
７．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、優秀なガラス膜形成性を有する。
【０１４９】
８．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、溶液から極めて良好な膜を形成する。
【０１５０】
９．式（Ｉ）および/または（ＩＩ）の構造を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、驚くほど高い三重項準位Ｔ１をも有する。
【０１５１】
上記したこれらの利点は、さらなる電子特性での低下を伴わない。
【０１５２】
本発明は、さらに、本発明の化合物および/または本発明のオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーの、正孔ブロック材料、電子注入材料および/または電子輸送材料としての電子素子での使用を提供する。
【０１５３】
本発明で説明された態様の変形が、本発明の範囲に入ることが指摘されねばならない。本発明で開示された任意の特徴は、明確に除外されなければ、同じ目的か、等価か、類似する目的に役立つ代替的特徴により置き代えられてよい。したがって、特に断らなければ、本発明で開示された任意の特徴は、一般的な一連の例としてか、等価か類似する特徴とみなされなければならない。
【０１５４】
本発明のすべての特徴は、特定の特徴および/または工程が相互に排除しないならば、とにかく互いに組み合わせてよい。これは、特に、本発明の好ましい特徴にあてはまる。同様に、非本質的な組み合わせの特徴は、（組み合わせではなく）別に、使用されてよい。
【０１５５】
多くの特徴、特に、本発明の好ましい態様の特徴は、それ自身で発明性があり、本発明の態様の単なる部分としてだけではないとみなされねばならない。現在クレームされた任意の発明に加えてまたその代替として、独立した保護が、これらの特徴のために与えられてよい。
【０１５６】
本発明で開示された技術的教示を抽出し、他の例と組み合わせてよい。
【０１５７】
本発明を、以下の例によってより詳細に説明するが、それにより本発明が制限されるものではない。
【０１５８】
当業者は、所与の説明を使用して発明性を使うことなく、本発明のさらなる電子素子を製造することができ、したがって特許請求の範囲の全般にわたって本発明を実施することができよう。
【０１５９】
例
以下の合成は、他に断らない限り、保護ガス雰囲気下、無水溶媒中で行われる。金属錯体を遮光して、または黄色光下で、追加的な処理をする。溶媒および試薬を、たとえばSigma-ALDRICHまたはABCRから購入することができる。角括弧内の夫々の番号または個々の化合物について示された番号は、文献から知られた化合物のＣＡＳ番号である。
【０１６０】
一般的な調製方法：
Ａ：シントンＳの合成：
例Ｓ１：  4-ブロモスピロ-9,9’-ビフルオレン
【０１６１】
【化１３】
0006576915.tif 000030
【０１６２】
２０００ｍＬのＴＨＦ中、−７８℃に冷却した２５０ｇ（７８５ミリモル）の2,2’-ジブロモビフェニルの溶液に対して、撹拌しながら、ｎ−ヘキサン中、３１８ｍＬのｎ−ＢｕＬｉの２．５Ｍを滴下し、その混合物をさらに３０分間撹拌する。次いで、１０００ｍＬのＴＨＦ中、１４４ｇ（７８５ミリモル）のフルオレンの溶液を滴下し、その混合物をさらに３０分間撹拌し、冷却槽を撤去し、その混合物を終夜、室温まで温めておく。溶媒を実質的に減圧下で除去し、残留物を２０００ｍＬの氷酢酸に取込み、２００ｍＬのＥｔＯＨと、１００ｍＬの濃塩酸とを添加し、その混合物を還流下で２時間加熱する。冷却後、沈殿した固形物を吸引濾過し、その度毎に５００ｍＬの氷酢酸で二度、次いで、その度毎に３００ｍＬのエタノールで三度、洗浄し、減圧下で脱水させる。収率：２６５ｇ（６６７ミリモル）、８５％。ＮＭＲによる純度約９８％。
【０１６３】
Ｂ：ボランの合成：
変形１：
１０００ｍＬのＴＨＦ中、−７８℃に冷却した１００ミリモルの一臭化物または５０ミリモルの二臭化物または３３ミリモルの三臭化物または２５ミリモルの四臭化物のよく撹拌した溶液または懸濁液に対して、ｎ−ヘキサン中の１０５ｍＬのｎ−ＢｕＬｉの２．５Ｍを、温度が−５５℃を超えない速度で滴下する。添加の終了後、その混合物をさらに２時間撹拌し、次いで、２００ｍＬのＴＨＦ中の１１０ミリモルのフルオロボランの溶液を、温度が−５５℃を超えない速度で滴下する。その混合物をさらに−７８℃で１時間撹拌し、次いで、徐々に室温まで温めておく。５０ｍＬのメタノールの添加後、溶媒を実質的に減圧下で除去し、残留物を５００ｍＬのジクロロメタンに取込み、有機相を、その度毎に２００ｍＬの水で五度、２００ｍＬの飽和塩化ナトリウム溶液で一度、洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで脱水させる。溶媒の除去後に得られた残留物を（たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコールと組み合わせて、トルエン、アセトン、酢酸エチルから）反復して再結晶化することにより精製し、最後に高真空（ｐ＝約１０―５〜１０−６mbar、Ｔ約２５０〜４００℃）で、二度、分別昇華させる。
【０１６４】
例Ｂ１：
【０１６５】
【化１４】
0006576915.tif 000031
【０１６６】
３９．５ｇ（１００ミリモル）の4-ブロモスピロ-9,9’-ビフルオレン、Ｓ１と、ｎ−ヘキサン中、４２．０ｍＬ（１０５ミリモル）のｎ−ＢｕＬｉの２．５Ｍと、２９．５ｇ（１１０ミリモル）のフルオロジメチルボラン[436-59-9]。トルエン／ＥｔＯＨからの五度の再結晶化。二度の分別昇華：ｐ約１０―５mbar、Ｔ＝３００〜３１５℃。収率：１９．２ｇ（３４ミリモル）、３４％。純度：ＨＰＬＣによると９９．９％。
【０１６７】
同じような方法で、以下の化合物を調製することができる：
【０１６８】
【化１５−１】
0006576915.tif 000032
【０１６９】
【化１５−２】
0006576915.tif 000033
【０１７０】
【化１５−３】
0006576915.tif 000034
【０１７１】
【化１５−４】
0006576915.tif 000035
【０１７２】
【化１５−５】
0006576915.tif 000036
【０１７３】
【化１５−６】
0006576915.tif 000037
【０１７４】
【化１５−７】
0006576915.tif 000038
【０１７５】
【化１５−８】
0006576915.tif 000039
【０１７６】
変形２：
１００ミリモルの臭化物と、１１０ミリモルのボロン酸と、３００ミリモルの炭酸水素ナトリウムと、２ミリモルのＳ−Ｐｈｏｓと、１ミリモルの酢酸パラジウム(II)と、３００ｍＬのトルエンと、２００ｍＬのジオキサンと、３００ｍＬの水との混合物を還流下で１６時間加熱する。冷却後、水相を除去し、有機相を、その度毎に３００ｍＬの水で三度、３００ｍＬの塩化ナトリウム溶液で一度、洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水させ、乾燥剤をセライト床を使用して濾過する。溶媒の除去後に得られた残留物を（たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコールと組み合わせて、トルエン、アセトン、酢酸エチルから）反復して再結晶化することにより精製し、最後に高真空（ｐ＝約１０―５〜１０−６mbar、Ｔ約２５０〜４００℃）で、二度、分別昇華させる。
【０１７７】
例Ｂ２５：
【０１７８】
【化１６】
0006576915.tif 000040
【０１７９】
４６．１ｇ（１００ミリモル）の(4-ブロモ-2,3,5,6-テトラメチルフェニル)ビス(2,4,6-トリメチルフェニル)ボラン[321735-74-4]、３９．６ｇ（１１０ミリモル）のスピロ-9,9’-ビフルオレン-4-ボロン酸[1421789-05-0]と、２５．２ｇ（３００ミリモル）の炭酸水素ナトリウムと、８２１ｍｇ（２ミリモル）のＳ−Ｐｈｏｓと、２４９ｍｇ（１ミリモル）の酢酸パラジウム(II)。トルエン／ＥｔＯＨからの五度の再結晶化。二度の分別昇華：ｐ約１０―５mbar、Ｔ＝３３０〜３４０℃。収率：２０．２ｇ（２９ミリモル）、２９％。純度：ＨＰＬＣによると９９．９％。
【０１８０】
同じような方法で、以下の化合物を調製することができる：
【０１８１】
【化１７−１】
0006576915.tif 000041
【０１８２】
【化１７−２】
0006576915.tif 000042
【０１８３】
ＯＬＥＤの製造
１）真空処理された素子：
本発明のＯＬＥＤおよび先行技術のＯＬＥＤは、WO 2004/058911による一般的な方法により製造されるが、ここに記載される状況（層の厚さの変化、使用する材料）に適合される。
【０１８４】
種々のＯＬＥＤの結果を、以下の例に提示する。ガラス薄板は、構造化ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）と共に、ＯＬＥＤが適用される基板を形成する。ＯＬＥＤは、原則的に次の層構造を有する：基板／３％のＮＤＰ−９（Novaledから市販されている）でドープされているＨＴＭからなる正孔輸送層１（ＨＴＬ１）、２０ｎｍ／正孔輸送層２（ＨＴＬ２）／随意に正孔輸送層３（ＨＴＬ３）／発光層（ＥＭＬ）／随意に正孔ブロック層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／随意に電子注入層（ＥＩＬ）、および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍ厚のアルミニウム層によって形成される。
【０１８５】
最初に、真空処理されたＯＬＥＤについて記載する。この目的では、すべての材料は、真空チャンバ中で熱気相堆積によって適用される。この場合、発光層は、常に、少なくとも１種のマトリックス材料（ホスト材料）、および１種以上のマトリックス材料と特定の体積割合で共蒸発によってマトリックス材料に添加される発光ドーパント（エミッター）からなる。ここでＭ３：Ｍ２：Ｉｒドーパント（５５％：３５％：１０％）のような形で与えられている詳細は、材料Ｍ３が５５％の体積割合で層中に存在し、Ｍ２が３５％の割合で層中に存在し、Ｉｒドーパントが１０％の割合で層中に存在することを意味する。同じように、電子輸送層も、２種の材料の混合物からなってもよい。ＯＬＥＤの正確な構造が、表１に見られる。ＯＬＥＤの製造のために使用した材料を、表４に示す。
【０１８６】
ＯＬＥＤは、標準の方法によってその特性が決定される。この目的では、エレクトロルミネッセンススペクトル、パワー効率（ｃｄ／Ａで測定）および電圧（１０００ｃｄ／ｍ２においてＶで測定）は、電流／電圧／輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から決定される。選択された実験について、寿命を測定する。寿命は、輝度が特定の開始輝度から一定割合に低下するまでの時間と定義される。数値「ＬＴ５０」は、所与の寿命が、輝度が開始輝度の５０％に低下した、すなわち、たとえば、１０００ｃｄ／ｍ２から５００ｃｄ／ｍ２に低下した時点までであることを意味する。発光色に応じて、異なる開始輝度を選択した。寿命の値は、当業者に公知の変換式を用いて他の開始輝度の数値に変換することができる。ここでは、開始輝度の寿命１０００ｃｄ／ｍ２が通常値である。
【０１８７】
本発明のＯＬＥＤの化合物の使用
本発明の化合物の使用は、蛍光および燐光ＯＬＥＤにおけるＴＭＭ、ＥＴＭ、ＨＢＭとしての使用を含んでいる。
【０１８８】
【表１−１】
0006576915.tif 000043
【０１８９】
【表１−２】
0006576915.tif 000044
【０１９０】
【表１−３】
0006576915.tif 000045
【０１９１】
【表２】
0006576915.tif 000046
【０１９２】
２）溶液処理された素子：
Ａ：可溶性機能的材料から
本発明の化合物は、溶液から処理することもでき、プロセス技術に関して、真空処理されたＯＬＥＤと比較すると著しく単純であるにもかかわらず良好な特性を有するＯＬＥＤが得られる。このような素子の製造は、既に何度も文献（たとえばWO 2004/037887）に記載されているポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づく。
【０１９３】
構造は、基板／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ（８０ｎｍ）／中間層（８０ｎｍ）／発光層（８０ｎｍ）／カソードからなる。この目的のために、Technoprint製の基板（ソーダ石灰ガラス）を使用し、それにＩＴＯ構造（インジウム錫酸化物、透明な導電性アノード）を適用する。基板を、クリーンルーム中でＤＩ水および洗浄剤（Deconex 15PF）を用いて清浄にし、次いで、ＵＶ／オゾンプラズマ処理によって活性化する。その後、８０ｎｍのＰＥＤＯＴ（ＰＥＤＯＴは、ポリチオフェン誘導体（Baytron P VAI 4083sp）H.C.Stack,Goslar製、水性分散液として供給される）層が、同様に、クリーンルーム内で、スピンコーティングにより適用される。必要なスピン速度は、希釈度および特定のスピンコーターの形状次第である（典型的に８０ｎｍ：４５００ｒｐｍ）。層から残留水を除去するために、基板を、１８０℃でホットプレート上で１０分間加熱する。使用する中間層は、正孔注入として働き、この場合、Merck製のHIL-012が使用される。あるいは、中間層は、１つ以上の層により置きかえられていてもよく、これらは、その後の溶液からのＥＭＬ堆積の処理工程によって再び剥離しない条件を単に満たすだけのものである。発光層を製造するために、本発明のエミッターを、トルエン中にマトリックス材料と共に溶解させる。ここでのように、素子の典型的な層厚８０ｎｍがスピンコーティングを用いて達成される場合、このような溶液の典型的な固形分は１６〜２５ｇ／ｌである。溶液処理された素子は、（ポリスチレン）：マトリックス１：マトリックス２：Ｉｒ−Ｇ−Ｓｏｌ（２５％：３５％：２０％：２０％）を含む発光層を含む。発光層を、不活性ガス雰囲気中、本発明の場合にはアルゴン中でスピンし、１３０℃で３０分間加熱する。最後に、バリウム（５ｎｍ）および次いでアルミニウム（１００ｎｍ）からなるカソード（Aldrich製の高純度金属、特にバリウム９９．９９％（注文番号474711）；中でもLesker製の気相堆積装置、典型的な気相堆積圧力は５×１０−6mbarである）を、気相堆積によって適用する。随意に、最初に正孔ブロック層、次いで電子輸送層、そしてその次にカソード（たとえばＡｌまたはＬｉＦ／Ａｌ）を、減圧下で気相堆積によって適用することができる。空気および湿気から素子を保護するために、素子を最後に封止し、次いでその特性を決定する。引用したＯＬＥＤの例は、まだ最適化されていないが、得られたデータを表３にまとめる。
【０１９４】
【表３】
0006576915.tif 000047
【０１９５】
【表４−１】
0006576915.tif 000048
【０１９６】
【表４−２】
0006576915.tif 000049
【０１９７】
【表４−３】
0006576915.tif 000050
【０１９８】
ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ位置と三重項レベルの決定
化合物の三重項レベルＴ１を、量子化学計算によって決定する。この目的のために、「ガウシアン０３Ｗ」（Gaussian Inc.）ソフトウエアパッケージを使用する。有機物質を計算するために、「基底状態／準実験的／デフォルトスピン／ＡＭ１／（電荷０／一重項スピン）」法によって、第一に、幾何学的な最適化を実行する。続いて幾何学的な最適化を基準にしてエネルギー計算を実行する。これを、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセット（電荷０／一重項スピン）を用いる「ＴＤ−ＳＣＦ／ＤＦＴ／デフォルトスピン／Ｂ３ＰＷ９１」法を使用して実施する。エネルギー計算は、ｅＶでＴ１状態のエネルギーを与え、これを表１では２つの化合物である参照１と例１８について報告している。
【０１９９】
表１：計算された三重項エネルギー
【０２００】
【表５】
0006576915.tif 000051
【０２０１】
データは、先行技術と比べて、本発明の方法により、三重項レベルを驚異的に上昇できることを示している。