(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学有効面を有する、ＥＵＶ光源を設けたマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーであって、
ミラー基板（１１、２１、３１、４１）と、
前記光学有効面に入射した前記投影露光装置の作動波長を有する電磁放射線を反射する多層系と
を備え、前記多層系は、いずれの場合も分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）が間に配置された複数の反射層積層体（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、２６ａ、２６ｂ）を有し、且つ
前記多層系は、いずれの場合も反射層積層体（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、２６ａ、２６ｂ）が間に配置された複数の分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）を有し、且つ
前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、８０℃以上で３００℃未満の溶融温度を有する材料から作製され、且つ
前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、少なくとも５μｍの層厚を有し、且つ
前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、異なる溶融温度を有する、ミラー。
【請求項２】
請求項１に記載のミラーにおいて、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）の材料は、２００℃未満の溶融温度を有することを特徴とするミラー。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のミラーにおいて、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、１０μｍ〜１００μｍの範囲の層厚を有することを特徴とするミラー。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）の材料は、金属又は合金であることを特徴とするミラー。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）の材料は、共晶であることを特徴とするミラー。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）の材料は、少なくとも１つの成分と、特に合金の形態で、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、アンチモン（Ｓｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びガリウム（Ｇａ）を含む群の少なくとも２つの成分とを有することを特徴とするミラー。
【請求項７】
光学有効面を有する、ＥＵＶ光源を設けたマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーであって、
ミラー基板（１１、２１、３１、４１）と、
前記光学有効面に入射した前記投影露光装置の作動波長を有する電磁放射線を反射する多層系と
を備え、前記多層系は、いずれの場合も分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）が間に配置された複数の反射層積層体（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、２６ａ、２６ｂ）を有し、且つ、前記多層系は、いずれの場合も反射層積層体（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、２６ａ、２６ｂ）が間に配置された複数の前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）を有し、前記分離層は、所定の温度範囲で固体から液体へ又は固体からガスへの相転移を経ることで、前記多層系のうち前記分離層によって担持された部分の該ミラーからの除去を可能にし、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、異なる溶融温度を有するミラー。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載のミラーにおいて、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）の溶融温度は、前記光学有効面から前記ミラー基板（１１、２１、３１、４１）への方向に高くなることを特徴とするミラー。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、８０℃〜４００℃の範囲の融点を有する材料から作製されることを特徴とするミラー。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記多層系はさらに、反射層積層体と分離層との間にキャリア層（２２ｂ）をそれぞれ有し、該キャリア層は、前記多層系のうち前記キャリア層によって担持された部分と共に前記ミラーから機械的に剥離可能であることを特徴とするミラー。
【請求項１１】
請求項１０に記載のミラーにおいて、前記キャリア層（２２ｂ）は、２０μｍ〜２００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とするミラー。
【請求項１２】
光学有効面を有する、ＥＵＶ光源を設けたマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーであって、
ミラー基板（１１、２１、３１、４１）と、
前記光学有効面に入射した前記投影露光装置の作動波長を有する電磁放射線を反射する多層系と
を備え、前記多層系は、いずれの場合も分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）が間に配置された複数の反射層積層体（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、２６ａ、２６ｂ）を有し、且つ
前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、８０℃以上で３００℃未満の溶融温度を有する材料から作製され、且つ
前記分離層（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、２５ａ、２５ｂ）は、少なくとも５μｍの層厚を有し、且つ
前記多層系はさらに、反射層積層体と分離層との間にキャリア層（２２ｂ）をそれぞれ有し、該キャリア層は、前記多層系のうち前記キャリア層によって担持された部分と共に前記ミラーから機械的に剥離可能であることを特徴とするミラー。
【請求項１３】
請求項１２に記載のミラーにおいて、前記キャリア層（２２ｂ）は、２０μｍ〜２００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とするミラー。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記ミラー基板（３１）は、温度センサ機構（３８）を有することを特徴とするミラー。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のミラーにおいて、該ミラーは、ＥＵＶ光源のコレクタミラー（３１０）であることを特徴とするミラー。
【請求項１６】
ＥＵＶ光源、照明デバイス、及び投影レンズを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、該投影露光装置は、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のミラーを有することを特徴とする投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光システムのミラー及びミラーを加工する方法に関する。
【０００２】
本願は、２０１３年６月２７日付けで出願された独国特許出願第１０  ２０１３  ２１２  ４６７．８号及び２０１３年７月１日付けで出願された独国特許出願第１０  ２０１３  ２１２  ７８０．４号の優先権を主張する。これらの独国特許出願の内容を、参照により本願の本文に援用する（「参照による援用」）。
【背景技術】
【０００３】
マイクロリソグラフィは、例えば集積回路又はＬＣＤ等の微細構造コンポーネントの製造に用いられる。マイクロリソグラフィプロセスは、照明デバイス及び投影レンズを有するいわゆる投影露光装置で実行される。この場合、照明デバイスにより照明されたマスク（レチクル）を、投影レンズにより、感光層（フォトレジスト）で被覆されて投影レンズの像平面に配置された基板（例えばシリコンウェーハ）に投影することで、マスク構造を基板の感光コーティングに転写するようにする。
【０００４】
ＥＵＶ領域、すなわち、例えば約１３ｎｍ又は約７ｎｍの波長用に設計した投影レンズでは、適当な光透過反射材料がないことにより、ミラーを結像プロセス用の光学コンポーネントとして用いる。
【０００５】
ＥＵＶ光は、プラズマ励起に基づくＥＵＶ光源によって発生され、これに関して、図６が例示的な従来の設計を示す。このＥＵＶ光源は、λ≒１０．６μｍの波長を有する赤外線３０６を発生させるＣＯ２レーザ（図６には図示せず）を最初に有し、赤外線３０６は、集束光学ユニット（図６には図示せず）によって集束され、楕円面として具現されたコレクタミラー３１０に開いている開口３１１を通過し、ターゲット源３３５が発生させたターゲット物質３３２（この例ではスズ液滴）へ導かれてプラズマ点火位置３３０に供給される。赤外線３０６は、プラズマ点火位置３３０に位置するターゲット物質３３２がプラズマ状態へ移行してＥＵＶ放射線を発するようにターゲット物質３３２を加熱する。例として、マイクロリソグラフィ投影露光装置が用いるスペクトル領域は、λ≒１３．５±０．５ｎｍであり得る。このＥＵＶ放射線は、コレクタミラー３１０によって中間焦点ＩＦ（「Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｆｏｃｕｓ」）に集束され、この中間焦点ＩＦを通って後続の照明デバイスに入り、照明デバイスは、縁部３４０のみが図示されており、光を入射させるクリアアパーチャ３４１を有する。光トラップ３２０が、赤外線３０６が照明デバイスへ直接進む（すなわち、コレクタミラー３１０において先に反射されない）ことを防止するよう働く。
【０００６】
従来技術に関して、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、及び特許文献５を単に例示的に参照されたい。
【０００７】
上記ＥＵＶ光源を設けた投影露光装置の動作中に生じる問題は、プラズマ状態への移行に用いられるターゲット物質（例えば、スズ）が、特にコレクタミラーの汚染を招き、その結果として、比較的短い動作期間の後に（例えば、数時間以内に）その反射特性の低下がすでに生じることである。特に、存在する真空条件を考慮して例えば水溶液の使用が問題とならない程度に、例えばコレクタミラーを完全に交換せずにこの低下をなくすことは困難であり、概して、関連のミラー（例えば、コレクタミラー）上にある反射層系の損傷も回避すべきである。
【０００８】
さらに、ミラーに存在する多層系は、投影露光装置の動作中の放射線照と、特にコーティングの再生が必要となり得るようなその光学特性に関する変化とに起因して、投影露光装置の動作中に劣化し得る。さらに、コーティングは、引掻き、局所的欠陥等によって損傷を受ける場合もあるので、この場合もコーティングの再生が必要となり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０６９８８１号
【特許文献２】独国特許第１０  ２０１２  ２００  ４５４号明細書
【特許文献３】独国特許第１０  ２０１１  ０８０  ４０９号明細書
【特許文献４】米国出願公開第２００３／０２１４７３５号明細書
【特許文献５】米国出願公開第２００５／０２１３１９９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、汚染後に必要な反射特性の迅速且つ効果的な回復を可能にする、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー及びミラーを加工する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は、独立特許請求項１の特徴に従ったミラーと、独立特許請求項１９に従った方法とによって達成される。
【００１２】
光学有効面を有する、マイクロリソグラフィ投影露光装置の本発明によるミラーは、
ミラー基板と、
光学有効面に入射した投影露光装置の作動波長を有する電磁放射線を反射する多層系と
を備え、多層系は、いずれの場合も分離層が間に配置された複数の反射層積層体を有し、且つ
この分離層は、８０℃以上で３００℃未満の溶融温度を有する材料から作製される。
【００１３】
特に、汚染（場合によっては、特に、洗浄プロセスでも十分に除去できない）が存在する場合に、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーの反射特性を「回復する」目的で、本発明は、上記ミラーが複数の（すなわち、少なくとも２つの）反射層積層体から（言わば「玉ねぎの皮状に」）設計され、いずれの場合も反射層積層体間に８０℃以上で３００℃未満の範囲の溶融温度を有する分離層が配置されるように、ミラーを実施するという概念に基づく。この比較的低い溶融温度（特に、多層系の残りの構成要素の溶融温度よりもはるかに低い）の結果として、多層系のうちこの分離層によって担持された（汚染の可能性のある）部分を、投影露光装置におけるミラーの通常の動作温度（通常は４０℃〜５０℃）よりも高い比較的穏やかな加熱によって除去するために、関連の分離層の溶融を引き起こすことが既に可能である。従来のＭｏ／Ｓｉ反射層は、一定の加熱の場合に、結晶化プロセスの結果としてのピーク波長のシフト及び早期反射損失と反応するが、熱安定性を改善した層系（ＭｏＳｉ２／Ｓｉ及びＭｏ／Ｃ／Ｓｉ／Ｃ）の記載も最近は見られており、これは永久に最高４００℃で用いることさえ可能なはずである。
【００１４】
異なる表現をすると、本発明によるミラーの設計は、比較的穏やかな温度上昇によってミラーの「スキニング（剥ぎ取り）」を言わば可能にし、温度上昇の結果として溶融した分離層は、多層系のうちその上に配置された（すなわち、光学有効面の方向に配置された）部分と共に残らず運び去ることができ、その下に位置する反射層積層体上に望ましくない残渣が残ることも、この反射層積層体が損傷することもない。
【００１５】
多層系内に通常ある残りの層（反射の低下を防止する、又は反射を可能にするよう働く）とは異なり、本発明によるミラーにおける分離層は、多層系のうち分離層によって担持された汚染部分の除去を引き起こして、その下に位置するまだ汚染されていない、したがって「未使用の」部分を露出させる機能のみを有し、この除去は、必要な場合に、例えば反射特性をそれ以上許容できないほど低下させる汚染が存在する場合に、分離層の融点を超えた温度上昇によって導入される。
【００１６】
一実施形態によれば、分離層の材料は、２００℃未満、特に１５０℃未満の溶融温度を有する。
【００１７】
一実施形態によれば、分離層は、少なくとも５μｍの層厚、特に１０μｍ〜１００μｍの範囲の層厚を有し、これは、その下に位置する多層系の望ましくない損傷を回避しつつ凹部又は回折構造を安全に製造することを考慮すれば有利である。
【００１８】
一実施形態によれば、分離層に関しての層の横方向の大きさと層厚との比が少なくとも１０００である。
【００１９】
一実施形態によれば、分離層の材料は金属又は合金である。
【００２０】
一実施形態によれば、分離層の材料は共晶である。この構成が有利なのは、特に、各分離層が特に明確な融点を有し、且つこの溶融温度に達するとすぐに液体状態に移行することで、本発明により用いられる「スキニングプロセス」が比較的短い期間で（例えば、通常は数分以内に）完了し、関連のミラー及び投影露光装置の熱負荷を全体的に低く保つことができるという点である。
【００２１】
しかしながら、本発明は、共晶からの分離層の作製に制限されないので、さらに他の実施形態において、上記で規定した範囲の低い融点を有する非共晶合金又は純金属を利用することもできる。一実施形態によれば、多層系は、いずれの場合も反射層積層体が間に配置された複数の分離層を有する。
【００２２】
さらに別の態様によれば、本発明は、光学有効面を有する、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーであって、
ミラー基板と、
光学有効面に入射した投影露光装置の作動波長を有する電磁放射線を反射する多層系と
を備え、多層系は、いずれの場合も分離層が間に配置された複数の反射層積層体を有し、分離層は、所定の温度範囲で固体から液体へ又は固体からガスへの相転移を経ることで、多層系のうちこの分離層によって担持された部分のミラーからの除去を可能にするミラーにも関する。
【００２３】
分離層が多層系のうち分離層によって担持された部分の、ミラー基板からの多層系のミラーからの分離を可能にする所定の温度範囲は、多層系及び／又はミラー基板の許容最高温度よりも低く且つ光学素子の従来及び／又は許容動作温度よりも高いよう選択され得る。これにより確実になるのは、第１に、動作中に光学素子が安定状態であること、及び多層系のうち分離層によって担持された部分が分離される際に、使用の継続が意図されるミラーのミラー基板が破壊されず、剥離も分離も多層系の剥離によってより困難にならないことである。
【００２４】
拡散バリア及び／又は接着促進層及び／又は張力付与層等のさらに他の層を、分離層と反射層積層体との間及び分離層とミラー基板との間に設けることができる。
【００２５】
分離層は、分離層を均一な規定された形で堆積させることができる任意の適当な方法によって施すことができる。温度による影響又は敏感さを回避するために、分離層は、完全で均一な層として施すことができ、特に、ミラーの動作条件下で例えば熱膨張等によってミラーの特性にほとんど影響を及ぼさない材料から作ることができる。
【００２６】
多層系のうち分離層によって担持された部分を分離する過程で、ミラー全体、又は分離層のみが所定の温度になり、この温度で分離層は、多層系の密着性が低下するようにその特性を変える。温度は、放射源又は接触加熱源等の適当な加熱源を用いた加熱によって設定することができる。特に、赤外線放射体、加熱板、又は抵抗加熱器を利用することができる。分離層を通して電流を誘導することによる直接電気加熱も実現可能である。
【００２７】
所定の温度の設定後、多層系のうち分離層の上の部分が、例えば適当な把持具によって把持されて、例えば捲り取り、接線方向の剥ぎ取り等によってミラー基板から剥離されることによって除去される。
【００２８】
多層系のうち分離層によって担持された部分を剥ぎ取る又は分離するための規定の力をかけることができるように、適当な器具と接続する接着剤及び／又はコーティング物質を利用することができ、これは、分離又は剥ぎ取りを簡略化するためにミラーの光学有効面に配置することができる。
【００２９】
多層系のうち分離層によって担持された部分の分離後、分離層を完全に、正確には液状又はガス状媒体での洗い流し、機械的捲り取り、蒸発、又は剥離層の残渣の異なる熱的除去等のさまざまな適当な措置によって除去することができる。
【００３０】
一実施形態によれば、分離層は、８０℃〜４００℃の範囲の、特に３００℃未満の、より詳細には２００℃未満の、より詳細には１５０℃未満の融点を有する材料から作製される。
【００３１】
一実施形態によれば、多層系は、いずれの場合も反射層積層体が間に配置された複数のこのような分離層を有する。
【００３２】
ここで、特に、これらの分離層は異なる溶融温度を有することができ、好ましくは、関連の溶融温度は、光学有効面からミラー基板への方向に低くなるよう分布する。これにより達成されることとして、ある分離層の溶融温度よりも高い温度への目標を定めた加熱が、その分離層のみを溶融させ（その下に位置する、より高い溶融温度をそれぞれ有する分離層は溶融させない）、その結果として、溶融を受けた反射層積層体の下では、その下に位置するさらに他の分離層及び反射層積層体は、ミラーのその後のさらなる「スキニング」に利用可能である。
【００３３】
一実施形態によれば、ミラー基板は、温度センサ機構を有する。この結果として、溶融させるべき分離層の各溶融温度よりもわずかに高い温度に加熱するという意味の範囲内でできる限り正確な温度制御を助けるための、温度分布の２次元空間分解的取得を支援することが可能である。さらに、ミラーの前面（又は光学有効面）を、ボロメータ又はＣＣＤカメラの形態の熱画像カメラを用いて監視することもできる。
【００３４】
一実施形態によれば、多層系はさらに、反射層積層体と分離層との間にキャリア層をそれぞれ有し、キャリア層は、多層系のうちこのキャリア層によって担持された部分と共にミラーから機械的に剥離される。特に、このキャリア層は、２０μｍ〜２００μｍの範囲の厚さを有し且つ例えばニッケル（Ｎｉ）から作製され得る。このようなキャリア層はさらに、第１に、多層系のうちキャリア層の上に位置する部分の完全な除去によって、キャリア層の下に位置する反射層積層体の残渣のない露出を可能にする。第２に、このキャリア層は、例えばＥＵＶ光源内のコレクタミラーにおいて、プラズマ励起用のＣＯ２レーザが発生させた望ましくない赤外線を除去するのに通常用いられる回折構造を提供するようにも働き得る。いわゆるキャリア層を追加で設ける結果として、このような回折構造を、反射層積層体及び分離層の「パッケージ」毎に提供することができ、したがって、未使用の反射層積層体の露出後に再度利用可能にすることができる。さらに他の実施形態では、このような回折構造を各分離層に直接加工することもできる。
【００３５】
キャリア層の機械的剥離のために、キャリア層は、特に、光学有効面又は多層系の従来の構成要素の周囲を越えて延びる部分を有することができ、この部分は、キャリア層の機械的（例えば手動）把持及び剥離を可能にする。この剥離自体は、特に酸化しやすい可能性のある分離層の材料の酸化を回避するために、保護ガス（例えば窒素）雰囲気下で行われることが好ましい。
【００３６】
特に、ミラーは、ＥＵＶ光源のコレクタミラーであり得る。しかしながら、本発明はこの用途に制限されないので、さらに他の実施形態では、例えばＥＵＶ光源内又はＥＵＶ光源と照明デバイスとの間の偏向ミラーも、本発明に従って構成することができる。
【００３７】
本発明はさらに、ＥＵＶ光源、照明デバイス、及び投影レンズを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、上述の特徴を有するミラーを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置に関する。本発明はさらに、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーを加工する方法にも関する。
【００３８】
本発明のさらに他の実施形態は、説明及び従属請求項から得ることができる。
【００３９】
以下において、本発明を添付図面に示す例示的な実施形態に基づいてより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態によるミラーの設計を説明する概略図を示す。
【図２】本発明のさらに別の可能な実施形態を説明する概略図を示す。
【図３】本発明のさらに別の可能な実施形態を説明する概略図を示す。
【図４】本発明のさらに別の可能な実施形態を説明する概略図を示す。
【図５】本発明のさらに別の可能な実施形態を説明する概略図を示す。
【図６】従来のＥＵＶ光源の設計を説明する概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下において、マイクロリソグラフィ投影露光装置におけるＥＵＶ光源のコレクタミラーの形態の本発明によるミラーの例示的な設計を、図１の概略図を参照して最初に説明する。
【００４２】
図１によれば、本発明によるミラーは、特に、ミラー基板１１と、ミラーの光学有効面に入射する１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射線を反射する多層系とを有し、キャリア層１２（例えばニッケル；層厚は例えば２００μｍ）及び接着層１３が、例示的な実施形態における多層系とミラー基板との間に配置される。
【００４３】
図１によれば、多層系自体は、複数の反射層積層体１６ａ、１６ｂ、１６ｃ（そのうちの３つのみを例示的に図示するが、その数は原理上任意であり得る）を有し、それらのそれぞれが、自体公知の方法で一連のモリブデン（Ｍｏ）層及びケイ素（Ｓｉ）層と関連する拡散バリア層とを有し、単に例示的に、各反射層積層体内の層数は、２００層であり得る（本発明はそれに制限されない）。さらに、最上部では、各反射層積層体１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、例えばルテニウム（Ｒｕ）でできた適当な保護層（図示せず）を有する。
【００４４】
図１から分かり得るように、それぞれ１つの分離層１５ａ、１５ｂ、及び１５ｃが、いずれの場合も２つのそれぞれ連続した反射層積層体間に配置され、各分離層の層厚は、単に例示的に、１０μｍ〜５０μｍの範囲にあり得る。好ましくは、分離層１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、それぞれが１０μｍを超える層厚を有し、これは、その下にある多層系の望ましくない損傷を回避しつつ凹部又は回折構造を確実に製造することを考慮すれば有利である。
【００４５】
各分離層１５ａ、１５ｂ、及び１５ｃの組成に関する例示的な実施形態を、それぞれ得られた溶融温度（空気中又は真空内）の値と共に表１に記載する（各部分を重量パーセントｗｔ％で示す）。
【００４６】
【表１】
0006487424.tif 000002
【００４７】
表１から分かり得るように、分離層「１」〜「４」は、例示的な実施形態では各溶融温度が光学有効面からミラー基板（「分離層１」）への方向に高くなるよう構成される。この結果として、各最上分離層（例えば、「分離層４」）の溶融温度よりも高い温度への目標を定めた加熱によって達成され得るのは、この分離層が多層系のうちその上に位置する部分と共に溶融除去され得る（特に、「押し流される」）ことである。したがって、言わば「スキニングプロセス」において、ミラーの露出した各光学有効面の汚染が強すぎる場合に、単に温度制御又は目標を定めた熱流束によってその下に位置する（すなわち、溶融した分離層の下に位置する）反射層積層体を露出させて新たな又は依然として未使用の有効面を提供することができる。原理上、各分離層１５ａ、１５ｂ、又は１５ｃの溶融に必要な加熱又は熱供給は、この場合は何らかの方法で（例えば、熱放射、対流等によって）もたらすことができる。
【００４８】
各分離層のさらに他の可能な組成を表２に記載する。
【００４９】
【表２】
0006487424.tif 000003
【００５０】
図２は、さらに別の実施形態における本発明によるミラーの可能な設計を説明する概略図としての役割を果たす。特に、この実施形態が図１からの実施形態と異なるのは、付加的なキャリア層２２ｂ（例示的な実施形態では、ニッケルでできており通常層厚が２０μｍ〜２００μｍの範囲）が、反射層積層体２６ｂと分離層２５ａとの間にそれぞれ設けられる点である。
【００５１】
このキャリア層２２ｂは、第１に、望ましくない光成分（例えば、ＥＵＶ光源で発生した赤外光）を排除するよう働く回折格子（図２において段で示す）の導入を可能にし、したがってこれは、その上に位置する分離層の溶融後に反射層積層体及び分離層からなる「新パッケージ」毎に新たに提供され得る。第２に、このキャリア層２２ｂは、当該キャリア層２２ｂの下に位置する反射層積層体を露出させる目的で、多層系のうち上記キャリア層２２ｂによって担持された全部分の機械的剥離も可能にする。
【００５２】
機械的剥離の（特に、保護ガス雰囲気中で、例えば窒素又はアルゴン中で手動での）実行を簡略化するために、図４に概略的に示すように、キャリア層は、ミラーの機械的又は光学的使用直径を越えて突出する部分４６を有し得る。実際には、個々のキャリア層２２ｂの蒸着又は堆積がマスクを用いて行われ得るので、個々の層パッケージ毎の各キャリア層は、関連の周囲領域に局所的に拡大して生成される。
【００５３】
図３によれば、ミラー基板３１は、温度センサ機構３８を有し得る。この結果として、溶融させるべき分離層の各溶融温度よりもわずかに高い温度に加熱するという意味の範囲内でできる限り正確な温度制御を助けるための、温度分布の２次元空間分解的取得を支援することが可能である。さらに、ミラーの前面（又は光学有効面）を、ボロメータ又はＣＣＤカメラの形態の熱画像カメラを用いて監視することもできる。
【００５４】
本発明による「スキニングプロセス」又は多層系のうち溶融した分離層の上に位置する（例えば汚染した）部分の除去は、液化分離層材料を関連の表面上に導き、その際に多層系の排除すべき「使用済み」部分を流動によって押し流し、その際にその下に位置する反射層積層体を露出させることによってさらに助けられる。
【００５５】
図５は、本発明のさらに別の実施形態によるミラーの可能な設計を説明する概略図を示す。対応するミラーは、本体又はミラー基板９を有し、これは例えば、熱膨張率の低い材料、例えばＵＬＥ（Corningの登録商標）又はＺｅｒｏｄｕｒ（Schott AGの商標）材料等から作られる。ミラーはさらに、光学有効面に入射した投影露光装置の作動波長を有する電磁放射線を反射する反射層積層体２（例えば、交互のモリブデン層及びシリコン層でできている）の形態のコーティングを有する。
【００５６】
本発明による剥離層又は分離層６が、反射層積層体２とミラー基板９との間に形成され、反射層積層体２又は多層系のうち分離層６によって担持された部分の交換が必要な場合にミラー基板９からの反射層積層体２の分離を可能にする。
【００５７】
図示の例示的な実施形態では、追加の層が設けられる。しかしながら、これらは特定の状況では省くことができる。さらに、ここに図示されていないさらに他の層を、反射層積層体２の上若しくは下に、又は反射層積層体２の構成要素として設けることができる。
【００５８】
例として、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｓｉ３Ｎ４でできたキャップ層、又は（例えば、ＮｉＳｉでできた）放射線保護層も存在し得る。
【００５９】
図５に概略的に示すように、追加の層として、拡散バリア８及び接着促進層７を分離層６とミラー基板９との間に設けることができ、接着促進層５及び拡散バリア４を分離層６と反射層積層体２との間に設けることができる。さらに、本例示的な実施形態では拡散バリア４と反射層積層体２との間に配置される張力付与層３を、分離層６と反射層積層体２との間に設けることができる。さらに他の実施形態では、接着付与層７、５、及び拡散バリア４、８、並びに張力付与層３等の種々の副層を、異なる順序で設けることもでき、又は（場合によっては部分的に）省くこともできる。
【００６０】
反射層積層体２又は多層系のうち分離層６によって担持された部分をミラー基板９から分離しようとするとすぐに、ミラー全体又は具体的には分離層６を所定の温度にすることで、分離層６内で、又は分離層６の境界面、すなわち接着促進層５又は接着促進層７との境界面で分離が生じることによって、多層系のうち分離層によって担持された部分をミラー基板９から分離することが可能となる。
【００６１】
例示的な一実施形態では、分離層６を固体状態から液体状態に移行する温度にすることができることで、その上にある層、特に反射層積層体２を、清掃布で拭き取るか又は適当な把持具を用いて剥ぎ取ることができる。特に、剥ぎ取り方向は、表面に対して接線方向であり得るが、これは、接着力に逆らって働かなければならない引張力よりも剪断力の方が通常は剥離をよりもたらしやすいからである。剥離すべきコーティングの把持を容易にするために、光学有効面１に、接着ストリップ、他の接着手段、又はコーティングを設けることができる。
【００６２】
分離層６は、その上に位置する層の分離がこのように実施されるように蒸発させることもできる。
【００６３】
多層系のうち分離層６によって担持された部分、及び場合によっては張力付与層３、拡散バリア４、及び接着促進層５等の分離層６と反射層積層体２との間にある層の剥離後、分離層６の残りの部分は、例えば液体又は気体媒体での適当な洗浄によって、又は対応の残渣を蒸発させることができる熱処理によって完全に除去される。さらに、分離層６を除去するための機械的方法又は湿式化学法を用いることも可能である。
【００６４】
これに続いて、残りの層又はミラー基板９の表面加工、例えばイオンビーム加工及び新たなコーティングを行うことができる。
【００６５】
例として、約５１重量％のインジウム、３２．５重量％のビスマス、及び１６．５重量％のスズを含み溶融温度が６２℃である、いわゆるフィールドメタルを、分離層６として用いることができる。さらに別の代替形態として、例えば、５０重量％のビスマス、２５重量％の鉛、及び２５重量％のスズを有し溶融温度が９８℃であるローズメタルを利用することができる。このような剥離層の場合、ＵＬＥ又はＺｅｒｏｄｕｒでできたミラー基板に対して拡散バリアとして例えば炭化ホウ素を利用することができる。
【００６６】
分離層６用の上記材料は、特にミラー及び投影レンズで用いることができるが、これは、上記合金の溶融温度が投影レンズのミラーの動作温度よりも高いが、反射層積層体２の対応の溶融温度よりも大幅に低いからである。動作温度は、投影露光装置の照明デバイスで、又はコレクタとして用いられるミラーでは著しく高くなり得るので、例えば、溶融温度が８００℃〜１０００℃の領域にある黄銅ろう又は他のろう、特に硬ろうを、そこで分離層又は剥離層として用いることができる。したがって、用途に応じて、剥離層に適した材料を決定することが可能である。
【００６７】
光学有効面の全体又は一部にわたって配置されることが好ましい分離層６は、数ナノメートル〜数マイクロメートルの範囲の厚さで施すことができる。
【００６８】
本発明を特定の実施形態に基づいて説明したが、例えば個々の実施形態の特徴の組み合わせ及び／又は交換によって、多くの変形形態及び代替的な実施形態が当業者には明らかである。したがって、当業者には、このような変形形態及び代替的な実施形態が本発明によって同時に包含され、本発明の範囲が添付の特許請求の範囲及びその等価物の意味の範囲内でのみ制限されることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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