(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントリソグラフィテンプレートを保持するように構成され、テンプレートチャックに対して垂直に方向づけされ且つ前記テンプレートを保持した場合に前記テンプレートの中心を通る中心軸を有するテンプレートチャックと、
前記テンプレートチャックに近接して前記中心軸から離間された位置に位置決めされた、それぞれが前記保持されたテンプレートに力を印加することで前記保持されたテンプレートの一部を前記テンプレートチャックから離れる方向にたわませることが可能な複数のアクチュエータと、
前記テンプレートの最大たわみが前記中心軸から離間された位置で起きるように前記保持されたテンプレートの一部を前記テンプレートチャックから離れる方向に非対称的にたわませる形で前記アクチュエータを作動させるように構成されたコントローラ
とを備え、
前記保持されたテンプレートはさらにインプリントフィールドを含み、
前記複数のアクチュエータは、前記インプリントフィールドの外側に配置されるように位置決めされる、基板のパーシャルフィールドをインプリントするためのナノインプリントリソグラフィシステム。
【請求項２】
前記コントローラはさらに、基板上のインプリント対象である所与のパーシャルフィールドの座標及び寸法に基づいて、各アクチュエータにより印加する力の大きさを制御するように構成される、請求項１に記載のナノインプリントシステム。
【請求項３】
前記コントローラはさらに、前記保持されたテンプレートの材料及び厚さに基づいて、各アクチュエータにより印加する力の大きさを制御するように構成される、請求項１に記載のナノインプリントシステム。
【請求項４】
前記テンプレートチャックは、前記保持されたテンプレートに平行な軸を中心として回転可能であり且つ前記中心軸に対して垂直であるため、前記テンプレートチャック及びそれに保持させた前記テンプレートを、前記テンプレートチャック及び前記保持されたテンプレートと重ねて配置された基板に対して傾斜させることができる、請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィシステム。
【請求項５】
前記アクチュエータは、加圧空気又は気体を作動力として供給する空気圧ポート又はスリットを備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィシステム。
【請求項６】
前記アクチュエータは圧電アクチュエータである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィシステム。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィシステムを用いたパーシャルフィールドをインプリントするための方法であって、
中心を有し、前記中心がテンプレートに対して垂直の方向で前記中心を通る中心軸を規定するインプリントリソグラフィテンプレートを用意し、
前記インプリントリソグラフィテンプレートの一部が基板上のパーシャルフィールドと重なるように前記インプリントリソグラフィテンプレートを位置決めし、
重合性材料を前記基板の前記パーシャルフィールド上に堆積させ、
前記テンプレートの一部が前記基板の前記パーシャルフィールドに対して非対称的に湾曲し、前記湾曲する部分の最大たわみが前記中心軸から離間された位置で起きるように前記テンプレートの形状を変化させ、
前記堆積させた重合性材料を前記テンプレートと接触させ、
前記重合性材料を固化させることで前記基板上にパーシャルフィールドインプリントを形成する
ことを含む、基板のパーシャルフィールドをインプリントするための方法。
【請求項８】
前記テンプレートと前記重合性材料との最初の接触点は、前記中心軸から離間された位置にある、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記テンプレートを前記基板に対して傾斜させるステップをさらに含む、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィシステムを用いたパーシャルフィールドをインプリントするための方法であって、
中心を有し、前記中心がテンプレートに対して垂直の方向で前記中心を通る中心軸を規定するインプリントリソグラフィテンプレートを用意し、
前記インプリントリソグラフィテンプレートの一部が基板上のパーシャルフィールドと重なるように前記インプリントリソグラフィテンプレートを位置決めし、
重合性材料を前記基板の前記パーシャルフィールド上に堆積させ、
前記テンプレートの一部が前記基板の前記パーシャルフィールドから離れる方向で凸状に湾曲するように前記テンプレートの形状を変化させ、
前記堆積させた重合性材料を前記テンプレートと、前記テンプレートの前記中心軸から離間された１つ以上の位置で最初に接触させ、
前記重合性材料を固化させることで前記基板上にパーシャルフィールドインプリントを形成する
ことを含む、基板のパーシャルフィールドをインプリントするための方法。
【請求項１１】
前記形状を変化させるステップが、前記テンプレートに逆圧を印加することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記テンプレートを前記基板に対して傾斜させるステップをさらに含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本願は、米国特許法第１１９条（ｅ）（１）の下、２０１３年１２月３１日に出願の米国仮特許出願第６１／９２２４３１号の利益を主張するものであり、上記仮特許出願は参照により全て本願に援用される。
【背景技術】
【０００２】
ナノファブリケーションでは、約１００ナノメートル以下のフィーチャを有する至極小さな構造を作製する。ナノファブリケーションが極めて大きな影響を及ぼしてきた用途の１つが集積回路の加工である。半導体加工産業は、基板上に形成する単位面積あたりの回路数を増加させると共に製造歩留りを上昇させようと努力し続けており、したがってナノファブリケーションはますます重要となる。ナノファブリケーションは、形成する構造の最小フィーチャ寸法をさらに縮小することを可能にしつつ、より良好なプロセス制御を提供する。ナノファブリケーションが利用されてきた他の開発分野には、バイオテクノロジー、光学テクノロジー、機械システム等が含まれる。
【０００３】
今日用いられている一代表的ナノファブリケーション技法は一般にインプリントリソグラフィと称されている。代表的なインプリントリソグラフィプロセスは多数の出版物（例えば、米国特許第８３４９２４１号明細書、米国特許出願公開第２００４／００６５２５２号明細書、米国特許第６９３６１９４号明細書。これらは全て参照により本明細書に援用される）で詳述されている。
【０００４】
上記の米国特許出願公開及び特許のそれぞれで開示のインプリントリソグラフィ技法は、形成性（ｆｏｒｍａｂｌｅ）（重合性）層にレリーフパターンを形成すること及びそのレリーフパターンに対応するパターンをその下にある基板に転写することを含む。基板を移動ステージに連結して望み通りの位置決めを行うことでパターン形成プロセスを円滑に進め得る。パターン形成プロセスでは、基板から離間されるテンプレート及びテンプレートと基板との間に適用する形成性液を使用する。この形成性液を固化させると剛性層となり、形成性液と接触するテンプレートの表面の形状に沿ったパターンを有する。固化後、テンプレートを剛性層から分離することでテンプレートと基板とを離間させる。次に、基板及び固化層を追加のプロセスに供することで、固化層に形成されたパターンに対応するレリーフ像を基板に転写する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第８３４９２４１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４／００６５２５２号明細書
【特許文献３】米国特許第６９３６１９４号明細書
【０００６】
本発明の特徴及び利点を詳細に理解できるように、添付の図面に図示の実施形態を参照しながら本発明の実施形態についてより具体的に説明する。しかしながら、添付の図面が本発明の典型的な実施形態を図示したものにすぎず、したがって、本発明は他の同等に効果的な実施形態も認めることから、本発明の範囲を限定するとみなされないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】基板から離間されたテンプレート及びモールドを有するリソグラフィシステムの簡略化側面図である。
【図２】その上にパターン層（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｌａｙｅｒ）を有する図１の基板の簡略図である。
【図３】フルフィールド及びパーシャルフィールドを含む標準的なシリコンウェハ基板上での典型的なフィールドレイアウトを示す。
【図４Ａ】フルフィールド位置で基板に向かって対称的に湾曲したインプリントリソグラフィテンプレートの簡略化断面図である。
【図４Ｂ】パーシャルフィールド位置で基板に向かって対称的に湾曲したテンプレートの簡略化断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂのテンプレート及び基板の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態による、パーシャルフィールド位置で基板に向かって非対称的に湾曲したテンプレートの簡略化断面図である。
【図６】本発明の実施形態によるテンプレート及びテンプレートを非対称的に形状調節するための作動システムの簡略化上面図である。
【図７】図６のテンプレート及びアクチュエータの簡略化断面図であり、テンプレートは基板に向かって非対称的に湾曲している。
【図８】本発明の別の実施形態によるテンプレート及びアクチュエータの断面図である。
【図９】本発明のさらに別の実施形態によるテンプレート及びアクチュエータの断面図である。
【図１０】図７のテンプレート及びアクチュエータの簡略化断面図であり、テンプレートは基板に対して傾斜している。
【図１１】本発明の別の実施形態による、パーシャルフィールド位置で基板から離れる方向に対称的に湾曲したテンプレートの簡略化断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図、特に図１を参照するが、基板１２上でのレリーフパターンの形成に使用するリソグラフィシステム１０が図示されている。基板１２は基板チャック１４に連結し得る。図示のように、基板チャック１４は真空チャックである。しかしながら、基板チャック１４は、以下に限定するものではないが、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック及び／又は同様のものを含めたいずれのチャックにもなり得る。代表的なチャックは米国特許第６８７３０８７号明細書に記載されており、この文献は参照により本明細書に援用される。
【０００９】
基板１２及び基板チャック１４はさらにステージ１６で支持し得る。ステージ１６は、ｘ、ｙ及びｚ軸に沿った並進及び／又は回転運動をもたらし得る。ステージ１６、基板１２及び基板チャック１４はベース（図示せず）上に位置決めしてもよい。
【００１０】
基板１２から離間されてテンプレート１８がある。テンプレート１８は第１面及び第２面を有する本体を含み得て、一方の面は基板１２に向かって延びるメサ部２０を有する。メサ部２０はパターン形成面（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ）２２をその上に有する。さらに、メサ部２０はモールド２０と称し得る。あるいは、テンプレート１８をメサ部２０なしで形成し得る。
【００１１】
テンプレート１８及び／又はモールド２０は、以下に限定するものではないが、溶融シリカ、石英、ケイ素、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、強化サファイア及び／又は同様のものを含めた材料から形成し得る。図示のように、パターン形成面２２は、複数の離間された凹部２４及び／又は凸部２６により画成されるフィーチャを備えるが、本発明の実施形態はそのような構成に限定されない（例えば、平坦な表面）。パターン形成面２２は、基板１２上に形成するパターンの基礎となる任意の原パターンを画成し得る。
【００１２】
テンプレート１８は、チャック２８に連結し得る。チャック２８は、以下に限定するものではないが、真空、ピン型、溝型、静電気、電磁及び／又は他の同様のチャック型として構成し得る。代表的なチャックはさらに米国特許第６８７３０８７号明細書に記載されており、この文献は参照により本明細書に援用される。さらに、チャック２８をインプリントヘッド３０に連結してチャック２８及び／又はインプリントヘッド３０がテンプレート１８の移動を促進するように構成し得る。
【００１３】
システム１０は、流体分注システム３２をさらに備え得る。流体分注システム３２を用いて形成性材料３４（例えば、重合性材料）を基板１２上に堆積させ得る。形成性材料３４は、滴下分注（ｄｒｏｐ  ｄｉｓｐｅｎｓｅ）、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積及び／又は同様のもの等の技法を用いて基板１２上に位置決めし得る。所望の空間をモールド２２と基板１２との間で規定する前に及び／又は規定した後に形成性材料３４を基板１２上に置き得て、設計要件に左右される。形成性材料３４は、バイオ分野、太陽電池産業、電池産業及び／又は機能性ナノ粒子を必要とする他の産業で使用される機能性ナノ粒子になり得る。例えば、形成性材料３４は、米国特許第７１５７０３６号明細書及び米国特許出願公開第２００５／０１８７３３９号明細書に記載されるようなモノマー混合物を含み得て、両文献は参照により本明細書に援用される。あるいは、形成性材料３４は、以下に限定するものではないが、バイオマテリアル（例えば、ＰＥＧ）、太陽電池材料（例えば、Ｎ型、Ｐ型材料）及び／又は同様のものを含み得る。
【００１４】
図１、２を参照するが、システム１０はさらに、経路４２に沿ってエネルギー４０を方向づけするために連結されるエネルギー源３８を備え得る。インプリントヘッド３０及びステージ１６を、テンプレート１８及び基板１２が経路４２と重なって位置決めされるように構成し得る。システム１０は、ステージ１６、インプリントヘッド３０、流体分注システム３２及び／又はエネルギー源３８と通信するプロセッサ５４により制御し得て、またメモリ５６に格納したコンピュータ可読プログラムにしたがって動作させ得る。
【００１５】
インプリントヘッド３０、ステージ１６又はその両方は、モールド２０と基板１２との間の距離を変化させることで、形成性材料３４を充填する、モールド２０と基板１２との間の所望の空間を規定する。例えば、モールド２０が形成性材料３４に接触するようにインプリントヘッド３０はテンプレート１８に力を印加し得る。所望の空間に形成性材料３４を充填した後、エネルギー源３８はエネルギー４０（例えば、紫外線）を発生させ、形成性材料３４は基板１２の表面４４及びパターン形成面２２の形状に沿って固化及び／又は架橋し、基板１２上にパターン層４６が画成される。パターン層４６は残存層４８並びに凸部５０及び凹部５２として示される複数のフィーチャを備え得て、凸部５０は厚さｔ1を有し、残存層は厚さｔ2を有する。
【００１６】
上記のシステム及びプロセスはさらに、米国特許第６９３２９３４号明細書、米国特許第７０７７９９２号明細書、米国特許第７１７９３９６号明細書及び米国特許第７３９６４７５号明細書で言及されているインプリントリソグラフィプロセス及びシステムで利用し得て、全文献は参照により全て本明細書に援用される。
【００１７】
本発明は、記載内容から当業者には明らかであるように、上記のシステム及びプロセスの態様及び要素を取り入れたものであり、特には、基板上のパーシャルフィールドをインプリントするシステム及び方法を提供する。パーシャルフィールドは半導体産業で特に関心が高く、典型的な基板は直径３００ｍｍのシリコンウェハである。一般的なパーシャルフィールドとは、そのままでは主題であるインプリントテンプレートのパターン形成面全体によりインプリントされてしまう（すなわち、インプリントフィールド）、フル領域より小さいものから成る、典型的にはウェハの縁又はその付近にあるインプリントフィールドのことである。そのようなパーシャルフィールドをインプリントすることで、半導体デバイスの基になるウェハの割合を最大にすることが望ましい。パーシャルフィールドは、ウェハ上のインプリントフィールドの面積に基づいてさらに２つのサブカテゴリに分類することができ、すなわち（ｉ）面積率が５０％を超える（＞５０％）フィールド及び（ｉｉ）面積率が５０％未満（＜５０％）のフィールドである。図３を参照するが、フルフィールド（フィールド１〜６４）、＞５０％パーシャルフィールド（フィールド６５〜６７、７２〜７４、７９〜８１、８６〜８８）及び＜５０％パーシャルフィールド（フィールド６８〜７１、７６〜７８、８２〜８５、８９〜９２）を有するウェハが図示されている。パーシャルフィールドでのインプリントでは、テンプレート上のパターン形成面（すなわち、インプリントフィールド）の一部が、形成性材料（すなわち、インプリント流体）がテンプレートとウェハとの間に全くない状態でウェハと近接して位置決めされるという特有の難題が生じる。
【００１８】
本発明は、記載内容から当業者には明らかであるように、上記のシステム及びプロセスの態様及び要素を取り入れたものであり、特には、テンプレートの形状をテンプレートの中心に対して非対称的に調節することで基板上のパーシャルフィールドをインプリントするシステム及び方法を提供する。この非対称的なテンプレートの形状調節は、テンプレートと基板の縁又は形成性材料を堆積させていない若しくは形成性材料を何らかの形で定着させていない基板の任意の領域との間での接触を回避するのに役立つ。これはテンプレートの損傷を回避してテンプレートの寿命を最大にするだけでなく、インプリント済みのパーシャルフィールド及び続くインプリント済みのフィールド（基板内部のさらなるパーシャルフィールド及び／又はフルフィールドを含む）における欠陥を最小限に抑えるのに重要である。当然のことながら、本明細書における、ウェハをパーシャルフィールドインプリントするシステム及び方法への言及は単なる例にすぎず、そのようなシステム及び方法は他のタイプ、サイズ及び形状の基板のインプリント並びに他の産業でも応用可能である。
【００１９】
インプリント流体の充填を改善するためにインプリントプロセス中にインプリントテンプレートを調節して凸形状にすることは、例えば米国特許出願公開第２００８／０１６０１２９号明細書に記載されており、この文献は参照により全て本明細書に援用される。しかしながら、パーシャルフィールド、特には面積率が５０％未満（＜５０％）のパーシャルフィールドをインプリントするためにそのようなアプローチを用いると、テンプレートの最低位たわみ点がウェハの縁を越えた位置にきてしまう場合がある。そのため、インプリントフィールドの他の部分がウェハ表面上に堆積させたインプリント流体と接触する前にテンプレートの一部がウェハの縁に先に物理的に接触する場合がある。前述したように、これはテンプレートの損傷及び／又は続いてインプリントされるフィールドにおける欠陥の発生につながる可能性がある。パーシャルフィールドのインプリントには、インプリント流体の広がりを制御するための物理的な境界がなく、インプリント流体の堆積をウェハの縁から約１ｍｍまでに制限することが典型的には望ましいという事実に負う別の制約もある。ウェハの縁までインプリント流体を堆積させると、インプリント材料がパーシャルフィールドの所望のインプリント領域を越えて押し出され、残留材料又ははみ出し分となってテンプレート上に蓄積され、続くフルフィールドインプリントにおいて欠陥を生じさせる可能性がある。しかしながら、前述のやり方でインプリント流体の堆積を制限すると、ウェハの縁部までインプリント流体が来ない。そのため、インプリントフィールドの一部がウェハの縁又はインプリント流体を堆積させていない縁部とそのように直接接触してしまうと、テンプレートが恒久的な損傷をうけてしまう潜在的なリスクがある。
【００２０】
図４Ａを参照するが、ウェハ１２上のフルフィールドをインプリントする場合、テンプレート１８（テンプレートチャックで保持。図示せず）をウェハ１２に対して対称的に湾曲させることで凸面をインプリント流体液滴３４に向け得て、これにより液滴は効率よく広がる。図４Ａから見てとれるように、そのような対称的な湾曲だと、テンプレート１８の最低位たわみ点が中心軸ｚ1上にくる。しかしながら、パーシャルフィールドインプリント、特にフルフィールド面積の５０％未満（＜５０％）のパーシャルフィールドインプリントでは、ウェハ１２に向かってテンプレート１８をそのように対称的に湾曲させると、図４Ｂ〜４Ｃに図示するように、テンプレート１８がウェハの縁１３に接触する場合がある。
【００２１】
ここで図５を参照するが、パーシャルフィールドをインプリントするための本発明の代表的な方法が描かれている。図示のように、テンプレート１８（同様にテンプレートチャックで保持、図示せず）はインプリント中のパーシャルフィールド内で重ね合わされた状態にあり、テンプレート１８の最大又は最低位たわみ点ｐがテンプレート１８及びテンプレートチャック（図示せず）の中心軸ｚ1に平行ではあるが距離を置いた軸ｚ2上に位置するようにウェハに向かって非対称的に屈曲している。最低位たわみ点ｐが中心軸ｚ1から離れるこの動きにより、テンプレート１８が下降してウェハ１２と接触する場合に、テンプレートとウェハの縁１３との望ましくない接触を回避しながらもテンプレート１８をパーシャルフィールド内に位置決めされたインプリント流体３４と最初に接触させることができる。
【００２２】
テンプレートの非対称的な屈曲又は湾曲は、較正済みの局所力をチャックされたテンプレートの領域に印加することでそのような非対称的な屈曲又は湾曲を誘導できる作動システムを使用することで達成することができる。適切な作動システムには、以下に限定するものではないが、空気圧系統、圧電アクチュエータ及び同様のものが含まれる。図６へと進むが、テンプレート１８を、一実施形態によるアクチュエータシステムと共に図示している。チャックされたテンプレート１８は円形の凹部２０を含み、矩形のインプリントフィールド２１が凹部２０の中心にあり、アクチュエータ６１、６２、６３及び６４はテンプレートチャック（図示せず）に近接させて且つ凹部２０に重ねて位置決めされ、またインプリントフィールド２１を取り囲んでいる。アクチュエータ６１、６２、６３及び６４はさらに、インプリントフィールド２１の各辺に近接して位置決めされる。アクチュエータ６１、６２、６３及び６４をインプリントフィールド２１に近接するもその外側に配置することで、インプリントフィールド２１に向かう、障害物のない光学経路が維持され、インプリント流体を硬化させるための化学線の伝播が可能となる。各アクチュエータ６１、６２、６３及び６４は、例えばコントローラ（図示せず）により独立して作動させることで局所力を凹部２０に供給することができる。単独の又は組み合わせたアクチュエータ６１、６２、６３及び６４のどれを作動させるかを変更することで、テンプレート１８を非対称的に曲げて又は屈曲させて様々な形状にすることができる。
【００２３】
テンプレート１８上の最低位又は最大たわみ点は、作動システムが印加する力の大きさ及び印加された力の位置により制御することができ、さらにインプリントフィールドに近接して中身をくり抜かれた凹部でのテンプレート１８の材料及び厚さｔに左右される。例えば、図７は、厚さｔを有する、インプリントフィールドに近接した凹部２０を有するテンプレート１８を図示している。テンプレート１８の中心軸ｚ1から距離「ｒ」に配置されたアクチュエータ６３が力Ｆを凹部２０に印加すると非対称的なたわみが引き起こされ、最低位たわみ点ｐは軸ｚ2上の、中心軸ｚ1から距離を置いたところにくる。ここでもまた、アクチュエータは、本明細書で記載した通りにアクチュエータを作動させるように構成されたコントローラ（図示せず）により制御することができる。
【００２４】
特定の変化形において、作動システムは、テンプレートの裏面に近接して位置決めされた空気圧ポート又はスリットを有するアクチュエータから構成することができる。図８の実施形態において、アクチュエータ６２ａはスリット７４と流体連通する空気圧ポート７２を含み、スリット７４はテンプレート１８の凹部２０に向かって開口している。アクチュエータは、凹部２０から高さｈのところに位置決めされる。空気圧ポートは、加圧空気又は気体系統（図示せず）と流体連通している。スリット７４の追加は、圧力プロファイルをアクチュエータ６２ａの長さに沿って均一にするのに役立つ。アクチュエータ６２ａによりテンプレートの凹部２０に印加することができる作動力の大きさは、高さｈ及びポート７２を通して印加する入力圧力Ｐを変化させることで制御することができる。
【００２５】
あるいは、作動システムは圧電アクチュエータを利用することができる。図９の実施形態において、アクチュエータ６２ｂは、テンプレート１８の凹部２０の裏面と接触するように位置決めされた圧電アクチュエータ８２のアレイを含む。テンプレート１８の非対称的な形状調節は、単独の又は追加のアクチュエータ（図示せず）中の圧電アクチュエータと組み合わせた１つ以上の圧電アクチュエータ８２の選択的アクティベーションにより成し遂げることができる。
【００２６】
図１〜６を参照するが、パーシャルフィールドをインプリントする場合、ウェハ上のパーシャルフィールドのサイズ及びテンプレート１８上のインプリントフィールドの方向に対する位置（すなわち、その寸法及び座標）が、テンプレート１８とパーシャルフィールド内のインプリント流体３４との最初の接触点を制御するためにアクチュエータ６１、６２、６３、６５のどれをどの程度作動させるかを決定する。所与のアクチュエータの作動量が増大するにつれてインプリントフィールドの中心からのたわみのずれ「ａ」が増大し、図７でさらに図示するように、テンプレートは、インプリント中のパーシャルフィールドの内側にあるインプリント流体に最初に接触する。
【００２７】
テンプレートを非対称的に屈曲又は湾曲させることで、最初の接触点がインプリント中のパーシャルフィールド内にくるように制御することができる。インプリント流体を滴下堆積する場合、テンプレートと接触した液滴は広がって合体し、流体の縁は最初の接触点から外へとインプリントフィールドの境界に向かって広がる。広がる速度は、ウェハとテンプレートとの間の相対曲率により非対称となる。このため、本明細書に記載の非対称的な形状調節に加えて、図１０の実施形態で描くように、テンプレートをさらにウェハに対して傾斜させることで流体が広がる速度を制御し、またインプリント流体３４と接触していないテンプレート１８の凹部２０とウェハの縁１３との間の距離又は高さｈを増大させることができる。ここでもまた、テンプレート１８とウェハ１２との間の高さｈの増大が、ウェハ１２との物理的な接触によるテンプレート１８の損傷防止に役立つ。
【００２８】
パーシャルフィールドをインプリントする別のアプローチでは、テンプレートの裏面で制御された低真空を用いることでテンプレートの凹状プロファイルを作り出す。これにより、ウェハに接触した場合に、テンプレートの最低位点がインプリントフィールドの４つの角部となる。用いる真空のレベルはテンプレートのメサ部の高さ、テンプレートのくり抜き長さ及びくり抜き厚さに左右される。そのようなアプローチの実施形態を図１１に描く。インプリントフィールドを含むテンプレート１８の凹部２０は制御された低真空圧下にあり、凹部２０はウェハ１２、さらに重要なことには縁１３から離れる方向に凹状にたわんでいる。テンプレート１８とインプリント流体との最初の接触は、凹部２０のパーシャルインプリントフィールドの角部で起きる。テンプレート１８の凹部２０の裏面の真空圧が解放されるにつれて、凹部２０のたわみが徐々に減少し、流体の縁がインプリントフィールドの中心に向かって広がることを可能にする。このインプリントアプローチを本明細書で前述したテンプレートの傾斜と組み合わせることでテンプレートとウェハとの距離を増大させ、またテンプレートがウェハと接触するのを防止することもできる。
【００２９】
記載内容から、当業者には、さらなる改変及び様々な態様の代替の実施形態が明らかである。したがって、本記載内容は説明の便宜上のものに過ぎないと解釈されたい。本明細書で図示及び記載した形態は実施形態の例として解釈されるべきと理解されたい。本明細書で図示及び記載した要素及び材料は置換し得るものであり、パーツ及びプロセスは逆にし得るものであり、特定の特徴は独立して利用し得るものであり、以上のことは全て、本記載内容から便益を得た後では当業者には明らかである。本明細書に記載の要素には、後出の請求項に記載の趣旨及び範囲から逸脱しない範囲で変更を加え得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ−４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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