(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金型と、
樹脂を前記金型に導入させるトランスファ部と、
センサ部と、
を備え、
前記金型は、
被処理基板の表面と接する基板クランプ面と、
前記基板クランプ面から後退したキャビティ部と、
前記基板クランプ面から後退した吸引部と、
前記キャビティ部と前記吸引部との間の経路上に設けられ前記キャビティ部と連結され前記キャビティ部内の気体の排出経路となり前記基板クランプ面からベント部深さで後退したベント部と、
前記経路上において前記ベント部と前記吸引部との間に設けられ前記ベント部と連結され前記ベント部深さよりも深い中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退した第１および第２の中間キャビティと、
前記経路上において前記第１の中間キャビティと前記吸引部との間に設けられた前記経路を開閉する第１の開閉部と、
前記経路上において前記第２の中間キャビティと前記吸引部との間に設けられた前記経路を開閉する第２の開閉部と、
を備え、
前記トランスファ部は、前記開閉部の開状態において前記樹脂を前記キャビティ部に充填し、
前記センサ部は、前記樹脂の少なくとも一部が前記ベント部を通過して前記第１の中間キャビティまたは前記第２の中間キャビティのいずれか一方の少なくとも一部に到達したことを検知し、
前記第１の開閉部または前記第２の開閉部のいずれか一方は、前記センサ部での前記検知の後に閉状態とする、トランスファ成型装置。
【請求項２】
前記基板クランプ面からゲート部深さで後退したゲート部をさらに備え、前記ゲート部と前記ベント部との間の少なくとも一部に前記キャビティ部が設けられ、
前記ベント部深さは、前記ゲート部深さよりも浅い、請求項１記載のトランスファ成型装置。
【請求項３】
前記センサ部での検知は、
前記トランスファ部と前記キャビティ部との間の経路における、前記金型の温度、前記樹脂の圧力、及び、前記金型での反射光、及び、前記被処理基板での反射光の少なくともいずれかの検出、
前記キャビティ部と前記吸引部との間の前記経路における、前記金型の温度、前記樹脂の圧力、及び、前記金型での反射光、及び、前記被処理基板での反射光の少なくともいずれかの検出、の少なくともいずれかにより行われる、請求項２記載のトランスファ成型装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、トランスファ成型装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば積層された複数の半導体素子を樹脂などにより封止した半導体装置などがある。このような半導体装置は、例えば、金型を用いたトランスファ成型装置により製造される。例えば、樹脂が適正に充填されないと、成型不良が生じる。成型性が良好なトランスファ成型装置が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７２２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、成型性が良好なトランスファ成型装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、トランスファ成型装置は、金型と、トランスファ部と、センサ部と、を含む。金型は、基板クランプ面と、キャビティ部と、吸引部と、ベント部と、第１および第２の中間キャビティと、第１および第２の開閉部と、を含む。前記基板クランプ面は、被処理基板の表面と接する。前記キャビティ部は、前記基板クランプ面から後退している。前記吸引部は、前記基板クランプ面から後退している。前記ベント部は、前記キャビティ部と前記吸引部との間の経路上に設けられ前記キャビティ部と連結され前記キャビティ部内の気体の排出経路となり前記基板クランプ面からベント部深さで後退している。前記第１および第２の中間キャビティは、前記経路上において前記ベント部と前記吸引部との間に設けられ前記ベント部と連結され前記ベント部深さよりも深い中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退している。前記第１の開閉部は、前記経路上において前記第１の中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ前記経路を開閉する。前記第２の開閉部は、前記経路上において前記第２の中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ前記経路を開閉する。前記トランスファ部は、前記開閉部の開状態において前記樹脂を前記キャビティ部に充填する。前記センサ部は、前記樹脂の少なくとも一部が前記ベント部を通過して前記第１の中間キャビティまたは前記第２の中間キャビティのいずれか一方の少なくとも一部に到達したことを検知する。前記第１の開閉部または前記第２の開閉部のいずれか一方は、前記センサ部での前記検知の後に閉状態とする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る金型及びトランスファ成型装置を例示する模式的断面図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る金型を例示する模式図である。
【図３】実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示するフローチャート図である。
【図４】実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図５】実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図６】実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図７】実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図８】実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｂ）は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
図１は、実施形態に係る金型及びトランスファ成型装置を例示する模式的断面図である。  
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る金型を例示する模式図である。  
図１は、図２（ａ）のＡ１−Ａ２線断面に対応する。図２（ａ）は、図１の矢印ＡＡからみた平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に対応する断面図である。
【０００９】
図１に示すように、実施形態に係る金型１０Ｍは、第１金型１０と、第２金型２０と、を含む。第１金型１０の主面１０ａは、第２金型２０の主面２０ａに対向するように配置される。図１は、２つの金型が互いに離れている状態の例を示している。
【００１０】
この例では、第２金型２０の主面２０ａの上に、被処理物７０の被処理基板７１が配置される。被処理基板７１の上には、例えば、半導体チップ７２が設けられている。被処理基板７１及び半導体チップ７２は、製造される半導体装置の一部となる。
【００１１】
実施形態において、第１金型１０の上に被処理基板７１が配置され、その上に第２金型２０が配置されても良い。実施形態において、第２金型２０の上に被処理基板７１が配置され、その上に位置と第１金型１０が設けられても良い。
【００１２】
第２金型２０から第１金型１０に向かう方向をＺ軸方向とするＺ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。金型の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に沿って広がる。
【００１３】
図２（ａ）に示すように、金型１０Ｍに、ゲート側金型クランプ部１３ｇｍ及びゲート側基板クランプ部１３ｇｓが設けられる。金型１０Ｍに、ベント側金型クランプ部１３ｖｍ及びベント側基板クランプ部１３ｖｓが設けられる。２つの金型の間に被処理基板７１が配置され、２つの金型が閉じられた状態において、基板クランプ部の表面は、例えば、被処理基板７１に接する。
【００１４】
図２（ｂ）は、２つの金型が閉じられている状態を示している。  
図１及び図２（ｂ）に示すように、第１金型１０は、基板クランプ面１１（基板クランプ部の表面）を有する。図２（ｂ）に示すように、第１金型１０と第２金型２０との間に被処理基板７１（被処理物７０）を配置したときに、基板クランプ面１１は、被処理基板７１の表面７１ａと接する。基板クランプ面１１と、第２金型２０の表面（主面２０ａ）と、により、被処理基板７１がクランプされる。
【００１５】
図１に示すように、第１金型１０の主面１０ａに凹部が設けられる。凹部に樹脂４０が導入される。樹脂４０は、凹部の形状に応じた形状に加工されて、半導体装置が作製される。
【００１６】
この例では、第１金型１０の主面１０ａには、凹部として、カル部１０ｕと、ランナ１０ｒと、ゲート部１０ｇと、キャビティ部１０ｃと、ベント部１０ｖと、中間キャビティ１０ｄと、吸引部１０ｅと、が設けられている。これらの各部は、第１金型１０の主面１０ａの平坦部（基板クランプ面１１）から後退した領域である。これらの各部は、繋がっている。
【００１７】
この例では、第１金型１０には、開閉部１２が設けられている。開閉部１２は、例えば、シャットオフピンである。開閉部１２を動作させる駆動部１２ｄが設けられている。駆動部１２ｄによる開閉部１２の動作により、例えば、凹部が外部と繋がっている状態と、繋がっていない状態と、が形成される。
【００１８】
吸引部１０ｅは、吸引経路２０ｐの一端と繋がっている。吸引経路２０ｐの他端は、減圧装置（例えば減圧ポンプなど、図示しない）に繋がっている。
【００１９】
後述するように、２つの金型の間に被処理物７０が配置されて、これらの金型が近づけられ、２つの金型の一部どうしが接するようにセットされる。例えば、開閉部１２が開状態において、キャビティ部１０ｃ内の気体（例えば空気）が、ベント部１０ｖ、中間キャビティ１０ｄ、吸引部１０ｅ及び吸引経路２０ｐを介して、排出される。吸引部１０ｅは、例えばエア吸引部である。内部の気体が排出されたキャビティ部１０ｃに樹脂４０が導入される。この例では、吸引経路２０ｐは、第２金型２０に設けられている。実施形態において、吸引経路２０ｐは、第１金型１０に設けられても良い。
【００２０】
樹脂４０は、金型１０Ｍに設けられたポット部２３を介して導入される。この例では、ポット部２３は、第２金型２０に設けられている。実施形態において、ポット部２３は、第１金型１０に設けられても良い。ポット部２３から樹脂４０が充填される。
【００２１】
実施形態に係るトランスファ成型装置１１０は、金型１０Ｍと、トランスファ部３１と、センサ部５０と、を含む。この例では、プランジャ３２と、制御部６０が設けられている。制御部６０は、例えば、吸引部１０ｅを介しての金型１０Ｍ内の空間からの気体の排出の制御、及び、トランスファ部３１の動作に基づく樹脂４０の金型１０Ｍ内の空間への導入の制御を行う。
【００２２】
ポット部２３の少なくとも一部は、例えば、筒状である。ポット部２３の内部にプランジャ３２が配置される。プランジャ３２の端部に樹脂４０が配置される。トランスファ部３１は例えば、上下（Ｚ軸方向に沿って）に可動である。初期状態において、トランスファ部３１の底部の位置は、初期位置３１ｑである。トランスファ部３１が上方向に移動して、トランスファの底部の位置は、移動後位置３１ｐとなる。移動後位置３１ｐと初期位置３１ｑとの差が移動高さ３１ｈである。トランスファ部３１の動きにより、プランジャ３２が移動し、樹脂４０が金型１０Ｍ内（すなわち、第１金型１０と第２金型２０との間）に供給される。
【００２３】
例えば、開閉部１２が開状態において、樹脂４０は、カル部１０ｕに導入される。カル部１０ｕを通過した樹脂４０はランナ１０ｒを通過してゲート部１０ｇに到達する。その後、樹脂４０は、キャビティ部１０ｃに導入される。例えば、樹脂４０がベント部１０ｖ及び中間キャビティ１０ｄに到達したときに、開閉部１２が、閉状態とされる。キャビティ部１０ｃ、ベント部１０ｖ及び中間キャビティ１０ｄは、密閉空間となり、これらの各部内に、高い圧力により樹脂４０が充填される。
【００２４】
このように、実施形態に係る金型１０Ｍ（この例では、第１金型１０）は、基板クランプ面１１と、キャビティ部１０ｃと、吸引部１０ｅと、ベント部１０ｖと、中間キャビティ１０ｄと、開閉部１２と、を含む。基板クランプ面１１は、被処理基板７１の表面７１ａと接する（図２（ｂ）参照）。キャビティ部１０ｃは、基板クランプ面１１から後退している（図１参照）。吸引部１０ｅは、基板クランプ面１１から後退している（図１参照）。
【００２５】
ベント部１０ｖは、キャビティ部１０ｃと吸引部１０ｅとの間の経路１０ｐ上に設けられる（図１及び図２（ａ）参照）。ベント部１０ｖは、キャビティ部１０ｃと連結され、キャビティ部１０ｃ内の気体の排出経路となる。キャビティ部１０ｃは、基板クランプ面１１からベント部深さＤｃで後退している（図１参照）。
【００２６】
中間キャビティ１０ｄは、経路１０ｐ上においてベント部１０ｖと吸引部１０ｅとの間に設けられる。中間キャビティ１０ｄは、ベント部１０ｖと連結されている。中間キャビティ１０ｄは、中間キャビティ深さＤｄで基板クランプ面１１から後退している。中間キャビティ深さＤｄは、ベント部深さＤｖよりも深い（図１参照）。
【００２７】
開閉部１２（例えばシャットオフピン）は、経路１０ｐ上において中間キャビティ１０ｄと吸引部１０ｅとの間に設けられる。開閉部１２は、例えば、上下動作及び回転動作の少なくともいずれかを行う。これにより、開閉部１２は、中間キャビティ１０ｄと吸引部１０ｅとの間の連通部分を開閉可能である。
【００２８】
例えば、上記の深い中間キャビティ１０ｄを設けない参考例がある。この参考例において、開閉部１２を開状態として、樹脂４０を金型１０Ｍのキャビティ部１０ｃに導入し、ベント部１０ｖを通過した後に開閉部１２を閉状態として、樹脂４０に高い圧力を印加する。開閉部１２において開状態から閉状態への切り替えのタイミングが不適切な場合は、例えば、樹脂４０の未充填、または、樹脂４０の漏れが生じる。この参考例においては、成型性が不十分な場合がある。
【００２９】
これに対して、実施形態においては、中間キャビティ１０ｄが設けられる。中間キャビティ深さＤｄは、ベント部深さＤｖよりも深くされる。これにより、例えば、ベント部１０ｖを通過した樹脂４０の速度が、中間キャビティ１０ｄにおいては、遅くなる。これにより、適正な成型状態を得るための開閉部１２の切り替えのタイミングのマージンが拡大する。例えば、樹脂４０の未充填、または、樹脂４０の漏れが抑制できる。実施形態によれば、成型性が良好な金型及びトランスファ成型装置を提供できる。
【００３０】
実施形態において、ゲート部１０ｇが設けられる場合、ゲート部１０ｇは、ベント部１０ｖの深さよりも深くされる。すなわち、金型１０Ｍ（第１金型１０）は、基板クランプ面１１からゲート部深さＤｇで後退したゲート部１０ｇをさらに含む（図１参照）。ゲート部１０ｇとベント部１０ｖとの間の少なくとも一部にキャビティ部１０ｃが設けられる。ベント部深さＤｖは、ゲート部深さＤｇよりも浅い。
【００３１】
例えば、ゲート部深さＤｇは、１５０μｍよりも大きく、例えば２５０μｍ以下である。一方、ベント部深さＤｖは、１０μｍ以上１５０μｍ以下である。ベント部深さＤｖをゲート部深さＤｇよりも浅くすることで、例えば、樹脂４０せき止め効果と、気体（空気）の排出効果と、を両立することができる。これにより、良好な充填性が得られる。
【００３２】
実施形態に係るトランスファ成型装置１１０は、上記の金型１０Ｍと、樹脂４０を金型１０Ｍに導入させるトランスファ部３１と、センサ部５０と、を含む。トランスファ部３１は、開閉部１２の開状態において、樹脂４０をキャビティ部１０ｃに充填する。センサ部５０は、樹脂４０の少なくとも一部がベント部１０ｖを通過して中間キャビティ１０ｄの少なくとも一部に到達したことを検知する。開閉部１２は、センサ部５０での検知の後に閉状態とする。トランスファ部３１は、例えば、この閉状態における樹脂４０への圧力を、上記の開状態における樹脂４０への圧力よりも高くする。これにより、高い充填性が得られる。
【００３３】
これらの動作の制御は、例えば、制御部６０により行われる。
【００３４】
センサ部５０による検知は、例えば、トランスファ部３１とキャビティ部１０ｃとの間の経路１０ｑにおける、金型１０Ｍの温度、樹脂４０の圧力、及び、金型１０Ｍでの反射光、及び、被処理基板７１での反射光の少なくともいずれかの検知により行われる。
【００３５】
センサ部５０による検知は、例えば、キャビティ部１０ｃと吸引部１０ｅとの間の経路１０ｐにおける、金型１０Ｍの温度、樹脂４０の圧力、及び、金型１０Ｍでの反射光、及び、被処理基板７１での反射光の少なくともいずれかの検知により行われても良い。
【００３６】
センサ部５０による検知は、例えば、トランスファ部３１の位置の検出により行われても良い。
【００３７】
図１に示すように、この例では、第１圧力検出部５１が設けられている。第１圧力検出部５１は、経路１０ｑにおける樹脂４０の圧力を検出する。この例では、第２圧力検出部５２が設けられている。第２圧力検出部５２は、経路１０ｐにおける樹脂４０の圧力を検出する。この例では、第１温度検出部５３が設けられている。第１温度検出部５３は、経路１０ｑにおける金型１０Ｍの温度を検出する。この例では、第２温度検出部５４が設けられている。第２温度検出部５４は、経路１０ｐにおける金型１０Ｍの温度を検出する。
【００３８】
例えば、金型１０Ｍに設けられる各種の凹部の深さに応じて、これらの凹部を通過するときの樹脂４０の圧力が変化する。樹脂４０の圧力の変化を検出することで、樹脂４０の端部の到達位置が判断できる。例えば、金型１０Ｍに設けられる各種の凹部を樹脂４０が通過する状態に応じて、金型１０Ｍの温度が変化する。金型１０Ｍの温度変化を検出することで、樹脂４０の端部の到達位置が判断できる。この他、光を照射し、金型１０Ｍまたは被処理基板７１での反射光を検出することで、樹脂４０の端部の到達位置が判断できる。
【００３９】
この例では、トランスファ位置検出部５８が設けられている。トランスファ位置検出部５８は、トランスファ部３１の位置（Ｚ軸方向に沿った位置）を検出する。例えば、金型１０Ｍに設けられる各種の凹部を樹脂４０が通過する状態に応じて、トランスファ部３１の位置が変化する。位置の変化を検出することで、樹脂４０の端部の到達位置が判断できる。トランスファ位置検出部５８は、センサ部５０の一部に含まれる。
【００４０】
以下、トランスファ成型装置１１０の動作の例について説明する。  
図３は、実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示するフローチャート図である。  
図４〜図８は、実施形態に係るトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
【００４１】
図４に示すように、第１金型１０と第２金型２０との間に、被処理物７０を配置して、これらの金型を閉じる。そして、これらの金型の間の空間を減圧する。このとき、開閉部１２は開状態である。
【００４２】
この後、図３に示すように、トランスファ部３１を駆動する（ステップＳ１１０）。  
すなわち、図５に示すように、トランスファ部３１の駆動により、プランジャ３２が上方に移動する。これにより、樹脂４０は、キャビティ部１０ｃ内に供給される。
【００４３】
図３に示すように、樹脂４０が、所定位置まで充填されたかどうかが、判断される（ステップＳ１２０）。「Ｎｏ」の場合には、ステップＳ１１０に戻る。「Ｙｅｓ」の場合に、後述するステップＳ１３０に進む。
【００４４】
例えば、ステップＳ１２０においては、図６に示すように、センサ部５０（第２圧力検出部５２、第２温度検出部５４またはトランスファ位置検出部５８など）により、樹脂４０の位置が検出される。例えば、樹脂４０のキャビティ部１０ｃからのオーバーフローが検出される。検出結果に基づいて、トランスファ部３１の動作の状態を変更しても良い。
【００４５】
図７に示すように、樹脂４０は、ベント部１０ｖを通過して、樹脂４０の少なくとも一部が、中間キャビティ１０ｄに到達する。例えば、このとき、「樹脂４０が所定位置まで充填した」と、判断される。このときに、開閉部１２（シャットオフピン）が閉状態とされる。この例では、シャットオフピンが下方に移動し、経路を遮断する。
【００４６】
このように、図３のステップＳ１３０では、開閉部１２を駆動する。すなわち、開閉部１２を閉状態とする。
【００４７】
そして、図８に示すように、開閉部１２が閉状態において、樹脂４０をさらに供給する。樹脂４０は、中間キャビティ１０ｄに充填される。
【００４８】
図３に示すように、適切なトランスファ動作が完了したかどうかを判断する。すなわち、例えば、樹脂４０が、金型１０Ｍ内に充填されたかどうかを判断する。高い充填圧力を加えながら、樹脂４０を熱硬化を開始する。そして、図３に示すように、トランスファ部３１の駆動を停止する（ステップＳ１５０）。
【００４９】
実施形態において、樹脂に含まれるフィラーの平均粒径が０．５μｍ以上３μｍ以下であるとき、ベント部深さＤｖは、例えば、４０μｍ以上１５０μｍ以下が良い。ベント部深さＤｖが４０μｍ未満において、樹脂４０の堰き止め効果が高いが、気体の排出効果が低くなる。ベント部深さＤｖが１５０μｍを超えると、気体の排出効果が改善するが、樹脂４０の堰き止め効果が低下する。ベント部深さＤｖが４０μｍ以上１５０μｍ以下のときに、例えば、樹脂４０の堰き止め効果が高く気体の排出効果も高い。
【００５０】
一方、実施形態において、樹脂に含まれるフィラーの平均粒径が３μｍよりも大きいとき（例えば５μｍ以上６μｍ以下）であるとき、ベント部深さＤｖは、例えば、４０μｍ以上２００μｍ以下が良い。ベント部深さＤｖが４０μｍ未満において、樹脂４０の堰き止め効果が高いが、気体の排出効果が低くなる。ベント部深さＤｖが２００μｍを超えると、気体の排出効果が改善するが、樹脂４０の堰き止め効果が低下する。ベント部深さＤｖが４０μｍ以上２００μｍ以下のときに、例えば、樹脂４０の堰き止め効果が高く気体の排出効果も高い。
【００５１】
図９（ａ）〜図９（ｂ）は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。  
図９（ａ）に示すように、第１金型１０Ａにおいて、ランナ１０ｒ、ゲート部１０ｇ、キャビティ部１０ｃ、ベント部１０ｖ、中間キャビティ１０ｄ、吸引部１０ｅ、及び、開閉部１２（例えばシャットオフピンなど）が設けられている。この例では、中間ベント部１０ｘが設けられている。中間ベント部１０ｘの深さ（基板クランプ面１１からの深さ）は、ベント部１０ｖのベント部深さＤｖよりも浅い。中間ベント部１０ｘは、キャビティ部１０ｃと中間キャビティ１０ｄとの間に設けられる。キャビティ部１０ｃから中間キャビティ１０ｄに向かう方向と交差する方向において、中間ベント部１０ｘは、ベント部１０ｖと並ぶ。この例では、浅いベント部１０ｖと、深い中間ベント部１０ｘと、が並列に接続される。並列に接続されたこれらのベント部により、キャビティ部１０ｃと中間キャビティ１０ｄとが、接続される。深さが異なる複数のベント部を用いることで、例えば、樹脂４０の堰き止め効果と、排気効果と、の調整が容易になる。
【００５２】
図９（ｂ）に示すように、第１金型１０Ｂにおいて、開閉部１２（例えばシャットオフピン）の太さは、中間キャビティ１０ｄの幅と実質的に同じである。これにより、例えば、中間キャビティ１０ｄを堰き止めると共に吸引部１０ｅも堰き止めるので、樹脂４０の、より高い堰き止め効果が得られる。
【００５３】
図９（ｃ）に示すように、第１金型１０Ｃにおいて、ベント部１０ｖは、キャビティ部１０ｃの辺に沿って延び、長い長さで設けられている。これにより、例えば、樹脂４０の堰き止めが面内（Ｘ−Ｙ平面内）で均一になり、キャビティ部１０ｃからの樹脂４０の流出を面内で均一にできる。
【００５４】
図９（ｄ）に示すように、第１金型１０Ｄにおいては、中間ベント部１０ｘは、中間キャビティ１０ｄを経ないで、吸引部１０ｅに繋がっている。これにより、例えば、樹脂４０の堰き止め効果と、排気効果と、の調整が容易になることに加えて、開閉部１２を閉状態とした後にも排気効果を持続することができる。
【００５５】
図９（ｅ）に示すように、第１金型１０Ｅにおいては、中間キャビティ１０ｄは、キャビティ部１０ｃの辺に沿って長い長さで設けられている。そして、中間キャビティ１０ｄの一部とキャビティ部１０ｃとの間に、狭い幅の複数のベント部１０ｖが設けられている。この構成においては、例えば、樹脂４０の、より高い堰き止め効果が得られる。
【００５６】
図９（ｆ）に示すように、第１金型１０Ｆにおいては、複数の中間キャビティ１０ｄのそれぞれに、１つずつのベント部１０ｖが設けられている。この構成においては、例えば、複数の中間キャビティ１０ｄにおける樹脂の流動の違いに応じて、複数の開閉部１２の開閉状態を独立して制御することができる。
【００５７】
このように、実施形態において、ベント部１０ｖ及び中間キャビティ１０ｄの構成は、種々の変形が可能である。
【００５８】
実施形態は、トランスファ形成方法を含む。この方法は、金型１０Ｍ（第１金型１０）のキャビティ部１０ｃに樹脂４０を導入することを含む。この金型１０Ｍ（第１金型１０）は、被処理基板７１の表面７１ａと接する基板クランプ面１１と、基板クランプ面１１から後退したキャビティ部１０ｃと、基板クランプ面１１から後退した吸引部１０ｅと、キャビティ部１０ｃと吸引部１０ｅとの間の経路１０ｐ上に設けられキャビティ部１０ｃと連結されキャビティ部１０ｃ内の気体の排出経路となり基板クランプ面１１からベント部深さＤｖで後退したベント部１０ｖと、経路１０ｐ上においてベント部１０ｖと吸引部１０ｅとの間に設けられベント部１０ｖと連結されベント部深さＤｖよりも深い中間キャビティ深さＤｄで基板クランプ面１１から後退した中間キャビティ１０ｄと、経路１０ｐ上において中間キャビティ１０ｄと吸引部１０ｅとの間に設けられ経路１０ｐを開閉する開閉部１２と、を含む。
【００５９】
実施形態に係る方法は、樹脂４０の少なくとも一部がベント部１０ｖを通過して中間キャビティ１０ｄの少なくとも一部に到達した後に、開閉部１２を閉状態とする。成型性が良好なトランスファ成型方法が提供できる。
【００６０】
例えば、コストダウンを目的として、ＴＳＶを含むチップ積層間のギャップに充填しているアンダーフィル樹脂を廃止し、モールド樹脂で一括充填することが考えられる。例えば、金型のキャビティ内を減圧しながら樹脂を充填し、充填完了の直前でシャットオフピンを作動させる方法がある。しかしながら、狭いギャップを充填するために樹脂の粘度を低下させた場合には、このような方法を用いても、樹脂漏れまたは未充填が発生し易い。  実施形態においては、シャットオフピン手前で、樹脂をせき止める部分（ベント部１０ｖ）を設けることで、シャットオフピンが作動するのを遅延させることができる。そして、ベント部１０ｖとシャットオフピンとの間に、深さが深い中間キャビティ１０ｄを設けることで、チャットオフピンの動作のタイミングのマージンを広げることができる。
【００６１】
実施形態によれば、成型性が良好な金型及びトランスファ成型装置を提供できる。
【００６２】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、金型に含まれるキャビティ部、ベント部、中間キャビティ、吸引部、基板クランプ部及び開閉部、並びに、トランスファ成型装置に含まれるトランスファ部、センサ部及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００６３】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００６４】
その他、本発明の実施の形態として上述した金型及びトランスファ成型装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての金型及びトランスファ成型装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００６５】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００６６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６７】
１０、１０Ａ〜１０Ｆ…第１金型、  １０Ｍ…金型、  １０ａ…主面、  １０ｃ…キャビティ部、  １０ｄ…中間キャビティ、  １０ｅ…吸引部、  １０ｇ…ゲート部、  １０ｐ…経路、  １０ｑ…経路、  １０ｒ…ランナ、  １０ｕ…カル部、  １０ｖ…ベント部、  １０ｘ…中間ベント部、  １１…基板クランプ面、  １２…開閉部、  １２ｄ…駆動部、  １３ｇｍ…ゲート側金型クランプ部、  １３ｇｓ…ゲート側基板クランプ部、  １３ｖｍ…ベント側金型クランプ部、  １３ｖｓ…ベント側基板クランプ部、  ２０…第２金型、  ２０ａ…主面、  ２０ｐ…吸引経路、  ２３…ポット部、  ３１…トランスファ部、  ３１ｈ…移動高さ、  ３１ｐ…移動後位置、  ３１ｑ…初期位置、  ３２…プランジャ、  ４０…樹脂、  ５０…センサ部、  ５１…第１圧力検出部、  ５２…第２圧力検出部、  ５３…第１温度検出部、  ５４…第２温度検出部、  ５８…トランスファ位置検出部、  ６０…制御部、  ７０…被処理物、  ７１…被処理基板、  ７１ａ…表面、  ７２…半導体チップ、  １１０…トランスファ成型装置、  ＡＡ…矢印、  Ｄｃ…ベント部深さ、  Ｄｄ…中間キャビティ深さ、  Ｄｇ…ゲート部深さ、  Ｄｖ…ベント部深さ、  Ｓ１１０〜Ｓ１５０…ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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