(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光のエネルギーを電磁波に変換するエネルギー加給器と、
前記電磁波のエネルギーを前記エネルギー加給器から受けて近接場光を発生するエネルギー注入器と、
を備え、
前記エネルギー加給器と前記エネルギー注入器とは、前記電磁波のエネルギーが伝搬可能な距離であるニアフィールド距離だけ間隔をあけて配置されており、
前記エネルギー加給器はリング形状を有している
ことを特徴とする近接場光デバイス。
【請求項２】
前記エネルギー加給器は、金属からなり、
前記エネルギー注入器は、金属からなり、ロッド形状を有し、
前記エネルギー注入器は、前記エネルギー注入器の一方の端部が前記エネルギー加給器の側部に対向するように配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の近接場光デバイス。
【請求項３】
当該近接場光デバイスは、磁気ヘッドの一部を構成しており、
前記エネルギー注入器の他方の端部は、前記磁気ヘッドのＡＢＳに位置している
ことを特徴とする請求項２に記載の近接場光デバイス。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の近接場光デバイスと、
前記近接場光デバイスに対し光を照射する光源と、
書き込み磁極と、
を備えることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
磁気記録媒体の微小領域を第１所定温度へ昇温させるための第１近接場光デバイスと、
前記微小領域を、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度へ昇温させるための第２近接場光デバイスと、
を備え、
前記第１近接場光デバイス及び前記第２近接場光デバイスは、請求項１又は２に記載の近接場光デバイスである
ことを特徴とする磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば近接場光を用いて微小熱源を提供する近接場光デバイス、該近接場光デバイスを備えた磁気ヘッドの技術分野に関する。本発明は、特に、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ：Ｈｅａｔ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）に好適である。
【背景技術】
【０００２】
さらなる高密度磁気記録が可能な技術として、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）方式が注目されている。これは、光導波路等を介して光を金属で構成された近接場光発生部に照射し、光のエネルギーを微小領域に集中させ、磁気記録媒体の微小領域の温度を上げて磁気記録を行う技術である。
【０００３】
これまでに、様々な構造により、光のエネルギーを微小領域に集中させる構造が提案されている。例えば、ソリッドイマージョンレンズを用いてレーザ光を所謂ロリポップ型の金（Ａｕ）等で構成される近接場光発生部に集光させる構成が提案されている（特許文献１参照）。或いは、ディスク形状のリング型共振器の側面に金（Ａｕ）のペグを配置し、共振器で発生したエネルギーをペグで取り出し、該ペグの先端の微小領域の温度を上げる構成が提案されている（特許文献２参照）。或いは、量子ドットを含む半導体基板にレーザ光を照射し、該量子ドットで吸収された入射光のエネルギーを金属端に集中させる構成が提案されている（特許文献３参照）。或いは、発光層を一対の電極で挟み、一方の電極に突起部を設け、発光層からのエネルギーを該突起部に集中させる構成が提案されている（特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第８２４８８９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１３／０２８６８０６号
【特許文献３】国際公開第２０１２／１１１８１６号
【特許文献４】特開２０１４−５３６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような微小領域にエネルギーを集中させるための近接場光発生部では、近接場光の発生を制御する観点からの検討はされていないという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、効率良く近接場光を発生させることができる近接場光デバイス（例えば、ＮＦＴ：Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及び該近接場光デバイスを用いた磁気ヘッドを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の近接場光デバイスは、上記課題を解決するために、入射光のエネルギーを電磁波に変換するエネルギー加給器と、前記電磁波のエネルギーを前記エネルギー加給器から受けて近接場光を発生するエネルギー注入器と、を備え、前記エネルギー加給器と前記エネルギー注入器とは、前記電磁波のエネルギーが伝搬可能な距離であるニアフィールド距離だけ間隔をあけて配置されており、前記エネルギー加給器はリング形状を有している。
【０００９】
本発明の第１の磁気ヘッドは、上記課題を解決するために、本発明の近接場光デバイスと、前記近接場光デバイスに対し光を照射する光源と、書き込み磁極と、を備える。
【００１０】
本発明の第２の磁気ヘッドは、上記課題を解決するために、磁気記録媒体の微小領域を第１所定温度へ昇温させるための第１の近接場光デバイスと、前記微小領域を、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度へ昇温させるための第２の近接場光デバイスと、を備え、前記第１の近接場光デバイス及び前記第２の近接場光デバイスは、本発明の近接場光デバイスである。
【００１１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施例に係るニアフィールドトランスデューサの概要を示す概念図である。
【図２】エネルギー加給器の形状によるエネルギーモードの差異を示す概念図である。
【図３】エネルギー加給器とエネルギー注入器との間の距離によるエネルギーモードの差異を示す概念図である。
【図４】第２実施例に係るニアフィールドトランスデューサの概要を示す概念図である。
【図５】実施例に係る磁気ヘッドの製造工程の一部を示す工程図である。
【図６】図５の工程に続く工程を示す工程図である。
【図７】図６の工程に続く工程を示す工程図である。
【図８】電子線により描画されるパターン例を示す図である。
【図９】実施例に係る磁気ヘッドの第１変形例を示す概念図である。
【図１０】実施例に係る磁気ヘッドの第２変形例を示す概念図である。
【図１１】実施例に係る磁気ヘッドの第３変形例を示す概念図である。
【図１２】実施例に係る磁気ヘッドの第４変形例を示す概念図である。
【図１３】量子ドットを用いた発光層の一例を示す概念図である。
【図１４】実施例に係るプレヒート機能を有する磁気ヘッドを示す概念図である。
【図１５】実施例に係るプレヒート機能を有する磁気ヘッドの変形例を示す概念図である。
【図１６】ニアフィールドトランスデューサを用いた分光器を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の近接場光デバイス及び磁気ヘッド各々に係る実施形態について説明する。
【００１４】
（近接場光デバイス）
実施形態に係る第１の近接場光デバイスは、入射光のエネルギーを電磁波に変換するエネルギー加給器と、電磁波のエネルギーをエネルギー加給器から受けて近接場光を発生するエネルギー注入器と、を備えて構成されている。ここで特に、エネルギー加給器とエネルギー注入器とは、電磁波のエネルギーが伝搬可能な距離であるニアフィールド距離だけ間隔をあけて配置されている。
【００１５】
当該近接場光デバイスは、入射光のエネルギー、即ち、光学エネルギーを補足して、該補足されたエネルギーの少なくとも一部を近接場光として出力する。
【００１６】
ここで、光学エネルギーを効率的に補足するためには、エネルギー加給器の形状に偏りがないことが望ましい。このため、エネルギー加給器とエネルギー注入器とは、一体ではなく、互いから分離している。他方で、エネルギー加給器とエネルギー注入器との間の距離が大きすぎると、エネルギー加給器からエネルギー注入器へ効率的にエネルギーが伝搬しない。
【００１７】
そこで、本実施形態では、エネルギー加給器とエネルギー注入器とが、ニアフィールド距離だけ間隔をあけて配置されている。従って、本実施形態に係る第１の近接場光デバイスによれば、入射光のエネルギーを効率良く近接場光に変換することができる。
【００１８】
実施形態に係る第１の近接場光デバイスの一態様では、エネルギー加給器は、金属からなり、ディスク形状又はリング形状を有し、エネルギー注入器は、金属からなり、ロッド形状を有し、エネルギー注入器は、エネルギー注入器の一方の端部が前記エネルギー加給器の側部に対向するように配置されている。
【００１９】
この態様によれば、エネルギー加給器は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム等の金属からなる。エネルギー注入器も、同様に、金属からなる。エネルギー加給器を構成する金属とエネルギー注入器を構成する金属とは互いに異なっていてよいが、当該近接場光デバイスの製造の観点からは、同一であることが望ましい。
【００２０】
エネルギー加給器は、ディスク形状又はリング形状である。他方、エネルギー注入器は、ロッド形状である。エネルギー加給器は、典型的には、エネルギー注入器よりも大きい。また、エネルギー加給器の厚み（即ち、高さ方向の距離）は、エネルギー注入器の厚みよりも大きくてもよい。ただし、当該近接場光デバイスの製造の観点からは、エネルギー加給器とエネルギー注入器とは同一の厚みであることが望ましい。
【００２１】
エネルギー注入器の長手方向の一方の端部は、ニアフィールド距離だけ間隔をあけて、エネルギー加給器の側部に対向するように配置されている。つまり、当該近接場光デバイスは、所謂ロリポップ型の近接場光デバイスである。
【００２２】
この態様では、当該近接場光デバイスは、磁気ヘッドの一部を構成しており、エネルギー注入器の他方の端部は、磁気ヘッドのＡＢＳ（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）に位置していてよい。
【００２３】
このように構成すれば、光学エネルギーを用いて磁気記録媒体を効率的に昇温することができる熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを構成することができ、実用上非常に有利である。
【００２４】
実施形態に係る第２の近接場光デバイスは、入射光のエネルギーを電磁波に変換するエネルギー加給器と、前記電磁波のエネルギーを前記エネルギー加給器から受けて近接場光を発生するエネルギー注入器と、を備えて構成されている。ここで特に、エネルギー加給器はリング形状であり、エネルギー注入器はロッド形状である。
【００２５】
当該近接場光デバイスによれば、エネルギー加給器がリング形状を有しているので、該エネルギー加給器が、例えばディスク形状である場合に比べて入射光のエネルギーを効率よく電磁波に変換することができる。従って、本実施形態に係る第２近接場光デバイスによれば、入射光のエネルギーを効率良く近接場光に変換することができる。尚、エネルギー加給器とエネルギー注入器とが、上述したニアフィールド距離だけ間隔をあけて配置されていてもよい。
【００２６】
（磁気ヘッド）
実施形態に係る第１の磁気ヘッドは、上述した実施形態に係る第１の近接場光デバイスと、該近接場光デバイスに対し光を照射する光源と、書き込み磁極と、を備える。
【００２７】
当該第１の磁気ヘッドによれば、上述した実施形態に係る第１の近接場光デバイスと同様に、入射光のエネルギーを効率良く近接場光に変換することができる。尚、光源及び書き込み磁極には、公知の各種態様を適用可能であるので、その詳細についての説明は割愛する。
【００２８】
実施形態に係る第２の磁気ヘッドは、磁気記録媒体の微小領域を第１所定温度へ昇温させるための第１近接場光デバイスと、前記微小領域を、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度へ昇温させるための第２近接場光デバイスと、を備えて構成されている。ここで特に、第１近接場光デバイス及び第２近接場光デバイスは、上述した実施形態に係る第１の近接場光デバイスである。
【００２９】
当該第２の磁気ヘッドによれば、上述した実施形態に係る第１の近接場光デバイスと同様に、入射光のエネルギーを効率良く近接場光に変換することができる。特に、第１及び第２近接場光デバイスを夫々用いて、磁気記録媒体の一の微小領域が２段階に分けて昇温されるので、第１及び第２近接場光デバイス各々に入射する光を減少させることができる。つまり、第１及び第２近接場光デバイスに光を照射する光源の出力を抑制することができる。
【００３０】
尚、第２所定温度は、キュリー温度以上の温度である。第１所定温度は、第１及び第２近接場光デバイス各々の性能等に応じて適宜設定されてよい。
【実施例】
【００３１】
本発明の近接場光デバイスに係る実施例を図面に基づいて説明する。尚、以降の実施例では、本発明の近接場光デバイスの一例として、ニアフィールドトランスデューサ（以降、適宜“ＮＦＴ”と記載する）を挙げる。また、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００３２】
（ニアフィールドトランスデューサ）
＜第１実施例＞
ニアフィールドトランスデューサに係る第１実施例について、図１乃至図３を参照して説明する。図１（ａ）は、第１実施例に係るニアフィールドトランスデューサの斜視図であり、図１（ｂ）は、ニアフィールドトランスデューサの上方から平面的に見た平面図である。
【００３３】
図１において、ＮＦＴ１０は、エネルギー加給器１１（“ディスク”と称されることもある）、及びエネルギー注入器１２（“ペグ”又は“ピン”と称されることもある）を備えて構成されている。ＮＦＴ１０はその外観的形状の特徴からロリポップ型のＮＦＴと称される。
【００３４】
エネルギー加給器１１及びエネルギー注入器１２は、例えば金（Ａｕ）により構成されている。エネルギー加給器１１は、例えば、直径φが８００ｎｍ（ナノメートル）、厚さが２０ｎｍのディスク形状である。エネルギー注入器１２は、例えば、短手方向の幅ｗ１が１００ｎｍ、長手方向の幅ｗ２が４００ｎｍ、厚さが２０ｎｍのロッド形状である。尚、エネルギー注入器１２の断面形状は、円に限らず、例えば四角等、多角形であってもよい。
【００３５】
ここで、本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、エネルギー加給器１１の面の形状が真円に近づくほど、エネルギーモードが安定する（言い換えれば、エネルギー加給器１１に保持されるエネルギー量が大きくなる、或いは、エネルギーロスが減少する）。例えば、図２（ａ）に示すように、エネルギー加給器の面の形状が真円であればエネルギーモード（図中では、網かけ楕円により概念的に示している）が安定する。他方、図２（ｂ）に示すように、エネルギー加給器の面の形状が真円からずれる（つまり、楕円になる）とエネルギーモードが不安定となり、エネルギー加給器１１にエネルギーを保持できる量が小さくなる。
【００３６】
また、エネルギー加給器１１の直径φと、該エネルギー加給器１１に入射する光の周波数とが所定の関係を満たすと、エネルギーモードが増大する。エネルギー加給器１１を構成する材料の共鳴波長を有する光が、該エネルギー加給器１１に入射した場合にもエネルギーモードが増大する（金（Ａｕ）の場合は、７２０ｎｍの波長を有する光）。
【００３７】
このため、エネルギー加給器１１の面の形状は、真円、又は実践上真円とみなせる形状であることが望ましい。尚、ここでは入射光について限定はしないので、エネルギー加給器１１の直径φは、例えばＮＦＴ１０を備える製品の仕様等により適宜設定されてよい（上述の“８００ｎｍ”という値は一例に過ぎない）。
【００３８】
上述の如く、エネルギー加給器１１の面の形状が真円からずれるとエネルギーモードが小さくなる。このため、図３（ａ）に示すように、エネルギー加給器にエネルギー注入器が接していると、エネルギー加給器の面の形状が真円からずれることとなり、エネルギーモードが小さくなる（即ち、エネルギーロスが大きくなる）。
【００３９】
他方、図３（ｃ）に示すように、エネルギー加給器とエネルギー注入器との間の距離が比較的大きいと、エネルギー加給器からエネルギー注入器へエネルギーが伝搬しにくく、エネルギー注入器に発生する近接場光が減少する（結果的に、エネルギーロスが大きくなる）。
【００４０】
効率良く近接場光を発生させるためには、エネルギー加給器とエネルギー注入器との間の距離を適切に設定する必要がある（図３（ｂ）参照）。本実施例では、距離ｄは、例えば５０ｎｍである。
【００４１】
尚、熱アシスト磁気記録の磁気ヘッドの一部としてＮＦＴ１０が用いられる場合、該ＮＦＴ１０のエネルギー変換効率を向上させるためには、上述した事項の他に、ＮＦＴ１０と磁気記録媒体との間のインピーダンスを考慮する必要がある。つまり、エネルギー加給器１１とエネルギー注入器１２との間のインピーダンスと、エネルギー注入器１２と磁気記録媒体との間のインピーダンスとを合わせる必要がある（即ち、インピーダンスマッチングを行う必要がある）。
【００４２】
インピーダンスマッチングの方法の一例として、例えばエネルギー加給器１１及びエネルギー注入器１２各々の形状及びサイズ、並びに、エネルギー加給器１１及びエネルギー注入器１２間の距離の変更が挙げられる。
【００４３】
＜第２実施例＞
ニアフィールドトランスデューサに係る第２実施例について、図４を参照して説明する。第２実施例では、エネルギー加給器の形状が異なる以外は、上述した第１実施例と同様である。よって、第２実施例について、第１実施例と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図４を参照して説明する。図４（ａ）は、第２実施例に係るニアフィールドトランスデューサの斜視図であり、図４（ｂ）は、ニアフィールドトランスデューサの上方から平面的に見た平面図である。
【００４４】
図４において、ＮＦＴ２０は、エネルギー加給器２１及びエネルギー注入器１２を備えて構成されている。本実施例では特に、エネルギー加給器２１は、リング形状を有している。このように構成すれば、第１実施例に係るディスク形状のエネルギー加給器１１よりも、入射光のエネルギーを効率良く電磁波に変換できる。
【００４５】
エネルギー加給器２１は、例えば、外側直径φ１が８００ｎｍ、内側直径φ２が４００ｎｍ、厚さが２０ｎｍである。エネルギー注入器２２は、例えば、短手方向の幅ｗ１が１００ｎｍ、長手方向の幅ｗ２が４００ｎｍ、厚さが２０ｎｍである。
【００４６】
（熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドの製造方法）
次に、第１実施例又は第２実施例に係るニアフィールドトランスデューサを備え、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドの製造方法の一例について、図５乃至図８を参照して説明する。
【００４７】
図５において、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）からなる基板１１０の上に、磁気ヘッド層（積層体）１２０が積層される。尚、磁気ヘッド層１２０の形成方法には、公知の各種対象を適用可能であるので、その詳細についての説明は割愛する。
【００４８】
次に、磁気ヘッド層１２０の上に、該磁気ヘッド層１２０とＮＦＴとを接合するためのセパレータ１３０が積層される。該セパレータ１３０は、例えばＮｉＦｅ等の磁性材料により構成されている。
【００４９】
次に、図６に示すように、セパレータ１３０の上に、例えば金（Ａｕ）等の金属からなる金属層１４０が積層される。次に、図７に示すように、金属層１４０の上にレジスト１５０が塗布される。そして、所定のパターンが電子線を用いて描画された後、現像され、レジスト１５０が除去される。この結果、セパレータ１３０の上には、ＮＦＴと、例えばエッチングストップ部等の複数のパーツからなる金属パターンが形成される。
【００５０】
ここで、第１実施例に係るＮＦＴ１０が形成される場合、電子線により描画されるパターンは、例えば図８（ａ）のようである。第２実施例に係るＮＦＴ２０が形成される場合、電子線により描画されるパターンは、例えば図８（ｃ）のようである。
【００５１】
ＮＦＴ１０の変形例として、例えば図８（ｂ）に示すような、エネルギー加給器のエネルギー注入器と対向する部分にわずかな突起があるパターンが電子線により描画されてよい。同様に、ＮＦＴ２０の変形例として、例えば図８（ｄ）に示すような、エネルギー加給器のエネルギー注入器と対向する部分にわずかな突起があるパターンが電子線により描画されてよい。
【００５２】
つまり、磁気記録に必要な熱エネルギーをＮＦＴが十分供給できるのであれば、エネルギー加給器の形状が真円から少しずれていても良い。同様に、エネルギー加給器とエネルギー注入器とが接触していても問題はない。
【００５３】
ＮＦＴが形成された後、ここでは図示しない、外部のレーザ光源からのレーザ光をＮＦＴへ導き、エネルギー加給器へレーザ光を集光させるための光学系（回折格子、光導波路、ソリッドイマージョンミラー等）が形成され、磁気ヘッドの先端部が完成する。
【００５４】
（変形例）
次に、ＮＦＴを備える磁気ヘッドの変形例について、図９乃至図１３を参照して説明する。尚、図９乃至図１１では、図５乃至図７に示した磁気ヘッド層１２０等の描画を省略している。
【００５５】
＜第１変形例＞
上述した磁気ヘッドでは、セパレータ１３０の上にＮＦＴが形成されていたが、セパレータ１３０の上に、例えばＧａＡｓ等の半導体層を積層し、該半導体層の上にＮＦＴが形成されてもよい（図９参照）。図９に示す構成では、半導体層が光励起半導体レーザとして機能する。
【００５６】
＜第２変形例＞
或いは、セパレータ１３０の上に、例えば金（Ａｕ）等の金属からなる下部電極としての金属層を積層し、該金属層の上に、例えばＧａＡｓ等の半導体層を積層し、該半導体層の上にＮＦＴが形成されてもよい（図１０参照）。図１０に示す構成では、ＮＦＴのエネルギー加給器を上部電極としても用いられる。そして、下部電極及びエネルギー加給器間に電圧が印加されることにより、半導体層が半導体レーザとして機能する。
【００５７】
＜第３変形例＞
或いは、セパレータ１３０の上に、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）を形成し、該ＶＣＳＥＬの上に、例えばＧａＡｓ等の半導体層を積層し、該半導体層の上にＮＦＴが形成されてもよい（図１１参照）。図１１に示す構成では、図９に示した構成と同様に、半導体層が光励起半導体レーザとして機能する。ＶＣＳＥＬを用いることにより、導波路が不要となるので、磁気ヘッド全体の小型化を図ることができる。
【００５８】
＜第４変形例＞
或いは、図１２に示すように、セパレータ１３０の上に、例えば金（Ａｕ）等の金属からなる下部電極としての金属層１５０を積層し、該金属層の上に、複数の量子ドットを含んでなる発光層１６０を積層し、該発光層１６０上に、ＮＦＴとなる金属層１４０が積層されてもよい。
【００５９】
発光層１６０は、図１３（ａ）に示すような、例えば、ＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ量子ドット層が、例えば３〜１００層積層された多層量子ドット型であってもよいし、例えば図１３（ｂ）に示すような、ＧａＡｓ半導体層中に複数のＩｎＡｓ量子ドットが分散している分散量子ドット型であってもよい。
【００６０】
このように構成すれば、下部電極（即ち、金属層１５０）とエネルギー加給器（即ち、パターニング後の金属層１４０）と間に電圧が印加されることにより、発光層１６０が量子ドットレーザとして機能する。
【００６１】
（２つのＮＦＴを備える磁気ヘッド）
次に、第１実施例又は第２実施例に係るニアフィールドトランスデューサを２つ備え、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドについて、図１４及び図１５を参照して説明する。
【００６２】
図１４において、磁気ヘッドは、書込磁極と、読取磁極と、第１のＮＦＴと、第２のＮＦＴと、該第１のＮＦＴ及び第２のＮＦＴを接合する誘電体層と、を備えて構成されている。ここで、第１のＮＦＴ及び第２のＮＦＴ各々のエネルギー注入器の、エネルギー加給器に対向する側とは反対側の端部は、磁気ヘッドのＡＢＳ上に位置している。
【００６３】
当該磁気ヘッドでは、第１のＮＦＴ及び第２のＮＦＴ各々のエネルギー注入器の端部に、入射光から変換された近接場光が発生する。磁気記録媒体への情報記録時には、先ず、第２のＮＦＴにより、該第２のＮＦＴのエネルギー注入器に対向する磁気記録媒体の微小領域が、キュリー温度未満の温度である第１所定温度まで加熱される。続いて、磁気記録媒体が進行方向に沿ってわずかに移動することにより、上記微小領域が、第１のＮＦＴによりキュリー温度を超える温度である第２所定温度まで加熱される。その後、書込磁極により加熱された微小領域に情報が記録される。
【００６４】
このように構成すれば、例えば、第１のＮＦＴ及び第２のＮＦＴに照射される光の強度を抑制することができる。
【００６５】
図１５に示す磁気ヘッドでは、図１４に示した磁気ヘッドにおける誘電体の代わりに、量子ドット半導体により、第１のＮＦＴ及び第２のＮＦＴが接合されている。そして、第１のＮＦＴ及び第２のＮＦＴ各々のエネルギー加給器を電極として用いることにより、量子ドット半導体が量子ドットレーザとして機能する。このように構成すれば、導波路が不要となるので、磁気ヘッド全体の小型化を図ることができる。
【００６６】
（複数のＮＦＴを用いた分光器）
第１実施例又は第２実施例に係るニアフィールドトランスデューサを複数備えた分光器について、図１６を参照して説明する。図１６は、ニアフィールドトランスデューサを用いた分光器を示す概念図である。
【００６７】
図１６において、分光器５１０は、半導体基板上に形成された第１のＮＦＴ５１１、第２のＮＦＴ５１２及び第３のＮＦＴ５１３と、第１のＮＦＴ５１１のエネルギー注入器と対向配置された光ファイバ５１４と、第２のＮＦＴ５１２のエネルギー注入器と対向配置された光ファイバ５１５と、第３のＮＦＴ５１３のエネルギー注入器と対向配置された光ファイバ５１６と、を備えて構成されている。
【００６８】
第１のＮＦＴ５１１は、波長λ１の光に対して強く発光するように、例えばエネルギー加給器の外側直径Ｄ１及び内側直径ｄ１が設定されている（尚、光の波長がλ１からずれる程、第１のＮＦＴ５１１の発光は弱くなる、或いは、発光しなくなる）。第２のＮＦＴ５１２は、波長λ２の光に対して強く発光するように、例えばエネルギー加給器の外側直径Ｄ２及び内側直径ｄ２が設定されている。第３のＮＦＴ５１３は、波長λ３の光に対して強く発光するように、例えばエネルギー加給器の外側直径Ｄ３及び内側直径ｄ３が設定されている。
ここで、波長の関係は、λ１＞λ２＞λ３である。外側直径の関係は、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３である。内側直径の関係は、ｄ１＞ｄ２＞ｄ３である。
【００６９】
入射光５００が、ここでは図示しない光ファイバを介して或いは空中を伝搬して、分光器５１０に照射されると、第１のＮＦＴ５１１、第２のＮＦＴ５１２及び第３のＮＦＴ５１３が夫々入射光５００に照らされる。
【００７０】
ここで、入射光５００が波長λ１の光である場合、分光器５１０内の第１のＮＦＴ５１１が発光し（即ち、第１のＮＦＴ５１１のエネルギー注入器の先端が強く発光し）、光ファイバ５１４を介して、出力光５２０として分光器５１０の外部へ出力される。これにより、入射光５００に波長λ１の光が含まれていたことが検出される。このとき、第２のＮＦＴ５１２及び第３のＮＦＴ５１３は、波長λ１の光には反応しないので、発光しない（つまり、図１６における“出力光５３０”及び“出力光５４０”は発生しない）。
【００７１】
また、入射光５００が、波長λ１の光を含まず、波長λ２の光及び波長λ３の光を含む場合、分光器５１０内の第２のＮＦＴ５１２及び第３のＮＦＴ５１３が発光する。この際、第２のＮＦＴ５１２の発光は、光ファイバ５１５を介して出力光５３０として出力され、第３のＮＦＴ５１３の発光は、光ファイバ５１６を介して出力光５４０として出力される。これにより、入射光５００に波長λ２の光及び波長λ３の光が含まれていたことが検出される。このとき、第１のＮＦＴ５１１は、入射光５００に反応せず、発光しない。
【００７２】
図１６に記載の分光器５１０では、３つの異なる波長を分光する構成としたが、これに限らず分光したい波長の数だけ、複数のＮＦＴを分光器内に形成することにより、検出できる波長の数を増やすことができる。また、第１のＮＦＴ５１１、第２のＮＦＴ５１２及び第３のＮＦＴ５１３の出力を光ファイバ５１４〜５１６で取り出す構成としているが、光ファイバ５１４〜５１６に代えて、受光素子を用いてもよい。受光素子を用いた場合、第１のＮＦＴ５１１、第２のＮＦＴ５１２及び第３のＮＦＴ５１３各々の発光は受光素子で電気信号に変換され外部へ出力される。
【００７３】
更に、分光器５１０に用いるＮＦＴのエネルギー加給器は、図１６に示したリング形状に限らずディスク形状でもよいことは言うまでもない。
【００７４】
尚、図１６では半導体基板上にＮＦＴを形成する構成としたが、半導体基板に代えて、所定数の画素数を有する撮像素子上にＮＦＴを形成するようにしてもよい。撮像素子上にＮＦＴを形成することにより、ＮＦＴの発光を撮像素子の各画素で検出し、ＮＦＴの発光を二次元の画像イメージとして取得することが可能になる。更に、撮像素子上に、エネルギー注入器とエネルギー加給器とからなるロリポップ型のＮＦＴだけでなく、棒状の（バー形状の）金属部材を、縦と横とを一組として形成してよい。この縦方向のバーの出力と横方向のバーの発光条状況とが撮像素子により検出されることにより生成される二次元画像を分析することにより、入射光の偏光成分を検出することが可能である。
【００７５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う近接場光デバイス及びそれを用いた磁気ヘッドもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７６】
１０、２０…ニアフィールドトランスデューサ、１１、２１…エネルギー加給器、１２、２２…エネルギー注入器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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