(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラツキーアセンブリであって、
平坦でありかつポリッシュされた第１作動表面を有するように結晶材料から作られた第１ブロックと、
第２作動表面を有するように結晶材料又は重元素材料のいずれかから作られた第２ブロックと
を含み、
前記第１ブロックと前記第２ブロックとは、前記第２作動表面の反対方向を向く前記第１作動表面と整合され、
前記第１作動表面は、共通平面において前記第２作動表面と整合されるクラツキーアセンブリ。
【請求項２】
前記第２作動表面は平坦でありかつポリッシュされている請求項１のクラツキーアセンブリ。
【請求項３】
記第１ブロックは、延長されたブリッジを有し、
前記第２ブロックは、前記第２作動表面が前記ブリッジの作動表面に対向するように前記延長されたブリッジに取り付けられる請求項１のクラツキーアセンブリ。
【請求項４】
ビームストップをさらに含み、
前記クラツキーアセンブリに取り付けられたブリッジが、前記ビームストップを位置決めするべく構成される請求項３のクラツキーアセンブリ。
【請求項５】
前記第１ブロックと前記延長されたブリッジとが、２つのアームが前記第１ブロックから延びる「Ｕ」字形状ブロックを形成し、
前記「Ｕ」字形状ブロックは、前記第１ブロックの作動表面から前記２つのアームの作動表面まで延びる平坦でありかつポリッシュされた表面を有し、
前記第２ブロックは、前記第２作動表面が前記２つのアームの作動表面に対向するように前記延長されたブリッジに取り付けられる請求項３のクラツキーアセンブリ。
【請求項６】
前記第２ブロックは、前記延長されたブリッジに取り付けられたブレードであり、
前記第２作動表面は前記ブレードのエッジである請求項３のクラツキーアセンブリ。
【請求項７】
前記結晶材料は単結晶材料を含む請求項１のクラツキーアセンブリ。
【請求項８】
前記単結晶材料は単結晶シリコンである請求項７のクラツキーアセンブリ。
【請求項９】
前記単結晶材料は単結晶ゲルマニウムである請求項７のクラツキーアセンブリ。
【請求項１０】
前記結晶材料はモザイク結晶材料である請求項１のクラツキーアセンブリ。
【請求項１１】
小角Ｘ線システムであって、
ビームを生成するべく構成されたＸ線放射源と、
前記ビームを試料へと向けるべく構成された光学系と、
前記試料からの前記ビームの散乱を受容するべく構成された検出器と、
平坦でありかつポリッシュされた第１作動表面を有するように結晶材料から作られた第１ブロックと、
第２作動表面を有する第２ブロックと
を含み、
前記第１ブロックと前記第２ブロックとは、前記第２作動表面の反対方向を向く前記第１作動表面と整合され、
前記第１作動表面は、共通平面において前記第２作動表面と整合される小角Ｘ線システム。
【請求項１２】
前記第１ブロックは、延長されたブリッジを有し、
前記第１ブロックの第１作動表面と前記第２ブロックが取り付けられる前記延長されたブリッジの第３作動表面とは、連続平坦表面を形成しかつ前記共通平面にあり、
前記第２ブロックは、前記第２作動表面が前記第３作動表面に対向するように前記延長されたブリッジに取り付けられる請求項１１の小角Ｘ線システム。
【請求項１３】
前記小角Ｘ線システムから前記検出器へと延長されたアームと、
前記アームに取り付けられて前記ビームを阻止するべく位置決めされたビームストップと
をさらに含む請求項１２の小角Ｘ線システム。
【請求項１４】
前記第１ブロックと前記延長されたブリッジとが、２つのアームが前記第１ブロックから延びる「Ｕ」字形状ブロックを形成し、
前記「Ｕ」字形状ブロックは、前記第１ブロックの作動表面から前記２つのアームの作動表面まで延びる平坦でありかつポリッシュされた表面を有し、
前記第２ブロックは、前記第２作動表面が前記２つのアームの作動表面に対向するように前記延長されたブリッジに取り付けられる請求項１２の小角Ｘ線システム。
【請求項１５】
前記第２ブロックは、前記第１ブロックのブリッジに取り付けられたブレードであり、
前記第２作動表面は前記ブレードのエッジである請求項１２の小角Ｘ線システム。
【請求項１６】
前記結晶材料は単結晶材料を含む請求項１１の小角Ｘ線システム。
【請求項１７】
前記結晶材料はモザイク結晶材料である請求項１１の小角Ｘ線システム。
【請求項１８】
クラツキーアセンブリであって、
平坦でありかつポリッシュされた第１作動表面を有する第１ブロックと、
第２作動表面を有する第２ブロックと
を含み、
前記第１ブロックと前記第２ブロックとは前記第２作動表面の反対方向を向く前記第１作動表面に整合され、
前記第１作動表面は共通平面において前記第２作動表面と整合され、
検出器へと延びる前記第１ブロックの延長部分が、ビームストップを位置決めするべく構成され、
前記ビームストップは前記延長部分に取り付けられて直接ビームを阻止するように位置決めされるクラツキーアセンブリ。
【請求項１９】
前記第１ブロックは、延長されたブリッジを有し、
前記第１ブロックの第１作動表面と前記第２ブロックが取り付けられる前記延長されたブリッジの第３作動表面とは、連続平坦表面を形成しかつ前記共通平面にあり、
前記第２ブロックは、前記第２作動表面が前記第３作動表面に対向するように前記延長されたブリッジに取り付けられる請求項１８のクラツキーアセンブリ。
【請求項２０】
前記第１ブロックと前記延長されたブリッジとが、前記第１ブロックから前記第２ブロックへと延びる２つのアームと前記第１ブロックから前記ビームストップへと延びる２つのアームとを有する「Ｈ」字形状ブロックを形成し、
前記「Ｈ」字形状ブロックは、前記第１ブロックの作動表面から、前記第２ブロックへと延びる前記２つのアームの作動表面まで延びる平坦でありかつポリッシュされた表面を有し、
前記第２ブロックは、前記第２作動表面が、前記第２ブロックへと延びる前記２つのアームの作動表面に対向するように前記延長されたブリッジに取り付けられる請求項１９のクラツキーアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビームのコンディショニングのためにクラツキーアセンブリを使用する小角Ｘ線散乱（ＳＡＸＳ）測定システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
寄生散乱不在のデータ収集空間をもたらすべく、クラツキーコリメーションが使用されている。クラツキーコリメーションアセンブリは、伝統的な１Ｄのクラツキーカメラ及び一定の新しい２ＤのＳＡＸＳシステムによって使用されている（特許文献１）。クラツキーコリメーションアセンブリの品質は、寄生散乱を不在とする小角Ｘ線散乱（ＳＡＸＳ）カメラの性能にとって重要となり得る。特に、作動表面の平坦性、２つのブロックの表面同士の整合、及びクラツキーブロックの散乱特性が、所与のシステム分解能（Ｑｍｉｎ）に対する試料のバックグラウンドの「清純度」及び総フラックスに影響する。これらの品質は、システムが達成可能な最高分解能、最低Ｑｍｉｎ及び性能一貫性を決定する要素となる。システムの経時的な機械的安定性は、システムの経時的な性能一貫性を決定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７７３４０１１（Ｂ２）号明細書
【特許文献２】独国特許第１００２１３８（Ｂ）号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１３／３１５３７５（Ａ１）号明細書
【特許文献４】米国特許第７１３９３６６（Ｂ１）号明細書
【発明の概要】
【０００４】
同一平面内における２つのブロックの表面を整合させるべく、当該ブロックの一方を、例えば２つのアームが延びるブロックとなるような「Ｕ」字形状に作ることができる。「アーム」の表面とブロックの表面とを同時に、グラインドし、ラップし、及びポリッシュすることにより、「アーム」の表面とブロックの表面とが正確に同じ平面となる。その後、他方のブロックが第１ブロックの「アーム」に取り付けられ、その十分に仕上げられた表面が当該アームに完全に隙間なく面する。このようにして、２つのブロックの作動表面が、確実に同じ平面内に存在することとなる。
【０００５】
クラツキーブロックの長期安定性に対処するべく、典型的には鋼及び鋼合金である材料が、アニーリング及び十分なエージングを受ける。
【０００６】
それでもなお、所定のアプリケーションにおいて使用される場合には問題が存在し得る。第１に、材料のアニーリング及びエージングは長々としたものであり、極低Ｑｍｉｎアプリケーションが必要とする高度の安定性を容易に保証してはくれない。第２に、Ｘ線がクラツキーブロックと、各ブロックのコーナーにおいて相互作用をすることにより、寄生散乱が生じる。かかる散乱は数学的には、試料近くのブロック表面によって、データ収集ゾーンに入ることが完全に阻止される。しかしながら、２つのブロックにより画定される平面から逸脱したブロック表面上の任意の汚染が寄生散乱を、データ収集ゾーンへとさらに散乱させるので、Ｑｍｉｎが増加する。
【０００７】
開示のシステム及び方法は、上述した２つの問題に対処することによって、クラツキーブロックの性能を改善するべく与えられる。単結晶は、応力不在の材料である。単結晶材料を使用することによって、応力に関連する安定性の問題は実質的に存在しなくなる。Ｘ線と単結晶材料との相互作用も、もたらされる寄生散乱をかなり低減する。理論及び実用実験の双方において、単結晶材料の使用により寄生散乱を３分の１程度まで低減可能であることが証明されている。したがって、クラツキーブロックへの汚染度合が同じであれば、単結晶ブロックによる寄生散乱は、鋼合金ブロックによる寄生散乱よりも３分の１程度低くなり得るので、単結晶ブロックに必要なメンテナンスがかなり少なくなってシステムダウン時間もかなり少なくなる。
【０００８】
いくつかのカメラ設計における他の小さな問題は、分解能の変化に関連する整合性の問題である。１次ビームとクラツキーブロックとの角度を慎重に整合させることにより、当該システムを通過するフラックスとシステム分解能との異なるトレードオフが得られる。異なる分解能要求に対してシステムを変更できることが極めて望ましい。しかしながら、システム分解能の変更ごとに、１次ビームが検出器に入るのを阻止するビームストップを再整合しなければならなくなる。ビームストップをクラツキーブロックの一部として、クラツキーブロックの整合により自動的にビームストップが再位置決めされるように設計することが望ましい。
【０００９】
改善されたクラツキーアセンブリが本開示に与えらえる。クラツキーアセンブリは第１ブロック及び第２ブロックを含む。第１ブロックは結晶材料から形成してよい。第２ブロックは、結晶材料又は他の重元素材料のいずれかから形成してよく、当該２つのブロックが整合されるが、各ブロックの作動表面が共通平面内で整合されるようにしてよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】クラツキーアセンブリを含むＳＡＸＳカメラの側面図である。
【図２】第１ブロックと第２ブロックとの間にブリッジを含むクラツキーアセンブリの斜視図である。
【図３】コリメーティングブロックとビームストップとの間にブリッジを含むクラツキーアセンブリの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
クラツキーコリメーションアセンブリを、寄生散乱不在のデータ収集ゾーンを与えるべく改善するシステムが与えられる。クラツキーコリメーションアセンブリは、ＳＡＸＳ機器内に統合され得る。クラツキーコリメーションアセンブリは、単結晶又はモザイク結晶から作ることができる。単結晶又はモザイク結晶は、応力不在であり、又は応力が最小限であり得る。単結晶又はモザイク結晶の使用により、製造プロセスが単純化され、アニーリングの必要性が低減され、長期安定性が得られる。単結晶材料はまた、もたらされる寄生散乱をかなり少なくするので、汚染により寄生散乱がさらにデータ収集ゾーンへ散乱される傾向も低くなり、メンテナンスの必要性が低減される。さらに、ビームストップを、クラツキーコリメーションアセンブリに事前固定することもできる。一つの実装例において、クラツキーブロックの調整によりビームストップが、当該ビームストップがクラツキーブロックとの整合を維持したままとなるように搬送される。ビームストップとクラツキーブロックとの関係を固定することにより調整手順が単純化されるので、一貫したシステム性能が得られる。
【００１２】
クラツキーアセンブリは、２つのブロックを使用して形成される。２つのブロックのうち第１ブロックは、第２ブロックが取り付けられるべき位置まで延長されたブリッジを有する。第２ブロックが取り付けられる位置にある第１ブロックのブリッジの部分が、第１ブロックの作動平面と同じ平面を共有する。例えば、第１ブロックから第２ブロックが取り付けられる位置まで延びるブリッジ表面を、第１ブロックの作動表面からの自然な延長部分となるようにして、第１ブロックの作動表面と同じ平面内とすることができる。
【００１３】
一般に、試料に近いブロックが所定幅を有する。当該表面幅が、寄生散乱を阻止するべく使用される。典型的に２０ｍｍ以上のブロック幅が、表面仕上げの精度に依存する。放射源に近いブロック幅は、広くする必要はない。実際のところ、当該ブロックがＸ線を阻止可能な限り、薄いブレードで十分である。
【００１４】
作動表面は、非常に高い精度かつ非常に低いマイクロ粗さでグラインドされ、ラップされ、及びポリッシュされる。クラツキーコリメーションアセンブリは、硬化鋼又は他の金属材料から作られる。これらの材料は典型的に、内部応力を有する。コリメーションアセンブリの将来的な変形を最小限にするべく、材料は、使用前にアニーリング及びエージングを受ける。アニーリング処理は、高温によるアニーリングと、自然アニーリングのための長い保管時間とを必要とする。
【００１５】
金属のアニーリング及びポリッシュは、長く複雑な処理となり得る。こうした処理は特に、長いクラツキーコリメーションアセンブリにとって困難となり得る。経時的安定性を保証する処理の簡略化及び材料の選択により、特に長いクラツキーアセンブリに対して性能及びコストの著しい改善が得られる。
【００１６】
いくつかの実装において、クラツキーブロックの作動表面を形成するべく結晶材料を使用することができる。Ｓｉ単結晶及びＧｅ単結晶のような結晶材料は、本質的に応力不在の材料として広く入手可能である。単結晶材料は、非常に高い精度を得るための機械加工、グラインド、ラップ及びポリッシュが容易である。クラツキーアセンブリを製造するための材料としての単結晶材料の一つの短所は、阻止能が低いことである。しかしながら、試料近くのブロックにとって、当該侵入は、データ収集ゾーンへの寄生散乱を阻止するための問題とはならない。他方、放射源近くのブロックにとって、Ｘ線の侵入は、クラツキーブロックの作動表面によって画定された平面を超えたデータ収集ゾーンへの一定の散乱Ｘ線をもたらし得る。第１ブロックへの侵入によるこうしたＸ線の散乱は、データ収集ゾーンを汚染し得る。したがって、放射源近くのブロックは、高い阻止能を必要とし得る。したがって、放射源近くのブロックは、ゲルマニウム又は金属のような、試料近くのブロックよりも重い元素から形成される。
【００１７】
単結晶材料はまた、欠陥がないゆえに、もたらされる寄生散乱がかなり少ない。クラツキーブロック及びＸ線間の相互作用からの寄生散乱が少ないアセンブリは、表面の不完全性及び表面の汚染に対する耐性が高い。したがって、単結晶から作られたクラツキーアセンブリは、良好な性能を与え、かつ、メンテナンスの必要性が少ない。
【００１８】
ここで図１を参照すると、小角Ｘ線散乱システムの側面図が与えられる。小角Ｘ線システムは、Ｘ線放射源１１４、光学系１１６、クラツキーアセンブリ１２０及び検出器１３２を含む。Ｘ線放射源１１４は、線放射源又は点放射源である。Ｘ線放射源は、マイクロフォーカス放射源、回転アノード又は他の周知の放射源でよい。放射源１１４は、光学系１１６によって受容されるＸ線ビーム１１８を放出する。光学系１１６は、１次元光学系又は２次元光学系である。２次元光学系は、ビームを、ビーム伝播方向に垂直な２つの直交次元にコンディショニングする。光学系１１６は、結晶光学系又は多層光学系である。さらに、光学系１１６は、並列型ＫＢ光学系又は直列型ＫＢ光学系である。光学系１１６はＸ線ビームをコンディショニングして、当該Ｘ線ビームをクラツキーアセンブリ１２０へと向ける。クラツキーアセンブリは、第１ブロック１２６及び第２ブロック１２４を含む。Ｘ線ビームは、当該対のクラツキーブロック１２４、１２６の第２ブロックと相互作用をする。第２ブロック１２４の作動表面（第２作動表面）は、Ｘ線と相互作用をしてＸ線ビームの一側を画定する。
【００１９】
ビームはまた、第１ブロック１２６の作動表面（第１作動表面）のエッジによっても画定される第１ブロック１２６の作動表面は、第２ブロック１２４の作動表面と実質的に面一に配置される。したがって、ブロック１２４の作動表面とブロック１２６の作動表面とは、「クラツキー平面」と称される平面を超える寄生散乱不在ゾーンをもたらす。線１３４は、クラツキー平面への１次ビームの投射である。線１３４と１次ビームとがなす角度は２θｍｉｎである。理解されることだが、第２ブロック１２４はエッジ又は他のデバイスであり、当該エッジの先端が第１ブロック１２６の作動表面と実質的に面一に延びる。
【００２０】
ＳＡＸＳ機器におけるクラツキーアセンブリ１２０の基本機能は、試料からの弱い散乱Ｘ線を収集するべく１次ビーム近くに清純なバックグラウンドを有するようにビームを形成することである。クラツキーアセンブリ１２０は、ビームのバックグラウンドをカットするべく当該ブロックを使用する一方、その入射Ｘ線との相互作用が寄生散乱をもたらし得る。クラツキーアセンブリは、平面１３４の上方にある空間に寄生散乱Ｘ線が到達するのを阻止するべくブロックの共通平面（平面１３４）を使用するので、理論上、バックグラウンド不在のデータ収集空間がもたらされる。他方、ブロック表面の平坦さ及びマイクロ粗さと、当該２つの表面の整合とは、性能に影響する。すなわち、どの程度まで低いバックグラウンドを得ることができるかは、作動表面の平坦さ及びマイクロ粗さと、当該２つの表面間の整合との点で、クラツキーブロックの品質に依存する。加えて、表面の汚染は、寄生散乱をデータ収集ゾーンの中へと散乱させる散乱源として作用する。
【００２１】
第１ブロック１２６は、単結晶又はモザイク結晶のような結晶材料から作られる。結晶材料は、Ｓｉ結晶及び／又はＧｅ結晶を含む。応力不在を特徴とする結晶材料は、第１ブロック１２６の安定性を改善する。第１ブロックは、一つのアーム又は２つのアームが第２ブロックへと延長されるように作られる。延長されたアームの表面は、第１ブロックの作動表面の延長部分である。第２ブロック１２４は、第１ブロック１２６のアームに取り付けられる。したがって、第２ブロック１２４の作動表面は、第１ブロック１２６の作動表面と精度よく整合される。第１ブロック１２６は、第２ブロック１２４と同じ結晶材料から作られる。いくつかの実装において、第２ブロック１２４は、Ｇｅ結晶又は金属材料のような、第１ブロック１２６よりも吸収能が高い材料から作られる。
【００２２】
ビームストップ１３０は、クラツキー平面１３４（寄生散乱不在平面）まで延びる。試料１２８は、検出器１３２に受容されるビームの散乱を引き起こし得る。ビームの一部分が、試料を通り続けてビームストップ１３０によって受容される。ビームストップは、試料を直接透過して寄生散乱不在ゾーンへと散乱されるビームの部分を阻止するべく使用される。その結果、検出器１３２は過飽和となることはなく、試料１２８からの散乱の検出が妨げられることもない。
【００２３】
クラツキーコリメーションアセンブリの品質は、Ｘ線がブロックと相互作用をするコーナーにおける散乱によって測定できる。当該散乱は、十分に整合されかつ十分にポリッシュされたクラツキーアセンブリのデータ収集ゾーンには影響しないが、ブロックのコーナーからの高レベルの散乱は、１次ビームをわずかに広げる。加えて、強い寄生散乱が、第１ブロックの作動表面の不完全性又は第１ブロックの汚染が引き起こす２次散乱によってデータ収集ゾーンに入り得る。これは、クラツキーブロックの作動表面における高度のポリッシュと、表面清純度の厳密なメンテナンスとを課する。
【００２４】
上述のように、２つのクラツキーブロックを精度よく整合するべく、一方のブロックがブリッジを含むように設計される。ブリッジは、２つのクラツキーブロックの作動平面と同じ平面を共有する。ブリッジは、第１ブロックから、第２ブロックが存在するべき位置まで延びる。第２ブロックが当該ブリッジに取り付けられる。例えば、第２ブロックの作動平面が、ブリッジの平面に直接（隙間なしに）取り付けられる。第１ブロックは「Ｕ」字形状構造を有するように設計され、第２ブロックは、当該「Ｕ」字形状構造の「アーム」に取り付けられる。したがって、第１ブロックの作動表面は、第２ブロックの作動表面に自然に整合する。本例では、整合の精度は、ブロック及びブリッジの表面精度となる。
【００２５】
ここで図２を参照すると、ブリッジを有するクラツキーアセンブリの斜視図が与えられる。２つの作動表面間の精度よい整合を達成するべく、一方のブロック、例えば第１ブロック２１０は、ブリッジアーム２１２、２１４を有するように作られる。第１ブロック２１０の作動表面２１６と、ブリッジアーム２１２、２１４の表面２１８、２２０とは同じ共通平面内となるように機械加工される。加えて、第２ブロック２２２は、アーム２１２、２１４に取り付けられる。例えば、第２ブロック２２２の作動表面２２４は、アーム２１２、２１４の表面２１８、２２０（ひいては第１ブロック２１０の作動表面２１６）に面する。ブリッジアームを有するブロックが、「Ｕ」字形状として作られる。「Ｕ」字形状は、単結晶材料から作られた一体片であり得る。
【００２６】
またも図２を参照すると、「Ｕ」字形状の第１ブロックが示される。実用上、第１ブロックもまた、「Ｕ」字形状の前面を有するブロックとなり得る。すなわち、「Ｕ」字形状の平坦でありかつポリッシュされた表面を形成する凹部と、Ｘ線ビームの通路を形成するブロックの凹部とを有するブロックから作られる。
【００２７】
単結晶Ｓｉ及び単結晶Ｇｅのような単結晶材料を、第１ブロック２１０及び／又は第２ブロック２２２のために使用することができる。第１ブロック２１０の作動表面２１６及び／又は第２ブロック２２２の作動表面２２４は、単結晶材料から形成される。さらに、ブリッジアーム２１４及び２１２は単結晶材料から形成される。単結晶材料は通常、応力不在とみなされる。単結晶材料はまた、知られているように、非常に平坦な表面及び非常に低いマイクロ粗さを有するように機械加工することが容易である。金属と比較すると、Ｓｉ及びＧｅのような単結晶材料は、透過性が相対的に高いので、Ｘ線の阻止能が低い。しかしながら、試料近くの第１ブロック２１０に単結晶を使用することは一般に許容可能である。わずかに高い透過性でも、データ収集ゾーンに寄生散乱を引き起こすことはない。
【００２８】
他方、試料から遠い第２ブロック２２２の透過性が高いと、Ｘ線の侵入ゆえにブロック共通平面から離れたところでＸ線がブロック材料と相互作用をする箇所がもたらされ得る。したがって、当該侵入は、データ収集ゾーンに到達する可能性がある寄生Ｘ線が生成されるリスクをもたらす。この問題の重要度は、材料及びＸ線エネルギーの密度に依存する。高Ｚ材料を使用することによって、この問題をなくすことができる。第２ブロック２２２は、第１ブロック２１０に取り付けられるが、相対的に小さくかつ試料から離れていてよい。応力不在の材料を使用することと完全な表面仕上げとすることとは、第２ブロック２２２にとって、寄生散乱Ｘ線がデータ収集ゾーンに入るのを阻止するべく延長平坦表面を必要とする第１ブロック２１０（試料近くのブロック）ほど重要というわけではない。
【００２９】
上述のように、クラツキーブロックのために単結晶材料を使用することは、もう一つの利点を有する。Ｘ線とブロックとの相互作用ゆえに生成された一定の寄生散乱は、クラツキーブロックの表面、特に試料近くのブロック表面の中を伝播する。表面の不完全性又は表面の汚染は、データ収集領域に到達する確率が高い２次散乱を引き起こす。これは、関心領域が１次ビームに非常に近い場合に、例えばいわゆる低Ｑ領域において、特に問題となる。単結晶材料は、Ｘ線と相互作用をする場合の寄生散乱がかなり少ない。したがって、単結晶材料から作られたクラツキーブロックは、作動表面の容易な仕上げ及びメンテナンスを与える。
【００３０】
ＳＡＸＳカメラにおける整合のもう一つの側面は、ビームストップの整合に関連する。クラツキーコリメーションは、ＳＡＸＳカメラにおける試料へ与えられるフラックスの量とシステムの分解能とのトレードオフを調整する簡単な方法を与える。ビームに対する大きな開口を与えるようにクラツキーアセンブリを回転することにより、試料へのフラックスが増加する。代替的には、ビームに対する小さな開口と、当該ビーム及びクラツキー平面間の小さな角度とを与えるようにクラツキーアセンブリを回転させることにより、システムの分解能が増加する。しかしながら、直接のビームを阻止するビームストップもそれに応じて調整する必要がある。ビームストップ調整の精度は、システム性能に直接影響する。クラツキーアセンブリに対するビームストップの整合精度は、システム分解能が増加するにつれて、さらに重大となる。ビームストップ整合の必要精度はしばしば、数十ミクロン未満とする必要がある。
【００３１】
システム分解能の変更を容易かつ迅速にするべく、図３に示されるように、例えばアーム３１２、３１４から形成された延長部分３１０を介して、ビームストップ２３４をクラツキーアセンブリに取り付けることができる。延長部分は、取り付けアーム又は「Ｈ」字形状ブロックの形態とすることができる。ここで、ビームストップのアームは、第１ブロック２１０と一体の材料から作ることができる。一例において、第１ブロック２１０、第２ブロック２２２まで延びるブリッジのアーム２１２、２１４、及び第１ブロック２１０からビームストップ２３４まで延びるアーム３１２、３１４を一体の材料から形成して、「Ｈ」字形状ブロックを形成することができる。例えば、アーム又は全体的な「Ｈ」字形状ブロックを、上述した単結晶材料のいずれかから形成することができる。したがって、ブロック２１０、２２２の回転は機械的に、延長部分の回転を引き起こし、ビームストップ２３４の位置が調整される。この場合、システム分解能は、ビームストップの付加的な調整なしに調整することができる。
【００３２】
本開示は、好ましい実施形態を参照して詳細に図示及び記載されてきたが、当業者に理解されるように、本開示の要旨及び範囲から逸脱することなく、形態及び詳細に様々な変更を加えることができる。当業者は、単なるルーチン実験操作を用いて、ここに詳細に記載された特定の実施形態の多くの等価物を認識又は確証することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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