(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被検出物が入力面と垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触に応じた信号値を出力する第１検出部と、
前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を出力する第２検出部と、
前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値と、前記接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する制御部と、
を備えるタッチ検出装置。
【請求項２】
前記第１検出部が接触に応じた信号値を出力するための電極は、前記第２検出部が圧力を検出するための電極を兼ねている、請求項１に記載のタッチ検出装置。
【請求項３】
前記第１検出部は、前記電極の自己静電容量の変化によって、接触に応じた信号値を出力する、請求項２に記載のタッチ検出装置。
【請求項４】
前記第１検出部は、第２電極を更に備え、前記電極と前記第２電極との間の相互静電容量の変化によって、接触に応じた信号値を出力する、請求項２に記載のタッチ検出装置。
【請求項５】
前記第１検出部が接触に応じた信号値を出力する単位領域であるタッチ検出単位領域は、前記第２検出部が圧力に応じた信号値を出力する単位領域である圧力検出単位領域よりも小さい、請求項１に記載のタッチ検出装置。
【請求項６】
前記第２検出部は、複数の前記圧力検出単位領域を有し、
前記制御部は、前記複数の圧力検出単位領域の各々毎に、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する、請求項５に記載のタッチ検出装置。
【請求項７】
前記リファレンス値は、被検出物の種類に応じて保持され、
前記制御部は、
前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値に基づいて、前記複数の被検出物の種類を判定する被検出物種類判定部と、
前記被検出物種類判定部により判定された被検出物の種類に応じたリファレンス値と、前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する圧力算出部と、
を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項８】
前記リファレンス値は、第１の種類の物に応じたリファレンス値が保持され、
前記制御部は、
前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値に基づいて、前記複数の被検出物が第１の種類の物か、第１の種類の物とは異なる第２の種類の物か否かを判定する被検出物種類判定部と、
前記被検出物種類判定部によって、前記複数の領域の内の被検出物が第１の種類の物であると判定された一方の領域において、当該一方の領域の接触に応じた信号値と、リファレンス値に基づいて、前記一方の領域における圧力に応じた信号値を算出し、前記被検出物種類判定部によって、前記複数の領域の内の被検出物が第２の種類の物であると判定された他方の領域において、前記第２検出部によって検出される圧力に応じた信号値と、前記一方の領域における圧力に応じた信号値と、に基づいて、前記他方の領域における圧力に応じた信号値を算出する圧力算出部と、
を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項９】
前記第２の種類の物とは、前記被検出物が前記第１の種類の物である場合に対して、前記被検出物が前記第２の種類の物である場合において、前記第１検出部によって出力される前記接触に応じた信号値が、被検出物からの圧力に応じて相対的に変化する物である
請求項８に記載のタッチ検出装置。
【請求項１０】
前記制御部は、
前記第１検出部から出力される接触に応じた信号値と、前記第２検出部から出力される圧力に応じた信号値に基づいて、リファレンス値を算出するリファレンス取得部を含む、
請求項１から９のいずれか1項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１１】
複数の被検出物が入力面と垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触に応じた信号値を出力する第１検出部と、
前記入力面に向けて画像を表示する表示部と、
前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を出力する第２検出部と、
前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値と、前記接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する制御部と、
を備えるタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１２】
前記表示部が画像を表示するための電極は、前記第１検出部が接触に応じた信号値を出力するための電極、又は、前記第２検出部が圧力に応じた信号値を出力するための電極の少なくともいずれかの電極を兼ねている、請求項１１に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１３】
前記第１検出部が接触に応じた信号値を出力する単位領域であるタッチ検出単位領域は、前記第２検出部が圧力に応じた信号値を出力する単位領域である圧力検出単位領域よりも小さい、請求項１１に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１４】
前記第２検出部は、複数の前記圧力検出単位領域を有し、
前記制御部は、前記複数の圧力検出単位領域の各々毎に、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する、請求項１３に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１５】
前記リファレンス値は、被検出物の種類に応じて保持され、
前記制御部は、
前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値に基づいて、前記複数の被検出物の種類を判定する被検出物種類判定部と、
前記被検出物種類判定部により判定された被検出物の種類に応じたリファレンス値と、前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する圧力算出部と、
を含む、請求項１１から１４のいずれか１項に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１６】
第１検出部から出力される複数の被検出物が入力面と垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、第２検出部から出力される前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値と、前記接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する、制御方法。
【請求項１７】
前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値に基づいて、前記複数の被検出物の種類を判定する第１ステップと、
前記第１ステップで判定された被検出物の種類に応じた前記リファレンス値と、前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する第２ステップと、
を含む、請求項１６に記載の制御方法。
【請求項１８】
前記第１ステップは、
前記複数の被検出物が、押下する圧力によって前記接触に応じた信号値が変化しない物を含むか否かを判定し、
前記第２ステップは、
前記第１ステップで前記複数の被検出物が押下する圧力によって前記接触に応じた信号値が変化しない物を含むと判定されたら、前記リファレンス値と、前記複数の被検出物の内の押下する圧力によって前記接触に応じた信号値が変化する物と前記入力面とが接触する領域の接触に応じた信号値と、に基づいて、前記複数の被検出物の内の押下する圧力によって前記接触に応じた信号値が変化する物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する、請求項１７に記載の制御方法。
【請求項１９】
前記接触に応じた信号値に基づいて、前記リファレンス値を取得する第４ステップと、
前記第４ステップが予め定められた回数実行されるまでは、前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値に基づいて、前記第２検出部によって検出された圧力に応じた信号値を前記複数の領域に比例配分することで、複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する第５ステップと、
を更に含む、請求項１６に記載の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置、タッチ検出機能付き表示装置及び制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着され、又は表示装置と一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられる。そして、タッチ検出機能付き表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能としている。
【０００３】
下記の特許文献１には、操作面上の押圧位置に加えて、押圧力をも検出することができるタッチパネルが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−４１１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１記載のタッチパネルでは、複数の第三電極に対応する複数の領域の各々が、押圧力を検出できる単位領域である。特許文献１記載のタッチパネルでは、複数の物体が１つの単位領域を押圧した場合には、複数の物体の各々の押圧力を検出できない。
【０００６】
本発明は、複数の被検出物の各々が入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出できるタッチ検出装置、タッチ検出機能付き表示装置及び制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様のタッチ検出装置は、複数の被検出物が入力面と垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触に応じた信号値を出力する第１検出部と、前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を出力する第２検出部と、前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値と、前記接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する制御部と、を備える。
【０００８】
本発明の一態様のタッチ検出機能付き表示装置は、複数の被検出物が入力面と垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触に応じた信号値を出力する第１検出部と、前記入力面に向けて画像を表示する表示部と、前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を出力する第２検出部と、前記複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値と、前記接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する制御部と、を備える。
【０００９】
本発明の一態様の制御方法は、第１検出部から出力される前記複数の被検出物が前記入力面と垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、第２検出部から出力される前記複数の被検出物が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値と、前記接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、前記複数の被検出物の各々が前記入力面を押下する圧力に応じた信号値を算出する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出部及び表示部の第１構成例を示すブロック図である。
【図３】図３は、タッチ検出デバイスに生じる容量の例を示す説明図である。
【図４】図４は、タッチ検出デバイスの等価回路の例を示す説明図である。
【図５】図５は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【図６】図６は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの例を示す図である。
【図７】図７は、タッチ検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。
【図８】図８は、タッチ検出機能付き表示部の画素配置を表す回路図である。
【図９】図９は、タッチ検出機能付き表示部の駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。
【図１０】図１０は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出部及び表示部の第２構成例を示すブロック図である。
【図１１】図１１は、自己静電容量方式のタッチ検出デバイスの等価回路の例を表す説明図である。
【図１２】図１２は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【図１３】図１３は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの第２構成例を示す図である。
【図１４】図１４は、タッチ検出機能付き表示装置の第１構成例を示す分解斜視図である。
【図１５】図１５は、バックライトユニットを示す分解斜視図である。
【図１６】図１６は、図１４に示したタッチ検出機能付き表示装置の構成を示す断面図である。
【図１７】図１７は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出電極、駆動電極ブロック及び筐体を示す斜視図である。
【図１８】図１８は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出電極、駆動電極ブロック及び筐体の構成例２を示す斜視図である。
【図１９】図１９は、タッチ検出機能付き表示装置の構造例を示す断面図である。
【図２０】図２０は、タッチ検出機能付き表示装置の構造例を示す断面図である。
【図２１】図２１は、タッチ検出機能付き表示装置の構造例を示す断面図である。
【図２２】図２２は、タッチ検出機能付き表示装置の構造例を示す断面図である。
【図２３】図２３は、タッチ検出機能付き表示装置の構造例を示す断面図である。
【図２４】図２４は、タッチ検出機能付き表示装置の構造例を示す断面図である。
【図２５】図２５は、タッチ検出機能付き表示装置の第２構成例を示す断面図である。
【図２６】図２６は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出電極、駆動電極ブロック及び圧力センサを模式的に示す斜視図である。
【図２７】図２７は、圧力センサの例を示す平面図である。
【図２８】図２８は、圧力センサの例を示す平面図である。
【図２９】図２９は、圧力検出部の１つの圧力検出単位領域を示す図である。
【図３０】図３０は、圧力検出部の１つの圧力検出単位領域を示す図である。
【図３１】図３１は、制御部の機能ブロックを示す図である。
【図３２】図３２は、リファレンス値記憶部の第１の例を示す図である。
【図３３】図３３は、リファレンス値記憶部の第２の例を示す図である。
【図３４】図３４は、リファレンス数とノイズ／信号比との関係を示す図である。
【図３５】図３５は、制御部が実行する処理を示すフローチャートである。
【図３６】図３６は、制御部が実行する処理を示すフローチャートである。
【図３７】図３７は、１つの圧力検出単位領域を時系列で示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１２】
（実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置の構成を示すブロック図である。
【００１３】
本実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出部ＳＥ１と、表示部ＤＳＰと、圧力検出部ＳＥ２と、制御部ＣＴＲＬと、を含む。タッチ検出機能付き表示装置１内のタッチ検出部ＳＥ１、圧力検出部ＳＥ２及び制御部ＣＴＲＬが、タッチ検出装置を構成する。
【００１４】
タッチ検出部ＳＥ１は、複数の被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の、カバー部材ＣＧの入力面ＩＳへの接触又は近接を検出する。具体的には、タッチ検出部ＳＥ１は、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が入力面ＩＳと垂直な方向で重なる複数の領域の各々の接触又は近接に応じた信号値を、制御部ＣＴＲＬに出力する。タッチ検出部ＳＥ１が、本発明の第１検出部に対応する。
【００１５】
被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々は、入力面ＩＳと接触して変形する第１の種類の物であっても良いし、入力面ＩＳと接触して変形しない又は第１の種類の物と比較して相対的に変形が少ない第２の種類の物であっても良い。第１の種類の物は、指が例示されるが、これに限定されない。第２の種類の物は、樹脂又は金属のスタイラスペンが例示されるが、これに限定されない。
【００１６】
被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２が第１の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２が入力面ＩＳを押す圧力が増加すると、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が増加する。
【００１７】
被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２が第２の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２が入力面ＩＳを押す圧力が増加しても、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が増加しない又は第１の種類の物と比較して相対的に少ししか増加しない。
【００１８】
タッチ検出部ＳＥ１が検出できる被検出物の数は、２個に限定されない。タッチ検出部ＳＥ１は、１個又は３個以上の被検出物を検出できることとしても良い。
【００１９】
タッチ検出部ＳＥ１は、静電容量方式センサ又は抵抗膜方式センサが例示されるが、これらに限定されない。静電容量方式は、相互静電容量方式又は自己静電容量方式が例示される。
【００２０】
表示部ＤＳＰは、入力面ＩＳ側に向けて画像を表示する。表示部ＤＳＰは、液晶表示装置又は有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置が例示されるが、これらに限定されない。
【００２１】
タッチ検出部ＳＥ１及び表示部ＤＳＰは、一体化された、いわゆるインセルタイプであっても良い。また、タッチ検出部ＳＥ１及び表示部ＤＳＰは、表示部ＤＳＰの上にタッチ検出部ＳＥ１が装着された、いわゆるオンセルタイプであっても良い。
【００２２】
圧力検出部ＳＥ２は、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力を検出する。具体的には、圧力検出部ＳＥ２は、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を、制御部ＣＴＲＬに出力する。圧力検出部ＳＥ２が、本発明の第２検出部に対応する。
【００２３】
圧力検出部ＳＥ２は、静電容量方式センサ、ひずみゲージ又は光学式センサが例示されるが、これらに限定されない。
【００２４】
制御部ＣＴＲＬは、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２と入力面ＩＳとが接触する複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値と、複数の領域の各々の接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を算出する。
【００２５】
制御部ＣＴＲＬは、表示制御部１１と、タッチ検出制御部４０と、圧力検出制御部５０と、ホストｈｏｓｔと、を含む。
【００２６】
表示制御部１１は、表示部ＤＳＰのガラス基板上に実装されたＩＣチップが例示される。タッチ検出制御部４０は、表示部ＤＳＰのガラス基板に接続されたプリント基板（例えば、フレキシブルプリント基板）上に実装されたＩＣチップが例示される。圧力検出制御部５０は、表示部ＤＳＰのガラス基板上に実装されたＩＣチップが例示される。ホストｈｏｓｔは、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）が例示される。表示制御部１１、タッチ検出制御部４０、圧力検出制御部５０及びホストｈｏｓｔは、協働してタッチ検出部ＳＥ１、表示部ＤＳＰ及び圧力検出部ＳＥ２を制御する。
【００２７】
制御部ＣＴＲＬが実行する、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を算出するための処理は、表示制御部１１が実行しても良いし、タッチ検出制御部４０が実行しても良いし、圧力検出制御部５０が実行しても良いし、ホストｈｏｓｔが実行しても良いし、表示制御部１１、タッチ検出制御部４０、圧力検出制御部５０及びホストｈｏｓｔの内の２つ以上が協働して実行しても良い。
【００２８】
以下に、タッチ検出部ＳＥ１、表示部ＤＳＰ及び圧力検出部ＳＥ２の具体的な構成例について説明するが、これらの構成例は例示であり、これらの構成例に限定されない。
【００２９】
＜タッチ検出部及び表示部の第１構成例＞
図２は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出部及び表示部の第１構成例を示すブロック図である。図２に示すタッチ検出機能付き表示装置１は、いわゆる相互静電容量方式により、複数の被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々の座標及び接触面積の検出を行う装置である。
【００３０】
タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、表示制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、ソースセレクタ部１３Ｓと、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出制御部４０と、を含む。
【００３１】
タッチ検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いている液晶表示デバイス２０に静電容量型のタッチ検出デバイス３０を内蔵して一体化した、いわゆるインセルタイプの装置である。なお、液晶表示デバイス２０に静電容量型のタッチ検出デバイス３０を内蔵して一体化するとは、例えば、液晶表示デバイス２０として使用される基板や電極などの一部の部材と、タッチ検出デバイス３０として使用される基板や電極などの一部の部材とを兼用することを含む。
【００３２】
液晶表示デバイス２０が、図１の表示部ＤＳＰに対応する。タッチ検出デバイス３０が、図１のタッチ検出部ＳＥ１に対応する。
【００３３】
なお、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示素子として液晶表示素子を用いた液晶表示デバイス２０の上方に、静電容量型のタッチ検出デバイス３０が装着された、いわゆるオンセルタイプの装置であってもよい。オンセルタイプの装置の場合、液晶表示デバイス２０の直上にタッチ検出デバイス３０が設けられていてもよいし、液晶表示デバイス２０の直上ではなく他の層を介して上方にタッチ検出デバイス３０が設けられていてもよい。
【００３４】
また、本構成例では、表示部ＤＳＰとして液晶表示デバイス２０が採用されているが、表示部ＤＳＰは、有機ＥＬ素子を採用した構成であってもよい。この場合、有機ＥＬ素子を形成するアノード及びカソードのうち一方を、後述するタッチ検出に係る駆動電極ＣＯＭＬとしても良い。
【００３５】
液晶表示デバイス２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行うデバイスである。
【００３６】
表示制御部１１は、ホストｈｏｓｔより供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、及びタッチ検出制御部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。また、表示制御部１１は、１水平ライン分の映像信号Ｖｄｉｓｐから、液晶表示デバイス２０の複数の副画素ＳＰｉｘの画素信号Ｖｐｉｘを時分割多重化した画素信号Ｖｓｉｇを生成し、ソースドライバ１３に供給する。
【００３７】
本開示における制御部ＣＴＲＬは、表示制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４を含む。
【００３８】
ゲートドライバ１２は、表示制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００３９】
ソースドライバ１３は、表示制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、各画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３には、例えば６ビットのＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の画像信号Ｖｓｉｇが与えられる。
【００４０】
ソースドライバ１３は、表示制御部１１から画素信号Ｖｓｉｇを受け取り、ソースセレクタ部１３Ｓに供給する。また、ソースドライバ１３は、画像信号Ｖｓｉｇに多重化された画素信号Ｖｐｉｘを分離するために必要なスイッチ制御信号Ｖｓｅｌを生成し、画素信号Ｖｐｉｘとともにソースセレクタ部１３Ｓに供給する。ソースセレクタ部１３Ｓは、ソースドライバ１３と表示制御部１１との間の配線数を少なくすることができる。ソースセレクタ部１３Ｓはなくても良い。また、ソースドライバ１３の一部の制御は、表示制御部１１が行ってもよく、ソースセレクタ部１３Ｓのみが配置されていてもよい。
【００４１】
駆動電極ドライバ１４は、表示制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する駆動電極ＣＯＭＬにタッチ検出用の駆動信号（タッチ用駆動信号、以下駆動信号という。）ＶｃｏｍＡＣ、表示用の電圧である表示用駆動電圧ＶｃｏｍＤＣを供給する回路である。
【００４２】
タッチ検出デバイス３０は、相互静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、タッチ検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００４３】
図３から図５までを参照して、本構成例のタッチ検出機能付き表示装置１の相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。
【００４４】
図３は、タッチ検出デバイスに生じる容量の例を示す説明図である。図４は、タッチ検出デバイスの等価回路の例を示す説明図である。図５は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図４は、検出回路を併せて示している。
【００４５】
例えば、図３に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極である、駆動電極Ｅ１及びタッチ検出電極Ｅ２を備えている。図４に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端Ｐは抵抗器Ｒｅを介して接地されると共に、電圧検出器（タッチ検出部）ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図２に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００４６】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇを印加すると、タッチ検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形（タッチ検出信号Ｖｄｅｔ）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、後述する駆動信号ＶｃｏｍＡＣに相当するものである。
【００４７】
指が接触（又は近接）していない状態（非接触状態）では、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。このときの容量素子Ｃ１の他端Ｐの電位波形は、例えば図５に示す波形Ｖ０のようになり、図４に示す電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０を検出する。
【００４８】
一方、指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、指によって形成される静電容量があたかも容量素子Ｃ２として容量素子Ｃ１に付加するように作用する。そして、図３において点線で示されるように、容量素子Ｃ２は容量素子Ｃ１に直列に追加された形となる。この状態では、容量素子Ｃ１及びＣ２に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１及びＣ２に電流Ｉ１及びＩ２がそれぞれ流れる。
【００４９】
このときの容量素子Ｃ１の他端Ｐの電位波形は、例えば図５の波形Ｖ１のようになり、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ１を検出する。このとき、他端Ｐの電位は、容量素子Ｃ１及びＣ２をそれぞれ流れる電流Ｉ１及びＩ２の値によって定まる分圧電位となる。このため、波形Ｖ１は、非接触状態での波形Ｖ０よりも小さい値となる。
【００５０】
電圧検出器ＤＥＴは、検出した電圧を所定の閾値電圧Ｖｔｈと比較し、検出した電圧が閾値電圧Ｖｔｈ以上であれば非接触状態と判断する一方、検出した電圧が閾値電圧Ｖｔｈ未満であれば接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出が可能となる。
【００５１】
図２に示すタッチ検出デバイス３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍ（後述する駆動信号ＶｃｏｍＡＣ）に従って、１検出ブロックずつ順次走査してタッチ検出を行うようになっている。
【００５２】
タッチ検出制御部４０は、表示制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示部１０のタッチ検出デバイス３０から供給されるタッチ検出信号Ｖｄｅｔと、に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチ（上述した接触状態）の有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標及び接触面積などを求める回路である。
【００５３】
タッチ検出制御部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６と、を含む。
【００５４】
タッチ検出デバイス３０は、複数の後述するタッチ検出電極ＴＤＬから、図４に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出ブロック毎にタッチ検出信号Ｖｄｅｔを出力し、タッチ検出制御部４０のタッチ信号増幅部４２ に供給するようになっている。
【００５５】
タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出デバイス３０から供給されるタッチ検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。タッチ検出信号増幅部４２によって増幅されたタッチ検出信号は、Ａ／Ｄ変換部４３に供給される。タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分（ノイズ成分）を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。なお、タッチ検出制御部４０は、タッチ検出信号増幅部４２を有さなくてもよい。つまり、タッチ検出デバイス３０からのタッチ検出信号Ｖｄｅｔは、Ａ／Ｄ変換部４３に供給されてもよい。
【００５６】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号ＶｃｏｍＡＣに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００５７】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号ＶｃｏｍＡＣをサンプリングした周波数以外の周波数成分（ノイズ成分）を低減するデジタルフィルタを備えている。
【００５８】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の信号のみ取り出す処理を行う。この指による差分の信号は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。
【００５９】
信号処理部４４は、１検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。
【００６０】
信号処理部４４は、検出した指による差分の信号を所定の閾値電圧Ｖｔｈと比較し、検出した差分の信号が閾値電圧Ｖｔｈ以上であれば、外部近接物体の非接触状態と判断する。
【００６１】
一方、信号処理部４４は、検出した差分の信号を所定の閾値電圧Ｖｔｈと比較し、検出した差分の信号が閾値電圧Ｖｔｈ未満であれば、外部近接物体の接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出制御部４０は、タッチ検出が可能となる。
【００６２】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００６３】
図６は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの例を示す図である。タッチ検出機能付き表示装置１は、第１基板（例えば、画素基板２）と、プリント基板（例えば、フレキシブルプリント基板）Ｔとを備えている。
【００６４】
画素基板２は、第１絶縁基板（例えば、ＴＦＴ基板２１）を有する。なお、ＴＦＴ基板２１は、例えば、ガラス基板、または、フィルム基板である。また、ＴＦＴ基板２１には、駆動ＩＣチップ(例えば、ＣＯＧ（Chip  On  Glass）１９)が実装されている。また、画素基板２（ＴＦＴ基板２１）には、液晶表示デバイス２０の表示領域Ａｄと、額縁Ｇｄとが形成されている。
【００６５】
ＣＯＧ１９は、ＴＦＴ基板２１に実装されたドライバであるＩＣチップであり、図２に示した表示制御部１１等、表示動作に必要な各回路を内蔵した制御装置である。
【００６６】
本構成例では、ソースドライバ１３及びソースセレクタ部１３Ｓは、ＴＦＴ基板２１上に形成されている。ソースドライバ１３及びソースセレクタ部１３Ｓは、ＣＯＧ１９に内蔵されていてもよい。
【００６７】
駆動電極ドライバ１４の一部である、駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂは、ＴＦＴ基板２１上に形成されている。
【００６８】
ゲートドライバ１２は、ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂとして、ＴＦＴ基板２１上に形成されている。
【００６９】
タッチ検出機能付き表示装置１は、ＣＯＧ１９に駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂ、ゲートドライバ１２などの回路を内蔵してもよい。なお、ＣＯＧ１９はあくまで実装の一形態であってこれに限られるものでない。例えば、ＣＯＧ１９と同様の機能を有する構成をＣＯＦ（Chip  On  Film又はChip  On  Flexible）としてフレキシブルプリント基板Ｔ上に実装しても良い。
【００７０】
図６に示すように、ＴＦＴ基板２１の表面に対する垂直方向において、駆動電極ＣＯＭＬの駆動電極ブロックＢと、タッチ検出電極ＴＤＬとは、立体交差するように形成されている。
【００７１】
また、駆動電極ＣＯＭＬは、一方向に延在する複数のストライプ状の電極パターンに分割されている。タッチ検出動作を行う際は、各電極パターンには、駆動電極ドライバ１４によって駆動信号ＶｃｏｍＡＣが順次供給される。同時に駆動信号ＶｃｏｍＡＣが供給される、駆動電極ＣＯＭＬの複数のストライプ状の電極パターンが図６に示す駆動電極ブロックＢである。
【００７２】
駆動電極ブロックＢ（駆動電極ＣＯＭＬ）は、タッチ検出機能付き表示部１０の短辺と平行な方向に形成されている。後述するタッチ検出電極ＴＤＬは、駆動電極ブロックＢの延在方向と交差する方向に形成されており、例えば、タッチ検出機能付き表示部１０の長辺と平行な方向に形成されている。
【００７３】
タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出機能付き表示部１０の短辺側に接続されたフレキシブルプリント基板Ｔ上に実装されたタッチＩＣ４９に、接続されている。タッチＩＣ４９は、フレキシブルプリント基板Ｔに実装されたドライバであるＩＣチップであり、図２に示したタッチ検出制御部４０等、タッチ動作に必要な各回路を内蔵した制御装置である。このように、タッチＩＣ４９は、フレキシブルプリント基板Ｔ上に実装され、並設された複数のタッチ検出電極ＴＤＬのそれぞれと接続されている。フレキシブルプリント基板Ｔは、端子であれば良く、基板に限られない。この場合、タッチＩＣ４９は、モジュールの外部に備えられる。なお、タッチＩＣ４９は、フレキシブル基板Ｔ上に配置される場合に限らず、ＴＦＴ基板２１または第２絶縁基板３１上に配置されていてもよい。
【００７４】
本構成例では、タッチＩＣ４９は、タッチ検出制御部４０として機能する制御装置であるが、タッチ検出制御部４０の一部の機能は、他のＭＰＵの機能として設けられてもよい。
【００７５】
具体的には、タッチドライバであるＩＣチップの機能として設けられ得るＡ／Ｄ変換、ノイズ除去等の各種機能のうち一部の機能（例えば、ノイズ除去等）は、タッチドライバであるＩＣチップと別個に設けられたＭＰＵ等の回路で実施されてもよい。また、ドライバであるＩＣチップを１つ（１チップ構成）にする場合等、例えば、フレキシブルプリント基板Ｔ等の配線を介して検出信号をアレイ基板上のタッチドライバであるＩＣチップに伝送するようにしてもよい。
【００７６】
ソースセレクタ部１３Ｓは、ＴＦＴ基板２１上の表示領域Ａｄの近傍に、ＴＦＴ素子を用いて形成されている。表示領域Ａｄには、後述する画素Ｐｉｘがマトリックス状（行列状）に多数配置されている。額縁Ｇｄは、ＴＦＴ基板２１の表面を垂直な方向からみて画素Ｐｉｘが配置されていない領域である。ゲートドライバ１２と、駆動電極ドライバ１４のうち駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂとは、額縁Ｇｄに配置されている。
【００７７】
ゲートドライバ１２は、例えば、ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂを備え、ＴＦＴ基板２１上にＴＦＴ素子を用いて形成されている。ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂは、後述する副画素ＳＰｉｘ（画素）がマトリックス状に配置された表示領域Ａｄを挟んで両側から駆動することができるようになっている。また、走査線は、ゲートドライバ１２Ａとゲートドライバ１２Ｂとの間に配列する。このため、走査線は、ＴＦＴ基板２１の表面に対する垂直方向において、駆動電極ＣＯＭＬの延在方向と平行な方向に延びるように設けられている。
【００７８】
本構成例では、ゲートドライバ１２として、ゲートドライバ１２Ａ及び１２Ｂの２つの回路が設けられているが、これはゲートドライバ１２の具体的構成の一例であってこれに限られるものでない。例えば、ゲートドライバ１２は、走査線の一方端のみに設けられた１つの回路であってもよい。
【００７９】
駆動電極ドライバ１４は、例えば、駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂを備え、ＴＦＴ基板２１上にＴＦＴ素子を用いて形成されている。駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂは、ＣＯＧ１９から、表示用配線ＬＤＣを介して表示用駆動電圧ＶｃｏｍＤＣの供給を受けると共に、タッチ用配線ＬＡＣを介して駆動信号ＶｃｏｍＡＣの供給を受ける。
【００８０】
駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂは、並設された複数の駆動電極ブロックＢのそれぞれを、両側から駆動することができるようになっている。表示用駆動電圧ＶｃｏｍＤＣを供給する表示用配線ＬＤＣと、タッチ用駆動信号ＶｃｏｍＡＣを供給するタッチ用配線ＬＡＣとは、並列に額縁Ｇｄ，Ｇｄに配置されている。表示用配線ＬＤＣは、タッチ用配線ＬＡＣよりも表示領域Ａｄ側に配置されている。
【００８１】
この構造により、表示用配線ＬＤＣにより供給される表示用駆動電圧ＶｃｏｍＤＣが、表示領域Ａｄの端部の電位状態を安定させる。このため、特に、横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスにおいて、表示が安定する。
【００８２】
本構成例では、駆動電極ドライバ１４として、駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂの２つの回路が設けられているが、これは駆動電極ドライバ１４の具体的構成の一例であってこれに限られるものでない。例えば、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ブロックＢの一方端のみに設けられた１つの回路であっても良い。
【００８３】
タッチ検出機能付き表示装置１は、上述したタッチ検出信号Ｖｄｅｔを、タッチ検出機能付き表示部１０の短辺側から出力する。これにより、タッチ検出機能付き表示装置１は、端子部であるフレキシブルプリント基板Ｔを介してタッチ検出制御部４０に接続する際の配線の引き回しが容易になる。
【００８４】
図７は、タッチ検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。図８は、タッチ検出機能付き表示部の画素配置を表す回路図である。タッチ検出機能付き表示部１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された第２基板（例えば、対向基板３）と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された表示機能層（例えば、液晶層６）と、を含む。
【００８５】
画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ基板２１と、このＴＦＴ基板２１上に行列状に配設された複数の画素電極２２と、ＴＦＴ基板２１及び画素電極２２の間に形成された複数の駆動電極ＣＯＭＬと、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層２４と、を含む。
【００８６】
ＴＦＴ基板２１には、図８に示す各副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin  Film  Transistor）素子Ｔｒ、図７に示す各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給する画素信号線ＳＧＬ、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査信号線ＧＣＬ等の配線が形成されている。画素信号線ＳＧＬは、ＴＦＴ基板２１の表面と平行な平面に延在し、画像を表示するための画素信号Ｖｐｉｘを副画素ＳＰｉｘに供給する。なお、副画素ＳＰｉｘとは、画素信号Ｖｐｉｘで制御される構成単位を示す。また、副画素ＳＰｉｘは、画素信号線ＳＧＬと走査信号線ＧＣＬで囲われた領域であって、ＴＦＴ素子Ｔｒによって制御される構成単位を示す。
【００８７】
図８に示すように、液晶表示デバイス２０は、行列状に配置した複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、ＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを含む。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal  Oxide  Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。
【００８８】
ＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの一方は画素信号線ＳＧＬに結合され、ゲートは走査信号線ＧＣＬに結合され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に結合されている。液晶素子ＬＣは、例えば、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのドレインに結合され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに結合されている。なお、図７において、ＴＦＴ基板２１に対して、画素電極２２、絶縁層２４、駆動電極ＣＯＭＬの順で積層されているが、これに限られない。ＴＦＴ基板２１に対して、駆動電極ＣＯＭＬ、絶縁層２４、画素電極２２の順で積層してもよいし、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２を絶縁層２４を介して同一層に形成してもよい。
【００８９】
副画素ＳＰｉｘは、走査信号線ＧＣＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに結合されている。走査信号線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２と結合され、ゲートドライバ１２より走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。
【００９０】
また、副画素ＳＰｉｘは、画素信号線ＳＧＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに結合されている。画素信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３と結合され、ソースドライバ１３より画素信号Ｖｐｉｘが供給される。
【００９１】
さらに、副画素ＳＰｉｘは、駆動電極ＣＯＭＬにより、液晶表示デバイス２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに結合されている。駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４と結合され、駆動電極ドライバ１４より駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。つまり、この例では、同じ一行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが一本の駆動電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。
【００９２】
本構成例の駆動電極ＣＯＭＬが延在する方向は、走査信号線ＧＣＬが延在する方向と平行である。駆動電極ＣＯＭＬが延在する方向は、これに限定されない。例えば、駆動電極ＣＯＭＬが延在する方向は、画素信号線ＳＧＬが延在する方向と平行な方向であってもよい。また、タッチ検出電極ＴＤＬが延在する方向は、画素信号線ＳＧＬが延在する方向に限らない。タッチ検出電極ＴＤＬが延在する方向は、走査信号線ＧＣＬが延在する方向と平行な方向であってもよい。
【００９３】
図２に示すゲートドライバ１２は、走査信号Ｖｓｃａｎを、図８に示す走査信号線ＧＣＬを介して、画素ＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、液晶表示デバイス２０に行列状に形成されている副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。
【００９４】
図２に示すソースドライバ１３は、画素信号Ｖｐｉｘを、図８に示す画素信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する各副画素ＳＰｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。
【００９５】
図２に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍを印加し、所定の本数の駆動電極ＣＯＭＬからなるブロックごとに駆動電極ＣＯＭＬを駆動する。
【００９６】
上述したように、液晶表示デバイス２０は、ゲートドライバ１２が走査信号線ＧＣＬを時分割的に線順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択される。また、液晶表示デバイス２０は、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応する駆動電極ＣＯＭＬを含むブロックに対して駆動信号Ｖｃｏｍを印加するようになっている。
【００９７】
液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。駆動電極ＣＯＭＬの駆動時、画素電極２２に供給された画素信号Ｖｐｉｘに応じた電圧が液晶層６に印加され、電界が生じることで、液晶層６を構成する液晶が電界に応じた配向を示して液晶層６を通過する光を変調する。
【００９８】
このように、画素電極２２及び駆動電極ＣＯＭＬは、液晶層６に電界を生じさせる第１電極及び第２電極として機能する。すなわち、液晶表示デバイス２０は、第１電極及び第２電極に与えられる電荷に応じて表示出力内容が変化する表示部ＤＳＰとして機能する。なお、以下の説明では、画素電極２２を第１電極とし、駆動電極ＣＯＭＬを第２電極としているが、逆でもよい。ここで、画素電極２２は、少なくとも画素Ｐｉｘ若しくは副画素ＳＰｉｘ毎に配置され、駆動電極ＣＯＭＬは、少なくとも複数の画素Ｐｉｘ若しくは副画素ＳＰｉｘ毎に配置される。
【００９９】
本構成例では、液晶表示デバイス２０として、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。なお、図７に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【０１００】
液晶表示デバイス２０は、横電界モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。例えば、液晶表示デバイス２０は、ＴＮ（Twisted  Nematic）モード、ＯＣＢ（Optically  Compensated  Bend）モード、ＶＡ（Vertical  Aligned）モード等の主として基板主面間に生じる縦電界を利用するモードに対応した構成を有していてもよい。縦電界を利用する表示モードでは、例えば画素基板２に画素電極２２が備えられ、対向基板３に駆動電極ＣＯＭＬが備えられた構成が適用可能である。
【０１０１】
対向基板３は、第２絶縁基板３１と、この第２絶縁基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２とを含む。第２絶縁基板３１の他方の面には、タッチ検出デバイス３０の検出電極であるタッチ検出電極ＴＤＬが形成され、さらに、このタッチ検出電極ＴＤＬの上には、偏光板３５が配設されている。
【０１０２】
なお、カラーフィルタ３２の実装方式は、アレイ基板である画素基板２にカラーフィルタ３２が形成された所謂カラーフィルタ・オン・アレイ（ＣＯＡ：Color-filter  On  Array）方式であってもよい。
【０１０３】
図７に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域を周期的に配置して、各副画素ＳＰｉｘにＲ、Ｇ及びＢの３色の色領域３２Ｒ，３２Ｇ及び３２Ｂが対応付けられ、色領域３２Ｒ，３２Ｇ及び３２Ｂを１組として画素Ｐｉｘを構成している。
【０１０４】
画素Ｐｉｘは、走査信号線ＧＣＬに平行な方向及び画素信号線ＳＧＬに平行な方向に沿って行列状に配置され、後述する表示領域Ａｄを形成する。カラーフィルタ３２は、ＴＦＴ基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。このように、副画素ＳＰｉｘは、単色の色表示を行うことができる。
【０１０５】
なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、なくてもよい。このように、カラーフィルタ３２が存在しない領域、すなわち着色しない副画素ＳＰｉｘがあってもよい。また、画素Ｐｉｘが有する副画素ＳＰｉｘは４以上であってもよい。
【０１０６】
図９は、タッチ検出機能付き表示部の駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。本構成例に係る駆動電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０の駆動電極として機能するとともに、タッチ検出デバイス３０の駆動電極としても機能する。
【０１０７】
駆動電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板２１の表面に対する垂直方向において、画素電極２２に対向している。タッチ検出デバイス３０は、画素基板２に設けられた駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられたタッチ検出電極ＴＤＬにより構成されている。
【０１０８】
タッチ検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びるストライプ状の電極パターンから構成されている。そして、タッチ検出電極ＴＤＬは、ＴＦＴ基板２１の表面に対する垂直な方向において、駆動電極ＣＯＭＬと対向している。タッチ検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、タッチ検出制御部４０のタッチ検出信号増幅部４２の入力にそれぞれ接続されている。
【０１０９】
駆動電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬとが互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を生じさせる。タッチ検出デバイス３０では、駆動電極ドライバ１４が駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号ＶｃｏｍＡＣを印加することにより、タッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号Ｖｄｅｔを出力し、タッチ検出が行われるようになっている。
【０１１０】
つまり、駆動電極ＣＯＭＬは、図３から図５までに示したタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、タッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出電極Ｅ２に対応する。そして、タッチ検出デバイス３０は、この基本原理に従ってタッチを検出するようになっている。
【０１１１】
このように、タッチ検出デバイス３０は、第１電極又は第２電極のいずれか一方の電極（例えば、第２電極としての駆動電極ＣＯＭＬ）と静電容量を形成するタッチ検出電極ＴＤＬを有し、静電容量の変化に基づいてタッチ検出を行う。
【０１１２】
駆動電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬとが互いに交差した電極パターンは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチ検出制御部４０は、タッチ検出デバイス３０の入力面ＩＳ全体にわたって走査することにより、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の接触又は近接が生じた位置及び接触面積の検出も可能となっている。
【０１１３】
つまり、タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４が、図６に示す駆動電極ブロックＢを時分割的に線順次走査するように駆動する。これにより、スキャン方向Ｓｃａｎに駆動電極ＣＯＭＬの駆動電極ブロックＢ（１検出ブロック）は、順次選択される。そして、タッチ検出デバイス３０は、タッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号Ｖｄｅｔを出力する。このようにタッチ検出デバイス３０は、１検出ブロックのタッチ検出が行われるようになっている。
【０１１４】
検出ブロックと表示出力におけるライン数との関係は任意であるが、本実施形態では、２ライン分の表示領域Ａｄに対応するタッチ検出領域が１検出ブロックとなっている。言い換えると、検出ブロックと、対向する画素電極、走査信号線、又は、画素信号線のいずかとの関係は任意であるが、本実施形態では、２つの画素電極または２つの走査信号線と、１つの駆動電極ＣＯＭＬが対向する。
【０１１５】
なお、タッチ検出電極ＴＤＬ又は駆動電極ＣＯＭＬ（駆動電極ブロックＢ）は、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、タッチ検出電極ＴＤＬ又は駆動電極ＣＯＭＬ（駆動電極ブロックＢ）は、櫛歯形状であってもよい。あるいはタッチ検出電極ＴＤＬ又は駆動電極ＣＯＭＬ（駆動電極ブロックＢ）は、複数に分割されていればよく、駆動電極ＣＯＭＬを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。
【０１１６】
タッチ検出機能付き表示装置１の動作方法の一例として、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作（タッチ検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行っても良い。
【０１１７】
＜タッチ検出部及び表示部の第２構成例＞
図１０は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出部及び表示部の第２構成例を示すブロック図である。図１０に示すタッチ検出機能付き表示装置１は、いわゆる自己静電容量方式によりタッチ検出を行う装置である。
【０１１８】
タッチ検出機能付き表示装置１のタッチ検出制御部４０は、自己静電容量方式によるタッチ検出動作を行う際に、タッチ検出電極ＴＤＬに駆動信号を供給するための駆動ドライバ４７と、タッチ検出電極ＴＤＬに重畳するノイズを検出するノイズ検出部５１と、を更に含む。タッチ検出電極ＴＤＬは、自己静電容量に応じたタッチ検出信号Ｖｄｅｔ２を出力し、タッチ検出信号Ｖｄｅｔ２は、タッチ検出信号増幅部４２に供給される。そして、Ａ／Ｄ変換部４３、信号処理部４４及び座標抽出部４５により、被検出物の接触又は近接が検出される。
【０１１９】
タッチ検出制御部４０は、自己静電容量方式によるタッチ検出動作を行う際に、駆動ドライバ４７からタッチ検出電極ＴＤＬに駆動信号が供給されるが、駆動電極ＣＯＭＬは、電圧信号が印加されず電位が固定されていないフローティングとしても良い。また、駆動電極ＣＯＭＬは、タッチ検出電極ＴＤＬに供給される駆動信号と同レベルの電圧信号が同時に印加されてもよい。
【０１２０】
複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、タッチ検出信号Ｖｄｅｔ２をタッチ検出信号増幅部４２にそれぞれ出力する。Ａ／Ｄ変換部４３は、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３から信号を受け取ってタッチ入力の有無を検出する。
【０１２１】
ノイズ検出部５１は、タッチ検出電極ＴＤＬに重畳するノイズを検出する。ここで、タッチ検出デバイス３０に外乱によるノイズが伝播するとタッチ検出の誤動作を生じる可能性がある。例えば、外乱によるノイズが、駆動電極ＣＯＭＬに供給される駆動信号Ｖｃｏｍの周波数近傍で大きい強度を有する場合、ノイズによって現れる電圧波形の変化をタッチ入力があったと判定して誤動作が生じる可能性がある。ノイズ検出部５１がノイズを検出することにより、誤動作が生じないようにタッチ検出の動作を適切に制御することができる。
【０１２２】
なお、本実施形態において、ノイズ検出部５１が検出するノイズは、他の電気機器等からタッチ検出機能付き表示装置１に侵入する外部のノイズや、タッチ検出機能付き表示装置１にＡＣ電源が接続されている場合にＡＣ電源に起因するノイズや、液晶表示デバイス２０の表示動作に起因するノイズ等を含む。
【０１２３】
次に、図１１及び図１２を参照して、本構成例のタッチ検出機能付き表示装置１の自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。
【０１２４】
図１１は、自己静電容量方式のタッチ検出デバイスの等価回路の例を表す説明図である。図１２は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図１１は、検出回路を併せて示している。
【０１２５】
指が接触又は近接していない状態において、タッチ検出電極Ｅ２に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。タッチ検出電極Ｅ２は、静電容量Ｃ３を有しており、静電容量Ｃ３に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ４（図１２参照））に変換する。
【０１２６】
次に、図１１に示すように、指が接触又は近接した状態において、指とタッチ検出電極Ｅ２との間の静電容量Ｃ４が、タッチ検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３に加わる。したがって、タッチ検出電極Ｅ２に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ３及びＣ４に応じた電流が流れる。
【０１２７】
図１２に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ５）に変換する。そして、得られた波形Ｖ４及び波形Ｖ５の電圧値をそれぞれ積分し、これらの値を比較することで、タッチ検出電極Ｅ２への、指の接触又は近接の有無を判別することができる。
【０１２８】
なお、図１２では、波形Ｖ４と波形Ｖ５について、所定の基準電圧に低下するまでの期間を求めて、これらの期間を比較する等の方法であってもよい。
【０１２９】
具体的には、図１１に示すように、タッチ検出電極Ｅ２はスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２で切り離すことが可能な構成となっている。図１２において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ０に相当する電圧レベルを上昇させる。このときスイッチＳＷ１はオンしておりスイッチＳＷ２はオフしている。このためタッチ検出電極Ｅ２の電圧も電圧Ｖ０に上昇する。
【０１３０】
次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このときタッチ検出電極Ｅ２はフローティング状態であるが、タッチ検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３、あるいはタッチ検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３に指等の接触又は近接による静電容量Ｃ４を加えた静電容量Ｃ３＋Ｃ４（図１１参照）によって、タッチ検出電極Ｅ２の電位は電圧Ｖ０に維持される。
【０１３１】
さらに、時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ３をオンさせ所定の時間経過後にオフさせ電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。このリセット動作によりタッチ検出信号Ｖｄｅｔ２は基準電圧Ｖｒｅｆと略等しい電圧となる。
【０１３２】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、電圧検出器ＤＥＴの反転入力部がタッチ検出電極Ｅ２の電圧Ｖ０となり、その後、タッチ検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）と電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５の時定数に従って電圧検出器ＤＥＴの反転入力部の電位は基準電圧Ｖｒｅｆまで低下する。このとき、タッチ検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するので、電圧検出器ＤＥＴの出力電圧であるタッチ検出信号Ｖｄｅｔ２が上昇する。
【０１３３】
電圧検出器ＤＥＴの出力電圧Ｖｄｅｔ２は、タッチ検出電極Ｅ２に指等が近接していないときは、実線で示す波形Ｖ４となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃ３×Ｖ０／Ｃ５となる。指等の影響による容量が付加されたときは、点線で示す波形Ｖ５となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃ３＋Ｃ４）×Ｖ０／Ｃ５となる。
【０１３４】
その後、タッチ検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）の電荷が容量Ｃ５に十分移動した後の時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、タッチ検出電極Ｅ２の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。
【０１３５】
なお、このとき、スイッチＳＷ１をオンさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ０２以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器ＤＥＴをリセットさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ１２以前であればいずれのタイミングとしてもよい。
【０１３６】
以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。波形Ｖ４と波形Ｖ５との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部近接物体の有無（タッチの有無）を検出することができる。
【０１３７】
なお、タッチ検出電極Ｅ２の電位は、図１２に示すように、指等が近接していないときはＶ２の波形となり、指等の影響による静電容量Ｃ４が付加されるときはＶ３の波形となる。波形Ｖ２と波形Ｖ３とが、それぞれ所定の電圧ＶＴＨまで下がる時間を測定することにより外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することも可能である。
【０１３８】
本構成例において、タッチ検出デバイス３０は、図１０に示す駆動ドライバ４７から供給される駆動信号に従って、タッチ検出電極ＴＤＬにそれぞれ電荷が供給され、自己静電容量方式によるタッチ検出を行う。
【０１３９】
図１３は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの第２構成例を示す図である。自己静電容量方式の場合、マトリクス状に設けられた複数の電極ＥＬをタッチ検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬの機能を兼用する電極として用いるようにしてもよい。この場合、複数の電極ＥＬの各々が、配線Ｌ１及びＬ２等の接続部を介して駆動電極走査部１４Ａ及び１４Ｂ及びタッチ検出制御部４０に接続される。なお、図１３では、一部の電極ＥＬの配線Ｌ２のみ図示されているが、実際には全ての電極ＥＬに個別に配線Ｌ２又はそれに類する接続部が設けられる。
【０１４０】
電極ＥＬの形状及び大きさは任意であるが、電極ＥＬの大きさを例えば画素の大きさに対応させてもよい。この場合、画素を構成する電極（例えば、液晶表示装置の画素における画素電極２２又は対向電極としての駆動電極ＣＯＭＬ）の１つを電極ＥＬとして用いてもよい。すなわち、電極ＥＬは、複数の画素を有する表示装置の画素の各々に設けられた電極と兼用されていてもよい。
【０１４１】
＜圧力検出部の第１構成例＞
図１４は、タッチ検出機能付き表示装置の第１構成例を示す分解斜視図である。図１４に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、タッチ検出機能付き表示部１０を照らす照明部（例えば、バックライトユニットＢＬ）と、タッチ検出機能付き表示部１０及びバックライトユニットＢＬを制御するホストｈｏｓｔと、筐体ＣＡと、カバー部材ＣＧと、を含む。
【０１４２】
タッチ検出機能付き表示部１０は、互いに直交する第１方向であるＸ方向と第２方向であるＹ方向とで規定されるＸ−Ｙ平面と、平行な平面を有している。本構成例において、第１方向であるＸ方向及び第２方向であるＹ方向は、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第３方向であるＺ方向は、第１方向であるＸ方向及び第２方向であるＹ方向の各々と互いに直交している。第３方向であるＺ方向は、タッチ検出機能付き表示部１０の厚み方向である。
【０１４３】
筐体ＣＡは、上部に開口を有する箱形状を有しており、タッチ検出機能付き表示部１０、バックライトユニットＢＬ及びホストｈｏｓｔを収容している。筐体ＣＡは、金属などの導電材料で形成される場合や、樹脂で形成してその表面層を金属材料とする場合があり得る。
【０１４４】
カバー部材ＣＧは、筐体ＣＡの開口を閉塞し、タッチ検出機能付き表示部１０、バックライトユニットＢＬ及びホストｈｏｓｔを覆っている。
【０１４５】
Ｘ−Ｙ平面視において、カバー部材ＣＧの寸法は、第２基板の寸法や、第１基板の寸法より大きい。カバー部材ＣＧは、ガラス基板又は樹脂基板などの光透過性を有する基板が例示される。カバー部材ＣＧがガラス基板である場合、カバー部材ＣＧは、カバーガラスと称される場合がある。
【０１４６】
第３方向であるＺ方向において、タッチ検出機能付き表示部１０及びバックライトユニットＢＬは、筐体ＣＡの底面とカバー部材ＣＧとの間に位置し、バックライトユニットＢＬは、筐体ＣＡとタッチ検出機能付き表示部１０との間に位置している。バックライトユニットＢＬは、タッチ検出機能付き表示部１０と間隔を空けて配置され得る。また、バックライトユニットＢＬは、筐体ＣＡに間隔を空けて配置され得る。
【０１４７】
図１５は、バックライトユニットを示す分解斜視図である。バックライトユニットＢＬは、導光体ＬＧ、光源ＬＳ、光反射体ＲＳ、光拡散シートＤＩ、輝度向上フィルムＢＥＦ及びフレームＦＲを有している。バックライトユニットＢＬは、タッチ検出機能付き表示部１０に対応した形状及びサイズを有している。
【０１４８】
導光体ＬＧは、タッチ検出機能付き表示部１０と筐体ＣＡとの間に配置されている。本構成例において、導光体ＬＧは、扁平な矩形状に形成されている。光源ＬＳは、導光体ＬＧに光を出射する。本構成例において、光源ＬＳは、発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用し、導光体ＬＧの一側面に対向配置されている。
【０１４９】
光反射体ＲＳは、導光体ＬＧと筐体ＣＡとの間に配置されている。光反射体ＲＳは、導光体ＬＧからタッチ検出機能付き表示部１０とは反対方向に出された光を反射させ、タッチ検出機能付き表示部１０側に出射する。光反射体ＲＳは、光のロスを減らすことにより、表示画像の輝度レベルを向上させることができる。本構成例において、光反射体ＲＳは、矩形のシート状に形成されている。Ｘ−Ｙ平面において、光反射体ＲＳの面積は、導光体ＬＧの面積と略同一である。例えば、光反射体ＲＳは、ポリエステル系樹脂を用いた多層膜構造を有していてもよい。
【０１５０】
光拡散シートＤＩは、導光体ＬＧとタッチ検出機能付き表示部１０との間に配置されている。光拡散シートＤＩは、導光体ＬＧ側から入射する光を拡散させてタッチ検出機能付き表示部１０に出射させる。すなわち、光拡散シートＤＩを透過した光は拡散されるので、光拡散シートＤＩは、バックライトユニットＢＬの出射光のＸ−Ｙ平面における輝度ムラを抑制することができる。本構成例において、光拡散シートＤＩは、矩形のシート状に形成されている。Ｘ−Ｙ平面において、光拡散シートＤＩの面積は導光体ＬＧの面積と略同一である。
【０１５１】
輝度向上フィルムＢＥＦは、光拡散シートＤＩとタッチ検出機能付き表示部１０との間に配置されている。輝度向上フィルムＢＥＦは、バックライトユニットＢＬの出射光の輝度レベルを向上させる作用を有している。本構成例において、輝度向上フィルムＢＥＦは、矩形の膜状に形成されている。Ｘ−Ｙ平面において、輝度向上フィルムＢＥＦの面積は導光体ＬＧの面積と略同一である。
【０１５２】
フレームＦＲは、バックライトユニットＢＬのモジュール化に用いられている。フレームＦＲには、導光体ＬＧ、光源ＬＳ、光反射体ＲＳ、光拡散シートＤＩ及び輝度向上フィルムＢＥＦが取り付けられる。これにより、導光体ＬＧと光源ＬＳとの相対的な位置が固定される。
【０１５３】
本構成例において、フレームＦＲは、矩形枠状に形成されている。Ｘ−Ｙ平面において、フレームＦＲは、導光体ＬＧ及び光源ＬＳの集合体を全体的に囲んでいる。フレームＦＲには、光源ＬＳに接続されるフレキシブルプリント基板が通るパスＦＲＰが形成されている。フレームＦＲは、金属などの導電材料で形成される場合があり得る。
【０１５４】
なお、Ｘ−Ｙ平面におけるフレームＦＲの形状は、種々変形可能であり、タッチ検出機能付き表示部１０の照明を妨げることの無い形状であればよい。例えば、Ｘ−Ｙ平面におけるフレームＦＲの形状は、導光体ＬＧの隣り合う２辺と対向したＬ字状、導光体ＬＧの隣り合う３辺と対向したΠ字状又は導光体ＬＧの対向する２辺と対向したＩＩ字状が例示される。
【０１５５】
ここで、図１５にはバックライトユニットＢＬを例示的に示したが、バックライトユニットＢＬとしては種々の形態が適用可能である。例えば、光反射体ＲＳ、光拡散シートＤＩ及び輝度向上フィルムＢＥＦの少なくとも一部を除いてバックライトユニットＢＬが形成されていてもよい。又は、図１５に示していない光学部材を付加してバックライトユニットＢＬが形成されていてもよい。バックライトユニットＢＬは、タッチ検出機能付き表示部１０に光を放出するように構成されていればよい。
【０１５６】
なお、タッチ検出機能付き表示部１０が反射機能層、例えば、画素電極を金属等の反射電極で構成した反射型の液晶表示装置である場合や表示機能層として自発光素子ＯＬＥＤを利用した表示装置である場合には、バックライトユニットＢＬは省略される。また、照明部として、タッチ検出機能付き表示部１０の前面から光を照射するフロントライトユニットＦＬを構成してもよい。
【０１５７】
図１６は、図１４に示したタッチ検出機能付き表示装置の構成を示す断面図である。図１６に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、ＣＯＧ１９と、カバー部材ＣＧと、第１光学素子ＯＤ１と、第２光学素子ＯＤ２と、タッチ検出電極ＴＤＬと、タッチＩＣ４９と、バックライトユニットＢＬと、第１プリント基板、第２プリント基板及び第３プリント基板（例えば、フレキシブルプリント基板Ｔ、Ｔ２及びＴ３）と、を含む。
【０１５８】
ＣＯＧ１９は、タッチ検出機能付き表示部１０の画素基板２上に実装されている。フレキシブルプリント基板Ｔ２は、画素基板２に接続されている。コネクタＣＯ１及びコネクタＣＯ２は、フレキシブルプリント基板Ｔ２上に実装されている。フレキシブルプリント基板Ｔ２は、コネクタＣＯ１を介してホストｈｏｓｔに接続されている。
【０１５９】
フレキシブルプリント基板Ｔは、タッチ検出電極ＴＤＬとコネクタＣＯ２との間を接続している。フレキシブルプリント基板Ｔ３は、光源ＬＳとフレキシブルプリント基板Ｔ２との間を接続している。
【０１６０】
ＣＯＧ１９及びタッチＩＣ４９は、フレキシブルプリント基板Ｔ２、コネクタＣＯ２及びフレキシブルプリント基板Ｔを介して接続されている。タッチＩＣ４９の配置に関して例示的に示すと、タッチＩＣ４９は、フレキシブルプリント基板Ｔ、Ｔ２、Ｔ３、及び、対向基板３の内のいずれか１個の基板上に実装されたり、いずれか２つ以上の基板上に分割して実装されたりすることができる。
【０１６１】
ホストｈｏｓｔ、タッチ検出機能付き表示部１０及びタッチ検出電極ＴＤＬを相互に接続する手段、並びに光源ＬＳとホストｈｏｓｔとを接続する手段は、種々変形可能である。
【０１６２】
例えば、上記の独立した３個のフレキシブルプリント基板Ｔ、Ｔ２及びＴ３とコネクタＣＯ１及びＣＯ２の代わりに、１個のフレキシブルプリント基板を利用してもよい。この場合、１個のフレキシブルプリント基板をホストｈｏｓｔに接続し、フレキシブルプリント基板の第１分岐部をタッチ検出機能付き表示部１０に接続し、フレキシブルプリント基板の第２分岐部をタッチ検出電極ＴＤＬに接続し、フレキシブルプリント基板の第３分岐部を光源ＬＳに接続することができる。また、フレキシブルプリント基板間、又は、フレキシブルプリント基板とホストｈｏｓｔ若しくは基板とは、コネクタＣＯ１及びコネクタＣＯ２のようなコネクタを介して接続されていてもよいし、コネクタの代わりに半田等で接続されていてもよい。
【０１６３】
ホストｈｏｓｔ、ＣＯＧ１９及びタッチＩＣ４９は、タッチ検出機能付き表示部１０の駆動電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬとを有するタッチ検出部ＳＥ１の制御部として機能する。
【０１６４】
ホストｈｏｓｔをアプリケーションプロセッサと言い換えることができる。タッチＩＣ４９は、タッチ検出部ＳＥ１の駆動時期を知らせるタイミング信号をＣＯＧ１９に与えることができる。又は、ＣＯＧ１９は、駆動電極ＣＯＭＬの駆動時期を知らせるタイミング信号をタッチＩＣ４９に与えることができる。又は、ホストｈｏｓｔは、ＣＯＧ１９及びタッチＩＣ４９の各々にタイミング信号を与えることができる。このタイミング信号により、ＣＯＧ１９の駆動と、タッチＩＣ４９の駆動と、の同期化を図ることができる。
【０１６５】
ホストｈｏｓｔは、コネクタＣＯ１及びフレキシブルプリント基板Ｔ３を介して光源ＬＳに接続され、光源ＬＳの駆動を制御する。なお、光源ＬＳは、フレキシブルプリント基板Ｔ３及びフレキシブルプリント基板Ｔ２を介してＣＯＧ１９と接続され、ＣＯＧ１９によって光源ＬＳが制御されてもよい。言い換えると、表示制御部１１には、光源を制御する光源制御部を含んでもよい。
【０１６６】
カバー部材ＣＧは、タッチ検出機能付き表示部１０の外側に位置し、対向基板３に対向している。この構成例では、タッチ検出機能付き表示装置１の入力面ＩＳは、カバー部材ＣＧの表面である。タッチ検出機能付き表示装置１は、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が入力面ＩＳに接触したときに、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々の位置及び接触面積を検出することができる。
【０１６７】
また、タッチ検出機能付き表示装置１は、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２によって入力面ＩＳに圧力が印加された場合に、圧力に応じた信号値を制御部ＣＴＲＬに出力することができる。圧力に応じた信号値とは、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値であり、圧力の大きさによって変化する信号値である。
【０１６８】
第１光学素子ＯＤ１は、画素基板２とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第１光学素子ＯＤ１は、画素基板２に貼り付けられている。
【０１６９】
第２光学素子ＯＤ２は、タッチ検出機能付き表示部１０とカバー部材ＣＧとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、対向基板３及びタッチ検出電極ＴＤＬに貼り付けられている。
【０１７０】
第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２の各々は、少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。第１光学素子ＯＤ１に含まれる偏光板の吸収軸は、第２光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板の吸収軸と互いに交差している。例えば、第１光学素子ＯＤ１に含まれる偏光板の吸収軸と、第２光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板の吸収軸とは、互いに直交している。
【０１７１】
カバー部材ＣＧは、接着層ＡＬにより第２光学素子ＯＤ２に貼り付けられている。接着層ＡＬは、光学用透明樹脂（ＯＣＲ：Optically  Clear  Resin）が例示される。タッチ検出機能付き表示部１０は圧力を検出するので、接着層ＡＬは、弾性変形してもよいが、カバー部材ＣＧから加えられる力を第２光学素子ＯＤ２に伝えることができればよい。
【０１７２】
タッチ検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬとカバー部材ＣＧとの間に配置されている。この構成例において、タッチ検出電極ＴＤＬは、対向基板３の、第２光学素子ＯＤ２に対向する側の面の上方に設けられている。タッチ検出電極ＴＤＬは、対向基板３に接していてもよく、対向基板３から離れていてもよい。タッチ検出電極ＴＤＬが対向基板３から離れている場合、対向基板３とタッチ検出電極ＴＤＬとの間には、図示しない絶縁膜等の部材が介在する。タッチ検出電極ＴＤＬは、第２方向であるＹ方向に延在している。
【０１７３】
駆動電極ＣＯＭＬ及びタッチ検出電極ＴＤＬは、相互静電容量方式のタッチ検出部ＳＥ１を構成する。駆動電極ＣＯＭＬは、表示用の電極として機能するとともに、センサ駆動電極としても機能する。タッチ検出部ＳＥ１は、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の位置及び接触面積を検出するために用いられる。
【０１７４】
バックライトユニットＢＬは、タッチ検出機能付き表示部１０と間隔を空けて配置されている。
【０１７５】
本構成例では、筐体ＣＡは、導電材料（例えば、アルミニウム）で形成されている。筐体ＣＡの電位は、基準電位である。基準電位は、接地電位（ＧＮＤ）が例示される。なお、タッチＩＣ４９、ＣＯＧ１９、ホストｈｏｓｔのいずれかと、筐体ＣＡが接続配線等で電気的に接続され、タッチＩＣ４９、ＣＯＧ１９、ホストｈｏｓｔのいずれかから基準電位が供給されてもよい。
【０１７６】
筐体ＣＡは、タッチ検出機能付き表示部１０と間隔を空けて配置されている。本構成例において、タッチ検出機能付き表示部１０と筐体ＣＡとの間には、空気層又は樹脂層が介在する。すなわち、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０とバックライトユニットＢＬとの間の空気層又は樹脂層と、バックライトユニットＢＬと筐体ＣＡとの間の空気層又は樹脂層と、の少なくとも一方を有する。
【０１７７】
筐体ＣＡと駆動電極ＣＯＭＬとの間の少なくとも一部は、空気層又は樹脂層で形成されている。空気層又は樹脂層が存在することにより、筐体ＣＡと駆動電極ＣＯＭＬとの間隔は、入力面ＩＳに印加される圧力の大きさに応じて変化可能である。また、入力面ＩＳに印加されていた圧力が取り除かれた際、筐体ＣＡと駆動電極ＣＯＭＬとの間隔は、時間の経過とともに、元の間隔に復帰する。
【０１７８】
筐体ＣＡから駆動電極ＣＯＭＬまでの距離ｄ３は、第３方向であるＺ方向の距離であり、筐体ＣＡの駆動電極ＣＯＭＬに対向する側の面から、駆動電極ＣＯＭＬの筐体ＣＡに対向する側の面までの距離である。距離ｄ３は、カバー部材ＣＧに印加される圧力の大きさ及び圧力が加えられる位置に応じて変化する。
【０１７９】
駆動電極ＣＯＭＬと筐体ＣＡとの間には、容量Ｃｐ３が存在する。すなわち、駆動電極ＣＯＭＬは、筐体ＣＡと静電容量結合する。容量Ｃｐ３は、距離ｄ３に対応して変化する。従って、ＣＯＧ１９は、距離ｄ３に対応した容量Ｃｐ３の変化を検出することにより、圧力情報を検出することができる。
【０１８０】
圧力検出制御部５０は、駆動電極ＣＯＭＬを駆動し、距離ｄ３の変化に基づいた圧力情報を駆動電極ＣＯＭＬから取り出す。例えば、圧力検出制御部５０は、ＣＯＧ１９に含まれ、ＣＯＧ１９は、駆動電極ＣＯＭＬに信号を出力し、駆動電極ＣＯＭＬと筐体ＣＡとの距離ｄ３の変化に基づく信号を駆動電極ＣＯＭＬから読み出す。また、圧力検出制御部５０は、タッチＩＣ４９又はホストｈｏｓｔに含まれてもよい。表示制御部１１、タッチ検出制御部４０、圧力検出制御部５０及びホストｈｏｓｔは、協働してタッチ検出部ＳＥ１、表示部ＤＳＰ及び圧力検出部ＳＥ２を制御してもよい。
【０１８１】
本構成例では、駆動電極ＣＯＭＬは、タッチ検出部ＳＥ１、表示部ＤＳＰ及び圧力検出部ＳＥ２で共用される。
【０１８２】
図１７は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出電極、駆動電極ブロック及び筐体を示す斜視図である。複数のタッチ検出電極ＴＤＬ並びに駆動電極ブロックＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ及びＢｆは、図１のタッチ検出部ＳＥ１を構成する。複数のタッチ検出電極ＴＤＬと駆動電極ブロックＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ及びＢｆとの交点に基づく領域が、タッチ検出部ＳＥ１がタッチを検出する単位領域であるタッチ検出単位領域である。
【０１８３】
駆動電極ブロックＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ及びＢｆ並びに筐体ＣＡは、図１の圧力検出部ＳＥ２を構成する。圧力検出部ＳＥ２は、駆動電極ブロックＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ及びＢｆにそれぞれ対応する複数の領域を、圧力検出部ＳＥ２が圧力を検出する単位領域である圧力検出単位領域として有する。つまり、圧力検出部ＳＥ２は、駆動電極ブロックＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ及びＢｆにそれぞれ対応する複数の領域の各々毎に、圧力に応じた信号値を制御部ＣＴＲＬに出力する。この場合、制御部ＣＴＲＬは、後述する処理を、複数の圧力検出単位領域の各々に対して実行する。
【０１８４】
タッチ検出部ＳＥ１が接触を検出する単位領域であるタッチ検出単位領域の各々は、圧力検出部ＳＥ２が圧力を検出する単位領域である圧力検出単位領域の各々よりも小さい。タッチ検出単位領域の各々のＸ方向の長さは、圧力検出単位領域の各々のＸ方向の長さよりも短い。なお、本実施形態において、タッチ検出部ＳＥ１と圧力検出部ＳＥ２とで駆動する駆動ブロックの単位を共通にしているが、これに限られない。例えば、タッチ検出部ＳＥ１は、駆動電極ブロックを個別に駆動し、圧力検出部ＳＥ２は、全ての駆動電極ブロック、または、２以上の複数の駆動電極ブロックを同時に駆動するようにしてもよい。なお、この場合、同時に駆動される複数の駆動電極ブロックが圧力検出単位領域を示す。
【０１８５】
図１８は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出電極、駆動電極ブロック及び筐体の構成例２を示す斜視図である。
【０１８６】
タッチ検出部ＳＥ１及び圧力検出部ＳＥ２が、図１３で示したようにマトリクス状に設けられた複数の電極ＥＬをタッチ検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬの機能を兼用する電極として備える場合には、圧力検出部ＳＥ２は、マトリクス状に設けられた複数の電極ＥＬにそれぞれ対応する、マトリクス状の複数の領域を、複数の圧力検出単位領域として有する。複数の圧力検出単位領域の各々は、圧力を検出する単位領域である。つまり、圧力検出部ＳＥ２は、複数の電極ＥＬにそれぞれ対応する複数の領域の各々毎に、圧力に応じた信号値を制御部ＣＴＲＬに出力する。この場合、制御部ＣＴＲＬは、後述する処理を、複数の圧力検出単位領域の各々に対して実行する。タッチ検出機能付き表示装置１の断面構造は、種々の変形が可能である。
【０１８７】
タッチ検出機能付き表示部１０とバックライトユニットＢＬとの間の空間を第１空間、バックライトユニットＢＬと筐体ＣＡとの間の空間を第２空間、バックライトユニットＢＬとフレームＦＲとの間の空間を第３空間とすると、少なくとも第１空間、第２空間、第３空間のいずれかに空気層又は樹脂層を有する。ここで、空気層とは、周辺領域等にスペーサ等を配置することで形成してもよく、樹脂層とは、例えばクッション材ＣＵＳを示す。なお、第１空間、第２空間、第３空間はいずれか１つの空間を有すればよく、例えば、バックライトＢＬと筐体ＣＡとは接しており空間を有さなくてもよい。
【０１８８】
図１９から図２４までは、タッチ検出機能付き表示装置の構造例を示す断面図である。図１９に示す構造例では、タッチ検出機能付き表示部１０とバックライトユニットＢＬとは、端部がスペーサＳＰ１及びＳＰ２によって接続されており、タッチ検出機能付き表示部１０とバックライトユニットＢＬとの間には、エアギャップＡＧ１が介在している。バックライトユニットＢＬと筐体ＣＡとの間には、エアギャップＡＧ２が介在している。図１９に示す構造例では、図１５で示したフレームＦＲを備えていない。
【０１８９】
図２０に示す構造例では、バックライトユニットＢＬと筐体ＣＡとが接触しており、図１９で示したエアギャップＡＧ２が介在していない。
【０１９０】
図２１に示す構造例では、バックライトユニットＢＬと筐体ＣＡとの間には、クッション材ＣＵＳが配置されており、図１９で示したエアギャップＡＧ２が介在していない。
【０１９１】
図２２に示す構造例では、図１５で示したフレームＦＲが、有底の箱形状を有している。そして、バックライトユニットＢＬとフレームＦＲの底部とは接触している。フレームＦＲの底部と筐体ＣＡとの間には、エアギャップＡＧ２が介在している。
【０１９２】
図２３に示す構造例では、バックライトユニットＢＬとフレームＦＲの底部との間に、エアギャップＡＧ３が介在している。
【０１９３】
図２４に示す構造例では、バックライトユニットＢＬとフレームＦＲの底部との間には、クッション材ＣＵＳが配置されており、図２３で示したエアギャップＡＧ３が介在していない。
【０１９４】
＜圧力検出部の第２構成例＞
【０１９５】
図２５は、タッチ検出機能付き表示装置の第２構成例を示す断面図である。図２５に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、ＣＯＧ１９と、カバー部材ＣＧと、第１光学素子ＯＤ１と、第２光学素子ＯＤ２と、タッチ検出電極ＴＤＬと、タッチＩＣ４９と、バックライトユニットＢＬと、フレキシブルプリント基板Ｔ、Ｔ２及びＴ３と、に加えて、圧力センサ６１を更に含む。圧力センサ６１が、図１の圧力検出部ＳＥ２に対応する。
【０１９６】
フレキシブルプリント基板Ｔ３は、第１分岐部ＦＢ１及び第２分岐部ＦＢ２を有している。第１分岐部ＦＢ１は、光源ＬＳに接続されている。第２分岐部ＦＢ２は、圧力センサ６１に接続されている。
【０１９７】
圧力センサ６１は、筐体ＣＡ内の空気圧を検出するセンサである。入力面ＩＳに圧力が印加されると、カバー部材ＣＧ及びタッチ検出機能付き表示部１０は、筐体ＣＡの内部方向に撓む。カバー部材ＣＧ及びタッチ検出機能付き表示部１０が筐体ＣＡの内部方向に撓むと、筐体ＣＡ内部の空気が圧縮され、筐体ＣＡ内部の空気圧が上昇する。
【０１９８】
また、入力面ＩＳに印加されていた圧力が取り除かれた際、カバー部材ＣＧ及びタッチ検出機能付き表示部１０の撓みは、時間の経過とともに解消される。そして、カバー部材ＣＧ及びタッチ検出機能付き表示部１０は、元の状態に復帰する。カバー部材ＣＧ及びタッチ検出機能付き表示部１０が元の状態に復帰すると、筐体ＣＡ内部の空気圧が下降し、元の空気圧に戻る。従って、制御部ＣＴＲＬは、筐体ＣＡ内部の空気圧の変化を検出することにより、圧力情報を検出することができる。
【０１９９】
図２６は、タッチ検出機能付き表示装置のタッチ検出電極、駆動電極ブロック及び圧力センサを模式的に示す斜視図である。
【０２００】
複数のタッチ検出電極ＴＤＬ並びに駆動電極ブロックＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ及びＢｆは、図１のタッチ検出部ＳＥ１を構成する。複数のタッチ検出電極ＴＤＬと駆動電極ブロックＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ及びＢｆとの交点が、タッチ検出部ＳＥ１がタッチを検出する単位領域であるタッチ検出単位領域である。
【０２０１】
圧力センサ６１は、図１の圧力検出部ＳＥ２を構成する。圧力検出部ＳＥ２は、入力面ＩＳに対応する１つの領域を１つの圧力検出単位領域として有する。１つの圧力検出単位領域は、圧力を検出する単位領域である。つまり、圧力検出部ＳＥ２は、１つの圧力検出単位領域全体に印加される圧力を表す１つの信号値を制御部ＣＴＲＬに出力する。この場合、制御部ＣＴＲＬは、後述する処理を、１つの圧力検出単位領域に対して実行する。
【０２０２】
タッチ検出部ＳＥ１が接触を検出する単位領域であるタッチ検出単位領域の各々は、圧力検出部ＳＥ２が圧力を検出する単位領域である圧力検出単位領域の各々よりも小さい。タッチ検出単位領域の各々のＸ方向の長さは、圧力検出単位領域の各々のＸ方向の長さよりも短い。タッチ検出単位領域の各々のＹ方向の長さは、圧力検出単位領域の各々のＹ方向の長さよりも短い。
【０２０３】
圧力センサ６１に代えて、抵抗値の変化でタッチ検出機能付き表示装置１のひずみを検出するひずみゲージ（strain  gauge）を用いても良い。また、圧力センサ６１に代えて、光でタッチ検出機能付き表示装置１のひずみを検出する光センサを用いても良い。圧力センサ６１の大きさは、種々の変形が可能である。
【０２０４】
図２７及び図２８は、圧力センサの例を示す平面図である。図２７に示すように、圧力センサ６１の大きさを、入力面ＩＳと略同じ大きさにし、平面視して入力面ＩＳの内側に配置しても良い。
【０２０５】
図２８に示すように、圧力センサ６１の大きさを、入力面ＩＳよりも相対的に小さくし、平面視して入力面ＩＳの外縁に重なる場所に配置しても良い。また、圧力センサ６１を、平面視して入力面ＩＳの隅に重なる場所に配置しても良い。また、圧力センサ６１を、平面視して入力面ＩＳの内側に配置しても良い。
【０２０６】
＜制御部の動作＞
図２６で示した圧力検出部ＳＥ２の構成例では、圧力検出部ＳＥ２は、１つの圧力検出単位領域を有する。圧力検出部ＳＥ２は、１つの圧力検出単位領域に印加された圧力を表す１つの信号値を制御部ＣＴＲＬに出力する。圧力検出部ＳＥ２が１つの圧力検出単位領域を有する場合には、制御部ＣＴＲＬは、１つの圧力検出単位領域に対して、処理を実行する。
【０２０７】
図１７又は図１８で示した圧力検出部ＳＥ２の構成例では、圧力検出部ＳＥ２は、複数の圧力検出単位領域を有する。圧力検出部ＳＥ２は、複数の圧力検出単位領域にそれぞれ印加された圧力を表す複数の信号値を制御部ＣＴＲＬに出力する。圧力検出部ＳＥ２が複数の圧力検出単位領域を有する場合には、制御部ＣＴＲＬは、複数の圧力検出単位領域の各々に対して、処理を実行する。
【０２０８】
図２９は、圧力検出部の１つの圧力検出単位領域を示す図である。図２９において、１つの圧力検出単位領域Ｒ内のます目の各々は、複数のタッチ検出電極ＴＤＬと複数の駆動電極ＣＯＭＬとの交点に対応し、タッチを検出する単位領域であるタッチ検出単位領域Ｕである。
【０２０９】
圧力検出単位領域Ｒ内の第１領域Ｒ１は、被検出物ＯＢＪ１と入力面ＩＳとが接触する領域である。ここで、被検出物ＯＢＪ１は、入力面ＩＳと接触して変形する第１の種類の物である。第１の種類の物は、指が例示される。
【０２１０】
被検出物ＯＢＪ１が第１の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力が増加すると、被検出物ＯＢＪ１と入力面ＩＳとの接触面積が増加する。つまり、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力と、被検出物ＯＢＪ１と入力面ＩＳとの接触面積と、には相関がある。
【０２１１】
図２９に示す例では、制御部ＣＴＲＬは、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数を「１１」と計数できる。制御部ＣＴＲＬは、被検出物ＯＢＪ１と入力面ＩＳとの実際の接触面積を、「１１」にタッチ検出単位領域Ｕの１個当たりの面積を乗じることで算出できる。
【０２１２】
タッチ検出部ＳＥ１が自己静電容量方式又は相互静電容量方式である場合は、タッチ検出部ＳＥ１は、第１領域Ｒ１内の複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々毎に、被検出物ＯＢＪ１により付加される静電容量（図３の容量素子Ｃ２又は図１１の静電容量Ｃ４に対応）を表す信号値を検出できる。
【０２１３】
被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳと接触して変形する物の場合は、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力が増加すると、被検出物ＯＢＪ１とタッチ検出電極ＴＤＬとの間の静電容量が増加する。つまり、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力と、被検出物ＯＢＪ１とタッチ検出電極ＴＤＬとの間の静電容量と、には相関がある。
【０２１４】
図２９に示す例では、制御部ＣＴＲＬは、第１領域Ｒ１が、静電容量に応じた信号値「１５」のタッチ検出単位領域Ｕを１個と、静電容量に応じた信号値「１０」のタッチ検出単位領域Ｕを２個と、静電容量に応じた信号値「７」のタッチ検出単位領域Ｕを２個と、静電容量に応じた信号値「５」のタッチ検出単位領域Ｕを６個と、を含むと計数できる。
【０２１５】
タッチ検出部ＳＥ１が相互静電容量方式又は自己静電容量方式である場合には、第１領域Ｒ１の接触に応じた信号値は、静電容量に応じた信号値「１５」を１個と、静電容量に応じた信号値「１０」を２個と、静電容量に応じた信号値「７」を２個と、静電容量に応じた信号値「５」を６個と、を含む。
【０２１６】
タッチ検出部ＳＥ１が抵抗膜方式である場合には、第１領域Ｒ１の接触に応じた信号値は、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数「１１」である。
【０２１７】
なお、静電容量に応じた信号値「１５」や静電容量に応じた信号値「１０」等は、付加容量の値であっても良いし、被検出物ＯＢＪ１により付加される静電容量に流れる電流（図４の電流Ｉ２に対応）又は電圧（図５の電圧（Ｖ０−Ｖ１）又は図１２の電圧（｜ΔＶ｜＝Ｖ５−Ｖ４）に対応）であっても良い。また、タッチ検出部ＳＥ１によって検出された電流がａアンペアからｂアンペアまでの場合は静電容量に応じた信号値「１」とし、ｂアンペアからｃアンペアまでの場合は静電容量に応じた信号値「２」とするように、タッチ検出部ＳＥ１によって検出された値を対応する値に変換しても良い。
【０２１８】
制御部ＣＴＲＬは、第１領域Ｒ１内の複数の静電容量に応じた信号値の合計を「７９」と計数でき、第１領域Ｒ１内のタッチ検出のタッチ検出単位領域Ｕの個数を「１１」と計数できる。従って、制御部ＣＴＲＬは、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの１個当たりの静電容量に応じた信号値の平均値を、「７．１９」と算出できる。
【０２１９】
圧力検出単位領域Ｒ内の第２領域Ｒ２は、被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとが接触する領域である。ここで、被検出物ＯＢＪ２は、入力面ＩＳと接触して変形する第１の種類の物である。第１の種類の物は、指が例示される。
【０２２０】
被検出物ＯＢＪ２が第１の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力が増加すると、被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が増加する。つまり、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力と、被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積と、には相関がある。
【０２２１】
図２９に示す例では、制御部ＣＴＲＬは、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数を「８」と計数できる。制御部ＣＴＲＬは、被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとの実際の接触面積を、「８」にタッチ検出単位領域Ｕの１個当たりの面積を乗じることで算出できる。
【０２２２】
被検出物ＯＢＪ２が第１の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力が増加すると、被検出物ＯＢＪ２とタッチ検出電極ＴＤＬとの間の静電容量が増加する。つまり、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力と、被検出物ＯＢＪ２とタッチ検出電極ＴＤＬとの間の静電容量と、には相関がある。
【０２２３】
図２９に示す例では、制御部ＣＴＲＬは、第２領域Ｒ２が、静電容量に応じた信号値「１０」のタッチ検出単位領域Ｕを２個と、静電容量に応じた信号値「５」のタッチ検出単位領域Ｕを６個と、を含むと計数できる。
【０２２４】
タッチ検出部ＳＥ１が相互静電容量方式又は自己静電容量方式である場合には、第２領域Ｒ２の接触に応じた信号値は、静電容量に応じた信号値「１０」を２個と、静電容量に応じた信号値「５」を６個と、を含む。
【０２２５】
タッチ検出部ＳＥ１が抵抗膜方式である場合には、第２領域Ｒ２の接触に応じた信号値は、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数「８」である。
【０２２６】
制御部ＣＴＲＬは、第２領域Ｒ２内の複数の静電容量に応じた信号値の合計を「５０」と計数でき、第２領域Ｒ２内の単位領域の数を「８」と計数できる。従って、制御部ＣＴＲＬは、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの１個当たりの静電容量に応じた信号値の平均値を、「６．２５」と算出できる。
【０２２７】
被検出物ＯＢＪ１が第１の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力と、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値と、には相関関係がある。同様に、被検出物ＯＢＪ２が第１の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力と、第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値と、には相関関係がある。従って、図２９に示す例では、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力の方が、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力よりも大きい。
【０２２８】
ここで、圧力検出部ＳＥ２が、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２によって圧力検出単位領域Ｒ全体に印加された圧力に応じた信号値「１３４」を検出したとする。制御部ＣＴＲＬは、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」及び第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値「６．２５」に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１３４」を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「７２」と算出でき、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「６２」と算出できる。
【０２２９】
なお、本実施形態において、単純に第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値（タッチ検出信号値）の平均値を求めたが、これに限られない。例えば、一定値以下のタッチ検出信号に関してはノイズと判断して、当該信号値に応じた領域を第１領域Ｒ１から除くこととしてもよい。また、タッチ検出信号値の大きさやタッチ検出信号値の分布に応じて、比重演算を行ってもよい。例えば、タッチ検出信号値が一定の閾値以上の値を示すタッチ検出単位領域については１つの単位領域として、一定の閾値未満の値を示すタッチ検出単位領域は０．８の単位領域として扱い、当該領域のシグナル値を１．２５倍した上で、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２の各々の１つの単位領域あたりの平均値を演算するようにしてもよい。
【０２３０】
タッチ検出部ＳＥ１が抵抗膜方式であり、Ｚ方向における電極間距離が一律である場合には、タッチ検出部ＳＥ１はタッチ検出単位領域Ｕの各々毎に異なる信号値を検出できないので、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２内の全てのタッチ検出単位領域Ｕの信号値は同じ値になる。なお、１つのタッチ検出単位領域ＵにＺ方向における電極間距離を複数設けることで、圧力に応じた異なるタッチ検出信号を得ることができるようにしてもよい。この場合において、被検出物が第１の種類の物であっても第２の種類の物であっても圧力に応じてタッチ検出信号値は変化する。しかし、第１の種類の物である場合はタッチ検出信号を検出するタッチ検出単位領域Ｕの面積が変化するが、第２の種類の物である場合は、タッチ検出信号を検出するタッチ検出単位領域Ｕの面積が変化しない。
【０２３１】
この場合は、制御部ＣＴＲＬは、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数つまり第１領域Ｒ１の面積に応じた信号値及び第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数つまり第２領域Ｒ２の面積に応じた信号値に基づいて、圧力検出部ＳＥ２が検出した圧力に応じた信号値を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を算出できる。
【０２３２】
図３０は、圧力検出部の１つの圧力検出単位領域を示す図である。圧力検出単位領域Ｒ内の第２領域Ｒ２は、被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとが接触する領域である。ここで、被検出物ＯＢＪ２は、入力面ＩＳと接触して変形しない又は第１の種類の物と比較して相対的に変形が少ない第２の種類の物である。第２の種類の物は、樹脂又は金属のスタイラスペンが例示される。
【０２３３】
なお、第２の種類の物が接触する第２領域Ｒ２の静電容量に応じた値は、第１の種類の物が接触する第１の領域Ｒ１の静電容量に応じた値と同様に、検出される電流又は電圧に応じた相対値を示す。また、第１の種類の物が接触する場合の相対値と、第２の種類の物が接触する場合の相対値と、は異なっていてもよい。例えば、第１の種類の物が接触する場合、タッチ検出部ＳＥ１によって検出された電流がａアンペアからｂアンペアまでの場合は静電容量に応じた信号値「１」とし、第２の種類の物が接触する場合は、２ａアンペアから２ｂアンペアまでの場合を静電容量に応じた信号値「１」と変換してもよい。
【０２３４】
被検出物ＯＢＪ２が第２の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力が増加しても、被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が増加しない又は第１の種類の物と比較して相対的に少ししか増加しない。つまり、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力と、被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積と、の相関は、第１の種類の物の相関とは異なる。
【０２３５】
また、被検出物ＯＢＪ２が第２の種類の物である場合は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力が増加しても、被検出物ＯＢＪ２とタッチ検出電極ＴＤＬとの間の静電容量が増加しないか又は第１の種類の物と比較して相対的に少ししか増加しない。つまり、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力と、被検出物ＯＢＪ２とタッチ検出電極ＴＤＬとの間の静電容量と、の相関は、第１の種類の物の相関とは異なる。
【０２３６】
従って、図３０において、被検出物ＯＢＪ２が第２の種類の物である場合は、制御部ＣＴＲＬは、上記した、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値又は第１領域Ｒ１の面積に応じた信号値並びに第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値又は第２領域Ｒ２の面積に応じた信号値に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することでは、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を好適に算出できない。
【０２３７】
そこで、制御部ＣＴＲＬは、以下に説明する処理を実行することで、被検出物ＯＢＪ２が第２の種類の物である場合であっても、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を好適に算出できる。
【０２３８】
図３１は、制御部の機能ブロックを示す図である。制御部ＣＴＲＬは、判定部１００と、圧力算出部１０１と、被検出物種類判定部１０２と、リファレンス値取得部１０３と、記憶部１０４と、を含む。記憶部１０４は、リファレンス値記憶部１０５と、を含む。
【０２３９】
判定部１００、圧力算出部１０１、被検出物種類判定部１０２及びリファレンス値取得部１０３は、ＣＯＧ１９、タッチＩＣ４９又はホストｈｏｓｔがプログラムを実行することで実現できる。または、判定部１００、圧力算出部１０１、被検出物種類判定部１０２及びリファレンス値取得部１０３は、ＣＯＧ１９、タッチＩＣ４９及びホストｈｏｓｔの内の２つ以上がプログラムを協働して実行することで実現できる。
【０２４０】
判定部１００は、マルチタッチであるかシングルタッチであるか、つまり被接触物が複数であるか１つであるかを判定する。
【０２４１】
圧力算出部１０１は、複数の領域の各々の接触に応じた信号値と、複数の被検出物が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値と、複数の領域の内の１つの領域の接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値であるリファレンス値と、に基づいて、複数の被検出物の各々が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を算出する。
【０２４２】
被検出物種類判定部１０２は、複数の被検出物と入力面ＩＳとが接触する複数の領域の各々の接触に応じた信号値に基づいて、複数の被検出物が異なる種類の物であるか否かを判定する。
【０２４３】
リファレンス値取得部１０３は、被検出物の種類ごとの圧力によって生じる信号値の変化に応じたリファレンス値を取得する。
【０２４４】
記憶部１０４は、揮発性メモリ又は不揮発性メモリが例示される。揮発性メモリは、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）が例示される。不揮発性メモリは、フラッシュメモリ（登録商標）が例示される。
【０２４５】
リファレンス値記憶部１０５は、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２の各々が入力面ＩＳを押下する圧力を算出するために使用されるリファレンス値を記憶する。リファレンス値は、タッチ検出部ＳＥ１が被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２を検出する際の、接触に応じた信号値当たりの圧力に応じた信号値である。
【０２４６】
リファレンス値は、タッチ検出部ＳＥ１が相互静電容量方式又は自己静電容量方式である場合には、第１領域Ｒ１内又は第２領域Ｒ２内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値であり、タッチ検出部ＳＥ１が抵抗膜方式である場合には、第１領域Ｒ１又は第２領域Ｒ２内での１面積当たりの圧力に応じた信号値である。
【０２４７】
図３２は、リファレンス値記憶部の第１の例を示す図である。リファレンス値記憶部１０５は、リングバッファ１０７と、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８と、を含む。リングバッファ１０７は、Ｎ個のバッファであるＲＥＦ（１）バッファ１０７−１からＲＥＦ（Ｎ）バッファ１０７−Ｎまでを含む。リファレンス数Ｎは、予め定められた正の定数である。本実施形態では、リファレンス数Ｎを「３」とする。
【０２４８】
タッチ検出部ＳＥ１が相互静電容量方式又は自己静電容量方式である場合には、リファレンス値取得部１０３は、第１領域Ｒ１内又は第２領域Ｒ２内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値を、リファレンス値記憶部１０５のＲＥＦ（１）バッファ１０７−１からＲＥＦ（Ｎ）バッファ１０７−Ｎまでに順次格納する。
【０２４９】
リファレンス値取得部１０３は、第１領域Ｒ１内又は第２領域Ｒ２内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値をリファレンス値記憶部１０５のＲＥＦ（Ｎ）バッファ１０７−Ｎにまで格納したら、次回のリファレンス値取得タイミングでは、第１領域Ｒ１内又は第２領域Ｒ２内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値を、一番古い信号値が格納されているバッファつまりＲＥＦ（１）バッファ１０７−１に格納する。
【０２５０】
タッチ検出部ＳＥ１が抵抗膜方式である場合には、リファレンス値取得部１０３は、第１領域Ｒ１又は第２領域Ｒ２内の１面積当たりの圧力に応じた信号値を、リファレンス値記憶部１０５のＲＥＦ（１）バッファ１０７−１からＲＥＦ（Ｎ）バッファ１０７−Ｎまでに順次格納する。
【０２５１】
リファレンス値取得部１０３は、第１領域Ｒ１又は第２領域Ｒ２内の１面積当たりの圧力に応じた信号値をリファレンス値記憶部１０５のＲＥＦ（Ｎ）バッファ１０７−Ｎにまで格納したら、次回のリファレンス値取得タイミングでは、第１領域Ｒ１又は第２領域Ｒ２内の１面積当たりの圧力に応じた信号値を、一番古い信号値が格納されているバッファつまりＲＥＦ（１）バッファ１０７−１に格納する。
【０２５２】
リファレンス値取得部１０３は、リファレンス値ＲＥＦを、次の式（１）により算出し、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に格納する。
ＲＥＦ＝（ＲＥＦ（１）＋ＲＥＦ（２）＋・・・＋ＲＥＦ（Ｎ））／Ｎ      （１）
【０２５３】
なお、リファレンス値取得部１０３がリファレンス値ＲＥＦを算出するのではなく、予め定められたリファレンス値ＲＥＦをリファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に予め格納しておき、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８から取得するようにしても良い。この場合、リングバッファ１０７は不要になる。
【０２５４】
図３３は、リファレンス値記憶部の第２の例を示す図である。リファレンス値記憶部１０５は、ＲＥＦ（ＯＬＤ）保持部１０９と、ＲＥＦ（Ｎ）保持部１１０と、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８と、を含む。
【０２５５】
タッチ検出部ＳＥ１が相互静電容量方式又は自己静電容量方式である場合には、リファレンス値取得部１０３は、第１領域Ｒ１内又は第２領域Ｒ２内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値を、リファレンス値記憶部１０５のＲＥＦ（Ｎ）保持部１１０に格納する。
【０２５６】
タッチ検出部ＳＥ１が抵抗膜方式である場合には、リファレンス値取得部１０３は、第１領域Ｒ１内又は第２領域Ｒ２内での１面積当たりの圧力に応じた信号値を、リファレンス値記憶部１０５のＲＥＦ（Ｎ）保持部１１０に格納する。
【０２５７】
ＲＥＦ（ＯＬＤ）保持部１０９には、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８から読みだされたＲＦＥ（Ｎ）保持部１１０に格納された圧力に応じた信号値以前の圧力に応じた信号値が格納される。リファレンス値取得部１０３は、リファレンス値ＲＥＦを、次の式（２）により算出し、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に格納する。
ＲＥＦ＝ＲＥＦ（ＯＬＤ）＊（１−α）＋ＲＥＦ（Ｎ）＊α      （２）
ここで、αは、０＜α＜１を満たす。なお、αは予め定められた定数であってもよい。また、αは変数であってもよい。例えば、ノイズ検出部５１においてノイズが高いと判定された場合において、αを相対的に高い値とし、ノイズが低いと判定された場合おいて、αを相対的に低い値とするように、α値切換制御部を有してもよい。
【０２５８】
つまり、リファレンス値取得部１０３は、ＩＩＲ（Infinite  Impulse  Response）により、リファレンス値ＲＥＦを算出する。なお、リファレンス値取得部１０３は、累積平均により、リファレンス値ＲＥＦを算出しても良い。
【０２５９】
なお、リファレンス値記憶部１０５は、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に保持されたリファレンス値をリセットするリセット部を有してもよい。例えば、リセット部は、タッチ信号の周波数が変更された場合や、タッチ検出信号の出力が開始されたタイミングでリファレンス値をリセットするようにしてもよい。このようにすることで、使用環境の変化等に応じてタッチ検出信号に生じるノイズの変化等が起こった場合であっても、当該環境におけるより適切なリファレンス値を取得することができる。
【０２６０】
なお、リファレンス値取得部１０３は、リファレンス値ＲＥＦを算出するのではなく、予め定められたリファレンス値をリファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に予め格納しておき、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８からリファレンス値を取得するようにしても良い。
【０２６１】
図３４は、リファレンス数とノイズ／信号比との関係を示す図である。図３４に示すように、リファレンス数Ｎは、リファレンス値を算出する回数であり、予め定められた正の定数である。リファレンス数Ｎを大きくするほど、ノイズ／信号比が小さくなる。つまり、リファレンス数Ｎが大きいほど、ノイズの影響を抑制でき、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々が入力面ＩＳを押下する圧力を好適に算出できる。例えば、リファレンス数Ｎが４以上である場合がより好適である。
【０２６２】
図３５は、制御部が実行する処理を示すフローチャートである。図２６で示した圧力検出部ＳＥ２の構成例では、圧力検出部ＳＥ２は、１つの圧力検出単位領域を有する。圧力検出部ＳＥ２が１つの圧力検出単位領域を有する場合には、制御部ＣＴＲＬは、１つの圧力検出単位領域に対して、図３５に示す処理を一定の時間間隔毎に繰り返し実行する。
【０２６３】
図１７又は図１８で示した圧力検出部ＳＥ２の構成例では、圧力検出部ＳＥ２は、複数の圧力検出単位領域を有する。圧力検出部ＳＥ２が複数の圧力検出単位領域を有する場合には、制御部ＣＴＲＬは、複数の圧力検出単位領域の各々に対して、図３５に示す処理を一定の時間間隔毎に繰り返し実行する。
【０２６４】
判定部１００は、ステップＳ１００において、マルチタッチつまり被検出物が複数であるか否かを判定する。言い換えると、判定部１００は、信号値が検出された領域が複数であるか否かを判定する。判定部１００は、マルチタッチではない、つまり被検出物が１つであると判定したら（ステップＳ１００でＮｏ）、処理をステップＳ１０２に進め、マルチタッチであると判定したら（ステップＳ１００でＹｅｓ）、処理をステップＳ１１２に進める。
【０２６５】
圧力算出部１０１は、ステップＳ１０２において、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値を、１つの被検出物の圧力に応じた信号値とする。
【０２６６】
被検出物種類判定部１０２は、ステップＳ１０４において、被検出物と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下であるか否かを判定する。
【０２６７】
一般に、スタイラスペンで例示される第２の種類の物と入力面ＩＳとの接触面積は、指で例示される第１の種類の物と入力面ＩＳとの接触面積よりも小さい。そこで、被検出物種類判定部１０２は、被検出物と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下であるか否かを判定することで、被検出物が第２の種類の物であるか否かを判定できる。
【０２６８】
なお、被検出物種類判定部１０２が被検出物と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下であるか否かを判定することで、被検出物が第２の種類の物であるか否かを判定することは、例示であり、これに限定されない。被検出物種類判定部１０２は、例えば、図３５に示す処理を複数回実行した後に、被検出物と入力面ＩＳとが接触する領域内の複数のタッチ検出単位領域Ｕの静電容量に応じた信号値の変化量が予め定められた変化量閾値以下である場合に、被検出物が第２の種類の物であると判定しても良い。本実施形態では、面積閾値を「５」とする。
【０２６９】
被検出物種類判定部１０２は、被検出物と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下ではないと判定したら（ステップＳ１０４でＮｏ）、処理をステップＳ１０６に進め、被検出物と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下であると判定したら（ステップＳ１０４でＹｅｓ）、処理をステップＳ１２６に進める。
【０２７０】
リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１０６において、被検出物と入力面ＩＳとが接触する領域内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値又は被検出物と入力面ＩＳとが接触する領域内での１面積当たりの圧力に応じた信号値を算出し、上述した式（１）又は式（２）を使用して、リファレンス値ＲＥＦを算出する。
【０２７１】
リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１０８において、リファレンス値ＲＥＦをリファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に格納する。
【０２７２】
リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１０において、リファレンス値ＲＥＦを算出する元になる信号値を取得した回数であるリファレンス取得数Ｑをインクリメントする。その後、リファレンス値取得部１０３は、処理をステップＳ１２６に進める。
【０２７３】
従って、シングルタッチである場合に、リファレンス値取得部１０３は、被検出物が第１の種類の物であれば、リファレンス値ＲＥＦを算出する。
【０２７４】
しかし、シングルタッチである場合に、リファレンス値取得部１０３は、被検出物が第２の種類の物であれば、リファレンス値ＲＥＦを算出しない。その理由は、次の通りである。
【０２７５】
被検出物が第２の種類の物である場合は、被検出物が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた、被検出物と入力面ＩＳとが接触する領域内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値又は被検出物と入力面ＩＳとが接触する領域内での１面積当たりの圧力に応じた信号値は、変化しない又は第１の種類の物と比較して相対的に変化が小さい。従って、シングルタッチ且つ被検出物が第２の種類の物の場合は、リファレンス値取得部１０３は、被検出物と入力面ＩＳとが接触する領域内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値又は被検出物と入力面ＩＳとが接触する領域内での１面積当たりの圧力に応じた信号値を好適に得ることができず、好適なリファレンス値ＲＥＦを得ることができないからである。
【０２７６】
判定部１００がマルチタッチであると判定したら（ステップＳ１００でＹｅｓ）、被検出物種類判定部１０２は、ステップＳ１１２において、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下である領域があるか否か、つまり被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２が第２の種類の物であるか否かを判定する。
【０２７７】
被検出物種類判定部１０２は、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下である領域がない、つまり被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が第１の種類の物であると判定したら（ステップＳ１１２でＮｏ）、処理をステップＳ１１４に進める。被検出物種類判定部１０２は、被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が予め定められた面積閾値以下である領域がある、つまり被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２が第２の種類の物であると判定したら（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、処理をステップＳ１２２に進める。
【０２７８】
リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１４において、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々と入力面ＩＳとが接触する領域内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値又は被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々と入力面ＩＳとが接触する領域内の１面積当たりの圧力に応じた信号値の面積に応じた信号値を算出し、上述した式（１）又は式（２）を使用して、リファレンス値ＲＥＦを算出する。
【０２７９】
リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１６において、複数のリファレンス値ＲＥＦをリファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に格納する。
【０２８０】
リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１８において、リファレンス取得数Ｑをインクリメントする。その後、リファレンス値取得部１０３は、処理をステップＳ１２０に進める。
【０２８１】
圧力算出部１０１は、ステップＳ１２０において、被検出物ＯＢＪ１と入力面ＩＳとが接触する第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値又は第１領域Ｒ１の面積に応じた信号値並びに被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとが接触する第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値又は第２領域Ｒ２の面積に応じた信号値に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を算出する。
【０２８２】
被検出物種類判定部１０２が被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触面積が面積閾値以下である領域がある、つまり被検出物ＯＢＪ１又はＯＢＪ２が第２の種類の物であると判定したら（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、圧力算出部１０１は、ステップＳ１２２において、リファレンス取得数Ｑが予め定められたリファレンス数Ｎ以上であるか否かを判定する。圧力算出部１０１は、リファレンス取得数Ｑが予め定められたリファレンス数Ｎ以上であると判定したら（ステップＳ１２２でＹｅｓ）、処理をステップＳ１２４に進め、リファレンス取得数Ｑが予め定められたリファレンス数Ｎ以上ではないと判定したら（ステップＳ１２２でＮｏ）、処理をステップＳ１１４に進める。
【０２８３】
圧力算出部１０１は、リファレンス取得数Ｑが予め定められたリファレンス数Ｎ以上ではないと判定したら（ステップＳ１２２でＮｏ）、上記したステップＳ１１４からステップＳ１２０までを実行し、被検出物ＯＢＪ１と入力面ＩＳとが接触する第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値又は第１領域Ｒ１の面積に応じた信号値並びに被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとが接触する第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値又は第２領域Ｒ２の面積に応じた信号値に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を算出する。この理由は、次の通りである。
【０２８４】
図３４で示したように、リファレンスを取得した回数が小さいほどノイズ／信号比が大きい。つまり、リファレンス取得数Ｑが予め定められたリファレンス数Ｎ以上ではない場合には（ステップＳ１２２でＮｏ）、リファレンス値ＲＥＦに含まれるノイズが大きい。そのため、ノイズの大きいリファレンス値ＲＥＦを用いずに、各被検出物の面積又は静電容量に応じた平均値に対応する信号値に基づいて、圧力を算出することで、ノイズの小さい圧力値を求めることができる。
【０２８５】
圧力算出部１０１は、ステップＳ１２４において、リファレンス値ＲＥＦを用いて、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を算出する、圧力算出サブルーチンを実行する。この理由は、次の通りである。
【０２８６】
図３４で示したように、リファレンスを取得した回数が大きくなるほどノイズ／信号比が小さいので、圧力算出部１０１は、リファレンス取得数Ｑが予め定められたリファレンス数Ｎ以上である場合には（ステップＳ１２２でＹｅｓ）、リファレンス値ＲＥＦに含まれるノイズが小さいから、リファレンス値ＲＥＦを用いて被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を好適に算出できるからである。
【０２８７】
図３６は、制御部が実行する処理を示すフローチャートである。図３６は、図３５の圧力算出サブルーチンを示すフローチャートである。
【０２８８】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２００において、リファレンス値ＲＥＦと、接触面積が面積閾値より大きい領域内での静電容量の平均値又は面積と、を乗ずることにより、接触面積が面積閾値より大きい被検出物の圧力に応じた信号値を算出する。言い換えると、圧力算出部１０１は、第１の種類の被検出物に対応するリファレンス値ＲＥＦに基づいて、第１の種類の被検出物の圧力に応じた信号値を算出する。
【０２８９】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２０２において、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値から、接触面積が面積閾値より大きい被検出物の圧力に応じた信号値を減ずることにより、接触面積が面積閾値以下の被検出物の圧力に応じた信号値を算出し、圧力算出サブルーチンを終了する。
【０２９０】
再び図３５を参照すると、制御部ＣＴＲＬは、ステップＳ１２６において、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を出力し、処理を終了する。
【０２９１】
被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値の算出について、具体例を挙げて説明する。
【０２９２】
図３７は、１つの圧力検出単位領域を時系列で示した図である。図３７では、第１領域Ｒ１が、第１の種類の物である被検出物ＯＢＪ１と入力面ＩＳとの接触領域であるものとし、第２領域Ｒ２が、第２の種類の物である被検出物ＯＢＪ２と入力面ＩＳとの接触領域であるものとする。
【０２９３】
第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）で、圧力検出部ＳＥ２は、圧力検出単位領域Ｒに印加された圧力に応じた信号値「１３０」を検出したものとする。
【０２９４】
第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）で、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数は、「１１」である。第１領域Ｒ１は、静電容量に応じた信号値「１５」のタッチ検出単位領域Ｕを１個と、静電容量に応じた信号値「１０」のタッチ検出単位領域Ｕを２個と、静電容量に応じた信号値「７」のタッチ検出単位領域Ｕを２個と、信号値「５」のタッチ検出単位領域Ｕを６個と、を含む。第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値は、「７．１９」である。
【０２９５】
第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）で、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数は、「５」である。第２領域Ｒ２は、静電容量に応じた信号値「１０」のタッチ検出単位領域Ｕを１個と、静電容量に応じた信号値「５」のタッチ検出単位領域Ｕを４個と、を含む。第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値は、「６」である。
【０２９６】
第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）で、マルチタッチであり（ステップＳ１００でＹｅｓ）、接触面積が面積閾値以下の第２領域Ｒ２があり（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、リファレンス取得数Ｑ「０」がリファレンス数Ｎ「３」以上ではないので（ステップＳ１２２でＮｏ）、リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１４において、リファレンス値ＲＥＦを算出する。
【０２９７】
具体的には、リファレンス値取得部１０３は、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」及び第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値「６」に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１３０」を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「７０．９」と算出でき、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「５９．１」と算出できる。
【０２９８】
従って、リファレンス値取得部１０３は、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７０．９」を第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」で除した「９．８５」を、ＲＥＦ（１）バッファ１０７−１に格納する。この「９．８５」は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）における、第１領域Ｒ１内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値である。
【０２９９】
第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）で、リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１６において、式（１）又は式（２）を使用して算出したリファレンス値ＲＥＦ「９．８５」を、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に格納する。
【０３００】
第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）で、圧力算出部１０１は、ステップＳ１２０において、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」及び第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値「６」に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１３０」を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「７０．９」と算出し、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「５９．１」と算出する。
【０３０１】
第２回目の処理タイミングである図３７（ｂ）で、圧力検出部ＳＥ２は、圧力検出単位領域Ｒに印加された圧力に応じた信号値「１３０」を検出したものとする。
【０３０２】
第２回目の処理タイミングである図３７（ｂ）で、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）と同じである。また、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）と同じである。
【０３０３】
第２回目の処理タイミングである図３７（ｂ）で、マルチタッチであり（ステップＳ１００でＹｅｓ）、接触面積が面積閾値以下の第２領域Ｒ２があり（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、リファレンス取得数Ｑ「１」がリファレンス数Ｎ「３」以上ではないので（ステップＳ１２２でＮｏ）、リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１４において、第２回目の処理タイミングにおける、第１領域Ｒ１内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値である「９．８５」を、ＲＥＦ（２）バッファ１０７−２に格納する。
【０３０４】
第２回目の処理タイミングである図３７（ｂ）で、リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１６において、式（１）又は式（２）を使用して算出したリファレンス値ＲＥＦ「９．８５」を、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に格納する。
【０３０５】
第２回目の処理タイミングである図３７（ｂ）で、圧力算出部１０１は、ステップＳ１２０において、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」及び第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値「６」に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１３０」を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「７０．９」と算出し、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「５９．１」と算出する。
【０３０６】
第３回目の処理タイミングである図３７（ｃ）で、圧力検出部ＳＥ２は、圧力検出単位領域Ｒに印加された圧力に応じた信号値「１３０」を検出したものとする。
【０３０７】
第３回目の処理タイミングである図３７（ｃ）で、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）及び第２回目の処理タイミングである図３７（ｂ）と同じである。また、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）及び第２回目の処理タイミングである図３７（ｂ）と同じである。
【０３０８】
第３回目の処理タイミングである図３７（ｃ）で、マルチタッチであり（ステップＳ１００でＹｅｓ）、接触面積が面積閾値以下の第２領域Ｒ２があり（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、リファレンス取得数Ｑ「２」がリファレンス数Ｎ「３」以上ではないので（ステップＳ１２２でＮｏ）、リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１４において、第３回目の処理タイミングにおける、第１領域Ｒ１内での静電容量の平均値当たりの圧力に応じた信号値である「９．８５」を、ＲＥＦ（３）バッファ１０７−３に格納する。
【０３０９】
第３回目の処理タイミングである図３７（ｃ）で、リファレンス値取得部１０３は、ステップＳ１１６において、式（１）又は式（２）を使用して算出したリファレンス値ＲＥＦ「９．８５」を、リファレンス値ＲＥＦ保持部１０８に格納する。
【０３１０】
第３回目の処理タイミングである図３７（ｃ）で、圧力算出部１０１は、ステップＳ１２０において、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」及び第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値「６」に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１３０」を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分することで、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「７０．９」と算出し、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「５９．１」と算出する。
【０３１１】
第４回目の処理タイミングである図３７（ｄ）で、圧力検出部ＳＥ２は、圧力検出単位領域Ｒに印加された圧力に応じた信号値「１５０」を検出したものとする。
【０３１２】
第４回目の処理タイミングである図３７（ｄ）で、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）から第３回目の処理タイミングである図３７（ｃ）までと同じである。また、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）から第３回目の処理タイミングである図３７（ｃ）までと同じである。
【０３１３】
第４回目の処理タイミングである図３７（ｄ）において、マルチタッチであり（ステップＳ１００でＹｅｓ）、接触面積が面積閾値以下の第２領域Ｒ２があり（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、リファレンス取得数Ｑ「３」がリファレンス数Ｎ「３」以上であるので（ステップＳ１２２でＹｅｓ）、圧力算出部１０１は、ステップＳ１２４において、リファレンス値を用いた圧力算出サブルーチンを実行する。
【０３１４】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２００において、リファレンス値ＲＥＦ「９．８５」と、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」と、を乗ずることにより、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７０．９」を算出する。
【０３１５】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２０２において、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１５０」から、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７０．９」を減ずることにより、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７９．１」を算出する。
【０３１６】
図３７（ａ）から図３７（ｃ）までと、図３７（ｄ）と、を比較すると、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値は変わっていないが、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値が「１３０」から「１５０」に増えている。従って、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値の増加分「２０」は、第２の種類の物である被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値の増加分と考えることが好適である。
【０３１７】
本実施形態では、上記の通り、図３７（ｄ）で、圧力算出部１０１は、被検出部ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「７９．１」と算出する。図３７（ａ）から図３７（ｃ）までで算出された、被検出部ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値は「５９．１」であるから、被検出部ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値の増加分は「２０」である。つまり、圧力算出部１０１は、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値の増加分「２０」を、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値の増加分と算出できている。
【０３１８】
第５回目の処理タイミングである図３７（ｅ）で、圧力検出部ＳＥ２は、圧力検出単位領域Ｒに印加された圧力に応じた信号値「１９０」を検出したものとする。
【０３１９】
第５回目の処理タイミングである図３７（ｅ）で、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）から第４回目の処理タイミングである図３７（ｄ）までと同じである。また、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）から第４回目の処理タイミングである図３７（ｄ）までと同じである。
【０３２０】
第５回目の処理タイミングである図３７（ｅ）において、マルチタッチであり（ステップＳ１００でＹｅｓ）、接触面積が面積閾値以下の第２領域Ｒ２があり（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、リファレンス取得数Ｑ「３」がリファレンス数Ｎ「３」以上であるので（ステップＳ１２２でＹｅｓ）、圧力算出部１０１は、ステップＳ１２４において、リファレンス値を用いた圧力算出サブルーチンを実行する。
【０３２１】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２００において、リファレンス値ＲＥＦ「９．８５」と、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「７．１９」と、を乗ずることにより、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７０．９」を算出する。
【０３２２】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２０２において、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１９０」から、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７０．９」を減ずることにより、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「１１９．１」を算出する。
【０３２３】
図３７（ｄ）と、図３７（ｅ）と、を比較すると、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値は変わっていないが、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値が「１５０」から「１９０」に増えている。従って、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値の増加分「４０」は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値の増加分と考えることが好適である。
【０３２４】
本実施形態では、上記の通り、第５番目の処理タイミングである図３７（ｅ）で、圧力算出部１０１は、被検出部ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「１１９．１」と算出する。第４番目の処理タイミングである図３７（ｄ）で算出された、被検出部ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値は「７９．１」であるから、被検出部ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値の増加分は「４０」である。つまり、圧力算出部１０１は、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値の増加分「４０」を、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値の増加分と算出できている。
【０３２５】
第６回目の処理タイミングである図３７（ｆ）で、圧力検出部ＳＥ２は、圧力検出単位領域Ｒに印加された圧力に応じた信号値「１６５」を検出したものとする。
【０３２６】
第６回目の処理タイミングである図３７（ｆ）で、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）から第４回目の処理タイミングである図３７（ｄ）までと異なっている。
【０３２７】
第６回目の処理タイミングである図３７（ｆ）で、第１領域Ｒ１内のタッチ検出単位領域Ｕの個数は、「１１」である。第１領域Ｒ１は、静電容量に応じた信号値「１７」のタッチ検出単位領域Ｕを１個と、静電容量に応じた信号値「１２」のタッチ検出単位領域Ｕを２個と、静電容量に応じた信号値「９」のタッチ検出単位領域Ｕを２個と、静電容量に応じた信号値「７」のタッチ検出単位領域Ｕを６個と、を含む。第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値は、「９．１８」である。
【０３２８】
また、第２領域Ｒ２内のタッチ検出単位領域Ｕの個数及び複数のタッチ検出単位領域Ｕの各々の静電容量に応じた信号値は、第１回目の処理タイミングである図３７（ａ）から第５回目の処理タイミングである図３７（ｅ）までと同じである。
【０３２９】
第６回目の処理タイミングである図３７（ｆ）において、マルチタッチであり（ステップＳ１００でＹｅｓ）、接触面積が面積閾値以下の第２領域Ｒ２があり（ステップＳ１１２でＹｅｓ）、リファレンス取得数Ｑ「３」がリファレンス数Ｎ「３」以上であるので（ステップＳ１２２でＹｅｓ）、圧力算出部１０１は、ステップＳ１２４において、リファレンス値を用いた圧力算出サブルーチンを実行する。
【０３３０】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２００において、リファレンス値ＲＥＦ「９．８５」と、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「９．１８」と、を乗ずることにより、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「９０．４」を算出する。
【０３３１】
圧力算出部１０１は、ステップＳ２０２において、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１６５」から、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「９０．４」を減ずることにより、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７４．６」を算出する。
【０３３２】
図３７（ｅ）と、図３７（ｆ）と、を比較すると、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値が「７．１９」から「９．１８」に増加するとともに、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値が「１９０」から「１６５」に減っている。従って、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値が増加したとともに、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値が減少したと考えることが好適である。
【０３３３】
本実施形態では、上記の通り、第６番目の処理タイミングである図３７（ｆ）で、圧力算出部１０１は、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「９０．４」と算出する。第５番目の処理タイミングである図３７（ｅ）で算出された、被検出部ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値は「７０．９」である。つまり、圧力算出部１０１は、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値が増加すると算出できている。
【０３３４】
また、本実施形態では、上記の通り、第６番目の処理タイミングである図３７（ｆ）で、圧力算出部１０１は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値を「７４．６」と算出する。第５番目の処理タイミングである図３７（ｅ）で算出された、被検出部ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値は「１１９．１」である。つまり、圧力算出部１０１は、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値が増加すると算出できている。
【０３３５】
ここで、仮に、第６番目の処理タイミングである図３７（ｆ）で、第１領域Ｒ１内の静電容量に応じた信号値の平均値「９．８５」及び第２領域Ｒ２内の静電容量に応じた信号値の平均値「６」に基づいて、圧力検出部ＳＥ２によって検出された圧力に応じた信号値「１６５」を第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に比例配分すると、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値は「１０２．５」と算出され、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値は「６２．５」と算出される。
【０３３６】
本発明者が種々の検討を行った結果、比例配分で算出される、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「１０２．５」は、実際よりも大きく、被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「６２．５」は、実際よりも小さいことが判明した。
【０３３７】
そして、本実施形態に係るタッチ検出機能付き表示装置１で算出された、被検出物ＯＢＪ１が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「９０．４」及び被検出物ＯＢＪ２が入力面ＩＳを押下する圧力に応じた信号値「７４．６」は、より実際に近いことが判明した。
【０３３８】
以上説明したように、タッチ検出機能付き表示装置１は、複数の被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２が１つの圧力検出単位領域を押下する場合に、被検出物ＯＢＪ１及びＯＢＪ２の各々が１つの圧力検出単位領域を押下する圧力を好適に算出することができる。
【０３３９】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０３４０】
例えば、タッチ検出部ＳＥ１が相互静電容量方式又は自己静電容量方式である場合には、リファレンス値ＲＥＦは、第１領域Ｒ１内又は第２領域Ｒ２内での静電容量当たりの圧力に応じた信号値としても良い。そして、圧力算出部１０１が、ステップＳ２００において、リファレンス値ＲＥＦと、接触面積が面積閾値より大きい方の領域内での静電容量の総和と、を乗ずることにより、接触面積が面積閾値より大きい方の被検出物の圧力に応じた信号値を算出しても良い。
【符号の説明】
【０３４１】
１  タッチ検出機能付き表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  タッチ検出機能付き表示部
１１  表示制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
１９  ＣＯＧ
２０  液晶表示デバイス
２１  ＴＦＴ基板
２２  画素電極
３０  タッチ検出デバイス
３１  第２絶縁基板
３２  カラーフィルタ
４０  タッチ検出制御部
４２  タッチ検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
４７  駆動ドライバ
６１  圧力センサ
Ｂ、Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ、Ｂｅ、Ｂｆ  駆動電極ブロック
ＢＬ  バックライトユニット
ＣＡ  筐体
ＣＧ  カバー部材
ＣＯＭＬ  駆動電極
ＣＴＲＬ  制御部
ＤＳＰ  表示部
ＥＬ  電極
ＦＲ  フレーム
ＧＣＬ  走査信号線
ｈｏｓｔ  ホスト
ＩＳ  入力面
Ｐｉｘ  画素
Ｒ  圧力検出単位領域
ＳＥ１  タッチ検出部
ＳＥ２  圧力検出部
ＳＧＬ  画素信号線
ＳＰｉｘ  副画素
ＴＤＬ  タッチ検出電極
Ｔ、Ｔ２、Ｔ３  フレキシブルプリント基板
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
Ｕ  タッチ検出単位領域
【図１】
0006526584.tif 000002
【図２】
0006526584.tif 000003
【図３】
0006526584.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006526584.tif 000006
【図６】
0006526584.tif 000007
【図７】
0006526584.tif 000008
【図８】
0006526584.tif 000009
【図９】
0006526584.tif 000010
【図１０】
0006526584.tif 000011
【図１１】
0006526584.tif 000012
【図１２】
0006526584.tif 000013
【図１３】
0006526584.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0006526584.tif 000016
【図１６】
0006526584.tif 000017
【図１７】
0006526584.tif 000018
【図１８】
0006526584.tif 000019
【図１９】
0006526584.tif 000020
【図２０】
0006526584.tif 000021
【図２１】
0006526584.tif 000022
【図２２】
0006526584.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
0006526584.tif 000025
【図２５】
0006526584.tif 000026
【図２６】
0006526584.tif 000027
【図２７】
0006526584.tif 000028
【図２８】
0006526584.tif 000029
【図２９】
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【図３０】
0006526584.tif 000031
【図３１】
0006526584.tif 000032
【図３２】
0006526584.tif 000033
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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