(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置されるゲート電極走査線と、
前記ゲート電極走査線及び前記基板の上に配置されるゲート電極絶縁層と、
前記ゲート電極絶縁層の上に配置されるソースドレイン電極データ線と、
前記ソースドレイン電極データ線及び前記ゲート電極絶縁層の上に配置される第一不動態化層と、
前記第一不動態化層の上に配置される有機層と、
前記有機層及び前記第一不動態化層の上に配置される第二不動態化層と、からなるアレイ基板であって、
前記ゲート電極走査線は、前記基板上に前記ソースドレイン電極データ線と垂直に交差して配列され、
前記有機層における前記ゲート電極走査線と前記ソースドレイン電極データ線とが交差する箇所に対応する箇所に通孔が形成され、
前記第二不動態化層における前記通孔に堆積する箇所には開口が形成される
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
請求項１に記載のアレイ基板において、
前記開口のサイズは、１５μｍ×１５μｍである
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項３】
請求項１に記載のアレイ基板において、
前記有機層は、色レジスト層或いは平坦層である
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項４】
請求項１に記載のアレイ基板において、
前記第一不動態化層と前記第二不動態化層の材料は無機材料である
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項５】
請求項１に記載のアレイ基板において、
前記有機層の厚さは、前記第一不動態化層と前記第二不動態化層の厚さより大きい
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項６】
請求項１に記載のアレイ基板において、
前記基板はガラス基板である
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項７】
請求項１に記載のアレイ基板において、
前記アレイ基板における前記開口に配置される箇所の構造は、前記基板と、前記ゲート電極走査線と、前記ゲート電極絶縁層と、前記ソースドレイン電極データ線と、前記第一不動態化層と、前記第二不動態化層と、からなる
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項８】
基板と、
前記基板の上に配置されるゲート電極走査線と、
前記ゲート電極走査線及び前記基板の上に配置されるゲート電極絶縁層と、
前記ゲート電極絶縁層の上に配置されるソースドレイン電極データ線と、
前記ソースドレイン電極データ線及び前記ゲート電極絶縁層の上に配置される第一不動態化層と、
前記第一不動態化層の上に配置される有機層と、
前記有機層及び前記第一不動態化層の上に配置される第二不動態化層と、からなるアレイ基板であって、
前記ゲート電極走査線は、前記基板上に前記ソースドレイン電極データ線と垂直に交差して配列され、
前記有機層における前記ゲート電極走査線と前記ソースドレイン電極データ線との各交差箇所に対応する箇所に通孔が形成され、
前記第二不動態化層における前記通孔に堆積する箇所には開口が形成され、
前記開口のサイズは、１５μｍ×１５μｍであり、
前記有機層は、色レジスト層或いは平坦層である
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項９】
請求項８に記載のアレイ基板において、
前記第一不動態化層と前記第二不動態化層の材料は、無機材料である
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項１０】
請求項８に記載のアレイ基板において、
前記有機層の厚さは、前記第一不動態化層と前記第二不動態化層の厚さより大きい
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項１１】
請求項８に記載のアレイ基板において、
前記基板は、ガラス基板である
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項１２】
請求項８に記載のアレイ基板において、
前記アレイ基板における前記開口に配置される箇所の構造は、前記ゲート電極走査線と、前記ゲート電極絶縁層と、前記ソースドレイン電極データ線と、前記第一不動態化層と、前記第二不動態化層と、からなる
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項１３】
請求項１に記載のアレイ基板の断線を補修するアレイ基板の断線補修方法であって、
前記アレイ基板上の前記ゲート電極走査線或いは前記ソースドレイン電極データ線が断線した際、前記ゲート電極走査線或いは前記ソースドレイン電極データ線上における断線箇所両端に配置された開口箇所に、Ｕ字型長線をレーザー溶接することにより、切断された前記ゲート電極走査線或いは前記ソースドレイン電極データ線の接続を回復させる
ことを特徴とするアレイ基板の断線補修方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のアレイ基板の断線補修方法において、
前記Ｕ字型長線の材料は、ヘキサカルボニルタングステンである
ことを特徴とするアレイ基板の断線補修方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のアレイ基板の断線補修方法において、
前記開口のサイズは、１５μｍ×１５μｍである
ことを特徴とするアレイ基板の断線補修方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイに関し、特にアレイ基板と前記アレイ基板の断線補修方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ技術の発展につれて、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）等の平面ディスプレイは、高画質、省電力、機械の本体の薄さ、及び広い応用範囲等の利点を具え、携帯や、テレビ、ＰＤＡ、デジタルカメラ、ノートパソコン、また、デスクトップパソコン等、各種消費性電子製品に幅広く応用され、ディスプレイにおける主流となっている。
【０００３】
従来の市場での液晶ディスプレイの大部分は、バックライト型液晶ディスプレイであり、それは、液晶表示パネル及びバックライトモジュール（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ｍｏｄｕｌｅ）を備える。液晶表示パネルの作動原理は、両片平行のガラス基板に液晶分子が放置され、両片ガラス基板の中間には垂直と水平の細い電線が複数設けられ、通電させるか否かによって液晶分子の方向の変化を制御し、バックライトモジュールの光線を屈折させ、画面が生じる。
【０００４】
通常液晶表示パネルは、カラーフィルム基板（ＣＦ，Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）と、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ，Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と、カラーフィルム基板及び薄膜トランジスタ基板の間に挟まれる液晶（ＬＣ，Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）と、密封プラスチックフレーム（Ｓｅａｌａｎｔ）によって形成される。その成型技術は一般に、前段アレイ（Ａｒｒａｙ）工程（薄膜、黄光、エッチングと剥膜）と、中断成箱（Ｃｅｌｌ）工程（ＴＦＴ基板とＣＦ基板の張り合わせ）と、後段モジュール組み立て工程（駆動ＩＣと印刷回路板の圧接）とからなる。その内、前段Ａｒｒａｙ工程は、主にＴＦＴ基板を形成することで、液晶分子の運動を制御する。中断Ｃｅｌｌ工程は、主に、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の間に液晶を加える。後段モジュール組み立て工程は、主に、駆動ＩＣと印刷回路板を圧接して統合させ、さらに駆動液晶分子を回転させ、画像を表示させる。
【０００５】
液晶パネル技術の絶え間ない発展につれて、ますます多くの新技術が薄膜トランジスタアレイ基板上に応用されている。例えば平面変換（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ，ＩＰＳ）、辺縁スイッチ技術（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ，ＦＦＳ）、カラーフィルムフィルタマトリックス（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｏｎ  Ａｒｒａｙ，ＣＯＡ）等の技術である。これらの技術は、表示基板の平坦度に対して要求が比較的高く、通常はアレイ基板上に、一層の比較的厚い有機層、例えば色レジスト層や平坦層等が堆積させる必要がある。アレイ基板制作の過程においては、各種要因の影響によって、走査線及びデータ線を含む金属導線が断線する可能性がある。これらのアレイ基板の断線を補修するため、現在は、断線補修機械で有機層及び透明電極層を先ず取り除くことにより、その後、断線箇所に対してレーザー溶接を用いて補修を行うので、断線補修ロス時間は長くなる。有機層を完全に取り除きようがない際、製品の断線補修成功率に影響を及ぼす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、アレイ基板表面に対応するゲート電極走査線及びソースドレイン電極データ線の上方に複数の開口が配置され、前記開口に有機層の通孔箇所が形成されることによって、本発明のアレイ基板は、断線補修を行う際、断線箇所両端の開口箇所にＵ字型長線を直接レーザー溶接することができ、それにより、断線補修効率と補修成功率を上げることができるアレイ基板を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明は、さらに、断線箇所両端の開口箇所にＵ字型長線を直接レーザー溶接することにより、切断されたゲート電極走査線或いはソースドレインデータ線の接続を回復させることができ、レーザーで有機層を取り除く工程を省略することができ、断線補修効率と補修成功率を上げると同時に、有機層を取り除く際、機械の本体のロスを効果的に減少させ、液晶パネル製品の表示品質を上げることができるアレイ基板の断線補修方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を実現させるために、本発明が提供するアレイ基板は、基板と、前記基板上に配置されるゲート電極走査線と、前記ゲート電極走査線及び基板の上に配置されるゲート電極絶縁層と、前記ゲート電極絶縁層の上に配置されるソースドレイン電極データ線と、前記ソースドレイン電極データ線及びゲート電極絶縁層の上に配置される第一不動態化層と、前記第一第一不動態化層の上に配置される有機層と、前記有機層及び第一不動態化層の上に配置される第二不動態化層とからなる。
【０００９】
そのうち、前記ゲート電極走査線は、基板上のソースドレイン電極データ線と垂直に交差して配列され、前記有機層上におけるゲート電極走査線及びソースドレイン電極データ線に対応する各交差箇所に通孔が形成され、前記第二不動態化層における前記通孔に堆積する箇所には開口が形成される。
【００１０】
前記開口のサイズは、１５μｍ×１５μｍである。
【００１１】
前記有機層は、色レジスト層或いは平坦層である。
【００１２】
前記第一不動態化層と第二不動態化層の材料は無機材料である。
【００１３】
前記有機層の厚さは、前記第一不動態化層と第二不動態化層の厚さより大きい。
【００１４】
前記基板はガラス基板である。
【００１５】
前記アレイ基板における開口に配置される箇所の構造は、基板と、ゲート電極走査線と、ゲート電極絶縁層と、ソースドレイン電極データ線と、第一不動態化層と、第二不動態化層とからなる。
【００１６】
本発明は、さらに、アレイ基板を提供し、アレイ基板は、基板と、前記基板の上に配置されるゲート電極走査線と、前記ゲート電極走査線及び基板の上に配置されるゲート電極絶縁層と、前記ゲート電極絶縁層の上に配置されるソースドレイン電極データ線と、前記ソースドレイン電極データ線及びゲート電極絶縁層の上に配置される第一不動態化層と、前記第一第一不動態化層の上に配置される有機層と、前記有機層及び第一不動態化層の上に配置される第二不動態化層とからなる。
【００１７】
そのうち、前記ゲート電極走査線は、基板上のソースドレイン電極データ線と垂直に交差して配列され、前記有機層上におけるゲート電極走査線及びソースドレイン電極データ線に対応する各交差箇所に通孔が形成され、前記第二不動態化層における前記通孔に堆積する箇所には開口が形成される。
【００１８】
そのうち、前記開口のサイズは、１５μｍ×１５μｍである。
【００１９】
そのうち、前記有機層は、色レジスト層或いは平坦層である。
【００２０】
本発明は、さらに、アレイ基板の断線補修方法を提供する。前記断線補修方法は、前記アレイ基板上のゲート電極走査線或いはソースドレイン電極データ線が断線した際、ゲート電極走査線或いはソースドレイン電極データ線上における断線箇所両端に配置された開口箇所に、Ｕ字型長線をレーザー溶接することによって、切断されたゲート電極走査線或いはソースドレイン電極データ線の接続を回復させることができる。
【００２１】
前記Ｕ字型長線の材料は、ヘキサカルボニルタングステンである。
【００２２】
前記開口のサイズは、１５μｍ×１５μｍである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の有益な効果は以下の通りである。本発明が提供するアレイ基板とその断線補修方法は、有機層上におけるゲート電極走査線とソースドレイン電極データ線に対応する各交差箇所に通孔を設けるとともに、前記第二不動態化層における前記通孔に堆積する箇所に開口を形成することにより、本発明のアレイ基板上のゲート電極走査線或いはソースドレイン電極データ線が断線した際、断線箇所両端の開口箇所にＵ字型長線を直接レーザー溶接することができ、それにより、切断されたゲート電極走査線或いはソースドレイン電極データ線の接続を回復させることができ、前記補修方法は、レーザーで有機層を取り除く工程を省略することができるとともに、有機層を取り除く際、機械の本体のレーザーロスを効果的に減少させ、断線補修成功率と補修成功率を上げ、さらに、液晶パネル製品の表示品質を上げることができる。
【００２４】
本発明の特性及び技術内容をさらに理解するために、以下、本発明に関する詳細な説明と図を参照する。然しながら、図は、参考と説明に用いるのに提供するに過ぎず、本発明に対して制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
本発明の技術案とその他有益な効果を理解するために、以下では図を用いて、本発明の具体的実施方式に対して詳細な説明を行う。
【００２６】
【図１】本発明のアレイ基板の構造を示した概略図である。
【図２】図１が示すアレイ基板上の開口箇所のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１が示すアレイ基板上の開口箇所のＢーＢ線に沿った断面図である。
【図４】Ｕ型長線をレーザー溶接する方法を採用して図１が示すアレイ基板に対してゲート電極走査線の断線補修を行う構造を示した概略図である。
【図５】Ｕ型長線をレーザー溶接する方法を採用して図１が示すアレイ基板に対してソースドレイン電極データ線の断線補修を行う構造を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明が用いる技術手段とその効果をさらに詳述するために、以下では、本発明の好ましい実施例と図を用いて、詳細な説明を行う。
【００２８】
図１から図３を参照する。図１から図３は、本発明のアレイ基板の実施例である。前記アレイ基板は、基板１と、前記基板１の上に配置されるゲート電極走査線２と、前記ゲート電極走査線２及び基板１の上に配置されるゲート電極絶縁層４と、前記ゲート電極絶縁層４の上に配置されるソースドレイン電極データ線５と、前記ソースドレイン電極データ線５及びゲート電極絶縁層４の上に配置される第一不動態化層８と、前記第一不動態化層８の上に配置される有機層９と、前記有機層９及び第一不動態化層８の上に設けられる第二不動態化層１０とからなる。
【００２９】
具体的には、前記有機層９は、色レジスト層或いは平坦層である。前記第一不動態化層８と第二不動態化層１０の材料は、無機材料である。前記有機層９の厚さは、前記第一不動態化層８と第二不動態化層１０の厚さより大きい。前記基板１は、ガラス基板である。
【００３０】
具体的には、前記ゲート電極走査線２は、基板１上のソースドレイン電極データ線５と垂直に交差して配列され、前記有機層９上におけるゲート電極走査線２とソースドレイン電極データ線５に対応する各交差箇所に通孔が形成され、前記第二不動態化層１０における通孔に堆積する箇所には開口１１が形成される。図２と図３を参照する。前記アレイ基板における開口１１に配置される箇所の構造は、基板１と、ゲート電極走査線２と、ゲート電極絶縁層４と、ソースドレイン電極データ線５と、第一不動態化層８と、第二不動態化層１０とからなる。
【００３１】
前記開口１１のサイズは、１５μｍ×１５μｍであるのが好ましい。
【００３２】
本発明が提供するアレイ基板は、第二不動態化層１０上におけるゲート電極走査線２とソースドレイン電極データ線５に対応する交差箇所に開口１１を配置することで、ゲート電極走査線２とソースドレイン電極データ線５の断線修復点として留保することができるとともに、前記開口１１を利用し、Ｕ型長線１５をレーザー溶接する方式によって、断線に対して修復を行うことができる。
【００３３】
図４と図５を参照する。上記アレイ基板構造に基づいた、Ｕ型長線をレーザー溶接することによる本発明のアレイ基板の断線補修の方法は、以下の通りである。
【００３４】
図１と図４を参照する。前記アレイ基板上のゲート電極走査線２は、生産工程不良によって断線を招いた際、ゲート電極走査線２上における断線箇所両端に配置された開口１１箇所に、Ｕ字型長線１５をレーザー溶接することにより、切断されたゲート電極走査線２の接続を回復させることができる。
【００３５】
図１と図５を参照する。前記アレイ基板上のソースドレイン電極データ線５は、生産工程不良によって断線を招いた際、ソースドレイン電極データ線５上における断線箇所両端に配置された開口１１箇所に、Ｕ字型線長１５をレーザー溶接することにより、切断されたソースドレイン電極データ線５の接続を回復させることができる。
【００３６】
上記アレイ基板の断線補修方法において、採用するＵ字型長線１５の材料は、ヘキサカルボニルタングステンであるのが好ましい。
【００３７】
図４と図５が示すアレイ基板の断線補修方法は、前記アレイ基板の開口１１箇所における、前記ゲート電極走査線２或いはソースドレイン電極データ線５の上方に、有機層９を設けないため、レーザーで有機層９の工程を取り除く工程を省くことができるとともに、断線箇所両端の開口１１箇所にＵ字型長線１５を直接レーザー溶接することにより、ゲート電極走査線２或いはソースドレイン電極データ線５に対しての断線補修の完成までにおける、有機層を取り除く際の機械の本体のレーザーロスを減少させ、断線補修効率と成功率を上げ、さらに、液晶パネル製品の表示品質を上げることができる。
【００３８】
上記内容をまとめると、本発明によるアレイ基板とその断線補修方法は、有機層上におけるゲート電極走査線とソースドレイン電極データ線に対応する各交差箇所に通孔が設けられることにより、前記第二不動態化層における前記通孔に堆積する箇所には開口が形成される。それにより、本発明のアレイ基板上のゲート電極走査線、或いはソースドレイン電極データ線が断線した際、断線箇所両端の開口箇所にＵ字型長線を直接レーザー溶接することができ、それにより、切断されたゲート電極走査線或いはソースドレイン電極データ線の接続を回復させることができる。前記補修方法は、レーザーで有機層を取り除く工程を省略することができるとともに、有機層を取り除く際、機械の本体のレーザーロスを効果的に減少させ、断線補修効率と補修成功率を上げ、さらに、液晶パネル製品の表示品質を上げる。
【００３９】
以上の内容に関し、本分野の領域の一般的な技術者は、本発明の技術案と技術構想に基づいてその他各種同様の効果を持つ修正や変更を行うことができ、これらの修正や変更は全て本発明の請求項の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００４０】
１    基板
１０  第二不動態化層
１１  開口
１５  Ｕ字型長線
２    ゲート電極走査線
４    ゲート電極絶縁層
５    ソースドレイン電極データ線
８    第一不動態化層
９    有機層
【図１】
0006518332.tif 000002
【図２】
0006518332.tif 000003
【図３】
0006518332.tif 000004
【図４】
0006518332.tif 000005
【図５】
0006518332.tif 000006