(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品の製造方法であって、
化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、
得られたケイ素酸化物層を、酸素イオンクリーニングにより前処理すること、および
前処理されたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
を含み、
前記含フッ素シラン化合物は、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
【化１】
0006601492.tif 000034
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒ毎において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ２−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である、
製造方法。
【請求項２】
化学気相成長法が、シランまたはジシランを含む反応ガスを用いて行われることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
ケイ素酸化物層の膜厚が、５〜１００ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記ケイ素酸化物層の表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
表面処理層が、物理気相成長法を用いて形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
ＰＦＰＥが、それぞれ独立して、下記式（ａ）〜（ｃ）：
（ａ）−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−
［式（ａ）中、ｂは１以上２００以下の整数である］；
（ｂ）−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
［式（ｂ）中、ａおよびｂは、それぞれ独立して、０以上３０以下の整数であり、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は、１０以上２００以下の整数であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
（ｃ）−（ＯＣ２Ｆ４−Ｒ１５）ｎ”−
［式（ｃ）中、Ｒ１５は、それぞれ独立して、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から選択される基であり、ｎ”は、２以上１００以下の整数である。］
のいずれかであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
ＰＦＰＥにおいて：
ＯＣ４Ｆ８が、ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２であり、
ＯＣ３Ｆ６が、ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２であり、
ＯＣ２Ｆ４が、ＯＣＦ２ＣＦ２である
ことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
表面処理剤が、含フッ素オイル、シリコーンオイル、および触媒から選択される１種またはそれ以上の他の成分をさらに含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
含フッ素オイルが、式（３）：
Ｒｆ１−（ＯＣ４Ｆ８）ａ’−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ’−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ’−（ＯＣＦ２）ｄ’−Ｒｆ２                                ・・・（３）
［式中：
Ｒｆ１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し；
ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１であり、添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
含フッ素オイルが、式（３ａ）または（３ｂ）：
Ｒｆ１−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’−Ｒｆ２    ・・・（３ａ）
Ｒｆ１−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ａ’’−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’−（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｃ’’−（ＯＣＦ２）ｄ’’−Ｒｆ２                                                        ・・・（３ｂ）
［式中：
Ｒｆ１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し；
式（３ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；
式（３ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’は、それぞれ独立して１以上３００以下の整数であり；
添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’またはｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である、請求項８または９に記載の製造方法。
【請求項１１】
基材を準備すること、
基材上に化学気相成長法を用いてケイ素酸化物層を形成すること、
得られたケイ素酸化物層を、酸素イオンクリーニングにより前処理すること、および
前処理されたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて表面処理層を形成すること
を含み、
前記含フッ素シラン化合物は、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
【化２】
0006601492.tif 000035
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒ毎において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ２−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
化学気相成長法が、ケイ素源として、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、トリエトキシシランまたはテトラエトキシシランを用い、酸素源として酸素ガスを用いることにより行われることを特徴とする、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
さらに、ケイ素酸化物層を形成する前に、基材表面を、酸化剤溶液洗浄またはアルコール洗浄により前処理することを特徴とする、請求項１１または１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
基材が、ガラス基材であることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
物品が光学部材である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層が、２．２５ｇ／ｃｍ３〜２．６０ｇ／ｃｍ３の密度を有し、
該ケイ素酸化物層の膜厚が、５〜４０ｎｍであり、
前記表面処理層は、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
【化３】
0006601492.tif 000036
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒ毎において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ２−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物より形成されている、
ことを特徴とする物品。
【請求項１７】
基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が、１〜１０ａｔ％であり、
該ケイ素酸化物層の膜厚が、５〜４０ｎｍであり、
前記表面処理層は、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
【化４】
0006601492.tif 000037
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒ毎において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ２−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物より形成されている、
ことを特徴とする物品。
【請求項１８】
基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成のモル比が、０．６〜１．５であり、
該ケイ素酸化物層の膜厚が、５〜４０ｎｍであり、
前記表面処理層は、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
【化５】
0006601492.tif 000038
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒ毎において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ２−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物より形成されている、
ことを特徴とする物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理層を有する物品、特に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる表面処理層を有する物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ある種の含フッ素化合物は、基材の表面処理に用いると、優れた撥水性、撥油性、防汚性などを提供し得ることが知られている。含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層（以下、「表面処理層」とも言う）は、いわゆる機能性薄膜として、例えばガラス、プラスチック、繊維、建築資材など種々多様な基材に施されている。【０００３】
そのような含フッ素シラン化合物として、パーフルオロポリエーテル基を分子主鎖に有し、Ｓｉ原子に結合した加水分解可能な基を分子末端または末端部に有するパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が知られている。例えば、特許文献１には、Ｓｉ原子に結合した加水分解可能な基を分子末端または末端部に有するパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が記載されている。特許文献１では、基材の最表面に、ＳｉＯ２層を形成し、このＳｉＯ２層上に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を適用して、表面処理層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１１７０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
表面処理層には、所望の機能を基材に対して長期に亘って提供するべく、高い耐久性が求められる。パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層は、上記のような機能を薄膜でも発揮し得ることから、光透過性ないし透明性が求められるメガネやタッチパネルなどの光学部材に好適に利用されており、とりわけこれらの用途において、摩擦耐久性の一層の向上が要求されている。【０００６】
特許文献１に記載のように、表面処理層を形成する際の前処理として、基材の最表面にＳｉＯ２層を形成し、次いで、その上に表面処理剤を適用する方法が知られているが、本発明者らは、上記のＳｉＯ２層が、物理気相成長法（ＰＶＤ法：Physical Vapor Deposition）により形成されている場合、摩擦耐久性および汗耐久性が十分でない場合があることに気付いた。【０００７】
従って、本発明は、より摩擦耐久性および汗耐久性（即ち、酸、アルカリ耐性）に優れた表面処理層を有する物品を製造することができる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討した結果、基材の最外層に形成されるケイ素酸化物層を、真空蒸着等のＰＶＤ法ではなく、化学気相成長法（ＣＶＤ法：Chemical Vapor Deposition）を用いて形成することにより、より摩擦耐久性および汗耐久性に優れた表面処理層を有する物品を提供できることを見出した。【０００９】
本発明の第１の要旨によれば、基材と、
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品の製造方法であって、
化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および
得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
を含む製造方法が提供される。【００１０】
本発明の第２の要旨によれば、上記の製造方法により得られた物品が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＣＶＤ法を利用して、ケイ素酸化物層を形成し、その上に表面処理層を形成することにより、撥水性、撥油性、防汚性を有し、かつ、優れた摩擦耐久性および汗耐久性を有する表面処理層を有して成る物品を製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の製造方法について説明する。
【００１３】
本発明の製造方法により製造される物品は、基材と、該基材上に位置するケイ素酸化物層と、該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層とを有して成る。
【００１４】
まず、基材を準備する。本発明に使用可能な基材は、例えばガラス、サファイアガラス、樹脂（天然または合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよく、板状、フィルム、その他の形態であってよい）、金属（アルミニウム、銅、鉄等の金属単体または合金等の複合体であってよい）、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、任意の適切な材料で構成され得る。好ましくは、基材は、ガラスである。
【００１５】
上記ガラスとしては、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、および化学結合したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。
【００１６】
基材の形状は特に限定されない。また、ケイ素酸化物層および表面処理層を形成すべき基材の表面領域は、基材表面の少なくとも一部であればよく、製造すべき物品の用途および具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。
【００１７】
基材の表面には何らかの層（または膜）、例えばハードコート層や反射防止層などが形成されていてもよい。反射防止層には、単層反射防止層および多層反射防止層のいずれを使用してもよい。反射防止層に使用可能な無機物の例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＭｇＦ２、ＷＯ３などが挙げられる。これらの無機物は、単独で、またはこれらの２種以上を組み合わせて（例えば混合物として）使用してもよい。製造すべき物品が、タッチパネル用の光学ガラス部品である場合、透明電極、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛などを用いた薄膜を、基材（ガラス）の表面の一部に有していてもよい。また、基材は、その具体的仕様等に応じて、絶縁層、粘着層、保護層、装飾枠層（Ｉ−ＣＯＮ）、霧化膜層、ハードコーティング膜層、偏光フィルム、相位差フィルム、および液晶表示モジュールなどを有していてもよい。
【００１８】
一の態様において、基材上にケイ素酸化物層を形成する前に、基材を前処理してもよい。前処理を行うことにより、基材とケイ素酸化物層との密着性が向上し、より高い摩擦耐久性を得ることができる。
【００１９】
前処理としては、特に限定されないが、Ｈ２Ｏ２、Ｈ２ＳＯ４等の酸化剤溶液、またはエタノール等のアルコールでの洗浄が挙げられる。Ｈ２Ｏ２／Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ混合溶液（１〜５：１〜５：１〜２０）またはエタノールでの洗浄が好ましく、Ｈ２Ｏ２／Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ混合溶液での洗浄がより好ましい。
【００２０】
次に、かかる基材の表面に、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）層を形成する。
【００２１】
ケイ素酸化物層は、ＣＶＤ法により形成される。ＣＶＤ法とは、原料となる物質を気体状態で供給し、これを基材表面で反応させて非揮発性膜を形成する方法である。ＣＶＤ法の具体例としては、プラズマＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。好ましくは、プラズマＣＶＤが用いられる。
【００２２】
ＣＶＤ法におけるケイ素源としては、ケイ素化合物が用いられる。ケイ素化合物の例としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６等のシラン化合物、トリエトキシシラン、テトラエトキシシラン等の有機ケイ素化合物などが挙げられる。好ましくは、ＳｉＨ４が用いられる。
【００２３】
ＣＶＤ法における酸素源としては、好ましくは酸素ガスが用いられる。
【００２４】
ＣＶＤ法におけるキャリアガスは、ＣＶＤ法の種類に応じて適宜選択され、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス、または水素ガス等が用いられる。
【００２５】
ＣＶＤ法によるケイ素酸化物層の形成条件は、用いるＣＶＤ法の種類、ケイ素酸化物層の膜厚等に応じて、適宜設定される。例えば、ケイ素酸化物層をプラズマＣＶＤにより形成する場合、下記条件で行うことが好ましい。
ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Fｒｅｑｕｅｎｃｙ）パワー密度：０．５〜２．０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは０．７〜１．５Ｗ／ｃｍ２、例えば１．０Ｗ／ｃｍ２；
基板温度：１００〜４００℃、好ましくは１５０〜３００℃、例えば２００℃；
プロセス圧力：５０〜５００Ｐａ、好ましくは１００〜３００Ｐａ、例えば１５０〜２００Ｐａ；
材料ガス流量比（体積比）：
ＳｉＨ４：Ｎ２Ｏ＝１：１０〜１：１００、好ましくは１：２０〜１：５０、例えば１：２５〜１：３５；
ＳｉＨ４：Ｈ２＝１：５０〜１：５００、好ましくは１：８０〜１：３００、例えば１：１００〜１：２００。
【００２６】
上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層の膜厚は、特に限定されないが、５〜１００ｎｍが好ましく、５〜７０ｎｍがより好ましく、１０〜４０ｎｍがさらに好ましく、１０〜２０ｎｍがさらにより好ましい。ケイ素酸化物層の膜厚を、上記の範囲とすることにより、ケイ素酸化物層上により高い摩擦耐久性を有する表面処理層を形成することができる。尚、本明細書において、ケイ素環化物層の膜厚は、エリプソメーター（Ellipsometer）により測定した値とする。
【００２７】
上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、表面粗さ（Ｒａ：中心線平均粗さ）が、好ましくは０．２ｎｍ以下であり、より好ましくは０．１５ｎｍ以下であり得る。尚、上記Ｒａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：１９８２に規定されている。
【００２８】
上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、好ましくは少なくとも一部、より好ましくはケイ素酸化物層全体の５０％以上、さらに好ましくはケイ素酸化物層全体の８０％以上がアモルファスである。ケイ素酸化物層中のアモルファスは、Ｘ線回折法（ＸＲＤ：X-ray diffraction）より結晶起因の回折ピークの強度を測定することにより確認することができる。
【００２９】
上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、好ましくは２．２５ｇ／ｃｍ３〜２．６０ｇ／ｃｍ３の密度を有し、より好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ３〜２．５０ｇ／ｃｍ３、さらに好ましくは２．３５ｇ／ｃｍ３〜２．４５ｇ／ｃｍ３の密度、例えば２．３８ｇ／ｃｍ３〜２．４２ｇ／ｃｍ３の密度を有する。ケイ素酸化物層の密度は、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ：X-ray Reflectometry）により測定することができる。
【００３０】
上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、膜中水素濃度が、好ましくは１ａｔ％以上、例えば２ａｔ％以上、３ａｔ％以上、４ａｔ％以上または５ａｔ％以上であり、好ましくは１０ａｔ％以下、例えば９ａｔ％以下、８ａｔ％以下、７ａｔ％以下または６ａｔ％以下である。例えば、膜中水素濃度は、１〜１０ａｔ％、２〜１０ａｔ％、３〜１０ａｔ％、４〜１０ａｔ％または５〜１０ａｔ％、あるいは１〜９ａｔ％、１〜８ａｔ％、１〜７ａｔ％または１〜６ａｔ％、あるいは２〜９ａｔ％、３〜８ａｔ％、４〜７ａｔ％、または５〜６ａｔ％であり得る。ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Rutherford Backscattering Spectrometry）により測定することができる。
【００３１】
上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比（ｍｏｌ比）は、１．５以下であり得、好ましくは０．５より大きい。Ｓｉ／Ｏ組成比は、好ましくは０．６〜１．５、より好ましくは０．７〜１．３、例えば０．７〜１．２、０．８〜１．３または０．８〜１．２であり得る。ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Rutherford Backscattering Spectrometry）法により測定することができる。
【００３２】
一の態様において、得られたケイ素酸化物層上に表面処理層を形成する前に、ケイ素酸化物層を前処理してもよい。前処理を行うことにより、ケイ素酸化物層と表面処理層の密着性が向上し、より高い摩擦耐久性を得ることができる。
【００３３】
前処理としては、例えば、イオンクリーニングが挙げられる。イオンクリーニングとしては、特に限定されないが、酸素イオンクリーニングおよびアルゴンイオンクリーニングが好ましく、酸素イオンクリーニングがより好ましい。
【００３４】
イオンクリーニングの条件は、用いるガスの種類により変化し得るが、酸素イオンクリーニングの場合は、以下の条件下で行われる。ただし、イオンクリーニングは、ケイ素酸化物層上の不純物を除去できればよく、下記条件に限定されるものではない。
（酸素イオンクリーニング条件）
・加速電圧：５００〜１５００Ｖ、好ましくは８００〜１２００Ｖ、代表的には１０００Ｖ
・加速電流：１００〜１０００ｍＡ、好ましくは３００〜７００ｍＡ、代表的には５００ｍＡ
・ガス量：１０〜１００ｓｃｃｍ、好ましくは３０〜７０ｓｃｃｍ、代表的には５０ｓｃｃｍ
・圧力：１×１０−３Ｐａ〜１×１０−１Ｐａ、好ましくは１×１０−２Ｐａ〜５×１０−２Ｐａ、代表的には２×１０−２Ｐａ
【００３５】
次に、上記で得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて表面処理層を形成する。
【００３６】
上記含フッ素シラン化合物は、好ましくはパーフルオロポリエーテル基を含有し、例えば、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
【化１】
0006601492.tif 000002
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒ）単位において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ２−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である。
【００３７】
本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素および水素を含む基であって、炭化水素から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つまたはそれ以上の置換基により置換されていてもよい、炭素数１〜２０の炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状または環状のいずれであってもよく、飽和または不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つまたはそれ以上の環構造を含んでいてもよい。尚、かかる炭化水素基は、その末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有していてもよい。
【００３８】
本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子；１個またはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、Ｃ２−６アルキニル基、Ｃ３−１０シクロアルキル基、Ｃ３−１０不飽和シクロアルキル基、５〜１０員のヘテロシクリル基、５〜１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ６−１０アリール基および５〜１０員のヘテロアリール基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。
【００３９】
本明細書において用いられる場合、「２〜１０価の有機基」とは、炭素を含有する２〜１０価の基を意味する。かかる２〜１０価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基からさらに１〜９個の水素原子を脱離させた２〜１０価の基が挙げられる。例えば、２価の有機基としては、特に限定されるものではないが、炭化水素基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。
【００４０】
以下、上記式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物について説明する。
【００４１】
式（Ａ１）および（Ａ２）：
【化２】
0006601492.tif 000003
【００４２】
上記式中、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−であり、パーフルオロポリエーテル基に該当する。ここに、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０または１以上の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数、例えば１〜２００の整数であり、より好ましくは、それぞれ独立して０以上１００以下の整数である。また、好ましくは、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。また、ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−（ＯＣ４Ｆ８）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣ（ＣＦ３）２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ２Ｆ５）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（Ｃ２Ｆ５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ３Ｆ６）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。また、−（ＯＣ２Ｆ４）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−である。
【００４３】
一の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、好ましくは、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）または−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、より好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。
【００４４】
別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−（式中、ａおよびｂは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃおよびｄは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であり、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ａ−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ−（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−である。一の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−（式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であってもよい。
【００４５】
さらに別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ２Ｆ４−Ｒ１５）ｎ”−で表される基である。式中、Ｒ１５は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、および−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４−等が挙げられる。上記ｎ”は、２〜１００の整数、好ましくは２〜５０の整数である。上記式中、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８は、直鎖または分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、ＰＦＰＥは、好ましくは、−（ＯＣ２Ｆ４−ＯＣ３Ｆ６）ｎ”−または−（ＯＣ２Ｆ４−ＯＣ４Ｆ８）ｎ”−である。
【００４６】
上記式中、Ｒｆは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表す。
【００４７】
上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基における「炭素数１〜１６のアルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のアルキル基である。
【００４８】
上記Ｒｆは、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されている炭素数１〜１６のアルキル基であり、より好ましくはＣＦ２Ｈ−Ｃ１−１５フルオロアルキレン基であり、さらに好ましくは炭素数１〜１６のパーフルオロアルキル基である。
【００４９】
該炭素数１〜１６のパーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、具体的には−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３である。
【００５０】
上記式中、Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基を表す。
【００５１】
上記式中、Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
【００５２】
上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ２、−ＮＲ２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは−ＯＲ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。
【００５３】
上記式中、Ｒ１１は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子は、好ましくはヨウ素原子、塩素原子またはフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
【００５４】
上記式中、Ｒ１２は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。
【００５５】
上記式中、ｎは、（−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０である。ただし、式中、すべてのｎが同時に０になることはない。換言すれば、式中、少なくとも１つはＲ２が存在する。
【００５６】
上記式中、Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（即ち、αを付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【００５７】
上記式中、αは１〜９の整数であり、α’は１〜９の整数である。これらαおよびα’は、Ｘ１の価数に応じて変化し得る。式（Ａ１）においては、αおよびα’の和は、Ｘ１の価数と同じである。例えば、Ｘ１が１０価の有機基である場合、αおよびα’の和は１０であり、例えばαが９かつα’が１、αが５かつα’が５、またはαが１かつα’が９となり得る。また、Ｘ１が２価の有機基である場合、αおよびα’は１である。式（Ａ２）においては、αはＸ１の価数から１を引いた値である。
【００５８】
上記Ｘ１は、好ましくは２〜７価であり、より好ましくは２〜４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。
【００５９】
一の態様において、Ｘ１は２〜４価の有機基であり、αは１〜３であり、α’は１である。
【００６０】
別の態様において、Ｘ１は２価の有機基であり、αは１であり、α’は１である。この場合、式（Ａ１）および（Ａ２）は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）で表される。
【化３】
0006601492.tif 000004
【００６１】
上記Ｘ１の例としては、特に限定するものではないが、例えば、下記式：
−（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’−
［式中：
Ｒ３１は、単結合、−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ２）ｓ’−であり、
ｓ’は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、
Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、
Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−ＣＯＮＲ３４−、−Ｏ−ＣＯＮＲ３４−、−ＮＲ３４−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、
Ｒ３３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ１−６アルキル基またはＣ１−６アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基またはＣ１−６アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、
ｍ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜１００の整数、好ましくは１〜２０の整数であり、
ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｌ’は、１〜１０の整数、好ましくは１〜５の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｐ’は、０または１であり、
ｑ’は、０または１であり、
ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］
で表される２価の基が挙げられる。ここに、Ｒ３１およびＸａ（典型的にはＲ３１およびＸａの水素原子）は、フッ素原子、Ｃ１−３アルキル基およびＣ１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【００６２】
好ましくは、上記Ｘ１は、−（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’−Ｒ３２−である。Ｒ３２は、単結合、−（ＣＨ２）ｔ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ２）ｔ’−である。ｔ’は、１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。ここに、Ｒ３２（典型的にはＲ３２の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ１−３アルキル基およびＣ１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【００６３】
好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−Ｒ３１−Ｘｃ−Ｒ３２−、または
−Ｘｄ−Ｒ３２−
［式中、Ｒ３１およびＲ３２は、上記と同意義である。］
であり得る。
【００６４】
より好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｘｃ−、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｘｃ−（ＣＨ２）ｔ’−
−Ｘｄ−、または
−Ｘｄ−（ＣＨ２）ｔ’−
［式中、ｓ’およびｔ’は、上記と同意義である。］
である。
【００６５】
上記式中、Ｘｃは、
−Ｏ−、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ３４−、
−Ｏ−ＣＯＮＲ３４−、
−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−Ｏ−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−Ｏ−（ＣＨ２）u’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ３３）２−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｒ３３）２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−Ｏ−（ＣＨ２）u’−Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−Ｎ（Ｒ３４）−、または
−ＣＯＮＲ３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ３３）２−
［式中、Ｒ３３、Ｒ３４およびｍ’は、上記と同意義であり、
ｕ’は１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］を表す。Ｘｃは、好ましくは−Ｏ−である。
【００６６】
上記式中、Ｘｄは、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ３４−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−Ｎ（Ｒ３４）−、または
−ＣＯＮＲ３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ３３）２−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
を表す。
【００６７】
より好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｘｃ−（ＣＨ２）ｔ’−、または
−Ｘｄ−（ＣＨ２）ｔ’−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
であり得る。
【００６８】
さらにより好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｔ’−、
−（ＣＨ２）ｓ’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−（ＣＨ２）ｔ’−、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｏ−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−（ＣＨ２）ｔ’−、または
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｔ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２ −（ＣＨ２）u’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−（ＣvＨ２v）−
［式中、Ｒ３３、ｍ’、ｓ’、ｔ’およびｕ’は、上記と同意義であり、ｖは１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］
である。
【００６９】
上記式中、−（ＣvＨ２v）−は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−であり得る。
【００７０】
上記Ｘ１基は、フッ素原子、Ｃ１−３アルキル基およびＣ１−３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ１−３パーフルオロアルキル基）から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【００７１】
一の態様において、Ｘ１基は、−Ｏ−Ｃ１−６アルキレン基以外であり得る。
【００７２】
別の態様において、Ｘ１基としては、例えば下記の基が挙げられる：
【化４】
0006601492.tif 000005
【化５】
0006601492.tif 000006
［式中、Ｒ４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ１−６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
Ｄは、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＦ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）4−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、および
【化６】
0006601492.tif 000007
（式中、Ｒ４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１−６のアルキル基またはＣ１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。）
から選択される基であり、
Ｅは、−（ＣＨ２）ｎ−（ｎは２〜６の整数）であり、
Ｄは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合し、Ｅは、ＰＦＰＥと反対の基に結合する。］
【００７３】
上記Ｘ１の具体的な例としては、例えば：
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化７】
0006601492.tif 000008
などが挙げられる。
【００７４】
さらに別の態様において、Ｘ１は、式：−（Ｒ１６）ｘ−（ＣＦＲ１７）ｙ−（ＣＨ２）ｚ−で表される基である。式中、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ独立して、０〜１０の整数であり、ｘ、ｙおよびｚの和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。
【００７５】
上記式中、Ｒ１６は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、−ＮＲ２６−（式中、Ｒ２６は、水素原子または有機基を表す）または２価の有機基である。好ましくは、Ｒ１６は、酸素原子または２価の極性基である。
【００７６】
上記「２価の極性基」としては、特に限定されないが、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（＝ＮＲ２７）−、および−Ｃ（Ｏ）ＮＲ２７−（これらの式中、Ｒ２７は、水素原子または低級アルキル基を表す）が挙げられる。当該「低級アルキル基」は、例えば、炭素数１〜６のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピルであり、これらは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい。
【００７７】
上記式中、Ｒ１７は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。当該「低級フルオロアルキル基」は、例えば、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、さらに好ましくはトリフルオロメチル基である。
【００７８】
この態様において、Ｘ１は、好ましくは、式：−（Ｏ）ｘ−（ＣＦ２）ｙ−（ＣＨ２）ｚ−（式中、ｘ、ｙおよびｚは、上記と同意義であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である）で表される基である。
【００７９】
上記式：−（Ｏ）ｘ−（ＣＦ２）ｙ−（ＣＨ２）ｚ−で表される基としては、例えば、−（Ｏ）ｘ’−（ＣＨ２）ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ２）ｚ’’’−Ｏ−］ｚ””、および−（Ｏ）ｘ’−（ＣＦ２）ｙ”−（ＣＨ２）ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ２）ｚ’’’−Ｏ−］ｚ””（式中、ｘ’は０または１であり、ｙ”、ｚ”およびｚ’’’は、それぞれ独立して、１〜１０の整数であり、ｚ””は、０または１である）で表される基が挙げられる。なお、これらの基は左端がＰＦＰＥ側に結合する。
【００８０】
別の好ましい態様において、Ｘ１は、−Ｏ−ＣＦＲ１３−（ＣＦ２）ｅ−である。
【００８１】
上記Ｒ１３は、それぞれ独立して、フッ素原子または低級フルオロアルキル基を表す。低級フルオロアルキル基は、例えば炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、更に好ましくはトリフルオロメチル基である。
【００８２】
上記ｅは、それぞれ独立して、０または１である。
【００８３】
一の具体例において、Ｒ１３はフッ素原子であり、ｅは１である。
【００８４】
さらに別の態様において、Ｘ１基の例として、下記の基が挙げられる：
【化８】
0006601492.tif 000009
［式中、
Ｒ４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ１−６アルコキシ基好ましくはメチル基であり；
各Ｘ１基において、Ｔのうち任意のいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合する以下の基：
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＦ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）4−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、または
【化９】
0006601492.tif 000010
［式中、Ｒ４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１−６のアルキル基またはＣ１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。］
であり、別のＴのいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥと反対の基（即ち、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）においては炭素原子、また、下記する式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）においてはＳｉ原子）に結合する−（ＣＨ２）ｎ”−（ｎ”は２〜６の整数）であり、存在する場合、残りは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基またはＣ１−６アルコキシ基である。
【００８５】
この態様において、Ｘ１、Ｘ５、Ｘ７およびＸ９は、それぞれ独立して、３〜１０価の有機基であり得る。
【００８６】
上記式中、ｔは、それぞれ独立して、１〜１０の整数である。好ましい態様において、ｔは１〜６の整数である。別の好ましい態様において、ｔは２〜１０の整数であり、好ましくは２〜６の整数である。
【００８７】
上記式中、Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表す。Ｘ２は、好ましくは、炭素数１〜２０のアルキレン基であり、より好ましくは、−（ＣＨ２）ｕ−（式中、ｕは、０〜２の整数である）である。
【００８８】
好ましい式（Ａ１）および（Ａ２）で示される化合物は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）：
【化１０】
0006601492.tif 000011
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり； 
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、０〜２の整数であり、好ましくは０であり；
Ｘ１は、−Ｏ−ＣＦＲ１３−（ＣＦ２）ｅ−であり； 
Ｒ１３は、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり；
ｅは、０または１であり；
Ｘ２は、−（ＣＨ２）ｕ−であり；
ｕは、０〜２の整数であり；
ｔは、１〜１０の整数である。］
で表される化合物である。
【００８９】
上記式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端にヨウ素を導入した後、−ＣＨ２ＣＲ１２（Ｘ２−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）−に対応するビニルモノマーを反応させることにより得ることができる。
【００９０】
式（Ｂ１）および（Ｂ２）：
【化１１】
0006601492.tif 000012
【００９１】
上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ１、Ｒ２およびｎは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
【００９２】
上記式中、Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ５は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲ１ｎＲ２３−ｎ）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ５は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【００９３】
上記式中のβは、１〜９の整数であり、β’は、１〜９の整数である。これらβおよびβ’は、Ｘ３の価数に応じて決定され、式（Ｂ１）において、βおよびβ’の和は、Ｘ５の価数と同じである。例えば、Ｘ５が１０価の有機基である場合、βおよびβ’の和は１０であり、例えばβが９かつβ’が１、βが５かつβ’が５、またはβが１かつβ’が９となり得る。また、Ｘ５が２価の有機基である場合、βおよびβ’は１である。式（Ｂ２）において、βはＸ５の価数の値から１を引いた値である。
【００９４】
上記Ｘ５は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。
【００９５】
一の態様において、Ｘ５は２〜４価の有機基であり、βは１〜３であり、β’は１である。
【００９６】
別の態様において、Ｘ５は２価の有機基であり、βは１であり、β’は１である。この場合、式（Ｂ１）および（Ｂ２）は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）で表される。
【化１２】
0006601492.tif 000013
【００９７】
上記Ｘ５の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
【００９８】
中でも、好ましい具体的なＸ５は、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化１３】
0006601492.tif 000014
などが挙げられる。
【００９９】
好ましい式（Ｂ１）および（Ｂ２）で示される化合物は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）：
0006601492.tif 000015
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
ｎは、０〜２の整数であり、好ましくは０であり；
Ｘ５は、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−または−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−である］
で表される化合物である。
【０１００】
上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、公知の方法、例えば特許文献１に記載の方法またはその改良方法により製造することができる。例えば、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、下記式（Ｂ１−４）または（Ｂ２−４）：
【化１４】
0006601492.tif 000016
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｘ５’は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ８２は、単結合または２価の有機基である。］
で表される化合物を、ＨＳｉＭ３（式中、Ｍは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ１またはＲ２であり、Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基であり、Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である）と反応させて、必要に応じて、上記ハロゲン原子を、Ｒ１またはＲ２に変換して、式（Ｂ１”）または（Ｂ２”）：
【化１５】
0006601492.tif 000017
［式中、ＰＦＰＥ、Ｒｆ、Ｘ５’、β、β’およびＲ８２は、上記と同意義であり；
ｎは、０〜３の整数である。］
で表される化合物として得ることができる。
【０１０１】
式（Ｂ１”）または（Ｂ２”）において、Ｘ５’からＲ８２−ＣＨ２ＣＨ２−までの部分が、式（Ｂ１）または（Ｂ２）におけるＸ５に対応する。
【０１０２】
式（Ｃ１）および（Ｃ２）：
【化１６】
0006601492.tif 000018
【０１０３】
上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
【０１０４】
上記式中、Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ７は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲａｋＲｂｌＲｃｍ基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ７は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【０１０５】
上記式中のγは、１〜９の整数であり、γ’は、１〜９の整数である。これらγおよびγ’は、Ｘ７の価数に応じて決定され、式（Ｃ１）において、γおよびγ’の和は、Ｘ７の価数と同じである。例えば、Ｘ７が１０価の有機基である場合、γおよびγ’の和は１０であり、例えばγが９かつγ’が１、γが５かつγ’が５、またはγが１かつγ’が９となり得る。また、Ｘ７が２価の有機基である場合、γおよびγ’は１である。式（Ｃ１）において、γはＸ７の価数の値から１を引いた値である。
【０１０６】
上記Ｘ７は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。
【０１０７】
一の態様において、Ｘ７は２〜４価の有機基であり、γは１〜３であり、γ’は１である。
【０１０８】
別の態様において、Ｘ７は２価の有機基であり、γは１であり、γ’は１である。この場合、式（Ｃ１）および（Ｃ２）は、下記式（Ｃ１’）および（Ｃ２’）で表される。
【化１７】
0006601492.tif 000019
【０１０９】
上記Ｘ７の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
【０１１０】
中でも、好ましい具体的なＸ５は、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化１８】
0006601492.tif 000020
などが挙げられる。
【０１１１】
上記式中、Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表す。
【０１１２】
式中、Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。
【０１１３】
上記Ｚは、好ましくは、２価の有機基であり、式（Ｃ１）または式（Ｃ２）における分子主鎖の末端のＳｉ原子（Ｒａが結合しているＳｉ原子）とシロキサン結合を形成するものを含まない。
【０１１４】
上記Ｚは、好ましくは、Ｃ１−６アルキレン基、−（ＣＨ２）ｇ−Ｏ−（ＣＨ２）ｈ−（式中、ｇは、１〜６の整数であり、ｈは、１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、およびＣ２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【０１１５】
式中、Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表す。Ｒａ’は、Ｒａと同意義である。
【０１１６】
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個である。即ち、上記Ｒａにおいて、Ｒ７１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒａ中にＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」とは、Ｒａ中において直鎖状に連結される−Ｚ−Ｓｉ−の繰り返し数と等しくなる。
【０１１７】
例えば、下記にＲａ中においてＺ基を介してＳｉ原子が連結された一例を示す。
【化１９】
0006601492.tif 000021
【０１１８】
上記式において、＊は、主鎖のＳｉに結合する部位を意味し、…は、ＺＳｉ以外の所定の基が結合していること、即ち、Ｓｉ原子の３本の結合手がすべて…である場合、ＺＳｉの繰り返しの終了箇所を意味する。また、Ｓｉの右肩の数字は、＊から数えたＺ基を介して直鎖状に連結されたＳｉの出現数を意味する。即ち、Ｓｉ２でＺＳｉ繰り返しが終了している鎖は「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が２個であり、同様に、Ｓｉ３、Ｓｉ４およびＳｉ５でＺＳｉ繰り返しが終了している鎖は、それぞれ、「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が３、４および５個である。なお、上記の式から明らかなように、Ｒａ中には、ＺＳｉ鎖が複数存在するが、これらはすべて同じ長さである必要はなく、それぞれ任意の長さであってもよい。
【０１１９】
好ましい態様において、下記に示すように、「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。
【化２０】
0006601492.tif 000022
【０１２０】
一の態様において、Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。
【０１２１】
式中、Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
【０１２２】
上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ）２、−Ｎ（Ｒ）２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは−ＯＲ（アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。
【０１２３】
好ましくは、Ｒ７２は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。
【０１２４】
式中、Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０１２５】
式中、ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｐ、ｑおよびｒの和は３である。
【０１２６】
好ましい態様において、Ｒａ中の末端のＲａ’（Ｒａ’が存在しない場合、Ｒａ）において、上記ｑは、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。
【０１２７】
上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、少なくとも１つのＲ７２が存在する。
【０１２８】
上記式中、Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
【０１２９】
上記Ｒｂは、好ましくは、水酸基、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ）２、−Ｎ（Ｒ）２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）であり、好ましくは−ＯＲである。Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。より好ましくは、Ｒｃは、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。
【０１３０】
上記式中、Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０１３１】
式中、ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｋ、ｌおよびｍの和は、３である。
【０１３２】
上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端に水酸基を導入した後、末端に不飽和結合を有する基を導入し、この不飽和結合を有する基とハロゲン原子を有するシリル誘導体とを反応させ、さらにこのシリル基に末端に水酸基を導入し、導入した不飽和結合を有する基とシリル誘導体とを反応させることにより得ることができる。例えば、以下のようにして得ることができる。
【０１３３】
好ましい式（Ｃ１）および（Ｃ２）で示される化合物は、下記式（Ｃ１”）および（Ｃ２”）：
【化２１】
0006601492.tif 000023
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり； 
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｘ７は、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−または−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−を表し；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ７１ｐＲ７２ｑＲ７３ｒを表し；
Ｚは、Ｃ１−６アルキレン基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数、好ましくは３であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、一のＲａにおいて、ｐ、ｑおよびｒの和は３である。］
で表される化合物である。
【０１３４】
上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば以下のようにして製造することができる。下記式（Ｃ１−４）または（Ｃ２−４）：
【化２２】
0006601492.tif 000024
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ４Ｆ８）ａ−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ−（ＯＣＦ２）ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｘ７’は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ８２は、単結合または２価の有機基である。］
で表される化合物を、ＨＳｉＲ８３ｋＲｂｌＲｃｍ（式中、Ｒ８３はハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子、好ましくは塩素原子であり、Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し、Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し、ｋは１〜３の整数であり、ｌおよびｍは、それぞれ独立して、０〜２の整数であり、ｋ、ｌおよびｍの和は３である。）で表される化合物と反応させて、式（Ｃ１−５）または（Ｃ２−５）：
【化２３】
0006601492.tif 000025
［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ８２、Ｒ８３、Ｒｂ、Ｒｃ、γ、γ’、Ｘ７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義である。］
で表される化合物を得る。
【０１３５】
得られた式（Ｃ１−５）または（Ｃ２−５）で表される化合物を、Ｈａｌ−Ｊ−Ｒ８４−ＣＨ＝ＣＨ２（式中、Ｈａｌはハロゲン原子（例えば、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ等）を表し、Ｊは、Ｍｇ、Ｃｕ、ＰｄまたはＺｎを表し、Ｒ８４は単結合または２価の有機基を表す。）で表される化合物と反応させて、式（Ｃ１−６）または（Ｃ２−６）：
【化２４】
0006601492.tif 000026
［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ８２、Ｒ８４、Ｒｂ、Ｒｃ、γ、γ’、Ｘ７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義である。］
で表される化合物を得る。
【０１３６】
得られた式（Ｃ１−６）または（Ｃ２−６）で表される化合物を、ＨＳｉＭ３（式中、Ｍは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ７２またはＲ７３であり、Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し、Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。）と反応させて、必要に応じて、上記ハロゲン原子を、Ｒ７２またはＲ７３に変換して、式（Ｃ１’’’）または（Ｃ２’’’）：
【化２５】
0006601492.tif 000027
［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ８２、Ｒ８４、Ｒｂ、Ｒｃ、γ、γ’、Ｘ７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数である。］
で表される化合物を得ることができる。
【０１３７】
式（Ｃ１’’’）または（Ｃ２’’’）において、Ｘ７’からＲ８２−ＣＨ２ＣＨ２−までの部分が、式（Ｃ１）または（Ｃ２）におけるＸ７に対応し、−Ｒ８４−ＣＨ２ＣＨ２−が式（Ｃ１）または（Ｃ２）におけるＺに対応する。
【０１３８】
式（Ｄ１）および（Ｄ２）：
【化２６】
0006601492.tif 000028
【０１３９】
上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
【０１４０】
上記式中、Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ９は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供する部（即ち、δを付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ９は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【０１４１】
上記式中、δは１〜９の整数であり、δ’は１〜９の整数である。これらδおよびδ’は、Ｘ９の価数に応じて変化し得る。式（Ｄ１）においては、δおよびδ’の和は、Ｘ９の価数と同じである。例えば、Ｘが１０価の有機基である場合、δおよびδ’の和は１０であり、例えばδが９かつδ’が１、δが５かつδ’が５、またはδが１かつδ’が９となり得る。また、Ｘ９が２価の有機基である場合、δおよびδ’は１である。式（Ｄ２）においては、δはＸ９の価数から１を引いた値である。
【０１４２】
上記Ｘ９は、好ましくは２〜７価であり、より好ましくは２〜４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。
【０１４３】
一の態様において、Ｘ９は２〜４価の有機基であり、δは１〜３であり、δ’は１である。
【０１４４】
別の態様において、Ｘ９は２価の有機基であり、δは１であり、δ’は１である。この場合、式（Ｄ１）および（Ｄ２）は、下記式（Ｄ１’）および（Ｄ２’）で表される。
【化２７】
0006601492.tif 000029
【０１４５】
上記Ｘ９の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
【０１４６】
中でも、好ましい具体的なＸ９は、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化２８】
0006601492.tif 000030
などが挙げられる。
【０１４７】
上記式中、Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ２−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表す。
【０１４８】
式中、Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。
【０１４９】
上記Ｚ２は、好ましくは、Ｃ１−６アルキレン基、−（ＣＨ２）ｇ−Ｏ−（ＣＨ２）ｈ−（式中、ｇは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、およびＣ２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【０１５０】
式中、Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表す。Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義である。
【０１５１】
Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個である。即ち、上記Ｒｄにおいて、Ｒ８１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒｄ中にＺ２基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒｄ中のＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」とは、Ｒｄ中において直鎖状に連結される−Ｚ２−Ｃ−の繰り返し数と等しくなる。これは、式（Ｃ１）および（Ｃ２）におけるＲａに関する記載と同様である。
【０１５２】
好ましい態様において、「Ｒｄ中のＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。
【０１５３】
一の態様において、Ｒｄ中のＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。
【０１５４】
式中、Ｒ８２は、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−２ｎを表す。
【０１５５】
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表す。
【０１５６】
好ましい態様において、Ｙは、Ｃ１−６アルキレン基、−（ＣＨ２）ｇ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｈ’−（式中、ｇ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）、または−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ’−（式中、ｉ’は、０〜６の整数である）である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、およびＣ２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【０１５７】
一の態様において、Ｙは、Ｃ１−６アルキレン基、−Ｏ−（ＣＨ２）ｈ’−または−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ’−であり得る。Ｙが上記の基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。
【０１５８】
上記Ｒ５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
【０１５９】
上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ）２、−Ｎ（Ｒ）２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは−ＯＲ（アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。
【０１６０】
好ましくは、Ｒ８５は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１−３アルキル基、より好ましくはエチル基またはメチル基、特にメチル基を表す）である。
【０１６１】
上記Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０１６２】
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し、好ましくは１〜３の整数、より好ましくは２または３、さらにより好ましくは３である。
【０１６３】
上記Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０１６４】
式中、ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３である。
【０１６５】
好ましい態様において、Ｒｄ中の末端のＲｄ’（Ｒｄ’が存在しない場合、Ｒｄ）において、上記ｑ２は、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。
【０１６６】
好ましい態様において、Ｒｄの末端部の少なくとも１つは、−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｑ２Ｒ８６ｒ２）２または−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｑ２Ｒ８６ｒ２）３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｑ２Ｒ８６ｒ２）３であり得る。式中、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｑ２Ｒ８６ｒ２）の単位は、好ましくは（−Ｙ−ＳｉＲ８５３）である。さらに好ましい態様において、Ｒｄの末端部は、すべて−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｑ２Ｒ８６ｒ２）３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５３）３であり得る。
【０１６７】
上記式中、Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表す。ここに、Ｙ、Ｒ８５、Ｒ８６およびｎ２は、上記Ｒ８２における記載と同意義である。
【０１６８】
上記式中、Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０１６９】
式中、ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３である。
【０１７０】
一の態様において、少なくとも１つのｋ２は２または３であり、好ましくは３である。
【０１７１】
一の態様において、ｋ２は２または３であり、好ましくは３である。
【０１７２】
一の態様において、ｌ２は２または３であり、好ましくは３である。
【０１７３】
上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、少なくとも１つのｑ２は１〜３の整数であるか、あるいは、少なくとも１つのｌは１〜３の整数３である。即ち、少なくとも１つの−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２基が存在する。好ましくは、少なくとも１つのｑ２は２または３であるか、あるいは、少なくとも１つのｌは２または３である。即ち、式中、少なくとも２つの−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２基が存在する。
【０１７４】
また、上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、少なくとも１つのｎ２が１〜３の整数である。即ち、少なくとも１つのＲ８５が存在する。
【０１７５】
式（Ｄ１）または式（Ｄ２）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物は、公知の方法を組み合わせることにより製造することができる。例えば、Ｘが２価である式（Ｄ１’）で表される化合物は、限定するものではないが、以下のようにして製造することができる。
【０１７６】
ＨＯ−Ｘ−Ｃ（ＹＯＨ）３（式中、ＸおよびＹは、それぞれ独立して、２価の有機基である。）で表される多価アルコールに、二重結合を含有する基（好ましくはアリル）、およびハロゲン（好ましくはブロモ）を導入して、Ｈａｌ−Ｘ−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ２）３（式中、Ｈａｌはハロゲン、例えばＢｒであり、Ｒは二価の有機基、例えばアルキレン基である。）で表される二重結合含有ハロゲン化物を得る。次いで、末端のハロゲンと、ＲＰＦＰＥ−ＯＨ（式中、ＲＰＦＰＥは、パーフルオロポリエーテル基含有基である。）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有アルコールとを反応させて、ＲＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ２）３を得る。次いで、末端の−ＣＨ＝ＣＨ２と、ＨＳｉＣｌ３およびアルコールまたはＨＳｉＲ８５３と反応させて、ＲＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＲ８５３）３を得ることができる。
【０１７７】
本発明で用いられる表面処理剤に含まれるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の数平均分子量は、好ましくは５，０００以上、より好ましくは６，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１０，０００以下である。
【０１７８】
本発明で用いられる表面処理剤に含まれるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物におけるＰＦＰＥ部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、好ましくは４，０００〜３０，０００、より好ましくは５，０００〜１０，０００であり得る。
【０１７９】
本発明において、「数平均分子量」は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）分析により測定される。
【０１８０】
本発明で用いられる表面処理剤は、溶媒で希釈されていてもよい。このような溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば、パーフルオロヘキサン、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨＣｌ２、ＣＦ３ＣＨ２ＣＦ２ＣＨ３、ＣＦ３ＣＨＦＣＨＦＣ２Ｆ５、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロオクタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（（ゼオローラＨ（商品名）等）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦ２、Ｃ６Ｆ１３ＣＨ＝ＣＨ２、キシレンヘキサフルオリド、パーフルオロベンゼン、メチルペンタデカフルオロヘプチルケトン、トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、メチルトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロ酢酸およびＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ（ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ３［式中、ｍおよびｎは、それぞれ独立して０以上１０００以下の整数であり、ｍまたはｎを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、但しｍおよびｎの和は１以上である。］、１，1−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，２−トリクロロ―３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンからなる群から選択される溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。
【０１８１】
本発明で用いられる表面処理剤は、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物に加え、他の成分を含んでいてもよい。かかる他の成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロポリエーテル化合物（以下、「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、触媒などが挙げられる。
【０１８２】
上記含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（３）で表される化合物（パーフルオロポリエーテル化合物）が挙げられる。
Ｒｆ１−（ＯＣ４Ｆ８）ａ’−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ’−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ’−（ＯＣＦ２）ｄ’−Ｒｆ２                                            ・・・（３）
式中、Ｒｆ１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１−１６のアルキル基（好ましくは、Ｃ１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１−１６のアルキル基（好ましくは、Ｃ１−１６のパーフルオロアルキル基）、フッ素原子または水素原子を表し、Ｒｆ１およびＲｆ２は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ１−３のパーフルオロアルキル基である。
ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１〜３００、より好ましくは２０〜３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−（ＯＣ４Ｆ８）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣ（ＣＦ３）２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ２Ｆ５）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（Ｃ２Ｆ５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ３Ｆ６）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよく、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ２Ｆ４）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−である。
【０１８３】
上記一般式（３）で表されるパーフルオロポリエーテル化合物の例として、以下の一般式（３ａ）および（３ｂ）のいずれかで示される化合物（１種または２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
Ｒｆ１−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’−Ｒｆ２              ・・・（３ａ）
Ｒｆ１−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ａ’’−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’−（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｃ’’−（ＯＣＦ２）ｄ’’−Ｒｆ２            ・・・（３ｂ）
これら式中、Ｒｆ１およびＲｆ２は上記の通りであり；式（３ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；式（３ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して０以上３０以下、例えば１以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’、ｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。
【０１８４】
上記含フッ素オイルは、１，０００〜３０，０００の平均分子量を有していてよい。これにより、高い表面滑り性を得ることができる。
【０１８５】
本発明で用いられる表面処理剤中、含フッ素オイルは、上記パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計１００質量部（それぞれ、２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０〜５００質量部、好ましくは０〜４００質量部、より好ましくは５〜３００質量部で含まれ得る。
【０１８６】
一般式（３ａ）で示される化合物および一般式（３ｂ）で示される化合物は、それぞれ単独で用いても、組み合わせて用いてもよい。一般式（３ａ）で示される化合物よりも、一般式（３ｂ）で示される化合物を用いるほうが、より高い表面滑り性が得られるので好ましい。これらを組み合わせて用いる場合、一般式（３ａ）で表される化合物と、一般式（３ｂ）で表される化合物との質量比は、１：１〜１：３０が好ましく、１：１〜１：１０がより好ましい。かかる質量比によれば、表面滑り性と摩擦耐久性のバランスに優れた表面処理層を得ることができる。
【０１８７】
一の態様において、含フッ素オイルは、一般式（３ｂ）で表される１種またはそれ以上の化合物を含む。かかる態様において、表面処理剤中のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計と、式（３ｂ）で表される化合物との質量比は、１０：１〜１：１０が好ましく、４：１〜１：４がより好ましい。
【０１８８】
一の態様において、式（３ａ）で表される化合物の平均分子量は、２，０００〜８，０００であることが好ましい。
【０１８９】
一の態様において、式（３ｂ）で表される化合物の平均分子量は、８，０００〜３０，０００であることが好ましい。
【０１９０】
別の態様において、式（３ｂ）で表される化合物の平均分子量は、３，０００〜８，０００であることが好ましい。
【０１９１】
好ましい態様において、真空蒸着法により表面処理層を形成する場合には、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の平均分子量よりも、含フッ素オイルの平均分子量を大きくしてもよい。このような平均分子量とすることにより、より優れた摩擦耐久性と表面滑り性を得ることができる。
【０１９２】
また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ３−Ｆ（式中、Ｒｆ３はＣ５−１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。Ｒｆ３−Ｆで表される化合物およびクロロトリフルオロエチレンオリゴマーは、末端がＣ１−１６パーフルオロアルキル基である上記分子末端に炭素−炭素不飽和結合を有する含フッ素化合物で表される化合物と高い親和性が得られる点で好ましい。
【０１９３】
含フッ素オイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。
【０１９４】
上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状または環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイルおよび変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。
【０１９５】
本発明で用いられる表面処理剤中、かかるシリコーンオイルは、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０〜３００質量部、好ましくは０〜２００質量部で含まれ得る。
【０１９６】
シリコーンオイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。
【０１９７】
上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。
【０１９８】
触媒は、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の加水分解および脱水縮合を促進し、表面処理層の形成を促進する。
【０１９９】
表面処理層を形成する方法としては、例えば、ケイ素酸化物層の表面に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤の膜を形成し、この膜を必要に応じて後処理し、これにより表面処理層を形成する方法が挙げられる。
【０２００】
上記表面処理剤の膜形成は、表面処理剤をケイ素酸化物層の表面に対して、該表面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。
【０２０１】
湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。
【０２０２】
乾燥被覆法の例としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法および類似の方法が挙げられる。ＰＶＤ法とは、固体原料を真空中で加熱（真空蒸着）したり、高速の電子やイオンで照射したりして、物理的エネルギーを固体表面の原子に与えて気化させ、それを基材上にて再結合させて薄膜を形成する方法である。ＰＶＤ法としては、特に限定されないが、例えば、蒸着法（通常、真空蒸着法）およびスパッタリング等が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。中でも、ＰＶＤ法が好ましく、特に蒸着法、例えば抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好ましく、電子ビーム蒸着がより好ましい。ＰＶＤ法を用いることにより、より高い摩擦耐久性を有する表面処理層を得ることができる。
【０２０３】
更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。
【０２０４】
湿潤被覆法を使用する場合、本発明で用いられる表面処理剤は、溶媒で希釈されてから基材表面に適用され得る。本発明で用いられる表面処理剤の安定性および溶媒の揮発性の観点から、次の溶媒が好ましく使用される：Ｃ５−１２のパーフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロメチルシクロヘキサンおよびパーフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサン）；ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；ポリフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、Ｃ６Ｆ１３ＣＨ２ＣＨ３（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＣ−６０００）、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオローラ（登録商標）Ｈ）；ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）（例えば、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタン（ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ））；ハイドロクロロフルオロカーボン（例えば、ＨＣＦＣ−２２５（アサヒクリン（登録商標）ＡＫ２２５））；ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）（例えば、パーフルオロプロピルメチルエーテル（Ｃ３Ｆ７ＯＣＨ３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７０００）、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７１００）、パーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７２００）、パーフルオロヘキシルメチルエーテル（Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７３００）などのアルキルパーフルオロアルキルエーテル（パーフルオロアルキル基およびアルキル基は直鎖または分枝状であってよい）、あるいはＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦ２（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＥ−３０００））、１，２−ジクロロ−１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（例えば、三井・デュポンフロロケミカル社製のバートレル（登録商標）サイオン）など。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上を組み合わせて混合物として用いることができる。さらに、例えば、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の溶解性を調整する等のために、別の溶媒と混合することもできる。
【０２０５】
乾燥被覆法を使用する場合、本発明で用いられる表面処理剤は、そのまま乾燥被覆法に付してもよく、または、上記した溶媒で希釈してから乾燥被覆法に付してもよい。
【０２０６】
乾燥被覆法において用いる表面処理剤が溶媒を含む場合、前もって表面処理剤中の溶媒を除去してもよい。溶媒を除去することにより、より高い摩擦耐久性を有する表面処理層を得ることができる。
【０２０７】
溶媒を除去する方法は、例えば、減圧留去が挙げられる。
【０２０８】
減圧留去時の温度は、好ましくは０〜２００℃であり、より好ましくは１０〜８０℃である。また、減圧留去時の圧力は、好ましくは１×１０−４Ｐａ〜１×１０３Ｐａであり、より好ましくは１×１０−２Ｐａ〜１×１０２Ｐａである。
【０２０９】
例えば、溶媒を含む表面処理剤を用いてＰＶＤ処理を行う場合、先に別の装置等で溶媒を減圧留去し、その残渣であるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（および存在する場合、含フッ素オイル、シリコーンオイル等の他の成分）をＰＶＤ装置内に供給し、真空蒸着を行うことができる。
【０２１０】
膜形成は、膜中で表面処理剤が、加水分解および脱水縮合のための触媒と共に存在するように実施することが好ましい。簡便には、湿潤被覆法による場合、表面処理剤を溶媒で希釈した後、基材表面に適用する直前に、表面処理剤の希釈液に触媒を添加してよい。乾燥被覆法による場合には、触媒添加した表面処理剤をそのまま蒸着（通常、真空蒸着）処理するか、あるいは鉄や銅などの金属多孔体に、触媒添加した表面処理剤を含浸させたペレット状物質を用いて蒸着（通常、真空蒸着）処理をしてもよい。
【０２１１】
触媒には、任意の適切な酸または塩基を使用できる。酸触媒としては、例えば、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸などを使用できる。また、塩基触媒としては、例えばアンモニア、有機アミン類などを使用できる。
【０２１２】
次に、必要に応じて、膜を後処理する。この後処理は、特に限定されないが、例えば、水分供給および乾燥加熱を逐次的に実施するものであってよく、より詳細には、以下のようにして実施してよい。
【０２１３】
上記のようにしてケイ素酸化物の表面に表面処理剤の膜を形成した後、この膜（以下、「前駆体膜」とも言う）に水分を供給する。水分の供給方法は、特に限定されず、例えば、前駆体膜（および基材）と周囲雰囲気との温度差による結露や、水蒸気（スチーム）の吹付けなどの方法を使用してよい。
【０２１４】
前駆体膜に水分が供給されると、表面処理剤中のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物のＳｉに結合した加水分解可能な基に水が作用し、当該化合物を速やかに加水分解させることができると考えられる。
【０２１５】
水分の供給は、例えば０〜２５０℃、好ましくは６０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上とし、好ましくは１８０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下の雰囲気下にて実施し得る。このような温度範囲において水分を供給することにより、加水分解を進行させることが可能である。このときの圧力は特に限定されないが、簡便には常圧とし得る。
【０２１６】
次に、該前駆体膜を該基材の表面で、６０℃を超える乾燥雰囲気下にて加熱する。乾燥加熱方法は、特に限定されず、前駆体膜を基材と共に、６０℃を超え、好ましくは１００℃を超える温度であって、例えば２５０℃以下、好ましくは１８０℃以下の温度で、かつ不飽和水蒸気圧の雰囲気下に配置すればよい。このときの圧力は特に限定されないが、簡便には常圧とし得る。
【０２１７】
このような雰囲気下では、本発明のＰＦＰＥ含有シラン化合物間では、加水分解後のＳｉに結合した基同士が速やかに脱水縮合する。また、かかる化合物と基材との間では、当該化合物の加水分解後のＳｉに結合した基と、基材表面に存在する反応性基との間で速やかに反応し、基材表面に存在する反応性基が水酸基である場合には脱水縮合する。その結果、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物と基材との間で結合が形成される。
【０２１８】
上記の水分供給および乾燥加熱は、過熱水蒸気を用いることにより連続的に実施してもよい。
【０２１９】
過熱水蒸気は、飽和水蒸気を沸点より高い温度に加熱して得られるガスであって、常圧下では、１００℃を超え、一般的には５００℃以下、例えば３００℃以下の温度で、かつ、沸点を超える温度への加熱により不飽和水蒸気圧となったガスである。本発明では、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の分解を抑制する観点から、好ましくは、２５０℃以下、好ましくは１８０℃以下の過熱水蒸気が水分供給および乾燥加熱に用いられる。前駆体膜を形成した基材を過熱水蒸気に曝すと、まず、過熱水蒸気と、比較的低温の前駆体膜との間の温度差により、前駆体膜表面にて結露が生じ、これによって前駆体膜に水分が供給される。やがて、過熱水蒸気と前駆体膜との間の温度差が小さくなるにつれて、前駆体膜表面の水分は過熱水蒸気による乾燥雰囲気中で気化し、前駆体膜表面の水分量が次第に低下する。前駆体膜表面の水分量が低下している間、即ち、前駆体膜が乾燥雰囲気下にある間、基材の表面の前駆体膜は過熱水蒸気と接触することによって、この過熱水蒸気の温度（常圧下では１００℃を超える温度）に加熱されることとなる。従って、過熱水蒸気を用いれば、前駆体膜を形成した基材を過熱水蒸気に曝すだけで、水分供給と乾燥加熱とを連続的に実施することができる。
【０２２０】
以上のようにして後処理が実施され得る。かかる後処理は、摩擦耐久性を一層向上させるために実施され得るが、本発明の物品を製造するのに必須でないことに留意されたい。例えば、表面処理剤を基材表面に適用した後、そのまま静置しておくだけでもよい。
【０２２１】
上記のようにして、基材の表面に、本発明の表面処理剤の膜に由来する表面処理層が形成され、本発明の物品が製造される。これにより得られる表面処理層は、高い摩擦耐久性を有する。また、この表面処理層は、高い摩擦耐久性に加えて、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）などを有し得、機能性薄膜として好適に利用され得る。
【０２２２】
本発明によって得られる物品は、特に限定されるものではないが、光学部材であり得る。光学部材としては、例えば、下記の光学部材が挙げられる：例えば、陰極線管（ＣＲＴ：例、ＴＶ、パソコンモニター）、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、無機薄膜ＥＬドットマトリクスディスプレイ、背面投写型ディスプレイ、蛍光表示管（ＶＦＤ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などのディスプレイまたはそれらのディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、あるいはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの；眼鏡などのレンズ；携帯電話、携帯情報端末などの機器のタッチパネルシート；ブルーレイ（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標））ディスク、ＤＶＤディスク、ＣＤ−Ｒ、ＭＯなどの光ディスクのディスク面；光ファイバー；時計の表示面など。
【０２２３】
本発明によって得られる物品は、さらに窯業製品、塗面、布製品、皮革製品、医療品およびプラスターなどを挙げることができる
【０２２４】
また、本発明によって得られる物品は、医療機器または医療材料であってもよい。
【０２２５】
表面処理層の厚さは、特に限定されない。光学部材の場合、表面処理層の厚さは、１〜５０ｎｍ、好ましくは１〜３０ｎｍ、より好ましくは１〜１５ｎｍの範囲であることが、光学性能、表面滑り性、摩擦耐久性および防汚性の点から好ましい。
【０２２６】
上記した本発明の物品は、高い摩擦耐久性および高い酸アルカリ耐性を有し、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）を有し得る。
【０２２７】
本発明の物品は、その上に表面処理層が形成されるケイ素酸化物層が、化学気相成長法により形成されていることを特徴とし、この特徴により優れた表面滑り性および酸アルカリ耐性を有する。ケイ素酸化物層をＣＶＤ法により形成することにより、特定のＲａを有するケイ素酸化物層、アモルファス構造を有するケイ素酸化物層、特定の密度を有するケイ素酸化物層、または特定の膜中水素濃度を有するケイ素酸化物層を形成することができる。
【０２２８】
従って、一の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の表面粗さ（Ｒａ：中心線平均粗さ）が０．２ｎｍ以下であることを特徴とする物品を提供する。
【０２２９】
好ましい態様において、Ｒａは０．１５ｎｍ以下であり得る。
【０２３０】
別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の少なくとも一部が、アモルファスであることを特徴とする物品を提供する。
【０２３１】
好ましい態様において、ケイ素酸化物層は、ケイ素酸化物層全体の５０％以上、さらに好ましくはケイ素酸化物層全体の８０％以上がアモルファスであり得る。
【０２３２】
別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層が２．２５ｇ／ｃｍ３〜２．６０ｇ／ｃｍ３の密度を有することを特徴とする物品を提供する。
【０２３３】
好ましい態様において、ケイ素酸化物層の密度は、２．３０ｇ／ｃｍ３〜２．５０ｇ／ｃｍ３であり、好ましくは２．３５ｇ／ｃｍ３〜２．４５ｇ／ｃｍ３の密度、例えば２．３８ｇ／ｃｍ３〜２．４２ｇ／ｃｍ３であり得る。
【０２３４】
別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が１〜１０ａｔ％であることを特徴とする物品を提供する。
【０２３５】
好ましい態様において、ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、２ａｔ％以上、３ａｔ％以上、４ａｔ％以上または５ａｔ％以上であり、９ａｔ％以下、８ａｔ％以下、７ａｔ％以下または６ａｔ％以下であり得る。例えば、ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、１〜１０ａｔ％、２〜１０ａｔ％、３〜１０ａｔ％、４〜１０ａｔ％または５〜１０ａｔ％、あるいは１〜９ａｔ％、１〜８ａｔ％、１〜７ａｔ％または１〜６ａｔ％、あるいは２〜９ａｔ％、３〜８ａｔ％、４〜７ａｔ％、または５〜６ａｔ％であり得る。
【０２３６】
別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比（ｍｏｌ比）が、０．６〜１．５であることを特徴とする物品を提供する。
【０２３７】
好ましい態様において、ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比は、１．５以下であり得、好ましくは０．５より大きい。Ｓｉ／Ｏ組成比は、好ましくは０．６〜１．５、より好ましくは０．７〜１．３、例えば０．７〜１．２、０．８〜１．３または０．８〜１．２であり得る。
【実施例】
【０２３８】
本発明の物品について、以下の実施例を通じてより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【０２３９】
実施例１
・ケイ素酸化物層の形成
基材として、化学強化ガラス（コーニング社製、「ゴリラ」ガラス、厚さ０．７ｍｍ）を準備した。基材の表面を、Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）の混合溶液で洗浄し、ケイ素源としてＳｉＨ４ガスを、酸素源としてＮ２Ｏガスを用いて、東京エレクトロン製ＴｒｉａｓＣＶＤ装置にて、プラズマＣＶＤを行い、基材表面にケイ素酸化物（ＳｉＯ）層を形成した。【０２４０】
（プラズマＣＶＤ成膜条件）
ＲＦパワー密度：１．０Ｗ／ｃｍ２
基板温度：２００℃
プロセス圧力：１５０Ｐａ
材料ガス流量比（体積比）：ＳｉＨ４：Ｎ２Ｏ：Ｈ２＝１：３０：１００
成膜速度：０．７ｎｍ／秒
処理時間：１００秒【０２４１】
得られたケイ素酸化物層の膜厚を、エリプソメーター（Ellipsometer；ＨＯＲＩＢＡ Ｊｏｂｉｎ Ｙｖｏｎ社製）により測定した。ケイ素酸化物層の膜厚は、７０ｎｍであった。【０２４２】
・表面処理材の調製
下記式（平均組成）で示される含フッ素化合物を、濃度２０ｗｔ％になるようにハイドロフルオロエーテル（スリーエム社製、ノベックＨＦＥ７２００）に溶解させて表面処理剤を調製した。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３
（ｍ＝２１、Ｍｎ＝３９８０）
＊ｍの値は１９Ｆ−ＮＭＲから測定された値であり、ＭｎはＧＰＣから測定された値である。【０２４３】
・表面処理層の形成
上記で得られたケイ素酸化物層を、加速電圧１０００Ｖ、加速電流５００ｍＡ、圧力２×１０−２ＰａでＯ２イオンクリーニングに付した。次いで、上記で調製した表面処理剤を、ケイ素酸化物層上に真空蒸着した。真空蒸着の処理条件は、圧力３．０×１０−３Ｐａとし、化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤２ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．４ｍｇ含有）を蒸着させた。その後、蒸着膜付き化学強化ガラスを、温度２０℃および湿度６５％の雰囲気下で２４時間静置し、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。【０２４４】
実施例２
プラズマ膜条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、３０ｎｍであった。【０２４５】
（プラズマＣＶＤ成膜条件）
ＲＦパワー密度：１．０Ｗ／ｃｍ２
基板温度：２００℃
プロセス圧力：１５０Ｐａ
材料ガス流量比（体積比）：ＳｉＨ４：Ｎ２Ｏ：Ｈ２＝１：３０：１８０
成膜速度：０．５ｎｍ／秒
処理時間：６０秒【０２４６】
実施例３
ＣＶＤの処理時間を、３０秒に変更した以外は、実施例２と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。【０２４７】
比較例１
ケイ素酸化物層を、ＣＶＤ法で形成する変わりに、ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）により行ったこと以外は、実施例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、７０ｎｍであった。
（ＥＢ蒸着条件）
・圧力：２×１０−２Ｐａ
・基板温度：室温（約２５℃）
・原料：ＳｉＯ２結晶
・蒸着処理時間：２３０秒【０２４８】
比較例２
ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）の蒸着処理時間を８０秒に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、３０ｎｍであった。【０２４９】
比較例３
ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）の蒸着処理時間を５０秒に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。【０２５０】
上記で得られた基材の特徴を、下記表に示す。
【表１】
0006601492.tif 000031
【０２５１】
（評価）
・摩擦耐久性評価
上記の実施例１〜３および比較例１〜３の表面処理層について、水の静的接触角を測定した。水の静的接触角は、接触角測定装置（協和界面科学社製）を用いて、水１μＬにて実施した。【０２５２】
まず、初期評価として、表面処理層形成後、その表面に未だ何も触れていない状態で、水の静的接触角を測定した（摩擦回数  ゼロ回）。【０２５３】
その後、摩擦耐久性評価として、スチールウール摩擦耐久性評価を実施した。具体的には、表面処理層を形成した基材を水平配置し、スチールウール（番手♯００００、寸法５ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍ）を表面処理層の露出上面に接触させ、その上に１，０００ｇｆの荷重を付与し、その後、荷重を加えた状態でスチールウールを往復させた（距離：１２０ｍｍ（往復）、速度：６０ｒｐｍ）。一定の往復回数毎に水の静的接触角（度）を測定した。接触角の測定値が１００度未満となった時点で評価を中止した。結果を下記表に示す。【０２５４】
【表２】
0006601492.tif 000032
【０２５５】
実施例４
化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤０．２５ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．０５ｍｇ含有）を蒸着させたこと以外は、実施例３と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。【０２５６】
比較例４
化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤０．２５ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．０５ｍｇ含有）を蒸着させたこと以外は、比較例３と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。【０２５７】
・耐汗試験（酸、アルカリ耐久試験）
上記の実施例４および比較例４の表面処理層について、人工汗耐久性を評価した。【０２５８】
具体的には、実施例４および比較例４で得られた物品の表面に、下記の組成を有するｐＨ８．７およびｐＨ４．５の人工汗約５０μＬを静置させ、６０℃・９０ＲＨ％の加温加湿条件下で、所定の時間放置した。その後、表面の人工汗をふき取り、更に表面を蒸留水、エタノールで洗浄し、その後、水の静的接触角（度）を測定した。結果を下記表に示す。【０２５９】
・ｐＨ８．７の人工汗の組成
ＮａＣｌ：１０ｇ、Ｎａ２ＨＰＯ４・１２Ｈ２Ｏ：２．５ｇ、（ＮＨ４）２ＣＯ３：４ｇに、純水を加えて、合計１０００ｍｌにする。【０２６０】
・ｐＨ４．５の人工汗の組成
ＮａＣｌ：１０ｇ、Ｎａ２ＨＰＯ４・１２Ｈ２Ｏ：２．５ｇ、ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ：１ｇに純水を加えて、合計１０００ｍｌにする。【０２６１】
【表３】
0006601492.tif 000033
【０２６２】
上記の表２および表３の結果から、ケイ素酸化物層をＣＶＤ法を用いて形成した実施例１〜３は、ＰＶＤ法を用いた比較例１〜３よりも摩擦耐久性に優れており、実施例４は比較例４よりもおよび酸、アルカリ耐久性に優れていることが確認された。即ち、ＣＶＤ法により形成されたケイ素酸化物層上に表面処理層を形成することにより、より優れた摩擦耐久性を有し、さらにはより優れた酸、アルカリ耐性を有する表面処理層を形成できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０２６３】
本発明は、表面に高い摩擦耐久性および耐酸および耐アルカリ耐性を有する表面処理層を含んで成る物品を製造するために好適に利用され得る。