(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素半導体のおもて面に接する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の表面に接し、かつ前記第１の絶縁層よりもバンドギャップが小さく、かつバルク内に電子トラップを有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の表面に接するゲート電極と、
前記炭化ケイ素半導体のおもて面に接するソース電極と、
前記炭化ケイ素半導体の裏面に接するドレイン電極と、
を備え、
前記第１の絶縁層は酸化ケイ素でできており、前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムでできており、
ゲートバイアスをゼロにした状態で前記電子トラップに電子が捕獲されていることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。
【請求項２】
前記電子トラップに捕獲される電子の数が２×１０12ｃｍ-2以上２×１０13ｃｍ-2以下であることを特徴とする請求項１に記載の炭化ケイ素半導体装置。
【請求項３】
炭化ケイ素半導体のおもて面に接する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の表面に接し、かつ前記第１の絶縁層よりもバンドギャップが小さく、かつバルク内に電子トラップを有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の表面に接するゲート電極と、
前記炭化ケイ素半導体のおもて面に接するソース電極と、
前記炭化ケイ素半導体の裏面に接するドレイン電極と、
を備え、前記第１の絶縁層は酸化ケイ素でできており、前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムでできている炭化ケイ素半導体装置に対して、
前記第１の絶縁層を介して前記炭化ケイ素半導体の反転層から電界により電子を注入して、ゲートバイアスをゼロにした状態で前記電子トラップに電子を捕獲させていることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の処理方法。
【請求項４】
前記電子を注入する電圧を前記炭化ケイ素半導体装置をオンするために必要な電圧以上の電圧にすることを特徴とする請求項３に記載の炭化ケイ素半導体装置の処理方法。
【請求項５】
前記ドレイン電極をオープンにして前記電子を注入することを特徴とする請求項３に記載の炭化ケイ素半導体装置の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、炭化ケイ素半導体装置及びその処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）またはダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体は、その高い絶縁破壊電界や高い熱伝導率などの優れた特性により、パワーデバイスへの応用が期待されている。特にＳｉＣは、シリコン（Ｓｉ）と同様に熱酸化により酸化膜を形成することができるため、注目されている。
【０００３】
図９は、従来の炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。図９に示すＳｉＣ縦型パワーＭＯＳＦＥＴ（金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ）において、ソース電極９に対してゲート電極８にしきい値以上の電圧が印加されると、ゲート電極８の直下のｐチャネル領域３の表面に反転層が形成される。その際、ソース電極９に対してドレイン電極１０に正の電圧が印加されると、ソース電極９からｎ+ソース領域５、ｐチャネル領域３の表面反転層、低濃度ｎ型ドリフト領域２及び高濃度ｎ型半導体基板１を介してドレイン電極１０に至る電子の経路ができる。そのため、ドレイン電極１０からソース電極９へ電流が流れる。
【０００４】
一方、ソース電極９に対してゲート電極８にしきい値未満の電圧が印加されると、ゲート電極８の直下のｐチャネル領域３の表面反転層が消滅するため、電流は流れない。このような基本的な動作は、Ｓｉを用いたＭＯＳＦＥＴと同様であるが、ワイドバンドギャップ半導体では、絶縁破壊電界がＳｉに比較して高い。例えば、４Ｈ−ＳｉＣ、ＧａＮ及びダイヤモンドの絶縁破壊電界は、それぞれＳｉの約１０倍、約１１倍及び約１９倍である。そのため、炭化ケイ素半導体装置では、低濃度ｎ型ドリフト領域２の不純物濃度を高くして厚さを薄くすることが可能となり、高い耐圧で低いオン抵抗を実現することが可能となる。
【０００５】
ところで、従来、炭化ケイ素の表面に酸化ケイ素膜を積層し、その上に酸化アルミニウム膜を積層した炭化ケイ素半導体装置がある（例えば、特許文献１〜４参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１６２０７３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５１５８９号公報
【特許文献３】特開２００９−４９０９９号公報
【特許文献４】特開２００９−１６５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の炭化ケイ素半導体装置では、同じ耐圧のＳｉデバイスに対してドリフト層の濃度を高くすることができるというメリットを生かそうとすると、ゲート−ドレイン間の容量が大きくなるため、ドレイン電圧のｄＶ／ｄｔによってゲート−ドレイン間容量を介して電流が流れる。この電流によるゲートインピーダンスの電圧降下によってゲート電圧が上昇するため、オフ状態であるにもかかわらず、オン状態となる誤オンという現象が発生しやすいという問題点がある。
【０００８】
誤オンを防止するには、ゲートに負バイアスを印加することが有効である。しかし、その場合には、負バイアス電源が必要となるため、制御回路のコストが上昇するという新たな問題が生じる。また、ゲートに負バイアスを印加する場合、炭化ケイ素半導体を含む従来のワイドバンドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴでは、ＮＢＴＩ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ）によりしきい値が変動するなどの不具合が発生する。
【０００９】
一方、ゲートに負バイアスを印加しないで誤オンを防止するには、しきい値を高くすることが有効である。Ｓｉデバイスでは、チャネル領域の濃度を上げることによってしきい値を上昇させることができる。それに対して、ＳｉＣ素子では、バルクの移動度に対してＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度が非常に低いため、１２００Ｖ以上の高耐圧素子においてもチャネル抵抗がオン抵抗に与える影響が大きい。それに加えて、チャネル領域の濃度を高くすると、さらにチャネル移動度が低下するため、炭化ケイ素半導体装置の低オン抵抗というメリットが低下してしまう。また、チャネル領域を高濃度化すると、半導体側の空乏層容量が大きくなる。それによって、印加したゲート電圧に対する酸化膜に印加される電圧分担が大きくなるため、ゲインの低下を招き、二重に特性の悪化を引き起こすという問題点がある。
【００１０】
また、ゲート酸化膜の厚さを増加させることによってもしきい値を高くすることができる。しかし、その場合も、酸化膜に印加される電圧分担が大きくなるため、チャネルモビリティが低下しなくてもゲインが低下してしまう。図１０に、ゲートしきい値電圧を増加させた場合の特性変化の様子を模式的に示す。
【００１１】
図１０は、ゲートしきい値電圧を増加させた場合の特性変化を説明する模式図である。同図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）ともに、縦軸はＬｏｇＩｄ（Ｉｄはドレイン電流）、横軸はゲート電圧Ｖｇである。図１０（ａ）の特性図１０１は、チャネル領域の高濃度化によってゲートしきい値電圧を増加させた場合である。元の特性１０２は、チャネル領域の高濃度化によって特性１０３のように変化する。図１０（ｂ）の特性図１１１は、ゲート酸化膜を厚くすることによってゲートしきい値電圧を増加させた場合である。元の特性１１２は、ゲート酸化膜を厚くすることによって特性１１３のように変化する。チャネル領域を高濃度化する場合も、ゲート酸化膜を厚くする場合も、ゲート電圧Ｖｇの変化に対するドレイン電流の変化（相互コンダクタンス）、すなわちゲインが低下してしまう。
【００１２】
図１０（ｃ）の特性図１２１は、ゲインを低下させずにゲートしきい値電圧を増加させた場合である。ゲインを低下させずにゲートしきい値電圧を増加させると、元の特性１２２とゲートしきい値電圧を増加させた特性１２３とで、ゲート電圧Ｖｇの変化に対するドレイン電流の変化が同じになる。このような特性が望ましい。
【００１３】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ゲインを低下させずにゲートしきい値電圧を増加させることができる炭化ケイ素半導体装置及びその処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置は、炭化ケイ素半導体のおもて面に接する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の表面に接し、かつ前記第１の絶縁層よりもバンドギャップが小さく、かつバルク内に電子トラップを有する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の表面に接するゲート電極と、前記炭化ケイ素半導体のおもて面に接するソース電極と、前記炭化ケイ素半導体の裏面に接するドレイン電極と、を備え、前記第１の絶縁層は酸化ケイ素でできており、前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムでできており、ゲートバイアスをゼロにした状態で前記電子トラップに電子が捕獲されていることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、電子トラップに捕獲されている電子の電荷の影響によって炭化ケイ素半導体のバンドの曲がりが小さくなるため、チャネル領域を高濃度化しなくても、またゲート酸化膜を厚くしなくても、ゲートしきい値電圧が上昇する。
【００１７】
この発明によれば、第１の絶縁層を酸化珪素とすることによりＳｉＣを熱酸化または堆積酸化珪素のＰＯＡ（Ｐｏｓｔ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により比較的安定なＳｉＣ−酸化膜界面を形成することが可能になると共に第２の絶縁層を酸化アルミニウムとすることにより、電子トラップ準位が深いため高温での電子トラップからの電子の放出を抑制することができる。
【００１８】
また、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置は、上述した発明において、前記電子トラップに捕獲される電子の数が２×１０12ｃｍ-2以上２×１０13ｃｍ-2以下であることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、ゲートしきい値電圧を増加させるのに十分な数の電子が電子トラップに捕獲されているため、ゲートしきい値電圧を増加させることができる。
【００３２】
また、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置の処理方法は、炭化ケイ素半導体のおもて面に接する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の表面に接し、かつ前記第１の絶縁層よりもバンドギャップが小さく、かつバルク内に電子トラップを有する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の表面に接するゲート電極と、前記炭化ケイ素半導体のおもて面に接するソース電極と、前記炭化ケイ素半導体の裏面に接するドレイン電極と、を備え、前記第１の絶縁層は酸化ケイ素でできており、前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムでできている炭化ケイ素半導体装置に対して、前記第１の絶縁層を介して前記炭化ケイ素半導体の反転層から電界により電子を注入して、ゲートバイアスをゼロにした状態で前記電子トラップに電子を捕獲させることを特徴とする。
【００３３】
この発明によれば、電子トラップに捕獲されている電子の電荷の影響によって炭化ケイ素半導体のバンドの曲がりが小さくなるため、チャネル領域を高濃度化しなくても、またゲート酸化膜を厚くしなくても、ゲートしきい値電圧が上昇する。
【００３４】
また、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置の処理方法は、上述した発明において、前記電子を注入する電圧を前記炭化ケイ素半導体装置をオンするために必要な電圧以上の電圧にすることを特徴とする。
【００３５】
また、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置の処理方法は、上述した発明において、前記ドレイン電極をオープンにして前記電子を注入することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３８】
本発明にかかる炭化ケイ素半導体装置及びその処理方法によれば、ゲインを低下させずにゲートしきい値電圧を増加させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施の形態１にかかる炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。
【図２】電子注入処理における接続状態の一例を示す接続図である。
【図３】電子注入処理における接続状態の別の例を示す接続図である。
【図４】実施の形態２にかかる炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。
【図５】実施の形態３にかかる炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。
【図６】図１のＡ−Ａ’部分におけるバンド図である。
【図７】図４のＢ−Ｂ’部分におけるバンド図である。
【図８】図５のＣ−Ｃ’部分におけるバンド図である。
【図９】従来の炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。
【図１０】ゲートしきい値電圧を増加させた場合の特性変化を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置及びその処理方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋は、それが付されていない層や領域よりも高不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明及び添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００４１】
（実施の形態１）
・炭化ケイ素半導体装置
図１は、実施の形態１にかかる炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。図１に示すように、炭化ケイ素半導体装置は、高濃度ｎ型半導体基板１、低濃度ｎ型ドリフト領域２、ｐチャネル領域３、高濃度ｐベース領域４、ｎ+ソース領域５、ｐ+コンタクト領域６、第１の絶縁層７ａ、第２の絶縁層７ｂ、ゲート電極８、ソース電極９及びドレイン電極１０を有する。
【００４２】
高濃度ｎ型半導体基板１は、炭化ケイ素半導体でできている。低濃度ｎ型ドリフト領域２は、例えばエピタキシャル成長法により高濃度ｎ型半導体基板１の上に設けられている。高濃度ｎ型半導体基板１及び低濃度ｎ型ドリフト領域２は、炭化ケイ素半導体の一例である。ｐチャネル領域３は、低濃度ｎ型ドリフト領域２のおもて面側の表面の一部に設けられている。高濃度ｐベース領域４は、ｐチャネル領域３と低濃度ｎ型ドリフト領域２との間に設けられている。高濃度ｐベース領域４が設けられていることによって、ｐチャネル領域３と低濃度ｎ型ドリフト領域２との間のｐ／ｎ接合に高い逆バイアスが印加されても、ｐチャネル領域３がパンチスルーするのが防止される。ｎ+ソース領域５は、ｐチャネル領域３のおもて面側の表面の一部に設けられている。ｐ+コンタクト領域６は、ｐチャネル領域３のおもて面側の表面の一部に設けられている。
【００４３】
第１の絶縁層７ａは、隣り合うｐチャネル領域３内のｎ+ソース領域５に挟まれたｐチャネル領域３及び低濃度ｎ型ドリフト領域２のおもて面に接して設けられている。第１の絶縁層７ａは、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）であってもよい。
【００４４】
第２の絶縁層７ｂは、第１の絶縁層７ａの表面に接して設けられている。第２の絶縁層７ｂは、第１の絶縁層７ａよりもバンドギャップが小さい。第２の絶縁層７ｂは、そのバルク内または第１の絶縁層７ａとの界面に電子トラップを有する。この電子トラップには、電子が捕獲されている。第２の絶縁層７ｂは、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）であってもよい。
【００４５】
なお、第２の絶縁層７ｂは、例えば酸化アルミニウムに限らず、第１の絶縁層７ａよりもバンドギャップが小さく、電子トラップの活性化エネルギーが大きな物質であればよい。また、電子の電荷による効果は炭化ケイ素の表面に近いほど大きいので、第２の絶縁層７ｂは、バルク内の電子トラップが少なくても第１の絶縁層７ａとの界面に電子トラップが存在する物質であればよい。また、第２の絶縁層７ｂとして、第２の絶縁層７ｂの膜中や第１の絶縁層７ａとの界面に負の固定電荷を持つ物質を用いても、同様の効果が得られる。
【００４６】
ゲート電極８は、第２の絶縁層７ｂの表面に接して設けられている。ソース電極９は、ｎ+ソース領域５及びｐ+コンタクト領域６の表面に接して設けられている。ドレイン電極１０は、高濃度ｎ型半導体基板１の裏面に接して設けられている。
【００４７】
・炭化ケイ素半導体装置への電子注入処理
図２は、電子注入処理における接続状態の一例を示す接続図である。図２に示すように、炭化ケイ素半導体装置２１に例えばゲート負バイアス電源２２を接続し、炭化ケイ素半導体装置２１のソースに対してゲートに通常、素子をオンするために必要な電圧以上の正の高い電圧をＤＣ的に印加することによって、第２の絶縁層７ｂに電子を注入してもよい。
【００４８】
図３は、電子注入処理における接続状態の別の例を示す接続図である。図３に示すように、炭化ケイ素半導体装置２１に例えばゲート負バイアスパルス電源２３を接続し、炭化ケイ素半導体装置２１のソースに対してゲートに通常、素子をオンするために必要な電圧以上の正の高い電圧をパルス的に印加することによって、第２の絶縁層７ｂに電子を注入してもよい。パルスは、単発であってもよいし、連続的であってもよい。
【００４９】
炭化ケイ素半導体装置２１とゲート負バイアス電源２２もしくはゲート負バイアスパルス電源２３との接続において、図２に示すように、ドレインをソースと短絡してもよいし、図３に示すように、ドレインをオープンにしてもよい。ソースに接続されたｐチャネル領域３上に電子が注入されればよく、ドレインに接続された低濃度ｎ型ドリフト領域２上に電子を注入する必要は必ずしもないため、ドレインをオープンにした方が酸化膜の信頼性の点からは望ましい。
【００５０】
（実施の形態２）
・炭化ケイ素半導体装置
図４は、実施の形態２にかかる炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。図４に示すように、炭化ケイ素半導体装置は、第２の絶縁層７ｂとゲート電極８との間に第３の絶縁層７ｃを有する。すなわち、第３の絶縁層７ｃは、第２の絶縁層７ｂの表面に接して設けられている。ゲート電極８は、第３の絶縁層７ｃの表面に接して設けられている。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００５１】
第３の絶縁層７ｃは、第２の絶縁層７ｂよりもバンドギャップが大きい。第３の絶縁層７ｃは、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）であってもよい。このように、第２の絶縁層７ｂがよりバンドギャップの大きい第１の絶縁層７ａと第３の絶縁層７ｃとで挟まれていることによって、第２の絶縁層７ｂの電子トラップが高温で第２の絶縁層７ｂの伝導帯に励起されたとしても、容易にゲート電極８や炭化ケイ素半導体の側に抜け出すことができない。そのため、より高い温度まで炭化ケイ素半導体装置を使用することができる。
【００５２】
第２の絶縁層７ｂは、第２の絶縁層７ｂよりもバンドギャップの大きい第１の絶縁層７ａと第３の絶縁層７ｃとで挟まれているため、深い電子トラップを有する物質である必要はない。第２の絶縁層７ｂは、第１の絶縁層７ａや第３の絶縁層７ｃよりもバンドギャップの小さい絶縁体、例えば第１の絶縁層７ａや第３の絶縁層７ｃに対する伝導帯側のバンドオフセットが負の絶縁体であってもよい。例えば、第１の絶縁層７ａ及び第３の絶縁層７ｃが酸化ケイ素である場合、第２の絶縁層７ｂは例えば窒化ケイ素であってもよい。
【００５３】
第１の絶縁層７ａ及び第３の絶縁層７ｃは、例えば酸化ケイ素に限らず、第２の絶縁層７ｂに対する伝導帯側のバンドオフセットが正の絶縁体であればよい。また、第１の絶縁層７ａと第３の絶縁層７ｃとは、同じ物質であってもよいし、異なる物質であってもよい。炭化ケイ素半導体に対する第１の絶縁層７ａの伝導帯側のバンドオフセットが大きい方が通常使用時のトンネル電流による酸化膜の劣化が小さい。そのため、第１の絶縁層７ａは、炭化ケイ素半導体に対する伝導帯側のバンドオフセットが大きい絶縁体であるのが、信頼性の点で有利である。
【００５４】
・炭化ケイ素半導体装置への電子注入処理
実施の形態１において説明した通り、図２または図３に示す接続状態で第２の絶縁層７ｂに電子を注入してもよい。
【００５５】
（実施の形態３）
・炭化ケイ素半導体装置
図５は、実施の形態３にかかる炭化ケイ素半導体装置の要部を示す断面図である。図５に示すように、炭化ケイ素半導体装置は、第１の絶縁層７ａと第２の絶縁層７ｂとの間にフローティングゲート電極１１を有する。すなわち、フローティングゲート電極１１は、第１の絶縁層７ａの表面に接して設けられている。第２の絶縁層７ｂは、フローティングゲート電極１１の表面に接して設けられている。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００５６】
フローティングゲート電極１１は、例えば多結晶シリコンであってもよい。例えば第１の絶縁層７ａ及び第２の絶縁層７ｂが酸化ケイ素であり、フローティングゲート電極１１が多結晶シリコンである場合、炭化ケイ素半導体と酸化ケイ素とのバンドオフセットが多結晶シリコンと酸化ケイ素とのバンドオフセットよりも小さい。従って、電子は、導電性を有するフローティングゲート電極１１に比較的容易に注入され、蓄積されるが、フローティングゲート電極１１から抜け出すことができない。そのため、より高い温度まで炭化ケイ素半導体装置を使用することができる。
【００５７】
・炭化ケイ素半導体装置への電子注入処理
実施の形態１において説明した通り、図２または図３に示す接続状態で第２の絶縁層７ｂに電子を注入してもよい。
【００５８】
以上説明したように、各実施の形態によれば、電子トラップに捕獲されている電子の電荷の影響、またはフローティングゲート電極に蓄積されている電子の電荷の影響によって炭化ケイ素半導体のバンドの曲がりが小さくなる。そのため、チャネル領域を高濃度化しなくても、またゲート酸化膜を厚くしなくても、ゲートしきい値電圧が上昇する。従って、ゲインを低下させずにゲートしきい値電圧を増加させることができる。
【００５９】
（実施例１）
実施の形態１で説明した炭化ケイ素半導体装置において、第１の絶縁層７ａが薄い、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さの酸化ケイ素であり、第２の絶縁層７ｂが比較的厚い、例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さの酸化アルミニウムであるとする。
【００６０】
図６は、図１のＡ−Ａ’部分におけるバンド図である。Ａ−Ａ’は、ゲート電極８から第２の絶縁層７ｂ及び第１の絶縁層７ａを通ってｐチャネル領域３及び高濃度ｐベース領域４に至る。
【００６１】
図６（ａ）のバンド図１３１は、無バイアス時の状態を示している。図６（ｂ）のバンド図１３２は、ゲート電極８に正電圧Ｖｔｈ１を印加し、それによってｐチャネル領域３に反転層が形成された状態、すなわちゲートしきい値付近の状態を示している。図６（ｃ）のバンド図１３３は、ゲート電極８にさらに大きな正電圧Ｖｇｉを印加した状態を示している。
【００６２】
図６（ｃ）のバンド図１３３に示すように、ｐチャネル領域３に反転層ができた状態でゲート電極８にさらに大きな電圧を印加しても反転層の電荷が増加するだけである。従って、炭化ケイ素側のバンドの曲がりは大きく変化せず、殆どの電圧は第１の絶縁層７ａである酸化ケイ素と第２の絶縁層７ｂである酸化アルミニウムとに印加される。誘電率が大きい酸化アルミニウム部分の電界強度が小さいため、酸化ケイ素が薄くても多くの電圧が酸化ケイ素に印加される。このため、酸化ケイ素中の強い電界により反転層中の電子が炭化ケイ素の伝導帯にトンネルし、さらに酸化アルミニウムの伝導帯を経由して流れ、その一部の電子が酸化アルミニウムの電子トラップに捕獲される。
【００６３】
図６（ｄ）のバンド図１３４は、より多くの電子をトンネルさせて酸化アルミニウムの電子トラップに多くの電子を捕獲させ、その状態でゲートバイアスをゼロにした状態を示している。図６（ｄ）のバンド図１３４の状態は、図６（ａ）のバンド図１３１の状態と比較して、酸化アルミニウム内に捕獲された電子の電荷の影響で炭化ケイ素のバンドの曲がりが小さくなる。
【００６４】
図６（ｅ）のバンド図１３５は、酸化アルミニウムの電子トラップに多くの電子を捕獲させた状態で、ゲート電極８に、炭化ケイ素の表面に反転層を形成するための正電圧Ｖｔｈ２を印加した状態を示している。図６（ｄ）のバンド図１３４に示すように、元々の炭化ケイ素のバンドの曲がりが小さいため、Ｖｔｈ１＜Ｖｔｈ２の関係、すなわちゲートしきい値が上昇する。
【００６５】
炭化ケイ素半導体と酸化ケイ素との界面に比較的深い電子トラップがある場合も同様に、ゲートしきい値を上昇させることができる。しかし、炭化ケイ素半導体と酸化ケイ素との界面に電子が捕獲されると、その電荷によるクーロン散乱によりチャネル移動度の低下が発生してしまう。一方、実施例１では、電荷は炭化ケイ素半導体と酸化ケイ素との界面から離れているため、チャネル移動度の低下は発生しない。酸化アルミニウム中に捕獲された電荷は高温でもデトラップされないことが知られている。従って、高温で使用可能である炭化ケイ素半導体装置への適用に都合がよい。
【００６６】
なお、電子を注入する過程で酸化ケイ素内の電子トラップにも電子が捕獲されることがある。しかし、酸化ケイ素の電子トラップは比較的小さな活性化エネルギーを持っている準位が多いため、アニールによって、酸化ケイ素内の電子トラップに捕獲された電子を除去することができる。
【００６７】
しきい値Ｖｔｈに求められる上昇量ΔＶｔｈは、例えば１Ｖ以下では十分な効果が得られないため、１Ｖ程度以上必要であり、最大でも１０Ｖ程度である。第２の絶縁層７ｂの領域にのみ電荷が蓄積されるとすると、絶縁膜中の電荷によるしきい値の変化量ΔＶｔｈは次の（１）式で表される。ただし、Ｑｅｆｆは実効電荷量であり、ｔは第２の絶縁層７ｂの厚さであり、εは第２の絶縁層７ｂの誘電率である。
【００６８】
ΔＶｔｈ＝Ｑｅｆｆ・ｔ／ε  ・・・（１）
【００６９】
電荷が第２の絶縁層７ｂ中に均一に分布しているとすると、実効電荷量Ｑｅｆｆは、第２の絶縁層７ｂ中の電荷量Ｑの１／２となる。第２の絶縁層７ｂの厚さｔを５０ｎｍ、すなわち５×１０-6ｃｍとし、第２の絶縁層７ｂの比誘電率εを９とすると、しきい値を１Ｖ上昇させるのに必要な電荷量Ｑ（１Ｖ）は（２）の計算式で求まる。
【００７０】
Ｑ（１Ｖ）＝２ε／ｔ
＝２×９×８．８５×１０-14／（５×１０-6）
≒３×１０-7［Ｃ］  ・・・（２）
【００７１】
電子の素電荷ｑを１．６０２×１０-19とすると、電子トラップに捕獲された電子の個数ｎは（３）の計算式で求まる。
【００７２】
ｎ＝Ｑ／ｑ≒２×１０12［ｃｍ-2］  ・・・（３）
【００７３】
従って、しきい値を１０Ｖ上昇させるのに必要な電子の数は約２×１０13［ｃｍ-2］となる。
【００７４】
（実施例２）
実施の形態２で説明した炭化ケイ素半導体装置において、第１の絶縁層７ａ及び第３の絶縁層７ｃが酸化ケイ素であり、第２の絶縁層７ｂが酸化アルミニウムであるとする。
【００７５】
図７は、図４のＢ−Ｂ’部分におけるバンド図である。Ｂ−Ｂ’は、ゲート電極８から第３の絶縁層７ｃ、第２の絶縁層７ｂ及び第１の絶縁層７ａを通ってｐチャネル領域３及び高濃度ｐベース領域４に至る。
【００７６】
図７（ａ）のバンド図１４１は、無バイアス時の状態を示している。図７（ｂ）のバンド図１４２は、電子をトンネルさせて第２の絶縁層７ｂである酸化アルミニウムの電子トラップに電子を捕獲させ、その状態でゲートバイアスをゼロにした状態を示している。図７（ｂ）のバンド図１４２の状態は、図７（ａ）のバンド図１４１の状態と比較して、酸化アルミニウム内に捕獲された電子の電荷の影響で炭化ケイ素のバンドの曲がりが小さくなる。従って、実施例１と同様に、ゲートしきい値が上昇する。
【００７７】
実施例１と同様に、しきい値Ｖｔｈに求められる上昇量ΔＶｔｈは、１Ｖ程度以上、最大でも１０Ｖ程度であるとする。第２の絶縁層７ｂの膜厚を無視し、第３の絶縁層７ｃの厚さをｔとし、第３の絶縁層７ｃの比誘電率をεとすると、上記（１）式が成り立つ。ただし、電荷が第２の絶縁層７ｂに集中しているため、実効電荷量Ｑｅｆｆは、第２の絶縁層７ｂ中の電荷量Ｑに等しい。
【００７８】
第３の絶縁層７ｃの厚さｔを５０ｎｍ、すなわち５×１０-6ｃｍとし、第３の絶縁層７ｃの比誘電率εを３．９とすると、しきい値を１Ｖ上昇させるのに必要な電荷量Ｑ（１Ｖ）は（４）の計算式で求まる。
【００７９】
Ｑ（１Ｖ）＝ε／ｔ
＝３．９×８．８５×１０-14／（５×１０-6）
≒７×１０-8［Ｃ］  ・・・（４）
【００８０】
電子の素電荷ｑを１．６０２×１０-19とすると、電子トラップに捕獲された電子の個数ｎは（５）の計算式で求まる。
【００８１】
ｎ＝Ｑ／ｑ≒４×１０11［ｃｍ-2］  ・・・（５）
【００８２】
従って、しきい値を１０Ｖ上昇させるのに必要な電子の数は約４×１０12［ｃｍ-2］となる。
【００８３】
（実施例３）
実施の形態３で説明した炭化ケイ素半導体装置において、第１の絶縁層７ａ及び第２の絶縁層７ｂが酸化ケイ素であり、フローティングゲート電極１１がｎ型多結晶シリコンであるとする。
【００８４】
図８は、図５のＣ−Ｃ’部分におけるバンド図である。Ｃ−Ｃ’は、ゲート電極８から第２の絶縁層７ｂ、フローティングゲート電極１１及び第１の絶縁層７ａを通ってｐチャネル領域３及び高濃度ｐベース領域４に至る。
【００８５】
図８（ａ）のバンド図１５１は、無バイアス時の状態を示している。図８（ｂ）のバンド図１５２は、電子をトンネルさせてフローティングゲート電極１１に電子を蓄積させ、その状態でゲートバイアスをゼロにした状態を示している。図８（ｂ）のバンド図１５２の状態は、図８（ａ）のバンド図１５１の状態と比較して、フローティングゲート電極１１に蓄積された電子の電荷の影響で炭化ケイ素のバンドの曲がりが小さくなる。従って、実施例１と同様に、ゲートしきい値が上昇する。
【００８６】
実施例１と同様に、しきい値Ｖｔｈに求められる上昇量ΔＶｔｈは、１Ｖ程度以上、最大でも１０Ｖ程度であるとする。フローティングゲート電極１１の膜厚を無視し、第２の絶縁層７ｂの厚さをｔとし、第２の絶縁層７ｂの比誘電率をεとすると、上記（１）式が成り立つ。ただし、電荷がフローティングゲート電極１１に集中しているため、実効電荷量Ｑｅｆｆは、フローティングゲート電極１１中の電荷量Ｑに等しい。
【００８７】
第２の絶縁層７ｂの厚さｔを５０ｎｍ、すなわち５×１０-6ｃｍとし、第２の絶縁層７ｂの比誘電率εを３．９とすると、しきい値を１Ｖ上昇させるのに必要な電荷量Ｑ（１Ｖ）は上記（４）の計算式で求まる。また、フローティングゲート電極１１に蓄積された電子の個数ｎは、上記（５）の計算式で求まる。
【００８８】
従って、しきい値を１０Ｖ上昇させるのに必要な電子の数は約４×１０12［ｃｍ-2］となる。
【００８９】
以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、種々変更可能である。例えば、実施の形態中に記載した寸法や濃度などは一例であり、本発明はそれらの値に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
以上のように、本発明にかかる炭化ケイ素半導体装置及びその処理方法は、インバータやスイッチング電源等に使用されるワイドバンドギャップパワー半導体に有用であり、特に、炭化ケイ素半導体装置に適している。
【符号の説明】
【００９１】
１  高濃度ｎ型半導体基板
７ａ  第１の絶縁層
７ｂ  第２の絶縁層
７ｃ  第３の絶縁層
８  ゲート電極
９  ソース電極
１０  ドレイン電極
１１  フローティングゲート電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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