(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被摺擦部材に接触する接触領域を含む基材を有し、当該接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上９，０００ＭＰａ以下であり、且つ、当該接触領域の厚みＴが１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
前記接触領域の表面から前記接触領域の厚みを超えた部位における前記基材のヤング率Ｅ２が１ＭＰａ以上１７０ＭＰａ以下であり、且つ、前記ヤング率Ｅ１と前記ヤング率Ｅ２とがＥ２＜Ｅ１の関係を満たす、摺擦部材。
【請求項２】
前記接触領域を含む基材が全体に亘り樹脂を含有する請求項１に記載の摺擦部材。
【請求項３】
前記基材における接触領域が、前記樹脂及びｓｐ３結合を有する炭素を含有する炭素含有領域である請求項２に記載の摺擦部材。
【請求項４】
前記基材における接触領域が、樹脂及びｓｐ３結合を有する炭素を含有する炭素含有領域と、該炭素含有領域の前記被摺擦部材との接触側表面に設けられた、樹脂を含まず且つｓｐ３結合を有する炭素を含む炭素層と、を備える請求項１に記載の摺擦部材。
【請求項５】
前記被摺擦部材と摺擦して、該被摺擦部材の表面をクリーニングするクリーニング部材である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の摺擦部材。
【請求項６】
被摺擦部材に接触する接触領域を含むポリウレタンゴムである基材を有し、当該接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上２００，０００ＭＰａ以下であり、且つ、当該接触領域の厚みＴが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記基材における接触領域が、前記基材に対し直接プラズマイオンを注入させて基材内部にｓｐ３結合を有する炭素原子を浸透させた炭素含有領域であり、
前記接触領域の表面から前記接触領域の厚みを超えた部位における前記基材のヤング率Ｅ２が１ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であり、且つ、前記ヤング率Ｅ１と前記ヤング率Ｅ２とがＥ２＜Ｅ１の関係を満たす、
摺擦部材。
【請求項７】
クリーニング部材として請求項５又は請求項６に記載の摺擦部材を備えたクリーニング装置。
【請求項８】
請求項７に記載のクリーニング装置を備え、画像形成装置に対して脱着自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項９】
像保持体と、
前記像保持体を帯電する帯電装置と、
帯電した前記像保持体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
前記像保持体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記像保持体上に形成された前記トナー像が転写される中間転写体と、
前記像保持体上に形成された前記トナー像を前記中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、
前記中間転写体上に転写された前記トナー像を記録媒体上に二次転写する二次転写装置と、
前記二次転写装置によって前記トナー像が転写された後の前記中間転写体の表面をクリーニングする請求項８に記載のクリーニング装置と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、摺擦部材、クリーニング装置、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置には、被摺擦部材と摺擦する摺擦部材が設けられている。この摺擦部材としては、被摺擦部材である像保持体や中間転写ベルトに残留したトナー等を清掃するための、クリーニング部材が挙げられる。
クリーニング部材としては、クリーニングブレードと呼ばれる板状部材が用いられる。このクリーニングブレードは、被摺擦部材に対し角部が接触するよう設置され、被摺擦部材と摺擦することで角部にて被摺擦部材に残留した現像剤を掻き落とすといったものである。
【０００３】
クリーニング部材としては、例えば、特許文献１には、「被クリーニング部材表面に当接し、前記被クリーニング部材表面をクリーニングするクリーニングブレードにおいて、少なくとも前記被クリーニング部材表面と当接する部分の材料が、下式（１）〜（３）を満たすことを特徴とするクリーニングブレード。
・式（１）  ３．９２≦Ｍ≦２９．４２
・式（２）  ０＜α≦０．２９４
・式（３）  Ｓ≧２５０
〔但し、式（１）〜（３）中、Ｍは１００％モジュラス（ＭＰａ）を表し、αは、応力−歪曲線において、歪量が１００％〜２００％の間における歪量変化（Δ歪量）に対する応力変化（Δ応力）の割合｛Δ応力／Δ歪量＝（歪量２００％における応力−歪量１００％における応力）／（２００−１００）｝（ＭＰａ／％）を表し、Ｓは、ＪＩＳ  Ｋ６２５１（ダンベル状３号形試験片使用）に基づいて測定された破断伸び（％）を表す。〕」が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、「短冊形状の弾性ブレードで構成され、該弾性ブレードの先端稜線部を表面移動する被清掃部材の表面に当接して、該被清掃部材表面から粉体を除去するクリーニングブレードにおいて、上記弾性ブレードは、ｔａｎδピーク温度が０℃以上、且つ、ＪＩＳ−Ａ硬度の２３℃から１０℃における変化量が５°以上であるウレタンゴムであり、該弾性ブレードの上記先端稜線部を含む部分にマルテンス硬度が２５０〜５００Ｎ／ｍｍ２、弾性仕事率が７５％以下の紫外線硬化樹脂が含浸され、且つ、該先端稜線部を含む該弾性ブレードの表面に該弾性ブレードよりも硬い表面層を１μｍ以下の厚みで設けたことを特徴とするクリーニングブレード。」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７６８４３号公報
【特許文献２】特開２０１３−０７６９７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、被摺擦部材に接触する接触領域を含む基材を有する摺擦部材であって、前記接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ未満である場合、前記接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超える場合、又は、前記接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超え且つ前記接触領域の厚みＴが５００ｎｍを超える場合に比べ、被摺擦部材に接触する接触領域における欠けの発生を抑制しうる摺擦部材を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、以下の発明が提供される。
＜１＞に係る発明は、
被摺擦部材に接触する接触領域を含む基材を有し、当該接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上２００，０００ＭＰａ以下であり、且つ、当該接触領域の厚みＴが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、摺擦部材である。
【０００８】
＜２＞に係る発明は、
前記接触領域の表面から前記接触領域の厚みを超えた部位における前記基材のヤング率Ｅ２が１Ｍｐａ以上５００Ｍｐａ以下であり、且つ、前記ヤング率Ｅ１と前記ヤング率Ｅ２とがＥ２＜Ｅ１の関係を満たす、＜１＞に記載の摺擦部材である。
【０００９】
＜３＞に係る発明は、
前記接触領域を含む基材が全体に亘り樹脂を含有する＜１＞又は＜２＞に記載の摺擦部材である。
【００１０】
＜４＞に係る発明は、
前記基材における接触領域が、前記樹脂及びｓｐ３結合を有する炭素を含有する炭素含有領域である＜３＞に記載の摺擦部材である。
【００１１】
＜５＞に係る発明は、
前記基材における接触領域が、樹脂及びｓｐ３結合を有する炭素を含有する炭素含有領域と、該炭素含有領域の前記被摺擦部材との接触側表面に設けられた、樹脂を含まず且つｓｐ３結合を有する炭素を含む炭素層と、を備える＜１＞又は＜２＞に記載の摺擦部材である。
【００１２】
＜６＞に係る発明は、
前記被摺擦部材と摺擦して、該被摺擦部材の表面をクリーニングするクリーニング部材である＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の摺擦部材である。
【００１３】
＜７＞に係る発明は、
クリーニング部材として＜６＞に記載の摺擦部材を備えたクリーニング装置である。
【００１４】
＜８＞に係る発明は、
＜７＞に記載のクリーニング装置を備え、画像形成装置に対して脱着自在であるプロセスカートリッジである。
【００１５】
＜９＞に係る発明は、
像保持体と、
前記像保持体を帯電する帯電装置と、
帯電した前記像保持体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
前記像保持体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記像保持体上に形成された前記トナー像が転写される中間転写体と、
前記像保持体上に形成された前記トナー像を前記中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、
前記中間転写体上に転写された前記トナー像を記録媒体上に二次転写する二次転写装置と、
前記二次転写装置によって前記トナー像が転写された後の前記中間転写体の表面をクリーニングする＜７＞に記載のクリーニング装置と、
を備える画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１６】
＜１＞、＜３＞、＜４＞、又は＜５＞に係る発明によれば、前記ヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ未満である場合、前記ヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超える場合、又は、前記ヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超え且つ前記厚みＴが５００ｎｍを超える場合に比べ、接触領域における欠けの発生を抑制しうる摺擦部材が提供される。
【００１７】
＜２＞に係る発明によれば、前記ヤング率Ｅ２が１Ｍｐａ未満である場合、又は、前記ヤング率Ｅ２が５００Ｍｐａを超えた場合に比べ、接触領域における欠けの発生を抑制しうる摺擦部材が提供される。
【００１８】
＜６＞に係る発明によれば、前記ヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ未満である場合、前記ヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超える場合、又は、前記ヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超え且つ前記厚みＴが５００ｎｍを超える場合に比べ、接触領域における欠けの発生に起因するクリーニング不良を抑制しうる画像形成用摺擦部材が提供される。
【００１９】
＜７＞、＜８＞、及び＜９＞に係る発明によれば、前記ヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ未満である、前記ヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超える、又は、前記ヤング率Ｅ１が２００，０００ＭＰａを超え且つ前記厚みＴが５００ｎｍを超える場合に比べ、接触領域における欠けの発生に起因するクリーニング不良を抑制しうるクリーニング部材を備えるクリーニング装置、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係る摺擦部材の一例を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態に係る摺擦部材を適用したクリーニングブレードの一例を示す概略図である。
【図３】本実施形態に係る摺擦部材を適用したクリーニングブレードが、駆動している像保持体に接触している状態を示す概略図である。
【図４】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略模式図である。
【図５】本実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の摺擦部材、クリーニング装置、画像形成装置、及びプロセスカートリッジの実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
＜摺擦部材＞
本実施形態に係る摺擦部材（以下単に「摺擦部材」と称する。）は、各種の装置等内に備えられた被摺擦部材に対し、接触して摺擦する摺擦部材である。
そして、本実施形態に係る摺擦部材は、被摺擦部材に接触する接触領域を含む基材を有し、接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上２００，０００ＭＰａ以下であり、且つ、接触領域の厚みＴが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００２３】
ここで、摺擦部材の代表的なものとして、電子写真方式の画像形成装置において、被摺擦部材である像保持体や中間転写体の表面に残留したトナーを除去、清掃するためのクリーニングブレードが挙げられる。
近年、精細な画像の形成が望まれており、画像形成装置において小粒径のトナーが用いられている。小粒径のトナーを用いる画像形成装置では、クリーニングブレードとして、微細な残留トナーを良好に除去するもの、及び、自身の耐久性に優れ、残留トナーの除去を長く継続しうるものが求められている。
クリーニングブレードに関しては、クリーニングブレード自身、又は被摺擦部材との接触領域において、前記特許文献１、２のように、種々の物性を調整する手法が取られることが知られている。
しかしながら、接触領域における欠けの発生の低減に関しては、より一層抑制される手法が望まれているのが現状である。また、接触領域における欠けの発生の低減は、クリーニングブレード以外の摺擦部材においても同様に望まれている。
【００２４】
そこで、本実施形態に係る摺擦部材は、基材の一部に被摺擦部材に接触する接触領域を含み、この接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上２００，０００ＭＰａ以下であり、且つ、接触領域の厚みＴが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である構成を有する。
この構成であることで、本実施形態に係る摺擦部材は、接触領域における欠けの発生を抑制しうる。
【００２５】
上記の効果が得られるのは、以下の作用を有するためと推測される。
まず、本実施形態に係る摺擦部材は、表面におけるヤング率Ｅ１が上記の範囲のように高硬度であり、且つ、厚みＴが上記の範囲のように薄い接触領域を有する。この接触領域は、表面におけるヤング率Ｅ１であって高硬度であることで、被摺擦部材との摺擦がなされても、接触領域における欠けが発生し難い。
また、高硬度の接触領域が薄く且つ基材の一部として存在することで、被摺擦部材との摺擦がなされても接触領域の剥離が起き難く、また、基材自身が有する柔軟性も接触領域によって損なわれ難い。その結果、例えば、被摺擦部材との摺擦中、異物（例えば、磁性粉、記録媒体端部）との接触にて接触領域に局所的な応力集中が生じても、その応力を緩和し、接触領域における欠けの発生を抑制しうると考えられる。
従って、本実施形態に係る摺擦部材は、接触領域における欠けの発生を抑制しうる。
また、本実施形態に係る摺擦部材をクリーニング部材（クリーニングブレード）として用いれば、被摺擦部材との摺擦がなされても接触領域における欠けの発生が抑制されることから、この欠けに起因するクリーニング不良をも抑制される。
【００２６】
以下、本実施形態に係る摺擦部材の構成について詳述する。
【００２７】
本実施形態に係る摺擦部材は、図１を参照して説明する。ここで、図１は、本実施形態における摺擦部材の一例を示す要部概略断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る摺擦部材は、例えば、炭素含有領域４Ｂを有する基材４と、炭素含有領域４Ｂの被摺擦部材との接触側表面に設けられた炭素層６と、から構成される。ここで、炭素含有領域４Ｂは基材４の一部として構成されるものであって、炭素含有領域４Ｂと炭素層６とにより被摺擦部材に接触する接触領域を構成している。
そして、炭素含有領域４Ｂと炭素層６とからなる接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上２００，０００ＭＰａ以下であり、且つ、接触領域の厚みＴが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
ここで、図１における４Ａは、炭素含有領域４Ｂに該当しない基材を示している。
【００２８】
なお、本実施形態に係る摺擦部材は、図１に示される炭素層６を備えていなくてもよく、その際には、炭素含有領域４Ｂが被摺擦部材に接触する接触領域となる。
この場合は、炭素含有領域４Ｂからなる接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上２００，０００ＭＰａ以下であり、且つ、接触領域の厚みＴが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることになる。
【００２９】
また、本実施形態に係る摺擦部材としては、接触領域の表面から接触領域の厚みを超えた部位における基材のヤング率Ｅ２が１Ｍｐａ以上５００Ｍｐａ以下であり、且つ、ヤング率Ｅ１とヤング率Ｅ２とがＥ２＜Ｅ１の関係を満たす。ここで、ヤング率Ｅ２としては、接触領域には該当しない基材のヤング率を示している。
接触領域には該当しない基材のヤング率Ｅ２が上記範囲を見たし、ヤング率Ｅ１との上記関係を満たすことで、被摺擦部材との摺擦がなされた際にしなりが生じ、接触領域における欠けの発生を抑制し易くなる。
【００３０】
ここで、接触領域の表面におけるヤング率Ｅ１及び接触領域の表面から５００ｎｍを超えた部位における基材のヤング率Ｅ２は、以下のようにして測定する。
本実施形態に係るヤング率Ｅ１及びＥ２は、ナノインデンテーション法を用いて測定される。具体的には、（株）フィッシャー・インストルメンツ社製、ＰＩＣＯＤＥＮＴＯＲ  ＨＭ５００、及び、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ型ダイヤモンド圧子を用い、押込み深さ−荷重曲線を測定し、負荷を最大押込み深さ１０００ｎｍで与え、続いて除荷をした場合の除荷曲線の傾きをヤング率として求める。
ここで、接触領域と接触領域には該当しない基材との境界位置で、除荷曲線に変曲点が現れることから、接触領域の厚み≒除荷曲線の変曲点となる。そのため、ヤング率Ｅ１は、変曲点より押込み深さの浅い側除荷曲線の傾きに、また、ヤング率Ｅ２は、変局点より押込み深さの深い側の除荷曲線の傾きに該当する。
【００３１】
本実施形態における接触領域の厚みＴとは、接触領域が炭素含有領域のみで形成されていれば、この炭素含有領域の厚みを示し、接触領域が炭素含有領域と炭素層とによって形成されていれば、この炭素含有領域と炭素層との厚みの総計を示す。
なお、接触領域と接触領域以外の基材とは、物性の違いからＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察される位相が異なり、これによって、その境界が明確になる。そのため、接触領域の厚みＴは、以下のようにして測定される。
即ち、日立ハイテクサイエンス社、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）Ｓ−ｉｍａｇｅ／Ｎａｎｏｎａｖｉ２を用い、摺擦部材断面の形状（凹凸）像／位相像を測定し、その画像より厚みＴを求める。
【００３２】
本実施形態に係る摺擦部材は、画像形成装置内に備えられた被摺擦部材に対し、接触し摺擦する摺擦部材である。
ここで、摺擦部材が被摺擦部材である像保持体のクリーニングブレードとして適用される態様について、図２を参照して説明する。ここで、図２は、本実施形態に係る摺擦部材を適用したクリーニングブレードの一例を示す概略図である。
図２に示すように、クリーニングブレード（本実施形態に係る摺擦部材）は、回転駆動する像保持体（感光体ドラム）３１に接触して像保持体３１の表面をクリーニングする接触角部（接触領域）３Ａと、接触角部３Ａを構成する１つの面であって前記回転駆動の方向（矢印Ａ方向）の上流側を向く先端面３Ｂと、接触角部３Ａを構成する１つの辺であって前記駆動の方向（矢印Ａ方向）の下流側を向く腹面３Ｃと、腹面３Ｃに対向する背面３Ｄと、を有する。
なお、図２には便宜上、像保持体（感光体ドラム）３１が回転駆動する方向を矢印Ａとして描いたが、図２は像保持体３１が停止している状態を示している。
【００３３】
本実施形態に係る摺擦部材は、図２に示す、像保持体３１の表面に接触して配置される。そのため、像保持体３１が回転駆動すると、図３に示すように、クリーニングブレード３４２と像保持体３１との接触角部３Ａに摺動が生じてニップ部Ｔが形成され、像保持体３１の表面が摺擦され、像保持体３１の表面に残存するトナー等が除去（清掃）される。
【００３４】
（基材）
−樹脂−
本実施形態に係る摺擦部材における基材は、その全体に樹脂を含有することが好ましい。つまり、接触領域において、基材中に設けられる領域（例えば、後述する炭素含有領域）も樹脂を含有することを意味する。
基材に含有される樹脂としては、ゴムが好ましく、具体的には、例えば、ポリウレタンゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム、クロロピレンゴム、ブタジエンゴム等が挙げられる。
これらの中でも、耐摩耗性に優れる点から、ポリウレタンゴムが望ましく、特に、高結晶化されたポリウレタンゴムが望ましい。
【００３５】
ポリウレタンゴムは、ポリイソシアネートとポリオールとを重合することで合成される。また、ポリオール以外にイソシアネート基と反応し得る官能基を有する樹脂を用いてもよい。なお、ポリウレタンゴムはハードセグメントとソフトセグメントとを有していることが望ましい。
ここで、「ハードセグメント」及び「ソフトセグメント」とは、ポリウレタンゴム材料中で、前者を構成する材料の方が、後者を構成する材料よりも相対的に硬い材料からなり、後者を構成する材料の方が前者を構成する材料よりも相対的に柔らかい材料からなるセグメントを意味する。
また、上記「ポリイソシアネート」は、合成された樹脂において架橋構造を形成するものではなく、そのため、基材はイソシアネートによる架橋構造を有するものではない。
【００３６】
ハードセグメントを構成する材料（ハードセグメント材料）とソフトセグメントを構成する材料（ソフトセグメント材料）との組み合わせとしては、特に限定されず、一方が他方に対して相対的に硬く、他方が一方に対して相対的に柔らかい組み合わせとなるよう公知の樹脂材料から選択し得るが、本実施形態においては、以下の組み合わせが好適である。
【００３７】
・ソフトセグメント材料
ソフトセグメント材料としては、ポリオールとして、ジオールと二塩基酸との脱水縮合で得られるポリエステルポリオール、ジオールとアルキルカーボネートの反応により得られるポリカーボネートポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエーテルポリオール等が挙げられる。
なお、ソフトセグメント材料として用いられる上記ポリオールの市販品としては、例えば、株式会社ダイセル製のプラクセル２０５、プラクセル２４０、日立化成株式会社製のテスラック２４６４などが挙げられる。
【００３８】
・ハードセグメント材料
ハードセグメント材料としては、イソシアネート基に対して反応し得る官能基を有する樹脂を用いることが望ましい。また、柔軟性のある樹脂であることが望ましく、柔軟性の点から直鎖構造を有する脂肪族系の樹脂であることがより望ましい。
具体例としては、２つ以上のヒドロキシ基を含むアクリル樹脂や、２つ以上のヒドロキシ基を含むポリブタジエン樹脂、２つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３９】
２つ以上のヒドロキシ基を含むアクリル樹脂の市販品としては、例えば、綜研化学社製のアクトフロー（登録商標）（グレード：ＵＭＢ−２００５Ｂ、ＵＭＢ−２００５Ｐ、ＵＭＢ−２００５、ＵＭＥ−２００５等）が挙げられる。
２つ以上のヒドロキシ基を含むポリブタジエン樹脂の市販品としては、例えば、出光興産社製のＲ−４５ＨＴ等が挙げられる。
【００４０】
２つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、従来の一般的なエポキシ樹脂のごとく、硬くて脆い性質を有するものではなく、従来のエポキシ樹脂よりも柔軟強靭性であるものが望ましい。
このようなエポキシ樹脂としては、例えば、分子構造の面では、その主鎖構造中に、主鎖の可動性を高くし得る構造（柔軟性骨格）を有するものが好適であり、柔軟性骨格としては、アルキレン骨格や、シクロアルカン骨格、ポリオキシアルキレン骨格等が挙げられ、特にポリオキシアルキレン骨格が好適である。
また、物性面では、従来のエポキシ樹脂と比べて、分子量に比して粘度が低いエポキシ樹脂が好適である。具体的には、重量平均分子量が９００±１００の範囲内であり、２５℃における粘度が１５０００±５０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが望ましく、１５０００±３０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることがより望ましい。この特性を有するエポキシ樹脂の市販品としては、例えば、ＤＩＣ製、ＥＰＬＩＣＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０等が挙げられる。
【００４１】
ハードセグメント材料及びソフトセグメント材料を用いる場合、ハードセグメント材料及びソフトセグメント材料の総量に対するハードセグメントを構成する材料の質量比（以下「ハードセグメント材料比」と称す）が１０質量％以上３０質量％以下の範囲内であることが望ましく、１３質量％以上２３質量％以下の範囲内であることがより望ましく、１５質量％以上２０質量％以下の範囲内であることが更に望ましい。
ハードセグメント材料比が、１０質量％以上であることにより、耐摩耗性が得られ易くなる。一方、ハードセグメント材料比が３０質量％以下であることにより、硬くなり過ぎることがなく、柔軟性や伸張性が得られ、欠けの発生が抑制され易くなる。
【００４２】
・ポリイソシアネート
ポリウレタンゴムの合成に用いられるポリイソシアネートとしては、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、２，６−トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）、１，６−ヘキサンジイソシアネート（ＨＤＩ）、１，５−ナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）及び３，３−ジメチルフェニル−４，４−ジイソシアネート（ＴＯＤＩ）などが挙げられる。
なお、求められる大きさ（粒子径）のハードセグメント凝集体の形成し易さという点から、ポリイソシアネートとしては、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、１，５−ナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）がより望ましい。
【００４３】
ポリイソシアネートのイソシアネート基に対して反応し得る官能基を有する樹脂１００質量部に対する配合量は、２０質量部以上４０質量部以下が望ましく、更には２０質量部以上３５質量部以下がより望ましく、２０質量部以上３０質量部以下が更に望ましい。
２０質量部以上であることにより、ウレタン結合量が多く確保されてハードセグメント成長し、求められる硬度が得られ易くなる。一方、４０質量部以下であることにより、ハードセグメントが大きくなり過ぎず、伸張性が得られ、摺擦部材の欠けの発生が抑制され易くなる。
【００４４】
・鎖延長剤、架橋剤
鎖延長剤、架橋剤としては、ジオール（２官能）、トリオール（３官能）、テトラオール（４官能）等が挙げられ、これらを併用してもよい。
また、鎖延長剤、架橋剤としてアミン系化合物を用いてもよい。
鎖延長剤としては、ジオール、ジアミンが望ましく、具体的には、例えば、１，４−ブタンジオール、エチレングリコールが挙げられる。
架橋剤としては、３官能以上のものが望ましく、具体的には、例えば、トリメチロールプロパン、グリセリン、トリイソプロパノールアミン等が挙げられる。
【００４５】
架橋剤のイソシアネート基に対して反応し得る官能基を有する樹脂１００質量部に対する配合量は２質量部以下が望ましい。２質量部以下であることにより、分子運動が化学架橋で拘束されることなく、熟成によるウレタン結合由来のハードセグメントが大きく成長し、求められる硬度が得やすくなる。
【００４６】
基材に含有されるポリウレタンゴムの重量平均分子量は、１０００乃至４０００の範囲内であることが望ましく、１５００乃至３５００の範囲内であることがより望ましい。
【００４７】
（基材の製造方法）
本実施形態における基材は、まず、全体に亘り樹脂を含有する基材を作製し、作製された基材に対し接触領域を形成することで得られる。
この製造方法について詳細に説明する。
【００４８】
・基材（接触領域を形成する前の基材）の成形方法
本実施形態における基材は、まず、全体に亘り樹脂を含有する基材を作製する。
ここで、樹脂としてポリウレタンゴムを用いた基材の作製方法について説明する。
ポリウレタンゴムを用いた基材の作製は、プレポリマー法やワンショット法など、ポリウレタンの一般的な製造方法が用いられる。
プレポリマー法は、強度、耐摩耗性に優れるポリウレタンが得られるため本実施形態には好適であるが、製法により制限されるものではない。
【００４９】
ポリウレタンゴムを用いた基材は、上述したポリオールに、ポリイソシアネート及び架橋剤等を混合して、基材形成用組成物を調製する。そして、この基材形成用組成物を、例えば、遠心成形や押し出し成形等を利用して、シート状に形成し、切断加工等を施すことにより作製される。
【００５０】
ここで、一例を挙げて、ポリウレタンゴムを用いた、接触領域を形成する前の基材の製造方法の詳細を説明する。
【００５１】
まず、ソフトセグメント材料（例えばポリカプロラクトンポリオール）と、ハードセグメント材料（例えば２つ以上のヒドロキシル基を含むアクリル樹脂）を、混合（例えば質量比８：２）する。
次に、このソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対して、ポリイソシアネート（例えば４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート）を加えて、例えば窒素雰囲気下で反応させる。この際の温度は６０℃以上１５０℃以下であることが望ましく、更には８０℃以上１３０℃以下であることが望ましい。また、反応時間は０．１時間以上３時間以下であることが望ましく、更には１時間以上２時間以下であることが望ましい。
【００５２】
続いて、ポリイソシアネートを更に加え、例えば窒素雰囲気下で反応させてプレポリマーを得る。この際の温度は４０℃以上１００℃以下であることが望ましく、更には６０℃以上９０℃以下であることが望ましい。また、反応時間は３０分間以上６時間以下であることが望ましく、更には１時間以上４時間以下であることが望ましい。
次いで、このプレポリマーを昇温し減圧下で脱泡する。この際の温度は６０℃以上１２０℃以下であることが望ましく、更には８０℃以上１００℃以下であることが望ましい。また、反応時間は１０分間以上２時間以下であることが望ましく、更には３０分間以上１時間以下であることが望ましい。
その後、プレポリマーに対して、鎖延長剤（例えば１，４−ブタンジオール）、及び架橋剤（例えばトリメチロールプロパン）を加え、更に必要に応じてチキソ性組成物を混合して、基材形成用組成物を調製する。
【００５３】
次いで、遠心成形機の金型に基材形成用組成物を流し込み、硬化反応させる。この際の金型温度は８０℃以上１６０℃以下であることが望ましく、更には１００℃以上１４０℃以下であることが望ましい。また、反応時間は２０分間以上３時間以下であることが望ましく、更には３０分間以上２時間以下であることが望ましい。
続いて架橋反応させて、冷却させる。この架橋反応の際の熟成加熱の温度は７０℃以上１３０℃以下であることが望ましく、８０℃以上１３０℃以下であることがより望ましく、更には１００℃以上１２０℃以下であることが望ましい。また反応時間は１時間以上４８時間以下であることが望ましく、更には１０時間以上２４時間以下であることが望ましい。
冷却後に、所望の形状に切断することで、接触領域を形成する前の基材が得られる。
【００５４】
接触領域を形成する前の基材において、基材に対し、イソシアネートにより硬化処理が施されていないことが好ましい。
接触領域がイソシアネートにより硬化処理を施されていない状態であると、柔軟性が高いことから、被摺擦部材との摺擦中、異物（例えば、磁性粉、記録媒体端部）との接触にて接触領域に局所的な応力集中が生じても、その応力を緩和し易く、接触領域における欠けの発生をより抑制し易くなると考えられる。
なお、前述したポリウレタンゴムを得る際に用いる「ポリイソシアネート」は、合成された樹脂において架橋構造を形成するものではなく、「イソシアネートによる架橋構造」を形成するものではない。
【００５５】
本実施形態に係る摺擦部材において、接触領域を形成する前の基材のヤング率は、前述したヤング率Ｅ２に相当し、１ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下が好ましく、５ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下がより好ましく、８ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下が更に好ましい。
このようなヤング率は、例えば、ポリウレタンゴムを用いた基材であれば、ハードセグメント材料とソフトセグメント材料との質量比、架橋剤量、触媒量等の調整にて制御される。
【００５６】
（基材が有する接触領域）
本実施形態における基材はその一部に、被摺擦部材との接触する接触領域を含む。
この接触領域は、表面のヤング率Ｅ１が１０ＭＰａ以上２００，０００ＭＰａ以下であり、且つ、厚みＴが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
ヤング率Ｅ１は、低すぎると変形し易く、高過ぎると被摺擦部材を損傷させる虞がある。ヤング率Ｅ１としては、２０ＭＰａ以上１３０，０００ＭＰａ以下が好ましく、３０ＭＰａ以上９，０００ＭＰａ以下がより好ましい。
また、厚みＴは、摺擦に適するヤング率発現の点から、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましい。
【００５７】
このような接触領域は、如何なる組成であってもよいが、接触領域と接触領域以外の基材との剥離を抑制する点から、炭素含有領域を含んで形成されていることが好ましい。
炭素含有領域としては、上記のヤング率Ｅ１を達成するため、基材に含有されている樹脂とｓｐ３結合を有する炭素を含む炭素含有領域であることが高硬度であり且つ薄い接触領域となり易い。このような炭素含有領域の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、樹脂を含む基材に対し直接プラズマイオンを注入することで基材内部にｓｐ３結合を有する炭素原子を浸透させる方法が挙げられる。
なお、イソシアネートを用いた硬化処理では、上記のような高硬度であり且つ薄い接触領域は作製し難いものである。
【００５８】
また、本実施形態に係る摺擦部材は、前記炭素含有領域の更に被摺擦部材との接触側表面に、樹脂を含まず且つｓｐ３結合を有する炭素を含む炭素層を備えていてもよい。なお、炭素層の形成方法としても、特に限定されるものではないが、上記の直接プラズマイオンを注入する方法によって炭素含有領域を形成する際、イオン注入の時間を調整することで前記炭素含有領域の外側にまでｓｐ３結合を有する炭素を積層させる方法が挙げられる。
【００５９】
・パルスプラズマイオン注入法による炭素含有領域の形成、及び炭素層の成膜
ここで、基材における炭素含有領域及び炭素層を形成する、パルスプラズマイオン注入法について説明する。
パルスプラズマイオン注入法においては、少なくとも１以上のイオン注入用ガスを用いて、パルスプラズマによる、イオン注入プロセスと成膜プロセスとを組み合わせた複合プロセスによって、基材の被摺擦部材との接触側に炭素含有領域を形成し、更に該炭素含有領域の被摺擦部材との接触側表面に炭素層を成膜する。また、上記の複合プロセスの前にパルスプラズマによる表面調整プロセスを設けてもよい。
【００６０】
なお、こうして形成される炭素含有領域では、基材中の樹脂の種類を選択することによって該樹脂とｓｐ３結合を有する炭素とが結合され、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層が形成される。また、上記方法で形成される炭素層も、ｓｐ３結合を有する炭素が積層されてＤＬＣ層を形成される。
【００６１】
ここで、より具体的な形成方法について説明する。
プラズマ発生用高周波電源と、高電圧パルス発生用電源とを、共通のフィードスルーを介してチャンバー内の基材に接続しておき、前記プラズマ発生用高周波電源から基材に高周波パルス（パルスＲＦ電圧）を印加して基材の外形に沿って周囲にプラズマを発生させる。そして、そのプラズマ中又はアフターグロープラズマ中に、高電圧パルス発生用電源から基材に負の高電圧パルス（ＤＣパルス電圧）を少なくとも１回印加し、これら高周波パルスの印加と負の高電圧パルスの印加とを繰り返し行う。なお、この高周波パルスの印加と高電圧パルスの印加との繰り返し数は、１００回／秒以上５０００回／秒以下の範囲が利用できる。
【００６２】
高周波パルス幅は２μｓ以上２００μｓ以下の短パルスとし、高電圧パルス幅は０．２μｓ以上５０μｓ以下の短パルスとすることが望ましい。前記高周波パルスの印加後１０μｓ以上３００μｓ以下経過した後に高電圧パルスを印加する。
また、高電圧パルスの印加後は、低電圧パルスを印加することで、炭素層が形成される。
【００６３】
表面調整プロセスに用いるガスとしては、アルゴンとメタン、又は更に水素を含む混合ガスが用いられる。
【００６４】
パルスプラズマイオン注入用ガスとしては、メタンガスが好適に用いられる。
また、成膜用ガスとしては、エチレン、アセチレン、プロパン、ブタン、ヘキサン、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエンからなる群より選ばれる１種以上のガスが用いられる。
【００６５】
なお、高電圧パルスの印加によって基材の表面付近に遊離された少なくともＳｉイオンとＣイオンを含むプラズマイオンを、例えば５ｋｅＶ以上３０ｋｅＶ以下の運動エネルギーに励起させた状態で基材へ注入させることで、処理温度を５０℃以上１００℃以下の範囲に抑制しつつ、基材内部に炭素含有領域を形成し得る。また、炭素含有領域の表面に０．２μｍ以上１．０μｍ以下の範囲でＤＬＣ層、つまり炭素層を堆積し得る。
【００６６】
また、炭素含有領域及び炭素層中には、ｓｐ３結合を有するＣ原子やＳｉ成分に加えて、更にＮ原子、Ｆ原子を成分として含んでいてもよい。
Ｎ原子を含むことにより、摺擦部材において摩擦帯電による粉体の固着が抑制される。また、Ｆ原子を含むことにより、摺擦部材における摺擦部分の離型性が向上され粉体の固着が抑制される。
【００６７】
なお、Ｎ原子を含有させる際に用いる注入用ガスとしては、例えばアルゴン、水素、酸素と、アンモニアガスを混合させたガス等が挙げられる。
また、Ｆ原子を含有させる際に用いる注入用ガスとしては、例えばヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）とアセチレン（Ｃ２Ｈ２）、フッ化炭素（Ｃ３Ｆ８）を流量比１：１：０．１の割合で混合したガス等が挙げられる。
【００６８】
なお、イオンの注入は、摺動部材における被摺擦部材と接触する部分側から行うことが好ましい。
例えば、図２に示すクリーニングブレード３４２であれば、像保持体（感光体ドラム）３１と接触する角部及びこの角部を構成する面の角部の周囲、つまり接触角部３Ａ、及び、この接触角部３Ａを構成する先端面３Ｂ及び腹面３Ｃの接触角部３Ａの周囲に対し、イオンの注入が行われることが好ましい。
【００６９】
なお、接触領域のヤング率Ｅ１は、例えば、前述のイオン注入の際における、ガス種、イオン注入時間、印加電圧、繰返しパルス数、パルス幅等の調整によって制御される。
【００７０】
・厚み
本実施形態に係る摺擦部材において、接触領域は前述の通り、炭素含有領域のみで形成されていてもよいし、炭素含有領域と炭素層とによって形成されていてもよい。
そのため、接触領域が炭素含有領域のみで形成されていれば、この炭素含有領域の厚みが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下（接触領域の厚みＴと同じ）であればよく、接触領域が炭素含有領域と炭素層とによって形成されていれば、この炭素含有領域と炭素層との厚みの総計が１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であればよい。
【００７１】
前記炭素含有領域の被摺擦部材との接触面側からの厚みとしては、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましい。
【００７２】
なお、炭素含有領域の厚みは、例えば、前述のイオン注入の際における、印加電圧、カレント電流、繰返しパルス数、パルス幅、ディレータイム等の調整によって制御される。
【００７３】
前記炭素層の厚みとしては、０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、更には１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が更に好ましい。
炭素層の厚みが４００ｎｍ以下であることにより、炭素層の剥がれが発生した場合であっても発生した剥離片が小さいため、接触する被摺擦部材への剥離片による傷付きが抑制される点で好ましい。
【００７４】
なお、炭素層の厚みは、例えば、前述のイオン注入の時間の調整によって制御される。
【００７５】
・用途
本実施形態に係る摺擦部材は、画像形成装置内の、例えば、クリーニング部材、特に、クリーニングブレードとして好適に用いられる。
クリーニングブレードによるクリーニングの対象となる被クリーニング部材（被摺擦部材）としては、表面のクリーニングが要求される部材であれば特に限定されず、例えば、像保持体（感光体）、中間転写体、帯電ロール、転写ロール、記録媒体搬送ベルト、記録媒体搬送ロール、像保持体からトナーを除去するクリーニングブラシから更にトナーを除去するデトーニングロール等が挙げられる。
また、本実施形態に係る摺擦部材は、クリーニング部材（クリーニングブレード）以外にも、各種装置において他の部材と摺擦する態様であれば、特に限定されずあらゆる部材に用い得る。例えば、摺擦部材の他の用途としては、回転ローラーの表面、記録媒体等の搬送路の表面、気密パッキンの表面、摺擦パッドの表面、シート等が挙げられる。
【００７６】
（クリーニング装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置）
次に、本実施形態に係る摺擦部材を、クリーニング部材として用いたクリーニング装置、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置について説明する。
【００７７】
本実施形態に係るクリーニング装置は、被クリーニング部材表面に接触し、被クリーニング部材表面をクリーニングするクリーニング部材（好ましくはクリーニングブレード）として、本実施形態に係る摺擦部材を備えたものであれば特に限定されない。
例えば、クリーニング装置の構成例としては、被クリーニング部材側に開口部を有するクリーニングケース内に、エッジ先端が開口部側となるようクリーニングブレードを固定すると共に、クリーニングブレードにより被クリーニング部材表面から回収された廃トナー等の異物を異物回収容器に導く搬送部材を備えた構成などが挙げられる。また、本実施形態に係るクリーニング装置は、本実施形態に係るクリーニング部材（好ましくはクリーニングブレード）が２つ以上備えていてもよい。
【００７８】
なお、本実施形態に係る摺擦部材からなるクリーニングブレードを中間転写ベルト等の中間転写体のクリーニングに利用する場合、クリーニングブレードが中間転写体に押し当てられる力ＮＦ（Ｎｏｒｍａｌ  Ｆｏｒｃｅ）は１．２ｇｆ／ｍｍ以上３．０ｇｆ／ｍｍ以下の範囲であることが望ましく、１．６ｇｆ／ｍｍ以上２．５ｇｆ／ｍｍ以下の範囲であることがより望ましい。
また、クリーニングブレード先端部が中間転写体に食込む長さが０．６ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲であることが望ましく、０．９ｍｍ以上１．４ｍｍ以下の範囲であることがより望ましい。
クリーニングブレードと中間転写体との接触部における角度Ｗ／Ａ（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ａｎｇｌｅ）は８°以上１４°以下の範囲であることが望ましく、１０°以上１２°以下の範囲であることがより望ましい。
【００７９】
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、像保持体や中間転写体等の１つ以上の被クリーニング部材表面に接触し、被クリーニング部材表面をクリーニングするクリーニング装置として、本実施形態に係るクリーニング装置を備えたものであれば特に限定されず、例えば、中間転写体と、この中間転写体表面をクリーニングする本実施形態に係るクリーニング装置とを含み、画像形成装置に対して脱着自在な態様等が挙げられる。加えて、本実施形態に係るクリーニング装置の他に、クリーニングブラシ等を併用してもよい。
【００８０】
−画像形成装置、クリーニング装置の具体例−
次に、本実施形態に係る摺擦部材からなるクリーニングブレード、並びに、これを用いた画像形成装置及びクリーニング装置の具体例について、図面を用いてより詳細に説明する。
図４は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略模式図であり、いわゆるタンデム型の画像形成装置について示したものである。
図４中、２１は本体ハウジング、２２、２２ａ乃至２２ｄは作像ユニット、２３はベルトモジュール、２４は記録媒体供給カセット、２５は記録媒体搬送路、３０は各感光体ユニット、３１は感光体ドラム、３３は各現像ユニット、３４はクリーニング装置、３５、３５ａ乃至３５ｄはトナーカートリッジ、４０は露光ユニット、４１はユニットケース、４２はポリゴンミラー、５１は一次転写装置、５２は二次転写装置、５３はベルトクリーニング装置、６１は送出しロール、６２は搬送ロール、６３は位置合わせロール、６６は定着装置、６７は排出ロール、６８は排紙部、７１は手差し供給装置、７２は送出しロール、７３は両面記録用ユニット、７４は案内ロール、７６は搬送路、７７は搬送ロール、２３０は中間転写ベルト、２３１、２３２は支持ロール、５２１は二次転写ロール、５３１はクリーニングブレードを表す。
【００８１】
図４に示すタンデム型画像形成装置は、本体ハウジング２１内に四つの色（本実施の形態ではイエロ、マゼンタ、シアン、ブラック）の作像ユニット２２（具体的には２２ａ乃至２２ｄ）を配列し、その上方には各作像ユニット２２の配列方向に沿って循環搬送される中間転写ベルト２３０が含まれるベルトモジュール２３を配設する一方、本体ハウジング２１の下方には用紙等の記録媒体（図示せず）が収容される記録媒体供給カセット２４を配設すると共に、この記録媒体供給カセット２４からの記録媒体の搬送路となる記録媒体搬送路２５を垂直方向に配置したものである。
【００８２】
本実施の形態において、各作像ユニット２２（２２ａ乃至２２ｄ）は、中間転写ベルト２３０の循環方向上流側から順に、例えばイエロ用、マゼンタ用、シアン用、ブラック用（配列は必ずしもこの順番とは限らない）のトナー像を形成するものであり、各感光体ユニット３０と、各現像ユニット３３と、共通する一つの露光ユニット４０とを備えている。
ここで、感光体ユニット３０は、例えば感光体ドラム３１と、この感光体ドラム３１を予め帯電する帯電装置（帯電ロール）３２と、感光体ドラム３１上の残留トナーを除去するクリーニング装置３４とを一体的にサブカートリッジ化したものである。
【００８３】
また、現像ユニット３３は、帯電された感光体ドラム３１上に露光ユニット４０にて露光形成された静電潜像を対応する色トナー（本実施の形態では例えば負極性）で現像するものであり、例えば感光体ユニット３０からなるサブカートリッジと一体化されてプロセスカートリッジ（所謂Ｃｕｓｔｏｍｅｒ  Ｒｅｐｌａｃｅａｂｌｅ  Ｕｎｉｔ）を構成している。
なお、感光体ユニット３０を現像ユニット３３から切り離して単独のプロセスカートリッジとしてもよいことは勿論である。また、図４中、符号３５（３５ａ乃至３５ｄ）は各現像ユニット３３に各色成分トナーを補給するためのトナーカートリッジである（トナー補給経路は図示せず）。
【００８４】
一方、露光ユニット４０は、ユニットケース４１内に例えば四つの半導体レーザ（図示せず）、一つのポリゴンミラー４２、結像レンズ（図示せず）及び各感光体ユニット３０に対応するそれぞれミラー（図示せず）を格納し、各色成分毎の半導体レーザからの光をポリゴンミラー４２で偏向走査し、結像レンズ、ミラーを介して対応する感光体ドラム３１上の露光ポイントに光像を導くよう配置したものである。
【００８５】
また、本実施の形態において、ベルトモジュール２３は、例えば一対の支持ロール（一方が駆動ロール）２３１，２３２間に中間転写ベルト２３０を掛け渡したものであり、各感光体ユニット３０の感光体ドラム３１に対応した中間転写ベルト２３０の裏面には一次転写装置（本例では一次転写ロール）５１が配設され、この一次転写装置５１にトナーの帯電極性と逆極性の電圧を印加することで、感光体ドラム３１上のトナー像を中間転写ベルト２３０側に静電的に転写する。更に、中間転写ベルト２３０の最下流作像ユニット２２ｄの下流側の支持ロール２３２に対応した部位には二次転写装置５２が配設されており、中間転写ベルト２３０上の一次転写像を記録媒体に二次転写（一括転写）する。
【００８６】
本実施の形態では、二次転写装置５２は、中間転写ベルト２３０のトナー像保持面側に圧接配置される二次転写ロール５２１と、中間転写ベルト２３０の裏面側に配置されて二次転写ロール５２１の対向電極をなす背面ロール（本例では支持ロール２３２を兼用）とを備えている。そして、例えば二次転写ロール５２１が接地されており、また、背面ロール（支持ロール２３２）にはトナーの帯電極性と同極性のバイアスが印加されている。
更にまた、中間転写ベルト２３０の最上流作像ユニット２２ａの上流側にはベルトクリーニング装置５３が配設されており、中間転写ベルト２３０上の残留トナーを除去する。なお、ベルトクリーニング装置５３で用いられるクリーニングブレード５３１として、本実施形態に係る摺擦部材からなるクリーニングブレードが用いられている。
【００８７】
また、記録媒体供給カセット２４には記録媒体を送り出す送出しロール６１が設けられ、この送出しロール６１の直後には記録媒体を送出する搬送ロール６２が配設されると共に、二次転写部位の直前に位置する記録媒体搬送路２５には記録媒体を定められたタイミングで二次転写部位へ供給するレジストレーションロール（位置合わせロール）６３が配設されている。一方、二次転写部位の下流側に位置する記録媒体搬送路２５には定着装置６６が設けられ、この定着装置６６の下流側には記録媒体排出用の排出ロール６７が設けられており、本体ハウジング２１の上部に形成された排紙部６８に排出記録媒体が収容される。
【００８８】
更に、本実施の形態では、本体ハウジング２１の側方には手差し供給装置７１が設けられており、この手差し供給装置７１上の記録媒体は送出しロール７２及び搬送ロール６２にて記録媒体搬送路２５に向かって送出される。
更にまた、本体ハウジング２１には両面記録用ユニット７３が付設されており、この両面記録用ユニット７３は、記録媒体の両面に画像記録を行う両面モード選択時に、片面記録済みの記録媒体を排出ロール６７を逆転させ、かつ、入口手前の案内ロール７４にて内部に取り込み、搬送ロール７７にて内部の記録媒体戻し搬送路７６に沿って記録媒体を搬送し、再度位置合わせロール６３側へと供給するものである。
【００８９】
次に、図４に示すタンデム型画像形成装置内に配置されたクリーニング装置３４について詳述する。
図５は、本実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す模式断面図であり、図４中に示すクリーニング装置３４と共にサブカートリッジ化された感光体ドラム３１、帯電ロール３２や、現像ユニット３３も示した図である。
図５中、３２は帯電ロール（帯電装置）、３３１はユニットケース、３３２は現像ロール、３３３はトナー搬送部材、３３４は搬送パドル、３３５は現像剤層厚規制部材、３４１はクリーニングケース、３４２はクリーニングブレード、３４４はフィルムシール、３４５は搬送部材を表す。
【００９０】
クリーニング装置３４は、残留トナーが収容され且つ感光体ドラム３１に対向して開口するクリーニングケース３４１を有し、このクリーニングケース３４１の開口下縁には感光体ドラム３１に接触配置されるクリーニングブレード３４２を図示外のブラケットを介して取り付ける一方、クリーニングケース３４１の開口上縁には感光体ドラム３１との間が気密に保たれるフィルムシール３４４を取り付けたものである。なお、符号３４５はクリーニングケース３４１内に収容された廃トナーを側方の廃トナー容器に導く搬送部材である。
【００９１】
なお、本実施の形態では、各作像ユニット２２（２２ａ乃至２２ｄ）の全てのクリーニング装置３４において、クリーニングブレード３４２として本実施形態に係る摺擦部材からなるクリーニングブレードが用いられている。また、ベルトクリーニング装置５３で用いられるクリーニングブレード５３１も本実施形態に係る摺擦部材からなるクリーニングブレードが用いられている。
【００９２】
また、本実施の形態で用いられる現像ユニット（現像装置）３３は、例えば図５に示すごとく、現像剤が収容され且つ感光体ドラム３１に対向して開口するユニットケース３３１を有している。ここで、このユニットケース３３１の開口に面した箇所に現像ロール３３２が配設されると共に、ユニットケース３３１内には現像剤攪拌搬送のためのトナー搬送部材３３３が配設されている。更に、現像ロール３３２とトナー搬送部材３３３との間には搬送パドル３３４を配設してもよい。
現像に際しては、現像ロール３３２に現像剤を供給した後、例えば現像剤層厚規制部材３３５にて現像剤を層厚規制した状態で、感光体ドラム３１に対向する現像領域に搬送される。
【００９３】
本実施の形態では、現像ユニット３３としては、例えばトナーとキャリアとからなる二成分現像剤を使用するが、トナーのみからなる一成分現像剤を使用するものであっても差し支えない。
【００９４】
次に、本実施の形態に係る画像形成装置の作動を説明する。先ず、各作像ユニット２２（２２ａ乃至２２ｄ）が各色に対応した単色トナー像を形成すると、各色の単色トナー像は中間転写ベルト２３０表面に、元の原稿情報と一致するよう順次重ね合わせて一次転写される。続いて、中間転写ベルト２３０表面に転写されたカラートナー像は、二次転写装置５２にて記録媒体表面に転写され、カラートナー像が転写された記録媒体は定着装置６６による定着処理を経た後、排紙部６８へと排出される。
一方、各作像ユニット２２（２２ａ乃至２２ｄ）において、感光体ドラム３１上の残留トナーはクリーニング装置３４にて清掃され、また、中間転写ベルト２３０上の残留トナーはベルトクリーニング装置５３にて清掃される。
こうした作像過程において、夫々の残留トナーはクリーニング装置３４、ベルトクリーニング装置５３によって清掃される。
【００９５】
なお、クリーニングブレード３４２は、図５に示されるごとくクリーニング装置３４内のフレーム部材に直接固定するのではなく、バネ材を介して固定されてもよい。
【実施例】
【００９６】
以下に、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の説明において「部」は「質量部」を意味する。
【００９７】
〔実施例１〕
−接触領域を有さない基材の作製−
まず、ポリカプロラクトンポリオール（（株）ダイセル製、プラクセル２０５、平均分子量５２９、水酸基価２１２ＫＯＨｍｇ／ｇ）と、ポリカプロラクトンポリオール（（株）ダイセル製、プラクセル２４０、平均分子量４１５５、水酸基価２７ＫＯＨｍｇ／ｇ）と、ポリエステルポリオール（アジピン酸系ポリエステル、日立化成株式会社製、テスラック２４６４、平均分子量１０００、水酸基価１１０〜１２０ＫＯＨｍｇ／ｇ）と、の混合物（プラクセル２０５：プラクセル２４０：テスラック２４６４＝４：２：４（質量比））をポリオール成分のソフトセグメント材料として用いた。また、２つ以上のヒドロキシル基を含むアクリル樹脂（綜研化学社製、アクトフローＵＭＢ−２００５Ｂ）をハードセグメント材料として用い、上記ソフトセグメント材料及びハードセグメント材料を８：２（質量比）の割合で混合した。
次に、このソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物１００部に対して、イソシアネート化合物として４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（日本ポリウレタン工業(株)製、ミリオネートＭＴ）を６．２６部加えて、窒素雰囲気下で７０℃で３時間反応させた。なお、この反応で使用したイソシアネート化合物量は、反応系に含まれる水酸基に対するイソシアネート基の比（イソシアネート基／水酸基）が０．５となるよう選択したものである。
続いて、上記イソシアネート化合物を更に３４．３部加え、窒素雰囲気下で７０℃で３時間反応させて、プレポリマーを得た。なお、プレポリマーの使用に際して利用したイソシアネート化合物の全量は４０．５６部であった。
次に、このプレポリマーを１００℃に昇温し、減圧下で１時間脱泡した。その後、プレポリマー１００部に対して、１，４−ブタンジオール（鎖延長剤）とトリメチロールプロパン（架橋剤）との混合物（質量比＝６０／４０）を７．１４部加え、３分間泡を巻きこまないよう混合し、基材形成用組成物Ａを調製した。
【００９８】
次いで、１４０℃に金型を調整した遠心成形機に上記基材形成用組成物Ａを流し込み、１時間硬化反応させた。次いで、１１０℃で２４時間熟成加熱し、冷却した後切断して、長さ３２０ｍｍ、幅１２ｍｍ、厚さ２ｍｍの基材Ａを得た。
【００９９】
−炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜−
パルスプラズマイオン注入法により、前記基材Ａの被摺擦部材との接触側（接触角部）にｓｐ３結合を有する炭素をイオン注入して炭素含有領域を形成し、且つその炭素含有領域の外側（被摺擦部材との接触表面）に炭素層を製膜した。
以下に具体的なパルスプラズマイオン注入の方法を説明する。
基材Ａに対し、メタンガスのプラズマ中にて高電圧パルス（１５ｋＶ以上３５ｋＶ以下）を印加することで、基材Ａに主として炭素イオンをイオン注入した。これにより、炭素イオンがゴムからなる基材Ａの炭素同士の結合又は炭素と水素との結合を切り、ゴム中の炭素又は水素と置換された。結果、基材Ａから少なくとも０．１μｍ以上深さまで炭素原子が注入された炭素含有領域が形成された。
ここで、炭素含有領域の浸透を高めるためガス圧を高くし（０．５Ｐａ以上２Ｐａ以下の範囲）、高電圧パルスの繰り返し数を可能な限り高くした（２０００ｐｐｓ以上１００００ｐｐｓ以下）。次に、放電プラズマの出力を７００Ｗとし、トルエンガスのプラズマ中で基材Ａに印加する低電圧パルス４ｋＶを１０分間印加した。これにより、基材Ａの炭素含有領域の表面に炭素層が形成された。
なお、前記イオン注入プロセスの前にパルスプラズマによる表面調整プロセスを設けてもよい。
【０１００】
以上のようにして、実施例１におけるクリーニングブレード１を得た。
【０１０１】
〔実施例２〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８８モル％、鎖延長剤４．１モル％、イソシアネート化合物７．２モル％、架橋剤０．７モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｂを調製し、この基材形成用組成物Ｂを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｂを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｂを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｂの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を７００Ｗとし、トルエンガスのプラズマ中で基材Ｂに低電圧パルス４．５ｋＶを１３分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例２におけるクリーニングブレード２を得た。
【０１０２】
〔実施例３〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８６．６モル％、鎖延長剤４．５モル％、イソシアネート化合物８．２モル％、架橋剤０．７モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｃを調製し、この基材形成用組成物Ｃを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｃを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｃを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｃの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を７００Ｗとし、トルエンガスのプラズマ中で基材Ｃに低電圧パルス５ｋＶを１３分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例３におけるクリーニングブレード３を得た。
【０１０３】
〔実施例４〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２０５、平均分子量５２９、水酸基価２１２ＫＯＨｍｇ／ｇ）及びポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２４０、平均分子量４１５５、水酸基価２７ＫＯＨｍｇ／ｇ）の混合物（プラクセル２０５：プラクセル２４０＝５：５（質量比））を用い、全体の割合がポリオール７２モル％、鎖延長剤５．５モル％、イソシアネート化合物１９．２モル％、架橋剤３．３モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｄを調製し、この基材形成用組成物Ｄを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｄを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｄを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｄの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を１ｋＷとし、トルエン／アセチレン混合ガス（モル比８：２）のプラズマ中で基材Ｄに低電圧パルス５ｋＶを１５分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例４におけるクリーニングブレード４を得た。
【０１０４】
〔実施例５〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２０５、平均分子量５２９、水酸基価２１２ＫＯＨｍｇ／ｇ）及びポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２４０、平均分子量４１５５、水酸基価２７ＫＯＨｍｇ／ｇ）の混合物（プラクセル２０５：プラクセル２４０＝４：６（質量比））を用い、鎖延長剤に１，４−ブタンジオールとエチレングリコールとの混合物（１，４−ブタンジオール：エチレングリコール＝５：５（質量比））を用い、全体の割合がポリオール７２モル％、鎖延長剤３．３モル％、イソシアネート化合物２３モル％、架橋剤１．７モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｅを調製し、この基材形成用組成物Ｅを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｅを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｅを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｅの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を１ｋＷとし、トルエン／アセチレン混合ガス（モル比１：１）のプラズマ中で基材Ｅに低電圧パルス７ｋＶを２０分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例５におけるクリーニングブレード５を得た。
【０１０５】
〔実施例６〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２０５、平均分子量５２９、水酸基価２１２ＫＯＨｍｇ／ｇ）、ポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２４０、平均分子量４１５５、水酸基価２７ＫＯＨｍｇ／ｇ）、及びポリエステルポリオール（アジピン酸系ポリエステル、日立化成株式会社製、テスラック２４６４、平均分子量１０００、水酸基価１１０〜１２０ＫＯＨｍｇ／ｇ）の混合物（プラクセル２０５：プラクセル２４０：テスラック２４６４＝４：３：３（質量比））を用い、全体の割合がポリオール６２モル％、鎖延長剤９．７モル％、イソシアネート化合物２０モル％、架橋剤８．３モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｆを調製し、この基材形成用組成物Ｆを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｆを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｆを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｆの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を１．５ｋＷとし、メタン／アセチレン混合ガス（モル比３：７）のプラズマ中で基材Ｆに低電圧パルス１０ｋＶを２０分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例６におけるクリーニングブレード６を得た。
【０１０６】
〔実施例７〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８３．３モル％、鎖延長剤４．７モル％、イソシアネート化合物１１．１モル％、架橋剤０．９モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｇを調製し、この基材形成用組成物Ｇを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｇを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｇを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｇの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を１．５ｋＷとし、メタン／アセチレン混合ガス（モル比３：７）のプラズマ中で基材Ｇに低電圧パルス１５ｋＶを３０分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例７におけるクリーニングブレード７を得た。
【０１０７】
〔実施例８〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８５．１モル％、鎖延長剤３．７モル％、イソシアネート化合物１０．３モル％、架橋剤０．９モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｈを調製し、この基材形成用組成物Ｈを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｈを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｈを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｈの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を１．５ｋＷとし、メタン／アセチレン混合ガス（モル比３：７）のプラズマ中で基材Ｈに低電圧パルス１９ｋＶを３０分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例８におけるクリーニングブレード８を得た。
【０１０８】
〔実施例９〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２０５、平均分子量５２９、水酸基価２１２ＫＯＨｍｇ／ｇ）、ポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２４０、平均分子量４１５５、水酸基価２７ＫＯＨｍｇ／ｇ）、及びポリエステルポリオール（アジピン酸系ポリエステル、日立化成株式会社製、テスラック２４６４、平均分子量１０００、水酸基価１１０〜１２０ＫＯＨｍｇ／ｇ）の混合物（プラクセル２０５：プラクセル２４０：テスラック２４６４＝２：４：４（質量比））を用い、全体の割合がポリオール７２モル％、鎖延長剤６．７モル％、イソシアネート化合物１７モル％、架橋剤４．３モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｉを調製し、この基材形成用組成物Ｉを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｉを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｉを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｉの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を７００Ｗとし、トルエンガスのプラズマ中で基材Ｉに低電圧パルス４．５ｋＶを１１分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例９におけるクリーニングブレード９を得た。
【０１０９】
〔実施例１０〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８０．８モル％、鎖延長剤５．２モル％、イソシアネート化合物１２．７モル％、架橋剤１．３モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｊを調製し、この基材形成用組成物Ｊを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｊを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｊを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｊの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を１ｋＷとし、トルエン／アセチレン混合ガス（モル比７：３）のプラズマ中で基材Ｊに低電圧パルス５ｋＶを１５分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、実施例１０におけるクリーニングブレード１０を得た。
【０１１０】
〔実施例１１〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８９モル％、鎖延長剤３．７モル％、イソシアネート化合物６．７モル％、架橋剤０．６モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｋを調製し、この基材形成用組成物Ｋを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｋを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｋを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｋの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を７００Ｗとし、ヘキサメチルジシロキサン／メタン混合ガス（モル比１：１）のプラズマ中で基材Ｋに低電圧パルス５ｋＶを５分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成のみを行った。
以上のようにして、実施例１１におけるクリーニングブレード１１を得た。
【０１１１】
〔比較例１〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２０５、平均分子量５２９、水酸基価２１２ＫＯＨｍｇ／ｇ）、ポリカプロラクトンポリオール（株式会社ダイセル製、プラクセル２４０、平均分子量４１５５、水酸基価２７ＫＯＨｍｇ／ｇ）、及びポリエステルポリオール（アジピン酸系ポリエステル、日立化成株式会社製、テスラック２４６４、平均分子量１０００、水酸基価１１０〜１２０ＫＯＨｍｇ／ｇ）の混合物（プラクセル２０５：プラクセル２４０：テスラック２４６４＝３：４：３（質量比））を用い、全体の割合がポリオール７２モル％、鎖延長剤６．７モル％、イソシアネート化合物１７モル％、架橋剤４．３モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｌを調製し、この基材形成用組成物Ｌを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｌを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｌを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｌの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を７００Ｗとし、トルエン／アセチレン混合ガス（モル比７：３）のプラズマ中で基材Ｌに低電圧パルス４ｋＶを７分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、比較例１におけるクリーニングブレードＣ１を得た。
【０１１２】
〔比較例２〕
実施例１の基材Ａと同様の基材Ｍを作製した。
この基材Ｍの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を７００Ｗとし、トルエンガスのプラズマ中で基材Ｍに低電圧パルス３ｋＶを８分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、比較例２におけるクリーニングブレードＣ２を得た。
【０１１３】
〔比較例３〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８６．２モル％、鎖延長剤３．２モル％、イソシアネート化合物９．７モル％、架橋剤０．９モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｎを調製し、この基材形成用組成物Ｎを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｎを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｎを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｎの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を２ｋＷとし、メタン／アセチレン混合ガス（モル比３：７）のプラズマ中で基材Ｎに低電圧パルス２０ｋＶを３２分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、比較例３におけるクリーニングブレードＣ３を得た。
【０１１４】
〔比較例４〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール７９．５モル％、鎖延長剤６．２モル％、イソシアネート化合物１３モル％、架橋剤１．３モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｏを調製し、この基材形成用組成物Ｏを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｏを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｏを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｏの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を２ｋＷとし、メタン／アセチレン混合ガス（モル比３：７）のプラズマ中で基材Ｏに低電圧パルス２５ｋＶを３５分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、比較例４におけるクリーニングブレードＣ４を得た。
【０１１５】
〔比較例５〕
実施例１の基材形成用組成物Ａの調製において、ポリオールにポリテトラメチレンエーテルグリコール（保土谷化学工業（株）製、ＰＴＭＧ２０００ＳＮ、分子量２０００、水酸基価５６．１ＫＯＨｍｇ／ｇ）を用い、全体の割合がポリオール８８モル％、鎖延長剤３．７モル％、イソシアネート化合物７．９モル％、架橋剤０．４モル％となるよう配合した以外は同様にして、基材形成用組成物Ｐを調製し、この基材形成用組成物Ｐを用いて実施例１と同様の方法及び条件で基材Ｐを作製した。ここで、基材形成用組成物Ｐを調製する際、イソシアネート化合物については、ソフトセグメント材料とハードセグメント材料との混合物に対し、配合量全量の１５質量％ほどを先に使用して３時間反応させ、その後、残りを追添加した。
作製された基材Ｐの被摺擦部材との接触側（接触角部）に、放電プラズマの出力を２ｋＷとし、メタン／アセチレン混合ガス（モル比３：７）のプラズマ中で基材Ｐに低電圧パルス２２ｋＶを３０分間印加した以外は、実施例１と同様にして炭素含有領域の形成及び炭素層の成膜を行った。
以上のようにして、比較例５におけるクリーニングブレードＣ５を得た。
【０１１６】
＜評価試験＞
−ヤング率Ｅ１、厚みＴ、及びヤング率Ｅ２、の測定−
実施例及び比較例で得られた各クリーニングブレードについて、前述した方法によりヤング率Ｅ１、厚みＴ、及びヤング率Ｅ２を測定した。
結果を表１に示す。
【０１１７】
−欠け試験−
以下の方法により、欠け発生の度合い（グレード）を評価した。
実施例及び比較例で得られたクリーニングブレードを、富士ゼロックス社製ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ−ＩＶ  Ｃ５５７５に搭載し、ＮＦ（Ｎｏｒｍａｌ  Ｆｏｒｃｅ）を１．３ｇｆ／ｍｍ、Ｗ／Ａ（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ａｎｇｌｅ）を１１°に合わせ、１０ｋ枚プリントを行った。
プリント終了後のクリーニングブレードについて、接触角部の欠けの大きさ及び個数によって、以下の基準に従い、欠け発生の度合い（グレード）を評価した。
なお、欠け発生の度合い（グレード）は、接触角部の軸方向の中心部位１００ｍｍの範囲で計測した。
−評価基準−
Ｇ１  ：欠け未発生
Ｇ２  ：欠けの大きさ１μｍ以下、個数１個以上５個未満
Ｇ３  ：欠けの大きさ１μｍ以下、個数５個以上１０個未満
Ｇ４  ：欠けの大きさ１μｍ以下、個数１０個以上
Ｇ５  ：欠けの大きさ１μｍを超え５μｍ以下、個数１個以上５個未満
Ｇ６  ：欠けの大きさ１μｍを超え５μｍ以下、個数５個以上１０個未満
Ｇ７  ：欠けの大きさ１μｍを超え５μｍ以下、個数１０個以上
Ｇ８  ：欠けの大きさ５μｍを超える、個数１個以上５個未満
Ｇ９  ：欠けの大きさ５μｍを超える、個数５個以上１０個未満
Ｇ１０：欠けの大きさ５μｍを超える、個数１０個以上
【０１１８】
−クリーニング不良発生の有無−
クリーニング不良の評価は、上記の欠け試験終了後に未転写ベタ画像（ベタ画像サイズ：４００ｍｍ×２９０ｍｍ）が形成されたＡ３用紙を、感光体ドラムとクリーニングブレードとの間に給紙して、未転写ベタ画像の搬送方向最後端部分が感光体ドラムとクリーニングブレードとの接触部を通過し終えた直後に装置を停止し、トナーの擦り抜け有無を目視で確認し、擦り抜けが認められる場合をクリーニング不良とした。
なお、エッジ部（接触角部）の摩耗や欠けにより、トナーを塞き止める部位が欠落している場合はエッジ磨耗深さや欠け深さが大きい程、上述したテストでクリーニング不良が発生し易くなるため、上記テストはエッジ部（接触角部）の磨耗や欠けの定性的評価に有用である。
−評価基準−
Ａ：トナー擦り抜け未発生
Ｂ：許容レベルのトナー擦り抜け発生
Ｃ：画質に問題が出るレベルのトナー擦り抜け発生
【０１１９】
【表１】
0006455145.tif 000002
【０１２０】
以上のように、実施例のクリーニングブレードによれば、欠け未発生であるか、比較例のクリーニングブレードと比較して、欠けの発生が少ないことが分かる。
また、比較例のクリーニングブレードは、画質に問題が出るレベルのトナー擦り抜け発生していることも分かった。
【符号の説明】
【０１２１】
３Ａ  接触角部、３Ｂ  先端面、３Ｃ  腹面、２１  本体ハウジング、２２、２２ａ乃至２２ｄ  作像ユニット、２３  ベルトモジュール、２４  記録媒体供給カセット、２５  記録媒体搬送路、３０  感光体ユニット、３１  感光体ドラム（像保持体）、３２  帯電ロール、３３  現像ユニット、３４  クリーニング装置、３５、３５ａ乃至３５ｄ  トナーカートリッジ、４０  露光ユニット、４１  ユニットケース、４２  ポリゴンミラー、５１  一次転写装置、５２  二次転写装置、５３  ベルトクリーニング装置、６１  送出しロール、６２  搬送ロール、６３  位置合わせロール、６６  定着装置、６７  排出ロール、６８  排紙部、７１  手差し供給装置、７２  送出しロール、７３  両面記録用ユニット、７４  案内ロール、７６  搬送路、７７  搬送ロール、２３０  中間転写ベルト、２３１、２３２  支持ロール、３３１  ユニットケース、３３２  現像ロール、３３３  トナー搬送部材、３３４  搬送パドル、３３５  現像剤層厚規制部材、３４１  クリーニングケース、３４２  クリーニングブレード、３４４  フィルムシール、３４５  搬送部材、５２１  二次転写ロール、５３１  クリーニングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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