(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコンによって形成された環状の第１の部材と、
単結晶シリコンによって形成された環状の第２の部材とを有し、
前記第２の部材の上面に前記第１の部材が重ね合わせられるフォーカスリングであって、
前記第１の部材の下面に形成された第１のリング状凹部と、
前記第１のリング状凹部に重ね合わせられる、前記第２の部材の上面に形成された第２のリング状凹部と、
前記第１のリング状凹部内、及び前記第２のリング状凹部内に収容される単結晶シリコンによって形成されたリング状部材と、
を備え、
前記第１の部材の下面と第２の部材上面とが、前記第１、２のリング状凹部を除いて密着していることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項２】
前記第１、２のリング状凹部を含む、第１の部材の下面と第２の部材の上面とが対向する環状対向面の全面積を１００％とした際、
第１の部材と第２の部材の内周面から第１、２のリング状凹部の内周面に至る、第１の部材の下面と第２の部材の上面とが対向する環状対向面の面積が、前記全面積の４０％以上となる位置に、第１、２のリング状凹部が設けられ、
前記第１、２のリング状凹部内に、前記リング状部材が配置されていることを特徴とする請求項１記載のフォーカスリング。
【請求項３】
前記第１の部材と第２の部材の内周面から前記リング状部材の内周面に至る、前記環状対向面における、第１の部材の下面及び第２の部材の上面の平坦度が、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のフォーカスリング。
【請求項４】
前記環状対向面における、第１の部材下面の内周端部と外周端部及び第２の部材上面の内周端部と外周端部のうち、
少なくとも、第１の部材下面の外周端部及び第２の部材上面の外周端部に、面取り寸法が１００μｍ以下の直線状あるいは曲線状の面取り部が形成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のフォーカスリング。
【請求項５】
第１のリング状凹部及び第２のリング状凹部が、平面視上、直線状部と曲線状部を有し、
前記リング状部材が、前記第１のリング状凹部及び第２のリング状凹部の直線状部と曲線状部に対応する、直線状部と曲線状部を有し、かつ、前記リング状部材の直線状部は、リング状部材の外周のみに形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載されたフォーカスリング。
【請求項６】
前記リング状部材の径方向の垂直断面において、リング状部材の外周面の下側部に屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載されたフォーカスリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォーカスリングに関し、特にプラズマ処理装置において被処理基板の外側に設けられ、その内周部に被処理基板を載置するフォーカスリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいて、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置が用いられ、被処理基板にエッチング等の処理が行われる。
その際、被処理基板のプラズマ処理を均一にするために、被処理基板の周囲を囲むように、フォーカスリングが配置される。
このフォーカスリングは、被処理基板の外側に設けられ、例えばその内周部に被処理基板を載置することにより、被処理基板の周囲にいわゆる擬似被処理基板（擬似ウエハ）を形成し、当該被処理基板（当該ウエハ）のプラズマ処理を均一になすものである。
【０００３】
前記フォーカスリングはシリコンにより製作され、被処理基板よりも大きな外径を有するリング状に形成される。
一般的には、前記フォーカスリングは単結晶シリコンのインゴットを輪切りにし、円板状部材を切り出し、更に前記円板状部材の中央部分をくりぬくことにより、リング状のフォーカスリングを製作している。
【０００４】
ところで、前記フォーカスリングをプラズマ処理に用いると、使用するにつれてその表面が損傷、劣化し、前記フォーカスリングを新規に交換する必要があった。
そのため、フォーカスリング全体を新規に交換するのではなく、フォーカスリングの劣化した一部を交換することができる、分割型のフォーカスリングが特許文献１，２において提案されている。
【０００５】
この特許文献１に示されたフォーカスリングを、図９に基づいて説明する。
このフォーカスリング４０は、第１の部材４１と、第２に部材４２からなる二体構造のフォーカスリングであって、それぞれの部材４１、４２の外周部に相互に嵌合する、位置決め用凹凸４１ａ、４２ａが設けられている。
また、第１の部材４１の内周部には、被処理基板を載置する段部４１ｂが形成され、第２の部材４２には、前記段部４１ｂの内周面に一致した貫通孔４２ｂが形成されている。
【０００６】
このフォーカスリング４０にあっては、第１の部材４１と、第１の部材４１を支持するためにその下方に配置された第２の部材４２とから構成されているため、表面劣化した場合にはフォーカスリング全体を交換するのではなく、損傷が著しい第１の部材４１のみを交換することができる。その結果、プラズマ処理装置の運用コスト、半導体デバイスの製造コストを抑制することができる。
【０００７】
更に、特許文献２に示されたフォーカスリングを、図１０に基づいて説明する。
このフォーカスリング５０は、シリコンフォーカスリングの使用済み廃棄品を再加工することによって得られた、第１の部材５１および第２の部材５２を重ね合わせることによって、形成される。
前記第１の部材５１の下面５１ａ、第２の部材５２の上面５２ａには、それらの重ね合わせ面の各外周縁部に凹凸のハメ合わせ部５１ｂ、５２ｂを設け、各リングを重ね合わせる際の位置合わせ基準としている。
【０００８】
このように特許文献２に示されたフォーカスリング５０にあっては、従来は廃棄処分されていた使用済みシリコンフォーカスリングを新たな素材として再生使用するため、従来よりも安価なシリコンフォーカスリングを得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−９０４８号公報
【特許文献２】特開２００４−７９９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献１、２に記載されたフォーカスリングにあっては、第１の部材と、第１の部材を支持するための第２の部材とから構成されている。
そのため、第１の部材の下面と第２の部材の上面との間から（特に外周部から）、プラズマ処理の際用いられるエッチングガスが侵入し、第１の部材の下面及び第２の部材の上面が侵食され、前記第１の部材と第２の部材との密着性が損なわれるという技術的課題があった。更に言えば、この密着性が損なわれた状態でプラズマ処理が行われると、第１の部材と第２の部材との間の熱の伝導性が損なわれ、被処理基板近傍の温度コントロールが十分になされず当該基板のエッチングが面内不均一となるという技術的課題があった。
【００１１】
特に、第２の部材の上面も侵食され、表面が粗くなるため、第１の部材のみを交換しても、新規な第１の部材と従前から使用されていた第２の部材との密着性が悪く、被処理基板の面内を均一にエッチングすることができないという技術的課題があった。
【００１２】
また、第１の部材と第２の部材の外周部には、位置決め用凹凸（凹凸のハメ合わせ部）が設けられている。この位置決め用凹凸（凹凸のハメ合わせ部）は、図９（ｂ）の斜線で示すように、材料から切り出して形成するために、材料のロスが大きく、製造コストが嵩むという技術的課題があった。
特に、位置決め用の凸部は、位置決めのために（嵌合するために）所定の長さ以上の長さ寸法Ｔを必要するため、凸部が形成される第１の部材はより厚い材料から切り出す必要があり、材料のロスがより大きく、より製造コストが嵩むという技術的課題があった。
【００１３】
また、第１の部材と第２の部材が、前記位置決め用凹凸（凹凸のハメ合わせ部）のみで当接し、第１の部材の下面と第２の部材の上面における他の部位が密着しない場合には、第１の部材と第２の部材間の熱伝導性が悪化し、被処理基板近傍の適切な温度コントロールができず、当該基盤の面内を均一にエッチングできないという技術的課題があった。
【００１４】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、第１の部材の下面、第２の部材の上面との密着性が損なわれることなく、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内を均一にエッチングすることができ、しかも切り出し部分が少ないフォーカスリングを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記した課題を解決するためになされた本発明にかかるフォーカスリングは、単結晶シリコンによって形成された環状の第１の部材と、単結晶シリコンによって形成された環状の第２の部材とを有し、前記第２の部材の上面に前記第１の部材が重ね合わせられるフォーカスリングであって、前記第１の部材の下面に形成された第１のリング状凹部と、前記第１のリング状凹部に重ね合わせられる、前記第２の部材の上面に形成された第２のリング状凹部と、前記第１のリング状凹部内、及び前記第２のリング状凹部内に収容される単結晶シリコンによって形成されたリング状部材と、を備え、前記第１の部材の下面と第２の部材上面とが、前記第１、２のリング状凹部を除いて密着していることを特徴としている。
【００１６】
このように構成されているため、第１の部材の下面と第２の部材の上面との間、特に外周面側からエッチングガスが侵入した場合にも、前記第１、２のリング状凹部より内周面側へのエッチングガスの侵入が抑制され、前記内周面側の第１の部材下面及び第２の部材上面の侵食が抑制される。
その結果、前記第１の部材と第２の部材との内周面側において、良好な密着性が維持され、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内均一なエッチングを行うことができる。
【００１７】
また、前記第１のリング状凹部と第２のリング状凹部を形成する場合は、従来の位置決め用凹凸を形成する場合のように厚い材料から切り出す必要がなく、製造コストをより安価になすことができる。
【００１８】
ここで、前記第１、２のリング状凹部を含む、第１の部材の下面と第２の部材の上面とが対向する環状対向面の全面積を１００％とした際、第１の部材と第２の部材の内周面から第１、２のリング状凹部の内周面に至る、第１の部材の下面と第２の部材の上面とが対向する環状対向面の面積が、前記全面積の４０％以上となる位置に、第１、２のリング状凹部が設けられ、前記第１、２のリング状凹部内に、前記リング状部材が配置されていることが望ましい。
【００１９】
このように、前記リング状部材が特定位置に配置されているため、第１の部材の下面と第２の部材の上面との間の外周部側からエッチングガスが侵入した場合にも、前記第１、２のリング状凹部より内周面側の特定領域（全面積の４０％以上の領域）へのエッチングガスの侵入が抑制される。
その結果、前記特定領域における、第１の部材下面及び第２の部材上面の侵食が抑制され、良好な密着状態が維持され、熱の伝導性が損なわれることなく、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内均一なエッチングを行うことができる。
尚、第１、２のリング状凹部より内周面側の特定領域は、前記全面積の６０％以上の領域を確保することにより、上記効果をより確実に得ることができる。
【００２０】
また、前記第１の部材と第２の部材の内周面から前記リング状部材の内周面に至る、前記環状対向面における、第１の部材の下面及び第２の部材の上面の平坦度が１０μｍ以下であることが望ましい。
第１の部材の下面及び第２の部材の上面の平坦度が１０μｍ以下である場合には、第１の部材と第２の部材の熱の伝導効果に優れ、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内均一なエッチングを行うことができる。
【００２１】
更に、前記環状対向面における、第１の部材下面の内周端部と外周端部及び第２の部材上面の内周端部と外周端部のうち、少なくとも、第１の部材下面の外周端部及び第２の部材上面の外周端部に、面取り寸法が１００μｍ以下の直線状あるいは曲線状の面取り部が形成されていることが望ましい。
【００２２】
このように、第１の部材下面の外周端部及び第２の部材上面の外周端部に、面取り寸法が１００μｍ以下の極めて小さな直線状あるいは曲線状の面取り部が形成されているため、第１の部材及び第２の部材の外周面側からのエッチングガスの侵入を抑制することができる。
このエッチングガスの侵入抑制効果をより確実にするためには、酸エッチングによる好ましくは面取り寸法が５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下の曲線状の面取り部とすることがより好ましい。
【００２３】
また、第１のリング状凹部及び第２のリング状凹部が、平面視上、直線状部と曲線状部を有し、前記リング状部材が、前記第１のリング状凹部及び第２のリング状凹部の直線状部と曲線状部に対応する、直線状部と曲線状部を有し、かつ、前記リング状部材の直線状部は、リング状部材の外周のみに形成されていることが望ましい。
このように、第１のリング状凹部、第２のリング状凹部、前記リング状部材には、平面視上、直線状部と曲線状部から形成されているため、第１のリング状凹部及び第２のリング状凹部内における特定の位置に、前記リング状部材を確実に固定することができる。
【００２４】
また、前記リング状部材の径方向の垂直断面において、リング状部材の外周面の下側部に屈曲部が形成されていることが望ましい。
このように、リング状部材の外周面の下側部に屈曲部が形成されているため、前記第１、２のリング状凹部より内周面側へのエッチングガスの侵入がより抑制され、前記内周面側の第１の部材下面及び第２の部材上面の侵食が抑制される。
その結果、前記第１の部材と第２の部材との内周面側の密着性が良好な状態に維持され、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内均一なエッチングを行うことができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、第１の部材の下面、第２の部材の上面との密着性が損なわれることなく、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内を均一にエッチングでき、しかも切り出し部分が少ないフォーカスリングを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の実施形態を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した各部材を組み立てた状態を示す斜視図である。
【図３】図３は、図２に示したＩ−Ｉ断面図である。
【図４】図４は、図３に示した要部拡大図である。
【図５】図５は、図１に示した第１の部材の角部を示す概念図である。
【図６】図６は、フォーカスリングの第１の変形例を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示した第１の変形例に用いられるリング状部材の一部を示す平面図である。
【図８】図８は、リング状部材の変形例を示す断面図である。
【図９】図９は、第１の従来例を示す分解断面図である。
【図１０】図１０は、第２の従来例を示す分解断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明にかかるフォーカスリングの実施形態について、図１乃至図５に基づいて説明する。
このフォーカスリング１は、例えば、内径が４５０ｍｍ、外径が５５０ｍｍ、厚さが７ｍｍ（特に、有効な範囲は、内径が２９０ｍｍ〜４４８ｍｍ、外径が３５０ｍｍ〜５５０ｍｍ、厚さが３ｍｍ〜１０ｍｍ）の大きさを有している。
【００２８】
図１、図２に示すように、このフォーカスリング１は、環状の第１の部材１０と、前記環状の第２の部材２０と、リング状部材３０とを有し、リング状部材３０を介して、第２の部材２０と第１の部材１０が重ね合わせて使用する、いわゆる分割型のフォーカスリングである。
【００２９】
また、前記第１の部材１０、第２の部材２０、リング状部材３０は、単結晶シリコンあるいは多結晶シリコンで形成されている。
尚、多結晶シリコンの場合は、プロセス時の発塵（パーティクル）発生原因になり得るため、単結晶シリコンで形成することがより好ましい。
【００３０】
図１、図３、図４に示すように、前記環状の第１の部材１０は、上面１１、外周面１２、下面１３、内周面１４とから構成されている。そして、前記第１の部材１０の下面１３には所定の深さ、径方向の幅を有する、断面矩形形状の第１のリング状凹部１５が形成されている。また環状の第１の部材１０の内周面１４側には、ウエハが載置される段部（載置面）１６が形成されている。
【００３１】
また、前記第２の部材２０は、上面２１、外周面２２、下面２３、内周面２４とから構成されている。そして、前記第２の部材３の上面２１には所定の深さ、径方向の幅を有する、断面矩形形状の第２のリング状凹部２５が形成されている。
この第１のリング状凹部１５と第２のリング状凹部２５は、対応した位置に配置され、第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１が重ね合わせられることにより、一つのリング状部材３０を収容するリング状の空間Ｓが形成される。
【００３２】
また、前記リング状部材３０は、上面３１、外周面３２、下面３３、内周面３４とから構成され、その断面形状は矩形形状になされ、かつ平面視上、環状に形成されている。
このリング状部材３０は、第１のリング状凹部１５内及び前記第２のリング状凹部２５内、すなわち前記空間Ｓに収容される。
【００３３】
図４に示すように、前記第１の部材１０の厚さｔ１、第２の部材の厚さｔ２、全体の厚さｔ３（＝ｔ１＋ｔ２）とした際、ｔ１が０．２〜０．４ｔ３、ｔ２が０．６〜０．８ｔ３、好ましくはｔ１が０．２〜０．３ｔ３、ｔ２が０．７〜０．８ｔ３と設定するのが好ましい。
このように、前記第１の部材１０の厚さｔ１、第２の部材２０の厚さｔ２に設定されることにより、第１の部材のみを交換する場合、コストメリットを最大限に活かすことができる。
【００３４】
また、図４に示すように、前記第１のリング状凹部１５の深さ寸法をＡ、前記第２のリング状凹部２５の深さ寸法をＢ、リング状部材３０の高さ寸法をＣとした場合、前記寸法Ａの公差寸法下限値と前記寸法Ｂの公差寸法下限値の和が、寸法Ｃの公差寸法上限値よりも大きく設定される。
即ち、リング状部材３０の周りに、第１のリング状凹部１５と前記第２のリング状凹部２５による空間Ｓが形成されるように設定される。
尚、図４では、理解を容易ならしめるため、リング状部材３０が第２のリング状凹部２５から浮いた状態で図示しているが、実際はリング状部材３０が第２のリング状凹部２５に接して配置される。
【００３５】
また、上記したように、前記寸法Ａの公差寸法下限値と前記寸法Ｂの公差寸法下限値の和が、寸法Ｃの公差寸法上限値よりも大きく設定されるため、リング状部材３０が、第１のリング状凹部１５内及び前記第２のリング状凹部２５内に収容された状態において、第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１とが、前記第１、２のリング状凹部１５、２５を除いて密着した状態、いわゆる密接している。
【００３６】
このように、第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１とが、前記第１、２のリング状凹部１５，２５を除いて密着した状態にあるため、第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１との間、特に外周面１２、２２側からのエッチングガスの侵入が抑制される。
【００３７】
また、第１、２の部材１０，２０の外周面１２、２２側から、下面１３と上面２１との間にエッチングガスが侵入した場合にも、前記第１、２のリング状凹部１５，２５より内周面側の領域へのエッチングガスの侵入が抑制され、前記内周面側の第１の部材下面１３及び第２の部材上面２１の侵食が抑制される。
【００３８】
これは、外周面側の第１の部材１０の下面１３及び第２の部材２０の上面２１がエッチングされ、前記リング状部材３０が収容された空間Ｓの当該部材側壁側空間Ｓ１内にエッチングガスが侵入する。この侵入したエッチングガスは、前記空間Ｓの当該部材側壁側空間Ｓ１内で滞留し、前記空間Ｓ１内に新たなエッチングガスが流入するのを抑制する。
その結果、前記第１、２のリング状凹部１５，２５より内周面側の領域へのエッチングガスの侵入が抑制され、前記内周面側の第１の部材下面１３及び第２の部材上面２１の侵食が抑制される。
このように、内周面側の第１の部材下面１３及び第２の部材上面２１の侵食が抑制されることにより、前記内周面側領域の良好な密着性は維持され、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内均一なエッチングを行うことができる。
【００３９】
また、図４に示すように、前記第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１とが対向する環状対向面の全面積Ｘ（図４では断面図であるため、単に径方向の長さで示しているが、この長さ寸法と周方向の長さを乗じたものである）を１００％とした場合に、第１の部材１０と第２の部材２０の内周面から前記空間Ｓの内周面３４（第１、２のリング状凹部１５，２５の内周面１５ａ，２５ａ）に至る環状面積Ｙが、前記全面積Ｘの４０％以上となる位置に、前記第１、２のリング状凹部１５，２５（リング状部材３０）が配置される。
【００４０】
前記第１、２のリング状凹部１５，２５（リング状部材３０）が前記特定位置に配置されているため、外周面１２，２２側から第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１との間にエッチングガスが侵入した場合にも、前記第１、２のリング状凹部１５，２５（リング状部材３０の内周面）より内周面側の特定領域（全面積の４０％以上の領域）へエッチングガスの侵入が抑制される。
この特定領域は、前記したようにエッチングガスの侵入が抑制される領域であり、第１の部材１０と第２の部材２０との良好な密着性が維持される領域である。また、被処理基板に近接する領域である。
したがって、この特定領域が全面積に占める割合が高い方がより好ましく、好ましくは前記全面積の６０％以上であることが好ましい。
【００４１】
更に、前記第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１の平坦度は、１０μｍ以下に形成されている。
前記第１の部材１０の下面１３と第２の部材２０の上面２１の平坦度が１０μｍ以下に形成されることにより、前記下面１３及び上面２１が密着するため、熱の伝導性が損なわれることなく、被処理基板近傍の適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内均一なエッチングを行うことができる。
【００４２】
特に、特定領域（第１の部材と第２の部材の内周面から第１、２のリング状凹部１５，２５の内周面１５ａ、２５ａに至る前記環状対向面）における、第１の部材の下面及び第２の部材の上面の平坦度が１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下であることが望ましい。
前記特定領域における第１の部材の下面１３及び第２の部材の上面２１は、良好な密着性が維持される領域であり、この領域の平坦度を他の領域よりさらに高めることにより被処理基板近傍のより適切な温度コントロールを行うことができ、当該基板の面内をより均一にエッチングすることができる。
【００４３】
また、第１の部材下面１３の外周端部（角部）と第２の部材上面２１の外周端部（角部）には、面取り寸法が１００μｍ以下の面取り部が形成されている。面取り部が形成されていない場合には、取り扱い作業中に欠け等が生じ、パーティクルの発生を招来する虞があるためである。
一方、第１の部材下面１３の外周端部（角部）と第２の部材上面２１の外周端部（角部）の面取り寸法が１００μｍより大きい場合には、前記面取り部から第１の部材下面１３と第２の部材上面２１との間に、エッチングガスが侵入し易く、好ましくない。
このことは、第１の部材下面１３の内周端部（角部）と第２の部材上面２１の内周端部（角部）の面取り部においても同様である。
【００４４】
前記第１の部材下面１３の外周端部（角部）と第２の部材上面２１の外周端部（角部）の面取り部は、構成が同一であるため、図５に基づいて、第１の部材下面１３の外周端部（角部）の面取り部１７について更に説明する。
図５に示すように、第１の部材１０の外周面１２及び下面１３に面取り寸法ｔ３、ｔ４が１００μｍ以下となるように面取り部１７が形成されている。
この面取り部１７の形状は、直線状の形状に限定されるものではなく、曲線状の形状であっても良い。
【００４５】
このように、面取り寸法が１００μｍ以下の直線状あるいは曲線状の面取り部１７が形成されているため、エッチングガスの侵入が抑制され、リング状部材３０の侵食がより確実に抑制される。
尚、この面取り部１７の形成は酸エッチング等の化学的研磨で面取り寸法を５０μｍ以下に形成することがより好ましい。さらに好ましくは３０μｍ以下の曲線状の面取り部とすることがより好ましい。
【００４６】
更に、このフォーカスリング１にあっては、第１のリング状凹部１５と第２のリング状凹部２５を形成すれば良く、従来の第１の部材と第２の部材の外周部に位置決め用凹凸を設ける場合に比べて、薄い材料からの切り出しが可能であり、製造コストをより安価になすことができる。
【００４７】
例えば、図４に示すように、第１のリング状凹部１５の深さＡが０．４ｍｍ、第２のリング状凹部２５の深さＢが０．７ｍｍ、第１のリング状凹部及び第２のリング状凹部の幅Ｄが５ｍｍに形成されている。
即ち、第１の部材下面１３及び第２の部材上面２１に、前記第１のリング状凹部１５、第２のリング状凹部２５を切り出す（切削）することによって製造することができ、切り出し量も少なく、製造コストをより安価になすことができる。
【００４８】
次に、本発明にかかる第１の変形例について、図６、図７に基づいて説明する。尚、図６は第２の部材にリング部材が収容された状態を示す平面図であり、図７は図６に示したリング状部材の概略図である。
上記実施形態では、第１のリング状凹部１５及び第２のリング状凹部２５は、平面視上、環状に形成され、またリング状部材３０についても、第１のリング状凹部１５及び第２のリング状凹部２５に収容されるように、環状に形成されている場合について説明した。
【００４９】
この第１の変形例では、第１のリング状凹部１５及び第２のリング状凹部２５が、平面視上、直線状部２６と曲線状部２７を有している。尚、図６には図示していないが、第１のリング状凹部１５にも、第２のリング状凹部２５と同様な直線状部２６と曲線状部２７が形成されている。
また、前記リング状部材３０には、前記第１のリング状凹部１５及び第２のリング状凹部２５の直線状部と曲線状部に対応する、直線状部３５と曲線状部３６が形成されている。
前記直線状部３５の半径方向の幅ｔ５は、曲線状部３６の半径方向の幅ｔ６の０．８５〜０．９５倍であることが望ましい。
【００５０】
このように、第１のリング状凹部１５、第２のリング状凹部２５、前記リング状部材３０が平面視上、直線状部と曲線状部を有しているため、前記リング状部材３０を、第１のリング状凹部及び第２のリング状凹部内に位置ずれを起こすことなく、特定の位置に確実に固定することができる。
尚、本発明のフォーカスリングにおいては、第１のリング状凹部１５及び第２のリング状凹部２５が、平面視上、直線状部２６と曲線状部２７を有し、前記リング状部材３０が、前記第１のリング状凹部１５及び第２のリング状凹部２５の直線状部と曲線状部に対応する、直線状部と曲線状部を有し、かつ、前記リング状部材３０の直線状部２６は、リング状部材３０の外周のみに形成されていることがより好ましい。
これにより、被処理基板の外周から、リング状部材３０の内周までの間隔を均等にすることができ、被処理基板近傍のより均一な温度コントロールを行うことができる。
【００５１】
次に、第１のリング状凹部、第２のリング状凹部、前記リング状部材の断面形状が異なる変形例を図８に基づいて説明する。
上記実施形態にあっては、第１のリング状凹部１５、第２のリング状凹部２５、前記リング状部材３０の断面形状が矩形形状の場合について説明したが、図８（ａ）に示すように第１のリング状凹部１５、第２のリング状凹部２５、前記リング状部材３０が逆Ｌ字型であっても良い。
また、図８（ｂ）に示すように、第１のリング状凹部１５、第２のリング状凹部２５、前記リング状部材３０がＴ字型であっても良い。
更に、図８（ｃ）に示すように、第１のリング状凹部１５、第２のリング状凹部２５、前記リング状部材３０が十字型であっても良い。
【００５２】
このように、リング状部材３０の外周面の特に下側部にエッチングガスの流れ方向に直角方向（下方に向かう）の屈曲部３２ａが形成され、かつ、直角方向（上方に向かう）に折り返す屈曲部３２ｂが形成されているため、前記第１、２のリング状凹部１５，２５より内周面側へのエッチングガスの侵入がより抑制され、前記内周面側の第１の部材下面１３及び第２の部材上面２１の侵食が抑制される。
その結果、前記第１の部材１０と第２の部材２０との内周面側の良好な密着状態が維持され、被処理基板の面内均一なエッチングを行うことができる。
【符号の説明】
【００５３】
１        フォーカスリング
１０      第１の部材
１２      外周面
１３      下面
１５      第１のリング状凹部
２０      第２の部材
２１      上面
２２      外周面
２５      第２のリング状凹部
３０      リング状部材
Ｓ        空間
Ｓ１      リング状部材側壁側空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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