(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方向に沿って並び、各々が個別にタッチ操作を検出する３以上の検出部と、
前記検出部の出力に基づいて前記検出部の数に対応する解像度よりも低解像度の出力データを複数パターン生成する生成処理を行う生成部と、
前記複数パターンの出力データに基づいて前記検出部毎の検出結果を求めるための合成値を前記検出部毎に算出する算出処理を行う算出部と、
前記検出部毎に設定された所定の値を有する初期値と、前記検出部毎に算出された前記合成値との差に基づいて前記初期値を再決定する決定処理を行う決定部と
を備え、
前記生成部は、前記３以上の検出部のうち一部であって連続して並ぶ複数の検出部の出力を統合した統合出力を用いて前記出力データを生成し、
前記複数パターンの出力データの生成に係り出力が統合される検出部の組み合わせは出力データ毎に異なり、
出力が統合される前記複数の検出部の配置は、異なる２つの出力データで所定のずれ量だけずれており、
前記所定のずれ量は、前記検出部の並び方向について、前記複数の検出部が位置する範囲の幅よりも小さい
タッチ検出装置。
【請求項２】
出力が統合される前記複数の検出部を挟んで、出力が統合される検出部の数に満たない前記検出部が当該検出部の並び方向の両端に位置する場合、当該両端の検出部の出力が統合される
請求項１に記載のタッチ検出装置。
【請求項３】
前記決定部は、前記初期値と前記合成値との差と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記算出処理を再度実施させる
請求項１又は２に記載のタッチ検出装置。
【請求項４】
前記検出部は、直交する二方向に沿って配置されている
請求項１から３のいずれか一項に記載のタッチ検出装置。
【請求項５】
出力が統合される前記検出部の組み合わせを前記二方向について個別に切り替え可能な選択部を備える
請求項４に記載のタッチ検出装置。
【請求項６】
前記検出部は、自己容量方式の静電容量センサである
請求項１から５のいずれか一項に記載のタッチ検出装置。
【請求項７】
前記検出部は、相互容量方式の静電容量センサである
請求項１から５のいずれか一項に記載のタッチ検出装置。
【請求項８】
少なくとも一方向に沿って並び、各々が個別にタッチ操作を検出する３以上の検出部の出力に基づいてタッチ検出を行うタッチ検出方法であって、
前記検出部の出力に基づいて前記検出部の数に対応する解像度よりも低解像度の出力データを複数パターン生成する生成処理工程と、
前記複数パターンの出力データに基づいて前記検出部毎の検出結果を求めるための合成値を前記検出部毎に算出する算出処理工程と、
前記検出部毎に設定された所定の値を有する初期値と、前記検出部毎に算出された前記合成値との差に基づいて前記初期値を再決定する決定処理工程と、を含み、
前記３以上の検出部のうち一部であって連続して並ぶ複数の検出部の出力を統合した統合出力を用いて前記出力データを生成し、
前記複数パターンの出力データの生成に係り出力が統合される検出部の組み合わせは出力データ毎に異なり、
出力が統合される前記複数の検出部の配置は、異なる２つの出力データで所定のずれ量だけずれており、
前記所定のずれ量は、前記検出部の並び方向について、前記複数の検出部が位置する範囲の幅よりも小さい
タッチ検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチ検出装置及びタッチ検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被検体の接触を検出するとともに接触部分に位置する当該被検体の凸凹等の形状を示すデータを出力可能なタッチ検出装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−０１９７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
タッチ検出装置では、被検体の接触を検出する複数のセンサの出力信号を足し合わせることで検出に係る信号強度を向上させることができる。係る足し合わせによって、一つのセンサの出力信号のみに基づいた条件下では検出が困難となる微弱な検出信号に基づいたタッチ検出を行うことができるようになる。
【０００５】
しかしながら、出力信号の足し合わせにより被検体の形状を示すデータにぼやけが発生することがあった。このため、従来のタッチ検出装置では、係るぼやけによって被検体の形状の検出精度が低下することがあった。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、被検体の形状の検出精度をより高めることができるタッチ検出装置及びタッチ検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によるタッチ検出装置は、少なくとも一方向に沿って並び、各々が個別にタッチ操作を検出する３以上の検出部と、前記検出部の出力に基づいて前記検出部の数に対応する解像度よりも低解像度の出力データを複数パターン生成する生成処理を行う生成部と、前記複数パターンの出力データに基づいて前記検出部毎の検出結果を求めるための合成値を前記検出部毎に算出する算出処理を行う算出部と、前記検出部毎に設定された所定の値を有する初期値と、前記検出部毎に算出された前記合成値との差に基づいて前記初期値を再決定する決定処理を行う決定部とを備え、前記生成部は、前記３以上の検出部のうち一部であって連続して並ぶ複数の検出部の出力を統合した統合出力を用いて前記出力データを生成し、前記複数パターンの出力データの生成に係り出力が統合される検出部の組み合わせは出力データ毎に異なり、出力が統合される前記複数の検出部の配置は、異なる２つの出力データで所定のずれ量だけずれており、前記所定のずれ量は、前記検出部の並び方向について、前記複数の検出部が位置する範囲の幅よりも小さい。
【０００８】
本発明の一態様によるタッチ検出方法は、少なくとも一方向に沿って並び、各々が個別にタッチ操作を検出する３以上の検出部の出力に基づいてタッチ検出を行うタッチ検出方法であって、前記検出部の出力に基づいて前記検出部の数に対応する解像度よりも低解像度の出力データを複数パターン生成する生成処理工程と、前記複数パターンの出力データに基づいて前記検出部毎の検出結果を求めるための合成値を前記検出部毎に算出する算出処理工程と、前記検出部毎に設定された所定の値を有する初期値と、前記検出部毎に算出された前記合成値との差に基づいて前記初期値を再決定する決定処理工程と、を含み、前記３以上の検出部のうち一部であって連続して並ぶ複数の検出部の出力を統合した統合出力を用いて前記出力データを生成し、前記複数パターンの出力データの生成に係り出力が統合される検出部の組み合わせは出力データ毎に異なり、出力が統合される前記複数の検出部の配置は、異なる２つの出力データで所定のずれ量だけずれており、前記所定のずれ量は、前記検出部の並び方向について、前記複数の検出部が位置する範囲の幅よりも小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るタッチ検出装置の主要構成の一例を示す模式図である。
【図２】図２は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接していない状態を表す説明図である。
【図３】図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図４】図４は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【図５】図５は、図１に示すタッチ検出装置の積層構造の一例を示す模式図である。
【図６】図６は、同一タイミングで動作する検出部の時系列に沿った遷移例を示す図である。
【図７】図７は、３行同時駆動及び１行シフトの模式的な説明図である。
【図８】図８は、セレクタの模式図である。
【図９】図９は、１つの連結部の入出力関係の回路構成の一例を示す模式図である。
【図１０】図１０は、セレクタによる、検出部の出力の統合パターンの一例を示す図である。
【図１１】図１１は、セレクタによる、検出部の出力の統合パターンの一例を示す図である。
【図１２】図１２は、駆動信号が出力される走査線とセレクタの接続との関係の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、１つの組として扱う検出部の選択パターンの例を示す図である。
【図１４】図１４は、１つの組として扱う検出部の選択パターンの例を示す図である。
【図１５】図１５は、１つの組として扱う検出部の選択パターンの例を示す図である。
【図１６】図１６は、演算処理回路の機能構成の一例を示すブロック図である。
【図１７】図１７は、生成部による統合出力のイメージ図である。
【図１８】図１８は、図１７に示す低解像度イメージの各々の領域の位置関係を模式的に示すイメージ図である。
【図１９】図１９は、各々の検出部の出力を含む複数の出力データと、係る複数の出力データを束ねた値との関係を示す模式図である。
【図２０】図２０は、図１９における複数の統合出力データと係る複数の統合出力データを束ねた値との関係を視覚的に表した場合の模式的な例を示す図である。
【図２１】図２１は、低解像度データの組み合わせによってより高解像度なデータを得る処理を模式的に示す図である。
【図２２】図２２は、図１７に示すイメージを用いた超解像処理の概略説明図である。
【図２３】図２３は、図２２に示す組み合わせの重なりの仕組みを示す説明図である。
【図２４】図２４は、図２３に示す全てのパターンの低解像度イメージが重なっている領域と一部のパターンの低解像度イメージが重なっていない領域とを区別して示す説明図である。
【図２５】図２５は、選択パターンの別例及び係る選択パターンによる低解像度データを示す図である。
【図２６】図２６は、本実施形態によるタッチ検出結果の例と、従来のタッチ検出装置によるタッチ検出結果の例との比較図である。
【図２７】図２７は、相互静電容量方式のタッチ検出装置で用いられる電極の構成の一例を示す図である。
【図２８】図２８は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接していない状態を表す説明図である。
【図２９】図２９は、図２８に示す指が接触または近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図３０】図３０は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図３１】図３１は、図３０に示す指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図３２】図３２は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係るタッチ検出装置の主要構成の一例を示す模式図である。タッチ検出装置は、検出部５０、駆動ドライバ６０、セレクタ７０、Ａ／Ｄ変換部８０、演算処理回路９０等を備える。
【００１２】
検出部５０は、タッチ操作を検出する。具体的には、検出部５０は、被検体（例えば、ヒトの指等）の接触を検出するための二次元（例えば、平面）の検出領域内に配置されたタッチ検出電極Ｅ２として機能する。本実施形態の検出部５０は、自己静電容量方式でタッチ操作を検出する。
【００１３】
以下、図２〜図４を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接していない状態を表す説明図である。図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接した状態を表す説明図である。図４は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図２及び図３に示す回路部５５は、実際にはセレクタ７０を介して検出部５０と接続された構成であり、例えば、Ａ／Ｄ変換部８０の機能として設けられる。
【００１４】
図２に示すように、指が接触または近接していない状態において、タッチ検出電極Ｅ２に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。タッチ検出電極Ｅ２は、静電容量Ｃ３を有しており、静電容量Ｃ３に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ４（図４参照））に変換する。
【００１５】
次に、図３に示すように、指が接触または近接した状態において、指とタッチ検出との間の静電容量Ｃ４が、タッチ検出電極Ｅ２の静電容量Ｃ３に加わる。したがって、タッチ検出電極Ｅ２に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ３及びＣ４に応じた電流が流れる。図４に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ５）に変換する。そして、得られた波形Ｖ４及び波形Ｖ５の電圧値をそれぞれ積分し、これらの値を比較することで、タッチ検出電極Ｅ２への、指の接触または近接の有無を判別することができる。なお、図４では、波形Ｖ２と波形Ｖ３について、所定の基準電圧に低下するまでの期間を求めて、これらの期間を比較する等の方法であってもよい。
【００１６】
具体的には、図２及び図３に示すように、タッチ検出電極Ｅ２はスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２で切り離すことが可能な構成となっている。図４において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ０に相当する電圧レベルを上昇させる。このときスイッチＳＷ１はオンしておりスイッチＳＷ２はオフしている。このためタッチ検出電極Ｅ２も電圧Ｖ０の電圧上昇となる。次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このときタッチ検出電極Ｅ２はフローティング状態であるが、タッチ検出電極Ｅ２の容量Ｃ３（図２参照）、あるいはタッチ検出電極Ｅ２の容量Ｃ３に指等の接触または近接よる容量Ｃ４を加えた容量（Ｃ３＋Ｃ４、図３参照）によって、タッチ検出電極Ｅ２の電位はＶ０が維持される。更に、時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ３をオンさせ所定の時間経過後にオフさせ電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。このリセット動作により出力電圧はＶｒｅｆと略等しい電圧となる。
【００１７】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、電圧検出器ＤＥＴの反転入力部がタッチ検出電極Ｅ２の電圧Ｖ０となり、その後、タッチ検出電極Ｅ２の容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）と電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５の時定数に従って電圧検出器ＤＥＴの反転入力部は基準電圧Ｖｒｅｆまで低下する。このとき、タッチ検出電極Ｅ２の容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２）が上昇する。電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２）は、タッチ検出電極Ｅ２に指等が近接していないときは、実線で示す波形Ｖ４となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃ３・Ｖ０／Ｃ５となる。指等の影響による容量が付加されたときは、点線で示す波形Ｖ５となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃ３＋Ｃ４）・Ｖ０／Ｃ５となる。その後、タッチ検出電極Ｅ２の容量Ｃ３（またはＣ３＋Ｃ４）の電荷が容量Ｃ５に十分移動した後の時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、タッチ検出電極Ｅ２の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。なお、このとき、スイッチＳＷ１をオンさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ０２以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器ＤＥＴをリセットさせるタイミングは、スイッチＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ１２以前であればいずれのタイミングとしてもよい。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。波形Ｖ４と波形Ｖ５との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。なお、タッチ検出電極Ｅ２の電位は、図４に示すように、指等が近接していないときはＶ２の波形となり、指等の影響によるＣ４が付加されるときはＶ３の波形となる。波形Ｖ２と波形Ｖ３とが、それぞれ所定の電圧ＶＴＨまで下がる時間を測定することにより外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することも可能である。
【００１８】
図５は、図１に示すタッチ検出装置の積層構造の一例を示す模式図である。図５に示すように、タッチ検出装置は、例えば、基板１０５上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層１１０、シールド電極層１２０、タッチ検出電極層１３０が積層されている積層構造を有する。ＴＦＴ層１１０には後述するｎ型スイッチＮ１、ｐ型スイッチＰ１等が形成されている（図９参照）。シールド電極層１２０には、タッチ検出電極層１３０とＴＦＴ層１１０との間でのノイズの電波を抑制するシールド電極（例えば面状電極）が形成されている。タッチ検出電極層１３０には、直交する二方向（例えば、ｘ方向及びｙ方向）に沿ってマトリクス状に配置された複数のタッチ検出電極Ｅ２が形成されている。図示しないが、ＴＦＴ層１１０とタッチ検出電極層１３０に形成されたタッチ検出電極Ｅ２とはシールド電極層１２０に設けられた接続部を介して接続されている。当該接続部は、例えばシールド電極層１２０に設けられたコンタクトホール内に形成される。基板１０５は、例えばガラス基板である。シールド電極層１２０及びタッチ検出電極層１３０は、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium  Tin  Oxide）を素材とする。これらの各構成の具体的な構成及び態様は、適宜変更可能である。
【００１９】
本実施形態のタッチ検出装置には、ｘ方向×ｙ方向について、ｍ×ｑの検出部５０がマトリクス状に設けられている。ｍ，ｑはともに２以上の整数である。このように、タッチ検出装置は、少なくとも一方向（例えば、ｘ方向及びｙ方向の二方向）に沿って並び、各々が個別にタッチ操作を検出する３以上の検出部５０を備える。また、ｘ方向に並ぶ検出部５０の各々の位置を示すｘ１，ｘ２，…，ｘｍの座標を付して説明することがある。また、ｙ方向に並ぶ検出部５０の各々の位置を示すｙ１，ｙ２，…，ｙｑの座標を付して説明することがある。
【００２０】
また、ｍ×ｑの検出部５０が位置することでタッチ検出が可能な領域を検出領域と記載することがある。例えば、タッチ検出電極層１３０のさらに上層に積層された誘電体によって覆われた検出面が検出領域として機能する。タッチ検出装置は、係る検出領域に対して被検体（例えば、ヒトの指等）によるタッチ操作が行われた場合、係るタッチ操作を検出する。誘電体の厚みは適宜変更可能である。例えば、タッチ検出装置のＴＦＴ層１１０が、当該タッチ検出装置が設けられた表示デバイスのＴＦＴ層と同一層に形成されている場合、当該表示デバイスの筐体に設けられたタッチ検出面とＴＦＴ層との間の距離に応じた厚みの誘電体が設けられることになる。一般的に、係る誘電体は、厚みがより薄いほどタッチ検出の感度が高くなる。
【００２１】
タッチ検出装置は、走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑ、信号線Ｈ１，Ｈ２，…，Ｈｍ及び定電位線ｃ０を有する。走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑは、ｘ方向に沿って設けられた配線であり、駆動ドライバ６０とｘ方向に並ぶ複数の検出部５０とを接続する。走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑは、複数であり、ｙ方向に沿って配置された検出部５０の数に応じて設けられる。交流矩形波Ｓｇは、検出部５０の駆動信号として駆動ドライバ６０からタッチ検出電極Ｅ２に出力される。信号線Ｈ１，Ｈ２，…，Ｈｍは、ｙ方向に沿って設けられた配線であり、検出部５０とセレクタ７０とを接続する。検出部５０の出力（Ｖｄｅｔ２）は、信号線Ｈ１，Ｈ２，…，Ｈｍを介してセレクタ７０に伝送される。定電位線ｃ０は、基準電位として機能する所定の定電位を与える。
【００２２】
駆動ドライバ６０は、検出部５０を駆動する。具体的には、駆動ドライバは、例えば、所謂シフトレジスタが内蔵された信号出力回路である。駆動ドライバ６０は、外部からのクロック信号に基づいて、所定周期で駆動信号を出力する対象となる走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑをシフトさせながら駆動信号を出力する。駆動信号に応じて同一タイミングで動作する検出部５０の組み合わせは、駆動ドライバ６０が駆動信号を出力する走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑのシフトパターンに応じる。
【００２３】
図６は、同一タイミングで動作する検出部５０の時系列に沿った遷移例を示す図である。また、図６では、駆動されている検出部５０の行に網掛けを施している。本実施形態では、駆動ドライバ６０は、ｙ方向に連続して並ぶ３つの走査線（例えば、走査線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３）に同一タイミングで駆動信号を出力する。これによって、３行分の検出部５０が同一タイミングで動作する。また、駆動ドライバ６０は、駆動信号を出力する対象となる走査線をｙ方向に１つずつ所定周期でずらす。より具体的には、駆動ドライバ６０は、例えば、直前のタイミングにおいて駆動信号が出力されていた３つの走査線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３のうちｙ方向について一端側（例えば、図６における上側）に位置する走査線Ｇ１への駆動信号の出力を停止し、残る２つの走査線Ｇ２，Ｇ３及び当該３つの走査線の他端側（例えば、図６における下側）に位置する１つの走査線Ｇ４への駆動信号の出力を行う。これによって、同一タイミングで動作する検出部５０の行の座標が（ｙ１，ｙ２，ｙ３）から、（ｙ２，ｙ３，ｙ４）に１行シフトする。同様の仕組みで、駆動ドライバ６０は、駆動信号の出力対象を走査線Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４から走査線Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５にシフトさせる。これによって、同一タイミングで動作する検出部５０の行の座標が（ｙ２，ｙ３，ｙ４）から、（ｙ３，ｙ４，ｙ５）に１行シフトする。係る検出部５０の３行同時駆動及び１行シフトによって、所定周期で検出部５０の行が１つずつシフトした３行分の検出部５０の統合出力が得られることになる。
【００２４】
図７は、３行同時駆動及び１行シフトの模式的な説明図である。図７では３列分の検出部を同時に駆動し（３束ね）、１列ずつ駆動する電極をシフト（１ずらし）することで３列分の解像度で画像データを取得する。第１列から第３列の同時駆動により得られた検出データと第４列から第６列の同時駆動により得られた検出データと第７列から第９列の同時駆動により得られた検出データの結果を用いて第１低解像度フレームデータを取得する。第２列から第４列の同時駆動により得られた検出データと第５列から第７列の同時駆動により得られた検出データと第８列から第１０列の同時駆動により得られた検出データの結果を用いて第２低解像度フレームデータを取得する。第３列から第５列の同時駆動により得られた検出データと第６列から第８列の同時駆動により得られた検出データと第９列から第１１列の同時駆動により得られた検出データの結果を用いて第２低解像度フレームデータを取得する。このようにして、連続する９列で構成され、１列ずつずれた低解像度を複数取得する。このように、１行シフトによる束ねずらしを繰り返すことで、束ねられる行数に対応するパターン数（例えば、３行同時駆動の場合、３パターン）の統合出力データ、すなわち、低解像度フレームデータを生成することができる。図７では、１行シフトを連続して行う場合の低解像度フレームデータの生成例を示しているが、これは一例であって適宜変更可能である。例えば、３行シフトを実施することで、図７の上段（０Ｌｉｎｅ）の低解像度フレームデータを生成した後に、３行シフトの開始ラインを１行シフトさせて図７の中段（１Ｌｉｎｅ）の低解像度フレームデータを生成し、さらにその後に３行シフトの開始ラインを１行シフトさせて図７の下段（２Ｌｉｎｅ）の低解像度フレームデータを生成するようにしてもよい。また、同一タイミングで駆動する走査線は３つに限定されるものではなく２つ以上の複数の走査線でもいい。このようにして得られた複数の低解像度フレームデータを式（１）による超解像処理により解像度１列分の高解像のデータを生成する。
【００２５】
駆動ドライバ６０には、同期信号（ＣＫＶ）、スタートパルス（ＳＴＡＲＴＰ）、リセットパルス（ＲＥＳＥＴＰ）をそれぞれ入力するための伝送路が設けられている。駆動ドライバ６０は、スタートパルスの入力タイミングに応じて動作を開始し、同期信号が刻む周期（クロック）に従って駆動信号を出力する対象となる走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑをシフトさせる。リセットパルスが入力されると、駆動ドライバ６０は、シフトレジスタが動作開始前の初期状態に戻る。本実施形態では、同期信号（ＣＫＶ）、スタートパルス（ＳＴＡＲＴＰ）、リセットパルス（ＲＥＳＥＴＰ）を出力する専用の制御回路６５が設けられているが、制御回路６５の機能をどの構成が有するかについては適宜変更可能である。例えば、制御回路６５の機能は、演算処理回路９０の一機能であってもよい。
【００２６】
図８は、セレクタ７０の模式図である。セレクタ７０は、入力側に接続された複数の信号線のうちいずれか一つ以上の信号線を介して出力される電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２）を統合する機能を有する。具体的には、セレクタ７０には、例えば、ｘ方向に並ぶ３つの検出部５０のそれぞれに接続された信号線がスイッチを介して入力側に接続されている連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒが複数設けられている。連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒは、出力側が単一系統となっており、入力側から得られた信号を統合して１つの信号として出力する。本実施形態のセレクタ７０は、入力側の配線数が信号線Ｈ１，Ｈ２，…，Ｈｍの数（ｍ）と同一であり、出力側の配線数が連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒの数（ｒ）と同一である。すなわち、３つの信号線毎に１つの連結部が設けられることで、セレクタ７０は、ｘ方向について３つ分までの検出部５０の出力（Ｖｄｅｔ２）を統合し、統合出力として出力側の各々の配線から出力する。
【００２７】
図９は、１つの連結部の入出力関係の回路構成の一例を示す模式図である。図９に示すように、連結部Ｄ１には開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３が接続されている。連結部Ｄ１は、開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３に対する信号の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）に応じて信号線Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３との間の接続状態を切り替える。
【００２８】
具体的には、検出部５０は、走査線（例えば、図９に示す走査線Ｇ１，Ｇ２）に駆動信号が出力されている（ハイである）場合に検出部５０と信号線（例えば、図９に示す信号線Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）とを接続するｎ型スイッチＮ１を介して係る信号線と接続されている。また、検出部５０は、（例えば、図９に示す走査線Ｇ１，Ｇ２）に駆動信号が出力されていない（ロウである）場合に検出部５０と定電位線ｃ０とを接続するｐ型スイッチＰ１を介して定電位線ｃ０と接続されている。図９では、左上の１つの検出部５０のｎ型スイッチＮ１及びｐ型スイッチＰ１にのみ符号を付しているが、図９に示すように、他の検出部５０も同様の構成を備えている。なお、信号線Ｈ１，Ｈ２，…と検出部５０との接続関係について、図９以外の図ではｐ型スイッチＰ１の図示を省略している。
【００２９】
走査線がロウである行の検出部５０は、信号線Ｈ１，Ｈ２，…と非接続状態であり、定電位線ｃ０と接続状態である。この場合、検出部５０の電位は、定電位線ｃ０の電位に固定される。走査線がハイである行の検出部５０は、信号線Ｈ１，Ｈ２，…と接続状態であり、定電位線ｃ０と非接続状態である。この場合、検出部５０によるタッチ検出の出力が連結部Ｄ（例えば、図９に示す連結部Ｄ１）に伝送可能な状態になる。図２〜図４を参照して説明したタッチ検出の出力は、この接続状態になった場合に伝送される。検出部５０の各々の出力が連結部から出力されるか否かは、開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３に対する信号の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）に応じる。
【００３０】
連結部Ｄ１は、信号線Ｈ１，Ｈ２，…に個別に接続されたｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組Ｓ１〜Ｓ３を有する。図９では、連結部Ｄ１が有するｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組のうち左側の１組Ｓ１を構成するｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２にのみ符号を付しているが、他の組Ｓ２，Ｓ３の構成も同様である。１つの開閉部が有するｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組Ｓ１〜Ｓ３はそれぞれ異なる開閉信号線と接続関係を有する。図９では、左側の信号線Ｈ１に接続されたｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組Ｓ１の動作が開閉信号線ＡＳＷ１に対する信号の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）に応じ、中央の信号線Ｈ２に接続されたｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組Ｓ２の動作が開閉信号線ＡＳＷ２に対する信号の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）に応じ、右側の信号線Ｈ３に接続されたｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組Ｓ３の動作が開閉信号線ＡＳＷ３に対する信号の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）に応じる。図８に示す他の連結部Ｄ２，…，Ｄｒについても同様に、それぞれ異なる開閉信号線に対する信号の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）に応じて動作する複数（例えば、３つ）のｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組を有し、各組が個別の信号線と接続されている。
【００３１】
連結部Ｄ１が有するｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組Ｓ１〜Ｓ３のうち、ｎ型スイッチＮ２は、接続関係を有する開閉信号線に対する信号の出力がある場合（ＯＮ）、連結部Ｄ１の出力と当該ｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組が接続されている信号線とを接続する。すなわち、この場合に検出部５０の出力が信号線及び連結部Ｄ１を介して伝送されることになる。連結部Ｄ１が有するｎ型スイッチＮ２及びｐ型スイッチＰ２の組Ｓ１〜Ｓ３のうち、ｐ型スイッチＰ２は、接続関係を有する開閉信号線に対する信号の出力がない場合（ＯＦＦ）、定電位線ｃ０と信号線とを接続する。この場合、当該信号線と接続されている検出部５０の出力は伝送されない。
【００３２】
図９では、連結部Ｄ１を例としているが、他の連結部Ｄ２，…，Ｄｒも同様の仕組みである。本実施形態では、連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒは、開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３を共有し、同一タイミングで連動するが、連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒは個別に制御されてもよい。なお、図９に示す回路はあくまで一例であってこれに限定されるものでなく、適宜変更可能である。
【００３３】
制御回路６５は、開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３への信号の出力を行う。すなわち、本実施形態では、制御回路６５が連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒを制御する。より具体的には、制御回路６５は、駆動ドライバ６０に対する同期信号（ＣＫＶ）、スタートパルス（ＳＴＡＲＴＰ）の出力タイミング及び開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３への信号の出力タイミングを制御することで、駆動ドライバ６０の動作タイミング及びセレクタ７０の連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒの動作タイミングを制御している。
【００３４】
図１０、図１１は、セレクタ７０による、検出部５０の出力の統合パターンの一例を示す図である。図８〜図１１に示す例の場合、連結部Ｄ１にはｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０が接続されている。連結部Ｄ２にはｘ４，ｘ５，ｘ６の座標に位置する検出部５０が接続されている。以降、ｘ方向について同様の構成が連続して設けられており、連結部Ｄｒにはｘ（ｍ−２），ｘ（ｍ−１），ｘｍの座標に位置する検出部５０が接続されている。
【００３５】
図８に示すように個々の連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒが全ての接続線と接続されている状態とすることで、連結部Ｄ１からｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱った出力を得ることができる。同様に、連結部Ｄ２からｘ４，ｘ５，ｘ６の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱った出力を得ることができる。また、連結部ｒからｘ（ｍ−２），ｘ（ｍ−１），ｘｍの座標に位置する検出部５０を１つの組として扱った出力を得ることができる。
【００３６】
セレクタ７０は、複数の連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒの出力を組み合わせることで、ｘ方向に並ぶ検出部５０のうち１つの組として扱う検出部５０の選択を任意に決定することができる。例えば、ｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱う場合、図９に示す開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３の全てをＯＮにして、１つの連結部Ｄ１に接続されている検出部５０の出力を組み合わせればよい。また、ｘ２，ｘ３，ｘ４の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱う場合、図１０に示すように、連結部Ｄ１がｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力と、連結部Ｄ２がｘ４の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力とを組み合わせればよい。この場合、開閉信号線ＡＳＷ２，ＡＳＷ３をＯＮにし、開閉信号線ＡＳＷ１をＯＦＦにしてｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力を連結部Ｄ１から得る工程と、開閉信号線ＡＳＷ２，ＡＳＷ３をＯＦＦにし、開閉信号線ＡＳＷ１をＯＮにしてｘ４の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力を連結部Ｄ２から得る工程とを実施すればよい。また、ｘ３，ｘ４，ｘ５の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱う場合、図１１に示すように、連結部Ｄ１がｘ３の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力と、連結部Ｄ２がｘ４，ｘ５の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力とを組み合わせればよい。この場合、開閉信号線ＡＳＷ３をＯＮにし、開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２をＯＦＦにしてｘ３の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力を連結部Ｄ１から得る工程と、開閉信号線ＡＳＷ３をＯＦＦにし、開閉信号線ＡＳＷ１，ＡＳＷ２をＯＮにしてｘ４，ｘ５の座標に位置する検出部５０と接続されている状態の出力を連結部Ｄ２から得る工程とを実施すればよい。このように、開閉信号線ＡＳＷ，ＡＳＷ２，ＡＳＷ３に対する信号の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）に応じて各開閉部で出力が有効になる検出部５０の組み合わせパターンを変化させることによって、ｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱うか、ｘ２，ｘ３，ｘ４の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱うか、ｘ３，ｘ４，ｘ５の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱うかを切り替えることができる。ここでは、連結部Ｄ１，Ｄ２を例として説明したが、隣接する連結部同士で同様の接続状態の切替えを行うことで、ｘ方向に連続して並ぶ複数（例えば、３つ）の検出部５０の出力を任意に組み合わせることができる。また、ここで例示した検出部５０の組はあくまで一例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。
【００３７】
図１２は、駆動信号が出力される走査線とセレクタ７０の接続との関係の一例を示す図である。例えば、連結部Ｄ１からｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱った出力が得られる状態で、走査線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３に駆動信号が出力されることで、ｘ方向についてｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置し、かつ、ｙ方向についてｙ１，ｙ２，ｙ３の座標に位置する計９つの検出部５０を１つの組として扱い、当該１つの組に含まれる検出部５０の出力（Ｖｄｅｔ２）を統合して扱うことができる。また、ｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０を１つの組として扱った出力が得られる状態で、走査線Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に駆動信号が出力されることで、ｘ方向についてｘ１，ｘ２，ｘ３の座標に位置し、かつ、ｙ方向についてｙ２，ｙ３，ｙ４の座標に位置する計９つの検出部５０を１つの組として扱うことができる。走査線Ｇ４以降さらに設けられた走査線Ｇ５，…，Ｇｑと出力との関係についても同様である。このように、同一タイミングで駆動信号が出力される走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑの組み合わせによって、１つの組として扱う検出部５０の組み合わせをｙ方向について任意に決定することができる。すなわち、セレクタ７０による検出部５０の組み合わせ（図８〜図１１参照）及び同一タイミングで駆動信号が出力される走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑの組み合わせ（図１２参照）によって、１つの組として扱う検出部５０の選択をｘｙ方向について任意に決定することができる。よって、駆動ドライバ６０とセレクタ７０は、出力が統合される検出部５０の組み合わせを二方向について個別に切り替え可能な選択部として機能する。
【００３８】
なお、駆動信号の出力対象となる走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑの切替タイミングと、連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒと信号線Ｈ１，Ｈ２，…，Ｈｍとの間の開閉を切り替えるスイッチの切替タイミングとの関係は任意である。例えば、駆動信号の出力対象となる走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑの組み合わせが維持された状態でスイッチの切替が行われるようにしてもよい。この場合、例えば、走査線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３への駆動信号の出力が維持された状態で、ｘ方向について１組として扱われる検出部５０の組み合わせの切替が順次行われる。具体的には、連結部Ｄ１，Ｄ２に注目すると、ｘ１〜ｘ６の座標に位置する全ての検出部５０と接続される工程、連結部Ｄ１とｘ２，ｘ３の座標に位置する検出部５０とが接続され、連結部Ｄ２とｘ４の座標に位置する検出部５０とが接続される工程、連結部Ｄ１とｘ３の座標に位置する検出部５０とが接続され、連結部Ｄ２とｘ４，５の座標に位置する検出部５０とが接続される工程、…、のように、切替が順次行われる。逆に、連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒと信号線Ｈ１，Ｈ２，…，Ｈｍとを接続するスイッチの状態が維持された状態で、駆動信号の出力対象となる走査線を走査線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３から走査線Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４にする等、ｙ方向について１組として扱われる検出部５０の組み合わせの切替が順次行われるようにしてもよい。
【００３９】
図１３〜図１５は、１つの組として扱う検出部５０の選択パターンの例を示す図である。本実施形態では、ｘ方向×ｙ方向について、３×３の検出部５０を１つの組として扱っているが、１つの組として扱う検出部５０のｘｙ方向の数及び総数は任意である。図１３等では便宜的に、１つの実線の矩形を１つの組とし、各組内で破線により区切られた矩形を１つの検出部５０として図示している。また、図１３〜図１５では、ｘ方向の座標とｙ方向の座標をそれぞれ番号のみで示している。
【００４０】
図１３〜図１５に示す例の場合、例えば、（ｘ３，ｙ３）の検出部５０を含む選択パターンについて注目すると、計９つの選択パターンがある。具体的には、１つの組として扱われる検出部５０のｘ方向の座標とｙ方向の座標の組み合わせであって、かつ、（ｘ３，ｙ３）の検出部５０を含む選択パターンは、（ｘ１，ｘ２，ｘ３）−（ｙ１，ｙ２，ｙ３）のパターンＰ０、（ｘ２，ｘ３，ｘ４）−（ｙ１，ｙ２，ｙ３）のパターンＰ１、（ｘ３，ｘ４，ｘ５）−（ｙ１，ｙ２，ｙ３）のパターンＰ２（図１３参照）、（ｘ１，ｘ２，ｘ３）−（ｙ２，ｙ３，ｙ４）のパターンＰ３、（ｘ２，ｘ３，ｘ４）−（ｙ２，ｙ３，ｙ４）のパターンＰ４、（ｘ３，ｘ４，ｘ５）−（ｙ２，ｙ３，ｙ４）のパターンＰ５（図１４参照）、（ｘ１，ｘ２，ｘ３）−（ｙ３，ｙ４，ｙ５）のパターンＰ６、（ｘ２，ｘ３，ｘ４）−（ｙ３，ｙ４，ｙ５）のパターンＰ７、（ｘ３，ｘ４，ｘ５）−（ｙ３，ｙ４，ｙ５）のパターンＰ８（図１５参照）の計９つである。このように、本実施形態では１つの検出部５０が含まれる９つの選択パターンが採用されているが、選択パターン数は１つの組として扱う検出部５０のｘｙ方向の数及び総数から導出されるパターンの総数の範囲内で適宜変更可能である。
【００４１】
検出領域において組として扱われることで統合される出力は、検出領域において当該組に含まれる検出部５０が配置されている部分領域における検出結果を示すと考えることができる。ここで、図１３を参照して説明したように、組分けにおいて１つの検出部５０が含まれる複数（例えば、９つ）の選択パターンを採用することで、検出領域内における部分領域の位置がそれぞれ異なる複数（例えば、９つ）の出力データを得ることができる。なお、１つの統合出力とは、１つの組の検出部５０の出力を統合した出力をさす。出力データとは、検出領域に配置された全ての検出部５０の出力を組ごとに統合し、統合された出力データを組み合わせることで得られた検出領域全体をカバーした出力をさす。すなわち、複数パターンの出力データの生成に係り出力が統合される検出部５０の組み合わせは出力データ毎に異なる。また、出力が統合される複数の検出部５０の配置は、異なる２つの出力データで所定のずれ量だけずれている。ここで、所定のずれ量は、検出部５０の並び方向（ｘ方向又はｙ方向）について、１組に含まれる複数の検出部５０が位置する範囲の幅よりも小さい。例えば、本実施形態では、ｘ方向×ｙ方向について、３×３の検出部５０を１つの組として扱っている。よって、組に含まれる検出部５０の数は、ｘ方向及びｙ方向についてそれぞれ３である。一方、９つの選択パターンにおいて生じ得る検出部５０のずれ量、すなわち、組として扱われる検出部５０の配置のずれ量は、ｘ方向、ｙ方向とも、最大で２つ分である。このように、係るずれ量（１〜２）の幅は、１組として扱われる検出部５０の並び数（５）が位置する範囲の幅より小さい。
【００４２】
統合出力は、複数（例えば、３×３＝９）の検出部５０の出力が統合されたデータである。このため、出力データは、各々の検出部５０の出力を個別に取り扱った場合に比して粗いデータになっている。すなわち、出力データは、検出部５０の数に対応する検出能力（解像度）よりも低解像度になっている。
【００４３】
駆動ドライバ６０及びセレクタ７０は、例えば、ＴＦＴ層１１０に直接実装された回路であるが、これは駆動ドライバ６０及びセレクタ７０の具体的構成の一例であってこれに限られるものでない。駆動ドライバ６０及びセレクタ７０の少なくとも一方は、ドライバＩＣとして設けられて基板１０５に積層された配線に取り付けられてもよい。
【００４４】
Ａ／Ｄ変換部８０は、セレクタ７０からの出力であるアナログデータをデジタルデータに変換して演算処理回路９０に出力する。
【００４５】
演算処理回路９０は、複数（例えば、９つ）の出力データを用いて個々の検出部５０の検出結果を導出する。すなわち、演算処理回路９０は、導出された個々の検出部５０の検出結果を組み合わせて検出領域全体におけるタッチ検出結果を再構成する。係る再構成を経たタッチ検出結果の解像度は、検出部５０の数に対応する解像度である。
【００４６】
Ａ／Ｄ変換部８０及び演算処理回路９０は、例えば、基板１０５に積層された配線に取り付けられたフレキシブルプリント基板８５に取り付けられたドライバＩＣであるが、これはＡ／Ｄ変換部８０及び演算処理回路９０の機能を担う構成の具体例であってこれに限られるものでない。Ａ／Ｄ変換部８０及び演算処理回路９０は、例えば基板１０５上に積層された配線に取り付けられてもよい。また、Ａ／Ｄ変換部８０及び演算処理回路９０の機能の一部又は全部は、セレクタ７０の出力側に接続されたフレキシブルプリント基板８５等の配線を介して接続された外部の回路（例えば、ＧＰＵ等）の機能であってもよい。この場合、タッチ検出装置にはＡ／Ｄ変換部８０及び演算処理回路９０が実装されず、セレクタ７０を出力末端とする構成になる。そして、タッチ検出装置と当該外部の回路とによってタッチ検出システムが構成される。
【００４７】
図１６は、演算処理回路９０の機能構成の一例を示すブロック図である。演算処理回路９０は、例えば、生成部９１、算出部９２及び決定部９３として機能する。
【００４８】
生成部９１は、検出部５０の出力に基づいて検出部５０の数に対応する解像度よりも低解像度の出力データを複数パターン生成する生成処理を行う。具体的には、生成部９１は、連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒの出力を組み合わせて検出領域全体に対応する出力データを生成する。より具体的には、生成部９１は、１つの連結部の出力が１つの組に対応する場合はそのまま連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒがそれぞれ出力する統合出力に対応するデジタルデータを組み合わせて出力データを生成する。また、生成部９１は、１つの連結部の出力が１つの組に対応しない場合（図１０、図１１参照）、複数の連結部の統合出力（例えば、連結部Ｄ１，Ｄ２の出力等）に対応するデジタルデータを組み合わせて各組に対応する統合出力のデジタルデータ（統合出力データ）を得、係る統合出力データを組み合わせて出力データを生成する。
【００４９】
図１７は、生成部９１による統合出力のイメージ図である。仮に、１２×１２の検出部５０が配置された検出領域において検出される検出対象がイメージＪ１のようである場合、１２×１２の各々の検出結果は、「検出結果（高解像度）」のイメージＪ２で示す実線及び破線によって区分けされた１２×１２の矩形領域の各々であるといえる。イメージＪ２では、分かりやすさを重視して３×３の検出部５０に対応する領域を実線で示し、３×３の検出部に対応する領域をさらに区分けする線を破線で示している。生成部９１は、係るイメージＪ２のような検出部５０の各々の検出結果を統合して、低解像度イメージとしてパターンＰ０〜Ｐ８に対応する出力データを生成する。低解像度イメージは、連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒによる統合出力に基づいており、１つずつの検出部５０による検出結果が個別に保持されていないことから、３×３の検出部５０が統合された領域の検出結果が１つの出力によって表されることになる。図１７では、低解像度イメージでも元の検出対象のイメージが保たれているが、実際には３×３の検出部５０の出力が統合された平均値を示すデータになっている（図２０、図２１参照）。また、図１７では、分かりやすさを重視して、９×９の検出領域ずつ生成するイメージを示している。このため、最左の低解像度イメージ（Ｐ０）と、最右の低解像度イメージ（Ｐ０´）で、重複している領域がある。具体的には、最右の低解像度イメージ（Ｐ０´）でより太い実線で囲っている領域が重複している領域である。このような重複している領域の生成は、同一タイミングの検出結果に基づいた統合出力イメージとしては実際には一度のみであり、重複した生成は省略される。異なるタイミングの検出結果に基づいていれば、再度生成されてもよい。なお、パターンＰ０´は、図１３で示すパターンＰ０のバリエーションである。
【００５０】
図１８は、図１７に示す低解像度イメージの各々の領域の位置関係を模式的に示すイメージ図である。例えば、図７を参照して説明したように、３行シフトを実施することで、図７の上段（０Ｌｉｎｅ）の低解像度フレームデータを生成した後に、３行シフトの開始ラインを１行シフトさせて図１８の中段（１Ｌｉｎｅ）の低解像度フレームデータを生成する処理を逐次行う場合を想定する。ここで、最初の低解像度フレームデータで図１８に示すパターンＰ０の低解像度イメージ（ｙ：０Ｌｉｎｅ）が得られるとすると、次の低解像度フレームデータで図１８に示すパターンＰ４の低解像度イメージ（ｙ：＋１Ｌｉｎｅ）が得られ、さらに次の低解像度フレームデータで図１８に示すパターンＰ８の低解像度イメージ（ｙ：＋２Ｌｉｎｅ）が得られる。その次の低解像度フレームデータで図１８に示すパターンＰ０´の低解像度イメージ（ｙ：＋３Ｌｉｎｅ）が得られることになり、以後同様に、ｙ方向に＋１Ｌｉｎｅずつされた低解像度イメージが得られる。なお、図１８では、分かりやすさを重視して、ｘ方向にも＋１Ｌｉｎｅした低解像度イメージを例示しているが、ｘ方向のシフト量とｙ方向のシフト量とは同じである必要はなく、それぞれ独立して設定可能である。
【００５１】
本実施形態の生成部９１は、一つの統合出力データの生成に係り、一つの組に含まれる検出部５０の数よりも少ない数の検出部５０が検出部５０の並び方向の両端側で組に含まれずに余る場合、両端側の検出部５０を組にする。すなわち、出力が統合される複数の検出部５０を挟んで、出力が統合される検出部５０の数に満たない検出部５０が当該検出部５０の並び方向の両端に位置する場合、当該両端の検出部５０の出力が統合される。
【００５２】
具体的には、生成部９１は、例えばパターンＰ１（図１３参照）におけるｘ１，ｘ（ｍ−１），ｘｍの座標に位置する検出部５０のうち網掛けされている検出部５０によって示すように、ｘ方向の両端にそれぞれ位置する３行未満の検出部５０を組み合わせて、１つの組として扱われる３列分の検出部５０を選択する。パターンＰ４，Ｐ７（図１４、図１５参照）における相対的に薄い網掛けの検出部５０についても同様である。パターンＰ２，Ｐ５，Ｐ８におけるｘ１，ｘ２，ｙｍの座標に位置する検出部５０のうち相対的に薄い網掛けの検出部５０についても同様である。また、生成部９１は、例えばパターンＰ３（図１４参照）におけるｙ１，ｙ（ｑ−１），ｙｑの座標に位置する検出部５０のうち網掛けされている検出部５０によって示すように、ｙ方向の両端にそれぞれ位置する３行未満の検出部５０を組み合わせて、１つの組として扱われる３行分の検出部５０を選択する。パターンＰ４，Ｐ５における相対的に薄い網掛けの検出部５０についても同様である。パターンＰ６，Ｐ７，Ｐ８（図１５参照）におけるｙ１，ｙ２，ｙｑの座標に位置する検出部５０のうち相対的に薄い網掛けの検出部５０についても同様である。また、生成部は、例えばパターンＰ４（図１４参照）における（ｘ１，ｘ（ｍ−１），ｘｍ）−（ｙ１，ｙ（ｑ−１），ｙｑ）の座標に位置する検出部５０のうち相対的に濃い網掛けがされている計９つの検出部５０を組み合わせて、１つの組として扱われる３×３の検出部５０を選択する。パターンＰ５，Ｐ７，Ｐ８における相対的に濃い網掛けの９つの検出部５０についても同様である。これによって、検出領域の縁付近に位置する検出部５０が含まれる組の数を、検出領域のより内側に位置する検出部５０が含まれる組の数と同等にすることができる。このため、縁付近の検出部に係る統合出力データの減少を抑制することができることから、検出領域全体で精度をより高めることができる。
【００５３】
図１３〜図１５で網掛けによって示す組み合わせの例は、３×３の検出部５０を１つの組として扱う場合の例である。生成部９１は、１つの組として扱われる検出部５０の数及び並びに応じて組み合わせる両端側の行列数を適宜決定する。
【００５４】
算出部９２は、複数パターンの出力データに基づいて検出部５０毎の検出結果を求めるための合成値を検出部５０毎に算出する算出処理を行う。具体的には、算出部９２は、以下の超解像処理計算式（式（１））に基づいて、検出部５０の各々の検出結果の合成値を算出する。式（１）におけるＮは、検出部５０の数に対応する検出能力（解像度）よりも低解像度である出力データのパターン数を示す。本実施形態の場合、Ｎ＝９である。また、ｋは、０，１，…，Ｎ−１の整数であり、出力データの各パターンに対応する（例えば、図１３〜図１５のパターンＰ０〜Ｐ８参照）。Ｙｋは、パターンＰｋの出力データを示す。Ｘｎは、式（１）をｎ回実行した結果得られた合成値である。なお、Ｘ０は、式（１）を実施する前の初期値をさす。βは、０より大きく、かつ、１より小さい値を取り（０＜β＜１）、βにかかる括弧｛｝内の計算値がＸｎを超えないように調整された計算ステップ係数である。Ａｋは、データの劣化関数である（後述）。ＡＴは、行列Ａの転置行列を示す。仮に、行列Ａが式（２）のような行列である場合、転置行列である行列ＡＴは式（３）のようになる。αは、０より大きい任意の値（０＜α）を取る重み付け係数である。なお、αは、Ｎ未満（α＜Ｎ）であることが好ましい。Ｅ´（Ｘｎ）は、データの補正条件を表す関数であり、Ｅ（Ｘｎ）の導関数である。具体的には、例えば、出力データに基づいて得られる検出領域全体におけるタッチ検出結果の再構成に際して被検体の凸凹のエッジを強調する場合、Ｅ（Ｘ）は、以下の式（４）のようになる。式（４）におけるΓは、ラプラシアンフィルタを示し、例えばＮ＝９の場合において以下の式（５）のように表される。係るエッジの強調のような補正が不要である場合、Ｅ（Ｘ）は、０であってよい。なお、導関数Ｅ´（Ｘ）の具体的な式は、例えば式（６），（７）で示す式のように表すことができる。なお、Ｘは画像データを示す。よって、Ｘは、２次元配列で表すのが一般的であるが、１次元配列に並べ替えることを前提としてもよい。この場合、計算を簡略化することができる。１次元配列に並べ替える場合、例えば、ラスタースキャン状に一方向（例えば、行方向）のデータ配列をＸとして求め、求められた一方向単位のＸを他方向（例えば、列方向）に連続して接続することで画像データを得られる。式（７）におけるｉは、０，１，…，Ｎ−１の整数である。
【００５５】
【数１】
0006518203.tif 000002
【００５６】
図１９は、各々の検出部５０の出力を含む複数の統合出力データと、係る複数の統合出力データを束ねた値との関係を示す模式図である。図２０は、図１９における複数の統合出力データと係る複数の統合出力データを束ねた値との関係を視覚的に表した場合の模式的な例を示す図である。図２１は、低解像度データの組み合わせによってより高解像度なデータを得る処理を模式的に示す図である。データの劣化関数（Ａｋ）は、実データをシフトした低解像度フレームに変換する演算子を表す。具体的には、Ａｋは、複数の統合出力データを束ねることによる平均化演算と、低解像化によるデータ間引きの演算とを複合した演算結果を示す。例えば図１９では、Ａ０，Ａ１，…，Ａ８の３×３＝９の検出部５０の組み合わせを１つの統合出力（Ａ´）として扱っている。Ｂ０，Ｂ１，…，Ｂ８とＢ´の関係、Ｃ０，Ｃ１，…，Ｃ８とＣ´の関係についても同様であり、図１９における他のアルファベット（Ｄ〜Ｉ）についても同様である。図１９のように３×３の画素領域を１つの統合出力データとして扱う場合、図２６の例で示すように、データの劣化関数（Ａｋ）が示す低解像度フレームは、劣化前、すなわち統合前の検出部５０の配列による解像度に対して、行方向に１／３、列方向に１／３になる。このような劣化関数（Ａｋ）が示す低解像度フレームのデータを各パターン（例えば、図１３〜１４に示すパターンＰ１〜Ｐ８）毎に得られる。そして、１つの検出部５０を統合出力に含む選択パターンに対応する低解像度フレームのデータの組み合わせによって当該１つの検出部５０の検出結果が算出することができる。例えば、（ｘ３，ｙ３）の検出部５０を含む選択パターンは、（ｘ１，ｘ２，ｘ３）−（ｙ１，ｙ２，ｙ３）のパターンＰ０、（ｘ２，ｘ３，ｘ４）−（ｙ１，ｙ２，ｙ３）のパターンＰ１、（ｘ３，ｘ４，ｘ５）−（ｙ１，ｙ２，ｙ３）のパターンＰ２（図１３参照）、（ｘ１，ｘ２，ｘ３）−（ｙ２，ｙ３，ｙ４）のパターンＰ３、（ｘ２，ｘ３，ｘ４）−（ｙ２，ｙ３，ｙ４）のパターンＰ４、（ｘ３，ｘ４，ｘ５）−（ｙ２，ｙ３，ｙ４）のパターンＰ５（図１４参照）、（ｘ１，ｘ２，ｘ３）−（ｙ３，ｙ４，ｙ５）のパターンＰ６、（ｘ２，ｘ３，ｘ４）−（ｙ３，ｙ４，ｙ５）のパターンＰ７、（ｘ３，ｘ４，ｘ５）−（ｙ３，ｙ４，ｙ５）のパターンＰ８（図１５参照）の計９つであり、これらの各パターンの低解像度フレームのデータから（ｘ３，ｙ３）の検出部５０の検出結果を算出することができる。例えば、図２０で示すように、全てのパターンが最低の検出結果（検出無し）であるならば、これらのパターンの組み合わせによって求められる検出結果は最低の検出結果（検出無し）になる。逆に、全てのパターンが最高の検出結果であるならば、これらのパターンの組み合わせによって求められる検出結果は最高の検出結果になる。パターン毎に検出結果が異なる場合には、これらのパターンの組み合わせによって求められる検出結果は各パターンの検出結果を組み合わせ（例えば、平均化）した値になる。図２０では、最低の検出結果を白で、最高の検出結果を黒で示し、その中間的な検出結果を灰色で示しているが、あくまで模式的な図示である。算出部９２は、上記で説��した式（１）及びこれらの関連式で例示したアルゴリズムによって、図１９〜図２１を参照して説明した仕組みに基づいた算出処理を行う。
【００５７】
図２２は、図１７に示すイメージを用いた超解像処理の概略説明図である。算出部９２は、上記の算出処理によって、図２２に示すように、低解像度イメージとして機能するパターンＰ０〜Ｐ８の出力を組み合わせることで、より解像感が高い算出結果を導出する超解像処理を実現することができる。図２２では、上段に示すパターンＰ０〜Ｐ８（Ｐ０´を含む）を組み合わせることで、下段に示す超解像度イメージのように解像感が高まることを示している。上段に示すパターンＰ０，Ｐ４，Ｐ８，Ｐ０´はそれぞれ対応する検出領域の位置が異なることから、下段に示すように、対応する領域がそれぞれ少しずつずれている。なお、図２２ではパターンＰ０，Ｐ４，Ｐ８，Ｐ０´のみ例示しているが、実際には他のパターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ５〜Ｐ７も超解像処理に用いられる。
【００５８】
図２３は、図２２に示す組み合わせの重なりの仕組みを示す説明図である。図２４は、図２３に示す全てのパターンの低解像度イメージが重なっている領域Ｋ１と一部のパターンの低解像度イメージが重なっていない領域Ｋ２とを区別して示す説明図である。超解像度処理では、図２３に示すように、低解像度イメージの元になった統合出力データの出力座標に対応する位置で各パターン（例えば、パターンＰ０，Ｐ４，Ｐ８，Ｐ０´）の低解像度イメージを重ね合わせることで、複数のパターンの低解像度イメージが重なり合った領域の検出結果の精度をより高めることができることになる。ここで、パターンＰ０，Ｐ４，Ｐ８，Ｐ０´の低解像度イメージの重なりの有無に注目すると、図２４に示すように、全てのパターンの低解像度イメージが重なり合っている領域Ｋ１と、一部のパターンの低解像度イメージが重なっていない領域Ｋ２とがあることになる。領域Ｋ１は、図２４における斜線の領域である。領域Ｋ２は、図２４における網掛けの領域である。仮に、パターンＰ０，Ｐ４，Ｐ８，Ｐ０´の低解像度イメージが超解像度処理で用いられる全ての低解像度イメージであると仮定すると、領域Ｋ１は十分な情報量を有するが、領域Ｋ２の情報量は不十分であることになる。なお、本実施形態では、実際には図１３〜図１５を参照して説明したように、一つの統合出力データの生成に係り一つの組に含まれる検出部５０の数よりも少ない数の検出部５０が検出部５０の並び方向の両端側で組に含まれずに余る場合に両端側の検出部５０を組にして統合出力データを生成するので、領域Ｋ２にも領域Ｋ１と同様の数の低解像度イメージの重なりが実現される。すなわち、本実施形態では、情報量が不十分な領域が生じることを抑制することができる。
【００５９】
初期値（Ｘ０）は、任意である。算出部９２は、例えば、連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒからの出力のうち、１つの検出部５０と接続されているタイミングで得られた出力が示す値を当該１つの検出部５０の出力の初期値として複数の検出部５０の各々の初期値を決定してもよいし、係る出力とは無関係の所定の値（例えば、０）としてもよい。
【００６０】
決定部９３は、検出部５０毎に設定された所定の値を有する初期値と検出部５０毎に算出された合成値との差に基づいて初期値を再決定する決定処理を行う。具体的には、決定部９３は、上記（１）の式を用いた算出処理の前後で得られるＸｎ＋１とＸｎとの差の絶対値（｜Ｘｎ＋１−Ｘｎ｜）と所定の許容誤差との比較結果に基づいて、「最新の算出処理の前の初期値（Ｘｎ）」を再決定する。より具体的には、決定部９３は、Ｘｎ＋１とＸｎとの差の絶対値が所定の許容誤差以下になった場合、決定部９３は、最新のＸｎ＋１を以て初期値を再決定して処理を終了する。すなわち、この終了時点での初期値である最新のＸｎ＋１を以て、検出部５０の出力を示す値を確定させる。
【００６１】
また、決定部９３は、初期値と合成値との差と所定の閾値との比較結果に基づいて、算出処理を再度実施させる。具体的には、決定部９３は、Ｘｎ＋１とＸｎとの差の絶対値が所定の許容誤差以下になるまで算出部９２に算出処理を繰り替えさせる。演算処理回路９０は、生成部９１による生成処理工程、算出部９２による算出処理工程及び決定部９３による決定処理工程を全ての検出部５０毎に個別に行う。これによって、演算処理回路９０は、検出部毎の初期値を、検出部毎の検出結果を示す値として導出する。係る決定処理工程を経た初期値を組み合わせた検出結果が、検出領域におけるタッチ検出結果を示すデジタルデータとなる（図２６参照）。
【００６２】
決定部９３が初期値を再決定する場合の具体的な条件は、適宜変更可能である。例えば、Ｘｎ＋１とＸｎとの差の絶対値が所定の許容誤差以下になるまでの算出処理の繰り返し回数に上限を設け、当該上限に至った場合にはＸｎ＋１とＸｎとの差の絶対値と所定の許容誤差との関係に関わらず最新のＸｎ＋１を以て初期値を再決定して処理を終了するようにしてもよい。所定の許容誤差、繰り返し回数等の諸条件の具体的な値は任意であり、例えば試験等によってより良好な演算結果が得られた値を以て決定するようにしてよい。
【００６３】
図２５は、選択パターンの別例及び係る選択パターンによる低解像度データを示す図である。図１３〜１４を参照した説明では、３×３の検出部を統合する９つの選択パターン（パターンＰ０〜Ｐ８）を例示しているが、選択パターンは適宜変更可能である。例えば、図６を参照して説明した複数行（例えば、３行）単位の検出部５０の検出結果を１つの統合出力データとして扱ってもよい。この場合、例えば図２５に示すように、（ｙ１，ｙ２，ｙ３），（ｙ４，ｙ５，ｙ６），…のパターンＰａ、（ｙ２，ｙ３，ｙ４），（ｙ５，ｙ６，ｙ７），…のパターンＰｂ、（ｙ３，ｙ４，ｙ５），（ｙ６，ｙ７，ｙ８），…のパターンＰｃ、のような統合出力データによる低解像度データを用いて、列方向について上記と同様の算出処理及び決定処理を適用することができる。図２５では、パターンＰａ，Ｐｂ，Ｐｃにおける束ね処理後データ（Ａ´，Ｂ´，…）を区別する符号として、符号ＰａＡ´，ＰａＢ´ＰｂＡ´，ＰｂＢ´，ＰｃＡ´，ＰｃＢ´を付している。無論、図２５の例における行と列の関係を逆転してもよい。また、図２５に示すような行単位（又は列単位）であっても、図１３〜図１５を参照して説明した場合と同様に、出力が統合される複数の検出部を挟んで、出力が統合される検出部の数に満たない検出部が当該検出部の並び方向の両端に位置する場合、当該両端の検出部の出力が統合されるようにしてよい。なお、図２５に示すような選択パターンに対応する統合出力データは、例えば図７を参照して説明した低解像度フレームデータの生成のように、束ねずずらしによって実現することができる。
【００６４】
図２６は、本実施形態によるタッチ検出結果の例と、従来のタッチ検出装置によるタッチ検出結果の例との比較図である。なお、図２６における本実施形態によるタッチ検出結果は、算出処理の繰り返し回数に上限（６４）を設けた場合のものである。図２６に示すように、本実施形態によれば、被検体の凸凹をより鮮明に検出することができる。
【００６５】
以上、本実施形態によれば、統合出力によって出力を強めることで個々の検出部５０の検出感度を補うことができることから、微弱なタッチ操作であっても検出の可能性及び精度をより高めやすくなる。また、統合出力を用いて生成処理、算出処理及び決定処理を経ることで検出部５０の数に対応した解像度の検出結果を得られることから、統合出力によって解像感が損なわれることを抑制することができるとともに、より高い精度で検出結果を得ることができる。このように、本実施形態によれば、被検体の形状の検出精度をより高めることができる。
【００６６】
また、出力が統合される複数の検出部５０を挟んで、出力が統合される検出部５０の数に満たない検出部５０が当該検出部５０の並び方向の両端に位置する場合、当該両端の検出部５０の出力が統合される。これによって、両端に位置する検出部５０が含まれる出力データのパターン数を、当該両端より内側に位置する検出部５０が含まれる出力データのパターン数により近づけることができる。このため、両端付近の検出部に係る統合出力のパターン数の減少を抑制することができることから、検出部５０が設けられた検出領域全体で精度をより高めることができる。
【００６７】
また、初期値と合成値との差と所定の閾値との比較結果に基づいて、算出処理を再度実施させる。これによって、所定の閾値をより厳しくすることでより高精度な検出結果を得ることができる。また、初期値の再決定に係り求められる精度と処理負荷とのバランスを考慮して検出結果を得るための処理を行うことができる。
【００６８】
また、検出部５０は、直交する二方向に沿って配置されているので、被検体について少なくとも二次元の情報を得ることができる。
【００６９】
また、出力が統合される検出部の組み合わせを二方向について個別に切り替え可能であるため、統合出力のパターン数を増やすことがより容易になる。
【００７０】
（変形例）
上記の実施形態における検出部５０は、自己容量方式の静電容量センサであるが、相互容量方式の静電容量センサであってもよい。図２７〜図３２を参照して、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図２７は、相互静電容量方式のタッチ検出装置で用いられる電極の構成の一例を示す図である。図２８は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接していない状態を表す説明図である。図２９は、図２８に示す指が接触または近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図３０は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指が接触または近接した状態を表す説明図である。図３１は、図３０に示す指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図３２は、駆動信号及びタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【００７１】
相互静電容量方式では、例えば、ねじれの位置となるように設けられたタッチ検出電極Ｅ３とタッチ検出駆動電極ＶＣＯＭとが用いられる。図２７に示す例では、タッチ検出電極Ｅ３がｙ方向に沿って延設され、タッチ検出駆動電極ＣＯＭＬがｘ方向に沿って延出されている。タッチ検出電極Ｅ３が形成された層とタッチ検出駆動電極ＶＣＯＭが形成された層とは非接触であり、所定の間隔が設けられている。タッチ検出電極Ｅ３には、例えば上記の定電位線ｃ０と同様の構成を介して電荷（Ｖｘ）が供給される。タッチ検出駆動電極ＶＣＯＭは、後述する駆動電極Ｅ１として機能する。タッチ検出駆動電極ＶＣＯＭは、液晶表示装置において液晶に電圧を印加する電極として共用される構成であってもよい。
【００７２】
例えば、図２８に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極、駆動電極Ｅ１及びタッチ検出電極Ｅ３を備えている。図２９に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば回路部５５に含まれる積分回路である。
【００７３】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇを印加すると、タッチ検出電極Ｅ３（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、図３２に示すような出力波形（第１のタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。交流矩形波Ｓｇは、駆動信号として機能する。
【００７４】
指が接触（または近接）していない状態（非接触状態）では、図２８及び図２９に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。図２９に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０（図３２参照））に変換する。
【００７５】
一方、指が接触（または近接）した状態（接触状態）では、図３０に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が、タッチ検出電極Ｅ３と接しているまたは近傍にあることにより、駆動電極Ｅ１及びタッチ検出電極Ｅ３の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られ、容量素子Ｃ１の容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１’として作用する。そして、図３１に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ１が流れる。図３２に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１）に変換する。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する導体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることがより好ましい。
【００７６】
タッチ検出電極Ｅ３は、図２９または図３１に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出ブロック毎に第１のタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１を出力し、セレクタ７０が有する連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒの入力側に供給するようになっている。
【００７７】
セレクタ７０とＡ／Ｄ変換部８０との間に設けられた回路は、第１のタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅してもよい。また、係る回路は、第１のタッチ検出信号Ｖｄｅｔ１に含まれる高い周波数成分（ノイズ成分）を除去して出力する低域通過アナログフィルタであるアナログＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）を有していてもよい。
【００７８】
演算処理回路９０は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、第１の駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分（ノイズ成分）を低減するデジタルフィルタを備えていてもよい。演算処理回路９０は、Ａ／Ｄ変換部８０の出力信号に基づいて、タッチパネル３０に対するタッチの有無を検出する。演算処理回路９０は、指による検出信号の差分を取り出す処理を行う。この指による差分の信号は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。演算処理回路９０は、１検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これによって、ノイズによる影響を低減することができる。演算処理回路９０は、検出した指による差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧未満であれば、外部近接導体が非接触状態であると判断する。一方、演算処理回路９０は、検出したデジタル電圧を所定の閾値電圧と比較し、しきい値電圧以上であれば、外部近接導体の接触状態と判断する。
【００７９】
また、演算処理回路９０は、タッチが検出されたときに、タッチ検出電極Ｅ３の各々からの出力に基づいて座標を求める。変形例では、互いに交差した電極パターンは、マトリクス状の検出領域を構成している。すなわち、複数のタッチ検出電極Ｅ３のうち１つと、複数のタッチ検出駆動電極ＣＯＭＬのうち１つとの組み合わせによる構成が、１つの検出部５０として機能する。よって、駆動信号の出力により検出領域全体を走査することにより、外部近接導体の接触または近接が生じた位置の検出が可能となっている。
【００８０】
変形例は、駆動信号が出力される対象となるタッチ検出駆動電極ＣＯＭＬの切替によって組として扱われる検出部５０が遷移する仕組みであるが、どのように組の切替を行うかは適宜変更可能である。例えば、タッチ検出電極Ｅ３の出力先を上記の実施形態におけるセレクタ７０とし、タッチ検出駆動電極ＣＯＭＬの位置（ｙ方向）だけでなくタッチ検出電極Ｅ３の位置（ｘ方向）についても組を切替可能にしてもよい。
【００８１】
図２７に示すタッチ検出電極Ｅ３及びタッチ検出駆動電極ＣＯＭＬの具体的構成はあくまで一例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。例えば、タッチ検出電極Ｅ３とタッチ検出駆動電極ＣＯＭＬが同一層に並列して設けられていてもよい。
【００８２】
なお、上記の実施形態等はあくまで一例であってこれに限られるものでなく、特許請求の範囲に記載された発明特定事項により特定される範囲内において適宜変更可能である。例えば、上記の実施形態では、ｙ方向に並ぶ検出部５０が信号線を共有しているが、これは検出部５０とセレクタ７０の連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒとを接続するための配線の一形態であってこれに限られるものでない。検出部５０とセレクタ７０の連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒとの接続関係は、適宜変更可能であり、例えば各々の検出部５０が個別の配線を介して連結部Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｒの入力側に接続されていてもよい。
【００８３】
また、上記の実施形態では、ｘ方向及びｙ方向の両方について組として扱う検出部５０の切替を行っているが、いずれか一方向のみであってもよい。例えば、ｙ方向への駆動信号の出力パターンの切替による遷移のみである場合、セレクタ７０は不要である。また、ｘ方向のみの切替である場合、全ての走査線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｑに一括で駆動信号が出力されてもよい。
【００８４】
また、実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８５】
５０    検出部
５５    回路部
６０    駆動ドライバ
６５    制御回路
７０    セレクタ
８０    Ａ／Ｄ変換部
８５    フレキシブルプリント基板
９０    演算処理回路
９１    生成部
９２    算出部
９３    決定部
１０５  基板
１１０  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層
１２０  シールド電極層
１３０  タッチ検出電極層
Ｅ２    タッチ検出電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
0006518203.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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