(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層において複数のルーティング特徴を形成することと、
前記誘電体層にわたってエッチ停止層を堆積させることと、
二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理を用いて前記エッチ停止層を酸化させることとを含み、
前記エッチ停止層を酸化させることは、後続のリソグラフィ処理中に前記エッチ停止層のポイズニング効果を減少させることを含む、集積回路（ＩＣ）構造を作製する方法。
【請求項２】
前記複数のルーティング特徴を形成することは、デュアルダマシンプロセスにおいて複数のビアおよびトレンチを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッチ停止層を堆積させることは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記プラズマ処理のために３：１と４：１との間の二酸化炭素（ＣＯ２）の窒素（Ｎ２）に対する比を使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記エッチ停止層の最外領域のみにおいてＳｉＮをＳｉＯ２に変換することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記エッチ停止層の１つの表面のみにおいてピークＳｉＯ２濃度レベルを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記エッチ停止層の表面から増加するＳｉＮ濃度プロファイルを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳｉＮ濃度プロファイルは、前記エッチ停止層の反対側の表面のほうの方向においてピークレベルに達し、実質的に前記ピークレベルを維持する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化させることは、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスにおいて実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化させることは、水素（Ｈ２）を有するプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスチャンバにおいて実行される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に集積回路の分野に関し、より詳細には、フォトリソグラフィポイズニングを低減するための酸化プラズマ後処理のための技法および関連する構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
いくつかのパターニングプロセスでは、金属線をキャッピングするためにエッチ停止（ＥＳ）層が堆積された後にフォトリソグラフィステップが実行され得る。ＥＳ層からの化学的性質は、フォトリソグラフィ材料中に直接拡散して、現像プロセス中にパターニングされた特徴のサイズをスキューし、および／またはエッチレートをスキューし得る。このポイズニング効果は、パターニング後現像検査限界寸法（ＤＣＣＤ）および／または最終検査限界寸法（ＦＣＣＤ）測定において提示され得る。
【０００３】
本明細書で提供される背景説明は、本開示のコンテキストを概括的に提示するためのものである。本明細書で別段に規定されていない限り、このセクションにおいて説明する資料は、本出願中の特許請求の範囲に対して従来技術ではなく、このセクション中に含まれることによって、従来技術または従来技術の示唆であると認められるものではない。
【０００４】
実施形態は、添付の図面とともに以下の詳細な説明によって容易に理解されよう。この説明を容易にするために、同じ参照数字は同じ構造要素を示す。実施形態は、添付の図面の図において、限定としてではなく例として示される。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】いくつかの実施形態による、ウエハ形態および単一化形態における例示的なダイの上面図を概略的に示す。
【０００６】
【図２】いくつかの実施形態による、集積回路（ＩＣ）アセンブリの断面側面図を概略的に示す。
【０００７】
【図３】いくつかの実施形態による、ＩＣデバイスの相互接続層の断面側面図を概略的に示す。
【０００８】
【図４】いくつかの実施形態による、酸化プラズマ後処理の方法のための流れ図を概略的に示す。
【０００９】
【図５】いくつかの実施形態による、ウエハ上の様々な部位におけるＳｉＯ２およびＳｉＮの深度プロファイルを概略的に示す。
【００１０】
【図６】いくつかの実施形態による、本明細書で説明するトランジスタコンタクトアセンブリを含み得る例示的なシステムを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本開示の実施形態は、フォトリソグラフィポイズニングを低減するための酸化プラズマ後処理のための技法および関連する構造について説明する。以下の詳細な説明では、本出願の一部分を形成する添付の図面への参照が行われ、図面では、同じ番号は全体を通して同じ部分を示し、本開示の主題が実施され得る実施形態が例として示される。本開示の範囲から逸脱することなく他の実施形態が利用され得、構造的または論理的変更が行われ得ることを理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味に取られるべきではなく、実施形態の範囲は添付の特許請求の範囲およびそれらの均等物によって定義される。
【００１２】
本開示では、「Ａおよび／またはＢ」という句は、（Ａ）、（Ｂ）、または（ＡおよびＢ）を意味する。本開示では、「Ａ、Ｂ、および／またはＣ」という句は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ＡおよびＢ）、（ＡおよびＣ）、（ＢおよびＣ）、または（Ａ、ＢおよびＣ）を意味する。
【００１３】
説明では、上部／下部、側部、の上／下など、視点ベースの説明を使用することがある。そのような説明は、議論を容易にするために使用されるものにすぎず、本明細書で説明する実施形態の適用例をいかなる特定の方向にも制限するものではない。
【００１４】
説明では、「一実施形態では」、あるいは同じまたは異なる実施形態のうちの１つまたは複数をそれぞれ指し得る「実施形態では」という句を使用することがある。さらに、本開示の実施形態に関して使用される「備える」、「含む」、「有する」などの用語は、同義である。
【００１５】
本明細書では、「に結合された」という用語が、それの派生形とともに、使用されることがある。「結合された」は、以下のうちの１つまたは複数を意味し得る。「結合された」は、２つ以上の要素が直接物理的または電気的に接触していることを意味し得る。しかしながら、「結合された」は、２つ以上の要素が互いに間接的に接触しているが、それでも依然として互いに協働または相互作用し得ることをも意味し得、互いに結合されたと言われる要素間に１つまたは複数の他の要素が結合または接続されることを意味し得る。「直接結合された」という用語は、２つ以上の要素が直接接触していることを意味し得る。
【００１６】
様々な実施形態では、「第２の特徴上に形成、堆積、または他の方法で配設された第１の特徴」という句は、第１の特徴が第２の特徴にわたって形成、堆積、または、配設されることを意味し得、第１の特徴の少なくとも一部分は、第２の特徴の少なくとも一部分と直接接触している（例えば、直接物理的および／または電気的に接触している）か、あるいは間接的に接触している（例えば、第１の特徴と第２の特徴との間に１つまたは複数の他の特徴を有する）ことがある。
【００１７】
本明細書で使用する「モジュール」という用語は、１つまたは複数のソフトウェアまたはファームウェアプログラムを実行する特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、電子回路、プロセッサ（共有、専用、もしくはグループ）、および／またはメモリ（共有、専用、もしくはグループ）、組合せ論理回路、ならびに／あるいは説明する機能を提供する他の好適な構成要素を指すか、それらの一部分であるか、またはそれらを含み得る。
【００１８】
図１は、いくつかの実施形態による、ウエハ形態１５０および単一化形態１６０における例示的なダイ１５４の上面図を概略的に示す。いくつかの実施形態では、ダイ１５４は、例えば、シリコンまたは他の好適な材料など、半導体材料から構成されたウエハ１５２の複数のダイ（例えば、ダイ１５４、１５６、１５８）のうちの１つであり得る。複数のダイはウエハ１５２の表面上に形成され得る。ダイの各々は、本明細書で説明する１つまたは複数のルーティング特徴（例えば、図３の様々なビアおよびトレンチ）を含む半導体製品の繰返しユニットであり得る。例えば、ダイ１５４は、１つまたは複数のトランジスタデバイスまたはソース／ドレイン領域の移動電荷キャリアのためのチャネル経路を提供する、例えば、１つまたは複数のチャネル本体（例えば、フィン構造、ナノワイヤ、プレーナ本体など）などのトランジスタ構造１６２を有する回路を含み得る。
【００１９】
トランジスタ構造１６２にまたはそこから電気エネルギーをルーティングするために、例えば、端子接点、トレンチおよび／またはビアなど、電気的相互接続構造が１つまたは複数のトランジスタ構造１６２上に形成され、それらに結合され得る。例えば、相互接続構造は、トランジスタデバイスの動作のために移動電荷キャリアを提供するためのしきい値電圧および／またはソース／ドレイン電流の供給のためのゲート電極を提供するために、チャネル本体に電気的に結合され得る。相互接続構造は、例えば、図２の相互接続層２１６中に配設され得る。トランジスタ構造１６２は、図１では簡単のためにダイ１５４のかなりの部分を横切る行で示されているが、トランジスタ構造１６２は、他の実施形態では、例えば、図示されたものよりもはるかに小さい寸法を有する垂直および水平特徴を含む、ダイ１５４上の多種多様な他の好適な構成のいずれでも構成され得ることを理解されたい。
【００２０】
ダイ中に具備される半導体製品の作製プロセスが完了した後に、ウエハ１５２は、半導体製品の個別「チップ」を提供するためにダイの各々（例えば、ダイ１５４）が互いに分離される、シンギュレーションプロセスを受け得る。ウエハ１５２は様々なサイズのいずれでもあり得る。いくつかの実施形態では、ウエハ１５２は、約２５．４ｍｍから約４５０ｍｍにわたる直径を有する。ウエハ１５２は、他の実施形態では他のサイズおよび／または他の形状を含み得る。様々な実施形態によれば、トランジスタ構造１６２は、ウエハ形態１５０または単一化形態１６０で半導体基板上に配設され得る。本明細書で説明するトランジスタ構造１６２は、論理またはメモリ、またはそれらの組合せのためにダイ１５４に組み込まれ得る。いくつかの実施形態では、トランジスタ構造１６２はシステムオンチップ（ＳｏＣ）アセンブリの一部分であり得る。
【００２１】
図２は、いくつかの実施形態による、集積回路（ＩＣ）アセンブリ２００の断面側面図を概略的に示す。いくつかの実施形態では、ＩＣアセンブリ２００は、パッケージ基板２３０に電気的および／または物理的に結合された１つまたは複数のダイ（以下、「ダイ２１０」）を含み得る。いくつかの実施形態では、ダイ２１０は、図１のダイ１５４に関して説明した実施形態に適合し得る。いくつかの実施形態では、パッケージ基板２３０は、わかるように、回路板２４０に電気的に結合され得る。いくつかの実施形態では、集積回路（ＩＣ）アセンブリ２００は、様々な実施形態によれば、ダイ１５４、パッケージ基板２３０および／または回路板２４０のうちの１つまたは複数を含み得る。フォトリソグラフィポイズニングを低減するための酸化プラズマ後処理のための技法および関連する構造について本明細書で説明する実施形態は、様々な実施形態による任意の好適なＩＣデバイスにおいて実装され得る。
【００２２】
ダイ２１０は、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイスを形成することに関連して使用される薄膜堆積、リソグラフィ、エッチングなどの半導体作製技法を使用して半導体材料（例えば、シリコン）から作られた個別の製品を表し得る。いくつかの実施形態では、ダイ２１０は、プロセッサ、メモリ、ＳｏＣ、またはＡＳＩＣであるか、それらを含むか、またはそれらの一部分であり得る。いくつかの実施形態では、例えば、成形コンパウンドまたはアンダーフィル材料などの電気絶縁性材料（図示せず）がダイ２１０および／またはダイレベル相互接続構造２２０の少なくとも一部分をカプセル化し得る。
【００２３】
ダイ２１０は、例えば、図示のように、フリップチップ構成でパッケージ基板２３０に直接結合されることを含む、多種多様な好適な構成に従ってパッケージ基板２３０に取り付けられ得る。フリップチップ構成では、回路を含むダイ２１０の活性側面Ｓ１が、バンプ、ピラー、または他の好適な構造などのダイレベル相互接続構造２２０を使用してパッケージ基板２３０の表面に取り付けられ、ダイレベル相互接続構造２２０はまた、ダイ２１０をパッケージ基板２３０に電気的に結合し得る。ダイ２１０の活性側面Ｓ１は、例えば、トランジスタデバイスなど、能動デバイスを含み得る。不活性側面Ｓ２は、わかるように、活性側面Ｓ１の反対側に配設され得る。
【００２４】
ダイ２１０は、概して、半導体基板２１２と、１つまたは複数のデバイス層（以下、「デバイス層２１４」）と、１つまたは複数の相互接続層（以下、「相互接続層２１６」）とを含み得る。半導体基板２１２は、いくつかの実施形態では、実質的に、例えば、シリコンなどのバルク半導体材料から構成され得る。デバイス層２１４は、トランジスタデバイスなどの能動デバイスが半導体基板上に形成される領域を表し得る。デバイス層２１４は、例えば、トランジスタデバイスのチャネル本体および／またはソース／ドレイン領域など、トランジスタ構造を含み得る。相互接続層２１６は、デバイス層２１４中の能動デバイスにまたはそこから電気信号をルーティングするように構成された相互接続構造（例えば、電極端子）を含み得る。例えば、相互接続層２１６は、電気的ルーティングおよび／または接点を提供するために水平ライン（例えば、トレンチ）および／または垂直プラグ（例えば、ビア）あるいは他の好適な特徴を含み得る。
【００２５】
いくつかの実施形態では、ダイレベル相互接続構造２２０は、相互接続層２１６に電気的に結合され、ダイ２１０と他の電気デバイスとの間で電気信号をルーティングするように構成され得る。電気信号は、例えば、ダイ２１０の動作に関連して使用される入出力（Ｉ／Ｏ）信号および／または電力／接地信号を含み得る。
【００２６】
いくつかの実施形態では、パッケージ基板２３０は、例えば、味の素ビルドアップフィルム（ＡＢＦ）基板など、コアおよび／またはビルドアップ層を有するエポキシ系積層基板である。パッケージ基板２３０は、他の実施形態では、例えば、ガラス、セラミック、または半導体材料から形成された基板を含む、他の好適なタイプの基板を含み得る。
【００２７】
パッケージ基板２３０は、ダイ２１０にまたはそこから電気信号をルーティングするように構成された電気的ルーティング特徴を含み得る。電気的ルーティング特徴は、電気信号をパッケージ基板２３０を通ってルーティングするために、例えば、パッケージ基板２３０の１つまたは複数の表面上に配設されたパッドまたはトレース（図示せず）、ならびに／あるいは、例えば、トレンチ、ビア、または他の相互接続構造などの内部ルーティング特徴（図示せず）を含み得る。例えば、いくつかの実施形態では、パッケージ基板２３０は、ダイ２１０のそれぞれのダイレベル相互接続構造２２０を受容するように構成されたパッド（図示せず）などの電気的ルーティング特徴を含み得る。
【００２８】
回路板２４０は、エポキシ積層などの電気絶縁性材料から構成されたプリント回路板（ＰＣＢ）であり得る。例えば、回路板２４０は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、難燃剤４（ＦＲ−４）、ＦＲ−１などのフェノールコットンペーパー材料、ＣＥＭ−１もしくはＣＥＭ−３などのコットンペーパーおよびエポキシ材料、またはエポキシ樹脂プリプレグ材料を使用して一緒に積層された織物状ガラス材料などの材料から構成された電気絶縁層を含み得る。トレース、トレンチ、またはビアなどの相互接続構造（図示せず）は、ダイ２１０の電気信号を回路板２４０を通ってルーティングするために電気絶縁層を通って形成され得る。回路板２４０は、他の実施形態では他の好適な材料から構成され得る。いくつかの実施形態では、回路板２４０はマザーボード（例えば、図６のマザーボード６０２）である。
【００２９】
パッケージ基板２３０と回路板２４０との間で電気信号をさらにルーティングするように構成された対応するはんだ接合を形成するために、例えば、はんだボール２５０などのパッケージレベル相互接続が、パッケージ基板２３０上のおよび／または回路板２４０上の１つまたは複数のパッド（以下、「パッド２６０」）に結合され得る。パッド２６０は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、およびそれらの組合せを含む金属など、任意の好適な導電性材料から構成され得る。他の実施形態では、パッケージ基板２３０を回路板２４０に物理的および／または電気的に結合するための他の好適な技法が使用され得る。
【００３０】
ＩＣアセンブリ２００は、他の実施形態では、例えば、フリップチップおよび／またはワイヤボンディング構成、インターポーザー、およびシステムインパッケージ（ＳｉＰ）を含むマルチチップパッケージ構成および／またはパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構成の好適な組合せを含む、多種多様な他の好適な構成を含み得る。いくつかの実施形態では、ダイ２１０とＩＣアセンブリ２００の他の構成要素との間で電気信号をルーティングするための他の好適な技法が使用され得る。
【００３１】
図３は、いくつかの実施形態による、ＩＣデバイス３００の相互接続層３１０、３２０、３３０、３４０、および３５０の断面側面図を概略的に示す。いくつかの実施形態では、ＩＣデバイス３００の相互接続層３１０、３２０、３３０、３４０、または３５０は図２の相互接続層２１６の一部分であり得る。様々な実施形態では、相互接続層は、例えば、銅またはアルミニウムなど、金属を含む導電性材料から構成され得る様々な相互接続構造を含み得る。
【００３２】
いくつかの実施形態では、相互接続構造３０４は、例えば、銅など、導電性材料で充填された（「ライン」と呼ばれることがある）トレンチ構造３０８および／または（「ホール」と呼ばれることがある）ビア構造３０６を含み得る。相互接続構造３０４は、相互接続層のスタックを通って電気信号のルーティングを提供する層間相互接続であり得る。
【００３３】
いくつかの実施形態では、トレンチ構造３０８は、相互接続層、例えば、相互接続層３１０と実質的に平行である平面の方向に電気信号をルーティングするように構成され得る。例えば、トレンチ構造３０８は、いくつかの実施形態では、図３の視点ではページの内側および外側の方向に電気信号をルーティングし得る。ビア構造３０６は、トレンチ構造３０８と実質的に直角である平面の方向に電気信号をルーティングするように構成され得る。いくつかの実施形態では、ビア構造３０６は、異なる相互接続層３２０および３３０のトレンチ構造３０８を互いに電気的に結合し得る。
【００３４】
相互接続層３１０、３２０、３３０、３４０、および３５０は、わかるように、相互接続構造３０４間に配設された誘電体材料３０２を含み得る。誘電体材料３０２は、例えば層間誘電体（ＩＬＤ）材料を含む、多種多様な好適な電気絶縁性材料のいずれかを含み得る。誘電体材料３０２は、低ｋ誘電体材料など、集積回路構造における誘電体材料の適用可能性について知られている誘電体材料を使用して形成され得る。使用され得る誘電体材料の例は、限定はしないが、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）、窒化ケイ素、ペルフルオロシクロブタンまたはポリテトラフルオロエチレンなどの有機ポリマー、フルオロケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、およびシルセスキオキサン、シロキサン、または有機ケイ酸塩ガラスなどの有機シリケートを含む。誘電体材料３０２は、誘電体材料の誘電率をさらに低減するために孔または他の空隙を含み得る。誘電体材料３０２は、他の実施形態では他の好適な材料を含み得る。
【００３５】
いくつかの実施形態では、相互接続層３１０、３２０、３３０、３４０、または３５０は障壁ライナー３４８を含み得る。いくつかの実施形態では、障壁ライナー３４８は、わかるように、相互接続構造３０４の金属と誘電体材料３０２との間に、および／または異なる相互接続層（例えば、相互接続層３３０、３４０）の隣接する相互接続構造３０４の金属間に配設され得る。いくつかの実施形態では、障壁ライナー３４８は、例えば、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、またはタングステン（Ｗ）など、Ｃｕ以外の材料から構成され得る。いくつかの実施形態では、障壁ライナー３４８は窒化タンタル（ＴａＮ）を含み得る。障壁ライナー３４８は、他の実施形態では他の好適な材料を含み得る。
【００３６】
相互接続層３４０は、下位層中の特徴の酸化または他の腐食を防ぐように構成された密封誘電体層３７０を含み得る。密封誘電体層３７０は、相互接続層３４０の誘電体層を形成する誘電体材料３０２と、相互接続層３３０の誘電体層を形成する誘電体材料３０２との間に配設され得る。密封誘電体層３７０は、誘電体材料３０２とは異なる化学組成を有し得る。いくつかの実施形態では、密封誘電体層３７０は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン酸窒化物、炭素ドープシリコン窒化物、炭素ドープシリコン酸窒化物などから構成され得る。密封誘電体層３７０は、誘電体材料３０２の厚さよりも小さい厚さを有し得る。様々な実施形態では、相互接続層３４０と同様に構成された他の相互接続層が相互接続層３４０上に積層され得る。
【００３７】
様々な実施形態では、密封誘電体層３７０は、ビア構造およびトレンチ構造が同時に作製され得るダマシンプロセスにおいてエッチ停止（ＥＳ）層３７０またはキャッピング層として知られていることもある。様々な実施形態では、相互接続層３４０に対するフォトリソグラフィポイズニング効果を低減するためにＥＳ層３７０に酸化プラズマ後処理が適用され得る。ＥＳ層３７０のセグメント３６０は、ＥＳ層３７０内の異なる領域を示すために拡大されている。いくつかの実施形態では、ＥＳ層３７０は、相互接続層３３０に結合された第１の界面領域３６２と、相互接続層３４０に結合された第２の界面領域３６６とを有し得る。様々な実施形態では、第２の界面領域３６６は、相互接続層３４０をさらに堆積する前に酸化プラズマ３６８に基づいて後処理を受け得る。
【００３８】
相互接続構造３０４、３０６、３０８、３３２、３３４、３４２、３４４、または３４６は、多種多様な設計に従って電気信号をルーティングするように相互接続層３１０、３２０、３３０、３４０、または３５０内に構成され得、図３に示されている相互接続構造の特定の構成に限定されない。図３には特定の相互接続層３１０、３２０、３３０、３４０、および３５０が示されているが、本開示の実施形態は、図示されたものより多いまたはより少ない相互接続層を有するＩＣデバイスを含む。
【００３９】
図４は、いくつかの実施形態による、（例えば、図３のエッチ停止層３７０に適用される）酸化プラズマ後処理のプロセス４００のための流れ図を概略的に示す。プロセス４００は、図１〜図３に関して説明した実施形態に適合し得、その逆も同様である。
【００４０】
４１０において、プロセス４００は、誘電体層において複数のルーティング特徴を形成することを含み得る。いくつかの実施形態では、複数のルーティング特徴を形成することは、デュアルダマシンプロセスにおいて複数のビアおよびトレンチを形成することを含む。一例として、図３に関して、デュアルダマシンプロセスにおいてルーティング特徴、例えば、ビア３３２およびトレンチ３３４が作製され得る。ダマシンプロセスは、例えば、誘電体材料３０２上でリソグラフィおよびエッチング技法を使用する堆積およびパターン形成によって、相互接続層３３０上にビア３３２とトレンチ３３４との空きパターンを形成することから開始し得る。次に、ビア３３２とトレンチ３３４との空きパターンに（例えば、タンタル（Ｔａ）に基づく、図示せず）拡散障壁が堆積され得る。拡散障壁は、Ｃｕ接着を改善し、Ｃｕ原子がＩＬＤ中に移動するのを防止し得る。次に、例えば、物理気相堆積（ＰＶＤ）によって、拡散障壁の堆積の後に薄いＣｕシード（図示せず）が堆積され得る。次に、例えば、金属の電気めっきによって、ビア３３２とトレンチ３３４とのパターンを充填するために、選択された金属、例えば、Ｃｕが使用され得る。
【００４１】
４２０において、プロセス４００は、誘電体層にわたってエッチ停止層を堆積させることを含み得る。様々な実施形態では、例えば、化学機械研磨プロセス（ＣＭＰ）によって、前に形成されたルーティング特徴から余分の金属（例えば、Ｃｕ）を除去した後に、下位誘電体層（例えば、図３の相互接続層３３０）にわたって、例えば、堆積によって、ＥＳ層（例えば、図３のＥＳ層３７０）が形成され得る。ＥＳ層は、様々な実施形態では、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン酸窒化物、炭素ドープシリコン窒化物、炭素ドープシリコン酸窒化物などから構成され得る。
【００４２】
ＥＳ層は、上位誘電体層、例えば、図３の相互接続層３４０のエッチング中に、下位相互接続構造、例えば、図３のビア３３２およびトレンチ３３４を保護し得る。いくつかの実施形態では、ＥＳ層は拡散障壁としても働き得る。いくつかの実施形態では、ＥＳ層は、ビア構造の形成を促進するための反射防止コーティング（ＡＲＣ）としても働き得る。
【００４３】
４３０において、プロセス４００は、二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理（以下、「ＣＯ２／Ｎ２プラズマ」）を用いてエッチ停止層を酸化させることを含み得る。様々な実施形態では、ＣＯ２／Ｎ２プラズマを用いた酸化プラズマ後処理は、例えば、第１の領域３６２のバルクＥＳフィルム特性を改変することなしにＥＳ層の表面（例えば、第２の領域３６６）を酸化させ得る。したがって、ＥＳ層は、密封性、共形性、誘電率など、それの特性を保持し得る。
【００４４】
一例として、図３に関して、酸化プラズマ３６８は、例えば、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスにおいて、ＥＳ層３７０に適用され得る。酸化プラズマ３６８は、ＥＳ層３７０の第２の界面領域３６６からフォトリソグラフィの顕著な化学的性質を取り除く効果とともに第２の界面領域３６６を酸化させ得る。
【００４５】
いくつかの実施形態では、Ｎ２Ｏ／Ｏ２プラズマが使用され得る。Ｎ２Ｏ／Ｏ２プラズマは有効であり得るが、プロセスチャンバがＨ２源で封じられることに安全上の危険を生じ得る。しかしながら、ＣＯ２はＨ２と相溶性であることが知られている。したがって、ＰＥＣＶＤプロセス中にＨ２源で封じられるシステムにおいてさえ、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理はより安全である。さらに、酸化プラズマ中のＮ２ガスはイオン浸透をＥＳ層中により深く推進し得る。したがって、ＣＯ２／Ｎ２プラズマは、フォトリソグラフィポイズニング効果を低減するためのアミン推進パターニングプロセスにおけるより安全な解決策である。
【００４６】
様々な実施形態では、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理は、ＥＳ層の表面領域上で著しいＳｉＮ低減およびＳｉＯ増加を引き起こし、したがって、フォトリソグラフィポイズニングを低減し得る。例えば、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理の後に、低減したＳｉＮピークならびに増加したＳｉＯピークがフーリエ変換赤外スペクトロスコピー（ＦＴＩＲ）スペクトルにおいて観測され得る。
【００４７】
様々な実施形態では、酸化プラズマ中のＮ２ガスの役割は、イオン浸透をフィルム中により深く推進することと、ウエハ内（ＷＩＷ）イオンプロファイルを調整することとを含み得る。いくつかの実施形態では、Ｎ２なしでは、プラズマはウエハのエッジを酸化させ得るが、ウエハの中心におけるそのような処理の有効性は極めて限られる。Ｎ２を増加させると、ウエハの中心における有効性が高まり、イオンもフィルム中により深く推進する。したがって、Ｎ２ガスは、全体的な信号強度を増加させ、ならびにＷＩＷ酸化均一性を改善し得る。
【００４８】
いくつかの実施形態では、ウエハのためのエッチ停止層を酸化させるために、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ中の９：２と１：１との間の二酸化炭素（ＣＯ２）の窒素（Ｎ２）に対する比が使用され得る。いくつかの実施形態では、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ中の３：１と４：１との間の二酸化炭素（ＣＯ２）の窒素（Ｎ２）に対する比は、ウエハのためのエッチ停止層を均等に酸化させ得る。一例として、９０００標準立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）ＣＯ２と合成された３０００ＳＣＣＭ  Ｎ２をもつＣＯ２／Ｎ２プラズマは、ＥＳ層に浸透しウエハ上のＥＳ層を均一に酸化させるのに好適な運動量を維持し得るが、ＥＳ層の基本特性を改変するのにあまり深くＥＳ層中に侵入しないことがある。ＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理を用いると、フォトリソグラフィポイズニング効果が低減されるだけでなく、ＷＩＷイオンプロファイルがより一貫性のあるものにもなり得る。さらに、ＥＳ層のバルクフィルム特性が、密封性、低ｋ、エッチ停止能力などの他の重要なフィルム特質を満たすように調整され得る。
【００４９】
様々な実施形態では、プロセス４００は、相互接続構造の異なるパターンをもつより多くの層を堆積するために繰り返され得る。様々な操作について、請求する主題を理解するのに最も役立つ様式で、複数の個別の操作として順に説明した。しかしながら、説明の順序は、これらの操作が必ず順序依存であることを暗示すると解釈されるべきではない。さらに、本開示の実施形態は、所望通りに構成するために任意の好適なハードウェアおよび／またはソフトウェアを使用してシステム中に実装され得る。
【００５０】
図５は、いくつかの実施形態による、ウエハ上の様々な部位におけるＳｉＯ２およびＳｉＮの深度プロファイルを概略的に示す。二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ後処理を用いてＥＳ層を酸化させた後に、ＥＳ層における様々な変化を示すために飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）スパッタ深度プロファイルが使用され得る。例えば、深度プロファイル（ＤＰ）５１０はウエハの中心におけるＳｉＯ２のＴＯＦ−ＳＩＭＳスパッタ深度プロファイルを示し、ＤＰ５２０はウエハのエッジにおけるＳｉＯ２のＴＯＦ−ＳＩＭＳスパッタ深度プロファイルを示す。同様に、ＤＰ５３０はウエハの中心におけるＳｉＮのＴＯＦ−ＳＩＭＳスパッタ深度プロファイルを示し、ＤＰ５４０はウエハのエッジにおけるＳｉＮのＴＯＦ−ＳＩＭＳスパッタ深度プロファイルを示す。
【００５１】
ＤＰ５１０、５２０、５３０、または５４０は、ウエハ表面からの深度の関数として異なる化学種（例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ）の分布を示す。ウエハのサンプル表面から種を除去しイオン化するために、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにおいてパルスイオンビーム（例えば、セシウム（Ｃｓ）またはガリウム（Ｇａ））が使用され得る。サンプル表面から除去された粒子（例えば、二次イオン）は質量分析計中に加速され得る。そのような粒子の質量は、次いで、サンプル表面から検出器までの粒子の飛行時間に基づいて決定され得る。したがって、二次イオンから特定の化学物質（例えば、ＳｉＯ２またはＳｉＮ）が確認され得、ＤＰ５１０、５２０、５３０、または５４０は、ウエハの表面の連続スパッタリング後のウエハ上の化学的層位を示し得る。
【００５２】
ＤＰ５１０は２つの実験からの結果を含む。実験５６２は、二酸化炭素（ＣＯ２）を含むが窒素（Ｎ２）を除く、プラズマ後処理後のウエハ上のＳｉＯ２またはＳｉＮのＤＰを表す。一方、実験５６４は、例えば、図４の４３０に記載されている、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理後のウエハ上のＳｉＯ２またはＳｉＮのＤＰを表す。両方の実験は、第１の領域５５２および第２の領域５５４など、ウエハの異なる領域におけるＳｉＯ２またはＳｉＮの異なる発現を見せている。様々な実施形態では、領域５５２および５５４はそれぞれ図３の領域３６２および３６６に適合し得る。
【００５３】
ＤＰ５１０に示されているように、実験５６２は、第２の領域５５４において酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のピーク濃度レベル（ＰＣＬ）５１２を生成する。同様に、実験５６４は、第２の領域５５４において酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の別のＰＣＬ５１４を生成する。ＰＣＬ５１２とＰＣＬ５１４は両方とも、酸化プラズマ後処理が第１の領域５５２ではなく第２の領域５５４に適用されたことを示している。さらに、ＤＰ５１０に示されているように、第１の領域５５２には酸化ケイ素（ＳｉＯ２）がなく、これは、酸化プラズマがバルクフィルムによって減衰されることを示し、処理に直接露出されたフィルムの上部領域への影響のみを示している。したがって、少なくとも第１の領域５５２におけるバルクフィルム組成は処理による影響を受けない。
【００５４】
さらに、第２の領域５５４の最外表面におけるＳｉＯ２の濃度は、（例えば、第１の領域５５２におけるＳｉＯ２の実質的に０の濃度と比較して）すでに観測可能レベル５１６にあり、これにより、概して酸化プラズマ後処理の有効性が証明されることに留意されよう。さらに、ＰＣＬ５１４はＰＣＬレベル５１２よりも２倍以上大きく、これにより、例えば、Ｎ２なしの酸化プラズマ後処理と比較して、特にＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理の有効性が証明され得る。そのような差異は、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理においてウエハ中により深く推進するためのＮ２の有効性によって生起し得る。
【００５５】
ＤＰ５２０に示されているように、実験５６２は、第２の領域５５４においてＳｉＯ２のＰＣＬ５２２を生成する。同様に、実験５６４は、第２の領域５５４においてＳｉＯ２のＰＣＬ５２４を生成する。ＤＰ５１０におけるそれらの相対物と比較して、Ｎ２なしの実験５６２は、ウエハの中心部位とエッジ部位との間の酸化の不一致を示している。しかしながら、ＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理を用いた実験５６４は、中心部位とエッジ部位との間の酸化の全般的均一性を示している。
【００５６】
ＤＰ５３０に示されているように、実験５６２と実験５６４の両方は、第２の領域５５４の最外表面５３４におけるＳｉＮの濃度がＥＳ層における最低濃度レベルにあることを示している。その後、ＳｉＮの濃度は、第２の領域５５４にわたって増加し、深度５３２の辺りでピークレベルになり、その後、濃度は実質的に一定になる。ＤＰ５３０におけるエッチ停止層の最外表面５３４から増加しているＳｉＮ濃度プロファイルは、酸化プラズマを受ける第２の領域５５４からフォトリソグラフィポイズニング化学物質（例えば、ＳｉＮを含むアミン）を追い出すための酸化プラズマ後処理の有効性を概して証明し得る。したがって、エッチ停止層のポイズニング効果は後続のリソグラフィ処理中に減少され得る。
【００５７】
ＤＰ５４０は、最外表面５４４から深度５４２までＳｉＮが大いに追い出されたという同様の効果を例証し得る。ＤＰ５３０とＤＰ５１０を組み合わせることで、酸化プラズマ後処理は、第２の領域５５４中などのＥＳ層の最外領域においてＳｉＮをＳｉＯ２に変換するが、第１の領域５５２などのＥＳ層中にさらに深くは変換しないことがあることが明らかであろう。
【００５８】
図６は、いくつかの実施形態による、本明細書で説明するＥＳ層（例えば、図３のＥＳ層３７０）を有するＩＣデバイス（例えば、図３のＩＣデバイス３００）を含み得る例示的なシステム（例えば、コンピューティングデバイス６００）を概略的に示す。コンピューティングデバイス６００の構成要素は筐体中（図示せず）に格納され得る。マザーボード６０２は、限定はしないが、プロセッサ６０４および少なくとも１つの通信チップ６０６を含む、いくつかの構成要素を含み得る。プロセッサ６０４は、マザーボード６０２に物理的および電気的に結合され得る。いくつかの実装形態では、少なくとも１つの通信チップ６０６も、マザーボード６０２に物理的および電気的に結合され得る。さらなる実装形態では、通信チップ６０６はプロセッサ６０４の一部分であり得る。
【００５９】
コンピューティングデバイス６００の用途に応じて、コンピューティングデバイス６００は、マザーボード６０２に物理的および電気的に結合されることも結合されないこともある、他の構成要素を含み得る。これらの他の構成要素は、限定はしないが、揮発性メモリ（例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ））、不揮発性メモリ（例えば、読取り専用メモリ（ＲＯＭ））、フラッシュメモリ、グラフィックスプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、暗号プロセッサ、チップセット、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリー、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、ガイガーカウンター、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、カメラ、および（ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）などの）大容量ストレージデバイスを含み得る。
【００６０】
通信チップ６０６は、コンピューティングデバイス６００との間でデータの転送のためのワイヤレス通信を可能にし得る。「ワイヤレス」という用語およびそれの派生形は、非固体媒体を通して変調された電磁放射の使用によってデータを通信し得る、回路、デバイス、システム、方法、技法、通信チャネルなどについて説明するために使用され得る。この用語は、関連するデバイスがどんなワイヤも含まないことを暗示するものではないが、いくつかの実施形態では、デバイスはワイヤを含まないことがあろう。通信チップ６０６は、限定はしないが、Ｗｉ−Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリー）、ＩＥＥＥ８０２．１６規格（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１６−２００５補正）を含む米国電気電子技術者協会（ＩＥＥＥ）規格、何らかの補正、更新、および／または改訂（例えば、アドバンストＬＴＥプロジェクト、（「３ＧＰＰ２」とも呼ばれる）ウルトラモバイルブロードバンド（ＵＭＢ）プロジェクトなど）を伴うロングタームエボリューション（ＬＴＥ）プロジェクトを含む、いくつかのワイヤレス規格またはプロトコルのいずれかを実装し得る。ＩＥＥＥ８０２．１６互換ブロードバンドワイヤレスアクセス（ＢＷＡ）ネットワークは一般にＷｉＭＡＸネットワークと呼ばれ、これは、ＩＥＥＥ８０２．１６規格のための適合性および相互運用性試験に合格する製品のための認証マークである、Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ  Ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｃｃｅｓｓを表す頭文字である。通信チップ６０６は、モバイル通信用グローバルシステム（ＧＳＭ（登録商標））、汎用パケット無線サービス（ＧＰＲＳ）、ユニバーサルモバイルテレコミュニケーションズシステム（ＵＭＴＳ）、高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ）、発展型ＨＳＰＡ（Ｅ−ＨＳＰＡ）、またはＬＴＥネットワークに従って動作し得る。通信チップ６０６は、ＧＳＭ（登録商標）進化型高速データ（ＥＤＧＥ）、ＧＳＭ（登録商標）  ＥＤＧＥ無線アクセスネットワーク（ＧＥＲＡＮ）、ユニバーサル地上波無線アクセスネットワーク（ＵＴＲＡＮ）、または発展型ＵＴＲＡＮ（Ｅ−ＵＴＲＡＮ）に従って動作し得る。通信チップ６０６は、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、デジタル拡張コードレス電気通信（ＤＥＣＴ）、エボリューションデータオプティマイズド（ＥＶ−ＤＯ）、それらの派生物、ならびに３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、およびそれ以降と呼ばれる任意の他のワイヤレスプロトコルに従って動作し得る。通信チップ６０６は、他の実施形態では他のワイヤレスプロトコルに従って動作し得る。
【００６１】
コンピューティングデバイス６００は複数の通信チップ６０６を含み得る。例えば、第１の通信チップ６０６は、Ｗｉ−ＦｉおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）など、より短距離のワイヤレス通信に専用であり得、第２の通信チップ６０６は、ＧＰＳ、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ、ＥＶ−ＤＯなど、より長距離のワイヤレス通信に専用であり得る。
【００６２】
コンピューティングデバイス６００のプロセッサ６０４は、フォトリソグラフィポイズニングを低減するためにＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理を使用して酸化された少なくとも１つのＥＳ層（例えば、図３のＥＳ層３７０）を有するダイ（例えば、図２のダイ２１０）を含み得る。ダイ２１０は、マザーボード６０２などの回路板上に取り付けられたパッケージアセンブリ中に取り付けられ得る。「プロセッサ」という用語は、レジスタおよび／またはメモリからの電子データを処理して、その電子データをレジスタおよび／またはメモリに記憶され得る他の電子データに変換する任意のデバイスまたはデバイスの部分を指し得る。
【００６３】
通信チップ６０６はまた、本明細書で説明するようにフォトリソグラフィポイズニングを低減するためにＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理を使用して酸化された少なくとも１つのＥＳ層（例えば、図３のＥＳ層３７０）を有するダイ（例えば、図２のダイ２１０）を含み得る。さらなる実装形態では、コンピューティングデバイス６００内に格納された別の構成要素（例えば、メモリデバイスまたは他の集積回路デバイス）も、本明細書で説明するようにフォトリソグラフィポイズニングを低減するためにＣＯ２／Ｎ２プラズマ後処理を使用して酸化された少なくとも１つのＥＳ層（例えば、図３のＥＳ層３７０）を有するダイ（例えば、図２のダイ２１０）を含んでいることがある。
【００６４】
様々な実装形態では、コンピューティングデバイス６００は、モバイルコンピューティングデバイス、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、モバイルフォン、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンターテインメントコントロールユニット、デジタルカメラ、ポータブル音楽プレーヤ、またはデジタルビデオレコーダであり得る。さらなる実装形態では、コンピューティングデバイス６００は、データを処理する任意の他の電子デバイスであり得る。  例
【００６５】
様々な実施形態に従って、本開示では、（例えば、集積回路（ＩＣ）構造を含む）装置について説明する。装置の例１は、複数のルーティング特徴をもつ誘電体層と、誘電体層に結合された第１の界面領域、および第１の界面領域の反対側に配設された第２の界面領域を有する、エッチ停止層とを含み得、第１の界面領域は、第１の界面領域にわたって一様に分布したピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有し、第２の界面領域は、実質的に０の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有する。
【００６６】
例２は例１の装置を含み得、ピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルは、立方センチメートルごとに少なくとも３×１０２０個の原子である。例３は例１または２の装置を含み得、ピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルは、立方センチメートルごとに少なくとも４×１０２０個の原子である。例４は例１〜３のいずれかの装置を含み得、第２の界面領域の最外表面におけるＳｉＮの濃度は、エッチ停止層におけるＳｉＮの最低濃度であり、ＳｉＮの濃度は、第２の界面領域においてピークレベルまで増加し、第１の領域にわたって実質的に一定である。
【００６７】
例５は例１〜４のいずれかの装置を含み得、第１の界面領域と第２の界面領域とにおけるＳｉＯ２濃度レベルのプロファイルは、エッチ停止層が、第２の界面領域からの二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理によって処理されることに合致する。例６は例１〜５のいずれかの装置を含み得、誘電体層は第１の誘電体層であり、本装置は、ダイまたはウエハの半導体基板であって、第１の誘電体層が半導体基板上に配設された、半導体基板と、第１の誘電体層の第２の界面領域に結合された第２の誘電体層とをさらに含む。
【００６８】
例７は例１〜６のいずれかの装置を含み得、第１の界面領域および第２の界面領域は同じ厚さを有する。例８は例１〜７のいずれかの装置を含み得、複数のルーティング特徴は複数のビアおよびトレンチを備え、エッチ停止層は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を有するエッチ停止層である。
【００６９】
様々な実施形態に従って、本開示では、（例えば、ＩＣ構造を作製する）方法について説明する。方法の例９は、誘電体層において複数のルーティング特徴を形成することと、誘電体層にわたってエッチ停止層を堆積させることと、二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理を用いてエッチ停止層を酸化させることとを含み得る。
【００７０】
例１０は例９の方法を含み得、複数のルーティング特徴を形成することは、デュアルダマシンプロセスにおいて複数のビアおよびトレンチを形成することを含む。例１１は例９または１０の方法を含み得、エッチ停止層を堆積させることは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を堆積させることを含む。例１２は例９〜１１のいずれかの方法を含み得、エッチ停止層を酸化させることは、プラズマ処理のために３：１と４：１との間の二酸化炭素（ＣＯ２）の窒素（Ｎ２）に対する比を使用することを含む。例１３は例９〜１２のいずれかの方法を含み得、エッチ停止層を酸化させることは、エッチ停止層の最外領域のみにおいてＳｉＮをＳｉＯ２に変換することを含む。例１４は例９〜１３のいずれかの方法を含み得、エッチ停止層を酸化させることは、エッチ停止層の１つの表面のみにおいてピークＳｉＯ２濃度レベルを生成することを含む。
【００７１】
例１５は例９〜１４のいずれかの方法を含み得、エッチ停止層を酸化させることは、エッチ停止層の表面から増加するＳｉＮ濃度プロファイルを生成することを含む。例１６は例１５の方法を含み得、ＳｉＮ濃度プロファイルは、エッチ停止層の反対側の表面のほうの方向においてピークレベルに達し、実質的にピークレベルを維持する。例１７は例９〜１６のいずれかの方法を含み得、エッチ停止層を酸化させることは、後続のリソグラフィ処理中にエッチ停止層のポイズニング効果を減少させることを含む。例１８は例９〜１７のいずれかの方法を含み得、酸化させることは、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスにおいて実行される。例１９は例９〜１７のいずれかの方法を含み得、酸化させることは、水素（Ｈ２）を有するプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスチャンバにおいて実行される。
【００７２】
例２０は、装置による命令の実行に応答して、方法９〜１９のいずれかの主題を装置に実施させるように構成された命令を有する少なくとも１つの記憶媒体である。例２１は、方法９〜１９のいずれかの主題を実施するための手段を含み得る、集積回路（ＩＣ）構造を作製するための装置である。
【００７３】
様々な実施形態に従って、本開示ではシステム（例えば、コンピューティングデバイス）について説明する。コンピューティングデバイスの例２２は、回路板と、回路板に電気的に結合されたダイとを含み得、ダイは、複数のルーティング特徴をもつ誘電体層と、誘電体層に結合された第１の界面領域、および第１の界面領域の反対側に配設された第２の界面領域を有する、エッチ停止層とを含み、第１の界面領域と第２の界面領域とにおけるＳｉＯ２濃度レベルのプロファイルは、エッチ停止層が、第２の界面領域からの二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理によって処理されることに合致する。
【００７４】
例２３は例２２のシステムを含み得、第１の界面領域は、エッチ停止層にわたって一様に分布したピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有し、第２の界面領域は、実質的に０の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有する。例２４は例２２または２３のシステムを含み得、第２の界面領域の最外表面におけるＳｉＮの濃度は、エッチ停止層におけるＳｉＮの最低濃度であり、ＳｉＮの濃度は、第２の領域において連続的にピークレベルまで増加し、第１の領域にわたって実質的に一定である。例２５は例２２〜２４のいずれかのコンピューティングデバイスを含み得、ダイはプロセッサであり、システムは、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリー、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、ガイガーカウンター、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、およびカメラのうちの１つまたは複数を含むモバイルコンピューティングデバイスである。
【００７５】
様々な実施形態は、上記で論理積形（および）で説明した実施形態の代替（または）実施形態を含む（例えば、「および」が「および／または」であり得る）、上記で説明した実施形態の任意の好適な組合せを含み得る。さらに、いくつかの実施形態は、実行されたとき、上記で説明した実施形態のいずれかの行為を生じる命令を記憶した１つまたは複数の製造品（例えば、非一時的コンピュータ可読媒体）を含み得る。その上、いくつかの実施形態は、上記で説明した実施形態の様々な動作を行うための任意の好適な手段を有する装置またはシステムを含み得る。
【００７６】
要約書において説明されたものを含む、示された実装形態についての上記の説明は、網羅的になるように意図されたものではなく、また、本開示の実施形態を開示された厳密な形態に限定するものでもない。本明細書では説明の目的で特定の実装形態および例について説明したが、当業者なら認識されるように、本開示の範囲内で様々な等価的変更が可能である。
【００７７】
これらの変更は、上記の詳細な説明に照らして本開示の実施形態に対して行われ得る。以下の特許請求の範囲において使用される用語は、本開示の様々な実施形態を、明細書および特許請求の範囲において開示される特定の実装形態に限定すると解釈されるべきではない。そうではなく、範囲は、請求項解釈の確立された教義に従って解釈されるべきである以下の特許請求の範囲によって完全に決定されるものである。
［項目１］
複数のルーティング特徴をもつ誘電体層と、
前記誘電体層に結合された第１の界面領域、および前記第１の界面領域の反対側に配設された第２の界面領域を有する、エッチ停止層とを備える、装置であって、
前記第１の界面領域は、前記第１の界面領域にわたって一様に分布したピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有し、前記第２の界面領域は、実質的に０の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有する、装置。
［項目２］
前記ピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルは、立方センチメートルごとに少なくとも３×１０２０個の原子である、項目１に記載の装置。
［項目３］
前記ピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルは、立方センチメートルごとに少なくとも４×１０２０個の原子である、項目１に記載の装置。
［項目４］
前記第２の界面領域の最外表面におけるＳｉＮの濃度は、前記エッチ停止層におけるＳｉＮの最低濃度であり、ＳｉＮの前記濃度は、前記第２の界面領域においてピークレベルまで増加し、前記第１の界面領域にわたって実質的に一定である、項目１に記載の装置。
［項目５］
前記第１の界面領域と前記第２の界面領域とにおけるＳｉＯ２濃度レベルのプロファイルは、前記エッチ停止層が、前記第２の界面領域からの二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理によって処理されることに合致する、
項目１に記載の装置。
［項目６］
前記誘電体層は第１の誘電体層であり、前記装置は、
ダイまたはウエハの半導体基板であって、前記第１の誘電体層が前記半導体基板上に配設された、半導体基板と、
前記第１の誘電体層の前記第２の界面領域に結合された第２の誘電体層とをさらに備える、項目１に記載の装置。
［項目７］
前記第１の界面領域および前記第２の界面領域は同じ厚さを有する、項目１に記載の装置。
［項目８］
前記複数のルーティング特徴は複数のビアおよびトレンチを備え、前記エッチ停止層は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を有するエッチ停止層である、項目１〜７のいずれか一項に記載の装置。
［項目９］
誘電体層において複数のルーティング特徴を形成することと、
前記誘電体層にわたってエッチ停止層を堆積させることと、
二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理を用いて前記エッチ停止層を酸化させることとを含む、集積回路（ＩＣ）構造を作製する方法。
［項目１０］
前記複数のルーティング特徴を形成することは、デュアルダマシンプロセスにおいて複数のビアおよびトレンチを形成することを含む、項目９に記載の方法。
［項目１１］
前記エッチ停止層を堆積させることは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を堆積させることを含む、項目９に記載の方法。
［項目１２］
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記プラズマ処理のために３：１と４：１との間の二酸化炭素（ＣＯ２）の窒素（Ｎ２）に対する比を使用することを含む、項目９に記載の方法。
［項目１３］
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記エッチ停止層の最外領域のみにおいてＳｉＮをＳｉＯ２に変換することを含む、項目９に記載の方法。
［項目１４］
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記エッチ停止層の１つの表面のみにおいてピークＳｉＯ２濃度レベルを生成することを含む、項目９に記載の方法。
［項目１５］
前記エッチ停止層を酸化させることは、前記エッチ停止層の表面から増加するＳｉＮ濃度プロファイルを生成することを含む、項目９に記載の方法。
［項目１６］
前記ＳｉＮ濃度プロファイルは、前記エッチ停止層の反対側の表面のほうの方向においてピークレベルに達し、実質的に前記ピークレベルを維持する、項目１５に記載の方法。
［項目１７］
前記エッチ停止層を酸化させることは、後続のリソグラフィ処理中に前記エッチ停止層のポイズニング効果を減少させることを含む、項目９に記載の方法。
［項目１８］
前記酸化させることは、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスにおいて実行される、項目９に記載の方法。
［項目１９］
前記酸化させることは、水素（Ｈ２）を有するプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスチャンバにおいて実行される、項目９〜１７のいずれか一項に記載の方法。
［項目２０］
回路板と、
前記回路板に電気的に結合されたダイとを備えるコンピューティングデバイスであって、前記ダイは、
複数のルーティング特徴をもつ誘電体層と、
前記誘電体層に結合された第１の界面領域、および前記第１の界面領域の反対側に配設された第２の界面領域を有する、エッチ停止層とを含み、
前記第１の界面領域と前記第２の界面領域とにおけるＳｉＯ２濃度レベルのプロファイルは、前記エッチ停止層が、前記第２の界面領域からの二酸化炭素（ＣＯ２）と窒素（Ｎ２）とを含むプラズマ処理によって処理されることに合致する、コンピューティングデバイス。
［項目２１］
前記第１の界面領域は、前記エッチ停止層にわたって一様に分布したピーク酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有し、前記第２の界面領域は、実質的に０の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）濃度レベルを有する、項目２０に記載のコンピューティングデバイス。
［項目２２］
前記第２の界面領域の最外表面におけるＳｉＮの濃度は、前記エッチ停止層におけるＳｉＮの最低濃度であり、ＳｉＮの前記濃度は、前記第２の界面領域において連続的にピークレベルまで増加し、前記第１の界面領域にわたって実質的に一定である、項目２０に記載のコンピューティングデバイス。
［項目２３］
前記ダイはプロセッサであり、
前記コンピューティングデバイスは、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリー、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、ガイガーカウンター、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、およびカメラのうちの１つまたは複数を含むモバイルコンピューティングデバイスである、項目２０〜２２のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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