(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に外部接続電極が形成された第１主面と、前記第１主面の縁部よりも更に外周側に形成された凸状縁部と、前記第１主面と反対側の第２主面とを備えた半導体ウエハを準備する半導体ウエハ準備工程と、
前記第１主面において前記外部接続電極と接するように導電性接合材を配置する導電性接合材配置工程と、
前記半導体ウエハを前記第１主面側から前記導電性接合材に達するまで研削する研削工程と、
研削された前記半導体ウエハに対して前記第１主面側からダイシングテープを貼り付けるテープ貼付工程と、
前記半導体ウエハを第２主面側よりダイシングしてチップ単位に分割するチップ分割工程と、を含み、
前記導電性接合材配置工程と前記研削工程との間に、前記導電性接合材の上方に前記凸状縁部の高さと実質的に同じ高さにまで埋設材を埋める埋設材の埋設工程を更に含み、
前記埋設材の硬度と前記半導体ウエハの硬度との差は、前記埋設材の硬度と前記導電性接合材の硬度との差よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記埋設材の硬度は前記導電性接合材の硬度より高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記埋設材として、ダイシングテープを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記埋設材として、流動性のある材料を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電性接合材として、導電性のダイアタッチフィルムを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電性接合材として、導電性のペーストを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハの前記第２主面を基準とした前記第１主面側の研削面までの厚みが少なくとも１００μｍ以上残された状態で前記研削工程を終えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モーター、インバーター等を駆動する際の電力損失（発熱等）抑制の要請から、より低いオン抵抗の電気特性を備えた半導体装置が求められている。この要求を受け、ＩＧＢＴ、ダイオード等の半導体装置は、縦方向（厚み方向）に流れる電流に対応した抵抗値の低減を狙って薄化の動きが進んでいる。半導体装置の製造にあたって、半導体ウエハ（以下、単にウエハと言うこともある。）はバックグラインド等の方法により研削・研磨され、一般的には１００μｍ以下にまで薄化されている。
【０００３】
しかし、ウエハが薄くなる分、機械的強度は低くなり、薄化した以降の製造工程（不純物導入工程、不純物拡散工程、電極形成工程等）ではウエハの割れ、欠損等をひき起こし易くなり、ひいては歩留りを大きく低下させることとなる。
【０００４】
このような薄化されたウエハの機械的強度を高める方法として、ウエハの外周端部に沿って凸状縁部を残し、ウエハの内側領域のみを研削した構造の半導体ウエハが提案されている（特許文献１［００４７］段落参照）。従来の半導体ウエハの一例を図１９に示す。半導体ウエハ９００の凸状縁部９１６の高さ（厚さＴ１）は、第２主面９１８を基準として例えば５００〜７００μｍ程度であり、凸状縁部９１６の内側領域（第１主面９１２）の高さ（厚さＴ２）は、第２主面９１８を基準として８０μｍ程度となっている。この構造によれば、外周端部に沿って凸状縁部を備えるため抗折強度等が高まり、ウエハ全体の機械的強度を高めることができる。
ただ、この改善されたウエハに対してダイシング等によるチップ分割を行おうとすると、外周端部に沿った凸状縁部と半導体チップが形成されたウエハの内側領域との間に段差が生じているため、そのままではチップ分割が難しいという問題がある。
【０００５】
かかる問題を解決するため、従来の半導体装置の製造方法は、図２０及び図２１に示すように、表面に外部接続電極（図示せず。）が形成された第１主面９１２と、第１主面９１２の縁部９１４よりも更に外周側に形成された凸状縁部９１６と、第１主面９１２と反対側の面であって例えば素子等のパターン９１９が形成された第２主面９１８とを備えた半導体ウエハ９００を準備する半導体ウエハ準備工程Ｓ９１０と（図２１（ａ）参照。）、第２主面９１８にダイシングテープ等の第１のテープ９５０を貼り付ける第１のテープ貼付工程Ｓ９１１と（図２１（ｂ）参照。）、第１主面９１２の側よりブレード９７０等を用いて凸状縁部９１６の内側に沿ってサークルカットし凸状縁部９１６と第１主面を形成する内側領域とを切り分ける縁部切り分け工程Ｓ９１２と（図２１（ｃ）及び図２１（ｄ）参照。）、半導体ウエハ９００を反転し、第２主面９１８に貼り付けられた第１のテープ９５０を剥離する第１のテープ剥離工程Ｓ９１３と（図２１（ｅ）参照。）、第１主面９１２にダイシングテープ等の第２のテープを貼り付ける第２のテープ貼付工程Ｓ９１４と、第２主面９１８の側よりダイシングブレード９７２を用いてダイシングを行うチップ分割工程Ｓ９１５の各工程を備える（図２１（ｆ）及び図２１（ｇ）参照。）。
【０００６】
従来の半導体装置の製造方法によれば、縁部切り分け工程によって半導体チップが形成されたウエハの第１主面を形成する内側領域から凸状縁部が切り分けられるため、ウエハの段差が解消された状態でダイシング等のチップ分割工程を行うことができる。
【０００７】
なお、従来の半導体装置の製造方法を前提としたチップ分割工程Ｓ９１５以降の製造工程は、次の通りである。チップ分割工程Ｓ９１５を終えた半導体ウエハ９００に対しＵＶ照射装置（図示せず。）でＵＶ照射を行いダイシングテープ等の第２のテープの粘着性を低下させる（ＵＶ照射工程）。その後、図２２に示すように、ウエハ径の外側に向かって力を加えて第２のテープを伸長させ、ダイシング等によって形成された溝９２４の幅を広げて、個々の半導体チップの相互間の間隔を拡げる（テープ・エキスパンド工程）。その後、図２３に示すように、半導体ウエハの下方（第１主面９１２側）から、ニードル９４０を用いて個々の半導体チップ９３０を突き上げ、当該半導体チップ９３０をコレット９４２で真空吸着しつつピックアップする（チップ突き上げ工程）。その後、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示すように、リードフレームのダイパッド９３２上にはんだ等の接合材９５４を塗布し、これを予備的に加熱し溶融しておきつつ、他方で、上記した突き上げ工程でピックアップした半導体チップ９３０を上方から載置してボンディングを行う（ダイボンディング工程）。以上の工程を実施することにより、リードフレームのダイパッド９３２上に半導体チップ９３０が載置された構造体を得ることができる（図２４（ｃ）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２８３６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法によれば、縁部切り分け工程では、段差がある状態のウエハに対し第１主面９１２の縁部９１４の際を狙ってサークルカットを行うという相当特殊な作業が必要となるという課題がある。
また、縁部切り分けが終わると、処理対象のウエハは凸状縁部による支持を失っていることから機械的強度や剛性が低くなり、その後の工程であるウエハ反転工程、第１のテープ剥離工程、第２のテープ貼付工程、チップ分割工程等（図２１（ｄ）〜図２１（ｇ）参照。）では、ウエハを破損しないよう慎重に取り扱わなければならないという課題がある。
また、ウエハが大変薄い（例えば１００μｍ以下の厚み）ことから、チップ突き上げ工程において、突き上げられた当該半導体チップ、その周囲のチップ、半導体ウエハ全体等において割れや欠けが生じる（例えば、図２５で示したＡを参照。）、また、チップ突き上げ工程でストレスを受けた半導体チップがダイボンディング工程においてダイパッド９３２上に載置される際に割れが生じるといった歩留り低下につながる課題がある。
さらに、従来の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの電気検査の際に凸状縁部と検査用プローブとが干渉しやすいという課題、縁部切り分け工程では、サークルカットの切り代のマージンを確保する必要があるため、半導体ウエハの有効面積（有効なインチ径）が小さくなり半導体チップの取り個数が少なくなるという課題、ダイボンディング工程では、はんだ塗布、予備加熱等の処理が必要であるという課題も残されている。
【００１０】
本発明は、これらの課題を解決するためになされたもので、今後ますます薄化していく半導体装置を製造するにあたり、チップ分割工程時における凸状縁部とその内側領域との段差の問題は前提として解決しつつも、サークルカット等の縁部切り分け工程のような特殊作業が必要な工程、凸状縁部を欠いた薄い半導体ウエハを取り扱わなければならない工程などを削減することができ、かつ、チップ突き上げによる半導体チップやウエハの割れや欠けの発生を抑制して歩留り低下を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の製造方法で製造された半導体装置及びそれを含む半導体デバイスと提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
［１］本発明の半導体装置の製造方法は、表面に外部接続電極が形成された第１主面と、前記第１主面の縁部よりも更に外周側に形成された凸状縁部と、前記第１主面と反対側の第２主面とを備えた半導体ウエハを準備する半導体ウエハ準備工程と、前記第１主面において前記外部接続電極と接するように導電性接合材を配置する導電性接合材配置工程と、前記半導体ウエハを前記第１主面側から前記導電性接合材に達するまで研削する研削工程と、研削された前記半導体ウエハに対して前記第１主面側からダイシングテープを貼り付けるテープ貼付工程と、前記半導体ウエハを第２主面側よりダイシングしてチップ単位に分割するチップ分割工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
［２］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記導電性接合材配置工程と前記研削工程との間に、前記導電性接合材の上方に前記凸状縁部の高さと実質的に同じ高さにまで埋設材を埋める埋設材の埋設工程を更に含むことが好ましい。
【００１３】
［３］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記埋設材の硬度は前記導電性接合材の硬度より高いことが好ましい。
【００１４】
［４］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記埋設材の硬度と前記シリコン基板の硬度との差は、前記埋設材の硬度と前記導電性接合材の硬度との差よりも小さいことが好ましい。
【００１５】
［５］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記埋設材としてダイシングテープを用いることが好ましい。
【００１６】
［６］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記埋設材として流動性のある材料を用いることが好ましい。
【００１７】
［７］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記埋設材として、前記導電性接合材配置工程で用いた前記導電性接合材をそのまま用いることが好ましい。
【００１８】
［８］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記導電性接合材として、導電性のダイアタッチフィルムを用いることが好ましい。
【００１９】
［９］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記導電性接合材として、導電性のペーストを用いることが好ましい。
【００２０】
［１０］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体ウエハの前記第２主面を基準とした前記第１主面側の研削面までの厚みが少なくとも１００μｍ以上残された状態で前記研削工程を終えることが好ましい。
【００２１】
［１１］本発明の半導体装置は、動作時に半導体チップの厚み方向に電流が流される半導体装置であって、上記［１］〜［１０］のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【００２２】
［１２］本発明の半導体デバイスは、一方の面に第１外部接続電極及び他方の面に第２外部接続電極を備えた半導体チップ、並びに、前記半導体チップの第２外部接続電極と接するように配された導電性接合材を有する半導体装置と、前記導電性接合材と接するように配されたダイパッドと、アウターリードとを備え、前記第１外部接続電極と前記アウターリードとが配線で接続された半導体デバイスであって、前記半導体装置は、動作時に半導体チップの厚み方向に電流が流される半導体装置であり、かつ、前記半導体チップと前記導電性接合材とを合わせた前記半導体装置の厚みが１４０μｍ以下であり、かつ、前記導電性接合材として導電性のダイアタッチフィルムを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、研削工程において半導体ウエハを第１主面側から導電性接合材に達するまで研削することにより段差が解消され、段差の問題なくダイシング等のチップ分割を行うことができ、かつ、サークルカットのような縁部切り分けのための特殊作業が必要な工程を削減することができる。
【００２４】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、導電性接合材配置工程において導電性接合材が凸状縁部の内側領域に配置されるため、取り扱われる半導体ウエハは、少なくとも導電性接合材の厚みの分は従来よりも厚くなり機械的強度や剛性が確保される。したがって、これより後の工程では、従来の製造方法のように凸状縁部を欠いた薄い半導体ウエハを取り扱わなければならない工程は削減することができる。
【００２５】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、導電性接合材配置工程において配置された導電性接合材が、チップ突き上げ工程やダイボンディング工程においては緩衝材として働くことになり、チップ突き上げによる半導体チップやウエハの割れや欠けの発生を抑制して歩留り低下を抑えることができる。
【００２６】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法によれば、導電性接合材配置工程において、導電性接合材を予め半導体チップと接するように配置したので、後のダイボンディング工程を実施する際、はんだ塗布工程を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
【図２】実施形態１に係る半導体装置の製造方法の工程を説明するために示す図である。図２（ａ）〜（ｅ）は各工程における断面図であり、図２（ｆ）及び（ｇ）はそれぞれ（ａ）及び（ｅ）に対応する半導体ウエハ１００及び半導体ウエハ１００ｅの平面図である。
【図３】実施形態１に係る導電性接合材配置工程の１例を説明するために示す図であり、半導体ウエハ１００、導電性接合材１２０及びテープマウンター５１８を側面から見た側断面図である。
【図４】実施形態１に係る研削工程の１例を説明するために示す図である。図４（ａ）は半導体ウエハ１００ｂ及び研削ヘッド５２４の斜視図である。図４（ｂ）は半導体ウエハ１００ｂ及び研削ヘッド５２４の平面図であり、矢印は回転方向を示している。図４（ｃ）は、図４（ｂ）で示したＡ〜Ａ’の断面図である。
【図５】実施形態１に係るテープ貼付工程の１例を説明するために示す図で、半導体ウエハ１００ｃ、テープ１２２及びローラー５３０を側面から見た側断面図である。
【図６】実施形態１によって製造された半導体ウエハ１００ｅをテープ・エキスパンドするテープ・エキスパンド工程を説明するために示す断面図である。
【図７】実施形態１によって製造された半導体装置１３７を突き上げるチップ突き上げ工程を説明するために示す断面図である。
【図８】実施形態１によって製造された半導体装置１３７をダイボンディングするダイボンディング工程を説明するために示す図である。図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）で示したＡ〜Ａ’の断面図である。
【図９】実施形態１によって製造された半導体装置１３７を含む半導体デバイス１４２を説明するために示す平面図である。
【図１０】実施形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
【図１１】実施形態２に係る半導体装置の製造方法の工程を説明するために示す図で、（ａ）〜（ｆ）は各工程における断面図である。
【図１２】実施形態２に係る埋設材の埋設工程の１例を説明するために示す図で、半導体ウエハ１００ｂ及び埋設材１４０及び埋設装置５１９を側面から見た側断面図である。
【図１３】実施形態２に係る研削工程の１例を説明するために示す断面図である。
【図１４】実施形態２に係る研削工程に関連し、半導体ウエハ１００ｂの研削偏りを説明するために示す断面図である。
【図１５】変形例１に係る導電性接合材配置工程を説明するために示す断面図である。
【図１６】変形例２に係る導電性接合材配置工程を説明するために示す断面図である。
【図１７】変形例３に係る埋設材の埋設工程を説明するために示す断面図である。
【図１８】変形例４に係る埋設材の埋設工程を説明するために示す断面図である。
【図１９】従来の半導体ウエハ９００を説明するために示す図である。図１９（ａ）は半導体ウエハ９００の断面図であり、図１９（ｂ）は半導体ウエハ９００の平面図である。
【図２０】従来の半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
【図２１】従来の半導体装置の製造方法の工程を説明するために示す図である。図２１（ａ）〜（ｇ）は各工程の断面図である。図２１（ｈ）〜（ｋ）は左に示された工程に対応した半導体ウエハの平面図である。
【図２２】従来技術によって製造された半導体ウエハ９００をテープ・エキスパンドするテープ・エキスパンド工程を説明するために示す断面図である。
【図２３】従来技術によって製造された半導体装置を突き上げるチップ突き上げ工程を説明するために示す断面図である。
【図２４】従来技術によって製造された半導体装置をダイボンディングするダイボンディング工程を説明するために示す図である。図２４（ａ）ははんだ塗布を行って予備加熱をした状態の断面図であり、（ｂ）は平面図、（ｃ）は図２４（ｂ）に示したＡ〜Ａ’の断面図である。
【図２５】従来技術によって製造された半導体装置をチップ突き上げ工程において突き上げた際に発生する不具合を説明するために示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体デバイスについて、図に示す実施形態に基づいて説明する。
本明細書の説明で「上」というときには、鉛直方向に沿って上又は上側（重力方向とは反対側の方向又はその側）であることを意味する。また、本明細書の説明で「下」というときには、鉛直方向に沿って下又は下側（重力方向に沿う方向又はその側）であることを意味する。
また、図面における各図は模式図であり、各構成要素のサイズ、各構成要素間のサイズ比率などは必ずしも実際のものを厳密に反映したものではない。
【００２９】
［実施形態１］
１．半導体装置の製造方法
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、図１に示すように、半導体ウエハ準備工程Ｓ１０、導電性接合材配置工程Ｓ１２、研削工程Ｓ１４、テープ貼付工程Ｓ１６及びチップ分割工程Ｓ１８をこの順序で含む。
【００３０】
以下に、実施形態１に係る半導体装置の製造方法を各工程に沿って説明する。
【００３１】
（ａ）半導体ウエハ準備工程Ｓ１０
まず、シリコン基板１１０をベースとした半導体ウエハ１００を準備する。図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ１００は、表面に外部接続電極（図示せず）が形成された第１主面１１２と、第１主面の縁部１１４よりも更に外周側に形成された凸状縁部１１６と、第１主面１１２と反対側の第２主面１１８とを備える。
半導体ウエハ１００は、シリコン基板１１０の外周端部に沿って凸状縁部１１６を残し、凸状縁部１１６の内側の領域のみを研削し、その表面に外部接続電極を形成した構造となっている。凸状縁部１１６の高さは第２主面１１８を基準として例えば７００μｍ程度（図２（ａ）で示したＴ１参照。）であり、凸状縁部１１６の内側領域（第１主面１１２）の高さは、第２主面１１８を基準として例えば８０μｍ程度となっている（図２（ａ）で示したＴ２参照。）。このように凸状縁部１１６とウエハの内側領域との間に段差を設けて外周端部に沿った凸状縁部１１６を構成することによりウエハ全体の機械的強度が確保されている。
外部接続電極は、半導体ウエハ内部と半導体ウエハ外部の部位（ダイパッド、アウターリード等）とを電気的に接続するために第１主面１１２の表面に形成された電極である。例えば半導体装置がＩＧＢＴの場合には第１主面に外部接続電極としてコレクタ電極を形成することができる。他方、第２主面１１８には素子等のパターン１１９が形成されている。なお、素子等のパターンは図２に示すように第２主面１１８に形成してもよいし、逆に第１主面１１２に形成してもよい。
【００３２】
（ｂ）導電性接合材配置工程Ｓ１２
次に、第１主面１１２において外部接続電極と接するように導電性接合材１２０を配置し、図２（ｂ）に示した半導体ウエハ１００ｂの状態にする。
導電性接合材１２０として適したものは、接合対象の間に介在することにより接合対象同士が電気的導通を図ることができ、かつ、接合対象同士を接着効果により相互に固定でき、かつ、後の製造工程において接合材自体が滴下することない程度に粘度あるいは硬さがあるものであれば何でも良い。導電性接合材１２０としては、導電性のダイアタッチフィルム（導電性のＤｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ。以下、単に導電性ＤＡＦと言うことがある。）を用いることが好ましい。実施形態１においては、導電性接合材１２０としてかかる導電性ＤＡＦを用いた場合を想定して説明をする。
導電性接合材配置工程Ｓ１２は、例えば、図３で示すようなテープマウンター５１８を用いて行う。テープマウンター５１８は、半導体ウエハを格納することができる内部空間を有する基台５１０と、その上に被せられる蓋体５１２を備えている。
まず、基台５１０の内部に半導体ウエハ１００を載せ、その上に導電性ＤＡＦ１２０を引き延ばすようにして被せ、蓋体５１２と基台５１０とで導電性ＤＡＦ１２０を挟み込んでシールする。その後、蓋体５１２の側から図示しない吸気口よりエアーを送り込み、蓋体５１２と導電性ＤＡＦ１２０の間の第１空間５１４の気圧を高めて導電性ＤＡＦ１２０の上面を加圧しつつ、その一方で、導電性ＤＡＦ１２０と半導体ウエハ１００との間の第２空間５１６の脱気を行う。こうすることで、間に気泡を含まないようにして導電性ＤＡＦ１２０を半導体ウエハ１００の中央部から外周部に向かって第１主面に貼り合せることができる（図３（ａ）参照。）。その後、導電性ＤＡＦ１２０を第１主面１１２の縁部１１４の位置でカッターにより切断し（図３（ｂ）参照。）、最終的には、処理対象を図２（ｂ）に示した半導体ウエハ１００ｂの状態にして導電性接合材配置工程Ｓ１２を完了する。
なお、導電性ＤＡＦとして厚さＴ３（図２（ｂ）参照。）が６０μｍのものを用いた場合には、凸状縁部の内側領域の半導体ウエハ１００ｂの厚みＴ４を１４０μｍ程度となる。
【００３３】
（ｃ）研削工程Ｓ１４
次に、半導体ウエハ１００ｂを第１主面１１２の側から導電性接合材１２０に達するまで研削し、図２（ｃ）に示した半導体ウエハ１００ｃの状態にする。
研削工程Ｓ１４は、例えば、図４（ａ）に示すような研削ヘッド５２４を用いて行う。  研削ヘッド５２４は、半導体ウエハと接触して研削を行う砥石５２０と、砥石５２０を保持し砥石５２０に回転力を伝える砥石ヘッド５２２を備えている。研削ヘッド５２４の砥石５２０部分を所与の圧を加えながら半導体ウエハに接触させつつ、研削ヘッド５２４を回転させ、必要に応じて半導体ウエハも回転させるようにして研削が行われる（図４参照。）。
研削工程Ｓ１４は、このような研削ヘッド５２４を用い、図４（ｃ）に示すように第１主面１１２の側から半導体ウエハ１００ｂの凸状縁部１１６に砥石ヘッド５２２を当てて研削を行う。必要に応じて砥石５２０を目の細かいものに交換し仕上げ研磨を行って表面を整え、最終的には少なくとも導電性接合材１２０に達するまで研削して半導体ウエハ１００ｃの状態（図２（ｃ）参照。）にし、研削工程Ｓ１４を完了する。
なお、半導体ウエハ１００ｃでは、高さが低くなっているものの凸状縁部１１６はなお残存しており、残存した凸状縁部によりウエハ全体の抗折強度等の機械的強度はなお確保されている。
【００３４】
（ｄ）テープ貼付工程Ｓ１６
次に、研削された半導体ウエハ１００ｃに対して第１主面１１２の側からダイシングテープ１２２を貼り付け、図２（ｄ）に示した半導体ウエハ１００ｄの状態にする。
ダイシングテープ１２２は、後に続く工程（チップ分割工程Ｓ１８、チップ突き上げ工程、及びダイボンディング工程）の際に、テープの粘着力によりウエハ及び分割されたチップを固定でき、かつ、チップ剥離の際にチップを破損することなく容易に剥離させることができるなどの機能を備えているものが好ましい。
テープ貼付工程Ｓ１６は、例えば、図５に示すように、第１主面１１２を上にした半導体ウエハ１００ｃを作業ステージ（図示せず。）に載置し、その上からダイシングテープ１２２を被せ、更にその上から半導体ウエハ１００ｃの一方の端部側（図では左）から他方の端部側（図では右）に向かって、順にダイシングテープ１２２を押し付けるようにしてローラー５３０を移動させ、第１主面１１２の側からのテープ貼付を行う。
その後、ダイシングテープ１２２が貼り付けられた状態の半導体ウエハ１００ｃを反転させ、図２（ｄ）に示した半導体ウエハ１００ｄの状態にし、テープ貼付工程Ｓ１６を完了する。
【００３５】
なお、テープ貼付工程Ｓ１６は、はじめに半導体ウエハ１００ｃを反転させ、半導体ウエハ１００ｃが上、ダイシングテープ１２２が下の配置関係にしてから貼り付け作業を行ってもよい。
【００３６】
（ｅ）チップ分割工程Ｓ１８
次に、半導体ウエハ１００ｄを第２主面１１８の側よりダイシングしてチップの単位に分割する（図２（ｅ）参照。）。
チップ分割工程Ｓ１８は、半導体ウエハ１００ｄに対し、図２（ｅ）の右欄の平面図で示したようなダイシングライン１２３に沿って、例えばダイシングブレード５００を用いて切削し、チップとチップとの間に溝１２４を作る形で、個々の半導体チップ１３０の単位に分割する（図２（ｅ）参照。）。
なお、チップ分割工程Ｓ１８は、上記のようなブレードによるものの他に、レーザー等によるもので行ってもよい。
【００３７】
以上述べた工程（ａ）〜（ｅ）を経て、半導体チップ１３０（シリコン基板１１０及び素子等のパターン１１９を有する）と導電性接合材１２０が積層された半導体装置１３７を得ることができる（図２（ｅ）、図８（ｂ）等参照。）。
【００３８】
ところで、今日の技術動向としては半導体チップの薄化が進んでおり、半導体材料の改良・最適な選択、エピタキシャル成長技術の改良、薄化ウエハの取り扱い技術の発達等により、半導体チップ１３０の厚みＴ２は少なくとも４０μｍ程度までは薄くなるものと見込まれる。
したがって、実施形態１における半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ１００ｃの第２主面１１８を基準とした第１主面１１２の側の研削面までの厚み（半導体チップ１３０の厚みＴ２に導電性接合材１２０の厚みＴ３を加えた厚みＴ４）が少なくとも１００μｍ以上残された状態で研削工程Ｓ１４を終えることがより好ましい。
【００３９】
また、実施形態１における半導体装置の製造方法において、研削工程Ｓ１４で砥石５２０の研削面が導電性接合材１２０に達した後も更に研削を続け、突き上げ工程時の割れ欠け等が生じない範囲でＴ４を薄くすることもできる。
【００４０】
また、導電性接合材については厚みが大きくなるという技術動向も考えられることから、もし、導電性接合材１２０（導電性ＤＡＦ）の電気抵抗等の特性が現在よりも改善されて実用上問題ないレベル（例えば電気抵抗が十分小さい）になった場合には、実施形態１における半導体装置の製造方法において、導電性接合材１２０として十分な厚みを持たせてもよい。
【００４１】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は上記の通りであるが、チップ分割工程Ｓ１８以降の製造工程の概略は、以下の通りである。
チップ分割工程Ｓ１８を終えた半導体ウエハ１００ｅに対しＵＶ照射装置（図示せず。）でＵＶ照射を行い、ダイシングテープ１２２の粘着性を低下させる（ＵＶ照射工程）。そうした上で、図６（ａ）に示すように半導体ウエハ１００ｅをウエハ径の外側に向かって力を加えてダイシングテープ１２２を伸長させ、上記のダイシングによって形成された溝１２４の幅を広げて、個々の半導体チップの相互間の間隔を拡げる（この状態を半導体ウエハ１００ｆとする。図６（ｂ）参照。）（テープ・エキスパンド工程）。
その後、図７に示すように、半導体ウエハ１００ｆの下方（第１主面１１２側）から、ニードル５４０を用いて個々の半導体チップ１３０を突き上げ、当該半導体チップ１３０をコレット５４２で真空吸着しつつピックアップする（チップ突き上げ工程）。その後、図８（ａ）に示すように、上記の突き上げ工程でピックアップした半導体チップ１３０をダイパッド１３２の上方から載置し、接合部に熱、超音波、圧力等のエネルギーを加えて導電性接合材１２０の接着力を高めるよう処理を行ってボンディングを行う（ダイボンディング工程）。以上の工程を実施することにより、リードフレームのダイパッド１３２上に半導体チップ１３０が載置された構造体を得る（図８（ｂ）参照）。その後、半導体チップ１３０の第２主面１１８側に形成されている電極と、アウターリード１３４との間をワイヤー等の配線１３６で結んで半導体デバイス１４２を得ることができる（配線工程）。
【００４２】
このように製造された半導体デバイス１４２は、半導体チップ１３０及び半導体チップ１３０と接するように配された導電性接合材１２０を有する半導体装置１３７と、導電性接合材１２０と接するように配されたダイパッド１３２と、アウターリード１３４とを備え、半導体チップ１３０の表面の電極とアウターリード１３４とが配線１３６で接続された構造となっている（図９参照。）。
【００４３】
２．半導体装置の製造方法による作用・効果
（１）実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、研削工程Ｓ１４により半導体ウエハ１００ｃ全体に渡って段差が解消されたため、後の工程において段差の問題なくダイシング等のチップ分割を行うことができるだけでなく（図２（ｅ）参照。）、従来技術におけるサークルカット（図２０（ｃ）等参照。）のような縁部切り分けのための特殊作業が必要な工程を削減することもでき、また、サークルカットの切り代確保による半導体ウエハの有効面積の縮小及びチップの取り個数の減少といった課題も解決できる。
なお、本発明はサークルカットのための特殊な装置を特段導入することなく、通常の研削装置を用いることで上記のような効果を奏することができ、経済上においても有利となっている。
【００４４】
（２）また、導電性接合材配置工程Ｓ１２において導電性接合材１２０が凸状縁部１１６の内側領域に配置されるため、取り扱われる半導体ウエハ１００ｂは、少なくとも導電性接合材１２０の厚みＴ３の分は従来よりも厚くなっており機械的強度や剛性が確保されている。したがって、導電性接合材配置工程Ｓ１２より後の工程で、従来のように凸状縁部１１６を欠いた薄い半導体ウエハを取り扱わなければならない状況における作業を行わなくてよい。
【００４５】
（３）また、導電性接合材配置工程Ｓ１２において配置された導電性接合材１２０は、チップ突き上げ工程において、半導体ウエハ１００ｆの下（第１主面１１２の側）から個々の半導体チップ１３０に対応する部分が突き上げられた際、緩衝材として働く。すなわち、ニードル５４０の突き上げに伴うダイシングテープ１２２の変形部１２６を、導電性接合材１２０が吸収し、すでに薄化されて割れ易くなっている半導体チップ１３０に対する応力の伝達を弱める役割を果たす。
加えて、ダイボンディング工程においても、導電性接合材１２０は緩衝材として働く。すなわち、導電性接合材１２０は、半導体チップ１３０をダイパッド１３２に載置する際の衝撃を吸収し、半導体チップとダイパッド１３２との接合部に加えられる熱、超音波、圧力等のエネルギーを吸収する役割を果たし、すでに薄化されて割れ易くなっている半導体チップ１３０への影響を和らげることができる。
【００４６】
このように、導電性接合材配置工程Ｓ１２において導電性接合材１２０を配置させることにより、チップ突き上げ工程やダイボンディング工程において導電性接合材１２０を緩衝材として働かせることになり、ひいては、チップ突き上げによる半導体チップ１３０や半導体ウエハ１００ｆの割れや欠けの発生を抑制して歩留り低下を抑えることができる。
【００４７】
（４）また、導電性接合材配置工程Ｓ１２において、導電性接合材１２０を予め半導体チップと接するように配置したので、後のダイボンディング工程の際にも、従来技術の如きはんだ塗布、予備加熱等の処理を行う必要がなくなる。
【００４８】
（５）また、導電性接合材配置工程Ｓ１２における導電性接合材１２０として、導電性のダイアタッチフィルム（導電性ＤＡＦ）を用いることで、チップ分割工程Ｓ１８及びダイボンディング工程双方から求められているダイシングテープとしての特性及びボンディング剤としての特性を、バランスよく両立しながら最適な形で応えることができる。
【００４９】
（６）また、研削工程Ｓ１４を少なくとも１００μm以上の厚みＴ４を残した状態で終えることで、半導体装置として必要な特性（より低いオン抵抗の電気特性）を確保しつつ、以降の工程において取り扱われる半導体ウエハの反り、曲り、歪み等の問題も併せて抑えることができる。
【００５０】
（７）また、研削工程Ｓ１４において、砥石５２０の研削面が導電性接合材１２０に達した後も更に研削を続け、突き上げ工程時の割れ欠け等が生じない範囲でＴ４を薄くすることで、研削後の導電性接合材１２０の厚みが薄くなり、導電性接合材１２０自体の厚み方向（縦方向）の抵抗値を低減することができ、オン抵抗が更に低い半導体装置を得ることができる。
【００５１】
（８）また、現在よりも更に小さい電気抵抗を有する導電性接合材（導電性ＤＡＦ）が利用可能となった場合には、現在よりも大きな厚みをもつ導電性接合材（導電性ＤＡＦ）を実施形態１に導入することも可能となる。このようなより厚い導電性接合材（導電性ＤＡＦ）により、上記（２）で述べた半導体ウエハにおける機械的強度や剛性の確保、及び、上記（３）で述べたチップ突き上げ工程やダイボンディング工程における緩衝材としての機能を、更に奏することができる。
【００５２】
［実施形態２］
実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、埋設材の埋設工程を更に含む点で実施形態１に係る半導体装置の製造方法とは異なる。すなわち、実施形態２に係る半導体装置の製造方法においては、図１０に示すように、導電性接合材配置工程Ｓ１２と研削工程Ｓ１４との間に、導電性接合材１２０の上方に凸状縁部１１６の高さと実質的に同じ高さにまで埋設材１４０を埋める埋設材の埋設工程Ｓ１３を更に含む。
【００５３】
実施形態２に係る、埋設材の埋設工程Ｓ１３は、例えば、図１２で示す埋設装置５１９を用いて行う。装置の概要は、導電性接合材配置工程Ｓ１２で用いたテープマウンター５１８（図３参照）と同様なので説明は省略するが、導電性接合材配置工程Ｓ１２と同様の要領で、蓋体５１２と埋設材１４０（ダイシングテープ）の間の第１空間５１４の気圧を高めて埋設材１４０（ダイシングテープ）の上面を加圧しつつ、その一方で、埋設材１４０（ダイシングテープ）と半導体ウエハ１００ｂとの間の第２空間５１６の脱気を行い、縁部１１４の位置でカッターにより切断して、埋設材１４０を実質的に凸状縁部１１６と同じ高さにまで埋め込んで、最終的に処理対象を図１１（ｃ）に示した半導体ウエハ１００ｂ’の状態にして埋設材の埋設工程Ｓ１３を完了する。
【００５４】
ここで、上記では埋設材１４０としてダイシングテープを用いた例を説明したが、埋設材１４０として適したものは、凸状縁部１１６の内側領域の凹部を埋めることができ、後の製造工程において埋設材自体が滴下することない程度に粘度あるいは硬さがあるものであれば何でも良い。
また、凸状縁部の「高さ」とは第２主面１１８を基準とした高さのことを指し、「実質的に同じ高さ」とは、凸状縁部１１６と完全に同じ高さでなくてもよく、実施形態２に係る発明が作用し所期の効果を奏する範囲内であれば、凸状縁部１１６よりも僅か低くても、又は、高くてもよい。
【００５５】
この埋設材の埋設工程Ｓ１３を行った半導体ウエハは、凸状縁部１１６による段差が埋設材１４０で埋められ外見上ほぼ平坦な形状となる。この半導体ウエハは、実施形態１に係る半導体装置の製造方法による半導体ウエハ１００ｂに比べ、凸状縁部１１６の内側領域では導電性接合材１２０の厚みＴ３に加えて埋設材１４０の分の厚み分（本発明の実施形態ではＴ１の７００μｍからＴ４の１４０μｍを減じた５６０μｍ相当）も増すため、ウエハ全体の機械的強度や剛性がより強化されている。
【００５６】
このように、実施形態２に係る半導体装置の製造方法によれば、埋設材の埋設工程Ｓ１３が更に追加された点が実施形態１に係る製造方法とは異なるが、埋設材１４０が埋設されることにより、凸状縁部１１６の内側領域は、導電性接合材１２０の厚みに加えて埋設材１４０の分の厚みも増して、ウエハ全体の機械的強度や剛性が更に強化される。したがって、これより後の工程では、半導体ウエハの反り、曲り、歪み等をより一層抑えることができ、物理的な変形に伴うウエハ破損や素子特性の変動等をより効果的に防ぐことができる。
【００５７】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法によれば、埋設材の埋設工程Ｓ１３の後の研削工程Ｓ１４では、図１３に示すように、外見上ほぼ平坦な形状となったウエハを研削することとなるので、段差の問題に留意することもなく、バックグラインド等で用いられる通常の研削機を用いて、通常のバックグラインド等の方法で研削工程Ｓ１４を遂行することができる。
【００５８】
ところで、埋設材１４０の表面にある程度硬さがないと（つまり、埋設材１４０の硬度と凸状縁部１１６の表面における硬度との間に大きな差があると）、研削工程Ｓ１４では研削ヘッド５２４をウエハ全体を万遍なく押し付けながら研削するため、凸状縁部１１６の内側領域と凸状縁部１１６とで部材が削れる度合いの差が生じ、凸状縁部の内側領域（ウエハの中央付近）が先に削られてしまい、半導体ウエハの厚みの差を生じてしまう。（図１４で示したＢを参照。）。
したがって、実施形態２に係る半導体装置の製造方法においては、埋設材１４０の硬度は半導体ウエハのシリコン基板１１０の硬度、更に詳しくはシリコン基板１１０の凸状縁部１１６の表面における硬さに近い又は同じであることが好ましい。埋設材１４０の硬度は、半導体ウエハのシリコン基板１１０としてＳｉを採用した場合にはモース硬度７程度、ＳｉＣを採用した場合にはモース硬度９．５程度であること、あるいは、それらに近い硬度であることが好ましい。
【００５９】
このように、研削工程Ｓ１４の際、凸状縁部１１６の内側領域と凸状縁部１１６とで部材が削れる度合いの差が少なくなり、研削後においてもウエハの高さのばらつきが少なく、より平坦な半導体ウエハを得ることができる。その結果、ひいては、チップ突き上げ等の工程で半導体ウエハの割れや欠けも抑制することができ、歩留りを向上させることができる。
【００６０】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法においては、埋設材１４０の硬度は導電性接合材１２０の硬度より高いことが好ましい。
凸状縁部１１６の内側領域の凹部に、導電性接合材１２０よりも高い硬度の埋設材１４０が配されるため、凸状縁部１１６の内側領域における硬度を、凸状縁部１１６における硬度により近づけることができる。このため、研削工程Ｓ１４の際、凸状縁部１１６の内側領域と凸状縁部１１６とで部材が削れる度合いの差が少なくなり、研削後においてもウエハの高さのばらつきが少なく、より平坦な半導体ウエハを得ることができる。ひいては、チップ突き上げ等の工程で半導体ウエハの割れや欠けも抑制することができ、歩留りを向上させることができる。
【００６１】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法においては、埋設材１４０の硬度とシリコン基板１１０の硬度との差は、埋設材１４０の硬度と導電性接合材１２０の硬度との差よりも小さいことが好ましい。
凸状縁部１１６の内側領域の凹部に導電性接合材１２０のみが配されている場合に比べ、当該凹部表面における硬度が、凸状縁部１１６の硬度により近づくこととなる。このため、研削工程Ｓ１４の際、凸状縁部１１６の内側領域と凸状縁部１１６とで部材が削れる度合いの差が少なくなり、研削後においてもウエハの高さのばらつきが少なく、より平坦な半導体ウエハを得ることができる。ひいては、チップ突き上げ等の工程で半導体ウエハの割れや欠けも抑制することができ、歩留りを向上させることができる。
【００６２】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法においては、埋設材の埋設工程Ｓ１３における埋設材１４０として、ダイシングテープを用いることが好ましい。
材料の観点では他の工程で用いるダイシングテープを埋設材の埋設工程Ｓ１３で転用することができるし、製造装置の観点でも他の工程で用いるテープ貼付装置、テープマウンター等を転用することができ、経済上にも有利である。
【００６３】
なお、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、埋設材の埋設工程Ｓ１３を更に含む以外の点においては実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置の製造方法が有する効果のうち該当する効果を同様に有する。
【００６４】
［実施形態３］
実施形態３に係る半導体装置１３７は、動作時に半導体チップ１３０の厚み方向に電流が流される半導体装置１３７であって、実施形態１又は実施形態２に係る半導体装置の製造方法によって製造されたことが好ましい。
実施形態３に係る半導体装置１３７（図２（ｅ）、図７、図８（ｂ）等参照。）によれば、低オン抵抗が期待できる薄い半導体装置を、実施形態１及び実施形態２で述べたように、特殊な工程を特段必要とすることなく歩留り良く製造し、経済上も実用的な水準で市場へ提供することができる。ここで、厚み方向（縦方向）に電流が流れる半導体装置の例としてはＩＧＢＴ、ダイオード等を挙げることができる。
【００６５】
また、実施形態３に係る半導体デバイス１４２（図９参照。）は、一方の面に第１外部接続電極（例えば、ＩＧＢＴの場合ではエミッタ電極やゲート電極）及び他方の面に第２外部接続電極（例えば、ＩＧＢＴの場合ではコレクタ電極）を備えた半導体チップ１３０、並びに、前記半導体チップ１３０の第２外部接続電極と接するように配された導電性接合材１２０を有する半導体装置１３７と、前記導電性接合材１２０と接するように配されたダイパッド１３２と、アウターリード１３４とを備え、前記第１外部接続電極と前記アウターリード１３４とが配線１３６で接続された半導体デバイス１４２であって、前記半導体装置１３７は、動作時に半導体チップ１３０の厚み方向に電流が流される半導体装置１３７であり、かつ、前記半導体チップ１３０と前記導電性接合材１２０とを合わせた前記半導体装置１３７の厚みが１４０μｍ以下であり、かつ、前記導電性接合材１２０として導電性のダイアタッチフィルムを有することが好ましい。
本発明の半導体デバイス１４２によれば、低オン抵抗が期待できる薄い半導体装置１３７を含んだ半導体デバイス１４２を、特殊な工程を特段必要とすることなく歩留り良く製造し、経済上も実用的な水準で市場へ提供することができる。
【００６６】
以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【００６７】
（１）上記実施形態において記載した構成要素の数、材質、形状、位置、大きさ等は例示であり、本発明の効果を損なわない範囲において変更することが可能である。
【００６８】
（２）上記実施形態１において、テープマウンター５１８を用いた導電性接合材１２０（導電性ＤＡＦ１２０）の配置方法をとったが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図１５に示すように、導電性ＤＡＦ１２０を予めウエハの凸状縁部１１６の内側領域の形状にカットしておき、当該導電性ＤＡＦ１２０をウエハの凸状縁部１１６の内側領域に配置する方法をとってもよい（変形例１）。このとき、第１主面１１２の縁部１１４の付近においては、導電性ＤＡＦ１２０の端部と、凸状縁部１１６の内壁との間には、間隙がなくてもよいし、配置時のマージンを確保するため若干間隙を設ける形にしてもよい。
【００６９】
（３）上記実施形態１において、導電性接合材配置工程Ｓ１２では、導電性接合材１２０として導電性のＤＡＦを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、所定の機能を備えたものであれば、ペースト状の材料、液状の材料等（例えば、はんだ、銀ペースト、導電性の樹脂等）を導電性接合材１２０として用いてもよい。すなわち、実施形態１又は実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、導電性接合材１２０として、導電性のペーストを用いてもよい（変形例２）。
ペースト状の材料又は液状の材料を、導電性接合材１２０として用いた場合は、はじめに図１６に示すように材料をディスペンス・ノズル５５０より凸状縁部の内側領域のウエハ凹部に供給し、材料表面を平坦化し、必要に応じて硬化をさせる手順で導電性接合材配置工程Ｓ１２を行うことができる。
このような材料と配置方法をとることで、材料がペースト状又は液状であるため凸状縁部１１６の内側のウエハ凹部に材料を配置し易く、第１主面１１２の縁まで隙間なく導電性接合材１２０を配置することができる。
【００７０】
（４）上記実施形態２において、埋設装置５１８（テープマウンター５１８）を用いて埋設材１４０を埋設する方法をとったが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図１７に示すように、埋設材１４０を予めウエハの凸状縁部１１６の内側領域の形状にカットしておき、当該埋設材１４０をウエハの凸状縁部１１６の内側領域に埋設する方法をとってもよい（変形例３）。
【００７１】
（５）同様に、上記実施形態２において、埋設材の埋設工程Ｓ１３では、埋設材１４０として固体であるダイシングテープを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、所定の機能を備えたものであれば、例えば、はんだ、銀ペースト、流動性のある樹脂などを埋設材１４０の出発材料としてとして用いてもよい。すなわち、実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、埋設材１４０として、流動性の材料を用いてもよい（変形例４）。
なお、流動性の材料を用いた場合、先ず材料１４０’をノズル５５２より凸状縁部の内側領域のウエハ凹部に供給し（図１８（ａ）参照。）、凸状縁部１１６の高さと実質的に同じ高さにまで材料１４０’’を埋めて表面を概ね平坦化させ（図１８（ｂ）参照。）、その後、硬化処理を行う（埋設材１４０が仮にＵＶ硬化型の樹脂であれば、図示しないＵＶ照射機でＵＶ照射をする。）ことで、図１８（ｃ）に示す状態のウエハを得ることができる。
流動性のある材料を採用し、かかる埋設方法をとることで、凸状縁部１１６の内側のウエハ凹部に材料を埋設し易く、簡便かつ容易に凸状縁部の内壁まで隙間なく埋設材１４０を埋めることができる。
【００７２】
（６）上記実施形態１及び実施形態２においては、例えば、導電性接合材１２０として導電性ＤＡＦを、埋設材１４０としてダイシングテープを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、実施形態１及び実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、埋設材１４０として、導電性接合材配置工程Ｓ１２で用いた導電性接合材１２０をそのまま用いてもよい（変形例５）。
上記の［実施形態１］２．（７）で述べたように、十分な厚みを持つ導電性ＤＡＦが利用可能となった場合には、導電性接合材１２０としてだけでなく、埋設材１４０の機能を兼ねて用いてもよくなる。このような本発明の適用によれば、改めて別材料による埋設材の埋設工程を設ける必要がなくなり、工程を更に削減することができる。
【００７３】
（７）さらに、導電性ＤＡＦの特性（電気抵抗等）の改善が更に進んだ場合には、より厚い導電性ＤＡＦが供給されることも考えられる。導電性ＤＡＦの厚みを、凸状縁部の内側領域の凹部の段差と同じ寸法に設計した場合には、導電性ＤＡＦを凹部に配置するだけで、凸状縁部の高さと実質的に同じ高さまで凹部が埋められることになる。この場合には、研削工程Ｓ１４は省略することもできる（変形例６）。
【００７４】
（８）上記実施形態においては、シリコン製の基板を用いた半導体ウエハを想定して説明したが、これに限定されない、シリコン以外の他の材料による半導体ウエハであっても同様に適用できる。
【符号の説明】
【００７５】
１００，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆ， ９００…半導体ウエハ、１１０…シリコン基板、１１２，９１２…第１主面、１１４，９１４…縁部、１１６，９１６…凸状縁部、１１８，９１８…第２主面、１１９，９１９…パターン、１２０…導電性接合材、１２２，…ダイシングテープ、１２３…ダイシングライン、１２４，９２４…溝、１２６…ダイシングテープ１２２の変形部、１３０，９３０…半導体チップ、１３２，９３２…ダイパッド、１３４…アウターリード、１３６…配線、１３７…半導体装置、１４０…埋設材、１４０'，１４０''…材料、１４２…半導体デバイス、５００，９７２…ダイシングブレード、５１０…基台、５１２…蓋体、５１４…第１空間、５１６…第２空間、５１８…テープマウンター、５１９…埋設装置、５２０…砥石、５２２…砥石ヘッド、５２４…研削ヘッド、５３０…ローラー、５４０，９４０…ニードル、５４２，９４２…コレット、５５０，５５２…ノズル、９５０…第１のテープ、９５４…接合材、９７０…ブレード、Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４…厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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