(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力変換用のパワー半導体モジュールと、
前記パワー半導体モジュールを駆動する回路部品を実装した制御回路基板と、
前記パワー半導体モジュール及び前記制御回路基板を収納する筐体と、
前記筐体に接合されて前記パワー半導体モジュール及び前記制御回路基板を冷却する冷却器と、を備え、
前記筐体及び前記冷却器の接合面の間に熱伝導部材が介在されている複数の接合部が形成されており、
これら複数の接合部のうちの所定の接合部を通過するねじ締結手段で前記筐体及び前記冷却器が固定されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記熱伝導部材は、熱伝導グリスであることを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記熱伝導部材は、熱伝導シートであることを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。
【請求項４】
電力変換用のパワー半導体モジュールと、
前記パワー半導体モジュールを駆動する回路部品を実装した制御回路基板と、
前記パワー半導体モジュール及び前記制御回路基板を収納する筐体と、
前記筐体に接合されて前記パワー半導体モジュール及び前記制御回路基板を冷却する冷却器と、を備え、
前記筐体及び前記冷却器の接合面がはんだ接合された複数の接合部が形成されており、
これら複数の接合部のうちの所定の接合部を通過するねじ締結手段で前記筐体及び前記冷却器が固定されていることを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換用のパワー半導体モジュール及び制御回路基板を収納する筐体と、筐体に固定された冷却器とを備えた電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電力変換装置としては、特許文献１に記載された電力変換装置が知られている。
この電力変換装置は、冷却室を内部に設けた冷却器と、冷却器上に設置されているパワー半導体モジュールと、パワー半導体モジュールを駆動する制御回路基板と、冷却室に連通する流路を形成する管状部材と、パワー半導体モジュール、制御回路基板、冷却器、管状部材を収納するカバー部材と、カバー部材の内部側に凹んだ凹空間を形成する凹空間形成部材とが収納されている。そして、管状部材から冷却器の冷却室に冷却液が流れることで、パワー半導体モジュールが冷却器に冷却される。
ところで、特許文献１の電力変換装置は、液密状態を保持しながら部品を組立てる作業が多く（カバー部材及び凹空間形成部材の接続箇所、管状部材及び冷却器の接続箇所など）、組立、製造コストの面で問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５４２５０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、冷却器をカバー部材の外部に外付けすることで、冷却器の組立て性を向上させることが考えられる。
冷却器は、通常、カバー部材にねじ部材で取付けられている。しかし、冷却器のねじ部材によるカバー部材への取付けは、冷却器及びカバー部材の接合部の接触熱抵抗が大きいので、制御回路基板で発生した熱がカバー部材から冷却器に伝達されにくくなる。このため、冷却器をカバー部材にねじ部材で固定すると、制御回路基板を効率良く冷却することができない。
本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、筐体に収納された制御回路基板の冷却効率を高めることができる電力変換装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電力変換装置は、電力変換用のパワー半導体モジュールと、パワー半導体モジュールを駆動する回路部品を実装した制御回路基板と、パワー半導体モジュール及び制御回路基板を収納する筐体と、筐体に接合されてパワー半導体モジュール及び制御回路基板を冷却する冷却器と、を備え、筐体及び冷却器の接合面の間に熱伝導部材が介在されている複数の接合部が形成されており、これら複数の接合部のうちの所定の接合部を通過するねじ締結手段で筐体及び冷却器が固定されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る電力変換装置によると、筐体及び冷却器の接合面の間に熱伝導部材が介在されているので、筐体及び冷却器の間の接触熱抵抗を減少させることができる。したがって、制御回路基板で発生した熱は筐体から冷却器に伝達され易くなり、制御回路基板の冷却効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明に係る第１実施形態の電力変換装置を示す斜視図である。
【図２】図１における平面Ａに沿う第１実施形態の電力変換装置の断面図である。
【図３】図１における平面Ａに直交している平面Ｂに沿う第１実施形態の電力変換装置の断面図である。
【図４】第１実施形態の電力変換装置の構成部材を示す展開斜視図である。
【図５】第１実施形態の電力変換装置において冷却器が着脱自在に固定される筐体の開口部の周縁の構造を示す図である。
【図６】第１実施形態の電力変換装置で使用されている冷却器の構造を示す斜視図である。
【図７】第１実施形態の電力変換装置で使用されているパワー半導体モジュールを示す斜視図である。
【図８】第１実施形態の電力変換装置で使用されているパワー半導体モジュールの等価回路である。
【図９】第１実施形態の電力変換装置において筐体の一部に冷却器が固定された状態を示す図であり、筐体に一体化されている保持部を二点鎖線で示している。
【図１０】本発明に係る第１実施形態の電力変換装置における図２の丸印Ｃで示す構造（図１０の（ａ））と、図２の丸印Ｄで示す構造（図１０の（ｂ））である。
【図１１】本発明に係る第１実施形態の電力変換装置における図３の丸印Ｅで示す構造（図１１の（ａ））と、図３の丸印Ｆで示す構造（図１１の（ｂ））である。
【図１２】本発明に係る第２実施形態の電力変換装置における図２の丸印Ｃで示す構造（図１２の（ａ））と、図２の丸印Ｄで示す構造（図１２の（ｂ））である。
【図１３】本発明に係る第２実施形態の電力変換装置における図３の丸印Ｅで示す構造（図１３の（ａ））と、図３の丸印Ｆで示す構造（図１３の（ｂ））である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の第１、第２実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
また、以下に示す第１、第２実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【０００９】
［第１実施形態の電力変換装置］
以下、本発明の一態様に係る第１実施形態の電力変換装置について、図面を適宜参照しつつ説明する。
図１に示すように、本発明に係る第１実施形態の電力変換装置１は、筐体２と、筐体２の底面に着脱自在に固定された冷却器３とを備えている。
筐体２の内部には、図２及び図３に示すように、冷却器３に接合された３つの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）モジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗと、これらＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを駆動する駆動回路等が実装された制御回路基板１１と、平滑コンデンサ１２と、直流入力コネクタ１３と、交流出力コネクタ１４とが収納されている。
【００１０】
［筐体］
筐体２は、ケース４、カバー５及びガスケット６を備えている。
ケース４は、アルミニウム、又はアルミニウム合金で形成されている。
図４に示すように、ケース４は、底部４ａと、底部４ａの全周から立ち上がる側壁部４ｂとを備え、側壁部４ｂの上端で多角形状の上部開口部４ｃが開口し、互いに対向する一対の側壁部４ｂ，４ｂの間を跨いで保持部３２がケース４に一体に形成されている。
ケース４は、図４において左右方向に長尺な部材であり、上部開口部４ｃをガスケット６を介してカバー５で閉塞すると、長尺方向中央に平面視長方形状の収納空間Ｓ１が形成され、長手方向の両端に、収納空間Ｓ１より狭い収納空間Ｓ２，Ｓ３が形成される。
【００１１】
ケース４の側壁部４ｂの上端の全周に、取付けフランジ部７が外側に突出して形成されており、取付けフランジ部７の所定箇所にねじ孔７ａが形成されている。
このケース４の底部４ａに、収納空間Ｓ１で開口する長方形状のＩＧＢＴモジュール用開口部８が形成されている。このＩＧＢＴモジュール用開口部８の長尺方向は、底部４ａの短尺方向（図４の斜め上下方向）に延在して形成され、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の長尺方向の両端部は、側壁部４ｂの下端まで開口している。
【００１２】
また、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一方の長辺側縁部に沿う底部４ａに所定間隔をあけて複数の第１雌ねじ部２５が形成されているとともに、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の他方の長辺側縁部に沿う底部４ａに所定間隔をあけて複数の第２雌ねじ部２６及び第３雌ねじ部２７が形成されている。
第１雄ねじ部２５は、図５（ａ）に示すように、ケース４の内側で膨出する袋ナット形状の部材であり、下方で開口する雌ねじ２５ａが形成されている。
【００１３】
第２雄ねじ部２６は、図５（ｂ）に示すように、ケース４の内側で膨出する袋ナット形状の部材であり、下方で開口する雌ねじ２６ａが形成されている。また、第３雌ねじ部２７は、第２雄ねじ部２６の外周からＩＧＢＴモジュール用開口部８側に突出し、ケース４の内側及び外側に向けて連通する雌ねじ２７ａが形成されている。
保持部３２は、図３及び図４に示すように、互いに対向している一対の側壁部４ｂ，４ｂの間に一体に形成され、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の上方に位置する平面視長方形状の部材である。保持部３２の表面には複数の保持突起部４０ａ〜４０ｅが突出して形成されているとともに、表裏方向に連通する複数のリードフレーム挿通スリット４１が形成されている。
【００１４】
カバー５は、図４に示すように、アルミニウム、又はアルミニウム合金を材料とし、ケース４の取付けフランジ部７の外周形状と同一形状で形成された板状部材である。このカバー５のケース４の取付けフランジ部７のねじ孔７ａに対応する位置にねじ挿通孔５ａが形成されている。なお、カバー５も、銅、又は銅合金を材料として形成してもよい。
ガスケット６は、図４に示すように、取付けフランジ部７と同一形状に形成され、取付けフランジ部７のねじ孔７ａに対応する位置にねじ挿通孔６ａが形成されている。
【００１５】
［冷却器］
冷却器３は、アルミニウム、又はアルミニウム合金を材料として形成した部材であり、図６に示すように、冷却水供給口１５ａ及び冷却水排出口１５ｂを備えて内部を冷却水が循環し、平坦面で長方形状の接合面１５ｃを設けたブロック状の冷却器本体１５と、接合面１５ｃの一対の長辺から外方に突出し、所定間隔のねじ挿通孔１６ａを設けた板状の一対の固定部１６とで構成されている。
【００１６】
［ＩＧＢＴモジュール］
図７で示すＩＧＢＴモジュール１０Ｕは、外観が直方体形状の樹脂パッケージ１７に、図示しない上アーム半導体チップ、上アーム用配線パターン部、上アーム配線用導体板、下アーム半導体チップ、下アーム用配線パターン部、下アーム配線用導体板及び接地用配線パターン部が埋め込まれている。
樹脂パッケージ１７の第１の側面１７ａには、上アーム用配線パターン部を介して上アーム半導体チップのコレクタに接続した正極側接続端子１８と、接地用配線パターン部と下アーム配線用導体板を介して下アーム半導体チップのエミッタに接続した負極側接続端子１９とが外方に突出し、第１の側面１７ａに対して裏面の第２の側面１７ｂには、下アーム用配線パターン部と上アーム配線用導体板を介して上アーム半導体チップのエミッタ及び下アーム半導体チップのコレクタに接続した出力端子２０が外方に突出している。
【００１７】
また、樹脂パッケージ１７の上面には、上アーム用の複数の制御電極（後述するゲート電極、エミッタ電流センス電極や温度検出用電極など）に接続する複数本の上アーム用リードフレーム２１と、下アーム用の複数の制御電極に接続する複数本の下アーム用リードフレーム２２が上方に突出して設けられている。
他の２つのＩＧＢＴモジュール１０Ｖ、１０Ｗも、図７で示したＩＧＢＴモジュール１０Ｕと同一構成を有している。
【００１８】
図８は、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの等価回路を示すものであり、正極側接続端子１８と負極側接続端子１９との間に、上アームを構成する逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵと、下アームを構成する逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬとが直列に接続され、逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵと逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬとの間に出力端子２０が設けられている。ここで、符号２１ｇが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極であり、符号２１ｅｓが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのエミッタ電流センス電極であり、符号２２ｇが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極であり、符号２２ｅｓが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬのエミッタ電流センス電極である。
【００１９】
［第１実施形態の電力変換装置の組み立て］
次に、第１実施形態の電力変換装置１の組み立て手順について説明する。
３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗは、図６で示す冷却器３の接合面１５ｃの２点鎖線の四角形状で示す位置（接合面１５ｃの長手方向に所定間隔あけた位置）に、焼結処理による金属焼結材やはんだにより接合される（図４参照）。
冷却器３に一体化された３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗは、図９に示すように（図９では保持部３２を二点鎖線で示している）、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８に底部４ａ側から挿入され、ケース４の収納空間Ｓ１に配置される。
【００２０】
このとき、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの上面から突出している上アーム用リードフレーム２１、下アーム用リードフレーム２２は、保持部３２の複数のリードフレーム挿通スリット４１を通過して保持部３２の上方に突出させる。
ここで、図１０（ａ）、（ｂ）は、図２の丸印で示す符号Ｃ、Ｄの構造を詳細に示したものである。これらの図では、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一対の長辺側縁部に沿う底部４ａの下面と、冷却器３の固定部１６の上面との間に、熱伝導グリス４４が介在されている。そして、第１雌ねじ部２５及び第２雌ねじ部２６に、冷却器３の一対の固定部１６のねじ挿通孔１６ａを対応させ、ねじ挿通孔１６ａを通過させたねじ部材３０を、雌ねじ２５ａ，２６ａに螺合することで、ケース４に冷却器３が固定されている。
【００２１】
また、図１１（ａ）、（ｂ）は、図３の丸印で示す符号Ｅ、Ｆの構造を詳細に示したものである。これらの図では、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一対の短辺側縁部に沿う側壁部４ｂの下面４ｂ１と、冷却器３の短辺側の上面との間に、熱伝導グリス４４が介在されている。
これにより、冷却器３は、ケース４の収納空間Ｓ１にＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを配置した状態でケース４の底部４ａに着脱自在に外付けされる。
【００２２】
制御回路基板１１は、ケース４の保持部３２に対して僅かに小さな長方形状の部材であり、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを駆動するための回路部品４３（図３参照）が実装されている。
この制御回路基板１１を、保持部３２の保持突起部４０ａ〜４０ｅの上に載せる。そして、保持突起部４０ａ〜４０ｅのねじ挿通孔に挿通したねじ部材を、保持突起部４０ａ〜４０ｅの頂部に形成した雌ねじ部に螺合することで、制御回路基板１１が保持部３２に保持される。
【００２３】
ここで、図３に示すように、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの上面から突出して保持部３２のリードフレーム挿通スリット４１を通過した上アーム用リードフレーム２１、下アーム用リードフレーム２２は、制御回路基板１１のランドを有するスルーホール（不図示）に挿通され、上アーム用リードフレーム２１、下アーム用リードフレーム２２とスルーホールの間がはんだ接合される。
【００２４】
また、図２に示すように、ケース４の収納空間Ｓ１に、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに隣接して平滑コンデンサ１２が配置され、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの正極側接続端子１８及び負極側接続端子１９と平滑コンデンサ１２の正負の電極が接続されている。
また、ケース４の収納空間Ｓ２に交流出力コネクタ１４が配置され、３つのＩＧＢＴ１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの出力端子２０と交流出力コネクタ１４とがブスバー３３を介して接続されている。なお、ブスバー３３は、ケース４の収納空間Ｓ１に配置した交流出力端子台２９，３１で支持されている。
【００２５】
さらに、ケース４の収納空間Ｓ３に、直流入力端子台２８及び直流入力コネクタ１３が配置され、この直流入力コネクタ１３と平滑コンデンサ１２とがブスバー３４を介して接続されている。なお、ブスバー３４は、直流入力端子台２８の上部で支持されている。
そして、図２及び図３に示すように、ケース４の取付けフランジ部７にガスケット６を載せ、ガスケット６上にカバー５の外周縁部を載せ、カバー５のねじ挿通孔５ａ及びガスケット６のねじ挿通孔６ａに挿通したねじ部材３５を、取付けフランジ部７のねじ孔７ａに螺合することで、ケース４の上部開口部が閉塞される。これにより、筐体２に収納されたＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗ、制御回路基板１１、平滑コンデンサ１２、直流入力コネクタ１３及び交流出力コネクタ１４に対して、外気との液密封止が施される。
【００２６】
［第１実施形態の電力変換装置の動作］
この状態で、外部のコンバータ（図示せず）から直流入力コネクタ１３を介して直流電力が供給され、制御回路基板１１から例えばパルス幅変調信号でなるゲート信号をＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに供給する。すなわち、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに対して１２０度ずれたゲート信号でオン・オフ制御することにより、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の３相交流が交流出力コネクタ１４を介して負荷に出力される。
【００２７】
制御回路基板１１は、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを動作させる回路部品４３が発熱状態となる。制御回路基板１１で発生した熱はケース４に伝達され、ケース４の底部４ａに固定された冷却器３に伝達されていく。そして、冷却器３の冷却器本体１５に伝熱された熱は、冷却器３の冷却水供給口１５ａから供給され、内部を循環して冷却水排出口１５ｂから排出される冷却水により冷却される。
【００２８】
なお、本発明に係るパワー半導体モジュールがＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに対応し、本発明に係る筐体がケース４に対応し、本発明に係る筐体の接合面が、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一対の長辺側縁部に沿う底部４ａの下面とＩＧＢＴモジュール用開口部８の一対の短辺側縁部に沿う側壁部４ｂの下面４ｂ１とに対応し、本発明に係る冷却器の接合面が、冷却器３の固定部１６の上面と冷却器３の短辺側の上面とに対応し、本発明に係る熱伝導部材が熱伝導グリス４４に対応し、本発明に係る回路部品が回路部品４３に対応している。
【００２９】
［第１実施形態の電力変換装置の効果］
次に、第１実施形態の電力変換装置１の効果について説明する。
第１実施形態の電力変換装置１では、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８の周縁（一対の長辺側縁部に沿う底部４ａの下面と側壁部４ｂの下面４ｂ１）と、冷却器３の固定部１６の上面全周（固定部１６の上面と冷却器３の短辺側の上面）との間に、熱伝導グリス４４が介在され、ケース４及び冷却器３の接合部の接触熱抵抗が減少し、制御回路基板１１、ケース４、熱伝導グリス４４及び冷却器３への熱伝導性が良好となる。したがって、制御回路基板１１で発生した熱は冷却器３に伝達され易くなるので、制御回路基板１１の冷却効率を高めることができる。
【００３０】
ここで、第１実施形態の電力変換装置１では、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８の周縁と、冷却器３の固定部１６の上面全周との間に介在した熱伝導グリス４４に替えて熱伝導シートを介在させても、同様の効果を奏することができる。その場合、本発明に係る熱伝導部材が熱伝導シートに対応する。
また、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８の周縁と冷却器３とがねじ部材３０で固定されることで、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の周縁及び冷却器３の固定部１６の上面全周の間に配置されている熱伝導グリス４４の密着性を高めることができる。
【００３１】
［第２実施形態の電力変換装置］
次に、本発明の一態様に係る第２実施形態の電力変換装置について、図１２及び図１３を参照して説明する。なお、図１から図１１で示した第１実施形態の電力変換装置１と同一構成部分には、同一符号を付して説明は省略する。
ここで、図１２（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の電力変換装置における図２の丸印で示す符号Ｃ、Ｄの構造を詳細に示したものである。これらの図では、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一対の長辺側縁部に沿う底部４ａの下面と、冷却器３の固定部１６の上面とが、はんだ部４５ではんだ接合されている。そして、第１雌ねじ部２５及び第２雌ねじ部２６に、冷却器３の一対の固定部１６のねじ挿通孔１６ａを対応させ、ねじ挿通孔１６ａを通過させたねじ部材３０を、雌ねじ２５ａ，２６ａに螺合することで、ケース４に冷却器３が固定されている。
【００３２】
また、図１３（ａ）、（ｂ）は、図３の丸印で示す符号Ｅ、Ｆの構造を詳細に示したものである。これらの図は、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一対の短辺側縁部に沿う側壁部４ｂの下面４ｂ１と、冷却器３の短辺側の上面とが、はんだ部４５ではんだ接合されている。
第２実施形態の電力変換装置によると、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８の周縁（一対の長辺側縁部に沿う底部４ａの下面と側壁部４ｂの下面４ｂ１）と、冷却器３の固定部１６の上面全周（固定部１６の上面と冷却器３の短辺側の上面）とが、はんだ部４５で接合されているので、ケース４及び冷却器３の接合部の接触熱抵抗が減少し、制御回路基板１１、ケース４、はんだ部４５及び冷却器３への熱伝導性が良好となる。したがって、制御回路基板１１で発生した熱は冷却器３に伝達され易くなるので、制御回路基板１１の冷却効率を高めることができる。
また、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８の周縁と冷却器３とがねじ部材３０で固定されることで、外部から冷却器３に外力が伝達されても、ケース４に一体化された冷却器３の構造を長期に渡って保持することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１  電力変換装置
２  筐体
３  冷却器
４  ケース
４ａ  底部
４ｂ  側壁部
４ｂ１  側壁部４ｂの下面
４ｃ  上部開口部
５  カバー
５ａ  ねじ挿通孔
６  ガスケット
６ａ  ねじ挿通孔
７  取付けフランジ部
７ａ  ねじ孔
８  ＩＧＢＴモジュール用開口部
１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗ  ＩＧＢＴモジュール
１１  制御回路基板
１１ａ  挿通孔
１１ｂ  制御回路基板の下面
１２  平滑コンデンサ
１３  直流入力コネクタ
１４  交流出力コネクタ
１５  冷却器本体
１５ａ，４６ａ  冷却水供給口
１５ｂ，４６ｂ  冷却水排出口
１５ｃ  接合面
１６  固定部
１６ａ  ねじ挿通孔
１７  樹脂パッケージ
１７ａ  第１の側面
１７ｂ  第２の側面
１８  正極側接続端子
１９  負極側接続端子
２０  出力端子
２１  上アーム用リードフレーム
２１ｇ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極
２１ｅｓ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのエミッタ電流センス電極
２２  下アーム用リードフレーム  ２２
２２ｇ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極
２２ｅｓ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬのエミッタ電流センス電極
２５  第１雌ねじ部
２５ａ  雌ねじ
２６  第２雌ねじ部
２６ａ  雌ねじ
２７  第３雌ねじ部
２７ａ  雌ねじ
２８  直流入力端子台
２９，３１  交流出力端子台
３０，３５  ねじ部材
３２  保持部
３３，３４  ブスバー
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３  収納空間
４０ａ〜４０ｅ  保持突起部
４１  リードフレーム挿通スリット
４３  回路部品
４４  熱伝導グリス
４５  はんだ部
ＱＵ  逆導通ＩＧＢＴモジュール
ＱＬ  逆導通ＩＧＢＴモジュール
【図１】
0006606938.tif 000002
【図２】
0006606938.tif 000003
【図３】
0006606938.tif 000004
【図４】
0006606938.tif 000005
【図５】
0006606938.tif 000006
【図６】
0006606938.tif 000007
【図７】
0006606938.tif 000008
【図８】
0006606938.tif 000009
【図９】
0006606938.tif 000010
【図１０】
0006606938.tif 000011
【図１１】
0006606938.tif 000012
【図１２】
0006606938.tif 000013
【図１３】
0006606938.tif 000014