(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の可撓性基材と、
第２の可撓性基材と、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間の封止材と、
前記第２の可撓性基材の表面に物体が近接もしくは接触することを検知する検知回路と、
発光素子と、を有し、
前記検知回路は、トランジスタ部と、第１の容量と、第２の容量と、を有し、
前記トランジスタ部は、第１のトランジスタを有し、
前記発光素子は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、前記第１の可撓性基材上に設けられ、
前記第１の容量の上部電極は、前記第２の容量の下部電極と共通した導電膜を有し、
前記第２の容量の下部電極は、前記発光素子の下部電極と同一層に設けられ、且つ同一導電性材料を有することを特徴とする入力装置。
【請求項２】
請求項１のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、遮光層と重なる領域を有することを特徴とする入力装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタは酸化物半導体を半導体層に用いることを特徴とする入力装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体を半導体層に用いることを特徴とする入力装置。
【請求項５】
第１の可撓性基材と、
第２の可撓性基材と、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間の封止材と、
前記第２の可撓性基材の表面に物体が近接もしくは接触することを検知する検知回路と、
発光素子と、を有し、
前記検知回路は、トランジスタ部と、第１の容量と、第２の容量と、を有し、
前記第１の容量の上部電極は、前記第２の容量の下部電極と共通した導電膜を有し、
前記第２の容量の下部電極は、前記発光素子の下部電極と同一層に設けられ、且つ同一導電性材料を有することを特徴とする入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、入力装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
情報伝達手段に係る社会基盤が充実してきた。これにより、多くの人が、多様で潤沢な情報を職場や自宅だけでなく、外出先でも、情報処理装置を用いて取得、加工、または発信できるようになっている。
【０００４】
このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。
【０００５】
例えば、携帯可能な情報処理装置は、持ち歩きされることが多く、落下により思わぬ力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成が知られている（特許文献１）。
【０００６】
また例えば、筐体の正面及び長手方向の上部に表示装置が配置されていることを特徴とする携帯電話機が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１９０７９４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５３８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一態様は、安価に製造できる、または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な入力装置を提供することを課題の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、第１の可撓性基材と、第２の可撓性基材と、検知回路とを有し、検知回路は、トランジスタ部と、発光素子とを有し、トランジスタ部は、第１のトランジスタを有し、発光素子は、第２のトランジスタを有し、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタは、第１の可撓性基材側に設けられていることを特徴とした入力装置である。
【００１１】
または、本発明の一態様は、検知回路は第２の可撓性基材の表面に物体が近接もしくは接触することを検知する上記構成の入力装置である。
【００１２】
または、本発明の一態様は、第１のトランジスタと第２のトランジスタは作製工程の一部を共有する上記構成の入力装置である。
【００１３】
または、本発明の一態様は、第１のトランジスタと第２のトランジスタは第１の可撓性基材上でそれぞれの外部回路と接続されている上記各構成の入力装置である。
【００１４】
または、本発明の一態様は、第１のトランジスタと第２のトランジスタは一つの外部回路と接続されている上記各構成の入力装置である。
【００１５】
または、本発明の一態様は、第２のトランジスタはスリットのあるマスクを用いて形成される第１の電極を有する上記各構成の入力装置である。
【００１６】
または、本発明の一態様は、第１のトランジスタは酸化物半導体を半導体層に用いる上記各構成の入力装置である。
【００１７】
または、本発明の一態様は、第２のトランジスタは酸化物半導体を半導体層に用いる上記各構成の入力装置である。
【００１８】
または、本発明の一態様は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタは酸化物半導体を半導体層に用いる上記各構成の入力装置である。
【００１９】
または、本発明の一態様は、少なくとも検知回路と、検知回路を支持する可撓性の基材と、発光素子を有する入力装置である。
【００２０】
検知回路は、容量の変化に基づいて検知信号を供給することができる。検知回路は、少なくとも第１乃至第５の配線、第１、第２及び第３のトランジスタ、第１の容量および第２の容量を備える。
【００２１】
また、本発明の一態様は、一つの可撓性の基材上に設けられた検知回路を有する。検知回路および発光素子はそれぞれトランジスタを備えるが、それぞれのトランジスタの作製工程の一部を共有することが可能になるため、検知回路および発光素子を別の基材上にそれぞれ形成する場合に比べ、安価に入力装置を製造することができる。
【００２２】
また、本発明の一態様において、トランジスタは外部回路と接続される必要がある。本発明の一態様は、一つの可撓性基材上にそれぞれのトランジスタを備える。従って、外部回路との接続は、一つの可撓性基材上でそれぞれおこなえばよい。これによって、接続不良を起きにくくすることが可能になり、結果として入力装置の信頼性が向上する。また、検知回路および発光素子を駆動する外部回路を一つにすることができ、よって入力装置の小型化が可能になる。
【００２３】
なお、本明細書等において、可撓性の基材とは、「曲げることのできる」基材である。
【００２４】
また、本明細書等において、発光素子は、少なくとも発光することのできる物質と、発光することのできる物質を挟持する第１の電極および第２の電極と第１のトランジスタを備える。
【００２５】
また、本明細書等において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【００２６】
なお、本明細書中において、入力装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または検知回路が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、入力装置を含む場合がある。
【００２７】
なお、本明細書等においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書等では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００２８】
また、本明細書等においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００２９】
また、本明細書等において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態にすることができるような回路構成になっている場合に相当する。従って、接続している回路構成とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している回路構成も、その範疇に含む。
【００３０】
また、本明細書等において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書等において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の一態様によれば、安価に製造できる、または信頼性に優れた新規な入力装置を提供できる。または、新規な入力装置を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施の形態に係る検知回路の構成を説明する回路図および駆動方法を説明するタイミングチャート。
【図２】実施の形態に係る入力装置の構成を説明する断面図。
【図３】実施の形態に係る検知回路の配置を説明する上面図。
【図４】実施の形態に係る電極の配置を説明する上面図。
【図５】実施の形態に係る電極を作製するためのマスクの上面図。
【図６】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の一態様は、少なくとも検知回路と、検知回路を支持する可撓性の基材と、発光素子を有する入力装置である。
【００３４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置２００に用いることができる検知回路の構成およびその駆動方法について、図１（Ａ）に示す回路図並びに図１（Ｂ−１）および図１（Ｂ−２）に示すタイミングチャートを用いて説明する。
【００３６】
（検知素子および検知回路の構成および動作）
検知回路の構成物は第１の可撓性基材および第２の可撓性基材に設けられている。検知回路は、少なくとも走査線Ｇ１、走査線Ｇ２、配線ＶＲＥＳ、配線ＶＰおよび配線ＶＳＳ、第１のトランジスタＴＲ１、第２のトランジスタＴＲ２および第３のトランジスタＴＲ３、容量Ｃ０および容量Ｃ１、並びにモニターラインＭＬを備える。
【００３７】
上記構成物のうち、容量Ｃ１を構成する第１の電極は第２の可撓性基材側に、その他残りの構成物は第１の可撓性基材側に設けられている。
【００３８】
（可撓性の基材）
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を、可撓性の基材に用いることができる。
【００３９】
また、不純物の透過が抑制された材料を可撓性の基材に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。
【００４０】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、可撓性の基材に用いることができる。
【００４１】
例えば、金属板、または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を、可撓性の基材に用いることができる。
【００４２】
例えば、金属板、薄板状のガラス板、または無機材料の膜を、樹脂層を用いて樹脂フィルム等に貼り合せて形成された複合材料を、可撓性の基材に用いることができる。
【００４３】
例えば、繊維状もしくは粒子状の金属、ガラス板、または無機材料を、樹脂または樹脂フィルムに分散させた複合材料を、可撓性の基材に用いることができる。
【００４４】
例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を樹脂層に用いることができる。
【００４５】
樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルムとして、具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等を用いることができる。
【００４６】
ガラス板として、具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラス等を用いることができる。
【００４７】
無機材料として、具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜、又は金属酸窒化物膜等を用いることができる。金属酸化物膜、金属窒化物膜、又は金属酸窒化物膜として、例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。
【００４８】
金属板として、具体的には、開口部が設けられたＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。
【００４９】
熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂として、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
【００５０】
（配線の材料）
配線には様々な導電膜を用いることができる。
【００５１】
具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、またはタングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウェットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【００５２】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。
【００５３】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、またはスカンジウム等の金属から選ばれる金属膜、または、これらの金属から選ばれた一以上の金属を含む合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。
【００５４】
また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いてもよい。
【００５５】
（トランジスタ）
様々なトランジスタを適用できる。
【００５６】
具体的には、ボトムゲート型、トップゲート型等のトランジスタを適用できる。
【００５７】
（容量Ｃ１）
容量Ｃ１を構成する第２の電極は第１のトランジスタＴＲ１のゲート、容量Ｃ０の第１の電極および第３のトランジスタＴＲ３の第１の端子に電気的に接続されている。
【００５８】
（容量Ｃ０）
容量Ｃ０の第２の電極は、電位を制御することができる制御信号を供給することができる配線ＶＰに電気的に接続されている。
【００５９】
（トランジスタＴＲ１）
第１のトランジスタＴＲ１の第１の端子は例えば接地電位を供給することができる配線ＶＳＳと電気的に接続され、第２の端子は第２のトランジスタＴＲ２の第１の端子と電気的に接続されている。
【００６０】
（トランジスタＴＲ２）
第２のトランジスタＴＲ２のゲートは選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第２の端子はモニターラインＭＬと電気的に接続されている。
【００６１】
（トランジスタＴＲ３）
第３のトランジスタＴＲ３のゲートは選択信号を供給することができる走査線Ｇ２と電気的に接続され、第２の端子は例えば接地電位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接続されている。
【００６２】
（ノードＡ）
なお、容量Ｃ１の第２の電極、容量Ｃ０の第１の電極、第１のトランジスタＴＲ１のゲートおよび第３のトランジスタＴＲ３の第１の端子が電気的に接続される結節部をノードＡという。
【００６３】
検知回路は第２の可撓性基材の表面に指などの物体が近接もしくは接触することを検知することができる。
【００６４】
＜検知回路の駆動方法＞
図１（Ｂ―１）および図１（Ｂ−２）は本発明の一態様の検知回路の駆動方法を説明するタイミングチャートである。図１（Ｂ―１）は検知していない状態、図１（Ｂ−２）は検知している状態である。
【００６５】
（第１のステップ）
第１のステップにおいて、走査線Ｇ２に選択信号を供給し第３のトランジスタＴＲ３を導通状態にすることにより、ノードＡと配線ＶＲＥＳを電気的に接続し、ノードＡの電位を所定の電位、例えば接地電位にする。その後、走査線Ｇ２に選択信号を供給することを止め、第３のトランジスタＴＲ３を非導通状態にする。
【００６６】
（第２のステップ）
第２のステップにおいて、配線ＶＰの電位を変化させることにより、ノードＡの電位を容量Ｃ０および容量Ｃ１の容量に基づいた所定の電位にする。
【００６７】
ここで、第２の可撓性基材の表面に指などの物体が近接もしくは接触している場合は検知回路と指などの物体間に容量が発生するため容量Ｃ１の容量は増加する。このためノードＡの電位変化量が、第２の可撓性基材の表面に指などの物体が近接もしくは接触していない場合に比べ低下することになる（図１（Ｂ−２）参照）。
【００６８】
（第３のステップ）
第３のステップにおいて、走査線Ｇ１に選択信号を供給し第２のトランジスタＴＲ２を導通状態にすることによりノードＡの電位の変化に基づく信号を、モニターラインＭＬに供給する。
【００６９】
例えば、ノードＡの電位変化量が低下することに基づき、モニターラインＭＬに供給される信号の電位変化量が低下する。
【００７０】
（第４のステップ）
第４のステップにおいて、走査線Ｇ１に選択信号を供給することを止め、第２のトランジスタＴＲ２を非導通状態にする。
【００７１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００７２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図２を参照しながら説明する。
【００７３】
図２は本発明の一態様の入力装置２００の構成を説明する断面図である。
【００７４】
（全体の構成）
本発明の一態様の入力装置２００は、第１の可撓性の基材と、第２の可撓性の基材と、第１の可撓性の基材および第２の可撓性の基材に挟持された部分と、第１の可撓性の基材上に形成された外部回路との接続部と、を有する。
【００７５】
入力装置と外部回路との接続は、入力装置のうち、表示に使用しない部分、具体的には入力装置の周縁部に設けられた接続端子を用いておこなう。入力装置と外部回路との接続はＦＰＣ（フレキシブルプリンテッドサーキット）と接続端子を電気的に接続することでおこなう。なお、外部回路との接続がとれるものであれば、上記方法に限定されない。
【００７６】
（検知回路２９０）
検知回路２９０は、トランジスタが形成されているトランジスタ部２９０ａと、トランジスタが形成されておらず、検知するための電極の一つが形成されている領域とを有する。
【００７７】
検知回路２９０は、第１の可撓性基材２０１と、第１の可撓性基材２０１上に形成された絶縁層２０２と、を有する。
【００７８】
また、検知回路２９０は、絶縁層２０２上に形成されたゲート電極２０３と、ゲート電極２０３上に形成されたゲート絶縁層２０４と、ゲート絶縁層２０４上に形成された半導体層２０５と、半導体層２０５上に形成された一対の電極２０６と、を有する。
【００７９】
また、検知回路２９０は、一対の電極２０６上に形成された絶縁層２０７と、絶縁層２０７上に形成された絶縁層２０８と、絶縁層２０８の上部に形成された電極２０９と、電極２０９上に形成された絶縁層２１０と、を有する。
【００８０】
また、検知回路２９０は、絶縁層２１０上に形成され、一対の電極２０６のうちどちらか一つと電気的に接続している電極２１１ａと、電極２１１ａの端部を覆うように電極２１１ａ上に形成された絶縁物２１２と、を有する。
【００８１】
また、検知回路２９０は、第２の可撓性基材２１８と、第２の可撓性基材２１８上に形成された電極２１６ｂと、電極２１６ｂ上に形成された絶縁層２１７及び電極２１６ａと、電極２１６ａ上に形成された絶縁層２１５と、絶縁層２１５上に形成された遮光層２１４とを有する。
【００８２】
検知回路２９０は、封止材２１３により、第１の可撓性基材２０１と、第２の可撓性基材２１８とを貼り合わせることにより形成される。
【００８３】
また、検知回路２９０は、第２の可撓性基材２１８の検知回路が形成されていない面に、絶縁層２１９と、絶縁層２１９上に形成された反射防止膜２２０とを有する。絶縁層２１９及び反射防止膜２２０の形成は、第１の可撓性基材２０１と、第２の可撓性基材２１８とを封止材２１３により貼り合わせた後に行われていてもよい。
【００８４】
なお、検知回路２９０のうち、トランジスタ部２９０ａは遮光層２１４で覆うように形成する。
【００８５】
また、電極２０９と電極２１１ａおよび絶縁層２１０で容量Ｃ０、電極２１１ａと電極２１６ａおよび挟持される絶縁物で容量Ｃ１を形成する。
【００８６】
また、第１の可撓性基材２０１上に直接、検知回路を形成する方法以外にも、第１の可撓性基材２０１とは異なる基材上に検知回路を形成し、異なる基材と検知回路を分離した後、検知回路と第１の可撓性基材２０１を貼りあわせてもよい。その場合、第１の可撓性基材２０１と検知回路の間には接着層があってもよい。
【００８７】
また、第２の可撓性基材２１８上に直接、検知回路を形成する方法以外にも第２の可撓性基材２１８とは異なる基材上に検知回路を形成し、異なる基材と検知回路を分離した後、検知回路と第２の可撓性基材２１８を貼りあわせてもよい。その場合、第２の可撓性基材２１８と検知回路の間には接着層があってもよい。
【００８８】
（絶縁層２０２）
第１の可撓性基材２０１が水分や酸素を透過する材料である場合には、絶縁層２０２に外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ機能が求められる。
【００８９】
例えば、絶縁層２０２に酸化珪素、窒化珪素、もしくは酸窒化珪素などの無機材料層、これらの積層、またはこれらの複合層等から本実施形態の入力装置に求められる条件に応じて選択することができる。特に発光素子２９１が有機発光化合物を含む場合、有機発光化合物は、水分や酸素によって性能が劣化するなどの性質があるため、水分や酸素の侵入には十分な注意を払う必要がある。
【００９０】
（ゲート電極２０３）
ゲート電極２０３としては単層の金属層または複合層等を、本実施形態の入力装置に求められる条件に応じて選択することができる。
【００９１】
例えば、本実施形態の入力装置が大型である場合は、ゲート電極２０３として抵抗の低い金属（例えば、銅やアルミニウム）を用いることができる。
【００９２】
また、抵抗の低い金属と別の金属を、複合層として用いてもよく、または合金化して用いてもよい。
【００９３】
（半導体層２０５）
半導体層２０５としては、例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン、またはレーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層等を、本実施形態の入力装置に求められる条件に応じて選択することができる。
【００９４】
例えば、１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
【００９５】
例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【００９６】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。
【００９７】
酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。
【００９８】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【００９９】
（一対の電極２０６）
一対の電極２０６としては単層の金属層、または複合層等を、本実施形態の入力装置に求められる条件に応じて選択することができる。
【０１００】
例えば、本実施形態の入力装置が大型である場合は、抵抗の低い金属（例えば、銅やアルミニウム）を用いることができる。
【０１０１】
また、抵抗の低い金属と別の金属を、複合層として用いてもよく、または合金化して用いてもよい。
【０１０２】
（電極２０９）
電極２０９としては単層の金属層、または複合層等を、本実施形態の入力装置に求められる条件に応じて選択することができる。
【０１０３】
例えば、本実施形態の入力装置が大型である場合は、抵抗の低い金属（例えば、銅やアルミニウム）を用いることができる。
【０１０４】
また、抵抗の低い金属と別の金属を複合層として用いてもよく、または合金化して用いてもよい。
【０１０５】
（封止材２１３）
封止材２１３は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材２１３側に光を取り出す場合は、封止材２１３は光学素子を兼ねる。
【０１０６】
（絶縁層２１７）
第２の可撓性基材２１８が水分や酸素を透過する材料である場合には、絶縁層２１７に外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ機能が求められる。
【０１０７】
例えば、絶縁層２１７に酸化珪素、窒化珪素、もしくは酸窒化珪素などの無機材料層、これらの積層、またはこれらの複合層等から本実施形態の入力装置に求められる条件に応じて選択することができる。特に発光素子２９１が有機発光化合物を含む場合、有機発光化合物は、水分や酸素によって性能が劣化するなどの性質があるため、水分や酸素の侵入には十分な注意を払う必要がある。
【０１０８】
（発光素子２９１）
本実施の形態では、発光することができる有機物層からみて発光素子に電力を供給することができる配線が設けられている基材とは逆側に発光する、トップエミッションタイプの発光素子２９１を説明する。
【０１０９】
発光素子２９１は、絶縁層２１０上に形成され、トランジスタが有する一対の電極２０６のうちどちらか一つと電気的に接続している電極２１１ｂと、電極２１１ｂ上に形成され、電極２１１ｂの端部を覆う絶縁物２１２と、電極２１１ｂおよび絶縁物２１２上に形成された発光することができる有機物層２２１と、発光することができる有機物層２２１および絶縁物２１２上に形成された電極２２２と、を有する。
【０１１０】
本実施の形態においては、発光素子２９１を有機エレクトロルミネッセンス素子として説明したが、電気泳動方式や電子粉流体（登録商標）方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）を用いることもできる。
【０１１１】
（有機物層２２１）
有機物層２２１として低分子系有機ＥＬ材料、高分子系有機ＥＬ材料もしくは無機ＥＬ材料を用いることが可能である。高分子系有機ＥＬ材料を用いる場合は塗布法を用いて形成することもできる。
【０１１２】
また、有機物層２２１として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）を含む薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）を含む薄膜、または、シングレット化合物およびトリプレット化合物を含む薄膜を用いることができる。
【０１１３】
また、有機物層２２１としてシングレット化合物を含む薄膜とトリプレット化合物を含む薄膜を積層させて用いることができる。
【０１１４】
（遮光層２１４）
遮光層２１４としてカーボンブラック、金属酸化物、または複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
【０１１５】
（着色層２２３）
有機物層２２１を白色に発光させ、着色層２２３で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に変換することで、フルカラー表示を達成することができる。
【０１１６】
着色層に金属材料、顔料または染料等を用いることができる。
【０１１７】
また、有機物層２２１を、例えば青色に発光させ、その一部をそのまま外部に出し、残りの一部を着色層２２３で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）に変換することで、フルカラー表示を達成することができる。
【０１１８】
なお、有機物層２２１を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光させることもできる。その場合には着色層２２３を使用する必然性はないが、着色層を用いて有機物層２２１からの光の色の調整をすることも可能である。
【０１１９】
（外部回路との接続部２９２）
外部回路との接続部２９２は、第１の可撓性基材２０１と、第１の可撓性基材２０１上に形成された絶縁層２０２と、絶縁層２０２上に形成されたゲート絶縁層２０４と、を有する。
【０１２０】
また、外部回路との接続部２９２は、ゲート絶縁層２０４上に形成された配線２３０と、配線２３０と重なる開口部を有する絶縁層２０７と、電極２１１と、を有する。
【０１２１】
電極２１１は本実施形態の入力装置に電気的に接続されている配線２３０と、絶縁層２０７の開口部を介して接続されている。電極２１１は配線２３０が外部の環境にさらされることを防止している。
【０１２２】
なお、電極２１１は、トランジスタ部２９０ａにおける電極２１１ａ、発光素子２９１における電極２１１ｂと同時に形成すると、コスト削減の面で望ましい。
【０１２３】
また、電極２１１として、例えば、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛もしくはそれらの化合物等の透明導電酸化物を用いることができる。
【０１２４】
また、異方性導電膜２２４は、電極２１１とＦＰＣ２２５とを電気的に接続することができる。
【０１２５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図３および図４を用いて検知回路と発光素子の配置および発光素子と外部駆動回路の接続について説明する。
【０１２６】
図３に示すように、検知回路２９０は入力装置２００においてマトリクス状に複数（ｍ×ｎ）個配置されている。例えば、検知回路２９０（ｍ，ｎ）は、走査線Ｇ１（ｍ）および走査線Ｇ２（ｍ）ならびにモニターラインＭＬ（ｎ）と電気的に接続されている。
【０１２７】
各検知回路の駆動方法については実施の形態１に記載したとおりである。
【０１２８】
具体的には、第２の可撓性基材の表面に指などの物体が近接もしくは接触すると、検知回路２９０はノードＡの電位の変化に基づく信号を、モニターラインＭＬに供給する。
【０１２９】
走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｍ）および走査線Ｇ２（１）乃至走査線Ｇ２（ｍ）は駆動回路ＧＤに電気的に接続されている。
【０１３０】
マトリクス状に複数配置された検知回路に駆動回路ＧＤ（例えばシフトレジスタ）を用いて、走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｍ）および走査線Ｇ２（１）乃至走査線Ｇ２（ｍ）に順次選択信号を供給し、モニターラインＭＬに供給される信号を読み取ることで、入力装置２００のどの場所に指などの物体が近接もしくは接触しているかを検知することができる。
【０１３１】
モニターラインＭＬ（１）乃至モニターラインＭＬ（ｎ）は変換器ＣＯＮＶに電気的に接続されている。
【０１３２】
例えば、変換器ＣＯＮＶは、モニターラインＭＬ（１）乃至モニターラインＭＬ（ｎ）が供給する信号を変換してもよい。
【０１３３】
図４（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は検知回路２９０、トランジスタ部２９０ａ、発光素子２９１のうち一つの電極２１１ｂおよび遮光層２１４の平面配置例を示したものである。
【０１３４】
各発光素子（画素ともいう）（Ｒ、Ｇ、Ｂ）はそれぞれ、遮光層２１４によって囲われている。また、検知回路のトランジスタ部２９０ａは遮光層２１４によって覆われている。電極２１１ｂの端部は遮光層２１４によって覆われている。
【０１３５】
検知回路２９０の配置例を図４（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示す。例として１２発光素子について、一つの検知回路を配置したが、この数に限定されるものではなく必要に応じて設定すればよい。検知回路２９０の面積は電極２１６ｂの面積と同じであってもよい。
【０１３６】
なお、図２では一つの発光素子のみを示したが、図４では、一つの検知回路２９０につき、一つのトランジスタ部２９０ａと１２個の発光素子２９１が配置される配置例を示す。
【０１３７】
（実施の形態４）
発光素子２９１の電極２２２の形成方法について説明する。電極２２２は、例えばマスクを使用して選択的に形成され、トランジスタ部２９０ａに接続しないようにしておく必要がある。
【０１３８】
本実施の形態では図２乃至図５を用いて電極２２２の平面配置について説明する。
【０１３９】
本実施の形態においては、電極２２２を入力装置２００の特定の箇所に選択的に形成する。
【０１４０】
より具体的には、図５に示すようなマスク５００を使用する。マスク５００にはスリット５０１が複数形成されている。スリット５０１を有するマスク５００を使用して、選択的に導電性の膜を形成することができる。これにより、特定の箇所に開口部を備える電極２２２を入力装置２００に形成することができる。
【０１４１】
例えば、電極２２２の開口部をスリット５０１が形成されていない箇所に形成する。または、電極２２２の開口部をスリット５０１が形成された箇所に形成する。
【０１４２】
なお、電極２２２の開口部に、図２、図４（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）におけるトランジスタ部２９０ａを配置する。
【０１４３】
例えば、図４（Ａ）のように、電極２２２の開口部にトランジスタ部２９０ａを配置する場合、図５（Ａ）に示す横方向にスリットのあるマスクを使用し、トランジスタ部２９０ａを含まないように電極２２２を形成すればよい。
【０１４４】
また例えば、図４（Ｂ）のように、電極２２２の開口部にトランジスタ部２９０ａを配置する場合、図５（Ｂ）の縦方向にスリットのあるマスクを使用し、トランジスタ部２９０ａを含まないように電極２２２を形成すればよい。
【０１４５】
また例えば、図４（Ｃ）のように、電極２２２の開口部にトランジスタ部２９０ａを配置する場合、図５（Ａ）の横方向にスリットのあるマスクを用いて導電膜を成膜し、さらに図５（Ｂ）の縦方向にスリットのあるマスクを用いて導電膜を成膜し、交差して配置された電極２２２の開口部にトランジスタ部２９０ａを形成すればよい。
【０１４６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図６を参照しながら説明する。
【０１４７】
図６は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
【０１４８】
図６（Ａ−１）乃至図６（Ａ−３）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。
【０１４９】
図６（Ｂ−１）および図６（Ｂ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。
【０１５０】
図６（Ｃ−１）および図６（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および底面図である。
【０１５１】
《情報処理装置Ａ》
情報処理装置３０００Ａは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３１０１を有する（図６（Ａ−１）乃至図６（Ａ−３）参照）。
【０１５２】
また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０１５３】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０１５４】
情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる。
【０１５５】
情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。
【０１５６】
《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０および入出力部３１２０ｂを有する（図６（Ｂ−１）および図６（Ｂ−２）参照）。
【０１５７】
また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂを有する。
【０１５８】
また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０ｂを支持する筐体３１０１を有する。
【０１５９】
また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０１６０】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０１６１】
情報処理装置３０００Ｂは、筐体３１０１および可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂに支持される入出力部３１２０に表示情報を表示することができる。
【０１６２】
情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０に接する指を用いて操作命令を供給することができる。
【０１６３】
《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置３０００Ｃは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および筐体３１０１ｂを有する（図６（Ｃ−１）乃至図６（Ｃ−２）参照）。
【０１６４】
入出力部３１２０および筐体３１０１ｂは可撓性を有する。
【０１６５】
また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０１６６】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０１６７】
情報処理装置３０００Ｃは、筐体３１０１ｂが折れ曲がり、二つに折り畳むことができる。
【０１６８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１６９】
Ｇ１    走査線
Ｇ２    走査線
ＶＲＥＳ    配線
ＶＰ    配線
ＶＳＳ    配線
ＴＲ１    トランジスタ
ＴＲ２    トランジスタ
ＴＲ３    トランジスタ
Ｃ０    容量
Ｃ１    容量
ＭＬ    モニターライン
Ａ    ノード
ＧＤ    駆動回路
ＣＯＮＶ    変換器
２００    入力装置
２０１    第１の可撓性基材
２０２    絶縁層
２０３    ゲート電極
２０４    ゲート絶縁層
２０５    半導体層
２０６    一対の電極
２０７    絶縁層
２０８    絶縁層
２０９    電極
２１０    絶縁層
２１１    電極
２１１ａ    電極
２１１ｂ    電極
２１２    絶縁物
２１３    封止材
２１４    遮光層
２１５    絶縁層
２１６ａ    電極
２１６ｂ    電極
２１７    絶縁層
２１８    第２の可撓性基材
２１９    絶縁層
２２０    反射防止膜
２２１    有機物層
２２２    電極
２３０    配線
２９０    検知回路
２９０ａ    トランジスタ部
２９１    発光素子
２９２    外部回路との接続部
５００    マスク
５０１    スリット
３０００Ａ    情報処理装置
３０００Ｂ    情報処理装置
３０００Ｃ    情報処理装置
３１０１    筐体
３１０１ｂ    筐体
３１２０    入出力部
３１２０ｂ    入出力部
【図１】
0006518133.tif 000002
【図２】
0006518133.tif 000003
【図３】
0006518133.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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