(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配置された表示領域を有する表示装置において、
第１の有機絶縁膜と、
前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第１の有機絶縁膜を分断する第１の溝と、
前記第１の溝に配置され、前記表示領域を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第１の無機隔壁部と、
前記第１の有機絶縁膜及び前記第１の無機隔壁部の上方に形成される第２の有機絶縁膜と、
前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第１の溝の内側に位置する第２の溝と、
を備える表示装置。
【請求項２】
前記第１の無機隔壁部の上面は、前記第１の有機絶縁膜の上面よりも上方に位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の無機隔壁部の上面は、前記第２の有機絶縁膜の上面よりも下方に位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の無機隔壁部の上面は、前記第１の有機絶縁膜の上面よりも下方に位置し、
前記第１の溝の内側に前記第２の溝が位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の溝を囲む枠状に存在し、前記第１の有機絶縁膜を分断する第３の溝と、
前記第３の溝に配置され、前記第１の溝を囲む枠状に存在する第２の無機隔壁部と、
前記第２の溝を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第３の溝の内側に位置する第４の溝と、
をさらに備える請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の無機隔壁部の前記表示領域とは反対側には、前記第１の有機絶縁膜及び前記第２の有機絶縁膜が存在しない、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の有機絶縁膜の上方に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜の下方に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記第１の有機絶縁膜に形成された層間接続穴を介して前記画素電極と電気的に接続される下部電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部と前記無機絶縁膜の間に、前記無機隔壁部の領域を跨ぐ、前記下部電極と同層の配線が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の有機絶縁膜の上方に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜の下方に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記第１の有機絶縁膜に形成された層間接続穴を介して前記画素電極と電気的に接続される下部電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部の下方に、前記下部電極と同層の導電膜を含む回路素子が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の有機絶縁膜と前記第２の有機絶縁膜の間に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記無機絶縁膜を挟んで前記画素電極と対向する対向電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部の上方に、前記無機絶縁膜の一部及び前記対向電極と同層の導電膜の少なくとも一方が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記無機隔壁部の上方に、前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と同層の導電膜が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の有機絶縁膜の下方に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記第１の有機絶縁膜に形成された層間接続穴を介して前記画素電極と電気的に接続される下部電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部は、前記無機絶縁膜の一部及び前記下部電極と同層の導電膜の少なくとも一方を含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記第２の有機絶縁膜に形成された開口内の前記画素電極上に配置される、発光層を含む有機膜と、
前記有機膜上に配置される対向電極と、
をさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記無機隔壁部の領域に有機材料が跨って形成されない、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
複数の画素が配置された表示領域を有する表示装置の製造方法であって、
前記表示領域を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第１の無機隔壁部を形成し、
第１の溝を有し、前記第１の溝に前記第１の無機隔壁部が配置された第１の有機絶縁膜を形成し、
前記第１の溝に前記第１の無機隔壁部が配置された状態の前記第１の有機絶縁膜の上方に第２の有機絶縁膜を形成し、
前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第１の溝の内側に位置する第２の溝を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の無機隔壁部を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第２の無機隔壁部を形成し、
前記第１の有機絶縁膜は、第３の溝を有し、前記第３の溝に前記第２の無機隔壁部が配置され、
前記第２の溝を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第３の溝の内側に位置する第４の溝を形成する、
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、有機材料を含む平坦化絶縁膜上に画素電極が配置され、それらを覆う素子分離膜に画素電極を露出させる開口部が形成されること、素子分離膜が有機材料を含んでもよいこと、が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１５８２９２号公報
【特許文献２】特開２００４−３３５２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、有機絶縁膜を備える表示装置では、特許文献２に開示されるように、表示領域と縁との間に水分の浸入を阻止するための分断溝を形成することがある。
【０００５】
こうした分断溝を、特許文献１のような２層の有機絶縁膜を備える表示装置に適用しようとする場合、下側の有機絶縁膜に第１の分断溝を形成した後に上側の有機絶縁膜を成膜し、第１の分断溝を埋める部分に第２の分断溝を形成する方法が考えられる。しかしながら、塗布によって上側の有機絶縁膜を成膜すると、第１の分断溝を埋める部分は下側の有機絶縁膜上の部分よりも厚くなるため、画素電極を露出させる開口を形成するために最適化されたエッチング条件では、第１の分断溝を埋める部分を第２の分断溝によって完全に分断することができず、上側の有機絶縁膜の膜残りが水分侵入経路となり、十分な水分遮断性が得られないおそれがある。また、上側の有機絶縁膜の膜残りが発生しないように最適化したエッチング条件では、下側の有機絶縁膜が過度にエッチングされ、パターン不良が発生する懸念がある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、水分遮断性を向上させることにより、表示部への水分侵入による発光層の素子劣化の防止を可能とする表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の表示装置は、複数の画素が配置された表示領域を有する表示装置において、第１の有機絶縁膜と、前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第１の有機絶縁膜を分断する第１の溝と、前記第１の溝に配置され、前記表示領域を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第１の無機隔壁部と、前記第１の有機絶縁膜及び前記第１の無機隔壁部の上方に形成される第２の有機絶縁膜と、前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第１の溝の内側に位置する第２の溝と、を備える。
【０００８】
また、本発明の表示装置の製造方法は、複数の画素が配置された表示領域を有する表示装置の製造方法であって、前記表示領域を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第１の無機隔壁部を形成し、第１の溝を有し、前記第１の溝に前記第１の無機隔壁部が配置された第１の有機絶縁膜を形成し、前記第１の溝に前記第１の無機隔壁部が配置された状態の前記第１の有機絶縁膜の上方に第２の有機絶縁膜を形成し、前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第１の溝の内側に位置する第２の溝を形成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、第１の溝に無機隔壁部が配置されることで、無機隔壁部の上方に形成される被覆膜の部分が無機隔壁部を配置しない場合よりも薄くなるため、当該部分を第２の溝によって分断しやすくなり、その結果、第１の溝内における第２の有機絶縁膜の膜残りを防止し、水分遮断性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】前記表示装置の断面図である。
【図３】前記表示装置の製造工程を示す図である。
【図４】参考例に係る表示装置の製造工程を示す図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図６】第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図７】第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図８】第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図９】第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１０】第７の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１１】変形例に係る表示装置の断面図である。
【図１２】変形例に係る表示装置の断面図である。
【図１３】変形例に係る表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。本明細書の開示は本発明の一例にすぎず、本発明の主旨を保った適宜変更であって当業者が容易に想到し得るものは本発明の範囲に含まれる。また、図で示す各部の幅、厚さ及び形状等は模式的に表される場合があり、それらは本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１２】
以下では、表示装置の一例として、自発光素子の一種であるＯＬＥＤ（organic light-emitting diode）を用いた有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置について説明する。
【００１３】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る表示装置１の平面図である。図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切断したときの断面図である。表示装置１は、表示パネル２と、表示パネル２の端部に取り付けられたＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）３と、を備えている。表示パネル２の中央部には、複数の画素がマトリクス状に配列する矩形状の表示領域２Ａが設けられている。複数の画素は、複数の発光色に分類されることが好ましく、画素の発光色は、例えば赤、緑、青の３色や、赤、緑、青、白の４色などである。画素の発光色として、シアン、マゼンタ、イエローが含まれてもよい。
【００１４】
表示領域２Ａの周囲には、枠状の額縁領域２Ｃが設けられている。額縁領域２Ｃには、表示パネル２の縁２Ｅから表示領域２Ａへの水分の浸入を抑制するための複数の水分遮断構造４，５が設けられている。水分遮断構造４，５は、表示パネル２の縁２Ｅと表示領域２Ａとの間に位置しており、表示領域２Ａを囲むように枠状に形成されている。図示の例では、２つの水分遮断構造４，５が縁２Ｅから表示領域２Ａへ向かう方向（以下、当該方向を水分浸入方向という。）に並んでいるが、これに限られず、水分遮断構造は１つのみであってもよい。また、図示の例では、水分遮断構造４，５のそれぞれが途切れることなく表示領域２Ａを囲んでいるが、これに限られず、枠内に別の無機絶縁材料等の構造物が存在する場合等には、水分遮断構造は途中で途切れていてもよい。
【００１５】
表示パネル２は、アレイ基板６と、アレイ基板６に対向する対向基板７と、を備えている。図１２に示されるように、対向基板７は設けられなくてもよい。アレイ基板６と対向基板７は、充填材８を介して貼り合わされている。具体的には、表示パネル２の縁２Ｅに沿って枠状のシール材９が設けられ、シール材９よりも内側の空間に充填材８が充填されている。表示パネル２は、例えば、アレイ基板６に対して対向基板７の方向（以下、当該方向を上方、当該方向と逆方向を下方という。）へ光を出射するトップエミッション型である。
【００１６】
対向基板７は、例えばガラスからなる基板６１を備えている。基板６１は、ポリイミド等の可撓性がある樹脂であってもよい。表示パネル２がトップエミッション型である場合、基板６１は透明である。基板６１のアレイ基板６に面した側には、各画素の発光領域に対応して開口が形成されたブラックマトリクス（ＢＭ）６３と、ＢＭ６３の一部と重なるように形成されたカラーフィルター６７と、ＢＭ６３とカラーフィルター６７を覆う平坦化層６５と、が設けられている。カラーフィルター６７は、アレイ基板６に設けられてもよい。平坦化層６５は設けられなくてもよい。
【００１７】
アレイ基板６は、例えばガラスからなる基板１１を備えている。基板１１は、ポリイミド等の可撓性がある樹脂であってもよい。表示パネル２がトップエミッション型である場合、基板１１は透明でなくてよい。基板１１の対向基板７に面した側の表示領域２Ａには各画素に対応する画素回路３０などが設けられており、額縁領域２Ｃには水分遮断構造４，５などが設けられている。画素回路３０は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を含んでおり、各画素に対応するように配置されている。
【００１８】
表示領域２Ａにおいて、基板１１の上方には半導体膜３２が配置されている。基板１１及び半導体膜３２は層間絶縁膜１３によって覆われており、層間絶縁膜１３の上方にはゲート電極３３が配置されている。層間絶縁膜１３及びゲート電極３３は層間絶縁膜１５によって覆われており、層間絶縁膜１５の上方にはソース電極３４とドレイン電極３６が配置されている。層間絶縁膜１３，１５には、ソース電極３４とドレイン電極３６を半導体膜３２に接続するための層間接続穴が形成されている。これら半導体膜３２、ゲート電極３３、ソース電極３４及びドレイン電極３６によって画素回路３０のＴＦＴが構成されている。ゲート電極３３は不図示の他のＴＦＴのドレイン電極に接続されており、ソース電極３４は不図示の電源線が接続されている。半導体膜３２は、例えばＬＴＰＳ半導体、アモルファス半導体、酸化物半導体などからなる。層間絶縁膜１３,１５は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料からなる無機絶縁膜である。ゲート電極３３、ソース電極３４及びドレイン電極３６は、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの金属からなる。
【００１９】
図示の例では、基板１１に半導体膜３２が接触しているが、これに限られず、基板１１と半導体膜３２の間には、図１１に示されるような一又は複数のアンダーコート層１２が介在してもよい。アンダーコート層１２は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料からなる無機絶縁膜である。
【００２０】
層間絶縁膜１５、ソース電極３４及びドレイン電極３６は有機平坦化膜１７によって覆われており、有機平坦化膜１７の上方には画素電極３８が配置されている。有機平坦化膜１７には、画素電極３８をドレイン電極３６に接続するための層間接続穴が形成されている。有機平坦化膜１７は、第１の有機絶縁膜の一例であって、例えばアクリル樹脂などの有機材料を含む有機絶縁膜である。有機平坦化膜１７は、他の層間絶縁膜と比較して厚く形成されており、平坦な上面を有している。画素電極３８は、例えばアノードであり、各画素に対応するように配置されている。画素電極３８は、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの金属からなり、反射面を有していてもよい。
【００２１】
有機平坦化膜１７及び画素電極３８は画素分離膜１９によって覆われており、画素分離膜１９には画素電極３８の端部を除き露出させる開口１９ａが形成されている。具体的には、画素分離膜１９は、画素電極３８の端部を覆っており、それ以外の領域で画素電極３８は露出している。画素分離膜１９の開口１９ａを形成する内縁部は、緩やかなテーパー形状を有している。画素分離膜１９は、第２の有機絶縁膜の一例であって、例えばアクリル樹脂などの有機材料を含む有機絶縁膜である。画素分離膜１９は、バンク又はリブとも呼ばれる。
【００２２】
画素分離膜１９及び開口１９ａ内に露出した画素電極３８は、発光層を含む有機膜２１によって覆われている。有機膜２１は、例えば画素電極３８側から順に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含んでいる。有機膜２１の積層構造はこれに限られず、少なくとも発光層を含んでいれば特に限定されない。本実施形態では、有機膜２１に含まれる発光層の発光色は白色であるが、これに限られず、他の色であってもよい。有機膜２１は、例えばマスクを用いない蒸着によって成膜され、内側の水分遮断構造４の手前まで、表示領域２Ａを含む範囲に形成されている。
【００２３】
有機膜２１は、対向電極２３によって覆われている。対向電極２３は、例えばカソードであり、有機膜２１の全体を覆うように形成されている。対向電極２３は、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料からなる。対向電極２３は、例えば、有機膜２１を覆う範囲に形成され、内側の水分遮断構造４と外側の水分遮断構造５の間まで形成されている。さらに、対向電極２３は、封止膜２５によって覆われている。封止膜２５は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料からなる無機絶縁膜であり、アレイ基板６の全体に渡って形成されている。封止膜２５は、充填材８及びシール材９と接触する。
【００２４】
額縁領域２Ｃには、有機平坦化膜１７と画素分離膜１９をそれぞれ分断した水分遮断構造４，５がそれぞれ設けられている。水分遮断構造４，５では、有機平坦化膜１７を分断する第１の分断溝１７ｃが形成されており、第１の分断溝１７ｃには無機隔壁部５０が配置されている。第１の分断溝１７ｃと無機隔壁部５０は、有機平坦化膜１７を分断している。無機隔壁部５０は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料からなる。無機絶縁材料は、水分を通さず、また、金属と異なり腐食しない為、水分を遮断する構造として最適である。無機隔壁部５０は、例えば台形の断面形状を有しており、上面を有し、下方に向かうに従って幅が広がっている。これに対応して、第１の分断溝１７ｃは、上側の幅が下側の幅よりも狭いオーバーハング形状となっている。無機隔壁部５０の上面は、有機平坦化膜１７の上面よりも上方に位置しており、例えば画素電極３８の上面と同程度の高さにある。
【００２５】
また、水分遮断構造４，５では、画素分離膜１９を分断する第２の分断溝１９ｃが形成されている。第２の分断溝１９ｃは、平面視において第１の分断溝１７ｃの内側に含まれるように形成されている。例えば、第２の分断溝１９ｃの下側の開口が、平面視において第１の分断溝１７ｃの上側の開口の内側に含まれるようにしてよい。なお、第２の分断溝１９ｃは、平面視において第１の分断溝１７ｃと重なれば、必ずしも内側に含まれるように形成されていなくても良い。第２の分断溝１９ｃは、例えば無機隔壁部５０の上面を底としており、第２の分断溝１９ｃの下側の開口が無機隔壁部５０の上面に含まれるように形成されている。画素分離膜１９の第２の分断溝１９ｃを形成する縁部は、無機隔壁部５０の上側の角部に接触している。
【００２６】
さらに、内側の水分遮断構造４の無機隔壁部５０の上方には対向電極２３と封止膜２５が積層されており、外側の水分遮断構造５の無機隔壁部５０の上方には封止膜２５が積層されている。内側の水分遮断構造４と外側の水分遮断構造５の間には、画素電極３８と同層の導電膜３９が形成されており、対向電極２３は、画素分離膜１９に形成された開口を通じて導電膜３９に接続されている。なお、本実施形態では、水分遮断構造５と縁２Ｅの間に有機層が存在しているが、図１３に示されるように当該有機層が存在しない構造でも良い。
【００２７】
以上に説明したように、第１の分断溝１７ｃ、第２の分断溝１９ｃ及び無機隔壁部５０によって水分遮断構造４，５が構成されている。これによると、有機平坦化膜１７と画素分離膜１９は水分遮断構造４，５において分断されており、有機材料を含む何れの膜も水分遮断構造４，５の領域を跨いでいない、言い換えると、水分遮断構造４，５の領域を跨ぐ全ての膜は有機材料を含んでいない。したがって、表示パネル２の縁２Ｅから表示領域２Ａへの水分の浸入を抑制することができ、水分遮断性を向上させることが可能である。
【００２８】
額縁領域２Ｃにおいて、無機隔壁部５０の下方には、画素回路３０と同様のＴＦＴを含む回路素子４０が配置されている。回路素子４０は、例えばゲート駆動回路である。回路素子４０は、画素回路３０のソース電極３４及びドレイン電極３６と同層の導電膜３６ｃを含んでいる。また、無機隔壁部５０と層間絶縁膜１５の間には、水分遮断構造４，５の領域を跨ぐ配線４７が配置されている。配線４７は、回路素子４０に接続されている。配線４７は、画素回路３０のソース電極３４及びドレイン電極３６と同層の導電膜３６ｃからなる。ドレイン電極３６は、下部電極の一例である。ここで、同層とは、同時に成膜される同材料からなる層である。
【００２９】
本実施形態では、水分遮断構造４，５に無機隔壁部５０が設けられ、無機隔壁部５０の上方に対向電極２３が配置されるため、対向電極２３との短絡を考慮する必要なく、水分遮断構造４，５の領域に、画素回路３０のソース電極３４及びドレイン電極３６と同層の導電膜３６ｃを配置することができる。これにより、水分遮断構造４，５の領域に、当該導電膜３６を用いた回路素子４０や配線４７を設けることが可能である。また、水分遮断構造４，５の領域に回路素子４０を配置することができるため、狭額縁化に寄与することが可能である。
【００３０】
［製造方法］
図３は、表示装置１の製造工程の一部を示す図である。同図では、層間絶縁膜１５よりも下方の絶縁膜や一部の導電膜を省略している。
【００３１】
（ａ）では、層間絶縁膜１５の上方に無機隔壁部５０が選択的に形成される。無機隔壁部５０の選択的な形成は、例えば、層間絶縁膜１５を覆う無機材料の被覆膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成し、当該被覆膜をフォトエッチング技術によりパターニングすることで実現される。無機隔壁部５０は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料からなる。無機隔壁部５０の厚さは、例えば２．２μｍ程度である。
【００３２】
（ｂ）では、層間絶縁膜１５の上方に、後に有機平坦化膜１７となる被覆膜１７ｐが成膜される。被覆膜１７ｐの成膜は、例えばスピンコート等の塗布法により実現され、被覆膜１７ｐの上面は平坦に形成される。ここでは、無機隔壁部５０が形成された状態で被覆膜１７ｐが塗布法により成膜されるため、被覆膜１７ｐは、無機隔壁部５０を避け、被覆膜１７ｐの上面よりも無機隔壁部５０の上部が突出するように形成される。これにより、被覆膜１７ｐを面内方向に分断する、無機隔壁部５０で埋められた第１の分断溝１７ｃが形成される。すなわち、被覆膜１７ｐと無機隔壁部５０の界面が、第１の分断溝１７ｃを形成する。被覆膜１７ｐは、例えば例えばアクリル樹脂などの有機材料を含んでいる。被覆膜１７ｐの厚さは、例えば２μｍ程度である。
【００３３】
なお、この方法に限られず、例えば、被覆膜１７ｐに第１の分断溝１７ｃを形成した後に、第１の分断溝１７ｃの内側に無機隔壁部５０を形成してもよい。
【００３４】
（ｃ）では、被覆膜１７ｐがフォトエッチング技術によりパターニングされて、有機平坦化膜１７が完成する。上面が平坦な有機平坦化膜１７を形成する理由は、発光層を含む有機膜２１が段切れを起こして画素電極３８と対向電極２３が短絡することを抑制し、有機膜の段切れを防ぐためである（図２を参照）。
【００３５】
（ｄ）では、有機平坦化膜１７の上方に画素電極３８及び導電膜３９が選択的に形成される。画素電極３８及び導電膜３９の選択的な形成は、例えば、有機平坦化膜１７を覆う金属膜をスパッタリング又は蒸着により形成し、当該金属膜をフォトエッチング技術によりパターニングすることで実現される。画素電極３８及び導電膜３９は、例えばＩＴＯ、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの金属からなる。画素電極３８及び導電膜３９の厚さは、例えば０．２μｍ程度である。
【００３６】
（ｅ）では、有機平坦化膜１７、無機隔壁部５０、画素電極３８及び導電膜３９の上方に、後に画素分離膜１９となる被覆膜１９ｐが成膜される。被覆膜１９ｐの成膜は、例えばスピンコート等の塗布法により実現され、被覆膜１９ｐの上面は平坦に形成される。被覆膜１９ｐは、例えばアクリル樹脂などの有機材料を含んでいる。被覆膜１９ｐの厚さは、例えば１μｍ程度である。
【００３７】
（ｆ）では、フォトエッチング技術によりパターニングにより、被覆膜１９ｐに、画素電極３８を露出させる開口１９ａと、被覆膜１９ｐを分断する第２の分断溝１９ｃとが同時に形成されて、画素分離膜１９が完成する。
【００３８】
本実施形態では、第１の分断溝１７ｃに無機隔壁部５０が配置されていることから、被覆膜１９ｐの無機隔壁部５０の上方に形成される部分は、無機隔壁部５０を配置しない場合（後述する図４を参照）よりも薄くなる。このため、被覆膜１９ｐに開口１９ａを形成するために最適化されたエッチング条件であっても、被覆膜１９ｐの無機隔壁部５０の上方に形成される部分の除去の確実性を向上させることができ、残滓がない又は極めて少ない第２の分断溝１９ｃを得ることが可能である。その結果、水分遮断性を向上させることが可能である。
【００３９】
無機隔壁部５０の上面は、有機平坦化膜１７の上面よりも上方にあり、画素分離膜１９の上面よりも下方にあることが好ましく、特には、画素電極３８の上面と同程度の高さであることが好ましい。この場合、被覆膜１９ｐの無機隔壁部５０の上方に形成される部分は、被覆膜１９ｐの画素電極３８の上方に形成される部分と同程度の厚さになるため、被覆膜１９ｐに開口１９ａを形成するために最適化されたエッチング条件が、第２の分断溝１９ｃの形成にとっても最適化されたものとなり、除去の確実性をより向上させることが可能である。
【００４０】
［参考例］
図４は、上述の無機隔壁部５０が配置されない参考例に係る表示装置の製造工程を示す図である。（ｘ）では、有機平坦化膜９７に第１の分断溝９７ｃが形成され、有機平坦化膜９７の上方に画素電極９８が選択的に形成される。第１の分断溝９７ｃの底には、層間絶縁膜９５が露出している。
【００４１】
（ｙ）では、有機平坦化膜９７及び第１の分断溝９７ｃの底に露出した層間絶縁膜９５の上方に、後に画素分離膜９９となる被覆膜９９ｐがスピンコート等の塗布法により成膜される。この際、第１の分断溝１７ｃの内側には、被覆膜９９ｐの材料が多く埋積した埋積部９９ｙが形成される。この埋積部９９ｙは、被覆膜９９ｐの画素電極９８の上方に形成される部分と比較して厚くなる。
【００４２】
（ｚ）では、フォトエッチング技術によりパターニングにより、被覆膜９９ｐに、画素電極９８を露出させる開口９９ａと、被覆膜９９ｐを分断する第２の分断溝９９ｃとが形成される。しかしながら、第１の分断溝１７ｃの内側に厚い埋積部９９ｙが存在するため、被覆膜９９ｐに開口９９ａを形成するために最適化されたエッチング条件では埋積部９９ｙを除去しきれず、残滓９９ｚとなって水分遮断性が不十分となるおそれがある。
【００４３】
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。第２の実施形態の水分遮断構造４，５では、無機隔壁部５０の上面が有機平坦化膜１７の上面よりも下方に位置しており、第１の分断溝１７ｃの内側に第２の分断溝１９ｃが位置している。第１の分断溝１７ｃは、例えば無機隔壁部５０を先に形成しておき、その状態で無機隔壁部５０を覆う、有機平坦化膜１７となる被覆膜を形成し、当該被覆膜の無機隔壁部５０の上方に形成される部分をエッチングにより除去することによって形成される。このため、第１の分断溝１７ｃは、無機隔壁部５０が配置された下部と、エッチングにより形成された上部とを含んでいる。第２の分断溝１９ｃは、無機隔壁部５０の上面を底としており、画素分離膜１９の第２の分断溝１９ｃを形成する縁部は、第１の分断溝１７ｃの傾斜面を覆って、無機隔壁部５０の上面に接触している。有機平坦化膜１７の厚さは例えば２μｍ程度であるのに対し、無機隔壁部５０の厚さは例えば１．５μｍ程度とされる。
【００４４】
このように無機隔壁部５０の上面が有機平坦化膜１７の上面よりも下方に位置していても、画素分離膜１９を形成する際に、画素分離膜１９となる被覆膜の無機隔壁部５０の上方に形成される部分は、無機隔壁部５０を配置しない場合よりも薄くなるため、当該部分の除去の確実性を向上させることができ、これにより水分遮断性を向上させることが可能である。また、無機隔壁部５０を形成する時間、例えば無機隔壁部５０となる被覆膜を堆積する時間を、第１の実施形態よりも短縮することができ、水分遮断性と生産性の両立を図ることが可能である。
【００４５】
［第３の実施形態］
図６は、第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。第３の実施形態の水分遮断構造４，５では、無機隔壁部５０の内側に有機基部５２が設けられている。具体的には、層間絶縁膜１５の上方に有機基部５２が配置されており、有機基部５２を覆うように無機隔壁部５０が形成されている。有機基部５２の上面と側面は無機隔壁部５０により覆われており、有機基部５２の下面は層間絶縁膜１５や導電層３６ｃにより覆われている。このような有機基部５２が内側に配置された無機隔壁部５０によっても、水分遮断構造４，５を実現できる。また、有機材料は、無機材料と比較して、厚い被覆膜を迅速に形成することが容易であるため、有機基部５２を設けておき、それを覆うように無機隔壁部５０を形成することで、形成時間の短縮を図ることが可能である。
【００４６】
［第４の実施形態］
図７は、第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。第４の実施形態の水分遮断構造４，５では、無機隔壁部５０の上方に、画素電極３８と同層の導電膜３８ｃが配置されている。無機隔壁部５０の上面が有機平坦化膜１７の上面よりも下方に位置しており、第１の分断溝１７ｃの内側に導電膜３８ｃが位置している。導電膜３８ｃの上面は、有機平坦化膜１７の上面よりも下方に位置しているが、これに限られず、有機平坦化膜１７の上面よりも上方に位置してもよい。第２の分断溝１９ｃは、導電膜３８ｃの上面を底としており、画素分離膜１９の第２の分断溝１９ｃを形成する縁部は、第１の分断溝１７ｃの傾斜面を覆いつつ、導電膜３８ｃの上面に接触している。導電膜３８ｃは、画素電極３８とは電気的に分離されている。
【００４７】
このように無機隔壁部５０の上方に導電膜３８ｃを配置することで、無機隔壁部５０と導電膜３８ｃの合計の厚さを確保して、水分遮断性を向上させることが可能である。すなわち、画素分離膜１９を形成する際に、画素分離膜１９となる被覆膜の導電膜３８ｃの上方に形成される部分の厚さが第２の実施形態よりも薄くなるため、当該部分の除去の確実性をより向上させることができ、これにより水分遮断性を向上させることが可能である。
【００４８】
［第５の実施形態］
図８は、第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。第５の実施形態の水分遮断構造４，５では、無機隔壁部５０が層間絶縁膜１５を利用して形成されている。図示の例では、基板１１の上方に無機基部５１が配置されており、無機基部５１の上方に層間絶縁膜１３,１５が積層されることで、上面と側面が層間絶縁膜１５からなる無機隔壁部５０が形成されている。無機基部５１は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料からなる。このような層間絶縁膜１５を利用して形成された無機隔壁部５０によっても、水分遮断性を向上させることが可能である。
【００４９】
ところで、第５の実施形態では、無機隔壁部５０を構成する層間絶縁膜１５の上面が第２の分断溝１９ｃの底となる。この場合、無機隔壁部５０を構成する層間絶縁膜１５の上面に、画素回路３０のソース電極３４及びドレイン電極３６と同層の配線４７（図２等を参照）を設けると、対向電極２３との短絡が問題となる。そこで、第５の実施形態では、水分遮断構造４，５の領域において画素回路３０のゲート電極３３と同層の配線４８が利用されている。具体的には、額縁領域２Ｃの水分遮断構造４，５以外の領域では、画素回路３０のソース電極３４及びドレイン電極３６と同層の配線４９が配置されており、水分遮断構造４，５の領域では、層間絶縁膜１５に形成された層間接続穴を介して配線４９に接続された、画素回路３０のゲート電極３３と同層の配線４８が層間絶縁膜１３,１５の間に配置されている。
【００５０】
［第６の実施形態］
図９は、第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。第６の実施形態では、有機平坦化膜１７と画素分離膜１９の間に層間絶縁膜１８が配置されており、有機平坦化膜１７と層間絶縁膜１８の間には、層間絶縁膜１８を挟んで画素電極３８と対向する容量形成電極３７が配置されている。層間絶縁膜１８は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料からなる無機絶縁膜である。容量形成電極３７は、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの金属からなる。
【００５１】
層間絶縁膜１８及び容量形成電極３７は、額縁領域２Ｃにも広がっている。層間絶縁膜１８は、例えば額縁領域２Ｃの全体に広がっており、容量形成電極３７は、例えば内側の水分遮断構造４を超えて、内側の水分遮断構造４と外側の水分遮断構造５の間まで広がっている。これにより、内側の水分遮断構造４における無機隔壁部５０の上方には層間絶縁膜１８及び容量形成電極３７が配置されており、外側の水分遮断構造５における無機隔壁部５０の上方には層間絶縁膜１８が配置されている。第２の分断溝１９ｃは、例えば層間絶縁膜１８のうち無機隔壁部５０の上方に形成される部分を底としている。また、容量形成電極３７は、内側の水分遮断構造４と外側の水分遮断構造５の間で導電膜３９を介して対向電極２３に接続されており、これにより容量形成電極３７と対向電極２３は同電位となっている。
【００５２】
このように無機隔壁部５０の上方に層間絶縁膜１８及び容量形成電極３７の少なくとも一方を配置しても、水分遮断性を向上させることが可能である。また、このように無機隔壁部５０の上方に層間絶縁膜１８や容量形成電極３７を配置することで、無機隔壁部５０、層間絶縁膜１８及び容量形成電極３７の合計の厚さを確保して、水分遮断性を向上させることが可能である。すなわち、画素分離膜１９を形成する際に、画素分離膜１９となる被覆膜の層間絶縁膜１８の上方に形成される部分の厚さが第２の実施形態よりも薄くなるため、当該部分の除去の確実性をより向上させることができ、これにより水分遮断性を向上させることが可能である。
【００５３】
［第７の実施形態］
図１０は、第７の実施形態に係る表示装置の断面図である。第７の実施形態の水分遮断構造４，５では、無機隔壁部５０が無機基部５１及び導電膜３６ｃを含んでおり、無機隔壁部５０の上方には、容量形成電極３７、層間絶縁膜１８及び導電膜３８ｃが配置されている。第２の分断溝１９ｃは、導電膜３８ｃの上面を底としている。このように、無機基部５１、導電膜３６ｃ、容量形成電極３７、層間絶縁膜１８及び導電膜３８ｃを利用することで、これらの合計の厚さを確保して、水分遮断性を向上させることが可能である。すなわち、画素分離膜１９を形成する際に、画素分離膜１９となる被覆膜の導電膜３８ｃの上方に形成される部分の厚さが第２の実施形態よりも薄くなるため、当該部分の除去の確実性をより向上させることができ、これにより水分遮断性を向上させることが可能である。
【００５４】
［変形例］
上記第６の実施形態（図９を参照）は、図１１に示される断面構造の表示装置に適用されてもよい。本変形例において、表示領域２Ａに配置される画素回路３０のＴＦＴは例えばＮｃｈＴＦＴであり、額縁領域２Ｃに配置されるゲート駆動回路等の回路素子４０は例えばＰｃｈＴＦＴである。ＮｃｈＴＦＴでは、半導体膜３２のゲート電極３３と対向するチャネル領域と、ソース電極３４及びドレイン電極３６が接続される接続領域との間に、低濃度不純物領域が設けられる。ＰｃｈＴＦＴでも、半導体膜４２のゲート電極４３と対向するチャネル領域と、ソース電極４４及びドレイン電極４６が接続される接続領域との間に、低濃度不純物領域が設けられる。
【００５５】
画素回路３０のゲート電極３３の延伸部分は保持容量線を形成しており、半導体膜３２との間で保持容量を形成している。また、ゲート電極３３の延伸部分は、ドレイン電極３６の延伸部分との間でも保持容量を形成している。ゲート電極３３，４３を含む導電層は、例えばアルミニウムとチタンが積層された積層構造を有している。ソース電極３４，４４及びドレイン電極３６，４６を含む導電層は、例えばチタン、アルミニウム、チタンが順に積層された積層構造を有している。ソース電極３４，４４及びドレイン電極３６，４６を含む導電層により構成される配線は、アレイ基板６の端部に設けられた端子部まで引き回されて、端子７０を形成している。
【００５６】
ソース電極３４，４４及びドレイン電極３６，４６を含む導電層のうち有機平坦化膜１７が除去されて露出する部分等には、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜３８１，３８２，３８３が形成されている。具体的には、表示領域２Ａにおいて、有機平坦化膜１７に形成され、ドレイン電極３６が露出する層間接続穴には、導電膜３８１が形成されている。さらに有機平坦化膜１７の層間接続穴を埋める層間絶縁膜１８にも層間接続穴が形成されており、この層間接続穴を介して画素電極３８が導電膜３８１に接続されている。額縁領域２Ｃにおける有機平坦化膜１７の上面には導電膜３８２が形成されており、容量形成電極３７と対向電極２３を接続している。すなわち、導電膜３８２は、同じく有機平坦化膜１７と画素分離膜１９の間に配置された容量形成電極３７と接続される一方で、画素分離膜１９に形成された層間接続穴を介して対向電極２３とも接続されている。端子部における端子７０は導電膜３８３で覆われている。
【００５７】
容量形成電極３７は、例えばモリブデン、アルミニウム、モリブデンが順に積層された積層構造を有している。画素電極３８は、例えばＩＴＯ、銀、ＩＴＯが順に積層された積層構造を有している。
【００５８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が当業者にとって可能であるのはもちろんである。
【符号の説明】
【００５９】
１  表示装置、２  表示パネル、２Ａ  表示領域、２Ｃ  額縁領域、２Ｅ  縁、３  ＦＰＣ、４  水分遮断構造、５  水分遮断構造、６  アレイ基板、７  対向基板、８  充填材、９  シール材、１１  基板、１３  層間絶縁膜、１５  層間絶縁膜（無機絶縁膜）、１７  有機平坦化膜（第１の有機絶縁膜）、１７ｃ  第１の分断溝、１７ｐ  被覆膜、１８  層間絶縁膜（無機絶縁膜）、１９  画素分離膜（第２の有機絶縁膜）、１９ａ  開口、１９ｃ  第２の分断溝、１９ｐ  被覆膜、２１  有機膜、２３  対向電極（カソード）、２５  封止膜、３０  画素回路、３２  半導体膜、３３  ゲート電極、３４  ソース電極、３６  ドレイン電極（下部電極）、３６ｃ  導電膜、３７  容量形成電極、３８  画素電極（アノード）、３８ｃ  導電膜、３８１  導電膜、３８２  導電膜、３８３  導電膜、３９  導電膜、４０  回路素子、４２  半導体膜、４３  ゲート電極、４４  ソース電極、４６  ドレイン電極、４７  配線、４８  配線、４９  配線、５０  無機隔壁部、５１  無機基部、５２  有機基部、６１  基板、６３  ＢＭ、６５  封止膜、６７  カラーフィルター、７０  端子、９７  有機平坦化膜、９７ｃ  第１の分断溝、９８  画素電極、９９  画素分離膜、９９ａ  開口、９９ｃ  第２の分断溝、９９ｐ  被覆膜、９９ｙ  埋積部、９９ｚ  残滓。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006606432.tif 000008
【図８】
0006606432.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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