(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画素と第２画素と第３画素とを具備する発光装置であって、
前記第１画素は、第１波長域の光を発する第１発光素子を包含し、
前記第２画素は、前記第１波長域とは異なる第２波長域および第３波長域を含む第４波長域の光を発する第２発光素子と、前記第２発光素子からの光のうち前記第２波長域の光を透過させる第１カラーフィルターとを包含し、
前記第３画素は、前記第４波長域の光を発する第３発光素子と、前記第３発光素子からの光のうち前記第３波長域の光を透過させる第２カラーフィルターとを包含し、
前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とは、相互に対向する反射層および半透過半反射層と、前記反射層と半透過半反射層との間に位置する発光層とを含む共振構造を有し、
前記第２発光素子および前記第３発光素子は、前記第２波長域と前記第３波長域とに跨る１個のピークを包含するスペクトルの光を発し、
前記第１カラーフィルターおよび前記第２カラーフィルターのうち少なくとも一方は、前記第１波長域の光を透過させ、前記第１発光素子に対して重なり合う
発光装置。
【請求項２】
前記スペクトルの半値幅は、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である
請求項１の発光装置。
【請求項３】
前記第２発光素子および前記第３発光素子の各々における前記反射層と前記半透過半反射層との間の光学的距離は、２以下の共振次数に対応する
請求項１又は２の発光装置。
【請求項４】
前記半透過半反射層の膜厚は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である
請求項１から請求項３の何れかの発光装置。
【請求項５】
第１画素と第２画素と第３画素とを具備する発光装置であって、
前記第１画素は、第１波長域の光を発する第１発光素子を包含し、
前記第２画素は、前記第１波長域とは異なる第２波長域および第３波長域を含む第４波長域の光を発する第２発光素子と、前記第２発光素子からの光のうち前記第２波長域の光を透過させる第１カラーフィルターとを包含し、
前記第３画素は、前記第４波長域の光を発する第３発光素子と、前記第３発光素子からの光のうち前記第３波長域の光を透過させる第２カラーフィルターとを包含し、
前記第１カラーフィルターおよび前記第２カラーフィルターのうち少なくとも一方は、前記第１波長域の光を透過させ、前記第１発光素子に対して重なり合う
発光装置。
【請求項６】
前記第２発光素子と前記第３発光素子との間隔は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間隔、および、前記第１発光素子と前記第３発光素子との間隔よりも大きい
請求項１から請求項５の何れかの発光装置。
【請求項７】
第１画素と第２画素と第３画素とを具備する発光装置であって、
前記第１画素は、第１波長域の光を発する第１発光素子を包含し、
前記第２画素は、前記第１波長域とは異なる第２波長域および第３波長域を含む第４波長域の光を発する第２発光素子と、前記第２発光素子からの光のうち前記第２波長域の光を透過させる第１カラーフィルターとを包含し、
前記第３画素は、前記第４波長域の光を発する第３発光素子と、前記第３発光素子からの光のうち前記第３波長域の光を透過させる第２カラーフィルターとを包含し、
前記第２発光素子と前記第３発光素子との間隔は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間隔、および、前記第１発光素子と前記第３発光素子との間隔よりも大きく、
前記第１カラーフィルターおよび前記第２カラーフィルターのうち少なくとも一方は、前記第１波長域の光を透過させ、前記第１発光素子に対して重なり合う
発光装置。
【請求項８】
前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとの間に形成された隔壁を具備する
請求項１から請求項７の何れかの発光装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れかの発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ素子等の発光素子を利用して画像を表示する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子とカラーフィルターとを利用してカラー画像を表示させる発光装置が従来から提案されている。例えば特許文献１には、白色光を発する発光素子に対してＲＧＢ（赤色，緑色，青色）の各色のカラーフィルターを形成することでカラー画像を表示する構成が開示されている。また、特許文献２には、ＲＧＢの各色の光を発する３種類の発光素子とＣＭＹ（シアン，マゼンダ，イエロー）の各色の光を透過させる３種類のカラーフィルターとの組合せでＲＧＢの３色を生成する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３２０１０号公報
【特許文献２】特開２０１２−２８０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１および特許文献２の技術では、相異なる色に対応する３種類のカラーフィルターを順次に形成する必要があるから、カラーフィルターの形成工程や発光装置の構成が煩雑化するという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、カラーフィルターの形成工程または発光装置の構成を簡略化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、第１画素と第２画素と第３画素とを具備する発光装置であって、前記第１画素は、第１波長域の光を発する第１発光素子を包含し、前記第２画素は、前記第１波長域とは異なる第２波長域および第３波長域を含む第４波長域の光を発する第２発光素子と、前記第２発光素子からの光のうち前記第２波長域の光を透過させる第１カラーフィルターとを包含し、前記第３画素は、前記第４波長域の光を発する第３発光素子と、前記第３発光素子からの光のうち前記第３波長域の光を透過させる第２カラーフィルターとを包含する。以上の構成では、第１画素の第１発光素子から第１波長域の光が発せられる一方、第２発光素子から発せられる第４波長域の光のうち第２波長域の光が第１カラーフィルターを透過するとともに、第３発光素子から発せられる第４波長域の光のうち第３波長域の光が第２カラーフィルターを透過する。すなわち、出射光の波長域が異なる２種類の発光素子と透過光の波長域が異なる２種類のカラーフィルターとの組合せで３色の画素が構成される。したがって、透過光の波長域が異なる３種類のカラーフィルターが必要である特許文献１や特許文献２の技術と比較してカラーフィルターの形成工程または発光装置の構成が簡略化されるという利点がある。
【０００６】
本発明の好適な態様において、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とは、相互に対向する反射層および半透過半反射層と、前記反射層と半透過半反射層との間に位置する発光層とを含む共振構造を有する。以上の態様では、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とで発光層の発光色を共通化する（典型的には白色光とする）ことが可能である。したがって、第１発光素子と第２発光素子（および第３発光素子）とで発光層を相異なる発光色の材料で別個に形成する構成と比較して構成が簡素化されるという利点がある。
【０００７】
本発明の第１態様において、前記第２発光素子および前記第３発光素子の各々から発せられる光のスペクトルにおいて、第１共振次数に対応するピークが前記第２波長域に存在し、前記第１共振次数とは相違する第２共振次数に対応するピークが前記第３波長域に存在するように、前記第２発光素子および前記第３発光素子における前記反射層と前記半透過半反射層との間の光学的距離が相等しい数値に設定される。以上の第１態様では、前記第２発光素子および前記第３発光素子における前記反射層と前記半透過半反射層との間の光学的距離を適切に選定することで、第２波長域および第３波長域の各々にスペクトルのピークが存在する光を容易に生成することが可能である。第２波長域および第３波長域の各々にスペクトルのピークが存在するから、例えば第１波長域が第２波長域と第３波長域との間に位置する構成を実現することも可能である。
【０００８】
本発明の第２態様において、前記第２発光素子および前記第３発光素子は、前記第２波長域と前記第３波長域とに跨る１個のピークを包含するスペクトルの光を発する。第２態様では、１個のピークが第２波長域と第３波長域とにわたるスペクトルの光を発光するように第２発光素子および第３発光素子が構成される。したがって、第２波長域および第３波長域の各々にスペクトルの別個のピークが位置するように第２発光素子および第３発光素子を形成する必要がある前述の第１態様と比較して、第２発光素子および第３発光素子の各々の形成条件（例えば光学的距離の制約）が緩和されるという利点がある。
【０００９】
第２態様において、第２発光素子からの出射光のうち第２波長域の成分が第１カラーフィルターを透過し、第３発光素子からの出射光のうち第３波長域の成分が第２カラーフィルターを透過する。したがって、第２発光素子および第３発光素子からの出射光のスペクトルが例えば第２波長域と第３波長域との境界の近傍の狭い範囲のみに分布する構成では、第１カラーフィルターを透過する光量（第２画素の輝度）や第２カラーフィルターを透過する光量（第３画素の輝度）を充分に確保することが困難である。したがって、第２画素や第３画素の輝度を充分に確保するという観点からは、第２発光素子および第３発光素子の出射光のスペクトルが第２波長域と第３波長域との双方を含む広範囲に分布することが望ましい。具体的には、第２発光素子および第３発光素子から発せられる光のスペクトルの半値幅を、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とした構成が好適である。また、共振次数が高いほど共振構造の出射光のスペクトルの分布範囲が狭まるという傾向がある。以上の傾向を考慮すると、２以下の共振次数に対応した共振が発生するように反射層と半透過半反射層との光学的距離を選定した構成が好適である。また、半透過半反射層の膜厚が厚いほど、共振構造の反射率が増加して出射光のスペクトルの分布範囲が狭まるという傾向がある。以上の傾向を考慮すると、半透過半反射層の膜厚を２ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした構成が好適である。以上の構成によれば、第２発光素子および第３発光素子からの出射光のスペクトルが広範囲に分布するから、第２画素や第３画素の輝度を充分に確保することが可能である。
【００１０】
本発明の第１態様および第２態様の好適例において、前記第１カラーフィルターおよび前記第２カラーフィルターのうち少なくとも一方は、前記第１波長域の光を透過させ、前記第１発光素子に対して重なり合う。以上の態様では、第１カラーフィルターおよび第２カラーフィルターの少なくとも一方が第１波長域の光を透過するから、第１カラーフィルターおよび第２カラーフィルターの少なくとも一方が第１発光素子に重なる場合でも、第１発光素子からの出射光はそのカラーフィルターを透過する。すなわち、第１カラーフィルターや第２カラーフィルターの位置に誤差が発生した場合でも、第１発光素子からの出射光には影響しない。したがって、フィルターの位置精度が厳密に必要とされる構成と比較して、カラーフィルターの形成工程を簡略化することができる、という利点がある。また、第１カラーフィルターおよび第２カラーフィルターのうち少なくとも一方が第１発光素子に対して重なり合うように形成されるから、発光素子とカラーフィルターとで重なり合いが生じない構成と比較して、許容誤差の範囲が拡大するとともに製造コストが低減される、という利点もある。
【００１１】
本発明の第１態様および第２態様の好適例において、前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとの間に形成された隔壁を具備する。以上の態様では、第１カラーフィルターと第２カラーフィルターとは隔壁により仕切られるように形成される。したがって、第１カラーフィルターが第３発光素子に重なる可能性や第２カラーフィルターが第２発光素子に重なる可能性が低減される、という利点がある。
【００１２】
前記第２発光素子と前記第３発光素子との間隔は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間隔、および、前記第１発光素子と前記第３発光素子との間隔よりも大きい。以上の態様では、第２発光素子と第３発光素子との間隔は、第１発光素子と第２発光素子の間隔および第１発光素子と第３発光素子との間隔よりも広くなるように第１発光素子から第３発光素子が形成される。したがって、第１カラーフィルターが第３発光素子に重なる可能性や第２カラーフィルターが第２発光素子に重なる可能性が低減される、という利点がある。
【００１３】
以上の各態様に係る発光装置は、例えば表示装置として各種の電子機器に利用される。具体的には、頭部装着型の表示装置や撮像装置の電子式ビューファインダー等が本発明の電子機器の好適例として例示され得るが、本発明の適用範囲は以上の例示に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の発光装置の平面図である。
【図２】第１実施形態の発光装置の断面図である。
【図３】第１実施形態の発光素子およびカラーフィルターの光学特性の説明図である。
【図４】共振構造における光学的距離および共振次数の説明図である。
【図５】第２実施形態の発光装置の断面図である。
【図６】第２実施形態の発光素子およびカラーフィルターの光学特性の説明図である。
【図７】変形例に係る発光装置の断面図である。
【図８】変形例に係る発光装置の断面図である。
【図９】変形例に係る発光装置の断面図である。
【図１０】カラーフィルターの配列の説明図である。
【図１１】カラーフィルターの配列の説明図である。
【図１２】カラーフィルターの配列の説明図である。
【図１３】カラーフィルターの配列の説明図である。
【図１４】カラーフィルターの形成上の問題の説明図である。
【図１５】カラーフィルターの配列の説明図である。
【図１６】電子機器の一例たる頭部装着型の表示装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１００の平面図である。第１実施形態の発光装置１００は、有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板１０の面上に形成した有機ＥＬ装置である。発光装置１００は、相互に交差するＸ方向およびＹ方向にわたり表示領域Ａ内に行列状に配列された複数の画素（サブ画素）Ｐを具備する。表示領域Ａ内の複数の画素Ｐは、相異なる表示色に対応する３種類の画素Ｐ（Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3）を包含する。具体的には、画素Ｐ1は緑色（Ｇ）に対応する中波長域の光を出射し、画素Ｐ2は青色（Ｂ）に対応する短波長域の光を出射し、画素Ｐ3は赤色（Ｒ）に対応する長波長域の光を出射する。画素Ｐ1と画素Ｐ2と画素Ｐ3とで表示画像の１個のドットが形成される。駆動回路（図示略）により各画素Ｐを駆動することで表示領域Ａにカラー画像が表示される。なお、基板１０からみて各画素Ｐの光が放射される側（観察側）を以下では「光出射側」と表記する。
【００１６】
図２は、第１実施形態の発光装置１００の断面図（図１のII-II線の断面図）である。図２に例示される通り、発光装置１００は、素子形成層Ｌ1と発光素子層Ｌ2と封止層Ｌ3と波長選択層Ｌ4とを基板１０の面上に積層した構造体である。
【００１７】
基板１０は、珪素（シリコン）等の半導体材料で形成された板状部材（半導体基板）である。基板１０の面上に素子形成層Ｌ1が形成される。素子形成層Ｌ1は、導電層と絶縁層との複数層の積層であり、各画素Ｐを駆動するための能動素子（例えば発光素子に供給される電流を制御するトランジスタや階調信号を書き込むためのトランジスタ）や配線（信号配線や電源線）が形成される。
【００１８】
発光素子層Ｌ2は、相異なる画素Ｐに対応する複数の発光素子２０（２０A，２０B，２０C）を形成するための層である。具体的には、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０Bと第３発光素子２０Cとが発光素子層Ｌ2に形成される。封止層Ｌ3は、発光素子層Ｌ2の面上に形成された光透過性の膜体であり、基板１０上に形成された各要素を封止することで外気や水分の侵入を防止する。なお、封止層Ｌ3の具体的な特性（ガスバリア性）は、複数の発光素子２０を大気中の酸素および水分等から保護することが可能であれば特に限定されないが、酸素透過率が０.０１ｃｃ／ｍ2／ｄａｙ以下であることが望ましく、水蒸気透過率が７×１０-3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下、その範囲内でも５×１０-4ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下、特に５×１０-6ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であることが好ましい。また、封止層Ｌ3の光透過率は、８０％以上であることが好ましい。波長選択層Ｌ4は、封止層Ｌ3の面上（発光素子層Ｌ2の光出射側）に形成され、各発光素子２０からの出射光のうち特定の波長域の成分を選択する光学フィルターである。第１実施形態の波長選択層Ｌ4は、相異なる波長域の光を透過させる第１カラーフィルター３４Aと第２カラーフィルター３４Bとを包含する。
【００１９】
画素Ｐ1は、第１発光素子２０Aを包含する。画素Ｐ2は、第２発光素子２０Bと第１カラーフィルター３４Aとを包含する。画素Ｐ3は、第３発光素子２０Cと第２カラーフィルター３４Bとを包含する。発光素子層Ｌ2および波長選択層Ｌ4の具体的な構成および光学特性について以下に詳述する。
【００２０】
発光素子層Ｌ2は、反射層１４と光路調整層２２と複数の第１電極Ｅ1と画素定義層２４と発光機能層２６と第２電極Ｅ2とを包含する。反射層１４は、銀やアルミニウム等を含有する光反射性の材料で素子形成層Ｌ1の面上に形成された薄膜である。反射層１４の光反射率は、好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。反射層１４の面上には、光透過性の絶縁材料により光路調整層２２が形成される。光路調整層２２の面上には第１電極Ｅ1が画素Ｐ毎に個別に形成される。第１電極Ｅ1は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性の導電材料で形成された電極であり、素子形成層Ｌ1の能動素子や配線に電気的に接続される。第１電極Ｅ1の光透過率は、好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。複数の第１電極Ｅ1が形成された光路調整層２２の面上に画素定義層２４が形成される。画素定義層２４は、平面視で各画素Ｐ（第１電極Ｅ1）に対応する開口部２４Aが形成された平面形状（格子状）の要素であり、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁材料で形成される。
【００２１】
複数の第１電極Ｅ1と画素定義層２４とが形成された光路調整層２２の面上には、複数の画素Ｐにわたり連続する発光機能層２６が表示領域Ａの全域に形成される。発光機能層２６は、有機ＥＬ材料で形成された発光層を含んで構成され、電流の供給により白色光を放射する。なお、発光層に供給される電子や正孔の輸送層または注入層を発光機能層２６に含ませることも可能である。発光機能層２６の面上には、複数の画素Ｐにわたり連続する第２電極Ｅ2が形成される。第２電極Ｅ2は、入射光の一部を透過させ他を反射させる半透過半反射層である。例えば銀やアルミニウム等を包含する光反射性の材料（例えばマグネシウムと銀との合金）を充分に薄い膜厚に成膜することで光透過性および光反射性を備える第２電極Ｅ2が形成される。第２電極Ｅ2の光透過率は、好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、第２電極Ｅ2の光反射率は、好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2との間に電流が流れることで発光機能層２６は白色光を放射する。
【００２２】
各発光素子２０は、反射層１４と第２電極Ｅ2とが、光路調整層２２と第１電極Ｅ1と発光機能層２６とを挟んで対向する領域である。具体的には、平面視で画素定義層２４の開口部２４Aの内側の領域が発光素子２０として機能する。第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2との間に流れる電流に応じて発光機能層２６が放射した白色光は、反射層１４と第２電極Ｅ2との間で共振するとともに、一部が第２電極Ｅ2を透過して光出射側（基板１０とは反対側）に出射する。以上の説明から理解される通り、特定の共振波長の光を選択的に出射する共振構造を包含する発光素子２０が画素Ｐ毎に構成される。前述の通り、第１実施形態の複数の発光素子２０は、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０Bと第３発光素子２０Cとに区別される。
【００２３】
図３には、各発光素子２０が発する光の分光特性が図示されている。第１発光素子２０Aは、第１波長域Ｑ1の光を発する。図３に例示される通り、第１波長域Ｑ1は、緑色（Ｇ）に対応する波長範囲（具体的には４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ）である。他方、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cは、第４波長域Ｑ4の光を発する。第４波長域Ｑ4は、第１波長域Ｑ1とは異なる波長範囲であり、第１波長域Ｑ1とは補色の関係にある。具体的には、第４波長域Ｑ4は、第２波長域Ｑ2と第３波長域Ｑ3とを包含する。第２波長域Ｑ2は、青色（Ｂ）に対応する波長範囲であり、第３波長域Ｑ3は、赤色（Ｒ）に対応する波長範囲である。したがって、第４波長域Ｑ4はマゼンダ（Ｍ）に対応する波長範囲である。
【００２４】
前述の通り、各発光素子２０は共振構造を包含する。第１実施形態では、光路調整層２２の膜厚を発光素子２０毎に個別に調整することで、各発光素子２０の共振波長（すなわち出射光の波長域）を選定する。具体的には、光路調整層２２のうち第１発光素子２０Aに対応する領域の膜厚は、共振波長が第１波長域Ｑ1に包含されるように選定され、光路調整層２２のうち第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々に対応する領域の膜厚は、共振波長が第２波長域Ｑ2および第３波長域Ｑ3に包含されるように選定される。
【００２５】
図３には、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの透過率特性が併記されている。第１カラーフィルター３４Aは、第２発光素子２０Bの光出射側に形成され、図３に例示される通り、第１波長域Ｑ1の少なくとも一部および第２波長域Ｑ2の光を透過させる（第３波長域Ｑ3の光を吸収する）シアン（Ｃ）の着色層である。第１実施形態では、第１カラーフィルター３４Aの透過率特性は、第１発光素子２０Aからの出射光が透過するように選定される。他方、第２カラーフィルター３４Bは、第３発光素子２０Cの光出射側に形成され、第１波長域Ｑ1の少なくとも一部および第３波長域Ｑ3の光を透過させる（第２波長域Ｑ2の光を吸収する）イエロー（Ｙ）の着色層である。第１実施形態では、第２カラーフィルター３４Bの透過率特性は、第１発光素子２０Aからの出射光が透過するように選定される。
【００２６】
以上に説明した通り、画素Ｐ2は、第２波長域Ｑ2および第３波長域Ｑ3に対応するマゼンダの光を発する第２発光素子２０Bと、第１波長域Ｑ1の少なくとも一部および第２波長域Ｑ2の光を透過させる第１カラーフィルター３４Aとを包含する。したがって、図２から理解される通り、第２発光素子２０Bから出射したマゼンダの光のうち第２波長域Ｑ2に属する青色の成分が画素Ｐ2から光出射側に出射する。画素Ｐ3は、第２波長域Ｑ2および第３波長域Ｑ3に対応するマゼンダの光を発する第３発光素子２０Cと、第１波長域Ｑ1の少なくとも一部および第３波長域Ｑ3の光を透過させる第２カラーフィルター３４Bとを包含する。したがって、第３発光素子２０Cから出射したマゼンダの光のうち第３波長域Ｑ3に属する赤色の成分が画素Ｐ3から光出射側に出射する。
【００２７】
他方、画素Ｐ1は、第１波長域Ｑ1に対応する緑色の光を発する第１発光素子２０Aを包含する。図２の例示では、画素Ｐ1の第１発光素子２０Aの光出射側に第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bを形成した構成が例示されている。
【００２８】
前述の通り、第１波長域Ｑ1の光は、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの双方を透過する。したがって、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの少なくとも一方が、例えば製造誤差等の原因により第１発光素子２０Aに重なり合うように配置されても、第１発光素子２０Aの緑色の出射光は、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bを透過して光出射側に画素Ｐ1から放射される。以上の事情から、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bは、画素Ｐ1に包含される必須の構成要素ではなく任意に包含され得る構成要素として把握される。
【００２９】
以上に説明した通り、第１実施形態では、出射光の波長域が相違する２種類の発光素子２０（第１発光素子２０A／第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０C）と、透過光の波長域が相違する２種類のカラーフィルター３４（第１カラーフィルター３４A／第２カラーフィルター３４B）との組合せにより、相異なる波長の光を放射する３種類の画素Ｐ（Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3）が実現される。
【００３０】
前述の通り、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cは、第２波長域Ｑ2および第３波長域Ｑ3を含むマゼンダの光を出射する。第１実施形態では、以下に詳述する通り、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々の共振構造において、相異なる複数の共振次数ｍに対応する共振（相異なる共振波長λの共振）が並列に発生するように、反射層１４と第２電極（半透過半反射層）Ｅ2との光学的距離Ｄを適切に選定することで、第２波長域Ｑ2および第３波長域Ｑ3に対応するマゼンダの光を生成する。
【００３１】
共振次数ｍと共振波長λと光学的距離Ｄとの関係は以下の数式(1)で表現される。数式(1)の記号φLは反射層１４での反射による位相偏移量を意味し、記号φUは第２電極Ｅ2での反射による位相偏移量を意味する。各位相偏移量φ（φL，φU）は、数式(2)で表現される。数式(2)の記号ｎ1は、反射層１４と第２電極Ｅ2との間の媒質の屈折率を意味し、具体的には光路調整層２２と第１電極Ｅ1と発光機能層２６を含む媒質の全体を均一と仮定した場合の実質的な屈折率に相当する。また、記号ｎ2は、反射層１４または第２電極Ｅ2の屈折率を意味し、記号ｋ2は、反射層１４または第２電極Ｅ2の消衰係数を意味する。
【数１】
0006528370.tif 000002
【数２】
0006528370.tif 000003
【００３２】
図４は、赤色，緑色および青色の各々に対応する共振波長で共振が発生する光学的距離Ｄと共振次数ｍとの関係（数式(1)で表現される関係）を示すグラフである。図４の光学的距離Ｄは、屈折率ｎ1を１.８として計算された数値である。図４から理解される通り、光学的距離Ｄが５５０〜６５０ｎｍに選定された場合には、第２波長域Ｑ2内の青色の波長（４６０ｎｍ）に対応する２次（ｍ＝２）のの共振と、第３波長域Ｑ3内の赤色の波長（６４０ｎｍ）に対応する１次（ｍ＝１）の共振とが並列に発生する。したがって、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々について共振構造の光学的距離Ｄが５５０〜６５０ｎｍとなるように光路調整層２２の膜厚を選定することで、前述の通り、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cからマゼンダの光を放射させることが可能である。以上の説明から理解される通り、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々から発せられる光のスペクトルにおいては、２次（第１共振次数ｍ＝２）の共振に対応するピークが第２波長域Ｑ2に存在するとともに、１次（第２共振次数ｍ＝１）の共振に対応するピークが第３波長域Ｑ3に存在するように、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々における共振構造の光学的距離Ｄが相等しい数値に選定される。なお、図４から理解される通り、光学的距離Ｄが８００〜９００ｎｍに選定された場合には、青色の波長に対応する３次（ｍ＝３）の共振と、赤色の波長に対応する２次（ｍ＝２）の共振とが並列に発生する。したがって、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々の共振構造の光学的距離Ｄを８００〜９００ｎｍに選定した場合にも、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cからマゼンダの光を放射させることが可能である。
【００３３】
以上に説明した通り、第１実施形態では、画素Ｐ1は第１発光素子２０Aが発する緑色の光を出射し、画素Ｐ2は、第２発光素子２０Bが発するマゼンダの光のうち第１カラーフィルター３４Aを透過した青色の光を出力し、画素Ｐ3は、第３発光素子２０Cが発するマゼンダの光のうち第２カラーフィルター３４Bを透過した赤色の光を出力する。すなわち、相異なる波長の光を発する２種類の発光素子２０（２０A／２０B，２０C）と、相異なる波長の光を透過させる２種類のカラーフィルター３４との組合せにより、相異なる波長の光を出射する３種類の画素Ｐ（画素Ｐ1，画素Ｐ2，画素Ｐ3）が実現される。したがって、特許文献１や特許文献２の技術のように３種類のカラーフィルターを利用する構成と比較して、カラーフィルター３４の形成工程や発光装置１００の構成が簡略化されるという利点がある。また、第１実施形態のように発光素子層Ｌ2および波長選択層Ｌ4の双方を単一の基板１０の面上に形成する構成では、例えば各カラーフィルター３４を形成する工程で発生する熱等の影響が形成済の発光素子層Ｌ2まで波及する可能性がある。第１実施形態ではカラーフィルター３４が２種類であるから、３種類のカラーフィルターを形成する場合と比較すると、カラーフィルター４５を形成する工程が発光素子層Ｌ2に及ぼす影響が低減されるという利点もある。
【００３４】
また、第１カラーフィルター３４Aは、第２波長域Ｑ2に加えて第１波長域Ｑ1の光を透過させ、第２カラーフィルター３４Bは、第３波長域Ｑ3に加えて第１波長域Ｑ1の光を透過させる。したがって、図２の例示のように第１発光素子２０Aの光出射側に第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bを形成した構成でも、第１発光素子２０Aから出射した第１波長域Ｑ1の緑色の光は第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bを透過して光出射側に出射する。以上の説明から理解される通り、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bは、第２発光素子２０Bや第３発光素子２０Bに重なる領域から第１発光素子２０Aに重なる領域まで誤差が許容される。すなわち、第１実施形態によれば、第１カラーフィルター３４Aや第２カラーフィルター３４Bが第１波長域Ｑ1の光を透過しない構成と比較して、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの誤差の許容範囲が拡大される（形成精度の条件が緩和される）。したがって、以上の観点からしても、第１実施形態によれば、カラーフィルターの形成工程を簡略化することが可能である。
【００３５】
また、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０Bと第３発光素子２０Cとは、相互に対向する反射層１４および第２電極Ｅ2と、反射層１４と第２電極Ｅ2との間に位置する発光機能層２６とを含む共振構造を有するから、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０Bと第３発光素子２０Cとにわたり発光機能層２６の発光色を共通化することが可能である。したがって、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０B（および第３発光素子２０C）とで発光機能層２６を相異なる発光色の材料で別個に形成する構成と比較して構成が簡素化されるという利点がある。
【００３６】
第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの共振構造では、光学的距離Ｄを５５０〜６５０ｎｍに選定することで、共振次数ｍ（ｍ＝２）に対応して共振波長が第２波長域Ｑ2に存在する共振が発生するとともに、共振次数ｍ（ｍ＝１）に対応して共振波長が第２波長域Ｑ2に存在する共振が並列に発生するから、マゼンダの光を容易に生成することが可能である。光学的距離Ｄが８００〜９００ｎｍに選定された場合も同様である。
【００３７】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態では、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの出射光を、第２波長域Ｑ2に共振波長が包含される共振と、第３波長域に共振波長が包含される共振とが並列に発生する共振構造により生成した。第２実施形態では、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cから、第２波長域Ｑ2と第３波長域Ｑ3とに跨る１個のピークを包含するスペクトルの光を発生させる。なお、以下に例示する各形態において、作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００３８】
図５は、第２実施形態の発光装置１００の断面図であり、図６は、各発光素子２０が発する光の分光特性である。図５および図６に例示される通り、第１発光素子２０Aは、赤色（Ｒ）に対応する第１波長域Ｑ1（具体的には６２０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の光を発する。他方、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cは、青色（Ｂ）に対応する第２波長域Ｑ2と緑色（Ｇ）に対応する第３波長域Ｑ3とを含む第４波長域Ｑ4の光、すなわちシアンの光を発する。
【００３９】
図６には、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの透過率特性が図示されている。図６から理解される通り、第１カラーフィルター３４Aは、第１波長域Ｑ1および第２波長域Ｑ2の光を透過させる（第３波長域Ｑ3の光を吸収する）マゼンダ（Ｍ）の着色層である。第２カラーフィルター３４Bは、第１波長域Ｑ1および第３波長域Ｑ3の光を透過させる（第２波長域Ｑ2の光（Ｂ）を吸収する）イエロー（Ｙ）の着色層である。
【００４０】
図５に例示される通り、画素Ｐ1の第１発光素子２０Aから出射した赤色の光は光出射側に透過する。画素Ｐ2の第２発光素子２０Bから出射したシアンの光のうちマゼンダの第１カラーフィルター３４Aを透過した青色の光が光出射側に出射し、画素Ｐ3の第３発光素子２０Cから出射したシアンの光のうちイエローの第２カラーフィルター３４Bを透過した緑色の光が光出射側に出射する。すなわち、第２実施形態においても、相異なる波長の光を発する２種類の発光素子２０と、相異なる波長の光を透過させる２種類のカラーフィルター３４（３４A，３４B）との組合せにより、相異なる波長の光を出射する３種類の画素Ｐ（画素Ｐ1，画素Ｐ2，画素Ｐ3）が実現される。したがって、第１実施形態と同様の効果が実現される。
【００４１】
図６に例示される通り、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの共振構造では、第４波長域Ｑ4のシアンの光のスペクトルが第２波長域Ｑ2（Ｂ）と第３波長域Ｑ3（Ｇ）とに跨って１個のピークを包含するように光学的距離Ｄ（光路調整層２２の膜厚）が選定される。具体的には、図６に例示される通り、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cからの出射光のスペクトルには、第２波長域Ｑ2と第３波長域Ｑ3との境界付近にピークが存在する。したがって、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cからのシアンの出射光のスペクトルが、例えば図６に破線で図示されるように第２波長域Ｑ2と第３波長域Ｑ3との境界の近傍の狭い範囲のみに分布する構成では、第１カラーフィルター３４Aを透過する光量（画素Ｐ2の輝度）や第２カラーフィルター３４Bを透過する光量（画素Ｐ3の輝度）を充分に確保することが困難である。
【００４２】
以上の事情を考慮して、第２実施形態では、図６から理解される通り、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cから出射されるシアンの光のスペクトルが、第２波長域Ｑ2と第３波長域Ｑ3との双方を含む広範囲に分布するように、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々の共振構造を構成する各要素の寸法や光学特性を選定する。具体的には、シアンの光のスペクトルの半値幅が５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるように、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々の共振構造が構成される。第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cが発するシアンの光のスペクトルを広範囲に（例えば半値幅が５０ｎｍから１００ｎｍの範囲内となるように）分布させる具体的な構成について以下に説明する。
【００４３】
各発光素子２０の共振構造では、共振次数ｍが大きいほど出射光のスペクトルの分布範囲が狭まるという傾向がある。以上の傾向を考慮して、２以下の共振次数ｍ（ｍ≦２）に対応した共振が発生するように、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの共振構造における光学的距離Ｄを選定することで、シアンの光のスペクトルの半値幅を５０ｎｍから１００ｎｍの範囲に調整することができる。
【００４４】
また、共振構造では、第２電極（半透過半反射層）Ｅ2の膜厚が厚いほど、半透過半反射層の反射率が増加して出射光のスペクトルの分布範囲が狭まるという傾向がある。以上の傾向を考慮して、第２電極Ｅ2の膜厚を２ｎｍ以上１０ｎｍ以下に構成することで、シアンの光のスペクトルの半値幅を５０ｎｍから１００ｎｍの範囲に調整することができる。
【００４５】
以上に説明した通り、第２実施形態では、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cが発するシアンの光のスペクトルは、第２波長域Ｑ2と第３波長域Ｑ3とに跨る１個のピークを包含するように生成する。具体的には、シアンの光のスペクトルが広範囲に分布するように半値幅が５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるように構成されるから、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bを透過する光量が十分に確保され、図６に破線で図示された対比例と比較して画素Ｐ2や画素Ｐ3の輝度を十分に確保することが可能である。
【００４６】
なお、以上の説明では、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cから出射されるシアンの光のスペクトルが、第２波長域Ｑ2と第３波長域Ｑ3とに跨る１個のピークを包含する構成を例示したが、第２波長域Ｑ2および第３波長域Ｑ3の各々にスペクトルのピークが存在するシアンの光を第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cが出射する構成も採用され得る。例えば、図４を参照して説明した第１実施形態の例示と同様に、第２波長域Ｑ2内の共振波長による共振と第３波長域Ｑ3内の共振波長による共振とが並列に発生するように、第２発光素子２０Bおよび第３発光素子２０Cの各々の共振構造における光学的距離Ｄが選定される。
【００４７】
＜変形例＞
以上に例示した形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は適宜に併合され得る。
【００４８】
（１）前述の各形態では、第１発光素子２０Aに第１カラーフィルター３４Aや第２カラーフィルター３４Bが重なる構成を例示したが、図７に例示される通り、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bが第１発光素子２０Aに重ならない構成や、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの一方のみが第１発光素子２０Aに重なる構成も採用され得る。第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bが第１発光素子２０Aに重ならない構成では、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bは第１波長域Ｑ1の光を透過させなくてもよく、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの一方のみが第１発光素子２０Aに重なる構成では、他方は第１波長域Ｑ1の光を透過させなくてもよい。
【００４９】
（２）前述の通り、第１発光素子２０Aに第１カラーフィルター３４Aや第２カラーフィルター３４Bが重なる場合でも第１発光素子２０Aからの出射光には影響しない。しかし、第１カラーフィルター３４Aが第３発光素子２０Cに重なる場合には、第３発光素子２０Cからの出射される第３波長域Ｑ3の光が第１カラーフィルター３４Aにより阻害され、第２カラーフィルター３４Bが第２発光素子２０Bに重なる場合には、第２発光素子２０Bから出射される第２波長域Ｑ2の光が第２カラーフィルター３４Bにより阻害されるから、赤色，青色および緑色の色再現性が低下するという問題がある。以上の事情を考慮すると、第１カラーフィルター３４Aと第３発光素子２０Cとの重複や、第２カラーフィルター３４Bと第２発光素子２０Bとの重複を防止するための構成を採用することが望ましい。具体的には以下の通りである。
【００５０】
［態様Ａ］
図８は、変形例の態様Ａに係る発光装置１００の断面図である。図８に例示される通り、平面視で画素Ｐ2と画素Ｐ3との間の領域には、第１カラーフィルター３４Aと第２カラーフィルター３４Bとの間に隔壁３６が形成される。図８の構成によれば、画素Ｐ2と画素Ｐ3との間で第１カラーフィルター３４Aと第２カラーフィルター３４Bとが隔壁３６により隔絶されるから、第１カラーフィルター３４Aと第３発光素子２０Cとの重複や、第２カラーフィルター３４Bと第２発光素子２０Bとの重複を防止することが可能である。
【００５１】
［態様Ｂ］
図９は、変形例の態様Ｂに係る発光装置１００の断面図である。図９に例示される通り、第２発光素子２０Bと第３発光素子２０Cとの間隔（画素Ｐ2と画素Ｐ3との間隔）Ｄ2は、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０Bとの間隔Ｄ1、および、第１発光素子２０Aと第３発光素子２０Cとの間隔Ｄ1よりも大きくなるように、各発光素子２０の平面的な位置が選定される。図９の構成でも、図８の態様Ａと同様に、第１カラーフィルター３４Aと第３発光素子２０Cとの重複や、第２カラーフィルター３４Bと第２発光素子２０Bとの重複を防止することが可能である。
【００５２】
（３）前述の各形態では、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０Bと第３発光素子２０Cとで、発光機能層２６の発光色を共通の白色光とした構成を例示したが、第１発光素子２０Aと第２発光素子２０B（または第３発光素子２０C）とについて発光機能層２６の発光層を相異なる発光色の材料で形成することも可能である。
【００５３】
（４）前述の各形態では、図１に例示される通り、同色の画素Ｐ（Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3）がＹ方向に沿って配列する構成（ストライプ配列）を例示したが、各色の画素Ｐの配列はストライプ配列に限定されない。具体的には、複数の画素Ｐを以下のように配列することも可能である。なお、以下の例示では、緑色またはマゼンダの光を出射する発光素子２０とシアンまたはイエローの光を透過させるカラーフィルター３４とを組合せた第１実施形態の例示を想定するが、各発光素子２０の出射光の波長域と各カラーフィルター３４の透過光の波長域との組合せは、第２実施形態の例示のように適宜に変更され得る。
【００５４】
図１０には、Ｘ方向に沿う複数の画素Ｐの集合（以下「行」という）における各画素Ｐの色の配列が１行毎に画素Ｐの１個分ずつＸ方向にずれるように各色の画素Ｐを配列したモザイク配列が例示されている。また、図１１には、相互に隣合う行間で各色の配列が画素Ｐの１/２個分だけＸ方向にずれるように各色の画素Ｐを配列したデルタ配列が例示されている。
【００５５】
図１２には、複数の第１カラーフィルター３４AをＸ方向に延在する帯状（直線状）に形成するとともに複数の第２カラーフィルター３４BをＹ方向に延在する帯状に形成した構成が例示されている。複数の第１カラーフィルター３４Aは、画素Ｐの１個分の間隔をあけてＹ方向に並列され、複数の第２カラーフィルター３４Bは、画素Ｐの１個分の間隔をあけてＸ方向に並列される。第２発光素子２０Bと第１カラーフィルター３４Aとが重複する領域は青色の画素Ｐ2に相当し、第３発光素子２０Cと第２カラーフィルター３４Bとが重複する領域は赤色の画素Ｐ3に相当する。他方、第１発光素子２０Aと第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bとが重複する領域は緑色の画素Ｐ1に相当する。また、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの何れにも重複しない領域には第１発光素子２０Aが形成され、緑色の画素Ｐ1として機能する。なお、図１３に例示される通り、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bの何れにも重複しない領域にマゼンダの第２発光素子２０B（または第３発光素子２０C）を形成することでマゼンダの画素Ｐ4として利用することも可能である。図１２や図１３の構成によれば、第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bが単純な帯状に形成されるから、カラーフィルター３４の形成工程が簡略化されるという利点がある。
【００５６】
ところで、図１０や図１１の例示のように各画素Ｐの外形に対応する平面形状にカラーフィルター３４（３４A，３４B）を形成する構成では、各カラーフィルター３４のうち画素Ｐの四隅に対応する角部を高精度に形成することが困難であり、図１４に例示されるようにカラーフィルター３４の角部が円弧状となり、結果的に各画素Ｐの開口率が低下するという問題がある。前述の各形態のように各発光素子２０（発光素子層Ｌ2）の形成後にカラーフィルター３４を形成する構成では、加熱による発光機能層２６の劣化を抑制するために低温の環境下でカラーフィルター３４を形成する必要があるが、カラーフィルター３４の隅部が円弧状となる問題は低温の環境下で特に顕在化する。図１２や図１３（および後掲の図１５）のように第１カラーフィルター３４Aおよび第２カラーフィルター３４Bを単純な帯状に形成する構成では、画素Ｐの形状に対応した角部をカラーフィルター３４に形成する必要がないから、図１４を参照して説明した隅部が円弧状となる問題が解消され、結果的に各画素Ｐの開口率を充分に確保できるという利点がある。
【００５７】
図１５には、Ｘ方向に沿って延在する帯状の第１カラーフィルター３４AとＸ方向に沿って延在する帯状の第２カラーフィルター３４BとをＹ方向に交互に配列した構成が例示されている。図１５の構成でも図１２や図１３と同様に、第２発光素子２０Bと第１カラーフィルター３４Aとが重複する領域が青色の画素Ｐ2に相当し、第３発光素子２０Cと第２カラーフィルター３４Bとが重複する領域が赤色の画素Ｐ3に相当する。また、第１発光素子２０Aと第１カラーフィルター３４Aまたは第２カラーフィルター３４Bとが重複する領域が緑色の画素Ｐ1に相当する。図１５の構成では、Ｙ方向に隣合う２個の画素Ｐ1の間（例えば図１５の領域α）で第１発光素子２０Aを相互に連続させることが可能である。したがって、開口率を高めること（高輝度化）が可能であるという利点がある。
【００５８】
（５）前述の各形態では、発光機能層２６（発光層）に電流を供給するための第２電極Ｅ2を共振構造の半透過半反射層として利用したが、第２電極Ｅ2を例えば光透過性の導電材料で形成し、共振構造の半透過半反射層を第２電極Ｅ2とは別個に形成することも可能である。また、前述の各形態では、共振構造の反射層１４を第１電極Ｅ1とは別個に形成したが、光反射性の導電材料で第１電極Ｅ1を形成することで共振構造の反射層として利用することも可能である。
【００５９】
（６）前述の各形態では、素子形成層Ｌ1と発光素子層Ｌ2と封止層Ｌ3と波長選択層Ｌ4とを基板１０の面上に積層したが、素子形成層Ｌ1と発光素子層Ｌ2と封止層Ｌ3とを基板１０の面上に積層する一方、基板１０に対向した状態で接合される他の基板の面上（例えば基板１０との対向面）に波長選択層Ｌ4を形成することも可能である。
【００６０】
＜電子機器＞
前述の各形態に例示した発光装置１００は各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図１６には、前述の各形態に例示した発光装置１００を利用した頭部装着型の表示装置（HMD：Head Mounted Display）９０が電子機器として例示されている。
【００６１】
表示装置９０は、利用者の頭部に装着可能な電子機器であり、利用者の左眼に重なる透過部（レンズ）９２Lと、利用者の右眼に重なる透過部９２Rと、左眼用の発光装置１００Lおよびハーフミラー９４Lと、右眼用の発光装置１００Rおよびハーフミラー９４Rとを具備する。発光装置１００Lと発光装置１００Rとは、出射光が相互に反対の方向に進行するように配置される。左眼用のハーフミラー９４Lは、透過部９２Lの透過光を利用者の左眼側に透過させるとともに、発光装置１００Lからの出射光を利用者の左眼側に反射させる。同様に、右眼用のハーフミラー９４Rは、透過部９２Rの透過光を利用者の右眼側に透過させるとともに発光装置１００Rからの出射光を利用者の右眼側に反射させる。したがって、利用者は、透過部９２Lおよび透過部９２Rを介して観察される像と各発光装置１００による表示画像とを重畳した画像を知覚する。また、相互に視差が付与された立体視画像（左眼用画像および右眼用画像）を発光装置１００Lと発光装置１００Rとに表示させることで、利用者に表示画像の立体感を知覚させることが可能である。
【００６２】
なお、前述の各形態の発光装置１００が適用される電子機器は図１６の表示装置９０に限定されない。例えば、ビデオカメラやスチルカメラ等の撮像装置に利用される電子式ビューファインダー（EVF：Electronic View Finder）にも本発明の発光装置が好適に利用される。また、携帯電話機、携帯情報端末（スマートフォン）、テレビやパーソナルコンピューター等のモニター、カーナビゲーション装置等の各種の電子機器に本発明の発光装置を採用することが可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０……基板、１００……発光装置、１４……反射層、２０A……第１発光素子、２０B……第２発光素子、２０C……第３発光素子、２２……光路調整層、２４……画素定義層、２６……発光機能層、３４A……第１カラーフィルター、３４B……第２カラーフィルター、３６……隔壁、Ａ……表示領域、Ｅ1……第１電極、Ｅ2……第２電極、Ｌ1……素子形成層、Ｌ2……発光素子層、Ｌ3……封止層、Ｌ4……波長選択層、Ｐ（Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3）……画素、Ｑ1……第１波長域、Ｑ2……第２波長域、Ｑ3……第３波長域、Ｑ4……第４波長域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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