(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理する方法であって、該被処理体は、被処理層と該被処理層の主面に設けられたマスクとを備え、該方法は、
前記マスクのパターンの溝幅を調節する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記マスクを用いて前記被処理層をエッチングする第２の工程と、
を備え、
前記主面は、当該方法において複数の領域に区分けされており、
前記第１の工程は、
前記溝幅の値を当該方法において区分けされた複数の領域ごとに測定する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、該第３の工程で測定された前記溝幅の値から該溝幅の基準値を差し引いた正の差分値を、前記複数の領域ごとに算出する第４の工程と、
前記第４の工程の実行後に、該第４の工程で算出された前記複数の領域ごとの前記差分値の膜厚の膜を、プラズマ処理装置の処理容器内に搬入された前記被処理体の前記マスクの表面に形成する第５の工程と、
を備え、
前記第５の工程は、
前記処理容器内に第１のガスを供給する第６の工程と、
前記第６の工程の実行後に、前記処理容器内をパージする第７の工程と、
前記第７の工程の実行後に、前記処理容器内で第２のガスのプラズマを生成する第８の工程と、
前記第８の工程の実行後に、前記処理容器内をパージする第９の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行する膜形成処理において前記被処理層の温度と該被処理層上の前記マスクの前記表面に堆積する膜の膜厚との対応を示す予め取得された対応データと、前記第４の工程において前記複数の領域ごとに算出された前記差分値に対応する膜厚とを用いて、該複数の領域ごとに、前記処理容器内に搬入された前記被処理体の該被処理層の温度を調節する第１０の工程と、
前記第１０の工程の実行後に、前記膜形成処理を実行して、前記被処理層上の前記マスクの前記表面に膜を形成する第１１の工程と、
を備え、
前記第６の工程で要する処理時間は、該第６の工程において前記被処理層上の前記マスクの前記表面に堆積する膜の膜厚が該被処理層の温度の高低に応じて増減する状態となる時間内にあり、
前記第１のガスは、アミノシラン系ガスを含み、
前記第２のガスは、酸素原子および炭素原子を含有するガスを含む、
方法。
【請求項２】
前記第１０の工程は、前記処理容器内に搬入された前記被処理体の前記被処理層における前記複数の領域ごとの温度が、前記第４の工程において該複数の領域ごとに算出された前記差分値の膜厚に対応する温度となるように、該複数の領域ごとに該被処理層の温度を、前記対応データに基づいて調節する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第５の工程は、前記複数の領域によらずに前記マスクの前記表面に対しコンフォーマルに膜を形成する第１２の工程を備え、
前記第１０の工程は、前記処理容器内に搬入された前記被処理体の前記被処理層における前記複数の領域ごとの温度が、前記第４の工程において該複数の領域ごとに算出された前記差分値の膜厚から前記第１２の工程でコンフォーマルに形成される膜の膜厚を差し引いた値に対応する温度となるように、該複数の領域ごとに該被処理層の温度を前記対応データに基づいて調節し、
前記第１２の工程は、前記第１０の工程の前または前記膜形成処理の後に行われる、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の工程は、前記第５の工程の実行後に前記第３の工程および前記第４の工程を再実行し、この再実行によって該第４の工程で算出された差分値が予め設定された基準範囲を満たさない場合に、前記第５の工程を再実行する、
請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のガスは、モノアミノシランを含む、
請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のガスのアミノシラン系ガスは、１〜３個のケイ素原子を有するアミノシランを含む、
請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のガスのアミノシラン系ガスは、１〜３個のアミノ基を有するアミノシランを含む、
請求項１〜４、６の何れか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、被処理体を処理する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスといった電子デバイスの製造プロセスでは、被処理層上にマスクを形成し、当該マスクのパターンを当該被処理層に転写するためにエッチングが行われる。マスクとしては、一般的に、レジストマスクが用いられる。レジストマスクは、フォトリソグラフィ技術によって形成される。従って、被エッチング層に形成されるパターンの限界寸法は、フォトリソグラフィ技術によって形成されるレジストマスクの解像限界や、パターン密度等によって影響を受けるが、近年では、電子デバイスの高集積化に伴い、レジストマスクの解像限界よりも小さい寸法のパターンを形成することが要求されるようになっている。このため、特許文献１に記載されているように、レジストマスク上にシリコン酸化膜を形成することによって、当該レジストマスクの寸法を調整し、当該レジストマスクによって提供される開口の幅を縮小する技術が提案されている。
【０００３】
特許文献１に開示されている微細パターン形成方法では、微細パターンを形成しようとする物質膜上にフォトレジストパターンを形成し、その上にシリコン酸化膜を蒸着するが、下部のフォトレジストパターンに損傷を加えずにコンフォーマルに薄く形成しなければならない。さらにこの後に、下部膜に対してドライエッチングを実施するが、初期にはフォトレジストパターンの側壁にスペーサを形成し、次にフォトレジストパターン上にポリマー膜を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−８００３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
レジストマスクの解像限界よりも小さな寸法をもったパターンを形成する場合、パターンの溝の高詳細な最小線幅（CD：Critical  Dimension）の制御が要求される。パターンが詳細であるほど、最小線幅のバラつきの影響が大きくなる。従って、被処理体上のパターン形成においては、高集積化に伴う微細化のために、高精度の最小線幅のバラつきを抑制する方法の実現が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様においては、被処理体を処理する方法が提供される。被処理体は、被処理層と被処理層の主面に設けられたマスクとを備える。この方法は、マスクのパターンの溝幅を調節する第１の工程と、第１の工程の実行後に、マスクを用いて被処理層をエッチングする第２の工程と、を備える。主面は、当該方法において複数の領域に区分けされており、第１の工程は、溝幅の値を当該方法において区分けされた複数の領域ごとに測定する第３の工程と、第３の工程の実行後に、第３の工程で測定された溝幅の値から溝幅の基準値を差し引いた正の差分値を、複数の領域ごとに算出する第４の工程と、第４の工程の実行後に、第４の工程で算出された複数の領域ごとの差分値の膜厚の膜を、プラズマ処理装置の処理容器内に搬入された被処理体のマスクの表面に形成する第５の工程と、を備える。第５の工程は、処理容器内に第１のガスを供給する第６の工程と、第６の工程の実行後に、処理容器内をパージする第７の工程と、第７の工程の実行後に、処理容器内で第２のガスのプラズマを生成する第８の工程と、第８の工程の実行後に、処理容器内をパージする第９の工程と、を含むシーケンスを繰り返し実行する膜形成処理において被処理層の温度と被処理層上のマスクの表面に堆積する膜の膜厚との対応を示す予め取得された対応データと、第４の工程において複数の領域ごとに算出された差分値に対応する膜厚とを用いて、複数の領域ごとに、処理容器内に搬入された被処理体の被処理層の温度を調節する第１０の工程と、第１０の工程の実行後に、膜形成処理を実行して、被処理層上のマスクの表面に膜を形成する第１１の工程と、を備える。第６の工程で要する処理時間は、第６の工程において被処理層上のマスクの表面に堆積する膜の膜厚が被処理層の温度の高低に応じて増減する状態となる時間内にあり、第１のガスは、アミノシラン系ガスを含み、第２のガスは、酸素原子および炭素原子を含有するガスを含むことができる。
【０００７】
上記方法では、被処理層をエッチングする第２の工程の前に、マスクのパターンの溝幅を調節する第１の工程を実施する。第１の工程では、被処理層の主面を複数の領域に区分けし、第３の工程および第４の工程ではマスクの溝幅と当該溝幅の基準値との差分値を複数の領域ごとに算出し、第５の工程では当該差分値に対応する膜厚の膜をマスクに形成して複数の領域ごとにマスクの溝幅を当該基準値に補正する。第５の工程では、第６の工程〜第９の工程を繰り返し実行する膜形成処理を用いてＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）法と同様の方法によってマスクに膜を原子層ごとに高詳細に形成する。膜形成処理で形成される膜の膜厚は被処理層の温度に応じて異なるので、第１０の工程では、被処理層の温度と形成する膜の膜厚との対応を示す対応データを用いて、複数の領域ごとに、第４の工程で算出した差分値に対応する膜厚の膜の形成に必要な温度となるように、被処理層の温度を調節する。このように、第２の工程で行うエッチングの前に、被処理層の主面の複数の領域ごとに、マスクの溝の補正量に対応する膜厚が決定され、当該膜厚の形成に必要な被処理層の温度が対応データを用いて決定され、複数の領域ごとに決定された温度で被処理層の温度が調節された状態で、ＡＬＤ法と同様の膜形成処理が行われるので、マスクのパターンのバラつきが被処理層の主面の複数の領域ごとに詳細且つ十分に抑制され得る。
【０００８】
一実施形態では、第１０の工程は、処理容器内に搬入された被処理体の被処理層における複数の領域ごとの温度が、第４の工程において複数の領域ごとに算出された差分値の膜厚に対応する温度となるように、複数の領域ごとに被処理層の温度を、対応データに基づいて調節する。
【０００９】
一実施形態では、第５の工程は、複数の領域によらずにマスクの表面に対しコンフォーマルに膜を形成する第１２の工程を備え、第１０の工程は、処理容器内に搬入された被処理体の被処理層における複数の領域ごとの温度が、第４の工程において複数の領域ごとに算出された差分値の膜厚から第１２の工程でコンフォーマルに形成される膜の膜厚を差し引いた値に対応する温度となるように、複数の領域ごとに被処理層の温度を対応データに基づいて調節し、第１２の工程は、第１０の工程の前または膜形成処理の後に行われる。このように、複数の領域ごとの膜厚のうち共通の膜厚については、複数の領域ごとに行う被処理層の温度の調節を経ずに、部分的に膜の形成が可能となる。
【００１０】
一実施形態では、第１の工程は、第５の工程の実行後に第３の工程および第４の工程を再実行し、この再実行によって第４の工程で算出された差分値が予め設定された基準範囲を満たさない場合に、第５の工程を再実行する。このように、第５の工程によって膜の形成を行った後に、マスクの溝幅の差分値を再度算出して差分値が基準範囲にあるか否かを判定し、差分値が基準範囲にない場合には、膜の形成を再度行うので、マスクの溝幅のバラつきがさらに十分に抑制され得る。
【００１１】
一実施形態では、第１のガスのアミノシラン系ガスは、１〜３個のケイ素原子を有するアミノシランを含み得る。第１のガスのアミノシラン系ガスは、１〜３個のアミノ基を有するアミノシランを含み得る。このように第１のガスのアミノシラン系ガスには、１〜３個のケイ素原子を含むアミノシランを用いることができる。また、第１のガスのアミノシラン系ガスには、１〜３個のアミノ基を含むアミノシランを用いることができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、被処理体上のパターン形成において、高精度の最小線幅のバラつきを抑制する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、一実施形態に係る被処理体を処理する方法を示す流図である。
【図２】図２は、図１に示す方法の適用対象である被処理体を例示する断面図である。
【図３】図３は、図１に示す方法の実施に用いることが可能な処理システムの一例を示す図である。
【図４】図４は、図３に示す処理システムが備えることが可能なプラズマ処理装置の一例を示す図である。
【図５】図５は、図１に示す方法に含まれ得る工程であって、エッチング前のパターンの溝幅の調節処理の工程の一例を示す流図である。
【図６】図６は、（ａ）部および（ｂ）部を備え、図６の（ａ）部は、図５に示す工程の実施前の被処理体の状態を示す断面図であり、図６の（ｂ）部は、図５に示す工程の実施後の被処理体の状態を示す断面図である。
【図７】図７は、一実施形態に係る被処理体を処理する方法において区分けされた被処理体の主面の複数の領域の一部を、一例として模式的に示す図である。
【図８】図８は、図５に示す工程の一部の工程であって、パターンの溝幅を調節する工程の一例を示す流図である。
【図９】図９は、図８に示す工程に含まれ得る工程であって、被処理体の主面で均一な膜を形成する工程の一例を示す流図である。
【図１０】図１０は、（ａ）部、（ｂ）部、および（ｃ）部を備え、図１０の（ａ）部は、例えば、図８および図９のそれぞれに示すシーケンスの実行前の被処理体の状態を模式的に示す図であり、図１０の（ｂ）部は、図８および図９のそれぞれに示すシーケンスの実行中の被処理体の状態を模式的に示すであり、図１０の（ｃ）部は、図８および図９のそれぞれに示すシーケンスの実行後の被処理体の状態を模式に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１５】
図１は、一実施形態に係る被処理体を処理する方法を示す流図である。図１に示す方法ＭＴは、被処理体を処理する方法の一実施形態である。図２は、図１に示す方法ＭＴの適用対象である被処理体（以下、ウエハＷという）を例示する断面図である。図２に示すウエハＷは、基板ＢＡ、被エッチング層ＥＬ２、被エッチング層ＥＬ１、有機膜ＯＬ、反射防止膜ＡＬ、および、マスクＭＫを有している。
【００１６】
被エッチング層ＥＬ２は、基板ＢＡ上に設けられている。被エッチング層ＥＬ１は、被エッチング層ＥＬ２上に設けられている。被エッチング層ＥＬ１および被エッチング層ＥＬ２は、シリコンを含有する層であり、例えば、アモルファスシリコン層または多結晶シリコン層である。有機膜ＯＬは、有機材料から構成された膜であり、被エッチング層ＥＬ１上に設けられている。反射防止膜ＡＬは、Ｓｉ含有反射防止膜であり、有機膜ＯＬ上に設けられている。マスクＭＫは、反射防止膜ＡＬ上であって、ウエハＷの主面ＦＷに設けられている。マスクＭＫは、有機材料から構成されたマスクであり、例えば、レジストマスクである。マスクＭＫには、開口を提供するパターンがフォトリソグラフィによって形成されている。
【００１７】
方法ＭＴ（被処理体を処理する方法）は、プラズマ処理装置を有する処理システムによって実行される。図３は、図１に示す方法ＭＴの実施に用いることが可能な処理システムの一例を示す図である。図３に示す処理システム１は、制御部Ｃｎｔ、台１２２ａ、台１２２ｂ、台１２２ｃ、台１２２ｄ、収容容器１２４ａ、収容容器１２４ｂ、収容容器１２４ｃ、収容容器１２４ｄ、ローダモジュールＬＭ、ロードロックチャンバＬＬ１、ロードロックチャンバＬＬ２、トランスファーチャンバ１２１、プラズマ処理装置１０を備えている。
【００１８】
制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、処理システム１の後述する各部を制御する。制御部Ｃｎｔは、搬送ロボットＲｂ１、搬送ロボットＲｂ２、光学観察装置ＯＣ、プラズマ処理装置１０等に接続されており、更に、後述する図４に示すプラズマ処理装置１０においては、バルブ群４２、流量制御器群４４、排気装置５０、第１の高周波電源６２、整合器６６、第２の高周波電源６４、整合器６８、電源７０、ヒータ電源ＨＰ、チラーユニット等に接続されている。
【００１９】
制御部Ｃｎｔは、方法ＭＴの各工程において処理システム１の各部を制御するためのコンピュータプログラム（入力されたレシピに基づくプログラム）に従って動作し、制御信号を送出する。制御部Ｃｎｔからの制御信号により、処理システム１の各部、例えば、搬送ロボットＲｂ１，Ｒｂ２、光学観察装置ＯＣ、および、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。図４に示すプラズマ処理装置１０においては、制御部Ｃｎｔからの制御信号により、ガスソース群４０から供給されるガスの選択および流量、排気装置５０の排気、第１の高周波電源６２および第２の高周波電源６４からの電力供給、電源７０からの電圧印加、ヒータ電源ＨＰの電力供給、チラーユニットからの冷媒流量および冷媒温度を制御することが可能である。なお、本明細書において開示される被処理体を処理する方法ＭＴの各工程は、制御部Ｃｎｔによる制御によって処理システム１の各部を動作させることによって実行され得る。制御部Ｃｎｔの記憶部には、方法ＭＴを実行するためのコンピュータプログラム、および、方法ＭＴの実行に用いられる各種のデータ（例えば、後述する対応データＤＴ）が、読出し自在に格納されている。
【００２０】
台１２２ａ〜１２２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。台１２２ａ〜１２２ｄのそれぞれの上には、収容容器１２４ａ〜１２４ｄがそれぞれ設けられている。収容容器１２４ａ〜１２４ｄ内には、ウエハＷが収容され得る。
【００２１】
ローダモジュールＬＭ内には、搬送ロボットＲｂ１が設けられている。搬送ロボットＲｂ１は、収容容器１２４ａ〜１２４ｄの何れかに収容されているウエハＷを取り出して、ウエハＷを、ロードロックチャンバＬＬ１またはＬＬ２に搬送する。
【００２２】
ロードロックチャンバＬＬ１およびＬＬ２は、ローダモジュールＬＭの別の一縁に沿って設けられており、ローダモジュールＬＭに接続されている。ロードロックチャンバＬＬ１およびＬＬ２は、予備減圧室を構成している。ロードロックチャンバＬＬ１およびＬＬ２は、トランスファーチャンバ１２１にそれぞれ接続されている。
【００２３】
トランスファーチャンバ１２１は、減圧可能なチャンバであり、トランスファーチャンバ１２１内には搬送ロボットＲｂ２が設けられている。トランスファーチャンバ１２１には、プラズマ処理装置１０が接続されている。搬送ロボットＲｂ２は、ロードロックチャンバＬＬ１またはロードロックチャンバＬＬ２からウエハＷを取り出して、当該ウエハＷをプラズマ処理装置１０に搬送する。
【００２４】
処理システム１は、光学観察装置ＯＣを備える。ウエハＷは、搬送ロボットＲｂ１および搬送ロボットＲｂ２によって、光学観察装置ＯＣとプラズマ処理装置１０との間で移動され得る。搬送ロボットＲｂ１によってウエハＷが光学観察装置ＯＣ内に収容され、光学観察装置ＯＣ内においてウエハＷの位置合わせが行われた後に、光学観察装置ＯＣは、ウエハＷのマスク（例えばマスクＭＫ等）のパターンの溝幅を測定し、測定結果を制御部Ｃｎｔに送信する。光学観察装置ＯＣでは、主面ＦＷの複数の領域ＥＲ（後述）ごとに、マスクのパターンの溝幅が測定され得る。
【００２５】
図４は、図３に示す処理システムが備えることが可能なプラズマ処理装置の一例を示す図である。図４には、被処理体を処理する方法ＭＴの種々の実施形態で利用可能なプラズマ処理装置１０の断面構造が概略的に示されている。
【００２６】
図４に示すように、プラズマ処理装置１０は、平行平板の電極を備えるプラズマエッチング装置であり、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、処理空間Ｓｐを画定する。処理容器１２は、例えば、アルミニウムから構成されており、その内壁面には陽極酸化処理が施されている。処理容器１２は保安接地されている。
【００２７】
処理容器１２の底部上には、略円筒状の支持部１４が設けられている。支持部１４は、例えば、絶縁材料から構成されている。支持部１４を構成する絶縁材料は、石英のように酸素を含み得る。支持部１４は、処理容器１２内において、処理容器１２の底部から鉛直方向に延在している。処理容器１２内には、載置台ＰＤが設けられている。載置台ＰＤは、支持部１４によって支持されている。
【００２８】
載置台ＰＤは、載置台ＰＤの上面においてウエハＷを保持する。ウエハＷの主面ＦＷは、載置台ＰＤの上面に接触するウエハＷの裏面の反対側にあり、上部電極３０に向いている。載置台ＰＤは、下部電極ＬＥおよび静電チャックＥＳＣを有している。下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａおよび第２プレート１８ｂを含んでいる。第１プレート１８ａおよび第２プレート１８ｂは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａ上に設けられており、第１プレート１８ａに電気的に接続されている。
【００２９】
第２プレート１８ｂ上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極を、一対の絶縁層の間または一対の絶縁シートの間に配置した構造を有している。静電チャックＥＳＣの電極には、直流電源２２がスイッチ２３を介して電気的に接続されている。ウエハＷは、載置台ＰＤに載置されている場合に、静電チャックＥＳＣに接する。ウエハＷの裏面（主面ＦＷの反対側の面）は、静電チャックＥＳＣに接する。静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧により生じるクーロン力等の静電力によりウエハＷを吸着する。これにより、静電チャックＥＳＣは、ウエハＷを保持することができる。
【００３０】
第２プレート１８ｂの周縁部上には、ウエハＷのエッジおよび静電チャックＥＳＣを囲むようにフォーカスリングＦＲが配置されている。フォーカスリングＦＲは、エッチングの均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、エッチング対象の膜の材料によって適宜選択される材料から構成されており、例えば、石英から構成され得る。
【００３１】
第２プレート１８ｂの内部には、冷媒流路２４が設けられている。冷媒流路２４は、温調機構を構成している。冷媒流路２４には、処理容器１２の外部に設けられたチラーユニット（図示略）から配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給される冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４には、冷媒が循環するように供給される。この冷媒の温度を制御することによって、静電チャックＥＳＣによって支持されたウエハＷの温度が制御され得る。
【００３２】
プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの上面とウエハＷの裏面との間に供給する。
【００３３】
プラズマ処理装置１０には、ウエハＷの温度を調節する温度調節部ＨＴが設けられている。温度調節部ＨＴは、静電チャックＥＳＣに内蔵されている。温度調節部ＨＴには、ヒータ電源ＨＰが接続されている。ヒータ電源ＨＰから温度調節部ＨＴに電力が供給されることにより、静電チャックＥＳＣの温度が調整され、静電チャックＥＳＣ上に載置されるウエハＷの温度が調整されるようになっている。なお、温度調節部ＨＴは、第２プレート１８ｂ内に埋め込まれていることもできる。
【００３４】
温度調節部ＨＴは、熱を発する複数の加熱素子と、当該複数の加熱素子のそれぞれの周囲の温度をそれぞれ検出する複数の温度センサとを備える。複数の加熱素子のそれぞれは、ウエハＷが静電チャックＥＳＣ上に位置合わせされて載置されている場合に、ウエハＷの主面ＦＷの複数の領域ＥＲ（後述）ごとに、設けられている。制御部Ｃｎｔは、ウエハＷが静電チャックＥＳＣ上に位置合わせされて載置されている場合に、ウエハＷの主面ＦＷの複数の領域ＥＲのそれぞれに対応する加熱素子および温度センサを領域ＥＲと関連付けて認識する。制御部Ｃｎｔは、領域ＥＲと、この領域ＥＲに対応する加熱素子および温度センサとを、複数の領域ごと（複数の領域ＥＲごと）に、例えば数字や文字等の番号等によって、識別し得る。制御部Ｃｎｔは、一の領域ＥＲの温度を、当該一の領域ＥＲに対応する箇所に設けられた温度センサによって検出し、当該一の領域ＥＲに対する温度調節を、当該一の領域ＥＲに対応する箇所に設けられた加熱素子によって行う。なお、ウエハＷが静電チャックＥＳＣ上に載置されている場合に一の温度センサによって検出される温度は、ウエハＷのうち当該温度センサ上の領域ＥＲの温度（より具体的には、後述の被処理層Ｊ１における領域ＥＲの温度）と同様である。
【００３５】
プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備えている。上部電極３０は、載置台ＰＤの上方において、載置台ＰＤと対向配置されている。下部電極ＬＥと上部電極３０とは、互いに略平行に設けられており、平行平板電極を構成する。上部電極３０と下部電極ＬＥとの間には、ウエハＷにプラズマ処理を行うための処理空間Ｓｐが提供されている。
【００３６】
上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。絶縁性遮蔽部材３２は、絶縁材料から構成されており、例えば、石英のように酸素を含み得る。上部電極３０は、電極板３４および電極支持体３６を含み得る。電極板３４は処理空間Ｓｐに面しており、電極板３４には複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。電極板３４は、一実施形態では、シリコンを含有する。別の実施形態では、電極板３４は、酸化シリコンを含有し得る。
【００３７】
電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。ガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。電極支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
【００３８】
ガス供給管３８には、バルブ群４２および流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０は、複数のガスソースを有している。複数のガスソースは、有機含有されたアミノシラン系ガスのソース、フルオロカーボン系ガス（ＣｘＦｙガス（ｘ、ｙは１〜１０の整数））のソース、酸素原子および炭素原子を有するガス（例えば二酸化炭素ガス等）のソース、窒素ガスのソース、水素ガスのソース、および、希ガスのソースを含み得る。アミノシラン系ガスとして、アミノ基の数が比較的に少ない分子構造のものが用いられることができ、例えば、モノアミノシラン（Ｈ３−Ｓｉ−Ｒ（Ｒは有機を含んでおり置換されていても良いアミノ基））が用いられ得る。上記のアミノシラン系ガス（後述の第１のガスＧ１に含まれるガス）は、１〜３個のケイ素原子を有し得るアミノシランを含むことができ、または、１〜３個のアミノ基を有するアミノシランを含むことができる。１〜３個のケイ素原子を有するアミノシランは、１〜３個のアミノ基を有するモノシラン（モノアミノシラン）、１〜３個のアミノ基を有するジシラン、または、１〜３個のアミノ基を有するトリシランであり得る。さらに、上記のアミノシランは、置換されていてもよいアミノ基を有し得る。さらに、上記のアミノ基は、メチル基、エチル基、プロピル基、および、ブチル基の何れかによって置換され得る。さらに、上記のメチル基、エチル基、プロピル基、または、ブチル基は、ハロゲンによって置換され得る。フルオロカーボン系ガスとしては、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガスといった任意のフルオロカーボン系ガスが用いられ得る。希ガスとしては、Ａｒガス、Ｈｅガスといった任意の希ガスが用いられ得る。
【００３９】
バルブ群４２は複数のバルブを含んでおり、流量制御器群４４はマスフローコントローラといった複数の流量制御器を含んでいる。ガスソース群４０の複数のガスソースのそれぞれは、バルブ群４２の対応のバルブおよび流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。したがって、プラズマ処理装置１０は、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、処理容器１２内に供給することが可能である。
【００４０】
プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。デポシールドは、Ｙ２Ｏ３の他に、例えば、石英のように酸素を含む材料から構成され得る。
【００４１】
処理容器１２の底部側、且つ、支持部１４と処理容器１２の側壁との間には排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。排気プレート４８の下方、且つ、処理容器１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁にはウエハＷの搬入出口１２ｇが設けられており、搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。
【００４２】
プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２および第２の高周波電源６４を更に備えている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波電力を発生する電源であり、２７〜１００［ＭＨｚ］の周波数、一例においては６０［ＭＨｚ］の高周波電力を発生する。また、第１の高周波電源６２は、パルス仕様を備えており、周波数５〜１０［ｋＨｚ］、Ｄｕｔｙ５０〜１００％で制御可能である。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して上部電極３０に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されていてもよい。
【００４３】
第２の高周波電源６４は、ウエハＷにイオンを引き込むための第２の高周波電力、すなわち高周波バイアス電力を発生する電源であり、４００［ｋＨｚ］〜４０．６８［ＭＨｚ］の範囲内の周波数、一例においては１３．５６［ＭＨｚ］の周波数の高周波バイアス電力を発生する。また、第２の高周波電源６４は、パルス仕様を備えており、周波数５〜４０［ｋＨｚ］、Ｄｕｔｙ２０〜１００％で制御可能である。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。
【００４４】
プラズマ処理装置１０は、電源７０を更に備えている。電源７０は、上部電極３０に接続されている。電源７０は、処理空間Ｓｐ内に存在する正イオンを電極板３４に引き込むための電圧を、上部電極３０に印加する。一例においては、電源７０は、負の直流電圧を発生する直流電源である。このような電圧が電源７０から上部電極３０に印加されると、処理空間Ｓｐに存在する正イオンが、電極板３４に衝突する。これにより、電極板３４から二次電子および／またはシリコンが放出される。
【００４５】
以下、図１、図５、図８、図９を参照し、プラズマ処理装置１０を備える処理システム１において実施される形態を例にとって、方法ＭＴについて詳細に説明する。なお、方法ＭＴは、処理システム１とは異なる処理システムにおいて実施されることも可能であり、そのような処理システムは、プラズマ処理装置１０以外のプラズマ処理装置を備えることが可能である。
【００４６】
まず、図１に示す方法ＭＴは、工程ＳＡ１〜ＳＡ４を備える。工程ＳＡ１は、図２に示すマスクＭＫを用いて反射防止膜ＡＬをエッチングする工程ＳＡ１１（第２の工程）を備える。工程ＳＡ１に引き続く工程ＳＡ２は、工程ＳＡ１１において行われるエッチングによって反射防止膜ＡＬから形成されるマスクを用いて有機膜ＯＬをエッチングする工程ＳＡ２１（第２の工程）を備える。工程ＳＡ２に引き続く工程ＳＡ３は、工程ＳＡ２１において行われるエッチングによって有機膜ＯＬから形成されるマスクを用いて被エッチング層ＥＬ１をエッチングする工程ＳＡ３１と、工程ＳＡ３１の後に、有機膜ＯＬから形成されるマスクをアッシングして除去する工程ＳＡ３２とを備える。工程ＳＡ３に引き続く工程ＳＡ４は、工程ＳＡ３１において行われるエッチングによって被エッチング層ＥＬ１から形成されるマスクを用いて被エッチング層ＥＬ２をエッチングする工程ＳＡ４１を備える。
【００４７】
工程ＳＡ１１では、反射防止膜ＡＬをエッチングする。具体的には、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから、フルオロカーボンガスを含む処理ガスを処理容器１２内に供給する。そして、第１の高周波電源６２から高周波電力を供給する。第２の高周波電源６４から高周波バイアス電力を供給する。排気装置５０を動作させることによって、処理容器１２内の圧力を所定の圧力に設定する。以上のようにして、フルオロカーボンガスのプラズマが処理容器１２の処理空間Ｓｐ内で生成される。生成されたプラズマ中のフッ素を含む活性種は、反射防止膜ＡＬの全領域のうちマスクＭＫから露出した領域をエッチングする。この反射防止膜ＡＬのエッチングによって、有機膜ＯＬに対するエッチングに用いられるマスクが反射防止膜ＡＬから形成される。
【００４８】
工程ＳＡ２１では、有機膜ＯＬをエッチングする。具体的には、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから、窒素ガスと水素ガスとを含む処理ガスを処理容器１２内に供給する。そして、第１の高周波電源６２から高周波電力を供給する。第２の高周波電源６４から高周波バイアス電力を供給する。排気装置５０を動作させることによって、処理容器１２内の圧力を所定の圧力に設定する。以上のようにして、窒素ガスと水素ガスとを含む処理ガスのプラズマが処理容器１２の処理空間Ｓｐ内で生成される。生成されたプラズマ中の水素の活性種である水素ラジカルは、有機膜ＯＬの全領域のうち、工程ＳＡ１１で反射防止膜ＡＬから形成されたマスクから露出した領域をエッチングする。この有機膜ＯＬのエッチングによって、被エッチング層ＥＬ１に対するエッチングに用いられるマスクが有機膜ＯＬから形成される。なお、有機膜ＯＬをエッチングするガスとしては、酸素を含む処理ガスを用いてもよい。
【００４９】
工程ＳＡ２に引き続く工程ＳＡ３の工程ＳＡ３１では、被エッチング層ＥＬ１をエッチングする。具体的には、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから、処理ガスを処理容器１２内に供給する。処理ガスは、被エッチング層ＥＬ１を構成する材料に応じて適宜選択され得る。例えば、被エッチング層ＥＬ１が酸化シリコンから構成されている場合には、処理ガスは、フルオロカーボンガスを含み得る。そして、第１の高周波電源６２から高周波電力を供給する。第２の高周波電源６４から高周波バイアス電力を供給する。排気装置５０を動作させることによって、処理容器１２内の圧力を所定の圧力に設定する。これによって、プラズマが生成される。生成されたプラズマ中の活性種は、被エッチング層ＥＬ１の全領域のうち、工程ＳＡ２１において行われたエッチングによって有機膜ＯＬから形成されたマスクから露出した領域をエッチングする。工程ＳＡ３１の後に、工程ＳＡ３２では、有機膜ＯＬから工程ＳＡ２１で形成されたマスクをアッシングする。具体的には、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから、処理ガスを処理容器１２内に供給する。処理ガスは、酸素ガス及び酸素原子を含み得る。そして、第１の高周波電源６２から高周波電力を供給する。第２の高周波電源６４から高周波バイアス電力を供給する。排気装置５０を動作させることによって、処理容器１２内の圧力を所定の圧力に設定する。これによって、プラズマが生成される。生成されたプラズマ中の活性種は、有機膜ＯＬから工程ＳＡ２１で形成されたマスクをアッシングする。なお、有機膜ＯＬから工程ＳＡ２１で形成されたマスクをアッシングするガスとしては、窒素ガスと水素ガスとを含む処理ガスが用いられ得る。
【００５０】
工程ＳＡ３に引き続く工程ＳＡ４の工程ＳＡ４１では、被エッチング層ＥＬ２をエッチングする。具体的には、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから、処理ガスを処理容器１２内に供給する。処理ガスは、被エッチング層ＥＬ２を構成する材料に応じて適宜選択され得る。例えば、被エッチング層ＥＬ２がアモルファスシリコンから構成されている場合には、処理ガスは、ハロゲン系のガスを含み得る。そして、第１の高周波電源６２から高周波電力を供給する。第２の高周波電源６４から高周波バイアス電力を供給する。排気装置５０を動作させることによって、処理容器１２内の圧力を所定の圧力に設定する。これによって、プラズマが生成される。生成されたプラズマ中の活性種は、被エッチング層ＥＬ２の全領域のうち、工程ＳＡ３１，ＳＡ３２において行われたエッチングおよびアッシングによって被エッチング層ＥＬ１から形成されたマスクから露出した領域をエッチングする。
【００５１】
工程ＳＡ１、工程ＳＡ２、工程ＳＡ３、および工程ＳＡ４は、エッチング前のパターンの溝幅の調節処理を行う工程ＳＡＡ（第１の工程）を備え得る。工程ＳＡＡでは、エッチング前において、エッチングで用いるマスクのパターンの溝幅を調節する。工程ＳＡＡは、工程ＳＡ１で行われる場合には工程ＳＡ１１の前に行われる。工程ＳＡＡは、工程ＳＡ２で行われる場合には工程ＳＡ２１の前に行われる。工程ＳＡＡは、工程ＳＡ３で行われる場合には工程ＳＡ３１の前に行われる。工程ＳＡＡは、工程ＳＡ４で行われる場合には工程ＳＡ４１の前に行われる。
【００５２】
工程ＳＡＡの処理対象（すなわち、後述の図５に示す工程の処理対象）であるウエハＷの状態を、図６の（ａ）部に示す。図６の（ａ）部は、図５に示す工程（工程ＳＡＡ）の実施前のウエハＷの状態を示す断面図である。図６の（ａ）部に示すウエハＷは、被処理層Ｊ１と、マスクＪ２とを備える。マスクＪ２は、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１（マスクＪ２がマスクＭＫに対応する場合には、主面Ｊ１１はウエハＷの主面ＦＷに対応する）に設けられる。
【００５３】
図１に示す工程ＳＡＡが反射防止膜ＡＬをエッチングする工程ＳＡ１で実行される場合、被処理層Ｊ１は反射防止膜ＡＬであり、マスクＪ２はマスクＭＫである。工程ＳＡ１１は、工程ＳＡＡの実行後に、溝幅の調節処理が行われたマスクを用いて被処理層Ｊ１をエッチングする。
【００５４】
図１に示す工程ＳＡＡが有機膜ＯＬをエッチングする工程ＳＡ２で実行される場合、被処理層Ｊ１は有機膜ＯＬであり、マスクＪ２は工程ＳＡ１１において行われるエッチングによって反射防止膜ＡＬから形成されるマスクである。工程ＳＡ２１は、工程ＳＡＡの実行後に、溝幅の調節処理が行われたマスクを用いて被処理層Ｊ１をエッチングする。
【００５５】
図１に示す工程ＳＡＡが被エッチング層ＥＬ１をエッチングする工程ＳＡ３で実行される場合、被処理層Ｊ１は被エッチング層ＥＬ１であり、マスクＪ２は工程ＳＡ２１において行われるエッチングによって有機膜ＯＬから形成されるマスクである。工程ＳＡ３１は、工程ＳＡＡの実行後に、溝幅の調節処理が行われたマスクを用いて被処理層Ｊ１をエッチングする。
【００５６】
図１に示す工程ＳＡＡが被エッチング層ＥＬ２をエッチングする工程ＳＡ４で実行される場合、被処理層Ｊ１は被エッチング層ＥＬ２であり、マスクＪ２は工程ＳＡ３１、ＳＡ３２において行われるエッチングとアッシングとによって被エッチング層ＥＬ１から形成されるマスクである。工程ＳＡ４１は、工程ＳＡＡの実行後に、溝幅の調節処理が行われたマスクを用いて被処理層Ｊ１をエッチングする。
【００５７】
次に、図５を参照して、図１に示す工程ＳＡＡの詳細について説明する。図５は、図１に示す方法に含まれ得る工程（工程ＳＡＡ）であって、エッチング前のパターンの溝幅の調節処理の工程の一例を示す流図である。
【００５８】
工程ＳＡＡでは（制御部Ｃｎｔが行う処理において）、ウエハＷの被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１は、複数の領域（領域ＥＲ）に区分けされている。図７は、一実施形態に係る方法ＭＴにおいて区分けされたウエハＷの被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１の複数の領域ＥＲの一部を、一例として模式的に示す図である。複数の領域ＥＲは、互いに重ならない。複数の領域ＥＲは、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１（ウエハＷの主面ＦＷ）を被覆する。領域ＥＲの形状は、例えば、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１の中心点（主面ＦＷの中心点）に対し同心円に延存する領域、または、格子状の領域、等であり得るが、これに限らない。
【００５９】
図５に示すように、工程ＳＡＡは、工程ＳＢ１〜ＳＢ７を備え、工程ＳＢ５〜ＳＢ７は、工程ＳＢ３および工程ＳＢ４の判定結果に応じて、複数回（繰り返し）の実行が成され得る。まず、工程ＳＢ１（第３の工程）では、処理システム１の光学観察装置ＯＣによって、マスクＪ２のパターンの溝幅の値を、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１の複数の領域ＥＲごとに測定する。
【００６０】
工程ＳＢ１に引き続く工程ＳＢ２（第４の工程）では、工程ＳＢ１で測定されたマスクＪ２のパターンの溝幅の値から該溝幅の基準値を差し引いた正の差分値を、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１の複数の領域ＥＲごとに算出する。
【００６１】
工程ＳＢ２に引き続く工程ＳＢ３では、パターンの溝幅の調節が既に一度行われたか否か（パターンの溝幅の調節が既に一度行われた場合とは、パターンの溝幅の調節が後述の工程ＳＢ５〜ＳＢ７で既に少なくとも一度行われた場合である）を判定し、パターンの溝幅の調節がまだ一度も行われていない場合に（パターンの溝幅の調節が最初に行われる場合に）（工程ＳＢ３：Ｎｏ）、工程ＳＢ５に移行する。工程ＳＢ３において、パターンの溝幅の調節が既に一度行われた場合（工程ＳＢ３：Ｙｅｓ）、工程ＳＢ４に移行する。
【００６２】
工程ＳＢ４では、工程ＳＢ２で算出されたパターンの溝幅の差分値に基づいて、パターンの溝幅の再調節が必要か否かを判定する。工程ＳＢ４において、パターンの溝幅の再調節が必要な場合（工程ＳＢ４：Ｙｅｓ）、工程ＳＢ５〜ＳＢ７を再実行する。すなわち、工程ＳＢ５〜ＳＢ７の実行後に工程ＳＢ１および工程ＳＢ２を再実行し、この再実行によって工程ＳＢ２で算出された差分値が予め設定された基準範囲を満たさない場合に（工程ＳＢ４：Ｙｅｓ）、工程ＳＢ５〜ＳＢ７を再実行する。当該基準範囲は、工程ＳＢ２で用いた溝幅の基準値を含む範囲である。工程ＳＢ４において、パターンの溝幅の再調節が必要ではない場合（工程ＳＢ４：Ｎｏ）、すなわち、工程ＳＢ２で算出された差分値が予め設定された基準範囲を満たしている場合には、工程ＳＡＡの処理を終了する。
【００６３】
工程ＳＢ３：Ｙｅｓ、および、工程ＳＢ４：Ｙｅｓに引き続く工程ＳＢ５では、ウエハＷは、光学観察装置ＯＣからプラズマ処理装置１０に、搬送ロボットＲｂ１および搬送ロボットＲｂ２によって移動され、ウエハＷがプラズマ処理装置１０の処理容器１２内に搬入される。
【００６４】
工程ＳＢ５に引き続く工程ＳＢ６（第５の工程）では、工程ＳＢ２で算出された複数の領域ＥＲごとの差分値の膜厚の膜Ｊ３（複数の領域ＥＲごとの膜厚が工程ＳＢ２で複数の領域ＥＲごとに算出された差分値となる膜）を、処理容器１２内に搬入されたウエハＷのマスクＪ２の表面Ｊ２１に形成する。膜Ｊ３は、酸化シリコンの膜である。図６の（ｂ）部は、図５に示す工程（工程ＳＢ６）の実施後のウエハＷの状態を示す断面図である。図６の（ｂ）部に示すウエハＷには、マスクＪ２の表面Ｊ２１に膜Ｊ３が形成されている。なお、工程ＳＢ６で行う処理内容の詳細については後に説明する。
【００６５】
工程ＳＢ６に引き続く工程ＳＢ７では、ウエハＷは、プラズマ処理装置１０から光学観察装置ＯＣに、搬送ロボットＲｂ１および搬送ロボットＲｂ２によって移動され、ウエハＷが光学観察装置ＯＣ内に搬入される。工程ＳＢ７の後、工程ＳＢ１、工程ＳＢ２、および工程ＳＢ３が再実行される。
【００６６】
図８および図９を参照して、工程ＳＢ６の詳細を説明する。図８は、図５に示す工程の一部の工程（工程ＳＢ６）であって、パターンの溝幅を調節する工程の一例を示す流図である。図９は、図８に示す工程に含まれ得る工程（工程ＳＣＣ）であって、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１で均一な膜を形成する工程の一例を示す流図である。
【００６７】
図８に示すように、工程ＳＢ６は、工程ＳＣ１〜ＳＣ９を備える。工程ＳＣ５〜ＳＣ８は、シーケンスＳＱ１を構成する。シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９は、ウエハＷのマスクＪ２の表面Ｊ２１に膜Ｊ３を形成する膜形成処理である。工程ＳＣ１〜ＳＣ４は、シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９から成る膜形成処理を実行するために必要な準備処理である。
【００６８】
工程ＳＣ１では、プラズマ処理装置１０の処理容器１２内に搬入されたウエハＷは、静電チャックＥＳＣ上に位置合わせされて載置される。工程ＳＣ１に引き続く工程ＳＣ２では、工程ＳＢ３と同様に、パターンの溝幅の調節が既に一度行われたか否か（パターンの溝幅の調節が既に一度行われた場合とは、パターンの溝幅の調節が後述の工程ＳＢ５〜ＳＢ７で既に少なくとも一度行われた場合である）を判定し、パターンの溝幅の調節がまだ一度も行われていない場合に（パターンの溝幅の調節が最初に行われる場合に）（工程ＳＣ２：Ｎｏ）、工程ＳＣ３に移行する。なお、工程ＳＣ２の判定結果は、図５に示す工程ＳＢ３の判定結果に対応している。また、工程ＳＣ３は、当該工程ＳＣ３を含む工程ＳＡＡが有機膜をエッチングする工程ＳＡ２で行われる場合（工程ＳＡ１の後であって工程ＳＡ２１の前に行わる場合）には、実行されない場合がある。
【００６９】
工程ＳＣ２において、パターンの溝幅の調節が既に一度行われた場合（工程ＳＣ２：Ｙｅｓ）、工程ＳＣ４または工程ＳＣＣ（第１２の工程）に移行する。なお、工程ＳＣ２の判定結果は、工程ＳＢ３の判定結果と同一であるので、工程ＳＣ２の判定の処理は、工程ＳＢ３の判定結果を参照することによって成され得る。
【００７０】
工程ＳＣＣでは、複数の領域ＥＲによらずにマスクＪ２の表面Ｊ２１に対しコンフォーマルに膜を形成する。工程ＳＣＣの詳細については、図９を参照して後述する。なお、図８に示すように、工程ＳＢ６は、工程ＳＣＣを含まない構成であり得るが、工程ＳＣＣを含む場合には、工程ＳＣ３もしくは工程ＳＣ２：Ｎｏと、工程ＳＣ４との間（すなわち、工程ＳＣ４の前）、または、後述の工程ＳＣ９：Ｙｅｓの後（すなわち、膜形成処理の後）に、工程ＳＣＣが実行される構成であり得る。
【００７１】
工程ＳＣ２：Ｙｅｓに引き続く工程ＳＣ３では、ウエハＷに二次電子が照射される。工程ＳＣ３は、マスクＪ２の表面Ｊ２１に膜Ｊ３を形成するシーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９の実行前に、処理容器１２の処理空間Ｓｐ内でプラズマを発生させて上部電極３０に負の直流電圧を印可することにより、マスクＪ２に二次電子を照射する工程である。
【００７２】
以上のように、マスクＪ２の表面Ｊ２１に膜Ｊ３を形成するシーケンスＳＱ１〜工程ＳＣ９の一連の工程の実行前において、マスクＪ２に二次電子を照射するので、膜Ｊ３の形成前にマスクＪ２を改質することができ、後続の工程によるマスクＪ２の損傷を抑制することができる。
【００７３】
工程ＳＣ３の処理内容を具体的説明する。まず、処理容器１２内に水素ガスおよび希ガスが供給され、第１の高周波電源６２から高周波電力が供給されることによって、処理空間Ｓｐ内にプラズマが生成される。ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから水素ガスおよび希ガスを処理容器１２内に供給する。従って、処理空間Ｓｐ中の正イオンが上部電極３０に引き込まれて、当該正イオンが上部電極３０に衝突する。正イオンが上部電極３０に衝突することにより、上部電極３０からは二次電子が放出される。放出された二次電子がウエハＷに照射されることによって、マスクＪ２が改質される。さらに、電極板３４に正イオンが衝突することによって、電極板３４の構成材料であるシリコンが、二次電子と共に放出される。放出されたシリコンは、プラズマに晒されたプラズマ処理装置１０の構成部品から放出される酸素と結合する。当該酸素は、例えば、支持部１４、絶縁性遮蔽部材３２、およびデポシールド４６といった部材から放出される。シリコンと酸素の結合により、酸化シリコン化合物が生成され、当該酸化シリコン化合物がウエハＷ上に堆積してマスクＪ２を覆い保護する。このように、マスクＪ２に二次電子を照射する工程ＳＣ３では、処理空間Ｓｐ内でプラズマを発生させて上部電極３０に負の直流電圧を印可することにより、マスクＪ２に二次電子を照射すると共に、電極板３４からシリコンを放出させて該シリコンを含む酸化シリコン化合物でマスクＪ２を覆う。そして、マスクＪ２に二次電子を照射し、マスクＪ２を酸化シリコン化合物で覆った後に処理容器１２内をパージして、工程ＳＣ４または工程ＳＣＣに移行する。以上のように、工程ＳＣ３において、酸化シリコン化合物がマスクＪ２を覆う場合には、後続の工程によるマスクＪ２の損傷を更に抑制できる。
【００７４】
なお、工程ＳＣ３では二次電子の照射による改質や保護膜の形成のため、第２の高周波電源６４のバイアス電力を最小限にしてシリコンの放出を抑制してもよい。また、方法ＭＴにおいて工程ＳＣ３を除くことも可能である。
【００７５】
工程ＳＣ３の後、または、工程ＳＣ２：Ｎｏの後には、工程ＳＣＣを経て、または、工程ＳＣＣを経ずに、工程ＳＣ４（第１０の工程）に移行する。工程ＳＣ４では、ウエハＷの被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１の複数の領域ＥＲごとに、温度調節部ＨＴを用いてウエハＷの被処理層Ｊ１の温度を調節する。工程ＳＣ４では、被処理層Ｊ１の温度と被処理層Ｊ１上のマスクＪ２の表面Ｊ２１に堆積する膜（後述の膜形成処理（シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９）で形成する膜）の膜厚との対応を示す予め取得された対応データＤＴと、工程ＳＢ２において複数の領域ＥＲごとに算出された差分値に対応する膜厚とを用いて、複数の領域ＥＲごとに被処理層Ｊ１の温度を調節する。対応データＤＴは、被処理層Ｊ１の温度ごとにシーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９から成る膜形成処理と同一の条件（被処理層Ｊ１の温度を除いた条件）のもとでマスクＪ２の表面Ｊ２１に膜Ｊ３を堆積させることによって予め得られたデータであり、制御部Ｃｎｔの記憶部に読出し自在に格納されている。
【００７６】
工程ＳＣ４では、工程ＳＢ６が工程ＳＣＣを含まない場合には、処理容器１２内に搬入されたウエハＷの被処理層Ｊ１における複数の領域ＥＲごとの温度が、工程ＳＢ２において複数の領域ＥＲごとに算出された差分値の膜厚に対応する温度となるように、複数の領域ＥＲごとに被処理層Ｊ１の温度を、対応データＤＴに基づいて調節する。
【００７７】
工程ＳＣ４では、工程ＳＢ６が工程ＳＣＣを含む場合、すなわち、工程ＳＣＣが、工程ＳＣ４の前であって、工程ＳＣ３の後もしくは工程ＳＣ２：Ｎｏの後に実施される場合、または、工程ＳＱ１および工程ＳＣ９から成る膜形成処理の後に実施される場合には、処理容器１２内に搬入されたウエハＷの被処理層Ｊ１における複数の領域ＥＲごとの温度が、工程ＳＢ２において複数の領域ＥＲごとに算出された差分値の膜厚から工程ＳＣＣでコンフォーマルに形成される膜の膜厚を差し引いた値に対応する温度となるように、複数の領域ＥＲごとに被処理層Ｊ１の温度を対応データＤＴに基づいて調節する。
【００７８】
工程ＳＣ４に引き続くシーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９から成る膜形成処理（第１１の工程）では、処理容器１２内に搬入されたウエハＷの被処理層Ｊ１上のマスクＪ２の表面Ｊ２１に膜（膜Ｊ３、または、工程ＳＢ６において工程ＳＣＣが実行される場合には膜Ｊ３の一部）を形成する。シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９からなる膜形成処理は、ＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）法と同様の方法によってウエハＷのマスクＪ２の表面Ｊ２１上に酸化シリコンの膜を複数の領域ＥＲごとに均一の厚みでコンフォーマルに形成する工程である。シーケンスＳＱ１の工程ＳＣ５の実行中には、工程ＳＣ４で複数の領域ＥＲごとに調節されたウエハＷの被処理層Ｊ１の温度が維持される。このため、膜形成処理によって形成される膜は複数の領域ＥＲごとに異なった膜厚になり得るが、膜形成処理によって形成される膜を含む膜Ｊ３がマスクＪ２の表面Ｊ２１に形成された後（工程ＳＢ４：Ｎｏ）であって、工程ＳＡＡの後には、マスクＪ２の溝幅は、所望の値（工程ＳＢ２において差分値の計算に用いられた複数の領域ＥＲごとの溝幅の基準値）となる。
【００７９】
膜形成処理（シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９）の詳細を説明する。シーケンスＳＱ１は、工程ＳＣ５〜ＳＣ８から成る。工程ＳＣ５（第６の工程）では、処理容器１２内に第１のガスＧ１を供給する。具体的には、工程ＳＣ５では、図１０の（ａ）部に示すように、処理容器１２内に、シリコンを含有する第１のガスＧ１を導入する。第１のガスＧ１は、有機含有されたアミノシラン系ガスを含む。第１のガスＧ１は、アミノシラン系ガスとして、アミノ基の数が比較的に少ない分子構造のものが用いられることができ、例えばモノアミノシラン（Ｈ３−Ｓｉ−Ｒ（Ｒは有機を含んでおり置換されていても良いアミノ基））が用いられ得る。また、第１のガスＧ１として用いられる上記のアミノシラン系ガスは、１〜３個のケイ素原子を有し得るアミノシランを含むことができ、または、１〜３個のアミノ基を有するアミノシランを含むことができる。１〜３個のケイ素原子を有するアミノシランは、１〜３個のアミノ基を有するモノシラン（モノアミノシラン）、１〜３個のアミノ基を有するジシラン、または、１〜３個のアミノ基を有するトリシランであり得る。さらに、上記のアミノシランは、置換されていてもよいアミノ基を有し得る。さらに、上記のアミノ基は、メチル基、エチル基、プロピル基、および、ブチル基の何れかによって置換され得る。さらに、上記のメチル基、エチル基、プロピル基、または、ブチル基は、ハロゲンによって置換され得る。ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから有機含有されたアミノシラン系ガスの第１のガスＧ１を処理容器１２内に供給する。工程ＳＣ５では、第１のガスＧ１のプラズマを生成しない。
【００８０】
工程ＳＣ５で要する処理時間は、工程ＳＣ５において被処理層Ｊ１上のマスクＪ２の表面Ｊ２１に堆積する膜の膜厚が被処理層Ｊ１の温度の高低に応じて増減する状態となる時間内にある。このような処理時間は、ＡＬＤ法における自己制御（self-limited）領域（被処理層Ｊ１の温度によらない膜厚の膜が被処理層Ｊ１上のマスクＪ２の表面Ｊ２１に形成され得る処理時間）となる処理時間よりも短い時間である、ということができる。
【００８１】
第１のガスＧ１の分子は、図１０の（ｂ）部に示すように、反応前駆体（層Ｌｙ１）として被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１（具体的には、主面Ｊ１１上のマスクＪ２の表面Ｊ２１）に付着する。第１のガスＧ１の分子は、化学結合に基づく化学吸着によってマスクＪ２の表面Ｊ２１に付着するのであり、プラズマは用いられない。なお、第１のガスＧ１としては、工程ＳＣ４で複数の領域ＥＲごとに調節された被処理層Ｊ１の温度のもとで化学結合によってマスクＪ２の表面Ｊ２１に付着可能であって且つシリコンを含有するものであれば利用され得る。
【００８２】
一方、例えば第１のガスＧ１にモノアミノシランが選択される場合、モノアミノシランが選択される理由としては、モノアミノシランが比較的に高い電気陰性度を有し且つ極性を有する分子構造を有することによって化学吸着が比較的に容易に行われ得る、ということに起因する。第１のガスＧ１の分子がマスクＪ２の表面Ｊ２１に付着することによって形成される反応前駆体の層Ｌｙ１は、当該付着が化学吸着であるために単分子層（単層）に近い状態となる。モノアミノシランのアミノ基（Ｒ）が小さいほど、マスクＪ２の表面Ｊ２１に吸着される分子の分子構造も小さくなるので、分子の大きさに起因する立体障害が低減され、よって、第１のガスＧ１の分子がマスクＪ２の表面Ｊ２１に複数の領域ＥＲごとに均一に吸着でき、層Ｌｙ１はマスクＪ２の表面Ｊ２１に対し複数の領域ＥＲごとに均一な膜厚で形成され得る。
【００８３】
以上のように、第１のガスＧ１が有機を含んだアミノシラン系ガスを含むので、工程ＳＣ５によって、シリコンの反応前駆体（層Ｌｙ１）がマスクＪ２の表面Ｊ２１の原子層に沿ってマスクＪ２上に形成される。
【００８４】
工程ＳＣ５に引き続く工程ＳＣ６（第７の工程）は、処理容器１２内をパージする。具体的には、工程ＳＣ５において供給された第１のガスＧ１が排気される。工程ＳＣ６では、パージガスとして窒素ガスまたは希ガス（例えばＡｒ等）ガスといった不活性ガスを処理容器１２内に供給してもよい。すなわち、工程ＳＣ６のパージは、不活性ガスを処理容器１２内に流すガスパージ、または真空引きによるパージの何れであってもよい。工程ＳＣ６では、マスクＪ２の表面Ｊ２１上に過剰に付着した分子も除去され得る。以上によって、反応前駆体の層Ｌｙ１は、極めて薄い単分子層となる。
【００８５】
工程ＳＣ６に引き続く工程ＳＣ７（第８の工程）では、図１０の（ｂ）部に示すように、処理容器１２の処理空間Ｓｐ内において第２のガスのプラズマＰ１を生成する。第２のガスは、酸素原子および炭素原子を含有するガスを含み、例えば二酸化炭素ガスを含み得る。工程ＳＣ７において、第２のガスのプラズマＰ１が生成される際のウエハＷの被処理層Ｊ１の温度は、例えば摂氏０度以上且つ摂氏２００度以下であり得る。ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択したガスソースから酸素原子および炭素原子を含有するガスを含む第２のガスを処理容器１２内に供給する。そして、第１の高周波電源６２から高周波電力を供給する。この際、第２の高周波電源６４のバイアス電力を印加することも可能であり、また、第２の高周波電源６４のみでプラズマを生成することも可能である。第２の高周波電源６４から高周波バイアス電力を供給し、排気装置５０を動作させることによって処理容器１２内の空間の圧力を予め設定された圧力に設定する。このようにして、第２のガスのプラズマＰ１が処理空間Ｓｐ内において生成される。
【００８６】
図１０の（ｂ）部に示すように、第２のガスのプラズマＰ１が生成されると、酸素の活性種および炭素の活性種、例えば、酸素ラジカル、炭素ラジカルが生成され、図１０の（ｃ）部に示すように、シリコン酸化膜である層Ｌｙ２（膜Ｊ３に含まれる層である）が単分子層として形成される。炭素ラジカルは、マスクＪ２への酸素浸食を抑制する機能を奏し得るので、シリコン酸化膜が保護膜としてマスクＪ２の表面Ｊ２１において安定に形成され得る。シリコン酸化膜のＳｉ−Ｏ結合の結合エネルギは、１９２［ｋｃａｌ］程度であり、マスクを形成している有機膜の様々な結合種であるＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｈ結合、Ｃ−Ｆ結合それぞれの結合エネルギ（５０−１１０［ｋｃａｌ］程度、７０−１１０［ｋｃａｌ］程度、１００−１２０［ｋｃａｌ］程度）よりも高いので、シリコン酸化膜は、保護膜としての機能を奏し得る。
【００８７】
以上のように、第２のガスが酸素原子を含むので、工程ＳＣ７において、当該酸素原子がマスクＪ２上に設けられるシリコンの反応前駆体（層Ｌｙ１）と結合することによって、マスクＪ２上に酸化シリコン膜の層Ｌｙ２が複数の領域ＥＲごとに異なった膜厚でコンフォーマルに形成され得る。また、第２のガスが炭素原子を含むので、酸素原子によるマスクＪ２に対する浸食が当該炭素原子によって抑制され得る。従って、シーケンスＳＱ１においては、ＡＬＤ法と同様の方法によって、シリコン酸化膜の層Ｌｙ２を、マスクＪ２の表面Ｊ２１上に、複数の領域ＥＲのそれぞれの温度に応じた均一な膜厚で、複数の領域ＥＲごとにコンフォーマルに形成することができる。
【００８８】
工程ＳＣ７に引き続く工程ＳＣ８（第９の工程）では、処理容器１２内をパージする。具体的には、工程ＳＣ７において供給された第２のガスが排気される。工程ＳＣ８では、パージガスとして窒素ガスまたは希ガス（例えばＡｒ等）といった不活性ガスを処理容器１２内に供給してもよい。すなわち、工程ＳＣ８のパージは、不活性ガスを処理容器１２内に流すガスパージ、または真空引きによるパージの何れであってもよい。
【００８９】
シーケンスＳＱ１に引き続く工程ＳＣ９では、シーケンスＳＱ１の繰り返し回数が、予め設定された回数（例えば、５０回等）に達したか否かを判定し、当該回数に達していないと判定した場合（工程ＳＣ９：Ｎｏ）、シーケンスＳＱ１を再び実行し、当該回数に達したと判定した場合（工程ＳＣ９：Ｙｅｓ）、工程ＳＢ６を終了する。すなわち、工程ＳＣ９では、シーケンスＳＱ１の繰り返し回数が予め設定された回数に達するまで、シーケンスＳＱ１の実行を繰り返し行って、マスクＪ２の表面Ｊ２１に対し、複数の領域ＥＲのそれぞれの温度に応じた膜厚の膜を、複数の領域ＥＲごとに形成する。工程ＳＣ９によって制御されるシーケンスＳＱ１の繰り返し回数は、工程ＳＣ５での処理時間と、シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９から成る膜形成処理によって形成する膜（膜Ｊ３、または、工程ＳＢ６において工程ＳＣＣが実行される場合には膜Ｊ３の一部）の膜厚と、に応じて決定される。
【００９０】
ここで、工程ＳＣＣの詳細を、図９を参照して説明する。工程ＳＣＣは、シーケンスＳＱ２および工程ＳＤ５から成る。シーケンスＳＱ２は、工程ＳＤ１〜ＳＤ４から成る。シーケンスＳＱ２の工程ＳＤ１は、図８に示すシーケンスＳＱ１の工程ＳＣ５に対応しているが、工程ＳＤ１における被処理層Ｊ１の温度と工程ＳＣ５における被処理層Ｊ１の温度とが異なっている点と、工程ＳＤ１で要する処理時間と工程ＳＣ５で要する処理時間とが異なっている点で、工程ＳＤ１と工程ＳＣ５とは相違している。シーケンスＳＱ２の工程ＳＤ２〜ＳＤ４のそれぞれでは、図８に示すシーケンスＳＱ１の工程ＳＣ６〜ＳＣ８のそれぞれと、同じ処理が行われる。
【００９１】
工程ＳＤ５によって制御されるシーケンスＳＱ２の繰り返し回数は、工程ＳＣＣによって形成する膜（膜Ｊ３の一部）の膜厚に応じて決定される。工程ＳＢ６で形成される膜Ｊ３は、工程ＳＣＣで形成される膜と、膜形成処理（シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９）で形成される膜とから成る。工程ＳＢ６で形成される膜Ｊ３の膜厚は、工程ＳＣＣで形成される膜の膜厚と、膜形成処理（シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９）で形成される膜の膜厚との合計値である。
【００９２】
シーケンスＳＱ２の工程ＳＤ１での処理時間は、ＡＬＤ法における自己制御（self-limited）領域（被処理層Ｊ１の温度によらない膜厚が被処理層Ｊ１上のマスクＪ２の表面Ｊ２１に形成され得る処理時間）となる処理時間であり、シーケンスＳＱ１の工程ＳＣ５での処理時間よりも長い。工程ＳＤ１では、ウエハＷの被処理層Ｊ１の温度は、例えば摂氏０度以上且つ摂氏２００度以下であり得る。
【００９３】
一実施形態に係る対応データＤＴの作成方法の具体例について説明する。対応データＤＴは、被処理層Ｊ１の温度と被処理層Ｊ１上のマスクＪ２の表面Ｊ２１に堆積する膜（膜形成処理（シーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９）で形成する膜）の膜厚との対応を示すものであり、被処理層Ｊ１の温度ごとにシーケンスＳＱ１および工程ＳＣ９から成る膜形成処理と同一の条件（被処理層Ｊ１の温度を除く条件）のもとでマスクＪ２の表面Ｊ２１に膜Ｊ３を堆積させることによって、方法ＭＴの実行前において予め得られたデータである。
【００９４】
まず、被処理層Ｊ１の複数の温度（当該温度の値を以下ＫＲという）ごとに、工程ＳＣ５での処理時間（当該処理時間の値を以下ＴＭという）と膜形成処理で形成される膜の膜厚（当該膜厚の値を以下ＶＬという）との関係（当該関係を、処理時間（ＴＭ）および温度（ＫＲ）の関数として、以下Ｆ１という）を測定する。温度（ＫＲ）ごとに、処理時間（ＴＭ）と膜厚（ＶＬ）との関係（ＶＬ＝Ｆ１（ＴＭ；ＫＲ））は、対数関数：ＶＬ＝α１（ＫＲ）×ｌｎ（ＴＭ）＋β１（ＫＲ）・・・（式１）、で良好に近似され得る。α１（ＫＲ）は、ＫＲごとに定まる定数であり、ｌｎ（ＴＭ）は、ＴＭに対する自然対数であり、β１（ＫＲ）は、ＫＲごとに定まる定数である。式１（近似式）において、膜形成処理で形成される膜の膜厚（ＶＬ）は、温度（ＫＲ）に対するアレニウスの式（アレニウスプロット）からもわかるように、温度（ＫＲ）が高いほど大きくなるが、ＡＬＤ法における自己制御領域では、ＫＲによらずに、ほぼ一定値に収束する。
【００９５】
式１に含まれるα１（ＫＲ）とβ１（ＫＲ）とは以下のように近似され得る。α１（ＫＲ）の逆数（１／α１（ＫＲ））は、一次関数：１／α１（ＫＲ）＝α２×ＫＲ＋β２・・・（式２）、で良好に近似され得る。α２、β２は、式２（近似式）の算出時に決定される定数である。β１（ＫＲ）は、ＫＲの関数として、対数関数：β１（ＫＲ）＝α３×ｌｎ（ＫＲ）＋β３・・・（式３）、で良好に近似され得る。α３、β３は、式３（近似式）の算出時に決定される定数である。ｌｎ（ＫＲ）は、ＫＲに対する自然対数である。
【００９６】
式１に含まれるα１（ＫＲ）およびβ１（ＫＲ）のそれぞれに対して式２および式３のそれぞれを適用することによって、式１は、ＶＬ＝ｌｎ（ＴＭ）／（α２×ＫＲ＋β２）＋α３×ｌｎ（ＫＲ）＋β３・・・（式４）、と表される。すなわち、膜厚（ＶＬ）は、処理時間（ＴＭ）を一定の値（ＡＬＤ法における自己制御領域に対応する処理時間よりも短い工程ＳＣで要する処理時間であって、温度（ＫＲ）によって膜厚（ＶＬ）が十分に変化し得る処理時間）に固定すれば、温度（ＫＲ）に応じて一意に算出され得る。以上説明したように、対応データＤＴは、式４によって作成され得る。なお、上記式１〜式４を用いた方法以外の方法で対応データＤＴを作成することも可能である。
【００９７】
以上説明した一実施形態に係る方法ＭＴでは、被処理層Ｊ１をエッチングする工程ＳＡ１１（または工程ＳＡ２１、工程ＳＡ３１、工程ＳＡ４１）の前に、マスクＪ２のパターンの溝幅を調節する工程ＳＡＡを実施する。工程ＳＡＡでは、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１を複数の領域ＥＲに区分けし、工程ＳＢ１および工程ＳＢ２ではマスクＪ２の溝幅と当該溝幅の基準値との差分値を複数の領域ＥＲごとに算出し、工程ＳＢ６では当該差分値に対応する膜厚の膜Ｊ３をマスクＪ２に形成して複数の領域ＥＲごとにマスクの溝幅を当該基準値に補正する。工程ＳＢ６では、工程ＳＣ５〜ＳＣ８を繰り返し実行する膜形成処理を用いてＡＬＤ法と同様の方法によってマスクＪ２に膜を原子層ごとに高詳細に形成する。膜形成処理で形成される膜の膜厚は被処理層Ｊ１の温度に応じて異なるので、工程ＳＣ４では、被処理層Ｊ１の温度と形成する膜の膜厚との対応を示す対応データＤＴを用いて、複数の領域ＥＲごとに、工程ＳＢ２で算出した差分値に対応する膜厚の膜の形成に必要な温度となるように、被処理層Ｊ１の温度を調節する。このように、工程ＳＡ１１（または工程ＳＡ２１、工程ＳＡ３１、工程ＳＡ４１）で行うエッチングの前に、被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１の複数の領域ＥＲごとに、マスクＪ２の溝の補正量に対応する膜厚が決定され、当該膜厚の形成に必要な被処理層Ｊ１の温度が対応データＤＴを用いて決定され、複数の領域ＥＲごとに決定された温度で被処理層Ｊ１の温度が調節された状態で、ＡＬＤ法と同様の膜形成処理が行われるので、マスクＪ２のパターンのバラつきが被処理層Ｊ１の主面Ｊ１１の複数の領域ＥＲごとに詳細且つ十分に抑制され得る。
【００９８】
また、複数の領域ＥＲによらずにマスクＪ２の表面Ｊ２１に対しコンフォーマルに膜を形成する工程ＳＣＣが方法ＭＴに用いられる場合には、複数の領域ＥＲごとの膜厚のうち共通の膜厚については、工程ＳＣ４で複数の領域ＥＲごとに行う被処理層Ｊ１の温度の調節を経ずに、工程ＳＣＣによって、部分的に膜の形成が可能となる。
【００９９】
また、工程ＳＢ６で膜Ｊ３の形成を行った後に、マスクＪ２の溝幅の差分値を再度算出して差分値が基準範囲にあるか否かを判定し（工程ＳＢ１〜ＳＢ４）、差分値が基準範囲にない場合には、膜Ｊ３の形成を再度行うので、マスクＪ２の溝幅のバラつきがさらに十分に抑制され得る。
【０１００】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【０１０１】
１…処理システム、１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１２１…トランスファーチャンバ、１２２ａ…台、１２２ｂ…台、１２２ｃ…台、１２２ｄ…台、１２４ａ…収容容器、１２４ｂ…収容容器、１２４ｃ…収容容器、１２４ｄ…収容容器、１２ｅ…排気口、１２ｇ…搬入出口、１４…支持部、１８ａ…第１プレート、１８ｂ…第２プレート、２２…直流電源、２３…スイッチ、２４…冷媒流路、２６ａ…配管、２６ｂ…配管、２８…ガス供給ライン、３０…上部電極、３２…絶縁性遮蔽部材、３４…電極板、３４ａ…ガス吐出孔、３６…電極支持体、３６ａ…ガス拡散室、３６ｂ…ガス通流孔、３６ｃ…ガス導入口、３８…ガス供給管、４０…ガスソース群、４２…バルブ群、４４…流量制御器群、４６…デポシールド、４８…排気プレート、５０…排気装置、５２…排気管、５４…ゲートバルブ、６２…第１の高周波電源、６４…第２の高周波電源、６６…整合器、６８…整合器、７０…電源、ＡＬ…反射防止膜、Ｃｎｔ…制御部、ＤＴ…対応データ、ＥＬ１…被エッチング層、ＥＬ２…被エッチング層、ＥＲ…領域、ＥＳＣ…静電チャック、ＦＲ…フォーカスリング、ＦＷ…主面、Ｇ１…第１のガス、ＨＰ…ヒータ電源、ＨＴ…温度調節部、Ｊ１…被処理層、Ｊ１１…主面、Ｊ２…マスク、Ｊ２１…表面、Ｊ３…膜、ＬＥ…下部電極、ＬＬ１…ロードロックチャンバ、ＬＬ２…ロードロックチャンバ、ＬＭ…ローダモジュール、Ｌｙ１…層、Ｌｙ２…層、ＭＫ…マスク、ＯＣ…光学観察装置、ＯＬ…有機膜、Ｐ１…プラズマ、ＰＤ…載置台、Ｒｂ１…搬送ロボット、Ｒｂ２…搬送ロボット、ＢＡ…基板、Ｓｐ…処理空間、Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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