(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
細ワイヤを備えるコロナイオン化源アセンブリであって、
前記細ワイヤは、
第１材料を含むワイヤコアと、
第２材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆と、
を有し、
第２材料を含む前記ワイヤ被覆は、銅、ニッケル、鉄、又は金属合金のうち少なくとも１つを含み、
前記ワイヤコアの被覆された部分が、前記細ワイヤを支持体に対して機械的に固定するために使用されている、コロナイオン化源アセンブリ。
【請求項２】
請求項１記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第１材料を含む前記ワイヤコアは、プラチナ−ロジウム合金ワイヤを含む、コロナイオン化源アセンブリ。
【請求項３】
請求項１記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第１材料を含む前記ワイヤコアは、プラチナ、プラチナ合金、金、イリジウム、又はタングステンのうち少なくとも１つを含む、コロナイオン化源アセンブリ。
【請求項４】
請求項１〜３のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、前記ワイヤコアは、１００μｍ未満の直径を有するワイヤコアから構成する、コロナイオン化源アセンブリ。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第２材料を含む前記ワイヤ被覆は、ニッケル−コバルト合金を含む、コロナイオン化源アセンブリ。
【請求項６】
請求項１〜４のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第２材料を含む前記ワイヤ被覆は、少なくとも１００μｍの直径を有するワイヤ被覆から構成する、コロナイオン化源アセンブリ。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、さらに、前記細ワイヤを少なくとも１つの取付け支柱に結合する、コロナイオン化源アセンブリ。
【請求項８】
検出システムにおいて、
細ワイヤを有するコロナイオン化源アセンブリであって、
前記細ワイヤは、
第１材料を含むワイヤコアと、
第２材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆と、
を有し、
第２材料を含む前記ワイヤ被覆は、銅、ニッケル、鉄、又は金属合金のうち少なくとも１つを含み、
前記ワイヤコアの被覆された部分が、前記細ワイヤを支持体に対して機械的に固定するために使用されている、該コロナイオン化源アセンブリと；
分析装置と；及び
検出器と；
を備える、検出システム。
【請求項９】
請求項８記載の検出システムにおいて、第１材料を含む前記ワイヤコアは、プラチナ−ロジウム合金ワイヤから構成する、検出システム。
【請求項１０】
請求項８記載の検出システムにおいて、第１材料を含む前記ワイヤコアは、プラチナ、プラチナ合金、金、イリジウム、又はタングステンのうち少なくとも１つを含む、検出システム。
【請求項１１】
請求項８〜１０のうちいずれか一項記載の検出システムにおいて、前記ワイヤコアは、１００μｍ未満の直径を有するワイヤコアから構成する、検出システム。
【請求項１２】
請求項８〜１１のうちいずれか一項記載の検出システムにおいて、第２材料を含む前記ワイヤ被覆はニッケル−コバルト合金を含む、検出システム。
【請求項１３】
請求項８〜１２のうちいずれか一項記載の検出システムにおいて、イオン移動度分光分析装置又は質量分光分析装置のうち少なくとも１つの有する、検出システム。
【請求項１４】
細ワイヤを備えるコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、
ワイヤコアを形成するステップと、
前記ワイヤコアを包囲する、銅、ニッケル、鉄、又は金属合金のうち少なくとも１つを含むワイヤ被覆を形成するステップと、
前記ワイヤ被覆の少なくとも一部分上にマスク層を形成するステップと、
前記ワイヤ被覆をエッチングするステップと、
前記細ワイヤを形成するために前記マスク層を前記ワイヤ被覆から除去するステップと
前記ワイヤコアの被覆された部分を使用して前記細ワイヤを支持体に対して機械的に固定するステップと、を備える、方法。
【請求項１５】
請求項１４記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップは、プラチナ−ロジウム合金製のワイヤコア上にニッケル−コバルト合金を電気めっきするステップを有する、方法。
【請求項１６】
請求項１４記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップは、ワイヤコアを前記ワイヤ被覆の管内に挿入するステップを有する、方法。
【請求項１７】
請求項１４記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップは、蒸着又はプラズマ蒸着のうち少なくとも一方を使用するステップを有する、方法。
【請求項１８】
請求項１４〜１７のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、マスク層を形成するステップは、エッチング抵抗被覆を形成するステップを有する、方法。
【請求項１９】
請求項１４〜１８のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤ被覆をエッチングするステップは、硝酸エッチング剤を使用するステップを有する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本件出願は、「被覆したコロナイオン化源のための方法及び装置（Method and Device for a Coated Corona Ionization Source）」と題して２０１３年６月２１日に出願した米国仮出願第６１／８３７，７８５号（参照により本明細書に組み入れられるものとする）の優先権を主張する。
本発明は、被覆したコロナイオン化源のための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン移動度分光分析装置（ＩＭＳ：ion mobility spectrometers）は、関心対象サンプルからの物質（例えば、分子、原子等々）をイオン化し、またこの結果生じたイオンが検出器に到達するのにかかる時間を測定することによって、物質を同定することができる。イオン飛行時間は、イオン化した分子の質量及びジオメトリに関係するイオン移動度に関連する。イオン移動度分光分析装置は、周囲環境の大気圧で動作し、またドリフトガスの存在の下でイオンを移動度に関して分離する。検出器出力は、ピーク高さ対ドリフト時間のプラズマグラムとして視覚的に表すことができる。
【０００３】
質量分光分析装置（ＭＳ：Mass spectrometers）は、真空で動作し、また電荷／質量比に関してイオンを分離する。質量分光分析装置を使用する幾つかの実施形態において、固体、液体、又はガスとし得るサンプルをイオン化する。イオンは質量対電荷比に基づいて質量分析装置内で分離し、また帯電粒子を検出できる装置によって検出する。次に、検出器からの信号は、質量対電荷比の関数としてイオンの相対存在量のスペクトルとなるよう処理する。原子又は分子は、同定した質量又は特徴的分解（フラグメンテーション）パターンによって分かる質量を相関付けることにより同定される。
【０００４】
各検出システムは、サンプル源、イオン源、分析装置、及び検出器を有することができる。帯電粒子（イオン）を生成する装置を有することができるイオン源の幾つかの例としては、エレクトロスプレーイオン化、誘導結合プラズマ、スパークイオン化、放射能源（例えば、６３Ｎｉ）等があり得る。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書は、コロナイオン化源アセンブリ及びコロナイオン化源アセンブリの作製方法を記載し、コロナイオン化源アセンブリは、細ワイヤであって、第１材料を含むワイヤコア、第２材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆を有する、該細ワイヤと、及び前記細ワイヤに結合する支柱と、を備える。一実施形態において、コロナイオン化源アセンブリを作製するため本発明による技術を採用するプロセスは、ワイヤコアを形成するステップと、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップと、前記ワイヤ被覆の少なくとも一部分上にマスク層を形成するステップと、前記ワイヤ被覆をエッチングするステップと、前記マスク層を前記ワイヤ被覆から除去するステップとを備える。
【０００６】
この概要は、詳細な説明においてさらに後述するものを簡潔化した形式での概念セレクションの導入部として提供する。この概要は、特許請求した本発明要旨の重要特徴又は基本特徴を特定することを意図するものではなく、特許請求した本発明要旨の範囲を決定する上での一助として使用することを意図するものでもない。
【０００７】
詳細な説明を添付図面につき記載する。図面において、参照符号の最左側桁はその参照符号が現れる図番を特定する。説明及び図面における異なる事例で同一参照符号を使用することは、類似又は同一事項を示す。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本発明による細ワイヤを実装する構成としたコロナイオン化源アセンブリを示す図である。
【図１Ｂ】本発明による細ワイヤを実装する構成としたコロナイオン化源アセンブリを示す図である。
【図１Ｃ】本発明による細ワイヤを実装する構成としたコロナイオン化源アセンブリを示す図である。
【図１Ｄ】本発明による例示的検出システムの概略図である。
【図２】図１Ａ〜１Ｄに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するプロセスの例示的実施形態のフローチャートである。
【図３Ａ】図２に示すプロセスにより図１Ａ〜１Ｄに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。
【図３Ｂ】図２に示すプロセスにより図１Ａ〜１Ｄに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。
【図３Ｃ】図２に示すプロセスにより図１Ａ〜１Ｄに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。
【図３Ｄ】図２に示すプロセスにより図１Ａ〜１Ｄに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
イオン移動度分光分析において、分光分析装置は、サンプル源、イオン源、分析装置、及び検出器を有することができる。よく使用されるイオン化源の１タイプとしてはコロナ源がある。コロナ源は、電気的に付勢される導体を取り巻く流体をイオン化することによってもたらされる放電を利用する。コロナ源からの放電は、導体を取り巻く電界の強度（すなわち、電位勾配）が導電性領域を形成するのに十分高いが、電気絶縁破壊又は近傍物体へのアーク放電を生ずるほどには高くないとき生ずる。
【００１０】
コロナ源の１つのタイプにはポイントコロナがある。このポイントコロナは、高電圧源（例えば、５００Ｖ〜数ｋＶ）に接続した極細ワイヤ（例えば、１０μｍ以下）を有する。細ワイヤに印加した高電圧は、細ワイヤ周りに電界を生ずる。ワイヤが小寸法であることにより、ワイヤ先端周りの電界は極めて強く、また空気及び／又は他のガスをイオン化する。電界強度は、ワイヤ先端ポイントからの距離が大きくなるにつれて急激に減少し、アーク放電を防止する。
【００１１】
コロナの他のタイプにはワイヤコロナがある。ワイヤコロナは、２つの支柱又は支持体間に配置した細ワイヤを有することができる。高電圧を細ワイヤに印加するとき、強力な電界が細ワイヤの近傍に生じ、周囲のガスをイオン化し、これにより分光分析装置によって分析すべきイオンを生成する。ワイヤは、さらに、ワイヤに電流を導通させることによって加熱することもできる。上述したような熱ワイヤコロナは、より信頼性高く動作することができ、また動作のためにより低めの高電圧で済ますことができる。細ワイヤに印加する高電圧は、一定電圧（例えば、ＤＣ電源）、交流電圧（例えば、ＡＣ電源）、又はパルス列とすることができる。
【００１２】
しかし、このようなコロナ源を作製することは困難であることが分かっており、これはすなわち、細ワイヤを支柱に取り付けるとともに信頼性の高い電気的接続を得るのに複雑なプロセスを要するからである。概して、より小さい直径のワイヤは、コロナを発生するのに低めの高電圧を印加するだけで済み、これによってより効率的な分光分析装置を得る。しかし、小さい直径のワイヤは、極めて脆弱であり、また取扱い及び支柱への取付けが困難である。捲縮（多すぎる捲縮はワイヤを破断させ、少なすぎる捲縮は良好な電気的接触を生じない）、溶接（細ワイヤを溶接するのは極めて困難である）、又ははんだ付け（はんだはコロナの動作温度で溶融する）を用いる従来式の作製方法は信頼性に欠けるものであった。しばしば、ワイヤ直径は動作とアセンブリ製造能力との折衷案となる。熱ワイヤコロナにとって、細ワイヤに対して信頼性の高い電気的接触を得るには一層の困難性をもたらす。
【００１３】
したがって、本発明は、コロナイオン化源アセンブリ及びその作製方法を開示し、このコロナイオン化源アセンブリは、細ワイヤであって、第１材料を含むワイヤコア、第２材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆を有する、該細ワイヤと、及び前記細ワイヤに結合する支柱と、を備える。一実施形態において、コロナイオン化源アセンブリを作製するために本発明の技術を採用するプロセスは、ワイヤコアを形成するステップと、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップと、前記ワイヤ被覆の少なくとも一部分上にマスク層を形成するステップと、前記ワイヤ被覆をエッチングするステップと、前記マスク層を前記ワイヤ被覆から除去するステップとを備える。
【００１４】
図１Ａ〜１Ｃは、本発明の例示的実施形態によるコロナ源アセンブリ１００を示す。図示のように、コロナ源アセンブリ１００は細ワイヤ１０２を有する。この細ワイヤ１０２は、ワイヤフィラメント１０２ａ及びワイヤコア１０２ｂを有する。実施形態において、細ワイヤ１０２は、以下に詳述するようにして作製し、また（例えば、捲縮、はんだ付け、溶接等によって）取付け支柱１２０に結合し、この取付け支柱１２０は、細ワイヤ１０２のための機械的支持体として機能する。さらに、細ワイヤは、後に細ワイヤ１０２上に形成するワイヤ被覆１０４よりも小さい直径（例えば、１μｍ未満〜１００μｍ超）のワイヤとする。一実施形態において、細ワイヤ１０２は、直径約５０μｍのプラチナ−ロジウム合金を含むものとする。他の実施形態において、細ワイヤ１０２は、プラチナ、プラチナ合金、金、イリジウム、タングステン、合金、他の金属等を含むものとすることができる。細ワイヤ１０２に使用する材料は第１材料を含む。実施形態において、コロナは細フィラメント１０２ａの周り及びその近傍に生じ、この細フィラメント１０２ａは、高電圧を印加するときイオン化されるサンプルに露出する細ワイヤ１０２の部分である。実施形態において、ワイヤコア１０２ｂは、ワイヤ被覆１０４によりカバー及び／又は包囲される細ワイヤ１０２の部分である。細ワイヤ１０２は取付け支柱１２０に結合することができ、支柱１２０は、機械的支持体並びに電気的接続部をなすよう構成する。取付け支柱１２０は金属又は合金を有することができる。幾つかの実施形態において、取付け支柱１２０は、コロナ源アセンブリ１００とは別個の構体を有することができる。他の実施形態において、取付け支柱１２０は、図１Ｃに示す実施形態のように、ワイヤ被覆１０４によってカバーされる細ワイヤ１０２の部分（例えば、コロナ源として設計する部分より太い部分）を有することができる。
【００１５】
図１Ａ〜１Ｃに示すように、コロナ源アセンブリ１００は、第２材料で作製するワイヤ被覆１０４を有する。実施形態において、ワイヤ被覆１０４は細ワイヤ１０２の少なくとも一部分を包囲する。これら実施形態において、ワイヤ被覆１０４の直径は細ワイヤ１０２の直径よりも大きい。一実施形態において、ワイヤ被覆１０４は、細ワイヤ１０２の少なくとも一部分を包囲するニッケル−コバルト合金（NiColoy）の被覆を有する。他の実施形態において、ワイヤ被覆１０４は、他の材料及び／又は銅、ニッケル、鉄、他の金属若しくは合金等のような金属を含む。１つの特別な実施形態において、ワイヤ被覆１０４は直径約１００μｍを有する。他の特別な実施形態において、ワイヤ被覆１０４は直径約１ミリメートルを有する。ワイヤ被覆１０４は他の直径及び太さを有することができ、ただしワイヤ被覆１０４の直径は細ワイヤ１０２の直径よりも大きい限りのものとする。さらに、ワイヤ被覆１０４の材料は、細ワイヤ１０２とは異なる化学的特性を有する。
【００１６】
図１Ａは、コロナ源アセンブリ１００が直線的形態の一実施形態を示す。この形態において、細フィラメント１０２ａは、より太い２つのワイヤの一部として形成する、及び／又はより太い２つのワイヤに確実に結合する（例えば、細ワイヤ１０２の２つの異なる部分をワイヤ被覆１０４でカバーし、ワイヤフィラメント１０２ａが２つの異なる部分間に存在し、高電圧電力がこのワイヤフィラメント１０２ａに流れ、イオン化すべきサンプルがワイヤフィラメント１０２ａに露出し、コロナを生ずる結果となる）。図１Ｂはポイントコロナ源アセンブリ１００の実施形態を示す。この実施形態において、ワイヤ被覆１０４及び細ワイヤ１０２は、直線的形態と同様に形成することができ、ただし、細ワイヤ１０２の一方の端部は突出ポイントとして形成する（例えば、細ワイヤ１０２の一方の端部は他のワイヤに結合しない）。この形態において、高電圧を細ワイヤ１０２に印加して、コロナを突出ポイント周りに形成する。
【００１７】
イオン移動度分光分析装置用の熱ワイヤコロナ源アセンブリ１００の一例を図１Ｃに示す。この特別な実施例において、細ワイヤ１０２は、より太い２つのワイヤ（ワイヤ被覆１０４によってカバーされる細ワイヤの部分）に確実に取り付けた細いプラチナ−ロジウム製のワイヤフィラメント１０２ａを有する。太いワイヤ部分は、細ワイヤ１０２を機械的に固定し、電気的接触を生ずるのに使用することができる。この特別な実施形態は、エッチングしたワイヤ被覆１０４と、細ワイヤ１０２と、所望形状に湾曲させた被覆付きワイヤ部分とを有する。被覆付きワイヤを湾曲させるとき、エッチングプロセスは、所望形態及び使用する材料に基づいて曲げ加工若しくは整形加工の前又は後に行うことができる。この実施形態において、細ワイヤ１０２及びワイヤ被覆１０４の一部分をセラミック管１０６によってカバー又は包囲する。セラミック管１０６は、機械的支持体として機能するとともに、電気絶縁体としても機能することができる。さらに、セラミック管１０６は、セラミックセメント１０８又は他の適当な接着剤によってワイヤ被覆１０４の一部分に結合することができる。この実施形態において、コロナ源アセンブリは、さらに、取付け支柱１２０に結合することができる。
【００１８】
図１Ｄに示すように、コロナ源アセンブリ１００は、イオン源１１４として機能するよう検出システム１１０におけるコンポーネントとして利用することができる。一実施形態において、検出システム１１０は、サンプル源１１２、イオン源１１４（例えば、コロナ源アセンブリ１００）、分析装置１１６、及び検出器１１８を有することができる。この実施形態において、サンプルは、検出システム１１０のサンプル源１１２に導入し、また所望形態に変換（例えば、液体をガスに変換）することができる。サンプルは、次にイオン源１１４に被曝させ、サンプルを帯電粒子又はイオンに変化させる。質量分析装置を（例えば、大気圧イオン化（ＡＰＩ：Atmospheric Pressure Ionization）モードで）使用する一実施形態において、イオンは大気圧付近で発生し、次に分析装置１１６に毛細管及び／又はオリフィスを介して導入する。この実施形態において、イオンは、この後質量対電荷比に基づいて分析装置１１６を用いてブリッジする。イオン移動度分光分析装置を用いる他の実施形態において、イオンはコロナによって発生させて分析装置１１６に導入し、次にイオンは移動度に基づいて分離する。最後に検出器１１８がインジケータによる量的値を測定し、各イオンの存在量を計算するためのデータをもたらす。
【００１９】
図２は、図１Ａ〜１Ｃに示すコロナ源アセンブリ１００のようなコロナ源アセンブリを作製するための、本明細書が開示する技術を用いる例示的プロセス２００を示す。図３Ａ〜３Ｄは、例示的コロナ源アセンブリ１００におけるイオン移動度分光分析装置及び／又は質量分光分析装置（例えば、図１Ｄに示す検出システム１１０）に利用するセクション３００を示す。
【００２０】
したがって、ワイヤコアを形成する（ブロック２０２）。図３Ａは細ワイヤ３０２の一部分を形成するステップを示す。実施形態において、ワイヤコア３０２を形成するステップは、ダイス型又は延伸プレートにおける孔内で金属を延伸してワイヤコア３０２又は細ワイヤを形成するステップを有する。一実施形態において、ワイヤコア３０２（すなわち、細ワイヤ１０２）を形成するステップは、ダイスプレートにおける孔内を通してプラチナ−ロジウム合金を延伸して、直径約５０μｍのワイヤを形成するステップを有する。他の実施形態において、ワイヤコアを形成するステップは、他の金属（例えば、プラチナ合金、金、イリジウム、タングステン等）をダイスプレート又はダイス型における孔内を通して直径約５０μｍのワイヤコア３０２を形成するよう延伸するステップを有する。ワイヤコア３０２は、他の直径及び寸法付け（例えば、約１μｍ未満〜約１００μｍ超の任意な値）で形成することができる。
【００２１】
次に、ワイヤ被覆をワイヤコア上に形成する（ブロック２０４）。図３Ａはワイヤコア３０２上にワイヤ被覆３０４を形成するステップを示す。実施形態において、ワイヤ被覆３０４は、種々の方法、例えば、電気めっき、蒸着、プラズマ蒸着等を用いてワイヤコア３０２上に堆積することができる。１つの特別な実施形態において、ワイヤ被覆１０４は、プラチナ−ロジウム合金製のワイヤコア３０２上にNiColoyを電気めっきしてワイヤコア３０２上に形成し、所望直径にする。他の実施形態において、太いワイヤコア３０２（例えば、約０.５ｍｍ）をワイヤ被覆３０４の管内に挿入し、またワイヤコア３０２及びワイヤ被覆３０４の組合せ体を標準のワイヤ延伸技術を用いて延伸する。これら実施形態において、ワイヤ被覆３０４及び／又はワイヤコア３０２の太さ及び寸法は、所望最終形態に基づいて変化し得る。
【００２２】
次に、マスク層をワイヤ被覆の少なくとも一部分上に形成する（ブロック２０６）。図３Ｂは、ワイヤ被覆３０４の少なくとも一部分上にマスク層３１０を堆積させるステップを示す。実施形態において、マスク層３１０を形成するステップは、エッチング抵抗被覆を形成するステップを含む。ワイヤ被覆３０４上にマスク層３１０を形成するステップは、標準フォトリソグラフィ及び堆積方法を用いるステップを有する。マスク層３１０を堆積する幾つかの実施例としては、化学的堆積（例えば、化学蒸着）、物理的堆積（例えば、スパッタリング）、吹き付け、コーティング等を使用するものがあり得る。フォトリソグラフィは、感光性薄膜（例えば、マスク層３１０）の部分に光を用いてパターン形成し、フォトマスクから幾何学的パターンをワイヤ被覆３０４上の薄膜上に転写するステップを有する。マスク層３１０は、エッチング抵抗性となるよう設計し、これによりマスク層３１０によってカバーされないワイヤ被覆３０４の部分が、マスク層３１０又はワイヤ被覆３０４のいずれか一方のエッチング剤によって除去される唯一の部分となるようにする。一実施形態において、マスク層３１０はワイヤ被覆３０４における除去することを意図しない部分に形成するとともに、マスク層３１０は、除去するよう設計したワイヤ被覆の部分上には形成しない。
【００２３】
次に、ワイヤ被覆をエッチングする（ブロック２０８）。図３Ｃは、ワイヤ被覆３０４及びマスク層３１０にエッチング剤を加えるステップを示す。エッチングステップは、製造中にワイヤコア３０２の表面から層（例えば、ワイヤ被覆３０４）を化学的に除去するステップを含む。異なるエッチング剤を使用することができ、例えば、ワイヤ被覆３０４として使用する材料に基づいて、湿式エッチング剤（例えば、緩衝フッ化水素酸、水酸化カリウム、王水、塩酸等）、プラズマエッチング剤を使用する。実施形態において、エッチング剤は、ワイヤコア３０２を完全な状態で残存させたままワイヤ被覆３０４のみを除去するものを選択する。一実施形態において、マスク層３１０はワイヤ被覆３０４上に堆積し、露出させるべきワイヤフィラメント３０２ａの部分上に堆積したワイヤ被覆３０４の部分がエッチング剤に曝露される唯一のワイヤ被覆３０４部分となるようにパターン形成する。この実施形態において、ワイヤ被覆３０４はエッチング剤に曝露されて除去されるとともに、エッチング剤に曝露されるマスク層３１０の部分は影響を受けない。１つの特別な実施形態において、NiColoyのワイヤ被覆は硝酸エッチング剤を用いてエッチングする。幾つかの実施形態において、ワイヤコア３０２はエッチング剤によって影響を受けない（例えば、ワイヤコア３０２の直径はほぼ一定）ようにする。他の特別な実施形態において、ワイヤコア３０２の部分はエッチング剤によって除去され、ワイヤコア３０２のより細い部分を生ずる（例えば、ワイヤフィラメント３０２ａの直径はワイヤコア３０２の他の部分よりも小さくなる）ようにする。
【００２４】
この後、マスク層をワイヤ被覆から除去する（ブロック２１０）。図３Ｄはワイヤ被覆３０４からマスク層３１０を除去するステップを示す。マスク層３１０は、もはや必要でなくなった後、ワイヤ被覆３０４から除去するとともに、ワイヤ被覆３０４がほぼ完全な状態で残存するようにしなければならない。一実施形態において、マスク層３１０を除去するステップは、マスク層３１０がもはやワイヤ被覆３０４に付着しないようマスク層３１０を化学的に変化させる液体マスク層剥離剤を使用するステップを有する。幾つかの実施形態において、マスク層３１０は、マスク層３１０を酸化させるプラズマ化酸素によって除去することができる。コロナ源アセンブリ１００を作製した後、このコロナ源アセンブリ１００は、必要に応じてさらに検出システム（例えば、イオン移動度分光分析装置又は質量分光分析装置）に組み込むための処理を行う。さらに、コロナ源アセンブリ１００は、更なる機械的支持及び／又は電気的接続用の取付け支柱３２０に取り付ける（例えば、溶接、捲縮、はんだ付け、等により）ことができる。
【００２５】
本発明を特別な構造上の特徴及び／又は方法論的行為について説明してきたが、特許請求の範囲で定義される本発明は上述の特別な特徴又は行為に必ずしも限定しないと理解されたい。種々の形態を説明したが、装置、システム、サブシステム、コンポーネント等々は、本発明から逸脱することなく、様々なやり方で構成することができる。むしろ、特別な特徴及び行為は特許請求された本発明を実施する例示的形態として開示するものである。
【符号の説明】
【００２６】
１００    コロナ源アセンブリ
１０２    細ワイヤ
１０２ａ  ワイヤフィラメント
１０２ｂ  ワイヤコア
１０４    ワイヤ被覆
１０６    セラミック管
１０８    セラミックセメント
１１０    検出システム
１１２    サンプル源
１１４    イオン源
１１６    分析装置
１１８    検出器
１２０    取付け支柱
３００    セクション
３０２    細ワイヤ（ワイヤコア）
３０２ａ  ワイヤフィラメント
３０４    ワイヤ被覆
３１０    マスク層
【図１Ａ】
0006526641.tif 000002
【図１Ｂ】
0006526641.tif 000003
【図１Ｃ】
0006526641.tif 000004
【図１Ｄ】
0006526641.tif 000005
【図２】
0006526641.tif 000006
【図３Ａ】
0006526641.tif 000007
【図３Ｂ】
0006526641.tif 000008
【図３Ｃ】
0006526641.tif 000009
【図３Ｄ】
0006526641.tif 000010