(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、
該表面層は、下記式（ｂ）で表される化合物を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有することを特徴とする帯電部材：
【化１】
0006541437.tif 000042
（式（ｂ）中、
Ｌ２は、Ｍ２Ｏｍ／２で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表し、Ｍ２は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＧｅからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
ｍは、金属原子Ｍ２の価数がｑである場合、１以上ｑ以下の整数を表し、
Ｒ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、
シクロペンタジエニル基は、Ｌ２中の金属原子Ｍ２に配位している。）。
【請求項２】
前記導電粒子がカーボンブラックまたはグラファイトである請求項１に記載の帯電部材。
【請求項３】
前記導電粒子の平均粒径が０．３μｍ以上５μｍ以下である請求項１または２に記載の帯電部材。
【請求項４】
支持体上に表面層を有する帯電部材であって、
該表面層は、
フェノール性水酸基を含む構成単位を有する重合体であって、
該構成単位の少なくとも一部のフェノール性水酸基の水素原子が、下記式（ｃ）で表される基によって置換されている重合体を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有することを特徴とする帯電部材：
【化２】
0006541437.tif 000043
（式（ｃ）中、
Ｍ３は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＧｅからなる群より選ばれる金属原子を表し、
ｌは０以上ｋ以下の整数を表し、
Ｍ３がＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの場合、ｋ＝２、
Ｍ３がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅの場合、ｋ＝３、
Ｍ３がＮｂ、Ｔａ、Ｗの場合、ｋ＝４、
Ｍ３がＶの場合、ｋ＝２または４であり、
Ｒ３０は、炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、
Ｌ３は、下記式（ｄ）で表される構造を有する配位子または（ｅ）で表される構造を有する配位子を表し、
＊は、前記フェノール性水酸基の酸素原子との結合部位を表す。）。
【化３】
0006541437.tif 000044
（式（ｄ）中、
Ｘ２は、下記式（５）〜（８）で表されるいずれかの構造を表し、
Ｙ２は、Ｍ３に配位する部位を有する基を表し、
Ａ２は、Ｍ３、Ｘ２、およびＹ２と共に４〜８員環を形成するのに必要な結合または原子団を表し、
＊＊はＭ３に結合または配位する部位を表す。）
【化４】
0006541437.tif 000045
（式（５）〜（８）中、＊＊はＭ３との結合部位を表し、＊＊＊はＡ２との結合部位を表す。）
【化５】
0006541437.tif 000046
（式（ｅ）中、Ｒ３１〜Ｒ３５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはトリメチルシリル基を表し、＊＊＊＊はＭ３との配位部位を表す。）。
【請求項５】
Ａ２は、結合、アルキレン基、アルケニレン基、または、置換もしくは未置換の、ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環およびイソキノリン環からなる群より選ばれるいずれかの環を含む原子団である請求項４に記載の帯電部材。
【請求項６】
Ｙ２は、ヒドロキシ基、アルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、カルボニル基、アルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、チオカルボニル基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のイミノ基、置換もしくは未置換の脂肪族の複素環骨格を有する基、または、置換もしくは未置換の芳香族の複素環骨格を有する基である請求項４または５に記載の帯電部材。
【請求項７】
前記フェノール性水酸基を含む構成単位を有する重合体が、ビニルフェノールを構成単位として有する重合体またはノボラック型フェノール樹脂である請求項４乃至６のいずれか一項に記載の帯電部材。
【請求項８】
前記導電粒子がカーボンブラックまたはグラファイトである請求項４乃至７のいずれか一項に記載の帯電部材。
【請求項９】
前記導電粒子の平均粒径が０．３μｍ以上５μｍ以下である請求項４乃至８のいずれか一項に記載の帯電部材。
【請求項１０】
電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電部材とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱可能であるプロセスカートリッジであって、該帯電部材が請求項１乃至９のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１１】
電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電部材とを有する電子写真装置であって、該帯電部材が請求項１乃至９のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は帯電部材、それを用いたプロセスカートリッジ、及び、電子写真画像形成装置（以下「電子写真装置」と称す）に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体と当接して電子写真感光体を帯電させる帯電部材は、電子写真感光体と帯電部材との当接ニップを十分かつ均一に確保するためにゴムを含む弾性層を有する構成が一般的である。そして、弾性層中に含まれる低分子量成分のブリード抑制、帯電性能の均一化を目的として、弾性層の表面に表面層が形成されている。
【０００３】
特許文献１では、弾性層の表面をゾル−ゲル法によって形成される無機酸化物膜で被覆することを提案している。また、特許文献２では、弾性層の表面を、ヒドロキシスチレン樹脂を含有する樹脂層で被覆することを提案している。
【０００４】
近年、電子写真画像形成プロセスの高速化に伴って、感光体を帯電させる時間が相対的に短くなってきており、感光体を安定かつ確実に帯電させる上で不利な方向となっている。
【０００５】
本発明者らの検討によれば、特許文献１または特許文献２に係る導電性ロールを帯電部材として用いた場合、プロセススピードの高速化に伴い、特に低温低湿下において局所的な強い放電（異常放電）が発生する場合があることが分かった。そして、その異常放電に起因する数十μｍ〜数ｍｍ程度の画像ムラを発生する場合があることが分かった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１７３６４１号公報
【特許文献２】特開平４−７７７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、低温低湿下においても局所的な強い放電（異常放電）の発生を抑制することができる、優れた帯電能力を有する帯電部材を提供することにある。また、本発明の目的は、低温低湿下においても局所的な強い放電（異常放電）の発生を抑制でき、高品位な電子写真画像を形成可能なプロセスカートリッジ、及び、電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、下記式（ａ）で表される化合物を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有することを特徴とする帯電部材に関する。
【０００９】
【化１】
0006541437.tif 000002
【００１３】
本発明は、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、下記式（ｂ）で表される化合物を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有することを特徴とする帯電部材に関する。
【００１４】
【化３】
0006541437.tif 000003
【００１５】
（式（ｂ）中、
Ｌ２は、Ｍ２Ｏｍ／２で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表し、
Ｍ２は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＧｅからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
ｍは、金属原子Ｍ２の価数がｑである場合、１以上ｑ以下の整数を表し、
Ｒ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、
シクロペンタジエニル基は、Ｌ２中の金属原子Ｍ２に配位している。）
【００１６】
また、本発明は、支持体上に表面層を有する帯電部材であって、該表面層は、フェノール性水酸基を含む構成単位を有する重合体であって、該構成単位の少なくとも一部のフェノール性水酸基の水素原子が、下記式（ｃ）で表される基によって置換されている重合体を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有することを特徴とする帯電部材に関する。
【００１７】
【化４】
0006541437.tif 000004
【００１８】
（式（ｃ）中、
Ｍ３は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＧｅからなる群より選ばれる金属原子を表し、
ｎは０以上ｋ以下の整数を表し、
Ｍ３がＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの場合、ｋ＝２、
Ｍ３がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅの場合、ｋ＝３、
Ｍ３がＮｂ、Ｔａ、Ｗの場合、ｋ＝４、
Ｍ３がＶの場合、ｋ＝２または４であり、
Ｒ３０は、炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、
Ｌ３は、下記式（ｄ）で表される構造を有する配位子または（ｅ）で表される構造を有する配位子を表し、
＊は、前記フェノール性水酸基の酸素原子との結合部位を表す。）
【００１９】
【化５】
0006541437.tif 000005
【００２０】
（式（ｄ）中、
Ｘ２は、下記式（５）〜（８）で表されるいずれかの構造を表し、
Ｙ２は、Ｍ３に配位する部位を有する基を表し、
Ａ２は、Ｍ３、Ｘ２、およびＹ２と共に４〜８員環を形成するのに必要な結合または原子団を表し、
＊＊はＭ３に結合または配位する部位を表す。）
【００２１】
【化６】
0006541437.tif 000006
【００２２】
（式（５）〜（８）中、＊＊はＭ３との結合部位を表し、＊＊＊はＡ２との結合部位を表す。）
【００２３】
【化７】
0006541437.tif 000007
【００２４】
（式（ｅ）中、Ｒ３１〜Ｒ３５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはトリメチルシリル基を表し、＊＊＊＊はＭ３との配位部位を表す。）
【００２５】
また、本発明は、電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電部材とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱可能であるプロセスカートリッジであって、該帯電部材が上記のいずれかの帯電部材であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。
【００２６】
さらに、本発明は、電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電部材とを有する電子写真装置であって、該帯電部材が上記のいずれかの帯電部材であることを特徴とする電子写真装置に関する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、低温低湿下においても局所的な強い放電（異常放電）の発生を抑制することができる、優れた帯電能力を有する帯電部材を提供することが可能となる。また、本発明により、低温低湿下においても局所的な強い放電（異常放電）の発生を抑制でき、高品位な電子写真画像を形成し得るプロセスカートリッジ及び電子写真装置を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態に係る帯電部材の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子写真装置の一例の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明に係る帯電部材の表面層のバインダーとして、特定の構造を有する化合物を用いることで、異常放電の発生を抑制することができることを知見している。特定の構造を有する化合物とは、ポリメタロキサン、金属アルコキシド又は金属ヒドロキシド中の金属原子に特定の構造を有する配位子が配位及び結合している、または、フェノール性水酸基を有する構成単位を有する重合体におけるフェノール性水酸基と特定の構造を有する配位子が相互作用している構成である。このような構成を有する化合物をバインダーとして表面層に含む帯電部材において、異常放電の発生が抑制される理由を、本発明者らは以下のように考えている。
【００３０】
大気中の近接放電現象はパッシェン則に従い発生する。この現象は、遊離した電子が電界によって加速され、電極間に存在する分子や電極と衝突して電子、陽イオン及び陰イオンを生成する過程を繰り返す、電子雪崩の拡散現象である。この電子雪崩は電界に従って拡散し、拡散が最終的な放電電荷量を決定する。パッシェン則に従う条件よりも過剰な電界となれば、局所的な強い放電、すなわち異常放電が発生しやすくなる。
【００３１】
低温低湿下では、常温常湿下と比較して電極間に存在する分子が少ないことから、パッシェンの法則から導かれる放電開始電圧よりも放電開始電圧が高くなる傾向にある。放電開始電圧が高くなることで、パッシェン則に従う条件よりも過剰な電界になりやすく、低温低湿下では異常放電が発生しやすくなっている。
【００３２】
本発明に係る帯電部材の表面層にバインダーとして含まれる化合物は、ポリメタロキサン、金属アルコキシド又は金属ヒドロキシド中の金属原子に特定の構造を有する配位子が配位及び結合している、または、フェノール性水酸基を有する構成単位を有する重合体におけるフェノール性水酸基と特定の構造を有する配位子が相互作用している構成である。かかる構成を有する化合物は、特定の構造を有する配位子が配位及び結合または相互作用する前と比較して最高被占軌道（ＨＯＭＯ）が浅くなっている。その結果、表面層からは電子が放出されやすくなっていると考えられる。そのため、表面層の放電開始電圧が下がり、放電電荷量が抑制されることで、異常放電の発生が抑制されているものと考えられる。
【００３３】
さらに、本発明者らは、上記の化合物を含むバインダー中に導電粒子を分散させることで、より過酷な条件においても異常放電の発生が抑制されることを見出した。すなわち、特許文献１および特許文献２に記載されている表面層に対して導電粒子を分散させても、異常放電の発生の抑制に対する効果は見られないのに対し、上記の化合物を含むバインダー中に導電粒子を含有させると、より厳しい条件においても異常放電の発生が抑制されるようになるというものである。かかる理由については明らかになっていないが、上記の化合物を含むバインダー中では導電粒子からの微細な放電が促進されているためであると、本発明者らは考えている。過剰な電界となる前に導電粒子からの微細な放電が繰り返し行われるため、異常放電が抑制されていると考えられる。
【００３４】
以下、本発明の一実施形態に係る帯電部材について説明する。
【００３５】
〔帯電部材〕
図１に本発明の一実施様態に係る、ローラ形状の帯電部材の断面を示す。帯電部材は、支持体１０１と、導電性の弾性層１０２と、表面層１０３とを有している。帯電部材の形状はローラ形状に限定されるものではなく、いずれの形状であってもよい。
【００３６】
電子写真感光体（以下、「感光体」ともいう）の表面を帯電可能に配置される帯電部材は、感光体との当接ニップを十分に確保するために、弾性層を有する構成が好ましく用いられる。弾性層を有する帯電部材の最も簡単な構成は、支持体上に弾性層及び表面層の２層を設けた構成である。支持体と弾性層との間や弾性層と表面層との間に別の層を１つ又は２つ以上設けてもよい。
【００３７】
〔支持体〕
支持体１０１としては導電性を有するものを用いる。具体例としては、以下のものが挙げられる。鉄、銅、ステンレス、アルミニウム、アルミニウム合金又はニッケルで形成されている金属製（合金製）の支持体。
【００３８】
〔弾性層〕
弾性層１０２を構成する材料としては、従来から帯電部材の弾性層として用いられているゴムや熱可塑性エラストマーなどの弾性体を１種又は２種以上用いることができる。
【００３９】
ゴムとしては、具体的には、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、エチレン−プロピレンゴム、ポリノルボルネンゴム、アクリロニトリルゴム、エピクロルヒドリンゴムおよびアルキルエーテルゴムなどが挙げられる。熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系エラストマー及びオレフィン系エラストマー等が挙げられる。
【００４０】
弾性層１０２は、導電剤を含むことによって所定の導電性を有するように構成することが好ましい。弾性層１０２の電気抵抗値の好適な範囲は１０２Ω以上１０８Ω以下である。
【００４１】
弾性層１０２に用いられる導電剤としては、炭素系材料、金属酸化物、金属、陽イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤、両性イオン界面活性剤、帯電防止剤、電解質などを用いることが可能である。
【００４２】
炭素系材料としては、具体的には、カーボンブラックおよびグラファイトが挙げられる。金属酸化物としては、具体的には、酸化スズ、酸化チタン及び酸化亜鉛が挙げられる。金属としては、具体的には、ニッケル、銅、銀及びゲルマニウムが挙げられる。
【００４３】
陽イオン性界面活性剤としては、具体的には、第四級アンモニウム塩（ラウリルトリメチルアンモニウム、ステアリルトリメチルアンモニウム、オクタドデシルトリメチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムおよび変性脂肪酸・ジメチルエチルアンモニウム等）、過塩素酸塩、塩素酸塩、ホウフッ化水素酸塩、エトサルフェート塩およびハロゲン化ベンジル塩（臭化ベンジル塩や塩化ベンジル塩など）が挙げられる。
【００４４】
陰イオン性界面活性剤としては、具体的には、脂肪族スルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、高級アルコールエチレンオキサイド付加硫酸エステル塩、高級アルコール燐酸エステル塩および高級アルコールエチレンオキサイド付加燐酸エステル塩が挙げられる。
【００４５】
帯電防止剤としては、高級アルコールエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル及び多価アルコール脂肪酸エステルの如き非イオン性帯電防止剤が挙げられる。
【００４６】
電解質としては、周期律表第１族の金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなど）の塩（第四級アンモニウム塩など）が挙げられる。周期律表第１族の金属の塩としては、具体的には、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＮａＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＢＦ４、ＮａＳＣＮ、ＫＳＣＮおよびＮａＣｌが挙げられる。
【００４７】
また、弾性層１０２用の導電剤として、周期律表第２族の金属（Ｃａ、Ｂａなど）の塩（Ｃａ（ＣｌＯ４）２など）やこれから誘導される帯電防止剤を用いることもできる。また、これらと多価アルコール（１，４−ブタンジオール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール）もしくはその誘導体との錯体や、これらとモノオール（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル）との錯体の如きイオン導電性導電剤を用いることが可能である。
【００４８】
弾性層１０２の硬度は、帯電部材と被帯電体である感光体とを当接させた際の帯電部材の変形を抑制する観点から、ＭＤ−１硬度で６０度以上８５度以下であることが好ましい。また、弾性層１０２は、感光体と幅方向で均一に当接させるために、中央部の層厚が端部の層厚よりも厚い、いわゆるクラウン形状とすることが好ましい。
【００４９】
〔表面層〕
（ｉ）第一の実施形態
帯電部材の表面層１０３は、下記式（ａ）で表される化合物（以下に詳述する）を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有する。
【００５０】
〈式（ａ）で表される化合物〉
【００５１】
【化８】
0006541437.tif 000008
【００５２】
（式（ａ）中、
Ｌ１は、Ｍ１Ｏｎ／２で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表し、
ｎは、金属原子Ｍ１の価数がｐである場合、１以上ｐ以下の整数を表し、
Ｍ１は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＧｅからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
Ｘ１は、下記式（１）〜（４）で表されるいずれかの構造を表し、
Ｙ１は、Ｌ１中のＭ１に配位する部位を有する基を表し、
Ａ１は、
（ｉ）Ｘ１が式（１）で表される構造である場合、
Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１と共に４〜８員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する１つの炭素原子はＸ１の酸素原子に結合しており、
（ｉｉ）Ｘ１が式（２）〜（４）のいずれかで表される構造である場合、
Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１と共に４〜８員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。）
【００５３】
【化９】
0006541437.tif 000009
【００５４】
（式（１）〜（４）中、＊は、Ａ１との結合部位を表し、＊＊は、Ｌ１中のＭ１との結合部位を表す。）
【００５５】
ポリメタロキサン中の金属原子Ｍ１は、複数種の金属原子であっても良い。また、ポリメタロキサンは、ＳｉＯｒ／２（ｒは１以上４以下の整数）で表される構造単位を有していても良い。この構造単位を有することで、ポリメタロキサンの非晶性が向上し、膜の平滑性や強度をより一層向上させることが可能である。
【００５６】
式（２）中、窒素原子は、ピロール骨格、インドール骨格、ピロリジン骨格、カルバゾール骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、ピラゾール骨格、インダゾール骨格、トリアゾール骨格、ベンゾトリアゾール骨格、テトラゾール骨格、ピロリドン骨格、ピペリジン骨格、モルホリン骨格、ピペラジン骨格の如き複素環中の窒素原子であってもよい。これらの骨格は、置換基を有していても良い。置換基としては、炭素数１〜１０の直鎖または分岐の、アルキル基またはアルコキシ基が挙げられる。より好ましくは、炭素数１〜４である。（以降に登場する置換基も、特別の記載が無い限り、ここで記載した置換基と同様である。）窒素原子が複素環中の窒素原子でない場合において、窒素原子に、Ａ１及びＭ１以外で結合している原子又は基は、水素原子、置換もしくは未置換のアリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。具体的には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などの直鎖のアルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブチルなどの分岐鎖を持つアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの環状アルキル基が挙げられる。特に、式（２）で表される基としては、未置換のアミノ基、炭素数１〜４のモノアルキルアミノ基及びピロール骨格を有する基から、窒素原子に結合する水素原子を１つ取り除いた基であることがよい。
【００５７】
式（ａ）中のＹ１は、Ｌ１中のＭ１に配位する部位を有する基を表し、非共有電子対を持つ原子を含む基である。具体的には、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、置換または未置換のアミノ基、置換または未置換のイミノ基が挙げられる。
【００５８】
アルコキシ基としては、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基が挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基が挙げられる。好ましくは炭素数１〜４のアルコキシ基である。
【００５９】
アリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基が挙げられる。なお、これらの基は、置換基を有していても良い。
【００６０】
アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
【００６１】
アリールチオ基としては、アリールオキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
【００６２】
カルボニル基としては、ホルミル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド基（Ｒ−ＣＯ−ＮＲ−又はＲ−ＮＲ−ＣＯ−）、ウレイド基（ＮＨ２−ＣＯ−ＮＨ−）、ウレア基（Ｒ−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）が挙げられる。アルキルカルボニル基およびアルコキシカルボニル基中のアルキル基、並びに、アミド基、及びウレア基中のＲは、それぞれ、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアルキル基であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基などの直鎖のアルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基などの分岐鎖のアルキル基が挙げられる。より好ましくは、炭素数１〜４である。
【００６３】
アリールカルボニル基としては、置換もしくは未置換の芳香族炭化水素とカルボニル基とが結合した基、または、置換もしくは未置換の芳香族複素環とカルボニル基とが結合した基が挙げられる。具体的には、置換または未置換の、フェニルカルボニル基及びナフチルカルボニル基が挙げられる。
【００６４】
チオカルボニル基としては、前記カルボニル基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
【００６５】
置換されたアミノ基としては、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、置換または未置換のアリールアミノ基が挙げられる。具体的には、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基の如き炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基の如き炭素数１〜１０のジアルキルアミノ基、モノフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基の如き、置換または未置換のアリールアミノ基が挙げられる。
【００６６】
未置換のイミノ基は、＞Ｃ＝ＮＨまたは−Ｎ＝ＣＨ２と表される基である。未置換のイミノ基中の水素原子は、炭素数１〜１０のアルキル基、または、置換もしくは未置換のアリール基（フェニル基、ナフチル基）によって置換されていてもよい。
【００６７】
また、Ｙ１は脂肪族又は芳香族の複素環骨格を有する基であっても良い。芳香族の複素環骨格としては、チオフェン骨格、フラン骨格、ピリジン骨格、ピラン骨格、ベンゾチオフェン骨格、ベンゾフラン骨格、キノリン骨格、イソキノリン骨格、オキサゾール骨格、ベンゾオキサゾール骨格、チアゾール骨格、ベンゾチアゾール骨格、チアジアゾール骨格、ベンゾチアジアゾール骨格、ピリダジン骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、フェナジン骨格、アクリジン骨格、キサンテン骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、ピラゾール骨格、インダゾール骨格、トリアゾール骨格、ベンゾトリアゾール骨格及びテトラゾール骨格が挙げられる。なお、これらの骨格は、置換基を有していても良い。脂肪族の複素環骨格としては、置換または未置換の、モルホリン骨格が挙げられる。
【００６８】
上記したＹ１の中でも、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または未置換のフェノキシ基、置換または未置換のナフチルオキシ基、ホルミル基、炭素数１〜４のアルキル基を有するアルキルカルボニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基、チオカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、エチルメチルアミド基、未置換のアミノ基、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モノフェニルアミノ基、メチルエチルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基であることが好ましい。
【００６９】
式（ａ）中のＡ１は、Ｘ１が式（１）である場合に、Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１と共に４〜８員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する１つの炭素原子はＸ１の酸素原子に結合している。
【００７０】
具体的なＡ１として、置換または未置換の、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環等）を含む原子団が挙げられる。また、Ａ１はＹ１の芳香族複素環と縮合環を形成してもよい。Ａ１としては、特には、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環）を含む原子団であることが好ましい。
【００７１】
なお、Ｘ１が式（１）である場合のＡ１は、芳香環を有することが重要である。芳香環を有する場合の方が、Ａ１、Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１によって形成される構造を有する金属錯体の安定性が高く、帯電部材の性能安定性も高い。
【００７２】
式（ａ）中のＡ１は、Ｘ１が式（２）〜（４）で表されるいずれかの構造である場合に、Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１と共に４〜８員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。Ａ１が、Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１と共に４〜８員環を形成するのに必要な原子団である場合における当該原子団の例を以下に挙げる。メチレン基、エチレン基などのアルキレン基、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環）を含む原子団。
【００７３】
Ａ１としては、特には、結合及びアルキレン基、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環）を含む原子団であることが好ましい。
【００７４】
また、Ａ１が芳香環を含む原子団である場合、Ｙ１の芳香族複素環、Ｘ１の芳香族複素環、またはその両方の芳香族複素環と縮合環を形成してもよい。
【００７５】
式（ａ）において、Ａ１、Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１によって形成される環は、錯体の形成容易性の観点から、５員環又は６員環であることが好ましい。
【００７６】
式（ａ）中のＡ１、Ｘ１及びＹ１の好ましい組み合わせを以下に２つ挙げる。
【００７７】
Ａ１が、下記式（Ａ１−１）または（Ａ１−２）で表される構造であり、Ｘ１が、下記式（Ｘ１−１）または（Ｘ１−２）で表される構造であり、Ｙ１が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である。
【００７８】
【化１０】
0006541437.tif 000010
【００７９】
（式（Ａ１−１）及び（Ａ１−２）中、Ｒ１１及びＲ１３は、それぞれ、Ｙ１と結合している、単結合またはメチレン基を表し、Ｒ１２及びＲ１４は、それぞれ、水素原子、メトキシ基、または、エトキシ基を表し、＊はＸ１との結合部位を表す。）
【００８０】
【化１１】
0006541437.tif 000011
【００８１】
（式（Ｘ１−１）及び（Ｘ１−２）中、＊はＡ１との結合部位を表し、＊＊はＭ１との結合部位を表す。）
【００８２】
なお、上記組み合わせにおいて、Ｙ１がピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である場合は、Ｙ１中の芳香環とＡ１中の芳香環とが縮合環を形成しているものも含むものとする。
【００８３】
また、Ａ１が、結合、メチレン基、エチレン基、または、トリメチレン基であり、Ｘ１が、下記式（Ｘ１−３）〜（Ｘ１−７）のいずれかで表される構造であり、Ｙ１が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である。
【００８４】
【化１２】
0006541437.tif 000012
【００８５】
（式（Ｘ１−３）〜（Ｘ１−７）中、＊はＡ１との結合部位を表し、＊＊はＭ１との結合部位を表す。）
【００８６】
なお、上記２つのＡ１、Ｘ１及びＹ１の組み合わせにおいて、さらに、Ａ１、Ｍ１、Ｘ１、及びＹ１によって形成される環は、錯体の形成容易性の観点から、５員環又は６員環であることが好ましい。
【００８７】
上記式（ａ）について、金属原子に配位及び結合して上記の構造を形成する化合物（以下、「配位子用化合物」ともいう）として具体的な例を表１〜４にまとめて示した。なお、表１〜４中、「Ｍｅ」は、メチル基を意味する。
【００８８】
表１〜４に示した配位子用化合物のうちのいくつか取り上げ詳細に説明する。
【００８９】
Ｘ１が式（１）である場合の配位子用化合物の例として、下記式（１０１）で表されるグアヤコールが挙げられる。
【００９０】
【化１３】
0006541437.tif 000013
【００９１】
グアヤコールは、ヒドロキシ基の水素原子が外れて酸素原子が金属原子に結合し、メトキシ基の酸素原子が金属原子に配位結合することにより、錯体を形成する。残部の１，２−フェニレン基がＡ１に該当する。
【００９２】
Ｘ１が式（１）である場合の配位子用化合物の他の例として、下記式（１０２）で表される４−ヒドロキシ−５−アザフェナントレンが挙げられる。４−ヒドロキシ−５−アザフェナントレンは、Ａ１中の芳香環がＹ１の芳香族複素環と一体となっている配位子用化合物である。
【００９３】
【化１４】
0006541437.tif 000014
【００９４】
４−ヒドロキシ−５−アザフェナントレンは、ヒドロキシ基の水素原子が外れて酸素原子が金属原子に結合し、ピリジン骨格中の窒素原子が金属原子と配位結合することにより、錯体を形成する。ナフタレン骨格がＡ１に該当し、ピリジン骨格とナフタレン骨格が縮合環を形成し、アザフェナントレン骨格となる。
【００９５】
Ｘ１が式（２）〜（４）である場合の配位子用化合物の例として、下記式（１０３）で表される２−アセチルピロールが挙げられる。
【００９６】
【化１５】
0006541437.tif 000015
【００９７】
２−アセチルピロールは、ピロール骨格中の窒素原子が金属原子に結合し、アセチル基の酸素原子が金属原子に配位結合することにより、錯体を形成する。アセチル基とピロール基をつなぐ結合がＡ１に該当する。
【００９８】
【表１】
0006541437.tif 000016
【００９９】
【表２】
0006541437.tif 000017
【０１００】
【表３】
0006541437.tif 000018
【０１０１】
【表４】
0006541437.tif 000019
【０１０２】
〈導電粒子〉
導電粒子としては公知の粒子を用いることが可能であり、炭素系材料、金属酸化物を用いることが可能である。炭素系材料としては、カーボンブラック、グラファイト、球状炭素粒子が挙げられる。また、金属酸化物としては、導電性酸化スズ、導電性酸化チタン、導電性酸化亜鉛が挙げられる。これらの中でも、表面層を形成する塗工液の塗工性、塗工液中の導電粒子の分散安定性の観点から、比較的比重の小さい、カーボンブラックまたはグラファイトを用いることが好ましい。
【０１０３】
導電粒子の平均粒径（体積平均粒径）としては、導電粒子からの微細な放電を促進する観点から０．００１μｍ以上であることが好ましい。また、塗工性、塗工液中の分散安定性の観点から、導電粒子の平均粒径は１０μｍ以下であることが好ましい。特に、異常放電の抑制効果が高いため、導電粒子の平均粒径は、０．３μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい、
〈表面層の形成方法〉
表面層１０３は、支持体１０１上、又は、弾性層１０２上にコーティング液の塗膜を乾燥させることにより形成することが可能である。
【０１０４】
コーティング液は、有機溶剤中、金属アルコキシド、配位子用化合物、および、導電粒子を混合することにより得ることができる。入手可能な場合には、化合物が配位した金属アルコキシドを入手し、そのまま使用することも可能である。
【０１０５】
金属アルコキシドとしては、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびゲルマニウムのアルコキシドが用いられる。アルコキシドとしては、メトキシド、エトキシド、ｎ−プロポキシド、ｉｓｏ−プロポキシド、ｎ−ブトキシド、２−ブトキシド、ｔ−ブトキシドが挙げられる。
【０１０６】
配位子用化合物は、金属アルコキシド１モルに対して０．５モル以上添加することが好ましく、１モル以上添加することがより好ましい。また、複数の化合物や金属アルコキシドを組み合わせても良い。
【０１０７】
式（ａ）で表される化合物において、金属原子と先述の配位子用化合物が結合していることは、１Ｈ−ＮＭＲ分析をおこなうことで確認することが可能である。
【０１０８】
コーティング液には、必要に応じ、金属アルコキシドを縮合してポリメタロキサンとするために、触媒として水、酸、塩基を加えることも可能である。また、コーティング液を加熱して縮合を促進しても良い。水を添加する場合、水の添加量は金属アルコキシド１モルに対して０．０１モル〜５モル添加することが好ましく、０．１モル〜３モル添加することがより好ましい。
【０１０９】
表面層１０３の膜性（膜の平滑性、強度）をより向上させるために、コーティング液にアルコキシシランを添加することもできる。用いられるアルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシランが用いられる。
【０１１０】
テトラアルコキシシランとしては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ（ｎ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｉｓｏ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｎ−ブトキシ）シラン、テトラ（２−ブトキシ）シラン、テトラ（ｔ−ブトキシ）シランが挙げられる。
【０１１１】
トリアルコキシシランとしては、トリメトキシヒドロシラン、トリメトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメトキシ（ｎ−プロピル）シラン、トリメトキシ（ｉｓｏ−ポロポキシ）シラン、トリメトキシ（ｎ−ブトキシ）シラン、トリメトキシ（２−ブトキシ）シラン、トリメトキシ（ｔ−ブトキシ）シラン、トリメトキシ（ｎ−ヘキシル）シラン、トリメトキシ（ｎ−オクチル）シラン、トリメトキシ（ｎ−デシル）シラン、トリメトキシ（ｎ−ドデカ）シラン、トリメトキシ（ｎ−テトラデカ）シラン、トリメトキシ（ｎ−ペンタデカ）シラン、トリメトキシ（ｎ−ヘキサデカ）シラン、トリメトキシ（ｎ−オクタデ）シラン、トリメトキシシクロヘキシルシラン、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシ（３−グリシジルプロピル）シランなどのトリメトキシシラン類、トリエトキシヒドロシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシ（ｎ−プロピル）シラン、トリエトキシ（ｉｓｏ−ポロポキシ）シラン、トリエトキシ（ｎ−ブトキシ）シラン、トリエトキシ（２−ブトキシ）シラン、トリエトキシ（ｔ−ブトキシ）シラン、トリエトキシ（ｎ−ヘキシル）シラン、トリエトキシ（ｎ−オクチル）シラン、トリエトキシ（ｎ−デシル）シラン、トリエトキシ（ｎ−ドデカ）シラン、トリエトキシ（ｎ−テトラデカ）シラン、トリエトキシ（ｎ−ペンタデカ）シラン、トリエトキシ（ｎ−ヘキサデカ）シラン、トリエトキシ（ｎ−オクタデ）シラン、トリエトキシシクロヘキシルシラン、トリエトキシフェニルシラン、トリエトキシ（３−グリシジルプロピル）シランの如きトリエトキシシラン類が挙げられる。
【０１１２】
ジアルコキシシランとしては、具体的には、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシ（ビス−３−グリシジルプロピル）シランなどのジメトキシシラン類、ジエトキシジメチルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジエトキシ（ビス−３−グリシジルプロピル）シランなどのジエトキシシラン類が挙げられる。
【０１１３】
用いる有機溶剤としては、金属アルコキシドと先述の化合物が溶解できる溶剤であれば特に限定はないが、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒など用いられる。アルコール系溶媒としては、具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、１−ペンタノール、シクロヘキサノールが挙げられる。エーテル系溶媒としては、具体的には、ジメトキシエタンが挙げられる。セロソルブ系溶媒としては、具体的には、メチルセロソルブ、エチルセロソルブが挙げられる。ケトン系溶媒としては、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルｉｓｏ−ブチルケトンが挙げられる。エステル系溶媒としては、具体的には、酢酸メチル、酢酸エチルなどが挙げられる。有機溶剤は、単独で用いるほか、２種以上の混合物も使用可能である。
【０１１４】
表面層１０３を形成させる方法は特に限定はなく、一般的に用いられる方法を選択することができる。具体的には、ロールコーターを用いた塗布、浸漬塗布、リング塗布が挙げられる。
【０１１５】
表面層１０３の形成後は、溶剤を乾燥させるために、加熱処理することも可能である。
【０１１６】
また、表面層１０３を表面処理することにより、動摩擦、表面自由エネルギーなどの表面物性を調整することが可能である。具体的には、活性エネルギー線を照射する方法があり、活性エネルギー線としては、紫外線、赤外線、電子線が挙げられる。
【０１１７】
表面層１０３の厚さは、０．００５μｍ〜３０μｍであることが好ましく、０．００５μｍ〜５μｍであることがより好ましい。
【０１１８】
（ｉｉ）第二の実施形態
帯電部材の表面層１０３は、下記式（ｂ）で表される化合物を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有する。
【０１１９】
【化１６】
0006541437.tif 000020
【０１２０】
（式（ｂ）中、
Ｌ２は、Ｍ２Ｏｍ／２で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表し、
Ｍ２は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＧｅからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
ｍは、金属原子Ｍ２の価数がｑである場合、１以上ｑ以下の整数を表し、
Ｒ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、
シクロペンタジエニル基は、Ｌ２中の金属原子Ｍ２に配位している。）
【０１２１】
式（ｂ）において、ポリメタロキサン中の金属原子Ｍ２は、複数種の金属原子であっても良い。また、ポリメタロキサンは、ＳｉＯｓ／２（ｓは１以上４以下の整数）で表される構造単位を有していても良い。この構造単位を有することで、ポリメタロキサンの非晶性が向上し、膜の平滑性や強度をより一層向上させることが可能である。
【０１２２】
式（ｂ）中のＲ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４の直鎖又は分岐のアルキル基又はトリメチルシリル基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２５は、特には電子供与性を示す基であることが好ましい。すなわち、Ｒ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立して、メチル基、ｔ−ブチル基又はトリメチルシリル基であることが好ましい。
【０１２３】
式（ｂ）について、金属原子に配位及び結合して上記の構造を形成する化合物（配位子用化合物）として具体的な例を表５にまとめて例示した。
【０１２４】
【表５】
0006541437.tif 000021
【０１２５】
導電粒子は、第一の実施形態で述べたものと同様である。
【０１２６】
本実施形態に係る表面層１０３は、第一の実施形態に係る表面層１０３の場合と同様の方法で形成することが可能である。
【０１２７】
（ｉｉｉ）第三の実施形態
帯電部材の表面層１０３は、フェノール性水酸基を含む構成単位を有する重合体であって、該構成単位の少なくとも一部のフェノール性水酸基の水素原子が、下記式（ｃ）で表される基によって置換されている重合体を含むバインダーと、該バインダーに分散されてなる導電粒子とを含有する。
【０１２８】
【化１７】
0006541437.tif 000022
【０１２９】
（式（ｃ）中、
Ｍ３は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＧｅからなる群より選ばれる金属原子を表し、
ｌは０以上ｋ以下の整数を表し、
Ｍ３がＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの場合、ｋ＝２、
Ｍ３がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅの場合、ｋ＝３、
Ｍ３がＮｂ、Ｔａ、Ｗの場合、ｋ＝４、
Ｍ３がＶの場合、ｋ＝２または４であり、
Ｒ３０は、炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、
Ｌ３は、下記式（ｄ）で表される構造を有する配位子または（ｅ）で表される構造を有する配位子を表し、
＊は、前記フェノール性水酸基の酸素原子との結合部位を表す。）
【０１３０】
【化１８】
0006541437.tif 000023
【０１３１】
（式（ｄ）中、
Ｘ２は、下記式（５）〜（８）で表されるいずれかの構造を表し、
Ｙ２は、Ｍ３に配位する部位を有する基を表し、
Ａ２は、Ｍ３、Ｘ２、およびＹ２と共に４〜８員環を形成するのに必要な結合または原子団を表し、
＊＊はＭ３に結合または配位する部位を表す。）
【０１３２】
【化１９】
0006541437.tif 000024
【０１３３】
（式（５）〜（８）中、＊＊はＭ３との結合部位を表し、＊＊＊はＡ２との結合部位を表す。）
【０１３４】
【化２０】
0006541437.tif 000025
【０１３５】
（式（ｅ）中、Ｒ３１〜Ｒ３５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはトリメチルシリル基を表し、＊＊＊＊はＭ３との配位部位を表す。）
【０１３６】
〈フェノール性水酸基を有する構成単位を有する重合体〉
フェノール性水酸基を有する構成単位を有する重合体としては、ポリビニルフェノール（ポリヒドロキシスチレン）の如きビニルフェノールを構成単位として有する重合体、および、ノボラック型フェノール樹脂が挙げられる。
【０１３７】
〈式（ｃ）で表される基〉
前記式（ｃ）において、ｌは好ましくは１以上ｋ以下の整数である。ｌが０である場合、すなわち、フェノール性水酸基の酸素原子が金属アルコキシドだけと結合している場合と比較して、ｌが１以上である場合の方が、式（ｃ）で表される構造の安定性が高い。ｌはさらに好ましくは、１または２である。また、ｌが２以上である場合、Ｌ３は異なるものであってもよい。
【０１３８】
式（ｃ）において、Ｒ３０としては、好ましくは炭素数１〜４の炭化水素基である。
【０１３９】
式（６）中、窒素原子は、置換もしくは未置換の、ピロール骨格、インドール骨格、ピロリジン骨格、カルバゾール骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、ピラゾール骨格、インダゾール骨格、トリアゾール骨格、ベンゾトリアゾール骨格、テトラゾール骨格、ピロリドン骨格、ピペリジン骨格、モルホリン骨格、ピペラジン骨格の如き複素環骨格中の窒素原子であってもよい。該置換基としては、炭素数１〜１０の直鎖または分岐の、アルキル基またはアルコキシ基が挙げられる。より好ましくは、炭素数１〜４である。（以降の置換基も特別の記載が無い限り同様とする。）窒素原子が複素環骨格中の窒素原子でない場合において、窒素原子に、Ａ２およびＭ３以外で結合している原子または基は、水素原子、置換もしくは未置換のアリール基または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。具体的には、フェニル基、ナフチル基の如きアリール基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基の如き直鎖のアルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブチルの如き分岐鎖を持つアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基の如き環状アルキル基が挙げられる。特に、式（６）で表される基としては、未置換のアミノ基、炭素数１〜４のモノアルキルアミノ基またはピロール骨格を有する２価の基から、窒素原子に結合する水素原子を１つ取り除いた基であることがよい。
【０１４０】
式（ｄ）中のＹ２は、式（ｃ）中のＭ３に配位する部位を有する基を表し、非共有電子対を持つ原子を含む基である。具体的には、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、チオール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、置換または未置換のアミノ基、置換または未置換のイミノ基が挙げられる。
【０１４１】
アルコキシ基としては、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基が挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基が挙げられる。好ましくは炭素数１〜４のアルコキシ基である。
【０１４２】
アリールオキシ基としては、置換または未置換の、フェノキシ基およびナフチルオキシ基が挙げられる。
アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
アリールチオ基としては、アリールオキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
【０１４３】
カルボニル基としては、ホルミル基、カルボキシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド基（Ｒ−ＣＯ−ＮＲ−またはＲ−ＮＲ−ＣＯ−）、ウレイド基（ＮＨ２−ＣＯ−ＮＨ−）、ウレア基（Ｒ−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）が挙げられる。アルキルカルボニル基およびアルコキシカルボニル基中のアルキル基、並びに、アミド基およびウレア基中のＲは、それぞれ独立して、水素原子、または、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基の如き直鎖のアルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブチルの如き分岐のアルキル基が挙げられる。より好ましくは炭素数１〜４である。
【０１４４】
アリールカルボニル基としては、置換もしくは未置換の芳香族炭化水素とカルボニル基とが結合した基、または、置換もしくは未置換の芳香族複素環とカルボニル基とが結合した基が挙げられる。具体的には、置換または未置換の、フェニルカルボニル基およびナフチルカルボニル基が挙げられる。
【０１４５】
チオカルボニル基としては、前記カルボニル基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
【０１４６】
置換されたアミノ基としては、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、置換または未置換のアリールアミノ基が挙げられる。具体的には、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基の如き炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基の如き炭素数１〜１０のジアルキルアミノ基、モノフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基の如き、置換または未置換の炭素数１〜１０のアリールアミノ基が挙げられる。
【０１４７】
未置換のイミノ基は、＞Ｃ＝ＮＨまたはＮ＝ＣＨ２と表される基である。未置換のイミノ基中の水素原子は、炭素数１〜１０のアルキル基、または、置換もしくは未置換のアリール基（フェニル基、ナフチル基）によって置換されていても良い。
【０１４８】
また、Ｙ２は脂肪族または芳香族の複素環骨格を有する基であっても良い。芳香族の複素環骨格としては、置換または未置換の、チオフェン骨格、フラン骨格、ピリジン骨格、ピラン骨格、ベンゾチオフェン骨格、ベンゾフラン骨格、キノリン骨格、イソキノリン骨格、オキサゾール骨格、ベンゾオキサゾール骨格、チアゾール骨格、ベンゾチアゾール骨格、チアジアゾール骨格、ベンゾチアジアゾール骨格、ピリダジン骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、フェナジン骨格、アクリジン骨格、キサンテン骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、ピラゾール骨格、インダゾール骨格、トリアゾール骨格、ベンゾトリアゾール骨格およびテトラゾール骨格が挙げられる。脂肪族の複素環骨格としては、置換または未置換のモルホリン骨格が挙げられる。
【０１４９】
上記したＹ２の中でも、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または未置換のフェノキシ基、置換または未置換のナフチルオキシ基、ホルミル基、炭素数１〜４のアルキル基を有するアルキルカルボニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基、チオカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、エチルメチルアミド基、未置換のアミノ基、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モノフェニルアミノ基、メチルエチルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基であることが好ましい。
【０１５０】
式（ｄ）中のＡ２は、Ｍ３、Ｘ２、およびＹ２と共に４〜８員環を形成するのに必要な結合または原子団である。Ａ２が、Ｍ３、Ｘ２、およびＹ２と共に４〜８環を形成するのに必要な原子団である場合における当該原子団の例を以下に挙げる。メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトレメチレン基の如きアルキレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基の如きアルケニレン基、置換もしくは未置換の芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環およびイソキノリン環）を含む原子団。Ａ２としては、特には、結合、アルキレン基、または、置換もしくは未置換の芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、ピリジン環、インドール環、キノリン環およびイソキノリン環）を含む原子団であることが好ましい。Ａ２がこれらである場合は、Ａ２がアルケニレン基である場合と比較して、（ｄ）で表される構造の安定性が高い。
【０１５１】
Ａ２が芳香環を含む原子団である場合、Ｙ２の芳香族複素環、Ｘ２の芳香族複素環またはその両方の芳香族複素環と縮合環を形成してもよい。
【０１５２】
Ａ２、Ｍ３、Ｘ２、およびＹ２によって形成される環は、錯体の形成容易性の観点から、５員環または６員環であることが好ましい。
【０１５３】
上記式（ｄ）で表される配位子は、具体的には以下のものが好ましい。
【０１５４】
Ｘ２が式（５）で表される配位子である場合、式（ｄ）で表される配位子は、下記式（９）〜（１３）で表されるいずれかの構造であることが好ましい。
【０１５５】
【化２１】
0006541437.tif 000026
【０１５６】
（式（９）〜（１２）中、Ｒ１０１〜１０４は、それぞれ独立して、水素原子、メトキシ基、または、エトキシ基であり、Ｙ２１〜Ｙ２４は、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基であり、＊＊はＭ３との結合部位を表す。）
【０１５７】
【化２２】
0006541437.tif 000027
【０１５８】
（式（１３）中、Ｒ１０５は、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基、または、ベンジル基であり、Ｒ１０６は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ１０７は、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、または、ベンジル基であり、＊＊はＭ３との結合部位を表す。）
【０１５９】
また、Ｘ２が式（６）〜（８）で表される配位子である場合、式（ｄ）において、Ｘ２、Ａ２、および、Ｙ２の組み合わせは、以下であることが好ましい。
【０１６０】
Ａ２が、結合、メチレン基、エチレン基、または、トリメチレン基であり、Ｘ２が、下記式（６ａ）〜（６ｃ）、（７）および（８）のいずれかで表される構造であり、Ｙ２が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である。
【０１６１】
【化２３】
0006541437.tif 000028
【０１６２】
（式（６ａ）〜（６ｃ）、（７）および（８）中、＊＊はＭ３との結合部位を表し、＊＊＊はＡ２との結合部位を表す。）
【０１６３】
下記式（ｄ）で表される構造を有する配位子を形成し得る化合物（以下「配位子用化合物」と称す）の具体的な例は、上記表１〜４に示した化合物と同様である。これらの中からいくつか取り上げ、具体的に説明する。
【０１６４】
Ｘ２が式（８）である場合の配位子用化合物の例として、下記式（１０４）で表されるｏ−アニス酸が挙げられる。
【０１６５】
【化２４】
0006541437.tif 000029
【０１６６】
ｏ−アニス酸は、カルボキシル基の水素原子が外れて酸素原子が金属原子に結合し、メトキシ基の酸素原子が金属原子に配位結合することにより、錯体を形成する。残部の１，２−フェニレン基がＡ２に該当する。
【０１６７】
ｏ−アニス酸とチタンイソプロポキシドをモル比２：１で混合させて錯体を形成し、ポリビニルフェノールと混合した場合、下記式（１０５）のような構造を取ると考えられる。
【０１６８】
【化２５】
0006541437.tif 000030
【０１６９】
また、表１〜４に示した配位子用化合物以外の配位子用化合物の例として、上記式（１３）で表される配位子用化合物の例を挙げる。
【０１７０】
アセチルアセトン、３−エチル−２，４−ペンタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−へプタンジオン、２，６−ジメチル−３，５−へプタンジオン、６−メチル−２，４−ヘプタンジオン、１−フェニル−１，３−ブタンジオン、３−フェニル−２，４‐ペンタンジオン、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオンの如きβ−ジケトン、および、アセト酢酸メチル、３−オキソペンタン酸メチル、４−オキソヘキサン酸メチル、イソブチリル酢酸メチル、４，４−ジメチル−３−オキソ吉草酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸ブチル、アセト酢酸ベンジルの如きβ−ケトエステル。
【０１７１】
これらのうち、例えば下記式（１０６）で表されるアセチルアセトンは、エノール体のヒドロキシ基の酸素原子がＸ２、メチルカルボニル基がＹ２に該当し、残部がＡ２である。
【０１７２】
【化２６】
0006541437.tif 000031
【０１７３】
アセチルアセトンとチタンイソプロポキシドをモル比２：１で混合させて錯体を形成し、ポリビニルフェノールと混合した場合、下記式（１０７）のような構造を取ると考えられる。
【０１７４】
【化２７】
0006541437.tif 000032
【０１７５】
前記式（ｅ）において、Ｒ３１〜Ｒ３５は電子供与性を示す基であることが好ましい。すなわち、メチル基、ｔ−ブチル基またはトリメチルシリル基であることが好ましい。
【０１７６】
上記式（ｅ）について、金属原子に配位および結合して上記の構造を形成する化合物として具体的な例は、上記表５に例示した化合物と同様である。
【０１７７】
〈導電粒子〉
導電粒子は、第一の実施形態に記載したものと同様である。
【０１７８】
〈表面層の形成方法〉
本実施形態に係る表面層１０３は、フェノール性水酸基を含む構成単位を有する重合体と、下記式（ｆ）で表される構造を有する金属アルコキシドとを含むコーティング液の塗膜を乾燥させることにより形成することが可能である。つまり、本実施形態に係る表面層１０３は、フェノール性水酸基を含む構成単位を有する重合体と、下記式（ｆ）で表される構造を有する金属アルコキシドとの反応物を含む。なお、その反応物はアモルファス状である。
【０１７９】
【化２８】
0006541437.tif 000033
【０１８０】
式（ｆ）中、Ｍ４は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＧｅからなる群より選ばれる金属原子を表す。ｊは０以上ｉ以下の整数を表し、Ｍ４がＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの場合、ｉ＝３、Ｍ４がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅの場合、ｉ＝４、Ｍ４がＮｂ、Ｔａ、Ｗの場合、ｉ＝５、Ｍ４がＶの場合、ｉ＝３または５である。Ｒ４０は、炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｊは好ましくは１以上ｉ以下の整数である。ｊが０である場合、すなわち、フェノール性水酸基の酸素原子が金属アルコキシドだけと結合している場合と比較して、ｊが１以上である場合の方が、式（ｄ）で表される構造の安定性が高い。さらに好ましくは、ｊは１または２である。また、ｊが２以上である場合、Ｌ４は異なるものであってもよい。
【０１８１】
Ｒ４０としては、好ましくは炭素数１〜４の炭化水素基である。
Ｌ４は、下記式（ｇ）で表される構造を有する配位子または（ｈ）で表される構造を有する配位子を表す。
【０１８２】
【化２９】
0006541437.tif 000034
【０１８３】
式（ｇ）中、＊＊はＭ４に結合または配位する部位を表す。Ａ３およびＹ３は、それぞれ先に述べたＡ３およびＹ３と同意義である。Ｘ３は、下記式（１４）〜（１７）で表されるいずれかの構造を表す。
【０１８４】
【化３０】
0006541437.tif 000035
【０１８５】
式（１４）〜（１７）中、＊＊はＭ４との結合部位を表し、＊＊＊はＡ３との結合部位を表す。式（１４）〜（１７）の具体的な構造は、それぞれ、前記式（５）〜（８）と同意義である。
【０１８６】
【化３１】
0006541437.tif 000036
【０１８７】
式（ｈ）中、＊＊＊＊はＭ４との配位部位を表す。Ｒ４１〜Ｒ４５は、それぞれ、先に述べたＲ３１〜Ｒ３５と同意義である。
【０１８８】
式（ｆ）で表される金属アルコキシドは、金属アルコキシドと、必要に応じて先に述べた配位子用化合物とを混合して得ることが可能である。金属アルコキシドとしては、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびゲルマニウムのアルコキシドが用いられる。アルコキシドとしては、メトキシド、エトキシド、ｎ−プロポキシド、ｉｓｏ−プロポキシド、ｎ−ブトキシド、２−ブトキシド、ｔ−ブトキシドが挙げられる。入手可能な場合には、配位子用化合物が配位した金属アルコキシドを入手し、そのまま使用することも可能である。
【０１８９】
配位子用化合物は、金属アルコキシド１モルに対して０．５モル以上添加することが好ましく、１モル以上添加することがより好ましい。また、複数の化合物や金属アルコキシドを組み合わせても良い。また、金属アルコキシドは、フェノール性水酸基を有する構成単位を有する重合体に対して、０．０１モル以上添加することが好ましく、０．１モル以上添加することがより好ましい。
【０１９０】
コーティング液には、第一の実施形態と同様に、アルコキシシランを添加しても良い。また、表面層１０３は、コーティング液を用いて第一の実施形態と同様にして形成することが可能である。
【０１９１】
〔電子写真装置およびプロセスカートリッジ〕
図２に、本発明の帯電部材を有する電子写真装置の一例を示す。
【０１９２】
感光体２１は、回転ドラム型の像担持体である。この感光体２１は、図中の矢印が示す時計回りに所定の周速度で回転駆動する。
【０１９３】
帯電ローラ２２は帯電部材である。帯電ローラ２２に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加電源Ｓ２によって帯電手段が構成されている。帯電ローラ２２は、感光体２１の表面に、所定の押圧力で接触させてあり、感光体２１の回転に対して順方向に回転駆動する。この帯電ローラ２２に対して帯電バイアス印加電源Ｓ２から所定の直流電圧（後述の実施例では−１０５０Ｖとした）が印加される（ＤＣ帯電方式）ことで、感光体２１の表面が所定の極性電位（後述の実施例では暗部電位−５００Ｖとした）に一様に帯電処理される。
【０１９４】
感光体２１の帯電処理面に露光手段２３により目的の画像情報に対応した像露光が形成される。感光体帯電面の露光明部の電位（後述の実施例では明部電位−１５０Ｖとした）が選択的に低下（減衰）して感光体２１に静電潜像が形成される。露光手段２３には公知の手段を利用することができ、レーザービームスキャナーを好適に例示することができる。
【０１９５】
現像ローラ２４ａは、感光体２１表面の静電潜像の露光明部に、感光体２１の帯電極性と同極性に帯電しているトナー（ネガトナー）を選択的に付着させて静電潜像をトナー像として可視化する。後述の実施例では現像バイアス−４００Ｖとした。現像方式としては特に制限はなく、例えば、ジャンピング現像方式、接触現像方式および磁気ブラシ方式が存在するが、特にカラー画像を出力する電子写真装置には、トナーの飛散性改善を目的として、接触現像方式が好ましいといえる。
【０１９６】
転写ローラ２５は、感光体２１に所定の押圧力で接触させてあり、感光体２１の回転と順方向に感光体２１の回転周速度とほぼ同じ周速度で回転する。また、転写バイアス印加電源Ｓ４からトナーの帯電特性とは逆極性の転写電圧が印加される。感光体２１と転写ローラ２５の接触部に不図示の給紙機構から転写材Ｐが所定のタイミングで給紙され、その転写材Ｐの裏面が転写電圧を印加した転写ローラ２５により、トナーの帯電極性とは逆極性に帯電される。このことにより、感光体２１と転写ローラ２５との接触部において感光体面側のトナー画像が転写材Ｐの表面側に静電転写される。転写ローラ２５としては、公知の手段を利用することができる。具体的には、金属の導電性支持体上に中抵抗に調製された弾性層を被覆してなる転写ローラを例示することができる。
【０１９７】
トナー画像の転写を受けた転写材Ｐは感光体面から分離して、不図示の定着装置へ導入されて、トナー画像の定着を受けて画像形成物として出力される。両面画像形成モードや多重画像形成モードの場合は、この画像形成物が不図示の再循環搬送機機構に導入されて転写部へ再導入される。転写残余トナーの感光体２１上の残留物は、クリーニングブレードを有するクリーニング装置（不図示）により、感光体２１上から回収される。また、感光体２１に残留電荷が残るような場合には、転写後、帯電ローラ２２による一次帯電を行う前に、前露光装置（不図示）によって感光体２１の残留電荷を除去してもよい。
【０１９８】
本発明に係るプロセスカートリッジは、少なくとも帯電部材と感光体を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱可能に構成されている。後述の実施例では、帯電ローラ２２、感光体２１、および、現像ローラ２４ａを一体に支持するプロセスカートリッジを用いた。
【実施例】
【０１９９】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。また、実施例１〜１１、１３〜１５は、参考例である。
【０２００】
＜コーティング液の調製＞
〔コーティング液Ｅ１〕
１００ｍＬのガラス製容器に、２−ブタノール１５．０ｇ、チタンイソプロポキシド０．７４ｇを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド／２−ブタノール溶液を調製した。別の容器に、グアヤコール０．３２ｇ、エタノール３４．０ｇを秤量し、撹拌し溶解してグアヤコール／エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド／２−ブタノール溶液に、グアヤコール／エタノール溶液を加え、撹拌した後に、導電粒子Ｎｏ．１  ０．２７ｇ（人造黒鉛粒子、平均粒子径；３μｍ、商品名；ニカビーズＭＰＸ−Ｆ、メーカー名；日本カーボン）を加え、ペイントシェーカーにて分散処理を行い、コーティング液Ｅ１を調製した。
【０２０１】
〔コーティング液Ｅ２〜Ｅ１５〕
コーティング液の処方を表６に示した処方にしたこと以外は実施例１と同様にして、コーティング液Ｅ２〜Ｅ１５を調製した。尚、コーティング液の調製に使用した導電粒子を下記表７に示す。
【０２０２】
【表６】
0006541437.tif 000037
【０２０３】
【表７】
0006541437.tif 000038
【０２０４】
〔コーティング液Ｅ１６〕
１００ｍＬのガラス製容器に、２−ブタノール１５．０ｇ、チタンイソプロポキシド０．７４ｇを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド／２−ブタノール溶液を調製した。別の容器に、グアヤコール０．３２ｇ、エタノール３４．０ｇを秤量し、撹拌し溶解してグアヤコール／エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド／２−ブタノール溶液に、グアヤコール／エタノール溶液を加え、３０分撹拌した。次に、予め調製しておいたポリビニルフェノール（シグマアルドリッチジャパン株式会社）のメチルイソブチルケトン１ｗｔ％溶液１５．０ｇを加え、３０分撹拌した。次に、導電粒子Ｎｏ．１  ０．４０ｇを加え、ペイントシェーカーにて分散処理を行い、コーティング液Ｅ１６を調製した。
【０２０５】
〔コーティング液Ｅ１７〜Ｅ２１〕
コーティング液の処方を表８に示した処方にしたこと以外はコーティング液Ｅ１６と同様にして、コーティング液Ｅ１７〜Ｅ２１を調製した。コーティング液の調製に使用した導電粒子は先に述べたものと同じである。
【０２０６】
〔コーティング液Ｃ１〜Ｃ３〕
コーティング液の処方を表８に示した処方にしたこと以外はコーティング液Ｅ１と同様にして、コーティング液Ｃ１〜Ｃ３を調製した。コーティング液の調製に使用した導電粒子は先に述べたものと同じである。
【０２０７】
【表８】
0006541437.tif 000039
【０２０８】
〔コーティング液Ｃ４〕
カプロラクトン変性アクリルポリオール溶液にメチルイソブチルケトンを加え、固形分が１６質量％となるように調整した。
【０２０９】
この溶液７１．４ｇに対して、導電粒子Ｎｏ．３を２．０ｇ、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）とイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）の各ブタノンオキシムブロック体の７：３混合物であるブロックイソシアネートを８．０ｇ加え、ペイントシェーカーにて分散処理を行い、コーティング液Ｃ４を調製した。
【０２１０】
＜実施例１＞
〔帯電ローラの作製〕
下記表９に示した材料を、６Ｌ加圧ニーダー（使用装置：商品名、ＴＤ６−１５ＭＤＸ  トーシン社製）にて、充填率７０ｖｏｌ％、ブレード回転数３０ｒｐｍで２４分混合して、未加硫ゴム組成物を得た。この未加硫ゴム組成物１７４質量部に対して、加硫促進剤としてのテトラベンジルチウラムジスルフィド［商品名：サンセラーＴＢＺＴＤ、三新化学工業（株）製］４．５部、加硫剤としての硫黄１．２部を加えた。そして、ロール径３０．５ｃｍ（１２インチ）のオープンロールで、前ロール回転数８ｒｐｍ、後ロール回転数１０ｒｐｍ、ロール間隙２ｍｍで、左右の切り返しを合計２０回実施した。その後、ロール間隙を０．５ｍｍとして薄通し１０回を行い、弾性層用の混練物Ｉを得た。
【０２１１】
【表９】
0006541437.tif 000040
【０２１２】
次に、直径６ｍｍ、長さ２５２ｍｍの円柱形の鋼製の支持体（表面をニッケルメッキ加工したもの）を準備した。そして、この支持体の、軸方向中央を挟んで両側１１５．５ｍｍまでの領域（あわせて軸方向幅２３１ｍｍの領域）に、金属およびゴムを含む熱硬化性接着剤（商品名：メタロックＵ−２０、（株）東洋化学研究所製）を塗布した。これを３０分間温度８０℃で乾燥させた後、さらに１時間温度１２０℃で乾燥させ、接着層付き芯金を得た。
【０２１３】
混練物Ｉを、押出成形によって、上記接着層付き芯金を中心として、同軸状に外径８．７５〜８．９０ｍｍの円筒形に同時に押出し、端部を切断して、芯金の外周に未加硫の弾性層を積層した弾性ローラを作製した。
【０２１４】
次に、未加硫の弾性層が積層された弾性ローラを８０℃にて３０分、続いて１６０℃にて３０分加熱し加硫を行い、加硫後の弾性ローラを得た。
【０２１５】
次に、加硫後の弾性ローラの弾性層部分の両端を切断し、弾性層部分の軸方向幅を２３２ｍｍとした。その後、弾性層部分の表面を回転砥石で研磨した。こうすることで、端部直径８．２６ｍｍ、中央部直径８．５０ｍｍのクラウン形状の弾性ローラ（表面研磨後の弾性ローラ）を得た。
【０２１６】
次に、表面研磨後の弾性ローラの弾性層上に、コーティング液Ｅ１を、リング塗布（総吐出量：０．１００ｍｌ、リング部のスピード：８５ｍｍ／ｓ）した。コーティング液Ｅ１の塗膜の表面に、２５４ｎｍの波長の紫外線を積算光量が９０００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射し、塗膜を硬化させて表面層を形成した。紫外線の照射には低圧水銀ランプ（ハリソン東芝ライティング（株）製）を用いた。以上のようにして帯電ローラＥ１を作製した。
【０２１７】
〔評価〕
レーザープリンタ（商品名：ＨＰＣｏｌｏｒＬａｓｅｒＪｅｔＣＰ４５２５、ＨＰ社製）用のシアンカートリッジに装着されている帯電ローラを先に作製した帯電部材Ｅ１に置き換えた。レーザープリンタ（商品名：ＨＰＣｏｌｏｒＬａｓｅｒＪｅｔＣＰ４５２５、ＨＰ社製）に上記のカートリッジをセットして、Ａ４サイズの用紙にハーフトーン画像を形成した。なお、電子写真画像の形成に際して、前露光は行わず、また、帯電電圧を−１１６２Ｖ、転写電圧を２５７５Ｖに設定した。この設定は、異常放電がより発生しやすい環境を作り出すためのものである。また、電子写真画像の出力は、低温低湿環境（温度１５℃、湿度１０％）の下で行った。
【０２１８】
そして、得られたハーフトーン画像について、異常放電に起因する画像ムラの有無を目視で観察することにより、異常放電が発生したか否かを評価した。
Ａ：異常放電なし
Ｂ：異常放電あり
この結果、帯電部材Ｅ１では異常放電が観測されなかった。
【０２１９】
＜実施例２〜１８、比較例１〜３＞
コーティング液Ｅ１をコーティング液Ｅ２〜１８に変えたこと以外は実施例１と同様にして帯電ローラを作製し、評価を行った。
【０２２０】
また、コーティング液Ｅ１をコーティング液Ｃ１〜Ｃ３に変えたこと以外は実施例１と同様にして比較例に係る帯電ローラを作製し、評価を行った。
【０２２１】
評価結果をまとめて表１０に示す。
【０２２２】
＜比較例４＞
コーティング液Ｃ４を、実施例１と同様に作製した弾性ローラ（表面研磨後の弾性ローラ）の弾性層上にリング塗布（総吐出量：０．１００ｍｌ、リング部のスピード：８５ｍｍ／ｓ）した。塗布後の弾性ローラを、常温で３０分間以上風乾し、さらに熱風循環乾燥機にて、８０℃で１時間、１６０℃で１時間乾燥して、塗膜を硬化させて、帯電ローラＣ４を作製した。帯電ローラＣ４についても実施例１と同様に評価を行った。評価結果を表１０に示す。
【０２２３】
【表１０】
0006541437.tif 000041
【符号の説明】
【０２２４】
１０１  支持体
１０２  弾性層
１０３  表面層
２１  像担持体（電子写真感光体）
２２  帯電部材（帯電ローラ）
【図１】
0006541437.tif 000047
【図２】
0006541437.tif 000048