(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超薄金属層プリント回路基板の製造方法であって、
（１）真空容量カップリングでプラズマを放電するチャンバー内にエッチング対象材料を放置し、第１プラズマと第２プラズマをそれぞれ用いてエッチング対象材料の表面を変性処理することでエッチング済み材料を取得するステップであって、前記第１プラズマは、ガス状の脂肪アミンが真空容量カップリングにより放電することで発生し、前記第２プラズマは、硫酸銅溶液をバブリングした窒素ガスが真空容量カップリングにより放電することで発生し、前記変性処理は、処理対象材料の表面をエッチングするとともに、アミノ基、水酸基及び／又はスルホ基等の活性基をグラフトする処理であるステップと、
（２）化学銅めっき又はスパッタリング銅めっきによって、エッチング済み材料の表面全体或いは一部に銅膜を形成するステップ、を含む方法。
【請求項２】
当該方法は、更に、
（３）ステップ（２）で取得した銅膜の厚みを電気めっきにより増加させるか、或いは、ステップ（２）で取得した銅膜を選択的に保護し、且つ、保護されていない銅膜の厚みを電気めっきにより増加させることを特徴とする請求項１記載の超薄金属層プリント回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記ステップ（３）の具体的プロセスとして、ステップ（２）で取得した銅膜に保護層を貼り合わせることで、銅膜の一部のみを露出させるとともに、保護されていない銅膜の厚みを電気めっきにより増加させることを特徴とする請求項２記載の超薄金属層プリント回路基板の製造方法。
【請求項４】
第１プラズマと第２プラズマによってエッチング対象材料の表面を変性処理する際、真空容量カップリング放電のガス圧は３０〜８０Ｐａの範囲であることを特徴とする請求項１又は２記載の超薄金属層プリント回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記脂肪アミンは、炭素原子数が７未満のメチルアミン、第一級アミン又は第二級アミンであり、前記第１プラズマの処理時間は５〜２０ｓであることを特徴とする請求項１又は２記載の超薄金属層プリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記硫酸銅溶液中の硫酸銅と水の比率は１：２よりも大きく、前記第２プラズマの処理時間は１０〜３０ｓであることを特徴とする請求項１又は２記載の超薄金属層プリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング対象材料の表面は、ポリイミド材質又はエポキシ樹脂材質であることを特徴とする請求項１又は２記載の超薄金属層プリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロエレクトロニクス基材の設計及び作製の技術分野に属し、具体的には、超薄金属層フレキシブル基板及びリジット基板における基材の製造工程、及び、片面、両面、多層、フレキシブル回路基板、リジッドフレキシブル基板及び多層高密度相互接続プリント回路基板のブラインドビア、ベリードビア及びフィルドビアにかかる工程及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板（ＰＣＢ−Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）は、電子部品を電気接続するための担体である。プリント回路基板は、リジッドプリント回路基板（ＲＰＣ−Ｒｉｇｉｄ Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ-Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）及びリジッドフレキシブル基板（ＲＦＰＣ−Ｒｉｇｉｄ−Ｆｌｅｘ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）に分けられる。プリント回路基板は、積層構造別に片面基板、両面基板、多層基板（３層以上）に分けられる。リジッドプリント回路基板は耐熱性のため製造プロセスで変形しないとの特徴を有し、平坦度がより良好となる。一方、フレキシブル回路基板には屈曲性が高いとの利点がある。リジッドフレキシブル基板はリジット基板とフレキシブル基板の機能と特性を兼ね備えており、例えば、ノートパソコン、タブレットパソコン、スマートフォン、ウェアラブル電子ブレスレットといった通信制御モジュール（ＣＣＭ）や撮像モジュールに数多く応用されている。片面基板には高屈曲性、低コストとの特徴があり、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）や光学読取ヘッドなどに幅広く応用されている。また、両面基板は片面基板に比べて回路設計が複雑となり、厚みもやや増加する。３層以上の多層基板は積層数が多いことから、より柔軟な回路設計が可能である。
【０００３】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、 Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｌｅｘ （ＣＯＦ）の基板といった昨今の電子製品には、回路のファイン化、高密度化、サイズの高安定性、耐高温及び信頼性が要求される。また、電子製品の軽量、薄型、短小化が進む中で、プリント回路基板にはより薄い金属層や媒質層を備えることが求められている。市場では、３層（媒質層／接着剤／銅箔）の接着剤使用基材に代わって、超薄型の接着剤フリー回路基板が主流となりつつある。超薄型（＜５μm）ということはより薄い銅箔が必要になることを意味しているが、現在の工業界では、最も薄い銅箔でも１２μｍ程度にとどまり、超薄型の実現は困難である。また、もう一つの要因として、銅箔があまりに薄いと力学的強度が低下してしまい、銅張りが困難になることが挙げられる。また、接着剤フリーの超薄型を実現するための方法としては、媒質層上に化学的（又はスパッタリング）によって銅膜を直接めっきするとの方法がある。しかし、媒質層（ポリイミド、エポキシ樹脂等）の表面は平滑であり、親水性に劣る（表面エネルギーが低い）ため、めっきされた銅膜は媒質層から容易に剥離してしまう。よって、剥離強度が７Ｎ／ｃｍ（業界基準）よりも高くなるよう、媒質層の表面を変性処理し、媒質層とめっきされた銅膜とに良好な結合力を持たせることが必須となる。
【０００４】
ここ十数年ほど、世界では超薄型で接着剤フリーのフレキシブル回路基板の媒質材料であるポリイミドフィルム（ＰＩ）の表面変性処理について積極的に研究が進められており、主な処理方法として、酸・アルカリ処理、プラズマ処理、イオンビーム処理、ｇｒａｆｔｉｎｇ ｆｒｏｍ法が存在する。
【０００５】
１９８８年にＲｕｏｆｆらは反応性酸素イオンビームを用いてＰＩフィルムをエッチングし、エネルギー、イオン流密度及びエッチング時間といった要素を様々に調整することで銅との接着性能を向上させ、考察した結果（非特許文献１）、最適条件で処理した場合の粘着強度が６．９Ｎ／ｃｍとなった。これは、未処理のＰＩフィルムと比較すれば２５倍近く向上したことにはなるが、使用基準には達していない。また、２００６年にＪｕ  Ｈｉ ＨｏｎｇらはＰＳＩＩ（Ｐｌａｓｍａ  ｓｏｕｒｃｅ ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）技術を用いてＰＩフィルムの表面にＣu膜をめっきした結果、Ｃｕ膜とポリイミドフィルム層との結合力が大幅に向上するとの結果を得たが、やはり使用要求は満たせていない（非特許文献２）。また、特許文献１は、ポリイミドフィルムの化学銅めっき液及びその表面における化学銅めっきの方法について開示しているが、ポリイミドフィルムと銅膜の結合力という肝心な問題には言及しておらず、超薄型で接着剤フリーのプリント回路基板の基材製造における技術的ネックの解決には至っていない。また、特許文献２は、積層体及びその製造方法について開示している。当該特許文献では、電離放射線を照射することで、熱可塑性環状オレフィン樹脂を含有する樹脂膜の表面を部分的に変性させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】中国特許第ＣＮ１０１６８４５５４Ａ号公報
【特許文献２】中国特許第ＣＮ１０２１９６９０４Ａ号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ  ｏｆ ａｄｈｅｓｉｏｎ ｏｆ ｃｏｐｐｅｒ ｏｎ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｂｙ ｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎ−ｂｅａｍ ｅｔｃｈｉｎｇ ［Ｊ］． ＩＢＭ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ，１９８８，３２：５
【非特許文献２】Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ  ｏｆ ａｄｈｅｓｉｏｎ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｆｏｒ Ｃｕ ｆｉｌｍｓ ｏｎ ｔｈｅ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｂｙ ｐｌａｓｍａ ｓｏｕｒｃｅ ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ［Ｊ］． Ｓｕｒｆａｃｅ ＆ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ． ２００６，２０１：１９７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、媒質層材料の表面が平滑であり、表面エネルギーが低いとの性質に鑑みて、結合力の種類と構造に基づき、プラズマ技術によって超薄金属層プリント回路基板の製造を実現する方法を提供する。
【０００９】
プリント回路基板の媒質層と金属層の剥離強度に影響する重要要素としては、媒質の表面粗さや表面の化学活性が挙げられる。本発明ではこれに基づき、超薄金属層プリント回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の製造方法では、まず媒質層に対しプラズマによる表面変性処理を実施する。続いて、化学めっき（化学銅めっきとも称する）又は真空スパッタリングめっきを施し、厚み１００ｎｍ以下の緻密な銅膜をめっきして、最後に銅膜を電気めっきすることで所望の銅膜厚さまで厚みを増加させる。本方法は、剥離強度の高い超薄金属層プリント回路基板の基材製造に適用可能である。
【００１１】
本発明が提供する方法は、具体的に以下を含む。
【００１２】
（１）真空容量カップリングでプラズマを放電するチャンバー内にエッチング対象材料を放置し、第１プラズマと第２プラズマをそれぞれ用いてエッチング対象材料の表面を変性処理する。前記第１プラズマは、ガス状の脂肪アミンが真空容量カップリングにより放電することで発生し、前記第２プラズマは、硫酸銅溶液をバブリングした窒素ガスが真空容量カップリングにより放電することで発生する。前記変性処理は、処理対象材料の表面に、アミノ基、水酸基及び／又はスルホ基をグラフトする処理である。
【００１３】
（２）化学銅めっき又はスパッタリング銅めっきによって、エッチング済み材料の表面に対し、選択的或いは全体的に銅膜を形成する。
【００１４】
好ましくは、前記方法は更に以下のステップを含む。
【００１５】
（３）ステップ（２）で取得した銅膜の厚みを電気めっきにより増加させるか、或いは、ステップ（２）で取得した銅膜を選択的に保護し、且つ、保護されずに露出している銅膜の厚みを電気めっきにより増加させる。具体的な厚みについては、製品に応じて決定する。
【００１６】
好ましくは、前記第１プラズマと第２プラズマによってエッチング対象材料の表面を変性処理する際、真空容量カップリング放電のガス圧は３０〜８０Ｐａの範囲である。
【００１７】
好ましくは、前記脂肪アミンは、炭素原子数が７未満のメチルアミン、第一級アミン又は第二級アミンであり、この種の脂肪アミンは一般的にガス状の脂肪アミンであり、前記第１プラズマの処理時間は５〜２０ｓである。
【００１８】
好ましくは、前記硫酸銅溶液中の硫酸銅と水の比率は１：２よりも大きく、前記第２プラズマの処理時間は１０〜３０ｓである。
【００１９】
好ましくは、前記エッチング対象材料の表面は、ポリイミド（ＰＩ）材質又はエポキシ樹脂材質（ＰＰ）である。前記ポリイミド材質としては、ポリイミドフィルム或いはポリイミド保護層が可能であり、前記エポキシ樹脂材質としては、エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維布からなるプレートが可能である。
【００２０】
処理材料が、エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維布からなるプレート、或いはポリイミド（ＰＩ）フィルムである場合、表面処理後に化学銅めっき及び電気めっきによる厚み増加を実施することで、超薄金属層プリント回路基板におけるリジット基板用基材及びフレキシブル基板用基材をそれぞれ取得可能である。これらは、片面、両面プリント回路基板、多層回路基板、リジッドフレキシブル基板及び多層高密度相互接続プリント回路基板の製造に適用されるとともに、ブラインドビア、ベリードビア及びフィルドビア等にかかる工程にも応用される。
【００２１】
本発明の典型的実施例には、次の処理方式が含まれる。
【００２２】
プリント回路基板における基材の媒質材料としてのポリイミド（ＰＩ）フィルム、又は、エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維織物からなるプレート（ＰＰ）を真空容量カップリングでプラズマを放電するチャンバー内に配置し、化学基としてアミノ基を含有するアルカリ性の脂肪アミン系ガス状物質と、硫酸銅溶液をバブリングした窒素ガスを用い、それぞれに真空容量カップリング放電してプラズマを発生させる。そして、媒質層の表面に対し、物理的及び化学的エッチングを実施するとともに、表面にアミノ基、水酸基、スルホ基といった活性基をグラフトする変性処理を実施する。
【００２３】
処理した媒質材料は、化学銅めっき又はスパッタリング銅めっきする。
【００２４】
また、所望の金属銅層の厚みが得られるよう、電気めっきによって厚みを増加させる。以上により、超薄金属層プリント回路基板における基材の製造を完了する。
【００２５】
超薄金属層プリント回路基板の基材を用いて、プリント回路基板を製造する。基板には媒質層が被覆され、ステップ（１）、（２）の処理が実施される。また、ビルドアップ法により、多層基板、リジッドフレキシブル基板が製造される。ブラインドビア、ベリードビア、フィルドビア、選択めっきにかかるフローは、ステップ（１）、（２）によって実施される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の方法は、ポリイミドフィルムを媒質とするフレキシブルプリント回路基板（フレキシブル基板と略称）の基材製造に適用されるとともに、エポキシ樹脂を媒質とするリジッド回路基板（リジット基板と略称）の基材製造にも適用される。更に、当該技術は、多層プリント回路基板におけるビルドアップ法による多層基板やリジッドフレキシブル基板の製造工程にも応用可能である。また、銅箔被覆工程を省略可能となる。本発明によれば、電解銅めっき層の厚みを自由に制御可能なため、超薄金属層プリント回路基板の製造が実現され、高密度回路への応用にいっそう有利となる。また、銅箔やインクの使用を節約できるため、本発明によれば効果的なコストダウンが可能となり、製品としての競争力が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明におけるＰＩフィルム処理の技術方案を示す図である。
【図２】図２は、本発明における複数のＰＰフィルムを同時に処理する技術方案を示す図である。
【図３】図３は、新工程としての２層フレキシブル基板における選択めっきを示す図である。
【図４】図４は、ビルドアップ法による４層フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ）の製造を示す図である。
【図５】図５は、ビルドアップ法による４層リジッドプリント回路基板の製造を示す図である。
【図６】図６は、ビルドアップ法によるリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造及び新工程としての選択めっきを示す図である。
【図７】図７は、リジッドフレキシブル高密度相互接続基板（ＨＤＩ―Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）の製造及び新工程としての選択めっきを示している。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に本発明の実施例を示すが、これらの実施例は本発明を説明するためのものにすぎず、限定を主旨としない。
【００２９】
図１を参照して、本発明では以下の方法でＰＩベースのプリント回路基板における片面又は両面基材を製造する。
【００３０】
（１）ポリイミド（ＰＩ）のシートロールを低真空プラズマ発生器におけるチャンバー内の巻取装置に装着し、２０Ｐａ未満まで真空引きした後、脂肪アミン系のガス（例えば、メチルアミン、エチルアミン、第一級アミン、第二級アミン等）を導入する。そして、放電によりプラズマを発生させ、ポリイミドフィルムをエッチング及びグラフト処理する。巻取機の回転速度は、プラズマ放電領域の通過によるポリイミドフィルムの処理時間が５〜２０ｓとなるよう制御する。プラズマエッチングの作用によってポリイミドフィルムの表面粗さが向上するとともに、ポリイミドフィルムの表面にアミノ基ＮＨ２がグラフトされる。
【００３１】
（２）脂肪アミンガスの供給を停止し、真空度が２０Ｐａ未満となるよう真空引きを継続する。そして、硫酸銅溶液（硫酸銅：脱イオン水≧１：２）をバブリングした窒素ガスを注入し、プラズマ放電処理を１０〜３０ｓ実施する。続いて、装置を停止させてから空気を導入し、ポリイミドフィルムを取り出す。
【００３２】
（３）化学銅めっき又はスパッタリング銅めっきによって基体表面に銅膜を形成し、導電させることで電気めっき条件を整える。
【００３３】
（４）電気めっきにより銅膜の厚みを増加させ、フレキシブルプリント回路基板の片面又は両面基材の製造を完了する。
【００３４】
（５）プリント回路基板を作製する。
【００３５】
図２を参照して、本発明では以下の方法でＰＰベースのプリント回路基板における片面又は両面基材を製造する。
【００３６】
エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維織物（ＰＰ）からなる板材を低真空プラズマ発生チャンバーにおける正極と負極の間に垂下するよう装着し、第１方案のステップに従ってＰＰベースのプリント回路基板における片面又は両面基材を製造する。
【００３７】
実施例１：図３を参照して、本実施例は、主として２層フレキシブル基板における選択めっき方法に関し、具体的に以下を含む。
【００３８】
Ａ．ポリイミド（ＰＩ）フィルムと両面電気銅めっき膜から構成される２層フレキシブル基板の基材を製造する。
Ｂ．レーザー又は機械的に貫通孔を開設する。
Ｃ．回路を露光、現像、エッチングする。
Ｄ．プラズマによるデスミア強化、エッチングによる粗さ及びＰＩ表面の活性基向上の後、化学銅めっきを実施する。
Ｅ．ドライフィルムを貼り合わせ、露光及び現像する。
Ｆ．穿孔箇所にのみ選択的に電気めっきを施す。
Ｇ．マイクロエッチング／化学銅を実施し、次の製造プロセスに進む。
【００３９】
選択めっきは、フレキシブル基板領域がより耐屈曲性を備えるよう、貫通孔には銅めっきを施すが、フレキシブル基板の基材には銅めっきを施さないことを目的とする。
【００４０】
実施例２：図４を参照して、本実施例は、主としてビルドアップ法による４層フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ）の製造に関する。
【００４１】
Ａ．ポリイミド（ＰＩ）フィルムと両面電気銅めっき膜から構成される２層フレキシブル基板の基材を製造する。
Ｂ．２層回路を露光、現像、プリントし、エッチングを実施する。
Ｃ．保護層（ｃｏｖｅｒ  ｌａｙｅｒ）を貼り合わせる。銅箔を被覆することなく、加熱と真空により貼り合わせる。
Ｄ．穿孔し、穿孔によるスミアを除去するとともに、プラズマエッチングによって表面粗さ及び活性基を向上させる。
Ｅ．化学銅めっきを実施する。
Ｆ．電気めっきにより銅層の厚みを増加させる。
Ｇ．回路を露光、現像、プリントしてエッチングを施し、４層フレキシブルプリント回路基板の作製を完了して、検査プロセスに進む。
【００４２】
実施例３：図５を参照して、本実施例はビルドアップ法により４層リジッドプリント回路基板（ＲＰＣ−Ｒｉｇｉｄ  Ｐｒｉｎｔｅｄ）を製造する方法に関する。
【００４３】
Ａ．エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維織物（ＰＰ）からなる媒質プレートと両面電気銅めっき膜からなる２層リジット基板の基材を製造する。
Ｂ．２層回路を露光、現像、プリントし、エッチングを施す。
Ｃ．銅箔を被覆することなく、エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維布（ＰＰ）を加熱と真空により貼り合わせる。
Ｄ．穿孔し、穿孔によるスミアを除去するとともに、プラズマエッチングによって表面粗さ及び活性基を向上させる。
Ｅ．化学銅めっきによって銅膜を形成する。
Ｆ．前のステップで取得した銅膜の厚みを電気めっきにより増加させる。
Ｇ．回路を露光、現像、プリントしてエッチングを施し、４層リジッドプリント回路基板の作製を完了して、検査プロセスに進む。
【００４４】
実施例４：図６を参照して、本実施例は、ビルドアップ法によるリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造及び選択めっきの方法に関する。
【００４５】
Ａ．本発明における第１の技術方案で製造されたポリイミド（ＰＩ）フィルムと両面電気銅めっき膜からなる２層フレキシブル基板の基材（両面銅箔基板ＣＣＬ―Ｃｏｐｐｅｒ   Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅと総称）を使用する。
Ｂ．回路を露光、現像し、エッチングを施す。
Ｃ．銅箔を用いることなく、保護層（ＣＬ―Ｃｏｖｅｒ  Ｌａｙｅｒ）と、エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維布（ＰＰ―Ｐｒｅｐｒｅｇ）を高温且つ真空で直接貼り合わせる。
Ｄ．レーザー又は機械的に穿孔する。
Ｅ．貫通孔について、プラズマによるデスミア強化、粗さ及びＰＩ表面のグラフト活性基の向上を実施した後、化学銅めっきを実施する。
Ｆ．電気めっきにより銅層の厚みを増加させる。
Ｇ．ドライフィルムを貼り合わせる。
Ｈ．露光及び現像してエッチング面を露出させる。
Ｉ．エッチングし、膜を除去して、リジッドフレキシブルプリント回路基板の製造を完了し、検査プロセスに進む。
【００４６】
実施例５：図７を参照して、本実施例は、主としてビルドアップ法によるリジッドフレキシブル高密度相互接続基板（ＨＤＩ―Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）の製造及び新方法としての選択めっき方法に関する。
【００４７】
Ａ．本発明における第１の技術方案で製造されたポリイミド（ＰＩ）フィルムと両面電気銅めっき膜からなる２層フレキシブル基板の基材を使用する。
Ｂ．回路を露光、現像、エッチングする。
Ｃ．銅箔を用いることなく、高温、高圧、真空により保護層とエポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維布（ＰＰ―Ｐｒｅｐｒｅｇ）を貼り合わせる。
Ｄ．レーザーでブラインドビアを穿孔する。
Ｅ．器械的に貫通孔を開設する。
Ｆ．プラズマによるデスミア強化、粗さ及び表面のグラフト活性基向上の後、化学銅めっきを実施する。
Ｇ．電気めっきによりブラインドビア７６を充填するとともに、銅層の厚みを増加させる。
Ｈ．ドライフィルムを貼り付ける。
Ｉ．エッチング面を露光、現像及び露出させる。
Ｊ．エッチングし、膜を除去して、リジッドフレキシブル高密度相互接続基板の製造を完了し、検査プロセスに進む。
【００４８】
本発明の方法を用いれば、超薄型ポリイミド（ＰＩ）接着剤フリーフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ）の基材、及び超薄金属層接着剤フリーリジッドプリント回路基板（ＲＰＣ−Ｒｉｇｉｄ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の基材を生産可能である。更には、ビルドアップ法による多層プリント回路基板の製造や、ブラインドビア、ベリードビア及び選択めっきにかかる工程にも応用可能である。また、取得されたビルドアップによる電気めっき銅層は薄く、より細かい回路の生産に適用可能である。
【００４９】
以上は本発明における好ましい実施例にすぎず、本発明を制限する主旨ではない。本発明の実質的内容に対するいかなる修正、等価の置き換え、及び簡単な改良等は、いずれも本発明の保護の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１１  プラズマチャンバー
１２  ポリイミドフィルム
１３  繰り出し
１４  巻き取り
１５  陽極
１６  陰極
２１  プラズマチャンバー
２２  ＰＰ板
２３  正極
２４  負極
３１  ポリイミド（ＰＩ）フィルム
３２  銅膜
３３  穿孔
３４  回路の露光、現像、エッチング
３５  化学銅めっき
３６  フィルム貼り合わせ
３７  穿孔銅めっき
３８  膜除去後のマイクロエッチング／化学銅
４１  ＰＩフィルム
４２  銅膜
４３  エッチング溝
４４  ＣＬ
４５  貫通孔
４６  化学めっき膜
４７  電気銅めっき膜
４８  エッチング溝
５１  エポキシ樹脂が塗布されたガラス繊維布からなるプレート
５２  両面銅めっき膜
５３  エッチング溝
５４  ＰＰ
５５  貫通孔
５６  化学銅めっき膜
５７  電気銅めっき膜
５８  エッチング溝
６０  ＰＩ膜
６１  電気銅めっき膜
６２  エッチング溝
６３  ＰＰ
６４  ＣＬ
６５  貫通孔
６６  表面銅めっき
６７  電気銅めっき膜
６８  ドライフィルム
６９  エッチング面
７０  エッチング溝
７１  ポリイミドフィルム（ＰＩ）
７２  両面銅めっき膜
７３  エッチング溝
７４  ＣＬ
７５  ＰＰ
７６  ブラインドビア
７７  貫通孔
７８  表面銅めっき
７９  電気銅めっき膜
８０  ドライフィルム
８１  エッチング面
８２  エッチング溝
【図１】
0006455693.tif 000002
【図２】
0006455693.tif 000003
【図３】
0006455693.tif 000004
【図４】
0006455693.tif 000005
【図５】
0006455693.tif 000006
【図６】
0006455693.tif 000007
【図７】
0006455693.tif 000008