(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【化１】
0006606774.tif 000021
［式（１）中、Ｘは炭素数２〜１００の四価の有機基であり、複数あるＹはそれぞれ独立に炭素数１〜１００の二価の有機基であり、複数あるＺはそれぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキレン基であり、複数あるＲはそれぞれ独立に水素またはメチルである。］
【請求項２】
式（１）中、複数あるＹがそれぞれ独立に式（１−１）で表される、請求項１に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【化２】
0006606774.tif 000022
［式（１−１）中、ｍは１〜１１の整数であり；ｍが１のときＲ１は水素、炭素数１〜３０のアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールであり、前記アルキルにおける少なくとも一つの水素は、ヒドロキシル基、ヒドロキシフェニル基、チオール基、インドール基またはイミダゾール基で置き換えられてもよく、前記アルキルにおける少なくとも一つの−ＣＨ２−は−Ｓ−で置き換えられてもよく；ｍが２〜１１の整数のときＲ１は水素である。］
【請求項３】
（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を合成するための原料が、式（ａ１）で表されるテトラカルボン酸二無水物（ａ１）、式（ａ２）で表されるアミノ酸（ａ２）および式（ａ３）で表される化合物（ａ３）を含む、請求項１または２に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【化３】
0006606774.tif 000023
［式（ａ１）中、Ｘは炭素数２〜１００の四価の有機基であり；式（ａ２）中、Ｙは炭素数１〜１００の二価の有機基であり；式（ａ３）中、Ｚは炭素数１〜２０のアルキレン基であり、Ｒは水素またはメチルである。］
【請求項４】
アミノ酸（ａ２）が、式（ａ２−１）で表されるアミノ酸である、請求項３に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【化４】
0006606774.tif 000024
［式（ａ２−１）中、ｍは１〜１１の整数であり；ｍが１のときＲ1は水素、炭素数１〜３０のアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールであり、前記アルキルにおける少なくとも一つの水素は、ヒドロキシル基、ヒドロキシフェニル基、チオール基、インドール基またはイミダゾール基で置き換えられてもよく、前記アルキルにおける少なくとも一つの−ＣＨ２−は−Ｓ−で置き換えられてもよく；ｍが２〜１１の整数のときＲ1は水素である。］
【請求項５】
テトラカルボン酸二無水物（ａ１）が、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，２−［ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、エタンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸  ［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ジ−４，１−フェニレンエステル、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジベンゾエート−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸オキシジ−４，１−フェニレンエステル、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１，２−ジカルボン酸無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビシクロへキシルテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］オクタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物および４，４’−［（イソプロピリデン）ビス（ｐ−フェニレンオキシ）］ジフタル酸二無水物からなる群から選ばれる１種以上であり、アミノ酸（ａ２）が、グリシン、アラニン、β−アラニン、フェニルアラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、システイン、メチオニン、セリン、トレオニン、チロシン、トリプトファン、ヒスチジン、４−アミノ酪酸、６−アミノヘキサン酸および１２−アミノラウリン酸からなる群から選ばれる１種以上であり、化合物（ａ３）が、１−ヒドロキシメチルアクリルアミドおよび２−ヒドロキシエチルアクリルアミドからなる群から選ばれる１種以上である、請求項３または４に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）と、重合開始剤（Ｂ）とを含むインク。
【請求項７】
（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）の含有量が、インク全量に対して、５〜９９．９質量％である、請求項６に記載のインク。
【請求項８】
さらに、溶媒、前記（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）以外の重合性モノマー、界面活性剤、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリアミド酸、ポリアミド酸のイミド化重合体、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸エステル、ポリエステル、（メタ）アクリル酸ポリマー、（メタ）アクリレートポリマー、ポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン、アルケニル置換ナジイミド化合物、シリコンアミド酸化合物、帯電防止剤、カップリング剤、エポキシ硬化剤およびオキセタン硬化剤からなる群から選ばれる１種以上を含む、請求項６または７に記載のインク。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載のインクから得られるポリイミド膜。
【請求項１０】
請求項６〜８のいずれか１項に記載のインクを基板上に塗布して塗膜を形成した後、前記塗膜を硬化処理して得られるポリイミド膜の製造方法。
【請求項１１】
フィルムと、前記フィルム上に形成された請求項９に記載のポリイミド膜とを有するフィルム基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載のフィルム基板を有する電子部品。
【請求項１３】
シリコンウエハーと、前記シリコンウエハー上に形成された請求項９に記載のポリイミド膜とを有するシリコンウエハー基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシリコンウエハー基板を有する電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な（メタ）アクリルイミド化合物、例えば電子部品製作において絶縁膜を形成するために用いられるインク、該インクから得られるポリイミド膜およびその製造方法、フィルム基板またはシリコンウエハー基板、ならびに電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミドは、耐熱性および電気絶縁性に優れるため、電子通信分野で広く用いられている（例えば、特許文献１〜３参照）。ポリイミド膜は、通常、ポリアミド酸などのポリイミド前駆体を溶媒に溶解させたインクを支持体に塗布した後に、加熱処理をすることによりポリイミド前駆体のイミド化を行い、得ることができる。
【０００３】
イミド化を行う時の加熱温度は通常、１５０℃以上必要であり、加熱時間も３０分以上必要である。ポリイミド前駆体をフィルム基板などに塗布した場合、フィルム基板の耐熱性およびポリイミド膜を有する電子部品の製造にかかる時間短縮の観点から、イミド化を行う温度は低温で時間を短くすることが求められる。
【０００４】
感光性ポリイミドは各種提案されているが（例えば、特許文献４〜６参照）、その多くはポリアミド酸などのポリイミド前駆体を用いており、イミド化のための加熱処理が必要である。また、有機溶媒に可溶なポリイミドも提案されているが、ポリイミドを含む化合物間に架橋を形成するために加熱処理が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−０３９７１４号公報
【特許文献２】特開２００３−２３８６８３号公報
【特許文献３】特開２００４−０９４１１８号公報
【特許文献４】特開２０１４−１７７６４２号公報
【特許文献５】特開２０１４−１４５９５７号公報
【特許文献６】特開２０１４−１３７５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、これまでポリイミド膜を形成する上で必要であった加熱処理を、省略あるいはより低温かつ短時間で行うことができ、耐熱性および絶縁性に優れたポリイミド膜を形成することができる新規化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち本発明は、以下の通りである。
［１］式（１）で表される（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【０００８】
【化１】
0006606774.tif 000002
［式（１）中、Ｘは炭素数２〜１００の四価の有機基であり、複数あるＹはそれぞれ独立に炭素数１〜１００の二価の有機基であり、複数あるＺはそれぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキレン基であり、好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基である。複数あるＲはそれぞれ独立に水素またはメチルである。］
【０００９】
［２］式（１）中、複数あるＹがそれぞれ独立に式（１−１）で表される、前記［１］に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【００１０】
【化２】
0006606774.tif 000003
［式（１−１）中、ｍは１〜１１の整数であり；ｍが１のときＲ1は水素、炭素数１〜３０のアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールであり、前記アルキルにおける少なくとも一つの水素は、ヒドロキシル基、ヒドロキシフェニル基、チオール基、インドール基またはイミダゾール基で置き換えられてもよく、前記アルキルにおける少なくとも一つの−ＣＨ２−は−Ｓ−で置き換えられてもよく；ｍが２〜１１の整数のときＲ1は水素である。］
【００１１】
［３］（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を合成するための原料が、式（ａ１）で表されるテトラカルボン酸二無水物（ａ１）、式（ａ２）で表されるアミノ酸（ａ２）および式（ａ３）で表される化合物（ａ３）を含む、前記［１］または［２］に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【００１２】
【化３】
0006606774.tif 000004
［式（ａ１）中、Ｘは炭素数２〜１００の四価の有機基であり；式（ａ２）中、Ｙは炭素数１〜１００の二価の有機基であり；式（ａ３）中、Ｚは炭素数１〜２０のアルキレン基であり、好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基である。Ｒは水素またはメチルである。］
【００１３】
［４］アミノ酸（ａ２）が、式（ａ２−１）で表されるアミノ酸である、前記［３］に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【００１４】
【化４】
0006606774.tif 000005
［式（ａ２−１）中、ｍは１〜１１の整数であり；ｍが１のときＲ1は水素、炭素数１〜３０のアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールであり、前記アルキルにおける少なくとも一つの水素は、ヒドロキシル基、ヒドロキシフェニル基、チオール基、インドール基またはイミダゾール基で置き換えられてもよく、前記アルキルにおける少なくとも一つの−ＣＨ２−は−Ｓ−で置き換えられてもよく；ｍが２〜１１の整数のときＲ1は水素である。］
【００１５】
［５］テトラカルボン酸二無水物（ａ１）が、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，２−［ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、エタンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸  ［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ジ−４，１−フェニレンエステル、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジベンゾエート−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸オキシジ−４，１−フェニレンエステル、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１，２−ジカルボン酸無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビシクロへキシルテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］オクタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物および４，４’−［（イソプロピリデン）ビス（ｐ−フェニレンオキシ）］ジフタル酸二無水物からなる群から選ばれる１種以上であり、アミノ酸（ａ２）が、グリシン、アラニン、β−アラニン、フェニルアラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、システイン、メチオニン、セリン、トレオニン、チロシン、トリプトファン、ヒスチジン、４−アミノ酪酸、６−アミノヘキサン酸および１２−アミノラウリン酸からなる群から選ばれる１種以上であり、（ａ３）が、１−ヒドロキシメチルアクリルアミドおよび２−ヒドロキシエチルアクリルアミドからなる群から選ばれる１種以上である、前記［３］または［４］に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）。
【００１６】
［６］前記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）と、重合開始剤（Ｂ）とを含むインク。
【００１７】
［７］（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）の含有量が、インク全量に対して、５〜９９．９質量％である、前記［６］に記載のインク。
【００１８】
［８］さらに、溶媒、前記（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）以外の重合性モノマー、界面活性剤、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリアミド酸、ポリアミド酸のイミド化重合体、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸エステル、ポリエステル、（メタ）アクリル酸ポリマー、（メタ）アクリレートポリマー、ポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン、アルケニル置換ナジイミド化合物、シリコンアミド酸化合物、帯電防止剤、カップリング剤、エポキシ硬化剤およびオキセタン硬化剤からなる群から選ばれる１種以上を含む、前記［６］または［７］に記載のインク。
【００１９】
［９］前記［６］〜［８］のいずれか１項に記載のインクから得られるポリイミド膜。
【００２０】
［１０］前記［６］〜［８］のいずれか１項に記載のインクを基板上に塗布して塗膜を形成した後、前記塗膜を硬化処理して得られるポリイミド膜の製造方法。
【００２１】
［１１］フィルムと、前記フィルム上に形成された前記［９］に記載のポリイミド膜とを有するフィルム基板。
【００２２】
［１２］前記［１１］に記載のフィルム基板を有する電子部品。
【００２３】
［１３］シリコンウエハーと、前記シリコンウエハー上に形成された前記［９］に記載のポリイミド膜とを有するシリコンウエハー基板。
【００２４】
［１４］前記［１３］に記載のシリコンウエハー基板を有する電子部品。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は、これまでポリイミド膜を形成する上で必要であった加熱処理を、省略あるいはより低温かつ短時間で行うことができ、耐熱性および絶縁性に優れたポリイミド膜を形成することができる新規化合物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）およびその製造方法、インクおよびその製造方法、該インクから得られるポリイミド膜の製造方法、フィルム基板またはシリコンウエハー基板ならびに電子部品について説明する。なお、本明細書において、アクリルおよびメタクリルを総称して「（メタ）アクリル」とも記載する。
【００２７】
１  （メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）
本発明の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）は、式（１）で表される。
【００２８】
【化５】
0006606774.tif 000006
式（１）中、Ｘは炭素数２〜１００の四価の有機基であり、複数あるＹはそれぞれ独立に炭素数１〜１００の二価の有機基である。複数あるＺはそれぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキレン基であり、好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基である。複数あるＲはそれぞれ独立に水素またはメチルである。
【００２９】
Ｘは、後述する式（ａ１）で表されるテトラカルボン酸二無水物の残基であることが好ましい。テトラカルボン酸二無水物の残基とは、後述する式（ａ１）中のＸを意味する。
Ｙは、式（１−１）で表される二価の基であることが好ましい。
【００３０】
【化６】
0006606774.tif 000007
式（１−１）中、ｍは１〜１１の整数、好ましくは１または２〜６の整数であり；ｍが１のときＲ1は水素、炭素数１〜３０のアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールであり、前記アルキルにおける少なくとも一つの水素は、ヒドロキシル基、ヒドロキシフェニル基、チオール基、インドール基またはイミダゾール基で置き換えられてもよく、前記アルキルにおける少なくとも一つの−ＣＨ２−は−Ｓ−で置き換えられてもよく；ｍが２〜１１の整数のときＲ1は水素である。
【００３１】
上記アルキルは、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。上記アルキルとしては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルなどが挙げられる。上記アルキルの炭素数は、好ましくは１〜８、より好ましくは１〜４である。上記アリールとしては、フェニル、ベンジル、トリル、キシリル、ナフチルなどが挙げられる。
【００３２】
上記ヒドロキシル基で置き換えられたアルキルとしては、例えば上記アルキルが有する少なくとも１つの水素がヒドロキシル基（−ＯＨ）に置き換えられた基が挙げられ、具体的にはヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ｓ−ヒドロキシブチルなどが挙げられる。
【００３３】
上記ヒドロキシフェニル基で置き換えられたアルキルとしては、例えば上記アルキルが有する少なくとも１つの水素をヒドロキシフェニル基（−Ｃ6Ｈ5（ＯＨ））に置き換えられた基が挙げられ、具体的には４−ヒドロキシベンジルなどが挙げられる。
【００３４】
上記チオール基で置き換えられたアルキルとしては、例えば上記アルキルが有する少なくとも１つの水素をチオール基（−ＳＨ）に置き換えられた基が挙げられ、具体的にはメルカプトメチルなどが挙げられる。
【００３５】
上記インドール基またはイミダゾール基で置き換えられたアルキルとしては、上記アルキルが有する少なくとも１つの水素をインドール基（インドール環）またはイミダゾール基（イミダゾール環）に置き換えられた基が挙げられ、具体的には（３−インドリル）メチル、（５−イミダゾリル）メチルなどが挙げられる。
【００３６】
上記−Ｓ−で置き換えられたアルキルとしては、例えば上記アルキルが有する少なくとも１つのメチレンを−Ｓ−に置き換えられた基が挙げられ、具体的にはメチルチオエチルなどが挙げられる。
【００３７】
本発明の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）は既にイミド化されているので、アミック酸をイミドにするための加熱処理が不要となる。また、（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）は、イミド骨格を有しているため耐熱性に優れ、末端に（メタ）アクリル基を有しているため、適切な組成でインクを調合することにより、露光のみで硬化しポリイミド膜を得ることができる。また、インクに溶媒を用いた場合において、加熱処理は溶媒を蒸発させるために用いればよいことから、加熱温度を従来のイミド化に必要な温度よりも下げることができ、さらに加熱時間の短縮ができる。
【００３８】
２  （メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）の製造方法
本発明の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を合成するための原料が、式（ａ１）で表されるテトラカルボン酸二無水物（以下「テトラカルボン酸二無水物（ａ１）」ともいう。）、式（ａ２）で表されるアミノ酸（以下「アミノ酸（ａ２）」ともいう。）および式（ａ３）で表される化合物（以下「化合物（ａ３）」ともいう。）を含むことが好ましい。
【００３９】
【化７】
0006606774.tif 000008
式（ａ１）中、Ｘは炭素数２〜１００の四価の有機基であり；式（ａ２）中、Ｙは炭素数１〜１００の二価の有機基であり；式（ａ３）中、Ｚは炭素数１〜２０のアルキレン基であり、好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基である。Ｒは水素またはメチルである。
【００４０】
２．１  テトラカルボン酸二無水物（ａ１）
テトラカルボン酸二無水物（ａ１）は上記式（ａ１）で表され、具体的にはピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２'，３，３'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２'，３，３'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，２'，３，３'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，２−［ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、エタンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸  ［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ジ−４，１−フェニレンエステル、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジベンゾエート−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸オキシジ−４，１−フェニレンエステル、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１，２−ジカルボン酸無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビシクロへキシルテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］オクタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、４，４’−［（イソプロピリデン）ビス（ｐ−フェニレンオキシ）］ジフタル酸二無水物などが挙げられる。また、エチレンジアミン四酢酸二無水物、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフタレン琥珀酸二無水物および下記式ａ１−１〜ａ１−５６で表される化合物などが挙げられる。
【００４１】
【化８】
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【００４２】
【化９】
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【００４３】
【化１０】
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【００４４】
【化１１】
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【００４５】
【化１２】
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【００４６】
【化１３】
0006606774.tif 000014
【００４７】
【化１４】
0006606774.tif 000015
テトラカルボン酸二無水物（ａ１）の上記具体例の中でも、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，２−［ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビシクロへキシルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−［（イソプロピリデン）ビス（ｐ−フェニレンオキシ）］ジフタル酸二無水物を用いることが好ましい。
【００４８】
２．２  アミノ酸（ａ２）
アミノ酸（ａ２）は上記式（ａ２）で表される。アミノ酸（ａ２）は、得られる化合物の溶媒への溶解性の観点から、式（ａ２−１）で表されるアミノ酸が好ましい。
【００４９】
【化１５】
0006606774.tif 000016
式（ａ２−１）中、ｍは１〜１１の整数、好ましくは１または２〜６の整数であり；ｍが１のときＲ1は水素、炭素数１〜３０のアルキルまたは炭素数６〜１０のアリールであり、前記アルキルにおける少なくとも一つの水素は、ヒドロキシル基、ヒドロキシフェニル基、チオール基、インドール基またはイミダゾール基で置き換えられてもよく、前記アルキルにおける少なくとも一つの−ＣＨ２−は−Ｓ−で置き換えられてもよく；ｍが２〜１１の整数のときＲ1は水素である。式（ａ２−１）中のＲ1およびｍは、上記式（１−１）中のＲ1およびｍに対応している。したがって、式（ａ２−１）中のＲ1の好ましい基および例示は、上記式（１−１）で説明した基および例示と同様である。
【００５０】
アミノ酸（ａ２）としては、具体的にはグリシン、アラニン、β−アラニン、フェニルアラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、システイン、メチオニン、セリン、トレオニン、チロシン、トリプトファン、ヒスチジン、４−アミノ酪酸、６−アミノヘキサン酸、１２−アミノラウリン酸などが挙げられる。
【００５１】
２．３  化合物（ａ３）
化合物（ａ３）は上記式（ａ３）で表される。具体的には１−ヒドロキシメチルアクリルアミドおよび２−ヒドロキシエチルアクリルアミドが挙げられる。
【００５２】
２．４  （メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）の合成条件
（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）は、例えば、テトラカルボン酸二無水物（ａ１）と、アミノ酸（ａ２）と、化合物（ａ３）とを反応させて得ることができる。具体的には、（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）は、テトラカルボン酸二無水物（ａ１）とアミノ酸（ａ２）とを用いて合成されたアミド酸化合物をイミド化し、得られた（メタ）アクリルイミド中間体と化合物（ａ３）とを反応させて得ることができる。
【００５３】
【化１６】
0006606774.tif 000017
【００５４】
〈アミド酸化合物の合成〉
アミド酸化合物は、テトラカルボン酸二無水物（ａ１）およびアミノ酸（ａ２）を混合して、穏やかな反応条件下で合成することができる。穏やかな反応条件とは、例えば、常圧下、温度５〜６０℃、反応時間０．２〜２０時間で、好ましくは温度５〜３０℃、反応時間０．２〜３時間で、触媒を使用することなく、テトラカルボン酸二無水物（ａ１）の酸無水物基の反応により開環して生じたカルボキシル基を活性化させることなく反応させる、という条件である。カルボキシル基の活性化とは、例えば、酸クロリドへの変換である。
【００５５】
上記の穏やかな反応条件では、テトラカルボン酸二無水物（ａ１）の酸無水物基とアミノ酸（ａ２）のアミノ基とが反応して生じたカルボキシル基が、アミノ酸（ａ２）のアミノ基と反応することがないため、遊離のカルボキシル基を有する（メタ）アクリルアミド酸化合物を得ることができる。
【００５６】
上記アミド酸化合物の合成において、反応原料の反応系への添加順序は特に限定されない。例えば、（１）テトラカルボン酸二無水物（ａ１）およびアミノ酸（ａ２）を同時に反応溶媒に加える方法、（２）アミノ酸（ａ２）を反応溶媒中に溶解させた後に、前記反応溶媒にテトラカルボン酸二無水物（ａ１）を添加する方法、（３）テトラカルボン酸二無水物（ａ１）を反応溶媒中に溶解させた後に、前記反応溶媒にアミノ酸（ａ２）を添加する方法など、いずれの方法も用いることができる。
【００５７】
テトラカルボン酸二無水物（ａ１）およびアミノ酸（ａ２）の仕込み量としては、テトラカルボン酸二無水物（ａ１）１モルに対して、アミノ酸（ａ２）を１．６〜４．０モル用いることが好ましく、１．７〜３．０モル用いることがより好ましく、１．８〜２．４モル用いることがさらに好ましい。この範囲であると、反応後に未反応原料を取り除くなどの精製処理を行わないで、（メタ）アクリルイミド中間体を合成することができる。
【００５８】
〈（メタ）アクリルイミド中間体の合成〉
（メタ）アクリルイミド中間体は、上記アミド酸化合物をイミド化することにより得ることができる。イミド化は、熱的方法または脱水触媒および脱水剤を用いた化学的方法により進めることができるが、精製処理を行わないで使用できる熱的方法により進めることが好ましい。
【００５９】
上記アミド酸化合物のイミド化は、熱的方法、具体的には加熱還流により進めることが好ましい。還流条件は、使用する反応溶媒により異なるが、温度が通常７０〜２３０℃、好ましくは１４０〜２３０℃で、反応時間が通常１．５〜１０時間、好ましくは２〜４時間である。温度が７０℃以上であると膜を形成可能な（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）が得られやすい。温度が１４０℃以上であるとイミド化が充分に進み、より強固な膜を形成可能な（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）が得られやすい。温度が２３０℃以下であると比較的沸点の高い反応溶媒を用いても還流可能である。水と混ざらない溶媒を用いた場合、反応で生じる水を取り除きながら加熱還流を行うことができる。加熱還流後には、通常、反応溶媒および反応で生じた水などを留去する。
【００６０】
また、アミド酸化合物の合成における上記の緩やかな反応条件に代えて、アミド酸化合物の合成およびイミド化を上記還流条件下で進めることにより、（メタ）アクリルイミド中間体を得てもよい。
【００６１】
〈（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）の合成〉
（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）は、上記（メタ）アクリルイミド中間体と化合物（ａ３）とを反応させることにより得ることができる。前記反応では、上記（メタ）アクリルイミド中間体のカルボン酸部と化合物（ａ３）の水酸基とが反応する。
【００６２】
このとき、（メタ）アクリルイミド中間体のカルボン酸部を活性化させることにより反応を進めることが好ましい。例えば、塩化チオニルなどを用いて（メタ）アクリルイミド中間体のカルボン酸部を酸塩化物へ変換した後に化合物（ａ３）と反応させる方法、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどのアミド縮合剤を用いて（メタ）アクリルイミド中間体と化合物（ａ３）とを反応させる方法が挙げられる。
【００６３】
反応条件は、例えば、塩基の存在下、温度０〜８０℃、反応時間０．２〜３０時間である。塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジンなどが挙げられる。
【００６４】
化合物（ａ３）の仕込み量としては、（メタ）アクリルイミド中間体１モルに対して、化合物（ａ３）を２．０〜１０．０モル用いることが好ましく、２．０〜５．０モル用いることがより好ましく、２．０〜３．０モル用いることがさらに好ましい。
【００６５】
〈反応溶媒〉
（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を合成する際、より詳しくは（メタ）アクリルアミド酸化合物、（メタ）アクリルイミド中間体および（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を合成する際には、反応溶媒を用いることができる。
【００６６】
反応溶媒としては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、γ−ブチロラクトン、４−メチル−２−ペンタノン、アニソール、エチルラクテート、トルエン、キシレン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、ジクロロメタン、クロロホルム、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、１−ビニル−２−ピロリドン、１−ブチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−ε−カプロラクタム、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどが挙げられる。
【００６７】
これらの反応溶媒の中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、３−メトキシプロピオン酸メチル、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、γ−ブチロラクトン、４−メチル−２−ペンタノン、トルエン、キシレン、酢酸メチル、ジクロロメタンが溶解性の面で好ましい。
【００６８】
反応溶媒は１種で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。また、上記反応溶媒以外の他の溶媒を、反応溶媒と混合して用いることもできる。
反応溶媒は、反応をスムーズに進行させる観点から、テトラカルボン酸二無水物（ａ１）、アミノ酸（ａ２）および化合物（ａ３）などの反応原料の合計１００質量部に対して、１００質量部以上用いることが好ましい。
【００６９】
３  インク
本発明のインクは、上述の（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）と、重合開始剤（Ｂ）とを含む。前記インクは、さらに添加剤（Ｃ）を含んでもよい。なお、本発明のインクは、有色または無色のどちらであっても構わない。
【００７０】
３．１  （メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）
（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）およびその好適態様については、上述したとおりである。本発明のインクにおける（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）の含有量は、インク全量に対して５〜９９．９質量％が好ましく、インクとしての取り扱いを考慮すると、５〜７０質量％がより好ましい。
【００７１】
３．２  重合開始剤（Ｂ）
重合開始剤（Ｂ）は、本発明のインクの硬化処理時において、（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）の（メタ）アクリロイル基および添加剤が加えられている場合の重合性モノマーの重合を促進するために使用することができる。重合開始剤（Ｂ）としては、公知の重合開始剤を用いることができる。重合開始剤（Ｂ）は、本発明のインク１００質量％中、０．１〜１５質量％の量で用いられることが好ましい。
【００７２】
重合開始剤（Ｂ）としては、例えば、ラジカル重合開始剤が挙げられる。ラジカル重合開始剤は、特に限定されないが、活性エネルギー線でラジカルを発生する開始剤であることが好ましい。
【００７３】
活性エネルギー線でラジカルを発生する開始剤として用いられる化合物としては、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、４，４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、キサントン、チオキサントン、イソプロピルキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、アセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−４′−イソプロピルプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、カンファーキノン、ベンズアントロン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１，４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４，４′−ジ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，４，４′−トリ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、２−（４′−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３′，４′−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２′，４′−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２′−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４′−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、４−［ｐ−Ｎ，Ｎ−ジ（エトキシカルボニルメチル）］−２，６−ジ（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、１，３−ビス（トリクロロメチル）−５−（２′−クロロフェニル）−ｓ−トリアジン、１，３−ビス（トリクロロメチル）−５−（４′−メトキシフェニル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンズチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、３，３′−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル−１，２′−ビイミダゾール、２，２′−ビス（２−クロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２′−ビイミダゾール、２，２′−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル−１，２′−ビイミダゾール、２，２′−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル−１，２′−ビイミダゾール、２，２′−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル−１，２′−ビイミダゾール、３−（２−メチル−２−ジメチルアミノプロピオニル）カルバゾール、３，６−ビス（２−メチル−２−モルホリノプロピオニル）−９−ｎ−ドデシルカルバゾール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２���６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム、３，３′，４，４′−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′，４，４′−テトラ（ｔ−ヘキシルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′−ジ（メトキシカルボニル）−４，４′−ジ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，４′−ジ（メトキシカルボニル）−４，３′−ジ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４，４′−ジ（メトキシカルボニル）−３，３′−ジ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノンなどである。
【００７４】
重合開始剤（Ｂ）の市販品としては、例えば、商品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ７５４」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ１２７」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９」（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）などを挙げることができる。
重合開始剤（Ｂ）は１種で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００７５】
３．３  添加剤（Ｃ）
添加剤（Ｃ）としては、例えば、溶媒、前記（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）以外の重合性モノマー、界面活性剤、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリアミド酸、ポリアミド酸のイミド化重合体、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸エステル、ポリエステル、（メタ）アクリル酸ポリマー、（メタ）アクリレートポリマー、ポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン、アルケニル置換ナジイミド化合物、シリコンアミド酸化合物、帯電防止剤、カップリング剤、エポキシ硬化剤、オキセタン硬化剤が挙げられる。添加剤（Ｃ）としては、さらに、ｐＨ調整剤、防錆剤、防腐剤、防黴剤、酸化防止剤、還元防止剤、蒸発促進剤、キレート化剤、水溶性ポリマー、顔料、染料等が挙げられる。添加剤（Ｃ）は１種で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００７６】
３．３．１  溶媒
本発明のインクは、塗布においてインクの粘度を最適にする目的や希望する膜厚にする目的のために溶媒を含有してもよい。溶媒は、（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を溶解することができる溶媒であれば特に制限されない。また、単独では（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を溶解しない溶媒であっても、他の溶媒と混合することによって（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）を溶解することができる混合溶媒となるのであれば、前記混合溶媒を溶媒として用いることが可能である。
【００７７】
溶媒としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラメチレングリコールモノビニルエーテル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、γ−ブチロラクトン、アニソール、エチルラクテート、安息香酸メチル、安息香酸エチル、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素、２−ピロリドン、１−メチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−ブチル−２−ピロリドン、１−ビニル−２−ピロリドン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン、１−アセチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−ε−カプロラクタム、カルバミド酸エステル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、トルエンが挙げられる。
【００７８】
溶媒を用いる場合、塗布方法によって使用する溶媒は異なるが、硬化処理時に低温かつ短時間で行うことが好ましいことから、揮発しやすい溶媒が好ましい。具体的には、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、トルエンが好ましい。
溶媒は、本発明のインク１００質量％中、好ましくは８０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下の量で用いられる。
【００７９】
３．３．２  その他の重合性モノマー
本発明のインクは、さらに（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）以外の重合性モノマー（以下、「その他の重合性モノマー」あるいは「重合性モノマー」ということがある）を含んでいてもよい。液状の重合性モノマーを用いると溶媒を用いることなくインクの粘度を下げることができることから好ましい。重合性モノマーとしては、例えば、単官能重合性モノマー、二官能（メタ）アクリレート、三官能以上の多官能（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００８０】
単官能重合性モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、５−テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルペンチル（メタ）アクリレート、ラウリルアルコールのエチレンオキシド付加物の（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、３−メチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、３−メチル−３−（メタ）アクリロキシエチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロキシエチルオキセタン、ｐ−ビニルフェニル−３−エチルオキセタ−３−イルメチルエーテル、２−フェニル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、２−トリフロロメチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、４−トリフロロメチル−２−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、（３−エチル−３−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン、ビニルトルエン、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルホリン、ポリスチレンマクロモノマー、ポリメチルメタクリレートマクロモノマー、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、α−クロルアクリル酸、ケイ皮酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、コハク酸モノ［２−（メタ）アクリロイロキシエチル］、マレイン酸モノ［２−（メタ）アクリロイロキシエチル］、シクロヘキセン−３，４−ジカルボン酸モノ［２−（メタ）アクリロイロキシエチル］が挙げられる。
【００８１】
二官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、ビスフェノールＦエチレンオキシド変性ジアクリレート、ビスフェノールＡエチレンオキシド変性ジアクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレート、１，４−ビス（アクリロイルオキシ）ブタン、１，６−ビス（アクリロイルオキシ）ヘキサン、１，９−ビス（アクリロイルオキシ）ノナン、１，１０−ビス（アクリロイルオキシ）デカン、１，４−シクロヘキサンジメタノールジアクリレート、２−ｎ−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレートが挙げられる。
【００８２】
三官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジグリセリンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性リン酸トリ（メタ）アクリレート、トリス［（メタ）アクリロキシエチル］イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス［（メタ）アクリロキシエチル］イソシアヌレート、ウレタン（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００８３】
その他の重合性モノマーは１種で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
本発明のインク中のその他の重合性モノマー濃度は、好ましくは０〜６０質量％、より好ましくは０〜５０質量％である。その他の重合性モノマーを使用する場合、前記濃度の下限値は１０質量％程度である。この様な濃度範囲であると、本発明のインクから形成された塗膜の耐熱性が良好となる。
【００８４】
３．３．３  界面活性剤
界面活性剤は、本発明のインクの下地基板への濡れ性、レベリング性、または塗布性を向上させるために使用することができ、本発明のインク１００質量％中、０．０１〜１質量％の量で用いられることが好ましい。
【００８５】
界面活性剤としては、例えば、商品名「メガファックＦ−５５６」（ＤＩＣ株式会社製）商品名「ＤＦＸ−１８」、「フタージェント２５０」、「フタージェント２５１」（（株）ネオス製）等のフッ素系界面活性剤；商品名「Ｂｙｋ−３００」、「Ｂｙｋ−３０６」、「Ｂｙｋ−３３５」、「Ｂｙｋ−３１０」、「Ｂｙｋ−３４１」、「Ｂｙｋ−３４４」、「Ｂｙｋ−３７０」（ビックケミー（株）製）等のシリコン系界面活性剤；商品名「Ｂｙｋ−３５４」、「ＢｙＫ−３５８」、「Ｂｙｋ−３６１」（ビックケミー（株）製）等の（メタ）アクリル系界面活性剤が挙げられる。
界面活性剤は１種で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００８６】
３．４  インクの調製方法
本発明のインクは、（メタ）アクリルイミド化合物（Ａ）と重合開始剤（Ｂ）と必要に応じて添加剤（Ｃ）とを均一に混合することによって、調製することができる。
【００８７】
４  ポリイミド膜の製造方法
本発明のポリイミド膜は上述のインクから得られる。
本発明のポリイミド膜の製造方法は、（１）本発明のインクを基板上に塗布して塗膜を形成する工程（塗膜形成工程）、および（２）前記塗膜を硬化処理する工程（硬化処理工程）を有する。
【００８８】
４．１  塗膜形成工程
塗布方法としては、インクジェット法、ディスペンサー法、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法などが挙げられる。
【００８９】
４．２  硬化処理工程
硬化処理は、塗膜の耐熱性、耐薬品性、平坦性、さらには充分な機械的強度を得るために、ＵＶ露光機などで行い、これによりポリイミド膜が形成される。露光量は、通常、５０〜３０００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは１００〜２５００ｍＪ／ｃｍ２である。また、硬化処理としては、露光処理のみに限定されず、例えばホットプレートまたはオーブンなどの加熱処理をあわせて用いてもよい。以上のようにして、ポリイミド膜が形成される。加熱処理を行う場合の条件は、インクに含まれる溶媒などの添加剤（Ｃ）によって異なる。
【００９０】
５．フィルム基板またはシリコンウエハー基板
本発明のフィルム基板は、フィルムと、前記フィルム上に形成された上述のポリイミド膜とを有する。本発明のシリコンウエハー基板は、シリコンウエハーと、前記シリコンウエハー上に形成された上述のポリイミド膜とを有する。
【００９１】
フィルム基板またはシリコンウエハー基板は、例えば、配線が形成されたフィルム（例：ポリイミドフィルム）またはシリコンウエハー上に、上述のポリイミド膜の製造方法に従ってポリイミド膜を形成することにより、製造することができる。
【００９２】
本発明では、ポリイミド膜の形成対象として、ポリイミドフィルムやシリコンウエハーの他、公知の基板を用いることができる。本発明に適用可能な基板としては、例えば、ＦＲ−１、ＦＲ−３、ＦＲ−４、ＣＥＭ−３、またはＥ６６８等の各種規格に適合する、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、グリーンエポキシ基板およびＢＴレジン基板が挙げられる。
【００９３】
本発明に適用可能な他の基板としては、例えば、銅、黄銅、リン青銅、ベリリウム銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、スズ、クロム、ステンレスなどの金属からなる基板（それらの金属を表面に有する基板であってもよい）；酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム（ジルコニア）、ジルコニウムのケイ酸塩（ジルコン）、酸化マグネシウム（マグネシア）、チタン酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、硫化カドニウム、硫化モリブデン、酸化ベリリウム（ベリリア）、酸化ケイ素（シリカ）、炭化ケイ素（シリコンカーバイト）、窒化ケイ素（シリコンナイトライド）、窒化ホウ素（ボロンナイトライド）、酸化亜鉛、ムライト、フェライト、ステアタイト、ホルステライト、スピネル、スポジュメンなどのセラミックスからなる基板（それらのセラミックスを表面に有する基板であってもよい）；ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、ＰＣＴ（ポリシクロへキシレンジメチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、テフロン（登録商標）、熱可塑性エラストマー、液晶ポリマーなどの樹脂からなる基板（それらの樹脂を表面に有する基板であってもよい）；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素などの半導体基板；ガラス基板；酸化スズ、酸化亜鉛、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＡＴＯ（酸化アンチモンスズ）などの電極材料が表面に形成された基板；αＧＥＬ（アルファゲル）、βＧＥＬ（ベータゲル）、θＧＥＬ（シータゲル）、γＧＥＬ（ガンマゲル）（以上、（株）タイカの登録商標）などのゲルシートが挙げられる。
【００９４】
６．電子部品
本発明の電子部品は、上述のフィルム基板および／またはシリコンウエハー基板を有する電子部品である。このように本発明のフィルム基板を利用して、フレキシブルな電子部品が得られる。また、本発明のシリコンウエハー基板を利用して、半導体電子部品が得られる。
【実施例】
【００９５】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の例ではインクを便宜上スピンコート法等により塗布しているが、他の方法により塗布しても定性的に同様の結果が得られる。
【００９６】
実施例で用いる、テトラカルボン酸二無水物および溶媒の名称を略号で示す。以下の記述にはこの略号を使用する。
テトラカルボン酸二無水物
ＯＤＰＡ：３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
ＢＴＤＡ：３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＴＡＨＱ：ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）
ＢＳＡＡ：４，４’−［（イソプロピリデン）ビス（ｐ−フェニレンオキシ）］ジフタル酸二無水物
溶媒
ＥＤＭ：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【００９７】
＜化合物の構造確認＞
ブルカー・バイオスピン（株）製の核磁気共鳴装置（ＤＲＸ５００）を用いて1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、化合物の構造を確認した。記載した数値はｐｐｍを表す。
【００９８】
〔アクリルイミド１の合成〕
反応容器に２．７１ｇ（８．７３ｍｍｏｌ）のＯＤＰＡ、２．２９ｇ（１７．４７ｍｍｏｌ）のイソロイシンおよび４０ｍｌのキシレンを加え、ディーンスターク装置をつけて反応で生じた水を除去しながら３時間還流した。反応終了後、キシレンを除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのトルエンおよび３．６４ｇ（３０．６０ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。トルエンおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、２．０７ｇ（１７．９８ｍｍｏｌ）の２−ヒドロキシアクリルアミド、２．２３ｇ（２２．０４ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび４０ｍｌの酢酸メチルを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、２Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、６．２８ｇのアクリルイミド１を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ：０．８８−１．１２（１６Ｈ）、１．５３（２Ｈ）、２．４９（２Ｈ）、３．５２（２Ｈ）、３．６３（２Ｈ）、４．１４（２Ｈ）、４．４５（２Ｈ）、４．７０（２Ｈ）、６．１１（２Ｈ）、６．２３−６．２８（４Ｈ）、７．４３−７．４７（４Ｈ）、７．９１（２Ｈ）
【００９９】
〔アクリルイミド２の合成〕
反応容器に２．７６ｇ（８．５５ｍｍｏｌ）の ＢＴＤＡ、２．２４ｇ（１７．１１ｍｍｏｌ）のイソロイシンおよび１０ｍｌのＥＤＭを加え、３時間還流した。反応終了後、ＥＤＭおよび反応で生じた水を除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのテトラヒドロフランおよび５．２６ｇ（４４．２１ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。テトラヒドロフランおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、２．０７ｇ（１７．９８ｍｍｏｌ）の２−ヒドロキシアクリルアミド、２．３６ｇ（２３．３２ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび４０ｍｌの酢酸メチルを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、２Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、６．９６ｇのアクリルイミド２を得た。
【０１００】
〔アクリルイミド３の合成〕
反応容器に２．６４ｇ（８．９８ｍｍｏｌ）の ＢＰＤＡ、２．３６ｇ（１７．９７ｍｍｏｌ）のイソロイシンおよび１０ｍｌのＥＤＭを加え、３時間還流した。反応終了後、ＥＤＭおよび反応で生じた水を除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのテトラヒドロフランおよび４．３３ｇ（３６．４０ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。テトラヒドロフランおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、２．１３ｇ（１８．５０ｍｍｏｌ）の２−ヒドロキシアクリルアミド、２．３５ｇ（２３．２２ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび４０ｍｌの酢酸メチルを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、２Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、５．６７ｇのアクリルイミド３を得た。
【０１０１】
〔アクリルイミド４の合成〕
反応容器に３．１８ｇ（６．９４ｍｍｏｌ）の ＴＡＨＱ、１．８２ｇ（１３．８８ｍｍｏｌ）のイソロイシンおよび１０ｍｌのＥＤＭを加え、３時間還流した。反応終了後、ＥＤＭおよび反応で生じた水を除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのテトラヒドロフランおよび５．３０ｇ（４０．５５ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。テトラヒドロフランおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、１．６７ｇ（１４．５１ｍｍｏｌ）の２−ヒドロキシアクリルアミド、１．５２ｇ（１５．０２ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび４０ｍｌの酢酸メチルを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、２Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、５．８８ｇのアクリルイミド４を得た。
【０１０２】
〔アクリルイミド５の合成〕
反応容器に３．３２ｇ（６．３９ｍｍｏｌ）の ＢＳＡＡ、１．６７ｇ（１２．７７ｍｍｏｌ）のイソロイシンおよび１０ｍｌのＥＤＭを加え、３時間還流した。反応終了後、ＥＤＭおよび反応で生じた水を除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのトルエンおよび４．７１ｇ（３９．５９ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。トルエンおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、１．５６ｇ（１３．５５ｍｍｏｌ）の２−ヒドロキシアクリルアミド、１．８２ｇ（１７．９９ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび４０ｍｌの酢酸メチルを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、２Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、５．２９ｇのアクリルイミド５を得た。
【０１０３】
〔アクリルイミド６の合成〕
反応容器に０．５４ｇ（１．７２ｍｍｏｌ）のＯＤＰＡ、０．４５ｇ（３．４５ｍｍｏｌ）のロイシンおよび４０ｍｌのキシレンを加え、ディーンスターク装置をつけて反応で生じた水を除去しながら３時間還流した。反応終了後、キシレンを除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのトルエンおよび１．６２ｇ（１３．６２ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。トルエンおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、０．５０ｇ（４．３４ｍｍｏｌ）の２−ヒドロキシアクリルアミド、０．７４ｇ（７．３１ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび４０ｍｌの酢酸メチルを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、２Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、１．１０ｇのアクリルイミド６を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）δ：０．９５（１２Ｈ）、１．５１（２Ｈ）、１．９７（２Ｈ）、２．２６（２Ｈ）、３．５１−３．６４（４Ｈ）、４．１９（２Ｈ）、４．４１（２Ｈ）、４．９７（２Ｈ）、６．１３−６．２６（４Ｈ）、６．７０（２Ｈ）、７．４６−７．４８（４Ｈ）、７．９３（２Ｈ）
【０１０４】
〔アクリルイミド７の合成〕
反応容器に２．４２ｇ（７．８１ｍｍｏｌ）の ＯＤＰＡ、２．５８ｇ（１５．６１ｍｍｏｌ）のフェニルアラニンおよび１０ｍｌのＥＤＭを加え、３時間還流した。反応終了後、ＥＤＭおよび反応で生じた水を除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのテトラヒドロフランおよび３．２２ｇ（２７．０７ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。テトラヒドロフランおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、１．８６ｇ（１６．１６ｍｍｏｌ）の２−ヒドロキシアクリルアミド、２．００ｇ（１９．７６ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび４０ｍｌの酢酸メチルを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、２Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、５．７９ｇのアクリルイミド７を得た。
【０１０５】
〔ビニルイミド１の合成〕
反応容器に２．７１ｇ（８．７３ｍｍｏｌ）のＯＤＰＡ、２．２９ｇ（１７．４７ｍｍｏｌ）のイソロイシンおよび１０ｍｌのＥＤＭを加え、１７０℃で３時間攪拌した。反応終了後、ＥＤＭおよび反応で生じた水を除去した。続けて、前記反応容器に、２０ｍｌのトルエンおよび３．６９ｇ（３１．０１ｍｍｏｌ）の塩化チオニルを加え、７０℃で３時間攪拌した。トルエンおよび塩化チオニルを除去することにより、酸塩化物を得た。別の反応容器に、２．３８ｇ（１８．２４ｍｍｏｌ）のジエチレングリコールモノビニルエーテル、２．５０ｇ（２４．７５ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンおよび１０ｍｌのトルエンを混合し、これに先に調製した酸塩化物を滴下した。滴下終了後、さらに１時間攪拌した。反応溶液を分液ロートへ注ぎ、１Ｍ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液そして飽和食塩水の順に洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え溶液を乾燥した。乾燥後に、無水硫酸マグネシウムを濾別し、溶媒を取り除くことにより、６．４４ｇのビニルイミド１を得た。
【０１０６】
［実施例１］
３．６９ｇのアクリルイミド１、３．５１ｇのＰＧＭＥＡ、０．１９ｇのＩｒｇａｃｕｒｅ７５４（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）および０．０１ｇのメガファックＦ−５５６（ＤＩＣ株式会社製）を混合し、室温で当該混合液を１５分攪拌することにより、インク１を得た。
【０１０７】
［実施例２〜１３および比較例１］
表１〜表３に記載の成分を表１〜表３に記載の量で混合し、室温で当該混合液を１５分攪拌することにより、インク２〜１３を得た。
［比較例２］
表３に記載の成分を表３に記載の量で混合し、室温で当該混合液を１５分攪拌することにより、インク１４を得た。このインクをガラス基板上にスピンコートにより塗布し、さらに露光機（株式会社ジャテック製、小型紫外線照射装置Ｊ−Ｃｕｒｅ１５００コンベア型）に入れて５０００ｍＪ／ｃｍ２で露光したが、硬化しなかったことから、硬化不良と判断した。
［比較例３］
表３に記載の成分を表３に記載の量で混合し、室温で当該混合液を１５分攪拌することにより、インク１５を得た。このインクをガラス基板上にスピンコートにより塗布し、さらに露光機（株式会社ジャテック製、小型紫外線照射装置Ｊ−Ｃｕｒｅ１５００コンベア型）に入れて５０００ｍＪ／ｃｍ２で露光後に１３０℃に設定したホットプレートに１５分間、試料を静置したが、膜にべたつき感があったことから、硬化不良と判断した。
【０１０８】
＜物性＞
実施例および比較例で得られたインクの各物性の測定方法は、以下の通りである。
（ｉ）誘電率および体積抵抗率
スピンコートによりクロム基板上に上記実施例１〜１２および比較例１で得られたインク１３を塗布し、露光機（株式会社ジャテック製、小型紫外線照射装置Ｊ−Ｃｕｒｅ１５００コンベア型）に入れて表１〜３に記載の露光量を露光した。実施例１〜７で得られたインク１〜７を使用した場合では、さらに、１２０℃に設定したホットプレートに１０分間、試料を静置した。その後、形成した膜上にアルミニウムを蒸着させ電極を作成した。
【０１０９】
誘電率は、ＬＣＲ  ＭＥＴＥＲ  Ｅ４９８０Ａ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ（アジレントテクノロジー株式会社製）を用いて測定した。体積抵抗率は、ディジタル超絶縁／微少電流計  ＤＳＭ−８１０４（日置電機株式会社製）を用いて測定した。
【０１１０】
（ｉｉ）残膜率
スピンコートによりガラス基板上に上記実施例１〜１２および比較例１で得られたインク１３を塗布し、露光機（株式会社ジャテック製、小型紫外線照射装置Ｊ−Ｃｕｒｅ１５００コンベア型）に入れて表１〜３に記載の露光量を露光した。実施例１〜７を使用した場合では、さらに、１２０℃に設定したホットプレートに１０分間、試料を静置した。その後、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ株式会社（旧Ａｍｂｉｏｕｓ社）製の触針式段差測定装置ＸＰ−２００を使用し、膜厚を測定した（これを硬化後の膜厚とする）。続いて、試料を２５０℃のオーブンに１時間入れた後の膜厚を測定した（これを加熱後の膜厚とする）。残膜率は、以下の式を用いて求めた。
残膜率＝｛（加熱後の膜厚）／（硬化後の膜厚）｝×１００
残膜率は、大きいほど耐熱性が高いといえる。
【０１１１】
【表１】
0006606774.tif 000018
【０１１２】
【表２】
0006606774.tif 000019
【０１１３】
【表３】
0006606774.tif 000020
【０１１４】
評価結果から明らかなように、本発明のインクを用いることにより、光硬化のできる耐熱性絶縁膜を形成することができる。また、表１〜３の評価結果から明らかなように、溶媒を含まないインクにすることにより、光硬化のみで耐熱性・絶縁性の良好な膜を形成できる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の組成物は、密着性および透明性など光学材料としての特性に優れる硬化膜を形成できる等の点から、カラーフィルター、ＬＥＤ発光素子および受光素子などの各種光学材料などの保護膜形成用として、また、タッチパネル形成用（タッチパネルに使用される透明電極用絶縁膜やオーバーコート膜形成用）として利用できる。