(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング液を貯留するエッチング槽と、
前記エッチング槽に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハを回転可能に収納するウェーハマガジンと、
前記ウェーハマガジンの内部に前記複数枚の半導体ウェーハの間に位置するように配設された複数枚の仕切り板と、
を備え、
隣接する前記仕切り板間の間隔は、前記半導体ウェーハの中央部に対応する中央領域における間隔が、前記半導体ウェーハの外周部に対応する外周領域における間隔よりも小さく、
前記仕切り板は、前記半導体ウェーハを回転させた状態で回転しないように保持され、前記半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速が、前記半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とほぼ同じ流速となるように、前記エッチング液の流速を制御する
ことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウェーハのエッチング装置において、
隣接する前記仕切り板間の間隔は、前記中央領域における間隔が１７ｍｍ以下、かつ、前記外周領域における間隔が３２ｍｍ以上である
ことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記仕切り板の厚さは、
前記中央領域における厚さが、前記外周領域における厚さよりも大きい
ことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記仕切り板の前記外周領域における厚さは、前記半導体ウェーハと略同じ厚さである
ことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項５】
エッチング液を貯留するエッチング槽と、前記エッチング槽に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハを回転可能に収納するウェーハマガジンと、前記ウェーハマガジンの内部に前記複数枚の半導体ウェーハの間に位置するように配設された複数枚の仕切り板と、を備え、隣接する前記仕切り板間の間隔は、前記半導体ウェーハの中央部に対応する中央領域における間隔が、前記半導体ウェーハの外周部に対応する外周領域における間隔よりも小さくなるように構成された半導体ウェーハのエッチング装置を用い、
前記半導体ウェーハを前記エッチング液に浸した状態で保持し、前記半導体ウェーハを回転させながらエッチングする半導体ウェーハのエッチング方法において、
前記半導体ウェーハを回転させた状態、かつ、前記仕切り板を回転させない状態で、前記半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速が、前記半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とほぼ同じ流速となるように、前記エッチング液の流速を制御する
ことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体ウェーハのエッチング方法において、
前記複数枚の半導体ウェーハの回転は、正回転と逆回転とが交互に行われる
ことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンデバイス用の基板として用いられるシリコンウェーハなどの半導体ウェーハは、チョクラルスキー法などにより引き上げられたインゴットをワイヤソーで切出し、ラッピングなどの機械加工、エッチング、表面研磨などの複数段階の処理を経て製造される。
【０００３】
エッチングは、前工程の機械加工で作り込まれた平坦度を崩さずに、機械加工における加工歪やウェーハ表裏面の微小な欠陥、及び付着物の除去を目的として行われる。このエッチングでは、所定のエッチング液に半導体ウェーハを浸漬し、その状態で回転させることにより、半導体ウェーハとエッチング液との化学反応により半導体ウェーハの表裏面に対して化学的材料除去を行う。
【０００４】
図１は、エッチング装置１００を示した概略図である。
エッチング装置１００は主として、内部にエッチング液を貯留するエッチング槽１０１と、複数枚の半導体ウェーハＷを回転可能に支持して収納するウェーハマガジン１０２と、を備えている。
図２に示すように、ウェーハマガジン１０２は、半導体ウェーハＷを収納するために離間配置された２枚の側面板１０３ａ、１０３ｂを備えている。また、２枚の側面板１０３ａ、１０３ｂの間には、中央仕切り板１０４が離間配置されている。また、これらの側面板１０３ａ、１０３ｂ及び中央仕切り板１０４は、メインローラ１０６により連結保持されている。メインローラ１０６には接触支持部材１０７が設けられている。図１に戻って、ウェーハマガジン１０２の内部に収納された複数枚の半導体ウェーハＷは、接触支持部材１０７により、それぞれ接触支持される。また、エッチング装置１００では、半導体ウェーハＷを回転させるための駆動部１０８、ウェーハマガジンを昇降させる昇降手段（図示略）を備えている。
【０００５】
このように構成されたエッチング装置１００を用いて、半導体ウェーハＷをエッチングする場合、まず、複数枚の半導体ウェーハＷを、表面同士が平行になる縦列状態でウェーハマガジン１０２に収納する。ウェーハマガジン１０２の内部では、複数枚の半導体ウェーハＷが、接触支持部材１０７により接触支持される。そして、昇降手段により、複数枚の半導体ウェーハＷを収納したウェーハマガジン１０２を、エッチング液を循環供給させた状態となっているエッチング槽１０１中に浸漬させる。
【０００６】
次に、エッチング装置１００に配設された駆動部１０８により所定の速度で回転させると、各種ギヤを介してメインローラ１０６も回転する。それにより、メインローラ１０６に設けられている接触支持部材１０７に接触支持されている複数枚の半導体ウェーハＷも連動して回転する。このようにして、ウェーハマガジン１０２の内部で、複数枚の半導体ウェーハＷがそれぞれの中心軸周りに回転して、半導体ウェーハＷのエッチング処理が施される。
【０００７】
しかし、上述のエッチング装置１００では、半導体ウェーハＷのそれぞれに起こる回転流が半導体ウェーハＷの間でぶつかりあい、また、半導体ウェーハＷ同士の相対回転流速もかなり速いものとなってしまうため、例えば、半導体ウェーハＷの外周付近にあっては、エッチング液の乱流が起きてしまい、半導体ウェーハＷの外周部の平坦度特性を悪化させてしまうこととなっていた。
【０００８】
このようなエッチング液の乱流を抑制する技術として、複数枚の仕切り板を配置したエッチング装置が開示されている（特許文献１，２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−０５０９４３号公報
【特許文献２】特開２００６−０３２６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上記特許文献１，２に記載の複数枚の仕切り板を用いたエッチングでは、半導体ウェーハＷの中央部における平坦度の改善が不十分であり、ウネリのような凹凸が発生していた。
【００１１】
本発明の目的は、エッチング後の平坦度を改善し得る、半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、エッチング後のウェーハの平坦度について鋭意研究を重ねた結果、次の知見を得た。
【００１３】
＜実験１＞
まず、従来の仕切り板を有していないウェーハマガジンを備えたエッチング装置を用いてエッチングした後のウェーハの平坦度の状況を確認するための実験を行った。半導体ウェーハとしてシリコンウェーハを、エッチング液としてフッ酸、硝酸及び酢酸が混合した混酸を用意した。
図２に示すウェーハマガジン１０２を備えた図１に示すエッチング装置１００を使用して複数枚の半導体ウェーハＷをエッチングし、エッチング後の半導体ウェーハＷの表面を表面研磨装置（図示略）により表面研磨した。そして、エッチング後と表面研磨後の半導体ウェーハＷについて、測定機器としてウェーハ平坦度測定器（ＡＤＥ９３００：米ＡＤＥ社製）を用いて、表面の平坦度を測定した。その結果を図３及び図４に示す。
【００１４】
図３に示すように、エッチング後の半導体ウェーハＷの中央部には凹凸が形成されており、平坦度が悪い。また、図４に示すように、表面研磨後の半導体ウェーハＷの中央部にも凹凸が形成されている。このように、エッチング後の半導体ウェーハＷの平坦度は、表面研磨後の半導体ウェーハＷの平坦度を大きく左右していることが判る。
【００１５】
＜実験２＞
次に、図２に示すウェーハマガジン１０２を備えた図１に示すエッチング装置１００を使用して複数枚の半導体ウェーハＷをエッチングしたときの１バッチ内のウェーハについて、測定機器としてウェーハ平坦度測定器（ＡＤＥ９３００：米ＡＤＥ社製）を用いて、表面の平坦度を測定した。なお、平坦度測定は、図５に示すように、測定対象の半導体ウェーハＷを２５ｍｍ角のセルに区切り、半導体ウェーハＷの中央部に位置する４枚のセルと、半導体ウェーハＷの外周部に位置する２０枚のセルについて、それぞれの平坦度（ＳＦＱＲ）を算出した。その結果を図６に示す。なお、図６の横軸は、装填順の各半導体ウェーハＷを表し、縦軸のＳＦＱＲは、半導体ウェーハＷの中央部の４枚のセルの平均と、半導体ウェーハＷの外周部の２０枚のセルの平均をそれぞれ表している。また、ＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  Ｌｅａｓｔ  Ｓｑｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）とは、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、この平面からの＋側（すなわち、ウェーハの主表面を上に向け水平に置いた場合の上側）、−側（同下側）の各々の最大変位量の絶対値の和で表したサイト毎に評価された値のことである。
【００１６】
図６から、ウェーハマガジン１０２の内部に収納した位置によって、半導体ウェーハＷの平坦度が異なる結果が得られた。具体的には、ウェーハマガジン１０２の内部の中央及び外側に収納された半導体ウェーハＷの平坦度が良化しているのに対して、それ以外の位置に収納された半導体ウェーハＷの平坦度が悪化していることが確認された。
ウェーハマガジン１０２の内部の中央及び外側に収納された半導体ウェーハＷは、側面板１０３ａ，１０３ｂ及び中央仕切り板１０４に隣接しているのに対し、それ以外の位置に収納された半導体ウェーハＷは、互いに隣り合う半導体ウェーハＷが存在している点が異なっている。そのため、側面板１０３ａ，１０３ｂ及び中央仕切り板１０４に隣接していない半導体ウェーハＷでは、隣接する半導体ウェーハＷが回転体であり、回転する半導体ウェーハＷにより生じるエッチング液の乱流が半導体ウェーハＷの平坦度を悪化させているものと推察される。
【００１７】
＜実験３＞
上記実験２の検討結果を踏まえ、隣接する半導体ウェーハＷの回転によるエッチング液の乱流を抑制するために、図７に示すように、内部に収納する複数枚の半導体ウェーハＷの間に、表面が平坦な仕切り板２０５が複数枚設置されたウェーハマガジン２０２を用意した。この図７に示すウェーハマガジン２０２を備えた図１に示すエッチング装置１００を使用して複数枚の半導体ウェーハＷをエッチングし、エッチング後の半導体ウェーハＷの表面を表面研磨装置（図示略）により表面研磨した。そして、エッチング後と表面研磨後の半導体ウェーハＷについて、測定機器としてウェーハ平坦度測定器（ＡＤＥ９３００：米ＡＤＥ社製）を用いて、表面の平坦度を測定した。その結果を図８及び図９に示す。
図８及び図９に示す結果から、半導体ウェーハＷの中央部のウネリのような凹凸は、上記図３及び図４に示す結果に比べて、軽減されていることが確認できた。この結果から、複数枚の仕切り板を設置することで、エッチング液の乱流の発生が抑制されることが確認された。しかしながら、半導体ウェーハＷの中央部のウネリのような凹凸の改善は、十分とはいえない。
【００１８】
図１０に半導体ウェーハＷの近傍におけるエッチング液の流れを示す。エッチング中は半導体ウェーハＷを回転させているため、エッチング槽１０１のエッチング液には、半導体ウェーハＷのそれぞれに回転流が生じる。回転中心からの距離が遠い半導体ウェーハＷの外周部近傍では、回転により移動する一定時間当たりの距離が大きく、半導体ウェーハＷの中央部近傍では、回転により移動する一定時間当たりの距離が小さい。そのため、一定時間当たりに移動する距離の差によって、半導体ウェーハＷの外周部近傍では、エッチング液の流れが速くなり、半導体ウェーハＷの中央部近傍では、エッチング液の流れが遅くなる。特に、半導体ウェーハＷの中央部付近では、エッチング液の流れが遅いため、エッチング反応で発生する反応生成ガスが半導体ウェーハＷの表層から剥離し難く、この反応生成ガスがエッチング反応の進行を妨害することで、半導体ウェーハＷの中央部に生じる凹凸を悪化させているものと推察される。
【００１９】
＜実験４＞
そこで、半導体ウェーハＷの回転により生じる回転流の影響を確認するために、図７に示すウェーハマガジン２０２において、設置する複数枚の仕切り板２０５間の間隔を適宜変更して、半導体ウェーハＷのエッチングを行い、エッチング後の半導体ウェーハＷの平坦度（ＳＦＱＲ）を測定した。その結果を図１１に示す。
図１１から、半導体ウェーハＷの中央部の平坦度は、仕切り板２０５間の間隔が狭まるほど改善され、仕切り板２０５間の間隔が拡がるほど悪化する傾向が見られた。また、半導体ウェーハＷの外周部の平坦度は、仕切り板２０５間の間隔が狭まるほど悪化し、仕切り板２０５間の間隔が拡がるほど改善する傾向が見られた。
【００２０】
このように、仕切り板２０５間の間隔によって、半導体ウェーハＷの中央部の平坦度と外周部の平坦度が変動することから、半導体ウェーハＷと仕切り板２０５との間隔によって、半導体ウェーハＷの近傍に流れるエッチング液の流れが変化し、これが、半導体ウェーハＷの中央部と外周部のエッチングの差として結果に表れていると考えられる。
これらの結果から、半導体ウェーハＷの中央部近傍のエッチング液の流速を、半導体ウェーハＷの外周部近傍のエッチング液の流速とほぼ同じ流速となるように制御して、半導体ウェーハＷの中央部付近のエッチング液の流れを従来よりも速くし、中央部付近の反応生成ガスの剥離を促進させることが考えられる。これにより、反応生成ガスの剥離の遅れを起因とするエッチングの進行妨害が解消され、半導体ウェーハＷの中央部と外周部のエッチング反応を均一化できると考えられる。
本発明は、上述のような知見に基づいて完成されたものである。
【００２１】
すなわち、本発明の半導体ウェーハのエッチング装置は、エッチング液を貯留するエッチング槽と、前記エッチング槽に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハを回転可能に収納するウェーハマガジンと、前記ウェーハマガジンの内部に前記複数枚の半導体ウェーハの間に位置するように配設された複数枚の仕切り板と、を備え、隣接する前記仕切り板間の間隔は、前記半導体ウェーハの中央部に対応する中央領域における間隔が、前記半導体ウェーハの外周部に対応する外周領域における間隔よりも小さく、前記仕切り板は、前記半導体ウェーハを回転させた状態で回転しないように保持され、前記半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速が、前記半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とほぼ同じ流速となるように、前記エッチング液の流速を制御することを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、半導体ウェーハを回転させた状態で、半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速が、半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とほぼ同じ流速となるように、仕切り板によりエッチング液の流速を制御している。仕切り板によりウェーハ近傍のエッチング液の流速を制御することで、ウェーハの中央部付近の反応生成ガスの剥離が促進されるため、反応生成ガスの剥離の遅れを起因とするエッチングの進行妨害が解消される。そのため、ウェーハの中央部と外周部とがほぼ同程度にエッチングされるので、エッチング後のウェーハの平坦度を向上させることができる。結果として、エッチング後の最終製品としての研磨後のウェーハの平坦度も改善される。
また、本発明によれば、隣接する仕切り板間の間隔を、半導体ウェーハの中央部に対応する中央領域における間隔が、半導体ウェーハの外周部に対応する外周領域における間隔よりも小さくなるように設定する。これにより、半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速と、半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とを、ほぼ同じ流速に制御することができる。
【００２５】
本発明の半導体ウェーハのエッチング装置では、隣接する前記仕切り板間の間隔は、前記中央領域における間隔が１７ｍｍ以下、かつ、前記外周領域における間隔が３２ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２６】
本発明によれば、隣接する仕切り板間の間隔が、中央領域における間隔が１７ｍｍ以下、かつ、外周領域における間隔が３２ｍｍ以上である。仕切り板間の中央領域における間隔及び外周領域における間隔が上記範囲内であれば、半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速と、半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とを、ほぼ同じ流速に制御することができる。
【００２７】
本発明の半導体ウェーハのエッチング装置では、前記仕切り板の厚さは、前記中央領域における厚さが、前記外周領域における厚さよりも大きいことが好ましい。
【００２８】
本発明によれば、仕切り板の厚さは、中央領域における厚さが、外周領域における厚さよりも大きい。上記形状の仕切り板をウェーハマガジンに設置することで、半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速と、半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とを、ほぼ同じ流速に制御することができる。
【００２９】
本発明の半導体ウェーハのエッチング装置では、前記仕切り板の外周領域における厚さは、前記半導体ウェーハと略同じ厚さであることが好ましい。
【００３０】
本発明によれば、仕切り板の外周領域における厚さが、半導体ウェーハと略同じ厚さとしているので、半導体ウェーハ同士の相対回転流速を適度に緩衝することができるため、エッチング液の乱流の発生を好適に抑制することができる。
【００３１】
本発明の半導体ウェーハのエッチング方法は、エッチング液を貯留するエッチング槽と、前記エッチング槽に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハを回転可能に収納するウェーハマガジンと、前記ウェーハマガジンの内部に前記複数枚の半導体ウェーハの間に位置するように配設された複数枚の仕切り板と、を備え、隣接する前記仕切り板間の間隔は、前記半導体ウェーハの中央部に対応する中央領域における間隔が、前記半導体ウェーハの外周部に対応する外周領域における間隔よりも小さくなるように構成された半導体ウェーハのエッチング装置を用い、前記半導体ウェーハを前記エッチング液に浸した状態で保持し、前記半導体ウェーハを回転させながらエッチングする半導体ウェーハのエッチング方法において、前記半導体ウェーハを回転させた状態、かつ、前記仕切り板を回転させない状態で、前記半導体ウェーハの中央部の近傍のエッチング液の流速が、前記半導体ウェーハの外周部の近傍のエッチング液の流速とほぼ同じ流速となるように、前記エッチング液の流速を制御することを特徴とする。
【００３２】
本発明によれば、上述のエッチング装置を用い、仕切り板によりエッチング液の流速を制御している。仕切り板によりウェーハ近傍のエッチング液の流速を制御することで、ウェーハの中央部付近の反応生成ガスの剥離が促進されるため、反応生成ガスの剥離の遅れを起因とするエッチングの進行妨害が解消される。そのため、ウェーハの中央部と外周部とがほぼ同程度にエッチングされるので、エッチング後のウェーハの平坦度を向上させることができる。結果として、エッチング後の最終製品としての研磨後のウェーハの平坦度も改善される。
【００３３】
本発明の半導体ウェーハのエッチング方法では、前記複数枚の半導体ウェーハの回転は、正回転と逆回転とが交互に行われることが好ましい。
【００３４】
本発明によれば、半導体ウェーハの回転を正回転と逆回転に交互に行うことで、エッチング液の乱流の発生をより抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来のエッチング装置の概略図。
【図２】従来のウェーハマガジンの概略図。
【図３】図２のウェーハマガジンを備えたエッチング装置でエッチングしたときの、エッチング後のウェーハの平坦度を示す図。
【図４】図２のウェーハマガジンを備えたエッチング装置でエッチングし、更に表面研磨したときの、表面研磨後のウェーハの平坦度を示す図。
【図５】ウェーハの平坦度の測定位置を示す図。
【図６】図２のウェーハマガジンを備えたエッチング装置でエッチングしたときの、１バッチ内のウェーハの平坦度を示す図。
【図７】複数枚のウェーハの間に位置するように仕切り板が配置されたウェーハマガジンの概略図。
【図８】図７のウェーハマガジンを備えたエッチング装置でエッチングしたときの、エッチング後のウェーハの平坦度を示す図。
【図９】図７のウェーハマガジンを備えたエッチング装置でエッチングし、更に表面研磨したときの、表面研磨後のウェーハの平坦度を示す図。
【図１０】ウェーハ近傍におけるエッチング液の流れを示す図。
【図１１】図７のウェーハマガジンの仕切り板間の間隔を変更したときの、仕切り板間の間隔とウェーハ平坦度との関係を示す図。
【図１２】本実施形態のエッチング装置の概略図。
【図１３】本実施形態の仕切り板が配置されたウェーハマガジンの概略図。
【図１４】図１３の仕切り板の形状を示す概略図。
【図１５】比較例１における、異なる仕切り板を用いたエッチング後のウェーハ平坦度を示す図。
【図１６】実施例１における、異なる仕切り板を用いたエッチング後のウェーハ平坦度を示す図。
【図１７】比較例１における、異なる仕切り板を用いた研磨後のウェーハ平坦度を示す図。
【図１８】実施例１における、異なる仕切り板を用いた研磨後のウェーハ平坦度を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
＜半導体ウェーハのエッチング装置の構成＞
まず、エッチング装置の構成について説明する。
図１２は、エッチング装置１０を示した概略図である。
エッチング装置１０は主として、内部にエッチング液を貯留するエッチング槽１１と、複数枚の半導体ウェーハＷを回転可能に支持して収納するウェーハマガジン１２と、を備えている。
図１３に示すように、ウェーハマガジン１２は、半導体ウェーハＷを収納するために離間配置された２枚の側面板１３ａ，１３ｂを備えている。また、２枚の側面板１３ａ，１３ｂの間には、中央仕切り板１４が離間配置されている。また、側面板１３ａと中央仕切り板１４の間、側面板１３ｂと中央仕切り板１４の間には、複数枚の仕切り板１５が配設されている。また、これらの側面板１３ａ，１３ｂ、中央仕切り板１４及び仕切り板１５は、メインローラ１６により連結保持されている。メインローラ１６には接触支持部材１７が設けられている。
図１２に戻って、ウェーハマガジン１２の内部に収納された複数枚の半導体ウェーハＷは、接触支持部材１７により、それぞれ接触支持される。また、エッチング装置１０では、半導体ウェーハＷを回転させるための駆動部１８、ウェーハマガジン１２を昇降させる昇降手段（図示略）を備えている。
【００３７】
＜仕切り板の構成＞
図１４は、本実施形態の仕切り板１５の形状を示す概略図である。図中の左側が平面図、右側が断面図である。
なお、図１４では、仕切り板１５の形状は、断面視で、表面側及び裏面側が線対称に形成されている。そのため、表面側のみを説明し、裏面側の説明を省略する。
仕切り板１５の表面には、断面視で、その中央領域１５１が外周領域１５２よりも外方に突出する突出部１５３が形成されている。突出部１５３は、平面視で、円形状に形成され、平坦部１５４と傾斜部１５５とを有している。平坦部１５４は、突出部１５３の中央に位置し、その表面が平坦な円形状に形成されている。傾斜部１５５は、平坦部１５４の外周と、外周領域１５２の内周とを緩やかな傾斜で接続している。
また、突出部１５３は、ウェーハマガジン１２に半導体ウェーハＷを収納したとき、半導体ウェーハＷの外周と、突出部１５３の外周（傾斜部１５５の外周）、平坦部１５４の外周とが略同心円状となるように形成されている。
突出部１５３の大きさは、ウェーハマガジン１２に収納する半導体ウェーハＷの径に対して７０〜８０％が好ましく、７５％がより好ましい。平坦部１５４の大きさは、ウェーハマガジン１２に収納する半導体ウェーハＷの径に対して３０〜５０％が好ましく、４０％がより好ましい。
なお、本実施形態では、仕切り板１５の材質に、エッチング液に対して耐性を有するポリプロピレンを用いている。しかし、塩化ビニルなどのように、ある程度の強度と耐酸性を有する素材であれば、他の材質であっても好適に用いることができる。
【００３８】
＜半導体ウェーハ＞
半導体ウェーハＷは、ウェーハマガジン１２の内部空間に、それぞれの表面同士が平行になるように並べられて収納されている。
ここで、本実施形態のエッチング装置１０において、エッチングの対象とされる半導体ウェーハＷとしては、例えば、シリコンウェーハ、ガリウム・砒素ウェーハなどが挙げられる。また、これらの半導体ウェーハＷのサイズは、４〜１２インチ程度のものが使用される。
【００３９】
＜エッチング液＞
エッチング液は、一般的に用いられるものを使用することができる。例えば、フッ化水素（ＨＦ）、硝酸（ＨＮＯ３）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、各種リン酸等の混酸液からなる酸エッチング液や、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、アンモニア（ＮＨ３）等のアルカリエッチング液等が挙げられる。なお、エッチング液は図示しない温度調節機構により、あらかじめ定められた所定の温度に調整される。
【００４０】
＜半導体ウェーハのエッチング方法＞
次に、上記のように構成されたエッチング装置１０の動作について説明する。
まず、エッチング槽１１にエッチング液を供給する。なお、エッチング液は、随時エッチング槽１１に供給される。エッチング槽１１の上端から溢れたエッチング液は、回収槽（図示略）により回収される。回収されたエッチング液は、フィルター（図示略）でろ過され、エッチングにより回収したエッチング液に含まれる異物等が除去される。そして、エッチングで消費された不足成分が追加され、組成が調整されたのち、エッチング槽１１に再供給される。このようにしてエッチング液を循環させている。
次に、あらかじめ複数枚の仕切り板１５が設置されたウェーハマガジン１２に、複数枚の半導体ウェーハＷを収納する。収納した半導体ウェーハＷは、接触支持部材１７によりそれぞれ接触支持され、表面同士が平行になる縦列状態となる。
半導体ウェーハＷの収納後、駆動部１０８の駆動モータを回転させ、メインローラ１６を回転させる。メインローラ１６の回転により、接触支持部材１７に接触支持されている半導体ウェーハＷを回転させる。駆動モータの回転数を制御することにより、半導体ウェーハＷは１０〜６０ｒｐｍの速度で回転させ、任意秒ごとに、回転方向を正回転、逆回転させる。
【００４１】
この状態で、半導体ウェーハＷが収納されたウェーハマガジン１２をエッチング槽１１に浸漬させ、半導体ウェーハＷのエッチングを実施する。
エッチング終了後は、エッチング槽１１からウェーハマガジン１２が引き上げられ、図示しない洗浄槽に移され、洗浄される。
【００４２】
〔他の実施形態〕
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
例えば、仕切り板１５の突出部１５３を、平坦部１５４と傾斜部１５５とを有する形状としたが、これに限定されない。例えば、傾斜部のない、平坦部１５４のみからなる形状としてもよい。また、断面視で突出部１５３の外周が半楕円形状となるように形成してもよい。
その他、本発明の実施における具体的な構造及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
【実施例】
【００４３】
次に、本発明を実施例及び比較例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
図７に示す内部に収納する複数枚の半導体ウェーハの間に、表面が平坦な仕切り板２０５が複数枚設置されたウェーハマガジン２０２を用意した。図７に示すウェーハマガジン２０２の隣接する仕切り板２０５間の間隔は３３ｍｍである。
また、図１３に示す、中央領域１５１に突出部１５３が形成された仕切り板１５が複数枚設置されたウェーハマガジン１２を用意した。図１３に示すウェーハマガジン１２の隣接する仕切り板１５間の間隔は、突出部１５３の平坦部１５４における間隔が１７ｍｍ、かつ、外周領域１５２における間隔が３３ｍｍである。
処理対象の半導体ウェーハＷとして、ラッピング処理を終えた、２００ｍｍφのシリコンウェーハを用意した。
そして、図７に示すウェーハマガジン２０２を備えた図１に示すエッチング装置１００を使用して複数枚のシリコンウェーハを下記の条件でエッチングし、エッチング後のシリコンウェーハの表面を表面研磨装置（図示略）により表面研磨した（比較例１）。
同様に、図１３に示すウェーハマガジン１２を備えた図１２に示すエッチング装置１０を使用して複数枚のシリコンウェーハを下記の条件でエッチングし、エッチング後のシリコンウェーハの表面を表面研磨装置（図示略）により表面研磨した（実施例１）。
【００４４】
（エッチング条件）
エッチング液：フッ酸と硝酸と酢酸の混酸
回転数：３０ｒｐｍ（正・逆交互回転）
エッチング時間：１８０秒間
【００４５】
エッチング後と表面研磨後のシリコンウェーハについて、測定機器としてウェーハ平坦度測定器（ＡＤＥ９３００：米ＡＤＥ社製）を用いて、表面の平坦度を測定した。なお、平坦度測定は、図５に示すように、測定対象のシリコンウェーハを２５ｍｍ角のセルに区切り、各セルについて、それぞれの平坦度（ＳＦＱＲ）を算出した。その結果を図１５〜図１８に示す。図１５は、比較例１におけるエッチング後のウェーハ平坦度を示し、図１６は、実施例１におけるエッチング後のウェーハ平坦度を示す。図１５，１６の各セルに示した数値は、比較例１のエッチング後のシリコンウェーハにおけるウェーハ平坦度の最大値を１としたときの相対値である。
また、図１７は、比較例１における表面研磨後のウェーハ平坦度を示し、図１８は、実施例１における表面研磨後のウェーハ平坦度を示す。図１７，１８の各セルに示した数値は、比較例１の表面研磨後のシリコンウェーハにおけるウェーハ平坦度の最大値を１としたときの相対値である。
【００４６】
図１５〜図１８から明らかなように、比較例１に比べて、実施例１では、シリコンウェーハの中央部の平坦度が大きく改善されていることが確認できる。
【符号の説明】
【００４７】
１０…エッチング装置、１１…エッチング槽、１２…ウェーハマガジン、１３ａ，１３ｂ…側面板、１４…中央仕切り板、１５…仕切り板、１６…メインローラ、１７…接触支持部材、１８…駆動部、１５１…中央領域、１５２…外周領域、１５３…突出部、１５４…平坦部、１５５…傾斜部、Ｗ…半導体ウェーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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