(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだ粉末と無機粉末とを含む非樹脂系粉末と、
第１のエポキシ樹脂と硬化剤と有機酸とを含むフラックスと、
を備え、
前記非樹脂系粉末の全量１００ｗｔ％について、前記はんだ粉末の含有率が６０〜９５ｗｔ％であって、前記無機粉末の含有率が５〜４０ｗｔ％であって、
前記無機粉末の表面は、有機樹脂で覆われ、表面を覆う有機樹脂を含む前記無機粉末の平均粒子径は、１．０μｍ〜２５μｍの範囲である、樹脂フラックスはんだペースト。
【請求項２】
前記無機粉末は、シリカであって、
前記有機樹脂は、第２のエポキシ樹脂である、請求項１に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
【請求項３】
前記はんだ粉末は、４２Ｓｎ５８Ｂｉ、４２Ｓｎ５７Ｂｉ１．０Ａｇ、１６Ｓｎ５６Ｂｉ２８Ｉｎ（質量％）の何れか１つである、請求項１又は２に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
【請求項４】
回路基板上の電極と、前記回路基板に実装する電子部品の端子との少なくとも一方の上に、請求項１から３のいずれか一項に記載の樹脂フラックスはんだペーストを設ける工程と、
前記回路基板上の前記電極と、前記電子部品の前記端子とを、前記樹脂フラックスはんだペーストを介して配置する工程と、
前記樹脂フラックスはんだペーストを前記はんだ粉末の融点以上の温度に加熱して、前記樹脂フラックスはんだペーストを、前記電極と前記端子との間を接続するはんだと、前記はんだの周囲の少なくとも一部を覆い、表面が有機樹脂で覆われている無機粉末が分散している前記第１のエポキシ樹脂を硬化させた硬化エポキシ樹脂とに分離して、前記回路基板上の前記電極と、前記電子部品の前記端子とを、はんだ接合する工程と、
を含む、実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として回路基板に半導体部品や電子部品などをはんだ付けする際に用いられるはんだペーストのうち、エポキシ樹脂を含むフラックス成分を有する、樹脂フラックスはんだペースト及び実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等のモバイル機器の小型化、高機能化が進んでいる。これに対応できる実装技術として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの実装構造が多く用いられている。モバイル機器は、落下衝撃などの機械的負荷にさらされやすい。ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）では、そのリード部分で衝撃を吸収する。しかし、衝撃を緩和するリードを持たないＢＧＡやＣＳＰなどでは、耐衝撃信頼性を確保することが重要となってきている。
【０００３】
従来の代表的なはんだであるＰｂ共晶はんだの融点は、１８３℃である。一方、昨今の鉛フリーはんだの代表的なＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕ系はんだでは、その融点は、Ｐｂ共晶はんだよりも３０℃程度高いものになっている。そのため、リフロー炉のプロファイルの最高温度は、２２０〜２６０℃へと高くなっている。高温耐性の弱い部品を回路基板に実装する場合は、その部品のみ別工程でスポットはんだ接合するため、著しく生産性が低くなっていた。
【０００４】
そこで、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ(以下、「ＳＡＣはんだ」、と称する。)の融点が高いというデメリットを無くしたＳｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系等の低融点Ｐｂフリーはんだが使用され始めている。ところが、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだを用いたＢＧＡ接続は、そのはんだ接続部の接続信頼性、特に、耐衝撃信頼性などは、まだ十分には確立されていない。
【０００５】
その対策として、接続部の耐衝撃信頼性を高めるために、フラックスに熱硬化性樹脂を含むはんだペースト（以下、「樹脂フラックスはんだペースト」、と称する）を用いた半導体実装構造体およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
なお、樹脂フラックスはんだペーストの組成の一例としては、エポキシ樹脂、硬化剤、有機酸、増粘材で構成されるフラックス、及び、はんだ粉末からなるペーストが挙げられる。
【０００６】
また、実装構造体の耐落下信頼性の二つ目の対策として、ＣＳＰ等の半導体部品５１の端子５２を通常のＳＡＣはんだ５５で基板５３の電極５４に接続した後、アンダーフィル材と呼ばれる液状封止材５７を用いて、接続の強度補強を行う方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。図４は、従来のはんだボールによる接続を行った後、アンダーフィル材５７による補強を行った場合の概略断面図である。アンダーフィル材５７は、例えば、液状エポキシ樹脂と硬化剤とシリカ等の無機粉末５８を含む低粘度液状樹脂組成物である。アンダーフィル材５７には、シリカ等の無機粉末５８を含んでいるため、硬化物の熱膨張係数が小さく、弾性率も高くすることが出来る。それによって、ＣＳＰのはんだバンプ５５とアンダーフィル材５７の樹脂との熱膨張の差を小さく出来る。その結果、バンプ５５の周囲をアンダーフィル材５７の硬い樹脂で補強できるため、非常に高い耐落下信頼性を確保することが出来る。
【０００７】
アンダーフィル材５７は、ＣＳＰチップと配線回路基板と僅かな隙間に、ＣＳＰチップの周囲から毛細管現象で浸透させて充填する。この工程は、ＣＳＰをはんだボール５５で基板５３に実装した後に、さらに、フラックス洗浄、アンダーフィル充填、アンダーフィル硬化という長い工程を追加して作成されている。そのため、少しでも製造コストを下げたい電子機器の製造においては、コストアップの要因となっている。
【０００８】
そのコスト対策の一つとして、通常のＳＡＣはんだの代わりに、前述の樹脂フラックスはんだペーストを用いて、ＣＳＰのはんだボールを回路基板と接続し、同時に樹脂補強する対策が実施されている。つまり、リフロー加熱によって、樹脂フラックスはんだペーストのはんだが、ＣＳＰのはんだボールと溶融接続する際、樹脂がはんだの周囲に押し出され、はんだの周囲を補強する構造を形成するため、アンダーフィルなしでも樹脂補強が行なる。これによって、フラックス洗浄、アンダーフィル充填、アンダーフィル硬化というプロセスが不要となり、工程の短縮が行える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−２８３４５３号公報
【特許文献２】特開２０１１−１４２１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、この樹脂フラックスはんだペーストを用いる対策は、従来のアンダーフィル充填に比べて、やや耐落下信頼性が劣るという課題がある。その理由は、２つ挙げられる。一つ目は、樹脂フラックスはんだペーストに含まれるＳｎ−Ｂｉ系の低融点はんだは、ＳＡＣはんだに比べて脆い特性を有することである。そのため、この樹脂フラックスはんだペーストを使う対策をモバイル機器等に使用した場合は、落下試験では、ＳＡＣはんだよりも壊れ易くなる。二つ目には、樹脂フラックスはんだペーストによるはんだ接続では、確かに、はんだ接続部を樹脂で補強しているが、この補強樹脂には、アンダーフィルに含まれるようなシリカ等のフィラーが含まれておらず樹脂のみである。そのため、アンダーフィルに比べて、樹脂硬化物の熱膨張係数は大きく、また弾性率は小さい。このような特性のため、ＣＳＰのはんだバンプの補強効果も小さくなり、結果として、耐落下信頼性も低くなる。
【００１１】
本発明は、アンダーフィル工程が不要で、且つ、優れたはんだバンプの補強効果を有する樹脂フラックスはんだペースト及び実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る樹脂フラックスはんだペーストは、はんだ粉末と無機粉末とを含む非樹脂系粉末と、
第１のエポキシ樹脂と硬化剤と有機酸とを含むフラックスと、
を備え、
前記非樹脂系粉末は、全体の３０〜９０ｗｔ％であって、
前記無機粉末の表面は、有機樹脂で覆われている。
【００１３】
本発明に係る実装構造体は、電極を有する回路基板と、
端子を有する電子部品と、
前記回路基板の前記電極と前記電子部品の前記端子との間を接続するはんだを含む導電部と、
前記はんだの周囲の少なくとも一部を覆い、無機粉末が分散している硬化した第１のエポキシ樹脂を含む補強部と、
を備え、前記補強部の前記無機粉末は、表面が有機樹脂で覆われている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る樹脂フラックスはんだペーストによれば、電子部品の回路基板へのはんだ接合に用いた場合に、無機粉末を含むため、アンダーフィル材を用いることなく、はんだ接合部における樹脂による補強部をより強固に補強することができる。そこで実装構造体の耐落下性を向上させることができる。また、無機粉末の表面を有機樹脂で覆っているので、はんだ粉末の溶融時にフラックスの還元作用を妨げる作用を抑えることができる。そこで、はんだ粉末の溶融性を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における樹脂フラックスはんだペーストを用いて接合された実装構造体の断面構造を示す断面図である。
【図２】実施の形態１における樹脂フラックスはんだペーストに含まれる表面を有機樹脂で覆った無機粒子の断面構造を示す断面図である。
【図３Ａ】実施の形態における実装構造体を作成する製造プロセスにおいて、回路基板の電極の上に樹脂フラックスはんだペーストを塗布する工程を示す概略断面図である。
【図３Ｂ】半導体部品１の端子と回路基板の電極とが対向するように、チップマウンターなどを用いて半導体部品と回路基板とを重ねる工程を示す概略断面図である。
【図３Ｃ】リフロー炉内で樹脂フラックスはんだペーストを所定の加熱温度まで加熱する工程を示す概略断面図である。
【図３Ｄ】樹脂フラックスはんだペースト中のはんだ粉末と、半導体部品の端子に設けているはんだボールが溶融する温度まで加熱する工程を示す概略断面図である。
【図４】従来のはんだボールによる接続を行った後、アンダーフィル材による補強を行った場合の実装構造体の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜本発明に至る経緯＞
本発明者は、樹脂フラックスはんだペーストに上記アンダーフィル材に含まれるシリカ等の無機粉末をあらかじめ含めておくことによって、アンダーフィル工程を不要にできないか検討した。その結果、無機粉末と、はんだ粉末とが共存した樹脂フラックスはんだペーストを加熱すると、本来、溶融して金属接合をするはんだ粉末が殆ど溶融せず、金属接合が出来なくなるという重大な問題が起こることを見いだした。後述の比較例で示すが、無機粉末として、シリカ、アルミナ、タルク等と、はんだ粉末とが共存する場合は、殆どはんだが溶融しなかった。特に、アルミナでは、はんだは、全く溶融しなかった。これは、金属酸化物である無機粉末が、フラックス中の有機酸のフラックス作用（はんだの表面の酸化膜を取り除く還元反応）を阻害するためと推測される。フラックス作用を強くするために、有機酸の量を多くする検討も行ったが、通常量の１０倍量添加しても大きな改善が見られなかった。無機粉末であるシリカ、アルミナ、タルクなどの金属酸化物などのフラックス作用の阻害効果が、非常に強いことが分かった。
【００１７】
そこで、本発明者は、無機粉末のシリカの表面をコーティングして、フラックスの還元作用阻害を抑制する予備検討を行った。なお、シリカは、溶融シリカ（粒子径０．６μｍ、マイクロン社製）を用いた。
まず、（１）シリカ表面のコーティング方法として、金属膜コーティングを検討した。金属としては、銀を選定した。シリカの表面に、無電解メッキ処理にて、銀コート膜を形成した。この銀コートシリカを樹脂フラックスはんだペーストに加えて、ペーストを作成した。それを用いて、通常の塗布・加熱溶融を行うと、はんだ粉末は溶融するが、銀コートシリカ粒子は、エポキシ樹脂が硬化した部分の外側表面に浮き出してくる形で出てきた。つまり、中心のはんだ接合部、その周囲のエポキシ樹脂が硬化した部分、そして最も外側に銀コートシリカの層が形成された。この構造だと、銀コートシリカがエポキシ樹脂から分離して層を形成しエポキシ樹脂とシリカの複合化は難しいため、低熱膨張化や高強度化は期待できない。
【００１８】
続いて（２）シリカ表面のコーティングとして、エポキシ樹脂（第２のエポキシ樹脂）コーティングを検討した。元々、樹脂フラックスはんだペーストは、液状の第１のエポキシ樹脂に、はんだ粉末を含んでいる。また、第１のエポキシ樹脂と、シリカ表面をコーティングしている第２のエポキシ樹脂とは、非常に相性が良い。なお、シリカ表面への第２のエポキシ樹脂のコーティングの方法は、種々の方法が提案できるが、ここでは特には限定しない。但し、未硬化の第２のエポキシ樹脂のままでは、樹脂フラックスはんだペーストとして第１のエポキシ樹脂に分散した場合、未硬化の第２のエポキシ樹脂と第１のエポキシ樹脂とが溶け合ってしまい、シリカのコーティング膜が損なわれてしまう恐れがある。そのため、シリカの表面を覆う第２のエポキシ樹脂は、硬化反応して３次元架橋している必要がある。硬化することで樹脂フラックスはんだペーストの第２のエポキシ樹脂によって膨潤し、膜が破壊されるのを防止出来る。
そこで、無機粉末のシリカの表面をエポキシ樹脂でコーティングしておき、樹脂フラックスはんだペーストに分散させることで、はんだ粉末の溶融を阻害する作用を少なくできることを見出し、本発明に至ったものである。
【００１９】
第１の態様に係る樹脂フラックスはんだペーストは、はんだ粉末と無機粉末とを含む非樹脂系粉末と、
第１のエポキシ樹脂と硬化剤と有機酸とを含むフラックスと、
を備え、
前記非樹脂系粉末は、全体の３０〜９０ｗｔ％であって、
前記無機粉末の表面は、有機樹脂で覆われている。
【００２０】
第２の態様に係る樹脂フラックスはんだペーストは、上記第１の態様において、前記非樹脂系粉末の全量１００ｗｔ％について、前記はんだ粉末の含有率が６０〜９５ｗｔ％であって、前記無機粉末の含有率が５〜４０ｗｔ％であってもよい。
【００２１】
第３の態様に係る樹脂フラックスはんだペーストは、上記第１又は第２の態様において、表面を覆う有機樹脂を含む前記無機粉末の平均粒子径は、１．０μｍ〜２５μｍの範囲であってもよい。
【００２２】
第４の態様に係る樹脂フラックスはんだペーストは、上記第１から第３のいずれかの態様において、前記無機粉末は、シリカであって、
前記有機樹脂は、第２のエポキシ樹脂であってもよい。
【００２３】
第５の態様に係る樹脂フラックスはんだペーストは、上記第１から第４のいずれかの態様において、前記はんだ粉末は、４２Ｓｎ５８Ｂｉ、４２Ｓｎ５７Ｂｉ１．０Ａｇ、１６Ｓｎ５６Ｂｉ２８Ｉｎの何れか１つであってもよい。
【００２４】
第６の態様に係る実装構造体は、電極を有する回路基板と、
端子を有する電子部品と、
前記回路基板の前記電極と前記電子部品の前記端子との間を接続するはんだを含む導電部と、
前記はんだの周囲の少なくとも一部を覆い、無機粉末が分散している硬化した第１のエポキシ樹脂を含む補強部と、
を備え、前記補強部の前記無機粉末は、表面が有機樹脂で覆われている。
【００２５】
第７の態様に係る実装構造体の製造方法は、回路基板上の電極と、前記回路基板に実装する電子部品の端子との少なくとも一方の上に、請求項１から５のいずれか一項に記載の樹脂フラックスはんだペーストを設ける工程と、
前記回路基板上の前記電極と、前記電子部品の前記端子とを、前記樹脂フラックスはんだペーストを介して配置する工程と、
前記樹脂フラックスはんだペーストを前記はんだ粉末の融点以上の温度に加熱して、前記樹脂フラックスはんだペーストを、前記電極と前記端子との間を接続するはんだと、前記はんだの周囲の少なくとも一部を覆い、表面が有機樹脂で覆われている無機粉末が分散している前記第１のエポキシ樹脂を硬化させた硬化エポキシ樹脂とに分離して、前記回路基板上の前記電極と、前記電子部品の前記端子とを、はんだ接合する工程と、
を含む。
【００２６】
以下、実施の形態に係る樹脂フラックスはんだペースト及び実装構造体について、添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材については同一の符号を付している。
【００２７】
（実施の形態１）
＜樹脂フラックスはんだペースト＞
実施の形態１に係る樹脂フラックスはんだペーストは、はんだ粉末と無機粉末とを含む非樹脂系粉末と、第１のエポキシ樹脂と硬化剤と有機酸とを含むフラックスと、を備える。非樹脂系粉末は、全体の３０〜９０ｗｔ％である。一方、残部の１０〜７０ｗｔ％は、第１のエポキシ樹脂と硬化剤と有機酸とを含むフラックスで構成される。無機粉末は、その表面が有機樹脂で覆われている。無機粉末は、例えば、シリカであってもよい。有機樹脂は、例えば、第２のエポキシ樹脂であってもよい。
【００２８】
この樹脂フラックスはんだペーストによれば、電子部品の回路基板へのはんだ接合に用いた場合に、無機粉末を含むため、アンダーフィル材を用いることなく、はんだ接合部における樹脂による補強部をより強固に補強することができる。そこで実装構造体の耐落下性を向上させることができる。また、無機粉末の表面を有機樹脂で覆っているので、はんだ粉末の溶融時にフラックスの還元作用を妨げる作用を抑えることができる。そこで、はんだ粉末の溶融性を改善できる。
【００２９】
次に、樹脂フラックスはんだペーストの組成、および評価法について説明する。
この樹脂フラックスはんだペーストの樹脂成分は、第１のエポキシ樹脂および硬化剤を主成分としている。
【００３０】
＜第１のエポキシ樹脂＞
第１のエポキシ樹脂は、比較的低温で硬化すると共に接着性が高いため、従来のはんだリフロー処理より低い温度でも十分な硬化性を発揮して部品実装を可能とすると共に十分な補強効果を発揮することができる。第１のエポキシ樹脂は、常温で液状のエポキシ樹脂を配合することで、はんだ粒子など他の成分を容易に分散することができる。なお、本明細書において「常温で液状」とは、大気圧下での５℃〜２８℃の温度範囲、特に室温１８℃前後において流動性を持つことを意味する。常温で液状のエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するものであれば、その分子量、分子構造は特に限定されず、各種のものを用いることができる。具体的には、例えば、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、オレフィン酸化型（脂環式）などの各種の液状のエポキシ樹脂を用いることができる。さらに具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などの水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートなどを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、半導体封止用の液状エポキシ樹脂組成物の低粘度化と硬化物の物性向上とを考慮すると、常温で液状のエポキシ樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。また、常温で固形のエポキシ樹脂を併用することもできる。常温で固形のエポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格エポキシ樹脂などを用いることができる。
【００３１】
＜硬化剤＞
また、硬化剤としては、一般的なエポキシ樹脂硬化剤として、酸無水物、フェノールノボラック、各種チオール化合物、各種アミン類、ジシアンジアミド、イミダゾール類、金属錯体およびそれらのアダクト化合物、例えば、ポリアミンのアダクト変性物などを使用することができる。特に、各種イミダゾール類は、一液性とはんだ溶融性の両立に優れている。イミダゾール類としては、例えば、２−メチルイミダゾール（製品名２ＭＺ：四国化成工業株式会社製）、２−ウンデシルイミダゾール（製品名Ｃ１１Ｚ：四国化成工業株式会社製）、２−フェニルイミダゾール（製品名２ＰＺ：四国化成工業株式会社製）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（製品名２Ｅ４ＭＺ：四国化成工業株式会社製）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（製品名２Ｐ４ＭＺ：四国化成工業株式会社製）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（製品名１Ｂ２ＭＺ：四国化成工業株式会社製）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（製品名１Ｂ２ＰＺ：四国化成工業株式会社製）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（製品名２ＭＺ−ＣＮ：四国化成工業株式会社製）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール（製品名２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ：四国化成工業株式会社製）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（製品名２ＰＺ−ＣＮ：四国化成工業株式会社製）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（製品名Ｃ１１Ｚ−ＣＮ：四国化成工業株式会社製）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（製品名２ＰＺ−ＣＮＳ：四国化成工業株式会社製）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト（製品名Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ：四国化成工業株式会社製）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（製品名２ＭＺ−Ａ：四国化成工業株式会社製）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（製品名Ｃ１１Ｚ−Ａ：四国化成工業株式会社製）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（製品名２Ｅ４ＭＺ−Ａ：四国化成工業株式会社製）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（製品名２Ｐ４ＭＨＺ：四国化成工業株式会社製）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（製品名：２ＰＨＺ（四国化成工業株式会社製））、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（製品名２ＭＡ−ＯＫ：四国化成工業株式会社製）、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物（製品名２ＰＺ−ＯＫ：四国化成工業株式会社製）や、これらのイミダゾール類をエポキシ樹脂と付加させた化合物が挙げられる。また、これら硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質などで被覆してマイクロカプセル化したものを用いることもできる。
硬化剤の使用量は適宜設定されるが、第１のエポキシ樹脂のエポキシ当量に対する硬化剤の化学量論上の当量比が０．８〜１．２の範囲となるようにすることが好ましい。
なお、樹脂成分には、第１のエポキシ樹脂および硬化剤の他に、さらに必要に応じて、硬化促進剤も配合することができる。
【００３２】
＜硬化促進剤＞
硬化促進剤としては上記イミダゾール類の他に、例えば３級アミン類、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７や１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５などの環状アミン類およびそれらのテトラフェニルボレート塩、トリブチルホスフィンなどのトリアルキルホスフィン類、トリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートやテトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムテトラフェニルボレートなどの４級ホスホニウム塩、Ｆｅアセチルアセトナートなどの金属錯体およびそれらのアダクト化合物を用いることができる。これらの硬化促進剤の配合量は、ゲル化時間や保存安定性を考慮して適宜設定される。
【００３３】
＜有機酸＞
樹脂フラックスはんだペーストに配合される有機酸は、特に限定されるものではなく、例えば、アビエチン酸に代表されるロジン成分材料、各種アミンおよびその塩、セバシン塩、アジピン酸、グルタル酸、コハク酸、マロン酸、クエン酸、ピメリン酸、などの有機酸を用いることができる。特に、有機酸は、優れたフラックス作用（ここで、フラックス作用とは、はんだペーストが塗布される金属表面に生じた酸化皮膜を除去するという還元作用、及び、溶融はんだの表面張力を低下させて、はんだの接合金属表面への濡れ性を促進する作用を意味する）を有する。
これらの有機酸は、一種類の成分であってもよく、二種類以上の成分を混合してもよい。そしてこれらの有機酸の中でも、アジピン酸、グルタル酸は、フラックス活性が高く、化合物としての安定性が高いため、好ましい。
【００３４】
また、本発明の樹脂フラックスはんだペーストには、上記必須成分のほか、通常用いられる改質剤、添加剤などが含有されていてもよい。また、樹脂フラックスはんだペーストの粘度を低減し、流動性を付与する目的で、低沸点の溶剤や可塑剤を加えることもできる。さらに、印刷形状を保持するためのチクソ性付与剤として、硬化ヒマシ油やステアリン酸アミドなどを添加することも有効である。
【００３５】
＜はんだ粉末＞
はんだ粉末としては、融点２４０℃以下のはんだ粉末が用いられる。はんだ粉末の融点の下限は特に限定されるものではないが、１３０℃以上であることが好ましい。ＢＧＡ，ＣＳＰ半導体のはんだボールは、錫−銀−銅（ＳＡＣ）はんだ粉末を用いるが、その融点（２４０℃）より低いはんだを使うことで、ＳＡＣはんだ粉末が再溶融することを防止できる。そのはんだ粉末の組成としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｎをベースとした合金などをいることができる。具体的には、ＳｎＢｉ系のＳｎ４２／Ｂｉ５８（Ｓｎ０．４２Ｂｉ０．５８），Ｓｎ４２／Ｂｉ５７／Ａｇ１．０，Ｓｎ１６／Ｂｉ５６／Ｉｎ２８等が好ましい。
また、この樹脂フラックスはんだペーストでは、はんだ粉末と無機粉末で構成される非樹脂系粉末の比率が全体の３０〜９０ｗｔ％で、残部の１０〜７０ｗｔ％が第１のエポキシ樹脂、硬化剤、及び有機酸であるフラックスであることを特徴としている。この非樹脂系粉末の比率が、３０ｗｔ％よりも少ないと、はんだ量が少なくなるため、十分な電気的接続が得られない。また、非樹脂系粉末の比率が、９０ｗｔ％よりも多いと粘度が高すぎて、印刷性が難しくなる。
【００３６】
＜無機粉末（無機フィラー）＞
本発明の樹脂フラックスはんだペーストは、はんだ成分以外に、無機粉末（以下「無機フィラー」と呼ぶ場合がある。）を含むことを特徴としている。無機フィラーは、低熱膨張であり、樹脂成分中に含まれることで、熱膨張率を低減し、かつ弾性率を高くすることが出来る。
無機フィラーの種類としては、半導体封止材などで一般的に使用されるものと同様に、シリカ、アルミナ、タルク、などを使用できる。この樹脂フラックスはんだペーストにおいては、樹脂成分と共に、はんだ粉末と無機フィラーとが共存する。
樹脂フラックスはんだペースト中のはんだ粉末と無機粉末から構成される非樹脂系粉末において、非樹脂系粉末の全量に対して、はんだ粉末の比率（含有率）は、６０〜９５％であって、無機粉末の比率（含有率）は、５〜４０％であるのが好ましい。この範囲内にすると、樹脂フラックスはんだペーストの硬化物による半導体部品の電気的接合性や樹脂成分の低熱膨張率化や高弾性率化によるはんだ部分への補強効果を十分に発揮させることができ、高粘度化による塗布作業性の低下も抑制することができる。
【００３７】
図２は、この樹脂フラックスはんだペーストにおける無機粉末８の断面構造を示す断面図である。芯の無機粉末８ａの表面は、有機樹脂８ｂで覆われている。この有機樹脂８ｂとしては、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。なお、芯の無機粉末８ａの表面を覆う有機樹脂８ｂは、エポキシ樹脂に限定されない。有機樹脂８ｂとしては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等を使用でき、第１のエポキシ樹脂への分散性、相溶性等を考慮すると、エポキシ樹脂等が好ましい。無機粉末の表面を覆うエポキシ樹脂は、第１のエポキシ樹脂と同一のエポキシ樹脂に限られないので「第２のエポキシ樹脂」とする。
【００３８】
＜第２のエポキシ樹脂＞
この無機粉末の表面に第２のエポキシ樹脂で形成された膜は、樹脂との膨潤破壊を防止するために、膜厚が、０．１〜２５μｍであることが望ましい。第２のエポキシ樹脂が反応硬化した膜の膜厚が、０．１μｍより薄いと、膜の強度が弱く、エポキシバインダーによる膨潤により、コーティング膜が破壊されて、無機粉末の被覆が不十分なところが出来て、そのために、はんだ粉末の溶融が悪くなる傾向がある。また、第２のエポキシ樹脂が反応硬化した膜の膜厚が、２５μｍより厚くなると、無機粉末の低熱膨張化の効果が小さくなる。
さらに、樹脂フラックスはんだペーストに含まれる第２のエポキシ樹脂が反応硬化した膜で覆われた無機粉末の平均粒子径は、１．０μｍ〜２５μｍの範囲であることが望ましい。この第２のエポキシ樹脂が反応硬化した膜で覆われた無機粉末の平均粒子径が、１．０μｍよりも小さいと、樹脂フラックスはんだペースト組成物の粘度が高くなり、取り扱い性が悪くなる。また、無機粉末の平均粒子径が、２５μｍより大きくなると、はんだがメタライズし凝集する際、無機粉末が動いて、樹脂成分内で均一に分散することが出来なくなり、効果的な第１のエポキシ樹脂の低熱膨張化効果が発揮出来なくなる。
【００３９】
＜樹脂フラックスはんだペーストの製造方法＞
次に、樹脂フラックスはんだペーストの製造方法の一例を示す。
（１）まず、融点が２４０℃以下のはんだ粉末、第１のエポキシ樹脂の一部または全部、硬化剤、およびフラックス成分を混合する。
（２）次いで、その混合物に、先に第１のエポキシ樹脂の一部を用いた場合にはその残余と、表面が有機樹脂で形成された膜で覆われた無機粉末とを添加して混合する。
以上によって、樹脂フラックスはんだペーストが得られる。
このように製造すれば、はんだ粉末の周囲にフラックス成分を馴染ませて樹脂フラックスはんだペーストを得ることができ、室温下での保存安定性と加熱時のはんだ粉末の溶融を効率よく発現することができる。
こうして得られた樹脂フラックスはんだペーストは、上記のとおり樹脂成分として第１のエポキシ樹脂と硬化剤とを含有しているため、室温下における粘度上昇が抑制される。このため、保存安定性が高いものである。
また、無機粉末の表面を有機樹脂で覆っているので、はんだ粉末の溶融時にフラックスである有機酸の還元作用を妨げる作用を抑えることができる。そこで、はんだ粉末の溶融性を改善できる。
【００４０】
＜実装構造体＞
図１は、実施の形態１に係る樹脂フラックスはんだペースト１０を用いて接合された実装構造体２０の断面図である。この実装構造体２０は、電子部品１の端子２と、回路基板３に設けた電極４との間を、例えば、ＳＡＣはんだバンプ５とＳｎＢｉ低温はんだ６とで接合し、そのはんだ５、６の周囲を硬化した第１のエポキシ樹脂７で補強した構造を有する。第１のエポキシ樹脂７には、芯の無機粉末８ａの表面が樹脂膜（例えば、硬化した第２のエポキシ樹脂で形成された膜）８ｂで覆われた無機粉末８が分散している。
この実装構造体２０によれば、上記樹脂フラックスはんだペースト１０を使用することで、電子部品であるＣＳＰチップ１の端子２上のＳＡＣはんだ５と、回路基板３の電極４とが、低温はんだ６で接合され、その周囲を樹脂７が覆っている。つまり、はんだ５、６で形成された導電部を第１のエポキシ樹脂７で補強した構造（補強部）が形成される。さらには、その第１のエポキシ樹脂７で形成された補強部は、芯の無機粉末（シリカ）８ａの表面が有機樹脂（第２のエポキシ樹脂）８ｂで覆われた無機粉末（シリカ）８が分散された構造をとることが出来る。補強部は、低熱膨張率と高弾性率を有するシリカ８を含むため、優れた補強構造を有する。その結果、実装構造体２０は、高い耐落下信頼性を持つことが出来る。
【００４１】
この実装構造体は、例えば、電子部品の端子と回路基板の電極との間を、上記の表面を有機樹脂で覆った無機粉末を分散させた樹脂フラックスはんだペーストで接合することによって得られる。
【００４２】
＜実装構造体の製造方法＞
図３Ａから図３Ｄは、実施の形態１に係る実装構造体２０の製造方法の各工程を示す断面図である。上記樹脂フラックスはんだペーストを用いて、導体配線を有する回路基板などに電子部品である半導体部品を実装して実装構造体を得ることができる。実装構造体である半導体装置２０は、上記の樹脂フラックスはんだペースト１０を用いて、半導体部品１の端子２と回路基板３の電極４とが接合された接合部を備えている。
（１）まず、回路基板３の電極４の上に樹脂フラックスはんだペースト１０を塗布する（図３Ａ）。この樹脂フラックスはんだペースト１０は、樹脂フラックス７と、ＳｎＢｉ粉末６ａと、芯の無機粉末８ａの表面が有機樹脂８ｂで覆われた無機粉末８と、を含む。樹脂フラックスはんだペースト１０を用いた実装工程では、メタルマスク（図示せず）を用いて回路基板３の配線電極４等の所定の位置に樹脂フラックスはんだペースト１０が印刷される。例えば、電極４と同じ位置に貫通孔を設けたメタルマスク（図示せず）を回路基板３に重ねる。次いで、メタルマスクの表面に供給した樹脂フラックスはんだペースト１０をスキージで貫通孔に充填する。その後、メタルマスクを回路基板３から離すと、電極４ごとに樹脂フラックスはんだペースト１０が塗布された回路基板３を得ることができる。
【００４３】
（２）次に、樹脂フラックスはんだペースト１０が未硬化状態のまま、半導体部品１の端子２と回路基板３の電極４とが対向するように、チップマウンターなどを用いて半導体部品１と回路基板３とを重ねる（図３Ｂ）。ここで、半導体部品１としては、端子２としてはんだボール５を設けて形成されたＣＳＰ、ＢＧＡ、端子としてリードを設けて形成されたＱＦＰなどの半導体パッケージを用いることができる。また、半導体部品１としては、パッケージに収容されずに端子２を設けて形成された半導体素子（ベアチップ）を用いることができる。
【００４４】
（３）上記の状態で、半導体部品１が配置された回路基板３を、はんだリフロープロセスなどにより、リフロー炉１１内で樹脂フラックスはんだペースト１０を所定の加熱温度まで加熱する（図３Ｃ）。この樹脂フラックスはんだペースト１０は、加熱によって、はんだが溶融する工程で、樹脂フラックス７とはんだ粉末６ａとの混合体から樹脂成分の樹脂フラックス７とはんだ粉末６ａとが分離して、溶融したはんだ６の周辺を樹脂が覆うという補強構造を形成することが出来る。その補強の結果、はんだ接合部の強度が高くなり、耐衝撃信頼性を向上することが可能となる。また、この加熱温度は、はんだ粉末６ａが十分に溶融し、かつ樹脂成分の硬化反応が充分に進行する適宜の温度に設定される。なお、この加熱温度は、はんだ粉末６ａが溶融しきる前に第１のエポキシ樹脂の硬化反応が進行してはんだ粉末６ａの凝集が阻害されるようなことがないように設定されることが好ましい。そのための好ましい加熱温度は、はんだ粉末の融点よりも１０℃〜６０℃高い温度以上である。
【００４５】
（４）次いで、リフロー方式により、樹脂フラックスはんだペースト１０中のはんだ粉末６ａと、半導体部品１の端子２に設けているはんだボール５が溶融する温度まで加熱する（図３Ｄ）。樹脂フラックスは、はんだ付けされる電極２の表面の酸化膜及びはんだ粉末６ａの表面の酸化膜を還元反応で化学的に除去する作用、つまりフラックス作用を発現し、はんだの溶融接続を可能とする。この場合において、シリカ等の無機粉末８は、表面を第２のエポキシ樹脂等の有機樹脂８ｂで覆われているため、有機酸のフラックス作用への阻害を抑制できる。また、この加熱で樹脂フラックスはんだペースト１０を硬化させることによって、半導体部品１と回路基板３とを電気的に接続するはんだ接合部を設ける。すなわち、加熱されて溶融したはんだ６とはんだボール５とは一体化してはんだ接合部を形成する。はんだ粉末が解けて、金属の凝集力によって電極４に集まる際、樹脂フラックスはんだペースト１０に含まれていた無機粉末８は、溶融したはんだ６の周囲を覆っている樹脂成分７の内部に均一に分散して、樹脂成分７の硬化によって固化する。つまり、回路基板３の配線電極４と半導体部品１の端子２とのはんだ接合部の形成およびエポキシ樹脂の硬化による補強部の形成が、一回の加熱リフロー工程で行われる。
このように接合部は、溶融したはんだ６とはんだボール５とが溶融一体化したはんだ接合部（導電部）と、このはんだ接合部の周囲を覆って、無機粉末が分散し、硬化した第１のエポキシ樹脂を含む硬化部（補強部）とで形成される。
こうして、はんだ接合部によって半導体部品１と回路基板３との電機的接合がなされ、かつ、補強部に無機粉末８を含有して機械的補強がされた構造で半導体部品１が実装された実装構造体である半導体装置２０が作製される。
【００４６】
＜実施例＞
次に、実施例、比較例を用いて、本発明を説明する。以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、表１および表２に示す配合量は質量部（重量部）を表す。表１および表２に示す配合成分として、以下のものを用いた。
【００４７】
［第２のエポキシ樹脂がコートされたシリカの作成］
（１）液状エポキシ樹脂と硬化剤とを当量１対１で配合したものをエポキシ樹脂組成物として容器に秤量した。
（２）そこに、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とアセトンが、重量比が１対１の混合溶媒をエポキシ樹脂組成物９０部に対して、混合溶媒を１０部添加して、エポキシ樹脂組成物の溶媒希釈液を作成した。
（３）各種粒径の溶融シリカとして（ａ）粒子径１μｍ（ＳＯ−２５Ｒ：マイクロン社）、（ｂ）粒子径５μｍ（ＦＢ−５Ｄ：デンカ（株））、（ｃ）粒子径１１μｍ（ＦＢ−１２Ｄ：デンカ（株））、及び（ｄ）粒子径２２μｍ（ＦＢ−２０Ｄ：デンカ（株））を用意した。これらのいずれかの溶融シリカを、上記の溶媒希釈液に、重量比で、シリカ：溶媒希釈液＝８０：２０になるように添加した。
（４）このシリカ添加混合液に蓋をして密閉状態とし、シリカの表面に混合溶液が均一に覆うように、遊星式混合装置で十分に攪拌した。
（５）その後、乾燥機で７０℃、１時間で溶剤を飛ばし、更に、１２０℃、３０分加熱して、シリカの表面のエポキシ樹脂の膜を硬化させた。
（６）加熱処理したエポキシ樹脂（第２のエポキシ樹脂）がコートされたシリカは、凝集物があるため、粉砕機を使って、凝集をなくした。
（７）その後、１００メッシュ(目開き１４９μｍ)の篩を通して、粗粒子を取り除いた。
なお、７０℃１時間で溶剤を飛ばした後、１２０℃、３０分加熱する際、数分置きに攪拌を施すことで、凝集を少なくすることが出来て、その後の粉砕工程を通しても、エポキシ樹脂膜からシリカ表面の露出が少ない物が得られた。
この様にして得られたエポキシ樹脂で覆われたシリカは、平均粒子径が、５．０μｍ〜２５μｍの範囲であった。
【００４８】
［樹脂フラックスはんだペーストの作成〕
１）はんだ粉末：ＪＩＳ  Ｈ４２Ｂ：５８Ａに規定されたはんだ組成のものを用いた（Ｓｎ４２Ｂｉ５８）。はんだ粉末は常法に従って作製した。このはんだ粒子の平均粒径は１５μｍ、融点は１３９℃であった。
２）第２のエポキシ樹脂がコートされたシリカ：前述の方法で作成されたシリカを用いた。
３）第１のエポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エピコート８０６：ジャパンエポキシレジン株式会社製）
４）硬化剤： イミダゾール系硬化剤：２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名２Ｐ４ＭＨＺ：四国化成工業株式会社製）
５）有機酸：グルタル酸（関東化学株式会社製）
６）チクソ性付与材：  ＴｈｉｘｃｉｎＲ（トリオキシステアリン酸クセリセリル:エレメンティスジャパン社製)
以上の材料を用いて、有機酸を含有する接着剤とＳｎＢｉ系はんだ粉末から構成される導電性接着剤に関して、以下の処方にて作成した。
上記、３）〜６）の成分をプラネタリーミキサーを用いて均一に分散した。その後、１）２）を添加し混練し、樹脂フラックスはんだペーストを作成した。
【００４９】
〔評価素子の作成〕
次に、回路基板（ＦＲ−４基板）上のＡｕメッキされた電極にこの樹脂フラックスはんだペーストをメタルマスクを用いて、印刷で厚さ０．１ｍｍとなるように供給した。
そして、１１ｍｍ×１１ｍｍサイズで、はんだバンプ５は、０．５ｍｍピッチで、バンプ数は４４１個であり、回路基板は、３ｃｍ×７ｃｍの大きさで、厚さ０．８ｍｍで、電極材質が銅で、基板材質はガラスエポキシ材のＣＳＰ半導体パッケージをフリップチップボンダーを用いて正確に回路基板に実装した。その後、リフロー装置で加熱（１６０℃、６分）して接続した。
【００５０】
〔評価方法〕
（１）印刷性：上記回路基板に樹脂フラックスはんだペーストを印刷し、マスク転写からの転写性や、印刷物にダレやブリッジが無いかの評価を行った。
マスクからの転写が出来て、かつ、形状保持できているものを◎、形状にやや不具合があるものの転写可能なものを○、非常に形状が悪いものを×とした。
【００５１】
（２）はんだ溶融性：樹脂フラックスはんだペーストを塗布した基板をリフローを通して、はんだを溶融させた場合、はんだの溶融が出来ているかを目視評価した。
はんだの未溶融がないものを○、少し未溶融分があるものを△、溶融していないものを×とした。
【００５２】
（３）耐落下性：上記のようにして得た評価用ＣＳＰパッケージについて、ＣＳＰパッケージの落下試験を行った。具体的には、１００ｃｍの高さから実装構造体を落下させ、ＣＳＰパッケージの接続性を、ボール接続部からなるデイジーチェーンパターンの導通の有無を測定した。その導通不良となった落下回数が、１００回以上及び８０〜１００回は◎、５０〜７０回は○、０〜４０回は×とした。
【００５３】
（４）総合判定：上記（１）〜（３）の評価で、○が２つ以上あれば総合判定◎、○が１つの場合は総合判定○、×が１つでもあれば総合判定×とした。
【００５４】
次に、実施例１について説明する。はんだの種類は、Ｓｎ４２／Ｂｉ５８を用いた。用いた溶融シリカは、（ｄ）粒子径２２μｍ（ＦＢ−２０Ｄ：デンカ（株））であった。また、はんだ粉末と第２のエポキシ樹脂で膜が形成されたシリカで構成される非樹脂系粉末の比率が全体の９０ｗｔ％で、第１のエポキシ樹脂、硬化剤、及び有機酸からなるフラックス成分が、全体の１０ｗｔ％であるペースト組成である。また、シリカの表面は第２のエポキシ樹脂の膜で表面処理されている。また、非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末と第２のエポキシ樹脂の膜が形成されたシリカの比率は、シリカが４０％となる配合であった。この樹脂フラックスはんだペーストの配合について表１に示す。
この樹脂フラックスはんだペーストを用いて、（１）印刷性評価、（２）はんだ溶融性評価、（３）耐落下性評価を行った結果を表２に示す。印刷性では、ややマスク転写性に難点があるが、はんだ溶融性や耐落下性は優れている。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
【表２】
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【００５７】
実施例２は、実施例１と同様に、非樹脂系粉末の比率は、９０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ａ）粒子径１μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが５％となる配合であった。
実施例３は、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ｃ）粒子径１１μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが４０％となる配合であった。
実施例４は、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ｂ）粒子径５μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが２０％となる配合であった。
実施例５は、非樹脂系粉末の比率は、３０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ａ）粒子径１μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが４０％となる配合であった。
実施例６は、実施例３と同様に、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ｃ）粒子径１１μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが４０％となる配合であった。
実施例７は、実施例３と同様に、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが２０％となる配合であった。また、溶融シリカは、（ｂ）粒子径５μｍのものを用いた。
実施例８は、実施例３と同様に、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ｄ）粒子径２２μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが４０％となる配合であった。はんだ粉末の種類は、Ｓｎ４２／Ｂｉ５７／Ａｇ１．０（ＳＢＡと略す）を用いていた。
実施例９は、実施例３と同様に、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ｂ）粒子径５μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカとの比率は、シリカが４０％となる配合であった。はんだ粉末の種類は、Ｓｎ１６／Ｂｉ５６／Ｉｎ２８（ＳＢＩと略す）を用いていた。
【００５８】
比較例１は、実施例３と同様に、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。非樹脂系粉末は全てはんだ粉末であった。
比較例２は、実施例３と同様に、非樹脂系粉末の比率は、７０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ｂ）粒子径５μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカの比率は、シリカが４０％となる配合であるが、シリカの表面処理を行っていない。
比較例３は、非樹脂系粉末の比率は、１０ｗｔ％であった。また、溶融シリカは、（ａ）粒子径１μｍのものを用いた。非樹脂系粉末全体に対しての、はんだ粉末とシリカの比率は、シリカが４０％となる配合であった。
【００５９】
表１及び表２の結果から考察すると、非樹脂系粉末の比率は、３０〜９０ｗｔ％が、耐落下性が優れている。さらに、第２のエポキシ樹脂でコーティングしたシリカの添加で、その耐落下性は非常に向上することが分かる。
また、比較例２に示すように、第２のエポキシ樹脂でコーティングを施していないシリカを添加すると、はんだの溶融性が悪くなり接続できないことも分かった。
更には、第２のエポキシ樹脂でコーティングしたシリカの粒子径は、耐落下性には大きく影響しない。一方、印刷性の面では、粗粒子は印刷後のダレ発生に影響し、微粒子は印刷時のマスク抜けが悪くなり、印刷作業性に影響が出ることが分かる。
また、実施例８及び９に示すように、はんだ粉末の種類は、Ｓｎ４２／Ｂｉ５８だけでなく，Ｓｎ４２／Ｂｉ５７／Ａｇ１．０，Ｓｎ１６／Ｂｉ５６／Ｉｎ２８を用いても優れた耐落下性が得られることが分かった。
【００６０】
なお、本開示においては、前述した様々な実施の形態及び／又は実施例のうちの任意の実施の形態及び／又は実施例を適宜組み合わせることを含むものであり、それぞれの実施の形態及び／又は実施例が有する効果を奏することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明に係る樹脂フラックスはんだペースト及び実装構造体は、電気／電子回路形成技術の分野において、広範な用途に使用できる。例えば、ＣＣＤ素子、フォログラム素子、チップ部品等の電子部品の接続用およびそれらを基板に接合する用途に用いることができ、これらの素子、部品、または基板を内蔵する製品、例えば、ＤＶＤ、携帯電話、ポータブルＡＶ機器、デジタルカメラ等に使用することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体部品（電子部品）
２  端子（電極）
３  回路基板
４  電極
５  ＳＡＣはんだバンプ
６  ＳｎＢｉ低温はんだ
６ａ  はんだ粉末
７  エポキシ樹脂
８  無機粉末（有機樹脂で覆われた無機粉末）
８ａ  無機粉末（芯）
８ｂ  有機樹脂（第２のエポキシ樹脂）
１０  樹脂フラックスはんだペースト
１１  リフロー炉
５１  電子部品
５２  端子
５３  回路基板
５４  電極
５５  はんだボール
５７  アンダーフィル材
５８  無機粒子
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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